"超音波振動によりボンディングワイヤを接合するワイヤボンディング用のウェッジツールにおいて、前記超音波振動をさせる超音波振動手段に取り付けられるツール本体を備え、前記ツール本体は、先端部分に溝部が形成され、前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って前記溝部に傾斜面を設けるとともに前記溝部から前記ボンディングワイヤを突出させ、前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側がヒール側より近接するように押圧する、ことを特徴とするワイヤボンディング用のウェッジツール。前記ツール本体の先端部分に傾斜面を設けて、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側でヒール側より近接して前記ボンディングワイヤを押圧することを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。前記溝部は、前記ボンディングワイヤのワイヤ径に応じた大きさに設定されていることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。前記傾斜面は、ヒール側からトゥ側にかけて1度乃至5度の範囲の角度で傾斜していることを特徴とする請求項1または2記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。前記ボンディングワイヤとその接合面は、それぞれアルミニウムであることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。前記溝部は、前記ウェッジツールの垂直面との間が前記ボンディングワイヤのトゥ側とヒール側でそれぞれ曲面により接続されていることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。前記溝部は、その断面がV字形状をなしていることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。超音波振動によってボンディングワイヤを接合するボンディング装置において、請求項1乃至7のいずれかに記載のウェッジツールと、前記ウェッジツールを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して並行に超音波振動させる超音波振動手段と、を備え、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤがトゥ側でヒール側より近接して押圧されることを特徴とするボンディング装置。ボンディングワイヤをウェッジツールの先端部分から繰り出すとともに超音波振動によってボンディングを行うワイヤボンディング方法において、前記ウェッジツールで前記ボンディングワイヤを把持した状態で、前記ボンディングワイヤを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して所定の時間だけ並行に超音波振動させ、前記接合面に押圧して接合する際に、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側をヒール側より近接させることを特徴とするワイヤボンディング方法。前記ウェッジツールは、前記ボンディングワイヤを前記接合面に対してヒール側からトゥ側にかけて1度乃至5度の傾斜角をもって前記ボンディングワイヤを把持しつつ押圧するようにしたことを特徴とする請求項9記載のワイヤボンディング方法。前記ボンディングワイヤは、そのワイヤ径が100~500μmの範囲のアルミワイヤを用いることを特徴とする請求項9記載のワイヤボンディング方法。前記ウェッジツールの振動時間は、そこから繰り出される前記ワイヤ径に比例する長さに設定されていることを特徴とする請求項9記載のワイヤボンディング方法。前記ウェッジツールの超音波振動によって形成される接合領域は、前記ボンディングワイヤのワイヤ延長方向を長軸とする楕円形状であって、その長径Lと短径Dとの比率が振動開始後の初期段階では2より大きいことを特徴とする請求項10記載のワイヤボンディング方法。前記比率が振動終了段階で1.4~2.2であることを特徴とする請求項13記載のワイヤボンディング方法。前記請求項8記載のボンディング装置を使用して半導体チップの電極を導電性部材に電気的に接続する半導体装置の製造方法において、前記ウェッジツールで前記ボンディングワイヤを把持した状態で、前記ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極面に対して所定の時間だけ並行に超音波振動させて前記電極に押圧して塑性変形せしめる際に、前記ウェッジツールを前記半導体チップの電極面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側でヒール側より近接して押圧する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ウェッジツールは、前記ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極面に対して1度乃至5度の傾斜角をもって押圧するようにしたことを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。前記ボンディングワイヤは、そのワイヤ径が100~500μmの範囲に設定されていることを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。前記ボンディングワイヤと前記半導体チップの電極との間に形成される接合領域は、前記ボンディングワイヤのワイヤ延長方向を長軸とする楕円形状であって、その長径Lと短径Dとの比率が1.4~2.2であことを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。前記ボンディングワイヤは、そのワイヤ径が400μmであって、前記接合領域の面積が0.35~0.45mm2であることを特徴とする請求項18記載の半導体装置の製造方法。上述したように、アルミワイヤ等のワイヤボンディングに際しては、半導体チップ3の電極7表面への適正な荷重コントロールが必要である。また、従来のウェッジツール10による接合にあっては、初期段階でボンディング面の中心部から接合が始まる。しかし、ボンディングワイヤ1は、それが供給される側図12の左側。以下、ヒール側という。で最初に接合が進み、その後、徐々にボンディングワイヤ1の先端側以下、トゥ側という。にも接合が及ぶ。このときボンディングワイヤ1へ加えられる超音波振動は、ボンディング面に伝達されるエネルギーが未接合部だけに片寄って集中することになり、最終的な接合動作においてはトゥ側での加圧の安定性を弱めるように作用する。すなわち、ウェッジツール10の振動方向におけるボンディングワイヤ1の長さLに対して、初期段階で楕円形状をなす凝着核層8の広がりは小さい。その結果、図12Bに示すように、その長径L1は最終的な接合領域9に比較して短くなるため、電極7の非接合領域を中心にして、クラック亀裂7aが発生しやすくなる。図13は、半導体装置に生じるクラックの一例を示す図である。半導体装置は、n基板31からなる半導体チップ3の裏面側にn層32、p層33が順次に拡散形成され、p層33からコレクタ端子Cが引き出される。半導体チップ3の表面構造は、その主面から拡散形成されたp領域34内にエミッタ領域を構成するn領域35がn基板31内に形成されている。このn領域35からは、Al-Si電極膜70によってエミッタ端子Eが引き出される。また、半導体チップ3の主面には、シリコン酸化膜SiO271、ポリシリコン膜72、層間絶縁膜BPSG73がAl-Si電極膜70に覆われて積層されており、ここからゲート電極Gが引き出される。このようにAl-Si電極膜70の表面は平坦構造ではなく、ゲート電極Gが引き出されるポリシリコン膜72に規定された段差構造となる。そのため、ウェッジツール10から荷重される超音波振動がボンディングワイヤ1のトゥ側に片寄ったものであれば、層間絶縁膜BPSG73には図13に示すクラック7aが、斜め方向の点線矢印に沿って進展し易くなる。なお、初期加圧を下げると、ボンディング時のウェッジツール10の振幅によっては、ボンディングワイヤ1が先端部のツールガイド溝12から逃げるため、ウェッジツール10により安定したボンディングワイヤ1の拘束が困難であり、接合を開始させるための凝着核層8が形成されない。これは、初期加圧を下げることでボンディングワイヤ1の変形が小さく、ボンディングワイヤ1とウェッジツール10の先端部とが接する面積が小さくなって、そこでの摩擦力が不十分となるからである。それにより、ボンディングワイヤ1とウェッジツール10の接触部分が滑って、ボンディングワイヤ1がツールガイド溝12から外れ、あるいは超音波振幅振動が十分にボンディングワイヤ1に伝達されなくなるという不都合が生じる。反対に初期加圧を上げると、ボンディングウェッジツールからボンディングワイヤ1を介して加わる超音波振動は、半導体チップの電極膜の未接合部分に局所的に集中することになり、半導体チップの破壊が誘発される恐れがあった。ワイヤAlとパワーデバイスSiのように熱膨張係数の大きく異なる材料を加熱すると、大きな熱応力が発生する。すると、冷熱環境下でのAlとSiとの接合部においては、両者の熱膨張係数差によって上記熱応力が繰り返し発生し、該接合部にクラックが生じ破壊するという問題があった。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ウェッジツールによる接合領域の片寄り形成を抑制して、超音波振動の加圧力がトゥ側に集中しないようにしたワイヤボンディング用のボンディング装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、ボンディングワイヤを超音波振動によって接続する際に、被接合物の接合面に安定した状態でワイヤ接続が可能なワイヤボンディング方法を提供することである。本発明のさらに別の目的は、未接合部への局所的な振幅の集中によるチップ破壊をなくし、製品品質の向上を可能にする半導体装置の製造方法を提供することである。本発明では、上記問題を解決するために、超音波振動によりボンディングワイヤを接合するワイヤボンディング用のウェッジツールにおいて、前記超音波振動をさせる超音波振動手段に取り付けられるツール本体を備え、前記ツール本体は、先端部分に溝部が形成され、前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って前記溝部に傾斜面を設けるとともに前記溝部から前記ボンディングワイヤを突出させ、前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側がヒール側より近接するように押圧する、ことを特徴とするワイヤボンディング用のウェッジツールが提供される。また、本発明によれば、超音波振動によってボンディングワイヤを接合するボンディング装置において、上述したウェッジツールと、前記ウェッジツールを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して並行に超音波振動させる超音波振動手段とを備え、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤがトゥ側でヒール側より近接して押圧されることを特徴とするボンディング装置が提供される。また、本発明によれば、ボンディングワイヤをウェッジツールの先端部分から繰り出すとともに超音波振動によってボンディングを行うワイヤボンディング方法において、前記ウェッジツールで前記ボンディングワイヤを把持した状態で、前記ボンディングワイヤを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して所定の時間だけ並行に超音波振動させ、前記接合面に押圧して接合する際に、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側をヒール側より近接させることを特徴とするワイヤボンディング方法が提供される。さらに、本発明によれば、上述したボンディング装置を使用して半導体チップの電極を導電性部材等に電気的に接続する半導体装置の製造方法において、前記ウェッジツールで前記ボンディングワイヤを把持した状態で、前記ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極面に対して所定の時間だけ並行に超音波振動させて前記電極に押圧して塑性変形せしめる際に、前記ウェッジツールを前記半導体チップの電極面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側でヒール側より近接して押圧する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。本発明のワイヤボンディング用のウェッジツール、ボンディング装置、ワイヤボンディング方法、および半導体装置の製造方法によれば、ボンディングワイヤの接合面における接合領域の片寄り形成が抑制でき、安定した状態のワイヤ接続が可能であって、したがってチップ破壊をなくし、製品品質の向上を可能にする半導体装置が製造できる。以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態のワイヤボンディング方法を示す図であって、Aはウェッジツールによる加圧振動の様子を示す図、Bはワイヤと被接合材との接合状態を示す図である。ボンディング装置では、ウェッジツール10の先端ヒール側後方のワイヤガイドに挿通されたボンディングワイヤ1の先端部がツール本体11の溝部20ツールガイド溝の図左下端面から繰り出し保持される。この溝部20に保持されたボンディングワイヤ1を、ボンディング装置ワークホルダに載置固定された半導体装置2の半導体チップ3の電極7に押し付け、超音波ホーンに保持されたウェッジツール10に超音波振動を与えることによって接合する。その後、一旦ウェッジツール10を上昇させ、半導体装置2の絶縁回路基板4に形成された回路パターンのリード電極上まで平行移動させ、さらにウェッジツール10を下降させて絶縁回路基板4の回路パターンに押し付け、そこにボンディングワイヤ1の他端を接合する。こうしてボンディングワイヤ1が半導体チップ3の電極7と絶縁回路基板4の回路パターンとに接合されたのちに、クランプにて保持されたボンディングワイヤ1にカッターを押し付けて、絶縁回路基板4の回路パターンに接合された部分からボンディングワイヤ1を切断することで、1行程のボンディング作業が完了する。ウェッジツール10は、ツール本体11の先端部分には、ボンディングワイヤ1を保持する溝部20を備えている。ワイヤ保持部の溝部20にアルミのボンディングワイヤ1を繰り出すとともに、半導体チップ3上の電極7との間で超音波振動を加えて凝着核層8を形成することによってボンディングワイヤ1が接合される。溝部20からボンディングワイヤ1の下半分程度を突出して把持した状態で電極7にウェッジツール10を押圧することで、接合部分は楕円形状に塑性変形される。ここでは、図12の従来方法を説明したものと対応する部材を同一の符号で示して、それらの詳細な説明を省略する。超音波振動が加えられる初期段階で形成される凝着核層8は、ウェッジツール10の振動方向におけるボンディングワイヤ1の長さLにできるだけ近づく大きさの楕円形状に形成される。このとき、従来の場合とは異なり、図1Bに示すように、その長径L2が最終的な接合領域9に近似した長さとなるように、ツール本体11の先端部分は、ヒールH側からトゥT側にかけて、ボンディングワイヤ1の長手方向に沿って一定の大きさで傾斜角αが設けられている。なお、ヒール側はボンディングワイヤ1が供給される側、すなわち図1に向かって左側である。トゥ側はボンディングワイヤ1の先端が位置する側、すなわちヒールの反対側で図1に向かって右側である。図2は、本発明の実施の形態のウェッジツールの先端部分を拡大して示す図である。ウェッジツール10の溝部20は、図2Bに示す正面断面図および図2A、Cから明らかなように、その断面がV字形状をなしている。ここで、ウェッジツール10のワイヤ保持部21には、ヒール側からトゥ側にかけて、1度乃至5度の範囲の傾斜角αが、使用されるボンディングワイヤ1のワイヤ径に対応する大きさ、例えば比例する大きさで形成されている。また、ボンディングワイヤ1と接触する溝部20の最深部分は、ウェッジツール10の先端部分と同じ傾斜角αを有している。すなわち、溝部20の断面のV字形状自体がワイヤ径に応じた一様な大きさに設定されている。しかも、そこに保持されるボンディングワイヤ1のそれぞれヒール側およびトゥ側では、図2Aに示す垂直面H、および図2Cに示す垂直面Tとの間が、溝部20の曲面22,23によって滑らかに接続されている。こうして、接合動作時のウェッジツール10は、ボンディングワイヤ1のトゥ側をヒール側より電極7の接合面に近接した状態で押圧されることになる。したがって、ヒール側のみで加圧力が大きくなってしまうといった超音波振動の片寄りが防止され、クラックの発生が防止される。また、このようなウェッジツール10を使用すれば、半導体チップ3の電極7を外部端子等に電気的に接続する際に、ボンディングワイヤ1の接合開始直後の初期段階に、電極7の電極面との間に形成されるトゥ側における接合層がヒール側に比べて促進される。その結果、ヒール側における接合層だけが大きく形成されるという凝着核層8の片寄り形成が抑制される。ここで、ウェッジツール10の先端の溝部20およびワイヤ保持部21に形成される傾斜角と、ボンディングワイヤ1のワイヤ径との関係について説明する。図3は、ワイヤ径とウェッジツールの先端部分に設けた傾斜角との関係を示す図である。ここでは、ボンディングワイヤ1にはアルミワイヤを用い、被接合物としてチップ電極の接合面もアルミニウム合金であるものとする。アルミワイヤは、一般に100~500μmの太さのものが使用されるが、ここでは125,300,400および500μmの場合で最適な傾斜角αについて示している。例えば、125μmの太さのアルミワイヤを片寄りなしに被接合物に押圧するには、ウェッジツールの先端部分の傾斜が1.0°のものが最適である。実際には、加工精度によって±0.5°程度の公差が生じることから、ウェッジツールの傾斜角は0.5°~1.5°の範囲となる。また、125μmの太さのアルミワイヤでは、超音波振動を加えて接合するために要する時間接合時間は、60ms以上であることが望ましい。短時間で接合を完了するには、高い振動周波数でかつ大きなパワーで接合すればよいが、半導体装置のチップ電極を構成するAl-Si電極膜や半導体素子の内部にクラックが形成される可能性が高くなるからである。なお、300,400および500μmのアルミワイヤを被接合物に押圧するウェッジツールには、1.5°±0.5°、2.0°±0.5°、2.5°±0.5°程度の傾斜角が形成されていることが望ましい。ウェッジツールの振動時間接合時間は、ウェッジツールから繰り出されるアルミワイヤのワイヤ径に比例する長さに設定されている。つぎに、本実施の形態のウェッジツールと従来装置とで超音波振動による接合動作を行うとき、それぞれ接合面積の広がる様子を比較する。図4は、従来装置による接合領域の進展度合いを示す図である。図5は、本発明のボンディング装置による接合領域の進展度合いを示す図である。図4、図5では、いずれも接合動作の時間経過t=20,40,70,100msに対応する4通りのワイヤ接合領域を示している。いずれも同じ300μmのアルミワイヤを接合する過程で、接合領域の進展度合いを調べたものである。横軸には、楕円形状に広がる接合領域の長手方向、すなわち長径Lを示し、縦軸には接合領域の接合幅方向の長さ、すなわち短径Dを示している。また、最外周に実線により示す領域9は、アルミワイヤの最終的な接合領域である。図5のワイヤボンディングには、その先端部分に傾斜角1.5°を設けたウェッジツールが使用され、図4の従来装置は先端部分が平坦に形成されている。両者について比較することで、図5の場合に、短時間に接合領域が長径L方向に長さを増大させていることがわかる。すなわち、傾斜角を有するウェッジツールの接合動作では、加圧の安定性が高いために、動作開始直後の接合初期段階から迅速に接合領域が広がって、接合終期段階における未接合部における局所的な振幅集中という現象を効果的に抑制できる。したがって、ワイヤボンディング工程におけるチップ破壊の確率が低減される。さらに、上述した傾斜角を有するウェッジツールの接合動作における利点について説明する。図6は、接合初期段階での接合部の楕円率を示す図である。同図には、ウェッジツールで400μmのアルミワイヤをボンディングする場合であって、○印は従来ツールによる接合領域の楕円率を示し、□印は傾斜ツール本発明の実施の形態のウェッジツールによる接合領域の楕円率を示している。なお、ここで楕円率とは、接合領域として形成される凝着核層の広がりを楕円形状とみなして、その長径Lと短径Dの大きさの比率L/Dを指す。図6に示す楕円率は、各サンプルそれぞれに10点の分布として示しているが、それぞれの分布する範囲を、前者については点線で囲む円によって、後者は破線で囲む円によって明示した。これらの楕円率は、いずれも接合初期段階t=20msでウェッジツールの振動を停止して、アルミワイヤをはがし取ることにより測定されたものである。ここで、従来ツール○と傾斜ツール□の楕円の短径Dについては、いずれも220~270μmの範囲に分布している。しかし、それらの長径Lについては、従来ツール○が420~520μmの範囲にあるのに対して、傾斜ツール□では530~600μmの範囲に分布している。ここから、傾斜ツールによる接合動作が、接合初期段階t=20msでアルミワイヤのトゥ側に向かって迅速に延びていることが理解される。したがって、傾斜ツールを用いたボンディング装置によるワイヤボンディングでは、接合領域の片寄り形成を抑制することができ、安定した状態にワイヤを接続できる。図7は、接合初期段階での接合部の接合面積を示す図である。同図における接合面積とは、ウェッジツールで400μmのアルミワイヤをボンディングしたとき、接合初期段階t=20msに形成された凝着核層の広がりをいう。横軸には、この凝着核層の長径Lと短径Dの大きさの比率楕円率L/Dを示している。ここでも、前述した図6のものと同様に、○印は従来ツールによる接合面積、□印は傾斜ツール本発明の実施の形態のウェッジツールによる接合面積を示している。図7に示す接合面積は、各サンプルそれぞれに10点の分布として示しているが、それぞれの分布する範囲を、前者については点線で囲む円によって、後者は破線で囲む円によって明示にした。これらの接合面積は、いずれも接合初期段階t=20msでウェッジツールの振動を停止して、アルミワイヤをはぎ取ることにより測定されたものである。超音波振動によって形成される接合領域の楕円率については、図7の□印の分布に示されているように、振動開始後の初期段階で、すでに2より大きくなっている。また、傾斜ツール□の楕円率は、従来ツール○の場合に比較して、より大きな値となっている。そのため、それぞれの接合面積を比較すると、従来ツール○が0.10~0.14mm2の範囲にあるのに対して、傾斜ツール□では0.13~0.16mm2の範囲に分布している。すなわち、傾斜ツールを用いたボンディング装置によるワイヤボンディングであれば、接合初期段階t=20msにおけるアルミワイヤとチップ電極との接合面積が広く形成できるという傾向がみられる。したがって、ワイヤボンディングの初期段階から接合領域の片寄り形成が抑制されるから、その後も安定した状態でワイヤ接続が可能となって、チップ電極の破壊を防ぐことができる。なお、ここで接合面積Sについては、楕円の接合領域内に未接合部があった場合に、その面積をsとして、以下の式で定義している。S=L×D-sつぎに、傾斜角を有するウェッジツールの利点について、その接合動作終了の時点で従来ツールの場合と比較して説明する。図8は、接合終了時における接合部の楕円率を示す図である。同図に示す楕円率は、各サンプルそれぞれに10点の分布として示しているが、図6の場合と同様にそれぞれの分布する範囲を、前者については点線によって、後者は破線によって明示している。これらの楕円率は、いずれも接合終了段階t=200msでアルミワイヤをはぎ取ることにより測定されたものである。ここで、従来ツール○と傾斜ツール□の楕円の長径Lについては、いずれも860~920μmの範囲に分布している。しかし、それらの短径Dについては、従来ツール○が430μm以下の範囲に分布しているのに対して、傾斜ツール□で接合したものでは410~470μmの広い範囲に分布している。接合の最終段階における傾斜ツールによる接合領域の広がりについては、図8に示すLD比の分布状態によれば、長径Lの長さ接合長は従来ツールの場合とほぼ同じであるが、接合幅である短径Dが従来ツール以上に長く形成される傾向にあることが分かる。すなわち、傾斜ツールを用いたボンディング装置によるワイヤボンディングでは、接合領域の片寄り形成が抑制できるだけでなく、接合領域の楕円率L/Dを従来ツールによる場合以上に大きく形成できる。したがって、ボンディング装置を使用して半導体装置の電極を外部端子等に電気的に接続する場合などに、チップ破壊の恐れを低減するとともに、強固なワイヤ接続が可能になる。図9は、接合終了時における接合部の接合面積を示す図である。ここでも、図7と同様、○印は従来ツールによる接合面積、□印は傾斜ツール本発明の実施の形態のウェッジツールによる接合面積を示している。また、各サンプルそれぞれに10点の分布として示しているが、それぞれの分布する範囲を、前者については点線で囲む円によって、後者は破線で囲む円によって明示した。なお、一般に接合領域の楕円率については、以下のように考えられている。すなわち、断続通電パワーサイクルに伴う熱応力によって接合領域の周縁に初期クラックが発生すると、クラックは引き続いて繰り返し加わる熱応力により接合領域の外周全方位から、その中心に向けて成長する。そして、クラックが接合領域の中心まで達することで、ワイヤとの接合が破断してワイヤがチップ電極面から剥がれる。この場合に、接合領域でのクラック進展状況をワイヤ接合長長径L方向と、ワイヤが潰れて広がる接合幅短径D方向とに分けて考察すると、接合長方向ではワイヤの線径が大であるほど、そのワイヤループの剛性の影響を大きく受けて、ワイヤ接合長でのクラック進展速度が接合幅方向よりも早くなる。このために、太線ワイヤを採用して接合面積を拡大しても、接合面積の拡大が寿命耐量の向上に十分に生かされずにワイヤ接合部が早期に破断してしまうようになる。そこで、振動終了段階での目標値1.4~2.2に収まることが望ましいとされている。図9において、ボンディングワイヤは、そのワイヤ径が400μmのアルミワイヤを用いており、傾斜ツール□の楕円率が接合終了時には2.2以下まで低下している。これは、従来ツール○の楕円率の分布が2.0以上であることと比較すると、より小さな楕円率となっていることを示している。また、接合終了時におけるそれぞれの接合面積を比較すると、従来ツール○が0.32~0.37mm2の範囲にあるのに対して、傾斜ツール□では0.37~0.44mm2の範囲に分布している。したがって、ボンディングワイヤを超音波振動によって接続する際に、接合領域の片寄り形成が抑制されるから、被接合物の接合面に安定した状態でワイヤ接続が可能なワイヤボンディング方法を実現できる。また、製品品質の向上を可能にする半導体装置が製造できる。"