ダイパッドに凹部を有するリードフレームを準備する準備工程と、前記ダイパッドに接着剤を前記凹部が完全には埋まらないように塗布する塗布工程と、前記凹部を押しピンにより押し上げる押し上げ工程と、前記押し上げ工程後、半導体チップを前記ダイパッドにダイボンディングするダイボンディング工程と、前記ダイボンディング工程後、前記押しピンによる凹部の押し上げを解除する押しピン除去工程と、を含む、半導体装置の製造方法。請求項1に記載した半導体装置の製造方法において、前記塗布工程では前記凹部の周りにのみ前記接着剤を塗布する半導体装置の製造方法。半導体チップと、前記半導体チップと接合させるダイパッドを有するリードフレームと、前記半導体チップと前記ダイパッドを接合する接着剤と、を備え、前記ダイパッドは、前記半導体チップの裏面の面積より開口面積が小さい凹部を有しており、前記凹部には、前記接着剤が充填されていない中空部が設けられている半導体装置。ダイパッドを固定する吸引部と、前記ダイパッドの一部を押し上げる押しピンと、前記ダイパッドに半導体チップを搭載させるマウントヘッドと、前記吸引部と前記マウントヘッドと前記押しピンを制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置。ダイパッドの上に半導体チップを載せる時、半導体チップとダイパッドの接合に用いる接着剤が必要以上に半導体チップの外側にはみ出す可能性がある。接着剤が必要以上に半導体チップの外側にはみ出した場合、はみ出した接着剤はチップ表面に這い上がり電極パッド上に広がることにより、ボンディングワイヤと電極パッドとの間で接合に異常を引き起こす可能性があった。また、接着剤は封入用樹脂との密着性が悪いため、ダイパッドと半導体チップとの間で樹脂剥離を引き起こす可能性があった。本発明によると、ダイパッドに凹部を有するリードフレームを準備する準備工程と、上記ダイパッドに接着剤を上記凹部が完全には埋まらないように塗布する塗布工程とと、上記凹部を押しピンにより押し上げる押し上げ工程と、上記押し上げ工程後、半導体チップを上記ダイパッドにダイボンディングするダイボンディング工程と、上記ダイボンディング工程後、上記押しピンによる凹部の押し上げを解除する押しピン除去工程と、を含む、半導体装置の製造方法が提供される。さらに本発明によると、半導体チップと、上記半導体チップと接合させるダイパッドを有するリードフレームと、上記半導体チップと上記ダイパッドを接合する接着剤と、を備え、上記ダイパッドは、上記半導体チップの裏面の面積より開口面積が小さい凹部を有しており、上記凹部には、前記接着剤が充填されていない中空部が設けられている半導体装置が提供される。なお、上記に記載した半導体装置において、上記接着剤が上記ダイパッドにおける上記凹部周りに塗布された半導体装置が提供される。さらに本発明によると、ダイパッドを固定する吸引部と、上記ダイパッドの一部を押し上げる押しピンと、上記ダイパッドに半導体チップを搭載させるマウントヘッドと、上記吸引部と上記マウントヘッドと上記押しピンを制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置が提供される。本発明によれば、凹部を押し上げた状態のダイパッドに、半導体チップを載せる。次に、押しピン除去工程を行うことで凹部に対して元に戻ろうとする力がかかる。これによって凹部の内側と凹部の外側との間に圧力差が生じる。この圧力差を起因とする凹部向きの吸引力が、接着剤に対してかかる。つまり、半導体チップの外側にはみ出す可能性があった接着剤を、凹部に取り込むことができる。本発明によれば、ダイボンディングに使用する接着剤が必要以上にはみ出してしまうことを抑制できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1とは、本実施の形態に係る半導体装置の断面図を示す。図1に示すように本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ120と、半導体チップ120と接合させるダイパッド104を有するリードフレーム100と、半導体チップ120とダイパッド104を接合する接着剤130と、を含む。本実施の形態において、ダイパッド104は、半導体チップ120の裏面の面積より開口面積が小さい凹部108を有している。凹部108には、接着剤130が充填されていない中空部106が設けられている。図1に示すように、本実施の形態の半導体装置は、リードフレーム100のリード102と半導体チップ120の電極パッド図示せずがボンディングワイヤ110により電気的に接続されている。半導体チップ120、リード102、およびボンディングワイヤ110はモールド樹脂140により封止されている本実施形態による半導体装置に関して、より具体的に述べる。本実施の形態の半導体装置に含まれる凹部108は、四角形の形状の開口を備えている。本半導体装置に含まれるダイパッド104における凹部108の開口面積は、半導体チップ120の裏面の面積に対し60の物を使用している。接着剤130は、例えば銀ペーストである。本実施形態における半導体装置では、図1に示すように接着剤130の一部が凹部108内にはみ出ている。なお、接着剤130は凹部108の全てを埋めてはいない。このため、凹部108内には中空部106が形成されている。さらに、半導体チップ120は凹部108に覆いかぶさるように接合されている。図2は、半導体装置の製造装置200の構成と半導体装置の断面図とを示す図である。図2に示すように、本実施の形態の半導体装置の製造装置200は、ダイパッド104を吸着する吸引部220と、ダイパッド104の一部を押し上げる押しピン230と、ダイパッド104に半導体チップ120を搭載するマウントヘッド210と、吸引部220とマウントヘッド210と押しピン230を制御する制御部240と、を含む。押しピン230の可変領域は、凹部108の深さに対し50である。また押しピン230の先端の形状は、半球状の形状になっている。マウントヘッド210は、半導体チップ120を吸着し、吸着した半導体チップ120をダイパッド104上に搭載する。以下、図1に示した半導体装置の製造方法における各工程について説明する。ここで示す半導体装置の製造方法における各工程とは、ダイパッド104に凹部108を有するリードフレーム100を準備する準備工程と、ダイパッド104に接着剤130を塗布する塗布工程と、凹部108を押しピン230により押し上げる押し上げ工程と、押し上げ工程後、半導体チップ120をダイパッド104にダイボンディングするダイボンディング工程と、ダイボンディング工程後、押しピン230による凹部108の押し上げを解除する押しピン除去工程の5工程を含む。まず、図3の平面図に示したダイパッド104を有するリードフレーム100を準備する準備工程。次に図4aの断面図、および図4bの平面図に示すように、ダイパッド104に接着剤130を塗布する塗布工程。具体的には、まず図4aに示すようにダイパッド104を製造装置200の吸引部220によって吸着する。また図4bに示すように、吸着されたダイパッド104に接着剤130を、ダイパッド104の凹部108の周囲のみに塗布する。接着剤130の塗布では、半導体チップ120とダイパッド104を接合した際、接合面からその内側に空気が入らないようにしている。さらに、塗布箇所ごとの接着剤130の量がバラつかないようにしている。接着剤130の塗布方法に関して詳細を述べると、接着剤130を塗布開始点から凹部108の周囲を一周し、塗布開始点に戻るように塗布する。なお、接着剤130をダイパッド104から一度も離すことなく塗布している。次に図5の断面図に示すように、吸引部220に固定したダイパッド104の凹部108を押しピン230により押し上げる押し上げ工程。図5に示すように凹部108を押し上げることで、凹部108の体積は小さくなる。次に図2に示すように、半導体チップ120をダイパッド104上に搭載するダイボンディング工程。ダイパッド104は、押しピン230によって凹部108が押し上げられた状態で吸引部220に固定されている。この状態のダイパッド104と半導体チップ120とを接着剤130を用いて接合する。半導体チップ120の搭載にはマウントヘッド210を用いている。次に図6aの断面図、および図6bの平面図に示すように、押しピン230による凹部108の押し上げを解除する押しピン除去工程。図6aに示すように押しピン除去工程を施すことによって、押し上げられていた凹部108を元に戻そうとする力が働く。これによって凹部108内と凹部108の外との間に圧力差が生じる。接着剤130には、圧力差を起因として、凹部108内に引き込まれる向きの力がかかる。このため、半導体チップ120の外側にはみ出す接着剤130は、半導体チップ120を這い上がったり、ダイパッド104と半導体チップ120との間における樹脂剥離を引き起こす量には至らない。以上の工程により、図1に示した本実施の形態の半導体装置が得られる。次に本実施の形態の効果について説明する。本実施形態に係わる半導体装置の製造方法において、押し上げ工程と押しピン除去工程を行うことで凹部108が元に戻ろうとする。これにより、凹部108の内側と外側との間に圧力差が生じる。次に、この圧力差を起因とする凹部108向きの力が接着剤130にかかる。このため、接着剤130の一部を凹部108内に取り込むことができる。すなわち、半導体チップ120の外側への接着剤130の必要以上のはみ出しを抑制ができる。これによって、ボンディングワイヤ110と電極パッドとの間の接合に異常をきたすことがなくなる。さらに、ダイパッド104と半導体チップ120との間で樹脂剥離も起こりにくくなる。第2の実施形態図7は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図を示す。本実施形態においても半導体装置の製造工程は第1の実施形態と同じである。図7に示すように本実施の形態の半導体装置は、第1の実施形態と異なり押し上げ工程と押しピン除去工程を行うことで生じる元に戻ろうとする力によって凹部108の形状が、準備工程における凹部108の形状に戻っている。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。