フリー層、バリア層、およびピンド層を有する磁気トンネル接合MTJ記憶素子を形成する方法であって、前記フリー層の上に調整層を形成するステップと、前記調整層の上に上部電極を形成するステップと、前記上部電極をパターニングしてエッチングするステップと、前記上部電極をマスクとして利用して、前記調整層および前記フリー層をエッチングするステップと、前記調整層と、前記フリー層と、前記上部電極の少なくとも一部とを、スペーサ層により封入するステップと、前記MTJの前記バリア層および前記ピンド層をエッチングするステップと、前記スペーサ層、前記バリア層、および前記ピンド層を覆って、保護被覆層を堆積するステップとを含む、方法。前記スペーサ層が、内側スペーサ層および外側スペーサ層を含む、請求項1に記載の方法。前記内側スペーサ層が、金属材料から形成される、請求項2に記載の方法。前記外側スペーサ層が、絶縁材料から形成される、請求項2に記載の方法。前記MTJが、前記ピンド層に隣接する反磁性層をさらに含み、前記保護層が前記反磁性層を被覆する、請求項1に記載の方法。前記上部電極をパターニングするステップが、酸素灰化を利用してフォトレジストを除去するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記フリー層の上側部分が酸素灰化から保護されるように、前記調整層が、前記フリー層の前記上側部分の上に保護層を形成する、請求項6に記載の方法。前記バリア層の平面領域が、前記フリー層の平面領域よりも大きい、請求項1に記載の方法。前記MTJが反磁性層をさらに含み、前記ピンド層の積層体および前記反磁性層の平面領域が、前記フリー層の平面領域よりも大きい、請求項1に記載の方法。前記ピンド層の積層体が、底部ピンド層、カップリング層、および上部ピンド層を含む、請求項1に記載の方法。前記保護層の一部を除去して、前記上部電極の一部を露出するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。フリー層、バリア層、およびピンド層を含むMTJ積層体と、前記フリー層の上に形成される調整層と、前記調整層の上に形成される上部電極と、前記上部電極の少なくとも一部、前記調整層、および前記フリー層を封入する、スペーサ層と、前記スペーサ層および前記MTJ積層体の上に形成される、保護被覆層とを含む、磁気トンネル接合MTJ記憶素子。前記スペーサ層が、内側スペーサ層および外側スペーサ層を含む、請求項12に記載のMTJ記憶素子。前記内側スペーサ層が、金属材料から形成されている、請求項13に記載のMTJ記憶素子。前記金属材料が磁性体である、請求項14に記載のMTJ記憶素子。前記金属材料が非磁性体である、請求項14に記載のMTJ記憶素子。前記外側スペーサ層が、絶縁材料から形成されている、請求項13に記載のMTJ記憶素子。前記MTJ積層体が、前記ピンド層に隣接する反磁性層をさらに含む、請求項12に記載のMTJ記憶素子。前記バリア層の平面領域が、前記フリー層の平面領域よりも大きい、請求項12に記載のMTJ記憶素子。前記ピンド層の平面領域が、前記フリー層の平面領域よりも大きい、請求項12に記載のMTJ記憶素子。前記ピンド層が、底部ピンド層、カップリング層、および上部ピンド層を含む、請求項12に記載のMTJ記憶素子。前記上部電極の少なくとも一部が、前記スペーサ層および前記保護被覆層から露出されている、請求項12に記載のMTJ記憶素子。セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、携帯電話、ポータブルコンピュータ、携帯型パーソナル通信システムPCSユニット、通信デバイス、携帯情報端末PDA、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択される電子デバイスに組み込まれる、請求項12に記載のMTJ記憶素子。複数のMTJ記憶素子を含むメモリアレイに組み込まれる、請求項12に記載のMTJ記憶素子。第1の極性を保持する第1の磁気手段と、トンネル電流が流れることを可能にする第1の絶縁手段と、第2の極性を保持する第2の磁気手段とを含む、MTJ積層体であって、前記第2の極性が反転可能である、MTJ積層体と、前記第2の磁気手段の側壁部分および上側部分を、プロセスに関連する損傷から保護する第1の保護手段であって、前記第2の磁気手段の前記側壁部分および前記上側部分に沿って配置される、第1の保護手段と、前記第1の磁気手段および前記第1の絶縁手段を、プロセスに関連する損傷から保護する第2の保護手段であって、前記第1の磁気手段および前記第1の絶縁手段と接触する、第2の保護手段とを含む、磁気トンネル接合MTJ記憶素子。前記第1の保護手段が、内側保護手段および外側保護手段を含む、請求項25に記載のMTJ記憶素子。前記内側保護手段が、金属材料から形成されている、請求項26に記載のMTJ記憶素子。前記外側保護手段が、絶縁材料から形成されている、請求項26に記載のMTJ記憶素子。前記第1の絶縁手段の平面領域が、前記第2の磁気手段の平面領域よりも大きい、請求項25に記載のMTJ記憶素子。前記第1の磁気手段の平面領域が、前記第2の磁気手段の平面領域よりも大きい、請求項25に記載のMTJ記憶素子。前記第1の磁気手段が、底部磁気手段、カップリング手段、および上部磁気手段を含む、請求項25に記載のMTJ記憶素子。セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、携帯電話、ポータブルコンピュータ、携帯型パーソナル通信システムPCSユニット、通信デバイス、携帯情報端末PDA、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択される電子デバイスに組み込まれる、請求項25に記載のMTJ記憶素子。複数のMTJ記憶素子を含むメモリアレイに組み込まれる、請求項25に記載のMTJ記憶素子。フリー層、バリア層、およびピンド層を有する磁気トンネル接合MTJ記憶素子を形成する方法であって、前記フリー層の上に調整層を形成するステップと、前記調整層の上に上部電極を形成するステップと、前記上部電極をパターニングしてエッチングするステップと、前記上部電極をマスクとして利用して、前記調整層および前記フリー層をエッチングするステップと、前記調整層と、前記フリー層と、前記上部電極の少なくとも一部とを、スペーサ層により封入するステップと、前記MTJの前記バリア層および前記ピンド層をエッチングするステップと、前記スペーサ層、前記バリア層、および前記ピンド層を覆って、保護被覆層を堆積するステップとを含む、方法。前記スペーサ層が、内側スペーサ層および外側スペーサ層を含む、請求項34に記載の方法。前記内側スペーサ層が、金属材料から形成される、請求項35に記載の方法。前記外側スペーサ層が、絶縁材料から形成される、請求項35に記載の方法。前記MTJが、前記ピンド層に隣接する反磁性層をさらに含み、前記保護層が前記反磁性層を被覆する、請求項34に記載の方法。前記上部電極をパターニングするステップが、酸素灰化を利用してフォトレジストを除去するステップを含む、請求項34に記載の方法。前記フリー層の上側部分が酸素灰化から保護されるように、前記調整層が、前記フリー層の前記上側部分の上に保護層を形成する、請求項39に記載の方法。前記バリア層の平面領域が、前記フリー層の平面領域よりも大きい、請求項34に記載の方法。前記MTJが反磁性層をさらに含み、前記ピンド層の積層体および前記反磁性層の平面領域が、前記フリー層の平面領域よりも大きい、請求項34に記載の方法。前記ピンド層の積層体が、底部ピンド層、カップリング層、および上部ピンド層を含む、請求項34に記載の方法。前記保護層の一部を除去して、前記上部電極の一部を露出するステップをさらに含む、請求項34に記載の方法。本発明の例示的な実施形態は、MTJ記憶デバイスを形成するための方法と、その方法により形成されるデバイスとを対象とする。MTJ記憶素子は、スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリSTT-MRAMセルおよび様々な他の電子デバイスに含まれ得る。たとえば、例示的な実施形態は、フリー層、バリア層、およびピンド層を有する、磁気トンネル接合MTJ記憶素子を形成する方法を含んでもよく、この方法は、フリー層の上に調整層を形成するステップと、調整層の上に上部電極を形成するステップと、上部電極をパターニングしてエッチングするステップと、上部電極をマスクとして利用して、調整層およびフリー層をエッチングするステップと、調整層と、フリー層と、上部電極の少なくとも一部とを、スペーサ層により封入するステップと、MTJのバリア層およびピンド層をエッチングするステップと、スペーサ層、バリア層、およびピンド層を覆って保護被覆層を堆積するステップとを、含む。別の実施形態は、磁気トンネル接合MTJ記憶素子を含んでもよく、MTJ記憶素子は、フリー層、バリア層、およびピンド層を含むMTJ積層体と、フリー層の上に形成される調整層と、調整層の上に形成される上部電極と、上部電極の少なくとも一部、調整層、およびフリー層を封入するスペーサ層と、スペーサ層およびMTJ積層体の上に形成される保護被覆層とを、含む。別の実施形態は、フリー層、バリア層、およびピンド層を有する、磁気トンネル接合MTJ記憶素子を形成する方法を含んでもよく、この方法は、フリー層の上に調整層を形成するためのステップと、調整層の上に上部電極を形成するためのステップと、上部電極をパターニングしてエッチングするためのステップと、上部電極をマスクとして利用して、調整層およびフリー層をエッチングするためのステップと、調整層と、フリー層と、上部電極の少なくとも一部とを、スペーサ層により封入するためのステップと、MTJのバリア層およびピンド層をエッチングするためのステップと、スペーサ層、バリア層、およびピンド層を覆って保護被覆層を堆積するためのステップとを、含む。別の実施形態の磁気トンネル接合MTJ記憶素子は、MTJ積層体を含み、MTJ積層体は、第1の極性を保持する第1の磁気手段と、トンネル電流が流れることを可能にする第1の絶縁手段と、第2の極性を保持する第2の磁気手段であって、第2の極性が反転可能である、第2の磁気手段と、第2の磁気手段の側壁部分および上側部分を、プロセスに関連する損傷から保護する第1の保護手段であって、第2の磁気手段の側壁部分および上側部分に沿って配置される、第1の保護手段と、第1の磁気手段および第1の絶縁手段を、プロセスに関連する損傷から保護する第2の保護手段であって、第1の磁気手段および第1の絶縁手段と接触する、第2の保護手段とを、含む。添付の図面は、本発明の実施形態の説明を補助するために提示され、実施形態の限定ではなく、実施形態の例示のためのみに提供されるものである。本発明の特定の実施形態を対象とする以下の説明および関連する図面で、本発明の態様を開示する。本発明の範囲から逸脱することなく代替的な実施形態を考案することができる。さらに、本発明の関連する詳細を不明瞭にしないように、本発明のよく知られている要素は、詳細に説明されず、または省略される。例示的なという言葉は、一例、実例または例示として提供されるを意味するために本明細書で使用される。例示的として本明細書で説明する任意の実施形態は、必ずしも他の実施形態よりも好ましいまたは有利であると解釈されない。同様に、本発明の実施形態という用語は、本発明のすべての実施形態が、論じられた特徴、利点または動作モードを含むことを必要としない。本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態の説明のみを目的とするものであり、本発明の実施形態を限定することは意図されない。本明細書で用いられる場合、単数形a、anおよびtheは、別段文脈から明らかではない限り、複数形も含むことが意図される。本明細書で用いられる場合、用語備える、備えている、含むおよび/または含んでいるは、述べられた機構、整数、ステップ、動作、要素、および/またはコンポーネントの存在を特定するが、1つまたは複数の他の機構、整数、ステップ、動作、要素、コンポーネント、および/またはこれらの群の、存在または追加を排除しないことが、さらに理解されよう。従来の方法では、ハードマスク層316、MTJ積層体300の側壁、ならびに特に、フリー層314の上側部分320および側壁322、ならびにトンネルバリア層312の上側部分324および下側部分326を、プロセスに関連する損傷から保護することが難しい可能性があるということを、開示される実施形態は認識する。既存の技術は、上で説明された少なくともすべてのプロセスに関連する損傷からMTJを保護するための、効果的な解決策を提供しない。たとえば、特許文献1Assefa他、UtilizingSidewallSpacerFeaturestoFormMagneticTunnelJunctionsinanIntegratedCircuitは、図4に示される可能性のある損傷に対する効果的な措置を少なくとも提供できない。図4に示されるように、従来技術では、フリー層120の上側部分320が、フォトレジスト150の除去およびハードマスク140のエッチングのプロセスの間に、損傷にさらされる。Assefa他の文献で説明される側壁スペーサ160Sは、エッチングプロセスの間にハードマスク層140に副産物が再堆積することによる損傷を避けるのを助けるとされる、先細のマスキング機構を作成する。しかし、図4に示されるように、側壁スペーサの形成は、損傷からフリー層120の上側部分320を保護するには十分ではない。さらに、Assefa他は、MTJ積層体のエッチングの間に、フリー層120の側壁322、バリア130の側壁402、およびピンド層110を損傷から保護するための解決策を、何ら提供しない。本明細書で論じられる例示的な実施形態は、有利なことに、少なくとも上で説明されたプロセスに関連する損傷からMTJ積層体を保護できるようにして、それにより、MTJの製造における高い歩留まりを実現する。たとえば、調整層がフリー層314とハードマスク層316の間に導入され、フォトレジスト除去の間の酸素灰化による損傷からフリー層を保護する。また、実施形態によれば、1つまたは複数のスペーサ層が形成され、トンネルバリア312およびピンド層の積層のエッチングプロセスの間、フリー層314の側壁を保護する。さらに、実施形態によれば、被覆層が形成され、エッチングプロセスの後でMTJを修復し、自然酸化からパターニングされたエッチングされたMTJを保護する。加えて、実施形態によれば、MTJのトンネルバリアは、灰化および洗浄プロセスにはさらされない。さらに、従来技術と比較して、実施形態は、平面領域MTJ積層体の上面から見た、平面に沿った領域がより広いピンド層を実現し、これにより、フリー層314に対するピンド層の漂遊磁場の影響を減らす。ここで、図5~図7を参照して、プロセスに関連する損傷を低減する、MTJを効率的に製造する方法の例示的な実施形態が説明される。図5A~Dは、例示的な実施形態による、フリー層514とハードマスク層上部電極516との間に配置される調整層515により形成される、磁気トンネル接合の概略図を示す。本明細書で前に説明されたように、調整層515は、MTJの製造プロセスにおいて、フリー層514を形成するステップの後、かつ、ハードマスク層516を形成するステップの前に、形成される。調整層515の有益な役割には、フォトレジスト528の除去プロセスの間の酸素灰化、およびハードマスク層516のエッチングの間のエッチング副産物の再堆積から、フリー層514を保護することがある。好ましくは、調整層515は、酸素との反応により酸化物を容易に形成し得るように、酸化電位の高い材料から形成され得る。調整層515を形成するのに用いられ得る材料の例には、AlOx、MgO、Al、Mg、Si、Pt、Ti、Tb、Gd、Zr、Ir、Cr、Cu、Mn、Mo、Ta、HfおよびRuがある。図5A~Dに示されるように、保護調整層515がフリー層514の上に形成される。次いで、フォトレジスト層528およびハードマスク層516が、図5Aに示されるようなエッチングプロセスを用いてパターニングされる。エッチングプロセスは、CF4のような化学物質、フッ素ベースの気体または塩素ベースの気体を含み得る。次のステップは、図5Bに示されるような、酸素灰化のようなプロセスを用いた、フォトレジスト層528の除去を含む。調整層515は、上で説明されたように、パターニングおよび酸素灰化のプロセスステップの間、損傷からフリー層514を保護する。次いで、図5Cに示されるように、調整層515およびフリー層514がパターニングされる。パターニングプロセスは、CH3OH、CO/NH3または塩素ベースの気体のような化学物質の使用を含み得る。図5Dは、上で説明され図5A~Cに示されるようなプロセスステップを経た、MTJ積層体500を示す。MTJ積層体の様々な層は、限定ではなく単に例示のために提供されることが、理解されよう。さらなる層が追加されてもよく、かつ/または、層は除去もしくは結合されてもよく、示されたものとは異なる材料を含んでもよい。次に、図6Aに示されるように、1つまたは複数のスペーサ層602、604、およびパッシベーション層606が、MTJ積層体500の上に形成される。MTJ積層体500の上に形成される2つのスペーサ層を含む例示的な実施形態によれば、2つのスペーサ層602、604は、同じ材料または異なる材料のいずれにより形成されてもよい。単一のスペーサ層たとえば602および二重のスペーサ層たとえば602および604を含む実施形態が、本開示の以下のセクションにおいてさらに論じられる。パッシベーション層606が、スペーサ層602、604の上に形成される。パッシベーション層606は、SiNのような材料から形成されてよく、スペーサ層602および604の側壁の厚さを増強するという利益をもたらすことができ、さらに、エッチングのようなプロセスステップの間にスペーサ層602および604を保護することができる。最初に、図6に示される例示的な実施形態では、スペーサ層602、604、およびパッシベーション層606は、ハードマスク層516およびフリー層514の周りに保護層を形成するということに、留意されたい。図4に示される従来技術のスペーサ160Sは、フリー層514の側壁322のための保護層は提供しない。次に、図6Aの実施形態は、CF4エッチング、フッ素ベースの気体によるエッチング、または塩素ベースの気体によるエッチングのようなプロセスを用いた、エッチングを受ける。まず、図6Bに示されるように、このプロセスの間、スペーサ層602、604およびパッシベーション層606が、ハードマスク層516、調整層515、およびフリー層514の側壁を保護する。CF4エッチングのようなプロセスを用いて、パッシベーション層606ならびにスペーサ層602および604をさらにパターニングすると、図6Cに示されるように、スペーサ層602および604は、ハードマスク層516、調整層515、およびフリー層514の側壁の周りに保護層として残る。次いで、図6Dに示されるように、バリア層512、ピンド層の積層および反磁性層504が、CH3OHエッチング、CO/NH3エッチング、または塩素ベースの気体によるエッチングのようなエッチングプロセスを用いてパターニングされ、MTJ積層体600を形成する。フリー層514は、上で説明されたプロセスステップの間に、プロセスに関連する損傷から保護されることが、当業者には理解されよう。図6Dに示されるように、スペーサ層602および604が、上で説明されたエッチングプロセスの間、フリー層514の側壁の周りに保護層として残るので、トンネルバリア512、ピンド層の積層、およびAFM層504の平面領域は、エッチング後は、少なくともフリー層514の平面領域よりも大きくてよい。したがって、バリア層512の上側部分324および下側部分326は損傷から保護され、CH3OHエッチングプロセスの影響を受けないことが、当業者には理解されよう。他の構成が可能であるが、図6Dの示された実施形態は、磁気的な安定性の改善のような、さらなる利点を実現することができる。さらに、ピンド層の平面領域が広くなるほど、フリー層514に対する漂遊磁場の影響が小さくなる。フリー層514の平面領域は、MTJ積層体600の実効抵抗の特性を支配する。したがって、平面領域がより広いトンネルバリア512およびピンド層の積層の側壁に対するプロセスに関連する損傷は、あったとしても、MTJ積層体600の適切な動作に大きな影響は与えない。上で言及されたような例示的な実施形態は、異なる材料から形成された2つのスペーサ層602および604を含み得る。内側スペーサ層602は、磁性でも非磁性でもあってよい、金属から形成され得る。したがって、金属の材料から形成されるスペーサ層602は、有利なことに、エッチングの後、フリー層514の側壁322を修復する役割を果たし得る。外側スペーサ層604は、絶縁体から形成されてよく、有利なことに、エッチングプロセスの間、フリー層514の側壁322を保護する役割を果たし得る。金属の内側スペーサ層602および絶縁体の外側スペーサ層504を含む、そのような二重のスペーサ構造は、スイッチングの一様性をさらに改善し、MTJの熱的な安定性を向上させることができる。二重のスペーサの実施形態の内側スペーサ層602は、CoFeB、CoFe、NiFe、Co、Fe、Ni、TbFe、TbCo、TbCoFe、GdFe、GdCo、FePt、CoPtおよびCoCrPtのような磁性金属から、ならびに、Al、Mg、Si、Pt、Ti、Tb、Gd、Zr、Ir、Cr、Cu、Mn、Mo、Ta、HfおよびRuのような非磁性金属から形成され得る。二重スペーサの実施形態の外側スペーサ層604は、SiNx、SiOx、SiON、AlOx、MgO、TaOxおよびTiOxのような絶縁体材料を含み得る。さらに別の例示的な実施形態は、同じ材料から形成される、単一のスペーサ層たとえば602または複数のスペーサ層を含み得る。単一のスペーサ層を含む方法では、スペーサ層がフリー層514の側壁322まで延び、側壁322を完全に覆うが、従来のスペーサ層たとえば図4の160Sはフリー層514の側壁322を保護しないという点で、単一のスペーサ層を含む方法は従来技術に対する改善を少なくとも含む。上で説明されたような単一のスペーサ層は、調整層515と同じ材料から形成され得る。図7Aに示されるように、プロセスを継続することができ、MTJ積層体600を覆って被覆層を堆積するステップを含む。被覆層は、パッシベーション層606と同様であり、SiN、SiON、MgO、TaOxおよびAlOxのような材料で形成され得る。被覆層の機能は、エッチングされたMTJ積層体600の周りに、保護および修復のための被覆を提供することである。図7Bに示されるように、ILD層718が被覆層702の上に堆積される。次のステップは、ILD層518および被覆層702を平坦化し再びエッチングし、図7Cに示されるように、上部電極またはハードマスク層516が、金属層に接続できるようにするステップを含む。次にメタライゼーションが実行され、金属層704が上部電極またはハードマスク層516と接触するように、金属層704がMTJ積層体の上に堆積される。上のプロセスステップの結果として得られるMTJ積層体700が、図7Dに示される。例示的な方法によれば、MTJ製造の従来の方法に共通の、プロセスに関連する損傷を伴わずに、またはそうした損傷を減らして、MTJ記憶素子を製造することができる。上で説明されたように、例示的な実施形態は、有利なことに、側壁の上側部分320、フリー層514の側壁322、ならびにバリア層512の上側部分324および下側部分326を、エッチングプロセスの間、損傷から保護する。一般に、例示的な実施形態は、MTJ積層体700を、製造の間、プロセスに関連する損傷から保護する。さらに、実施形態によれば、バリア層512、ピンド層の積層、および下部電極またはAFM層504の平面領域は、フリー層514の平面領域よりも大きく、これにより、磁気的な安定性の向上と、MTJの動作に対する漂遊磁場による影響の低減とを実現する。実施形態は、本明細書で開示されるプロセス、機能および/またはアルゴリズムを実行するための、様々な方法を含むことが理解されよう。たとえば、図8に示されるように、実施形態は、フリー層、バリア層およびピンド層を有する磁気トンネル接合MTJ記憶素子を形成する方法を、含み得る。方法は、ブロック802において、上で論じられたようにフリー層を保護するために、フリー層の上に調整層を形成するステップを含み得る。ブロック804において、上部電極が調整層の上に形成され得る。ブロック806において、上部電極がパターニングされエッチングされ得る。ブロック808において、調整層およびフリー層が、上部電極をマスクとして利用してエッチングされ得る。ブロック810において、調整層と、フリー層と、上部電極の少なくとも一部とが、スペーサ層により封入され得る。ブロック812において、MTJのバリア層およびピンド層がエッチングされ得る。そして、ブロック814において、保護被覆層が、スペーサ層すでに調整層およびフリー層を覆っている、バリア層およびピンド層およびMTJ積層体の任意の残りの層を覆って、堆積され得る。本明細書で説明されたMTJ記憶素子を含む記憶デバイスは、携帯電話、ポータブルコンピュータ、携帯型パーソナル通信システムPCSユニット、携帯情報端末PDAのようなポータブルデータユニット、GPS対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、計測機器のような固定位置データユニット、データもしくはコンピュータ命令を記憶しもしくは取り出す任意の他のデバイス、またはこれらの任意の組合せの中に、含まれ得ることが理解されよう。したがって、本開示の実施形態は、本明細書で説明されたようなMTJ記憶素子を有するメモリを含む、能動的な集積回路を含む、任意のデバイスで適切に利用され得る。さらに、様々な記憶デバイスは、本明細書で開示されたようなMTJ記憶素子のアレイを含み得ることが、理解されよう。さらに、本明細書で開示されたMTJ記憶素子は、論理回路のような様々な他の用途において用いられ得る。したがって、前述の開示の一部は単独型のMTJ記憶素子を論じるが、様々な実施形態は、MTJ記憶素子が組み込まれるデバイスを含み得ることが、理解されよう。前述の開示されたデバイスおよび方法は、コンピュータ可読媒体に記憶されるGDSIIおよびGERBERコンピュータファイルとなるように、設計され構成され得る。次いでこれらのファイルは、これらのファイルに基づいてデバイスを製造する製造担当者に与えられる。得られる製品は半導体ウェハであり、このウェハは次いで、半導体ダイに切断され、半導体チップにパッケージングされる。そして、このチップが、上で説明されたデバイスで利用される。したがって、実施形態は、プロセッサにより実行されると、プロセッサおよび任意の他の協働する素子を、本明細書で説明された機能を命令で与えられたように実行するための機械に変換する命令を具現化する、機械可読媒体またはコンピュータ可読媒体を含み得る。前述の開示は例示的な実施形態を示すが、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書において様々な変更および修正を行えることに留意されたい。本明細書で説明した実施形態による方法クレームの機能、ステップおよび/またはアクションは、特定の順序で実行されなくてもよい。さらに、実施形態の要素は、単数形で説明または請求されていることがあるが、単数形に限定することが明示的に述べられていない限り、複数形が企図される。