半導体結晶製造装置のチャンバ内のガスを排出するための前記チャンバに設けられた排気通路に堆積する粉塵を前記チャンバ外から吸引することにより除去する半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置において、前記チャンバに臨む前記排気通路の開口部に取外し可能に取付けられ前記開口部を吸引状態において断続的に開閉するクリーニング用開閉弁と、前記クリーニング用開閉弁を駆動する弁駆動手段とを備えたことを特徴とする半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置。前記開口部の端面に当接するフランジ部を有し前記開口部に挿入可能な挿入筒と、前記フランジ部に取付けられ前記クリーニング用開閉弁を保持する弁保持具とを更に備えた請求項1記載の半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置。前記弁保持具が前記挿入筒から離れる方向に延びて設けられ先端に取っ手が取付けられた請求項2記載の半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置。前記弁保持具にフックが取付けられた請求項2記載の半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置。前記弁駆動手段が流体圧シリンダである請求項1記載の半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置。前記弁駆動手段による前記開口部の断続的な開閉周期が1~30秒である請求項1又は5記載の半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置。半導体結晶製造装置のチャンバ内のガスを排出するための前記チャンバに設けられた排気通路に堆積する粉塵を前記チャンバ外から吸引することにより除去する半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング方法において、前記チャンバに臨む前記排気通路の開口部を開放して前記排気通路内に大気を導入する大気導入工程と、前記排気通路内に導入された大気を吸引することにより前記排気通路内の大気を排出する大気排出工程とを1回ずつ行うか又は複数回繰返す半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング方法。前記大気排出工程と前記大気導入工程との繰返し周期が1~30秒である請求項7記載の半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング方法。上記従来の特許文献1に示されたクリーニング装置では、排気管に堆積した粉塵の急激な燃焼を抑えるために、排気管への大気の導入流量を段階的に又は徐々に大きくしている。しかし、排気管への大気の導入流量を段階的に又は徐々に大きくして、排気管への大気の導入流量が比較的大きくなった後に、大気の導入流量を急激に大きくしようとしても、圧力差があまり生じないため、完全に燃焼した粉塵の一部が排気管の内壁から剥離せずに排気管の内壁に付着したまま残る。このため、シリコン単結晶の引上げプロセスを複数回行うと、排気管の内壁への粉塵の堆積量が増加するため、所定回数の引上げプロセスを行う毎に定期的に排気管内をクリーニングする必要がある。この定期的な排気管内のクリーニング時に、排気管をチャンバから外さなければならず、上記クリーニング作業に多くの時間を要する不具合があった。また、上記従来の特許文献1に示されたクリーニング装置では、シリコン単結晶の引上げプロセスを複数回行って、排気管の内壁への粉塵の堆積量が増加したときに排気管をクリーニングせずに放置したまま次のシリコン単結晶の引上げプロセスに進むと、チャンバ内の圧力制御が難しくなって、チャンバ内の圧力変動が大きくなるため、シリコン単結晶の引上げ条件に悪影響を及ぼしたり、或いは排気管の内壁に堆積した粉塵が意図せずに剥離すると、真空ポンプ等を損傷する問題点があった。本発明の目的は、排気通路に堆積した粉塵を効率良く除去でき、これにより排気通路のクリーニング時間を短縮できるとともに、半導体結晶の製造時におけるチャンバ内の圧力変動を抑制できる、半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置及びそのクリーニング方法を提供することにある。本発明の第1の観点は、半導体結晶製造装置のチャンバ内のガスを排出するためのチャンバに設けられた排気通路に堆積する粉塵をチャンバ外から吸引することにより除去する半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング装置において、チャンバに臨む排気通路の開口部に取外し可能に取付けられ開口部を吸引状態において断続的に開閉するクリーニング用開閉弁と、クリーニング用開閉弁を駆動する弁駆動手段とを備えたことを特徴とする。本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に開口部の端面に当接するフランジ部を有し開口部に挿入可能な挿入筒と、フランジ部に取付けられクリーニング用開閉弁を保持する弁保持具とを更に備えたことを特徴とする。本発明の第3の観点は、第2の観点に基づく発明であって、更に弁保持具が挿入筒から離れる方向に延びて設けられ先端に取っ手が取付けられたことを特徴とする。本発明の第4の観点は、第2の観点に基づく発明であって、更に弁保持具にフックが取付けられたことを特徴とする。本発明の第5の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に弁駆動手段が流体圧シリンダであることを特徴とする。本発明の第6の観点は、第1又は第5の観点に基づく発明であって、更に弁駆動手段による開口部の断続的な開閉周期が1~30秒であることを特徴とする。本発明の第7の観点は、半導体結晶製造装置のチャンバ内のガスを排出するためのチャンバに設けられた排気通路に堆積する粉塵をチャンバ外から吸引することにより除去する半導体結晶製造装置用排気通路のクリーニング方法において、チャンバに臨む排気通路の開口部を開放して排気通路内に大気を導入する大気導入工程と、開口部を閉止して排気通路内に導入された大気を吸引することにより排気通路内の大気を排出する大気排出工程とを1回ずつ行うか又は複数回繰返すことを特徴とする。本発明の第8の観点は、第7の観点に基づく発明であって、更に大気排出工程と大気導入工程との繰返し周期が1~30秒であることを特徴とする。本発明の第1の観点のクリーニング装置では、チャンバに臨む排気通路の開口部に取外し可能に取付けられたクリーニング用開閉弁が上記開口部を吸引状態で断続的に開閉し、このクリーニング用開閉弁を弁駆動手段が駆動するので、排気通路内の圧力が大きく変動する。即ち、開閉弁が閉じたときには排気通路が負圧になり、開閉弁が開いたときには排気通路が大気圧に戻る圧力変動が排気通路に生じる。これにより排気通路に堆積した粉塵を効率良く除去できる。この結果、排気通路のクリーニング時に排気管等を取外す必要がないので、排気通路のクリーニング時間を短縮できる。また半導体結晶を製造するプロセスを複数回行う毎に定期的に排気通路に堆積した粉塵を全て除去できるので、半導体結晶の製造時におけるチャンバ内の圧力変動を抑制でき、これによりチャンバ内の圧力変動にて半導体製造条件に及ぼされる悪影響を未然に防止できる。本発明の第2の観点のクリーニング装置では、挿入筒のフランジ部に取付けられた弁保持具によりクリーニング用開閉弁が保持された状態で、挿入筒が開口部に挿入されているため、クリーニング用開閉弁が安定した状態で確実に開口部を開閉できる。本発明の第3の観点のクリーニング装置では、弁保持具の先端の取っ手を把持して挿入筒を開口部に挿入することにより、開口部が比較的深いチャンバの底壁に形成されていても、挿入筒を開口部に容易に挿入することができる。本発明の第4の観点のクリーニング装置では、弁保持具に取付けられたフックを把持して挿入筒を開口部に挿入することにより、開口部が比較的深いチャンバの底壁近傍の側壁に形成されていても、挿入筒を開口部に容易に挿入することができる。本発明の第7の観点のクリーニング方法では、排気通路の開口部を開放して排気通路内に大気を導入する大気導入工程と、開口部を閉止して排気通路内の大気を排出する大気排出工程とを1回ずつ行うか又は複数回繰返すので、排気通路内の圧力が大きく変動することにより、排気通路に堆積した粉塵を効率良く除去できる。この結果、上記と同様に、排気通路のクリーニング時に排気管等を取外す必要がないので、排気通路のクリーニング時間を短縮できる。また半導体結晶を製造するプロセスを複数回行う毎に定期的に排気通路に堆積した粉塵を全て除去できるので、半導体結晶の製造時におけるチャンバ内の圧力変動を抑制でき、これによりチャンバ内の圧力変動にて半導体製造条件に及ぼされる悪影響を未然に防止できる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。<第1の実施の形態>図2及び図3に示すように、この実施の形態では、半導体結晶はシリコン単結晶であり、半導体結晶製造装置11はシリコン単結晶引上げ装置である。このシリコン単結晶引上げ装置11は、底壁12aを有し上端が開放されたチャンバ12と、このチャンバ12の上端に接続されたケーシング13とを備える。上記チャンバ12内にはシリコン融液図示せずが貯留されるるつぼ14と、このるつぼ14を所定の間隔をあけて包囲し上記シリコン融液を加熱する円筒状のヒータ16と、このヒータ16を所定の間隔をあけて包囲する保温筒17等が収容される図2。またケーシング13の上端にはシリコン単結晶を引上げる引上げ手段18が設けられる図3。るつぼ14は、石英により形成されシリコン融液が貯留される有底円筒状の内層容器14aと、黒鉛により形成され上記内層容器14aの外側に嵌合された有底円筒状の外層容器14bとからなる。外層容器14bの底部にはシャフト19の上端が接続され、このシャフト19の下端にはシャフト19を介してるつぼ14を回転させかつ昇降させるるつぼ駆動手段20が設けられる図2。一方、チャンバ12の底壁12aには、チャンバ12に臨む4つの第1~第4開口部12b~12eがそれぞれ形成され、第1~第4開口部12b~12eは、鉛直方向に延びて底壁12aを貫通する4本の第1~第4連通孔12f~12iの上端を形成するように構成される図1及び図2。これらの連通孔12f~12iの下端には4本の第1~第4排気管21~24の基端がそれぞれ接続され、第1~第4排気管21~24の先端は単一の集合排気管26の基端側に集合して接続される図3。また集合排気管26の他端には真空ポンプ27が接続される。更に図3の符号28はケーシング13の上面に一端が接続された吸気管である。この吸気管28の他端は不活性ガスこの実施の形態ではArガスが貯留されるタンク図示せずに接続される。上記第1~第4開口部12b~12e、第1~第4連通孔12f~12i、第1~第4排気管21~24及び集合排気管26により、不活性ガスの排気通路29が形成される。そしてタンク内の不活性ガスは、吸気管28及びケーシング13を通ってチャンバ12に流入し、このチャンバ12内でSiOやSiO2等の粉塵36を含んだ後に排気通路29を通って真空ポンプ27により排出されるように構成される。上記不活性ガスに含まれるSiOやSiO2等の粉塵36は排気通路29の内壁に堆積し、この排気通路29に堆積した粉塵36はクリーニング装置30により除去されるように構成される。このクリーニング装置30は、チャンバ12に臨む排気通路29の第1~第4開口部12b~12eに取外し可能に取付けられ第1~第4開口部12b~12eを吸引状態において断続的にそれぞれ開閉する円板状の第1~第4クリーニング用開閉弁31~34と、これらのクリーニング用開閉弁31~34をそれぞれ駆動する第1~第4弁駆動手段41~44とを備える。またクリーニング装置30は、第1~第4開口部12b~12eの端面に当接する第1~第4フランジ部51a~54aをそれぞれ有する第1~第4挿入筒51~54と、第1~第4フランジ部51a~54aにそれぞれ取付けられた第1~第4弁保持具61~64とを更に備える。第1~第4弁駆動手段41~44は、この実施の形態では、第1~第4エアシリンダである。また第1~第4挿入筒51~54は、第1~第4開口部12b~12eに挿入可能な円筒状に形成された第1~第4筒本体51b~54bと、これらの筒本体51b~54bの一端に筒本体51b~54bと一体的に設けられ外径が筒本体51b~54bの外径より大きく形成された上記第1~第4フランジ部51a~54aとを有する。また第1~第4弁保持具61~64は、第1~第4フランジ部51a~54aに立設され第1~第4挿入筒51~54から離れる方向に延びて設けられた複数本の第1~第4脚部61a~64aと、これらの脚部61a~64aのうち第1~第4フランジ部51a~54aから僅かに離れた位置に水平方向に延びて設けられ複数本の第1~第4脚部61a~64aに掛け渡された単一の第1~第4保持板61b~64bとを有する。第1~第4保持板61b~64bには第1~第4エアシリンダ41~44が第1~第4ピストンロッド41a~44aを下方に突出させた状態で取付けられ、第1~第4ピストンロッド41a~44aの下端には上記第1~第4クリーニング用開閉弁31~34が取付けられる。即ち、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34は第1~第4エアシリンダ41~44を介して第1~第4弁保持具61~64によりそれぞれ保持されるように構成される。なお、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34には、図示しないが、小さい貫通孔が貫通して形成されたり、或いは底面にスリットが形成される。これは、排気通路29を完全に密閉すると、エアシリンダ41~44が過負荷になるおそれがあるからである。また、第1~第4保持板61b~64bには、図示しないが、空気の導入口をそれぞれ形成してもよい。これは、チャンバ12内の空気を上記導入口から排気通路29にスムーズに導入するためである。また第1~第4弁保持具61~64の複数本の第1~第4脚部61a~64aの上端には、第1~第4取っ手71~74がそれぞれ取付けられる。更に第1~第4挿入筒51~54を排気通路29の第1~第4開口部12b~12eに挿入した状態で、第1~第4エアシリンダ41~44により第1~第4クリーニング用開閉弁31~34を駆動して、第1~第4開口部12b~12eを断続的に開閉するように構成される。第1~第4エアシリンダ41~44による第1~第4開口部12b~12eの断続的な開閉周期、即ち第1~第4クリーニング用開閉弁31~34により第1~第4開口部12b~12eを閉じた状態で後述のクリーニング用吸引ポンプ93を駆動して排気通路29内の大気を排出する工程と、第1~第4開口部12b~12eを開いて排気通路29内に大気を導入する工程との繰返し周期は、1~30秒、好ましくは2~5秒に設定される。ここで、第1~第4エアシリンダ41~44による第1~第4開口部12b~12eの断続的な開閉周期を1~30秒の範囲内に限定したのは、1秒未満では排気通路29に付着した粉塵36を剥離できる程度の圧力差が排気通路29内に発生せず、30秒を越えると排気通路29内の圧力差が殆ど変化せず排気通路29のクリーニング作業の効率が低下するからである。なお、排気通路29の内壁に付着した粉塵36を剥離できる程度の圧力差、即ちクリーニング用吸引ポンプ93を駆動している状態で、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34により第1~第4開口部12b~12eを閉じたときの排気通路29内の圧力負圧と、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34により第1~第4開口部12b~12eを開いたときの排気通路内の圧力大気圧との差は、0.02MPa以上、好ましくは0.1MPa以上に設定される。また、第1~第4開口部12b~12eを含む排気通路29を吸引状態は、この実施の形態では、後述する粉塵36の燃焼及び剥離装置のクリーニング用吸引ポンプ93を駆動することにより発生されるように構成される。上記第1~第4クリーニング用開閉弁31~34、第1~第4エアシリンダ41~44、第1~第4挿入筒51~54、第1~第4弁保持具61~64及び第1~第4取っ手により、第1~第4開口部開閉手段81~84が構成される。第1~第4開口部開閉手段81~84は台車86に載せて搬送されるようになっている図4。この台車86には制御ボックス87が載置される。この制御ボックス87には、第1~第4エアシリンダ41~44を駆動して第1~第4クリーニング用開閉弁31~34を開閉制御するコントローラ図示せずが収容される。また制御ボックス87には、第1~第4エアシリンダ41~44の第1~第4ピストンロッド41a~44aを出没するように切換える第1~第4電磁弁図示せずが収容される。第1~第4エアシリンダ41~44と第1~第4電磁弁とはエアチューブ図示せずにより接続される。またコントローラの制御出力に第1~第4電磁弁が電気的に接続される。更にコントローラにはメモリ図示せずが設けられ、このメモリには、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34を同時にではなく時間をずらして順次3回ずつこの開閉回数は任意の回数に設定可能である。開閉するように第1~第4電磁弁を制御するタイムチャート図5がマップとして記憶される。一方、集合排気管26には手動式の三方切換弁88が設けられる。この切換弁88の第1ポート88aは引上げ装置11側の集合排気管26に接続され、第2ポート88bは真空ポンプ27側の集合排気管26に接続される。また第3ポート88cには、排気通路29に堆積した粉塵36を燃焼しかつその粉塵36の大部分を剥離する粉塵の燃焼及び剥離装置91のクリーニング用パイプ92の一端が接続される。即ち、上記第3ポート88cがクリーニング用取出し口となる。更に粉塵の燃焼及び剥離装置91は、この実施の形態では、本発明のクリーニング装置30の一部を構成する。なお、真空ポンプとしては、水封式ポンプ及びメカニカルブースタを組合せたもの、油回転ポンプ、或いはドライ真空ポンプ等が用いられる。粉塵の燃焼及び剥離装置91は、クリーニング用取出し口88c第3ポートに一端が取外し可能に接続された上記クリーニング用パイプ92と、クリーニング用パイプ92の他端に接続され引上げ装置11内が大気に開放された状態で排気通路29内のArガス又は大気を吸引するクリーニング用吸引ポンプ93と、集合排気管26とクリーニング用吸引ポンプ93の間のクリーニング用パイプ92に設けられたクリーニング用粉体分離器94とを有する。上記粉塵の燃焼及び剥離装置91を使用するときと、第1~第4開口部開閉手段81~84を作動させるときには、上記クリーニング用取出し口88cにクリーニング用パイプ92の一端が接続され、かつ第1ポート88aとクリーニング用取出し口88cとが連通するように切換えられる。また粉塵の燃焼及び粉塵装置91を使用するとき以外であって、第1~第4開口部開閉手段81~84を作動させるとき以外には、クリーニング用取出し口88cからクリーニング用パイプ92が取外され、かつ第1ポート88aと第2ポート88bとが連通するように切換えられる。クリーニング用粉体分離器94は、この実施の形態では、クリーニング用サイクロンである。クリーニング用サイクロン94はこのサイクロン94による粉塵36の分離能力を高めるために、このクリーニング用サイクロン94の入口直前でクリーニング用パイプ92の内径が大きく絞られており、このサイクロン94の下端にはクリーニング用ダストチャンバ94aが設けられる。またクリーニング用吸引ポンプ93は誘導モータ96により駆動される。この誘導モータ96はインバータ装置97で周波数制御することにより回転速度が制御され、これによりクリーニング用吸引ポンプ93の吸引流量排気通路内のArガス又は大気の流速が調整可能に構成される。また粉塵の燃焼及び剥離装置91には、クリーニング用パイプ92に流入しかつクリーニング用サイクロン94を通過した粉塵36を捕集するクリーニング用スクラバ98が設けられる。このスクラバ98は、クリーニング用吸引ポンプ93の吐出口にクリーニング用パイプ92を介して接続されたスクラバ用漏斗98aと、この漏斗98aが挿入されたスクラバ用タンク98bと、このタンク98bの上部内周縁に取付けられた複数のスクラバ用シャワーノズル98cとを有する。スクラバ用漏斗98aはクリーニング用吸引ポンプ93から排出されたArガス又は大気の流速を低下させるために下方に向って次第に広がるように形成され、スクラバ用シャワーノズル98cからは液体この実施の形態では水が噴霧される。この噴霧された液体にスクラバ用漏斗98aから排出されたArガス又は大気に含まれる粉塵36を付着させて捕集するように構成される。更に上記粉塵の燃焼及び剥離装置91、即ちクリーニング用パイプ92、クリーニング用吸引ポンプ93、クリーニング用サイクロン94、誘導モータ96、インバータ装置97及びクリーニング用スクラバ98は、車輪を有する架台図示せずに搭載され、搬送可能に構成される。なお、図3の符号101及び102は吸気管28及び集合排気管26を流れるArガスの流量をそれぞれ調整することにより、チャンバ12内の圧力を制御する電動式のコントロール弁であり、符号103及び104は集合排気管26を開閉するエア作動式のアングル弁である。更に符号106は集合排気管26の途中から分岐する分岐排気管107の上端に設けられたフラッパバルブであり、このバルブ106は排気通路29の内壁に堆積した粉塵36が燃焼して排気通路29内の圧力が急激に上昇したときに排気通路29内を大気に開放するために設けられる。このように構成されたクリーニング装置30の動作を説明する。シリコン単結晶引上げ装置11を所定時間稼働、例えば、10回シリコン単結晶を引上げて数百時間経過した後に、真空ポンプ27を停止し、この状態で引上げ装置11のケーシング13及びるつぼ14を取外してチャンバ12内を大気に開放する。このとき大気が排気通路29第1~第4排気管21~24を含む。内に流入するけれども、排気通路29の内壁に堆積した粉塵36に大気中の少量の酸素しか接触しないため、堆積した粉塵36のうち表面の粉塵36のみが燃焼し、排気通路29内は僅かしか温度上昇しない。次に三方切換弁88のクリーニング用取出し口88c第3ポートに、粉塵の燃焼及び剥離装置91のクリーニング用パイプ92の一端を接続する。また第1弁保持具61の上端の第1取っ手71を把持して第1挿入筒51を第1開口部12bに挿入する。このとき第1開口部12bの内壁に堆積した粉塵36の一部が第1挿入筒51により削り取られて第1開口部12bの内壁から剥離する。これにより第1開口部12bが比較的深いチャンバ12の底壁12aに形成されていても、第1挿入筒51を第1開口部12bに容易に挿入することができる。上記と同様にして第2~第4弁保持具62~64の上端の第2~第4取っ手72~74を把持して第2~第4挿入筒52~54を第2~第4開口部12c~12eにそれぞれ挿入する。このとき第1~第4クリーニング用開閉弁31~34は第1~第4開口部12b~12eを開放した状態に保つ。この状態で第1ポート88aとクリーニング用取出し口88cとが連通するように三方切換弁88を切換え、クリーニング用吸引ポンプ93を駆動する。クリーニング用吸引ポンプ93の始動直後は、誘導モータ96をインバータ装置97により低速回転させて排気通路29内のArガス又は大気の流速を低く抑える。これにより排気通路29の内壁に堆積した粉塵36が徐々に燃焼する。但し、排気通路29の内壁に堆積した粉塵36は剥離しない。所定時間経過後、誘導モータ96をインバータ装置97により中速回転させて排気通路29内の大気の流速を大きくする。これにより排気通路29の内壁に堆積した粉塵36が更に燃焼する。但し、排気通路29の内壁に堆積した粉塵36は剥離しない。この状態で所定時間が経過すると、排気通路36の内壁に堆積した粉塵36は全て燃焼して安定なSiO2になるので、誘導モータ96をインバータ装置97により高速回転させて排気通路29内の大気の流速を更に大きくする。これにより排気通路29の内壁に堆積した粉塵36の大部分が剥離して吸引され、この吸引された大気をクリーニング用サイクロン94に通すことにより粉塵36が大気から分離されてクリーニング用ダストチャンバ94aに堆積する。この結果、排気通路29内の急激な温度及び圧力の上昇を伴わずに、排気通路29の内壁に堆積した粉塵36の大部分を除去できる。一方、クリーニング用サイクロン94で分離及び捕集ができずに、サイクロン94を通過してスクラバ用漏斗98aから排出された僅かな粉塵36はスクラバ用タンク98b内でスクラバ用シャワーノズル98cから噴霧される液体例えば、水に付着して捕集されるので、大気を粉塵36で汚染することはない。また上記粉塵の燃焼及び剥離装置91により、排気通路29内の粉塵36を燃焼させる作業と、この完全に燃焼した粉塵36の大部分を剥離する作業が終了すると、インバータ装置97の周波数を最大例えば、60Hzにして誘導モータ98の回転速度を最大にすることによりクリーニング用吸引ポンプ93を高速で回転させた状態で、制御ボックス87内のコントローラをオンする。コントローラは、第1~第4電磁弁を駆動して第1~第4クリーニング用開閉弁31~34をそれぞれ開閉制御する。具体的には、コントローラは、メモリに記憶されたマップに基づいて、即ち第1~第4クリーニング用開閉弁31~34を同時にではなく時間をずらして順次3回ずつこの開閉回数は任意の回数に設定可能である。開閉するタイムチャート図5に基づいて、第1~第4電磁弁を制御する。これにより第1~第4クリーニング用開閉弁31~34の全てが閉じたときには排気通路29が負圧になり、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34のいずれか1つが開いたときには排気通路29が大気圧に戻る圧力変動が排気通路に生じる。即ち、排気通路29内の圧力が大きく変動する。この結果、上記圧力差により排気通路29の内壁に堆積した粉塵36を全て確実に剥離することができる。従って、排気通路29のクリーニング時に第1~第4排気管21~24や集合排気管26等を取外す必要がないので、排気通路29のクリーニング時間を短縮できる。なお、排気通路29の内壁から剥離した粉塵36の大部分はクリーニング用サイクロン94で分離されて捕集され、残りの粉塵36はクリーニング用スクラバ98で捕集される。このように排気通路29の内壁に堆積した粉塵36を全て除去できるので、シリコン単結晶の引上げ時におけるチャンバ12内の圧力変動を抑制できる。この結果、チャンバ12内の圧力変動にてシリコン単結晶の引上げ条件に及ぼされる悪影響を未然に防止できる。また第1~第4弁保持具61~64により第1~第4クリーニング用開閉弁31~34が保持された状態で、第1~第4挿入筒51~54が第1~第4開口部12b~12eに挿入されているので、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34は安定した状態で確実に第1~第4開口部12b~12eを開閉できる。クリーニング装置30による排気通路29のクリーニングが終了すると、第1~第4開口部開閉手段81~84を第1~第4開口部12b~12eから外すとともに、クリーニング用取出し口88cからクリーニング用パイプ92を外し、第1ポート88aと第2ポート88bが連通するように三方切換弁88を切換えるだけで済むので、上記排気通路29のクリーニング時間は極めて短時間となり、排気通路29のクリーニング作業を極めて容易に行うことができる。<第2の実施の形態>図6は本発明の第2の実施の形態を示す。図6において図1と同一符号は同一部品を示す。この実施の形態では、第1~第4フランジ部51a~54aに立設された第1~第4弁保持具121~124が略L字状にそれぞれ形成される。第1~第4弁保持具121~124は、第1~第4フランジ部51a~54aに取付けられ第1~第4挿入筒51~54の通孔と直径が同一であり孔芯が一致する第1~第4透孔121b~124bが形成された第1~第4取着部121a~124aと、第1~第4取着部121a~124aに第1~第4フランジ部51a~54aから離れる方向に延びる第1~第4脚部121c~124cとからなる。第1~第4クリーニング用開閉弁31~34の一端は第1~第4取着部121a~124a上面にそれぞれ枢着される。また第1~第4エアシリンダ131~134の基端は第1~第4脚部121c~124cの上端にそれぞれ枢着され、第1~第4エアシリンダ131~134の第1~第4ピストンロッド131a~134aの先端は第1~第4クリーニング用開閉弁31~34の他端にそれぞれ枢着される。上記以外は第1の実施の形態と同一に構成される。このように構成されたクリーニング装置120では、第1~第4エアシリンダ131~134として比較的小径のものを用いても、第1~第4クリーニング用開閉弁31~34を比較的小さい力でスムーズに開閉動作させることができる。上記以外の動作は第1の実施の形態の動作と略同様であるので、繰返しの説明を省略する。<第3の実施の形態>図7は本発明の第3の実施の形態を示す。図7において図6と同一符号は同一部品を示す。この実施の形態では、第1~第4弁保持具121~124の第1~第4脚部121c~124cに、第1~第4フック151~154がそれぞれ取付けられる。また第1~第4開口部162b~162eはチャンバ162の側壁162aにそれぞれ形成され、第1~第4連通孔162f~162iはチャンバ162の側壁162aに水平方向に延びてそれぞれ形成される。更に第1~第4開口部162b~162e、第1~第4連通孔162f~162i、第1~第4排気管21~24及び集合排気管により排気通路169が構成される。上記以外は第2の実施の形態と同一に構成される。このように構成されたクリーニング装置150では、第1~第4フック151~154を把持して第1~第4挿入筒51~54を第1~第4開口部162b~162eに挿入することにより、第1~第4開口部162b~162eが比較的深いチャンバ162の底壁近傍の側壁162aに形成されていても、第1~第4挿入筒51~54を第1~第4開口部162b~162eに容易に挿入することができる。上記以外の動作は第1の実施の形態の動作と略同様であるので、繰返しの説明を省略する。なお、上記第1~第3の実施の形態では、半導体結晶としてシリコン単結晶を挙げたが、シリコン多結晶、GaAs単結晶、GaAs多結晶、InP単結晶、InP多結晶、ZnS単結晶、ZnS多結晶、ZnSe単結晶、ZnSe多結晶でもよい。また、上記第1~第3の実施の形態では、排気通路から排出されるガスとして不活性ガスを挙げたが、窒素ガス等の非酸化性ガスであってもよい。また、上記第1~第3の実施の形態では、粉塵の燃焼及び剥離装置により排気通路に堆積した粉塵を燃焼しこの完全に燃焼した粉塵の大部分を剥離した後に、クリーニング用開閉弁により排気通路の開口部を開閉して排気通路内の粉塵の残りを全て剥離して除去したが、粉塵が急激に燃焼するおそれがない場合には、粉塵の燃焼及び剥離装置を用いずに、真空ポンプをクリーニング用吸引ポンプとして作動させた状態でクリーニング用開閉弁により排気通路の開口部を開閉して排気通路に堆積している粉塵の全てを剥離して除去してもよい。この場合、集合排気管に粉体分離器サイクロン等が設けられる。また、上記第1~第3の実施の形態では、本発明のクリーニング装置を4つの開口部が底壁又は側壁に形成されたチャンバに適用したが、本発明のクリーニング装置を1つ~3つ或いは5つ以上の開口部が底壁又は側壁に形成されたチャンバに適用してもよい。また、上記第1~第3の実施の形態では、弁駆動手段としてエアシリンダを挙げたが、クリーニング用開閉弁を開閉駆動できれば、油圧シリンダ、リニアソレノイド等でもよい。更に、上記第1~第3の実施の形態では、本発明のクリーニング装置をシリコン単結晶引上げ装置に適用したが、本発明のクリーニング装置を冷却るつぼ誘導溶融鋳造装置やキャスト炉に適用してもよい。この冷却るつぼ誘導溶融鋳造装置は、高周波誘導コイルの内側に、周方向に相互に電気的に絶縁されかつ内部が水冷された電気伝導性及び熱伝導性の良好な物質通常、銅を短冊状に並べた冷却銅るつぼを有する。この冷却銅るつぼは溶解容器として構成され、冷却銅るつぼに原料シリコンを入れ、高周波誘導コイルに交流電流を通じると、冷却銅るつぼを構成する短冊状の各素片が互いに電気的に分割されているので、各素片内で電流がループを作り、冷却るつぼの内壁側の電流が冷却るつぼ内に磁界を形成して、るつぼ内のシリコンを加熱溶解することができる。溶融したシリコンは、冷却るつぼ内壁の電流が作る磁界と溶融シリコン表皮の電流の相互作用によって、溶融シリコン表面の内側法線方向の力を受け、るつぼと非接触の状態で溶解が行われる。この結果、溶融シリコンがるつぼや鋳型に殆ど接触することなく、シリコン多結晶を鋳造できるようになっている。また上記キャスト炉は、太陽電池に用いられるシリコン多結晶を製造するために用いられる。具体的には、キャスト炉内のるつぼに貯留されたシリコン原料を140°C以上の高温で溶解した後、冷却して結晶化することによりシリコン多結晶が製造される。