"少なくとも1つの放射素子により、エネルギ印加区域内の対象物に、無線周波数RF範囲内の電磁エネルギを加えるための装置であって、前記エネルギ印加区域内の第1の領域および第2の領域の位置を決定し、第1の所定量のRFエネルギを前記エネルギ印加区域内の前記第1の領域に加え、第2の所定量のRFエネルギを前記エネルギ印加区域内の前記第2の領域に加えるために、供給源を調整するように構成される少なくとも1個のプロセッサを含むことを特徴とする装置。請求項1に記載の装置において、前記第1の所定量のエネルギが、前記第2の所定量のエネルギと異なることを特徴とする装置。請求項1または請求項2に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域によってサポートされる最低共振周波数の4倍よりも低い周波数でのみエネルギを加えるように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至3の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記第1の領域および前記第2の領域の位置を区別するように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至4の何れか1項に記載の装置において、前記第1の領域および第2の領域が、前記少なくとも1個のプロセッサに接続されるメモリユニット内の異なる位置に記憶されるアドレスを有することを特徴とする装置。請求項1乃至5の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域内で複数の異なる電磁場パターンを選択的に発生させるために、前記供給源を制御するように構成され、前記プロセッサが、前記複数の電磁場パターンから少なくとも1つの電磁場パターンを選択するように構成されることを特徴とする装置。請求項6に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、様々な重みを有する前記選択した電磁場パターンを適用するために、前記供給源を調整するように構成されることを特徴とする装置。請求項6に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、複数の異なる電磁場パターンを逐次的に選択するように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至8の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、各領域内で散逸される前記エネルギについての指示に基づいて、前記第1の領域および前記第2の領域にエネルギを加えるように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至9の何れか1項に記載の装置において、前記供給源が、複数の放射素子により電磁エネルギを供給するように構成され、前記少なくとも1個のプロセッサが、異なる振幅を有するエネルギを少なくとも2つの放射素子に同時に供給するために、前記供給源を調整するように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至10の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサは、前記第1の領域に加えられるエネルギ量が前記第2の領域に加えられるエネルギ量と異なり、前記第1の領域内で吸収されるエネルギが、前記第2の領域内で吸収される前記エネルギと実質的に同じであるよう、前記供給源を制御するように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至11の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、複数の周波数にわたりエネルギを加えるように構成され、加えられるエネルギ量は周波数に依存することを特徴とする装置。請求項12に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ量の前記周波数依存性を、エネルギ印加サイクルの間複数回変えるように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至13の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、複数の位相にわたりエネルギを加えるように構成され、送出されるエネルギ量は位相に依存することを特徴とする装置。請求項14に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ量の前記位相依存性を、エネルギ印加サイクルの間複数回変えるように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至15の何れか1項に記載の装置において、前記エネルギ印加区域および少なくとも1つの放射素子をさらに含むことを特徴とする装置。請求項1乃至16の何れか1項に記載の装置において、電磁エネルギ源をさらに含むことを特徴とする装置。請求項1乃至17の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域内の前記対象物の空間的位置を示す情報を求め、前記対象物の前記空間的位置の第1のエリアに対応する第1の高強度領域を有する第1のフィールドパターンを識別し、前記対象物の前記空間的位置の第2のエリアに対応する第2の高強度領域を有する第2のフィールドパターンを識別することにおいて、前記第1のエリアは前記第2のエリアと異なる、第2のフィールドパターンを識別し、前記供給源を制御して前記エネルギ印加区域に前記第1のフィールドパターンおよび前記第2のフィールドパターンを適用するように構成されることを特徴とする装置。請求項18に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域内の前記第1の領域および前記第2の領域の位置を、前記第1のエリアおよび前記第2のエリアに従って決定するように構成されることを特徴とする装置。プロセッサによって調整される電磁エネルギ源を使用し、エネルギ印加区域内の対象物に、無線周波数範囲内の電磁エネルギを加えるための方法であって、前記エネルギ印加区域内の第1の領域および第2の領域の位置を前記プロセッサによって決定するステップと、前記第1の領域に加える第1のエネルギ量および前記第2の領域に加える第2のエネルギ量を決定するステップと、前記第1のエネルギ量を前記第1の領域に加え、前記第2のエネルギ量を前記第2の領域に加えるために前記供給源を調整するステップと、を含み、前記第1のエネルギ量は、前記第2のエネルギ量と異なることを特徴とする方法。請求項20に記載の方法において、前記第1のエネルギ量および前記第2のエネルギ量を決定するステップが、前記プロセッサによることを特徴とする方法。請求項20または21に記載の方法において、加えることには、前記エネルギ印加区域内に2つ以上の定在波を与えることが含まれ、前記定在波のそれぞれは、少なくとも1つの高強度領域と、少なくとも1つの低強度領域とを有し、高強度領域に関連するフィールド強度は、低強度領域に関連するフィールド強度よりも強く、調整するステップは、少なくとも1つの高強度領域が前記対象物の少なくとも一部の位置に一致する前記定在波の少なくとも1つを選択するステップと、前記選択した前記定在波の少なくとも1つを前記エネルギ印加区域に加えるステップとを含むことを特徴とする方法。請求項20乃至22の何れか1項に記載の方法において、前記エネルギ印加区域内の前記対象物の空間的位置を示す情報を求めるステップと、前記対象物の前記空間的位置の第1のエリアに対応する第1の高強度領域を有する第1のフィールドパターンを識別するステップと、前記対象物の前記空間的位置の第2のエリアに対応する第2の高強度領域を有する第2のフィールドパターンを識別するステップにおいて、前記第1のエリアは前記第2のエリアと異なる、第2のフィールドパターンを識別するステップと、前記供給源を制御して前記エネルギ印加区域に前記第1のフィールドパターンおよび前記第2のフィールドパターンを適用するステップと、を含むことを特徴とする方法。請求項23に記載の方法において、前記エネルギ印加区域内の前記第1の領域および前記第2の領域の位置を、前記第1のエリアおよび前記第2のエリアに従って決定するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項23に記載の方法において、前記第1のエリア内で吸収されるエネルギが、前記第2のエリア内で吸収される前記エネルギと実質的に同じであるよう、前記供給源を制御するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項20乃至23の何れか1項に記載の方法において、前記第1の領域内で吸収されるエネルギが、前記第2の領域内で吸収される前記エネルギと実質的に同じであるよう、前記供給源を制御するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項20乃至25の何れか1項に記載の方法において、前記電磁エネルギを加えるステップが、前記エネルギ印加区域によってサポートされる最低共振周波数の4倍よりも低い周波数によることを特徴とする方法。RFエネルギを放射する少なくとも1つの放射素子により、エネルギ印加区域内でターゲット電磁場強度分布を励起するための装置であって、前記ターゲット電磁場強度分布に基づいて複数の電磁場パターンから1つまたは複数のフィールドパターンを選択し、前記選択した1つまたは複数のフィールドパターンを前記エネルギ印加区域内で前記少なくとも1つの放射素子に励起させるように構成されるプロセッサを含むことを特徴とする装置。請求項28に記載の装置において、前記プロセッサは、重み付けされたフィールドパターンの前記フィールド強度分布の和が前記ターゲットフィールド強度分布に等しくなるように、前記選択したフィールドパターンに重み付けするように構成されることを特徴とする装置。請求項29に記載の装置において、前記プロセッサが、前記選択した1つまたは複数のフィールドパターンを、前記選択したフィールドパターンの重みに応じて前記エネルギ印加区域内で前記少なくとも1つの放射素子に励起させるように構成されることを特徴とする装置。請求項28乃至30の何れか1項に記載の装置において、前記プロセッサが、前記ターゲットフィールド強度分布を決定するように構成されることを特徴とする装置。請求項28乃至30の何れか1項に記載の装置において、前記プロセッサが、所望のフィールド強度分布に基づいて前記ターゲットフィールド強度分布を決定するように構成されることを特徴とする装置。請求項28乃至32の何れか1項に記載の装置において、前記プロセッサが、前記選択したフィールドパターンのそれぞれを励起するために、複数の放射素子から少なくとも1つの放射素子を選択するように構成されることを特徴とする装置。請求項33に記載の装置において、前記プロセッサが、前記選択される放射素子の位置に基づいて前記放射素子を選択するように構成されることを特徴とする装置。請求項33に記載の装置において、前記プロセッサが、前記選択される放射素子の位置、および前記選択される放射素子の前記位置における前記フィールドパターンの値に基づいて前記放射素子を選択するように構成されることを特徴とする装置。請求項28乃至35の何れか1項に記載の装置において、前記プロセッサが、前記フィールドパターンを所定のフィールドパターンから選択するように構成されることを特徴とする装置。請求項36に記載の装置において、前記所定のフィールドパターンには、少なくとも3つの一次独立なフィールドパターンの一次結合が含まれることを特徴とする装置。請求項28乃至37の何れか1項に記載の装置において、前記プロセッサが、前記フィールドパターンを所定のフィールドパターンから選択することであって、前記所定のフィールドパターンには、少なくとも3つの一次独立なフィールドパターンの一次結合が含まれる、所定のフィールドパターンから選択し、前記選択したフィールドパターンのそれぞれを励起するために、複数の放射素子から少なくとも1つの放射素子を選択することであって、前記複数に含まれる被選択放射素子の数は、一次独立なフィールドパターンの数と少なくとも同数である、少なくとも1つの放射素子を選択するように構成されることを特徴とする装置。RFエネルギを放射する少なくとも1つの放射素子により、エネルギ印加区域内でターゲット電磁場強度分布を励起する方法であって、前記ターゲット電磁場強度分布に基づき、少なくとも3つの一次独立なフィールドパターンの一次結合が含まれる複数の電磁場パターンから1つまたは複数のフィールドパターンをプロセッサによって選択するステップと、重み付けされたフィールドパターンの前記フィールド強度分布の和が前記ターゲットフィールド強度分布に等しくなるように、前記選択したフィールドパターンに重み付けするステップと、前記選択した1つまたは複数のフィールドパターンを、それらの重みに応じて前記エネルギ印加区域内で励起するステップと、を含むことを特徴とする方法。請求項39に記載の方法において、前記選択したフィールドパターンのそれぞれを励起するために、複数の放射素子から少なくとも1つの放射素子を選択するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項40に記載の方法において、少なくとも1つの放射素子を選択するステップが、前記選択される放射素子の位置に基づいて選択するステップを含むことを特徴とする方法。請求項40に記載の方法において、少なくとも1つの放射素子を選択するステップが、前記選択される放射素子の位置、および前記選択される放射素子の前記位置における前記フィールドパターンの値に基づいて選択するステップを含むことを特徴とする方法。請求項40乃至42の何れか1項に記載の方法において、前記少なくとも1つの放射素子がそこから選択される被選択放射素子の数が、前記複数のフィールドパターンに含まれる一次独立なフィールドパターンの数と少なくとも同数であることを特徴とする方法。請求項28乃至38の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1つの放射素子をさらに含むことを特徴とする装置。請求項44に記載の装置において、前記エネルギ印加区域をさらに含むことを特徴とする装置。請求項28乃至38、44または45の何れか1項に記載の装置において、前記ターゲットエネルギ分布が第1の領域に第1のフィールド強度を含み、第2の領域に第2のフィールド強度を含み、前記第1のフィールド強度および前記第2のフィールド強度は互いに異なることを特徴とする装置。請求項46に記載の装置において、前記第1のフィールド強度および前記第2のフィールド強度が、少なくとも20互いに異なることを特徴とする装置。請求項39乃至43の何れか1項に記載の方法において、前記ターゲットエネルギ分布が第1の領域に第1のフィールド強度を含み、第2の領域に第2のフィールド強度を含み、前記第1のフィールド強度および前記第2のフィールド強度は互いに異なることを特徴とする方法。請求項48に記載の方法において、前記第1のフィールド強度および前記第2のフィールド強度が、少なくとも20互いに異なることを特徴とする方法。次に、その例を添付図面に示す、本開示の例示的実施形態を詳しく参照する。適切な場合、図面の全体を通して同じ参照番号を使用して同じまたは同様の部分を指す。ある点では、本開示の一部の実施形態は、エネルギ印加区域内の対象物に電磁エネルギを加えるための装置および方法を用いることができる。本明細書で使用するとき、用語装置は、本明細書に記載の任意のコンポーネントまたはコンポーネント群をその最も広い意味で含むことができる。例えば本明細書で広く使用するとき、装置は、例えば図1に示すプロセッサ30などのプロセッサだけを指すことができる。あるいは装置は、プロセッサと1つまたは複数の放射素子との組合せ、プロセッサと、空洞と、1つまたは複数の放射素子との組合せ、プロセッサと電磁エネルギ源との組合せ、プロセッサと、空洞と、1つまたは複数の放射素子と、電磁エネルギ源との組合せ、または本明細書に記載のコンポーネントの他の任意の組合せを含むことができる。本明細書で使用するとき、用語、電磁エネルギは、これだけに限定されないが無線周波RF、赤外線IR、近赤外線、可視光、紫外線などが含まれる電磁スペクトルの任意のまたは全ての部分を含む。場合によっては、加えられる電磁エネルギには、それぞれ3KHzから300GHzの周波数である、100kmから1mmの波長を有するRFエネルギが含まれ得る。場合によっては、より狭い周波数範囲、例えば1MHz-100GHz内のRFエネルギを加えることができる。例えば、マイクロ波および極超短波UHFエネルギは、いずれもRF範囲内にある。本明細書では本開示の例をRFエネルギを加えることに関連して説明するが、これらの説明はいくつかの例示的原理を示すために行うもので、本発明を電磁スペクトルのどの特定の部分にも限定するつもりはない。同様に、例示目的で、本開示は加熱に使用される電磁エネルギのいくつかの例を含む。この場合もやはり、それらの説明は本開示の例示的原理を示すために行う。説明し、特許請求の範囲に記載する開示の諸実施形態は、エネルギを加えることが温度上昇を招くかどうかに関係なく、エネルギを加えることを伴う様々な製品、ならびに工業プロセス、商業プロセス、および消費者プロセスに利益をもたらすことができる。本明細書で論じるエネルギ印加の核となる発明原理は、加熱以外の、または加熱を含む様々な目的で応用できることを当業者なら理解されよう。例えば、電磁エネルギは、加熱、燃焼、解凍、除霜、調理、乾燥、反応の加速、膨張、蒸発、融合、生物学的プロセスの誘発もしくは変更、治療、凍結もしくは冷却防止、対象物を所望の温度範囲内に保つこと、またはエネルギを加えることが望ましい他の任意の用途のために対象物に加えることができる。さらに、電磁エネルギが加えられる対象物装填物としても知られるへの言及は、特定の形態に限定されない。対象物には、実施形態を利用する特定のプロセスにもよるが、液体、固体、またはガスが含まれてもよく、1つまたは複数の異なる段階において、物質の合成物または混合物が含まれてもよい。さらに、用語対象物は単数形で示すが、複数のアイテムまたは分離したパーツもしくはコンポーネントを指す場合もある。したがって、非限定的な例として、用語対象物は、解凍もしくは調理しようとする食料、乾燥させようとする衣類もしくは他の物質、解凍しようとする凍結物質例えば臓器、反応させようとする化学物質、燃焼させようとする燃料もしくは他の可燃性物質、脱水しようとする水和物、膨張させようとするガス、解凍、加熱、沸騰、もしくは蒸発させようとする液体、解凍および/もしくは温めようとする血液もしくは血液成分例えば血漿や赤血球、製造しようとする物質、連結しようとする成分、または電磁エネルギをたとえ僅かでも加えたいという望みがある他の任意の物質などの物質を包含することができる。一部の実施形態によれば、装置または方法は、エネルギ印加区域を使用するものであり得る。エネルギ印加区域は、電磁エネルギを加えることができる任意の位置、領域、空所、またはエリアとすることができる。エネルギ印加区域は、ホローを含むことができ、かつ/または液体、固体、ガス、もしくはそれらの組合せで満たす、または部分的に満たすことができる。専ら例として、エネルギ印加区域には、電磁波の存在、伝搬および/または共振を可能にする、エンクロージャの内部、部分的エンクロージャ例えばベルトコンベヤオーブンの内部、コンジットの内部、オープン空間、固体または部分的固体が含まれ得る。この区域は永続的なものとすることができ、またはエネルギを加えるために一時的に構成してもよい。解説を簡単にするために、そのような全てのエネルギ印加区域を代わりに空洞と呼ぶことができ、用語空洞は、電磁エネルギを加えることができるエリア以外の特定の物理的構造は含意しないと理解される。本明細書で論じるエネルギ印加の核となる発明原理は、様々な形態のエネルギ印加区域にわたり応用できることを当業者なら理解されよう。エネルギ印加区域は、オーブン、チャンバ、槽、乾燥機、解凍装置、脱水機、炉、キャビネット、反応器、エンジン、化学処理装置や生物学的処理装置、焼却炉、物質造形装置や物質成形装置、コンベヤ、燃焼域、またはエネルギを加えることが望ましい場合がある任意のエリア内に位置することができる。したがって、一部の実施形態に合致して、電磁エネルギ印加区域は空洞共振器、共振空洞、または単純に略して空洞としても知られる電磁共振器とすることができる。対象物またはその一部がエネルギ印加区域内に位置する場合、電磁エネルギを対象物に加えることができる。エネルギ印加区域は、その形状の物理的側面がエネルギ印加時に分かっている限り、さもなければ決定可能な、所定の形状を有することができる。エネルギ印加区域は、エネルギ印加区域内での電磁波の伝搬を可能にするいかなる形状を呈してもよい。例えば、エネルギ印加区域の全てまたは一部が、球形、半球形、矩形、ドーナツ形、円形、三角形、長円形、五角形、六角形、八角形、楕円形、または他の任意の形状もしくは形状の組合せである断面を有することができる。エネルギ印加区域は、閉ざされている、すなわち導体材料によって完全に密閉されている、少なくとも部分的に閉ざされている、または開いている、すなわち閉ざされていない開口部を有し得ることも考えられる。本発明の一般手法は、エネルギ印加区域のある特定の空洞形状、構成、または閉鎖度に限定されないが、一部の応用例では高度の閉鎖が好ましい場合もある。例として、空洞20などのエネルギ印加区域を図1に概略的に示し、図1では対象物50が空洞20の中に位置する。対象物50は、エネルギ印加区域の中に完全に位置しなくてもよいことを理解すべきである。つまり、対象物50の少なくとも一部がエネルギ印加区域の中に位置する場合、対象物50はエネルギ印加区域の中にあるとみなされる。一部の実施形態によれば、エネルギ印加区域は、少なくとも1つの共振波長をサポートすることができる例えば少なくとも1つの波長の電磁波が、エネルギ印加区域内で共振することができる。例えば、空洞20は、所定の周波数範囲例えばUHFまたはマイクロ波の周波数範囲、例えば300MHzから3GHz、または100MHzから1GHZ内で空洞20を共振可能にする寸法を用いて設計することができる。対象とする用途に応じて、空洞20の寸法は、電磁スペクトル内の他の周波数範囲内の共振を可能にするように設計することもできる。用語共振するまたは共振は、電磁波がエネルギ印加区域内で、ある周波数共振周波数として知られるにおいて他の周波数よりも大きい振幅で振動する傾向を指す。特定の共振周波数において共振する電磁波は、共振周波数に反比例する、λ=c/fによって求められる対応する共振波長を有することができ、ただしλは共振波長であり、fは共振周波数であり、cはエネルギ印加区域内での電磁波の伝搬速度である。伝搬速度は、波が伝搬する媒体に応じて変わり得る。したがって、エネルギ印加区域が複数の物質を含む場合、cを一意に定めることはできない。それでもなお、共振波長は、例えば主成分のcに基づく推定または種々の成分のcの平均に基づく推定を使用することや、当技術分野で知られている他の任意の技法を使用することが含まれる、僅かに異なる関係を使用して一意に求めることができる。エネルギ印加区域がサポートする共振波長の中に、最大共振波長があり得る。最大共振波長は、エネルギ印加区域の形状寸法により一意に求めることができる。一部の実施形態では、所与の任意のエネルギ印加区域の最大共振波長を、当技術分野で知られているように実験的に、数学的に、および/またはシミュレーションにより求め、もしくは推定することができる。例として図2Aは、長さa、幅b、および高さcの寸法を有する矩形空洞20を示す。空洞20は複数の共振波長をサポートすることができ、そのうちの最大共振波長をλ0と命名することができる。a>b>cが成立する場合、最大共振波長λ0は、によって与えられる。別の例として、エネルギ印加区域がa×a×aの寸法を有する立方体の場合、最大共振波長は、によって与えられる。さらに別の例では、図2Bに示すように、エネルギ印加区域が半径a、長さdの円筒であり得る。この場合、最大共振波長は、2a>dが成立する場合によって与えられ、2a<dが成立する場合はによって与えられる。別の例では、エネルギ印加区域が半径aの球体の場合、最大共振波長は、によって与えられる。一部の実施形態によれば、装置または方法は、本明細書では略して供給源とも呼ばれる、エネルギ印加区域に電磁エネルギを送るように構成される電磁エネルギ源を使用するものであり得る。供給源には、電磁エネルギを発生させ、供給するのに適した1つまたは複数の任意のコンポーネント、例えば1つもしくは複数の電源、1つもしくは複数の導波管、および/または1つもしくは複数の放射素子が含まれ得る。一部の実施形態に合致して、電磁エネルギは、所定の波長または周波数における伝搬電磁波電磁放射としても知られるの形でエネルギ印加区域に供給することができる。本明細書で使用するとき、伝搬電磁波には、共振波、エバネセント波、および他の任意の方法で媒体中を伝わる波が含まれ得る。電磁放射は、相互作用の対象となる物体に伝えられまたはそうした物体内に散逸され得るエネルギを運ぶ。例として、図1に示す実施形態では、供給源が電源12および放射素子18の1つまたは複数を含むことができる。図面を簡単にするために、この図の中では供給源を明確に印付けしていない。電源12は、電磁エネルギを運ぶ電磁波を発生させるように構成することができる。例えば電源12は、電磁エネルギ発生コンポーネント、例えば所定の波長または周波数において高出力マイクロウェーブ波を発生させるように構成される磁電管を含むことができる。あるいは、または加えて、電源12は、制御可能な周波数を有する交流波形例えば交流電圧または交流電流を発生させるように構成される、電圧制御発振器などの半導体発振器を含むことができる。交流波形には、正弦波、矩形波、パルス波、三角波、またはことによると交番極性を有する別の種類の波形が含まれ得る。あるいは、または加えて、電磁エネルギ源は、電磁場発生器、電磁束発生器、振動電子を発生させるための任意の機構など、他の任意の電源を含むことができる。一部の実施形態では、この装置は、電源12によってもたらされる電磁波の1つまたは複数の特性パラメータを制御された方法で修正するように構成される、少なくとも1つの変調器14を含むことができる。この変調器は、供給源の一部でも一部でなくてもよい。例えば、変調器14は、振幅例えば異なる放射素子によって同時に供給される異なる波間の振幅差、位相、および周波数を含む、周期波形の1つまたは複数のパラメータを修正するように構成することができる。一部の実施形態では、変調器14が、交流波形の位相、周波数、および振幅を修正するようにそれぞれ構成される、位相変調器、周波数変調器、および振幅変調器のうちの少なくとも1つを含むことができる。一部の実施形態では、電源12によってもたらされる交流波形が、時間とともに変化する周波数、変化する位相、および変化する振幅のうちの少なくとも1つを有し得るように、変調器14を電源12または供給源の一部として統合することができる。この装置は、例えば変調器14が交流波形を修正する前後に、その交流波形を増幅するための増幅器16も含むことができる。この増幅器は、供給源の一部でも一部でなくてもよい。増幅器16は、例えば1つまたは複数のパワートランジスタを含む出力増幅器とすることができる。別の例として、増幅器16は、一次巻線よりも二次巻線において多くの巻数を有する昇圧変圧器とすることができる。他の実施形態では、増幅器16は、交流/直流/交流変換器などのパワーエレクトロニクス装置とすることもできる。あるいは、または加えて、増幅器16は、入力信号を所望の水準まで増大するように構成される他の任意の装置複数可または回路複数可を含むことができる。この装置は、対象物50に電磁エネルギを伝達するように構成される少なくとも1つの放射素子18も含むことができる。この放射素子は、供給源の一部でも一部でなくてもよい。放射素子18は、対象物50に電磁エネルギを供給するための、1つもしくは複数の導波管および/または1つもしくは複数のアンテナパワーフィードとしても知られるを含むことができる。例えば、放射素子18はスロットアンテナを含むことができる。加えて、またはあるいは、放射素子18は、他の任意の種類または形態の導波管もしくはアンテナ、または電磁エネルギを発することができる他の任意の適切な構造を含むこともできる。電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18またはそれらの一部は別個のコンポーネントとすることができる。あるいは、これらの要素の1つまたは複数の任意の組合せを、単一のコンポーネントとして統合することができる。電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18またはそれらの一部は供給源の一部とすることができる。例えば、電磁エネルギを発生させるために磁電管を電源12として使用することができ、対象物50にエネルギを伝達するために、その磁電管に導波管を物理的に取り付けることができる。あるいは、または加えて、この放射素子は磁電管から独立していてもよい。同様に、放射素子が例えば発生器から物理的に離れており、または発生器の一部であり、もしくは他の方法で発生器に接続され得る、他の種類の電磁発生器を使用してもよい。一部の実施形態では、複数の放射素子を設けることができる。それらの放射素子は、エネルギ印加区域を画定する1つまたは複数の表面上に配置することができる。あるいは、放射素子は、エネルギ印加区域の内部および/または外部に配置することができる。放射素子を区域の外部に配置する場合、放射エネルギがエネルギ印加区域に到達することを可能にする要素に放射素子を結合することができる。放射エネルギがエネルギ印加区域に到達することを可能にする要素には、例えば導波管および/またはアンテナが含まれ得る。各放射素子の向きおよび構成は、エネルギ印加区域内の所望のエネルギ分布エネルギ印加目標と呼ぶこともできるを得るのに必要であり得るように、互いに異なっても同じでもよい。本明細書で使用するとき、エネルギ印加目標は、どんな所望の空間的エネルギ分布および/または時間の経過に伴うどんな所望の空間的エネルギ蓄積も含むことができる。エネルギ印加目標は、対象物を基準にして、またはより広くはエネルギ印加区域に関連する空間を基準にして定めることができる。さらに、各放射素子の位置、向き、および構成は、対象物50にエネルギを加える前に決定することができ、またはエネルギの印加中にプロセッサを使用して動的に調節することができる。本開示の諸実施形態は、特定の構造を有する放射素子にも、必ず特定のエリアまたは領域に位置する放射素子にも限定されない。ただし特定の実施形態では、放射素子を特定の場所に配置することができ、かつ/または異なる放射素子から発せられる波の振幅を各放射素子の位置、向き、および/または構成に応じて選択することができる。本明細書では、用語領域およびエリアは、空間または表面積の及ぶある特定の範囲を指すために区別なく使用することを指摘しておく。電磁エネルギを放射することに加え、1つまたは複数の放射素子18は、電磁エネルギを受け取るようにも構成することができる。すなわち、本明細書で使用するとき、用語放射素子は、任意の構造であって、その構造がエネルギを放射しまたは受け取る目的で初めから設計されたかどうかに関係なく、その構造が何らかの追加機能を果たすかどうかにも関係なく、電磁エネルギを放射することができかつ/または電磁エネルギを受け取ることができる、任意の構造を広く指す。したがって、一部の実施形態による装置または方法は、1つまたは複数の放射素子が受ける電磁波に関連する信号を検出するように構成される、1つまたは複数の検出器を使用するものであり得る。例えば図1に示すように、検出器40は、受信機として機能している場合に空洞20から電磁波を受ける放射素子18に結合することができる。本明細書で使用するとき、用語検出器は、電磁波に関連する1つまたは複数のパラメータを測定し、もしくは感知する電気回路を含むことができる。例えば、そのような検出器には、入射電磁波、反射電磁波、および/または伝達電磁波入射出力、反射出力、および伝達出力としてもそれぞれ知られるに関連する出力レベルを検出するように構成される出力計、波の振幅を検出するように構成される振幅検出器、波の位相例えば2つの放射素子によって同時に発せられる波間の位相差や、他の位相差を検出するように構成される位相検出器、波の周波数を検出するように構成される周波数検出器、および/または電磁波の特性を検出するのに適した他の任意の回路が含まれ得る。入射出力は、送信機として機能している放射素子に供給源によって供給され、次いでその送信機が、エネルギ印加区域20内に放出しまたは印加することができる。入射出力の一部は、対象物によって散逸されまたは吸収され得る本明細書では散逸出力と呼ぶ。別の部分は、放射素子に反射し得る本明細書では反射出力と呼ぶ。反射出力には、例えば対象物および/またはエネルギ印加区域により放射素子に跳ね返される出力が含まれ得る。反射出力には、放射素子のポートによって保たれる出力すなわちアンテナによって発せられるが、区域に流れ込まない出力も含まれ得る。反射出力および散逸出力以外の残りの入射出力は、受信機として機能している1つまたは複数の放射素子に伝達され得る本明細書では伝達出力と呼ぶ。エネルギは、空洞壁の中、ドアを通ってなど、他の場所にも漏れることがある。簡単にするために、エネルギのこれらの部分については本明細書では論じない。一部の実施形態では、エネルギのこれらの部分はかなり小さく、無視できる場合があると推定され得る。一部の実施形態では、検出器は、放射素子が送信機として機能する場合例えば放射素子がエネルギを放射する場合に信号が増幅器から放射素子に流れることを可能にし、放射素子が受信機として機能する場合例えば放射素子がエネルギを受け取る場合に信号が放射素子から検出器に流れることを可能にするように構成される、方向性結合器を含むことができる。加えて、またはあるいは、この方向性結合器は、流れる信号の出力を測定するようにさらに構成することができる。一部の実施形態では、検出器は、ポート、例えばサーキュレータにおける電圧および/または電流を測定する他の種類の回路も含むことができる。一部の実施形態によれば、供給源は、所定の波長λ1で示すの電磁エネルギをエネルギ印加区域内の対象物に送る供給するように構成することができ、所定の波長は、エネルギ印加区域がサポートする最大共振波長λ0で示すの約4分の1よりも大きい。この最大共振波長と、送られる電磁エネルギの波長との間の関係をモーダル条件と呼ぶことができる。一部の実施形態では、供給源は、電磁エネルギを1組の所定の波長で空洞20に供給するように構成することができ、それらの波長のうちの最大波長はλ0である。モーダル条件は、λ1≧λ0/4と特徴付けることができる。他の実施形態では、モーダル条件を満たすために、供給源によって供給される印加電磁エネルギの波長と、エネルギ印加区域がサポートする最大共振波長との間の異なる関係を適用することができる。例えば一部の実施形態では、低次モードが励起されるときモーダル条件が満たされてもよく、例えばm×nは30、40、または50未満であるmおよびnは、異なる軸、例えばxやyにおけるモード数を表す整数である。供給源は、単一の所定の波長で電磁エネルギを供給する構成に必ずしも限定されない。オプションで、供給源は、電磁エネルギを1組の波長で空洞20に供給するように構成することができ、それらの波長は、例えばエネルギの印加を始める前に決めておくことができる。供給源が様々な周波数でエネルギを空洞に供給するとき、それらの様々な周波数のうちの最大波長をλ1で示すことができ、モーダル条件は、λ1≧λ0/4と特徴付けることができる。一部の実施形態では、λ1が上限を有することもでき、例えばλ1はλ0以下とすることができる。あるいは、波長λ1およびλ0と、それらの対応する周波数f1およびf0との間には、f1=c/λ1およびf0=c/λ0が成立する関係があるので、モーダル条件を周波数の観点から表すこともできる。λ0は、エネルギ印加区域内でモードを励起することができる最大共振波長なので、その対応する周波数f0は最低共振周波数である。一部の実施形態では、最大共振波長が前もって分かっている例えばプロセッサ内にプログラムされている場合がある。したがって、モーダル条件をf1≦4f0として表すことができ、つまりエネルギ印加区域内の最低共振周波数の約4倍よりも低い所定の周波数で電磁エネルギを加えることができる。さらに、最大共振波長λ0はエネルギ印加区域の寸法と固有の関係を有するので、モーダル条件は、エネルギ印加区域の寸法複数可と加えられる波長λ1との間の関係として表すこともできる。例えば、長さa、幅b、および高さcのそれぞれを有し、a>b>cが成立する例えば図2に示す矩形空洞20では、モーダル条件は、として表すことができる。別の例として、a×a×aの寸法を有する立方体空洞では、モーダル条件は、として表すことができる。別の例として、半径aの球体空洞では、モーダル条件は、として表すことができる。空洞の寸法とともにモーダル条件を満たす波長で動作する装置を本明細書ではモーダル装置と呼び、その空洞を本明細書ではモーダル空洞と呼ぶ。一部の実施形態では、モーダル装置は、その空洞のモーダル条件を満たす波長の範囲内でしか動作しないように構成される。一部の実施形態では、この装置は、モーダル条件を満たす波長およびその条件を満たさない波長の両方で動作するように構成することができる。そのような装置をモーダル装置と呼ぶか非モーダル装置と呼ぶかは、その装置が運転される波長によって決まる。一部の実施形態では、空洞20は縮退とすることができる。エネルギ印加区域20は、図14A-図14Dに示す形状のような縮退形状で構成することができる。単一の周波数を用いて複数の共振モードを励起できるようにするために、後でより詳しく説明する縮退形状を使用することができる。つまり、供給源によって発せられる電磁放射の周波数を一定に保つことができ、しかも2つ以上の別個の共振モードを励起することができる。一部の実施形態では、同じ周波数で励起可能な2つ以上のモードのうちの1つだけを励起するために、エネルギの印加を例えばプロセッサ30によって制御することができる。この制御は、以下でより詳しく説明するように、例えば特定のモードを励起しかつ/または排除する放射素子を位置決めすることによって行うことができる。図3Aおよび図3Bに、そのような制御の結果を概念的に例示する。図3Aが、所定の周波数を用いて達成される1つの共振モードTE104を概念化するのに対し、図3Bは、同じ所定の周波数を用いて達成される第2の別個の共振モードTE401を概念化する。図3Aおよび図3Bは、TE104およびTE401それぞれのフィールド強度を示す。図3Aおよび図3Bの例では、周波数を一定に保ちながら、第2のモードを達成するために別の変動要素例えば位相、相対振幅、またはエネルギを発する放射素子の位置を変えた。これらのモードは、エネルギ強度についての予測可能なエリアを示すので、モードを生成して制御する能力は、エネルギ印加区域内で加えられるエネルギを制御可能にする。一部の実施形態では、図3Aおよび図3Bのモードを同時に適用することができ、その場合、x軸を基準にした異なる角度でホットスポットと呼ぶこともできるより強いエネルギ領域を示す破線領域を得ることができる。例えば2つのモードを等しい振幅で適用した場合、図3Cに示すような斜めのフィールドパターンを得ることができる。この斜めのフィールドパターンは、2つのモードTE104およびTE401の一次結合である。したがって、図3Aに示す電場パターンをE3Aで示し、図3Bに示す電場パターンをE3Bで示し、図3Cに示す電場パターンをE3Cで示す場合、E3C=1/2E3A1/2E3Bが成立する。つまり、E3Cは、等しい重みを有するE3AとE3Bとを合計することにより得ることができる。図3Cは、E3Cのフィールド強度を示す。重みが異なる場合、角度も異なり得る。重みが時間とともに適切な方法で変えられる場合、フィールドパターンはエネルギ印加区域内で回転し得る。例えばE3Cが、方程式E3C=sinαtE3AcosαtE3Bに応じて時間変動する場合、場は、α回/秒の一定の角周波数で回転する。そのようなフィールドパターンの回転は、経時的に一定である組合せを使用して達成可能であり得る加熱よりも均一な、時間平均加熱をエネルギ印加区域内で達成するのに有用であり得る。重みsinαtおよびcosαtを経時変化しない定数で置換することで、フィールドパターンを動かなくして、例えば図3Cに示すような所望の不均一性を達成することができる。その性質上、電磁場は、エネルギ印加区域内において不均等なフィールドパターンで分布する傾向がある。つまり、エネルギ印加区域内の電場強度の空間的分布は不均等であり得る。フィールドパターンは、ある期間にわたり空間内でほぼ安定していても、ある期間にわたり知られている方法で空間的に変化してもよい。フィールドパターンは、本明細書ではホットスポットと呼ぶ、フィールドの振幅における最大または最小に対応する比較的高振幅の電場強度を有するエリアをもたらすことができる。ホットスポットの例を図4A-図4Bの斜線部分によって示す。フィールドパターンは、本明細書ではコールドスポットと呼ぶ、比較的低振幅の電場強度例えばゼロ値またはほぼゼロ値を有するエリアももたらすことができる。コールドスポットの例を図4A-図4Bの非斜線部分によって示す。図4A-図4Bは、はっきりした明確な境界を有するホットスポットを図式的に示すが、実際には強度はホットスポットとコールドスポットとの間でより段階的な方法で変わることを指摘しておく。フィールドパターン自体は、後で論じるようにエネルギ印加区域の物理的特性および寸法を含む多くの要素の関数であり得る。比較的高振幅の電場強度は、第1の閾値よりも高いものとすることができ、比較的低振幅の電場強度は、第2の閾値よりも低いものとすることができる。第2の閾値は、第1の閾値と同じでも異なってもよい。一部の実施形態では、閾値よりも低いフィールド強度がエネルギを対象物に事実上伝えることができないように、閾値をあらかじめ設定することができる。ただし、対象物へのエネルギ伝達は、ゼロでないフィールド強度を有するフィールドパターンの領域に一致する対象物の全域において生じることができ、必ずしもホットスポットに一致するエリアに限定されないことを指摘しておく。対象物が加熱される程度は、とりわけその対象物が暴露されるフィールド強度および暴露時間に依存し得る。例えば第2の閾値は、フィールド強度の最小値に近いように選択することができる。本明細書で使用するとき、用語振幅は、大きさと置き替えることができる。エネルギ印加区域内では、特定の領域が、何らかのフィールドパターンの比較的高振幅の電場強度ホットスポット、および他の何らかのフィールドパターンの比較的低振幅の電場強度コールドスポットによって覆われ得る。フィールドパターンは、エネルギ印加区域の被選択領域にエネルギの印加または送出を向けるために選択的に選ぶことができる。各フィールドパターンにおいて強い/弱いフィールド強度が不均一に分布するので、作業体積内の任意の2つの領域へのエネルギ印加は互いに区別することができる。したがって一部の実施形態によれば、供給源は、例えば図4A-図4Bの非斜線部分によって示すように、コールドスポットをエネルギ印加区域の所定のエリア内で引き起こす方法で電磁エネルギを加えるように構成することができる。図4Aおよび図4Bに示すモーダル空洞60では、それぞれが複数の高振幅の強度を有するエリアホットスポット62および64斜線部分、ならびに低振幅の強度を有するエリアコールドスポット、非斜線部分を有するようにフィールドパターンを励起することができる。様々なモードを所与のモーダル空洞内で励起することができる。モードとは、互いに一次独立であり、互いに直交する1組の空間的なフィールドパターンである。本明細書で述べるとき、エネルギ印加区域を覆う2つのモードに関連する2つの場の内積の積分がゼロの場合、2つのフィールドパターンは互いに直交する。モードまたはモードの組合せすなわち一般的なフィールドパターンは、伝搬、エバネセント、および共振が含まれる任意の知られている種類のものとすることができる。一部の実施形態では、励起されるフィールドパターンが、主に共振モードの組合せを含む。エネルギ印加区域内で励起することができるどんなフィールドパターンも、モードの一次結合として数学的に表すことができる。そのモードは、無限数のエバネセントモードと、有限数の伝搬モードその一部は共振モードとすることができるとを含むことができる。概して、モーダル空洞では非モーダル空洞よりも少ない伝搬モードが励起され得る。すなわち、モーダル空洞は概して非モーダル空洞よりも少ない伝搬モードをサポートすることができる。この場合もやはり、サポートされる伝搬モードの一部は共振モードであり得る。本質的に、エバネセントモードは、フィールドパターンを励起するのに使用される総出力またはエネルギのうちのごく小さな割合の出力またはエネルギしか有さず、総出力およびエネルギの大部分は伝搬モードによって実行される。図4Aおよび図4Bでは、エネルギを対象物66だけに印加し、対象物68へのエネルギ印加は避けたいという思いで図示のように対象物66および68をエネルギ印加区域60内に配置する場合、図4Aのフィールドパターンを選択することができる。あるいは、エネルギを対象物68に印加し、対象物66へのエネルギ印加は避けたい場合、図4Bのフィールドパターンを選択することができる。したがって、ある点では、エネルギ印加区域内の特定のエリアに加える電場強度の振幅を意図的に調整するために、一部の態様は例えばMSEを選択することにより目的を持ってフィールドパターンを選択するものであり得る。対象物の一部へのエネルギ印加を避けたい場合、その部分を比較的低振幅の電場強度を有するエリアコールドスポットと位置合わせすることができるので、これらのエリアは制御されたエネルギ印加を可能にすることができる。あるいはこの装置は、より少なく加熱する部分においてコールドスポットを達成するように動作させることができる例えばその部分と位置合わせされるエリアにおいて比較的低振幅の電場強度を有する電磁場を励起することができる。例えば、図4Aに示すフィールドパターンを励起すると決めることにより、対象物68の加熱を避けることができるのに対し、図4Bに示すフィールドパターンを励起すると決めることにより、対象物68を加熱することができる。したがって、対象物の一部にエネルギを加えたい場合、その部分を比較的高振幅の電場強度を有するエリアと位置合わせすることができる。利用者が対象物66に対象物68の2倍の量のエネルギを加えたい場合、図4Aおよび図4Bの両方のフィールドパターンを使用することができ、持続時間と出力との積が、図4Aに示すパターンが図4Bに示すパターンの2倍あるような持続時間と出力で2つのパターンを適用する。例えば、図4Aに示すパターンを適用する持続時間を、図4Bに示すパターンを適用する持続時間の2倍とすることができ、出力レベルは同じとすることができる。別の例では、図4Aに示すパターンを、同じ時間にわたり2倍の出力レベルで適用することができる対象物66および68と重なる2つの斜線部分において場が同様の強度を有すると仮定する。フィールド強度が斜線部分内で異なる場合、強度の差を考慮に入れてもよい。様々なパターンの電磁場を加える相対的な強度および持続時間は、図4Aおよび図4Bのフィールドパターンを同時にまたは逐次的に励起することによって制御することができる。図1に戻り、図1は、一部の実施形態による、電磁エネルギを対象物に加えるための装置の概略図である。図1の装置は、エネルギ印加区域内の高振幅の電磁場強度電磁場における最大および最小に対応する-ホットスポットおよび低振幅の電磁場強度コールドスポットの分布と強度を制御するように構成することができ、したがってエネルギ印加区域内の任意の2つまたはそれ以上の所与の領域に、指定した異なる量のエネルギを加える。そのような制御は、後で説明するようにMSEを選択することによって得ることができる。MSE選択肢の選択は、エネルギ印加区域の領域内でエネルギがどのように分布する例えば空間的に分布するのかに影響し得る。モーダル条件が満たされていない場合、MSEを制御することにより所望のエネルギ印加分布を達成するのはより困難な場合がある。モーダル条件はMSEの制御と組み合わせて使用することができるが、モーダル条件は、たとえMSEの制御とともに使用しなくても利益をもたらすことができる。逆に、たとえモーダル条件が満たされていなくてもMSEの制御は適用することができる。上述のように、用語変調空間またはMSは、エネルギ印加区域内のフィールドパターンに影響を及ぼす可能性があるあらゆるパラメータ、およびその全ての組合せを集合的に指すために使用する。一部の実施形態では、MSは、使用できる可能な全てのコンポーネントおよび他のコンポーネントに対して絶対的または相対的なそれらのあり得る設定、ならびにそれらのコンポーネントに関連する調節可能なパラメータを含むことができる。例えば、MSには、複数の変数パラメータ、アンテナの数、アンテナの配置および/または向き修正可能な場合、使用可能な帯域幅、1組の使用可能な全ての周波数およびその任意の組合せ、出力設定、位相等が含まれ得る。MSは、1つのパラメータ例えば周波数だけもしくは位相だけに限定される一次元MS、または別の単一パラメータから2つのパラメータ例えばともに同じMS内の変動周波数および振幅またはそれ以上に及ぶ、任意の数の可能な変数パラメータを有することができる。エネルギ印加区域に関連するMSの例には、エネルギ印加区域の寸法および形状、ならびにエネルギ印加区域を構成する物質が含まれ得る。エネルギ源に関連するMSEの例には、加えられるエネルギの振幅、周波数、および位相が含まれ得る。放射素子に関連するMSEの例には、放射素子の種類、数、大きさ、形状、構成、向き、および配置が含まれ得る。MSに関連する各変数パラメータをMSの次元と呼ぶ。例として、図5は、周波数F、位相φ、および振幅Aとして示す3つの次元を有する三次元変調空間100を示す。つまり、MS100内では、エネルギ印加中に電磁波の周波数、位相、および振幅を変調することができる一方で、エネルギ印加中、他の全てのパラメータはあらかじめ定め、固定しておくことができる。MSは、エネルギ印加中に1つのパラメータだけが変更される一次元、または複数のパラメータが変更される他の任意のより高次元でもよい。上でさらに述べたように、用語変調空間要素またはMSEは、MSにおける変数パラメータの1組の特定の値を指すことができる。したがって、MSは、可能な全てのMSEの集合とみなすこともできる。例えば、2つのMSEは、複数の放射素子に供給されるエネルギの相対振幅において互いに異なることができる。例えば、図5は、三次元MS100内のMSE101を示す。MSE101は、特定の周波数Fi、特定の位相φi、および特定の振幅Aiを有する。これらのMSE変数の1つが変わるなら、その新たな組が別のMSEを定める。例えば、3GHz、30°、12Vと3GHz、60°、12Vとは2つの異なるMSEだが、位相成分だけが変化している。これらのMSパラメータの異なる組合せは、エネルギ印加区域にわたる異なるフィールドパターン、および対象物を基準にした異なるエネルギ分布パターンをもたらすことができる。エネルギ印加区域内で特定のフィールドパターンを励起するために逐次的に、または同時に実行することができる複数のMSEを、エネルギ送出方式と集合的に呼ぶことができる。例えば、エネルギ送出方式は、3つのMSEF1、φ1、A1、F2、φ2、A2、F3、φ3、A3からなる場合がある。実質的に無数のMSEがあるので、実質的に無数の異なるエネルギ送出方式があり、結果として実質的に無数の異なるフィールドパターンが任意の所与のエネルギ印加区域内でもたらされるとはいえ、異なるMSEは時として極めて類似の、それどころか同一のフィールドパターンをもたらすことがある。当然ながら、異なるエネルギ送出方式の数は、部分的に、利用可能なMSEの数の関数であり得る。本開示は、その最も広い意味において、いかなる特定の数のMSEまたはMSEの組合せにも限定されない。むしろ、使用できるオプションの数は、意図する用途、所望の制御レベル、ハードウェアまたはソフトウェアの分解能やコストなどの要因に応じて、僅か2つから、設計者が望むだけの数とすることができる。例えば、エネルギ印加区域内のフィールドパターンのより繊細な設計を可能にし得る、より多数の異なるフィールドパターンを励起することは、より多数のMSEを必要とする場合がある。そのような場合、少なくとも3つのMSE、例えば3つ、4つ、または5つのMSEが必要であり得る。一部の実施形態では、MSEの数が非常に多い場合があるが、励起するためにそれらのうちのごく少数しか使用されないことがある。例えば、400個の異なる周波数を利用できる場合があり、所与のエネルギ印加サイクルではそのうちの5つしか使用されないことがある。これらの5つの周波数は、例えばエネルギ印加区域内で異なる共振モードの励起をもたらすMSEであり得る。本明細書で使用するとき、用語エネルギ印加サイクルは、エネルギの印加を始める瞬間から印加を終える瞬間まで、例えば電磁エネルギ源をオンにしてからその電磁エネルギ源をオフにするまでに経過する時間とすることができる、エネルギ印加プロセス中に繰り返し生じ得る任意の持続時間とすることができる。例えばエネルギ印加サイクルは、特定のMSEを適用する持続時間とすることができる。別の例では、エネルギ印加サイクルは、MSE群を適用する時間とすることができる。一部の実施形態では、エネルギ印加サイクルは、MSEの掃引sweep開始で始まり、同じ掃引の終了で終わることができる。一部の実施形態では、エネルギ印加サイクルは、継続的であろうとなかろうとその間エネルギが印加される、エネルギ印加区域からのフィードバックの2つの読取値間の持続時間とすることができる。一部の実施形態では、エネルギ印加サイクルは、約1分を下回る持続時間を有することができる。一部の実施形態では、エネルギ印加サイクルは、約1秒を下回る持続時間を有することができる。エネルギ印加サイクルの持続時間は、所望のエネルギ送出方式に応じて選択することができる。エネルギ印加サイクルの間、エネルギ印加区域内の領域に加えるエネルギ量を変えるために、プロセッサは、出力、印加時間、またはそれらの組合せを変えることができる。別の例では、ある領域に加えるエネルギ量を変えるために、プロセッサは1組のMSEを変えることができる。一部の実施形態では、エネルギ印加サイクル中にエネルギ印加区域に複数回エネルギを加えるように、少なくとも1個のプロセッサを構成することができる。例えば、エネルギ印加サイクル中に所定のエネルギ送出量を達成するために、複数のMSEを選択して領域群にエネルギを加えることができる。これらのMSEに対応するフィールドパターンは、互いに重なり合う場合がある。この場合、重複している領域は、複数のMSEが適用されるとき複数のエネルギ印加を受けることができる。本発明の装置または方法は、プロセッサを使用するものであり得る。本明細書で使用するとき、用語プロセッサは、1つまたは複数の命令を実行する電気回路を含むことができる。例えば、そのようなプロセッサには、1つもしくは複数の集積回路、マイクロチップ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、中央処理装置CPU、グラフィック処理装置GPU、デジタル信号プロセッサDSP、書替え可能ゲートアレイFPGAの全てもしくは一部、または命令を実行し、もしくは論理演算を行うのに適した他の回路が含まれ得る。プロセッサが実行する命令は、例えばプロセッサ内にあらかじめロードすることができ、またはRAM、ROM、ハードディスク、光ディスク、磁気媒体、フラッシュメモリ、他の永久、固定、もしくは揮発性メモリ、プロセッサに命令を提供できる他の任意の機構など、別個のメモリユニット内に記憶してもよい。プロセッサ複数可は、特定用途向けにカスタマイズすることができ、または一般用途向けに構成し、様々なソフトウェア命令を実行することにより、様々な機能を実行することができる。複数のプロセッサを使用する場合、その全てを同様の構造のものとすることができ、または互いに電気的に接続されもしくは分離された異なる構造のものとすることができる。それらのプロセッサは、別個の回路でも、単一の回路に組み込んでもよい。複数のプロセッサを使用する場合、それらのプロセッサは、独立にまたは共同して動作するように構成することができる。それらのプロセッサは、電気的に、磁気的に、光学的に、音響的に、機械的に、無線で、またはプロセッサ間で少なくとも1つの信号を伝達できるようにする他の任意の方法で結合することができる。供給源を調整することを唯一の目的として、単一のまたは複数のプロセッサを設けることができる。あるいは、他の機能を提供することに加えて供給源を調整する機能を有する、単一のまたは複数のプロセッサを設けることができる。例えば、供給源を調整するために使用するのと同じプロセッサ複数可を、供給源以外のコンポーネントに追加の制御機能を与える制御回路にも組み込むことができる。現在開示している諸実施形態に合致して、プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物に複数の電磁場パターンを適用するように構成することができる。用語フィールドパターンは、エネルギ印加区域内の電場強度の空間的分布を指すことができる。フィールドパターンは、ある期間にわたり空間内でほぼ安定していても、ある期間にわたり知られているまたは知られていない方法で空間的に変化してもよい。エネルギが分布するパターンは、エネルギ印加区域の物理的特性、エネルギ源の制御可能な側面、ならびに/または放射素子の種類、構成、向き、および配置の関数であり得る。さらに、エネルギが分布するパターンは、場を変える構造例えばフィールド調節要素、誘電体レンズ、および/または装填物の存在など、他の変動要素の影響を受ける場合がある。フィールド調節要素は、電磁場に摂動を与えることが知られている物質で作られた任意の要素とすることができる。例えば、金属、他の導体、誘電体、金属を伴う誘電体負荷dielectricloadwithmetalsなど。一部の実施形態では、対象物がフィールド調節要素の役目を果たす場合がある。フィールド調節要素は、エネルギ印加区域内で励起されるフィールドに影響を及ぼすように例えば放射素子の1つまたは複数から対象物内に電磁エネルギを選択的に方向付けるように制御できる任意の要素を指すこともできる。どんなエネルギ印加区域でも、例えば周波数、位相、および/もしくは振幅または1つもしくは複数のエネルギ源を変えることにより、1つまたは複数の放射素子の種類、構成、数、および/または配置を変えることにより、FAEフィールド調節要素を調節することにより、誘電体レンズを調節することにより、または他の手段により1組の既知のフィールドパターンを達成することができる。一部の実施形態によれば、第1の所定量のエネルギを第1の領域に加え、第2の所定量のエネルギをエネルギ印加区域内の第2の領域に加えるために供給源を調整するように、少なくとも1個のプロセッサを構成することができる。第1の所定量のエネルギおよび第2の所定量のエネルギは、ゼロ以外の任意のエネルギ量とすることができる。一部の実施形態では、第1の所定量のエネルギと第2の所定量のエネルギとが互いに異なる。本明細書では、ならびに本開示および特許請求の範囲の中の他の場所では、ある目的を達成するために処置を取るようにプロセッサを構成する場合、そのプロセッサを動作させることは、少なくとも一部の実施形態で、または演算時間の少なくとも一部でその目的を達成する。したがって、一部の実施形態では、第1のゼロ以外のエネルギ量が第1の領域に送られ、第2のゼロ以外のエネルギ量がエネルギ印加区域内の第2の領域に送られるよう供給源を調整するように、少なくとも1個のプロセッサを構成することができ、第1の量と第2の量とは異なる。第1のエネルギ量と第2のエネルギ量との差は有意であるものとすることができ、例えばエネルギ量の1つは、もう1つのエネルギ量よりも少なくとも20大きくてもよい。一部の実施形態では、この差は少なくとも30、少なくとも50、または少なくとも100である。一部の実施形態では、この差が、上記に列挙した差よりも大きくまたは上記に列挙した差の中間にある。例として、および本明細書の以下でより詳しく説明するように、ホットスポットと呼ばれる既知のエネルギ強度エリアを有するフィールドパターンを選択することができる。したがって、ホットスポットをエネルギ印加区域内のある領域と位置合わせし、その領域内にホットスポットを有しながら特定のエネルギ量をEM波によって加えることにより、第1のゼロ以外の指定のエネルギ量を第1の領域に加えることができる。異なるホットスポット位置を有する別のフィールドパターンが選択される場合、その第2のフィールドパターンは、第2の指定のゼロ以外のエネルギ量を第2の領域に加えることをもたらすことができる。本明細書でも説明するように、異なる領域に異なる指定のエネルギ量を加えるために、異なるMSEおよび/またはMSEの組合せを選択することができる。いずれの例でも、加えられるエネルギ量を制御することは、特定のフィールドパターンもしくはMSEを選択することにより、および/または例えば出力レベル、特定の条件の間に出力を加える持続時間、もしくは上記のものの組合せを制御することにより達成することができる。プロセッサは、所望のエネルギ送出方式を達成するためにそのような選択を行うことができる。用語領域は、セル、部分体積、下位区分、離散的な部分空間、エネルギ印加区域の任意のサブセットであって、そのサブセットがどのように離散化されるのかは関係ない、任意のサブセットなど、エネルギ印加区域の任意の部分を含むことができる。ある特定の例では、エネルギ印加区域が2つの領域を含むことができる。別の例では、エネルギ印加区域が3つ以上の領域を含むことができる。これらの領域は互いに重複してもしなくてもよく、各領域の大きさは同じでも同じでなくてもよい。あるいは、または加えて、第1の領域および第2の領域の位置をあらかじめ定めるように、少なくとも1個のプロセッサを構成することができる。これは例えば、区域内の対象物の位置に関する情報を提供する、エネルギ印加区域からの自己反映的フィードバックによって行うことができる。他の実施形態では、これはイメージングによって達成することができる。一部の実施形態では、これは装置を運転する利用者が提供する1つまたは複数の入力によって達成することができる。一部の実施形態では、これらの領域は対象物の様々な部分に対応することができ、異なるターゲット電磁エネルギ量を対象物のそれらの様々な部分に加えることができる。各領域内で実際に散逸されるエネルギ量は、その領域におけるフィールド強度および/またはその特定の領域における対象物の対応する部分の吸収特性に依存し得る。本明細書では、用語散逸および吸収を区別なく使用する。あるいは、または加えて、この所定の位置は、エネルギ印加区域内の対象物を参照することなしに、フィールドパターンの既知の形状寸法の関数であり得る。一部の実施形態では、利用者またはその少なくとも1個のプロセッサ以外の装置が、第1の領域および第2の領域の位置をあらかじめ定めてもよい。この2つの領域は、エネルギ印加区域内で互いに隣接して位置することができる。例えば、エネルギ印加区域は、対象物または対象物の一部によって占有される領域と、その対象物または一部とは異なるエリアを画定する別の領域とを含むことができる。一部の実施形態では、これらの2つの領域が互いに隣接し、境界で区切られてもよい。例えば、第1の領域は加熱するゼリードーナツの範囲内にあることができ、第2の領域はそのゼリードーナツの範囲外にあることができる。別の例では、エネルギ印加区域は、対象物の中の異なるエネルギ吸収特性を有する2つの領域を含むことができる。例えば、第1の領域はゼリードーナツの内側にあるジャムを主に含むことができ、第2の領域は主にパン生地を含むことができる。ジャムとパン生地のエネルギ吸収特性は異なるので、それらの2つの領域において異なる電場強度を有するフィールドパターンを励起するのが有益であり得る。2つの領域の局所的フィールド強度およびエネルギ吸収特性の違いに基づき、それらの領域のそれぞれにおける散逸エネルギをあらかじめ定めることができる。したがって、エネルギを印加するための適切なエネルギ送出方式を構築するためのMSEを選択し制御することにより、対象物の中の異なる領域にわたり、散逸エネルギを希望通りにほぼ等しくまたは異なるようにすることができる。MSEの選択は、エネルギ印加区域の領域内でエネルギがどのように分布するのかに影響し得る。エネルギ印加区域内の異なる所定領域に対して異なるターゲット電磁エネルギ量を加えるために、プロセッサは、1つまたは複数のMSEを制御して、エネルギ印加区域内の特定の所定領域にエネルギを向けるフィールドパターンを達成することができる。定在波をもたらすMSEの選択は、さらなる制御策を提供することができ、それは定在波が、先に説明した予測可能かつ明確に定められた高強度領域ホットスポットおよび低強度領域コールドスポットを示す傾向があるからであり、高強度領域は、低強度領域と容易に区別可能なエネルギ濃度を示し得る。ホットスポットの例を図4A-図4Dの斜線部分によって示す。コールドスポットの例を図4A-図4Dの非斜線部分によって示す。用語コールドスポットは、加えられるエネルギが完全にないことを必ずしも必要としないことを理解すべきである。むしろ、コールドスポットは、ホットスポットに比べて強度が弱いエリアも指すことができる。つまり、高強度領域内では、フィールド強度の振幅が低強度領域内のフィールド強度の振幅よりも大きい。したがって、高強度領域内の出力密度は、低強度領域内の出力密度よりも高い。空間的位置の出力密度およびフィールド強度は、その位置に配置される対象物に電磁エネルギを送り、または加える能力に関係する。したがって、エネルギの送出率または伝達率は、低強度領域内のものよりも高強度領域内の方が高い。すなわち、エネルギ印加区域内の高強度領域および/または低強度領域を制御することにより、プロセッサは、特定の空間的位置へのエネルギの送出または印加を制御することができる。高強度領域および低強度領域のそのような制御は、MSEを制御することによって達成することができる。さらに一部の実施形態では、MSEは、そのMSEによってもたらされるエネルギ印加区域内のエネルギの励起を特徴付ける、ホットスポットおよびコールドスポットの位置に応じて選択することができる。例えば、一部の実施形態では、電磁エネルギ源により、およびそれぞれが少なくとも1つの高強度領域と少なくとも1つの低強度領域とを有する複数のフィールドパターンを使用し、エネルギ印加区域内の対象物に電磁エネルギを加えるための装置が提供される。上記で説明したように、高強度領域に関連するフィールド強度は、低強度領域に関連するフィールド強度よりも強い。この装置は、2つのフィールドパターンを識別するように構成される少なくとも1個のプロセッサを含むことができる。第1のフィールドパターンは、対象物の空間的位置の第1のエリアおよび/またはエネルギ印加区域の第1のエリアに対応する、第1の高強度領域を有することができる。第2のフィールドパターンは、対象物の空間的位置の第2のエリアおよび/またはエネルギ印加区域の第2のエリアに対応する、第2の高強度領域を有することができる。第1のエリアまたは第2のエリアは、相互排他的であり得る。第1のフィールドパターンおよび第2のフィールドパターンの識別は、例えばどちらのフィールドパターンのホットスポットがエリアの1つに位置するのかを突き止めるために、使用可能なMSEの1つによって励起できる各フィールドパターンに関連する空間的エネルギ分布を、2つのエリアの空間的位置と比較することによるものとすることができる。加えて、またはあるいは、識別は、ホットスポットが所望の通りに位置するフィールドパターンを所与のフィールドパターンから選択することを含み得る。他の実施形態では、識別は、1つまたは複数のソフトウェア命令によって決定されたフィールドパターンを選択することを含み得る。対象物の空間的位置は、プロセッサによって求めることができる。例えば、プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の空間的位置を示す情報を求めるように構成することができる。プロセッサは、第1のエリアおよび第2のエリアにエネルギを加えるために、供給源を制御してエネルギ印加区域に第1のフィールドパターンおよび第2のフィールドパターンを適用するようにさらに構成することができる。一部の実施形態では、電磁エネルギ源により、およびそれぞれが少なくとも1つの高強度領域と少なくとも1つの低強度領域とを有する複数のフィールドパターンを使用することにより、エネルギ印加区域内の対象物に電磁エネルギを加えるための装置が提供され、高強度領域に関連するフィールド強度は、低強度領域に関連するフィールド強度よりも強い。この装置は、エネルギ印加区域の第1のエリアに対応する第1の高強度領域を有する第1のフィールドパターンを識別し、エネルギ印加区域の第2のエリアに対応する第2の高強度領域を有する、第1のフィールドパターンとは異なる第2のフィールドパターンを識別することであって、第1のエリアおよび第2のエリアは対象物の少なくとも一部に少なくとも部分的に重なる、第2のフィールドパターンを識別し、第1のエリアおよび第2のエリアにエネルギを加えるために、供給源を制御して第1のフィールドパターンおよび第2のフィールドパターンを適用するように構成される、少なくとも1個のプロセッサを含むことができる。プロセッサは、第1のエリアに加えられるエネルギ量が第2のエリアに加えられるエネルギ量と異なるよう、供給源を制御するように構成することができる。あるいは、または加えて、プロセッサは、第1のエリア内で吸収または散逸されるエネルギが、第2のエリア内で吸収または散逸されるエネルギと実質的に同じであるよう、供給源を制御するように構成することができるこれにより、第1のエリアおよび第2のエリア内で吸収または散逸されるエネルギは20より小さく、例えば10より小さく異なる。制御可能なMSE変動要素には、伝達される電磁波の振幅、位相、および周波数、各放射素子の位置、向き、および構成、またはこれらのパラメータの何れかの組合せ、もしくはフィールドパターンに影響を及ぼす可能性がある他のパラメータのうちの1つまたは複数が含まれ得る。図1に示すように、例えば例示的プロセッサ30は、電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18などの様々なコンポーネントに電気的に結合することができる。電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18の1つまたは複数は、供給源のコンポーネントであり得る。プロセッサ30は、これらのコンポーネントの1つまたは複数を調整する命令を実行するように構成することができる。例えば、プロセッサ30は、電源12が供給する出力レベルを調整することができる。プロセッサ30は、例えば増幅器の中の1つまたは複数のトランジスタを切り替えることにより、増幅器16の増幅度も調整することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、増幅器が所望の波形を出力するように、増幅器16のパルス幅変調制御を行うことができる。プロセッサ30は、変調器14によって実行される変調を調整することができ、代わりに、または加えて、各放射素子18の位置、向き、および構成の少なくとも1つを電気機械装置などにより調整することができる。そのような電気機械装置は、放射素子18の1つまたは複数の向きまたは位置を回転させ、旋回させ、移動し、スライドし、もしくは他の方法で変えるための、モーターまたは他の可動構造を含むことができる。プロセッサ30は、エネルギ印加区域内のフィールドパターンを変えるために、区域内に位置するあらゆるフィールド調節要素を調整するようにさらに構成することができる。例えば、フィールド調節要素は、放射素子からの電磁エネルギを選択的に方向付けるように構成することができ、または送信機として働く放射素子を、受信機として働く1つまたは複数の他の放射素子に、結合を減らすために同時に適合させるように構成することができる。一部の実施形態では、一連の期間のそれぞれについて交流波形の位相が数度例えば10度増加するように、放射素子によって発せられる交流波形に対して所定の時間遅延シーケンスを実行するよう位相変調器を制御することができる。あるいは、または加えて、プロセッサは、エネルギ印加区域からのフィードバックに基づいて波形を動的におよび/または適応的に変調することができる。例えば、プロセッサ30は、空洞20から受けた電磁エネルギ量を示すアナログまたはデジタルフィードバック信号を検出器40から受け取るように構成することができ、プロセッサ30は、受け取ったフィードバック信号に基づいて次の期間のための位相変調器における時間遅延を動的に決定することができる。プロセッサは、エネルギ印加区域に供給される少なくとも1つの電磁波の周波数を変えるために、周波数変調器を調整するように構成することもできる。そのような周波数変調器は、交流波形の周波数を調節するように構成することができる。例として、この周波数変調器は、図6Aに概略的に示す発振器22などの半導体発振器とし、所定の周波数で振動する交流波形を発生させるように構成することができる。所定の周波数は、入力される電圧、電流、または他のアナログもしくはデジタル信号複数可に関連することができる。例えば電圧制御発振器は、入力電圧に比例する周波数で波形を発生させるように構成することができる。一部の実施形態に合致して、プロセッサ30は、経時変化する周波数の交流波形を発生させるために、発振器22を調整するように構成することができる。例えば、発振器22は、正弦波信号cos[ωtt]を発生させることができる。交流信号は増幅器24によって増幅することができ、放射素子、例えばアンテナ32および34に空洞20内で周波数変調電磁波を励起させることができる。一部の実施形態では、プロセッサ30は、所定の周波数帯域内の様々な周波数で振動する交流波形を発生させるために、発振器22を調整するように構成することができる。オプションで、発振器22は、波形を逐次的に発生させるように調整することもできる。一部の実施形態では、所定の周波数帯域には作業周波数帯域が含まれてもよく、プロセッサは、周波数のサブセットを含む作業周波数帯域の一部の中の周波数においてエネルギの印加を引き起こすように構成することができる。作業周波数帯域のこの一部は、選択された周波数の集合とすることができ、その理由は、その集合は全体として所望の目標を達成し、そのサブセットが目標を達成するなら帯域内の他の周波数を使用する必要性は減るからである。作業周波数帯域またはその一部を識別すると、プロセッサは、その作業周波数帯域またはその一部の中の各周波数において出力を逐次的に加えることができる。この逐次プロセスは、周波数掃引と呼ぶことができる。そのような実施形態では、各周波数を供給方式例えばMSEの特定の選択に関連させることができる。一部の実施形態では、プロセッサ30は、検出器40によって与えられるフィードバック信号に基づいて、例えば周波数帯域からの1つまたは複数の周波数を含むエネルギ送出方式を選択し、選択したエネルギ送出方式に従ってそれらの選択された周波数において交流波形を逐次的におよび/または同時に発生させるために、発振器22を調整するように構成することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、アンテナ32および34によって加えられるエネルギ量をフィードバック信号に基づいて調節するために、増幅器24を調整するように構成することができる。一部の実施形態に合致して、検出器40は、特定の周波数でエネルギ印加区域から反射されるエネルギ量を検出することができ、反射されるエネルギが大きい場合、その周波数において加えられるエネルギ量を大きくするようにプロセッサ30を構成することができる。つまり、プロセッサ30は、反射されるエネルギが特定の周波数で大きい場合、その周波数のエネルギをより長期にわたり1つまたは複数のアンテナに加えさせるように構成することができる。あるいは、プロセッサ30は、反射されるエネルギが特定の周波数で小さい場合、その周波数のエネルギをより長期にわたり1つまたは複数のアンテナに加えさせるように構成することができる。図6Bに示すように、一部の実施形態は、異なる周波数の交流波形を発生させるために、発振器22および26など、複数のEMエネルギ発生コンポーネントを有する供給源を含むことができる。別々にもたらされるこれらの交流波形は、増幅器24および28のそれぞれによって増幅することができる。その結果、空洞20に2つの異なる周波数の電磁波をいつでもアンテナ32および34に同時に加えさせることができる。これらの2つの周波数のそれぞれは経時変化してもよい。図6Bには専ら例示目的で2つの発振器を示すが、3つ以上の発振器および/または3つ以上の増幅器、および/または3つ以上のアンテナを使用できると考えられる。一部の実施形態では、プロセッサは、エネルギ印加区域に供給される2つの電磁波間の位相差を変えるために、位相変調器を調整するように構成することができる。一部の実施形態では、電磁エネルギ源は、複数の位相で電磁エネルギを供給するように構成することができ、プロセッサは、その複数の位相のサブセットにおいてエネルギの印加を引き起こすように構成することができる。例として、位相変調器は、図6Cに示す移相器54などの移相器を含むことができる。移相器54は、空洞20内で交流波形の時間遅延を制御可能な方法で引き起こし、交流波形の位相を例えば0-360度遅らせるように構成することができる。移相器54は、連続可変の移相または時間遅延をもたらすように構成されるアナログ移相器を含むことができ、または1組の離散的な移相もしくは時間遅延をもたらすように構成されるデジタル移相器を含むことができる。図6Cに示すような一部の実施形態に合致して、発振器22が発生させた交流信号を2つの交流信号例えば分割信号に分けるために、分配器52を設けることができる。プロセッサ30は、2つの分割信号間の位相差が時間とともに変化し得るよう、様々な時間遅延を逐次的に引き起こすために、移相器54を調整するように構成することができる。この逐次プロセスは、位相掃引と呼ぶことができる。先に説明した周波数掃引と同様に、位相掃引は、所望のエネルギ印加目標を達成するために選択される作業位相のサブセットを伴うことができる。例えば所望のエネルギ印加目標を達成するために、周波数および位相のサブセットを選択し、掃引できるのと同様に、あまりにも多くのMSEのサブセットが選択され、掃引される。より広くは、プロセッサ30は、様々なMSEで、例えば様々な周波数、位相、振幅、および/または放射素子の選択で波形を逐次的に発生させるために、供給源を調整するように構成することができる。本明細書では、そのような逐次プロセスをMSE掃引と呼ぶ。逐次的に掃引されるMSEは、必ずしも互いに関係しなくてもよい。むしろ、それらのMSE変動要素はMSEごとに著しく異なることができるまたは論理的に関連していてもよい。一部の実施形態では、MSE変動要素が、ことによるとそれらの間に関係がない状態で、MSE間で著しく異なり得る。しかし全体として、作業MSEのグループは所望のエネルギ印加目標を達成する。プロセッサは、エネルギ印加区域に供給される少なくとも1つの電磁波の振幅を変えるために、振幅変調器を調整するように構成することができる。一部の実施形態では、電磁エネルギ源は、複数の振幅で電磁エネルギを供給するように構成することができ、プロセッサは、その複数の振幅のサブセットにおいてエネルギの印加を引き起こすように構成することができる。例として、振幅変調器は、別の変調信号を使って搬送波の振幅を調整するように構成される、図6Dに示すミキサ42などのミキサ回路を含むことができる。例えば、発振器22は、高周波の交流信号を発生させるように構成することができ、発振器26は、低周波の交流信号を発生させるように構成することができる。この2つの交流信号は、高周波で振動する1つの交流信号へとミキサ42によって混合することができ、混合された交流信号の振幅は、低周波の交流信号に応じて変わり得る。例えば、高周波信号が正弦波信号cos[ω1t]であり、低周波信号が別の正弦波信号cos[ω2t]の場合、混合された信号はcos[ω1t]cos[ω2t]となり得る。次いで、混合された信号を増幅器44によって増幅することができ、これにより、アンテナ32および34は増幅された波形で電磁波を印加することができる。一部の実施形態に合致して、振幅変調器は、例えば図6Eに示す移相器54および56など、1つまたは複数の移相器を含むことができる。一部の実施形態によれば、振幅変調は、2つ以上の移相電磁波を組み合わせることによって実施することができる。例えば、分配器52は、発振器22が発生させた交流信号を、正弦波cos[ωt]など、2つの交流信号に分けることができる。それらの信号は単一の信号から分割されるので、分割された2つの交流信号は、ほぼ同じ周波数を共有することができる。分割された一方の交流信号は、移相器54により位相αにわたってシフトすることができ、これによりこの交流信号はcos[ωtα]となる。分割された他方の交流信号は、移相器56により位相-αすなわち360°-αにわたってシフトすることができ、これによりこの交流信号はcos[ωt-α]となる。図6Eに示すように、移相交流信号は増幅器24および28のそれぞれによって増幅することができ、このようにして、共有の交流波形を有する電磁波をアンテナ32および34に励起させることができる。アンテナによって励起される2つの電磁波が、三角関数の公式cos[ωt-α]cos[ωtα]=2cosαcosωtによる振幅変調波を形成し得るように、アンテナ32および34を互いから所定の距離に配置することができる。提供する他の例と同様に、図6Eも例示的である。他の実施形態に同様の原理を適用するために、1つ、2つ、またはそれ以上の移相器を使用できることを理解すべきである。一部の実施形態では、供給源は、電磁エネルギを複数の放射素子によって供給するように構成することができ、プロセッサは、異なる振幅を有するエネルギを少なくとも2つの放射素子に同時に供給するために、供給源を調整するように構成することができる。例えば図6Eは、空洞20に電磁エネルギを加えるために、2つのアンテナ32および34を使用できることを示す。発振器22は、分配器52によって分割され、移相器54および56によって移相され、2つの増幅器24および28によって別々に増幅される信号を出力することができる。プロセッサ30は、例えば分割信号を様々な増幅率で増幅し、それにより異なる振幅を有する増幅信号をもたらすために、ならびにそれらの信号を2つのアンテナ32および34に同時に供給するために、増幅器24および28を個々に制御することができる。2つのアンテナのそれぞれに供給される2つの増幅信号をA1cosωtおよびA2sinωtで表すことができ、A1およびA2は2つの信号の振幅であり、A1=cosαおよびA2=sinαのように変えるためにプロセッサ30によって制御することができる。三角関数の公式によれば、2つの増幅信号の結合は、A1cosωtA2sinωt=cosαcosωtsinαsinωt=cosωt-αである。したがって、プロセッサは、アンテナのそれぞれに供給される個々の信号の振幅を制御することにより、空洞に供給される結合信号の位相を制御することができる。図6Eは例示的であり、他の実施形態では他の構成を使用できることを理解すべきである。例えば一部の実施形態では、分割信号のうちの1つだけをシフトするために移相器を1つだけ使用することができる。他の一部の実施形態では、分配器52を使用する代わりに、信号を同時に提供するために複数の信号発生器を使用することができる。他の一部の実施形態では、信号のさらなる制御を行うために、追加のアンテナおよび増幅器を使用することができる。図6A-図6Eは、周波数変調、位相変調、および振幅変調を変えるための回路を示すが、一部の実施形態によれば、複数のMSE変動要素の制御を可能にするために、これらの回路のコンポーネントを組み合わせることができる。さらに、多くの放射素子例えば3-50個の放射素子を使用することができ、回路は、放射素子を選択的に使用することにより、MSEの組合せを選ぶことができる。専ら例として、3つの放射素子A、B、およびCを有する装置では、振幅変調を放射素子AおよびBを使って行うことができ、位相変調を放射素子BおよびCを使って行うことができ、周波数変調を放射素子AおよびCを使って行うことができる。オプションで、振幅を一定に保つことができ、放射素子の1つまたは複数をオンオフすることにより場の変化を引き起こすことができる。さらに、アンテナ32および34は、これらのアンテナの位置または向きを変えさせ、それによりフィールドパターンの変化をもたらす装置を含むことができる。当業者なら、組合せは事実上無限にあり、本発明は、ある特定の制御の組合せに限定されず、むしろ1つまたは複数のMSEを変えることでフィールドパターンを変えることができるという考えを反映することを理解されよう。MSEの選択を変えることは、フィールドパターンおよび空間および/または時間にわたるフィールドパターンの和とすることができるエネルギ分布の著しい変化をもたらし得るが、エネルギ分布は、選択されたMSEの組合せに基づいて予測することができる。この予測可能性は、所望のエネルギ分布を達成するためにMSEの組合せを選択できるようにする。一部の実施形態では、プロセッサは、第1の領域内で吸収されるエネルギが、第2の領域内で吸収されるエネルギとほぼ同じであるよう、供給源を制御するように構成することができる。例えば、プロセッサは1つまたは複数のMSEを選択し、1つまたは複数の高強度領域ホットスポットを第1の領域および第2の領域に一致させることにより、第1の領域および第2の領域にエネルギを加えることができる。プロセッサは、2つの領域の吸収特性および1つまたは複数の高強度領域に関連するフィールド強度を求めることができる。所与の領域内で吸収されるエネルギは、その領域内の吸収特性およびフィールド強度に関係するので、プロセッサは、第1の領域および第2の領域内でほぼ均一のエネルギ吸収を達成するために、エネルギ印加の出力および/または持続時間を制御することができる。MSEの任意の所与の組合せに由来するエネルギ分布例えばフィールドパターンは、例えば試験、シミュレーション、または解析計算によって求めることができる。試験による手法を使用し、センサ例えば小さなアンテナをエネルギ印加区域内に配置して、MSEの所与の組合せに由来するエネルギ分布を測定することができる。次いで、その分布を、例えばルックアップテーブル内に記憶することができる。シミュレート手法では、MSEの組合せを仮想的な方法で検査できるように、仮想モデルを構築することができる。例えば、エネルギ印加区域のシミュレーションモデルは、シミュレーションエンジンおよび/またはプログラムに入力される1組のMSEに基づいてコンピュータ内で実行することができる。エネルギ印加区域内のフィールド分布を数値的に計算するために、CSTGermanyによるCSTや、AnsoftCorp.USAによるHFSSなどのシミュレーションエンジンを使用することができる。結果として生じるフィールドパターンは、イメージング技法を使用して視覚化しても、デジタルデータとしてコンピュータ内に記憶してもよい。このようにして、MSEと結果として生じるフィールドパターンとの間の相関関係を確立することができる。このシミュレート手法は、前もって十分に行い、分かった組合せをルックアップテーブル内に記憶することができ、またはこのシミュレーションは、エネルギ印加操作中に必要に応じて行うことができる。同様に、試験およびシミュレーションの代替策として、選択されたMSEの組合せに基づくエネルギ分布を予測するために、解析モデルに基づいて計算を行ってもよい。例えば、既知の寸法を有するエネルギ印加区域の形状を所与として、所与のMSEに対応する基本フィールドパターンを解析的方程式から計算することができる。次いで、モードとしても知られるこの基本フィールドパターンを使用して、それ自体との一次結合または他の分かっているモードとの一次結合により所望のフィールドパターンを構築することができる。シミュレート手法と同様に、この解析的手法も前もって、およびルックアップテーブル内に記憶された既知の組合せで十分に適用することができ、またはエネルギ印加操作中に必要に応じて行うことができる。一部の実施形態によれば、プロセッサは、エネルギ印加区域内の少なくとも2つの領域に所定量のエネルギを加えるように構成することができる。エネルギは、エネルギ印加区域内の対象物の既知の特性に基づきあらかじめ定めることができる。例えば、同じ物理的特性を共有する製品例えば全く同じハンバーガのパテを繰り返し加熱する専用オーブンの場合、2つ以上の既知のフィールドパターンに対応する異なる既知のエネルギ量を加えるように、プロセッサをあらかじめプログラムすることができる。プロセッサは、フィールドパターンに応じて、異なるエネルギ量を加えることができる。つまり、加えられるフィールドパターンに応じて、エネルギを印加する出力および/または持続時間を変えることができる。加えられる所定量のエネルギとフィールドパターンとの間のこの相関関係は、先に論じたように試験、シミュレーション、または解析によって求めることができる。別の例として、フィールドパターンと加えられるエネルギ量との間の相関関係は、問題となる対象物のエネルギ吸収プロファイルによって求めることができる。つまり、対象物の体積全体にわたるエネルギ吸収能力が求められると、所望の目標を達成するために、エネルギを制御された方法でその対象物に加えることができる。例えば、目標が対象物の体積にわたりエネルギを均一に加えることである場合、プロセッサは、均一のエネルギ印加をもたらすMSEの組合せを選ぶことができる。その一方で、不均一のエネルギ印加を望む場合、プロセッサは、所望の不均一のエネルギ分布を達成するために、フィールドパターンが異なる状態で所定量のエネルギを加えることができる。一部の実施形態によれば、プロセッサは、エネルギ印加区域内で所定のフィールドパターンを引き起こすように構成することができ、そのフィールドパターンは少なくとも1つの高強度領域および少なくとも1つの低強度領域を有し、プロセッサは、その少なくとも1つの高強度領域をエネルギ印加区域内の対象物の位置に一致させるように構成することができる。用語所定のフィールドパターンは、MSEに由来するどんな実際のまたは予測されるフィールドパターンでもよい。所定のフィールドパターンは、予期されるフィールドパターンの近似とすることができ、例えばエネルギ印加区域内に装填物または対象物がある状態で、もしくはない状態で、計算、シミュレーション、または測定を行うことによって得ることができる。測定値は、例えばエネルギ印加区域内に設けられる1つまたは複数のセンサもしくは検出器からの1つまたは複数の入力を検出することにより、その場で、例えば加熱工程の間に得ることができる。これらの入力または測定値は、実際のフィールドパターンを予測するために使用することができる。対象物複数可の存在はフィールドパターンをいくらか変える可能性があるので、エネルギ印加プロセスの間にエネルギ印加区域内に1つまたは複数の対象物が位置する場合、エネルギ印加区域内の実際のフィールドパターンは、予測されるフィールドパターンと全く同じではない場合がある。しかし、ホットスポット/コールドスポットの位置やフィールド強度など、フィールドパターンの主な特徴は予測とほぼ同じであり得る。したがって、エネルギ印加区域内に1つまたは複数の対象物があるかどうかにかかわらず、MSEとフィールドパターンとの間の関係は依然として保たれ得る。一部の実施形態に合致して、フィールドパターンの計算は、エネルギ印加区域内の対象物の存在を考慮することなしに行うことができる。これは、エネルギ印加区域内の対象物の存在が区域内のフィールドパターンの強度分布を実質的に変えないという想定に基づき得るボルン近似として知られる。ボルン近似は、エネルギを加える前に対象物の位置、大きさ、および電磁特性が未知の場合にとりわけ有用であり得る。対象物の特性があらかじめ分かっている場合、対象物を考慮してフィールドパターンの計算を行ってもよい。装填物対象物が全エネルギ印加区域を満たし、誘電的に均質である場合、フィールドの計算またはシミュレーションは比較的簡単であり得る。満たされていない領域の影響を無視できる場合、装填物がほぼ全エネルギ印加区域を満たしているとみなすことができる。例えば、ほぼ全エネルギ印加区域を満たしている装填物は、その区域の少なくとも80、85、または90を満たし得る。一部の実施形態では、装填物が、例えば放射素子例えばRF供給部、検出器、温度計、または装置の動作に有用であり得る他の機器で占有され得る一部の排除体積を除き、全区域を満たすことができる。ほぼ満たされたエネルギ印加区域内には、例えば空洞の角において、対象物で満たされていない多少の周縁部の体積があってもよい。均質の装填物の一例は、誘電体境界がないものである。誘電体境界とは、それぞれが著しく異なる誘電率εrを有する2つの領域を分ける線または面である。それらの領域それぞれの特有の大きさは、装填物内の少なくとも約一波長程度であり得る。装填物内の波長は、領域を分ける線または面の両側の波長間の平均によって概算することができる。誘電率の差は、例えば差が約10以上のものである場合に有意とみなすことができる。均質の装填物の一例は水塊である。水塊の異なる部分が例えば不均一の加熱が原因で異なる温度にある場合、それらの異なる部分の誘電率は異なり得ることを指摘しておく。この差が10を超える場合、その水塊は不均質であり得る。水中油のまたは他の任意の2つの物質の懸濁液は、油滴または他の懸濁媒体の粒子が、全体として懸濁液の中でMSEの周波数における波長より小さい例えば波長の10分の1より小さいことを条件に、均質とみなすことができる。これは、油と水の誘電率における大きな差にもかかわらず当てはまることができる。MSEと予測されるフィールドパターンとの間の関係をとりわけ十分に保つことができる別の事例は、例えば可分空洞内の可分装填物の場合である。可分装填物とは、均質物質でできた少なくとも1つの完全な層を含む装填物である。均質性および実質的に装填することの概念は、上記で説明したように理解することができる。各層は、空洞壁複数可および可分空洞内の2つの平行な断面的誘電体境界によって境界をつけることができる。可分空洞とは、その中で励起される電場Ex,y,zを、x、y平面におけるフィールドとz方向におけるフィールドとの積、すなわちEx,y,z=Ex,yEzとして表すことができる空洞であり、zはフィールドが伝搬する方向である。可分空洞には、例えば長方形の箱、円筒、直角三角形の底を有する角柱、または分割された円筒の形を有する空洞が含まれる。可分装填物の一例は、例えば層状のケーキとすることができ、各層は均質であり、ケーキの周縁部において空洞壁に接触する。先に述べたようにホットスポットとしても知られる高強度領域は、電磁場強度が周囲の領域よりもかなり高い領域を指す。高強度領域は、電磁力が集中する領域と言うことができる。したがって、高強度領域では、電磁波から対象物への電磁エネルギ伝達が周囲のエリアよりも効果的である。同様に、先に述べたようにコールドスポットとしても知られる低強度領域は、電磁場強度が周囲の領域よりもかなり低い領域を指す。したがって、低強度領域では、電磁エネルギ伝達が実質的に非効果的である。例えば図4Cに示すように、プロセッサは、エネルギ印加区域20内に2つの高強度領域84を有するフィールドパターンを引き起こすように構成することができる。エネルギ印加区域20内の高強度領域84以外のエリアは、低強度領域と呼ぶことができる。図4Cに示すフィールドパターンはあらかじめ定めることができ、その結果、2つの高強度領域84の位置を前もって知ることができる。対象物82は、エネルギ印加区域20内に位置することができ、電磁エネルギを吸収する能力があり得る。後でより詳しく説明するように、プロセッサは、高強度領域84を対象物82の位置に一致させるように構成することができる。対象物82の位置が事前に分かっている状況では、プロセッサは1つまたは複数のMSEを選択して、少なくとも1つの高強度領域が対象物の位置に一致し得る、対応する既知のフィールドパターンを引き起こすことができる。対象物の位置が事前に分からない場合、後でより詳しく論じるように、プロセッサは、空洞内で吸収されるエネルギを示すフィードバックを受け取ることができる。少なくとも1つの高強度領域が対象物の位置に一致する場合、エネルギ印加区域内で吸収されるエネルギ量は、高強度領域が対象物の位置に一致しないエネルギ印加区域内で吸収されるエネルギよりもかなり大きい可能性がある。プロセッサはこのことをフィードバックによって知り、その後、少なくとも1つの高強度領域を対象物の位置に一致させるために、エネルギ印加区域内でより大きなエネルギ吸収をもたらすMSEを選択することができる。一部の実施形態では、対象物にエネルギを加えるために低強度領域を使用することもできる。例えば、対象物の少なくとも一部が1つまたは複数の高強度領域の到達可能エリアの外側にある場合、1つまたは複数の低強度領域を使用して対象物に電磁エネルギを伝達することにより、制御可能なエネルギ印加は依然として達成可能であり得るが、そのようなエネルギ伝達は高強度領域を使用するほど効率的および/または高速でない場合がある。この場合プロセッサは、高強度領域で使用される制御と同様の方法で、対象物と低強度領域との間の重なりを制御することができる。さらに、特定の種類の食品などの特定の物質では、加熱し過ぎるのを避けるためにより低い強度でエネルギを加えることが望ましい場合がある。また一部の実施形態によれば、プロセッサは、エネルギ印加区域内で少なくとも1つの定在波を励起するように構成することができ、その定在波は少なくとも1つの高強度領域および少なくとも1つの低強度領域を有し、高強度領域に関連するフィールド強度は、低強度領域に関連するフィールド強度よりも強く、プロセッサは、少なくとも1つの定在波の高強度領域を対象物の位置に一致させるように構成される。例えば、電磁波がエネルギ印加区域内に加えられ、その区域の境界例えば空洞壁から反射される場合、定在波は、加えられた波と反射された波との相互作用によって確立することができる。この相互作用により、定在波は、電磁場強度の局所的最大および最小に由来する、高強度領域ホットスポットおよび低強度領域を示すことができる。例えば、図4Cは高強度領域84を示す。先に論じたように、対象物の位置が分かっている場合、プロセッサは、高強度領域を対象物82の位置に一致させる定在波を励起するMSEを選択するように構成することができる。一部の実施形態によれば、プロセッサは、複数の定在波を励起するように構成することができ、対象物の位置または対象物の少なくとも一部に一致する高強度領域を有する、その複数の定在波の少なくとも一部を選択するようにさらに構成される。例えばプロセッサは、対象物82に一致する高強度領域84を有する第1の定在波に対応する、図4CのフィールドパターンをもたらすMSEを選択するように構成することができる。その後、プロセッサは、同じく対象物82に一致する高強度領域86を有する第2の定在波に対応する、図4DのフィールドパターンをもたらすMSEを選択するように構成することができる。2つの定在波を使用することにより、および/または例えば反射によって吸収量を求めるための検出器を使用することにより、プロセッサは、対象物の位置および対象物の吸収特性に関するより多くの情報を得ることができる。例えば、図4Cに示す定在波しか利用できなかった場合、プロセッサは、対象物82の位置が2つの垂直な高強度領域84によって覆われるエリア内にあることしか求めることができない。同様に、図4Dに示す定在波しか利用できなかった場合、プロセッサは、対象物82の位置が2つの水平な高強度領域86によって覆われるエリア内にあることしか求めることができない。しかし、複数の定在波を使用する場合、プロセッサは、対象物が図4Dに示す高強度領域84および86の交差部分によって覆われるエリア内にあることを求めることができ、図4Dでは破線が図4Cの高強度領域84に対応する。この場合、プロセッサは、対象物が領域84および86の交差部分によって覆われるエリア内にあることを求めることができ、これにより、より優れた分解能を達成する。追加の定在波を使用するにつれて、分解能は改善され得る。対象物の体積全体にわたるエネルギ吸収能力を、損失プロファイルとして表すことができる。用語損失には、エネルギ印加区域内から例えば放射を行っている放射素子に、または受信機として働く他の放射素子に跳ね返されない任意の電磁エネルギが含まれ得る。用語損失は、誘電損失も指すことができる。例えば損失には、εσによって示すイオン伝導による電磁損失、εdによって示す双極子回転による電磁損失、および/またはこれらのもしくは他の損失成分の組合せが含まれてもよく、総損失は、例えばε=εdεσ=εdσ’/ωε01によって示すことができ、下付き文字dおよびσは、双極子回転およびイオン伝導それぞれの寄与率を表し、σ’は導電率であり、ωは角周波数であり、ε0は自由空間または真空の誘電率である。以下、略記として総損失をσによって示す場合がある。ただし本明細書で使用するとき、用語損失は、あらゆる種類の吸収率の寄与を包含するよう広く使用する。例として、電磁エネルギを吸収する対象物がエネルギ印加区域内に位置する場合、損失は、その対象物の電磁エネルギ吸収能力に相当することができる。あるいは、損失は、エネルギ印加区域内に何らかの対象物が位置するかどうかにかかわらず、エネルギ印加区域の境界上の電磁エネルギ損失に相当することができる。損失は、そのプロファイル例えば損失プロファイルによって特徴付けることができる。パターン、イメージ、分布等と呼ぶこともできる用語プロファイルには、エネルギ印加区域内の損失の任意の空間的分布が含まれ得る。エネルギ印加区域内のエネルギ損失の分布に関する情報を伝えるために、損失プロファイルは様々な方法で表すことができる。例えば、損失プロファイルは、イメージング、解析学、値計算法、タブラチュア、またはエネルギ損失の分布もしくは空間的分布を反映可能な他の任意のメカニズムを使って表すことができる。イメージとしてまたは任意のイメージング技法を使用して表される場合、損失プロファイルは、白黒画像、グレースケール画像、カラー画像、表面状態画像、体積画像、または他の任意のグラフィカル表現の形態を呈することができる。グラフィックの観点から言えば、損失プロファイルは、例えば二次元、三次元、および/または四次元で表すことができ、次元の1つは損失を表し、残りの次元複数可はその損失が関連する空間的位置を表す。一部の実施形態では、次元の1つに沿って損失の時間発展が表される。一部の実施形態では、グラフィカルプロファイルが時間変動し、それにより追加の次元を使用できるようにすることができる。一部の実施形態では、1つの次元に沿った様々な値を様々な色が表すことができ、例えばより暗い色はより高い損失を表すことができる。タブラチュアで表される場合、損失プロファイルは、物理的空間とその空間内の特定の位置で吸収されるエネルギとの間の相関関係を含むテーブルの形態を呈することができる。別の例では、損失プロファイルは、紙またはフィルム上に印刷されたイメージもしくはテーブル、または物理的マテリアルで作られたモデルとすることができる。解析的に表される場合、損失プロファイルは、例えば1つまたは複数の方程式によって書くことができる。例えば、そのような方程式は、時間、空間例えばデカルト空間のx、y、およびz座標、出力、位相、周波数、またはエネルギ損失と相関があり得る他の任意の変動要素のうちの1つまたは複数の関数として書くことができる。数値的に表される場合、損失プロファイルは、いくつかのまたは一連の数として表すことができる。表現方法にかかわらず、損失プロファイルは、デジタル形式および/またはアナログ形式で表すことができる。例えば損失プロファイルは、プロセッサにとってアクセス可能なメモリ内に記憶されるデジタルファイルとすることができる。例として、損失プロファイルは、図7に示すような2D画像とすることができる。図7に示す2D画像は、解説を簡単にするための単純化した例であることを理解すべきである。この単純化した2D画像に関して以下に説明するのと同じ概括的原理が、3D表現および4D表現にも等しく当てはまる。2D空間の脈絡では、エネルギ印加区域の大きさは体積ではなくエリアによって特徴付けられることも理解すべきである。図7は、エネルギ印加区域810の損失プロファイル820を示す。エネルギ印加区域と同じ形状および/または大きさを有しても有さなくてもよい損失プロファイル820は、区域810内のエネルギの損失例えば吸収および/または散逸を特徴付けることができる。損失プロファイルは、エネルギ印加区域内の損失σの空間的分布を反映することができる。例えば、エネルギ印加区域810内に対象物830が位置する場合、損失プロファイルは、その対象物のエネルギ吸収特性を反映することができる。損失プロファイルは、エネルギ印加区域とは独立に得ることができ、またはエネルギ印加区域の特性を考慮に入れることによって得ることができる。一例では、損失プロファイルは、既知の対象物についてあらかじめ得ることができる。別の例では、損失プロファイルは、エネルギ印加区域内に位置する任意の対象物について動的に得ることができる。一部の実施形態では、初期損失プロファイルをあらかじめ取得し、特定の対象物にエネルギを加えるときにオプションで更新することができる。例として、損失プロファイル820とエネルギ印加区域810とは、重ね合せ、位置決め、マッピング、相関、ズーミング、または他の任意の関連した方法によって関連付けることができる。例えば、区域810と損失プロファイル820の形状および大きさが同一の場合、エネルギ印加区域810および損失プロファイル820は重ね合せによって関連付けることができる。エネルギ印加区域の損失プロファイルは、あらかじめ定めることができる。あるいは、または加えて、少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ印加区域内に配置される任意の所与の対象物の損失プロファイルを求めるように構成することができる。そのような割り出しは、例えば所与の対象物830またはエネルギ印加区域810の損失プロファイル820を動的に作成するための、図9Aの流れ図900に記載するような一連のステップを実施するプロセッサによって達成することができる。供給源は、エネルギ印加区域内に複数の異なる電磁場パターンを発生させるように構成することができ、プロセッサは、エネルギ印加区域の指定領域にエネルギを選択的に加えるために、その複数のパターンから少なくとも1つのパターンを選択するように構成することができる。図9Aのステップ920に示すように、プロセッサは、プロセスで使用するための1組のMSEを決定することができる。例えば、プロセッサは、複数の周波数にわたってEMエネルギを供給するように電磁エネルギ源を制御することができる。この場合、複数の周波数は、このプロセスにおける制御可能なMSE変動要素の役目を果たすことができる。先に論じたように、MSEは既知のフィールドパターンに相関することができる。したがって、1組のMSEを決定することにより、プロセッサは区域内で励起される1組の既知のフィールドパターンを決定することができる。プロセッサは、電磁エネルギを供給するためのMSEを一つずつ選択し、それにより、その選択したMSEに対応する、区域内で励起される1つのフィールドパターンを選択するように構成することもできる。1組の所定のフィールドパターンから、制御されたEMフィールドパターンをエネルギ印加区域内に構築する方法をEM空間フィルタリングと名付ける。用語フィルタリングは、空間的位置およびそのフィールド強度を、1組の既知のEMフィールドパターンの観点から区別する能力を指す。変調空間は、制御可能なMSEを1組の所定のフィールドパターンと相関させるので、MSEによってどんなフィールドパターンも表すことができる。所与のフィールドパターンを達成するために、複数のMSEまたはMSEの組合せが使用可能であり得ることを理解すべきである。したがって、特定のフィールドパターンを達成するためのMSEの選択は、例えばEMエネルギを加えるのが望ましい位置に基づき、応用例によって決めることができる。MSEは一連の変動要素によって表すことができるので、単一の変動要素または複数の変動要素を変更することによりMSEを変えることができる。例として、プロセッサは、2つの周波数f1およびf2、ならびに2つの振幅A1およびA2においてEMエネルギを供給するようにエネルギ源を制御することができる。この場合、使用可能なMSEは、[f1,A1、f1,A2、f2,A1、f2,A2]であり得る。つまりプロセッサは、第1の量のEMエネルギを周波数f1および振幅A1において、第2の量のEMエネルギを周波数f1および振幅A2において、第3の量のEMエネルギを周波数f2および振幅A1において、第4の量のEMエネルギを周波数f2および振幅A2において供給するようにエネルギ源を制御することができる。したがって、使用可能なMSEを以下のように行列形式で表すことが便利であり得る。[f1,A1,f1,A2f2,A1,f2,A2]この例では、2つの周波数および2つの振幅しか利用できないと仮定されるので、MSE行列は2×2行列である。当然、より多くの周波数および振幅を利用できる場合、MSE行列もそれに応じて大きくなる。例えば、10個の周波数と5個の振幅を利用できる場合、MSE行列は10×5行列になり、この行列の各行は同じ周波数値を有するが異なる振幅値を有し、この行列の各列は同じ振幅値を有するが異なる周波数値を有する。より多くのまたはより少ない種類の制御可能なMSEパラメータを利用できる場合、MSE行列の次元がそれに応じて変わり得ることも明らかである。例えば、特定の実装形態において、EMエネルギの位相φも制御される場合、MSE行列は、行列の各成分がfi,Aj,φkの形を取る3D行列になる。ここで、下付き文字i、j、およびkは、使用可能な周波数、振幅、および位相それぞれの添え字を表す。行列の大きさはNf×NA×NPとして表すことができ、Nf、NA、およびNPは、制御可能な周波数、振幅、および位相それぞれの使用可能な数を表す。同様に、制御可能なパラメータを1つしか使用できない場合、行列は1Dベクトルに縮退する。周波数、振幅、および位相に加え、エネルギ印加区域内のフィールドパターンを効果的に変えることができる任意の制御可能なパラメータをMSの一部とすることができる。例えば、エネルギ印加区域にEMエネルギを放射しまたは印加するための放射素子の数を、1組の追加の制御可能なパラメータ、または言い換えればMSに加えられる追加の次元とすることができる。別の例では、1つまたは複数の放射素子の配置/位置/向きを、機械的、電気的、または他の適切な手段により空間内で物理的に変えることができる。この場合、1つまたは複数の放射素子の配置/位置/向きが、MSに加えられる追加の次元であり得る。または、放射素子のアレイを設けることができ、アレイ内の特定の放射素子または放射素子のサブセットを選択することにより、所望の配置/位置/向きを達成することができる。さらに、1つまたは複数の放射素子の配置/位置/向きは、上述の2つの方法の組合せによって調節することができる。さらに別の例では、エネルギ印加区域内に導電構造などのフィールド調節要素FAEを設けることができ、FAEの配置/位置/向きを放射素子の方法と同様の方法で調節することができる。プロセッサは、特定の用途に応じて、あり得るMSE選択肢の全ての中で1組の適切なMSEを決定できることを理解すべきである。少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ印加区域の少なくとも一部の表現を2つ以上の領域に分割するように構成することができる。その表現は、例えば値の配列とすることができ、各値は、エネルギ印加区域の異なる部分の特徴を表す。これらの値は、これらの値によって特徴付けられる領域に関連すると言うことができる。特徴には、例えば位置、誘電特性、フィールド強度、その部分に加えられる電磁エネルギ量などが含まれ得る。以下、エネルギ印加区域の分割および/または対象物の分割へのいかなる言及も、その表現を分割することを指すことができる。分割は、例えば領域のそれぞれに関連する値に異なる規則を適用することにより、第1の領域の一部だけをまとめて参照し、第2の領域をまとめて異なるように参照すること等により示すことができる。一部の実施形態では、ステップ930で、プロセッサが、エネルギ印加区域例えば区域810を複数の領域に分割するための離散化方式を決定することができる。用語、離散化は、例えば分割、分離、および区分化と呼ぶこともできる。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ印加区域の一部を少なくとも2つの領域、例えば第1の領域および第2の領域に分割するように構成することができる。一部の実施形態では、プロセッサは、対象物の吸収特性とは独立に、エネルギ印加区域の少なくとも一部を分割するように構成することができる。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、対象物に加えられるエネルギとは独立に、エネルギ印加区域の一部を分割するように構成することができる。例えば、エネルギ印加区域の複数の領域への離散化は、対象物の特性および対象物に加えられるエネルギに関係なくあらかじめ定めることができる。場合によっては、プロセッサは、例えばルックアップテーブル、メモリ内に記憶された情報、またはプロセッサ内で符号化された情報により、所定の離散化情報を取得することができる。あるいは離散化は、少なくとも1個のプロセッサ、例えば図1に示すプロセッサ30を使用して動的に行うことができる。図8A-図8Cは、エネルギ印加区域20の例示的な離散化を示す。少なくとも1個のプロセッサは、再帰的でもそうでなくてもよいアルゴリズムを使用することにより、エネルギ印加区域の一部を少なくとも2つの領域に分割するように構成することができる。例えばプロセッサは、空間を等しい大きさおよび形状の、ある数の領域へと任意に離散化することができる。オプションで、あらかじめ定めた方法で離散化を適用することができ、例えばこれにより、領域の数は、対象物が配置される可能性が最も高いエネルギ印加区域のエリアにおいてより密になり、エネルギ印加区域の縁部付近ではよりまばらになる。一部の実施形態では、離散化は、装填物に関する情報に従う。例えばプロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の位置に関する情報、およびオプションで、例えば所与の体積が水によって占有されており、別の体積が一切れのパンによって占有されていることを明らかにするそれらの対象物の誘電特性の空間的分布に関する情報を例えばユーザ入力により受け取ることができる。本質的に均一の誘電特性によって特徴付けられる各体積上記の例では水またはパンは、離散化のために1つの領域として定めることができる。ときには、均一の誘電特性および不ぞろいの形の対象物を、それぞれがより規則的な形を有するいくつかの領域に離散化することができる。あるいは、または加えて、離散化は、様々な領域に加えられるエネルギ量に従って設定することができる。例えば、所与の体積に沿って温度勾配が要求される場合、この体積を多くの領域に離散化して、所要の温度勾配をもたらすMSEの組合せを識別することを容易にすることができる。加えて、またはあるいは、離散化方式は、所要の計算時間および/または利用者によって要求される精度および信頼性、および/または以下の方程式4および/または方程式5の数学的解の安定性を考慮して選ぶことができる。例えば、離散的領域の数が多すぎると、数学的解の安定性が低下する可能性がある。その一方で、離散的領域の数が少なすぎる場合、解を見つけるのが全く不可能になり得る。一部の実施形態では、プロセッサは、領域の数が最小である第1の離散化方式から開始することができ、解があり得ないと分かる場合、領域の数を増やすことができる。解があり得る場合、それらの方程式が解かれる。解が十分正確でない例えば得たエネルギとターゲットエネルギとの差が、許容される上限に近い場合、より多くの領域に離散化することを使用できる。領域の数の代わりに、またはそれに加えて、一部の実施形態では、プロセッサは、領域間の境界の形および/または位置を変えるように構成することができる。離散化方式または離散化方式を変えることの代わりに、またはそれに加えて、不安定性に大きく貢献するが解に小さく貢献する方程式を組から削除し、縮小した1組の方程式を解くことができる。一次方程式の組を数値的に解くための他の方法が当業者には明らかになる。あるいは、または加えて、プロセッサは、各MSEに対応する各フィールドパターン内の各高強度領域の座標を知ることができ、またはそうした座標であらかじめプログラムすることができる。これは、先に論じたように、MSEが予測可能なホットスポットを有する予測可能なパターンをもたらし得るので達成可能である。したがって、特定のMSE条件の間例えば特定のMSEが励起されるときの吸収率を示すフィードバックを検出器が受け取ったという指示をプロセッサが受け取ると、プロセッサは、そのMSE条件に対応するホットスポットの1つの中に対象物が位置しているに違いないと判断することができる。プロセッサは、このプロセスを繰り返して、または再帰アルゴリズムを使用して対象物についてさらなる情報を得ることができる。フィードバックを得るために検査する例えば励起されるMSEが多ければ多いほど、プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の位置および/または吸収特性に関するますます多くの情報を知ることができる。様々なMSEを使った一連のそのような測定にわたり、プロセッサは、空間内の対象物の位置および/または対象物の各離散的領域の吸収特性を反復的に絞り込むことができる。上記の内容は、エネルギ印加区域内の対象物の位置および/または誘電特性の情報を、プロセッサがどのように取得できるのかについての一例に過ぎない。離散化方式は、エネルギ印加区域を複数の領域としてプロセッサに表現させるための任意の適切な方法を含むことができる。一部の実施形態では、それらの領域の大きさはほぼ等しいものとすることができる。複数の領域例えば2つ以上の領域を例えば図8Aに示すように等しい大きさの領域に離散化することができるが、例えば離散化領域の大きさまたは形状が均一かどうか、および離散化が任意の認識可能なパターンをもたらすかどうかにかかわらず、本発明は、その最も広い意味であらゆる種類の離散化を予期する。少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物に基づいて、エネルギ印加区域の一部を複数の領域に分割するように構成することができる。例えば、対象物830が単一の領域を占有するような方法でエネルギ印加区域810を分割することができる。別の例では、図7に示すように、対象物830が複数の領域を占有するような方法でエネルギ印加区域810を分割することができる。離散化方式は、これだけに限定されないが、所望の分解能、損失プロファイルの特性、および使用可能なフィールドパターンが含まれる多くの要素に依存し得る。例えば、対象物830の大きさがSLであり、所望の分解能が、少なくとも100個の領域をその対象物が含むことを要求し得る場合、各領域の平均的大きさは、例えばSL/100とすることができる。この場合、異なる領域の大きさは同じでも同じでなくてもよい。対象物の特定の位置では、分割領域の大きさが他の位置よりも小さい場合がある。すなわち、領域の密度は、対象物の全体にわたって異なることができる。あるいは、または加えて、領域の密度は、エネルギ印加区域の全体にわたって異なることができる。例えば、分割方式は、エネルギを印加する対象である、エネルギ印加区域内の対象物の一部に領域が一致するかどうかに応じて、またはその領域が、対象物のどの部分も位置しない区域の領域に一致するかどうか、もしくはエネルギを印加する対象ではない対象物の一部を含む領域に一致するかどうかに応じて変わり得る後者の2つの領域のそれぞれは空所区域と名付けることができる。例えば、ある方式では、空所区域全体を単一の領域として扱うことができる。別の例示的方式では、空所区域を、非空所区域と同様の方法で複数の領域に分割することができる。この場合、対象物の空間占有にかかわらず、分割はエネルギ印加区域全体の中で行うことができる。あるいは、空所区域および非空所区域について分割を別々に行ってもよい。さらに別の例では、空所区域を非空所区域と異なる方法で複数の領域に分割することができる。例えば、空所区域内の領域の平均的大きさは、非空所区域内の領域の平均的大きさよりも大きい場合がある。すなわち、空所区域内の領域の密度は、非空所区域内の領域の密度よりも低い場合がある。図8Cに示すように、離散化は、エネルギ印加区域の一部の部分ではより密だが、他の領域ではよりまばらとすることができる。一部の実施形態では、離散化がより密な領域は加熱しようとする対象物の領域とすることができ、離散化がより分散した領域は対象物が存在しない領域とすることができる。これらの領域は、規則的な形または不ぞろいの形のものとすることができる。例えば3Dの場合、領域は、図8Aに示すように規則的な立方体または長方形であり得る。あるいはこの領域は、特定のニーズに応じてどんな不ぞろいの形でもよい。例えば、図8Bに示すように、エネルギ印加区域をある程度無作為な領域に分割することができる。一部の実施形態では、エネルギ印加区域の一部分を規則的な形の領域に分割し、別の部分を不ぞろいの形の領域に分割する。少なくとも1個のプロセッサは、損失プロファイルを使用してエネルギ印加区域を複数の領域例えば第1の領域および第2の領域に分割するように構成することができる。例えば、エネルギ印加区域の分割は、エネルギ印加区域の損失プロファイルに関係し得る。損失プロファイルを構築するための例示的プロセスを図9Aに関して解説し、エネルギ印加区域810は、それぞれがほぼ同じ真四角の形を有する複数の領域に分割することができる。図7に示すように、領域Nは、左上角から右下角に1,2,3,...,Ndとラベル付けすることができる。複数の領域を占有することができる対象物830は、異なる損失パラメータσaおよびσbを有する2種類の物質を含むことができる。図7に示す例では、領域Raが損失パラメータσaを有し、領域Rbは損失パラメータがσbの物質を有する。この特定の例では、対象物の外側だがエネルギ印加区域の内側にある空所領域R0は損失パラメータσ0を有する。このプロセスの目的は、σa、σb、およびσ0によって特徴付けられる実損失プロファイルに近い、エネルギ印加区域810内の損失プロファイルを作成することである。この目的を達成するために、プロセッサは、各領域1からNdに未知の損失パラメータσii=1,2,3,...,Ndを割り当てることができる。そのような離散化されたσiは、分解能がNdによって特徴付けられる、実損失プロファイルの数値表現である。例えば、Ndが大きい場合、エネルギ印加区域内には多数の領域があり、各領域の大きさは小さくなる。図7に示すように、エネルギ印加区域810内にEMエネルギを加えるために、2つの放射素子840アンテナなどを設けることができる。ステップ920で決定したMSEが、例えば2つの放射素子840間の位相差だと仮定して、MSEは[θ1,θ2,...θNm]で表すことができる。先に論じたように、各MSEは、エネルギ印加区域810内の既知のフィールドパターンに対応することができる。エネルギ印加区域はNd個の領域に離散化されているので、各MSEθjについて、対応する既知のフィールドパターンを、一連の局所的電場強度[I1j,I2j,I3j,...,INdj]によって表すことができる。区域の特定の領域における電場強度は、その領域における電場振幅の2乗に比例する。したがって、全てのMSEについて、フィールドパターンを以下のように行列形式で集合的に書くことができる。[I11,I21,I31,...,INd1;I12,I22,I32,...,INd2;...I1Nm,I2Nm,I3Nm,...,INdNm]I行列と呼ぶこの行列は、MSEおよび離散化を決定した後で求めてもよい。ステップ940で、プロセッサはMSE例えば選択したMSEを適用することができ、それにより、エネルギ印加区域内に加えられるようにEMエネルギを制御することができる。さらにステップ940では、適用するMSEごとに、エネルギ印加区域内のエネルギ損失を測定することができる。例えば、そのようなエネルギ損失は、放射素子から加えられるエネルギ量例えば入射エネルギを、同じ放射素子が受け取るエネルギ量例えば反射エネルギおよび/または他の放射素子が受け取るエネルギ量例えば伝達エネルギと比較することによって測定することができる。加えられるエネルギと受け取られるエネルギとの差は、エネルギ印加区域内のエネルギ損失に一致し得る。一例では、各MSEを適用する時間は同じとすることができる。この場合、エネルギ損失を出力損失Pとして表すことができ、出力損失Pは、エネルギ印加区域に加えられ、そこから受け取られる出力から求めることができる。各MSEθjについて、出力損失Pjは、以下のように局所的強度Iijに関係することができる。1/2σ1I1jσ2I2j...σNdINdj=Pj2したがって、全てのMSEについて、測定した出力損失P、行列I、および未知の損失プロファイルσが以下の方程式を満たすことができる。1/2σI=P3ステップ950で、測定した出力損失Pおよび既知の行列Iから、上記の方程式3の行列を構築することができる。未知の損失プロファイルσは、数学的に解くことができる。例えば、σは、以下のように行列Iを反転させ、その反転させた行列IにベクトルPを掛けることによって解くことができる。σ=2PI-14上記の方程式を解くことができる場合ステップ960:はい、損失プロファイルσを作成でき、このプロセスは終了するステップ980。方程式を解くことができない場合ステップ960:いいえ、または方程式系が数学的に不良条件、不良設定、および/または特異な場合、プロセッサはステップ970を実行することができ、ステップ970では、プロセスがステップ940に戻りながら、MSEおよび/または離散化方式を修正することができる。これらの方程式を解くと損失プロファイルσを得ることができ、損失プロファイルの精度は、方程式の解の質によって決まる。上記の記述では、図9Aに全体的に示した方法が、一部の実施形態に従い、どのように損失プロファイルσを求められるようにするのかを説明した。図9Bに示す方法は、一部の実施形態に従い、エネルギ印加区域の指定領域に指定したエネルギを加えることを可能にし得る。ステップ915Bで、プロセッサは、ターゲットエネルギ分布、例えば2つの領域例えば図7に示す領域RaおよびRbおよび各領域に加えるターゲットエネルギの定義を決定することができる。この決定は、例えば、インターフェイスを介して入力を読み取ることによって、例えば機械可読タグ、例えばバーコードおよび/またはRFIDタグを読み取ることによって実行することができる。一部の実施形態では、ターゲットエネルギ分布を求めるために、プロセッサが入力をさらに処理する。例えば、インターフェイスから受け取られる情報は、エネルギ印加区域内の異なるエリア内に配置される対象物の種類に関係することができ、プロセッサはこの情報を処理してエネルギ印加区域の様々な領域に加えるターゲットエネルギ量を求めることができる。ステップ920Bで、図9Aのステップ920に関して説明したようにMSEを決定することができる。ステップ930Bで、離散化方式を決定することができる。オプションで、この方式は、図9Aに関連して上述したように決定することができる。一部の実施形態では、この離散化方式は、ステップ915Bで決定したターゲットエネルギ分布を考慮に入れて決定することができる。例えば、領域RaまたはRbとそれらの領域の周囲との間の境界は、これらの領域の他の部分よりも多かれ少なかれ密に離散化することができ、領域RaまたはRbの外側の領域は、領域RaまたはRb等よりもまばらに離散化することができる。決定した離散化方式および決定したターゲットエネルギ分布はともに、エネルギ印加区域内の領域rjごとのターゲットエネルギEjを定めることができる。ステップ950Bで、ターゲットエネルギ分布を得るためにMSEのそれぞれを適用すべき、持続時間および/または出力を計算するための方程式を構築することができる。各領域rjに加えられるエネルギEjは、MSEθiの1つにより領域rjにそれぞれ送られる、エネルギ量の和によって与えることができる。そのような各エネルギ量はEjiとして表すことができる。Ejiは、領域rj内で対応するMSEθiによって励起されるフィールド強度Iji、ならびにMSEθiを適用する持続時間および/または出力を定める重みaiによって決まる。したがって、全てのMSEによって領域rjに加えられるエネルギは、Ej=a1Ij1a2Ij2...aKIjK5によって与えることができ、Kは使用可能なMSEの数である。方程式5は、各領域rjにおいて構築することができる。重みa1からaKは、複数の領域に対応する複数の方程式に基づいて解くことができる。つまり、各領域rj内のターゲットエネルギEjおよびフィールド強度ベクトルIj1からIjKが分かっていると、既知の数学的方法を使用して重みベクトルa1からaKを解くことができる。重みaiは、例えばMSEθiを適用し得る出力に比例することができる。一部の実施形態では、重みは、MSEθIを適用する持続時間に比例することができる。ステップ960Bで、プロセッサは、1組の方程式を解くことができるかどうかを判定することができる。解くことができる場合ステップ960B:はい、それらの方程式を解くことができステップ965B、解いたaiの値に従ってエネルギ印加区域にエネルギを加えることができるステップ980B。このようにして、領域RaおよびRbのそれぞれに加えられるエネルギは、少なくとも方程式の解の質に依存する精度限界の範囲内で、ステップ915において決定した通りとすることができる。ステップ960Bで、方程式を解くことができないと判定される場合ステップ960B:いいえ、ステップ970Bで、プロセッサは、適用されるMSEおよび/または離散化方式を修正することができる。次いで、新たな方程式を構築することができ、この1組の新たな方程式の可解性を検査することができる。このプロセスは、方程式が解けるまで、または取得したエネルギ分布を得ることができないとプロセッサが決定するまでその場合、利用者はしかるべくプロンプトで指示され得る継続することができる。図9Bに記載の方法は、エネルギ印加区域内に対象物がある場合に実行することができる。オプションで、領域RaおよびRbは、エネルギ印加区域内の異なるアイテム、例えばスープおよび肉それぞれの領域に一致することができる。プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の空間的位置を示す情報を求めることができる。損失プロファイルσは、エネルギ印加区域内の損失特性またはエネルギ吸収性のマップを提供する。対象物は多くの場合、エネルギ印加区域内の空所部分とは異なる損失特性を有し得る。したがって、エネルギ印加区域内の損失特性分布を分析することにより、プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の空間的位置を損失プロファイルから求めることができる。そのような情報は、例えば適切な離散化方式を決定することによりエネルギ印加を制御するために、および/またはターゲットエネルギ分布を決定するために使用することができる。あるいは、プロセッサは、既知のフィールドパターンから対象物の空間的位置を求めることができる。例えば、プロセッサは、エネルギ印加区域内での1つまたは複数の高強度領域および低強度領域の位置が分かっている既知のフィールドパターンを発生させるために、供給源を調整することができる。プロセッサは、エネルギ印加区域内に電磁エネルギを供給し、エネルギ印加区域からの反射エネルギを解析することができる。エネルギ印加区域内でのエネルギ損失が低いことを示し得る、反射エネルギが大きい場合、プロセッサは、1つまたは複数の高強度領域内に対象物が位置していない可能性があると判断することができる。その一方で、エネルギ印加区域内でのエネルギ損失が高いことを示し得る、反射エネルギが小さいことをプロセッサが突き止める場合、プロセッサは、1つまたは複数の高強度領域内に対象物が位置し、または少なくとも部分的に位置している可能性があると判断することができる。そのような解析により、プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の位置を示す情報を求めることができる。一部の実施形態によれば、プロセッサは、エネルギ印加区域内で複数の異なる電磁場パターンを選択的に励起するために供給源を制御するように構成することができ、プロセッサは、それらの複数のパターンから少なくとも1つのパターンを選択するように構成することができる。例えば、プロセッサは、適用する複数のMSEを選択することができ、その複数のMSEのそれぞれはエネルギ印加区域内で異なるフィールドパターンを発生させることができる。これらのMSEを適用することにより、エネルギ印加区域内で複数のフィールドパターンを励起することができる。複数のフィールドパターンは、互いに結合してもしなくてもよい。フィールドパターンが結合しない場合、複数のMSEのそれぞれは単一のフィールドパターンに対応することができる。したがって、MSEを選択することにより、プロセッサは少なくとも1つのフィールドパターンを選択することができる。一部の実施形態によれば、プロセッサは、複数の異なる電磁場パターンを逐次的に選択するように構成することができる。例えば、プロセッサは、プロセッサが逐次的に選択可能な様々な制御可能なパラメータを含む1組のMSEを選択することができる。一部の実施形態では、複数の周波数をMSEとして選ぶことができ、各周波数は異なるフィールドパターンに対応することができる。この場合、プロセッサは、その複数のものから周波数を逐次的に選択し、それによりエネルギ印加区域内で複数の異なるフィールドパターンを発生させることができる。一部の実施形態によれば、プロセッサまたは装置内の別のプロセッサは、少なくとも1つのパターンを計算するように構成することができる。先に論じたように、フィールドパターンは、試験、シミュレーション、または解析計算および/もしくは数値計算が含まれる数学的計算によって計算することができる。プロセッサは、エネルギを加える前にフィールドパターンを計算することができ、またはエネルギ印加プロセスの一部としてその場で計算を行ってもよい。この計算は、エネルギ印加区域および/または適用されるMSEの既知の特性、ならびに/または実時間測定結果に基づくことができる。一部の実施形態によれば、少なくとも1個のプロセッサは、第1の領域の位置と第2の領域の位置とを区別するように構成することができる。用語区別するは、異なる空間的位置をプロセッサが制御された方法で判別し、差別化し、識別し、または他の方法で分けることを指す。例えば、図7に示すように、エネルギ印加区域810は複数の領域1,2,3,...,Ndを含むことができ、プロセッサは例えば領域1と領域2を区別するように構成することができる。これらの2つの領域は、プロセッサによって異なるように識別することができ、かつ/またはプロセッサに接続されるメモリユニット内の異なる位置に記憶されるアドレスを有することができる。一部の実施形態によれば、プロセッサは、エネルギを一定の時間にわたり各MSEによって加えるように構成することができ、その時間は、別のMSEによってエネルギが加えられる時間と同じでも同じでなくてもよい。例えば一部の実施形態では、全てのMSEを例えばエネルギ源および/または供給源に接続されもしくは埋め込まれる増幅器の技術的限界によって決定される最大可能出力で適用することができ、時間を最大可能出力で掛けた積が、特定のMSEに対応する係数例えば重みに比例するまたは一部の実施形態では等しいように、様々なMSEの間で時間は異なり得る。同様に一部の実施形態では、プロセッサは、エネルギを一定の出力で各MSEによって加えるように構成することができ、その出力は、別のMSEによってエネルギが加えられる出力と同じでも同じでなくてもよい。例えば一部の実施形態では、全てのMSEを固定持続時間にわたって適用することができ、時間を出力で掛けた積が、特定のMSEに対応する係数に比例し、または一部の実施形態では等しくなり得るように、出力は異なり得る。一部の実施形態では、所与のMSEにより一定のエネルギ量を加えるために、持続時間および出力の両方を調節しまたは設定することができ、例えば出力の最大値および時間の最小値を設定することができ、その最小値以上の時間にわたり、その最大値以下の出力でエネルギを加えることができる。図9Cは、一部の実施形態による、所与のターゲットエネルギ分布に応じてエネルギ印加区域にエネルギを加えるために、電磁エネルギ源50Cを調整するように構成されるプロセッサ30Cの簡略化したブロック図を示す。プロセッサ30Cは、プロセッサ30を含むことができ、プロセッサ30と同一とすることができ、またはプロセッサ30の一部とすることができる。さらに、またはあるいは、プロセッサ30Cは、プロセッサ30に加えて別個のプロセッサとすることができる。プロセッサ30Cは、データを記憶するための記憶域32C、およびデータ、例えば記憶域32Cの中に記憶されたデータを処理するためのいくつかの処理モジュールを含むことができる。記憶域またはその一部は、プロセッサ30Cに統合することができ、またはプロセッサ30Cと通信する外部コンポーネントとしてもよい。オプションで、記憶域32Cは、インターフェイスを介して例えばターゲットエネルギ分布を受け取るための、インターフェイス10Cに接続することができる。オプションで、記憶域32Cは、ターゲットエネルギ分布を記憶するための記憶空間34Cを含むことができる。記憶空間34Cは、連続的でもセグメント化されていてもよく、またはデータを電子的に記憶する技術分野で知られている他の任意の構成を有してもよい。一部の実施形態では、記憶域32Cは、エネルギ印加区域またはその一部の損失プロファイルを記憶するための記憶空間36Cも有することができる。損失プロファイルは、インターフェイス10Cから記憶空間36Cに送ることができる。あるいは、または加えて、本明細書に記載するように損失プロファイルを構築し、その損失プロファイルを記憶空間36Cの中に記憶するように、図1のプロセッサ30または別のプロセッサを構成することができる。オプションで、記憶域32Cは、利用可能なMSEおよび記憶されている利用可能なMSEのそれぞれに関連するフィールドパターンを記憶することができる、記憶空間37Cも有することができる。様々なMSEに関連するフィールドパターンは、空のエネルギ印加区域および/または標準的な装填物が中に入ったエネルギ印加区域を用いて得られるパターンとすることができる。オプションで、これらのフィールドパターンは、利用可能なMSEのうちで使用することができるMSEの初期推定に、および/またはターゲットとして与えられるエネルギ分布と同様のエネルギ分布をもたらすことができる最初のMSEの組合せを構築するために使用することができる。オプションで、記憶域32Cは、動作中にエネルギ印加区域内で得た例えば測定しまたは検出したエネルギ分布を記憶するための記憶空間38Cも有することができる。プロセッサ30Cは、MSE決定モジュール42Cを含むことができる。このモジュールは、オプションで適当なソフトウェアを実行することにより所与の任意の動作段階において例えばEM加熱プロセス中に、利用可能なMSEのどれを使用すべきか決定するように構成することができる。一部の実施形態では、利用可能なMSEの1つまたは複数をデフォルトで使用することができ、MSE決定モジュール42Cを省略することができる。他の実施形態では、MSE決定モジュール42Cは、どのMSEを使用するのかを例えばターゲットエネルギ分布に基づいて決定することができる。そのような場合、MSE決定モジュール42Cは、記憶空間34Cの中に記憶されたターゲットエネルギ分布データを取り出すことができる。場合によっては、ターゲットエネルギ分布が、記憶空間37Cの中の1つまたは複数のMSEに関連するフィールドパターンに概して似ている場合、MSE決定モジュール42Cは、そのMSEを他のMSEに優先して使用することができる。例えば、ターゲットエネルギ分布がエネルギ印加区域の中心において比較的大きい値を有し、エネルギ印加区域の周縁においてはるかに小さい値を有する場合、MSE決定モジュール42Cは、エネルギ印加区域の中心付近に最大強度を有するフィールドパターンに関連する1つまたは複数のMSEを選択し、区域の周縁に集中するフィールドパターンに関連するMSEをより少なく選択することができる。あるいは、または加えて、MSE決定モジュール42Cは、励起および/または制御が比較的容易なMSEを選択し、より容易に励起されるMSEが満足のいく結果をもたらさない場合にのみ他のMSEを選択することができる。オプションで、MSE決定モジュール42Cを制御モジュール60Cに接続することができ、制御モジュール60Cは、供給源50Cを制御して選択されたMSEを励起し、オプションで、その励起の結果としてエネルギ印加区域内で得られるエネルギ分布を測定することができる。電源、変調器、増幅器、および/または放射素子複数可またはそれらの一部、例えば図1に示す電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18は、供給源50Cの一部であり得る。測定は、1つまたは複数の検出器40Cによって行うことができる。供給源50Cおよび検出器40Cは、実際は同じパーツ内に具体化することができ、例えば必ずしも同時でなくてもエネルギ印加区域にエネルギを供給し、励起されたフィールドパターンを測定するために、同じ放射素子を使用できることを指摘しておく。測定結果は、記憶空間38C内に記憶することができる。プロセッサ30Cは、エネルギ印加区域を、例えば図8Aまたは図8Bに示すような領域へと論理的に分割するように構成される、離散化モジュール44Cも含むことができる。オプションで、離散化モジュール44Cは、記憶空間36C内に記憶された損失プロファイルに従ってエネルギ印加区域を分割することができる。例えば、モジュール44Cは、同様の損失によって特徴付けられる体積が単一領域内に含まれるようにエネルギ印加区域を分割することができる。この場合モジュール44Cは、記憶空間36Cからデータを取り出すことができる。あるいは、または加えて、離散化モジュール44Cは、ターゲットエネルギ分布に従ってエネルギ印加区域を分割することができる。例えば、モジュール44Cは、ターゲット分布を満たすためにより急激なエネルギ変化が必要な場所でより密に区域を分割することができる。この場合、離散化モジュール44Cは、記憶空間34Cからデータを取り出すことを許可され得る。プロセッサ30Cは、例えばターゲットエネルギ分布に一致するエネルギ分布をもたらし得る、エネルギ印加方式を得るために解かれる方程式5を構築するように構成される、方程式構築モジュール46Cも含むことができる。方程式構築モジュール46Cは、離散化モジュール44Cがエネルギ印加区域を分割した各領域において、モジュール42Cによって選択されるMSEのそれぞれのフィールド強度を定めることができ、記憶空間38Cに記憶された測定結果を考慮に入れることができる。モジュール46Cが方程式を構築すると、方程式求解モジュール48Cは、例えばそれ自体が数値解析の分野で知られている適切な数値戦略を適用することにより、その方程式を解こうと試みることができる。方程式を解くことができる場合、モジュール48Cは制御モジュール60Cをトリガして、その解に応じたフィールドパターンをエネルギ印加区域内で励起するように供給源50Cを調整することができる。一部の実施形態では、結果として生じるエネルギ分布を検出器40Cによって測定し、記憶空間38C内に保存し、比較モジュール52Cによりターゲットエネルギ分布と比較することができる。比較が満足のいくものでない場合、比較モジュール52Cは、モジュール42Cおよび/またはモジュール44Cをトリガして、選択されたMSEおよび/または離散化を修正することができる。その方程式が解けないことを方程式求解モジュール48Cが見出す場合、モジュール48Cは、モジュール42Cおよび/またはモジュール44Cをトリガして、選択されたMSEおよび/または離散化を修正することができる。一部の実施形態では、所望のエネルギ印加プロファイルを達成するために、各MSEによって送られるエネルギ量をあらかじめ定めておくことができる。例えば、エネルギ印加プロファイルは、対象物の全体にわたり均一のもしくはほぼ均一のエネルギ印加を要求し、または第1のエネルギ量を対象物の第1の領域に送り、第2のエネルギ量を対象物の第2の領域に送る、制御された不均一エネルギ印加を要求する場合がある。出力制御と時間制御は、相互排他的でないことに留意されたい。出力レベルおよび印加時間の両方を調整することにより、所望のエネルギ印加プロファイルを達成することができる。一部の実施形態は、各領域内で散逸されるエネルギに基づいて、第1の領域および第2の領域にエネルギを加えるように構成されるプロセッサも含むことができる。先に論じたように、このプロセッサは、エネルギ印加区域の各領域内のエネルギ散逸特性を表す、エネルギ印加区域の損失プロファイルを取得することができる。損失プロファイルを取得することには、例えば図9Aに要約した方法により損失プロファイルを再構築することが含まれ得る。あるいは損失プロファイルは、例えばメモリからまたはインターフェイスを介して取り出すことができる。任意の所与の領域内で吸収されるエネルギは損失プロファイルの関数なので、プロセッサは、その領域に関連するエネルギ散逸特性に関する情報に基づいて各領域へのエネルギ印加を制御することができる。例えば、エネルギ印加の目標がエネルギの均一の吸収を達成することである場合、プロセッサは、例えば供給源を制御して、より高いエネルギ散逸を有する領域により低い出力を加え、より低いエネルギ散逸を有する別の領域により高い出力を加えることができる。あるいは、プロセッサは供給源を制御して、より高いエネルギ散逸率を有する領域に対してより短い持続時間にわたり出力を加え、より低いエネルギ散逸率を有する領域に対してより長い持続時間にわたり出力を加えてもよい。別の例では、目標が、エネルギの不均等な吸収であり得る。この場合、プロセッサは、各領域が吸収するエネルギがこの目標に一致するように、異なるエネルギ散逸特性を有する様々な領域に加える所望のエネルギ量を決定することができる。一部の実施形態によれば、プロセッサは、各領域に加えられまたは各領域内で吸収されるターゲット総エネルギに基づいて、第1の領域および第2の領域にエネルギを加えるように構成することができる。例えば、エネルギ印加区域内の所与の領域が何らかの所与のフィールドパターンのホットスポットによって覆われる場合、プロセッサは、それらの所与のフィールドパターンに対応するMSEを使用することにより、その領域に加えられるエネルギの合計総エネルギが所望の量に達するようにその領域にエネルギを加えて、エネルギ印加目標を達成することができる。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサが複数の周波数にわたりエネルギを加えるように構成される場合、加えられるエネルギ量は周波数に依存し得る。少なくとも1個のプロセッサが複数の位相にわたりエネルギを加えるように構成される場合、加えられるエネルギ量は位相に依存し得る。同様に、少なくとも1個のプロセッサが複数の振幅にわたりエネルギを加えるように構成される場合、加えられるエネルギ量は振幅に依存し得る。加えられるエネルギ量の周波数、位相、および/または振幅依存性は、エネルギ印加サイクルごとに異なり得る。例えば、エネルギ印加区域からフィードバックを受け取るたびに、プロセッサは、周波数、位相、および/または振幅依存性をそのフィードバックに従って決定することができる。ある周波数を有する波によって加えられるエネルギ量が、別の周波数を有する波によって加えられるエネルギ量と異なり得る場合、そのエネルギ量は周波数に依存するとみなされ、さらに、同じ周波数の波は同じエネルギ量を加えることができる。同様に、ある位相を有する波によって加えられるエネルギ量が、別の位相を有する波によって加えられるエネルギ量と異なり得る場合等、そのエネルギ量は位相に依存するとみなされる。プロセッサは、所与の周波数、位相、または振幅もしくは相対振幅をそれぞれ有する1つまたは複数の電磁波を励起することにより、所与の周波数、位相、または振幅もしくは相対振幅によってエネルギを加えることができる。一部の実施形態では、プロセッサは、電磁波の周波数、位相、および/または振幅を掃引してMSEを変えることにより、エネルギ印加区域内のフィールドパターンを変えることができる。フィールドパターンが変わると、高強度領域および低強度領域の位置、形状、および/またはフィールド強度も変わり得る。このようにして、プロセッサのMSEの選択により例えば周波数、位相、および/または振幅などの変動要素を変えることにより、対象物へのエネルギ送出印加を変えることができる。プロセッサは、ある領域に加えられるエネルギ量をエネルギ印加サイクルの間、複数回変えるように構成することができる。一部の例示的実施形態では、プロセッサは、エネルギ印加区域にエネルギを繰返し加えるように供給源を調整することができる。例えば、プロセッサは、あるMSEを適用し、その対応するフィールドパターンを所定の期間にわたりエネルギ印加区域内で励起し、次いで別のMSEを適用し、別のフィールドパターンを別の所定の期間にわたりエネルギ印加区域内で励起することができる。エネルギを印加する持続時間および/またはエネルギを印加するペースは異なり得る。例えば一部の実施形態では、エネルギを1秒当たり120回エネルギ印加区域に加えることができる。より速いペース例えば200/秒、300/秒またはより遅いペース例えば100/秒、20/秒、2/秒、1/秒、30/分を使用してもよい。エネルギを加えるペースは一定でも不定でもよいことを当業者なら理解されよう。一部の実施形態では、ある期間の間、1組のMSEを逐次的に適用することができる本明細書ではMSEスキャニングと呼ぶ。本明細書で使用するとき、MSEスキャニングは、MSE掃引と置き替えることができる。スキャニングおよび掃引はどちらも、一次元または多次元においてMSEを変えることを含み得る。例えば、一次元スキャニングは、周波数、位相、または振幅だけを変えることによりMSEを変えることを指すことができる。多次元スキャニングは、周波数、位相、および振幅、またはMSEに含まれ得る他の任意の変動要素のうちの2つ以上を変えることにより、MSEを変えることを指すことができる。MSEスキャニングは、所定のペースで、または所定間隔の後で繰り返してもよい。ときには、一連の1回または複数回のスキャンを、例えば0.5秒おきもしくは5秒おきに、または他の任意のペースで実行することができる。異なるスキャンにおけるMSEの選択は、同じでも同じでなくてもよい。所与のエネルギ量例えば所定のジュール数またはキロジュール数、例えば10kJ以下や1kJ以下、または数百ジュールさらには100J以下が、装填物内にまたは例えば100gなどの重量や、装填物の50などのパーセンテージにより装填物の所与の部分内に加えられ、もしくは散逸された後、新たなスキャンを実行することができる。一部の事例では、エネルギ量が、可読タグ例えば、ことによると前もってのスキャニング情報または事前設定を有するRF/バーコードなどの他の手段を使用して、または温度センサを使用することでもたらされる。一部の実施形態では、エネルギを印加するペースまたはスキャニングのペースは、エネルギ印加またはスキャン間のスペクトル情報の変化率に依存し得る。例えば、散逸および/または周波数の変化の閾値例えば和積分sumintegralにおける10の変化を規定することができ、または例えばテーブルを使用して、様々な変化率を様々なエネルギ印加/スキャンのペースに関連付けることができる。別の例では、決定されるのは、エネルギ印加/スキャン間の変化率である例えばエネルギ印加/スキャン間の平均変化が最後の2回のエネルギ印加/スキャン間の変化よりも小さい場合。そのような変化を使用して、エネルギ印加/スキャン間の期間をエネルギ印加プロセス中に1回または複数回調節することができる。オプションで、またはあるいは、システムの変化例えば対象物または対象物を保持するための構造の移動がエネルギ印加/スキャンのペースに影響を及ぼす場合がある典型的には大きな変化はペースを速め、小さな変化または変化がない場合ペースは落ちる。図10は、一部の実施形態による、エネルギ印加区域に電磁エネルギを加えるための方法の例示的流れ図900Xである。ステップ902Xで、エネルギ印加区域内に対象物を配置することができる。一部の実施形態は、このステップを省略することがあり、エネルギ印加区域内に対象物があれば有効である。エネルギ印加区域は、1つまたは複数の共振波長における電磁共振をサポートすることができる。例えば、それぞれが20cmに等しい3つの次元-長さ、幅、および高さを有する立方体とすることができる空洞20の中に、対象物50またはその一部を配置でき、最大共振波長の波長はによって与えられる。最大共振波長ならびに対応する最低共振波長は、様々な周波数の波で空洞を掃引し、空洞内の吸収を検出することにより実験的に見出すこともできる。第1の吸収ピークまたは反射ディープreflectiondeepは、最低共振周波数および空洞によってサポートされる最も長い共振波長に対応することができる。ステップ904Xで、空洞20に電磁エネルギを加える周波数または1組の周波数を決定することができる。例えば所定の波長が、エネルギ印加区域によってサポートされる最大共振波長の1/4を超える場合、区域内のモーダル条件を満たす特定の周波数または波長でエネルギを加えるように供給源を構成することができる。上記の例では、約7cmであるを超える波長でのみエネルギを加えるように供給源を構成することができる。そのような波長は、約4.3GHzより小さい周波数に対応する。実施形態にもよるが、先に説明したように、1つまたは複数の所定の周波数で交流波形を発生させるために、特定の磁電管または半導体発振器を使用することができる。一部の実施形態では、ステップ904Xは省略してもよい。例えば一部の実施形態では、モーダル条件を満たしても満たさなくてもよい既知の周波数でエネルギを加えるように電磁エネルギ源を構成することができ、ステップ904Xは省略することができる。一部の実施形態では、エネルギ印加区域の寸法を、例えば空洞の壁を移動することによって制御するようにプロセッサを構成することができ、これらの寸法が変わるたびにステップ904Xを実行することができる。ステップ906Xで、区域内の特定の領域に加えるターゲットエネルギ量を決定することができる。あるいは、または加えて、対象物内のターゲットエネルギ散逸パターンを決定することができる。例えば、対象物内の少なくとも2つの領域に加える異なるターゲットエネルギ量を決定することができる。これらの領域および異なるエネルギ量は、対象物の既知の特性に応じて利用者が指定してもよい。一部の実施形態では、これらの領域および加えられまたは散逸される異なるエネルギ量は、対象物上に配置される可読タグ例えばRF/バーコードなど、他の手段によって指定することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、対象物の位置および対象物内のエネルギ吸収特性を感知するように構成することができる。次いでプロセッサ例えばプロセッサ30または30Cは、ターゲットエネルギ量を加えるべき領域を決定することができる。例えば図1に関連して、プロセッサ30は、放射素子18が取得し、検出器40が検出したフィードバック信号を使用して対象物50の特性を求めることができる。ステップ908Xで、決定したターゲットエネルギ量または対象物内のターゲットエネルギ散逸パターンに基づいてこの区域に電磁エネルギを加えるために、適切なMSEまたは2つ以上のMSEを含む適切なエネルギ送出方式を選択することができる。例えば、プロセッサ30は、区域内に伝達する電磁波の周波数、位相、振幅、またはそれらの任意の組合せを決定することができる。ステップ910Xで、プロセッサは、選択した1つまたは複数のMSEに従ってエネルギを加えるために供給源を調整することができる。プロセッサは、エネルギ印加区域内でターゲットエネルギ分布を達成するために、1つまたは複数のMSEに関連する様々なパラメータを制御し、供給源の様々なコンポーネントを調整することができる。例示的制御を、図1および図6A-図6Eに関して記載した。プロセッサは、エネルギを加えるためにMSEを使用する時間および出力も調整することができる。一部の実施形態では、エネルギ印加区域内の放射素子の配置に従って特定のモードを励起するために、放射素子を選択することができる。放射素子の位置は、所望のモードを効果的に励起するように、および/または不所望のモードを排除するように選択することができる。一部の実施形態のこのおよび他のオプションの特徴を、図11A、11B、11C、12Aおよび12Bに関して以下で説明する。モードを排除する概念を図11Aおよび図11Bに関して示し、これらの図面は、空洞1800内で励起可能な2つのモード1802および1806のX-Y断面を示す。モード1802は、TM11モードであり、モード1806は、TM21モードである。モードTM11は、より低い遮断周波数f11以上のあらゆる周波数において励起可能とすることができ、TM21は、より高い遮断周波数f21以上のあらゆる周波数において励起可能とすることができる。したがって、f11とf21との間の中間周波数において、TM21を励起することなしにTM11を励起することができるが、TM21を励起できてTM11は励起できない周波数はない。したがって、TM21を励起することなしにf21よりも高い周波数でTM11を励起したい場合、TM21を排除しなければならない可能性がある。本解説では、モードを排除することを、モードの励起を阻止する、または実質上減少させると言うことができる。一部の実施形態では、不所望のモードのヌルにまたはその近くに位置し、所望のモードの最大にまたはその近くに位置する放射素子を励起用に選択することにより、所望のモードを励起することができ、不所望のモードを同時に排除することができる。モードのヌルとは、モードのフィールド強度が永続的にまたはあらゆる位相においてゼロであるエネルギ印加区域内の任意の位置であり、モードの最大とは、モードのフィールド強度があらゆる位相においてまたはあらゆる時点において全体的な最大値に達する任意の位置である。あるモードのヌルに配置される放射素子は適用される周波数にかかわらずそのモードを励起せず、ヌルの近くに配置される放射素子はそのモードを僅かにしか励起できない。例えば、図11Bの線1803は、モードTM21のヌルポイントの集まりである。線1803は、z軸に沿って進む平面の断面である。本明細書では、この平面を平面1803と呼ぶ。平面1803のいかなる箇所に配置される放射素子も、f21よりも高い周波数においてでさえ、モードTM21を励起することはできない。図11Bの点1809は線1803上にあり、したがってモードTM21のヌルである。点1809は、z軸に沿って進む線の断面である。本明細書では、この線を線1809と呼ぶ。平面1803内の線1809はモードTM111802のヌルではないので、モード1802は線1809に位置する放射素子によって励起することができる。実際には、放射素子は、モード1806を励起することなしに平面1803上のどこにでも位置することができる。同様に、放射素子は、モード1806を励起することなしにモード1802を励起するために、線1809上のどこにでも位置することができる。しかし、一部の実施形態では、放射素子をXY平面内の位置において空洞の上底および/または下底に配置することができる。モードを排除するためのもう1つの方法は、2つ以上の位置に配置される2つ以上の放射素子を使用することを含むことができ、排除しようとするモードの電場の大きさは逆符号のものである。例えば、図12Aは、線1805に沿ったモード1806の電場の正規化した大きさを示す。図示のように、平面1803内の点であるx=0.5のとき、フィールドはゼロであり、x=0.25のときフィールドは1であり、x=0.75のときフィールドは-1である。したがって一部の実施形態では、一方がx=0.25にあり、他方がx=0.75またはフィールドが逆符号および等しい大きさを有する他の任意の2点にある2つの放射素子を選択して、互いを打ち消し合うために同じ振幅および位相においてRF波を放射し、それにより不所望のモードを排除することができる。2つの放射素子の位置におけるフィールドが逆符号および異なる絶対値を有する場合、例えば各放射素子の位置におけるフィールドと振幅との積の和がゼロであるようにそれらのフィールドの振幅が調整される場合、不所望のモードを排除するためにそれらは依然として使用することができる。上記の解説は、X軸に沿った様々な点に焦点を当てたが、様々なy値および/またはz値を有する点についても同様の考察が当てはまり得ることを指摘しておく。一部の実施形態では、2つのアンテナを介してエネルギを発することによって所望のモードを励起することができ、それらのアンテナは、互いに逆平行に方向付けられ、または互いに平行に方向付けられるが互いに180°位相がずれた波を発し、フィールドパターンが逆符号を有する箇所に位置する。同様に、一部の実施形態では、2つのアンテナを介してエネルギを発することによってモードを排除することができ、それらのアンテナは、互いに逆平行に方向付けられ、または互いに平行に方向付けられるが互いに180°位相がずれた波を発し、フィールドパターンが同じ符号を有する箇所に位置する。図12Bは、線1805に沿ったモード1802の電場の正規化した大きさを示す。図示のように、このフィールドはx=0.5のとき最大であり、x=0.25のときのフィールドは、x=0.75のときのフィールドに大きさおよび符号のいずれにおいても等しい。したがって、同じ振幅および位相において発する、一方がx=0.25にあり、他方がx=0.75にある2つのアンテナがモード1802を励起する傾向にあり得る。しかし、互いに逆平行に方向付けられ、または互いに平行に方向付けられるが互いに180°位相がずれている2つのアンテナは、モード1802を排除することができる。その結果、アンテナおよび位相の後者の組合せは、モードTM21を励起することができ、モードTM11を排除する。一部の実施形態では、所望のおよび/または不所望のモードが共振モードである。共振モードは、電磁波の周波数fが、エネルギ印加区域の寸法に当技術分野で知られている方法で一致する場合に励起することができる。例えば、矩形空洞であるエネルギ印加区域では、本明細書ではhzと呼ぶ、電磁波が伝搬する寸法が、Nλ/2に等しい場合に共振モードを励起することができ、Nは整数例えば0、1、2、3であり、λは、方程式λ=c/fによって与えられる波長であり、cは空洞内の光速度である。共振モードは、通常3つの指数で印付けされ、3番目の指数はNである。単一共振モードが所与の周波数で励起される場合、励起によって運ばれる出力の大部分は共振モードによって運ばれる可能性があり、伝搬またはエバネセントとすることができる他のモードは、無視してもよい場合がある出力のほんの一部を運び得る。したがって、単一共振モードが励起される場合、非共振モードを排除する必要はほとんど、または全くない可能性がある。例えば、hz=c/f21が成立するすなわちN=2である場合、アンテナおよび周波数はモードTM21を励起するように選択することができ、モードTM11は印加周波数において励起可能であり得るが、共振モードTE212によって運ばれる出力量に比べてモードTM11は僅かな出力量しか運べないので、例えばモードTM11を排除する必要はほとんどない可能性がある。したがって一部の実施形態では、ターゲットフィールド強度分布を達成するために共振モードを使用することができる。これにより、十分な帯域幅および周波数制御を条件として、励起されるモードの制御が容易になり得る。一部の実施形態では、縮退空洞を使用することにより、モードの励起を例えば帯域幅および周波数制御の要件を緩和することでさらに容易にすることができる。縮退空洞とは、少なくとも1つの遮断周波数が、同じ一群の2つ以上のモード例えば2つのTEモードの遮断周波数である空洞である。同様に、各共振周波数最も低いものを除くこともあるは、同じ一群の2つ以上の共振モードを励起することができる。縮退空洞の一部の形状には、例えば円筒や球体が含まれ得る。一部の実施形態では、1つの所望の共振モードおよび1つまたは複数の不所望の共振モードが同じ周波数で励起される場合があり、不所望のモードは上述のように排除することができる。例えば、図12B内の1806としてその断面を示すモードTM212を励起するのと同じ周波数が、図11C内の1808としてその断面を示すモードTM212も励起することができる。しかし、この励起が、モード1806のヌルではない、モード1808のヌルに位置する放射素子による場合、モード1808しか励起することができない。例えば、放射素子が図11Bおよび図11Cに示す点1809において、周波数f12=f21で放射する場合、モード1808しか励起することができない。したがって、一部の実施形態によれば、複数のモード例えば3、4、5、6、7またはそれ以上の数のモードを励起し、所与の各事例において複数のモードのどれを効果的に励起するのかを制御し得る装置が提供される。この装置は、ある事例において複数のモードのどれを効果的に励起すべきかを決定するように構成され、その決定したモードだけを効果的に励起し得る励起方式を選択できる、プロセッサを含むことができる。所定のモードを効果的に励起でき、他のモードを排除できるように、励起方式には、例えば励起に関与する放射素子を識別することおよびオプションで、非選択放射素子を切り詰めること、2つ以上選択された放射素子間の位相差を設定すること、およびそれらの間の振幅差を設定することが含まれ得る。一部の実施形態では、例えば第1の所定量のエネルギをエネルギ印加区域内の第1の領域に加え、第2の所定量のエネルギをエネルギ印加区域内の第2の領域に加えるために所定のフィールドパターンを励起するよう、励起すべきモードを決定するようにプロセッサを構成することができ、第1の所定量のエネルギは第2の所定量のエネルギと異なってもよい。一部の実施形態は、対象物に電磁エネルギを加えるための方法をさらに含むことができる。そのようなエネルギ印加方法は、例えば図13の流れ図に記載のものなど、プロセス900Yの一連のステップを実施する少なくとも1個のプロセッサによって実施することができる。図13の方法900Yは、縮退エネルギ印加区域内に対象物を配置することを含むことができるステップ902Y。例えば、空洞20内に対象物50またはその一部を配置することができる。一部の実施形態では、空洞20には、図2および図14A-図14Dに示すような縮退空洞が含まれ得る。ただし、一部の実施形態では、この方法は、エネルギ印加区域内に既に配置されている対象物に対して実施することができる。あるいは、エネルギ印加区域は縮退空洞を含まなくてもよい。この方法は、エネルギ印加区域内で励起する基本モードを決定することをさらに含むことができる。例えば、図11Aに示すように、モード1802が、励起しようとする所望の基本モードであり得る。基本モードは、例えばインターフェイスを介して命令を受け取ることにより、決定すべきモードをルックアップテーブル内で見つけることにより、または励起すべきモードを他の任意の方法で決めることにより、決定することができる。一部の実施形態では、例えば第1の所定量のエネルギをエネルギ印加区域内の第1の領域に加え、第2の所定量のエネルギをエネルギ印加区域内の第2の領域に加えるために所定のフィールドパターンを励起するよう、励起すべきモードを決定するようにプロセッサを構成することができ、第1の所定量のエネルギは第2の所定量のエネルギと異なる。ステップ906Yで、アンテナ配置/選択方式を決定することができる。アンテナの選択は、例えば選択されていないあらゆるアンテナに出力を与えないことによって実行することができる。アンテナの配置は、特定のモードの励起では所定とすることができ、またはエネルギ印加プロセス中に動的に決定してもよい。所望のアンテナの配置は、アンテナアレイ内の1つまたは複数のアンテナを選択することによっても達成することができる。プロセッサ30は、励起しまたは排除すべき特定のモードに応じて選択方式を決定することができる。この方法は、エネルギ印加区域内で1つまたは複数のモードを効果的に励起し得る、所定の周波数で電磁エネルギを加えることをさらに含むことができるステップ908Y。例えば、プロセッサ30は、1つまたは複数の所定の周波数で電磁エネルギを加えるために供給源を調整することができる。一部の実施形態では、供給源は、エネルギ印加区域の共振周波数でエネルギを加えるように構成することができる。ステップ910Yで、プロセッサ30は、エネルギ印加区域内で基本モードを励起するために供給源を調整することができる。例えば、特定の位置にある一定のアンテナまたはアンテナの組合せによって電磁エネルギを供給することにより、基本モードを指定した純度で励起することができ、1つまたは複数の他のモードを排除することができる。純度は、例えばそのモードにおいてエネルギ印加区域に加えられる出力の一部によって定めることができる。図15は、エネルギ印加区域内の対象物に電磁エネルギを加えるための別の例示的プロセス1000を示す。ステップ1002で、上記に記載したステップ902Yと同様に、縮退でもそうでなくてもよいエネルギ印加区域内に対象物を配置することができる。一部の実施形態では、この方法は、エネルギ印加区域内に既に配置されている対象物に対して実施することができ、配置することはこの方法のステップではない。ステップ1004で、プロセッサ30は、エネルギ印加区域に電磁エネルギを加えることができる周波数または1組の周波数を決定することができる。一部の実施形態では、プロセッサ30は、エネルギ印加区域に電磁エネルギを加えることができるMSEまたは1組のMSEを決定することができる。一部の実施形態では、プロセッサ30は、区域の形状寸法に基づいて、およびオプションで、またはあるいは、区域からの様々な周波数におけるエネルギ反射およびエネルギ伝達の実験値にも基づいて、エネルギ印加区域に関連する最低共振周波数を最初に決定することができる。次いで、プロセッサ30は、その最低共振周波数に基づいて1つまたは複数の周波数、例えば最低共振周波数以上の1つまたは複数の周波数を決定することができる。他の実施形態では、プロセッサ30は、例えば共振周波数をモード指数および空洞寸法に関連させる方程式に基づいて、エネルギ印加区域の共振周波数として周波数を決定することができる。加えて、またはあるいは、共振周波数は、区域から受け取る出力を解析することによって決定することができる。プロセッサ30は、インターフェイスを介して受け取る入力、例えばユーザ入力、インターネットからの入力、または他の情報源からの入力に基づいて周波数を決定してもよい。一部の実施形態では、1つまたは複数の周波数もしくはMSEはあらかじめ決めることができ、ステップ1004は省略することができる。ステップ1006で、プロセッサ30は、選択した各周波数における1つまたは複数のアンテナ配置/選択方式を決定することができる。例えば、プロセッサ30は、選択した周波数のそれぞれに対応する所望の基本モードを決定し、その所望の基本モードを励起するための、および/または1つもしくは複数の不所望のモードを排除するための適切なアンテナ位置を決定することができる。一部の実施形態では、アンテナ配置/選択方式はあらかじめ決めることができ、ステップ1006は省略することができる。ステップ1008で、プロセッサ30は、エネルギ印加区域内の所望のエネルギ印加プロファイルまたはエネルギ送出プロファイルに対応する、ターゲットエネルギ送出パターンまたはターゲットフィールドパターンを決定することができる。ターゲットエネルギ送出プロファイルは、対象物に送出可能なエネルギの分布を含むことができる。一部の実施形態では、ターゲットエネルギ送出プロファイルは、対象物および/またはエネルギ印加区域の異なる領域に関連するエネルギ吸収特性もしくは他の特性に基づいて決定することができる。一部の実施形態では、ターゲットエネルギ送出プロファイルは、対象物および/またはエネルギ印加区域の異なる領域において異なるエネルギ量を含むことができる。例えば、エネルギ印加区域内に配置された皿が片側に野菜を、反対側に肉を含む場合、より大量のエネルギを野菜よりも肉に送出し、または印加するようにターゲットエネルギ送出プロファイルを決定することができる。所望のエネルギ送出プロファイルは、所望のエネルギ量を空洞内の特定の位置に順次加えることができる1つまたは複数のターゲットフィールドパターンもしくは所望のフィールドパターンを発生させるための、1つまたは複数のMSEを操作することによって達成することができる。つまり、それぞれの連続したフィールドパターンの印加は、エネルギ印加区域内の特定の位置に一定量のエネルギを加えることができる。一連のフィールドパターンの印加後、エネルギ印加区域内の対象物または領域に加えられるエネルギの全体的な正味の時間積分量が、所望のエネルギ送出プロファイルに一致し得る。一部の実施形態では、エネルギ印加区域内の領域、およびそれらの領域に加える特定のエネルギ量を、利用者が、例えば対象物の既知の特性に応じて指定することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、対象物の位置および/または対象物内のエネルギ吸収特性を感知するように構成することができる。次いで、プロセッサ30は、エネルギを加える領域、および各領域に加えるべきターゲットエネルギ量を決定することができる。例えば図1に戻り、プロセッサ30は、放射素子18および検出器40を使って取得したフィードバック信号を使用して、対象物50の特性を求めることができる。次いで、プロセッサ30は、対象物50に対応する体積にまたは対象物50の様々な部分にさえ一定量のエネルギを与え、対象物50を取り囲む体積に別の量のエネルギを与えるためのエネルギ送出プロファイルをコンパイルすることができる。その後、プロセッサ30は、所望のエネルギ送出プロファイルを可能にするために適用する、フィールドパターンの組合せを決定することになる。一部の実施形態では、図8A-図8Cに示すような離散化方式を使用し、空洞20の離散化に応じてターゲットエネルギ送出プロファイルを離散化することができる。ステップ1010で、プロセッサ30は、ターゲットエネルギ送出プロファイルまたはターゲットフィールドパターンを達成するために、区域内で励起するモードの重みを決定することができる。一部の実施形態では、プロセッサ30は、ターゲットエネルギ送出プロファイルまたはターゲットフィールドパターンを達成するために、区域内で適用するMSEの重みを決定することができる。ステップ1004で決定する周波数またはMSE、およびステップ1006で決定するアンテナ配置/選択の各組合せをエネルギ送出方式と呼ぶことができる。各エネルギ送出方式は、対象物にエネルギを送出するよう供給源を調整するために実行されるとき、エネルギ印加区域内でモードまたはモードの組合せを励起することができる。プロセッサ30は、試験、シミュレーション、または解析計算によってこれらのモードのフィールド分布を予測することができる。例えば、様々なモードを離散化された方法で記録するI行列を構築することができる。ステップ1012で、プロセッサ30は、決定したエネルギ送出方式例えば周波数および/または他のMSE、ならびにオプションでアンテナ配置および/または選択方式の組合せおよび重みに従って対象物にエネルギを加えるために供給源を調整することができる。例えば、供給源は、図6Aから図6Eに関して説明したように調整することができる。モードを励起しまたは排除するためにアンテナの位置を利用することは、空間的に制御されたエネルギ送出技法の雑音排除性および分解能を著しく高めることができる。所望のまたは不所望のモードに対して特定の位置に配置される1つまたは複数のアンテナを使用することにより、エネルギの送出を制御するためのさらなる自由度を得ることができる場合がある。一部の実施形態は、エネルギ印加区域内でターゲット電磁場強度分布を励起するための装置を含むことができる。ターゲット電磁場強度分布は、多数のモードまたは他の一次独立なフィールドパターンの一次結合とすることができるので、ほぼ任意であり得る。例えば、この装置は、エネルギ印加区域内で5つのモードを励起するように構成することができる。各モードが0から1の間の重みを有し得ることを考えると、様々な一次結合は、何千もの異なるフィールド強度分布をもたらし得る。例えば、5つのモードのそれぞれに関連付けることができる使用可能な重みの数が5の場合、異なる一次結合の数は約3000個である。使用できるモード数の例には、1より大きい任意の数が含まれる。ただし、より多くのモード数は、より多様性のあるターゲットフィールド強度分布によりうまく適合することを可能にするので、より多くのモード数が有利であり得る。その一方で、多数のモードを、それぞれ比較的純粋な形で励起することはより困難であり得る。したがって一部の実施形態では、使用可能なモード数は3から10の間、例えば3、4、5、6または7とすることができる。一部の実施形態では、ターゲットフィールド強度分布が不均一な場合があり、例えばターゲットフィールド強度分布は、第1の領域に第1のフィールド強度を含み、第2の領域に第2のフィールド強度を含む場合がある。2つの領域内のフィールド強度の差は、閾値より大きくてもよい。例えばその差は、10超、20超、50超、またはさしあたっての印加に有意味であり得る他の任意の差とすることができる。一部の実施形態では、この装置はプロセッサ例えばプロセッサ30または30Cを含むことができ、そのプロセッサは、所与のターゲットフィールド強度分布を励起する際に発生する、プロセッサが使用可能な複数の電磁場パターンから1つまたは複数のフィールドパターンを動作中に選択することができる。通常、各MSEがフィールドパターンに関連するように、使用可能なフィールドパターンは、使用可能なMSEに依存することができる。フィールドパターンまたは対応するMSEは、ターゲット電磁場強度分布に基づいてプロセッサが選択することができる。例えば、プロセッサは、重み付けされたフィールドパターンの和が、少なくとも指定した何らかの許容差の範囲内でターゲットフィールド強度分布に等しくなるように、様々なフィールドパターンに重みを割り当てることができる。選択されるフィールドパターンは、ある最低閾値よりも大きい重みを有するものだけとすることができる。一部の実施形態では、モードを、例えばそれらのモードの対称特性とターゲット分布の対称特性との間の比較に基づいてまず選択し、選択したモード、例えば十分な対称性を有するモードだけを選択し、重み付けすることができる。一部の実施形態では、プロセッサは、選択したフィールドパターンの励起を、オプションでそれらの重みに応じて引き起こすことができる。フィールドパターンをその重みに応じて励起することには、フィールドパターンのそれぞれを、重みに比例した期間、重みに比例した出力レベルで、出力レベルと持続時間との積出力掛ける時間が重みに比例する出力レベルでおよび持続時間にわたり、または他の方法で励起することが含まれ得る。例えば持続時間と重みとの間の比例係数は、全てのモードについて同じであり得る。一部の実施形態では、プロセッサが、ターゲットフィールド強度分布を決定することができる。例えば、プロセッサは、ターゲットフィールド強度分布に関するインジケータをインターフェイス経由で受け取ることができる。インジケータは、例えばエネルギ印加区域内で加熱しようとする対象物の特性評価を含むことができ、プロセッサは、それらの特性評価に応じて構成されるルックアップテーブルを使用してターゲットフィールド強度を決定することができる。別の例では、プロセッサは、所望のフィールド強度分布を受け取り、それを例えば平滑化によりターゲットフィールド強度分布に変換することができる。一部の実施形態では、プロセッサは、対象物に関連する1つまたは複数の可読タグ例えばRFIDやバーコード等により、ターゲットフィールド強度分布またはその指示を得ることができる。一部の実施形態では、フィールドパターンを励起するためにプロセッサがいくつかの放射素子を使用できてもよく、プロセッサは、選択されたフィールドパターンのそれぞれを励起するために、それらのうちの1つまたは複数を選択することができる。一部の実施形態では、使用可能な放射素子の数は、使用可能なモードの数と少なくとも同数である。例えば、3つのモードを励起するために、3つ以上の放射素子を使用可能とすることができる。モードごとに少なくとも1つの放射素子を有することは、排除されない場合放射素子によりエネルギ印加区域内で励起され得る、不所望のモードを排除する際に有用であり得る。モードまたは他の一次独立なフィールドパターンの選択は、例えば使用可能な放射素子の位置に基づくことができる。オプションで、その選択は、上述の位置に、および例えば上記で論じたように放射素子の位置において励起されるフィールドパターンのフィールド値に基づくことができる。一部の実施形態では、ターゲットフィールド強度分布を得るために励起されるフィールドパターンは、あらかじめ決まっている。例えばプロセッサは、使用可能なモードの1つにそれぞれが対応するMSEの事前設定を有することができ、励起されるあらゆるフィールドパターンは、それらのモードの一次結合とすることができる。様々なモードに重みを割り当てると、プロセッサは、割り当てられた重みを有する事前設定されたMSEを電磁源に掃引させ、それによりエネルギ印加区域内でターゲットフィールド強度分布を励起することができる。図16は、一部の実施形態による、エネルギ印加区域内でターゲット電磁場強度分布を励起する方法1600の流れ図である。図示のように、方法1600は、ステップ1602に示すように1つまたは複数のフィールドパターンを選択するステップを含むことができる。この選択は、ターゲット電磁場強度分布に基づくことができる。この選択は、複数の電磁場パターンからであり得る。電磁場パターンは、あらかじめ定めておくことができる。加えて、またはあるいは、電磁場パターンは、少なくとも3つのモードまたは他の一次独立なフィールドパターンを含むことができる。オプションで、電磁場パターンは、3つのモードの何らかの一次結合も含む。一部の実施形態では、ステップ1602はプロセッサによって実行される。方法1600は、選択したフィールドパターンに重み付けするステップ1604も含むことができる。例えば第1の所定量のエネルギをエネルギ印加区域内の第1の領域に加え、第2の所定量のエネルギをエネルギ印加区域内の第2の領域に加えるために、この重み付けは、重み付けされたフィールドパターンのフィールド強度分布の和がターゲットフィールド強度分布に等しくなるものとすることができる。一部の実施形態では、第1の所定量のエネルギは、第2の所定量のエネルギと異なってもよい。方法1600は、選択した1つまたは複数のフィールドパターンを励起するステップ1606も含むことができる。この励起は、フィールドパターンの重みに準拠することができる。このプロセスは、励起するステップ1606の一部として、選択したフィールド強度分布のそれぞれを励起するための、1つまたは複数の放射素子を選択するステップをオプションで含むことができる。この選択は、選択されるまたは選択されない放射素子の位置に基づくことができ、一部の実施形態では、この位置と、前述の位置におけるフィールドパターンの場の値との間の関係にも基づくことができる。上記の例示的実施形態の説明では、本開示を簡素化するために様々な特徴を単一の実施形態にまとめた。この開示方法は、特許請求の範囲が、各請求項の中で明確に列挙するよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものと解釈すべきでない。むしろ、添付の特許請求の範囲が反映するように、本発明の諸態様は上記に開示した単一の実施形態の全ての特徴よりも少ない特徴にある。このため、各請求項が別個の実施形態として独立した状態で、添付の特許請求の範囲をこの例示的実施形態の説明に組み込む。さらに、本明細書を検討し、本開示を実践することにより、特許請求の範囲から逸脱することなく、開示したシステムおよび方法に様々な修正および変更を加えられることが当業者に明らかになる。したがって、本明細書および各例は専ら例示的とみなされることを意図し、本開示の真の範囲は添付の特許請求の範囲およびその等価物によって示す。"