"基板上に形成された第1導電型の半導体領域と前記第1導電型とは異なる第2導電型の半導体領域とが接合されたフォトダイオードを備え、前記第1導電型の半導体領域は、Siを主成分とする材料で形成された第1の半導体領域と、Si1-xGex0<x≦1を主成分とする材料でそれぞれ形成された複数の第2の半導体領域と、を有し、前記複数の第2の半導体領域のそれぞれは、前記第1の半導体領域の上に島状に配されていることを特徴とする固体撮像装置。前記複数の第2の半導体領域のそれぞれは、前記第1の半導体領域の表面に凸状に形成されていることを特徴とする特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記複数の第2の半導体領域のそれぞれは、前記第1の半導体領域の表面に埋め込まれていることを特徴とする特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2の半導体領域における上側の部分のGeの含有率は、前記第2の半導体領域における下側の部分のGeの含有率より高いことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の第2の半導体領域のそれぞれは、前記第1の半導体領域の表面に沿った方向の最大幅が0.1μm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。1つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。1つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第1導電型の領域と第2導電型の領域とが接合されている。第1導電型の領域は、第1の半導体領域と複数の第2の半導体領域とを有する。第1の半導体領域は、Siを主成分とする材料で形成されている。複数の第2の半導体領域のそれぞれは、Si1-xGex0<x≦1を主成分とする材料で形成されている。複数の第2の半導体領域のそれぞれは、第1の半導体領域の上に島状に配されている。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる固体撮像装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態第1の実施形態にかかる固体撮像装置1について図1aを用いて説明する。図1aは、固体撮像装置1における画素P1及び画素P2の2画素分について断面構成を示す図である。固体撮像装置1では、画素P1及び画素P2を含む複数の画素が1次元的に又は2次元的に配列されている。以下では、画素P1の構成を中心に説明するが、他の画素P2等の構成についても画素P1の構成と同様である。固体撮像装置1における画素P1は、マイクロレンズML1、カラーフィルタCF1、多層配線構造MST1、フォトダイオードPD1、絶縁膜DF1、ゲート絶縁膜GF1、ゲート電極TG1、フローティングディフュージョンFD1を備える。マイクロレンズML1は、カラーフィルタCF1の上に配されている。マイクロレンズML1は、入射した光をカラーフィルタCF1に通してフォトダイオードPD1の受光面に集める。カラーフィルタCF1は、多層配線構造MST1の上に配されている。カラーフィルタCF1は、マイクロレンズML1から導かれた光のうち特定の色例えば、赤、緑、青などの波長域の光を選択的に通過させる。多層配線構造MST1は、フォトダイオードPD1及び絶縁膜DF1の上に配されている。フォトダイオードPD1は、半導体基板SBに配されている。フォトダイオードPD1は、第1導電型例えば、N型の領域RG1と第2導電型例えば、P型の領域RG2とが接合されたPN接合領域を有している。第2導電型は、第1導電型の反対導電型である。例えば、フォトダイオードPD1では、第1導電型の領域RG1が第2導電型の領域RG2の上に接合されている。第2導電型の領域RG2は、例えば、半導体基板SBにおける第2導電型領域の一部であり、第2導電型例えば、P型の不純物を低い濃度で含む半導体例えば、Siを主成分とする材料で形成されている。P型の不純物は、例えば、ボロンである。第1導電型の領域RG1は、例えば、第1導電型例えば、N型の不純物を、第2導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体で形成されている。N型の不純物は、例えば、リン又は砒素である。フォトダイオードPD1は、導かれた光に対して第一導電型領域RG1で光電変換を行い、光量に応じた電荷を発生させて蓄積する。絶縁膜DF1は、フォトダイオードPD1、ゲート電極TG1、及びゲート絶縁膜GF1を覆っている。絶縁膜DF1は、フォトダイオードPD1に対応した領域に、フォトダイオードPD1の一部により貫通される複数の穴DF11~DF14図2c参照を有している。ゲート絶縁膜GF1は、半導体基板SBの表面を覆い、ゲート電極TG1と半導体基板SBとを絶縁している。また、ゲート絶縁膜GF1は、フォトダイオードPD1に対応した領域に、フォトダイオードPD1の一部により貫通される複数の穴GF11~GF14図2c参照を有している。複数の穴GF11~GF14は、絶縁膜DF1における複数の穴DF11~DF14に対応して形成されている。ゲート電極TG1は、ゲート絶縁膜GF1上におけるフォトダイオードPD1に隣接した位置に配されている。ゲート電極TG1は、フォトダイオードPD1及びフローティングディフュージョンFD1とともに転送トランジスタを構成している。この転送トランジスタは、アクティブレベルの制御信号がゲート電極TG1に供給された際にオンすることにより、フォトダイオードPD1に蓄積された電荷をフローティングディフュージョンFD1へ転送する。フローティングディフュージョンFD1は、半導体基板SB内に配されている。フローティングディフュージョンFD1は、第1導電型例えば、N型の不純物を、ウエル領域における第2導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体例えば、Siを主成分とする材料で形成されている。N型の不純物は、例えば、リン又は砒素である。フローティングディフュージョンFD1に蓄積された電荷は、転送トランジスタにより転送され電圧に変換される。図示しない増幅トランジスタは、その変換された電圧に応じた信号を信号線へ出力する。次に、フォトダイオードPD1内の構成について説明する。フォトダイオードPD1では、図1aに示すように、第2導電型例えば、P型の領域RG2の上に第1導電型例えば、N型の領域RG1が接合されている。図1aにおける第1導電型の領域RG1を抜き出して図示すると、図1bのようになる。また、第1導電型の領域RG1の斜視図は、図1cのようになる。第1導電型の領域RG1は、図1b、cに示すように、第1の半導体領域SR1及び複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kkは整数を有する。すなわち、第1の半導体領域SR1及び複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、いずれも、第1導電型の不純物を含む半導体領域である。第1の半導体領域SR1は、半導体基板SB内に配されている図1a参照。第1の半導体領域SR1は、第1導電型例えば、N型の不純物を、第2導電型RG2の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体例えば、Siを主成分とする材料で形成されている。N型の不純物は、例えば、リン又は砒素である。第1の半導体領域SR1は、第2導電型の領域RG2と接しており、第2導電型の領域RG2との間でPN接合領域を形成している。複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1の半導体領域SR1の上に配されている。各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1導電型例えば、N型の不純物を、第2導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体で形成されている。具体的には、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1の半導体領域SR1と異なる半導体材料で構成される。例えば、第1の半導体領域SR1はシリコンであり、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1の半導体領域と異なる半導体層例えば、Si1-xGex0<x≦1を主成分とする材料で形成されている。ここで、例えば第2の半導体領域SR2-1~SR2-kの材料としてSi1-xGex0<x<1を選択すれば、その吸収係数が図9に破線で示すSiの吸収係数と実線で示すGeの吸収係数との間の値になり、フォトダイオードPD1の全体としての光電変換効率は、シリコンのみで光電変換部を形成する場合に比べ向上する。例えば第2の半導体領域SR2-1~SR2-kの材料として、Siを含まないGe層を選択しても良く、この場合は、Geの吸収係数が大きいことから、フォトダイオードPD1の光電変換効率をさらに向上できる。また、複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kのそれぞれは、第1の半導体領域SR1の上に島状に配されている。つまり,複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kのそれぞれは、互いに離間して,第1の半導体領域SR1の上に配されている。複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、例えば、第1の半導体領域SR1の上に2次元的に配列されている図1c参照。各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1の半導体領域SR1の表面SR1aに凸状に形成されている。すなわち、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1の半導体領域SR1の表面SR1aから、ゲート絶縁膜GF1の穴GF11~GF14及び絶縁膜DF1の穴DF11~DF14を介して、ゲート絶縁膜GF1及び絶縁膜DF1を貫通して上側へ延びている。さらに具体的には、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1の半導体領域SR1の表面SR1aに沿った方向の最大幅が0.1μm以下である。例えば、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、底面の最大幅が0.1μm以下である。例えば、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kが図1b、cに示すような角柱状である場合、底面の長辺が0.1μm以下である。仮に、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kにおける第1の半導体領域SR1の表面SR1aに沿った方向の最大幅が0.1μmより大きいと、第1の半導体領域SR1例えば、Siを主成分とする材料の結晶と各第2の半導体領域SR2-1~SR2-k例えば、Si1-xGex0<x≦1を主成分とする材料の結晶との格子不整を両者の内部で吸収しきれなくなり、第1の半導体領域SR1と各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kとの界面における結晶欠陥転位が発生する傾向にある。なお、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、円柱状であってもよい。この場合、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、底面の直径が0.1μm以下である。あるいは、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、楕円柱状であってもよい。この場合、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、底面の長径が0.1μm以下である。ここで、例えば各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kの材料としてGeを選択すると、Geの格子定数は0.565nmであり、Siの格子定数0.543nmの値との差から、第1の半導体領域SR1との間で格子不整を生ずる。また、例えば各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kの材料としてSi1-xGex0<x<1を選択すれば、平均した結晶格子の間隔は、Si及びGeの格子定数0.543nmと0.565nmの間の値となる。次に、固体撮像装置1の製造方法について図2a~d、図1aを用いて説明する。図2a~dは、固体撮像装置1の製造方法を示す工程断面図である。図1aは、固体撮像装置1の構成を示す図であるが、図2dに示す工程を示す図面として流用することにする。以下では、第1の半導体領域SR1の表面SR1a上に例えば2次元的に配列された複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kのうち複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-4について説明するが、他の第2の半導体領域に関しても同様である。図2aに示す工程では、半導体基板SBの表面にゲート絶縁膜GF1iを形成し、その後、導電体物質を堆積しゲート絶縁膜GF1i上における所望の領域にゲート電極TG1を形成する。ゲート電極TG1となる導電体物質としては、例えば、N型かP型にあらかじめドーピングされたSi系材料か金属、合金等が用いられる。そして、イオン注入法などにより、半導体基板SB内の第2導電型の領域の、第1の半導体領域SR1が形成されるべき領域に開口パターンを有するレジストパターン図示せずを形成し、そのレジストパターンをマスクとして、第2導電型のウエル領域に対して第1導電型の不純物を導入する。また、第1導電型のフローティングディフージョンを形成する領域においても、レジストパターン図示せずを形成して第1導電型の不純物を導入する。そして、不純物活性化のための熱処理を行うことにより、第1の半導体領域SR1及びフローティングディフュージョンFD1を形成する。第1の半導体領域SR1は、フォトダイオードPD1図1a参照の一部となるべき領域である。図2bに示す工程では、CVD法などにより、ゲート絶縁膜GF1i及びゲート電極TG1を覆う絶縁膜DF1iを堆積する。絶縁膜DF1iは、後の工程で形成すべき各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kの膜厚に対応した膜厚例えば、0.2μmで形成する。続いて、第1の半導体領域SR1に対応した領域に複数の開口パターンOP11~OP14を有するレジストパターンRP1を絶縁膜DF1iの上に形成する。図2cに示す工程では、レジストパターンRP1をマスクとして例えばRIE法によるドライエッチングを用いて絶縁膜を加工する。これにより、絶縁膜DF1におけるフォトダイオードPD1に対応した領域に複数の穴DF11~DF14を形成する。さらに、第1の半導体領域SR1の表面SR1aの一部である複数の領域が露出されるように、ゲート絶縁膜GF1におけるフォトダイオードPD1に対応した領域に複数の穴GF11~GF14を形成する。その後、レジストパターンRP1を除去する。図2dに示す工程では、エピタキシャル成長法などにより、第1の半導体領域SR1の表面SR1aにおける複数の穴DF11~DF14及び複数の穴GF11~GF14により露出された複数の領域から、複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-4を成長させる。このときの成長温度は、例えば、700°C付近であることが好ましい。各第2の半導体領域SR2-1~SR2-4の膜厚は、例えばゲート絶縁膜GF1及び絶縁膜DF1の合計膜厚であることが好ましい。ここで、例えば第2の半導体領域SR2-1~SR2-kの材料としてSi1-xGex0<x≦1を選択する場合、Si系ガス例えばSiH4と、Ge系のガス例えば、GeH4の混合ガスを用いる。このとき、形成すべきSi1-xGex0<x<1の組成比に応じてSi系ガス例えばSiH4とGe系のガス例えば、GeH4との流量比を調整する。第1導電型の不純物は、イオン注入法で導入しても良いし、上述の半導体層を成長させる過程でin-situで導入されるように所望の導電型の不純物を含むガスを用いて導入しても良い。図1aに示す工程では、フォトダイオードPD1及び絶縁膜DF1の上に、多層配線構造MST1、カラーフィルタCF1、マイクロレンズML1を順に形成する。これにより、固体撮像装置1が得られる。ここで、仮に、フォトダイオードPD1の第1導電型の領域SR1において、第1の半導体領域SR1例えば、Siの上に、第1の半導体領域SR1より光電変換効率の高い半導体領域例えば、Geを、第1の半導体領域SR1と同様の幅を有する層状に形成する場合について考える。この場合、第1の半導体領域SR1例えば、Siと半導体層例えば、Geとの接触面積が非常に大きいので、第1の半導体領域SR1例えば、格子間距離が0.543nmと半導体層例えば、格子間距離が0.565nmとの格子不整により両者の界面に結晶欠陥転位が生じやすく、両者の界面における結晶欠陥転位の密度が許容範囲を超えてしまう傾向にある。これにより、フォトダイオードPD1において結晶欠陥起因の望ましくない電流が増大する傾向にある。例えば、フォトダイオードPD1において結晶欠陥を介してリークする接合リーク電流が増大したり、フォトダイオードPD1において結晶欠陥に電荷がトラップされることにより、シグナルの低下やノイズ源となる電流の発生を引き起こす。結晶欠陥の無い場合に比べて、得られる画像信号におけるS/N比の劣化が生ずることになる。それに対して、第1の実施形態では、フォトダイオードPD1の第1導電型の領域SR1において、例えばSiを主成分とする材料で形成された第1の半導体領域SR1の上に、例えばSi1-xGex0<x≦1を主成分とする材料でそれぞれ形成された複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kを複数の島状に形成する。これにより、フォトダイオードPD1における光電変換効率を向上させながら、第1の半導体領域SR1と各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kとの接触面積を小さく押さえることができるので、両者の界面における結晶欠陥の密度を許容範囲内に収めることが容易である。これにより、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる。その結果、固体撮像装置1で得られる画像信号におけるS/N比を向上できる。また、第1の実施形態では、各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kは、第1の半導体領域SR1の表面SR1aに沿った方向の最大幅が0.1μm以下である。これにより、第1の半導体領域SR1例えば、Siを主成分とする材料の結晶と各第2の半導体領域SR2-1~SR2-k例えば、Si1-xGex0<x≦1を主成分とする材料の結晶との格子不整を両者の内部で吸収でき、第1の半導体領域SR1と各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kとの界面における結晶欠陥転位の発生を抑制できる。また、第1の実施形態では、例えばSi1-xGex0<x≦1を主成分とする材料で形成された各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kによる光の吸収係数が図9に示すように高い。特に、第1の半導体領域SR1における深い領域で吸収されていた長波長光例えば、赤色の光が各第2の半導体領域SR2-1~SR2-kに吸収できるようになるので、第1の半導体領域SR1の深さも複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kがないSiのみで光電変換部を構成する場合の接合深さ例えば3μmより大幅に薄くすることができる。すなわち、フォトダイオードPD1の第1導電型の領域SR1の深さを全体的に浅くできるので、斜め入射光による画素間の混色に対して強い構造を得ることができる。このように、第1の実施形態では、フォトダイオードPD1において、第1の半導体領域SR1の表面SR1aに加えて、複数の第2の半導体領域SR2-1~SR2-kの上面が受光面を構成している。なお、第1の実施形態では、第1導電型がN型であり第2導電型がP型である場合を例示的に説明したが、第1導電型がP型であり第2導電型がN型であってもよい。第2の実施形態次に、第2の実施形態にかかる固体撮像装置200について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第2の実施形態は、固体撮像装置200におけるフォトダイオードPD201内の構成が、図3a、bに示すように、第1の実施形態と異なる。具体的には、フォトダイオードPD201の第1導電型の領域RG201において、複数の第2の半導体領域SR202-1~SR202-kのそれぞれは、第1の半導体領域SR201の表面SR201aに埋め込まれている。このとき、第1の半導体領域SR201の表面SR201aと各第2の半導体領域SR202-1~SR202-kの上面とは、連続した面を形成していても良い。あるいは、各第2の半導体領域SR202-1~SR202-kの上面が第1の半導体領域SR201の表面SR201aより高くなっていても良い。また、各第2の半導体領域SR202-1~SR202-kは、第1の半導体領域SR201の表面SR201aに沿った方向の最大幅が0.1μm以下であることに加えて、最大膜厚が0.1μm以下であってもよい。また、固体撮像装置200の製造方法が図4a~dに示すように第1の実施形態と異なる。図4aに示す工程は、図2aに示す工程の次に行われる。この工程では、第1の半導体領域SR1に対応した領域に複数の開口パターンOP21~OP24を有するレジストパターンRP2を、ゲート絶縁膜GF1i及びゲート電極TG1を覆うように形成する。図4bに示す工程では、レジストパターンRP2をマスクとしてエッチングを行う。このエッチングは、例えばRIE法によるドライエッチングで良い。これにより、第1の半導体領域SR201iの表面SR1aの一部である複数の領域が露出されるように、ゲート絶縁膜GF1におけるフォトダイオードPD1に対応した領域に複数の穴GF11~GF14を形成し、第1の半導体領域SR201における複数の第2の半導体領域SR202-1~SR202-4が形成されるべき複数の領域に、複数の凹部SR2011~SR2014を形成する。このとき、各凹部SR2011~SR2014の最大深さを0.1μm以下としてもよい。図4cに示す工程では、レジストパターンRP2を除去する。図4dに示す工程では、エピタキシャル法などにより、第1の半導体領域SR1における複数の穴GF11~GF14により露出された複数の凹部SR2011~SR2014から、複数の第2の半導体領域SR202-1~SR202-4を成長させる。このときの成長温度は、例えば、700°C付近であることが好ましい。各第2の半導体領域SR202-1~SR202-4の膜厚は、各凹部SR2011~SR2014の最大深さ例えば、0.1μm以下と略等しいものでもよい。あるいは、各第2の半導体領域SR202-1~SR202-4の膜厚は、各凹部SR2011~SR2014の最大深さより厚くなっても良い。以上のように、第2の実施形態では、フォトダイオードPD201の第1導電型の領域RG201において、複数の第2の半導体領域SR202-1~SR202-kのそれぞれが、第1の半導体領域SR201の表面SR201aに埋め込まれている。このような構造によっても、フォトダイオードPD1における光電変換効率を向上させながら、第1の半導体領域SR1と各第2の半導体領域SR202-1~SR202-kとの接触面積を小さく押さえることができるので、両者の界面における結晶欠陥の密度を許容範囲内に収めることが容易である。すなわち、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる。その結果、固体撮像装置200で得られる画像信号におけるS/N比を向上できる。また、第2の実施形態では、各第2の半導体領域SR202-1~SR202-kの最大膜厚が0.1μm以下であってもよい。各第2の半導体領域SR202-1~SR202-kの最大膜厚が0.1μm以下である場合、第1の半導体領域SR1例えば、Siを主成分とする材料の結晶と各第2の半導体領域SR202-1~SR202-k例えば、Si1-xGex0<x≦1を主成分とする材料の結晶との格子不整を両者の内部で吸収することがさらに容易になるので、第1の半導体領域SR1と各第2の半導体領域SR202-1~SR202-kとの界面における結晶欠陥転位の発生をさらに抑制できる。第3の実施形態次に、第3の実施形態にかかる固体撮像装置300について説明する。以下では、第2の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第3の実施形態は、固体撮像装置300におけるフォトダイオードPD301内の構成が、図5aに示すように、第2の実施形態と異なる。具体的には、フォトダイオードPD301において、第1導電型の領域RG301の表面が第2導電型の領域RG303で覆われている。第2導電型の領域RG303は、第3の半導体領域SR303を有する。第3の半導体領域SR303は、第2導電型の不純物を半導体基板SBのウエル領域における第2導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体で形成されている。すなわち、第3の半導体領域SR303は、複数の第2の半導体領域SR302-1~SR302-kに接している複数の領域が第2の半導体領域SR302-1~SR302-kと同じ材料例えば、Si1-xGex0<x≦1を主成分とする材料で形成されている。また、第3の半導体領域SR303は、第1の半導体領域SR301に接している例えば格子状の領域が第1の半導体領域SR301と同じ材料例えば、Siを主成分とする材料で形成されている。また、第3の半導体領域SR303の膜厚は、できるだけ薄く例えば、100nmすることが好ましい。また、固体撮像装置300の製造方法が図5b、cに示すように次の点で第2の実施形態と異なる。図5bに示す工程は、図4dに示す工程の後に行われる。この工程では、第1の半導体領域SR301i及び複数の第2の半導体領域SR302-1i~SR302-4iに対応した領域に開口パターンOP31を有するレジストパターンRP3を、ゲート絶縁膜GF1及びゲート電極TG1を覆うように形成する。そして、レジストパターンRP3をマスクとして、第1の半導体領域SR301i及び複数の第2の半導体領域SR302-1i~SR302-4iの表面が露出されるまで、エッチングを行う。のエッチングは、例えばRIE法によるドライエッチングでもよいし、ウェットエッチングでもよい。これにより、ゲート絶縁膜GF1jに開口GF1j1を形成する。図5cに示す工程では、イオン注入法あるいは固層拡散法などにより、第1の半導体領域SR301i及び複数の第2の半導体領域SR302-1i~SR302-4iの露出された表面に、第2導電型の不純物を導入する。その後、不純物を活性化させるための熱処理を行う。これにより、それぞれ第1導電型の不純物をそれぞれ含む第1の半導体領域SR301及び複数の第2の半導体領域SR302-1~SR302-4の表面に、第2導電型の不純物を含む第3の半導体領域SR303を形成する。以上のように、第3の実施形態では、第1導電型の領域RG301の表面が第2導電型の領域RG303で覆われている。これにより、第1導電型の領域RG301で発生した電荷が半導体基板SBの表面に存在する界面準位例えば、Si/SiO2界面準位にトラップされることを防ぎ暗電流を低減できる。第4の実施形態次に、第4の実施形態にかかる固体撮像装置400について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第4の実施形態は、固体撮像装置400が裏面照射型である点で第1の実施形態と異なる。具体的には、固体撮像装置400の画素P401では、図6aに示すように、マイクロレンズML401、カラーフィルタCF401が半導体基板SB400の裏面SB400b側に配されている。すなわち、マイクロレンズML401は、入射した光をカラーフィルタCF401に通して半導体基板SB400の裏面SB400b側からフォトダイオードPD401における第2導電型の領域RG402経由で表面SB400a側の第1導電型の領域RG401に導く。半導体基板SB400は、裏面研磨により薄板化されていることが好ましい。これにより、接合の浅い部分で吸収される短波長光は、主として、例えばSiを主成分とする材料で形成された第1の半導体領域SR401で吸収され、接合の深い部分で吸収される中長波長光は、主として、例えばSi1-xGex0<x≦1を主成分とする材料でそれぞれ形成された複数の第2の半導体領域SR402-1~SR402-4で吸収される。このように、第4の実施形態によれば、裏面照射型の固体撮像装置400においても、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる。なお、裏面照射型の固体撮像装置400pは、半導体基板SB400とカラーフィルタCF401との間に絶縁膜DF402pが配された構成であってもよい。このような構造は、SOI基板を用意しSOI基板の裏面を研磨して埋め込み酸化層を露出させた基板を用いることで得ることができる。第5の実施形態次に、第5の実施形態にかかる固体撮像装置500について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第5の実施形態は、固体撮像装置500におけるフォトダイオードPD501内の構成が、図7に示すように、第1の実施形態と異なる。具体的には、フォトダイオードPD501の第1導電型の領域RG501において、複数の第2の半導体領域SR502-1~SR502-4のそれぞれは、上側の部分のGeの含有率が、下側の部分のGeの含有率より高い。例えば、各第2の半導体領域SR502-1~SR502-4は、多層構造を有しており、下側の層から上側の層にかけて段階的にGeの含有率が高くなる構造を有していても良い。例えば、各第2の半導体領域SR502-1~SR502-4は、図7に示すように、下部層SR502-1b~SR502-4bの上に上部層SR502-1a~SR502-4aが積層された2層構造を有していても良い。すなわち、Si1-x1Gex10<x1<1を主成分とする材料で上部層SR502-1a~SR502-4aが形成され、Si1-x2Gex20<x2≦1を主成分とする材料で下部層SR502-1b~SR502-4bが形成されている場合に、x1>x2が成り立つ。あるいは、例えば、各第2の半導体領域SR502-1~SR502-kは、下側から上側にかけて連続的にGeの含有率が高くなるGe濃度プロファイルを有していても良い。このような構造は、例えば、図2dに示す工程で、Si系ガス例えばSiH4に対するGe系のガス例えばGeH4の流量比を段階的に又は連続的に多くしながら、第2の半導体領域SR502-1~SR502-kを成長させることで得ることができる。以上のように、第5の実施形態では、複数の第2の半導体領域SR502-1~SR502-4のそれぞれは、上側の部分のGeの含有率が、下側の部分のGeの含有率より高い。これにより、上側の部分のGeの含有率を高くすることでフォトダイオードPD501における光電変換効率を効果的に向上させながら、下側の部分のGeの含有率を低くすることで第1の半導体領域SR1との間の格子不整を効果的に低減できる。第6の実施形態次に、第6の実施形態にかかる固体撮像装置600について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第6の実施形態は、固体撮像装置600におけるフォトダイオードPD601内の構成が、図8に示すように、第1の実施形態と異なる。具体的には、フォトダイオードPD601の第1導電型の領域RG601において、複数の第1の半導体領域SR601-1~SR601-4が、第2の半導体領域SR602の上に複数の島状に配されている。すなわち、第1導電型の領域RG601におけるSiを主材料とする第1の半導体領域とGeを含む材料からなる第2の半導体領域とが入れ替わった構造になっている。このような構造は、半導体基板SB600として、下地領域の上に埋め込み絶縁層Ge酸化層DF602及び活性層Ge層が積層されたGOIGermaniumOnInsulator基板を用意し、GOI基板のGe層内に第2の半導体領域SR602を形成するとともに、第2の半導体領域SR602の上に第1の実施形態と同様にして複数の第1の半導体領域SR601-1~SR601-4をSiを主成分とする材料で選択成長させることで得ることができる。以上のように、第6の実施形態によっても、第2の半導体領域SR602と各第1の半導体領域SR601-1~SR601-4との接触面積を小さく押さえることができるので、両者の界面における結晶欠陥の密度を許容範囲内に収めることが容易である。これにより、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる。その結果、固体撮像装置600で得られる画像信号におけるS/N比を向上できる。また、シリコンとゲルマニウムもしくは、シリコンとゲルマニウムを含有するシリコン層の界面においては、材料固有のバンド幅の違いにより、バンド障壁が存在する。この障壁の高さはゲルマニウムの濃度、N型あるいはP型不純物の濃度、印加電圧等に強く影響を受けるが、それらを考慮することによってシリコンとゲルマニウムもしくは、ゲルマニウムを含有するシリコン層において発生した電荷を取り出すことは可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"