"波長に応じて分離された入力光を偏向する偏向素子であって、前記入力光の波長分離方向に沿った第1の軸および前記入力光の光軸に対して直交する第2の軸を挟んで非対称で、かつ、前記第1の軸と前記第2の軸の交点を中心に点対称となる形状を有し、周囲と異なる反射率を有するアライメントパタンを備えることを特徴とする偏向素子。前記アライメントパタンは、前記第2の軸を挟んで設けられた第1パタンおよび第2パタンから構成されることを特徴とする請求項1記載の偏向素子。波長に応じて分離された入力光を偏向する偏向素子のアライメント方法であって、前記偏向素子に設けられ、前記入力光の波長分離方向に沿った第1の軸および前記入力光の光軸に対して直交する第2の軸を挟んで非対称で、かつ、前記第1の軸と前記第2の軸の交点を中心に点対称となる形状を有し、周囲と異なる反射率を有するアライメントパタンに対して前記第1の方向に波長分離された光を照射する第1のステップと、前記アライメントパタンからの反射光の波長スペクトルにおける中央の周波数から高低両側に所定の値だけ離間した第1,第2の周波数における光強度を比較し、この光強度が同一となるように前記偏向素子の前記第2の方向の位置を調整する第2のステップとを有することを特徴とするアライメント方法。しかしながら、光学系の物理的性質等のため、スペクトルアナライザによって観察される反射光のスペクトル形状は必ずしも鋭いピークを有するとは限らない。このため、従来の方法では、Y軸方向のアライメントを正確に調整することが困難であった。そこで、本願発明は、より正確なアライメントを行うことができる偏向素子およびアライメント方法を提供することを目的とする。上述したような課題を解決するために、本発明に係る偏向素子は、波長に応じて分離された入力光を偏向する偏向素子であって、入力光の波長分離方向に沿った第1の軸および入力光の光軸に対して直交する第2の軸を挟んで非対称で、かつ、第1の軸と第2の軸の交点を中心に点対称となる形状を有し、周囲と異なる反射率を有するアライメントパタンを備えることを特徴とするものである。上記偏向素子において、アライメントパタンは、第2の軸を挟んで設けられた第1パタンおよび第2パタンから構成されるようにしてもよい。また、本発明に係るアライメント方法は、波長に応じて分離された入力光を偏向する偏向素子のアライメント方法であって、偏向素子に設けられ、入力光の波長分離方向に沿った第1の軸および入力光の光軸に対して直交する第2の軸を挟んで非対称で、かつ、第1の軸と第2の軸の交点を中心に点対称となる形状を有し、周囲と異なる反射率を有するアライメントパタンに対して第1の方向に波長分離された光を照射する第1のステップと、アライメントパタンからの反射光の波長スペクトルにおける中央の周波数から高低両側に所定の値だけ離間した第1,第2の周波数における光強度を比較し、この光強度が同一となるように偏向素子の第2の方向の位置を調整する第2のステップとを有することを特徴とするものである。本発明によれば、アライメントパタンの形状を、入力光の波長分離方向に沿った第1の軸および入力光の光軸に対して直交する第2の軸を挟んで非対称とし、かつ、第1の軸と第2の軸の交点を中心に点対称とすることにより、そのアライメントパタンに光を照射したときに、アライメントパタンの第2の軸を挟んで一方の側によって反射される光の光強度と、他方の側によって反射される光の強度とが、偏向素子が第2の軸方向に位置ずれしていない場合には同一となり、位置ずれしている場合には異なるものとなる。そこで、アライメントパタンからの反射光の波長スペクトルにおける中央の周波数から高低両側に所定の値だけ離間した2つの周波数における光強度を測定し、これらの光強度が同一となるように偏向素子の第2の方向の位置を調整することによって、偏向素子の第2の方向におけるアライメントを行うことができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。<偏向素子の構成>図1に示すように、本実施の形態に係る偏向素子は、MEMSミラーアレイチップ5である。このMEMSミラーアレイチップ5は、図2に示すように、平面視略矩形の基部51と、この基部51内部に配設され、X軸方向に周波数に応じたミラーピッチPchで配列された複数のMEMSミラー素子52と、基部51上に設けられたアライメントパタン6とを備える。ここで、MEMSミラー素子52は、可撓性を有するばね図示せずと、このばねによって基部51に連結されたミラー52aと、このミラー52aとZ軸方向に対向配置された電極図示せずとを備えている。このミラー52aは、その電極に電圧を印加することで生じる静電引力によってX軸およびY軸回りに回動可能となっている。ミラー52aをX軸回りに回動させると、ミラー52aに入射してそのミラー52aにより反射された反射光の光軸がY軸方向に変化する。これにより、出力ポートの選択を実現することができる。また、ミラー52aをY軸回りに回動させると、ミラー52aによる反射光の光軸がX軸方向に変化する。これにより、アッテネーションレベルの制御を実現することができる。本実施の形態において、各MEMSミラー素子52のミラー52aの中心は、X軸に沿った一直線上に位置している。なお、MEMSミラー素子52は、上述した平行平板型に限定されず、例えば、垂直櫛歯構造などを適用することもできる。また、アッテネーションレベルの制御としては、Y軸回りの回動に限定されず、X軸回りの回動によって制御するようにしてもよい。このような偏向素子として機能するMEMSミラーアレイチップ5は、例えば、波長選択型光スイッチに用いられる。この波長選択型光スイッチは、入出力光学系として機能するファイバアレイ1と、マイクロレンズアレイ2と、集光レンズ3と、分離集光光学系として機能する4f光学系4と、上述したMEMSミラーアレイチップ5とがこの順番でZ軸方向に沿って配列されたものである。なお、本実施の形態において、図13を参照して説明した従来の波長選択型光スイッチと同一の構成要素については、同一の名称および同一の符号を用い、その詳細な説明を省略する。図1において、第1レンズ41および第2レンズ42の焦点距離がf1[mm]、回折格子43の分散能力がdθ/dv[rad/GHz]、入力ポート1aより入力されるWDM信号光の周波数グリッド間隔がνch[GHz]の場合、回折格子43で分波されて第2の焦点面上に結像される各波長チャネルのビームウェストは、約f1tandθ/dvνch[mm]ピッチで整列する。ここで、θは回折角度、vは波長である。MEMSミラーアレイチップ5におけるミラーピッチPch、すなわちMEMSミラー素子52の間隔は、その各チャネルのビームウェストが整列するピッチと整合するように設定される。なお、第1レンズ41の集光レンズ3側の焦点面におけるビームウェストのサイズが幅Wx[μm]、高さWy[μm]であるとすれば、4f光学系4の特性から、第2レンズ42のMEMSミラーアレイチップ5側の焦点面においても同じビームウェストの形状が再現される。アライメントパタン6は、周囲と異なる反射率を有し、図2に示すようにMEMSミラーアレイチップ5における基部51の両側辺と、X軸方向に配列されたMEMSミラー素子52のうち両端部に位置するMEMSミラー素子52との間の基部51上の2つの領域に設けられ、図3に示すように略同一形状の2つのパタンから構成される。本実施の形態において、アライメントパタン6は、それぞれ平面視略長方形の第1,第2パタン61,62からなり、この第1,第2パタン61,62は、例えば金やアルミなどの高い反射率を有する材料から構成されている。なお、アライメントパタン6の周囲の基部51の領域は、例えばSi,SiO2,Ti,Crなどアライメントパタン6よりも低い反射率を有する材料から構成されている。また、第1,第2パタン61,62は、Y軸に沿った第1の直線を挟んで非対称で、かつ、その第1の直線とX軸に沿った第2の直線との交点を中心に点対称に配置されている。具体的には、第1,第2パタン61,62は、上辺および下辺がX軸、側辺がY軸にそれぞれ平行に配置され、X軸方向に所定間隔離間するとともに、第1パタン61が第2パタン62よりもY軸方向の正の側に位置している。また、第1パタン61の下辺および第2パタン62の上辺は、それぞれX軸に沿い、かつ、各ミラー52aの中心を通る一直線上に配置されている。ここで、第1パタン61の上辺と、第2パタン62の下辺との距離は、入力ポート1aからASE光が入力された場合に照射される帯状の光におけるY軸方向の長さWy以下に設定されるのが望ましい。このような2つのアライメントパタン6は、隣り合うMEMSミラー素子52から任意の距離だけ離して形成してよいが、ITU-Tが規定する光周波数グリッドに対応した位置に合わせて配置することが望ましい。例えば、図2中のPch’を周波数グリッドに合わせて配置したり、第1パタン61と第2パタン62の中央位置を周波数グリッドに合わせて配置したりすることによって、あらかじめアライメントパタンに対応する周波数が明らかとなるので、アライメントが容易になる。このようなMEMSミラーアレイチップ5は、公知のMEMS技術によって形成することができる。また、アライメントパタン6は、公知のフォトリソグラフィ技術によって形成することができる。<アライメント方法>次に、図4,図5を参照して、MEMSミラーアレイチップ5と光学系とのアライメント方法を説明する。まず、MEMSミラーアレイチップ5のX軸方向およびY軸方向のアライメントを行うには、図4に示すように、入力光ファイバ1aに対してASE光を出力する広帯域光源7と、MEMSミラーアレイチップ5を保持するホルダならびにこのホルダをX軸、Y軸およびZ軸方向に移動させるステージを備えた調芯ステージ8と、その入力光ファイバ1aから出力される光のスペクトルを測定するスペクトルアナライザ9とを用意する。なお、波長選択スイッチの光学系では、一般的に、Y軸方向のビーム径がX軸方向のビーム径に比べて大きい。これは、通過帯域を確保するために、X軸方向のビーム径を小さく絞っているためである。したがって、X軸方向のスペクトル形状を観測して、その通過帯域が広くなるようにMEMSミラーアレイチップ5のZ軸方向の調整を行えば、Y軸方向のビーム長さは、自ずと最良点にアライメントされることとなる。このような状態とした後、X軸方向のアライメントを行うために、図5に示すように、従来と同様に広帯域光源7からASE光を波長選択型光スイッチに入力し、MEMSミラー素子52からの反射光のスペクトルをスペクトルアナライザ9により観測するステップS1。具体的には、広帯域光源7から入力ポート1aを介して入力されたASE光は、集光レンズ3および4f光学系4によって周波数分離され、X軸に平行な帯状の光となって照射される。この帯状の光をMEMSミラー素子52で反射させて、この反射光を4f光学系4および集光レンズ3を通して入力ポート1aに入射させ、光スペクトルアナライザ9によりその反射光の光スペクトル形状を観察する。すると、その光スペクトルアナライザ9では、周波数軸と光強度軸とから構成される座標平面上において、各MEMSミラー素子52によって反射される光の周波数にピークを持つ櫛歯状のスペクトル形状となって観測される。櫛歯状のスペクトルが出力されると、従来と同様、そのスペクトルを観測しながら、各ミラー素子52の中心が対応する周波数位置と一致するように、調心ステージ8によりMEMSミラーアレイチップ5のX軸方向の位置を調整するステップS2。X軸方向のアライメントを完了すると、Y軸方向のアライメントを行うために、光スペクトルアナライザ9により、アライメントパタン6による反射光の周波数帯域に含まれる2点の周波数f1,f2における光強度を測定しステップS3、これらが一致するようにMEMSミラーアレイチップ5のY軸方向の位置を調整するステップS4。この調整は、スペクトルアナライザ9により周波数f1,f2の光強度を観察しながら、調心ステージ8によりMEMSミラーアレイチップ5のY軸方向に位置を調整することにより行われる。このように周波数f1,f2を測定することによりY軸方向のアライメントを行う原理について、図6A~図6Cを参照して説明する。図6A~図6Cに示すように、入力ポート1aにASE光を入射してアライメントパタン6に帯状の光を照射した場合、そのアライメントパタン6による反射光の光スペクトル形状は、アライメントパタン6のY軸方向の位置によって変化する。図6Aに示すように、MEMSミラーアレイチップ5がY軸方向に位置ずれしていなければ、X軸上に位置する帯状の光の中心軸と第1パタン61の下辺および第2パタン62の上辺とが同一直線状に位置するので、その帯状の光が第1パタン61に照射される領域61-1と、第2パタン62に照射される領域62-1とは、面積が等しくなる。すると、光スペクトルアナライザ9により観察される第1パタン61および第2パタン62による反射光の光スペクトル形状S1は、略矩形状となり、その第1パタン61および第2パタン62によってそれぞれ反射される光の周波数帯域において同一の光強度を示す。このように、MEMSミラーアレイチップ5がY軸方向に位置ずれしていない場合、アライメントパタン6の反射光の光強度は、第1パタン61による反射光の周波数帯域と、第2パタン62による反射光の周波数帯域とで等しくなる。一方、図6B、図6Cに示すように、MEMSミラーアレイチップ5がY軸方向に位置ずれしていると、帯状の光が第1パタン61に照射される領域61-2または61-3と、第2パタン62に照射される領域62-2または62-3とは、面積が異なる。すると、光スペクトルアナライザ9により観察される光スペクトル形状S2,S3は、面積が大きい方の領域61-2,62-3による反射光に対応する周波数帯域の光強度が高く、面積が小さい方の領域62-2,61-3による反射光に対応する周波数帯域の光強度が低くなる。具体的には、図6Bに示すように、帯状の光における低周波側の成分が照射される第1パタン61の領域61-2の方が、帯状の光における高周波側の成分が照射される第2パタン62の領域62-2よりも面積が大きい場合には、光スペクトル形状S2のように、低周波側が高周波側よりも光強度が高い光スペクトル形状となる。同様に、図6Cに示すように、領域62-3の方が領域61-3よりも面積が大きい場合には、光スペクトル形状S3のように高周波側が低周波側よりも光強度が高い光スペクトル形状となる。このように、MEMSミラーアレイチップ5がY軸方向に位置ずれしている場合、アライメントパタン6による反射光の光強度は、この反射光の波長スペクトルにおける中央の周波数を挟んで異なるものとなる。すなわち、その反射光の光強度は、第1パタン61により反射される光の周波数帯域と、第2パタン62により反射される光の周波数帯域とで異なるものとなる。ここで、アライメントパタン6による反射光の波長スペクトルにおける中央の周波数は、X軸方向における第1のパタン61と第2のパタン62との境界により反射される光の周波数に対応している。そこで、本実施の形態では、アライメントパタン6からの反射光の波長スペクトルにおける中央の周波数から高低両側に所定の値だけ離間した2つの周波数、すなわち、第1パタン61により反射される光の周波数帯域に含まれる周波数f1と、第2パタン62により反射される光の周波数帯域に含まれる周波数f2とを設定し、これらの光強度が同一となるようにMEMSミラーアレイチップ5のY軸方向の位置を調芯ステージ8により調整する。これにより、周波数f1,f2における光強度が等しくなれば、第1パタン61と第2パタン62とに照射される帯状の光の面積が等しくなるので、MEMSミラーアレイチップ5がY軸方向に位置ずれしていないこととなる。一方、周波数f1,f2における光強度が等しくならなければ、第1パタン61と第2パタン62とに照射される帯状の光の面積が等しくないので、MEMSミラーアレイチップ5がY軸方向に位置ずれしていることとなる。このように、本実施の形態によれば、第1,第2パタン61,62から構成されるアライメントパタン6を設けることにより、アライメントパタン6にX軸に平行な周波数軸を有する帯状の光を照射したときに、第1パタン61によって反射される光の光強度と、第2パタン62によって反射される光の光強度とが、MEMSミラーアレイチップ5がY軸方向に位置ずれしていない場合には同一となり、位置ずれしている場合には異なるものとなる。そこで、アライメントパタン6からの反射光の波長スペクトルにおける中央の周波数から高低両側に所定の値だけ離間した2つの周波数、すなわち、第1パタン61により反射される光の周波数帯域に含まれる第1の周波数f1と、第2パタン62により反射される光のの周波数帯域に含まれる第2の周波数f2とにおける光強度を測定し、これらの光強度が同一となるようにMEMSミラーアレイチップ5のY軸方向の位置を調整することによって、MEMSミラーアレイチップ5のY軸方向におけるアライメントを行うことができる。次に、本発明に係る他の実施の形態のアライメントパタンについて説明する。図7に示すアライメントパタン6aは、それぞれ長方形の第1,第2パタン61a,62aから構成され、上辺および下辺がX軸、側辺がY軸にそれぞれ平行に配置される。また、第1,第2パタン61a,62aは、第1パタン61aのX軸方向における正の側の側辺と、第2パタン62aのX軸方向における負の側の側辺とが同一直線上に位置し、かつ、第1パタン61aが第2パタン62aよりもY軸方向の正の側に位置している。本実施の形態においては、第1パタン61aの上辺から第2パタン62aの下辺までの高さLを600μm、第1パタン61aのX軸方向における負の側の側辺から第2パタン62aのX軸方向における正の側の側辺までの幅Wを300μmとした上で、第1パタン61aの下辺から第2パタン62aの上辺までの距離Dを0μm、100μm、200μmとした3種類のアライメントパタンを用意した。そして、これらのアライメントパタン6aに対して、ビームウェストのX軸方向の半径ωxが20μm、Y軸方向の半径が200μm、周波数帯域が193.64~193.76[THz]の光を照射した。このときに光スペクトルアナライザ9によって観察された光スペクトル形状を図8に示す。図8の符号a~cで示す光スペクトル形状は、第1パタン61aの下辺から第2パタン62aの上辺までの距離Dが0μm、すなわち、第1パタン61aと第2パタン62aとがX軸方向に重なっていないアライメントパタンによる反射光の光強度を示すものである。このうち、符号aはアライメントパタン6aがY軸方向に位置ずれしていない場合、符号bはアライメントパタン6aがY軸方向の正の側に10μm位置ずれした場合、符号cはアライメントパタン6aがY軸方向の負の側に10μm位置ずれした場合の光スペクトル形状を示すものである。また、図8の符号d~fで示す光スペクトル形状は、第1パタン61aの下辺から第2パタン62aの上辺までの距離Dが100μm、すなわち、同一直線上に位置する第1パタン61aと第2パタン62aの側辺がY軸方向に100μm重なったアライメントパタンによる反射光の光強度を示すものである。このうち、符号dはアライメントパタン6aがY軸方向に位置ずれしていない場合、符号eはアライメントパタン6aがY軸方向の正の側に10μm位置ずれした場合、符号fはアライメントパタン6aがY軸方向の負の側に10μm位置ずれした場合の光スペクトル形状を示すものである。さらに、図8の符号g~iで示す光スペクトル形状は、第1パタン61aの下辺から第2パタン62aの上辺までの距離Dが200μm、すなわち、同一直線上に位置する第1パタン61aと第2パタン62aの側辺がY軸方向に200μm重なったアライメントパタンによる反射光の光強度を示すものである。このうち、符号gはアライメントパタン6aがY軸方向に位置ずれしていない場合、符号hはアライメントパタン6aがY軸方向の正の側に10μm位置ずれした場合、符号iはアライメントパタン6aがY軸方向の負の側に10μm位置ずれした場合の光スペクトル形状を示すものである。符号aで示すように、アライメントパタン6aがY軸方向に位置ずれしていなければ、ビームウェストが照射される面積が、第1パタン61aと第2パタンaとで等しくなる。すると、光スペクトルアナライザ9により観察される第1パタン61aおよび第2パタン62aによる反射光の光スペクトル形状は、符号aで示すように略矩形状となり、その第1パタン61aおよび第2パタン62aによって反射される光の周波数帯域において同一の光強度を示す。一方、符号b、cで示すように、アライメントパタン6aがY軸方向に位置ずれしていると、ビームウェストが照射される面積が、第1パタン61aと第2パタンaとで異なる。すると、光スペクトルアナライザ9により観察される第1パタン61aおよび第2パタン62aによる反射光の光スペクトル形状は、ビームウェストが照射される面積が大きい方のパタンによる反射光に対応する周波数帯域の光強度が高く、面積が小さい方のパタンによる反射光に対応する周波数帯域の光強度が低くなる。具体的には、アライメントパタン6aがY軸方向の正の側に位置ずれた場合、ビームウェストが照射される面積が、低周波側の成分が照射される第1パタン61aの方が、高周波側の成分が照射される第2パタン62aよりも小さくなるので、符号bで示す光スペクトル形状のように、低周波側が高周波側よりも光強度が低くなる。逆に、アライメントパタン6aがY軸方向の負の側に位置ずれた場合、ビームウェストが照射される面積が、低周波側の成分が照射される第1パタン61aの方が、高周波側の成分が照射される第2パタン62aよりも大きくなるので、符号cで示す光スペクトル形状のように、低周波側が高周波側よりも光強度が高くなる。このような現象は、符号d~iで示す光スペクトル形状からもわかるように、第1パタン61aの下辺から第2パタン62aの上辺までの距離D、すなわち、同一直線上に位置する第1パタン61aと第2パタン62aの側辺がY軸方向に重なる長さに関わらず観察される。ただし、その距離Dが長ければ長いほど、アライメントパタン6aに照射されるビームウェストの面積が大きくなるので、全体の光強度が高くなる。また、Dを調整することによって、Y軸方向の位置ずれに対する検出感度を変えることができる。例えば、D=200μmの場合、符号gとhで示す光スペクトル形状のレベルの違いから、位置ずれに対する検出感度は、0.5dB/10μm=0.05dB/μmとなり、1μmレベルの位置合わせは困難である。一方、D=0μmの場合には、検出感度は、1.5dB/10μm=0.15dB/μmとなり、1μmレベルの調芯も十分可能となる。このようなアライメントパタン6aを形成した場合、例えば図8に示すように、周波数f1を第1パタン61aによる反射光の周波数帯域に含まれる193.68[THz]、周波数f2を第2パタン62aによる反射光の周波数帯域に含まれる193.72[THz]に設定し、これらの周波数f1,f2における光強度が等しくなるよう調芯ステージ8によってそのアライメントパタン6aが形成されたMEMSミラーアレイチップ5のY軸方向の位置を調整する。これによって、MEMSミラーアレイチップ5のY軸方向のアライメントをより正確に行うことができる。なお、以上においては、長方形の2つのパタンからなるアライメントパタン6,6aを設ける場合を例に説明したが、その第1,第2パタン61,62と同様、2つパタンがY軸を挟んで非対称で、かつ、X軸およびY軸の交点を中心に点対称に配置されているのであれば、アライメントパタンの形状を適宜自由に設定することができる。例えば、図9に示すアライメントパタン6bのように、2つの正方形から構成されるようにしてもよい。また、図10に示すアライメントパタン6cのように、2つの長方形を接続したような形状にしてもよい。また、図11に示すアライメントパタン6dのように、2つの小判形から構成されるようにしてもよい。さらに、図12に示すアライメントパタン6eのように、2つの小判形を接続したような形状にしてもよい。このような2つのパタンからなるアライメントパタンを備えたMEMSミラーアレイチップ5をY軸の正の側に移動させると、第1パタンに対応する周波数帯域の光強度が増加し、第2パタンに対応する周波数帯域の光強度が減少する。逆に、MEMSミラーアレイチップ5をY軸の負の側に移動させると、上述した正の側に移動させたときと逆の傾向を示す。このように、2つのパタンからなるアライメントパタンを設けることにより、MEMSミラーアレイチップ5のY軸方向に対する反射光の光強度の変化率が大きくなるので、より高精度にアライメントを行うことができる。また、上述した実施の形態では、アライメントパタン6,6a~6eを高反射面としているが、反対にアライメントパタンを低反射領域としその周囲を高反射面とするようにしてもよい。また、上述した実施の形態では、アライメントパタン6,6a~6eを2つ設ける場合を例に説明したが、1つまたは3つ以上設けるようにしてもよい。また、上述した実施の形態では、アライメントパタン6,6a~6eがMEMSミラーアレイチップ5上の固定された場所に形成されるため、MEMSミラー素子52が初期傾きを有していた場合においても、正確にMEMSミラーチップ6をアライメントすることができる。また、上述した実施の形態では、MEMSミラーアレイチップ5に適用した場合を例に説明したが、例えば透過型および反射型液晶スイッチアレイなど、他の微小スイッチアレイを用いたWSSにも適用することができる。また、上述した実施の形態では、ミラー素子52が一次元に配列されたMEMSミラーアレイチップ5について説明したが、二次元に配列されたMEMSミラーアレイについても適用できることは言うまでもない。この場合、回折格子による分波されたチャネルの何れかの位置に上述したアライメントパタンを配置することにより、本実施の形態と同等の作用効果を実現することができる。さらに、上述した実施の形態では、波長選択型光スイッチに適用した場合を例に説明したが、波長分離された入力光を偏向する素子やこの素子を備える光学系であるならば、適宜自由に適用できることは言うまでもない。また、その素子は、所定の軸回りに回動可能であるか否かを問わず、適用することができる。"