シリコン層をエッチングするためのエッチング液であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、ことを特徴とする、前記エッチング液。窒素含有化合物が、0.1~10重量含まれる、請求項1に記載のエッチング液。窒素含有化合物が、硝酸、亜硝酸、過硝酸および硝酸アンモニウムからなる群から選択される1種または2種以上である、請求項1または2に記載のエッチング液。窒素含有化合物が、硝酸および/または硝酸アンモニウムである、請求項1~3のいずれか一項に記載のエッチング液。酸性溶媒が、リン酸、硫酸およびメタンスルホン酸からなる群から選択される1種または2種以上である、請求項1~4のいずれか一項に記載のエッチング液。酸性溶媒が、30~96重量含まれる、請求項1~5のいずれか一項に記載のエッチング液。フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムおよびアルカリ金属フッ化物からなる群から選択される1種または2種以上である、請求項1~6のいずれか一項に記載のエッチング液。フッ素化合物が、0.1~11重量含まれる、請求項1~7のいずれか一項に記載のエッチング液。さらに、酢酸を含む、請求項1~8のいずれか一項に記載のエッチング液。シリコン層が、アモルファスシリコンa-Si/シリコン窒化SiNx層および/またはn型アモルファスシリコンna-Si/i型アモルファスシリコンia-Si層および/または多結晶シリコン層である、請求項1~9のいずれか一項に記載のエッチング液。シリコン層をエッチングする方法であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、エッチング液を用いてエッチングする工程を含む、前記方法。シリコン層を含む薄膜トランジスタの製造方法であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、エッチング液を用いて前記シリコン層をエッチングする工程を含む、前記方法。したがって、本発明の課題は、より合理的に、シリコン層を実用的な速度でエッチングし、サイドエッチング量の抑制により良好なエッチング形状を得ることができるエッチング液およびエッチング方法を提供することにある。また、ドライエッチング法では達成できないテーパー形状およびシリコン層とゲート絶縁膜GI膜との選択比を、ウェットエッチング法において達成することにある。本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねる中で、驚くべきことに、低含有量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含むエッチング液を用いてエッチングすることで、上記問題点を一挙に解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下に関する。[1]シリコン層をエッチングするためのエッチング液であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、ことを特徴とする、前記エッチング液。[2]窒素含有化合物が、0.1~10重量含まれる、1に記載のエッチング液。[3]窒素含有化合物が、硝酸、亜硝酸、過硝酸および硝酸アンモニウムからなる群から選択される1種または2種以上である、[1]または[2]に記載のエッチング液。[4]窒素含有化合物が、硝酸および/または硝酸アンモニウムである、[1]~[3]のいずれかに記載のエッチング液。[5]酸性溶媒が、リン酸、硫酸およびメタンスルホン酸からなる群から選択される1種または2種以上である、[1]~[4]のいずれかに記載のエッチング液。[6]酸性溶媒が、30~96重量含まれる、[1]~[5]のいずれかに記載のエッチング液。[7]フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムおよびアルカリ金属フッ化物からなる群から選択される1種または2種以上である、[1]~[6]のいずれかに記載のエッチング液。[8]フッ素化合物が、0.1~11重量含まれる、[1]~[7]のいずれか一項に記載のエッチング液。[9]さらに、酢酸を含む、[1]~[8]のいずれかに記載のエッチング液。[10]シリコン層が、アモルファスシリコンa-Si/シリコン窒化SiNx層および/またはn型アモルファスシリコンna-Si/i型アモルファスシリコンia-Si層および/または多結晶シリコン層である、[1]~[9]のいずれかに記載のエッチング液。[11]シリコン層をエッチングする方法であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、エッチング液を用いてエッチングする工程を含む、前記方法。[12]シリコン層を含む薄膜トランジスタの製造方法であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、エッチング液を用いて前記シリコン層をエッチングする工程を含む、前記方法。さらに、本発明は、一態様において以下に関する。[13]薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン含有層を形成する工程と、前記アモルファスシリコン含有層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程とを含み、シリコン層をエッチングするエッチング液が、[1]~[10]のいずれかに記載のエッチング液であること、を特徴とする、前記製造方法。[14]シリコン層のテーパー角が90°より小さく、かつシリコン層をゲート絶縁膜層に対して、少なくともn型アモルファスシリコン/i型アモルファスシリコン層/GI膜選択比ni/GI選択比が3以上でエッチング可能であることを特徴とする、[13]に記載の薄膜トランジスタの製造方法。本発明は、上記の構成により、窒素含有化合物およびフッ素化合物が低含有量であるにもかかわらず、上記エッチング液が、リン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含むことにより、実用的な速度でのエッチングを可能としたものである。また、窒素含有化合物およびフッ素化合物が低含有量であることにより、サイドエッチング量の抑制が可能となり、良好なエッチング形状が得られる。さらに、従来ドライエッチング法で行っていた、n型アモルファスシリコンna-Si/i型アモルファスシリコンia-Si層の一括エッチングを行うことができる。また、本発明のウェットエッチング法で行うことでni/GI選択比を向上させ、オーバーエッチングをおこなってもGI膜のエッチングを抑制することができる。さらに、ドライエッチング法による、従来のn型アモルファスシリコン/i型アモルファスシリコン層のエッチングの場合における、ゲート絶縁膜との選択比、面内均一性の点からオーバーエッチング時にGI膜をある程度エッチングする必要があり、GI膜が薄くなってしまうことよりソース形成後の耐圧が低下しソースとゲート間でのリークが発生しやすくなる、という問題を解決できる。上記効果を奏する機構は明らかではないが、上記エッチング液が、リン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物を含むことにより、溶液中において、窒素含有化合物に起因したシリコンへの酸化力を向上させる構造を有する物質の濃度が増大することにより、シリコンのエッチングレートが向上する機構が構築されるためであると推察される。本発明は、一態様において、シリコン層をエッチングするためのエッチング液であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、前記エッチング液を提供する。本発明において、シリコン層は、特に限定されないが、例えば、n型アモルファスシリコンna-Si層、i型アモルファスシリコンia-Si層および多結晶シリコン層などを含むものが挙げられる。好ましくは、トランジスタ形成の観点から、n型アモルファスシリコンna-Si/i型アモルファスシリコンia-Si層および多結晶シリコン層であり、また、半導体素子のゲート絶縁膜などとして用いられるシリコン窒化SiNx層と組み合わせた、アモルファスシリコンa-Si/シリコン窒化SiNx層である。特に好ましくは、アモルファスシリコンa-Si/シリコン窒化SiNx層、n型アモルファスシリコンna-Si/i型アモルファスシリコンia-Si層および多結晶シリコン層である。n型アモルファスシリコンna-Siは、不純物を添加することにより、n型半導体として用いることができるものである。添加する不純物としては、特に限定されないが、例えば、窒素、リンおよびヒ素などが挙げられる。好ましくは、プロセス導入の容易さの観点から、窒素およびリンである。また、前記不純物は、2種以上を組み合わせて用いてもよい。i型アモルファスシリコンia-Siは、不純物を添加しないアモルファスシリコンa-Siである。多結晶シリコンは、結晶軸の方向がさまざまである小さな単結晶が集まっているシリコンである。本発明において、窒素含有化合物は、特に限定されないが、例えば、硝酸、亜硝酸、過硝酸及びそれらの塩またはアンモニウム塩などが挙げられる。好ましくは、金属を含まず、安価で入手しやすいとの観点から、硝酸、亜硝酸及びそれらのアンモニウム塩である。特に好ましくは、硝酸、硝酸アンモニウムである。前記窒素含有化合物は、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明において、前記窒素含有化合物の含有量は、特に限定されないが、例えば、硝酸を用いた場合、0.1~30重量であり、好ましくは、0.1~10重量であり、特に好ましくは0.1~5重量である。窒素含有化合物の含有量が少ないと、実用的な速度でエッチングできず、窒素含有化合物の含有量が多いと、レジストがダメージを受け、サイドエッチング量が増加するなどにより、所望のエッチング形状が得られない虞がある。本発明において、フッ素化合物は、特に限定されないが、例えば、フッ酸HFおよびそれらの金属塩またはアンモニウム塩などが挙げられる。好ましくは、金属を含まず、安価で入手しやすいとの観点から、フッ酸およびフッ化アンモニウムである。また、前記フッ素化合物は、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明において、前記フッ素化合物の含有量は、特に限定されないが、例えば、フッ酸を用いた場合、0.1~11重量であり、好ましくは、0.1~7重量であり、特に好ましくは0.1~5重量である。フッ素化合物の含有量が少ないと、実用的な速度でエッチングできず、フッ素化合物の含有量が多いと、下地膜のシリコン窒化SiNx膜および裏面のガラス基板のエッチングレートが増大する虞がある。本発明において、酸性溶媒は、特に限定されないが、例えば、リン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物およびそれらの金属塩またはアンモニウム塩などが挙げられる。本発明において、リン含有化合物は、特に限定されないが、例えば、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、亜ホスフィン酸およびそれらの金属塩またはアンモニウム塩などが挙げられる。好ましくは、金属を含まず、安価で入手しやすいとの観点から、リン酸およびそのアンモニウム塩である。また、前記リン含有化合物は、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明において、前記リン含有化合物の含有量は、特に限定されないが、例えば、リン酸を用いた場合、30~83重量であり、好ましくは、50~83重量であり、特に好ましくは60~83重量である。リン含有化合物の含有量が少ないと、実用的な速度でエッチングできない虞がある。本発明において、硫黄含有無機化合物は、特に限定されないが、例えば、硫酸、亜硫酸、過硫酸、スルファミン酸およびそれらの金属塩またはアンモニウム塩などが挙げられる。好ましくは、金属を含まず、安価で入手しやすいとの観点から、硫酸およびそのアンモニウム塩である。また、前記硫黄含有無機化合物は、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明において、前記硫黄含有無機化合物の含有量は、特に限定されないが、例えば、硫酸を用いた場合、30~96重量であり、好ましくは、50~96重量であり、特に好ましくは60~96重量である。硫黄含有無機化合物の含有量が少ないと、実用的な速度でエッチングできない虞がある。本発明において、スルホ基を有する有機化合物は、特に限定されないが、例えば、1~5個の炭素原子を有するアルキルスルホン酸および芳香族スルホン酸などが挙げられる。1~5個の炭素原子を有するアルキルスルホン酸としては、好ましくは、安価で入手しやすいとの観点から、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびp-トルエンスルホン酸である。特に好ましくは、メタンスルホン酸である。また、前記スルホ基を有する有機化合物は、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明において、前記スルホ基を有する有機化合物の含有量は、特に限定されないが、例えば、メタンスルホン酸を用いた場合、30~96重量であり、好ましくは、50~96重量であり、特に好ましくは60~96重量である。スルホ基を有する有機化合物の含有量が少ないと、実用的な速度でエッチングできない虞がある。本発明において、前記酸性溶媒は、好ましくは、金属を含まず、安価で入手しやすいとの観点から、リン酸、硫酸、メタンスルホン酸およびそれらのアンモニウム塩である。特に好ましくは、リン酸、硫酸、メタンスルホン酸である。また、前記酸性溶媒は、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明において、前記酸性溶媒の合計含有量は、特に限定されないが、かかる酸性溶媒を2種以上組み合わせて用いた場合、30~96重量であり、好ましくは、50~96重量であり、特に好ましくは60~96重量である。前記酸性溶媒を2種以上組み合わせて用いた場合、かかる酸性溶媒の含有量が少ないと、実用的な速度でエッチングできない虞がある。次に、本発明のエッチング液に含まれてもよい助剤について説明する。本発明において、前記助剤は、特に限定されないが、例えば、酢酸、硝酸アンモニウム、リン酸三アンモニウム、リン酸二水素アンモニウムなどが挙げられる。本発明において、前記酢酸は、面内均一性を高める役割を担う。前記酢酸の含有量は、特に限定されないが、好ましくは、5~40重量である。本発明において、前記硝酸アンモニウムは、前記窒素含有化合物と同様の役割を担う。前記硝酸アンモニウムの含有量は、特に限定されないが、好ましくは、5~40重量である。本発明において、前記リン酸三アンモニウムおよびリン酸二水素アンモニウムは、前記リン含有化合物と同様の役割を担う。前記リン酸三アンモニウムおよびリン酸二水素アンモニウムの含有量は、特に限定されないが、好ましくは、5~40重量である。本発明は、一態様において、シリコン層をエッチングする方法であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、エッチング液を用いてエッチングする工程を含む、前記方法である。したがって、エッチング対象がシリコン層であること、エッチング液として0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含むエッチング液を用いること以外は、特に限定されず、適宜、従来から用いられているエッチングのための工程を用いることができる。本発明にかかる薄膜トランジスタの製造方法は、典型的には以下のようにして効率的に製造することができるものである。一態様において、シリコン層を含む薄膜トランジスタの製造方法であって、0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含む、エッチング液を用いて前記シリコン層をエッチングする工程を含む、前記方法である。したがって、エッチング対象がシリコン層であること、エッチング液として0.1~30重量の窒素含有化合物、フッ素化合物ならびにリン含有化合物、硫黄含有無機化合物およびスルホ基を有する有機化合物からなる群から選択される酸性溶媒を1種または2種以上を含むエッチング液を用いる工程を含むこと以外は、特に限定されず、適宜、従来から用いられているエッチングのための工程を用いて薄膜トランジスタを製造することができる。さらに、本発明は、一態様において、逆スタガボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上にスパッタリング法によって金属膜を成膜する。この金属膜をフォトリソ工程によって所望パターンに形成することにより、ゲート電極を形成する。そして、ゲート電極上に、プラズマCVD法によってゲート絶縁膜、i型アモルファスシリコン、及びn型アモルファスシリコンを順次連続成膜する。そして、フォトリソ工程によってTFTとなる領域に、i型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンを島状に形成する。さらに、アモルファスシリコン含有層上に、金属膜をスパッタリング法で成膜し、フォトリソ工程でソース電極ならびにドレイン電極をそれぞれ一括で形成する。本発明は、前記製造方法において、アモルファスシリコン層をエッチングするエッチング液が、本発明のエッチング液であること、を特徴とする。また、本発明は、一態様において、シリコン層のテーパー角が90°より小さく、かつシリコン層をゲート絶縁膜層に対して、少なくともni/GI選択比が3以上でエッチング可能であることを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法である。前記テーパー角は、90°より小さければ、特に限定されないが、好ましくは、プロセスマージンの観点から、45°~70°である。前記ni/GI選択比は、ni層とGI層のエッチングレート比により定義される。前記選択比が3以上であれば、特に限定されないが、好ましくは、GI層へのダメージ軽減の観点から、5以上である。前記テーパー角および前記ni/GI選択比の組み合わせは、所望の効果を奏すれば、特に限定されないが、好ましくは、プロセスマージンの観点から、前記テーパー角が45°~70°であって、かつ前記ni/GI選択比が5以上の組み合わせである。本発明を以下の実施例および比較例とともに示し、本発明の内容を詳細に示すが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。表1に本発明のエッチング液組成物と比較のためのエッチング液組成物を示す。表1に示した実施例1~17および比較例1~3のエッチング液組成物について、以下の実験を実施した。リンがドープされたアモルファスシリコン膜層300Åアモルファスシリコン膜層1600Å窒化シリコン膜を膜厚4100Åガラス基板の順に積層されたガラス基板を準備し、表1の組成に調製した各エッチング液組成物を30°Cまたは35°Cに保持し、攪拌浸漬することによりエッチング試験を行った。その結果を表2に示す。表2におけるJETsecの数値は、ジャストエッチングタイム単位:秒を示す。また、面内均一性については、300秒以内に極めて良好にエッチングできたものについては◎、300秒以内に良好にエッチングできたものについては○、300秒以内にエッチングできなかったものについては×として表す。図1におけるC:TFT断面図は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられる典型的な従来技術の薄膜トランジスタの構造を示す断面図であり、この薄膜トランジスタは、樹脂またはガラスなどの透明で、かつ電気絶縁性を有する基板上に、Cu、Al等の金属膜から成る帯状のゲート電極と、シリコン窒化SiNx膜から成るゲート絶縁膜GI膜と、アモルファスシリコンから成る半導体層i層と、リン等の不純物をドープしたオーミックコンタクト層n層と、Cu、Al等の金属から成るソース電極およびドレイン電極と、保護層とが、この順で積層されて構成されている。これを表1に記載の実施例17のエッチング液組成物を用いて、35°Cにおけるシャワー法により、ウェットエッチング法によりエッチングを行なった。図1におけるAおよびBに、ウェットエッチング法およびドライエッチング法によりエッチングされた断面を示す。図1に示すとおり、ウェットエッチング法における課題であったサイドエッチングを抑制できることが確認された。ウェットエッチング法によりエッチングされたテーパー形状は、ドライエッチング法によるものでは達成できなかったものであり、GI掘れ量がほとんどなかった。これにより、ni/GI選択比の向上が可能となる。また、表3に示すように、例えば、300すなわち、エッチング時間:150secのオーバーエッチングを行なっても、サイドエッチング量はJ.E.T.におけるそれと同等であり、GI膜のエッチングが抑制されることが確認された。これにより、GI膜減りによるSソース-Gゲートリーク等の不良を軽減できる。または、GI膜厚の薄膜化が可能となる。上記のように、ウェットエッチング法によりエッチング可能となった結果、装置構成が簡素化され、そのメンテナンスも容易となることから、低コスト化を実現することができる。