"インプリントに用いられるパターン原版に付着した樹脂を除去するアッシングガス雰囲気中で、前記パターン原版に紫外線を照射することにより、前記パターン原版上のパターン凹凸部の局所領域に近接場光を発生させる近接場光発生ステップと、前記アッシングガスおよび前記近接場光を用いて、前記パターン原版から前記樹脂を除去する樹脂除去ステップと、を含むことを特徴とする樹脂除去方法。前記近接場光を発生させる際には、前記パターン原版上の主要パターンに対してTM偏光の紫外線を照射することを特徴とする請求項1に記載の樹脂除去方法。前記パターン原版に照射される紫外線の波長は、前記パターン原版上に形成されているパターンのパターンピッチに応じた波長であることを特徴とする請求項1または2に記載の樹脂除去方法。前記パターン原版に照射される紫外線の波長は、150nm以上かつ400nm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の樹脂除去方法。前記アッシングガスは、酸素プラズマアッシングガスを含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の樹脂除去方法。インプリントに用いられるパターン原版に付着した樹脂を除去するアッシングガス雰囲気中で、前記パターン原版に紫外線を照射する紫外線照射部を備え、前記紫外線を照射することにより、前記パターン原版上のパターン凹凸部の局所領域に近接場光を発生させるとともに、前記アッシングガスおよび前記近接場光を用いて、前記パターン原版から前記樹脂を除去することを特徴とする樹脂除去装置。本発明が解決しようとする課題は、モールドに損傷を与えることなく効率良くモールドのパターン面から樹脂を除去することができる樹脂除去方法および樹脂除去装置を提供することである。実施形態によれば、樹脂除去方法が提供される。樹脂除去方法では、インプリントに用いられるパターン原版に付着した樹脂を除去するアッシングガス雰囲気中で、前記パターン原版に紫外線を照射することにより、前記パターン原版上のパターン凹凸部の局所領域に近接場光を発生させる。そして、前記アッシングガスおよび前記近接場光を用いて、前記パターン原版から前記樹脂を除去する。以下に添付図面を参照して、実施形態に係る樹脂除去方法および樹脂除去装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る樹脂除去装置の構成を示す図である。図1では、モールド10をクリーニングする樹脂除去装置クリーニング装置1の断面構成を示している。樹脂除去装置1は、アッシングによって、モールド10に付着した樹脂残渣後述する樹脂残渣12を除去する装置である。本実施形態の樹脂除去装置1は、モールド10に紫外線を照射することにより、モールド10上に形成された微細パターン凹凸部の局所領域に近接場光を発生させる。そして、近接場光を用いて、樹脂の化学結合を切断する。モールド10は、インプリントリソグラフィ用パターン原版テンプレート被クリーニングモールドであり、モールド10の上面パターン面にはモールドパターンとしての凹凸パターンが形成されている。樹脂残渣12は、モールド10上のパターン凹部内などに付着した樹脂の残渣有機物などである。樹脂除去装置1は、放電部2、紫外線光源3、モールドステージ5、クリーニングチャンバ6、アッシングガス導入管7、排気管8を備えて構成されている。放電部2は、放電部2とモールド10との間の領域にプラズマ4を発生させる。これにより、アッシングガスの一部がプラズマ化され、イオン化した酸素ラジカルなどがモールド10の近傍に導入される。本実施形態の紫外線光源3は、モールド10に紫外線を照射する光源である。紫外線光源3は、例えば、ガス放電式であり、放電ガスとして、F,Ar,Kr,Xeの元素のうち少なくとも1つを含むガスが封入されているエキシマランプである。たとえば、放電ガスとしてフッ化アルゴンArFガスを使用しているエキシマランプは、中心波長ピークを193nmとする紫外線エキシマ光を発生させる。このような紫外線光源3は、モールド10上のパターン面に紫外線が当たるように設置される。紫外線光源3は、例えばパターン面の正面真上に設置される。なお、クリーニング対象であるモールド10が石英モールドである場合、紫外線は石英を透過できるので、紫外線光源3から出る紫外線をパターン面の裏面側からモールド10に入射させても構わない。この場合、モールドステージ5や後述のヒータを略透明の部材で構成しておく。モールドステージ5は、モールド10を載置して固定する台であり、その内部にプラズマ4を加熱するためのヒータ図示せずを有している。クリーニングチャンバ6は、底部を有した略略円筒状をなしており、アッシング処理を行う真空反応室内の側面および底面を囲っている。クリーニングチャンバ6の上部側には、放電部2が配置され、放電部2の上部側には、アッシングガスの導入部である管状のアッシングガス導入管7が設けられている。また、クリーニングチャンバ6の下部側には、ガスの排出部である管状の排気管8が設けられている。アッシングガス導入管7には、ガス供給を行う配管を介してガス供給源図示せずが接続されている。ガス供給源から供給されるアッシングガスとしては、例えば、酸素ガスなどがある。モールド10上の樹脂残渣12を除去する際には、モールド10が樹脂除去装置1内に搬入され、モールドステージ5上に固定される。この後、アッシングガスが、アッシングガス導入管7からクリーニングチャンバ6内に導入される。そして、クリーニングチャンバ6内では、放電部2によって、プラズマ4を発生させる。このとき、モールドステージ5が備えるヒータからの輻射熱により、プラズマ4が加熱される。これにより、モールド10のアッシングが行われる。図2は、第1の実施形態に係る樹脂除去方法を説明するための図である。図2では、モールド10をクリーニングする際の、モールド10の概略断面図を示している。樹脂除去装置1によるアッシングは、有機化合物である樹脂に酸素を反応させることによって行われる。この時の反応機構は、1樹脂表面への反応種酸素ラジカルなどの輸送、2反応種の吸着、3樹脂表面での反応、4反応生成物の脱離、5揮発による反応生成物の除去、などである。樹脂除去装置1が用いるアッシングガスの組成は、主に酸素分子O215である。付着した樹脂残渣12の分解効率を上げるために、酸素分子15がメインであるアッシングガスに少量のハロゲン系ガス図示せずを添加してもよい。このようなアッシングガスは、放電などによって一部がプラズマ化され、モールド10の近傍に導入される。これにより、モールド10の周りにアッシングガス雰囲気が形成される。具体的には、酸素分子15と、酸素分子15がプラズマ化されたことによってイオン化した酸素ラジカルO16と、がモールド10の周りに導入される。紫外線光源3によってモールド10に紫外線を照射することにより、モールド10上の微細パターン凹凸部の局所領域に近接場光14が発生する。近接場光14は、伝播光がnmオーダーの曲率半径を持つ微小物体局所領域に入射した際に、微小物体の周囲に曲率半径の数倍の領域に発生する、波長に依存しない非伝播光電磁場である。この近接場光14は、非常に強い電場成分を有しているが、物体の表面から遠ざかるにつれてその電場成分が急激に減少する性質をもっている。モールド10における微小物体の部分は、パターン凸部の先端部やパターン凹部の底部などである。微小物体の曲率半径をa、微小物体からの距離をrとした場合、近接場光の強度Iは下記の式1で示される。I=exp-r/a/r1モールド10上の微細パターンにおいて、曲率半径が特に小さい領域は、パターン凹部の角である。すなわち、モールド10上のパターンが微細であるほど、パターン凹部の曲率半径が小さくなり、パターン凹凸部近傍に発生する近接場光14の強度が強くなる。そして、モールド10上に形成された微細パターン凹凸部の局所領域に近接場光14が発生すると、以下のような現象が起きる。第1に、近接場光14の作用で、パターン凹部内では電磁場のエネルギー分布が増強さる。このエネルギーによってパターン凹部内に進入した酸素分子15が励起されて酸素ラジカル16になり、前記局所領域における酸素ラジカル16の濃度が上昇する。この酸素ラジカル16が、パターン凹部内に付着した樹脂残渣12と反応することによって、揮発性の反応生成物であるCO2及びH2Oを生成する。換言すると、酸素ラジカル16によって化学結合の切断された樹脂残渣12の一部と、酸素ラジカル16とが結合することによって、樹脂残渣12が酸化された揮発性物質が生成される。これらのCO2及びH2Oが揮発することにより、酸化された樹脂残渣12が揮発することとなる。第2に、近接場光14が、付着した樹脂残渣12に直接作用し、樹脂の化学結合を切断する効果が促進される。これにより、近接場光14は、モールド10表面と樹脂残渣12との間の密着力を低下させるとともに、樹脂残渣12の一部を炭素及び水素に分解する。これにより、付着した樹脂残渣12の化学結合が切断され、付着した樹脂残渣12が分解されるプロセスが促進される。したがって、モールド10上から樹脂残渣12が短時間で充分に除去される。樹脂除去装置1によって樹脂残渣12が除去されたモールド10は、ウエハなどの基板へのインプリントに用いられる。ウエハへのインプリントは、例えばウエハプロセスの所定のレイヤ毎に行われる。このとき、各レイヤでは、樹脂残渣12が除去されたモールド10を用いて、ウエハへのインプリントが行われ、これにより、半導体装置半導体集積回路が製造される。具体的には、インプリント処理の際には、ウエハ上にインプリント剤としての樹脂が滴下され、その後、モールド10がウエハ上の樹脂に押し当てられる。さらに、この状態で樹脂を硬化させることにより、モールドパターンに対応する転写パターンがウエハ上の樹脂にパターニングされる。そして、樹脂からモールドを引き剥がすことで樹脂への転写処理が完了する。インプリント処理の際にモールド10のパターン凹部内に樹脂残渣12が付着した場合には、樹脂除去装置1によって樹脂残渣12を除去した後、インプリント処理が再開される。樹脂除去装置1によって樹脂残渣12を除去するか否かの判断タイミングは、所定ショット数のインプリントを行う都度であってもよいし、所定枚数のウエハにインプリントを行う都度であってもよい。モールドパターンに対応する転写パターンを樹脂にパターニングした後、樹脂に形成されたパターンレジストパターンをマスクとしてウエハの下層側をエッチングする。これにより、モールドパターンに対応する実パターンをウエハ上に形成する。半導体装置を製造する際には、ウエハ上への成膜処理、上述したインプリント処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。そして、必要に応じてモールド10上の樹脂残渣12の除去が行われる。なお、モールド10に対して照射する紫外線のエネルギー密度を高めると、樹脂残渣12の除去効果を高めることができ、これにより、パターン凹部内の樹脂残渣12を除去するまの時間を短縮することが可能となる。このため、モールド10に対して照射する紫外線のエネルギー密度を、例えば、10J/cm2とする。また、硬化したインプリント剤樹脂からモールド10を剥がす際に樹脂がモールド10に付着しないよう、モールド10のパターン面モールド表面には、剥離材を塗布しておいてもよい。また、紫外線光源3によるモールド10への紫外線の照射は、モールド10の全体であってもよいし、樹脂残渣12が付着している所定領域モールド10の一部であってもよい。なお、第1の実施形態や後述する第2の実施形態において、モールド10に照射する紫外線の波長を、モールド10のモールドパターンピッチやモールドパターンの曲率に応じて変更してもよい。照射する紫外線の最適波長は、モールドパターンピッチに依存するからである。図3は、モールドパターンピッチと照射波長との対応関係を示す図である。なお、図3に示したモールド10のパターンピッチと、照射波長との対応関係は一例である。図3に示すように、樹脂除去装置1は、例えば、モールド10のパターンピッチが20nm~200nmの場合、モールド10に照射する紫外線の波長照射波長を150nm~300nmとする。また、樹脂除去装置1は、モールド10のパターンピッチが200nm~1000nmの場合、照射波長を200nm~350nmとする。また、また、樹脂除去装置1は、モールド10のパターンピッチが1000nm~2000nmの場合、照射波長を250nm~400nmとする。このように、モールドパターンピッチに応じた照射波長の紫外線を、モールド10に照射することにより、モールドパターンピッチに応じたエネルギー強度を有した近接場光14を発生させることが可能となる。したがって、微細パターン凹部内に付着した樹脂残渣を、効率良く除去することができる。なお、モールド10に照射する紫外線の波長は、例えば複数種類の波長を有した紫外線ブロードバンドの照射光とする。これにより、モールド10に複数種類のパターンピッチが含まれる場合にも、各パターンピッチに応じた波長の紫外線を照射することが可能となる。なお、モールド10に照射する紫外線の波長は、1種類の波長を有した紫外線であってもよい。このように第1の実施形態によれば、アッシングガス雰囲気の中で、紫外線光源3を用いてモールド10を照射するので、微細パターン凹凸部の局所領域に近接場光14を発生させることができる。この近接場光14の作用により、付着した樹脂残渣12の化学結合の切断分解と、近接場光14により生成された酸素ラジカル16が反応することによる樹脂残渣12の酸化揮発とが、並行して進行する。したがって、微細パターン凹部内に付着した樹脂残渣を、短時間で効率良く除去することができる。また、酸素ラジカル16を用いて樹脂残渣12を除去するので、微細パターンに付着した樹脂残渣12に対しても、モールド10に損傷を与えることなくモールド10から樹脂残渣12を除去することが可能となる。第2の実施形態つぎに、図4~図6を参照して、この発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、モールド10へ入射する紫外線にTM偏光を用いる。図4は、第2の実施形態に係る直線偏光の形成方法を説明するための図である。紫外線光源3から発生する紫外線の電場の振動方向はランダムであり、この状態の光は非偏光31である。この非偏光31が、所定の光学素子例えば偏光フィルタ偏光形成素子32を通過すれば、電場振動方向が揃った光直線偏光33を取り出せる。この方法により、モールド10への入射光の電場振動方向を揃えることができる。直線偏光33の紫外線がモールド10に入射する場合、紫外線の電場振動方向がモールド10上の主要パターンの長手方向に対して直交であれば、この紫外線の偏光方向をTM偏光と定義する。一方、入射紫外線の電場振動方向がモールド10上の主要パターンの長手方向に対して平行であれば、この紫外線の偏光方向をTE偏光と定義する。ここでの主要パターンは、樹脂残渣12が発生しやすい微細パターン、モールド10に形成されるパターンのうち最も多く形成されているパターン例えばメモリセルパターンなどである。図5は、TM偏光の偏光方向を説明するための図である。図5のa~cでは、モールド10上の主要パターンの一例である凹凸パターン20に対するTM偏光21mの偏光方向を示している。図5のaでは、凹凸パターン20の斜視図を示している。また、図5のbでは、凹凸パターン20を長手方向Lに垂直な方向で切断した場合の断面図で示し、図5のcでは、凹凸パターン20の上面図を示している。図5に示すように、TM偏光21mは、その電場振動方向が凹凸パターン20の長手方向Lに対して垂直な方向である。換言すると、TM偏光21mは、その電場振動方向が凹凸パターン20の短手方向Sに平行な方向である。図6は、凹凸パターンに偏光を入射した場合に局所領域に形成される近接場光のエネルギー分布を示す図である。図6のaでは、モールド10に形成される凹凸パターン20の断面図を示している。また、図6のbは、凹凸パターン20にTM偏光21mを入射した場合に、凹凸パターン20近傍の局所領域に形成される近接場光14のエネルギー分布を示している。また、図6のcは、凹凸パターン20にTE偏光23eを入射した場合に、凹凸パターン20近傍の局所領域に形成される近接場光14のエネルギー分布を示している。図6のb、cに示すハッチング領域のうち、色の薄い領域はエネルギーの高い領域を表し、色の濃い領域はエネルギーの低い領域を示している。例えば、図6のbに示す領域22Aは、最もエネルギーの高い領域であり、領域22Bは、最もエネルギーの低い領域である。また、図6のcに示す領域24Aは、最もエネルギーの高い領域であり、領域24Bは、最もエネルギーの低い領域である。図6のbの場合、パターン凹部内ではエネルギーが高いことが分かる。したがって、凹凸パターン20にTM偏光21mを入射させた場合、近接場光エネルギーが樹脂残渣12に大きく作用する。これにより、パターン凹部内に付着した樹脂残渣12の化学結合の切断分解と、近接場光エネルギーにより生成された酸素ラジカル16が樹脂残渣12と反応することによる樹脂残渣12の酸化揮発と、が並行して進行する。したがって、微細パターン凹部内に付着した樹脂残渣12を、効率良く除去することができる。図6のcの場合、パターン凹部内ではエネルギーが低いことが分かる。したがって凹凸パターン20にTE偏光23eを入射させた場合、パターン凹部内に付着した樹脂残渣12の化学結合の切断分解作用および酸素ラジカル形成作用が低く、微細パターン凹部内に付着した樹脂残渣12を、効率良く除去することができない。このため、本実施形態の樹脂除去装置1は、アッシングガス雰囲気の中で、紫外線光源3および偏光形成素子32を用いて、モールド10上の主要パターンに対してTM偏光の紫外線を入射する。これにより、効率良く微細パターン凹凸部の局所領域に近接場光14を発生させることが可能となる。このように第2の実施形態によれば、アッシングガス雰囲気の中で、紫外線光源3および偏光形成素子32を用いて、モールド10上の主要パターンに対してTM偏光21mの紫外線を照射するので、効率良く微細パターン凹凸部の局所領域に近接場光14を発生させることが可能となる。したがって、微細パターン凹凸部内に付着した樹脂残渣12を、効率良く除去することが可能となる。このように第1および第2の実施の形態によれば、モールド10に損傷を与えることなく短時間で効率良くモールドのパターン面から樹脂残渣12を除去することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"