"支持基板と、前記支持基板の上に配置されるバリアー層と、前記バリアー層の上に配置される光電変換部と、を含み、前記バリアー層は、互いに異なる気孔度を有する第1バリアー層及び第2バリアー層を含むことを特徴とする太陽電池。前記支持基板の上に配置される金属層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第1バリアー層は、前記支持基板の上に配置され、前記第2バリアー層は、前記第1バリアー層の上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第2バリアー層の気孔度は、前記第1バリアー層の気孔度より高いことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池。前記第1バリアー層の気孔度は、10であることを特徴とする請求項4に記載の太陽電池。前記第2バリアー層の気孔度は、20乃至40であることを特徴とする請求項4に記載の太陽電池。前記第1バリアー層及び前記第2バリアー層は、同一の物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第1バリアー層に対する前記第2バリアー層の厚さ比率は、0.1乃至0.3であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記バリアー層の厚さは5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記バリアー層は、酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記バリアー層は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された物質を少なくとも1つ以上含むことを特徴とする請求項10に記載の太陽電池。前記光電変換部は、前記バリアー層の上に配置される第1電極層と、前記第1電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置される第2電極層と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記支持基板は、フレキシブル基板を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。支持基板の上に第1バリアー層を形成するステップと、前記第1バリアー層の上に前記第1バリアー層と気孔度が相異する第2バリアー層を形成するステップと、前記第2バリアー層の上に光電変換部を形成するステップと、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記支持基板の上に第1バリアー層を形成するステップは、前記支持基板の上に金属層を形成するステップと、前記金属層を酸化させて前記第1バリアー層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記第1バリアー層及び前記第2バリアー層の各々は、スパッタリング工程、電解メッキ工程、マイクロアーク酸化工程、正極酸化工程、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される工程により形成されることを特徴とする請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記第2バリアー層は、前記第1バリアー層の上部をエッチングして形成されることを特徴とする請求項14に記載の太陽電池の製造方法。本発明の目的は、支持基板から光電変換部に不純物が広がることを防止することができ、支持基板と光電変換部の剥離現象を防止できる太陽電池及びその製造方法を提供することにある。本発明に係る太陽電池は、支持基板、前記支持基板の上に配置されるバリアー層、及び前記バリアー層の上に配置される光電変換部を含み、前記バリアー層は互いに異なる気孔度を有する第1バリアー層及び第2バリアー層を含む。本発明に係る太陽電池の製造方法は、支持基板の上に第1バリアー層を形成するステップ、前記第1バリアー層の上に前記第1バリアー層と気孔度が相異する第2バリアー層を形成するステップ、及び前記第2バリアー層の上に光電変換部を形成するステップを含む。本発明の太陽電池によれば、支持基板に隣接した部分には相対的に緻密に形成された第1バリアー層を形成し、光電変換部に隣接した部分には相対的にあまり緻密でなく形成された第2バリアー層を形成する。これによって、前記第1バリアー層は、前記太陽電池を製造する過程で発生できる不純物が前記光電変換部に広がることを防止することができる。また、多孔性構造を有する前記第2バリアー層は、前記光電変換部との接触面積を増加させることによって、前記支持基板と前記光電変化部の剥離現象が効果的に防止できるだけでなく、光-電変換効率を向上させることができる。また、本発明に係る太陽電池の製造方法は、同一の物質で簡単な工程条件だけを変更することによって、前記第1バリアー層及び前記第2バリアー層を形成することができる。したがって、本発明に係る太陽電池の製造費用を減らすことができる。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。以下、添付した図面を参照して本願が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように本願の実施形態を詳細に説明する。図1及び図2は、本発明の実施形態に係る太陽電池の概略的な断面図である。図1を参照すると、実施形態に係る太陽電池100は、支持基板10、前記支持基板10の上に配置されるバリアー層20、及び前記バリアー層20の上に配置される光電変換部30を含む。また、実施形態に係る太陽電池100は、図2のように、前記支持基板10の上に金属層40をさらに含むことができる。前記支持基板10はプレート形状を有し、前記バリアー層20及び前記光電変換部30を支持する役割をする。前記支持基板10は、リジッドrigid基板またはフレキシブル基板でありうる。より詳しくは、前記支持基板10は、フレキシブル基板でありうる。例えば、前記支持基板10はフレキシブルな金属基板であり、これによって、前記太陽電池100をフレキシブルflexibleに具現することができる。前記支持基板10は、当業界で太陽電池の基板に通常的に使われるものであれば、特別に制限無しで使用可能である。例えば、前記支持基板10は、鉄、鉛、コバルト、ニッケル、銅、スズ、及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される物質を含むことができるが、これに制限されるものではない。一実施形態において、前記支持基板10は、鉄を主成分とするステンレス鋼を含むことができる。これとは異なり、前記支持基板10は、ガラスまたはプラスチックなどの絶縁体で形成されてもよい。前記支持基板10の上には、前記バリアー層20が配置される。より詳しくは、前記バリアー層20は、前記支持基板10と前記光電変換部30との間に配置される。前記バリアー層20の厚さは約5μm以下であるが、これに制限されるものではない。前記バリアー層20は、第1バリアー層22及び第2バリアー層24を含む。また、前記第1バリアー層22と前記第2バリアー層24とは、互いに直接接触して形成できる。より詳しくは、前記バリアー層20は前記支持基板の上に配置される第1バリアー層22、及び前記第1バリアー層22の上に配置される前記第2バリアー層24を含む。即ち、前記第1バリアー層22は前記支持基板10側に隣接するように形成される。また、前記第2バリアー層24は前記光電変換部30と隣接するように形成される。前記第1バリアー層22と前記第2バリアー層24との気孔度は、互いに異なる。より詳しくは、前記支持基板10に隣接した部分に形成される前記第1バリアー層22は気孔度が小さく、それによって、前記第1バリアー層は緻密に形成できる。また、前記光電変換部30に隣接するように形成される前記第2バリアー層24は、気孔度の大きい多孔性構造でありうる。前述したように、前記第1バリアー層22は緻密な構造を有することができ、これによって、前記支持基板10の物質が光電変換部30側に広がることを効果的に防止することができる。例えば、前記第1バリアー層22は、前記光電変換部30を形成するための高温の熱処理工程で、前記支持基板10の物質及び前記支持基板10の上の不純物の、前記光電変換部30への拡散を防止することができる。前記第1バリアー層22の気孔度は約10以内であるが、これに制限されるものではない。より詳しくは、前記第1バリアー層22の気孔度は、約5または、約1以内であるが、これに制限されるものではない。前述したように、前記第2バリアー層24は、気孔度の大きい多孔性構造でありうる。これによって、前記第2バリアー層24と前記光電変換部30との接触面積を増加させることができる。また、前記第2バリアー層24と前記光電変換部30との間の剥離現象を効果的に防止できるだけでなく、前記光電変換部30の表面積を増やして光-電変換効率を向上させることができる。前記第2バリアー層24の気孔度は約20乃至約40であるが、これに制限されるものではない。より詳しくは、前記第2バリアー層24の気孔度は約30乃至約40であるが、これに制限されるものではない。一方、図面及び詳細な説明では、前記バリアー層20を形成する前記第1バリアー層22と前記第2バリアー層24とが互いに別の層をなすことと開示しているが、これに制限されるものではない。即ち、前記第1バリアー層22と前記第2バリアー層24との境界が明確でなくても、前記バリアー層20で支持基板10側に隣接した部分と前記光電変換部30側に隣接した部分の気孔度が異なると、本願の実施形態に属することができる。即ち、実施形態に係る太陽電池は、前記支持基板10側に位置する緻密な構造を有する第1バリアー層22と、光電変換部30側に位置する多孔性の第2バリアー層24とを含む。これによって、前記バリアー層20は、不純物拡散及び剥離現象を防止できるだけでなく、光-電変換効率を向上させることができる。前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24は、酸化物を含むことができる。より詳しくは、前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24は、金属酸化物を含むことができる。例えば、前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24の各々は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される物質を含むことができる。これとは異なり、前記第1バリアー層22は金属のみからなるか、前記金属及び前記金属酸化物を共に含むことができる。例えば、前記第1バリアー層22は、アルミニウム、チタニウム、マグネシウム、タングステン、これらの酸化物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される物質を全て含むことができる。前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24を含む前記バリアー層20の厚さは、約5μm以下であるが、これに制限されるものではない。前述したように、前記バリアー層20は酸化物からなることができ、前記酸化物バリアー層20は約5μmを超過すると、曲げる場合、亀裂が発生することがあるので、フレキシブルな太陽電池100への適用が困難である。前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24は、同一の物質を含むことができる。この際、前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24は、同一の物質を使用して工程条件だけを変更する簡単な方法により形成できる。したがって、実施形態に係る太陽電池の製造費用は減少する。これと関連して、太陽電池の製造方法を説明しながら以下により詳細に説明する。前記第1バリアー層22に対する前記第2バリアー層24の厚さ比率は、約0.1乃至約0.3でありうる。前記比率が0.3を越える場合、多孔性の第2バリアー層24の厚さは厚くなり、緻密な第1バリアー層22の厚さは薄くなる。これによって、前記第1バリアー層は、不純物拡散防止の機能の効果的な遂行が困難である。また、前記比率が0.1未満の場合、前記第2バリアー層24の厚さが薄くなって接触面積の充分な確保が困難である。図2を参照すると、実施形態に係る太陽電池は、前記支持基板10の上に金属層40がさらに配置される。前記金属層40は金属を含むことができる。例えば、前記金属層40は、アルミニウム、チタニウム、マグネシウム、タングステン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される物質を含むことができる。前記金属層40は、前記バリアー層20を形成するために配置される。例えば、前記バリアー層20は、前記金属層40を酸化させることによって形成される。この際、前記金属層40は、図1のように、前記金属層40の全部が酸化されて前記バリアー層20に切換できるが、図2のように、前記金属層40の一部のみ前記バリアー層20に切換られ、切換られていない前記金属層40は前記支持基板10の上に残っている。前記金属層40は、前記第1バリアー層22のように非常に緻密な構造を有する。したがって、前記金属層40は、前記第1バリアー層22と共に前記支持基板10の物質の、光電変換部30側への拡散を効果的に防止することができる。前記光電変換部30は、前記バリアー層20の上に配置される。より詳しくは、前記光電変換部30は、前記第2バリアー層24の上に配置される。前記光電変換部は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する。前記光電変換部30は、第1電極層31、光吸収層33、及び第2電極層39を含む。また、前記光電変換部30は、前記光吸収層33と前記第2電極層39との間にバッファ層35及び高抵抗バッファ層37をさらに含むことができるが、これに制限されるものではない。前記第1電極層31は、優れた電気的特性を有する物質で構成される。例えば、前記第1電極層31は、モリブデン、銅、ニッケル、アルミニウム、これらの合金などからなることができる。前記第1電極層31の上には前記光吸収層33が配置される。前記光吸収層33は、非シリコン系半導体物質を含むことができる。即ち、前記光吸収層33は、I-III-IV族化合物を含むことができる。例えば、前記光吸収層33は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2、CIGS系化合物、銅-インジウム-セレナイド系CIS系化合物、または銅-ガリウム-セレナイド系CGS系化合物を含むことができる。または、前記光吸収層33は、II-IV族化合物またはIII-IV族化合物を含むことができる。例えば、前記光吸収層33は、カドミウムCd-テルニウムTe化合物、またはガリウムGa-砒素As化合物を含むことができる。前記光吸収層33の上に配置されるバッファ層35は、第2電極層29との格子定数差及びエネルギーバンドギャップ差を緩和することができる。例えば、前記光吸収層33は、硫化カドミウムCdSを含むことができる。前記バッファ層35の上に配置される高抵抗バッファ層37は、第2電極層39の形成時、前記バッファ層35の損傷を防止することができる。例えば、前記バッファ層35は、酸化亜鉛ZnOからなることができる。前記第2電極層39は、透光性伝導性物質で形成される。また、前記第2電極層39は、n型半導体の特性を有することができる。この際、前記第2電極層39は、前記バッファ層35と共にn型半導体層を形成して、p型半導体層である前記光吸収層33とpn接合を形成することができる。前記第2電極層39は、例えば、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAZOで形成される。前述したように、実施形態に係る太陽電池は、CIGS系化合物、CIS系化合物、CGS系化合物、Cd-Te化合物、またはGa-As化合物を含む光吸収層33を含むことができ、これによって、優れた光-電変換効率を有することができる。したがって、前記太陽電池100は薄い厚さで形成され、材料の消耗を減らし、かつ多様な産業分野に活用できる。一方、本実施形態はこれに限定されるものではない。したがって、前記光電変換部30は、染料感応型太陽電池、有機太陽電池、及びシリコン太陽電池を構成する光電変換部を含むことができる。以下、図3乃至図6を参照して実施形態に係る太陽電池の製造方法を説明する。本製造方法に関する説明は、前述した太陽電池に対する説明を参考にする。前述した太陽電池に対する説明は、本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。図3a乃至図3dは、本発明の第1実施形態に係る太陽電池の製造方法のステップを示す断面図である。まず、図3aに示すように、支持基板10の上に第1バリアー層22を形成する。前記第1バリアー層22は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物などの酸化物を含むことができ、多様な方法により形成できる。例えば、前記第1バリアー層22は、スパッタリング工程、電解メッキ工程、マイクロアーク酸化工程、正極酸化工程、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される工程により形成できる。次に、図3bに示すように、前記第1バリアー層22の上に、前記第1バリアー層22より高い気孔度を有する第2バリアー層24を形成する。前記第2バリアー層24は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物などの酸化物を含むことができ、多様な方法により形成できる。例えば、前記第2バリアー層24の各々は、スパッタリング工程、電解メッキ工程、マイクロアーク酸化工程、正極酸化工程、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される工程により形成できる。前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24は、同一の物質からなることができる。この際、前記第1バリアー層22及び前記第2バリアー層24は、同一の工程方法で工程条件のみを変更する簡単な方法により形成できる。例えば、前記第1バリアー層22を、電解メッキ工程により形成した後、同一の電解メッキ槽でアノード電極とカソード電極に高電圧を交互に印加するマイクロアーク酸化工程を使用して、多孔性の第2バリアー層24を形成することができる。このように、実施形態に係る太陽電池の製造方法は、前記支持基板10側に隣接した部分と前記光電変換部30側に隣接した部分の気孔度が互いに異なるバリアー層20を簡単な工程により形成することができる。前記バリアー層20の粗さを減少させるために、前記バリアー層20をポリッシングする工程をさらに遂行することができる。前記ポリッシング工程は、前記バリアー層20を形成した後、前記バリアー層20の上に光電変換部30を形成する前に遂行される。また、前記ポリッシング工程は、機械的及び/または化学的ポリッシング工程を全て含む。次に、図3cに示すように、前記バリアー層20の上に光電変換部30を形成して太陽電池100を製造する。これをより詳細に説明すれば、次の通りである。まず、前記バリアー層20の上に第1電極層31を形成する。例えば、前記第1電極層31は、スパッタリング工程によりモリブデンを蒸着して形成することができる。また、前記第1電極層31は2つ以上の層を含むことができるが、この各々の層は同一の金属を含むことができ、互いに異なる金属を含むこともできる。前記2つ以上の層を含む前記第1電極層31は、工程条件が互いに異なる2回の工程により形成できる。次に、前記第1電極層31の上に光吸収層33を形成する。前記光吸収層33は、多様な方法により形成できる。例えば、前記光吸収層33は、蒸発法またはスパッタリング工程などにより形成できる。前記蒸発法は、銅、インジウム、ガリウム、及びセレニウムを同時または区分して蒸発させることによって、前記CIGS系光吸収層33を形成することができる。前記スパッタリング工程の場合、スパッタリング工程で金属プリカーサ膜を形成した後、セレニゼーションselenization工程を遂行して、CIGS系光吸収層33を形成することができる。即ち、スパッタリング工程で、銅ターゲット、インジウムターゲット、及びガリウムターゲットを使用して、銅、インジウム、及びガリウムを含む金属プリカーサ膜を形成し、以後、セレニゼーション工程を遂行してCIGS系光吸収層33を形成することができる。または、スパッタリング工程とセレニゼーション工程とを同時に進行してCIGS系光吸収層33を形成することもできる。前述した方法では、CIGS系光吸収層33を形成することを例示したが、所望の物質によって、ターゲット、蒸発物質などを異にして多様な種類の光吸収層33を形成することができる。次に、前記光吸収層33の上にバッファ層35を形成することができる。このようなバッファ層35は、化学溶液成長法chemicalbathdepositon:CBD、スパッタ、蒸発法、化学気相蒸着法CVDなどにより形成できる。前記バッファ層35の上に高抵抗バッファ層37が形成される。例えば、前記高抵抗バッファ層37は、酸化亜鉛ZnOなどを蒸着して形成される。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、多様な方法を用いて多様な物質を含む高抵抗バッファ層37を形成することができる。次に、前記高抵抗バッファ層37の上に第2電極層39を形成する。図4a乃至図4cは、本発明の第2実施形態に係る太陽電池の製造方法のステップを示す断面図である。第2実施形態に係る太陽電池の製造方法は、前記第1バリアー層22aの上部をエッチングして、高い気孔度の第2バリアー層24を形成することができる。例えば、弗素エッチング液を用いて前記第1バリアー層22aの上部をエッチングすることで、前記第2バリアー層24を形成することができる。前記第1バリアー層22aのうち、エッチングされていない部分は第1バリアー層22として残るようになる。次に、図4cに示すように、バリアー層20の上に光電変換部30を形成して太陽電池100を製造する。前述したように、第2実施形態では第1バリアー層をエッチングする簡単な工程により、第1バリアー層22及び第2バリアー層24を含むバリアー層20を製造することができる。これによって、前記支持基板10側に隣接した部分と前記光電変換部30側に隣接した部分との気孔度が互いに異なるバリアー層20を、簡単な工程により形成することができる。図5及び図6は、各々第3実施形態及び第4実施形態により製造された太陽電池の断面を示す断面図である。第3実施形態及び第4実施形態において、前記バリアー層20は、前記支持基板10の上に金属層40を形成し、前記金属層40を酸化させることにより形成できる。前記金属層40は、スパッタリング、電解メッキ工程など、多様な方法により前記支持基板10の上に形成される。次に、前記金属層40を酸化させる。この際、前記金属層40が酸化される程度によって、図2のように前記金属層40を前記支持基板10の上に残したり、図1のように前記金属層40を全てバリアー層に切換たりすることができる。図5を参照すると、アルミニウム金属層40は、前記支持基板10の上に電解メッキ工程により形成される。その後、前記アルミニウム金属層40の上部は、マイクロアーク酸化工程により酸化されて、前記アルミニウム金属層40の上部はバリアー層20に切換できる。この際、前記アルミニウム金属層40の一部は酸化されず、前記支持基板10の上に残っている。図6は、第4実施形態に係る前記金属層40及び前記バリアー層20の断面を示す断面図である。図6を参照すると、前記バリアー層20は、前記金属層40を正極酸化することによって形成できる。前記金属層40を正極酸化する工程で、第1バリアー層22と第2バリアー層24とは同時に形成できる。より詳しくは、前記バリアー層20は、前記支持基板10に隣接した部分に形成され、緻密な構造を有する前記第1バリアー層22と、前記光電変換部30に隣接するように形成され、多孔性構造を有する前記第2バリアー層24を含むことができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組み合わされまたは変形されて実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に関連した内容は、本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表された各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"