内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含み、前記チャンネルは、不活性ガスが流れる、流動層反応器。前記反応管の内部に熱を供給し、前記チャンネルに流れる前記不活性ガスが内部のヒーターチャンネルに沿って流れる加熱部と、前記反応ガス供給部と前記加熱部とを固定させるプレートと、をさらに含む、請求項1に記載の流動層反応器。前記チャンネルは、第1チャンネルと、前記第1チャンネルと連結された第2チャンネルとを含み、前記第1チャンネルと第2チャンネルとに流れるガスの経路方向は、互いに反対方向である、請求項1に記載の流動層反応器。前記プレートは、前記反応ガス供給部のチャンネルと前記加熱部のヒーターチャンネルとを互いに連通させるための連結チャンネルを有する、請求項2に記載の流動層反応器。前記反応ガス供給部は、前記反応管内でのシリコン析出温度より低い温度に維持される、請求項1に記載の流動層反応器。前記反応ガス供給部は、周りの全体に不活性ガスが連続的に供給される、請求項5に記載の流動層反応器。前記加熱部は、ヒーターと、前記ヒーターとを囲むヒーターキャップとを含み、前記ヒーターチャンネルは、前記ヒーターと前記ヒーターキャップとの離隔された空間によって形成される、請求項2に記載の流動層反応器。前記ヒーターキャップは、クオーツからなった、請求項7に記載の流動層反応器。前記不活性ガスは、アルゴンまたはヘリウムのうち少なくとも1つを含む、請求項1または5に記載の流動層反応器。前記ヒーターの物質は、グラパイトを含む、請求項7に記載の流動層反応器前記反応ガス供給部は、前記反応ガス供給圧力が一定に維持される、請求項1に記載の流動層反応器。前記連結チャンネルは、前記反応ガス供給部の中心から放射線方向に形成された第1連結チャンネルと、前記第1連結チャンネルと交差する第2連結チャンネルと、を含む、請求項4に記載の流動層反応器。前記第1連結チャンネルと第2連結チャンネルとは、互いに閉空間的に連結される、請求項12に記載の流動層反応器。本発明は、反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができる流動層反応器を提供することを目的とする。また、本発明は、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供することを目的とする。また、本発明は、多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易な流動層反応器を提供することを目的とする。本発明の実施形態による流動層反応器は、内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含み、前記チャンネルは、不活性ガスが連続的に流れる。流動層反応器は、反応管の内部に熱を供給し、前記チャンネルに流れる不活性ガスが内部のヒーターチャンネルに沿って流れる加熱部と、前記反応ガス供給部と前記加熱部とを固定させるプレートと、をさらに含むことができる。チャンネルは、第1チャンネルと、前記第1チャンネルと連結された第2チャンネルと、を含み、第1チャンネルと第2チャンネルとに流れるガスの経路方向は、互いに反対方向であることができる。プレートは、前記反応ガス供給部のチャンネルと前記加熱部のヒーターチャンネルを互いに連通させるための連結チャンネルを有することができる。反応ガス供給部は、前記反応管内でのシリコン析出温度より低い温度に維持されることができる。反応ガス供給部は、周りの全体に不活性ガスが連続的に供給されることができる。加熱部は、ヒーターと、前記ヒーターを囲むヒーターキャップと、を含み、前記ヒーターチャンネルは、前記ヒーターと前記ヒーターキャップとの離隔された空間によって形成されることができる。ヒーターキャップは、クオーツからなることができる。不活性ガスは、アルゴンまたはヘリウムのうち少なくとも1つを含むことができる。ヒーターの物質は、グラパイトを含むことができる。反応ガス供給部は、前記反応ガス供給圧力が一定に維持されることができる。連結チャンネルは、前記反応ガス供給部の中心から放射線方向に形成された第1連結チャンネルと、前記第1連結チャンネルと交差する第2連結チャンネルと、を含むことができる。第1連結チャンネルと第2連結チャンネルとは、互いに閉空間的に連結されることができる。本発明は、反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができる。また、本発明は、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる。本発明は、流動層反応器の組み立て、設置及びメンテナンスなどが容易であり、組み立て過程に伴う反応管内への球形石英ビーズの充填の際に、目視でその状態を確認しながら充填を容易に行うことができるという効果がある。また、本発明は、流動層反応器の底面部を複数層のプレートで構成して多結晶シリコンの汚染を防止することができ、組み立て、設置及びメンテナンスを容易に行うことができるという効果がある。また、本発明は、石英プレートを多層で構成し、それぞれのプレート内でも各プレートを構成する断片の境界部を互いにずれるように配置し、製造される多結晶シリコンの汚染を防止し、組み立て、設置及びメンテナンスを簡単に行うことができるという効果がある。また、本発明は、流動層反応器の高圧反応の途中に流動ガス供給ノズルが圧力に耐えられず離脱する事故を防止し、流動層反応器の安定した運転が可能である。また、本発明は、流動層反応器の反応管の内部を加熱するために設けられるヒーターを流動層反応器の底面部に予め着設した固定部に嵌め込んで組立てることができるため、組み立て、設置及びメンテナンスが非常に簡単であるという効果がある。以下、添付の図面を参照し、本発明による望ましい実施形態を詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態による流動層反応器を示す。示されたように、本発明の実施形態による流動層反応器500は、ヘッド100と、第1ボディ部200と、第2ボディ部300と、底面部400とを含む。ヘッド100は、第1ボディ部200と連結され、第1ボディ部200の第1反応管250の直径より大きい直径を有する。流動層反応器500内のガス及び微細粒子が第1反応管250からヘッド100を通る際に直径増加によってガス及び微細粒子の流速が減少する。これによって、排出されるガスあるいは微細粒子の後処理負担が減ることができる。ヘッド100の内壁は、高温で変形しにくい無機材料からなることができる。例えば、ヘッド100の内壁は、石英、シリカ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、ジルコニア、炭化ケイ素、黒鉛、シリコン、ガラス質炭素のうち、少なくとも1つからなることができる。また、ヘッド100の外壁に対する冷却が可能な場合、ヘッド100の内壁に有機高分子を利用したコーティングまたはライニングのうち、少なくとも1つが行われることができる。ヘッド100の内壁が、炭化ケイ素、黒鉛、ガラス質炭素のような炭素含有材料からなった場合、多結晶シリコンが炭素不純物によって汚染される恐れがあるため、多結晶シリコンが接触できるヘッド100の内壁は、シリコン、シリカ、石英、窒化ケイ素などのような材料でコーティングまたはライニングされることができる。例えば、ヘッド100は、複数の部分ヘッド100a、100bを含み、第1部分ヘッド100aの内面にライニング膜150が位置することができる。第1ボディ部200は、ヘッド100の下に位置してヘッド100と連結され、多結晶シリコン析出反応が起きる空間を提供する。第2ボディ部300は、第1ボディ部200の下に位置して第1ボディ部200と連結され、第1ボディ部200とともに多結晶シリコン析出反応または加熱反応のうち、少なくとも1つが起きる空間を提供する。このような、第1ボディ部200と第2ボディ部300とは、独立的に別々になって互いに結合されて反応空間を提供するが、第1ボディ部200と第2ボディ部300とが、1つのボディからなる一体型で作われることができる。底面部400は、第2ボディ部300の下に位置して第2ボディ部300と連結され、多結晶シリコン析出のための各種ノズル供給部600、650、加熱部700、電極800などが組み立てられる。このとき、ヘッド100と、第1ボディ部200と、第2ボディ部300とは、炭素鋼、ステンレス鋼、その他合金鋼などの機械強度に優れ、加工の容易な金属材料からなることができる。このような材質からなる第1ボディ部200及び第2ボディ部300の保護膜は、金属、有機高分子、セラミックス、または石英などからなることができる。ヘッド100と第1ボディ部200と第2ボディ部300との組み立ての際、反応器の内部を外部空間から遮断するためにガスキットgasketまたはシーリング材sealingmaterialが利用されることができる。第1ボディ部200と第2ボディ部300とは、円筒状パイプ、フランジ、チューブ及びフィッティングfitting、板plate、円錐、楕円または二重壁の間に冷却媒体が流れるジャケットjacketなどのように、多様な形態を有することができる。また、ヘッド100と、第1ボディ部200と、第2ボディ部300とが金属材質からなった場合、その内部表面に保護膜がコーティングされるか、保護管または保護壁が追加で設けられることができる。保護膜、保護管または保護壁は、金属材質からなることができるが、反応器内部の汚染を防ぐために有機高分子、セラミックス、石英などのような非金属材料がコーティングまたはライニングされることができる。第1ボディ部200と第2ボディ部300とは、熱膨脹防止、作業者保護、その他事故防止などの目的で、水、オイル、ガス、空気などのような冷却流体によって一定温度範囲以下に維持されることができる。冷却が必要な第1ボディ部200と第2ボディ部300との要素の内部あるいは外壁に、冷却流体の循環が可能となるように製作されることができる。一方、第1ボディ部200と第2ボディ部300との外部表面に、作業者保護及び過多な熱損失防止のために断熱材が設けられることができる。上述のように、多結晶シリコンの大量生産のために流動層反応器の大きさ及び高さが増加する場合、流動層反応器の組み立て、設置及びメンテナンスが困難である。すなわち、流動層反応器が大きく高さが高く重量が重い1つのボディ部と反応管とを含む場合、流動層反応器の組み立て、設置及びメンテナンスの際にボディ部の取り扱いが困難になり、ボディ部とノズルや反応管とがぶつかって破損されることがある。一方に、本発明の実施形態による流動層反応器は、複数のボディ部200、300と反応管250、350とを含むため、流動層反応器の組み立て、設置及びメンテナンスが容易に行われることができる。次に、本発明の実施形態による流動層反応器の組み立て過程について詳細に説明する。第1反応管250は、第1ボディ部200に挿入される。第2ボディ部300の中に第2反応管350が挿入され、第2ボディ部300の下端を密閉するための底面部400に各種ノズル600、650と電極800と加熱部700とが組み立てられる。第2反応管350が挿入された第2ボディ部300に底面部400が連結される。以後、第1ボディ部200と第2ボディ部300とが互いに連結され、延長ヘッド100が第1ボディ部200に連結される。底面部400に組み立てられる各種ガス供給部は、流動ガス供給部600と反応ガス供給部650とを含むことができる。第1反応管250と第2反応管350とは、チューブ形状や、チューブ、円錐及び楕円部分を含む形状を有することができる。第1反応管250と第2反応管350との端の部分は、フランジ形で加工されることができる。第1反応管250と第2反応管350とは、複数の部分からなることができ、このような部分の一部が、第1ボディ部200及び第2ボディ部300の内壁面にライナーlinerのような形態で設けられることもできる。第1反応管250と第2反応管350との材質は、高温で変形しにくい無機材料からなることができ、石英、シリカ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、ジルコニア、イットリア、炭化ケイ素、黒鉛、シリコン、ガラス質炭素、またはこのような材料が混合した複合体などのような無機材料からなることができる。第1反応管250と第2反応管350とが炭化ケイ素、黒鉛、ガラス質炭素などの炭素含有材質からなった場合、炭素含有材質は多結晶シリコンを汚染させる恐れがあるため、多結晶シリコンが接触できる反応管の内壁面は、シリコン、シリカ、石英、窒化ケイ素などでコーティングまたはライニングされることができる。流動ガス供給部600は、反応管内のシリコン粒子を流動させる流動ガスを供給する。反応管内に位置するシリコン粒子の一部または全部は、流動ガスによって流動する。このとき、流動ガスは、水素、窒素、アルゴン、ヘリウム、塩化水素HCl、四塩化シランSiCl4のうち少なくとも1つを含むことができる。流動ガス供給部600は、反応管として用いられることができる無機材質成分からなったチューブ、ライナーまたは成型品であることができる。反応ガス供給部650は、シリコン粒子層にシリコン元素を含む反応ガスを供給する。反応ガスは、多結晶シリコンの析出に用いられる原料ガスとしてシリコン元素成分を含む。反応ガスは、モノシランSiH4、ジシランdisilane:Si2H6、高次シランSinH2n2、nは3以上の自然数、二塩化シランDCS:SiH2Cl2、三塩化シランTCS:SiHCl3、四塩化シランSTC:SiCl4、ジブロモシランSiH2Br2、トリブロモシランSiHBr3、silicontetrabromideSiBr4、diiodosilaneSiH2I2、triiodosilaneSiHI3、silicontetraiodideSiI4のうち少なくとも1つを含むことができる。このとき、反応ガスは、水素、窒素、アルゴン、ヘリウム、または塩化水素のうち少なくとも1つをさらに含むことができる。反応ガスの供給によって、0.1~2mm程度の多結晶シリコン種粒子の表面に多結晶シリコンが析出され、多結晶シリコン種粒子の大きさが増加する。多結晶シリコン種粒子の大きさが一定程度増加すると、流動層反応器の外部に放出される。一方、反応ガス供給部650は、反応ガスが流れる反応ガスチャンネルLの周りに形成されたチャンネルCを含み、このようなチャンネルCには、反応ガスより低い温度を有した不活性ガスが流れるようになる。また、示されたように、反応ガス供給部は、チャンネルCに不活性ガスを注入するための注入口160を含む。前記不活性ガスが反応ガス供給部の周りに形成されたチャンネルCに沿って流れて連通されたヒーターチャンネルに供給され、ヒーターチャンネルに供給された不活性ガスは、ヒーターの周辺を流れた後に排出口170を通して外部に排出される。加熱部700は、流動層反応器500の内部に、多結晶シリコン粒子の表面でシリコン析出反応が起きるための熱を供給する。実施形態においてシリコン析出反応のために反応管250の内部に供給された熱によってシリコン析出反応が起きることもできる。加熱部700は、抵抗体を含み、電気の供給を受けることによって熱を供給することができる。加熱部700は、グラパイトgraphite、炭化ケイ素のようなセラミックス、または金属材質のうち少なくとも1つを含むことができる。各ガス供給部600、650、すなわち、各種ノズル、電極800及び加熱部700などは、底面部400を構成するプレート410乃至440とともに組み立てられる。示されたように、本発明の実施形態による底面部400は、基底プレート410と、第1乃至第3プレート420、430、440とを含む。基底プレート410は第2ボディ部300と連結され、流動ガス供給部及び反応ガス供給部と組み立てられる。基底プレート410は、炭素鋼、ステンレス鋼、その他合金鋼などの機械強度に優れ、加工の容易な金属材料からなることができる。第1プレート420は、基底プレート410の上に位置し、基底プレート410を絶縁させる。これによって、第1プレート420は、クオーツquartzのように高温で耐えることができ、絶縁性を持ちながらも析出される多結晶シリコンを汚染させない物質からなることができる。第1プレート420は、クオーツの以外に窒化ケイ素、アルミナ、イットリアなどの高温での耐熱性を有するセラミックス物質からなることができ、場合によってはこのようなセラミックス物質で第1プレート420の表面がコーティングまたはライニングされることができる。第2プレート430は、第1プレート420上に位置し、加熱部700と接触して加熱部700に電気を供給する。これによって、第2プレート430は、グラパイト、シリコンカーバイドがコーティングされたグラパイト、シリコンカーバイド、窒化ケイ素がコーティングされたグラパイトのような導電性物質からなることができる。基底プレート410と第2プレート430との間には絶縁特性を有している第1プレート420が位置するため、基底プレート410と第2プレート430とは互いに絶縁される。第2プレート430が加熱部700と接触するため、第2プレート430で熱が発生することがあるが、第2プレート430で電流の流れる断面積が加熱部700に比べて非常に大きいため、第2プレート430で発生する熱は加熱部700で発生する熱に比べて非常に小さい。また第2プレート430で発生する接触抵抗による熱発生を減らすために、軟性が優秀なグラパイトシートsheetが第2プレート430と加熱部700との間に挿入されることもできる。基底プレート410と第2プレート430とが導電性を有する場合、基底プレート410と第2プレート430との接触によって基底プレート410に流れる漏洩電流が発生することがある。これによって、示されたように、基底プレート410と第2プレート430との端は、所定距離ほど離隔されている。すなわち、第1プレート420には第2プレート430が装着されることができる溝が形成されることができる。例えば、第1プレート420には第2プレート430の長さLと同一であるか大きい溝が形成され、第2プレート430が第1プレート420の溝の中に装着されることができる。これによって、基底プレート410と第2プレート430との端の間に第1プレート420の一部分が位置することができるため、基底プレート410と第2プレート430との間の絶縁が維持されることができる。示されたように、第1プレート420によって基底プレート410と第2プレート430とが絶縁されることができ、第2プレート430の周りを囲む絶縁リング900が設けられることによって、基底プレート410と第2プレート430とが絶縁されることもできる。このとき、絶縁リング900はク、オーツ、セラミックスからなることができる。第3プレート440は、第2プレート430上に位置し、第1反応管250及び第2反応管350の内部で析出された多結晶シリコンが第2プレート430によって汚染されることを防止する。これによって、第3プレート440は、高温で変形しにくい無機材料からなることができ、石英、シリカ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、ジルコニア、炭化ケイ素、黒鉛、シリコン、ガラス質炭素、またはこのような材料が混合した複合体などのような無機材料からなることができる。第3プレート440が炭化ケイ素、黒鉛、ガラス質炭素などの炭素含有材質からなった場合、炭素含有材質は多結晶シリコンを汚染させる恐れがあるため、第3プレート440の表面は、シリコン、シリカ、石英、窒化ケイ素などでコーティングまたはライニングされることができる。また、底面部400の第2プレート430と第3プレート440とは1つのボディではなく複数個の断片を含むため、流動層反応器の組み立て、設置及びメンテナンスが容易になる。すなわち、多結晶シリコンの大量生産のための流動層反応器の大きさが増加するため、第2プレート430と第3プレート440とが1つのボディからなった場合、流動層反応器の組み立て、設置及びメンテナンスが困難になる恐れがある。例えば、図2に示されたように、第3プレート440は、同心円方向と直径方向に切られた断片で構成されることができる。また、図3に示されたように、第3プレート440は、大きさの異なるリング形態の断片で構成されることができる。図4は、本発明の実施形態による流動層反応器のプレートと加熱部との組み立て構造を示した図である。図4に示されたように、基底プレート410と、第1プレート420と、第2プレート430と、第3プレート440とを貫通する固定手段450によって、基底プレート410と、第1プレート420と、第2プレート430と、第3プレート440とが固定されることができる。底面部400に含まれた複数のプレート410乃至440は、複数のプレート410乃至440を貫通する固定手段によって固定される。このような固定手段は、第1反応管250及び第2反応管350の内部で形成される多結晶シリコンの汚染を防止するために高温で変形しにくい無機材料からなることができ、石英、シリカ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、ジルコニア、シリコン、またはこのような材料が混合した複合体などのような無機材料からなることができる。固定手段450が炭化ケイ素、黒鉛、ガラス質炭素などの炭素含有材質からなった場合、炭素含有材質による多結晶シリコンの汚染防止のために、固定手段の表面は、シリコン、シリカ、石英、窒化ケイ素などでコーティングまたはライニングされるか、シリコン、シリカ、石英、窒化ケイ素からなったキャップが固定手段に被せられることができる。固定手段450は、複数のプレート410乃至440とネジ締結方式で組み立てられる。一方、加熱部700は、熱が放出されるヒーター710と、ヒーター710と空間を隔てて前記ヒーターを囲むヒーターキャップ730とを含む。このような加熱部700は、固定部720が着設された底面部400と組み立てられる。ピンやクリップのような固定部720は、底面部400のプレートのうち加熱部700と連結される第2プレート430に形成された穿孔部に組み立てられる。加熱部700には固定部720が挿入される溝が形成され、製造者または使用者が加熱部700を固定部720に圧入して加熱部700を底面部400に固定することができる。したがって、加熱部700の組み立てにはネジボルトなどの締結が不要であるため、加熱部700の組み立てが簡単に行われることができる。本実施形態において、加熱部700は、U字形状を有するため、1つの加熱部700ごとに2つの固定部720が必要であるが、加熱部700の形状によって固定部の個数は変更されることができる。固定部720は、グラパイトや金属材質のように電気伝導性と軟性とに優れた材質からなることができる。第2プレート430は、複数の単位プレートを含み、加熱部700の下部は、互いに隣接した単位プレートと接触することによって第2プレート430の単位プレートを通して電気の供給を受ける。このとき、加熱部700において底面部400に連結される部分は、前記加熱部の長さ方向に対して垂直の方向に前記加熱部の下部に延びた突出部700aを含む。このような前記加熱部の突出部700aは、前記固定部720と結合されると同時に、前記第3プレート440によって覆われて加熱部700の固定がより安定的に行われることができる。隣接した単位プレート430a、430bは、互いに絶縁されている。例えば、加熱部700の下部と接触する第2プレート430の単位プレート430a、430bの間には、絶縁体740が位置することができる。絶縁体740は、加熱部700の下部と接触する単位プレート430a、430bの間を絶縁させて、漏洩電流の発生を防止する。単位プレート430a、430bについては、以後により詳細に説明される。本発明の実施形態において、加熱部700は、単位体積当たり広い表面積を有することによって加熱効率を高めるために、加熱部700の表面にしわが形成されることができる。表面積を広げて加熱効率を高めるために、しわの以外に加熱部700の表面に多様な形状の突起あるいはパターンが形成されることもできる。これによって、加熱部700の表面に、しわ、突起またはパターンのうち少なくとも1つが形成されることができる。加熱部は、加熱部700を保護し、かつヒーター710による多結晶シリコンの汚染を防止するために、ヒーターキャップ730がヒーター710の外部を取り囲んでヒーター710が露出しないようにする。このようなヒーターキャップ730の役割を果たすために、ヒーターキャップ730は、高温で変形しにくい無機材料からなることができ、石英、シリカ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、ジルコニア、イットリア、シリコン、またはこのような材料が混合した複合体などのような無機材料からなることができる。ヒーターキャップ730が、炭化ケイ素、黒鉛、ガラス質炭素などの炭素含有材質からなった場合、炭素含有材質による多結晶シリコンの汚染防止のために、ヒーターキャップの表面は、シリコン、シリカ、石英、窒化ケイ素などでコーティングまたはライニングされることができる。ヒーターキャップ730は、前記ヒーターキャップの長さ方向に対して垂直の方向に延びた係止突起710aを含み、前記ヒーターキャップ730の係止突起710aは、第3プレート440の複数の単位プレート440a、440bの間に嵌められて固定される。次に、図面を参照し、ヒーターと第2プレートとの電気的連結について詳細に説明する。図5a~図5cは、本発明の実施形態によるヒーターと第2プレートとの電気的連結を示す。図5a~図5cを参照すると、各ヒーターグループHG1、HG2、HG3は、2つの電極800と連結され、ヒーターグループHG1~HG3の消費する電力量は同一であることができる。電極800は、黒鉛、炭化ケイ素、金属材質、またはこれらの複合物からなることができる。電極800の形態は、ケーブル、棒、ロッド、成形物、コンセント、結合器、バー、編組線やこれらの組合であることができる。このとき、図5a及び図5bに示されたように、1つの電極800には、2つのヒーターグループが連結されることができる。これによって、n個のヒーターグループの場合、流動層反応器はn個の電極800を含むことができる。ヒーターグループHG1~HG3の電気抵抗は、互いに同一であることができる。すなわち、各ヒーターグループHG1、HG2、HG3が含むヒーター710の個数は一定であり、ヒーターグループHG1、HG2、HG3が含むヒーター710の抵抗は、互いに同一であることができる。各ヒーターグループHG1、HG2、HG3が含むヒーター710の個数が互いに同一である場合、流動層反応器500の組み立て、設置及びメンテナンスが容易になることができる。図5aでは、各ヒーターグループHG1、HG2、HG3が含むヒーター710の個数は、2つで一定であり、ヒーターグループHG1、HG2、HG3が含むヒーター710の抵抗は、互いに同一である。ヒーターグループHG1~HG4を構成するヒーター710の抵抗が互いに異なっていても、複数のヒーターグループHG1~HG4のそれぞれの抵抗が互いに同一になるようにヒーター710が配列されれば、複数のヒーターグループHG1~HG4の消費する電力量が互いに同一となり、流動層反応器500の内部に均一な熱が供給されることができる。上述のように、多結晶シリコン製品の大量生産のために流動層反応器が大きくなるほど流動層反応器500の内部領域も大きくなる。これによって、複数のヒーターグループHG1~HG3は、流動層反応器500の内部領域に均一に熱を供給しなければならない。本発明の実施形態による流動層反応器のヒーターグループHG1、HG2、HG3は、流動層反応器の内部領域全体を均一に加熱することができるため、良質の多結晶シリコン製品を大量生産することができる。複数のヒーターグループHG1~HG3のそれぞれは、互いに異なる相を有した電源の供給を受けることができる。例えば、本発明の実施形態による流動層反応器が3つのヒーターグループHG1~HG3を含む場合、各ヒーターグループHG1、HG2、HG3は、3相電源の供給を受けることができる。このとき、各相の位相差は、120 ゚であることができる。また、各ヒーターグループHG1~HG3が互いに同一の電力量を消費するように、ヒーターグループHG1~HG3に供給される電源が独立的に制御されることができる。例えば、各ヒーターグループHG1、HG2、HG3の電気抵抗が異なるか同一の電力供給が困難である場合、ヒーターグループHG1、HG2、HG3が互いに同一の電力量を消費するように、互いに異なる大きさの単層電源が各ヒーターグループHG1~HG3に供給されることができる。多相電源が供給される場合、図5a及び図5bに示されたように、隣接したヒーターグループは電極800を共有することができるが、図5cのように単層電源が供給される場合、1つのヒーターグループは他のヒーターグループと共有しない2つの電極800と連結されることができる。上述のように、ヒーター710は、絶縁体740によって互いに絶縁された単位プレート430a、430bと接触する。例えば、図5aに示されたように、ヒーター710の一端は、1つの単位プレート430aに連結され、ヒーター710の他端は、他の1つの単位プレート430bに連結される。これによって、ヒーターグループのヒーター710は、直列連結されることができる。第2プレート430の単位プレート430a、430bは、ヒーター710と同一の物質からなることができる。例えば、ヒーター710と単位プレート430a、430bとの材質については上述したため、これについての説明は省略する。図5aの単位プレートは、図4の単位プレート430a、430bに当てはまることができる。一方、図5a及び図5bの流動層反応器のそれぞれは、3つのヒーターグループHG1、HG2、HG3及び4つのヒーターグループHG1、HG2、HG3、HG4を含むが、これに限定するものではない。図6は、本発明の実施形態による流動層反応器の反応ガス供給部を示した図である。図6に示されたように、反応ガス供給部650は、反応ガスの流れる反応ガスチャンネルLの周りに反応ガスより低い温度を有した不活性ガスやシリコン析出反応が起きにくいガスが供給されるチャンネルCを含み、前記チャンネルCは、第1チャンネルAと、第1チャンネルAと連結された第2チャンネルBとを含む。不活性ガスは、アルゴン、ヘリウムのうち少なくとも1つ以上を含むことができる。不活性ガスは、反応ガス供給部650の注入口160を通して外部から第1チャンネルAに流入される。不活性ガスは、第1チャンネルAと連結された第2チャンネルBを通して流れながら前記反応ガス供給部の全体を冷却させる。このとき、反応ガス供給部650の注入口160に流入された不活性ガスは、反応ガス供給部の下部から第1チャンネルAに沿って前記反応ガス供給部の上部方向に流れ、反応ガス供給部の上部で再び第2チャンネルBに沿って反応ガス供給部の下部方向に移動することができる。一方、反応ガスが反応ガス供給部650を通して反応管250の内部に供給される際に、反応ガスの温度はシリコンが析出されることができる温度の以下であるが、反応ガス供給部650そのものが加熱部700と隣接して位置するため、反応ガス供給部650の温度はシリコン析出が起きる温度と類似することができる。これによって、反応ガス供給部650の表面や反応ガスチャンネルLでシリコン析出反応が起きることができる。このような析出されたシリコンは、反応ガス供給部を通した反応ガスの供給を邪魔することがある。したがって、シリコン析出温度以下の温度を有する不活性ガスで反応ガス供給部650を冷却させ、反応ガス供給部650の表面でシリコン析出が起きないようにする。すなわち、反応ガス供給部は、前記不活性ガスによって反応管内のシリコン析出温度より低い温度に維持される。また、反応ガス供給部を取り囲んだ第1チャンネルと第2チャンネルとに不活性ガスを供給して反応ガスチャンネルの内部でシリコン析出が起きることを防止し、実質的に反応ガス供給部における反応ガス供給圧力が一定に維持される。これによって、一定の量の反応ガスが持続的に供給されるため、シリコン析出反応が安定的に、かつ連続的に発生することができる。本発明の実施形態において、反応ガス供給部650は、第1チャンネルAと第2チャンネルBと反応ガスチャンネルLとからなった3重同軸管であることができる。図7は、本発明の一実施形態における流動層反応器の加熱部及び底面部を示した図である。図7に示されたように、加熱部700は、ヒーター710と空間を隔てて前記ヒーター710を取り囲んだヒーターキャップ730を含む。前記ヒーターとヒーターキャップとによって形成された空間は、ヒーターチャンネルHCを形成する。第2チャンネルBから排出された不活性ガスは、第2プレート430に形成された連結チャンネルCCに沿って移動し、前記連結チャンネルCCと空間的に連結されたヒーターチャンネルHCの一側に供給され、全体のヒーター710を取り囲みながら流れる。以後、ヒーターチャンネルHCの他側から排出された不活性ガスが連結チャンネルCCと空間的に連結された排出口170を通して外部に排出される。これによって、反応管の内部の多結晶シリコンがヒーターを構成する物質によって汚染されることを防止することができる。すなわち、ヒーターを構成する代表的な物質はグラパイトgraphiteである。ヒーターが電気の供給によって熱を発生させると、このようなグラパイトは、多結晶シリコンを汚染させる恐れがある。このとき、不活性ガスをヒーターの周辺に供給し、反応管内での汚染が起きることを遮断する。また、高温の水素は炭素と反応して多様な炭化水素汚染物質を発生させることがあるが、ヒーターチャンネルHCに不活性ガスを供給して炭素と高温の水素とが接触することを遮断して汚染物質の発生を防ぎ、ヒーターの構成物質である炭素の損失を抑制することができる。このとき、炭素で構成されたヒーターの場合にヒーターの寿命を延長させることができる。図8は、本発明の一実施形態におけるプレートに形成された連結チャンネルを示した図である。示されたように、連結チャンネルCCは、第2プレート430に形成されるが、底面部を構成する基底プレート410、第1プレート420及び第3プレート440のうち、いずれか一つのプレートに形成されることができる。前記連結チャンネルCCは、反応ガス供給部の第2チャンネルと空間的に連結されたものであり、これは、反応ガス供給部650の中心から放射線方向に形成された第1連結チャンネルCC1と、前記第1連結チャンネルと交差する第2連結チャンネルCC2とを含むことができる。第1連結チャンネルと第2連結チャンネルとは、互いに閉空間的に連結される。これによって、不活性ガスが連結チャンネルを通してヒーターチャンネルの内部に全体的に均一に供給される。プレートに形成された連結チャンネルの構造は、同心円連結チャンネルと放射線連結チャンネルとして示したが、加熱部のヒーターチャンネルに全体的に均一に供給されることができるなら、どの構造でも適用可能である。本発明の権利は、上述した実施形態に限定されず、請求範囲に記載したものにより定義され、本発明の分野における通常の知識を有した者が請求範囲に記載した権利範囲内で多様な変形と改作ができるということは自明である。