"複数の受光部が行列状に形成された半導体基板と、前記複数の受光部の行間であって、列方向に伸びて形成された転送チャネルと、前記転送チャネルの上であって、前記複数の受光部に1対1に対応して形成された複数の転送電極とを備え、前記転送チャネルは、第1の不純物濃度の第1チャネル領域と第2の不純物濃度の第2チャネル領域とを備え、前記転送電極は、前記第1チャネル領域の上に形成された第1の電極部分と前記第1の電極部分の上層に形成され、前記受光部に蓄積された電荷を前記転送チャネルへ信号電荷を読み出して転送するための信号を印加する第2の電極部分とを備え、前記転送電極の下において、前記第1チャネル領域は前記第2チャネル領域よりも転送方向の下流側に位置し、前記第1チャネル領域のポテンシャルは前記第2チャネル領域のポテンシャルよりも高く、前記第1チャネル領域と前記第2チャネル領域との境界は、前記転送方向に対して傾斜していることを特徴とする固体撮像装置。前記第2チャネル領域の不純物は、前記第1チャネル領域の不純物と、さらにホウ素を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記転送チャネルは、第3の不純物濃度の第3チャネル領域をさらに備え、前記転送電極の下において、前記第3チャネル領域は前記第1チャネル領域よりも転送方向の下流側に位置し、前記第3チャネル領域のポテンシャルは前記第1チャネル領域のポテンシャルよりも高く、前記第1チャネル領域と前記第3チャネル領域との境界は、前記転送方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記第3チャネル領域の不純物は、前記第1チャネル領域の不純物と、さらに砒素を含んでいることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の固体撮像装置。半導体基板に行列状に複数の受光部を形成する工程と、前記複数の受光部の行間に、列方向に伸び、第1の領域および第2の領域を有する転送チャネルを形成する工程と、前記転送チャネルの前記第1の領域の上に転送電極の第1の電極部分を形成する工程と、前記第1の電極部分をマスクとして、前記転送チャネルの前記第2の領域に不純物を注入する工程と、前記第1の電極部分の上層に形成され、前記受光部に蓄積された電荷を前記転送チャネルへ信号電荷を読み出して転送するための信号を印加する第2の電極部分を形成する工程とを備え、前記転送電極の下において、前記第1の領域は前記第2の領域よりも転送方向の下流側に位置し、前記第1の領域のポテンシャルは前記第2の領域のポテンシャルよりも高く、前記第1の領域と前記第2の領域との境界は、前記転送方向に対して傾斜していることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記第2の電極部分を形成する工程において、前記第1の電極部分と前記第2の電極部分の両方をエッチングすることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。前記転送チャネルは、さらに第3の領域を有し、前記第1の電極部分を形成する工程の後であって、前記第2の電極部分を形成する工程の前に、前記第1の電極部分およびレジストを2重のマスクとして、前記転送チャネルの前記第3の領域に不純物を注入する工程をさらに備え、前記転送電極の下において、前記第3の領域は前記第1の領域よりも転送方向の下流側に位置し、前記第3の領域のポテンシャルは前記第1の領域のポテンシャルよりも高く、前記第1の領域と前記第3の領域との境界は、前記転送方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。しかしながら、図9に示すような1画素内に1本の垂直転送電極703を有する固体撮像装置においては、図10に示す1画素内に2本の垂直転送電極803a,803bを有する固体撮像装置に対して、1ゲートあたりの電荷転送距離が長いため電荷の転送効率が低下し、縦筋が発生するなど、画質が低下しやすい。また、図11aに示すように、ポテンシャル傾斜をつけるために、垂直転送チャネル902の延伸方向に対して斜めに不純物が分布できるようにレジスト膜913を形成した場合、微細加工のため、垂直転送電極903とレジスト膜913の形状が精度良く得られず、転送効率の改善が得られないと課題がある。即ち、設計での狙いとするレジスト膜912に対して、実際に得られるレジスト膜913の形状に係る精度を高くすることが困難である。また、図11bに示すように転送電極とポテンシャル傾斜をつけるために、垂直転送チャネル902に対して導入する不純物を注入するためのレジスト膜953の位置関係がばらつきにより変動するため、転送効率の改善が得られない課題がある。即ち、設計での狙いとするレジスト膜952に対して、実際に得られるレジスト膜953の位置に係る精度を高くすることが困難である。本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、1ゲートあたりの電荷転送距離が長い場合においても、電荷の転送効率が高い固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。本第一の発明の固体撮像装置は、複数の受光部が行列状に形成された半導体基板と、複数の受光部の行間であって、列方向に伸びて形成された垂直転送チャネルと、垂直転送チャネルの上であって、複数の受光部に1対1に対応して形成された複数の転送電極とを備え、垂直転送チャネルは、第1の不純物濃度の第1の領域第1チャネル領域と第2の不純物濃度の第2の領域第2チャネル領域とを備え、転送電極は、第1チャネル領域の上に形成された第1の転送電極と前記第1の転送電極の上層に形成され、前記受光部に蓄積された電荷を前記転送チャネルへ読み出して転送するための信号を印加する第2の転送電極を備え、第1チャネル領域は第2チャネル領域よりも転送方向の下流側に位置し、第1チャネル領域のポテンシャルは第2チャネル領域のポテンシャルよりも高く、第1チャネル領域と第2チャネル領域との境界は、転送方向に対して傾斜していることを特徴とする固体撮像装置である。かかる構成により、転送チャネルに濃度が異なる複数の不純物領域を傾斜状に形成し、電荷の転送効率を向上させることができる。また、本第二の発明の固体撮像装置は、第一の発明に対して、第2チャネル領域の不純物は、第1チャネル領域の不純物と、さらにホウ素を含んでいることを特徴とする固体撮像装置である。かかる構成により、追加の不純物であるホウ素の量によって、ポテンシャルの差を調整することできることができる。また、本第三の発明の固体撮像装置は、第一または二の発明に対して、転送チャネルは、第1チャネル領域、第2チャネル領域に加えて、第3の不純物濃度の第3の領域第3チャネル領域をさらに備え、第3チャネル領域は第1チャネル領域よりも電荷転送方向において下流側に位置し、第3チャネル領域のポテンシャルは第1チャネル領域のポテンシャルよりも高く、第1チャネル領域と第3チャネル領域との境界は、転送方向に対して傾斜していることを特徴とする固体撮像装置である。かかる構成により、転送チャネルに濃度が異なる3つの不純物領域を傾斜状に形成することで、ポテンシャルを段階的に変化させることができるため、電荷の転送効率を向上させることができる。また、本第四の発明の固体撮像装置は、第一~三のいずれかの発明に対して、第3チャネル領域の不純物は、第1チャネル領域の不純物と、さらに砒素を含んでいることを特徴とする固体撮像装置である。かかる構成により、追加の不純物である砒素の量によって、ポテンシャルの差を調整することできることができる。また、本第五の発明の本固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に行列状に複数の受光部を形成する工程と、複数の受光部の行間に、列方向に伸び、第1の領域および第2の領域を有する垂直転送チャネルを形成する工程と、転送チャネル内の第1の領域上に第1の転送電極を形成する第1の転送電極の下が第1チャネル領域となる。工程と、第1の転送電極をマスクとして、転送チャネル内の第2の領域に不純物を自己整合的に注入する不純物の注入により、第2の領域が第2チャネル領域となる。工程と、転送チャネルの上に第2の転送電極を形成する工程とを備え、第1の領域は第2の領域よりも転送方向の下流側に位置し、第1の領域のポテンシャルは第2の領域のポテンシャルよりも高く、第1の領域と第2の領域との境界は転送方向に対して傾斜していることを特徴とする固体撮像装置の製造方法である。かかる構成により、第1の電極部分をマスクとして不純物を注入することができるため、第1の領域と第2の領域の境界を精度良く形成できることができる。また、本第六の発明の固体撮像装置の製造方法は、第五の発明に対して、第2の転送電極を形成する工程において、第1の転送電極と第2の転送電極の両方を同時にエッチングして形成する。かかる構成により、第1の転送電極と第2の転送電極の合わせズレを防止することができる。また、本第七の発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に行列状に複数の受光部を形成する工程と、複数の受光部の行間に、列方向に延び、第1の領域、第2の領域および第3の領域を有する垂直転送チャネルを形成する工程と、転送チャネル内の第1の領域上に第1の転送電極を形成する工程と、第1の転送電極とレジストを二重のマスクとして転送チャネルの第2の領域に、不純物を注入する工程とを備え、レジストを除去し、第1の転送電極およびレジストを2重のマスクとして、転送チャネルの第3の領域に不純物を注入する不純物注入により、第3の領域が第3チャネル領域となる。工程をさらに備え、第2の領域は、第1の領域よりも転送方向の上流側に位置し、第2の領域のポテンシャルは、第1の領域のポテンシャルよりも低く、第3の領域は第1の領域よりも転送方向の下流側に位置し、第3の領域のポテンシャルは第1の領域のポテンシャルよりも高く、第1の領域と第3の領域との境界は、転送方向に対して傾斜させることができる。かかる構成により、第1の電極部分をマスクとし、第1の領域と第3の領域の境界を精度良く形成できることができる。本発明による固体撮像装置およびその製造方法によれば、1ゲートあたりの電荷転送距離が長い場合においても、転送チャネルに濃度が異なる複数の不純物領域を傾斜状にかつ精度良く形成することができるため、電荷の転送効率を向上させることができる。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施形態においてはインターラインCCD型固体撮像装置を例にとる。1.全体構成図1はインターラインCCD型の固体撮像装置1の概略構成を示す図である。図1に示すように、固体撮像装置1には撮像領域100が設けられており、入射光を光電変換し信号電荷を生成するためのフォトダイオード光電変換部101、フォトダイオード101で生成された信号電荷を垂直方向Y軸方向に転送するための垂直転送領域垂直電荷転送領域121、垂直転送領域121によって転送されてきた信号電荷を水平方向に転送するための水平転送領域水平電荷転送領域122、送られてきた信号電荷を電気信号として出力する出力アンプ123と、を有してなる。複数個のフォトダイオード101は半導体基板の表面部にマトリックス状に配列され、フォトダイオード101の各列間にその列が延びる方向Y軸方向に沿って平行に垂直転送領域121が配置されている。図1には垂直転送電極配線は記載していないが、複数の垂直転送電極配線のそれぞれは撮像領域100の右端領域から左端領域まで水平方向、すなわち複数のフォトダイオード101からなる行が延びる方向X軸方向に沿って平行に延びている。また水平転送領域122で転送されてきた信号電荷は出力アンプ123を介して電気信号として出力される。以降、フォトダイオード101の配列の1列が延びる方向Y軸方向を垂直方向、フォトダイオード101の1行が延びる方向X軸方向を水平方向ということにして説明する。2.撮像領域100図2は本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置1の1画素とその周囲に配置された他の画素の一部分までを表示する模式平面レイアウト図である。図3は、模式的に垂直転送電極を除去し、垂直転送チャネルの構成を示す模式平面図である。また、図4aは図2のA-A’線に沿う模式断面図である。まず、図2および図4aにより、固体撮像装置1の平面構成およびA-A’線方向の断面構成および製造方法を説明する。なお、第2転送電極が垂直転送電極となる。図2に示すように、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置1は、半導体基板に形成されたフォトダイオード受光部101、垂直転送チャネル102、第1転送電極103、第2転送電極105を備える。第2転送電極105には、コンタクトプラグ110が形成されている。そして、図3に示すように、垂直転送チャネル102は、第1チャネル領域104、第2チャネル領域106を備える。また、図4aに示すように、固体撮像装置1においては、例えばN型の半導体基板107にP型のウエル108が形成されているが、このP型のウエル108はN型シリコン基板半導体基板107に熱拡散やイオン注入により形成されてもよいし、エピタキシャル成長にて形成されたエピタキシャル層であってもよい。本発明の実施形態ではP型のウエル108が半導体基板に熱拡散やイオン注入により形成されたものであるか、エピタキシャル層からなるかに係らず半導体層と見なすことができる。P型のウエル108にはN型不純物層である垂直転送チャネル102が形成され、受光部フォトダイオード101で光電変換され、蓄積された電荷を垂直転送チャネル102に読み出し、水平転送チャネルへ電荷転送を行うことができる。垂直転送チャネル102は例えば200nm~400nm程度の幅で形成されている。また、第1転送電極103はN型の半導体基板107の表層側の界面を覆う絶縁膜109を介して形成される。絶縁膜109は、シリコン酸化膜例えば酸化シリコンであり、絶縁膜109の厚みは、5nm~100nmが好ましく、更に40nm程度がより好ましい。また、第1転送電極103の材料としては例えばポリシリコンなど加工に容易な材料が好ましく、厚みは例えば50nm~250nmが好ましい。ここで、図2に示すように、第1転送電極103は垂直転送チャネル102を斜めに横切るように形成される。また、図2および図4aに示すように、第1転送電極103が上層に形成されておらず、第1チャネル領域104よりも転送方向図2における電荷の流れを示す矢印の方向に対して上流側に位置する、第2の領域に対して、第1転送電極103をマスクとして、例えばボロンBの不純物をイオン注入により垂直転送チャネル102内に注入し、第2チャネル領域106を形成する。これにより、第1チャネル領域104のポテンシャルを第2チャネル領域106に対して、高くすることができる。このように垂直転送チャネル102を横切るように形成された第1転送電極103をマスクとしてイオン注入することにより、不純物を垂直転送チャネル102に沿って斜めに不純物が分布するため、ポテンシャルの傾斜をつけやすく、電荷転送効率を改善することができる。また、第1転送電極103の上層にフォトダイオード受光部101のフォトダイオードに蓄積された電荷を垂直転送チャネル102へ信号電荷を読み出して転送するための信号を印加する第2転送電極105を形成する。また、垂直転送チャネル102を駆動する信号は遮光膜を兼ねた配線図示していないから第2転送電極105上のコンタクトプラグ110を介して印加される。また、第1転送電極103は、第2の領域に対する不純物注入第2チャネル領域106の形成時において、第2チャネル領域106を形成しようとする第2の領域上が開口されていればよく、その他領域に第1転送電極103を形成することもできる。さらに、第2の領域への不純物注入第2チャネル領域106の形成後にそのままゲート電極の一部として活用できるため、第1チャネル領域104上の第1転送電極103は除去する必要がなく、少ない工程数で転送効率の改善が可能となる。また、第2転送電極105を形成する際に、第1転送電極103の境界部を同時に同じ工程においてエッチングすることが好ましい。同時に同じ工程においてエッチングすることにより、第1転送電極103と第2転送電極105の重ね合わせ精度を高めることができる。第1転送電極103の幅、および第2転送電極105の幅はエッチング後に300nm~700nmが好ましい。3.垂直転送チャネル102におけるポテンシャル構成本実施形態における、ポテンシャル構成図を図4bおよび図4cに示す。図4bおよび図4cは、電荷を右から左へ転送する際のポテンシャル分布を表している。電荷を転送する転送電極に対して、図4bに示すミドルレベル例えば0Vから、図4cに示すローレベル例えば-6Vを印加して駆動させることで、転送電極直下の電荷を該当電極の左側の転送電極直下まで転送することができる。その際、第1転送電極103は垂直転送チャネル102を斜めに横切るように形成されており図2を参照、第2の領域に対して、第1転送電極103をマスクとして、例えばボロンの不純物をイオン注入により垂直転送チャネル102に打ち込まれることにより第2チャネル領域106が形成されており、ポテンシャルが転送電極直下を一定の割合で変動するため、電荷の転送効率を高めることができる。このようにポテンシャル傾斜を構成しない比較例に係る構成、即ち、図5aに示すように、の場合、図3半導体基板707上にウェル708が形成され、その上に垂直転送チャネル702、絶縁膜709、および単層の垂直転送電極703が順に形成されてなる構成の場合には、図5bおよび図5cに示すようなポテンシャルとなる。図5bおよび図5cに示すように、比較例に係る構成の場合には、電荷を転送する転送電極に対して、図5bに示すミドルレベル例えば0Vから、図5cに示すローレベル例えば-6Vを印加して駆動させたときに、電極直下の電荷を転送しきれず、転送残りが発生し、画質が大きく低下する。一方、本実施の形態に係る固体撮像装置1では、電荷の転送効率を向上させることができるため、電荷の高速転送が可能となるため、動画など高速撮影に有利である。なお、第2転送電極形状については、図9のように1画素に対して1つの転送電極で構成されるものに限らず、図10のように1画素に対して2つの転送電極で構成されるなど、複数の転送電極で構成されていてもよい。実施の形態2図6は本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置における1画素とその周囲に配置された他の画素の一部分までを表示する平面レイアウト図である。図7は、模式的に垂直転送電極を除去し、垂直転送チャネルの構成を示す模式平面図である。また、図8aは図6のC-C’線に沿う断面図である。図6、図7および図8aにより、実施の形態2に係る固体撮像装置の平面構成およびC-C’線方向の断面構成および製造方法について説明する。図6に示すように、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置は、半導体基板に形成されたフォトダイオード受光部401、垂直転送チャネル402、第1転送電極403、第2転送電極405を備える。そして、図7に示すように、垂直転送チャネル402は、第1チャネル領域404、第2チャネル領域406、第3チャネル領域411を備える。また、図8aは図6のC-C’線に沿う断面図であり、例えばN型シリコン基板などの半導体基板407に例えばP型のウエル408が形成されるが、このウエル408はN型シリコン基板半導体基板407に熱拡散やイオン注入により形成されてもよいし、エピタキシャル成長にて形成されたエピタキシャル層であってもよい。本発明の実施形態ではP型のウエル408が半導体基板に熱拡散やイオン注入により形成されたものであるか、エピタキシャル層からなるかに係らず半導体層と見なすことができる。P型のウエル408にはN型不純物層である垂直転送チャネル402が形成され、フォトダイオード受光部401図6、図7を参照で光電変換され、蓄積された電荷を垂直転送チャネル402に読み出し、水平転送チャネルへ電荷転送を行うことができる。垂直転送チャネル402は例えば200nm~400nm程度の幅で形成されている。また、第1転送電極403はN型の半導体基板407の表層側の界面を覆う絶縁膜409を介して形成されている。絶縁膜409は、シリコン酸化膜例えば酸化シリコンであり、絶縁膜409の厚みは、5nm~100nmが好ましく、更に40nm程度がより好ましい。また、第1転送電極403の材料としては例えばポリシリコンなど加工に容易な材料が好ましく、厚みは例えば50nm~250nmが好ましい。図6に示すように、第1転送電極403は垂直転送チャネル402を斜めに横切るように形成される。また、第1転送電極403が上層に形成されておらず、転送に対して第1転送電極403の上流に位置する、第2の領域に対して、第1転送電極403をマスクとして、例えばボロンBの不純物をイオン注入により垂直転送チャネル402内に注入し、第2チャネル領域406を形成する。これにより、第1転送電極403の下の第1チャネル領域404のポテンシャルを第2チャネル領域406に対して、高くすることができる。また、このように垂直転送チャネル402を横切るように形成された第1転送電極403をマスクとしてイオン注入することにより、不純物が垂直転送チャネル402に沿って斜めに分布するため、ポテンシャルの傾斜をつけやすく、電荷転送効率を改善することができる。また第1転送電極403は、第2の領域に対する不純物注入第2チャネル領域406の形成時において、第2の領域上第2チャネル領域406を形成しようとする領域上が開口されていればよく、その他領域に第1転送電極403を形成することもできる。その後、第1チャネル領域404に対して、転送の下流側に位置する第3の領域上の第1転送電極403をエッチングにより除去する。この際、第1転送電極403は垂直転送チャネル402を斜めに横切るように形成される。第1転送電極403が上層に形成されておらず、転送に対して第1転送電極403の下流に位置する、第3の領域に対して、第1転送電極403およびレジスト膜を2重のマスクとして、例えば砒素のN型不純物をイオン注入により垂直転送チャネル402内に打ち込む。これにより、第3の領域に第3チャネル領域411を形成することができ、第3チャネル領域411のポテンシャルを第1チャネル領域404に対して、高くすることができる。また、このように垂直転送チャネル402を横切るように形成された第1転送電極403をマスクとしてイオン注入することにより、不純物が垂直転送チャネル402に沿って斜めに分布するため、ポテンシャルの傾斜をつけやすく、電荷転送効率を改善することができる。また、第1転送電極403の上層にフォトダイオード受光部401に蓄積された電荷を垂直転送チャネル402へ信号電荷を読み出して転送するための信号を印加する第2転送電極405を形成する。第2転送電極405の材料としては例えばポリシリコンで構成され、エッチングなど加工に容易な材料が好ましい。また、垂直転送チャネル402を駆動する信号は遮光膜を兼ねた配線図示していないから第2転送電極405上のコンタクトプラグ410を介して印加される。また第1転送電極403は、第2の領域第2チャネル領域406を形成しようとする領域および第3の領域第3チャネル領域411を形成しようとする領域に対して不純物注入を行うためのマスクであるが、そのままゲート電極の一部として活用できるため、第1転送電極403は除去する必要がなく、少ない工程数で転送効率の改善が可能となる。また、第2転送電極405を形成する際に、第1転送電極403の境界部を同時に同じ工程においてエッチングすることが好ましい。同時に同じ工程においてエッチングすることにより、第1転送電極403と第2転送電極405の重ね合わせ精度を高めることができる。本実施形態における、ポテンシャル構成図を図8bおよび図8cに示す。図8bおよび図8cでは、電荷を右から左へ転送する際のポテンシャル分布を表している。電荷を転送する転送電極に対して、図8bに示すミドルレベル例えば0Vから、図8cに示すローレベル例えば-6Vを印加して駆動させることで、転送電極直下の電荷を左側の転送電極直下まで転送することができる。その際、第1転送電極403は垂直転送チャネル402を斜めに横切るように形成されており、第1チャネル領域404に対して転送の上流に位置する、第2チャネル領域406に対して、第1転送電極403をマスクとして、例えばボロンの不純物をイオン注入により垂直転送チャネル402に打ち込まれており、第1チャネル領域404のポテンシャルが第2チャネル領域406よりも高くなり、さらに第2チャネル領域406と第1チャネル領域404の境界部は斜め方向へポテンシャルが分布するため第2チャネル領域406から第1チャネル領域404への転送効率を高めることができる。さらに、第1チャネル領域404に対して転送の下流に位置する、第3チャネル領域411に対して、第1転送電極403をマスクとして、例えば砒素の不純物をイオン注入により垂直転送チャネル402に打ち込まれており、第3チャネル領域411のポテンシャルが第1チャネル領域404よりも高くなり、さらに第3チャネル領域411と第1チャネル領域404の境界部は斜め方向へポテンシャルが分布するため第1チャネル領域404から第3チャネル領域411への転送効率を高めることができる。また、電荷の転送効率を向上させることができるため、電荷の高速転送が可能となるため、動画など高速撮影に有利である。第2転送電極の形状については、図9のように1画素に対して1つの転送電極で構成されるものに限らず、図10のように1画素に対して2つの転送電極で構成されるなど、複数の転送電極で構成されていてもよい。"