"受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての前記受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての前記受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する前記受光素子と前記共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、前記受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、前記転送スイッチの開閉、及び、前記リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、前記制御部が、前記転送スイッチの開閉と前記リセット部の駆動を調整することで、各受光素子から前記共通配線に出力される電荷の量を調整することを特徴とする光センサ。前記リセット部は、前記受光素子とグランドとの間に配置されたリセットスイッチであり、前記制御部は、各受光素子に対応する前記リセットスイッチそれぞれに、前記リセットスイッチを開閉制御するリセット信号を異なるタイミングで出力し、各受光素子に対応する前記転送スイッチそれぞれに、前記転送スイッチを開閉制御する転送信号を同時に出力することを特徴とする請求項1に記載の光センサ。前記リセットスイッチは、Pチャネル型MOSFETであることを特徴とする請求項2に記載の光センサ。前記リセット部は、前記受光素子と電源との間に配置されたリセットスイッチであり、前記制御部は、各受光素子に対応する前記リセットスイッチそれぞれに、前記リセットスイッチを開閉制御するリセット信号を異なるタイミングで出力し、各受光素子に対応する前記転送スイッチそれぞれに、前記転送スイッチを開閉制御する転送信号を同時に出力することを特徴とする請求項1に記載の光センサ。前記リセットスイッチは、Nチャネル型MOSFETであることを特徴とする請求項4に記載の光センサ。前記受光素子は、半導体基板の一面側に形成され、前記規定部は、前記一面上に、透光膜を介して形成された遮光膜と、該遮光膜に形成された投光用の開口部とから成ることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の光センサ。複数の前記開口部それぞれの開口面積が異なることを特徴とする請求項6に記載の光センサ。前記遮光膜は、前記透光膜に層状に複数形成されており、複数の前記遮光膜それぞれに形成された開口部によって、前記受光面に入射する光の角度が規定されていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の光センサ装置。上記したように、特許文献1に示される光センサでは、各受光素子に電流電圧変換回路が接続され、受光素子の数だけあるレーザトリミング抵抗の抵抗値をレーザトリミングによって調整する。そのため、コストが嵩む、という問題が生じる虞がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、各受光素子の出力信号のゲインを調整しつつ、コストが嵩むことが抑制された光センサを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する受光素子と共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、転送スイッチの開閉、及び、リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、制御部が、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動を調整することで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量を調整することを特徴とする。受光素子に電荷が蓄積される時間蓄積時間は、リセット部が駆動せず且つ転送スイッチが開状態である時間に相当する。したがって、請求項1に記載のように、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動とを調整することで、受光素子から共通配線に出力される電荷の量、すなわち、受光素子の出力信号のゲインを調整することができる。これによれば、各受光素子にオペアンプとレーザトリミング抵抗による電流電圧変換回路が接続され、レーザトリミング抵抗の抵抗値を調整する構成と比べて、コストが嵩むことを抑制しつつ、各受光素子の出力信号のゲインを調整することができる。請求項2に記載のように、リセット部は、受光素子とグランドとの間に配置されたリセットスイッチであり、制御部は、各受光素子に対応するリセットスイッチそれぞれに、リセットスイッチを開閉制御するリセット信号を異なるタイミングで出力し、各受光素子に対応する転送スイッチそれぞれに、転送スイッチを開閉制御する転送信号を同時に出力する構成が好適である。蓄積時間は、リセットスイッチ及び転送スイッチそれぞれが開状態である時間に相当する。したがって、請求項2に記載のように、制御部から、各受光素子に対応するリセットスイッチへのリセット信号の出力タイミングを異ならせ、各受光素子に対応する転送スイッチへの転送信号の出力タイミングを同時とすることで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量、すなわち、受光素子の出力信号のゲインを調整することができる。また、制御部から、各受光素子に対応する転送スイッチへの転送信号の出力タイミングが同時となるので、ゲインが調整された各受光素子の出力信号が、同時に共通配線に出力されることとなる。これにより、ゲインが調整された各受光素子の出力信号が共通配線にて加算され、加算された信号が共通配線から出力されるので、光センサの回路構成が簡素化され、コストが嵩むことが抑制される。なお、請求項2に記載のリセットスイッチとしては、請求項3に記載のように、Pチャネル型MOSFETを採用することができる。請求項4,5に記載の発明の作用効果は、請求項2,3に記載の発明の作用効果と同等なので、その記載を省略する。請求項6に記載のように、受光素子は、半導体基板の一面側に形成され、規定部は、一面上に、透光膜を介して形成された遮光膜と、該遮光膜に形成された投光用の開口部とから成る構成を採用することができる。このように、規定部が、半導体基板に形成された薄膜から成るので、半導体基板の上方に、開口窓が形成された遮蔽板などが設けられた構成と比べて、光センサの体格の増大が抑制される。請求項7に記載のように、複数の開口部それぞれの開口面積が異なる構成が好ましい。これによれば、各受光素子の出力信号のゲイン比を、各開口部の開口面積比によって調整することができる。請求項8に記載のように、遮光膜は、透光膜に層状に複数形成されており、複数の遮光膜それぞれに形成された開口部によって、受光面に入射する光の角度が規定された構成が好ましい。これによれば、ある開口部から入射した光が、その開口部と対応する受光素子以外の受光素子に入射することが抑制される。これにより、各受光素子の出力信号に、意図しない開口部からの光出力外乱出力が含まれることが抑制される。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、光センサ装置の概略構成を示す回路図である。図2は、規定部と受光素子とを説明するための断面図である。図3は、制御信号を説明するためのタイミングチャートである。なお、図1では規定部20の記載を省略し、図2では、受光素子10の中心と、受光素子10に対応する開口部22の中心とを結ぶ仮想直線を破線で示している。光センサ100は、図1及び図2に示すように、要部として、受光素子10と、規定部20と、リセットスイッチ30と、転送スイッチ40と、制御部50と、増幅回路60と、を有する。受光素子10に光が入射すると、その光量に応じた電荷が受光素子10に蓄積され、転送スイッチ40が閉状態となると、受光素子10に蓄積された電荷が、転送スイッチ40を介して増幅回路60に出力される。なお、リセットスイッチ30が閉状態となると、受光素子10に蓄積された電荷が、リセットスイッチ30を介してグランドに流れ、受光素子10の電荷蓄積量はゼロとなる。受光素子10は、受光量に応じた電荷を蓄積するものであり、PN接合を有するフォトダイオードである。図1に示すように、受光素子10のカソード電極は電源に接続され、アノード電極はリセットスイッチ30を介してグランドに接続されており、図2に示すように、受光素子10は、半導体基板11の一面11a側に形成されている。図2では、代表例として、3つの受光素子10a~10cを図示しているが、本実施形態では、9つの受光素子10a~10iが一面11a側に形成されている。一面11a上には透光膜12が形成されており、透光膜12に規定部20が形成されている。透光膜12は絶縁性と透光性を有する材料から成り、このような性質を有する材料としては、例えば酸化シリコンSiO2がある。図示しないが、半導体基板11には、光センサ100の構成要素30~60が形成されており、これら構成要素は、半導体基板11に形成された配線パターンを介して電気的に接続されている。規定部20は、受光素子10a~10iそれぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定するものである。規定部20は、透光膜12に形成された遮光膜21と、遮光膜21に形成された投光用の開口部22と、を有する。遮光膜21は、遮光性と導電性を有する材料から成り、このような性質を有する材料としては、例えばアルミニウムがある。図2に破線で示すように、受光素子10a~10cそれぞれの受光面の中心と、対応する開口部22の中心とを結ぶ線の傾きが異なっており、受光素子10a~10cの入射角度が異なっている。本実施形態では、開口部22によって、第1受光素子10aの仰角が90°、第2受光素子10bの仰角が80°、第3受光素子10cの仰角が70°に規定されている。なお、図示しないが、開口部22によって、第4受光素子10dの仰角が60°、第5受光素子10eの仰角が50°、第6受光素子10fの仰角が40°、第7受光素子10gの仰角が30°、第8受光素子10hの仰角が20°、第9受光素子10iの仰角が10°に規定されている。リセットスイッチ30は、受光素子10とグランドとの接続を開閉制御するためのものであり、受光素子10とグランドとの間に設けられている。図1に示すように、リセットスイッチ30は、9つのリセットスイッチ30a~30iを有しており、各受光素子10a~10iは、対応するリセットスイッチ30a~30iを介して、グランドと接続されている。本実施形態に係るリセットスイッチ30は、Pチャネル型MOSFETであり、特許請求の範囲に記載のリセット部に相当する。転送スイッチ40は、受光素子10と増幅回路60共通配線61との接続を開閉制御するためのものあり、受光素子10とリセットスイッチ30との中点と共通配線61との間に設けられている。図1に示すように、転送スイッチ40は、9つの転送スイッチ40a~40iを有しており、各受光素子10a~10iは、対応する転送スイッチ40a~40iを介して、共通配線61と接続されている。本実施形態に係る転送スイッチ40は、Pチャネル型MOSFETである。制御部50は、スイッチ30,40の開閉を制御するものであり、アドレスデコーダである。制御部50からはパルス状の制御信号が各スイッチ30,40に出力される。制御信号としては、リセットスイッチ30を開閉制御するリセット信号と、転送スイッチ40を開閉制御する転送信号と、がある。これら2つの制御信号それぞれのパルス周期とデューティ比は同一であるが、パルスの立下り立上りタイミングが異なる。増幅回路60は、共通配線61を介して、各受光素子10a~10iと電気的に接続されており、各受光素子10a~10iの出力信号が加算された加算信号を増幅して、外部に出力する機能を果たす。次に、光センサ100の動作を図3に基づいて説明する。図3では、煩雑となることを避けるために、9つのリセットスイッチ30a~30iに入力される9つのリセット信号の内、3つのリセットスイッチ30a~30cに入力される3つのリセット信号だけを図示し、9つの転送スイッチ40a~40iに入力される9つの転送信号それぞれは同一なので、1つにまとめて図示した。上記したように、リセットスイッチ30及び転送スイッチ40は、Pチャネル型MOSFETである。したがって、電圧レベルの低い信号以下、Lo信号と示すがリセットスイッチ30に入力されると、受光素子10はリセットスイッチ30を介してグランドに接続され、受光素子10に蓄積された電荷がリセットされる。また、Lo信号が転送スイッチ40に入力されると、受光素子10は転送スイッチ40を介して共通配線61に接続され、受光素子10に蓄積された電荷が、共通配線61に出力される。上記したように、2つの制御信号それぞれのパルス周期とデューティ比は同一であるが、パルスの立下り立上りタイミングは異なる。したがって、転送信号の1パルス周期間に、受光素子10に電荷が蓄積される時間は2つあることとなる。それは、転送信号の立上りエッジから、リセット信号の立下りエッジまでの第1蓄積時間と、リセット信号の立上りエッジから、転送信号の立下りエッジまでの第2蓄積時間と、である。第1蓄積時間は、転送スイッチ40が閉状態から開状態に移行したタイミングから、リセットスイッチ30が開状態から閉状態に移行するタイミングまでの時間であり、第2蓄積時間は、リセットスイッチ30が閉状態から開状態に移行したタイミングから、転送スイッチ40が開状態から閉状態に移行するタイミングまでの時間である。図3に示すように、各転送スイッチ40a~40iに入力される転送信号は相等しいが、各リセットスイッチ30a~30iに入力されるリセット信号のパルスの立下り立上りタイミングは異なる。したがって、各受光素子10a~10iの総蓄積時間第1蓄積時間と第2蓄積時間の和は互いに相等しいが、第1蓄積時間及び第2蓄積時間が異なることとなる。第1蓄積時間の間に蓄積された電荷は、リセットスイッチ30へLo信号が入力されると、受光素子10はリセットスイッチ30を介してグランドに接続されるので、リセットされる。したがって、第1蓄積時間に蓄積された電荷は、共通配線61に出力されないこととなる。これに対して、第2蓄積時間の間に蓄積された電荷は、転送スイッチ40へLo信号が入力されると、受光素子10は転送スイッチ40を介して共通配線61に接続されるので、共通配線61に出力されることとなる。このように、各受光素子10a~10iからは、第2蓄積時間に依存した電荷量の信号ゲインが調整された信号が出力される。上記したように、各転送スイッチ40a~40iに入力される転送信号は、同一となっている。したがって、ゲインが調整された各受光素子10a~10iの出力信号は、共通配線61に同時に出力され、共通配線61にて加算される。この加算された信号が、増幅回路60に出力される。なお、図3では、受光素子10a~10iそれぞれの第2蓄積時間第1蓄積時間を異ならせており、受光素子10a~10iそれぞれの出力信号のゲイン比を異ならせている。次に、光センサ100の作用効果を説明する。上記したように、リセットスイッチ30及び転送スイッチ40の開閉第2蓄積時間を調整することで、各受光素子10a~10iから共通配線61に出力される電荷の量、すなわち、受光素子10a~10iそれぞれの出力信号のゲインを調整することができる。これによれば、各受光素子にオペアンプとレーザトリミング抵抗による電流電圧変換回路が接続され、レーザトリミング抵抗の抵抗値を調整する構成と比べて、コストが嵩むことを抑制しつつ、各受光素子10a~10iの出力信号のゲインを調整することができる。各転送スイッチ40a~40iに入力される転送信号は、同一となっている。これにより、ゲインが調整された各受光素子10a~10iの出力信号が共通配線61にて加算され、加算された信号が共通配線61から出力されるので、光センサ100の回路構成が簡素化され、コストが嵩むことが抑制される。受光素子10は、半導体基板11の一面11a側に形成され、規定部20は、一面11a上に、透光膜12を介して形成された遮光膜21と、該遮光膜21に形成された開口部22とから成る。このように、規定部20が、半導体基板11に形成された薄膜から成るので、半導体基板の上方に、開口窓が形成された遮蔽板などが設けられた構成と比べて、光センサ100の体格の増大が抑制される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、9つの受光素子10a~10iが半導体基板11に形成された例を示した。しかしながら、受光素子10の数としては上記例に限定されず、3つ以上であればよい。本実施形態では、図2に示すように、透光膜12が1層であり、遮光膜21が1層である例を示した。しかしながら、透光膜12及び遮光膜21それぞれの層数は上記例に限定されず、例えば、透光膜12が2層であり、遮光膜21が2層である構成を採用することもできる。このように、透光膜12に遮光膜21が多層に形成されると、一層の遮光膜21に開口部22が形成された構成と比べて、半導体基板11に入射する光の範囲を狭めることができる。これにより、ある開口部22から入射した光が、その開口部22と対応する受光素子10以外の受光素子10に入射することが抑制され、受光素子10の出力信号に、意図しない開口部22からの光出力外乱出力が含まれることが抑制される。本実施形態では、各受光素子10a~10iの受光面積と、対応する開口部22の開口面積との関係を特に言及しなかった。しかしながら、例えば、各受光素子10a~10iの受光面積と対応する開口部22の開口面積とが互いに等しくとも良いし、異なっていても良い。また、各受光素子10a~10iに対応する開口部22の開口面積それぞれを等しくしても良いし、異ならせても良い。特に、各受光素子10a~10iに対応する開口部22それぞれで開口面積が異なるようにした場合、各受光素子10a~10iの出力信号のゲイン比を、各開口部22の開口面積比によっても調整することができるので、好ましい。本実施形態では、リセット信号、転送信号それぞれのデューティ比が同一である例を示したが、異なっていても良い。本実施形態では、リセットスイッチ30及び転送スイッチ40が、Pチャネル型MOSFETである例を示した。しかしながら、リセットスイッチ30及び転送スイッチ40としては、Nチャネル型MOSFETを採用することもできる。この場合、リセットスイッチ30は、受光素子10のカソード電極と電源との間に接続され、転送スイッチ40は、受光素子10と電源との中点と共通配線61との間に設けられる。リセットスイッチ30が閉状態となると、受光素子10に電源電圧が印加され、受光素子10に蓄積された電荷がリセットされる。なお、制御信号リセット信号と転送信号の電圧レベルは反転する。"