"外部接続端子が形成された基板と、前記基板の第一面上に載置されたコントローラと、前記第一面上に載置されて、前記コントローラの一方側に配置された第1スペーサと、前記第一面上に載置されて、前記コントローラを挟んで前記第1スペーサの反対側に載置された第2スペーサと、前記第1スペーサと前記第2スペーサとに跨らせて、前記第1スペーサと前記第2スペーサとの上に載置されたメモリチップと、前記メモリチップ、前記第1スペーサ、前記第2スペーサ、および前記基板に囲まれた空間および前記メモリチップの周囲を封止する樹脂モールド部と、前記基板の第一面に形成された複数の基板側電極パッドと、前記コントローラに形成された複数のコントローラ側電極パッドと、前記メモリチップに形成された複数のチップ側電極パッドと、前記基板に形成された前記基板側電極パッド同士を電気的に接続するパッド間配線層と、前記基板に形成された前記基板側電極パッドと前記外部接続端子とを電気的に接続する端子用配線層と、を備え、前記第2スペーサは前記第1スペーサより小さく、前記コントローラ側電極パッドと前記基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続されることで、前記コントローラと前記外部接続端子とが前記端子用配線層を介して電気的に接続され、前記コントローラ側電極パッドと前記基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続され、前記チップ側電極パッドと前記基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続されることで、前記コントローラと前記メモリチップとが前記パッド間配線層を介して電気的に接続され、前記第1スペーサおよび前記第2スペーサのうち前記メモリチップが載置される載置面の高さは、前記コントローラの高さおよび前記コントローラ側電極パッドに接続される金属ワイヤが通過する高さよりも高く、前記基板側電極パッドのうち、前記端子用配線層につながる基板側電極パッドは、前記基板の第1面における略中央の領域に形成され、前記コントローラは、平面視において略方形形状を呈しており、前記コントローラの平面視における一辺に沿って、前記外部接続端子と電気的に接続される前記コントローラ側電極パッドが形成され、平面視において前記基板の第1面における略中央の領域に形成された前記基板側電極パッドと、前記一辺に沿って形成された前記コントローラ側電極パッドとが、前記金属ワイヤを介して電気的に接続され、前記空間の開放側から見た前記空間の断面積のほうが、前記空間の開放側から見た前記メモリチップ上に設けられる樹脂モールド部の断面積よりも大きい半導体装置。外部接続端子が形成された基板と、前記基板の第一面上に載置されたコントローラと、前記第一面上に載置されて、前記コントローラの一方側に配置された第1スペーサと、前記第一面上に載置されて、前記コントローラを挟んで前記第1スペーサの反対側に載置された第2スペーサと、前記第1スペーサと前記第2スペーサとに跨らせて、前記第1スペーサと前記第2スペーサとの上に載置されたメモリチップと、前記メモリチップ、前記第1スペーサ、前記第2スペーサ、および前記基板に囲まれた空間および前記メモリチップの周囲を封止する樹脂モールド部と、前記基板の第一面に形成された複数の基板側電極パッドと、前記コントローラに形成された複数のコントローラ側電極パッドと、前記メモリチップに形成された複数のチップ側電極パッドと、前記基板に形成された前記基板側電極パッド同士を電気的に接続するパッド間配線層と、前記基板に形成された前記基板側電極パッドと前記外部接続端子とを電気的に接続する端子用配線層と、を備え、前記コントローラ側電極パッドと前記基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続されることで、前記コントローラと前記外部接続端子とが前記端子用配線層を介して電気的に接続され、前記コントローラ側電極パッドと前記基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続され、前記チップ側電極パッドと前記基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続されることで、前記コントローラと前記メモリチップとが前記パッド間配線層を介して電気的に接続される半導体装置。前記第1スペーサおよび前記第2スペーサのうち前記メモリチップが載置される載置面の高さは、前記コントローラの高さおよび前記コントローラ側電極パッドに接続される金属ワイヤが通過する高さよりも高い請求項2に記載の半導体装置。前記基板側電極パッドのうち、前記端子用配線層につながる基板側電極パッドは、前記基板の第1面における略中央の領域に形成され、前記コントローラは、平面視において略方形形状を呈しており、前記コントローラの平面視における一辺に沿って、前記外部接続端子と電気的に接続される前記コントローラ側電極パッドが形成され、平面視において前記基板の第1面における略中央の領域に形成された前記基板側電極パッドと、前記一辺に沿って形成された前記コントローラ側電極パッドとが、前記金属ワイヤを介して電気的に接続される請求項2または3に記載の半導体装置。前記空間の開放側から見た前記空間の断面積のほうが、前記空間の開放側から見た前記メモリチップ上に設けられる樹脂モールド部の断面積よりも大きい請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体装置。外部接続端子が形成された基板の第一面上にコントローラを載置し、前記第一面上の、前記コントローラの一方側に第1スペーサを載置し、前記第一面上の、前記コントローラを挟んで前記第1スペーサの反対側に第2スペーサを載置し、前記第1スペーサと前記第2スペーサとに跨らせて、前記第1スペーサと前記第2スペーサとの上にメモリチップを載置し、前記コントローラに形成されたコントローラ側電極パッドと、前記基板の第一面に形成された基板側電極パッドとを金属ワイヤで接続して、前記コントローラと前記外部接続端子とを前記基板側電極パッドと前記外部接続端子とを電気的に接続する端子用配線層を介して電気的に接続し、前記コントローラ側電極パッドと前記基板側電極パッドとを金属ワイヤで接続するとともに、前記メモリチップに形成されたチップ側電極パッドと前記基板側電極パッドとを金属ワイヤで接続して、前記コントローラと前記メモリチップとを前記基板側電極パッド同士を電気的に接続するパッド間配線層を介して電気的に接続し、前記メモリチップ、前記第1スペーサ、前記第2スペーサ、および前記基板に囲まれた空間および前記メモリチップの周囲を樹脂モールド部で一括封止する、半導体装置の製造方法。本発明は、コントローラと外部接続端子を結ぶ配線や、コントローラとメモリチップとを結ぶ配線の等長化や短縮化を図るとともに、製品の反りの抑制を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。本願発明の一態様によれば、外部接続端子が形成された基板と、基板の第一面上に載置されたコントローラと、第一面上に載置されて、コントローラの一方側に配置された第1スペーサと、第一面上に載置されて、コントローラを挟んで第1スペーサの反対側に載置された第2スペーサと、第1スペーサと第2スペーサとに跨らせて、第1スペーサと第2スペーサとの上に載置されたメモリチップと、メモリチップ、第1スペーサ、第2スペーサ、および基板に囲まれた空間およびメモリチップの周囲を封止する樹脂モールド部と、を備える半導体装置が提供される。基板の第一面には複数の基板側電極パッドが形成される。コントローラには複数のコントローラ側電極パッドが形成される。メモリチップには複数のチップ側電極パッドが形成される。基板には、基板側電極パッド同士を電気的に接続するパッド間配線層と、基板側電極パッドと外部接続端子とを電気的に接続する端子用配線層とが形成される。第2スペーサは第1スペーサより小さい。コントローラ側電極パッドと基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続されることで、コントローラと外部接続端子とが端子用配線層を介して電気的に接続される。コントローラ側電極パッドと基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続され、チップ側電極パッドと基板側電極パッドとが金属ワイヤで接続される。これにより、コントローラとメモリチップとがパッド間配線層を介して電気的に接続される。第1スペーサおよび第2スペーサのうちメモリチップが載置される載置面の高さは、コントローラの高さおよびコントローラ側電極パッドに接続される金属ワイヤが通過する高さよりも高い。基板側電極パッドのうち、端子用配線層につながる基板側電極パッドは、基板の第1面における略中央の領域に形成される。コントローラは、平面視において略方形形状を呈しており、コントローラの平面視における一辺に沿って、外部接続端子と電気的に接続されるコントローラ側電極パッドが形成され、平面視において基板の第1面における略中央の領域に一辺が位置するようにコントローラが配置される。空間の開放側から見た空間の断面積のほうが、空間の開放側から見たメモリチップ上に設けられる樹脂モールド部の断面積よりも大きい半導体装置が提供される。以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる半導体装置およびその製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の概略構成を示す正面断面図である。図2は、図1に示すA-A線に沿った矢視断面図であって、半導体装置の横断面図である。図3は、図1に示すB-B線に沿った矢視図であって、半導体装置の底面図である。図4は、図1に示すC-C線に沿った矢視図であって、樹脂モールド部とメモリチップを省略した半導体装置の平面図である。なお、図面の簡単化のために、ハッチングを省略している。半導体装置50は、基板2、コントローラ4、スペーサ6、メモリチップ8、樹脂モールド部10を備える。基板2は、例えば絶縁性樹脂基板の内部や表面に配線層を設けたものであり、素子搭載基板と端子形成基板とを兼ねる。このような基板2として、ガラス-エポキシ樹脂やガラス-BT樹脂ビスマレイミドトリアジン樹脂などを用いたプリント配線板が使用される。基板2は、例えば50μmから300μmの厚さで形成される。図3に示すように、基板2の裏面第二面2bは、ソルダレジスト図示せずで覆われており、ソルダレジストがエッチングされた部分には、導電性のパターンとして、例えば銅箔パターンが形成されている。基板2の裏面2bに形成された複数の導電性のパターンが、外部システムとの信号の送受信を可能とする外部接続端子12となる。本実施の形態では、外部接続端子12は、基板2の裏面2bの略全域にわたって形成されている。図4に示すように、基板2の表面第一面2aは、ソルダレジスト図示せずで覆われており、ソルダレジストが開口された部分には、導電性のパターンとして、例えば銅箔パターンが形成されている。基板2の表面2aに形成された複数の導電性のパターンの一部が、基板側電極パッド14となる。コントローラ4は、複数のメモリチップ8から、データの書き込みや読み出しを行うメモリチップ8を選択する。コントローラ4は、選択したメモリチップ8へのデータの書き込みや、選択したメモリチップ8に記憶されたデータの読み出しなどを制御する。コントローラ4は、基板2の表面2a上に載置され、熱硬化性樹脂を用いた接着剤9によって基板2に接着される。コントローラ4の上面には、複数の電極パッドコントローラ側電極パッド16が形成されている。コントローラ4の上面は、平面視において略方形形状を呈している。コントローラ側電極パッド16は、コントローラ4の上面の4辺に沿って並べて配置されている。コントローラ4の上面の平面視における4辺のうちの1辺第一辺4aに沿って配置されるコントローラ側電極パッド16は、後述する端子用配線層を介して外部接続端子12と接続される電極パッドとなる。コントローラ4は、平面視において第一辺4aが基板2の表面2aの略中央と近接する理想的には略中央となる領域に位置するように配置される。スペーサ6は、基板2と同様に、絶縁性の樹脂材料、例えばガラス-エポキシ樹脂やガラス-BT樹脂などを用いることができる。スペーサ6は、第1スペーサ6aと第2スペーサ6bとを有する。第1スペーサ6aと第2スペーサ6bとは、基板2の表面2a上に載置され、熱硬化性樹脂を用いた接着剤9によって基板2に接着される。なお、接着剤9に絶縁性樹脂を用いる場合には、スペーサ6は絶縁性の樹脂材料の他、導電性の材料や半導体、例えばシリコンウェーハから切り出されたシリコンチップを用いることができる。第1スペーサ6aは、コントローラ4の一方側に配置される。第2スペーサ6bは、コントローラ4を挟んで第1スペーサ6aの反対側に配置される。第1スペーサ6aおよび第2スペーサ6bの上面は、メモリチップ8が載置される載置面6cとなっている。また、第1スペーサ6aおよび第2スペーサ6bは、基板2の表面2a上のうち、コントローラ4の一方側およびその反対側となる領域の全域より少し小さい領域を覆うような大きさで形成されている。第2スペーサ6bは、第1スペーサ6aよりも小さく形成されている。メモリチップ8は、NAND型フラッシュメモリなどの記憶素子である。メモリチップ8は、第1スペーサ6aと第2スペーサ6bとに跨らせて、第1スペーサ6aと第2スペーサ6bの載置面6c上に載置される。メモリチップ8は、複数枚設けられて、第1スペーサ6aと第2スペーサ6bの載置面6c上に積層されている。スペーサ6側の最下層に配置されたメモリチップと、スペーサ6とは、熱硬化性樹脂を用いた接着剤9によって接着される。また、積層されたメモリチップ8同士も、熱硬化性樹脂を用いた接着剤9によって接着される。本実施の形態では、8枚のメモリチップ8が積層された例を示している。図2に示すように、最下層から3枚目までのメモリチップ8は、平面視において一方向にわずかにずらしながら積層される。そして、4~5枚目までのメモリチップ8は、それまでとは反対の方向にわずかにずらしながら積層さる。また、6~7枚目までのメモリチップ8は、最下層から3枚目までのメモリチップ8と同じ方向にずらして積層される。また、8枚目のメモリチップ8は、4~5枚目までのメモリチップ8と同じ方向にずらして積層される。メモリチップ8の上面のうち、メモリチップ8をずらして積層することで露出する部分には、複数の電極パッドチップ側電極パッド20が設けられている。このような構成により、基板2、スペーサ6およびメモリチップ8に囲まれるともに、コントローラ4が配置された空間18が形成される。この空間18は、平面視においてコントローラ4から見て第1スペーサ6aと第2スペーサ6bとが配置された方向と略90度異なる方向に対しては、スペーサ6に塞がれていない開放された状態となっている。樹脂モールド部10は、合成樹脂を用いて構成されており、積層されたメモリチップ8の周囲や空間18を含めて、基板2の表面2a側を封止する。樹脂モールド部10は、半導体装置50の外郭を構成して、封止されたメモリチップ8やコントローラ4を保護する。図5は、基板2、コントローラ4、メモリチップ8を電気的に接続させる配線の概略構成を示すための模式図である。図5に示すように、基板2には配線層の一部として、外部接続端子12と基板側電極パッド14とを電気的に接続する端子用配線層22と、基板側電極パッド14同士を電気的に接続するパッド間配線層24とを有している。コントローラ4に設けられたコントローラ側電極パッド16の一部は、ワイヤボンディングされた金属ワイヤ26によって、端子用配線層22の端部に設けられた基板側電極パッド14と電気的に接続される。これにより、外部接続端子12とコントローラ4とが電気的に接続される。コントローラ4に設けられたコントローラ側電極パッド16の一部は、ワイヤボンディングされた金属ワイヤ27によって、パッド間配線層24の端部に設けられた基板側電極パッド14と電気的に接続される。また、メモリチップ8に設けられたチップ側電極パッド20の一部は、ワイヤボンディングされた金属ワイヤ28によって、パッド間配線層24の端部に設けられた基板側電極パッド14のうち、金属ワイヤ27が接続された基板側電極パッド14の他端側に設けられた基板側電極パッド14に電気的に接続される。これにより、コントローラ4とメモリチップ8とが電気的に接続される。なお、図1や図2に示すように、空間18の高さは、コントローラ4の高さおよびコントローラ4に接続される金属ワイヤ26,27が通過する高さよりも高くなっている。すなわち、基板2に載置された際の、第1スペーサ6aおよび第2スペーサ6bの載置面6cの高さが、コントローラ4の高さおよびコントローラ4に接続される金属ワイヤ26,27が通過する高さよりも高くなるように、第1スペーサ6aおよび第2スペーサ6bの高さが定められている。また、空間18のスペーサ6によって塞がれていない開放側から見た空間18の断面積が、同様の方向から見たメモリチップ8上に設けられる樹脂モールド部10の断面積領域Sの断面積よりも大きくなっている。一般的に、半導体装置50は、規格などによってその高さHが定められているため、樹脂モールド部10の高さを変更するのが難しい場合がある。このような場合には、空間18の断面積のほうが領域Sの断面積よりも大きくなるように、スペーサ6やメモリチップ8の高さが設定される。次に、半導体装置50の製造手順について説明する。図6は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造手順を示すフローチャートである。まず、基板2の表面2a上にコントローラ4を載置するステップS1。次に、コントローラ4のコントローラ側電極パッド16と、基板2の基板側電極パッド14とを金属ワイヤ26,27で電気的に接続するステップS2。次に、コントローラ4の両側に第1スペーサ6aと第2スペーサ6bとを載置するステップS3。次に、第1スペーサ6aおよび第2スペーサ6bの載置面6c上にメモリチップ8を積層し、メモリチップ8のチップ側電極パッド20と基板2の基板側電極パッド14とを金属ワイヤ27で電気的に接続するステップS4。そして、基板2の表面2a上を金型で覆い、軟化した合成樹脂を金型の中に注入して、注入された合成樹脂を硬化させて樹脂モールド部10を形成するステップS5ことで、半導体装置50が製造される。以上説明したように、本実施の形態1にかかる半導体装置50によれば、コントローラ4が基板2の表面2aの略中央と近接して配置されるので、コントローラ4と外部接続端子12を結ぶ配線や、コントローラ4とメモリチップ8とを結ぶ配線の等長化や短縮化を図ることができる。特に、外部接続端子12に電気的に接続されるコントローラ側電極パッド16の多くが形成された第一辺4aが、基板2の表面2aの略中央となる領域に位置するようにコントローラ4が配置されているので、基板2の裏面2bの略全域にわたって形成された外部接続端子12とコントローラ4との間の配線の等長化が図りやすくなる。この時、コントローラ4が外部接続端子12を通じて、外部とデータを送受信するための電極パッド16を、第一辺4aに配置することが好ましい。コントローラ4に設けられた電極パッド16のうち、これらが最も等長化や短縮化の効果が高いためである。また、スペーサ6にシリコンチップを用いた場合、基板2とメモリチップ8との間となるほとんどの部分は、スペーサ6とコントローラ4で構成される。すると、メモリチップ8の上側となる部分は、樹脂製の樹脂モールド部10、コントローラ4の下側となる部分は、樹脂製の基板2となる。すなわち、メモリチップ8およびコントローラ4とを上下に挟む領域が、どちらも樹脂材料で構成されるため、半導体装置50の反りの抑制を図ることができる。また、第1スペーサ6aおよび第2スペーサ6bが、基板2の表面2a上のうち、コントローラ4の一方側およびその反対側となる領域の全域より少し小さい領域を覆うような大きさで形成されているので、メモリチップ8のうち、載置面6cによって支持されていない領域をより小さい面積に留めることができる。したがって、上述したステップS5での樹脂材料の注入時に、注入圧力などによってメモリチップ8が変形したり割れたりしてしまうのを抑えることができる。また、空間18のスペーサ6によって塞がれていない開放側から見た空間18の断面積が、同様の方向から見たメモリチップ8上に設けられる樹脂モールド部10の断面積領域Sの断面積よりも大きくなっているので、上述したステップS5での樹脂材料の注入時に、メモリチップ8の上側よりも先に、空間18に樹脂材料が充填されやすくなる。メモリチップ8の上側よりも先に空間18に充填された樹脂材料によって、メモリチップ8が支持されることで、メモリチップ8の上側へ注入された樹脂材料からの圧力などによってメモリチップ8が変形したり割れたりしてしまうのを抑えることができる。さらに、メモリチップ8の上側よりも先に空間18に充填されるので、空気等の巻き込みによるボイド不良を抑制することができる。また、空間18は、平面視においてコントローラ4から見て第1スペーサ6aと第2スペーサ6bとが配置された方向と略90度異なる方向に対しては、スペーサ6に塞がれていない開放された状態となっているので、この開放部分から空間18に対して樹脂材料が円滑に注入されやすくなる。なお、本実施の形態では、平面視において方形形状を呈する基板2の長辺側が開放されているが、短辺側が開放されるようにスペーサ6を設けても構わない。ただし、長辺側を開放したほうが、空間18における合成樹脂の注入流路が短くなるため、より円滑に樹脂が注入されやすくなる。"