"複数の層間絶縁膜が積層されており、前記複数の層間絶縁膜のうち、信号線及びトランジスタが設けられた非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられた対向基板と、を備え、前記駆動素子基板は、前記非開口領域と開口領域との間であって前記層間絶縁膜に設けられ、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部と、前記絶縁部と前記対向基板との間に設けられた遮光膜と、を有する液晶表示装置。前記絶縁部は、前記層間絶縁膜より屈折率が低い請求項1に記載の液晶表示装置。前記絶縁部は、前記層間絶縁膜より屈折率が高い請求項1に記載の液晶表示装置。前記絶縁部は、前記トランジスタの周囲を囲うように前記信号線と前記開口領域との間に設けられる請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記絶縁部は、第1の絶縁部と、前記第1の絶縁部と略直角に設けられた第2の絶縁部と、前記第1の絶縁部と略平行に設けられた第3の絶縁部と、前記第2の絶縁部と略平行に設けられた第4の絶縁部と、を有する請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記絶縁部は、屈曲部を有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。信号線及びトランジスタが設けられる非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられる対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法であって、複数の層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜の前記非開口領域に前記信号線及び前記トランジスタを形成する工程と、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を前記層間絶縁膜の前記非開口領域と前記開口領域との間にに形成する工程と、前記非開口領域の前記絶縁部と、前記対向基板との間に前記遮光膜を形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法。しかしながら、層間絶縁膜にイオン注入する方法によると、イオンを注入した部分とそうでない部分との屈折率の差が非常に小さいという問題がある。さらに、注入したイオンの密度分布が広がり、屈折率の明確な境界線が形成されないという問題がある。これらの問題から、層間絶縁膜にイオン注入を行っても、光リーク電流を十分に低減させることができない。本技術は、上記問題を解決するためになされたものであり、光リーク電流を低減し、画質を向上させることができる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を提供するものである。本開示に係る液晶表示装置は、複数の層間絶縁膜が積層されており、前記複数の層間絶縁膜のうち、信号線及びトランジスタが設けられた非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられた対向基板と、を備え、前記駆動素子基板は、前記非開口領域と開口領域との間であって前記層間絶縁膜に設けられ、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部と、前記絶縁部と、前記対向基板との間に設けられた遮光膜と、を有する。非開口領域と開口領域との間の層間絶縁膜に該層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を設けることで、入射光がトランジスタに進入しにくくなり、光リーク電流を低減し、画質を向上させることができる。本開示に係る液晶表示装置の製造方法は、信号線及びトランジスタが設けられる非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられる対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法であって、複数の層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜の前記非開口領域に前記信号線及び前記トランジスタを形成する工程と、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を前記層間絶縁膜の前記非開口領域と開口領域との間に形成する工程と、前記絶縁部と前記対向基板との間に前記遮光膜を形成する工程と、を備える。本技術によれば、光リーク電流を低減し、画質を向上させることができる。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る液晶表示装置1を示す図である。図1aは、液晶表示装置1の平面図、図1bは、図1aのA-A’位置における液晶表示装置1の断面図を示す。液晶表示装置1は、液晶16を介して互いに対向する駆動素子基板12と対向基板11とを備える。駆動素子基板12の一方の板面側には、駆動素子17が設けられている。対向基板11は、表示画素14が設けられた画素領域を有する。対向基板11と駆動素子基板12は、互いにシール15によって接着され、互いに対向させる板面間の間隙に、液晶16により構成される液晶層を挟んだ構造となっている。駆動素子基板12には、図示しない外部装置と接続される接続端子13が設けられている。詳細には、駆動素子基板12および対向基板11は、いずれも矩形板形状を有し、駆動素子基板12は、対向基板11に対して、矩形形状の外形に沿う一方の方向図1において上下方向の寸法が大きい。したがって、駆動素子基板12と対向基板11とが液晶16を挟んで互いに重なった状態では、駆動素子基板12の液晶16を挟む板面の1辺側が部分的に露出した状態となる。この駆動素子基板12の露出した板面部分に、接続端子13が設けられる。図2は、図1aのCの領域を示す部分拡大図である。駆動素子17は、複数の走査線21と、複数の信号線22と、複数のTFTThinFilmTransistor24とを有する。複数の走査線21は、表示画素14の配列の横の並びの方向図1aにおける左右方向に沿って、互いに略平行になるよう形成される。複数の信号線22は、表示画素14の配列の縦の並びの方向図1aにおける上下方向に沿って、互いに略平行になるよう形成される。つまり、走査線21及び信号線22は、表示画素14により構成される画面に対して略平行な面上で互いに直交するように配置される。従って、走査線21及び信号線22は、碁盤格子状に配置される。走査線21及び信号線22の碁盤格子状の配置における碁盤の目の部分、即ち走査線21及び信号線22で囲まれる方形状の領域を開口領域23と称する。また開口領域23を形成する走査線21及び信号線22が設けられる領域を非開口領域25と称する。つまり、開口領域23は、非開口領域25に囲まれる領域であり、開口領域23には、走査線21や信号線22などの配線やTFT24などのトランジスタが設けられない。非開口領域25は、走査線21や信号線22等によって遮光される領域である。TFT24は、半導体によるトランジスタによって形成される。TFT24は、非開口領域25に配置される。具体的には、TFT24は、走査線21及び信号線22の交差部近傍に形成される。図3aは、図2のB-B位置の断面図であり、液晶表示装置1の断面を模式的に表した図である。図3aに示すように、駆動素子基板12と対向基板11とが液晶16を挟んだ状態で対向配置される構成において、対向基板11の液晶16側と反対側には、マイクロレンズ301が設けられている。マイクロレンズ301は、図示しない光源から照射された光を集光する。対向基板11と液晶16との間には、対向透明電極302が設けられる。つまり、対向透明電極302は、マイクロレンズ301の裏面側に形成される。駆動素子基板12は、対向基板11に対向する側から設けられる5層の層間絶縁膜310a~310eと、ガラス基板309とを有する。つまり、駆動素子基板12においては、駆動素子基板12が対向基板11との間に挟む液晶16側から、第1層間絶縁膜310a,第2層間絶縁膜310b,第3層間絶縁膜310c,第4層間絶縁膜310d,および第5層間絶縁膜310eが順に積層された絶縁膜の積層構造が設けられているそして、この積層構造の外側、つまり第5層間絶縁膜310eの第4層間絶縁膜310d側と反対側に、ガラス基板309が設けられる。このような構成を有する駆動素子基板12において、開口領域23と非開口領域25とが設けられる。非開口領域25は、上記のとおり走査線21や信号線22等によって遮光される領域である。図3aは、図2との関係において、2箇所に信号線22を含む範囲で、平面視で信号線22を直角に横切る断面図である。図3aでは、左右両側に、非開口領域25において遮光する部分である信号線22が示されている。非開口領域25の信号線22は、駆動素子基板12において、第5層間絶縁膜310eの層内に設けられる。詳細には、信号線22は、ガラス基板309上に設けられ、ガラス基板309上に形成される第5層間絶縁膜310eにより覆われることで、第5層間絶縁膜310eの層内に位置する。また、図3aに示すように、駆動素子基板12の非開口領域25においては、第4層間絶縁膜310dの層内に、上記のとおり走査線21と信号線22との交差部近傍に形成されるTFT24図2参照が設けられる。TFT24は、チャネル部308及びゲート線307を有する。また、駆動素子基板12の非開口領域25においては、遮光する部分として、信号線22のほか、第3層間絶縁膜310cの層内に設けられる信号配線306、第2層間絶縁膜310bの層内に設けられる遮光膜305、および第1層間絶縁膜310aの層内に設けられる画素電極配線304が存在する。言い換えると、これらの信号配線306、遮光膜305、および画素電極配線304は、非開口領域25に位置するように形成される。第1層間絶縁膜310aと液晶16との間には、画素透明電極303が設けられる。つまり、液晶16は、対向基板11側に設けられる対向透明電極302と、駆動素子基板12側に設けられる画素透明電極303との間に封入される。このように、非開口領域25においては、信号線22のほか、遮光膜35等の複数の遮光部が層間絶縁膜による積層構造において各層に設けられている。図3aに示す駆動素子基板12の部分においては、左右両側の一部が非開口領域25であり、これらの非開口領域25に挟まれた中間部分が、開口領域23となる。このような開口領域23と非開口領域25との配置関係において、対向基板11が有するマイクロレンズ301は、上記のとおり方形状の各開口領域23に対応するように設けられる。詳細には、マイクロレンズ301は、その光軸中心が開口領域23の方形状の中心に一致するように形成され、開口領域23に対して光を集光する。したがって、非開口領域25の位置は、平面視で、隣り合うマイクロレンズ301の境界部分に対応する。以上のような構成を備える駆動素子基板12においては、開口領域23と非開口領域25との境界部分に、絶縁部311が設けられている。絶縁部311は、第4層間絶縁膜310dに空洞ボイド311aを形成する部分であり、この空洞311aに空気を保持する部分である。具体的には、絶縁部311において空気を保持する空洞311aは、例えば、第4層間絶縁膜310dに対するエッチングによって形成される。ただし、空洞311aを形成する方法は、特に限定されず、エッチングのほか、例えば機械的な加工を用いた方法等であってもよい。このように、本実施形態では、絶縁部311は、空洞311aに空気を保持する部分であり、絶縁部311が設けられる層間絶縁膜本実施形態では、第4層間絶縁膜310dとは異なる屈折率を有する。図3bは、層間絶縁膜310d及び絶縁部311の屈折率を示す図である。層間絶縁膜310dは、SiO2で形成される場合、その屈折率は1.46である。一方、絶縁部311は、実質的には空洞311aに保持される空気であるため、屈折率は1となる。従って、層間絶縁膜310dと、絶縁部311との屈折率差は0.46となる。このような第4層間絶縁膜310dと絶縁部311との屈折率の差に着目すると、第4層間絶縁膜310dは、低屈折領域31に形成される絶縁部311によって、開口領域23と非開口領域25とが屈折率0.46の壁面にて分割される構造となる。つまり、絶縁部311は、第4層間絶縁膜310dにおいて、膜厚方向図3aにおける上下方向の略全体にわたって設けられる。この絶縁部311により、第4層間絶縁膜310dが、開口領域23に対応する部分と、非開口領域25に対応する部分とに仕切られた状態となる。図3aに示すように、対向基板11に入射した光はマイクロレンズ301にて屈折され、液晶16を通過し、駆動素子基板12に到達する。このとき、トランジスタのチャネル部308に向かって進行する光破線矢印参照は、絶縁部311の表面で反射されるためチャネル部308まで到達しにくくなる。仮に、絶縁部311が設けられていないばあ、対向基板11に入射した光の一部破線矢印は、絶縁部311に遮られることなくトランジスタのチャネル部308に到達する。チャネル部308に光が入射すると、光リーク電流が発生し、画質に悪影響を与える。本実施形態では、第4層間絶縁膜310dの開口領域23と非開口領域25との間に絶縁部311を設けることで、開口領域23から入射する光を絶縁部311で反射され、光がチャネル部308まで到達しにくくなる。これにより、チャネル部308及びゲート線307を有するトランジスタに発生する光リーク電流が抑制される。以上のように、第1実施形態に係る液晶表示装置1は、層間絶縁膜310dの開口領域23と非開口領域25との間に、層間絶縁膜310dとは屈折率が異なる絶縁部311を形成している。これにより、入射光がトランジスタのチャネル部308に進入するのを防ぎ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置1の画質を向上させることができる。第2実施形態次に、第2の実施形態に係る液晶表示装置2を説明する。液晶表示装置2は、絶縁部411が設けられている層間絶縁膜が異なる点を除き、図3に示す液晶表示装置1と同じ構成である。液晶表示装置2の絶縁部411は、第3層間絶縁膜310c及び第4層間絶縁膜310dに設けられる。図4は、絶縁部411が設けられた第3、第4層間絶縁膜310c、310dを含む非開口領域25を示す図である。図4aは、第2層間絶縁膜310b側から第3層間絶縁膜310cの非開口領域25をみた平面図である。図4bは、第3層間絶縁膜310cの層を抜きだした平面図である。図4bに示すように、本実施形態に係る液晶表示装置2の絶縁部411は、信号配線306を挟むように設けられる。図4cは、図4aのA-A’位置の断面図、図4dは、B-B’位置の断面図、図4eは、C-C’位置の断面図である。駆動素子基板12は、第3層間絶縁膜310c及び第4層間絶縁膜310dの開口領域23と非開口領域25との境界部分に形成された絶縁部411を有する。絶縁部411は、第3、第4層間絶縁膜310c、310dに空洞ボイド411aを形成する部分であり、この空洞411aに空気を保持する部分である。絶縁部411は、チャネル部308を上部から両側を囲うように形成される。本実施形態の絶縁部411は、後述するように第3、第4層間絶縁膜310c、310dにエッチングにより溝を設けることで形成される。第3、第4層間絶縁膜310c、310dは、例えばSiO2で形成されており、その屈折率は1.46である。絶縁部411は、実質的には空洞411aに保持される空気であるため、屈折率は1となる。従って、第3、第4層間絶縁膜310c、310dと、絶縁部411との屈折率差は0.46となる。このように、絶縁部411は、絶縁部411が設けられる層間絶縁膜本実施形態では、第3、第4層間絶縁膜310c、310dとは異なる屈折率を有する。このような第3、第4層間絶縁膜310c、310dと絶縁部411との屈折率の差に着目すると、第3、第4層間絶縁膜310c、310dは、絶縁部411によって、開口領域23と非開口領域25とが屈折率0.46の壁面にて分割される構造となる。つまり、絶縁部411は、第3、第4層間絶縁膜310c、310dにおいて、膜厚方向の略全体にわたって設けられ、この絶縁部411により、第3、第4層間絶縁膜310c、310dが、開口領域23に対応する部分と、非開口領域25に対応する部分とに仕切られた状態となる。図5を用いて絶縁部411によって、入射光がトランジスタのチャネル部308に進入しにくくなる効果について説明する。図5bに示すように、第3、第4層間絶縁膜310c、310dの屈折率にくらべ、絶縁部411の屈折率は低くなっている。対向基板11に入射した光はマイクロレンズ301にて屈折され、液晶16を通過し、駆動素子基板12に到達する。図5aに戻る。駆動素子基板12に到達した入射光は直接又はガラス基板309や電極等で反射され絶縁部411の表面に到達する。絶縁部411表面に到達した入射光は、スネルの法則により反射させられ、開口領域23から出射される光となる。図5cは、図5aの円で囲む部分を占めす図である。図5cに示すように、入射角が臨界角ここでは46°以下の入射光は全反射される。これにより、トランジスタのチャネル部308へと侵入する光が低減され、光リークの発生を抑えることが可能となる。次に、図6を用いて液晶表示装置2の製造方法について説明する。図6は、図4aのB-B’位置の断面図を示している。図6aに示すように、ガラス基板309上にトランジスタのチャネル部308、ゲート線307図示せずや画素電極配線304を形成し、第4層間絶縁膜310dを成膜する。第4層間絶縁膜310d上に信号配線306を形成する。信号配線306は例えばアルミ等で形成される。次に図6bに示すように、信号配線306の上に第3層間絶縁膜310c’を成膜する。続いて図6cに示すように、第3層間絶縁膜310c’上にマスキング用のレジスト剤804を成膜する。レジスト剤804を成膜後、レジスト剤804に絶縁部411を形成するために縦溝形状をパターニングする。続いて、レジスト剤804をマスクとして第3層間絶縁膜310c’、310dをドライエッチングすることで縦溝805を形成する。図6dに示すように、レジスト剤804を除去後、縦溝805に蓋をし、絶縁部411を形成するために、酸化膜806を積層する。このとき、縦溝805が埋まらないようにカバレッジ性の悪い成膜条件、例えば低温、低真空度又はモノシラン等を用いて成膜することで所望の形状を得ることができる。なお、ここでは、縦溝805に積極的に空気を充填していない。これは、液晶表示装置2製造時に空気を充填しなくとも自然と絶縁部411の空洞411aに空気が充填されるためである。例えば、絶縁部411の空洞411aに空気以外の気体を充填するのであれば、酸化膜806を形成前あるいは後に縦溝805内に気体を充填しておけばよい。同様に空気を充填しておいてもよい。第3層間絶縁膜310c’及び酸化膜806で第3層間絶縁膜310cを形成する。図6eに示すように、層間絶縁膜310の一部である酸化膜806上に遮光膜305等を形成することで、本実施形態に係る液晶表示装置2を得る。以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置2によれば、絶縁部411を第3、第4層間絶縁膜310c、310dに渡って、信号配線306を挟むように形成しても、トランジスタのチャネル部308を囲むように形成することで入射光がトランジスタのチャネル部308に進入するのを防ぎ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置2の画質を向上させることができる。第3実施形態次に、図7を用いて第3の実施形態に係る液晶表示装置3を説明する。液晶表示装置3は、絶縁部511の屈折率を除き、第2実施形態の液晶表示装置2と同じ構成である。絶縁部511の空洞ボイド511aには例えば、高屈折率材が充填される。従って、図7bに示すように、本実施形態に係る液晶表示装置3の絶縁部511は、実質的には空洞511aに充填される高屈折率材で屈折率がきまるため、その屈折率が第3、第4層間絶縁膜310c、310dより高い。高屈折率材は、例えばSINなどである。ここでは、第3、第4層間絶縁膜310c、310dとしてSiO2を用いている。SINの屈折率は1.72である。SiO2の屈折率は1.46であるため、絶縁部511と第3、第4層間絶縁膜310c、310dとの屈折率差は0.26となる。層間絶縁膜310c、310dは、絶縁部511によって、屈折率0.46の壁面にて分割される構造となる。つまり、絶縁部511は、第3、第4層間絶縁膜310c、310dにおいて、膜厚方向の略全体にわたって設けられ、この絶縁部411により、第3、第4層間絶縁膜310c、310dが、開口領域23に対応する部分と、非開口領域25に対応する部分とに仕切られた状態となる。この場合、図7aに示すように絶縁部511の表面に到達した入射光は、低屈折率層第3、第4層間絶縁膜310c、310dから高屈折率層絶縁部511へと向かう光となり、絶縁部511内部に侵入する。絶縁部511に進入した入射光は、入射側と対向する絶縁部511の表面に到達した際には、高屈折率層絶縁部511から低屈折率層第3、第4層間絶縁膜310c、310dへと向かう光となり、絶縁部511表面において内部反射され、再び絶縁部511中央へと進行する光となる。図7cは、図7aのA-A’位置の断面図である。図7cに示すように、入射角が臨界角ここでは31°以下の入射光は全反射される。従って絶縁部511の内部に侵入した入射光は、絶縁部511の表面での全反射を繰り返す。絶縁部511は、所謂導波路として機能するため、トランジスタのチャネル部308に侵入する入射光を低減することができる。次に、図8を用いて液晶表示装置3の製造方法について説明する。第3、第4層間絶縁膜310c、310dに縦溝805を形成するまでは、図6と同じであるため説明を省略する。図8aに示すように、縦溝805を形成後、高屈折率材ここではSIN901を低圧CVDにより正膜する。次に、図8bに示すように、エッチバック又はCMP処理を行うことで縦溝805からはみ出した不要な高屈折率材901を除去し、絶縁部511を形成する。その後、図8cに示すように、酸化膜806を積層し、その上に遮光膜305等を形成する。第3層間絶縁膜310c’及び酸化膜806で第3層間絶縁膜310cを形成する。なお、酸化膜806の成膜を省略し、絶縁部511を形成後、その上に遮光膜305等を直接形成してもよい。この場合は、第3層間絶縁膜310c’が第3層間絶縁膜310cとなる。以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置3によれば、絶縁部511の空洞511aの内部に高屈折率材を充填しても、絶縁部511が導波路として機能するため、入射光がトランジスタのチャネル部308に進入するのを防ぎ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置3の画質を向上させることができる。なお、上述した実施形態では、第2実施形態に係る液晶表示装置2の絶縁部411の代わりに絶縁部511を適用した例を説明したが、第1実施形態に係る液晶表示装置1の絶縁部311の代わりに絶縁部511を適用してもよい。図9に、第1実施形態に係る液晶表示装置1の絶縁部311の変わりに絶縁部511を適用した例を示す。図9に示すように絶縁部511の屈折率を第4層間絶縁膜310dより高くすることで、絶縁部511が導波路として機能し絶縁部511の表面に到達した入射光がそのまま絶縁部511の下端から出射する。これにより、入射光がトランジスタのチャネル部308に進入するのを防ぐことができる。第4実施形態図10を用いて、第4実施形態に係る液晶表示装置4を説明する。本実施形態に係る液晶表示装置4は、絶縁部611の形状を除き、第2実施形態の液晶表示装置2と同じ構成を有する。図10aは、第2層間絶縁膜310b側から第3層間絶縁膜310cの非開口領域25をみた平面図である。図10bは、第3層間絶縁膜310cの層を抜きだした平面図である。図10bに示すように、本実施形態に係る液晶表示装置4の絶縁部611は、信号配線306の一部を囲うような長方形の枠状を有する。図10cは、図10aのA-A’位置の断面図、図10dは、B-B’位置の断面図、図10eは、C-C’位置の断面図である。絶縁部611は、信号配線306と略平行に設けられた第1絶縁部612と、第1絶縁部612と略直角に設けられた第2絶縁部614と、第1絶縁部612と略平行に設けられた第3絶縁部613と、第2絶縁部614と略平行に設けられた第4絶縁部615とを有している。第1~第4絶縁部612~615は略直方体状をしている。第1絶縁部612の一端は第2絶縁部614の一端と、他端は第4絶縁部615の一端と接している。第3絶縁部613の一端は第2絶縁部614の他端と、他端は第4絶縁部615の他端と接している。従って、絶縁部611は、長方形の枠状を有しており、図10aに示すように、平面からみて絶縁部611の枠の内側にトランジスタのチャネル部308が配置される。以上のように、本実施形態の液晶表示装置4では、チャネル部308の両側だけでなく四方を囲うように絶縁部611を形成する。これにより、より多くの入射光がトランジスタのチャネル部308に進入するのを防ぐことができ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置4の画質を向上させることができる。なお、上述した実施形態では、第2実施形態に係る液晶表示装置2の絶縁部411の代わりに絶縁部611を適用した例を説明したが、第1、第3実施形態に係る液晶表示装置1、3の絶縁部311,511の代わりに絶縁部611を適用してもよい。また、上述した実施形態では、第1~第4絶縁部612~615の端が接続されているが、チャネル部308を絶縁部611で囲めればよく、第1~第4絶縁部612~615をそれぞれ一定の距離をあけて配置するようにしてもよく、第1~第4絶縁部612~615のどれか1つ以上を省略してもよい。第5実施形態図11を用いて、第5実施形態に係る液晶表示装置5を説明する。本実施形態に係る液晶表示装置5は、絶縁部711の形状をのぞき、第2実施形態の液晶表示装置2と同じ構成を有する。絶縁部711は、第3、第4層間絶縁膜310c、310dに空洞ボイド711aを形成する部分であり、この空洞711aに空気を保持する部分である。絶縁部711は、チャネル部308を上部から両側を囲うように形成される。第3、第4層間絶縁膜310c、310dは、例えばSiO2で形成されており、その屈折率は1.46である。絶縁部711は、実質的には空洞711aに保持される空気であるため、屈折率は1となる。従って、第3、第4層間絶縁膜310c、310dと、絶縁部711との屈折率差は0.46となる。このように、絶縁部711は、絶縁部711が設けられる層間絶縁膜本実施形態では、第3、第4層間絶縁膜310c、310dとは異なる屈折率を有する。図11aに示すように、絶縁部711は、屈曲部712を有する。絶縁部711は、端部713間の距離d1が屈曲部712間の距離d2が短くなっている。絶縁部711は、膜厚方向図11aにおける上下方向の中央付近屈曲部712が、両端付近端部713に比べてチャネル部308に近くなるよう形成される。屈曲部712から対向基板11側の絶縁部711b、又は屈曲部712からガラス基板309側の絶縁部711cは、それぞれ膜厚方向に対して角度α傾いて形成される。このように、絶縁部711に屈曲部712を設けることで、絶縁部711の表面に到達する入射光の入射角が臨界角以下になりやすくなり、絶縁部711によって全反射される入射光が増加する。例えば、第1実施形態のように略直方体の絶縁部311を設けた場合、絶縁部311に入射される光と絶縁部311とのなす角入射角γは、入射される光と膜厚方向とのなす角βに等しくなる。一方、本実施形態のように絶縁部711に屈曲部712を形成した場合、マイクロレンズ301側から絶縁部711bに入射した光と、絶縁部711bとのなす角入射角γは、入射される光と膜厚方向とのなす角βから膜厚方向と絶縁部711bとのなす角αを引いた角度γ=β-αとなる。従って、入射光と膜厚方向とのなす角βが臨界角以上であっても臨界角α以下であれば、入射した光と、絶縁部711bとのなす角入射角γは、臨界角以下になるため入射光が絶縁部711で全反射しやすくなる。なお、マイクロレンズ301側から絶縁部711cに入射した光と絶縁部711cとのなす角γは、γ=βαとなるため、マイクロレンズ301側から絶縁部711cに入射した光は膜厚方向とのなす角βが小さくても絶縁部711cを通過しやすくなる。しかしながら、マイクロレンズ301側から絶縁部711cに入射した光が絶縁部711cを通過しても、通過した入射光はチャネル部308の下部を通過する可能性が高く、この入射光によってチャネル部308に光リーク電流は発生しにくい。一方、マイクロレンズ301から入射した光が駆動素子基板12内で反射した反射光が例えばガラス基板309側から絶縁部711cに入射した場合、マイクロレンズ301から絶縁部711bに光が入射した場合と同様に全反射しやすくなる。以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置5では、絶縁部711が屈曲部712を有することで、絶縁部711によって全反射される入射光が増加し、トランジスタのチャネル部308へと侵入する光がより低減され、光リークの発生をさらに抑えることが可能となる。なお、上述した実施形態では、第2実施形態に係る液晶表示装置2の絶縁部411の代わりに絶縁部611を適用した例を説明したが、第1、第3及び第4実施形態に係る液晶表示装置1、3、4の絶縁部311,511,611の代わりに絶縁部711を適用してもよい。第4実施形態に係る液晶表示装置4の絶縁部611の代わりに絶縁部711を用いる場合、第5実施形態の絶縁部711とは逆に屈曲する絶縁部、即ち、端部713間の距離d1が屈曲部712間の距離d2が長い絶縁部を用いてもよい。最後に、上述した各実施形態の説明は本発明の一例であり、本発明は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。"