記録媒体を近接場光によって加熱するとともに前記記録媒体に対して記録磁界を与えることにより、磁化反転を生じさせ情報を記録させる近接場光アシスト磁気記録ヘッドであって、前記記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、前記スライダに固定され、光束を伝搬する導光構造と、前記導光構造の前記記録媒体側の先端部分に到達した前記光束を用いて前記光束による光エネルギーを表面プラズモンエネルギーに変換するとともに、変換した前記表面プラズモンエネルギーを用いて前記近接場光を前記記録媒体に照射する近接場光発生素子と、前記スライダに設けられるとともに前記記録媒体に対して前記記録磁界を与える主磁極とを備え、前記光束は、前記導光構造の前記記録媒体側の先端部分で終端するものであり、前記近接場光発生素子は、前記記録媒体側に設けられた近接場光発生素子先端部と、前記近接場光発生素子先端部とは逆側に備えられたものであり前記導光構造の前記記録媒体側の先端部分に接続された近接場光発生素子基部とを備え、前記近接場光発生素子先端部は、前記主磁極の隣に備えられていることを特徴とする近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記近接場光発生素子先端部と前記主磁極と前記導光構造とは、前記記録媒体の回転方向に沿って順に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記導光構造の前記記録媒体側の先端部分に遮光膜を備えることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記スライダに設けられるとともに前記記録媒体からの戻り磁界を吸収する副磁極と、前記記録磁界を生成するコイルとを備え、前記副磁極と前記主磁極とは前記記録媒体の回転方向に沿って順に備えられており、前記コイルは前記副磁極と前記主磁極との間に備えられており、前記近接場光発生素子先端部は前記コイルと前記主磁極との間に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記スライダに設けられるとともに前記記録媒体からの戻り磁界を吸収する副磁極と、前記記録磁界を生成するコイルとを備え、前記副磁極と前記主磁極とは前記記録媒体の回転方向に沿って順に備えられており、前記コイルは前記副磁極と前記主磁極との間に備えられており、前記近接場光発生素子先端部は前記コイルと前記副磁極との間に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記コイルは、前記記録媒体に対して直交する方向に形成されたものであり、前記導光構造の少なくとも一部は、前記コイルの前記記録媒体側とは逆側に並んで備えられており、前記コイルの形成方向に沿って備えられていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッドであって、前記導光構造は、略直方体形状のコア部と、前記コア部を取り囲み屈折率が前記コア部よりも低いクラッド部とから成る光導波路であり、前記近接場光発生素子基部は、前記コア部の内部あるいは表面近傍に配置されていることを特徴とする近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記コア部は、前記光束が前記記録媒体に向うにつれて前記コア部の断面積が減少する先細り構造を持つことを特徴とする請求項7に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記コア部は、前記近接場光発生素子基部よりも前記光束の伝搬方向の前方において遮光膜により覆われていることを特徴とする請求項7に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記近接場光発生素子先端部は、前記主磁極及び前記副磁極の前記記録媒体側の端部と同一面上に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記近接場光発生素子は、前記記録媒体に向けて断面積が減少する形状であることを特徴とする請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記近接場光発生素子基部は、前記近接場光アシスト磁気記録ヘッドの先端面側から見た平面視形状が、前記近接場光発生素子先端部よりも前記光束の伝播方向に垂直方向において幅が広いことを特徴とする請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記近接場光発生素子基部から前記近接場光発生素子先端部に亘る近接場光発生素子の表面が、曲率半径が50nm以上である滑らかな曲面であることを特徴とする請求項12に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。前記近接場光発生素子基部は、前記近接場光アシスト磁気記録ヘッドの先端面側から見た平面視形状が前記コア部の前記記録媒体側の先端部分の平面視形状と略同一であることを特徴とする請求項7に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッド。請求項1に記載の近接場光アシスト磁気記録ヘッドと、前記記録媒体と、前記近接場光アシスト磁気記録ヘッドを備えるサスペンションアームと、前記記録媒体を所定の速度で一定方向に回転させる回転駆動部と、前記サスペンションアームを前記記録媒体表面に平行な方向に移動可能に構成させるピボットと、前記サスペンションアームを前記記録媒体表面上で所定の位置に移動させるアクチュエータと、前記近接場光アシスト磁気記録ヘッドの記録再生駆動および前記回転駆動部と前記アクチュエータの動作を制御する制御部とを備えることを特徴とする情報記録再生装置。しかしながら上述のヘッド構造には次のような課題が残されていた。特許文献1の構造では、光はヘッド外部から空中伝搬による照射で導入されているため、近接場光発生素子はヘッド先端面に露出しているか、あるいは近接場光発生素子とヘッド先端面の間のヘッド材質は透明である必要が有る。故に近接場光発生素子は基板に対して記録素子よりも高い層に設けられなければならない。動作時にはヘッドは記録媒体表面に対して傾いた姿勢で浮上するため、基板の厚み方向に高い位置がヘッド末尾トレーリングエッジとなるので、この場合記録素子の後ろ側に近接場光発生素子を持つことになる。近接場光アシスト磁気記録は、近接場光によって記録媒体を加熱した後に磁場によって磁化を起こさせるものであるので、近接場光発生素子は磁極よりも前に配置させることが望ましいが、この構成ではそのような配置にすることは困難を伴う。一方、特許文献2の構造では、基板の厚み方向の低い位置から近接場光発生素子、主磁極、副磁極の順に配置されているため、媒体表面の微小領域を加熱したあとで磁場を印加することができる、という効果があるものの、光ファイバをヘッド先端面から接続する必要があり、サスペンションに沿って配置された光ファイバをヘッド先端で反転させるまで曲げなければならない。ヘッドのサイズは1ミリメートル以下であり、そのような折り曲げは機械的にも難しく、また光をコアに閉じ込めた状態を維持することも難しい。このように磁極の周辺では光ファイバの引き回しが困難となるとともに、光ファイバを折り曲げて引き回しした場合には光ファイバにおける光損失が増大し、所望の強度を有する近接場光を発生することができない。そこで本発明は以上の点に鑑みてなされたものであり、近接場光を発生させるまでの経路の設計自由度を向上させることができるとともに、所望の強度を有する近接場光を発生することができるアシスト磁気記録ヘッド及びそれを備えた情報記録再生装置を提供することを目的とする。本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒体を近接場光によって加熱するとともに記録媒体に対して記録磁界を与えることにより、磁化反転を生じさせ情報を記録させるものであり、記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、スライダに固定され、光束を伝搬する導光構造と、導光構造の記録媒体側の先端部分に到達した光束を用いて光束による光エネルギーを表面プラズモンエネルギーに変換するとともに、変換した表面プラズモンエネルギーを用いて近接場光を記録媒体に照射する近接場光発生素子と、スライダに設けられるとともに記録媒体に対して前記記録磁界を与える主磁極とを備え、光束は、導光構造の記録媒体側の先端部分で終端するものであり、近接場光発生素子は、記録媒体側に設けられた近接場光発生素子先端部と、近接場光発生素子先端部とは逆側に備えられたものであり導光構造の記録媒体側の先端部分に接続された近接場光発生基部とを備え、近接場光発生素子先端部は主磁極の隣に備えられていることを特徴とする近接場光アシスト磁気記録ヘッドことを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光のスポットと磁場のスポットを極めて微小な領域で近接させることができ、記録媒体表面の微小領域のみの磁化状態を変化させることで、高密度な情報記録を可能にする。また、導光構造の記録媒体側の先端部分に到達した光束を、表面プラズモンエネルギーに一旦変換して、光束によるエネルギーを増幅するため、近接場光を発生させるまでの経路の引回しが長くなったとしても、所望の近接場光を発生させることができる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子先端部と主磁極と導光構造とは、記録媒体の回転方向に沿って順に備えられていることを特徴とする。なお、導光構造の記録媒体側の先端部分に遮光膜が備えられていてもよい。本発明によれば、記録媒体の所望領域を近接場光発生素子で加熱した後に、主磁極による記録磁界が照射されることとなるため、情報を確実に記録することができる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、スライダに設けられるとともに記録媒体からの戻り磁界を吸収する副磁極と、記録磁界を生成するコイルとを備え、副磁極と主磁極とは記録媒体の回転方向に沿って順に備えられており、コイルは副磁極と主磁極との間に備えられており、近接場光発生素子先端部はコイルと主磁極との間に備えられていることを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、ヘッドの走査方向において近接場光発生素子が主磁極よりも前方に位置することによって、媒体表面の微小領域を加熱した直後に主磁極による磁場を印加し、高密度な情報記録を可能にする。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、スライダに設けられるとともに記録媒体からの戻り磁界を吸収する副磁極と、記録磁界を生成するコイルとを備え、副磁極と主磁極とは記録媒体の回転方向に沿って順に備えられており、コイルは副磁極と主磁極との間に備えられており、近接場光発生素子先端部はコイルと副磁極との間に備えられていることを特徴とする。なお、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、主磁極の直上に近接場光発生素子先端部が位置しているため、主磁極を形成した後にナノレベルで平坦化した表面に近接場光発生素子を形成することができ、高い形状精度を持って近接場光発生素子を形成できる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、導光構造の少なくとも一部は、基板上でコイルと同一の高さであることを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、導光構造の厚みとコイル層の厚みを同じ層内に持たせることにより、ヘッド全体の厚みを低減し、更には情報記録再生装置の厚みを低減できる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、導光構造が、略直方体形状のコア部と、コア部を取り囲み屈折率がコア部よりも低いクラッド部から成る光導波路であり、近接場光発生基部は、コア部の内部あるいは表面近傍に配置されていることを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、光源から近接場光発生素子までの光伝搬が、屈折率差による閉じ込め構造によるため極めて高いエネルギー効率となることで、高効率な近接場光発生を実現する。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、コア部が光束が記録媒体に向うにつれてコア部の断面積が減少する先細り構造を持つことを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、光源から近接場光発生素子までの光伝搬の過程で光スポットを縮小させるため、伝搬光から近接場光発生素子表面のプラズモンが高効率で励起されることにより、高効率な近接場光発生を実現する。なお、コア部が、近接場光発生素子基部よりも光束の伝搬方向の前方において遮光膜により覆われていてもよい。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子は主磁極と副磁極の両者と磁気的に絶縁されており、近接場光発生素子の一部は、主磁極と副磁極を磁気的に接続する磁極接続部の一部と、前記基板からの高さが同一であることを特徴とする。具体的に近接場光発生素子先端部は、主磁極及び副磁極の記録媒体側の端部と同一面上に備えられていることを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子と主磁極を近接させることができ、記録媒体表面のごく微小領域に記録することが可能となる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子は記録媒体に向けて断面積が減少する形状であることを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子先端部の先鋭化された部分のサイズによって規定される微小領域に近接場光を発生させるため、記録媒体表面のごく微小領域のみを加熱することができ、高密度な情報記録が可能となる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子基部は、近接場光アシスト磁気記録ヘッドの先端面側から見た平面視形状が、近接場光発生素子先端部よりも光束の伝播方向に垂直方向において幅が広いことを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、導光部を伝播して来た光と相互作用する近接場光発生素子基部の面積が広いため、より強い表面プラズモンを発生することができ、より低消費電力での駆動が可能となる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子基部から近接場光発生素子先端部に亘る近接場光発生素子の表面が、曲率半径が50nm以上である滑らかな曲面であることを特徴とする。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、表面プラズモンが途中で散乱されることが低減し、より高い効率で近接場光を発生させることができる。また、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、近接場光発生素子基部のヘッド先端面側から見た平面視形状が、コア部の平面視形状と略同一であることを特徴とする本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドは、導光部からの光と相互作用する近接場光発生素子基部が広いことから、高効率で近接場光を発生させることができる。また、作製も容易になるという利点も持つ。また、本発明に係る情報記録再生装置は、上述した近接場光アシスト磁気記録ヘッドと、記録媒体と、近接場光アシスト磁気記録ヘッドを備えるサスペンションアームと、記録媒体を所定の速度で一定方向に回転させる回転駆動部と、サスペンションアームを記録媒体表面に平行な方向に移動可能に構成させるピボットと、サスペンションアームを記録媒体表面上で所定の位置に移動させるアクチュエータと、近接場光アシスト磁気記録ヘッドの記録再生駆動および回転駆動部とアクチュエータの動作を制御する制御部と、を持つことを特徴とする。本発明に係る情報記録再生装置は、記録媒体表面のごく微小領域のみを近接場光で強く加熱し、それと同時に磁場印加によって磁化することによって高密度な情報記録を実現する。本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドにおいては、近接場光を発生させるまでの経路の設計自由度を向上させることができるとともに、所望の強度を有する近接場光を発生することができる。第一実施形態以下、本発明に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッドおよび情報記録再生装置の第一実施形態を、図1~図4を参照して説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置1は、垂直記録層D1を有するディスク磁気記録媒体Dに対して、垂直記録方式で書き込みを行う装置である。また、本実施形態では、ディスクDが回転する空気の流れを利用して近接場光アシスト磁気記録ヘッド2を浮かせた空気浮上タイプを例に挙げて説明する。本実施形態の情報記録再生装置1は、図1に示すように、後述するスポットサイズ変換器導光構造22を有する近接場光アシスト磁気記録ヘッド2と、ディスクD表面磁気記録媒体の表面に平行な方向XY方向とするに移動可能とされ、ディスクD表面に平行で且つ互いに直交する2軸X軸、Y軸回りに回動自在な状態で近接場光アシスト磁気記録ヘッド2を先端側で支持するサスペンション3と、光ファイバ光束導入手段4の基端側から該光ファイバ4に対して光束を入射させるレーザ光源光源5と、サスペンション3の基端側を支持すると共に、該サスペンション3をディスクDに平行なXY方向に向けてスキャン移動させるアクチュエータ6と、ディスクDを一定方向に回転させるスピンドルモータ回転駆動部7と、情報に応じて変調した電流を後述するコイル36に対して供給すると共に、レーザ光源5の作動を制御する制御部8と、これら各構成品を内部に収容するハウジング9とを備えている。ハウジング9は、アルミニウムなどの金属材料により、上面視四角形状に形成されていると共に、内側に各構成品を収容する凹部9aが形成されている。また、このハウジング9には、凹部9aの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部9aの略中心には、スピンドルモータ7が取り付けられており、該スピンドルモータ7に中心孔を嵌め込むことでディスクDが着脱自在に固定される。凹部9aの隅角部には、上記アクチュエータ6が取り付けられている。このアクチュエータ6には、軸受10を介してキャリッジ11が取り付けられており、該キャリッジ11の先端にサスペンション3が取り付けられている。なお、キャリッジ11およびサスペンション3は、ディスクDの回転停止時にアクチュエータ6の駆動によって、ディスクD上から退避するようになっている。また、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2とサスペンション3とで、ヘッドジンバルアセンブリ12を構成している。また、レーザ光源5は、アクチュエータ6に隣接するように凹部9a内に取り付けられている。そして、レーザ光源5に隣接して、制御部8が取り付けられている。レーザ光源5はサスペンション3の上に搭載されていてもよい。図2は本実施形態に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2とサスペンション3の先端部とディスクDの断面を示す。近接場光アシスト磁気記録ヘッド2は、回転するディスクDを近接場光によって加熱すると共に、ディスクDに対して垂直方向の記録磁界を与えることで記録層D1内に磁化反転を生じさせ、情報を記録させるものである。この近接場光アシスト磁気記録ヘッド2は、図2に示すように、ディスクD表面から所定距離だけ浮上した状態でディスクDに対向配置され、ディスクDに対向する対向面20aを有するスライダ20と、該スライダ20の先端面に固定された主磁極21と、該主磁極21に隣接して固定されたスポットサイズ変換器導光構造22とを備えている。主磁極21のディスクDに対向する先端部から磁場が発生する。また、本実施形態の近接場光ヘッド2は、スポットサイズ変換器導光構造22に隣接して固定された再生素子図示略を備えている。なお、ディスクDの回転方向は、図2において右から左に向う方向である。サスペンション3はベースプレート図示略、ヒンジ図示略、ロードビーム24、フレクシャ25から成り、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2をディスクDに近接させた状態で浮上させる機能を持つ。ロードビーム24は近接場光アシスト磁気記録ヘッド2をディスクD方向に向けて押す荷重をかける。フレクシャ25のディスクD側図下方面に導光部26が備わっている。導光部26の先端は斜めに切断された切断面27となっている。導光部26は光ファイバあるいは樹脂製導波路など、光を導く機能を持ったものである。スポットサイズ変換器22は断面が三角形で先細り形状の導波路であり、光入射面28は先端部29と略相似形の三角形であるが、先端部29よりもサイズが大きい。この先端部29には近接場光発生素子基部32が接している。先端部29の先図中下は遮光膜33で覆われている。近接場光発生素子31の他端は近接場光を発生させる近接場光発生素子先端部34となっている。近接場光発生素子31は、AuやAgなどの、入射光の照射によって表面プラズモンを励起する材質から成る。近接場光発生素子31は、スポットサイズ変換器22のディスクD側の先端部分に到達した光束を用いて光束による光エネルギーを表面プラズモンエネルギーに変換するとともに、変換した表面プラズモンエネルギーを用いて近接場光をディスクDに照射するものである。スライダ20はAlTiCから成る基板の上に素子を積層して作製されるが、図2においては図中右側がAlTiC基板側であり、各素子は図中左側方向に積層される。本実施形態では基板側図中右側から副磁極35、コイル36を含む層、近接場光発生素子先端部34、主磁極21の順に積層されている。近接場光発生素子31は、その基部32は主磁極21よりも上図中左に位置しているが、途中湾曲した部分を持つことで、近接場光発生素子先端部34は主磁極21よりも下図中右に位置している。主磁極21と副磁極35は磁極接続部37によって磁気的に接続され、コイル36と合わせて電磁石を形成している。図3はスポットサイズ変換器導光構造22の先端から主磁極21の先端までの部分を、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2の先端面側から見た図である。また、図4は図3に示したA-A’、B-B’、C-C’、D-D’に沿った断面を示す。簡単のため各素子層の間の絶縁層や遮光膜33は図示を略している。スポットサイズ変換器導光構造22は、所定の屈折率を持つコアをそれよりも屈折率の低いクラッド図示略が囲んだ構造を持っており、コアの幅と高さが徐々に小さくなる先細り構造になっている。先端近傍においてはクラッド層が存在せず、コアに近接場光発生素子基部32が接している。主磁極21は近接場光発生素子基部32よりも下方に位置している。近接場光発生素子31はその先で基板に平行な面において主磁極21から横方向図3、図4で左方向にずれながら主磁極21と同じ高さを経て、主磁極21の下方にもぐりこんで近接場光発生素子先端部34に達する。このような構造の近接場光アシスト磁気記録ヘッド2は、近接場光発生素子先端部34が主磁極21と副磁極35のあいだに位置している。スポットサイズ変換器導光構造22は先細り三角錐台形状であり、コアの3側面のうち1面が基板に平行であり、残りの2面は基板に対して所定の角度を成している。内部を伝搬する光の伝搬方向は、基板にほぼ平行であるがわずかに傾いており、上記基板に平行な面に向けて徐々に近接して行く。このようにスポットサイズ変換器導光構造22は立体構造を持っているので、そのごく近傍の主磁極21は、スポットサイズ変換器導光構造22の下基板側に形成する方が、上に形成するよりも高い位置精度で形成できる。近接場光アシスト磁気記録ヘッド2は動作時には基板の厚みに対して下方向側がリーディングエッジ、上方向側がトレーリングエッジとなり、スポットサイズ変換器導光構造22の方が、それよりも基板下方向側にある主磁極21よりもトレーリングエッジに近い。近接場光発生素子31が、その基部32では主磁極21よりもトレーリングエッジ側に位置していながら、近接場光発生素子先端部34は主磁極21よりもリーディングエッジ側に位置している。このように、近接場光発生素子31の形状を本実施の形態のように途中で湾曲させたものにすることによって、近接場光によって媒体表面を一時的に加熱した後で主磁極21が発生する磁場によって記録することができる。また、導光部26はサスペンション3に沿って配置され、先端の切断面27で光の伝搬方向を変えるだけであり、機械的にも光学的にも無理のない構造になっている。また、スポットサイズ変換器導光構造22を伝搬して来た光は近接場光発生素子31の基部32に照射されることによって、近接場光発生素子31の表面プラズモンにそのエネルギーを与えるが、それ以外の光成分は遮光膜33によって吸収されるか反射するため、ディスクDに到達することは無い。ディスクDには近接場光発生素子先端部34から発生した近接場光のみが照射されるため、極めて微小な領域のみを加熱することができる。これにより、主磁極21が磁気記録を行う領域だけを局所的に加熱することで高密度な記録が実現する。すなわち、本発明によれば、ディスクDの所望領域を近接場光で加熱した後に、主磁極21による記録磁界が照射されることとなるため、情報を確実に記録することができる。また、スポットサイズ変換器22の記録媒体側の先端部分に到達した光束を、表面プラズモンエネルギーに一旦変換して、光束によるエネルギーを増幅するため、近接場光を発生させるまでの経路の引回しが長くなったとしても、所望の近接場光を発生させることができる。第二実施形態図5は実施形態2に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド41とサスペンション3の先端部とディスクDの断面を示す。実施形態1と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。近接場光アシスト磁気記録ヘッド41の特徴は、主磁極42、コイル36、副磁極43が基板上でこの順序で形成されている、すなわち実施形態1とは主磁極42と副磁極43の位置が逆転している点である。近接場光発生素子45は、その基部32がスポットサイズ変換器導光構造22に接しており、その近接場光発生素子先端部44が主磁極42とコイル36の間に位置している。副磁極43は主磁極42に比べサイズが大きく、要求される作製精度が低いので、コイル36を作製した後に高精度な表面の平坦化が不要になり、作製がより容易になるという効果を奏する。第三実施形態図6は実施形態3に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド先端部の拡大断面図である。実施形態1と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態ではスポットサイズ変換器導光構造22が、コア51と、下部クラッド52と、上部クラッド53から成る。コア51は下部クラッド52、上部クラッド53よりも屈折率が高い材質から成る。下部クラッド52と上部クラッド53は同一材料であるが、コア51よりも屈折率が低いものであれば異なる材料から成ることも可能である。コア51は下部クラッド52よりも先端側図中下側まで突出しており、下部クラッド52が無い部分には近接場光発生素子基部32がコア51に接して位置している。コア51の先端は遮光膜33で覆われている。上部クラッド53はコア51と遮光膜33の両方を覆っている。光はコア51と下部クラッド52、上部クラッド53の屈折率差によってコア51内部に閉じ込められた形で伝搬して来るが、図に示した先端部では下部クラッド52が無くなるのと同時に、コア51の断面サイズが小さくなりすぎて光を閉じ込めることが不可能となる。更にコア51の先端にある遮光膜33によって光はそれより先に進むことができない。近接場光発生素子基部32はそのようなコア51先端部に露出するように位置しており、光の照射によって表面プラズモンを発生させることで、光のエネルギーを吸収し、近接場光発生素子先端部34に向けて伝搬させる。このような構成にすることによって、光はヘッド先端部までは屈折率差による閉じ込めで高い伝搬効率を実現し、ヘッド先端部ではプラズモンにエネルギーを与えることによって極めて微小な空間をエネルギーが伝搬し、最終的に高効率な近接場光を発生させることができる。第四実施形態図7は実施形態4に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2先端部の拡大断面図であり、図7bはスポットサイズ変換器導光構造22の先端から主磁極21の先端までの部分を、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2の先端面側から見た図である。実施形態1と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態では近接場光発生素子先端部61が厚み方向と幅方向の両方向において先細り構造になっている。近接場光発生素子基部32から表面プラズモンの形で伝搬してきたエネルギーは近接場光発生素子先端部61で散乱して近接場光となるが、その近接場光のスポットサイズは近接場光発生素子先端部61のサイズに大きく依存する。本実施形態では近接場光発生素子先端部61が先細り構造になることによって、他の実施形態の効果に加えて更にエネルギーを局在させることができ、より高密度な近接場光アシスト磁気記録が実現する。第五実施形態図8は実施形態5に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2先端部の拡大断面図である。実施形態1と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態では近接場光アシスト磁気記録ヘッド2の上面にレーザ71が固定されている点が、実施形態1との相違である。更に、スポットサイズ変換器導光構造73の光入射面72がレーザ71からの出射光を反射することでスポットサイズ変換器導光構造73内部に結合させている。レーザ71を近接場光アシスト磁気記録ヘッド2に直接搭載することにより、ヘッドジンバルアセンブリの組立がより容易になり、また、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2のディスクD表面からの浮上姿勢がより安定するという効果を奏する。第六実施形態図9は実施形態6に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2先端部の拡大断面図である。実施形態1と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態では直線導波路81がヘッド内導光の機能を持つ。直線導波路81は矩形断面を持ち、入射口82が先端部29と同一形状である。このような構造は平面的なパターニングのみで作製可能であり、より高い形状精度で作製できるため、高効率な光伝搬が可能になる。第七実施形態図10は実施形態7に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2先端部の拡大断面図である。実施形態1と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態では直線導波路91がコイル36と基板から同じ高さにある。具体的には、コイル36は、ディスクDに対して直交する方向に形成されたものである。直線導波路91は、コイル36のディスクD側とは逆側に並んで備えられており、コイル36の形成方向に沿って備えられている。このような構造も近接場光発生素子31を途中基板に平行な面内で湾曲させることで実現できる。これにより、ヘッド全体の厚みを薄くすることができ、浮上量の低減と装置の小型化が実現する。第八実施形態図11は実施形態8に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2のうち、スポットサイズ変換器導光構造22の先端から主磁極21の先端までの部分を、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2の先端面側から見た図である。図3実施形態1と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態では、近接場光発生素子101が主磁極21の横方向にずれながら基板厚み方向にも折れ曲がって、近接場光発生素子先端部34は主磁極21よりも下方に位置している点は実施形態1と同様であるが、近接場光発生素子基部102が略円板形状になっている。スポットサイズ変換器22を伝播して来た光が近接場光発生素子基部102と相互作用することで表面プラズモンを発生させるが、このとき近接場光発生素子基部102の表面積が大きいことで、より大きな相互作用が発生し、プラズモン発生効率が高くなる。結果として、近接場光発生素子先端部34から発生する近接場光の強度が増し、より低消費電力での媒体の加熱が可能となる。第九実施形態図12は実施形態9に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2のうち、スポットサイズ変換器導光構造22の先端から主磁極21の先端までの部分を、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2の先端面側から見た図である。図11実施形態8と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態では、近接場光発生素子111が近接場光発生素子基部112から近接場光発生素子先端部113に向けて徐々にその幅を小さくした形状となっている。発生する近接場光は近接場光発生素子先端部113の幅によって規定される空間に局在するため、近接場光発生素子先端部113が細くなっていることで、より微小な領域に近接場光を局在させることができる。また、近接場光発生素子111は全体に亘って表面が滑らかであり、先鋭な部分突起などを持たない。典型的には、この表面の曲率半径は50nm以上になるようにエッチング用マスクを設計する。表面プラズモンは表面の微小な形状によってその伝播状態が大きく影響を受け、特に先鋭な部分があるとそこで散乱されてしまうが、本実施形態のような滑らかな表面を持つ近接場光発生素子111を形成することにより、より高い効率で近接場光を発生させることができ、低消費電力で誤記録の少ない記録装置が実現する。第十実施形態図13は実施形態10に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2のうち、スポットサイズ変換器導光構造22の先端から主磁極21の先端までの部分を、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2の先端面側から見た図である。図12実施形態9と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態の近接場光発生素子121では、近接場光発生素子基部122がスポットサイズ変換器22よりも横長の形状となっている。スポットサイズ変換器22を伝播して来た光は、近接場光発生素子基部122と相互作用することで近接場光発生素子基部122の表面に表面プラズモンを発生させるが、本実施形態のように近接場光発生素子基部122がスポットサイズ変換器22よりも横長になっていると、スポットサイズ変換器22を伝播してきた光のほとんどの成分が近接場光発生素子基部122と相互作用することができ、より高効率で近接場光を発生させることができる。第十一実施形態図14は実施形態11に係る近接場光アシスト磁気記録ヘッド2のうち、スポットサイズ変換器導光構造22の先端から主磁極21の先端までの部分を、近接場光アシスト磁気記録ヘッド2の先端面側から見た図である。図13実施形態8と同一部分には同一符号を与え説明を省略する。本実施形態では、近接場光発生素子131のうち近接場光発生素子基部132の平面視形状が、スポットサイズ変換器22と略同一である。このような構造にすることで、スポットサイズ変換器22を伝播してきた光のほとんどの成分が近接場光発生素子基部132と相互作用して、高効率で近接場光を発生させることができる。また、スポットサイズ変換器22をエッチングによって作製する場合に同一工程の中で近接場光発生素子基部132を容易に作製できる、という利点も持つ。その他の実施形態本発明は、各実施形態の構成に限定されるわけではない。具体的には、光束はスポットサイズ変換器22のディスクD側の先端部分で終端していればよく、本発明は遮光膜33を備える構成に限定されるわけではない。