ベース基板と、前記ベース基板上に形成される第1アクティブパターンと、該第1アクティブパターン上に離隔されて形成される第1センシングソース電極と、前記第1アクティブパターン上に前記第1センシングソース電極と離隔して形成される第1センシングドレイン電極と、前記第1センシングソース電極及び前記第1センシングドレイン電極上に形成される第1センシングゲート電極とを含んで、第1光を感知する第1センシング素子と、前記第1光の受光の有無に基づき、前記第1センシングゲート電極に第1センシングゲート電圧と前記第1センシングゲート電圧のレベルより高い第2センシングゲート電圧との内の少なくとも1つを提供する第1可変電圧部とを有することを特徴とするタッチ基板。前記第1可変電圧部は、前記第1光を受光しない時、前記第1センシングゲート電極に前記第1センシングゲート電圧を提供し、前記第1光を受光した時、前記第1センシング素子の光電流を増加させるために前記第1センシングゲート電極に前記第2センシングゲート電圧を提供することを特徴とする請求項1に記載のタッチ基板。前記ベース基板上に形成される第1スイッチングゲート電極と、前記第1スイッチングゲート電極上に形成される第2アクティブパターンと、該第2アクティブパターン上に形成される第1スイッチングソース電極と、前記第2アクティブパターン上に前記第1スイッチングソース電極と離隔して形成される第1スイッチングドレイン電極とを含む第1スイッチング素子と、前記第1スイッチングゲート電極と電気的に接続されて前記第1スイッチングゲート電極に第1センシングゲート信号を伝送する第1センシングゲートラインと、前記第1センシングソース電極と電気的に接続されて前記第1センシングソース電極に第1バイアス電圧を伝送する第1バイアス電圧ラインと、前記第1可変電圧部と電気的に接続されて前記第1可変電圧部に第2バイアス電圧を印加する第2バイアス電圧ラインとをさらに有することを特徴とする請求項1に記載のタッチ基板。前記第1可変電圧部は、前記第1光を遮断する第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成され、前記第1バイアス電圧ラインと電気的に接続される第1可変ソース電極と、前記第2バイアス電圧ラインと電気的に接続される第2可変ソース電極と、前記第1可変ソース電極と前記第2可変ソース電極との間に相互離隔されて形成され、前記第1センシングゲート電極と電気的に接続される第1共通ドレイン電極と、前記第1及び第2可変ソース電極と前記第1共通ドレイン電極の下部に形成される第1共通アクティブパターンと、前記第1及び第2可変ソース電極と前記第1共通ドレイン電極の上部に形成され、前記第1共通アクティブパターンと重畳する第1共通ゲート電極とを含むことを特徴とする請求項3に記載のタッチ基板。前記第1共通ゲート電極は、前記第2可変ソース電極と電気的に接続されて前記第2バイアス電圧を受信することを特徴とする請求項4に記載のタッチ基板。前記第1可変電圧部は、前記第1光を遮断する第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成され、前記第1バイアス電圧ラインと電気的に接続される第1入力電極と、前記第2バイアス電圧ラインと電気的に接続される第2入力電極と、前記第1入力電極と第2入力電極との間に相互離隔されて形成され、前記第1センシングゲート電極と電気的に接続される第1共通出力電極と、前記第1及び第2入力電極と前記第1共通出力電極の下部に形成される第1共通アクティブパターンとを含むことを特徴とする請求項3に記載のタッチ基板。前記ベース基板上に形成される第2スイッチングゲート電極と、前記第2スイッチングゲート電極上に形成される第3アクティブパターンと、該第3アクティブパターン上に形成される第2スイッチングソース電極と、前記第3アクティブパターン上に前記第2スイッチングソース電極と離隔して形成される第2スイッチングドレイン電極とを含む第2スイッチング素子と、前記第2スイッチングソース電極と電気的に接続される第2センシングドレイン電極と、前記第2センシングドレイン電極と離隔して形成される第2センシングソース電極と、前記第2センシングドレイン電極及び前記第2センシングソース電極の下部に形成される第4アクティブパターンと、前記第2センシングドレイン電極と第2センシングソース電極上に形成される第2センシングゲート電極とを含んで、第2光を感知する第2センシング素子と、前記第2光の受光の有無に基づき、前記第2センシングゲート電極に第3センシングゲート電圧と前記第3センシングゲート電圧のレベルより高い第4センシングゲート電圧との内の少なくとも1つを提供する第2可変電圧部とをさらに有することを特徴とする請求項3に記載のタッチ基板。前記第2スイッチングゲート電極と電気的に接続される第2センシングゲートラインと、前記第1スイッチングドレイン電極と電気的に接続され、前記第1光の感知による前記第1センシング素子からの第1センシング信号を出力する第1リードアウトラインと、前記第2スイッチングドレイン電極と電気的に接続され、前記第2光の感知による前記第2センシング素子からの第2センシング信号を出力する第2リードアウトラインとをさらに有することを特徴とする請求項7に記載のタッチ基板。前記第1光は赤外光であり、前記第2光は可視光であって、前記第1センシング素子の下部に形成され、前記第1光は透過させ、前記第2光は吸収する第2遮光パターンをさらに有することを特徴とする請求項7に記載のタッチ基板。前記第1光は可視光であり、前記第2光は赤外光であって、前記第2センシング素子の下部に形成され、前記第2光は透過させ、前記第1光は吸収する第2遮光パターンをさらに有することを特徴とする請求項7に記載のタッチ基板。ベース基板上に第1遮光パターンを形成する段階と、前記第1遮光パターンが形成された前記ベース基板上に第1アクティブパターンと前記第1遮光パターンと重畳する第1共通アクティブパターンとを形成する段階と、前記第1アクティブパターン上に互いに離隔して配置される前記第1センシングソース電極と第1センシングドレイン電極とを形成する段階と、前記第1共通アクティブパターン上に互いに離隔して配置される第1可変ソース電極、第1共通ドレイン電極、及び第2可変ソース電極を形成する段階と、前記第1センシングソース電極及び第1センシングドレイン電極上に配置され前記第1共通ドレイン電極と電気的に接続された第1センシングゲート電極と、前記第1可変ソース電極、第2可変ソース電極、及び前記第1共通ドレイン電極上に配置される第1共通ゲート電極とを形成する段階とを有することを特徴とするタッチ基板の製造方法。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項11に記載のタッチ基板の製造方法。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンを形成する前に前記ベース基板上に第2遮光パターンを形成する段階をさらに有し、前記第2遮光パターンは、前記第1アクティブパターンと重畳するように形成されることを特徴とする請求項11に記載のタッチ基板の製造方法。前記第1遮光パターン、前記第2遮光パターン、前記第1アクティブパターン、及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンを含むことを特徴とする請求項13に記載のタッチ基板の製造方法。前記第1センシングソース電極と前記第1センシングゲート電極との間、前記第1センシングドレイン電極と前記第1センシングゲート電極との間、前記第1可変ソース電極と前記第1共通ゲート電極との間、及び第2可変ソース電極と前記第1共通ゲート電極との間に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層に前記第2可変ソース電極を露出させるコンタクトホールを形成する段階とをさらに有し、前記第1共通ゲート電極は、前記コンタクトホールを通じて前記第2可変ソース電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項11に記載のタッチ基板の製造方法。ベース基板上に第1遮光パターンを形成する段階と、前記第1遮光パターンが形成された前記ベース基板上に第1アクティブパターンと前記第1遮光パターンと重畳する第1共通アクティブパターンとを形成する段階と、前記第1アクティブパターン上に互いに離隔して配置される前記第1センシングソース電極と第1センシングドレイン電極とを形成する段階と、前記第1共通アクティブパターン上に互いに離隔して配置される第1可変ソース電極、第1共通ドレイン電極、及び第2可変ソース電極を形成する段階と、前記第1センシングソース電極及び第1センシングドレイン電極上に配置され、前記第1共通ドレイン電極と電気的に接続される第1センシングゲート電極を形成する段階とを有することを特徴とするタッチ基板の製造方法。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項16に記載のタッチ基板の製造方法。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンを形成する前に前記ベース基板上に第2遮光パターンを形成する段階をさらに有し、前記第2遮光パターンは、前記第1アクティブパターンと重畳するように形成されることを特徴とする請求項16に記載のタッチ基板の製造方法。前記第1遮光パターン、前記第2遮光パターン、前記第1アクティブパターン、及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンを含むことを特徴とする請求項18に記載のタッチ基板の製造方法。そこで、本発明は上記従来のタッチパネルにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、タッチ感度を向上させたタッチパネルに用いられるタッチ基板を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記タッチ基板を製造するのに最も適合したタッチ基板の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するためになされた本発明によるタッチ基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成される第1アクティブパターンと、該第1アクティブパターン上に離隔されて形成される第1センシングソース電極と、前記第1アクティブパターン上に前記第1センシングソース電極と離隔して形成される第1センシングドレイン電極と、前記第1センシングソース電極及び前記第1センシングドレイン電極上に形成される第1センシングゲート電極とを含んで、第1光を感知する第1センシング素子と、前記第1光の受光の有無に基づき、前記第1センシングゲート電極に第1センシングゲート電圧と前記第1センシングゲート電圧のレベルより高い第2センシングゲート電圧との内の少なくとも1つを提供する第1可変電圧部とを有することを特徴とする。前記第1可変電圧部は、前記第1光を受光しない時、前記第1センシングゲート電極に前記第1センシングゲート電圧を提供し、前記第1光を受光した時、前記第1センシング素子の光電流を増加させるために前記第1センシングゲート電極に前記第2センシングゲート電圧を提供することが好ましい。前記ベース基板上に形成される第1スイッチングゲート電極と、前記第1スイッチングゲート電極上に形成される第2アクティブパターンと、該第2アクティブパターン上に形成される第1スイッチングソース電極と、前記第2アクティブパターン上に前記第1スイッチングソース電極と離隔して形成される第1スイッチングドレイン電極とを含む第1スイッチング素子と、前記第1スイッチングゲート電極と電気的に接続されて前記第1スイッチングゲート電極に第1センシングゲート信号を伝送する第1センシングゲートラインと、前記第1センシングソース電極と電気的に接続されて前記第1センシングソース電極に第1バイアス電圧を伝送する第1バイアス電圧ラインと、前記第1可変電圧部と電気的に接続されて前記第1可変電圧部に第2バイアス電圧を印加する第2バイアス電圧ラインとをさらに有することが好ましい。前記第1可変電圧部は、前記第1光を遮断する第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成され、前記第1バイアス電圧ラインと電気的に接続される第1可変ソース電極と、前記第2バイアス電圧ラインと電気的に接続される第2可変ソース電極と、前記第1可変ソース電極と前記第2可変ソース電極との間に相互離隔されて形成され、前記第1センシングゲート電極と電気的に接続される第1共通ドレイン電極と、前記第1及び第2可変ソース電極と前記第1共通ドレイン電極の下部に形成される第1共通アクティブパターンと、前記第1及び第2可変ソース電極と前記第1共通ドレイン電極の上部に形成され、前記第1共通アクティブパターンと重畳する第1共通ゲート電極とを含むことが好ましい。前記第1共通ゲート電極は、前記第2可変ソース電極と電気的に接続されて前記第2バイアス電圧を受信することが好ましい。前記第1可変電圧部は、前記第1光を遮断する第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成され、前記第1バイアス電圧ラインと電気的に接続される第1入力電極と、前記第2バイアス電圧ラインと電気的に接続される第2入力電極と、前記第1入力電極と第2入力電極との間に相互離隔されて形成され、前記第1センシングゲート電極と電気的に接続される第1共通出力電極と、前記第1及び第2入力電極と前記第1共通出力電極の下部に形成される第1共通アクティブパターンとを含むことが好ましい。前記ベース基板上に形成される第2スイッチングゲート電極と、前記第2スイッチングゲート電極上に形成される第3アクティブパターンと、該第3アクティブパターン上に形成される第2スイッチングソース電極と、前記第3アクティブパターン上に前記第2スイッチングソース電極と離隔して形成される第2スイッチングドレイン電極とを含む第2スイッチング素子と、前記第2スイッチングソース電極と電気的に接続される第2センシングドレイン電極と、前記第2センシングドレイン電極と離隔して形成される第2センシングソース電極と、前記第2センシングドレイン電極及び前記第2センシングソース電極の下部に形成される第4アクティブパターンと、前記第2センシングドレイン電極と第2センシングソース電極上に形成される第2センシングゲート電極とを含んで、第2光を感知する第2センシング素子と、前記第2光の受光の有無に基づき、前記第2センシングゲート電極に第3センシングゲート電圧と前記第3センシングゲート電圧のレベルより高い第4センシングゲート電圧との内の少なくとも1つを提供する第2可変電圧部とをさらに有することが好ましい。前記第2スイッチングゲート電極と電気的に接続される第2センシングゲートラインと、前記第1スイッチングドレイン電極と電気的に接続され、前記第1光の感知による前記第1センシング素子からの第1センシング信号を出力する第1リードアウトラインと、前記第2スイッチングドレイン電極と電気的に接続され、前記第2光の感知による前記第2センシング素子からの第2センシング信号を出力する第2リードアウトラインとをさらに有することが好ましい。前記第1光は赤外光であり、前記第2光は可視光であって、前記第1センシング素子の下部に形成され、前記第1光は透過させ、前記第2光は吸収する第2遮光パターンをさらに有することが好ましい。前記第1光は可視光であり、前記第2光は赤外光であって、前記第2センシング素子の下部に形成され、前記第2光は透過させ、前記第1光は吸収する第2遮光パターンをさらに有することが好ましい。上記目的を達成するためになされた本発明によるタッチ基板の製造方法は、ベース基板上に第1遮光パターンを形成する段階と、前記第1遮光パターンが形成された前記ベース基板上に第1アクティブパターンと前記第1遮光パターンと重畳する第1共通アクティブパターンとを形成する段階と、前記第1アクティブパターン上に互いに離隔して配置される前記第1センシングソース電極と第1センシングドレイン電極とを形成する段階と、前記第1共通アクティブパターン上に互いに離隔して配置される第1可変ソース電極、第1共通ドレイン電極、及び第2可変ソース電極を形成する段階と、前記第1センシングソース電極及び第1センシングドレイン電極上に配置され前記第1共通ドレイン電極と電気的に接続された第1センシングゲート電極と、前記第1可変ソース電極、第2可変ソース電極、及び前記第1共通ドレイン電極上に配置される第1共通ゲート電極とを形成する段階とを有することを特徴とする。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンゲルマニウムを含むことが好ましい。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンを形成する前に前記ベース基板上に第2遮光パターンを形成する段階をさらに有し、前記第2遮光パターンは、前記第1アクティブパターンと重畳するように形成されることが好ましい。前記第1遮光パターン、前記第2遮光パターン、前記第1アクティブパターン、及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンを含むことが好ましい。前記第1センシングソース電極と前記第1センシングゲート電極との間、前記第1センシングドレイン電極と前記第1センシングゲート電極との間、前記第1可変ソース電極と前記第1共通ゲート電極との間、及び第2可変ソース電極と前記第1共通ゲート電極との間に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層に前記第2可変ソース電極を露出させるコンタクトホールを形成する段階とをさらに有し、前記第1共通ゲート電極は、前記コンタクトホールを通じて前記第2可変ソース電極と電気的に接続されることが好ましい。また、上記目的を達成するためになされた本発明によるタッチ基板の製造方法は、ベース基板上に第1遮光パターンを形成する段階と、前記第1遮光パターンが形成された前記ベース基板上に第1アクティブパターンと前記第1遮光パターンと重畳する第1共通アクティブパターンとを形成する段階と、前記第1アクティブパターン上に互いに離隔して配置される前記第1センシングソース電極と第1センシングドレイン電極とを形成する段階と、前記第1共通アクティブパターン上に互いに離隔して配置される第1可変ソース電極、第1共通ドレイン電極、及び第2可変ソース電極を形成する段階と、前記第1センシングソース電極及び第1センシングドレイン電極上に配置され、前記第1共通ドレイン電極と電気的に接続される第1センシングゲート電極を形成する段階とを有することを特徴とする。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンゲルマニウムを含むことが好ましい。前記第1アクティブパターン及び前記第1共通アクティブパターンを形成する前に前記ベース基板上に第2遮光パターンを形成する段階をさらに有し、前記第2遮光パターンは、前記第1アクティブパターンと重畳するように形成されることが好ましい。前記第1遮光パターン、前記第2遮光パターン、前記第1アクティブパターン、及び前記第1共通アクティブパターンは、非晶質シリコンを含むことが好ましい。本発明に係るタッチ基板及びその製造方法によれば、赤外光や可視光をセンシングするセンシング素子のセンシングゲート電極に印加されるセンシングゲート電圧を調節して光が受信されない状態での暗電流と光が受信された状態での光電流との差を増加させることができ、センシング素子の感度を向上させることができるという効果がある。次に、本発明に係るタッチ基板及びその製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の断面図である。図1を参照すると、本実施形態に係る表示装置1000は、タッチパネル400、及びタッチパネル400に光を提供するバックライトアセンブリ500を含む。タッチパネル400は、表示基板100、表示基板100と対向するタッチ基板200、及び表示基板100とタッチ基板200との間に介在された液晶層300を含む。表示基板100は、第1ベース基板101上に形成された画素スイッチング素子110、画素スイッチング素子110と電気的に接続された画素電極PE、及び絶縁層120を含む。絶縁層120は、画素スイッチング素子110のゲート電極図示せず上に形成されたゲート絶縁層図示せず及び画素スイッチング素子110のソース及びドレイン電極図示せず上に形成されたパッシベーション層図示せずを含むことができる。タッチ基板200は、第2ベース基板201上に形成された第1光センシング部LSP1、第2光センシング部LSP2、第1可変電圧部図示せず、及び第2可変電圧部図示せずを含む。第1光センシング部LSP1は、赤外光を感知する第1センシング素子図示せずと第1センシング素子を駆動する第1スイッチング素子図示せずを含む。第2光センシング部LSP2は、可視光を感知する第2センシング素子図示せずと第2センシング素子図示せずを駆動する第2スイッチング素子図示せずを含む。第1可変電圧部は、第1センシング素子のセンシングゲート電極に電気的に接続されて可変ゲート電圧を提供する。第2可変電圧部は、第2センシング素子のゲート電極に電気的に接続されて可変ゲート電圧を提供する。タッチ基板200は、ブラックマトリックスBM、カラーフィルタ層CF、オーバーコーティング層OC、及び共通電極CEをさらに含む。共通電極CEは、画素電極PEと向き合い液晶層300に対し電界を形成する。バックライトアセンブリ500は、表示基板100の下部に配置される。バックライトアセンブリ500は、赤外光を発生する第1光源図示せず及び可視光を発生する第2光源図示せずを含むことができる。第1及び第2光源は発光ダイオードであってもよい。図2は、図1に示したタッチ基板の平面図であり、図3は、図2に示したタッチ基板の等価回路図であり、図4は、図2のI-I’線に沿って切断した断面図であり、図5は、図2のII-II’線に沿って切断した断面図である。図1~図5を参照すると、タッチ基板200は、第1センシングゲートラインSGL1、第1バイアス電圧ラインBVL1、第2バイアス電圧ラインBVL2、第1リードアウトラインROL1、第1光センシング部LSP1、第1遮光パターンBP1、第1可変電圧部240及び第1キャパシタ252を含む。第1センシングゲートラインSGL1は、第1方向に延長されて第1センシングゲート信号を印加する。第1バイアス電圧ラインBVL1は、第1方向と交差する第2方向に延長され、第1バイアス電圧を印加する。第2バイアス電圧ラインBVL2は、第2方向に延長されて第2バイアス電圧を印加する。第1リードアウトラインROL1は、第2方向に延長される。第1リードアウトラインROL1は、一フレームの間、第1光センシング部LSP1の第1スイッチング素子SWTR1に基準電圧を印加し、次のフレームの間、第1光センシング部LSP1の第1センシング素子STR1からセンシングされたセンシング信号を読み出す。第1光センシング部LSP1は、第1センシング素子STR1及び第1スイッチング素子SWTR1を含む。第1スイッチング素子SWTR1は、第1スイッチングゲート電極SWG1、第1アクティブパターンAP1、第1スイッチングソース電極SWS1、及び第1スイッチングドレイン電極SWD1を含む。第1スイッチングゲート電極SWG1は、第1センシングゲートラインSGL1と電気的に接続される。第1アクティブパターンAP1は、ゲート絶縁層210を間に介在させて、第1スイッチングゲート電極SWG1と重畳する。第1アクティブパターンAP1は、第1半導体層222及び第1オーミックコンタクト層224を含む。第1半導体層222は、非晶質シリコンa-Siを含み、第1オーミックコンタクト層224はn型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコンna-Siを含む。第1スイッチングソース電極SWS1及び第1スイッチングドレイン電極SWD1は、第1アクティブパターンAP1の上に相互離隔されて配置される。第1スイッチングドレイン電極SWD1は第1リードアウトラインROL1と電気的に接続される。第1スイッチング素子SWTR1は、第1トップゲート電極TG1をさらに含む。第1トップゲート電極TG1は、第1コンタクトホールCNT1を通じて第1スイッチングゲート電極SWG1と電気的に接続される。第1トップゲート電極TG1は第1バイアス電圧ラインBVL1と電気的に接続されて第1バイアス電圧を受信する。第1スイッチング素子SWTR1は、第1スイッチングゲート電極SWG1と第1トップゲート電極TG1とを含んでダブルゲート構造を有する。第1センシング素子STR1は、第1光、例えば、赤外光を感知する。第1センシング素子STR1は、第2アクティブパターンAP2、第1センシングソース電極SS1、第1センシングドレイン電極SD1、及び第1センシングゲート電極SG1を含む。第2アクティブパターンAP2は、第2半導体層232及び第2オーミックコンタクト層234を含む。第2半導体層232は、非晶質シリコンゲルマニウムa-SiGeを含み、第2オーミックコンタクト層234は、n型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコンna-Siを含む。第1センシングソース電極SS1及び第1センシングドレイン電極SD1は、第2アクティブパターンAP2上に相互離隔されて配置される。第1センシングソース電極SS1は、第2コンタクトホールCNT2を通じて第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続される。第1センシングドレイン電極SD1は第1スイッチングソース電極SWS1と電気的に接続される。第1センシングソース電極SS1及び第1センシングドレイン電極SD1のそれぞれは第1センシング素子STR1のチャネル領域を広く確保するためにU字形状が反復するジグザグパターンを有する。第1センシングゲート電極SG1は第1センシングソース電極SS1及び第1センシングドレイン電極SD1上に形成される。第1遮光パターンBP1は、第1センシング素子STR1の下部に形成される。第1遮光パターンBP1は、半導体を含んで形成され得る。例えば、第1遮光パターンBP1は、非晶質シリコンゲルマニウムa-SiGeを含むことができる。第1遮光パターンBP1は、赤外光は透過させて可視光は吸収して遮断する。第1遮光パターンBP1は、第3コンタクトホールCNT3を通じて第1センシングゲート電極SG1と電気的に接続される。これによって、第1センシング素子STR1は第1センシングゲート電極SG1と第1遮光パターンBP1とを含むダブルゲート構造を有する。第1可変電圧部240は、第1センシングゲート電極SG1に電気的に接続される。第1可変電圧部240は、第1光、例えば、赤外光の受光の有無に基づき第1センシングゲート電極SG1に第1センシングゲート電圧、または、第1センシングゲート電圧のレベルより高い第2センシングゲート電圧を提供する。例えば、第1可変電圧部240は、赤外光を受光しない場合、第1センシングゲート電極SG1に第1センシングゲート電圧を提供し、赤外光を受光した場合、第2センシングゲート電圧を提供する。例えば、第1センシングゲート電圧は負-のレベルを有することができる。第2センシングゲート電圧は、約0V~5Vの間の電圧レベルを有することができる。第1可変電圧部240は、第1共通アクティブパターンCAP1、第1可変ソース電極VS1、第1共通ドレイン電極CD1、第2可変ソース電極VS2、第1共通ゲート電極CG1、及び第2遮光パターンBP2を含む。第1共通アクティブパターンCAP1は、第2半導体層232及び第2オーミックコンタクト層234を含む。第1可変ソース電極VS1は、第1共通アクティブパターンCAP1上に形成され、第4コンタクトホールCNT4を通じて第1バイアス電圧ラインBVL1と電気的に接続される。第1共通ドレイン電極CD1は、第1可変ソース電極VS1と離隔され、第5コンタクトホールCNT5を通じて第1センシングゲート電極SG1と電気的に接続される。第2可変ソース電極VS2は、第1共通ドレイン電極CD1と離隔され、第6コンタクトホールCNT6を通じて第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続される。第1共通ゲート電極CG1は、第1可変ソース電極VS1、第1共通ドレイン電極CD1、及び第2可変ソース電極VS2上に、第1共通アクティブパターンCAP1と重畳するように形成される。第1共通ゲート電極CG1は、第6コンタクトホールCNT6を通じて第2可変ソース電極VS2と電気的に接続される。これとは異なり、第1共通ゲート電極CG1は別の信号ラインと接続されてゲート信号を印加され得る。第1共通アクティブパターンCAP1、第1可変ソース電極VS1、第1共通ドレイン電極CD1、及び第1共通ゲート電極CG1によって、第1光抵抗スイッチング素子LTR1、図3参照が定義され、第1共通アクティブパターンCAP1、第2可変ソース電極VS2、第1共通ドレイン電極CD1、及び第1共通ゲート電極CG1によって、第2光抵抗スイッチング素子LTR2、図3参照が定義される。これによって、第1可変電圧部240は、第1及び第2光抵抗スイッチング素子LTR1、LTR2が第1センシングゲート電極SG1に並列接続された構造を有することができる。第1センシングゲート電極SG1に印加されるセンシングゲート電圧VGは以下の数式1のように定義される。ここで、R1は第1光抵抗スイッチング素子LTR1の抵抗値であり、R2は第2光抵抗スイッチング素子LTR2の抵抗値であり、VB1は第1可変ソース電極VS1に印加される第1バイアス電圧であり、VB2は第2可変ソース電極VS2に印加される第2バイアス電圧であり、VSは第1センシング素子STR1の第1センシングソース電極SS1に印加されるソース電圧である。第2遮光パターンBP2は、第1光抵抗スイッチング素子LTR1の下部に配置される。第2遮光パターンBP2は、第1光抵抗スイッチング素子LTR1に入射する赤外光を遮断する。これによって、第1光抵抗スイッチング素子LTR1は常に一定の抵抗値R1を維持する。第2光抵抗スイッチング素子LTR2は、入射した赤外光に比例して抵抗値R2が減少する。赤外光を受光しない状態での第1及び第2光抵抗スイッチング素子LTR1、LTR2の抵抗値R1、R2は互いに同一である。第1及び第2光抵抗スイッチング素子LTR1、LTR2は、第1センシング素子STR1の幅対長さの比率に比べて相対的に小さい幅対長さの比率を有する。例えば、第1及び第2光抵抗スイッチング素子LTR1、LTR2のそれぞれに対するチャネルの幅対長さの比率は約1~約10となる。第1キャパシタ252は、第1センシングドレイン電極SD1と電気的に接続された第1電極252a、第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続された第2電極252b、第1及び第2電極252a、252bの間に配置されるパッシベーション層270、及び有機層280を含む誘電層とによって定義される。第1キャパシタ252は、第1センシング素子STR1の第2アクティブパターンAP2に入射した赤外線によって発生する電荷を充電する。第1スイッチング素子SWTR1及び第1センシング素子STR1によって赤外光をセンシングする工程を簡略的に説明すると次のようである。第1スイッチング素子SWTR1がターン-オンされると、第1キャパシタ252は第1リードアウトラインROL1から印加される基準電圧によって充電される。第1センシング素子STR1の第1アクティブパターンAP1に赤外光が受光されると、第1センシングソース電極SS1及び第1センシングドレイン電極SD1の間に光電流が流れる。これによって、第1キャパシタ252に充電された電圧は放電される。第1キャパシタ252に充電された電圧は、次のフレームで第1スイッチング素子SWTR1がターン-オンされる時、第1リードアウトラインROL1を通じてリードアウト駆動部図示せずに伝達される。リードアウト駆動部は、第1キャパシタ252に充電された電圧と基準電圧を用いて第1センシング素子STR1によってセンシングされた光強度を検出する。リードアウト駆動部と電気的に接続されたタッチ検出部図示せずから第1センシング素子STR1によってセンシングされた光強度を基にタッチ位置を検出する。タッチ基板200は、第2センシングゲートラインSGL2、第2リードアウトラインROL2、第2光センシング部LSP2、第2可変電圧部260、及び第2キャパシタ254をさらに含むことができる。第2光センシング部LSP2は、第2スイッチング素子SWTR2及び第2センシング素子STR2を含む。第2センシングゲートラインSGL2は、第1方向に延長され、第1センシングゲートラインSGL1と平行するように配置される。第2センシングゲートラインSGL2は第2センシングゲート信号を印加する。第2リードアウトラインROL2は、第2方向に延長される。第2リードアウトラインROL2は、一フレームの間、第2スイッチング素子SWTR2に基準電圧を印加し、次のフレームの間、第2センシング素子STR2によってセンシングされたセンシング信号を読み出す。第2スイッチング素子SWTR2は、第2スイッチングゲート電極SWG2、第3アクティブパターンAP3、第2スイッチングソース電極SWS2、及び第2スイッチングドレイン電極SWD2を含む。第2スイッチングゲート電極SWG2は、第2センシングゲートラインSGL2と電気的に接続される。第3アクティブパターンAP3は、ゲート絶縁層210を間に介在させて第2スイッチングゲート電極SWG2と重畳する。第3アクティブパターンAP3は第1半導体層222と第1オーミックコンタクト層224とを含むことができる。第2スイッチングソース電極SWS2及び第2スイッチングドレイン電極SWD2は、第3アクティブパターンAP3の上に相互離隔されて配置される。第2スイッチングドレイン電極SWD2は、第2リードアウトラインROL2と電気的に接続される。第2スイッチング素子SWTR2は、第2タップゲート電極TG2をさらに含むことができる。第2タップゲート電極TG2は、第7コンタクトホールCNT7を通じて第2スイッチングゲート電極SWG2と電気的に接続される。これによって、第2スイッチング素子SWTR2は、第2スイッチングゲート電極SWG2と第2タップゲート電極TG2とを含むダブルゲート構造を有することができる。第2センシング素子STR2は可視光を感知する。第2センシング素子STR2は、第4アクティブパターンAP4、第2センシングソース電極SS2、第2センシングドレイン電極SD2、及び第2センシングゲート電極SG2を含む。第4アクティブパターンAP4は、第1半導体層222及び第1オーミックコンタクト層224を含むことができる。第2センシングソース電極SS2及び第2センシングドレイン電極SD2は、第4アクティブパターンAP4上に相互離隔されて配置される。第2センシングソース電極SS2は、第8コンタクトホールCNT8を通じて第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続される。第2センシングドレイン電極SD2は、第2スイッチングソース電極SWS2と電気的に接続される。第2センシングソース電極SS2及び第2センシングドレイン電極SD2のそれぞれは、第2センシング素子STR2のチャネル領域を広く確保するためにU字形状が反復するジグザグパターンを有することができる。第2センシングゲート電極SG2は、第2センシングソース電極SS2及び第2センシングドレイン電極SD2上に形成される。第2可変電圧部260は、第2センシングゲート電極SG2に電気的に接続される。第2可変電圧部260は、可視光受光の有無によって第2センシングゲート電極SG2に可変センシングゲート電圧を提供する。例えば、第2可変電圧部260は可視光を受信しなかった場合、第2センシングゲート電極SG2に第1センシングゲート電圧を提供し、可視光を受光した場合、第2センシングゲート電圧を提供する。第2可変電圧部260は、第2共通アクティブパターンCAP2、第3可変ソース電極VS3、第2共通ドレイン電極CD2、第4可変ソース電極VS4、第2共通ゲート電極CG2、及び第3遮光パターンBP3を含む。第2共通アクティブパターンCAP2は、第1半導体層222及び第1オーミックコンタクト層224を含むことができる。第3可変ソース電極VS3は、第2共通アクティブパターンCAP2上に形成され、第9コンタクトホールCNT9を通じて第1バイアス電圧ラインBVL1と電気的に接続される。第2共通ドレイン電極CD2は、第3可変ソース電極VS3と離隔され、第10コンタクトホールCNT10を通じて第2センシングゲート電極SG2と電気的に接続される。第4可変ソース電極VS4は、第2共通ドレイン電極CD2と離隔され、第11コンタクトホールCNT11を通じて第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続される。第2共通ゲート電極CG2は、第3可変ソース電極VS3、第2共通ドレイン電極CD2、及び第4可変ソース電極VS4上に第2共通アクティブパターンCAP2と重畳するように形成される。第2共通ゲート電極CG2は、第11コンタクトホールCNT11を通じて第4可変ソース電極VS4と電気的に接続される。これとは異なり、第2共通ゲート電極CG2は別の信号ラインと接続されてゲート信号を受けることもできる。第2共通アクティブパターンCAP2、第3可変ソース電極VS3、第2共通ドレイン電極CD2、及び第2共通ゲート電極CG2によって第3光抵抗スイッチング素子LTR3、図3参照が定義され、第2共通アクティブパターンCAP2、第4可変ソース電極VS4、第2共通ドレイン電極CD2、及び第2共通ゲート電極CG2によって第4光抵抗スイッチング素子LTR4、図3参照が定義される。これによって、第2可変電圧部260は、第3及び第4光抵抗スイッチング素子LTR3、LTR4が第2センシングゲート電極SG2に並列接続された構造を有することができる。第3遮光パターンBP3は、第3光抵抗スイッチング素子LTR3の下部に配置される。第3遮光パターンBP3は、第3光抵抗スイッチング素子LTR3に入射される可視光遮断する。これによって、第3光抵抗スイッチング素子LTR3は常に一定の抵抗値を有する。第2センシングゲート電極SG2には第3及び第4光抵抗スイッチング素子LTR3、LTR4によって電圧分配されたセンシングゲート電圧が印加される。第3及び第4光抵抗スイッチング素子LTR3、LTR4は、第2センシング素子STR2の幅対長さの比率に比べて相対的に小さい幅対長さの比率を有する。例えば、第3及び第4光抵抗スイッチング素子LTR3、LTR4のそれぞれに対するチャネルの幅対長さの比率は約1~約10となる。第2キャパシタ254は、第2センシングドレイン電極SD2と電気的に接続された第1電極254a、第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続された第2電極254b、及び第1及び第2電極254a、254bの間に介在するパッシベーション層270及び有機層280を含む誘電層によって定義される。第2キャパシタ254は、第2センシング素子STR2の第4アクティブパターンAP4に入射された可視光によって生成された電荷を充電する。第2スイッチング素子SWTR2及び第2センシング素子STR2によって可視光をセンシングする工程を簡略的に説明すると次のようである。第2スイッチング素子SWTR2がターン-オンされると、第2キャパシタ254は第2リードアウトラインROL2から印加される基準電圧によって充電される。第2センシング素子STR2の第3アクティブパターンAP3に可視光が受光され、第2センシングソース電極SS2と第2センシングドレイン電極SD2との間に光電流が流れる。これによって、第2キャパシタ254に充電された電圧は放電される。第2キャパシタ254に充電された電圧は、次のフレームで第2スイッチング素子SWTR2がターン-オンされる時、第2リードアウトラインROL2を通じてリードアウト駆動部図示せずに伝達される。リードアウト駆動部と電気的に接続されたタッチ検出部図示せずから第2センシング素子STR2によってセンシングされた光強度を基にタッチ位置をセンシングする。タッチ基板200は、ブラックマトリックスBM、カラーフィルタ層CF、オーバーコーティング層OC、及び共通電極CEをさらに含むことができる。ブラックマトリックスBMは、第2ベース基板201に定義された画素領域R、G、Bの境界領域に形成され、光漏れを防止する。カラーフィルタ層CFは、画素領域R、G、Bに配置される。カラーフィルタ層CFは赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタを含む。オーバーコーティング層OCは、カラーフィルタ層CFが形成された第2ベース基板201の上に形成される。共通電極CEは、オーバーコーティング層OC上に形成される。共通電極CEはタッチ基板200の全面に形成される。図6~図11は、図4に示したタッチ基板の製造方法を説明するための断面図である。図4及び図6を参照すると、第2ベース基板201上に第1遮光パターンBP1及び第2遮光パターンBP2を形成する。第1及び第2遮光パターンBP1、BP2は、第2ベース基板201の上に非晶質シリコンゲルマニウムa-SiGeを含む半導体層を形成した後、半導体層をパターニングして形成する。図4及び図7を参照すると、第1及び第2遮光パターンBP1、BP2を含む第2ベース基板201上に第1スイッチングゲート電極SWG1を含む第1ゲート金属パターンを形成する。第1ゲート金属パターンは、第2ベース基板201上に第1ゲート金属層を形成し、第1ゲート金属層をパターニングして形成することができる。次いで、第1及び第2遮光パターンBP1、BP2、及びゲート金属パターンを含む第2ベース基板201上にゲート絶縁層210を形成する。図4及び図8を参照すると、ゲート絶縁層210が形成された第2ベース基板201の上に第1アクティブパターンAP1を形成する。第1アクティブパターンAP1は、第2ベース基板201上に第1半導体層222及び第1オーミックコンタクト層224を形成した後、第1半導体層222及び第1オーミックコンタクト層224をパターニングして形成することができる。第1アクティブパターンAP1は第1スイッチングゲート電極SWG1上に形成される。図4及び図9を参照すると、第1アクティブパターンAP1を含む第2ベース基板201上に第2アクティブパターンAP2及び第1共通アクティブパターンCAP1を形成する。第2アクティブパターンAP2及び第1共通アクティブパターンCAP1は、第2ベース基板201上に第2半導体層232及び第2オーミックコンタクト層234を形成した後、第2半導体層232及び第2オーミックコンタクト層234をパターニングして形成することができる。第2アクティブパターンAP2は第1遮光パターンBP1上に形成され、第1共通アクティブパターンCAP1は第2遮光パターンBP2上に形成される。図4及び図10を参照すると、第1及び第2アクティブパターンAP1、AP2及び第1共通アクティブパターンCAP1を含む第2ベース基板201上にソース金属層を形成した後、ソース金属層をパターニングしてソース金属パターンを形成する。ソース金属パターンは、第1スイッチングソース電極SWS1及び第1スイッチングドレイン電極SWD1、第1センシングソース電極SS1及び第1センシングドレイン電極SD1、第1可変ソース電極VS1及び第2可変ソース電極VS2、及び第1共通ドレイン電極CD1を含む。図4及び図11を参照すると、ソース金属パターンを含む第2ベース基板201上にパッシベーション層270及び有機層280を順次に形成する。次いで、第1スイッチングゲート電極SWG1上のゲート絶縁層210、パッシベーション層270、及び有機層280を除去して第1コンタクトホールCNT1を形成する。また、第2可変ソース電極VS2上のパッシベーション層270及び有機層280を除去して第4コンタクトホールCNT4を形成する。同時に、第1共通ドレイン電極CD1上のパッシベーション層270、有機層280を除去して第5コンタクトホールCNT5を形成する。第2可変ソース電極VS2上のパッシベーション層270及び有機層280を除去して第6コンタクトホールCNT6を形成する。次いで、第1、第4、第5、及び第6コンタクトホールCNT1、CNT4、CNT5、CNT6を含む第2ベース基板201上に第2ゲート金属層を形成した後、第2ゲート金属層をパターニングして第2ゲート金属パターンを形成する。第2ゲート金属パターンは、第1タップゲート電極TG1、第1センシングゲート電極SG1、及び第1共通ゲート電極CG1を含むことができる図4参照。第2ゲート金属パターンを含む第2ベース基板201上に、ブラックマトリックスBM、カラーフィルタ層CF、オーバーコーティング層OC、及び共通電極CEを形成する図4参照。これによって、本実施形態に係るタッチ基板200が製造される。一方、図5に示したタッチ基板200の第2スイッチング素子SWTR2、第2センシング素子STR2、第2可変電圧部260を形成する工程は、第3及び第4アクティブパターンAP3、AP4に含まれる半導体層の物質が相異することを除いては、図6~図11を参照して説明した工程と実質的に同一なので、重複する説明は省略する。すなわち、第2スイッチング素子SWTR2、第2センシング素子STR2、及び第2可変電圧部260に該当する第3及び第4アクティブパターンAP3、AP4、及び第2共通アクティブパターンCAP2は全て同一の半導体物質を含む。従って、第3及び第4アクティブパターンAP3、AP4、及び第2共通アクティブパターンCAP2を一つのマスクを通じて形成することができる。本実施形態によれば、第1及び第2可変電圧部240、260を利用して第1センシングゲート電極SG1、又は第2センシングゲート電極SG2に印加されるセンシングゲート電圧を調節することができる。赤外光、または、可視光が入射された状態でセンシングゲート電圧が増加するので、第1及び第2センシング素子STR1、STR2の光電流を増加させることができる。したがって、第1及び第2センシング素子STR1、STR2の感度を向上させることができる。図12は、本発明の他の実施形態に係るタッチ基板の平面図であり、図13は、図12に示すタッチ基板の等価回路図であり、図14は、図12のIII-III’線に沿って切断した断面図であり、図15は、図12のIV-IV’線に沿って切断した断面図である。本実施形態に係る表示装置は、タッチ基板600を除いては、図1に示した第1の実施形態に係る表示装置1000と実質的に同一なので、タッチ基板200を除いた残りの構成に対しては図1を参照する。また、本実施形態に係るタッチ基板600は第1可変電圧部610及び第2可変電圧部620を除いては図2に示した第1の実施形態に係るタッチ基板200と実質的に同一なので、同じ構成要素には同じ参照符号を付与し、重複する部分は省略する。図12、図13及び図14を参照すると、本実施形態に係るタッチ基板600は、第1スイッチング素子SWTR1、第1センシング素子STR1、第1可変電圧部610、第2スイッチング素子SWTR2、第2センシング素子STR2、及び第2可変電圧部620を含む。第1可変電圧部610は、第1センシング素子STR1の第1センシングゲート電極SG1に電気的に接続されて第1センシングゲート電極SG1に可変ゲート電圧を提供する。第1可変電圧部610は、第1共通アクティブパターンCAP1、第1入力電極612、第1共通出力電極614、第2入力電極616、及び第2遮光パターンBP2を含む。第1共通アクティブパターンCAP1は、第1入力電極612、第1共通出力電極614、及び第2入力電極616の下部に形成される。第1共通アクティブパターンCAP1は、第2半導体層232及び第2オーミックコンタクト層234を含む。第2半導体層232は、非晶質シリコンゲルマニウムa-SiGeを含み、第2オーミックコンタクト層234はn非晶質シリコンを含む。第1入力電極612は、第4コンタクトホールCNT4を通じて第1バイアス電圧ラインBVL1と電気的に接続されて第1バイアス電圧を受信する。第1共通出力電極614は、第1入力電極612と第2入力電極616との間に第1及び第2入力電極612、616と相互離隔して形成される。第1共通出力電極614は、第5コンタクトホールCNT5を通じて第1センシングゲート電極SG1と電気的に接続される。第2入力電極616は、第6コンタクトホールCNT6を通じて第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続されて第2バイアス電圧を受信する。第1共通アクティブパターンCAP1、第1入力電極612、及び第1共通出力電極614によって第1フォトコンダクタPC1、図13参照が定義され、第1共通アクティブパターンCAP1、第2入力電極616、及び第1共通出力電極614によって第2フォトコンダクタPC2、図13参照が定義される。これによって、第1可変電圧部610は、第1及び第2フォトコンダクタPC1、PC2が第1センシングゲート電極SG1に並列接続された構造を有する。第2遮光パターンBP2は、第1フォトコンダクタPC1の下部に形成される。第2遮光パターンBP2は、第1フォトコンダクタPC1に入射される赤外光を遮断する。これによって、第1フォトコンダクタPC1の抵抗値は、常に一定の値を維持する。第2フォトコンダクタPC2の抵抗値は、入射される赤外光量に比例して抵抗値が減少する。第2可変電圧部620は、第2センシング素子STR2の第2センシングゲート電極SG2に電気的に接続されて第2センシングゲート電極SG2に可変センシングゲート電圧を提供する。第2可変電圧部620は、第2共通アクティブパターンCAP2、第3入力電極622、第2共通出力電極624、第4入力電極626、及び第3遮光パターンBP3を含む。第2共通アクティブパターンCAP2は、第3入力電極622、第2共通出力電極624、及び第4入力電極626の下部に形成される。第2共通アクティブパターンCAP2は、第1半導体層222及び第1オーミックコンタクト層224を含む。第1半導体層222は、非晶質シリコンa-Siを含み、第1オーミックコンタクト層224はn非晶質シリコンを含む。第3入力電極622は、第9コンタクトホールCNT9を通じて第1バイアス電圧ラインBVL1と電気的に接続されて第1バイアス電圧を受信する。第2共通出力電極624は第3入力電極622と第4入力電極626との間に第3及び第4入力電極622、626と相互離隔して形成される。第2共通出力電極624は第10コンタクトホールCNT10を通じて第2センシングゲート電極SG2と電気的に接続される。第4入力電極626は、第11コンタクトホールCNT11を通じて第2バイアス電圧ラインBVL2と電気的に接続されて第2バイアス電圧を受信する。第2共通アクティブパターンCAP2、第3入力電極622、及び第2共通出力電極624によって第3フォトコンダクタPC3、図13参照が定義され、第2共通アクティブパターンCAP2、第4入力電極626、及び第2共通出力電極624によって第4フォトコンダクタPC4、図13参照が定義される。これによって、第2可変電圧部620は、第3及び第4フォトコンダクタPC3、PC4が第2センシングゲート電極SG2に並列接続された構造を有する。第3遮光パターンBP3は、第3フォトコンダクタPC3の下部に形成される。第3遮光パターンBP3は、第3フォトコンダクタPC3に入射される可視光を遮断する。これによって、第3フォトコンダクタPC3の抵抗値は、常に一定の値を維持する。第4フォトコンダクタPC4の抵抗値は、入射される可視光量に比例して抵抗値が減少する。一方、本実施形態に係るタッチ基板600の製造方法は、第1及び第2可変電圧部610、620を除いては、図6~図11を参照して説明した第1の実施形態に係るタッチ基板200の製造方法と実質的に同一なので、重複する部分は省略する。図11に示したように、第1、第4、第5、及び第6コンタクトホールCNT1、CNT4、CNT5、CNT6を形成した後、第2ベース基板201上に第2ゲート金属パターンを形成する。第2ゲート金属パターンは、第1、第4、第5、及び第6コンタクトホールCNT1、CNT4、CNT5、CNT6を含む第2ベース基板201上に第2ゲート金属層を形成した後、第2ゲート金属層をパターニングして形成することができる。第2ゲート金属パターンは、第1タップゲート電極TG1及び第1センシングゲート電極SG1を含む。第2ゲート金属パターンを含む第2ベース基板201上にブラックマトリックスBM、カラーフィルタ層CF、オーバーコーティング層OC、及び共通電極CEを形成する。これによって、本発明の第2の実施形態に係るタッチ基板600が製造される。本実施形態によれば、第1及び第2可変電圧部610、620の構造を、第1の実施形態に係る第1及び第2可変電圧部240、260の構造と対比して、単純化させることができる。センシングゲート電圧特性評価本発明の第1の実施形態に係る第1可変電圧部が適用されたサンプル表示装置を製造し、第1可変電圧部の第1可変ソース電極に印加される第1バイアス電圧は5Vで固定させ、第2ソース電極に印加される第2バイアス電圧を、-20Vから20Vに可変させながら第1センシングゲート電極に印加されるセンシングゲート電圧を測定した。図16は、本願発明の第1の実施形態に係る第1可変電圧部によるセンシングゲート電圧の変化を測定した結果を示したグラフである。図16において、x軸は第2バイアス電圧を示し、y軸はセンシングゲート電圧を示す。図16を参照すると、第2バイアス電圧が約-10Vである時、赤外光が受光されなかった状態以下dark状態と称するでのセンシングゲート電圧は約-8.2Vであり、赤外光を受光した状態以下photo状態と称するでのセンシングゲート電圧は約3.8Vである。また、第2バイアス電圧が約0Vである時、dark状態でのセンシングゲート電圧は約3.6Vであり、photo状態でのセンシングゲート電圧は約5Vである。このように、本発明に係る第1可変電圧部によれば、赤外光を受光した場合、センシングゲート電圧が増加することが分かる。図17及び図18は、本発明の第1の実施形態に係る第1センシング素子の電流-電圧特性を示したグラフである。図17及び図18のそれぞれにおいて、x軸は第1センシング素子の第1センシングゲート電極に印加されるセンシングゲート電圧単位:Vを示し、y軸は第1センシング素子のドレイン電流単位:Aを示す。まず、赤外光を受光しない場合、第1センシングゲート電極に約-6Vのセンシングゲート電圧が印加され、赤外光を受光する場合、第1センシングゲート電極に約4Vのセンシングゲート電圧が印加されると仮定する。第1センシング素子がdark状態及びphoto状態で図17のような電流-電圧特性を有する時、dark状態で第1センシング素子の暗電流darkcurrentは約7.88×10-12Aであることが分かる。一方、photo状態で約-6Vのセンシングゲート電圧が印加される時、第1センシング素子の光電流photocurrentは約4.43×10-8Aであり、約4Vのセンシングゲート電圧が印加される時、第1センシング素子の光電流は約1.24×10-7Aであることが分かる。約-6Vのセンシングゲート電圧が印加される時と4Vのセンシングゲート電圧が印加される時との第1センシング素子の光電流に対する暗電流の比を計算すると、それぞれ約5、617と約15、706となる。図17のような電圧-電流特性を有する第1センシング素子の場合、センシングゲート電圧を増加させる場合、光電流と暗電流との差が約2.7倍程度増加することが確認できた。一方、第1センシング素子がdark状態及びphoto状態において、図18のような電流-電圧特性を有する時、dark状態で第1センシング素子の暗電流darkcurrentは約3.00×10-13Aであることが分かる。photo状態で約-6Vのセンシングゲート電圧が印加される時、第1センシング素子の光電流は約3.22×10-10Aで、約4Vのセンシングゲート電圧が印加される時、第1センシング素子の光電流は約1.82×10―8Aであることが分かる。約-6Vのセンシングゲート電圧が印加される時と、4Vのセンシングゲート電圧が印加される時との第1センシング素子の光電流に対する暗電流の比を計算すると、それぞれ約1、072と約60、830となる。図18のような電圧-電流特性を有する第1センシング素子の場合、センシングゲート電圧を増加させる場合、光電流と暗電流との差が約56倍程度増加することが確認できた。以上で説明した通り、本発明の実施形態によれば、第1及び第2センシング素子に印加されるセンシングゲート電圧を可変することができるので、光が受光されない状態での暗電流と光を受光した状態での光電流との差を増加させる。したがって、第1及び第2センシング素子の感度を向上させることができる。尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。