n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層、およびp型窒化物半導体層がこの順に設けられて構成されたpin接合部を備えた光電変換素子であって、前記i型窒化物半導体層は、第1光吸収層と、第2光吸収層と、前記第1光吸収層と前記第2光吸収層とで挟まれた少なくとも1層のガイド層とを有し、前記ガイド層は、構成元素の種類が前記第1光吸収層および前記第2光吸収層と同一である一方、構成元素の組成比が前記第1光吸収層および前記第2光吸収層とは異なる光電変換素子。前記ガイド層は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する請求項1に記載の光電変換素子。前記第1光吸収層、前記ガイド層、および前記第2光吸収層は、Inを含み、前記ガイド層におけるIn組成比は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層のそれぞれにおけるIn組成比よりも低い請求項2に記載の光電変換素子。前記ガイド層は、前記第1光吸収層と前記第2光吸収層との間に位置し、且つ当該ガイド層において最大のバンドギャップエネルギーを有する第1半導体層を含み、前記ガイド層のうち前記第1半導体層以外の部分は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層のそれぞれから前記第1半導体層へ向かうにつれて、バンドギャップエネルギーが大きくなるように構成されている請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記ガイド層は、バンドギャップエネルギーが異なる複数の第2半導体層を含み、前記複数の第2半導体層は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層の少なくとも一方の光吸収層から前記第1半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが大きくなるように配置されている請求項4に記載の光電変換素子。前記第1半導体層および前記複数の第2半導体層におけるIn組成比は互いに異なり、前記複数の第2半導体層は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層の少なくとも一方の光吸収層から前記第1半導体層へ向かうにつれてIn組成比が低くなるように配置されている請求項5に記載の光電変換素子。前記ガイド層は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層の少なくとも一方の光吸収層から前記第1半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが単調に増加するグレーデッド層を含む請求項4~6のいずれかに記載の光電変換素子。前記第1半導体層は、AlxGaN0≦x≦1からなる請求項4~7のいずれかに記載の光電変換素子。前記第1光吸収層と前記第2光吸収層とは、互いに同一の膜厚を有し、AlxInyGaN0≦x≦1、0<y≦1、0<xy≦1からなり、前記ガイド層は、AlxInzGaN0≦x≦1、0<z≦1、0<xz≦1、0<z<yからなる単層である、または前記第1光吸収層の上にAlxInzGaN層、、AlxInzGaN層、AlxInznGaN層、AlxInzGaN層、AlxInz2GaN層、およびAlxInz1GaN層0<zn<zn1<<znm<y、0<zn<zn-1<<z2<z1<y、但しnとmとは自然数であり、n≧4、m≧2が順に積層された積層構造を有する請求項1~8のいずれかに記載の光電変換素子。前記ガイド層は、膜厚が1nm以上5nm以下の単層である、または膜厚が1nm以上5nm以下の層が積層された積層構造を有する請求項1~9のいずれかに記載の光電変換素子。前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層は、前記第1光吸収層および前記第2光吸収層のいずれよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する請求項1~10のいずれかに記載の光電変換素子。前記p型窒化物半導体層の上面上には、透明導電膜が設けられており、前記透明導電膜は、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む単層である、または当該単層が積層された積層構造を有し、2.3よりも小さな屈折率を有し、250nm以上500nm以下の膜厚を有する請求項1~11のいずれかに記載の光電変換素子。前記n型窒化物半導体層、前記i型窒化物半導体層、および前記p型窒化物半導体層は、この順で基板の上面上に結晶成長され、前記基板は、AlpInqGaN0≦p≦1、0≦q≦1、0<pq≦1、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、およびZrB2のいずれかからなる請求項1~12のいずれかに記載の光電変換素子。前記基板の下面上には、光反射層が設けられており、前記光反射層は、Agからなる単層であり、10nm以上1000nm以下の膜厚を有する請求項13に記載の光電変換素子。本発明は、上記問題に鑑み、短絡電流と曲線因子とが大きな光電変換素子を提供することに関する。本発明者らは、ミスフィット転位などの欠陥の形成を伴うことなくi型窒化物半導体層の膜厚をできるだけ厚くする方法につき鋭意検討した。その結果、臨界膜厚直前まで第1光吸収層を形成し、次いでガイド層を形成し、該ガイド層を介して第2光吸収層を形成することにより、光の拡散長が増加して多くのフォトキャリアを得られることを見出した。具体的には、本発明に係る光電変換素子は、n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層、およびp型窒化物半導体層がこの順に設けられて構成されたpin接合部を備える。i型窒化物半導体層は、第1光吸収層と、第2光吸収層と、第1光吸収層と第2光吸収層とで挟まれた少なくとも1層のガイド層とを有する。ガイド層は、構成元素の種類が第1光吸収層および第2光吸収層と同一である一方、構成元素の組成比が第1光吸収層および第2光吸収層とは異なる。ガイド層は、第1光吸収層および第2光吸収層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有することが好ましい。第1光吸収層、ガイド層、および第2光吸収層は、Inを含むことが好ましい。ガイド層におけるIn組成比は、第1光吸収層および第2光吸収層のそれぞれにおけるIn組成比よりも低いことが好ましい。ガイド層は、第1光吸収層と第2光吸収層との間に位置し、且つ当該ガイド層において最大のバンドギャップエネルギーを有する第1半導体層を含むことが好ましい。ガイド層のうち第1半導体層以外の部分は、第1光吸収層および第2光吸収層のそれぞれから第1半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが大きくなるように構成されていることが好ましい。ガイド層は、バンドギャップエネルギーが異なる複数の第2半導体層を含むことが好ましい。複数の第2半導体層は、第1光吸収層および第2光吸収層の少なくとも一方の光吸収層から第1半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが大きくなるように配置されていることが好ましい。第1半導体層および複数の第2半導体層におけるIn組成比は互いに異なることが好ましい。複数の第2半導体層は、第1光吸収層および第2光吸収層の少なくとも一方の光吸収層から第1半導体層へ向かうにつれてIn組成比が低くなるように配置されていることが好ましい。ガイド層は、第1光吸収層および第2光吸収層の少なくとも一方の光吸収層から第1半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが単調に増加するグレーデッド層を含むことが好ましい。第1半導体層は、AlxGaN0≦x≦1からなっても良い。第1光吸収層と第2光吸収層とは、互いに同一の膜厚を有することが好ましく、AlxInyGaN0≦x≦1、0<y≦1、0<xy≦1からなることが好ましい。ガイド層は、AlxInzGaN0≦x≦1、0<z≦1、0<xz≦1、0<z<yからなる単層であっても良いし、第1光吸収層の上にAlxInzGaN層、、AlxInzGaN層、AlxInznGaN層、AlxInzGaN層、AlxInz2GaN層、およびAlxInz1GaN層0<zn<zn1<<znm<y、0<zn<zn-1<<z2<z1<y、但しnとmとは自然数であり、n≧4、m≧2が順に積層された積層構造を有していても良い。ガイド層は、膜厚が1nm以上5nm以下の単層であっても良いし、膜厚が1nm以上5nm以下の層が積層された積層構造を有していても良い。n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層は、第1光吸収層および第2光吸収層のいずれよりも大きなバンドギャップエネルギーを有することが好ましい。p型窒化物半導体層の上面上には、透明導電膜が設けられていることが好ましい。透明導電膜は、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む単層であっても良いし、当該単層が積層された積層構造を有していても良い。また、透明導電膜は、2.3よりも小さな屈折率を有していても良いし、250nm以上500nm以下の膜厚を有していても良い。n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層、およびp型窒化物半導体層は、この順で基板の上面上に結晶成長されることが好ましい。基板は、AlpInqGaN0≦p≦1、0≦q≦1、0<pq≦1、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、およびZrB2のいずれかからなれば良い。基板の下面上には、光反射層が設けられていることが好ましい。光反射層は、Agからなる単層であることが好ましく、10nm以上1000nm以下の膜厚を有することが好ましい。本発明に係る光電変換素子によれば、フォトキャリアの発生量そのものが増加するため、短絡電流および曲線因子が大きくなる。以下、本発明の光電変換素子について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。さらに、本発明は、以下に示す事項に限定されない。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態に係る光電変換素子1の側面図である。図2は、本実施形態に係る光電変換素子1におけるエネルギーバンド図である。図3は、本実施形態に係る光電変換素子1に生じる応力および電界の向きを示す図である。<光電変換素子の構成>本実施形態に係る光電変換素子1は、図1に示すように、基板11と、n型窒化物半導体層13と、i型窒化物半導体層15と、p型窒化物半導体層23と、透明導電膜25と、光反射層27とを備えている。n型窒化物半導体層13、i型窒化物半導体層15、およびp型窒化物半導体層23はこの順に基板11の上面上に積層されてpin接合部を構成し、透明導電膜25はp型窒化物半導体層23の上面上に設けられている。光反射層27は、基板11の下面上に設けられている。このような光電変換素子1は、光がp型窒化物半導体層23側から入射されて作動する。<基板>基板11は、その材料に特に限定されないが、たとえば、AlpInqGaN0≦p≦1、0≦q≦1、0<pq≦1、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、およびZrB2のいずれかからなれば良く、好ましくはAlpInqGaNからなることである。基板11は、その膜厚に特に限定されないが、たとえば0.3mm以上0.5mm以下の膜厚を有していれば良い。<n型窒化物半導体層>n型窒化物半導体層13は、下記<i型窒化物半導体層>で示す第1光吸収層17および第2光吸収層21よりも大きなバンドギャップエネルギーを有していれば良く、その材料に特に限定されない。n型窒化物半導体層13は、たとえばSi、P、As、またはSbなどのn型不純物がAlsIntGaN0≦s≦1、0≦t≦1、0<st≦1層にドーピングされた層であれば良く、好ましくはSiがGaN層にドーピングされた層である。n型窒化物半導体層13におけるn型不純物濃度は、特に限定されないが、1×1018cm3以上1×1020cm3以下であれば良い。<i型窒化物半導体層>i型窒化物半導体層15は、第1光吸収層17と、第2光吸収層21と、第1光吸収層17と第2光吸収層21とで挟まれたガイド層19とを有している。第1光吸収層17と第2光吸収層21とは、同一の組成からなることが好ましく、たとえばAlxInyGaN0≦x≦1、0<y≦1、0<xy≦1からなることが好ましい。第1光吸収層17と第2光吸収層21とは、Al組成比xを固定した場合、In組成比yによって決定される臨界膜厚tまで形成される。光電変換素子1への入射光101は、まず第2光吸収層21に吸収されてフォトキャリアを生成する。第2光吸収層21で吸収されずに透過した光102などが、次ぐガイド層19を透過して第1光吸収層17に吸収されてフォトキャリアを生成する。このように膜厚2tのAlxInyGaN層で光を吸収することになるので、多くのフォトキャリアが生成されることとなる。ガイド層19は、第1光吸収層17と第2光吸収層21とを繋ぐ役目を果たし、構成元素の種類が第1光吸収層17および第2光吸収層21と同一である一方、構成元素の組成比が第1光吸収層17および第2光吸収層21とは異なる。具体的には、ガイド層19は、AlxInzGaN0≦x≦1、0<z≦1、0<xz≦1、0<z<yからなる。このようにガイド層19のIn組成比が第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比よりも低いため0<z<y、ガイド層19のバンドギャップエネルギーEgzは、図2に示すように、第1光吸収層17および第2光吸収層21のバンドギャップエネルギーEgyよりも大きくなる。よって、第2光吸収層21で生成されたフォトキャリアである電子、および第1光吸収層17で生成されたフォトキャリアである正孔から見て、ポテンシャル障壁Vが形成されることとなる。ガイド層が存在しない場合、第1光吸収層の膜厚が臨界膜厚tを超えると第1光吸収層にはミスフィット転位が形成される。そのため、第1光吸収層で生成したフォトキャリアがこの転位で非発光再結合してしまう。この非発光再結合によりフォトキャリアの減少を招くため、短絡電流の向上を図ることが難しい。それだけでなく、光電変換素子の最大出力の低下を招くため、曲線因子の低下を引き起こす。また、ガイド層のIn組成比zが0である場合、すなわちガイド層がAlxGaN0≦x≦1からなる場合、このバンドギャップエネルギーは3.4eV~6.0eVとなり、ガイド層がInを含む場合のバンドギャップエネルギーよりも大きくなる。そのため、第2光吸収層21または第1光吸収層17で生成されたフォトキャリアから見て、ポテンシャル障壁は、ガイド層がInを含む場合よりも非常に大きくなる。よって、ガイド層のIn組成比zが0であることはキャリアの移動の妨げを招く。一方、ガイド層19のIn組成比zが第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比y以上であればz≧y、ガイド層19のバンドギャップエネルギーEgzは第1光吸収層17および第2光吸収層21のバンドギャップエネルギーEgy以下となる。この場合、ガイド層19は第1光吸収層17のポテンシャル障壁と第2光吸収層21のポテンシャル障壁とに挟まれ、第1光吸収層17とガイド層19と第2光吸収層21とでSQW構造が形成されることとなる。そのため、生成されたフォトキャリアがガイド層19に閉じ込められるという不具合を招く。しかし、ガイド層19のIn組成比zが第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比yよりも低ければ0<z<y、ガイド層19がInを含んでいない場合に比べてポテンシャル障壁が低くなるため、多くのフォトキャリアを取り出せることになる。よって、短絡電流が向上する。また、光電変換素子1の最大出力が高くなるため、曲線因子が向上する。さらに、第1光吸収層17および第2光吸収層21とガイド層19とで格子間隔が異なることに起因する歪後述の圧縮応力を緩和させることによる曲線因子の低下という不具合の発生と、この歪に起因する圧電電界による内部電界の減少という不具合の発生を防止できる。したがって、ガイド層19がInを含むことは光電変換素子1にとって好ましい。以上のことから、ガイド層19のIn組成比zは、第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比yよりも低いことが好ましい。ガイド層19のIn組成比zが第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比yよりもたとえば1でも低ければ、多くのフォトキャリアをガイド層19を介して取り出すことができる。よって、ガイド層19のIn組成比zは、好ましくは第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比yの0.99倍以下であり、より好ましくはIn組成比yの0.02倍以上0.99倍以下である。なお、AlxInyGaNとAlxInzGaN0<z<yとのバンドオフセットに関しては、たとえば非特許文献4に記載されている。さらに、ガイド層19のIn組成比zが第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比yよりも低ければ、第1光吸収層17および第2光吸収層21とガイド層19との格子定数差に起因する不整合の度合いが小さくなる。よって、ガイド層19および第2光吸収層21におけるミスフィット転位の形成を阻止できる傾向にあり、結果としてシャント抵抗Rsh成分が小さくなることを阻止できる。したがって、ガイド層19がAlxInzGaN0≦x≦1、0<z≦1、0<xz≦1、0<z<yからなることは、光電変換素子1にとって非常に好ましい。その上、ガイド層19のIn組成比zが第1光吸収層17および第2光吸収層21のIn組成比yよりも低ければ、ガイド層19の屈折率は第1光吸収層17および第2光吸収層21の屈折率よりも低くなる。本実施形態に係る光電変換素子1では、入射光101が第2光吸収層21からガイド層19を透過して第1光吸収層17に入射される。このとき、入射光101のうち第2光吸収層21で吸収されずに第2光吸収層21を透過した光透過光102の一部はスネルの法則により第2光吸収層21とガイド層19との界面において反射する。この反射光103の一部は再び第2光吸収層21で吸収されるため、生成されるフォトキャリアの量を向上させる効果がある光閉じ込め効果1。さらに、透過光102のうち第2光吸収層21とガイド層19とで吸収されなかった光、および反射光103になり得なかった光透過光104は、第1光吸収層17に入射されて第1光吸収層17に吸収される。透過光104のうち第1光吸収層17で吸収されなかった光は、スネルの法則により第1光吸収層17とn型窒化物半導体層13との界面において反射して反射光105となって再び第1光吸収層17で吸収される。よって、生成されるフォトキャリアの量をさらに向上させる効果がある光閉じ込め効果2。これにより、光電変換素子1の短絡電流がさらに向上する。また、光電変換素子1の最大出力が高くなるため、曲線因子がさらに向上する。したがって、ガイド層19がAlxInzGaN0≦x≦1、0<z≦1、0<xz≦1、0<z<yからなることは、この点においても非常に好ましい。ガイド層19は、その膜厚に特に限定されないが、1nm以上5nm以下の膜厚dを有することが好ましい。第1光吸収層17で生成されたフォトキャリア正孔はトンネル効果により第2光吸収層21へ移動し、第2光吸収層21で生成されたフォトキャリア電子はトンネル効果により第1光吸収層17へ移動する。トンネル効果が生じる確率、つまりトンネル確率Pは、ポテンシャル障壁の大きさVと膜厚dとに大きく依存する。d>5nmである場合、トンネル中でフォトキャリアである電子と正孔とが再結合する時間再結合寿命が短いため、トンネル確率Pは小さくなることがある。一方、d<1nmである場合、トンネル確率Pは大きくなるが、ガイド層19の膜厚が薄すぎるために第1光吸収層17の表面におけるカバレッジ被覆率が不十分になる傾向がある。そのため、第2光吸収層21の結晶性を悪くする傾向がある。以上のことから、ガイド層19の膜厚dは、1nm≦d≦5nmであることが好ましい。特定の結晶構造を有する基板のc面上に成長したInGaN層における電子と正孔との再結合寿命に関しては、たとえば非特許文献5に記載されている。AlxInyGaNからなる第1光吸収層17および第2光吸収層21とAlxInzGaNからなるガイド層19との格子間隔を比較すると、0<z<yであるので、第1光吸収層17および第2光吸収層21の方がガイド層19よりも格子間隔が大きくなる。そのため、第1光吸収層17の上面上にコヒーレントに成長したガイド層19には、そのガイド層19の膜厚dが1nm≦d≦5nmを満たしている場合、図3に示すように、第1光吸収層17とガイド層19との界面で圧縮応力が働くが、この圧縮応力はガイド層19の表面近傍では緩和に向かい、ガイド層19の表面近傍では引っ張り応力が生じる。ここで、ガイド層19が厚膜である場合のヘテロ接合の理論計算では当該ガイド層19に圧縮応力だけが働くと仮定することがあるが、本実施形態におけるガイド層19の膜厚は数nm程度と薄いため、ガイド層19の表面領域では圧縮応力を緩和するための引っ張り応力が働く。この引っ張り応力により、ガイド層19には圧電電界圧電分極によって発生する電界が生じる。ガイド層19に生じた圧電電界は、pin接合部に生じる内部電界と同じ向きに働くため、第1光吸収層17で生成されたフォトキャリアの取り出しを向上させる効果がある。これにより、光電変換素子1の短絡電流がさらに向上し、また曲線因子がさらに向上する。よって、光電変換素子1にとって非常に好ましい。<p型窒化物半導体層>p型窒化物半導体層23は、上記<i型窒化物半導体層>で示す第1光吸収層17および第2光吸収層21よりも大きなバンドギャップエネルギーを有していれば良く、その材料に特に限定されない。p型窒化物半導体層23は、たとえばBeまたはMgなどのp型不純物がAlvInwGaN0≦v≦1、0≦w≦1、0<vw≦1層にドーピングされた層であれば良く、好ましくはMgがGaN層にドーピングされた層である。p型窒化物半導体層23におけるp型不純物濃度は、特に限定されないが、たとえば1×1017cm3以上1×1019cm3以下であれば良い。<透明導電膜>透明導電膜25は、その材料に特に限定されないが、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む単層であっても良いし、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む層が積層されて構成されていても良い。なお、Znを含む単層としては、たとえば、ZnOにAlがドープされたAZOaluminumdopedzincoxide層、ZnOにGaがドープされたGZOgalliumdopedzincoxide層、ZnOにMgがドープされたMZOmagnesiumdopedzincoxide層、またはZnOにInがドープされたIZOindiumdopedzincoxide層などが挙げられる。また、Mgを含む単層としては、たとえば、CがドープされたMgOH2層などが挙げられる。また、透明導電膜25として、たとえば、Al濃度の異なるZnOターゲットを用いて厚さ方向にAl濃度の異なるAZO膜を形成しても良く、GZO層とITO層などとを積層させて形成しても良い。透明導電膜25は、その膜厚に特に限定されないが、250nm以上500nm以下の膜厚を有することが好ましい。透明導電膜25の膜厚が250nm未満であれば、p型窒化物半導体層23と透明導電膜25との最適なオーミック接触を形成できない傾向があり、F.Fが低下する傾向がある。透明導電膜25の膜厚は、p型窒化物半導体層23の膜厚に応じて適宜変更することが好ましい。しかし、透明導電膜25の屈折率が1.5より大きく2.3より小さく、且つ透明導電膜25の膜厚が250nm以上500nm以下であるとき、0.4~0.5μmの短波長領域に対して透明導電膜25の透過率が高くなり、よって、第1光吸収層17および第2光吸収層21に多くの光が入るため、第1光吸収層17および第2光吸収層21で生成されるフォトキャリアが多くなる。これにより、光電変換素子1の短絡電流がさらに向上し、曲線因子もさらに向上する。したがって、透明導電膜25の屈折率が1.5より大きく2.3より小さく、且つ透明導電膜25の膜厚が250nm以上500nm以下であることは、光電変換素子にとって非常に好ましい。<光反射層>光反射層27は、光を反射させる層になり得るならばその材料に特に限定されない。しかし、光を反射させる金属元素のうち入手が容易で且つ反射率が大きいという点では、光反射層27は、Al単層またはAg単層であることが好ましい。0.5μm以下の短波長領域の光に対して優れた感度が要求される本実施形態では、光反射層27は、短波長側の反射率が大きいAg単層であることがより好ましい。光反射層27は、その膜厚に特に限定されないが、10nm以上1000nm以下の膜厚を有することが好ましい。光反射層27の膜厚がこの範囲外であれば、光反射層27が基板11の下面から剥がれやすい傾向にある。光反射層27が基板11の下面すなわち、光電変換素子1に対する入射光に対して最裏側に位置する層の表面上に設けられていると、次に示す効果が得られる。第1光吸収層17に入射する光図1に示す光104は、第2光吸収層21からの透過光であるため、光電変換素子1に入射した光のうち第2光吸収層21およびガイド層19に吸収されなかった光である。よって、第1光吸収層17に入射する光の強度は低い。そのため、第1光吸収層17で生成するフォトキャリアの量に短絡電流が律束されることがある。しかし、光反射層27が基板11の下面上に設けられていれば、光電変換素子1に入射した光が第2光吸収層21、ガイド層19および第1光吸収層17を透過して基板11の下面に到達した時、光反射層27がその光を反射させて第1光吸収層17側に戻す。光反射層27で反射した光106は、第1光吸収層17に再び入射されるため、第2光吸収層21およびガイド層19での吸収損失分を補うことができる光閉じ込め効果3。このため、光吸収層内で光路長が長くなり、第1光吸収層17および第2光吸収層21で発生するフォトキャリアが増加する。これにより、光電変換素子1の短絡電流がさらに向上する。そのうえ、光反射層27は、窒化物半導体層の外側に設けられるため、抵抗成分とならず、よって、曲線因子の低下を招来させない。よって、光反射層27を基板11の下面上に設けることは、光電変換素子1にとって非常に好ましい。<光電変換素子での光路>光電変換素子1への入射光101は、まず、第2光吸収層21で吸収される。第2光吸収層21で吸収されずに第2光吸収層21を透過した光102の一部は、第2光吸収層21とガイド層19との界面で反射され、その反射光103は、再び第2光吸収層21で吸収される光閉じ込め効果1。よって、光閉じ込め効果1により、第2光吸収層21は多くのフォトキャリアを生成する。透過光102のうち第2光吸収層21とガイド層19とで吸収されなかった光、および反射光103に成り得なかった光は、透過光104として、第1光吸収層17に入射されて当該第1光吸収層17に吸収される。第1光吸収層17で吸収されずに第1光吸収層17を透過した光は、第1光吸収層17とn型窒化物半導体層13との界面において反射し、その反射光105は再び第1光吸収層17で吸収される光閉じ込め効果2。これによっても、生成されるフォトキャリアの量をさらに向上させる効果がある。反射光105となり得ず基板11を透過した光は光反射層27で反射され、その反射光106は第1光吸収層17側に戻る光閉じ込め効果3。よって、光閉じ込め効果3により、第1光吸収層17および第2光吸収層21は多くのフォトキャリアを生成する。なお、本実施形態におけるi型窒化物半導体層は、n層の光吸収層とn-1層のガイド層とで構成されていることが好ましい。この場合、ガイド層は、2層の光吸収層で挟まれるように配置されていれば良い。これにより、短絡電流および曲線因子のさらなる向上を図ることができる。また、本実施形態における光電変換素子では、金属層が透明導電膜を挟んでp型窒化物半導体層の上に設けられていても良い。さらに、本実施形態におけるガイド層の構成は、図2に示す構成に限定されず、下記第1~第4の変形例で示す構成であっても良い。<第1の変形例>図4は、第1の変形例に係る光電変換素子におけるエネルギーバンド図である。本変形例に係る光電変換素子では、ガイド層29は、第1半導体層29Aと4層の第2半導体層29Bとで構成されている。第1半導体層29Aは、第1光吸収層17と第2光吸収層21との間に設けられており、第2半導体層29B、第1光吸収層17、および第2光吸収層21よりも大きなバンドギャップエネルギーEgz3を有する。第2半導体層29Bは、互いに異なるバンドギャップエネルギーを有し、第1光吸収層17および第2光吸収層21のそれぞれから第1半導体層29Aへ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが順次大きくなるように配置されている。具体的には、第1光吸収層17の上には、AlxInz5GaNからなる第2半導体層29B、AlxInz4GaNからなる第2半導体層29B、AlxInz3GaNからなる第1半導体層29A、AlxInz2GaNからなる第2半導体層29B、AlxInz1GaNからなる第2半導体層29B、および第2光吸収層21が順次積層されている。ここで、0<Z3<Z4<Z5<y、および0<Z3<Z2<Z1<yを満たす。このように第1光吸収層17および第2光吸収層21のそれぞれから第1半導体層29Aへ向かうにつれてIn組成比は低くなる。よって、バンドギャップエネルギーは、第1光吸収層17および第2光吸収層21から第1半導体層29Aへ向かうにつれて大きくなる。詳細には、図4に示すように、バンドギャップエネルギーは、第1光吸収層17から第1半導体層29Aへ向かうにつれてEgz5、Egz4、Egz3の順に大きくなり、第2光吸収層21から第1半導体層29Aへ向かうにつれてEgz1、Egz2、Egz3の順に大きくなる。バンドギャップエネルギーが第1光吸収層17および第2光吸収層21のそれぞれから第1半導体層29Aへ向かうにつれて階段状に大きくなるため、第2光吸収層21で生成されたフォトキャリアである電子から見て階段状のポテンシャル障壁V1、V2およびV3が順に形成され、第1光吸収層17で生成されたフォトキャリアである正孔から見て階段状のポテンシャル障壁V6、V5およびV4が順に形成される。そして、第2光吸収層21で生成されたフォトキャリアである電子は、階段状のポテンシャル障壁に沿って第1光吸収層17へ移動することとなる。また、第1光吸収層17で生成されたフォトキャリアである正孔は、階段状のポテンシャル障壁に沿って第2光吸収層21へ移動することとなる。これにより、多くのフォトキャリアを取り出せることとなり、よって、短絡電流が向上する。したがって、本変形例に係る光電変換素子は太陽電池として有効である。なお、第1半導体層29Aは、Inを含んでいなくても良く、つまりAlxGaN0≦x≦1からなっても良い。なぜならば、本変形例では、第1光吸収層17および第2光吸収層21のそれぞれと第1半導体層29Aとの間には第2半導体層29Bが設けられているため、ポテンシャル障壁が急激に高くなることを防止できるからである。このことは、下記第2~第4の変形例においても言える。また、第2半導体層29Bの膜厚dは、それぞれ、1nm以上5nm以下であれば良い。これにより、第2光吸収層21で生成されたフォトキャリアである電子は、階段状のポテンシャル障壁に沿って第1光吸収層17へ移動でき、第1光吸収層17で生成されたフォトキャリアである正孔は、階段状のポテンシャル障壁に沿って第2光吸収層21へ移動できる。それだけでなく、上記第1の実施形態で示したように、第2光吸収層21の結晶性の悪化を防止できる。このことは、下記第2~第3の変形例においても言える。また、第2半導体層29Bの層数は、特に限定されない。第1光吸収層17の上には、AlxInzGaN層、、AlxInzGaN層、AlxInznGaN層第1半導体層、AlxInzGaN層、AlxInz2GaN層、およびAlxInz1GaN層0<zn<zn1<<znm<y、0<zn<zn-1<<z2<z1<y、但しnとmとは自然数であり、n≧4、m≧2が順に積層されていれば良い。また、下記第2の変形例で示すように、第1光吸収層17と第1半導体層29Aとの間に設けられた第2半導体層29Bの層数は、第2光吸収層21と第1半導体層29Aとの間に設けられた第2半導体層29Bの層数とは異なっても良い。<第2の変形例>図5は、第2の変形例に係る光電変換素子におけるエネルギーバンド図である。本変形例に係る光電変換素子では、ガイド層39は、第1半導体層29Aと3層の第2半導体層29Bとで構成されており、AlxInz1GaNからなる第2半導体層29Bを有していない点で上記第1の変形例におけるガイド層29とは異なる。このような場合であっても、上記第1の変形例と略同一の効果を得ることができる。<第3の変形例>図6は、第3の変形例に係る光電変換素子におけるエネルギーバンド図である。本変形例に係る光電変換素子では、ガイド層49は、第1半導体層29Aと2層の第2半導体層29Bと1層のグレーデッド層29Cとで構成されており、上記第1の変形例におけるAlxInz1GaNからなる第2半導体層29BおよびAlxInz2GaNからなる第2半導体層29Bの代わりにグレーデッド層29Cが設けられている。グレーデッド層29Cは、第2光吸収層21から第1半導体層29Aへ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが単調に増加するように構成されており、具体的には第2光吸収層21から第1半導体層29Aへ向かうにつれてIn組成比が単調に減少するように構成されている。この場合、第2光吸収層21で生成されたフォトキャリアである電子から見て、滑らかに増加するポテンシャル障壁V’が形成される。電子は、このグレーデッドなポテンシャル障壁に沿って第2光吸収層21から第1光吸収層17へ移動し易くなる。これにより、上記第1の変形例および上記第2の変形例よりもフォトキャリアを多く取り出せることになり、短絡電流がさらに向上する。よって、本変形例に係る光電変換素子は太陽電池として有効である。グレーデッド層29Cは、その組成に限定されないが、第2半導体層29Bなどと同じくAlGaInNからなれば良く、In組成比が第2光吸収層21から第1半導体層29Aへ向かうにつれて単調に減少するようにそれぞれの組成比が調整されていれば良い。グレーデッド層29Cは、たとえば製膜装置付帯または製膜装置内蔵のマスフローコントローラーでTMIトリメチルインジウム、TMIはTri-methylIndiumの略語の流量を調整しながら、具体的にはマスフローコントローラーでTMI流量を経時的に少なくしながら結晶成長させることなどにより作製されることが好ましい。また、グレーデッド層29Cの膜厚dは、第2半導体層29Bの膜厚dと同じく1nm以上5nm以下であることが好ましい。これにより、上記第1の実施形態で示したように、トンネル確率Pの低下を防止でき、第2光吸収層21の結晶性の悪化を防止できる。このことは、下記第4の変形例においても言える。<第4の変形例>図7は、第4の変形例に係る光電変換素子におけるエネルギーバンド図である。本変形例に係る光電変換素子では、ガイド層59は、第1半導体層29Aと2層のグレーデッド層29Cとで構成されており、上記第3の変形例におけるAlxInz4GaNからなる第2半導体層29BおよびAlxInz5GaNからなる第2半導体層29Bの代わりにグレーデッド層29Cが設けられている。この場合、第1光吸収層17で生成されたフォトキャリアである正孔から見て、滑らかに増加するポテンシャル障壁V’が形成される。正孔は、このグレーデッドなポテンシャル障壁に沿って第1光吸収層17から第2光吸収層21へ移動し易くなる。これにより、上記第3の変形例よりもフォトキャリアを多く取り出せることになり、短絡電流がさらに向上する。よって、本変形例に係る光電変換素子は太陽電池として有効である。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1>図8は、本発明の実施例1に係る光電変換素子80の側面図である。本実施例に係る光電変換素子80は、MOCVD法により製造されたものであり、透明導電膜95の表面から基板81側へ向かって入射光101を入射することにより作動される。本実施例では、基板81として、47フッ化水素で表面洗浄を施したGaN基板を用いた。該GaN基板81を1100°Cまで加熱、より好ましくは1120°Cまで加熱し、トリメチルガリウムTMG:Tri-methylGalliumを125μmol、およびアンモニアNH3を270mmol用いて、膜厚1.5μmのn型窒化物半導体層83を形成した。該n型窒化物半導体層83は、Siを2×1018個/cm3ドープしたGaN層である。n型不純物ガスとして、供給量が2mmolのモノシランSiH4を用いた。該n型窒化物半導体層83は、たとえば0.1μm以上4μm以下の膜厚にすることができる。基板81は、たとえば、AlpInqGaN0≦p≦1、0≦q≦1、0<pq≦1であっても良い。また、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、またはZrB2などから選択されても良い。n型窒化物半導体層83を形成後、800°Cまで降温させ、より好ましくは750°Cまで降温させ、TMGを300μmol、TMIを80μmol、およびNH3を425mmol用いて、膜厚100nmのIn010Ga090Nから成るi型窒化物半導体である第1光吸収層87を形成した。In010Ga090N層の臨界膜厚を実験的に求めるため、オージェ電子分光法でInの深さ方向分布を得た。その結果を図9に示す。図9に示す地点XがIn010Ga090N層の成長開始地点を示す。膜厚が51nm図9の横軸における84nm付近までIn濃度を9に保ちながら成長した後、図9に示す地点Yから以降急峻にIn濃度が11になった。このことは、In濃度9のInGaNの臨界膜厚が50nm程度であることを示している。臨界膜厚よりも厚くなるとIn濃度が急峻に増加する理由としては、断定できないが、刃状転位を形成して第1光吸収層および第2光吸収層とガイド層とで格子間隔が異なることに起因する歪を緩和させる際、転位が形成された表面には未結合手が多く存在することになるため、その表面には多くのInが吸着されることになるからである、と考えられる。本実施例の成長条件で形成されるIn010Ga090N層の臨界膜厚を実験的に得た後、同条件にてIn010Ga090N層の膜厚が臨界膜厚となった直度にガイド層89を形成して102nmのInGaNから成るi型窒化物半導体層85を成長させた。その結果を図10に示し、i型窒化物半導体層85の側面図を図11に示す。45nmのIn010Ga090Nからなる第1光吸収層87を形成後、4nmのIn005Ga095Nからなる第2半導体層89Bと、4nmのIn003Ga097Nからなる第1半導体層89Aと、4nmのIn005Ga095Nからなる第2半導体層89Bとで構成されるガイド層89を形成し、続いて45nmのIn010Ga090Nからなる第2光吸収層91を形成した。第2光吸収層91の成長条件は第1光吸収層87の成長条件と全く同じであり、第1半導体層89Aおよび第2半導体層89BもTMIの供給流量を減らしたことを除いては第1光吸収層87の成長条件と同じである。図10から明らかなように、第1半導体層89Aと第2半導体層89Bとで構成されるガイド層89を導入したことにより図9で見られたような急峻なIn濃度の差異の発生が阻止されたことが分かる。また、第1光吸収層87および第2光吸収層91では、In濃度は均一で10であった。つまり、第1光吸収層87および第2光吸収層91は、いずれも50nm程度の膜厚を有するIn010Ga090N層である。このようなi型窒化物半導体層85では、入射光101は、まず第2光吸収層91で吸収される。第2光吸収層91で吸収し切れずに透過した光102は、第2光吸収層91とガイド層89との界面で反射され、その反射光103は、再び第2光吸収層91で吸収される。よって、光閉じ込め効果1により、第2光吸収層91が多くのフォトキャリアを生成する。透過光102のうち第2光吸収層91とガイド層89とで吸収されなかった光、および反射光103に成り得なかった光は、透過光104として第1光吸収層87に入射され、第1光吸収層87に吸収される。また、透過光104のうち第1光吸収層87で吸収されなかった光は、第1光吸収層87とn型窒化物半導体層83との界面で反射される。その反射光105は、再び第1光吸収層87で吸収される。これによっても、第1光吸収層87が多くのフォトキャリアを生成する。第1光吸収層87、第1半導体層89A、第2半導体層89B、および第2光吸収層91を形成後、1000°Cまで昇温、より好ましくは1070°Cまで昇温し、TMGを125μmol、およびNH3を270mmol用いて、膜厚50nmのp型窒化物半導体層93を形成した。該p型窒化物半導体層93は、Mgを2×1019個/cm3ドープしたGaN層である。p型不純物ガスとして、0.3μmolの供給量のビスシクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgを用いた。該p型窒化物半導体層93は、たとえば50nm以上2000nm以下の膜厚にすることができる。ここで、第2半導体層89Bの代わりに、たとえば図6または図7に示すグレーデッド層29Cを用いても良い。アニール炉を用いてp型窒化物半導体層93に対して熱処理を行なった。熱処理温度を800°Cとし、5分間保持した。熱処理の気相の雰囲気は、窒素のみで構成した。図12は、n型窒化物半導体層83/第1光吸収層87/ガイド層89/第2光吸収層91/p型窒化物半導体層93のエネルギーバンド図を示す。第2光吸収層91で生成された電子は、ガイド層89に沿ってn型窒化物半導体層83へ移動し、第1光吸収層87で生成された正孔は、ガイド層89に沿ってp型窒化物半導体層93へ移動する。p型窒化物半導体層93に熱処理を施した後、マグネトロンスパッタを用いて、Al濃度2のZnOターゲットから、膜厚0.32μmのAZO透明導電膜95を形成した。基板温度を180°Cとし、製膜時の分圧をO2/Ar=3.8で行った。なお、透導電率および透過率向上のためには、分圧を3.0~10.0で変化させてAl濃度が異なるZnOターゲットから形成したAZO膜を透明導電膜95としても良い。また、同様の目的のために、ドーパントをGaとしたGZO膜またはITO膜などのAZOとは異なる組成の膜を透明導電膜95としても良い。透明導電膜95を形成後、結晶性および密着性向上のために、アニール炉を用いて熱処理をした。熱処理温度を600°Cとし、10分間保持した。熱処理の気相の雰囲気を酸素分圧2.0の真空中で構成した。透明導電膜95に熱処理を施した後、図8に示すように、基板81の裏面上に、マグネトロンスパッタを用いて、Ag純度99.9のAgターゲットから膜厚150nmの光反射層97を形成した。本実地例ではAgの単膜としたが、光を反射し得る金属ならば、たとえばAl、Au、Ni、TiまたはPtの単膜を用いても良いし、これらを積層したものを用いても良い。本実地例では、マグネトロンスパッタで該光反射層97を形成したが、光反射層97の製膜装置は限定されるものでなく、たとえば真空蒸着法またはイオンプレーティング法による製膜装置であっても良い。図13には光反射層97の反射率を示す。L1はAg膜の反射率の波長依存性を示し、L2はAl膜の反射率の波長依存性を示す。L1とL2とを比較すると、短波長側0.35μm以上0.5μm以下ではAg膜の方が反射率が高い。そのため、光電変換素子80の光反射層97としては、Ag膜を用いることが好ましいことが分かる。なお、市販の光学素子測定装置の自動測定で光反射層97の反射率を測定した。反射率の導出としてはフレネルの式を用いた。光反射層97は、図11に示す透過光104のうち第1光吸収層87およびn型窒化物半導体層83で吸収されなかった光を反射させる。その反射光106は、再びn型窒化物半導体層83を経由して第1光吸収層87に再び入射され、光閉じ込め効果2を促す。これより、第2光吸収層91で十分のフォトキャリアを生成できるため、第1光吸収層87で損失した光による第2光吸収層91における短絡電流の律速を阻止できる。透明導電膜95に熱処理を施した後、表面に所定の形状のマスクを形成してからエッチング装置でマスクの上からエッチングし、n型窒化物半導体層83の一部を露出させた。p型窒化物半導体層93およびn型窒化物半導体層83の上面上に所定のパターンを有するマスクレジストマスクを形成し、そのマスクの上にNi/Pt/Auから成る金属膜を蒸着法によって順に積層し、リフトオフ法により当該金属膜からなるパッド電極不図示を形成した。次いで、ランプアニール装置にて400~600°Cで熱処理を施し、基板を研削および研磨し、次いで剥離の工程を経て、得られた基板を所定の箇所で分割した。これにより、本実施例に係る光電変換素子を得た。得られた光電変換素子におけるパッド電極を金線でリードフレームへ接続し、リードフレームの正極と負極とにプローブを接触させて電流および電圧測定用の回路を形成した。分光分布AM1.5、エネルギー密度100mW/cm2の1SUN疑似太陽光を光電変換素子に照射して、雰囲気温度と光電変換素子の温度とを25°Cの環境下で光電変換素子出力特性を測定した。<比較例>i型窒化物半導体層を第1光吸収層87のみで構成したことを除いては上記実施例1と同様の方法にしたがって、比較例における光電変換素子を作製した。上記実施例1で記載の方法にしたがって、得られた光電変換素子の出力特性を測定した。比較例における光電変換素子では、開放端電圧Vocは1.73Vであり、短絡電流Jscは0.80mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.41であり、光変換効率は0.57であった。一方、図8に示す実施例1に係る光電変換素子では、開放端電圧Vocは1.88Vであり、短絡電流Jscは1.55mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.58であり、光変換効率は1.60であった。このように実施例1では、比較例に比べて短絡電流が向上し、且つ曲線因子が向上した。<実施例2>ガイド層の構成が異なる点を除いては上記実施例1と同様の方法にしたがって、比較例における光電変換素子を作製した。以下では、上記実施例1とは異なる点を主に示す。図8に示すように第1光吸収層87を形成後、第1光吸収層87の成長温度を維持したまま、4nmのIn003Ga097Nからなるガイド層を形成し、続いて45nmのIn010Ga090Nからなる第2光吸収層91を形成した。上記実施例1と同様の方法にしたがって、p型窒化物半導体層93、透明導電膜95、およびパッド電極を形成した。このようにして実施例2に係る光電変換素子を得た。上記実施例1と同様の方法にしたがって、得られた光電変換素子の出力特性を測定した。比較例における光電変換素子では、上述のように、開放端電圧Vocは1.73Vであり、短絡電流Jscは0.80mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.41であり、光変換効率は0.57であった。一方、実施例2に係る光電変換素子では、開放端電圧Vocは1.82Vであり、短絡電流Jscは1.50mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.55であり、光変換効率は1.50であった。このように実施例2では、比較例に比べて短絡電流が向上し、且つ曲線因子が向上した。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。