"遅波コプレーナ導波路型の高周波の伝送路において、該伝送路の構造体の下に配置され、前記伝送路のライン方向に直交する一般的な方向を有する平行な複数の微小なストリップ片に分割された遮蔽面に対応した導電性テープを備えており、前記遮蔽面は、前記導電性テープに対して移動可能であることを特徴とする伝送路。前記遮蔽面を移動させることが可能な静電気手段を更に備えていることを特徴とする請求項1に記載の伝送路。前記遮蔽面の下に第2の導電性面を更に備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の伝送路。前記複数の微小なストリップ片に選択的にバイアスをかけるための手段を更に備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の伝送路。横方向に移動可能な同一平面上の接地テープが前記導電性テープを囲んでいることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の伝送路。前記接地テープを横方向に静電気的に移動させるための手段を更に備えていることを特徴とする請求項5に記載の伝送路。第1の導電性面と、複数の微小なストリップ片に分割された第2の導電性面、つまり遮蔽面と、接地テープに囲まれた導電性テープとを半導体基板上に備えており、空隙が、前記第1の導電性面の近傍まで少なくとも前記接地テープ、前記導電性テープ及び前記遮蔽面の幅の一部の下に延びていることを特徴とする請求項1に記載の伝送路。図1に示されているような構造体では、所定の周波数で所与の特性インピーダンスに加えて所与の位相特性も得るべく、様々な要素の大きさが最適化されている。伝送路が一旦形成されると、これらの特性を修正することが不可能である。例えば、複数の様々な周波数に関して所与の同一の位相シフトを有する移相器、又は様々なインピーダンスを整合させることが可能なインピーダンス整合器を形成することが不可能である。従って、本発明は、特にマイクロ電子集積回路上に一体化され得るコプレーナ導波路型の伝送路を提供し、該伝送路では、選択された周波数で且つ選択された特性インピーダンスに関して位相シフトを最適化し、且つ異なる動作周波数又は異なる特性インピーダンスと整合させるべく伝送路のパラメータを修正するために、導波路の様々なパラメータが調整可能である。従って、特性インピーダンスと遅延つまり、伝送路の入力での信号と伝送路の出力での信号との位相差とが別々に最適化され得る伝送路を形成することが望ましい。本発明の実施形態は、少なくとも1つの導電性面に対応した導電性テープを備えており、前記少なくとも1つの導電性面は前記導電性テープに対して移動可能であることを特徴とする高周波の伝送路を提供する。本発明の実施形態によれば、前記伝送路は遅波コプレーナ導波路型である。本発明の実施形態によれば、前記少なくとも1つの導電性面は、前記伝送路の構造体の下に配置され、前記伝送路のライン方向に直交する一般的な方向を有する平行な複数の微小なストリップ片に分割された遮蔽面である。本発明の実施形態によれば、前記伝送路は、前記導電性面を移動させるための静電気手段を備えている。本発明の実施形態によれば、前記伝送路は、前記遮蔽面の下の第2の導電性面を備えている。本発明の実施形態によれば、前記伝送路は、前記複数の微小なストリップ片に選択的にバイアスをかけるための手段を備えている。本発明の実施形態によれば、前記少なくとも1つの導電性面は、前記導電性テープを横方向に囲む移動可能な同一平面上の接地テープから形成されている。本発明の実施形態によれば、前記伝送路は、前記接地テープを横方向に静電気的に移動させるための手段を備えている。本発明の実施形態によれば、前記伝送路は、第1の導電性面と、複数の微小なストリップ片に分割された第2の導電性面、つまり遮蔽面と、接地テープに囲まれた導電性テープとを半導体基板上に備えており、空隙が、前記第1の導電性面の近傍まで少なくとも前記接地テープ、前記導電性テープ及び前記遮蔽面の長さの一部の下に延びている。本発明の前述及び他の目的、特徴及び利点を、添付図面を参照して本発明を限定するものではない具体的な実施形態について以下に詳細に説明する。尚、マイクロ電子要素の表示ではよくあるように、ほとんどの場合、様々な図面の要素は正しい縮尺で示されていない。図2Aは、SCPW型の伝送路を示す断面図である。この構造体の斜視図が、図1に示されている構造体の斜視図と同様になる。例えばシリコンから形成された、例えば半導体基板である基板1上に、絶縁材料から形成された絶縁体2によって隔てられた複数の金属被膜レベルが形成されている。中間の金属被膜レベルには、図1に示されている下方接地面136と同様の微小なストリップ片に分割された遮蔽面4が形成されている。この中間の金属被膜レベルの上方には、導電性テープ122と同様の中央の伝送テープ6が形成されており、この伝送テープ6の両側に、図1に示されている接地テープ124126と同様の側方の接地テープ89が形成されている。更に、示されている実施形態では、金属被膜面10が下方の金属被覆レベルに設けられている。金属被膜面10は、遮蔽面4の微小なストリップ片と平行な微小なストリップ片に分割されてもよい。空隙12が伝送テープ6の下と伝送テープ6の両側とに真空空間を画定するために設けられている。示された例では、空隙12は、伝送テープ6及び接地テープ89の幅に亘って絶縁体2中に延びており、金属被膜面10のほんの少し上まで設けられている。従って、遮蔽面4の微小なストリップ片は、絶縁体2に横方向に固定されており、遮蔽面4の中央部分は固定されていない。直流電位差が遮蔽面4と金属被膜面10との間に与えられる場合、図2Bに示されているように、遮蔽面4の金属の微小なストリップ片は金属被膜面10によって下方に引き付けられる。逆に、電位差が伝送テープ6と遮蔽面4の微小なストリップ片との間に与えられる場合、図2Cに示されているように、微小なストリップ片は伝送テープ6によって上方に引き付けられる。尚、図示されていない絶縁体が、これらの要素の短絡を妨げるために伝送テープ6の下、及び/又は微小なストリップ片上に形成されている。図2Aの断面図に示されていないが、伝送路の長さ方向の一部分のみが空隙12の上方に設けられており、伝送路のテープ伝送テープ及び接地テープの各々が断面の後方及び前方に設けられた絶縁部分に接していることは明らかである。主作用として、伝送テープ6と遮蔽面4の微小なストリップ片との距離が増減することにより、伝送路の等価静電容量Ceqが修正される。このため、伝送路の特性インピーダンスZ12が修正される。Leqは伝送路の等価インダクタンスである。相関的に、伝搬信号の位相速度vφ=112が修正され、その結果、伝送路の電気的な長さθ=lが修正される。ここで、lは伝送路の物理的な長さを表し、ωは伝搬信号の角周波数を表す。等価静電容量Ceqは、接地面である遮蔽面4と下方の金属被膜面10又は伝送路との間に可変の電位差を与えることにより修正され得る。しかしながら、実際には、停止状態では遮蔽面4の微小なストリップ片が略水平であり図2A、第2の状態ではこれらの微小なストリップ片が低い端位置にあり図2B、第3の状態では微小なストリップ片が高い端位置にある図2Cように電位を与えることにより絶対的に動作することが好ましい。静電容量の変化を微細に調整するために、選択された数の微小なストリップ片に選択的にバイアスをかけることにより下方の導電性面又は導電性テープを用いて静電引力を生成することが可能な電位を与えて、遮蔽面4の選択された数の微小なストリップ片を選択的に移動させてもよい。既に示されているように、等価静電容量Ceqを選択的に修正することが可能であるため、伝送路の特性インピーダンスと伝送路内の信号の位相速度とを修正することが可能になる。しかしながら、このため、2つのパラメータを別々に設定することが不可能である。特性インピーダンスと位相速度とを別々に設定することを可能にするために、本発明の実施形態では、接地テープと伝送テープとの横方向の距離を設定可能にしてあるので、伝送路の等価インダクタンスLeqが本質的に修正される。このような別々の設定を可能にする構造体の第1の実施形態が図3A3B3Cに示されており、図3A3B3Cは夫々断面図、斜視図及び平面図である。図3A3B3Cをまとめて以下に説明する。図3A3B3Cに示されている構造体は図2Aに示されている構造体と同様である。構造体は、下方の導電性面である金属被覆面10と、中間の遮蔽面4と、接地テープ89に囲まれた中央の伝送テープ6とを備えている。図2に示されている構造体の場合には、接地テープ89は必ずしも空隙12の上方に完全に設けられている必要がなかったが、本実施形態では、接地テープ89と外側の側方電極2122との間の電圧差の作用により、接地テープ89は横方向に移動可能になるように、空隙12の上方に完全に設けられている必要がある。接地テープ8及び接地テープ9は、ブレード251,252及びブレード261,262により絶縁体2上に夫々形成されたパッド231,232及びパッド241,242に夫々連結されている。ブレード251,252及びブレード261,262はばねを形成しており、接地テープ89が側方電極2122によって引き付けられるときに接地テープ89の移動を可能にする。言うまでもなく、中央の導体である伝送テープ6と接地面である接地テープ89との間に静電引力が更に印加されてもよい。停止システムが、複数の接地面の移動を制限して、これらの接地面と側方電極2122又は中央の導体である伝送テープ6との短絡を妨げるために設けられてもよい。このような停止システムは、例えば様々な要素の側面に設けられた絶縁層上に形成されてもよい。伝送テープに対する接地テープのこのような相対移動により、主として伝送路の等価インダクタンスLeqが修正される。従って、等価インダクタンスLeq及び等価静電容量Ceq、ひいては特性インピーダンスZ及び位相速度vφが別々に設定され得る。図4は、本発明の他の実施形態を示す平面図である。伝送路は、連続したn個の伝送路の要素301,302,,30nに分割されており、各要素は、図3A3B3Cに示されている構造体を備えている。このため、設定する可能性が増えるのは当然である。本発明は、当業者に容易に想起させる様々な変更、調整及び改善を行うことが可能である。様々な手段が、遮蔽面、伝送テープ及び接地テープを互いに対して移動させるために使用されてもよい。本発明は、SCPW型構造に適用した具体例の内容に関して述べられている。しかしながら、本発明が一般に、伝送テープと様々な接地面との距離に応じた複数のパラメータを有する他のタイプの伝送路に適用されることを理解すべきである。既に示されているように、遮蔽面4を移動させる際に、遮蔽面4を上方にのみ又は下方にのみ移動させるようにしてもよい。更に、遮蔽面4を選択的に移動させるようにしてもよい。つまり、遮蔽面4を形成する構造体の様々な微小なストリップ片が別々に移動可能であってもよい。詳細な実施形態では、微小なストリップ片の2つの端部が埋設されている。更にこれらの微小なストリップ片が中途部分で途切れており、微小なストリップ片の端部の内の一方が伝送テープ6の下又は接地テープ89の下に埋設されて、埋め込まれた梁が形成されてもよい。この場合、遮蔽面4を形成する梁を埋設するために、少なくとも伝送テープ又は接地テープの中央部分が絶縁体上に設けられる。様々な他の実施形態が、横方向の移動に関して更に使用されてもよい。特に、引き付けるための側方電極2122と接地テープ89とが互いに入り込むような構造によって連結されてもよい。更に、ばねを形成するブレード251,252,261,262が、例えば蛇行形状のような様々な構成を有してもよい。本明細書に記載されている構造の利点の内の1つは、このような構造が、マイクロ電子集積回路の上方で相互連結部分を形成すべく一般に使用される金属被膜レベルを形成するための現行の技術と適合することである。単なる一例として、60GHzに近い周波数で作動するよう構成される伝送路のために、以下の大きさを選択してもよい。-テープ幅、及び伝送テープ6と接地テープ89との距離が7乃至15μmである。-金属被膜レベル間の垂直距離が05乃至2μmである。-接地テープ89と側方電極2122との距離が05乃至2μmである。このような値により、約10ボルト程度の値を有する電圧を用いて様々な要素の静電気による移動を制御することが可能になり、静電容量の値及びインダクタンスの値を15乃至3倍に変化させることが可能になる。"