"軸線方向に延びた棒状の中心電極と、前記中心電極の外周に設けられた絶縁碍子と、前記絶縁碍子の外周に設けられた主体金具と、前記主体金具に接合され、前記中心電極との間に間隙を形成する接地電極であって、前記主体金具から前記中心電極に向けて延び、前記中心電極側の端面である第1母材面および前記第1母材面に隣接する第2母材面を有する接地電極母材と、前記第1母材面および前記第2母材面から突出する状態で抵抗溶接によって前記接地電極母材に埋設され、前記中心電極に対向する対向面を有する直方体状の貴金属チップとを含む接地電極とを備えるスパークプラグであって、前記接地電極母材の中心軸に直交する断面の断面積Sは、1.8mm2≦S≦3.2mm2であり、前記第2母材面に対して埋没する前記貴金属チップの埋没深さAと、前記第2母材面に対して埋没する方向に沿った前記貴金属チップの厚さであるチップ厚Bとの関係は、0.4≦A/B≦0.8を満たすことを特徴とするスパークプラグ。請求項1に記載のスパークプラグであって、0.6≦A/B≦0.8であることを特徴とするスパークプラグ。請求項1または請求項2に記載のスパークプラグであって、前記第1母材面に対して埋没する前記貴金属チップの長さCと、前記第1母材面に対して埋没する方向に沿った前記貴金属チップの長さであるチップ長Dとの関係は、0.6≦C/D<1.0を満たすことを特徴とするスパークプラグ。請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のスパークプラグであって、前記第2母材面は、前記軸線方向に直交する平面であり、前記軸線方向に直交し前記第1母材面と平行な方向に沿った前記貴金属チップの幅であるチップ幅Eと、前記第1母材面と平行な方向に沿った前記第2母材面の幅である平面幅Fとの関係は、E/F≦0.5を満たすことを特徴とするスパークプラグ。請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のスパークプラグであって、前記対向面は、前記中心電極の端面または側面に対向することを特徴とするスパークプラグ。請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のスパークプラグであって、前記第1母材面に対して埋没する方向に沿った前記貴金属チップの長さであるチップ長Dは、1.1mm≦D≦1.3mmを満たすことを特徴とするスパークプラグ。従来、接地電極母材に埋没する貴金属チップの埋没量が酸化スケールの形成に与える影響について十分な検討がなされていなかった。本発明は、上記した課題を踏まえ、スパークプラグの耐久性能を向上させることができる技術を提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]適用例1のスパークプラグは、軸線方向に延びた棒状の中心電極と、前記中心電極の外周に設けられた絶縁碍子と、前記絶縁碍子の外周に設けられた主体金具と、前記主体金具に接合され、前記中心電極との間に間隙を形成する接地電極であって、前記主体金具から前記中心電極に向けて延び、前記中心電極側の端面である第1母材面および前記第1母材面に隣接する第2母材面を有する接地電極母材と、前記第1母材面および前記第2母材面から突出する状態で抵抗溶接によって前記接地電極母材に埋設され、前記中心電極に対向する対向面を有する直方体状の貴金属チップとを含む接地電極とを備えるスパークプラグであって、前記接地電極母材の中心軸に直交する断面の断面積Sは、1.8mm2≦S≦3.2mm2であり、前記第2母材面に対して埋没する前記貴金属チップの埋没深さAと、前記第2母材面に対して埋没する方向に沿った前記貴金属チップの厚さであるチップ厚Bとの関係は、0.4≦A/B≦0.8を満たすことを特徴とする。適用例1のスパークプラグによれば、貴金属チップを接地電極母材に埋設する際に接地電極母材におけるデンドライトの形成を抑制しつつ、接地電極母材と貴金属チップとの接合部における酸化スケールの形成を抑制することができる。その結果、スパークプラグの耐久性能を向上させることができる。[適用例2]適用例1のスパークプラグにおいて、0.6≦A/B≦0.8であると良い。適用例2のスパークプラグによれば、接地電極母材と貴金属チップとの接合部における酸化スケールの形成を一層抑制することができる。[適用例3]適用例1または適用例2のスパークプラグにおいて、前記第1母材面に対して埋没する前記貴金属チップの長さCと、前記第1母材面に対して埋没する方向に沿った前記貴金属チップの長さであるチップ長Dとの関係は、0.6≦C/D<1.0を満たすと良い。適用例3のスパークプラグによれば、接地電極母材と貴金属チップとの接合強度を向上させることができる。[適用例4]適用例1ないし適用例3のいずれかのスパークプラグにおいて、前記第2母材面は、前記軸線方向に直交する平面であり、前記軸線方向に直交し前記第1母材面と平行な方向に沿った前記貴金属チップの幅であるチップ幅Eと、前記第1母材面と平行な方向に沿った前記第2母材面の幅である平面幅Fとの関係は、E/F≦0.5を満たすと良い。適用例4のスパークプラグによれば、接地電極母材に貴金属チップを抵抗溶接する際に、接地電極母材の内部から外側に膨出する膨らみの発生を抑制することができる。その結果、膨らみに起因する接地電極母材の劣化を防止することができる。[適用例5]適用例1ないし適用例4のいずれかのスパークプラグにおいて、前記対向面は、前記中心電極の端面または側面に対向すると良い。適用例5のスパークプラグによれば、中心電極の端面または側面と、接地電極の貴金属チップとの間に火花を発生させることができる。[適用例6]適用例1ないし適用例5のいずれかのスパークプラグにおいて、前記第1母材面に対して埋没する方向に沿った前記貴金属チップの長さであるチップ長Dは、1.1mm≦D≦1.3mmを満たすと良い。適用例6のスパークプラグによれば、着火性能を損なうことなく、スパークプラグの耐久性能を向上させることができる。本発明の形態は、スパークプラグの形態に限るものではなく、例えば、スパークプラグの接地電極、スパークプラグを備える内燃機関、スパークプラグの製造方法などの種々の形態に適用することも可能である。また、本発明は、前述の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以上説明した本発明の構成および作用を一層明らかにするために、以下本発明を適用したスパークプラグについて説明する。A.実施例:A-1.スパークプラグの構成:図1は、スパークプラグ100を示す部分断面図である。図1には、スパークプラグ100の軸線である中心軸CA1を境界として、一方にスパークプラグ100の外観形状を図示し、他方にスパークプラグ100の断面形状を図示した。スパークプラグ100は、中心電極10と、絶縁碍子20と、主体金具30と、接地電極40とを備える。本実施例では、スパークプラグ100の中心軸CA1は、中心電極10、絶縁碍子20、主体金具30の各部材の軸線でもある。スパークプラグ100において、中心軸CA1方向に延びた棒状の中心電極10の外周は、絶縁碍子20によって電気的に絶縁されている。中心電極10の一端は、絶縁碍子20の一端から突出し、中心電極10の他端は、絶縁碍子20の他端へと電気的に接続されている。絶縁碍子20の外周には、中心電極10から電気的に絶縁された状態で主体金具30がカシメ固定されている。主体金具30には接地電極40が電気的に接続され、中心電極10と接地電極40との間には、火花を発生させる隙間である火花ギャップが形成される。スパークプラグ100は、内燃機関図示しないのエンジンヘッド200に形成された取付ネジ孔210に主体金具30を螺合させた状態で取り付けられ、2万~3万ボルトの高電圧が中心電極10に印加されると、中心電極10と接地電極40との間に形成された火花ギャップに火花を発生させる。スパークプラグ100の中心電極10は、有底筒状に成形された電極母材の内部に、電極母材よりも熱伝導性に優れる芯材を埋設した棒状の電極である。本実施例では、中心電極10の電極母材は、インコネル登録商標を始めとするニッケルを主成分とするニッケル合金から成り、中心電極10の芯材は、銅または銅を主成分とする合金から成る。本実施例では、中心電極10の電極母材の先端には、イリジウムを主成分とする貴金属チップが溶接によって接合されている。本実施例では、中心電極10は、電極母材の先端が絶縁碍子20の一端から突出する状態で絶縁碍子20に固定され、シール体16、セラミック抵抗17、シール体18、端子金具19を介して絶縁碍子20の他端へと電気的に接続される。スパークプラグ100の絶縁碍子20は、アルミナを始めとする絶縁性セラミックス材料を焼成して形成された部品である。絶縁碍子20は、中心電極10を収容する軸孔28を有する筒状体であり、中心電極10が突出する側から中心軸CA1に沿って順に、脚長部22と、第1碍子胴部24と、碍子鍔部25と、第2碍子胴部26とを備える。絶縁碍子20の脚長部22は、中心電極10が突出する側に向けて外径が小さくなる筒状の部位である。絶縁碍子20の第1碍子胴部24は、脚長部22よりも大きな外径を有する筒状の部位である。絶縁碍子20の碍子鍔部25は、第1碍子胴部24よりも更に大きな外径を有する筒状の部位である。絶縁碍子20の第2碍子胴部26は、碍子鍔部25よりも小さな外径を有する筒状の部位であり、主体金具30と端子金具19との間に十分な絶縁距離を確保する。スパークプラグ100の主体金具30は、本実施例では、ニッケルメッキされた低炭素鋼製の部材であるが、他の実施形態において、亜鉛メッキされた低炭素鋼製の部材であっても良いし、無メッキのニッケル合金製の部材であっても良い。本実施例では、絶縁碍子20に対する主体金具30のカシメ固定は、冷間カシメであるが、他の実施形態において、熱間カシメであっても良い。主体金具30は、中心電極10が突出する側から中心軸CA1に沿って順に、端面31と、取付ネジ部32と、胴部34と、溝部35と、工具係合部36と、カシメ部38とを備える。主体金具30の端面31は、取付ネジ部32の先端に形成された中空円状の面であり、端面31には、接地電極40が接合され、端面31の中央からは、絶縁碍子20の脚長部22に包まれた中心電極10が突出する。主体金具30の取付ネジ部32は、エンジンヘッド200の取付ネジ孔210に螺合するネジ山を外周に有する円筒状の部位である。主体金具30の胴部34は、溝部35に隣接して設けられ、溝部35よりも外周方向に張り出した鍔状部であり、エンジンヘッド200に向けてガスケット50を圧縮する。主体金具30の溝部35は、胴部34と工具係合部36との間に設けられ、主体金具30を絶縁碍子20にカシメ固定する際に外周方向に膨出した部位である。主体金具30の工具係合部36は、溝部35に隣接して設けられ、溝部35よりも外周方向に張り出した鍔状部であり、スパークプラグ100をエンジンヘッド200に取り付けるための工具図示しないに係合する形状に成形されている。主体金具30のカシメ部38は、工具係合部36に隣接して設けられ、主体金具30を絶縁碍子20にカシメ固定する際に、絶縁碍子20の第2碍子胴部26に密着するように塑性加工された部位である。主体金具30のカシメ部38と、絶縁碍子20の碍子鍔部25との間の領域には、粉末のタルク滑石を充填した充填部63が形成され、充填部63は、パッキン62,64で封止されている。図2は、スパークプラグ100における中心電極10および接地電極40を拡大して示す説明図である。スパークプラグ100の接地電極40は、溶接によって主体金具30に接合され、中心電極10との間に火花ギャップGを形成する。本実施例では、棒状の中心電極10の先端には、中心軸CA1に直交する端面11と、中心軸CA1に沿った側面12とが形成され、接地電極40は、中心電極10の側面12との間に火花ギャップGを形成する。接地電極40は、接地電極母材41と、貴金属チップ42とを備える。接地電極40の接地電極母材41は、主体金具30から中心電極10に向けて延びた電極であり、接地電極母材41の中心軸CA2は、主体金具30から中心軸CA1に沿った方向へ延びた後、中心電極10に向けて中心軸CA1に交差する方向へ屈曲する。本実施例では、接地電極母材41の外層は、インコネル登録商標を始めとするニッケルを主成分とするニッケル合金から成り、接地電極母材41の内層は、外層よりも熱伝導性に優れる銅または銅を主成分とする合金から成る。接地電極40の貴金属チップ42は、貴金属を含有する材料で形成された直方体状の部材であり、中心電極10の側面12に向けて突出する状態で抵抗溶接によって接地電極母材41に埋設されている。本実施例では、貴金属チップ42は、白金を主成分とし20質量のロジウムを含有する貴金属合金から成る。図3は、接地電極40の詳細構成を示す説明図である。図3には、接地電極母材41の屈曲形状を臨む方向から見た接地電極40の側面図と、中心電極10側から見た接地電極40の正面図とを図示した。接地電極40の接地電極母材41は、第1母材面411と、第2母材面412と、第3母材面413と、第4母材面414と、第5母材面415とを備える。接地電極母材41の第1母材面411は、中心電極10側に位置する端面である。本実施例では、第1母材面411は、中心電極10の中心軸CA1に沿った平面である。接地電極母材41の第2母材面412は、第1母材面411に隣接する側面のうち、屈曲形状の内側に位置する側面の部位である。本実施例では、第2母材面412は、中心電極10の中心軸CA1に直交する平面である。接地電極母材41の第3母材面413は、第1母材面411に隣接する側面のうち、屈曲形状の外側に位置する側面の部位である。接地電極母材41の第4母材面414および第5母材面415は、第1母材面411に隣接する側面のうち、第2母材面412と第3母材面413との間に拡がる側面である。本実施例では、中心軸CA2に直交する接地電極母材41の断面形状は、略矩形状であり、その四つの辺のうち、第2母材面412および第3母材面413に対応する二つの対向辺が相互に平行すると共に、第4母材面414および第5母材面415に対応する二つの対向辺が外側に湾曲した形状である。接地電極40の貴金属チップ42は、接地電極母材41の第1母材面411および第2母材面412から突出する状態で抵抗溶接によって接地電極母材41に埋設されている。貴金属チップ42は、第1チップ面421と、第2チップ面422とを備える。貴金属チップ42の第1チップ面421は、直方体状の貴金属チップ42における六つの面のうち接地電極母材41に埋没されていない二つの平面の一方である。本実施例では、第1チップ面421は、接地電極母材41の第1母材面411に沿った平面、すなわち、中心電極10の中心軸CA1に沿った平面である。本実施例では、第1チップ面421は、中心電極10の側面12に対向する対向面であり、第1チップ面421と中心電極10の側面12との間に火花ギャップGが形成される。貴金属チップ42の第2チップ面422は、直方体状の貴金属チップ42における六つの面のうち接地電極母材41に埋没されていない二つの平面の他方である。本実施例では、第2チップ面422は、接地電極母材41の第2母材面412に沿った平面、すなわち、中心電極10の中心軸CA1に直交する平面である。図4は、接地電極40に形成される酸化スケールOS、デンドライトDDおよび膨らみBGを示す説明図である。図4には、接地電極40の側面図および正面図に、酸化スケールOS、デンドライトDDおよび膨らみBGを模式的に図示した。酸化スケールOSは、接地電極40の過熱によって、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合部に形成され、貴金属チップ42が接地電極母材41から剥離する要因となる。デンドライトDDは、接地電極母材41に貴金属チップ42を抵抗溶接する際の過大な電流によって、接地電極母材41の内部に形成され、接地電極母材41の強度を低下させる要因となる。膨らみBGは、接地電極母材41に貴金属チップ42を抵抗溶接する際に、接地電極母材41の第4母材面414および第5母材面415の内部から外側に膨出した部位であり、腐食し易く接地電極母材41を劣化させる要因となる。図3の説明に戻り、デンドライトDDおよび酸化スケールOSの抑制を図る観点から、接地電極母材41の中心軸CA2に直交する断面の断面積Sが1.8mm2≦S≦3.2mm2である場合、接地電極母材41の第2母材面412に対して埋没する貴金属チップ42の埋没深さAと、この第2母材面412に対して埋没する方向に沿った貴金属チップ42の厚さであるチップ厚Bとの関係は、0.4≦A/B≦0.8を満たすことが好ましく、0.6≦A/B≦0.8を満たすことが更に好ましく、0.7≦A/B≦0.8を満たすことが一層好ましく、A/B=0.8を満たすことが最も好ましい。なお、接地電極母材41の断面積Sは、第1母材面411から中心軸CA2に沿って2mmの部位における断面積である。埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bに関する評価値については後述する。接地電極母材41と貴金属チップ42との接合強度の向上を図る観点から、接地電極母材41の第1母材面411に対して埋没する貴金属チップ42の長さCと、この第1母材面411に対して埋没する方向に沿った貴金属チップ42の長さであるチップ長Dとの関係は、0.6≦C/D<1.0を満たすことが好ましい。なお、着火性能の観点から、貴金属チップ42のチップ長Dは、1.1mm≦D≦1.3mmを満たすことが好ましい。長さCのチップ長Dに対する比率C/Dに関する評価値については後述する。接地電極母材41の劣化防止を図る観点から、中心電極10の中心軸CA1に直交し接地電極母材41の第1母材面411と平行な方向に沿った貴金属チップ42の幅であるチップ幅Eと、第1母材面411と平行な方向に沿った第2母材面412の幅である平面幅Fとの関係は、E/F≦0.5を満たすことが好ましい。チップ幅Eの平面幅Fに対する比率E/Fに関する評価値については後述する。A-2.埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bに関する評価値:図5は、埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bと酸化スケールとの関係を調べた評価試験の結果を示す説明図である。図5の評価試験では、貴金属チップ42が接地電極母材41に埋没する埋没深さAが異なる複数の試料を作成し、これらの試料を加熱した後、接地電極40を切断して酸化スケールOSの形成を確認した。具体的には、常温および常湿の条件の下、バーナーを用いて試料を1000°Cで2分間加熱した後に常温で一分間冷却する工程を1000サイクル実施した後、試料を切断し、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合部における酸化スケールOSに変化した部位の割合である酸化スケール変化率を算出した。図5には、埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bを横軸に設定し、酸化スケール変化率を縦軸に設定することによって、比率A/Bと酸化スケール変化率との関係を図示した。図5の評価試験に用いた試料のうち、グループ1の試料は、断面積Sが1.8mm2の接地電極母材41に、チップ厚Bが0.4mmの貴金属チップ42を抵抗溶接した試料であり、グループ2の試料は、断面積Sが1.8mm2の接地電極母材41に、チップ厚Bが0.7mmの貴金属チップ42を抵抗溶接した試料であり、グループ3の試料は、断面積Sが3.2mm2の接地電極母材41に、チップ厚Bが0.4mmの貴金属チップ42を抵抗溶接した試料である。これらの抵抗溶接の条件は、交流電源、電流0.5kAキロアンペア、荷重50Nニュートンである。図5の評価試験に用いた試料では、貴金属チップ42のチップ長Dは1.2mm±0.1mmであり、貴金属チップ42のチップ幅Eは0.8mmであり、貴金属チップ42のチップ長D方向の突き出し量D-Cは0.4mmである。図5の評価試験に用いた試料の作成に際し、A/B≦0.8の条件では、接地電極母材41にデンドライトDDの発生が確認されなかった。これに対して、A/B=0.9の条件では、40~60の割合でデンドライトDDの発生が確認された。したがって、A/B≦0.8の条件では、デンドライトDDの発生が抑制されることが分かった。図5の評価試験では、デンドライトDDの発生が確認されなかったA/B≦0.8を満たす試料を用いた。図5に示すように、グループ1~3のいずれの試料についても、A/B≦0.3の条件では、酸化スケール変化率が50以上となり、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合強度が著しく低下すること分かった。これに対して、グループ1~3のいずれの試料についても、A/B≧0.4の条件では、酸化スケール変化率が50以下に抑制され、比率A/Bが大きくなるに連れて酸化スケール変化率が低下し、A/B=0.8では酸化スケール変化率が10以下に抑制されることが分かった。図6は、埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bと酸化スケール変化率との関係を調べた評価試験の結果を示す説明図である。図6の評価試験は、図5の評価試験よりも高温に試料を加熱する点を除き、図5の評価試験と同様である。具体的には、図6の評価試験では、常温および常湿の条件の下、バーナーを用いて試料を1100°Cで2分間加熱した後に常温で一分間冷却する工程を試料に対して1000サイクル実施した。図6には、埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bを横軸に設定し、酸化スケール変化率を縦軸に設定することによって、比率A/Bと酸化スケール変化率との関係を図示した。図6の評価試験に用いた試料は、図5の評価試験と同様である。図6に示すように、グループ1~3のいずれの試料についても、A/B≦0.5の条件では、酸化スケール変化率が50以上となり、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合強度が著しく低下すること分かった。これに対して、グループ1~3のいずれの試料についても、A/B≧0.6の条件では、酸化スケール変化率が30以下に抑制され、比率A/Bが大きくなるに連れて酸化スケール変化率が低下し、A/B=0.7では酸化スケール変化率が20以下に抑制され、A/B=0.8では酸化スケール変化率が10以下に抑制されることが分かった。以上説明した図5および図6の評価試験の結果によれば、デンドライトDDおよび酸化スケールOSの抑制を図る観点から、接地電極母材41の断面積Sが1.8mm2≦S≦3.2mm2である場合、0.4≦A/B≦0.8を満たすことが好適であり、0.6≦A/B≦0.8を満たすことが更に好適であり、0.7≦A/B≦0.8を満たすことが一層好適であり、A/B=0.8を満たすことが最も好適である。A-3.長さCのチップ長Dに対する比率C/Dに関する評価値:図7は、長さCのチップ長Dに対する比率C/Dと接合強度との関係を調べた評価試験の結果を示す説明図である。図7の評価試験では、貴金属チップ42が接地電極母材41に埋没する長さCが異なる複数の試料を作成し、これらの試料における接地電極母材41と貴金属チップ42との接合強度を評価した。具体的には、常温および常湿の条件の下、試料を超音波ホーンで加振し、貴金属チップ42が接地電極母材41から剥離する時間である耐久時間を計測した。図7には、長さCのチップ長Dに対する比率C/Dを横軸に設定し、耐久時間を縦軸に設定することによって、比率C/Dと耐久時間との関係を図示した。図7の評価試験では、長さCのチップ長Dに対する比率C/Dが0.3、0.4、0.5、0.6、0.8の各値となる複数の試料を用いた。図7の評価試験に用いた試料のうち、グループ1の試料は、断面積Sが1.8mm2の接地電極母材41に、チップ厚Bが0.4mmの貴金属チップ42を抵抗溶接した試料であり、グループ3の試料は、断面積Sが3.2mm2の接地電極母材41に、チップ厚Bが0.4mmの貴金属チップ42を抵抗溶接した試料である。これらの抵抗溶接の条件は、交流電源、電流0.5kA、荷重50Nである。図7の評価試験に用いた試料では、貴金属チップ42のチップ長Dは1.2mm±0.1mmであり、貴金属チップ42のチップ幅Eは0.8mmであり、埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bは0.5である。図7に示すように、グループ1,3のいずれの試料についても、C/D≦0.5の条件では、比率C/Dが大きくなるに連れて耐久時間が延びるものの、30秒以下の耐久時間で貴金属チップ42が接地電極母材41から剥離した。これに対して、C/D≧0.6の条件では、100秒経過しても貴金属チップ42の剥離は確認されなかった。以上説明した図7の評価試験の結果によれば、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合強度の向上を図る観点から、0.6≦C/D<1.0を満たすことが好適である。A-4.チップ幅Eの平面幅Fに対する比率E/Fに関する評価値:図8は、チップ幅Eの平面幅Fに対する比率E/Fと膨らみ発生率との関係を調べた評価試験の結果を示す説明図である。図8の評価試験では、貴金属チップ42のチップ幅Eが異なる複数の試料を作成し、接地電極母材41の第4母材面414および第5母材面415に発生する膨らみBGの有無を目視で確認し、比率E/Fの値ごとに、膨らみBGが発生する膨らみ発生率を算出した。図8には、チップ幅Eの平面幅Fに対する比率E/Fを横軸に設定し、膨らみ発生率を縦軸に設定することによって、比率E/Fと膨らみ発生率との関係を図示した。図8の評価試験では、チップ幅Eの平面幅Fに対する比率E/Fが0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8の各値となる複数の試料を作成した。図8の評価試験に用いた試料のうち、グループ1の試料は、断面積Sが1.8mm2の接地電極母材41に、チップ厚Bが0.4mmの貴金属チップ42を抵抗溶接した試料であり、グループ3の試料は、断面積Sが3.2mm2の接地電極母材41に、チップ厚Bが0.4mmの貴金属チップ42を抵抗溶接した試料である。これらの抵抗溶接の条件は、交流電源、電流0.5kA、荷重50Nである。図8の評価試験に用いた試料では、貴金属チップ42のチップ長Dは1.2mm±0.1mmであり、埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bは0.5であり、貴金属チップ42のチップ長D方向の突き出し量D-Cは0.4mmである。図8に示すように、グループ1,3のいずれの試料についても、E/F≦0.5の条件では、接地電極母材41に膨らみBGの発生が確認されなかった。これに対して、E/F≧0.6の条件では、接地電極母材41に膨らみBGの発生が確認され、比率E/Fが大きくなるに連れて膨らみ発生率が増加することが分かった。以上説明した図8の評価試験の結果によれば、接地電極母材41の劣化防止を図る観点から、E/F≦0.5を満たすことが好適である。A-5.効果:以上説明したスパークプラグ100によれば、接地電極母材41の断面積Sが1.8mm2≦S≦3.2mm2である場合に、埋没深さAのチップ厚Bに対する比率A/Bが0.4≦A/B≦0.8を満たすことによって、貴金属チップ42を接地電極母材41に埋設する際に接地電極母材41におけるデンドライトの形成を抑制しつつ、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合部における酸化スケールOSの形成を抑制することができる。その結果、スパークプラグ100の耐久性能を向上させることができる。また、0.6≦A/B≦0.8を満たすことによって、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合部における酸化スケールOSの形成を一層抑制することができる。また、長さCのチップ長Dに対する比率C/Dが0.6≦C/D<1.0を満たすことによって、接地電極母材41と貴金属チップ42との接合強度を向上させることができる。また、チップ幅Eの平面幅Fに対する比率E/FがE/F≦0.5を満たすことによって、接地電極母材41に貴金属チップ42を抵抗溶接する際に、接地電極母材41の内部から外側に膨出する膨らみBGの発生を抑制することができる。その結果、膨らみBGに起因する接地電極母材41の劣化を防止することができる。B.変形例:図9は、変形例における接地電極母材41の断面形状を示す説明図である。図9には対比のため、前述した実施例の断面形状を上段に図示し、その下段に第1変形例、第2変形例および第3変形例の断面形状を順に図示した。接地電極母材41の断面形状は、前述した実施例の形状に限るものではなく、図9に示す第1~第3変形例の形状であっても良い。第1変形例の断面形状は、長方形の四隅を大きく面取りした略八角形である。第2変形例の断面形状は、第4母材面414および第5母材面415を半円状にした形状である。第3変形例の断面形状は、長方形の四隅を丸めた形状である。図10は、変形例における接地電極40を示す説明図である。前述の実施例の接地電極40では、貴金属チップ42の第1チップ面421を、中心電極10の側面12に対向する対向面として構成したが、図10に示すように、貴金属チップ42の第2チップ面422を、中心電極10の端面11に対向する対向面として構成しても良い。図10の変形例では、接地電極40は、中心電極10の端面11との間に火花ギャップGを形成する。C.他の実施形態:以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。図11および図12は、接地電極40の一例を示す説明図である。図11および図12の接地電極40は、接地電極母材41と貴金属チップ42とを抵抗溶接する際に形成される溶融部44および膨出部46を備える。接地電極40の膨出部46は、接地電極母材41と貴金属チップ42とを抵抗溶接した際に接地電極母材41における第1母材面411の一部が膨出することによって形成された部位であり、貴金属チップ42の一部を覆う。上述の実施例で説明した貴金属チップ42の埋没深さAは、図11および図12に図示するように、接地電極母材41の第1母材面411において貴金属チップ42が第2母材面412に対して埋没する長さである。接地電極40の溶融部44は、接地電極母材41と貴金属チップ42とを抵抗溶接した際の溶融金属が接地電極母材41の第2母材面412から膨出することによって形成された部位であり、貴金属チップ42の一部を覆う。図11における貴金属チップ42の第2チップ面422は、溶融部44に覆われていないが、図12における貴金属チップ42の第2チップ面422の一部は、溶融部44に覆われている。上述の実施例で説明した貴金属チップ42の長さCは、図11および図12に図示するように、接地電極母材41の第1母材面411から貴金属チップ42の埋没方向に存在する第2チップ面422の長さである。図11に示すように、第2チップ面422が溶融部44に覆われていない場合、貴金属チップ42の長さCは、接地電極母材41の第1母材面411から第2チップ面422の端部までの長さである。図12に示すように第2チップ面422の一部が溶融部44に覆われている場合、貴金属チップ42の長さCは、接地電極母材41の第1母材面411から第2チップ面422と溶融部44との境界までの長さである。"