接地導体と、使用する周波数に対応する波長により規定される所定の長さを有し、電磁的に互いに結合する第1および第2の信号線導体と、平板形状で前記第1および第2の信号線導体とほぼ同一方向に延伸し、前記接地導体と電気的に接続するとともに、前記方向に延伸する前記平板形状の一方の端部の少なくとも一部が、前記平板形状の平板平面に対して垂直な方向から見たとき前記第1の信号線導体または前記第2の信号線導体の内部に含まれる位置に配置された平板状導体と、を備えたことを特徴とする方向性結合器。前記第1および第2の信号線導体はともに平板形状であり、前記第1の信号線導体と前記第2の信号線導体の少なくとも1つが前記平板状導体とほぼ平行であることを特徴とする請求項1に記載の方向性結合器。前記第1の信号線導体と前記第2の信号線導体はほぼ平行であることを特徴とする請求項2に記載の方向性結合器。前記第1の信号線導体、前記第2の信号線導体、前記平板状導体のうち少なくとも1つを内層または表層に配置する誘電体基板を備えたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の方向性結合器。前記誘電体基板は少なくとも第1の層、第2の層、および第3の層を有し、前記第1の信号線導体が前記第1の層に配置され、前記第2の信号線導体が前記第1の層にほぼ平行な前記第2の層に配置され、前記平板状導体が、前記第1の層にほぼ平行で前記第2の層とは異なる前記第3の層に配置されたことを特徴とする請求項4に記載の方向性結合器。前記誘電体基板は少なくとも第1の層と第2の層を有し、前記第1の信号線導体が前記第1の層に配置され、前記第2の信号線導体が前記第1の層にほぼ平行な前記第2の層に配置され、前記平板状導体が前記第1の層または前記第2の層の少なくともどちらか一方に配置されたことを特徴とする請求項4に記載の方向性結合器。前記誘電体基板は少なくとも第1の層と第2の層を有し、前記第1の信号線導体と前記第2の信号線導体が前記第1の層に配置され、前記平板状導体が前記第2の層に配置されたことを特徴とする請求項4に記載の方向性結合器。前記第1の層が前記誘電体基板の一方の表層であり、前記第2の層が前記誘電体基板の他方の表層であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の方向性結合器。前記第1および第2の信号線導体が延伸する方向に対して垂直な断面において、前記接地導体と前記第1および第2の信号線導体と前記平板状導体の位置が、点対称となるように配置されたことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の方向性結合器。前記第1および第2の信号線導体が延伸する方向に対して垂直な断面において、前記接地導体と前記第1および第2の信号線導体と前記平板状導体の位置が、線対称となるように配置されたことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の方向性結合器。しかしながら、従来技術である特許文献1や特許文献2の構成では、信号線導体幅の製造誤差により結合特性が敏感に動き、安定した結合特性を得ることが困難であった。併せて、特許文献2の構成では、結合度-10dBを超える密結合化を実現することが困難である。本発明は上記課題を解決するためになされたもので、信号線導体幅の製造誤差があっても安定した結合特性を有し、密結合化を実現することができる方向性結合器を得ることを目的とする。この発明に係る方向性結合器は、接地導体と、使用する周波数に対応する波長により規定される所定の長さを有し、電磁的に互いに結合する第1および第2の信号線導体と、平板形状で前記第1および第2の信号線導体とほぼ同一方向に延伸し、前記接地導体と電気的に接続するとともに、前記方向に延伸する前記平板形状の一方の端部の少なくとも一部が、前記平板形状の平板平面に対して垂直な方向から見たとき前記第1の信号線導体または前記第2の信号線導体の内部に含まれる位置に配置された平板状導体と、を備えたことを特徴とするものである。この発明によれば、導体パターン幅の製造誤差による結合度変動の低減を実現し、さらに密結合度を維持した方向性結合器を得られるという効果がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図1aは上面透視図、図1bは図1aにおけるA-A’面についての断面図、図1cは図1aにおけるB-B’面についての断面図である。図において、10は誘電体基板、11、12は接地導体、21は第1の信号線導体である信号線導体、31は第2の信号線導体である信号線導体、41は柱状導体、42、43は平板状導体である平板状接地導体である。図1に示すように、実施の形態1に係る方向性結合器の構造は、誘電体基板10の下面に接地導体11が、誘電体基板10の上面に接地導体12がそれぞれ設けられている。誘電体基板10は多層基板になっており、その内層に信号線導体21、信号線導体31が設けられている。信号線導体21と信号線導体31は長さL1の区間で互いに電磁的に互いに結合するように配置され、結合線路を構成する。ここでは、信号線導体幅一定であり、信号線導体21と信号線導体31が互いに平行に配置され、同一方向に延伸している最も簡単な例を用いて説明するが、結合線路部は電磁結合を実現できればよいため、信号線導体幅が一定でなくても良く、信号線導体21と信号線導体31は互いに完全な平行に配置されなくても構わない。図1bに示すように、接地導体11と接地導体12は柱状導体41により導通されている。ここでは、図1aに示すように、柱状導体41を結合線路の延伸方向に沿って左右に3個ずつ列状に並べた構成としている。誘電体基板10の内層には柱状導体41と導通する平板状接地導体42、および平板状接地導体43がそれぞれ設けられている。平板状接地導体42、43は、信号線導体21、31と同一方向に延伸しており、また、柱状導体41を介して接地導体11、12と電気的に接続している。平板状接地導体42の幅広面と信号線導体21の幅広面は部分対向領域幅W0をもって重なり合うようにして対向している。この部分対向領域幅W0により平板状接地導体42と信号線導体21の間に平行平板容量を形成する。同様に、平板状接地導体43の幅広面と信号線導体31の幅広面は部分対向領域幅W0をもって重なり合い、平行平板容量を形成する。ここで、図1b、図1cに示す部分対向領域幅W0は、信号線導体21および信号線導体31の導体幅W1に比べて小さい。すなわち、平板状接地導体42の平板平面に対して垂直な方向から見ている図1aにおいて、平板状接地導体42の右側の端部の辺は、信号線導体21と同一方向に延伸しているとともに、信号線導体21の内部に含まれる位置に重なるように配置されている。信号線導体31と平板状接地導体43の位置関係も同様であり、平板状接地導体43の左側の端部の辺信号線導体31の裏側に配置されているため図1aにおいて明瞭には図示されていないは、信号線導体31と同一方向に延伸しているとともに、信号線導体31の内部に含まれる位置に重なるように配置されている。信号線導体21と信号線導体31が電磁結合する区間の長さL1がおよそ1/4波長の奇数倍になるとき、方向性結合器の結合レベルが極大値を示し、長さL1は所望の結合レベルおよび適用する周波数に応じて適切に設計される値である。図1において、P1、P2、P3、P4は方向性結合器の4つのポートの各ポートの番号を示しており、P1に入力した信号はP3およびP4に分配され、P2には僅かな信号のみが出力される。P1は入力ポート、P2はアイソレーションポート、P3は結合ポート、P4は通過ポートと呼ばれる。結合量レベルはSパラメータのS31P1に入力した信号とP3に出力される信号の比を示すパラメータにより評価することができる。上記S31のレベルを決定する結合係数kは、k=Ze-Zo/ZeZoにより表すことができる。ここで、Zeは偶モードインピーダンス、Zoは奇モードインピーダンスをそれぞれ示す。図1bや図1cに示すような断面を有する結合線路において、信号線導体21と信号線導体31を分断する仮想対称面図示せずに磁気壁境界条件を適用した場合の特性インピーダンスが偶モードインピーダンスZeであり、同仮想対称面に電気壁境界条件を適用した場合の特性インピーダンスが奇モードインピーダンスZoである。なお、ここでは方向性結合器の断面が図1bや図1cに示すような点対称の形状である場合を考えて、仮想対称面として説明を行うが、断面が対称形状でない場合は、磁気壁境界条件および電気壁境界条件を適用する面は必ずしも対称な面とはならない。しかし、この場合でも方向性結合器の断面形状にしたがって電磁気壁境界条件を適用する仮想面が一意に決定されるので、同様に考えることができる。偶モードインピーダンスZeは、上記仮想対称面に磁気壁境界条件を設定した場合の特性インピーダンスであるため、仮想対称面は接地面とならず、信号線導体21および信号線導体31と、対応するグラウンドである接地導体11、接地導体12、柱状導体41、平板状接地導体42、および平板状接地導体43との位置関係によって決まる。一方、奇モードインピーダンスZoは、上記仮想対称面に電気壁境界条件を設定した場合の特性インピーダンスであるため、仮想対称面は接地面となり、信号線導体21および信号線導体31と、対応するグラウンドである接地導体11、接地導体12、柱状導体41、平板状接地導体42、平板状接地導体43および仮想対称面との位置関係によって決まる。特に結合度が-10dB以上と高い方向性結合器においては、奇モードインピーダンスZoを決定する要因は、信号線導体21および信号線導体31と仮想対称面との位置関係が支配的となり、他のグラウンド導体との位置関係による寄与は相対的に低い。図1に示した方向性結合器の構造において、導体パターンの幅に製造誤差が生じると、信号線導体21および信号線導体31の幅つまり導体幅W1が変動するのに加え、平板状接地導体42および平板状接地導体43の幅も変動し、部分対向領域幅W0も同時に変動する。信号線導体21、31および平板状接地導体42、43は、通常、エッチングなどの方法による同一の製造プロセスもしくは類似の製造プロセスにより製造される。したがって、信号線導体21、31の導体パターンの幅が製造誤差により小さくなる方向に変動する場合、平板状接地導体42、43の導体パターンの幅も同様の変動幅の値で小さくなる方向に変動することが多い。逆に信号線導体21、31の導体パターンの幅が製造誤差により大きくなる方向に変動する場合、平板状接地導体42、43の導体パターンの幅も同様の変動幅の値で大きくなる方向に変動することが多い。一方、部分対向領域幅W0<W1を有さない従来の結合線路においては、導体パターンの幅に製造誤差が生じた場合、導体幅W1のみが変動する。上記のように、導体幅W1のみが変動する従来の結合線路では、結合度-10dB以上と高い結合度を得るためには、信号線導体21と信号線導体31を近接配置する必要があり、上述の仮想対称面との距離が近くなるため、W1の変動に対し奇モードインピーダンスZoの変動が相対的に大きく、偶モードインピーダンスZeの変動が相対的に小さくなる。ここで、導体幅W1が小さくなる方向に導体パターンの幅が変動する場合を考えると、信号線導体21および信号線導体31とグラウンド導体間に生じる静電容量が減少するため、偶モードインピーダンスZeと奇モードインピーダンスZoは共に高くなる。しかし、上述のように、偶モードインピーダンスZeの変動は相対的に小さい。この時、変化後の偶モードインピーダンスをZeΔZe、奇モードインピーダンスをZoΔZoとすると、偶モードインピーダンスの変動が小さいことを考慮しΔZe≒0とおけるので、変化後の結合係数はk’=Ze-Zo-ΔZo/ZeZoΔZoで表される。結合係数k’は元の結合係数kに比べて分子が減少、分母が増加となるため、k’<kとなり結合特性は疎結合の方向へ変動する。一方、図1に示した構造によると、導体パターン幅の製造誤差により部分対向領域幅W0が変動する。このため、信号線導体21と平板状接地導体42との間に生じる平行平板静電容量、信号線導体31と平板状接地導体43との間に生じる平行平板静電容量が劇的に変動する。これは仮想対称面が接地面とならない場合にも影響するため、上述のように偶モードインピーダンスZeの変動に大きく寄与する。つまり、図1に示した構造によると、W1の変動により奇モードインピーダンスZoが変動するのに加え、W0の変動により偶モードインピーダンスZeが変動し、特にZeへの寄与を大きくすることができる。上記の従来の結合線路での説明と同様に、導体幅W1が小さくなる方向に導体パターンの幅が変動する場合を考える。このとき、信号線導体21と平板状接地導体42との間、および、信号線導体31と平板状接地導体43との間に生じる平行平板静電容量が劇的に小さくなる。したがって、偶モードインピーダンスZeが特に大きくなる。変化後の方向性結合器の結合係数はk=ZeΔZe-Zo-ΔZo/ZeΔZeZoΔZoにより表される。ここで、偶モードインピーダンス変動への寄与が大きいとするとΔZe>ΔZoとなり、kは分子が増加、分母が増加となる。このため、k>k’となり、従来構造に比べ疎結合方向へ変動する影響を低減できることがわかる。ここでは、便宜上導体パターンの幅が小さくなる方向に変動する場合について述べたが、導体パターンの幅が大きくなる方向に変動する場合についても、上述の疎結合を密結合に置き換え、同様に考えることができる。図1に示した構造は、部分対向領域幅W0を導体幅W1より小さくなるように設定している。すなわちW0<W1としている。偶モードインピーダンス変動への寄与を増加させる目的だけであれば、W0<W1である必要性は必ずしも無いが、結合係数は上述の通り、ZeとZoの差で特徴付けられ、例えば-10dB以上の高い結合度を実現するためにはZeの値をより高く、Zoの値をより低く設定する必要性がある。例えばW0=W1とした場合、信号線導体とグラウンド導体間の静電容量が必要以上に増加し、Zeの値を高くすることが困難となるため、高い結合度の実現が困難となる場合がある。図1の構造では、W0<W1となるように設定し、信号線導体とグラウンド導体間の静電容量の増加を低減した構成であるため、Zeの値を高く設定することができ密結合度を有する方向性結合器への対応も可能である。ここで、W0の値は密結合度の実現と、結合度変動の低減の両立を目的に、導体パターン幅の製造誤差レベルと同等に選ぶと良い。使用する基板等により条件が異なるが、W0は数μm~200μm程度に設定することが望ましい。図2に上記効果を確認するために実施した結合特性変動量に関するシミュレーション結果を示す。図2aは特許文献1に示される従来構造による方向性結合器におけるシミュレーション結果を、図2bは図1に示した方向性結合器の構造におけるシミュレーション結果をそれぞれ示す。図2においては、結合特性を示すSパラメータS31および通過特性を示すSパラメータS41を示している。導体パターン幅の製造誤差として±50μm±0.05mmを仮定しており、ここで、は導体パターン幅が大きくなることを意味し、-は導体パターン幅が小さくなることを意味している。ここで、製造誤差の値は導体パターン幅両側の変動幅を表しており、導体パターンのエッジ部分の位置の変動は、この半分の値である±25μm±0.025mmずつとなる。図2において、実線がパターン幅の製造誤差が無い時のシミュレーション値を、点線がパターン幅の製造誤差が-50μmの時のシミュレーション値を、破線がパターン幅の製造誤差が50μmの時のシミュレーション値をそれぞれ示す。シミュレーションには有限要素法を用いた3次元電磁界シミュレーションを適用した。シミュレーションでは誘電体基板10の比誘電率を3.4、誘電体基板10の厚みを1.3mmとし、図2a、図2b両者ともに規格化周波数NormalizedFreqと表記が1付近のときに結合度の極大値が-7.4dBになるように設計した。ここで、図1における導体幅W1=0.33mm、部分対向領域幅W0=0.05mmとした。図2aより、従来構造においては、結合度設計値-7.4dBに対し、±50μmのパターン幅誤差を与えると結合度の偏差が1.93dB生じ、変動が比較的大きいことがわかる。一方、図2bより、本発明の構造では同じ誤差範囲における結合度偏差が0.29dBと従来構造に比べて大幅に低減していることが確認でき、結合度変動の改善効果を確認することができる。また、本発明構造は、図2bに示すように、結合度が-10dBを超える密結合化の実現も可能であることが併せて確認できる。図1においては、柱状導体41を結合線路延伸方向と平行に列状に並べた構成を示したが、柱状導体41がグラウンドとして機能していれば良く、結合線路延伸方向と平行に並んでいなくても良い。図1においては、接地導体11と接地導体12の2枚の導体を使用し、柱状導体41は接地導体11と接地導体12双方と導通している例について説明したが、接地導体11と接地導体12はいずれか1枚で構成しても良く、また柱状導体41が接地導体11と接地導体12いずれか一方と導通している構成を採用しても良い。図1においては、平板状接地導体42、平板状接地導体43が長方形形状の構成について説明したが、部分対向領域幅W0が形成される形状であれば、任意の形状を採用して構わない。また、図1では部分対向領域幅W0が結合線路延伸方向に同一幅である構成を示したが、結合線路延伸方向に沿ってW0の値を変化させても良く、上記と同様な効果を得ることができる。図1においては、信号線導体21と信号線導体31が平板状であり、これらの幅広面が互いに平行である例について説明したが、本発明はこれに限るものではない。信号線導体が平板状接地導体42または平板状接地導体43と部分的に平行平板容量を形成すれば良く、信号線導体21と信号線導体31の幅広面が互いに平行で無くても良い。また、信号線導体21と信号線導体31は幅広面、幅狭面が定義可能な平板状の長方形断面である必要は無く、上記平行平板容量の形成が可能であれば任意の形状で構成しても良い。図1において、平板状接地導体として平板状接地導体42、平板状接地導体43の2つを用いた例について説明したが、どちらか一方だけで構成しても良く、方向性結合器の断面形状は対称な形状でなくても良い。また、図1bの信号線導体21の下方にも平板状接地導体42をもう一枚追加して設置するなどして、平板状接地導体を3つ以上用いても構わない。図1においては、信号線導体21と信号線導体31が結合線路区間において幅広面同士が重なっていない構成であるが、信号線導体21と信号線導体31は部分的に対向していても良く、信号線導体21と信号線導体31の幅広面同士が完全に重なる構成、すなわち信号線導体21と信号線導体31が上面から見て一致する構成でも良い。図1においては、方向性結合器の断面において、信号線導体21、信号線導体31、平板状接地導体42、平板状接地導体43の関係が点対称に配置されている例について説明した。しかし上記のように、信号線導体21と信号線導体31の幅広面同士が上下に完全に重なり、平板状接地導体42、平板状接地導体43が図1とは異なり同一の柱状導体41側から延伸するような構成例えば、図1の平板状接地導体42が、図中左側の柱状導体41ではなく、図中右側の柱状導体41から延伸する構成により、断面図の上下に線対称となる構造としても良い。断面形状を点対称や線対称な構造とすることにより、設計が容易であるとともに、製造誤差が生じた場合にも形状のバランスがより保たれ、より特性劣化の少ない方向性結合器が得られる効果がある。ただし、必ずしもこれらの対称性を保持しない構造でも本発明の効果が得られる。図1においては、信号線導体21、信号線導体31、平板状接地導体42、平板状接地導体43は誘電体基板10の内層に配置された構成を示したが、誘電体基板10は無くても良く、信号線導体21、信号線導体31、平板状接地導体42、平板状接地導体43は図1bや図1cの断面において中空に配置されていても良い。導体等を中空に配置した場合でも、これらを同一あるいは類似の製造プロセスで製造することが多く、導体幅における製造誤差の影響は上述したものと同様になるので、本発明の効果が同様に得られる。以上のように、実施の形態1に係わる方向性結合器は、従来の課題であった導体パターン幅の製造誤差による結合度変動の低減を実現し、さらに密結合度を維持した方向性結合器を得ることが可能となる。実施の形態2.図3は、本発明の実施の形態2に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図3aは上面透視図、図3bは図3aにおけるA-A’面についての断面図、図3cは図3aにおけるB-B’面についての断面図である。図3において、図1と同一符号は同一又は相当部分を示す。図3では、図1における平板状接地導体42が信号線導体31と同一層に配置され、平板状接地導体43が信号線導体21と同一層に配置された構成である。その他の構造については、前述の実施の形態1と同様であり、その説明を省略する。図3に示した構成の基本的な効果は、実施の形態1において述べた効果と同様であり、その説明を省略する。図1の構成では、誘電体基板10の内層に信号線導体21、信号線導体31、平板状接地導体4、平板状接地導体43がそれぞれ別層に配置されており、内層の導体パターン形成層を4層必要としていた。つまり、接地導体11が配置される誘電体基板10の下面層、接地導体12が配置される誘電体基板10の上面層を加えて計6層構成となる。図3に示した構成によると、平板状接地導体42と信号線導体31を同一層に、平板状接地導体43と信号線導体21を同一層にそれぞれ配置するため、内層の導体パターン形成層を2層に削減でき、下面層と上面層を加えても計4層構成に削減できる。通常の多層誘電体基板においては、導体パターン形成層数に応じたマスクを用意する必要があり、また、一般的に導体パターン形成層数増加に伴い、積層する誘電体基板の総数も増加するため、導体パターン形成層数削減により製造性を簡略化し製造コストを低減することが可能となる。以上より、実施の形態2に係わる方向性結合器は、実施の形態1において説明した効果に加え、製造性簡略化の実現が可能となる。実施の形態3.図4は、本発明の実施の形態3に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図4aは上面透視図、図4bは図4aにおけるA-A’面についての断面図、図4cは図4aにおけるB-B’面についての断面図である。図4において、図1、図3と同一符号は同一又は相当部分を示す。図中52、53は柱状導体である。図4では、図1における平板状接地導体42、平板状接地導体43が柱状導体41と導通せず、代わりにそれぞれ平板状接地導体42が柱状導体52を介して接地導体12と導通し、平板状接地導体43が柱状導体53を介して接地導体11と導通した構成である。その他の構造については、前述の実施の形態1と同様であり、その説明を省略する。図4に示した構成の基本的な効果は、実施の形態1において述べた効果と同様であり、その説明を省略する。図1に示した構成では、平板状接地導体42、平板状接地導体43をグラウンドとして動作させる必要があるため、柱状導体41との導通点から部分対向領域幅W0を形成する開放点付近までの距離を波長に比べて短く設定する必要性が生じ、結果として柱状導体41を信号線導体21、信号線導体31に近接した位置に配置する必要性がある。一方で、柱状導体41と信号線導体21、信号線導体31とが近接することは、実施の形態1にて述べた偶モードインピーダンスZeの値を高くすることに制約が入り、より高い結合度の実現にとって障壁となることがある。図4に示した構成によると、平板状接地導体42、平板状接地導体43は柱状導体41と導通せずとも、柱状導体52、柱状導体53により接地導体12、接地導体11と導通されているため、平板状接地導体42、平板状接地導体43をグラウンドとして動作させることができ、柱状導体41は信号線導体21、信号線導体31に近接した位置に配置する必要性が無くなる。この結果、柱状導体41は信号線導体21、信号線導体31から遠ざけることが可能となり、上記偶モードインピーダンスZeの値を高くすることが可能となるため、より高い結合度の実現が可能となる。以上より、実施の形態3に係わる方向性結合器は、実施の形態1において説明した効果に加え、より高い結合度の実現が可能となる。実施の形態4.図5は、本発明の実施の形態4に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図5aは上面透視図、図5bは図5aにおけるA-A’面についての断面図、図5cは図5aにおけるB-B’面についての断面図である。図中、図1から図4と同一符号は同一又は相当部分を示し説明を省略する。図5において、61は金属ブロック、62は空洞領域である。図5では、誘電体基板10の上面に平板状接地導体42と信号線導体31が、誘電体基板10の下面に平板状接地導体43と信号線導体21がそれぞれ配置され、信号線導体21、信号線導体31、平板状接地導体42、平板状接地導体43の位置関係は図3と同一である。誘電体基板10の下部および上部には、空洞領域62を有する金属ブロック61が配置され、平板状接地導体42、平板状接地導体43、柱状導体41と導通し、グラウンド導体として機能させている。その他の構造については、前述の実施の形態2と同様であり、その説明を省略する。図5に示した構成の基本的な効果は、実施の形態1において述べた効果と同様であり、その説明を省略する。図5の構成では、前述の実施の形態1から3のように多層誘電体基板を必要とせず、誘電体基板10の上面と下面のみに導体パターンを形成する構成とでき、単層基板の使用が可能となるため、誘電体基板10の選択性が向上する。また、空洞領域62の形状を適切に設計することで、信号線導体21、信号線導体31と金属ブロック61との距離を容易に離すことが可能となり、実施の形態1で述べた理由により高い結合度の方向性結合器を実現することが可能となる。なお、ここでは金属ブロック61を誘電体基板10の上下に配置した例について説明したが、下側のみ、あるいは上側のみの片側にのみ配置した構成においても同様な効果が得られる。以上より、実施の形態4に係わる方向性結合器は、実施の形態1において説明した効果に加え、誘電体基板の選択性向上および、より高い結合度の実現が可能となる。実施の形態5.図6は、本発明の実施の形態5に係る方向性結合器の構造を示す図であり、図6aは上面透視図、図6bは図6aにおけるA-A’面についての断面図、図6cは図6aにおけるB-B’面についての断面図である。図中、図1から図5と同一符号は同一又は相当部分を示し説明を省略する。図6では、図1における信号線導体21と信号線導体31が同一層に配置された構成である。これに伴い、図1におけるポートP2とP4の位置が入れ替わった構成である。その他の構造については、前述の実施の形態1と同様であり、その説明を省略する。図6に示した構成の基本的な効果は、実施の形態1において述べた効果と同様であり、その説明を省略する。図1に示した構成では信号線導体21と信号線導体31が異なる層に形成されていることから、誘電体基板10の積層時に信号線導体21の形成層と信号線導体31の形成層との間の位置関係に誤差が生じ、結合特性の変動が大きくなることがある。図6に示した構成では、信号線導体21と信号線導体31が同一層に形成されていることから、同一の製造プロセスにより同時に形成することができる。このため、上記の層間位置関係誤差の影響を受けにくく、誤差要因を減らすことが可能となり、より安定した性能の確保が可能となる。また、図6においては、図1の6層構成に比べて層数を5層に削減することが可能となる。図6においては、平板状接地導体42、平板状接地導体43を別の層に形成しているが、同一層に配置しても良く、これにより層数を4層に削減することが可能となる。る。図6では、上記のように図1におけるポートP2とP4の位置が入れ替わっているが、これは信号線導体21と信号線導体31が同一層内で交差することを回避するためのものであり、信号線導体21と信号線導体31の少なくとも一方を一部で別の層に移動させることで電気的に隔離された交差部を実現すれば、図1と同様の位置にポートP2とP4を配置することも可能である。以上より、実施の形態5に係わる方向性結合器は、実施の形態1において説明した効果に加え、層間位置関係誤差の影響を受けにくくすることが可能となり、また、製造性簡略化の実現が可能となる。