波長帯域が1260~1630nmの範囲の光に対して、50dB以上の消光比を有し、且つ挿入損失が0015dB以下、厚み方向におけるリタデーションがλ2以下であることを特徴とするガラス偏光子。前記ガラス偏光素子の製造方法において、溶融後のガラス成分が銀イオンを重量で02~03、および塩素イオンを重量で025~035になるよう調整しガラスを溶解する溶融工程と;前記溶融ガラス内部に軟化点より10~50°C低い温度で熱処理し、塩化銀を均一に析出させる塩化銀析出工程と;前記ガラスを所望の大きさに加工するプリフォーム製造工程と;前記プリフォームを加熱、延伸し、前記塩化銀粒子を一軸方向に伸張させてガラスシートを成形する延伸工程と;前記ガラスシート中の伸張された塩化銀を大気圧以下の圧力で還元する還元工程により製造される請求項1に記載のガラス偏光子。上記のような背景の下、本発明は、広帯域で高消光比、さらには低挿入損失、低い位相差を有するガラス偏光子を提供することを目的とする。上記課題を解決すべく、本発明者らは、種々の銀イオンおよび塩化物イオンの濃度をもつガラス組成を製作し、様々な温度で熱処理塩化銀粒子の析出を行い、消光性能、挿入損失、位相差、および帯域幅を検討した結果、ある濃度において消光性能、挿入損失、位相差および帯域幅の全てを満足する領域を発見し、更に検討を重ね本発明の完成に至った。すなわち、本発明は以下のガラス偏光子を提供する。1260~1630nmの広範囲において50dB以上の消光比を有し、且つ挿入損失が0015dB以下、厚み方向におけるリタデーションがλ2以下であるガラス偏光子。前記ガラス偏光素子の製造方法において、溶融後のガラス成分が銀イオンを重量で02~03、および塩素イオンを重量で025~035になるよう調整しガラスを溶解する溶融工程と;前記溶融ガラス内部に軟化点より10~50°C低い温度で熱処理し、塩化銀を均一に析出させる塩化銀析出工程と;前記ガラスを所望の大きさに加工するプリフォーム製造工程と;前記プリフォーム加熱、延伸し、前記塩化銀粒子を一軸方向に伸張させてガラスシートを成形する延伸工程と;前記ガラスシート中の伸張された塩化銀を大気圧以下の圧力で還元する還元工程により製造されるガラス偏光子。上記のように、本発明においては、溶融後のガラス組成中の銀イオンを重量で02~03、塩化物イオンを重量で025~035になるように調整し、軟化点より10~50°C低い温度で熱処理することにより、300nm以下の均一な塩化銀を析出させることが可能となる。この粒子径は、レイリー散乱の影響を抑え、且つ大気圧下での還元においても50dB以上の消光性能を達成することが可能である。さらに、粒子径を小さく保っていることから、位相差を小さくすることが可能であり、低挿入損失を実現することができる。また、108ホアズ以上の適切な温度で延伸を行うことにより、広帯域の偏光子を作製することが可能となる。300kgfcm2以上の大きな延伸張力を必要とするが、プリフォーム表面をRa粗さで20~100nmに加工することによって、ローラとの摩擦力が増大し、延伸中のすべりが格段に低減し、破損を大きく低下させることが可能である。また、摩擦力が増大することによって、張力をテープ全面に均一に伝えることができる。本発明における、銀イオンおよび塩化物イオンの含有量、熱処理温度について詳しく説明する。銀イオンおよび塩化物イオンの含有量は、消光比挿入損失および位相差に大きく影響する。含有量が多いと消光比を高くしやすい反面、挿入損失および位相差が増大する。また、溶融時に銀の析出を引き起こし、均一な塩化銀粒子を析出させることが困難となる。逆に銀イオンおよび塩化物イオンの濃度が少ないと挿入損失、位相差は低下するが、高い消光比を得ることが困難となる。また、これらの含有量と同様に塩化銀の粒子径も消光比挿入損失および位相差に大きく影響する。塩化銀の粒子径は、熱処理温度が高いほどおよび熱処理時間が長いほど粒子径が増大し、熱処理温度が低いほどおよび熱処理時間が短いほど粒子径が小さくなる。粒子径が大きいと消光比を高くしやすい反面、挿入損失および位相差が増大する。逆に粒子径が小さいと挿入損失および位相差は低下するが、高い消光比を得ることが困難となり、更に偏光特性を示す帯域が短波長側にシフトし、帯域幅が狭くなる。軟化点より10°C低い温度を超える温度で熱処理した際には、銀イオンおよび塩化物イオンの含有量をいくら低下させても、粒子径の増大により0015dBを下回る低い挿入損失を実現することが出来なくなる。また、熱処理温度が軟化点より50°C以上低い温度で行うと、粒子径が小さくなりすぎてしまい、大きな張力で延伸しても偏光特性を示す波長領域が通信波長領域より短波長となってしまう。従って、熱処理は軟化点以下、好ましくは軟化点より少なくとも10°C低く、軟化点より50°C低い温度以上で行うことが好ましい。上記温度領域で熱処理を行う場合、銀イオン濃度は重量で02~03、塩化物イオンは重量で025~035に調整する。銀イオン濃度が重量で02未満、塩化物イオンが重量で025未満の場合には、1260~1630nmの帯域全域において50dB以上の高消光比を実現することが出来ない。一方、銀イオン濃度が重量で03を越える、塩化物イオンが重量で035を超える場合には、挿入損失が002dB程度となってしまい、高い消光比を実現することが出来ない。小さな粒子を延伸する際には大きな張力が必要となるため、延伸時のすべりによる破損が大きな問題となる。上記条件で作製したプリフォームにおいては、少なくとも300kgfcm2以上の応力を必要とするため破損の可能性が高くなる。そのため、すべりによる破損の防止と、張力を均一に伝えるために、プリフォーム表面をRaで20~100nm、好ましくは40~70nmに調整する。このようなプリフォームを108ホアズ以上の粘性で延伸を行うことにより、1260~1650nmの広範囲において50dB以上の消光比を有し、且つ挿入損失が0015dB以下、厚み方向におけるリタデーションがλ2以下であることを特徴とするガラス偏光子を得ることができる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。銀イオン含有量を重量で008~04、塩化物イオンを重量で01~05の間で、様々な含有量の組み合わせとなるよう複数の銀イオンおよび塩化物イオンを含有したガラスブロックを作製した。次いで、これらのガラスを60×300×40mmとなるように成型し軟化点60°Cから軟化点までの温度で熱処理を施し、塩化銀粒子を析出させた。この塩化銀含有ガラス成型物を厚さが23mmとなるように両面を研削した。この時表面粗さRaは50nmとなるように調整した。作製したプリフォームは、熱処理温度に応じて300~600kgfcm2の張力で延伸を行った。この時、延伸テープの幅は26mmとなるように温度、延伸速度を調整した。作製した延伸テープは、26×21の大きさに切断し、厚さが05mm、平面度がλ以下となるように光学研磨を施した。上記ガラス成型物を、420°C、水素分圧が0012MPaとなるように水素還元炉を調整し、8時間還元を行い、次いで両面にARコートを施してガラス偏光子作製した。得られたガラス偏光子は、レーザ光源、グラントムソンプリズム、マルチメータを用いて、消光比、挿入損失を測定した。また、リタデーション測定装置により400~1100nmまでの位相差を測定し、外挿により1260、1430、1630nmの位相差を算出した。その結果を、表1に示す。以上のように、銀イオンおよび塩化物イオンの含有量と熱処理温度を適切に調整することにより、広帯域で高消光比、さらには低挿入損失、低い位相差を有するガラス偏光子を提供することが可能となる。