"基材シートの少なくとも片側の表面に表面導電層が形成されてなる電子部品包装用シートにおいて、前記基材シートが、次の質量平均分子量Mwをそれぞれ有するスチレン-共役ジエンブロック共重合体A、ポリスチレン樹脂B、及び耐衝撃性ポリスチレン樹脂Cの各成分を含んでなり、A成分:Mw=80,000~220,000B成分:Mw=200,000~400,000C成分:Mw=150,000~210,000前記表面導電層が、アクリル系共重合体樹脂DとカーボンナノチューブEを含んでなる、電子部品包装用シート。A成分中のスチレン系単量体の重合体ブロックのGPCで測定したピーク分子量が30,000~120,000の範囲内であって、前記スチレン系単量体の重合体ブロックの分子量分布曲線の半値幅が0.8~1.25の範囲である請求項1に記載の電子部品包装用シート。C成分中のグラフトゴム中のゴム成分が、1,3-ブタジエンブタジエン、2-メチル-1,3-ブタジエンイソプレン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、1,3-ヘキサジエン、2-メチルペンタジエンからなる群から選択されるジエン系ゴム単量体であるか、又はジエン成分が50質量以上のスチレン-共役ジエンブロック共重合体の熱可塑性エラストマーである請求項1又は2に記載の電子部品包装用シート。C成分中のグラフトゴムの粒子径がφ2.0~3.0μmであり、前記基材シート中のグラフトゴムのゴム分が0.75~1.90質量である請求項1から3のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。前記基材シートが、前記A成分が29~65質量、前記B成分が51~15質量、及び前記C成分が20~9質量の樹脂組成物から形成されてなる請求項1から4のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。前記基材シートの220°Cにおける溶融張力が10~30mNである請求項1から5のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。前記表面導電層中の前記カーボンナノチューブが、直径3~15nm、長さ0.5~3μmのマルチウォールカーボンナノチューブであり、前記表面導電層中の当該マルチウォールカーボンナノチューブの含有量が3~10質量である請求項1から6のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。前記表面導電層中の前記アクリル系共重合体樹脂Dの水系分散液中での粒子径が80nm~350nmである請求項1から7のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。前記表面導電層中の前記アクリル系共重合体樹脂Dのガラス転移温度Tgが25~80°Cである請求項1から8のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。熱成形時の延伸倍率が1.5倍から3.5倍の成形体での表面抵抗値が105Ω台から107Ω台を発現する請求項1から9のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。基材シートの表面に形成されている導電層の静摩擦係数が0.85以上2.50以下、動摩擦係数が0.85以上2.50以下である請求項1から10のいずれか一項に記載の電子部品包装用シート。請求項1から11のいずれか一項に記載の電子部品包装用シートを製造する方法において、分子中に芳香族を有するスルホン酸系分散剤の水溶液中にカーボンナノチューブをビーズミルにより一次分散させ、さらに超音波分散液により二次分散させた前記カーボンナノチューブの分散液と前記アクリル系共重合体の水系分散液を混合させて混合分散液を調製し、前記基材シートの少なくとも片側の表面に前記混合分散液を塗布する工程を含む製造方法。請求項1から11のいずれか一項に記載の電子部品包装用シートを熱成形してなる成形体。エンボスキャリアテープである請求項13に記載の成形体。以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。本発明の一実施形態に係る電子部品包装用シートは、基材シートの少なくとも片側の表面に表面導電層が形成されてなる。基材シートはそれぞれ特定の質量平均分子量を有するスチレン-共役ジエンブロック共重合体A、ポリスチレン樹脂B、及び耐衝撃性ポリスチレン樹脂Cの各成分を含む樹脂組成物から形成されるものであり、表面導電層は、アクリル系共重合体樹脂DとカーボンナノチューブEを含んでなる。スチレン-共役ジエンブロック共重合体Aとは、その構造中にスチレン系単量体を主体とする重合体ブロックと共役ジエン単量体を主体とする重合体ブロックを含有する重合体である。スチレン系単量体としてはスチレン、o-メチルスチレン、p-メチルスチレン、p-tert-ブチルスチレン、1,3-ジメチルスチレン、α-メチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、1,1-ジフェニルエチレン等がある。本発明において特に好ましい実施形態では、スチレンが主体であるが、スチレン以外のこれらの他の成分を微量成分として1種以上含むものであってもよい。共役ジエン単量体とはその構造中に共役二重結合を有する化合物であり、例えば1,3-ブタジエンブタジエン、2-メチル-1,3-ブタジエンイソプレン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、1,3-ヘキサジエン、2-メチルペンタジエン等があり、なかでもブタジエン、イソプレンが好適である。共役ジエン単量体は一種類あるいは二種類以上を用いることができる。スチレン系単量体を主体とする重合体ブロックとはスチレン系単量体に由来する構造のみからなる重合体ブロックと、スチレン系単量体に由来する構造を50質量以上含有する重合体ブロックのいずれをも意味する。共役ジエン単量体を主体とする重合体ブロックとは共役ジエン単量体に由来する構造のみからなる重合体ブロックと、共役ジエン単量体に由来する構造を50質量以上含有する重合体ブロックのいずれをも意味する。スチレン-共役ジエンブロック共重合体Aの共役ジエン含有量は、A成分を100質量としたとき、10~25質量が、基材シートの機械特性の点から好ましい。ここで、共役ジエン含有量とは共役ジエン単量体に由来する構造の全共重合体中に占める質量の割合を意味する。スチレン-共役ジエンブロック共重合体Aは一種類あるいは二種類以上を用いることができる。本発明において、スチレン-共役ジエンブロック共重合体とは、例えば共役ジエンがブタジエンである場合、スチレン-ブタジエンSBの二元共重合体およびスチレン-ブタジエン-スチレンSBSの三元共重合体SBSのいずれであってもよく、スチレンブロックが3つ以上でブタジエンブロックが2つ以上の複数のブロックで構成される樹脂であってもよい。更に、各ブロック間のスチレンとブタジエンの組成比が連続的に変化するようないわゆるテーパーブロック構造を有するものであってもよい。また、スチレン-共役ジエンブロック共重合体は市販のものをそのまま用いることもできる。本発明に使用するスチレン-共役ジエンブロック共重合体Aは、好ましくはその成分中のスチレン系単量体の重合体ブロックのGPCで測定したピーク分子量が30,000~120,000の範囲内であって、スチレン系単量体ブロックの分子量分布曲線の半値幅が0.8~1.25の範囲、より好ましくは1.05~1.25の範囲である。この範囲のものを用いることによって、良好な成形性が得られる。A成分のスチレンブロックの分子量分布曲線は、以下の方法によって求めることができる。まずA成分を、I.M.KOLTHOFF,etal.,J.Polym.Sci.,1,4291946に記載の方法に準拠して、四酸化オスミウムを触媒としてクロロホルムにより酸化分解を実施し、これにより得たスチレンブロックをテトラヒドロフラン溶媒に溶解し、GPC法により得たものである。そして、この分子量曲線より標準ポリスチレン単分散を用いたスチレン換算のピーク分子量を求めることができる。この際のGPC法の測定は常法によるが、主要な測定条件は以下のとおりである。カラム温度:40°C検出方法:示差屈折法移動相:テトラヒドロフランサンプル濃度:2質量検量線:標準ポリスチレン単分散により作成このスチレンブロックの分子量分布曲線を用いて、その半値幅を求めることができる。具体的には、分子量を対数表示で横軸の1,000~1,000,000の範囲を15cmとして、縦軸に濃度質量比を任意の高さで表示し、ピークトップの高さの50のピークの横軸の幅を半値幅とする。この場合、ピークトップの高さは横軸に垂直であり、高さの50のピークの幅は横軸に水平であることが必要である。スチレンブロックの分子量分布曲線の半値幅は、ブロック共重合体の分子量分布と相関している。この分子量分布を調節する方法は特に限定されるものではないが、例えばA成分のスチレンブロック部分の重合時に、開始剤を添加する時間を調節する方法等で、分子量の異なるブロック共重合体を得ることができる。ポリスチレン樹脂Bとは、単量体としてスチレンが主体であるが、微量成分としてo-メチルスチレン、p-メチルスチレン、p-tert-ブチルスチレン、1,3-ジメチルスチレン、α-メチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、1,1-ジフェニルエチレン等の芳香族ビニル化合物の1種以上を含有するものであってもよく、一般にGPPSと言われている樹脂であり、市販の樹脂を用いることもできる。耐衝撃性ポリスチレン樹脂Cとは、一般にHIPSと言われている樹脂であって、スチレン系単量体がグラフトした微粒子状のグラフトゴムを含有するポリスチレン樹脂を指す。グラフトゴムとは、下記のゴム成分にスチレン系単量体をグラフト共重合させてグラフト枝を形成したものを指す。成分中のグラフトゴム含有量は、MEKとアセトンの質量比50/50の混合溶媒に溶解した時の不溶分を遠心分離で回収し、その質量の値から算出することができる。グラフトゴム中のゴム成分としては、例えば1,3-ブタジエンブタジエン、2-メチル-1,3-ブタジエンイソプレン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン、1,3-ヘキサジエン、2-メチルペンタジエン等を単量体とするジエン系ゴムが用いられる。また、ジエン成分が50質量以上のスチレン-共役ジエンブロック共重合体の熱可塑性エラストマーを用いることもできる。中でも、ポリブタジエンやスチレン-ブタジエンブロック共重合体が好ましい。C成分中のグラフトゴムは、その粒子径がφ2.0μm以上φ3.0μm以下、好ましくはφ2.3μm以上φ2.7μm以下の範囲にあるものが、基材シートの透明性及び強度物性に優れるため、好ましい。ここでいうグラフトゴム粒子径は、レーザー回折方式粒子アナライザーにより測定したグラフトゴム分の平均粒子径を意味する。また本発明に係る基材シートは、基材シートを100質量としたときの基材シート中のグラフトゴムのゴム量を0.75~1.90質量とすることが、基材シートの耐衝撃性および透明性のバランスをとる上で好ましく、C成分中のグラフトゴムのゴム量と、基材シート中のC成分の配合比率を調整して、基材シート中のゴム量を上記の範囲内とすることが好ましい。基材シートは、好ましくは、A成分が29~65質量、B成分が51~15質量、C成分が20~9質量で、A~Cの合計が100質量の樹脂組成物から形成する。この範囲の組成とすることによって、強度物性、耐衝撃性、透明性のいずれもが満足できる基材シートが得られる。本発明の一実施形態に係る電子部品包装用シートの基材シートにおいては、前記A~Cの各成分として、その質量平均分子量がそれぞれ下記の範囲にある樹脂を特に用いる。A成分:Mw=80,000~220,000B成分:Mw=200,000~400,000C成分:Mw=150,000~210,000ここで、質量平均分子量は、GPCを用いる常法で求めた標準ポリスチレン換算の分子量分布曲線より求めることができる。このような質量平均分子量の範囲の樹脂を前記A~Cの各成分として用いることによって、この樹脂組成物の溶融張力を適切な範囲に調整することが可能となるばかりでなく、強度物性のバランスおよび透明性が良好な基材シートが得られ、得られた基材シートを、その表面に導電層を形成してからキャリアテープ等に熱成形する際に、その成形性が極めて良好となり、深絞り成形しても良好なポケットを成形することが可能となる。ここで、溶融張力は、溶融張力測定装置を使用して、オリフィス径1.0mmφ、オリフィス長10mm、巻取り速度10、30、50m/minにて溶融張力メルトテンション:mNを測定した値である。前記範囲の質量平均分子量を有するA~C成分を用いることにより、またそれに加えて必要に応じて各A~C成分の配合比を調整することにより、形成される樹脂組成物の220°Cにおける溶融張力を、好ましくは10~30mNの範囲に調整する。溶融張力をこの範囲にすると、基材シートを熱成形して容器とする際の成形加工性が特に良好な基材シートが得られる。溶融張力が10mN未満では、基材シートを熱成形する際に穴空きが発生してしまう場合があり、30mNを超えると成形品ポケットの賦形性が不良になる場合がある。A~C成分を含んでなる樹脂組成物を用いて、本発明の基材シートを製造する方法は特に限定されるものではなく、一般的な方法で製造することができる。例えばA~Cの各成分を、所定の割合で配合して一般的に使用されているタンブラーのような混合機を用いて混合し、押出機で混練りしてペレット状コンパウンドとする。このペレット状のコンパウンドをφ65mm押出機とTダイを用いて押出成形して、基材シートを製造することができる。また、基材シート押出工程で発生する所謂耳の部分等を粉砕し、基材シートの強度、成形加工後の成形品に大きな影響の無い範囲で基材シートに戻すことができる。基材シートの厚みは特に限定されるものではないが、その用途からして通常50μm~3mm、好ましくは100μm~1mm、特に好ましくは150~600μmである。前記基材シートの少なくとも片側の表面に形成される表面導電層は、カーボンナノチューブとアクリル系共重合体樹脂を含んでなる。カーボンナノチューブとしては、マルチウォールカーボンナノチューブMWCNTを用いるのが好ましい。MWCNTは、直径が異なる複数の円筒状カーボン壁からなるチューブが中心軸線の周りに多層に重なって構成されており、このカーボン壁は、カーボンの六角網目構造によって形成されている。MWCNTは、上記カーボン壁が渦巻き状に多層に形成されているものでもよい。好ましいMWCNTは、このカーボン壁が2~30層、より好ましくは2~15層重なったものであり、そのようなMWCNTを用いると、得られる導電性透明被膜の透明性がより一層向上する。更に具体的には、直径φ3~15nm、長さ0.5~3μmのMWCNTを用いるのが好ましい。水性組成物中においてMWCNTは1本ずつ分離した状態で分散していてもよいし、または複数本が束になった状態で分散していてもよい。アクリル系共重合体樹脂は、バインダーとして好ましくは水系分散液の形態で使用されるもので、その粒子径平均粒子径はここではメジアン径の値である。は80nm~350nmであることが好ましく、更に好ましくは100~250nmである。粒子径が80~350nmの範囲のものを用いれば、静摩擦係数及び動摩擦係数を0.85以上2.50以下に調整することが可能である。粒子径が80nm未満のアクリル系共重合体樹脂を使用すれば、コーティング後の透明性をより向上させることが可能であるが、静摩擦係数及び動摩擦係数が0.85未満となり、ブロッキング及びブロッキングによる導電層の剥がれが起きる可能性がある。一方、静摩擦係数及び動摩擦係数を増加させるためには、アクリル系共重合体樹脂の粒子径を350nm以上にすればよいが、今度は透明性が低下する可能性がある。またアクリル系共重合体樹脂はガラス転移温度Tgが25~80°Cであることが、本発明のシートの熱成形後の導電性を適切に維持する点で好ましい。基材シート表面へのカーボンナノチューブとアクリル系共重合体樹脂とを含んでなる表面導電層の形成は、前述の特許文献4や特開2005-290045号公報に記載されているような公知の方法で行うことができる。本発明の好ましい実施形態においては、まず、分子中に芳香族を有するスルホン酸系分散剤の水溶液中にカーボンナノチューブを、ビーズミルにより一次分散させ、さらに超音波分散により二次分散させてカーボンナノチューブ分散液を調製し、これにバインダーとしてのアクリル系共重合体の水系分散液を混合させて、カーボンナノチューブとアクリル系共重合体樹脂の混合分散液を調製する。次いで、この混合分散液を、基材シートの少なくとも片側の表面に、例えばグラビアコーター等によって塗工した後、乾燥させて表面導電層を形成させる。上記のように、基材シートを、所定の質量平均分子量を有する樹脂成分A~Cを含んでなる樹脂組成物から形成し、カーボンナノチューブEとアクリル系共重合体樹脂Dを含んでなる表面導電層をその表面に形成することにより、熱成形性に優れ、成形後の透明性が悪化することがなく、表面抵抗値も満足できる程度に保たれた、エンボスキャリアテープ等の電子部品包装用シートが得られる。特に、表面導電層中に好ましくは直径φ3~15nm、長さ0.5~3μmのカーボンナノチューブ、特にMWCNTを、好ましくは3~10質量含む表面導電層を形成させた基材シートからキャリアテープ等に熱成形する場合、表面導電層の成形性は極めて良好であり、かつ成形後も表面導電層は良好な透明性を示す。以下、本発明の電子部品包装用シートの実施例1~18、比較例1~7を表1~6、図1~3を用いて説明する。表1-1から表1-3は、実施例、比較例で用いた、基材シートの樹脂組成物のA、B、C各成分の仕様を示したものである。表1-1は、スチレン-共役ジエンブロック共重合体Aの組成物の質量平均分子量Mwと、ブタジエン/スチレンの質量比、および成分中のスチレンブロックのピーク分子量、スチレンブロックのピーク半値幅を示したものである。表1-2は、ポリスチレン樹脂Bの組成物の質量平均分子量Mwを示したものである。表1-3は、C耐衝撃性ポリスチレン樹脂の組成物の質量平均分子量Mw、グラフトゴム分質量及びグラフトゴム平均粒子径μmを示したものである。表2-1~表2-2は、実施例、比較例で用いた、表面導電層のD、E各成分の仕様を示したものである。表2-1はDアクリル系共重合体樹脂の組成質量、並びに樹脂のガラス転移点°C、平均粒子径について、表2-2はカーボンナノチューブCNTEの形状について示したもので、E-1のNC7000は、ナノシルNanocyl社製のMWCNTであり、E-2のグラフィストレングスGraphistrengthC100は、アルケマArkema社製のMWCNTである。表3は、実施例1~18、比較例1~7で用いた基材シートの、A、BおよびC各成分の質量構成比、及び基材シート中のグラフトゴム量を示したもので、表4は、基材シートの樹脂組成物を巻取り速度10、30、50mm/minで測定した溶融張力を示したものである。溶融張力の測定方法については後述する。表5は、実施例1~18、比較例1~7の基材シート上に形成させた表面導電層の、Dアクリル系共重合体樹脂と、Eカーボンナノチューブの質量構成比を示したものである。比較例2においては、カーボンナノチューブの代りに粒径φ10nmの酸化スズを用いた。又、比較例7においては、バインダーとして、アクリル系共重合体樹脂の水系分散液の代りに水溶性エポキシ樹脂ビスフェノールA型の水性分散液を用いた。<実施例1>表3に示したように、表1-1に示したA-1のスチレン-ブタジエンブロック共重合体AMw:150,000、ブタジエン含有量20質量を58質量、表1-2に示したB-1のポリスチレン樹脂BMw:330,000を33質量、表1-3に示したC-1の耐衝撃性ポリスチレン樹脂CMw:180,000、ゴム粒子径2.5μmを9質量ドライブレンドし、φ40mm押出機L/D=26および600mm幅のTダイスにより製膜し、厚さ250μmの基材シートを得た。また、表2-2に示したE-1のマルチウォールカーボンナノチューブMWCNTE5質量部の水系分散液と、表2-1に示したD-1のアクリル系共重合体Dガラス転移点:40°C95質量部の水系分散液とを混合し、表5に示したように、基材シートの表面上に形成された導電層中の構成比が、5質量/95質量となるように調整した混合分散液を得た。次いで、この混合分散液を、グラビアコーターにおいて、乾燥後の平均塗工厚:3μmで塗工できるグラビアロールを用いて、コロナ処理した基材シート表面にコーティングし、これを90°Cで乾燥して表面導電層を形成させた。この表面導電層を形成させた基材シートについて、評価試験を行った結果を表6に示した。<実施例2~18、比較例1~7>A~Cの樹脂成分として表1-1に示したA-1~A-6、表1-2に示したB-1~B-6、及び表1-3に示したC-1~C-6より選択した樹脂を用いて、表3に示した質量比で配合して基材シートを調製し、また表5に示したように、表2-1に示したD-1~D-5、及び表2-2に示したE-1、E-2より選択したD、E成分の水系混合分散液を調製したこと以外は、実施例1と同様にして表面導電層を形成させた基材シートを得た。なお、実施例1~18のうち、実施例10のみ、MWCNTとして表2-2に示したE-2を用いた。実施例15はアクリル系共重合体としてD-4、実施例16はアクリル系共重合体としてD-5を用いた。比較例1~7のうち、比較例1はMWCNTを含まない。比較例2では、MWCNTの代りに粒径φ10nmの酸化スズを用いた。比較例3ではB成分として表1-2に示したB-5のポリスチレン質量平均分子量Mw:470、000を用い、比較例4では成分として表1-2に示したB-6、C成分として表1-3に示したC-5の耐衝撃性ポリスチレン質量平均分子量Mw:100,000を用いた。比較例5はB成分及びC成分を含まず、比較例6はB成分を含まない。比較例7では、バインダーとして、アクリル系共重合体樹脂の水系分散液の代りに水溶性エポキシ樹脂ビスフェノールA型の水性分散液を用いた。各実施例、比較例について、評価結果を、表6に纏めて示した。<測定と評価>実施例1~18、比較例1~7で用いた原料樹脂、及びそれら原料樹脂から調製した基材シート表面に表面導電層を形成後、エンボス成形した成形品を下記の測定方法によって評価した。原料樹脂の分子量A~Cの各樹脂原料の分子量を、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いて標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwを求めた。測定溶媒はテトラヒドロフランを用いた。原料樹脂の溶融張力溶融張力は、溶融張力測定装置を使用して、オリフィス径φ1.0mm、オリフィス長10mm、巻取り速度10、30、50m/min、シリンダー温度:220°Cにて溶融張力メルトテンション:mNを測定した。原料樹脂のガラス転移温度アクリル系共重合体樹脂を水分散させた分散液を90°C×1minで乾燥し、薄膜化したサンプルを測定サンプルとして用い、DSC示差走査熱量測定:SII社製を用いて測定した。アクリル系共重合体樹脂の粒子径堀場製作所社製レーザ回折散乱式粒度分布測定装置LA-920を用いて測定した平均粒子径はここではメジアン径の値である。摩擦係数測定摩擦測定機東洋精機製作所製を用いて、JIS‐7125に準拠し、静摩擦係数、動摩擦係数を測定した。サンプルサイズは63mm×63mmとし、200gの荷重をかけ、速度は500mmminで測定をした。また、静摩擦係数、動摩擦係数は導電層同士の摩擦係数である。ブロッキング基材シート両面へコーティングしたシートサンプルを44mm巾にスリットし、200m巻きのスリット原反を作製した。スリット原反を40°C×90RH環境下に1週間保管した。1週間後、スリット原反を取り出し、シートを巻き出した。巻き出し後、重ね合わさっていた基材シート表面の導電層同士のブロッキングの有無、ブロッキングによる導電層の剥れは、重ね合わさっていた導電層同士の表面抵抗値をJISK6911に準拠し23°C×50RH環境下で測定し、表面抵抗値の増加が見られるか判断した。シートの成形性圧空成形機で、各実施例および比較例の表面導電層を形成させた基材シートを用いて、延伸倍率:1.8倍ポケット深さ3.0mm、延伸倍率:2.8倍ポケット深さ6.0mm、延伸倍率:3.2倍ポケット深さ9.0mm、延伸倍率4.0倍ポケット深さ12.0mmのポケットを成形し、その際の賦形性を、成形品のシャープさにより5段階で評価した。また、成形の際にポケットの穴空きの発生の有無を目視で観察した。表面導電層については、ひび割れの有無を目視または顕微鏡で観察した。図1に圧空成形機において成形して得られた成形品を示す。延伸倍率は成形品の各寸法を基に下記の式を用いて算出した。また、本成形品はポケットの底面積とポケットの開口部の面積がほぼ等しくなっている。延伸倍率の計算方法延伸倍率=ポケット面積ポケット開口部面積=22X:成形品進行方向、Y:成形品進行方向と垂直の方向、Z:ポケット深さ<成形条件>圧空成形:ヒーター温度220°C<賦形性の評価基準>図2に示したように、ポケット20を成形した各成形品10のポケット角11を観察し、図2に示した1~5の見本に従って、目視でシャープさを5段階評価した。成形品の透明性圧空成形機において成形して得られた成形品のポケット側面をそれぞれ切り出し、φ6mm28.26mm2の穴を空けた黒い板で挟み、ドイツのビックガードナーBYKGardner社のHaze-gardplusを活用してASTMD1044に準拠して成形品の底面のHazeを測定した。Hazeの基準値は成形品に搬入した部品を確認できる透明性を付与することを目的とするため、成形品底面でのHazeは15以下とした。成形品の表面抵抗値23°C×50RH環境下で測定した。表面抵抗値測定は三菱化学社製ハイレスタを用い、プローブは2端子プローブUAを用いた。また、成形品はポケット全体の表面抵抗値を測定するために図3に示すような方法で測定を行った。又、成形した際のポケット底面及び側面の導電層の割れの有無を目視で観察した。ポケットの両端のフランジ12a、12bに2端子のプローブをプローブ端子接触位置50a、50bに当て、測定をする。この時、キャリアテープ成形品10のシール部分13a、13bが残っているとシール部分13a、13bに導電回路40が出来ており、ポケット20全体の測定が出来ない。そこで、図3に示したように、シール部分13a、13bを切断位置30a、30bの破線に沿って切り落とし、更に、ポケット側面60a、60bを切り落とし、絶縁材の冶具に固定し測定を行った。表面抵抗値の基準値は、熱成形時の延伸倍率が1.5倍から3.5倍の成形体で105台以下、成形品で107台以下とした。成形品の座屈強度ストログラフ東洋精機製作所製を用いて、圧空成形機において成形して得られた成形品のポケット開口部を下にしてポケット底面部を、延伸倍率:1.8倍ポケット深さ3.0mmの成形品で1.5mm、延伸倍率:2.8倍ポケット深さ6.0mmの成形品で3.0mm、延伸倍率:3.2倍ポケット深さ9.0mmの成形品で4.5mm、延伸倍率4.0倍ポケット深さ12.0mmの成形品で6.0mm深さ方向に圧縮した際の強度を測定し、座屈強度とした。但し、この座屈強度は15N以上であれば、容器としての実用性がある。表6に示した結果から以下のことが明らかになった。i基材シートに所定の範囲の質量平均分子量のポリスチレン系樹脂組成物を使用した実施例1~18においては、優れた成形性、賦形性、十分な座屈強度が示された。これに対して、基材シートのポリスチレン樹脂Bに質量平均分子量470,000MwのB-5を、耐衝撃性ポリスチレン樹脂Cに質量平均分子量250,000MwのC-6をそれぞれ用いた比較例3では、賦形性に問題を生じた。また、基材シートのスチレン-共役ジエンブロック共重合体Aに質量平均分子量70,000MwのA-6を、耐衝撃性ポリスチレン樹脂Cに質量平均分子量100,000MwのC-5をそれぞれ用いた比較例4、基材シートがスチレン-共役ジエンブロック共重合体Aのみからなる比較例5、並びにポリスチレン樹脂Bを含まない比較例6は、いずれも低い座屈強度を示した。ii基材シートに所定の範囲の質量平均分子量のポリスチレン系樹脂組成物を使用し、表面導電層にアクリル系共重合体樹脂Dと共にカーボンナノチューブEを用いた実施例1~18においては、シート、成形品とも、比較的低い表面抵抗値が示された。これに対して、表面導電層にMWCNTを含まない比較例1の表面抵抗値は、シート、成形品とも1014Ω台と高く、表面導電層のMWCNTの代りに酸化スズを用いた比較例2及び表面導電層のバインダーにエポキシを用いた比較例7は、共に、成形品の表面抵抗値は1014Ω台と高く、成形品の導電層にひび割れが入るという結果を示した。以上、実施形態によって本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されないことは言うまでもない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。またその様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。"