酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含む、結晶質の透明導電膜であって、セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.3~9原子であり、イオンプレーティング法で成膜され、かつ算術平均高さRaが1.0nm以下であることを特徴とする透明導電膜。酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含み、さらに、金属元素M元素として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンからなる金属元素群より選ばれる一種以上の金属元素を含む、結晶質の透明導電膜であって、セリウムの含有量がCe/InCeM原子数比で0.3~9原子、かつM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下であり、イオンプレーティング法で成膜され、かつ算術平均高さRaが1.0nm以下であることを特徴とする透明導電膜。M元素が、チタンであることを特徴とする請求項2に記載の透明導電膜。膜中にスズを含まないことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の透明導電膜。波長460nmの屈折率が2.1以上であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の透明導電膜。比抵抗が8.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の透明導電膜。キャリア電子移動度が35cm2V-1s-1以上であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の透明導電膜。セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.3~5原子であり、かつ比抵抗が5.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電膜。セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.8~5原子であり、かつ比抵抗が4.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする請求項8に記載の透明導電膜。セリウムの含有量がCe/InCeM原子数比で0.3~5原子、かつM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下であって、比抵抗が5.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする請求項2に記載の透明導電膜。本発明の目的は、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含み、高い屈折率と高いキャリア電子移動度に由来する低抵抗を示し、かつ表面粗さが小さい、イオンプレーティング法で成膜された結晶質の透明導電膜を提供することにある。本発明者らは、前述した課題を解決するために鋭意検討した結果、酸化インジウムに特定量のセリウムを含有する透明導電膜、あるいはセリウムとチタンなどの4価元素を特定量含有した酸化インジウム系の透明導電膜は、非晶質では低い比抵抗ならびに高い屈折率を両立できないので、さほど有用性がないが、結晶質にすると高いキャリア電子移動度に由来する低い比抵抗、並びに高い屈折率を示すようになり、青色LEDや太陽電池の用途において極めて有用なものとなることを見出した。さらに青色LEDや太陽電池の透明電極膜には、高い光透過率が要求されるが、従来のスパッタリング法では膜の表面が粗雑になるのに対して、イオンプレーティング法で成膜すると、前記の結晶質からなる透明導電膜の表面が極めて平滑になることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の第1の発明によれば、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含む、結晶質の透明導電膜であって、セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.3~9原子であり、イオンプレーティング法で成膜され、かつ算術平均高さRaが1.0nm以下であることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第2の発明によれば、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含み、さらに、金属元素M元素として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンからなる金属元素群より選ばれる一種以上の金属元素を含む、結晶質の透明導電膜であって、セリウムの含有量がCe/InCeM原子数比で0.3~9原子、かつM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下であり、イオンプレーティング法で成膜され、かつ算術平均高さRaが1.0nm以下であることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第3の発明によれば、第2の発明において、M元素が、チタンであることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第4の発明によれば、第1~3のいずれかの発明において、膜中にスズを含まないことを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第5の発明によれば、第1~4のいずれかの発明において、波長460nmの屈折率が2.1以上であることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第6の発明によれば、第1~5のいずれかの発明において、比抵抗が8.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第7の発明によれば、第1~6のいずれかの発明において、キャリア電子移動度が35cm2V-1s-1以上であることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第8の発明によれば、第1の発明において、セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.3~5原子であり、かつ比抵抗が5.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第9の発明によれば、第8の発明において、セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.8~5原子であり、かつ比抵抗が4.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする透明導電膜が提供される。また、本発明の第10の発明によれば、第2の発明において、セリウムの含有量がCe/InCeM原子数比で0.3~5原子、かつM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下であって、比抵抗が5.0×10-4Ωcm以下であることを特徴とする透明導電膜が提供される。本発明の透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、特定量のセリウムを含み、特定量のX元素を含むことができるイオンプレーティング法で成膜された結晶質の透明導電膜であって、膜が結晶質であることから、従来のITO膜では得られなかった、高いキャリア電子移動度に由来する低い比抵抗、ならびに高い屈折率を示すだけでなく、従来スパッタリング法の膜では得られなかった極めて平滑な膜表面を有する。この透明導電膜を青色LEDに用いると、透明導電膜と青色LEDの発光層である窒化ガリウム層との屈折率の整合性をとることができ、発光層である窒化ガリウム層からの光の取り出し効率を高めることが可能となる。また、透明導電膜を太陽電池の裏面電極の一部として用いる場合、従来のITO膜では、太陽光の取り込み効率が低かったが、本発明の上記透明導電膜であれば屈折率を高めることができるため、太陽光の取り込み効率を向上させることが可能になる。さらに、太陽電池の表面電極として透明導電膜を用いる場合、ITO膜では、比抵抗は低いが、キャリア電子濃度が高く、赤外光の反射率や吸収が高く、透過率が低かったが、本発明の透明導電膜によれば、低い比抵抗、高い屈折率を有すると共に、可視光だけでなく赤外光の透過率も高く、さらに膜面が平滑なため光の散乱が抑制され、ITO膜の諸特性を超える材料として代替することができる。以下に、本発明の透明導電膜について図面を用いて詳細に説明する。1.透明導電膜本発明の透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、特定量のセリウムを含むイオンプレーティング法で成膜された、結晶質の透明導電膜であるか、さらに、金属元素M元素として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンからなる金属元素群より選ばれる一種以上の金属元素を特定量含むイオンプレーティング法で成膜された、結晶質の透明導電膜であり、前者を第1の透明導電膜といい、後者を第2の透明導電膜ということがある。1-1第1の透明導電膜本発明の第1の透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含む結晶質の透明導電膜であって、セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.3~9原子であり、かつ、イオンプレーティング法で成膜され、算術平均高さRaが1.0nm以下であることを特徴とする。本発明の第1の透明導電膜において、セリウムの含有量は、Ce/InCe原子数比で0.3~9原子であることが必要である。セリウムの原子数比が0.3原子未満であると、最低限必要なキャリア電子が生成されないため、透明導電膜の比抵抗が8.0×10-4Ωcmよりも高くなるため好ましくない。一方、セリウムの含有量が原子数比で9原子を超えてしまうと、キャリア電子移動度が低下するようになり、比抵抗が高くなってしまう。セリウムの含有量は、Ce/InCe原子数比で0.5~8原子であることが好ましく、0.8~7原子であることがより好ましい。また、本発明の透明導電膜は、X線回折測定2θ/θにおいて、結晶質の酸化インジウム相に起因する回折ピークのみが観察される結晶質の透明導電膜であることが好ましい。図2には、結晶質の透明導電膜のX線回折測定結果を示す。この膜の組成は、セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で9原子である。基板温度500°Cで直流スパッタリング法によって形成され、膜厚は約200nmである。チャートの2θ≒30.5°222面、22°211面、42°332面の各位置にピークが観察されることから、膜は十分に結晶化しており、比較的結晶性が高いことがわかる。これは、同じ成分組成を有するタブレットを用い、イオンプレーティング法で形成された本発明の透明導電膜でも同様である。本発明においては、前記特許文献1と異なり、透明導電膜が結晶質であることが重要である。ここで、結晶質の膜におけるセリウム添加による比抵抗低下の効果について説明する。結晶質の膜において、4価のセリウムは、前記のとおり、ビックスバイト構造の3価インジウムの格子点に置き換わると考えられるが、スズなど他の4価の元素とは異なり、キャリア電子を生成する効果が極めて低い。このような結晶質の膜におけるセリウムの挙動は、従来は全く知られていなかった。従来の酸化インジウムを主成分としてセリウムを添加した透明導電膜は、特許文献1~3に記載されたとおり、実質的に非晶質膜であった。ここでは、最終的に酸化インジウムを主成分としてセリウムを添加した透明導電膜が銀系薄膜を挟持する3層積層構造であるため、透明導電膜は、銀系薄膜を水分による損傷から保護するバリア性に優れていることが求められる。また、特許文献6に記載の通り、3層積層構造の配線として加工するためには、耐薬品性の低い銀系薄膜と同じエッチャントによって、酸化インジウムを主成分としてセリウムを添加した透明導電膜がエッチングされる必要がある。このようにバリア性とエッチング性を満足させるためには、非晶質であることが必須となる。結晶質である場合には、十分なバリア性が得られない、あるいは銀系薄膜と同じエッチャントでエッチングされないといった問題が生じる。例えば、特許文献1には、180°C以下又は室温の基板温度で非晶質の透明導電膜を成膜することが望ましい旨が記載されている。実施例2では、酸化インジウム、酸化チタン及び酸化セリウムの混合物から成り、インジウム元素の含有量は80atom、チタン元素の含有量は16atomインジウム元素に対し20atom、セリウム元素の含有量は4atomインジウム元素に対し5atom、すなわちセリウムの含有量がCe/InCe原子数比で4.8原子であるスパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング装置で、180°C以下の低温に維持されたガラス基板上に透明導電膜を形成している。そして、厚さ37.5nmの透明薄膜、厚さ15nm銀薄膜、厚さ37.5nmの透明薄膜を連続して成膜し、次に、これら薄膜付きガラス基板を、220°C、1時間の条件で加熱処理した旨が記載されている。チタンとセリウムの総含有量を上記の通りに規定することによって、形成された膜は非晶質であり、220°Cの加熱処理をした後も非晶質のまま維持することが可能となっている。なお、一般的なスパッタリング装置の基板加熱ヒーターは、通常、最高加熱温度が250°C、高くても300°Cであることも、従来、結晶質の透明導電膜が検討されなかった理由に挙げられる。本発明の透明導電膜は、セリウムがCe/InCe原子数比で最大9原子まで添加された場合でも、前記の通りキャリア電子の生成は少量にとどまる。一方で、キャリア電子の移動度は、結晶質の膜となることで著しく高められ、比抵抗が非晶質の膜より低下する。このようなキャリア電子の移動度の向上、さらには、これによる比抵抗が低下することは、従来知られていなかった。本発明の結晶質の膜において、セリウムは、上記の比抵抗の低下に加え、光学的な効果、すなわち屈折率を高める効果をもたらす。特許文献1~3に記載された通り、非晶質の膜においてもセリウムによって屈折率を高める効果は得られる。しかし、結晶質の膜では、非晶質の膜以上に高い効果が得られる。非特許文献1に記載の通り、透明な状態であれば、キャリア電子の生成量が低いほうが反射率は高い、すなわち屈折率は高くなる。前記の通り、結晶質の膜にセリウムが適量含有されている場合、低い比抵抗を示すうえで必要最低限のキャリア電子を生成するだけであるため、屈折率は高くなる。一方、非晶質の場合は、結晶質と同様にセリウムのキャリア電子を生成する能力は低く、さらに結晶質とは異なり高い移動度を示さないため、結局のところ、低い比抵抗を実現するには酸素欠損によるキャリア電子の多量の生成に依存している。このため、非晶質の膜では、透明な状態での反射率はそれほど高くなく、すなわち屈折率がそれほど高くならない。したがって、結晶質の膜では、セリウム自体が屈折率を高める効果があるだけでなく、キャリア電子をそれほど生成させずに比抵抗を低下させるため、屈折率を高めるには好都合であるといえる。以上詳細に説明したように、酸化インジウムを主成分とした結晶質の透明導電膜に含有されたセリウムは、キャリア電子を生成する効果が極めて低く、キャリア電子の移動度が高まることは、従来報告されておらず、新たに見出された事実である。本発明の第1の透明導電膜は、イオンプレーティング法で成膜されること、ならびに酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含むことによって、結晶質でありながら膜表面の平滑性が高い膜となる。膜表面の平滑性は、算術平均高さRaで1.0nm以下であり、この値が小さくなるほど平滑性が高くなる。透明導電膜の膜表面を平滑とすることによって、光の散乱が抑制され、結果的に青色LEDや太陽電池の効率を高めることが可能になる。このように膜表面が平滑性を示す理由は、本発明の透明導電膜がイオンプレーティング法で成膜されることに加え、セリウムを含むことで結晶化温度が高められるためと考えられる。結晶化温度が高められることにより、結晶粒の核生成頻度が低くなり、その結果、比較的粒径の大きい平坦な結晶粒ができるため、算術平均高さRaが低下すると推察される。これに対して、スパッタリング法で成膜される場合には、セリウムにより結晶化温度が高められても、形成される結晶質の膜が再スパッタされる、あるいは酸化物焼結体ターゲットのエロージョン領域から高速の酸素イオンの照射によりダメージを受けるなどの要因により、膜表面の平滑性が損なわれてしまう。この点において、本発明の透明導電膜は特許文献7で提案されている透明導電膜と大きく異なる。本発明の第1の透明導電膜は、その用途に応じて、セリウムの含有量を前記セリウム原子数比0.3~9原子の範囲から適宜選択することが可能である。ところで、特許文献1には、膜中に金属の酸化物SnO2を含ませることが可能である旨が記載されている。しかし、本発明の透明導電膜には、スズが含まれてはならない。スズを含ませた場合には、たとえ少量でもキャリア電子濃度が著しく高められるため屈折率が低下してしまい、本発明の透明導電膜の特徴が損なわれるからである。なお、不可避不純物ほどの極僅かな量の混入については、特性に及ぼす影響はほとんどないので問題とはならない。本発明の第1の透明導電膜は、波長460nmの屈折率が2.1以上であることが好ましい。このように一般的なITO膜屈折率1.9~2.0、特に低い比抵抗を示すITO膜屈折率1.8~1.9と比較して、屈折率を2.1以上に高くすることにより、青色LEDでは、発光層である窒化ガリウム層との屈折率の整合性が良好となり、発光効率が向上するものと期待される。また、本発明の第1の透明導電膜は、比抵抗が8.0×10-4Ωcm以下であることが好ましい。特に、p型の窒化ガリウム層は、電気的な特徴として膜面方向の電流拡散能が低いため、透明導電膜の比抵抗を十分低くすることで、素子全面から効率よく発光させる必要がある。さらに、本発明の透明導電膜は、キャリア電子移動度が35cm2/Vs以上であることが好ましい。キャリア電子移動度を高めて、かつキャリア電子濃度を低く抑えることで、上記の低い比抵抗と高い屈折率の両立が可能となるからである。第1の透明導電膜の場合、より低い比抵抗を必要とする用途には、セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.3~5原子であり、かつ比抵抗が5.0×10-4Ωcm以下であるものが好ましい。さらに、セリウムの含有量をCe/InCe原子数比で0.8~5原子の範囲とすれば、比抵抗を4.0×10-4Ωcm以下とすることができる。1-2第2の透明導電膜本発明の第2の透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含み、さらに金属元素M元素として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンからなる金属元素群より選ばれる一種以上の金属元素を含む透明導電膜であって、セリウムの含有量がCe/InCeM原子数比で0.3~9原子、かつM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下であり、かつイオンプレーティング法で成膜され、算術平均高さRaが1.0nm以下の結晶質の透明導電膜であることを特徴とする。第2の透明導電膜におけるセリウムの含有量は、Ce/InCeM原子数比で0.3~9原子である。セリウムの原子数比が0.3原子未満であると、最低限必要なキャリア電子が生成されず、透明導電膜の比抵抗が8.0×10-4Ωcmよりも高くなるため好ましくない。一方、セリウムの原子数比が9原子を超えてしまうと、キャリア電子移動度が低下するようになり、比抵抗が高くなってしまう。また、M元素は、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含んだ結晶質の透明導電膜においてキャリア電子濃度を高める機能がある。その含有量は、M/InCeM原子数比で1原子以下であることが好ましい。酸化インジウム系薄膜に含有されたM元素は、セリウムと比較して、キャリア電子を生成し易く、M/InCeM原子数比で1原子を超えるとキャリア電子濃度が高くなり過ぎて、屈折率が低下してしまう。このため、M元素の原子数比は1原子以下とすることが好ましい。また、本発明の第2の透明導電膜は、上記M元素がチタンであることが特に好ましい。M元素をチタンとし、セリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で0.3~9原子、かつM元素の含有量がTi/InCeTi原子数比で1原子以下とする。前記特許文献1には、半金属の酸化物SiO2、GeO2、Sb2O5、およびBiO2、あるいは金属の酸化物SnO2を含ませうることが記載されている。しかし、本発明の透明導電膜には、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンを含みうるが、それ以外に四価以上の金属元素の酸化物が含まれてはならない。半金属の酸化物SiO2などを含ませた場合には、少量でもキャリア電子濃度が著しく高められるため屈折率が低下してしまい、本発明の透明導電膜の特徴が損なわれる。なお、不可避不純物ほどの極僅かな量の混入については、特性に及ぼす影響はほとんどなく問題とはならない。本発明の第2の透明導電膜は、波長460nmの屈折率が2.1以上であることが好ましい。このように屈折率を2.1以上に高くすることにより、一般的なITO膜屈折率1.9~2.0、特に低い比抵抗を示すITO膜屈折率1.8~1.9と比較して、青色LEDの発光層である窒化ガリウム層との屈折率の整合性が良好となり、発光効率の向上が期待される。また、本発明の第2の透明導電膜は、比抵抗が8.0×10-4Ωcm以下であることが好ましい。窒化ガリウム層は、電気的な特徴として膜面方向の電流拡散能が低いため、透明導電膜の比抵抗を十分低くすることで、素子全面から効率よく発光させる必要がある。さらに、キャリア電子移動度が35cm2/Vs以上であることが好ましい。キャリア電子移動度を高めて、かつキャリア電子濃度を低く抑えることで、上記の低い比抵抗と高い屈折率の両立が可能となる。本発明の第2の透明導電膜は、第1の透明導電膜と同様であり、イオンプレーティング法で成膜されること、ならびに酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含むことによって、結晶質でありながら膜表面の平滑性が高い。前記した通り、第2の透明導電膜は、他にM元素も含むが、結晶化温度を高める効果においてセリウムはM元素と比較して格段に高いため、第1の透明導電膜と同様の特徴を示す。すなわち、本発明の第2の透明導電膜を透明電極とする場合でも、膜表面の平滑性が高いために光の散乱が抑制され、結果的に青色LEDや太陽電池の効率を高めることが可能になる。第2の透明導電膜の場合、より低い比抵抗を必要とする用途には、セリウムの含有量がCe/InCeM原子数比で0.3~5原子、かつM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下であって、比抵抗が5.0×10-4Ωcm以下であることが好ましい。2.透明導電膜の製造方法本発明の透明導電膜の製造方法としては、イオンプレーティング法を採用する。本発明の透明導電膜は、酸化インジウムを主成分とし、セリウム、あるいはセリウムの他にさらに金属元素を含むが、このような組成に制御することによって結晶化温度を向上させる。本発明では、これに加えて、イオンプレーティング法を採用することにより、透明導電膜が結晶質であっても、膜表面の算術平均高さRaが1.0nm以下を示すような極めて高い平滑性が実現されるようにする。酸化インジウムを主成分とする結晶質の透明導電膜としては、例えば算術平均高さRaで2.0nm以下であれば平滑とする場合が一般的であるが、これと比較して、本発明の透明導電膜は、格段に平滑であると言える。また、真空蒸着法でも膜表面の平滑性を算術平均高さRaで1.0nm以下にすることが可能である。ただし、十分に低い比抵抗ならびに高いキャリア移動度を示す結晶質の透明導電膜を形成するためには、基板温度をイオンプレーティング法より高くする必要がある。しかしながら、従来、ITO膜などの製造方法として採用されてきたスパッタリング法では膜表面の平滑性を算術平均高さRaで1.0nm以下にすることができない。スパッタリング法の場合、酸化インジウムを主成分とし、セリウムを含む酸化物焼結体ターゲット、あるいは、セリウムの他にさらに金属元素M元素を含む酸化物焼結体ターゲットを用い、スパッタリング装置内に基板と前記ターゲットを配置し、酸素ガスを含むアルゴン不活性ガス雰囲気中で、前記基板を所定の温度に維持し、この基板と前記ターゲットとの間に電界を印加してターゲット基板間にプラズマを発生させることによって、結晶質あるいは非晶質の透明導電膜を基板上に形成している。通常のマグネトロンスパッタリング法では、プラズマ中のアルゴンイオンが、磁場により、ターゲットの特定領域に集中的に衝突する。この領域は集中的に削られていくが、これを一般にエロージョン領域と呼ぶ。主にエロージョン領域から、酸化物焼結体ターゲットを構成するインジウムなどの金属イオンが飛び出して膜が堆積されるが、これとともに高速の酸素イオンも照射される。しかし、この酸素イオンは、結晶質あるいは非晶質の透明導電膜にダメージを与え、膜表面の平滑性を失わせ、算術平均高さRaが高くなる原因となる。これに対して、本発明においては、基板を室温から300°C程度の範囲に設定して、イオンプレーティング法により結晶質の膜を基板上に形成して製造する。なお、イオンプレーティング法では、粒子の運動エネルギーがスパッタリング法と比較して高いため、基板温度が上記のように低い温度範囲であっても十分に結晶化が進行し、キャリアとなる電子移動度の高い本発明の透明導電膜を形成することができる。本発明の結晶質の透明導電膜を製造するには、イオンプレーティング法を採用する。イオンプレーティング法では、前記酸化物焼結体から作製されたタブレットあるいはペレットとも呼ぶ。を用いて、基板上に透明導電膜を形成する。なお、本発明の第1の透明導電膜を製造する場合は、酸化インジウムを主成分としセリウムをCe/InCe原子数比で0.3~9原子含む酸化物焼結体を加工したタブレットを用い、本発明の第2の透明導電膜を製造する場合は、セリウムの含有量がCe/InCeM原子数比で0.3~9原子、かつM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下である酸化物焼結体を加工したタブレットを使用する。本発明で用いられる酸化物焼結体は、本発明の透明導電膜と同じ組成であることが好ましい。これは、原料の酸化物焼結体の組成が、形成された透明導電膜に反映されることを前提としている。かかる酸化物焼結体は、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定結果を図1に示すが、ビックスバイト型構造のIn2O3相が主たる結晶相となり、その中に蛍石型構造のCeO2相が平均粒径3μm以下の結晶粒として微細に分散しているものが好ましい。上記の主相であるビックスバイト型構造のIn2O3相には、セリウムはほとんど固溶しない。一方、分散相である蛍石型構造のCeO2相にもインジウムはほとんど固溶しない。ただし、両相において、非平衡的に、インジウムの一部がセリウムによって置換されるか、あるいは、セリウムの一部がインジウムによって置換されていてもよく、化学両論組成からの多少のずれ、金属元素の欠損、または酸素欠損を含んでいても構わない。かかる酸化物焼結体の主たる結晶相であるIn2O3相は、2種類の大きさの平均粒径からなり、1種類が平均粒径2μm以下、より好ましくは1.5μm以下、さらに好ましくは1μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上、より好ましくは3~6μmの比較的大きい結晶粒であることが好ましい。このようにIn2O3相から結晶粒を異なる大きさの平均粒径のもので構成することによって、焼結体の強度確保と密度調整低密度化を両立させることが可能となり、その結果としてクラック、割れ、あるいはスプラッシュが発生しないで成膜できるようになる。また、本発明では、酸化物焼結体の主相であるビックスバイト型構造のIn2O3相と蛍石型構造のCeO2相の結晶粒径や分散状態の関係は、下記の式1で定義されるX線回折ピーク強度比が25以下であることが望ましい。X線回折ピーク強度比が25を超えるとイオンプレーティング法による成膜の進行とともにクラック、割れ、あるいはスプラッシュが頻発するようになり、膜の結晶性にも悪影響を与えるからである。特に、X線回折ピーク強度比は20以下であることが好ましい。なお、このような酸化物焼結体は、本出願人による国際出願PCT/JP2010/062816の明細書に詳細に記載されている。I=CeO2相111/In2O3相222×100[]1このような酸化物焼結体タブレットを用い、イオンプレーティング装置内に基板とタブレットを銅ハース内に配置し、必要に応じて酸素ガスを含むアルゴン不活性ガス雰囲気中で、前記基板を所定の温度に維持し、銅ハースから電子銃を用いてタブレットを蒸発させ、基板付近でプラズマを発生させることによって、タブレット蒸気をイオン化し、結晶質の透明導電膜を基板上に形成する。また、イオンプレーティング用のタブレットあるいはペレットとも呼ぶ。は、密度が3.4~5.5g/cm3の酸化物焼結体を加工して得られるものが好ましい。なお、このような酸化物焼結体も、本出願人による前記PCT/JP2010/062816号の明細書に詳細に記載されている。上記タブレットの組成は、基本的には形成される膜組成に再現され、タブレット中の各元素の含有量を変えることにより、膜中の各元素の含有量を変化させることができる。イオンプレーティングでは、室温、すなわち20°C以上の温度から300°C程度の温度に設定された基板上に結晶質の透明導電膜が形成される。結晶質の透明導電膜の結晶性を高めて、より低比抵抗の膜を得るためには、基板温度を100°C以上とすることが好ましい。ただし、この時、形成される膜の結晶性は、膜中の各元素の含有量、不活性ガス雰囲気中の酸素分圧、成膜速度等の成膜条件にも依存する。本発明においては、上記の透明導電膜を耐熱性基板、必要に応じて透明な耐熱性基板に形成することで、透明導電性基材とすることができる。基板としては、ガラス、合成石英、ポリイミドなどの合成樹脂、ステンレスなどの金属箔など用途に応じて各種の板又はフィルムが使用できる。特に、本発明では結晶質の透明導電膜を形成するために加熱する場合は、ガラス、合成石英などの耐熱性基板であることが好ましい。また、太陽電池の用途ではロールトゥロールプロセスなどを適用する場合があり、ロール状のポリイミドフィルム、ステンレスなどの耐熱性基板が好適に使用される。以上説明した、本発明の、酸化インジウムを主成分とし、特定量のセリウムを含む結晶質の透明導電膜、あるいは、さらに、金属元素M元素として、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンからなる金属元素群より選ばれる一種以上の金属元素を特定量含む結晶質の透明導電膜は、青色LEDや太陽電池などの機能素子に好適に用いることができる。また、その他、比較的低い比抵抗、赤外域における高透過率を利用する導波路型光制御素子や液晶を用いた光変調素子などの光通信用デバイス、さらには液晶パネル、プラズマディスプレイ、有機EL、無機EL、あるいは電子ペーパーななどの機能素子にも適用できる。以下に、本発明の実施例を用いて、さらに詳細に説明するが、本発明は、これら実施例によって限定されるものではない。[透明導電膜の基本特性評価]得られた透明導電膜の組成は、ICP発光分光法によって調べた。透明導電膜の膜厚は、表面粗さ計テンコール社製Alpha-StepIQで測定した。成膜速度は、膜厚と成膜時間から算出した。膜の表面抵抗は、抵抗率計ダイアインスツルメンツ社製ロレスタEPMCP-T360型による四探針法で測定した。膜の比抵抗は、膜の表面抵抗と膜厚の積から算出した。膜のキャリア電子濃度および移動度は、ホール効果測定より求めた。膜の屈折率は、分光エリプソメーターJ.A.Woolam製VASEを用いて測定した。膜の生成相は、X線回折装置フィリップス社製X ́PertPROMPDを用いて、2θ/θ測定によって同定した。膜の結晶化温度は、高温X線回折測定によって決定した。成膜した透明導電膜を毎分5°Cの速度で昇温させながら、2θ=20~40°の範囲で繰り返しX線回折測定を行い、結晶による回折ピークが現れた温度を結晶化温度とした。膜の表面粗さは、AFMDigitalInstruments社製NanoscopeIIIおよびD5000を用いて、算術平均高さRaにより求めた。参考例1酸化インジウム粉末および酸化セリウム粉末を平均粒径1μm以下となるよう調整して原料粉末とした。セリウム含有量がCe/InCe原子数比で9原子となるようにこれらの粉末を調合し、水とともに樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミルで混合した。この際、硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間とした。混合後、スラリーを取り出し、濾過、乾燥、造粒した。造粒物を、冷間静水圧プレスで3ton/cm2の圧力をかけて成形した。次に、炉内容積0.1m3当たり5リットル/分の割合で、焼結炉内の大気に酸素を導入する雰囲気で、1400°Cの焼結温度でこの成形体を20時間焼結した。この際、1°C/分で昇温し、焼結後の冷却の際は酸素導入を止め、1000°Cまでを10°C/分で降温した。得られた酸化物焼結体を、直径152mm、厚み5mmの大きさに加工し、スパッタリング面をカップ砥石で最大高さRzが3.0μm以下となるように磨いた。加工した酸化物焼結体を、無酸素銅製のバッキングプレートに金属インジウムを用いてボンディングして、スパッタリングターゲットとした。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、図1に示した通り、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、6.87g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相の平均粒径は1.1μmであった。次に、アーキング抑制機能のない直流電源を装備した直流マグネトロンスパッタリング装置アネルバ製特SPF-530Hの非磁性体ターゲット用カソードに、上記スパッタリングターゲットを取り付けた。本スパッタ装置は、特に基板加熱ヒーターに高温仕様にしており、基板温度を最高650°Cまで高くすることが可能である。基板には、厚さ0.5mmの合成石英を用い、ターゲット-基板間距離を49mmに固定した。直流電力200Wを印加して直流プラズマを発生させ、10分間のプリスパッタリング後、基板をスパッタリングターゲットの直上、すなわち静止対向位置に配置し、スパッタリング装置のチャンバー内が1×10-4Pa以下の真空度になるまで排気し、基板温度が500°Cに到達したことを確認後、アルゴンと酸素の混合ガスを酸素の比率が1.0になるように導入し、ガス圧を0.3Paに調整した。なお、上記の酸素の比率1.0において、得られる膜が最も低い比抵抗を示すことが明らかとなっている。スパッタリングを実施することで、500°Cの基板上に膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、6.6×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.6×1020cm-3、キャリア電子移動度36cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.21であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、図2に示した通り、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。以上、透明導電膜の組成および成膜条件を表1に示し、透明導電膜の諸特性を表2に示した。なお、参考例2以降についても同様である。参考例2セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で7原子の酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、5.9×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.5×1020cm-3、キャリア電子移動度42cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.20であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。参考例3セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で7原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を400°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、5.1×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.4×1020cm-3、キャリア電子移動度51cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.19であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.4nmであった。参考例4セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で4原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を400°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、4.2×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.3×1020cm-3、キャリア電子移動度65cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.17であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.6nmであった。参考例5セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で1原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、4.4×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.6×1020cm-3、キャリア電子移動度88cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.14であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.8nmであった。参考例6セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.3原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、7.6×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.0×1020cm-3、キャリア電子移動度82cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.13であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.8nmであった。参考例7酸化インジウムを主成分とし、セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で8原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で1原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を400°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。得られた透明導電膜の比抵抗を測定したところ、5.6×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は3.1×1020cm-3、キャリア電子移動度36cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.14であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。チタンの代わりに、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンを添加して試したが、ほぼ同様の結果を得た。参考例8酸化インジウムを主成分とし、セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で5原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で0.5原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を400°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。得られた透明導電膜の比抵抗を測定したところ、5.2×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.7×1020cm-3、キャリア電子移動度45cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.17であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。参考例9酸化インジウムを主成分とし、セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で4原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で1原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を400°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。得られた透明導電膜の比抵抗を測定したところ、4.8×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は3.0×1020cm-3、キャリア電子移動度43cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.16であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.4nmであった。参考例10酸化インジウムを主成分とし、セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で0.3原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で0.3原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。得られた透明導電膜の比抵抗を測定したところ、4.4×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.7×1020cm-3、キャリア電子移動度83cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.8nmであった。参考例11酸化インジウムを主成分として、セリウムの他に、ジルコニウムを含む酸化物焼結体であって、セリウムの含有量がCe/InCeZr原子数比で0.3原子、ジルコニウムの含有量がZr/InCeZr原子数比で0.3原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。得られた透明導電膜の比抵抗を測定したところ、4.8×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.6×1020cm-3、キャリア電子移動度80cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.8nmであった。なお、その他に、ハフニウム、モリブデン、あるいはタングステンを同組成添加した場合についても、チタンまたはジルコニウムを添加した場合とほぼ同様の結果を得た。参考例12基板温度を室温、すなわち25°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、非晶質の膜であることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、1.9×10-3Ωcmと低い値を示した。ホール効果測定の結果、キャリア電子濃度は2.5×1020cm-3であり、キャリア電子移動度が15cm2V-1s-1であった。すなわち、キャリア電子濃度がそれほど高くないことに加え、非晶質膜特有のキャリア電子移動度が低いことが、高い比抵抗を示す原因であることがわかった。続いて、この非晶質の膜を窒素雰囲気中において、500°Cにて、30分間の熱処理を行った。その結果、膜の比抵抗は6.9×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.4×1020cm-3、キャリア電子移動度38cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.22であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。次に、上記と同様に成膜した非晶質膜の別の試料を用いて、弱酸を用いたウエットエッチングによるパターニング試験を実施した。エッチャントには、弱有機酸である蓚酸を主成分とした関東化学製ITO-06Nを用いた。エッチャント温度40°Cにおいて、所定のパターン形状への加工を試みたところ、問題なくパターニングできることが確認された。参考例13セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で5原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を室温、すなわち25°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、非晶質の膜であることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、8.3×10-4Ωcmであった。ホール効果測定の結果、キャリア電子濃度は4.4×1020cm-3であり、キャリア電子移動度が17cm2V-1s-1であった。すなわち、キャリア電子濃度がそれほど高くないことに加え、非晶質膜特有のキャリア電子移動度が低いことが、高い比抵抗を示す原因であることがわかった。続いて、この非晶質の膜を窒素雰囲気中において、400°Cにて、30分間の熱処理を行った。その結果、膜の比抵抗は4.9×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.2×1020cm-3、キャリア電子移動度58cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.20であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。なお、別の上記と同じ非晶質の膜を用いて、高温X線回折測定によって結晶化温度を測定した。その結果、図3に示した通り、結晶化温度は、前記の熱処理温度より高く、220~225°Cであることが明らかとなった。次に、上記と同様に成膜した非晶質膜の別の試料を用いて、弱酸を用いたウエットエッチングによるパターニング試験を実施した。エッチャントには、弱有機酸である蓚酸を主成分とした関東化学製ITO-06Nを用いた。エッチャント温度40°Cにおいて、所定のパターン形状への加工を試みたが、ほとんどエッチングされずパターニングできないことが判明した。SEM観察の結果、非晶質膜中には微結晶が観察され、この微結晶がパターニング不可能であることの原因であることが明らかとなった。比較例1セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で0.1原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、1.5×10-3Ωcmと比較的高い値を示した。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は6.2×1019cm-3、キャリア電子移動度68cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.9nmであった。比較例2セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で11原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を500°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、1.0×10-3Ωcmと比較的高い値を示した。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.8×1020cm-3、キャリア電子移動度22cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.18であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。比較例3酸化インジウムを主成分とし、セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で5原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で3原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を400°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。得られた透明導電膜の比抵抗を測定したところ、4.2×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は6.2×1020cm-3、キャリア電子移動度24cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.07であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.3nmであった。比較例4酸化インジウムを主成分とし、セリウムの他に、スズを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeSn原子数比で0.3原子、スズの含有量がSn/InCeSn原子数比で3原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。得られた透明導電膜の比抵抗を測定したところ、2.6×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は7.3×1020cm-3、キャリア電子移動度33cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.04であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.7nmであった。比較例5セリウムの含有量がCe/InCe原子数比で20原子である酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いたこと、基板温度を室温、すなわち25°Cとしたこと、ならびに酸素の比率を0.2に調整したアルゴンと酸素の混合ガスをスパッタリングガスとして導入したことを除いては、参考例1と同様に透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、ターゲットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、2.6×10-2Ωcmと非常に高い値を示した。ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は3.0×1019cm-3、キャリア電子移動度8cm2V-1s-1であった。また、波長460nmの屈折率は、2.25であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、非晶質の膜であることが確認された。続いて、この非晶質の膜を窒素雰囲気中において、特許文献2と同様に220°Cにて、60分間の熱処理を行ったが、膜の比抵抗は1.5×10-2Ωcmを示し、10-2Ωcm台の高い比抵抗を示した。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、非晶質の膜のままであることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.3nmであった。さらに、この膜を窒素雰囲気中において、300°Cにて、60分間の熱処理を行った。膜の比抵抗は1.2×10-2Ωcmであり、わずかに低下したものの、高い値であることには変わりがなかった。キャリア電子濃度は5.2×1019cm-3、キャリア電子移動度10cm2V-1s-1であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、非晶質の膜のままであることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.4nmであった。別の上記と同じ非晶質の膜を用いて、高温X線回折測定によって結晶化温度を測定した。その結果、図4に示した通り、結晶化温度は、前記の熱処理温度より高く、445~450°Cであることが明らかとなった。実施例1上記参考例の成膜方法をイオンプレーティング法に変更し、セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で0.8原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、透明導電膜の成膜を実施した。酸化物焼結体の作製方法は、参考例1のスパッタリングターゲットの場合とほぼ同様であるが、先に述べたように、イオンプレーティング用のタブレットとして用いる場合には、密度を低くする必要があるため、2種類の平均粒径の酸化インジウム粉末を用いることとし、平均粒径1μm以下となるよう調整した前記の酸化インジウム粉末に加え、平均粒径3μmとなるよう調整した酸化インジウム粉末を選択することとした。同様の理由から、焼結温度を1100°Cとした。タブレットは、焼結後の寸法が直径30mm、高さ40mmとなるよう予め成形した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5に示した通り、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。すなわち、参考例1のスパッタリングターゲットと類似の結果図1が得られた。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.56g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。また、In2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体をタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.6×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.9×1020cm-3、キャリア電子移動度91cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。すなわち、参考例1のスパッタリングターゲットで形成された透明導電膜と同様の結果図2が得られた。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例2セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で2原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.67g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は300°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.3×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.1×1020cm-3、キャリア電子移動度90cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.13であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例3セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で9原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.90g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.1μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は300°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、5.4×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.9×1020cm-3、キャリア電子移動度40cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.19であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.5nmであった。実施例4セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で5原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.74g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.1μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.8×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.6×1020cm-3、キャリア電子移動度64cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.17であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.6nmであった。実施例5セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で4原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.71g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.1μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.4×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.5×1020cm-3、キャリア電子移動度73cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.15であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.7nmであった。実施例6セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で2.4原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.68g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.6×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.2×1020cm-3、キャリア電子移動度79cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.14であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例7セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で1.6原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.64g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.4×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.1×1020cm-3、キャリア電子移動度87cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例8セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で1原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.58g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.4×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.0×1020cm-3、キャリア電子移動度93cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例9セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で0.3原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.52g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、4.3×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.6×1020cm-3、キャリア電子移動度90cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.13であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例10セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で8原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で1原子である酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、チタンのみが酸化インジウム相に固溶して、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.52g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.2μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は300°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、5.1×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は3.2×1020cm-3、キャリア電子移動度38cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.11であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムおよびチタンは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.6nmであった。実施例11セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で5原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で0.5原子である酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、チタンのみが酸化インジウム相に固溶して、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.87g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.1μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、4.1×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.7×1020cm-3、キャリア電子移動度57cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.16であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムおよびチタンは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.6nmであった。実施例12セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で4原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で1原子である酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、チタンのみが酸化インジウム相に固溶して、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.84g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.2μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.5×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.9×1020cm-3、キャリア電子移動度61cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.15であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムおよびチタンは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.7nmであった。実施例13セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で0.3原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で0.3原子である酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、チタンのみが酸化インジウム相に固溶して、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.55g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.7×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.9×1020cm-3、キャリア電子移動度89cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムおよびチタンは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例14セリウムの他に、ジルコニウムを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeZr原子数比で0.3原子、ジルコニウムの含有量がZr/InCeZr原子数比で0.3原子である酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、ジルコニウムのみが酸化インジウム相に固溶して、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.53g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.9×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は1.8×1020cm-3、キャリア電子移動度88cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムおよびジルコニウムは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。実施例15セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で9原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと、ならびに基板温度を室温としたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.90g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.1μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は25°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、6.0×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.8×1020cm-3、キャリア電子移動度37cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.18であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.5nmであった。実施例16セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で5原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと、ならびに基板温度を室温としたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.74g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.1μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は25°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、4.0×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.5×1020cm-3、キャリア電子移動度62cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.14であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.7nmであった。実施例17セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で1.6原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと、ならびに基板温度を室温としたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.64g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は25°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、3.6×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は2.0×1020cm-3、キャリア電子移動度88cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.12であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。比較例6セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で0.1原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いて、イオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、図5とは異なり、ビックスバイト型構造のIn2O3相のみで構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.49g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、極少量のCeO2相が点在している様子が観察された。CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.0μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、9.9×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は8.3×1019cm-3、キャリア電子移動度76cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.11であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.8nmであった。比較例7セリウム含有量がCe/InCeで表される原子数比で11原子となる酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと、ならびに基板温度を300°Cとしたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相および蛍石型構造のCeO2相で構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.96g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒の平均粒径は1.1μmであった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は300°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、8.4×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は3.1×1020cm-3、キャリア電子移動度24cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.18であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは0.5nmであった。比較例8セリウムの他に、チタンを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeTi原子数比で0.3原子、チタンの含有量がTi/InCeTi原子数比で3原子である酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、セリウムは酸化インジウム相に固溶せず、チタンのみが酸化インジウム相に固溶して、図5と同様に、ビックスバイト型構造のIn2O3相のみで構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.55g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒は確認されなかった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、4.1×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は6.9×1020cm-3、キャリア電子移動度22cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.05であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムおよびチタンは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.2nmであった。比較例9セリウムの他に、スズを含む酸化物焼結体であって、かつセリウムの含有量がCe/InCeSn原子数比で0.3原子、スズの含有量がTi/InCeSn原子数比で3原子である酸化物焼結体からなるタブレットを用いたこと以外は、実施例1と同様にイオンプレーティング法にて成膜を実施した。実施例1と同様の方法で酸化物焼結体を作製した。得られた酸化物焼結体の組成分析をICP発光分光法にて行ったところ、原料粉末の配合時の仕込み組成とほぼ同じであることが確認された。次に、X線回折測定による酸化物焼結体の相同定を行ったところ、図5とは異なり、ビックスバイト型構造のIn2O3相のみで構成されていることが確認された。酸化物焼結体の密度を測定したところ、4.61g/cm3であった。続いて、SEMによる酸化物焼結体の組織観察を行ったところ、CeO2相からなる結晶粒は確認されなかった。またIn2O3相の結晶粒が2種類の大きさの平均粒径からなっており、1種類が平均粒径2μm以下の比較的小さい結晶粒であり、もう1種類が平均粒径2.5μm以上の比較的大きい結晶粒であることを満足していることが確認された。このような酸化物焼結体を加工してタブレットとして用い、イオンプレーティング法によるプラズマガンを用いた放電をタブレットが使用不可となるまで継続した。イオンプレーティング装置として、高密度プラズマアシスト蒸着法HDPE法が可能な反応性プラズマ蒸着装置を用いた。成膜条件としては、蒸発源と基板間距離を0.6m、プラズマガンの放電電流を100A、Ar流量を30sccm、O2流量を10sccmとした。タブレットが使用不可となるまでの間、スプラッシュなどの問題は起こらなかった。タブレット交換後、成膜を実施した。なお、基板温度は200°Cとし、膜厚200nmの透明導電膜を形成した。得られた透明導電膜の組成は、タブレットとほぼ同じであることが確認された。膜の比抵抗を測定したところ、2.3×10-4Ωcmであった。また、ホール効果測定を行ったところ、キャリア電子濃度は7.6×1020cm-3、キャリア電子移動度36cm2V-1s-1であった。波長460nmの屈折率は、2.02であった。X線回折測定によって膜の結晶性を調べた結果、セリウムおよびスズは酸化インジウム相に固溶しており、実施例1と同様に、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相のみからなる結晶質の膜であることが確認された。膜の表面粗さをAFMによって測定したところ、算術平均高さRaは1.1nmであった。評価表1に示した結果から明らかなように、実施例1~9および15~17は、酸化インジウムを主成分とし、セリウム含有量がCe/InCe原子数比で0.3~9原子の範囲である、インジウムとセリウムを酸化物として含有するイオンプレーティング法で成膜された結晶質の透明導電膜であり、結晶相がビックスバイト型構造のIn2O3相のみによって形成されており、膜表面が算術平均高さRa1.0nm以下と平滑である。そのため、波長460nmにおける屈折率が2.1以上、かつ比抵抗が8.0×10-4Ωcm以下であり、かつ移動度が35cm2V-1s-1以上と優れた特性を有している。特に、酸化インジウムを主成分としてセリウムのみを添加することと、成膜方法としてイオンプレーティング法を採用することによって、膜表面の優れた平滑性が得られている。また、光学特性に関しては、キャリア電子濃度が低く抑制された結果、波長460nmにおける屈折率が2.1を超える高い値が得られている。また、実施例10~14は、セリウム含有量をCe/InCe原子数比で0.3~8原子、かつ、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、モリブデン、およびタングステンからなる金属元素群より選ばれる一種以上のM元素の含有量がM/InCeM原子数比で1原子以下の範囲組成を有する、インジウム、セリウム、およびM元素を酸化物として含有する結晶質の透明導電膜であり、実施例1~9および15~17の透明導電膜と同様の薄膜構造で、優れた膜表面の平滑性、光学特性及び電気特性を有している。一方、参考例1~13ならびに比較例1および2は、実施例1~17と類似の組成を有する結晶質の透明導電膜であり、実施例1~17と同等の光学特性及び電気特性を有するが、スパッタリング法で成膜されているため、膜表面の算術平均高さRa1.0nmを超えており、平滑性が失われていることがわかる。さらに、比較例3では、スパッタリング法による成膜のため、膜表面の平滑性に劣るだけでなく、M元素がチタンであり、Ti/InCeTi原子数比で3原子と高すぎたために、形成された結晶質の透明導電膜は、キャリア電子濃度が高くなってしまい、その結果、青色LEDの用途などで必要な屈折率が2.1以上にはならなかった。また、比較例4の結晶質の透明導電膜は、インジウムおよびセリウムの他に、本発明の透明導電膜の構成元素とは異なるスズをSn/InCeSn原子数比で3原子含有している。スズを含むため、スパッタリング法による成膜のため、膜表面の平滑性に劣るだけでなく、形成された結晶質の透明導電膜は、キャリア電子濃度が高くなり過ぎてしまい、屈折率は2.04を示し、青色LEDの用途などで必要な屈折率2.1以上にはならなかった。比較例5は、比較例2よりさらにセリウム含有量が高い、Ce/InCe原子数比で20原子としている。このようにセリウム含有量が高い場合、結晶化温度が445~450°Cまで高くなるため、室温付近の低温で形成された透明導電膜は非晶質となる。そして、非酸化性の窒素雰囲気において、結晶化温度より低い220°C、あるいは300°Cで熱処理しても非晶質のままであり、比抵抗の低下などの特性改善は認められなかった。比較例5の非晶質の透明導電膜は、例えば前記特許文献1で開示されている代表的な組成であり、前記特許文献1~3の実施例で開示されているような、結晶化温度より低い220°Cの低温で熱処理を施しているので結晶質にならず、電気特性ならびに光学特性が改善されないことが分かる。比較例6では、実施例1~9および15~17に対して、セリウム含有量を本発明の範囲から外れた、Ce/InCe原子数比で0.1原子としている。セリウム含有量が低すぎるため、イオンプレーティング法で成膜された結晶質の透明導電膜であっても、十分なキャリア電子濃度を生成することができず、比抵抗は9.9×10-4Ωcmを示し、青色LEDや太陽電池の用途などで必要な比抵抗8×10-4Ωcm以下にはならなかった。同様に、比較例7では、セリウム含有量を本発明の範囲から外れた、Ce/InCe原子数比で11原子としている。セリウム含有量が高過ぎるため、イオンプレーティング法で成膜された結晶質の透明導電膜は、キャリア電子移動度が低下してしまい、比抵抗は8.4×10-4Ωcmを示し、青色LEDや太陽電池の用途などで必要な比抵抗8.0×10-4Ωcm以下にはならなかった。比較例8では、イオンプレーティング法による成膜ではあるが、セリウムの他に含まれるM元素がチタンであり、Ti/InCeTi原子数比で3原子と高すぎたために、形成された結晶質の透明導電膜は、膜表面の平滑性に劣り、さらにキャリア電子濃度が高くなってしまい、その結果、青色LEDの用途などで必要な屈折率が2.1以上にはならなかった。また、比較例9の結晶質の透明導電膜は、インジウムおよびセリウムの他に、本発明の透明導電膜の構成元素とは異なるスズをSn/InCeSn原子数比で3原子含有している。セリウムの他にスズを含むため、イオンプレーティング法による成膜ではあるが、膜表面の平滑性に劣り、形成された結晶質の透明導電膜は、キャリア電子濃度が高くなり過ぎてしまい、屈折率は2.02を示し、青色LEDの用途などで必要な屈折率2.1以上にはならなかった。