真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記真空槽内に配置され、表面に基板が配置される板部と、前記板部の前記表面とは逆の裏面で一端の開口が蓋された筒部と、前記筒部の内側に配置され、前記板部の前記裏面と前記筒部の内周面とにそれぞれ対向されたヒーターと、前記筒部の前記一端とは逆の他端に設けられ、前記筒部を前記筒部の中心軸線を中心に回転させる回転部と、を有し、前記回転部により前記板部を前記筒部と一緒に回転させながら、前記ヒーターによって前記板部と前記筒部とを加熱し、前記原料ガス導入部から前記真空槽内に原料ガスを導入し、前記板部の前記表面に配置された基板に薄膜を形成する成膜装置であって、前記板部のうち、前記基板が配置される範囲より外側には、前記基板が配置される範囲の厚みより厚みが薄い第一の熱抵抗部分が環状に設けられた成膜装置。前記板部と前記筒部は分離可能に構成された請求項1記載の成膜装置。前記筒部のうち、前記ヒーターの前記他端側の端部よりも前記他端に近い位置には、前記ヒーターと対面する部分の厚みより厚みが薄い第二の熱抵抗部分が、前記筒部の側面を一周して環状に設けられた請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の成膜装置。前記板部は、表面がSiCで覆われたグラファイトである請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の成膜装置。前記板部は、900°C以上1300°C以下に加熱される請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の成膜装置。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、サセプターのうち基板が配置される範囲内を均一な温度に維持できる成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気部と、前記真空槽内に原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記真空槽内に配置され、表面に基板が配置される板部と、前記板部の前記表面とは逆の裏面で一端の開口が蓋された筒部と、前記筒部の内側に配置され、前記板部の前記裏面と前記筒部の内周面とにそれぞれ対向されたヒーターと、前記筒部の前記一端とは逆の他端に設けられ、前記筒部を前記筒部の中心軸線を中心に回転させる回転部と、を有し、前記回転部により前記板部を前記筒部と一緒に回転させながら、前記ヒーターによって前記板部と前記筒部とを加熱し、前記原料ガス導入部から前記真空槽内に原料ガスを導入し、前記板部の前記表面に配置された基板に薄膜を形成する成膜装置であって、前記板部のうち、前記基板が配置される範囲より外側には、前記基板が配置される範囲の厚みより厚みが薄い第一の熱抵抗部分が環状に設けられた成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記板部と前記筒部は分離可能に構成された成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記筒部のうち、前記ヒーターの前記他端側の端部よりも前記他端に近い位置には、前記ヒーターと対面する部分の厚みより厚みが薄い第二の熱抵抗部分が、前記筒部の側面を一周して環状に設けられた成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記板部は、表面がSiCで覆われたグラファイトである成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記板部は、900°C以上1300°C以下に加熱される成膜装置である。グラファイトの350°C以上400°C以下の温度範囲での線膨張率は5.0×106/Kであり、熱伝導率は130W/mKである。SiCの25°C室温以上400°C以下の温度範囲での線膨張率は4.0×106/Kであり、熱伝導率は84W/mKである。板部と筒部とから成るサセプターの板部のうち基板が配置される範囲内を均一な温度に維持できるので、各基板に形成される薄膜の膜質差を小さくでき、歩留まりを向上できる。<成膜装置の構造>本発明の成膜装置の構造を説明する。図1は成膜装置10の内部構成図である。成膜装置10は、真空槽11と、真空槽11内を真空排気する真空排気部12と、真空槽11内に原料ガスを導入する原料ガス導入部13と、真空槽11内に配置され、表面に基板51が配置される板部21と、板部21の表面とは逆の裏面で一端の開口が蓋された筒部22と、筒部22の内側に配置され、板部21の裏面と筒部22の内周面とにそれぞれ対向されたヒーター23と、筒部22の一端とは逆の他端に設けられ、筒部22を筒部22の中心軸線を中心に回転させる回転部30とを有している。原料ガス導入部13はここでは、一面に複数の放出孔13cが設けられた放出容器13aと、放出容器13aに接続され、放出容器13a内に原料ガスを供給する原料ガス源13bとを有している。放出容器13aのうち、放出孔13cが設けられた面は真空槽11内に露出されており、原料ガス源13bから放出容器13a内に原料ガスを供給すると、供給された原料ガスは各放出孔13cから真空槽11内に放出されるようになっている。板部21と筒部22の材質はここでは表面がSiCで覆われたグラファイトであり、900°C以上1300°C以下の温度に加熱されても損傷しないようになっている。図2は板部21の裏面の平面図である。板部21はここでは円板形状であり、表面に複数枚の基板51が配置される範囲が設けられた基板配置部45を有している。また、板部21の裏面のうち基板配置部45より外側の外周部分には後述する筒部22の長手方向の一端と環状に接触できる環状の接触部46が設けられている。図1を参照し、接触部46の厚みは基板配置部45の厚みと同じか基板配置部45の厚みより薄くされている。板部21は放出容器13aの放出孔13cが設けられた面と対面する位置に配置され、板部21の表面は放出孔13cが設けられた面と対向されている。筒部22はここでは内周直径が板部21の直径より小さい円筒形状であり、中心軸線が板部21の中心を通り板部21の表面に対して直角な中心軸線と一致された状態で、長手方向の一端が板部21の裏面の接触部46に環状に接触されて取り付けられ、筒部22の一端の開口は板部21の裏面で蓋されている。回転部30は、回転筒31とモーター32とを有している。回転筒31の材質はここでは石英であり、中心軸線が筒部22の中心軸線と一致された状態で、長手方向の一端が筒部22のうち板部21側とは逆側の端部に固定されている。回転筒31のうち筒部22側とは逆側の端部は、真空槽11の壁面に設けられた開口を通って真空槽11の外側まで延ばされ、モーター32に接続されている。モーター32は動力を回転筒31に伝達して、回転筒31を回転筒31の中心軸線を中心に回転できるように構成されている。モーター32により回転筒31を回転させると、筒部22と板部21も一緒に筒部22の中心軸線を中心に回転するようになっている。真空槽11の壁面の開口と回転筒31の外周側面との間の隙間には磁気シール34が配置されて隙間は塞がれており、回転筒31を回転させても真空槽11の気密性が維持されるようになっている。ヒーター23はここでは、円板形状の第一のヒーター23aと、内周直径が第一のヒーター23aの直径より大きいリング状の第二のヒーター23bと、内周直径が第二のヒーター23bの外周直径より大きい筒状の第三のヒーター23cとを有している。第三のヒーター23cの長手方向の長さは、筒部22の長手方向の長さより短くされている。第一~第三のヒーター23a~23cは、それぞれの中心軸線が一致された状態で、筒部22の内側に配置され、第一、第二のヒーター23a、23bの表面は板部21の裏面とそれぞれ対面され、第三のヒーター23cの外周側面は筒部22の内周面と対面されている。第一~第三のヒーター23a~23cは板部21と筒部22とからそれぞれ離間されており、回転部30により板部21と筒部22とを一緒に回転させても、第一~第三のヒーター23a~23cは真空槽11に対して静止するようになっている。第一~第三のヒーター23a~23cには加熱用電源33が電気的に接続されている。加熱用電源33から第一~第三のヒーター23a~23cに電力を供給すると、第一~第三のヒーター23a~23cは発熱して輻射熱を放出するようになっている。板部21の裏面と筒部22の内周面は放出された輻射熱を受けるとそれぞれ加熱される。第一、第二のヒーター23a、23bと板部21の裏面との間の間隔と、第三のヒーター23cと筒部22の内周面との間の間隔はそれぞれ狭いほど、輻射熱による加熱効率が大きいため好ましい。板部21は中心からの距離に応じて異なる複数のヒーターで加熱されることにより、板部21のうち基板配置部45より外側の外周部分から熱が失われやすい場合でも、外周側のヒーターここでは第二のヒーター23bの出力を増加させれば、基板配置部45内を均一な温度に加熱できるようになっている。板部21が第一、第二のヒーター23a、23bにより加熱されるだけでなく、筒部22も第三のヒーター23cにより加熱されることにより、板部21と筒部22の温度差を小さくすることができ、板部21から筒部22に移動する熱量を少なくできる。板部21のうち、基板配置部45より外側には、基板配置部45の厚みより厚みが薄い第一の熱抵抗部分41が環状に設けられている。ここでは第一の熱抵抗部分41は、板部21のうち、裏面側が窪む形状で設けられているが、表面側が窪む形状で設けられていてもよいし、表面側と裏面側の両方から窪む形状で設けられていてもよい。窪みの断面形状は、ここでは図1に示すようにコ字形状一辺が欠けた四角形状であるが、図3に示すようにU字形状円弧形状でもよい。また、ここでは第一の熱抵抗部分41は接触部46の内周より内側に設けられているが、図4に示すように第一の熱抵抗部分41の一部が接触部46にされていてもよい。基板配置部45内から基板配置部45より外側の外周部分に向かって径方向に移動する熱に対して、第一の熱抵抗部分41では基板配置部45よりも厚みが薄いために熱のコンダクタンスが小さくなっており、熱の移動速度が低下するようになっている。そのため、基板配置部45内から熱が逃げにくく、基板配置部45内はヒーター23で加熱されることにより均一な温度に維持できるようになっている。本実施例では、板部21と筒部22は分離可能に構成されている。図5は板部21と筒部22とが分離された状態の概略図である。板部21の接触部46は板部21と筒部22との間の切れ目になっている。そのため、板部21と筒部22とが一体に形成されて切れ目が存在しない場合に比べて、板部21と筒部22との接触面積が小さく、板部21から筒部22に向かって移動する熱に対して熱のコンダクタンスが小さくなっており、板部21のうち基板配置部45より外側の外周部分から熱が逃げにくくなっている。接触部46が板部21の裏面の外周まで延ばされている場合には、接触部46の厚みが薄いほど板部21の外周側面の面積が小さくなるため、板部21の外周側面からの熱輻射が少なくなり、板部21のうち基板配置部45より外側の外周部分からはさらに熱が逃げにくくなって好ましい。また後述する成膜工程により板部21表面に付着物が付着して汚れても、板部21と筒部22は分離可能であり、成膜工程後に板部21だけを真空槽11の外側に搬出して洗浄したり、別の板部21に交換することができるため、メンテナンスが容易である。本実施例では、図1を参照し、筒部22のうち、第三のヒーター23cの回転筒31側の端部よりも回転筒31に近い位置には、第三のヒーター23cと対面する部分の厚みより厚みが薄い第二の熱抵抗部分42が、筒部22の側面を一周して環状に設けられている。ここでは第二の熱抵抗部分42は筒部22の内周側面側が窪む形状で設けられているが、外周側面側が窪む形状で設けられていてもよいし、内周側面側と外周側面側の両方から窪む形状で設けられていてもよい。窪みの断面形状は、ここではコ字形状一辺が欠けた四角形状であるが、U字形状円弧形状でもよい図3参照。筒部22のうち第三のヒーター23cと対面する部分から回転筒31側に移動する熱に対して、第二の熱抵抗部分42では第三のヒーター23cと対面する部分よりも筒部22の厚みが薄く熱のコンダクタンスが小さくなっており、熱の移動速度が低下するようになっている。そのため、筒部22のうち第三のヒーター23cと対面する部分を加熱しても回転筒31には熱が伝わりにくく、回転筒31が熱により損傷することを防止できる。<成膜装置を用いた成膜方法>上述の成膜装置10を用いて基板51に薄膜を形成する成膜方法を説明する。真空槽11内に基板51を搬入し、板部21のうち基板配置部45表面に接触して、基板51を配置する。本実施例では基板51にサファイア基板を使用するが、本発明は基板51の材質がサファイアの場合に限定されない。真空排気部12により真空槽11内を真空排気して、真空雰囲気を形成する。以後、真空排気部12による真空排気を継続して、真空槽11内の真空雰囲気を維持する。回転部30により板部21を筒部22と一緒に、筒部22の中心軸線を中心に回転させる。すると、基板51も板部21と一緒に筒部22の中心軸線を中心に回転する。以後、回転部30による板部21の回転を継続する。加熱用電源33から第一~第三のヒーター23a~23cに電力を供給して、第一~第三のヒーター23a~23cを発熱させる。板部21の裏面と筒部22の内周面のうち第一~第三のヒーター23a~23cと対面する部分は、第一~第三のヒーター23a~23cからの輻射熱を受けて加熱される。板部21と筒部22は回転部30により回転されており、第一~第三のヒーター23a~23cの配置に関わらず板部21と筒部22のうち中心軸線から同一距離の部分は均一に加熱される。板部21の内部では熱伝導により裏面から表面に向かって熱が伝わる。ここでは板部21表面が900°C以上1300°C以下になるように加熱する。板部21表面からの熱伝導により基板51が加熱される。筒部22内部でも熱伝導により内周側面から外周側面に向かって熱が伝わる。板部21の外周側面と筒部22の外周側面は真空槽11内に露出されており、熱輻射により板部21の外周側面と筒部22の外周側面からは熱が失われる。基板配置部45は第一の熱抵抗部分41で取り囲まれている。板部21のうち第一の熱抵抗部分41の厚みは基板配置部45の厚みより薄く、板部21のうち基板配置部45より外側の外周部分の温度が下がっても、基板配置部45内から外周部分には熱が逃げにくくなっている。そのため、基板配置部45内は温度差1°C以内の均一な温度に維持され、各基板51は均一な温度に加熱される。また筒部22のうち第二の熱抵抗部分42の厚みは第三のヒーター23cと対面する部分の厚みより薄く、第三のヒーター23cと対面する部分から回転筒31に熱が伝わりにくくなっている。そのため、回転筒31が900°C以上に加熱されて損傷することが防止される。原料ガス源13bから放出容器13a内に原料ガスを供給する。原料ガスには加熱された基板51上で化学反応できるガスを使用し、ここではTMGトリメチルガリウムガスとNH3ガスを使用するが、本発明は原料ガスがTMGガスとNH3ガスの場合に限定されない。供給された原料ガスは放出孔13cから真空槽11内に放出され、加熱された基板51の表面に到達し、基板51の熱により化学反応して結晶化し、基板51の表面に薄膜が形成される。ここではGaNの薄膜が形成される。回転部30により板部21を回転させており、板部21表面の中心から同一距離に配置された複数の基板51には均一な量の原料ガスが到達して均一な膜厚の薄膜が形成される。板部21のうち基板配置部45内は均一な温度に維持されており、各基板51は均一な温度に加熱され、各基板51に形成される薄膜の膜質差は小さくなる。各基板51の表面に所定の膜厚の薄膜を形成したのち、原料ガス源13bからの原料ガスの放出を停止させる。加熱用電源33から第一~第三のヒーター23a~23cへの電力の供給を停止する。回転部30による板部21の回転を停止する。真空排気部12による真空排気を停止し、真空槽11内を大気に曝す。成膜済みの基板51を真空槽11の外側に搬出し、後工程に回す。未成膜の基板51を真空槽11内に搬入し、上述の成膜工程を繰り返す。