パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント装置であって、複数の領域に分かれ、該複数の領域のそれぞれの吸着力を変えることができ、基板を保持する基板保持機構と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記基板に複数のショットを形成する際、互いに隣接し合わない複数のショットに前記パターンを転写するインプリント動作を制御し、前記複数の領域のうち前記パターンが転写されたショットに対応した前記基板保持機構の領域の吸着力を開放してから再び基板を吸着することを特徴とするインプリント装置。前記制御部は、前記基板保持機構の任意の領域に対応する前記基板の前記複数のショットのうち、互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写した後に、前記任意の領域の前記基板保持機構の吸着力を開放してから再び基板を吸着することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記制御部は、互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写した後に、前記複数の領域のうち前記パターンが転写されたショットに対応した前記基板保持機構の領域の吸着力を、所定の時間が経過した後に、吸着力を開放してから再び基板を吸着することを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記基板保持機構の吸着力を開放する直前にパターンが形成されたショットに隣接するショットには、前記基板保持機構が再び基板を吸着した後にパターンの転写を行わないことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記基板保持機構の複数の領域のうち、前記互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写する領域は、前記型と前記インプリント材とを引き離す際に前記基板が前記基板保持機構から部分的に浮き上がる程度の吸着力で前記基板を吸着することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記基板保持機構の複数の領域のうち、前記パターンを転写するショットに対応した領域以外の少なくとも1つの領域の吸着力は、前記型と前記インプリント材とを引き離す際に前記基板の歪みが生じない程度の吸着力であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写する際に、少なくとも1ショット以上離れていることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記基板保持機構の任意の領域に対応する前記基板の前記複数のショットのうち、互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写した後に、前記任意の領域と異なる領域に対応するショットに前記パターンを転写している際に、前記任意の領域の前記基板保持機構による吸着力を開放してから再び基板を吸着することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載のインプリント装置。パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント方法であって、複数の領域に分かれ、該複数の領域のそれぞれの吸着力を変えることができ、複数のショットが形成された基板を保持する基板保持機構によって前記基板を保持する工程、前記複数のショットのうち、互いに隣接し合わないショットに前記パターンの転写を行う転写工程、前記転写工程の後、前記複数の領域のうち前記パターンが転写されたショットに対応した前記基板保持機構の領域の吸着力を開放してから再び基板を吸着する工程とを有することを特徴とするインプリント方法。請求項1~8のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。しかし、特許文献1の方法では、引き離す際の力や照射光の熱等により、パターン部が接触していた領域に限らず、その周辺も局所的に歪み、隣接するショット位置に微細パターンを正しく転写出来ない。本発明は基板に局所的な歪みが発生するような場合でも基板上に供給された樹脂に精度よくパターンを転写する事を目的とする。本発明のインプリント装置は、パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材にパターンを転写するインプリント装置であって、複数の領域に分かれ、複数の領域のそれぞれの吸着力を変えることができ、基板を保持する基板保持機構と、制御部と、を備え、制御部は、基板に複数のショットを形成する際、互いに隣接し合わない複数のショットにパターンを転写するインプリント動作を制御し、複数の領域のうちパターンが転写されたショットに対応した基板保持機構の領域の吸着力を開放してから再び基板を吸着することを特徴とする。本発明により、基板に局所的な歪みが発生するような場合でも、基板上に供給された樹脂に精度よくパターンを転写することが可能となる。以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。[第1実施形態]図1は、本発明の第1実施形態に係るインプリント装置IMPの構成図である。図1において、1は基板、2は基板1を保持するための基板チャック基板保持機構である。4は基板1を所定の位置に位置決めするための基板ステージである。基板ステージ4は基板1のθz軸回りの回転方向位置の補正機能、基板1のz位置の調整機能、及び基板1の傾きを補正するためのチルト機能を有する微動ステージを備えていてもよい。10は基板ステージ4が載置されるベース定盤、11は基板ステージ4に取り付けられ、基板ステージ4のx及びy方向y方向は不図示の位置を計測するためにレーザ干渉計12からの光を反射する参照ミラーである。13はベース定盤10上に屹立し、天板14を支える支柱である。3は基板1に転写される凹凸のパターンPがその表面に形成されたモールドで、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャック15に固定される。モールドチャック15にはモールド3のθz軸回りの回転方向位置の補正機能及びモールド3の傾きを補正するためのチルト機能を有していてもよい。モールドチャック15には、光源16から照射される光をモールド3へと通過させる開口を有する。17はガイドバーである。不図示のエアシリンダまたはリニアモータからなるモールド昇降用リニアアクチュエータで、ガイドバー17を図1のZ軸方向に駆動し、モールドチャック15に保持されたモールド3を基板1に押し付けたり、引き離したりする。18は天板14に支柱19により懸架されたアライメント棚で、ガイドバー17が貫通している。20は静電容量センサなどのギャップセンサで、基板チャック2に保持された基板1の高さ平坦度を計測する。30及び30 ́はアライメント計測に用いるTTMスルーザモールドアライメントスコープである。TTMアライメントスコープは、基板1に形成されたアライメントマーク基板マークとモールド3に設けられたアライメントマークモールドマークとの位置ずれを観察するための光学系および撮像系または受光素子を有する。TTMアライメントスコープ30及び30 ́により、基板1とモールド3との間のx及びy方向の位置ずれを観察する。31はグローバルアライメント用のオフアクシスアライメントスコープで、アライメント棚18の下面に配置され、アライメントマーク基板マークの位置を観察する。オフアクシスアライメントスコープ31は、モールド3に設けられたモールドマークを介さずに、基板チャック2に保持された基板1に形成されたアライメントマークのxy平面における位置を観察するためのものである。また、オフアクシスアライメントスコープ31は後述する基準マーク33もモールドを介さずに観察する。ここで、オフアクシスアライメントスコープ31は、ショットサイズやショットレイアウトの変更に応じて、基板に形成されたアライメントマークの位置が変わっても対応できるようにxy平面内でその位置を変えることができるようになっている。32は基板1の表面にインプリント材として樹脂5を供給するノズルを備えた樹脂供給機構である。なお、本実施形態ではインプリント材として光を照射することで硬化する光硬化性樹脂を用いる。光の波長は用いる樹脂によって決めることができる。また、モールドのパターンを樹脂に押し付けた状態で光を照射するため、モールドは光を透過する材料例えば、石英などで作られる。33は基板ステージ4に配置された基準マークである。100は上記のアクチュエータやセンサ類を統括して、装置にインプリント動作をさせる制御部である。第1実施形態のインプリント装置IMPでは、図1に示すように、基板1にインプリント材として供給された樹脂5と、パタ-ンPが形成されたモールド3との少なくとも一方を他方へ押しつける。モールド3のパターンPと樹脂5が接触する事で、樹脂5がパターンPの凹凸形状内に充填する。パターンに樹脂が充填した状態で光源16から光を照射する事で樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂からモールドを引き離す。この樹脂からモールドを引き離すことを離型と呼ぶことにする。これらの一連の動作を繰り返すことで、基板上の複数のショット位置にモールドのパターンを転写している。上述した基板上の複数のショット位置にモールドのパターンを転写するインプリント動作は制御部100によって制御される。図2及び図3を用いて、本実施形態の離型について説明する。図2は基板を保持する基板チャック2基板保持機構を示している。ここでは、基板チャック2として真空チャックを用いて基板を吸着して保持している。図2のように、基板チャック2はA、B、Cの3領域に分割され、各々の領域において吸着力を独立に設定出来るようになっている。このように基板チャック2を分割することによって異なる吸着力で基板を保持することができる。基板チャック2は基板ステージ4の上に設置されている。基板ステージ4が駆動することにより基板の位置を制御する。本実施形態のインプリント装置では基板を保持する基板チャック2の吸着力を制御部100で制御することにより、離型時に発生するパターンの欠陥を低減する。基板チャック2による吸着力の制御を、図3を用いて説明する。図3は離型時の基板とモールドの断面を示している。図3aは基板チャック2の吸着力吸着圧を大とした時の基板1とモールド3の断面図である。また、図3bは吸着力吸着圧を中とした時の基板1とモールド3の断面図である。図3aは、基板チャック2の吸着力が大きいため、離型時に基板1が基板チャック2に固定されている。ここで、吸着力が大とは吸着圧の絶対値が大きいことを示し、基板チャック2が基板1を強く引き付けている状態をいう。例えば、吸着圧を-90kPaとして基板を吸着する。この状態では、離型時に基板1が基板チャック2から浮かない。図3bは、基板チャック2の吸着力が中程度であるため、離型の時に硬化した樹脂からモールドを引き離す力の影響を強く受ける基板1の一部分が、基板チャック2から浮いた状態になる。ここで、吸着力が中とは図3bのように、モールドを引き離す時に、パターンが樹脂と接触しているショットと隣接するショットの一部が基板チャック2から浮く程度に基板を吸着する大きさの吸着力である。前述の吸着力大の絶対値よりも小さい吸着圧で、基板チャック2が基板1を引き付けている。例えば、吸着圧を-30kPaとして基板を吸着する。基板上の硬化した樹脂からモールドのパターン面の全体を基板の面に対して垂直に引き離そうとすると、樹脂からモールドを引き離すのに必要な力が大きくなってしまい、容易に離型できなくなる。そのため、樹脂からモールドを引き離す際は、図3aのようにモールド3を撓ませながら引き離す。しかし、図3aのDで示すように、離型時にはモールド3のパターンによって基板上にパターンが形成された樹脂5に水平方向に強い力が掛かる。基板上に形成されたパターンが倒れてしまい、欠陥が発生する可能性が高くなる。一方、図3bでは、基板自体も撓む事で、歯車のような状態で離型が行われる。その結果、基板上に転写された樹脂5には水平方向に強い力が掛かりにくくなるため、図3aで説明した様な欠陥の発生を低減することができる。しかし、上述したようにモールド3を引き離す際に基板を撓ませるために、部分的に基板チャック2からモールドが浮いた状態になる。図2のようにA領域にパターンを形成する場合、A領域の基板を吸着する基板チャック2の吸着力は中レベルとするため、離型時の力等によって、基板全体が基板チャック2からずれる恐れがある。そのため、B領域とC領域の少なくとも一方の領域は、基板全体が基板チャック2からずれないようにするため、吸着力を大レベルで基板を吸着する必要がある。上記のように基板チャック2の複数の領域のうち、パターンを転写する任意の領域以外の一領域の吸着力を大レベルで基板を吸着する。このように制御部100が基板チャック2の吸着力を制御する事で、基板のずれ防止と、離型時の欠陥を低減することが出来る。図6は基板チャック2に保持された基板1をモールド側から見た図を示している。A1~A9はそれぞれ、一つのショット位置を示す。図6で示した、A領域のショット位置A1にパターンを形成する場合について説明する。ショット位置A2~A9はショット位置A1に隣接するショット位置を示す。図4のショット位置A1~A9は、図6で説明したショット位置A1~A9に対応している。図4aは樹脂からモールドを離型した直後のショット位置A1とその周辺ショットの局所的な歪みを示す。このとき基板チャック2の吸着力はA領域が中レベル、B領域とC領域を大レベルとする。上述したように、B領域とC領域はいずれか一方の吸着力を大レベルにしてもよい。図4aは基板1をモールド側から見たとき、点線は本来あるべきショット位置を示し、実線が実際のショット位置を示している。ショット位置は基板上のパターンを転写する位置を示している。図4aのように、離型直後は基板表面が局所的に歪んでいる。これは図3bで示したように、離型時に基板1は局所的に基板チャック2から浮いた状態となるが、基板が浮くことによる基板自身の歪みが元に戻る前に基板チャックに吸着される事が主要因である。また、樹脂を硬化させるために光を照射することによって生じる熱によって基板1が局所的に歪む場合もある。この歪みの範囲は吸着力、基板剛性、離型力等の条件によって異なるが、図4aのように、隣接するパターン領域に及ぶ場合がある。また、離型してから60秒後の状態は図4aと同じで、この歪みの状態は、時間が経過しても殆ど変化がない事が分かった。この間、A領域の吸着力は中レベルのままである。これらの結果から、例えば図6のショット位置A1の隣接するショット位置の一つであるショット位置A2にモールドのパターンを転写しようとすると、基板表面が歪んでいるため正確な転写ができなくなる。又、これは一定時間が経過したとしても変わらない事が分かった。そのためショット位置A1にパターンを転写した後に、ショット位置A1に隣接するショット位置にパターンを転写する時は、図2のA領域の吸着力を一旦、小レベルにする。ここで吸着力が小レベルとは、0kPaにして基板を開放することを示す。A領域の吸着力を小レベルにすることで、図4aの実線で示したような基板の局所的な歪みを、図4bの点線で示したような元のショットの形状に戻すことができる。図4bはA領域の吸着力を小レベルにした後にショットの形状が元に戻った状態を示している。これにより離型直後には基板表面が部分的に歪んでいたとしても、該当する基板チャック2の領域の吸着力を小レベルにして、基板チャック2から基板1を一時的に開放することで基板表面の歪みが元の基板表面の形状に戻ることが分かった。このように、複数の領域のうちパターンが転写されたショット位置を含む領域の基板チャック2の吸着力を開放してから再び基板を吸着することをここでは吸着リセットと呼ぶことにする。次に、上述の吸着リセットを実施するタイミングについて、図5を用いて説明する。図5aが離型直後、図5bが離型直後から1秒後、図5cが離型直後から2秒後、にそれぞれ吸着リセットをした場合の基板表面歪みの結果である。図5のショット位置A1~A9は、図6のショット位置A1~A9に対応している。この結果から、離型した後に所定の時間が経過しないと本実施形態では2秒程度局所的な歪みが開放されない事がわかった。これは樹脂5を硬化させるために基板上に照射した光の熱によるもので、この熱が冷めて熱による影響が無くなってから基板チャック2の吸着力を吸着リセットする事でより効果的に基板の歪みを元に戻すことができる。パターンを転写したショット位置に対応する基板チャック2の領域の吸着力を上述した熱の影響が無くなる所定の時間が経過した後、吸着リセットを実施する事で、隣接するショット位置においても正確にパターンを転写できる。基板の局所的な歪みを元に戻すために、基板の吸着を一旦開放し、再度吸着する手法も考えられる。しかし、上述の吸着リセットは時間がかかるため、1ショット毎にパターンの転写と吸着リセットを繰り返すとスループットが低下して生産性に影響を与える。そこで、吸着リセットの回数を減らして、生産性を向上させるためのシーケンスについて説明する。具体的には、複数のショット位置にパターンを転写した後に、吸着リセットを実施する。図6のショット位置A1にパターンを転写した後、吸着リセットを行わない限り、ショット位置A1に隣接するショット位置A2~A9は正確な転写が出来ない。そこで本実施例では、互いに隣接し合わないショット位置に順にパターンを転写する。図7は基板1に形成された複数のショット位置と、互いに隣接し合わないショット位置について説明した図である。まず、A領域の基板チャックに対応する基板1上の複数のショット位置のうち、図7aで黒塗りしたショット位置に順にパターンを転写する。このとき、A領域の吸着力は中レベルで基板を保持し続ける。パターンの転写後、A領域の吸着力を小レベルにして吸着リセットを行う。この間、B領域とC領域の少なくとも一方の吸着力を大レベルにして基板を保持する。このようにして、歪みの影響がないショット位置にパターンを転写することができる。互いに隣接し合わないショット位置とは、ショット位置A1に対して1ショット以上離れたショット位置を示す。吸着リセットが完了した後に再び基板チャック2のA領域の吸着力を中レベルに設定する。その後、図7aの黒塗りで示した複数のショット位置とは異なる、互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写する。ここでは、図7bの斜線で示した複数のショット位置に順にパターンを転写する。この間、A領域の吸着力は中レベルで基板を保持し続ける。パターンを転写した後に、A領域の吸着力を小レベルにして吸着リセットを行う。上記の互いに隣接し合わないショット位置にパターンの転写と、吸着リセットを繰り返すことで、図7に示した基板チャック2のA領域に対応する全てのショット位置にパターンを転写することができる。ここまで、基板チャック2のA領域に対応するショット位置にパターンを形成する例について説明した。B領域に対応するショット位置にパターンを形成する場合について説明する。基板チャック2のB領域の吸着力を中レベルに設定し、A領域とC領域の少なくとも一方の吸着力を大レベルに設定することで、上記の説明と同様にB領域にパターンを形成することができる。また、領域Cについても同様にパターンを形成する。パターンを形成する順番はどの領域からでも良く、任意の領域に対応する基板上の複数のショット位置にパターンを形成し、任意の領域の吸着リセットを行う。これによって基板の歪みの影響を低減してパターンの転写を行うことが出来る。また、吸着リセットの回数を減らすことが可能になり生産性を向上させることができる。なお、本実施例では基板チャック2を3つの領域に分割し、吸着力をそれぞれ大中小の3つのレベルを独立に制御する事で、基板の歪みの影響を減らして隣接ショット位置にパターンを形成することができることを示した。しかし、本発明のインプリント装置はさらに独立に制御可能なチャック領域の数や、吸着力の条件を増やして制御してもよい。[第2実施形態]第2実施形態の構成は、基本的に第1実施形態と同様であるが、更に生産性を向上させるシーケンスに特徴がある。具体的には第1実施形態で説明した吸着リセットの間にパターンを転写するショット位置を工夫する事で、第1実施形態で示した吸着リセットの時間を削減する。第1実施形態において、パターンを硬化させるために基板に照射した熱の影響を軽減するためには、所定の時間が経過した後、再吸着を開始する必要がある事を示した。基板の処理時間をこの熱の影響が軽減する時間を待たないで吸着リセットを実施した場合について、図8に示した基板1を用いて説明する。図8aの基板チャック2のA領域を吸着リセットする直前にパターンを転写したショット位置をA1とする。このとき、A領域の基板チャック2の吸着圧は中レベルとする。ショット位置A1にパターンを転写した後に、A領域の吸着圧を小レベルにする。第1実施形態では、十分に熱の影響が軽減されてから再びA領域の吸着圧を中レベルにして基板を保持していた。本実施形態では、ショット位置A1の熱の影響が軽減される前にA領域の吸着圧を中レベルにして基板を再吸着する。この場合、図5bのように、ショット位置A1に隣接するショット位置を示す黒塗りのショット位置は局所的な歪みが残ったままになってしまう。そのため、図8aに示したショット位置A1に隣接するショット位置にパターンを転写する事は好ましくない。そこで、本実施形態では、吸着リセットを行う直前にパターンが形成されたショット位置に隣接するショット位置には、吸着リセット後にパターンの転写を行わない。図8bは、吸着リセット前後にパターンの転写を行うショット位置を示している。図8bの黒塗りされたショット位置は吸着リセットを実施する前にパターンの転写を行うショット位置を示す。Afは、そのうちの最後にパターンの転写を行ったショット位置を示す。斜線で示したショット位置は、吸着リセットを実施した後、パターンの転写を行うショット位置を示す。本実施例は、図8bで示すように、吸着リセットする直前のショット位置Afに隣接するショット位置には、パターンの転写を行わない。こうすることにより、熱の影響が軽減する時間を待たないで、吸着リセットをしてパターンの転写を行うことができる。熱による基板の歪みの影響を軽減する時間を待たずに吸着リセットを行うことで、生産性の向上を図る事が可能となった。[第3実施形態]上述の実施形態では、基板チャック2の吸着力をA領域において中レベル、B領域及びC領域の少なくとも一方を大レベルにした条件下でのパターンの転写と吸着リセットについて説明した。基板チャック2の1つの領域に対応したすべてのショット位置にパターンの転写を行ってから、他の領域に対応したショット位置にパターンの転写を行う場合について説明した。本実施形態では、複数に分割された基板チャック2の領域のうち2つの領域に続けてパターンを転写するインプリント方法について説明する。図9に示したフローチャートを用いて、吸着力の切り替えも含めた全体の流れを示す。まず、インプリント装置に基板を搬入する。不図示の基板搬送機構でパターン転写を行う基板を基板チャック2に搬入する。インプリント装置としては図1で説明したインプリント装置IMPを用い、基板チャックとしては図2で説明した基板チャック2を用いて説明する。ステップS1で基板チャック2のA領域及びB領域の吸着力を中レベルとする。また、残りのC領域の吸着力を大レベルとして基板1を基板チャック2で保持する。ステップS2でA領域及びB領域の互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写していく。パターンの転写する方法は上述のインプリント装置で説明したインプリント方法を用いることができる。上述した実施形態ではA領域のみパターンの転写行ったが、本実施形態ではA領域とB領域に対応したショット位置に続けてパターンを転写していく。A領域とB領域に対応した互いに隣接し合わないショット位置に全てパターンを転写すると、ステップS3へ進む。ステップS3でA領域の全てのショット位置にパターンを転写したかどうか判定する。基板チャック2のA領域に対応したショット位置に全てのショット位置にパターンの転写が終了した場合は、後述するステップS5へ進む。A領域のすべてのショット位置にパターンの転写が終了していない場合は、後述するステップS4へ進む。ステップS4でA領域及びB領域の吸着リセットを実施する。基板チャック2のA領域とB領域の吸着力を小レベルにして基板を開放して、再び基板チャック2のA領域とB領域の吸着力を中レベルにして基板を吸着する。この吸着リセットを行った後にステップS2に戻る。このように、本実施形態では、2つの領域に対して同時に吸着リセットを行う。A領域に対応する全てのショット位置にパターンを転写するまで、ステップS2~ステップS4を繰り返す。この間、C領域の吸着力を大レベルにしているので、A領域とB領域の吸着力を同時に吸着リセットしても基板チャック2で基板を保持することができる。ステップS5で基板チャック2の吸着力の切り替えを行う。具体的には、A領域の吸着力を大レベルとする。次に、B領域の吸着力を小レベルにして吸着リセットを行い、再び吸着力を中レベルとする。このとき、C領域の吸着力を中レベルにする。A領域に対応するショット位置はパターンを転写した直後なので基板が歪んでいる恐れがある。しかし、ステップS3でA領域の全ショット位置のパターン転写が終了しているので、吸着リセットを行わなかったが、A領域の吸着力を吸着リセットした後に、吸着力を大レベルにしてもよい。また、ステップS5の時点でB領域に対応する全てのショット位置のパターン転写が終了していれば、A領域と同様に吸着力を大レベルにしても良い。ステップS5で基板チャック2の吸着力を切り替えた後、ステップS6でB領域及びC領域の互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写していく。ステップS2の説明と同様に、B領域とC領域に対応したショット位置に続けてパターンを転写していく。B領域とC領域に対応した互いに隣接し合わないショット位置に全てパターンを転写すると、ステップS7へ進む。ステップS7でB領域及びC領域の全てのショット位置にパターンを転写したかどうか判定する。基板チャック2のB領域とC領域に対応したショット位置に全てのショット位置にパターンの転写が終了した場合は、インプリント動作が終了となる。B領域とC領域の全てのショット位置にパターンの転写が終了していない場合は、後述するステップS8へ進む。ステップS8でB領域及びC領域の吸着リセットを実施する。基板チャック2のB領域とC領域の吸着力を小レベルにして基板を開放して、再び基板チャック2のB領域とC領域の吸着力を中レベルにして基板を吸着する。この吸着リセットを行った後にステップS6に戻る。このように、本実施形態では、A領域に対応する全てのショット位置にパターンが転写された後にも、2つの領域に対して同時に吸着リセットを行う。B領域とC領域に対応する全てのショット位置にパターンを転写するまで、ステップS6~ステップS8を繰り返す。ステップS6~ステップS8はB領域とC領域の吸着力を同時に変化させている。例えば、ステップS7が終了した時点で基板チャック2のB領域に対応する全てのショット位置にパターンの転写が終了した場合は、ステップS8でC領域だけ吸着リセットを行っても良い。このように、ステップS6~ステップS8は、2つの領域のうち何れかの領域に対応する全てのショット位置にパターンの転写が終了した場合は、2つの領域に対して同時に吸着力を変化させなくてもよい。A領域、B領域、C領域の吸着力の条件、基板チャックの吸着リセットするタイミングは、本実施形態のシーケンスを示す図9のフローチャートに限定されるものでない。本発明の趣旨である、基板上の歪みを開放するために、吸着力の条件、基板チャックの吸着リセットするタイミングはいかなる組み合わせで実施してもかまわない。[第4実施形態]本実施形態の構成は基本的に第1実施形態と同様であるが、生産性を向上させるためのシーケンスに特徴がある。第1実施形態では、互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写した後に、A領域を吸着リセットし、A領域の全てのショット位置にパターンを転写していた。この間、他の領域にパターンの転写は行っていない。本実施形態では基板チャック2のある領域の吸着リセットを、ある領域とは異なる領域に対応するショット位置にパターンを転写する間に実施する。第4実施形態のパターンを転写する方法を、図10を用いて具体的に説明する。図10は基板チャックに保持された基板1とショット位置の一部を示している。基板チャックとしては、図2で説明した複数の領域に分かれた基板チャック2を用いて説明する。まず、A領域に対応するショット位置のうち互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写する。このとき基板チャック2のA領域の吸着力を中レベルにして基板を保持する。A領域の互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写した後、A領域の吸着リセットを行う前に、A領域に続けてB領域に対応するショット位置のうち、互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写する。このときB領域の吸着力を中レベルにして基板を保持する。A領域の吸着リセットは、図10で示すようにB領域に対応するショット位置のうち、互いに隣接し合わないショット位置にパターンを転写している途中に実行する。このとき、C領域の吸着力を大レベルにして基板を保持する。そのため、基板が大きくずれることはない。また、硬化した樹脂からモールドを引き離す離型時には基板に対して非常に強い力がかかる。その為、B領域に対応するショット位置にパターンを転写している場合であっても、離型時にA領域の吸着リセットを実行するのは好ましくない。そこで、本実施形態ではB領域に対応するショット位置のうち、A領域から2ショット分以上離れたショット位置で、基板上に供給された樹脂とモールドを接触させている間にA領域の吸着リセットを実行すると良い。このように、本実施形態ではA領域の吸着リセットを行う場合、A領域以外のB領域またはC領域に対応する基板上のショット位置にパターンを転写する間に吸着リセットを実施する。また、吸着リセットは離型時を除く間に行うのが好ましい。これによって、パターンを形成している間に吸着リセットを実施できるため、吸着リセットにかかる時間を短くすることができ、生産性が向上する。上記のいずれの実施形態も光を照射することによって樹脂5を硬化させる光硬化法によるインプリントについて説明したが、本発明はこれに限らない。光硬化法以外にはインプリント材として熱硬化性重合体樹脂を用い、加熱することによってインプリント材を硬化させる方法がある。この熱を用いることによるインプリント装置においても本願発明を適用することができる。[デバイス製造方法]デバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを形成する工程を含む。さらに、デバイス製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合の製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。