ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくNiを含む合金からなる下地金属層と、前記下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜される銅薄膜層と、前記銅薄膜層の表面に電気めっき法で形成された銅めっき被膜を備える金属化ポリイミドフィルムにおいて、前記銅めっき被膜が、前記銅薄膜層との界面から膜厚2.5μmの範囲では、結晶が、111面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが0.5μm~1.5μmの範囲で、硫黄原子を30重量ppm~250重量ppm含有することを特徴とする金属化ポリイミドフィルム。前記下地金属層が、NiとCrを含む合金であることを特徴とする請求項1に記載の金属化ポリイミドフィルム。ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなく配線パターンを形成したプリント配線基板において、前記配線パターンが、ポリイミドフィルム側からNiを含む合金からなる下地金属層、前記下地金属層の表面に成膜された銅薄膜層、前記銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜の積層構造で、かつ前記銅めっき被膜が、銅薄膜層との界面から膜厚2.5μmの範囲では、結晶が111面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが0.5μm~1.5μmの範囲で、硫黄原子を30重量ppm~250重量ppm含有することを特徴とするプリント配線基板。前記下地金属層が、NiとCrを含む合金であることを特徴とする請求項3に記載のプリント配線基板。前記金属化ポリイミドフィルムの前記下地金属層、銅薄膜層と銅めっき被膜からなる金属膜の積層体を、サブトラクティブ法を用いて配線パターンに形成することを特徴とする請求項3または4に記載のプリント配線基板の製造方法。本発明は、このような事情に鑑み、サブトラクティブ法を用いた加工においても、微細配線加工性に優れたメタライジング法による2層金属化ポリイミドフィルムを提供することにある。さらに、この微細配線加工性に優れた2層金属化ポリイミドフィルムを基材に用いたプリント配線基板を提供する。本発明の第1の発明は、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくNiを含む合金からなる下地金属層と、その下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜される銅薄膜層と、その銅薄膜層の表面に電気めっき法で形成された銅めっき被膜を備える金属化ポリイミドフィルムにおいて、銅めっき被膜が銅薄膜層との界面から膜厚2.5μmの範囲では、結晶が111面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが0.5μm~1.5μmの範囲で、硫黄原子を30重量ppm~250重量ppm含有することを特徴とする金属化ポリイミドフィルムである。本発明の第2の発明は、第1の発明における下地金属層が、NiとCrを含む合金であることを特徴とする金属化ポリイミドフィルムである。本発明の第3の発明は、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなく配線パターンを形成したプリント配線基板において、その配線パターンが、ポリイミドフィルム側からNiを含む合金からなる下地金属層、その下地金属層の表面に成膜された銅薄膜層、その銅薄膜層の表面に成膜された銅めっき被膜からなる積層構造で、かつ銅めっき被膜が銅薄膜層との界面から膜厚2.5μmの範囲では、結晶が111面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが0.5μm~1.5μmの範囲で、硫黄原子を30重量ppm~250重量ppm含有することを特徴とするプリント配線基板である。本発明の第4の発明は、第3の発明における下地金属層が、NiとCrを含む合金であることを特徴とするプリント配線基板である。本発明の第5の発明は、第3及び第4の発明における金属化ポリイミドフィルムの下地金属層、銅薄膜層と銅めっき被膜からなる金属膜の積層体を、サブトラクティブ法を用いて配線パターンに形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法である。本発明の金属化ポリイミドフィルムは、従来の金属化ポリイミドフィルムに比べて、サブトラクディブ法による配線加工時に、配線のトップ幅とボトム幅の差を小さい断面形状が均一、且つ、微細な配線加工がし易い特徴を有する。さらに、本発明の金属化ポリイミドフィルムを使用してプリント配線基板における回路を形成すれば、そのファインピッチ化に対応する際にも、信頼性の高い回路を得ることも可能であり、信頼性の高い高密度のプリント配線基板が得られ、工業上顕著な効果を奏するものである。本発明の金属化ポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面に接着剤を介することなくNiを含む合金からなる下地金属層と、その下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜された銅薄膜層を備え、この銅薄膜層の表面に下記に示す構造を有する電気めっき方法で成膜された銅めっき被膜を備えるものである。銅薄膜層の表面に電気めっき方法により成膜される銅めっき被膜は、銅薄膜層との界面から膜厚0.5μm~2.5μmの範囲において、111面に配向した結晶構造を採り、双晶粒界を除くグレインサイズが0.5μm~1.5μmで、被膜中に硫黄原子を30重量ppm~250重量ppm含有することを特徴とするものである。以下に、先ず金属化ポリイミドフィルムを説明する。なお、本発明の金属化ポリイミドフィルムの製造は、メタライジング法を用いて製造される。図1はメタラインジング法で作製された本発明の金属化ポリイミドフィルムの断面を示した模式図である。基材となる樹脂フィルムにポリイミドフィルム2を用い、そのポリイミドフィルム2の少なくとも一方の面には、ポリイミドフィルム側から下地金属層3、銅薄膜層4、銅めっき被膜1の順に成膜され積層されている。[基材:ポリイミドフィルム樹脂フィルム]プリント配線基板に使用する金属化樹脂フィルムの基材としては、機械的強度や耐熱性や電気絶縁性の観点からポリイミドフィルムが望ましいが、用途、要求特性などによっては、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、液晶ポリマーフィルムなどの他の樹脂フィルムを用いることをできる。[下地金属層]下地金属層は、ポリイミドフィルムと銅などの金属層との密着性や耐熱性などの信頼性を確保するものである。従って、下地金属層の材質は、ニッケル、クロム又はこれらの合金の中から選ばれる何れか1種とするが、密着強度や配線作製時のエッチングしやすさを考慮すると、ニッケルクロム合金が好ましい。また、クロム濃度の異なる複数のニッケルクロム合金の薄膜を積層して、ニッケルクロム合金の濃度勾配を設けた下地金属層を構成しても良い。また、上記したニッケルを含む合金からなる下地金属層を設けることで、金属化ポリイミドフィルムの耐食性及び耐マイグレーション性の向上が得られる。なお、下地金属層の耐食性を更に高めるために、ニッケルを含む合金には、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト等を添加しても良い。この下地金属層は、乾式めっき法で成膜することができる。乾式めっき法には、スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法、真空蒸着法、CVD法等がある。いずれの方法を用いても良いが、生産効率が高いことから、工業的にはマグネトロンスパッタリング法を一般的に用いる。例えば、巻取式スパッタリング装置を用いて下地金属層を成膜する場合、下地金属層の組成を有するターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、ポリイミドフィルムをセットした装置内を真空排気した後、Arガスを導入して装置内を13Pa程度に保持する。巻出ロールからポリイミドフィルムを毎分3m程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を開始し、ポリイミドフィルム上に所望の膜厚の下地金属層を連続的に成膜する。また、乾式めっきを行う前に、ポリイミドフィルムと下地金属層の密着性を改善するため、ポリイミドフィルム表面をコロナ放電やイオン照射などで表面処理した後、酸素ガス雰囲気下において紫外線照射処理を行うことが好ましい。これらの処理条件は、特に限定されるものではなく、通常の金属化ポリイミドフィルムの製造方法に適用されている条件でよい。下地金属層の膜厚は、3~50nmとすることが好ましい。下地金属層の膜厚が3nm未満では、最終的に得られた金属化ポリイミドフィルムの金属被膜層をエッチングして配線を作製したとき、エッチング液が金属薄膜を浸食してポリイミドフィルムと金属被膜層の間に染み込み、配線が浮いてしまう場合がある。一方、下地金属層の膜厚が50nmを超えると、エッチングして配線を作製する場合、金属薄膜が完全に除去されず、残渣として配線間に残るため、配線間の絶縁不良を発生させる恐れがある。[銅薄膜層]下地金属層上に積層される銅薄膜層は、下地金属層の上に銅などの金属層を電気めっき法により直接設けようとすると通電抵抗が高く、電気めっきの電流密度が不安定になるためである。下地金属層の上に銅薄膜層を設けることによって通電抵抗が下がり、電気めっき時の電流密度の安定化を図ることができる。銅薄膜層は、乾式めっき法で形成することが好ましい。乾式めっき法は、上記したスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法、真空蒸着法、CVD法等がいずれも使用でき、下地金属層と銅薄膜層の成膜は同じ方法でも又は異なる方法でも可能である。例えば下地金属層をマグネトロンスパッタリング法で成膜した後、銅薄膜層を蒸着法で設けることもできる。好ましい銅薄膜層の成膜方法としては、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着したスパッタリング装置を用いて成膜する。この時、下地金属層と銅薄膜層は、同一の真空装置内で連続して形成することが好ましい。下地金属層を成膜した後、ポリイミドフィルムを装置内から大気中に取り出し、他のスパッタリング装置を用いて銅薄膜層を形成する場合には、銅薄膜を成膜する前に水分を十分に取り除いておく必要がある。銅薄膜層の膜厚は10nm~1μmの範囲が好ましく、20nm~08μmの範囲が更に好ましい。銅薄膜の膜厚が10nmより薄いと、電気めっき時の通電抵抗を十分下げることができない。また、膜厚が1μmよりも厚くなると、成膜に時間が掛かりすぎ、生産性を悪化させ、経済性を損なうからである。[銅めっき被膜]以上、示してきたように下地金属層上に銅薄膜層を積層してなる金属薄膜の表面に、銅電気めっき方法を用いて銅めっき被膜を成膜して金属化ポリイミドフィルムを作製する。この銅めっき被膜の厚みは、例えばサブトラクティブ法によって配線パターンを形成する場合、数μm~12μmが一般的である。なお、電気めっきによる銅層などの金属層の形成に先立って、予め金属薄膜の表面に銅等の金属を無電解めっき法で成膜しておくこともできる。本発明では銅めっき被膜の成膜時に、銅薄膜層界面から膜厚2.5μmまでは、電流密度を0.5A/dm2以下とする電流制御と、硫黄原子を持つ有機化合物を8重量ppm~30重量ppm含む銅めっき液を用いることによって得られる、銅めっき被膜の銅薄膜層界面から膜厚2.5μmまでは銅めっき被膜の結晶が111面に配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが0.5μm~1.5μmの範囲内にあり、且つ硫黄原子を30重量ppm~250重量ppm含む銅めっき被膜を用いる。なお、銅めっき被膜の銅薄膜層界面から膜厚2.5μmまでは銅めっき被膜の結晶が111面に10以上配向し、双晶粒界を除くグレインサイズが0.5μm~1.5μmの範囲内にある。ここで、グレインの111面の配向の割合は、結晶の111面の法線に対し±5°の範囲に配向しているグレインが測定範囲の面積に占める割合である。また、グレインサイズとは、測定した領域での各結晶のグレインの大きさと出現頻度のヒストグラムのピークにあたるグレインの大きさとしている。[プリント配線板]本発明のプリント配線板は、上記金属化ポリイミドフィルムにサブトラクティブ法を用いて配線加工を加えることで作製する。ところで、プリント配線板におけるサブトラクティブ法による配線加工では、銅めっき被膜のうちポリイミドフィルム側の銅薄膜層界面から膜厚2.5μmまでの部分が配線断面のボトムの形状を決めることになる。すなわち配線のボトムの幅が配線の幅となるため、ボトムは裾広がりにならないようにする必要がある。そこで、本発明のような111面に配向した結晶状態で、且つ硫黄原子の含有する銅層が、ポリイミドフィルム側に配された金属化ポリイミドフィルムは、サブトラクティブ法で配線加工すると、ボトムの裾広がりを抑え配線のトップ幅とボトム幅の差を小さくすることを可能とする。その理由としては、高い電流密度による電気めっきで析出する銅の結晶のグレインサイズは大きくなるが、このグレインサイズが大きい場合では、結晶はエッチングされ難くなる。そこで、プリント配線板を作製する際に、サブトラクティブ法でエッチングすると銅めっき被膜の表面配線の頂上、トップ側は、グレインサイズが大きいためにエッチングされ難くなり、ポリイミドフィルム側配線の底部、ボトム側は低い電流密度で111面に配向した結晶状態にあるためにエッチングされ易くなっていて、したがってトップ幅とボトム幅の差を小さくすることが可能である。特に、今後の25μm以下の狭ピッチ化にも好適であり、信頼性の高い、高密度のフレキシブル配線板を得られる。なお、金属化ポリイミドフィルムをサブトラクティブ法により配線加工する際に用いる銅めっき被膜用のエッチング液は、特別な配合の塩化第二鉄と塩化第二銅と硫酸銅とを含む水溶液や特殊な薬液の他に、一般的な比重40°ボーメ~45°ボーメの塩化第二鉄水溶液や比重40°ボーメ~45°ボーメの塩化第二銅水溶液を含む市販のエッチング液を用いても配線パターンの断面形状における本発明の効果を得ることができる。[金属化ポリイミドフィルムの製造]本発明による金属化ポリイミドフィルムの製造、特に銅めっき被膜の形成は、例えば図2に示すようなロールツーロール方式の連続めっき装置を用いて実施される。銅薄膜層を成膜した銅薄膜層付ポリイミドフィルムFは、巻出ロール12から巻き出され、電気めっき槽11内のめっき液18への浸漬を繰り返しながら連続的に搬送される。銅薄膜層付ポリイミドフィルムFは、めっき液18に浸漬されている間に電気めっきにより銅薄膜層の表面に銅層が成膜され、所定の膜厚の銅めっき被膜が形成された後、金属化ポリイミドフィルム基板Sとして巻取ロール15に巻き取れられる。なお、銅薄膜層付ポリイミドフィルムFの搬送速度は、数m~数十m/分の範囲が好ましい。具体的に説明すると、銅薄膜層付ポリイミドフィルムFは、巻出ロール12から巻き出され、ガイドロール17aと給電ロール16aを経て、電気めっき槽11内のめっき液18に浸漬される。電気めっき槽11内に入った銅薄膜層付ポリイミドフィルムFは、反転ロール13aを経て搬送方向が反転され、ガイドロール17bにより電気めっき槽11外へ引き出される。このように、銅薄膜層付ポリイミドフィルムFが、めっき液18への浸漬を複数回図2では4回繰り返す間に、銅薄膜層付ポリイミドフィルムFの銅薄膜層上に銅めっき被膜が形成される。給電ロール16aと陽極14a-1および14a-2の間には電源図示せずが接続されている。給電ロール16a、陽極14a-1および14a-2、めっき液18、銅薄膜層付ポリイミドフィルムおよび前記電源により電気めっき回路が構成される。また、陽極は、銅製の可溶性陽極であっても、導電性セラミックで表面をコーティングした不溶性陽極であってもよい。なお、不溶性陽極を用いる場合には、電気めっき槽11の外部に、めっき液18に銅イオンを供給する機構を備える必要がある。陽極14a-1、14a-2、14b-1、14b-2、14c-1、14c-2、14d-1、14d-2と銅薄膜層付ポリイミドフィルムFの搬送が進むにつれて電流密度が上昇する。このように電流密度を上昇させることで、銅めっき被膜の変色を防ぐことができる。特に、銅めっき被膜の膜厚が薄い場合に電流密度が高いと銅めっき被膜の変色が起こりやすい。ただし、銅めっき被膜に電気めっきによる変色が発生しないように各陽極の電流密度を上昇させても、各陽極の電流密度と銅めっき被膜の膜厚が本発明の銅電気めっき方法の条件を満たす必要があることに留意する。このうち、銅めっき被膜の膜厚の2.5μm以下までは、電源から供給される電流密度が0.5A/dm2以下とする制御が必要である。電流密度を0.5A/dm2以下に制御することで、銅めっき被膜の結晶を111面に配向させ、且つ双晶粒界を除く銅結晶をグレインサイズ:0.5μm~1.5μmの範囲に制御することができる。電流密度は、0.5A/dm2以下であれば良く、生産効率を考えると電流密度は0.1A/dm2以上が適正と言える。銅薄膜層付ポリイミドフィルムに銅の電気めっきを行う際には、銅めっき被膜の膜厚が0.5μmのように極薄い場合には、電流密度を低く制御するのは上述の通りである。銅めっき被膜の膜厚が0.5μmまでは、本発明の銅電気めっき方法と同様な条件で成膜を行っても、膜厚0.5μmを越え2.5μmまでの範囲で本発明の銅電気めっき方法の電流密度の条件を越えると、上記結晶状態とすることはできない。銅めっき被膜の結晶を111面に配向させるには、銅薄膜層付ポリイミドフィルムの銅薄膜層の結晶を111面に配向させればよく、そのためにスパッタリング等の乾式めっき法の成膜条件を適宜選択すればよい。めっき液18は、硫黄原子を構成原子に有する有機化合物を8重量ppm~30重量ppm含むものである。この硫黄原子を有する有機化合物としてはSPS:[BiS3-sulfopropyldisulfidedisodium]やその誘導体を添加すればよい。例えばSPSは、銅めっき液の光沢剤として市販されている。硫黄原子を構成原子に有する有機化合物の含有率が、8重量ppm以下では、銅めっき被膜に取り込まれる硫黄原子の量が少なくなる。一方、含有率が30重量ppmを越えても銅めっき被膜に取り込まれる硫黄原子の量は、30重量ppmの場合と差が生じず、経済的にも効果がない。以下、実施例を用いて本発明を詳細する。銅めっき被膜について電子後方散乱回折像法EBSP法で銅結晶の配向と双晶を除くグレインサイズを測定し、二次イオン質量分析装置D-SIMSにて硫黄原子の含有率を測定した。測定結果を銅薄膜層側から膜厚2.5μmまでの範囲と、膜厚2.5μmを超えた範囲で分けて解析した。なお、電子後方散乱回折像法EBSP法:ElectronBack-scatteringPattern測定条件、二次イオン質量分析装置D-SIMS:Dinamics-SecondaryIonMassSpectroscopyの測定条件は、以下の通りである。1EBSP電子後方散乱回折像法測定条件回折装置:TSL社製:MSC-2200測定条件:加速電圧:15kV、測定ステップ:0.28μmグレインの111面配向の割合は、111面の法線方向に±5°の範囲で配向しているグレインを測定範囲での面積の占有率で算出した。2D-SIMS二次イオン質量分析装置二次イオン質量分析装置:CAMECA製ims5f二次イオン質量分析装置測定条件:一次イオン条件:Cs14.5keV30nA、照射領域:150μm×150μm、分析領域:φ60μm、二次イオン極性:負一般的に、電気的陽性元素Li、B、Mg、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Mo、In、Ta等を分析する場合には酸素イオンを照射して正の二次イオンを検出する。対して、電気的陰性元素H、C、O、F、Si、S、Cl、As、Te、Au等を分析する場合にはセシウムイオンを照射して負の二次イオンを検出すると感度よく測定できる、試料室真空度:8.0×10-8Pa、スパッタ速度:約22Å/secCu厚とスパッタ時間から、分析した深さまでの平均的なスパッタ速度を求めた。この値を用いて各試料のスパッタ時間を深さに換算で測定した。また、サブトラクティブ法による配線加工で用いたエッチング液は、塩化第二鉄水溶液比重40°ボーメ、温度43°Cであった。厚み38μmのポリイミドフィルム東レデュポン製カプトンEN登録商標にスパッタリング法によりNi/20Cr合金からなる厚み20nmの下地金属層を形成し、この下地金属層の表面に銅薄膜層を厚み100nm形成して金属薄膜層付ポリイミドフィルムを作製した。次に、作製した金属薄膜層付ポリイミドフィルムを、図2に示すロールツーロール連続めっき装置を使用して、銅薄膜層の表面に銅めっき被膜層を厚み8.5μm成膜した。用いる銅めっき液は、温度27°C、pH1以下の硫酸銅溶液であり、SPSを8重量ppm含有させた。各陽極の電流密度と、各陽極が銅電気めっきで成膜する厚みを表1に示す。銅めっき被膜の膜厚が銅薄膜層との界面から2.5μmまでは電流密度0.5A/dm2以下で成膜し、その後3A/dm2で、6μm形成した。得られた金属化ポリイミドフィルムをライン幅12μm、スペース18μm30μmピッチとなるようにフォトレジスト膜を配してサブトラクティブ法で配線加工を行い、プリント配線基板を作製した。配線加工を行った後、断面観察をしたところトップ幅12.1μmの時、ボトム幅は15.2μmとなり、断面観察検査をクリアする良好な結果を得た。また、銅薄膜層側から膜厚2.5μmの銅めっき被膜のS濃度と結晶配向とグレインサイズを測定したところ、S濃度は150質量ppmで、結晶配向は111面配向が15あり、グレインサイズは1.1μmであった。結果を表3に示す。なお、銅薄膜層側から膜厚2.5μmを超える範囲では、グレインサイズ双晶粒界を除くは、5.7μmであった。図3に、実施例1のEBSP電子後方散乱回折像測定チャートを示す。縦軸は、金属化ポリイミドフィルムの膜厚方向を示し、下側が銅薄膜層側である。横軸は金属化ポリイミドフィルムのTD方向幅方向である。表1の電流密度の条件で製造した以外は実施例1と同様と同様の方法で金属化ポリイミドフィルムを製造した。配線加工を行った後、断面観察をしたところトップ幅12.0μmの時、ボトム幅は15.2μmとなり、断面観察検査をクリアする良好な結果を得た。また、銅薄膜層側から膜厚2.5μmの銅めっき被膜の硫黄原子の含有率と結晶配向とグレインサイズを測定したところ、硫黄原子の含有率は160重量ppmで、結晶配向は111面配向が11あり、グレインサイズは0.5μmであった。結果を表3に示す。なお、銅薄膜層側から膜厚2.5μmを超える範囲では、グレインサイズ双晶粒界を除くは、6.1μmであった。表1の電流密度の条件で製造した以外は実施例1と同様の方法で金属化ポリイミドフィルムを製造した。配線加工を行った後、断面観察をしたところトップ幅12.0μmの時、ボトム幅は15.2μmとなり、断面観察検査をクリアする良好な結果を得た。また、銅薄膜層側から膜厚2.5μmの銅めっき被膜の硫黄原子の含有率と結晶配向とグレインサイズを測定したところ、硫黄原子の含有率は180重量ppmで、結晶配向は111面配向が18あり、グレインサイズは1.5μmであった。結果を表3に示す。なお、銅薄膜層側から膜厚2.5μmを超える範囲では、グレインサイズ双晶粒界を除くは、5.9μmであった。比較例1銅めっき被膜の膜厚が0.5μmとなるまでは、電流密度を0.5A/dm2以下として銅めっきを行い、さらに表2に示すように銅めっき被膜の膜厚が2.5μmとなるまで、電流密度0.8A/dm2に上昇させて銅電気めっきを行った以外は実施例1と同様の方法で金属化ポリイミドフィルムを製造した。得られた金属化ポリイミドフィルムを30μmピッチの配線加工を施した。実施例1と同様に断面観察をしたところ、トップ幅12.1μmの時、ボトム幅は17.0μmとなり、実施例1の断面形状より裾広がりの様相を呈し、断面観察検査をクリアすることができなかった。また、銅薄膜層側から膜厚2.5μmの銅めっき被膜のS濃度と結晶配向とグレインサイズを測定したところ、硫黄原子の含有率は25重量ppmで、結晶配向はランダム配向であり、グレインサイズは4.5μmであった。また、グレインの111面への配向は、0.2であった。結果を表3に示す。図4に、比較例1のEBSP電子後方散乱回折像測定チャートを示す。縦軸は、金属化ポリイミドフィルムの膜厚方向を示し、下側が銅薄膜層側である。横軸は金属化ポリイミドフィルムのTD方向幅方向である。比較例2表2の電流密度で銅電気めっきを行った以外は実施例1と同様の方法で金属化ポリイミドフィルムを製造した。実施例1と同様に断面観察をしたところ、トップ幅12.0μmの時、ボトム幅は17.0μmとなり、実施例1の断面形状より裾広がりの様相を呈し、断面観察検査をクリアすることができなかった。また、銅薄膜層側から膜厚2.5μmの銅めっき被膜のS濃度と結晶配向とグレインサイズを測定したところ、硫黄原子の含有率は20重量ppmで、結晶配向はランダム配向であり、グレインサイズは5.0μmであった。結果を表3に示す。比較例3表2の電流密度で銅電気めっきを行った以外は実施例1と同様の方法で金属化ポリイミドフィルムを製造した。実施例1と同様に断面観察をしたところ、トップ幅11.9μmの時、ボトム幅は17.0μmとなり、実施例1の断面形状より裾広がりの様相を呈し、断面観察検査をクリアすることができなかった。また、銅薄膜層側から膜厚2.5μmの銅めっき被膜のS濃度と結晶配向とグレインサイズを測定したところ、硫黄原子の含有率は23重量ppmで、結晶配向はランダム配向であり、グレインサイズは6.0μmであった。結果を表3に示す。表3から明らかなように、実施例1の金属化ポリイミドフィルムをサブトラクティブ法で配線加工すると、配線のボトム幅が15.2μmとなるのに対し、比較例1ではボトム幅が17μmとなる。配線間のスペースは、実施例1が14.8μmに対し、比較例1は13μmである。本発明に係る銅電気めっき方法で銅めっき被膜を成膜して得られた金属化ポリイミドフィルムは、狭ピッチ化の配線加工に適していることが分かる。ここで、エッチングファクターEFを評価して、その結果を表3に示す。なお、EFは下記1式より算出した。表3に示す結果から、比較例1のEFエッチングファクターが3.3に対して、実施例1のEFは5.2であり、EFが約58も向上している。また、配線パターンのリード裾部分が広がりを低減して、ファインピッチ基板に適応したフレキシブル配線板として極めて信頼性の高いものが得られる。