複数の不純物領域を半導体基板内に有し、前記半導体基板の表面から前記複数の不純物領域の不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる半導体装置の製造方法であって、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、前記フォトレジストを現像して、前記フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、前記レジストパターンの膜厚が互いに異なる前記複数の領域を通して前記半導体基板に不純物イオンを注入して、前記半導体基板の表面から前記ピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、前記ピーク位置までの深さは、前記注入される不純物イオンが通る前記レジストパターンの膜厚に依存することを特徴とする製造方法。複数の不純物領域を半導体基板内に有し、前記半導体基板の表面から前記複数の不純物領域の不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる半導体装置の製造方法であって、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、無機材料からなる膜の上に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、前記フォトレジストを現像して、前記フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、前記無機材料からなる膜から、異なる膜厚を有する複数の領域を有する無機材料パターンを形成するエッチング工程と、前記無機材料パターンの膜厚が互いに異なる前記複数の領域を通して前記半導体基板に不純物イオンを注入して、前記半導体基板の表面から前記ピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、前記ピーク位置までの深さは、前記注入される不純物イオンが通る前記無機材料パターンの膜厚に依存することを特徴とする製造方法。前記無機材料は、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる請求項2に記載の製造方法。前記注入工程において、前記膜厚が互いに異なる複数の領域を通して同時に不純物イオンを注入することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の製造方法。前記注入工程において、前記不純物イオンの注入は少なくとも、第1エネルギーで行われる第1注入と、前記第1エネルギーよりも低いエネルギーで行われる第2注入とを有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の製造方法。前記第1注入におけるドーズ量と、前記第2注入におけるドーズ量とは互いに異なることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。前記半導体基板に注入された不純物イオンを熱拡散する工程をさらに有することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の製造方法。前記フォトマスクはグレートーンマスク又はハーフトーンマスクであることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の製造方法。従来の方法では、1回の不純物領域形成工程で形成される不純物領域の不純物濃度のピーク位置の深さは、イオン注入の条件に依存する。そのため、半導体基板の表面からピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を半導体基板内に形成するためには、複数の不純物領域のそれぞれについて別個に不純物領域形成工程を行う必要がある。特許文献1に記載された技術を用いたとしても、1回のイオン注入工程によって不純物濃度のピーク位置の深さが互いに異なる複数の不純物領域が形成されるわけではない。そこで、本発明の1つの側面は、不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を半導体基板内に従来よりも少ない工数で形成するための技術を提供することを目的とする。上記課題に鑑みて、本発明の1つの実施形態では、複数の不純物領域を半導体基板内に有し、前記半導体基板の表面から前記複数の不純物領域の不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる半導体装置の製造方法であって、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、前記フォトレジストを現像して、前記フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、前記レジストパターンの膜厚が互いに異なる前記複数の領域を通して前記半導体基板に不純物イオンを注入して、前記半導体基板の表面から前記ピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、前記ピーク位置までの深さは、前記注入される不純物イオンが通る前記レジストパターンの膜厚に依存することを特徴とする製造方法が提供される。本発明の別の実施形態では、複数の不純物領域を半導体基板内に有し、前記半導体基板の表面から前記複数の不純物領域の不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる半導体装置の製造方法であって、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、無機材料からなる膜の上に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、前記フォトレジストを現像して、前記フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、前記無機材料からなる膜から、異なる膜厚を有する複数の領域を有する無機材料パターンを形成するエッチング工程と、前記無機材料パターンの膜厚が互いに異なる前記複数の領域を通して前記半導体基板に不純物イオンを注入して、前記半導体基板の表面から前記ピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、前記ピーク位置までの深さは、前記注入される不純物イオンが通る前記無機材料パターンの膜厚に依存することを特徴とする製造方法が提供される。上記手段により、不純物濃度のピーク位置までの深さが異なる複数の不純物領域を半導体基板内に従来よりも少ない工数で形成するための技術が提供される。添付の図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。まず、図1および図2を参照しつつ、半導体基板の表面から不純物濃度のピーク位置まで深さが互いに異なる複数の不純物領域を半導体基板内に形成する方法の一例を説明する。続いて、図3を参照しつつ、この不純物領域を形成する方法を用いた半導体装置の製造方法の一例を説明する。本明細書では、言及されない限り、不純物濃度のピーク位置までの深さとは半導体基板の表面から不純物領域の不純物濃度のピーク位置までの深さを表す。図1を用いて、本発明の1つの実施形態による不純物領域を半導体基板内に形成する方法の各工程を説明する。以下に詳細に説明するように、本方法では多階調のパターンを有するフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を行うことによって半導体基板の互いに異なる深さにピーク位置を有する複数の不純物領域を形成しうる。まず、図1aに示すように、半導体基板101の上に均一になるようにフォトレジスト102を塗布する。次に、図1bに示すように、フォトマスク103を用いてフォトレジスト102を露光する。この例では、フォトレジスト102はポジ型である。ここで、図2を用いてフォトマスク103について説明する。図2において、201はフォトマスク103の正面略図、202はフォトマスク103の平面略図、203はフォトマスク103の位置と光透過率との関係を表すグラフである。フォトマスク103は多階調のパターンを有するフォトマスクであり、光透過率が互いに異なる複数の領域103a~103fを含みうる。本実施形態では、グラフ203に示すように、領域103aの光透過率が100であり、同様に領域103b~103fの光透過率がそれぞれ80、60、40、20、0である。領域103fの光透過率は0であるため、領域103fは遮光部でありうる。多階調のパターンを有するフォトマスクはグレートーンマスクであってもよいし、ハーフトーンマスクであってもよい。グレートーンマスクとは露光機の解像度以下の開口をフォトマスク103に形成することによって光透過度を調整したフォトマスクである。グレートーンマスクでは、開口の大きさや密度で光透過度を調整することが出来る。また、ハーフトーンマスクとは遮光膜と半透過膜とを組み合わせて形成されたフォトマスクである。ハーフトーンマスクの半透明膜は複数の光透過度を選択することが出来る。図2を用いて説明されたフォトマスク103を用いてフォトレジスト102を露光することによって、図1bに示されるように、フォトレジスト102の各領域102a~102fの露光量はそれぞれ異なる。図1bにおいて矢印の本数で露光光の強度を模式的に示すように、領域102aの露光量が最も多く、領域102aから領域102fに向かうにつれて露光量が低減し、領域102fは露光されない。このように、フォトマスク103の光透過率に依存してフォトレジスト102の露光量が変化する。具体的には、フォトマスク103の光透過率が高いほどフォトレジスト102の露光量が多い。この光透過率、すなわち露光量は、使用するフォトレジストの露光量と残存する膜厚とに基づいて設定されうる。続いて、図1cに示すように、露光されたフォトレジスト102を現像してレジストパターン104を形成する。フォトレジスト102の各領域102a~102fで露光量が異なるため、フォトレジスト102の現像により、膜厚が互いに異なる複数の領域104a~104fを含むレジストパターン104が形成される。具体的には、フォトレジスト102のうち最も露光量の多い領域102aは現像により除去されて領域104aにおけるレジストパターン104の膜厚はゼロになる。同様に、領域104bから領域104fへ向かって、露光量が小さくなるにつれて、除去されずに残存するレジストパターン104の膜厚は厚くなる。特に、フォトレジスト102の領域102fは露光されないため、レジストパターン104の領域104fとしてそのまま残存する。続いて、図1dに示すように、レジストパターン104を通して半導体基板101へ不純物イオンを注入する。半導体基板101へ注入された不純物イオンにより形成される不純物領域のピーク位置の深さは、レジストパターン104の膜厚に依存する。すなわち、レジストパターン104の膜厚が薄いほど不純物領域のピーク位置は深くなる。具体的に、レジストパターン104の領域104aの膜厚はゼロであるため、領域104aを通った不純物イオンはピーク位置が最も深い位置に不純物領域105aを形成する。また、レジストパターン104の領域104b~104eを通った不純物イオンはそれぞれ不純物領域105b~105eを形成し、この順番でピーク位置の深さが深い。一方、レジストパターン104のうち最も膜厚が厚い領域104fへ注入された不純物イオンは領域104fを貫通できないため、半導体基板101まで到達せず、半導体基板101内に不純物領域を形成しない。以上のように、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストパターン104を用いてイオン注入を行うことによって、ピーク位置の深さが互いに異なる複数の不純物領域105a~105eが同時に形成される。不純物領域105a~105eが形成された後に、半導体基板101上のレジストパターン104を除去する。以上のように、本実施形態による不純物領域の形成方法によれば、1回のフォトリソグラフィと1回のイオン注入とを行うことによって、ピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成することができる。続いて、図3を参照しつつ半導体装置の製造方法の一例を説明する。図3では半導体装置の例としてCMOS型の固体撮像装置を扱うが、本発明はCCD型の固体撮像装置や半導体メモリ等のその他の半導体装置にも適用可能である。まず、本実施形態による製造方法によって製造される固体撮像装置300の構成を図3dを用いて説明する。図3dは1つの画素に注目した固体撮像装置300の断面図であり、固体撮像装置300はセンサ部となるフォトダイオード310と、その周辺に位置する2つのトランジスタ320、330とを含みうる。トランジスタ320、330はそれぞれ、信号電荷をリセットするためのリセットトランジスタ、フォトダイオード信号を増幅するための増幅トランジスタ、および増幅トランジスタからの信号を選択的に出力するための選択トランジスタのいずれかでありうる。フォトダイオード310とトランジスタ320、330との間には、分離領域303と、その下に位置するガード層として機能するP型の不純物領域307dとが配置されうる。フォトダイオード310の周辺に位置するトランジスタとして、フォトダイオード310にて生じた電荷を転送するためのトランジスタ等も有りうる。フォトダイオード310は、半導体基板の表面に位置するP層311、その下に位置するN型領域312、およびさらにその下に位置するP型の不純物領域313を含みうる。光電子の収集効率を高めるため、不純物領域313は半導体基板の深い位置まで形成されうる。トランジスタ320は、ゲート電極321、ゲート絶縁膜不図示、N型のソース領域322、N型のドレイン領域323、およびP型の不純物領域324を含みうる。トランジスタ330は、ゲート電極331、ゲート絶縁膜不図示、N型のソース領域332、N型のドレイン領域333、およびP型の不純物領域334を含みうる。本実施形態では、トランジスタ320は高駆動力を必要とする低閾値のトランジスタであり、トランジスタ330は高いオフ特性を必要とする高閾値のトランジスタであるとする。この場合に、トランジスタ320のチャネル領域における不純物濃度はトランジスタ330のチャネル領域における不純物濃度よりも低くなるように構成しうる。続いて、上述の固体撮像装置300を製造するための方法の各工程を説明する。まず、図3aに示すように、N型基板301をエピタキシャル成長してN型エピタキシャル層302を形成する。このN型基板301とN型エピタキシャル層302とが固体撮像装置300における半導体基板となる。N型エピタキシャル層302の上にアクティブ領域を分離するための分離領域303を形成する。さらにその上にフォトレジスト304を均一に塗布する。続いて、図3bに示すように、フォトマスク305を用いてフォトリソグラフィ工程を行い、レジストパターン306を形成する。ここで、フォトマスク305は光透過率が互いに異なる複数の領域を含む多階調フォトマスクでありうる。すなわち、フォトマスク305は複数の領域305a~305dを含み、領域305aから領域305dの順に光透過率が高い。領域305a~305dの光透過率は例えばそれぞれ100、80、60、40でありうる。このようなフォトマスク305を用いてレジストパターン306を形成することによって、レジストパターン306の各領域306a~306dの膜厚は、領域306a、領域306b、領域306c、領域306dの順に厚くなる。特に、領域306aにおけるレジストパターン306の膜厚はゼロとなる。レジストパターン306の形成方法の詳細については上述した方法を用いればよく、ここでは繰り返さない。続いて、図3cに示すように、P型の不純物領域を形成するための不純物イオン例えばボロンなどをレジストパターン306を通してN型エピタキシャル層302へ注入する。これにより、N型エピタキシャル層302内にP型の不純物領域307a~307dが形成される。不純物領域307a~307dのピーク位置の深さはレジストパターン306の各領域306a~306dの膜厚に依存しており、それぞれ異なる深さとなる。このように、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストパターン306を用いてイオン注入を行うことによって、1回のイオン注入で互いに異なるピーク位置を有する複数の不純物領域を形成できる。その結果、固体撮像装置300の製造方法における工数が低減され、固体撮像装置300の製造に要する時間、コストともに低減される。イオン注入の際にはレジストパターン306のパターンよりも不純物イオンが広がるため、近接する不純物領域同士、例えば不純物領域307dと不純物領域307cとは接する場合もある。続いて、図3dに示すように、熱処理を行って不純物イオンを活性化して熱拡散する。この熱拡散によって不純物領域307a、307b、307cのそれぞれからP型の不純物領域313、324、334が形成される。不純物領域307bは不純物領域307cよりも深い位置に形成されているため、トランジスタ320のチャネル領域における不純物の濃度はトランジスタ330のチャネル領域における不純物の濃度よりも低くなる。このように、ピーク位置が互いに異なる位置に複数の不純物領域を形成し、その不純物領域を熱拡散することによって、閾値が互いに異なる複数のトランジスタを形成することができる。最後に、N型のソース領域322、332、N型のドレイン領域323、333、P層311、N型領域312、ゲート絶縁膜、ゲート電極321、331などを形成して固体撮像装置300が完成する。熱処理によって不純物領域のピークが広がる可能性がある。この場合に、N型エピタキシャル層302などの下地となる領域と、不純物領域との境界によって不純物領域の位置を判断することが可能である。以上のように、本実施形態によれば、従来の方法では複数回の工程で形成していたピーク位置の深さが互いに異なる複数の不純物領域を1回の工程で形成できる。続いて、図4を参照しつつ、図3を用いて説明した固体撮像装置300を製造するための方法の変型例を説明する。本変型例では、図3cの工程において、複数回のイオン注入を行うことを特徴としている。まず、図3cを用いて上述した工程と同様に、レジストパターン306を通じて、1回目のイオン注入によって不純物領域307a、307b、307c、307dを形成する。その後、図4aに示すように、イオン注入のエネルギー第2エネルギーを1回目のイオン注入第1注入のエネルギー第1エネルギーよりも小さくして、同一のレジストパターン306を通じて2回目のイオン注入第2注入を行う。2回目のイオン注入によって不純物領域307a、307b、307cよりも浅い位置に不純物領域401a、401b、401cが形成される。更に、イオン注入のエネルギーを2回目のイオン注入よりも小さくして、同一のレジストパターン306を通じて3回目のイオン注入を行う。3回目のイオン注入によって不純物領域401a、401b、401cよりも浅い位置に不純物領域402a、402b、402cが形成される。同様に4回目のイオン注入を行って不純物領域403a、403bを形成し、5回目のイオン注入を行って不純物領域404aを形成する。領域305cの領域には、4回目のイオン注入によって不純物領域は形成されない。このように、イオン注入のエネルギーを変えて複数回のイオン注入を行うことで、深さの異なる不純物領域を複数形成することが出来る。また、各イオン注入においてイオン注入量ドーズ量を変えることで、所望の深さ方向の濃度プロファイルを形成することが可能となる。そして、図4bに示される固体撮像装置300が得られる。なお、その後、図3dで説明した処理と同様の処理を行ってもよい。図4bにおいて、領域324は深さ方向に4つの不純物濃度ピークを有し、領域313は深さ方向に5つの不純物濃度ピークを有し、領域334は深さ方向に3つの不純物濃度ピークをする。例えば、基板に最も深い不純物領域307a、307b、307c、307dの不純物濃度を高くすることで、基板の深い位置で生じた電荷を収集することが容易となる。これは、例えば、領域310がフォトダイオードなどの光電変換素子からなる固体撮像装置の場合に特に有効である。また、更に、不純物領域324の濃度を調整することで、フォトダイオードの空乏層の広がり制御が可能である。また、上記の各実施形態において、図3cの工程で用いられるフォトレジストの代わりに他の材料からなる膜を用いてもよい。例えば、図3aの工程でフォトレジスト304を形成する前に、例えば酸化シリコン等の無機材料からなる膜をN型エピタキシャル層302の上に形成し、その上にフォトレジスト304を形成する。無機材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンが挙げられる。次に、図3bに示すようにフォトレジスト304を露光し、パターニングする。その後、レジストパターン306をマスクとして、エッチングを行い、レジストパターン306の形状を無機材料からなる膜に転写して無機材料パターンを形成する。ここで、転写される形状はレジストパターン306と同一であってもよい。また、レジストパターンと無機材料からなる膜とのエッチング速度比を調整することで、転写されるパターンの大小を調整することも可能である。その後、残りのレジストパターン306は除去する。図3cにおいて、レジストパターン306の代わりに、無機材料パターンをマスクとしてイオン注入を行う。このような方法によって、イオン注入時にイオンが無機材料を貫通するため、有機材料起因の半導体基板の汚染を低減することが可能となる。