"陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極とに挟まれた1層または複数層の有機化合物層と、前記陽極と前記有機化合物層との間および/または前記陰極と前記有機化合物層との間に金属酸化物薄膜層を有し、少なくとも1つの前記金属酸化物薄膜層と前記有機化合物層との間にマグネシウム化合物層を有することを特徴とする有機電界発光素子。陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極とに挟まれた1層または複数層の有機化合物層と、前記陰極と前記有機化合物層との間に金属酸化物薄膜層を有し、前記金属酸化物層と前記有機化合物層との間にマグネシウム化合物層を有することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。請求項1または2のいずれかに記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする照明装置。請求項1または2のいずれかに記載の有機電界発光素子を備えることを特徴とする表示装置本発明の目的は、高い効率を示し、かつ駆動寿命の長い有機電界発光素子を提供することである。本発明者らは鋭意検討の結果、有機電界発光素子の電子注入層として、酸化物薄膜とマグネシウム化合物薄膜を積層した層を用いることで上述の課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。すなわち本発明は、[1]陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極とに挟まれた1層または複数層の有機化合物層と、前記陽極と前記有機化合物層との間および/または前記陰極と前記有機化合物層との間に金属酸化物薄膜層を有し、少なくとも1つの前記金属酸化物薄膜層と前記有機化合物層との間にマグネシウム化合物層を有することを特徴とする有機電界発光素子である。[2]また、本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極とに挟まれた1層または複数層の有機化合物層と、前記陰極と前記有機化合物層との間に金属酸化物薄膜層を有し、前記金属酸化物層と前記有機化合物層との間にマグネシウム化合物層を有することが好ましい。[3]さらに本発明は、上述の有機電界発光素子を備えることを特徴とする照明装置、[4]および表示装置である。本発明によれば、高効率で駆動寿命の長い有機薄膜発光素子、そしてそれを具備する照明装置、表示装置が提供できる。以下、本発明の有機電界発光素子について詳細に説明する。本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極とに挟まれた1層または複数層の有機化合物層と、前記陽極と前記有機化合物層との間および/または前記陰極と前記有機化合物層との間に金属酸化物薄膜層を有し、少なくとも1つの前記金属酸化物薄膜層と前記有機化合物層との間にマグネシウム化合物層を有することを特徴とする。本発明で用いられる金属酸化物薄膜層は、半導体または絶縁体薄膜からなる。金属酸化物を構成する金属元素としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ケイ素からなる群から選ばれる。本発明においては、シート抵抗が100Ω/□より低い物は導電体、シート抵抗が100Ω/□より高い物は半導体または絶縁体として分類される。従って、透明電極として知られているITO錫ドープ酸化インジウム、ATOアンチモンドープ酸化インジウム、IZOインジウムドープ酸化亜鉛、AZOアルミニウムドープ酸化亜鉛、FTOフッ素ドープ酸化インジウム等の薄膜は、導電性が高く半導体または絶縁体の範疇に含まれないことから本発明の積層金属酸化物薄膜層を構成する一層に該当しない。積層金属酸化物薄膜層を構成する各薄膜の膜厚は、1ナノメートルから数マイクロメートル程度まで許容できるが、低電圧で駆動できる有機電界発光素子とするためには1ナノメートルから100ナノメートル程度が好ましい。積層金属酸化物薄膜層を構成する各薄膜層の作成方法としては特に限定されず、公知の方法を適宜用いることができるが、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解SPD法、原子層堆積ALD法、化学気相成長CVD法などが例として挙げられる。これらの方法は各薄膜層の材料の特性に応じて選択するのが好ましく、層ごとに作成方法が異なっていても良い。さらに、金属酸化物薄膜層と有機化合物層の間には、マグネシウム化合物層が配置される。マグネシウム化合物層は、少なくとも一種以上のマグネシウム化合物を含む層であり、マグネシウム化合物の例としては酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、硫酸マグネシウム、硝酸マグネシウム、フッ化マグネシウム、塩化マグネシウム、臭化マグネシウム、ヨウ化マグネシウム、マグネシウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。前記マグネシウム化合物層は単体であっても、これらの混合物であっても良く、これら以外の化合物が混在していても良い。なお、金属酸化物薄膜層が複数存在する場合は、少なくとも1つの前記金属酸化物薄膜層と前記有機化合物層との間にマグネシウム化合物層を有していればよい。本発明で用いられる陽極および陰極としては、公知の導電性材料を適宜用いることができるが、光取り出しのために少なくともいずれか一方は透明であることが好ましい。公知の透明導電性材料の例としてはITO錫ドープ酸化インジウム、ATOアンチモンドープ酸化インジウム、IZOインジウムドープ酸化亜鉛、AZOアルミニウムドープ酸化亜鉛、FTOフッ素ドープ酸化インジウムなどが上げられる。不透明な導電性材料の例としては、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、錫、インジウム、銅、銀、金やこれらの合金などが挙げられる。本発明で用いられる有機化合物層としては、公知の有機低分子材料、有機金属錯体、高分子材料などを適宜用いることができ、さらに必要に応じてそれらを組み合わせて用いることができるが、含まれる有機化合物の少なくとも一種類は発光材料から選ばれる。高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリジ-フェニルアセチレンPDPA、ポリアルキル,フェニルアセチレンPAPAのようなポリアセチレン系化合物、ポリパラ-フェンビニレンPPV、ポリ2,5-ジアルコキシ-パラ-フェニレンビニレンRO-PPV、シアノ-置換-ポリパラ-フェンビニレンCN-PPV、ポリ2-ジメチルオクチルシリル-パラ-フェニレンビニレンDMOS-PPV、ポリ2-メトキシ,5-2’-エチルヘキソキシ-パラ-フェニレンビニレンMEH-PPVのようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ3-アルキルチオフェンPAT、ポリオキシプロピレントリオールPOPTのようなポリチオフェン系化合物、ポリ9,9-ジアルキルフルオレンPDAF、ポリジオクチルフルオレン-アルト-ベンゾチアジアゾールF8BT、α,ω-ビス[N,N’-ジメチルフェニルアミノフェニル]-ポリ[9,9-ビス2-エチルヘキシルフルオレン-2,7-ジル]PF2/6am4、ポリ9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレニル-オルト-コアントラセン-9,10-ジイルのようなポリフルオレン系化合物、ポリパラ-フェニレンPPP、ポリ1,5-ジアルコキシ-パラ-フェニレンRO-PPPのようなポリパラフェニレン系化合物、ポリN-ビニルカルバゾールPVKのようなポリカルバゾール系化合物、ポリメチルフェニルシランPMPS、ポリナフチルフェニルシランPNPS、ポリビフェニリルフェニルシランPBPSのようなポリシラン系化合物、さらには特願2010-230995号、特願2011-6457号に記載のホウ素化合物系高分子材料等が挙げられる。一方、低分子の発光材料としては、例えば、配位子に2,2’-ビピリジン-4,4’-ジカルボン酸を持つ、3配位のイリジウム錯体、ファクトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、トリス4-メチル-8キノリノレートアルミニウムIIIAlmq3、8-ヒドロキシキノリン亜鉛Znq2、1,10-フェナントロリン-トリス-4,4,4-トリフルオロ-1-2-チエニル-ブタン-1,3-ジオネートユーロピウムIIIEuTTA3phen、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィンプラチナムIIのような各種金属錯体、ジスチリルベンゼンDSB、ジアミノジスチリルベンゼンDADSBのようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、6-ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、N,N’-ビス2,5-ジ-t-ブチルフェニル-3,4,9,10-ペリレン-ジ-カルボキシイミドBPPCのようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、4-ジ-シアノメチレン-2-メチル-6-パラ-ジメチルアミノスチリル-4H-ピランDCMのようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、2,5-ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、2,2’-パラ-フェニレンジビニレン-ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、1,2,3,4,5-ペンタフェニル-1,3-シクロペンタジエンPPCPのようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、2,2’,7,7’-テトラフェニル-9,9’-スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニンH2Pc、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、さらには特開2009-155325号、特願2010-230995号および特願2011-6458号に記載のホウ素化合物材料等が挙げられる。有機化合物層の成膜方法は特に限定されず、材料の特性に合わせて公知の方法を適宜用いることができるが、溶液にして塗布できる場合はスピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、キャスト法などが例として挙げられる。このうち、膜厚をより制御しやすいという点でスピンコート法やスリットコート法が好ましい。塗布しない場合や溶媒溶解性が低い場合は真空蒸着法や、ESDUSEvaporativeSprayDepositionfromUltra-diluteSolution法などが好適な例として挙げられる。有機電界発光素子の特性をさらに向上させる等の理由から、必要に応じて上述の層以外の層があっても良い。このような層としては例えば電子注入層、正孔阻止層、ホール注入層、電子素子層などが挙げられ、公知の材料を適宜用いることができる。本発明を適用した有機電界発光素子がHOILED素子である場合、有機化合物層と陽極の間にホール注入層を設けることが望ましい。ホール注入層に用いる材料の例としては、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化レニウムなどが挙げられるが、酸化モリブデンが最も好ましい。本発明の電界発光素子は、必要であれば封止を施しても良い。封止工程としては、公知の方法を適宜使用できる。例えば、不活性ガス中で封止容器を接着する方法や、有機EL素子の上に直接封止膜を形成する方法などが挙げられる。これらに加えて、水分吸収材を封入する方法を併用してもよい。本発明の電界発光素子は、陽極と陰極との間に電圧通常は15ボルト以下を印加することによって発光させることができる。通常は直流電圧を印加するが、交流成分が含まれていても良い。本発明の電界発光素子は、照明や表示装置の発光部位として用いることができる。有機化合物層の材料を適宜選択することによって発光色を変化されることができるし、カラーフィルター等を併用して所望の発光色を得ることもできる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明の範囲はこれら実施例のみに限定されるものではない。青色発光ポリマーの合成合成例1窒素雰囲気下、1-ブロモ-3,5-ビストリフルオロメチルベンゼン14.8g,50.3mmolにジエチルエーテル200mlを加え-78°Cに冷却し、ここへノルマルブチルリチウムヘキサン溶液1.65M,30.9ml,50.9mmolを滴下し、-78°Cで1時間攪拌した。さらに塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液1M,24.3ml,24.3mmolを攪拌しながら滴下した。滴下終了後、室温で1時間攪拌した。そこへ5-ブロモ-2-4-ブロモ-2-ジブロモボリルフェニルピリジン5.6g,11.6mmolを含むトルエン溶液200mLを加え、85°Cで15時間過熱攪拌した。室温まで冷却し、反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィーヘキサン:ジクロロメタン=1:2で精製することにより、下記式1;で表されるホウ素含有化合物1を収率69で得た。得られたホウ素含有化合物1187.2mg,0.25mmol、下記式2で表されるフルオレン化合物140.2mg,0.251mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム2.9mg,0.0025mmolをトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩240.4mg,0.8mmolを蒸留水0.75mlに溶解させて調整した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間攪拌し、脱揮を完了させた。これを115°Cで17時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン39.3mg,0.25mmolを加え1時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸30.5mg,0.25mmolを加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式3;で表される青色発光ポリマーを得た。ゲル浸透クロマトグラフィーテトラヒドロフラン溶媒によるポリスチレン換算重量平均分子量は71,000であった。有機電界発光素子の作成実施例1[1]市販されている平均厚さ0.7mmのITO電極層付き透明ガラス基板を用意した。この時、基板のITO電極は幅2mmにパターニングされているものを用いた。この基板をアセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ10分間超音波洗浄後、イソプロパノール中で5分間煮沸した。この基板をイソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、UVオゾン洗浄を20分行った。[2]この基板を、亜鉛金属ターゲットを持つミラトロンスパッタ装置の基板ホルダーに固定した。約1×10-4Paまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でスパッタし、膜厚約2nmの酸化亜鉛層を作成した。この時にメタルマスクを併用して、電極取り出しのためITO電極の一部は酸化亜鉛が成膜されないようにした。[3]酢酸マグネシウムの1水-エタノール体積比で1:3混合溶液を作成した。工程[2]で作成した基板を、工程[1]と同様にして再度洗浄した。洗浄した酸化亜鉛薄膜付き基板をスピンコーターにセットした。この基板上に酢酸マグネシウム溶液を滴下し、毎分1300回転で60秒間回転させた。これを大気中、400°Cにセットしたホットプレートで2時間焼成することにより、酸化マグネシウム層を形成した。[4]次に、合成例1で作成した青色発光ポリマー3の1.2重量テトラヒドロフラン溶液を1mL作成した。作成した酸化物薄膜層付き基板をスピンコーターにセットした。この基板上に青色発光ポリマーの溶液を滴下し、毎分1600回転で30秒間回転させることにより、膜厚約100nmの有機化合物層を形成した。これをアルゴン雰囲気のグローブボックス中に移動し、ホットプレートを用いて200°Cで1時間加熱して有機化合物層中の残溶媒を除去した。[5]有機化合物層まで形成した基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。三酸化モリブデンをアルミナルツボに入れて第1の蒸着源にセットした。同時に、金をアルミナルツボに入れて第2の蒸着源にセットした。真空蒸着装置内を約1×10-4Paまで減圧し、三酸化モリブデンを膜厚10nmになるように蒸着した。次に、金を膜厚20nmになるように蒸着し、有機電界発光素子Mg:Zn=4:0を作成した。このとき、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅2mmの帯状になるようにした。すなわち、作成した有機電界発光素子の発光面積は、4mm2とした。実施例2実施例1の工程[2]において亜鉛金属ターゲットの代わりにチタン金属ターゲットを使用した以外は同様にして、酸化チタン薄膜層の上にマグネシウム化合物層を持つ有機電界発光素子を作成した。比較例1実施例1の工程[3]を省略した以外は同様にして、酸化物薄膜層として酸化亜鉛単層を持つ有機電界発光素子を作成した。比較例2実施例2の工程[3]を省略した以外は同様にして、酸化物薄膜層として酸化チタン単層を持つ有機電界発光素子を作成した。比較例3実施例1の工程[2]を省略した以外は同様にして、酸化物薄膜層として酸化マグネシウム単層を持つ有機電界発光素子を作成した。比較例4実施例1の工程[3]の代わりに次の工程[3’]を行った以外は同様にして、酸化亜鉛薄膜層の上にセシウム化合物層を持つ有機電界発光素子を作成した。[3’]酸化物薄膜層まで形成した基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。炭酸セシウムをアルミナルツボに入れて蒸着源にセットした。真空蒸着装置内を約1×10-4Paまで減圧し、炭酸セシウムを膜厚3nmになるように蒸着した。この基板を大気中で12時間放置し、セシウム化合物層を形成した。作成した有機電界発光素子実施例1~2、比較例1~4で作成した有機電界発光素子の構成をまとめると、次表の通りである。有機電界発光素子の発光特性測定ケースレー社製の2400型ソースメーターにより、素子への電圧印加と、電流測定を行った。トプコン社製のBM-7により、発光輝度を測定した。実施例1比較例1および比較例3で作成した有機電界発光素子を、アルゴン雰囲気下で-4V~15Vまでの直流電圧を印加した時の電圧-輝度特性、電流密度-電力効率特性を図2および図3にそれぞれ示す。図2から、本発明の酸化物膜とマグネシウム化合物膜の積層構造を用いた実施例1の有機電界発光素子は、単層酸化物薄膜を用いた比較例1および比較例3の有機電界発光素子に比べて低い電圧から発光することが明らかである。さらに図3から、本発明の酸化物膜とマグネシウム化合物膜の積層構造を用いた実施例1の有機電界発光素子は、単層酸化物薄膜を用いた比較例1および比較例3の有機電界発光素子に比べて高い電力効率を示すことが明らかである。次に、実施例2、比較例2および比較例3で作成した有機電界発光素子を、アルゴン雰囲気下で-4V~15Vまでの直流電圧を印加した時の電圧-輝度特性、電流密度-電力効率特性を図4および図5にそれぞれ示す。図4から、本発明の酸化物膜とマグネシウム化合物膜の積層構造を用いた実施例2の有機電界発光素子は、単層酸化物薄膜を用いた比較例2および比較例3の有機電界発光素子に比べて低い電圧から発光することが明らかである。さらに図5から、本発明の酸化物膜とマグネシウム化合物膜の積層構造を用いた実施例2の有機電界発光素子は、単層酸化物薄膜を用いた比較例2および比較例3の有機電界発光素子に比べて高い電力効率を示すことが明らかである。有機電界発光素子の寿命特性測定システム技研社製の有機EL寿命測定装置により、素子への電圧印加と、相対輝度測定を行った。この装置では素子に一定電流が流れるように電圧を自動的に調整しながら、フォトダイオードによる相対輝度測定が行える。測定開始時の輝度が100cd/m2になるように素子ごとに電流値を設定した。実施例1および比較例4で作成した有機電界発光素子の寿命特性を図6に示す。図6から、本発明の酸化物膜とマグネシウム化合物膜の積層構造を用いた実施例1の有機電界発光素子は、単層酸化物薄膜とセシウム化合物層を持つ比較例4の有機電界発光素子に比べて寿命が長いことが分かる。"