基板にコンタクトホール又はコンタクトトレンチを形成し、前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチの底に、アモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層を形成し、前記アモルファスシリコン層又は前記多結晶シリコン層を覆うように不純物を含むニッケル膜を形成し、加熱することにより、前記ニッケル膜と前記アモルファスシリコン層又は前記多結晶シリコン層とを反応させて、ニッケルシリサイド膜を形成し、前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチを埋め込むようにコンタクト金属膜を形成する、ことを備える半導体装置の製造方法。前記不純物は、C、N、F、Cl、P、As、B、Ge、Co、Ti、Ta、Al、Ir、Cu、Mo、Pt、Wのうちのいずれか1つからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記コンタクト金属膜として、タングステン、銅、又はアルミニウムを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記ニッケルシリサイド膜の形成後に、前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチの底に形成された前記ニッケルシリサイド膜の上面を覆い、且つ、前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチの側壁を覆うようにバリアメタル膜を形成する、ことをさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。基板に設けられたコンタクトホール又はコンタクトトレンチと、前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチの底に形成された不純物を含むニッケルシリサイド膜と、前記ニッケルシリサイド膜の上に前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチを埋め込むように形成されたコンタクト金属膜と、からなるコンタクトプラグを備える、ことを特徴とする半導体装置。前記不純物は、C、N、F、Cl、P、As、B、Ge、Co、Ti、Ta、Al、Ir、Cu、Mo、Pt、Wのうちのいずれか1つからなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記ニッケルシリサイド膜は、Niが1であるのに対してSiが2以上となる組成比を有している材料を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置。本発明は、コンタクトプラグの抵抗の低減を行うことができる半導体装置の製造方法を提供するものである。本発明の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板にコンタクトホール又はコンタクトトレンチを形成し、前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチの底に、アモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層を形成し、前記アモルファスシリコン層又は前記多結晶シリコン層を覆うように不純物を含むニッケル膜を形成し、加熱することにより、前記ニッケル膜と前記アモルファスシリコン層又は前記多結晶シリコン層とを反応させて、ニッケルシリサイド膜を形成し、前記コンタクトホール又は前記コンタクトトレンチを埋め込むようにコンタクト金属膜を形成する、ことを備える。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、図面は実施形態の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置とは異なる個所もあるが、これらは以下の説明と公知の技術とを参酌して適宜、設計変更することができる。第1の実施形態本実施形態の半導体装置のコンタクトプラグ1の製造方法を図1から図5を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような形態の半導体装置のコンタクトプラグ1に限定されるものではなく、他の形態のコンタクトプラグにおいても用いることができる。図1aに示すように、シリコン基板10上に絶縁膜16を設け、RIEReactiveIonEtching法を用いて、コンタクトホール11、又はコンタクトトレンチ11を形成する。ここでは、コンタクトホール11を形成するものとして説明する。さらに、コンタクトホール11の底に存在するシリコン基板10のダメージ層12、又は残渣物12を、酸素アッシング処理を用いて除去する。なお、シリコン基板10は、単結晶シリコンからなるものに限定されるものではなく、多結晶シリコンからなるものや、また、このような種々の基板上に半導体構造等が形成されたものでも良い。図1bに示すように、上記の酸素アッシング処理を行うことによって、シリコン基板10上であって、コンタクトホール11の底に酸化シリコン膜13が生成される。図2aに示すように、生成した酸化シリコン膜13を、Wet処理を用いて除去する。また、Wet処理にてこの酸化シリコン膜13を完全に除去できない場合には、さらにDry処理を行って酸化シリコン膜13を除去する。つまり、この後の工程において、コンタクトホール11の底に低温でアモルファスシリコン層14を形成することから、酸化シリコン膜13は完全に除去しておくことが好ましい。次に、図2bに示すように、インプラテーションを用いて、コンタクトホール11の底にアモルファスシリコン層14を形成する。この際、インプラテーションによって注入される不純物は、コンタクトプラグ1の所望の特性に応じて選択される。このように、コンタクトホール11の底にアモルファスシリコン層14を形成することにより、この後の工程において、コンタクト底面膜であるNiSix膜X≧2からなる第2のニッケルシリサイド膜17を形成することが容易となる。次に、図3aに示すように、C、N、F、Cl、P、As、B、Ge、Co、Ti、Ta、Al、Ir、Cu、Mo、Pt、Wのいずれかを含んだ原料ガスを用いたCVDChemicalVaporDeposition法を用いて、アモルファスシリコン層14の上面とコンタクトホール11の側壁とを覆うように、ニッケル膜15を成膜する。C、N、F、Cl、P、As、B、Ge、Co、Ti、Ta、Al、Ir、Cu、Mo、Pt、Wといった不純物を含んだニッケル膜15を形成することにより、この後の工程で、NiSix膜X≧2膜からなる第2のニッケルシリサイド膜17を形成することが容易となる。例えば、C又はNを含むニッケル膜15を用いて形成した場合、この後の工程で、NiSix膜X≧2からなる第2のニッケルシリサイド膜17を形成することがさらに容易となる。また、Pを含むニッケル膜15を用いて形成すると、NiSix膜X≧2からなる第2のニッケルシリサイド膜17を熱的に安定なものとすることができる。次に、アルゴン又は窒素ガス雰囲気下で、300°Cから500°Cの温度でのRTARapidThermalAnnealingを用いて、アモリファスシリコン層14とニッケル膜15とを反応させて、コンタクトホール11の底に、NiSix膜からなる第1のニッケルシリサイド膜不図示を形成する。さらに、Wet処理を用いて未反応のニッケル膜15を除去した後、再度RTAを用いて、NiSix膜からなる第1のニッケルシリサイド膜不図示を反応させ、NiSix膜X≧2からなる第2のニッケルシリサイド膜17を効率よく形成する。すなわち、図3bに示すような、NiSix膜X≧2からなる膜を、言い換えると、ニッケルNiが1であるのに対してシリコンSiが2以上となる組成比を有している膜を有する第2のニッケルシリサイド膜17を形成する。なお、未反応のニッケル膜15を除去した後、RTAは複数回行っても良い。また、第2のニッケルシリサイド膜17の表面には、Ni又はSiを含む酸化物20が生成される。図4aで示すように、三フッ化窒素NF3又はフッ化水素HFを含んだ混合ガスを用いてラジカルを生成し、生成したラジカルを用いて、第2のニッケルシリサイド膜17の表面に生成されたNi又はSiを含む酸化物20を除去する。この第2のニッケルシリサイド膜17の表面にある酸化物20の除去は必要に応じて行えば良く、この後の工程において、300°C以下の成膜温度にてチタン等からなるバリアメタル膜18を形成する場合には、第2のニッケルシリサイド膜17の表面にある酸化物20の除去を行うことが好ましい。図4bに示すように、コンタクトホール11の底の第2のニッケルシリサイド膜17の上面及びコンタクトホール11の側壁を覆うように、PVDPhysicalVaporDeposition法を用いてチタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、酸化タンタルのいずれからなるバリアメタル膜18を形成する。このバリアメタル膜18により、第2のニッケルシリサイド膜17と、この後の工程においてコンタクトホール11を埋め込むように形成されるコンタクト金属膜19との間の密着性を高め、その間に生ずる応力を緩和することができる。なお、このバリアメタル膜18を形成せずに、第2のニッケルシリサイド膜17の上面を覆い、且つコンタクトホール11を埋め込むように、タングステン等からなるコンタクト金属膜19を形成しても良い。図5aに示すように、バリアメタル膜18を覆い、且つ、コンタクトホール11を埋め込むように、CVD法を用いてコンタクト金属膜19としてタングステンを成膜する。この際、コンタクト金属膜19として、銅又はアルミニウムを用いても良い。なお、コンタクト金属膜19としてタングステン又はアルミニウムを用いる場合には、バリアメタル膜18は、チタン又は窒化チタンからなるものとすることが好ましく、コンタクト金属膜19として銅を用いる場合には、バリアメタル膜18は、タンタル、窒化タンタル、又は酸化タンタルからなるものとすることが好ましい。次に、図5bに示すように、CMPChemicalMechanicalPolishing法を用いて、コンタクトホール11から突出したバリアメタル膜18とコンタクト金属膜19とを除去し、コンタクトプラグ1を形成する。このようにして、図6に示される本実施形態のコンタクトプラグ1は、シリコン基板10及びその上の絶縁膜16に設けられたコンタクトホール11と、コンタクトホール11の底面に形成された不純物を含む第2のニッケルシリサイド膜17と、第2のニッケルシリサイド膜17の上にコンタクトホール11を埋め込むように形成されたコンタクト金属膜19とを有する。さらに、このコンタクトプラグ1は、第2のニッケルシリサイド膜17の上面とコンタクトホール11の側壁とを覆うバリアメタル膜18をさらに有しても良い。第2のニッケルシリサイド膜17は、ニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜を有し、好ましくは、第2のニッケルシリサイド膜17の大部分が、ニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜からなる。また、第2のニッケルシリサイド膜17は、C、N、F、Cl、P、As、B、Ge、Co、Ti、Ta、Al、Ir、Cu、Mo、Pt、Wのうちのいずれか1つからなる不純物を含む。コンタクト金属膜19は、タングステン、銅、又はアルミニウムからなる。さらに、バリアメタル膜18は、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、又は酸化タンタルからなる。本実施形態によれば、アモルファスシリコン層14と不純物を含むニッケル膜15とを加熱して、互いの層を反応させて、第2のニッケルシリサイド膜17を形成することから、コンタクトホール11の底面に、その大部分が、ニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜からなる第2のニッケルシリサイド膜17を効率良く形成することができる。さらに、アモルファスシリコン層14をニッケル膜15と反応させることから、結晶方位が揃った単結晶シリコン層と反応させる場合と比べて、ニッケルの拡散は下地の影響を受けにくい。従って、ニッケル膜15からニッケルが拡散する範囲を制御することができることから、第2のニッケルシリサイド膜17を所望の厚さを有するものとして形成することができる。このようなニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜は、高い導電性と耐熱性との両方を有する。よって、第2のニッケルシリサイド膜17は、半導体装置を形成する際に印加される熱によっても安定であり、さらに、コンタクトプラグ1がこのような膜からなる第2のニッケルシリサイド膜17をコンタクト底面膜として有することによって、コンタクトプラグ1の抵抗を低く抑えることができる。さらに、本実施形態によれば、第2のニッケルシリサイド膜17をコンタクト底面膜として用いることにより、チタンシリサイド膜やコバルトシリサイド膜をコンタクト底面膜として用いた場合と比べてシリコンが拡散しにくいことから、コンタクト底面膜中に欠陥が生じにくい。従って、シリコン基板10とコンタクト底面膜との界面抵抗を小さくすることができることから、コンタクトプラグ1が微細なものとなっても、コンタクトプラグ1の抵抗を小さくすることが可能となる。第1の実施形態の変形例第1の実施形態においては、インプラテーションを用いて、コンタクトホール11の底にアモルファスシリコン層14を形成し、その上にニッケル膜15を形成していたが、この変形例においては、図7aに示されるように、第1の実施形態と同様に、インプラテーションを用いて、コンタクトホール11の底にアモルファスシリコン層14を形成した後、200°C以上の熱プロセスを用いて、図7bに示されるようにアモルファスシリコン層14から多結晶シリコン層24を生成する。さらに、生成した多結晶シリコン層24の上に、第1の実施形態と同様にニッケル膜15を形成しても良い。第2の実施形態第1の実施形態においては、インプラテーションを用いて、コンタクトホール11の底にアモルファスシリコン層14を形成していたが、本実施形態においては、以下にように、コンタクトホール11の底及び側壁を覆うアモルファスシリコン層34を形成し、コンタクトプラグ1を形成しても良い。本実施形態の半導体装置のコンタクトプラグ1の製造方法を図8から図11を用いて説明する。本発明は、以下に説明するような半導体装置のコンタクトプラグ1に限定されるものではなく、他の形態のコンタクトプラグにおいても用いることができる。なお、ここでは、第1の実施形態と異なる点のみ説明する。第1の実施形態と同様に、シリコン基板10上に絶縁膜16を設け、RIE法を用いて、コンタクトホール11、又はコンタクトトレンチ11を形成する。ここでは、コンタクトホール11を形成するものとして説明する。さらに、第1の形態と同様に、コンタクトホール11の底に位置するシリコン基板10の表面を処理する図1a及び図1b参照。このようにして、図8aに示すようなシリコン基板1を得る。次に、図8bに示すように、CVD法又はPVD法を用いてコンタクトホール11の底及び側壁を覆うようにアモルファスシリコン層34を形成する。なお、アモルファスシリコン層34の代わりに、図11に示すような、コンタクトホール11の底及び側壁を覆うような多結晶シリコン層44を形成しても良い。次に、図9aに示すように、第1の実施形態と同様に、C、N、F、Cl、P、As、B、Ge、Co、Ti、Ta、Al、Ir、Cu、Mo、Pt、Wのいずれかを含んだ原料ガスを用いたCVD法を用いて、アモルファスシリコン層34の上面とコンタクトホール11の側壁とを覆うように、ニッケル膜15を成膜する。次に、アルゴン又は窒素ガス雰囲気下で、300°Cから500°Cの温度でのRTAを用いて、コンタクトホール11の底に位置するアモリファスシリコン層34の部分とニッケル膜15とを反応させる。さらに、シリコンを含んだガス雰囲気下で、300°C以上の温度でのRTAを用いて、ガス中のシリコンとコンタクトホール11の側壁に位置するアモリファスシリコン層34の部分とを反応させる。さらに、Wet処理を用いて未反応のニッケル膜15を除去した後、再度RTAを用いると、図9bに示されるように、コンタクトホール11の底には、NiSix膜X≧2からなる第2のニッケルシリサイド膜37が形成され、コンタクトホール11の側壁には、NiSiとNiSix膜X≧2とが混合したものからなる第3のニッケルシリサイド膜30が形成される。本実施形態においては、コンタクトホール11の側壁には、第3のニッケルシリサイド膜30が形成されていることから、第1の実施形態のようにバリアメタル膜18を形成しなくても良く、この場合には、コンタクトプラグ1の抵抗をさらに下げることができる。また、本実施形態においては、第1の実施形態と同様に、第2のニッケルシリサイド膜37と第3のニッケルシリサイド膜30とを覆うように、PVDPhysicalVaporDeposition法を用いてチタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、酸化タンタルのいずれからなるバリアメタル膜18を形成しても良く、この場合には、バリアメタル膜18により、第2のニッケルシリサイド膜17と、この後の工程においてコンタクトホール11を埋め込むように形成されるコンタクト金属膜19との間の密着性を高め、その間の応力を緩和することができる。この後、第1の実施形態と同様に、図10aに示すように、第2のニッケルシリサイド膜37と第3のニッケルシリサイド膜30とを覆い、且つ、コンタクトホール11を埋め込むように、CVD法を用いて、コンタクト金属膜19としてタングステンを成膜する。この際、第1の実施形態と同様に、コンタクト金属膜19として、銅、又はアルミニウムを用いても良い。次に、図10bに示すように、CMP法を用いて、コンタクトホール11から突出した第3のニッケルシリサイド膜30とコンタクト金属膜19とを除去し、コンタクトプラグ1を形成する。このようにして、図12に示される本実施形態のコンタクトプラグ1は、シリコン基板10に設けられたコンタクトホール11と、コンタクトホール11の底面に形成された不純物を含む第2のニッケルシリサイド膜37と、コンタクトホール11の側壁を覆うように形成された不純物を含む第3のニッケルシリサイド膜30と、第2のニッケルシリサイド膜37と第3のニッケルシリサイド膜30とを覆い、且つコンタクトホール11を埋め込むように形成されたコンタクト金属膜19とを有する。第2のニッケルシリサイド膜37は、ニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜を有し、好ましくは、第2のニッケルシリサイド膜17の大部分が、ニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜からなる。第2のニッケルシリサイド膜37及び第3のニッケルシリサイド膜30は、C、N、F、Cl、P、As、B、Ge、Co、Ti、Ta、Al、Ir、Cu、Mo、Pt、Wのうちのいずれか1つからなる不純物を含む。また、コンタクト金属膜19は、タングステン、銅、又はアルミニウムからなる。本実施形態によれば、アモルファスシリコン層34と不純物を含むニッケル膜15とを加熱して、互いの層を反応させて、第2のニッケルシリサイド膜37を形成することから、コンタクトホール11の底面に、その大部分が、ニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜からなる第2のニッケルシリサイド膜37を効率良く形成することができる。さらに、アモルファスシリコン層14をニッケル膜15と反応させることから、結晶方位が揃った単結晶シリコン層と反応させる場合と比べて、ニッケルの拡散は下地の影響を受けにくい。従って、ニッケル膜15からニッケルが拡散する範囲を制御することができることから、第2のニッケルシリサイド膜37を所望の厚さを有するものとして形成することができる。このようなニッケルが1であるのに対してシリコンが2以上となる組成比を有している膜は、高い導電性と耐熱性との両方を有することから、第2のニッケルシリサイド膜37は、半導体装置を形成する際に印加される熱によっても安定であり、さらに、コンタクトプラグ1の抵抗を低く抑えることができる。さらに、本実施形態によれば、第2のニッケルシリサイド膜37をコンタクト底面膜として用いることにより、チタンシリサイド膜やコバルトシリサイド膜をコンタクト底面膜として用いた場合と比べてシリコンが拡散しにくいことから、コンタクト底面膜中に欠陥が生じにくい。従って、シリコン基板10とコンタクト底面膜との界面抵抗を小さくすることができることから、コンタクトプラグ1が微細なものとなっても、コンタクトプラグ1の抵抗を小さくすることが可能となる。第2の実施形態の変形例第2の実施形態においては、アモリファスシリコン層34とその上に形成されたニッケル膜15とを反応させて第2のニッケルシリサイド膜37を形成していたが、図13aに示すように、第2の実施形態と同様に、アモルファスシリコン層34の上にニッケル膜15を形成した後、図13bに示すように、さらにニッケル膜15の上にアモルファスシリコン層54を形成し、次いで、第2の実施形態と同様に、ニッケル膜15とアモルファスシリコン層34及び54とを反応させて、第2のニッケルシリサイド膜37と第3のニッケルシリサイド膜30とを得ても良い。本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。