半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための第1のセットの貫通孔を有するガス分配プレートと、前記ガス分配プレート上に噴霧されるコーティング材料とを含み、前記コーティング材料は前記半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための前記第1のセットの貫通孔に合わせて配置された第2のセットの貫通孔を有する、半導体プロセスチャンバ内で用いられるためのガス分配シャワーヘッドアセンブリ。前記コーティング材料はプラズマ噴霧されたコーティングである請求項1のガス分配シャワーヘッドアセンブリ。前記コーティング材料は、イットリア、YAG、Y2O3/2OZrO2、Y2O3、Al2O3/YAG、アドバンスドコーティング材料、Y2O3/ZrO2/Nb2O5、ZrO2/3Y2O3、及びY2O3/ZrO2/HfO2の材料のうちの少なくとも1つ、又は、それらの材料の組み合わせを含む請求項2のガス分配シャワーヘッドアセンブリ。前記アドバンスドコーティング材料はYtO3、AlO3及びZrO3を含む請求項3のガス分配シャワーヘッドアセンブリ。前記第1のセットの貫通孔は約0.070インチから0.090インチの直径を有し、前記第2のセットの貫通孔は約0.010インチから0.030インチに直径を有し、前記コーティング材料の厚さは約0.020インチから0.030インチであり、前記第2のセットの貫通孔のうちの2つは前記第1のセットの貫通孔の各貫通孔に合わせて配置されている請求項1のガス分配シャワーヘッドアセンブリ。半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための第1のセットの貫通孔を有するガス分配プレートを提供し、前記ガス分配プレート上にコーティング材料をプラズマ噴霧すること、を含むガス分配シャワーヘッドアセンブリを作製する方法。前記コーティング材料の厚さを低減するために前記コーティング材料の一部分を除去することをさらに含む請求項6の方法。前記コーティング材料内に第2のセットの貫通孔を形成し、前記第2のセットの貫通孔は前記第1のセットの貫通孔に合わせて配置されることをさらに含む請求項6の方法。前記コーティング材料はイットリアを含む請求項6の方法。前記コーティング材料は、YAG、Y2O3/2OZrO2、Y2O3、Al2O3/YAG、アドバンスドコーティング材料、Y2O3/ZrO2/Nb2O5、ZrO2/3Y2O3、及びY2O3/ZrO2/HfO2の材料のうちの少なくとも1つ、又は、それらの材料の組み合わせを含む請求項6の方法。前記アドバンスドコーティング材料はYtO3、AlO3及びZrO3を含む請求項6の方法。前記第1のセットの貫通孔は約0.070インチから0.090インチの直径を有し、前記第2のセットの貫通孔は約0.010インチから0.030インチの直径を有する請求項6の方法。半導体プロセスチャンバにプロセスガスを分配するための第1のセットの貫通孔を有するガス分配プレートと、前記ガス分配プレート上に噴霧されたコーティング材料とを含み、前記コーティング材料は前記半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための前記第1のセットの貫通孔に合わせて配置された第2のセットの貫通孔を有するシャワーヘッドアセンブリと、前記シャワーヘッドアセンブリに結合され、前記シャワーヘッドアセンブリをバイアスするRF電源とを備えた半導体プロセスチャンバ。前記コーティング材料はプラズマ噴霧されたコーティングである請求項13の半導体プロセスチャンバ。前記コーティング材料は、イットリア、YAG、Y2O3/2OZrO2、Y2O3、Al2O3/YAG、アドバンスドコーティング材料、Y2O3/ZrO2/Nb2O5、ZrO2/3Y2O3、及びY2O3/ZrO2/HfO2の材料のうちの少なくとも1つ、又は、それらの材料の組み合わせを含む請求項14の半導体プロセスチャンバ。