平面基板2上に形成された薄膜からなるP型及びN型熱電素子3、4と、これらP型及びN型熱電素子3、4を接続する伝熱部材からなる電極11~13、21~23とを備えた平面型薄膜熱電モジュール1において、上記P型及びN型熱電素子3、4は、上記基板2の面に沿う所定方向に交互に並ぶように互いに間隔をあけて配置され、上記電極11~13、21~23は、上記P型及びN型熱電素子3、4の間に配置されて該電極11~13、21~23に隣接する上記P型及びN型熱電素子3、4に接続される接続部12a、13a、22a、23aと、該接続部12a、13a、22a、23aから上記基板1の面に沿って上記P型及びN型熱電素子3、4の並び方向と交差する方向に突出する伝熱部11b~13b、21b~23bとを備えていることを特徴とする平面型薄膜熱電モジュール1。請求項1に記載の平面型薄膜熱電モジュール1において、上記P型及びN型熱電素子3、4は、該P型及びN型熱電素子3、4の並び方向と交差する方向に長く延びており、上記電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aは、上記P型及びN型熱電素子3、4の長手方向に沿って長く延びていることを特徴とする平面型薄膜熱電モジュール1。請求項1または2に記載の平面型薄膜熱電モジュール1において、上記基板2には、高温部分と低温部分との間の熱伝導を低下させる断熱部31が設けられていることを特徴とする平面型薄膜熱電モジュール1。請求項1から3のいずれか1つに記載の平面型薄膜熱電モジュール1において、上記P型及びN型熱電素子3、4は、上記基板2の所定方向に並ぶ第1熱電素子群Aと、該第1熱電素子群Aから離れて上記基板2の所定方向に並ぶ第2熱電素子群Bとを形成していることを特徴とする平面型薄膜熱電モジュール1。ところで、熱電モジュール自体を薄型化したいという要求があり、この場合、P型及びN型熱電素子の薄膜化が必要になる。しかしながら、特許文献1では、熱電素子におけるフィルム幅方向両側の一部のみを温接点及び冷接点とし、また、特許文献2では、熱電素子における基板内周側及び外周側の一部のみを温接点及び冷接点としているので、熱電素子同士の接触面積がもともと狭い構造となっている。このような構造においてP型及びN型熱電素子を薄膜化すると、接触面積がさらに減少して極めて狭い面積での接触となる。また、特許文献3では、熱電素子の端部にのみ電極を接続しているので、このものも電極と熱電素子との接触面積が狭い構造である。従って、特許文献1、2と同様に、熱電素子を薄膜化すると電極と熱電素子とが極めて狭い面積で接触することになる。P型及びN型熱電素子の接触面積、熱電素子及び電極の接触面積が狭くなると、電気抵抗が増大して電流が流れにくくなる。サーモセンサとして用いることだけを考えた場合には、それでも対応が可能と考えられるが、発電装置や冷却、加熱装置として用いる場合を考えると、上記のように電流が流れにくくなる分、発電能力や冷却、加熱能力がそれぞれ低下することになり、不都合である。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、熱電素子を薄膜化しながら、熱電素子の電気的接続部分の接触面積を広くして電気抵抗を減らし、これにより、発電能力や冷却、加熱能力を高めることにある。上記目的を達成するために、本発明では、P型及びN型熱電素子の間に電極の接続部を配置し、P型及びN型熱電素子の並び方向と交差する方向に電極の伝熱部を突出させるようにした。第1の発明は、平面基板2上に形成された薄膜からなるP型及びN型熱電素子3、4と、これらP型及びN型熱電素子3、4を接続する伝熱部材からなる電極11~13、21~23とを備えた平面型薄膜熱電モジュール1において、上記P型及びN型熱電素子3、4は、上記基板2の面に沿う所定方向に交互に並ぶように互いに間隔をあけて配置され、上記電極11~13、21~23は、上記P型及びN型熱電素子3、4の間に配置されて該電極11~13、21~23に隣接する上記P型及びN型熱電素子3、4に接続される接続部12a、13a、22a、23aと、該接続部12a、13a、22a、23aから上記基板1の面に沿って上記P型及びN型熱電素子3、4の並び方向と交差する方向に突出する伝熱部11b~13b、21b~23bとを備えているを特徴とするものである。この構成によれば、P型及びN型熱電素子3、4の間に電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aが位置しているので、熱電素子3、4を薄膜化しても、該熱電素子3、4及び電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aを基板2の面に沿う方向に長く形成することで、電流は熱電素子3、4の長手方向には流れずに幅方向にのみ流れるようになって電流の流れる距離が短くなり、また、電流の流れに垂直方向の断面積が増加し、さらに、熱電素子3、4と電極11~13、21~23との接触面積を広く確保することが可能になる。これらのことにより、モジュールの電気抵抗が低くなる。そして、電極11~13、21~23の伝熱部11b~13b、21b~23bによって放熱及び吸熱が効果的に行われることになる。第2の発明は、第1の発明において、上記P型及びN型熱電素子3、4は、該P型及びN型熱電素子3、4の並び方向と交差する方向に長く延びており、上記電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aは、上記P型及びN型熱電素子3、4の長手方向に沿って長く延びていることを特徴とするものである。この構成によれば、P型及びN型熱電素子3、4と、電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aとの接触長さを長くすることが可能になるので、P型及びN型熱電素子3、4と電極11~13、21~23との接触面積を十分に広く確保することが可能になる。第3の発明は、第1または2の発明において、上記基板2には、高温部分と低温部分との間の熱伝導を低下させる断熱部31が設けられていることを特徴とするものである。この構成によれば、基板2の高温部分と低温部分との間で熱が伝わりにくくなるので、効率がより一層高まる。第4の発明は、第1から3のいずれか1つの発明において、上記P型及びN型熱電素子3、4は、上記基板2の所定方向に並ぶ第1熱電素子群Aと、該第1熱電素子群Aから離れて上記基板2の所定方向に並ぶ第2熱電素子群Bとを形成していることを特徴とするものである。この構成によれば、第1熱電素子群A及び電極11~13、21~23と、第2熱電素子群B及び電極11~13、21~23とにより多段型の熱電モジュール1が得られる。第1の発明によれば、基板2に配置したP型及びN型熱電素子3、4の間に電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aを配置したことにより、電流は熱電素子3、4の長手方向には流れずに幅方向にのみ流れるようになるので、電流の流れる距離が短くなり、よって、電気抵抗を低くすることができる。さらに、熱電素子3、4及び電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aを基板2の面に沿う方向に長く形成することで、熱電素子3、4において電流の流れに垂直方向の断面積を増加させることができ、このことによっても電気抵抗を低くすることができる。さらに、熱電素子3、4と電極11~13、21~23との接触面積を広く確保することができ、接触電気抵抗を低くすることができる。これらのことにより、モジュールの電気抵抗を低くすることができる。そして、電極11~13、21~23の伝熱部11b~13b、21b~23bによって放熱及び吸熱を効果的に行うことができる。従って、熱電モジュール1を薄型化しても発電能力や冷却、加熱能力を高めることができる。第2の発明によれば、P型及びN型熱電素子3、4と電極11~13、21~23との接触面積を十分に広く確保することができ、熱電モジュール1の発電能力や冷却、加熱能力をより一層高めることができる。第3の発明によれば、基板2の高温部分と低温部分との熱伝導を低下させることができるので、熱電モジュール1の発電能力や冷却、加熱能力をより一層高めることができる。第4の発明によれば、多段型の熱電モジュール1を得ることができるので、熱電モジュール1の発電能力や冷却、加熱能力を高めることができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。実施形態1図1は、本発明の実施形態1にかかる平面型薄膜熱電モジュール1の平面図である。この熱電モジュール1は、電流を流して、電気を熱に変換することによって、対象物を冷却または加熱するものである。熱電モジュール1は、全体として薄い板状に形成されており、基板2と、P型熱電素子3と、N型熱電素子4と、第1~第3放熱側電極11~13と、第1~第3吸熱側電極21~23と、第1放熱側電極11に接続される第1電線24と、第1吸熱側電極21に接続される第2電線25とを備えている。基板2は、絶縁性を有する樹脂、例えばポリイミド等によって薄い平板状に形成されている。基板2は略長方形状である。尚、基板2は、ポリイミド以外の樹脂材で形成してもよく、また、形状は長方形に限られるものではない。P型熱電素子3及びN型熱電素子4は、基板2上面に熱電材料を蒸着することによって得られたものであり、厚みは1μm~10μm程度の薄膜熱電素子である。P型熱電素子3及びN型熱電素子4は、基板2の上面に沿って該基板2の幅方向図1の左右方向に交互に、かつ、互いに間隔をあけて並んでおり、具体的には、幅方向両側と中央部近傍に計3つのP型熱電素子3が配置され、これら3つのP型熱電素子3の間に2つのN型熱電素子4が配置されている。P型熱電素子3及びN型熱電素子4は、互いに同じ形状であり、基板2の上面に沿って該基板2の長手方向図1の上下方向に延びる細長い形状である。つまり、P型熱電素子3及びN型熱電素子4の並ぶ方向と、P型熱電素子3及びN型熱電素子4の延びる方向長手方向とは略直交している。P型熱電素子3及びN型熱電素子4の長手方向の寸法は、幅方向の寸法に比べて大幅に長く設定されており、例えば、長手方向の寸法は幅方向の寸法の10倍以上である。第1~第3放熱側電極11~13及び第1~第3吸熱側電極21~23は、図2に示すように、P型熱電素子3よりも厚くなっており、図1に示すように、全体として基板2の長手方向に長い形状を有している。第1~第3放熱側電極11~13は、全体として基板2の長手方向一側に偏位する一方、第1~第3吸熱側電極21~23は、全体として基板2の長手方向他側に偏位している。さらに、第1~第3放熱側電極11~13は、基板2の幅方向に互いに間隔をあけて配置されており、第1放熱側電極11は基板2の幅方向一端図1の左近傍に位置付けられ、第2放熱側電極12は第1放熱側電極11の幅方向他側図1の右に位置付けられ、第3放熱側電極13は第2放熱側電極12の幅方向他側に位置付けられている。第1~第3吸熱側電極21~23は、上記放熱側電極11~13と同様に基板2の幅方向に互いに間隔をあけて配置されている。第1吸熱側電極21は、基板2の幅方向他端近傍に位置付けられ、第2吸熱側電極22は第1吸熱側電極21の幅方向一側に位置付けられ、第3吸熱側電極23は第2吸熱側電極22の幅方向一側に位置付けられている。第1放熱側電極11における長手方向他側は一側に比べて幅が狭く形成されている。第1放熱側電極11の幅の狭い部分は、第1電線24が導電状態で接続される電線接続部11aであり、幅の広い部分は放熱部11bである。電線接続部11aは、基板2の長手方向に長く延びており、その縁部の長手方向全体がP型熱電素子3に接続されており、これによって接触面積が広く確保されるようになっている。第2及び第3放熱側電極12、13における長手方向他側は一側に比べて幅が狭く形成されている。第2及び第3放熱側電極12、13の幅の狭い部分は、P型及びN型熱電素子3、4の間に配置されて該電極12、13に隣接するP型及びN型熱電素子3、4に導電状態で接続される接続部12a、13aである。接続部12a、13aは、基板2の長手方向に長く延びており、その縁部の長手方向全体がP型熱電素子3及びN型熱電素子4に接続されており、これによって接触面積が広く確保されるようになっている。また、第2及び第3放熱側電極12、13の幅の広い部分は、放熱部12b、13bである。放熱部12b、13bは、接続部12a、13aから基板2の上面に沿ってP型及びN型熱電素子3、4の並び方向と略直交交差する方向に突出する形態となり、熱は基板2の長手方向に伝わる一方、電流は基板2の幅方向に流れることになる。第1吸熱側電極21における長手方向一側は他側に比べて幅が狭く形成されている。第1吸熱側電極21の幅の狭い部分は、第2電線25が導電状態で接続される電線接続部21aであり、幅の広い部分は吸熱部21bである。第2及び第3吸熱側電極22、23における長手方向一側は他側に比べて幅が狭く形成されている。第2及び第3吸熱側電極22、23の幅の狭い部分は、P型及びN型熱電素子3、4の間に配置されて該電極22、23に隣接するP型及びN型熱電素子3、4に導電状態で接続される接続部22a、23aである。接続部22a、23aは、基板2の長手方向に長く延びており、その縁部の長手方向全体がP型及びN型熱電素子3、4に接続されており、これによって接触面積が広く確保されるようになっている。また、第2及び第3吸熱側電極22、23の幅の広い部分は、吸熱部22b、23bである。吸熱部22b、23bは、接続部22a、23aから基板2の上面に沿ってP型及びN型熱電素子3、4の並び方向と略直交交差する方向に突出する形態となる。P型及びN型熱電素子3、4の表面のうち、幅方向両端部は、第1~第3放熱側電極11~13により覆われるとともに、第1~第3吸熱側電極21~23により覆われている。これにより、P型及びN型熱電素子3、4と、第1~第3放熱側電極11~13及び第1~第3吸熱側電極21~23との接触面積がより一層広く確保されるとともに、確実に接触して接触不良が回避される。尚、上記熱電モジュール1は、絶縁性を有する樹脂材でコーティングされている。上記熱電モジュール1を製造する場合には、まず、基板2の上面に、P型及びN型熱電素子3、4を構成する熱電材料を蒸着させてP型及びN型熱電素子3、4を得る。その後、第1~第3放熱側電極11~13及び第1~第3吸熱側電極21~23を構成する電極材料を基板2の上面に蒸着させて電極11~13、21~23を得る。しかる後、第1放熱側電極11に第1電線24を接続するとともに、第1吸熱側電極21に第2電線25を接続する。上述のような構成の熱電モジュール1に電流を流すと、いわゆるペルチェ効果によって第1~第3放熱側電極11~13が高温となり、第1~第3吸熱側電極21~23が低温となる。第1~第3放熱側電極11~13を対象物に接触させたり、接近させると、該対象物を加熱することができ、一方、第1~第3吸熱側電極21~23を対象物に接触させたり、接近させると、該対象物を冷却することができる。このとき、P型及びN型熱電素子3、4を薄膜としているが、これら熱電素子3、4を基板2の長手方向に長く形成するとともに、電極12、13、22、23の接続部12a、13a、22a、23aを熱電素子3、4の形状に対応して長く形成したことにより、電流は熱電素子3、4の長手方向には流れずに幅方向にのみ流れるようになるので、電流の流れる距離が短くなり、よって、電気抵抗を低くすることができる。また、熱電素子3、4及び電極11~13、21~23の接続部12a、13a、22a、23aを基板2の面に沿う方向に長く形成したので、熱電素子3、4において電流の流れに垂直方向の断面積を増加させることができ、このことによっても電気抵抗を低くすることができる。さらに、熱電素子3、4と電極11~13、21~23との接触面積を広く確保することができ、接触電気抵抗を低くすることができる。これらのことにより、モジュールの電気抵抗を低くすることができる。これにより、加熱及び冷却能力が十分に高まることになる。また、これとは逆に、第1~第3放熱側電極11~13及び第1~第3吸熱側電極21~23のうち一方を加熱して他方を冷却すると、いわゆるゼーベック効果により、熱電モジュール1に電流が流れる。この場合も、上記したように熱電モジュール1の電気抵抗が低減していることにより、発電能力が十分に高まることになる。以上説明したように、この実施形態にかかる熱電モジュール1によれば、基板2に配置したP型及びN型熱電素子3、4の間に電極12、13、22、23の接続部12a、13a、22a、23aを配置し、P型及びN型熱電素子3、4及び電極12、13、22、23の接続部12a、13a、22a、23aを基板2の長手方向に長くして接触面積を広く確保し、電気抵抗を低くすることができる。そして、第1~第3放熱側電極11~13の放熱部11b~13b及び第1~第3吸熱側電極21~23の吸熱部21b~23bによって放熱及び吸熱を効果的に行うことができる。従って、熱電モジュール1の発電能力や冷却、加熱能力を高めることができる。実施形態2図3は、本発明の実施形態2にかかる熱電モジュール1の断面を示すものである。この実施形態2の熱電モジュール1は、P型及びN型熱電素子3、4の表面側が放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23によって覆われていない点で実施形態1のものと異なっているだけで、他の部分は実施形態1と同じであり、以下、実施形態1と異なる部分について詳細に説明する。すなわち、製造時に、放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23がP型及びN型熱電素子3、4の表面に付着しないようにしている。また、実施形態1に比べてP型及びN型熱電素子3、4の幅が狭く設定されている。この実施形態2の熱電モジュール1においても、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。実施形態3図4は、本発明の実施形態3にかかる熱電モジュール1の断面を示すものである。この実施形態3の熱電モジュール1は、P型及びN型熱電素子3、4により放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23の表面を覆うようにしている点で実施形態1のものと異なっているだけで、他の部分は実施形態1と同じであり、以下、実施形態1と異なる部分について詳細に説明する。すなわち、製造時に、放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23を構成する電極材料を基板2に蒸着またはメッキした後、P型及びN型熱電素子3、4を構成する熱電材料を蒸着する。このとき、P型及びN型熱電素子3、4の幅は、幅方向に隣り合う放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23の離間寸法よりも広く設定する。これにより、P型及びN型熱電素子3、4により放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23の表面を覆うことができるので、P型及びN型熱電素子3、4と、放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23との接触面積がより一層広く確保されるとともに、確実に接触して接触不良が回避される。この実施形態2の熱電モジュール1においても、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。実施形態4図5は、本発明の実施形態4にかかる熱電モジュール1の断面を示すものである。この実施形態4の熱電モジュール1は、放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23を基板2に埋め込むようにした点で実施形態1のものと異なっているだけで、他の部分は実施形態1と同じであり、以下、実施形態1と異なる部分について詳細に説明する。すなわち、基板2には、第1~第3放熱側電極11~13及び第1~第3吸熱側電極21~23を埋め込むための凹部30が形成されている。製造時には、凹部30に電極11~13、21~23を埋め込むように形成した後、P型及びN型熱電素子3、4を構成する熱電材料を蒸着する。この実施形態4の熱電モジュール1においても、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。実施形態5図6は、本発明の実施形態5にかかる熱電モジュール1の断面を示すものである。この実施形態5の熱電モジュール1は、基板2に断熱用のスリット31を形成した点で実施形態1のものと異なっているだけで、他の部分は実施形態1と同じであり、以下、実施形態1と異なる部分について詳細に説明する。すなわち、基板2におけるP型及びN型熱電素子3、4の形成部位には、基板2を貫通するスリット31が形成されている。このスリット31は、平面視で、放熱側電極11~13と吸熱側電極21~23との間に位置しており、従って、基板2の高温部分と、低温部分との間の熱伝導を低下させることができる断熱部に相当するものである。この実施形態5の熱電モジュール1においても、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。この実施形態によれば、基板2の高温部分と低温部分との間の熱伝導が低下するので、効率がより一層向上することになる。尚、スリット31には、基板2よりも熱伝導率の小さい材料を埋めてもよい。実施形態6図7は、本発明の実施形態6にかかる熱電モジュール1を示すものである。この実施形態6の熱電モジュール1は、P型及びN型熱電素子3、4を2段設けている、いわゆる多段型モジュールであるという点で実施形態1のものと異なっているだけで、他の部分は実施形態1と同じであり、以下、実施形態1と異なる部分について詳細に説明する。基板2には、P型及びN型熱電素子3、4を交互に配置した第1熱電素子群A及び第2熱電素子群Bとが設けられるとともに、第1接続電極35、第2接続電極36、第1中間電極37及び第2中間電極38が設けられている。第1熱電素子群Aを構成する熱電素子3、4の並び方向と、第2熱電素子群Bを構成する熱電素子3、4の並び方向とは平行であり、第1熱電素子群Aと第2熱電素子群Bとは基板2の長手方向に離れている。そして、第1熱電素子群AのP型熱電素子3と第2熱電素子群BのN型熱電素子4とが、基板2の上下で対となるように位置付けられている。第1接続電極35は基板2の幅方向一側に位置しており、基板2の長手方向に長い形状となっている。この第1接続電極35には、第1電線24が接続されている。第1接続電極35には、第1熱電素子群AのN型熱電素子4及び第2熱電素子群BのP型熱電素子3が接続されている。第2接続電極36は基板2の幅方向他側に位置しており、基板2の長手方向に長い形状となっている。この第2接続電極36には、第2電線25が接続されている。第2接続電極36には、第1熱電素子群AのP型熱電素子3及び第2熱電素子群BのN型熱電素子4が接続されている。第1~第3放熱側電極11~13は、第1熱電素子群AのP型及びN型熱電素子3、4に接続されている。第1~第3吸熱側電極21~23は、第2熱電素子群BのP型及びN型熱電素子3、4に接続されている。第1中間電極37は、第1放熱側電極11と第2放熱側電極12との間、第2吸熱側電極22と第3吸熱側電極23との間に位置付けられており、基板2の長手方向に延びている。第1中間電極37には、第1熱電素子群AのP型及びN型熱電素子3、4と、第2熱電素子群BのP型及びN型熱電素子3、4とが接続されている。第2中間電極38は、第2放熱側電極12と第3放熱側電極13との間、第1吸熱側電極21と第2吸熱側電極22との間に位置付けられており、基板2の長手方向に延びている。第2中間電極38には、第1熱電素子群AのP型及びN型熱電素子3、4と、第2熱電素子群BのP型及びN型熱電素子3、4とが接続されている。この実施形態6の熱電モジュール1においても、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。また、多段型の熱電モジュール1としているので、基板2の長手方向両側の温度差を大きくすることができる。また、この実施形態6のように多段型とする場合には、P型及びN型熱電素子3、4と電極11~13、21~23の形成パターンを変更するだけで容易に対応できるので、1段型のモジュールと同様に作製することが可能である。実施形態7図8及び図9は、本発明の実施形態7にかかる熱電モジュール1を示すものである。この実施形態7の熱電モジュール1は、第1~第3放熱側電極11~13を基板2の表側に配置し、第1~第3吸熱側電極21~23を基板2の裏側に配置している点で実施形態1のものと異なっているだけで、他の部分は実施形態1と同じであり、以下、実施形態1と異なる部分について詳細に説明する。基板2の表側には、接続電極40と、第1及び第2中間電極41、42とが設けられている。接続電極40には、第2電線25が接続されている。接続電極40と第1吸熱側電極21とはサーマルビア45により接続されている。接続電極40とP型熱電素子3とが接続されている。第1中間電極41は第1放熱側電極11と第2放熱側電極12との間に配置され、P型及びN型熱電素子3、4に接続されている。第1中間電極41と第3吸熱側電極23とはサーマルビア47により接続されている。第2中間電極42は第2放熱側電極12と第3放熱側電極13との間に配置され、P型及びN型熱電素子3、4に接続されている。第2中間電極42と第2吸熱側電極22とはサーマルビア48により接続されている。この実施形態7の熱電モジュール1においても、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。実施形態7では、基板2の材料を断熱性の高い材料とすることで、基板2の表側と裏側とで温度差を大きくすることが可能になる。また、図10に示すように、実施形態5と同様なスリット50を設けてもよい。また、図11に示すように、複数の平面型薄膜熱電モジュール1の吸熱側を吸熱ブロック51に埋め込んで一体化してもよい。また、図示しないが、複数の平面型薄膜熱電モジュールの放熱側を放熱ブロックに埋め込んで一体化してもよい。また、図12に示すように、複数の平面型薄膜熱電モジュール1の吸熱側と放熱側との間の部分を固定部材52に固定して一体化してもよい。図11や図12に示す使用方法では、基板2自体が伝熱フィンとして機能することになり、別途の熱交換器が不要になるという利点がある。また、平面型薄膜熱電モジュール1は対象物を冷却、加熱する以外にも、発電に用いることが可能である。発電に用いる場合には、高温となる部分に、平面型薄膜熱電モジュール1の吸熱部を貼り付けまたは接近させ、平面型薄膜熱電モジュール1の放熱側を空気中で自然空冷させるという、簡単な使い方が可能である。また、上記各実施形態におけるP型熱電素子3、N型熱電素子4、放熱側電極11~13及び吸熱側電極21~23の数は一例であり、要求能力に応じて増減させることが可能である。