基板と、該基板上に堆積された石英系ガラスからなるアンダークラッド層と、石英系ガラスからなり前記アンダークラッド層上に堆積され光伝搬作用を有するコアと、石英系ガラスからなり前記コアと前記アンダークラッド層との上に堆積された第1のオーバークラッド層と、石英系ガラスからなり前記第1のオーバークラッド層の上に堆積された1または複数のオーバークラッド層とを含む石英系光導波路であって、前記第1のオーバークラッド層を形成したあと、前記1または複数のオーバークラッド層を形成するまえに、前記第1のオーバークラッド層に1100°C以上1400°C以下である熱処理を施すことを特徴とする光導波路。請求項1に記載の光導波路であって、前記1または複数のオーバークラッド層を形成するそれぞれの工程のうち、少なくとも1つの工程と、前記少なくとも1つの工程の次の工程との間に、1100°C以上1400°C以下である熱処理をさらに施すことを特徴とする光導波路。請求項1または2に記載の光導波路であって、前記第1のオーバークラッド層はドーパントのないSiO2であり、前記1または複数のオーバークラッド層はB、およびPを含むSiO2BPSGであることを特徴とする光導波路。基板上に石英系ガラスからなるアンダークラッド層を形成する工程と、前記アンダークラッド層上に、石英系ガラスからなり光伝搬作用を有するコアを形成する工程と、前記アンダークラッド層と前記コアとの上に、石英系ガラスからなり前記コアを埋め込む第1のオーバークラッド層を形成する工程と、前記第1のオーバークラッド層に1100°C以上1400以下である熱処理を施す工程と、熱処理を施した前記第1のオーバークラッド層上に、石英系ガラスからなる1または複数のオーバークラッド層をさらに形成する工程とを備えたことを特徴とする光導波路の作製方法。請求項4に記載の方法であって、前記1または複数のオーバークラッド層を形成するそれぞれの工程のうち、少なくとも1つの工程と、前記少なくとも1つの工程の次の工程との間に、1100°C以上1400°C以下である熱処理を施す工程をさらに備えたことを特徴とする方法。伝搬損失低減を目的として、コアガラスの結晶化を回避するための、コア内部へのドーパント拡散を防止する複数層オーバークラッド構造を採用する場合の大きな懸念事項として、主にコアに接する層の緻密化が不十分であると、導波光が、緻密化が不十分な領域を感じるために散乱損失が増加する問題がある。コアに接する第1層目のオーバークラッド層がドーパント拡散防止層として効率よく機能するためには、まずこの層内のドーパントが極力少なく、コアとこの層以降に堆積する第2層目以降のオーバークラッド層よりも軟化温度が高いことが求められ、更にこの層が第2層目以降のオーバークラッド層に先駆けて十分に緻密化している必要がある。しかしながら従来の複数層オーバークラッド構造を形成する熱処理工程ではコアに接する第1層やそれ以降に堆積する層の緻密化が必ずしも十分でなかった。以下に、従来の10-ΔSiO2-Ta2O5光導波路を具体例として説明する。図2は従来の、コア膜堆積後、オーバークラッド層堆積後に1100°Cで熱処理した10-ΔSiO2-Ta2O5光導波路の単層構造と二層オーバークラッド構造の導波路の伝搬損失スペクトルである。オーバークラッド層が単層構造のものは、オーバークラッド層にドーパントを添加し、オーバークラッド層を堆積後に熱処理を行っている。オーバークラッド層が二層構造のものは、コア膜に接する一層目のオーバークラッド層拡散防止層はドーパント濃度を極力低くし、二層目のオーバークラッド層は一層目のオーバークラッド層よりドーパント濃度を高くしてある。熱処理は、二層目のオーバークラッド層を堆積後に一度熱処理を行っている。単層構造の1100°C熱処理では、格段に伝搬損失が上昇しており、特に短波長側で大きな増大傾向を示している。これは、オーバークラッド層に含まれるドーパントがコア内に拡散したため、コアガラスが結晶化したことによる散乱損失増加によるものと考えることができる。また単層構造に比べ二層構造では短波長側の損失増加は抑制されてはいるが、波長1300nmにおける伝搬損失は約0.6dB/cmとまだ全体的に高めで、これはコアに接する第一層オーバークラッド層の緻密化が不十分であるために散乱損失が増加していると考えられる。本発明の目的は、光通信システムおよび光信号処理システムで中心的役割を担う高性能なPLCデバイスの光導波路作製工程において、熱処理によるコアガラスの結晶化を回避し、コアに接する第一層やコア近傍の以降の層の緻密化が不十分なことによる、散乱損失増加を抑制することを特徴とする低損失な光導波路とその作製方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構成とするものである。すなわち、請求項1に記載のように、基板と、基板上に堆積された石英系ガラスからなるアンダークラッド層と、石英系ガラスからなりアンダークラッド層上に堆積され光伝搬作用を有するコアと、石英系ガラスからなりコアと前記アンダークラッド層との上に堆積された第1のオーバークラッド層と、石英系ガラスからなり第1のオーバークラッド層の上に堆積された1または複数のオーバークラッド層とを含む石英系光導波路であって、第1のオーバークラッド層を形成したあと、1または複数のオーバークラッド層を形成するまえに、第1のオーバークラッド層に1100°C以上1400°C以下である熱処理を施すことを特徴とする。また、請求項2のように、請求項1に記載の光導波路であって、1または複数のオーバークラッド層を形成するそれぞれの工程のうち、少なくとも1つの工程と、少なくとも1つの工程の次の工程との間に、1100°C以上1400°C以下である熱処理をさらに施すことを特徴とする。また、請求項3のように、請求項1または2に記載の光導波路であって、第1のオーバークラッド層はドーパントのないSiO2であり、1または複数のオーバークラッド層はBPSGであることを特徴とする。また、請求項4のように、光導波路の作製方法であって、基板上に石英系ガラスからなるアンダークラッド層を形成する工程と、アンダークラッド層上に、石英系ガラスからなり光伝搬作用を有するコアを形成する工程と、アンダークラッド層とコアとの上に、石英系ガラスからなりコアを埋め込む第1のオーバークラッド層を形成する工程と、第1のオーバークラッド層に1100°C以上1400以下である熱処理を施す工程と、熱処理を施した第1のオーバークラッド層上に、石英系ガラスからなる1または複数のオーバークラッド層をさらに形成する工程とを備えたことを特徴とする。また、請求項5のように、請求項4に記載の方法であって、1または複数のオーバークラッド層を形成するそれぞれの工程のうち、少なくとも1つの工程と、少なくとも1つの工程の次の工程との間に、1100°C以上1400°C以下である熱処理を施す工程をさらに備えたことを特徴とする。すなわち本発明は、コアガラスの結晶化を回避する光導波路を作製するためのコア内部へのドーパント拡散を防止する複数層オーバークラッド構造を有する光導波路作製工程において、従来の熱処理工程で問題となるコアに接する第一層やコア近傍の以降の層の緻密化が不十分なことに起因する散乱損失増加を抑制することを目的としている。この結果光導波路の低損失化が実現できるので、PLCデバイス産業界において本発明の光導波路の果たす役割は極めて大きい。以上説明したように、本発明によると、光通信システムおよび光信号処理システムで中心的役割を担う高性能なPLCデバイスの光導波路作製工程、特にコアガラスの結晶化を回避する光導波路を作製するためのコア内部へのドーパント拡散を防止する複数層オーバークラッド構造を有する光導波路作製工程において、コアに接する第一層やコア近傍の以降の層の緻密化を十分行うことによって散乱損失増加が抑制されるので、低損失な光導波路の提供が可能となる。本発明の実施形態の一例として二層オーバークラッド構造を有する10-ΔSiO2-Ta2O5光導波路の作製法を述べる。以下、本実施形態の作製工程の概要を説明する。実施例1にかかる構造を図3に示す。まず、Si基板1上にFHD法でアンダークラッド層2を15μm堆積し、続いて、スパッタ成膜法によってコア膜として10-ΔSiO2-Ta2O5膜を1.5μm堆積した。続いてコアの膜質安定化のために酸素雰囲気中900°Cで3時間の熱処理を行った。次にフォトリソグラフィーとドライエッチングにより光導波路パターンのコア加工4を行った。オーバークラッドはAP-CVD法によって二層オーバークラッド構造とした。初めにコア4に接する第一層オーバークラッド6としてSiO2層を0.5μm堆積し、引き続き酸素雰囲気中1100°Cで3時間の熱処理を行った。次に第二層オーバークラッド7としてBPSG層を10μm堆積し、引き続き酸素雰囲気中1100°Cで3時間の熱処理を行った。ここでAP-CVD法による二層のオーバークラッド成膜温度はおよそ450°Cである。以上の工程で作製した2.0μm幅の光導波路の伝搬損失を評価すると通信波長帯1550nmで約0.07dB/cmとなり、実用的なPLCデバイスとしての一つの目安となる損失、0.1dB/cm以下となる、非常に低損失な光導波路を実現することができた。図4に本発明の導波路と従来の二層オーバークラッド構造導波路の伝搬損失スペクトルを示す。本発明による導波路では、短波長側での伝搬損失増加が抑えられている、つまりコアに接する第一層の緻密化が十分なされていることが分かる。更にこの光導波路を断面形状として、透過型電子顕微鏡TEM観察を行うと、コア内部に結晶化が進行していないことを確認できた。PLCデバイス作製の後工程において、オーバークラッド層の平坦化が求められる場合に次のような工程で光導波路を作製した。実施例1と同様に、まずSi基板上にFHD法でアンダークラッド層を15μm堆積し、続いて、スパッタ成膜法によってコア膜として10-ΔSiO2-Ta2O5膜を1.5μm堆積した。続いてコアの膜質安定化のために酸素雰囲気中900°Cで3時間の熱処理を行った。次にフォトリソグラフィーとドライエッチングにより光導波路パターンのコア加工を行った。オーバークラッドはAP-CVD法によって二層オーバークラッド構造とした。初めにコアに接する第一層オーバークラッドとしてSiO2層を1.5μm堆積し、引き続き酸素雰囲気中1100°Cで3時間の熱処理を行った。次に第二層としてBPSG層を10μm堆積し、引き続き酸素雰囲気中1150°Cで3時間の熱処理を行った。ここでAP-CVD法による二層のオーバークラッド成膜温度は実施例1と同様およそ450°Cである。ここでは、オーバークラッド層の平坦化を実現するために堆積後の熱処理温度をより高温に設定し、コアに接する第一層オーバークラッドの層厚を厚くした。以上の工程で作製した2.0μm幅の光導波路の伝搬損失を評価すると、結果は実施例1と同様、通信波長帯1550nmで約0.09dB/cmとなり0.1dB/cm以下の損失が得られ、またTEM観察より、コア内部に結晶化が進行していないことを確認できた。本実施例では一例として二層オーバークラッド構造を有する10-ΔSiO2-Ta2O5光導波路の作製を目的として、アンダークラッド層にFHD法、コア膜にスパッタ成膜法、オーバークラッド層にAP-CVD法を用いて堆積したが、本発明の特徴を有する熱処理工程によってコアガラスの結晶化を回避する構造であれば、これら各ステップの成膜法については限定されず、他の堆積法も加えて自由に組み合わせて良い。層間の熱処理温度については、今回は1100°Cまたは1150°Cで行ったが、Si溶融温度を越えない1400°C以下で熱処理効果が顕著となる高温であれば、材料系によってそれぞれ適切なガス雰囲気、温度を選択することができる。