基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、前記半導体層は酸化物半導体からなり、前記バリア層は、高融点金属系薄膜とSi薄膜の積層構造を有し、前記Si薄膜は前記半導体層と直接接続していることを特徴とする配線構造。前記高融点金属系薄膜は、純Ti薄膜、Ti合金薄膜、純Mo薄膜、またはMo合金薄膜から構成されるものである請求項1に記載の配線構造。前記Si薄膜の膜厚は3~30nmである請求項1または2に記載の配線構造。前記金属配線膜は、純Al膜、90原子以上のAlを含むAl合金膜、純Cu膜、または90原子以上のCuを含むCu合金膜から構成されるものである請求項1~3のいずれかに記載の配線構造。前記酸化物半導体は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物から構成されるものである請求項1~4のいずれかに記載の配線構造。請求項1~5のいずれかに記載の配線構造を備えた表示装置。ところが、例えばボトムゲート型のTFTの半導体層として酸化物半導体を用い、当該酸化物半導体と直接接続するようにしてソース電極やドレイン電極の配線材料としてCu膜を用いると、酸化物半導体層にCuが拡散し、TFT特性が劣化するといった問題がある。そのため、酸化物半導体とCu膜との間に、酸化物半導体へのCuの拡散を防止するバリアメタルの適用が必要となるが、バリアメタル用金属として使用されているTi、Hf、Zr、Mo、Ta、W、Nb、V、Crなどの高融点金属を使用すると、以下の問題がある。例えばTi、Hf、Zrなどの酸化物生成自由エネルギーの負の絶対値が大きい高融点金属を用いると、熱処理後に下地の酸化物半導体と酸化還元反応を起こし、酸化物半導体の組成ずれを起こし、TFT特性に悪影響を及ぼすと共に、Cu膜が剥離するという問題がある。一方、Mo、Ta、W、Nb、V、Crなどの酸化物生成自由エネルギーの負の絶対値が小さい高融点金属を用いた場合には、上述したTiなどのように下地の酸化物半導体薄膜と酸化還元反応は起こさないため、酸化物半導体薄膜の組成ずれを起こすことはない。しかし、これらの金属は、下地の酸化物半導体薄膜とのエッチング選択比がない換言すれば、上層の高融点金属のみを選択的にエッチングし、下層の酸化物半導体薄膜まではエッチングしないというエッチング選択性が小さいため、酸系のエッチング液などを用いてウェットエッチングして配線パターンを形成する際、エッチングにより、下層の酸化物半導体薄膜も同時にエッチングされてしまうという問題がある。この対策として、一般に、図1に示すように、酸化物半導体薄膜4のチャネル層上に、保護層としてSiO2などの絶縁体のエッチストッパー層12を設ける方法が行なわれている。しかし、この方法では工程が複雑となり、エッチストッパー層の加工に専用のフォトマスクが必要なためTFTの製造工程が大幅に増えるというデメリットがある。上述したウェットエッチング時におけるエッチストッパー層の導入に伴う生産性の低下は、程度の差こそあれ、Tiなどの高融点金属にも見られるものである。また、これらの問題は、Cuに限らず、配線材料としてAl膜を用いたときも同様に見られるものである。このように、いずれの高融点金属バリアメタル層を用いたときにも共通して見られる上記課題を解決するため、エッチストッパー層を設けなくても微細加工性に優れた配線構造の提供が望まれている。更に、特にTiなどの高融点金属バリアメタル層を用いたときには、上記課題を解決し得るだけでなく、熱処理後も酸化物半導体の組成ずれを起こさず、TFT特性も良好であり、且つ、例えばソース電極やドレイン電極を構成する金属配線膜の剥離といった問題も生じない配線構造;すなわち、酸化物半導体と金属配線膜との安定した界面の形成が可能な配線構造の提供が望まれている。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、本発明の第1の目的は、有機ELディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、エッチストッパー層を新たに設けなくても微細加工性に優れた配線構造、および当該配線構造を備えた上記表示装置を提供することにある。また、本発明の第2の目的は、有機ELディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、酸化物半導体層と、例えばソース電極やドレイン電極を構成する金属配線膜との安定した界面の形成が可能である配線構造、および当該配線構造を備えた上記表示装置を提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、前記半導体層は酸化物半導体からなり、前記バリア層は、高融点金属系薄膜とSi薄膜の積層構造を有し、前記Si薄膜は前記半導体層と直接接続しているところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記高融点金属系薄膜は、純Ti薄膜、Ti合金薄膜、純Mo薄膜、またはMo合金薄膜から構成されるものである。本発明の好ましい実施形態において、前記Si薄膜の膜厚は3~30nmである。本発明の好ましい実施形態において、前記金属配線膜は、純Al膜、90原子以上のAlを含むAl合金膜、純Cu膜、または90原子以上のCuを含むCu合金膜から構成されるものである。本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物半導体は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物から構成されるものである。本発明には、上記のいずれかに記載の配線膜を備えた表示装置も包含される。本発明によれば、酸化物半導体層を備えた配線構造において、配線材料を構成する金属の酸化物半導体への拡散を有効に抑制しつつ、酸化物半導体薄膜との酸化還元反応を抑制するバリア層として、従来の高融点金属バリアメタル層高融点金属系薄膜と、酸化物半導体薄膜との間に、Si薄膜を介在させた配線構造を採用しているため、安定したTFT特性が得られ、品質が一層高められた表示装置を提供することができる。また、本発明によれば、上記Si薄膜がいわば、ウェットエッチング時のエッチストッパー層として作用するため、従来のようにエッチストッパー層をわざわざ設けなくても、微細加工性に優れた配線構造を提供することができる。すなわち、ウェットエッチングにより上層の金属配線膜および高融点金属バリアメタル層を順次パターニングした後、Si薄膜をドライエッチングするか、またはプラズマ酸化などによって不導体化するSi膜全体をSi酸化膜などの絶縁膜に変化させることによって、微細加工後のTFT特性にも優れた表示装置を提供することができる。このように本発明によれば、エッチストッパー層の形成を省略できるため、TFT製造プロセスのマスク数を低減でき、安価で生産効率の高いTFTを備えた表示装置を提供することができる。本発明者らは、ソース電極やドレイン電極などの電極用金属配線膜と酸化物半導体層基板側からみて、酸化物半導体層が下、金属配線膜が上に配置されているとの安定した界面を形成でき、しかも、エッチストッパー層を省略しても微細加工性に優れた配線構造を提供するため、種々検討を重ねてきた。その結果、下地となる酸化物半導体層と金属配線膜との間に高融点金属バリアメタル層を介在させる従来構造において、上記高融点金属バリアメタル層と上記酸化物半導体層との間にSi薄膜を介在させ、Si薄膜が酸化物半導体層に直接接続された構成とすれば、アTiなどの高融点金属バリアメタル層を用いたときに見られる酸化物半導体との酸化還元反応を抑制すると共に、金属配線膜を構成する金属の酸化物半導体への拡散及び酸化物半導体を構成する元素の金属配線膜への拡散が抑えられること、しかもイ上記Si薄膜はウェットエッチング時のエッチストッパー層としても作用し、TFTのチャネル部の酸化物半導体をウェットエッチング時のダメージから保護するため、微細加工性および微細加工後のTFT特性に優れた配線構造が得られることを見出し、本発明を完成した。このように本発明の配線構造は、酸化物半導体層と金属配線膜との間に、高融点金属系薄膜とSi薄膜の積層構造からなり、Si薄膜が酸化物半導体層と直接接続されたバリア層を有するところに特徴がある。高融点金属系薄膜としてTiなどのバリアメタル層を用いれば、上記アおよびイの効果が得られ、高融点金属系薄膜としてMoやTaなどのバリアメタル層を用いれば、上記イの効果が得られる。5マスクプロセスを用いた第1の実施形態以下、図2および図3を参照しながら、5マスクプロセスを用いた、本発明に係る配線構造の第1の実施形態を説明する。なお、本実施形態および後記する第2の実施形態では、液晶表示装置を用いた場合を想定したプロセスを例示しているが、本発明は勿論、これに限定する趣旨ではなく、例えば有機EL表示装置に用いる場合は、当然にプロセスのマスク数などが相違し得る。図2では、ソースドレイン電極5を構成する金属配線膜および高融点金属系薄膜9をウェットエッチングした後、Si薄膜10をドライエッチングしてチャネル部およびTFT以外の部分以下、開口部と呼ぶ。を形成しているのに対し、図3では、Si薄膜10を酸化不導体化させてSi酸化膜11としてチャネル部および開口部を形成している点でのみ相違し、その他の配線構造は同じである。図2および図3、並びに後記する配線構造の製造方法は、本発明の好ましい実施形態の一例を示すものであり、これに限定する趣旨ではない。例えば図2および図3には、ボトムゲート型構造のTFTを示しているがこれに限定されず、酸化物半導体層の上にゲート絶縁膜とゲート電極を順に備えるトップゲート型のTFTであっても良い。また、以下では高融点金属バリアメタル層高融点金属系薄膜9としてTi薄膜を用いた例を示しているがこれに限定されず、Ti以外の汎用の高融点金属を用いても良い。図2および図3に示すように本発明に係る第1の実施形態の配線構造は、基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3が形成され、その上に酸化物半導体層4が形成されている。酸化物半導体層4上にはソース電極ドレイン電極5が形成され、その上に保護膜絶縁膜6が形成され、コンタクトホール7を介して透明導電膜8がドレイン電極5に電気的に接続されている。上記配線構造の特徴部分は、ソースドレイン電極5と酸化物半導体層4との間に、Tiなどの高融点金属系薄膜9とSi薄膜10を有するところにある。図2および図3に示すように、Si薄膜10は酸化物半導体層4と直接接続されている。Si薄膜10は、ソースドレイン電極形成以降の熱履歴による下地酸化物半導体層との酸化還元反応を抑制し、またバリア層としての作用半導体層への金属の拡散及びソースドレイン電極への半導体の拡散を防止し得る作用を有する。更にSi薄膜10は、ウェットエッチング時のエッチストッパー層としても作用し、TFTのチャネル部の酸化物半導体層4をウェットエッチング時のダメージから保護する作用を有する。よって、Si薄膜10の形成により、微細加工性および微細加工後のTFT特性が大きく向上する。すなわち、本発明の最大の特徴部分は、バリアメタル層として汎用されているTiなどの高融点金属系薄膜9と、酸化物半導体層4との間に、Si薄膜10を設けたところにある。前述した図1の従来の配線構造には、Si薄膜10はなく、高融点金属系薄膜9と酸化物半導体層4とは直接接続されている。Si薄膜10は、後記するようにスパッタリング法またはCVDなどの化学蒸着法によって成膜されるが、成膜過程で不可避的に含まれる元素例えば酸素、窒素、水素などが含まれていてもよい。上述した作用効果を十分発揮させるにはSi薄膜10の膜厚をおおむね、3nm以上とすることが好ましい。より好ましくは5nm以上である。一方、膜厚が厚すぎると、ドライエッチング時にSi薄膜10にアンダーカットが入って微細加工性が悪くなる。また、Si薄膜10を不導体化させた後のTFT特性が低下する。このような観点から、Si薄膜10の膜厚の上限を30nmとすることが好ましく、より好ましくは15nmである。Si薄膜10は、ノンドープ型、ドープ型のどちらでも構わないが、量産性を考えた場合、DCスパッタリング法が可能であるドープ型の半導体であることが好ましい。後記する実施例では、酸化物半導体層およびSi薄膜は全て、n型の半導体を用いた。繰返し述べるように上記配線構造の最大の特徴部分は、Tiなどの高融点金属系薄膜9と酸化物半導体層4との間にSi薄膜10を設けたところにあり、Si薄膜10以外の要件については特に限定されず、配線構造に通常用いられるものを適宜選択することができる。例えば高融点金属系薄膜9は、上述したTi材料に限定されず、Mo、Ta、Zr、Nb、W、V、Crなど、表示装置用バリアメタル層として通常用いられる高融点金属の材料から構成されていても良い。Ti材料には、純Tiのほか、Ti合金も含まれる。純Tiとは、特性改善を意図した第三元素を含まず、不可避的不純物のみを含むTiを意味する。またTi合金とは、おおむね、50原子以上のTiを含み、残部は、Ti以外の合金元素および不可避的不純物である。Ti合金としては、一般的に使用されているTi-Mo、Ti-W、Ti-Niなどが挙げられる。Ti以外の他の高融点金属材料純Mo、Mo合金、純Ta、Ta合金などの定義も、上記Ti材料と同じである。上記、高融点金属材料の膜厚はバリア効果を十分発揮させるには5nm以上とすることが好ましく、より好ましくは10nm以上である。一方、膜厚が厚すぎると、微細加工性が悪くなるため、その上限を80nm以下とすることが好ましく、より好ましくは50nm以下である。また、ソースドレイン電極5を構成する金属は、電気抵抗などの観点を考慮し、純Al若しくは90原子以上のAlを含むAl合金膜、または純Cu若しくは90原子以上のCuを含むCu合金膜が好ましく用いられる。ここで純Alとは、特性改善を意図した第三元素を含まず、不可避的不純物のみを含むAlを意味する。またAl合金とは、おおむね、90原子以上のAlを含み、残部は、Al以外の合金元素および不可避的不純物である。ここでAl以外の合金元素としては、電気抵抗が低い合金元素が挙げられ、具体的には、例えば、Si、Cu、Nd、Laなどが挙げられる。これらの合金元素を含むAl合金は、添加量、膜厚などを調節して、電気抵抗率が5.0×106Ωcm以下に抑制されていることが好ましい。また純Cuとは、特性改善を意図した第三元素を含まず、不可避的不純物のみを含むCuを意味する。またCu合金とは、おおむね、90原子以上のCuを含み、残部は、Cu以外の合金元素および不可避的不純物である。ここでCu以外の合金元素としては、電気抵抗が低い合金元素が挙げられ、具体的には、例えば、Mn、Ni、Ge、Mg、Caなどが挙げられる。これらの合金元素を含むCu合金は、添加量、膜厚などを調節して、電気抵抗率が4.0×106Ωcm以下に抑制されていることが好ましい。酸化物半導体層4を構成する酸化物は、In、Ga、ZnおよびSnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む酸化物であることが好ましい。具体的には、例えば、In含有酸化物半導体In-Ga-Zn-O、In-Zn-Sn-O、In-Zn-Oなど、Inを含まないZn含有酸化物半導体ZnO、Zn-Sn-O、Ga-Zn-Sn-O、Al-Ga-Zn-Oなどなどが挙げられる。これらの組成比は特に限定されず、通常用いられる範囲のものを用いることができる。基板1は、表示装置に通常用いられるものであれば特に限定されず、例えば、無アルカリガラス基板、高歪点ガラス基板、ソーダライムガラス基板などの透明基板のほか、Si基板、ステンレスなどの薄い金属板;PETフィルムなどの樹脂基板が挙げられる。ゲート電極2に用いられる金属材料も、表示装置に通常用いられるものであれば特に限定されず、電気抵抗率の低いAlやCuの金属、またはこれらの合金が挙げられる。具体的には、前述したソースドレイン電極5に用いられる金属材料純AlまたはAl合金、純CuまたはCu合金などが好ましく用いられる。ゲート電極2およびソースドレイン電極5は、同じ金属材料から構成されていても良い。ゲート絶縁膜3および保護膜絶縁膜6も、表示装置に通常用いられるものであれば特に限定されず、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などが代表的に例示される。そのほか、Al2O3やY2O3などの酸化物や、これらを積層したものを用いることもできる。透明導電膜8に用いられる材料も、表示装置に通常用いられるものであれば特に限定されず、例えばITO、IZO、ZnOなどの酸化物導電体が挙げられる。次に、上記配線構造を製造するための好ましい実施形態の方法を記載するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。まず、基板1上にゲート電極2およびゲート絶縁膜3を形成する。上記方法は特に限定されず、表示装置に通常用いられる方法を採用することができ、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法などが挙げられる。次いで、酸化物半導体層4を形成する。酸化物半導体層4は、当該酸化物半導体層4と同組成のスパッタリングターゲットを用いたDCスパッタリング法またはRFスパッタリング法によって成膜することが好ましい。次に、酸化物半導体層4をウェットエッチングした後、パターニングする。パターニングの直後に、酸化物半導体層4の膜質改善のために熱処理プレアニールを行うことが好ましく、これにより、トランジスタ特性のオン電流および電界効果移動度が上昇し、トランジスタ性能が向上するようになる。プレアニール条件としては、例えば、大気あるいは酸素雰囲気にて、約250~400°Cで約1~2時間の熱処理が挙げられる。プレアニールの後、本発明の特徴部分であるSi薄膜10、Ti薄膜9、およびソースドレイン電極5を形成し、TFTのチャネル部およびTFT以外の開口部を形成する。具体的には、予め、所定のSi薄膜10、Ti薄膜9、ソースドレイン電極5を構成する金属膜純Cu膜などを順次、スパッタリング法によって形成した後、パターニングする。以下、本実施形態に用いられるパターニング方法を、図2および図3を参照しながら説明するが、これに限定する趣旨ではない。詳細には、図2に示すように、ソースドレイン電極5を構成する金属膜とTi薄膜9をウェットエッチングした後、Si薄膜10をドライエッチングしてチャネル部およびTFT以外の開口部を形成することができる。ウェットエッチングの方法は特に限定されず、通常用いられる方法を採用することができる。ドライエッチングによる加工方法は特に限定されず、通常用いられる方法を採用することができ、例えばCF4とO2の混合ガスや、SF6とO2の混合ガスのプラズマによって加工することができる。あるいは、図3に示すように、ソースドレイン電極5を構成する金属膜とTi薄膜9をウェットエッチングした後、Si薄膜10を酸化不導体化させてSi酸化膜の絶縁膜とし、チャネル部およびTFT以外の開口部を形成することもできる。Siの酸化方法は、Siを不導体化することができれば特に限定されず、不導体化のために通常用いられる酸化方法を適宜採用することができる。具体的には、N2Oなどを用いたプラズマ照射などが代表的に例示される。プラズマ照射の条件は、Si薄膜の膜厚のほか、使用するプラズマ装置、パワー密度、パワー時間などによっても相違するが、Si薄膜の全面がSi酸化膜となるように、Si薄膜の膜厚に応じてプラズマ照射条件を適切に調整すれば良い。本実施形態では、図2のドライエッチング法および図3の不導体化法のいずれも採用することができるが、基板面内の均一性を考慮すると、前者のドライエッチング法を用いることが好ましい。次に、常法に基づき、コンタクトホール7を介して透明導電膜8をドレイン電極5に電気的に接続することによって本発明の配線構造が得られる。4マスクプロセスを用いた第2の実施形態以下、図4および図5を参照しながら、4マスクプロセスを用いた、本発明に係る配線構造の第2の実施形態を説明する。図4では、ソースドレイン電極5を構成する金属配線膜および高融点金属系薄膜9をウェットエッチングした後、Si薄膜10をドライエッチングしてチャネル部およびTFT以外の開口部を形成しているのに対し、図5では、Si薄膜10を酸化不導体化させてSi酸化膜11としてチャネル部および開口部を形成している点でのみ相違し、その他の配線構造は同じである。また、前述した第1の実施形態図2、図3では、通常のマスクを用いてパターニング5マスクプロセスしているのに対し、本発明に係る第2の実施形態図4、図5では、ハーフトーンマスクを介してハーフトーン露光しているため、使用するマスクの数を4つに減少できる4マスクプロセス。ハーフトーン露光によれば、1回の露光で、露光部、中間露光部、および未露光部の3つの露光レベルを表現し、現像後に2種類の厚さのレジスト感光材を形成できるため、レジストの厚さの違いを利用して、フォトマスクを通常より少ない枚数でパターニングすることができ、生産効率が上昇する。上記以外の工程は、前述した第1の実施形態と同じであるため、説明を省略する。また、図4および図5の配線構造には、前述した図2および図3と同じ符号を付しており、各構成要件の詳細は、前述した第1の実施形態を参照すれば良い。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1本実施例では、以下の方法によって作製した試料高融点金属系薄膜として純Ti膜を使用を用い、酸化物半導体とSi膜との密着性、金属配線膜中への酸化物半導体構成元素の拡散、Si膜ドライエッチング後のSi薄膜のアンダーカット長さに基づくドライエッチング性の評価、およびSi膜不導体化後のTFT特性を調べた。密着性試験用の試料の作製まず、ガラス基板コーニング社製イーグルXG、直径100mm×厚さ0.7mm上にゲート絶縁膜SiO2200nmを成膜した。ゲート絶縁膜はプラズマCVD法を用い、キャリアガス:SiH4とN2Oの混合ガス、成膜パワー:100W、成膜温度:300°Cにて成膜した。次に、上記のゲート絶縁膜上に、表1~表4に示す種々の酸化物半導体層を、スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法によって成膜した。スパッタリング条件は以下の通りであり、ターゲットの組成は所望の半導体層が得られるように調整されたものを用いた。ターゲット:In-Ga-Zn-OIGZOZn-Sn-OZTOGa-Zn-Sn-OGZTOIn-Zn-Sn-OIZTO基板温度:室温ガス圧:5mTorr酸素分圧:O2/ArO2=4膜厚:50nm次に、膜質を向上させるためプレアニール処理を行った。プレアニールは、大気圧下にて、350°Cで1時間行なった。次に、上記の酸化物半導体膜上に、表1~表4に示す膜厚のSi膜、純Ti膜膜厚:30nm、および純Cuの金属配線膜膜厚:250nmを、マグネトロンスパッタリング法で成膜した。ここで、Si膜、純Ti膜、および純Cuのスパッタリング条件は以下の通りである。ターゲット:SiターゲットSi膜の場合純Tiターゲット純Ti膜の場合純Cuターゲット純Cu膜の場合成膜温度:室温キャリアガス:Arガス圧:2mTorr酸化物半導体との密着性試験上記のようにして得られた各試料に対して350°Cで30分間熱処理を行い、熱処理後の各試料と酸化物半導体との密着性詳細には、Si膜と酸化物半導体との密着性を、JIS規格のテープ剥離テストに基づき、テープによる剥離試験で評価した。詳細には、各試料の表面純Cu膜側にカッターナイフで1mm間隔の碁盤目状の切り込み5×5の升目の切り込みを入れた。次いで、ULTRATAPE社製黒色ポリエステルテープ商品名:ウルトラテープ6570を上記表面上にしっかりと貼り付け、上記テープの引き剥がし角度が60°になるように保持しつつ、上記テープを一挙に引き剥がして、上記テープにより剥離しなかった碁盤目の区画数をカウントし、全区画との比率膜残存率を求めた。測定は3回行い、3回の平均値を各試料の膜残存率とした。本実施例では、上記のようにして算出した膜残存率が90以上のものを○、90未満、70以上のものを△、70未満のものを×と判定し、○および△を合格酸化物半導体層との密着性良好とした。Cu膜中への酸化物半導体層構成元素の拡散の有無上記各試料に対し、Cu膜中への酸化物半導体層構成元素の拡散の有無を、SIMSSecondaryIonMassSpectrometry法を用いて確認した。実験条件は、一次イオン条件O2、1keVで行なった。拡散の判断基準は、Cu膜中に酸化物半導体層構成元素In、Ga、Zn、Snの拡散を起こさないCu/Mo/酸化物半導体層の構造をリファレンスとして用い、このリファレンス構造におけるCu膜中の酸化物半導体層構成元素In、Ga、Zn、Snのピーク強度に対し、当該ピーク強度の5倍以上の強度を持つものを、×拡散有りと判断し;3倍以上、5倍未満の強度を持つものを△拡散殆ど無し、3倍未満の強度を持つものを○拡散無しと判断した。本実施例では、○および△を合格と評価した。Si膜ドライエッチング後のSi膜のアンダーカット長さに基づくドライエッチング性の評価ここでは、Si膜をドライエッチングした後のSi膜のアンダーカット量を評価した。通常、Si膜のドライエッチングではラジカルが中心となるため、横方向にもエッチングされ、アンダーカットが生じる。本実施例ではSi膜のアンダーカット量によりドライエッチング性を評価した。具体的には、上記各試料に対し、まず、フォトリソグラフィを用いてレジスト膜をパターニングした後、レジストをマスクとして純Cu膜と純Ti膜をウェットエッチングした。純Cu膜のエッチャント液には混酸エッチャントリン酸:硫酸:硝酸:酢酸=50:10:5:10を用い、純Ti膜のエッチャント液には希フッ酸フッ酸:水=1:50を用いた。次いで、Si膜をドライエッチングして、図6に示すパターンを形成した。図6aは、作製したパターンの上面図であり、図6bは、当該パターンの断面図である。図中、PRはPhotoResistフォトレジストの略である。ドライエッチングはRIE反応性イオンエッチングで実施し、使用ガスは、SF6:33.3、O2:26.7、Ar40の混合ガスとした。Si膜をエッチングした後、Si膜換算で100のオーバーエッチングを実施した。エッチングした試料の配線断面をSEMScanningElectronMicroscopeを用いて観察し、Si膜のアンダーカットの長さを測定した。本実施例では、下記基準にてSi膜のアンダーカットを評価し、○および△をドライエッチング性良好と評価した。判定基準○15nm以下△16nm以上30nm以下×31nm以上Si膜不導体化後のTFT特性の評価ここでは、Si膜を不導体化した後のTFT特性を評価した。詳細には、図3に示すTFTを以下のようにして作製した。まず、ガラス基板コーニング社製イーグルXG、直径100mm×厚さ0.7mm上に、ゲート電極としてTi薄膜を100nm、およびゲート絶縁膜SiO2200nmを順次成膜した。ゲート電極は純Tiのスパッタリングターゲットを使用し、DCスパッタリング法により、成膜温度:室温、成膜パワー:300W、キャリアガス:Ar、ガス圧:2mTorrにて成膜した。また、ゲート絶縁膜はプラズマCVD法を用い、キャリアガス:SiH4とN2Oの混合ガス、成膜パワー:100W、成膜温度:300°Cにて成膜した。次に、上記のゲート絶縁膜上に、表1~表4に示す種々の酸化物半導体薄膜を、スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法によって成膜した。スパッタリング条件は以下の通りであり、ターゲットの組成は所望の半導体薄膜が得られるように調整されたものを用いた。ターゲット:In-Ga-Zn-OIGZOZn-Sn-OZTOGa-Zn-Sn-OGZTOIn-Zn-Sn-OIZTO基板温度:室温ガス圧:5mTorr酸素分圧:O2/ArO2=4膜厚:50nm上記のようにして酸化物薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングによりパターニングを行った。ウェットエッチャント液としては、関東科学製ITO-07Nを使用した。酸化物半導体薄膜をパターニングした後、膜質を向上させるためプレアニール処理を行った。プレアニールは、大気圧下にて、350°Cで1時間行なった。プレアニールの後、表1~表4に示す膜厚のSi膜、純Ti膜膜厚:30nm、および純Cuの金属配線膜膜厚:250nmを形成した。具体的には、Si膜、純Ti膜、純Cu膜を順次、スパッタリング法によって形成した後、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングにより、Cu膜及びTi膜のパターニングを行った。スパッタリング条件は、以下のとおりであり、純Cu膜のエッチャント液には混酸エッチャントリン酸:硫酸:硝酸:酢酸=50:10:5:10を用い、純Ti膜のエッチャント液には希フッ酸フッ酸:水=50:1を用いた。ターゲット:SiターゲットSi膜の場合純Tiターゲット純Ti膜の場合純Cuターゲット純Cu膜の場合成膜温度:室温キャリアガス:Arガス圧:2mTorr次に、チャネル部のSi膜を酸化させてSi酸化膜を形成した。具体的にはチャネル部のSiにN2Oプラズマ照射を行ない、酸化させた。プラズマ照射の条件は以下の通りである。ガス:N2O基板温度:280°Cパワー:100Wガス圧:133Paガス流量:100sccm時間:5min次いで、アセトン液中で超音波洗浄器にかけて不要なフォトレジストを除去し、TFTのチャネル長を10μm、チャネル幅を200μmとした。このようにして得られた各TFTについて、以下のようにして、トランジスタ特性ドレイン電流-ゲート電圧特性、Id-Vg特性を調べた。トランジスタ特性の測定はAgilentTechnology社製4156Cの半導体パラメータアナライザーを使用した。詳細な測定条件は以下のとおりである。本実施例では、Vg=-30VのときのIdをオフ電流IoffAとし、Vg=30VのときのIdをオン電流IonAとして、Ion/Ioffの比を算出した。ソース電圧:0Vドレイン電圧:10Vゲート電圧:-30~30V測定間隔:1Vこのようにして算出されたIon/Ioffの比に基づき、下記基準にて、Si膜の不導体化によるTFT特性を評価した。本実施例では○および△をTFT特性に優れると評価した。判定基準○Ion/Ioffの比が5桁以上△Ion/Ioffの比が3桁以上5桁未満×Ion/Ioffの比が3桁未満これらの結果を表1~表4にまとめて示す。表1~表4は、酸化物半導体の組成が相違しており、表1はIGZO、表2はZTO、表3はGZTO、表4はIZTOをそれぞれ用いたときの結果である。表1において、IGZOの組成比の欄におけるIn、Ga、Znの各比率は、IGZOを構成するIn:Ga:Znの組成比原子比を意味する。また各表において、Si膜膜厚=-例えば表1のNo.1などとは、バリア層として純Ti膜膜厚50nmのみ用いSi膜を用いなかった例であり、従来例に相当するものである。これらの表より、いずれの組成の酸化物半導体を用いた場合であっても、本発明で規定する、Ti膜とSi膜の積層膜をバリア層として用いると、Cu膜中への酸化物半導体層構成元素の拡散が抑えられ拡散の評価:○または△、バリア層と酸化物半導体との密着性も良好であった密着性の評価:○または△。よって、バリア層を含む金属膜純Cu/純Ti/Siの剥離は生じなかった。これに対し、純Ti膜のみを用いたものは、酸化物半導体層構成元素の拡散を抑制できず拡散の評価:×、密着性も低下した密着性の評価:×。また、Si膜の膜厚が本発明の好ましい範囲3~30nmを満足するものは、Si膜のアンダーカット長さが小さく、ドライエッチング性が良好でありアンダーカットの評価:○または△、且つ、TFT特性も良好であった不導体化の評価:○または△。これに対し、Si膜の膜厚が本発明の好ましい膜厚を超えるものは、拡散および密着性の観点からは何の問題もないが、チャネル部上のSi膜を十分に酸化することができず、良好なTFT特性を得ることができなかった不導体化の評価:×。また、ドライエッチング後のSi膜のアンダーカット長さが大きくなり、ドライエッチング性が低下した。なお、Si膜の膜厚が本発明の好ましい膜厚を下回るものは、Si膜形成による効果が得られないため、拡散および密着性が低下すると共に、TFT特性が低下した表には示さず。参考のため、表1のNo.12本発明例における断面TEM像倍率:150万倍を図7に、表1のNo.9従来明例における断面TEM像倍率:90万倍、30万倍を図8、図9に、それぞれ示す。図7に示すように、本発明に用いられるSi膜を酸化物半導体薄膜の上に設けたときは、当該Si膜と酸化物半導体薄膜ここではIGZOとが密着性良く形成されているのに対し、Si膜がなく純Ti膜のみをバリア層として用いた従来例では、図8に示すように酸化物半導体薄膜と純Ti膜との界面で酸化還元反応が発生し、また箇所によっては図9に示すように純Ti膜がIGZOから剥離した。上記では、金属配線膜として、純Cu膜を用いたときの結果を示しているが、それ以外の態様純Alのみ、Cu合金のみ、Al合金のみを用いたときも、上記と同様の結果が得られることを実験により確認している。また、上記では、高融点金属系薄膜として純Ti膜を用いたときの結果を示しているが、これに限定されず、Ti合金を用いたときも、上記と同様の結果が得られることを実験により確認している。実施例2本実施例では、前述した実施例1において、高融点金属系薄膜として純Mo膜を使用したこと以外は実施例1と同様にして、Si膜ドライエッチング後のSi薄膜のアンダーカット長さに基づくドライエッチング性の評価、およびSi膜不導体化後のTFT特性を調べた。なお、高融点金属系薄膜として純Mo膜を用いたときは、純Ti膜を用いたときのような問題点酸化物半導体とSi薄膜との密着性低下、金属配線膜中への酸化物半導体構成元素の拡散は生じないため、本実施例ではこれらの評価はしていない。これらの結果を表5~表8にまとめて示す。表5~表8は、酸化物半導体の組成が相違しており、表5はIGZO、表6はZTO、表7はGZTO、表8はIZTOをそれぞれ用いたときの結果である。これらの表より、いずれの組成の酸化物半導体を用いた場合であっても、本発明で規定するMo膜とSi膜の積層膜をバリア層として用いた場合であって、Si膜の膜厚が本発明の好ましい範囲3~30nmを満足するものは、Si膜のアンダーカット長さが小さく、ドライエッチング性が良好でありアンダーカットの評価:○または△、且つ、TFT特性も良好であった不導体化の評価:○または△。これに対し、Si膜の膜厚が本発明の好ましい膜厚を超えるものは、チャネル部上のSi膜を十分に酸化することができず、良好なTFT特性を得ることができなかった不導体化の評価:×。また、Si膜のアンダーカット長さが大きくなり、ドライエッチング性が低下した。上記では、金属配線膜として、純Cu膜を用いたときの結果を示しているが、それ以外の態様純Alのみ、Cu合金のみ、Al合金のみを用いたときも、上記と同様の結果が得られることを実験により確認している。また、上記では、高融点金属系薄膜として純Mo膜を用いたときの結果を示しているが、これに限定されず、Mo合金、更には純Ta、Ta合金を用いたときも、上記と同様の結果が得られることを実験により確認している。