ターゲットを収容するチャンバと、該ターゲットの一面に所定の間隔を空けて対面して配された、被成膜物を載置するステージと、該ステージと前記ターゲットとの間で前記チャンバの内周面に沿って略鉛直方向に広がる筒状の上部防着板と、前記ステージの周縁を囲み、前記ステージから前記チャンバの内周面に向かって広がるリング状の下部防着板と、前記下部防着板を鉛直方向に沿って上下動させるリフトと、を少なくとも備えた成膜装置であって、前記下部防着板は、前記ターゲットに臨む上面側が、前記ステージに近接する位置から、少なくとも前記上部防着板の下端に重なる位置まで平坦面で構成され、かつ、前記上面側とは反対の下面側には、前記上面側から遠ざかる方向に突出した突条が形成されてなり、前記突条と係合する溝部が形成され前記下部防着板の下面側と当接する底部防着板を備えたことを特徴とする成膜装置。前記下部防着板の外周面に当接して、前記下部防着板を水平方向に付勢する複数のガイド部材を更に備えていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記下部防着板の平坦面は、水平面に対して5°~20°の範囲で傾斜していることを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。前記下部防着板は、全体が金属の削り出しによって形成され、表面にブラスト処理が施されると共に、溶射膜で覆われていることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の成膜装置。前記下部防着板の内径は、前記ステージに載置される被成膜物の直径に対して、-5mm~20mmの範囲に設定されることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の成膜装置。前記リフトは、前記下部防着板を鉛直方向に沿って20mm~40mmの範囲で上下動させることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載の成膜装置。スパッタリング装置成膜装置では、成膜時の高温環境例えば300°C~400°Cと、成膜終了後の室温環境との温度差が大きいため、防着板は温度上昇や温度低下のたびに膨張、収縮を繰り返す。ゆえに、防着板に成膜された薄膜は剥がれ易く、また、硬い薄膜硬質膜である場合、薄膜の割れを起こしたりすることになる。特に、従来は下部防着板のターゲットに面した上面に、角度のある段差が形成されていたために、この段差部分に膨張、収縮時の応力が集中しやすく、堆積した薄膜が剥離してパーティクルが大量発生しやすいという課題があった。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制することが可能な成膜装置を提供する。上記課題を解決するために、本発明は次のような成膜装置を提供する。即ち、本発明の成膜装置は、ターゲットを収容するチャンバと、該ターゲットの一面に所定の間隔を空けて対面して配された、被成膜物を載置するステージと、該ステージと前記ターゲットとの間で前記チャンバの内周面に沿って略鉛直方向に広がる筒状の上部防着板と、前記ステージの周縁を囲み、前記ステージから前記チャンバの内周面に向かって広がるリング状の下部防着板と、前記下部防着板を鉛直方向に沿って上下動させるリフトと、を少なくとも備えた成膜装置であって、前記下部防着板は、前記ターゲットに臨む上面側が、前記ステージに近接する位置から、少なくとも前記上部防着板の下端に重なる位置まで平坦面で構成され、かつ、前記上面側とは反対の下面側には、前記上面側から遠ざかる方向に突出した突条が形成されてなり、前記突条と係合する溝部が形成され前記下部防着板の下面側と当接する底部防着板を備えたことを特徴とする。前記下部防着板の外周面に当接して、前記下部防着板を水平方向に付勢する複数のガイド部材を備えてていればよい。また、前記下部防着板の平坦面は、水平面に対して5°~20°の範囲で傾斜していればよい。前記下部防着板は、全体が金属の削り出しによって形成され、表面にブラスト処理が施されると共に、溶射膜で覆われていればよい。また、前記下部防着板の内径は、前記ステージに載置される被成膜物の直径に対して、-5mm~20mmの範囲に設定されればよい。前記リフトは、前記下部防着板を鉛直方向に沿って20mm~40mmの範囲で上下動させればよい。本発明の成膜装置によれば、スパッタリング材料の堆積が多い下部防着板の上面側を平坦面とすることによって、大きな温度差による下部防着板の膨張、収縮が繰り返されても、下部防着板の上面側の特定部分に応力が集中することが無い。従って、平坦面に堆積した堆積物が剥離しにくくなり、基板が堆積物により汚染されることを確実に防止することが可能になる。以下、本発明に係る成膜装置について、図面に基づき説明する。なお、本実施形態は発明の趣旨をより良く理解させるために、一例を挙げて説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。図1は、本発明の成膜装置の一例であるスパッタリング装置の一構成例を示す平面図である。スパッタリング装置成膜装置10は、チャンバ真空槽11を備えている。このチャンバ11の内部空間にあって、鉛直方向の上方には、ターゲット12が配置されている。また、チャンバ11の内部空間にあって、下方には、例えばチャンバ11と絶縁した状態でステージ13が形成されている。こうしたステージ13は、被成膜物、例えばシリコンウェーハなどの基板被成膜物18を支持する。なお、ステージ13の内部には、例えば吸着機能を有する電極が配置されており、チャンバ11内を真空排気し、チャンバ13上に基板18を載置し、吸着電極に電圧を印加すると、基板18はステージ13の表面に静電吸着されるようになっていればよい。ターゲット12にはスパッタ電源21が接続されており、ターゲットの大気側には回転盤が設置され、回転盤には永久磁石が固定されターゲットの真空側に磁場を与えている。チャンバ11は接地電位GNDに接続されている。チャンバ11内部を真空排気し、ステージ13上に基板18を静電吸着した後、チャンバ11内にスパッタリングガスたとえば、混合ガスアルゴンガス窒素ガスを導入し、スパッタ電源21を起動してターゲット12に負電圧を印加することにより、ターゲット12表面近傍にプラズマが発生する。このプラズマ中に生じた電離したイオンがターゲット12に入射すると、ターゲット12の表面からターゲット12を構成する物質がスパッタリング粒子Sとなってチャンバ11内に飛び出す。スパッタリング装置10では、ターゲット12の周囲を囲うようにアースシールド15が設置されると共に、ターゲット12とステージ13との間に位置する空間を取り囲むように、上部防着板上部シールド16、および下部防着板下部シールド17がそれぞれ配されている。こうしたアースシールド15、上部防着板16、および下部防着板17はアノードを構成し、何れもチャンバ11と同じ電位である接地電位GNDに置かれている。この結果、基板や防着板にはターゲット12を構成する材料、およびスパッタリングガス材料からなる薄膜が形成される。一方、ステージ13には、バイアス電源22によって高周波パワーが印加されており、基板18はセルフバイアスによって負電位に置かれている。従って、プラズマ中の電子はアノードに引きつけられ、ターゲット12から飛び出した正電荷を有するスパッタリング粒子や、電離したAr陽イオンは、基板18に引きつけられる。このため正電荷を有するスパッタリング粒子や電離したAr陽イオンは、基板18の表面に衝突して、基板に成膜された材料をエッチングする効果を発生させる。このようなスパッタリング装置10では、成膜の際、ターゲット12から放出されるスパッタリング粒子がチャンバ11内に拡散する。こうしたスパッタリング粒子のチャンバ11内壁への付着、堆積を防止するために、上部防着板16、および下部防着板17が配されている。このうち、上部防着板16は、例えば、ステージ13とターゲット12との間で、チャンバ11の内周面側壁11aに沿って略鉛直方向に広がる筒状に形成されている。即ち、上部防着板16は、チャンバ11の内周面に沿って上下方向に広がり、下端領域が屈曲していればよい。一方、下部防着板17は、ステージ13の周縁領域エッジ部を囲み、このステージ13からチャンバ11の内周面側壁11aに向かって広がるリング状に形成されている。また、下部防着板17の底部には、この下部防着板17の底面側と嵌合する底部防着板19が形成されている。こうした下部防着板17とその周辺の構成は後ほど詳述する。図2は、スパッタリング装置成膜装置における下部防着板付近を拡大して表示した断面図である。この図2おいて、下部防着板は、リング状の周回方向に垂直な断面として示されている。下部防着板17は、ターゲット12図1参照に臨む上面側17aが、ステージ13に近接する位置である内周縁17cから、少なくとも上部防着板16の下端16Eに重なる位置まで平坦面31で構成されている。こうした平坦面31は、例えば、水平面に対する角度θが5°~20°の範囲で、内周縁17cからチャンバ11の内周面側壁11aに向かって広がる傾斜面であればよい。なお、ここでいう平坦面とは、面内で凹凸や角度を持った突条、段差などがなく、一様に広がる面である。下部防着板17の平坦面31よりも外周側は、上方に向かって立ち上がり、上端領域が上部防着板16の外側に重なるように傾斜している。こうした下部防着板17が上方に立ち上がった部分の外周は、外周面17dとされる。一方、下部防着板17の上面側17aとは反対の下面側17bには、上面側17aから遠ざかる方向に突出した突条32が形成されている。また、下部防着板17の下面側17bの外周領域には、上面側17aに向けて切欠部33が形成されている。底部防着板19は、上面側19aで下部防着板17の下面側17bと接する。そして、底部防着板19には、下部防着板17の突条32に係合する溝部36が形成されている。こうした構成によって、下部防着板17と底部防着板19とは、屈曲したラビリンス構造で噛み合わされ、底部防着板19よりも下側例えば、チャンバ11の底部にスパッタリング粒子が拡散することを抑制する。下部防着板17の外周領域に形成された切欠部33には、この下部防着板17を下面側17bから支持する支持部材37が当接する。この支持部材37の一端にはリフト25が形成されている。リフト25は、鉛直方向に沿って支持部材37を上下動させる。これにより、下部防着板17は、支持部材37に支持されてステージ13に対して所定の高さ範囲で上下動させることができる。これにより、例えば、リフト25によって下部防着板17を下降位置、即ち下部防着板17の内周縁17cがステージ13に載置された基板18の高さ位置とほぼ同じ程度の位置にして、基盤18の成膜処理を行う。また、リフト25によって下部防着板17を上昇位置、即ち内周縁17cが基板18よりも高くなる位置にして、基板18のステージ13への着脱を行う。また、支持部材37には、下部防着板17の外周面17dに当接して、下部防着板17を水平方向Qに付勢する複数のガイド部材38が形成されている。このガイド部材38は、例えば、バネなどの弾性部材と、ローラなどから構成され、下部防着板17を外周面17dの複数個所から中心に向けて付勢することによって、下部防着板17の中心がステージ13の中心に合致するように保持する。また、ガイド部材38は下部防着板17をローラ等で当接して支持することで、下部防着板17を支持部材37から容易に着脱可能にして、メンテナンス性を高めることができる。そして、スパッタリング時のプラズマやスパッタ粒子、電流によるジュール熱により、下部防着板17の温度が高温になり、下部防着板17の熱膨張が発生しても、ガイド部材38の弾性によって下部防着板17の熱膨張を吸収する。これにより、下部防着板17の中心位置が保たれ、且つガイドと下部防着板17とをネジなどで固定した場合に生じるネジの破損や、防着板とガイドの固定部が擦れてパーティクルが発生することを抑制できる。下部防着板17は、全体が金属、例えばステンレスの削り出しによって形成されている。そして、下部防着板17の表面には、ブラスト処理が施されると共に、表面全体が溶射膜で覆われていれば良い。下部防着板17の材質としては、ステンレス以外にも、例えば、アルミニウム合金の表面にアルマイト加工したものなどであればよい。下部防着板17の内径と、ステージ13に載置される基板被成膜物18と直径との差は、基板が300mmであるときには、例えば、-5mm~20mmの範囲に設定されればよい図3ではこの差の1/2であるtとして示している。。その他、図2に示す下部防着板17の各部のサイズ範囲の一例を示す。なお、これらは下部防着板17のサイズを限定するものではない。内周縁17cの近傍の厚みh1:20~60mm突条32の高さh2:40~60mm切欠部33の水平方向の長さw1:100~140mm切欠部33との突条32との水平方向の長さw2:300~500mm切欠部33における下部防着板17の厚みh3:110~150mm切欠部33の鉛直方向の高さh4:40~80mm以上のような構成のスパッタリング装置成膜装置10によれば、下部防着板17のうち、ターゲット12に臨む上面側17aを、少なくとも上部防着板16の下端16Eに重なる位置までを平坦面31で構成したので、特定の領域に応力が集中することが無い。即ち、スパッタリング装置10では、成膜中にチャンバ11の内部、特に基板18とその周辺は高温環境になる。また、下部防着板17の上面側17aは、ターゲット12と対面するために、スパッタリング材料の堆積堆積物が多くなる。こうした下部防着板17の上面側17aに、例えば凹凸や角度を持った突条、段差などがあると、こうした部分に高温環境と室温環境との繰り返しによる膨張、収縮で応力が集中する。すると、段差等が存在する従来の下部防着板では、上面側に堆積した堆積物が剥離し、被成膜物である基板を汚染しやすくなる。しかし、本発明のスパッタリング装置10を構成する下部防着板のように、スパッタリング材料の堆積が多い下部防着板17の上面側17aを平坦面31とすることによって、大きな温度差による下部防着板17の膨張、収縮が繰り返されても、下部防着板17の上面側17aの特定部分に応力が集中することが無い。従って、平坦面31に堆積した堆積物が剥離しにくくなり、基板18が堆積物により汚染されることを確実に防止することが可能になる。