弾性波モジュールAWMと;前記AWM並列に接続され、又は前記AWMに直列接続された第1のキャパシタモジュールであって、前記弾性波モジュールは、電気的信号を変換し、かつ前記AWMの組合せ及び前記第1のキャパシタモジュールは、前記電気的信号を修正する、第1のキャパシタモジュールと;を有する、電気的信号処理システム。前記AWMは、前記電気的信号をフィルタリングする、請求項1記載の電気的信号処理システム。前記AWMフィルタは、共振周波数及び反共振周波数を持つ、請求項1又は2記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、前記共振周波数及び前記反共振周波数を修正する、請求項3記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、前記AWMと並列接続される、請求項2ないし4のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記AWMの組合せ及び前記第1のキャパシタモジュールは、AWMの反共振周波数を修正する、請求項5記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、前記AWMに直列接続される、請求項2ないし4のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記AWMの組合せ及び前記第1のキャパシタモジュールは、AWMの共振周波数を修正する、請求項7記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項1ないし8のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、共振周波数及び前記反共振周波数の1つを可変的に修正する、請求項9記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、前記AWMに並列接続されている、請求項9又は10記載の電気的信号処理システム。前記AWMの組合せ及び前記第1のキャパシタモジュールは、AWMの反共振周波数を可変的に修正する、請求項11記載の電気的信号処理システム。前記AWMに並列接続された前記第1のキャパシタモジュールと、更に前記AWMモジュールに直列接続された第2のキャパシタモジュールを有する、請求項3記載の電気的信号処理システム。前記AWMの組合せ、前記第1のキャパシタモジュール、及び前記第2のキャパシタモジュールは、前記AWMの共振周波数及びAWMの反共振周波数を修正する、請求項13記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項14記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、前記AWMの反共振周波数を可変的に修正する、請求項15記載の電気的信号処理システム。前記第2のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項16記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュール、及び前記第2のキャパシタモジュールは、前記AWMの反共振周波数及び共振周波数を可変的に修正する、請求項17記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、少なくとも2つの選択可能なキャパシタを含む、請求項1記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、少なくとも1つの第1のキャパシタンス及び第2のキャパシタンスを含み可変であり、前記第1のキャパシタンスの値は、前記第2のキャパシタンスの整数倍である、請求項1記載の電気的信号処理システム。第1の弾性波モジュールFAWMと;前記FAWMに並列接続された第1のキャパシタと;第2の弾性波モジュールSAWMであって、前記SAWMは、前記FAWM及びグランドに接続されている、SAWMと;を有し、電気的信号は、前記FAWMと、前記SAWMと、前記第1のキャパシタモジュールとの組合せにより処理される、電気的信号処理システム。前記FAWMは、前記電気的信号をフィルタリングし、かつ前記SAWMは、前記電気的信号をフィルタリングする、請求項21記載の電気的信号処理システム。前記FAWMフィルタは、共振周波数RFA1、及び反共振周波数AFA1を持ち、前記SAWMフィルタは、共振周波数RFA2、及び反共振周波数AFA2を持つ、請求項22記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、反共振周波数AFA1を修正する、請求項23記載の電気的信号処理システム。前記RFA1は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記AFA1は、有効なストップバンドを形成する、請求項23記載の電気的信号処理システム。前記AFA2は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記RFA2は、有効なストップバンドを形成する、請求項25記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記SAWMの組合せは、帯域通過フィルタを形成する、請求項26記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及びSAWMの組合せは、帯域除去フィルタを形成する、請求項26記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項26ないし28のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記FAWMの組合せ、前記可変の第1のキャパシタモジュール、及び前記SAWMは、調整可能な帯域通過フィルタを形成する、請求項29記載の電気的信号処理システム。前記FAWM、前記可変の第1のキャパシタモジュール、及び前記SAWMは、調整可能な帯域除去フィルタを形成する、請求項29記載の電気的信号処理システム。1つのSAWMモジュールに並列接続され、1つのSAWMモジュールに直列接続されている、第2のキャパシタモジュール、を更に有する請求項23記載の電気的信号処理システム。前記第2のキャパシタモジュールは、前記RFA2及び前記AFA2のうちの1つを修正する、請求項32記載の電気的信号処理システム。前記SAWMモジュールに並列接続された第2のキャパシタモジュールを更に有し、前記第2のキャパシタモジュールは、前記AFA2を修正する、請求項23記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変であり、かつ前記AFA1を可変的に修正する、請求項23記載の電気的信号処理システム。前記第2のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変であり、かつ前記AFA2を可変的に修正する、請求項32又は33記載の電気的信号処理システム。前記第2のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変である、請求項32又は33記載の電気的信号処理システム。前記SAWMモジュールに直列接続された第2のキャパシタモジュールを更に有し、前記第2のキャパシタモジュールは、前記RFA2を修正する、請求項23記載の電気的信号処理システム。前記第2のキャパシタモジュールは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み可変であり、かつ前記RFA2を可変的に修正する、請求項38記載の電気的信号処理システム。前記第1のキャパシタモジュールは、少なくとも第1のキャパシタンス及び第2のキャパシタンスを含み可変であり、前記第1のキャパシタンスの値は、前記第2のキャパシタンスの整数倍である、請求項35記載の電気的信号処理システム。第1の弾性波モジュールFAWMと;前記FAWMに並列接続され、又は前記FAWMに直列接続された第1の可変キャパシタモジュールFVCMであって、前記FVCMは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは第1の制御線を介して選択可能である、FVCMと;前記FAWMの又はその近傍の温度の指標を提供する温度検出モジュールと;前記温度の指標を受け取り、少なくとも前記温度の指標の一部に基づき、前記第1の制御線を介して、前記複数のFVCMの選択可能なキャパシタンスの1つを選択する、プロセッサと;を有する電気的信号処理システム。前記FAWMは、前記電気的信号をフィルタリングし、かつ前記FAWMフィルタは、共振周波数RFA1、及び反共振周波数AFA1を持つ、請求項41記載の電気的信号処理システム。前記FAWMのRFA1及びAFA1は、前記FAWMの前記温度の関数として変化する、請求項42記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは、RFA1及び前記AFA1のうち1つを修正する、請求項43記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは、FAWMに並列接続され、かつ前記FAWM及び前記FVCMの組合せはAFA1を修正する、請求項43記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは、前記FAWMに直列接続され、かつ前記FAWM及び前記FVCMの組合せはAFA1を修正する、請求項43記載の電気的信号処理システム。前記FCVMは、前記FAWMと並列接続され、前記FAWMに直列接続された第2の可変キャパシタモジュールSVCMを更に有し、前記SVCMは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは第2の制御線を介して選択可能であり、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標を受け取り、かつ前記温度の指標の少なくとも一部に基づき、前記第2の制御線を介して複数のSVCMの選択可能なキャパシタンスの1つを選択する、請求項43記載の電気的信号処理システム。前記FAWM、前記FCVM、及び前記SVCMの組合せは、前記RFA1及び前記AFA1を修正する、請求項47記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは、少なくとも2つの選択可能なキャパシタを含み、かつ前記SVCMは、少なくとも2つの選択可能なキャパシタを含む、請求項47又は48記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは少なくとも第1のキャパシタンス及び第2のキャパシタンスを含み、前記第1のキャパシタンスは、前記第2のキャパシタンスの整数倍である、請求項47又は48記載の電気的信号処理システム。前記SVCMは、少なくとも第1のキャパシタンス及び第2のキャシパタンスを含み、前記第1のキャパシタンスは、前記第2のキャパシタンスの整数倍である、請求項50記載の電気的信号処理システム。第2の弾性波モジュールSAWMを更に有し、前記SAWMは、前記FAWMとグランドとに接続されており、前記SAWMフィルタは、共振周波数RFA2及び反共振周波数AFA2を持つ、請求項41ないし51のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記SAWMに並列接続され、又は前記SAWMに直列接続された第3の可変キャパシタモジュールTVCMを更に有し、前記TVCMは、複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第3の制御線を介して選択可能であり、前記プロセッサは、前記温度の指標を受け取り、かつ前記温度の指標の少なくとも一部に基づき、前記複数のTVCMの選択可能なキャパシタンスの1つを選択する、請求項52記載の電気的信号処理システム。前記TVCMは、前記RFA2及び前記AFA2のうち1つを修正する、請求項53記載の電気的信号処理システム。前記RFA1は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記AFA1は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記AFA2は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記RFA2は、有効なストップバンドを形成する、請求項54記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記SAWMの組合せは、帯域通過フィルタ及び帯域除去フィルタのうち1つを形成する、請求項55記載の電気的信号処理システム。前記FAWM、前記FVCM、前記SAWM、及び前記TVCMの組合せは、調整可能な帯域通過フィルタ、及び帯域除去フィルタのうち1つを形成する、請求項55記載の電気的信号処理システム。前記プロセッサは、FVCMのキャパシタンスの選択信号を受け取り、前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記FVCMのキャパシタンス選択信号の少なくとも一部に基づき、前記複数のFVCMの選択可能なキャパシタンスを、前記第1の制御線を介して、選択する、請求項41ないし57のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記プロセッサは、前記FAWMに対する温度変化データを含み、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記FAWM温度変化データの少なくとも一部に基づき、前記複数のFVCMの選択可能なキャパシタンスのうちの1つを、前記第1の制御線を介して、選択する、請求項41ないし58のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記プロセッサは、SAWMに対する温度変化データを含み、かつ前記プロセッサは、前記温度の指標、及び前記SAWM温度変化データの少なくとも一部に基づき、前記複数のTVCMの選択可能なキャパシタンスを、前記第3の制御線を介して、選択する請求項53記載の電気的信号処理システム。第1の弾性波モジュールFAWMと;前記FAWMに並列接続された第1のスイッチであって、前記第1のスイッチは、閉じられたときにFAWMをバイパスし、前記FAWMは、前記第1のスイッチが開である場合に電気的信号をフィルタリングし、かつ前記FAWMは、共振周波数RFA1及び反共振周波数AFA1を持つ、第1のスイッチと;第2の弾性波モジュールSAWMであって、前記SAWMは、前記FAWMと直列接続されている、SAWMと;前記SAWMに並列接続されたスイッチであって、前記第2のスイッチは、閉じられたときにSAWMをバイパスし、前記SAWMは、前記第2のスイッチがかいである場合に電気的信号をフィルタリングし、かつ前記SAWMは、共振周波数RFA2及び反共振周波数AFA2を持つ、第2のスイッチと;を有し、前記RFA1及びRFA2は、周波数オフセットがかけられている、電気的信号処理システム。前記RFA1は、周波数マグニチュードを持ち、前記周波数オフセットは、RFA1の周波数マグニチュードの5より大きい、請求項61記載の電気的信号処理システム。前記RFA1は、周波数マグニチュードを持ち、前記周波数オフセットは、RFA1の周波数マグニチュードの10より大きい、請求項62記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに並列接続され、又は前記FAWMに直列接続された第1のキャパシタモジュールFCMを更に有し、前記FCMは、RFA1及びAFA1のうち1つを修正する、請求項61ないし63のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記SAWMに並列接続され、又は前記SAWMに直列接続された第2のキャパシタモジュールSCMを更に有し、前記SCMは、RFA2及びAFA2のうち1つを修正する、請求項64記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記SAWMの直列の組合せに並列接続された第1のキャパシタモジュールFCMを更に有し、前記FCMは、AFA1及びAFA2を修正する、請求項61記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに直列接続された第2のキャパシタモジュールを更に有し、前記SCMは、前記RFA1を修正する、請求項66記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに並列接続され、又は前記FAWMに直列接続された第1の可変キャパシタモジュールFVCMを更に有し、前記FVCMは前記RFA1及び前記AFA1を可変的に修正する、請求項61記載の電気的信号処理システム。前記SAWMに並列接続され、又は前記SAWMに直列接続された第2の可変キャパシタモジュールを更に有し、前記SVCMは、前記RFA2及びAFA2のうちの1つを可変的に修正する、請求項68記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記SAWMとの直列接続の組合せに並列接続された第1の可変キャパシタモジュールFVCMを更に有し、前記FVCMは前記AFA1及びAFA2を可変的に修正する、請求項61記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに直列接続された第2の可変キャパシタモジュールSVCMを更に有し、前記SVCMは前記RFA1を可変的に修正する、請求項70記載の電気的信号処理システム。前記RFA1は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記第1のスイッチが開であるとき、前記AFA1は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、前記RFA2は、有効な通過バンドを形成し、前記AFA2は有効なストップバンドを形成する、請求項61ないし71のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは、少なくとも第1のキャパシタンス及び第2のキャパシタンスを含み可変であり、前記第1のキャパシタンスの値は前記第2のキャパシタンスの整数倍である、請求項68記載の電気的信号処理システム。第3の弾性波モジュールTAWMを更に有し、前記TAWMは、前記FAWM及び前記SAWMの直列接続の間と、グランドとに接続され、前記TAWMは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記TAWMは共振周波数RFA3及び反共振周波数AFA3を持つ、請求項61ないし73のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記AFA3は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記RFA3は、有効なストップバンドを形成する、請求項74記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチがかいであり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、第1の帯域通過フィルタを形成し、前記SAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、第2のバンドバスフィルタを形成する、請求項75記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、第1の帯域除去フィルタを形成し、かつ前記SAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、帯域除去フィルタを形成する、請求項75記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、帯域通過フィルタを形成し、かつ前記SAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、帯域通過フィルタを形成する、請求項75記載の電気的信号処理システム。第3の弾性波モジュールTAWMを更に含み、前記TAWMは、前記FAWM及び前記SAWMの直列接続の間と、グランドとに接続され、前記TAWMは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記TAWMは共振周波数RFA3及び反共振周波数AFA3を持ち、前記AFA3は、有効な通過バンドを形成し、かつRFA3は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記FAWM、前記FVCM、及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、第1の可変フィルタを形成し、かつ前記SAWM、前記FVCM、及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、第2の可変フィルタを形成する、請求項70記載の電気的信号処理システム。第3の弾性波モジュールTAWMを更に含み、前記TAWMは、前記FAWM及び前記SAWMの直列接続の間と、グランドとに接続され、前記TAWMは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記TAWMは共振周波数RFA3及び反共振周波数AFA3を持ち、前記AFA3は、有効な通過バンドを形成し、かつRFA3は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記FAWM、前記FVCM、及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、第1の可変フィルタを形成し、かつ前記SAWM、前記FVCM、及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、第2の可変フィルタを形成する、請求項69記載の電気的信号処理システム。第1の弾性波モジュールFAWMと;前記FAWMに直列接続された第1のスイッチであって、前記第1のスイッチは、前記第1のスイッチが閉であるとき、前記FAWMを短絡させ、かつ前記FAWMは、共振周波数RFA1及び反共振周波数AFA1を持つ、第1のスイッチと;第2の弾性波モジュールSAWMと;前記SAWMに直列接続された第2のスイッチであって、前記第2のスイッチは、前記第2のスイッチが閉であるとき、前記SAWMを短絡させ、かつSAWMは、共振周波数RFA2及び反共振周波数AFA2を持つ、第2のスイッチと;を有し、前記RFA1及びRFA2は、周波数オフセットがかけられており、かつ前記第1のスイッチに接続された前記FAWMは、前記第2のスイッチに接続された前記SAWMの組合せに並列である、電気的信号処理システム。前記RFA1は周波数マグニチュードを持ち、かつ前記周波数オフセットは、前記RFA1の周波数マグニチュードの5より大きい、請求項81記載の電気的信号処理システム。前記RFA1は周波数マグニチュードを持ち、かつ周波数オフセットは前記RFA1の周波数マグニチュードの10より大きい、請求項82記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに並列接続され、又は前記FAWMに直列接続された第1のキャパシタモジュールFCMを更に有し、前記FCMは前記RFA1及びAFA1のうち1つを修正する、請求項81ないし83のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記SAWMに並列接続され、又は前記SAWMに直列接続された第2のキャパシタモジュールSCMを更に有し、前記SCMは前記RFA2及びAFA2のうち1つを修正する、請求項84記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに直列接続された前記第1のスイッチの組合せと、前記SAWMに直列接続された前記第2のスイッチとに、並列接続された第1のキャパシタモジュールFCMを更に有し、前記FCMは前記AFA1及び前記AFA2を修正する、請求項81記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに直列接続された第2のキャパシタモジュールSCMを更に有し、前記SCMは前記RFA1を修正する、請求項86記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに並列接続され、又は前記FAWMに直列接続された第1の可変キャパシタモジュールFVCMを更に有し、前記FVCMは、前記RFA1及びAFA1の1つを可変的に修正する、請求項81記載の電気的信号処理システム。前記SAWMに並列接続され、又は前記SAWMに直列接続された第2の可変キャパシタモジュールSVCMを更に有し、前記SVCMは、前記RFA2及びAFA2の1つを可変的に修正する、請求項88記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに直列接続された前記第1のスイッチの組合せと、前記SAWMに直列接続された第2のスイッチとに、並列接続された第1の可変キャパシタモジュールFVCMを更に有し、前記FVCMは、AFA1及びAFA2を可変的に修正する、請求項81記載の電気的信号処理システム。前記FAWMに直列接続された第2のキャパシタモジュールSVCMを更に有し、前記SVCMは前記RFA1を可変的に修正する、請求項90記載の電気的信号処理システム。前記RFA1は、有効な通過バンドを形成し、前記AFA1は、前記第1のスイッチが閉であるとき、有効なストップバンドを形成し、前記第2のスイッチが閉であるとき、前記RFA2は、有効な通過バンドを形成し、前記AFA2は、有効なストップバンドを形成する、請求項91記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは、第1のキャパシタンス及び第2のキャパシタンスを含み可変であり、前記第1のキャパシタンスは、前記第2のキャパシタンスの整数倍である、請求項88記載の電気的信号処理システム。第3の弾性波モジュールTAWMを有し、前記TAWMは、前記FAWM及び前記SAWMに接続され、かつグランドに接続され、前記TAWMは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記TAWMは、共振周波数RFA3、及び反共振周波数AFA3を持ち、前AFA3は、有効な通過バンドを形成し、前記RFA3は、有効なストップバンドを形成する、請求項81ないし93記載のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記FAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、前記第2のスイッチが開であるとき、第1のフィルタを形成し、前記SAWM及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であり、前記第2のスイッチが閉であるとき、第2のファイルタを形成する、請求項94記載の電気的信号処理システム。第3の弾性波モジュールTAWMを有し、前記TAWMは、前記FAWM及び前記SAWMに接続され、かつグランドに接続され、前記TAWMは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記TAWMは、共振周波数RFA3、及び反共振周波数AFA3を持ち、前記AFA3は、有効な通過バンドを形成し、前記RFA3は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記FAWM、前記FVCM、及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、第1の可変フィルタを形成し、前記SAWM、前記FVCM、及び前記TAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、第2の可変フィルタを形成する、請求項90記載の電気的信号処理システム。前記第1のスイッチに直列接続され、前記FAWMに並列接続された第4の弾性波モジュールRAWMを更に有し、前記第1のスイッチは開の場合、前記FAWM及び前記RAWMを短絡し、前記RAWMは、前記第1のスイッチが閉であるとき、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記RAWMは、共振周波数RFA4及び反共振周波数AFA4を持つ、請求項81記載の電気的信号処理システム。前記第2のスイッチに直列接続され、前記SAWMに並列接続された第5の弾性波モジュールHAWMを更に有し、前記第2のスイッチは、前記第2のスイッチが閉であるとき、前記SAWM及び前記HAWMを短絡し、かつ前記HAWMは共振周波数RFA5及び反共振周波数AFA5を持つ、請求項97記載の電気的信号処理システム。前記RFA1は周波数マグニチュードを持ち、かつRFA1とRFA4との間の周波数オフセットは、前記RFA1の周波数マグニチュードの10より大きい、請求項97記載の電気的信号処理システム。前記RFA2は、周波数マグニチュードを持ち、RFA2とRFA5との間の前記周波数オフセットは、前記RFA2の周波数マグニチュードの10より大きい、請求項98記載の電気的信号処理システム。第1の弾性波モジュールFAWMであって、前記FAWMは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記FAWMは、共振周波数RFA1及び反共振周波数AFA1を持つ、FAWMと;第2の弾性波モジュールSAWMであって、前記SAWMは前記FAWMに直列接続され、前記SAWMは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記SAWMは、共振周波数RFA2、及び反共振周波数AFA2を持つ、SAWMと;前記SAWMに並列接続された第1の可変キャパシタモジュールFVCMであって、前記FVCMは複数の選択可能なキャパシタンスを含み、前記キャパシタンスは、第1の制御線を介して、選択可能であり、かつ前記FVCMは、前記AFA2を可変的に修正する、FVCMと;を有し、前記AFA1及びAFA2は、マグニチュードにおいて同等であり、温度に基づき、前記FAWMのFAF1は、変化する、電気的信号処理システム。プロセッサを更に有し、前記プロセッサは、前記第1の制御線を介して、AFA1に基づきAFA2をシフトするために、前記複数のFVCMの選択可能なキャパシタンスの1つを選択する、請求項101記載の電気的信号処理システム。前記FAWMの又はその近傍の温度の指標を提供する温度検出モジュールと、前記温度の指標の少なくとも一部に基づき、AFA2をシフトするための前記第1の制御線を介して、前記複数のFVCMの選択可能なキャパシタンスを選択するプロセッサと、を更に有する請求項102記載の電気的信号処理システム。前記SAWMに直列接続された第1のスイッチであって、前記第1のスイッチは開のときに、前記SAWMを短絡させ、前記SAWMは、前記第1のスイッチが閉のとき、電気的信号をフィルタリングする、第1のスイッチと;第3の弾性波モジュールTAWMと;前記TAWMに直列接続された第2のスイッチであって、前記第2のスイッチは開のときに、前記TAWMを短絡させ、前記TAWMは、前記第2のスイッチが閉のときに、電気的信号をフィルタリングし、前記TAWMは、共振周波数RFA3及び反共振周波数AFA3を持つ、第2のスイッチと;を更に有し、前記RFA2及びRFA3は、周波数オフセットがかけられており、前記SAWMと前記第1のスイッチとの直列接続の組合せと、前記FAWMと前記第2のスイッチとの直列接続の組合せとは、並列である、請求項103に記載の電気的信号処理システム。前記SAWMに直列接続された第2のキャパシタモジュールSCMを更に有し、前記SCMは、前記RFA2を修正する、請求項104記載の電気的信号処理システム。前記TAWMに並列接続され、又は前記TAWMに直列接続された第2の可変キャパシタモジュールSVCMを更に有し、前記SVCMは、前記RFA2及びAFA2の1つを可変的に修正する、請求項101ないし105のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記第1の可変キャパシタモジュールFVCMは、前記SAWMに直列接続された第1のスイッチの組合せと、前記TAWMに直列接続された第2のスイッチの組合せとに、並列接続され、前記FVCMは、前記AFA2及び前記AFA3を可変的に修正する、請求項101ないし105のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。前記SAWMと並列接続された第2の可変キャパシタモジュールSVCMを更に有し、前記SVCMは前記RFA2を可変的に修正する、請求項107記載の電気的信号処理システム。前記RFA2は、前記だい1のスイッチが閉であるとき、有効な通過バンドを形成し、かつ前記AFA2は、有効なストップバンドを形成し、前記RFA3は、前記第2のスイッチが閉であるとき、有効なストップバンドを形成する、請求項108記載の電気的信号処理システム。前記FVCMは、少なくとも第1のキャパシタンス及び第2のキャパシタンスを含み、前記第1のキャパシタンスの値は、前記第2のキャパシタンスの値の整数倍である、請求項101ないし109のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。第4の弾性波モジュールRAWMを更に有し、前記RAWMは、前記SAWMと、前記TAWMと、グランドとに接続され、前記RAWMは、電気的信号をフィルタリングし、かつ前記RAWMは、共振周波数RFA4及び反共振周波数AFA4を持ち、前記AFA4は、有効な通過バンドを形成し、かつ前記RFA4は有効なストップバンドを形成する、請求項104記載の電気的信号処理システム。前記FAWM、SAWM、FVCM及び前記RAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、第1のフィルタを形成し、前記FAWM、TAWM、及び前記RAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であるとき、第2のフィルタを形成する、請求項111記載の電気的信号処理システム。第4の弾性波モジュールRAWMを更に有し、前記RAWMは前記SAWM、及び前記TAWM、及びグランドに接続され、前記RAWMは電気的信号をフィルタリングし、かつ前記RAWMは、共振周波数RFA4及び反共振周波数AFA4を持ち、前記AFA4は、有効な通過バンドを形成し、前記RFA4は、有効なストップバンドを形成し、かつ前記FAWM、前記SAWM、前記FVCM、及び前記RAWMの組合せは、前記第1のスイッチが閉であり、かつ前記第2のスイッチが開であるとき、第1の可変フィルタを形成し、かつ前記FAWM、TAWM、前記FVCM、及び前記RAWMの組合せは、前記第1のスイッチが開であり、かつ前記第2のスイッチが閉であるとき、第2のフィルタを形成する、請求項107記載の電気的信号処理システム。第1のスイッチに直列接続され、かつ前記SAWMに並列接続された第5の弾性波モジュールHAWMを更に有し、前記第1のスイッチは開のとき、前記SAWM及び前記HAWMを短絡し、前記HAWMは、前記第1のスイッチが閉であるとき、電気的信号を短絡し、前記HAWMは、共振周波数RFA5及び反共振周波数AFA5を持つ、請求項101ないし113のうちいずれか1項記載の電気的信号処理システム。第2のスイッチに直列接続され、かつ前記TAWMに並列接続された第6の弾性波モジュールXAWMを更に有し、前記第2のスイッチは開のときに、前記TAWM及び前記XAWMを短絡し、前記XAWMは、前記第2のスイッチが閉であるとき、電気的信号をフィルタリングし、前記XAWMは、共振周波数RFA6及び反共振周波数AFA6を持つ、請求項114記載の電気的信号処理システム。前記RFA2は周波数マグニチュードを持ち、かつR1つ以上の共振器を調整することによって、その共振点及び反共振点をシフトさせることを含み、共振回路を提供する。本発明は、このような調整及び回路を提供する。一実施例は、弾性波モジュールAWMと;前記AWM並列に接続され、又は前記AWMに直列接続された第1のキャパシタモジュールであって、前記弾性波モジュールは、電気的信号を変換し、かつ前記AWMの組合せ及び前記第1のキャパシタモジュールは、前記電気的信号を修正する、第1のキャパシタモジュールと;を有する、電気的信号処理システムを提供する。図1Aは、種々の実施例における二重通信トランシーバのアーキテクチャ10の概略ブロック図である。図1Aに示すように、アーキテクチャ10は、パワーアンプモジュールPA12と、信号送受切替器モジュール20と、無線RFスイッチモジュール40と、ミキサーモジュール60Aと、及びRF信号アンテナ50とを含む。動作において、アンテナ50から送信すべき信号8は、PAモジュール12を介して増幅され、送受切替器モジュール20によってフィルタリングされ、かつRFスイッチモジュール40を介してアンテナ50に接続される。二重信号アーキテクチャにおいて、アンテナ50で受信された信号は、送受切替器モジュール20において、同時に処理される。結果として受信された信号24は、LNAモジュール14によって増幅され、かつミキサーモジュール60A及び基準周波数信号を介してベースバンド信号60Cにダウンミックスされる。図1Bは、種々の実施例におけるRFチャネル構成70Aの概要の図を示している。図1Bに示すように、送信TXバンド73A及び受信RXバンド73Bは、近接した周波数に位置している。TXバンドは、72A及び72BRXバンドの開始及び終了により定義される幅を持つ。そして、バンドの周波数分離は、72C及び72BRXバンドの開始と、TXバンドの終了との間の差となる。図1C及び図1Gに示すように、TXバンド73A及びRXバンド73Bは、複数のサブバンド又はユニット74A、74B、74C、及び75A、75B、及び75Cを含むアンテナ50において、TXバンドの信号エネルギ73Aは、図1B及び図1Cに示すように、RXバンド信号エネルギよりも大きい。信号エネルギにおけるこのような差は、二重信号アーキテクチャ10において、LNAモジュール14を飽和させ、RX信号24を遮断する。送受切替器20は、図2Fに示すように1つ以上のフィルタを有し、TX及びRXバンド73A、73BにおけるTX及びRX信号の混信を規制する。混合されたTX及びRX信号42は、1つ以上の通信プロトコル又は規格に従って転送される。プロトコル又は規格としては、符号分割多元接続CDMA、ワイドバンド符号分割多元接続W-CDMA、WIMAX、GSM登録商標、EDGE、及びその他の無線通信規格又はプロトコルが挙げられる。このような規格又はプロトコルは、アンテナ50を介した対応するネットワークにおける信号の通信に対する最低限の信号分離又は干渉の緩和の要件を提供する。PAモジュール12は、増幅するべきTXバンド周辺のパワーの減少により、ノイズ又は干渉を発生させる。過剰なPAパワーは、LANモジュール14の動作に対して干渉を発生させる。TX、RXバンド73A、73Bの近傍又はこれらの間の、他の通信ネットワークの信号に起因し得るアンテナ50に存在する、ブロッカー信号blockersignalも、同様にLANモジュール14の動作に干渉し、RX信号24の減少を引き起こす。二重システム又はアーキテクチャ10は、フィルタモジュールを導入し、かつ送受切替器モジュールを含む。送受切替器モジュールは、既知のフィルタ要素を含む。例えば、抵抗、キャパシタ、インダクタ、DSP、及び共振器が挙げられる。これらのコンポーネントの構成は、フィルタモジュールを構成し、1つ以上の通信プロトコル又は規格に従って、隣接チャネル又はバンドの干渉の要件を満たすかまたはこれを超えるように構成される。実施例において、チャネル構成70Aは、CDMAバンドVの信号に用いることができる。この場合、TXバンド73Aは、824から849MHz72A、72B及び、RXバンド73Bは、869から894MHz72C、72Dの帯域をカバーする。この構成において、TXバンド73A及びRXバンド73Bは、25MHz幅を持ち、20MHzだけ離れている72C-72B。図1Cから図1Gに示すように、TXバンド73Aは、複数のサブバンド74A、74B、74Cを持ち、RXバンド73Bは、複数のサブバンド75A、75B、75Cを持つ。実施例において、サブバンドは、約1.5MHz幅CDMA及び5MHz幅W-CDMAを持つ。隣接バンド間の干渉を制限するために、TXバンド73Aに対して、図1Dに示す周波数特性76Aを有するフィルタモジュールが適用される。同様に、RXバンド73Bに対して、図1Eに示す周波数特性76Bを有するフィルタモジュールが適用される。図1D及び図1Eに示されるように、フィルタ特性76A、76Bは、理論的には、通信バンド通過バンドのいずれの側においても、高いdBロールアウトrolloutを持つ。当業者に理解できるように、このようなフィルタ特性に必要とされるキャパシタ、インダクタ、及び抵抗は、絶縁性のウエファにおいて、大きく、かつ広いスペースを必要とする。TX又はRX信号42に対する76A、76Bのフィルタ特性を達成するために、1つ以上の共振器が用いられる。共振器は、表面弾性波SAW及びバルク弾性波BAWデバイスを含む。このようなデバイスは、フィルタ、発振器に利用でき、変換及び弾性波acousticwaveの伝達に通常用いられる。SAW及びBAWにおいて、電気的エネルギは、圧電物質を介して機械的エネルギに変換され、電気的エネルギに戻される。圧電物質は、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、及びランタムガリウムシリケートが含まれる。導電性要素の1つ以上の横断フィンガtransversefingerが、圧電物質に置かれ、電気的エネルギを機械的エネルギに変換し、電気的エネルギを機械的エネルギに戻す。SAW又は共振器は、このエネルギ変換又はトランスダクションtransductionのために、1つ以上のインターデジタル変換器IDT導電性要素の横断フィンガを含んでもよい。共振器のエネルギ変換及び材料の条件は、より複雑であり、かつ1つ以上のRF通信プロトコル又は標準に従って伝送される高周波コンテンツの電気的信号に対して高価である。フィルタ又は送受切替器モジュール20は、図1F、図1Gに示されるTX又はRXバンド73A、73Bの1つ以上のサブユニット又はバンドに特定された76C、76Dの周波数特性をもつことが望ましい。このような送受切替器モジュール20又はフィルタモジュールは、TX及びRXバンド73A、73Bの間のインタフェースを効果的に遮断し、これは、幾つかの通信プロトコルに要求されたものとなる。バンド73A、73Bの1つ以上のサブユニット74A、74B、74C、75A、75B、75Cをフィルタリングするために、またはCDMAシステムのバンドIからVなどの異なるバンドを選択的にフィルタリングするために、異なるフィルタモジュール又は送受切替器が必要である。図2Aは、種々の実施例における共振器を含む、電気的信号フィルタモジュール90Aのブロック図である。モジュール90Aは、3つの共振器80A、80B、及び80C、並びに信号発生器92Aを含む。実施例において、信号発生器92Aは、アンテナ50を介して伝送されるべきTX信号を発生し、抵抗94Aは、TX信号の負荷を示している。そして、抵抗94Bは、アンテナ50の負荷を表している。実施例において、共振器80A、80B、及び80Cは、送信されるべき信号とアンテナ信号源負荷94Aとアンテナ負荷94Bとの間でT型を形成している。共振器80A、80B、及び80Cは、SAWデバイスであってもよい。共振器80A、80B、及び80Cは、共通に固定共振周波数を持ち、かつ反共振周波数を持つ。これは、普通のインダクターキャパシタタイプのフィルタの通過バンドとストップバンドと類似している。弾性波共振器80A、80B、及び80Cは、図2Bに示す種々の実施例に従った電気的コンポーネントに対応した形で示すことができる。図2Bに示すように、共振器80Aは、直列接続されたインダクタ86A、第2のキャパシタ82B、及び抵抗84Aに並列な、第1のキャパシタ82Aで表される。ここで、実施例においては、キャパシタ82A、82BはキャパシタンスC0、Cmをそれぞれ有し、インダクタ86AはインダクタンスLmを有し、抵抗84Aは、抵抗Rmを有する。電気的コンポーネントによる共振器又はSAWデバイスのモデリングは、非特許文献1に開示されている。このCm及びLmは、AW80A、80B、及び80Cの弾性及び慣性に相当する。C0は、AW80A、80B、及び80Cの圧電物質の横断電気的フィンガの実効キャパシタンスを表している。Rmは、AW80A、80B、及び80Cの機械的運動により生成される熱をAWの実効特性quality又はQリミッタQlimiterを表している第1のキャパシタ、インダクタ86A、第2のキャパシタ82B、及び抵抗84Aに値C0、Cm、Lm、及びRmを用いた場合、弾性波AWデバイス80Aの共振wr及び反共振waは、以下のように定義される。これらの式を用いて、AW80Cは、短絡パスを形成する。そして、その結果として、AW80A、AW80B、及びAW80Cは、80A、80Bのwr及び80Cのwa近傍で通過バンド図1Dの77C、80Cのwrで通過バンドの前の第1のノッチ図1Dの77A、80A、80Bのwaで通過バンドの後の第2のノッチ図1Dの77Bを持つ。これらの共振器AW80A、80B、及び80Cの共振及び反共振値wr及びwaは、AW80A、80B、及び80Cの物理的特徴の関数として固定されている。特定のサブバンド74A、74B、74C、75A、75B、75C又は他のTX又はRXバンド73A、73Bに合うように、通過バンド及びストップバンドをシフトするために、AW80A、80B、及び80Cのwr及びwaをシフトすることが望ましい。AW80A、80B、及び80Cのwr及びwaは、それぞれのAWの温度の関数として変化することに留意すべきである。このような実施例において、温度の変化に対して修正を行うことが望ましい。AW80A、80B、及び80Cのwr及びwaは、それぞれの製造における多様性によって変化することにも留意すべきである。このような実施例において、製造における多様性に対して修正することが望ましい。実施例において、AW80A、80B、及び80Cのwr及びwaをシフトし、同調させ、又は調整することを可能とするために、AW80A、80B、及び80Cに、並列又は直列に様々なキャパシタ98Aを接続することができる。これによって、その通過バンド及びストップバンドが調整される。図2C及び図2Iは、種々の実施例において調整された又は調整可能な共振器モジュール96A、96Gのブロック図を示す。図2Cに示すモジュール96Aは、AW80Aに並列接続された可変キャパシタ98Aを含んでいる上述の式に基づいて、反共振waは、キャパシタンスCvを有する可変キャパシタ98Aによって調整されるAWの実効C0は、モジュール96Aに対してC0Cvである。図2Iに示すモジュール96Gには、AW80Cに並列に可変キャパシタ98Gが接続され、可変キャパシタ98HがAW80Cに直列接続されている。上述の式に基づいて、反共振waは、キャパシタンスCv1を持つ可変キャパシタ98Gと、キャパシタンスCv2を持つ可変キャパシタ98Hとによって、調整される。同様に、共振wrは、キャパシタンスCv2を持つ可変キャパシタ98Hによって調整される。図2Dは、種々の実施例に従った電気的信号フィルタモジュール90Bのブロック図を示し、調整可能な共振器モジュレータ96A、96B、96Cを含む。モジュール90Bは、固定の共振周波数及び反共振周波数を持つ共振器80A、80B、80Cが同様にT型に構成されている点で、図2Aに示すモジュール90Aと類似している。ここで、固定共振周波数及び反共振周波数は、通常のインダクターキャパシタタイプフィルタと同様の通過バンド及びストップバンドを持つ。そして、各共振器80A、80B、80Cの反共振周波数は、可変キャパシタ88A、98B、98Cにより調整可能である。上述したように、AW80Cは、短絡パスを形成し、AW80A、AW80B、AW80Cによる結果として構成されるフィルタは、80A、80Bのwr及び80cのwaの近傍で通過バンド図1Dに示す77Cを持ち、第1のノッチを80cのwrの前図1Dの77Aにおいて持ち、かつ第2のノッチを通過バンドの80A、80Bのwaの後図1Dの77Bにおいて持つ。可変キャパシタ88A、98B、98Cを可変することによって、図1Dに示す通過バンド77C及び第2ノッチ77Dを変更することができる。図2Eないし図2Hは、調整可能な又は招請された共振器又はAWを含むフィルタモジュールのブロック図を示している。これは、実施例において、RXバンド73B又はサブバンド75A、75B、75Cに適用できる。図2Eに示すように、調整可能なフィルタモジュール90Cは、調整可能な共振器又はAWモジュール96D、96E、96F、及び96G、抵抗94C、及び抵抗94Bを含む。上記のように、抵抗94Bは、アンテナ50の負荷を表し、抵抗94Cは、信号RX又はTXの負荷を示す。実施例において、調整可能なモジュール90Cは、調整可能な短絡96G及び96F及び調整可能な直列接続されたパスAWモジュール96D、96Eを含んでもよい。モジュール90Cは、同様のモジュール90AT型構成に、付加的第2の短絡96Gを有し、96Gは、反共振周波数に影響するキャパシタ98G、及びAW80Gの共振周波数に影響するAW80Gに直列接続された第2の調整可能なキャパシタ98Hを含む。図2Fは、種々の実施例に従った、第1の調整可能なフィルタモジュール95A、及び第2の調整可能なフィルタモジュール95Bを含む電気的信号フィルタモジュール90Dのブロック図を示す。このモジュール90Dは、第1のフィルタモジュール95B、第2のフィルタモジュール95B、第1の信号源92A及び負荷抵抗94A、第2の信号源92B及び負荷抵抗94C、及びアンテナ負荷抵抗94Bを含む。モジュール95Aは、モジュール90Bと類似している。そして、モジュール95Bは、モジュール90Cと類似している。モジュール95Aは、T型構成のモジュールであり、かつモジュール95Bは、変形されたT型構成に第2の短絡直列接続されたキャパシタ98Hを含む。実施例において、モジュール90Dは、図1Aの調整可能な送受切替器20として用いることができる。図2G、図2H、図2Jは、調整可能なフィルタモジュール95C、95D、95Eのブロック図である。これらは、実施例において、RXバンド73B、又はサブバンド75A、75B、75Cをフィルタリングするための、調整可能な或いは調整された共振器又はAWを含む。図2Gに示すように、調整可能なフィルタ90Eは、調整可能な共振器又はAWモジュール96D、96G、抵抗94C、抵抗94B、及び実効キャパシタeffectivecapacitance97A、97Bを含んでもよい。上述のように、抵抗94Bは、アンテナ50の負荷を表し、抵抗94Cは、信号RX又はTX負荷を表し、92Bは信号源を表す。実施例において、モジュール90Eは、2つの短絡96G及び96F、並びに負荷94C及び94Bと直列接続された単一の調整可能なAWモジュール96Dを有する。モジュール90Eは、第1のモジュール96Dに直列接続された第2のモジュール96Eを取り除いた形のモジュール90Dと類似している。図2Hに示すように、調整可能なフィルタモジュール90Fは、調整可能な共振器又はAWモジュール96D、96G、96F、96H、調整可能なキャパシタ98H、抵抗94C、抵抗94B、及び実効キャパシタ97A、97Bを有する。上述のように、抵抗94Bは、アンテナ50の負荷を表し、抵抗94Cは、信号RX又はRXの負荷を表し、92Bは信号源を表す。実施例において、モジュール90Fは、2つの調整可能な短絡96G、96F、及び96H、並びに負荷94C、94Bに直列接続された単一の調整可能なAWモジュール96Dを有する。モジュール90Fは、短絡モジュール96Hを加えた形のモジュール90Fに類似している。図2Jに示すように、調整可能なフィルタモジュール95Eは、調整可能な共振器AWモジュール96B、96F、及び複数のAWモジュール80A、80C、80D、80E、80G、80H、80Iを有する。フィルタモジュール95Eにおいて、調整可能な共振器AWモジュール96B、96F及び複数のAWモジュール80A、80C、80D、80E、80G、80H、80Iは、T型サブフィルタ例えば80A、96B、及び80Cの直列接続を形成する。上述のように、Tサブフィルタは、2つの通過バンドAW80A、96B及びストップバンド80Cによる周波数共振を形成する。実施例において、AW80Aないし80Iの1つ以上は、調整可能でなく図2JのAWモジュール80A、80C、80D、80E、80G、80H、80I、AW80Aないし80Iの1つ以上は、調整可能である図2Jの80B、及び80F。調整可能なキャパシタ98B、98Fは、AW80Aないし80Iの1つ以上が温度、又は製造のばらつきのために、又はAW80Aないし80Iの周波数調整を提供するために、AW80Aないし80Iの1つ以上を調整することが望ましい場合、AW80Aないし80Iと並列に接続してもよい。図3Aないし図3Cは、種々の実施例に従ったキャパシタモジュールのブロック図を示す。ここにおいて、これらのモジュールは、AW80Aないし80Fと並列接続されるキャパシタ98Aないし98G、及びAW80Gに直列接続される98Hとして用いることができる。図3Cに示すように、モジュール120Cは、単一のキャパシタ104Aを含む。このキャパシタ104Aのキャパシタンスは、プロセスのばらつき又は動作温度の変化を補償しAW80Aないし80Gの物理的特徴が測定された後、決定される。キャパシタ104Aのキャパシタンスは、モジュール120Cを含むモジュール96Aないし96GによりフィルタリングされるべきTX又はRXバンド73A、73Bに対応して、変更され得る。図3Bに示すように、モジュール120Bは、キャパシタ104A、並びに、第1のキャパシタ104Aに並列接続された、第2のキャパシタ104B及び抵抗106を有する。この追加的なキャパシタ104Bは、AW80Aないし80Gの反共振周波数又は共振周波数を更にシフトし、第2のバンド又はサブバンドが調整される。図3Aに示すように、モジュール120Aは、キャパシタ104A、第1のキャパシタ104Aに並列接続された第2のキャパシタ104B及び抵抗106A、並びに第1のキャパシタ104A及び第2のキャパシタ104B及び抵抗10Aに並列接続された第3のキャパシタ104C及び第2の抵抗106B追加的なキャパシタ104Cは、モジュール96Aないし96Gに示されるように、モジュール120Aないし120Dが並列に又は直列にAW80Aないし80Gに接続された場合、AW80Aないし80Gの反共振周波数又は共振周波数をシフトし、第3のバンド又はサブバンドを調整する。図3Dは、種々の実施例に従った、調整可能なキャパシタモジュールのブロック図を示している。図3Dに示すように、モジュール120Dは、キャパシタ104A、スイッチ105Aを介して選択的に第1のキャパシタ104Aと並列接続されるキャパシタ104B及び抵抗106A、並びに、第2のスイッチ105Bを介して選択的に第1のキャパシタ104A及び第2のキャパシタ10B及び抵抗106Aと並列接続される第3のキャパシタ104C及び第2の抵抗106Bを含む。モジュール120Dは、モジュール96Aないし96Gに示されるように、AW80Aないし80Hと並列又は直列接続された場合、AW80Aないし80Hの反共振周波数又は共振周波数をシフトすることができ、スイッチ105B、105Aの関数として第1、第2、又は第3のバンド、又はサブバンドを調整する。モジュール120Dは、AW80Aの反共振周波数をシフトすることができ、温度変化又は製造のばらつきを補償するaccountfor。図3Eは、種々の実施例に従った、調整可能なキャパシタモジュール600のブロック図である。調整可能なキャパシタモジュール600は、複数のキャパシタバンク602を含み、それぞれは制御線640、642、644を介して動作をスイッチすることが可能である。実施例において、連続した各キャパシタバンクは、その前のバンク602の倍のキャパシタンスを持っている。これによって、制御線640、642、及び644は、二進数の桁に対応する。実施例において、抵抗RDSで接続されるソース及びドレインを持つCMOSFETで形成されるキャパシタバンクは、並列接続のキャパシタを形成する。CMOSFETの各ゲート606、608、610、612、614は、それぞれ対応する制御線640、642、644に接続されている。したがって、並列又は直列に調整可能なキャパシタ600を用いたAWモジュール96Aないし96Gは、モジュール600のN-1種類の実効キャパシタンスに基づいて、N-1種類のNは制御線の数の異なる調整可能な反共振周波数又は共振周波数を持ち得る。デジタル的に調整可能なキャパシタの更なる詳細は、共通に譲渡され出願継続中の集積回路デバイスにおけるキャパシタのデジタル的な調整に用いるための方法、及び装置代理人管理番号PER-024、出願日2009年3月2日、国際出願番号PCT/US2009/001358と題する出願に記載されている。この出願は、本明細書において参照することにより、本明細書に組み込まれる。図4は、調整可能なフィルタモジュール130のブロック図である。フィルタモジュール130は、種々の実施例に従って、調整可能な複数の共振器を含んでいる。フィルタモジュール130は、共通の回路基板又はモジュール132、共振器又はAWボード又はモジュール150、及び電気的コンポーネントボード又はモジュール140を含む。AWモジュール150は、複数の共振器又はAW80A、80B、80C、80Iを含む。実施例において、AW80A、80B、80Cは、図2Aに示したT型構成90Aを形成する。AWモジュール150は、バイアスAW80Iを更に有する。電気的コンポーネントボード又はモジュール140は、3つの調整可能なキャパシタ98A、98B、98C、及び制御ロジックモジュール146、及び発振器144を有する。各調整可能なキャパシタ98A、98B、98Cは、モジュール140と150との間のコンダクタンス線を介して、2つのそれぞれAW80A、80B、80Cに並列接続されている。したがって、AW80Aと調整可能なキャパシタ98Aとの組合せによって、図2Bに示した調整可能なAWモジュール96Aが形成される。発振器144は、コンダクタンス線を介して、バイアスAW80Iに接続され得る。バイアスAW80Iの実効共振周波数は、既知の計測可能な形態で、発振器144の発振を調整する。制御ロジックモジュール146は、調整可能なキャパシタ98A、98B、及び98Cのキャパシタンスを制御するための制御信号SPI、及び安定クロック又は基準周波数例えばフェーズロック信号を受信する。実施例において、AW80Iの共振周波数、又は反共振周波数は、温度の関数として変動し得る。同様に、発振器144の周波数は、AW80Iの共振周波数又は反共振周波数に従って変動し、温度によって変化し得る。制御ロジック146は、安定した基準周波数信号によって発信周波数144の変化をモニタすることができ、制御ロジック146は、既知の変化量deltaに基づいて調整可能なキャパシタのキャパシタンスを調整し、発振器の周波数を調整するaccountfor。これによって、対応するAW80A、80B、80Cの共振周波数又は、反共振周波数を調整する。実施例において、AW80A、80B、80Cの温度の影響に対して調整するために、この変化量がSIP制御信号に加算される。図5Aは、種々の実施例にしたがった、スイッチ可能な共振器モジュールSRM:switchableresonatormoduleを含む電気信号フィルタモジュール190Aのブロック図である。モジュール190Aは、3つのスイッチ可能な共振器モジュールSRM180A、180B、及び180C、共振器94A、94B、及び信号発生器92Aを有する。実施例における信号発生器82Aは、アンテナ50を介して伝送するべきTX信号を表す。抵抗94Aは、TX信号の負荷を示す。そして抵抗94Bは、アンテナ50の負荷を示す。実施例において、スイッチ可能な共振器モジュールSAM180A、180B、180Cは、送信すべき信号とアンテナ信号源負荷94Aとアンテナ負荷94Bとの間で、T型を構成する。スイッチ可能な共振器モジュールSAM180A、180B、180Cは、1つ以上の共振器デバイス又はモジュールを含む。ここで、1つ以上のモジュールはスイッチ可能な共振器を含んでもよい。1つ以上の共振器は、通常のインダクタ-キャパシタタイプのフィルタの通過バンド及びストップバンドと同様に、固定の共振周波数及び反共振周波数を持つ。図5Bないし図5Dは、種々の実施例に従って、SAM184Aないし184Cのブロック図を示している。図5Bないし図5Dに示すように、共振モジュール184A、184B、184Cは、幾つかの弾性波共振器82Aないし82Nを含んでいる。ここで共振器82Aないし82Nは、1つ以上のスイッチ182Aないし182Nを介して、バイパス又はアクティベートすることができる。図5Bにおいて、スイッチ可能な共振モジュールSRM184Aは、2つの共振器82A、82B及び2つのスイッチ182A、182Bを含んでもよい。共振器82A、82Bは直列接続されている。スイッチ182A、182Bは、共振器82A、82Bと並列接続されている。スイッチ182A、182Bが閉じた場合、対応する共振器82A、82Bは、バイパスされ非動作である。スイッチ182A、182Bが開いたとき、対応する共振器82A、82Bが、アクティブとなる。実施例において、スイッチ182A、182Bは、制御信号S1A、S1Bにより制御される。実施例において、共振器82A、82Bは、独立に又は協働して制御信号S1A、S1Bの関数として動作する。更なる実施例において、単一の信号がスイッチ182A、182Bを制御することができる。ここで、第1の信号状態において、スイッチ182Aが開きスイッチ182Bが閉じる。そして、第2の信号状態において、スイッチ182Aが閉じスイッチ182Bが開く。図5Cにおいて、共振モジュールSRM184Bは、3つの共振器82A、82B、82C及び3つのスイッチ182A、182B、182Cを有する。共振器82A、82B、82Cは直列接続されている。スイッチ182A、182B、182Cは、それぞれ共振器82A、82B、82Cに並列接続されている。スイッチ182A、182B、182Cが閉じた場合、対応する共振器82A、82B、82Cは、バイパスされ非動作である。スイッチ182A、182B、182Cが開いた場合、対応する共振器82A、82B、82Cは、はアクティブとなる。スイッチ182A、182B、182Cの各々は、独立の制御信号S1A、S1B、S1Cにより制御され得る。実施例において、共振器82A、82B、82Cは、制御信号S1A、S1B、S1Cの関数として、独立に又は様々な組合せによって動作する。図5Dにおいて、スイッチ可能な共振器モジュールSRM184Cは、複数の共振器82Aないし82N及び対応するスイッチ182Aないし182Nを含む。共振器82Aないし82Nは、直列接続されている。スイッチ182Aないし182Nは、それぞれ共振器82Aないし82Nに並列接続されている。スイッチ182Aないし182Nが閉じた場合、対応する共振器82Aないし82Nは、バイパスされ非動作である。同様に、スイッチ182Aないし182Nが開いた場合、対応する共振器82Aないし82Nは、アクティブとなる。スイッチ182Aないし182Nの各々は、制御信号S1AないしS1Nによって制御される。実施例において、共振器82Aないし82Nは、独立に又は制御信号S1AないしS1Nの関数として、様々な組合せで動作する。図5Eは、種々の実施例に従った、調整された、または調整可能な共振器モジュールシステム190Bのブロック図を示す。調整可能な共振器モジュールシステム190Bは、幾つかの調整可能な共振器モジュール196A、196B、196Cを含み、図5Aと同様にT型の構成を形成する。各調整可能な共振器モジュール196A、196B、196Cは、SRM184D、184E、184Fと並列接続された、可変キャパシタ98A、98B、98Cを含む。各調整可能な共振器モジュール196A、196B、196Cの各々において、可変キャパシタ98A、98B、98Cは、キャパシタの選択されたキャパシタンスCvモジュール196Aに対して、AWデバイスの実効キャパシタンスCeは、C0Cvである。に基づいて、対応するアクティブ共振器82Aないし82N、83Aないし83N、84Aないし84Nの反共振周波数waを変更することができる。実施例において、可変キャパシタ98A、98B、98Cは、スイッチ182Aないし182N、183Aないし183N、185Aないし185Nによってバイパスされていない、各共振器82Aないし82N、83Aないし83N、84Aないし84Nに対する反共振waを調整することができる。ここで、スイッチは、スイッチ制御信号S1AないしS1N、S2AないしS2N、S3AないしS3Nによって制御される。実施例において、各共振器82Aないし82N、83Aないし83N、84Aないし84Nは、それぞれのSAM184D、184E、及び184Fにおいて、異なる共振を持ち得る。システム190Bでは、SAM184D、184E、及び184Fにおける異なる共振によって、図6Aないし図6Fにおける周波数応答197Aないし197Fに示すように、異なるチャネル異なる共振周波数を調整tuneすることができる。実施例において、SAM184D、184Eに並列接続されたキャパシタ98A及び98Bは、それぞれアクティブ共振器82Aないし82N、83Aないし83Nの反共振waを調整modulateortuneことだけが可能である。SAM184D、184Eにおいて、選択的に共振器82Aないし82N及び83Aないし83Nをバイパスすることによって、ストップバンドに加えて、システム190Bの共振周波数又は実効通過バンドを調整することができる。実施例において、各対応するSAM184D、184E、184FのS×N個の制御信号は、同様に開くか又は閉じる。例えば、制御信号182A、183A、及び185Aは、同時に開くか又は閉じるモジュール184D、184E、184Fは協働している。更なる実施例においては、1つのスイッチ182Aないし182N、183Aないし183N、185Aないし185Nがいつでも開き、したがって、1つの共振器82Aないし82N、83Aないし83N、84Aないし84Nが、いつでもアクティブである。実施例において、SAM184Fに並列接続された可変キャパシタ98Cだけが、それぞれアクティブな共振器82Aないし82N、83Aないし83Nの共振wrを調整できる。選択的に共振器84Aないし84Nをバイパスすることによって、ストップバンドに加えて、SAM196Cの反共振周波数又は実効通過バンドを調整することができる。図5Fは、調整可能なモジュール96Cが、図2E及び図2Iに関連して記載されていたモジュール96Gに変更されている点を除いて、図5Eと同様である。モジュール96Gは、AW80Gに並列接続された可変キャパシタ98G、及びAW80Gに直列接続された、可変キャパシタ98Hを含んでいる。したがって、96Gの反共振waは、キャパシタンスCv1を持つ可変キャパシタ98G、及びキャパシタンスCv2を持つ可変キャパシタ98Hによって、調整することができる。同様に、共振wrは、キャパシタンスCv2を持つ可変キャパシタ98Hによって、調整することができる。キャパシタ98Hは、高電圧にさらされ得る。図5Gは、図2Dと同様の調整されたフィルタリングシステム190Cのブロック図である。ここで、調整可能な共振器96A、96B、96Cは、更に直列接続されている可変キャパシタ98I、98J、98Hによって調整することができる。可変キャパシタ98I及び98Jは、それぞれ、共振器80A、80Bの共振周波数を調整modulateortuneすることができる。このような調整によって、システム190Cは、調整可能なキャパシタ98A、98B、98C、98I、98J、及び98Hの関数として異なる通過バンド及びストップバンドを調整することができる。共振器80A、80Bに直列接続されている調整可能なキャパシタ98I、98Jは、非常に高い電圧にさらされるため、キャパシタは、大きなものが必要となる。図2Aないし図2Hに示されている共振器80Aないし80Hは、図5Bないし図5Dに示されているように、SAM184A、184B、又は184Cに置きかえることができる。実施例において、フィルタモジュールの分離、及びストップバンドの除去rejectionを増加させることが望ましい。図7Aは、様々な実施例に従った、フィルタモジュール202Aのブロック図を示している。フィルタモジュール202Aは、インダクタ204Aとキャパシタ206Aとの直列接続と、他のインダクタ204Bとキャパシタ206Bとの直列接続とが、並列接続されている。インダクタ204A、204Bは、インダクタンスL1、L2を持ち、キャパシタ206A、206Bは、キャパシタンスC1、C2を持つ。フィルタモジュール202Aは、w1及びw2での2つの通過バンドをwtでの除去ポイントrejectionpointの周囲に持つ。この除去ポイントは、フィルタモジュール202Aの特性Qによって制限される。フィルタモジュール202Aにおいて、通過バンドは、以下の式により計算される。フィルタモジュール202Aのインピーダンスは以下の式で計算される。ここにおいて、である。図2Bにおいて説明したように、AW80Aは、キャパシタ82BキャパシタンスCmと直列にインダクタ86AインダクタンスLmを含んでもよい。抵抗84A及びキャパシタ82Aは、インダクタ86A及びキャパシタ82Bの関数としての名目上のものnominalである。したがって、実施例において、フィルタモジュール202Aは、AW214A、214Bの並列接続によって表すことができる図7Bに示すフィルタモジュール212A。この実施例において、弾性波モジュール214Aは、フィルタモジュール202Aのインダクタ204A及びキャパシタ206Aを表す。そして、フィルタモジュール202AのAWモジュール214Bは、インダクタ204B及びキャパシタ206Bを表す。AW214A、214Bの弾性elasticity及び慣性inertiaは、実施例において、L1又はL2に関してLm、C1及びC2に関してCmと等価の構成または選択できる。AW214A、214Bにおいて、並列のキャパシタンスC0は、圧電物質の実効横断電気的フィンガのキャパシタンスを表し、抵抗Rmは、AW214A、214Bにおいて、機械的動きによって生成される熱AWの実効特性又はQリミッタを表す。フィルタリングされる信号の関数として、通過バンド及び実効ストップバンド、w1及びw2は、シフトされ、又は変更されることが望ましい。図8Aのフィルタモジュール208Aに示すように、実施例において、低抵抗のスイッチ205A、205Bに直列接続された複数のインダクターキャパシタフィルタモジュールLCF202Aと、202Bとを、並列に接続する。スイッチ205Aは、制御信号S1A、S1Bの関数として閉じられたときに低抵抗となる1つ以上のMOS又はMOSFETデバイスを含んでもよい。実施例において、LCF202Aは、第1の所望の通過バンド及びストップバンドを持ち、そしてLCF202Bは、第2の所望の通過バンド及びストップバンドを持つ。制御信号S1A、S2Aを介して、信号は、フィルタモジュール208AのフィルタのLCF202A又はLCF202Bのいずれかによって処理される。モジュール202A、202Bは、並列に設置されているために、動作し得る信号パスは、信号スイッチ205A、205Bの単一のスイッチの抵抗を含む。したがって、フィルタモジュール202A、202Bの特性及びそれら除去の強さを向上させる。実施例において、高い電圧または、限られた回路要素で信号を処理することが望ましい。フィルタモジュール208AのLCF202A、202Bは、図8Bのフィルタモジュール222に示されるように、弾性波フィルタAWF212A、212Bによって置きかえることができる。AWF212A、212Bは、図7Bに示されるように、並列接続された複数のAWモジュール214A、214Bを含んでもよい。上述のように、AWデバイスにおけるプロセスのばらつきのために調節を行うために、或いは温度変化のためのモジュールの変動のために、可変キャパシタ218Aを並列接続することができる。そして、デバイスの通過バンド又はストップバンドをシフトすることができる。図8Cのフィルタモジュール224に示すように、可変キャパシタ218Aを、1つ以上のAWF212A、212Bに並列接続することができる。フィルタモジュール224において、キャパシタ218Aのキャパシタンスは、AWF212A又はAWF212Bを調整するための216A、216Bのコントロール信号S1A、S1Bの関数として、変動する。図9Bは、様々な実施例におけるフィルタモジュール230Aのブロック図である。フィルタモジュール230Aは、第1のキャパシタンス調整可能なパラレルスイッチによるAWモジュールフィルタ232A、第2のキャパシタンス調整可能なパラレルスイッチによるAWモジュールフィルタ232B、第1のキャパシタンス調整可能なパラレルスイッチによるAWFモジュールフィルタ224A、インピーダンス反転モジュール228A、228Bを含み得る。モジュール232Aは、反転モジュール228Aを介して、モジュール232Bと接続され得る。そして、モジュール232Bは、反転モジュール228Bを介して、モジュール224Aと接続され得る。モジュール234Aは、グランドと、モジュール232Aとに接続され得る。実施例において、第1のキャパシタンス調整可能な、パラレルスイッチによるAWモジュールフィルタ232Aは、AWモジュール214A、214B、スイッチ216A、216B、及び可変キャパシタ218Aを含み得る。AWモジュール214Aは、スイッチ216Aと直列接続され、AWモジュール214Bは、スイッチ216Bと直列接続されている。各モジュールで、スイッチペア214A、216A、214B、216Bは、可変キャパシタ218Aと並列接続されている。同様に、第1のキャパシタンス調整可能な、パラレルスイッチによるAWモジュールフィルタ232Bは、AWモジュール214C、214D、スイッチ216C、216C、及び可変キャパシタ218Bを含み得る。AWモジュール214Cは、スイッチ216Cと直列接続され、AWモジュール214Dは、スイッチ216Dと直列接続されている。各モジュールで、スイッチペア214C、216C、214D、216Dは、可変キャパシタ218Bと並列接続されている。キャパシタンス調整可能な、パラレルスイッチによるAWFモジュールフィルタ224Aは、AWFモジュール212A、212B、スイッチ216E、216F、及び可変キャパシタ218Cを含み得る。AWFモジュール212Aは、スイッチ216Eと直列接続され、AWFモジュール212Bは、スイッチ216Fと直列接続されている。各モジュールで、スイッチペア212A、216E、212B、216Fは、可変キャパシタ218Cと並列接続されている。AWFモジュール212A、212Bの各々は、それぞれ2つの並列接続AWモジュール214C、214D、及び214E、214Fを含む。キャパシタンス調整可能なAWモジュール234Aは、AWモジュール214Gと並列接続された可変キャパシタ218Dを含む。図9Aに示すように、実施例において、反転モジュール228A、228Bは、K-フィルタ228であってもよい。フィルタ228は、直列接続の2つのキャパシタ226A、226Bは、直列接続のキャパシタ226A、226Bの間において、キャパシタ226Cと並列である。実施例において、キャパシタ226A、226Bは、-Cのキャパシタンスを持ち、キャパシタ226CはCのキャパシタンスを持つ。図9Bに示すように、変転モジュール228A、228Bのキャパシタ226Cは、グランドへも接続されている。実施例において、モジュール234Aは、固定の高い除去、及び調整可能な通過バンドを提供し、モジュール232A、231Bは、移動可能な、スイッチ可能な通過バンド及び調整可能な除去バンドを提供し、そして、モジュール224Aは、変更可能な、スイッチ可能な、高い除去ポイント及び通過バンドを提供することができる。図9Bのフィルタモジュール230Aは、図10A、図10Bに示す周波数応答240A、240Bを提供するために用いることができる。ここで、制御信号S1B、S1D、S1Fがインアクティブ、アクティブのとき、それぞれ制御信号S1A、S1C、S1Eは、アクティブ、インアクティブである。これによって、図10A、図10B240A、240Bに示す通過バンド、及びストップ又は除去バンドをシフトすることができる。図9Cに示す230Bの実施例において、図9Bの反転モジュール118A、228Bは、グランドに接続された1つ以上のキャパシタ226D、226Eに置きかえることができる。図11は、種々の実施例に従ったフィルタ周波数応答250を示している。図11は、第1の周波数応答259B及び第2の周波数応答258Aを示している。実施例において、フィルタレスポンス258A、258Bは、通過バンド261を含み、通過バンドエッジ262及びストップバンド263を持っている。更にフィルタ応答258A、258Bは、通過バンドエッジ262を形成する通過バンド領域261に最大許容ロス252、及びストップバンド263に最小減衰又は除去256を持つ。更に、ストップバンド263の最小減衰又は除去256は、特定の周波数254すなわちチャネル境界又はカットオフ周波数までには達成されていることが望ましい。実施例において、図13Bの共振モジュール292Bのようなフィルタメカニズム又はモジュールは、理想的な動作及び理想的な製造状態において、第1の周波数応答258Bを提供する。同一のフィルタ292Bは、理想的でない動作又は理想的でない製造状態においてシフトされた周波数応答258Aを生成する。実施例において、温度の変動及び製造のばらつきにより、周波数応答が258Bから258Aにシフトする。フィルタモジュール292Bの周波数応答の潜在的な258Bから258Aへのシフトがあるため、フィルタ292Bを通過した信号の通過バンド261の領域又は幅は、狭く又は減少させることが望ましい。これによって、要求された周波数254において最小の要求された減衰256が達成される。要求された周波数254は、他のチャネルの開始であってもよく、かつフィルタモジュール292Bは、隣接チャネルへの信号漏れを防止するよう要求され得る。チャネル境界254と通過バンドエッジ262との間の距離は、フィルタ又はチャネルのガードバンドと通常称される。図15A、図15B、図15Cに示されるチャネルアーキテクチャ310A、310B、310Cのようなシステム又はアーキテクチャにおいて、ガードバンド図15Bの316B、及び図15Cの318Bは、欠落又は使用されないバンド幅を示している。したがって、フィルタの温度及びプロセス又は製造のばらつき、又は隣接チャネルとの間の信号漏れを制限又は防止するために採用されるフィルタアーキテクチャの影響を減少させることによって、ガードバンド316B、318Bを最小にすることが望ましい。図12は、種々の実施例に従ったフィルタ構成方法270のフローチャートを示している。方法270において、最大通過バンドロス252が選択される。このロスレベルは、標準又は他の通信プロトコル制定機関によって要求又は示されているアクティビティ272。隣接チャネルへの信号漏れを減少させ又は防止するのに必要なフィルタ応答ストップバンド最小減衰量256が選択される。この最小減少量は、標準又は他の通信プロトコル制定機関によって要求又は示されているアクティビティ274。更に、最小減少量256に対する最小ストップバンドエッジ254も、選択される。この最小ストップバンドエッジ254は、標準又は他の通信プロトコル制定機関によって要求又は示されているアクティビティ276。方法270において、最小ストップバンドエッジ254が、事前にシフトされるpreshifted。これによって、フィルタ応答258Bを達成することができる。温度又はプロセスのばらつきによってシフトされたときにも、所望の又は要求された境界又はエッジ254までに、最小減衰量256を達成することができるアクティビティ278。更に、加えてフィルタ通過バンド262エッジを、シフトさせてもよい。これによって、利用できる信号バンド幅を効果的に減少させ、最大ロス252よりも低いところが通過バンドにおいて存在することを確実にする。このようにして、効果的なガードバンド316B、318Bが増大する。図13Aは、種々の実施例に従ったフィルタアーキテクチャ290Aの単純化されたブロック図を示している。フィルタアーキテクチャは、フィルタ292Aを含み、調整可能なフィルタ294Aに直列接続されている。実施例において、フィルタ292Aは、図11の258Aに示すような理想の周波数応答を持つ。しかしながら、これは、温度又はプロセスのばらつきに依存する。ここで、固定されたフィルタ292Aの周波数レスポンスは、図14Aに示すように、フィルタ応答300Aにシフトし得る。このような最悪の場合の周波数応答302Aは、受け入れることができない。これによって、理想的なチャネル又は信号境界254から信号漏れが生じるからである。周波数応答302Aは、それ以外については、安定した通過バンド及びストップバンドを有する。調整可能なフィルタ294Aは、図13Bに示すモジュール294Bのような調整可能な周波数応答を持つ。この場合、温度の変化及び製造のばらつきは、調整可能なキャパシタ218Aなどの調整可能な要素によって、修正され又は調整される。調整可能なフィルタ294Aは、図14Bに示す周波数応答300Bを持ち得る。図14Bに示すように、周波数応答302Bは、所望の又は要求された、エッジ262を伴う最大通過バンドロス252を達成する。エッジ262は、潜在的なシフトを考慮して調整された場合フィルタ302Aよりも高い周波数となり、かつ対応してより狭い必要なガードバンド316B、318Bとなる。調整可能なフィルタ294Aに対するフィルタ応答302Bも、境界254図14Bにおける点303Bまでに、最小減少量256を満足することが望ましい。この調整可能なフィルタ294Aの応答302Bは、隣接チャネル305内において、第2の、許容できない通過バンド304Bを持ち得る。したがって、単一のフィルタとしては、許容できるものではない。実施例においてフィルタモジュール292A、292B及び調整可能なフィルタ294A、294B、290A、290Bは、それぞれ、これらの組合せで、図14Cに示す周波数共振300Cを形成する。図14Cに示すように、正味のnet周波数応答は、後続のフィルタ292A、Bのストップバンド304Aなしのフィルタフィルタ294A、Bの所望のストップバンドを含み得る。更に、フィルタ202A、Bのストップバンドエッジ303Aは、温度の変化及びプロセスのばらつきによって変化するが、フィルタ294A、Bが、不要な第2の通過バンド304Bを抑制することは、十分になされる。その結果得られる周波数応答300Cは、温度の変化及びプロセスのばらつきにかかわらず、所望の境界又は周波数カットオフ254に至るまでに、許容できる通過バンドロス252及び最小ストップバンド減少量256を得ることができる。図13Bは、種々の実施例にしたがって、調整可能な共振器モジュール294B及び共振器モジュール292Bを含むフィルタアーキテクチャ290Bのブロック図を示している。共振器モジュール292Bは、図14Aに示す周波数応答300Aと同様の周波数応答を呈する調整可能でないフィルタであってもよい。共振器モジュール292Bは、表面弾性波SAW及びバルク弾性波BAWデバイスを含む。このデバイスは、弾性波のエネルギ変換を可能とする。弾性波デバイスにおいて、電気的エネルギは、機械的エネルギに変換され、圧電素子によって電気的エネルギに逆変換される。圧電物質は、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、及びランタムガリウムシリケートが含まれる。導電性要素の1つ以上の横断フィンガtransversefingerが、圧電物質に置かれ、電気的エネルギを機械的エネルギに変化し、電気的エネルギを機械的エネルギに戻す。実施例において、調整可能な共振器294Bは、1つ以上の弾性波モジュール又はデバイス214A、214B、及び調整可能なキャパシタ218Aを含む。図13Bに示すように実施例においてAWモジュール214A、214B、及び調整可能なキャパシタ218Aは、並列接続され得る。既に述べたように、この構成は、除去点wtの周辺に2つの通過バンドw1及びw2を有し得る。w1及びw2における通過バンドは、図14Bに示されたフィルタ共振コンポーネント302B及び304Bに対応し、wtの除去点は、コンポーネント303Bに対応する。AW214A、214Bに並列接続された可変キャパシタ218Aは、温度の変化又はプロセスのばらつきを修正するように、フィルタモジュール294Bの周波数応答300Bを調整又は変更する。図2Aないし図2H、図4、図5Aないし図5G、図7Bないし図8C、及び図9Bないし図9Cに示した他の共振器フィルタは、全てまたは一部が、調整可能な共振器又はフィルタ294Bとして採用することができる。図16A、図16B、図16C、及び図16Dに示したように、異なるフィルタ要求又はパラメータに対して、フィルタアーキテクチャ292Bを修正することができる。図16Aに示すように、フィルタアーキテクチャ330Aは、スイッチ可能かつ調整可能なフィルタモジュール334Aを含み得る。このようなモジュール334A及び得られるアーキテクチャ及びスイッチ可能な周波数応答は、1つ以上の信号を処理する様々なフィルタを必要とする通信アーキテクチャにおいて採用される。図16Bに示されるように、スイッチ可能な、調整可能なフィルタアーキテクチャ330Bは、第1のスイッチ可能な調整可能なフィルタモジュール335A及び第2のスイッチ可能な調整可能なフィルタモジュール335Bを含み得る。335A、335Bの各々のモジュールは、モジュール292B図14Bと類似のフィルタモジュール332B、332Cを含む。スイッチ可能な調整可能なモジュール335A、335Bの各々は、AWF212A、AWF212B、スイッチペア216E、217E及び216F、217F、及びAWF96C、96Fを更に含む。各AWFモジュール212A、212Bは、それぞれ並列接続された2つのAWモジュール214C、214D、及び214E、214F、及び更にそれぞれ並列に2つのAWモジュール214C、214D、及び214E、214Fに接続された可変キャパシタ218C、218Dを含み得る。調整可能なモジュール335A、335Bは、AW332B、332C、及び212A、212B、及びグランドの間に位置する、AWFモジュール96C、96Dを含む。AWF96C、96Dの各々は、AWモジュール80C、80F、及びAWモジュール80C、80Fに並列接続された調整可能なキャパシタ98C、98Fを含み得る。スイッチ可能な調整可能なモジュール335A、335Bの各々は、並列接続される。上述のように、AWFモジュール212A、212Bの各々は、除去点wの周辺に2つの通過バンドw1及びw2を含む周波数応答を持ち得る。実施例において、スイッチ可能な調整可能なアーキテクチャ330Bは、2つのモードで動作することができる:モード1スイッチペア216E、217Fを閉じ、かつスイッチペア216F、217Fを開く図17A及び図17Bに示す周波数応答320A及び320Bが結合され、図17Cに示す応答320Cを形成する、モード2スイッチペア216E、217Fを開き、かつスイッチペア216F、217Fを閉じる図17D及び図17Eに示す周波数応答320D及び320Eが結合され、図17Fに示す応答320Fを形成する。AWモジュール332B、332Cは、図17A及び図17Dに示すように、それぞれ周波数応答320A、230Dを持つ。この周波数応答320A、320Dが、スイッチ可能な調整なAWモジュール335Aの周波数応答モード1の320B図17B、又は、調整可能なAWモジュールの335Bモード2の320D図17Eと結合された場合、結果として得られる周波数応答は結合され、モード1で230C図17C、又はモード2で320F図17Fとなる。このようなスイッチ可能な調整可能なフィルタアーキテクチャ330A、330Bは、異なるフィルタモードを要求するチャネルアーキテクチャにおいて適用される。この点は、図15Aないし図15Cに示されている。このAWF96C、96Fは、AW80C、80Fの構成の関数として、追加的なストップバンドを提供する。図15Aのチャネル構成310Aにおいて、時分割多重TDD:timedivisionmultiplexバンド38は、バンド7の送信チャネルと、バンド7の受信チャネルとの間に位置する。実施例においてバンド7は、LTElongtermevolutionシステムの周波数分割二重FDD:frequencydivisionduplexスペクトルであってもよく、バンド38は、LTEシステム又はアーキテクチャのTDDスペクトルであってもよい。結合されたLTEFDD、TDDスペクトルバンド38において、スペクトル314Aは、バンド7のスペクトル312A、312Bの間のサンドイッチとなっている。TDDチャネル又はバンド38が送信している場合図15Bの310Bに示す、バンド38は、RXバンド7の312Bに漏れてはならないことが望ましい。バンド38の送信モード310Bにおいて、フィルタアーキテクチャ330Bのモード1が採用され、図17Cに示す周波数応答32Cが生成される。バンド38の送信モードでのチャネル構成310Bにおいて、ガードバンド316Bは、バンド38の送信セクション又は通過バンド316Aと、バンド7の受信バンド312Bとの間に位置する。モード1において、フィルタアーキテクチャ330Bは、図17Cに示す周波数応答320Cを生成する。この場合、ストップバンド324Aは、ガードバンド316Bに位置する。バンド38の受信モード図15C、310Cの場合、バンド7の送信チャネル312Aは、バンド38の受信チャネル318Aを干渉する。この構成において、図16Bのフィルタアーキテクチャ330Bは、第2のモードモード2で動作し、図17Fに示す周波数応答320Fを生成する。周波数応答320Fのストップバンド324Bは、バンド38が受信モードの場合、ガードバンド328Bに位置する。図16Bに示すアーキテクチャ330Bは、ガードバンドのサイズ316B、318Bを減少させ、図15Aないし図15Cに示す実施例におけるバンド38の広いバンド幅の利用を可能とする。他のフィルタの実施例330Cが図16Cに示されている。フィルタ330Cは、第1の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール334C及び第2の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール334Dを含み、これらは直列接続されている。第1の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール334Cは、第1の共振器332B、第1の調整可能な共振器212A、第1の設置された調整可能な共振器96C、及び第1の反対スイッチペア216E、217Eを含む。スイッチ217E、第1の共振器332B、及び第1の調整可能な共振器212Aは、一体的に直列接続され得る。そして、直列接続グループ217E、332B、212Aはスイッチ216Eと並列接続され得る。AWFモジュール96Cは、AW332Bと212Aとグランドとの間に位置し得る。AWF96Cは、AWモジュール80Cと、AWモジュール80Cに並列接続された調整可能なキャパシタ98Cとを含む。同様に、第2の調整可能なスイッチ可能なフィルタモジュール334Dは、第2の共振器332C、第2の調整可能な共振器212B、第2の設置された調整可能な共振器96F、及び第2の反対スイッチペア216F、217Fを含む。スイッチ217F、第2の共振器332C、及び第2の調整可能な共振器212Bは、一体的に直列接続され得る。そして、直列接続グループ217F、332C、212Bはスイッチ216Fと並列接続され得る。AWFモジュール96Fは、AW332Cと212Bとグランドとの間に位置し得る。AWF96Fは、AWモジュール80Fと、AWモジュール80Fに並列接続された調整可能なキャパシタ98Fとを含む。フィルタモジュール334Cは、アクティブである場合スイッチ216E開、スイッチ217E閉、スイッチ216F閉、スイッチ217F開モード1、図17Cに示す周波数応答320Cを提供する。フィルタモジュール334Dは、アクティブである場合スイッチ216E閉、スイッチ217E開、スイッチ216F開、スイッチ217F閉モード2、図17Fに示す周波数応答320Fを提供する。他のモード、モード3において、スイッチ216E及び216Fの両者は開き、かつ217E、217Fは閉じるフィルタモジュール334C、334Dの両者が動作する場合、得17Gに示す周波数応答320Gを生成する。このような周波数応答は、結合されたフィルタのいずれのサイドにおいてもバンドを保護する。これは、図15Aに示すバンド7の送信バンド312A及び受信バンド312Bである。AWF96Cは、AW80Cの構成の関数として追加的なストップバンドを提供する。フィルタシステム又はアーキテクチャ330Cは、潜在的なロス及びオープンスイッチ216F、217Eモード2、スイッチ216E、217Fモード1のキャパシタンスがあるために、モード1又は2において許容できない挿入ロスが発生する場合がある。他のフィルタアーキテクチャ330Dは、図16Dに示すように、モード1、2、及び3に対して、より少ない挿入ロスとなる。図16Dに示すように、フィルタアーキテクチャ334Eは、第1のフィルタモジュール336A、第2のフィルタモジュール336B、及び第3のフィルタモジュール336Cを含み、全てが互いに並列接続される。第1のフィルタモジュール336Aは、第1の共振器332B、第1のAWF212A、第1の設置されたAWF96C、及びスイッチペア216E、217Eを含み直列接続されている。直列接続されたこれらの共振器は、図17Cに示す周波数応答320Cを提供するモード1:スイッチペア216E、217E閉、スイッチペア216F、217F開、かつスイッチペア216G、217G開。第2のフィルタモジュール336Bは、第2の共振器332C、第2のAWF212B、第2の設置されたAWF96F、及びスイッチペア216F、217Fを含み直列接続されている。直列接続されたこれらの共振器は、図17Fに示す周波数応答320Fを提供するモード2:スイッチペア216E、217E開、スイッチペア216F、217F閉、かつスイッチペア216G、217G開。第3のフィルタモジュール336Cは、第1の共振器332B、第1のAWF212A、第2の共振器332C、第2のAWF212B、第1の設置されたAWF96C、第2の設置されたAWF96F、及びスイッチペア216G、217Gを含み、直列接続されている。モード3において、結合された共振器332B、212A、332C、及び212Bは、図17Gに示す周波数応答320Gを提供する。信号処理アーキテクチャ330Eを図16Eに示す。アーキテクチャ330Eは、第1のフィルタシステム215A、第2のフィルタシステム215B、2ポジションスイッチ216H、パワーアンプPA12、ローノイズアンプLNA14、アンテナ50、及びミキサ60Aを含む。アンテナ50を介して送信されるべき信号8は、PA12によって増幅され、増幅された信号22を提供する。その結果生じる信号22は、望まれる又は許される送信バンド幅を超える信号コンテンツ、例えば図15Bに示すバンド38の送信チャネル316Aを含み得る。この結果として得られる信号22は、フィルタシステム215Aによってフィルタリングされる。このフィルタシステム215Aは、第1の共振モジュール332B、第1の設置された共振モジュール96C含共振器80C及び調整可能な共振器98C、及び第1の並列共振器モジュール含共振器214C、214D及び調整可能なキャパシタ218Cを含み得る。実施例において、第1のフィルタシステム215Aは、図17Cに示す周波数応答320Cを生成する。このフィルタリングされた信号は、スイッチ216Hを介して、アンテナ50に接続される。同様に、アンテナ50によって受信された信号42は、第2のフィルタシステム215Bによってフィルタリングされる。このフィルタシステム215Bは、第2の共振モジュール332C、第2の設置された共振モジュール96F含共振器80F及び調整可能な共振器98F、及び第2の並列共振器モジュール含共振器214E、214F及び調整可能なキャパシタ218Dを含み得る。実施例において、第2のフィルタシステム215Bは、図17Fに示す周波数応答320Fを生成する。受信された信号のフィルタリングされた結果は、LAN14によって増幅される。フィルタリングされ増幅された受信信号は、ミキサ60A及び基準周波数信号60Bを介して、他の中心周波数すなわち通過バンドにシフトされ、受信された信号60Cはフィルタリングされ増幅され周波数シフトされる。図18に、実施例における方法340を示す。この方法では、図13A、図13B、及び図16Aないし図16Eに示す、それぞれフィルタアーキテクチャ290A、290B、330Aないし330Eを採用することができる。方法340において、要求され、又は指示される最大挿入ロス通過バンド最大ロス252が選択されるアクティビティ342。要求され、又は指示されるストップバンド最小エッジ254が選択されるアクティビティ344。同様に、要求され、又は指示されるストップバンドエッジに対する最小減衰量256が更に選択されるアクティビティ346。これらの要求252、254、256に基づいて、最大通過バンドロス252の要求が満たされ、かつ点254にストップバンドが設定されるよう、更に少なくとも減衰量256に設定されるよう、調整可能な共振器フィルタ294A、294B、334A、334Bが構成されるアクティビティ348。共振器フィルタ292A、292B、332A、332B、332Cは、可能性のある温度変化及びプロセスのばらつきに基づいて、当初のストップバンド254を通過passが超えるストップバンドを持ち、最小減少量256及び最大通過バンドロス252を持つよう構成されるアクティビティ352。アクティビティ348、352は、どの順序で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。図19Aは、電気的信号フィルタモジュール360Aのブロック図を示しレいる。このフィルタモジュール360Aは、共振器80A、80B、80Cを含む。様々な実施例に従って、共振器80A、80B、80Cは、それぞれフィルタ周波数応答362A、362B、362Cを持つ。共振器80A、80B、80Cは、それぞれ対応する電気的コンポーネントに基づいて、様々な実施例に従って、図2B、図20A、図20Bに示すように特性が表現される。図2B、図20A、図20Bに示すように、共振器80A、80B、80Cは、直列接続されているインダクタ86A、86B、86C、第2のキャパシタ82A、82B、82C、及び抵抗84A、84B、84Cに並列接続された第1のキャパシタ81A、81B、81Cで構成され得る。ここで、実施例においては、キャパシタ81A、81B、81C、82A、82B、82Cは、それぞれキャパシタンスCOA、COB、COC、CMA、CMB、CMCを持ち、インダクタ86A、86B、86Cは、インダクタンスをLMA、LMB、LMCを持ち、かつ抵抗84A、84B、84Cは、RMA、RMB、RMC抵抗値を持つ。実施例において、CMA、CMB、CMC及びLMA、LMB、LMCの値は、AW80A、80B、80Cの弾性及び慣性に関係する。実施例において、COA、COB、COCの値は、AW80A、80B、80Cの圧電物質の横断電気的フィンガの実効キャパシタンスを表す。実施例において、RMA、RMB、RMCの値は、AW80A、80B、80Cの機械的動きによって生成される熱を表し得るAWの実効特性又はQリミッタ。共振器80Aにおける第1のキャパシタ81A、インダクタ86A、第2のキャパシタ82B、及び抵抗84Aの値として、COA、CMA、LMA、及びRMAを用いると、以下の式によって、弾性AWデバイス80Aの共振wr及び反共振waは以下の式によって表される。これらの式を用いて、AW80Aは図19Aに示す周波数応答362Aを持つ。この応答は、ローパスフィルタに類似しており、通過バンドとして、共振周波数としてfr1近傍、及びストップバンドとして反共振fa1近傍の特性を有する。同様にAW80Bは、図19Aに示す周波数応答362Bを呈する。この応答は、ローパスフィルタに類似しており、通過バンドとして、共振周波数としてfr2近傍、及びストップバンドとして反共振fa2近傍の特性を有する。AW80Cは、図19Aに示す周波数応答362Cを呈する。この応答は、ローパスフィルタに類似しており、通過バンドとして、共振周波数としてfr3近傍、及びストップバンドとして反共振fa3近傍の特性を有する。AW80A、80B、80Cの共振及び反共振周波数fr1、fr2、fr3及びfa1、fa2、fa3は、AW80A、80B、80Cのデバイスの物理的特徴の関数として決定固定される。機械的特徴に基づく、AW80A、80B、80Cのデバイスが結果的に呈する周波数応答を用いて、デバイス80A、80B、80Cの様々な組合せによって、様々なフィルタ応答が形成される。図19Bは、図19Aの共振器80A、80B、80Cを含む電気的フィルタモジュール360Aの362A、362B、362Cのフィルタ周波数応答であり、ここでは、種々の実施例に従った中心周波数fcを持つ第1の通過バンドフィルタ構成364Aを示す。図19Dは、図19Aの共振器80A、80B、80Cを含む電気的フィルタモジュール360Aの362A、362B、362Cのフィルタ周波数応答であり、ここでは、種々の実施例に従った中心周波数fcを持つ第1の通過バンドフィルタ構成364Cを示す。図19B及び図10DにおいてAWデバイス80Aの周波数応答362Aの共振周波数fr1は、フィルタ364Aのfcより高くなるよう構成されている。そのため、反共振fa1近傍の、そのストップバンドもフィルタ364Aのfc及びその共振周波数fr1より高い。同様に、AWデバイス80Bの周波数応答362Bの共振周波数fr2は、フィルタ364Aのfc、及びAWデバイス80Aの周波数応答362Aの共振周波数fr1より高くなるよう構成されている。反共振fa2の近傍のAWデバイス80Bのストップバンドも、フィルタ364Aのfc、その共振周波数fr2、及びAWデバイス80Aの共振周波数fr1、及び反共振周波数fa1よりも高い。短絡パーツAWデバイス80Cの周波数応答362Cの反共振周波数fa3は、フィルタ634Aのfcより低く構成される。したがって、共振fr3の近傍のそのストップバンドも、フィルタ364Aのfc及びその反共振周波数fa3よりも低い。図19Dに示すように、図19Bに示すAWデバイスの物理的特徴に基づく実効的な周波数応答362A、362B、362Cを持つ、AWデバイス80A、80B、80Cの組合せは、バンド幅366Aを持つ帯域通過フィルタ364Cを形成する。図19Cは、種々の実施例に従って、中心周波数fcを持つノッチフィルタ構成364Bの図19Aの共振器80A、80B、80Cを含む電気的信号フィルタモジュール360Aのフィルタ応答362A、362B、362Cのグラフを示す。図19Eは、種々の実施例に従った中心周波数fcを持つノッチフィルタ構成364Eの図19Aの共振器80A、80B、80Cを含む電気的信号フィルタモジュール360Aの周波数応答362A、362B、362Cの実効的な組合せのグラフを示す。図19C及び図19Eにおいて、AWデバイス80Aの周波数応答362Aの反共振ストップバンド周波数fa1は、フィルタ364Aのfcよりも低く、このため、共振fr1の近傍の通過バンドもフィルタ364Aのfc、及びその反共振周波数fa1よりも低い。AWデバイス80Bの周波数応答362Bの反共振周波数fa2は、フィルタ364Bの中心周波数fcの近傍で、AWデバイス80Aの周波数応答362Aの反共振周波数fa1より高く構成され得る。AWデバイス80Bの共振fr2近傍の通過バンドも、フィルタ364Bのfc、その反共振周波数fa2、及びAWデバイス80Aの反共振周波数fa1より低い。共振fr2の近傍のAWデバイス80Bの通過バンドは、AWデバイス80Aの共振周波数fr1よりも高い。短絡パーツAWデバイス80Cの周波数応答362Cのストップバンド共振周波数fr3は、フィルタ364Aのfcよりも高く構成される。したがって、反共振fa3の近傍のその通過バンドも、フィルタ364Aのfc、及びその共振周波数fr3よりも高い。図19Eに示すように、AWデバイスの物理的特徴に基づく図19Cの周波数応答362A、362B、362Cを持つ、AWデバイス80A、80B、80Cの有効な組合せは、バンド幅366Bを持つノッチフィルタ364Dを形成し得る。図21Aは、種々の実施例に従った、共振器80A、80B、80D、可変キャパシタ98A、98C、及び98D、を含む、調整可能な電気的信号フィルタモジュール380Aのブロック図、及び、共振器80A、80B、80Dのそれぞれのフィルタ周波数応答362A、362C、362Dのグラフを示す。実施例において、可変キャパシタ98Aは、AWデバイス80Aに並列接続されている。可変キャパシタ98Cは、AWデバイス80Cに並列接続されている。可変キャパシタ98Dは、AWデバイス80Dに並列接続されている。可変キャパシタ98Cに並列接続されたAWデバイス80Cは、第1の短絡パスを形成する。可変キャパシタ98Dに並列接続されたAWデバイス80Dは、第1の短絡パスを形成する。図19Aと同様に、AW80Aは、図21Aに示す周波数応答362Aを呈する。この応答は、共振周波数fr1近傍での通過バンドと、反共振fa1近傍でのストップバンドとを持つローパスフィルタに類似している。AW80Cは、短絡パスを形成し、図21Aに示す周波数応答362Cを形成する。これは、その反共振fa3近傍で通過バンドと、共振周波数fr3近傍でストップバンドとを持つハイパスフィルタに類似する。AW80Dも、短絡パスを形成し、図21Aに示す周波数応答362Dを形成する。これは、その反共振fa4近傍で通過バンドと、共振周波数fr4近傍でストップバンドとを持つハイパスフィルタに類似する。共振器AWデバイス80A、80C、80Dは、周波数fr1、fr3、fr4、及びfa1、fa2、fa4において、共振及び反共振し、AWデバイス80A、80C、80Dの機械的特徴の関数として調整される。上述のように、可変キャパシタ98A、98C、98Dは、デバイス80A、80C、80Dの特性をシフトする。機械的な特性に基づく、AWデバイス80A、80C、80Dによって結果的に得られる周波数応答を利用することによって、デバイス80A、80C、80Dの様々な組合せで、様々なフィルタ応答が形成され得る。図21Bは、種々の実施例に従った、電気的信号フィルタモジュール380A図21Aのフィルタの周波数応答362A、362C、362Dを示し、図21Aの共振器80A、80C、80Dの、中心周波数fcを持つノッチフィルタ構成380Bを示す。図21Cは、図21Aの共振器80A、80C、80Dを含む電気的フィルタモジュール380Aのフィルタ周波数応答362A、362C、362Dの実効的な組合せ380Cを示すグラフである。このフィルタは、ノッチ構成380Cであり、種々の実施例に従って、中心周波数fc及びバンド幅386Cを持つ。図21B及び21Cにおいて、AWデバイス80Aの周波数応答362Aの反共振ストップバンド周波数fa1は、フィルタ380Bのfcより低く構成される。これによって、共振fr1近傍の通過バンドは、フィルタ180Bのfc及びその反共振周波数fa1よりも低い。短絡パーツAWデバイス80Cの周波数応答362Cのストップバンド共振周波数fr3は、フィルタ380Aのfc近傍に構成される。したがって、その反共振fa3の近傍の通過バンドは、フィルタ380Aのfc、及び共振周波数fr3より高い。第2の短絡パーツAWデバイス80Dの周波数レスポンス362Dのストップバンド共振周波数fr4は、フィルタ380Aのfcより高く構成される。したがって、反共振fa3近傍の通過バンドは、フィルタ380Aのfc、及びその共振周波数fr3よりも高い。図21Cに示すように、図21Cに示す周波数応答362A、362C、362Dを持つAWデバイス80A、80C、80Dの実効的な組合せは、AWデバイスの物理的特性に基づいてバンド幅386Cを持つノッチフィルタ38Cを形成し得る。図20Aは、種々の実施例に従った、調整可能な共振器80A、80B、80Cの特性を示す電気的要素を含む調整可能なフィルタモジュール370Aのブロック図を示している。図20Aに示すように、フィルタモジュール370Aは、AWデバイス80A、80B、80C、可変キャパシタ98A、98B、及び98C、信号源又はジェネレータ92A、入力負荷を示す抵抗94A、及びアンテナ負荷を示す抵抗94Bを含む。可変キャパシタ98Aは、AWデバイス80Aに並列接続され得る。可変キャパシタ98Bは、AWデバイス80Bに並列接続され得る。可変キャパシタ98Cは、AWデバイス80Cに並列接続され得る。図20Aに示すように、共振器80A、80B、80Cは、直列接続されたインダクタ86A、86B、86C、第2のキャパシタ82A、82B、82C、及び抵抗84A、84B、84Cに、並列接続される第1のキャパシタ81A、81B、81Cで構成される。ここで、実施例において、キャパシタ81A、81B、81C、82A、82B、82Cは、それぞれキャパシタンスCOA、COB、COC、CMA、CMB、CMCを持ち、インダクタ86A、86B、86Cは、インダクタンスLMA、LMB、LMCを持ち、抵抗84A、84B、84Cは、抵抗値RMA、RMB、RMCを持つ。上述のように、AWデバイス80A、80B、80Cの物理的特性は、1つ以上のフィルタモジュール図19Dの帯域通過364C、図19Eのノッチ364Dを形成するために選択される。可変キャパシタ98A、98B、98Cが所望の調整効果を、対応するAWデバイス80A、80B、80Cに発揮するために、それらのキャパシタンス範囲は、AWデバイス80A、80B、80Cの実効的なインダクタンスLMA、LMB、LMCに関連して重要である。可変キャパシタ98A、98B、98Cは、キャパシタを含む半導体のダイの広い範囲を占有する。そして、可変キャパシタ98A、98B、98Cを含むフィルタ370Aの特性Qqualityに影響を与える。実施例において、図19Eのフィルタ364Dは、略800MHzの中心周波数を持ち得る。AW80A、80B、80Cは、それぞれ、797MHz、918MHz、及び800MHzの近傍に、共振周波数fr1、fr2、fr3を持つ。このようなフィルタに対して、調整されたAWデバイス80A、80B、80CのインダクタンスLMA、LMB、LMCは、それぞれ約30nH、30nH、及び132nHである。実施例において、AWデバイス80A、80B、80Cを効果的に調整するためには、98A、98B、98Cのキャパシタンスの範囲は、約4-9.5pF、3.5-13pF、及び2-10pFである。この実施例において、共振器のQは、約500であり、可変キャパシタ98A、98B、98CのQは、約100である。実施例において、AWデバイス80Aは、AWデバイス80Bと類似していてもよい。この実施例において、可変キャパシタ98は、可変キャパシタ98Bと類似していてもよい。図20Bに示すように、単一の可変キャパシタ98Dを、AWデバイス80A及びAWデバイス80Bの両者を効果的に調整するために用いることができる。フィルタモジュール370Bにおいて、可変キャパシタ98Dは、直列接続されたAWデバイス80A、80Bと並列接続される。図20Bのフィルタモジュール370Bを用いることによって、AW80A、80B、80Cが、797MHz、918MHz、及び800MHzの近傍に、共振周波数fr1、fr2、fr3を持つよう選択される。このようなフィルタに対して、モデル化されたAWデバイス80A、80B、80CのインダクタンスLMA、LMB、LMCは、それぞれ約46nH、77nH、及び44nHである。フィルタ370BのAWデバイス80A、80B、80Cを効果的に調整するために、98D及び98Cのキャパシタンスの範囲は、実施例において約2-4pF、2.5-3.3pFである。図20Aのフィルタモジュール370Aのキャパシタ98A、98B、98Cと比較して実質的なキャパシタンスの減少となる。図20Bのフィルタモジュール又は構成370Bは、フィルタモジュール370Bのフィルタの挿入ロスを減少させ、Qを向上させる。実施例において、AWデバイス80A、80B、及び80Cは、41度degreeのニオブ酸リチウムを含み得る。上述のように、図4に示す80A、80B、80C弾性波AW:acousticwaveデバイスでは、共振、及び反共振周波数fr0、fa0は、製造のばらつき及び動作温度に影響され得る。加えて、例えば図4に示す可変キャパシタ98A、98B、98Cにおいて、選択された、又は可変キャパシタンスcx0mここで、xは、可変キャパシタの選択xであるは、製造のばらつき及び動作温度に依存して変動する。実施例において、例えば、図23に示すシステム430は、AWデバイス80A、80B、80C、及び可変キャパシタ98A、98B、98C、及びAWモジュール98A、98B、98Cの製造のばらつき及びAWデバイスモジュール98A、98B、98Cの動作温度の計測結果に基づいて、1つ以上のキャパシタに対する調整信号442A、442B、442Cを調節する。実施例において、AWモジュール98A、98B、98Cに近接した444Bに接続された温度センサモジュール444Aは、AWモジュール98A、98B、98Cの近くの温度を計算する。制御ロジックモジュール446は、計算された温度、及びシステム430のコンポーネントの既知の製造のばらつきを用いて、それらの制御信号442A、442B、442Cを介して、1つ以上の可変キャパシタ98A、98B、98Cを制御する。実施例において、AWモジュール98A、98B、98Cは、公称の環境温度において動作するよう構成されているが、実際の環境温度は、この公称の温度より高いか低いことがあり得る。制御ロジックモジュール446は、AWモジュールの98A、98B、98Cの公称の動作温度と、測定されたまたは計算された環境温度との間の差を特定する。AWモジュールの98A、98B、98Cの公称の動作温度は、PROM448図23に保存されていてもよい。さらにSPI信号は、可変キャパシタ98A、98B、98Cの望ましい設定を提供する。制御ロジックモジュール446は、計算された環境温度及びシステム430のコンポーネントに対する製造の既知のばらつきに基づいて、可変キャパシタ98A、98B、98Cに対するSPIベースの設定を調整する実施例において、プログラマブルROMPROM448は、システム430の1つ以上のコンポーネント80Aないし80C及び98Aないし98Cに対して製造のばらつきの特徴を含んでいる。PROM448の特徴は、各AWモジュール80Aないし80Cに対して、可能な共振及び反共振周波数fr0、fa0、又は、各AWモジュール80Aないし80Cに対する公称の共振及び反共振周波数fr0、fa0と、予想される共振及び反共振周波数fr0、fa0との間のデルタを含む。制御ロジックモジュール446は、対応する可変キャパシタ98Aないし98Cを調整することによって、AWモジュール80Aないし80Cに対するこのデルタ又は周波数差又は予想される周波数を使用して、達成されるべき望まれる修正を計算する。図22Aは、種々の実施例にしたがった弾性波AWモジュールに対する製造のばらつきを表す共振周波数fr0予測関数probablyfunctionPrf392Aのグラフを示している。図22Bは、種々の実施例にしたがった弾性波AWモジュールに対する製造のばらつきを表す反共振周波数fa0の予測関数Faf392Bのグラフを示している。図22Dは、種々の実施例に従ったキャパシタモジュールに対する製造のばらつきを表す予測関数Pcf392Dの単位領域c0当たりのキャパシタンスのグラフを示している。実施例において、PROM448は、各関数392Aないし392Cに対する計測された標準偏差Δfr0、Δfa0、Δfc0を含む、各Prf392A、Faf392B、Pcf392Cを表すデータを含む。これらの関数は、サンプリング又は計測された値として略ガウス関数に近似する。実施例において、プログラマブルROMPROM448は、さらにシステム430のコンポーネント80Aないし80Cの1つ以上の温度変化の特徴を含む。ROM448の特徴は、各AWモジュール80Aないし80Cに対する可能な共振及び反共振周波数fr0、fa0、又は、各AW80Aないし80Cに対する最適な又は公称の共振及び反共振周波数fr0、fa0と、予測共振及び反共振周波数fr0、fa0との間のデルタを含む。制御ロジックモジュール446は、各AWモジュール80Aないし80Cに対する温度デルタ又は周波数差又は予測周波数を用い、対応する可変キャパシタ98Aないし98Cを調整することによって達成されるべき所望の修正を計算する。実施例において、図22Cに示すように、AWモジュール80Aないし80Cに対する共振及び反共振の周波数変化392Cは、リニアである。図22Cに示すように、公称の温度例えば室の温度からの正の温度デルタΔT0に対して、温度関数392Cの傾斜及び温度デルタΔT0に基づいてAWモジュール80Aないし80Cの共振又は反共振周波数は、所定の数値だけ減少する。同様に、図22Cに示すように、負の温度デルタ-ΔT0に対して、温度関数392Cの傾斜及び温度デルタ-ΔT0に基づいてAWモジュール80Aないし80Cの共振又は反共振周波数は、所定の数値だけ増加する。実施例において、制御ロジックモジュール446は、コンポーネント80Aないし80Cに対するPROM448によって提供された製造のばらつきのデルタと、温度変化のデルタとを合体させ、対応する可変キャパシタ98Aないし98Cに対する総合的なデルタ又は修正を特定又は計算する。更なる実施例において、制御ロジックモジュール446は、コンポーネント80Aないし80Cに対するPROM448によって提供された製造のばらつきのデルタ及び温度変化のデルタと、可変キャパシタ98Aないし98Cに対するPROM448によって提供された製造のばらつきのデルタとを合体させ、対応する可変キャパシタ98Aないし98Cに対する総合的なデルタ又は修正を特定又は計算する。実施例において、PROM448のデータは、1つ以上の方法によってアップデートされ得る。この実施例において、PROM448に保存された1つ以上のコンポーネント80Aないし80Cに対する温度及び製品のばらつきの特徴データは、計測された応答又はアップデートされたコンポーネントテストに基づいてアップデートされてもよい。同様に、測定された応答又はアップデートされたコンポーネントのテストに基づき、1つ以上のキャパシタ98Aないし98Cの製造のばらつきに関する特徴データがアップデートされる。実施例において、システム430の制御ロジックモジュール446は、温度及びコンポーネント80Aないし80Cの製造の特徴及び、コンポーネント98Aないし98Cの製造の特徴を保存するメモリを含む。可能な可変システム特徴を備えるAWモジュール80Aないし80C又は可変キャパシタ98Aないし98C又は他のコンポーネントを提供するために、図24に示す製造方法400が採用される。図24は、種々の実施例に従ったコンポーネントのモデリング、製造、及び構成の方法を示している。方法400において、AWモジュール80Aないし80C又は可変キャパシタモジュール98Aないし98Cの一般的なコンポーネントの特徴が特定される。所望のパラメータを持つAWモジュール80Aないし80C又は可変キャパシタモジュール98Aないし98Cを設計し、製造するために、テストデバイス又は関連するモジュールが製造されかつその特徴が評価されるアクティビティ402。特に、テストデバイスに対して重要でクリティカルなパラメータがチェックされる。これには、AWモジュールに関連するデバイスに対する共振及び反共振周波数、及びキャパシタ又は可変キャパシタに関連するデバイスに対するユニット領域毎のキャパシタンスが含まれる。テストデバイス、及び首尾一貫した或いはよく吟味された製造プロセスに基づいて、テストデバイスにクリティカルなパラメータに対する確率曲線又は標準偏差が特定される。実施例において、各クリティカルパラメータの確率関数に対して、ガウス分布が適用され、そして第1の標準偏差が計算される。テストデバイスと、設計され製造されるAWモジュール又は可変キャパシタモジュールの相関を用いて、確率関数例えば各Prf392A、Paf392B、Pcf392Cは、AWモジュール又は可変キャパシタモジュールに対して特定される。クリティカルパラメータに対する、テストデバイスと、得られた確率関数との相関に基づいて、AWモジュール又はキャパシタモジュールが設計されるアクティビティ404。本発明において言及されている補償モジュールが無い場合、AWモジュール又はキャパシタモジュールの設計パラメータは、製造のばらつきに対する余裕を持つlooseことが望ましい。AWモジュール又はキャパシタを補償モジュールと共に、本発明のシステム430に導入することによって、システム430のコンポーネントのばらつきを補償するためのより厳格な設計パラメータを得ることができる。実施例において、設計に基づいて、最初の、最終的なコンポーネントAWモジュール又はキャパシタモジュールが製造される。そして、対応する設計に基づいた最初のコンポーネントは、テストされ、重要なクリティカルなパラメータに対する予測特徴が特定される。最初の、最終的な、設計されたコンポーネントに対する、この特定された予測特徴は、テストデバイスに対して特定された予測特徴と比較される。予測通り、特徴に相関がある場合、より多くの最終的な設計コンポーネントが製造され、ランダムにテストされるアクティビティ412。製造プロセス及びソースが制御され良好であれば、以前に特定された予測関数Prf392A、Paf392B、Pcf392Cに対する相関を確かめるために、僅かな又はランダムなコンポーネントがテストされればよい。AWモジュールを含む、温度に敏感なコンポーネントに対して、温度の効果についてもモデリングされアクティビティ402、そしてコンポーネントの設計において考慮されるアクティビティ404。最初の最終的なコンポーネントの温度の特徴も、温度に敏感なコンポーネントのより多くの製造アクティビティ412の前に、特定されるアクティビティ408。実施例において、最終的な設計コンポーネントAWモジュール又は可変キャパシタモジュールの各々の又はバッチのグループは、テストされ、重要なクリティカルモジュールの特徴に対する得られた予測関が、特定される。上述のように、特定された予測関数は、対応するモジュール80Aないし80C、98Aないし98Cが導入されているシステム430に記憶される。AWの製造のばらつき及び動作温度によるモジュールのパフォーマンスのばらつきを調整することに加えて、フィルタモジュール452Aの入力又は出力におけるインピーダンスも、フィルタモジュール452A図25Aに影響を与える。図25Aのフィルタモジュールは、入力モードにおいて特定の負荷を与えられ、出力ノードにおいて特定の負荷が与えられる。実施例において、フィルタモジュール452Aの入力ノードの目標の/設計された負荷94A、又は出力ノードの目標の/設計された負荷94Bの差異は、そのパフォーマンスに影響を与える。図25Aは、信号フィルタアーキテクチャ450Aを示すブロック図である。アーキテクチャ450Aは、フィルタモジュール452A、抵抗で表現された入力負荷94A、及び亭号で表現された出力負荷94Bを含む。フィルタモジュール452Aは、平衡負荷を持つよう構成されており、入力インピーダンス94A及び出力インピーダンス94Bは、略等しく、そして所定の値、実施例において、例えば50オームである。94A、94Bの目標負荷の間の比は、そのモジュールの電圧安定化比VSWR:VoltageStandingWaveRatioに関連する。上述のように、フィルタモジュール452Aは、1:1の共通のVSWRと入力負荷94Aは略出力負荷94Bに等しくなるよう構成され得る。1:1のVSWRで構成されたフィルタモジュール452Aの入出力ミスマッチVSWRが1:1以外の場合、大きな信号挿入ロス大きなフィルタ通過バンドロスとなる。図25Bは、信号フィルタアーキテクチャ450Bのブロック図を示しており、調整可能なフィルタモジュール452Bを含む。調整可能なフィルタモジュール452Bは、負荷94A、94Bの間のフィルタモジュール452A、452Bにより予測される公称のVSWRと異なるインピーダンスミスマッチの効果を減少させるよう構成されている。図25Bに示すように、信号フィルタアーキテクチャ450Bは、入力負荷94A、出力負荷94B、及び調整可能なフィルタモジュール452Bを含む。この調整可能なフィルタモジュール452Bは、複数の調整可能なAWモジュール96A、96C、96D、96Eを含む。調整可能なAWモジュール96A、96C、96D、96Eの各々は、AWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80F電気的な等価なコンポーネントで表されているを含み、利用可能な可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fと、それぞれ並列接続されている。調整可能なAWモジュール96Cは、入力負荷94Aとグランドとの間に接続されている。1つ以上のサブフィルタモジュール454A、454Bは、調整可能なAWモジュール96Cと、出力負荷94Bとの間に接続されている。サブフィルタモジュール454A、454Bの各々は、それぞれ、第1の調整可能なAWモジュール96C、96E、及びグランドと接続されている第2の調整可能なAWモジュール96D、96Fを含んでいる。上述のように、AWデバイス80A、80C、80D、80E、80Fは、インダクタ86A、86C、86D、86E、キャパシタ82A、82C、82D、82E、82F、抵抗84A、84C、84D、84E、84Fが直列接続され、これらがそれぞれ、キャパシタ81A、81C、81D、81E、81Fと並列接続されている。AWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fに並列接続されている、可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fは、80A、80C、80D、80E、及び80Fのフィルタ特性に影響を与えるために変化する。上述のように、可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fは、AWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整するために利用され得る。これによって、共振及び反共振周波数がシフトし、異なるバンド、サブバンドが選択され、製造のばらつき、及び温度シフトが修正される。可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fは、AWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整して、予期しない構成されていないVSWRのためにフィルタモデル452Bが製造された設計されたVSWRが等しくないために生じる入力信号の挿入ロスを減少させる。実施例において、フィルタモジュール452Bは、約1:1のVSWRに設計されている。そして、VSWRが1:1以外の未調整のVSWRによる挿入ロスを減少させるために、可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fが調整される。例えば、図26Aは、ノーマルな1:1のVSWRフィルタモジュール452Bの周波数レスポンスのグラフを示している。図26Aに示すように、挿入ロス通過バンドの減少量は、約0.5dBである。図26Bは、1つ以上の可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fは、AWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整し、挿入ロスを減少させるために、それぞれのAWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整した場合の、1:1.5のVSWRのフィルタモジュール452Bの周波数応答のグラフを示している。図26Bに示すように、この挿入ロス通過バンド減少量は、約0.68dBである。図26Cは、1つ以上の可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fは、AWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整し、挿入ロスを減少させるために、それぞれのAWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整した場合の、1:2のVSWRのフィルタモジュール452Bの周波数応答のグラフを示している。図26Cに示すように、この挿入ロス通過バンド減少量は、約1dBである。他の実施例において、図23におけるPROM448は、様々なVSWRに対する可変キャパシタの変化量を含むことができる。ユーザは、出力負荷を示し、適切にPROM448を構成することができる。他の実施例において、制御ロジックモジュールは、出力負荷を検出し、VSWRの差を特定し、PROM448から最も近い可変キャパシタの変化量を選択することができる。更に他の実施例において、フィルタモジュール452Bは、構成され、フィルタモジュール452Bが取り得る値に対しての中央値でノーマルなVSWRになるよう設計される。例えば、アーキテクチャ450Bに対して、1:1、1:1.5、1:2のVSWRが予測される。フィルタモジュール452Bは、1:1.5のVSWRでフィルタモジュール452Bが最適になるよう設計される。そして、VSWRが1:1又は1:2である場合には、それぞれAWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整するために、可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fが調整される。更なる実施例において、可変キャパシタは、AWモジュール80C、80F、又は80A、80Eは図20Aのキャパシタ98Cのように、直列接続されてもよい。フィルタモジュール452Bの目標の/設計された値以外の負荷94A、94Bを補償するために、AWモジュール80C、80Fに対する可変キャパシタの直列接続が調整される。図27Aは、1:1のVSWRに対するフィルタモジュール452Aの周波数応答を示している。ここで、フィルタモジュール452Bは、VSWRが1:1、1:1.5、及び1:2で最適化されており、そして、1:1のVSWRの挿入ロスにそれぞれ減少させるために、1つ以上の可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98Fは、AWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整する。図27Aに示すように、挿入ロス通過バンド減少量は、0.65dBである。図27Bは、1:1.5のVSWRのフィルタモジュール452Bの周波数応答を示すグラフである。ここで、フィルタモジュール452Aの周波数応答は、1:1、1:1.5、1:2のVSWRで最適化されており、1つ以上の可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98FがそれぞれAWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整して、1:1.5のVSWRの挿入ロスを減少させるようにしている。図27Bに示すように、挿入ロス通過バンド減少量は、約0.62dBである。図27Cは、1:2のVSWRでのフィルタモジュール452Bの周波数応答を示すグラフである。ここで、フィルタモジュール452Bは、1:1、1:1.5、1:2のVSWRで最適化されており、1つ以上の可変キャパシタ98A、98C、98D、98E、及び98FがそれぞれAWデバイス80A、80C、80D、80E、及び80Fを調整して、1:2のVSWRの挿入ロスを減少させるようにしている。図27Bに示すように、挿入ロス通過バンド減少量は、約0.69dBである。図26Aないし図26Cに示すように、1:1のVSWRとして設計されたシステムに対して平均的な挿入ロスは約0.72dBであり、1:1.5、1:2のVSWRに対して調整される。図27Aないし27Cに示すように、1:1ないし1:2のVSWRとして最適化されたシステムに対して、平均的な挿入ロスは約0.65dBであり、1:1.0、1:1.5、及び1:2のVSWRに対して調整される。1:1のVSWRに対して最適化されたフィルタモジュール452Bの挿入ロスは、可変キャパシタの調整にもかかわらず1:1ないし1:2の範囲で最適化されたフィルタモジュール452Bの挿入ロスよりも低い0.5dB対0.65dB。このようにして、システムの実装において、予測される範囲のVSWRの関数として、そして、挿入ロスを最小化する基準として、1:1のVSWRの最適化された異なるフィルタモジュール452B又はVSWRの範囲が選択される。上述のように、VSWRは、システムの入力負荷及び出力負荷の間のバランスに基づいている。図1A及び図28Aに示したように、パワーアンプ12は、一側面としては、フィルタモジュール452A図28Aの負荷を提供する。パワーアンプ12は、通常非常に低いインピーダンスを提供する。フィルタモジュール452A図28又はRFスイッチ40図1Aに、所望の入力インピーダンスを提供するために、インピーダンスマッチングモジュール470Aを形成する1つ以上の要素が、PA12とフィルタモジュール462Aとの間に設置され得る。このインピーダンスマッチングモジュール470Aは、フィルタモジュール462Aの入力ポートにおいて、予測されたインピーダンスを提供する。フィルタモジュール462Aが調整可能であり、かつ異なる周波数バンドをフィルタリングすることをサポートする場合、マッチングモジュール470Aは、調整可能なモジュール462Aの様々な動作/フィルタリングモードの全てに対しては効果的ではない場合がある。図28Aは、様々な実施例に従った、フィルタシステムアーキテクチャ460Aのブロック図を示している。アーキテクチャ460Aは、PA12、インピーダンスマッチングモジュール470A、及び調整可能な/スイッチ可能なフィルタモジュール462Aを含む。インピーダンスマッチングモジュール470Aは、PA12を調整可能な/スイッチ可能なフィルタモジュール462Aに接続する。実施例において、調整可能な/スイッチ可能なフィルタモジュール462Aは、可変キャパシタ制御信号SPI及びバンド選択信号を含む。調整可能な/スイッチ可能なフィルタモジュール462Aは、異なる周波数スペクトル又はバンドに対する異なる周波数応答を提供又はスイッチする。実施例において、インピーダンスマッチングモジュール470Aは、インダクタ464Aを含む。PA12は、実施例においては、入力VDDから電力を受け取る。インダクタ464Aは、インピーダンスマッチングモジュール470Aのインピーダンスマッチング機能を提供する。実施例において、インダクタは約2ないし3nHのインダクタである。図28Bは、調整可能な/スイッチ可能な信号フィルタモジュール462Bのブロック図を示している。これは、複数のバンドにおいて動作し、マッチングモジュール470Aにインピーダンスマッチングを提供する。実施例において、フィルタモジュール462Bは、UMTSにおける地上無線アクセス網LTEeUTRANLongTermEvolutionにおいて動作することができる。LTEバンド13は、送信バンド776MHzから787MHzを持ち、受信バンド746MHzから757MHzを持つ。LTEバンド17は、送信バンド704MHzから716MHz、受信バンド734MHzから746MHzを持つ。LTEバンド13と17は、近接しておりタイトなバンドである。図28Bに示すように、調整可能な/スイッチ可能なフィルタモジュール462Bは、複数の調整可能なAWモジュール476C、476D、476F及び複数の調整可能な/スイッチ可能なAWモジュール476A、476Eを含む。調整可能なAWモジュール476Cは、並列接続されたAWデバイス80C及び80Eを含む。このセットは、可変キャパシタ98Cと並列接続されている。調整可能なAWモジュール476Cは、インピーダンスマッチングモジュール470Aとグランドとの間に接続されている。調整可能なAWモジュール476D、676Fは、可変キャパシタ98D、98Fにそれぞれ並列接続されたAWデバイス80D、80Gを含む。1つ以上のサブフィルタモジュール474A、474Bは、調整可能なAWモジュール96Cと出力負荷94Bとの間に接続されている。サブフィルタモジュール474A、474Bは、第1の調整可能な/スイッチ可能なAWモジュール476A、476E、及びそれぞれグランドに接続されている第2の調整可能なAWモジュール476D、476Fを含む。調整可能なAWモジュール476Aは、スイッチ472Aに直列接続されたAWモジュール80Aと、スイッチ472Bに直列接続されたAWモジュール80Fとが並列接続されている。このセットは、可変キャパシタ98Aと並列接続されている。調整可能なAWモジュール476Eは、スイッチ472Cに直列接続されたAWモジュール80Hと、スイッチ472Dに直列接続されたAWモジュール80Iとが並列接続されている。このセットは、可変キャパシタ98Eと並列接続されている。第1のモードにおいて、バンド13又は17に対して、スイッチ474Aないし474Dは、AWモジュール80A及びAWモジュール80Hをオン閉とし、AWモジュール80F及びAWモジュール80Iをオフスイッチ開とする。第2のモードにおいて、バンド13又は17に対して、スイッチ474Aないし474Dは、AWモジュール80A及びAWモジュール80Hをオフスイッチ開とし、AWモジュール80F及びAWモジュール80Iをオン又はアクティブスイッチ閉とする。可変キャパシタ98A、98E、98F、及び98Dは、温度、出力インピーダンス、及び製造のばらつきを修正するために、AWモジュール80F、80A、80I、80H、80G、及び80Dの動作を調整するよう、利用される。可変キャパシタ98Aは、AWモジュール80A又は80Fを共有して調整し、可変キャパシタ98Eは、AWモジュール80H又は80Iを共有して調整する。利用されるキャパシタ98Cは、フィルタモジュール462Bと、インピーダンスマッチングモジュール470Aとの間のインピーダンスマッチングを提供するために調整される。図29Aは、実施例において、LTEバンド17の信号を通過させた第1のモードでの、調整可能な/スイッチ可能なフィルタモジュール462Bのフィルタレスポンスを示すグラフである。図29Bは、実施例において、LTEバンド13の信号を通過させた第2のモードでの、調整可能な/スイッチ可能なフィルタモジュール462Bのフィルタレスポンスを示すグラフである。実施例において、AWモジュール80C及び80Eのパラレルコンビネーションの構成によって、LTEバンド17近傍で共振し、これによって、LTEバンドの17より下及び、LTEバンド17と13との間のリジェクトを提供している。可変キャパシタ98Cは、更に、動作のモードモード1又はモード2の関数として、LTEバンド17及び13の間の反共振ポイントを調整する。実施例において、スイッチ472Aないし472Dは、PAで増幅された信号を通過させるための、スタックされたCMOSFETで構成され得る。直列接続された複数のサブフィルタ474A、474Bは、サブフィルタにおいて信号を分けて処理するため、スタックのサイズを減少させ、スイッチ474Aないし474Dのスイッチにかかるパワーを減少させる。更なる実施例において、キャパシタ98Aないし98Eは、固定されていてもよい。これらのキャパシタンスは、既知の製造のばらつき、動作温度の変動、及びフィルタモジュール462Bに対して固定されたインピーダンスマッチング出力の修正に基づき、これらのキャパシタンスは、プリセットすることができる。他の実施例において、全ての可変キャパシタ98Aないし98Gについてのキャパシタンスの範囲、粒度は、関連するAWモジュール80Aないし80Gの公称の共振及び反共振周波数の許容できる範囲において、必要とされる修正の関数として変更され得る。AWモジュール80Aないし80Gの既知の製造のばらつき、動作温度の変化、及び出力インピーダンスの補償の条件に基づいて、修正量は、既知であるか又は計算することができる。様々な実施例の新規な装置又はシステムを含む本発明の適用は、高速なコンピュータに用いられる電気的回路、通信及び信号処理回路、モデム、シングル又はマルチプロセッサモジュール、シングル又はマルチの組込型プロセッサ、データスイッチ、及びマルチレイヤ、マルチチップモジュールを含む専用モジュール、が含まれる。このような装置及びシステムは、様々な電気的システム内のサブコンポーネントとして含まれ得る。例えば、テレビ、テレビ電話、パーソナルコンピュータ例えば、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、タブレットコンピュータ等、ワークステーション、ラジオ、ビデオプレーヤ、ラジオプレーヤ例えばmp3プレーヤ、車、医療デバイス例えば、心拍モニタ、血圧モニタ等、その他が挙げられる。ある実施例においては、複数の方法が含まれ得る。本明細書において記載したアクティビティを、記載された順序とは異なる順序で実行することができる。本明細書において特定された方法に関連する様々なアクティビティは、反復して、直列に、又は並列に実行することができる。ソフトウエアプログラムが、コンピュータベースのシステムにおいて、コンピュータ可読の媒体に記憶され得る。そして、ソフトウエアプログラムで定義された機能を実行することができる。様々なプログラミング言語を利用することができ、本明細書に記載された方法をインプリメントし実行するよう設計されたソフトウエアプログラムを生成することができる。例えば、オブジェクト指向のJava登録商標又はCの言語を用いて、オブジェクト指向の形式で、プログラムを形成することができる。あるいは、アセンブラ又はCなどの手続言語を用いて、手続指向で構成されたプログラムが生成されてもよい。ソフトウエアコンポーネントは、当業者に知られているメカニズムを用いて通信することができる。例えば、アプリケーションプログラミングインターフェース、又はリモートプロシジャコールを含むプロセス間通信技術が挙げられる。様々な実施例の教示は、特定のプログラミング言語又は環境に限定されるものではない。添付の図面は、例示的目的で用いられており、技術的範囲を定義して限定するためのものではない。ここで記載されている実施例は、当業者が記載された教示を実行するために十分であるように詳細に記載されている。他の実施例が用いられてもよい。また、これから他の実施例が導かれてもよい。これによって、開示の範囲を超えること無く構成上の及び論理上の代替及び変更がなされてもよい。この詳細な説明は、したがって、限定するためのものではなく、様々な実施例の技術的範囲は、添付の請求項によってのみ定義される。そして、請求項の均等物が含まれる。この発明の実施例は、個別的に又は総合的に、発明という語を用いて表現される。この語は、単に用いられるだけであり、単一の又は1つ以上の本発明を限定するために用いるものではない。したがって、特定の実施例が例示され記載されているが、同じ目的を達成するいかなるものも、この特定の実施例に代替することができる。この開示は、様々な実施例の適用又は変形例の全てをカバーするものである。上述の実施例の組合せ、本明細書に特に記載されていない他の実施例は、上述の記載をレビューすることによって、当業者に明らかである。要約は、請求項を限定するために、またはクレームの意味を限定するために用いられてはならない。上述の詳細な説明において、開示の一貫性を担保するために、様々な特徴がグループにまとめられ、1つの実施例となり得る。本明細書の記載方法において、各請求項に明示的に記載されている特徴を記載することを要求するよう解釈してはならない。むしろ、単一の開示された実施例の全ての特徴よりも少ない特徴から、技術的範囲は把握し得るものである。したがって、以下の請求項は、詳細な説明に組み込まれ、各請求項は、それぞれ別個の実施例として、それ自身で存在するものである。