集束イオンビーム鏡筒から照射する集束イオンビームにより試料を加工し、薄膜試料を作製する薄膜試料作製装置において、前記薄膜試料を載置する試料台と、前記薄膜試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、前記電子ビームの照射により前記薄膜試料から放出される荷電粒子を検出する荷電粒子検出器と、前記荷電粒子検出器の検出信号から形成される前記薄膜試料の観察像を表示する表示部と、前記観察像において、前記薄膜試料の上部側に第一の測定領域と、底部側に第二の測定領域とを設定する入力部と、前記電子ビームを照射することにより前記第一の測定領域と前記第二の測定領域から発生した前記荷電粒子の検出量と、前記第一の測定領域と前記第二の測定領域との距離から前記薄膜試料の傾斜角度を計算する傾斜角度計算部と、からなる薄膜試料作製装置。前記入力部は、前記薄膜試料周辺で前記電子ビームが透過しない厚さを有する前記試料の一部に参照領域を設定可能であり、前記傾斜角度計算部は、前記第一の測定領域と前記第二の測定領域から発生した前記荷電粒子の検出量を前記参照領域から発生した前記荷電粒子の検出量で規格化する請求項1に記載の薄膜試料作製装置。前記荷電粒子検出器は反射電子検出器または二次電子検出器である請求項1または2に記載の薄膜試料作製装置。集束イオンビームにより試料を加工し、薄膜試料を作製する薄膜試料作製方法において、前記薄膜試料に電子ビームを照射し、観察像を形成する工程と、前記観察像において、前記薄膜試料の上部側に第一の測定領域を、底部側に第二の測定領域を設定する工程と、前記第一の測定領域と前記第二の測定領域とに前記電子ビームを照射し、発生する荷電粒子を検出する工程と、前記第一の測定領域で検出した前記荷電粒子の検出量と、前記第二の測定領域で検出した前記荷電粒子の検出量と、前記第一の測定領域と前記第二の測定領域との距離から前記薄膜試料の傾斜角度を計算する工程と、前記集束イオンビームに対し、前記薄膜試料を前記傾斜角度だけ傾斜させる工程と、前記薄膜試料に前記集束イオンビームを照射し、仕上げ加工を行う工程と、からなる薄膜試料作製方法。前記薄膜試料周辺で前記電子ビームが透過しない厚さを有する前記試料の一部に参照領域を設定し、前記参照領域に前記電子ビームを照射し、発生する荷電粒子を検出する工程と、を有し、前記傾斜角度は、前記第一の測定領域と第二の測定領域から発生した前記荷電粒子の検出量を前記参照領域から発生した前記荷電粒子の検出量で規格化することにより計算する請求項4に記載の薄膜試料作製方法。前記荷電粒子は、反射電子または二次電子である請求項4または5に記載の薄膜試料作製方法。前記薄膜試料は、TEM観察用試料である請求項4から6のいずれか一つに記載の薄膜作製方法。しかしながら、近年の半導体デバイスの高密度化や寸法の縮小により、TEM観察の対象である欠陥のサイズも微小になっている。微小な欠陥を正確にTEM観察するためには、薄膜試料の厚さが極めて薄いことが要求される。従来技術による薄膜試料作製では、集束イオンビーム鏡筒と共に電子ビーム鏡筒を備えた装置において、薄膜試料の表裏の両面をSEM観察することで加工形状を確認している。ところが、単にSEM像を取得し、SEM像内のコントラストから厚みムラを確認する従来方法では、膜厚が極めて薄い場合においてはコントラストの差が小さいため厚みムラを確認することは困難であった。また仮に、SEM観察により膜厚のムラを確認できたとしても、均一な膜厚にする加工に必要な試料台の傾斜角度は不明であり、オペレータが傾斜角度を調整して加工をしていた。そのため、オペレータの技量に依存してしまい、一定の品質を確保することが困難であった。この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、膜厚が均一な薄膜試料をオペレータの技量に依存することなく作製可能な薄膜試料作製装置及び方法を提供することである。上記の目的を達成するために、この発明は以下の手段を提供している。1本発明に係る薄膜試料作製装置は、集束イオンビーム鏡筒から照射する集束イオンビームにより試料を加工し、薄膜試料を作製する装置であって、薄膜試料を載置する試料台と、薄膜試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、電子ビームの照射により薄膜試料から放出される荷電粒子を検出する荷電粒子検出器と、荷電粒子検出器の検出信号から形成される薄膜試料の観察像を表示する表示部と、を有する。さらに、本発明に係る薄膜試料作製装置は、観察像において薄膜試料の上部側に第一の測定領域と底部側に第二の測定領域とを設定する入力部と、電子ビームを照射することにより第一の測定領域と第二の測定領域から発生した荷電粒子の検出量と、第一の測定領域と第二の測定領域との距離から薄膜試料の傾斜角度を計算する傾斜角度計算部と、を有する。これにより薄膜試料の傾斜角度を精度良く算出することができる。よって、イオンビームに対し、試料台を算出した傾斜角度だけ傾斜させ、イオンビームで薄片試料を加工することで、膜厚が均一な薄片試料を作製することができる。さらに、入力部は、薄膜試料周辺で電子ビームが透過しない厚さを有する試料の一部に参照領域を設定可能であり、傾斜角度計算部は、第一の測定領域と第二の測定領域から発生した荷電粒子の検出量を参照領域から発生した荷電粒子の検出量で規格化することができる。これにより、測定領域に照射する電子ビームの電流量にばらつきがあったとしても、その影響を受けることなく安定して第一の測定領域と第二の測定領域の膜厚を推定することができる。従って、第一の測定領域と第二の測定領域の推定した膜厚と、第一の測定領域と第二の測定領域との距離から、より正確に薄膜試料の傾斜角度を算出することができる。2本発明に係る薄膜試料作製方法は、集束イオンビームにより試料を加工し、薄膜試料を作製する薄膜試料作製方法であって、薄膜試料に電子ビームを照射し、観察像を形成する工程と、観察像において、薄膜試料の上部側に第一の測定領域を、底部側に第二の測定領域を設定する工程と、第一の測定領域と第二の測定領域とに電子ビームを照射し、発生する荷電粒子を検出する工程と、第一の測定領域で検出した荷電粒子の検出量と、第二の測定領域で検出した荷電粒子の検出量と、第一の測定領域と第二の測定領域との距離から薄膜試料の傾斜角度を算出する工程と、集束イオンビームに対し、薄膜試料を算出した傾斜角度だけ傾斜させる工程と、薄膜試料に集束イオンビームを照射し、仕上げ加工を行う工程と、からなる。本発明によれば、特に薄片試料の傾斜角度が小さく、試料の表面に対し垂直方向から、すなわち、薄膜試料の観察面内方向からビームを照射し、取得した観察像から傾斜角度を測定することが困難な場合においても、傾斜角度を推定することができるという作用効果を発揮する。本発明に係る薄膜試料作製装置及び方法によれば、膜厚が均一な薄膜試料をオペレータの技量に依存することなく作製することができる。以下、本発明に係る薄膜試料作製装置及び方法の実施形態について説明する。本実施形態の薄膜試料作製装置は、図1に示すように、EB鏡筒1と、FIB鏡筒2と、試料室3を備えている。試料室3内に収容された試料7にEB鏡筒1から電子ビーム8を、FIB鏡筒2からイオンビーム9を照射することができる。薄膜試料作製装置はさらに、荷電粒子検出器として二次電子検出器4と反射電子検出器5を備えている。二次電子検出器4は、電子ビーム8又はイオンビーム9の照射により試料7から発生した二次電子を検出することができる。反射電子検出器5はEB鏡筒1内部に備えられている。反射電子検出器5は、電子ビーム8を試料7に照射した結果、試料7により反射された反射電子を検出することができる。薄膜試料作製装置はさらに、試料7を載置する試料台6を備える。試料台6を傾斜させることにより試料7へのイオンビーム9の入射角度を変更することができる。試料台6は試料台制御部16により制御される。薄膜試料作製装置は、さらに、EB制御部12と、FIB制御部13と、像形成部14と、表示部17を備える。EB制御部12はEB鏡筒1からの電子ビーム8の照射を制御する。FIB制御部13はFIB鏡筒2からのイオンビーム9の照射を制御する。像形成部14は、EB制御部12の電子ビーム8を走査させる信号と、反射電子検出器5で検出した反射電子の信号とから反射電子像を形成する。表示部17は反射電子像を表示することができる。また、像形成部14は、EB制御部12の電子ビーム8を走査させる信号と、二次電子検出器4で検出した二次電子の信号とからSEM像を形成する。表示部17はSEM像を表示することができる。また、像形成部14は、FIB制御部13のイオンビーム9を走査させる信号と、二次電子検出器4で検出した二次電子の信号とからSIM像を形成する。表示部17はSIM像を表示することができる。薄膜試料作製装置は、さらに、入力部10と、制御部11を備える。オペレータは装置制御に関する条件を入力部10に入力する。入力部10は、入力された情報を制御部11に送信する。制御部11は、EB制御部12、FIB制御部13、像形成部14、試料台制御部16または表示部17に制御信号を送信し、装置を制御する。装置の制御について、例えば、オペレータは表示部17に表示された反射電子像、SEM像やSIM像などの観察像に基づいて、イオンビーム9の照射領域を設定する。オペレータは表示部17に表示された観察像上に照射領域を設定する加工枠を入力部10により入力する。さらに、オペレータは加工開始の指示を入力部10に入力すると、制御部11からFIB制御部13に照射領域と加工開始の信号が送信され、FIB制御部13からイオンビーム9が試料7の指定された照射領域に照射される。これによりオペレータが入力した照射領域にイオンビーム9を照射することができる。本実施形態の薄膜試料作製装置は、図2aに示すように試料7の一部をイオンビーム9で加工することで、薄膜試料21を作製することができる。図2bは薄膜試料周辺の拡大図である。イオンビーム9を試料7に照射し、薄膜試料21を残すように加工溝22を形成する。この段階においては、薄膜試料21の膜厚は電子ビーム8を透過させない程度の膜厚である。さらに、図2cに示すように、薄片試料21をイオンビーム9で薄膜化加工をすることで、薄膜試料21の膜厚を電子ビーム8が透過できる程度の膜厚にすることができる。ここで、薄片化加工を実施していない部分23は、電子ビーム8が透過できない程度の膜厚を有する。すなわち、試料7の一部に電子ビーム8が透過できる程度の膜厚を有する薄片試料21と電子ビーム8が透過できない程度の膜厚を有する部分を形成することができる。ところで、イオンビーム9により薄片化加工を施し形成された薄片試料21は、図3aに示すように、薄片試料21のFIB鏡筒2側である上部側薄片試料21の端部側の膜厚21bは小さく、試料台6側である底部側薄片試料21の基部側の膜厚21cは大きくなる。これは、イオンビーム9の電流密度がガウシアン分布を有するため、イオンビーム9により加工された薄片試料21がその影響を受け、テーパー形状になるためである。高分解能TEM観察を行うためには観察対象である薄片試料21の膜厚は一定であることが望ましい。そこで、テーパー形状にならないように試料台6をイオンビーム9に対して傾斜させ加工する。しかし、試料台6を傾斜させる傾斜角度が大きいと、図3bに示すように薄片試料31のように上部側の膜厚31bが大きく、底部側の膜厚21cが小さい逆テーパー形状になってしまうことがある。特に高分解能TEM観察を行うために膜厚が100nm以下の薄片試料を作製する場合では、テーパー形状を小さくするために、イオンビームの電流密度分布の拡がりが小さくなるように電流量の小さいイオンビームを用いて、仕上げ加工を施す。この場合、テーパー形状の傾斜角度、すなわち、薄片試料21の傾斜角度は1度以下となり、非常に小さいため、傾斜角度を認識することが困難である。そのため、イオンビームの照射角度を調整するために試料台6を傾斜させる作業はオペレータの技量に依存するものであった。しかしながら、本実施形態の薄膜試料作製装置は、試料台6の最適な傾斜角度を計算する計算部15を備えているので、傾斜角度が1度以下の場合であっても試料台6を最適な傾斜角度になるように傾斜させ、一定の膜厚を有する薄片試料21を作製することができる。図4は、本実施形態の薄膜試料作製方法のフローチャートである。まず、薄片化加工により形成された薄膜試料21に電子ビーム8を照射し、薄膜試料21の測定領域から発生する反射電子を検出するS1。次に、検出した情報を用いて試料台6の傾斜角度を計算するS2。そして、計算した傾斜角度になるように試料台6を傾斜させるS3。最後に、イオンビーム9を薄片試料21に照射し、仕上げ加工を行うS4。これにより均一な膜厚を有する薄片試料21を作製することができる。本実施形態の薄膜試料作製装置において、反射電子の検出は次のように実施する。図5aに示すように、試料7の一部に電子ビーム8が透過できる程度の膜厚を有する薄片試料21と電子ビーム8が透過できない程度の膜厚を有する部分を形成する。このとき、イオンビーム9が試料7表面に対し垂直に入射するように試料台6を配置している。また、電子ビーム8を薄膜試料21の観察面21aに走査照射できる方向に試料7を配置する。図5bは観察面21aに電子ビーム8を走査照射し取得したSEM像である。オペレータはSEM像に基づき、観察面21aの上部側と底部側にそれぞれ測定領域41、42を設定する。また、薄片化加工を実施していない部分23に参照領域43を設定する。そして、測定領域41、42および参照領域43に電子ビーム8を照射し、反射電子を検出する。図6は膜厚と反射電子量との関係を説明する図である。図6は横軸61に膜厚を、縦軸62に測定領域で測定する反射電子量を示している。膜厚が大きい場合、膜厚が変化しても反射電子量63はほとんど変化しない。しかし、膜厚が小さい場合、膜厚が小さくなることに伴って、反射電子量64も小さくなる。膜厚が小さくなると、測定領域に照射した電子ビーム8が薄膜試料21を透過する電子量が増加し、反射電子量が減少するためである。本実施形態の薄膜試料作製装置は、測定領域41、42に電子ビーム8を照射し、それぞれの領域から発生する反射電子量を測定する。さらに、測定領域41、42の反射電子量を参照領域43で検出する反射電子量で規格化することがより望ましい。なぜならば、反射電子量は照射する電子ビーム8の照射量に依存し、電子ビーム8の電流量は測定回毎にばらつきが生ずる場合がある。そのため、正確に測定するためには、測定領域41、42と参照領域43に電子ビーム8を照射し、測定領域41、42の反射電子量を、電子ビーム8を透過しない程度の膜厚を有する参照領域43の反射電子量で除した数値として定めることで電子ビーム8の照射量のばらつきの影響を差し引いて反射電子量を測定することができる。ここで、予め膜厚が明らかな試料を用いて、反射電子量と膜厚の関係の予備データを取得し、測定領域41、42の反射電子量と比較することで、測定領域41、42の膜厚を推定することができる。図7は薄膜試料21の断面図である。測定領域41の膜厚71と測定領域42の膜厚72が同じ場合は、測定領域41、42の反射電子量は同じ量になる。図7の薄膜試料21のようにテーパー形状である場合は、測定領域41の反射電子量は、測定領域42の反射電子量よりも小さくなる。この差分と、測定領域41と測定領域42との距離73から薄膜試料21の傾斜角度であるテーパー角度を算出することができる。すなわち、図8aに示すように、距離73と膜厚71と膜厚72との差分81とテーパー部分の線分82とテーパー角度θとの関係は、tanθ=膜厚71と膜厚72との差分81/距離73となる。ここで、測定領域41と測定領域42との距離73は、測定領域41の中心位置と測定領域42の中心位置との間の距離である。例えば、膜厚71が100nm、膜厚72が150nm、距離73が3μmである場合、θは上記の関係式より0.47度となる。そして、図8bに示すように、試料台6をイオンビーム6に対しθ度傾斜させることにより、薄膜試料21の一方の面をイオンビーム9に対し平行にすることができる。この状態で他方の面をイオンビーム9で加工することにより、一定の膜厚を有する薄膜試料21を作製することができる。上記実施形態では、反射電子を用いる例を挙げて説明したが、反射電子の変わりに測定領域41、42及び参照領域23から発生する二次電子を用いても良い。