"基板と、前記基板上に成膜される下部電極と、前記下部電極上に、前記基板が振動する駆動領域から、前記基板が振動しない非駆動領域にわたって成膜される圧電薄膜と、前記圧電薄膜上に、前記駆動領域から前記非駆動領域にわたって成膜される上部電極とを備えた圧電デバイスであって、前記上部電極は、前記圧電薄膜に電界を印加するための電極層と、前記電極層と前記圧電薄膜とを密着させるための密着層とを有しており、前記電極層は、前記駆動領域と前記非駆動領域とで異なる金属材料で構成されており、前記駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数は、前記非駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数よりも大きいことを特徴とする圧電デバイス。前記非駆動領域の前記電極層は、空気中の酸素の透過を防止することにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを許す第1の金属材料で形成されており、前記駆動領域の前記電極層は、空気中の酸素を透過させることにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを前記非駆動領域よりも抑える第2の金属材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。前記第1の金属材料は、Auを含み、前記第2の金属材料は、Ptを含むことを特徴とする請求項2に記載の圧電デバイス。前記密着層は、Tiを含む材料で形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の圧電デバイス。前記圧電薄膜は、PZTであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の圧電デバイス。前記圧電薄膜の厚さは、2μm以上10μm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の圧電デバイス。前記駆動領域の前記基板には、インクを収容するための開口部が形成されており、該圧電デバイスは、前記開口部内のインクを外部に吐出するためのノズルを有するノズルプレートを備えていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の圧電デバイス。前記ノズルプレートは、前記基板とガラスプレートを介して接合されていることを特徴とする請求項7に記載の圧電デバイス。前記基板をヘッド基板とすると、前記ヘッド基板に対して、前記ノズルプレートとは反対側で接着層を介して接合され、前記ヘッド基板を保護するための保護基板をさらに備えていることを特徴とする請求項7または8に記載の圧電デバイス。前記保護基板は、前記上部電極とバンプを介して電気的に接続されて、前記上部電極に通電するための配線を有していることを特徴とする請求項9に記載の圧電デバイス。基板上に下部電極を成膜する工程と、前記下部電極上に、前記基板が振動する駆動領域から、前記基板が振動しない非駆動領域にわたって圧電薄膜を成膜する工程と、前記圧電薄膜上に、前記駆動領域から前記非駆動領域にわたって上部電極を成膜する工程と、前記上部電極を成膜した後に、150°C以上の加熱を行う加熱工程とを有し、前記上部電極を成膜する工程は、前記圧電薄膜に電界を印加するための電極層を成膜する工程と、前記電極層と前記圧電薄膜とを密着させるための密着層を、前記圧電薄膜上に成膜する工程とを有しており、前記電極層を成膜する工程では、前記加熱工程での加熱によって、前記駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数が、前記非駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数よりも大きくなるように、前記駆動領域と前記非駆動領域とで異なる金属材料を用いて前記電極層を成膜することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。前記非駆動領域の前記電極層を成膜する際に、空気中の酸素の透過を防止することにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを許す第1の金属材料を用いて前記電極層を成膜し、前記駆動領域の前記電極層を成膜する際に、空気中の酸素を透過させることにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを前記非駆動領域よりも抑える第2の金属材料を用いて前記電極層を成膜することを特徴とする請求項11に記載の圧電デバイスの製造方法。前記第1の金属材料は、Auを含み、前記第2の金属材料は、Ptを含むことを特徴とする請求項12に記載の圧電デバイスの製造方法。前記密着層は、Tiを含む材料で形成されていることを特徴とする請求項11から13のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記駆動領域の前記基板に開口部を形成する工程をさらに有し、前記加熱工程は、前記基板の前記開口部に収容されるインクを外部に吐出するためのノズルを有するノズルプレートを、ガラスプレートを介して前記基板と接合するノズル接合工程を含んでおり、前記ノズル接合工程は、陽極接合によって行われることを特徴とする請求項11から14のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記基板をヘッド基板とすると、前記加熱工程は、前記ヘッド基板に対して前記上部電極側から、前記ヘッド基板を保護するための保護基板を接着層を介して加熱接合する基板接合工程を含んでいることを特徴とする請求項11から15のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電薄膜を成膜する工程では、前記圧電薄膜をスパッタ法で成膜することを特徴とする請求項11から16のいずれかに記載の圧電デバイスの製造方法。ところで、上部電極と圧電薄膜との密着性を高めるために、上部電極を電極層と密着層との2層で構成し、電極層と圧電薄膜との間に密着層を介在させる方法がある。このように密着層を介在させると、上部電極の電極層の構成材料によっては、圧電薄膜の圧電特性が低下する場合がある。例えば、電極層が空気中の酸素の透過を防止する材料で構成されると、上部電極成膜後の加熱時に、密着層が下層の圧電薄膜の酸素を奪って酸化し、これによって圧電薄膜は還元されるため、圧電特性が低下する。このような圧電特性の低下が上記の駆動領域で起こると、圧電デバイスはデバイスとしての機能を発揮することができなくなる。なお、上部電極成膜後の加熱としては、例えば、圧電デバイスの基板とノズルプレートとを、ガラスプレートを介して陽極接合によって接合する際の加熱や、圧電デバイスの基板と、上部電極に通電するための配線基板とを熱硬化型の接着層を介して接着する際の加熱を考えることができる。一方、非駆動領域では、圧電薄膜が上部電極と下部電極とで挟まれている以上、上部電極および下部電極を介して圧電薄膜に電界が印加されたときに、圧電薄膜が歪もうとする。非駆動領域は、基板の開口部の外側の領域であり、この領域では基板が振動しないため、圧電薄膜に応力がかかり、結果的に圧電薄膜にクラックや膜剥がれが生じる。また、密着層を設ける構成では、密着性が高いがゆえに、圧電薄膜のクラックに引きずられて上部電極電極層が破断しやすくなる。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、上部電極が密着層を有する構成において、駆動領域では、圧電特性の低下を抑えてデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域では、圧電薄膜のクラックや膜剥がれを抑えるとともに、上記クラックに引きずられて上部電極が破断するのを抑えることができる圧電デバイスと、その圧電デバイスの製造方法とを提供することにある。本発明の圧電デバイスは、基板と、前記基板上に成膜される下部電極と、前記下部電極上に、前記基板が振動する駆動領域から、前記基板が振動しない非駆動領域にわたって成膜される圧電薄膜と、前記圧電薄膜上に、前記駆動領域から前記非駆動領域にわたって成膜される上部電極とを備えた圧電デバイスであって、前記上部電極は、前記圧電薄膜に電界を印加するための電極層と、前記電極層と前記圧電薄膜とを密着させるための密着層とを有しており、前記電極層は、前記駆動領域と前記非駆動領域とで異なる金属材料で構成されており、前記駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数は、前記非駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数よりも大きいことを特徴としている。また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、基板上に下部電極を成膜する工程と、前記下部電極上に、前記基板が振動する駆動領域から、前記基板が振動しない非駆動領域にわたって圧電薄膜を成膜する工程と、前記圧電薄膜上に、前記駆動領域から前記非駆動領域にわたって上部電極を成膜する工程と、前記上部電極を成膜した後に、150°C以上の加熱を行う加熱工程とを有し、前記上部電極を成膜する工程は、前記圧電薄膜に電界を印加するための電極層を成膜する工程と、前記電極層と前記圧電薄膜とを密着させるための密着層を、前記圧電薄膜上に成膜する工程とを有しており、前記電極層を成膜する工程では、前記加熱工程での加熱によって、前記駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数が、前記非駆動領域の前記圧電薄膜の圧電定数よりも大きくなるように、前記駆動領域と前記非駆動領域とで異なる金属材料を用いて前記電極層を成膜することを特徴としている。上記の構成および製法によれば、電極層は駆動領域と非駆動領域とで異なる金属材料で構成されるので、非駆動領域の電極層および駆動領域の電極層として、例えば以下に示す第1の金属材料および第2の金属材料を用いることができる。つまり、第1の金属材料は、空気中の酸素の透過を防止することにより、密着層が圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを許す金属材料例えばAuである。一方、第2の金属材料は、空気中の酸素を透過させることにより、密着層が圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを非駆動領域よりも抑える金属材料例えばPtである。これにより、上部電極成膜後に加熱工程例えば陽極接合における加熱が行われたときに、非駆動領域では、上記加熱によって圧電薄膜の圧電特性を低下させる一方、駆動領域では、上記の加熱による圧電特性の低下を抑えることができる。つまり、上部電極成膜後の加熱により、電極層の下層の密着層は酸化する。このとき、非駆動領域では、電極層が第1の金属材料で構成されているので、その下層の密着層は、空気中の酸素と結びついて酸化することができず、圧電薄膜中の酸素を奪って酸化する圧電薄膜は還元される。これにより、非駆動領域では、圧電薄膜の圧電特性を低下させることができる。一方、駆動領域では、電極層が第2の金属材料で構成されているので、その下層の密着層は、空気中の酸素と結びついて酸化し、圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのが抑えられる圧電薄膜の還元が抑えられる。これにより、駆動領域では、圧電薄膜の圧電特性が低下するのを抑えることができる。また、駆動領域の圧電薄膜の圧電定数例えばd31は、非駆動領域の圧電薄膜の圧電定数よりも大きいので、駆動領域の電極層および非駆動領域の電極層を構成する各金属材料は、それぞれ上記した第2の金属材料および第1の金属材料となり第1のパターンとなり、その逆のパターンは排除される。つまり、駆動領域の電極層および非駆動領域の電極層を構成する各金属材料が、それぞれ上記した第1の金属材料および第2の金属材料とすると第2のパターン、非駆動領域では、圧電特性が低下するのが抑えられ、駆動領域では、圧電特性が低下する。この場合、駆動領域の圧電薄膜の圧電定数は、非駆動領域の圧電薄膜の圧電定数よりも小さくなり、上記の条件とは正反対の結果となるため、第2のパターンを採用する余地はなくなる。したがって、上部電極および圧電薄膜が駆動領域から非駆動領域にわたって成膜され、しかも、上部電極が密着層を有している場合でも、駆動領域では、圧電薄膜の駆動によってデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域では、圧電薄膜が実質的に駆動されない状態に近い状態を作って圧電薄膜のクラックや膜剥がれを抑えることができる。また、非駆動領域では、圧電薄膜のクラックを抑えることで、そのクラックに引きずられて上部電極が容易に破断してしまうのを抑えることができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記非駆動領域の前記電極層は、空気中の酸素の透過を防止することにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを許す第1の金属材料で形成されており、前記駆動領域の前記電極層は、空気中の酸素を透過させることにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを前記非駆動領域よりも抑える第2の金属材料で形成されていてもよい。また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、前記非駆動領域の前記電極層を成膜する際に、空気中の酸素の透過を防止することにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを許す第1の金属材料を用いて前記電極層を成膜し、前記駆動領域の前記電極層を成膜する際に、空気中の酸素を透過させることにより、前記密着層が前記圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのを前記非駆動領域よりも抑える第2の金属材料を用いて前記電極層を成膜してもよい。この場合、上部電極成膜後の加熱により、非駆動領域では、密着層は圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するため、圧電特性を確実に低下させることができる。一方、駆動領域では、密着層は圧電薄膜中の酸素を奪って酸化するのが抑えられるため、圧電特性の低下を確実に抑えることができる。本発明の圧電デバイスおよびその製造方法において、前記第1の金属材料は、Auを含み、前記第2の金属材料は、Ptを含んでいてもよい。Auを含む金属材料は、空気中の酸素の透過を防止する機能を有するため、上記した第1の金属材料として有効である。一方、Ptを含む金属材料は、結晶粒界を通じて空気中の酸素を透過させることができると考えられるので、上記した第2の金属材料として有効である。本発明の圧電デバイスおよびその製造方法において、前記密着層は、Tiを含む材料で形成されていてもよい。Tiを含む材料は、電極層と圧電薄膜との密着性を高める金属材料として有効である。本発明の圧電デバイスにおいて、前記圧電薄膜は、PZTであってもよい。この場合、圧電薄膜としてPZTを用いた構成において、上述した本発明の効果を得ることができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記圧電薄膜の厚さは、2μm以上10μm以下であってもよい。この場合、例えばインクジェットヘッドのアクチュエータのように、一定の駆動電圧でより大きな変位が求められる圧電デバイスを実現することができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記駆動領域の前記基板には、インクを収容するための開口部が形成されており、該圧電デバイスは、前記開口部内のインクを外部に吐出するためのノズルを有するノズルプレートを備えていてもよい。この場合、圧電デバイスをインクジェットヘッドとして用いる場合に、非駆動領域における圧電薄膜のクラックや膜剥がれ、上部電極の破断を抑えることができるので、信頼性の高いインクジェットヘッドを実現することができる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記ノズルプレートは、前記基板とガラスプレートを介して接合されていてもよい。基板とガラスプレート、ガラスプレートとノズルプレートとの接合が、例えば陽極接合によって行われる場合には、陽極接合では、高温例えば275°Cでの加熱が必要になるため、上記加熱による駆動領域での圧電特性の低下を抑えながら、上記加熱によって非駆動領域での圧電特性を低下させる上述した本発明の構成が非常に有効となる。本発明の圧電デバイスは、前記基板をヘッド基板とすると、前記ヘッド基板に対して、前記ノズルプレートとは反対側で接着層を介して接合され、前記ヘッド基板を保護するための保護基板をさらに備えていてもよい。ヘッド基板と保護基板とを接着層を介して接合する際に、接着層として例えば熱硬化型のものを用いた場合には、高温例えば180°Cでの加熱が必要になる。この場合には、上記加熱による駆動領域での圧電特性の低下を抑えながら、上記加熱によって非駆動領域での圧電特性を低下させる上述した本発明の構成が非常に有効となる。本発明の圧電デバイスにおいて、前記保護基板は、前記上部電極とバンプを介して電気的に接続されて、前記上部電極に通電するための配線を有していてもよい。この場合、保護基板が、上部電極に通電するためのいわゆる配線基板で構成される場合において、上記した本発明の効果を得ることができる。本発明の圧電デバイスの製造方法は、前記駆動領域の前記基板に開口部を形成する工程をさらに有し、前記加熱工程は、前記基板の前記開口部に収容されるインクを外部に吐出するためのノズルを有するノズルプレートを、ガラスプレートを介して前記基板と接合するノズル接合工程を含んでおり、前記ノズル接合工程は、陽極接合によって行われてもよい。この場合、駆動領域では、陽極接合での加熱による圧電特性の低下を抑えてデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域では、上記加熱によって圧電特性を低下させて、クラック等の発生を抑えることができる。本発明の圧電デバイスの製造方法において、前記基板をヘッド基板とすると、前記加熱工程は、前記ヘッド基板に対して前記上部電極側から、前記ヘッド基板を保護するための保護基板を接着層を介して加熱接合する基板接合工程を含んでいてもよい。この場合、駆動領域では、基板接合時の加熱による圧電特性の低下を抑えてデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域では、上記加熱によって圧電特性を低下させて、クラック等の発生を抑えることができる。本発明の圧電デバイスの製造方法において、前記圧電薄膜を成膜する工程では、前記圧電薄膜をスパッタ法で成膜してもよい。このように圧電薄膜をスパッタ法で成膜して圧電デバイスを製造する場合に、上述した本発明の効果を得ることができる。本発明によれば、上部電極および圧電薄膜が駆動領域から非駆動領域にわたって成膜され、しかも、上部電極が密着層を有している場合でも、上部電極成膜後の加熱による駆動領域での圧電特性の低下を抑えながら、非駆動領域では上記加熱によって圧電特性を低下させることができる。これにより、駆動領域では、圧電薄膜の駆動によってデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域では、圧電薄膜が実質的に駆動されない状態に近くなるため、圧電薄膜のクラックや膜剥がれを抑えることができる。また、非駆動領域では、圧電薄膜のクラックを抑えることで、そのクラックに引きずられて上部電極が容易に破断してしまうのを抑えることができる。本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。圧電デバイスの構成図1は、本実施形態の圧電デバイス50の概略の構成を示す断面図および平面図である。圧電デバイス50は、ヘッド基板としての基板1上に、熱酸化膜2と、下部電極3と、圧電薄膜4と、上部電極5とをこの順で積層して構成されている。基板1は、例えばSOISilicononInsulator基板で構成されている。SOI基板は、Siからなる支持層11と、Siからなる活性層13とを、SiO2からなるBOX層12を介して積層して構成されている。なお、基板1は、Si基板のみで構成されていてもよい。基板1には、開口部1aが形成されている。開口部1aは、支持層11およびBOX層12を貫通して形成されており、その上壁となる活性層13を振動板として振動させるために設けられている。活性層13は、開口部1aを覆うようにBOX層12と接合されている。開口部1aは、断面円形で構成されているが図1の平面図参照、断面形状は円形に限定されるものではなく、例えば楕円であってもよいし、矩形であってもよい。また、開口部1aは、圧電デバイス50を例えばインクジェットヘッドのアクチュエータとして用いる場合には、インクが収容される圧力室を構成する。開口部1a内のインクは、開口部1aの上方の圧電薄膜4が歪んで、開口部1aの上壁となる基板1活性層13が振動することによって外部に吐出される。このように、圧電デバイス50において、開口部1aの真上の領域は、基板1活性層13を振動させて圧電デバイス50を駆動する領域であるため、この領域のことを、以下では駆動領域可動領域、振動領域R1と称する。これに対して、圧電デバイス50において、基板1における開口部1aの側壁上の領域は、基板1活性層13が振動しない領域であるため、この領域のことを、以下では非駆動領域非可動領域、非振動領域R2と称する。したがって、開口部1aの形成領域と駆動領域R1、開口部1aの形成領域の外側の領域側壁の領域と非駆動領域R2とは、対応関係にある。熱酸化膜2は、例えばSiO2で構成されており、基板1の保護および絶縁の目的で、基板1の表面、すなわち、活性層13においてBOX層12とは反対側の面に成膜されている。下部電極3は、基板1上に熱酸化膜2を介して成膜されている。下部電極3は、例えばTiからなる密着層3aと、例えばPtからなる電極層3bとを積層して構成されている。密着層3aは、電極層3bと熱酸化膜2とを密着させる目的で設けられている。なお、密着層5aは、TiOxで構成されていてもよい。電極層3bは、圧電薄膜に電界を印加するための金属層である。圧電薄膜4は、例えばPZTPbZr,TiO3;チタン酸ジルコン酸鉛で構成されており、下部電極3上の一部に、駆動領域R1から非駆動領域R2にわたって成膜されている。また、駆動領域R1においては、圧電薄膜4は、開口部1aよりも一回り小さい形状で成膜されている。圧電薄膜4の厚さは、2μm以上10μm以下となっている。これにより、一定の駆動電圧で圧電薄膜4を大きく変位させる歪ませることができる。本実施形態では、圧電薄膜4の圧電特性は、駆動領域R1と非駆動領域R2とで異なっている。具体的には、駆動領域R1の圧電薄膜4以下、圧電薄膜4aとも称するの圧電定数d31は、絶対値で例えば150pm/Vであり、非駆動領域R2の圧電薄膜4以下、圧電薄膜4bとも称するの圧電定数d31は、絶対値で例えば20~30pm/Vである。圧電特性の異なる圧電薄膜4a4bは、上部電極5の電極層5bの材料を駆動領域R1R2で異ならせて、上部電極5の成膜後に加熱を行うことにより実現されるが、その詳細なメカニズムについては後述する。上部電極5は、圧電薄膜4上に、駆動領域R1から非駆動領域R2にわたって成膜されている。上部電極5は、例えばTiからなる密着層5aと、後述する材料からなる電極層5bとを積層して構成されている。密着層5aは、電極層5bと圧電薄膜4とを密着させる目的で設けられている。上記のTiは、電極層5bと圧電薄膜4との密着性を高める金属材料として有効である。電極層5bは、圧電薄膜4に電界を印加するための金属層である。上部電極5は、全体的に、圧電薄膜4よりも一回り小さい形状で、圧電薄膜4上の一部に成膜されている。これにより、圧電薄膜4を介して、上部電極5と下部電極3との絶縁性を確保することができる。本実施形態では、電極層5bは、駆動領域R1と非駆動領域R2とで異なる金属材料で構成されている。具体的には、駆動領域R1の電極層5b以下、電極層5b1と記載するは、空気中の酸素を透過させることにより、密着層5aが圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するのを非駆動領域R2よりも抑える金属材料第2の金属材料で形成されている。このような第2の金属材料としては、例えばPtまたはその合金を考えることができる。一方、非駆動領域R2の電極層5b以下、電極層5b2と記載するは、空気中の酸素の透過を防止することにより、密着層5aが圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するのを許す金属材料第1の金属材料を考えることができる。このような第1の金属材料としては、例えばAuまたはその合金を考えることができる。駆動領域R1の密着層5aを密着層5a1とし、非駆動領域R2の密着層5aを密着層5a2とする。電極層5b2および密着層5a2の一部は、電極層5b1および密着層5a1よりも線幅が狭くなっている。なお、電極層5b2および密着層5a2の全体が、電極層5b1および密着層5a1よりも線幅の狭い配線となっていてもよい。また、電極層5b2および密着層5a2は、駆動領域R1の端部にて電極層5b1と重なるように成膜されている。これにより、上部電極5全体として、駆動領域R1と非駆動領域R2との電気的な導通を確実にとることができる。上記した下部電極3および上部電極5は、圧電薄膜4に電界を印加するための制御回路図示せずと、非駆動領域R2において電気的に接続されている。なお、このときの電気的な接続は、例えば配線ワイヤーによって行われてもよい。また、配線を有する配線基板を基板1に対向配置し、バンプ等を介して上部電極5と制御回路とを電気的に接続する構成としてもよいが、この構成については後述する。圧電デバイスの製造方法次に、上記構成の圧電デバイス50の製造方法について、図2~図7を参照しながら説明する。図2は、圧電デバイス50の製造時の流れを示すフローチャートである。また、図3a~図3e、図4a~図4d、図5a~図5d、図6a~図6cおよび図7は、圧電デバイス50の製造工程を順に示す断面図である。まず、図3aに示すように、基板1の両面に、厚さが例えば0.1μmのSiO2からなる熱酸化膜22を成膜するS1。このとき、基板1としては、支持層11、BOX層12、活性層13の厚さがそれぞれ600μm、0.2μm、5μmのSOI基板を用いた。上記の熱酸化膜2は、基板1を高温例えば1000°C程度で加熱することにより形成される。続いて、図3bに示すように、基板1の活性層13側の熱酸化膜2の表面に、Tiをスパッタ法で成膜し、厚さが例えば20nmの密着層3aを形成するS2。その後、酸素雰囲気中で密着層3aのTiを酸化して、TiOxとする。なお、密着層3aは、Tiのままでもよい。その後、図3cに示すように、密着層3a上に、Ptをスパッタ法で成膜し、厚さが例えば100nmの電極層3bを形成するS3。これにより、密着層3aおよび電極層3bからなる下部電極3が形成される。次に、図3dに示すように、下部電極3上に、PZTをスパッタ法で600°Cの温度で成膜し、厚さが例えば5μmの圧電薄膜4を成膜するS4。このとき、圧電薄膜4として、組成や結晶配向性などが良質のペロブスカイト構造のPZTを、下部電極3上に再現性よく安定して成膜することは困難であるため、PLTPb,LaTiO3などのペロブスカイト構造を持つ絶縁性酸化物からなるバッファ層を予め下部電極3上に形成しておき、そのバッファ層上にPZTを形成してもよい。このようにすることで、特性の優れたPZT薄膜を再現性よく安定して形成することが可能となる。続いて、図3eに示すように、圧電薄膜4上に、レジストを塗布して露光、現像を行い、PZTをエッチングしてパターニングするためのレジストパターン6を形成するS5。このとき、レジストパターン6は、駆動領域R1から非駆動領域R2にわたって残したい部分の圧電薄膜4を覆うパターンで形成され、駆動領域R1においては、直径200μmの円形のパターンとなっている。なお、ここまでの状態では、基板1に開口部1aが形成されていないが、後工程で形成される開口部1aの形成領域に対応する領域を、ここでは駆動領域R1とし、後工程で形成される開口部1aの形成領域の外側に対応する領域を、ここでは非駆動領域R2としている。次に、図4aに示すように、レジストパターン6をマスクとして、圧電薄膜4としてのPZTをエッチングし、駆動領域R1から非駆動領域R2にわたる所望の領域に圧電薄膜4が残ったPZTパターンを形成するS6。ちなみに、駆動領域R1では、直径200μmのPZTパターンが形成される。なお、PZTのエッチングは、ここでは、ICPInductivelyCoupledPlasma;誘導結合プラズマ装置による塩素系またはフッ素系ガスを使ったドライエッチングで行っているが、フッ硝酸系溶液を使ったウェットエッチングで行ってもよい。続いて、図4bに示すように、基板1の裏面、すなわち、圧電薄膜4の成膜側とは反対側の面を機械的に研磨し、基板1の支持層11の厚さを600μmから150μmにするS7。このときの機械的研磨により、基板1の裏面の熱酸化膜2も同時に除去される。その後、圧電薄膜4上に、上部電極5を成膜するS8~S15。この上部電極5を成膜する工程は、駆動領域R1に上部電極5を成膜する工程S8~S11と、非駆動領域R2に上部電極5を成膜する工程S12~S15とに分けられる。そして、前者の工程においても後者の工程においても、密着層5aを成膜する工程と、電極層5bを成膜する工程とが行われる。以下、具体的に説明する。駆動領域R1に上部電極5を成膜する工程では、まず、圧電薄膜4を覆うように、下部電極3上に、厚さが例えば20nmのTiからなる密着層51をスパッタ法で成膜しS8、その後、密着層51上に、厚さが例えば300nmのPtからなる電極層52をスパッタ法で成膜するS9。そして、図4cに示すように、電極層52上に、レジストを塗布して露光、現像を行い、駆動領域R1の上部電極5を残すべく、密着層51および電極層52をエッチングする際のマスクとなるレジストパターン7を形成するS10。その後、図4dに示すように、レジストパターン7をマスクとして、密着層51および電極層52をエッチングし、パターニングするS11。このときのエッチングは、塩素系ガスを用いたドライエッチングで行っている。これにより、駆動領域R1において、密着層5a1としての密着層51と、電極層5b1としての電極層52とからなる上部電極5が形成される。次に、非駆動領域R2に上部電極5を成膜する。具体的には、図5aに示すように、圧電薄膜4および駆動領域R1の上部電極5を覆うように、下部電極3上に、厚さが例えば20nmのTiからなる密着層53をスパッタ法で成膜しS12、その後、密着層53上に、厚さが例えば300nmのAuからなる電極層54をスパッタ法で成膜するS13。そして、図5bに示すように、電極層54上に、レジストを塗布して露光、現像を行い、密着層53および電極層54をエッチングする際のマスクとなるレジストパターン8を形成するS14。このとき、レジストパターン8は、非駆動領域R2、および駆動領域R1の端部の密着層51および電極層52を覆うように形成される。その後、図5cに示すように、レジストパターン8をマスクとして、密着層53および電極層54をエッチングし、パターニングするS15。このときのエッチングは、塩素系ガスを用いたドライエッチングで行っているが、溶液を用いたウェットエッチングで行ってもよい。これにより、非駆動領域R2において、密着層5a2としての密着層53と、電極層5b2としての電極層54とからなる上部電極5が形成される。このとき、密着層53および電極層54は、駆動領域R1の端部において、密着層51および電極層52と重なっているので、上部電極5全体として、駆動領域R1と非駆動領域R2とで導通がとられることになる。次に、基板1に開口部1aを形成するS16。具体的には、図5dに示すように、基板1の裏面支持層11の活性層13とは反対側の面に、レジストを塗布して露光、現像を行い、レジストパターン9を得る。このレジストパターン9がダイヤフラムの可動部のパターン、すなわち、駆動領域R1の開口部1aのパターンとなる。レジストパターン9は、駆動領域R1において直径220μmの穴が形成されたパターンとした。続いて、図6aに示すように、レジストパターン9をマスクとして、基板1の支持層11に対して、ICP装置のボッシュプロセスで深堀加工する。そして、図6bに示すように、圧電薄膜4側にレジストを塗布して保護した状態で、上記の深堀加工により露出したBOX層12を、希弗酸を用いたウェットエッチングによって取り去る。この結果、基板1に直径220μmの断面円形の開口部1aが形成され、圧電デバイス50が完成する。この圧電デバイス50をインクジェットヘッドのアクチュエータとして用いる場合は、図6cに示すように、基板1の圧電薄膜4の成膜側とは反対側において、ガラスプレート22を介してノズルプレート21を基板1に接合するS17;ノズル接合工程。ノズルプレート21には、基板1の開口部1aに収容されるインクを外部に吐出するための2段孔直径はそれぞれ例えば50μm、20μmがノズル21aとして形成されている。また、ガラスプレート22には、開口部1a内のインクをノズル21aに導くための穴直径は例えば100μmが開口部22aとして形成されている。ノズルプレート21およびガラスプレート22の厚さは、例えば両方とも150μmである。また、ノズルプレート21は、例えばSi基板で構成されている。基板1とガラスプレート22、ガラスプレート22とノズルプレート21との接合は、ともに、Siとガラスとの接合となるため、これらの接合は陽極接合によって行われる。陽極接合とは、Siおよびガラスに高温の状態で数百Vの直流電圧を印加し、Si-Oの共有結合を生じさせることによって両者を直接、接合する手法である。ここでは、275°Cの状態で2時間、1000Vの電圧をSiおよびガラスに印加することで、陽極接合を行った。また、高精細な描画を行うインクジェットヘッドを構成する場合は、図7に示すように、さらに、基板1に対して圧電薄膜4の成膜側で、接着層32を介して、配線基板としての基板31を基板1に接合するS18;基板接合工程。接着層32は、接着前の状態では所定の弾性率例えば0.1~2.5GPaを有し、接着時に所定の硬化温度例えば180°Cに加熱されることによって硬化して接着機能を発揮する熱硬化性接着樹脂層であり、例えば熱硬化性の感光性接着樹脂シートで構成されている。基板31は、上部電極5に通電するための配線33と、この配線33と電気的に接続されて基板31を貫通する貫通電極34と、貫通電極34と電気的に接続されるはんだバンプ35とを有している。配線33は、基板31の端部において、駆動回路制御回路が実装されたFPCフレキシブルプリント回路基板とACF異方性導電フィルムによって電気的に接続されている。同図に示すように、上部電極5上に金バンプ10を形成しておき、金バンプ10とはんだバンプ35とが電気的に接続されるように、基板1と基板31とを接着層32を介して接着すれば、基板31の配線33が、貫通電極34、はんだバンプ35および金バンプ10を介して上部電極5と導通する。したがって、配線33を介して上部電極5に電気信号を供給して、下部電極3と上部電極5との間に電界を印加すると、圧電薄膜4が圧電効果によって変形して基板1駆動領域R1の活性層13が振動する。これにより、開口部1a内のインクに対して吐出のための圧力が付与され、上記インクがノズル31aから微小液滴として外部に吐出される。この構成では、上部電極5に通電するための配線を基板1側に設ける必要がないので、基板1側の圧力室となる開口部1aを2次元的に高密度で形成し、ノズル21aを2次元的に高密度で配置して、高精細な描画を実現することができる。効果について以上のように、本実施形態の圧電デバイス50によれば、非駆動領域R2の上部電極5の電極層5b2は、上述した第1の金属材料例えばAuで形成されており、駆動領域R1の上部電極5の電極層5b1は、上述した第2の金属材料例えばPtで形成されている。ここで、図6cおよび図7の圧電デバイス50インクジェットヘッドを製造する際には、いずれも、上部電極5を成膜した後に、150°C以上より望ましくは200°C以上の加熱工程が行われる。つまり、図6cのインクジェットヘッドを製造する際には、基板1、ガラスプレート22、ノズルプレート21の3者を陽極接合で接合するために高温での加熱が行われる。また、図7のインクジェットヘッドを製造する際には、基板31を接着層32を介して基板1と接合する際に、接着層32を硬化させるために高温での加熱が行われる。したがって、圧電デバイス50に対して、デバイスとしての使用を可能にするために、上部電極5の成膜後に上記の加熱工程が行われたときに、非駆動領域R2では、密着層5a2が上記の加熱によって酸化する際に、密着層5a2は空気中の酸素と結びつくことができず、圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化する。これにより、圧電薄膜4は還元されるので、圧電薄膜4の圧電特性を低下させることができる。例えば、上記した密着層5a2による圧電薄膜44bの還元により、圧電薄膜4bの圧電定数d31は、絶対値で例えば20~30pm/Vとなり、圧電薄膜4bは、圧電体として実質的に機能しない状態に近い状態となる。一方、駆動領域R1では、密着層5a1が上記の加熱によって酸化する際に、密着層5a1は電極層5b1を透過する空気中の酸素と結びついて酸化するため、密着層5a1が圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するのが抑えられる。その結果、圧電薄膜4の還元が抑えられるため、圧電薄膜4の圧電特性が低下するのを抑えることができる。したがって、駆動領域R1では、圧電薄膜44aの圧電定数d31として、絶対値で例えば150pm/Vを実現することができ、圧電薄膜4aを圧電特性の良好な圧電体として機能させることができる。このように、上述した第1の金属材料例えばAuおよび第2の金属材料例えばPtを用い、上部電極5の電極層5bを、駆動領域R1と非駆動領域R2とで異なる金属材料で構成することで、上部電極5の成膜後に上記した加熱工程が行われたときに、非駆動領域R2では、上記加熱によって圧電薄膜4の圧電特性を低下させる一方、駆動領域R1では、上記の加熱による圧電特性の低下を抑えることができる。言い換えれば、加熱工程での加熱によって、駆動領域R1の圧電薄膜4の圧電定数が、非駆動領域R2の圧電薄膜4の圧電定数よりも大きくなるように、駆動領域R1と非駆動領域R2とで異なる金属材料を用いて電極層5bを成膜している。したがって、上部電極5および圧電薄膜4が駆動領域R1から非駆動領域R2にわたって成膜され、上部電極5が密着層5aと電極層5bとを有している構成であっても、駆動領域R1では、圧電薄膜4の駆動によってデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域R2では、圧電薄膜4が実質的に駆動されない状態に近い状態を作って、圧電薄膜4のクラックや膜剥がれを抑えることができる。また、上部電極5が密着層5aを有する構成では、上部電極5の密着性が高いがゆえに、下層の圧電薄膜4にクラックが生じると、そのクラックに引きずられて上部電極5が破断しやすい。しかし、非駆動領域R2において、圧電薄膜4のクラックを抑えることで、そのクラックに引きずられて上部電極5が容易に破断してしまうのを抑えることができる。なお、圧電薄膜4の圧電定数例えばd31の絶対値は、上述したように、駆動領域R1で150pm/Vであり、非駆動領域R2で20~30pm/Vである。このように、非駆動領域R2よりも駆動領域R1のほうが圧電定数が大きいのは、非駆動領域R2の電極層5b2を構成する金属材料として上述した第1の金属材料を用い、駆動領域R1の電極層5b1を構成する金属材料として上述した第2の金属材料を用いたためである。つまり、駆動領域R1での圧電定数を非駆動領域R2での圧電定数よりも大きくするためには、電極層5bを駆動領域R1と非駆動領域R2とで異なる金属材料で構成するとしても、電極層5b2を第1の金属材料で構成し、電極層5b1を第2の金属材料で構成することが必要であり、電極層5b2を第2の金属材料で構成し、電極層5b1を第1の金属材料で構成する手法を採用することはできない。また、上記した第1の金属材料は、空気中の酸素の透過を防止することにより、密着層5aが圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するのを許す金属材料であり、上記した第2の金属材料は、空気中の酸素を透過させることにより、密着層5aが圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するのを非駆動領域R2よりも抑える金属材料である。この場合、上部電極5の成膜後の加熱により、非駆動領域R2では、密着層5aは圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するため、圧電特性を確実に低下させることができる。一方、駆動領域R1では、密着層5aは圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するのが抑えられるため、圧電特性の低下を確実に抑えることができる。また、上記の第1の金属材料として、本実施形態ではAuを用いている。Auは、空気中の酸素の透過を防止するため、デバイスの加熱時には、非駆動領域R2では、密着層5aは酸化しようとしても空気中の酸素と結びつくことができず、圧電薄膜4から酸素を奪って酸化しようとする。これにより、非駆動領域R2の圧電薄膜4は確実に還元されるため、非駆動領域R2の圧電特性を確実に低下させることができる。なお、このような効果は、第1の金属材料がAuを含む材料例えばAuを含む合金材料であっても同様に得ることができる。つまり、Auを含む金属材料は、非駆動領域R2の電極層5b2を構成する第1の金属材料として有効である。一方、上記の第2の金属材料として、本実施形態ではPtを用いている。Ptは、結晶粒界を通じて空気中の酸素を透過させることができると考えられるので、デバイスの加熱を行う、行わないに関係なく、駆動領域R1では、密着層5aは空気中の酸素と結びついて酸化する。これにより、デバイスの加熱後、密着層5aが圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化するのを非駆動領域R2よりも確実に抑えて、駆動領域R1の圧電特性の低下を確実に抑えることができる。その結果、駆動領域R1において、デバイスとしての機能を確実に発揮させることができる。なお、このような効果は、第2の金属材料がPtを含む金属材料例えばPtを含む合金材料であっても同様に得ることができる。つまり、Ptを含む金属材料は、駆動領域R1の電極層5b1を構成する第2の金属材料として有効である。また、上述した圧電デバイス50によれば、非駆動領域R2における圧電薄膜4bのクラックや膜剥がれ、上部電極5の破断を抑えることができるので、圧電デバイス50を、ノズルプレート21のノズル21aからインクを吐出させるインクジェットヘッドとして用いる場合でも、信頼性、耐久性に優れたインクジェットヘッドを実現することができる。また、ノズルプレート21は、ガラスプレート22を介して基板1と接合されるが、この工程ノズル接合工程は、高温例えば275°Cでの加熱が必要な陽極接合によって行われる。したがって、電極層5b15b2を異なる材料で成膜することで、駆動領域R1では、陽極接合での加熱による圧電特性の低下を抑えてデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域R2では、陽極接合での加熱によって圧電特性を低下させて、圧電薄膜4のクラックや膜剥がれ、上部電極5の破断を抑えることができる。また、ヘッド基板としての基板1に対して上部電極5側圧電薄膜4側、ノズルプレート21とは反対側から、基板31を接着層32を介して加熱接合する工程基板接合工程では、上述のように、接着層32を硬化させるために高温例えば180°Cでの加熱が行われる。したがって、電極層5b15b2を異なる材料で成膜することで、駆動領域R1では、基板接合時接着層硬化時の加熱による圧電特性の低下を抑えてデバイスとしての機能を発揮させつつ、非駆動領域R2では、基板接合時の加熱によって圧電特性を低下させて、圧電薄膜4のクラックや膜剥がれ、上部電極5の破断を抑えることができる。ところで、本実施形態では、基板31に、上部電極5に通電するための配線33を形成しているが、上部電極5に通電するための配線を基板1側に形成する面積的な余裕がある場合は、基板1側に上記配線を形成して基板31に配線33を形成せずに圧電デバイス50を構成してもよい。この場合、基板31は、基板1を保護するための単なる保護基板として機能する。この場合でも、高温での加熱によって接着層32を硬化させて、基板1と基板31とを接合する場合には、加熱による駆動領域R1での圧電特性の低下を抑えながら、上記加熱によって非駆動領域R2での圧電特性を低下させる上述した圧電デバイス50の構成が非常に有効となる。補足以上では、上部電極5の非駆動領域R2の電極層5b2として、Auまたはその合金を用いる例について説明したが、Au以外の材料を用いて成膜してもよい。このような電極層5b2の材料としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ag、Ir、IrOx、SrOなどを考えることができる。なお、AlやCrは、PZTとの密着性が高いため、AlやCrを電極層5b2として成膜した場合は、密着層5a2を不要とすることができる。しかし、仮に密着層5a2を成膜した場合でも、AlやCrは、Auと同様に、空気中の酸素の透過を防止するため、その後の加熱工程における加熱によって密着層5a2が圧電薄膜4中の酸素を奪って酸化し、圧電特性を低下させると考えられる。また、以上では、密着層5aは、Tiで形成される例について説明したが、Tiを含む材料TiOxを含むで形成されればよい。つまり、密着層5aは、Tiが少し酸化された材料や、Tiに少量の不純物や混ぜ物を添加した材料で形成されていてもよい。TiOxとは言っても、Tiが完全に酸化された状態でなければ、そこから酸化が進むことは十分に考えられる。したがって、密着層5aがTiを含む材料で形成されていれば、非駆動領域R2において、密着層5aが酸化する際に圧電薄膜4から酸素を奪うため圧電薄膜4は確実に還元されるため、非駆動領域R2の圧電特性を低下させることができる。また、図7の構成では、基板1と基板31とで挟まれる空間を接着層32で密閉し、その密閉空間内に不活性ガスや乾燥空気を充填するようにしてもよい。この場合、圧電薄膜4が空気中の水分と反応して劣化するのを低減することができる。なお、上記の不活性ガスとは、他の物質と反応を起こさない化学的に安定したガスのことであり、例えば、アルゴン、ヘリウム、クリプトンなどの希ガスや乾燥窒素を想定することができる。また、上記の乾燥空気とは、空気中の水蒸気量水蒸気圧を著しく低下させて、湿度を10以下、望ましくは1以下まで低下させたものである。本実施形態では、圧電薄膜4をスパッタ法で成膜しているが、圧電薄膜4の成膜方法としては、スパッタ法だけでなく、物理気相成長法である蒸着法、化学気相成長法であるCVD法、液相法であるゾルゲル法など、他の手法を用いることも可能である。"