物理量の変化に応じて変位する第1可動部および第2可動部と、前記第1可動部および前記第2可動部との間でそれぞれ静電容量を形成する固定部と、前記静電容量の変化を用いて前記第1可動部の変位および前記第2可動部の変位を検出する検出部と、前記第1可動部の周辺に配置されている第1ダミー部と、前記第2可動部の周辺に配置されている第2ダミー部と、前記第1可動部、前記第2可動部、前記第1ダミー部、および前記第2ダミー部に電位を印加する電位生成回路と、を備え、前記第1可動部、前記第2可動部、前記固定部、前記第1ダミー部、および前記第2ダミー部は、積層基板内の同一の導電層内に形成されており、前記第1ダミー部と前記第2ダミー部は電気的に分離されており、前記電位生成回路は、前記第1可動部と前記第1ダミー部に第1電位を印加し、前記第2可動部と前記第2ダミー部に第2電位を印加することを特徴とする複合センサ。請求項1において、前記積層基板は、支持層と、中間絶縁層と、活性層とが積層形成されてなり、前記活性層内に、前記第1可動部、前記第2可動部、前記固定部、前記第1ダミー部、および前記第2ダミー部が形成されていることを特徴とする複合センサ。請求項2において、前記活性層内の前記第1ダミー部と前記第2ダミー部と間の部分に配置され、前記第1ダミー部と前記第2ダミー部を電気的に分離するギャップ部を有することを特徴とする複合センサ。請求項2において、前記支持層は、前記第1可動部の下方に配置された第1支持部と、前記第2可動部の下方に配置された第2支持部と、を有し、前記第1支持部と前記第2支持部は電気的に分離されており、前記電位生成回路は、前記第1支持部に前記第1電位を印加し、前記第2支持部に前記第2電位を印加することを特徴とする複合センサ。請求項2において、前記電位生成回路は、前記第1可動部が静電力によって移動する変位量のほうが、前記第2可動部が静電力によって移動する変位量よりも大きい場合は、前記支持層に前記第1電位を印加し、前記第2可動部が静電力によって移動する変位量のほうが、前記第1可動部が静電力によって移動する変位量よりも大きい場合は、前記支持層に前記第2電位を印加することを特徴とする複合センサ。請求項2において、前記支持層は接地されていることを特徴とする複合センサ。請求項1において、前記第1可動部と前記第2可動部を覆う蓋部を備えたことを特徴とする複合センサ。請求項7において、前記蓋部は導電体で形成されており、前記電位生成回路は、前記蓋部に前記第1電位または前記第2電位を印加することを特徴とする複合センサ。請求項7において、前記蓋部は接地されていることを特徴とする複合センサ。請求項7において、前記電位生成回路は、前記第1可動部が静電力によって移動する変位量のほうが、前記第2可動部が静電力によって移動する変位量よりも大きい場合は、前記蓋部に前記第1電位を印加し、前記第2可動部が静電力によって移動する変位量のほうが、前記第1可動部が静電力によって移動する変位量よりも大きい場合は、前記蓋部に前記第2電位を印加することを特徴とする複合センサ。請求項1において、前記電位生成回路は、前記第1可動部が静電力によって移動する変位量のほうが、前記第2可動部が静電力によって移動する変位量よりも大きい場合は、前記第1ダミー部と前記第2ダミー部に前記第1電位を印加し、前記第2可動部が静電力によって移動する変位量のほうが、前記第1可動部が静電力によって移動する変位量よりも大きい場合は、前記第1ダミー部と前記第2ダミー部に前記第2電位を印加することを特徴とする複合センサ。請求項1において、前記第1可動部は、静電力によって所定の駆動方向に振動し、角速度が印加されるとコリオリ力によって前記駆動方向と直交する方向に変位する慣性体を有する、角速度検知部として構成されており、前記第2可動部は、角速度が印加されると変位する慣性体を有する加速度検知部として構成されていることを特徴とする複合センサ。請求項12において、前記第1可動部と前記第2可動部を覆う蓋部を備え、前記蓋部と前記角速度検知部の間の空間は真空封止され、前記蓋部と前記加速度検知部の間の空間は大気圧封止されていることを特徴とする複合センサ。ところで、前記のような慣性センサの技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。例えば、角速度センサと加速度センサを1つのチップ上に形成することによって複合化して複合センサとして構成する場合、角速度センサと加速度センサを構成するそれぞれの慣性質量体にはそれぞれに望ましい基準電位が存在する。加速度センサについては、電源電圧Vrefの中間値であるVref/2を基準電位とし、プラス方向の加速度が印加された場合はVref/2ΔVの電圧を出力し、マイナス方向の加速度が印加された場合はVref/2-ΔVの電圧を出力することが一般的である。一方、角速度センサについては、高い感度を得る目的で駆動角振動数と検出側の固有角振動数を合わせるなど、固有角振動数が所定の領域に入るように制御する場合がある。固有角振動数を制御する方法としては、慣性質量体に設置される可動電極とそれに対向するよう配置され支持層に固定される固定電極との間にDC的な電圧を印加して静電力を発生させることにより、見かけ上のばね定数を下げる手法がある。これはいわゆる静電ばね効果を用いたチューニング手法である。この効果によって調整できる周波数範囲は、可動電極と固定電極の間の電位差によって制限されることになる。したがって、製造時の加工誤差による固有角振動数ばらつきを吸収し歩留まりを向上させるためには、角速度センサの慣性質量体に印加される電位をなるべく低くすることにより、チューニング電圧を確保する必要がある。さらに、不要なチューニング効果を防ぐため、加速度センサと角速度センサともに、慣性質量体の周辺に配置させるダミーパターンには隣接する慣性質量体に印加される電位を印加することが好ましい。上記の加速度センサと角速度センサを複合化せず個別に構成する場合は、慣性質量体とその周辺のダミーパターンの電位を合わせることは比較的に容易である。しかし、角速度センサと加速度センサの慣性質量体およびその周辺のダミーパターンを同一部材のワンチップ上に複合化して形成する複合センサの場合は、各慣性質量体とその周辺のダミーパターン、周辺導体となる支持層や蓋の電位を一律に設定することが難しい。本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、複合センサのS/N比やセンサ感度を向上させることを目的とする。本発明に係る複合センサは、第1可動部および第2可動部と、これらの周辺に配置されている第1ダミー部および第2ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第1ダミー部と第2ダミー部は電気的に分離されており、第1可動部と第1ダミー部には第1電位が印加され、第2可動部と第2ダミー部には第2電位が印加される。本発明に係る複合センサは、複合センサにおいて、よりS/N比やセンサ感度を向上することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。<実施の形態1>図1は、本発明の実施形態1に係る複合センサS1の側断面図である。複合センサS1は、セラミックパッケージ150、信号処理用のIC50、センサエレメントS1Eを有する。まず、接着剤151を介してセラミックパッケージ150に信号処理用IC50を固定したあと、センサエレメントS1EをIC50上に接着固定する。その後、ワイヤボンディングを用いて、IC50、角速度センサエレメントS1E、セラミックパッケージ150の外部入出力端子154を導電性ワイヤ152で接続する。最後に蓋153で封止すると、複合センサS1が完成する。図示は省略するが、センサエレメントS1E、IC50などの内容物を入れるパッケージとしては、セラミックパッケージ150の代わりにプラスチックパッケージなどを用いることもできる。すなわち、導電性ワイヤ152などの内容物を保護でき、外部と信号入出力ができるものであればよい。図2は、本実施形態1におけるセンサエレメントS1Eの平面図である。便宜上、図3で説明するガラスキャップ100は記載を省略している。センサエレメントS1Eは、加速度検知部S1EGと角速度検知部S1EYを有する。加速度検知部S1EGは、慣性質量体11、支持梁構造体12、可動電極13、固定電極14、懸架部15、ダミーパターン16、貫通電極17を備える。慣性質量体11は、加速度検知部S1EGに慣性力が加わると変位する可動部である。支持梁構造体12は、慣性質量体11を支持する。可動電極13は、慣性質量体11とともに変位し、固定電極14との間で静電容量を形成する。慣性質量体11の変位にともなってこの静電容量が変化し、これに基づき慣性質量体11の移動量を検出することができる。懸架部15は、慣性質量体11と支持梁構造体12を図3で説明する支持層1aに固定懸架する。貫通電極17は、懸架部15を貫通して後述するパッド18に電気的に接続している。ダミーパターン16は、上記各部の同一平面内の周辺に配置されており、センサ機能には直接寄与しない部位である。角速度検知部S1EYは、ダミーパターン16a、慣性質量体23、支持梁構造体24を有する。ダミーパターン16aと16の間には、ギャップ30が形成されており、これにより両者は電気的に分離されている。慣性質量体23は、角速度検知部S1EYに慣性力が加わると変位する可動部である。慣性質量体23は、駆動方向xと検出方向yに変位することができる。支持梁構造体24は、慣性質量体23を支持する。加速度検知部S1EGと角速度検知部S1EYの動作原理などについては、各部の詳細構成と併せて後述の図5~図6で改めて説明する。本発明における第1可動部第2可動部は、慣性質量体11および23とこれらが有する可動電極が相当する。固定部は、固定電極14および後述する検出電極29の固定電極が相当する。第1ダミー部第2ダミー部は、ダミーパターン16と16aが相当する。電位生成回路は、後述する基準電位20a、20bを供給する回路がこれに相当する。図3は、図2のA-A’面の断面図である。例えばSOISiliconOnInsulator基板1などの基板上に、懸架部15などセンサエレメントS1Eの機械的な構成要素を形成することができる。SOI基板1内では、支持層1a上に中間絶縁層1bが形成され、中間絶縁層1b上に活性層1cが形成されている。支持層1aは、例えばシリコンSiで形成することができる。中間絶縁層1bは、例えば酸化シリコンSiO2で形成することができる。活性層1cは、例えば導電性シリコンで形成することができる。支持層1aと中間絶縁層1bとの総厚は、例えば数十~数百μmである。活性層1cの厚さは、例えば数~数十μmである。本実施形態1ではSOI基板を使用しているが、SOI基板に限定されるものではなく、種々の半導体基板を用いることができる。例えば、表面MEMS技術を用いた導電性ポリシリコン、または、例えばニッケルNiなどのめっき金属を活性層1cとして使用してもよい。本実施形態1に係る複合センサS1の各構成要素は、SOI基板1の活性層1cを加工することで形成される。活性層1cを加工する方法として、例えば以下のような手順が考えられる。活性層1c上に光や電子ビームなどに反応するレジストを塗布した後、フォトリソグラフィや電子線描画技術を利用して活性層1c上のレジストの一部を除去する。次に、RIEReactiveIonEtchingを用いたドライエッチング、TMAHTetraMethylAmmoniumHydroxideやKOH水酸化カリウムなどアルカリ性薬品を用いたウェットエッチング技術などを用いて、露出した活性層1cを除去する。その後、残りのレジストを除去し、フッ酸などのガスもしくは液体を用いて中間絶縁層1bを除去する。この際、図3に示す中間絶縁層1bの形状から分かるように、活性層1cの幅が細く形成されている部分はその下の中間絶縁層1bが全てなくなり、支持層1aから浮いた状態となる。一方、活性層1cの幅が広く形成されている部分は、その下の中間絶縁層1bが残り支持層1aに固定されることになる。このような加工を施すことにより、後述する慣性質量体11および23、懸架部15、支持梁構造体12および24など、複合センサS1の機械的な構成要素を活性層1c内に形成することができる。図4は、図2のB-B’断面図である。懸架部15内には貫通電極17が形成されている。貫通電極17は、懸架部15を貫通して支持層1a上に形成されるパッド18と接続される。パッド18は、導電性ワイヤ152によってIC50と接続される。パッド47は、支持層1aに電気的に接続されており、パッド47を介して支持層1aに電位を付与することができる。貫通電極17は、支持層1a側からパッド18を介して電気信号を与えて電位を付与するか、もしくは一定電位に固定することができるようになっている。貫通電極17は、以下のような手順で形成することができる。まず、支持層1a、中間絶縁層1b、活性層1cに貫通孔を形成した後、熱酸化させることにより、貫通孔周囲に酸化膜25を形成する。その後、CVDChemicalVaporDepositionでポリシリコン17aを貫通孔の中に埋め込む。埋め込み時に酸化膜25上に堆積されたポリシリコン17aと、熱酸化時に活性層1c表面に形成された酸化膜25を、CMPChemicalMechanicalPolishingやプラズマエッチング法で除去し、活性層1cの表面を露出させる。次に、CVDでポリシリコン17bを堆積する。以上の工程により、貫通電極17を形成することができる。ポリシリコン17aと17bを成膜する際には、2回に分けて成膜してもよい。この場合、1回目の成膜後に熱拡散によって導電性不純物をポリシリコン17a、17bに注入させる。これにより、ポリシリコン17a、17bの電気的抵抗を下げることもできる。貫通電極17を用いることにより、活性層1c内に形成される各構成要素と支持層1aの間で電気的な信号を入出力することができる。したがって、ガラスを用いた陽極接合やその他の接着剤を用いて活性層1c上にキャップ100を設置した場合でも、複合センサS1の外部との間で容易に信号を入出力することができる。以上、複合センサS1の構成について説明した。次に、加速度検知部S1EGの動作原理を説明する。図5は、加速度検知部S1EGと周辺回路の接続関係を示す図である。加速度検知部S1EGに対して加速度が印加されると、慣性質量体11が慣性の法則にしたがって変位する。このときの変位量は、可動電極13と固定電極14の間の静電容量の変化により算出することができる。具体的には、固定電極14に貫通電極17を介して接続されたパッド15aおよび15dと、可動電極13に接続されたパッド15bとの間の静電容量が変化すると、IC50の容量電圧CV変換回路19はその静電容量変化を電圧に変換し、その電圧変化量を慣性質量体11の変位量に換算する。可動電極13と固定電極14の間の静電容量差は、搬送波印加回路22と復調回路21によって生成復調される搬送波により計測することができる。一般的に搬送波は、慣性質量体11が追従できない数百kHzの周波数帯域を用いる。高周波の搬送波印加回路22を用いる理由は、以下の理由abによる。a慣性質量体11と支持梁構造体12として構成される振動系のカットオフ周波数は一般に1kHz以下であり、周波数の高い搬送波22には追従することがないため、誤動作が生じにくい。b高周波の搬送波22を用いると、可動電極13と固定電極14によって形成されるコンデンサのAC的な電気抵抗すなわちインピーダンスが低くなり、センサの感度が向上する。ただし、搬送波22の周波数が高すぎると例えば1MHz以上、後述するOP-AMP19aの通過帯域による制限を受け、センサの感度が低下する。CV変換回路19は、OP―AMP19aと参照容量Cfとで構成される。OP-AMP19aのプラス端子に入力される電位20aと慣性質量体11の変位に比例したパッド15bからの入力信号との差分を増幅することにより、出力Voが得られる。CV変換回路17の出力Voは、下記式1の関係を満たす。ただし、ΔC:可動電極13と固定電極14の間の静電容量変化分Vc:搬送波22の振幅Vb:OP-AMP19aのプラス端子の電位20aCV変換回路19を構成するOP-AMP19aのプラス端子に入力される基準電位20aは、搬送波22の基準電位としても使用される。すなわち、搬送波22は基準電位20aをDC電圧とし、数百kHzのAC信号が重畳された信号となる。搬送波22のDC成分は差動検出時に互いに相殺されるため、原理的にはOP-AMP19aの基準電位20aと搬送波22の基準電位間に差があったとしてもセンサ出力Voに影響を及ぼすことはない。しかし、パッド15aに接続された固定電極14とパッド15dに接続された固定電極14に、製造時の加工誤差によって容量のばらつきが発生した場合には、基準電位20aの差によって慣性質量体11が変位するため、オフセットが発生することとなる。仮に加工上の誤差がない場合でも、慣性質量体11には慣性質量体11に印加される基準電圧とOP-AMP19aのプラス端子に印加される電位20aとの差によって変位方向に互いに打ち消す静電力が発生する。そのため静電ばね効果が発生し、設計値より低い固有角振動数となる。固有角振動数が低くなると、単位加速度印加に対する変位xが大きくなるため、設計値以上の感度となる。慣性質量体11と支持梁構造体12によって構成される振動系の固有角振動数ωと、加速度が印加された時の変位量xとの関係を下記式2に示す。ただし、x:加速度aが印加された時の変位量ω:k/m1/2m:慣性質量体11の質量k:支持梁構造体のばね定数したがって、搬送波22の基準電位20bは、CV変換回路19の基準電位20aと同電位とすることが望ましい。さらに、センサに入力される電源電位をVrefとした場合、基準電位20aおよび20bは、Vref/2、すなわち電源電位の半分にすることが望ましい。上記式1から分かるように、CV変換回路19の基準電位Vb20aをVref/2にすることにより、ΔCに比例してプラスとマイナスのセンサ出力を得ることができる。本実施形態1ではアナログ的な電圧を出力する回路の例を示しているが、アナログデジタル変換AD変換をしてデジタル信号を出力する場合でも、同様の効果を発揮することができる。さらに、上記式1からは、搬送波22のAC振幅Vcを大きくすればするほど単位ΔC当たりの出力Voが大きくなることが分かる。したがって、センサの電源としてVrefが印加される場合、Vref/2を搬送波の基準電位20aとすることにより、最大の搬送波振幅を得ることができる。すなわち、大きい搬送波振幅を確保することにより、相対的に小さいΔCにおいても同程度の出力を得ることができ、結果的にはセンサエレメントS1EGの小型化に寄与することができる。以上、加速度検知部S1EGの動作原理について説明した。次に、加速度検知部S1EGにおけるダミーパターン16の電位とその影響について説明する。活性層1cには、慣性質量体11、支持梁構造体12、可動電極13、固定電極14、懸架部15の周辺を囲むように、ダミーパターン16が形成されている。このダミーパターン16の主目的は、活性層1cをDRIEDeepReactiveIonEtchingする際の加工時間短縮と、アスペクト比をなるべく均一に管理し、マイクロローディング効果を抑制することにある。これにより、オーバエッチングに起因して底面が過度に削られるノッチや、ブラックシリコンによる導電性ゴミを抑制することを図っている。しかし、慣性質量体11などの可動部と、その周囲に所定間隔をもって配置されるダミーパターン16との間に電位差があると、前述した静電ばね効果の発生と加工誤差による静電引力のアンバランスに起因するオフセット変動が発生する。さらに、ダミーパターン16が電気的に他の部位から独立して電位が不定になっているので、外部からの電磁波や摩擦などによって電荷が流入してチャージアップが発生し、センサ出力のオフセットや感度の経時的な変動も発生する。そのため、ダミーパターン16を一定電位に固定する必要がある。一方、前述した静電ばね効果、静電力によるスティック、オフセット及び感度変動を防ぐためには、慣性質量体11に印加される基準電位20aと同電位をダミーパターン16に印加することがもっとも望ましい。ダミーパターン16と、これに隣接する慣性質量体11等との間の間隔を多少広くし、基準電位20aに近い電位を印加してもある程度の効果を得ることはできるが、IC50が複数の電位を供給する必要があるため、IC50が大型になり、好ましくない。そこで本実施形態1では、貫通電極17を介して支持層1aに形成されるパッド15cとIC50を導電性ワイヤ152で連結することにより、ダミーパターン16に電位を付与することとした。以上、加速度検知部S1EGにおけるダミーパターン16の電位とその影響について説明した。次に、角速度検知部S1EYの動作原理について説明する。図6は、角速度検知部S1EYと周辺回路の接続関係を示す図である。角速度検知部S1EYは、図2で説明した構成の他、駆動電極27、モニタ電極28、検出電極29、懸架部15を備える。駆動電極27は、慣性質量体23を駆動方向に加振する。モニタ電極28は、慣性質量体23の駆動方向への変位をモニタする。検出電極29は、外部から角速度が印加されたことによって慣性質量体23が検出方向へ変位したときの変位量を検出する。駆動回路32が生成した駆動信号は、駆動電極27に印加される。駆動電極27は、慣性質量体23が備える可動電極とそれに対向するよう一定の間隔を持って設置された固定電極として構成されている。駆動電極27は、駆動回路32からの駆動信号によって発生する静電力によって慣性質量体23を駆動方向に加振する。このとき駆動電極27に働く有効電位差は、駆動信号と慣性質量体23の基準電位の電位差となる。慣性質量体23の基準電位は、後述する搬送波印加回路22aのDC電圧20cとなる。搬送波22aは、同じ活性層1c内に形成されている加速度検知部S1EGとの間で信号が混信することを防ぐため、慣性質量体11の変位を測定するための搬送波22とは異なる数百kHz帯域の搬送波周波数を用いている。搬送波22aに印加されるDCバイアス電圧基準電位20cは、慣性質量体23のDC的な基準電位となる。一方、後述する検出電極27と慣性質量体23との間の電位差によって静電ばね効果を発生させ、検出方向の固有角振動数を調整することができる。したがって、周波数調整範囲を広く確保するためには、電位20cはなるべく低くすることが望ましい。本実施形態1では約1Vに設定している。角速度Ωを印加することによって検出方向に発生するコリオリ力Fcは式3の定義となり、コリオリ力Fcによって発生する検出方向の変位yは式4の関係となる。したがって、角速度センサの感度Sを検出方向の変位yと入力角速度Ωの比として定義し、式3を式4に代入して整理すると、角速度センサの感度S式5が得られる。ただし、m:慣性質量体23の質量Ω:印加された角速度v:慣性質量体23の駆動方向への速度ただし、ky:支持梁構造体24の検出方向におけるばね定数ωd:駆動回路32から生成された駆動信号の角振動数ωy:慣性質量体23と支持梁構造体24によって構成される検出振動系の固有角振動数Qy:検出振動系の機械品質係数上記式5から、検出振動系の固有角振動数ωyを駆動角振動数ωdに合わせることにより、最大の感度Sが得られることが分かる。最大の感度Sは、単位印加角速度当たりの検出振幅yが最大となることを意味するため、CV変換回路19と制御IC50への入力も最大であることを意味する。すなわち、センサS1から見れば信号となる変位yが大きくなるため、SN比が向上したことになる。しかし、慣性質量体23と支持梁構造体24を加工する際の加工誤差によって、検出振動系の固有角振動数ωyは必ずしも設計値通りにはならず、むしろばらつきを持つことが一般的である。そのため、公知の技術として、慣性質量体23とこれを検出方向に挟むように一定間隔を持って配置された固定電極間にDC電圧を印加し、静電ばね効果を発生させることにより、検出振動系の固有角振動数を調整する手法がある。これにより、センサの感度Sを向上させることができる。本実施形態1では、静電ばね効果を発生させるための固定電極を別途設置せず、検出電極29の固定電極を用いて静電ばね効果を発生させている。電圧調整回路31より、検出電極29の固定電極に固有角振動数調整用DC電圧Vtを印加する。慣性質量体23と検出電極29の固定電極との間には、電位差Vt-Vb電位20cが印加されることになる。静電ばね効果による固有振動数fyの調整幅Δfyは、下記式6に示すように電位差Vt-Vbの関数となる、より広い範囲で固有振動数のばらつきを吸収し、製造歩留まりを向上させるためには、なるべく大きい電位差Vt-Vbを印加する必要がある。電圧調整回路31が供給することができる上限電位は電源電圧Vrefであるため、大きな電位差を印加するためには、搬送波22aの基準電位20cをなるべく低くする必要がある。ただし、Δfy:固有振動数調整範囲Δk:支持梁構造体24の検出方向におけるばね定数の調整分ΔV=Vt-Vbu:慣性質量体23と検出電極26との間のギャップ搬送波22aの基準電位20cとAC振幅は、検出電極29の規模、その他複雑な設計ファクターとの相関関係を持つため、一律には決まらない。そのため、加速度検知部S1EGにおいて基準電位20a=Vref/2が最適であるのとは異なり、角速度検知部S1EYにおいては設計毎に異なる基準電位20cを設定する必要がある。この基準電位20cは搬送波22aのAC振幅によって制限される。本実施形態1では上述したように基準電位20cを約1Vに設定し、搬送波のAC振幅を1Vppにしている。以上、角速度検知部S1EYの動作原理について説明した。次に、角速度検知部S1EYにおけるダミーパターン16aの電位とその影響について説明する。加速度検知部S1EGのダミーパターン16の電位20aを設定するメカニズムと同様に、角速度検知部S1EYのダミーパターン16aにも基準電位20cと同電位を印加することが好ましい。この際、加速度検知部S1EGのダミーパターン16に印加される電位20aと、角速度検知部S1EYのダミーパターン16aに印加される電位20cは、かならずしも同じ値ではない。本実施形態1に係る複合センサS1のセンサエレメントS1Eでは、図2に示すように1つの活性層1c内に加速度検知部S1EGと角速度検知部S1EYが複合的に配置されている。そのため、ダミーパターン16と16aに互いに異なる電位を印加するためにはこれらダミーパターンを電気的に分離する必要がある。単純に加速度検知部S1EGと角速度検知部S1EYの間の活性層1cを縦方向に分離することも可能であるが、複数のセンサエレメントS1Eが1枚のSOI基板1上に形成されることになるので、ダイシングによって各複合センサS1を分離するとき、ダイシング時の水やゴミがその溝に入り、電気的リークが発生する恐れがあるので好ましくない。そのため本実施形態1では、加速度検知部S1EGのダミーパターン16を、角速度検知部S1EYを囲むような形状に伸ばし、ギャップ30を形成することでダミーパターン16と16aを電気的に分離している。ダミーパターン16上にはキャップ100が気密封止されるため、ダイシング時の水やゴミの浸入を防ぐことができる。図5~図6で説明した、容量電圧CV変換回路19、基準電位20a~20dを付与する回路、復調回路21、搬送波印加回路22および22a、電圧調整回路31、駆動回路32は、IC50内に形成することができる。<実施の形態1:まとめ>以上のように、本実施形態1に係る複合センサS1では、慣性量を検出する複数の可動部を同一層内に形成し、各可動部の周辺に配置されたダミーパターンを電気的に分離している。これにより、各可動部と周辺ダミーパターンにはそれぞれ同電位を印加することができるので、周辺ダミーパターンと可動部の間の電位差に起因するS/N比の低下、オフセット、感度変動の発生を抑制することができる。また、本実施形態1に係る複合センサS1は、基準電位20aと20cを調整することにより、製造時の加工誤差に起因する固有角振動数ばらつきの調整範囲を広くすることができる。これにより、高歩留まりと製造コスト低減を実現することができる。<実施の形態2>実施形態1で説明した複合センサS1において、加速度検知部S1EGと角速度検知部S1EYは、SOI基板1の活性層1c内に形成され、中間絶縁層1bを介して支持層1aに固定懸架される。そのため、慣性質量体11および23と支持層1aの間は、電気的には分離され、機械的には中間絶縁層1bの厚さ分だけ離れた状態で対向する配置となる。すなわち、ダミーパターン16および16aと同様に、支持層1aにおいても電位を固定する必要がある。そこで、加速度検知部S1EGのダミーパターン16と角速度検知部S1EYのダミーパターン16aを電気的に分離し、それぞれに異なる電位を付与したのと同様に、支持層1aも加速度検知部S1EGの下に位置する部分と角速度検知部S1EYの下に位置する部分に電気的に分離してもよい。加速度検知部S1EGの下に位置する支持層1aにはダミーパターン16の電位を、角速度検知部S1EYの下に位置する支持層1aにはダミーパターン16aの電位を付与する。アルミニウムなどの導電性材料によって形成されるパッド47とIC50を導電性ワイヤ152で連結することにより、支持層1aに電位を付与することができる。<実施の形態3>実施の形態2のように、数百μm厚さの支持層1aを2つに分離することは、強度的な観点と加工の煩雑さの観点で好ましくない場合も考えられる。そこで本発明の実施形態3では、実施形態2のように支持層1aを2つに分離せず、加速度検知部S1EGのダミーパターン16の電位と同電位になるよう設定する。以下、その理由について説明する。加速度検知部S1EGを構成する検出振動系は、上記式2で示すようになるべく固有角振動数ωを低くすることにより高い感度Sを得ることができる。特に、自動車の走行制御や、ロボットの姿勢検出などのように、傾斜や重力などDCを含めた低周波の挙動を主に測定するような用途の加速度センサにおいては、固有角振動数ωを低くして感度Sを大きくし、過ダンピング設計にすることにより、機械的カットオフ周波数を低くして高周波の振動外乱に反応しないようにすることが望ましい。一方、角速度検知部S1EYは、上記式5に示すように、高感度を得るため、駆動角振動数ωdを検出振動系の固有角振動数ωyに合わせている。しかし自然界では、1/fノイズ、1/f^2ノイズなど低周波数の振動外乱が多い。そのため、耐振動特性の優れた角速度センサを得るには、検出振動系の固有振動数ωyをできるだけ高くする必要がある。以上の検討結果から、複合センサS1を高感度化するとともに高信頼化するためには、加速度検知部S1EGの検出振動系の固有角振動数は低く、角速度検知部S1EYの固有角振動数は高くすることが好ましいことが分かる。上記式6の関係から、慣性質量体11および23と周辺のダミーパターン16および16aと、支持層1aとの間に電位差ΔVが発生した場合、ばね定数kyが小さいほどΔfは変動が大きくなる。そこで、相対的にばね定数が小さく、ΔVの影響を受け易い加速度検知部S1EGのダミーパターン16の基準電位20aに合わせて、支持層1aの電位を設定することとした。加速度検知部S1EGの慣性質量体11と角速度検知部S1EYの慣性質量体23は、それぞれ約30~100μgであり、その重さの比は最大1:5程度である。一方、これらの固有角振動数は、それぞれ約6000rad/sと60000rad/sであり、その比は約1:10程度に設計している。したがって、角速度検知部S1EYの検出振動系のばね定数は、加速度検知部S1EGの検出振動系のばね定数の約20倍以上となる。すなわち、角速度検知部S1EYにおいて、周辺ダミーパターン16a、支持層1a、キャップ100との間で多少の電位差ΔVがあったとしても、その影響は限定的となる。以上説明した通り、慣性質量体11および23とその周辺導体であるダミーパターン16および16aの間、さらにはこれらと支持層1a、キャップ100との間ではDC的な電位を一致させた方が好ましいが、いずれか一方に合わせなくてはならない場合は、周辺導体との間の静電力による移動量が大きい慣性質量体11の基準電位20aに合わせればよい。なお、加速度センサと角速度センサとを比較すると、静電力による移動量が大きいのは一般的には加速度センサの慣性質量体である。具体的には、慣性質量体11および23のDC電位20aおよび20cにダミーパターン16および16aの電位を合わせるため、ダミーパターン16と16aを分離し、IC50にそれぞれの電位20aおよび20cを出力するための電位生成回路と該当するパッドを設ければよい。<実施の形態3:まとめ>以上のように、本実施形態3に係る複合センサS1は、支持層1aを分離せず、慣性質量体11および23のうち静電力による移動量が大きい方に対応する基準電位20aまたは20cを印加する。これにより、複合センサS1の強度や加工難度に関する問題を抑制しつつ、電位差によって生じる静電力の影響を最小限に抑えることができる。<実施の形態4>実施形態1~3では、陽極接合技術を用いてナトリウムを含むガラスキャップ100とSOI基板1を貼り合わせているが、表面活性化接合、ガラスフリット接合、金属接着剤を用いた接合技術などを用いて、シリコン基板など導電性材料の基板をSOI基板1に貼り合わせてもよい。この際、キャップ100も慣性質量体11、支持梁構造体12、可動電極13などと所定間隔をもって隣接することとなり、互いの電位差によるオフセット、感度変動、スティックなどが発生する可能性がある。そこで本発明の実施形態4では、キャップ100の電位もダミーパターン16同様に慣性質量体11の基準電位20aと同電位にすることにより、上述した不具合を防ぐこととする。基準電位20aに合わせる理由は、実施形態3で説明したものと同様である。キャップ100には、ダミーパターン16とキャップ100が接触する部分に導電性接着剤を塗布することによって、ダミーパターン16と同じ電位を印加することができる。ダミーパターン16とキャップ100が接触する部分にガラスフリットのような非導電性の接着剤が使われている場合は、センサエレメントS1EとIC50の間を銀ペーストのような導電性接着剤で接合することにより、IC50上に形成している図示しない電位印加用パッドから電位を付与することができる。ダミーパターン16、キャップ100、支持層1aに一定の電位を与えることにより、外部からの電磁波を遮断するシールドとしての役割を発揮するため、センサS1の信頼度をさらに向上させることが期待できる。<実施の形態4:まとめ>以上のように、本実施形態4に係る複合センサS1は、慣性質量体11および23のうち静電力による移動量が大きい方に対応する基準電位20aまたは20cをキャップ100に印加する。これにより、電位差によって生じる静電力の影響を最小限に抑えることができる。また、本実施形態4に係る複合センサS1によれば、主要な構成部の電位を全て基準電位20aまたは20cに設定するので、電位生成回路と接続するワイヤの数を減らすことができ、回路サイズを縮小するとともに、ワイヤの断線による故障を低減することができる。<実施の形態5>以上の実施形態1~4において、キャップ100および加速度検知部S1EGの間の空間と、キャップ100および角速度検知部S1EYの間の空間とを隔離し、前者の空間は大気圧封止し、後者の空間は真空封止するようにしてもよい。また、キャップ100を上記空間毎に設けた上で互いに電気的に分離し、それぞれの基準電位20aまたは20cを個別に印加するようにしてもよい。これにより、電位差によって生じる静電力の影響をさらに低減することができる。<実施の形態6>複合センサS1に求められる精度や用途によっては、ダミーパターン16と16aを必ずしも分離する必要はなく、互いに共通な電位を付与してもよい。この場合、ダミーパターン16と16aに付与する電位は、慣性質量体11および23とダミーパターン16および16aの間に電位差が発生したとき、静電力による移動量が大きい方の慣性質量体に印加する基準電位を用いればよい。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、自動車の走行制御装置やロボットの姿勢制御装置に使用される慣性量測定及び制御用センサとして、本発明に係る複合センサS1を用いることができる。特に、MEMS技術を用いて作成された、静電容量の変化を検出に用いる複数の慣性量や検出軸を持つ慣性センサとして用いることができる。