強磁性層である磁気記録層と、非磁性層を介して前記磁気記録層に接続された参照層と、前記磁気記録層より膜法線下方に設置された第1磁化固定層及び第2磁化固定層とを具備し、前記磁気記録層及び前記参照層は、垂直磁気異方性を有しており、前記磁気記録層は、反転可能な磁化を有し前記参照層とオーバーラップする磁化反転領域と、前記磁化反転領域の第1境界に接続され、磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域と、前記磁化反転領域の第2境界に接続され、磁化の向きが前記第1方向と反平行な第2方向に固定された第2磁化固定領域とを備え、前記第1磁化固定層及び第2磁化固定層は、それぞれ前記第1磁化固定領域及び前記第2磁化固定領域の磁化を固定し、前記第2磁化固定層の方が、前記第1磁化固定層と比較して保磁力が低い磁気メモリ。請求項1に記載の磁気メモリであって、前記第1磁化固定層及び前記第2磁化固定層は、同じ材料で構成されている磁気メモリ。請求項2に記載の磁気メモリであって、前記第1磁化固定層及び前記第2磁化固定層は、同じ形状で構成されている磁気メモリ。請求項2に記載の磁気メモリであって、前記第1磁化固定領層及び前記第2磁化固定層は、同じ膜厚で構成されている磁気メモリ。請求項1に記載の磁気メモリであって、前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域は、同一形状で構成されている磁気メモリ。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の磁気メモリであって、前記第1磁化固定領域と前記第1磁化固定層の端部が揃い、前記第2磁化固定領域と前記第2磁化固定層の端部が揃っている磁気メモリ。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の磁気メモリであって、前記第1磁化固定層及び第2磁化固定層は、垂直磁気異方性を有する強磁性体である磁気メモリ。磁気メモリの製造方法であって、ここで、前記磁気メモリは、強磁性層である磁気記録層と、非磁性層を介して前記磁気記録層に接続された参照層と、前記磁気記録層より膜法線下方に設置された第1磁化固定層及び第2磁化固定層とを具備し、前記磁気記録層及び前記参照層は、垂直磁気異方性を有しており、前記磁気記録層は、反転可能な磁化を有し前記参照層とオーバーラップする磁化反転領域と、前記磁化反転領域の第1境界に接続され、磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域と、前記磁化反転領域の第2境界に接続され、磁化の向きが前記第1方向と反平行な第2方向に固定された第2磁化固定領域とを備え、前記第1磁化固定層及び第2磁化固定層は、それぞれ前記第1磁化固定領域及び前記第2磁化固定領域の磁化を固定し、前記第2磁化固定層の方が、前記第1磁化固定層と比較して保磁力が低く、前記磁気メモリの製造方法は、磁化固定層用膜を形成する工程と、前記磁化固定層用膜の上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクのうち、前記磁化固定層用膜における前記第2磁化固定層を形成する領域以外の領域の上に積層されたハードマスクを覆うように保護膜を形成する工程と、前記保護膜をマスクとして、前記ハードマスクを処理する工程と、前記保護膜の除去後に、前記ハードマスクをパターニングする工程と、パターニングされた前記ハードマスクをマスクとして、前記磁化固定層用膜をパターニングして、前記第1磁化固定層及び前記第2磁化固定層を形成する工程とを具備する磁気メモリの製造方法。請求項8に記載の磁気メモリの製造方法において、前記ハードマスクを処理する工程は、前記保護膜をマスクとして、前記ハードマスクをエッチングする工程を備える磁気メモリの製造方法。請求項8に記載の磁気メモリの製造方法において、前記ハードマスクを処理する工程は、前記保護膜をマスクとして、前記ハードマスクにイオン注入する工程を備える磁気メモリの製造方法。請求項9又は10に記載の磁気メモリの製造方法であって、前記第1磁化固定層及び前記第2磁化固定層を形成する工程は、前記第1磁化固定層及び前記第2磁化固定層を同じ形状にパターニングする工程を備える磁気メモリの製造方法。請求項8乃至11のいずれか一項に記載の磁気メモリの製造方法であって、前記磁化固定層用膜は、垂直磁気異方性を有する強磁性体である磁気メモリの製造方法。請求項8乃至12のいずれか一項に記載の磁気メモリの製造方法であって、前記ハードマスクを処理する工程は、前記ハードマスクの薄膜が前記磁化固定層用膜上に残るように処理する工程を含む磁気メモリの製造方法。請求項8乃至13のいずれか一項に記載の磁気メモリの製造方法であって、前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域が同一形状で、前記第1磁化固定領域と前記第1磁化固定層の端部が揃い、前記第2磁化固定領域と前記第2磁化固定層の端部が揃うように、前記磁気記録層を形成する工程を更に具備する磁気メモリの製造方法。ワード線と、ビット線と、ゲートに前記ワード線を接続され、ソース/ドレインの一方に前記ビット線を接続されたトランジスタと、前記ソース/ドレインの他方に接続された磁気メモリとを具備し、前記磁気メモリは、強磁性層である磁気記録層と、非磁性層を介して前記磁気記録層に接続された参照層と、前記磁気記録層より膜法線下方に設置された第1磁化固定層及び第2磁化固定層とを備え、前記磁気記録層及び前記参照層は、垂直磁気異方性を有しており、前記磁気記録層は、反転可能な磁化を有し前記参照層とオーバーラップする磁化反転領域と、前記磁化反転領域の第1境界に接続され、磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域と、前記磁化反転領域の第2境界に接続され、磁化の向きが前記第1方向と反平行な第2方向に固定された第2磁化固定領域とを含み、前記第1磁化固定層及び第2磁化固定層は、それぞれ前記第1磁化固定領域及び前記第2磁化固定領域の磁化を固定し、前記第2磁化固定層の方が、前記第1磁化固定層と比較して保磁力が低く前記第1磁化固定層及び前記第2磁化固定層は、同じ材料、同じ形状で構成されている半導体装置。請求項15に記載の半導体装置であって、前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域が同一形状で構成され、前記第1磁化固定領域と前記第1磁化固定層の端部が揃い、前記第2磁化固定領域と前記第2磁化固定層の端部が揃っている半導体装置。書き込み動作において磁壁移動を利用するMRAMを製造する上のひとつの問題は、磁壁移動が起こる層に磁壁を安定的に導入することである。特許文献5では、図1に示すように第1磁化固定領域101と第2磁化固定領域103の磁化の方向が互いに反対に向いていることで第1境界121或いは第2境界122に磁壁を生成することができる。しかしながら、実際には、所望の位置に磁壁を導入しながら、お互い反対方向を向いた磁化をそれぞれの方向に固定することは容易ではない。特許文献5及び特許文献8では、第1磁化固定領域に接する第1磁化固定層と第2磁化固定領域に接する第2磁化固定層の磁化を互いに反対方向に向けるために、保磁力Hcの異なる材料をそれぞれ用いた方法が開示されている。この場合、第1磁化固定層と第2磁化固定層をそれぞれ別々に形成する必要があるため、製造誤差やバラツキによる歩留まりの低下が懸念される。また別の方法として、第1磁化固定層と第2磁化固定層の大きさを変えることによって保磁力Hcに差を設ける方法が開示されている。この場合、磁化固定層と磁気記録層との位置ズレが生じた場合に、磁化固定層からの漏洩磁界にばらつきが生じることになり、安定した磁壁導入が困難である。また、大きいほうの磁化固定層は、他のプロセスの影響を受けやすくなり、所望の保磁力を得られない可能性がある。非特許文献4ではこのような磁化固定層を用いない方法として磁性細線を形成後、その一部分をエッチングにより除去することによってステップ構造を有する磁性細線を形成する手法を行っている。このようなステップ型の構造においては、膜厚の薄い領域の保磁力は厚い領域の保磁力に比べて小さくなることから、膜厚の薄い領域が反転し、厚い領域が反転しないような適当な大きさの磁場を用いることによって磁壁を導入できる。ここでこの外部磁場としては、基板面垂直方向の磁場を用いている。しかしながらこのようなステップ構造を設ける場合、エッチングによって磁壁移動領域の磁性層を直接エッチングするため、エッチングダメージを受けることが避けられない。ダメージを受けることによって磁性層本来の磁気特性が劣化し、磁壁移動の妨げとなる恐れがある。本発明の目的は、垂直磁気異方性を有する材料を用いた磁壁移動型MRAMにおいて、安定的且つ容易に磁壁が導入できる構造及びその製造方法を提供することにある。以下に、発明を実施するための形態で使用される番号符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。本発明の磁壁移動型MRAMは、強磁性層である磁気記録層10と、非磁性層11を介してその磁気記録層10に接続された参照層12と、その磁気記録層10より膜法線下方に設置された第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20とを具備している。その磁気記録層10及びその参照層12は、垂直磁気異方性を有している。その磁気記録層10は、反転可能な磁化を有しその参照層12とオーバーラップする磁化反転領域2と、その磁化反転領域2の第1境界21に接続され、磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域1と、その磁化反転領域2の第2境界22に接続され、磁化の向きがその第1方向と反平行な第2方向に固定された第2磁化固定領域3とを備えている。その第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は、それぞれその第1磁化固定領域1及びその第2磁化固定領域3の磁化を固定している。その第2磁化固定層20の方が、その第1磁化固定層19と比較して保磁力Hcが小さくなるように変性されている。本発明の磁壁移動型MRAMの製造方法は、以下の工程を具備している。ここで、その強磁性層である磁気記録層10と、非磁性層11を介してその磁気記録層10に接続された参照層12と、その磁気記録層10より膜法線下方に設置された第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20とを具備している。その磁気記録層10及びその参照層12は、垂直磁気異方性を有している。その磁気記録層10は、反転可能な磁化を有しその参照層12とオーバーラップする磁化反転領域2と、その磁化反転領域2の第1境界21に接続され、磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域1と、その磁化反転領域2の第2境界22に接続され、磁化の向きがその第1方向と反平行な第2方向に固定された第2磁化固定領域3とを備えている。その第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は、それぞれその第1磁化固定領域1及びその第2磁化固定領域3の磁化を固定している。その第2磁化固定層20の方が、その第1磁化固定層19と比較して保磁力Hcが小さくなるように変性されている。そして、その磁壁移動型MRAMの製造方法は、磁化固定層用膜18を形成する工程と;その磁化固定層用膜18の上にハードマスク17を形成する工程と;そのハードマスク17のうち、その磁化固定層用膜18におけるその第2磁化固定層20を形成する領域以外の領域の上に積層されたハードマスク17を覆うように保護膜61を形成する工程と;その保護膜61をマスクとして、そのハードマスク17を処理する工程と;その保護膜61の除去後に、そのハードマスク17をパターニングする工程と;パターニングされたそのハードマスク17をマスクとして、その磁化固定層用膜18をパターニングして、その第1磁化固定層19及びその第2磁化固定層20を形成する工程と;を具備している。-1本発明の半導体装置は、ワード線WLと、ビット線BLと、トランジスタTRと、磁気メモリ7273とを具備している。トランジスタTRは、ゲート44にワード線WLを接続され、ソース/ドレインの一方46にビット線BLを接続されている。磁気メモリ7273は、ソース/ドレインの他方47に接続されている。磁気メモリ7273は、磁気記録層10と、参照層12と、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20とを備えている。磁気記録層10は、強磁性層である。参照層12は、非磁性層11を介して磁気記録層10に接続されている。第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は、磁気記録層10より膜法線下方に設置されている。磁気記録層10及び参照層12は、垂直磁気異方性を有している。磁気記録層10は、磁化反転領域2と、第1磁化固定領域1と、第2磁化固定領域3とを含んでいる。磁化反転領域2は、反転可能な磁化を有し参照層12とオーバーラップする。第1磁化固定領域1は、磁化反転領域2の第1境界に接続され、磁化の向きが第1方向に固定されている。第2磁化固定領域3は、磁化反転領域2の第2境界に接続され、磁化の向きが第1方向と反平行な第2方向に固定されている。第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は、それぞれ第1磁化固定領域1及び第2磁化固定領域2の磁化を固定している。第2磁化固定層20の方が、第1磁化固定層19と比較して保磁力が低い。第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は、同じ材料、同じ形状で構成されている。本発明により、垂直磁気異方性を有する材料を用いた磁壁移動型MRAMにおいて、磁気記録層に安定的且つ容易に磁壁を導入することが可能となる。従って、製造コストが削減され、また、信頼性が向上する。以下、本発明の磁壁移動型磁気ランダムアクセスメモリMRAM及びその製造方法の実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。図において、同一又は類似する構成要素は、同一又は対応する符号によって参照される場合があることに留意されたい。第1の実施の形態本発明の第1の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMついて説明する。図2は、本発明の第1の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの主要部分の構成を示す断面図である。磁壁移動型MRAMは、マトリクス状に配置された複数のメモリセルを具備している。この図は、磁壁移動型MRAMの1ビット部分のメモリセルに対応する。磁壁移動型MRAMのメモリセルは、記憶素子部分72とアドレス選択用トランジスタ部分73とを備えている。以下の説明では、MRAMにxyz直交座標が規定され、そのxyz直交座標を用いて説明する。まず、選択用トランジスタ部分73について説明する。半導体基板例えばp型シリコン基板、p型ウェル領域等41内に、STIShallowTrenchIsolation構造を有する素子分離絶縁層42が形成されている。この素子分離絶縁層42に囲まれた領域は、読み出し選択スイッチが形成されている。読み出し選択スイッチは、MOSトランジスタnチャネル型MOSトランジスタTRa、TRbから構成されている。半導体基板41上には、MOSトランジスタTRa、TRbとして、ゲート絶縁膜43、ゲート電極44及び側壁絶縁層45が形成されている。ゲート電極44はワード線WL図示されずに接続されている。読み出し動作時に、読み出しセルを選択するように機能する。ゲート電極44の両側には拡散層領域46、47が形成される。このMOSトランジスタTRa、TRb上に絶縁層が積層されている。絶縁層内には、拡散層46、47と接続するコンタクト層48として例えばタングステンプラグが形成されている。このコンタクト層48を介して、第1金属層が形成される。第1金属層のうち、一つは複数のコンタクト層を縦に積み重ねるための中間層49として機能する。他の一つはビット線BLa、BLbとして機能する。第1金属層上にはさらに絶縁層が積層されている。絶縁層内には、中間層49と接続するコンタクト層51を介して、第2金属層が形成されている。第2金属層も複数のコンタクト層を縦に積み重ねるための中間層52として機能する。第2金属層上にはさらに絶縁層が積層されている。絶縁層内には、中間層52と接続するコンタクト層54を介して、第3金属層が形成されている。第3金属層は書き込み用ワード線として機能する。書き込みワード線は一方が第1配線31として第1コンタクトビア32を介して磁気抵抗効果素子71に接続され、もう一方は第2配線34として第2コンタクトビア33を介して磁気抵抗効果素子71と接続されている。次に、記憶素子部分72について説明する。図3Aは、本発明の第1の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの記憶素子部分の構成を示す断面図である。記憶素子部分72は、磁気抵抗効果素子71を備えている。磁気抵抗効果素子71は、強磁性体層である磁気記録層10と参照層12、及び非磁性体層であるトンネルバリア層11を備えている。トンネルバリア層11は、磁気記録層10と参照層12とに挟まれている。これら磁気記録層10、トンネルバリア層11、及び参照層12によって磁気トンネル接合MagneticTunnelJunction;MTJが形成されている。なお、参照層12は、反強磁性層15後述及び第3コンタクトビア35を介して読み出し配線36例示:接地線に接続されている図2参照。トンネルバリア層11は、薄い絶縁層であり、例えばAl膜を酸化して形成したアルミナ酸化膜Al-Ox或いは酸化マグネシウムMgOなどで形成される。参照層12及び磁気記録層10は、垂直磁気異方性を有する強磁性膜であり、磁気記録層10及び参照層12の磁化に向きは、膜厚方向に向けられている。磁気記録層10及び参照層12は、例えば、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi或いはこれらのいずれかを含む合金から構成されている。磁気記録層10及び参照層12が、PtやPdを含むことで垂直磁気異方性を安定化することができる。これに加えて、B、C、N、O、Al、Si、P、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au、Smなどを添加することによって所望の磁気特性が発現されるように調整することができる。具体的には磁気記録層10及び参照層12として使用可能な材料としては、Co、Co-Pt、Co-Pd、Co-Cr、Co-Pt-Cr、Co-Cr-Ta、Co-Cr-B、Co-Cr-Pt-B、Co-Cr-Ta-B、Co-V、Co-Mo、Co-W、Co-Ti、Co-Ru、Co-Rh、Fe-Pt、Fe-Pd、Fe-Co-Pt、Fe-Co-Pd、Sm-Coなどが例示される。この他、Fe、Co、Niのうちから選択されるいずれか一つの材料を含む層が、異なる層と積層されることにより垂直方向の磁気異方性を発現させることもできる。具体的にはCo/Pd、Co/Pt、Fe/Auの積層膜などが例示される。また、参照層12では、上記強磁性膜の保磁力を大きくするために、反強磁性層15が積層される。即ち、参照層12を反強磁性層15と積層させることで、上記強磁性膜と反強磁性層15の間に働く交換相互作用により、上記強磁性膜に一方向の異方性を発現させることができる。それにより、参照層12の磁化を一方向に固定することが可能となる。上記反強磁性層15としては、鉄マンガンFeMn、白金マンガンPtMn、ニッケルマンガンNiMnなどのマンガン合金反強磁性膜、或いは、コバルト酸化物CoO、ニッケル酸化物NiOなどの酸化物反強磁性膜が用いられる。図3Aに示されるように、本実施の形態に係る磁気記録層10は、3つの異なる領域である第1磁化固定領域1、第2磁化固定領域3、及び磁化反転領域2を有している。第1磁化固定領域1及び第2磁化固定領域3は、向きが互いに反平行である磁化を有している。一方、磁化反転領域2はz方向と-z方向との間で磁化反転可能な磁化を有している。つまり、磁化反転領域2の磁化は参照層12の磁化と平行或いは反平行になることが許される。磁化反転領域2は第1磁化固定領域1と第2磁化固定領域3とに挟まれた部分に形成されている。上記参照層12はこの磁化反転領域2とオーバーラップするように形成されている。言い換えれば、磁気記録層10の磁化反転領域2の一部が、トンネルバリア層11を介して参照層12に対向しており、参照層12、トンネルバリア層11及び磁化反転領域2で磁気トンネル接合MTJが形成されている。本実施の形態では、参照層12の磁化はz方向に固定されているとする。また、第1磁化固定領域1の磁化はz方向に、第2磁化固定領域3の磁化は-z方向に、それぞれ固定されているとする。図3Aに図示されるように、第1磁化固定領域1の膜面下方向に第1磁化固定領域1と接するように第1磁化固定層19が設置されている。第1磁化固定層19の一端部は第1磁化固定領域1と磁化反転領域2の境界である第1境界21と略同一の位置に形成されているが、言い換えれば、第1磁化固定層19と磁気記録層10とが接した端部が第1境界21となる。一方、第2磁化固定領域3の膜面下方向にも第2磁化固定領域3と接するように第2磁化固定層20が設置されている。第2磁化固定層20の一端部は第2磁化固定領域3と磁化反転領域2の境界である第2境界22と略同一の位置に形成されているが、言い換えれば、第2磁化固定層20と磁気記録層10とが接した端部が第2境界22となる。第1磁化固定層19と第2磁化固定層20は同一の強磁性材料により構成されている。即ち第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は、例えば、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi或いはこれらのいずれかを含む合金から構成されている。PtやPdを含むことで垂直磁気異方性を安定化することができる。これに加えて、B、C、N、O、Al、Si、P、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au、Smなどを添加することによって所望の磁気特性が発現されるように調整することができる。具体的には第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20として使用可能な材料としては、Co、Co-Pt、Co-Pd、Co-Cr、Co-Pt-Cr、Co-Cr-Ta、Co-Cr-B、Co-Cr-Pt-B、Co-Cr-Ta-B、Co-V、Co-Mo、Co-W、Co-Ti、Co-Ru、Co-Rh、Fe-Pt、Fe-Pd、Fe-Co-Pt、Fe-Co-Pd、Sm-Coなどが例示される。この他、Fe、Co、Niのうちから選択されるいずれか一つの材料を含む層が、異なる層と積層されることにより垂直方向の磁気異方性を発現させることもできる。具体的にはCo/Pd、Co/Pt、Fe/Auの積層膜などが例示される。-1図3Bは、図3Aの構成に関する平面図である。図3A及び図3Bに示されるように、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は、略同一の形状である。具体的には、第1磁化固定層19の保磁力Hcと第2磁化固定層20の保磁力Hcがその形状異方性によっては変化しない程度に等しい大きさに形成されている。したがって、製造誤差製造ばらつきの範囲を含んでいる。また、同様に、図3A及び図3Bに示されるように、第1磁化固定領域1と第2磁化固定領域2は、略同一の形状である。なお、図3C図3A及び図3Bの構成に関する変形例の平面図に示すように、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20が略同一の形状、かつ、第1磁化固定領域1と第2磁化固定領域2が略同一の形状であって、更に、第1磁化固定領域1と第1磁化固定層19の端部が揃い、第2磁化固定領域3と第2磁化固定層20の端部が揃っている構成であっても良い。このとき、X方向の端面のみが揃っていても良いし、Y方向の端面のみが揃っていても良いし、X方向及びY方向の両端面がいずれも揃っていても良い。第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20は同一の強磁性材料、略同一の形状であるが、保磁力又は反転磁界Hcが互いに異なっている。第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20のうちの一方は、他方と比較して製造工程時に磁気特性の変化を受ける。例えば、後述されるように、製造時のハードマスク17やキャップ層16に対するエッチングやイオン注入によるダメージ応力歪などの変性が要因として挙げられる。書き込み電流を流すために、記憶素子部分72には、第1配線31、第1ビアコンタクト32、第2ビアコンタクト33及び第2配線34が設けられている。第1配線31は、第1ビアコンタクト32を介して第1磁化固定層19に接続されている。第2配線34は、第2ビアコンタクト33を介して第2磁化固定層20に接続されている。第1配線31及び第2配線34は、アルミニウムAl、銅Cu、タングステンWなどの電気抵抗の小さい材料によって形成される。本発明の第1の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの製造方法について説明する。図4A~図4Iは、本発明の第1の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの製造方法のフローを示す断面図である。まず、第1配線31及び第2配線34を形成後、第1配線31及び第2配線34を覆うように絶縁層を形成する。更に、絶縁層に反応性エッチングRIE等で穴を開けた後、銅CuやタングステンWなどの導電性材料で埋め込むことにより、第1コンタクトビア32及び第2コンタクトビア33を形成する。なお、ここまでの工程に関しては、図1の場合と同様の方法で行うことができるので図示を省略している。次に、図4Aに示すように、磁化固定層19、20を形成するための強磁性膜18をスパッタリング等の方法により成膜する。その後、磁化固定層19、20をパターニングするためのキャップ層16及びハードマスク17を積層する。キャップ層16は、例えば膜厚5~10nmのTa膜である。ハードマスク17は、例えば、膜厚50~100nmの酸化シリコンSiO2膜、窒化シリコンSiN膜、又は、窒化シリコンSiN膜上に酸化シリコンSiO2が成膜された積層膜である。ここでは、一例として、窒化シリコンSiN上に酸化シリコンSiO2が成膜された積層膜とする。続いて、図4Bに示すように、このハードマスク17をエッチングするためのレジストマスク61を形成する。レジストマスク61には、一方の磁化固定層を形成する領域のみマスクされたパターンが形成されている。図4Bでは、第1磁化固定層19を形成する領域をマスクしたパターンとなっている。ただし、反対の第2磁化固定層20を形成する領域をマスクするパターンとしてもよい。このレジストマスク61を用いて、ハードマスク17を物理的化学的にエッチングする。すなわち、ここでは、このレジストマスク61を介して、ハードマスク17を反応性イオンエッチング等の手法によりエッチングする。その結果、例えば、図4Cに示すように、ハードマスク17のうち、酸化シリコンSiO2膜をエッチングして、窒化シリコンSiN膜を残す。このハードマスク17のエッチングにより、後述されるように、エッチングされたハードマスク17下の強磁性膜18aの保磁力Hcが低下する。反応性イオンエッチングの条件は、反応ガスとしてCF4やCHF3などを用いる従来知られたハードマスク用のエッチング条件をそのまま利用することができる。その上で、後述されるように、強磁性膜18の保磁力Hcに与えたい変化量に応じて、エッチング条件を適宜変更選択することとする。なお、窒化シリコンSiN膜までエッチングしてもよいし、酸化シリコンSiO2膜の一部を残すようにエッチングしてもよい。また、ハードマスク17が窒化シリコンSiN膜や酸化シリコンSiO2膜のみで形成されている場合についても、窒化シリコンSiN膜あるいは酸化シリコンSiO2膜の一部を残すようにエッチングしてもよいし、全部をエッチングしても差し支えない。その後、図4Dに示すように、レジストマスク61を剥離する。そして、図4Eに示すように、残りのハードマスク17をエッチングするためのレジストマスク62を形成する。レジストマスク62には、磁化固定層19、20をパターニングするためのパターンが形成されている。すなわち、そのレジストマスク62は、両方の磁化固定層19、20が形成できるようなマスクパターンとなっている。そのパターンは、磁化固定層19、20が同一の形状になるようなパターンとする。続いて、図4Fに示すように、このレジストマスク62を用いてハードマスク17を反応性イオンエッチング等の手法によりエッチングする。このとき、強磁性膜18の上に積層されているハードマスク17の膜厚が、第1磁化固定層19が形成される領域と、第2磁化固定層20が形成される領域とで異なっている。そのため、ハードマスク17が薄い箇所の強磁性膜18がエッチングされるおそれがある。しかし、ハードマスク17の材料に対して選択性の高い材料で構成されたキャップ層16が強磁性膜18上に形成されているので、磁化固定層用の強磁性膜18がエッチングされることを防ぐことができる。なお、キャップ層16が無くても、ハードマスク17のエッチングを、窒化シリコンSiN膜あるいは酸化シリコンSiO2膜を選択的にエッチングする条件にて行うことで、その下の強磁性膜18がエッチングされないようにすることも可能である。次に、図4Gに示すように、レジストマスク62を剥離する。そして、図4Hに示すように、ハードマスク17をマスクとして、強磁性膜18をキャップ層16と共にイオンミリングあるいは反応性イオンエッチング等によりエッチングする。それにより、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20を所望の形状に形成する。その後、酸化シリコンSiO2などの絶縁層58を成膜した後、その絶縁層58とハードマスク17及びキャップ層16をCMPChemicalMechanicalPolishing等により平坦化して、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20上の絶縁層58及びハードマスク17及びキャップ層16を完全に除去する。以上により、図4Iに示すように、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20が形成される。このとき、第2磁化固定層20は第1磁化固定層19と比較すると、図4B~図4Cにおいて、その構成材料である強磁性膜18上のハードマスク17がエッチングされている。そのため、後述されるように、第2磁化固定層20の保磁力Hcは第1磁化固定層19の保磁力Hcに比べて小さくなる。すなわち、形状が同一図4E:レジストマスク62のパタンで、かつ、材料も同一図4A:強磁性膜18でありながら、保磁力Hcの異なる二つの磁化固定層19、20を得ることができる。その後の工程は、図示しないが、以下のようになる。まず、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20上に、磁気記録層10用の膜、トンネルバリア層11用の膜及び参照層12用の膜をスパッタリング等により連続成膜し、イオンミリング等により所望の形状の参照層12及び磁気記録層10を形成する。これにより、第1磁化固定層19と磁気記録層10の第1磁化固定領域1とが電気的磁気的に接続され、第2磁化固定層20と磁気記録層10の第2磁化固定領域3とは電気的磁気的に接続される。また、参照層12及びトンネルバリア層11が形成される部分も平坦化により表面ラフネスも抑えられることになる。こうして、図3Aに示すような、所望の記憶素子部分72磁気抵抗効果素子71を形成できる。このとき、図3Bのような形状にする場合、磁気記録層10を形成する工程において、第1磁化固定領域1と第2磁化固定領域2の形状が同一形状となるように磁気記録層10を形成する。また、図3Cのような形状にする場合、磁気記録層10を形成する工程において、第1磁化固定領域1と第2磁化固定領域2の形状が同一形状で、第1磁化固定領域1と第1磁化固定層19の端部が揃い、第2磁化固定領域2と前記第2磁化固定層20の端部が揃うように、磁気記録層10を形成する。ここで、ハードマスクのエッチング量と磁化固定層の保磁力との関係について説明する。図5は、ハードマスクのエッチング量と磁化固定層の保磁力との関係を示すグラフである。横軸はハードマスクのエッチング時間を表す。縦軸は磁化固定層強磁性膜の保磁力を表す。ただし、横軸は任意単位を示している。縦軸の保磁力は、ハードマスクのエッチングをしないときの保磁力Hc0に対するエッチングをしたときの保磁力Hcの相対比Hc/Hc0を示している。従って、第1磁化固定層19の保磁力に対する第2磁化固定層20の保磁力の相対比を示していると見ることができる。図5に示されるように、エッチング時間が増加するとともに磁化固定層の保磁力Hcが低下していることがわかる。グラフにおいて、最もエッチング時間の長い測定点は、キャップ層16が露出した場合である。ここで、図4B~図4Cではハードマスク17がエッチングされているだけで、その下の強磁性膜18第2磁化固定層20の材料がエッチングされているわけではないことに留意されたい。即ち、第2磁化固定層20の膜厚は第1磁化固定層19の膜厚と同じであり、且つ、第2磁化固定層20の材料は第1磁化固定層19の材料と同じである。しかし、本図に示すように、その上のハードマスク17のエッチングによって、保磁力Hcに差を設けることが可能である。この図の例では、最大で第2磁化固定層20の保磁力を第1磁化固定層19の保磁力の半分にまで低下させることができる。それにより、強磁性膜18第2磁化固定層20の材料に対して直接に何らかの作用や処理をすることなく、保持力Hcの異なる第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20を得ることができる。ハードマスク17下の強磁性膜18第2磁化固定層20の保磁力が低下する理由としては、ハードマスク17やキャップ層16に対するエッチングダメージ応力歪などが強磁性膜18に作用することにより、強磁性膜18の結晶磁気異方性が変化しているためと考えられる。図5は、ハードマスク17の種類や膜厚、及び、反応性イオンエッチングの条件がある所定の場合についての一例である。ハードマスク17下の強磁性膜18第2磁化固定層20をどの程度の保持力Hcにするか、あるいは、第2磁化固定層20と第1磁化固定層19の保磁力の比をどの程度にするか、に応じて、ハードマスク17の種類や膜厚、反応性イオンエッチングの条件を決定することができる。例えば、ハードマスク17の種類や膜厚が同じ場合、反応ガスや供給電力が同じなら、エッチング時間により保磁力を変化させることができる。また、反応ガスや供給電力によっても保磁力を変化させることができる。更に、ハードマスク17を全て除去するまでエッチングする場合、ハードマスク17の膜厚や種類により保磁力を変化させることができる。これらは、例えば、事前に実験により条件と保磁力との関係を求めておくことで実現可能である。次に、第1の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子での初期化磁壁導入方法について図3Aを参照して説明する。記憶素子部分72磁気抵抗効果素子71において、まず、外部磁場H1をz方向に印加することにより、磁気記録層10の第1磁化固定領域1、磁化反転領域2及び第2磁化固定領域3の磁化と、第1磁化固定層19及び第2磁化固定層20の磁化がz方向に向けられる。次に、磁気記録層10に磁壁を形成するために、外部磁場H2が-z方向に印加される。このとき印加する磁場H2の大きさは、磁化反転領域2、第2磁化固定領域3及び第2磁化固定層20の磁化を反転し、且つ第1磁化固定領域1及び第1磁化固定層19の磁化を反転させない程度の大きさに設定される。ここでは、第1磁化固定層19が第2磁化固定層20より保磁力Hcが大きい構成となっていることに留意されたい。この外部磁場H2の印加により、磁気記録層10の第1磁化固定領域1が1つの磁区MagneticDomainを形成し、磁気記録層10の他の部分が別の磁区を形成する。即ち、第1磁化固定領域1と磁化反転領域2の境界である第1境界21に対応する位置に磁壁が生成される。このように、本実施の形態では、第1磁化固定層19の保磁力と第2磁化固定層20の保磁力とが異なっているので、容易に初期化磁壁を導入することが可能となる。次に、第1の実施の形態に係る記憶素子部分でのデータの書き込み動作/読み出し動作について図3Aを参照して説明する。以下では、記憶素子部分72磁気抵抗効果素子71において、磁化反転領域2の磁化が-z方向に向けられて磁壁が第1境界21に位置する状態をデータ1に、磁化反転領域2の磁化がz方向に向けられて磁壁が第2境界22に位置する状態をデータ0にそれぞれ対応づけられているとして説明がなされる。但し、磁化方向とデータの値の対応は逆でもよいことは当業者には明らかであろう。データの書き込み方法について説明する。データ0が書き込まれている磁気記録層10にデータ1を書き込む場合、書き込み電流が第1配線31から第1コンタクトビア32を通って第1磁化固定層19から磁気記録層内を第1磁化固定領域1、磁化反転領域2、第2磁化固定領域3の順に流れ、さらには第2磁化固定層20、第2コンタクトビア33を通って第2配線34へと流れる。書き込み電流が流されることにより、スピン偏極電子が第2磁化固定領域3から磁化反転領域2に注入される。このとき、スピントランスファー効果により第2境界22にある磁壁が第1境界21の方へ移動する。つまり、磁化反転領域2の磁化の向きはz方向から-z方向へ変わる。データ1が書き込まれている磁気記録層10にデータ0を書き込む場合、書き込み電流が第2配線34から第2コンタクトビア33を通って第2磁化固定層20から磁気記録層内を第2磁化固定領域3、磁化反転領域2、第1磁化固定領域1の順に流れ、さらには第1磁化固定層19、第1コンタクトビア32を通って第1配線31へと流れる。書き込み電流が流されることにより、スピン偏極電子が第1磁化固定領域1から磁化反転領域2に注入される。このとき、スピントランスファー効果により第1境界21にある磁壁が第2境界22の方へ移動する。つまり、磁化反転領域2の磁化の向きは-z方向からz方向へ変わる。次に、データの読み出し動作について説明する。磁気記録層10に記録されているデータの読み出しにはTMR効果が利用される。データ読み出し時、読み出し電流は、参照層12と磁化反転領域2との間を流れるように供給される。例えば、第1磁化固定領域1と第2磁化固定領域3のいずれかから、磁化反転領域2及びトンネルバリア層11を経由して、参照層12へ流れ、さらに参照層12の上に形成された読み出し配線図示せずに流れる。あるいは、読み出し電流は、読み出し配線から参照層12を通り、トンネルバリア層11及び磁化反転領域2を経由して、第1磁化固定領域1と第2磁化固定領域3のいずれかへ流れる。その読み出し電流あるいは読み出し電位に基づいて、磁気抵抗効果素子71の抵抗値が検出され、磁化反転領域2の磁化方向、即ち、磁気記録層10に記録されているデータが識別される。以上説明されたように、本実施の形態によれば、記憶素子部分72磁気抵抗効果素子71の製造過程において、反応性イオンエッチングという極めて容易で安定的な方法により、形状及び材料が同一でありながら、保磁力の異なる二つの磁化固定層19、20を製造することができる。それにより、磁気記録層10に安定的且つ容易に磁壁を導入する初期化することが可能となる。従って、製造時に、保磁力の異なる二つの磁化固定層19、20を、異なる材料や異なる形状で製造する必要が無くなるので、製造コストを削減できる。加えて、ハードマスク17の反応性イオンエッチングという信頼性の高いプロセスを用いて二つの磁化固定層19、20の保磁力を異ならせているので、信頼性を向上できる。第2の実施の形態本発明の第2の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMついて説明する。本実施の形態は、磁壁移動型MRAMの製造方法について、一部の工程が第1の実施の形態と異なる。以下では、第1の実施の形態と異なる磁壁移動型MRAMの製造方法について説明し、第1の実施の形態と同じ点については説明を省略する。本発明の第2の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの製造方法について説明する。図6A~図6Iは、本発明の第2の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの製造方法のフローを示す断面図である。まず、第1配線31、第2配線34、第1配線31、第2配線34、第1コンタクトビア32及び第2コンタクトビア33の形成に関しては、第1の実施の形態と同様である図示せずのでその説明を省略する。また、図6A~図6Cについては、第1の実施の形態の図4A~図4Cの場合と同様であるのでその説明を省略する。なお、図6Cにおいてはハードマスク17を全てエッチングしているが、図4Cのようにハードマスク17を一部残しても良い。図6Bの工程のハードマスク17のエッチングにより、エッチングされたハードマスク17下の強磁性膜18の保磁力Hcが低下する。その後、図6Dに示すように、レジストマスク61を剥離した後、酸化シリコンSiO2膜をハードマスク17aとして積層し、CMPChemicalMechanicalPolishing等により平坦化する。平坦化することによって、後工程図6Fにおいてハードマスク17、17aをエッチングするとき、磁化固定層19が形成される領域及び磁化固定層20が形成される領域上のハードマスクの膜厚を同じにすることが可能となる。但し、ハードマスクの膜厚を同じにすることは、本発明において必須ではない。続いて、図6Eに示すように、ハードマスク17、17aをエッチングするためのレジストマスク62を形成する。レジストマスク62には、磁化固定層19、20をパターニングするためのパターンが形成されている。すなわち、そのレジストマスク62は、両方の磁化固定層19、20が形成できるようなマスクパターンとなっている。そのパターンは、磁化固定層19、20が同一の形状になるようなパターンとする。続いて、図6Fに示すように、このレジストマスク62を用いてハードマスク17、17aを反応性イオンエッチング等の手法によりエッチングする。このとき、強磁性膜18の上に積層されているハードマスク17の膜厚が、第1磁化固定層19が形成される領域と、第2磁化固定層20が形成される領域とで同じである。そのため、ハードマスク17、17aのエッチング制御を容易に行うことができる。その後の図6G~図6Iの工程及び図3Aに至る工程については、第1の実施の形態の図4G~図4Iの工程及び図3Aに至る工程と同様であるのでその説明を省略する。こうして、図3Aに示すような、所望の記憶素子部分72磁気抵抗効果素子71を形成できる。本実施の形態についても、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。加えて、図6Fに示すエッチング工程において、ハードマスクのエッチング制御を容易に行うことができる。第3の実施の形態本発明の第3の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMついて説明する。本実施の形態は、磁壁移動型MRAMの製造方法について、一部の工程が第1の実施の形態と異なる。以下では、第1の実施の形態と異なる磁壁移動型MRAMの製造方法について説明し、第1の実施の形態と同じ点については説明を省略する。本発明の第3の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの製造方法について説明する。図7A~図7Gは、本発明の第3の実施の形態に係る磁壁移動型MRAMの製造方法のフローを示す断面図である。まず、第1配線31、第2配線34、第1配線31、第2配線34、第1コンタクトビア32及び第2コンタクトビア33の形成に関しては、第1の実施の形態と同様である図示せずのでその説明を省略する。また、図7Aについては、第1の実施の形態の図4Aの場合と同様であるのでその説明を省略する。次に、図7Bに示すように、このハードマスク17にイオン注入するためのレジストマスク61を形成する。レジストマスク61には、一方の磁化固定層を形成する領域のみマスクされたパターンが形成されている。図7Bでは、第1磁化固定層19を形成する領域をマスクしたパターンとなっている。ただし、反対の第2磁化固定層20を形成する領域をマスクするパターンにしてもよい。このレジストマスク61を用いて、ハードマスク17を物理的化学的に処理する。すなわち、ここでは、このレジストマスク61を介して、ハードマスク17にイオン注入を行う。このハードマスク17へのイオン注入により、前述された反応性イオンエッチングの場合と同様に、イオン注入されたハードマスク17下の強磁性膜18の保磁力Hcが低下する。ここで、イオン注入される膜層は、強磁性膜18ではなく、ハードマスク17及びキャップ層16であることに留意されたい。イオン注入の条件は、例えばBを含むイオン種など酸化シリコン膜や窒化シリコン膜に注入する場合での従来知られたイオン注入条件をそのまま利用することができる。その上で、前述された反応性イオンエッチングの場合と同様に、強磁性膜18の保磁力Hcに与えたい変化量に応じて、イオン注入条件を適宜変更選択することとする。イオン注入条件に対する保磁力Hcの低下の程度は、事前に実験により条件と保磁力との関係を求めておくことで把握可能である。その後の図7C~図7Gの工程及び図3Aに至る工程については、第1の実施の形態の図4D~図4Iの工程及び図3Aに至る工程と同様であるのでその説明を省略する。こうして、図3Aに示すような、所望の記憶素子部分72磁気抵抗効果素子71を形成できる。ここで、第2磁化固定層20は第1磁化固定層19と比較すると、図7Bにおいて、その構成材料である強磁性膜18上のハードマスク17にイオン注入されている。そのため、前述された反応性イオンエッチングの場合と同様に、第2磁化固定層20の保磁力Hcは第1磁化固定層19の保磁力Hcに比べて小さくなる。ここで、図7Bではハードマスク17にイオン注入されているだけで、その下の強磁性体膜18第2磁化固定層20にイオン注入されているわけではないことに留意されたい。即ち、第2磁化固定層20の膜厚は第1磁化固定層19の膜厚と同じであり、且つ同じ材料で形成されている。すなわち、形状が同一で、かつ、材料も同一でありながら、保磁力Hcの異なる二つの磁化固定層19、20を得ることができる。ハードマスク17下の強磁性膜18第2磁化固定層20の保磁力が低下する理由としては第1の実施の形態と同様に、ハードマスク17やキャップ層16に対するイオン注入ダメージ応力歪などが強磁性膜18に作用することにより、強磁性膜18が変性を受け、強磁性層18の結晶磁気異方性が変化しているためと考えられる。本実施の形態についても、強磁性膜18の上のハードマスク17へのイオン注入という極めて容易で安定的な方法により、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。上記各実施の形態では、その効果をより明確にするために、二つの磁化固定層19、20を、同一材料かつ同一形状としている。しかし、上記製造方法を用いれば、一方の磁化固定層の保磁力を低下させることができる保磁力の大きさを制御できるので、必ずしも同一材料かつ同一形状で行わなくても良い。例えば、二つの磁化固定層19、20の形状や材料が異なっていても、製造過程で上記方法により第2磁化固定層20の保持力Hcを低下させることにより、形状や材料に関係なく第2磁化固定層20の保磁力を第1磁化固定層19の保磁力よりも低くすることができる。その結果、磁気抵抗効果素子での初期化磁壁導入も上記のように極めて容易に行うことができる。また、上記の各実施の形態では、ハードマスク17への物理的化学的な処理として、ハードマスク17の反応性イオンエッチングやハードマスク17へヘのイオン注入を行っている。しかし、ハードマスク17への物理的化学的な処理として、ハードマスクへのプラズマ照射、イオン照射、電子線照射などを用いても、条件によって、保磁力Hcの異なる二つの磁化固定層19、20を得ることができる。本発明は上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形態は適宜変形又は変更され得ることは明らかである。また、各実施の形態で用いられた技術は、矛盾の生じない限り他の実施の形態においても適用可能である。