チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を1000nm以上に制御した光を照射するランプ加熱により、100°C以上800°C以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を1秒以上60秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの清浄化方法。前記発光波長は、2300nm以上3600nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの清浄化方法。前記発光波長は、2600nm以上3600nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの清浄化方法。前記熱処理前のシリコンウェーハは、前記シリコン単結晶インゴットをスライス後、平坦化処理され、更に、アルカリエッチング処理されたものであることを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法。前記シリコン単結晶インゴットは、比抵抗率が0.02Ωcm以下のボロンドープ結晶であることを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法。チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得る工程と、前記得られたシリコンウェーハを平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたシリコンウェーハをエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたシリコンウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面側を鏡面研磨する工程と、前記鏡面研磨されたシリコンウェーハを、請求項1乃至5いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法を用いて清浄化する工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得る工程と、前記得られたシリコンウェーハを平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたシリコンウェーハをエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたシリコンウェーハを、請求項1乃至5いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法を用いて清浄化する工程と、前記清浄化されたシリコンウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面側を鏡面研磨する工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。しかしながら、特許文献1、2に記載されたような高純度処理がなされた薬液を用いてエッチング処理を行う場合には、使用する薬液のコストが増加する問題がある。更に、このような高純度処理がなされた薬液であっても、当該薬液内の金属不純物を完全に除去することは難しく、エッチング条件エッチング時間等によっては、ウェーハ内部に金属不純物が内方拡散する場合もある。また、特許文献3に記載された洗浄方法は、ウェーハの表面の金属不純物については除去可能であるが、ウェーハ内部、特に、ウェーハバルク部における金属不純物を低減させることは難しいという問題がある。更に、ニッケル等の金属不純物の内方拡散は、前記薬液によるエッチングのみならず、シリコン単結晶インゴットの育成時や、平坦化処理時、更には、エッチング処理の後工程である鏡面研磨処理時においても同様に発生する場合がある。なお、これら全工程での使用部材や使用薬液の高純度処理による金属汚染対策はコスト等の観点から実質上困難であるといわざるを得ない。加えて、特許文献4に記載された熱処理方法は、高温且つ長時間の熱処理をシリコンウェーハに与える必要がなくなるため、汚染やスリップを招くことがなく、酸化膜耐圧を改善することができるというものであるが、該熱処理時によって内方拡散された金属不純物をウェーハの内部から低減させることを目的するものではない。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を1000nm以上に制御した光を照射するランプ加熱により、100°C以上800°C以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を1秒以上60秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備えることを特徴とする。前記発光波長は、2300nm以上3600nm以下であることが好ましい。前記発光波長は、2600nm以上3600nm以下であることが好ましい。前記熱処理前のシリコンウェーハは、前記シリコン単結晶インゴットをスライス後、平坦化処理され、更に、アルカリエッチング処理されたものであることが好ましい。前記シリコン単結晶インゴットは、比抵抗率が0.02Ωcm以下のボロンドープ結晶であることが好ましい。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の第1の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得る工程と、前記得られたシリコンウェーハを平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたシリコンウェーハをエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたシリコンウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面側を鏡面研磨する工程と、前記鏡面研磨されたシリコンウェーハを、請求項1乃至5いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法を用いて清浄化する工程と、を備えることを特徴とする。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の第2の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得る工程と、前記得られたシリコンウェーハを平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたシリコンウェーハをエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたシリコンウェーハを、請求項1乃至5いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法を用いて清浄化する工程と、前記清浄化されたシリコンウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面側を鏡面研磨する工程と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、CZ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を1000nm以上に制御した光を照射するランプ加熱により、100°C以上800°C以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を1秒以上60秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える。前記発光波長が1000nm未満又は前記熱処理がランプ加熱以外によるもの例えば、抵抗体による加熱である場合には、効率よく、ニッケルや銅をウェーハ表面に偏析させることが難しい場合がある。前記最高到達温度が100°C未満である場合には、低温であるため、効率よく、ニッケルや銅をウェーハ表面に偏析させることが難しい場合がある。また、前記最高到達温度が800°Cを超える場合には、高温となるため、当該熱処理において、ウェーハにスリップ転位が発生する場合がある。前記最高到達温度における保持時間が1秒未満である場合には、熱処理時間が少ないため、効率よく、ニッケルや銅をウェーハ表面に偏析させることが難しい場合がある。前記保持時間が60秒を超える場合には、生産性が低下すると共に、その他の熱処理起因の不具合当該熱処理における金属不純物拡散やスリップ転位の発生等が発生する場合がある。前記熱処理は、不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。このようなガス雰囲気で行うことで、窒化膜等の他の膜の形成や化学的反応等が生じることがなく、前記熱処理を行うことができる。前記不活性ガスは好適にはアルゴンガスが用いられる。図1は、本発明のシリコンウェーハの清浄化方法における熱処理に用いられる熱処理装置の一例を示す断面概念図である。図1に示す熱処理装置10は、周知の急速昇降温熱処理装置RTPRapidThermalProcess装置である。熱処理装置10は、ウェーハWを収容して熱処理を施すための反応室20と、反応室20内に設けられ、ウェーハWを保持するウェーハ保持部30と、ウェーハWを加熱する加熱部40と、を備える。ウェーハWがウェーハ保持部30に保持された状態では、反応室20の内壁とウェーハWのデバイス形成面W1側とで囲まれた空間である第1空間20aと、反応室20の内壁とデバイス形成面W1側に対向するウェーハWの裏面W2側とで囲まれた空間である第2空間20bとが形成される。反応室20は、第1空間20a及び第2空間20b内に雰囲気ガスFA実線矢印を供給する供給口22と、前記供給した雰囲気ガスFAを第1空間20a及び第2空間20bから排出する排出口26と、を備える。反応室20は、例えば、石英で構成されている。ウェーハ保持部30は、ウェーハWの裏面W2の外周部をリング状に保持するサセプタ32と、サセプタ32を保持すると共に、ウェーハWの中心を軸としてサセプタ32を回転させる回転体34とを備える。サセプタ32及び回転体34は、例えば、SiCで構成されている。加熱部40は、ウェーハ保持部30に保持されたウェーハWのデバイス形成面W1の上方及び裏面W2の下方の反応室20外に配置された複数のハロゲンランプ50からの発光波長が制御された光の照射によるランプ加熱により、ウェーハWを両面から加熱する。図1に示す熱処理装置10を用いて、熱処理を行う場合は、反応室20に設けられた図示しないウェーハ導入口より、ウェーハWを反応室20内に導入して、ウェーハWの裏面W2の外周部をウェーハ保持部30のサセプタ32上にリング状に保持し、雰囲気ガスFAを供給すると共に、ウェーハWを回転させながら、加熱部40によってウェーハWを加熱することで行う。なお、前記ランプ加熱による発光波長の調整1000nm以上は、使用するハロゲンランプ50の発光波長を調整発光波長が1000nm以上であるハロゲンランプを用いる等することにより行うことができる。図2は、本発明のシリコンウェーハの清浄化方法における熱処理に適用される熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。前記熱処理に適用される熱処理シーケンスは、図2に示すように、温度T0例えば、室温25°Cで保持された図1に示すような熱処理装置10の反応室20内にウェーハWを設置し、前記第1空間20a及び第2空間20bに不活性ガスを供給する。次に、温度T0°Cから最高到達温度である100°C以上800°C以下温度T1°Cの温度範囲まで、昇温速度ΔTu°C/秒で昇温し、その後、温度T1°Cにて1秒以上60秒以下t1秒保持した後、例えば、温度T0°Cまで降温速度ΔTd°C/秒で降温する。温度T0、T1は、図1に示すようなRTP装置10の反応室20内にウェーハWを設置した場合において、ウェーハ保持部30の下方に設置された図示しない放射温度計によって測定されたウェーハWの表面温度放射温度計がウェーハWの径方向に複数配置されている場合はその平均温度である。図3は、前記熱処理によってシリコンウェーハ内部に含まれる金属不純物がその表面に偏析される様子を説明するウェーハ断面の概念図である。上記熱処理を行うことにより、図3に示すように、シリコンウェーハの内部表層部WS及びバルク部WBに含まれている金属不純物Mは、ウェーハの表面デバイス形成面W1及び裏面W2側に拡散されていき、該表面上に偏析される。次に、前記熱処理によってウェーハの表面に偏析された金属不純物を該表面から除去する。前記金属不純物を除去する方法は、周知のSC‐1洗浄、SC‐2洗浄やフッ酸HF洗浄等を単独又は組み合わせて用いて行うことができる。本発明に係わるシリコンウェーハの清浄化方法は、このような方法により行われるため、シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができる。前記発光波長は、2300nm以上3600nm以下であることが好ましい。このような発光波長とすることで、効率的に銅をウェーハ表面に偏析させることができる。なお、この発光波長の調整は、使用するハロゲンランプの発光波長を調整発光波長が2300nm以上3600nm以下のハロゲンランプを用いる等することにより行うことができる。前記発光波長は、更に好ましくは、2300nm以上2400nm以下である。前記発光波長は、2600nm以上3600nm以下であることが好ましい。このような発光波長とすることで、銅に加え、効率的にニッケル金属もウェーハ表面に偏析させることできる。なお、この発光波長の調整は、使用するハロゲンランプ50の発光波長を調整発光波長が2600nm以上3600nm以下のハロゲンランプを用いる等することにより行うことができる。前記発光波長は、更に好ましくは、2600nm以上2700nm以下である。前記熱処理前のシリコンウェーハは、前記シリコン単結晶インゴットをスライス後、平坦化処理され、更に、アルカリエッチング処理されたものが好適に用いられる。前述した混酸による酸エッチングは、エッチング速度が速いため、ウェーハを均一にエッチングすることが難しい場合があり、一方、アルカリエッチングはエッチング速度が遅いため、平坦化処理ラッピング処理等された平坦度を維持させつつエッチングを行うことが可能であるが、前記アルカリエッチングに使用される薬液水酸化ナトリウム水溶液等は混酸と比べると、ニッケルや銅が多く含まれている場合があり、当該金属不純物により汚染されやすいという問題がある。従って、このようなアルカリエッチング処理されたものに対して、前記熱処理を行うことで、ウェーハ内部のニッケルや銅をウェーハ表面に偏析させてウェーハ内部における金属不純物を低減させることができるため、酸エッチング処理品と比べて、金属不純物汚染の問題がなく平坦度が高いシリコンウェーハを得ることができる。前記シリコン単結晶インゴットは、比抵抗率が0.02Ωcm以下のボロンドープ結晶が好適に用いられる。このような抵抗率が低い結晶は、CZ法によるシリコン単結晶インゴットの育成時に、大量のドープ剤を添加するため、該ドープ剤に含まれるニッケルや銅などの金属不純物が多く取り込まれる可能性が高くなるが、このような場合であっても、前記熱処理を行うことにより、ウェーハ内部のニッケルや銅をウェーハ表面に偏析させてウェーハ内部における金属不純物を低減させることができるため好ましい。前記熱処理における昇温速度図2でいうとΔTu°C/秒及び降温速度図2でいうとΔTd°C/秒は、特に限定されることはないが、生産性やスリップ転位発生等の観点から、10°C/秒以上150°C/秒以下であることが好ましい。次に、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法について説明する。図4は、前述した本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法を備えたシリコンウェーハの製造方法の第1の態様を示す工程フロー図である。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の第1の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程S101と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得る工程S102と、前記得られたシリコンウェーハを平坦化処理する工程S103と、前記平坦化処理されたシリコンウェーハをエッチング処理する工程S104と、前記エッチング処理されたシリコンウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面側を鏡面研磨する工程S105と、前記鏡面研磨されたシリコンウェーハを、請求項1乃至5いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法を用いて清浄化する工程S106と、を備える。すなわち、この第1の態様では、前述したシリコンウェーハの清浄化方法を、前記鏡面研磨されたシリコンウェーハに対して行う。このような工程を備えることで、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減が図られたシリコンウェーハを得ることができる。なお、前記平坦化処理には、周知のラッピング処理、片面研削処理、両面研削処理が含まれる。前記エッチング処理には、前述した酸エッチングやアルカリエッチングが含まれる。前記鏡面研磨には、周知の片面研磨、両面研磨が含まれる。図5は、前述した本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法を備えたシリコンウェーハの製造方法の第2の態様を示す工程フロー図である。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の第2の態様は、CZ法によりシリコン単結晶インゴットを育成する工程S201と、前記シリコン単結晶インゴットをスライスしてシリコンウェーハを得る工程S202と、前記得られたシリコンウェーハを平坦化処理する工程S203と、前記平坦化処理されたシリコンウェーハをエッチング処理する工程S204と、前記エッチング処理されたシリコンウェーハを、請求項1乃至5いずれかに記載のシリコンウェーハの清浄化方法を用いて清浄化する工程S205と、前記清浄化されたシリコンウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面側を鏡面研磨する工程S206と、を備える。すなわち、この第2の態様では、前述したシリコンウェーハの清浄化方法を、エッチング処理後、鏡面研磨前に行う。このように、鏡面研磨前に前述した清浄化方法を行うことで、鏡面研磨前にシリコンウェーハの内部の金属不純物を低減させることができる。従って、研磨剤を再利用して同一の研磨剤を複数回使用する鏡面研磨を行う場合には、研磨されるシリコンウェーハからの逆汚染を抑制することができるため、研磨剤の再利用回数を増加させることができる。従って、鏡面研磨においてコストダウンを図ることができる。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。[試験1]実施例1CZ法によりボロンを3×1018atoms/cm3以上ドープして比抵抗率が0.02Ωcm以下であるボロンドープ結晶シリコン単結晶インゴットを育成し、該結晶をスライス後、ラッピング処理し、更に、両面研削を行った後、水酸化ナトリウム水溶液濃度80:関東化学株式会社製を用いて、80°Cまで加熱してアルカリエッチングを行った。その後、更に、両面研磨を行って、両面が鏡面である直径300mm、厚さ750μmのシリコンウェーハを得た。次に、このシリコンウェーハを、室温25°Cで保持された図1に示すような熱処理装置の反応室内に投入し、発光波長が1000nm波長変化許容幅:950nm~1050nmに制御された光を照射するランプ加熱により、図2に示すような熱処理シーケンスにて、昇温速度を100°C/秒、最高到達温度を100°C、その保持時間を30秒、降温速度を100°C/秒として熱処理を行った。実施例2前記最高到達温度を800°Cとして、その他は、実施例1と同様な条件にて、熱処理を行った。比較例1前記両面が鏡面であるシリコンウェーハを600°Cで保持された周知の縦型熱処理装置例えば、特開2001-85349号に記載された縦型熱処理装置等に投入し、抵抗体による加熱により、昇温速度を1°C/min~5°C/minとして、最高到達温度1200°Cまで昇温して、前記最高到達温度を600秒間保持した後、降温速度を1°C/min~5°C/minとして600°Cまで降温し、その他は実施例1と同様な方法にて、熱処理を行った。比較例2前記最高到達温度を900°Cとして、その他は、実施例1と同様な条件にて、熱処理を行った。得られた実施例1、2及び比較例1、2に係る熱処理後のシリコンウェーハに対して、塩酸、過酸化水素及び純水の混合洗浄液SC-2を用いて80°Cで30分間洗浄を行った。次に、得られた洗浄後のシリコンウェーハについて、ウェーハ表面デバイス形成面から最大60μmまでの深さ方向のニッケル金属の濃度分布を誘導結合プラズマ質量分析装置ICP-MSを用いて5μm厚さごとにニッケルの平均濃度を評価した。また、前記熱処理を行っていない両面研磨されたシリコンウェーハについても同様に評価した従来例1。更に、前記熱処理後のシリコンウェーハの裏面に発生するスリップ長をX線トポグラフィ株式会社リガク製XRT300にて評価した。図6に、本試験におけるウェーハ表面から深さ方向のニッケル濃度分布を示す。図6に示すように、比較例1は従来例1に比べ、若干のニッケル金属の低減が認められるものの、最高到達温度が高く1200°C、かつ、その保持時間が長い600秒割には、ニッケル金属の低減効果が低いことが認められる。これに対し、実施例1では、最高到達温度が100°Cで、その保持時間が30秒であるにも係らず、比較例1よりも大きく、更に、10μm程度深い領域までニッケル金属を低減できることが認められる。最高到達温度が800°Cである実施例2では、更に、大きくニッケル金属を低減することができ、加えて、バルク部の深い領域までその低減幅が広がることが認められる。また、熱処理後のシリコンウェーハの裏面に発生するスリップ長の評価では、実施例1、2では、スリップ長は確認されず、比較例1では平均で2mmのスリップ長が確認された。また、比較例2では平均で1.5mmのスリップ長が確認された。[試験2]実施例3前記熱処理を、発光波長が2650nm波長変化許容幅:2600nm~2700nmに制御された光を照射するランプ加熱により行い、その他は、実施例1と同様な条件にて熱処理を行った。得られた実施例3に係る熱処理後のシリコンウェーハについて実施例1と同様にニッケル金属の濃度分布及びスリップ長を評価した。実施例4前記熱処理を、発光波長が3550nm波長変化許容幅:3500nm~3600nmに制御された光を照射するランプ加熱により行い、その他は、実施例1と同様な条件にて熱処理を行った。得られた実施例4に係る熱処理後のシリコンウェーハについて実施例1と同様にニッケル金属の濃度分布及びスリップ長を評価した。図7に、本試験におけるウェーハ表面から深さ方向のニッケル濃度分布を示す。図7に示すように、実施例3、4では、実施例1と同様の最高到達温度100°C、その保持時間30秒であるにも係らず、実施例1よりも、更に、大きくニッケル金属を低減することができ、特に、ウェーハ表面から30μmまでは検出限界以下となり、加えて、バルク部の深い領域までその低減幅が広がることが認められる。また、熱処理後のシリコンウェーハの裏面に発生するスリップ長の評価では、実施例3、4共にスリップ長は確認されなかった。[試験3]実施例5CZ法によりボロンを3×1018atoms/cm3以上ドープして比抵抗率が0.02Ωcm以下であるボロンドープ結晶シリコン単結晶インゴットを育成し、該結晶をスライス後、ラッピング処理し、更に、両面研削を行った後、水酸化ナトリウム水溶液濃度80:関東化学株式会社製を用いて、80°Cまで加熱してアルカリエッチングを行った。その後、更に、両面研磨を行って、両面が鏡面である直径300mm、厚さ750μmのシリコンウェーハを得た。次に、このシリコンウェーハを、室温25°Cで保持された図1に示すような熱処理装置の反応室内に投入し、発光波長が1000nm波長変化許容幅:950nm~1050nmに制御された光を照射するランプ加熱により、図2に示すような熱処理シーケンスにて、昇温速度を100°C/秒、最高到達温度を100°C、その保持時間を30秒、降温速度を100°C/秒として熱処理を行った。実施例6前記最高到達温度を800°Cとして、その他は、実施例5と同様な条件にて、熱処理を行った。比較例3前記両面が鏡面であるシリコンウェーハを600°Cで保持された周知の縦型熱処理装置例えば、特開2001-85349号に記載された縦型熱処理装置等に投入し、抵抗体による加熱により、昇温速度を1°C/min~5°C/minとして、最高到達温度1200°Cまで昇温して、前記最高到達温度を600秒間保持した後、降温速度を1°C/min~5°C/minとして600°Cまで降温し、その他は実施例5と同様な方法にて、熱処理を行った。比較例4前記最高到達温度を900°Cとして、その他は、実施例5と同様な条件にて、熱処理を行った。得られた実施例5、6及び比較例3、4に係る熱処理後のシリコンウェーハに対して、塩酸、過酸化水素及び純水の混合洗浄液SC-2を用いて80°Cで30分間洗浄を行った。次に、得られた洗浄後のシリコンウェーハについて、ウェーハ表面デバイス形成面から最大60μmまでの深さ方向の銅金属の濃度分布を誘導結合プラズマ質量分析装置ICP-MSを用いて5μm厚さごとに銅の平均濃度を評価した。また、前記熱処理を行っていない前記両面研磨されたシリコンウェーハについても同様に評価した従来例2。更に、前記熱処理後のシリコンウェーハの裏面に発生するスリップ長をX線トポグラフィ株式会社リガク製XRT300にて評価した。図8に、本試験におけるウェーハ表面から深さ方向の銅濃度分布を示す。図8に示すように、比較例3は従来例2に比べ、若干の銅金属の低減が認められるものの、最高到達温度が高く1200°C、かつ、その保持時間が長い600秒割には、銅金属の低減効果が低いことが認められる。これに対し、実施例5では、最高到達温度が100°Cで、その保持時間が30秒であるにも係らず、比較例3よりも大きく、更に、10μm程度深い領域まで銅金属を低減できることが認められる。最高到達温度が800°Cである実施例6では、更に、銅金属を低減することができ、加えて、バルク部の深い領域までその低減幅が広がることが認められる。また、熱処理後のシリコンウェーハの裏面に発生するスリップ長の評価では、実施例5、6では、スリップ長は確認されず、比較例3では平均で2mmのスリップ長が確認された。また、比較例4では平均で1.5mmのスリップ長が確認された。[試験4]実施例7前記熱処理を、発光波長が2350nm波長変化許容幅:2300nm~2400nmに制御された光を照射するランプ加熱により行い、その他は、実施例1と同様な条件にて熱処理を行った。得られた実施例7に係る熱処理後のシリコンウェーハについて実施例5と同様に銅金属の濃度分布及びスリップ長を評価した。実施例8前記熱処理を、発光波長が3550nm波長変化許容幅:3500nm~3600nmに制御された光を照射するランプ加熱により行い、その他は、実施例5と同様な条件にて熱処理を行った。得られた実施例8に係る熱処理後のシリコンウェーハについて実施例5と同様に銅金属の濃度分布及びスリップ長を評価した。図9に、本試験におけるウェーハ表面から深さ方向の銅濃度分布を示す。図9に示すように、実施例7、8では、実施例5と同様の最高到達温度100°C、その保持時間30秒であるにも係らず、実施例5よりも、更に、大きく銅金属を低減することができ、加えて、バルク部の深い領域までその低減幅が広がることが認められる。また、熱処理後のシリコンウェーハの裏面に発生するスリップ長の評価では、実施例7、8共にスリップ長は確認されなかった。以上の結果から、前記発光波長が2300nm以上3600nm以下であると、更に大きく銅金属を低減することができ、加えて、バルク部の深い領域までその低減幅が広がることが認められる。更に、前記発光波長が2600nm以上3600nm以下であること、更に大きくニッケル金属を低減することができ、特に、ウェーハ表面から30μmまでは検出限界以下となり、加えて、バルク部の深い領域までその低減幅が広がることが認められる。すなわち、前記発光波長が2600nm以上3600nm以下である場合は、銅金属及びニッケル金属を更に大きく低減することができることが認められる。