"基板主面に外部接続用の回路電極を有する半導体装置において、前記回路電極の中央部分には前記基板内へと凹入する穴が形成されており、前記穴に充填された弾性体と、前記弾性体の表面に形成され且つ前記回路電極と接続された電極用金属薄膜と、前記電極用金属薄膜の表面上に設けられたボール状電極とを有することを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記穴は、前記基板の内部から主面に近づくにつれて拡径する形状であることを特徴とする半導体装置。請求項2において、前記穴はビア用であり、前記穴の内面及び前記回路電極の表面にビア用金属薄膜が形成されていると共に、前記電極用金属薄膜は前記ビア用金属薄膜に接続され、前記電極用金属薄膜は前記弾性体の表面中央部に相当する部位に裂け目を有することを特徴とする半導体装置。請求項2において、前記基板がシリコンウエハまたはガリウム砒素ウエハで構成されていることを特徴とする半導体装置。請求項2において、前記弾性体が前記ボール状電極よりも柔らかいシリコーン系樹脂またはウレタン系樹脂で構成されていることを特徴とする半導体装置。基板の主面に外部接続用電極となる回路電極を形成する工程と、前記回路電極の中央位置に前記基板内へと凹入する穴を形成する工程と、前記穴内に弾性体材料を充填する工程と、前記穴内に充填されている弾性体材料の表面に前記回路電極と接続する電極用金属薄膜を形成する工程と、前記電極用金属薄膜の上にボール状電極を搭載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項6において、前記穴は、前記基板の主面に近づくにつれて拡径する形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記穴はビア用であり、前記穴を形成する工程と前記弾性体材料を充填する工程との間に、前記穴の内面及び前記回路電極の表面にビア用金属薄膜を形成する工程を有し、前記電極用金属薄膜は前記ビア用金属薄膜を介して前記回路電極に接続され、前記電極用金属薄膜であって前記弾性体材料の表面の中央部に相当する部位に裂け目を設ける工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記基板がシリコンウエハまたはGaAsウエハで構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記穴に充填された弾性体材料が前記ボール状電極よりも柔らかいシリコーン系樹脂またはウレタン系樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。基板の主面に外部接続用電極となる回路電極を形成する工程と、前記基板の内部から前記主面に近づくにつれて拡径する穴を前記回路電極の中央位置に形成する工程と、前記穴内に弾性体材料を充填する工程と、前記穴内に充填されている弾性体材料の表面に前記回路電極と接続する電極用金属薄膜を形成する工程と、前記電極用金属薄膜の上にボール状電極を搭載する工程と、前記基板の主面及び前記ボール状電極上に保護テープを貼る工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項11において、研削板の主面に前記保護テープが向かい合うように載置し、前記基板の主面と反対面を機械的研削により前記基板を薄く加工する工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項12において、前記薄く加工する工程終了後に前記保護テープを剥がす工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項13において、前記テープを剥がす工程終了後にリフロー加熱処理により前記ボール状電極を溶融させる工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項14において、前記電極用金属薄膜と溶融後のボール状電極とが一体となっていることを特徴とする半導体素子の製造方法。しかしながら、チップ素子のサイズ小型化の要望に応えるため、縦横のバンプのピッチが狭い半導体素子では、従来のBGテープの使用だけでは加工ができないという問題が顕在化している。すなわち、BGテープは、はんだバンプ904の突起をテープ内の粘着層が変形して包み込む構造をし、それによりはんだバンプ904の変形を防止すると共に、ウエハ表面保護の役割をする。その際、BGテープには、はんだバンプ904の突起でBGテープの一部を押し上げるBGテープが復元しようとする力が働く。はんだバンプ904とBGテープとの間に接着力はほとんどないため、はんだバンプ904の中心軸を中心としてBGテープとウエハ901とが接着していない空洞領域905が発生する図16のb参照。はんだバンプ904の数が増加し且つバンプピッチが狭くなるほど、ウエハ901の表面の面積に占める前記空洞領域面積は広くなる。図16~図18は従来の半導体装置のBG加工時の断面図であり、以下、これらの図を用いて説明する。ウエハ図16のa901にBGテープ906を貼り付けた際、バンプピッチがより狭い場合、前記BGテープ906とウエハ901とが接着している面積よりもはんだバンプ904で押されて浮いている空洞領域905の面積の方が大きくなり図16のb、c、機械的研削装置バックグラインド装置の研削板907の回転により空洞領域905の集中化と広域化が進み図17のa、研削加工中にBGテープ906がウエハ901から浮いてしまう図17のb。これに起因して、i:BGテープ906とウエハ901との間に研削水浸入が発生、ii:BGテープ906がウエハ901から外れてウエハ901が破損する図17のcという課題があった。また、図16のbに示すようにBGテープ906の表面研削板907側の面も平らではなく、機械的研削装置の研削板907に取り付けた際、BGテープ906の端906aが浮いて研削水浸入を起し図18のa、BGテープ906が機械的研削装置の研削板907から外れてウエハ901を破損する図18のbという課題もある。本発明は上記課題を解決するものであり、ハイバンプ仕様且つバンプピッチが狭い設計であっても、BGテープの種類に依存しない、安定した研削加工が可能となる半導体装置ならびに半導体装置および半導体素子の製造方法を提供するものである。上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、基板主面に外部接続用の回路電極を有し、前記回路電極の中央部分には前記基板内へと凹入する穴が形成されており、前記穴に充填された弾性体と、前記弾性体の表面に形成され且つ前記回路電極と接続された電極用金属薄膜と、前記電極用金属薄膜の表面上に設けられたボール状電極とを有することを特徴としている。また上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の主面に外部接続用電極となる回路電極を形成する工程と、前記回路電極の中央位置に前記基板内へと凹入する穴を形成する工程と、前記穴内に弾性体材料を充填する工程と、前記穴内に充填されている弾性体材料の表面に前記回路電極と接続する電極用金属薄膜を形成する工程と、前記電極用金属薄膜の上にボール状電極を搭載する工程とを有することを特徴としている。また上記課題を解決するために、本発明に係る半導体素子の製造方法は、基板の主面に外部接続用電極となる回路電極を形成する工程と、前記基板の主面に近づくにつれて拡径する穴を前記回路電極の中央位置に形成する工程と、前記穴内に弾性体材料を充填する工程と、前記穴内に充填されている弾性体材料の表面に前記回路電極と接続する電極用金属薄膜を形成する工程と、前記電極用金属薄膜の上にボール状電極を搭載する工程と、前記基板の主面および前記ボール状電極上に保護テープを貼る工程とを有する半導体の製造方法を特徴とする。本発明によれば、基板表面にBGテープを貼ると、ボール状電極が基板に形成された穴内に沈み込む構造となり、基板表面からのボール状電極の突き出し量を減らすことができる。そのため、バンプサイズの大きい所謂ハイバンプにおいて、狭ピッチで設計された基板の研削加工の際、ボール状電極の突き上げに起因して、基板とBGテープとの接着面積を減らすことなく、安定した研削加工ができる。また、本発明によれば、穴内部に充填する弾性体の材料を選ぶことで、基板表面にBGテープを貼った際のボール状電極の沈み込み量を調整することが可能である。ボール状電極よりも柔らかい弾性体の材料を選ぶことで、穴内にボール状電極が沈み込んだ際のボール状電極の変形も抑止される。これにより、ハイバンプ仕様且つ狭ピッチで設計された基板においても特殊なBGテープを必要としない、BGテープ種類に依存しない、安定した研削加工が可能となる。また、バックグラインド装置で研削加工して半導体装置を薄化する際に、ボール状電極が基板内に形成された穴内に沈み込む構造となり、基板表面からのボール状電極の突き出し量を減らすことができる。そのため、従来品で発生するはんだバンプの突き出しによるテープ内の空洞領域が発生し難くなり、BGテープと基板との接着面積を減らすことが少なくなる。これにより、研削加工中にBGテープが基板から浮いたり、研削板からBGテープと一緒に基板が外れたり等の加工事故を防止することができる。さらに、ハイバンプ仕様でかつバンプピッチが狭い設計であっても、半導体装置内部にボール状電極の突起の一部を吸収して、特殊なBGテープを必要としない、BGテープの種類に依存しない、安定した研削加工が可能となる。以下、本発明の半導体装置および半導体素子を示す実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、本発明で使用している、材料、数値は好ましい例を例示しているだけであり、この形態に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。また、他の実施の形態との組み合わせは、矛盾が生じない範囲で可能である。また、半導体装置および半導体素子の製造方法を説明する際には、基板がウエハからなる場合は、基板をウエハとして説明し、ウエハの符合は基板と同じものを使用する。1.構成図1は本実施の形態1の半導体装置1の構成を示すものである。ここでは、一例として2GHzのW-CDMA用アンテナスイッチ素子用を想定している。なお、言うまでもなく、アンテナスイッチ素子以外の半導体素子にも適用できる。また、アンテナスイッチ素子のような半導体素子は基板に実装できる状態のものをいい、半導体素子の前段階である状態、すなわち、基板に実装できる状態になっていないものを便宜上半導体装置と呼称する。図1のアンテナスイッチ素子用の半導体装置1の大きさは、例えば、縦0.6[mm]、横0.6[mm]であり、バンプ高さを含む総厚みは0.30[mm]である。基板2は、例えばGaAsウエハからなり、その表層にアンテナスイッチの回路パターンが形成してある。半導体装置1は、基板2の主面の穴5を囲繞する状態で形成された外部接続用の回路電極3を有し、穴5に充填された弾性体7と、弾性体7の表面に形成され且つ回路電極3と接続された電極用金属薄膜8と、電極用金属薄膜8の表面上に設けられたボール状電極としてのはんだボール9とを有する。基板2の厚みは例えば0.2[mm]であり、1素子あたり例えば全長110[μm]の回路電極3が基板2の周囲の各辺に沿って例えば200[μm]ピッチで計8個形成されている。回路電極3の材質は例えば金であり、この回路電極3の表面の縁端は例えばSiN等の薄い絶縁性の保護膜4で被覆されている。回路電極3の露出している長さは例えば104[μm]である。つまり、回路電極3の縁が絶縁性の保護膜4により被覆されている長さは3[μm]である。回路電極3の中央部には、基板2の厚み方向に凹入する穴5が形成されている。穴5は例えば円錐台状をしている。円錐台状は、表層から底部基板2の内部に移るに従って孔径が小さくなる形状先細り形状をしている。穴5は、例えば上部直径80[μmφ]、底部直径70[μmφ]、深さ150[μm]の大きさである。回路電極3の表面であって穴5の周囲および穴5の内面つまり、壁面および底面である。にはビア用金属薄膜6が形成されている。なお、穴5とビア用金属薄膜6とで、所謂、有底ビア5aが構成される。このビア用金属薄膜6として要求される要件特性作用は例えば以下のものがある。I:回路電極3を構成する金属ここでは、金である。と高い密着性を持つことII:接続抵抗が小さいことIII:回路電極3とはんだボール9とが接しないようバリアになることIV:はんだに濡れることはんだとの濡れ性が良いことV:プローブで触針した回路電極3上にも形成できることこのため、ビア用金属薄膜6には複数の金属を組み合わせる多層構造を用いることが多い。本実施の形態では、例えばTiチタンとCu銅との2層の蒸着層を形成しており、穴5の形成後に蒸着で回路電極3と穴5の内面に2層構造のビア用金属薄膜6を形成する。ビア用金属薄膜6の厚さは例えばTiは0.2[μm]、Cuは0.2[μm]である。なお、2層の蒸着層のうち、Cuが表層である。有底ビア5aの内部には弾性体7が充填されている。弾性体7は、後述の緩衝材としての機能を有する。具体的には、後述のはんだボール9の弾性率よりも小さい弾性率を有し、例えば、シリコーン系樹脂やポリウレタン系樹脂が利用されている。なお、有底ビア5a内への樹脂充填は、有底ビア5aの直径開口径が微小であることから、例えば真空印刷装置を使って行われる。前記弾性体7は、弾性体7を平面視したとき図1において上方から見たときであり、基板2の表面の法線方向から見たときである。にその中央部に位置する部分の厚みが薄く、中央部の周辺に位置する部分が厚くなっている。つまり、弾性体7の表面は、その縦断面図1に示す状態である。において中央部が凹入するような、椀状をしている。有底ビア5a内に充填された弾性体7の表面には電極用金属薄膜8が形成されている。電極用金属薄膜8は例えば蒸着技術により形成されている。電極用金属薄膜8は中央部が切れた形状をしている。つまり、電極用金属薄膜8は裂け目14図14参照を有している。これは後述するはんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれて弾性体7が変形した際にも電極用金属薄膜8が切れない裂けないようにするためである。電極用金属薄膜8もビア用金属薄膜6と同じように、複数の金属を組合せた多層構造をしている。電極用金属薄膜8は、回路電極3の上面に形成されたビア用金属薄膜6を被覆するように、ビア用金属薄膜6上にも形成されている。この場合、ビア用金属薄膜6と同じ材料TiとCuで構成すると、ビア用金属薄膜6と電極用金属薄膜8とが重なった部分では一体化された構造を有する。なお、一体化することにより金属薄膜の剛性が高まり、はんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれる際の耐久性が向上する。電極用金属薄膜8の上面にははんだボール9が設けられている。つまり、電極用金属薄膜6上にはんだボール9が載せられた構造を有する。はんだボール9は、例えばSn3Ag0.5Cuの組成をしている。なお、はんだボール9は、略球状ボール状をし、その直径は例えば80[μmφ]である。なお、弾性体7の上面は椀状に凹入しているため、はんだボール9が安定して成形される。次に、弾性体7の上記緩衝材としての機能について説明する。弾性体7は、ウエハ2を機械的研磨で薄くするためウエハ2の表面にBGテープバックグラインドテープ10を貼った際図2参照、BGテープ10からの圧力ではんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれるのを許容すると共に押し込まれた際の力を緩和するためのものである。一般に、SnAgCu系のはんだの弾性率は30[GPa]程度であり、シリコーン系樹脂やポリウレタン系樹脂の弾性率は数[MPa]から数十[MPa]と格段に低い。これによりはんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれた際は、弾性体7自身は大きく変形して、はんだボール9を変形させずに圧力を逃がし、圧力が消失すると元の形に戻ってはんだボール9を元に位置に押し上げる役割を果たす。また、電極用金属薄膜8の中央に形成された裂け目14図14参照は、上方から見た際平面視において、直線状の裂け目14aであってもよく、また円形にくり抜かれた形の裂け目14bでもよい。また、図面に示していないが、裂け目14は、楕円形でも良いし、の字状であっても良い。つまり、はんだボール9が押し込まれた際に、電極用金属薄膜8が左右に広がることが重要であり、このような要件を満たせば裂け目14の形状はどのような形であってもよい。また、有底ビア5aはウエハ2の主面表面に向けて徐々に穴径が広がるテーパ形状をしているため、よりスムーズにはんだボール9の押し込み、押し上げが可能となる。2.加工工程について図2~図5は、図1の半導体装置を含んだウエハを、機械的研削装置を使って薄化するときの状態を表す図である。なお、実際の製造加工工程では、ウエハ上に複数の半導体装置を形成し、ウエハ状態で、ウエハを薄化して半導体装置に個片化している。このため、複数の半導体装置1が形成されているウエハを利用した半導体装置1の製造方法と、1つの半導体装置1の製造方法とは同じ方法であるとして説明する。つまり、ウエハ状の複数の半導体装置は、1つの半導体装置と同じものとみなし、半導体装置の符号を用いて説明している。ウエハ2におけるはんだボール9が形成される側の面にBGテープ10を貼ると、図2に示すように、BGテープ10の圧力によりはんだボール9がウエハ2の下面方向に裏面側へと押される。この際、回路電極3の中央部にははんだボール9に合わせたサイズの有底ビア5aが形成されており、はんだボール9はBGテープ10に押されて有底ビア5a内に押し込まれてゆく。有底ビア5aの内部には、はんだボール9の弾性率よりも低い弾性率の弾性体7が充填されている。具体的に説明すると、例えばはんだボール9の弾性率の千分の一から数千分の一の弾性率を持つシリコーン系樹脂やポリウレタン系樹脂が充填されている。これにより、はんだボール9は、BGテープ10に押される力と、有底ビア5a内に充填された低弾性率樹脂である弾性体7による反発力とがバランスした位置まで沈み込む。はんだボール9よりも弾性体7の弾性率の方が格段に小さいため、はんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれる際にも、はんだボール9の変形は起こらない。また前述したように、電極用金属薄膜8は中央が切れた形状をしており、はんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれて、弾性体7が変形した際にも電極用金属薄膜8が切れたり裂けたりしないようになっている。図3は、図2のウエハ2をバックグラインド装置の研削板11に取り付けた状態を示す。研削板11への取り付けは、BGテープ10を表面はんだボール9側である。に貼ったウエハ2を、BGテープ10の面を下向きBGテープ10と研削板11とが対向する状態である。にして研削板11の上に置き、研削板11からBGテープ10を真空引きして固定する。BGテープ10をウエハ2の表面に貼った際、はんだボール9は有底ビア5a内に押し込まれており、BGテープ10には、従来のような、はんだバンプのような突起物により生じる空洞領域図16のb参照ができないようにまたはでき難くなっている。これにより、研削のために研削板11が回転しても、BGテープ10におけるはんだボール9の周辺部分に空洞領域が発生し難くなり、研削加工中にBGテープ10がウエハ2から浮くようなことを防止できる。また、BGテープ10にははんだボール9による空洞領域が発生しないため、BGテープ10は平らな状態で研削板11に吸着されることとなる。これにより、BGテープ10の端からの水の浸入を防ぐことができ、結果としてウエハ2が研削板11から外れるのを防止できる。このように、はんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれ、はんだボールにおけるウエハ2表面の回路電極3からの飛び出し量が減少するため、特殊なテープを使わなくても加工できるようになり、歩留まり向上とともに加工費用の低減を図ることができる。なお、図15のような従来のバンプ904を利用した場合は、バンプ高さが高く且つバンプピッチが狭くなってくると、バンプ904がBGテープ906に埋まる際にバンプ904を中心とする領域に空洞領域905が発生する図16のbの例。そして、研磨には例えば600番から2500番の砥石が使われる。このような加工条件下では、バンプ高さが例えば70[μm]を超えるハイバンプが狭ピッチで配置されている場合、ハイバンプを吸収する特殊なBGテープ906が使われ、加工費用が高かった。ここでのハイバンプとは例えば、高さ50[μm]以上、直径100[μm]以上のバンプを指す。なお、バンプの高さとは、はんだボール9の高さではなく、回路電極3の表面からバンプ頂上までの高さである。図4は加工終了後に研削板から取り外した状態を示す図であり、図5は、加工終了後にBGテープ10を取り外した状態を示す図である。図4に示すように、加工を終了し、ウエハ22を研削板11から取り外した状態でも、BGテープ10におけるはんだボール9の周辺部分に空洞領域が発生しておらず、加工中に空洞等が発生しなかったことが分かる。なお、図4では、薄化後の半導体装置の符号を21とし、ウエハの符号を22としている。図5に示すように、加工終了後BGテープ10を取り外すことで、はんだボール9を有底ビア5a内に押さえる力が消失し、有底ビア5a内の弾性体7が元の形に戻り、はんだボール9を加工前の元の位置に押し上げる。有底ビア5aの内部の弾性体7である低弾性率の樹脂表面には例えばTi/Cuの2層からなる電極用金属薄膜8が形成されているが、前述したように電極用金属薄膜8の中央には裂け目14が形成されていて、その上に載るはんだボール9と有底ビア5a内の弾性体7が裂け目14を介して一部で接触している。そして、弾性体7として低弾性率の樹脂を利用した場合、その表面はある程度の粘着性を持っているため、BGテープ10を剥がす際、BGテープ10と一緒にはんだボール9が剥がれることを抑止することができる。3.バンプの成形方法図6は、バンプの成形後の半導体素子を示す。研削加工後にBGテープ10を取り外した図5の状態である。後、リフロー加熱等によりはんだボール9を溶融させて、ウエハ22の表面の回路電極3を被覆するビア用金属薄膜6と、有底ビア5aの内部に充填された弾性体7の表面に形成された電極用金属薄膜8と、溶融後のはんだ23とが一体に接合し、外部接続用の突起電極24を形成する。回路電極3上から有底ビア5a上に亘る広範囲の金属薄膜6,8と、突起電極24のはんだ23とが電気的に接続されるため、プローバーによる電気的検査が可能で、低抵抗の安定した突起電極24になる。これにより、相手側の基板に実装可能な半導体素子25が完成する。なお、図6の突起電極11は、直径は例えば104[μm]、バンプ高さは例えば50[μm]である。4.半導体装置および半導体素子の製造方法図7~図13は半導体装置半導体素子の製造方法の概略構成図である。図7の半導体ウエハ以下、単にウエハといい、個片化した際の基板2となる。32の主面表面32aには外部接続電極用の回路電極3となる金属製の電極膜33が形成されている。ウエハ31は例えばGaAsウエハで、電極膜33には例えば金が使われている。電極膜33の中央部33aは露出し、その周辺部である縁部33bは保護膜4となる絶縁性の膜34で被覆されている。膜34には例えばSiN等が使われる。電極膜33のサイズは例えば110[μm]で、中央部33aの104[μm]が露出した領域となる。図8のように、電極膜33の中央部33cおよびウエハ32にウエハ32の内部へと凹入する有底ビア5aとなる有底の穴35を形成する。穴35は、ウエハ32の裏面貫通はしていないに進むに従って穴径が小さくなる円錐台状をしている。この穴35の大きさは例えば上部直径80[μmφ]、底部直径70[μmφ]、深さ150[μm]である。なお、穴35の成形により残った電極膜33は半導体装置1および半導体素子25の回路電極3となる。穴35の加工は例えばドライエッチングで行われる。形状を円錐台としたのは、穴35の内部つまり穴35を形成している壁面側面および底面である。に、後述のビア用金属薄膜6になるビア用金属膜36を形成する際の出来映えおよび弾性体7となる樹脂37を充填する際の作業性を考慮したものである図9および図10である。。次に、図8の穴35の壁面および電極膜33における表に露出している領域膜34により被覆されていない領域である。上にビア用金属膜36を形成する。このビア用金属膜36を形成した状態が図9である。ビア用金属膜36は例えばTi/Cuの2層からなり、蒸着により形成されている。Ti/Cuのそれぞれの層は例えば0.2[μm]/0.2[μm]の厚みを持つ。そして、図9の穴35の内部に弾性体7用の低弾性率の樹脂37を充填する。この樹脂37を充填した状態が図10である。弾性体7、つまり、低弾性率の樹脂37としては、はんだボール9の弾性率よりも小さい弾性率のシリコーン系樹脂やポリウレタン系樹脂が使われる。これは、ウエハ32の表面にBGテープ10を貼り付けた際に、はんだボール9が有底ビア5a内に押し込まれたときに、この弾性体7は緩衝材の役割をするものであり、はんだボール9を変形させずに弾性体7自身が変形することで圧力を逃がすためである。はんだボール9は例えばSn3Ag0.5Cuで構成され、その弾性率は30[GPa]程度であり、弾性体7は例えばシリコーン系樹脂やポリウレタン系樹脂で構成され、その弾性率は数[MPa]から数十[MPa]であり、はんだに比べて弾性率が格段に低い。なお、樹脂37は穴35の外周部に相当する部分つまり、穴35を形成する側壁に近い部分である。が厚く、穴35の中央部に相当する部分が薄くなっている。樹脂37の充填が完了すると、図10の穴35の開口部周辺および樹脂37の表面、つまり、ビア用金属膜36における表に露出している面と樹脂37の表面に電極用金属薄膜8となる電極用金属膜38を形成したものである。この電極用金属膜38を形成した状態が図11である。電極用金属膜38は蒸着で形成され、ビア用金属膜36と同様、TiチタンとCu銅の2層構造で、厚さは例えばTiは0.2[μm]、Cuは例えば0.2[μm]である。前述したように電極用金属膜38の中央部に裂け目38aを有していて、その上にはんだボール39を載せた場合、はんだボール39と穴35内の樹脂37とが裂け目38aを介して一部で接触する。また、電極用金属膜38とビア用金属膜36とは、電極膜33上を被覆するビア用金属膜36の領域で一体となり、電気的に接続される。そして、図11の穴35の内部の電極用金属膜38の上にはんだボール39を搭載する。図12は、はんだボール39を搭載した状態の図である。前述のように、電極用金属膜38の中央部に存する裂け目38aから穴35内の樹脂37の一部が露出しており、はんだボール39と樹脂37の一部とが接触している。樹脂37を構成する低弾性率樹脂は粘着性を有するため、はんだボール39は穴35から脱落することはない。上記により、半導体装置1を多数有するウエハ32が完成する。その後、ウエハ32のはんだボール39側の面にBGテープ10を貼り付け図2参照、バックグラインド装置を使ってウエハ32を研削して薄化する。BGテープ10を貼り付けると、はんだボール39は穴35の内部へと押し込まれた状態となり、電極膜33の表面からのはんだボール39の飛び出し量は小さくなる。研削前のウエハ32の厚みは例えば725[μm]、研削後の厚みは例えば200[μm]である。バックグラインド工法は前記図2~図5で説明したとおりである。バックグラインド装置でウエハ32を研削後、BGテープ10を剥がすと、穴35の内部へと押し込まれていたはんだボール39が穴35内の樹脂37の復元力で押し上げられ元の状態BGテープ10が貼り付けられる前の状態である。に戻る。最後に、図12に示すウエハ32が研削加工により薄化された後、リフロー加熱等によりはんだボール39を溶融して突起電極24となる電極41を形成する。図13は、リフロ加熱後の状態を示す図である。なお、薄化によりウエハ32は、ウエハ40となっている。はんだボール39の溶融により、ウエハ40の表面の電極膜33を被覆するビア用金属膜36と、穴35の内部に充填された樹脂37の表面上面に形成された電極用金属膜38とが、溶融したはんだ42により一体となり、突起電極41を形成する。このように、バックグラインド加工後にリフロー等の加熱処理によりはんだボール39が溶融することで、回路電極3と強固な結合が行われ、ハイバンプが狭ピッチで設計された半導体素子の安定した生産を可能とする。最後に複数の半導体素子が形成されているウエハ40をダイシングして、図6に示す半導体素子25が完成する。なお、図13は、ウエハ状態からの半導体素子25を製造した場合の説明の図であり、図13における符号は、図7~図12までの各構成の符号に合わせている。<変形例>以上、具体例を参照しながら本発明の実施の形態について説明を行ったが、本発明は上記各実施の形態の具体例に限定されるものではない。1.構造本発明に係る半導体装置および半導体素子は、薄板の単層構造の基板の主面に外部接続用の回路電極を有し、回路電極の中央部分には基板内へと凹入する穴が形成されており、穴内に充填された弾性体と、弾性体の表面に形成され且つ回路電極と接続された金属薄膜と、金属薄膜の表面上に、回路電極面からボール状の電極の一部が突出する構造を有するものであれば良く、また、これらの半導体装置または半導体装置および半導体素子の製造方法についても同様に本発明の範囲に属する。2.穴実施の形態では、弾性体が充填される穴は底を有していたが、底を有しない穴、つまり、基板を貫通する孔であっても良いこの場合、貫通ビア用であっても良いし、そうでなくても良い。。但し、弾性体の充填や生産性等を考慮すると、底のある穴を利用する方が好ましい。実施の形態の穴は有底ビア用であったが、電気的接続等の機能を有していない穴であっても良く、その形状も、ボール状電極が穴内に押し込まれれば良く、特に限定するものでないが、基板の内部から主面に近づくにつれて拡径する形状の方が、よりスムーズにボール状電極の穴への押し込み、押し上げが可能となる。穴の平面視形状については、円形状であったが、ボール状電極が穴内に押し込まれるのを許容する形状あれば、特に限定するものではない。3.ボール状電極実施の形態では、ボール状電極として、はんだボールを使用している。はんだボールは、野球のボールのように球状をしているが、例えば、ラグビーボールのような楕円球状をしていても良い。つまり、ボール状電極は、回路電極面から突出するような形態をしていれば良いが、生産性等を考慮すると、ボール状をしている方が好ましい。"