基板24、特にセラミック絶縁体から形成されたもの、および、少なくとも一つのメタリック層metalliclayer26、特に前記基板24上に形成されたもの、ここにおいて、前記メタリック層26は、コンタクト要素を配置および固定するためのディープンニングdeepening40を具備しており、前記コンタクト要素16は少なくとも部分的にL字状であること、そして、前記ディープンニング40に前記コンタクト要素16を固定するための第1のアーム34、および、前記コンタクト要素を相互に連結するinterconnectための第2のアーム36を具備すること、ここにおいて、前記ディープンニング40は、前記コンタクト要素16の横寸法よりも約≦0.5mm大きい横寸法を有する、半導体モジョール10。請求項1の半導体モジョールにおいて、前記半導体モジョールは、ダイオード、トランジスタおよび/または集積回路などのパワー半導体デバイスを具備するパワー半導体モジュールである。請求項1または2の半導体モジョールにおいて、前記コンタクト要素16は、特にその第1のアーム34に、前記ディープンニング40と協力するのための、協力手段cooperationmeansを具備する。先行する請求項のいずれかの半導体モジョールにおいて、前記ディープンニング40は≧100μmの深さを有する。先行する請求項のいずれかの半導体モジョールにおいて、前記ディープンニング40は、少なくとも部分的に斜角がつけられた縁bevelledborder48に囲まれる。先行する請求項のいずれかの半導体モジョールにおいて、中間層56は、前記メタリック層26と前記基板24との間に配置される。半導体モジョール10を製造する方法であって、コンタクト要素16とメタリック層26とのコンタクトをもとらすステップを具備すること、前記コンタクト要素16は、少なくとも部分的にL字状であること、そして、前記ディープンニング40に前記コンタクト要素16を固定するための第1のアーム34および前記コンタクト要素16を相互に接続するための第2のアーム36を具備すること、ここにおいて、前記メタリック層26は、前記コンタクト要素16を配置するためのディープンニング40を具備し、ここにおいて、前記ディープンニング40は、前記コンタクト要素16の横寸法よりも約≦0.5mm大きい横寸法を有し、前記方法は、さらに、-前記ディープンニングにて前記メタリック層26上に前記コンタクト要素16を押すこと、-前記メタリック層26上に前記コンタクト要素16を溶接するために、前記コンタクト要素16と前記メタリック層26との界面に超音波エネルギーを印加することのステップを具備する。図1には、半導体モジョール10の構成が模式的に示されている。詳細には、前記半導体モジョール10の内部構造が描かれている。前記半導体モジョール10は、少なくとも一つの半導体デバイス14が配置されたハウジング12を具備する。半導体デバイス14は、好ましい例では、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT、ダイオード、金属酸化物半導体電界効果トランジスタMOSFET等のパワー半導体デバイスであっても構わない。図1によれば、ダイオードおよびIGBTが設けられている。半導体デバイス14または複数の半導体デバイス14は、コンタクト端子またはコンタクト要素16を介して、好ましくは、補助端子auxiliaryterminal18を介してそれぞれ接続可能であり、ここにいて、前記半導体デバイス14は好ましくはアルミニウムボンディングワイヤ20によって結合されるbonded。絶縁体として、エポキシ樹脂の層22が半導体デバイス14の上方に配置されても構わない。半導体デバイス14は、さらに、セラミック絶縁体、特に窒化アルミニウムセラミック絶縁体から形成され得る、基板24またはウェハ上にそれぞれ配置されても構わない。コンタクト要素16も補助端子18も、メタライゼーションまたはメタリック層26、特に銅メタライゼーションを介してそれぞれ基板24に接続される。加えて、基板24は、その底面bottomsideが、はんだ29を介して、さらになるメタライゼーション28、特に銅メタライゼーションおよびベースプレート32に接続される。ハウジング12の内部に残っている体積volumeは、例えばシリコーンゲル30で充填されている。コンタクト要素16とメタリック層26との間の接続は、以下の図2-図7に詳細に示されており、そこでは、同一または同等の要素には同一の参照符号によって参照される。図2には、メタリック層26およびさらなるメタライゼーション28と一緒に、基板24が示されている。メタリック層26にコンタクトするために、コンタクト要素16が設けられている。コンタクト要素16は、少なくとも部分的に、つまり、少なくともその底面にてL字状である。それは、したがって、メタリック層26にコンタクト要素16を固定するための第1のアーム34、および、それを例えば外部のコンタクトデバイスに相互接続するための第2アーム36を具備しており、前記外部のコンタクトデバイスはそのようには示されていない。コンタクト要素16を置くために、または、それを意図された位置に設置するために、それぞれ、本発明によれば、メタリック層26は前記メタリック層26内にディープンニングdeepening40を具備し、そして、それ故にレセプタブルreceptacleを具備しても構わない。したがって、コンタクト要素16、またはコンタクト要素16の第1のアーム34は、それぞれ、意図された位置に設置されるように、前記ディープンニング40内に収められても構わないことは明らかである。コンタクト要素16、特にその第1のアーム34は、メタリック層26に固定されても構わない。したがって、ディープンニング40の目的の一つは、メタリック層26上にコンタクト要素16の意図された位置を容易に見つけることである。ディープンニング40は好もしくは≧100μmの深さを有する。これは、適所にしっかりと保持されるように、ディープンニング40内におけるコンタクト要素16の確実の収まりを可能とする。固定プロセス中、特に溶接プロセス中に、コンタクト要素16を適所に保持するための第2の主目的をディープンニング40が有していても、ディープンニング40が、コンタクト要素16の横寸法、特にコンタクト要素16の第1のアーム34の横寸法よりも約≦0.5mm大きい横寸法を有することは適切である。これは、ディープンニング40内にコンタクト要素16を配置するステップを改善する。いったんコンタクト要素16がディープンニング40内に設置されたら、それはメタリック層26上に固定されなければならない。このステップは以下のように記述され、ここにおいて、このステップは、コンタクト要素16および/またはディープンニング40の特別な構成arrangementとは独立に行うことが可能であり、そして、したがって、以下の図面に従う実施形態内で同様に行うことが可能であることに留意にしなければならない。コンタクト要素16をメタリック層26に固定するステップは、特に半導体モジョールを製造する方法のステップである。コンタクト要素16およびメタリック層26をコンタクトした後、コンタクト要素16はメタリック層26に押し付けられる。上述したような実施形態では、コンタクト要素16は、第1のアーム34を介してメタリック層26に押し付けられる。これは、コンタクト要素16に、特に第1アーム34に、溶接ツール42を押し付けることによって行うことができる。これを模式的に図2に示す矢印44で示されている。溶接ツール42は、好ましくは、超音波、または超音波エネルギーを発生するための手段を具備する。例として、溶接ツール42はソノトロードsonotrodeを具備しても構わない。その結果、超音波エネルギーはコンタクト要素16とメタリック層26との界面46に印加される。超音波エネルギーのおかげで、コンタクト要素16がメタリック層26またはディープンニング40にそれぞれ超音波溶接プロセスによって固定されるので、コンタクト要素16およびメタリック層26は互いに接続される。ディープンニング40の提供に起因して、コンタクト要素16は適所に確実に保持され後者は意図された位置に固定されることにつながる。本発明のさらなる実施形態は図3に示される。図3によれば、ディープンニング40は少なくとも部分的に斜角がつけられたエッジbevellededgesまたは縁borders48にそれぞれ囲まれる。べべリングbevellingの量または程度は所望の用途に応じて選択され得る。しかしながら、コンタクト要素16がディープンニング40から滑り出ないことを保証するためには、べべリングが水平面に対して≧45°の範囲内に横たわることが最も好ましく、ここにおいて、前記水平面は、メタリック層26の面によって定義される。コンタクト要素16も同様に一つまたは複数の面に斜角がつけられたエッジbevellededgesを具備することがさらに有利である。好ましくは、これらの斜角がつけられたエッジ50が斜角がつけられた縁borders48に適合されるので、コンタクト要素16は、メタリック層26上またはディープンニング40にて、それぞれ改善される。本発明の部分ではない半導体モジョールの実施形態は図4に示される。図4によれば、固定手段38は、メタリック層26上に形成された少なくとも一つの隆起手段elevationmeans52を具備する。好ましくは、コンタクト要素16は隆起52によって完全に囲まれる。したがって、この実施形態によれば、隆起手段38はメタリック層26上に完全に形成される。これはメタリック層26がディープンニング40によって弱められないという利点を有し、そして、したがって、特に非常に薄いメタリック層26に対して有利である。隆起52は、例示的な仕方では、少なくとも一つ、特にコンタクト要素16に対してのストッパを形成する平坦なワイヤで形成されていても構わない。この場合、固定手段38は非常に容易に用意される。前記隆起は、例えば、前記コンタクト要素の意図された位置の一つまたはいくつかの側sidesに形成されても構わない。加えて、前記コンタクト要素の前記位置にて直接的に設置される位置に前記隆起を形成することも可能である。この場合、前記コンタクト要素が前記隆起とそれぞれ協力または相互に作用するための協力手段を具備することが最も好ましい。前記協力手段は、この場合、前記隆起にサイズおよびジオメトリーが適合されたコンタクト要素内のディープンニング、または、固定手段としてそれぞれ実現されても構わない。コンタクト要素16は、1つまたは複数の斜角がつけられたエッジ50および/または1つまたは複数の長方形のエッジ54を具備しても構わない。加えて、隆起52は、固定手段にコンタクト要素16を配置することを容易にするための斜角がつけられたエッジ50を具備しても構わない。本発明に係るさらなる実施形態が図5に示されている。この実施形態は、図3に係る実施形態に対応する。しかしながら、図5に係る実施形態は、メタリック層26と基板24との間に配置された中間層56という、さらなるフィーチャを具備する。中間層56は、任意の適切な層、特にメタル層でも構わなく、そして、それは例えばメタルプレートとして提供される。中間層56は、はんだ58または低温ボンディングによって、メタリック層26に取り付けられても構わない。それは、任意の適切な方法、例えば、堆積プロセスによって、さらに基板24に取り付けられても構わない。図5によれば、中間層56は基板24上にメタライザーションとして形成することができるが、ディープンニング40を具備するタリック層26はメタルプレーとして形成することができる。図6に係る実施形態は再び上述のような中間層56を具備することができる。加えて、図6によれば、メタリック層26はディープンニング40をメタリック層26内に具備する。前記ディープンニング40に加えて、コンタクト要素16は、ディープンニング40と協力するための協力手段を特にその第1のアーム34に具備する。詳細には、図6によれば、コンタクト要素16は、隆起60を、好ましくは第1のアーム34に具備する。隆起60およびディープンニング40は、好ましくは、サイズおよびジオメトリーに関して、互いに適合される。その結果、コンタクト要素16の隆起60は、ディープンニング40と協調するための固定手段として仕える。これは、ディープンニング40におけるコンタクト要素16のかみ合いfitをはるかにぴったりと合うようにすることを可能とする。本発明の部分ではない半導体モジョールのさらなる実施形態の部分は図7に示される。図7に係る実施形態は、メタリック層26は固定手段38としての隆起62を具備しているが、コンタクト要素16、特に、コンタクト要素16の第1のアーム34は固定手段38と相互に作用するディープンニング64を具備する相違がある、図6の実施形態に対応する。この場合もやはり、固定手段38、つまり、隆起62、およびディープンニング64は、好ましくは、サイズおよびジオメトリーに関して、互いに適合される。上述したようなフィーチャーは上述した実施形態には限定されないことに留意しなければならない。特に、固定手段38の構成は、中間層56と組み合わせても、そして、組み合わせなくても構わない。そのうえ、本発明を外れることがないものとして、異なる構成の固定手段38の組合せも可能である。本発明は図面および先の記述において詳細に例証および記述されているが、そのような例証および記述は実例および例示である考えられるべきであり、限定的ではなく、本発明は開示された実施形態には限定されない。実施形態が開示されるべき他の変形は、図面、開示および添付の特許請求の範囲の検討から、請求される発明を実施する当業者によって、理解および達成することができる。請求項において、用語具備することcomprisingは他の要素またはステップを除外はせず、そして、不定冠詞aまたはanは複数を除外しない。ある手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用できないことを示さない。請求項におけるいかなる参照符号も、範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。