光を発生する光発生手段と、前記光発生手段で発生した光を第1の電気信号により変調する光変調手段と、前記光変調手段で変調された光を伝送する光伝送手段と、前記光伝送手段で伝送された光を前記第1の電気信号と同じ周波数を有する第2の電気信号に変換する光電変換手段と、前記光電変換手段で変換された前記第2の電気信号を、前記第2の電気信号よりも高い周波数を有する第3の電気信号に変換する第1の周波数変換手段と、前記第3の電気信号の一部を分岐し、この分岐した電気信号を出力信号として出力する第1の分岐手段と、前記第1の分岐手段で分岐した他方の前記第3の電気信号を、前記第2の電気信号と同じ周波数を有する前記第1の電気信号に変換する第2の周波数変換手段と、を備えたことを特徴とする高周波発振器。前記第1の電気信号、前記第2の電気信号、前記第3の電気信号のいずれかに対し、その電気信号の前記周波数を含む所定の帯域を通過させる帯域通過手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の高周波発振器。前記第1の周波数変換手段は逓倍数NNは2以上の整数の逓倍手段であり、前記第2の周波数変換手段は分周数Nの分周手段であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の高周波発振器。前記逓倍数かつ前記分周数であるNの値を可変にしたことを特徴とする請求項3に記載の高周波発振器。前記第1の周波数変換手段は第1の信号混合手段であり、前記第2の周波数変換手段は第2の信号混合手段であり、第4の電気信号を発生する高周波発生手段と、前記第4の電気信号を2つに分岐する第2の分岐手段と、を有し、前記第1の信号混合手段は、前記第2の分岐手段で分岐した前記4の電気信号の一方と前記光電変換手段で変換された前記第2の電気信号とを混合し、その和周波数信号を前記第3の電気信号とし、前記第2の信号混合手段は、前記第2の分岐手段で分岐した前記4の電気信号の他方と前記第1の分岐手段で分岐した前記第3の電気信号とを混合し、その差周波数信号を前記第1の電気信号とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の高周波発振器。前記第4の電気信号の周波数を可変にしたことを特徴とする請求項5に記載の高周波発振器。前記第1の信号混合手段または前記第2の信号混合手段がイメージリジェクションミキサであることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の高周波発振器。前記光伝送手段は光ファイバであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の高周波発振器。前記第1の電気信号、前記第2の電気信号、前記第3の電気信号のいずれかを増幅する電気信号増幅手段を備えたことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の高周波発振器。前記光発生手段で発生した光または前記光変調手段で変調された光を増幅する光信号増幅手段を備えたことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の高周波発振器。前記第1の電気信号、前記第2の電気信号、前記第3の電気信号のいずれかの位相を変化させる電気信号位相調整手段を備えたことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれかに記載の高周波発振器。前記電気信号位相調整手段の動作を制御する電気信号位相調整量制御手段を備えたことを特徴とする請求項11に記載の高周波発振器。前記光変調手段から前記光電変換手段の間に光路長を変化させる光遅延手段を備えたことを特徴とする請求項1から請求項12のいずれかに記載の高周波発振器。前記光遅延手段の動作を制御する光遅延量制御手段を備えたことを特徴とする請求項13に記載の高周波発振器。前記第1の電気信号が前記光発生手段から発生した光を直接変調するように、前記光発生手段と前記光変調手段が一体化されていることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれかに記載の高周波発振器。従来の高周波発振器は以上のように構成されているので、光ファイバの分散による位相雑音劣化を抑制することができる。しかし、この効果を得るために、例えば通常の光ファイバに対し分散特性をシフトさせ、本発振器で使用するレーザ光波長帯で分散を低下させている分散シフト光ファイバを用いた場合、通常の光ファイバ使用時に対し高コストであるという課題がある。また、本発振器では、光ファイバを通過する変調信号が高周波化するにつれて、信号の位相雑音が劣化するという課題もある。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、通常の分散を有する光ファイバを使用したり、変調信号を高周波化させた場合でも、位相雑音劣化を抑制することができる高周波発振器を得ることを目的とする。この発明に係る高周波発振器は、光を発生する光発生手段と、前記光発生手段で発生した光を第1の電気信号により変調する光変調手段と、前記光変調手段で変調された光を伝送する光伝送手段と、前記光伝送手段で伝送された光を前記第1の電気信号と同じ周波数を有する第2の電気信号に変換する光電変換手段と、前記光電変換手段で変換された前記第2の電気信号を、前記第2の電気信号よりも高い周波数を有する第3の電気信号に変換する第1の周波数変換手段と、前記第3の電気信号の一部を分岐し、この分岐した電気信号を出力信号として出力する第1の分岐手段と、前記第1の分岐手段で分岐した他方の前記第3の電気信号を、前記第2の電気信号と同じ周波数を有する前記第1の電気信号に変換する第2の周波数変換手段と、を備えたことを特徴とするものである。この発明によれば、通常の分散を有する光ファイバを使用したり、変調信号を高周波化させた場合でも、位相雑音劣化を抑制することができる、という効果を有する。以下、この発明の各実施の形態について図に基づいて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による高周波発振器を示す構成図である。図中、1は光発生手段であるレーザ光源、2は光変調手段である光変調器、3は光伝送手段である光ファイバ、4は光電変換手段であるO/E変換器、5は第1の周波数変換手段であり逓倍手段である逓倍器、6は第1の分岐手段であるカプラ、7は第2の周波数変換手段であり分周手段である分周器、8は帯域通過手段であるバンドパスフィルタである。また図において、薄い色の配線は光の伝送路を示し、濃い色の配線は電気信号の伝送路を示している。これは、以降の他の図においても同様である。図1における高周波発振器は、レーザ光等の光を用いて、発振周波数が第1周波数である高周波信号以下、RF信号と称するを発振して出力する。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまることである。レーザ光源1はレーザ光を発生する。光変調器2は、レーザ光源1からのレーザ光を、第1の電気信号である、後述するバンドパスフィルタ8からのRF信号に応じて強度変調し、変調後のレーザ光を光ファイバ3に出力する。光ファイバ3は、光変調器2から出力された変調後のレーザ光をO/E変換器4に伝送する伝送路である。光電変換器であるO/E変換器4は、光ファイバ3により伝送されたレーザ光を直接検波自乗検波することで、そのレーザ光を第2の電気信号であるRF信号に変換する処理を実施する。逓倍器5は、O/E変換器4からのRF信号の周波数を予め設定された値に逓倍して第3の電気信号としてカプラ6に出力する。なお、O/E変換器4からのRF信号の周波数を第2周波数とし、逓倍器5で逓倍された後のRF信号の周波数を第1周波数とする。カプラ6は、逓倍器5からのRF信号を2つに分岐し、一方のRF信号を分周器7に出力して、他方のRF信号を出力信号として外部に出力する。分周器7は、カプラ6からのRF信号の周波数を予め設定された値に分周して上述した第1の電気信号としてバンドパスフィルタ8に出力する。なお、カプラ6からのRF信号の周波数は第1周波数であり、分周器7で分周後のRF信号の周波数が第2周波数になるとしている。すなわち、逓倍器5の逓倍数と分周器7の分周数をNNは2以上の整数として一致させている。このことから、第1の電気信号と第2の電気信号は周波数として第2周波数を有しており、第3の電気信号は周波数として第1周波数を有している。バンドパスフィルタ8は、分周器7からのRF信号の信号成分のうち、予め設定された所定の通過帯域以外の周波数帯域の信号成分やスプリアスを遮断して、所定の通過帯域に含まれている信号成分のみを通過させる。なお、上記予め設定された所定の通過帯域の中心周波数は第2周波数近傍である。次に動作について説明する。なお、この実施の形態では、高周波発振器の動作を分かりやすくするために、第1周波数を10GHzとし、第2周波数を1GHzとする。なお、これらの設定値は具体的な値を例示したものであって、本発明はこの値に限定されず、異なる値であってもよい。まず、レーザ光源1でレーザ光が発生され、光変調器2に出力される。光変調器2に入力されたレーザ光は、バンドパスフィルタ8からのRF信号に応じて変調され、変調後レーザ光として光ファイバ3に出力される。光ファイバ3に入力された変調後レーザ光は、ファイバ内を伝送されて、O/E変換器4に出力される。O/E変換器4に入力された変調後レーザ光は、直接検波されて1GHzのRF信号に変換され、逓倍器5に出力される。逓倍器5に入力された1GHzのRF信号は、予め設定された10倍の周波数に逓倍され、10GHzのRF信号がカプラ6に出力される。カプラ6に入力された10GHzのRF信号は2つに分岐され、一方のRF信号は分周器7に出力され、他方のRF信号は出力信号として外部に出力される。分周器7に入力された10GHzのRF信号は、予め設定された1/10の周波数に分周され、1GHzのRF信号がバンドパスフィルタ8に出力される。バンドパスフィルタ8に入力された1GHzのRF信号は、予め設定された1GHzを中心周波数とする所定の通過帯域に含まれる信号成分のみが通過され、それ以外の周波数帯域の信号成分やスプリアスは遮断されて、光変調器2に出力される。ここで、バンドパスフィルタ8からのRF信号が光変調器2に再び入力されることにより、帰還回路が構成される。この帰還回路において、回路全体の損失よりも大きくなるような帰還ゲインを設定することで、この高周波発振器は10GHzで発振を始める。次に、この実施の形態1における高周波発振器の効果について説明する。この種の高周波発振器では、レーザ光の伝送路に例えば長い光ファイバ3を用いることで発振ループを容易に長距離化させることができ、これにより発振のQ値を高めることで低位相雑音が得られる。ここで、光ファイバ3内を光が伝播するとき、光の速さが光の波長周波数により異なる現象が生じるが、これは分散と呼ばれている。一般的なシングルモードファイバ以下、SMFと称するの分散値は、波長1.3μm付近でほぼ0であり、波長1.55μm付近で約17ps/km/nmである。このps/km/nmという単位は、波長が1nm離れた2つの光がファイバ長1kmを伝播したときに生じる伝播時間の差をps単位で表している。また、一般的に光通信などの用途で使用されるSMFは、透過損失が最も小さい1.55μm帯のものが使われることが多い。以下では、レーザ光源1から発生するレーザ光の波長を1.55μm帯とする。このとき、この種の高周波発振器は、後述するように、用いた光ファイバの分散の値が高いほど位相雑音が劣化することが知られている。そこで、例えばゼロ分散の光ファイバを使用することにより、発振器の位相雑音劣化を抑制することができる。1.55μm帯におけるゼロ分散の光ファイバとして、例えば分散シフト光ファイバ以下、DSFと称するがある。DSFは、内部の屈折率を調整することで、SMFに対して波長1.55μm付近における分散の値を抑制した光ファイバである。しかし、DSFは、通常のSMFに対し一般的に高コストであるという短所がある。また、SMFを用いたときのこの種の高周波発振器は、後述するように、光ファイバを通過する変調信号が高周波化するほど位相雑音が劣化するという短所もある。そこで図1のように、逓倍器5および分周器7を用い、光ファイバ3を通過するレーザ光に強度変調が施されているRF信号の周波数を、出力信号周波数に対し低下させることで、低下させない場合に対して位相雑音を低減することができる。これにより、SMFを使用した場合でも位相雑音劣化を抑制でき、抑制時の位相雑音がDSFを用いた従来構成と同程度であった場合、SMFを使用した構成の方が低コストであるという効果が得られる。また、この種の高周波発振器で出力信号を高周波化させた場合でも、従来に対し位相雑音を低減できるという効果が得られる。以下、分散を有する光ファイバを用いたときのこの種の高周波発振器において、用いた光ファイバの分散の値が高いほど位相雑音が劣化すること、および、光ファイバを通過する変調信号が高周波化するほど位相雑音が劣化することの要因について説明する。非特許文献1でも示されているように、光速をc、レーザ光波長をλ0、光ファイバ中の群速度をvg、vgのレーザ角周波数ωにおける微分をdvg/dωとし、波長λにおける光ファイバの分散値をDλとすると、Dλは式1のように定義される。式1の微分方程式を解くと、vgは式2で表される。ここで、レーザ周波数ゆらぎδνが生じたときのレーザ角周波数ゆらぎをδωとすると、δωはδνを用いて式3で表される。また、長さLの光ファイバでレーザ周波数ゆらぎδνが生じたときの分散による時間ゆらぎをδT、光ファイバ中の群速度のゆらぎをδvgとすると、δvgはLとδTを用いて式4で表される。式2の関係に式3および式4を考慮すると、δνとδTの関係は式5で近似することができる。ここで、本発振器の発振周波数をf0とし、δTが生じたときの発振信号の位相ゆらぎをδψとすると、δψは式6で表される。式6より、δψはDλに比例して増加することが分かる。一方、本発振器の位相雑音はδψの2乗に比例することから、位相雑音はDλの2乗に比例する、つまり、発振器に用いた光ファイバの分散値が高いほど位相雑音が劣化することが分かる。また、式6より、δψはf0に比例して増加することが分かる。したがって、本発振器の位相雑音はf0の2乗に比例して増加する、つまり、発振周波数が高いほど位相雑音が劣化することが分かる。したがって、本実施の形態は前述した効果を得ることができる。この実施の形態1では、逓倍器5の逓倍数および分周器7の分周数を両者とも同一値としたまま増加させることで、バンドパスフィルタ8の中心周波数を変化させずに発振周波数を高周波化させることができる。ただし、このためには、発振周波数の可変範囲がカプラ6の利用可能周波数内である場合に限定される。図2はこの発明の実施の形態1による他の高周波発振器を示す構成図である。図中、9は帯域通過手段であるバンドパスフィルタである。この実施の形態1の図1では、分周器7と光変調器2の間に、バンドパスフィルタ8が配置されているものを示したが、O/E変換器4と光変調器2との間であれば、配置順序は問わない。ただし、図2のように、逓倍器5から分周器7の間にバンドパスフィルタ9を配置すると、それ以外に配置した場合に対して、バンドパスフィルタ9を通過するRF信号の周波数が1GHzから10GHzとなり、高い中心周波数のバンドパスフィルタ9を備える必要がある。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまることである。この実施の形態1では、レーザ光源1と光変調器2の間、光変調器2と光ファイバ3の間、および光ファイバ3とO/E変換器4の間が全て光ファイバによって接続されているので、発振器の小型化が可能になる。また、高い信頼性が得られるとともに、取り扱いが容易となり、高い配置自由性を有するなどの効果が得られる。ただし、この発明は、これらを光ファイバによって接続するものに限定するものではなく、レーザ光の伝送路に、例えば空間や他の光学材料など、他のものを用いても構わない。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまることである。この実施の形態1では、カプラ6の分岐比については特に言及していないが、高周波発振器が発振するための条件を満たしていればすなわち発振ループの利得が1を超える構成であれば、どのような分岐比でも構わない。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまることである。この実施の形態1では、バンドパスフィルタ8からのRF信号が光変調器2に入力されるものを示したが、図3に示すように、電気信号であるRF信号を増幅するアンプ11増幅器をバンドパスフィルタ8と光変調器2の間に配置するようにしてもよい。図3において、11は電気信号増幅手段であるアンプである。このように、アンプ11を配置することで、外部に出力するRF信号を増幅することができるとともに、レーザ光のパワーが低くても、発振が得られる効果を奏する。なお、図3の例では、アンプ11をバンドパスフィルタ8と光変調器2の間に配置しているが、O/E変換器4から光変調器2までの間の伝送路であれば、どの位置にアンプ11を配置してもよい。また、アンプ11を複数配置してもよい。ただし、O/E変換器4から逓倍器5までの間および分周器7から光変調器2までの間は1GHzの信号を増幅するアンプを用い、逓倍器5から分周器7までの間は10GHzの信号を増幅するアンプを用いるものとする。これらのことは、以降の他の実施の形態においても当てはまることである。この実施の形態1では、光ファイバ3からのレーザ光がO/E変換器4に入力されるものを示したが、図4に示すように、レーザ光を増幅する光アンプ12を光ファイバ3とO/E変換器4の間に配置するようにしてもよい。図4において、12は光信号増幅手段である光アンプである。このように、光アンプ12を配置することで、外部に出力するRF信号を増幅することができるとともに、レーザ光のパワーが低くても、発振が得られる効果を奏する。図4の例では、光アンプ12を光ファイバ3とO/E変換器4の間に配置しているが、レーザ光源1からO/E変換器4までの間の伝送路であれば、どの位置に光アンプ12を配置してもよい。また、光アンプ12を複数配置してもよい。ただし、光変調器2からO/E変換器4までの間は、変調後レーザ光光スペクトル上でレーザ光源1からのレーザ光の成分と、変調によりこのレーザ光の両サイドバンドあるいは片サイドバンドに得られる1GHz離れたレーザ光の成分を増幅できる光アンプ12を用いるものとする。これらのことは、以降の他の実施の形態においても当てはまることである。実施の形態1において、発振周波数を安定させるため、または発振周波数を所望の値に変化させるために、入力されたRF信号の位相を変化させる移相器21を用いてもよい。図5は、図1に示した高周波発振器に移相器21を適用した高周波発振器である。図5において、21は電気信号位相調整手段である移相器である。図5において、移相器21は、例えば印加される電圧に応じて、RF信号の位相を所望の値に変化させて出力する。図5の例では、移相器21をバンドパスフィルタ8と光変調器2の間に配置しているが、光変調器2に入力されるRF信号電力が、この発振器が発振するための条件を満たしており、かつO/E変換器4から光変調器2までの間の伝送路であれば、どの位置に移相器21を配置してもよい。また、移相器21を複数配置してもよい。ただし、O/E変換器4から逓倍器5までの間および分周器7から光変調器2までの間は1GHzの信号の位相を変化させる移相器を用い、逓倍器5から分周器7までの間は10GHzの信号の位相を変化させる移相器を用いるものとする。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまるものとする。また、図5に示した高周波発振器において、移相器21の動作を制御する移相器制御部101移相器制御手段を設けてもよい。図6は、図6に示した高周波発振器に移相器制御部101を適用した高周波発振器である。図6において、101は電気信号位相調整量制御手段である移相器制御部である。また、22はカプラ、23は水晶発振器、24は分周器、25はPLL回路、26はループフィルタである。図6において、この高周波発振器は、カプラ22と移相器制御部101とを含んでいる。カプラ22は、移相器21からのRF信号を2つに分岐し、一方を光変調器22に出力し、他方を移相器制御部101に出力する。移相器制御部101は、カプラ22からのRF信号に応じて移相器21に印加する電圧を自動で調整することにより、移相器21の動作を制御し、RF信号の位相を所望の値に変化させている。ここで、移相器制御部101は、例えば水晶発振器23と、分周器24と、PLL回路25と、ループフィルタ26によって構成されている。水晶発振器23は、この発振器の発振周波数を安定または所望の値に変化させるための基準信号を生成して出力する機能を有する。分周器24は、この発振器の所望の発振周波数と基準周波数との比率の分だけ、カプラ22からのRF信号を分周して出力する機能を有する。PLL回路25は、水晶発振器23からのRF信号と分周器24からのRF信号との周波数差を検出し、周波数差の情報を含んだ例えば電圧値などの信号をループフィルタ26に出力する機能を有する。ループフィルタ26は、PLL回路25からの信号のうち、予め設定された所定の通過帯域以外の周波数帯域の信号成分やスプリアスを遮断して、所定の通過帯域に含まれている信号成分のみを通過させる機能を有する。ここで、例えば水晶発振器23の出力信号周波数を100MHz、分周器24の分周数を10とすると、カプラ22からの約1GHzのRF信号は、分周器24で約100MHzに分周された後、PLL回路25にて水晶発振器23の信号との周波数差が検出され、この周波数差の情報を含んだ例えば電圧値などの信号がループフィルタ26を介して移相器21へ入力される。移相器21はループフィルタ26からの信号に基づいて、前述の周波数差を補正するように、通過している約1GHzのRF信号の位相を変化させる。ここで、図6のような帰還回路を構成し、前述の動作が繰り返されることで、発振周波数を安定させる、または発振周波数を所望の値に変化させることができる。なお、移相器制御部101の構成は、上記のものに限定されず、他の構成であってもよい。また、カプラ22は、O/E変換器4から光変調器2までの間の任意の位置に設置されてよい。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまるものとする。また、上記実施の形態1において、発振周波数を安定させるため、または発振周波数を所望の値に変化させるために、入力されたレーザ光の光路長を変化させる光遅延器31を用いてもよい。図7は、図1に示した高周波発振器に光遅延器31を適用した高周波発振器である。図7において、31は光遅延手段である光遅延器である。図7において、光遅延器31は、例えば印加される電圧に応じて、レーザ光の光路長を所望の値に変化させて出力する。また、図7の例では、光遅延器31を光ファイバ3とO/E変換器4の間に配置しているが、光変調器2に入力されるRF信号電力が、この発振器が発振するための条件を満たしており、かつ光変調器2からO/E変換器4までの間の伝送路であれば、どの位置に光遅延器31を配置してもよい。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまるものとする。また、図7に示した高周波発振器において、光遅延器31の動作を制御する光遅延器制御部102光遅延器制御手段を設けてもよい。図8は、図7に示した高周波発振器に光遅延器制御部102を適用した高周波発振器である。図8において、102は光遅延量制御手段である光遅延器制御部である。また、32はカプラ、33は光遅延器印加電圧制御手段である。図8において、この高周波発振器は、カプラ32と光遅延器制御部102とを含んでいる。カプラ32は、バンドパスフィルタ8からのRF信号を2つに分岐し、一方を光変調器2に出力し、他方を光遅延器制御部102に出力する。光遅延器制御部102は、カプラ32からのRF信号に応じて光遅延器31に印加する電圧を自動で調整することにより、光遅延器31の動作を制御し、レーザ光の光路長を所望の値に変化させている。ここで、光遅延器制御部102は、例えば水晶発振器23と、分周器24と、光遅延器印加電圧制御手段33と、ループフィルタ26とによって構成されている。水晶発振器23と分周器24とループフィルタ26は前述と同様の機能を有する。光遅延器印加電圧制御手段33は、水晶発振器23からのRF信号と分周器24からのRF信号との周波数差を検出し、周波数差の情報を含んだ例えば電圧値などの信号をループフィルタ26に出力する機能を有する。ここで、例えば水晶発振器23の出力信号周波数を100MHz、分周器24の分周数を10とすると、カプラ32からの約1GHzのRF信号は、分周器24で約100MHzに分周された後、光遅延器印加電圧制御手段33にて水晶発振器23の信号との周波数差が検出され、この周波数差の情報を含んだ例えば電圧値などの信号がループフィルタ26を介して光遅延器31へ入力される。光遅延器31はループフィルタ26からの信号に基づいて、前述の周波数差を補正するように、通過しているレーザ光の光路長を変化させる。ここで、図8のような帰還回路を構成し、前述の動作が繰り返されることで、発振周波数を安定させる、または発振周波数を所望の値に変化させることができる。なお、光遅延器制御部102の構成は、上記のものに限定されず、他の構成であってもよい。また、カプラ32は、O/E変換器4から光変調器2までの間の任意の位置に設置されてよい。このことは、以降の他の実施の形態においても当てはまるものとする。また、上記実施の形態1において、移相器21および光遅延器31を同時に用いてもよい。実施の形態1において、レーザ光源で発振周波数での強度変調を施して変調後のレーザ光を出力することが可能な場合、図9のように、バンドパスフィルタ8からのRF信号を直接レーザ光源に入力させ、光変調器2を用いなくてもよい。すなわち図9のレーザ光源1は、RF信号で出力光の直接変調が可能であり、光発生手段と光変調手段の機能を合わせ持っている。これにより、光変調器2を用いた場合に対し、低コストになり、サイズ縮小になる、という効果が得られる。実施の形態2.図10はこの発明の実施の形態2による高周波発振器を示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。図中、41は第1の周波数変換手段であり第1の信号混合手段である第1ミキサ、42は第2の周波数変換手段であり第2の信号混合手段である第2ミキサ、43はフィルタ、44は第2の分岐手段であるカプラ、45は高周波発生手段である発振器、46は帯域通過手段であるバンドパスフィルタである。また図において、薄い色の配線は光の伝送路を示し、濃い色の配線は電気信号の伝送路を示している。これは、以降の他の図においても同様である。図10において、この高周波発振器は、図1の構成に対し、逓倍器5と、分周器7と、バンドパスフィルタ8を含まず、第1ミキサ41と、第2ミキサ42と、フィルタ43と、カプラ44と、発振器45と、バンドパスフィルタ46を含んでいる。発振器45は、第4の電気信号である、第3周波数を有するRF信号を発生して、カプラ44に出力する。カプラ44は、発振器45からのRF信号を2つに分岐し、それぞれ第1ミキサ41および第2ミキサ42に出力する。第1ミキサ41は、O/E変換器4からのRF信号第2の電気信号と、カプラ44からのRF信号とをミキシングし、これら2つのRF信号の和周波数および差周波数を有する2つのRF信号を生成して、第3の電気信号として、フィルタ43に出力する。なお、上記O/E変換器4からのRF信号を第2周波数とし、第2周波数を有するRF信号と第3周波数を有するRF信号との和周波数が第1周波数となるように第3周波数を設定する。また、第2周波数を有するRF信号と第3周波数を有するRF信号との差周波数を第4周波数とする。フィルタ43は、第1ミキサ41からの2つのRF信号のうち、第1周波数を中心周波数とするあらかじめ設定された所定の通過帯域に含まれる信号成分のみを通過させ、第4周波数のRF信号およびスプリアスを遮断してカプラ6に出力する。第2ミキサ42は、カプラ6からのRF信号と、カプラ44からのRF信号とをミキシングし、これら2つのRF信号の和周波数および差周波数を有する2つのRF信号を生成して、第1の電気信号として、バンドパスフィルタ8に出力する。なお、前述の関係より、上記2つのRF信号の差周波数は第2周波数である。また、上記2つのRF信号の和周波数を第5周波数とする。バンドパスフィルタ46は、第2ミキサ42からのRF信号の信号成分のうち、予め設定された所定の通過帯域以外の周波数帯域の信号成分やスプリアスを遮断して、所定の通過帯域に含まれている信号成分のみを通過させる。なお、上記予め設定された所定の通過帯域の中心周波数は第2周波数とし、上記第5周波数のRF信号は遮断されるものとする。その他の構成については、前述の実施の形態1と同様であり、その説明を省略する。次に、図10の高周波発振器の動作について説明する。なお、前述の実施の形態1と同様の動作については、説明を省略する。また、この実施の形態では、高周波発振器の動作を分かりやすくするために、第1周波数を10GHz、第2周波数を1GHz、第3周波数を9GHz、第4周波数を8GHz、第5周波数を19GHzとする。なお、これらの設定値は具体的な値を例示したものであって、この値に限定されず、異なる値であってもよい。レーザ光源1からO/E変換器4までの動作は前述の実施の形態1と同様である。O/E変換器4に入力された変調後レーザ光は、直接検波されて1GHzのRF信号に変換され、第1ミキサ41に出力される。第1ミキサ41に入力された1GHzのRF信号は、カプラ44からの9GHzのRF信号とミキシングされ、和周波数と差周波数である10GHzと8GHzのRF信号がフィルタ43に出力される。フィルタ43に入力された2つのRF信号は、予め設定された10GHzを中心周波数とする所定の通過帯域に含まれる信号成分のみが通過され、8GHzの信号成分やスプリアスは遮断されて、カプラ6に出力される。カプラ6に入力された10GHzのRF信号は2つに分岐され、一方のRF信号は第2ミキサ42に出力され、他方のRF信号は出力信号として外部に出力される。第2ミキサ42に入力された10GHzのRF信号は、カプラ44からの9GHzのRF信号とミキシングされ、和周波数と差周波数である19GHzと1GHzのRF信号がバンドパスフィルタ46に出力される。バンドパスフィルタ46に入力された2つのRF信号は、予め設定された1GHzを中心周波数とする所定の通過帯域に含まれる信号成分のみが通過され、19GHzの信号成分やスプリアスは遮断されて、光変調器2に出力される。ここで、バンドパスフィルタ46からのRF信号が光変調器2に再び入力されることにより、帰還回路が構成される。この帰還回路において、回路全体の損失よりも大きくなるように帰還ゲインを設定することで、この高周波発振器は10GHzで発振を始める。次に、この実施の形態2における高周波発振器の効果で、実施の形態1で記載していない点について説明する。図10の構成では、発振器45から出力される9GHzのRF信号と、O/E変換器4から出力されるバンドパスフィルタ46の中心周波数1GHzのRF信号の和周波数で発振信号周波数10GHzが決定される。ここで、発振器45から出力される信号の周波数を9GHzから連続的に変化させることで、バンドパスフィルタ46の中心周波数である1GHzを変化させることなく、発振信号周波数を連続的に変化させることができる。一方、実施の形態1において、バンドパスフィルタ8の中心周波数を変化させずに発振周波数を変化させるためには、前述したように、逓倍器5の逓倍数および分周器7の分周数を変化させる必要があり、発振周波数が逓倍数および分周数で決定される離散的な変化に限定されるという短所が生じる。したがって、実施の形態2では、発振器45の周波数のみを変化させることで、発振周波数を連続的に可変できるという効果が得られる。ただし、前述した効果が得られるのは、発振周波数の可変範囲が第1ミキサ41、第2ミキサ42、カプラ6およびカプラ44の利用可能周波数内である、発振器45から出力される信号の周波数を可変させた場合でも、フィルタ43にて第1周波数のRF信号が通過され、第4周波数のRF信号を遮断される、発振器45から出力される信号の周波数を可変させた場合でも、バンドパスフィルタ46にて第2周波数のRF信号が通過され、第5周波数のRF信号を遮断される、という条件を全て満足している場合に限定される。なお、第1ミキサ41として、第1周波数のみが出力され、第4周波数が遮断されるようなイメージリジェクションミキサを使用した場合、フィルタ43の機能を第1ミキサ41も有することになるため、図11のようにフィルタ43は用いなくてもよい。これにより、フィルタ43を用いた場合に対し、低コストになり、サイズ縮小になる、という効果が得られる。なお、実施の形態1から2において、帯域通過手段であるバンドパスフィルタ8、9、46を用いたが、発振帰還回路内の周波数選択性を有する部品等によって発振周波数は限定されるため、バンドパスフィルタ8、9、46を必ずしも用いなくても良い。また、本発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。