電磁波を内部に入射させることができる入射窓を有する断熱容器と、この断熱容器内に設けられ、前記入射窓と対向する面に凹形状部を形成する素子基板と、この素子基板の前記凹形状部の表面に形成される超電導素子と、この超電導素子の両端に電極を接続して前記超電導素子の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置とを備えることを特徴とする超電導電磁波測定器。電磁波を内部に入射させることができる入射窓を有する断熱容器と、この断熱容器内部において入射窓に設けられるステージと、このステージ上に設けられ、前記入射窓と対向する面に凹形状部を形成した素子基板と、この素子基板の前記凹形状部の表面に形成される超電導素子と、この超電導素子の両端に電極を接続して前記超電導素子の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置とを備えることを特徴とする超電導電磁波測定器。前記素子基板の前記凹形状部は、前記素子基板のうち前記入射窓と対向する面を窪ませて形成した逆円錐形状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の超電導電磁波測定器。前記素子基板の前記凹形状部は、前記素子基板のうち前記入射窓と対向する面を窪ませて形成した逆四角錐形状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の超電導電磁波測定器。前記素子基板の前記凹形状部は、前記素子基板のうち前記入射窓と対向する面を切り欠いて形成され、長手方向の断面がV字形状の溝形状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の超電導電磁波測定器。前記溝形状を互いに平行に離間してアレイ状に配置したことを特徴とする請求項5に記載の超電導電磁波測定器。前記素子基板の前記凹形状部の前記開口端において、前記入射窓の方向に所定の高さをもった開口枠を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。前記素子基板の前記凹形状部の前記開口端の幅を測定する前記電磁波の波長程度にしたことを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。前記入射窓から入射した電磁波のビーム径を前記素子基板上の前記超電導素子の全幅程度に集光させる集光レンズをさらに設けることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。前記入射窓は電磁波のビーム径を前記素子基板上の前記超電導素子の全幅程度に集光させるレンズ形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。前記断熱容器内面に入射した電磁波を前記超電導素子に反射させる反射部材をさらに設けることを特徴とする請求項1乃至請求項10の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。しかしながら、上述した特許文献1および特許文献2に記載の技術は、平板形状の素子基板の上面に超電導素子が薄膜状に設けられており、電磁波は超電導素子に照射すると、電磁波の一部は反射して超電導素子から脱出し、超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができず、電磁波のエネルギーの測定効率を高めることができない課題があった。そこで本発明は、超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる超電導電磁波測定器の提供を目的とする。上記目的を達成するために、本発明の超電導電磁波測定器は、電磁波を内部に入射させることができる入射窓を有する断熱容器と、この断熱容器内に設けられ、入射窓と対向する面に凹形状部を形成する素子基板と、この素子基板の凹形状部の表面に形成される超電導素子と、この超電導素子の両端に電極を接続して前記超電導素子の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置とを備えることを特徴とする。本発明によれば、超電導電磁波測定器の超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる。以下、本発明の実施形態を説明する。第1の実施形態構成以下、本発明の第1の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図1乃至図3を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。図1に示すように、超電導電磁波測定器1は、断熱容器2と、入射窓3と、ステージ4と、素子基板5と、超電導素子6とから構成される。さらに図2に示すように、超電導電磁波測定器1は、上記構成に加え、電極7と、抵抗測定装置8とから構成される。断熱容器2は、内部を超電導素子6の転移温度付近に冷却することができる容器である。断熱容器2内部で液体窒素や液体ヘリウムを保持する等の手段によって転移温度付近に冷却することができる。また、断熱容器2は内部の圧力変化に耐え得るように円筒形状とすることが望ましい。入射窓3は、断熱容器2の円筒形状の側周面を切り欠いて設けられる。入射窓3にポリエチレンや石英、サファイヤ等、電磁波31の透過率が高い材料を適用することによって、可視光や赤外光等を含む外光から測定対象の電磁波31を選択して透過させることができる。さらに、可視光を反射する白色や、吸収しやすい黒色のフィルタを入射窓3に設けることによって可視光や赤外線の入射を制限することができる。ステージ4は、断熱容器2内部に設けられ、入射窓3と対向する面において素子基板5を支持することができる平板形状である。さらに、ステージ4に素子基板5の熱を放熱または断熱する作用を持たせることができる。素子基板5の熱を放熱する場合は、ステージ4に熱伝導率が高い材料を適用し、例えば、銅や鉄等の金属やセラミックスを適用する。また、素子基板5の熱を断熱する場合は、ステージ4に熱伝導率が低いアクリル等を適用する。素子基板5は、MgO2、サファイヤ、LaAlO3、いわゆるLSAT結晶であるLaAlO30.3Sr2AlTaO60.7等の材料が適用される。照射する電磁波31の強度が大きい場合には、素子基板5にMgO2等の熱伝導率が高い材料を適用し熱伝導の時定数を速くすることによって、測定の時計数を速くすることができる。熱伝導の時定数をさらに速くするために素子基板5を金属等の熱伝導率が大きい材料を介してステージ4上に設けてもよい。一方、照射する電磁波31の強度が小さい場合には、素子基板5にLSAT結晶等の熱伝導率が小さい材料を適用し熱伝導の時定数を長くすることによって、電磁波31のエネルギーを蓄熱して感度を高めることができる。熱伝導の時定数をさらに長くするために素子基板5を熱伝導率が小さい材料を介してステージ4上面に設けてもよい。以下、素子基板5の形状について説明する。四角柱形状の素子基板5が長手方向の側面をステージ4の入射窓3と対向する面に沿わせて設けられる。さらに、素子基板5のうち入射窓3を向く長手方向の側面を切り欠いて断面がV字となる溝形状が凹形状部5dとして形成される。このとき、溝形状の両淵を開口端5a、断面のV字の先端を底部5b、溝形状の両淵から断面のV字の先端にかけて傾斜する面を側面5cとして凹形状部5dが構成される。さらに、図2のように複数の素子基板5を互いの溝形状を平行に離間してアレイ状に設けることにより、素子基板5をステージ4に密に配置し、単位面積当たりの有感面積を増加させることができる。超電導素子6は、Nb3Sn、NbTi、LaFeAs、SmFeAs等の超電導体材料を適用することができる。さらに、超電導電磁波測定器1を70K付近で動作させるときは、イットリウム系銅酸化高温超電導YBa2Cu3O7-x以下、YBCOと称す。や、イットリウムをその他の希土類元素に置換した高温超電導体材料を用いるものとする。以下、超電導素子6としてYBCOを適用した場合を代表して説明する。超電導素子6は、蒸着や塗布、吹きつけ等の方法によって素子基板5の凹形状部5dの表面に所定の厚みをもって、例えば数μm程度の薄膜状に形成され、凹形状部5dと該同形状を形成する。また、素子基板5の凹形状部5dに沿った形状にあらかじめ加工した超電導素子6を凹形状部5dに配置してもよい。図2は、本発明の第1の実施形態に係る超電導電磁波測定器の超電導素子と抵抗測定装置の接続を示す概略斜視図である。電極7は、2つを組として複数の超電導素子6の各々の両端に設けられる。さらに、複数の超電導素子6の各々の電気抵抗を測定することができるように、電極7は抵抗測定装置8に電気的に接続される。抵抗測定装置8は、定電流または定電圧を電極7に印加する。電流および電圧はパルス電流やパルス電圧としてもよい。抵抗測定装置8が定電流を電極7に印加する場合には、超電導素子6で生じる抵抗変化を電圧変化として測定し、定電圧を印加する場合は超電導素子6で生じる抵抗変化を電流変化として測定する。超電導素子6であるYBCOの臨界電流密度は温度に依存し、動作温度で1kA/cm2程度である。したがって、数μm2程度の断面積の超電導素子6では数μAを流すものとする。また、超電導素子6に流す電流によって温度と抵抗との特性が変化する。したがって、超電導素子6の抵抗値の変化が大きくなるときの電流値を流すことができるように電源7の出力は可変であることが望ましい。作用以下、本発明の第1の実施形態の作用について説明する。超電導電磁波測定器1は、入射窓3から電磁波31を内部に入射させ、超電導素子6に電磁波31を照射する。電磁波31が超電導素子6に吸収され、電磁波31のエネルギーによって超電導素子6の転移温度付近において上昇すると、大きく抵抗変化が生じる。抵抗測定装置8は、この抵抗変化を測定することで電磁波31のエネルギーを測定する。ここで、超電導素子6に照射された電磁波31の一部は超電導素子6に吸収され、残りの電磁波31は超電導素子6から反射する。図1に示すように、超電導素子6は、素子基板5の凹形状部5dの側面5bに沿って内向きに傾斜しているため、超電導素子6から反射した電磁波31は、再び超電導素子6に照射され吸収される確立が高くなる。超電導素子6への電磁波31の吸収効率が高まることによって超電導素子6の温度変化が大きくなり、超電導素子6の抵抗変化が増大し、電磁波31のエネルギーの測定効率が高まる。さらに、抵抗測定装置8は以下の方法によっても電磁波31のエネルギーを測定することができる。超電導素子6は、臨界電流密度以上の電流を流すと、転移温度以下であっても超電導または常電導に転移する特性を持つ。したがって、超電導素子6に臨界電流付近の電流を流し、超電導素子6の一部で熱の発生による抵抗値が上昇したとき、流れる電流は超電導素子6のうち抵抗の小さい部分を流れようとする。このとき、抵抗の小さい部分に流れた電流密度が臨界電流密度より大きくなると、超電導から常電導に転移して抵抗値が変化する。この抵抗変化を測定することによって電磁波31のエネルギーを測定することができる。さらに、本実施形態は以下の変形が可能である。図3は、本発明の第1の実施形態に係る超電導電磁波測定器の素子基板および超電導素子の形状の変形例を示し、aは逆円錐形状を示す斜視図、bは逆四角錐形状を示す斜視図、cは逆円錐の先端がラウンドした形状を示す斜視図、dは逆四角錐台形状を示す斜視図である。図3aは、素子基板5の入射窓3と対向する面を窪ませた逆円錐形状によって凹形状部5dを形成する。このとき、逆円錐形状の底となる円形の淵によって開口端5aが形成され、逆円錐形状の頂部によって底部5bが形成され、逆円錐の側面によって側面5cが形成される。凹形状部5dの逆円錐形状を素子基板5の上面に等間隔に配置することによって、超電導電磁波測定器1をイメージングセンサとして作用させることができる。図3bは、素子基板5の入射窓3と対向する面を窪ませた逆四角錐形状によって凹形状部5dを形成する。このとき、逆四角錐形状の底となる円形の淵によって開口端5aが形成され、逆四角錐形状の頂部によって底部5bが形成され、逆四角錐の側面によって側面5cが形成される。凹形状部5dの逆四角錐形状を素子基板5の上面に等間隔に配置することによって、超電導電磁波測定器1をイメージングセンサとして作用させることができる。図3cは、素子基板5の入射窓3と対向する面を窪ませた先端がラウンドする逆円錐形状によって凹形状部5dを形成する。このとき、底部5bは、逆円錐形状のラウンドした先端によって形成される。図3dは、素子基板5の入射窓3と対向する面を窪ませた逆四角錐台形状によって凹形状部5dを形成する。このとき、底部5bとなる逆四角錐台形状の上面は、逆四角錐台形状の底面に比べ十分小さい面積とする。さらに、凹形状部5dは上述した変形例に限らず、逆三角錐形状や半球形状に窪ませた形状など、開口端5aから底部5bにかけて側面5cが傾斜した形状であれば他の形状を適用することも可能である。効果本発明の第1の実施形態によれば、素子基板5に凹形状部5dを形成し、凹形状部5dに超電導素子6を設けることによって、超電導素子6から反射した電磁波31を再び超電導素子6へ照射させ、電磁波31の超電導素子6への吸収量を高め、電磁波31のエネルギーの測定効率を高めることができる。第2の実施形態構成以下、本発明の第2の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図4および図5を参照して説明する。第1の実施形態に係る超電導電磁波測定器の各部と同一部分には同一符号を付し、同一の構成についての説明は省略する。図4は、本発明の第2の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。第2の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、新たに開口枠9を設けた点である。開口枠9は、電磁波31が透過しない材料を用いるものとし、例えば、金や銀、アルミなどの金属材料を適用することができる。開口枠9は、凹形状部5dの開口端5aにおいて、入射窓3の方向に所定の高さをもって形成される。図4のように、素子基板5の凹形状部5dが断面がV字である溝形状であるときは、開口端5aである2つの平行な溝の淵に沿って2本の開口枠9が設けられる。図5は、本発明の第2の実施形態に係る超電導電磁波測定器の凹形状部の変形例に開口部枠を適用した例を示し、aは逆円錐形状への適用例を示す斜視図、bは逆四角錐形状への適用例を示す斜視図である。図5aのように、凹形状部5dが逆円錐形状であるときは、開口端5aの円形状の淵に沿って開口枠9が設けられる。図5bのように、凹形状部5dが逆四角錐形状であるときは、開口端5aの四角形状の淵に沿って開口枠9が設けられる。作用以下、本発明の第2の実施形態の作用について説明する。断熱容器2の内部には超電導素子6の他に、素子基板5や、電極7が設けられ、超電導素子6と同様に電磁波31の入射によって温度変化が生じ、この温度変化によって生じた熱輻射32がノイズ源となる。しかし、断熱容器2の内部において生じた熱輻射32が超電導素子6に対して横または斜め方向から進入したとき、開口枠9はこれを遮断して超電導素子6に輻射32が入射することを防ぐことができる。さらに、凹形状部5dの開口端5aおよび開口枠9の幅を測定対象の電磁波31の波長と同程度とすることもできる。例えば、1mm程度の波長の電磁波31を測定するときには、凹形状部5dの開口端5aおよび開口枠9の幅を1mm程度とする。このとき、開口枠9が電磁シールドの役割を果たし、開口枠9の幅より大きい波長の光の開口枠9内部への進入を抑え、目的とする電磁波31を選択して凹形状部5d内部へ入射させることができる。効果本発明の第2の実施形態によれば、開口枠9を素子基板5の凹形状部5dの開口端5aに沿って設けることによって、ノイズとなる輻射が超電導素子6に照射することを防ぐことができる。なお、開口枠9は、開口端5aの全てに設けられるだけでなく、開口端5aのうちノイズの発生源を向く方向にのみ設けてもよい。なお、凹形状部5dの開口端5aの幅を電磁波31の波長と同程度とすれば、開口枠9を省く構成としても凹形状部5dの開口端5aが電磁シールドとして作用し、開口端5aの幅より大きな波長の光の進入を抑え、目的とする電磁波31を選択して凹形状部5d内部へ入射させることができる。第3の実施形態構成以下、本発明の第3の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図6を参照して説明する。第1の実施形態に係る超電導電磁波測定器の各部と同一部分には同一符号を付し、同一の構成についての説明は省略する。図6は、本発明の第3の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。第3の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、新たに集光レンズ11を設けた点である。集光レンズ11は、入射窓3とステージ4の間に設けられる。さらに、入射窓3は複数の超電導素子6が設置されている位置の全幅より大きい径とする。作用以下、本発明の第3の実施形態の作用について説明する。電磁波31は、複数の超電導素子6が設置されている位置の全幅より大きいビーム径として入射窓3から入射する。集光レンズ11は、入射窓3から入射する電磁波31のビーム径を複数の超電導素子6の全幅程度に集光させる。超電導素子6の全幅より大きいビーム径の電磁波31を集光して超電導素子6に照射することによって、超電導素子6の全幅と等しい径のビーム径の電磁波31を照射したときに比べ、超電導素子6に照射する電磁波31のエネルギー量を高めることができる。効果本発明の第3の実施形態によれば、集光レンズ11によって電磁波31のビーム径を複数の超電導素子6の全幅程度に集光させることによって、超電導素子6に照射する電磁波31の量を増やすことができる。なお、入射窓3自体の形状をレンズ形状として、入射窓3が集光レンズ11の作用を兼ねる構成としてもよい。第4の実施形態構成以下、本発明の第4の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図7を参照して説明する。第1の実施形態に係る超電導電磁波測定器の各部と同一部分には同一符号を付し、同一の構成についての説明は省略する。図7は、本発明の第4の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。第3の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、新たに反射部材12を設けた点である。反射部材12は、電磁波31の反射特性の高い鏡や金属等の材料が用いられ、上部反射部材12aと下部反射部材12bとから構成される。上部反射部材12aは、断熱容器2内面であって、超電導素子6より入射窓3側に設けられる。上部反射部材12aは、焦点を超電導素子6の表面に定めた凹面鏡形状であり、入射した電磁波31を超電導素子6に反射させることができる。下面反射部材12bは、断熱容器2内面とステージ4との隙間をふさぐように、超電導素子6より入射窓3と反対側に設けられる。下部反射部材12bは、反射面を上面反射部材12aに向けた形状であって、入射した電磁波31を上面反射部材12aに反射させる形状である。作用以下、本発明の第4の実施形態の作用について説明する。超電導素子6に照射した電磁波31は凹凸形状部5aによって大部分は超電導素子6に吸収されるが、一部は超電導素子6から反射し断熱容器2の内面に入射する。上部反射部材12aは、入射した電磁波31を超電導素子6の方向へ反射させ、反射した電磁波31は再び超電導素子6に照射される。さらに、下部反射部材12bは、入射した電磁波31を上部反射部材12aに反射し、下部反射部材12bによって反射された電磁波31は上部反射部材12aによって再び超電導素子6に照射される。また、入射窓6から入射する電磁波31は、超電導素子6の方向へ入射するものの他、断熱容器2の内面の方向へ入射するものがある。反射部材12は、断熱容器2の内面に入射した電磁波31を超電導素子6へ反射させ、超電導素子6に照射する。効果本発明の第4の実施形態によれば、断熱容器2の内部に反射部材12を設け、反射部材12に照射した電磁波31を超電導素子6の方向へ反射させることによって、より電磁波31の吸収効率を高めることができる。なお、反射部材12は上部反射部材12aのみを設ける構成としてもよい。なお、本発明の実施形態は上述した実施形態に限られないことは言うまでもない。例えば、超伝導電磁波測定装置1は、電磁波31としてテラヘルツ波だけなく、紫外線、可視光、赤外線、電波など広帯域の光を測定することもできる。このとき、入射窓3に各々の波長に応じたフィルタを適用するものとする。さらに、超電導素子6としてYBCOをはじめとする高温超電導体だけでなく、極低温超伝導体を適用することもできる。このとき、断熱容器2は各々の超電導体の常電導から超電導への遷移温度に内部を冷却するものとし、抵抗測定装置8が印加する電流も適宜調整されるものとする。また、1つの素子基板5につき1つの凹形状部5dを形成するだけでなく、1つの素子基板5につき複数の凹形状部5dを形成し、複数の凹形状部5dの各々に超電導素子6を設けてもよい。さらに、ステージ4の上面において素子基板5を設けるだけでなく、ステージ4の構成を省き、断熱容器2の内面によって素子基板5を支持し、素子基板5上に超電導素子6を設けることも可能である。なお、上述した第1から第4の実施形態は適宜組み合わせることができる。