"電球色領域の白色光を発する半導体発光装置であって、青色光を発する半導体発光素子と、当該青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、当該青色光を吸収して橙光を発する橙色蛍光体とを備え、上記橙色蛍光体は、発光スペクトルのピーク波長が590nm以上630nm以下であり、当該ピークの半値幅が130nm以上であり、橙色蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅より広く、上記橙色蛍光体の吸収率のピーク波長が420nm以上であり、上記橙色蛍光体の吸収率のピーク波長における、上記橙色蛍光体の吸収率をABSMAX、波長530nmにおける、上記橙色蛍光体の吸収率をABS530としたときに以下の関係ABS530/ABSMAX<0.60を満たすことを特徴とする半導体発光装置。上記緑色蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が70nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。上記橙色蛍光体は、Ce賦活窒化物系若しくは酸窒化物系蛍光体である請求項1に記載の半導体発光装置。上記橙色蛍光体は、Ce賦活CaAlSiN3蛍光体であり、cCaAlSiN31-cLiSi2N3但し、0.2≦c≦0.8の組成を有する結晶に、Ceと酸素とが固溶した固溶体結晶であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。上記固溶体結晶は、Ceを6重量以下の範囲で含有することを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。記緑色蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が55nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。上記緑色蛍光体はEu賦活βサイアロン蛍光体であることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。上記Eu賦活βサイアロンは、酸素濃度が0.1重量~0.6重量の範囲であることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。上記Eu賦活βサイアロン蛍光体の600nmにおける吸収率が10以下であることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置。しかしながら、上記特許文献2に記載の構成と比べて、演色性を悪化させることなく、より高効率に電球色領域の白色光を発する発光装置が望まれている。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い演色性を示し、かつ高効率に電球色領域の白色光を発する発光装置を実現することにある。本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討を行い、蛍光体と半導体発光素子とを用いた発光装置の試作を繰り返し行った。その結果、特許文献2に例示されるような、緑色蛍光体と黄色ないし赤色蛍光体の組み合わせにおいて、蛍光体の相互吸収を抑制する構成とする場合、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅が、黄色ないし赤色蛍光体の発光スペクトルの半値幅より狭く、かつ黄色ないし赤色蛍光体の発光スペクトルの半値幅が所定値以上であると、蛍光体の相互吸収がより抑制され、Ra及びR9をより向上させ得ることを見出した。その結果、所定のピーク波長及び当該ピークの半値幅を有する橙色蛍光体を、所定のピークの半値幅を有する緑色蛍光体及び青色LEDと組み合わせることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。尚、蛍光体と半導体発光素子とを用いて発光装置を構成させる場合において、従来、演色性を向上させるには発光スペクトルの半値幅がより広い蛍光体を用いることが技術常識であった。しかし、本発明者は、発光スペクトルの半値幅が広い橙色蛍光体と緑色蛍光体とを組み合わせて電球色光を発する発光装置を構成する場合において、このような技術常識に反して緑色蛍光体の半値幅を狭くすることによって、高い演色性を示し、かつ高効率に電球色領域の白色光を発する発光装置を実現することができることを見出した。このように、本発明は、従来の技術常識に反するものであるため、当業者であっても容易には成し得ることはできなかった。例えば、特許文献2に例示される緑色蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が約65nm~120nmであり、黄色ないし赤色蛍光体の発光スペクトルの半値幅は4nm~120nmであり、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅と、黄色ないし赤色蛍光体の発光スペクトルの半値幅を比較すると、同等か、緑色蛍光体の方が発光スペクトルの半値幅が広い傾向にある特許文献2の段落0028、0030~0028参照。即ち、本発明に係る半導体発光装置は、上記課題を解決するために、電球色領域の白色光を発する半導体発光装置であって、青色光を発する半導体発光素子と、当該青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、当該青色光を吸収して橙光を発する橙色蛍光体とを備え、上記橙色蛍光体は、発光スペクトルのピーク波長が590nm以上630nm以下であり、当該ピークの半値幅が130nm以上であり、橙色蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅より広く、上記橙色蛍光体の吸収率のピーク波長が420nm以上であり、上記橙色蛍光体の吸収率のピーク波長における、上記橙色蛍光体の吸収率をABSMAX、波長530nmにおける、上記橙色蛍光体の吸収率をABS530としたときに以下の関係ABS530/ABSMAX<0.60を満たすことを特徴としている。上記構成によれば、より高いRa、R9を示し、更に橙色蛍光体により緑色光の吸収が充分に抑制され、電球色領域の白色光を発する発光効率の高い発光装置を提供することができるという効果を奏する。本発明の他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分分かるであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであろう。本発明に係る半導体発光装置は、以上のように、上記橙色蛍光体は、発光スペクトルのピーク波長が590nm以上630nm以下であり、当該ピークの半値幅が130nm以上であり、橙色蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅より広く、上記橙色蛍光体の吸収率のピーク波長が420nm以上であり、上記橙色蛍光体の吸収率のピーク波長における、上記橙色蛍光体の吸収率をABSMAX、波長530nmにおける、上記橙色蛍光体の吸収率をABS530としたときに以下の関係ABS530/ABSMAX<0.60を満たすことを特徴としている。このため、高いRa及びR9を示し、高効率に電球色領域の白色光を発する半導体発光装置を提供することができるという効果を奏する。本発明の実施の一形態について説明すれば、以下の通りである。尚、本明細書では、範囲を示すA~BはA以上B以下であることを示す。また、本明細書で挙げられている各種物性は、特に断りの無い限り後述する実施例に記載の方法により測定した値を意味する。図1は、本実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体発光装置1は、電球色領域の白色光を発する半導体発光装置1であって、青色光を発する半導体発光素子2と、当該青色光を吸収して橙光を発する橙色蛍光体13と、当該青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体14とを備える。そして、上記橙色蛍光体13は、発光スペクトルのピーク波長が590nm以上630nm以下であり、当該ピークの半値幅が130nm以上である。また、上記橙色蛍光体13の吸収率のピーク波長が420nm以上であり、上記橙色蛍光体の吸収率のピーク波長における、上記橙色蛍光体の吸収率をABSMAX、波長530nmにおける、上記橙色蛍光体の吸収率をABS530としたときに以下の関係ABS530/ABSMAX<0.60を満たす。尚、上記特許文献2では、青色LEDと緑色蛍光体と黄色ないし赤色蛍光体との組み合わせで、本発明と同様に、緑色蛍光体より長波で発光する蛍光体特許文献2では黄色ないし赤色蛍光体としているが、以後便宜上橙色蛍光体と記する場合があるによる緑色光の吸収を抑制する構成を例示しているが、本発明に係る構成とは以下に示す二点が大きく異なる。1特許文献2の構成では、橙色蛍光体の励起吸収スペクトルのピーク波長の範囲を規定していない。2特許文献2では励起吸収スペクトルの最大値に対して波長520nmの励起吸収率を規定しているが、本発明に係る構成では波長530nmの励起吸収率を規定している。上記1の点については、特許文献2の構成では、特許文献2の実施例3のように励起吸収ピークが350nmに存在し、緑色の波長域まで励起吸収効率がなだらかに低下する蛍光体を用いる構成も含まれることになる。このような構成では、例え、励起ピークにおける波長の励起吸収強度に対する緑色光領域における波長の励起吸収強度が低くても、実際の励起光である青色光領域における波長の励起吸収強度と緑色光領域における波長の励起吸収強度とが近い値を取るため、励起光を高効率に吸収させようとすると、結果として緑色光の吸収も大きくなってしまう。これに対して、本発明に係る橙色蛍光体は、励起吸収スペクトルのピーク波長の範囲が420nm以上であるため、上記のような問題は生じえない。上記2の点については、本発明に係る構成では、橙色蛍光体の発光スペクトルの半値幅を130nm以上と規定しており、かつ緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅が橙色蛍光体の発光スペクトルの半値幅より狭くなるように規定しているため、特許文献2の構成より橙色蛍光体の緑色光吸収が更に抑制されることになる。このため、橙色蛍光体の励起吸収スペクトルが特許文献2より長波長側にシフトしても充分緑色吸収が抑制される。その結果、高い演色性を示し、かつ高効率に電球色領域の白色光を発する発光装置を実現することができる。尚、本明細書において、上記青色光とは、波長420~480nmに発光スペクトルのピークを持つ光を意味し、上記緑色光とは、波長500~550nmに発光スペクトルのピークを持つ光を意味し、上記橙光とは、波長570~630nmに発光スペクトルのピークを持つ光を意味する。また、上記緑色蛍光体とは上記青色光により励起されて上記緑色光を発光する物質であり、上記橙色蛍光体とは、上記橙光を発光する物質を意味する。本実施の形態に係る半導体発光装置1は、基体としてのプリント配線基板3上に、半導体発光素子2が載置され、同じくプリント配線基板3上に載置された樹脂枠4の内側に、上記橙色蛍光体13及び上記緑色蛍光体14を分散させた透光性樹脂からなるモールド樹脂5が充填されて、半導体発光素子2が封止されている。上記半導体発光素子2は、活性層としてInGaN層6を有し、InGaN層6を挟んで、p側電極7及びn側電極8を有しており、このn側電極8が、プリント配線基板3の上面から背面にかけて設けられたn電極部9に、導電性を有する接着剤10を介して電気的に接続されている。また、半導体発光素子2のp側電極7は、上述したn電極部9とは別途プリント配線基板3の上面から背面にかけて設けられたp電極部11に金属ワイヤ12を介して電気的に接続されている。尚、本実施の形態に係る半導体発光装置1は、図1に示した構造に限定されるものではなく、従来公知の一般的な半導体発光装置の構造を採用することができる。また、本実施の形態に係る半導体発光装置1は、電球色領域の白色光を発する半導体発光装置であるため、本実施の形態に係る半導体発光装置1が発光する光のピーク波長は600nm付近となる。ここで、照明器具において赤色の見え方を示す実用上重要な指標であるR9を向上させるためには630~640nm付近の波長が重要となる。このような観点からは、ピーク波長における発光強度をPIMAX、当該ピーク波長より40nm長波長における発光強度をPI40としたときに以下の関係PI40/PIMAX>0.70を満たすことがより好ましい。尚、電球色領域の白色光であるとは、発光する光の色温度TCPが2600K~3250Kの範囲内であり、発光する光の色度点が図2に示すJISZ9112に規定される範囲内にあることを意味する。I半導体発光素子本実施の形態では、上記半導体発光素子2は発光ダイオードLEDであるが、上記半導体発光素子2としては発光ダイオードLEDに限定されず、半導体レーザ、無機ELelectroluminescence素子等の青色光を発する従来公知の素子を使用することができる。尚、LEDは、例えば、Cree社製等の市販品を用いることができる。上記半導体発光素子2の発光ピーク波長は特には限定されないが、発光効率の観点から420~480nmの範囲内であることが好ましい。また、蛍光体の励起効率をより高く、更にはRa、R9値をより高くする観点から、440~470nmの範囲内であることがより好ましく、455nm以上であると特に高い演色性能を示す。II橙色蛍光体上記橙色蛍光体13は、発光スペクトルのピーク波長が590nm以上630nm以下であり、当該ピークの半値幅が130nm以上であり、420nmより長波長側における、上記橙色蛍光体の吸収率の最大値をABSMAX、波長530nmにおける、上記橙色蛍光体の吸収率をABS530としたときに以下の関係ABS530/ABSMAX<0.60を満たす。発光スペクトルのピーク波長、及び当該ピークの半値幅が上記範囲であることにより、上記半導体発光素子2と緑色蛍光体14との混色で電球色光を構成した際に、より高い演色性を有する半導体発光装置が実現可能となる。また、橙色蛍光体13の吸収率が上記条件を満たすことにより、橙色蛍光体13により緑色光の吸収が充分に抑制され、より発光効率の高い発光装置が実現可能となる。橙色蛍光体13の発光スペクトルにおける上記半値幅の上限については、特には限定されないが、160nm以下であることが好ましく、150nm以下であることがより好ましい。上記橙色蛍光体13は、その励起スペクトルにおいて440nm~470nmに励起ピークを有することが好ましい。橙色蛍光体13の励起スペクトルが上記要件を満たすことによってより発光効率の高い発光装置が実現可能となる。上記橙色蛍光体13としては、上記ピーク波長及び半値幅の発光スペクトルを示す橙色蛍光体であれば特には限定されないが、Ceにより賦活されるCe賦活蛍光体であることが好ましい。Ceは基底準位のスピン軌道分裂が大きいため、Ce賦活蛍光体は幅広い発光スペクトルを示すからである。上記Ce賦活蛍光体として具体的には、Ce賦活窒化物系蛍光体、又はCe賦活酸窒化物系蛍光体を好適に用いることができる。窒化物系蛍光体や酸窒化物系蛍光体は、例えば、酸化物系蛍光体や硫化物系蛍光体と比較して、母体の共有結合性が強いため、母体の安定性が高く高温環境下でも発光強度が低下し難い。また、上記橙色蛍光体13は、上記Ce賦活窒化物蛍光体又はCe賦活酸窒化物蛍光体の中でも、下記一般式11-a-bLn’pMII’1-pMIII’MIV’N3aMIV’3n2/4NnObAMIV’2N3...1式中、Ln’は、ランタノイド、Mn及びTiからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、MII’はLn’元素以外の2価の金属元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、MIII’は3価の金属元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、MIV’は4価の金属元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、Aは、Li、Na、及びKからなる群から選ばれる1種類以上の1価の金属元素であり、pは0≦p≦0.2を満足する数であり、a、b及びnは、0≦a、0≦b、ab>0、0≦n、及び0.002≦3n2a/4≦0.9を満足する数であるで表される化学組成を有する、Ceを含有した結晶相を含有する蛍光体であることが好ましい。式1で表される組成を有する化合物は、例えば、各構成金属元素の窒化物若しくは酸化物を、所望の組成比となるような比率で混合し、焼成することにより得ることができる。式1で示される代表的な組成としては、橙色の発光をする、Ceにより賦活したCaAlSiN3が例示でき、特許第3837588号の記載に準じて製造することができる。特許第3837588号に記載されているCaAlSiN3相は、蛍光体の母体として用いた場合、Ceに配位する金属元素がSiであるサイトとAlであるサイトとがランダムに混在しており、Ceを他の母体に賦活した蛍光体と比較してより幅広い発光スペクトルを示す。また、下記式231-aCepCa1-pAlSiN3aSi2N2O...21-xCeyCa、Sr1-yAlSiN3xLiSi2N3...3で示される組成が例示でき、特開2007-231245号の記載に準じて製造することができる。ここで、上記式2において、pは、0<p≦0.2であり、0.005<p≦0.1であることがより好ましく、aは0≦a≦0.45であり、0≦a≦0.3であることが好ましく、0.002≦a≦0.3であることがより好ましく、0.15≦a≦0.3であることが更に好ましい。また、上記式3において、yは、0<y≦0.2であり、0.003<y≦0.2であることが好ましく、xは、0<x<1.0であり、0.02≦x≦0.4であることが好ましく、0.03≦x≦0.35であることがより好ましい。ここで、橙色発光させる観点から、Ce賦活蛍光体の母体結晶中に酸素とLiとを含むことが好ましい。この場合、母体結晶中には、酸素とLiとの何れか1つのみが含まれてもよいし、両方含まれてもよく、両方に含まれることがより好ましい。当該Ce賦活蛍光体に、酸素、Li、又は酸素及びLiの両方が含まれる場合、発光スペクトル、吸収率、励起スペクトルが上記要件を満たし、当該Ce賦活CaAlSiN3蛍光体の発光効率が高くなる。中でも、上記Ce賦活蛍光体が、cCaAlSiN31-cLiSi2N3...4式中、0.2≦c≦0.8であるの組成を有する結晶に、Ceと酸素とが固溶した固溶体結晶である場合は、より発光スペクトルのピーク波長が長波長でありかつ半値幅が広く、緑色発光の吸収が抑制され、かつ橙色発光の発光効率が特に高いため、緑色蛍光体と組み合わせて電球色領域の白色を示す発光装置を構成する際はより好ましい。上記Ce賦活蛍光体を上記組成を有する結晶にCeと酸素とが固溶した固溶体結晶とするためには、例えば、CeO2のように構成金属元素の酸化物を少なくとも1種類原料粉末に含む必要がある。Ceと酸素とが固溶した上記固溶体結晶におけるLi濃度は、発光効率の観点から4重量以下であることが好ましい。また、半導体発光素子を照明器具等に用いる場合、インジケータ等に用いる場合と比較して大電流を流す必要があり、半導体発光素子の周辺温度は100°C~150°Cにも達する。例えば、特開2003-321675号公報に例示されるYAG:Ce蛍光体は、特開2008-127529に開示されるように周辺温度150°Cの高温環境において室温の50まで発光強度が低下してしまう。このような従来の蛍光体に対し、本願明細書において例示されている酸窒化物系蛍光体は、特に高温環境での発光特性が優れており、例えば非特許文献ScienceandTechnologyofAdvancedMaterials82007588-600に例示されるように、周辺温度100°C~150°Cの高温環境においても室温の85~90程度の発光強度を維持する。本実施の形態に係る半導体発光装置が備える蛍光体も上記非特許文献に例示される蛍光体と同等の高温環境での発光特性を有することが好ましく、そのような観点からは、Ceと酸素とが固溶した上記固溶体結晶におけるCe濃度は、0重量を超え、6重量以下が好ましい。更には、Ceと酸素とが固溶した上記固溶体結晶におけるLi濃度は、発光スペクトルの半値幅を広くする観点から1.5重量以上であることが好ましい。本実施の形態に係る半導体発光装置においては、橙色蛍光体13の発光スペクトルの半値幅が広い程、高い演色性を有し、発光効率が高い発光装置を実現することが可能となる。上記橙色蛍光体13の粒径は1μm~50μmであることが好ましく、5μm~20μmであることが更に好ましい。また、粒子の形状としては、凝集体であるよりも単独の粒子であることが好ましく、具体的には比表面積が1g/m2以下、より好ましくは0.4g/m2以下であることが好ましい。このような粒径調整、粒子形状調整には、機械的粉砕、酸処理による粒界相除去、アニール処理等の技術を適宜用いることができる。尚、上記Ce賦活CaAlSiN3蛍光体と緑色蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置は、特開2008-530334号公報においても開示されており、同公報の図2にはCe賦活CaAlSiN3蛍光体の励起スペクトルが例示されている。しかしながら、本発明に係る構成は、特開2008-530334号公報に記載の発明とは異なる。具体的には、特開2008-530334号公報に開示されているCe賦活CaAlSiN3蛍光体は、本明細書において例示されるCe賦活CaAlSiN3蛍光体と比較して、橙色蛍光体の緑色光領域での励起効率が高い即ち、ABS530/ABSMAX<0.60を満たさないため、発光装置を構成した際は蛍光体の相互吸収が大きくなってしまい、発光装置の発光効率を著しく低下させる。これに対して、本発明に係る構成では、青色LEDと緑色蛍光体と橙色蛍光体を組み合わせた際の最適な発光特性及び吸収特性を有する橙色蛍光体を備えている。特に、最適な発光特性及び吸収特性を実現するための具体的なCe賦活CaAlSiN3蛍光体として、cCaAlSiN31-cLiSi2N3式中、0.2≦c≦0.8であるの組成を有する結晶に、Ceと酸素とが固溶した固溶体結晶が好適であることを見出している。このため、高い演色性を示し、かつ高効率に電球色領域の白色光を発する発光装置を実現することができる。III緑色蛍光体上記緑色蛍光体14は、発光スペクトルの半値幅が上記橙色蛍光体13より狭く、発光スペクトルの半値幅が70nm以下であることがより好ましく、55nm以下であるものが更に好ましい。また、上記緑色蛍光体14の発光スペクトルの半値幅の下限は、特には限定されないが、15nm以上が好ましく、40nm以上がより好ましい。緑色蛍光体14の発光スペクトルの半値幅が上記範囲であると、橙色蛍光体13による緑色光の吸収が抑制され、発光効率が更に高い発光装置を実現し得る。上記のような緑色蛍光体14としては、上記要件を満たしていれば特には限定されないが、例えば、安定性が高く温度特性に優れるため、Eu賦活酸窒化物系蛍光体が好適に用いられる。更には、Eu賦活酸窒化物系蛍光体の中でも発光効率に優れる、特開2008-138156号公報に示されるEu賦活BSON蛍光体や、特開2005-255895号公報に示されるEu賦活βサイアロン蛍光体が好適に用いられる。上記緑色蛍光体14として例示した中でも、特にEu賦活βサイアロン蛍光体は、安定性及び温度特性に優れ、また、発光スペクトルの半値幅が特に狭く優れた発光特性を示す。上記Eu賦活BSON蛍光体として具体的には、Bay’Eux’Siu’Ov’Nw’但し、0≦y’≦3、1.6≦y’x’≦3、5≦u’≦7、9<v’<15、0<w’≦4の組成を有する蛍光体が好ましく、上記y’、x’、u’、v’、w’の更に好ましい範囲は、1.5≦y’≦3、2≦y’x’≦3、5.5≦u’≦7、10<v’<13、1.5<w’≦4である。また、上記Eu賦活βサイアロン蛍光体として具体的には、Si6-z’Alz’Oz’N8-z’但し、0<z’<4.2の組成を有する蛍光体が好ましく、上記z’の更に好ましい範囲は、0<z’<0.5である。また、上記Eu賦活βサイアロンは、酸素濃度が0.1~0.6重量の範囲であるものが好ましく、Al濃度が0.13~0.8重量であることがより好ましい。Eu賦活βサイアロン蛍光体がこれら範囲内であれば、より発光スペクトルの半値幅が狭くなる傾向がある。尚、国際公開WO2008/062781号に開示されるEu賦活βサイアロン蛍光体は、焼成後に酸処理等の後処理により蛍光体のダメージ相が取り除かれているため、不要な吸収が少なく発光効率が高い。更に、特開2008-303331号公報に例示されるEu賦活βサイアロン蛍光体は、酸素濃度が0.1~0.6重量であるため、より発光スペクトルの半値幅が狭くなり好ましい。上記のような緑色蛍光体14として、より具体的には、βサイアロン蛍光体の発光に全く寄与しない波長域であり、かつ上記橙色蛍光体のピーク波長付近である600nmにおける光の吸収率が10以下であるものを好適に用いることができる。上記緑色蛍光体14の粒径は1μm~50μmであることが好ましく、5μm~20μmであることが更に好ましい。また、粒子の形状としては、凝集体であるよりも単独の粒子であることが好ましく、具体的には比表面積が1g/m2以下、より好ましくは0.4g/m2以下であることが好ましい。このような粒径調整、粒子形状調整には、機械的粉砕、酸処理による粒界相除去、アニール処理等の技術を適宜用いることができる。本実施の形態において用いられる緑色蛍光体14がEu賦活酸窒化物系蛍光体であり、かつ橙色蛍光体13がCe賦活窒化物系蛍光体、又はCe賦活酸窒化物系蛍光体である場合、これら2種類の蛍光体の何れもが窒化物系となるので、2種類の蛍光体の温度依存性、比重、粒径等が近い値となる。このため、上記のような半導体発光装置を形成した際に、歩留まり良く製造することが可能で、周囲環境に影響され難い高い信頼性の発光装置となる。加えて、窒化物系蛍光体は母体結晶の共有結合性が強いため、特に温度依存性が少なく、化学的、物理的ダメージにも強い。IVモールド樹脂上記半導体発光装置1において、半導体発光素子2の封止に用いるモールド樹脂5は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透光性樹脂に上記橙色蛍光体13を分散させたものである。当該分散方法としては、特には限定されず、従来公知の方法を採用することができる。分散させる橙色蛍光体13及び緑色蛍光体14の混合比率は、特に制限されず、電球色領域の白色光を発するように適宜決定することができる。例えば、橙色蛍光体13及び緑色蛍光体14に対する透光性樹脂の重量比透光性樹脂の重量/橙色蛍光体13緑色蛍光体14で2~20の範囲内とすることができる。更には、橙色蛍光体13に対する緑色蛍光体14の重量比緑色蛍光体14/橙色蛍光体13の重量比で0.05~1の範囲内とすることができる。Vその他本実施の形態に係る半導体発光装置1において、半導体発光素子2、橙色蛍光体13、緑色蛍光体14及びモールド樹脂5以外の、プリント配線基板3や接着剤10、金属ワイヤ12等については、従来技術例えば、特開2003-321675号公報、特開2006-8721号公報等と同様の構成を採用することができ、従来技術と同様の方法により製造することができる。以上説明した本発明は、以下のように言い換えることもできる。即ち、1青色光を発する半導体発光素子と、当該青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、当該青色光を吸収して橙光を発する橙色蛍光体とを備え、上記橙色蛍光体は、発光スペクトルのピーク波長が590nm以上630nm以下であり、当該ピークの半値幅が130nm以上であり、420nmより長波長側における、上記橙色蛍光体の吸収率の最大値をABSMAX、波長530nmにおける、上記橙色蛍光体の吸収率をABS530としたときに以下の関係ABS530/ABSMAX<0.60を満たすことを特徴とする半導体発光装置。2上記緑色蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が70nm以下であることを特徴とする1に記載の半導体発光装置。3上記橙色蛍光体は、Ce賦活窒化物系もしくは酸窒化物系蛍光体である1に記載の半導体発光装置。4上記Ce賦活窒化物系蛍光体、又は上記Ce賦活酸酸窒化物系蛍光体は、下記一般式11-a-bLn’pMII’1-pMIII’MIV’N3aMIV’3n2/4NnObAMIV’2N3...1式中、Ln’は、ランタノイド、Mn及びTiからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、MII’はLn’元素以外の2価の金属元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、MIII’は3価の金属元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、MIV’は4価の金属元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、Aは、Li、Na、及びKからなる群から選ばれる1種類以上の1価の金属元素であり、pは0<p≦0.2を満足する数であり、a、b及びnは、0≦a、0≦b、0<ab<1、0≦n、及び0.002≦3n2a/4≦0.9を満足する数であるで表される化学組成を有する結晶相を含有するCe賦活CaAlSiN3蛍光体であり、cCaAlSiN31-cLiSi2N3但し、0.2≦c≦0.8の組成を有する結晶にCeと酸素とが固溶した固溶体結晶であることを特徴とする3に記載の半導体発光装置。5上記固溶体結晶は、Ceを6重量以下の範囲で含有することを特徴とする4に記載の半導体発光装置。6記緑色蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が55nm以下であることを特徴とする2に記載の半導体発光装置。7上記緑色蛍光体はEu賦活βサイアロン蛍光体であることを特徴とする7に記載の半導体発光装置。8上記Eu賦活βサイアロンは、酸素濃度が0.1~0.6重量の範囲であることを特徴とする7に記載の半導体発光装置。9上記Eu賦活βサイアロン蛍光体の600nmにおける吸収率が10以下である7に記載の半導体発光装置。本発明に係る半導体発光装置では、上記緑色蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が70nm以下であることが好ましい。上記構成によれば、より高いRa、R9を示し、更に橙色蛍光体により緑色光の吸収が充分に抑制され、発光効率の高い発光装置が実現可能となる。本発明に係る半導体発光装置では、上記橙色蛍光体は、Ce賦活窒化物系若しくは酸窒化物系蛍光体であることが好ましい。本発明に係る半導体発光装置では、上記橙色蛍光体は、Ce賦活CaAlSiN3蛍光体であり、cCaAlSiN31-cLiSi2N3但し、0.2≦c≦0.8の組成を有する結晶に、Ceと酸素とが固溶した固溶体結晶であることが好ましい。上記構成によれば、橙色発光体の発光効率が特に高くなるため、より発光効率の高い発光装置が実現可能となる。本発明に係る半導体発光装置では、上記固溶体結晶は、Ceを6重量以下の範囲で含有することが好ましい。上記構成によれば、発光効率が高く、温度特性に優れる発光装置が実現可能となる。本発明に係る半導体発光装置では、記緑色蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が55nm以下であることが好ましい。上記構成によれば、より高いRa、R9を示し、更に橙色蛍光体により緑色光の吸収が充分に抑制され、発光効率の高い発光装置が実現可能となる。本発明に係る半導体発光装置では、上記緑色蛍光体はEu賦活βサイアロン蛍光体であることが好ましい。Eu賦活βサイアロン蛍光体は、青色光によって効率的に励起され、かつ青色光による励起で本発明の要件を満たす発光を示す。本発明に係る半導体発光装置では、上記Eu賦活βサイアロンは、酸素濃度が0.1重量~0.6重量の範囲であることが好ましい。本発明に係る半導体発光装置では、上記Eu賦活βサイアロン蛍光体の600nmにおける吸収率が10以下であることが好ましい。上記構成によれば、緑色蛍光体による橙色光の不要な吸収が抑制され、発光装置の発光効率が向上する。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。即ち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。励起スペクトル及び発光スペクトル励起スペクトル及び発光スペクトルは、F-4500製品名、日立製作所製によって測定した。励起スペクトルは、発光ピークの強度をスキャンして測定した。また、各発光スペクトルは、波長450nmの光で励起して測定した。吸収スペクトル蛍光体粉末の吸収スペクトルは、分光光度計製品名:MCPD-7000、大塚電子製と積分球を組み合わせた測定系を用いて測定した。蛍光体粉末のLi濃度及びCe濃度蛍光体粉末のLi濃度及びCe濃度は、ICP製品名:IRISAdvantage、日本ジャーレルアッシュ社製により測定した。粉末X線回折測定粉末X線回折測定XRDは、CuのKα線を用いて測定した。蛍光体の作製製造例1-1:橙色蛍光体の作製10.3CaAlSiN30.7LiSi2N3組成の結晶を母体結晶として、これにCeを賦活した蛍光体を合成した。具体的には、Ce0.0033Li0.1157Ca0.0496Al0.0496Si0.281O0.0050N0.4959の理論組成式の化合物を得るべく、Si3N4:67.3重量、AlN:10.4重量、Li3N:6.9重量、Ca3N2:12.5重量、CeO2:2.92重量の組成比率で、全量が2gとなるように原料粉末を秤量し、メノウ乳棒と乳鉢で10分間混合した。この際、Ceの仕込み重量比率は2.4重量であった。その後、得られた混合物を窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて充填した体積充填率38。尚、粉末の秤量、混合の各工程は全て、水分1ppm以下、酸素1ppm以下の窒素雰囲気を保持することができるグローブボックス中で行った。その後、この混合粉末を入れた窒化ホウ素製のるつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800°Cまで毎時1200°Cの速度で昇温し、800°Cにおいて、純度が99.999体積の窒素を導入して圧力を0.92MPaとし、1800°Cの焼成温度まで、毎時600°Cで昇温し、1800°Cの焼成温度で2時間保持して行った。焼成後、得られた焼成体から余分なLi3Nを水洗で取り除き、次いで、粗粉砕の後、アルミナ製乳鉢を用いて手で粉砕して、蛍光体粉末を得た。また、当該蛍光体粉末のLi濃度は3.23重量であり、Ce濃度は2.40重量であった。ここで、ICP測定によるLi濃度は理論組成の4.09重量より低い値であるが、これは焼成中におけるLiの揮発や、焼成後の水洗による影響であると考えられる。ICP測定により得られた上記Li濃度から求めた、本製造例で得られた蛍光体の組成は、0.45CaAlSiN30.55LiSi2N3であった。尚、上記蛍光体粉末は、原料粉末に酸化物原料を含むため、Ceと酸素とが固溶した固溶体結晶である。得られた蛍光体粉末について、粉末X線回折測定XRDを行なったところ、図3に示すXRDチャートが得られ、蛍光体粉末は、CaAlSiN3相を主相とする結晶構造を有することが確認された。また、蛍光体粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、橙色に発光することが確認された。図4は、得られた蛍光体粉末の発光スペクトルを示すグラフであり、縦軸は発光強度任意単位、横軸は波長nmである。また、図5は、得られた蛍光体粉末の励起スペクトルを示すグラフであり、縦軸は励起強度任意単位、横軸は波長nmである。図4に示す発光スペクトルの色度座標はu’,v’=0.282,0.556、ピーク波長は600nm、半値幅は142nmであった。また、図6は本製造例で得られた蛍光体粉末の吸収スペクトルであり、本製造例の蛍光体の吸収率のピーク波長における吸収率をABSMAX、波長530nmにおける吸収率をABS530とした場合のABS530/ABSMAX=0.52であった。製造例1-2:橙色蛍光体の作製20.3CaAlSiN30.7LiSi2N3組成の結晶を母体結晶として、これにCeを賦活した蛍光体を合成した。具体的には、Ce0.066Li0.1148Ca0.0492Al0.0492Si0.2787O0.0098N0.4918の理論組成式の化合物を得るべく、Si3N4:65.4重量、AlN:10.1重量、Li3N:6.7重量、Ca3N2:12.2重量、CeO2:5.66重量の組成比率で、全量が2gとなるように原料粉末を秤量し、メノウ乳棒と乳鉢で10分間混合した。この際、Ceの仕込み重量比率は4.6重量であった。その後、得られた混合物を窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて充填した体積充填率38。尚、粉末の秤量、混合の各工程は全て、水分1ppm以下、酸素1ppm以下の窒素雰囲気を保持することができるグローブボックス中で行った。その後、この混合粉末を入れた窒化ホウ素製のるつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800°Cまで毎時1200°Cの速度で昇温し、800°Cにおいて、純度が99.999体積の窒素を導入して圧力を0.92MPaとし、1800°Cの焼成温度まで、毎時600°Cで昇温し、1800°Cの焼成温度で2時間保持して行った。焼成後、得られた焼成体は余分なLi3Nを水洗で取り除き、次いで、粗粉砕の後、アルミナ乳鉢を用いて手で粉砕して蛍光体粉末を得た。また、当該蛍光体粉末のLi濃度は3.19重量であり、Ce濃度は4.66重量であった。ここで、ICP測定によるLi濃度は理論組成の4.06重量より低い値であるが、これは焼成中におけるLiの揮発や、焼成後の水洗による影響であると考えられる。ICP測定により得られた上記Li濃度から求めた、本製造例で得られた蛍光体の組成は、0.46CaAlSiN30.54LiSi2N3であった。尚、上記蛍光体粉末は、原料粉末に酸化物原料を含むため、Ceと酸素とが固溶した固溶体結晶である。得られた蛍光体粉末について、粉末X線回折測定XRDを行なったところ、図7に示すXRDチャートが得られ、蛍光体粉末は、CaAlSiN3相を主相とする結晶構造を有することが確認できた。また、蛍光体粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、橙色に発光することが確認できた。図8は、得られた蛍光体粉末の発光スペクトルを示すグラフであり、縦軸は発光強度任意単位、横軸は波長nmである。また、図9は、得られた蛍光体粉末の励起スペクトルを示すグラフであり、縦軸は励起強度任意単位、横軸は波長nmである。図8に示す発光スペクトルの色度座標はu’,v’=0.297,0.554、ピーク波長は606nm、半値幅は146nmであった。また、図10は本製造例で得られた蛍光体粉末の吸収スペクトルであり、本製造例の蛍光体の吸収率のピーク波長における吸収率をABSMAX、波長530nmにおける吸収率をABS530とした場合のABS530/ABSMAX=0.57であった。製造例1-3-1~1-3-11:橙色蛍光体の作製3Si3N4、AlN、Li3N、Ca3N2、CeO2を表1に示す組成比率によって混合することにより、Ce濃度及びLi濃度を変化させた、Ceと酸素とが固溶した各種固溶体結晶を合成した。ICPによって得られたCe濃度及びLi濃度を表2に、ICP測定により得られたLi濃度から求めた各蛍光体の組成を表3に示す。尚、上記蛍光体粉末は、原料粉末に酸化物原料を含むため、Ceと酸素とが固溶した固溶体結晶である。得られた各種固溶体結晶について、発光強度のLi濃度依存性を示すグラフを図30に示す。図30に示すように、固溶体結晶におけるLi濃度が4重量以下であれば、発光強度が高くなる傾向にある。ここで、固溶体結晶におけるCe濃度及びLi濃度が上記範囲を外れた場合に発光強度が低下するのは、発光に寄与する元素の濃度が低すぎることや、異相が生成すること等に起因すると考えられる。次に、得られた各種固溶体結晶について、波長450nmの光で励起した際の発光強度の周辺温度依存性を示すグラフを図31及び図32に示す。図31及び図32から、固溶体結晶におけるLi濃度が高くなっても高温環境における発光強度は低下しないが、Ce濃度が高くなると、高温環境における発光強度が低下する傾向にあることが分かり、固溶体結晶におけるCe濃度は6重量以下が好ましいことが分かる。ここで、高温環境における発光強度の観点からは、Li濃度は特に限定されないことが分かる。また、図33に上記各種固溶体結晶を波長450nmの光で励起した際における発光スペクトルの半値幅のLi濃度依存性を示す。図33より、Li濃度が1.5重量以上で、発光スペクトルの半値幅が特に増大する傾向にあることが分かる。尚、本製造例で述べた発光強度はMCPD-7000大塚電子製と積分球とを組み合わせた装置を用いて測定した。製造例2-1:Eu賦活βサイアロン蛍光体の調製1Si6-z’Alz’Oz’N8-z’で表される組成式において、z’=0.23のものにEuが0.09at.賦活されたEu賦活βサイアロン蛍光体を得るべく、α型窒化ケイ素粉末95.82重量、窒化アルミニウム粉末3.37重量及び酸化ユーロピウム粉末0.81重量の組成となるように秤量し、窒化ケイ素焼結体製の乳鉢と乳棒とを用い、10分以上混合し粉体凝集体を得た。この粉体凝集体を直径20mm、高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて入れた。次に、上記るつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の加圧電気炉にセットし、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800°Cまで毎時500°Cの速度で加熱し、800°Cで純度が99.999体積の窒素を導入して圧力を1MPaとした後、毎時500°Cで1900°Cまで昇温し、更にその温度で8時間保持して、蛍光体試料を得た。得られた蛍光体試料をメノウ製乳鉢で粉砕し、蛍光体試料を得た。得られた蛍光体試料をメノウ製乳鉢によって粉砕し、更に50フッ化水素酸と70硝酸の1:1混酸中で処理し、蛍光体粉末を得た。当該蛍光体粉末について、粉末X線回折測定XRDを行なったところ、図11に示すXRDチャートが得られ、当該蛍光体粉末から得られたチャートは全てβ型サイアロン構造であることを示した。また、当該蛍光体粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、緑色に発光することを確認した。得られたEu賦活βサイアロン蛍光体の粉末の発光スペクトルを測定した結果、図12に示される発光スペクトルが得られた。図12において縦軸は発光強度任意単位、横軸は波長nmである。図12に示す発光スペクトルの色度座標はu’,v’=0.129,0.570、ピーク波長は540nm、半値幅は53nmであった。また、燃焼法による酸素窒素分析計LECO社製TC436型を用いて、これらの合成粉末中に含まれる酸素量を測定したところ、酸素含有量は1.12重量であった。また、MCPD-7000大塚電子製を用いて波長600nmの光の吸収率を測定した結果、9.1であった。製造例2-2:Eu賦活βサイアロン蛍光体の調整2Si6-z’Alz’Oz’N8-z’で表される組成式において、z’=0.06のものにEuが0.10at.賦活されたEu賦活βサイアロン蛍光体を得るべく、45μmの篩を通した金属Si粉末93.59重量、窒化アルミニウム粉末5.02重量及び酸化ユーロピウム粉末1.39重量の組成となるように所定量秤量し、窒化ケイ素焼結体製の乳鉢と乳棒とを用い、10分以上混合し粉体凝集体を得た。この粉体凝集体を直径20mm、高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて入れた。次に、該るつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の加圧電気炉にセットし、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800°Cまで毎時500°Cの速度で加熱し、800°Cで純度が99.999体積の窒素を導入して圧力を0.5MPaとし、毎時500°Cで1300°Cまで昇温し、その後毎分1°Cで1600°Cまで昇温し、その温度で8時間保持した。合成した試料をメノウ製乳鉢によって粉末に粉砕し、粉末試料を得た。次に、これらの粉末に再度加熱処理を施した。1600°Cで焼成した粉末を窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒を用いて粉砕した後に、直径20mm、高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて入れた。該るつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の加圧電気炉にセットし、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800°Cまで毎時500°Cの速度で加熱し、800°Cで純度が99.999体積の窒素を導入して圧力を1MPaとした後、毎時500°Cで1900°Cまで昇温し、更にその温度で8時間保持して、蛍光体試料を得た。得られた蛍光体試料をメノウ製乳鉢によって粉砕し、更に50フッ化水素酸と70硝酸の1:1混酸中で処理し、蛍光体粉末を得た。当該蛍光体粉末について粉末X線回折測定XRDを行なったところ、図13に示すXRDチャートが得られ、当該蛍光体粉末から得られたチャートは全てβ型サイアロン構造であることを示した。また、当該蛍光体粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、緑色に発光することを確認した。得られたEu賦活βサイアロン蛍光体の粉末の発光スペクトルを測定した結果、図14に示される発光スペクトルが得られた。図14において縦軸は発光強度任意単位、横軸は波長nmである。図14に示す発光スペクトルの色度座標はu’,v’=0.110,0.577、ピーク波長は528nm、半値幅は51nmであった。また、燃焼法による酸素窒素分析計LECO社製TC436型を用いて、これらの合成粉末中に含まれる酸素量を測定したところ、酸素含有量は0.4重量であった。また、MCPD-7000大塚電子製を用いて波長600nmの光の吸収率を測定した結果12.5であった。製造例2-3:Eu賦活BSON蛍光体の調整β型窒化ケイ素粉末17.12重量、酸化ケイ素粉末29.32重量、炭酸バリウム粉末50.75重量、及び酸化ユーロピウム粉末2.81重量の組成となるようにメノウ製乳鉢と乳棒を用いて混合し、粉体混合物50gを得た。得られた粉体混合物を150ccのエタノール中でメノウ製ボールとナイロンポットとを用いた転動ボールミルにより混合し、スラリーを得た。得られたスラリーを100°Cでオーブン乾燥し、得られた粉体凝集体をメノウ製ボールとナイロンポットとを用いた乾式の転動ボールミルにより粉砕し、粒径10μm程度の微粒子を得た。得られた微粒子をアルミナルツボに充填し軽く加重を加えて圧縮成型した後、空気中で1100°C、3時間の条件で焼成し、得られた焼成体をメノウ製乳鉢により粉砕して前駆体試料を得た。次に、上記るつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の加圧電気炉にセットし、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800°Cまで毎時500°Cの速度で加熱し、800°Cで純度が99.999体積の窒素を導入して圧力を1MPaとした後、毎時500°Cで1300°Cまで昇温し、更にその温度で2時間保持して、蛍光体試料を得た。得られた焼成物をメノウ製乳鉢によって粉砕し、再度アルミナルツボに充填し軽く加重を加えて圧縮成型した後、窒素雰囲気で1300°C、48時間の条件で焼成し、その後、メノウ製乳鉢により粉砕して蛍光体粉末を得た。当該蛍光体粉末について、粉末X線回折測定XRDを行なったところ、当該蛍光体粉末から得られたチャートは全てBSON構造であることを示した。また、当該蛍光体粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、緑色に発光することを確認した。得られたEu賦活BSON蛍光体の粉末の発光スペクトルを測定した結果、図15に示される発光スペクトルが得られた。図15において縦軸は発光強度任意単位、横軸は波長nmである。図15に示す発光スペクトルの色度座標はu’,v’=0.116,0.566、ピーク波長は528nm、半値幅は69nmであった。また、MCPD-7000大塚電子製を用いて波長600nmの光の吸収率を測定した結果10.4であった。製造例2-4:Ce賦活Lu3Al5O12蛍光体の調整Lu2O3粉末63.7重量、CeO2粉末6.1重量、Al2O3粉末30.2重量を所定の組成となるように空気中で秤量し、更に焼成助剤としてBaF2を所定量添加してメノウ製ボールとナイロンポットとを用いた転動ボールミルにより混合し、粉体混合物を得た。得られた混合物を石英ルツボに充填し、N295H25の還元雰囲気で1400°C、5時間の条件で焼成し、得られた焼成体をメノウ製乳鉢により粉砕して蛍光体粉末を得た。得られたCe賦活Lu3Al5O12蛍光体粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、緑色に発光することを確認した。該粉末の発光スペクトルを測定した結果、図16に示される発光スペクトルが得られた。図16において縦軸は発光強度任意単位、横軸は波長nmである。図16に示す発光スペクトルの色度座標はu’,v’=0.191,0.566、ピーク波長は540nm、半値幅は110nmであった。また、MCPD-7000大塚電子製を用いて波長600nmの光の吸収率を測定した結果9.3であった。比較製造例1:Eu賦活Sr2.5Ba0.5SiO5蛍光体の作製SrCO3粉末68.29重量、BaCO3粉末18.48重量、Eu2O3粉末1.98重量、SiO2粉末11.25重量を所定の組成となるように空気中で秤量し、メノウ製ボールとナイロンポットとを用いた転動ボールミルにより混合し、粉体混合物を得た。得られた混合物を石英ルツボに充填し、N2雰囲気下で1400°C、3時間の条件で予備焼成した後、得られた粉体焼結体をメノウ製乳鉢により粉砕して予備焼成粉を得た。得られた予備焼成粉を、N295H25の還元雰囲気で1550°C、3時間の条件で焼成し、得られた焼成体をメノウ製乳鉢により粉砕して蛍光体粉末を得た。得られたSr2.5Ba0.5SiO5:Eu蛍光体粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、橙色に発光することを確認した。該粉末の発光スペクトルを測定した結果、図17に示される発光スペクトルが得られた。図17において縦軸は発光強度任意単位、横軸は波長nmである。図17に示す発光スペクトルの色度座標はu’,v’=0.334,0.549、ピーク波長は600nm、半値幅は82nmであった。また、本製造例で得られた蛍光体の吸収率のピーク波長における吸収率をABSMAX、波長530nmにおける吸収率をABS530とした場合のABS530/ABSMAX=0.82であった。半導体発光装置の作製<実施例1~10>表4に示す蛍光体を、表4に示す重量比率でシリコーン樹脂商品名:KER2500、信越シリコーン社製と混合して当該シリコーン樹脂中に分散させたモールド樹脂を用いて、図1に示した構造を有する、実施例1~10の各半導体発光装置を作製した。尚、半導体発光素子として、表4に示す発光ピーク波長を有するLED商品名:EZR、Cree社製を用いた。ここで、各発光装置の色温度は電球色となるようにモールド樹脂との混合比率及びLEDのピーク波長を調整した。図18~図27に本実施例で例示する半導体発光装置の発光スペクトルを、表5に各半導体発光装置の諸特性を示す。<比較例1、2>表4に示す蛍光体を、表4に示す重量比率でシリコーン樹脂商品名:KER2500、信越シリコーン社製と混合して当該シリコーン樹脂中に分散させたモールド樹脂を用いて、図1に示した構造を有する、比較例1、2の各半導体発光装置を作製した。尚、半導体発光素子として、表4に示す発光ピーク波長を有するLED商品名:EZR、Cree社製を用いた。ここで、各発光装置の色温度は電球色となるようにモールド樹脂との混合比率及びLEDのピーク波長を調整した。尚、図18~図29に例示する半導体発光装置の発光スペクトルは、分光光度計製品名:MCPD-7000、大塚電子製により測定し、表5,6に示される各指数は測定された発光スペクトルに基づいて計算した。また、半導体発光装置の発光効率光度は、分光光度計製品名:MCPD-7000、大塚電子製と積分球とを組み合わせた測定系を用いて測定した。表4及び6に示すように、実施例1~10に示す半導体発光装置は、本発明における蛍光体の発光スペクトルにおける要件を満たすことがわかる。次に、表5、6により各発光装置の発光特性を比較する。まず、演色性に着目すると、実施例1~10の発光装置は比較例1,2の発光装置と比べてRa、R9共に高い値を示しており、家庭用照明等の一般照明用に適していることが分かる。これは、実施例1~10で作製した発光装置では、蛍光体の蛍光スペクトルが上記本発明の要件を満たしていることに起因する。特に、実施例1~10の発光装置は橙色蛍光体の半値幅が広いため、赤色成分の指標が改善している。更に、実施例2及び3、実施例4及び5、実施例6及び7、実施例8及び9のように蛍光体の構成が同じでLEDのピーク波長のみが異なるものを比較すると、LEDピーク波長が450nmのものより460nmのものの方が高い演色性を示すことがわかる。このことから、本発明においてLEDのピーク波長が455nm以上であるとより良い演色性を示すことが確認された。次に、発光装置の発光効率光度に着目し、実施例及び比較例の半導体発光装置を比較する。比較例2は橙色蛍光体が本発明の要件を満たしておらず、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅が橙色蛍光体より広く、橙色蛍光体による緑色光の吸収が特に大きいため、比較例2では光度が特に低くなっている。また、比較例1及び2や、実施例1及び10や、実施例5及び9のように、橙色蛍光体及び緑色蛍光体のピーク波長がそれぞれ同じで、緑色蛍光体の半値幅のみが異なる場合、緑色蛍光体の半値幅が広いと演色性が光度と共に低下傾向にある。即ち、本発明においては緑色蛍光体の半値幅が狭いことは、光度のみならず、演色性の面でも有利であることがわかる。更には、橙色蛍光体以外の構成が同じである、実施例1,3と比較例1との比較、及び実施例10と比較例2との比較において、橙色蛍光体がABS530/ABSMAX<0.6の要件を満たすことによって、発光効率が高くなることがわかる。<実施例11~13、比較例3~4>表7に示す蛍光体を、表7に示す重量比率でシリコーン樹脂商品名:KER2500、信越シリコーン社製と混合して当該シリコーン樹脂中に分散させたモールド樹脂を用いて、図1に示した構造を有する各半導体発光装置を作製した。尚、半導体発光素子として、460nmの発光ピーク波長を有するLED商品名:EZR、Cree社製を用いた。得られた各半導体装置、並びに実施例1及び3の半導体装置について、発光効率と、橙色蛍光体のABS530/ABSMAXABS530との関係を示すグラフを図34に示す。図34に示すように、半導体装置の発光効率は、橙色蛍光体のABS530/ABSMAXABS5300.60以上となると急に低下することが確認された。今回開示された実施の形態及び実施例は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"