炭化珪素原料を坩堝に配置する工程と、前記坩堝に配置された前記炭化珪素原料を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料を再結晶させる工程とを有する炭化珪素単結晶を製造する製造工程と、フォトルミネッセンス法を用いて、前記炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査する検査工程とを備える積層欠陥の検査方法であって、前記炭化珪素原料を再結晶させる工程では、前記坩堝に水素を導入する積層欠陥の検査方法。前記水素には、水素原子が含まれる請求項1に記載の積層欠陥の検査方法。前記坩堝の内部において、前記水素の密度が、5×1016/cm3以上になるように、前記水素を導入する請求項1又は2に記載の積層欠陥の検査方法。上述した昇華再結晶法を用いて製造された炭化珪素単結晶は、珪素単結晶に比べて、多くの深い準位の点欠陥空孔が形成される。深い準位とは、伝導帯や価電子帯の端から離れたところ、すなわち禁止帯の中ほどに位置しているものである。点欠陥には、炭素又はケイ素があるべき位置に、結合端のみが存在している。このため、深い準位の点欠陥は、正孔及び電子トラップとして働いていた。これによって、照射された励起光が有するエネルギーが深い準位の点欠陥に吸収されることによって、正孔及び電子が励起され難くなっていた。このため、フォトルミネッセンス法を用いた場合、必ずしも全ての積層欠陥の有無を判断できるとは、限らなかった。このため、炭化珪素単結晶の積層欠陥の有無を正確に判別するためには、破壊検査方法である高分解能透過型電子顕微鏡HRTEMを用いるしか方法がなかった。HRTEMを用いた検査方法は、フォトルミネッセンス法に比べてコスト及び時間がかかる。また、フォトルミネッセンス法は、サンプルを破壊せずに検査可能である。このため、フォトルミネッセンス法を用いた、より正確な炭化珪素単結晶の積層欠陥の検査方法が求められていた。そこで、本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる積層欠陥の検査方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。本発明の特徴は、炭化珪素原料を坩堝に配置する工程と、前記坩堝に配置された前記炭化珪素原料を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料を再結晶させる工程とを有する炭化珪素単結晶を製造する製造工程と、フォトルミネッセンス法を用いて、前記炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査する検査工程とを備える積層欠陥の検査方法であって、前記炭化珪素原料を再結晶させる工程では、前記坩堝に水素を導入することを要旨とする。なお、本発明において、フォトルミネッセンス法とは、光を炭化珪素単結晶に照射して、炭化珪素単結晶から放出した光を測定する方法をいう。本発明の特徴によれば、炭化珪素原料を再結晶させる工程では、前記坩堝に水素を導入する。導入された水素は、炭化ケイ素単結晶に存在する深い準位の点欠陥の結合端と結合する。すなわち、水素は、深い準位の点欠陥を不活性化する。これによって、照射された励起光が有するエネルギーが深い準位の点欠陥に吸収されることを抑制できるため、従来では測定できなかった積層欠陥から放出される光が測定可能となる。なお、積層欠陥とは、結晶の原子面の積み重ねの順序が乱れることによって形成される面状の格子欠陥である。より具体的には、炭化珪素単結晶中に含まれる異種の結晶多形をいう。また、前記水素には、水素原子が含まれていても良い。また、前記坩堝の内部において、前記水素の密度が、5×1016/cm3以上になるように、前記水素を導入しても良い。なお、水素の密度について、水素に水素原子が含まれる場合には、2個の前記水素原子を1個の水素分子に換算した場合の水素の密度である。本発明によれば、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる積層欠陥の検査方法を提供することができる。本発明に係る積層欠陥の検査方法の一例について、図面を参照しながら説明する。具体的には、1積層欠陥の検査方法、2作用効果、3比較評価、4その他実施形態、について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号を付している。図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。1積層欠陥の検査方法本実施形態に係る炭化珪素単結晶以下、適宜、単結晶と略すの積層欠陥の検査方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶の積層欠陥の検査方法を説明するためのフローチャートである。図2は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造するために用いられる製造装置の断面図である。図1に示されるように、本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、製造工程S1及び検査工程S2を有する。1.1製造工程S1製造工程S1は、炭化珪素単結晶を製造する工程である。製造工程S1は、配置工程S11と成長工程S12とを有する。製造工程S1では、図2に示されるような炭化珪素単結晶製造装置1が用いられる。1.1.1炭化珪素単結晶製造装置1の構成図2に示されるように、炭化珪素単結晶製造装置1以下、適宜、単結晶製造装置1と略すは、坩堝10、石英管50、チャンバ60、加熱コイル70とを備える。坩堝10は、坩堝本体10aと坩堝蓋体10bとを有する。坩堝本体10aには、単結晶の原料となる炭化珪素原料20が配置される。坩堝蓋体10bには、炭化珪素原料20の再結晶を誘起する種結晶30が配置される。坩堝10の一端部すなわち、坩堝本体10aの底部には、炭化珪素原料20が配置され、坩堝10の一端部に対向する坩堝10の他端部すなわち、坩堝蓋体10bには、種結晶30が配置される。従って、炭化珪素原料20と種結晶30とは対向している。坩堝10は、支持棒55により石英管50の内部に固定される。石英管50は、坩堝10の外側に配置される。石英管50の両端図1において、上端及び下端には、チャンバ60が取り付けられている。一方のチャンバ60下端には、石英管50及びチャンバ60の内部に雰囲気ガスを導入する導入口65aが設けられている。他方のチャンバ60上端には、石英管50及びチャンバ60の内部の雰囲気ガスを排出する排出口65bが設けられている。坩堝10は、密閉されていないため、石英管50及びチャンバ60の内部に雰囲気ガスを導入すると、坩堝10の内部にも雰囲気ガスによって満たされる。雰囲気ガスの導入及び排出によって、単結晶製造装置1の内部の雰囲気を調整する。加熱コイル70は、石英管50の外周に設けられる。加熱コイル70により、坩堝10が加熱される。なお、坩堝10は、断熱材不図示で覆われている。図示していないが、導入口65aは、水素反応室から水素原子が導入できる管と接続されていても良い。水素反応室は、水素分子を水素原子に分解する機構が備えられている。1.1.2配置工程S11配置工程S11は、炭化珪素原料20を坩堝10に配置する工程である。より具体的には、炭化珪素原料20を坩堝本体10aの底部に配置する。炭化珪素原料20は、どのような製造方法で製造されたものを用いても構わない。例えば、化学気相成長法CVD法で製造された炭化珪素を炭化珪素原料20としてもよいし、珪素含有原料と炭素含有原料とから炭化珪素前駆体を生成し、生成された炭化珪素前駆体を焼成することで得られる炭化珪素を炭化珪素原料20としてもよい。本実施形態に係る配置工程S11では、種結晶30を坩堝蓋体10bに配置する工程が含まれる。種結晶30は、炭化珪素単結晶の成長起点となるため、炭化珪素単結晶からなるものを用いることが好ましい。種結晶30が配置された坩堝蓋体10bを坩堝本体10aに取り付ける。1.1.3成長工程S12成長工程S12は、炭化珪素単結晶を成長させる工程である。具体的には、成長工程S12は、坩堝10に配置された炭化珪素原料20を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料20を再結晶させる工程である。坩堝蓋体10bを坩堝本体10aに取り付けた後、導入口65a及び排出口65bを除いて単結晶製造装置1から気体が流出流入しないように密封する。次に、導入口65aから石英管50の内部へ水素ガス水素分子を導入する。これによって、坩堝10に水素を導入する。加熱コイル70により坩堝10を加熱することによって、炭化珪素原料20を加熱する。昇華温度以上に加熱された炭化珪素原料20は、種結晶30上に再結晶する。このため、炭化珪素原料20の位置の温度に比べて、種結晶30の位置の温度がやや低温となるように加熱することが好ましい。一般的に加熱温度は、2000°Cから2500°Cである。水素は、単結晶の成長により形成された点欠陥の結合端と結合する。すなわち、点欠陥の結合端は、水素によって終端化される。これによって、深い準位の点欠陥が不活性化される。単結晶の成長によって点欠陥は形成されるため、水素ガスは、単結晶が成長している間、導入されることが好ましい。従って、昇温開始から降温終了まで水素ガスを導入することが好ましい。水素分子よりも水素原子の方が、結合端と結合しやすいため、水素原子を導入した方が効率よく終端化することができる。水素は、結合端と結合により終端するだけでなく、結合が切れて脱終端化も生じる。従って、点欠陥において、終端と脱終端とが繰り返されるが、水素密度が1×1013/cm3~5×1016/cm3の範囲で、水素が単結晶内に残っていれば、照射された励起光が有するエネルギーが深い準位の点欠陥に吸収されることを十分に抑制できる。このため、坩堝10の内部において、水素の密度が、5×1016/cm3以上になるように、水素を導入することが好ましい。なお、水素の密度について、水素に水素原子が含まれる場合には、2個の前記水素原子を1個の水素分子に換算した場合の水素の密度である。1.2検査工程S2検査工程S2は、フォトルミネッセンス法を用いて、単結晶の積層欠陥を検査する工程である。製造工程S1において、製造された単結晶をスライスして、単結晶基板を準備する。単結晶基板に所定のエネルギーを有する励起光を照射する。照射した励起光は、炭化珪素単結晶に存在する正孔及び電子を励起する。励起された正孔及び電子は、再結合するときに光を放出する。この放出光を測定することにより、種々の積層欠陥の有無を判別する。2作用効果本実施形態における積層欠陥の検査方法によれば、成長工程S12では、坩堝10に水素を導入する。導入された水素は、炭化ケイ素単結晶に存在する深い準位の点欠陥の結合端と結合する。すなわち、水素は、深い準位の点欠陥を不活性化する。これによって、照射された励起光が有するエネルギーが深い準位の点欠陥に吸収されることを抑制できるため、従来では測定できなかった積層欠陥から放出される光が測定可能となる。このため、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる。フォトルミネッセンス法自体は、既存の方法であるため、従来から用いられている装置を用いて検査できる。本実施形態における積層欠陥の検査方法によれば、水素には、水素原子が含まれても良い。水素原子よりも水素原子の方が、結合端と結合しやすいため、水素原子を導入した方が効率よく終端化することができる。このため、坩堝10に水素原子のみを導入することがより好ましい。これによって、より正確に炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査できる。本実施形態における積層欠陥の検査方法によれば、坩堝10の内部において、水素の密度が、5×1016/cm3以上になるように、水素を導入しても良い。これによって、照射された励起光が有するエネルギーが、深い準位の点欠陥に吸収されることを十分に抑制できる。これによって、より正確に炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査できる。3比較評価本発明の効果を確かめるため、以下の評価を行った。なお、本発明は、以下の実施例に限定されない。3.1実施例実施例では、以下のようにして、炭化珪素単結晶を作成した。炭化珪素原料と種結晶とが配置された単結晶製造装置に、純化アルゴンガスと水素分子及び水素原子を含む水素ガスとを導入した。これによって、単結晶製造装置の内部を1~10torr程度の圧力になるように調整した。なお、水素ガスは、降温するまで導入し続けた。導入口は、水素反応室とつながっている。水素反応室には、タングステンフィラメントが設けられている。タングステンフィラメントから放出される熱電子によって、水素反応室を通った水素分子は、水素原子へと分解される。水素ガスを導入しながら、加熱コイルにより、炭化珪素原料を加熱し、再結晶させた。これにより、4H-SiCの構造を有する炭化珪素単結晶が得られた。得られた単結晶をスライスして、単結晶基板を作成した。実施例に係る単結晶基板上に、325nmの波長を有する励起光を照射して、放出光の波長を測定した。単結晶基板面の一部において、420nm及び500nmの波長を有する放出光が測定された。420nmの波長を有する放出光は、4H-SiCにおいて、シングル積層欠陥singlestackingfaultから放出した光に該当する。500nmの波長を有する放出光は、4H-SiCにおいて、ダブル積層欠陥doublestackingfaultから放出した光に該当する。3.2比較例比較例では、水素を導入すること以外は、実施例と同様の方法によって、4H-SiCの構造を有する炭化珪素単結晶を得た。すなわち、単結晶製造装置に、純化アルゴンガスのみを導入した。これによって、単結晶製造装置の内部を1~10torr程度の圧力になるように調整した。単結晶成長中においても、水素を導入しなかった。得られた単結晶をスライスして、単結晶基板を作成した。比較例に係る単結晶基板上に、実施例と同様に、325nmの波長を有する励起光を照射して、放出光の波長を測定した。420nm及び500nmの波長を有する放出光の強度は弱く、十分に測定できなかった。3.3結果実施例に係る単結晶基板では、単結晶基板面の一部において、420nm及び500nmの波長を有する放出光が測定されたのに対し、比較例に係る単結晶基板では、420nm及び500nmの波長を有する放出光を十分に測定できなかった。この結果から、水素を導入しながら。炭化珪素単結晶を成長させることにより、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できることが分かった。水素を導入しながら。炭化珪素単結晶を成長させることにより、深い準位の点欠陥を不活性化したことによるものと考えられる。4その他実施形態本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。上述した実施形態では、放出光の波長に基づいて、種々の積層欠陥の有無を判別していたが、放出光の振動数等に基づいて、種々の積層欠陥の有無を判別しても良い。従来から知られたフォトルミネッセンス法を用いて、積層欠陥を検査することができる。このように、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。