種結晶を用いた昇華再結晶法による炭化珪素単結晶成長の製造方法において、成長雰囲気圧力を3.9kPa以上39.9kPa以下、成長温度を2100°C以上2300°C未満にして、成長中の炭化珪素単結晶に存在する基底面転位の少なくとも一部を貫通刃状転位に構造変換させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。前記構造変換の手段が、成長雰囲気圧力を3.9kPa以上13.3kPa未満、成長温度を2100°C以上2300°C未満にすることである請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。種結晶を用いた昇華再結晶法による炭化珪素単結晶成長の製造方法において、成長雰囲気圧力を1.3kPa以上3.9kPa未満、成長温度を2100°C以上2200°C未満にして、成長中の炭化珪素単結晶に存在する基底面転位の少なくとも一部を貫通刃状転位に構造変換させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。請求項1~3のいずれか1項に記載の方法で作製した炭化珪素単結晶インゴット。基底面転位密度が1000個/cm2以下の部位を有する炭化珪素単結晶インゴット。基底面転位密度が500個/cm2以下の部位を有する炭化珪素単結晶インゴット。基底面転位密度が250個/cm2以下の部位を有する炭化珪素単結晶インゴット。前記インゴットのポリタイプが4H型、6H型又は3C型のいずれかの単一ポリタイプである請求項4~7のいずれか1項に記載の方法で作製した炭化珪素単結晶インゴット。前記インゴットの口径が50mm以上300mm以下である請求項4~8のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶インゴット。請求項4~9のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶インゴットから得られる単結晶基板であって、該基板表面の基底面転位密度が1000個/cm2以下である炭化珪素単結晶基板。前記基底面転位密度が500個/cm2以下である請求項10に記載の炭化珪素単結晶基板。前記基底面転位密度が250個/cm2以下である請求項10又は11に記載の炭化珪素単結晶基板。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の成長において、基底面転位が少なく、結晶品質の高く、抵抗率が制御されたSiC単結晶を得ることができる製造方法を提供するものである。また、この方法によって得られて、基底面転位の少ない高品質のSiC単結晶基板を提供するものである。本発明は以下の構成より成るものである。1種結晶を用いた昇華再結晶法による炭化珪素単結晶成長の製造方法において、成長雰囲気圧力を3.9kPa以上39.9kPa以下、成長温度を2100°C以上2300°C未満にして、成長中の炭化珪素単結晶に存在する基底面転位の少なくとも一部を貫通刃状転位に構造変換させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。2前記構造変換の手段が、成長雰囲気圧力を4.0kPa以上13.3kPa未満、成長温度を2100°C以上2300°C未満にすることである1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。3種結晶を用いた昇華再結晶法による炭化珪素単結晶成長の製造方法において、成長雰囲気圧力を1.3kPa以上3.9kPa未満、成長温度を2100°C以上2200°C未満にして、成長中の炭化珪素単結晶に存在する基底面転位の少なくとも一部を貫通刃状転位に構造変換させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。41~3のいずれか1項に記載の方法で作製した炭化珪素単結晶インゴット。5基底面転位密度が1000個/cm2以下の部位を有する炭化珪素単結晶インゴット。6基底面転位密度が500個/cm2以下の部位を有する炭化珪素単結晶インゴット。7基底面転位密度が250個/cm2以下の部位を有する炭化珪素単結晶インゴット。8前記インゴットのポリタイプが4H型、6H型又は3C型のいずれかの単一ポリタイプである4~7のいずれか1項に記載の方法で作製した炭化珪素単結晶インゴット。9前記インゴットの口径が50mm以上300mm以下である4~8のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶インゴット。104~9のいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶インゴットから得られる単結晶基板であって、該基板表面の基底面転位密度が1000個/cm2以下である炭化珪素単結晶基板。11前記基底面転位密度が500個/cm2以下である10に記載の炭化珪素単結晶基板。12前記基底面転位密度が250個/cm2以下である10又は11に記載の炭化珪素単結晶基板。本発明のSiC単結晶の製造方法は、既存の製造装置に何ら改造を加えることなく、成長雰囲気圧力温度を制御することで、簡便に基底面転位を大幅に低減した高品質のSiC単結晶を製造できる。また、本発明のSiC単結晶は、基底面転位が少なく、この単結晶から加工された基板は高品質であるため、電子デバイス向けの基板として高い性能を発揮する。本発明により、SiC単結晶中において基底面転位を貫通刃状転位へ構造変換させることで、基底面転位の少ない高品質SiC単結晶の製造が可能となる。本発明者らは種結晶を用いた昇華再結晶法による炭化珪素単結晶成長において、成長雰囲気圧力が3.9kPa以上39.9kPa以下、かつ、成長温度を2100°C以上2300°C未満とすることで基底面転位密度が顕著に減少することを見つけた。この時、貫通刃状転位が増加していることから基底面転位が貫通刃状転位に構造変換してことが示唆された。本発明者らは、成長雰囲気圧力を3.9kPa以上39.9kPa以下、かつ、成長温度を2100°C以上2300°C未満とすることで、好ましくは、成長雰囲気圧力を3.9kPa以上13.3kPa未満、成長温度を2100°C以上2300°C未満にすることで、結晶成長速度をCVD法及び溶液成長法並みの低速成長数10μm/hを実現することができ、この時に基底面転位の貫通刃状転位への構造変換が起きることを発見した。成長雰囲気圧力が高い場合、原料ガスの拡散が抑えられるため、結晶成長表面へ到達する原料ガス量が減るために成長速度が小さくなることにつながっているものと考えられる。すなわち、成長雰囲気圧力を3.9kPa以上39.9kPa以下、かつ、成長温度を2100°C以上2300°C未満とすることで、結晶成長速度を50μm/h以下に抑えて、基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることができるようになる。また、成長雰囲気圧力1.3kPa以上3.9kPa未満、かつ、成長温度が2100°C以上2200°C未満での結晶成長中にも基底面転位の貫通刃状転位の構造変換が起きることを見出した。これは、成長温度を2100°C以上2200°C未満にすることで、原料ガスの昇華量が少なくなるために成長速度が数10μm/h程度に低速化されるため、先の場合と同様にこの構造変換が起きると考えられる。本発明によって作製されたSiC単結晶インゴットは基底面転位が少ないため、インゴットから切り出した基板からは、基底面転位起因のデバイス性能の劣化の少ない、高性能デバイスの作製が可能である。また、基底面転位はデバイス作製時の酸化膜不良を起こし、デバイス作製歩留りが低下する原因となると考えられるため、その密度は1000個/cm2以下、更には500個/cm2以下、更に望ましくは250個/cm2以下であることが好ましい。本発明は、転位の構造変換を利用した基底面転位の低減化であることから、特にポリタイプによる制限はなく、代表的なポリタイプである4H型、6H型および3C型のSiC単結晶に適用可能である。特にパワーデバイス応用として有力視されている4H型にも適用可能である。本発明のらせん転位の低減は、成長雰囲気圧力および成長温度を制御することで行われるため、適用範囲で結晶口径の制限は無く、口径50mm以上、300mm以下の結晶成長プロセスへの適用が可能である。本発明のSiC単結晶の製造方法では、高純度ガス配管やマスフローコントローラ等を用いてSiC単結晶の成長雰囲気中に供給する窒素ガス量を制御することで、結晶中への窒素ドープが可能である。これによって結晶から得られる単結晶基板の抵抗率を制御することができる。以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。図1は、本発明の実施例の結晶を製造するために用いた改良レーリー法による単結晶成長装置である。結晶成長は、昇華原料2を誘導加熱により昇華させ、種結晶1上に再結晶させることにより行われる。種結晶1は黒鉛蓋4の内面に取り付けられており、昇華原料2は黒鉛坩堝3の内部に充填される。この黒鉛坩堝3及び黒鉛蓋4は、熱シールドのために黒鉛製フェルト7で被膜され、二重石英管5内部の黒鉛支持棒6の上に設置される。石英管5の内部を真空排気装置11によって真空排気した後、高純度Arガスおよび窒素ガスを、配管9を介してマスフローコントローラ10で制御しながら流入させ、石英管内圧力成長雰囲気圧力を真空排気装置11で調整しながらワークコイル8に高周波電流を流し、黒鉛坩堝を加熱することで結晶成長を行った。成長温度は炭化珪素種結晶温度とした。予め成長しておいたSiC単結晶インゴットから、口径50mmの0001面を主面とした、オフ角が11-20方向に4度傾いた4H型のSiC単結晶基板を切り出し、研磨後、種結晶とした。成長雰囲気圧力13.3kPa、成長温度2200°Cの条件で結晶成長を行った。なお、得られた結晶の高さと成長時間から成長速度を算出すると、結晶成長速度は20μm/hであった。得られた結晶より0001面4度オフウェハを切り出し、鏡面研磨の後に、溶融KOHエッチングを行い、光学顕微鏡によって基底面転位密度および貫通刃状転位密度を計測した。ここではJTakahashietalJournalofCrystalGrowth1356170に記載されている方法に従って、530°Cの溶融KOHに試料を10分間浸漬し、貝殻型ピットを基底面転位、小型の6角形ピットを貫通刃状転位、中型大型の6角形ピットをらせん転位として、エッチピット形状から転位欠陥を分類した。基底面転位密度が4.8×102個/cm2、貫通刃状転位密度が6.5×103個/cm2であった。成長に使用した種結晶の基底面転位密度は2.5×103個/cm2、貫通刃状転位密度は4.4×103個/cm2であった。これらの増減より結晶成長中に基底面転位が貫通刃状転位に構造変換しているものと示唆される。予め成長しておいたSiC単結晶インゴットから、口径50mmの0001面を主面としたオフ角が11-20方向に4度傾いた4H型のSiC単結晶基板を切り出し、研磨後、種結晶とした。成長雰囲気圧力13.3kPaで成長温度は2150°Cの条件で結晶成長を行った。なお、このときの成長速度は15μm/hであった。得られた結晶より0001面4度オフウェハを切り出し、鏡面研磨の後に、溶融KOHエッチングを行い、光学顕微鏡によって基底面転位密度を計測した。基底面転位密度が1.5×102個/cm2であった。予め成長しておいたSiC単結晶インゴットから、口径80mmの0001面を主面としたオフ角が11-20方向に4度傾いた4H型のSiC単結晶基板を切り出し、研磨後、種結晶とした。成長雰囲気圧力1.3kPaで成長温度は2100°Cの条件で結晶成長を行った。なお、このときの成長速度は40μm/hであった。得られた結晶より0001面4度オフウェハを切り出し、鏡面研磨の後に、溶融KOHエッチングを行い、光学顕微鏡によって基底面転位密度を計測した。基底面転位密度は2.0×102個/cm2であった。比較例1予め成長しておいたSiC単結晶インゴットから、口径50mmの0001面を主面としたオフ角が11-20方向に4度傾いた4H型のSiC単結晶基板を切り出し、研磨後、種結晶とした。結晶成長は上記の通りに行い、真空排気装置で結晶成長中の雰囲気圧力を1.3kPaに調整した。成長温度は2250°Cになるようにコイル出力を調整した。結晶の0001面4度オフウェハを切り出し、鏡面研磨の後に、溶融KOHエッチングを行い、光学顕微鏡によって基底面転位密度を計測した。基底面転位密度は2×103個/cm2であった。基底面転位の著しい低減は見られなかった。