記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換え可能な不揮発性半導体メモリと、前記不揮発性半導体メモリの書き換えを制御する書き換え制御部と、を備え、前記書き換え制御部は、前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定する、不揮発性半導体記憶装置。前記決定された仮のパルス電圧を前記不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正する際、前記不揮発性半導体メモリの温度に基づく補正値である基準補正値を決定し、前記基準補正値を調整する調整値を、前記仮のパルス電圧に基づき決定し、前記仮のパルス電圧を前記基準補正値および前記調整値を用いて補正する、請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記調整値は、前記基準補正値を決定した際のパルス電圧から前記仮のパルス電圧を減算した値に所定の係数を乗算した値である、請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記仮のパルス電圧は、仮の最大パルス電圧と仮の最小パルス電圧とを備え、前記決定されたパルス電圧は、最大パルス電圧と最小パルス電圧とを備え、前記書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加される信号のパルス電圧は、前記最大パルス電圧と前記最小パルス電圧との間の電圧である、請求項2または3に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記決定された仮のパルス幅を前記不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正する際、前記不揮発性半導体メモリの温度に基づく補正値である基準補正値を決定し、前記基準補正値を調整する調整値を、前記仮のパルス幅に基づき決定し、前記仮のパルス幅を前記基準補正値および前記調整値を用いて補正する、請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記調整値は、前記基準補正値を決定した際のパルス幅から前記仮のパルス幅を減算した値に所定の係数を乗算した値である、請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記仮のパルス幅は、仮の最大パルス幅と仮の最小パルス幅とを備え、前記決定されたパルス幅は、最大パルス幅と最小パルス幅とを備え、前記書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加される信号のパルス幅は、前記最大パルス幅と前記最小パルス幅との間のパルス幅である、請求項5または6に記載の不揮発性半導体記憶装置。記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換え可能な不揮発性半導体メモリと、前記不揮発性半導体メモリの書き換えを制御する書き換え制御部と、を備え、前記書き換え制御部は、前記不揮発性半導体メモリの温度に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定する、不揮発性半導体記憶装置。前記決定された仮のパルス電圧を前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正する際、前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づく補正値である基準補正値を決定し、前記基準補正値を調整する調整値を、前記仮のパルス電圧に基づき決定し、前記仮のパルス電圧を前記基準補正値および前記調整値を用いて補正する、請求項8に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記調整値は、前記基準補正値を決定した際のパルス電圧から前記仮のパルス電圧を減算した値に所定の係数を乗算した値である、請求項9に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記仮のパルス電圧は、仮の最大パルス電圧と仮の最小パルス電圧とを備え、前記決定されたパルス電圧は、最大パルス電圧と最小パルス電圧とを備え、前記書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加される信号のパルス電圧は、前記最大パルス電圧と前記最小パルス電圧との間の電圧である、請求項9または10に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記決定された仮のパルス幅を前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正する際、前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づく補正値である基準補正値を決定し、前記基準補正値を調整する調整値を、前記仮のパルス幅に基づき決定し、前記仮のパルス幅を前記基準補正値および前記調整値を用いて補正する、請求項8に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記調整値は、前記基準補正値を決定した際のパルス幅から前記仮のパルス幅を減算した値に所定の係数を乗算した値である、請求項12に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記仮のパルス幅は、仮の最大パルス幅と仮の最小パルス幅とを備え、前記決定されたパルス幅は、最大パルス幅と最小パルス幅とを備え、前記書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加される信号のパルス幅は、前記最大パルス幅と前記最小パルス幅との間のパルス幅である、請求項12または13に記載の不揮発性半導体記憶装置。前記不揮発性半導体記憶装置は、更に、前記不揮発性半導体メモリの温度を検知する温度検知部と、前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数を保持する書き換え情報保持部と、を備える請求項1乃至14のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。不揮発性半導体メモリに記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換える不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法であって、前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定されたパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを備える信号を用いて前記不揮発性半導体メモリに記録されている情報を書き換える、不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法。不揮発性半導体メモリに記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換える不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法であって、前記不揮発性半導体メモリの温度に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定されたパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを備える信号を用いて前記不揮発性半導体メモリに記録されている情報を書き換える、不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法。特許文献1に開示されている技術では、半導体集積回路120の環境温度の変動に応じて書き込み/消去パルスのパルス幅または電圧を変更している。よって、フラッシュROM121の書き換えを行う際に、温度変動の影響を低減することができる。しかしながら、特許文献1に開示されている技術では、フラッシュROM121の総書き換え回数が考慮されていないため、フラッシュROM121の劣化が進んだ場合に、印加するパルス電圧が不足するために書き換え時に再書き換え処理リトライが発生してしまい、書き換え時間が長くなってしまうという問題がある。特許文献2に開示されている技術では、総書き換え回数をカウンタ214でカウントし、データの総書き換え回数に基づいて、フラッシュROMメモリセルに印加する電圧を制御することで、フラッシュROMを書き換える際の印加電圧を最適な値とすることができる。しかしながら、特許文献2に開示されている技術では、フラッシュROMの温度が変化した場合、場合によっては、フラッシュROMの書き換え時に印加する電圧が不足し、これによりリトライが発生して書き換え時間が長くなるという問題がある。また、フラッシュROMの温度が変化した場合、場合によってはフラッシュROMに過剰な電圧が印加され、フラッシュROMの劣化を早めてしまうという問題がある。つまり、フラッシュROMの書き換えに必要な電圧は、フラッシュROMの温度とフラッシュROMの総書き換え回数の影響を受けるが、上記特許文献1および2では、これらのうちの1つしか考慮されていなかったため、フラッシュROMの書き換え時に適切なパルス電圧および適切なパルス幅を印加することができないという問題があった。図22A、図22Bは、本発明の課題を説明するための図である。図22A、図22Bに示すパルス電圧およびパルス幅は、フラッシュROMの書き換え時にフラッシュROMを構成する素子に印加するパルス電圧およびパルス幅を示している。図22Aに示す場合は、フラッシュROMの書き換えに必要なパルス電圧はVrであるため、Vrよりも高い電圧が過剰な電圧となる。この過剰な電圧は、フラッシュROMの劣化の原因となる。一方、図22Bに示す場合は、フラッシュROMの書き換え時に印加されるパルス電圧が、書き換えに必要なパルス電圧Vrよりも小さいため、リトライが発生してしまい、書き換え時間が長くなる以上で説明したように、特許文献1および特許文献2に開示されている技術では、不揮発性半導体メモリフラッシュROMの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加することができないという問題があった。本発明にかかる不揮発性半導体記憶装置は、記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換え可能な不揮発性半導体メモリと、前記不揮発性半導体メモリの書き換えを制御する書き換え制御部と、を備え、前記書き換え制御部は、前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定する。本発明にかかる不揮発性半導体記憶装置では、不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正しているので、不揮発性半導体メモリの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加することができる。本発明にかかる不揮発性半導体記憶装置は、記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換え可能な不揮発性半導体メモリと、前記不揮発性半導体メモリの書き換えを制御する書き換え制御部と、を備え、前記書き換え制御部は、前記不揮発性半導体メモリの温度に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定する。本発明にかかる不揮発性半導体記憶装置では、不揮発性半導体メモリの温度に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正しているので、不揮発性半導体メモリの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加することができる。本発明にかかる不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法は、不揮発性半導体メモリに記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換える不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法であって、前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定されたパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを備える信号を用いて前記不揮発性半導体メモリに記録されている情報を書き換える。本発明にかかる不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法では、不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを不揮発性半導体メモリの温度に基づいて補正しているので、不揮発性半導体メモリの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加することができる。本発明にかかる不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法は、不揮発性半導体メモリに記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換える不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法であって、前記不揮発性半導体メモリの温度に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを前記不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正することで、書き換え時に前記不揮発性半導体メモリに印加する信号のパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを決定し、前記決定されたパルス電圧およびパルス幅の少なくとも一つを備える信号を用いて前記不揮発性半導体メモリに記録されている情報を書き換える。本発明にかかる不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法では、不揮発性半導体メモリの温度に基づき仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを決定し、更に、当該決定された仮のパルス電圧および仮のパルス幅の少なくとも一つを不揮発性半導体メモリの総書き換え回数に基づいて補正しているので、不揮発性半導体メモリの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加することができる。本発明により、不揮発性半導体メモリの書き換え時に、適切なパルス電圧および適切なパルス幅を備える信号を印加することができる不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法を提供することができる。<実施の形態1>以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置を示すブロック図である。図1に示すように、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10は、不揮発性半導体メモリフラッシュROM11と、書き換え制御部12と、温度検知部13と、書き換え情報保持部14とを備える。不揮発性半導体メモリ11に保持されている情報を書き換える際は、端子15を介して書込装置20が接続される。不揮発性半導体メモリ11は、電源供給がなくなった場合であっても記憶されている情報を保持することができる半導体メモリである。不揮発性半導体メモリ11としては、例えばフラッシュROMがある。以下では、不揮発性半導体メモリをフラッシュROMと記載する。フラッシュROM11は、記録されている情報を所定のパルス電圧および所定のパルス幅を備える信号を印加することで書き換えることができる半導体メモリである。フラッシュROM11は、EEPROMElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemoryの一種であり、書き換え時に印加する電圧を読み取り時の電圧よりも高くすることで何回も記憶内容の消去書き込みが可能なメモリ素子である。つまり、メモリ素子に対してパルス状の電圧を印加し、ゲート絶縁膜に電流を流してメモリ素子に電子を注入したり、電子を引き抜いたりすることによって書き換えを行う。例えば、フラッシュROM11のデータの書き換え処理は、データの消去とデータの書き込みにより実施される。フラッシュROM11のメモリ素子がフローティングゲートを有するMOS型の素子である場合は、以下のようにしてフラッシュROM11へのデータの書き換え処理を実施する。フラッシュROM11に格納されているデータを消去する場合は、メモリ素子のフローティングゲートに電子を注入し、メモリ素子の閾値電圧を上昇させる。フローティングゲートへの電子の注入は、例えば、メモリ素子のゲート電圧を高く設定し例えば、10V、ドレイン、ソース、基板の電圧を低く設定例えば、-8Vすることで実施することができる。一方、フラッシュROM11にデータを書き込む場合は、メモリ素子のフローティングゲートから電子を放出させ、メモリ素子の閾値電圧を下げる。フローティングゲートから電子を放出させるには、例えば、メモリ素子のゲート電圧を低く設定し例えば、-10V、ドレインの電圧を高く設定例えば、6Vすることで実施することができる。フラッシュROM11は書き換え制御部12と接続されており、書き換え制御部12からの信号に基づき書き換え処理が実施される。また、フラッシュROM11は端子不図示を介して、不揮発性半導体記憶装置10の外部に設けられているCPU等の外部装置と接続されている。書き換え制御部12は、フラッシュROM11の書き換えを制御する。フラッシュROM11の書き換えを実施する際、書き換え制御部12は端子15を介して書込装置20と接続され、書込装置20からの命令に基づき、フラッシュROM11の書き換えつまり、消去処理または書き込み処理を実施する。また、書き換え制御部12は、温度検知部13と書き換え情報保持部14と接続されている。フラッシュROM11の書き換えを実施する際、書き換え制御部12は、温度検知部13から出力されたフラッシュROM11の温度と、書き換え情報保持部14から出力されたフラッシュROM11の総書き換え回数とを用いて、フラッシュROM11を書き換える際のパルス電圧やパルス幅を決定することができる。また、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の書き換え処理の終了後、書き換え処理の結果を書込装置20に返すことができる。なお、図1では、書き換え制御部12が、不揮発性半導体記憶装置10に内蔵されている温度検知部13および書き換え情報保持部14からそれぞれ、フラッシュROM11の温度およびフラッシュROM11の総書き換え回数を取得している場合を示した。しかし、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度およびフラッシュROM11の総書き換え回数を、不揮発性半導体記憶装置10の外部に設けられている回路等から取得してもよい。この場合は、不揮発性半導体記憶装置10に温度検知部13および書き換え情報保持部14を設ける必要はない。温度検知部13は、フラッシュROM11の温度を検知し、検知した温度を書き換え制御部12に出力する。温度検知部13は、例えばサーミスタや熱電対などの温度センサを備えている。書き換え情報保持部14は、フラッシュROM11の総書き換え回数を保持する。書き換え情報保持部14は、例えばカウンタを備える。そして、書き換え制御部12がフラッシュROM11に対して書き換え処理を実施する際に、書き換え制御部12が書き換え情報保持部14に信号を出力し、この信号を受信した回数をカウンタでカウントすることで、フラッシュROM11の総書き換え回数を取得することができる。なお、書き換え情報保持部14は、フラッシュROM11の消去処理の回数をカウントする消去回数カウンタと、フラッシュROM11への書き込み処理の回数をカウントする書き込み回数カウンタとを独立して備えていてもよい。書込装置20は、フラッシュROM11に保持されている情報を書き換える際に、端子15を介して書き換え制御部12と接続される。書込装置20は、書き換え制御部12に対してフラッシュROM11の消去処理および書き込み処理の命令や、書き込まれるデータを出力する。また、書込装置20は、フラッシュROM11の書き換え処理の終了後に、書き換え制御部12から出力された書き換え処理の結果を受信する。なお、書込装置20は、フラッシュROM11に保持されている情報を書き換えるとき以外は、不揮発性半導体記憶装置10から切り離されている。次に、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10の動作について説明する。図2は、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10の動作を説明するためのフローチャートであり、フラッシュROM11の書き換え処理の大まかな流れを示している。フラッシュROM11の書き換え処理を実施する際、まず書込装置20から不揮発性半導体記憶装置10の書き換え制御部12に、消去命令または書き込み命令を発行するステップS1。次に、書き換え制御部12は、書込装置20から出力された消去命令または書き込み命令を受け取ると、フラッシュROM11に対して消去処理または書き込み処理を実施するステップS2。なお、ステップS2の処理の詳細については後述する。そして、書き換え制御部12は、フラッシュROM11に対する消去処理または書き込み処理が終了すると、書込装置20に対して消去結果または書き込み結果を通知するステップS3。これにより、フラッシュROM11の書き換え処理が終了する。次に、図2のステップS2の処理フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理について、図3を用いて詳細に説明する。まず、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて、仮最大パルス電圧Vtmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vtmpminをそれぞれ算出するステップS11、S12。ここで、仮最大パルス電圧Vtmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vtmpminは、フラッシュROM11の書き換え時に印加するパルス電圧として仮に定められた電圧である。これらのパルス電圧は、以降の処理により補正される。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の書き換え回数と、仮最大パルス電圧Vtmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vtmpminとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の総書き換え回数現在の書き換え回数とを用いることで、仮最大パルス電圧Vtmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vtmpminをそれぞれ決定することができる。なお、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理時に印加される信号のパルス幅は所定の値Wfixに固定されている。フラッシュROM11の書き換え回数が増加すると、フラッシュROM11の書き換え処理に要する時間が増加する。一例を示すと、フラッシュROM11の書き換え回数が1000回を越えると書き換え時間が増大する。そのため、書き換え制御部12は、図5に示す表のように、書き換え回数が1000回以上の場合に仮最大パルス電圧Vtmpmaxを段階的に増加させている。つまり、書き換え制御部12は、図5に示すように、消去時間にあまり変動がない999回目までは10Vを、メモリ素子が劣化し始める1000回以降では、1000回毎に0.2Vずつ仮最大パルス電圧Vtmpmaxを段階的に増加させている。仮最小パルス電圧Vtmpminについても同様に、1000回以降において仮最小パルス電圧Vtmpminを段階的に増加させることができる。なお、図5に示す表は、フラッシュROM11の消去処理においてメモリ素子のゲートに印加される電圧を例示している。例えば、フラッシュROM11の書き込み処理の場合は、メモリ素子のゲートに印加される電圧は、負の電圧となる。この場合は、フラッシュROM11の総書き換え回数が1000回以上となった際に、仮最大パルス電圧Vtmpmax負の値および仮最小パルス電圧Vtmpmin負の値が段階的に小さくなるようにつまり、電圧の絶対値が大きくなるようにする。次に、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度に基づいて、仮最大パルス電圧Vtmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vtmpminを補正するための基準補正値電圧値Vmaxtc1、Vmintc1をそれぞれ算出するステップS13。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度と、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1とを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の温度とを用いることで、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1をそれぞれ決定することができる。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより低温になるにつれて、消去処理において印加されるパルス電圧が高くなるように、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1が高くなる。一方、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより高温になるにつれて、消去処理において印加されるパルス電圧が低くなるように、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1が低くなる。また、例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより低温になるにつれて、書き込み処理において印加されるパルス電圧が低くなるように、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1が低くなる。一方、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより高温になるにつれて、書き込み処理において印加されるパルス電圧が高くなるように、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1が高くなる。その後、書き換え制御部12は、仮最大パルス電圧Vtmpmax、仮最小パルス電圧Vtmpmin、および基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1に基づいて、最大パルス電圧Vmaxおよび最小パルス電圧Vminを算出するステップS14。なお、最大パルス電圧Vmaxおよび最小パルス電圧Vminの算出方法の詳細については、後述する。ここで、最大パルス電圧VmaxはフラッシュROM11の消去処理または書き込み処理においてメモリ素子に印加されるパルス電圧の最大値である。また、最小パルス電圧VminはフラッシュROM11の消去処理または書き込み処理においてメモリ素子に印加されるパルス電圧の最小値である。次に、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理においてメモリ素子に印加されるパルス電圧を設定するステップS15。このとき、メモリ素子に印加されるパルス電圧は、最小パルス電圧Vminよりも大きく、且つ最大パルス電圧Vmaxよりも小さい範囲で設定される。そして、設定されたパルス電圧をメモリ素子に印加することで、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理を実施するステップS16。その後、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が成功したか否かを判定するベリファイ処理:ステップS17。フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が失敗した場合ステップS18:Noは、メモリ素子に印加されるパルス電圧を、最小パルス電圧Vminよりも大きく、且つ最大パルス電圧Vmaxよりも小さい範囲で再設定しステップS19、ステップS16以降を繰り返す。つまり、例えば、図6の左図に示すように、ステップS15で設定されたパルス電圧V5が低すぎるために、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理においてリトライが発生した場合ステップS18:Noは、図6の右図に示すように、パルス電圧V5よりも大きいパルス電圧V6を再設定するステップS19。このとき、再設定されたパルス電圧が所定の設定範囲内Vmin~Vmaxとなるように設定する。一方、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が成功した場合ステップS18:Yesは、書き換え情報保持部14に保持されている情報を現在の総書き換え回数で更新するステップS20。そして、消去処理または書き込み処理を実施したアドレスが最終アドレスか否か判断するステップS21。消去処理または書き込み処理を実施したアドレスが最終アドレスではない場合ステップS21:No、消去処理または書き込み処理を実施するアドレスを更新しステップS22、ステップS11以降の処理を繰り返す。一方、消去処理または書き込み処理を実施したアドレスが最終アドレスである場合ステップS21:Yes、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理を終了し、図2のステップS3へと進む。なお、ステップS18において、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が成功したと判断された場合は、次以降のアドレスにおける消去処理または書き込み処理において、ステップS15で設定されるパルス電圧を低めに設定してもよい。つまり、図7の左図に示すように、ステップS15で設定されたパルス電圧V7が過剰である場合は、次以降のアドレスにおける消去処理または書き込み処理において、図7の右図に示すように、パルス電圧V7よりも低いパルス電圧V8を設定してもよい。このとき、設定されたパルス電圧は所定の設定範囲内Vmin~Vmaxとなるように設定する。このように処理をすることで、デバイスの特性にばらつきが生じた場合であっても、フラッシュROM11の特性に最適なパルス電圧を探索し、最適なパルス電圧を印加することが可能となる。次に、図3のステップS14の処理、つまり、仮最大パルス電圧Vtmpmax、仮最小パルス電圧Vtmpmin、および基準補正値Vmaxtc1、Vmintc1に基づいて、最大パルス電圧Vmaxおよび最小パルス電圧Vminを算出する処理について、図4を用いて詳細に説明する。まず、書き換え制御部12は、図3のステップS11で求めた仮最大パルス電圧Vtmpmaxに基づき、図3のステップS13で求めた基準補正値Vmaxtc1の調整値Vmaxtaを算出するステップS31。例えば、書き換え制御部12は、仮最大パルス電圧Vtmpmaxと、調整値Vmaxtaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最大パルス電圧Vtmpmaxとを用いることで、調整値Vmaxtaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Vmaxtaは以下の式を用いて求めることができる。Vmaxta=mVbase-Vtmpmax式1ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Vbaseは、温度補正情報測定時のパルス電圧である。ここで、温度補正情報測定時のパルス電圧とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの温度と基準補正値Vmaxtc1との関係を求める際に用いられたパルス電圧である。また、Vtmpmaxは、仮最大パルス電圧である。このように、調整値Vmaxtaは、基準補正値Vmaxtc1を決定した際のパルス電圧Vbaseから仮最大パルス電圧Vtmpmaxを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。図5に、書き換え情報保持部14に保持されている総書き換え回数、仮最大パルス電圧Vtmpmax、温度補正情報測定時のパルス電圧Vbase、デバイス特性係数m、および調整値Vmaxtaの一例を示す。図5に示すように、パルス電圧Vbaseは11Vで一定であり、デバイス特性係数mは0.3で一定である。図5に示す例では、フラッシュROMの総書き換え回数が増加するにしたがい、仮最大パルス電圧Vtmpmaxが増加する。このため、式1より、調整値Vmaxtaは、フラッシュROMの総書き換え回数が増加するにしたがい、徐々に小さくなる関係がある。次に、基準補正値Vmaxtc1を調整値Vmaxtaで補正することで、最大パルス電圧補正値Vmaxtcを求めるステップS32。つまり、最大パルス電圧補正値Vmaxtc=基準補正値Vmaxtc1調整値Vmaxtaを計算することで、最大パルス電圧補正値Vmaxtcを求めることができる。ここで、最大パルス電圧補正値Vmaxtcは、仮最大パルス電圧Vtmpmaxを補正するための補正値である。次に、仮最大パルス電圧Vtmpmaxを最大パルス電圧補正値Vmaxtcで補正することで、最大パルス電圧Vmaxを求めるステップS33。つまり、最大パルス電圧Vmax=仮最大パルス電圧Vtmpmax最大パルス電圧補正値Vmaxtcを計算することで、最大パルス電圧Vmaxを求めることができる。以上で説明した処理により、図3のステップS15で用いられる最大パルス電圧Vmaxを求めることができる。続いて、最小パルス電圧Vminを算出する処理について説明する。なお、最小パルス電圧Vminを算出する処理についても、上記で説明した最大パルス電圧Vmaxを算出する処理と基本的に同様である。まず、書き換え制御部12は、図3のステップS12で求めた仮最小パルス電圧Vtmpminに基づき、図3のステップS13で求めた基準補正値Vmintc1の調整値Vmintaを算出するステップS34。例えば、書き換え制御部12は、仮最小パルス電圧Vtmpminと、調整値Vmintaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最小パルス電圧Vtmpminとを用いることで、調整値Vmintaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Vmintaは以下の式を用いて求めることができる。Vminta=mVbase-Vtmpmin式2ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Vbaseは、温度補正情報測定時のパルス電圧である。ここで、温度補正情報測定時のパルス電圧とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの温度と基準補正値Vmintc1との関係を求める際に用いられたパルス電圧である。また、Vtmpminは、仮最小パルス電圧である。このように、調整値Vmintaは、基準補正値Vmintc1を決定した際のパルス電圧Vbaseから仮最小パルス電圧Vtmpminを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。次に、基準補正値Vmintc1を調整値Vmintaで補正することで、最小パルス電圧補正値Vmintcを求めるステップS35。つまり、最小パルス電圧補正値Vmintc=基準補正値Vmintc1調整値Vmintaを計算することで、最小パルス電圧補正値Vmintcを求めることができる。ここで、最小パルス電圧補正値Vmintcは、仮最小パルス電圧Vtmpminを補正するための補正値である。次に、仮最小パルス電圧Vtmpminを最小パルス電圧補正値Vmintcで補正することで、最小パルス電圧Vminを求めるステップS36。つまり、最小パルス電圧Vmin=仮最小パルス電圧Vtmpmin最小パルス電圧補正値Vmintcを計算することで、最小パルス電圧Vminを求めることができる。以上で説明した処理により、図3のステップS15で用いられる最小パルス電圧Vminを求めることができる。このように、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づき仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminを決定し、更に、決定された仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminを、フラッシュROM11の温度に基づいて補正している。よって、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の総書き換え回数とフラッシュROM11の温度の両方を考慮したパルス電圧を用いて、フラッシュROM11の書き換え処理を実施することができる。なお、本明細書では、仮最大パルス電圧および仮最小パルス電圧を総称して仮のパルス電圧と記載する。同様に、最大パルス電圧補正値および最小パルス電圧補正値を総称してパルス電圧補正値と記載する。このとき、フラッシュROM11に対する温度に基づく影響は、印加するパルス電圧によって変化する。このため、本実施の形態では、温度情報に基づき算出された基準補正値Vmaxtc1を、仮最大パルス電圧Vtmpmaxに基づき算出された調整値Vmaxtaを用いて調整している。同様に、温度情報に基づき算出された基準補正値Vmintc1を、仮最小パルス電圧Vtmpminに基づき算出された調整値Vmintaを用いて調整している。よって、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理のときに印加するパルス電圧を最適な値とすることができる。図8は、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置で設定されるパルス電圧を説明するための図である。なお、図8~図10においても、フラッシュROM11の書き換え処理時に印加される信号のパルス幅は固定値Wfixである。図8に示すように、例えば、フラッシュROM11の総書き換え回数のみに基づいてパルス電圧を設定した場合例えば、特許文献2に開示されている技術を用いた場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス電圧の最大値はVtmpmaxであった。一方、本実施の形態のように、フラッシュROM11の総書き換え回数とフラッシュROM11の温度の両方を考慮した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス電圧の最大値を、Vtmpmaxよりも最大パルス電圧補正値Vmaxtcだけ低いVmaxとすることができる。図9は、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10で設定されるパルス電圧を説明するための図である補正によりパルス電圧Vmax、Vminが低くなる場合。本実施の形態では、まず、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminを算出する。このとき算出された仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminは、パルス電圧Vmax、Vminよりも高い値である。その後、フラッシュROM11の温度に基づいて算出されたパルス電圧補正値Vmaxtc、Vmintcを用いて、仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminを補正する。これにより、最大パルス電圧Vmaxを、仮最大パルス電圧Vtmpmaxよりも最大パルス電圧補正値Vmaxtcだけ低い値とすることができる。また、最小パルス電圧Vminを、仮最小パルス電圧Vtmpminよりも最小パルス電圧補正値Vmintcだけ低い値とすることができる。フラッシュROM11の総書き換え回数のみに基づいてパルス電圧を設定した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス電圧を、例えばV2に設定する必要があった。しかしながら、本実施の形態のように、フラッシュROM11の総書き換え回数とフラッシュROM11の温度の両方を考慮した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス電圧を、V2よりも低いV1とすることができる。その結果、低い電圧でフラッシュROM11の書き換えを実施することができるので、フラッシュROM11の劣化を抑えることができ、フラッシュROM11の書き換え回数を増やすことができる。図10は、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10で設定されるパルス電圧を説明するための図である補正によりパルス電圧Vmax、Vminが高くなる場合。この場合も同様に、まず、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminを算出する。このとき算出された仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminは、パルス電圧Vmax、Vminよりも低い値である。その後、フラッシュROM11の温度に基づいて算出されたパルス電圧補正値Vmaxtc、Vmintcを用いて、仮のパルス電圧Vtmpmax、Vtmpminを補正する。これにより、最大パルス電圧Vmaxを、仮最大パルス電圧Vtmpmaxよりも最大パルス電圧補正値Vmaxtcだけ高い値とすることができる。また、最小パルス電圧Vminを、仮最小パルス電圧Vtmpminよりも最小パルス電圧補正値Vmintcだけ高い値とすることができる。フラッシュROM11の総書き換え回数のみに基づいてパルス電圧を設定した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス電圧を、例えばV4に設定する必要があった。しかしながら、本実施の形態のように、フラッシュROM11の総書き換え回数とフラッシュROM11の温度の両方を考慮した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス電圧を、V4よりも高いV3とすることができる。その結果、パルス電圧が低すぎてフラッシュROM11のリトライが発生することを抑制することができ、フラッシュROM11の書き換え時間を短縮することができる。次に、図11を用いて本発明の効果について説明する。図11は、フラッシュROMの総書き換え回数と印加するパルス電圧との関係を示している。図11には、理想のパルス電圧A、本発明を用いてパルス電圧を算出した場合B、特許文献1に開示されている技術を用いてパルス電圧を算出した場合C、および特許文献2に開示されている技術を用いてパルス電圧を算出した場合Dを示している。つまり、本発明を用いてパルス電圧を算出した場合Bは、上記のように、フラッシュROMの総書き換え回数とフラッシュROMの温度とに基づいてパルス電圧を算出した場合を示している。また、特許文献1に開示されている技術を用いてパルス電圧を算出した場合Cは、フラッシュROMの温度に基づいてパルス電圧を算出した場合を示している。また、特許文献2に開示されている技術を用いてパルス電圧を算出した場合Dは、フラッシュROMの総書き換え回数に基づきパルス電圧を算出した場合を示している。なお、本発明を用いてパルス電圧を算出する際、デバイス特性係数をm=0.3、基準補正値Vmaxtc1を0.2V、温度補正情報測定時のパルス電圧をVbase=11Vとし、総書き換え回数から算出した仮パルス電圧Vtmpmaxを10V~12Vに変化させている。このとき、Vbaseから1V変化したときに0.3Vだけ基準補正値Vmaxtc1に影響があると仮定して、デバイス特性係数を0.3とした。図11に示すように、特許文献1に開示されている技術を用いてパルス電圧を算出した場合Cは、総書き換え回数によってパルス電圧がほとんど変化しない。また、特許文献2に開示されている技術を用いてパルス電圧を算出した場合Dは、総書き換え回数に応じてパルス電圧が変化するが、特に総書き換え回数が7000回以下の領域において、理想のパルス電圧Aと大きく乖離しているといえる。これに対して本発明を用いてパルス電圧を算出した場合Bは、算出されたパルス電圧が理想のパルス電圧Aと近い値であるといえる。よって、上記で説明した本実施の形態にかかる発明を用いることで、フラッシュROMの書き換え処理の際のパルス電圧として、理想のパルス電圧に近い値を設定することができる。以上で説明したように、本実施の形態にかかる発明により、不揮発性半導体メモリフラッシュROMの書き換え時に、フラッシュROMに適切なパルス電圧を印加することができる不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法を提供することができる。よって、フラッシュROMの書き換え時にリトライが発生することを抑制することができ、フラッシュROMの書き換え時間を短縮することができる。また、フラッシュROMの書き換え時に、フラッシュROMに過剰な電圧が印加されることを抑制することができるので、フラッシュROMの寿命を延ばすことができる。<実施の形態2>次に、本発明の実施の形態2について説明する。実施の形態1では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス幅を固定しWfix、フラッシュROMの総書き換え回数とフラッシュROMの温度とに基づきパルス電圧を設定していた。これに対して本実施の形態では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス電圧を固定しVfix、フラッシュROMの総書き換え回数とフラッシュROMの温度とに基づきパルス幅を設定している。なお、本実施の形態で用いられる不揮発性半導体記憶装置10は、実施の形態1で説明した図1に示した不揮発性半導体記憶装置10と同様であるので、重複した説明は省略する。つまり、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10は、書き換え制御部12における動作が実施の形態1と異なっている。以下、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10の動作について説明する。本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10においても、図2に示した処理が実施される。図2に示した処理については、実施の形態1で説明したので省略する。図12は、図2のステップS2の処理フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理を詳細に説明するためのフローチャートである。図12は、実施の形態1で説明した図3に対応している。図12に示すように、まず、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて、仮最大パルス幅Wtmpmaxおよび仮最小パルス幅Wtmpminをそれぞれ算出するステップS41、S42。ここで、仮最大パルス幅Wtmpmaxおよび仮最小パルス幅Wtmpminは、フラッシュROM11の書き換え時にパルス電圧を印加する時間として仮に定められたパルス幅である。これらのパルス幅は、以降の処理により補正される。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の書き換え回数と、仮最大パルス幅Wtmpmaxおよび仮最小パルス幅Wtmpminとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の総書き換え回数現在の書き換え回数とを用いることで、仮最大パルス幅Wtmpmaxおよび仮最小パルス幅Wtmpminをそれぞれ決定することができる。なお、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理時に印加されるパルス電圧は所定の値Vfixに固定されている。フラッシュROM11の書き換え回数が増加すると、フラッシュROM11の書き換え処理に要する時間が増加する。一例を示すと、フラッシュROM11の書き換え回数が1000回を越えると書き換え時間は増大する。そのため、書き換え制御部12は、1000回以降において仮最大パルス幅Wtmpmaxを段階的に増加させることができる。次に、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度に基づいて、仮最大パルス幅Wtmpmaxおよび仮最小パルス幅Wtmpminを補正するための基準補正値パルス幅Wmaxtc1、Wmintc1をそれぞれ算出するステップS43。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度と、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1とを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の温度とを用いることで、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1をそれぞれ決定することができる。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより低温になるにつれて、消去処理におけるパルス幅が大きくなるように、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1が大きくなる。一方、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより高温になるにつれて、消去処理におけるパルス幅が小さくなるように、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1が小さくなる。また、例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより低温になるにつれて、書き込み処理におけるパルス幅が小さくなるように、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1が小さくなる。一方、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度がより高温になるにつれて、書き込み処理におけるパルス幅が大きくなるように、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1を決定することができるつまり、基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1が大きくなる。その後、書き換え制御部12は、仮最大パルス幅Wtmpmax、仮最小パルス幅Wtmpmin、および基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1に基づいて、最大パルス幅Wmaxおよび最小パルス幅Wminを算出するステップS44。なお、最大パルス幅Wmaxおよび最小パルス幅Wminの算出方法の詳細については、後述する。ここで、最大パルス幅Wmaxは、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理においてメモリ素子に印加される信号のパルス幅の最大値である。また、最小パルス幅Wminは、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理においてメモリ素子に印加される信号のパルス幅の最小値である。次に、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理時に、メモリ素子に印加される信号のパルス幅を設定するステップS45。このとき、メモリ素子に印加される信号のパルス幅は、最小パルス幅Wminよりも大きく、且つ最大パルス幅Wmaxよりも小さい範囲で設定される。そして、設定されたパルス幅の信号をメモリ素子に印加することで、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理を実施するステップS46。その後、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が成功したか否かを判定するベリファイ処理:ステップS47。フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が失敗した場合ステップS48:Noは、メモリ素子に印加される信号のパルス幅を、最小パルス幅Wminよりも大きく、且つ最大パルス幅Wmaxよりも小さい範囲で再設定しステップS49、ステップS46からステップS48を繰り返す。つまり、例えば、図14の左図に示すように、ステップS45で設定されたパルス幅W5が小さすぎるために、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理においてリトライが発生した場合ステップS48:Noは、図14の右図に示すように、パルス幅W5よりも大きいパルス幅W6を再設定するステップS49。このとき、再設定されたパルス幅が所定の設定範囲内Wmin~Wmaxとなるように設定する。一方、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が成功した場合ステップS48:Yesは、書き換え情報保持部14に保持されている情報を現在の総書き換え回数で更新するステップS50。そして、消去処理または書き込み処理を実施したアドレスが最終アドレスか否か判断するステップS51。消去処理または書き込み処理を実施したアドレスが最終アドレスではない場合ステップS51:No、消去処理または書き込み処理を実施するアドレスを更新しステップS52、ステップS41以降の処理を繰り返す。一方、消去処理または書き込み処理を実施したアドレスが最終アドレスである場合ステップS51:Yes、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理を終了し、図2のステップS3へと進む。なお、ステップS48において、フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理が成功したと判断された場合は、次以降のアドレスにおける消去処理または書き込み処理において、ステップS45で設定されるパルス幅を小さめに設定してもよい。つまり、図15の左図に示すように、ステップS45で設定されたパルス幅W7が過剰である場合は、次以降のアドレスにおける消去処理または書き込み処理において、図15の右図に示すように、パルス幅W7よりも小さいパルス幅W8を設定してもよい。このとき、設定されたパルス幅は所定の設定範囲内Wmin~Wmaxとなるように設定する。このように処理をすることで、デバイスの特性にばらつきが生じた場合であっても、フラッシュROM11の特性に最適なパルス幅を探索し、最適なパルス幅の信号を印加することが可能となる。次に、図12のステップS44の処理、つまり、仮最大パルス幅Wtmpmax、仮最小パルス幅Wtmpmin、および基準補正値Wmaxtc1、Wmintc1に基づいて、最大パルス幅Wmaxおよび最小パルス幅Wminを算出する処理について、図13を用いて詳細に説明する。まず、書き換え制御部12は、図12のステップS41で求めた仮最大パルス幅Wtmpmaxに基づき、図12のステップS43で求めた基準補正値Wmaxtc1の調整値Wmaxtaを算出するステップS61。例えば、書き換え制御部12は、仮最大パルス幅Wtmpmaxと、調整値Wmaxtaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最大パルス幅Wtmpmaxとを用いることで、調整値Wmaxtaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Wmaxtaは以下の式を用いて求めることができる。Wmaxta=mWbase-Wtmpmax式3ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Wbaseは、温度補正情報測定時のパルス幅である。ここで、温度補正情報測定時のパルス幅とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの温度と基準補正値Wmaxtc1との関係を求める際に用いられたパルス幅である。また、Wtmpmaxは、仮最大パルス幅である。このように、調整値Wmaxtaは、基準補正値Wmaxtc1を決定した際のパルス幅Wbaseから仮最大パルス幅Wtmpmaxを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。次に、基準補正値Wmaxtc1を調整値Wmaxtaで補正することで、最大パルス幅補正値Wmaxtcを求めるステップS62。つまり、最大パルス幅補正値Wmaxtc=基準補正値Wmaxtc1調整値Wmaxtaを計算することで、最大パルス幅補正値Wmaxtcを求めることができる。ここで、最大パルス幅補正値Wmaxtcは、仮最大パルス幅Wtmpmaxを補正するための補正値である。次に、仮最大パルス幅Wtmpmaxを最大パルス幅補正値Wmaxtcで補正することで、最大パルス幅Wmaxを求めるステップS63。つまり、最大パルス幅Wmax=仮最大パルス幅Wtmpmax最大パルス幅補正値Wmaxtcを計算することで、最大パルス幅Wmaxを求めることができる。以上で説明した処理により、図12のステップS45で用いられる最大パルス幅Wmaxを求めることができる。続いて、最小パルス幅Wminを算出する処理について説明する。なお、最小パルス幅Wminを算出する処理についても、上記で説明した最大パルス幅Wmaxを算出する処理と基本的に同様である。まず、書き換え制御部12は、図12のステップS42で求めた仮最小パルス幅Wtmpminに基づき、図12のステップS43で求めた基準補正値Wmintc1の調整値Wmintaを算出するステップS64。例えば、書き換え制御部12は、仮最小パルス幅Wtmpminと、調整値Wmintaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最小パルス幅Wtmpminとを用いることで、調整値Wmintaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Wmintaは以下の式を用いて求めることができる。Wminta=mWbase-Wtmpmin式4ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Wbaseは、温度補正情報測定時のパルス幅である。ここで、温度補正情報測定時のパルス幅とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの温度と基準補正値Wmintc1との関係を求める際に用いられたパルス幅である。また、Wtmpminは、仮最小パルス幅である。このように、調整値Wmintaは、基準補正値Wmintc1を決定した際のパルス幅Wbaseから仮最小パルス幅Wtmpminを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。次に、基準補正値Wmintc1を調整値Wmintaで補正することで、最小パルス幅補正値Wmintcを求めるステップS65。つまり、最小パルス幅補正値Wmintc=基準補正値Wmintc1調整値Wmintaを計算することで、最小パルス幅補正値Wmintcを求めることができる。ここで、最小パルス幅補正値Wmintcは、仮最小パルス幅Wtmpminを補正するための補正値である。次に、仮最小パルス幅Wtmpminを最小パルス幅補正値Wmintcで補正することで、最小パルス幅Wminを求めるステップS66。つまり、最小パルス幅Wmin=仮最小パルス幅Wtmpmin最小パルス幅補正値Wmintcを計算することで、最小パルス幅Wminを求めることができる。以上で説明した処理により、図12のステップS45で用いられる最小パルス幅Wminを求めることができる。このように、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づき仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminを決定し、更に、決定された仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminを、フラッシュROM11の温度に基づいて補正している。よって、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の総書き換え回数とフラッシュROM11の温度の両方を考慮したパルス幅を用いて、フラッシュROM11の書き換え処理を実施することができる。このとき、フラッシュROM11に対する温度に基づく影響は、印加する信号のパルス幅によって変化する。このため、本実施の形態では、温度情報に基づき算出された基準補正値Wmaxtc1を、仮最大パルス幅Wtmpmaxに基づき算出された調整値Wmaxtaを用いて調整している。同様に、温度情報に基づき算出された基準補正値Wmintc1を、仮最小パルス幅Wtmpminに基づき算出された調整値Wmintaを用いて調整している。よって、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理のときに印加される信号のパルス幅を最適な値とすることができる。図16は、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10で設定されるパルス幅を説明するための図である補正によりパルス幅Wmax、Wminが小さくなる場合。本実施の形態では、まず、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminを算出する。このとき算出された仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminは、パルス幅Wmax、Wminよりも大きい値である。その後、フラッシュROM11の温度に基づいて算出されたパルス幅補正値Wmaxtc、Wmintcを用いて、仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminを補正する。これにより、最大パルス幅Wmaxを、仮最大パルス幅Wtmpmaxよりも最大パルス幅補正値Wmaxtcだけ小さい値とすることができる。また、最小パルス幅Wminを、仮最小パルス幅Wtmpminよりも最小パルス幅補正値Wmintcだけ小さい値とすることができる。フラッシュROM11の総書き換え回数のみに基づいてパルス幅を設定した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス幅を、例えばW2に設定する必要があった。しかしながら、本実施の形態のように、フラッシュROM11の総書き換え回数とフラッシュROM11の温度の両方を考慮した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス幅を、W2よりも小さいW1とすることができる。その結果、小さいパルス幅でフラッシュROM11の書き換えを実施することができるので、フラッシュROM11の劣化を抑えることができ、フラッシュROM11の書き換え回数を増やすことができる。図17は、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10で設定されるパルス幅を説明するための図である補正によりパルス幅Wmax、Wminが大きくなる場合。この場合も同様に、まず、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminを算出する。このとき算出された仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminは、パルス幅Wmax、Wminよりも小さい値である。その後、フラッシュROM11の温度に基づいて算出されたパルス幅補正値Wmaxtc、Wmintcを用いて、仮のパルス幅Wtmpmax、Wtmpminを補正する。これにより、最大パルス幅Wmaxを、仮最大パルス幅Wtmpmaxよりも最大パルス幅補正値Wmaxtcだけ大きい値とすることができる。また、最小パルス幅Wminを、仮最小パルス幅Wtmpminよりも最小パルス幅補正値Wmintcだけ大きい値とすることができる。フラッシュROM11の総書き換え回数のみに基づいてパルス幅を設定した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス幅を、例えばW4に設定する必要があった。しかしながら、本実施の形態のように、フラッシュROM11の総書き換え回数とフラッシュROM11の温度の両方を考慮した場合は、フラッシュROM11の書き換えの際のパルス幅を、W4よりも大きいW3とすることができる。その結果、パルス幅が小さすぎてフラッシュROM11のリトライが発生することを抑制することができ、フラッシュROM11の書き換え時間を短縮することができる。以上で説明したように、本実施の形態にかかる発明により、不揮発性半導体メモリフラッシュROMの書き換え時にフラッシュROMに印加される信号のパルス幅を適切なパルス幅とすることができる。よって、フラッシュROMの書き換え時にリトライが発生することを抑制することができ、フラッシュROMの書き換え時間を短縮することができる。また、フラッシュROMの書き換え時に、フラッシュROMに過剰なパルス幅の信号が印加されることを抑制することができるので、フラッシュROMの寿命を延ばすことができる。上述したように、実施の形態1では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス幅を固定しWfix、フラッシュROMの総書き換え回数とフラッシュROMの温度とに基づきパルス電圧を設定する場合について説明した。また、実施の形態2では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス電圧を固定しVfix、フラッシュROMの総書き換え回数とフラッシュROMの温度とに基づきパルス幅を設定する場合について説明した。つまり、実施の形態1および実施の形態2では、パルス電圧およびパルス幅のうちの一方を固定し、他方をフラッシュROMの総書き換え回数およびフラッシュROMの温度に基づき設定する場合について説明した。しかし、本発明では、パルス電圧およびパルス幅の両方を、フラッシュROMの総書き換え回数およびフラッシュROMの温度に基づき設定するようにしてもよい。この場合は、例えば、フラッシュROMの総書き換え回数およびフラッシュROMの温度に基づき、印加するパルス信号の積分値つまり、パルス電圧とパルス幅とを乗算した値を決定する。そして、決定された積分値を有するパルス信号となるようなパルス電圧およびパルス幅を、フラッシュROMの書き換え処理時におけるパルス電圧およびパルス幅とすることができる。<実施の形態3>次に、本発明の実施の形態3について説明する。実施の形態1および実施の形態2では、まず、フラッシュROMの総書き換え回数に基づいて仮のパルス電圧または仮のパルス幅を算出し、その後、フラッシュROMの温度に基づいて算出されたパルス電圧補正値またはパルス幅補正値を用いて、仮のパルス電圧または仮のパルス幅を補正することで、書き換え処理時におけるパルス電圧またはパルス幅を求めていた。以下に示す実施の形態3および実施の形態4では、まず、フラッシュROMの温度に基づいて仮のパルス電圧または仮のパルス幅を算出し、その後、フラッシュROMの総書き換え回数に基づいて算出されたパルス電圧補正値またはパルス幅補正値を用いて、仮のパルス電圧または仮のパルス幅を補正することで、書き換え処理時におけるパルス電圧またはパルス幅を求める場合について説明する。実施の形態3では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス幅を固定しWfix、フラッシュROMの温度とフラッシュROMの総書き換え回数とに基づきパルス電圧を設定する場合について説明する。なお、本実施の形態で用いられる不揮発性半導体記憶装置10は、実施の形態1で説明した図1に示した不揮発性半導体記憶装置10と同様であるので、重複した説明は省略する。つまり、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10は、書き換え制御部12における動作が実施の形態1と異なっている。以下、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10の動作について説明する。本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10においても、図2に示した処理が実施される。図2に示した処理については、実施の形態1で説明したので省略する。図18は、図2のステップS2の処理フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理を詳細に説明するためのフローチャートである。図18は、実施の形態1で説明した図3に対応している。図18に示すように、まず、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度に基づいて、仮最大パルス電圧Vttmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vttmpminをそれぞれ算出するステップS111、S112。ここで、仮最大パルス電圧Vttmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vttmpminは、フラッシュROM11の書き換え時に印加するパルス電圧として仮に定められた電圧である。これらのパルス電圧は、以降の処理により補正される。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度と、仮最大パルス電圧Vttmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vttmpminとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の温度とを用いることで、仮最大パルス電圧Vttmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vttmpminをそれぞれ決定することができる。なお、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理時に印加される信号のパルス幅は所定の値Wfixに固定されている。次に、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて、仮最大パルス電圧Vttmpmaxおよび仮最小パルス電圧Vttmpminを補正するための基準補正値電圧値Vmaxcc1、Vmincc1をそれぞれ算出するステップS113。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の総書き換え回数と、基準補正値Vmaxcc1、Vmincc1とを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の総書き換え回数とを用いることで、基準補正値Vmaxcc1、Vmincc1をそれぞれ決定することができる。フラッシュROM11の書き換え回数が増加すると、フラッシュROM11の書き換え処理に要する時間が増加する。一例を示すと、フラッシュROM11の書き換え回数が1000回を越えると書き換え時間は増大する。そのため、書き換え制御部12は、書き換え回数が1000回以上の場合に基準補正値電圧値Vmaxcc1、Vmincc1を段階的に増加させることができる。その後、書き換え制御部12は、仮最大パルス電圧Vttmpmax、仮最小パルス電圧Vttmpmin、および基準補正値Vmaxcc1、Vmincc1に基づいて、最大パルス電圧Vmaxおよび最小パルス電圧Vminを算出するステップS114。以降、ステップS115~ステップS122については、実施の形態1で説明した図3のステップS15~ステップS22と同様であるので、重複した説明は省略する。次に、図18のステップS114の処理、つまり、仮最大パルス電圧Vttmpmax、仮最小パルス電圧Vttmpmin、および基準補正値Vmaxcc1、Vmincc1に基づいて、最大パルス電圧Vmaxおよび最小パルス電圧Vminを算出する処理について、図19を用いて詳細に説明する。まず、書き換え制御部12は、図18のステップS111で求めた仮最大パルス電圧Vttmpmaxに基づき、図18のステップS113で求めた基準補正値Vmaxcc1の調整値Vmaxcaを算出するステップS131。例えば、書き換え制御部12は、仮最大パルス電圧Vttmpmaxと、調整値Vmaxcaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最大パルス電圧Vttmpmaxとを用いることで、調整値Vmaxcaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Vmaxcaは以下の式を用いて求めることができる。Vmaxca=mVtbase-Vttmpmax式5ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Vtbaseは、総書き換え回数補正情報測定時のパルス電圧である。ここで、総書き換え回数補正情報測定時のパルス電圧とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの総書き換え回数と基準補正値Vmaxcc1との関係を求める際に用いられたパルス電圧である。また、Vttmpmaxは、仮最大パルス電圧である。このように、調整値Vmaxcaは、基準補正値Vmaxcc1を決定した際のパルス電圧Vtbaseから仮最大パルス電圧Vttmpmaxを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。次に、基準補正値Vmaxcc1を調整値Vmaxcaで補正することで、最大パルス電圧補正値Vmaxccを求めるステップS132。つまり、最大パルス電圧補正値Vmaxcc=基準補正値Vmaxcc1調整値Vmaxcaを計算することで、最大パルス電圧補正値Vmaxccを求めることができる。ここで、最大パルス電圧補正値Vmaxccは、仮最大パルス電圧Vttmpmaxを補正するための補正値である。次に、仮最大パルス電圧Vttmpmaxを最大パルス電圧補正値Vmaxccで補正することで、最大パルス電圧Vmaxを求めるステップS133。つまり、最大パルス電圧Vmax=仮最大パルス電圧Vttmpmax最大パルス電圧補正値Vmaxccを計算することで、最大パルス電圧Vmaxを求めることができる。以上で説明した処理により、図18のステップS115で用いられる最大パルス電圧Vmaxを求めることができる。続いて、最小パルス電圧Vminを算出する処理について説明する。なお、最小パルス電圧Vminを算出する処理についても、上記で説明した最大パルス電圧Vmaxを算出する処理と基本的に同様である。まず、書き換え制御部12は、図18のステップS112で求めた仮最小パルス電圧Vttmpminに基づき、図18のステップS113で求めた基準補正値Vmincc1の調整値Vmincaを算出するステップS134。例えば、書き換え制御部12は、仮最小パルス電圧Vttmpminと、調整値Vmincaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最小パルス電圧Vttmpminとを用いることで、調整値Vmincaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Vmincaは以下の式を用いて求めることができる。Vminca=mVtbase-Vttmpmin式6ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Vtbaseは、総書き換え回数補正情報測定時のパルス電圧である。ここで、総書き換え回数補正情報測定時のパルス電圧とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの総書き換え回数と基準補正値Vmincc1との関係を求める際に用いられたパルス電圧である。また、Vttmpminは、仮最大パルス電圧である。このように、調整値Vmincaは、基準補正値Vmincc1を決定した際のパルス電圧Vtbaseから仮最小パルス電圧Vttmpminを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。次に、基準補正値Vmincc1を調整値Vmincaで補正することで、最小パルス電圧補正値Vminccを求めるステップS135。つまり、最小パルス電圧補正値Vmincc=基準補正値Vmincc1調整値Vmincaを計算することで、最小パルス電圧補正値Vminccを求めることができる。ここで、最小パルス電圧補正値Vminccは、仮最小パルス電圧Vttmpminを補正するための補正値である。次に、仮最小パルス電圧Vttmpminを最小パルス電圧補正値Vminccで補正することで、最小パルス電圧Vminを求めるステップS136。つまり、最小パルス電圧Vmin=仮最小パルス電圧Vttmpmin最小パルス電圧補正値Vminccを計算することで、最小パルス電圧Vminを求めることができる。以上で説明した処理により、図18のステップS115で用いられる最小パルス電圧Vminを求めることができる。このように、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の温度に基づき仮のパルス電圧Vttmpmax、Vttmpminを決定し、更に、決定された仮のパルス電圧Vttmpmax、Vttmpminを、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて補正している。よって、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の温度とフラッシュROM11の総書き換え回数の両方を考慮したパルス電圧を用いて、フラッシュROM11の書き換え処理を実施することができる。このとき、フラッシュROM11に対する総書き換え回数に基づく影響は、印加するパルス電圧によって変化する。このため、本実施の形態では、総書き換え回数に基づき算出された基準補正値Vmaxcc1を、仮最大パルス電圧Vttmpmaxに基づき算出された調整値Vmaxcaを用いて調整している。同様に、総書き換え回数に基づき算出された基準補正値Vmincc1を、仮最小パルス電圧Vttmpminに基づき算出された調整値Vmincaを用いて調整している。よって、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理のときに印加するパルス電圧を最適な値とすることができる。以上で説明したように、本実施の形態にかかる発明により、不揮発性半導体メモリフラッシュROMの書き換え時に、フラッシュROMに適切なパルス電圧を印加することができる不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体メモリの情報書き換え方法を提供することができる。よって、フラッシュROMの書き換え時にリトライが発生することを抑制することができ、フラッシュROMの書き換え時間を短縮することができる。また、フラッシュROMの書き換え時に、フラッシュROMに過剰な電圧が印加されることを抑制することができるので、フラッシュROMの寿命を延ばすことができる。<実施の形態4>次に、本発明の実施の形態4について説明する。以下で説明する実施の形態4では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス電圧を固定しVfix、フラッシュROMの温度とフラッシュROMの総書き換え回数とに基づきパルス電圧を設定する場合について説明する。なお、本実施の形態で用いられる不揮発性半導体記憶装置10は、実施の形態1で説明した図1に示した不揮発性半導体記憶装置10と同様であるので、重複した説明は省略する。つまり、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10は、書き換え制御部12における動作が実施の形態1と異なっている。以下、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10の動作について説明する。本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10においても、図2に示した処理が実施される。図2に示した処理については、実施の形態1で説明したので省略する。図20は、図2のステップS2の処理フラッシュROM11の消去処理または書き込み処理を詳細に説明するためのフローチャートである。図20は、実施の形態2で説明した図12に対応している。図20に示すように、まず、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度に基づいて、仮最大パルス幅Wttmpmaxおよび仮最小パルス幅Wttmpminをそれぞれ算出するステップS141、S142。ここで、仮最大パルス幅Wttmpmaxおよび仮最小パルス幅Wttmpminは、フラッシュROM11の書き換え時にパルス電圧を印加する時間として仮に定められたパルス幅である。これらのパルス幅は、以降の処理により補正される。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の温度と、仮最大パルス幅Wttmpmaxおよび仮最小パルス幅Wttmpminとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の温度とを用いることで、仮最大パルス幅Wttmpmaxおよび仮最小パルス幅Wttmpminをそれぞれ決定することができる。なお、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理時に印加されるパルス電圧は所定の値Vfixに固定されている。次に、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて、仮最大パルス幅Wttmpmaxおよび仮最小パルス幅Wttmpminを補正するための基準補正値パルス幅Wmaxcc1、Wmincc1をそれぞれ算出するステップS143。例えば、書き換え制御部12は、フラッシュROM11の総書き換え回数と、基準補正値Wmaxcc1、Wmincc1とを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えている。そして、書き換え制御部12は、この情報と、フラッシュROM11の総書き換え回数とを用いることで、基準補正値Wmaxcc1、Wmincc1をそれぞれ決定することができる。フラッシュROM11の書き換え回数が増加すると、フラッシュROM11の書き換え処理に要する時間が増加する。一例を示すと、フラッシュROM11の書き換え回数が1000回を越えると書き換え時間は増大する。そのため、書き換え制御部12は、書き換え回数が1000回以上の場合に基準補正値パルス幅Wmaxcc1、Wmincc1を段階的に増加させることができる。その後、書き換え制御部12は、仮最大パルス幅Wttmpmax、仮最小パルス幅Wttmpmin、および基準補正値Wmaxcc1、Wmincc1に基づいて、最大パルス幅Wmaxおよび最小パルス幅Wminを算出するステップS144。以降、ステップS145~ステップS152については、実施の形態2で説明した図12のステップS45~ステップS52と同様であるので、重複した説明は省略する。次に、図20のステップS144の処理、つまり、仮最大パルス幅Wttmpmax、仮最小パルス幅Wttmpmin、および基準補正値Wmaxcc1、Wmincc1に基づいて、最大パルス幅Wmaxおよび最小パルス幅Wminを算出する処理について、図21を用いて詳細に説明する。まず、書き換え制御部12は、図20のステップS141で求めた仮最大パルス幅Wttmpmaxに基づき、図20のステップS143で求めた基準補正値Wmaxcc1の調整値Wmaxcaを算出するステップS161。例えば、書き換え制御部12は、仮最大パルス幅Wttmpmaxと、調整値Wmaxcaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最大パルス幅Wttmpmaxとを用いることで、調整値Wmaxcaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Wmaxcaは以下の式を用いて求めることができる。Wmaxca=mWtbase-Wttmpmax式7ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Wtbaseは、総書き換え回数補正情報測定時のパルス幅である。ここで、総書き換え回数補正情報測定時のパルス幅とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの総書き換え回数と基準補正値Wmaxcc1との関係を求める際に用いられたパルス幅である。また、Wttmpmaxは、仮最大パルス幅である。このように、調整値Wmaxcaは、基準補正値Wmaxcc1を決定した際のパルス幅Wtbaseから仮最大パルス幅Wttmpmaxを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。次に、基準補正値Wmaxcc1を調整値Wmaxcaで補正することで、最大パルス幅補正値Wmaxccを求めるステップS162。つまり、最大パルス幅補正値Wmaxcc=基準補正値Wmaxcc1調整値Wmaxcaを計算することで、最大パルス幅補正値Wmaxccを求めることができる。ここで、最大パルス幅補正値Wmaxccは、仮最大パルス幅Wttmpmaxを補正するための補正値である。次に、仮最大パルス幅Wttmpmaxを最大パルス幅補正値Wmaxccで補正することで、最大パルス幅Wmaxを求めるステップS163。つまり、最大パルス幅Wmax=仮最大パルス幅Wttmpmax最大パルス幅補正値Wmaxccを計算することで、最大パルス幅Wmaxを求めることができる。以上で説明した処理により、図20のステップS145で用いられる最大パルス幅Wmaxを求めることができる。続いて、最小パルス幅Wminを算出する処理について説明する。なお、最小パルス幅Wminを算出する処理についても、上記で説明した最大パルス幅Wmaxを算出する処理と基本的に同様である。まず、書き換え制御部12は、図20のステップS142で求めた仮最小パルス幅Wttmpminに基づき、図20のステップS143で求めた基準補正値Wmincc1の調整値Wmincaを算出するステップS164。例えば、書き換え制御部12は、仮最小パルス幅Wttmpminと、調整値Wmincaとを対応づけた情報例えば、テーブルや計算式を備えており、この情報と、仮最小パルス幅Wttmpminとを用いることで、調整値Wmincaを決定することができる。具体的に説明すると、調整値Wmincaは以下の式を用いて求めることができる。Wminca=mWtbase-Wttmpmin式8ここで、mはデバイスの特性係数所定の係数であり、フラッシュROMの製造時にデバイス特性を計測し、そのデバイス特性に応じて決定することができる。Wtbaseは、総書き換え回数補正情報測定時のパルス幅である。ここで、総書き換え回数補正情報測定時のパルス幅とは、フラッシュROMの製造時に、フラッシュROMの総書き換え回数と基準補正値Wmincc1との関係を求める際に用いられたパルス幅である。また、Wttmpminは、仮最小パルス幅である。このように、調整値Wmincaは、基準補正値Wmincc1を決定した際のパルス幅Wtbaseから仮最小パルス幅Wttmpminを減算した値に、所定の係数mを乗算することで求めることができる。次に、基準補正値Wmincc1を調整値Wmincaで補正することで、最小パルス幅補正値Wminccを求めるステップS165。つまり、最小パルス幅補正値Wmincc=基準補正値Wmincc1調整値Wmincaを計算することで、最小パルス幅補正値Wminccを求めることができる。ここで、最小パルス幅補正値Wminccは、仮最小パルス幅Wttmpminを補正するための補正値である。次に、仮最小パルス幅Wttmpminを最小パルス幅補正値Wminccで補正することで、最小パルス幅Wminを求めるステップS166。つまり、最小パルス幅Wmin=仮最小パルス幅Wttmpmin最小パルス幅補正値Wminccを計算することで、最小パルス幅Wminを求めることができる。以上で説明した処理により、図20のステップS145で用いられる最小パルス幅Wminを求めることができる。このように、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の温度に基づき仮のパルス幅Wttmpmax、Wttmpminを決定し、更に、決定された仮のパルス幅Wttmpmax、Wttmpminを、フラッシュROM11の総書き換え回数に基づいて補正している。よって、本実施の形態にかかる不揮発性半導体記憶装置10では、フラッシュROM11の温度とフラッシュROM11の総書き換え回数の両方を考慮したパルス幅を用いて、フラッシュROM11の書き換え処理を実施することができる。このとき、フラッシュROM11に対する総書き換え回数に基づく影響は、印加する信号のパルス幅によって変化する。このため、本実施の形態では、総書き換え回数に基づき算出された基準補正値Wmaxcc1を、仮最大パルス幅Wttmpmaxに基づき算出された調整値Wmaxcaを用いて調整している。同様に、総書き換え回数に基づき算出された基準補正値Wmincc1を、仮最小パルス幅Wttmpminに基づき算出された調整値Wmincaを用いて調整している。よって、本実施の形態では、フラッシュROM11の書き換え処理のときに印加される信号のパルス幅を最適な値とすることができる。以上で説明したように、本実施の形態にかかる発明により、不揮発性半導体メモリフラッシュROMの書き換え時にフラッシュROMに印加される信号のパルス幅を適切なパルス幅とすることができる。よって、フラッシュROMの書き換え時にリトライが発生することを抑制することができ、フラッシュROMの書き換え時間を短縮することができる。また、フラッシュROMの書き換え時に、フラッシュROMに過剰なパルス幅の信号が印加されることを抑制することができるので、フラッシュROMの寿命を延ばすことができる。上述したように、実施の形態3では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス幅を固定しWfix、フラッシュROMの温度とフラッシュROMの総書き換え回数とに基づきパルス電圧を設定する場合について説明した。また、実施の形態4では、フラッシュROMの書き換え処理時に印加される信号のパルス電圧を固定しVfix、フラッシュROMの温度とフラッシュROMの総書き換え回数とに基づきパルス幅を設定する場合について説明した。つまり、実施の形態3および実施の形態4では、パルス電圧およびパルス幅のうちの一方を固定し、他方をフラッシュROMの温度およびフラッシュROMの総書き換え回数に基づき設定する場合について説明した。しかし、本発明では、パルス電圧およびパルス幅の両方を、フラッシュROMの温度およびフラッシュROMの総書き換え回数に基づき設定するようにしてもよい。この場合は、例えば、フラッシュROMの温度およびフラッシュROMの総書き換え回数に基づき、印加するパルス信号の積分値つまり、パルス電圧とパルス幅とを乗算した値を決定する。そして、決定された積分値を有するパルス信号となるようなパルス電圧およびパルス幅を、フラッシュROMの書き換え処理時におけるパルス電圧およびパルス幅とすることができる。以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、本願特許請求の範囲の請求項の発明の範囲内で当業者であればなし得る各種変形、修正、組み合わせを含むことは勿論である。