"受光面に凹凸構造が形成されていない結晶シリコンからなる半導体基板と、前記半導体基板の受光面上に形成され、光入射側の表面が太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造になっている光入射層と、前記半導体基板の受光面側または前記受光面と反対側に配置された接合部とを備える光電変換素子。前記光入射層は、前記半導体基板の受光面に接して形成され、光入射側の表面が前記凹凸構造になっているパッシベーション膜からなる、請求項1に記載の光電変換素子。前記光入射層は、前記半導体基板の受光面に接して形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜に接して形成された反射防止膜とを含み、前記反射防止膜の光入射側の表面または前記パッシベーション膜および前記反射防止膜の光入射側の表面が前記凹凸構造になっている、請求項1に記載の光電変換素子。前記光入射層は、前記半導体基板の受光面上に形成され、光入射側の表面が前記凹凸構造になっている反射防止膜からなる、請求項1に記載の光電変換素子。前記接合部は、前記半導体基板の受光面に接して前記半導体基板中に配置され、第1の導電型を有する拡散領域と、前記拡散領域に接して前記半導体基板中に配置され、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有するバルク領域とを含む、請求項2または請求項3に記載の光電変換素子。前記接合部は、前記半導体基板の受光面と前記光入射層との間に配置され、第1の導電型を有する非晶質膜と、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する前記半導体基板とを含む、請求項4に記載の光電変換素子。前記半導体基板は、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなる、請求項5または請求項6に記載の光電変換素子。前記半導体基板は、単結晶シリコンからなり、前記接合部は、前記半導体基板の受光面と反対側の表面に接して前記半導体基板中に配置され、第1の導電型を有する第1の拡散領域と、前記半導体基板の受光面と反対側の表面に接して前記半導体基板中に配置されるとともに、前記半導体基板の面内方向において前記第1の拡散領域に隣接して配置され、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の拡散領域と、前記第1および第2の拡散領域に接して前記半導体基板中に配置され、前記第2の導電型を有するバルク領域とを含む、請求項2または請求項3に記載の光電変換素子。前記半導体基板は、単結晶シリコンからなり、前記接合部は、前記半導体基板の受光面と反対側に配置され、第1の導電型を有する第1の非晶質膜と、前記半導体基板の受光面と反対側に配置されるとともに、前記半導体基板の面内方向において前記第1の非晶質膜に隣接して配置され、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第2の非晶質膜と、前記第2の導電型を有する前記半導体基板とを含む、請求項2または請求項3に記載の光電変換素子。前記第1の導電型は、p型であり、前記第2の導電型は、n型である、請求項5から請求項9のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記第1の導電型は、n型であり、前記第2の導電型は、p型である、請求項5から請求項9のいずれか1項に記載の光電変換素子。受光面に凹凸構造が形成されていない結晶シリコンからなる半導体基板の受光面上に光入射層を形成する第1の工程と、前記光入射層の光入射側の表面に太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造を形成する第2の工程と、前記半導体基板の受光面側または前記受光面と反対側に接合部を形成する第3の工程とを備える光電変換素子の製造方法。前記第1の工程において、前記半導体基板の受光面に接してパッシベーション膜を形成する、請求項12に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、前記半導体基板の受光面に接してパッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜に接して反射防止膜を形成する工程とを含み、前記第2の工程において、前記反射防止膜の光入射側の表面または前記パッシベーション膜および前記反射防止膜の光入射側の表面を凹凸化する、請求項12に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程において、前記半導体基板の受光面上に反射防止膜を形成する、請求項12に記載の光電変換素子の製造方法。前記第3の工程において、前記半導体基板の受光面に接して、第1の導電型を有する拡散領域を前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する前記半導体基板中に形成し、前記第1および第2の工程は、前記第3の工程の後に実行される、請求項13または請求項14に記載の光電変換素子の製造方法。前記第3の工程において、第1の導電型を有する前記半導体基板の受光面上に前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する非晶質膜を堆積し、前記第1および第2の工程は、前記第3の工程の後に実行される、請求項15に記載の光電変換素子の製造方法。前記半導体基板は、単結晶シリコンからなり、前記第3の工程は、第1の導電型を有する前記半導体基板の受光面と反対側の表面に接して、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第1の拡散領域を前記半導体基板中に形成する工程と、前記半導体基板の受光面と反対側の表面に接し、かつ、前記半導体基板の面内方向において前記第1の拡散領域に隣接して、前記第1の導電型を有する第2の拡散領域を前記半導体基板中に形成する工程とを含む、請求項13または請求項14に記載の光電変換素子の製造方法。前記半導体基板は、単結晶シリコンからなり、前記第3の工程は、第1の導電型を有する前記半導体基板の受光面と反対側に、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第1の非晶質膜を堆積する工程と、前記半導体基板の面内方向において前記第1の非晶質膜に隣接して前記半導体基板の受光面と反対側に、前記第1の導電型を有する第2の非晶質膜を堆積する工程とを含む、請求項13または請求項14に記載の光電変換素子の製造方法。しかし、従来の太陽電池においては、シリコン基板の受光面側に凹凸構造が形成されるため、太陽電池の製造プロセスにおいてシリコン基板の受光面の洗浄不足が発生するとともに、均一な拡散層の形成が困難であり、シリコン基板とパッシベーション膜との界面の面積増加に伴うキャリアの再結合が増加する。その結果、太陽電池の特性が低下するという問題がある。そこで、この発明の実施の形態によれば、変換効率を向上可能な光電変換素子を提供する。また、この発明の実施の形態によれば、変換効率を向上可能な光電変換素子の製造方法を提供する。この発明の実施の形態によれば、光電変換素子は、半導体基板と、光入射層と、接合部とを備える。半導体基板は、受光面に凹凸構造が形成されていない結晶シリコンからなる。光入射層は、半導体基板の受光面上に形成され、光入射側の表面が太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造になっている。接合部は、半導体基板の受光面側または受光面と反対側に配置される。また、この発明の実施の形態によれば、光電変換素子の製造方法は、受光面に凹凸構造が形成されていない結晶シリコンからなる半導体基板の受光面上に光入射層を形成する第1の工程と、光入射層の光入射側の表面に太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造を形成する第2の工程と、半導体基板の受光面側または受光面と反対側に接合部を形成する第3の工程とを備える。この発明の実施の形態による光電変換素子においては、光入射層が半導体基板の受光面上に形成されており、光入射層の光入射側の表面が、太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造になっている。そして、半導体基板の受光面には、凹凸構造が形成されていない。その結果、光電変換素子の製造プロセスにおいて、半導体基板の受光面が十分に洗浄される。また、光入射層と半導体基板との界面の面積が半導体基板の受光面を凹凸化した場合よりも小さくなり、光入射層と半導体基板の受光面との界面におけるキャリアの再結合が抑制される。更に、接合部が半導体基板の受光面側に配置される場合、接合部を形成するための拡散領域または半導体薄膜が均一に形成される。従って、光電変換素子の変換効率を向上できる。また、この発明の実施の形態による光電変換素子の製造方法は、受光面に凹凸構造が形成されていない半導体基板の受光面上に光入射層を形成する工程と、光入射層の光入射側の表面に太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造を形成する工程と、半導体基板の受光面側または受光面と反対側に接合部を形成する工程とを備える。その結果、光電変換素子の製造プロセスにおいて、半導体基板の受光面が十分に洗浄される。また、光入射層と半導体基板との界面の面積が半導体基板の受光面を凹凸化した場合よりも小さくなり、光入射層と半導体基板の受光面との界面におけるキャリアの再結合が抑制される。更に、接合部が半導体基板の受光面側に配置される場合、接合部を形成するための拡散領域または半導体薄膜が均一に形成される。従って、光電変換素子の変換効率を向上できる。本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。この明細書において、非晶質相とは、シリコンSi原子等がランダムに配列された状態を言う。また、アモルファスシリコンをa-Siと表記するが、この表記は、実際には、水素H原子が含まれていることを意味する。アモルファスシリコンカーバイドa-SiC、アモルファスシリコンオキサイドa-SiO、アモルファスシリコンナイトライドa-SiN、アモルファスシリコンカーボンナイトライドa-SiCN、アモルファスシリコンゲルマニウムa-SiGeおよびアモルファスゲルマニウムa-Geについても、同様に、H原子が含まれていることを意味する。更に、結晶シリコンとは、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを言う。[実施の形態1]図1は、この発明の実施の形態1による光電変換素子の構成を示す断面図である。図1を参照して、この発明の実施の形態1による光電変換素子10は、結晶シリコン基板1と、光入射層3と、電極4,6と、パッシベーション膜5とを備える。結晶シリコン基板1は、n型単結晶シリコン基板またはp型単結晶シリコン基板からなる。また、結晶シリコン基板1は、n型多結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板からなる。n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。n型多結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板についても、面方位を除いて同様である。そして、結晶シリコン基板1は、受光面1aに凹凸構造が形成されていない。また、結晶シリコン基板1は、受光面1aに接して拡散領域2を含む。拡散領域2は、結晶シリコン基板1と反対の導電型を有し、深さは、例えば、200nmである。拡散領域2は、拡散領域2a,2bからなる。拡散領域2bのドーパント濃度は、拡散領域2aのドーパント濃度よりも高い。例えば、拡散領域2aは、1×1019cm-3のドーパント濃度を有し、拡散領域2bは、1×1020cm-3のドーパント濃度を有する。光入射層3は、結晶シリコン基板1の受光面1aに接して配置され、例えば、数μmの膜厚を有する。また、光入射層3においては、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部3aを含む凹凸構造が光入射側の表面に形成されている。この凹凸構造は、所謂、ハニカムテクスチャと呼ばれるものである。そして、凹部3aは、結晶シリコン基板1の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。電極4は、光入射層3を貫通し、結晶シリコン基板1の拡散領域2bに接して形成される。そして、電極4は、例えば、銀Agからなる。パッシベーション膜5は、結晶シリコン基板1の他方の面=受光面1aと反対側の表面に接して形成される。パッシベーション膜5は、二酸化シリコンSiO2からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極6は、結晶シリコン基板1およびパッシベーション膜5に接して形成される。そして、電極6は、例えば、アルミニウムAlからなる。図2は、図1に示す光入射層3の具体例を示す断面図である。図2を参照して、光入射層3は、光入射層31~33のいずれかからなる。図2のaを参照して、光入射層31は、パッシベーション膜311からなる。パッシベーション膜311は、例えば、SiO2からなり、例えば、数μmの膜厚を有する。そして、パッシベーション膜311は、凹部3aと同じ形状および同じサイズを有する凹部311aを光入射側の表面に有する。図2のbを参照して、光入射層32は、反射防止膜321からなる。反射防止膜321は、例えば、シリコンナイトライドSi3N4またはSiO2からなり、例えば、数μmの膜厚を有する。そして、反射防止膜321は、凹部3aと同じ形状および同じサイズを有する凹部321aを光入射側の表面に有する。図2のcを参照して、光入射層33は、パッシベーション膜331と、反射防止膜332とからなる。パッシベーション膜331は、例えば、SiO2からなり、例えば、1μm~2μmの膜厚を有する。反射防止膜332は、例えば、Si3N4またはSiO2からなり、例えば、1μm~2μmの膜厚を有する。この場合、パッシベーション膜331の膜厚は、反射防止膜332の膜厚と同じであっても異なっていてもよい。そして、反射防止膜332は、凹部3aと同じ形状および同じサイズを有する凹部332aを光入射側の表面に有する。そして、光入射層33においては、パッシベーション膜331が結晶シリコン基板1の受光面1aに接して形成される。なお、光入射層33においては、パッシベーション膜331まで到達するように凹部が形成されていてもよい。この場合、パッシベーション膜331および反射防止膜332の両方が凹凸化されることになる。図3は、図1に示す光入射層3の平面図である。図3のaを参照して、凹部3aは、線3bと線3bとの間に形成される。そして、線3bは、円または円弧の形状を有する。従って、凹部3aは、同心円状に配置される。図3のbを参照して、凹部3aは、線3cと線3cとの間に形成される。そして、線3cは、直線の形状を有し、光入射層3の平面形状である四角形の2辺に沿って配置される。従って、凹部3aは、ストライプ状に配置される。なお、図3のbにおいては、線3cは、図3の紙面において縦方向に沿って配置されているが、実施の形態1においては、これに限らず、線3cは、図3の紙面において横方向に沿って配置されていてもよい。また、線3cは、光入射層3の平面形状である四角形の2辺に平行に配置されているが、実施の形態1においては、これに限らず、線3cは、四角形の辺と任意の角度を成す方向に沿って配置されていてもよい。図3のcを参照して、凹部3aは、2つの線3cと2つの線3dとによって囲まれた領域に形成される。そして、線3c,3dの各々は、直線の形状を有し、線3cは、光入射層3の平面形状である四角形の2辺に沿って配置され、線3dは、光入射層3の平面形状である四角形の他の2辺に沿って配置される。従って、凹部3aは、メッシュ状に配置される。なお、線3c,3dの各々は、光入射層3の平面形状である四角形の2辺に平行に配置されているが、実施の形態1においては、これに限らず、線3c,3dの各々は、四角形の辺と任意の角度を成す方向に沿って配置されていてもよい。このように、凹部3aは、同心円状、ストライプ状およびメッシュ状のいずれかのパターンに配置される。上述したように、結晶シリコン基板1の受光面1aには、凹凸構造が形成されていないので、拡散領域2が均一に形成される。また、光入射層3がパッシベーション膜を含む場合、パッシベーション膜と結晶シリコン基板1との界面の面積は、結晶シリコン基板1の受光面1aを凹凸化した場合よりも小さくなるため、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。更に、光電変換素子10の製造プロセス中において、結晶シリコン基板1の受光面を十分に洗浄できる。従って、光電変換素子10の変換効率を向上できる。以下、光電変換素子10の実施例について説明する。実施例1図4は、実施例1における光電変換素子の構成を示す断面図である。図4を参照して、光電変換素子10Aは、n型単結晶シリコン基板11と、光入射層13と、電極14,16と、パッシベーション膜15とを備える。n型単結晶シリコン基板11は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板11の厚みは、例えば、200μmである。そして、n型単結晶シリコン基板11は、受光面11aに凹凸構造が形成されていない。また、n型単結晶シリコン基板11は、受光面11aに接してp型拡散領域12を含む。p型拡散領域12は、n型単結晶シリコン基板11と反対の導電型であるp型の導電型を有し、例えば、ボロンBをドーパントとして含む。そして、p型拡散領域12の深さは、例えば、200nmである。p型拡散領域12は、p型拡散領域12a,12bからなる。p型拡散領域12bのB濃度は、p型拡散領域12aのB濃度よりも高い。例えば、p型拡散領域12aは、1×1019cm-3のB濃度を有し、p型拡散領域12bは、1×1020cm-3のB濃度を有する。光入射層13は、n型単結晶シリコン基板11の受光面11aに接して配置され、例えば、数μmの膜厚を有する。また、光入射層13は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部13aを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが光入射側の表面に形成されている。そして、凹部13aは、n型単結晶シリコン基板11の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。更に、光入射層13は、上述した光入射層31~33図2参照のいずれかからなる。電極14は、光入射層13を貫通し、n型単結晶シリコン基板11のp型拡散領域12bに接して形成される。そして、電極14は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜15は、n型単結晶シリコン基板11の裏面=受光面11aと反対側の表面に接して形成される。パッシベーション膜15は、SiO2からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極16は、n型単結晶シリコン基板11およびパッシベーション膜15に接して形成される。そして、電極16は、例えば、Alからなる。図5から図7は、それぞれ、図4に示す光電変換素子10Aの製造方法を示す第1から第3の工程図である。光電変換素子10Aの製造が開始されると、シリコンインゴットをスライスしてn型単結晶シリコン基板を作製し、その作製したn型単結晶シリコン基板をフッ酸と硝酸との混合液によってエッチングし、スライスによるダメージ層を除去する。これによって、n型単結晶シリコン基板11が準備される図5の工程a参照。そして、APCVDAtmosphericPressureChemicalVapourDeposition法によって、SiO2からなるパッシベーション膜21をn型単結晶シリコン基板11の裏面受光面11aと反対側の表面に形成する図5の工程b参照。その後、n型単結晶シリコン基板11の受光面11aにポリボロンフィルムPBFを塗布し、石英炉内で加熱し、Bをn型単結晶シリコン基板11中へ拡散させる。この場合、拡散温度は、例えば、910°Cであり、拡散時間は、例えば、30分である。これによって、n型単結晶シリコン基板11の受光面11a側にp型拡散領域22が形成される図5の工程c参照。引き続いて、APCVD法によってシリコン酸化膜23をn型単結晶シリコン基板11の受光面11aに形成する図5の工程d参照。そして、エッチングペーストを用いてシリコン酸化膜23の一部を除去し、シリコン酸化膜24を形成する図5の工程e参照。その後、シリコン酸化膜24の開口部にポリボロンフィルムPBFを塗布し、石英炉内で加熱し、Bをn型単結晶シリコン基板11のp型拡散領域22中へ拡散させる。この場合、拡散温度は、例えば、910°Cであり、拡散時間は、例えば、30分である。これによって、n型単結晶シリコン基板11の受光面11a側にp型拡散領域12が形成される図5の工程f参照。そして、フッ酸を用いてシリコン酸化膜24を除去する図6の工程g参照。引き続いて、APCVD法によってSiO2からなるパッシベーション膜25をn型単結晶シリコン基板11の受光面11a上に形成する図6の工程h参照。その後、APCVD法によってSiO2からなる反射防止膜26をパッシベーション膜25上に堆積する図6の工程i参照。この場合、反射防止膜26の膜厚は、例えば、5μmである。このように、工程hにおいてパッシベーション膜25を形成する前に工程gにおいてフッ酸でシリコン酸化膜24を除去することによって、n型単結晶シリコン基板11の受光面11aが水素原子Hによって終端され、工程hにおいてAPCVD法によってSiO2からなるパッシベーション膜25を形成することによって、パッシベーション膜25=SiO2とn型単結晶シリコン基板11の受光面11aとの界面準位密度が1010cm-2台まで低下し、パッシベーション膜25=SiO2とn型単結晶シリコン基板11の受光面11aとの界面におけるキャリア電子および正孔の再結合が抑制される。引き続いて、レーザ光を反射防止膜26に照射し、反射防止膜26の表面を荒らし、表面に凹部27aを有する反射防止膜27を形成する図6の工程j参照。この場合、レーザ光としてNd:YAGレーザまたはNd:YVOレーザのレーザ光を用いる。このレーザ光は、532nmの波長、5kHzの発振周波数および0.1~0.5Wのパワーを有する。そして、レーザ光を走査して図3のa~cのいずれかのパターンからなる凹部27aを形成する。なお、図3のcに示すメッシュ状のパターンからなる凹部27aを形成する場合、上下左右5μm間隔でレーザ光を照射し、または一定の間隔5μmピッチでレーザ光を格子状に走査する。工程jの後、n型単結晶シリコン基板11をフッ酸に浸漬し、残渣の除去と反射防止膜27のエッチングとを行う。これによって、反射防止膜28が形成される。そして、パッシベーション膜25および反射防止膜28は、上述した光入射層13を構成し、光入射層13は、サイズが3~5μmである凹部13aを光入射側の表面に有する図6の工程k参照。そして、フォトリソグラフィおよびエッチングによって光入射層13およびパッシベーション膜16にそれぞれスルーホール29,30を形成する図7の工程l参照。その後、Agペーストをスルーホール29に印刷して焼結し、電極14を形成する。また、n型単結晶シリコン基板11の裏面にAlを蒸着して電極16を形成する。これによって、光電変換素子10Aが完成する図7の工程m参照。なお、光入射層13がパッシベーション膜のみ、または反射防止膜のみからなる場合、工程hにおいて、膜厚が5μm程度のパッシベーション膜または反射防止膜がn型単結晶シリコン基板11のp型拡散領域12上に堆積され、工程iにおいて、反射防止膜26が形成されない。そして、工程j,kにおいて、パッシベーション膜または反射防止膜が上述した方法によってエッチングされ、凹部13aを有する光入射膜13が形成される。光電変換素子10Aにおいては、太陽光は、光入射層13側から光電変換素子10Aに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、光入射層13を介してn型単結晶シリコン基板11へ入射する。そうすると、n型単結晶シリコン基板11中で正孔および電子が光励起される。そして、光励起された正孔は、p型拡散領域12a,12bとn型単結晶シリコン基板11のバルク領域=n型単結晶シリコン基板11のp型拡散領域12a,12b以外の領域とによって形成されるp/n接合の方向へ拡散によって移動し、p/n接合による内部電界によってp型拡散領域12a,12bへ到達する。p型拡散領域12aに到達した正孔は、p型拡散領域12aと光入射層13との界面で再結合が抑制され、拡散によってp型拡散領域12bへ到達する。このように、光入射層13は、n型単結晶シリコン基板11の表面に対してパッシベーション膜として機能する。そして、正孔は、p型拡散領域12bから電極14に到達する。一方、光励起された電子は、拡散によってn型単結晶シリコン基板11の裏面側へ移動する。そして、n型単結晶シリコン基板11とパッシベーション膜15との界面へ到達した電子は、再結合が抑制され、拡散によって電極16に到達する。電極16に到達した電子は、電極16から負荷を介して電極14に到達し、正孔と再結合する。上述したように、光電変換素子10Aは、凹凸構造が表面に形成されていないn型単結晶シリコン基板11を用いて製造される。その結果、p型拡散領域12が均一に形成される。また、光電変換素子10Aの製造プロセスにおいて、n型単結晶シリコン基板11の受光面11aが十分に洗浄される。更に、光入射層13のパッシベーション膜25とn型単結晶シリコン基板11との界面の面積が小さくなり、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。従って、光電変換素子10Aの変換効率を向上できる。なお、光電変換素子10Aは、n型単結晶シリコン基板11に代えてn型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。n型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有し、例えば、200μmの厚みを有する。また、光電変換素子10Aにおいては、電極16に接するように、BSFBackSurfaceFiled用のPを高濃度1×1020cm-3程度に含む高濃度拡散領域をn型単結晶シリコン基板11の一部に形成してもよい。実施例2図8は、実施例2における光電変換素子の構成を示す断面図である。図8を参照して、光電変換素子10Bは、p型単結晶シリコン基板51と、光入射層53と、電極54,56と、パッシベーション膜55とを備える。p型単結晶シリコン基板51は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、p型単結晶シリコン基板51の厚みは、例えば、200μmである。また、p型単結晶シリコン基板51は、受光面51aに接してn型拡散領域52を有する。n型拡散領域52は、p型単結晶シリコン基板51と反対の導電型であるn型の導電型を有し、例えば、リンPをドーパントとして含む。そして、n型拡散領域52の深さは、例えば、200nmである。n型拡散領域52は、n型拡散領域52a,52bからなる。n型拡散領域52bのP濃度は、n型拡散領域52aのP濃度よりも高い。そして、例えば、n型拡散領域52aは、1×1019cm-3のP濃度を有し、n型拡散領域52bは、1×1020cm-3のP濃度を有する。光入射層53は、p型単結晶シリコン基板51の受光面51aに接して配置され、例えば、数μmの膜厚を有する。また、光入射層53は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部53aを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが光入射側の表面に形成されている。そして、凹部53aは、p型単結晶シリコン基板51の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。更に、光入射層53は、上述した光入射層31~33図2参照のいずれかからなる。電極54は、光入射層53を貫通し、p型単結晶シリコン基板51のn型拡散領域52bに接して形成される。そして、電極54は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜55は、p型単結晶シリコン基板51の裏面=受光面51aと反対側の表面に接して形成される。そして、パッシベーション膜55は、SiO2からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極56は、p型単結晶シリコン基板51およびパッシベーション膜55に接して形成される。そして、電極56は、例えば、Alからなる。光電変換素子10Bは、図5から図7に示す工程a~工程mに従って製造される。この場合、工程c~fにおいて、n型拡散領域52a,52bが形成される。そして、Pの拡散源として、オキシ塩化リンPOCl3が用いられ、p型単結晶シリコン基板51をPOCl3の雰囲気の石英炉に入れて加熱し、p型単結晶シリコン基板51中へPを拡散し、n型拡散領域52を形成する。このとき、拡散温度は、例えば、890°Cであり、拡散時間は、例えば、20分である。また、工程h~kにおいて、パッシベーション膜、反射防止膜、およびパッシベーション膜/反射防止膜のいずれかからなる光入射層が形成される。光電変換素子10Bにおいては、太陽光は、光入射層53側から光電変換素子10Bに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、光入射層53を介してp型単結晶シリコン基板51へ入射する。そうすると、p型単結晶シリコン基板51中で正孔および電子が光励起される。そして、光励起された電子は、n型拡散領域52a,52bとp型単結晶シリコン基板51のバルク領域=p型単結晶シリコン基板51のn型拡散領域52a,52b以外の領域とによって形成されるp/n接合の方向へ拡散によって移動し、p/n接合による内部電界によってn型拡散領域52a,52bへ到達する。n型拡散領域52aに到達した電子は、n型拡散領域52aと光入射層53との界面で再結合が抑制され、拡散によってn型拡散領域52bへ到達する。このように、光入射層53は、p型単結晶シリコン基板51の表面に対してパッシベーション膜として機能する。そして、電子は、n型拡散領域52bから電極54に到達する。一方、光励起された正孔は、拡散によってp型単結晶シリコン基板51の裏面側へ移動する。p型単結晶シリコン基板51とパッシベーション膜55との界面へ到達した正孔は、再結合が抑制され、拡散によって電極56に到達する。そして、電子は、電極54から負荷を介して電極56に到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子10Bは、凹凸構造が表面に形成されていないp型単結晶シリコン基板51を用いて製造される。その結果、n型拡散領域52が均一に形成される。また、光電変換素子10Bの製造プロセスにおいて、p型単結晶シリコン基板51の受光面51aが十分に洗浄される。更に、光入射層53のパッシベーション膜とp型単結晶シリコン基板51との界面の面積が小さくなり、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。従って、光電変換素子10Bの変換効率を向上できる。なお、光電変換素子10Bは、p型単結晶シリコン基板51に代えてp型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。p型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有し、例えば、200μmの厚みを有する。また、光電変換素子10Bにおいては、電極56に接するように、BSF用のBを高濃度1×1020cm-3程度に含む高濃度拡散領域をp型単結晶シリコン基板51の一部に形成してもよい。光電変換素子10Bにおけるその他の説明は、光電変換素子10Aの説明と同じである。上述したように、実施の形態1によれば、p/n接合が光入射側に存在する光電変換素子10は、結晶シリコン基板1の受光面1aに凹凸構造を有さず、光入射側の表面に凹部1aを含む凹凸構造を有する光入射層3を備える。そして、p/n接合は、ホモ接合である。その結果、上述したように、拡散領域2が均一に形成され、光電変換素子10の製造プロセスにおいて、結晶シリコン基板1の受光面1aが十分に洗浄され、更に、光入射層3がパッシベーション膜を含む場合、パッシベーション膜と結晶シリコン基板1との界面の面積が小さくなり、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。従って、光電変換素子10の変換効率を向上できる。なお、上記においては、レーザ光と、薬品とを用いて凹12a,52aを形成すると説明したが、実施の形態1においては、これに限らず、レーザ光のみを用いて凹12a,52aを形成してもよい。[実施の形態2]図9は、実施の形態2による光電変換素子の構成を示す断面図である。図9を参照して、実施の形態2による光電変換素子100は、単結晶シリコン基板61と、光入射層63と、酸化膜64と、電極651~65nとを備える。単結晶シリコン基板61は、n型単結晶シリコン基板またはp型単結晶シリコン基板からなる。そして、単結晶シリコン基板61は、受光面61aに凹凸構造が形成されていない。n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。また、単結晶シリコン基板61は、受光面61aと反対側に拡散領域611~61nを含む。拡散領域611,613,,61n-2,61nは、単結晶シリコン基板61がn型の導電型を有する場合、n型の導電型を有し、単結晶シリコン基板61がp型の導電型を有する場合、p型の導電型を有する。拡散領域612,614,,61n-1は、単結晶シリコン基板61がn型の導電型を有する場合、p型の導電型を有し、単結晶シリコン基板61がp型の導電型を有する場合、n型の導電型を有する。このように、拡散領域611,613,,61n-2,61nは、単結晶シリコン基板61の導電型と同じ導電型を有し、拡散領域612,614,,61n-1は、単結晶シリコン基板61の導電型と反対の導電型を有する。拡散領域611,613,,61n-2,61nおよび拡散領域612,614,,61n-1は、単結晶シリコン基板61の面内方向において交互に配置される。拡散領域611,613,,61n-2,61nの各々におけるドーパント濃度は、例えば、1×1019cm-3~1×1020cm-3であり、拡散領域612,614,,61n-1の各々におけるドーパント濃度は、例えば、1×1019cm-3~1×1020cm-3である。また、拡散領域611,613,,61n-2,61nおよび拡散領域612,614,,61n-1の深さは、例えば、200nm~400nmである。光入射層63は、単結晶シリコン基板61の受光面61aに接して配置され、例えば、数μmの膜厚を有する。また、光入射層63は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部63aを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが光入射側の表面に形成されている。そして、凹部63aは、単結晶シリコン基板61の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。また、凹部63aは、図3のa~cのいずれかに示す平面パターンを有する。更に、光入射層63は、上述した光入射層31~33図2参照のいずれかからなる。酸化膜64は、単結晶シリコン基板61の裏面受光面61aと反対側の表面に接して設けられる。そして、酸化膜64は、例えば、SiO2からなり、その膜厚は、例えば、10nm~100nmである。電極651~65nの各々は、例えば、Agからなる。そして、電極651,653,,65n-2,65nは、酸化膜64を介してそれぞれ拡散領域611,613,,61n-2,61nに接するように形成される。また、電極652,654,,65n-1は、酸化膜64を介してそれぞれ拡散領域612,614,,61n-1に接するように形成される。拡散領域611,613,,61n-2,61nおよび拡散領域612,614,,61n-1は、図9の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、拡散領域612,614,,61n-1の全体の面積が単結晶シリコン基板61の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、拡散領域611,613,,61n-2,61nの全体の面積が単結晶シリコン基板61の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、拡散領域612,614,,61n-1の面積占有率を拡散領域611,613,,61n-2,61nの面積占有率よりも大きくするのは、単結晶シリコン基板61中で光励起された電子および正孔をp/n接合によって分離し易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。このように、光電変換素子100は、ホモ接合からなるp/n接合を単結晶シリコン基板61の裏面側に配置した構造からなる。光電変換素子100において、太陽光が光入射層63側から光電変換素子100に照射されると、単結晶シリコン基板61中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、光入射層63側へ拡散しても、光入射層63による単結晶シリコン基板61のパッシベーション効果によって再結合し難く、拡散領域611~61n側へ拡散する。そして、拡散領域611~61n側へ拡散した電子および正孔は、拡散領域612,614,,61n-1/単結晶シリコン基板61=p/n接合による内部電界によって分離され、正孔は、拡散領域612,614,,61n-1または拡散領域611,613,,61nを介して電極652,654,,65n-1または電極651,653,,65nへ到達し、電子は、拡散領域611,613,,61nまたは拡散領域612,614,,61n-1を介して電極651,653,,65nまたは電極652,654,,65n-1へ到達する。電極651,653,,65nまたは電極652,654,,65n-1へ到達した電子は、電極651,653,,65nと電極652,654,,65n-1との間に接続された負荷を介して電極652,654,,65n-1または電極651,653,,65nへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100は、単結晶シリコン基板61中で光励起された電子および正孔を単結晶シリコン基板61の裏面=受光面61aと反対側の表面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。上述したように、単結晶シリコン基板61の受光面61aには、凹凸構造が形成されていないので、光入射層63と単結晶シリコン基板61との界面の面積は、単結晶シリコン基板61の受光面61aを凹凸化した場合よりも小さくなる。その結果、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。また、光電変換素子100の製造プロセス中において、単結晶シリコン基板61の受光面を十分に洗浄できる。従って、光電変換素子100の変換効率を向上できる。以下、光電変換素子100の実施例について説明する。実施例3図10は、実施例3における光電変換素子の構成を示す断面図である。図10を参照して、光電変換素子100Aは、n型単結晶シリコン基板71と、光入射層73と、酸化膜74と、電極751~75nとを備える。n型単結晶シリコン基板71は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、n型単結晶シリコン基板71の厚みは、例えば、200μmである。また、n型単結晶シリコン基板71は、受光面71aに凹凸構造が形成されていない。そして、n型単結晶シリコン基板71は、受光面71a側にn型拡散領域710を有する。n型拡散領域710は、Pをドーパントとして含み、表面電界層FSFとして機能する。更に、n型単結晶シリコン基板71は、n型拡散領域711,713,,71-2,71nと、p型拡散領域712,714,,71n-1とを受光面71aと反対の裏面側に含む。n型拡散領域711,713,,71-2,71nおよびp型拡散領域712,714,,71n-1は、n型単結晶シリコン基板71の面内方向において交互に配置される。n型拡散領域711,713,,71-2,71nの各々におけるP濃度は、例えば、5×1019cm-3である。また、p型拡散領域712,714,,71n-1の各々におけるB濃度は、例えば、8×1019cm-3である。n型拡散領域711,713,,71-2,7nの深さは、例えば、200nmであり、p型拡散領域712,714,,71n-1の深さは、例えば、200nmである。光入射層73は、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aに接して配置され、例えば、数μmの膜厚を有する。また、光入射層73は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部73aを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが光入射側の表面に形成されている。そして、凹部73aは、n型単結晶シリコン基板71の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。また、凹部73aは、図3のa~cのいずれかに示す平面パターンを有する。更に、光入射層73は、上述した光入射層31~33図2参照のいずれかからなる。電極751~75nの各々は、例えば、Agからなる。そして、電極751,753,,75n-2,75nは、酸化膜74を介してそれぞれn型拡散領域711,713,,71n-2,71nに接するように形成される。また、電極752,754,,75n-1は、酸化膜74を介してそれぞれp型拡散領域712,714,,71n-1に接するように形成される。n型拡散領域711,713,,71n-2,71nおよびp型拡散領域712,714,,71n-1は、図10の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、p型拡散領域712,714,,71n-1の全体の面積がn型単結晶シリコン基板71の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、n型拡散領域711,713,,71n-2,71nの全体の面積がn型単結晶シリコン基板71の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。p型拡散領域712,714,,71n-1およびn型拡散領域711,713,,71n-2,71nの面積占有率がこのような値に設定される理由は、光電変換素子100において拡散領域612,614,,61n-1および拡散領域611,613,,61n-2,61nの面積占有率がそれぞれ60~93および5~20に設定される理由と同じである。図11から図14は、それぞれ、図10に示す光電変換素子100Aの製造方法を示す第1から第4の工程図である。光電変換素子100Aの製造が開始されると、シリコンインゴットをスライスしてn型単結晶シリコン基板を作製し、その作製したn型単結晶シリコン基板をフッ酸と硝酸との混合液によってエッチングし、スライスによるダメージ層を除去する。これによって、n型単結晶シリコン基板71が準備される図11の工程a参照。そして、酸素または水蒸気の雰囲気中でn型単結晶シリコン基板71を熱酸化し、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aおよび裏面にそれぞれシリコン酸化膜81,82を形成する図11の工程b参照。この場合、熱酸化の温度は、例えば、950°Cであり、酸化時間は、例えば、10分である。その後、エッチングペーストを用いてシリコン酸化膜82の一部を除去し、シリコン酸化膜83をn型単結晶シリコン基板71の裏面に形成する図11の工程c参照。これによって、Pを拡散するための開口部が形成される。引き続いて、n型単結晶シリコン基板71をオキシ塩化リンPOCl3の雰囲気の石英炉に入れて加熱し、シリコン酸化膜83の開口部からn型単結晶シリコン基板71中へPを拡散し、n型拡散領域711,713,,71n-2,71nを形成する図11の工程d参照。この場合、拡散温度は、例えば、890°Cであり、拡散時間は、例えば、20分である。そして、フッ酸でシリコン酸化膜81,83を除去する図11の工程e参照。その後、酸素または水蒸気の雰囲気中でn型単結晶シリコン基板71を熱酸化し、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aおよび裏面にそれぞれシリコン酸化膜84,85を形成する図12の工程f参照。この場合、熱酸化の温度は、例えば、950°Cであり、酸化時間は、例えば、10分である。また、n型拡散領域711,713,,71n-2,71n上のシリコン酸化膜85の膜厚は、n型拡散領域711,713,,71n-2,71n以外の領域上よりも厚くなる。そして、フッ酸を用いてエッチバックを行う。このとき、n型拡散領域711,713,,71n-2,71nのみ、シリコン酸化膜を残し、n型拡散領域711,713,,71n-2,71n以外の領域におけるシリコン酸化膜と、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aにおけるシリコン酸化膜84とを除去する。これによって、n型拡散領域711,713,,71n-2,71nに接してシリコン酸化膜86が形成される図12の工程g参照。引き続いて、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aにAPCVD法によってSiO2からなる保護膜87を形成する図12の工程h参照。そして、n型単結晶シリコン基板71の裏面にポリボロンフィルムPBFを塗布し、石英炉内で加熱し、ボロンをn型単結晶シリコン基板71中へ拡散させる。この場合、拡散温度は、例えば、910°Cであり、拡散時間は、例えば、30分である。これによって、n型単結晶シリコン基板71の裏面側にp型拡散領域712,714,,71n-1が形成される図12の工程i参照。その後、フッ酸でシリコン酸化膜86,87を除去する図12の工程j参照。引き続いて、APCVD法によってSiO2からなる保護膜88をn型単結晶シリコン基板71の裏面に形成する図13の工程k参照。そして、n型単結晶シリコン基板71をオキシ塩化リンPOCl3の雰囲気の石英炉に入れて加熱し、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aからn型単結晶シリコン基板71中へPを拡散し、拡散領域710を形成する図13の工程l参照。この場合、加熱温度は、例えば、725°Cであり、加熱時間は、例えば、30分である。また、拡散領域710の上にPSG膜89が形成される。その後、フッ酸でPSG膜89および保護膜88=SiO2を除去する図13の工程m参照。そして、n型単結晶シリコン基板71の裏面にAPCVD法によってSiO2からなるパッシベーション膜90を形成し、ドライ酸化によってn型単結晶シリコン基板71の受光面71aにSiO2からなるパッシベーション膜91を形成する図13の工程n参照。この場合、ドライ酸化の温度は、例えば、850°Cであり、酸化時間は、例えば、240分である。その後、APCVD法によってSiO2からなる反射防止膜92をパッシベーション膜91上に形成する図13の工程o参照。この場合、反射防止膜92の膜厚は、例えば、5μmである。引き続いて、レーザ光を反射防止膜92に照射し、反射防止膜92の表面を荒らし、表面に凹部93aを有する反射防止膜93を形成する図14の工程p参照。この場合、レーザ光としてNd:YAGレーザまたはNd:YVOレーザのレーザ光を用いる。このレーザ光は、532nmの波長、5kHzの発振周波数および0.1~0.5Wのパワーを有する。そして、レーザ光を走査して図3のa~cのいずれかの平面パターンからなる凹部93aを形成する。なお、図3のcに示すメッシュ状の平面パターンからなる凹部93aを形成する場合、レーザ光を上下左右5μm間隔でレーザ光を照射し、または一定の間隔5μmピッチでレーザ光を格子状に走査する。工程pの後、n型単結晶シリコン基板71をフッ酸に浸漬し、残渣の除去と反射防止膜93のエッチングとを行う。これによって、反射防止膜94が形成される。そして、パッシベーション膜91および反射防止膜94は、上述した光入射層73を構成し、光入射層73は、サイズが3~5μmである凹部73aを光入射側の表面に有する図14の工程q参照。そして、n型単結晶シリコン基板71の裏面に形成されたn型拡散領域711,713,,71n-2,71nおよびp型拡散領域712,714,,71n-1に対応するパッシベーション膜90=SiO2の一部をエッチングペーストで除去し、開口部を形成する図14の工程r参照。その後、金属ペーストをn型単結晶シリコン基板71の裏面に印刷し、焼成する。その結果、開口部を介してn型拡散領域711,713,,71n-2,71nおよびp型拡散領域712,714,,71n-1に接続された電極751~75nが形成される。これによって、光電変換素子100Aが完成する図14の工程s参照。なお、光入射層73がパッシベーション膜のみ、または反射防止膜のみからなる場合、工程nにおいて、膜厚が5μm程度のパッシベーション膜または反射防止膜がn型単結晶シリコン基板71の拡散領域710上に堆積され、工程oにおいて、反射防止膜92が形成されない。そして、工程p,qにおいて、パッシベーション膜または反射防止膜が上述した方法によってエッチングされ、凹部73aを有する光入射膜73が形成される。光電変換素子100Aにおいて、太陽光が光入射層73側から光電変換素子100Aに照射されると、n型単結晶シリコン基板71中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、光入射層73側へ拡散しても、光入射層73によるn型単結晶シリコン基板71に対するパッシベーション効果およびn型拡散領域710による表面電界効果FSFによって再結合し難く、n型拡散領域711,713,,71n-2,71nおよびp型拡散領域712,714,,71n-1側へ拡散する。そして、n型拡散領域711,713,,71n-2,71nおよびp型拡散領域712,714,,71n-1側へ拡散した電子および正孔は、p型拡散領域712,714,,71n-1/n型単結晶シリコン基板71=p/n接合による内部電界によって分離され、正孔は、p型拡散領域712,714,,71n-1を介して電極752,754,,75n-1へ到達し、電子は、n型拡散領域711,713,,71n-2,71nを介して電極751,753,,75n-2,75nへ到達する。電極751,753,,75n-2,75nへ到達した電子は、電極751,753,,75n-2,75nと電極752,754,,75n-1との間に接続された負荷を介して電極752,754,,75n-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100Aは、n型単結晶シリコン基板71中で光励起された電子および正孔をn型単結晶シリコン基板71の裏面=受光面71aと反対側の表面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。上述したように、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aには、凹凸構造が形成されていないので、n型拡散領域710が均一に形成される。また、光入射層73のパッシベーション膜91とn型単結晶シリコン基板71との界面の面積は、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aを凹凸化した場合よりも小さくなる。その結果、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。更に、光電変換素子100Aの製造プロセス中において、n型単結晶シリコン基板71の受光面71aを十分に洗浄できる。従って、光電変換素子100Aの変換効率を向上できる。実施例4図15は、実施例4における光電変換素子の構成を示す断面図である。図15を参照して、光電変換素子100Bは、p型単結晶シリコン基板101と、光入射層103と、酸化膜104と、電極1051~105nとを備える。p型単結晶シリコン基板101は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、p型単結晶シリコン基板101の厚みは、例えば、200μmである。また、p型単結晶シリコン基板101は、受光面101aに凹凸構造が形成されていない。そして、p型単結晶シリコン基板101は、受光面101a側にp型拡散領域102を有する。p型拡散領域102は、Bをドーパントとして含み、表面電界層FSFとして機能する。更に、p型単結晶シリコン基板101は、p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nと、n型拡散領域1012,1014,,101n-1とを受光面101aと反対の裏面側に含む。p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nおよびn型拡散領域1012,1014,,101n-1は、p型単結晶シリコン基板101の面内方向において交互に配置される。p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nの各々におけるB濃度は、例えば、5×1019cm-3である。また、n型拡散領域1012,1014,,101n-1の各々におけるP濃度は、例えば、8×1019cm-3である。p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nの深さは、例えば、200nmであり、n型拡散領域1012,1014,,101n-1の深さは、例えば、200nmである。光入射層103は、p型単結晶シリコン基板101の受光面101aに接して配置され、例えば、数μmの膜厚を有する。また、光入射層103は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部103aを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが光入射側の表面に形成されている。そして、凹部103aは、p型単結晶シリコン基板101の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。また、凹部103aは、図3のa~cのいずれかに示す平面パターンを有する。更に、光入射層103は、上述した光入射層31~33図2参照のいずれかからなる。電極1051~105nの各々は、例えば、Agからなる。そして、電極1051,1053,,105n-2,105nは、酸化膜104を介してそれぞれp型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nに接するように形成される。また、電極1052,1054,,105n-1は、酸化膜104を介してそれぞれn型拡散領域1012,1014,,101n-1に接するように形成される。p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nおよびn型拡散領域1012,1014,,101n-1は、図15の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、n型拡散領域1012,1014,,101n-1の全体の面積がp型単結晶シリコン基板101の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nの全体の面積がp型単結晶シリコン基板101の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。n型拡散領域1012,1014,,101n-1およびp型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nの面積占有率がこのような値に設定される理由は、光電変換素子100において拡散領域612,614,,61n-1および拡散領域611,613,,61n-2,61nの面積占有率がそれぞれ60~93および5~20に設定される理由と同じである。光電変換素子100Bは、図11~図14に示す工程a~工程sに従って製造される。この場合、図11の工程b~図12の工程jにおいて、p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nおよびn型拡散領域1012,1014,,101n-1が形成される。また、図13の工程lにおいて、p型拡散領域102が形成される。更に、図13の工程n~図14の工程qにおいて、凹部103aを有する凹凸構造ハニカムテクスチャが光入射層103の光入射側の表面に形成される。光電変換素子100Bにおいては、太陽光が光入射層103側から光電変換素子100Bに照射されると、p型単結晶シリコン基板101中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、光入射層103側へ拡散しても、光入射層103によるp型単結晶シリコン基板101に対するパッシベーション効果およびp型拡散領域102による表面電界効果FSFによって再結合し難く、p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nおよびn型拡散領域1012,1014,,101n-1側へ拡散する。そして、p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nおよびn型拡散領域1012,1014,,101n-1側へ拡散した電子および正孔は、n型拡散領域1012,1014,,101n-1/p型単結晶シリコン基板101=p/n接合による内部電界によって分離され、正孔は、p型拡散領域1011,1013,,101n-2,101nを介して電極1011,1013,,105n-2,105nへ到達し、電子は、n型拡散領域1012,1014,,101n-1を介して電極1012,1014,,105n-1へ到達する。電極1012,1014,,105n-1へ到達した電子は、電極1011,1013,,105n-2,105nと電極1012,1014,,105n-1との間に接続された負荷を介して電極1011,1013,,105n-2,105nへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100Bは、p型単結晶シリコン基板101中で光励起された電子および正孔をp型単結晶シリコン基板101の裏面=受光面101aと反対側の表面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。上述したように、p型単結晶シリコン基板101の受光面101aには、凹凸構造が形成されていないので、p型拡散領域102が均一に形成される。また、光入射層103のパッシベーション膜とp型単結晶シリコン基板101との界面の面積は、p型単結晶シリコン基板101の受光面101aを凹凸化した場合よりも小さくなる。その結果、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。更に、光電変換素子100Bの製造プロセス中において、p型単結晶シリコン基板101の受光面101aを十分に洗浄できる。従って、光電変換素子100Bの変換効率を向上できる。光電変換素子100Bについてのその他の説明は、光電変換素子100Aの説明と同じである。また、実施の形態2におけるその他の説明は、実施の形態1における説明と同じである。[実施の形態3]図16は、実施の形態3による光電変換素子の構成を示す断面図である。図16を参照して、実施の形態3による光電変換素子200は、結晶シリコン基板111と、非晶質膜112と、光入射層113と、電極114,116と、パッシベーション膜115とを備える。結晶シリコン基板111は、拡散領域2を含まない点を除いて、上述した結晶シリコン基板1と同じである。非晶質膜112は、結晶シリコン基板111の受光面111aに接して結晶シリコン基板111上に配置される。非晶質膜112は、結晶シリコン基板111がn型の導電型を有する場合、i型非晶質膜/p型非晶質膜、またはp型非晶質膜からなる。非晶質膜112がi型非晶質膜/p型非晶質膜からなる場合、i型非晶質膜は、結晶シリコン基板111の受光面111aに接して配置され、p型非晶質膜は、光入射層113に接して配置される。また、非晶質膜112がp型非晶質膜からなる場合、p型非晶質膜は、結晶シリコン基板111および光入射層113に接して結晶シリコン基板111と光入射層113との間に配置される。一方、非晶質膜112は、結晶シリコン基板111がp型の導電型を有する場合、i型非晶質膜/n型非晶質膜、またはn型非晶質膜からなる。非晶質膜112がi型非晶質膜/n型非晶質膜からなる場合、i型非晶質膜は、結晶シリコン基板111の受光面111aに接して配置され、n型非晶質膜は、光入射層113に接して配置される。また、非晶質膜112がn型非晶質膜からなる場合、n型非晶質膜は、結晶シリコン基板111および光入射層113に接して結晶シリコン基板111と光入射層113との間に配置される。光入射層113は、非晶質膜112に接して配置され、例えば、数μmの膜厚を有する。また、光入射層113は、ITOIndiumTinOxide、SnO2およびZno等の反射防止膜からなる。更に、光入射層113は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部113aを含む凹凸構造が光入射側の表面に形成されている。そして、凹部113aは、結晶シリコン基板111の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。また、凹部113aの平面形状は、図3のa~cに示す平面形状のいずれかからなる。電極114は、光入射層113に接して形成される。そして、電極114は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜115は、結晶シリコン基板111の裏面=受光面111aと反対側の表面に接して形成される。そして、パッシベーション膜115は、SiO2からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極116は、結晶シリコン基板111の裏面およびパッシベーション膜115に接して形成される。そして、電極116は、例えば、Alからなる。このように、光電変換素子200は、ヘテロ接合からなるp/n接合またはpin接合を結晶シリコン基板111の受光面側に配置した構造からなる。上述したように、光電変換素子200は、凹凸構造が受光面111aに形成されていない結晶シリコン基板111を用いて製造される。その結果、非晶質膜112が均一に形成される。また、光電変換素子200の製造プロセスにおいて、結晶シリコン基板111の受光面111aが十分に洗浄される。更に、非晶質膜112と結晶シリコン基板111との界面の面積が小さくなり、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。従って、光電変換素子200の変換効率を向上できる。以下、光電変換素子200の実施例について説明する。実施例5図17は、実施例5における光電変換素子の構成を示す断面図である。図17を参照して、光電変換素子200Aは、n型単結晶シリコン基板121と、非晶質膜122と、光入射層123と、電極124,126と、パッシベーション膜125とを備える。非晶質膜122は、i型非晶質膜1221と、p型非晶質膜1222とを含む。n型単結晶シリコン基板121は、拡散領域12を含まない点を除いて、上述したn型単結晶シリコン基板11と同じである。i型非晶質膜1221は、n型単結晶シリコン基板121の受光面121aに接してn型単結晶シリコン基板121上に配置される。i型非晶質膜1221は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。p型非晶質膜1222は、i型非晶質膜1221に接してi型非晶質膜1221上に配置される。p型非晶質膜1222は、例えば、p型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、p型非晶質膜1222は、例えば、ドーパントとしてBを含み、B濃度は、例えば、1×1019cm-3である。光入射層123は、p型非晶質膜1222に接してp型非晶質膜1222上に配置される。光入射層123は、光入射層113と同じ材料からなり、数μmの膜厚を有する。そして、光入射層123は、光入射側の表面に凹部123aを含む凹凸構造を有する。凹部123aは、太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有し、n型単結晶シリコン基板121の面内方向において数μmのサイズを有する。また、凹部123aの平面形状は、図3のa~cに示す平面形状のいずれかからなる。電極124は、光入射層123に接して配置される。そして、電極124は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜125は、n型単結晶シリコン基板121の裏面受光面121aの反対側の表面に接して配置される。そして、パッシベーション膜125は、例えば、SiO2からなる。電極126は、n型単結晶シリコン基板121の裏面およびパッシベーション膜125に接して配置される。そして、電極126は、例えば、Alからなる。図18および図19は、それぞれ、図17に示す光電変換素子200Aの製造方法を示す第1および第2の工程図である。光電変換素子200Aの製造が開始されると、シリコンインゴットをスライスしてn型単結晶シリコン基板を作製し、その作製したn型単結晶シリコン基板をフッ酸と硝酸との混合液によってエッチングし、スライスによるダメージ層を除去する。これによって、n型単結晶シリコン基板121が準備される図18の工程a参照。そして、プラズマCVDChemicalVapourDeposition法によって、i型a-Siからなるi型非晶質膜1221をn型単結晶シリコン基板121の受光面121a上に堆積する図18の工程b参照。この場合、材料ガスとして、シランSiH4ガスおよび水素H2ガスが用いられ、SiH4ガスの流量は、例えば、10sccmであり、H2ガスの流量は、例えば、100sccmである。また、i型a-Siを堆積するときの反応圧力は、例えば、13.3Pa~665Paの範囲であり、RFパワーは、例えば、16~80mW/cm2の範囲である。工程bの後、プラズマCVD法によって、p型a-Siからなるp型非晶質膜1222をi型非晶質膜1221上に堆積する図18の工程c参照。この場合、材料ガスとして、SiH4ガス、H2ガス、および水素希釈されたジボランB2H6ガスが用いられ、SiH4ガスの流量は、例えば、2sccmであり、H2ガスの流量は、例えば、42sccmであり、B2H6ガスの流量は、例えば、12sccmである。また、p型a-Siを堆積するときの反応圧力は、例えば、13.3Pa~665Paの範囲であり、RFパワーは、例えば、16~80mW/cm2の範囲である。なお、水素希釈されたB2H6ガスの濃度は、0.1である。工程cの後、APCVD法によってSiO2からなるパッシベーション膜127をn型単結晶シリコン基板121の裏面に堆積する図18の工程d参照。そして、スパッタリングによってITOからなる光入射層128をp型非晶質膜1222上に堆積する図18の工程e参照。この場合、光入射層128の膜厚は、例えば、5μmである。工程eの後、図14の工程pと同じ方法によって、レーザ光によって光入射層128の表面を荒らし、表面に凹部129aを有する光入射層129を形成する図19の工程f参照。この場合、レーザ光としてNd:YAGレーザまたはNd:YVOレーザのレーザ光を用いる。このレーザ光は、532nmの波長、5kHzの発振周波数および0.1~0.5Wのパワーを有する。そして、レーザ光を走査して図3のa~cのいずれかのパターンからなる凹部129aを形成する。なお、図3のcに示すメッシュ状のパターンからなる凹部129aを形成する場合、レーザ光を上下左右5μm間隔でレーザ光を照射し、または一定の間隔5μmピッチでレーザ光を格子状に走査する。工程fの後、n型単結晶シリコン基板121をフッ酸に浸漬し、残渣の除去と光入射層129のエッチングとを行う。これによって、光入射層123が形成される。そして、光入射層123は、サイズが3~5μmである凹部123aを光入射側の表面に有する図19の工程g参照。その後、エッチングペーストによってパッシベーション膜127の一部を除去する図19の工程h参照。これによって、パッシベーション膜125が形成される。そして、電極124を光入射層123上に形成し、電極126をn型単結晶シリコン基板121の裏面およびパッシベーション膜125に接するように形成する。これによって光電変換素子200Aが完成する図19の工程i参照。光電変換素子200Aにおいて、太陽光が光入射層123側から光電変換素子200Aに照射されると、n型単結晶シリコン基板121中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、n型単結晶シリコン基板121/非晶質膜122i型a-Si/p型a-Siによるpin接合によって分離され、正孔は、i型非晶質膜1221およびp型非晶質膜1222を介して光入射層123=ITOへ到達し、光入射層123=ITOから電極124へ至る。一方、電子は、拡散によってn型単結晶シリコン基板121の裏面側へ移動し、電極126へ到達する。電極126へ到達した電子は、電極124と電極126との間に接続された負荷を介して電極124へ到達し、正孔と再結合する。上述したように、n型単結晶シリコン基板121の受光面121aには、凹凸構造が形成されていないので、非晶質膜122が均一に形成される。また、非晶質膜122とn型単結晶シリコン基板121との界面の面積は、n型単結晶シリコン基板121の受光面121aを凹凸化した場合よりも小さくなる。また、i型非晶質膜1221は、n型単結晶シリコン基板121の受光面121aに対してパッシベーション膜として機能する。その結果、正孔の再結合が抑制される。更に、光電変換素子200Aの製造プロセス中において、n型単結晶シリコン基板121の受光面を十分に洗浄できる。従って、光電変換素子200Aの変換効率を向上できる。なお、光電変換素子200Aは、n型単結晶シリコン基板121に代えてn型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。n型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有し、例えば、200μmの厚みを有する。また、光電変換素子200Aにおいては、電極126に接するように、BSF用のPを高濃度1×1020cm-3程度に含む高濃度拡散領域をn型単結晶シリコン基板121の一部に形成してもよい。更に、i型非晶質膜1221は、i型a-Siに限らず、i型a-SiC,i型a-SiO,i型a-SiN,i型a-SiCN,i型a-SiGeのいずれかからなっていてもよい。更に、p型非晶質膜1222は、p型a-Siに限らず、p型a-SiC,p型a-SiO,p型a-SiN,p型a-SiCN,p型a-SiGe,p型a-Geのいずれかからなっていてもよい。この場合、p型a-SiCは、SiH4ガス、メタンCH4ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。p型a-SiOは、SiH4ガス、酸素O2ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。p型a-SiNは、SiH4ガス、アンモニアNH3ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。p型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。p型a-SiGeは、SiH4ガス、ゲルマンGeH4ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。p型a-Geは、GeH4ガス、B2H6ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。更に、i型a-SiCは、SiH4ガス、CH4ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。i型a-SiOは、SiH4ガス、O2ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。i型a-SiNは、SiH4ガス、NH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。i型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。i型a-SiGeは、SiH4ガス、GeH4ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。なお、i型非晶質膜1221としては、i型a-Geも想定されるが、i型a-Geは、n型単結晶シリコン基板121よりも光学バンドギャップが小さいので、i型a-Geをi型非晶質膜1221として用いた場合、開放電圧Vocの向上が困難である。光電変換素子200Aにおいては、非晶質膜122におけるi型非晶質膜1221の光学バンドギャップが開放電圧Vocを支配的に決定するからである。そこで、n型単結晶シリコン基板121の光学バンドギャップよりも大きい光学バンドギャップを有するi型a-SiC,i型a-SiO,i型a-SiN,i型a-SiCN,i型a-Si,i型a-SiGeをi型非晶質膜1221として用いることにした。更に、光電変換素子200Aにおいては、非晶質膜122は、p型非晶質膜1222のみからなっていてもよい。この場合、p型非晶質膜1222=p型a-Si等は、n型単結晶シリコン基板121の受光面121aおよび光入射層123に接してn型単結晶シリコン基板121の受光面121aと光入射層123との間に配置される。そして、p型非晶質膜1222=p型a-Si等は、n型単結晶シリコン基板121の受光面121aに対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子200Aにおいては、非晶質膜122がp型非晶質膜1222のみからなる場合も、上述した効果を得ることができる。実施例6図20は、実施例6における光電変換素子の構成を示す断面図である。図20を参照して、光電変換素子200Bは、p型単結晶シリコン基板131と、非晶質膜132と、光入射層133と、電極134,136と、パッシベーション膜135とを備える。非晶質膜132は、i型非晶質膜1321と、n型非晶質膜1322とを含む。p型単結晶シリコン基板131は、p型拡散領域52を含まない点を除いて、上述したp型単結晶シリコン基板51と同じである。i型非晶質膜1321は、p型単結晶シリコン基板131の受光面131aに接してp型単結晶シリコン基板131上に配置される。i型非晶質膜1321は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。n型非晶質膜1322は、i型非晶質膜1321に接してi型非晶質膜1321上に配置される。n型非晶質膜1322は、例えば、n型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。また、n型非晶質膜1322は、例えば、ドーパントとしてPを含み、P濃度は、例えば、1×1019cm-3である。光入射層133は、n型非晶質膜1322に接してn型非晶質膜1322上に配置される。光入射層133は、光入射層113と同じ材料からなり、数μmの膜厚を有する。そして、光入射層133は、光入射側の表面に凹部133aを含む凹凸構造を有する。凹部133aは、太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有し、p型単結晶シリコン基板131の面内方向において数μmのサイズを有する。また、凹部133aの平面形状は、図3のa~cに示す平面形状のいずれかからなる。電極134は、光入射層133に接して配置される。そして、電極134は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜135は、p型単結晶シリコン基板131の裏面受光面131aと反対側の表面に接して配置される。そして、パッシベーション膜135は、例えば、SiO2からなる。電極136は、p型単結晶シリコン基板131の裏面およびパッシベーション膜135に接して配置される。そして、電極136は、例えば、Alからなる。光電変換素子200Bは、図18および図19に示す工程a~工程iに従って製造される。この場合、i型a-Siからなるi型非晶質膜1321は、i型a-Siからなるi型非晶質膜1221と同じ材料ガスおよび同じ条件を用いてプラズマCVD法によって形成される。また、n型a-Siからなるn型非晶質膜1322は、20sccmのSiH4ガスと、150sccmのH2ガスと、水素希釈された50sccmのフォスフィンPH3ガスとを用いてプラズマCVD法によって形成される。そして、n型a-Siを形成するときの反応圧力は、13.3Pa~665Paの範囲であり、RFパワーは、16~80mW/cm2の範囲である。光電変換素子200Bにおいて、太陽光が光入射層133側から光電変換素子200Bに照射されると、p型単結晶シリコン基板131中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、p型単結晶シリコン基板131/非晶質膜132i型a-Si/n型a-Siによるpin接合によって分離され、電子は、i型非晶質膜1321およびn型非晶質膜1322を介して光入射層133=ITOへ到達し、光入射層133=ITOから電極134へ至る。一方、正孔は、拡散によってp型単結晶シリコン基板131の裏面側へ移動し、電極136へ到達する。電極134へ到達した電子は、電極134と電極136との間に接続された負荷を介して電極136へ到達し、正孔と再結合する。上述したように、p型単結晶シリコン基板131の受光面131aには、凹凸構造が形成されていないので、非晶質膜132が均一に形成される。また、非晶質膜132とp型単結晶シリコン基板131との界面の面積は、p型単結晶シリコン基板131の受光面131aを凹凸化した場合よりも小さくなる。また、i型非晶質膜1321は、p型単結晶シリコン基板131の受光面131aに対してパッシベーション膜として機能する。その結果、電子の再結合が抑制される。更に、光電変換素子200Bの製造プロセス中において、p型単結晶シリコン基板131の受光面を十分に洗浄できる。従って、光電変換素子200Bの変換効率を向上できる。なお、光電変換素子200Bは、p型単結晶シリコン基板131に代えてp型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。p型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有し、例えば、200μmの厚みを有する。また、光電変換素子200Bにおいては、電極136に接するように、BSF用のBを高濃度1×1020cm-3程度に含む高濃度拡散領域をp型単結晶シリコン基板131の一部に形成してもよい。更に、i型非晶質膜1321は、i型a-Siに限らず、i型a-SiC,i型a-SiO,i型a-SiN,i型a-SiCN,i型a-SiGeのいずれかからなっていてもよい。更に、n型非晶質膜1322は、n型a-Siに限らず、n型a-SiC,n型a-SiO,n型a-SiN,n型a-SiCN,n型a-SiGe,n型a-Geのいずれかからなっていてもよい。この場合、n型a-SiCは、SiH4ガス、CH4ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。n型a-SiOは、SiH4ガス、O2ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。n型a-SiNは、SiH4ガス、NH3ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。n型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。n型a-SiGeは、SiH4ガス、GeH4ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。n型a-Geは、GeH4ガス、PH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとして、プラズマCVD法によって形成される。更に、i型a-SiC等は、上述した各ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。なお、i型非晶質膜1321としてi型a-Geが除外される理由は、i型非晶質膜1221としてi型a-Geが除外される理由と同じである。更に、光電変換素子200Bにおいては、非晶質膜132は、n型非晶質膜1322のみからなっていてもよい。この場合、n型非晶質膜1322=n型a-Si等は、p型単結晶シリコン基板1321の受光面131aおよび光入射層133に接してp型単結晶シリコン基板131の受光面131aと光入射層133との間に配置される。そして、n型非晶質膜1322=n型a-Si等は、p型単結晶シリコン基板131の受光面131aに対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子200Bにおいては、非晶質膜132がp型非晶質膜1322のみからなる場合も、上述した効果を得ることができる。光電変換素子200Bについてのその他の説明は、光電変換素子200Aの説明と同じである。実施の形態3におけるその他の説明は、実施の形態1における説明と同じである。[実施の形態4]図21は、実施の形態4による光電変換素子の構成を示す断面図である。図21を参照して、実施の形態4による光電変換素子300は、単結晶シリコン基板141と、光入射層142と、i型非晶質膜151~15nと、非晶質膜161~16m,171~17m-1と、電極181~18nとを備える。単結晶シリコン基板141は、上述した単結晶シリコン基板61と同じである。光入射層142は、単結晶シリコン基板141の受光面141aに接して単結晶シリコン基板141上に配置される。そして、光入射層142は、図2に示す光入射層31~33のいずれかからなり、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部142aを光入射側に有する。凹部142aは、単結晶シリコン基板141の面内方向において数μmのサイズを有する。そして、凹部142aの平面形状は、図3のa~cに示す平面形状のいずれかからなる。i型非晶質膜151~15nの各々は、単結晶シリコン基板141の裏面受光面141aと反対側の面に接して設けられる。そして、i型非晶質膜151~15nの各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。非晶質膜161~16mは、単結晶シリコン基板141がn型の導電型を有する場合、n型の導電型を有し、単結晶シリコン基板141がp型の導電型を有する場合、p型の導電型を有する。このように、非晶質膜161~16mは、単結晶シリコン基板141の導電型と同じ導電型を有する。そして、非晶質膜161~16mは、それぞれ、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nに接して設けられる。非晶質膜171~17m-1は、単結晶シリコン基板141がn型の導電型を有する場合、p型の導電型を有し、単結晶シリコン基板141がp型の導電型を有する場合、n型の導電型を有する。このように、非晶質膜171~17mは、単結晶シリコン基板141の導電型と反対の導電型を有する。そして、非晶質膜171~17m-1は、それぞれ、i型非晶質膜152,154,,15n-1に接して設けられる。電極181,183,,18n-2,18nは、それぞれ、非晶質膜161~16mに接して設けられる。電極182,184,,18n-1は、それぞれ、非晶質膜171~17m-1に接して設けられる。そして、電極181~18nの各々は、例えば、Agからなる。i型非晶質膜151~15n、非晶質膜161~16mおよび非晶質膜171~17m-1は、図21の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。また、非晶質膜161~16mは、単結晶シリコン基板141の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nの幅と同じ幅を有する。更に、非晶質膜171~17m-1は、単結晶シリコン基板141の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜152,154,,15n-1の幅と同じ幅を有する。そして、非晶質膜171~17m-1の全体の面積が単結晶シリコン基板141の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、非晶質膜161~16mの全体の面積が単結晶シリコン基板141の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、非晶質膜171~17m-1の面積占有率を非晶質膜161~16mの面積占有率よりも大きくするのは、単結晶シリコン基板141中で光励起された電子および正孔をpin接合によって分離し易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。上述したように、単結晶シリコン基板141の受光面141aには、凹凸構造が形成されていないので、光入射層142のパッシベーション膜と単結晶シリコン基板141との界面の面積は、単結晶シリコン基板141の受光面141aを凹凸化した場合よりも小さくなる。その結果、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。また、光電変換素子300の製造プロセス中において、単結晶シリコン基板141の受光面141aを十分に洗浄できる。従って、光電変換素子300の変換効率を向上できる。なお、光電変換素子300は、i型非晶質膜151~15nを備えていなくてもよい。この場合、非晶質膜161~16mおよび非晶質膜171~17m-1は、単結晶シリコン基板141の裏面に接して形成される。従って、光電変換素子300は、ヘテロ接合からなるp/n接合を単結晶シリコン基板141の裏面側に配置した構造からなる。以下、光電変換素子300の実施例について説明する。実施例7図22は、実施例7における光電変換素子の構成を示す断面図である。図22を参照して、光電変換素子300Aは、図21に示す光電変換素子300の単結晶シリコン基板141をn型単結晶シリコン基板201に代え、非晶質膜161~16mをn型非晶質膜211~21mに代え、非晶質膜171~17m-1をp型非晶質膜221~22m-1に代えたものであり、その他は、光電変換素子300と同じである。n型単結晶シリコン基板201は、上述したn型単結晶シリコン基板121と同じである。n型非晶質膜211~21mは、それぞれ、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nに接して配置される。そして、n型非晶質膜211~21mの各々は、例えば、n型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。p型非晶質膜221~22m-1は、それぞれ、i型非晶質膜152,154,,15n-1に接して配置される。そして、p型非晶質膜221~22m-1の各々は、例えば、p型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。光電変換素子300Aにおいては、光入射層142は、n型単結晶シリコン基板201の受光面201aに接して配置される。また、i型非晶質膜151~15nは、n型単結晶シリコン基板201の裏面=受光面201aと反対側の表面に接して配置される。更に、電極181,183,,18n-2,18nは、それぞれ、n型非晶質膜211~21mに接して配置され、電極182,184,,18n-1は、それぞれ、p型非晶質膜221~22m-1に接して配置される。i型非晶質膜151~15n、n型非晶質膜211~21mおよびp型非晶質膜221~22m-1は、図22の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。また、n型非晶質膜211~21mは、n型単結晶シリコン基板201の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nの幅と同じ幅を有する。更に、p型非晶質膜221~22m-1は、n型単結晶シリコン基板201の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜152,154,,15n-1の幅と同じ幅を有する。そして、p型非晶質膜221~22m-1の全体の面積がn型単結晶シリコン基板201の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、n型非晶質膜211~21mの全体の面積がn型単結晶シリコン基板201の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、p型非晶質膜221~22m-1の面積占有率をn型非晶質膜211~21mの面積占有率よりも大きくするのは、n型単結晶シリコン基板201中で光励起された電子および正孔をpin接合によって分離し易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。図23から図26は、それぞれ、図22に示す光電変換素子300Aの製造方法を示す第1から第4の工程図である。光電変換素子300Aの製造が開始されると、シリコンインゴットをスライスしてn型単結晶シリコン基板を作製し、その作製したn型単結晶シリコン基板をフッ酸と硝酸との混合液によってエッチングし、スライスによるダメージ層を除去する。これによって、n型単結晶シリコン基板201が準備される図23の工程a参照。そして、i型a-Si膜220およびn型a-Si膜230をn型単結晶シリコン基板201の裏面受光面201aと反対側の表面上にプラズマCVD法によって順次積層する図23の工程b,c参照。この場合、i型a-Si膜220およびn型a-Si膜230の各々は、例えば、10nmの膜厚を有する。また、i型a-Si膜220の形成条件は、SiH4ガスの流量が10sccmであり、H2ガスの流量が100sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。また、n型a-Si膜230の形成条件は、SiH4ガスの流量が20sccmであり、H2ガスの流量が150sccmであり、PH3ガスの流量が100sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。なお、PH3ガスは、H2ガスによって希釈されており、その濃度は、0.2である。工程cの後、n型a-Si膜230の全面にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングしてレジストパターン240を形成する図23の工程d参照。そして、レジストパターン240をマスクとしてn型a-Si膜230をエッチングする。これによって、n型非晶質膜231~23mが形成される図23の工程e参照。その後、レジストパターン240/n型非晶質膜231~23m/n型単結晶シリコン基板201をフッ酸で洗浄し、p型a-Si膜250をn型単結晶シリコン基板201の裏面受光面201aと反対側の表面上にプラズマCVD法によって形成する図24の工程f参照。この場合、p型a-Si膜260がレジストパターン240上に形成される。また、p型a-Si膜250,260の形成条件は、SiH4ガスの流量が2sccmであり、H2ガスの流量が42sccmであり、B2H6ガスの流量が12sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。そして、レジストパターン240を除去する。この場合、p型a-Si膜260は、リフトオフによって除去される図24の工程g参照。引き続いて、n型非晶質膜231~23mおよびp型a-Si膜250の全面にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングしてレジストパターン270を形成する図24の工程h参照。この場合、n型非晶質膜231~23m上のレジストパターン270は、n型非晶質膜231~23mと同じ幅を有し、p型a-Si膜250上のレジストパターン270は、p型a-Si膜250よりも狭い幅を有する。そして、レジストパターン270をマスクとしてi型a-Si膜220およびp型a-Si膜250をエッチングし、レジストパターン270を除去する。これによって、i型非晶質膜151~15n、n型非晶質膜211~21mおよびp型非晶質膜221~22m-1が形成される図24の工程i参照。その後、APCVD法によってSiO2からなるパッシベーション膜271をn型単結晶シリコン基板201の受光面201a上に堆積する図25の工程j参照。引き続いて、APCVD法によってSiO2からなる反射防止膜272をパッシベーション膜271上に堆積する図25の工程k参照。工程kの後、図14の工程pと同じ方法によって、レーザ光によって反射防止膜272の表面を荒らし、表面に凹部273aを有する反射防止膜273を形成する図25の工程l参照。この場合、レーザ光としてNd:YAGレーザまたはNd:YVOレーザのレーザ光を用いる。このレーザ光は、532nmの波長、5kHzの発振周波数および0.1~0.5Wのパワーを有する。そして、レーザ光を走査して図3のa~cのいずれかのパターンからなる凹部273aを形成する。なお、図3のcに示すメッシュ状のパターンからなる凹部273aを形成する場合、レーザ光を上下左右5μm間隔でレーザ光を照射し、または一定の間隔5μmピッチでレーザ光を格子状に走査する。工程lの後、n型単結晶シリコン基板201をフッ酸に浸漬し、残渣の除去と反射防止膜273のエッチングとを行う。これによって、反射防止膜274が形成される。そして、パッシベーション膜271および反射防止膜274は、光入射層142を構成し、光入射層142は、サイズが3~5μmである凹部142aを光入射側の表面に有する図25の工程m参照。その後、電極181,183,,18n-2,18nをそれぞれn型非晶質膜211~21m上に形成し、電極182,184,,18n-1をそれぞれp型非晶質膜221~22m-1上に形成する。これによって、光電変換素子300Aが完成する図26の工程n参照。光電変換素子300Aにおいて、太陽光が光入射層142側から光電変換素子300Aに照射されると、n型単結晶シリコン基板201中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、光入射層142側へ拡散しても、光入射層142のパッシベーション膜271によるn型単結晶シリコン基板201のパッシベーション効果によって再結合し難く、n型非晶質膜211~21mおよびp型非晶質膜221~22m-1側へ拡散する。そして、n型非晶質膜211~21mおよびp型非晶質膜221~22m-1側へ拡散した電子および正孔は、n型単結晶シリコン基板201/i型非晶質膜152,154,,15n-1/p型非晶質膜221~22m-1=pin接合による内部電界によって分離され、正孔は、i型非晶質膜152,154,,15n-1およびp型非晶質膜221~22m-1を介して電極182,184,,18n-1へ到達し、電子は、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15n-1およびn型非晶質膜211~21m-1を介して電極181,183,,18n-2,18nへ到達する。電極181,183,,18n-2,18nへ到達した電子は、電極181,183,,18n-2,18nと電極182,184,,18n-1との間に接続された負荷を介して電極182,184,,18n-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子300Aは、n型単結晶シリコン基板201中で光励起された電子および正孔をn型単結晶シリコン基板201の裏面=受光面201aと反対側の表面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子300Aにおいては、n型単結晶シリコン基板201の受光面201aには、凹凸構造が形成されていないので、光入射層142のパッシベーション膜とn型単結晶シリコン基板201との界面の面積は、n型単結晶シリコン基板201の受光面201aを凹凸化した場合よりも小さくなる。その結果、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。また、光電変換素子300Aの製造プロセス中において、n型単結晶シリコン基板201の受光面201aを十分に洗浄できる。従って、光電変換素子300Aの変換効率を向上できる。なお、i型非晶質膜151~15nの各々は、i型a-Siに限らず、i型a-SiC,i型a-SiO,i型a-SiN,i型a-SiCN,i型a-SiGeのいずれかからなっていてもよい。また、n型非晶質膜211~21mは、n型a-Siに限らず、n型a-SiC,n型a-SiO,n型a-SiN,n型a-SiCN,n型a-SiGe,n型a-Geのいずれかからなっていてもよい。更に、p型非晶質膜221~22m-1は、p型a-Siに限らず、p型a-SiC,p型a-SiO,p型a-SiN,p型a-SiCN,p型a-SiGe,p型a-Geのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-SiC等、n型a-SiC等およびp型a-SiC等は、上述したガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子300Aは、i型非晶質膜151~15nを備えていなくてもよい。この場合、n型非晶質膜211~21m=n型a-Si等およびp型非晶質膜221~22m-1=p型a-Si等は、n型単結晶シリコン基板201の裏面に接して配置される。そして、n型非晶質膜211~21m=n型a-Si等およびp型非晶質膜221~22m-1=p型a-Si等は、n型単結晶シリコン基板201の裏面に対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子300Aにおいては、i型非晶質膜151~15nが無い場合も、上述した効果を得ることができる。更に、光電変換素子300Aは、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nを備えていなくてもよい。この場合、n型非晶質膜211~21m=n型a-Si等は、n型単結晶シリコン基板201の裏面に接して配置される。そして、n型非晶質膜211~21m=n型a-Si等およびi型非晶質膜152,154,,15n-1は、n型単結晶シリコン基板201の裏面に対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子300Aにおいては、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nが無い場合も、上述した効果を得ることができる。更に、光電変換素子300Aは、i型非晶質膜152,154,,15n-1を備えていなくてもよい。この場合、p型非晶質膜221~22m-1=p型a-Si等は、n型単結晶シリコン基板201の裏面に接して配置される。そして、p型非晶質膜221~22m-1=p型a-Si等およびi型非晶質膜151,153,,15n-2,15nは、n型単結晶シリコン基板201の裏面に対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子300Aにおいては、i型非晶質膜152,154,,15n-1が無い場合も、上述した効果を得ることができる。実施例8図27は、実施例8における光電変換素子の構成を示す断面図である。図27を参照して、光電変換素子300Bは、図22に示す光電変換素子300Aのn型単結晶シリコン基板201をp型単結晶シリコン基板301に代え、n型非晶質膜211~21mをp型非晶質膜311~31mに代え、p型非晶質膜221~22m-1をn型非晶質膜321~32m-1に代えたものであり、その他は、光電変換素子300Aと同じである。p型単結晶シリコン基板301は、上述したp型単結晶シリコン基板131と同じである。p型非晶質膜311~31mは、それぞれ、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nに接して配置される。そして、p型非晶質膜311~31mの各々は、例えば、p型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。n型非晶質膜321~32m-1は、それぞれ、i型非晶質膜152,154,,15n-1に接して配置される。そして、n型非晶質膜321~32m-1の各々は、例えば、n型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。光電変換素子300Bにおいては、光入射層142は、p型単結晶シリコン基板301の受光面301aに接して配置される。また、i型非晶質膜151~15nは、p型単結晶シリコン基板301の裏面=受光面301aと反対側の表面に接して配置される。更に、電極181,183,,18n-2,18nは、それぞれ、p型非晶質膜311~31mに接して配置され、電極182,184,,18n-1は、それぞれ、n型非晶質膜321~32m-1に接して配置される。i型非晶質膜151~15n、p型非晶質膜311~31mおよびn型非晶質膜321~32m-1は、図27の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。また、p型非晶質膜311~31mは、p型単結晶シリコン基板301の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nの幅と同じ幅を有する。更に、n型非晶質膜321~32m-1は、p型単結晶シリコン基板301の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜152,154,,15n-1の幅と同じ幅を有する。そして、n型非晶質膜321~32m-1の全体の面積がp型単結晶シリコン基板301の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、p型非晶質膜311~31mの全体の面積がp型単結晶シリコン基板301の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、n型非晶質膜321~32m-1の面積占有率をp型非晶質膜311~31mの面積占有率よりも大きくするのは、p型単結晶シリコン基板301中で光励起された電子および正孔をpin接合によって分離し易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。光電変換素子300Bは、図23から図26に示す工程a~工程nに従って製造される。光電変換素子300Bにおいて、太陽光が光入射層142側から光電変換素子300Bに照射されると、p型単結晶シリコン基板301中で電子および正孔が光励起される。光励起された電子および正孔は、光入射層142側へ拡散しても、光入射層142のパッシベーション膜によるp型単結晶シリコン基板301のパッシベーション効果によって再結合し難く、p型非晶質膜311~31mおよびn型非晶質膜321~32m-1側へ拡散する。そして、p型非晶質膜311~31mおよびn型非晶質膜321~32m-1側へ拡散した電子および正孔は、p型単結晶シリコン基板301/i型非晶質膜152,154,,15n-1/n型非晶質膜321~32m-1=pin接合による内部電界によって分離され、電子は、i型非晶質膜152,154,,15n-1およびn型非晶質膜321~32m-1を介して電極182,184,,18n-1へ到達し、正孔は、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15n-1およびp型非晶質膜311~31m-1を介して電極181,183,,18n-2,18nへ到達する。電極182,184,,18n-1へ到達した電子は、電極181,183,,18n-2,18nと電極182,184,,18n-1との間に接続された負荷を介して電極181,183,,18n-2,18nへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子300Bは、p型単結晶シリコン基板301中で光励起された電子および正孔をp型単結晶シリコン基板301の裏面=受光面301aと反対側の表面から取り出すバックコンタクト型の光電変換素子である。そして、光電変換素子300Bにおいては、p型単結晶シリコン基板301の受光面301aには、凹凸構造が形成されていないので、光入射層142のパッシベーション膜とp型単結晶シリコン基板301との界面の面積は、p型単結晶シリコン基板301の受光面301aを凹凸化した場合よりも小さくなる。その結果、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。また、光電変換素子300Bの製造プロセス中において、p型単結晶シリコン基板301の受光面301aを十分に洗浄できる。従って、光電変換素子300Bの変換効率を向上できる。なお、p型非晶質膜311~31mは、p型a-Siに限らず、p型a-SiC,p型a-SiO,p型a-SiN,p型a-SiCN,p型a-SiGe,p型a-Geのいずれかからなっていてもよい。また、n型非晶質膜321~32m-1は、n型a-Siに限らず、n型a-SiC,n型a-SiO,n型a-SiN,n型a-SiCN,n型a-SiGe,n型a-Geのいずれかからなっていてもよい。そして、n型a-SiC等およびp型a-SiC等は、上述したガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子300Bは、i型非晶質膜151~15nを備えていなくてもよい。この場合、p型非晶質膜311~31m=p型a-Si等およびn型非晶質膜321~32m-1=n型a-Si等は、p型単結晶シリコン基板301の裏面に接して配置される。そして、p型非晶質膜311~31m=p型a-Si等およびn型非晶質膜321~32m-1=n型a-Si等は、p型単結晶シリコン基板301の裏面に対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子300Bにおいては、i型非晶質膜151~15nが無い場合も、上述した効果を得ることができる。更に、光電変換素子300Bは、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nを備えていなくてもよい。この場合、p型非晶質膜311~31m=p型a-Si等は、p型単結晶シリコン基板301の裏面に接して配置される。そして、p型非晶質膜311~31m=p型a-Si等およびi型非晶質膜152,154,,15n-1は、p型単結晶シリコン基板301の裏面に対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子300Bにおいては、i型非晶質膜151,153,,15n-2,15nが無い場合も、上述した効果を得ることができる。更に、光電変換素子300Bは、i型非晶質膜152,154,,15n-1を備えていなくてもよい。この場合、n型非晶質膜321~32m-1=n型a-Si等は、p型単結晶シリコン基板301の裏面に接して配置される。そして、n型非晶質膜321~32m-1=n型a-Si等およびi型非晶質膜151,153,,15n-2,15nは、p型単結晶シリコン基板301の裏面に対してパッシベーション膜として機能する。従って、光電変換素子300Bにおいては、i型非晶質膜152,154,,15n-1が無い場合も、上述した効果を得ることができる。光電変換素子300Bについてのその他の説明は、光電変換素子300Aの説明と同じである。また、実施の形態4におけるその他の説明は、実施の形態1における説明と同じである。上述した光電変換素子10は、結晶シリコン基板1の光入射側にp/n接合を有する光電変換素子であり、光電変換素子100は、単結晶シリコン基板61の光入射側と反対側にp/n接合を有する光電変換素子であり、光電変換素子200は、結晶シリコン基板111の光入射側にp/n接合を有する光電変換素子であり、光電変換素子300は、単結晶シリコン基板141の光入射側と反対側にp/n接合を有する光電変換素子である。従って、この発明の実施の形態による光電変換素子は、受光面に凹凸構造が形成されていない結晶シリコンからなる半導体基板と、半導体基板の受光面上に形成され、光入射側の表面が太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造になっている光入射層と、半導体基板の受光面側または受光面と反対側に配置された接合部とを備えていればよい。このような構成からなる光電変換素子においては、凹凸構造が半導体基板の受光面に形成されていないので、光入射層と半導体基板との界面の面積は、半導体基板の受光面を凹凸化した場合よりも小さくなる。その結果、キャリア電子および正孔の再結合が抑制される。また、光電変換素子の製造プロセス中において、半導体基板の受光面を十分に洗浄できる。従って、光電変換素子の変換効率を向上できるので、この発明の実施の形態による光電変換素子は、上述した構成からなっていればよい。また、この発明の実施の形態による光電変換素子の製造方法は、上述した構成を有する光電変換素子を製造する方法であればよい。従って、この発明の実施の形態による光電変換素子の製造方法は、受光面に凹凸構造が形成されていない結晶シリコンからなる半導体基板の受光面上に光入射層を形成する第1の工程と、光入射層の光入射側の表面に太陽光の入射方向へ突出した半球状の断面形状を有する凹凸構造を形成する第2の工程と、半導体基板の受光面側または受光面と反対側に接合部を形成する第3の工程とを備えていればよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"