"基板上に多層膜を成長させる製造装置であって、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第1のスパッタリング成膜チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第2のスパッタリング成膜チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第3のスパッタリング成膜チャンバーと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第4のスパッタリング成膜チャンバーと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第5のスパッタリング成膜チャンバーと、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーとを備え、前記第1のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第2のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第3のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第4のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第5のスパッタリング成膜チャンバーと、前記プロセスチャンバーとは、それぞれが前記搬送チャンバーと基板の受け渡しができるように、前記搬送チャンバーの周囲に配置されていることを特徴とする製造装置。前記多層膜は、膜厚が10nm以上の金属膜を含む第1の膜と、膜厚が10nm以上の金属膜を含む第2の膜と、酸化物膜、窒化物膜、および半導体膜のうち少なくとも1層を含む第3の膜とを有する多層膜であり、前記第1のスパッタリング成膜チャンバーは前記第1の膜を成膜するものであり、前記第2のスパッタリング成膜チャンバーは前記第2の膜を成膜するものであり、前記第3のスパッタリング成膜チャンバーは前記第3の膜を成膜するものであることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。前記搬送チャンバーは前記第1~第5の成膜チャンバーとの間で基板を搬送するための基板搬送ロボットを備えていることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。前記搬送チャンバーは真空に維持されていることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。前記プロセスチャンバーは、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、ガスクラスタービームによって基板もしくは基板上に形成された薄膜を除去するためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。前記プロセスチャンバーは、化学的気相成長法によって基板もしくは基板上に形成された薄膜上に薄膜を形成するためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。前記プロセスチャンバーは、ガス、中性活性種、イオンまたはそれらの混合雰囲気の中で基板もしくは基板上に形成された薄膜を化学反応させるためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。前記プロセスチャンバーは、基板を加熱、または冷却、または加熱と冷却を行うためのプロセスチャンバーであることを特徴とする請求項1に記載の製造装置。このような目的を達成するために、本発明の一態様は、基板上に多層膜を成長させる製造装置であって、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第1のスパッタリング成膜チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第2のスパッタリング成膜チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第3のスパッタリング成膜チャンバーと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第4のスパッタリング成膜チャンバーと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第5のスパッタリング成膜チャンバーと、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーとを備え、前記第1のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第2のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第3のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第4のスパッタリング成膜チャンバーと、前記第5のスパッタリング成膜チャンバーと、前記プロセスチャンバーとは、それぞれが前記搬送チャンバーと基板の受け渡しができるように、前記搬送チャンバーの周囲に配置されていることを特徴とする。本発明によれば、1つのスパッタリングカソードを備えた第1のスパッタリング成膜チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第2のスパッタリング成膜チャンバーと、1つのスパッタリングカソードを備えた第3のスパッタリング成膜チャンバーと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第4のスパッタリング成膜チャンバーと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第5のスパッタリング成膜チャンバーと、スパッタ以外のプロセスを行うプロセスチャンバーとが搬送チャンバーの周囲に配置されている。従って、1つの多層薄膜の中において同一膜種が複数層ある場合であっても、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現でき、スループットを向上することが可能となる。本発明の実施の形態に係わる多層膜の製造装置について図面を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る多層薄膜の製造装置の第1の例を示す構成図である。図1の製造装置は、多層薄膜の成膜において、低コストを維持しながらスループットを向上し、さらに層間の相互汚染を防止ないしは低減することによってデバイス特性の低下を抑制するのに適したものである。本発明の製造装置の特徴点は、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーの周囲に、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーエッチングチャンバー14と、1つのスパッタリングカソードを備えた第1のスパッタリング成膜チャンバースパッタリング成膜チャンバー13Aと、1つのスパッタリングカソードを備えた第2のスパッタリング成膜チャンバースパッタリング成膜チャンバー13Cと、1つのスパッタリングカソードを備えた第3のスパッタリング成膜チャンバースパッタリング成膜チャンバー13Eと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第4のスパッタリング成膜チャンバースパッタリング成膜チャンバー13Bと、2つ以上のスパッタリングカソードを備えた第5のスパッタリング成膜チャンバースパッタリング成膜チャンバー13Dとを配置したことである。なお、図1では、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーの周囲に、1つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが3つ、2つ以上のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが2つ、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーが1つ、それぞれ設けられている。後述するように、スループットの向上の観点からは、1つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーは3つ以上必要である。図1では、基板搬送機構11として2つの基板搬送ロボット11A、11Bを備えた搬送チャンバー12に、13A~13Eまでの5つのスパッタリング成膜チャンバーと、基板25表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去するためのエッチングチャンバー14、および2つのロードロック室15A、15Bを接続している。スパッタリング成膜チャンバー13A~13Eのうち、13Aと13Cと13Eは1つのスパッタリングカソード31を備え、13Bと13Dは5つのスパッタリングカソード31を備えている。尚、図1記載の基板搬送機構11としての基板搬送ロボットは1つでもよい。上記に挙げた全てのチャンバーとロードロック室15A、15Bは、各々チャンバー内を真空に排気するための真空ポンプを有していることが好ましく、ロードロック室15A、15B以外のチャンバーは常時真空に維持されている。なお、後述する全ての実施例において、全てのチャンバーとロードロック室が真空ポンプを有していることを前提としている。ロードロック室15A、15Bは、プロセス前に基板25を大気から入れる場合と、プロセス後に基板25を大気に出す場合とは、大気圧と同等の圧力に維持される。一方、ロードロック室15A、15Bに配置した基板25を真空に排気された搬送チャンバー12内に搬入する場合と、プロセス後に搬送チャンバー12から基板25を回収する場合は真空に排気されている。ロードロック室15A、15Bは必ずしも2つある必要は無く1つでも良い。スパッタリング成膜チャンバー13Aとスパッタリング成膜チャンバー13Bとスパッタリング成膜チャンバー13Cとスパッタリング成膜チャンバー13Dとスパッタリング成膜チャンバー13Eとプロセスチャンバー14とロードロック室15A、15Bのそれぞれの室の間にはゲートバルブ16が設けられている。各ゲートバルブ16は基板25を搬送する場合以外は閉じられている。基板搬送ロボット11はロードロック室15A、15Bから基板25を取り出し、コンピュータプログラムからの命令によって所望のチャンバーに基板25を搬入するように構成されている。複数のスパッタリングカソード31を備えたスパッタリング成膜チャンバー13B、スパッタリング成膜チャンバー13Dは、図2に示すようにスパッタリング成膜チャンバー13B、13Dの上部に複数のスパッタリングカソード31を配置している。スパッタリング成膜チャンバー13B、13D内部の下方にはスパッタリング成膜チャンバー13B、13D外部に備えられた動力源不図示によって回転可能な基板ステージ33が設けられている。少なくとも成膜時には基板ステージ33の上に薄膜を堆積させるための基板25を載置する。各スパッタリングカソード31は多層薄膜を形成する各層の膜種に応じた材料のスパッタリングターゲット32を備え、図2ではスパッタリングターゲット32の表面が基板ステージ33の略中心方向を向くように斜めに配置されている。ただし必ずしも斜めに配置する必要はなく、スパッタリングターゲット32の表面が基板25面と略平行になるように配置しても構わない。本成膜チャンバーにおいて薄膜を成膜する場合には、好ましくは基板ステージ33を回転させながら、所望のスパッタリングカソード31にDCもしくはRF電力を投入し、所望の膜厚に達したら電力の供給を切断する。基板25とスパッタリングターゲット32の間にシャッターを配置しておき、電力投入をし続けたままシャッターの開閉によって膜厚を制御しても良い。多層薄膜を成膜する場合は、回転する基板ステージ33上に基板を載置させたまま上記の成膜操作を順次行えば良い。なお、図1においては、スパッタリング成膜チャンバー13Bには4種類のターゲット31が設置され、その材質はPtMn、CoFe、Ru,CoFeBである。また、ゲートバルブ16が、Oリング34を介してスパッタリング成膜チャンバー13Bの側壁に設けられている。また、スパッタリング成膜チャンバー13Dには4種類のターゲット31が設置され、その材質はPtMn、CoFe、Ru,CoFeBである。また、ゲートバルブ16が、Oリング34を介して真空チャンバー13Aの側壁に設けられている。1つのスパッタリングカソード31を備えたスパッタリング成膜チャンバー13A、13C、13Eは、図3に示すように、複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーにおいてスパッタリングカソードを1つにするだけで良く、成膜操作も同様に行えば良い。好ましくは、スパッタリングカソードの大きさを複数のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーに搭載するスパッタリングカソードよりも大きなものを搭載して、高い成膜レートが得られるようにする。または、図4に示すようにスパッタリングターゲットの表面が基板面と略平行になるようにスパッタリングカソードを搭載しても良い。この場合は特に基板ステージを回転する必要はない。なお、図1において、スパッタリング成膜チャンバー13Aには1種類のターゲット32が設置され、その材質は、酸化物膜又は窒化物膜又は半導体膜を形成可能な材質である。また、スパッタリング成膜チャンバー13Cには1種類のターゲット32が設置され、その材質は、膜厚が10nm以上の金属膜を形成可能な材質である。また、スパッタリング成膜チャンバー13Eには1種類のターゲット32が設置され、その材質は、膜厚が10nm以上の金属膜を形成可能な材質である。なお、図1において、スパッタリング成膜チャンバー13Aに、膜厚が10nm以上の金属膜を形成可能な材質で形成されたターゲットを設置し、スパッタリング成膜チャンバー13C、スパッタリング成膜チャンバー13Eのいずれかに酸化物膜又は窒化物膜又は半導体膜を形成可能な材質で形成されたターゲットを設置してもよい。すなわち、1つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバー13A,13C、13Eの少なくとも1つにおいて、他の膜に対して膜厚が厚い例えば、10nm以上膜を成膜すれば良い。スパッタリング成膜以外のプロセスを行うプロセスチャンバー14は、搬送チャンバー12に接続されている。該プロセスチャンバー14としては、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、ガスクラスタービームによって基板もしくは基板上に形成された薄膜を除去するためのプロセスチャンバーを採用することができる。他には例えば、プロセスチャンバー14として、化学的気相成長法によって基板もしくは基板上に形成された薄膜上に薄膜を形成するためのプロセスチャンバー、ガス、中性活性種、イオンまたはそれらの混合雰囲気の中で基板もしくは基板上に形成された薄膜を化学反応させるためのプロセスチャンバー、基板を加熱、または冷却、または加熱と冷却を行うためのプロセスチャンバーを採用しても良い。プロセスチャンバー14の内部構造が図7に示される。プロセスチャンバー14は真空槽21を備えており、この真空槽21内には上部電極22と下部電極23が設けられている。上部電極22は接地され、下部電極23はマッチングボックス24を介してRF電源高周波電源60に接続されている。下部電極23の上に基板25が搭載される。プラズマ生成条件が成立した状態で、上部電極22と下部電極23の間でプラズマ26が生成される。上記プロセスチャンバー14の処理動作の代表的な例としては、真空槽21の内部に0.075PaのArガスを導入し、下部電極23に15W単位面積当たり0.029W/cm2のRF電力を投入してプラズマ26を発生させ、さらに基板バイアス電圧Vdcが0Vよりも小さくかつ-300V以上の範囲に含まれる電圧となる条件でプラズマ処理を行うことが挙げられる。基板バイアス電圧の上限値は-2~-3Vが好ましく、最も好ましい電圧は-15Vから基板バイアス電圧の上限値までの範囲に含まれる電圧である。この電圧はプラズマを発生させることが可能な電圧である。真空槽21に導入されるプロセスガスとしてはArの代わりにKr,Xe,Ne等の不活性ガスあるいはこれに類似するガスを用いることもできる。プロセスチャンバー14におけるプロセスガスの圧力としては、0.01~100Paの範囲の低い圧力に設定される。次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。第1の実施例図5は本発明の一実施形態に係る製造装置を用いて作製したトンネル磁気抵抗素子磁気抵抗多層膜の膜構成図である。基板25上に、Ta層41、PtMn層42、CoFe層43、Ru層44、CoFeB層45、MgO層46、CoFeB層47、Ta層48層、Ru層49、およびTa層50を有する積層体が形成されている。すなわち、基板25上に、下地層として膜厚20nmのTa層41を形成し、次いで反強磁性材料であるPtMn層42を膜厚15nmで形成し、次いで強磁性体であるCoFe層43を膜厚2.5nmで形成し、非磁性体のRu層44を膜厚0.9nmで形成し、強磁性体であるCoFeB層45を膜厚3nmで形成し、酸化物であるMgO層46を膜厚1.2nmを形成する。次いで、再び強磁性体であるCoFeB層47を膜厚3nmで形成し、その上に膜厚1.5nmの極薄いTa層48を成膜した後に、膜厚10nmのRu層49と膜厚50nmのTa層50を形成する。最下部Ta膜41と最上部Ta膜50の膜厚が際立って厚く、次いでPtMn層42と上方のRu層49の膜厚が厚い。一方、CoFe層43から真中のTa層47までは1層当たりの膜厚が3nm以下の薄い層が積層されている。またMgO層46のみ酸化物である。図5において、Ta層41が下地層、PtMn層42が反強磁性層、強磁性体CoFe層43と非磁性体Ru層44と強磁性体CoFeB層45との積層が磁化固定層、MgO層46が非磁性絶縁層、CoFeB層47が磁化自由層、Ta層48とRu層49とTa層50との積層が保護層として機能する。図1は、このような多層薄膜の成膜において、低コストを維持しながらスループットを向上し、さらに層間の相互汚染を防止ないしは低減することによってデバイス特性の低下を抑制するのに適した製造装置である。上記の通り、図1では、基板搬送機構を備えた搬送チャンバーの周囲に、1つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが3つ、2つ以上のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーが2つ、スパッタリング以外のプロセスを行うためのプロセスチャンバーが1つ、それぞれ設けられている。後述するように、スループットの向上の観点からは、1つのスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーは少なくとも3つ、2つ以上のスパッタリングカソードを備えたスパッタリング成膜チャンバーは少なくとも2つ必要である。図1の装置を使用して、図5記載のトンネル磁気抵抗素子磁気抵抗多層膜を製造する場合には、スパッタリング成膜チャンバー13Aと13Eには共にTaターゲット32を取り付け、それぞれ図5に示す最下層のTa膜41および最上層のTa膜47を成膜するために用いる。スパッタリング成膜チャンバー13BにはPtMn、CoFe、Ru、CoFeBの4つのスパッタリングターゲット32を取り付け、残りの1つのスパッタリングカソード31は予備として空けている。スパッタリング成膜チャンバー13CにはMgOの焼結ターゲット32を取り付けている。スパッタリング成膜チャンバー13DにはCoFeB、Ta,Ruの3つのターゲット32を取り付け、残りの2つのスパッタリングカソード31は予備として空けている。1つの多層薄膜の中において同一膜種が複数層あっても層ごとにスパッタリングターゲット32を配置しているのは、一連の成膜Processにおいて基板25が同じプロセスチャンバーに2度搬送されることの無い、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現するようにしているためである。すなわち、同種の層を膜厚を変えて複数形成する場合、薄い方を少なくとも3つの、1つのスパッタリングカソードを備えるスパッタリング成膜チャンバーの1つで形成し、厚い方を該3つのスパッタリング成膜チャンバーの他の成膜チャンバーで形成する。従って、同一のスパッタリング成膜チャンバーに2度搬送すること無く、同種であるが異なる膜厚の層を形成することができる。このようなシーケンシャルな基板25搬送が実現すると、複数の基板25の連続処理する場合のプロセスタイム横棒グラフにおいて各基板25のプロセス時間棒をオーバーラップさせることができるため、スループットが大幅に向上する。スパッタリング成膜チャンバー13Aからスパッタリング成膜チャンバー13Eとエッチングチャンバー14とロードロック室15A、15Bのそれぞれの室の間にはゲートバルブ16が設けられている。なお、符号35は2つの基板搬送ロボット11A、11Bで基板25を受け渡す際に、基板25を一時的に載置する載置台であり、基板25の位置合わせ及び基板25のノッチ合わせ機構を別途備えてもよい。以下の表1は、図1の装置構成におけるプロセスタイムテーブルを示す。表1のプロセスタイムテーブルに沿って、図5記載のトンネル磁気抵抗素子の成膜手順について説明する。未処理基板25をロードロック室15Aから基板搬送ロボット11Aを用いて表1のProcess1、エッチングチャンバー14に搬入し、エッチングチャンバー14において、基板25表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去表1のProcess2する。次に、基板25を基板搬送ロボット11Aにより、搬送チャンバー12内の載置台35に載置する表1のProcess3。次に、基板搬送ロボット11Bにより、基板25をスパッタリング成膜チャンバー13Aに搬入し、基板25上に下地層として膜厚20nmのTa層を成膜する表1のProcess4。次に、Ta層が成膜された基板25を基板搬送ロボット11Bにより、スパッタリング成膜チャンバー13Bに搬入し表1のProcess5、基板25上に、反強磁性材料であるPtMn層42を15nm、次いで強磁性体であるCoFe層43を2.5nm、非磁性体のRu層44を0.9nm、強磁性体であるCoFeB層45を3nm成膜する表1のProcess6。次に、基板25を、基板搬送ロボット11Bにより、スパッタリング成膜チャンバー13Cに搬入し表1のProcess7、酸化物であるMgO層46を1.2nm成膜する表1のProcess8。次に、基板25を、基板搬送ロボット11Bにより、スパッタリング成膜チャンバー13Dに搬入し表1のProcess9、基板25に、再び強磁性体であるCoFeB層47を3nm、その上に1.5nmの極薄いTa層48を成膜した後に、10nmのRu層49と50nmのTa層50を成膜する表1のProcess10。次に、基板25を、基板搬送ロボット11Bにより、スパッタリング成膜チャンバー13Eに搬入し表1のProcess11、50nmのTa層50を成膜する表1のProcess12。次に、基板25を基板搬送ロボット11Aにより、ロードロック室15Bに搬入する表1のProcess13。表1のプロセスタイムテーブルに示すように、タクトタイムが最も長くなるプロセスチャンバーはスパッタリング成膜チャンバー13Bで180秒である。これによってスループットが律速されるため、導き出されるスループットは20枚/時間となった。なお、本明細書において、タクトタイムTakttimeとは、基板があるチャンバーに搬入されてから処理された後、あるチャンバーから搬出されるまでの時間をいう。また、本明細書において、スループットとは、単位時間内に処理できる基板のワーク数量をいう。上記のとおり、スパッタリング成膜チャンバー13Bおよびスパッタリング成膜チャンバー13Dは予備のスパッタリングカソード31があるため、それぞれのチャンバー13B、13Dのカソード31にPtMnとRuターゲットをそれぞれ取り付けて2つのスパッタリングカソード31を同時に放電させるコスパッタリングco-Sputer法を利用することによって成膜レートが2倍に上がるため、それぞれ表1のProcess6のPtMnと表1のProcess10のRuの成膜時間を1/2に短縮することができる。その場合のプロセスタイムテーブルは上記表2のProcess6及びProcess10のようになり、律速するのは依然としてスパッタリング成膜チャンバー13Bであるものの、スパッタリング成膜チャンバー13Bのタクトタイムは180秒から140秒まで短縮され、スパッタリング成膜チャンバー13Dのタクトタイムは145秒から110秒に短縮される。従って、スループットは25.7枚/時間にまで向上した。比較例として、表3に、特許文献1記載のスパッタリング装置を用いて、図5記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合の、タイムテーブルを示す。上記表3に示すように、スパッタリング成膜チャンバーCのタクトタイムが295秒であり、スループットは、12.2である。なお装置構成図1においてプロセスチャンバーの位置を入れ替えてもシーケンシャルな基板25搬送が実現するようにスパッタリングターゲットを配置しさえすれば表1および表2に示したスループットは維持される。第2の実施例第1の実施例においてMgO成膜用のスパッタリング成膜チャンバーを化学的気相成長法による成膜チャンバーに置き換えても同様の効果が得られる。第3の実施例図6は、図5に示したトンネル磁気抵抗素子を作製するために適用した本発明の別の実施形態に係る製造装置を示す図である。基板搬送機構として3つの基板搬送ロボット11A、11B、11Cを備えた搬送チャンバー12に、符号13A~13Gまでの7つのスパッタリング成膜チャンバーと、基板25表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去するためのエッチングチャンバー14と、2つのロードロック室15A、15Bとを接続している。スパッタリング成膜チャンバー13A~13Gのうち、スパッタリング成膜チャンバー13Cは5つのスパッタリングカソード、スパッタリング成膜チャンバー13Eは2つのスパッタリングカソードを備える。一方、スパッタリング成膜チャンバー13A、13B,13D,13F,13Gは1つのスパッタリングカソードを備えている。2つ以上のカソードを備えた第1のスパッタリング成膜チャンバースパッタリング成膜チャンバー13C、13Eは、上記磁化固定層と上記磁化自由層と上記保護層の一部の層Ta層47を形成する際に使用する。1つのスパッタリングカソードを備えた第2のスパッタリング成膜チャンバースパッタリング成膜チャンバー13A、13B、13D、13F、13Gは、上記下地層と上記反強磁性層と上記非磁性絶縁層と上記保護層の一部以外の層Ta層50を形成する際に使用する。プロセスチャンバーエッチングチャンバー14は、エッチングの際に使用する。なお、第1のスパッタリング成膜チャンバーには、コスパッタリングco-Sputerを行うための、同一の材料からなるターゲットを2つ以上設けてもよい。スパッタリング成膜チャンバー13AにはTaターゲット、スパッタリング成膜チャンバー13BにはPtMnターゲット、スパッタリング成膜チャンバー13CにはCoFe、Ruと、2つのCoFeBターゲット31を取り付け、残りの1つは予備として空けている。2つのCoFeBターゲット31はコスパッタリングのために使用する。スパッタリング成膜チャンバー13DにはMgOターゲット、スパッタリング成膜チャンバー1313Eには、CoFeBターゲットとTaターゲットを取り付け、スパッタリング成膜チャンバー13Fと13GにはそれぞれRuとTaターゲットを1つずつ取り付けている。本実施例におけるプロセスタイムテーブルを表4に示す。上記表4のプロセスタイムテーブルに沿って、図5記載のトンネル磁気抵抗素子の成膜手順について説明する。未処理基板25をロードロック室15Aから基板搬送ロボット11Aを用いて表4のProcess1、エッチングチャンバー14に搬入し、エッチングチャンバー14において、基板25表面の酸化物および汚染物を逆スパッタエッチングにより除去表4のProcess2する。次に、基板25を基板搬送ロボット11Aにより、搬送チャンバー12内の載置台35Aに載置する表4のProcess3。次に、基板搬送ロボット11Bにより、基板25をスパッタリング成膜チャンバー13Aに搬入し、基板25上に下地層として膜厚20nmのTa層41を成膜する表4のProcess4。次に、基板25を基板搬送ロボット11Bにより、搬送チャンバー12内の載置台35Bに載置する表4のProcess5。次に、基板25上に、反強磁性材料として膜厚15nmのPtMn層42をスパッタリング法により成膜する表4のProcess6。次に、前記基板を基板搬送ロボット11Cにより、スパッタリング成膜チャンバー13Cに搬入し表4のProcess7、基板25上に、強磁性体であるCoFeB層45を3nm、酸化物であるMgO層46を1.2nmを成膜し、膜厚3nmお強磁性体であるCoFeB層45をコスパッタリング法により成膜する表4のProcess8。次に、基板25を、基板25を基板搬送ロボット11Cにより、スパッタリング成膜チャンバー13Dに搬入し表4のProcess9、基板25上に、酸化物であるMgO層46を1.2nmをスパッタリング法により成膜する表4のProcess10。次に、基板25を基板搬送ロボット11Cにより、スパッタリング成膜チャンバー13Eに搬入し表4のProcess11、再び強磁性体であるCoFeB層47を3nm、その上に1.5nmの極薄いTa層48を成膜する表4のProcess12。次に、基板25を基板搬送ロボット11Bにより、スパッタリング成膜チャンバー13Fに搬入し表4のProcess13、10nmのRu層49を成膜する表4のProcess14。次に、基板25を基板搬送ロボット11Bにより、スパッタリング成膜チャンバー13Gに搬入し表4のProcess15、50nmのTa層50を成膜する表4のProcess16。次に、基板25を搬送ロボット11Aにより、ロードロック室15Bに願入する表4のProcess17。このように、表5のプロセスタイムテーブルに沿って、図5記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合、各チャンバーにおけるタクトタイムがよりいっそう均一化され、最もタクトタイムが長いスパッタリング成膜チャンバーBのタクトタイムは100秒であった。図6に示した装置構成ではシーケンシャルな基板搬送が実現されるため、導き出されるスループットは36枚/時間にまで向上した。なお装置構成図6においてプロセスチャンバーの位置を入れ替えてもシーケンシャルな基板搬送が実現するようにスパッタリングターゲットを配置しさえすれば表4に示したスループットは維持される。第1の比較例第1の比較例として、表5に、特許文献4記載のスパッタリング装置を用いて、図5記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合のタイムテーブルを示す。そもそも、特許文献4記載のスパッタリング成膜チャンバーは、第1の真空チャンバー110に1つのターゲット材料Taしか設置していない。従って、特許文献4記載のスパッタリング装置のスパッタリング装置を用いて、図5記載のトンネル磁気抵抗素子を形成しようとすると、Ta以外の層は第2の真空チャンバー112で成膜せざるをえない。また、特許文献4記載のスパッタリング装置は、スパッタリング以外のプロセスを行うプロセスチャンバーがないため、上記表5のProcess12酸化Processを行うことができない。そこで、上記表5は、特許文献4記載のスパッタリング装置にプロセスチャンバーを設けた図1の製造装置で、図5記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合を想定している。特許文献4記載のスパッタリング装置のタクトタイム特許文献4の場合には第2の真空チャンバー112のトータルの時間が405秒であり、スループットは、8.8枚/時間である。本発明の一実施形態に係る図1の装置構成に比べて著しく悪いことが判る。また、特許文献4記載のスパッタリング装置の場合、一連の成膜Processにおいて基板が同じプロセスチャンバーに2度搬送されることになるため、所謂シーケンシャルな基板搬送が実現できない。第2の比較例第2の比較例として、表6に、特許文献5記載のスパッタリング装置を用いて、図5記載のトンネル磁気抵抗素子を形成した場合のタイムテーブルを示す。特許文献5記載のスパッタリング装置におけるプロセスタイムテーブルを表6に示す。そもそも、特許文献5に開示されているスパッタリングシステム600は、スパッタリング以外のプロセスを行うプロセスチャンバーがないため、酸化Procesを行うことができない。また、特許文献5に開示されているスパッタリングシステム600を用い、所謂シーケンシャルな基板搬送を実現しながら、上記表6のMgOからCoFeB、Ta、Ruまでの成膜を全てマルチターゲットイオンビームスパッタリングモジュール608で行わなければならない。そうなると、スパッタ率が低く成膜に時間がかかるMgOの成膜に加えて、3つの金属層を同一チャンバーの中で成膜することになるため、タクトタイムが445.0秒となり、スループットが8.1枚/時となってしまう。さらに酸化物と金属を同一チャンバーの中で成膜することは金属層を酸素で汚染し、膜特性を劣化させてしまうという所謂クロスコンタミの問題を引き起こす。従って、特許文献5に開示されているスパッタリングシステム600を用いても、所謂シーケンシャルな基板搬送を実現し、かつスループットの向上を図ることはできない。"