"バイアス電圧が印加されることにより信号光を電気信号に変換する受光素子と、前記バイアス電圧の変動を抑制するための電圧安定回路と、前記受光素子から出力された前記電気信号を増幅する増幅回路と、前記受光素子と前記電圧安定回路との間に接続されて、前記増幅回路の入力端で生じる反射による共振を減衰させる抵抗器とを備える、光受信モジュール。前記受光素子は、各々が信号光を電気信号に変換する複数の受光部を含み、前記光受信モジュールは、前記複数の受光部にそれぞれ接続された複数の電極をさらに備え、前記抵抗器は、前記複数の電極にそれぞれ接続された複数の抵抗素子を含み、前記複数の抵抗素子の各々の抵抗値は、前記複数の電極のうちの対応する電極の寄生インダクタンスに応じて定められる、請求項1に記載の光受信モジュール。前記複数の抵抗素子の間において前記寄生インダクタンスが大きいほど前記抵抗値が大きくなるように、各前記複数の抵抗素子の前記抵抗値が設定される、請求項2に記載の光受信モジュール。前記複数の受光部は、少なくとも1つの方向に沿って配置され、前記電極が長いほど前記抵抗値が大きくなるように前記複数の抵抗素子の前記抵抗値が定められる、請求項3に記載の光受信モジュール。前記電圧安定回路は、前記複数の抵抗素子にそれぞれ接続された複数のコンデンサを含み、前記増幅回路は、前記受光素子を挟んで点対称に配置された複数の増幅器を含み、前記複数のコンデンサは、前記複数の増幅器の配置方向とは異なる方向に沿うように、前記受光素子を挟んで点対称に配置される、請求項4に記載の光受信モジュール。前記複数の抵抗素子の各々は、前記対応する電極の一部として形成されている、請求項4に記載の光受信モジュール。特許文献1に開示の構成によれば、PDとアンプとによって形成するループの電気長を短縮することによって発振を防止できる。また、特許文献2および特許文献3に開示された構成によれば、より高い周波数まで利得の周波数特性を平坦化することができるため、光受信モジュールは広帯域の信号を受信できる。しかしながら、位相変調方式あるいはデジタルコヒーレント方式といったような、受信感度に優れた次世代の変調方式では、上記の特性に加えて、出力の線形性および群遅延特性も要求される。さらに、このような次世代の変調方式では、複数の信号光を同時に受信するバランス受信が行なわれるので、複数の受光部および複数のアンプを有する多チャンネル型の光受信モジュールが必要となる。このように複数の受光部および複数のアンプを有する光受信モジュールの場合には、複数のチャネル間で高周波特性を一致させることが求められる。従来の光受信モジュールでは、平坦な周波数特性を得ようとした場合、アンプの信号入力電極において発生する反射と、PD素子あるいは配線のもつ寄生容量および寄生インダクタンスとによって、PD素子1の周辺回路とアンプとの間に意図しない共振が発生することが起こりうる。なお、この明細書では、共振とは、特定周波数の高周波信号が閉じ込められる現象を意味する。図11は、共振が発生した場合に特定周波数付近において群遅延の遅れが生じることを示した図である。図11は、16GHz付近の周波数において群遅延の遅れが生じることを示している。共振が発生した場合には、光受信モジュールから出力される信号の波形が劣化するという問題が生じる。図12は、共振による信号の劣化を説明するための模式的な波形図である。図12aはアンプの入力信号の成分を説明するための波形図である。図12aに示されるように、入力信号は、共振周波数付近の周波数をもつ高周波成分W1と、他の周波数共振周波数よりも低い周波数をもつ高周波成分W2とを含む。共振が発生した場合には、光受信モジュールから出力される電圧信号において、共振周波数付近の周波数をもつ高周波成分と他の周波数をもつ高周波成分との間に群遅延差が発生する。図12bは、群遅延差がない場合の光受信モジュールの出力信号のアイパターンを模式的に示した図である。図12cは、群遅延差がある場合の光受信モジュールの出力信号のアイパターンを模式的に示した図である。図12bおよび図12cに示されるように、大きな共振が発生した場合、その共振の周波数に近い周波数を有する高周波成分は、他の周波数を有する高周波成分と異なるタイミングで光受信モジュールから出力される。したがって、図12cに示されるようにアイパターンの開口が狭まる。特許文献1特許第4139594号公報の発明は、発振を抑制することに向けられたものである。すなわち特許文献1の発明の目的は、アンプのノイズが電流ループを経由してアンプに再度入力されることにより増幅されることを防止することである。このため、特許文献1の発明は、上記の共振を十分に防ぐことができない可能性がある。一方、上記の多チャンネルモジュールでは、光ファイバに結合される光学系の要求から、PD素子において、複数の受光部を数百μm以下の間隔で近接して配置する必要がある。その一方で、ワイヤの寄生インダクタンスによる周波数特性の低下を避けるために、ワイヤ長が制限される。このため、多数のアンプおよびチップコンデンサをPD素子の周囲に実装しなければならない。このような理由によって、すべてのチャンネルで同一形状の電極あるいは同一長さの配線を使用することは困難である。図13に示されるように、電極の長さが異なる場合には、チャンネルの間で利得の周波数特性に差が生じるという課題がある。本発明の目的は、周波数特性に優れた光受信モジュールを提供することである。本発明は要約すれば、光受信モジュールであって、バイアス電圧が印加されることにより信号光を電気信号に変換する受光素子と、バイアス電圧の変動を抑制するための電圧安定回路と、受光素子から出力された電気信号を増幅する増幅回路と、受光素子と電圧安定回路との間に接続されて、増幅回路の入力端で生じる反射による共振を減衰させる抵抗器とを備える。この発明によれば、周波数特性に優れた光受信モジュールを実現することができる。以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰返さない。[実施の形態1]図1は、本発明の実施の形態1による光受信モジュールの構成を示す斜視図である。図2は、図1に示した光受信モジュールの上面図である。図1および図2を参照して、光受信モジュール100は、4チャンネルの光受信モジュールとして構成され、4つの信号光を受信可能である。ただし、実施の形態1による光受信モジュールは、より多くのチャンネルを有する光受信モジュールとして構成されてもよい。実施の形態1による光受信モジュールは、光通信システムの受信側で用いられるものであり、光ファイバ図示せずから入力された光信号を電気信号に変換する機能を有する。光受信モジュール100は、PD素子1と、アンプICIntegratedCircuits2a,2bと、チップコンデンサ3a~3dと、薄膜抵抗基板5a~5dと、ワイヤ31a~31d,41a~41d,42a~42dとを有する。PD素子1およびアンプIC2a,2bは、半導体チップにより構成される。アンプIC2a,2bは、PD素子1からの電気信号を増幅する増幅回路として機能する。チップコンデンサ3a~3dは、バイアス電圧の変動を抑制する電圧安定回路として機能する。薄膜抵抗基板5a~5dは、増幅回路アンプIC2a,2bの入力端で生じる反射による共振を減衰させる抵抗器として機能する。アンプIC2a,2bは、PD素子1の両側に配置される。すなわち、アンプIC2aはPD素子1の外周14dと対向し、アンプIC2bはPD素子1の外周14bと対向する。なお、アンプIC2a,2bは、PD素子1を挟んで点対称に配置される。薄膜抵抗基板5a,5bおよびチップコンデンサ3a,3bは、アンプIC2a,2bとは対向していないPD素子1の外周14aの近傍に配置される。同じく、薄膜抵抗基板5c,5dおよびチップコンデンサ3c,3dは、アンプIC2a,2bとは対向していないPD素子1の外周14cの近傍に配置される。薄膜抵抗基板5a,5bおよびチップコンデンサ3a,3bの組と、薄膜抵抗基板5c,5dおよびチップコンデンサ3c,3dの組とは、PD素子1の主表面に対して点対称に配置される。なお、チップコンデンサ3a,3bは、PD素子1に対して薄膜抵抗基板5a,5bの外側に配置される。チップコンデンサ3c,3dは、PD素子1に対して薄膜抵抗基板5c,5dの外側に配置される。PD素子1は、4つの受光部11a~11dを有する。受光部11a~11dは、所定の間隔たとえば100μm~数百μmでPD素子1に一列に形成される。PD素子1は、さらに、アノード電極12a~12dと、カソード電極13a~13dとを有する。カソード電極13a~13dは、受光部11a~11dにそれぞれ接続される。カソード電極13a,13bは、対応する受光部からPD素子1の外周14aの近傍まで引き出されたパターンを有する。カソード電極13c,13dは、対応の受光部からPD素子1の外周14cの近傍まで引き出されたパターンを有する。カソード電極13aは、ワイヤ41aを通じて薄膜抵抗基板5aに接続される。薄膜抵抗基板5aは、ワイヤ31aを通じてチップコンデンサ3aに接続される。同様に、カソード電極13b~13dは、それぞれワイヤ41b~41dを通じて薄膜抵抗基板5b~5dに接続される。薄膜抵抗基板5b~5dは、それぞれワイヤ31b~31dを通じてチップコンデンサ3b~3dに接続される。チップコンデンサ3a~3dの各々にはバイアス電圧が印加される。アノード電極12a~12dは、受光部11a~11dにそれぞれ接続される。アノード電極12a,12bは、対応の受光部からPD素子1の外周14bまで引き出された直線状のパターンを有する。アノード電極12c,12dは、対応の受光部からPD素子1の外周14cまで引き出された直線状のパターンを有する。アンプIC2a,2bの各々は、差動型アンプであり、2つの信号入力電極を有する。PD素子1のアノード電極12a,12bは、それぞれワイヤ42a,42bを通じてアンプIC2aの信号入力電極21a,21bに接続される。PD素子1のアノード電極12c,12dは、それぞれワイヤ42c,42dを通じて、増幅器としてのアンプIC2bの信号入力電極21c,21dに接続される。図3は、本発明の実施の形態1による光受信モジュールの1チャネルに対応する部分の等価回路図である。図3を参照して、PD素子1のカソード電極13aは、ワイヤ41aを介して抵抗素子としての薄膜抵抗基板5aに接続される。薄膜抵抗基板5aは、ワイヤ31aを通じてチップコンデンサ3aに接続される。外部より供給されたバイアス電圧PDバイアスは、チップコンデンサ3a、ワイヤ31a、薄膜抵抗基板5a、ワイヤ41aを通じてPD素子1のカソード電極13aに印加される。チップコンデンサ3aはバイパスコンデンサとして機能し、バイアス電圧の変動に起因するノイズを抑制する機能を果たす。受光部11aは、入射した信号光を電流信号に変換する。当該電流信号は、PD素子1のアノード電極12aから出力されて、ワイヤ42aを通じてアンプIC2aの信号入力電極21aに入力される。電流信号はアンプIC2aにおいて電圧信号に変換されるとともに増幅される。PD素子1、アンプIC2a、チップコンデンサ3および薄膜抵抗基板5は、素子キャリア48図1,2には示さずに実装される。アンプIC2aのグランドGND電極23は、ワイヤ43a図1,2には示さずを介して素子キャリア48に接続される。なお、図1,2には示されていないが、アンプIC2a,2bへの給電およびアンプの制御のための配線、アンプIC2a,2bから電圧信号を出力するための配線などが光受信モジュールに設けられる。薄膜抵抗基板5aは、アンプIC2aの信号入力電極21aおよびチップコンデンサ3aの両方における反射に起因する共振を減衰させるためのものである。薄膜抵抗基板5aの抵抗値は、当該共振を減衰させるために十分大きく、かつ直列抵抗の増加によるPD素子1の周波数特性の低下が許容される範囲内で適切に設定される。なお、後述するように、薄膜抵抗基板5b,5cの抵抗値は薄膜抵抗基板5a,5dの抵抗値よりも大きく設定される。図1および図2に示されるように、各チャネルに対応する部分の構成は互いに同じである。図3では、受光部11aに関連する部分の回路構成を1つのチャネルに対応する部分として代表的に示したが、受光部11b~11dの各々に関連する部分の回路構成も図3に示した構成と同じである。従って残りのチャネルに対応する部分の回路構成については以後の詳細な説明は繰返さない。アンプIC2aの信号入力部、PD素子1、ワイヤ31a,41a,42aの電気的特性たとえばインピーダンス、寄生容量、寄生インダクタンス、電気長などが、反射の条件を満たす場合に、PD素子1の周辺回路とアンプIC2aとの間で共振が発生する。この場合の反射点はアンプIC2aの信号入力電極21aおよびチップコンデンサ3aと考えられる。本発明の実施の形態1では、チップコンデンサとPD素子のカソード電極との間に抵抗素子を挿入する。これによって共振を減衰させることができる。本発明の実施の形態1では、共振を減衰させることができるので、群遅延特性の変動を抑制できる。この点について、本実施の形態に係る光受信モジュールとその比較例との対比によって説明する。図4は、実施の形態1に係る光受信モジュールの比較例を示した図である。図5は、図4に示した光受信モジュールの等価回路図である。図4および図5を参照して、光受信モジュール100Aは、PD素子1と、アンプIC52と、チップコンデンサ3とを備える。PD素子1のカソード電極13は、チップコンデンサ3にワイヤ41を通じて接続される。外部よりチップコンデンサ3にバイアス電圧が印加される。これにより、PD素子1のカソード電極13にバイアス電圧が印加される。図1および図4の対比から理解されるように、光受信モジュール100Aが、実施の形態1に係る光受信モジュール100と大きく異なる点は、PD素子1とチップコンデンサ3との間に抵抗器薄膜抵抗基板が設けられていない点である。なお、光受信モジュール100Aの場合、PD素子1に1つの受光部しか設けられていないが、図4の構成において、複数の受光部がPD素子1に設けられてもよい。図5を参照して、PD素子1のアノード電極12は、ワイヤ42を通じてアンプIC52の信号入力電極21に接続される。アンプIC52のGND電極23は、ワイヤ43を通じて素子キャリア48に接続される。アンプIC52の信号出力電極22は、ワイヤ44を通じて、素子キャリア48上にパターニングされた高周波伝送路45に接続される。PD素子1の受光部11に入射した信号光は電流信号に変換される。当該電流信号は、PD素子1のアノード電極12から出力されて、ワイヤ42を通じてアンプIC52の信号入力電極21に入力される。電流信号はアンプIC52において電圧信号に変換されるとともに増幅される。当該電圧信号は、アンプIC52の信号出力電極22から高周波伝送路45を通じてモジュールの外部に出力される。図6は、実施の形態1に係る光受信モジュールの構成とその比較例の構成とについて、アンプに入力される電流の群遅延と周波数との関係を回路シミュレーションによって求めた結果を示した図である。図6に示されるように、比較例の構成の場合には、特定の周波数約16GHzの近傍において群遅延の遅れが生じる。この場合には、光受信モジュールから出力される信号の波形が劣化するという問題が生じる図12を参照。一方、本発明の実施の形態1による光受信モジュールの構成では、アンプICの信号入力電極とチップコンデンサとの間に抵抗素子が接続される。これによって、共振を減衰させることが可能になるので、群遅延特性の変動を抑制できる。したがって本発明の実施の形態1によれば群遅延特性を平坦化できる。ここで、アンプの入力部が反射点となる共振を抑制するための抵抗器は、一般にアンプの入力部に接続される。しかし、アンプの入力部に抵抗器を接続した場合には、PD素子からアンプICへと流れる信号電流によって、その抵抗器において熱雑音が発生する。この熱雑音がノイズとなり、さらにアンプICによって増幅される。しかしながら実施の形態1によれば、抵抗素子はアンプICの入力部には接続されていない。したがって実施の形態1によれば、共振を減衰することができるだけでなく、熱雑音に起因するノイズの発生も防ぐことができる。図1および図2を再び参照して、カソード電極13b,13cは受光部11a,11dの内側に位置する受光部11b,11cにそれぞれ接続され、PD素子1の外周14aの近傍およびPD素子1の外周14cの近傍へとそれぞれ引き出される。このためカソード電極13b,13cはカソード電極13a,13dよりも長い形状を有する。電極が長くなることによって寄生インダクタンスが大きくなる。したがって、比較例の構成のようにPD素子1のカソード電極に抵抗器が接続されていない場合、利得の周波数特性にピーキングがより強く発生する。図13にピーキングの例が示されているが、電極が長い場合において、15~20GHzの周波数の付近において、利得S21パラメータが上昇し、20GHz以上の周波数では利得が急激に下がっている。一方、実施の形態1によれば、PD素子に直列に抵抗器が接続される。抵抗器の抵抗値が大きいほど周波数特性の低下が発生する。実施の形態1では、カソード電極13a~13dの各々のインダクタンスの違いに応じて、薄膜抵抗基板5a~5dの抵抗値に適切な差を設ける。これによって、各チャネルでの周波数特性を実質的に一致させることができる。具体的には、2つのカソード電極の寄生インダクタンスが異なる場合に、寄生インダクタンスの大きいほうのカソード電極に接続される抵抗器の抵抗値を、寄生インダクタンスの小さいほうのカソード電極に接続される抵抗器の抵抗値より大きくする。これにより、複数のチャネルを有する光受信モジュールにおいて、各チャネルでの周波数特性を実質的に一致させることができる。より具体的には、2つのカソード電極の長さが異なる場合に、長いほうのカソード電極に接続された薄膜抵抗基板の抵抗値を、短いほうのカソード電極に接続された薄膜抵抗基板の抵抗値より大きくする。したがって、薄膜抵抗基板5b,5cの抵抗値は、薄膜抵抗基板5a,5dの抵抗値よりも大きく設定される。長いほうのカソード電極の寄生インダクタンスは短いほうのカソード電極の寄生インダクタンスよりも大きいので、上記のように抵抗値を異ならせることで各チャネルでの周波数特性を実質的に一致させることができる。図7は、本発明の実施の形態1による光受信モジュールの周波数特性の測定結果を示した図である。図7を参照して、グラフの縦軸はSパラメータS21を示し、グラフの横軸は周波数を示す。この測定では、PD素子へ信号光を入射する光ファイバを入力、光受信モジュールの高周波出力端子を出力とした。ネットワークアナライザに、キャリブレーションを行なった光変調器を接続し、入力された光のパワーと、出力された電力との比較により、S21パラメータを測定した。2つの曲線A,Bは、カソード電極の長さが異なる2つのモジュールにそれぞれ対応する周波数特性を示す。図7は、薄膜抵抗の抵抗値に適切な差を設けることによって、各チャネルの周波数特性を一致させることができることを示している。以上のように実施の形態1によれば、光受信モジュールにおける共振を抑制することができる。さらに実施の形態1によれば、薄膜抵抗の抵抗値を予め調整することで、複数のチャネルを有する光受信モジュールにおいて、各チャネルの周波数特性をそろえることができる。さらに実施の形態1では、複数のアンプICがPD素子を中心として対称配置され、複数のチップコンデンサおよび複数の抵抗素子薄膜抵抗基板5a~5dもPD素子を中心として対称配置される。なお、複数のチップコンデンサおよび複数の抵抗素子の配置方向は、複数のアンプICの配置方向と異なる。このような構成によって、各チャネルに対応するモジュールのそれぞれの受光部を近接して配置することができるので、複数の信号光の光路を、結合光学系の有効系内に収めることができる。したがって、1つの光学系を用いて複数の受光部に複数の信号光をそれぞれ結合させることができる。[実施の形態2]図8は、本発明の実施の形態2による光受信モジュールの構成を示す斜視図である。図1および図8を参照して、実施の形態2による光受信モジュール101は、薄膜抵抗基板5a~5dに代えて、カソード電極13a~13dにそれぞれ形成された薄膜抵抗パターン部15a~15dを抵抗素子として有する点において、実施の形態1による光受信モジュール100と異なる。図9は、図8に示した光モジュールの上面図である。図8および図9を参照して、実施の形態2による光受信モジュール101では、薄膜抵抗基板5a~5dおよびワイヤ31a~31dが省略される。さらにチップコンデンサ3a~3dが、それぞれワイヤ41a~41dを介して、カソード電極13a~13dに接続される。薄膜抵抗パターン部15a~15dは、それぞれカソード電極13a~13dの途中に設けられる。薄膜抵抗パターン部15aの抵抗値は、カソード電極13aの他の部分の抵抗値よりも大きい。薄膜抵抗パターン部15b~15dの各々の抵抗値についても、対応するカソード電極の他の部分の抵抗値よりも大きい。たとえばカソード電極のパターンを、ワイヤを接続する部分と受光部と接続される部分とに分割し、これらの部分の間が抵抗率の大きな材質のパターンへと置き換えられる。薄膜抵抗パターン部15b,15cの抵抗値は、薄膜抵抗パターン部15a,15dの抵抗値よりも大きく定められる。なお、光受信モジュール101の他の部分の構成は、実施の形態1による光受信モジュール100の対応する部分の構成と同様であるので、以後の詳細な説明は繰返さない。図10は、本発明の実施の形態2による光受信モジュールの1チャネルに対応する部分の等価回路図である。図3および図10を参照して、本発明の実施の形態2による光受信モジュールの回路構成は、本発明の実施の形態1による光受信モジュールの回路構成と同様である。実施の形態1と同じく実施の形態2では、PD素子のカソードとコンデンサとの間に直列に抵抗器が接続される。したがって、アンプICの入力部およびコンデンサの両方での反射による共振を減衰させることができる。また、実施の形態2によれば、上記薄膜抵抗パターンの抵抗値に、カソード電極のインダクタンスに応じて適切な差を設けることにより、各チャネルに対応するモジュールの周波数特性を一致させることができる。したがって実施の形態1と同様に、各チャネルに対応するモジュールのそれぞれの受光部を近接して配置することができる。したがって、1つの光学系を用いて、複数の信号光を複数の受光部にそれぞれ結合させることができる。さらに実施の形態2によれば、実施の形態1と比較して、コンデンサと受光部とを接続する電極の長さが短縮される。したがって実施の形態2によれば、実施の形態1に比較して、受光部からコンデンサまでに存在する寄生インダクタンスを削減できるので、周波数特性をより一層平坦化することができる。なお上記の各実施の形態では複数のチャネルを有する光受信モジュールを示したが、単一のチャネルを有する光受信モジュールにも本発明は適用可能である。また、複数の受光部は1次元に配置されるものと限定されず、2次元に配置されてもよい。この場合にも、各受光部のカソードに接続される電極の長さが異なる可能性がある。したがって抵抗素子の抵抗値を適切に調整することで、各チャネルに対応するモジュールの周波数特性を一致させることができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"