"少なくとも対向する2つの辺に沿ってそれぞれ1本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を備えることを特徴とする半導体チップ。前記溝は、前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を切断する溝であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体チップ。半導体チップの裏面を研削する工程と、前記半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する2つの辺に沿ってそれぞれ1本ずつ形成する溝形成工程とを有することを特徴とする半導体チップの製造方法。前記溝形成工程において、さらに前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を切断する溝を形成することを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記溝形成工程において、前記研削条痕を横切るようにレーザを照射して前記研削条痕を除去することによって前記溝を形成することを特徴とする、請求項3に記載の半導体チップの製造方法。前記溝形成工程において、前記レーザ照射によってさらに前記半導体チップの裏面に形成された破砕層を除去することによって前記溝を形成することを特徴とする、請求項5に記載の半導体チップの製造方法。ところで、半導体チップの薄型化が進むと、例えばダイシング工程で発生することが知られているチッピングの大きさを低減することが重要となる。チッピングの大きさが大きくなる要因の一つとして、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿うクラックの成長が挙げられる。半導体チップを薄型化すべく、半導体ウェハの裏面、即ち、半導体ウェハに含まれる半導体チップの裏面を研削すると、半導体ウェハの裏面には研削条痕が形成される。この場合、図16A、Bに示すように、例えばダイシング工程で半導体チップ104に発生するチッピングによって研削条痕106に沿ってクラックが成長してしまう場合がある。また、ストレスリリーフ処理を実施した場合、研削条痕等が除去されるため、クラックの発生を防止できそうであるが、実際には、ストレスリリーフ処理を実施しない場合よりも大きなクラックが発生する場合がある。これは、次の理由によるものと考えられる。つまり、基板裏面を鏡面化すると、ダイシングテープと半導体チップとの密着性が低下し、ダイシング時の振動や衝撃がより半導体チップへ伝わってしまうためであると考えられる。また、基板裏面が鏡面化されたウェハをダイシングするには、研削条痕が存在しているウェハと比較し、必要となるエネルギーが異なり、これが大きなクラックの発生につながる可能性がある。そこで、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制したい。本半導体チップは、少なくとも対向する2つの辺に沿ってそれぞれ1本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を備えることを要件とする。本半導体チップの製造方法は、半導体チップの裏面を研削する工程と、半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する2つの辺に沿ってそれぞれ1本ずつ形成する溝形成工程とを有することを要件とする。したがって、本半導体チップ及びその製造方法によれば、半導体チップの裏面に形成された研削条痕に沿ってクラックが成長するのを抑制することができるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体チップ及びその製造方法について、図1~図7を参照しながら説明する。本実施形態にかかる半導体チップは、図1に示すように、その裏面、即ち、半導体基板の裏面背面1Bに研削条痕2及び破砕層3[図4D参照]が形成されている半導体チップ1であって、研削条痕2を横切り、研削条痕2及び破砕層3を切断する溝4を備える。この溝4が形成されている部分は、研削条痕2及び破砕層3が除去されて平坦化研削面平坦化;鏡面化されている。また、半導体チップ1の表面1Aには半導体素子等を含む回路5回路パターン;パターン層が形成されている。このため、半導体チップ1の表面を、回路面、回路形成面、あるいは、素子形成面ともいう。なお、図1では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕2が形成されている四角形状の半導体チップチップ1を例に挙げて示している。つまり、図1では、半導体チップ1の裏面に形成された研削条痕2が延びる方向ソーマーク方向が、半導体チップ1の各辺に対して約45度になっているものを例に挙げて示している。また、破砕層3は、これらの研削条痕2の下方の全面に形成されている[図4D参照]。本実施形態では、四角形状の半導体チップ1の4つの辺エッジのそれぞれの近傍外周部近傍でこれらの研削条痕2及び破砕層3[図4D参照]が切断されるように、溝4が、半導体チップ1の4つの辺の内側に、これらの4つの辺に沿って四角形状矩形状に形成されている。つまり、溝4は、半導体チップ1の4つの辺のそれぞれに沿ってライン状に形成されている。また、本実施形態では、複数の四角形状の溝4A、4Bが形成されており、半導体チップ1の4つの辺に沿って四角形状に形成された溝4Aの内側に、この溝4Aに沿って四角形状に別の溝4Bが形成されている。つまり、本実施形態では、半導体チップ1の4つの辺に沿って2条の溝4A、4Bが設けられている。この場合、半導体チップ1の裏面1Bの外側から内側へ向けて、研削条痕2及び破砕層3がある領域と、平坦化された領域とが交互に存在することになる[図4D参照]。なお、ここでは、2条の溝を設けているが、これに限られるものではなく、1条の溝を設けるだけでも良いし、複数条多条の溝を設けるようにしても良い。また、研削条痕2は、後述するように、バックグラインド研磨によって生じるものであるため、単に研磨痕ともいう。また、溝4は、後述するように、レーザを照射して研削条痕2及び破砕層3を溶融させて除去することによって形成されるため、溶融痕、あるいは、レーザ加工痕ともいう。また、破砕層3をマイクロクラック又はダメージ層ともいう。以下、本実施形態にかかる半導体チップの製造方法について、図2~図7を参照しながら、具体的に説明する。はじめに、図2Aに示すように、半導体チップ1に分離する前の半導体ウェハウェハ10の表面10Aは、分離予定線であるストリート11によって画定され、行列状に配列された複数のチップ1を備える。各チップ1には、半導体素子等を含む回路5回路パターン;パターン層が形成されている。このため、ウェハ10の表面10Aを、回路形成面、あるいは、素子形成面ともいう。また、チップ1を、チップ領域、回路形成領域、素子形成領域、あるいは、有効領域ともいう。また、ストリート11を、スクライブ領域ともいう。まず、図2B~Dに示すように、ウェハプロセスを経て表面10Aに回路5が形成されたウェハ10に対して、ウェハ10を薄くするために、裏面研削処理を施す。なお、この工程を裏面研削処理工程という。つまり、まず、図2Bに示すように、ウェハ10の表面10A側、即ち、ウェハプロセスで形成された回路5側に、ローラ8を用いて表面保護テープ6を貼り付ける。これにより、裏面研削時にウェハ1の回路形成面10Aが表面保護テープ6によって保護される。つまり、裏面研削時には、ウェハ10の裏面10B側を処理するためにウェハ10を吸着テーブル7上に保持することになるが、この際に、ウェハ10の回路形成面10Aが吸着テーブル7に接触しないように表面保護テープ6によって保護するようにしている。なお、表面保護テープ6をBGテープともいう。また、中着テーブル7をチャックテーブルC/Tともいう。次に、図2Cに示すように、ウェハ10を表裏反転させ、ウェハ10の裏面10Bを上にした状態で裏面研削装置の吸着テーブル7上に保持し、ウェハ10の裏面10B、即ち、ウェハ10に含まれる半導体チップ1の裏面を研削して、ウェハ10の厚さを所望の厚さにする。ここでは、ウェハ10を表裏反転させてバックグラインド装置の吸着テーブル7上に保持し、ウェハ10の裏面10BにバックグラインドホイールBGホイール9に備えられる研削砥石バックグラインド砥石;BG砥石9Aを接触させて、ウェハ10の裏面10Bをバックグラインド研磨し、ウェハ10の厚さを所望の厚さにする。例えば、BGホイール9と吸着テーブル7の双方とも回転させながら、ウェハ10の裏面10BにBG砥石9Aを接触させることで、摩擦によってウェハ10の裏面10Bを研削することができる。なお、この工程をバックグラインド工程という。また、バックグラインド研磨を、機械式裏面研磨又は裏面研削ともいう。なお、裏面研削装置では、裏面研削時にウェハ10の厚さをモニタすることができるようになっている。例えば、触芯を吸着テーブル7とウェハ10のそれぞれの表面上に接触させておき、その差でウェハ10の厚さをモニタすることができる。また、裏面研削装置では、設定する条件によって、裏面研削処理中の条件の切り替えが可能であり、モータ回転数、BGホイール9の下降スピード等を変更することが可能である。このような裏面研削処理を施すと、ウェハ10の裏面10B、即ち、研削面には、図2Dに示すように、風車状の研削条痕2及び破砕層3[図4D参照]が形成される。ここで、研削条痕2の高さ凹凸は約0.1μm程度である。また、破砕層3の深さ、即ち、研削条痕2の凸部のトップから破砕層3の最大深さまでは約1μm程度である。次に、図3、図4に示すように、ウェハ10の裏面10Bを上にし、表面10Aをテーブル12側へ向けた状態でレーザ照射装置14図5参照のテーブル12上に保持し、ウェハ10の裏面10B、即ち、ウェハ10に含まれる半導体チップ1の裏面に形成された研削条痕2を横切り、研削条痕2及び破砕層3図4参照を切断する溝4を形成する。この工程を溝形成工程という。なお、テーブル12をチャックテーブルともいう。なお、図4では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕2が形成されている四角形状のチップ1を例に挙げて示している。つまり、図4では、チップ1の裏面に形成された研削条痕2が延びる方向ソーマーク方向が、チップ1の各辺に対して約45度になっているものを例に挙げて示している。また、破砕層3は、これらの研削条痕2の下方の全面に形成されている。ここでは、研削条痕2を横切り、研削条痕2及び破砕層3を切断する溝4を形成するために、研削条痕2及び破砕層3が形成されたウェハ10の裏面10B、即ち、各チップ1の裏面1Bに対して、研削条痕2を横切るようにレーザを照射し、研削条痕2及び破砕層3を溶融させて除去するレーザ処理レーザ加工を施す。つまり、研削条痕2を横切るようにレーザを照射し、研削条痕2及び破砕層3を除去して平坦化鏡面化することによって、研削条痕2を横切り、研削条痕2及び破砕層3を切断する溝4を形成する。このため、レーザ加工領域レーザ照射領域;レーザ溶融領域、即ち、レーザのカットラインによって溝4が規定される。つまり、レーザの加工レイアウトによって溝4を形成する部分が決まる。この工程をレーザ処理工程、レーザ照射工程、又は、研削条痕及び破砕層除去工程という。本実施形態では、図4に示すように、ウェハ10の裏面10B、即ち、四角形状の各チップ1の裏面1Bの4つの辺のそれぞれの近傍外周部近傍で、研削条痕2を横切り、研削条痕2及び破砕層3が切断されるように、溝4を、チップ1の4つの辺の内側に、これらの4つの辺に沿って四角形状矩形状に形成する。つまり、溝4を、チップ1の4つの辺のそれぞれに沿ってライン状に形成する。この場合、レーザのカットラインは、チップ1の4つの辺のそれぞれに沿うライン状、即ち、4つの辺に沿う四角形状のカットラインとなる。このように、溝4によって研削条痕2及び破砕層3が切断されているため、後述のダイシング工程においてチップ1の外周部でチッピングが生じ、研削条痕2に沿って特に凸部の根元の部分に沿って、即ち、薄くなっていて弱い凹部に凸部に沿ってクラックが成長してしまうのを抑制することができる。つまり、研削条痕2に沿って発生するクラックの成長を溝4で止めることができる。これにより、クラックの大きさを小さくすることができる。さらに、本実施形態では、複数の四角形状の溝4A、4Bを形成する。つまり、チップ1の4つの辺に沿って四角形状に形成された溝4Aの内側に、この溝4Aに沿って四角形状に別の溝4Bを形成する。このように、本実施形態では、チップ1の4つの辺に沿って2条の溝4A、4Bを形成する。この場合、レーザのカットラインは、チップ1の4つの辺に沿う2条のカットラインとなる。また、チップ1の裏面1Bの外側から内側へ向けて、研削条痕2及び破砕層3がある領域レーザ未加工領域と、平坦化された領域レーザ加工領域とが交互に存在することになる。これにより、後述のダイシング工程においてチップ1の外周部でチッピングが生じ、研削条痕2に沿ってクラックが成長する場合に、外側の溝4Aでクラックの成長を止めることができなかったとしても、内側の溝4Bでクラックの成長を止めることが可能となる。このように、溝4の数を増やすことで、クラックの成長を抑制する効果が高まる。なお、ここでは、2条の溝を設けているが、これに限られるものではなく、1条の溝を設けるだけでも良いし、複数条多条の溝を設けるようにしても良い。このように、本実施形態では、ストレスリリーフ処理を実施せずに、研削条痕2に沿ってクラックが成長するのを抑制するために、研削条痕2を横切り、研削条痕2及び破砕層3を切断する溝4を形成しており、各チップ1の溝4が形成されている部分以外の領域には研削条痕2及び破砕層3が残されている。このため、ストレスリリーフ処理を実施した場合のようにダイシング工程で大きなクラックが発生する可能性を低減できる。ストレスリリーフ処理を実施する場合のように薬品や研磨材などを用いる必要がないため、コストを抑えることも可能となる。特に、各チップ1の外周部は、レーザ処理が施されずに、研削条痕2及び破砕層3が残されている。つまり、後述のダイシング工程においてダイシングされるダイシングライン近傍の研削条痕2及び破砕層3は残されている。これにより、後述のダイシング工程において、ダイシングライン近傍で各チップ1とダイシングテープ13との密着性は低下しないため、安定したダイシングを行なえる。このように、上述のようにして各チップ1の裏面1Bに溝4を形成したとしても、ダイシングの品質が低下することはない。また、ストレスリリーフを実施する場合と比較すると、ダイシングテープ13と各チップ1との密着性が低下しないため、ダイシング時の衝撃によってチップ1がダイシングテープ13から剥がれてしまい歩留まりが低下してしまうこともない。例えば、小サイズのチップ1を作製する場合、ダイシングの衝撃によってチップ1がダイシングテープ13から剥がれてしまい、歩留まりが低下してしまうという課題があるが、このような場合にも、歩留まりが低下しないようにすることができる。また、溝4が形成されている部分は、研削条痕2及び破砕層3が除去されて平坦化されており、裏面粗さ面粗さが低減された部分ができるため、チップ1の機械強度、即ち、チップ抗折強度を向上させることができる。このようなレーザ処理工程では、例えば図5に示すようなレーザ照射装置14を用いて、研削条痕2及び破砕層3が形成されたウェハ10の裏面10B、即ち、ウェハ10に含まれる半導体チップ1の裏面1Bに対してレーザを照射すれば良い。本実施形態では、レーザ照射装置14はレーザスポットLSを走査させる機構を有しており、ウェハ10の裏面10Bの所望の箇所にレーザを照射することができるようになっている。なお、レーザ照射装置14を、レーザ照射機あるいはレーザ加工装置ともいう。この走査機構を含むレーザ照射装置14は、レーザ発振器レーザ発生装置15と、シャッタ16と、X方向ガルバノミラー17と、Y方向ガルバノミラー18と、レンズ19とを備える。そして、レーザ発振器15から出射されたレーザレーザ光は、シャッタ16を通過し、X方向ガルバノミラー17及びY方向ガルバノミラー18で反射され、レンズ19を通過して、ウェハ10の裏面10Bに対して照射されるようになっている。ここで、レーザは、例えば半導体励起YVO4レーザの第2高調波など、ウェハ10を構成しているシリコンを透過しない波長例えば532nmを持つレーザを用いるのが好ましい。特に、本実施形態のレーザ照射装置14では、レーザスポットLSをウェハ10の裏面10B上でX方向へ走査させるX方向ガルバノミラー17と、レーザスポットLSをウェハ10の裏面10B上でY方向へ走査させるY方向ガルバノミラー18とを用いて、ウェハ10の裏面10B上のレーザ照射位置を制御できるようになっている。ここでは、X方向ガルバノミラー17及びY方向ガルバノミラー18を独立して回転させることで、ウェハ10の裏面10B上でレーザスポットLSをX方向及びY方向に走査させることができるようになっている。また、本レーザ照射装置14では、シャッタ16の開閉によって、ウェハ10の裏面10Bに対するレーザ照射の有無を制御できるようになっている。そして、このような構成を備えるレーザ照射装置14を用いて、図6に示すように、ウェハ10の裏面10B、即ち、ウェハ10に含まれる半導体チップ1の裏面1Bの四角形状の溝4を形成する部分にレーザが照射されるように、レーザスポットLSを走査させる。これにより、ウェハ10の裏面10B、即ち、ウェハ10に含まれる半導体チップ1の裏面1Bの溝4を形成する領域にレーザを照射し、それ以外の領域にレーザを照射せずに研削条痕2及び破砕層3を残すことができる。なお、図6中、実線の矢印はレーザ走査方向を示している。ここで、レーザスポットLSのスポット径φを例えば約5~約100μmとし、レーザスポットLSが互いに重なり合うように照射するのが好ましい。また、本実施形態では、上述のように、研削条痕2及び破砕層3を除去して溝4を形成するため、研削条痕2の凹凸が約0.1μm程度であり、破砕層3の深さが約1μm程度であることを考慮して、溝4の深さ、即ち、研削条痕2の凸部のトップからの深さが約1μm程度となるようにレーザ照射条件を設定している。ここでは、破砕層3を全て除去して溝4を形成すべく、溝4の深さが約1μm程度となるようにレーザ照射条件を設定しているが、破砕層3を一部除去して溝4を形成する場合には、溝4の深さが約0.1μm程度~約1μm程度の範囲となるようにレーザ照射条件を設定すれば良い。ただし、バックグラインドの加工条件によって、破砕層3の深さは異なるものとなる。このため、破砕層3の深さに応じて溝4の深さを決めれば良い。つまり、バックグラインドの加工条件に応じて溝4の深さは異なるものとなる。このようにレーザスポットLSを走査させてレーザを照射するレーザ照射装置7では、マスクが不要であるが、マスクを用いるものと比較して処理時間が長くなるため、少量多品種のチップを製造するのに適している。また、良品チップのみを選択してレーザ照射することができるため、ダイシング後、チップ1の裏面1Bを見るだけで良不良の選別が可能となる。なお、ここでは、走査機構として、X方向ガルバノミラー17及びY方向ガルバノミラー18を用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、X方向及びY方向に走査させるXYテーブルを用いても良い。また、走査機構として、X方向ガルバノミラーと、Y方向に走査させるY方向用テーブルとを用いても良いし、Y方向ガルバノミラーと、X方向に走査させるX方向用テーブルとを用いても良い。次に、図7Aに示すように、ダイシング装置のテーブル23に保持されたダイシングテープ13上に、ウェハ10の裏面10Bを下にした状態で、ウェハ10をマウントしウェハマウント工程、表面保護テープ6を剥離する表面保護テープ剥離工程。この工程をマウントリムーブ工程という。なお、テーブル23をチャックテーブルともいう。なお、表面保護テープ6を剥離してからダイシングテープ13にマウントする場合もあるが、ウェハ径が約200mm以上に大口径化している今般では、剥離時にウェハにダメージが入る可能性が大きいため、前者の方法が一般的となっている。また、ウェハ径が約200mm以上のウェハを製造する場合、一般的にウェハマウント工程、表面保護テープ剥離工程を連続して行なう装置が使われており、この装置ではダイシングテープ13を保持するフレームリング20も同時に貼り付けられる。また、約300mm以上のウェハを製造する場合には、裏面研削装置も一体化したインライン装置を使用するのが一般的である。次に、図7B、Cに示すように、ダイシングブレード21によってウェハ10をダイシングする。これにより、ウェハ10が個片化されて複数のチップ1が形成される。この工程をダイシング工程という。次に、図7Cに示すように、個片化された複数のチップ1は、フレームリング20及びダイシングテープ13に保持された状態で、実装装置ダイマウント装置へ搬送される。そして、実装装置で、ダイシングテープ13の裏面側からUV照射を行ないこの工程をUV照射工程という、ダイシングテープ13の粘着力を低下させ、図7Dに示すように、各チップ1を突き上げピン22によってダイシングテープ13から剥離し、ピックアップツール図示せずによって吸着することによってピックアップする。この工程をピックアップ工程という。そして、ピックアップされた各チップ1は、実装基板まで搬送され、実装基板に実装される。この工程をチップ実装工程という。したがって、本実施形態にかかる半導体チップ及びその製造方法によれば、半導体チップ1の裏面1Bに形成された研削条痕2に沿ってクラックが成長するのを抑制することができるという利点がある。これにより、半導体チップ1の品質を向上させることができ、また、歩留まりを向上させることができる。なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。例えば、上述の実施形態では、裏面に対角線方向に平行に延びる複数の研削条痕2が形成されている四角形状のチップ1に四角形状の溝4を形成する場合を例に挙げて説明している。つまり、チップ1の裏面1Bに形成された研削条痕2が延びる方向ソーマーク方向が、チップ1の各辺に対して約45度になっているものを例に挙げて説明している。しかしながら、図8A~Cに示すように、ウェハ10の裏面10Bにおいて、研削条痕2は風車状に形成されるため、ウェハ10上のチップ1の位置によって、チップ1の裏面1Bに形成される研削条痕2の向きは異なるものとなる。例えば、図8B、Cに示すように、裏面に一の側面から一の側面の反対側の他の側面へ向かう方向に平行に延びる複数の研削条痕2が形成されている四角形状のチップ1もある。例えば、図8Bに示すように、チップ1の裏面1Bに形成された研削条痕2が延びるソーマーク方向が、チップ1の一対の辺図中、左右の辺;左右の側面に対して平行になっている場合もある。この場合、上述の実施形態のように、四角形状の溝4を形成しても良いが、これに限られるものではなく、例えば、チップ1の一対の辺図中、左右の辺に直交する他の一対の辺図中、上下の辺;上下の側面のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状の溝44A,4Bを形成するだけでも良い。つまり、図9A、Bに示すように、チップ1の一対の辺図中、左右の辺の近傍で発生し、研削条痕2に沿って成長するクラックは、研削条痕2が一対の辺に平行に延びているため、一対の辺に沿って成長し、チップ1の内部へ向けて成長しない。このため、チップ1の一対の辺のそれぞれに沿って平行に延びるライン状の溝4は形成しなくても良い。これに対し、図10A、Bに示すように、チップ1の他の一対の辺図中、上下の辺の近傍で発生し、研削条痕2に沿って成長するクラックは、研削条痕2が他の一対の辺に直交する方向に延びているため、他の一対の辺に直交する方向に沿って成長し、チップ1の内部へ向けて成長する。このため、チップ1の他の一対の辺のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状に溝4を形成する。また、例えば、図8Cに示すように、チップ1の裏面1Bに形成された研削条痕2が延びるソーマーク方向が、チップ1の一対の辺図中、上下の辺;上下の側面に対して平行になっている場合もある。この場合、上述の実施形態のように、四角形状の溝4を形成しても良いが、これに限られるものではなく、例えば、チップ1の一対の辺図中、上下の辺に直交する他の一対の辺図中、左右の辺;左右の側面のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状の溝44A,4Bを形成するだけでも良い。つまり、チップ1の一対の辺図中、上下の辺の近傍で発生し、研削条痕2に沿って成長するクラックは、研削条痕2が一対の辺に平行に延びているため、一対の辺に沿って成長し、チップ1の内部へ向けて成長しない。このため、チップ1の一対の辺のそれぞれに沿って平行に延びるライン状の溝4は形成しなくても良い。これに対し、チップ1の他の一対の辺図中、左右の辺の近傍で発生し、研削条痕2に沿って成長するクラックは、研削条痕2が他の一対の辺に直交する方向に延びているため、他の一対の辺に直交する方向に沿って成長し、チップ1の内部へ向けて成長する。このため、チップ1の他の一対の辺のそれぞれの内側に、他の一対の辺に平行にライン状に溝4を形成する。このように、全てのチップ1において、その4つの辺のそれぞれに沿ってライン状の溝4を形成して、四角形状とする必要はなく、チップ1の裏面1Bに形成されている研削条痕2が延びる方向に応じて、ライン状の溝4を形成する位置、即ち、レーザカットラインを決めれば良い。つまり、チップ1の辺に対してソーマーク方向が角度を持つ場合、その辺に沿ってライン状の溝4を形成すれば良い。例えば、研削条痕2の形状を元に、レーザによる加工レシピを作成し、ソーマーク方向に対して角度を持つレーザカットラインのみを選択してレーザ加工を行なうように設定し、即ち、ソーマーク方向に対してレーザカットラインが平行になるレーザカットラインに基づくレーザ加工を行なわないように設定して、ライン状の溝4を形成すれば良い。なお、研削条痕2の形状は研削条件により異なるが、研削条痕2の形状の確認は例えば魔鏡観察により可能である。この場合、ウェハ10上のチップ1の位置によって、ライン状の溝4を形成する位置が異なるものとなる。要するに、半導体チップの裏面に、少なくとも対向する2つの辺に沿ってそれぞれ1本ずつ設けられた、研削条痕を横切る溝を設ければ良い。この場合、上述の半導体チップの製造方法の溝形成工程において、半導体チップの裏面に形成された研削条痕を横切る溝を少なくとも対向する2つの辺に沿ってそれぞれ1本ずつ形成するようにすれば良い。また、上述の実施形態及び変形例では、破砕層3がクラック発生の要因となることがあるため、図11A、Bに示すように、溝44A,4Bを、研削条痕2だけでなく、さらに破砕層3も切断する溝としているが、これに限られるものではない。なお、図11A、Bでは、チップ1の裏面1Bに形成された研削条痕2が延びるソーマーク方向が、チップ1の一対の辺図中、左右の辺;左右の側面に対して平行になっている場合を例に挙げて示しているが、上述の実施形態のように、チップ1の裏面1Bに形成された研削条痕2が延びるソーマーク方向が、チップ1の各辺に対して約45度になっている場合も同様である。例えば、図12A、Bに示すように、溝44A,4Bを、研削条痕2を切断する溝4としても良い。つまり、レーザを照射することで、研削条痕2のみを除去して平坦化することで溝4を形成しても良い。このように、破砕層3を深さ方向に除去せずに、研削条痕2のみを除去して平坦化することで溝4を形成した場合であっても、研削条痕2が切断され、その方向性が途切れるため、研削条痕2に沿ってクラックが成長するのを溝4レーザ加工箇所で止めることが可能である。また、研削条痕2が平坦化されるため、チップ1の機械強度を向上させることもできる。この場合、研削条痕2の凹凸が約0.1μm程度であることを考慮して、溝4の深さ、即ち、研削条痕2の凸部のトップからの深さが約0.1μm程度となるようにレーザ照射条件を設定すれば良い。ただし、上述の実施形態のように、クラックの発生要因となりうる破砕層3まで除去することで、研削条痕2のみを除去する場合よりもクラックの成長を止める効果が高まる。また、上述の実施形態では、複数のチップ1のそれぞれに別個に四角形状の溝4を形成しているが、これに限られるものではない。つまり、図4A~Dに示すようなレーザ加工レイアウトレーザカットラインにしているが、これに限られるものではない。例えば図13A~Dに示すように、複数のチップ1に対して連続的にライン状の溝44A,4Bを形成することで、複数のチップ1のそれぞれに井形状の溝4を形成しても良い。つまり、図13A~Dに示すようなレーザ加工レイアウトレーザカットラインにしても良い。これにより、1度のレーザ走査で複数のチップ1に対して溝4を形成することが可能となり、製造のタクトアップが可能である。また、例えば、上述の実施形態では、レーザ処理工程において、レーザスポットLSを走査させるレーザ照射装置14を用いているが、これに限られるものではない。例えば,マスクを用いてレーザを照射するレーザ照射装置を用いても良い。この場合、マスクは、溝パターンがレーザを通過させ、それ以外の領域がレーザを遮るものとすれば良い。このような構成を備えるレーザ照射装置を用いて、ウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面の溝を形成する部分以外の領域にレーザが照射されずに、溝を形成する部分にレーザが照射されるように、マスクを介してレーザを照射する。この場合、レーザはマスクを介してウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面に照射されるため、マスクに形成された溝パターンが、ウェハの裏面に転写されて溝が形成されることになる。これにより、ウェハの裏面、即ち、ウェハに含まれる半導体チップの裏面の溝を形成する部分以外の領域、即ち、研削条痕及び破砕層を残す領域にレーザを照射しないで、溝を形成する部分にレーザを照射することができる。このようにマスクを用いてレーザを照射するレーザ照射装置では、マスクが必要であるが、ウェハの裏面に対して一括でレーザを照射することができるため、処理時間は短くすることができる。"