"第1の半導体チップ35を、第1の開口部70を含む第1の基板60に連結するステップと、熱管理デバイス75,75′,75′′を、前記第1の開口部を経由して前記第1の半導体チップと熱接触するように配置するステップと、を含む、製造方法。前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバ、または熱電冷却器のうち1つを備える、請求項1の方法。前記第1の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも1つは、前記第1の開口部に少なくとも部分的に配置される、請求項1の方法。複数の半導体チップ25,30,35を前記第1の基板に連結するステップを含む、請求項1の方法。前記複数の半導体チップのうち1つは、インターポーザ20を備える、請求項4の方法。前記第1の基板は回路基板を備え、前記方法は、前記第1の回路基板を第2の回路基板85に連結するステップを含む、請求項1の方法。前記第2の回路基板は第2の開口部95を備え、前記熱管理デバイスは、前記第2の開口部に少なくとも部分的に配置される、請求項6の方法。前記熱管理デバイスは、前記第2の回路基板に連結される、請求項7の方法。熱管理デバイスを、半導体チップデバイス10の第1の半導体チップと熱接触するように配置するステップを含む製造方法であって、前記半導体チップデバイスは、前記第1の半導体チップ60に連結される第1の基板を含み、前記第1の基板は、第1の開口部70を含み、前記熱接触は、前記第1の開口部を経由する、方法。前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバ、または熱電冷却器のうち1つを備える、請求項9の方法。前記第1の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも1つは、前記第1の開口部に少なくとも部分的に配置される、請求項9の方法。前記半導体チップデバイスは、前記第1の基板に連結される複数の半導体チップ25,30,35を備える、請求項9の方法。前記複数の半導体チップのうち1つは、インターポーザ20を備える、請求項12の方法。前記第1の基板は回路基板を備え、前記方法は、前記第1の回路基板を第2の回路基板85に連結するステップを含む、請求項9の方法。前記第2の回路基板は第2の開口部95を備え、前記熱管理デバイスは、前記第2の開口部に少なくとも部分的に配置される、請求項14の方法。前記熱管理デバイス75′′は、前記第2の回路基板に連結される、請求項15の方法。第1の基板に連結される第1の半導体チップ35を含む半導体チップデバイス10であって、前記第1の基板は第1の開口部70を含む半導体チップデバイスと、前記第1の開口部を経由して前記第1の半導体チップと熱接触する熱管理デバイス70と、を備える、装置。前記熱管理デバイスは、ヒートスプレッダ、ベーパチャンバ、または熱電冷却器のうち1つを備える、請求項17の装置。前記第1の半導体チップおよび前記熱管理デバイスのうち少なくとも1つは、前記第1の開口部に少なくとも部分的に配置される、請求項17の装置。前記第1の半導体チップおよび前記熱管理デバイスの両方は、前記第1の開口部に少なくとも部分的に配置される、請求項17の装置。前記第1の基板に連結される複数の半導体チップを備える、請求項17の装置。前記複数の半導体チップのうち1つは、インターポーザ20を備える、請求項21の装置。前記第1の基板は、第2の回路基板に連結される回路基板85を備える、請求項17の装置。前記第2の回路基板は第2の開口部95を備え、前記熱管理デバイスは、前記第2の開口部に少なくとも部分的に配置される、請求項23の装置。前記熱管理デバイスは前記第2の回路基板に連結される、請求項24の装置。本発明の実施形態の一態様に従い、第1の半導体チップを第1の基板に連結することを含む、製造の方法が提供される。第1の基板は、第1の開口部を含む。熱管理デバイスは、第1の開口部を経由して第1の半導体チップと熱接触するように配置される。本発明の実施形態の別の態様に従い、熱管理デバイスを、半導体チップデバイスの第1の半導体チップと熱接触するように配置することを含む、製造方法が提供される。半導体チップデバイスは、第1の半導体チップに連結される第1の基板を含む。第1の基板は、第1の開口部を有する。熱接触は、第1の開口部を経由する。本発明の実施形態の別の態様に従い、第1の基板に連結される第1の半導体チップを有する、半導体チップデバイスを含む装置が提供される。第1の基板は、第1の開口部を含む。熱管理デバイスは、第1の開口部を経由して第1の半導体チップと熱接触する。本発明の上述した利点および他の利点は、以下の詳細な説明を読み、図面を参照することで明らかとなるであろう。種々の積層半導体チップの配置が開示される。開示する実施形態は、半導体チップおよび/または熱管理デバイスのうちの1つの少なくとも一部分を収容するように、基板または回路基板を、開口部と組み合わせる。熱管理デバイスは、チップの積層の中で最下の半導体チップから熱を放散するように操作可能である。開口部は、依然として熱管理を提供しながら、積層のフォームファクタを減少させる。さらなる詳細について記載する。以下に記載する図面において、同一の要素が1より多い図の中に示される場合、参照符号は概して繰り返される。ここで図面、特に図1を参照すると、インターポーザ20の側面17に接続された半導体チップ15、ならびにインターポーザ20の反対側37に接続された複数の半導体チップ25,30,35を含む、半導体チップデバイス10の例示的な実施形態の断面図が示されている。半導体チップデバイス10の例示的な構造、および本明細書に開示するその代替物は、本明細書に開示する半導体チップ15,25,30,35と関連し、ある特定の電子機能性、あるいはある特定のタイプの半導体チップまたはインターポーザには依存しない。それゆえ、半導体チップ15,25,30,35は、例えば、マイクロプロセッサ、グラフィックプロセッサ、複合マイクロプロセッサ/グラフィックプロセッサ、特定用途向け集積回路、メモリデバイス、レーザ等の能動光学デバイス、受動光学デバイス、またはその他の電子機器で使用される無数の異なるタイプの回路デバイスのいずれであってもよく、単一または複数コアであるか、あるいはさらなるダイスで横方向に積層されていてもよい。さらに、半導体チップ15,25,30,35のうちの幾つかまたは全ては、幾つかの論理回路を伴い、またはそれらを伴わずに、インターポーザとして構成され得るものであり、インターポーザ20は半導体チップであり得る。それゆえ、用語チップはインターポーザを含み、逆の場合も同様である。半導体チップ15,25,30,35、ならびにインターポーザ20は、シリコンまたはゲルマニウム等のバルク半導体、またはシリコンオンインシュレータ材料等の絶縁体材料上にある半導体、あるいは他のチップまたは絶縁材料からでも構築される場合がある。専用のインターポーザとして構築される場合、インターポーザ20は、積層半導体チップの配置の中で使用するのに適する種々の材料からなってもよい。幾つかの望ましい特性には、例えば、半導体チップ15,25,30,35のCTEのものに比較的近い熱膨張係数、製造の容易さ、および熱伝導性が含まれる。例示的な材料には、例えば、シリコン、ゲルマニウム、サファイア、ダイヤモンド、ポリマーマトリクスの中のカーボンナノチューブ、またはその他が含まれる。半導体チップ15は、複数の相互接続構造体45を経由してインターポーザ20に電気的に接続されてもよい。相互接続構造体45は、導電柱、はんだ継ぎ手、または他のタイプの相互接続であってもよい。半導体チップ25は同様に、導電柱、はんだ継ぎ手、または他のタイプの相互接続であってもよい複数の相互接続構造体50を経由して、インターポーザ20に接続されてもよい。破線の楕円形55は、インターポーザ20の一部分、半導体チップ25,30,35,ならびに他の構造体を囲んでいる。破線の楕円形55によって囲まれた部分は、図2においてより拡大されて示される。しかしながら、図2を参照する前に、図1のさらなる詳細についてここに記載する。インターポーザ20は、基板または回路基板60に載置され、複数の相互接続構造体65を経由して回路基板60に電気的に接続されてもよい。相互接続構造体65は、導電柱、はんだ継ぎ手、または他のタイプの相互接続であってもよい。本明細書に開示する半導体チップデバイス10の例示的な構造は、ある特定の電子回路基板の機能性に依存しない。それゆえ、回路基板60は、半導体チップパッケージ基板、マザーボード、回路カード、または実質的にいかなる他のタイプのプリント回路基板であってもよい。モノリシック構造が回路基板60に対して使用され得るが、より典型的な構成には、ビルドアップ設計が利用されるであろう。この点において、回路基板60は、1以上のビルドアップ層が上に形成され、かつ、さらなる1以上のビルドアップ層が下方に形成される中央コアからなってもよい。コア自体は、1以上の層の積層からなってもよい。半導体チップパッケージ基板として実装される場合、回路基板60における層の数は、4つより少ない層が使用されてもよいが、4から16以上と異なり得る。いわゆるコアレス設計が使用されてもよい。回路基板60の層は、金属相互接続がちりばめられた、種々の良く知られたエポキシ等の絶縁材料からなってもよい。ビルドアップ以外の多層構成も使用され得る。随意で、回路基板20は、良く知られたセラミック、あるいはパッケージ基板または他のプリント回路基板に適する他の材料からなってもよい。回路基板60には、半導体チップ15,25,30,35、ならびにインターポーザ20と、例えば、別の回路基板といった別のデバイスとの間に、電力、接地、および信号の移動を提供するための、いくつかの導体配線およびビア、ならびに他の構造体図示省略が設けられている。半導体チップ25,30,35等の1以上の半導体チップをインターポーザ20の側面37に載置することができることが望ましい一方、このような構造は、必然的に半導体チップデバイス10全体の高さを増加させる。この高さの増加により、何らかの他の電子デバイスの中の半導体チップデバイス10に対して、利用可能な空間に限りがある状況において、設計の複雑性が提起される場合がある。半導体チップをインターポーザ20の両面35,40に接続させることに関連して起こり得る高さの増加を補正するために、回路基板60には、半導体チップ25,30,35のうち1以上が突出する場合がある開口部70が設けられてもよい。開口部70は、随意の熱管理デバイス75を、少なくとも半導体チップ30と熱接触するように配置することができるように、回路基板60の厚さ方向に貫通するように設けられる。開口部70に対する、半導体チップ25,30,35、ならびに熱管理デバイス75の位置は、半導体チップデバイス10に何らかの望ましい高さを提供するように異なってもよい。例えば、半導体チップ25,30,35のうち少なくとも1つは、開口部70の中に部分的にまたは完全に配置され、および/あるいは熱管理デバイス75の一部分が同様に配置され得る。いずれにしても、熱管理デバイス75は、開口部70を経由して半導体チップ35と熱接触する。熱管理デバイス75は、図示する通りの熱フィン付きヒートスプレッダ配置、または実質的にいかなる他のタイプの伝熱デバイス設計等、無数の構成を有してもよい。所望の場合、熱管理デバイス75は、ベーパチャンバおよび/またはソリッドステート熱電冷却器を含んでもよい。銅、ニッケル、アルミニウム、鋼、これらの組み合わせ等、伝熱デバイスに適する種々のタイプの材料が使用されてもよい。ダイヤモンドまたはサファイア等、何らかのより珍しい材料も、極端な熱環境に対して使用され得る。随意のヒートスプレッダ80は、半導体チップデバイス10の上方の範囲に熱管理を提供するように、半導体チップ15上に載置されてもよい。ヒートスプレッダ80は、図示する通りのフィン付き設計、より従来の半導体チップパッケージの蓋、その2つの組み合わせ、または実質的にいかなる他のタイプの熱搬送デバイス等、無数の構成を有してもよい。また、例示的材料には、銅、ニッケル、アルミニウム、鋼、これらの組み合わせ等が含まれる。ダイヤモンドまたはサファイア等、何らかのより珍しい材料も、極端な熱環境に対して使用され得る。半導体チップデバイス10は、種々の異なるタイプの電子構造に載置されてもよい。この事例的実施形態では、半導体チップデバイス10は、回路カード、マザーボード、または実質的にいかなるタイプの回路基板であってもよい回路基板85に載置され、回路基板60を回路基板85に結合する複数の相互接続構造体90を経由して、回路基板85に接続される。この実施形態における相互接続構造体90は、一連のはんだボールであってもよい。しかしながら、当業者は、ピングリッドアレイ、ランドグリッドアレイ、または他の相互接続構造体等、他のタイプの相互接続構造体も使用され得ると理解するであろう。この実施形態では、少なくとも半導体チップ35と熱接触する熱管理デバイス75は、回路基板85の中へまたは回路基板85を通ってのいずれか一方での突出を必要とするのに十分な大きさの厚さを有してもよい。この回路基板85の中に熱管理デバイス75を収容するために、回路基板85には、熱管理デバイス75を収容するのに適する開口部95が設けられてもよい。熱管理デバイス75がz軸に沿って十分な寸法を有する場合、x‐y平面に空気または他のガス流があれば、対流冷却が達成される場合がある。熱管理デバイス75と少なくとも半導体チップ35との間で熱接触を促進するために、熱界面材料100は、開口部70の中に配置され、熱管理デバイス75および少なくとも半導体チップ35と熱接触してもよい。所望の場合、熱界面材料100は、所望の通り開口部70を完全に充填するのに十分な広範囲に及んでいてもよい。熱界面材料100は、シリコーンゴム、シリコーングリース、アクリルポリマー等、熱管理に適する種々の異なるタイプの熱界面材料からなってもよい。インジウム、ガリウム、種々のはんだ等の金属材料までもが使用され得る。もちろん、金属材料が使用される場合、半導体チップ35は、適する湿潤膜またはさらには積層で製作されなくてはならない場合がある。このような積層は、半導体チップ35上に形成されるアルミニウム膜、アルミニウム膜上に形成されるチタン膜、チタン膜上に形成されるニッケル‐バナジウム膜、およびニッケル‐バナジウム膜上に形成される金膜を含む場合がある。アルミニウム膜は、シリコンとの有利な接着を提供する。チタン膜は、金およびインジウムが半導体チップ35の中に移動するのを防止し、ニッケル‐バナジウム膜との接着を促進するように障壁層を提供し、ニッケル‐バナジウム膜は、チタン層の中への拡散を阻害するように、金および障壁との所望の接着を提供する。金膜は、インジウムに所望の湿潤面を提供する。より拡大して示された破線の楕円形55によって囲まれた図1の一部分を示す、上述した図2を参照する。図において、インターポーザ20、半導体チップ25,30,35、回路基板60、および熱界面材料100のごく一部分を見ることができる。さらに、熱管理デバイス75のごく一部分も見ることができる。インターポーザ20は、黒線105によって概略的に表された配線構造等、数々の内部配線構造を提供されてもよい。半導体チップ25,30,35には、同様に、黒線110,115,120のそれぞれによって概略的に表される複数の内部配線構造が設けられてもよい。当業者は、配線構造体105,110,115,120は、導電ビアまたは所望通りの他のタイプの構造体によって相互接続される単配線または複数の導体層であってもよいことを理解するであろう。インターポーザ20は、複数の相互接続構造体50を経由して上記の通り半導体チップ25に電気的に接続されてもよい。相互接続構造体50は、マイクロバンプ、導電柱等であってもよい。相互接続構造体50は、インターポーザ20および半導体チップ25のそれぞれの導体構造体またはパッド125および130に電気的に接続されてもよい。半導体チップ25,30は、導体構造体135によって電気的に接続されてもよく、半導体チップ30,35は、導体構造体140によって電気的に接続されてもよい。導体構造体135,140は、マイクロバンプ、導電柱等であってもよい。導体構造体135は、半導体チップ25,30のそれぞれの導体構造体またはパッド145,146に電気的に接続されてもよく、導体構造体は、半導体チップ30,35のそれぞれの導体構造体またはパッド147,148に電気的に接続されてもよい。はんだからなることが可能であると本明細書に開示されたいかなる導体構造体は、無鉛または鉛ベースのはんだ等、種々のタイプのはんだからなってもよい。好適な無鉛はんだの例には、錫-銀Sn約97.3、Ag約2.7、錫-銅Sn約99、Cu約1、錫-銀-銅Sn約96.5、Ag約3、Cu約0.5等が含まれる。鉛ベースのはんだの例には、共晶割合またはそれに近い錫‐鉛等が含まれる。種々のパッド125,130,145,146,147,148、または上述した導電柱は、銅、アルミニウム、銀、金、プラチナ、チタン、耐火金属、耐火金属化合物、これらの合金等からなってもよい。所望の場合、パッド125,130,145,146,147,148は、はんだ注入を阻害するように障壁の機能性を提供するアンダーバンプメタライゼーション構造体からなってもよい。例えば、複数の金属層の積層板は、チタン層、続いてニッケル-バナジウム層、続いて銅層等である。別の実施形態では、チタン層は、銅層で覆われ、続いてニッケルのトップコーティングがなされてもよい。しかしながら、当業者は、非常に種々の導電性材料が導体に対して使用されてもよいと理解するであろう。めっき、物理的気相蒸着、化学気相蒸着等、金属材料に適用するための種々の良く知られた技術が使用されてもよい。上述したように、熱界面材料100は、図2に示したように、開口部170と部分的に同一の広がりを有してもよいし、または完全に同一の広がりを有してもよい。実際、熱界面材料100は、半導体チップ25,30,35の全てが熱界面材料100と接触するような量で設けられ得る。代替の例示的な実施形態の半導体チップデバイス10′は、図1と同様の断面図である図3を参照することによって理解することができる。図中、半導体チップデバイス10′は、幾つかの注目すべき例外を除いて、半導体チップデバイス10と実質的に同じ様に構成されてもよい。それゆえ、半導体チップ15,25,30,35は、インターポーザ20の反対側に接続されてもよい。ヒートシンクスプレッダ75′は、少なくとも半導体チップ35と熱接触するように配置されてもよく、チップ25,30,35は、回路基板60における開口部70の中に、部分的にまたは完全に配置されてもよい。しかしながら、本実施形態における熱管理デバイス75′は、図1に示す熱管理デバイス75より小さい高さを有する。それゆえ、熱管理デバイス75′を収容するために、回路基板85′に開口部を設ける必要はない。代替の熱管理デバイス75′を収容するように、十分な空隙Z1が設けられることが、必要とされる全てである。前述の実施形態では、熱管理デバイス75,75′は、大体は熱界面材料100の本来の厚さによって、半導体チップデバイス10に固定される。しかしながら、当業者は、種々の機構が、半導体チップデバイスの開示するいかなる実施形態の半導体チップに対して、熱管理デバイスを配置するように使用されてもよいことを理解するであろう。この点において、回路基板85′′の代替の例示的な実施形態からの分解組立図として表された、半導体チップデバイス10を示す断面図である図4を参照する。図中、熱管理デバイス75′′は、回路基板85′′に固定され、1つ以上のブラケット150,155を経由して、回路基板85′′の中の開口部95を通って下方に突出してもよい。ブラケット150,155は、ねじ、はんだ、接着剤等、無数の既知の締付技術のうちのいずれによってでも、回路基板85′′に固定されてもよい。熱管理デバイス75′′は、図示されたねじ160,165を経由して、あるいは接着剤、クリップ、さらにはんだ、または種々の良く知られた締付技術のうちのいずれによってでも、ブラケット150,155に固定されてもよい。それゆえ、熱管理デバイス75′′は、まず回路基板85′′に固定されてもよく、その後、半導体チップデバイス10は、熱界面材料100と半導体チップデバイス10の少なくとも半導体チップ35との間に熱接触が確立されるように、回路基板85′′に載置されてもよい。その後、相互接続構造体90および回路基板85′′と関連する金属結合を確立するために、必要に応じて適するリフロー処理が行われてもよい。図1および2に示す半導体チップデバイス10を組み立てるための例示的な処理フローは、ここで図5,6,7、ならびに最初に図5を参照することによって理解することができる。図5は、図1および2に示す半導体チップ25,30,35を載置する前の、半導体チップデバイス10の断面図である。図中、半導体チップ15は、半導体ウェハまたは他のワークピースの一部として一斉に生産される場合、第1に単一化され、その後インターポーザ20に載置され、相互接続構造体45によってインターポーザ20に電気的に接続されてもよい。インターポーザ20は、半導体チップ15をインターポーザ20に載置する前または後に、同様に一斉に製作され単一化されてもよい。いずれにしても、相互接続構造体45は、それらの組成によって、必要に応じてはんだリフロー処理に従ってもよい。さらに、相互接続構造体65は、製作され、インターポーザ20を回路基板60に載置する前に、インターポーザ20に接続されてもよい。または、相互接続構造体65は、2つのはんだバンプ、または柱およびバンプ等の2つの構造体の間の合併を構成する場合には、インターポーザ20および回路基板60のそれぞれの半分として別々に形成され、その後、載置/リフロー処理において共に結合されてもよい。いずれにしても、図1および2に示す半導体チップ25と電気的に相互作用し結合するように設計された相互接続構造体50は、この時点で、または所望の場合には後の段階で、インターポーザ20上に配置されてもよい。開口部70は、種々の手段で回路基板60の中に確立されてもよい。一実施形態では、回路基板60は十分に形成されてもよく、その後、好適な材料除去処理が、開口部を確立するために行われてもよい。これにより、例えば、好適なエッチング処理、レーザ切断、または何らかの他の材料除去処理を構成してもよい。任意に、回路基板60は、開口部70が単にパターニングされる連続ビルドアップ処理の中で形成され、それゆえ、ビルドアップ処理の一部として形成されてもよい。さらに、相互接続構造体90は、この段階で回路基板60に取り付けられてもよいか、またはこのような構造体は、実際には、例えば、回路基板85上に配置され、その後回路基板60に接続されてもよい。また、相互接続構造体90を確立するための実際の処理は、相互接続構造体90が、バンプ等の2つのはんだ構造体の嵌め合わせによって形成される、はんだ継ぎ手からなる場合にも当てはまるように、それらの組成に依存するであろう。この段階で、半導体チップ15およびインターポーザ20は、ともに回路基板60と電気的に接触している。それゆえ、チップ15、インターポーザ20、および回路基板60からなる半導体チップデバイスの全体は、それら3つの主要構成要素の完全性を検証するために、電気検査の対象となる場合がある。これは、図1および2に示す半導体チップ25,30,35が載置された後にこのような検査の実施に関連する時間、支出、および可能性のある材料費を使い込む必要なく、それら主要構成要素のうちのいずれもの不具合が、この段階で検出されるかもしれないため有利である。図6に示す通り、半導体チップ25,30,35は、それぞれの相互接続構造体図2に示す135,140を確立することによって、インターポーザ20に載置されてもよい。これには、例えば、好適な1つまたは複数のリフロー処理を伴ってもよい。半導体チップ25,30,35が定位置にある場合には、半導体チップデバイス10は、半導体チップ25,30,35の機能性だけでなく、全体の半導体チップデバイス10の種々の複合的な電気機能性をも検証するために、再び電気検査を経てもよい。次に、図7に示す通り、熱管理デバイス75は、多量の熱界面材料100と共に供給され、その後、半導体チップデバイス10の少なくとも半導体チップ35と接触するようにしてもよい。開口部70により、インターポーザ20が回路基板60に載置された後、半導体チップ25,30,35を、インターポーザ20と係合するように容易に移動させることを可能にすることに留意されたい。任意に、熱界面材料100の一部分または全ては、半導体チップ35、ならびに所望に応じて他の半導体チップ30,25に適用されてもよく、その後、熱管理デバイス75は、必須の熱接触を確立するために、それらと接触させてもよい。次に、図8に示す通り、熱管理デバイス75を含む半導体チップデバイス10は、熱管理デバイス75が、開口部95を少なくとも部分的に通って、および可能であれば全部を通り抜けて突出し、相互接続構造体90を経由して回路基板85を結合するために、必要な場合にはリフローを行うように、回路基板85上に配置されてもよい。前述の実施形態では、1以上の半導体チップがインターポーザの裏面上に積層され、回路基板の中の単一の開口部の中で、または当該開口部を通って下方に突出してもよい。しかしながら、当業者は、他の配置も可能であることを理解するであろう。この点において、図1と同様の断面図であるが、インターポーザ20上に載置された半導体チップ15等、他の実施形態の特徴のうちの多くを共有する半導体チップデバイス10′′の代替の例示的な実施形態のうちの1つである図9を参照する。しかしながら、図中、半導体チップの複数の積層170,175は、インターポーザ20に載置されてもよく、複数の開口部180,185が設けられるという条件で、図1および2に示す回路基板60と同様に構成され得る回路基板190のそれぞれの開口部180,185を通って、または完全に通り抜けて下方に突出してもよい。熱管理を提供するために、熱管理デバイス75は、開口部180,185に配置される熱界面材料部分200,205と熱接触してもよい。任意に、複数の熱管理デバイス75、すなわち積層170,175の各々に対するデバイスは、所望通りそこと熱接触するように配置され得る。また、回路基板85には、熱管理デバイス75を収容するように、開口部95が設けられてもよい。確実に、図3に示す熱管理デバイス75′も、本実施形態で使用され得る。当業者は、開口部180,185の数ならびに空間的定位が、設計の際の裁量次第であることを理解するであろう。当業者は、回路基板に1以上の開口部を設けることによって、導体経路の指定に関する課題が提起されるであろうことは理解するであろう。例えば、図9に示す回路基板195の透視図である図10に示す通り、配線および導体ビア等の種々の電気経路指定の構造は、開口部180,185の周りに経路を指定する必要があるであろう。図9に示すインターポーザ20と、図10に示す回路基板195との間に、電気的相互接続を確立するように設計される幾つかの相互接続構造体が示され、210,215,220と番号が付いていることに留意されたい。加えて、図9に示す回路基板195を回路基板85に電気的に接続するように設計される、幾つかの相互接続構造体を見ることができ、225,230と番号が付いている。相互接続構造体210は、表面の配線235および透視して示す導体ビア240を経由して、相互接続構造体225に直接電気的に接続されることが本図の目的であると想定されたい。それゆえ、相互接続構造体210と相互接続構造体225との間の電気経路は、開口部180および必要に応じて開口部185の周りでも指定されねばならない。相互接続構造体213と相互接続構造体230との間の破線245によって概略的に表される電気経路についても同じである。また、相互接続構造体215および相互接続構造体220を接続する表面の配線250についても同じである。また、図10における種々の電気配線構造の概略的描写のポイントは、図9に示す積層170,175を収容する開口部180,185を設けることによって、それら開口部180,185の周りのいかなる内部または外部電気配線構造の経路をも指定することが必要となるであろうことをただ説明することである。本明細書に開示するいかなる例示的実施形態も、例えば、半導体、磁気ディスク、光ディスク、または他の記憶媒体といったコンピュータで読み取り可能な媒体の中に配置された命令で、またはコンピュータデータ信号として具体化されてもよい。命令またはソフトウェアは、本明細書に開示する回路構造を合成および/またはシミュレートすることができてもよい。例示的実施形態では、CadenceAPD、Encore等の電子設計自動化プログラムが、開示する回路構造を合成するために使用されてもよい。その結果生じたコードが、開示する回路構造を製作するために使用されてもよい。本発明は、種々の修正および代替形態を受け入れる余地があるが、特定の実施形態が図面において例として示され、本明細書の中で詳細に記載された。しかしながら、本発明が開示したある特定の形態に限定されることを意図するものではないことが理解されるべきである。むしろ、本発明は、続く添付の請求項によって定義する通り、本発明の精神および範囲内に該当する、全ての修正物、均等物、および代替物を対象とするものである。"