本体及び研磨層を備えたEUVリソグラフィ用のミラーの基板であって、前記研磨層3は10μm未満の厚さ及び0.5nm未満の二乗平均粗さを有し、前記本体2をアルミニウム合金から作製したことを特徴とする基板。請求項1に記載の基板において、前記本体2を、アルミニウム-マグネシウム合金、アルミニウム-マグネシウム-ケイ素合金、アルミニウム-亜鉛合金、アルミニウム-ケイ素-金属1-金属2合金、アルミニウム-銅合金、及びアルミニウム-ケイ素の群からの材料から作製したことを特徴とする基板。請求項1に記載の基板において、前記本体2を、分散強化アルミニウム合金から作製したことを特徴とする基板。請求項1~3のいずれか1項に記載の基板において、前記本体2を、粉末冶金により作製したアルミニウム合金から作製したことを特徴とする基板。請求項1~4のいずれか1項に記載の基板において、前記研磨層3を、ニッケル-亜リン酸組成物、ニッケル-ホウ素組成物、銅の群からの材料から作製したことを特徴とする基板。請求項1~5のいずれか1項に記載の基板において、前記研磨層3を、二酸化ケイ素、非晶質シリコン、結晶シリコンの群からの材料から作製したことを特徴とする基板。請求項1~6のいずれか1項に記載の基板において、接着促進層4を前記本体2と前記研磨層3との間に配置したことを特徴とする基板。請求項1~7のいずれか1項に記載の基板1と研磨層3上の高反射層6とを備えたEUV投影露光装置用のミラー。本発明の目的は、EUV波長域の波長で用いるミラーの基板として適したミラー基板を提案することである。この目的は、本体及び研磨層を備えたEUVリソグラフィ用ミラーの基板であって、研磨層が10μm未満の厚さ及び0.5nm未満の二乗平均粗さを有し、本体をアルミニウム合金から作製した基板により達成される。RMS粗さとも称する二乗平均粗さは、表面の平均面に対する偏差の和が最小となるように、平均面に対する表面上の測定点の偏差の平方の平均から計算する。特にEUVリソグラフィ用の光学素子の場合、0.1μm~200μmの空間周波数範囲の粗さは、光学素子の光学特性に対する悪影響を回避するために特に重要である。特にEUV波長域において、リソグラフィ法用の投影露光装置の、例えば照明系及び特に投影系等の光学系における迷光の割合は、各投影露光装置の性能に大きな影響を及ぼす。迷光の割合は、光学素子の粗さにより影響され得る。本体と、最大厚が約10μmで二乗平均粗さの最大が約0.5nm、好ましくは0.3nm、特に好ましくは0.2nmである研磨層とを備えた基板を、ミラーを形成するためのさらなる加工に供することにより、得られるミラーもEUVリソグラフィで用いることが可能である。これは、基板のこれらの特徴により、ミラーで生じる迷光の割合をリソグラフィプロセスに撹乱作用を及ぼさない範囲内に保つことができ、ミラーの反射率をこうして高めることもできるからである。この場合、提案される基板は、特に、複素屈折率の実部が異なる交互材料層から成る多層系に基づく高反射コーティングを備えたEUVミラーに適しており、この交互材料層により、垂直入射での使用でブラッグ回折が生じる格子面を有する結晶が、ある程度シミュレートされる。代替的に、EUV放射線の斜入射で用いる1つ又は複数の金属層を設けることも可能である。高反射コーティングは、EUV域の波長で、60以上の反射率が達成される場合に用いる用語である。実際に達成できる反射率は、ここで提案される基板を用いてさらに高めることができる。提案される基板には、第1に、本体について、例えば強度に関してEUVミラーとして用いるのに適した材料を選択することが可能であるという利点がある。第2に、基板の表面を、十分に研磨できるさらに別の材料の選択により最適化できる。研磨層は、基板表面の特性にしか実質的に影響しないが、機械的特性は本体により決まる。アルミニウム合金には、特にEUVリソグラフィ用の投影露光装置で生じ得るような比較的高い熱負荷を受けても、低密度で高強度を有し、商業的に容易に入手可能であるという利点があるので、アルミニウム合金から成る本体を備えた基板も経済的に好都合であり得る。好ましい実施形態では、本体は、アルミニウムよりも高い強度及び/又は高い硬さを有するアルミニウム合金から作製する。このようなアルミニウム合金には特に、特に本体材料としてのアルミニウムと比べて寿命が長く耐食性が高いという利点がある。好ましくは、本体は、アルミニウム-マグネシウム合金、アルミニウム-マグネシウム-ケイ素合金、アルミニウム-亜鉛合金、アルミニウム-ケイ素-金属1-金属2合金、アルミニウム-銅合金、及びアルミニウム-ケイ素の群からの材料から作製する。さらに他の材料、例えば、マンガン、リチウム、及び/又は鉄を含む、他のアルミニウム合金も、基板の本体の材料に適し得る。特に、複数の合金を相互に組み合わせることもできる。好ましくは、基層を分散強化アルミニウム合金から作製する。このようなアルミニウム合金は、特に高い強度を特徴とする。好ましくは、例えば酸化アルミニウム又は酸化ケイ素を分散剤として用いる。有利には、特に分散強化アルミニウム合金は、粉末冶金により作製することができる。さらに、本体も、特にケイ素含有量が高いアルミニウム合金の場合、スプレー圧密化spraycompactionにより作製したアルミニウム合金から成ることができる。本体を準結晶アルミニウム合金から作製することも可能である。好ましい一実施形態では、研磨層を、ニッケル-亜リン酸組成物、ニッケル-ホウ素組成物、銅の群からの材料から作製する。さらに別の好ましい実施形態では、研磨層を、二酸化ケイ素、非晶質シリコン、結晶シリコンの群からの材料から作製する。特に低い粗さを達成するよう研磨した表面が必要な場合、第1群の材料は、金属加工ですでに用いられており、第2群の材料は、特に半導体製造ですでに用いられている。特に、これらの材料は、0.1μm~200μmの空間周波数範囲で0.5nm、好ましくは0.3nm、特に好ましくは0.2nm未満の二乗平均粗さに研磨され得る。有利には、接着促進層を本体と研磨層との間に配置する。特に、アルミニウム系本体上にケイ素系研磨層がある場合、これにより本体上の研磨層の接着を改善することが可能である。さらに別の態様では、上記目的は、上述の基板及び研磨層上の高反射層を備えたEUV投影露光装置用のミラーにより達成される。上記及びさらに他の特徴は、特許請求の範囲からだけでなく説明及び図面からも明らかであり、個々の特徴は、単独で又は本発明の実施形態の下位組み合わせの形態で、また他の分野でそれぞれ実現することができ、有利且つ本質的に保護可能な実施形態を構成することができる。好ましい例示的な実施形態を参照して本発明をさらに詳細に説明する。図1aは、本体2及びそれに塗布した研磨層3を備えた基板1の実施形態の第1変形形態を概略的に示す。本体2及び研磨層3は、異なる機能を果たす。優れた寸法安定性は、本体2で主に重要であるが、優れた加工性及び研磨性は、研磨層3の場合に主に重要である。研磨層は、例えば、スパッタリング法、電子線蒸着、分子線エピタキシャル、又はイオンビームアシストコーティング等の慣習的な真空コーティング法により塗布することができる。研磨層は、金属材料、例えば銅、ニッケル-亜リン酸、又はニッケル-ホウ素である場合、外的に無電解法で塗布することが好ましい。特に、ニッケル-亜リン酸又はニッケル-ホウ素の研磨層を分散層として塗布することもでき、その場合は例えばポリテトラフルオロエチレンが分散剤としての役割を果たし得る。特に、ニッケル-亜リン酸又はニッケル-ホウ素の研磨層に、比較的高濃度の亜リン酸又はホウ素を塗布して、これらが主に又はさらには完全に非晶質状態で存在する結果としてよりよく研磨され得るようにすることが好ましい。研磨層は、その後、例えば熱処理、プラズマ処理、又はイオン衝撃により硬化することができる。研磨層材料としてケイ素も、コーティング法により制御下で非晶質又は結晶状態で堆積させることができる。この場合、非晶質シリコンは、結晶シリコンよりも良好に研磨でき、必要に応じて同様に、熱処理、プラズマ処理、又はイオン衝撃により硬化することができる。ケイ素又は二酸化ケイ素から成る研磨層は、イオンビームにより平滑化することもできる。研磨層3の好ましい厚さは、例えばニッケル又は銅に基づく研磨層の場合、例えば約5μm~10μmであり得る。ケイ素、特に非晶質シリコン又は二酸化ケイ素から成る研磨層3の場合、好ましい層厚は、例えば約1.5μm~3μmである。慣習的な研磨法を用いて、ニッケル又は銅、特にニッケル-亜リン酸合金に基づく研磨層は、1μm~200μmの空間周波数範囲で0.3nm未満の二乗平均粗さに、また0.01μm~1μmの空間周波数範囲で0.25nm未満の二乗平均粗さに研磨できる。二酸化ケイ素から成る研磨層は、慣習的な研磨法を用いて、0.01μm~200μmの空間周波数範囲全体にわたって0.2nm未満の二乗平均粗さに研磨でき、ケイ素、特に非晶質シリコンの場合、慣習的な研磨法を用いて、0.01μm~200μmの空間周波数範囲で0.3nm未満の二乗平均粗さを達成できる。図1bは、接着促進層4を本体2と研磨層3との間に配置した、図1aからの基板1の変形形態を概略的に示す。好ましくは、接着促進層4は、最大2mmの厚さと、0.01μm~200μmの空間周波数範囲で最大1nmの二乗平均粗さとを有し得る。例示的な第1実施形態では、基板1の本体2は、アルミニウム-マグネシウム展伸用合金ENAW-5019DINEN573.1及び3によるという、非熱処理naturallyhardnaturhartアルミニウム合金から成る。研磨層としてのニッケル-亜リン酸層を、無電解でそこに堆積させた。これは5μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.3nm未満の二乗平均粗さに研磨した。例示的な第2実施形態では、基板1の本体2は、アルミニウム-マグネシウム-ケイ素展伸用合金ENAW-6082DINEN573.1及び3によるという、熱処理readilyhardenableaushartbarアルミニウム合金から成る。研磨層としてのニッケル-ホウ素層を、無電解でそこに堆積させた。これは6μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.3nm未満の二乗平均粗さに研磨した。例示的な第3実施形態では、基板1の本体2は、アルミニウム-銅展伸用合金ENAW-2024DINEN573.1及び3によるという、熱処理アルミニウム合金から成る。研磨層としての銅層を、無電解でそこに堆積させた。これは7μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.3nm未満の二乗平均粗さに研磨した。例示的な第4実施形態では、基板1の本体2は、約2容量の酸化アルミニウムを分散剤として含む分散硬化アルミニウム合金から成り、この合金は粉末冶金により作製した。研磨層としてのニッケル-ホウ素層を、無電解でそこに堆積させた。これは8μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.3nm未満の二乗平均粗さに研磨した。例示的な第5実施形態では、基板1の本体2は、約45容量のケイ素を含むアルミニウム-ケイ素合金から成り、この合金はスプレー圧密化により作製した。研磨層としての非晶質シリコン層を、慣習的な真空コーティング法によりそこに堆積させた。これは1.5μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.3nm未満の二乗平均粗さに研磨した。例示的な第6実施形態では、基板1の本体2は、アルミニウム-マグネシウム展伸用合金ENAW-5019DINEN573.1及び3によるという、非熱処理アルミニウム合金から成る。研磨層としての二酸化ケイ素層を、慣習的な真空コーティング法によりそこに堆積させた。これは2μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.2nm未満の二乗平均粗さに研磨した。例示的な第7実施形態では、基板1の本体2は、アルミニウム-マグネシウム-ケイ素展伸用合金ENAW-6082DINEN573.1及び3によるという、熱処理アルミニウム合金から成る。研磨層としての非晶質シリコン層を、慣習的な真空コーティング法によりそこに堆積させた。これは3μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.3nm未満の二乗平均粗さに研磨した。例示的な第8実施形態では、基板1の本体2は、アルミニウム-亜鉛展伸用合金ENAW-7075DINEN573.1及び3によるという、高力アルミニウム合金から成る。研磨層としての結晶シリコン層を、慣習的な真空コーティング法によりそこに堆積させた。これは2.5μmの厚さを有し、これを慣習的な研磨法により0.3nm未満の二乗平均粗さに研磨した。これらの例示的な実施形態のさらに他の変更形態では、上記アルミニウム合金を、さらに他の金属、例えばAlSi35Fe2Ni、AlSi30MgCu、AlSi17Fe5Cu4Mg、AlSi20Fe5Ni2等を含むケイ素含有アルミニウム合金で置き換えることもできる。図2における実施形態の第1変形形態に概略的に示すように、高反射層6を研磨層3に塗布することにより、このような基板1をさらに加工してEUVミラー5を形成することができる。特に、好ましくは約5nm~20nmの波長域のEUV放射線の場合での使用に関して、高反射層6は、複素屈折率の実部が異なる交互材料層から成る多層系であり、この交互材料層により、垂直入射での使用でブラッグ回折が生じる格子面を有する結晶がシミュレートされる。例えば13nm~14nmでの使用では、交互のケイ素層及びモリブデン層からなる多層系を塗布することができる。図2bは、接着促進層4をミラー5の基板1の本体2と研磨層3との間に配置した、図2aからのミラー5のさらに別の変形形態を概略的に示す。上述の基板1に基づくミラー5は、EUV投影露光装置の照明系及び投影系の両方で用いることができる。本体2の高い強度、特に引張強度、又は高い硬さにより、基板1に特に適したミラーは、例えば、適当であれば個別に作動可能actuableであり得る小さな部品を有する、特に高温の場合に優れた寸法安定性を有することを意図したものである。ここで、小さな部品を有する複数のミラーが、例えば、EUV投影露光装置の照明系におけるいわゆるファセットミラー等のより大きなユニットとして相互作用することも可能である。特に、高反射層6を多層系として構成した場合、これは、例えばスパッタリング法、電子線蒸着、分子線エピタキシ、又はイオンビームアシストコーティング等の慣習的な真空コーティング法により塗布することが好ましい。上記基板1に基づき作製したEUVミラー5の迷光の割合は、従来の基板を備えたミラーと比べて数パーセント減らすことができた。これは、反射率の数パーセントの増加ももたらす。ここで提案した複数のミラー5をEUVリソグラフィ用の投影露光装置で用いることにより、この好効果が増加し得る。図3a及び図3bは、5nm~20nmの波長域の放射線の斜入射でミラー5として用いるのに特に適した基板1を示す。図3aに示す基板1の本体2は、すでに述べた材料だけでなく、最大0.3重量のケイ素を有するアルミニウム、最大0.6重量のケイ素を有するアルミニウム、多結晶シリコン、又は例えば焼結により作製され得るケイ素及び炭化ケイ素から成る複合材料から成ることもできる。図3aに示す基板1は、特に、本体2上に配置した構造層7を特徴とし、接着促進層4を構造層と本体2との間に配置することができる。構造層7は、形成技術、例えば電界形成により、又はエンボス加工により構造化され得る金属から成ることが好ましく、この構造化は、EUV波長域外の波長の放射線がある場合にこれらをビーム経路からできる限り除去するために、構造層7においてこれらの波長の放射線を回折させる回折格子を実施することが可能であるように行う。例として、ニッケル-亜リン酸層又は銅層が、この場合に特に価値があることが分かった。特に、構造層7がニッケル-亜リン酸から成り、本体2が最大0.3重量のケイ素を有するアルミニウムから成る場合、亜鉛が接着促進層4に適した材料であることが分かった。銅を構造層7で用いた場合、ニッケルを接着促進層4の材料として用いることが好ましい。研磨層3を構造層7の上に配置し、上記研磨層は、ここで示す例では非晶質シリコン又は二酸化ケイ素から成ることが好ましい。上記研磨層3は、第1に、構造層7における回折構造を保護し、第2に、0.5nm未満の二乗平均粗さで、例えば、EUV放射線の斜入射用のミラーとしての得られたミラーの使用のための1つ又は複数の金属層を塗布するのに、又はEUV放射線の垂直入射でのミラーとしての使用のための多層系を塗布するのに十分に平滑な支持を与える。特に好ましくは、斜入射用の得られたミラーをEUV投影露光装置のコレクタミラーとして用いる。この場合、少量のケイ素又は多結晶シリコン又はケイ素/炭化ケイ素複合材料を有するアルミニウムを、本体の材料として選択することには、十分に冷却することができると共に冷却チャネルを各本体に設けることができるよう構造化することができる大きなミラー素子でさえも、費用効果的に利用可能となり得るという利点がある。図3aに示す基板1をEUV投影露光装置のコレクタミラーで用いる場合、例えば、特に炭酸ガスレーザを用いて励起されるレーザプラズマ放射線源等の放射線源の場合にさらなる利点が得られる。赤外波長域用の回折構造の導入は、特に単純に可能であり、早くもビーム経路の開始時に、放射線源が提供した放射線スペクトルから赤外線を除去することを可能にする。図3aに示す例の場合、例えば、10nm未満、好ましくは5nm未満の厚さを有する接着促進層4と、例えば約10μm~数千μm、好ましくは約50μm~約数百μmの厚さを有する構造層7と、例えば約1μm~10μm、好ましくは約3μm~5μmの厚さを有する非晶質シリコン又は二酸化ケイ素から成る研磨層とを設けることが可能である。図3aに示す例の変更形態では、EUV投影露光装置において斜入射でコレクタミラー用の基板として用いる場合、図3bは、構造層7を備えるのではなく、ニッケル-亜リン酸合金から成る研磨層3を上述の材料の1つから成る本体2上に設けた基板1を示す。ニッケル-亜リン酸から成る研磨層3を、例えば特に少量のケイ素を有するアルミニウムから成る、代替的にケイ素/炭化ケイ素複合材料から成るか又は多結晶シリコンから成る本体2にしっかりと接着するために、亜鉛から成る接着促進層4を設ける。さらに別の変更形態では、研磨層3は銅から成り、接着促進層4はニッケルから成ることもできる。