"側面に設けられた第1の凹溝と、前記第1のチップの頂面に設けられ、且つ前記第1の凹溝上の開口端に接続された第1の金属パッドとを有する第1のチップと、前記第1のチップ上にスタックされ、側面に設けられた第2の凹溝を有する第2のチップと、を備え、前記第1の凹溝と前記第2の凹溝とを対向的に配置することにより接続凹溝を形成し、導電薄膜を前記接続凹溝の中及び前記第1の金属パッドの上に形成することにより第1のチップと第2のチップとを接続することを特徴とするチップスタック構造。前記第1の凹溝及び第2の凹溝は、スルーシリコンビアにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記導電薄膜は、無電解電気めっきにより前記接続凹溝の中に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記第2のチップは、前記第2のチップの底面に設けられ、且つ前記第2の凹溝の下開口端に接続される第2の金属パッドをさらに備え、前記第1の金属パッドが前記第2の金属パッドに対向していることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記第1のチップは、前記第1のチップの底面に設けられ、且つ前記第1の凹溝の下開口端に接続される第2の金属パッドをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記第1のチップは、前記第1のチップの側面に設けられた複数の第3の凹溝と、前記第1のチップの頂面上に設けられ、且つそれらの第3の凹溝の上開口端にそれぞれ接続される複数の第2の金属パッドと、を備え、前記第2のチップは、前記第2のチップの側面に設けられた複数の第4の凹溝をさらに備え、それらの第3の凹溝とそれらの第4の凹溝を対向的に対置することにより複数の第2の接続凹溝を形成し、且つ複数の第2の導電薄膜をそれらの第2の接続凹溝の中及びそれらの第2の金属パッド上に形成することにより前記第1のチップと前記第2のチップとを接続することを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。複数のチップ上にそれぞれ複数の金属パッドを形成する工程と、それらのチップの側面にそれらの金属パッドに対応する複数の凹溝を形成する工程と、それらのチップをスタックすることによりそれらのチップのそれらの凹溝を対向的に配置する工程と、無電解電気めっきによりそれらの凹溝の中及びそれらの金属パッド上に導電薄膜を形成することにより、スタックされたそれらのチップを接続する工程とを備えることを特徴とするチップスタック方法。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、チップ上に接続用の金属パッドを設け、無電解電気めっき技術によりチップ側面の凹溝及び金属パッド上に導電薄膜を形成することで上下にスタックされたチップを接続するチップスタック構造を提供し、これにより、スタックされたチップを迅速に接続することができるとともに、チップスタック製造工程の歩留まりを向上することができる。本発明にかかるチップスタック構造は、側面に設けられた第1の凹溝と、前記第1のチップの頂面に設けられ、且つ前記第1の凹溝上の開口端に接続される第1の金属パッドとを有する第1のチップと、前記第1のチップ上にスタックされ、側面に設けられる第2の凹溝を有する第2のチップと、を備え、前記第1の凹溝と前記第2の凹溝とは、対向して配置されることにより接続凹溝が形成され、導電薄膜を前記接続凹溝の中及び前記第1の金属パッド上に形成することにより第1のチップと第2のチップとを接続することを特徴とする。本発明の一つの態様において、前記第1の凹溝及び第2の凹溝は、スルーシリコンビアにより形成され、前記導電薄膜は、無電解電気めっきにより前記接続凹溝の中に形成されている。本発明の一つの態様において、前記第2のチップは、前記第2のチップの底面に設けられ、且つ前記第2の凹溝の下開口端に接続される第2の金属パッドをさらに備え、前記第1の金属パッドと前記第2の金属パッドとは、対向して設けられる。本発明の一つの態様において、前記第1のチップは、前記第1のチップの底面に設けられ、且つ前記第1の凹溝の下開口端に接続される金属パッドをさらに備える。本発明の一つの態様において、前記第1のチップは、前記第1のチップの側面に設けられた複数の第3の凹溝と、前記第1のチップの頂面上に設けられ、且つ前記複数の第3の凹溝の上開口端にそれぞれ接続される複数の第2の金属パッドと、を備え、前記第2のチップは、前記第2のチップの側面に設けられた複数の第4の凹溝をさらに備え、前記複数の第3の凹溝と前記複数の第4の凹溝を対置させることにより複数の第2の接続凹溝が形成され、且つ複数の第2の導電薄膜を前記複数の第2の接続凹溝の中及び前記複数の第2の金属パッド上に形成させることにより前記第1のチップと前記第2のチップとを接続させる。また、本発明は、複数のチップ上にそれぞれ複数の金属パッドを形成する工程と、前記複数のチップの側面に前記複数の金属パッドに対応する複数の凹溝を形成する工程と、前記複数のチップをスタックすることにより前記複数のチップの前記複数の凹溝を対向して配置させる工程と、無電解電気めっきにより前記複数の凹溝の中及び前記複数の金属パッド上に導電薄膜を形成することにより、スタックされた前記複数のチップを接続する工程とを備えることを特徴とするチップスタック方法を提供する。本発明に係るチップスタック構造及び方法によれば、無電解電気めっきにより金属パッド及び側面凹溝上に導電薄膜を形成しているため、スタック型チップ構造の製造工程が簡素化されるのみならず、製造工程の歩留まりも向上する。第1の実施例図1は、本発明に係る第1の実施例のチップスタック構造を模式的に示した図である。チップ110、120、130、140は、相互にスタックされ、その側面にはそれぞれ複数の凹溝111が設けられている。チップ110、120、130、140上の凹溝111、121、131、141は、対向的に配置されることにより複数の接続凹溝151が形成される。本実施例においては、無電解電気めっき化学めっきchemicalplating又は自己触媒めっきautocatalyticplatingとも称するにより接続凹溝151の中に導電薄膜152を形成することにより上下にスタックされたチップを接続する。チップ110、120、130、140は、その頂面に金属パッド122が設けられ、その側面には前記金属パッド122の設置位置に対応させて、例えばスルーシリコンビアThrough-siliconVia,TSVにより形成される凹溝111、121、131、141が設けられているが、これに限定されない。図2は、本発明に係る第1の実施例のチップ構造を模式的に示した図である。以下、図2におけるチップ120を例にして説明する。チップ120の頂面上には、凹溝121の上開口端に接続された複数の金属パッド122が設けられている。凹溝121が金属パッド122の設置領域に応じてエッチングされるため、金属パッド122は、凹溝121の上開口端の周縁に位置し、凹溝121の上開口に接続されるようになる。チップ120の頂面上には、電気的に接続するための再配分層redistributionlayer、RDLが設けられ、金属パッド122は、再配分層を介して相互に接続される又はチップ120内部の回路に接続される。スタックが終了した後、チップ120上の金属パッド122は、導電薄膜152を介して上下層のチップ130及び110に接続される。上述の説明において用いた図2は、チップ120の模式図に過ぎず、チップ120の金属パッド122の設置位置や数量は、図2に限定されるものではない。図3は、本発明に係る第1の実施例のチップ120の部分構造図である。金属パッド122は、チップ120の頂面に位置し、且つ凹溝121の上開口端周縁に位置する。凹溝121は、チップ120の側面に位置し、且つチップ120の頂面からチップ120の底面へ延在する。凹溝121におけるチップ120の頂面側の開口を上開口端、チップ120の底面側の開口を下開口端とする。本実施例に係るチップ110、130、140のチップ構造は、チップ120と類似しており、この技術分野における通常知識を有する者が、上述の実施例の説明によって、その他の実施態様を容易に推知することができるため、ここでは詳しい説明を省略する。図1を参照しながら説明すると、チップ110、120、130、140がスタックされた後、チップ110、120、130、140の頂部には金属パッド例えば122が設けられているため、無電解電気めっきにより導電薄膜152を形成する際、この金属パッド122上に形成された導電材質の厚さが次第に増加し、上下チップ例えば130及び140を接続するための金属接続層154が形成される。導電薄膜152は、チップ110、120、130、140に接続するためのチップ間の金属接続層154を含み、相互に電気的に接続することで信号を転送する。本実施例においては、無電解電気めっき技術により、チップ110、120、130、140の側面に複数の導電薄膜152を同時に形成することができ、これにより、チップ110、120、130、140の間の電気的接続を達成することができる。図4は、本発明に係る第1の実施例の金属接続層154の構造を模式的に示した図であり、チップ120及びチップ130の部分構造を示している。図4を参照しながら金属接続層154の形成方法を説明する。チップ130は、チップ120の頂面上にスタックされている。電気めっきを行う場合、導電薄膜410は、チップ120における金属パッド122上及び凹溝121の上開口端に上へ行くほど厚さが増加するように形成される。同様に、図4aに示すように、導電薄膜420は、チップ130における凹溝131の下開口位置に下へ行くほど厚さが増加するように形成される。導電薄膜410、420の厚さの増加に伴い、導電薄膜410は、図4bに示すように、導電薄膜420に接触するようになる。そして、導電薄膜410及び導電薄膜420は、図4cに示すように相互に接続し、金属接続層154が形成される。この実施例において、複数の凹溝例えば121の開口端周縁に金属パッド例えば122が設けられているため、導電薄膜420は、金属パッド122上に形成され、上下にスタックされたチップを接続する。この構造により、チップ間接続の製造工程が改善され、導電薄膜152を複数のチップ110、120、130、140に効果的に接続することができ、薄膜の不具合の発生によるチップ間の電気的接続への影響を回避することができる。スタックされたチップ110、120、130、140は、印刷回路板101の上に設けてもよく、また、チップ110と印刷回路板101との間は、半田ボール102により接続してもよい。半田ボール102の位置や数量は限定されるものではない。印刷回路板101は基板であり、例えばセラミック基板、ガラス基板又はプラスチック基板である。本実施例に係るチップスタック構造によれば、製造工程が簡素化されるのみならず、スタック型構造の歩留まりが向上する。また、本実施例に係るスタック構造は、メモリデバイスに適用することが可能であり、スタック構造によりメモリ容量を大幅に増加することができるため、ハイエンド携帯電話のメモリスペックに対する需要を満たすことができる。第2の実施例図5は、本発明に係る第2の実施例のチップスタック構造を模式的に示した図である。チップ510は、その頂面に金属パッド512が、その底面に金属パッド513が、その側面に凹溝511がそれぞれ設けられている。凹溝511の上開口端は、金属パッド512内に位置し、凹溝511の下開口端は、金属パッド513内に位置している。チップ510の頂面及び底面にそれぞれ金属パッド512、513が設けられているため、スタックされた上下のチップにおける接合箇所の表面には金属パッドが対向している。これにより、上下にスタックされたチップを接続するための金属接続層をより迅速に形成することができる。当業者であればその実施態様を容易に推知することができるため、ここでは詳しい説明を省略するが、図5のチップ構造は、図1のチップ110、120、130、140に直接適用することができ、この場合、金属接続層154がより迅速にチップ110、120、130、140の間に形成できる。第3の実施例上述したとおり、本発明にかかる第1、第2の実施例おいては、チップスタック方法を説明した。図6は、本発明に係る第3の実施例のチップスタックフローを示す。図1から図3及び図6を併せて参照しながら説明すると、まず、図2に示すように、複数のチップ上にそれぞれ複数の金属パッドを形成するステップS610。次に、図2及び図3に示すように、チップの側面に金属パッドに対応する複数の凹溝を形成するステップS620。そして、複数のチップをスタックすることにより、複数のチップにおける複数の凹溝を対向的に配置するステップS630。図1に示すように、スタックされた後、無電解電気めっきにより複数の凹溝の中及び金属パッドの上にそれぞれ導電薄膜を形成することにより、スタックされたチップを接続するステップS640。本実施例にかかるチップスタック方法のその他の詳細は、図1~図5を参照して説明したとおりであり、上述の実施例の説明により、当業者がその実施方法を容易に推知することができるため、ここでは詳しい説明を省略する。上述のように、本発明に係るチップスタック構造は、金属パッドを具備することにより導電薄膜の成長に寄与し、上下にスタックされたチップを接続することができるため、スタック型チップ構造の製造工程が簡素化されるのみならず、製造工程の歩留まりも向上する。本発明に係る好ましい実施例は上述の通りであるが、本発明は、これに限定されるものではなく、本発明が属する技術分野において通常知識を有する者が本発明の主旨を逸脱しない範囲で修正や変更を行うことが可能であるが、そうした修正や変更は、本発明の特許請求の範囲に含まれるものである。"