直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備えた半導体回路。前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた、請求項1に記載の半導体回路。前記閾値電圧は、前記第1コンデンサの静電容量と、前記第2コンデンサの静電容量とに応じて定められる、請求項2に記載の半導体回路。各前記第1信号線と前記比較手段とを接続する第1スイッチング素子と、各前記第2信号線と前記比較手段とを接続する第2スイッチング素子と、を備えた請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体回路。前記比較手段の比較結果に基づいて、前記放電手段の異常を診断する診断手段を備えた請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体回路。基準電圧生成手段と、前記基準電圧生成手段により生成された電圧から所定の割合の電圧を生成する生成手段と、接地電位を供給する接地手段と、を備え、前記比較手段は、さらに、前記基準電圧生成手段で生成された電圧と接地電位に応じた電圧との差に応じて設定される閾値電圧と、前記生成手段で生成された前記所定の割合の電圧とを比較する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体回路。前記比較手段の比較結果に基づいて、前記比較手段の異常を検出する検出手段を備えた請求項6に記載の半導体回路。直列に接続された複数の電池と、前記複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段と、前記請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体回路と、を備えた電池監視システム。直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備え前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた半導体回路の前記放電手段を診断する処理をコンピュータに実行させるための診断プログラムであって、前記第1コンデンサに、前記第1信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電するステップと、前記第2コンデンサに、前記第2信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電するステップと、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧を入力させるステップと、前記比較手段から比較結果を出力するステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるための診断プログラム。直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備え前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた半導体回路の前記放電手段を診断する診断方法であって、前記第1コンデンサに、前記第1信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電する工程と、前記第2コンデンサに、前記第2信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電する工程と、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧を入力させる工程と、前記比較手段から比較結果を出力する工程と、を備えた診断方法。しかしながら、上述の技術では、異常診断部等の専用の手段において処理を行う必要があるため処理時間がかかってしまうと共に、電力消費が大きくなる場合があるという問題がある。本発明は、上述した問題を解決するために提案されたものであり、放電手段の機能を適切に診断することができる、半導体回路、電池監視システム、診断プログラム、及び診断方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の半導体回路は、直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備える。請求項6に記載の半導体回路は、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体回路において、基準電圧生成手段と、前記基準電圧生成手段により生成された電圧から所定の割合の電圧を生成する生成手段と、接地電位を供給する接地手段と、を備え、前記比較手段は、さらに、前記基準電圧生成手段で生成された電圧と接地電位に応じた電圧との差に応じて設定される閾値電圧と、前記生成手段で生成された前記所定の割合の電圧とを比較する。請求項8に記載の電池監視システムは、直列に接続された複数の電池と、前記複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段と、前記請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体回路と、を備える。請求項9に記載の診断プログラムは、直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備え前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた半導体回路の前記放電手段を診断する処理をコンピュータに実行させるための診断プログラムであって、前記第1コンデンサに、前記第1信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電するステップと、前記第2コンデンサに、前記第2信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電するステップと、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧を入力させるステップと、前記比較手段から比較結果を出力するステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるためのものである。請求項10に記載の診断方法は、直列に接続された複数の電池の各々の高電位側に接続された第1信号線と前記複数の電池の各々の低電位側に接続された第2信号線との間に跨って設けられた抵抗素子と、前記抵抗素子に直列に接続された放電用スイッチング素子とを含む放電手段に対し、前記第1信号線の電位と前記第2信号線の電位との電位差に応じて設定される閾値電圧と、前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧とを比較する比較手段と、を備え前記比較手段は、シングル反転増幅器と、前記シングル反転増幅器の入力に接続され、かつ前記第1信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第1コンデンサと、前記第1のコンデンサと並列に接続され、かつ前記第2信号線の電位または前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位が入力される第2コンデンサと、を備えた半導体回路の前記放電手段を診断する診断方法であって、前記第1コンデンサに、前記第1信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電する工程と、前記第2コンデンサに、前記第2信号線の電位と前記反転増幅器の閾値電圧との差を充電する工程と、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに前記抵抗素子と前記放電用スイッチング素子との間の電位に応じた電圧を入力させる工程と、前記比較手段から比較結果を出力する工程と、を備える。本発明によれば、放電手段の機能を適切に診断することができる、という効果を奏する。[第1の実施の形態]以下、図面を参照して、第1の実施の形態の電池監視システムについて詳細に説明する。まず、本実施の形態の電池監視システムの構成について説明する。本実施の形態の電池監視システムの概略構成の一例を図1に示す。図1に示した本実施の形態の電池監視システムは、複数の電池セルを含む電池セル群12と、電池セル群12の各電池セルを放電させる放電部13と、電池セル群12の各電池セルの電圧を測定する半導体回路14と、を備えて構成されている。放電部13は、放電回路図2、放電回路51参照、詳細後述と、LPFローパスフィルタ、図2、LPF参照、詳細後述と、を備えて構成されている。半導体回路14は、診断回路22、記憶部23、スイッチング素子群24、比較回路26、電圧計測セル選択スイッチ28、及び電圧計測回路30を備えて構成されている。診断回路22は、比較回路26から出力される出力OUTに基づいて放電部13の均等化機能詳細後述を診断するための機能を有する論理回路である。診断回路22は、外部から均等化機能の診断を実行するよう指示を受けると、禁断のために用いるスイッチング素子群24等のオン、オフを制御する制御信号を出力する。記憶部23は、比較回路26から出力された出力OUTHレベル、Lレベルを示す論理値を記憶する機能を有するものであり、具体的一例としては、レジスタ等が挙げられる。本実施の形態では、記憶部23に記憶格納される論理値に基づいて、放電部13放電回路51の均等化機能を自己診断する。図2に本実施の形態の放電部13及び半導体回路14の概略構成の一例を示す。本実施の形態の半導体回路14は、放電回路51より具体的には、均等化スイッチング素子SWによる均等化機能を診断する機能を有している。なお、本実施の形態では、具体的一例として、電池セル群12は、3つのセルCCn-1~Cn1、総称する場合は、セルCというを含んでおり、信号線Ln-2~Ln1総称する場合は、信号線Lというにより放電部13を介して半導体回路14に接続されている。また、図2では、診断回路22及び記憶部23の記載を省略している。図2に示した本実施の形態の放電部13は、放電回路51及びLPFを備えて構成されている。放電回路51は、電池セル群12の電池セルCの高電位側と低電位側との間を短絡させて、セルCを放電させることにより各セルCの電圧を均等化する機能を有するものである。放電回路51は、均等化スイッチング素子SWSWn-1~SWn1、総称する場合は、均等化スイッチング素子SWというを有している。本実施の形態では、均等化スイッチング素子SWは、具体的一例としてNMOSトランジスタを用いており、ドレインがセルCの放電量を制限するための抵抗素子Rbalを介して電池セルCの高電位側の信号線Lに接続されると共に、ソースが電池セルCの低電位側の信号線Lに接続されている。また、ゲートが、スイッチング素子SW3に接続されると共に、プルダウン抵抗である抵抗素子Rcbを介して低電位側の信号線Lに接続される。均等化スイッチング素子SWのゲートがオンすると、セルC間が短絡して電池セルCの電荷が放電される。本実施の形態では、均等化スイッチング素子SWのゲートのオン、オフの制御は、スイッチング素子3の電圧調整部IH詳細後述により行われており、電圧調整部IHは定電流源であり、電圧調整部IHから均等化スイッチング素子駆動電流が信号線CBに供給されると、均等化スイッチング素子SWのゲートがオンになる。LPFは、高周波成分をカットすることにより、電池セル群12の各セルCで発生した急峻な電圧変動を抑制する機能を有するものである。LPFは各セルCの高電位側の信号線Lに接続されている。図2に示した半導体回路14は、スイッチング素子群24、比較回路26、電圧計測セル選択スイッチ28、及び電圧計測回路30を備えて構成されている。スイッチング素子群24は、スイッチング素子SW1、スイッチング素子SW2L、SW2H、及び電圧調整部IHを含むスイッチング素子SW3、を備えて構成されている。半導体回路14は、電池セル群12と放電部13とを接続する信号線L、LPFと電圧計測セル選択スイッチ28とを接続する信号線V、放電回路51のスイッチング素子SWのゲートとスイッチング素子SW3とを接続する信号線CB、及びセルCの高電位側の信号線Lとスイッチング素子SW1とを抵抗素子Rbalを介して接続する信号線DVを有している。電圧計測セル選択スイッチ28は、複数の内部スイッチング素子図示省略を備え、内部スイッチング素子を切り替えて、電池電圧の測定監視を行うセルCの高電位側の電圧信号線Lと低電位側の電圧信号線Lとを選択する機能を有するものである。電圧計測回路30は、電圧計測セル選択スイッチ28により選択された電圧に基づいて、セルCの電池電圧を計測する機能を有するものである。スイッチング素子SW1は、信号線DVと信号線Lcとを接続する機能を有するものであり、診断回路22からの制御信号に基づいて、診断を行う放電回路51の信号線DVと信号線Lcとを接続する。スイッチング素子SW1は、各信号線DV毎にスイッチング素子SW1SW1n-2~SW1n1、総称する場合は、スイッチング素子SW1というが設けられている。スイッチング素子SW2L、SW2Hは、各信号線V毎に設けられているSW2Ln-2~SW2Ln1、総称する場合は、スイッチング素子SW2Lという。SW2Hn-2~SW2Hn1、総称する場合は、スイッチング素子SW2Hという。。スイッチング素子SW2Lは、診断回路22からの制御信号に基づいて、信号線Vと信号線Lilとを接続する機能を有する。また、スイッチング素子SW2Hは、診断回路22からの制御信号に基づいて、信号線Vと信号線Lihとを接続する機能を有する。スイッチング素子SW3は、スイッチング素子SW3H及び定電流源である電圧調整部IHを備えて構成されている。スイッチング素子SW3H及び電圧調整部IHは、各信号線CB毎に設けられているSW3n-1~SW3n1、総称する場合は、スイッチング素子SW3という。電圧調整部IHも同様に、総称する場合は、個々を示す符号を省略して記載する。スイッチング素子SW3Hは信号線CBと電圧調整部IHとを接続する機能を有しており、セルCの均等化放電を行う場合に、オンされ、電圧調整部IHからスイッチング素子SWのゲートに均等化スイッチング素子駆動電圧を印加させるものである。また、本実施の形態の比較回路コンパレータ26は、チョッパ型コンパレータとして構成されている。比較回路26は、スイッチング素子SWC1-A、SWC2-A、SWC1-B、SWC2-B、コンデンサC1、C2、自己閾値電圧Vxのシングル反転増幅器NAMP、及びラッチ回路Latch32を備えて構成されている。スイッチング素子SWC1-Aは、信号線LihをコンデンサC1に接続する機能を有しており、スイッチング素子SWC2-Aは、信号線LcをコンデンサC1に接続する機能を有している。また、スイッチング素子SWC1-Bは、信号線LilをコンデンサC2に接続する機能を有しており、スイッチング素子SWC2-Bは、信号線LcをコンデンサC2に接続する機能を有している。ラッチ回路32は、シングル反転増幅器NAMPの出力電圧から論理値Hレベル及びLレベルを確定して出力する機能を有するものである。次に、均等化機能の自己診断処理について説明する。なお、具体的一例として、均等化スイッチング素子SWnの自己診断処理を行う場合について説明する。均等化スイッチング素子SWnの均等化機能の自己診断処理を行う場合は、信号線Vnの電位と信号線Vn-1の電位との差に対する信号線DVnの電位状態を比較回路26でモニタして、均等化機能を自己診断する。また、本実施の形態では、具体的一例として、信号線Vnの電位と信号線Vn-1の電位との差分の50を閾値とし、信号線DVnの電位と信号線Vn-1の電位との差分が、閾値以上の場合を通常動作状態均等化スイッチング素子SWnがオフとし、閾値未満を均等化機能動作状態としている。本実施の形態の均等化機能の自己診断処理は、イニシャライズ動作と、比較動作にわけられる。本実施の形態の均等化機能の自己診断処理全体の流れの一例のフローチャートを図3に示す。また、図4には、イニシャライズ動作における半導体回路14の状態を示した回路図を、図5には、比較動作における半導体回路14の状態を示した回路図を示す。ステップ100では、均等化機能を診断する均等化スイッチング素子SWに応じたスイッチング素子SW2H、SW2Lをオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW2Hn、SW2Ln-1をオンにする図4参照。スイッチング素子SW2Hnがオンになることにより、信号線Vnと信号線Lihとが接続される。また、スイッチング素子SW2Ln-1がオンになることにより、信号線Vn-1と信号線Lilとが接続される。次のステップ102では、比較回路26のスイッチング素子SWC1-Aをオンにする図4参照。これにより、コンデンサC1には、信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vnの電圧-自己閾値電圧Vxが充電された状態になる。また、比較回路26のスイッチング素子SWC1-Bをオンにする図4参照。これにより、コンデンサC2には、信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差自己閾値電圧Vx-信号線Vn-1の電圧が充電された状態になる。このときのコンデンサC1の電荷を電荷Q1、静電容量を静電容量C1、コンデンサC2の電荷を電荷Q2、静電容量を静電容量C2とすると、電荷Q1、Q2は、以下の1、2式で表される。Q1=C1×Vn-Vx1Q2=C2×Vx-Vn-12なお、当該ステップ100、102が本実施の形態のイニシャライズ動作に該当する。イニシャライズ動作が終了すると次のステップ104では、イニシャライズ動作によりオンにしたスイッチング素子SW2H、SW2Lをオフにすると共に、均等化機能を診断する均等化スイッチング素子SWに応じたスイッチング素子SW1をオンにする。具体的一例として、スイッチング素子SW2Hn、SW2Ln-1をオフにすると共に、スイッチング素子SW1nをオンにする図5参照。スイッチング素子SW1nがオンになることにより、信号線DVnと信号線Lcが接続される。次のステップ106では、比較回路26のスイッチング素子SWC1-Aをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Aをオンにする。また、スイッチング素子SWC1-Bをオフにすると共に、スイッチング素子SWC2-Bをオンにする。さらに次のステップ108では、比較回路26から論理値出力OUTを出力する。このときのNAMPの入力電圧をVx’、コンデンサC1の電荷を電荷Q1’、コンデンサC2の電荷を電荷Q2’とすると、電荷Q1’、Q2’は、以下の3、4式で表される。Q1’=C1×DVn-Vx’3Q2’=C2×Vx’-DVn4電荷保存則より、以下の5式が成り立つ。-Q1Q2=-Q1’Q2’5従って、1式~5式により、-C1×Vn-VnC2×Vx-Vn-1=-C1×DVn-Vx’C2×Vx’-DVnとなり、以下の6式が得られる。Vx’-Vx=DVn-Vn-1-C1/C1C2×Vn-Vn-16ここで、シングル反転増幅器NAMPの出力電圧をVnampout、利得をGnampとすると、以下の7式となる。Vnampout=-Gnamp×Vx’-Vx7利得Gnampが充分に高い場合、シングル反転増幅器NAMPの出力論理は、電圧Vx’-自己閾値電圧Vxの正負で決定し、閾値Vn-Vn-1の比率は、静電容量C1と、静電容量C1静電容量C2との容量比率で決定する。本実施の形態では、具体的一例として、静電容量C1:静電容量C2=1:1の容量比率にしているため、1/11=1/2となり、上述のように50が閾値となり、8式のようになる。Vx’-Vx=DVn-Vn-1-1/2×Vn-Vn-18従って、以下のように電圧Vx’-自己閾値電圧Vxの正負が決定する。DVn-Vn-1>0.5×Vn-Vn-1の場合、Vx’-Vx>0。従って、比較回路26の出力OUTは、Lレベルになる。一方、DVn-Vn-1<0.5×Vn-Vn-1の場合、Vx’-Vx<0。従って、比較回路26の出力OUTは、Hレベルになる。均等化スイッチング素子SWnが動作していない場合均等化スイッチング素子駆動電流が供給されていない場合、正常に動作している場合は、均等化スイッチング素子はオフ状態であるため、DVn-Vn-1>0.5×Vn-Vn-1となり、出力OUTは、Lレベルになる。一方、故障している正常に動作していない場合は、DVn-Vn-1<0.5×Vn-Vn-1となり、出力OUTは、Hレベルになる。一方、均等化スイッチング素子SWnが動作している場合均等化スイッチング素子駆動電流が供給されている場合、正常に動作している場合は、均等化スイッチング素子はオン状態であるため、DVn-Vn-1<0.5×Vn-Vn-1となり、出力OUTは、Hレベルになる。一方、故障している正常に動作していない場合は、DVn-Vn-1>0.5×Vn-Vn-1となり、出力OUTは、Lレベルになる。ステップ110では、全部の均等化スイッチング素子SWに対して、ステップ100~108の処理を行ったか否か判断し、行っていなければ、ステップ100に戻り、本処理を繰り返す。一方、全部の均等化スイッチング素子SWに対して行った場合は、全部の均等化スイッチング素子SWの均等化機能の自己診断処理が終了したため、本処理を終了する。本実施の形態では、出力OUTの結果が、表1のようになる。なお、本実施の形態では、比較回路26より出力された出力OUTを検出し、上述の表1に基づいて均等化スイッチング素子SWの均等化機能の自己診断を行う。なお、本実施の形態では、故障していると診断した場合は、例えば、電池監視システム10の動作を停止する等、所定の措置を行うようにしている。以上説明したように、本実施の形態の半導体回路14では、放電回路51の均等化スイッチング素子SWnの均等化放電機能の診断を行う場合は、イニシャライズ動作により、比較回路26のコンデンサC1に信号線Vnの電圧と、自己閾値電圧Vxとの差信号線Vn-自己閾値電圧Vxが充電された状態にし、かつコンデンサC2に信号線Vn-1の電圧と、自己閾値電圧Vxとの差自己閾値電圧Vx-信号線Vn-1が充電された状態にする。比較動作では、信号線DVnと信号線Lcとを接続し、コンデンサC1、C2に接続することにより、コンデンサC1、C2に電圧DVnが入力されるようにして、均等化処理を行っていない均等化スイッチング素子SWnがオフである通常の処理の場合では、出力OUT=Lレベルならば、正常に機能していると診断し、出力OUT=Hレベルならば、故障であると診断する。一方、均等化処理を行っている均等化スイッチング素子SWnがオンの場合では、出力OUT=Hレベルならば、正常に機能していると診断し、出力OUT=Lレベルならば、故障であると診断する。このように本実施の形態の半導体回路14では、信号線Vnの電位と信号線Vn-1の電位との差に対する信号線DVnの電位状態を比較回路26でモニタして、均等化機能を自己診断する。従って、専用の手段等を必要とせず、均等化機能を自己診断することができるため、処理に要する時間を抑制すると共に、電力消費を抑制することができ、均等化機能を適切に診断することができる。[第2の実施の形態]以下、図面を参照して本発明の第2の実施の形態の電池監視システムにおける半導体回路について説明する。本実施の形態の半導体回路は、第1の実施の形態の均等化機能の自己診断機能に加えて、比較回路チョッパ型コンパレータ26の診断処理を行う機能を有している。図6に、本実施の形態の半導体回路40の概略構成の一例を示す。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態と略同様の構成、及び動作については、その旨を記載し、詳細な説明を省略する。本実施の形態の半導体回路40は、チョッパ型コンパレータ26の比較機能の自己診断を行うために、基準電圧VREF1を生成する基準電圧生成回路42、基準電圧生成回路42で生成した基準電圧VREF1から所定の電圧値の電圧を生成するための分割抵抗44及び電圧値を選択するための選択スイッチング素子SW4を備えて構成されている。スイッチング素子SW4は、複数のスイッチング素子を備えており、所定のスイッチング素子がオンになることにより、所定の電圧を分割抵抗44から選択して取り出すことができる機能を有している。また、基準電圧生成回路42と信号線Lihとを接続し、基準電圧VREF1を信号線Lihに供給するためのスイッチング素子SWVr1、及び選択スイッチング素子SW4と信号線Lilとを接続し、所定の電圧を信号線Lilに供給するためのスイッチング素子SWVr、及びスイッチング素子SWH、SWV、SWM、SWLを備えている。さらに、信号線Lilには、接地電位VSSを供給するためのスイッチング素子SWVSSを備えている。次に本実施の形態における均等化機能の自己診断処理全体について説明する。均等化機能の自己診断処理全体の流れの一例のフローチャートを図7に示す。ステップ200では、チョッパ型コンパレータ26の診断処理を行い、次のステップ202では、ステップ200の診断処理によりチョッパ型コンパレータ26から出力された出力OUTの論理値に基づいて正常であるか否かを判断し、正常ではない故障していると判断した場合は、ステップ204へ進み、所定の措置を行った後、本処理を終了する。一方、ステップ202で正常と判断した場合は、ステップ206へ進み、均等化機能の自己診断処理を行った後、本処理を終了する。なお、ステップ206の均等化機能の自己診断処理は、第1の実施の形態と略同様のためここでは、詳細な説明を省略し、ここでは、ステップ200のチョッパ型コンパレータ26の診断処理について詳細に説明する。まず、本実施の形態のチョッパ型コンパレータ26の診断処理の流れの一例を図8に示す。ステップ300では、イニシャライズ動作を行ってチョッパ型コンパレータ26にコンデンサC1、C2を充電し、次のステップ302では、基準電圧VREF1の60の電圧と比較する比較動作1を行い、さらに次のステップ304では、イニシャライズ動作を行ってチョッパ型コンパレータ26にコンデンサC1、C2を充電し、次のステップ306では、基準電圧VREF1の40の電圧と比較する比較動作2を行った後、本処理を終了する。次に、各動作について詳細に説明する。まず、ステップ300及びステップ304のイニシャライズ動作について説明する。本実施の形態では、両ステップのイニシャライズ動作は、同様の動作である。図9に、イニシャライズ動作の一例のフローチャートを示す。また、図11には、イニシャライズ動作における半導体回路40の状態を示した回路図を示す。イニシャライズ動作のステップ400では、チョッパ型コンパレータ26のスイッチング素子SWC1-A、SWC1-Bをオンにすると共に、スイッチング素子SWH、SWLをオンにする。さらにステップ402では、スイッチング素子SWVSS、SWVr1をオンにした後、本処理を終了する。スイッチング素子SWVr1、SWH、SWC1-Aがオンになることにより、コンデンサC1に基準電圧VREF1が供給される。また、スイッチング素子SWVSS、SWL、SWC1-Bがオンになることにより、コンデンサC2に接地電位VSSが供給される。これにより、コンデンサC1、C2の電荷Q1、Q2は、以下の9、10式で表される。Q1=C1×VREF1-Vx9Q2=C2×Vx-VSS10このようにイニシャライズ動作によりコンデンサC1、C2が充電された状態になる。次に、イニシャライズ動作終了後に行う、ステップ302の比較動作1及びステップ306の比較動作2について説明する。本実施の形態では、比較動作1及び比較動作2は、略同様の動作であり、動作の流れは同様である。図10に、比較動作1及び比較動作2の一例のフローチャートを示す。また、図12には、比較動作1及び比較動作2における半導体回路40の状態を示した回路図を示す。比較動作1及び比較動作2のステップ500では、前動作イニシャライズ動作でオンにしたスイッチング素子をオフにする。次のステップ502では、チョッパ型コンパレータ26のスイッチング素子SWC2-A、C2-B、及びスイッチング素子SWVをオンにし、次のステップ504では、スイッチング素子SWVrをオンにする。これにより、チョッパ型コンパレータ26のコンデンサC1、C2には、分割抵抗44により基準電圧VREF1から生成された所定の電圧が供給されるようになる。次のステップ506では、比較動作1では、基準電圧VREF1の60の電圧値を選択するようスイッチング素子SW4をオンにする。一方、比較動作2では、基準電圧VREF1の40の電圧値を選択するようスイッチング素子SW4をオンにする。次のステップ508では、チョッパ型コンパレータ26から論理値出力OUTを出力した後、本処理を終了する。このときのNAMPの入力電圧をVx’、コンデンサC1の電荷を電荷Q1’、コンデンサC2の電荷を電荷Q2’とすると、電荷Q1’、Q2’は、比較動作1では、以下の11、12式で表され、比較動作2では、以下の13、14式で表される。Q1’=C1×VREF1×0.6-Vx’11:比較動作1Q2’=C2×Vx’-VREF1×0.612:比較動作1Q1’=C1×VREF1×0.4-Vx’13:比較動作2Q2’=C2×Vx’-VREF1×0.414:比較動作2第1の実施の形態と同様に、電荷保存則により上述の5式が成り立つため、比較動作1では、5、11、12式により、-C1×VREF1-VxC2×Vx-VSS=-C1×VREF1×0.6-Vx’C2×Vx’-VREF1×0.6となり、比較動作2では、5、13、14式により、-C1×VREF1-VxC2×Vx-VSS=-C1×VREF1×0.4-Vx’C2×Vx’-VREF1×0.4となる。また、第1の実施の形態と同様に、利得Gnampが充分に高い場合、シングル反転増幅器NAMPの出力論理は、電圧Vx’-自己閾値電圧Vxの正負で決定し、静電容量C1と、静電容量C1静電容量C2との容量比率で決定する。本実施の形態では、具体的一例として、静電容量C1:静電容量C2=1:1の容量比率にしている。従って、比較動作1では、正常に動作している場合、チョッパ型コンパレータ26の出力OUTは、Lレベルになる。一方、故障している正常に動作していない場合は、出力OUTは、Hレベルになる。一方、比較動作2では、正常に動作している場合、チョッパ型コンパレータ26の出力OUTは、Hレベルになる。一方、故障している正常に動作していない場合は、出力OUTは、Lレベルになる。本実施の形態では、出力OUTの結果が、表2のようになる。以上説明したように、本実施の形態の半導体回路40では、チョッパ型コンパレータ26の診断を行う場合は、イニシャライズ動作により、比較回路26のコンデンサC1に基準電圧VREF1と、自己閾値電圧Vxとの差基準電圧VREF1-自己閾値電圧Vxが充電された状態にし、かつコンデンサC2に接地電位電圧VSSと、自己閾値電圧Vxとの差接地電圧VSS-自己閾値電圧Vxが充電された状態にする。比較動作1では、抵抗分割により基準電圧VREF1の60の電圧を生成し、生成した電圧をコンデンサC1、C2に供給されるようにする。出力OUT=Lレベルならば、正常に機能していると診断し、出力OUT=Hレベルならば、故障であると診断する。一方、比較動作2では、抵抗分割により基準電圧VREF1の40の電圧を生成し、生成した電圧をコンデンサC1、C2に供給されるようにする。出力OUT=Hレベルならば、正常に機能していると診断し、出力OUT=Lレベルならば、故障であると診断する。このように本実施の形態の半導体回路40では、基準電圧生成回路42により生成された基準電圧VREF1と接地電圧VSSとの差に対する、分割抵抗44により生成された所定の電圧基準電圧VREF1の60の電圧、及び基準電圧VREF1の40の電圧状態のチョッパ型コンパレータ26から出力された論理値に基づいてチョッパ型コンパレータ26の機能を自己診断する。従って、専用の手段等を必要とせず、チョッパ型コンパレータ26の機能を自己診断することができるため、処理に要する時間を抑制すると共に、電力消費を抑制することができ、チョッパ型コンパレータ26の機能を適切に診断することができる。また、第1の実施の形態と同様の効果が得られることは言うまでもないが、本実施の形態では、チョッパ型コンパレータ26の機能が正常に動作していることを確認した後、均等化スイッチング素子SWの均等化機能の診断を行うことができるため、より精度が高い診断を行うことができる。なお、基準電圧生成回路42で生成される基準電圧VREF1は、特に限定されず、半導体回路40、チョッパ型コンパレータ26の仕様や、セルCの電圧値等に基づいて適宜定めればよい。なお、上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態では診断回路22及び記憶部23を半導体回路14、40内部に備えるように構成したが、これに限らず、別の回路チップ上に形成するようにしてもよい。また、診断回路22への断線検出指示を行う機能や記憶部23に格納されている論理値をモニタし断線の有無の診断を行う機能は、半導体回路14、40内部に備えるように構成してもよいし、外部別のチップ上に形成するようにしてもよい。