"所定位置で幅方向に切断されて間隙が設けられた伝送線路と、前記切断された一方の伝送線路上に設けられた誘電体と、前記誘電体を介して、前記切断された伝送線路間を接続する金属板とを備えたマイクロストリップ伝送線路。前記金属板の幅は、前記伝送線路の幅よりも細いことを特徴とする請求項1記載のマイクロストリップ伝送線路。前記伝送線路は、ベンド、カーブまたは複数個の線路を合成した形状であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のマイクロストリップ伝送線路。入力整合回路のショートスタブとして、請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載のマイクロストリップ伝送線路を用いたことを特徴とする高周波増幅器。出力整合回路のショートスタブとして、請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載のマイクロストリップ伝送線路を用いたことを特徴とする高周波増幅器。前記伝送線路および前記金属板のうちトランジスタが接続されている側の金属からバイアスを印加することを特徴とする請求項4または請求項5記載の高周波増幅器。しかしながら、特許文献1に開示された従来のマイクロストリップ伝送線路101を備えた高周波回路では、マイクロストリップ伝送線路101が作る周波数特性を無効化しないようにコンデンサ102の値を決定する必要がある。そのため、直流電流遮断機能を実現するコンデンサ102が大きくなり回路サイズが大型になるという課題があった。また、マイクロストリップ伝送線路をショートスタブとして利用している従来の増幅器としては、非特許文献1が挙げられる。一般的に、狭帯域な増幅器のショートスタブでは、MIMMetalInsulationMetalのキャパシタンス成分とMIMのインダクタンス成分やビアホールのインダクタンス成分とを直列共振させてキャパシタンス成分を除去して、ショートスタブの伝送線路を接続する。しかしながら、非特許文献1の増幅器は、6~18GHzと広帯域な増幅器であるため、MIMのキャパシタンス成分を直列共振させても広帯域にキャパシタンス成分を除去することができない。そのため、MIMのキャパシタンス成分を大きくする必要があり、回路中のショートスタブの先端にある直流電流遮断のためのMIMキャパシタが大きくなるという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、マイクロストリップ伝送線路に直流電流を遮断する機能を与えることで、小型な回路サイズを実現することができるマイクロストリップ伝送線路および高周波増幅器を提供することを目的としている。この発明に係るマイクロストリップ伝送線路は、所定位置で幅方向に切断されて間隙が設けられた伝送線路と、切断された一方の伝送線路上に設けられた誘電体と、誘電体を介して、切断された伝送線路間を接続する金属板とを備えたものである。この発明によれば、上記のように構成したので、マイクロストリップ伝送線路自身が直流電流遮断機能を有し、従来、高周波回路においてマイクロストリップ伝送線路の外部に設ける必要があったキャパシタが不要となり、回路を小型化することができる。以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1に係るマイクロストリップ伝送線路1の構成を示す模式図である。マイクロストリップ伝送線路1は、図1に示すように、第1の伝送線路11、第2の伝送線路12、誘電体13および金属板14から構成されている。なお、S11,S22はSパラメータである。第1,2の伝送線路11,12は、1本の伝送線路を所定位置で幅方向に切断することで構成されたものである。この第1,2の伝送線路11,12は、所定の細い間隙を設けて長手方向に沿って配置されている。誘電体13は、切断された一方の伝送線路図1では第1の伝送線路11上に設けられた板状部材である。誘電体13は、この切断された一方の伝送線路と略同一形状に構成されている。金属板14は、誘電体13を介して、切断された第1,2の伝送線路11,12間を接続する板状部材である。図1では、金属板14の幅は、第1,2の伝送線路11,12および誘電体13と略同一に構成され、長さは、第1の伝送線路11および誘電体13に対して長く構成されている。そして、金属板14は、誘電体13上に配置され、その突出端が接合部材15を介して第2の伝送線路12に接続されている。図1に示すマイクロストリップ伝送線路1の等価回路は、図2に示すようになる。ここで、符号21,22は、図1に示す第1,2の伝送線路11,12とそれぞれ同じ特性インピーダンスおよび電気長を持つマイクロストリップ伝送線路である。また、符号23は、第1の伝送線路11と第2の伝送線路12との間に生じる容量と同じキャパシタである。なお、S33,S44はS11,S22に対応するSパラメータである。次に、図2の等価回路が正しいことを、図1の構成に対する電磁界計算を行うことで示す。図3a~cは、図1の構成に対する電磁界計算結果および図2の回路に対する等価回路計算結果の入力VSWR電圧定在波比:VoltageStandingWaveRatio、通過損失、通過位相をそれぞれ示す図である。なお、図3に示す実線が電磁界計算結果を示し、破線が等価回路計算結果を示している。ここで、電磁界計算を行う際の条件として、第1,2の伝送線路11,12、誘電体13および金属板14の幅をそれぞれ90umとし、第1,2の伝送線路11,12および誘電体13の長さをそれぞれ200umとし、金属板14の長さを220umとし、基板厚を100umとし、基板の比誘電率を10とし、第1,2の伝送線路11,12および金属板14の厚みをそれぞれ1umとし、誘電体13の厚みを0.1umとし、誘電体13の比誘電率を1.5とした。また、基板の裏面にグランド面を持たせ、第1,2の伝送線路11,12が正しくマイクロストリップ伝送線路として機能するようにした。また、上記の計算条件により、図2に示すマイクロストリップ伝送線路21,22の長さは200umであり、キャパシタ23は、MIMキャパシタのパラメータから計算して2.43pFとなる。以上の計算条件による電磁界計算結果と等価回路計算結果は、図3a~cに示すように、広帯域に渡って良く一致していることが分かる。つまり、図1に示す構成はマイクロストリップ伝送線路でありながら、直列キャパシタの機能、すなわち直流電流遮断機能を有していることがわかる。以上のように、この実施の形態1によれば、所定位置で幅方向に切断されて間隙が設けられた第1,2の伝送線路11,12と、切断された一方の伝送線路第1の伝送線路11上に設けられた誘電体13と、誘電体13を介して、切断された第1,2の伝送線路11,12間を接続する金属板14とを備えたので、このマイクロストリップ伝送線路1を備えた高周波回路では、従来のマイクロストリップ伝送線路の外部に設ける必要があったキャパシタが不要になり、回路を小型化できる。また、回路が小型化することで基板やICの大きさを小型化できる。さらに、基板やICの大きさを小型化することで、高周波回路を必要とするシステムを小型化できる。また、従来のMMICMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit回路では、大きなMIM容量を確保するために線路幅より幅の広いMIMキャパシタを利用していた。そのため、MIMキャパシタの持つ伝送線路成分の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスの間でのインピーダンス不整合が生じていた。それに対して、図1に示すマイクロストリップ伝送線路1をMMIC回路に適用することで、MIMキャパシタが存在せずインピーダンス不整合が生じないため、低損失化が実現できる。また、図1に示すマイクロストリップ伝送線路1は、増幅器などの能動素子を持つ回路の直流電流遮断回路として利用できる。また、マイクロストリップ伝送線路1の幅を狭くすることでマイクロストリップ伝送線路1をインダクタとみなし、インダクタとキャパシタにより小型に直列共振器を構成することができる。また、増幅器において、図1に示すマイクロストリップ伝送線路1をトランジスタと50オーム負荷の間に直列に挿入することで、直列共振器を装荷したことになり、不要な帯域を遮断できる。なお、図1では単純な構成のマイクロストリップ伝送線路1を例にしたが、図4に示すように、マイクロストリップ伝送線路1がベンドやカーブを有する場合であっても同じ効果を得ることができる。また、マイクロストリップ伝送線路1がnn>2個の伝送線路を合成した形状、つまりT分岐やクロスであっても同じ効果を得ることができる。なお図4では、図を見易くするため、第1の伝送線路11、誘電体13および金属板14の幅を変えて示している。また、図1では、誘電体13および金属板14が第1の伝送線路11を全て覆う形としたが、全てを覆わなくても同じ効果を得ることができる。実施の形態2.実施の形態2では、実施の形態1に係るマイクロストリップ伝送線路1を、高周波増幅器の入力整合回路に適用した場合について説明する。図5はこの発明の実施の形態2に係る高周波増幅器の入力整合回路の構成を示す模式図である。高周波増幅器の入力整合回路は、図5に示すように、マイクロストリップ伝送線路2、トランジスタセル3、ビアホール4および整合回路5から構成されている。ここで、マイクロストリップ伝送線路2は、図1に示すマイクロストリップ伝送線路1と同様の構成であり、第1,2の伝送線路11,12、誘電体13および金属板14は全て同じ幅に構成されている。また、整合回路5は、トランジスタセル3の出力インピーダンスから終端へとインピーダンス整合を行うものである。なお、マイクロストリップ伝送線路2の長さ幅は、入力整合回路の構成方法によって異なる。例えば、入力整合回路を高周波増幅器のインピーダンス整合回路として用いる場合には、入力整合回路の動作帯域の中心周波数における4分の1波長λ/4長付近の長さとする。また、抵抗を併用して安定化回路として用いる場合には、動作帯域の中心周波数におけるλ/4長よりも短い長さとし、幅は20um~100um程度とする。図5に示す高周波増幅器の等価回路は、図6に示すようになる。ここで、符号24,25は、図5に示すマイクロストリップ伝送線路2の半分程度の長さのマイクロストリップ伝送線路である。また、符号26は、トランジスタセル3とマイクロストリップ伝送線路2との間に生じるインダクタンス成分と同じインダクタである。図6において、キャパシタ23のインピーダンスが回路の動作帯域にて十分に小さければこれを無視でき、マイクロストリップ伝送線路24とマイクロストリップ伝送線路25を合わせた回路はショートスタブとみなすことができる。さらに、検討を容易にするため、図7に示すように、マイクロストリップ伝送線路24,25からなるショートスタブをLC並列共振器へと置換する。なお、図7において、符号27はLC並列共振器のキャパシタであり、符号28はLC並列共振器のインダクタである。また、ショートスタブから並列共振器への変換式を下式1に示す。ここで、Zcはショートスタブの特性インピーダンスであり、Cnはキャパシタ27であり、Lnはインダクタ28であり、θはショートスタブの電気長であり、ωcはショートスタブの電気長が90度となる角周波数である。次に、図7に示す等価回路のインピーダンスの軌跡を図8に示す。なお、本発明は特に広帯域で効果があるため、図8における計算周波数範囲を5.5GHz~18.2GHzとした。また、図8に示すΓ1,Γ2は、図7のΓ1,Γ2位置でのインピーダンスにそれぞれ対応し、矢印の先端位置が高域端でのインピーダンスを示している。図8に示すように、Γ1での周波数特性は、低域では容量性にあり、高域では誘導性にある。一方、並列共振器を付加したΓ2での周波数特性は、Γ1に対して、低域では並列インダクタの効果により誘導性に動き、高域では並列キャパシタの効果により容量性に動く。このように並列共振器を付加することで、Γ2での周波数特性をΓ1での周波数特性より広帯域に渡って小さくすることができる。次に、図7に示す等価回路に、インピーダンス変成器として、伝送線路29を付加した回路を図9に示す。なお、伝送線路29は、入力整合回路の動作帯域の中心周波数におけるλ/4長の長さに構成されている。この図9に示す等価回路のインピーダンスの軌跡を図10に示す。なお、図10についても、図8と同様に、計算周波数範囲を広帯域5.5GHz~18.2GHzとした。また、図10に示すΓ1~Γ3は、図9のΓ1~Γ3位置でのインピーダンスにそれぞれ対応し、矢印の先端位置が高域端でのインピーダンスを示している。図10に示すように、Γ1、Γ2での周波数特性は図8と同一である。一方、Γ3での周波数特性は、Γ2に対して、低域では電気長が高域より短く見えるために移動量が少なく、高域では電気長が低域より長く見えるために大きく移動する。このように、Γ3では、50Ωに対して、帯域内の各周波数におけるインピーダンスの軌跡が近づくため、広帯域なインピーダンス整合を実現できる。なお、図5に示す高周波増幅器では、マイクロストリップ伝送線路2によりグランドとトランジスタセル3との間の直流電流は遮断される。そのため、マイクロストリップ伝送線路2を構成する金属第1,2の伝送線路11,12および金属板14のうちトランジスタセル3側の金属から、トランジスタセル3を動作させるためのバイアスを印加できる。以上のように、この実施の形態2によれば、本発明のマイクロストリップ伝送線路2を高周波増幅器の入力整合回路に適用したので、従来のマイクロストリップ伝送線路の外部に設ける必要があったキャパシタが不要になり、回路を小型化できる。また、回路が小型化することで基板やICの大きさを小型化できる。さらに、基板やICの大きさを小型化することで、高周波増幅器を必要とするシステムを小型化できる。また、従来のMMIC回路では、大きなMIM容量を確保するために線路幅より幅の広いMIMキャパシタを利用していた。そのため、MIMキャパシタの持つ伝送線路成分の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスの間でのインピーダンス不整合が生じていた。それに対して、図5に示す高周波増幅器をMMIC回路に適用することで、MIMキャパシタが存在せずインピーダンス不整合が生じないため、低損失化が実現できる。また、従来では、MIMキャパシタが大型であったため、トランジスタの入力にショートスタブを装荷する回路構成は適用できなかった。それに対して、図5に示す高周波増幅器では、回路サイズが小さいため適用が可能となり、小型かつ広帯域な高周波増幅器を実現することができる。なお、図5の例では、トランジスタセル3の直近にマイクロストリップ伝送線路2を配置したが、入力整合回路の中でトランジスタセル3から離れた部位に配置しても整合回路素子としてインピーダンス整合に利用することが可能である。また、図5の例では、マイクロストリップ伝送線路2の大きさを高周波増幅器に必要なショートスタブの大きさと同一としたが、小さくてもよい。また、図5の例では、並列回路はマイクロストリップ伝送線路2およびビアホール4からなる単純な構成としたが、抵抗素子を加えて安定化回路として利用してもよい。また、図5の例では、整合回路5は、トランジスタセル3の出力インピーダンスから終端へとインピーダンス整合を行う回路としたが、トランジスタセル3の出力インピーダンスから接続する他の回路素子、例えば別のトランジスタの入力インピーダンスへの整合回路としてもよい。実施の形態3.実施の形態3では、実施の形態1に係るマイクロストリップ伝送線路1を、高周波増幅器の出力整合回路に適用した場合について説明する。図11はこの発明の実施の形態3に係る高周波増幅器の出力整合回路の構成を示す模式図である。高周波増幅器の出力整合回路は、図11に示すように、マイクロストリップ伝送線路2、トランジスタセル3、ビアホール4および整合回路6から構成されている。ここで、マイクロストリップ伝送線路2は、図1に示すマイクロストリップ伝送線路1と同様の構成であり、第1,2の伝送線路11,12、誘電体13および金属板14は全て同じ幅に構成されている。また、整合回路6は、トランジスタセル3の入力インピーダンスから終端へとインピーダンス整合を行うものである。なお、マイクロストリップ伝送線路2の長さ幅は、出力整合回路の構成方法によって異なる。例えば、出力整合回路を、トランジスタセル3にバイアスを印加するためのバイアス回路として用いる場合には、出力整合回路の動作帯域の中心周波数におけるλ/4長付近の長さとし、十分な電流容量が確保できる幅とする。また、トランジスタセル3の出力容量と共振させてインピーダンス整合回路として用いる場合には、動作帯域の中心周波数付近におけるトランジスタセル3の出力容量と並列共振をする電気長およびインピーダンスとなる長さ幅とする。図11に示す高周波増幅器の等価回路は、図12に示すようになる。なお、図11の構成を用いた議論を簡略化するため、マイクロストリップ伝送線路2の直列キャパシタのリアクタンスは回路の動作帯域において十分に小さいとし、マイクロストリップ伝送線路2は図12の伝送線路30に示すようにショートスタブとみなす。また、符号26は、トランジスタセル3とマイクロストリップ伝送線路2との間に生じるインダクタンス成分と同じインダクタである。まず、出力整合回路を単純にバイアス回路として利用する場合について述べる。この場合、トランジスタセル3の出力側に接続されるRF線路から、ショートスタブ30側のインピーダンスが見えないようにショートスタブ30のパラメータを与える。そのため、ショートスタブ30の電気長は、出力整合回路の動作帯域の中心周波数付近におけるλ2n-1/4長となるようにするn≧1。また、マイクロストリップ伝送線路2の長さは、出力整合回路の動作帯域の中心周波数付近におけるλ2n-1/4長となるようにするn≧1。次に、出力整合回路をインピーダンス整合回路として利用する場合について述べる。この場合は、トランジスタセル3の容量成分をキャンセルすることが目的である。よって、出力整合回路の動作帯域の中心周波数付近において伝送線路30のインダクタンス成分とトランジスタセル3の容量成分を共振させることで、容量性の領域にあったトランジスタセル3の出力インピーダンスを実軸に変成し、50Ωへのインピーダンス変成を容易にする。図12の等価回路に、インピーダンス変成器として、伝送線路29を付加した回路を図13に示す。なお、伝送線路29は、出力整合回路の動作帯域の中心周波数におけるλ/4長の長さに構成されている。この図13に示す等価回路のインピーダンスの軌跡を図14に示す。なお、図14における計算周波数範囲は広帯域5.5GHz~18.2GHzとした。また、図14に示すΓ4~Γ6は、図13に示すΓ4~Γ6位置でのインピーダンスにそれぞれ対応し、矢印の先端位置が高域端でのインピーダンスを示している。図14に示すように、Γ6において50Ωに対して広帯域にインピーダンス整合が取れていることが分かる。なお、図11に示す高周波増幅器では、マイクロストリップ伝送線路2によりグランドとトランジスタセル3との間の直流電流は遮断される。そのため、マイクロストリップ伝送線路2を構成する金属第1,2の伝送線路11,12および金属板14のうちトランジスタセル3側の金属から、トランジスタセル3を動作させるためのバイアスを印加できる。以上のように、この実施の形態3によれば、本発明のマイクロストリップ伝送線路2を高周波増幅器の出力整合回路に適用したので、従来のマイクロストリップ伝送線路の外部に設ける必要があったキャパシタが不要になり、回路を小型化できる。また、回路が小型化することで基板やICの大きさを小型化できる。さらに、基板やICの大きさを小型化することで、高周波増幅器を必要とするシステムを小型化できる。また、従来のMMIC回路では、大きなMIM容量を確保するために線路幅より幅の広いMIMキャパシタを利用していた。そのため、MIMキャパシタの持つ伝送線路成分の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスの間でのインピーダンス不整合が生じていた。それに対して、図11に示す高周波増幅器をMMIC回路に適用することで、MIMキャパシタが存在せずインピーダンス不整合が生じないため、低損失化が実現できる。また、従来では、MIMキャパシタが大型であったため、トランジスタの出力にショートスタブを装荷する回路構成は適用できなかった。それに対して、図11に示す高周波増幅器では、回路サイズが小さいため適用が可能となり、小型かつ広帯域な高周波増幅器を実現することができる。なお、図11の例では、トランジスタセル3の直近にマイクロストリップ伝送線路2を配置したが、出力整合回路の中でトランジスタセル3から離れた部位に配置しても整合回路素子としてインピーダンス整合に利用することが可能である。また、図11の例では、マイクロストリップ伝送線路2の大きさを高周波増幅器に必要なショートスタブの大きさと同一としたが、小さくてもよい。また、図11の例では、並列回路はマイクロストリップ伝送線路2およびビアホール4からなる単純な回路としたが、抵抗素子を加えて安定化回路として利用してもよい。また、図11の例では、整合回路6は、トランジスタセル3の入力インピーダンスから終端へとインピーダンス整合を行う回路としたが、トランジスタセル3の入力インピーダンスから接続する他の回路素子、例えば別のトランジスタの出力インピーダンスへの整合回路としてもよい。実施の形態4.図15はこの発明の実施の形態4に係るマイクロストリップ伝送線路1の構成を示す模式図である。図15に示す実施の形態4に係るマイクロストリップ伝送線路1は、図1に示す実施の形態1に係るマイクロストリップ伝送線路1の金属板14を、金属板16に変更したものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。金属板16は、誘電体13を介して、切断された第1,2の伝送線路11,12間を接続する板状部材である。この金属板16は、図1に示す金属板14と異なり、その幅が第1,2の伝送線路11,12および誘電体13に対して極めて細く構成されている。そして、金属板16は、誘電体13上に配置され、突出端が接合部材15を介して第2の伝送線路12に接続されている。このような構造とすることで、マイクロストリップ伝送線路1の特性インピーダンスや電気長は変えずに直列キャパシタを小さくすることができる。なお、図15に示すマイクロストリップ伝送線路1の等価回路は、図16に示すようになる。次に、図1,15の構成に対する電磁界計算結果の入力VSWR、通過損失を図17に示す。なお、図17において、実線は図1の構成に対する計算結果を示し、破線は図15の構成に対する計算結果を示している。ここで、図15に示す第1,2の伝送線路11,12および誘電体13の幅は90umとし、金属板16の幅は10umとする。この場合、マイクロストリップ伝送線路1のキャパシタ23は0.27pFとなり、図2の場合の約1/9となる。図17に示すように、図15の構成では、低周波でVSWRが大きく通過損失が大きくなり、高域通過フィルタHPFのように動作することが分かる。このように、マイクロストリップ伝送線路1の金属板16を第1,2の伝送線路11,12および誘電体13よりも小さくして直列キャパシタを小さくすることで、HPFの効果をマイクロストリップ伝送線路1に持たせることができる。なお、図15に示すマイクロストリップ伝送線路1では、金属板16を第1,2の伝送線路11,12および誘電体13より極めて細くしているが、金属板16および誘電体13を第1,2の伝送線路11,12より極めて細くしてもマイクロストリップ伝送線路1の直列キャパシタを小さくでき、同じ効果が期待できる。以上のように、この実施の形態4によれば、金属板14に代えて、第1,2の伝送線路11,12の幅よりも極めて細い幅を有する金属板16を用いたので、マイクロストリップ伝送線路1の直列キャパシタを小さくすることができ、HPFの効果を持たせることができる。また、このマイクロストリップ伝送線路1を備えた高周波回路では、従来のマイクロストリップ伝送線路の外部に設ける必要があったキャパシタが不要になり、回路を小型化できる。また、回路が小型化することで基板やICの大きさを小型化できる。さらに、基板やICの大きさを小型化することで、高周波回路を必要とするシステムを小型化できる。また、従来のMMIC回路では、大きなMIM容量を確保するために線路幅より幅の広いMIMキャパシタを利用していた。そのため、MIMキャパシタの持つ伝送線路成分の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスの間でのインピーダンス不整合が生じていた。それに対して、図15に示すマイクロストリップ伝送線路1をMMIC回路に適用することで、MIMキャパシタが存在せずインピーダンス不整合が生じないため、低損失化が実現できる。また、図15に示すマイクロストリップ伝送線路1は、増幅器などの能動素子を持つ回路の直流電流遮断回路として利用できる。また、マイクロストリップ伝送線路1の幅を狭くすることでマイクロストリップ伝送線路1をインダクタとみなし、インダクタとキャパシタにより小型に直列共振器を構成することができる。また、増幅器において、図15に示すマイクロストリップ伝送線路1をトランジスタと50オーム負荷の間に直列に挿入することで、直列共振器を装荷したことになり、不要な帯域を遮断できる。なお、図15では単純な構成のマイクロストリップ伝送線路1を例にしたが、図18に示すように、マイクロストリップ伝送線路1がベンドやカーブを有する場合であっても同じ効果を得ることができる。また、マイクロストリップ伝送線路1がnn>2個の伝送線路を合成した形状、つまりT分岐やクロスであっても同じ効果を得ることができる。なお図18では、図を見易くするため、第1の伝送線路11と誘電体13の幅を変えて示している。また、図15では、誘電体13が第1の伝送線路11を全て覆う形としたが、全てを覆わなくても同じ効果を得ることができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"