"Aフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、B光により酸を生成する化合物と、C熱架橋剤と、D下記一般式1で表される構造単位、下記一般式2で表される構造単位及び下記一般式3で表される構造単位を有するアクリル樹脂と、を含有するポジ型感光性樹脂組成物。[一般式1、2及び3中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1は炭素数4~20のアルキル基を示し、R2は1級、2級又は3級アミノ基を有する1価の有機基を示す。]前記アクリル樹脂が下記一般式4で表される構造単位をさらに有する、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[一般式4中、Rは水素原子又はメチル基を示す。]前記A成分がフェノール樹脂を含む、請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記A成分が、炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記B成分がo-キノンジアジド化合物を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。請求項1~4のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を露光する工程と、露光後の前記感光性樹脂膜をアルカリ水溶液により現像してパターン化する工程と、パターン化された前記感光性樹脂膜を加熱する工程と、を備えるレジストパターンの製造方法。パターン化された前記感光性樹脂膜を200°C以下で加熱する、請求項6に記載のレジストパターンの製造方法。請求項6又は7に記載のレジストパターンの製造方法により形成されるレジストパターンを層間絶縁膜又は表面保護層として有する半導体装置。請求項6又は7に記載のレジストパターンの製造方法により形成されるレジストパターンをカバーコート層として有する半導体装置。請求項6又は7に記載のレジストパターンの製造方法により形成されるレジストパターンを再配線層用のコアとして有する半導体装置。請求項6又は7に記載のレジストパターンの製造方法により形成されるレジストパターンを、外部接続端子である導電性のボールを保持するためのカラーとして有する半導体装置。請求項6又は7に記載のレジストパターンの製造方法により形成されるレジストパターンをアンダーフィルとして有する半導体装置。請求項6又は7に記載のレジストパターンの製造方法により形成されるレジストパターンを、再配線層用の表面保護層及び/又はカバーコート層として有する半導体装置。請求項8~13のいずれか一項に記載の半導体装置を備える電子デバイス。ところで、感光性樹脂組成物を基板に塗布して製造したレジストパターンを有する半導体装置を製造する際には、基板上に記された位置合わせのための目印アライメントマークを認識するために、感光性樹脂組成物を基板上に塗布乾燥し、形成される樹脂膜及び現像後の樹脂膜は濁りが少ないことが望ましい。しかしながら、特許文献1~3等の従来の感光性樹脂組成物は、形成される樹脂膜が白濁しやすく、さらには現像後の樹脂膜について白濁が悪化する傾向がある。よって、濁りの少ない樹脂膜を形成可能な感光性樹脂組成物が望まれている。そこで、本発明は、塗布後及び現像後の樹脂膜の濁りを充分に抑制することが可能であり、かつ低温での硬化が可能で、アルカリ水溶液で現像可能であるポジ型感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。さらに本発明は、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの製造方法、かかる方法により形成されたレジストパターンを有する半導体装置、及び該半導体装置を備える電子デバイスを提供することを目的とする。本発明は、Aフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂以下、A成分ともいう。と、B光により酸を生成する化合物以下、B成分ともいう。と、C熱架橋剤以下、C成分ともいう。と、D下記一般式1で表される構造単位、下記一般式2で表される構造単位及び下記一般式3で表される構造単位を有するアクリル樹脂以下、D成分ともいう。とを含有するポジ型感光性樹脂組成物を提供する。[一般式1、2及び3中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1は炭素数4~20のアルキル基を示し、R2は1級、2級又は3級アミノ基を有する1価の有機基を示す。]かかるポジ型感光性樹脂組成物によれば、塗布後及び現像後の樹脂膜の濁りを充分に抑制することが可能であり、かつ低温での硬化が可能で、アルカリ水溶液で現像可能であり、充分に高い感度及び解像度でレジストパターンを形成することができる。上記アクリル樹脂は、より高い感度を与えることができる点から、下記一般式4で表される構造単位をさらに有することが好ましい。上記A成分は、ポジ型感光性樹脂組成物の硬化時の体積収縮をより小さくすることができ、また安価に入手可能である点から、フェノール樹脂を含むことが好ましい。上記A成分は、機械特性破断伸び、弾性率及び残留応力をより向上できる点から、炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を含むことが好ましい。上記B成分は、レジストパターンを形成する際の感度がさらに向上することから、o-キノンジアジド化合物を含むことが好ましい。本発明はさらに、上述のポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を露光する工程と、露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液により現像してパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂膜を加熱する工程とを備えるレジストパターンの製造方法を提供する。かかる製造方法によれば、上述のポジ型感光性樹脂組成物を用いているので、充分に高い感度及び解像度で、濁りが充分に抑制されたレジストパターンを形成することができる。本発明のレジストパターンの製造方法においては、パターン化された上記感光性樹脂膜を200°C以下で加熱することが好ましい。これにより、電子デバイスに対する熱によるダメージを十分に防止することができる。本発明はさらに、上述の製造方法により形成されるレジストパターンを層間絶縁膜又は表面保護層として有する半導体装置を提供する。かかる半導体装置は、上述のポジ型感光性樹脂組成物から形成されるレジストパターンを有するため、優れた効果を発揮する。本発明の半導体装置の好ましい態様としては、上述の製造方法により形成されるレジストパターンをカバーコート層として有する半導体装置;上述の製造方法により形成されるレジストパターンを再配線層用のコアとして有する半導体装置;上述の製造方法により形成されるレジストパターンを、外部接続端子である導電性のボールを保持するためのカラーとして有する半導体装置;上述の製造方法により形成されるレジストパターンをアンダーフィルとして有する半導体装置;並びに上述の製造方法により形成されるレジストパターンを再配線層用の表面保護層及び/又はカバーコート層として有する半導体装置が挙げられる。本発明はまた、上述の半導体装置を備える電子デバイスを提供する。かかる電子デバイスは、上述のポジ型感光性樹脂組成物から形成されるレジストパターンを有するため、信頼性が高い。本発明のポジ型感光性樹脂組成物によれば、塗布後及び現像後の樹脂膜の濁りを充分に抑制することが可能であり、かつ低温での硬化が可能で、アルカリ水溶液で現像可能であり、充分に高い感度及び解像度で、密着性及び耐熱衝撃性に優れたレジストパターンを形成することができる。本発明の製造方法により形成されるレジストパターンは、良好な形状と特性を有し、硬化時の体積収縮が少ないため、寸法安定性が高い。また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物によれば、200°C以下の低温加熱プロセスで、レジストパターンを形成可能であるため、半導体装置への熱によるダメージを防止することができ、信頼性の高い電子デバイスを歩留まりよく提供することができる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明するが、この実施形態により本発明が限定されるものではない。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、本明細書におけるメタアクリレートとは、アクリレート及びそれに対応するメタクリレートを意味する。同様にメタアクリルとは、アクリル及びそれに対応するメタクリルを意味する。[ポジ型感光性樹脂組成物]本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、Aフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、B光により酸を生成する化合物と、C熱架橋剤と、Dアクリル樹脂とを含有する。以下、ポジ型感光性樹脂組成物に含有される各成分について説明する。<A成分>A成分は、Aフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、すなわち分子中にフェノール性水酸基を有し、アルカリ水溶液現像液に対して可溶な樹脂である。A成分としては、例えば、ポリヒドロキシスチレン、及びヒドロキシスチレンを単量体単位として含む共重合体等のヒドロキシスチレン系樹脂、フェノール樹脂、ポリヒドロキシアミド等のポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリヒドロキシフェニレンエーテル、及びポリナフトールが挙げられる。A成分はこれらの樹脂のうちの1種のみで構成されていてもよく、また、2種以上を含んで構成されていてもよい。これらの中で、低価格であること、コントラストが高いこと及び硬化時の体積収縮が小さいことから、A1フェノール樹脂が好ましく、ノボラック型フェノール樹脂が特に好ましい。また、電気特性絶縁性に優れること及び硬化時の体積収縮が小さいことから、A2ヒドロキシスチレン系樹脂も好ましい。A1フェノール樹脂は、フェノール又はその誘導体とアルデヒド類との重縮合生成物である。重縮合は、酸又は塩基等の触媒存在下で行われる。酸触媒を用いた場合に得られるフェノール樹脂を特にノボラック型フェノール樹脂という。ノボラック型フェノール樹脂の具体例としては、フェノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、キシレノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、レゾルシノール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂及びフェノール-ナフトール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂が挙げられる。A1フェノール樹脂を得るために用いられるフェノール誘導体としては、例えば、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、o-エチルフェノール、m-エチルフェノール、p-エチルフェノール、o-ブチルフェノール、m-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール及び3,4,5-トリメチルフェノール等のアルキルフェノール、メトキシフェノール及び2-メトキシ-4-メチルフェノール等のアルコキシフェノール、ビニルフェノール及びアリルフェノール等のアルケニルフェノール、ベンジルフェノール等のアラルキルフェノール、メトキシカルボニルフェノール等のアルコキシカルボニルフェノール、ベンゾイルオキシフェノール等のアリールカルボニルフェノール、クロロフェノール等のハロゲン化フェノール、カテコール、レゾルシノール及びピロガロール等のポリヒドロキシベンゼン、ビスフェノールA及びビスフェノールF等のビスフェノール、α-又はβ-ナフトール等のナフトール誘導体、p-ヒドロキシフェニル-2-エタノール、p-ヒドロキシフェニル-3-プロパノール及びp-ヒドロキシフェニル-4-ブタノール等のヒドロキシアルキルフェノール、ヒドロキシエチルクレゾール等のヒドロキシアルキルクレゾール、ビスフェノールのモノエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールのモノプロピレンオキサイド付加物等のアルコール性水酸基含有フェノール誘導体、p-ヒドロキシフェニル酢酸、p-ヒドロキシフェニルプロピオン酸、p-ヒドロキシフェニルブタン酸、p-ヒドロキシ桂皮酸、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェニル安息香酸、ヒドロキシフェノキシ安息香酸及びジフェノール酸等のカルボキシル基含有フェノール誘導体等が挙げられる。また、ビスヒドロキシメチル-p-クレゾール等の上記フェノール誘導体のメチロール化物をフェノール誘導体として用いてもよい。さらに、A1フェノール樹脂は、上述のフェノール又はフェノール誘導体をm-キシレンのようなフェノール以外の化合物とともにアルデヒド類と縮重合して得られる生成物であってもよい。この場合、縮重合に用いられるフェノール誘導体に対するフェノール以外の化合物のモル比は、0.5未満であると好ましい。上述のフェノール誘導体及びフェノール化合物以外の化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。A1フェノール樹脂を得るために用いられるアルデヒド類は、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、メトキシベンズアルデヒド、ヒドロキシフェニルアセトアルデヒド、メトキシフェニルアセトアルデヒド、クロトンアルデヒド、クロロアセトアルデヒド、クロロフェニルアセトアルデヒド、グリセルアルデヒド、グリオキシル酸、グリオキシル酸メチル、グリオキシル酸フェニル、グリオキシル酸ヒドロキシフェニル、ホルミル酢酸、ホルミル酢酸メチル、2-ホルミルプロピオン酸、2-ホルミルプロピオン酸メチル等から選ばれる。また、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のホルムアルデヒドの前駆体、アセトン、ピルビン酸、レプリン酸、4-アセチルブチル酸、アセトンジカルボン酸、3,3’-4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸等のケトン類を反応に用いても良い。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。A2ヒドロキシスチレン系樹脂としては、例えば、保護基を有するヒドロキシスチレンのエチレン性不飽和二重結合を触媒ラジカル開始剤の存在下で、重合ビニル重合させ、さらに、脱保護することにより得られるものを用いることができる。また、PHS-Bデュポン製、商品名のようなブランチ型のポリヒドロキシスチレンを用いることもできる。ここで、ヒドロキシスチレンの保護基としてはアルキル基やシリル基等の従来公知のものを用いることができる。また、スチレン、メタアクリル酸、メタアクリル酸エステル等のビニル基含有の単量体を、保護基を導入したヒドロキシスチレンに共重合することもできる。A成分がA1フェノール樹脂又はA2ヒドロキシスチレン系樹脂を含有する場合、A1成分、A2成分のそれぞれの重量平均分子量は、アルカリ水溶液に対する溶解性や、感光特性感度、及び解像度と機械特性破断伸び、弾性率及び残留応力とのバランスを考慮すると、500~150000であることが好ましく、500~100000であることがより好ましく、1000~50000であることが特に好ましい。ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得られる値である。また、A成分は、機械特性破断伸び、弾性率及び残留応力をより向上できる点から、A3炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を含有することが好ましい。A3成分である炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂は、フェノール誘導体と炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物以下場合により単に不飽和炭化水素基含有化合物という。との反応生成物以下不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体という。と、アルデヒド類とを縮重合反応させることにより得ることができる。フェノール誘導体としては、A1フェノール樹脂を得るために用いられるフェノール誘導体及びアルデヒド類と同様のものを用いることができる。不飽和炭化水素基含有化合物の不飽和炭化水素基は、レジストパターンの密着性及び耐熱衝撃性の点から、2以上の不飽和結合を含むことが好ましく、ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定性の点から、不飽和結合は30以下であることが好ましい。また、樹脂組成物としたときの相溶性及び硬化膜の可とう性の点からは、不飽和炭化水素基は好ましくは炭素数8~80、より好ましくは炭素数10~60である。不飽和炭化水素基含有化合物としては、例えば、炭素数4~100の不飽和炭化水素、カルボキシル基を有するポリブタジエン、エポキシ化ポリブダジエン、リノリルアルコール、オレイルアルコール、不飽和脂肪酸及び不飽和脂肪酸エステル等である。好適な不飽和脂肪酸としては、クロトン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、エルカ酸、ネルボン酸、リノール酸、α-リノレン酸、エレオステアリン酸、ステアリドン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、イワシ酸及びドコサヘキサエン酸が挙げられる。これらの中でも特に、炭素数8~30の不飽和脂肪酸と、炭素数1~10の1価から3価のアルコールとのエステルがより好ましく、炭素数8~30の不飽和脂肪酸と3価のアルコールであるグリセリンとのエステルが特に好ましい。炭素数8~30の不飽和脂肪酸とグリセリンとのエステルは、植物油として商業的に入手可能である。植物油としては、ヨウ素価が100以下の不乾性油、100を超えて130未満の半乾性油又は130以上の乾性油がある。不乾性油として、例えば、オリーブ油、あさがお種子油、カシュウ実油、さざんか油、つばき油、ひまし油及び落花生油が挙げられる。半乾性油として、例えば、コーン油、綿実油及びごま油が挙げられる。乾性油としては、例えば、桐油、亜麻仁油、大豆油、胡桃油、サフラワー油、ひまわり油、荏の油及び芥子油が挙げられる。また、これらの植物油を加工して得られる加工植物油を用いてもよい。レジストパターンの密着性、機械特性及び耐熱衝撃性が向上する点で、乾性油を用いることが好ましく、桐油及び亜麻仁油がより好ましい。これらの不飽和炭化水素基含有化合物は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。A3成分を調製するにあたり、まず、上記フェノール誘導体と上記不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させ、不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体を調製する。上記反応は、通常50~130°Cで行うことが好ましい。フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物との配合割合は、硬化膜の可とう性を向上させることができる点から、フェノール誘導体100質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物1~100質量部であることが好ましく、5~50質量部であることがより好ましい。上記反応は、必要に応じて、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。次いで、上記不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体と、アルデヒド類とを反応させ、炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を調製する。上記アルデヒド類と、上記不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体との反応は、重縮合反応であり、従来公知のフェノール樹脂の合成条件を用いることができる。また、炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂は、上述のフェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得られる化合物と、m-キシレンのようなフェノール以外の化合物とを組み合わせて、アルデヒド類と重縮合することにより得ることもできる。また、A3成分は、上記A1フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得ることもできる。上記フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応は、通常50~130°Cで行うことが好ましい。また、フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物との配合割合は、硬化膜の可とう性を向上させることができる点から、フェノール樹脂100質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物1~100質量部であることが好ましく、5~50質量部であることがより好ましい。このとき、必要に応じて、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。なお、反応にはトルエン、キシレン、メタノール、テトラヒドロフランなどの溶媒を用いることができる。なお、A3成分の炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を使用する場合の重量平均分子量は、アルカリ水溶液に対する溶解性や、感光特性と硬化膜物性とのバランスを考慮すると、1000~500000が好ましく、2000~200000がより好ましく、2000~100000であることが特に好ましく、5000~50000であることが最も好ましい。また、レジストパターンを形成する際の感度と解像性、並びに硬化後のレジストパターンの密着性、機械特性及び耐熱衝撃性をバランス良く向上できる点から、A1フェノール樹脂好ましくは、不飽和炭化水素基を有しないフェノール樹脂であり、より好ましくは、未変性のフェノール樹脂である。と、A3炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を併用することが好ましい。A1成分とA3成分を併用する場合、A1成分とA3成分の質量比が両者の合計量を100として25:75~95:5であることが好ましく、40:60~90:10がより好ましく、55:45~85:15が特に好ましい。また、Aフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂は、さらに多塩基酸無水物を反応させて酸変性したフェノール樹脂を含有することができる。A成分が多塩基酸無水物で酸変性したフェノール樹脂を含有することにより、A成分のアルカリ水溶液に対する溶解性がより一層向上する。上記多塩基酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、無水コハク酸、オクテニル無水コハク酸、ペンタドデセニル無水コハク酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、3,6-エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸等の二塩基酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族、芳香族四塩基酸二無水物等が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、多塩基酸無水物は二塩基酸無水物であることが好ましく、例えば、テトラヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸及びヘキサヒドロ無水フタル酸からなる群より選ばれる1種以上であることがより好ましい。上記反応は、50~130°Cで行うことができる。上記反応において、多塩基酸無水物をフェノール性水酸基1モルに対して、0.10~0.80モルを反応させることが好ましく、0.15~0.60モル反応させることがより好ましく、0.20~0.40モル反応させることが特に好ましい。なお、上記反応には、反応を迅速に行うために、必要に応じて、触媒を含有させてもよい。触媒としては、トリエチルアミン等の3級アミン、トリエチルベンジルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウム塩、2-エチル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン等のリン化合物などが挙げられる。<B成分>B成分である光により酸を生成する化合物は、感光剤として用いられる。このようなB成分は、光照射により酸を生成させ、光照射した部分のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する。B成分としては、一般に光酸発生剤と称される化合物を用いることができる。B成分の具体例としては、o-キノンジアジド化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩が挙げられる。B成分は、これらの化合物のうちの1種のみからなるものであってもよく、また、2種以上を含んで構成されるものであってもよい。これらの中で、感度が高いことから、o-キノンジアジド化合物が好ましい。o-キノンジアジド化合物としては、例えば、o-キノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ化合物及び/又はアミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られるものを用いることができる。反応に用いられるo-キノンジアジドスルホニルクロリドとしては、例えば、ベンゾキノン-1,2-ジアジド-4-スルホニルクロリド、ナフトキノン-1,2-ジアジド-5-スルホニルクロリド、ナフトキノン-1,2-ジアジド-6-スルホニルクロリドが挙げられる。反応に用いられるヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールA、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-[4-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}フェニル]エタン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,3’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン,2,3,4,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン、4b,5,9b,10-テトラヒドロ-1,3,6,8-テトラヒドロキシ-5,10-ジメチルインデノ[2,1-a]インデン、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、トリス4-ヒドロキシフェニルエタンが挙げられる。反応に用いられるアミノ化合物としては、例えば、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、o-アミノフェノール、m-アミノフェノール、p-アミノフェノール、3,3’-ジアミノ-4,4’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジヒドロキシビフェニル、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルプロパン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルプロパン、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルスルホン、ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス4-アミノ-3-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパンが挙げられる。これらの中でも吸収波長範囲と反応性の点から、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-[4-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}フェニル]エタンと1-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホニルクロリドとを縮合反応して得られたものや、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン又はトリス4-ヒドロキシフェニルエタンと1-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホニルクロリドとを縮合反応して得られたものを用いることが好ましい。反応に用いられる脱塩酸剤としては、例えば、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンが挙げられる。また、反応溶媒としては、例えば、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、N-メチルピロリドンが用いられる。o-キノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ化合物及び/又はアミノ化合物とは、o-キノンジアジドスルホニルクロリド1モルに対して、ヒドロキシ基とアミノ基とのモル数の合計が0.5~1になるように配合されることが好ましい。脱塩酸剤とo-キノンジアジドスルホニルクロリドの好ましい配合割合は、0.95/1モル当量~1/0.95モル当量の範囲である。なお、上述の反応の好ましい反応温度は0~40°C、好ましい反応時間は1~10時間である。このようなB成分の含有量は、露光部と未露光部の溶解速度差が大きくなり、感度がより良好となる点から、A成分100質量部に対して3~100質量部が好ましく、5~50質量部がより好ましく、5~30質量部が特に好ましい。<C成分>C成分である熱架橋剤を用いることにより、パターン形成後の感光性樹脂膜を加熱して硬化する際に、C成分がA成分と反応して橋架け構造が形成される。これにより、低温での硬化が可能となり、硬化膜の脆さや硬化膜の溶融を防ぐことができる。C成分として、具体的には、フェノール性水酸基を有する化合物、ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物を用いることができる。なお、ここでいうフェノール性水酸基を有する化合物には、Aフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂は包含されない。熱架橋剤としてのフェノール性水酸基を有する化合物は、熱架橋剤としてだけでなく、アルカリ水溶液で現像する際の露光部の溶解速度を増加させ、感度を向上させることができる。このようなフェノール性水酸基を有する化合物の分子量は、好ましくは2000以下である。アルカリ水溶液に対する溶解性、及び感光特性と機械特性とのバランスを考慮して、数平均分子量で94~2000が好ましく、108~2000がより好ましく、108~1500が特に好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物としては、従来公知のものを用いることができるが、下記一般式Iで表される化合物が、露光部の溶解促進効果と感光性樹脂膜の硬化時の溶融を防止する効果のバランスに優れ好ましい。式I中、Zは単結合又は2価の有機基を示し、R13、R14、R15及びR16はそれぞれ独立に水素原子又は1価の有機基を示し、s及びtはそれぞれ独立に1~3の整数を示し、u及びvはそれぞれ独立に0~4の整数を示す。一般式Iにおいて、Zが単結合である化合物は、ビフェノールジヒドロキシビフェニル誘導体である。また、Zで示される2価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素数が1~10のアルキレン基、エチリデン基等の炭素数が2~10のアルキリデン基、フェニレン基等の炭素数が6~30のアリーレン基、これら炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子等のハロゲン原子で置換した基、スルホニル基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、下記一般式IIで表される2価の有機基等が挙げられる。式II中、X’は、単結合、アルキレン基例えば炭素数が1~10のアルキレン基、アルキリデン基例えば炭素数が2~10のアルキリデン基、それらの水素原子の一部又は全部をハロゲン原子で置換した基、スルホニル基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合又はアミド結合を示す。R’’は、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基又はハロアルキル基を示し、gは1~10の整数を示す。複数のR’’は互いに同一でも異なっていてもよい。これらの中でも特に、Zは炭素数が1~10のアルキレン基であることが好ましい。ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物としては、例えば、ポリN-ヒドロキシメチルメラミン、ポリN-ヒドロキシメチルグリコールウリル、ポリN-ヒドロキシメチルベンゾグアナミン、ポリN-ヒドロキシメチル尿素等のメチロール基の全部又は一部をアルキルエーテル化した含窒素化合物などが挙げられる。ここで、アルキルエーテルのアルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基、又はこれらを混合したものが挙げられ、一部自己縮合してなるオリゴマー成分を含有していてもよい。具体的には、ヘキサキスメトキシメチルメラミン、ヘキサキスブトキシメチルメラミン、テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、テトラキスブトキシメチルグリコールウリル、テトラキスメトキシメチル尿素等が挙げられる。エポキシ基を有する化合物としては、従来公知のものを用いることができる。その具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン、複素環式エポキシ樹脂、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルが挙げられる。また、C成分として、上述した以外に、ビス[3,4-ビスヒドロキシメチルフェニル]エーテルや1,3,5-トリス1-ヒドロキシ-1-メチルエチルベンゼン等のヒドロキシメチル基を有する芳香族化合物、ビス4-マレイミドフェニルメタンや2,2-ビス[4-4’-マレイミドフェノキシフェニル]プロパン等のマレイミド基を有する化合物、ノルボルネン骨格を有する化合物、多官能アクリレート化合物、オキセタニル基を有する化合物、ビニル基を有する化合物、ブロック化イソシアナート化合物などを用いることができる。上述したC成分の中で、感度と耐熱性をより向上できる点から、フェノール性水酸基を有する化合物及びヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物が好ましく、解像度及び塗膜の伸びもより向上できる点から、ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物がより好ましく、ヒドロキシメチルアミノ基の全部又は一部をアルキルエーテル化したアルコキシメチルアミノ基を有する化合物が特に好ましく、ヒドロキシメチルアミノ基の全部をアルキルエーテル化したアルコキシメチルアミノ基を有する化合物が最も好ましい。上記ヒドロキシメチルアミノ基の全部をアルキルエーテル化したアルコキシメチルアミノ基を有する化合物の中でも特に、下記一般式IIIで表される化合物が好ましい。式III中、R21~R26は、それぞれ独立に炭素数1~10のアルキル基を示す。C成分の含有量は、現像時間と、未露光部残膜率の許容幅、及び、硬化膜の特性の点から、A成分100質量部に対して1~50質量部が好ましく、2~30質量部がより好ましく、3~25質量部が特に好ましい。また、上述した熱架橋剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。<D成分>D成分は、下記一般式1で表される構造単位、下記一般式2で表される構造単位及び下記一般式3で表される構造単位を有するアクリル樹脂である。ポジ型感光性樹脂組成物が当該アクリル樹脂を含有することにより、形成される樹脂膜の白濁を抑えることができ、良好な感光特性を維持しつつ、耐熱衝撃性を向上することができる。D成分は、1種のアクリル樹脂のみからなるものであってもよく、2種以上のアクリル樹脂を含むものであってもよい。[一般式1、2及び3中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1は炭素数4~20のアルキル基を示し、R2は1級、2級又は3級アミノ基を有する1価の有機基を示す。]また、上記一般式1中、感度、解像度及び耐熱衝撃を向上できる点から、R1が炭素数4~16のアルキル基が好ましく、炭素数4~12のアルキル基がより好ましく、炭素数4のアルキル基n-ブチル基が特に好ましい。一般式1で表される構造単位を与える重合性単量体としては、メタアクリル酸アルキルエステルが挙げられる。メタアクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、下記一般式IVで表される化合物が挙げられる。CH2=CR-COOR1...IVここで、一般式IV中、Rは水素原子又はメチル基を示し、R1は炭素数4~20のアルキル基を示す。また、R1で示される炭素数1~20のアルキル基としては、例えば、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基ラウリル基という場合もある、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基及びこれらの構造異性体が挙げられる。上記一般式IVで表される重合性単量体としては、例えば、メタアクリル酸ブチルエステル、メタアクリル酸ペンチルエステル、メタアクリル酸ヘキシルエステル、メタアクリル酸ヘプチルエステル、メタアクリル酸オクチルエステル、メタアクリル酸ノニルエステル、メタアクリル酸デシルエステル、メタアクリル酸ウンデシルエステル、メタアクリル酸ドデシルエステルメタアクリル酸ラウリルエステルという場合もある、メタアクリル酸トリデシルエステル、メタアクリル酸テトラデシルエステル、メタアクリル酸ペンタデシルエステル、メタアクリル酸ヘキサデシルエステル、メタアクリル酸ヘプタデシルエステル、メタアクリル酸オクタデシルエステル、メタアクリル酸ノナデシルエステル、メタアクリル酸エイコシルエステルが挙げられる。これらの重合性単量体は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。上記アクリル樹脂において、上記一般式1で表される構造単位の組成比は、D成分の総量に対して、50~93モルであることが好ましく、55~85モルであることがより好ましく、60~80モルであることが特に好ましい。上記一般式1で表される構造単位の組成比が50~95モルであることにより、ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜の耐熱衝撃性をより向上することができる。D成分は上記一般式2で表される構造単位を含むことで、D成分とAフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂との相互作用が良好になり、相溶性が向上するため、レジストパターンの基板への密着性、機械特性及び耐熱衝撃性をより向上できる。一般式2で表される構造単位を与える重合性単量体としては、例えば、アミノエチルメタアクリレート、N-メチルアミノエチルメタアクリレート、N,N-ジメチルアミノエチルメタアクリレート、N-エチルアミノエチルメタアクリレート、N,N-ジエチルアミノエチルメタアクリレート、アミノプロピルメタアクリレート、N-メチルアミノプロピルメタアクリレート、N,N-ジメチルアミノプロピルメタアクリレート、N-エチルアミノプロピルメタアクリレート、N,N-ジエチルアミノプロピルメタアクリレート、ピペリジン-4-イルメタアクリレート、1-メチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、ピペリジン-4-イルメチルメタアクリレート、2-ピペリジン-4-イルエチルメタアクリレートが挙げられる。これらの重合性単量体は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。これらの中でも特に、レジストパターンの基板への密着性、機械特性及び耐熱衝撃性をより向上できる点から、一般式2中、R2が下記一般式5で表される1価の有機基であることが特に好ましい。[一般式5中、Xは炭素数1~5のアルキレン基を示し、R3~R7はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~20のアルキル基を示し、nは0~10の整数を示す。]一般式2中、R2が一般式5で表される1価の有機基で表される構造単位を与える重合性単量体としては、例えば、ピペリジン-4-イルメタアクリレート、1-メチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタアクリレート、ピペリジン-4-イルメチルメタアクリレート、2-ピペリジン-4-イルエチルメタアクリレートが挙げられる。これらの中で、1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタクリレートはFA-711MMとして、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタクリレートはFA-712HMとしていずれも日立化成工業株社製として、それぞれ商業的に入手可能であるため好ましい。上記アクリル樹脂において、上記一般式2で表される構造単位の組成比は、A成分との相溶性と現像液に対する溶解性の点から、D成分の総量に対して、0.3~10モルであることが好ましく、0.4~6モルであることがより好ましく、0.5~5モルであることが特に好ましい。また、D成分は上記一般式3で表される構造単位を含むことで、A成分との相溶性、機械特性である破断強度をより向上することができる。一般式3で表される構造単位を与える重合性単量体としては、例えば、N-2-ヒドロキシフェニルメタクリルアミド、N-3-ヒドロキシフェニルメタクリルアミド、N-4-ヒドロキシフェニルメタクリルアミド、N-2-ヒドロキシフェニルアクリルアミド、N-3-ヒドロキシフェニルアクリルアミド、N-4-ヒドロキシフェニルアクリルアミドが挙げられる。上記アクリル樹脂において、上記一般式3で表される構造単位の組成比は、樹脂膜を製造した際の白濁をより高度に抑制できる点から、D成分の総量に対して、0.1~50モルであることが好ましい。さらに1~40モルであることがより好ましく、5~40モルであることがより好ましい。上記アクリル樹脂は、より高い感度を与えることができる点から、下記一般式4で表される構造単位をさらに有することが好ましい。[一般式4中、Rは水素原子又はメチル基を示す。]一般式4で表される構造単位を与える重合性単量体としては、アクリル酸及びメタクリル酸が挙げられる。上記アクリル樹脂が一般式4で表される構造単位を有する場合、その構造単位の組成比は、D成分の総量に対して、5~35モルであることが好ましく、10~30モルであることがより好ましく、15~25モルであることが特に好ましい。上記一般式4で表される構造単位の組成比が5~35モルであることにより、A成分との相溶性、及びポジ型感光性樹脂組成物の現像性をより向上することができる。D成分は、例えば、上記一般式1、2、3及び4で表される構造単位を与える重合性単量体をトルエン、イソプロパノール等の溶媒中で攪拌し、必要に応じて加熱することにより得られる。また、上記アクリル樹脂の合成に用いられる重合性単量体は、一般式1、2、3及び4で表される各構造単位を与える重合性単量体以外の重合性単量体をさらに含んでいてもよい。そのような重合性単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、メタアクリル酸ベンジルエステル、メタアクリル酸4-メチルベンジルエステル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチルエステル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピルエステル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチルエステル、アクリロニトリル、ビニル-n-ブチルエーテルなどのビニルアルコールのエステル類、メタアクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、メタアクリル酸グリシジルエステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、メタアクリル酸、α-ブロモメタアクリル酸、α-クロルメタアクリル酸、β-フリルメタアクリル酸、β-スチリルメタアクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピルなどのマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α-シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸が挙げられる。これらの重合性単量体は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。D成分の重量平均分子量は、2000~100000であることが好ましく、3000~60000であることがより好ましく、5000~50000であることが特に好ましく、10000~40000であることが最も好ましい。重量平均分子量が2000以上では硬化膜の耐熱衝撃性をより向上でき、100000以下であるとA成分との相溶性及び現像性をより向上できる。D成分の含有量は、感度、解像度、密着性、機械特性及び耐熱衝撃性の点から、A成分の総量100質量部に対して1~50質量部が好ましく、3~30質量部がより好ましく、5~20質量部が特に好ましい。本実施形態のポジ型感光性樹脂組成物はE成分として溶剤を含有していてもよい。本実施形態のポジ型感光性樹脂組成物は、溶剤を含有することにより、基板上への塗布を容易にし、均一な厚さの塗膜を形成できるという効果を奏する。溶剤としては、例えば、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、n-ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオナート、3-メチルメトキシプロピオナート、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。これらの溶剤は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶解性と塗布膜の均一性の点から、乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが特に好ましい。また、E成分を用いる場合の含有量は、特に限定されないが、ポジ型感光性樹脂組成物中の溶剤の割合が20~90質量となるように調整されることが好ましい。特に25~80質量がより好ましく、30~70質量がさらに好ましい。<その他の成分>上述のポジ型感光性樹脂組成物は、上記A~E成分以外に、エラストマー、加熱により酸を生成する化合物、溶解促進剤、溶解阻害剤、カップリング剤、及び、界面活性剤又はレベリング剤等の成分を含有してもよい。エラストマーエラストマーとしては、従来公知のものを用いることができるが、エラストマーを構成する重合体のガラス転移温度Tgが20°C以下であることが好ましい。このようなエラストマーとしては、例えば、スチレン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、及びシリコーン系エラストマーが挙げられる。また、エラストマーは、微粒子状のエラストマーであってもよい。これらのエラストマーは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。加熱により酸を生成する化合物加熱により酸を生成する化合物を用いることにより、感光性樹脂膜を加熱する際に酸を発生させることが可能となり、A成分とC成分との反応、すなわち熱架橋反応が促進され、硬化膜の耐熱性が向上する。また、加熱により酸を生成する化合物は光照射によっても酸を発生するため、露光部のアルカリ水溶液への溶解性が増大する。よって、未露光部と露光部とのアルカリ水溶液に対する溶解性の差がさらに大きくなり解像性が向上する。このような加熱により酸を生成する化合物は、例えば、50~250°Cまで加熱することにより酸を生成するものであることが好ましい。加熱により酸を生成する化合物の具体例としては、オニウム塩等の強酸と塩基とから形成される塩や、イミドスルホナートが挙げられる。オニウム塩としては、例えば、アリールジアゾニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩等のジアリールヨードニウム塩;ジt-ブチルフェニルヨードニウム塩等のジアルキルアリールヨードニウム塩;トリメチルスルホニウム塩のようなトリアルキルスルホニウム塩;ジメチルフェニルスルホニウム塩等のジアルキルモノアリールスルホニウム塩;ジフェニルメチルスルホニウム塩等のジアリールモノアルキルヨードニウム塩;トリアリールスルホニウム塩などが挙げられる。これらの中で、パラトルエンスルホン酸のジt-ブチルフェニルヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のジt-ブチルフェニルヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のトリメチルスルホニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩、トリフルオロメタンスルホン酸のジフェニルメチルスルホニウム塩、ノナフルオロブタンスルホン酸のジt-ブチルフェニルヨードニウム塩、カンファースルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、エタンスルホン酸のジフェニルヨードニウム塩、ベンゼンスルホン酸のジメチルフェニルスルホニウム塩、トルエンスルホン酸のジフェニルメチルスルホニウム塩が好ましい。また、強酸と塩基とから形成される塩としては、上述のオニウム塩の他、次のような強酸と塩基とから形成される塩、例えば、ピリジニウム塩を用いることもできる。強酸としては、例えば、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸のようなアリールスルホン酸、カンファースルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸のようなアルキルスルホン酸が挙げられる。塩基としては、例えば、ピリジン、2,4,6-トリメチルピリジンのようなアルキルピリジン、2-クロロ-N-メチルピリジンのようなN-アルキルピリジン、ハロゲン化-N-アルキルピリジンが挙げられる。イミドスルホナートとしては、例えば、ナフトイルイミドスルホナートやフタルイミドスルホナートを用いることができる。また、加熱により酸を生成する化合物としては、上述のものの他、下記一般式Vで表される構造を有する化合物や下記一般式VIで表されるスルホンアミド構造を有する化合物を用いることもできる。R17R18C=N-O-SO2-R19...V-NH-SO2-R20...VI式V中、R17は、例えば、シアノ基であり、R18は、例えば、メトキシフェニル基、フェニル基である。また、R19は、例えば、p-メチルフェニル基、フェニル基等のアリール基、メチル基、エチル基、イソプロピル基等のアルキル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル基等のパーフルオロアルキル基である。式VI中、R20は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、メチルフェニル基、フェニル基等のアリール基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチル等のパーフルオロアルキル基である。一般式VIで表されるスルホンアミド構造のN原子に結合する基としては、例えば、2,2’-ビスヘキサフルオロプロパン、2,2’-ビスプロパン、ジ4-ヒドロキシフェニルエーテルが挙げられる。加熱により酸を生成する化合物を用いる場合の含有量は、A成分100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましく、0.2~20質量部がより好ましく、0.5~10質量部が特に好ましい。溶解促進剤溶解促進剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、アルカリ水溶液で現像する際の露光部の溶解速度を増加させ、感度及び解像性を向上させることができる。溶解促進剤としては従来公知のものを用いることができる。その具体例としては、カルボキシル基、スルホン酸、スルホンアミド基を有する化合物が挙げられる。このような溶解促進剤を用いる場合の含有量は、アルカリ水溶液に対する溶解速度によって決めることができ、例えば、A成分100質量部に対して、0.01~30質量部とすることができる。溶解阻害剤溶解阻害剤をA成分のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物であり、残膜厚、現像時間やコントラストをコントロールするために用いられる。その具体例としては、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨージドが挙げられる。溶解阻害剤を用いる場合の含有量は、感度と現像時間の許容幅の点から、A成分100質量部に対して0.01~20質量部が好ましく、0.01~15質量部がより好ましく、0.05~10質量部が特に好ましい。カップリング剤カップリング剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、形成される硬化膜の基板との接着性を高めることができる。カップリング剤としては、例えば、有機シラン化合物、アルミキレート化合物等が挙げられる。有機シラン化合物としては、例えば、ビニルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n-プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n-ブチルシフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert-ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、n-プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n-ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert-ブチルメチルフェニルシラノール、エチルn-プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n-ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert-ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n-プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n-ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert-ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、1,4-ビストリヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスメチルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスエチルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスプロピルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスブチルジヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジメチルヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジエチルヒドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジプロピルドロキシシリルベンゼン、1,4-ビスジブチルヒドロキシシリルベンゼンが挙げられる。カップリング剤を用いる場合の含有量は、A成分100質量部に対して、0.1~20質量部が好ましく、0.5~10質量部がより好ましい。界面活性剤又はレベリング剤界面活性剤又はレベリング剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、塗布性を向上、例えば、ストリエーション膜厚のムラを防いだり、現像性を向上させたりすることができる。このような界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられる。市販品としては、メガファックスF171、F173、R-08大日本インキ化学工業株式会社製、商品名、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株式会社、商品名、オルガノシロキサンポリマーKP341、KBM303、KBM403、KBM803信越化学工業社製、商品名が挙げられる。界面活性剤又はレベリング剤を用いる場合の含有量は、A成分100質量部に対して、0.001~5質量部が好ましく、0.01~3質量部がより好ましい。上述したポジ型感光性樹脂組成物は、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH等のアルカリ水溶液を用いて現像することが可能である。さらに、上述のポジ型感光性樹脂組成物を用いることにより、充分に高い感度及び解像度で、良好な密着性及び耐熱衝撃性を有するレジストパターンを形成することが可能となる。[レジストパターンの製造方法]次に、レジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、上述のポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を露光する工程露光工程と、露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液により現像してパターン化する工程現像工程と、パターン化された感光性樹脂膜を加熱する工程加熱処理工程とを備える。なお、上記感光性樹脂膜は、例えば、ポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する塗布乾燥工程を経て形成することができる。以下、各工程について説明する。<塗布乾燥成膜工程>まず、上述のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する。この工程では、まず、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体例えばTiO2、SiO2等、窒化ケイ素等の支持基板上に、上述のポジ型感光性樹脂組成物を、スピンナー等を用いて回転塗布し、塗膜を形成する。この塗膜が形成された支持基板をホットプレート、オーブン等を用いて乾燥する。これにより、支持基板上に感光性樹脂膜が形成される。<露光工程>次に、露光工程では、支持基板上に形成された感光性樹脂膜に対して、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線等の活性光線を照射する。上述のポジ型感光性樹脂組成物において、A成分はi線に対する透明性が高いので、i線の照射を好適に用いることができる。なお、露光後、必要に応じて露光後加熱PEBを行うこともできる。露光後加熱の温度は70°C~140°C、露光後加熱の時間は1分~5分が好ましい。<現像工程>現像工程では、露光工程後の感光性樹脂膜の露光部を現像液で除去することにより、感光性樹脂膜がパターン化される。現像液としては、例えば、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH等のアルカリ水溶液が好適に用いられる。これらの水溶液の塩基濃度は、0.1~10質量とすることが好ましい。さらに、上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、より好ましくは0.1~5質量部の範囲で配合することができる。<加熱処理工程>次いで、加熱処理工程では、パターン化された感光性樹脂膜を加熱処理することにより、加熱後の感光性樹脂膜からなるレジストパターンを形成することができる。加熱処理工程における加熱温度は、半導体装置に対する熱によるダメージを充分に防止する点から、250°C以下が好ましく、225°C以下がより好ましく、140~200°Cであることが特に好ましい。加熱処理は、例えば、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、及びマイクロ波硬化炉等のオーブンを用いて行うことができる。また、大気中、又は窒素等の不活性雰囲気中いずれを選択することもできるが、窒素下で行う方がパターンの酸化を防ぐことができるので望ましい。上述の好ましい加熱温度の範囲は従来の加熱温度よりも低いため、支持基板や半導体装置へのダメージを小さく抑えることができる。従って、本発明のレジストパターンの製造方法を用いることによって、電子デバイスを歩留まり良く製造することができる。また、プロセスの省エネルギー化につながる。さらに、本発明のポジ型感光性樹脂組成物によれば、感光性ポリイミド等に見られる加熱処理工程における体積収縮硬化収縮が小さいため、寸法精度の低下を防ぐことができる。加熱処理工程における加熱処理時間は、ポジ型感光性樹脂組成物が硬化するのに充分な時間であればよいが、作業効率との兼ね合いから概ね5時間以下が好ましい。また、加熱処理は、上述のオーブンの他、マイクロ波硬化装置や周波数可変マイクロ波硬化装置を用いて行うこともできる。これらの装置を用いることにより、基板や半導体装置の温度を例えば200°C以下に保ったままで、感光性樹脂膜のみを効果的に加熱することが可能である。周波数可変マイクロ波硬化装置においては、マイクロ波がその周波数を変化させながらパルス状に照射されるので、定在波を防ぐことができ、基板面を均一に加熱することができる点で好ましい。また、基板として後述する電子部品のように金属配線を含む場合、マイクロ波を、周波数を変化させながらパルス状に照射すると、金属からの放電等の発生を防ぐことができ、電子部品を破壊から守ることができるので好ましい。さらに、周波数可変マイクロ波を用いて加熱すると、オーブンを用いる場合に比べて硬化温度を下げても硬化膜物性が低下しないので好ましいJ.Photopolym.Sci.Technol.,18,327-3322005参照。周波数可変マイクロ波の周波数は0.5~20GHzの範囲であるが、実用的には1~10GHzの範囲が好ましく、さらに2~9GHzの範囲がより好ましい。また、照射するマイクロ波の周波数は連続的に変化させることが望ましいが、実際は周波数を階段状に変化させて照射する。その際、単一周波数のマイクロ波を照射する時間はできるだけ短い方が定在波や金属からの放電等が生じにくいため、照射時間は1ミリ秒以下が好ましく、100マイクロ秒以下が特に好ましい。照射するマイクロ波の出力は、装置の大きさや被加熱体の量によっても異なるが、概ね10~2000Wの範囲であり、実用上は100~1000Wがより好ましく、100~700Wが特に好ましく、100~500Wが最も好ましい。出力が10W以下では被加熱体を短時間で加熱することが難しく、2000W以上では急激な温度上昇が起こりやすいので好ましくない。また、マイクロ波は、パルス状に入/切させて照射することが好ましい。マイクロ波をパルス状に照射することにより、設定した加熱温度を保持することができ、また、硬化膜や基材へのダメージを避けることができる点で好ましい。パルス状のマイクロ波を1回に照射する時間は条件によって異なるが、概ね10秒以下が好ましい。以上のようなレジストパターンの製造方法によれば、充分に高い感度及び解像度で、密着性及び耐熱衝撃性にも優れるレジストパターンが得られる。[半導体装置の製造工程]次に、本発明のレジストパターンの製造方法の一例として、半導体装置の製造工程を図面に基づいて説明する。図1~5は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程の一実施形態を示す概略断面図である。まず、図1に示す構造体100を準備する。構造体100は、回路素子を有するSi基板等の半導体基板1と、回路素子が露出する所定のパターンを有し、半導体基板1を被覆するシリコン酸化膜等の保護膜2と、露出した回路素子上に形成された第1導体層3と、保護膜2及び第1導体層3上にスピンコート法等により成膜されたポリイミド樹脂等からなる層間絶縁膜4とを備える。次に、層間絶縁膜4上に窓部6Aを有する感光性樹脂層5を形成することにより、図2に示す構造体200を得る。感光性樹脂層5は、例えば、塩化ゴム系、フェノールノボラック系、ポリヒドロキシスチレン系、ポリアクリル酸エステル系等の感光性樹脂を、スピンコート法により塗布することにより形成される。窓部6Aは、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜4が露出するように形成される。層間絶縁膜4をエッチングして窓部6Bを形成した後に、感光性樹脂層5を除去し、図3に示す構造体300を得る。層間絶縁膜4のエッチングには、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段を用いることができる。このエッチングにより、窓部6Aに対応する部分の層間絶縁膜4が選択的に除去され、第1導体層3が露出するように窓部6Bが設けられた層間絶縁膜4が得られる。次いで、窓部6Bから露出した第1導体層3を腐食することなく、感光性樹脂層5のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光性樹脂層5を除去する。さらに、窓部6Bに対応する部分に第2導体層7を形成し、図4に示す構造体400を得る。第2導体層7の形成には、公知の写真食刻技術を用いることができる。これにより、第2導体層7と第1導体層3との電気的接続が行われる。最後に、層間絶縁膜4及び第2導体層7上に表面保護層8を形成し、図5に示す半導体装置500を得る。本実施形態では、表面保護層8は次のようにして形成する。まず、上述の実施形態に係るポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法により層間絶縁膜4及び第2導体層7上に塗布し、乾燥して感光性樹脂膜を形成する。次に、所定部分に窓部6Cに対応するパターンを描いたマスクを介して光照射した後、アルカリ水溶液にて現像して感光性樹脂膜をパターン化する。その後、感光性樹脂膜を加熱により硬化して、表面保護層8としての硬化膜を形成する。この表面保護層8は、第1導体層3及び第2導体層7を外部からの応力、α線等から保護するものであり、得られる半導体装置500は信頼性に優れる。なお、上述の実施形態では2層の配線構造を有する半導体装置の製造方法を示したが、3層以上の多層配線構造を形成する場合は、上述の工程を繰り返して行い、各層を形成することができる。すなわち、層間絶縁膜4を形成する各工程、及び表面保護層8を形成する各工程を繰り返すことによって、多層のパターンを形成することが可能である。また、上記例において、表面保護層8のみでなく、層間絶縁膜4も本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成することが可能である。[電子デバイス]次に、本発明の電子デバイスについて説明する。電子デバイスとは、半導体装置及び/又は多層配線板等を含むものである。本発明の電子デバイスは、上述の製造方法によって形成されるレジストパターンを有する半導体装置を含むものである。上記レジストパターンは、具体的には、半導体装置の表面保護層、カバーコート層、層間絶縁膜又は層間絶縁膜等として使用することができる。本発明の電子デバイスは、上述のポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成される表面保護層、カバーコート層、層間絶縁膜又は層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。また、上述のポジ型感光性樹脂組成物は、応力緩和性、接着性等にも優れるため、近年開発された各種構造のパッケージ基板半導体装置における各種の構造材としても使用することができる。図6及び図7にそのような半導体装置の一例の断面構造を示す。図6は、半導体装置の一実施形態としての配線構造を示す概略断面図である。図6に示す半導体装置600は、シリコンチップ23と、シリコンチップ23の一方面側に設けられた層間絶縁膜11と、層間絶縁膜11上に形成された、パッド部15を含むパターンを有するAl配線層12と、パッド部15上に開口を形成しながら層間絶縁膜11及びAl配線層12上に順次積層された絶縁層13例えばP-SiN層及び表面保護層14と、表面保護層14上で開口近傍に配された島状のコア18と、絶縁層13及び表面保護層14の開口内でパッド部15と接するとともにコア18の表面保護層14とは反対側の面に接するように表面保護層14上に延在する再配線層16とを備える。さらに、半導体装置600は、表面保護層14、コア18及び再配線層16を覆って形成され、コア18上の再配線層16の部分に開口が形成されているカバーコート層19と、カバーコート層19の開口においてバリアメタル20を間に挟んで再配線層16と接続された導電性ボール17と、導電性ボールを保持するカラー21と、導電性ボール17周囲のカバーコート層19上に設けられたアンダーフィル22とを備える。導電性ボール17は外部接続端子として用いられ、ハンダ、金等から形成される。アンダーフィル22は、半導体装置600を実装する際に応力を緩和するために設けられている。図7は、半導体装置の一実施形態としての配線構造を示す概略断面図である。図7の半導体装置700においては、シリコンチップ23上にAl配線層図示せず及びAl配線層のパッド部15が形成されており、その上部には絶縁層13が形成され、さらに素子の表面保護層14が形成されている。パッド部15上には、再配線層16が形成され、この再配線層16は、導電性ボール17との接続部24の上部まで伸びている。さらに、表面保護層14の上には、カバーコート層19が形成されている。再配線層16は、バリアメタル20を介して導電性ボール17に接続されている。図6、図7の半導体装置において、上述のポジ型感光性樹脂組成物は、層間絶縁膜11や表面保護層14ばかりではなく、カバーコート層19、コア18、カラー21、アンダーフィル22等を形成するための材料として使用することができる。上述のポジ型感光性樹脂組成物を用いた硬化膜は、Al配線層12若しくは再配線層16等のメタル層又は封止剤等との接着性に優れ、応力緩和効果も高いため、この硬化膜を表面保護層14、カバーコート層19、コア18、半田等のカラー21、及びフリップチップ等で用いられるアンダーフィル12等に用いた半導体装置は、極めて信頼性に優れるものとなる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、図6及び図7における再配線層16を有する半導体装置の表面保護層14及び/又はカバーコート層19に用いることが特に好適である。上記表面保護層又は上記カバーコート層の膜厚は、3~20μmであることが好ましく、5~15μmであることがより好ましい。以上のように、上述のポジ型感光性樹脂組成物を使用することにより、従来は300°C以上を必要としていた上記の加熱処理工程において、200°C以下の低温加熱を用いた硬化が可能である。上記加熱処理工程において、加熱温度は、100°C~200°Cが好ましく、140°C~200°Cがより好ましい。さらに、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感光性ポリイミド等に見られた加熱処理工程における体積収縮硬化収縮が小さいため、寸法精度の低下を防ぐことができる。ポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜は、高いガラス転移温度を有する。従って、耐熱性に優れた表面保護層又はカバーコート層となる。この結果、信頼性に優れた半導体装置等の電子部品を歩留まり良く高収率で得ることができる。以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明で用いた材料について以下に示す。[A成分]A1:クレゾールノボラック樹脂クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、m-クレゾール/p-クレゾールモル比=60/40、ポリスチレン換算重量平均分子量=12000、旭有機材工業社製、商品名EP4020GA2:4-ヒドロキシスチレン/メタクリル酸メチル=50/50モル比の共重合体ポリスチレン換算重量平均分子量=10000、丸善石油化学社製、商品名マルカリンカーCMMA3:A3は以下の合成例1のようにして合成した。A4:A4は以下の比較合成例1のようにして合成した。合成例1:炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂A3の合成フェノール100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120°Cで2時間撹拌し、植物油変性フェノール誘導体aを得た。次いで、植物油変性フェノール誘導体a130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90°Cで3時間撹拌した。次いで、120°Cに昇温して減圧下で3時間撹拌した後、反応液に無水コハク酸29g及びトリエチルアミン0.3gを加え、大気圧下、100°Cで1時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、反応生成物である炭素数4~100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂以下、A3という。を得た酸価120mgKOH/g。このA3のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は約25000であった。[B成分]B1:1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-[4-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}フェニル]エタンの1-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸エステルエステル化率約90、AZエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名TPPA528B2:トリス4-ヒドロキシフェニルメタンの1-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸エステルエステル化率約95[C成分]C1:ヘキサキスメトキシメチルメラミン三和ケミカル社製、商品名ニカラックMW-30HM、下記式aで表される化合物C2:1,1-ビス{3,5-ビスメトキシメチル-4-ヒドロキシフェニル}メタン本州化学工業社製、商品名TMOM-pp-BPF、下記式bで表される化合物C3:N,N’,N’’,N’’’-テトラキスメトキシメチルグリコールウリル三和ケミカル社製、商品名ニカラックMX-270、下記式cで表される化合物[D成分]合成例2:アクリル樹脂D1の合成攪拌機、窒素導入管及び温度計を備えた500mlの三口フラスコに、トルエン75g、イソプロパノールIPA75gを秤取し、別途に秤取した重合性単量体アクリル酸ブチルエステルBA85g、アクリル酸ラウリルエステルDDA24g、アクリル酸AA14.4g、及び1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタクリレート商品名:FA-711MM、日立化成工業株社製7.9g、並びにアゾビスイソブチロニトリルAIBN0.13gを加えた。室温にて約270rpmの攪拌回転数で攪拌しながら、窒素ガスを400ml/分の流量で30分間流し、溶存酸素を除去した。その後、窒素ガスの流入を停止し、フラスコを密閉し、恒温水槽にて約25分で65°Cまで昇温した。同温度を14時間保持して重合反応を行い、アクリル樹脂D1を得た。この際の重合率は98であった。また、このD1のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量MWは、約27000であった。合成例3~11:アクリル樹脂D2~D10の合成表1及び2に示す重合性単量体を用いた以外は、合成例2と同様にしてアクリル樹脂D2~D10をそれぞれ合成した。合成したアクリル樹脂D2~D10の重量平均分子量を表1及び2に示す。FA-711MM:1,2,2,6,6-ペンタメチルピペリジン-4-イルメタクリレート日立化成工業株社製FA-711HA:2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-4-イルメタクリレート日立化成工業株社製BA:アクリル酸n-ブチルDDA:アクリル酸ラウリルAA:アクリル酸HPMA:N-4-ヒドロキシフェニルメタクリルアミド実施例1~13、及び比較例1表3に示した配合量のA~D成分表中の数値は、固形分での質量部を示す。、E成分として乳酸メチル120質量部、及びカップリング剤として尿素プロピルトリエトキシシランの50メタノール溶液2質量部を配合し、これを3μm孔のテフロン登録商標フィルターを用いて加圧ろ過して、実施例1~13、及び比較例1のポジ型感光性樹脂組成物を調製した。<ポジ型感光性樹脂組成物の評価>実施例1~13、及び比較例1のポジ型感光性樹脂組成物について、以下に示す評価を行った。その結果を表4に示す。残膜率、感度、解像度実施例1~13、及び比較例1で得られたポジ型感光性樹脂組成物をシリコン基板上にスピンコートして、120°Cで4分間加熱し、膜厚11~13μmの塗膜を形成した。次いで、i線ステッパーキャノン社製、商品名FPA-3000iWを用いて、1μm×1μmから100μm×100μmまでの正方形ホールパターンを有するマスクを介してi線365nmで縮小投影露光した。露光量は、10~1520mJ/cm2まで20mJ/cm2ずつ変えながら行った。露光後、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHの2.38水溶液を用いて現像した。現像後の未露光部の残膜率は、現像前の膜厚の80~99程度であったポジ型感光性樹脂組成物であるため、残膜率は露光量に依存しなかった。。なお、残膜率は、下式により算出した。残膜率=現像後の塗膜の膜厚/現像前の塗膜の膜厚×100その後、水でリンスし、100μm×100μmの正方形ホールパターンが形成できる最小露光量を感度とした。また、上記露光量の範囲内で、開口している正方形ホールパターンのうち最小のものの大きさ一辺の長さを解像度の指標とした。なお、感度及び解像度は、小さい程良好である。硬化収縮率実施例1~13、及び比較例1で得られたポジ型感光性樹脂組成物をシリコン基板上にスピンコートして、120°Cで4分間加熱し、膜厚約12~14μmの塗膜を形成した。その後、この塗膜をプロキシミティ露光機キャノン社製、商品名PLA-600FAを用いて、マスクを介して全波長で、最小露光量の2倍の露光量で露光を行った。露光後、TMAHの2.38水溶液を用いて現像を行い、10mm幅のレジストパターンを得た。その後、レジストパターンを以下のiの方法で加熱処理硬化し、膜厚約10μmの硬化膜を得た。なお、硬化条件、及び、硬化前後の膜厚の硬化収縮率=[1-硬化後の膜厚/硬化前の膜厚]×100[]を表3~5に示す。i縦型拡散炉光洋サーモシステム社製、商品名μ-TFを用い、窒素中、温度180°C昇温時間1.5時間で2時間、塗膜を加熱処理した。Tg、破断伸び、弾性率上述の硬化収縮率の評価と同様の方法で得た膜厚約10μmの硬化膜をシリコン基板から剥離し、剥離した硬化膜のガラス転移温度Tgをセイコーインスツルメンツ社製TMA/SS600で測定した。測定の際、試料の幅は2mm、膜厚は約10μmであり、チャック間は10mmとした。荷重は10gで、昇温速度は5°C/分であった。また、硬化膜の破断伸びEL及び弾性率YMを島津製作所社製オートグラフAGS-H100Nによって測定した。試料の幅は10mm、膜厚は約10μmであり、チャック間は20mmとした。引っ張り速度は5mm/分で、測定温度は室温20°C~25°C程度とした。同一条件で得た硬化膜から得た5本の試験片の測定値の平均を破断伸びEL及び弾性率YMとした。Tgは高いことが好ましく、破断伸びは大きいことが好ましく、弾性率は小さいことが好ましい。ヘーズ実施例1~13、及び比較例1で得られたポジ型感光性樹脂組成物をガラス基板上にスピンコートして、120°Cで4分間加熱し、膜厚10~11μmの塗膜を形成し、ヘーズメータ日本電飾工業株式会社製、商品名NDH5000で膜のヘーズ値塗布後ヘーズを測定した。ヘーズ値とは曇りの度合いを表す数値で、全反射光に対する拡散光の割合を指すものである。次いでTMAHの2.38水溶液を用いて2分間現像を行い、ヘーズメータでヘーズ値現像後ヘーズを測定した。ヘーズ値の計算式は以下の通りである。ヘーズ=拡散率/全光線透過率×100また、現像後のヘーズ値は7.0より小さいと好ましく、5.0より小さいとより好ましく、1.0より小さいとさらに好ましい。現像後ヘーズが7.0以上であると、半導体装置を製造する際の、基板上に記された位置合わせのための目印が認識し難い。表4から明らかなように、実施例1~13のポジ型感光性樹脂組成物は良好なヘーズ値を与えた。また、実施例1~13のポジ型感光性樹脂組成物は、175°Cで硬化しても良好なTg及び破断伸びを示した。D成分としてD6~D10を用いた、実施例5~9のポジ型感光性樹脂組成物は塗布後及び現像後のヘーズ値が1以下と小さい値を示した。D成分に一般式3で表される構造単位が含まれないD1を用いた比較例1では、ヘーズ値は高い値となった。"