半導体装置を形成する基板上に、下層レジスト、金属層および上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する準備段階と、前記上層レジストにパターンを形成する上層パターン形成段階と、前記上層レジストのパターンを前記金属層に転写する金属層転写段階と、前記下層レジストが被覆層により被覆された状態において、前記金属層のパターンに光を照射して近接場光を発生させることにより、前記金属層の前記パターンよりも微細なパターンを前記下層レジストに形成する下層パターン形成段階と、前記下層レジストの前記パターンを前記基板上に転写する基板転写段階とを備える半導体装置形成方法。前記被覆層は、前記金属層転写段階において前記金属層の窪みの底に残された残存金属層である請求項1に記載の半導体装置形成方法。前記下層パターン形成段階の前に、前記残存金属層を酸化させる工程をさらに備える請求項2に記載の半導体装置形成方法。前記下層パターン形成段階における露光は、ArFエキシマレーザの光が用いられると共に、前記金属層はAlにより形成される請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置形成方法。前記被覆層は、前記準備段階において前記下層レジストと前記金属層との間に配された保護層であって、前記保護層は、前記金属層転写段階において前記金属層の前記パターンに含まれる開口から露出する請求項1に記載の半導体装置形成方法。前記金属層転写段階において、前記金属層にはエッチングにより前記開口が形成され、前記保護層は前記金属層のエッチングに対して耐腐食性を有する請求項5に記載の半導体装置形成方法。前記下層パターン形成段階における露光はArFエキシマレーザの光が用いられると共に、前記金属層はAlにより形成され、前記保護層は、Al2O3、SiO2、SiNのいずれかにより形成される請求項6に記載の半導体装置形成方法。前記上層レジストはネガレジストであって、前記保護層は有機溶剤に溶ける樹脂である請求項7に記載の半導体装置形成方法。前記準備段階において、前記基板と前記保護層との間に、前記下層パターン形成段階で用いられる光に対して負の誘電率を有する金属により形成されたスーパーレンズ層がさらに配される請求項5から8のいずれか1項に記載の半導体装置形成方法。前記スーパーレンズ層の金属は前記金属層の金属と同一材料である請求項9に記載の半導体装置形成方法。前記上層レジストおよび前記下層レジストは同じ波長に対して感光する請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置形成方法。前記上層レジストおよび前記下層レジストは同じ材料により形成される請求項11に記載の半導体装置形成方法。しかしながら、金属層の下方に配置されたレジストが、種々の要因によって劣化するといった課題がある。本発明の第1の態様においては、半導体装置を形成する基板上に、下層レジスト、金属層および上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する準備段階と、前記上層レジストにパターンを形成する上層パターン形成段階と、前記上層レジストのパターンを前記金属層に転写する金属層転写段階と、前記下層レジストが被覆層により被覆された状態において、前記金属層のパターンに光を照射して近接場光を発生させることにより、前記金属層の前記パターンよりも微細なパターンを前記下層レジストに形成する下層パターン形成段階と、前記下層レジストの前記パターンを前記半導体基板に転写する基板転写段階とを備える半導体装置形成方法を提供する。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1から図10は、半導体装置形成方法を説明する工程図である。図1に示すように、まず、準備段階において、基板10の一方の面に、下層レジスト12と、金属層14と、上層レジスト16とが、この順で半導体装置を形成する積層されて配された加工対象を準備する。基板10は、半導体装置を形成する基板であればよく、例えば、シリコン等の半導体材料、GaAs等の化合物半導体材料、ガラス等の絶縁材料によって構成される。尚、この準備段階で、半導体装置が基板10に形成されていてもよい。下層レジスト12は、例えば、半導体装置の一部を構成する配線層をパターニングする。下層レジスト12は、基板10の一面に密着して形成される。下層レジスト12を構成する材料の一例は、193nmの光によって感光されるArFポジレジストである。ArFポジレジストの一例は、脂環アクリレート樹脂、主脂環系材料等である。下層レジスト12の厚みの一例は、15nmから100nmであって、好ましくは15nmから20nmである。下層レジスト12は、スピンコートまたは吹きつけ等によって、基板10の一面の全面に塗布された後、プリベークによって仮硬化される。金属層14は、下端に近接場光を発生させて、下層レジスト12を露光する。金属層14は、下層レジスト12の一面に密着して形成されている。金属層14は、193nm光に対して表面プラズモンを効率よく発生させるアルミニウム=Alによって構成される。金属層14を構成するアルミニウム=Alは、真空蒸着によって形成される。尚、金属層14は、基板10が低温または非加熱の状態で蒸着することが好ましい。金属層14は、アルミニウム以外の金属によって構成してもよい。金属層14を構成する材料は、下層レジスト12を露光する光の波長によって表面プラズモンを効率よく発生させる材料が好ましい。金属層14の厚みの一例は、50nmから100nmである。上層レジスト16は、金属層14をパターニングする。上層レジスト16は、金属層14の一面に密着して形成されている。上層レジスト16を構成する材料の一例は、下層レジスト12と同一材料のArFポジレジストである。即ち、上層レジスト16は、下層レジスト12と同じ波長の光に対して感光する。尚、上層レジスト16及び下層レジスト12を異なる材料によって構成してもよい。上層レジスト16の厚みの一例は、100nmである。上層レジスト16は、スピンコートまたは吹きつけ等によって下層レジスト12の一面に塗布された後、プリベークによって仮硬化される。次に、図2に示すように、上層パターン形成段階において、位相シフトマスク50を介して、ArFエキシマレーザから出力された193nmの波長のレーザ光54を上層レジスト16に照射して、位相シフト法により上層レジスト16をリソグラフィーする。位相シフトマスク50は、透過部51と、位相シフト部52と、遮光部53とを有する。透過部51、位相シフト部52、及び、遮光部53は、紙面表裏方向に延びる長方形状に形成されている。透過部51、位相シフト部52、及び、遮光部53は、幅方向に周期的に配置されている。位相シフト部52は、透過部51に対して、光の位相をシフトさせる。遮光部53は、透過部51と、位相シフト部52との間に配置され、レーザ光54を遮光する。透過部51、位相シフト部52、及び、遮光部53の幅の一例は、対象のパターンの約4倍である。これにより、上層レジスト16が、位相シフトマスク50の透過部51及び位相シフト部52による一次回折光によって、透過部51及び位相シフト部52よりも微細なパターンで露光される。この後、位相シフトマスク50を除去する。尚、位相シフト法に代えて、水等の液体を介在させて露光する液浸を、上層レジスト16の露光方法として適用してもよい。この後、図3に示すように、上層レジスト16をパドル現像する。パドル現像では、TMAH=水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液またはアセトン等の有機溶剤が、表面張力によって上層レジスト16の一面の全面に塗布される。これにより、透過部51及び位相シフト部52による一次回折光によって露光された領域の上層レジスト16が除去される。この結果、紙面表裏方向に延びる線状の開口20を含むパターンが上層レジスト16に形成される。上層レジスト16の開口20の幅は、例えば、45nmから100nmである。尚、2本の開口20が並列して形成されるが、以下の説明においては、1本のみを表示して説明する。次に、図4に示すように、金属層転写段階において、上層レジスト16のパターンをマスクとして、塩素系ガスによる反応性イオンエッチングによって金属層14をパターニングする。これにより、上層レジスト16のパターンが金属層14に転写される。ここで、下層レジスト12が、金属層14のエッチング領域から露出する前に、エッチングが停止される。これにより、金属層14に未貫通の窪み22が形成される。従って、金属層14の一部が、残存金属層として窪み22の底に残り、この残存金属層が下層レジスト12を被覆して保護する被覆層24として機能する。被覆層24の厚みの一例は、数nmである。尚、被覆層24を構成する残存金属層を、後述する下層パターン形成段階の前に、酸化させてもよい。これにより、被覆層24は、Al2O3によって構成される。次に、図5に示すように、O2プラズマを用いたアッシングによって、上層レジスト16を除去する。ここで、下層レジスト12は、窪み22に残存している被覆層24によって被覆されている。これにより、O2プラズマによる下層レジスト12の破損が抑制される。次に、図6に示すように、下層パターン形成段階において、ArFエキシマレーザから出力された193nmの波長の偏光であるレーザ光54を、マスクとして機能する金属層14に照射する。レーザ光54の偏光方向は、窪み22の幅方向である。金属層14の窪み22の幅は、レーザ光54の波長よりも小さい。従って、被覆層24の厚みが、レーザ光54を透過可能な厚みであっても、金属層14の窪み22は、レーザ光54をほとんど伝搬させない。これにより、窪み22の下方の領域の下層レジスト12は、伝搬光によってはほとんど露光しない。一方、表面プラズモンが、偏光のレーザ光54によって、金属層14の窪み22の側壁に形成される。これにより、金属層14の下端であって、窪み22の両側のエッジから近接場光60が発生する。この近接場光60は、急激に減衰する光である。従って、近接場光60は、窪み22のエッジの近傍の領域の下層レジスト12へと局所的に入射する。この急激に減衰する近接場光60により、当該領域の下層レジスト12を構成する分子の各電子が、異なる位相、異なる振幅、異なる方向に振動する。これにより、当該分子が、化学反応を起こして、当該領域が感光する。この結果、近接場光60によって露光された露光領域62が、窪み22の両側のエッジの下方の領域の下層レジスト12に、例えば、約10nmの幅で形成される。尚、金属層14をアルミニウム以外の金属によって構成する場合、近接場光60の強度を強くするため、表面プラズモン共鳴を生じさせる波長の偏光により金属層14を照射することが好ましい。次に、図7に示すように、金属層14を酸性あるいは塩基性溶剤によるウエットエッチング、もしくは塩素系ガスによるドライエッチングによって除去する。塩素系ガスの一例は、Cl2、BCl3、SiCl4である。次に、図8に示すように、下層パターン形成段階において、下層レジスト12をTMAH等によってパドル現像する。下層レジスト12は、ポジ型なので、露光領域62が除去される。これにより、下層レジスト12には、金属層14の窪み22を含むパターンよりも微細な開口26を含むパターンが形成される。この結果、基板10の一部が開口26から露出する。次に、図9に示すように、基板転写段階において、下層レジスト12と、開口26から露出した基板10の面とに、蒸着によって、配線層28を形成する。配線層28は、アルミニウム等の導電性材料によって構成される。次に、図10に示すように、下層レジスト12とともに、下層レジスト12の一面に形成された配線層28をアセトン等の有機溶剤により除去する。これにより、下層レジスト12のパターンが、基板10の一面上の配線層28に転写される。この結果、パターニングされて紙面表裏方向に延びる線状に延びる配線層28であって、半導体装置の一部を構成する配線層28が形成される。例えば、配線層28の配線の幅は10nmであって、配線間隔は20nmから30nmである。上述したように、本実施形態では、金属層転写段階において、被覆層24として一部が残るように金属層14をエッチングする。この被覆層24が存在して、下層レジスト12が金属層14によって覆われている状態で、O2プラズマによって上層レジスト16を除去する。これにより、下層レジスト12が、O2プラズマによって除去されないので、下層レジスト12の破損を抑制できる。図11から図13は、下層レジスト12の上面に保護層30を形成する半導体装置形成方法を説明する図である。図11に示すように、まず、準備段階において、基板10の一方の面に、下層レジスト12と、保護層30と、金属層14と、上層レジスト16とを、この順で積層して加工対象を準備する。保護層30は、上層レジスト16の現像時などにおいて、下層レジスト12を保護する。保護層30は、下層レジスト12の一面に密着して形成されている。保護層30は、下層レジスト12と金属層14と間に配されている。保護層30は、近接場光60を透過する材料であって、金属層14のエッチングガスに対して耐腐食性を有する材料からなる。保護層30の一例は、SiO2である。保護層30の厚みは、近接場光60の到達距離よりも短い。保護層30の厚みの一例は、数nmから10nmである。保護層30は、スピンコートまたは蒸着によって形成される。保護層30は、SiO2以外の材料で構成してもよく、例えば、Al2O3、SiN、PMMA=ポリメタクリル酸メチル等によって構成してもよい。次に、図12に示すように、上層パターン形成段階において、上述と同様の方法によって、上層レジスト16をパターニングする。この後、金属層転写段階において、上層レジスト16をマスクとして、塩素系ガスによる反応性イオンエッチングによって、アルミニウムからなる金属層14をパターニングする。これにより、上層レジスト16のパターンが金属層14に転写される。この結果、開口122が金属層14に形成され、保護層30が開口122から露出する。次に、図13に示すように、O2プラズマを用いたアッシングによって、上層レジスト16を除去する。ここで、下層レジスト12は、保護層30によって覆われているので、O2プラズマによって除去されない。この後、下層パターン形成段階において、ArFエキシマレーザから出力された193nmの波長の偏光であるレーザ光54を、マスクとして機能する金属層14に照射する。金属層14の下端であって、開口122の両側のエッジの下方に近接場光60が発生する。ここで、保護層30は、数nmと薄いので、近接場光60は、下層レジスト12に達する。これにより、開口122のエッジの下方の領域の下層レジスト12は、近接場光60によって露光される。次に、酸性あるいは塩基性溶剤によるウエットエッチング、もしくは塩素系ガスによるドライエッチングによって金属層14を除去した後、フッ化アンモニウム液のウエットエッチングまたはフッ素系ガスのドライエッチングによって保護層30を除去する。下層レジスト12をパドル現像する。これにより、図8に示す状態となる。この後、図9及び図10に示す工程を経て、配線層28が形成される。上述したように、本実施形態では、下層レジスト12が保護層30によって覆われた状態で、上層レジスト16をO2プラズマにより除去する。これにより、下層レジスト12の破損を抑制できる。図14から図16は、金属層14と下層レジスト12との間にスーパーレンズ層32を設けた半導体装置形成方法を説明する図である。図14に示すように、まず、準備段階において、基板10の一方の面に、下層レジスト12と、スーパーレンズ層32と、保護層30と、金属層14と、上層レジスト16とを、この順で積層して加工対象を準備する。スーパーレンズ層32は、金属層14の開口122のエッジに発生する近接場光60を、幅方向における開口122の中央へと集光する。スーパーレンズ層32は、下層レジスト12の一面に密着して形成されている。スーパーレンズ層32は、基板10及び下層レジスト12と、保護層30との間に形成されている。スーパーレンズ層32は、下層パターン形成段階で用いられる光、例えば、ArFエキシマレーザから出力される193nmのレーザ光54に対して負の誘電率を有する材料からなる。スーパーレンズ層32は、例えば、アルミニウムからなる。即ち、スーパーレンズ層32を構成する金属は、金属層14を構成する金属と同一材料である。スーパーレンズ層32の厚みの一例は、10nmである。スーパーレンズ層32は、低温または非加熱状態での蒸着によって形成される。保護層30は、スーパーレンズ層32の一面に密着して形成されている。保護層30は、例えば、2.0の屈折率を有するSiNによって構成される。保護層30の厚みの一例は、10nmである。尚、保護層30は、省略してもよい。次に、上述した上層パターン形成段階及び金属層パターン形成段階を実行して、図15に示すように、金属層14に開口122を形成する。これにより、開口122から保護層30が露出する。この後、上層レジスト16を除去する。次に、図16に示すように、下層パターン形成段階において、ArFエキシマレーザから出力された193nmの波長の偏光であるレーザ光54を、マスクとして機能する金属層14に照射する。これにより、金属層14の開口122の下端のエッジから近接場光60が出力する。この近接場光60は、保護層30及びスーパーレンズ層32を介して、下層レジスト12に入射する。ここで、スーパーレンズ層32は、レーザ光54に対して、負の誘電率を有する。従って、スーパーレンズ層32は、入射する方向と同じ方向に近接場光60を屈折させる。これにより、開口122の両側のエッジから発生した2個所の近接場光60は、開口122の内側の下方の下層レジスト12を露光する。この後、金属層14、保護層30及びスーパーレンズ層32を除去した後、配線層28を形成する。上述したように、本実施形態では、下層レジスト12が保護層30によって覆われた状態で、上層レジスト16をO2プラズマにより除去する。これにより、下層レジスト12の破損を抑制できる。近接場光60が、スーパーレンズ層32を介して、下層レジスト12を露光する。これにより、金属層14の開口122の両側のエッジから発生する2個の近接場光60が互いに近づくので、露光領域62の間隔を小さくすることができる。この結果、配線層28の各配線の間隔を小さくすることができるので、半導体装置の小型化を実現できる。スーパーレンズ層32の一面に保護層30を設けることによって、近接場光60のサイドローブを抑制することができる。ここでいうサイドローブとは、開口122のエッジの下方にできる近接場光60のピークの両側に発生する光の強度ピークのことである。尚、開口122の幅が小さい場合、各近接場光60の両側のサイドピークのうち、開口122の中心側のピークは、隣接する近接場光60の重複する場合がある。次に、スーパーレンズ層32に関するシミュレーションについて説明する。図17は、スーパーレンズ層32及び保護層30の有無を変えて調べた近接場光の強度である。具体的には、図16と同様にスーパーレンズ層32及び保護層30がある場合、図16の形態から保護層30を省略してスーパーレンズ層32がある場合、図16の形態からスーパーレンズ層32及び保護層30を省略してその両方がない場合のそれぞれについて、193nmの光による下層レジスト12の上面から10nmの深さの近接場光の強度を調べた。図17において、縦軸は近接場光の強度を示す。横軸は、金属層14の幅方向の位置を示す。横軸において、400nmは、金属層14の開口122の中心を示す。金属層14の開口122の幅は100nm、金属層14の厚みは100nm、スーパーレンズ層32の厚みは20nmとして、FDTDFinitedifferencetimedomain法によって近接場光の強度を調べた。図17に示すように、スーパーレンズ層32及び保護層30がない場合に比べて、スーパーレンズ層32がある場合の方が近接場光60の両側のピークが、開口122の中央に寄って、両側のピークの間隔が小さくなっていることがわかる。更に、スーパーレンズ層32がある場合において、保護層30を設けることによって、両側のピークの間隔がより小さくなっていることがわかる。これにより、配線層28の配線と配線との間の間隔を小さくすることができるので、半導体装置をより小型化することができる。また、スーパーレンズ層32及び保護層30を設けることによって、開口122の中央、即ち、横軸において400nmの位置に形成されるピークであるサイドローブがほとんど消えていることがわかる。上述した各実施形態における各構成の材料、形状、厚み及び開口の幅等の数値は適宜変更してよい。また、各実施形態の一部を組み合わせてもよい。レジスト材料、レジスト材料のポジ型とネガ型の変更、露光用の光、エッチング液及びエッチングガス等の組み合わせは適宜変更してよい。例えば、上層レジスト16をネガレジストによって構成してもよい。ネガレジストの一例は、化学増幅型のArFネガレジストである。この場合、保護層30は、有機溶剤に溶ける樹脂によって構成することが好ましい。上述の実施形態では、線状のパターンを例にあげたが、円形状または正方形状等の他の形状のパターンを形成してもよい。図18は、円形状の開口222のパターンを説明する平面図である。金属層14に形成されるパターンとなる円形状の開口222の直径の一例は、45nmである。このパターンに偏光を照射すると、円形状の開口222の偏光方向の両端に近接場光60が生成される。この場合、最終的に得られるパターンの一例は、40nmの間隔で配置される直径20nmの2個の楕円形状である。上述の実施形態では、配線層28を形成することを目的とするパターンを形成したが、配線層28を切断するためのパターンを形成することを目的としてもよい。上述の実施形態では、ArFエキシマレーザによってレジストを露光したが、他のレーザによって露光してもよい。他のレーザとして、248nmの波長のレーザ光を出力するKrFエキシマレーザ、157nmの波長のレーザ光を出力するF2レーザ、632.8nmの波長のレーザ光を出力するHeNeレーザ、365nmの波長のi線をあげることができる。尚、i線によって露光する場合には、金属層14をAgによって構成することが好ましい。HeNeによって露光する場合には、金属層14はAuまたはCuによって構成することが好ましい。上述の実施形態では、上層レジスト16を除去した後、近接場光60を発生させたが、上層レジスト16を残した状態で、近接場光60を発生させて下層レジスト12を露光してもよい。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。