基板上にSiO2パターン層を形成し、前記基板上に複数のエピタキシャル成長区域を画定するステップと、前記エピタキシャル成長区域に半導体発光構造を成長させ、エピタキシャル成長の条件を調整することにより、隣接する半導体発光構造の間に前記SiO2パターン層の一部を露出させるギャップを形成するステップと、第一エッチング液で前記SiO2パターン層を除去し、前記半導体発光構造と前記基板との間にスペースを形成させるステップと、第二エッチング液で前記半導体発光構造に横向きエッチングを行うステップであって、前記第二エッチング液が、隣接する前記半導体発光構造の間の前記ギャップに注ぎ込まれた後、前記半導体発光構造と前記基板との間の前記スペースに流れ込むことにより、前記半導体発光構造の側面と同時に底面をエッチングさせ、前記半導体発光構造を逆円錐状に形成させるステップと、前記半導体発光構造に電極を設置するステップと、前記ギャップに沿って前記基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップと、を備えることを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。前記半導体発光構造は、前記基板上にGaNバッファ層、n型GaN半導体層、InGaNGaN多重量子井戸層、及びp型GaN半導体層を順に積み重ねてなることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップの製造方法。前記電極を設置するステップは、前記半導体発光構造の一部をエッチングしてn型GaN半導体層の一部の表面を露出させ、前記p型GaN半導体層の表面及び前記n型GaN半導体層の露出面に、それぞれp型接触電極及びn型接触電極を設置することを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードチップの製造方法。前記した問題を解決するために、本発明は、低い温度で発光ダイオードチップに対して横向のエッチングを行い、発光ダイオードチップを逆円錐状に形成させる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法は、基板上にSiO2パターン層を形成し、前記基板上に複数のエピタキシャル成長区域を画定するステップと、前記エピタキシャル成長区域に半導体発光構造を成長させ、隣接する半導体発光構造の間に前記SiO2パターン層の一部を露出させるギャップを形成するステップと、第一エッチング液で前記SiO2パターン層を除去し、前記半導体発光構造と前記基板との間にスペースを形成させるステップと、第二エッチング液で前記半導体発光構造に横向きエッチングを行うステップであって、前記第二エッチング液が、隣接する前記半導体発光構造の間の前記ギャップに注ぎ込まれた後、前記半導体発光構造と前記基板との間の前記スペースに流れ込むことにより、前記半導体発光構造の側面と同時に底面をエッチングさせ、前記半導体発光構造を逆円錐状に形成させるステップと、前記半導体発光構造に電極を設置するステップと、前記ギャップに沿って前記基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップと、を備える。従来の技術と比べると、本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法において、半導体発光構造の底部にSiO2パターン層を予め形成し、第一エッチング液で前記SiO2パターン層を除去し、次いで第二エッチング液で半導体発光構造に横向きエッチングを行う過程において、第二エッチング液は、前記半導体発光構造の底部に流れ込むことにより、前記半導体発光構造の側面と同時に底面をエッチングできる。そのため、エッチング温度を低下させ、且つその速度も早めることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1及び図2に示すように、基板110上にSiO2パターン層120を形成させる。前記基板110は、サファイア、炭化ケイ素或いは窒化ケイ素から選択される一種である。前記SiO2パターン層120は、前記基板110を複数のエピタキシャル成長区域に分割させる。本実施例において、前記基板110の厚さは、430マイクロメートルである。前記SiO2パターン層120は、互いに交差して格子状を形成する複数の細長いSiO2パターンからなる。前記SiO2パターンは、複数の正方形のエピタキシャル成長区域130を画定する。前記SiO2パターンの幅は、20マイクロメートルであり、前記エピタキシャル成長区域130の幅は、300マイクロメートルである。また必要に応じて、前記基板110は、パターン化されたサファイア基板patternedsapphiresubstrate、PSSであってもよい。図3に示すように、前記エピタキシャル成長区域130に半導体発光構造140を成長させる。前記半導体発光構造140は、前記基板110上にGaNバッファ層141、n型GaN半導体層142、InGaNGaN多重量子井戸層143、及びp型GaN半導体層144を順に積み重ねてなる。前記n型GaN半導体層142の厚さは、4マイクロメートルであり、前記p型GaN半導体層144の厚さは、0.1マイクロメートルである。エピタキシャル成長の条件を調整することにより、隣接する半導体発光構造140の間にギャップ150を形成し、前記SiO2パターン層120の一部を露出させる。本実施例において、前記SiO2パターンの幅を調整することによって、具体的には幅を増大させることによって、前記半導体発光構造140の成長が完了した後、複数の半導体発光構造が連接されないように形成できる。このようにして、複数の半導体発光構造140の間にギャップ150を形成することができる。図4に示すように、バッファ酸化物エッチング液BOE液で前記SiO2パターン層120を除去する。前記バッファ酸化物エッチング液は、フッ化水素酸HFとフッ化アンモニウムNH4Fの混合物である。前記バッファ酸化物エッチング液は、前記ギャップ150に流れ込んだ際、前記SiO2パターン層120を効果的にエッチングすることができる。前記SiO2パターン層120が完全に除去された後、前記半導体発光構造140と前記基板110との間に、スペース160が形成される。図5に示すように、水酸化カリウム溶液で前記半導体発光構造140に対して横向きエッチングを行う。前記水酸化カリウム溶液の濃度は、2mol/L~7mol/Lである。前記エッチング温度は、100度より低く、前記エッチング時間は、5分~30分である。前記水酸化カリウム溶液は、隣接する半導体発光構造140の間のギャップ150に注ぎ込まれた後、前記半導体発光構造140と前記基板110との間のスペース160に流れ込む。そのため、前記水酸化カリウム溶液は、前記半導体発光構造140の側面と同時に底面をエッチングすることができ、このようにして前記半導体発光構造140を逆円錐状に形成させることができる。前記水酸化カリウム溶液がGaNをエッチングする過程の化学反応式は、以下の式1を満たす。好ましい実施形態において、2mol/Lの水酸化カリウム溶液を利用して、75度の温度で前記半導体発光構造140を15分間エッチングし、前記半導体発光構造140を逆円錐状に形成させることで、前記半導体発光構造140の光出力を向上させることができる。前記半導体発光構造140の側面と底面との間の角度θは、57度~62度である。図6に示すように、前記半導体発光構造140の一部をエッチングしてn型GaN半導体層142の一部の表面を露出させて電極プラットフォーム170を形成する。その後、前記p型GaN半導体層144の表面及び前記n型GaN半導体層142の表面に、それぞれp型接触電極171及びn型接触電極172を設置する。前記p型接触電極171及びn型接触電極172は、外部の電源と接続し、前記半導体発光構造140に駆動電流を提供する。図7に示すように、前記ギャップ150に沿って前記基板110を切断し、複数の発光ダイオードチップ100を形成する。図8に示すように、前記p型接触電極171及びn型接触電極172に電圧を印加すると、前記p型GaN半導体層144の正孔及び前記n型GaN半導体層142の電子は、電場の作用によって前記多重量子井戸層143で結合し、エネルギーが光の形で放出される。前記半導体発光構造140は、逆円錐状を呈するので、前記半導体発光構造140の側面で光の入射角が小さくなり、半導体発光構造140の側面で起きる全反射を減少させる。そのため、前記逆円錐状の半導体発光構造140は、光が半導体発光構造140の側面で全反射した後、半導体発光構造140の内部へ反射することを防止し、発光ダイオードチップ100の光出力を向上させることができる。例えば、前記InGaNGaN多重量子井戸層143から前記半導体発光構造140の頂部側に出射された24.6度より大きい入射角の光は、前記半導体発光構造140の頂部で全反射した後、前記半導体発光構造140の側面へ反射し、次いで前記半導体発光構造140の側面から出射される。前記InGaNGaN多重量子井戸層143から前記半導体発光構造140の底部側に出射された48.6度より大きい入射角の光は、前記半導体発光構造140の底部で全反射した後、前記半導体発光構造140の側面へ反射し、該側面で全反射した後、前記半導体発光構造140の頂面から出射される。本実施例において、前記半導体発光構造140の底部にSiO2パターン層120が予め形成させるので、バッファ酸化物エッチング液で前記SiO2パターン層120を除去した後、前記半導体発光構造140の底部のGaN層の一部のN原子表面000-1を露出させることができる。前記半導体発光構造140に横向きエッチングを行う過程で、水酸化カリウム溶液は、前記半導体発光構造140の底部に流れ込んで前記半導体発光構造140の側面と同時に底面をエッチングさせることができる。そのため、エッチング温度を低下させ100度以下、且つその速度も早めることができる。一般的に、エッチングしたエッチング面は、平面10-1-1と平面11-2-2であり、該2つの平面と前記平面000-1との間の夾角は、それぞれ約57度と62度である。