"P型熱電変換素子とN型熱電変換素子とが配置され、前記P型及びN型熱電変換素子とが電気的に接続されてなる熱電変換素子モジュールにおいて、前記P型熱電変換素子と前記N型熱電変換素子の少なくとも一方が、略長方形状の構造で構成されてなること、を特徴とする熱電変換モジュール。前記P型熱電変換素子と前記N型熱電変換素子の双方が略長方形状の構造からなり、かつ、前記P型熱電変換素子と前記N型熱電変換素子の形状は異なる、請求項1記載の熱電変換モジュール。N型熱電変換素子の断面層に比べ、P型熱電変換素子の断面積が小さい、請求項1又は2に記載の熱電変換モジュール。P型熱電変換素子の断面層に比べ、N型熱電変換素子のいずれか一方の断面形状が他方の形状を完全に覆わない形状である、請求項1~3の何れか一項に記載の熱電変換モジュール。a熱電変換材料を凝固させた状態の素子を切断して略長方形状の熱電変換素子を形成した後、前記熱電変換素子の両面にバリア層を形成する工程、b前記熱電変換素子を絶縁基板上に配置する工程、とを含み、前記熱電変換素子は、P型およびN型の素子からなり、かつ、P型熱電変換素子とN型熱電変換素子の少なくとも一方が略長方形状の構造であり、前記P型熱電変換素子と前記N型熱電変換素子とを電気的に接続する工程、からなること、を特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。しかしながら、上記従来の技術では、熱電変換素子が略正方形であるため、熱電変換素子の中心部から該素子の端面までの距離が均等であり、ボイドの抜け方向が定まらず残留空隙ボイドが多くなる傾向にあるため有効ではない。すなわち、はんだと金属膜のなじみ性を良化させるため、熱電変換素子と基板との接合面にニッケル等の金属膜を形成しはんだ付けを行うが、ボイドが多くなることになる。これは、ボイドと熱電変換素子の端面との距離に起因するものであり、この距離を短くし、ボイド抜けの方向性を持たすことで空隙を素子側面から除去することが可能となり、接合面から空隙を除去し、素子と基板との接合抵抗を低下させることが可能となる。本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、熱電変換素子単体の断面積比率を変えること無く、熱電変換素子の形状を略正方形から、長辺と短辺とで構成される長方形にすることで、接合面の空隙ボイドの抜けを良化させることを可能とし、かつ、接合抵抗をも低下させ、接合抵抗による電気の損出の少ない、高効率な熱電変換モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の熱電変換モジュールは長方形素子であり、かつ、P型とN型の熱電変換素子の形状が異なっていることを特徴とするものである。このとき、熱電変換素子の形状を長方形にすることで、接合面の空隙ボイドが、熱電変換素子の端面までの距離が短くなることにより抜けやすくなる。また、P型とN型それぞれの熱電変換素子の構成条件は、N型熱電変換素子の接合面積を大きくし、P型熱電変換素子の接合面積を小さくすることで、キャリア移動に伴う熱の移動を抑制できると共に、内部抵抗の比較的高いN型熱電変換素子の断面積を大きくすることで内部抵抗の増加を抑制し出力を向上させることができる。更に、本構成によって、従来略正方形ではできなかった熱電変換素子の判別も同時に容易に行うことができるため、P型とN型熱電変換素子の配列の誤りによる出力の低下も同時に抑制することができる。以上のように、本発明の熱電変換素子とその製造方法によれば、接合面の空隙ボイドが抜け接続抵抗を極力抑制させることにより、接続抵抗値の低い高出力熱電変換モジュールを製造することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1本発明に係る熱電変換モジュールは、図1に示す通り、P型熱電変換素子303とN型熱電変換素子304の少なくとも一方が、略長方形をしているのが特徴である。図1aは、本発明に係る熱電変換モジュールの上斜視図であり、図1bは該熱電変換モジュールの斜視図を示し、図1cは図1aにおけるA-Aでの断面図を示す。図1に示す熱電変換モジュールは、略長方形のP型熱電変換素子303と略長方形のN型熱電変換素子304とを交互に2枚の絶縁基板301の間に配列する構成を示す。また、本発明の熱電変換モジュールは、図1cに示す様にP型熱電変換素子303とN型熱電変換素子304のそれぞれの上端および下端を、銅電極などの導電性を持ち合わせた接合電極302により接合させることにより導通させ、これらを多数電気的に直列接合したうえで、取り出し電極305より外部へ電気を出力させる構成である。以下、本発明に係る熱電変換モジュール300を作製する製造工程について、図2を参照して説明する。本発明に係る熱電変換素子の構成元素としては、ビスマスBi、テルルTe、セレンSe又はアンチモンSb元素等の2種類以上の元素を含んでいる。これらの構成元素を含んだ原料に、P型半導体又はN型半導体の熱電変換素子になるように微量のドーパントを加え、ガラス管内に原料を混合させ真空に封止する。そして、溶解炉の中で2種類以上の元素を十分に混合した後、溶融し熱電変換材料の特性を有するBi-Te合金、Bi-Sb合金、Bi-Te-Sb合金、Bi-Te-Se合金等の生成したインゴット103をガラス管から取り出す図2a。次に、所定の組織に形成されたP型半導体合金とN型半導体合金のインゴット103を所望の厚さにワイヤーソー104等を用いてウエハ状に切断する図2b。なお、切断後のウエハ105図2cには、微細な切子やワイヤーから離脱したダイヤモンド粒子や切削液内成分等の不純物が付着しているのでウエハの洗浄を行うことが望ましい。次に、ウエハ状に切断された熱電変換素子の両面に、接合しにくい材料との間接材の用途や熱拡散による不良の防止を行うため、素材と最表層のバリアをNi等を使用し、溶射やメッキ等の技法を用いて所定の厚さだけバリア層106を形成する図2d。例えば、本実施の形態では、無電解ニッケルを2~8μmの厚みだけ形成したが、使用状況に応じて積層量は所望により変更しても良い。そして、図2eに示すように、バリア層106を形成したウエハを、ワイヤーソー等104を用いてP型とN型の熱電変換素子の縦と横のスライスピッチが同寸にならない用に調整をしながら、所望の形状になるようウエハを切断し所望の熱電変換素子108を得る。このとき、P型熱電変換素子とN型熱電変換素子の断面積は、それぞれのキャリア濃度に応じて抵抗値が一定になるように調整され双方異なる形で形成されることが望ましい。次に、接合電極109と熱電変換素子108との接合を行うが、図3に示すように、接合電極109と熱電変換素子108との間にバリア層106等を用いてはんだ111と接続するが、接続抵抗を大きくするボイド110が発生することになる。このボイド発生のメカニズムは、1はんだと有機成分との反応物がはんだ溶融時に分解ガスとして発生することや、2はんだとフラックス中の有機成分活性剤等が、予熱からはんだ溶融前までの間でパッド金属銅など、及び、はんだ表面と反応し金属有機物塩を形成すること、などが原因である。更に、この金属有機物塩のほとんどは、はんだ溶融時にフラックス中に融解し、フラックス残渣としてはんだ外へ流れ出るが、一部の金属塩がフラックスに溶解せずに、はんだ中で残留分解し、有機物の分解ガスになる。図4に示すように、基板側を加熱しはんだ111を溶融させて、接合電極109と熱電変換素子108とを接合する際、HOTSIDE、すなわち、図4bにおける下から与えられた熱は、熱対流112によって上部へと移動する。しかしながら、上部には熱電変換素子が配置されているので、基板と熱電変換素子108とが水平な常態化では、界面に分解ガス気泡が溜まることになる。これは、熱電変換素子の中心部から熱電変換素子の端面までの距離が長いため、融液の粘性により分解ガス気泡を排出する能力が弱まるためであり、この距離が短いほど、粘性の影響が小さくなり分解ガス気泡を排出しやすくなる。これは、熱対流の現象のベナール対流によるもので、薄い流体層を下面から一様に温め、かつ上面は温度一定にしておくと、熱は伝導の形で上方に伝えられるが、上面と下面の温度差がある限界にまで達すると対流が起こり始める。熱対流の開始は、流体層の厚さd、流体の動粘性係数ν、流体の温度伝導率κ、流体の体積膨張係数αで一義的に決まり、上記のd,ν,κ,α,及び,上下面の温度差ΔTと重力加速度Gとで定義される。その後、臨界点より対流が開始された後は、マランゴニ対流により溶融はんだ内のボイド気泡110を排出する作用として働くため、熱電変換素子の端面までの距離を短くすることが分解ガス気泡を抜きやすい。なお、熱電変換素子の形状が短辺と長辺を持つ構造である本モジュールにおいては、図5aに示すように、熱電変換素子の中央部から端部までの距離が短くなるため、気泡を外部に排出に有効となる。図5bに示す構造は、熱電変換素子の長辺側の熱対流を示したものであるが、この方向は熱対流による流動の抵抗が大きいため、図5aの方向の対流が支配的となる。そして、上面をはんだごてを用いて400°Cに加熱し、下面をホットプレートによって100°Cに加熱することで、300°Cの温度差を形成してベナール対流を引き起こし、従来の正方形素子では残留していた気泡を、長方形型素子の短辺側への流れによって気泡を除去することができる。表1に示すように、正方形型の素子よりも長方形型の素子の方がボイドを排出しやすいことが明らかである。よって、本発明の熱電変換モジュールは、素子端面への距離が従来の略正方形素子よりも短くなることから、ボイド110の残留量を減らすことができるため、接続抵抗を小さくすることが可能となる。従って、モジュール全体の内部抵抗を減少させることが可能となり、熱電変換モジュール300の出力低下を抑制することができる。また、P型とN型の熱電変換素子を異なる長方形素子とすることにより、肉眼での熱電変換素子の判別P型かN型かも可能となり、従来型のP型N型同略正方形ではできなかった組み込み時の素子の判別も容易に行うことができるため、配列の誤りによる出力の低下も同時に抑制することができる。なお、本発明ではBi-Te系熱電変換材料について記述したが、材料は限定されるものではない。"