シリコン母材上に、互いに異なる既知のピーク窒素濃度を有するシリコン酸化膜が形成された、複数の既知濃度試料を準備する工程と、前記既知濃度試料夫々において、前記既知濃度試料表面に対し、二次イオン質量分析法によって、照射用一次イオンに酸素イオンを、また、前記シリコン酸化膜または前記シリコン母材の元素に関連するイオンの少なくとも一種を検出用二次イオンとして用いて、前記照射用一次イオンの照射時間に対する前記検出用二次イオンの検出強度の関係を表す、時間-強度関係グラフを得る工程と、前記時間-強度関係グラフにおける、強度極大値または強度極少値を示す前記一次イオン照射時間の特有時間値を得る工程と、前記特有時間値と、前記既知濃度試料の前記ピーク窒素濃度値との関係を表す、窒素濃度関係-特有時間関係グラフにより検量線を得る工程と、シリコン母材上に形成され、未知のピーク窒素濃度を有するシリコン酸化膜が形成された、未知濃度試料を準備する工程と、前記未知濃度試料表面に対し、二次イオン質量分析法によって深さ方向元素濃度分析を行うとき、照射用一次イオンに酸素イオンを用いて前記検出用二次イオンを含む二次イオンを検出し、前記検量線を用いて前記未知のピーク窒素濃度を定量化する工程とを、有することを特徴とする深さ方向元素濃度分析方法。前記シリコン母材は、シリコン基板またはシリコン膜であることを特徴とする請求項1記載の深さ方向元素濃度分析方法。前記特有時間値は、前記照射用一次イオンが、前記シリコン母材と前記シリコン酸化膜との界面ないしその近傍を照射していると見做される照射時間にあることを特徴とする請求項1または2記載の深さ方向元素濃度分析方法。前記検出用二次イオンは、SiOイオンまたはSiイオンであって、前記強度極小値を示すことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の深さ方向元素濃度分析方法。前記検出用二次イオンは、Si2OイオンまたはSi2イオンであって、前記強度極大値を示すことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の深さ方向元素濃度分析方法。シリコンSiやシリコン酸化膜SiO2中の窒素Nの質量分析においては、放出される二次イオンの観測の際、14Si2-が、14N-の信号に重なるため、元来、その窒素イオン信号強度そのものによる濃度分析が困難である。そのため、従来は、窒素Nを、SiNやSi2Nの分子イオンで検出し、これをSiOやSi2Oの信号で規格化することで窒素の深さ方向分布を求め、既知の濃度の標準試料によってその信号強度との比較から、試料における窒素濃度の定量を行っている。しかし、SiNやSi2Nの分子イオンの検出信号レベルは、試料測定時に試料室内真空度や試料最表面に汚染状態などによって大きく変化するため、予め、定量化実施のための窒素濃度測定用の検量線を作成して常時これを用いるといった手法を適用できない。このため、測定試料が変わるたびに、毎回その状態における標準試料を測定して、それとの比較で定量を行う必要があり、時間と手間が非常にかかっていた。そこで、本発明の課題は、二次イオン質量分析法を用いる元素濃度分布の測定方法に関し、従来困難であった検量線を新たな手法によって作成可能とし、その検量線を用いて、シリコンSi基板やシリコンSi膜からなるシリコンSi母材上に形成されたシリコン酸化膜SiO2に含有する窒素の深さ方向の定量化濃度分布の測定を、従来に比し、短時間で実施可能とすることにある。本発明の深さ方向元素濃度分析方法は、シリコン母材上に、互いに異なる既知のピーク窒素濃度を有するシリコン酸化膜が形成された、複数の既知濃度試料を準備する工程と、前記既知濃度試料夫々において、前記既知濃度試料表面に対し、二次イオン質量分析法によって、照射用一次イオンに酸素イオンを、また、前記シリコン酸化膜または前記シリコン母材の元素に関連するイオンの少なくとも一種を検出用二次イオンとして用いて、前記照射用一次イオンの照射時間に対する前記検出用二次イオンの検出強度の関係を表す、時間-強度関係グラフを得る工程と、前記時間-強度関係グラフにおける、強度極大値または強度極少値を示す前記一次イオン照射時間の特有時間値を得る工程と、前記特有時間値と、前記既知濃度試料の前記ピーク窒素濃度値との関係を表す、窒素濃度関係-特有時間関係グラフにより検量線を得る工程と、シリコン母材上に形成され、未知のピーク窒素濃度を有するシリコン酸化膜が形成された、未知濃度試料を準備する工程と、前記未知濃度試料表面に対し、二次イオン質量分析法によって深さ方向元素濃度分析を行うとき、照射用一次イオンに酸素イオンを用いて前記検出用二次イオンを含む二次イオンを検出し、前記検量線を用いて前記未知のピーク窒素濃度を定量化する工程とを、有することを特徴とする。本発明の方法により、二次イオン質量分析法を用いる元素濃度分布の測定方法において、検量線を新たな手法によって作成可能となり、その検量線を用いて、シリコンSi基板やシリコンSi膜からなるシリコンSi母材上に形成されたシリコン酸化膜SiO2に含有する窒素の深さ方向の定量化濃度分布の測定を、従来方法より短時間で実施できる。以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。検量線の作成図1は、シリコン母材シリコン基板やシリコン膜上に、膜厚2.4nmのシリコン酸化膜SiO2が形成された試料の表面に、二次イオン質量分析法により、一次イオンとして酸素イオンO2を照射し、二次イオンとして、Si2Nのイオン信号とともに、SiO、Si、Si2O、Si2のイオン信号を検出し、その測定結果を、照射時間横軸;TIMEsecに対する、信号強度縦軸;INTENSITYcount/secとして示したものである。図1において、窒素元素の深さ方向の分布状況はSi2Nの信号でモニターされ、約385secの位置に窒素の濃度のピーク値ピーク濃度P.C.、界面濃度とも称するが測定される。このピーク濃度は、同時に行った既知濃度の標準試料を用いての二次イオン質量分析法による検量線データから、4.5であることが分かっている。ところで、図1において、窒素濃度のピークの位置に対応して、同じ照射時間位置に、SiO、Siの検出信号にくぼみ即ち極小値図中Aの矢印の個所が、Si2O、Si2の検出信号にふくらみ即ち極大値図中Bの矢印の個所が観測されている。この特有の極小極大値が生じている照射時間値即ち特有時間値は、照射用一次イオンが、シリコン母材と前記シリコン酸化膜との界面ないしその近傍を照射していると見做される酸素イオン照射時間にあることが、Si2Nの信号のプロファイルから想定される。図2は、同じ酸化シリコン膜厚で、その中に異なる定量化された窒素ピーク濃度を有する測定試料の、各ピーク濃度P.C.における、SiO信号のみの、照射時間横軸;TIMEsecに対する、信号強度縦軸;INTENSITYcount/secの測定結果を示したものである。図に示すように、この3種の窒素ピーク濃度試料における夫々のSiO信号の極小値が発生している一次イオン照射時間が、高濃度になるに従って長時間方向に移動する。図3に、図2をもとに、横軸に窒素のピーク濃度値PEAKNCONCENTRATIONとし、縦軸を各濃度においてSiO信号の極小値が現れる照射時間即ち特有時間値としてプロットしたものを示す。図からわかるように、両者は、良い比例関係を示しており、この結果は新たな知見である。上記の結果は、SiOの極小値に限らず、Siの極小値、またSi2O、Si2の極大値のプロットにおいても、同様な比例関係が得られた。そして、この比例関係は、測定試料の表面状態や試料室真空度が異なったときでも、検出強度のレベルは大きな影響を受けるが、この比例関係は保持されている。また、このピーク濃度と極小値あるいは極大値の発生照射時間、即ち特有時間値との比例関係は、シリコン酸化膜SiO2膜厚が異なると、異なる比例関係を得る。一次イオン酸素イオンの照射時間、即ちシリコン酸化膜SiO2膜のスパッタリング実施時間の経過において、同じ深さ位置距離に窒素濃度ピークの層があっても、窒素のピーク濃度の違いや窒素量の増加あるいは減少傾向の状況に伴ってスパッタ収率時間当たりスパッタリングによるエッチングされるスピードに変化が生じ、従って、その変化によって放出される分子や元素イオンの量に変化が生じ、結果として極小極大値が現れる時間スパッタリング経過時間に相違が生じるものと思われる。本発明においては、上記の、窒素ピーク濃度と、その濃度での特定の二次イオン検出強度時間推移における極小値あるいは極大値の発生時間即ち特有時間値との比例関係を、検量線として用い、極小値あるいは極大値発生の特定の照射時間を測定で知ることによって、測定のたびに標準試料を用いること無く、対象試料の窒素濃度を定量しようとするものである。実施例図4に、図3の検量線を用いて、定量した、本方法によって得られた深さ方向窒素濃度分布深さ方向;照射時間Nおよび従来法によって得られた同分布Tを合わせて示す。従来法においては、通常、深さ方向照射時間に対する窒素濃度プロファイル非定量の相対値は、既述の様に、窒素Nを、SiNやSi2Nの分子イオンの深さ方向分布から検出し、これをSiOやSi2Oの信号で規格化して決定する。窒素濃度の定量については、従来法においては、例えば、窒素濃度の異なる3種類の標準試料をそれぞれ2回測定して、今回測定試料の測定値と比較して定量を行い、定量精度を確認している。この場合、一回の標準試料測定に約40分かかることから、定量用標準試料測定だけに約4時間の測定時間を必要とする。こうして得た定量値を規格化した窒素濃度プロファイルに反映したものが、従来法での深さ方向窒素濃度分布Tである。他方、本発明の方法では、図1の様に、Si2Nのイオン信号とともに同時に、例えば、SiO、Si、Si2O、Si2のイオン信号の照射時間依存測定値を精度よく取得し、Si2Nのイオン信号の照射時間依存の窒素濃度プロファイルを、例えば、SiOまたはSi2Oの信号で規格化して正規化窒素濃度プロファイルとする。これは、基本的に、従来法と同様である。しかし、窒素濃度の定量化に関しては、予め得ていた、図3のグラフを検量線として用い、例えば測定されたSiOの信号の照射時間依存測定値の極小値が生じた照射時間の特有時間値から、そのピーク濃度を割り出し、この濃度をもとに、正規化窒素濃度プロファイルを定量化窒素濃度プロファイル照射時間軸にしたものが、本方法での深さ方向窒素濃度分布Nである。図4から明らかなように、従来法での深さ方向窒素濃度分布Tと本方法での深さ方向窒素濃度分布Nとはよく一致している。以上のように、従来と同様な精度で深さ方向窒素濃度分布を取得可能な本方法は、大幅に測定時間を短縮できることが判った。図5は、上記実施例によって実現可能となった、本発明の深さ方向濃度分析方法の実施フローである。即ち、図5において、先ずSTART、Si基板母材上のSiO2膜中、互いに異なる既知のピーク窒素濃度を有する、複数の窒素既知濃度の試料を準備するステップ1、S1。各試料に対し、SIMS二次イオン質量分析法による測定を行うが、照射用の一次イオンとして酸素イオンを用い、検出用の二次イオンとして、SiO2膜またはSi基板母材構成元素に関連するイオンSi2N、SiO、Si、Si2O、Si2などのイオンを用いるステップ2、S2。上記試料と同条件で、試料元素関連イオンの特定イオンに関する、一次イオン照射時間対二次イオン検出強度の関係グラフを、各濃度の試料毎に取得するステップ3、S3。取得した、一次イオン照射時間対二次イオン検出強度の関係グラフの特定二次イオンにおける、強度極大値または強度極少値を示す、一次イオン照射時間の特有時間値を、各濃度試料毎に取得するステップ4、S4。取得した特有時間値から、窒素濃度-特有時間値の関係グラフを作成し、これを検量線として取得する。ステップ5、S5。以上の、検量線取得が事前準備である。そして、次に、同様な母材膜構成Si基板母材上のSiO2膜で、SiO2膜中の窒素ピーク濃度が未知の測定対象試料を準備し、これの窒素濃度を定量するステップ6、S6。測定対象試料に対し、SIMS二次イオン質量分析法による測定を行う。照射用の一次イオンとして酸素イオンを用い、検出用の二次イオンとして、SiO2膜またはSi基板母材構成元素に関連するイオンSi2N、SiO、Si、Si2O、Si2などのイオンを用いるステップ7、S7。試料元素関連イオンの特定イオンに関する、一次イオン照射時間対二次イオン検出強度の関係グラフを取得するステップ8、S8。取得した、一次イオン照射時間対二次イオン検出強度の関係グラフの特定二次イオンにおける、強度極大値または強度極少値を示す、一次イオン照射時間の特有時間値を取得するステップ9、S9。取得した特有時間値を、ステップ5で取得した検量線に当てはめステップ10、S10、これから、窒素濃度を求めることで、窒素濃度の定量を行うことができるステップ11、S11。本発明の方法に用いる検量線は、基本的に、測定試料の表面状態や、測定時の試料室内の真空度の差異などに影響を受けないため、一度検量線を取得しておくことで、新規の測定試料を測定する際への適用が非常に容易である点でも、非常に優れているといえる。