平板状の第1部品を吸着コレットに吸着させる工程と、平板状の第2部品の上面に接着金属を配置する工程と、前記第1部品を吸着した状態で前記吸着コレットを移動させ、前記接着金属に前記第1部品をのせる工程と、前記第1部品と前記吸着コレットが接した状態で、前記第1部品と前記第2部品の間の距離が増減する方向にのみ前記吸着コレットをスクラブ動作させ、前記接着金属を介して前記第1部品を前記第2部品に固定する固定工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記吸着コレットは吸気管の吸気口が形成された平面を有し、前記平面が前記第1部品と接することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第2部品はパッケージにのせられており、前記固定工程では、前記第2部品の下面と前記パッケージ表面が前記接着金属と同じ材料で固定されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記スクラブ動作は、前記第1部品と前記第2部品の間の距離を徐々に減じるように行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記固定工程では、前記第1部品と前記接着金属を加熱した上で前記スクラブ動作を行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第1部品をのせる工程では前記第1部品が前記接着金属と接したことをセンサーで検知し、前記固定工程は、前記センサーで前記第1部品と前記接着金属が接したことを確認した後に実施することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記接着金属はSnAgはんだ又はSnAgCuはんだであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第1部品はペルチエ素子であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。請求項3に記載の製造方法で製造された半導体装置であって、前記パッケージには溝が形成され、前記第2部品は前記溝の底面に固定され、前記溝の壁面と、前記第1部品及び前記第2部品の距離は100μm以下であることを特徴とする半導体装置。請求項3に記載の製造方法で製造された半導体装置であって、前記パッケージには壁が形成され、前記壁と前記第1部品及び前記第2部品の距離は100μm以下であることを特徴とする半導体装置。請求項3に記載の製造方法で製造された半導体装置であって、前記第2部品の面積は前記第1部品の面積以下であることを特徴とする半導体装置。部品の高密度実装の観点から、部品はパッケージの所定位置にずれなく固定されることが望ましい。しかしながら特許文献1に開示される多方向のスクラブ動作を行うと、部品がパッケージの所定位置とずれた場所に固定されることがあった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、スクラブ動作を用いて部品を所定位置にずれなく固定できる半導体装置の製造方法とその方法で製造された半導体装置を提供することを目的とする。本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、平板状の第1部品を吸着コレットに吸着させる工程と、平板状の第2部品の上面に接着金属を配置する工程と、該第1部品を吸着した状態で該吸着コレットを移動させ、該接着金属に該第1部品をのせる工程と、該第1部品と該吸着コレットが接した状態で、該第1部品と該第2部品の間の距離が増減する方向にのみ該吸着コレットをスクラブ動作させ、該接着金属を介して該第1部品を該第2部品に固定する固定工程と、を備えたことを特徴とする。本願の発明に係る半導体装置は、前述の方法であって、該第2部品はパッケージにのせられており該固定工程では該第2部品の下面と該パッケージ表面が該接着金属と同じ材料で固定される方法で製造された半導体装置であって、該パッケージには溝が形成され、該第2部品は該溝の底面に固定され、該溝の壁面と、該第1部品及び該第2部品の距離は100μm以下であることを特徴とする。本願の発明に係る半導体装置は、前述の方法と同じ方法により製造された半導体装置であって、該パッケージには壁が形成され、該壁と該第1部品及び該第2部品の距離は100μm以下であることを特徴とする。本願の発明に係る半導体装置は、前述の方法と同じ方法により製造された半導体装置であって、該第2部品の面積は該第1部品の面積以下であることを特徴とする。本発明によれば、部品と他の部品の間の距離が増減する方向にのみ吸着コレットをスクラブ動作するため、部品を所定位置にずれなく固定できる実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では、まず吸着コレット以後、単にコレットというで半導体素子を吸着するステップ10。ステップ10は図2を参照して説明する。図2はコレットで半導体素子を吸着したことを示す図である。コレット30は吸気管30a、吸気口30b、及び吸気口30bが形成された平面30cを備えている。そして、吸気管30aの内部を矢印方向に吸気して平面30cに平板状の半導体素子32を吸着させている。次いで、平板状の中継基板の上面に接着金属をのせるステップ12次いで、接着金属上に半導体素子をのせるステップ14。ステップ14は図3と図4を参照して説明する。図3は半導体素子32を吸着した状態でコレット30を移動させることを示す図である。コレット30は、半導体素子32を中継基板42上面の接着金属40にのせるように移動する。接着金属40はSnAgはんだで形成されている。前述の中継基板42はパッケージ46にのせられている。すなわち、中継基板42は、中継基板42の下面の接着金属44を介してパッケージ46に接している。接着金属44もSnAgはんだで形成されている。図4はステップ14を終えて接着金属40に半導体素子32がのせられたことを示す図である。この段階では接着金属40と44は前述の場所に配置されているだけであり、接合を担っていない。次いで、接着金属40及び44を加熱した上でコレット30をスクラブ動作させるステップ16。この加熱は、接着金属40及び44が融点に達しこれらが溶融する温度である280°Cまで昇温するものである。接着金属40の加熱により、これと接する半導体素子32も加熱される。そして、接着金属40及び44を溶融させた上でコレット30をスクラブ動作させる。スクラブ動作は接着金属40及び44の表面酸化膜を除去して接着金属40及び44により各部品を接合するために行われる。図5はコレットのスクラブ動作を示す図である。図5に2本の矢印で示すように、半導体素子32と中継基板42の間の距離が増減する方向にのみコレット30をスクラブ動作させる。スクラブ動作の詳細について図6を参照して説明する。図6はスクラブ動作を行う時間スクラブタイムとコレット高さの関係を示す図である。コレット高さとは図5においてLで表されるコレット30からパッケージ46までの距離である。図6から分かるように、スクラブ動作はコレット30とパッケージ46と間の距離を徐々に減じるように行われる。ここで、スクラブ動作で変形するのは接着金属40と44であるため、スクラブ動作を行うと半導体素子32と中継基板42の間の距離及び中継基板42とパッケージ46の間の距離が増減する。そして、スクラブ動作を進めるほど半導体素子32と中継基板42の間の距離及び中継基板42とパッケージ46の間の距離が縮まる。このようなスクラブ動作により、接着金属40を介して半導体素子32が中継基板42に固定され、また、接着金属44を介して中継基板42がパッケージ46に固定される。なお、ステップ16を固定工程と称する。スクラブ動作後には、コレット30を退避して処理を終了するステップ18。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法は上述の各工程を備えている。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、コレットは半導体素子32と中継基板42の距離が増減する方向にのみスクラブ動作する。よって、半導体素子を中継基板42の所定位置に位置ずれなく固定できる。また、中継基板42をパッケージ46の所定位置に位置ずれなく固定できる。半導体素子32と中継基板42の間の距離が増減する方向にのみコレット30をスクラブ動作させると、スクラブ動作の初期において接着金属が半導体素子の外にはみ出す懸念がある。接着金属が半導体素子の外にはみ出すと半導体素子と中継基板の間の接着金属が不足し接合強度不足となることがある。ところが、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、スクラブ動作はコレット30とパッケージ46と間の距離を徐々に減じるように行われる。つまり半導体素子32と中継基板42との間の距離が徐々に減じられるようにスクラブ動作が実施されるので、接着金属40の半導体素子32外へのはみ出しを抑制でき、半導体素子32の裏面全体に接着金属40をつけることができる。なお、接着金属40が半導体素子32外へはみ出すことを抑制するためには1周期のスクラブ動作でコレットが動く距離を小さくすることが望ましい。半導体素子の温度が低い状態でスクラブ動作を開始すると、接着金属の濡れが悪く半導体素子に対し均一に接着金属を接合できない場合があった。ところが、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体素子を加熱した上でスクラブ動作を行う。これにより半導体素子32の裏面に均一に接着金属40を接合できる。スクラブ動作時にコレットを多方向上下左右に動作させる場合は、コレットから半導体素子が脱落しないようにコレットに半導体素子ガイド用凸部を設ける必要があった。またこの凸部は半導体素子のサイズ毎に形成場所が異なるので、半導体素子のサイズごとに固有の吸着用コレットを準備する必要があった。ところが、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では、スクラブ動作時に半導体素子がコレットからずれることはないため、コレットに凸部を設ける必要はない。よって、コレットの半導体素子と接する面を吸気口が形成された平面として、コレットの構成を簡略化できる。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では、同一組成の接着金属40及び44を用いて1回のスクラブ動作により半導体素子32と中継基板42の接合、及び中継基板42とパッケージ46の接合を行う。このように同一組成の接着金属40及び44を用いて必要な接合を一括して行うことにより半導体装置の製造時間を短縮できる。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では接着金属40及び44を用いたが、更に多くの接着金属を用いてもよい。図7は3箇所に接着金属を配置した例を示す図である。具体的には、接着金属40と中継基板42の間に、新たな中継基板52及び接着金属50が形成されている。このように部品を多段構成すると部品の位置すれが懸念されるが、本発明のスクラブ動作によれば位置ずれの心配はないので、一括して必要な接合を実施できる。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では、半導体素子32と中継基板42をパッケージ46に接合することとしたが本発明はこれに限定されない。接着金属による接合の対象は、パッケージに直接又は間接に接合すべき部品であれば特に限定されない。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では、接着金属を加熱した上でスクラブ動作を行うこととしたが本発明はこれに限定されない。常温でスクラブ動作を行っても半導体素子の裏面に均一に接着金属を接合できる場合は、当該加熱は必要ない。本発明の実施の形態1に係る接着金属はSnAgはんだに限定されない。たとえば、融点が230°C程度のSnAgCuはんだなどの他の材料を用いてもよい。接着金属の厚みが一定のばらつきを有していることがある。そこで、接着金属上に半導体素子をのせる工程ステップ14にて接着金属40と半導体素子32が接触したことをセンサーで検知することとしてもよい。そして、固定工程は当該センサーで接着金属40と半導体素子32が接したことを確認した後に実施する。こうすると、接着金属40と半導体素子32との間に隙間が生じて半導体素子32が十分加熱されない弊害を回避できる。実施の形態2.図8は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置を示す図である。実施の形態1において説明済みの部品については同一符号を付して繰り返しの説明を省略する以後同じ。パッケージ100には溝100aが形成されている。溝100aはパッケージに固定される部品の位置決めを行うために設けられている。そして溝100aの底面に接着金属44を介して中継基板42が固定されている。溝100aの壁面と、半導体素子32及び中継基板42からなる構造との距離は100μm以下である。このように構成された半導体装置は、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法により形成されたものである。パッケージの溝の底面に部品を接合する場合は、スクラブ動作時の部品のスクラブを考慮して溝の壁面と部品との間に100μmより大きい距離を確保しなければならなかった。そのため部品の高密度実装ができなかった。ところが本発明は半導体素子32と中継基板42の間の距離が増減する方向にのみスクラブ動作を行うので、パッケージに接合する部品と溝の側面との間の距離を大きくとる必要はない。よって、部品との距離が100μm以下となる幅の狭い溝の底面に部品を接合して、高密度実装ができる。図9は本発明の実施の形態2に係る半導体装置の変形例を示す図である。この半導体装置のパッケージ102には壁102aが形成されている。パッケージ102に固定された部品は、壁102aと100μm以下の距離を有している。本発明の実施の形態2に係る半導体装置では、スクラブ動作のためにパッケージに接合する部品と壁との間の距離を大きくとる必要はない。よって部品を壁102aに近接して接合して、高密度実装ができる。なお、パッケージに接合する部品と他の部品との間の距離も、同じ理由で短くできることはいうまでもない。その他、少なくとも実施の形態1と同程度の変形は可能である。実施の形態3.図10は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す図である。この半導体装置はパッケージ200に壁200a及び200bが形成されている。そして、2つの壁の間には接着金属202を介して中継基板204が接合されている。中継基板204の上には接着金属206を介して半導体素子208が接合されている。半導体素子208は中継基板204と面積が同じであり、両者は重なるように配置されている。スクラブ動作を多方向に行う場合、半導体素子が中継基板に対してずれることがあるので、スクラブ動作後の位置ずれ有無のチェックが必須であった。特に、中継基板及び半導体素子に電極配線が形成され、両方の電極配線を重ね合わせる必要がある場合にはこのチェックが必須である。このチェックは目視又は電気測定によって行われる。目視チェックする場合には半導体素子の面積は中継基板の面積よりも小さくなければならなかった。ところが、上述した本発明のスクラブ動作を採用すれば半導体素子が中継基板に対してずれることはないので、スクラブ動作後の位置ずれチェックは不要である。よって、半導体素子と中継基板の面積を同じにして高密度実装ができる。また、位置ずれチェックが不要なので工程を簡略にできる。本発明の実施の形態3に係る半導体装置では、半導体素子208の面積と中継基板204の面積を一致させたが本発明はこれに限定されない。たとえば、中継基板の面積を半導体素子の面積より小さくしてもよい。図11は本発明の実施の形態3の半導体装置の変形例を示す図である。パッケージ220に接着金属222を介してヒートシンク224が接合されている。ヒートシンク224の上には接着金属226を介して半導体素子228が接合されている。ヒートシンク224の面積は半導体素子228の面積よりも小さい。半導体素子228が大型で高放熱性が要求される場合はヒートシンクが必要となる。ところが前述のように位置ずれチェックのためにヒートシンクの面積を半導体素子の面積よりも大きくしなければならないとヒートシンクが大型化しその分コスト高になる。しかしながら、本発明の半導体装置の製造方法ではスクラブ動作後の位置ずれチェックは不要のため、ヒートシンク224の面積を半導体素子228の面積より小さくして、低コスト化できる。また、本発明のスクラブ動作により半導体素子の所定位置に位置ずれなくヒートシンクを接合できるので設計どおりの放熱性を実現できる。ところでパッケージ内の温度を制御する場合、半導体素子としてペルチエ素子を用いることがある。図12はペルチエ素子を示す図である。ペルチエ素子230は2枚の金属板232と234、及びこれらに挟まれた半導体236を備えている。ペルチエ素子230にスクラブ動作を与え、所望位置に接合しようとする場合、特に横方向のスクラブ動作図12に矢印で示す方向を与えるとペルチエ素子230が劣化することがあった。ところが本発明のように部品間の距離が増減する方向にのみスクラブ動作を与えると、横方向のスクラブ動作は無くなりペルチエ素子230の劣化を抑制できる。このように本発明によれば、機械強度の弱い半導体素子もスクラブ動作により所望の位置に接合できる。その他、少なくとも実施の形態1と同程度の変形は可能である。