"被検光学系の収差を計測する収差計測装置において、前記被検光学系を介して、所定方向に沿って延びる帯状の第1空間像と、前記被検光学系の像面内で前記第1空間像を所定の角度だけ回転させた帯状の第2空間像とを、前記被検光学系の像面に形成する像形成部と、前記被検光学系の像面に配置された三角形状の開口部を有する開口部材と、前記第1空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報と、前記第2空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報とに基づいて、前記被検光学系の収差を計測する計測部とを備えていることを特徴とする収差計測装置。前記像形成部は、第1方向に沿って延びる前記第1空間像と、前記被検光学系の像面内で前記第1空間像を60度だけ回転させて得られる前記第2空間像と、前記被検光学系の像面内で前記第1空間像を-60度だけ回転させて得られる帯状の第3空間像とを前記開口部に対して順次形成し、前記開口部は、前記第1方向に平行な一辺を有する正三角形状であることを特徴とする請求項1に記載の収差計測装置。前記像形成部は、第1方向に沿って延びる前記第1空間像と、前記被検光学系の像面内で前記第1方向と直交する第2方向に沿って延びる前記第2空間像とを前記開口部に対して順次形成し、前記開口部は、前記第1方向に平行な一辺と前記第2方向に平行な一辺とを有する直角三角形状であることを特徴とする請求項1に記載の収差計測装置。前記像形成部は、前記第1空間像に対応する複数のパターンが互いに平行に設けられて、前記被検光学系の物体面に配置可能な第1基板と、前記第2空間像に対応する複数のパターンが互いに平行に設けられて、前記被検光学系の物体面に配置可能な第2基板とを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の収差計測装置。前記像形成部は、前記第1空間像に対応するパターンを有する基板と、前記被検光学系の物体面に前記基板を保持して所定の軸線廻りに回転可能なステージとを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の収差計測装置。前記計測部は、前記被検光学系の歪曲収差を計測することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の収差計測装置。被検光学系の収差を計測する収差計測方法において、前記被検光学系を介して、所定方向に沿って延びる帯状の第1空間像と、前記被検光学系の像面内で該第1空間像を所定の角度だけ回転させた帯状の第2空間像とを、前記被検光学系の像面に形成することと、前記被検光学系の像面に三角形状の開口部を配置することと、前記第1空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報と、前記第2空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報とに基づいて、前記被検光学系の収差を計測することとを含むことを特徴とする収差計測方法。前記開口部は、第1方向に平行な一辺を有する正三角形状の開口部であり、前記第1方向に沿って延びる前記第1空間像と、前記被検光学系の像面内で前記第1空間像を60度だけ回転させて得られる前記第2空間像と、前記被検光学系の像面内で前記第1空間像を-60度だけ回転させて得られる帯状の第3空間像とを前記開口部に対して順次形成することを特徴とする請求項7に記載の収差計測方法。前記開口部は、第1方向に平行な一辺と前記被検光学系の像面内で前記第1方向と直交する第2方向に平行な一辺とを有する直角三角形状の開口部であり、前記第1方向に沿って延びる前記第1空間像と、前記第2方向に沿って延びる前記第2空間像とを前記開口部に対して順次形成することを特徴とする請求項7に記載の収差計測方法。前記第1空間像に対応する複数のパターンが互いに平行に設けられた第1基板を前記被検光学系の物体面に配置し、前記第2空間像に対応する複数のパターンが互いに平行に設けられた第2基板を前記被検光学系の物体面に配置することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の収差計測方法。前記第1空間像に対応するパターンを有する基板を、前記被検光学系の物体面に保持して所定の軸線廻りに回転させることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の収差計測方法。前記被検光学系の歪曲収差を計測することを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載の収差計測方法。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の収差計測装置を備え、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光装置。請求項7乃至12のいずれか1項に記載の収差計測方法により得られた収差情報を用いて前記被検光学系を調整し、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光方法。請求項13に記載の露光装置または請求項14に記載の露光方法を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。特許文献1に開示された収差計測装置では、計測方向に沿って間隔を隔てて配置された2つの開口部を通過した光の強度に基づいて、例えば2つの開口部の中間位置での投影光学系の収差を求めることになるため、被検光学系の収差を高精度に計測することが困難である。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、被検光学系の収差を高精度に計測することのできる収差計測装置を提供することを目的とする。また、本発明は、被検光学系の収差を高精度に計測する収差計測装置を用いて収差の調整された投影光学系を介して、パターンを感光性基板に正確に転写することのできる露光装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、第1形態では、被検光学系の収差を計測する収差計測装置において、前記被検光学系を介して、所定方向に沿って延びる帯状の第1空間像と、前記被検光学系の像面内で前記第1空間像を所定の角度だけ回転させた帯状の第2空間像とを、前記被検光学系の像面に形成する像形成部と、前記被検光学系の像面に配置された三角形状の開口部を有する開口部材と、前記第1空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報と、前記第2空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報とに基づいて、前記被検光学系の収差を計測する計測部とを備えていることを特徴とする収差計測装置を提供する。第2形態では、被検光学系の収差を計測する収差計測方法において、前記被検光学系を介して、所定方向に沿って延びる帯状の第1空間像と、前記被検光学系の像面内で該第1空間像を所定の角度だけ回転させた帯状の第2空間像とを、前記被検光学系の像面に形成することと、前記被検光学系の像面に三角形状の開口部を配置することと、前記第1空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報と、前記第2空間像のうち前記開口部を通過した像の光に関する情報とに基づいて、前記被検光学系の収差を計測することとを含むことを特徴とする収差計測方法を提供する。第3形態では、第1形態の収差計測装置を備え、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光装置を提供する。第4形態では、第2形態の収差計測方法により得られた収差情報を用いて前記被検光学系を調整し、前記被検光学系の物体面に設置された所定のパターンを、前記被検光学系の像面に設置された感光性基板に露光することを特徴とする露光方法を提供する。第5形態では、第3形態の露光装置または第4形態の露光方法を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光することと、前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。実施形態では、被検光学系の収差を高精度に計測することのできる収差計測装置を実現することができる。実施形態にかかる露光装置では、被検光学系の収差を高精度に計測する収差計測装置を用いて収差の調整された投影光学系を介して、パターンを感光性基板に正確に転写することができる。以下、実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図1では、X軸およびY軸が感光性基板としてのウェハWの転写面露光面に対して平行な方向に設定され、Z軸がウェハWに対して直交する方向に設定されている。さらに具体的には、XY平面が水平面に平行に設定され、Z軸が鉛直方向に沿って上向きに設定されている。図1を参照すると、本実施形態の露光装置には、光源LSから露光光照明光ELが供給される。光源LSとして、例えば193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源を用いることができる。本実施形態の露光装置は、オプティカルインテグレータホモジナイザー、視野絞り、コンデンサレンズ等から構成される照明光学系ILを備えている。光源LSから射出された紫外パルス光からなる露光光ELは、照明光学系ILを通過し、マスクレチクルMを照明する。マスクMには転写すべきパターンが形成されており、X方向に沿って長辺を有し且つY方向に沿って短辺を有する矩形形状のパターン領域が照明される。マスクMを通過した光は、投影光学系PLを介して、フォトレジストが塗布されたウェハ感光性基板W上の露光領域ショット領域に所定の投影倍率でマスクパターンを形成する。すなわち、マスクM上での矩形形状の照明領域に光学的に対応するように、ウェハW上ではX方向に沿って長辺を有し且つY方向に沿って短辺を有する矩形形状の露光領域または静止露光領域にパターン像が形成される。マスクMは、マスクステージMS上においてXY平面に平行に保持されている。マスクステージMSには、マスクMをX方向、Y方向および回転方向に移動させる機構が組み込まれている。マスクステージMSは、マスクレーザ干渉計不図示によってX方向、Y方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。ウェハWは、ウェハホルダ不図示を介してウェハステージWS上においてXY平面に平行に固定されている。具体的に、ウェハステージWSは、ウェハWをZ方向に移動させるZステージ不図示と、Zステージを保持してXY平面に沿って移動するXYステージ不図示とを有する。Zステージは、ウェハWのフォーカス位置Z方向の位置および傾斜角を制御する。Zステージは、ウェハレーザ干渉計不図示によってX方向、Y方向および回転方向の位置がリアルタイムに計測され、且つ制御される。XYステージは、ウェハWのX方向、Y方向および回転方向を制御する。本実施形態の露光装置に設けられた主制御系CRは、マスクレーザ干渉計により計測された計測値に基づいてマスクMのX方向、Y方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系CRは、マスクステージMSに組み込まれている機構に制御信号を送信し、マスクステージMSを移動させることによりマスクMの位置調整を行う。また、主制御系CRは、オートフォーカス方式およびオートレベリング方式によりウェハW上の表面を投影光学系PLの像面に合わせ込むため、ウェハWのフォーカス位置Z方向の位置および傾斜角の調整を行う。即ち、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりZステージを駆動することによりウェハWのフォーカス位置および傾斜角の調整を行う。更に、主制御系CRは、ウェハレーザ干渉計により計測された計測値に基づいてウェハWのX方向、Y方向および回転方向の位置の調整を行う。即ち、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりXYステージを駆動することによりウェハWのX方向、Y方向および回転方向の位置調整を行う。露光時には、マスクMのパターン像が、ウェハW上の所定のショット領域内に一括的に投影露光される。その後、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりウェハステージWSのXYステージをXY平面に沿って駆動することによりウェハW上の別のショット領域を露光位置にステップ移動させる。このように、ステップアンドリピート方式により、マスクMのパターン像をウェハW上に一括露光する動作を繰り返す。あるいは、主制御系CRは、マスクステージMSに組み込まれている機構に制御信号を送信すると共に、駆動系DRに制御信号を送信し、投影光学系PLの投影倍率に応じた速度比でマスクステージMSおよびウェハステージWSのXYステージを駆動しつつ、マスクMのパターン像をウェハW上の所定のショット領域内に走査露光する。その後、主制御系CRは、駆動系DRに制御信号を送信し、駆動系DRによりウェハステージWSのXYステージをXY平面に沿って駆動することによりウェハW上の別のショット領域を露光位置にステップ移動させる。このように、ステップアンドスキャン方式によりマスクMのパターン像をウェハW上に走査露光する動作を繰り返す。すなわち、駆動系DRおよびウェハレーザ干渉計などを用いてマスクMおよびウェハWの位置制御を行いながら、矩形状の静止露光領域および照明領域の短辺方向すなわちY方向に沿ってマスクステージMSとウェハステージWSとを、ひいてはマスクMとウェハWとを同期的に移動走査させることにより、ウェハW上には静止露光領域の長辺に等しい幅を有し且つウェハWの走査量移動量に応じた長さを有する領域に対してマスクパターンが走査露光される。ウェハステージWSには、投影光学系PLの収差を計測するための収差計測装置1が装着されている。以下、収差計測装置1の具体的な構成および作用の説明に先立って、本実施形態における計測原理について説明する。本実施形態では、図2に示すように、投影光学系PLの像面に正三角形状の開口部21を配置するとともに、投影光学系PLを介して一方向に沿って細長く延びる帯状矩形状の空間像22aを形成する。すなわち、空間像22aに対応する形状の計測パターンを投影光学系PLの物体面に配置し、開口部21の2つの辺を横切るように空間像22aを形成する。図2では、投影光学系PLの像面において正三角形状の開口部21の一辺に平行な方向にx軸を設定し、像面においてx軸と直交する方向にy軸を設定し、x軸およびy軸と直交する方向にz軸を設定している。正三角形状の開口部21の一辺の長さはhであり、その高さはHである。空間像22aは、x方向に沿って細長く延びており、その幅短手方向の寸法はwである。開口部21の内側に位置する空間像22aの内側領域22aiの中心点Pと、空間像22aの長手方向と平行に延びる開口部21の一辺との間の距離はh1である。空間像22aを形成する光のうち、内側領域22aiに対応する光だけが開口部21を通過する。空間像22aを形成する光の強度分布が均一であり、単位面積当たりの光の強度をAとすると、開口部21を通過する光、すなわち内側領域22aiに対応する光の強度光量I1は、次の式1aにより表される。I1=A×w×H-h1×√3/21a次いで、図3に示すように、投影光学系PLの像面内で空間像22aを、点Pを中心としてz軸廻りに60度だけ回転させて得られる空間像22bを形成する。また、図4に示すように、投影光学系PLの像面内で空間像22aを、点Pを中心としてz軸廻りに-60度だけ回転させて得られる空間像22cを形成する。すなわち、空間像22bおよび22cは、空間像22aと合同の形状を有する。空間像22bおよび22cは、空間像22aに対応する形状の計測パターンと同じ計測パターンを、投影光学系PLの物体面においてそれぞれ所要の向きに配置することにより得られる。あるいは、空間像22bおよび22cは、空間像22aに対応する形状の計測パターンを、投影光学系PLの物体面において点Pに対応する点を中心として±60度だけ回転させることにより得られる。開口部21の内側に位置する空間像22b,22cの内側領域22bi,22ciの中心点Pと、空間像22b,22cの長手方向と平行に延びる開口部21の一辺との間の距離はh2,h3である。空間像22b,22cを形成する光の強度分布が均一であり、単位面積当たりの光の強度をAとすると、開口部21を通過する光、すなわち内側領域22bi,22ciに対応する光の強度I2,I3は、次の式1b,1cによりそれぞれ表される。I2=A×w×H-h2×√3/21bI3=A×w×H-h3×√3/21c内側領域22ai,22bi,22ciに対応する光の強度I1とI2とI3との総和Itは、次の式2により表される。It=I1I2I3=A×w×3×H-h1-h2-h3×√3/2=A×w×3×H-H×√3/2=A×w×H×√32式2を参照すると、強度I1とI2とI3との総和Itは、点Pの位置に係らず一定であることがわかる。以下、図5を参照して、点Pの位置に係らずh1h2h3=Hが成り立つことを説明する。図5において、一辺の長さがhで高さがHの正三角形ABCの面積は、3つの三角形ABP,BCP,CAPの面積の総和である。三角形ABPでは底辺の長さがhで高さがhb図3のh2に対応であり、三角形BCPでは底辺の長さがhで高さがha図2のh1に対応であり、三角形CAPでは底辺の長さがhで高さがhc図4のh3に対応である。正三角形ABCの面積と3つの三角形ABP,BCP,CAPの面積の総和との間に、次の式3に示す関係が成立する。そして、式3の両辺をh/2で割ると、式4に示すように、H=hbhahcが成り立ち、ひいてはh1h2h3=Hが成り立つ。h×H/2=h×hb/2h×ha/2h×hc/23H=hbhahc=h1h2h34式1a,1b,1Cと式2とを参照すると、強度I1とI2とI3との総和Itに対する強度I1,I2,I3の比は、次の式5a,5b,5Cでそれぞれ表される。I1/I1I2I3=A×w×H-h1×√3/2/A×w×H×√3=H-h1/2×H5aI2/I1I2I3=H-h2/2×H5bI3/I1I2I3=H-h3/2×H5ch1=h2=h3=H/3のとき、すなわち点Pが正三角形状の開口部21の重心に一致するときを計測の原点とし、原点からの空間像22aのh1の方向に沿った位置ずれ量をα1=h1-H/3とし、原点からの空間像22bのh2の方向に沿った位置ずれ量をα2=h2-H/3とし、原点からの空間像22cのh3の方向に沿った位置ずれ量をα3=h3-H/3とするとき、式5a,5b,5Cは、次の式6a,6b,6Cに示すように変形される。I1/I1I2I3=H-h1/2×H={H-α1H/3}/2×H=2×H/3-α1/2×H=-α1/2×H1/36aI2/I1I2I3=-α2/2×H1/36bI3/I1I2I3=-α3/2×H1/36cすなわち、空間像22a,22b,22cの原点からの位置ずれ量α1,α2,α3は、次の式7a,7b,7Cで表される。α1=2×H×{1/3-I1/I1I2I3}7aα2=2×H×{1/3-I2/I1I2I3}7bα3=2×H×{1/3-I3/I1I2I3}7c位置ずれ量α1,α2,α3は、図6の右側の座標に示す方向の変位を表している。ここで、α1の方向は、図6の左側のxyデカルト座標系におけるy方向に対応している。α3の方向は、-x方向と30度をなし且つ-y方向と60度をなす方向に対応している。α2の方向は、x方向と30度をなし且つ-y方向と60度をなす方向に対応している。式7a,7b,7Cを参照すると、空間像22a,22b,22cの位置ずれ量α1,α2,α3は、正三角形状の開口部21の高さHと、内側領域22ai,22bi,22ciに対応する光の強度I1,I2,I3とにより求められる。図7の左側の図におけるxyデカルト座標系における位置ずれ量を表すベクトルdvは、次の式8に示すように、図7の右側の図に示すベクトルa2およびa3を用いて表される。dv=a2a38ベクトルa2,a3は、次の式9a,9bに示すように、図7の左側の図に示す位置ずれ量変位α2,α3を用いて表される。その結果、ベクトルdvは、次の式10に示すように、位置ずれ量α2,α3を用いて表される。式10において、右辺の上段の値であるα2-α3/√3は、空間像のx方向の位置ずれ量、すなわち投影光学系の歪曲収差ディストーションのx方向の値を表している。また、右辺の下段の値である-α2-α3は、空間像のy方向の位置ずれ量、すなわち投影光学系の歪曲収差のy方向の値を表している。なお、投影光学系の歪曲収差のy方向の値として、空間像22aの位置ずれ量α1をそのまま用いても良い。このように、本実施形態の計測原理によれば、複数の空間像22a,22b,22cについて単一の開口部21を通過した光の強度I1,I2,I3に基づいて、例えば開口部21の重心位置での投影光学系の歪曲収差の二次元的なデータ、すなわち互いに直交する2つの計測方向x方向およびy方向の歪曲収差量が求められる。その結果、計測方向に沿って間隔を隔てて配置された2つの開口部を用いる従来技術に比して、被検光学系の収差を高精度に計測することができる。収差計測装置1は、図8に示すように、被検光学系である投影光学系PLの収差の計測に際して、マスクステージMS上に配置可能な3つのテストマスクTM1,TM2,TM3と、投影光学系PLの像面に配置可能な開口部材11とを備えている。テストマスクTM1には、図9に示すように、一方向に沿って細長く延びる3つの帯状の計測用パターン31が互いに平行に形成されている。テストマスクTM1は、例えば石英または蛍石により形成された光透過性の基板において3つの計測用パターン31を除く領域を、例えばクロムのような遮光性材料で覆うことにより製造されている。開口部材11には、図10に示すように、複数の三角形状の開口部11aが設けられている。以下、説明の理解を容易にするために、投影光学系PLは正立正像を形成するものとし、テストマスクTM1は3つの計測用パターン31がX方向に延びるように設置されるものとする。また、複数の開口部11aは互いに合同な正三角形状であり、開口部材11の設置状態において正三角形の一辺がX方向に延びる直線をなすようにY方向に3段配置されているものとする。図10では、下段および上段に5つの開口部11aが設けられ、中段に6つの開口部11aが設けられた例を示している。収差計測装置1は、開口部材11の各開口部11aを通過した光を検出する光検出器12と、光検出器12の出力信号が供給される計測部13とを備えている。光検出器12は、例えばCCD型またはCMOS型の二次元撮像素子を有する。計測部13は、光検出部12が検出した光に基づいて、投影光学系PLの収差を計測する。計測部13の出力、すなわち収差計測装置1の計測結果は、主制御系CRへ供給される。主制御系CRは、投影光学系PLの収差の計測に際して、ウェハステージWSを駆動し、収差計測装置1を投影光学系PLに対して位置決めする。具体的には、主制御系CRは、投影光学系PLの有効結像領域内に開口部材11の複数の開口部11aが位置するように、収差計測装置1を位置決めする。また、主制御系CRは、マスクステージMS上の露光用のマスクMをテストマスクTM1と交換し、照明光学系ILが投影光学系PLの物体面上に形成する照明領域に対してテストマスクTM1に設けられた計測用パターン31を位置決めする。この場合、図11に示すように、投影光学系PLの像面において、開口部材11の複数の開口部11aに対して3つの帯状の空間像31aが形成される。ここで、テストマスクTM1の3つの計測用パターン31は、投影光学系PLが無収差の場合に、3つの帯状の空間像31aの長手方向に沿った中心線が正三角形状の開口部11aの重心を通るように形成され且つ位置決めされている。光検出器12は、空間像31aのうち、開口部材11の各開口部11aを通過した像の光を検出する。すなわち、光検出器12は、各開口部11aを通過した光の強度I1を検出する。次いで、主制御系CRは、マスクステージMS上のテストマスクTM1を図12に示すようなテストマスクTM2と交換し、照明領域に対してテストマスクTM2に設けられた計測用パターン32を位置決めする。テストマスクTM2には、一方向に沿って細長く延びる6つの帯状の計測用パターン32が互いに平行に形成されている。テストマスクTM2は、6つの計測用パターン32がX方向をZ軸廻りに60度だけ回転させた方向に延びるように設置される。この場合、図13に示すように、投影光学系PLの像面において、開口部材11の複数の開口部11aに対して6つの帯状の空間像32aが形成される。ここで、テストマスクTM2の6つの計測用パターン32は、投影光学系PLが無収差の場合に、6つの帯状の空間像32aの長手方向に沿った中心線が対応する正三角形状の開口部11aの重心を通るように形成され且つ位置決めされている。光検出器12は、空間像32aのうち、開口部材11の各開口部11aを通過した像の光の強度I2を検出する。さらに、主制御系CRは、マスクステージMS上のテストマスクTM2を図14に示すようなテストマスクTM3と交換し、照明領域に対してテストマスクTM3に設けられた計測用パターン33を位置決めする。テストマスクTM3には、一方向に沿って細長く延びる6つの帯状の計測用パターン33が互いに平行に形成されている。テストマスクTM3は、6つの計測用パターン33がX方向をZ軸廻りに-60度だけ回転させた方向に延びるように設置される。この場合、図15に示すように、投影光学系PLの像面において、開口部材11の複数の開口部11aに対して6つの帯状の空間像33aが形成される。ここで、テストマスクTM3の6つの計測用パターン33は、投影光学系PLが無収差の場合に、6つの帯状の空間像33aの長手方向に沿った中心線が対応する正三角形状の開口部11aの重心を通るように形成され且つ位置決めされている。光検出器12は、空間像33aのうち、開口部材11の各開口部11aを通過した像の光の強度I3を検出する。開口部材11の複数の開口部11aについて光検出部12で検出された強度I1,I2,I3の情報は、計測部13に供給される。計測部13は、図2~図7を参照して説明した計測原理にしたがって、正三角形状の各開口部11aの高さ寸法Hと強度I1,I2,I3の情報とに基づいて、各開口部11aの重心位置での投影光学系PLの歪曲収差の二次元的なデータ、すなわち互いに直交する2つの計測方向X方向およびY方向の歪曲収差量を求める。また、必要に応じて、テストマスクTM1~TM3の交換および設置を繰り返し且つ開口部材11をXY平面に沿ってステップ移動させつつ、投影光学系PLの有効結像領域内の他の複数の点に関する歪曲収差を順次計測する。こうして、本実施形態の収差計測装置1では、投影光学系PLの歪曲収差を高精度に計測することができる。本実施形態の露光装置では、収差計測装置1を用いて投影光学系PLの歪曲収差を随時高精度に計測し、必要に応じて投影光学系PLを光学調整して歪曲収差を許容範囲内に抑えることができる。その結果、歪曲収差の調整された投影光学系PLを介して、マスクMのパターンをウェハWに正確に転写することができる。具体的に、投影光学系PLの歪曲収差の調整に際して、投影光学系PLを構成する複数の光学部材のうちの少なくとも1つを光軸方向に移動させたり、光軸と直交する方向に移動させたりすることができる。また、投影光学系PLを構成する複数の光学部材のうちの少なくとも1つを光軸と直交する面に対して傾けたり、光軸廻りに回転させたりすることにより、投影光学系PLの歪曲収差を調整することができる。なお、上述の実施形態では、互いに合同な正三角形状の複数の開口部11aが、3段配置で開口部材11に設けられている。しかしながら、これに限定されることなく、開口部材に設けられる開口部の三角形状、大きさ、数、配置などについて、様々な形態が可能である。具体的に、開口部材は、互いに相似な正三角形状の複数の開口部を含んでいても良い。また、図16に示すように、x方向に平行な一辺とy方向に平行な一辺とを有する直角三角形状の開口部23に対して、x方向に沿って延びる帯状の空間像24aと、y方向に沿って延びる帯状の空間像24bとを順次形成する変形例も可能である。図16の変形例では、図示を省略した開口部材が、少なくとも1つの直角三角形状の開口部23を有する。一般的には、被検光学系の像面に配置される開口部材が1つまたは複数の三角形状の開口部を有し、各開口部に対して所要の方向に延びる複数の帯状の空間像が形成されることが重要である。上述の実施形態では、被検光学系である投影光学系PLの歪曲収差を計測している。しかしながら、歪曲収差に限定されることなく、投影光学系PLの光軸に関して非対称な収差、例えばコマ収差の計測に対しても同様に、本実施形態を適用することができる。また、光の強度ではなく、光量、あるいは開口部を通過した光の位置で収差を計測してもよい。上述の実施形態では、収差計測装置1がウェハステージWSに装着されている。しかしながら、これに限定されることなく、ウェハステージWSの外部に収差計測装置1の全体を設けても良い。また、収差計測装置1をウェハステージWSとは異なる別のステージに設けても良い。上述の実施形態では、露光装置に搭載された投影光学系の収差の計測に対して本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、例えば露光装置に搭載される前の単体の投影光学系、露光装置から取り外された単体の投影光学系、さらに露光装置に用途が限定されない一般の被検光学系屈折光学系、反射屈折光学系、反射光学系に対しても同様に本発明を適用することができる。上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含む空間光変調素子を用いることができる。空間光変調素子を用いた露光装置は、たとえば米国特許公開第2007/0296936号公報に開示されている。また、上述のような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行っても良い。次に、上述の実施形態にかかる露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図17は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図17に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着しステップS40、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布するステップS42。つづいて、上述の実施形態の投影露光装置を用い、マスクレチクルMに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写しステップS44:露光工程、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行うステップS46:現像工程。その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行うステップS48:加工工程。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の投影露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の実施形態の投影露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを感光性基板としてパターンの転写を行う。図18は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図18に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程ステップS50、カラーフィルタ形成工程ステップS52、セル組立工程ステップS54およびモジュール組立工程ステップS56を順次行う。ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の投影露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の投影露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。ステップS52のカラーフィルタ形成工程では、RRed、GGreen、BBlueに対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル液晶セルを組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子CCD等、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスクフォトマスク、レチクル等をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程露光装置にも適用することができる。なお、上述の実施形態では、露光光としてArFエキシマレーザ光波長:193nmを用いているが、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえばKrFエキシマレーザ光波長:248nmや波長157nmのレーザ光を供給するF2レーザ光源などに対して本発明を適用することもできる。また、上述の実施形態において、投影光学系と感光性基板との間の光路中を1.1よりも大きな屈折率を有する媒体典型的には液体で満たす手法、所謂液浸法を適用しても良い。この場合、投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体を満たす手法としては、国際公開第WO99/49504号パンプレットに開示されているような局所的に液体を満たす手法や、特開平6-124873号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手法や、特開平10-303114号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する手法などを採用することができる。ここでは、国際公開第WO99/49504号パンフレット、特開平6-124873号公報および特開平10-303114号公報の教示を参照として援用する。"