ガス中において電子を増幅させることにより放射線の検出を行う放射線検出器に用いられる基板であって、前記基板主表面に密着する層を有する導電層及び貫通孔が基板に形成された電子増幅器用基板の製造方法において、前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する導電層形成防止部材を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、前記予防工程後、前記基板主表面に前記導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の導電層形成防止部材を除去する除去工程とを備えることを特徴とする電子増幅器用基板の製造方法。前記基板は感光性ガラス基板であり、前記貫通孔は紫外線を照射することで形成されることを特徴とする請求項1記載の電子増幅器用基板の製造方法。前記基板は表裏面を有し、前記導電層は前記基板の表裏面に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の電子増幅器用基板の製造方法。前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。前記導電層形成防止部材は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。前記導電層は、前記基板上に密着する密着層と、前記密着層を覆うように形成された金属層と含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。前記密着層はクロムからなり、前記金属層は銅からなり、前記密着層及び前記金属層は連続的に成膜されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。前記予防工程後且つ前記導電層形成工程前に、前記導電層形成防止部材及び前記基板を揃えて平坦化する工程を更に備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の電子増幅器用基板の製造方法。感光性ガラスからなる基板に密着する層を有する導電層が形成され、且つ紫外線を照射することで貫通孔が形成された電子増幅器用基板の製造方法において、前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する熱硬化性樹脂を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、前記予防工程後、前記基板主表面にクロム層を、そして前記クロム層を覆うように銅層を連続的に成膜し、導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の熱硬化性樹脂を除去する除去工程とを備え、前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていることを特徴とする電子増幅器用基板の製造方法。請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の方法で製造された電子増幅用基板を用いることを特徴とする電子増幅器の製造方法。請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いることを特徴とする放射線検出器の製造方法。特許文献1で開示されているGEMは、X線の検出用として用いられているが、GEMによって中性子を検出するためには、X線を検出する場合と比較して高真空状態にする必要がある。また、効率よく雪崩式に電子を増幅させるためには、ポリイミド等の板状部材を複数枚、所定のギャップを保ちながら配置させる必要がある。しかしながら、ポリイミド等の板状部材は、ポリマーフィルムであるため高真空状態にした場合に歪みが生じてしまうため、ギャップを保つことができず正確に中性子を検出することができないといった問題がある。また、このようなポリマーフィルムといった有機フィルムの場合、アウトガスが電子雪崩を妨げてしまうことから、中性子の検出ができなくなるといった問題もある。また、特許文献2乃至4で開示されているシンチレータと光ファイバーとを組み合わせた中性子の検出器は、装置が高価であるとともに、中性子の検出効率が50程度と非常に非効率的であるといった問題がある。そこで、本発明は上述した課題を解決するために提案されたものであり、低コストでありながら、高い放射線検出効率を実現することができる電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法を提供するものである。本発明の第1の態様は、ガス中において電子を増幅させることにより放射線の検出を行う放射線検出器に用いられる基板であって、前記基板主表面に密着する層を有する導電層及び貫通孔が基板に形成された電子増幅器用基板の製造方法において、前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する導電層形成防止部材を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、前記予防工程後、前記基板主表面に前記導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の導電層形成防止部材を除去する除去工程とを備えることを特徴とする電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第2の態様は、前記基板は感光性ガラス基板であり、前記貫通孔は紫外線を照射することで形成されることを特徴とする前記第1の態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第3の態様は、前記基板は表裏面を有し、前記導電層は前記基板の表裏面に形成されていることを特徴とする前記第1又は第2の態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第4の態様は、前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていることを特徴とする前記第1乃至第3の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第5の態様は、前記導電層形成防止部材は熱硬化性樹脂であることを特徴とする前記第1乃至第4の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第6の態様は、前記導電層は、前記基板上に密着する密着層と、前記密着層を覆うように形成された金属層と含むことを特徴とする前記第1乃至第5の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第7の態様は、前記密着層はクロムからなり、前記金属層は銅からなり、前記密着層及び前記金属層は連続的に成膜されることを特徴とする第1乃第6の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第8の態様は、前記予防工程後且つ前記導電層形成工程前に、前記導電層形成防止部材及び前記基板を揃えて平坦化する工程を更に備えることを特徴とする第1乃至第7の態様のいずれか1態様に記載の電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第9の態様は、感光性ガラスからなる基板に密着する層を有する導電層が形成され、且つ紫外線を照射することで貫通孔が形成された電子増幅器用基板の製造方法において、前記導電層が前記貫通孔内に形成されるのを防止する熱硬化性樹脂を、前記貫通孔内に予め設けておく予防工程と、前記予防工程後、前記基板主表面にクロム層を、そして前記クロム層を覆うように銅層を連続的に成膜し、導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層形成工程後、前記貫通孔内の熱硬化性樹脂を除去する除去工程とを備え、前記貫通孔は複数形成され、各々は平面視円形形状を有しており、互いの貫通孔が一定間隔で前記基板上に形成されていることを特徴とする電子増幅器用基板の製造方法である。本発明の第10の態様は、第1乃至第9の態様のいずれか1態様に記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いることを特徴とする電子増幅器の製造方法である。本発明の第11の態様は、第1乃至第9の態様のいずれか1態様に記載の方法で製造された電子増幅器用基板を用いることを特徴とする放射線検出器の製造方法である。本発明によれば、低コストでありながら高い放射線検出効率を実現することを可能とする。以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明をする。本発明は、ガス電子増幅器以下、単に電子増幅器とも呼ぶ。による電子雪崩効果による電子増幅を行い、荷電粒子、アルファ線、ベータ線、ガンマ線、X線、紫外光または中性子などの電離放射線、さらに近紫外線、可視光線などの非電離放射線といった放射線を検出する放射線検出器に適用される。また、上述したような問題点を解決すべく、放射線検出器の電子増幅器で用いる電子増幅器用基板の基板としてポリマーフィルムに代えて感光性ガラスを用いる。<感光性ガラスについて>電子増幅器用基板の基板として用いる感光性ガラスについて説明をする。感光性ガラスは、安価でありながらウェットエッチングによる加工が可能であるなど非常に優れた加工性を有している。また、ポリマーフィルムとは異なり、高真空状態にした場合であっても、歪みを生じることなく、ギャップを保つことができるため、上述した放射線を検出する放射線検出器の電子増幅器に用いる電子増幅器用基板の基板として非常に有効である。<電子増幅器用基板について>続いて、電子増幅器において、電子雪崩効果による電子増幅を発生させる感光性ガラスを基板として用いた電子増幅器用基板について説明する。電子増幅器において電子雪崩効果による電子増幅を発生させるためには、基板となる感光性ガラスに複数の貫通孔を形成する必要がある。図1に示すように感光性ガラスである基板100に形成する複数の貫通孔101は、基板100を平面視した際に各々が円形形状を有し、互いに一定の間隔で形成されている。次に図2を用いて、感光性ガラスである基板100に貫通孔を形成するプロセスについて説明をする。まず、図2aに示すように、基板100の一方主面上にフォトマスク200を配置する。このフォトマスク200は、基板100に形成する貫通孔形成部位201のみが開口している。フォトマスク200を配置した後、フォトマスク200側から紫外線を照射すると、貫通孔形成部位201の基板100に選択的に紫外線が照射される。これにより、基板100には、図2aに示すように結晶化されることとなる部分である露光部100aが形成される。続いて、露光部100aが形成された基板100を電気炉などに入れて熱処理を行い露光部100aを結晶化する。この熱処理された基板100は、希フッ化水素酸に浸漬させることで、露光部100aのみをエッチングすることができる。これにより、図2bに示すように、露光部100aのみが選択的に溶解除去されるため、基板100に貫通孔101が形成されることになる。次に、図3を用いて、感光性ガラスである基板100を用いた電子増幅器用基板の形成プロセスについて説明をする。図3a、bは、図1に示した基板100の一部を、貫通孔101を通過するように切断した様子を示した断面図である。図3aに示すように複数の貫通孔101が形成された基板100の表裏面に対して、図3bに示すように、クロム、銅を連続的にスパッタして成膜することでクロム層41、銅層42を形成する。このようにして、図3bに示すような電子増幅器用基板40が形成されることになる。なお、導電層である銅層42は、感光性ガラスである基板100との密着性が低いため、基板100、銅層42とも密着性の高いクロムを用いた密着層であるクロム層41を形成する必要がある。このような密着層であるクロム層41に対して、銅層42を金属層とする。導電層を基板100と密着性の高い金属で形成した場合には、特に密着層を形成しなくともよい。図3bに示すように、電子増幅器用基板40の貫通孔101の側壁101aには、スパッタによってクロム層41、銅層42が形成された状態となっている。このような電子増幅器用基板40を用いた電子増幅器により、上述した放射線のうち、例えば、中性子を検出する放射線検出器を形成した場合、図4に示すように、十分な電子の増幅率にも関わらず所望の中性子を検出することができないことが分かった。発明者らは鋭意検討を重ねた結果、所望の放射線を検出することができない原因として、図3bに示した電子増幅器用基板40の複数の貫通孔101の側壁101aにクロム層41、銅層42が形成されてしまっているのではという結論を得た。そこで、発明者らは、基板100の貫通孔101の側壁101aにクロム層41、銅層42が形成されていない状態の電子増幅器用基板を製造する手法を考案した。以下、その手法について説明をする。<本願発明の電子増幅器用基板の製造方法について>第1の実施の形態:基板の片面への樹脂塗布による製造方法図5を用いて、本願発明の第1の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図5a~eは、図1に示した基板100をX-X線で切断した様子を示した断面図である。なお、図1に示したように基板100には複数の貫通孔101が形成されているが、以下においては説明のため1つの貫通孔101に着目するようにした。まず、図5aに示すような、貫通孔101を形成した感光性ガラスからなる基板100を用意する。このときの基板100の厚みは約0.5mm程度である。続いて、図5aに示すように、所定の粘度の樹脂50、例えば熱硬化性樹脂など、をスピンコーターにより基板100の片面全体へと塗布する。貫通孔101内へと樹脂50を侵入させ、それに伴い塗布した樹脂50を熱により硬化させる。これにより、樹脂50は、貫通孔101を塞ぎ、貫通孔101内へ後述する導電層が形成されることのないような導電層形成防止部材となる。図5aに示すように、塗布された樹脂50は、ある温度まで流動するため、これにより貫通孔101内へと侵入していく。このとき貫通孔101内に入っている空気は、下側へと押し出される。これにより、貫通孔101は、気孔ボイドのない樹脂50によって充填された状態となる。なお、樹脂50は、貫通孔101の下面に達したところで樹脂50の表面張力により充填が止まることになる。次に、図5bに示すように、プラズマ処理を施すことで、基板100の片面に塗布した際に貫通孔101内へと侵入しなかった樹脂50のみを除去する。これにより、貫通孔101内には樹脂50が充填され、基板100の表裏面は感光性ガラスが露出した状態となる。この後、導電層形成防止部材である樹脂50が充填された貫通孔101を含めた基板100の表裏面を揃えて平坦化処理する。この平坦化処理により、後述するスパッタにより形成する層の均一性を保つことができる。このように、基板100の表裏面の感光性ガラスが露出した状態において、クロムをスパッタすることでクロム層を形成した後、基板100の表裏面に連続的に銅をスパッタして銅層を形成することで導電層を形成することになる。しかしながら、貫通孔101には樹脂50を充填しているため、樹脂50を除去する必要がある。このまま、クロム、銅を連続的にスパッタすると複数の貫通孔101に充填された樹脂50上にも導電層が形成されることになり、樹脂50の除去が困難になる。そこで、樹脂50上にも形成された導電層を容易に除去することができるように、例えば、リフトオフ加工を利用する。リフトオフ加工とは、目的とするパターンの逆パターンを金属、フォトレジストなどで構成し、目的薄膜をスパッタした後、不用部分の薄膜を金属、フォトレジストと共に除去し目的とするパターンを残す手法である。例えば、上述したようなリフトオフ加工を利用し、樹脂50が充填された複数の貫通孔101に対応したパターンをフォトレジストにより形成する。そして、クロム、銅を連続的にスパッタしてクロム層、銅層を形成する。これにより、感光性ガラスである基板100の露出した表裏面には、互いに密着性の高いクロム層、銅層が形成されることになる。一方、クロム層、銅層を形成した後、フォトレジストによるパターンを除去することで、樹脂50を充填した複数の貫通孔101上に形成されたクロム層、銅層も同時に除去されることになる。また、図示しないが、基板100の表裏面に樹脂50を充填した貫通孔101を開口するようにマスキングして、銅層、クロム層を直接エッチングすることで貫通孔101内に充填された樹脂50を露出するようにしてもよい。これにより、図5cに示すように、感光性ガラスの基板100の樹脂50が充填された貫通孔101以外の表裏面にだけ、クロム層11、銅層12による導電層が形成されることになる。続いて、クロム層11、銅層12が形成されていない貫通孔101内に充填された導電層形成防止部材である樹脂50を除去する。貫通孔101内に充填された樹脂50を除去する手法としては、例えば、プラズマ処理による除去、有機溶剤と超音波を併用した除去、アルカリ薬品と超音波を併用した除去などが考えられる。このようにして、貫通孔101内に充填された樹脂50を除去すると、図5dに示すように、貫通孔101の側壁101aにクロム層11、銅層12を形成させることなく、基板100の表裏面にだけクロム層11、銅層12を形成させることができる。最後に、図5eに示すように、基板100の表裏面に形成されたクロム層11、銅層12の上に電気銅メッキを施し電気銅メッキ層13を形成することで、本願発明の電子増幅器用基板10が形成されることになる。このようにして形成された電子増幅器用基板10は、電子増幅器に適用し、放射線検出器に利用した場合に良好に放射線を検出することができる。特に、基板100に感光性ガラスを採用したことにより、ポリマーフィルムでは困難であった放射線を安価な材料を用いた電子増幅器用基板10を用いて良好に検出することができる。第2の実施の形態:基板両面への樹脂塗布による製造方法続いて、図6を用いて、本願発明の第2の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図6a~cは、図1に示した基板100をX-X線で切断した様子を示した断面図である。なお、図1に示したように基板100には複数の貫通孔101が形成されているが、以下においては説明のため1つの貫通孔101に着目するようにした。まず、図6aに示すような、貫通孔101を形成した感光性ガラスからなる基板100を用意する。このときの基板100の厚みは約0.5mm程度である。続いて、図6aに示すように、所定の粘度の樹脂51、52例えば熱硬化性樹脂などをスピンコーターにより基板100の表裏面全体へそれぞれ塗布する。塗布した樹脂51、52を熱により硬化させることで、貫通孔101の2つの開口部へと樹脂51、52を侵入させる。これにより、樹脂51、52は、それぞれ貫通孔101の2つの開口部を塞ぎ、貫通孔101内へ後述する導電層が形成されることのないように導電層形成防止部材となる。次に、図6bに示すように、プラズマ処理を施すことで、基板100の表裏面全体に塗布した際に2つの貫通孔101内へと侵入しなかった樹脂51、52のみを除去する。これにより、貫通孔101の2つの開口部は樹脂51、52で塞がれ、基板100の表裏面は感光性ガラスが露出した状態となる。この後、導電層形成防止部材である樹脂51、52で塞がれた貫通孔101を含めた基板100の表裏面を揃えて平坦化処理する。この平坦化処理により、後述するスパッタにより形成する層の均一性を保つことができる。以下、スパッタによるクロム層、銅層の形成、導電層形成防止部材である樹脂51、52の除去処理手法は、上述した第1の実施の形態と全く同様の手法を適用できるため説明を省略する。これにより、図6cに示すように、感光性ガラスの基板100の樹脂51、52で覆われた貫通孔101の2つの開口部以外の表裏面にだけ、クロム層11、銅層12による導電層が形成されることになる。以下、電気銅メッキ層13の形成手法については、第1の実施の形態において、図5d、eを用いて説明した手法を適用できるため説明を省略する。このようにして、貫通孔101の2つの開口部を塞いでいた樹脂51、52を除去することで、第1の実施の形態の図5dを用いて説明したように、貫通孔101の側壁101aにクロム層11、銅層12の形成させることなく、基板100の表裏面にだけクロム層11、銅層12を形成させることができる。このようにして形成された電子増幅器用基板は、第1の実施の形態の図5eに示した電子増幅器用基板10と同等の機能を有し、電子増幅器に適用し、放射線検出器に利用した場合に良好に放射線を検出することができる。特に、基板100に感光性ガラスを採用したことにより、ポリマーフィルムでは困難であった放射線を安価な材料を用いた電子増幅器用基板を用いて良好に検出することができる。{第3の実施の形態:貫通孔壁面への樹脂塗布による製造方法}続いて、図7を用いて、本願発明の第3の実施の形態として示す電子増幅器用基板の製造方法について説明をする。図7a~cは、図1に示した基板100をX-X線で切断した様子を示した断面図である。なお、図1に示したように基板100には複数の貫通孔101が形成されているが、以下においては説明のため1つの貫通孔101に着目するようにした。上述した第1の実施の形態、第2の実施の形態においては、感光性ガラスである基板100に形成された複数の貫通孔101内全体へ樹脂を充填させる、貫通孔101の2つの開口部を完全に樹脂で塞ぐことで貫通孔101の壁面への導電層形成を防止するようにしていた。これに対して、第3の実施の形態は、基板100に形成された複数の貫通孔101の側壁101aを、スパッタにより基板100の表裏面に対して導電層を形成した際に侵入することがない程度に覆うという思想に基づき提案されたものである。まず、図7aに示すような、貫通孔101を形成した感光性ガラスからなる基板100を用意する。このときの基板100の厚みは約0.5mm程度である。次に、図7aに示すように、基板100の表裏面に貫通孔101と一致するように形成された開口部を有するマスク20を配置する。マスク20を配置した後、基板100に形成された貫通孔101の側壁101aをターゲットにして導電層形成防止部材である樹脂53、54を侵入させるようにする。マスク20を介して貫通孔101に対して樹脂53、54を侵入させる手法は、どのような手法でもかまわないが、例えば、上述した第2の実施の形態のように、所定の粘度の樹脂53、54、例えば熱硬化性樹脂などをスピンコーターにより、マスク20の表裏面全体へそれぞれ塗布する。その際、図7aに示すように、空隙があってもよく、貫通孔101の中を完全に充填する必要はない。また、図7aに示すように、貫通孔101の側壁101aを完全に樹脂53、54で覆う必要もない。具体的には、後段で実行するスパッタにより導電層を形成した際に貫通孔101の側壁101aへと直接、金属が付着することがない程度に側壁101aが、樹脂53、54で覆われてさえいればよい。図7bに示すように、マスク20を外すと、基板100の貫通孔101の側壁101aにだけ樹脂53、54が付着されていることになる。この後、導電層形成防止部材である樹脂53、54が付着された貫通孔101を含めた基板100の表裏面を揃えて平坦化処理する。この平坦化処理により、後述するスパッタにより形成する層の均一性を保つことができる。次に、図7cに示すように、クロム、銅を連続的にスパッタしてクロム層11、銅層12を形成する。これにより、感光性ガラスである基板100の露出した表裏面には、互いに密着性の高いクロム層11、銅層12が形成されることになる。また、貫通孔101の側壁101aは、導電層形成防止部材である樹脂53、54によって保護されているため、直接、クロム層11、銅層12が形成されてしまうことがない。この後、上述した第1の実施の形態、第2の実施の形態でも説明した手法を用いて樹脂53、54を除去する。これにより、樹脂53、54上に形成されているクロム層11、銅層12も同時に除去することができる。したがって、基板100の貫通孔101以外の表裏面にだけ、クロム層11、銅層12よる導電層が形成されることになる。以下、電気銅メッキ層13の形成手法については、第1の実施の形態において、図5d、eを用いて説明した手法を適用できるため説明を省略する。このようにして、貫通孔101の側壁101aに対してだけ形成した樹脂53、54を除去することで、第1の実施の形態の図5dを用いて説明したように、貫通孔101の側壁101aにクロム層11、銅層12を形成させることなく、基板100の表裏面にだけクロム層11、銅層12を形成させることができる。このようにして形成された電子増幅器用基板は、第1の実施の形態の図5eに示した電子増幅器用基板10と同等の機能を有し、電子増幅器に適用し、放射線検出器に利用した場合に良好に放射線を検出することができる。特に、基板100に感光性ガラスを採用したことにより、ポリマーフィルムでは困難であった放射線を安価な材料を用いた電子増幅器用基板を用いて良好に検出することができる。<導電層として使用できる材料について>第1乃至第3の実施の形態では、密着層としてクロムをスパッタしてクロム層11を形成し、金属層として銅をスパッタして銅層12を形成することで導電層とした。この場合には、感光性ガラスと金属層との密着性を考慮してクロム層11を、銅層12を形成する前段に連続的に成膜するようにした。もちろん、導電層として感光性ガラスとの密着性の高いITOをスパッタしてITO層を直接形成することもできる。この場合、金属層である銅層12を形成する前段に、密着層であるクロム層11を形成するというような工程を省くことができるため製造工程の短縮化を図ることができる。また、導電層は、ITOのように、感光性ガラスである基板100との密着性が高い金属であればどのようなものでもよく、例えば、チタン、タングステン、モリブデン、ニッケル/銅、電気銀メッキ、電気金メッキ、電気銅メッキなどの金属を使用することができる。なお、本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。