第1導電型層および第2導電型層が活性層を挟んで積層された積層部を備えた光素子であって、前記積層部の前記第2導電型層側の第1の面に設けられ、前記活性層から発生した光、もしくは前記積層部の前記第1の面とは反対側の第2の面から入射し、前記活性層を透過した光を、前記積層部に向けて反射する反射層を有し、前記反射層は、金属層と、前記金属層と前記積層部の前記第1の面との間に設けられた透明電極層と、を有し、前記透明電極層は、それぞれが前記活性層から入射してくる光の波長に対して透光性を有し、かつ、導電性を有する第1および第2の透明導電膜を有し、前記第1および第2の透明導電膜は、この順番で前記積層部の前記第1の面上に積層されており、前記第2の透明導電膜の屈折率は、前記第1の透明導電膜および前記第2導電型層の屈折率のいずれよりも低く、前記第2の透明導電膜の吸収係数は、前記第1の透明導電膜の吸収係数よりも小さい、光素子。前記活性層は光を発生し、前記積層部の前記第2の面より前記活性層から発生した光の一部が出射される、請求項1に記載の光素子。前記活性層は、前記積層部の前記第2の面から入射した光の一部を吸収する、請求項1に記載の光素子。前記透明電極層は、前記活性層から入射してくる光の波長に対して透光性を有し、かつ、導電性を有する第3の透明導電膜を、さらに有し、前記第1、第2、第3の透明導電膜は、この順番で前記積層部の前記第1の面上に積層されており、前記第3の透明導電膜の屈折率は、前記第2の透明導電膜の屈折率よりも高く、前記第3の透明導電膜の吸収係数は、前記第2の透明導電膜の吸収係数よりも大きい、請求項1から3のいずれか1項に記載の光素子。前記第2の透明導電膜は、前記第1および第3の透明導電膜よりも厚い、請求項4に記載の光素子。前記第2の透明導電膜は、前記活性層から放出される光の中心波長に対して0.625以上の光路長に対応する厚さを有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の光素子。前記第2の透明導電膜は、ITOまたはGZOに誘電体材料を混合した誘電体混合膜よりなる、請求項1から6のいずれか1項に記載の光素子。前記誘電体混合膜は、前記GZOにCaF2を混合したものである、請求項7に記載の光素子。前記金属層と前記透明電極層の間に設けられた、前記金属層とは異なる金属材料よりなる別の金属層を、さらに有する、請求項1から8のいずれか1項に記載の光素子。前記別の金属層は、前記金属層の前記透明導電側の面に形成された複数の島状の金属領域からなる、請求項9に記載の光素子。前記別の金属層は、Ni、Ti、Cr、Pdのいずれかの金属材料より形成されている、請求項9または10に記載の光素子。前記積層部の前記第2の面と対向する位置に設けられた偏光子をさらに有する、請求項1から11のいずれか1項に記載の光素子。前記積層部の前記第2の面と前記偏光子との間に設けられた1/4波長板をさらに有する、請求項12に記載の光素子。以下、本発明における一実施形態を、図面を参照して説明する。本出願の発明者は、半導体発光素子の裏面側に形成される反射層を金属層と透明導電膜で構成すれば、前述した電流注入量が不均一となる問題や製造工数が増大する問題を解決することができることに着目し、その構成を分析して、以下のような新たな知見を得た。図3に、金属層および透明導電膜からなる反射層を備えた半導体発光素子の構成を示す。図3を参照すると、半導体発光素子は、p型層302およびn型層304が活性層303を挟んで積層された積層部を有し、この積層部のp型層302側の面に、透明導電膜301および金属層300が順に積層されている。透明導電膜301および金属層300は反射層を形成する。透明導電膜301は、ITOやGZOなどにより形成される。透明導電膜301の屈折率は、例えば2.1である。透明導電膜301の吸収係数は、例えば5000cm1である。透明導電膜301の膜厚は、例えば3×λ/4nである。λは活性層303の発光波長であり、nは透明導電膜301の屈折率である。p型層302は、例えばp-GaNであり、その屈折率は450nmの光に対して2.5である。p型層302への電流注入は、金属層300から透明導電膜301を介して行われる。図3に示した半導体発光素子によれば、電流はp型層302全体へ均一に注入されるため、注入電流不均一に起因する特性低下を生じることがない。また、複数の金属部を設ける必要がないので、その分、製造工数は少なくなる。したがって、本半導体発光素子では、特許文献1に記載の半導体素子における問題が解決される。しかし、図3に示した半導体発光素子には、以下のような問題がある。図3に示した半導体発光素子では、透明導電膜301の屈折率は2.1、p型層302の屈折率は2.5であり、その差は小さい。このため、全反射を生じる臨界角が大きくなる。臨界角よりも小さい入射角の光は、金属層300に到達し、金属層300にて吸収される。したがって、全体としての反射率が低くなる。また、透明導電膜301の吸収係数が5000cm1と大きいため、ここでの光の減衰が大きくなり、これも反射率を低下させる。反射層の反射率を高くすることができる手法の一つとして、屈折率の低い材料を用いて透明導電膜301を形成する手法がある。低屈折率の材料としては、例えば、特許文献2に記載のGZOCaF2の材料が挙げられる。このGZOCaF2の屈折率は、約1.52である。このGZOCaF2の透明導電膜を用いれば、全反射を生じる臨界角を小さくできるため、金属層300に到達する光を低減でき、反射率を向上させることができる。さらにこの透明導電膜は先に挙げたITOやGZOに比べてキャリア数が少ないため、吸収係数が小さくなる。したがって透明導電膜中での吸収も抑えることができ、反射率が増加する。しかし、GZOCaF2等の低屈折率の材料を透明導電膜301として用いる場合、新たな問題が発生する。上述のように、このような低屈折率材料ではキャリア数が少ないため、透明導電膜301とp型層302の間、および透明導電膜301と金属層300の間における接触抵抗が大きくなる。一般に、透明導電膜中のキャリア層が少ないほど吸収係数が小さくなるため、光の吸収を抑えて反射率を上げることができる。一方、キャリア数が少ないほど、接触抵抗が大きくなるという弊害が生じる。特許文献2に記述があるように、透明導電膜においては一般に屈折率を低くするほど、導電率が低くなる、すなわちキャリア数が少なくなる。したがって臨界角を小さくして反射率を上げるために、低い屈折率の透明導電膜を用いると、その膜はキャリア数が少ないものとなるため、吸収は小さくなり、高反射率を得るという目的には好都合であるが、接触抵抗が大きくなるという弊害が生じる。以上のように、反射層の反射率と接触抵抗の間にはトレードオフの関係があるため、図3に示した構成では、高反射率で、かつ接触抵抗の小さい反射層を実現することは困難である。光の取り出し効率が高い半導体発光素子を得るには、特許文献1に記載された半導体発光素子が持つ、電流注入量が不均一となる問題や製造工数が増大する問題を解決することに加えて、発明者による分析によって新たに得られた上記のトレードオフの関係を考慮して、高反射率の反射層を形成する必要がある。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。第1の実施形態図4は、本発明の第1の実施形態である半導体発光素子の主要部の断面図である。図4を参照すると、半導体発光素子は、面発光型の固体光源例えば面発光型のLEDであって、p型層5およびn型層7が活性層6を挟んで積層された積層部を有し、この積層部のp型層5側の面に、金属層1と透明導電膜2~4とからなる反射層が形成されている。金属層1は、高反射率の金属材料、例えばAgより形成される。p型層5およびn型層7は、例えばGaNなどの高屈折率の半導体材料より形成される。透明導電膜2~4のそれぞれは、活性層6から発生する光の波長に対して透光性を有し、かつ、導電性を有する。これら透明導電膜2~4および金属層1からなる反射層は、p型層5に対するp型電極として機能する。透明導電膜2、4は、高屈折率の透明導電膜であり、その材料としては、例えば、ITO、GZO、ZnO、AZO等を用いることができる。透明導電膜2、4をITOで形成した場合、屈折率は約2.1であり、吸収係数は約5000cm3である。透明導電膜2、4の膜厚は、例えば10nmである。透明導電膜2の膜厚は、透明導電膜4の膜厚と異なっていてもよい。透明導電膜3は、吸収係数が小さな、低屈折率の透明導電膜であり、例えば、誘電体混合膜、多孔質ポーラス膜、透明導電体粒子をフィラーとして用いた複合導電材料よりなる膜、導電性高分子膜などにより形成することができる。誘電体混合膜は、例えば、特許文献2に記載されているような、ZnOにGaをドープしたGZOに、CaF2、SmF2、ZnO2、YF3、ZrO2、SrTiO3、BaTiO3などの低屈折率材料を混合したものである。例えば、GZOCaF2により透明導電膜3を形成した場合、屈折率は1.52であり、吸収係数は50cm3である。この他、ITOに誘電体材料を混ぜたものにより誘電体混合膜を形成することもできる。多孔質膜は、例えば、特許文献3に記載されているような多孔質ITO膜である。この多孔質ITO膜は、インジウムと錫とアルコールとを含むITO膜作成用有機溶液に、さらに少なくとも1種のノニオン系界面活性剤を添加して得た混合物を、基板上に塗布し、所定の温度で加熱処理することで形成される。この多孔質ITO膜により透明導電膜3を形成した場合、透明導電膜3の屈折率は1.74程度である。透明導電膜3の膜厚は、例えば2.85×λ/4nである。λは活性層6の発光波長であり、nは透明導電膜3の屈折率である。透明導電膜3の膜厚は、通常透明導電膜2および4よりも厚く設定される。なお、図4には、便宜上、n型層7に対するn型電極は示されていない。n型電極は、n型層7の活性層6側とは反対側の面に形成される。n型電極は、櫛状のパターンであってもよい。また、n型電極として、ITO等の透明電極材料を用いてもよい。本実施形態の半導体発光素子では、金属層1および導電膜2~4を介してp型層5に電流が注入され、活性層6が光を発生する。活性層6から放出された光のうちn型層7側に向かう光は、n型層7の活性層6側とは反対の面、すなわち図4の最上面から外部に出射される。一方、活性層6から放出された光のうちp型層5側に向かう光は、金属層1および導電膜2~4からなる反射層で反射される。この反射層における反射率について考える。この反射層において、p型層5と透明導電膜4の第1界面、透明導電膜3と透明導電膜4の第2界面、透明導電膜2と透明導電膜3の第3界面、および金属層1の透明導電膜2側の面のそれぞれで反射が生じる。p型層5、透明導電膜2、4、透明導電膜3の屈折率をそれぞれ2.5、2.1、1.52とすると、p型層5側から0~90°の入射角で入射した光のうち、約57°以上の入射角の光は、第1界面で全反射される。また約37°以上の光は第2界面で全反射される。このように屈折率の低い透明導電膜3があることにより、全反射される光の割合が増えるため、全体として反射率が向上する。透明導電膜2、4の吸収係数は、例えば5000cm3と大きいものの、透明導電膜2、4は薄いため、これらの膜で吸収される光の量はわずかである。一方、透明導電膜3は比較的厚いものの、吸収係数が50cm3と小さいため、この膜で吸収される光の量もやはり小さい。したがって、上記反射層は、光の多くを全反射により金属層1に到達させることなく反射させ得るとともに、透明導電膜2~4での光の吸収も抑制されているため、高い反射率を実現できる。図5に、本実施形態の半導体発光素子の反射層の反射率と入射角の関係を示す。縦軸は反射率を示し、横軸は、p型層5側から反射層に入射する光の入射角を示す。入射光の波長は450nmとした。図5中、実線で示す曲線はS偏光の光に関する反射率、一点鎖線で示す曲線はP偏光に関する反射率を示し、破線で示す曲線は両者の平均値を示す。先の述べたように、入射角が約37°以上では、全反射により、非常に高い反射率が得られている。図5に示すように、反射率は偏光依存性および入射角依存性を有するが、反射鏡の性能を示す指標として、以下の式で示される加重平均反射率がよく用いられる。ここでθは入射角であり、Rは入射角θに対する反射率である。また、RはS偏光とP偏光の反射率の平均値を用いる。式は、立体的な平均、あるいはθに対する光の状態密度を考慮した平均と言えるものであり、微小な角θに対応する立体角がsinθdθであることから導かれる。この加重平均反射率は、例えば特許文献1や非特許文献1でも使用されている。図3に示した構造に対して、式1を用いてRaveを計算すると、0.836となる。これに対し、図4に示した構造、すなわち図5の反射特性に対して、Raveを計算すると、0.969となり、約97の高い反射率が得られていることが分かる。これは、Agをp型層5に直接積層した場合のRaveである0.934よりも高い値となっており、全反射を利用して金属での吸収を抑えた効果が現れている。次に、透明導電膜の膜厚と反射率の関係を図6に示す。ここで反射率は式1で計算される加重平均反射率である。図6では、透明導電膜2、4を削除した場合、および透明導電膜2、4の膜厚を10nm、15nm、30nm、50nmと変化させた場合の、透明導電膜3の膜厚の変化に対する反射率の変化が示されている。横軸は、透明導電膜3の膜厚×λ/4nである。白色の四角により示されたグラフは、透明導電膜4を削除した場合を示す。黒色の丸により示されたグラフは、透明導電膜4の膜厚を10nmとした場合を示す。黒色のひし形により示されたグラフは、透明導電膜4の膜厚を15nmとした場合を示す。黒色の三角により示されたグラフは、透明導電膜4の膜厚を30nmとした場合を示す。黒色の四角により示されたグラフは、透明導電膜4の膜厚を50nmとした場合を示す。透明導電膜4の膜厚を10nmとした場合黒色の丸のグラフ、透明導電膜3の膜厚が2.5×λ/4n未満では、透明導電膜3が薄くなるに従って反射率が低下する。透明導電膜3の膜厚が2.5×λ/4n以上では、反射率は約96~97である。透明導電膜4の膜厚を15nmとした場合黒色のひし形のグラフも、透明導電膜3の膜厚が2.5×λ/4n未満では、透明導電膜3が薄くなるに従って反射率が低下する。透明導電膜3の膜厚が2.5×λ/4n以上では、反射率は約95~96である。透明導電膜4の膜厚を30nmとした場合黒色の三角のグラフおよび透明導電膜4の膜厚を50nmとした場合黒色の四角のグラフは、反射率は95を下回る。図6に示した結果から、透明導電膜4の膜厚は15nm以下、さらには10nm以下が好ましく、また透明導電膜4の膜厚は2.5λ/4n以上、すなわち、透明導電膜3の厚さに対する光路長を活性層6の発光中心波長に対して0.625以上にすることが好ましい。次に金属層1からp型層5までの部分の電気抵抗について考える。透明電極層のp型層5および金属層1と接する部分は、キャリア数が多い透明導電膜4および2により形成されているので、透明電極層とp型層5との接触抵抗を十分に小さくすることができ、良好なオーミックコンタクトをとることができる。一方、透明導電膜3はキャリア数が少ないため、この部分は抵抗が大きくなる。しかし、ここでの抵抗は接触抵抗ではなくバルク抵抗となる。界面での電流が主にトンネル現象により流れ、かつ透明導電膜側の空乏層が支配的であるとすると、空間電荷密度Nキャリア密度と等しいに対し、接触抵抗は概ねexpN12に比例する。これに対し、バルク抵抗は、1/Nに比例する。このことから、バルク抵抗は接触抵抗と比べてキャリア依存性が小さいことが分かる。すなわちキャリア数を少なくしても、バルク抵抗は接触抵抗ほど大幅に増加しない。例えば、1mm角の電極に対して、透明導電膜3の抵抗を考える。波長450nmに対して2.5×λ/4nの厚さとし、n=1.52とすると、膜厚は185nmとなる。透明導電膜3はITOに対して吸収係数が1/100となっており、透明導電膜中の吸収は主にフリーキャリア吸収であることから、キャリア数も概ねITOの1/100と考えて良い。さらにCaF2の添加などの低屈折率化のために移動度が1/10まで下がると考えると、導電率はITOの103、すなわち抵抗率が103倍となる。このように透明導電膜3の抵抗率がITOやGZOの約103倍である0.2Ωcmであると考えても、膜の抵抗は0.00037Ωと極めて小さい。仮に抵抗率がさらに1桁上がったとしても膜の抵抗は0.0037Ωに過ぎない。したがって、透明導電膜にキャリア数の比較的少ない膜を用いたとしても、バルク抵抗は十分小さく抑えることが可能である。したがって、図4の構造では接触抵抗、バルク抵抗ともに十分低くすることが可能となる。以上説明したように、本実施形態の半導体発光素子によれば、高反射率の反射層を構成することができるので、光の取り出し効率を高くするこができる。また、電気抵抗も十分低くすることが可能であり、さらに電流注入は、金属層1から透明導電膜2~4からなる透明電極層を介してp型層5の透明電極層側の面全体に対して一様に行われる。よって、p型層5への電流注入量が不均一となる問題は生じない。さらに、特許文献1に記載されたような複数の金属部205を形成する必要がないので、その分、特許文献1に記載されたものより製造工数を少なくすることができる。また、透明導電膜はp型半導体に対して良好な密着性を有し、金属に対する密着性も比較的良好であることから、Agなどの高反射金属を直接半導体に積層する構造に比べると、素子の信頼性の点でも好ましい。なお、本実施形態の半導体発光素子は、既存のエピタキシャル成長を利用した製造プロセスにより形成することができる。以下に、その製造手順を簡単に説明する。まず、成長用の第1の基板上に、n型層7、活性層6、p型層5を順に、エピタキシャル成長により積層する。その後、p型層6の面上に、例えばスパッタにより、透明導電膜4、透明導電膜3、透明導電膜2、金属層1を順に形成する。最後に、金属層1側を第2の基板に取り付けた後、第1の基板を剥がす。これにより、図4に示した構造の半導体発光素子を得る。第2の実施形態図7は、本発明の第2の実施形態である半導体発光素子の主要部の断面図である。本実施形態の半導体発光素子では、金属層1と透明導電膜2の間にNi層8が設けられており、この点が第1の実施形態のものと異なる。Ni層8の膜厚は例えば5nmである。図8に、本実施形態の半導体発光素子の反射層の入射角と反射率の関係を示す。縦軸は反射率で1に規格化されている。横軸は、反射層に対する入射角を示す。反射率は、第1乃至第3界面および金属層1の各反射率を含む。図8中の実線、破線、一点鎖線が意味するところは図5と同じである。本実施形態においても、入射角が約37°以上の高角入射光のほとんどは、透明導電膜3と透明導電膜4の間の第2界面で全反射される。この場合の反射率は、第1の実施形態とほぼ同じである。一方、入射角が37°未満の光は、Ni層8を介して金属層1に入射し、金属層1によって活性層6側の方向に反射される。この場合は、Ni層8による光の吸収がある分、第1の実施形態よりも反射率が低くなる。本構造では、式1を用いて計算されるRaveは0.923となる。本実施形態の半導体発光素子によれば、第1の実施形態のものと比較して、低角入射光に対する反射率は低いものの、高角入射光に対する反射率は同等であり、入射角が~90°までの光に対して、相対的に高い反射率を得ることができる。加えて、透明導電膜2~4からなる透明電極層と金属層1との間にNi層8が設けられているので、第1の実施形態のものと比較して、透明電極層と金属層1との接触抵抗をさらに小さくすることができ、良好なオーミックコンタクトをとることができる。また、透明電極層の金属層1に対する密着性も、第1の実施形態のものより高くすることができる。上述した第2の実施形態において、Ni層8は金属層1全体に設けられているが、これに限定されない。図9に示すように、Ni層8は、金属層1の透明導電膜2側の面に形成された複数の島状のNi領域より形成されてもよい。島状のNi領域は矩形形状であってもよい。島状のNi領域は、マトリクス状の配置であってよく、また、一方向に並べられた一次元の配置であってもよい。また、Ni層8に代えて、Ti層、Cr層およびPd層のいずれかの層を形成してもよい。この場合も、Ni層8を用い場合と同様の作用効果を奏する。図10に、比較例として、金属層とp型層の間にNi層のみを設けた半導体発光素子における、金属層およびNi層からなる反射層の入射角と反射率の関係を示す。縦軸は反射率である。横軸は、反射層に対する入射角を示す。図10中の実線、破線、一点鎖線が意味するところは図5、図8と同じである。図10から分かるように、本構造では全反射を利用することが出来ないので、高角入射光の反射率が図8に比べて低くなっており、式1を用いて計算されるRaveも0.725と低くなる。これに対して、本実施形態の半導体発光素子によれば、高角入射光について高反射率を得ることができ、その結果、前述のようにRaveも高くなる。第2の実施形態の半導体発光素子も、前述したエピタキシャル成長を用いた製造手順で作成することができる。ただし、透明導電体2を形成後、透明導電体2上にNi層8を形成する工程が必要である。以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成および動作については、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、当業者が理解し得る様々な変更を行うことができる。例えば、第1または第2の実施形態の半導体発光素子において、図1に示した1/4波長板105および偏光子106を設けてもよい。この場合は、偏光子106は、n型層7の活性層6側とは反対の側の面と対向する位置に配置される。1/4波長板105は、偏光子106とn型層7の間に配置される。上記の構成によれば、n型層7の活性層6側とは反対の面から出射され、1/4λ板105を介して偏光子106に入射した光のうち、第1の偏光の光については、偏光子106をそのまま透過し、第2の偏光の光は偏光子106で活性層6側の方向に反射される。偏光子106で反射された光は、λ/4板105を通過し、n型層7に入射する。n型層7に入射した光は、一部が表面にて反射されるが、ほとんどの光は、活性層6およびp型層5を介して反射層透明導電膜2~4および金属層1に入射する。反射層では、入射光は活性層6側の方向に向けて反射される。反射光は、p型層5、活性層6を透過して、n型層の表面から出射される。偏光子106で反射された第2の偏光の光のうち、反射層側へ向かう過程と、反射層で反射されて偏光板106へ向かう過程とにおいて、1/4波長板を2回通過したものが、第1の偏光に変換されて偏光子106を通過する。上記の偏光変換によりに光利用効率が向上する。偏光子106から出射される光の偏光は第1の偏光に揃えられているので、本半導体発光素子を、液晶パネルを照明する照明装置の光源として利用することができる。なお、LED部分、すなわち金属層1からn型層7の積層部での反射内部での多重反射を含む時に偏光がほぼ解消されるランダムになる場合には、14波長板を削除してもよい。本半導体発光素子によれば、出射面積を増大することなく偏光変換を行うことができるので、本半導体発光素子を液晶プロジェクタの光源に用いた場合、エテンデューの制約による光損失を抑制することができる。また、第1または第2の実施形態の半導体発光素子において、p型層5とn型層7は互いの位置が反対になるように形成されてもよい。この場合は、n型層7の活性層6側とは反対の面に反射層金属層1および透明導電膜2~4が形成される。この反射層は、n型層7の電極として機能する。また、本発明の半導体発光素子は、プロジェクタの光源に用いることができる。このプロジェクタの主要部は、本発明の半導体発光素子と、この半導体発光素子からの光を空間的に変調する表示素子と、表示素子で形成された画像光を投射する投射光学系と、を有する。以上の説明では、プロジェクタ用光源を例に取り、偏光子と組み合わせた構成に適用した場合の利点について説明しているが、本発明は照明用など、通常のLEDの光取り出し効率向上にも有効である。すなわち、本発明の半導体発光素子は、LEDに代表される面発光型の固体光源全般に適用することができる。また、本発明は、太陽電池等の用途として用いられる受光素子にも適用することができる。本発明を適用した受光素子は、第1および第2の実施形態において、活性層を光吸収層に置き換えた構成とされる。受光素子では、発光ダイオードと逆の過程を通じて電子に光のエネルギーを吸収させ光励起、半導体の性質を利用して、その電子を電力として取り出す。上記の受光素子において、金属層は透明電極層を介してp型層上に形成されており、金属層と第2導電型層の間に特許文献1に記載されたような複数の金属部は介在しない。よって、前述した電力の取り出しの問題は生じない。加えて、反射層の反射率を高くすることができるので、活性層における光吸収効率を高くすることができる。また、以上の例では半導体層と金属層の両側にキャリア数が多く、屈折率の高い透明導電膜を配置しており、これが最良の形態となる。ただし、金属と透明導電膜との接触抵抗は、半導体層と透明導電膜の接触抵抗に比べれば良好であるので、半導体側のみにキャリア数が多く、屈折率の高い膜を形成する構成も必要に応じて使用可能である。これは図4もしくは図7において透明導電膜2が無い場合に相当する。また、以上の例では、半導体からなる素子について説明したが、本発明は、半導体以外、例えば有機物で構成される発光素子もしくは受光素子へ適用可能である。以上説明したように、本発明によれば、反射層の反射率を高めることができるので、光の取り出し効率または光吸収率を高くするこができる。また、金属層は透明電極層を介して第2導電型層上に形成されており、金属層と第2導電型層の間に特許文献1に記載されたような複数の金属部は介在しない。よって、電流注入の問題や電力の取り出しの問題は生じない。さらに、特許文献1に記載されたような複数の金属部を形成する必要がないので、その分、特許文献1に記載されたものより製造工数を少なくすることができる。また、透明電極層の第2導電型層と接する部分は、キャリア数が多い透明導電膜第1の透明導電膜により形成されているので、透明電極層と第2導電型層との接触抵抗を十分に小さくすることができ、透明電極層の第2導電型層に対する密着性も、十分に高いものにすることができる。この出願は、2010年11月15日に出願された日本出願特願2010-254823を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。