"デバイスであって、n型領域とp型領域との間に設けられた発光層を備える半導体構造を有し、前記半導体構造の底面上に設けられた底部接点を有し、前記底部接点は、前記n型領域及び前記p型領域のうちの一方に電気的に接続され、前記半導体構造の頂面上に設けられた頂部接点を有し、前記頂部接点は、前記n型領域及びp型領域のうちの他方に電気的に接続され、前記頂部接点の真下に設けられた鏡を有し、前記鏡は、前記半導体構造に形成されたトレンチ及び前記トレンチ内に設けられた反射材料を有し、前記トレンチは、前記発光層を貫通して延びている、デバイス。前記頂部接点は、複数本の互いに接続されている接触アームに接続されたボンディングパッドを有する、請求項1記載のデバイス。前記トレンチは、前記複数本の互いに連結された接触アームと位置合わせされると共に該接触アームの下に配置され、前記トレンチの底部は、所与の箇所のところで前記トレンチの上に位置する前記接触アームと実質的に同一の幅のものである、請求項2記載のデバイス。前記トレンチは、前記ボンディングパッドの縁部の少なくとも一部分と位置合わせされている、請求項2記載のデバイス。前記ボンディングパッドの縁部の少なくとも一部分と位置合わせされた前記トレンチの一部分に隣接した領域において、絶縁層が前記底部接点と前記発光層との間に設けられており、その結果、前記ボンディングパッドの下に位置する前記発光層の一部分には電流が注入されないようになっている、請求項4記載のデバイス。前記トレンチは、前記ボンディングパッドを包囲している、請求項2記載のデバイス。前記発光層は、III族窒化物材料である、請求項1記載のデバイス。前記発光層は、AlInGaPである、請求項1記載のデバイス。前記トレンチと前記反射材料との間に設けられた誘電体層を更に有し、前記反射材料は、前記誘電体層によって前記トレンチ内の前記半導体構造から電気的に隔離されている、請求項1記載のデバイス。前記半導体構造の頂面に平行な方向に屈折率の変化部を更に有し、前記屈折率変化部は、前記半導体構造内に又は前記半導体構造の表面上に設けられている、請求項1記載のデバイス。デバイスであって、n型領域とp型領域との間に設けられた発光層を備える半導体構造を有し、前記半導体構造の底面上に設けられた底部接点を有し、前記底部接点は、前記n型領域及び前記p型領域のうちの一方に電気的に接続され、前記半導体構造の頂面上に設けられた頂部接点を有し、前記頂部接点は、前記n型領域及びp型領域のうちの他方に電気的に接続され、前記半導体構造に形成されたトレンチを有し、前記トレンチは、前記発光層を貫通して延びており、前記トレンチの底部内に設けられた導電材料を有し、前記導電材料上に設けられた誘電体層を有し、前記半導体構造及び前記誘電体層は、前記導電材料を完全に包み込んでいる、デバイス。前記トレンチ内に設けられた反射材料を更に有し、前記反射材料は、前記誘電体層によって前記導電材料から電気的に隔離されている、請求項11記載のデバイス。前記半導体構造の頂面に平行な方向に屈折率の変化部を更に有し、前記屈折率変化部は、前記半導体構造内に又は前記半導体構造の表面上に設けられている、請求項11記載のデバイス。前記トレンチは、前記頂部接点の縁部の少なくとも一部分と位置合わせされている、請求項11記載のデバイス。前記頂部接点の縁部の少なくとも一部分と位置合わせされた前記トレンチの一部分に隣接した領域において、絶縁層が前記底部接点と前記発光層との間に設けられており、その結果、前記頂部接点の下に位置する前記発光層の一部分には電流が注入されないようになっている、請求項14記載のデバイス。前記トレンチは、前記頂部接点を包囲している、請求項11記載のデバイス。前記発光層は、III族窒化物材料である、請求項11記載のデバイス。前記発光層は、AlInGaPである、請求項11記載のデバイス。文脈に応じて、本明細書で用いられるAlGaInP又はAlInGaPという用語は、特に、アルミニウム、インジウム、ガリウム及び燐の四元合金又は一般に、アルミニウム、インジウム、ガリウム及び燐の任意の二元合金、三元合金又は四元合金を意味する場合がある。III族窒化物という用語は、任意のIII族原子例えば、アルミニウム、インジウム及びガリウム及び窒素の二元元素、三元元素又は四元元素を意味する場合がある。文脈に応じて、本明細書で用いられる接点コンタクトという用語は、特に、金属電極、又は一般に半導体接触層、金属電極、及び半導体接触層と金属電極との間に設けられた任意の構造体の組み合わせを意味する場合がある。図2は、本発明の実施形態としてのAlInGaPデバイス30の平面図である。図2は、n型領域の頂面32上に形成されたn接点34を示している。n接点34は、例えば、金属、AuGe又は任意他の適当な金属であるのが良い。n接点34は、正方形を形成するアーム35及び正方形の角かどから延びる延長部36を有するのが良いが、そうである必要はない。n接点は、任意適当な形状のものであって良い。n接点アーム35及び延長部36は、幅が、幾つかの実施形態では1~100ミクロン、幾つかの実施形態では1~30ミクロン、幾つかの実施形態では20~50ミクロンであるのが良い。n接点アーム35及び延長部36は、一般に、光の遮断又は吸収を最小限に抑えるようできるだけ幅が狭く保たれるが、過度の電気接点抵抗を生じさせないほど十分幅が広く保たれる。接点抵抗は、伝送長Ltよりも小さい幅に関して増大し、伝送長は、金属と半導体との間の抵抗及び下に位置する半導体n型層のシート抵抗で決まる。n接点セグメント幅は、特定の材料パラメータに応じて、接点アームが両方の側部から電流を注入するのでLtの2倍であるのが良く又は上述のデバイスの場合1~30ミクロンであるのが良い。幾つかの実施形態では、n接点34は、高い反射性R>0.8に作られる。幾つかの実施形態では、電流拡散層がn型領域50とn接点34との間に設けられ、その目的は、電流拡散を向上させ、潜在的にn接点の表面を最小限に抑え、かくして光ロスを減少させることにある。電流拡散層材料は、光要素を少なくすると共に電気接触を良好にするために選択される。電流拡散層に適した材料としては、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛又は他の透明な導電性酸化物が挙げられる。n接点34は、ボンディングパッド38に接続されている。ボンディングパッド38は、ワイヤボンド、ワイヤブリッジ又は外部電流源への他の適当な電気接触に対応するのに十分広い。図2のデバイスでは、ボンディングパッド38は、デバイスの角に配置されているが、ボンディングパッド38は、例えばデバイスの中央を含む任意適当な位置に配置されても良い。図3は、図2に示されている2つの領域の断面図である。領域40は、ボンディングパッド38の下に位置するデバイスを示している。半導体構造中に埋め込まれた鏡47が、ボンディングパッド38の下に位置する領域を光学的に隔離している。ボンディングパッド38の下に位置する活性領域52中には光が発生しない。というのは、誘電体層58により電流がp金属68からボンディングパッド38の真下に位置する領域中のp型接点層56中に注入されるのが阻止されるからである。ボンディングパッド38の方向における活性領域の他の部分内で放出された光は、鏡47によって反射されてボンディングパッド38から遠ざかり、それにより、光は、ボンディングパッド38又はボンディングパッド38の下に位置する暗い活性領域52により吸収されるのが阻止される。幾つかの実施形態では、鏡47の側部は、光をデバイスの頂面の外部に差し向けるよう傾斜している。ボンディングパッド38から注入された電子は、ボンディングパッド38の下に位置する活性領域52の正孔と再結合することができないので、電子は、領域40の外部に側方に移動してデバイスの光学的に、より好都合な領域中で再結合せざるを得なくなる。この技術により、ボンディングパッド領域の下における典型的な電流集中効果が回避されると共に光学的抽出向きに設計された領域への電流の再分解が行われる。領域42は、n接点アーム35の下に位置するデバイスを示している。半導体構造中に埋め込まれた鏡45により、光が領域42中のn接点アーム35の下で生じ又はこのn接点アーム35によって吸収されるのが阻止される。幾つかの実施形態では、埋め込み鏡は、n接点34により吸収される光の量を減少させるためにn接点構造体34の全て又は実質的に全ての下に位置決めされる。埋め込み鏡は、半導体デバイス中のトレンチ内に形成され、トレンチは、活性領域52を通ってエッチングにより形成されるのが良い。トレンチは、n接点アーム35及び延長部36と位置合わせされると共にこれらと同一の幅を有するのが良い。n接点アーム35の方向に放出された光は、鏡45により反射されてn接点アーム35から遠ざけられる。幾つかの実施形態では、鏡45の側部は、光をデバイスの頂面の外部に差し向けるよう傾斜している。鏡45,47は、反射性導電層62反射性金属層、例えば銀又はアルミニウムである場合が多い及び誘電体層58を有する。誘電体層は、半導体構造と反射性導電層62との間に位置決めされ、この誘電体層も又、幾つかの実施形態では電気的隔離を可能にする。大きな角度で鏡に入射した光は、誘電体層58により全反射される。小さな角度で鏡に入射した光は、誘電体層を通過し、反射層62により反射される。図2及び図3に示されているデバイスは、図4~図6に示されているように形成されるのが良い。図4では、半導体デバイス構造体が成長基材48上で成長させてある。成長基材48は、GaAsである場合が多い。ただし、任意適当な成長基材を用いることができる。エッチング停止層図示せずを基材48上で成長させる。エッチング停止層は、基材48を後で除去するために用いられるエッチングを停止させるために使用できる任意材料であって良い。エッチング停止層は、例えば、InGaP、AlGaAs又はAlGaInPであるのが良い。エッチング停止層の材料は、成長基材代表的にはGaAsに対して格子整合させるのが良いが、そうである必要はない。成長基材に対して格子整合されていないエッチング停止層は、緩和を回避するのに十分薄手であるのが良く且つ/或いは歪補償されるのが良い。エッチング停止層の厚さは、GaAs基材を除去するために用いられるエッチング溶液の選択性で決まり、即ちエッチングの選択性が低ければ低いほど、エッチング停止層はそれだけ一層厚くなる。AlGaAsエッチング停止層は、例えば2000~5000オングストロームであるのが良いが、エッチング停止層が以下に説明するようにデバイスの発光面をテクスチャ化するために用いられる場合、これよりも厚いエッチング停止層を用いることができる。AlxGa1xAsエッチング停止層の組成物xは、例えば、0.50~0.95であるのが良い。n型領域とp型領域との間にサンドイッチされた発光領域中の少なくとも1つの発光層を含むデバイス層がn型領域50で始まってエッチング停止層上で成長させてある。n型領域50の厚さ及びドーピング濃度は、電気抵抗を低く且つ電流分布状態を良好にするように選択される。例えば、n型領域50は、厚さが4~10μmであり且つ約1×1018cm3の濃度までTe又はSiをドープしたAlGaInP層を有するのが良い。AlGaInPn型領域50を通常GaAsに対して格子整合する。これよりも高いドーパント濃度では、薄い層を用いて同一の電流分布状態が達成可能であるが、望ましくない自由キャリヤ吸収が高いドーパント濃度で増大する場合がある。したがって、n型領域50は、一様ではないドーピング濃度を有するのが良く、例えば、1×1018cm3にドープした1つ又は2つ以上の厚い領域、及び例えば1×1019cm3まで多量にドープした1つ又は2つ以上の薄い領域を有するのが良い。これら高ドープhighlydoped領域にTe、Si、S又は他の適当なドーパントをドープするのが良く、エピタキシャル成長、ドーパント拡散又はこれら両方により高いドーピング濃度を達成することができる。一例では、赤色光を放出するよう構成された発光領域を備えたデバイス中のn型領域50の組成物は、Al040Ga06005In05Pである。発光領域又は活性層52がn型領域50上で成長させてある。適当な発光領域の例としては、単一発光層及び多数の厚い又は薄い発光ウェルがバリヤ層で隔てられた多ウェル型発光領域が挙げられる。一例では、赤色光を放出するよう構成されたデバイスの発光領域52は、Al065Ga03505In05Pバリヤにより隔てられたAl006Ga09405In05P発光層を含む。発光層及びバリヤは、各々、例えば20~200オングストロームの厚さを有するのが良い。発光領域の全厚は、例えば、500オングストローム~3マイクロメートルであるのが良い。p型領域54が発光領域52上で成長させてある。p型領域54は、発光領域52内にキャリヤを封じ込めるよう構成されている。一例では、p型領域54は、Al065Ga03505In05Pであり、電子を封じ込めるために高Al組成の薄い層を含む。p型領域54の厚さは、ミクロンオーダであるのが良く、例えば、0.5~3μmである。発光領域の発光層を薄いp型領域54を貫通したp接点に近接させることによってもデバイスの熱的インピーダンスを減少させることができる。p型接点層56がp型領域54上で成長させてある。p型接点層56は、多量にドープされ、発光領域52により放出される光に対して透明であるのが良い。例えば、p型接点層56を幾つかの実施形態では少なくとも5×1018cm3及び幾つかの実施形態では少なくとも1×1019cm3の正孔濃度にドープするのが良い。この場合、p型接点層56は、100オングストローム~1000オングストロームを有するのが良い。p型接点層56を多量にドープしない場合、厚さを2μmという大きな厚さまで増大させるのが良い。幾つかの実施形態では、p型接点層56は、高ドープGaPである。例えば、金属有機化学気相蒸着法により成長させたGaP接点層56に少なくとも8×1018cm3の正孔濃度まで活性化させたMg又はZnをドープするのが良い。GaP層を低い成長温度及び低い成長率で、例えば、約850°Cまでの典型的なGaP成長温度よりも低い約50~200°Cの成長温度及び約5μm/時までの典型的なGaP成長速度の約1~10の成長速度で成長させるのが良い。分子線エピタキシーにより成長させたGaP接点には少なくとも1×1019cm3の濃度までCをドープするのが良い。ドーパント成長中に投入する代替手段として、p型接点層56を成長させ、次に例えば当該技術分野において知られているように拡散炉又は成長反応器内に高圧ドーパント源を提供することによって成長後に蒸気源からドーパントをp型接点層中に拡散させても良い。ドーパントを蒸気源からp型接点層56の表面の領域全体中に又は例えばドーパント拡散に先立ってp型接点層56の幾つかの部分を例えば誘電体層でマスキングすることによってp型接点層56の別々の領域中に拡散させることができる。幾つかの実施形態では、p型接点層56は、高ドープGaP又は格子整合AlGaInP層である。この層にドープするには、半導体材料を成長させ、次にドーパント源を含む層を成長した層上に被着させる。例えば、ドーパント源層は、元素Zn、AuZn合金又はドープ誘電体層であるのが良い。ドーパント源を含む層にオプションとして、拡散遮断層を被せるのが良い。この構造体をアニールしてドーパントがドーパント源層から半導体中に拡散するようにする。次に、拡散遮断層及び残りのドーパント源層をはぎ取るのが良い。一例では、3000オングストローム~5000オングストロームの4Zn含有AuZn合金をGaP層上に被着させ、次にTiW拡散遮断層を被着させる。この構造体を加熱し、次に残りのTiW及びAuZnを取り除く。別の例では、パターニングAuZn層を例えば図4に示されている接点金属60として定位置に残す。幾つかの実施形態では、p型接点層56は、GaAsに格子整合されていない高ドープInGaP又はAlGaInP層である。この層は、厚さ100オングストローム~3000オングストロームであるのが良く、この層に少なくとも1×1019cm3の正孔濃度までMg又はZnをドープする。デバイス層の成長後、トレンチ44,46を半導体構造中にエッチングにより形成する。幾つかの実施形態では、トレンチ44,46は、p型層54,56を貫通し、そして活性領域52を貫通して延びる。幾つかの実施形態では、トレンチ44,46は、n型領域50中に延びる。深いトレンチは、より効果的な鏡を形成するが、トレンチ44,46の深さは、電流をn型領域50中に拡散させると共に加工及び動作中における半導体構造の構造健全性を維持する必要性によって制限される。n接点アーム35の下に鏡を形成するトレンチ46の底部のところの幅は、n接点アームの真下の活性層の除去を保証するようn接点アーム35の幅と同一であるのが良い。光を反射してボンディングパッド38から遠ざける鏡を形成するトレンチ44は、トレンチ46よりも底部のところの幅が狭いのが良い。種々の実施形態では、トレンチ44,46は、傾斜又は真っ直ぐな側壁を有するのが良い。側壁は、幾つかの実施形態では、半導体構造の頂面の垂線に対して30°~60°、幾つかの実施形態では半導体構造の頂面の垂線に対して45°の角度をなしている。傾斜側壁を形成するには、例えば、フォトレジストマスクを加熱してこれが再び流動して傾斜側壁を形成するようにするのが良い。傾斜側壁の形状は、ドライエッチングによって半導体に移される。トレンチ44,46及びp型接点層56の頂面は、例えばプラズマ促進化学蒸着法によって形成された誘電体58、例えばSiO2で内張りされる。誘電体58は、材料の単一層であっても良く、或いは同種又は異種材料の多数の層であっても良い。幾つかの実施形態では、誘電体層58の厚さは、全反射を保証して下に位置する反射層62に起因した光ロスを回避するのに十分である。この作用効果を得るために必要最小限の厚さは、光学波長の何分の一かであり、誘電体の屈折率で決まる。例えば、SiO2誘電体層58の場合、少なくとも50nmの厚さが適当であり、1ミクロン又は数ミクロンという厚い厚さを用いることができる。小さな穴を誘電体層58にエッチングにより形成し、この場合、誘電体層では、p型接点層56への電気的接触が望ましい。ボンディングパッド38の下では誘電体層58に開口部は形成されない。次に、穴に接点金属60を充填する。接点金属60は、例えばAuZnのスパッタリング及びリフトオフプロセスにより形成されるのが良い。誘電体58への小さな穴のエッチング形成及び金属接点60のリフトオフは、単一のフォトレジストマスクの使用により実施される場合があり、その結果、自己整合型プロセスが得られる。幾つかの実施形態では、接点金属60を充填する誘電体58の小さな穴は、直径が1μm~10μmであり、p型接点層の頂面の1~10の全被覆百分率を占める。図5では、反射層62が誘電体層58及び接点60上で成長させてある。反射層62は、トレンチを内張りしている。反射層62は、例えば銀であるのが良く、例えば蒸着又はスパッタリングによって蒸着されるのが良い。反射層62は、単一の材料層であっても良く、或いは同種又は異種材料の多数の層であっても良い。幾つかの実施形態では、反射層62の厚さは、1000オングストローム~5000オングストロームである。反射層62は、導電性であり、したがって、接点金属60が形成されている領域中の接点金属60と電気的に接触する。フォトレジストの層を反射層62上に被着させてパターニングし、次に反射層をデバイスの縁部から取り除く。保護材料、例えばTiWの層を例えばスパッタリングによりフォトレジスト及びデバイスの縁部上に形成し、次に、フォトレジストを除去し、後には、デバイスの縁部のところで反射層62に隣接して保護材料65が残る。保護材料65は、必ずしも図3~図7に示されている領域ではなく、デバイスの縁部に形成される。保護材料64の別の層をフォトレジストの除去によって露出された反射層62の表面上に形成する。反射層62の縁部のところの保護材料65及び反射層62の頂部上の保護材料64は、反射層を定位置で封止し、それにより、銀反射層62の例えばエレクトロマイグレーション又は酸化の問題が軽減し又は阻止することができる。保護層65,64は、単一の材料層であっても良く、或いは同種又は異種材料の多数の層であっても良い。保護層65,64は、幾つかの実施形態では、導電性である。ボンディング層66を保護層64上に形成する。ボンディング層66は、例えば、Au又はTiAuであるのが良く、このボンディング層を例えば蒸着によって形成するのが良い。ボンディング層66は、単一の材料層であっても良く、同種又は異種材料の多数の層であっても良い。図5に示されているように、誘電体層58、反射層62、保護層64及びボンディング層66は各々、トレンチ44,46の側壁及び底部を被覆している。これら層は、トレンチ44,46を埋め又はほぼ完全に埋めており、それにより加工中例えば、成長基材除去中及び動作中、デバイスが支持される。これら層の形成後、トレンチ44,46内に残っている開口部は、幅が幾つかの実施形態では5ミクロン未満であり、幾つかの実施形態では2ミクロン以下であるのが良い。誘電体層58及び反射層62は、鏡45,47を形成している。図6では、デバイスは、マウント68上に形成されたボンディング層66及びボンディング層70によってマウント68に結合されている。マウント68は、半導体層の熱膨張率CTEにかなり厳密に整合されたCTEを有するよう選択されるのが良い。マウント68は、例えば、GaAs、Si、金属、例えばモリブデン又は任意他の適当な材料であって良い。ボンディング層70は、例えば、Au又は任意他の適当な材料であって良い。例えば熱圧着又は任意他の適当な技術によりボンディング層66,70相互間に結合部が形成される。p型領域への電気的接触は、例えば、マウント68の底部に設けられた接点72によって行われる。マウント68は、導電性であるのが良く又は接点72を反射性導電層62、保護層64及びボンディング層66,70を介してp接点60に電気的に接続する導電性領域又はトレースを有するのが良い。変形例として、例えば電気メッキ技術により厚いマウントをデバイス上に成長させても良い。成長基材材料に適した技術により成長基材48を除去する。例えば、GaAs成長基材をデバイス層の前の成長基材上に成長させたエッチング停止層で終わるウェットエッチングによって除去することができる。オプションとして、半導体構造を薄くしても良い。n接点金属、例えばAu/Ge/Au又は1つ若しくは複数の任意他の適当な接点金属を被着させ、次にパターニングしてn接点34及びボンディングパッド38を形成するのが良い。この構造体を例えば加熱してn接点34及び/又はp接点60をアニールするのが良い。成長基材を除去することにより露出したn型領域50の表面32を例えば光電気化学エッチングにより粗くして光抽出度を向上させるのが良く又は例えばナノインプリントリソグラフィによってパターニングしてフォトニック結晶又は他の光散乱構造体を形成するのが良い。他の実施形態では、光抽出特徴部が構造体中に埋め込まれる。光抽出特徴部は、例えば、デバイスの頂面に平行な即ち、半導体層の成長方向に垂直な方向における屈折率の変化であるのが良い。幾つかの実施形態では、p型接点層の表面を誘電体層58の形成に先立って粗くし又はパターニングするのが良い。幾つかの実施形態では、半導体構造の成長前又は成長中、低屈折率材料の層を成長基材又は半導体層上に被着させてこれをパターニングし、それにより低屈折材料又は低屈折材料のポスト中に開口部を形成する。次に、半導体材料をパターニングされた低屈折率層上に成長させて半導体構造内に設けられる屈折率の変化部を形成する。次に、デバイスのウェーハを試験し、これを個々のデバイス中にレーザシンギュレーションlasersingulationするのが良い。個々のデバイスをパッケージ内に配置し、電気接点、例えばワイヤボンドをデバイスのボンディングパッド38上に形成してn接点をパッケージの一部、例えばリードに接続するのが良い。同様な構造を類似のプロセスによりIII族窒化物デバイスに利用することができる。図7は、頂部n接点35の下に設けられた鏡45を含むIII族窒化物デバイスの一部分を示している。III族窒化物デバイスでは、p接点金属80は、金属である場合が多く、これは、吸収性である場合が多いAlInGaPデバイスのp接点金属図3の接点金属60とは異なり、反射性である。したがって、図3の接点金属60により占められる領域は、制限される。これとは対照的に、図7では、p接点金属80により占められる領域は、可能な限り広い。誘電体58に設けられる開口部は、図3の場合よりも図7の場合の方が非常に大きい。接点金属80を上述したのと同一の方法によって開口部内に被着させる。反射性金属層82を接点金属80及び誘電体58上に形成する。幾つかの実施形態では、接点金属80と反射性金属82は両方共、銀である。反射性金属を上述したように反射性金属82の縁部のところでは保護材料65により、その頂部上では保護材料64により封止する。ボンディング層66を形成する。マウント86、ボンディング層70及び接点72は、図7には示されていない。幾つかの実施形態では、鏡は、図8に示されているようにn型領域に電気的に接続される。図8のデバイスが導電材料又は導体88、例えばAlInGnPデバイスの場合にはAuGe又はIII族窒化物デバイスの場合にはAg若しくはAlをn型領域50と電気的接触状態にあるトレンチの底部図8に示されている向きでは鏡の頂部に被着されている。導電材料88は、誘電体層58によってp型領域54,56から電気的に隔離されている。導電材料88は、n型領域50及び誘電体層58によって完全に包み込まれている。導電材料88から外部接点、例えばボンディングパッド38への電気経路だけが半導体構造を通っている。p型接点60は、AlInGaPデバイスの場合には図3及び図4に示されているように形成され、III族窒化物デバイスの場合、図7に示されるように形成される。反射層62、保護層64,65及びボンディング層66は、上述したように形成されている。この構造体は、上述したようにマウントに連結されるのが良い。動作を説明すると、電流がマウントを介して接点60によりp型領域に注入される。電流は、デバイスの頂面上のボンディングパッド38によってn型領域中に注入される。図8の矢印で示されているように、電流は、ボンディングパッド38から導電材料88に注入される。図8に示されている2つの鏡は、連続トレンチ内に形成されている。したがって、2つの導電性領域88は、相互に接続されており、その結果、電流は、導電性領域88を通って拡散し、そして導電性領域88からn型領域50中に注入されるようになる。上述したような頂部n接点34は、オプションとして、導電性領域88と結合されても良く、或いは、電流は、ボンディングパッド38だけを通ってn型領域50の頂面に供給されても良い。図2、図3、図7及び図8に示されているデバイスは、薄膜デバイスであり、このことは、成長基材が最終のデバイスから除去されることを意味している。頂部接点とデバイスを上述した薄膜デバイス中のマウントに接続するボンディング層の頂面との間の全厚は、幾つかの実施形態では、20ミクロン以下であり、幾つかの実施形態では、15ミクロン以下である。本発明を詳細に説明したが、当業者であれば、本発明の開示に照らして、本明細書において説明した発明概念の精神から逸脱することなく本発明の改造を行うことができることは理解されよう。したがって、本発明の範囲は、図示すると共に説明した特定の実施形態に限定されるものではない。"