上面と下面とを有する圧電素子と、前記上面と前記下面との少なくとも一方を少なくとも部分的に覆う高抵抗材料膜とを備える圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜の電気抵抗値は前記圧電素子の電気抵抗値よりも大きい圧力センサ素子。請求項1記載の圧力センサ素子であって、前記圧電素子の前記上面全体と前記下面全体との少なくとも一方が前記高抵抗材料膜で覆われている圧力センサ素子。請求項1又は請求項2に記載の圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜は誘電体からなる圧力センサ素子。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜の抵抗率は、1×1011Ωcm以上かつ1×1018Ωcm以下である圧力センサ素子。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の圧力センサ素子であって、前記圧電素子と前記高抵抗材料膜との合成抵抗値は、1×1011Ω以上である圧力センサ素子。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜は、アモルファス構造のSiO2からなり、前記高抵抗材料膜の膜厚は、0.1μm以上かつ10μm以下である圧力センサ素子。請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜は、浸漬、ゾルゲル法、印刷、スパッタリング、蒸着法又は化学気相堆積法のいずれかの方法により形成されたものである圧力センサ素子。請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の圧力センサ素子であって、前記圧電素子から電荷を取り出すための電極を更に備えている圧力センサ素子。請求項8に記載の圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜の少なくとも一部は、前記圧電素子と前記電極との間に挟まれるように形成されている圧力センサ素子。請求項8又は請求項9に記載の圧力センサ素子であって、前記電極は、1以上の金属膜によって形成されており、前記金属膜のそれぞれは、Pt、Ti、Au、Cr、W、Pd、Ni、Ag、Al、Ta、又はMoのいずれかからなる圧力センサ素子。請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の圧力センサ素子であって、前記圧電素子は、酸化亜鉛からなる圧力センサ素子。特許文献1記載のアプローチでは、温度ドリフトの問題を抱える既存の様々な圧電素子に対応することができない。そこで、本発明は、温度ドリフト問題を解消し得る構造であって汎用性の高い構造を備える圧力センサ素子を提供することを目的とする。本発明によれば、第1の圧力センサ素子として、上面と下面とを有する圧電素子と、前記上面と前記下面との少なくとも一方を少なくとも部分的に覆う高抵抗材料膜とを備える圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜の電気抵抗値は前記圧電素子の電気抵抗値よりも大きい圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第2の圧力センサ素子として、第1の圧力センサ素子であって、前記圧電素子の前記上面全体と前記下面全体との少なくとも一方が前記高抵抗材料膜で覆われている圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第3の圧力センサ素子として、第1又は第2の圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜は誘電体からなる圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第4の圧力センサ素子として、第1乃至第3のいずれかの圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜の抵抗率は、1×1011Ωcm以上かつ1×1018Ωcm以下である圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第5の圧力センサ素子として、第1乃至第4のいずれかの圧力センサ素子であって、前記圧電素子と前記高抵抗材料膜との合成抵抗値は、1×1011Ω以上である圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第6の圧力センサ素子として、第1乃至第5のいずれかの圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜は、アモルファス構造のSiO2からなり、前記高抵抗材料膜の膜厚は、0.1μm以上かつ10μm以下である圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第7の圧力センサ素子として、第1乃至第6のいずれかの圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜は、浸漬、ゾルゲル法、印刷、スパッタリング、蒸着法又は化学気相堆積法のいずれかの方法により形成されたものである圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第8の圧力センサ素子として、第1乃至第7のいずれかの圧力センサ素子であって、前記圧電素子から電荷を取り出すための電極を更に備えている圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第9の圧力センサ素子として、第8の圧力センサ素子であって、前記高抵抗材料膜の少なくとも一部は、前記圧電素子と前記電極との間に挟まれるように形成されている圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第10の圧力センサ素子として、第8又は第9の圧力センサ素子であって、前記電極は、1以上の金属膜によって形成されており、前記金属膜のそれぞれは、Pt、Ti、Au、Cr、W、Pd、Ni、Ag、Al、Ta、又はMoのいずれかからなる圧力センサ素子が得られる。また、本発明によれば、第11の圧力センサ素子として、第1乃至第10のいずれかの圧力センサ素子であって、前記圧電素子は、酸化亜鉛からなる圧力センサ素子が得られる。本発明によれば、圧電素子を高抵抗材料膜で覆うことで、温度上昇によって圧力センサ素子の抵抗値が大きく低下することを避けることができる。以下、本発明の実施の形態以下本実施形態という。について図面を使用して説明する。なお、以降の記載における上下等の方向は各図面における相対的な方向を示すに過ぎず、使用時等における方向を規定するものではない。本実施形態による圧力センサ素子1は、高温環境下で使用されるものであり、例えば、内燃機関のグロープラグに取り付けられて使用される。図1及び図2に示されるように、圧力センサ素子1は、圧電材料からなる圧電素子10と、誘電体等からなる高抵抗材料膜20とを備えており、全体的に平板状に形成されている。詳しくは、圧電素子10は、分極方向において表裏の関係にある上面10aと下面10bとを有しており、上面10aの全体と下面10bの全体とが高抵抗材料膜20によって覆われている。図示した圧力センサ素子1は、圧電素子10から電荷を取り出すための電極電極膜30を更に備えている。圧力センサ素子1に電極30を形成する場合、高抵抗材料膜20は、少なくとも一部が圧電素子10と電極30との間に挟まれるように形成されていてもよいし図1参照、電極30は、少なくとも一部が圧電素子10と高抵抗材料膜20との間に挟まれるように形成されていてもよい図2参照。また、図1から理解されるように、圧力センサ素子1の製造時点では電極30を形成せず、必要に応じて取り付けることもできる。以上のように構成された圧力センサ素子1においては、圧電素子10と高抵抗材料膜20とが電気的に直列に接続されている。従って、高温環境において圧電素子10の電気抵抗値が低下した場合でも、圧力センサ素子1全体としては高い電気抵抗値を維持することができる。本実施形態における圧電素子10は、酸化亜鉛単結晶からなる。圧電材料には大別して単結晶材料と多結晶材料とがある。単結晶材料としては、酸化亜鉛、水晶、ランガサイト系結晶、リン酸ガリウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等があり、多結晶材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム等がある。圧電素子10の材料は上述した酸化亜鉛単結晶に限定されるわけではないが、高温環境下で精度の高い圧力検出を行うためには、高抵抗を有するものが好ましい。高抵抗材料膜20は、圧力センサ素子1の使用温度範囲内において圧電素子10の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する高抵抗材料によって形成されていればよい。有機無機の種類や化学的組成の種類などは問わないが、圧電素子10における分極が高抵抗材料の分極により上側及び下側の電極30に伝えられることを考慮すると、例えば、ガラス系材料やセラミックス系材料のような、焦電効果を示さない誘電体を用いることが好ましい。具体的には、SiO2、Al2O3、AlN、MgO、SiAlON、SiNのいずれか1つ又は2つ以上の混合物を高抵抗材料とし、1層又は2層以上多層に形成すればよい。本実施形態による高抵抗材料膜20は、アモルファス構造のSiO2からなる。電極30は、1層の金属膜によって形成してもよいし、2層以上多層の金属膜を積層して形成してもよい。金属膜のそれぞれは、例えば、Pt、Ti、Au、Cr、W、Pd、Ni、Ag、Al、Ta、又はMoのいずれかを材料とすることができる。図3aに示されるように、従来の圧力センサ素子1 ́は、圧電素子10の分極方向である上側及び下側に電極30が形成されており、高抵抗材料膜20を備えていない。この圧力センサ素子1 ́の上下面に圧力が印加されると、圧力に比例する分極電荷が出力されるので、この分極電荷を測定することで印加された圧力を測定することができる。具体的には、圧力センサ素子1 ́をチャージアンプ50に接続し、圧力センサ素子1 ́の起電力によって接点51aと接点51bとの間に発生する電流を積分増幅し、接点52aと接点52bとの間に発生する電圧を圧力信号として測定する。しかしながら、このような測定を行う場合、現実には付加的要因としてチャージアンプ50の入力端子に発生するオフセット電圧が圧力センサ素子1 ́にオフセット電流を流すため、チャージアンプ50は圧力に起因する電流とオフセット電流の和を積分増幅することになる。ここで、オフセット電流の大きさは圧力センサ素子1 ́の抵抗値とオフセット電圧に依存する。また、圧力センサ素子1 ́の抵抗値は温度に依存し、一般に温度上昇に伴い抵抗値は減少する。このため、例えば、ある電圧値を有するオフセット電圧が発生し、圧力センサ素子1 ́の抵抗値が温度に依存して変化する場合、以下に説明するように、測定精度の低下が生じる。まず、室温では圧力センサ素子1 ́の抵抗値が大きいため、図3bに示されるように、オフセット電流は無視できるほど小さい。従って、実質的に、圧力センサ素子1 ́の起電力により発生する電流のみが積分増幅されるため、チャージアンプ50の接点52aと接点52bとの間に発生する電圧は、図3に示されるように観測される。一方、高温では圧力センサ素子1 ́の抵抗値が減少するため、図3dに示されるようにオフセット電流が増加する。このため、オフセット電流を積分増幅することによるドリフト現象が発生し、チャージアンプ50の接点52aと接点52bとの間に図3eに示されるような電圧が発生する。以上のように、従来の圧力センサ素子1 ́は、高温環境下において観測精度が低下する。一方、本実施形態における圧力センサ素子1は、高抵抗材料膜20を備えているので、高温環境化においても高い電気抵抗値を有し、このためドリフトが殆ど発生しない。従って、本実施形態における圧力センサ素子1は、高温環境下においても高い観測精度を保つことができる。換言すれば、高抵抗材料膜20は、圧力センサ素子1の使用温度範囲内において、ドリフトが実質的に発生しない程度の抵抗値を有する必要がある。具体的には、高抵抗材料膜20を備えた圧力センサ素子1は、400°C~500°Cの温度環境において、1×1011Ω以上の抵抗値を有する必要があり即ち、圧電素子10と高抵抗材料膜20との合成抵抗値が、1×1011Ω以上である必要があり、そのためには、高抵抗材料膜20の常温における抵抗値が1×1011Ω以上であることが好ましい。アモルファス構造のSiO2は上記の条件を満たしており、高抵抗材料膜20の材料として適している。ドリフトを防止するためには高抵抗材料膜20の膜厚を厚くして抵抗値を高くした方がよいが、圧電素子10に発生した電荷を電極30にロスなく導くためには膜厚を薄くした方がよい。また、高抵抗材料膜20の膜厚が過度に薄い場合具体的には0.1μmより薄い場合には、圧電素子10の表面の粗さ凹凸をカバーすることができない。逆に、高抵抗材料膜20の膜厚が過度に厚い場合具体的には10μmより厚い場合には、高抵抗材料膜20にクラックが入る恐れがある。さらに、高抵抗材料膜20は、圧電素子10に直列に接続される容量性物質層および応力緩衝層となるため、圧電素子感度と素子抵抗高抵抗化はトレードオフの関係にある。以上に説明した諸条件を鑑みると、高抵抗材料膜20を、抵抗率が1×1011Ωcm以上かつ1×1018Ωcm以下好ましくは1×1014Ωcm以上かつ1×1018Ωcm以下のアモルファス構造のSiO2によって形成する場合、高抵抗材料膜20の膜厚は0.1μm以上かつ10μm以下とすることが好ましい。本実施形態による高抵抗材料膜20は、高抵抗材料からなるガラスコート液に圧電素子10を浸漬し乾燥させることで形成することができる。また、ゾルゲル法、印刷、スパッタリング、蒸着法、又は化学気相堆積法CVD:ChemicalVaporDepositionのいずれかの方法により形成することもできる。なお、高抵抗材料膜20は、圧電素子10の上面10a又は下面10bの一方にのみ形成してもよいし、上面10a下面10b全体ではなく上面10a下面10bの一部を覆っていてもよい。また、上面10aと下面10bだけでなく側面に形成してもよい。さらに、高抵抗材料膜20の膜厚は、上面10a側と下面10b側で同一でもよいし、異なっていてもよい。即ち、高抵抗材料膜20は、上面10aと下面10bとの少なくとも一方を少なくとも部分的に覆っていればよい。次に、具体的な例を挙げ、本発明についてより詳しく説明する。実施例まず、酸化亜鉛単結晶を材料とする平板状の圧電素子を作製した。圧電素子は2×2mmの上面及び下面を有しており、厚さは0.5mmである。圧電素子は上下方向に分極している。次に、圧電素子全体にアモルファス構造のSiO2膜のコーティングを施した。具体的には、圧電素子をガラスコート剤SSL-SD2000、有エクスシア製に浸漬し、取り出した後、室温で乾燥させた。乾燥後、オーブンに入れて250°Cで1時間加熱した。加熱後の圧電素子の上面及び下面は、膜厚2μmのSiO2膜高抵抗材料膜によって覆われていた。最後に、上側及び下側の高抵抗材料膜に電極を取り付けた。以上の方法で、実施例の圧力センサ素子を得た。なお、本実施例ではチップ状態で高抵抗材料膜を形成したが、ウェハ状態の圧電素子材料へ高抵抗材料膜を形成後、ダイシングなどにより分割してチップ化しても良い。比較例実施例と同様に、酸化亜鉛単結晶を材料とする平板状の圧電素子を作製した。圧電素子は2×2mmの上面及び下面を有しており、厚さは0.5mmである。圧電素子は上下方向に分極している。この圧電素子の上側及び下側に電極を取り付けたものを比較例の圧力センサ素子とした。比較例の圧力センサ素子は高抵抗材料膜を備えていない。即ち、従来の圧力センサ素子である。実施例の圧力センサ素子と比較例の圧力センサ素子のそれぞれについて、常温における電気抵抗値を測定した。図4に示されるように、高抵抗材料膜を備えた実施例の圧力センサ素子は、比較例の圧力センサ素子に対して著しく電気抵抗が向上している。実施例の圧力センサ素子と比較例の圧力センサ素子のそれぞれについて、感度を測定した。感度は、圧力センサ素子に直接荷重を加えた際に発生する電荷量を計測することで測定した。図5に示されるように、実施例の圧力センサ素子と比較例の圧力センサ素子とに感度の相違はない。即ち、高抵抗材料膜を備えることで圧力センサ素子の感度には大きな影響を与えずに電気抵抗の向上が得られている。実施例の圧力センサ素子と比較例の圧力センサ素子のそれぞれについて、室温から400°Cまでの範囲で温度を変化させて電気抵抗値を測定した。図6に示されるように、温度が高いほど、本発明による効果が大きい。例えば、400°Cの温度下において、比較例の圧力センサ素子は著しく電気抵抗値が低下しているのに対し、実施例の圧力センサ素子の電気抵抗値の低下は軽微である。なお、本実施例における高抵抗材料膜であるSiO2膜の電気抵抗値は、圧電素子の酸化亜鉛単結晶の示す電気抵抗値と比較して格段に大きく、本実施例である圧力センサ素子の示す電気抵抗値にほぼ一致すると考えてよい。また、この測定を行うために室温から400°Cまでの昇降温を繰り返したが、実施例の圧力センサ素子については、圧電素子と高抵抗材料膜のいずれにもクラックや剥離が生じなかった。即ち、本発明による圧力センサ素子は、温度サイクル負荷に対しても信頼性が高いことが分かった。本発明によるドリフト抑制効果を検証した。具体的には、実施例の圧力センサ素子と比較例の圧力センサ素子のそれぞれを、図3aと同様にチャージアンプに接続し、圧力センサ素子に圧力を印加しない状態で、接点52aと接点52bの間の出力電圧を測定した。測定した出力電圧からドリフト電流の電荷量を求めた。図7に示されるように、室温下において、比較例の圧力センサ素子は時間が経過するに伴い電荷量が大きくなるがドリフトが大きくなるが、実施例の圧力センサ素子についてはドリフトが観測されなかった。また、図8に示されるように、80°Cの温度下においては、比較例の圧力センサ素子は室温下での計測結果と比較してドリフトが著しく大きいが、実施例の圧力センサ素子のドリフトは極めて軽微である。室温及び80°Cにおいて計測されたドリフト電流の電荷量を表1に示す。表1に示されるように、比較例の圧力センサ素子に対する実施例の圧力センサ素子のドリフト電流の電荷量は、室温下では約1/100であり、80°Cの温度下では約1/1000である。