誘電体フィルム上に金属蒸着電極を形成した金属化フィルムを一対とし、この一対の金属化フィルムに形成された夫々の金属蒸着電極が誘電体フィルムを介して対向するように重ね合わせて巻回または積層した素子と、この素子の両端面に形成された一対のメタリコン電極からなり、前記一対の金属化フィルムの金属蒸着電極のうち少なくとも一方は、アルミニウムを主成分とし、前記誘電体フィルムとの接合面に形成された酸化膜層と、この酸化膜層上に形成されたマグネシウム含有層とを有し、マグネシウムの原子濃度比率が前記マグネシウム含有層において最大となる金属化フィルムコンデンサ。前記酸化膜層の厚みは、0.1nm以上15nm以下である、請求項1に記載の金属化フィルムコンデンサ。前記マグネシウム含有層の厚みは、前記金属蒸着電極の厚みの1/2以下である、請求項1に記載の金属化フィルムコンデンサ。金属化フィルムコンデンサは、小型化に伴いフィルムの薄手化が進んでいる。このフィルムの薄手化は耐電圧劣化につながるため耐電圧向上施策が必要となっている。そこで本発明は、金属化フィルムコンデンサの耐電圧を向上させることを目的とするものである。この課題を解決するために本発明は、一対の金属化フィルムの金属蒸着電極のうち少なくとも一方は、アルミニウムを主成分とし、誘電体フィルムとの接合面に形成された酸化膜層と、この酸化膜層上に形成されたマグネシウム含有層とを有し、マグネシウムの原子濃度比率がマグネシウム含有層において最大となるものである。本発明による金属化フィルムコンデンサは、優れた耐電圧性を発揮することができる。その理由は、金属蒸着電極の下面側に作製したマグネシウム含有層はアルミニウム単体からなる層よりもセルフヒーリング性が高いからである。またそのマグネシウム含有層は、酸化膜層により保護されているため、酸化の影響を小さくすることができる。以上より本発明は、耐電圧を高めることができる。以下、図1~図2を用いて、本発明の実施例における金属化フィルムコンデンサの構成について説明する。図1は本実施例の金属化フィルムコンデンサの構成を示した断面図であり、図2a、図2bは本発明の金属化フィルムコンデンサに用いられる一対の金属化フィルムの平面図である。図1において、第1の金属化フィルム1はP極用、第2の金属化フィルム2はN極用の金属化フィルムである。そして、これら第1の金属化フィルム1および第2の金属化フィルム2を一対として重ね合わせ、これを複数ターン巻回したものを素子として金属化フィルムコンデンサを形成している。図1に示すように、第1の金属化フィルム1は誘電体となるポリプロピレンからなる誘電体フィルム3aの片面上に金属蒸着電極4aが形成されている。端部には第2の金属化フィルム2と絶縁するために絶縁マージン5aが設けられている。この金属蒸着電極4aはメタリコン6aと接続されて電極を引き出す。メタリコン6aは、例えば亜鉛溶射により形成でき、金属蒸着電極4aの端面に形成される。金属蒸着電極4aは、図2aに示すように、容量を形成する有効電極部の幅W方向における略中央から絶縁マージン5aに向かう側に、縦マージン7aおよび横マージン8aを形成されている。縦マージン7aと横マージン8aは、オイル転写により形成され、金属蒸着電極4aが蒸着されていない。これにより金属蒸着電極4aは、メタリコン6a側が大電極部9aとなり、絶縁マージン5a側が縦マージン7aおよび横マージン8aにより複数に区分けされた分割小電極部10aとなる。この分割小電極部10aは図2aに示されるように、大電極部9aとヒューズ11aにて電気的に並列に接続されており、また隣接する分割小電極部10aどうしもヒューズ12aにて電気的に並列に接続されている。ここで、大電極部9aは図2aに示されるように、誘電体フィルム3aの片面に有効電極部の幅Wの略中央部からメタリコン6aにかけて形成されている。各分割小電極部10aの幅は有効電極部の幅Wの約1/4で、誘電体フィルム3aの片面に有効電極部の幅Wの略中央部から絶縁マージン5aにかけて形成されている。なお、この分割小電極部10aは有効電極部幅W略中央部から絶縁マージン5aにかけて2つ設けた構成としたが、これに限らず3つ以上設けた構成としてもよい。実使用時において、絶縁の欠陥部分で短絡が生じた場合には短絡のエネルギーで欠陥部分周辺の金属蒸着電極4aが蒸発飛散して絶縁が復活する。この自己回復機能により、第1の金属化フィルム1、第2の金属化フィルム2間の一部が短絡しても金属化フィルムコンデンサの機能が回復する。また、分割小電極部10aの不具合により分割小電極部10aに大量の電流が流れた場合には、ヒューズ11a、あるいはヒューズ12aが飛散することで不具合の生じている部分の分割小電極部10aの電気的接続が切断され、金属化フィルムコンデンサの電流は正常な状態に戻る。第2の金属化フィルム2は、第1の金属化フィルム1と同様、図1に示されるように、誘電体となるポリプロピレンの誘電体フィルム3bの片面上に一端の絶縁マージン5bを除いて金属蒸着電極4bが形成されている。ただし、第2の金属化フィルム2と第1の金属化フィルム1とではメタリコンに接続される方向が異なり、第2の金属化フィルム2は、第1の金属化フィルム1が接続されたメタリコン6aと対向して配置されたメタリコン6bに接続されている。また、金属蒸着電極4bは、容量を形成する有効電極部の幅Wにおける略中央部から絶縁マージン5bに向かう側に、金属蒸着電極を有しない非蒸着の縦マージン7bおよび横マージン8bにより大電極部9bと複数の分割小電極部10bに区分されている。この分割小電極部10bは、図2bに示されるように第1の金属化フィルム1の分割小電極部10aと同様の構成となっており、大電極部9bとヒューズ11bにて並列接続され、また分割小電極部10bどうしもヒューズ12bにて並列接続されている。分割小電極部10b、ヒューズ11b、12bを備えることによる効果も第1の金属化フィルム1と同様である。なお本実施例では、金属蒸着電極4a、4bを大電極部9a、9b、分割小電極部10a、10bに区分けしたが、区分けしない場合も、コンデンサとして機能する。また本実施例では誘電体フィルム3a、3bとしてポリプロピレンフィルムを用いたが、これ以外にもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニルサルファイド、ポリスチレンなどを用いてもよい。本実施例の金属化フィルムコンデンサでは第1の金属化フィルム1または第2の金属化フィルム2の金属蒸着電極4a、4bのうち少なくとも一方は、アルミニウムを主成分とし、誘電体フィルム3a3bとの接合面に形成された酸化膜層と、この酸化膜層上に形成されたマグネシウム含有層とを有する。マグネシウム含有層は、酸化物としてではなく金属としてのマグネシウムを含む層である。マグネシウム含有層上にはアルミニウムの層が形成されている。この金属蒸着電極4a4bにおいて、マグネシウムの原子濃度分布は、マグネシウム含有層で最大値となる。単位面積あたりの金属蒸着電極4a、4b中におけるマグネシウムの含有量は2.0wt~40wtとした。マグネシウムを一定以上含有させることにより、自然酸化が進んでも上述の金属として存在するマグネシウム含有層を残存させることができる。またマグネシウムが多すぎると抵抗が大きくなる為、上記範囲とすることが適当である。実施例1実施例1の金属化フィルムコンデンサは上述の図1で示したような構成となっており、さらにP極である金属蒸着電極4a、N極である金属蒸着電極4bに用いる電極材料としてアルミニウムとマグネシウムの合金を用いた。なお、本実施例1の第1の金属化フィルム1と第2の金属化フィルム2は、同一の電極材料、誘電体材料ポリプロピレンの誘電体フィルムを用いて同一の製造方法から形成されるものであるため、下記に述べる本実施例1の金属化フィルムの特徴は第1の金属化フィルム1と第2の金属化フィルム2に共通するものである。本実施例1の金属蒸着電極は、単位面積あたりの金属蒸着電極中におけるマグネシウムの含有量wtが4.9wtであり、アルミニウムの層の下にマグネシウム含有層が形成され、マグネシウム含有層の下に酸化物層が形成された構成とした。図3はX線光電子分光XPS分析結果から求めた、金属蒸着電極の表面からの深さ距離換算値nmと原子濃度atomとの関係を示す。金属蒸着電極の表面からの深さ換算値は、同条件における二酸化ケイ素膜のスパッタレートとアルミニウムのスパッタレートの比較から換算した。この結果から本実施例1ではアルミニウムの濃度分布が最大値となる位置よりも深い位置でマグネシウムの濃度分布が最大値となることが分かる。すなわち、アルミニウムの層の下にマグネシウムが存在していることが分かる。また、マグネシウムの濃度分布が最大値となる位置よりも深い位置で、酸素の濃度分布がピーク値をとる。さらに、図4は、高温下での印加電圧Vと漏れ電流mAの関係を示す。従来例1として、アルミニウムの層のみからなる従来の金属蒸着電極を形成した金属化フィルムを用いた。比較例1として、マグネシウム含有層を含まず、アルミニウムの層の下に酸化マグネシウムからなる酸化物層が形成された金属蒸着電極の金属化フィルムを用いた。比較例1の単位面積あたりの金属蒸着電極中におけるマグネシウムの含有量wtは、2.0未満とした。この結果、従来例1、比較例1、実施例1の順に漏れ電流が小さくなっていることが分かる。これは、アルミニウムの層の下に形成されたマグネシウムの層の一部がフィルム中の水分と結合しフィルム中の水分が低下しているためであると考えられる。そしてアルミニウムの層の下において、マグネシウムの含有量が多いほど、漏れ電流が減ったものと考えられる。これらの結果から、金属蒸着電極の誘電体フィルムとの接合面には、マグネシウムの酸化膜層が存在すると推測できる。また、今回は簡易的にマグネシウムの酸化膜を採用したが、マグネシウム以外の金属による酸化膜を形成しても同様にマグネシウムの層の酸化を抑制できると考えられる。例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化マンガンなどを用いることができる。また本実施例1と、前述の従来例1および比較例1の金属化フィルムコンデンサを用いて短時間耐電圧試験を行った。その結果を、図5に示す。短時間耐電圧試験は、本実施例の金属化フィルムと従来例1、比較例1の金属化フィルムとを用い、100°C雰囲気下、所定時間ごとに一定電圧ずつ昇圧し、コンデンサの容量変化率が-5になる電圧耐電圧を測定し、その電圧から耐電圧性を求めたものである。耐電圧の変化率は実施例1または比較例1の耐電圧Vt-従来例1の耐電圧V0/V0を百分率で示すものである。上記表1は、短時間耐電圧試験における本実施例1および比較例1の耐電圧変化率を示すものである。表1から分かるように、耐電圧が1426Vであった実施例1では、耐電圧が1359Vであった従来例1と比べて耐電圧が4.9上昇している。また比較例1よりも本実施例の方が、耐電圧性が向上している。その理由を以下に説明する。すなわちマグネシウムはアルミニウムよりも飛散時のクリアリングエネルギーが小さく、セルフヒーリング性が高いため、金属蒸着電極と誘電体フィルム接合面側でセルフヒーリングが発生しやすくなり、耐圧が向上する。そのため、耐電圧が向上する。ここで、マグネシウムはアルミニウムよりも水との反応が早いため、空気中の水分等により自然酸化されてしまう。そこで、酸化膜層をマグネシウム含有層の下に形成することでマグネシウム含有層の酸化を抑制する。この酸化膜層は0.1nm以上15nm以下と非常に薄く、また絶縁物であるため、セルフヒーリング性には影響しない。マグネシウム含有層および酸化膜層は金属蒸着電極4a、4bのいずれに設けてもよく、双方に設けてもよい。なお本実施例では、マグネシウム含有層の厚みは、金属蒸着電極の厚みの1/2以下とした。アルミニウムの方がマグネシウムよりも比抵抗が小さいため、アルミニウムの層を厚く目安として金属蒸着電極の厚みの1/2より厚くすることで、金属蒸着電極全体を薄くしても抵抗を下げることができる。