基板と、前記基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜の上に形成され、前記多層反射膜を保護する保護膜と、前記保護膜の上に形成され、露光光を吸収する光吸収膜と、前記基板の、前記多層反射膜が形成された面の反対面上に形成された導電膜とを備えるマスクブランクであって、前記導電膜は、微細構造パターンにより露光光の反射を抑制するモスアイ構造体を有する、マスクブランク。前記モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が一定である、請求項1に記載のマスクブランク。前記モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が不揃いである、請求項1に記載のマスクブランク。前記モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が100nm以上150nm未満である、請求項1~3のいずれかに記載のマスクブランク。前記モスアイ構造体の凹凸パターンにおいて、アスペクト比が1以上である、請求項1~4のいずれかに記載のマスクブランク。請求項1~5のいずれか記載のマスクブランクに、前記光吸収膜に形成された回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外部に設けられた、前記回路パターン領域に位置する光吸収膜よりも、露光光の反射率が低い遮光領域とを備えることによって形成された、反射型マスク。前記光吸収膜を選択的に除去することで前記回路パターンが形成され、前記回路パターン領域を除く前記回路パターン周辺部分に、前記光吸収膜と前記保護膜と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域を形成することで、遮光枠が形成された、請求項6に記載の反射型マスク。基板に凹凸パターンを形成する工程と、前記基板の凹凸パターン側の面をエッチングする工程と、エッチングされた前記基板の面に金属クロムを成膜する工程とを備えた、モスアイ構造体の製造方法。請求項8に記載の製造方法によって製造される前記モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が一定である、モスアイ構造体。請求項8に記載の製造方法によって製造される前記モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が不揃いである、モスアイ構造体。前記モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が100nm以上150nm未満である、請求項9または10に記載のモスアイ構造体。前記モスアイ構造体の凹凸パターンにおいて、アスペクト比が1以上である、請求項9~11のいずれかに記載のモスアイ構造体。前述の実情を鑑みて、本発明は、ウェハで多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域からEUV及びアウトオブバンドの反射を除去した反射型マスクを提供することを目的とする。上記課題を解決する為に、本発明は、基板と、前記基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜の上に形成され、多層反射膜を保護する保護膜と、保護膜の上に形成され、露光光を吸収する光吸収膜と、基板の、多層反射膜が形成された面の反対面上に形成された導電膜とを備えるマスクブランクであって、導電膜は、微細構造パターンにより露光光の反射を抑制するモスアイ構造体を有する、マスクブランクである。また、モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が一定であることが好ましい。あるいは、モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が不揃いであることが好ましい。また、モスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が100nm以上150nm未満であることが好ましい。また、モスアイ構造体の凹凸パターンにおいて、アスペクト比が1以上であることが好ましい。また、本発明は、反射型マスクであって、上述のマスクブランクに、光吸収膜に形成された回路パターン領域と、回路パターン領域の外部に設けられた、回路パターン領域に位置する光吸収膜よりも、露光光の反射率が低い遮光領域とを備えることによって形成された、反射型マスクである。また、反射型マスクは、光吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、回路パターン領域を除く回路パターン周辺部分に、光吸収膜と保護膜と多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域を形成することで、遮光枠が形成されることが好ましい。また、本発明は、基板に凹凸パターンを形成する工程と、基板の凹凸パターン側の面をエッチングする工程と、エッチングされた基板の面に金属クロムを成膜する工程とを備えた、モスアイ構造体の製造方法である。また、本発明は、上述の製造方法によって製造され、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が一定である、モスアイ構造体である。あるいは、本発明は、上述の製造方法によって製造され、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が不揃いである、モスアイ構造体である。また、上述のモスアイ構造体において、互いに隣接する凹凸パターンの頂点の間隔が100nm以上150nm未満であることが好ましい。また、上述のモスアイ構造体の凹凸パターンにおいて、アスペクト比が1以上である、ことが好ましい。本発明によれば、回路パターン周辺部分に、光吸収膜と保護膜と多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域を形成し、反対面上の導電膜をモスアイ構造にすることにより、EUV及びアウトオブバンドの反射を除去することができる。これにより、ウェハ上にあるチップの境界領域における多重露光を防止することができる。本発明の反射型マスクブランクについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の反射型マスクブランク10の断面図である。本発明の反射型マスクブランク10は、ガラス基板11の片面がモスアイ構造となっており、モスアイ構造面に導電膜15として、金属クロムCrが層状に形成されている。一方、ガラス基板11の、導電膜15と反対方向の面には、シリコンSiとモリブデンMoが交互に積層された多層反射膜12、ルテニウムRuからなる保護膜13、タンタルTaを主成分とした光吸収膜14が、この順に層状に形成されている。基板11の材料としては、後述する凹凸パターンを形成する工程において、用いる微細パターン形成方法における加工特性を備えている材料が望ましい。例えば、公知のリソグラフィ技術及び公知のエッチング技術を用いて凹凸パターンを形成する場合、石英ガラスが望ましい。凹凸パターンは、基板上に設けられたパターンであり、段差を有するものであれば良く、その形状、配列はモスアイ構造体として機能するパターンであれば良い。例えば、ドットパターンの配列が良い。凹凸パターンの形成方法としては、所望する微細構造パターンに併せて、適宜公知のパターニング方法を選択して良い。例えば、公知の微細機械加工方法、レーザ加工方法などを用いても良い。特に、精度良く凹凸パターンを形成できる点で、公知のリソグラフィ技術および公知のエッチング技術を用いることが好ましい。凹凸パターンの詳細な製造方法を図2および図3に示す。ここで、図2は工程ステップを示し、図3は各工程での加工状態の断面図を示す。まず、基板11を用意し、基板11の片面全体をモスアイ構造にし、導電膜15を形成する。また、基板11の、導電膜15と反対方向の面には、多層反射膜12、保護膜13、光吸収膜14を形成する。つまり、電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系レジスト20を基板11の片面に塗布S1し、ドットパターンの配列上に露光または電子線で描画するS2。その後、アルカリ溶液などで現像S3を行い、これにより形成したレジスト20のパターンをマスクして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングS4を行い、不要なレジスト20のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解ないしは有機溶剤などで溶解除去S5する。レジスト20の剥離後も、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングを行うことにより、パターン凸部を先鋭化させ、パターン凹部の深さをより深くすることで、モスアイ構造を形成するS6。その後、必要に応じて、酸アルカリ活性剤による洗浄処理と、遠心力を利用したスピン乾燥S7を行う。以上の工程により形成したモスアイ構造の基板11表面に金属クロムを積層させることにより導電膜15が形成される。さらに、反対側に多層反射膜12、保護膜13、光吸収膜14を積層することにより、本発明のマスクブランク10が完成する。また、凹凸パターンの間隔は、反射を抑制する光の波長に対応して、決定することが好ましい。除去すべきアウトオブバンドの波長は、150nm~300nm程度であり、これはウェハ上のレジストが感光する波長に相当する。つまり、隣接する凹凸パターンの頂点の間隔は、100nm以上150nm未満が望ましい。また、間隔がこの範囲内で、適度に分散していれば、不揃いであってもよい。これにより、微細構造パターンの間隔の幅に変化をもたせることができ、微細構造パターンの間隔に対応する波長帯域において、その波長帯域の光の反射を抑制することができる。さらに、モスアイ構造体のアスペクト比が1.0以上あれば、反射防止に十分な効果を発揮し、1.5以上であるとなお良い。上述の凹凸パターン設計事項を実現するためには、まず、レジストコート工程図3、S1において、レジスト20のコート膜厚を100nm程度にすることが望ましい。電子線描画後のレジスト現像の際に、レジスト抜け不良やレジストパターン倒れを防止するためである。描画工程図3、S2においては、基板11片面におけるレジスト20上において、少なくとも遮光枠領域Bを含めた範囲に対して、図4に示すような格子状に配列されたドットパターンの電子線描画を行う。凹凸パターンの頂点の間隔を100nm以上150nm未満にするためには、描画パターン上のドットのピッチ間隔Cが200nm以上300nm未満の正方形を組み合わせればよい。また、前述のモスアイ構造体のアスペクト比を少なくとも1.0以上にするためには、レジスト20の現像後のエッチング図3、S4における開口部の掘り込み深さをアスペクト比1.0以上、つまり、150nm以上にすることが好ましい。以下、本発明の反射型マスクについて、図面を参照しながら説明する。図3は、図1で示した反射型マスクブランク10を用いた露光用反射マスク100であって、図5aはそのマスク100の平面図、図5bはそのマスク100の断面図である。図5a、bが、示すように回路パターンAの領域の外側に位置して、光吸収膜14、保護膜13、多層反射膜12、基板11の一部に渡り遮光枠領域Bを形成した構造である。次に、本マスクの製造方法を図2、図6および図7に示す。ここで、図2は工程ステップを示し、図6、図7は各工程での加工状態の断面図を示す。まず、図1の反射型マスクブランク10を用意し、光吸収膜14に回路パターンAと遮光枠領域Bを形成する。つまり、電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系レジスト20を光吸収膜14に塗布S10し、所定の回路パターン14と遮光枠領域Bを描画するS11、その後、アルカリ溶液などで現像S12を行い、これにより形成したレジスト20のパターンをマスクして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングS13を行い、不要なレジスト20のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解ないしは有機溶剤などで溶解除去する。その後、必要に応じて、酸アルカリ活性剤による洗浄処理と、遠心力を利用したスピン乾燥S14を行う。以上の工程により回路パターンAと遮光枠領域Bが形成される。次に、遮光枠領域Bの保護膜13と多層反射膜12の部分を形成する。まず、上記のマスクに紫外線または電子線に反応を示すレジスト20を塗布するS15。この後、遮光領域Bを露光または電子線で描画するS16。S12~S14と同様、現像S17、エッチングS18、レジストの除去、洗浄、乾燥S19を行うことにより、領域Bが完成する。エッチング工程S18では、まず、保護膜13の除去にフッ素系プラズマガスを用い、多層反射膜12は保護膜13と同じくフッ素系ガスプラズマもしくは塩素系ガスプラズマを交互に用いる方法で行い、遮光枠領域Bを形成する。以上の工程により反射型マスク100が完成する。