スーパールミネッセントダイオードであるSLD、および該SLDを駆動制御する駆動制御手段を有する光源と、ラインセンサを有する分光器と、を備え、前記光源から出射され、参照光学系および照射光学系を経由した戻り光を前記分光器で分光処理し、該分光処理により得られた光のスペクトル情報に基づいて光断層画像を取得するSD-OCTシステムの駆動制御方法であって、前記駆動制御手段によって、3つ以上の電流値を持つ駆動波形を発生させて該電流値の間を周期的に変動させる際に、その周期を前記ラインセンサが前記スペクトル情報を取得する周期の整数倍として、前記SD-OCTシステムが要求するスペクトル形状に制御することを特徴とするSD-OCTシステムの駆動制御方法。前記SLDは、半導体基板上に、第1の導電型のクラッド層と、第2の導電型のクラッド層と、これらのクラッド層の間に構成された活性層と、を備え、前記半導体基板の端面と前記SLDの上部に形成された上部電極の長手方向が、垂直から5°~15°の範囲で傾斜していることを特徴とする請求項1に記載のSD-OCTシステムの駆動制御方法。前記半導体基板の端面に誘電体膜が配置され、その反射率が0.1以下とされることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のSD-OCTシステムの駆動制御方法。前記活性層には、基底準位からの発光波長が異なる複数の量子井戸が用いられることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のSD-OCTシステムの駆動制御方法。前記第1の導電型のクラッド層と前記第2の導電型のクラッド層のいずれか一方に、2つ以上の電極が形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のSD-OCTシステムの駆動制御方法。前記2つ以上の電極は、各電極の駆動波形が異なることを特徴とする請求項5に記載のSD-OCTシステムの駆動制御方法。前記駆動波形のうち少なくとも一部は、前記活性層に用いられる量子井戸の透明キャリア密度より低いキャリア密度を実現する電流によるものであることを特徴とする請求項5または請求項6に記載のSD-OCTシステムの駆動制御方法。ところで、SD-OCTシステムでは、広帯域化とともに、そのスペクトル形状も最終的な断層像の品質に影響を与える。例えば、求められる形状の一例として、取得したスペクトルをフーリエ変換により断層像にする関係により、光源のスペクトル形状は単峰性のスペクトル形状が望ましい。これにより、フーリエ変換した際のSNの悪化や、偽信号の生成を抑えられるため、断層像の高品質化が可能となる。このように、システムの要求による最適スペクトル形状が存在し、光源であるSLDとしては、その要求を満足できることが望ましい。一方、現実に使用されている光源であるSLDでは、特許文献1にもあるように、非対称量子井戸構造によって発光波長を広げることは可能だが、非対称量子井戸構造を導入してもスペクトル形状を単峰性に制御することは困難である。特に出力を上げるために駆動電流を増加させていくと、あるレベルから短波側の発光が強くなり、中心にピークを持つ単峰性のスペクトル形状の実現は難しくなる。また、非対称量子井戸構造等の構造パラメータを変更することでもある程度のスペクトル形状の制御は可能だが、量子井戸の位置を最適値から大きくずらす等の設計変更をしてしまうと、スペクトル形状以外の他の要素、具体的には光出力や効率、素子寿命等の悪化につながる。以上のように、実際のSLDでは、非対称量子井戸の構造や注入電流等のスペクトルを制御するためのパラメータを制御できる範囲に制限があり、システムに要求するスペクトル形状、例えば、単峰性のスペクトル形状を実現することは困難である。この課題の根本的な原因として、制御パラメータの可動範囲に制限があることに加え、そもそも形状を制御するためのパラメータの数が少ないことが課題の解決をより困難にしている。本発明は、上記課題に鑑み、システムが要求するスペクトル形状に容易に制御することが可能となるSD-OCTシステムの駆動制御方法を提供することを目的とするものである。本発明のSD-OCTシステムの駆動制御方法は、スーパールミネッセントダイオードであるSLD、および該SLDを駆動制御する駆動制御手段を有する光源と、ラインセンサを有する分光器と、を備え、前記光源から出射され、参照光学系および照射光学系を経由した戻り光を前記分光器で分光処理し、該分光処理により得られた光のスペクトル情報に基づいて光断層画像を取得するSD-OCTシステムの駆動制御方法であって、前記駆動制御手段によって、3つ以上の電流値を持つ駆動波形を発生させて該電流値の間を周期的に変動させる際に、その周期を前記ラインセンサが前記スペクトル情報を取得する周期の整数倍として、前記SD-OCTシステムが要求するスペクトル形状に制御することを特徴とする。本発明によれば、システムが要求するスペクトル形状に容易に制御することが可能となるSD-OCTシステムの駆動制御方法を実現することができる。本発明のスーパールミネッセントダイオードSLDを用いたSD-OCTシステムの駆動制御方法においては、分光器に到達した光のスペクトルから光断層画像を取得するように構成されている。そして、スペクトルから断層像を計算する際には、光源のスペクトル形状を計算に取り入れる必要がある。そのため、SLDの特性としては、スペクトルが安定していることが望まれる。例えば、特許文献1においても、SLDは一定電流で駆動している。SLDを駆動する電流を変化させた場合、出射される光強度に加えて、スペクトル形状も電流変動に合わせて変動してしまう。そのため、単純に電流を変化させてしまうと計算に取り入れるべき光源のスペクトル形状が複雑に変化するため、計算の複雑化や精度低下により悪影響が起きることが容易に想像される。ここで、OCTシステムに用いるスペクトル取得用の分光器の特性について、更に考察する。分光器は、主にグレーティングとその先にあるラインセンサからなっている。グレーティングは、波長ごとに回折する方向を分ける効果を持っている。そして、これにより波長ごとに空間的に進む方向が変わるため、それぞれの方向に進む光の強度をラインセンサで受光することにより、スペクトルの強度を取得できる仕組みになっている。ここで、光源とラインセンサの関係についてもう少し詳しく検討すると、以下のようなことが分かった。ラインセンサは一定時間は受光素子内に入射光に応じた電荷を蓄積しておき、一定時間経過後にその電荷量を読みだす機構となっている。このキャリア蓄積時間内で入射する光出力が変動した場合、読みだされる電荷量は光出力の積算値となる。そのため、SD-OCTシステムにおいては、電荷を蓄積する一定時間内の変動は、実は、その平均値で一定光量入射した場合と等価となる。つまり、SD-OCTシステムにおいては、ラインセンサのキャリア蓄積時間で積算した光量が同じであれば、その時間内での変動があってもシステムからは安定した光量として認識される。一方、実際に駆動電流を変化させた場合、SLD内では量子井戸内の状態密度に対するキャリアの占有レベルも併せて変化するため、利得スペクトルが変化する。その結果、SLDから出射される光のスペクトル変化につながる。そのため、ラインセンサのキャリア蓄積時間の単位で繰り返される光の変動であれば、各スペクトル成分の光量はラインセンサのデータ取得毎で安定に見え、かつスペクトル形状は変化させることができる。つまり、結果として、SD-OCTシステムにおいては、システムから見た光源の等価的なスペクトル形状を制御する方法として、上記の量子井戸の構造を変える等のほかに、つぎのように制御することができることが分かった。すなわち、SLDの駆動電流をラインセンサの周期と同一、またはその整数倍の周期を持った変調波形で駆動するという新しい制御手段によって、より自由に等価的なスペクトル形状を制御することができることが分かった。そこで、本発明ではSLDを一定電流で連続的に駆動するのではなく、スペクトル制御手段の一つとして、ある周期を持った波形の電流で駆動する。これにより、スペクトル形状を制御するパラメータが増えるため、システムが要求するスペクトルにより近付けられる。例えば、スペクトル形状を単峰性にすることができれば、フーリエ変換時のSN比の向上や偽信号の抑制ができ、結果として高品位なOCT断層像を得ることができる。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1として、本発明を適用したSD-OCTシステムの駆動制御方法の構成例について説明する。まず、図1aにより本実施例に用いられるSLDの構造について説明する。SLDの縦方向の層構成として、GaAs基板501の上部には、Al05Ga05Asで構成されるn-クラッド層502が配置されている。n-クラッド層502の上には3つのInGaAs/GaAs量子井戸図示せずを含む活性層503が位置している。活性層503は、基底準位からの発光波長が異なる複数の、例えば3つの量子井戸層で構成されており、それぞれの基底準位からの発光波長は、1050nm、978nm、906nm、である。活性層503の上にはp型Al05GaAs層で構成されるp-クラッド層504がある。p-クラッド層504の上には厚さ10nmの高ドープp型GaAsで構成されるコンタクト層507が位置している。コンタクト層507の上部にはコンタクト層507と電気的接触が確保されている上部電極510がある。そして基板501の下には基板501と電気的接触が確保されている基板裏面の下部電極511がある。SLDの素子形状は、図1bに示すように、p-クラッド層504およびコンタクト層507はp-クラッド層の途中まで部分的に除去され、残った部分は幅が4μmのリッジ形状520となっている。そして、リッジ長さは1mmであり、リッジ上部には上部電極510が形成されている。リッジ端面はGaAs結晶の壁開面であり、SLDの上部電極の長手方向が、垂直から5°~15°の範囲で傾斜が付けられている。その際、この傾斜である前記壁開面の垂線とリッジの長手方向とは7°傾斜していることがより望ましい。また、両端面には反射率を制御するための多層の誘電体膜521が付加されている。その際この反射率を0.1以下とすることが望ましい。このような素子構造のSLDを、一定電流や変調電流で駆動した場合のスペクトル形状の計算結果を説明する。図2a、b、cは、それぞれaが3x1018cm1、bが4x1018cm1、cが5x1018cm1条件の一定電流で出力される光のスペクトルをそれぞれ示す。これより、図2aに示す3x1018cm1の場合には2つのピークがあるが、注入電流を大きくし、キャリア密度を増やした場合には、図2bやcのように、より短波長からの発光が強くなる。そのため、スペクトルを制御するために電流を増やしたとしても、短波長側からの発光強度が強くなり、OCTシステムが要求する単峰性のスペクトル形状を得ることは難しい。一方、図3に駆動電流を変化させた場合の時間積算したスペクトル形状、つまりOCTシステムから見えるスペクトル形状を示す。図3aに今回印加する変調電流の波形と電流値を示す。電流の単位は、上記と比較するために電流値そのものではなく、SLDの活性層内のキャリア密度として示している。これより、今回印加する電流値は、3つのレベルからなるステップ上の駆動電流波形であり、それぞれのステップのキャリア密度は図2の一定電流でのそれぞれのキャリア密度と同一である。また、この図での時間は相対的なものであり、比が変わらなければ積算スペクトルは変化しない。そのため、この比を維持しつつ上述のように周期をラインセンサのデータ取得周期の整数倍とすることで、システムから見ると安定した光源と見ることができる。図3bには図3aに示す変調波形によってできるスペクトルの積算形状を示す。これより、図3bでは、一定電流駆動のスペクトル形状と比較し、中心にピークをもつ単峰性のスペクトル形状になっていることが分かる。図2では電流値を変化させてもこのような単峰性は得られなかったが、図3に示すように同じ駆動電流の範囲で駆動した場合でも、変調することによってSLDの発光スペクトル形状をより自由に制御することができる。そして、中心にピークを持つ単峰性のスペクトル形状が実現できることが分かる。スペクトル形状を単峰性にするための変調条件は、素子長や活性層のスペクトル形状等によって決まる。そのため、図3aの変調条件はこの素子に対して最適な条件であるが、すべてのSLDにおいて共通な条件ではない。駆動条件を決定する大きな要素としては、素子の利得スペクトル形状およびそのキャリア密度依存性および素子長である。また、駆動波形は電流を流し十分な強度の光出力がある状態でその波形を時間ごとに変化させることが重要である。それは、発光のスペクトル形状が変化し、それぞれの状態での発光スペクトルの積算が等価的なスペクトル形状となるため、足し合わせをする元となるスペクトルにあるレベルの光強度が必要である。言い換えると、半導体レーザなどで用いられるパルス駆動、つまり2つの決まった電流値のどちらかで駆動し、ある時間後に片方に移るような2値の駆動方法は不向きである。これは、半導体レーザなどで用いられるパルス駆動は、低いレベルの駆動時には光出力が低く光通信で0に相当、またもう片方では高いレベル光通信で1に相当の光出力を得るように設定しているためである。これは、その差が信号として必要となるため、許容される範囲でこの差ができるだけ大きくなるように駆動条件を決めている。一方、本実施例ではできるだけ同じレベルの光出力が望ましく、また積算する元のスペクトル形状のパターンが多いほうがより自由に積算スペクトル形状を制御できる。つまり、本実施例で示した3つ以上の電流レベルを持ったステップ状の駆動波形、もしくは連続的に電流が変化するような駆動波形が好ましい。つぎに、本実施例における素子の作製手順について説明する。まず、GaAs基板501上に半導体層構成を有機金属気相成長法や分子線エピタキシー法により、n-クラッド層502、活性層503、p-クラッド層504、コンタクト層507を成長させる。そのウエハに、スパッタ法を用いて誘電体膜を形成する。その後、半導体リソグラフィー法を用いてフォトレジストでリッジ形成のためのストライプ形成マスクを形成する。ドライエッチング法を用いて、ストライプ形成マスク以外の部分の半導体を選択的に除去し、高さが0.5μmのリッジ形状を作成する。その後、SiO2を半導体表面に形成し、フォトリソグラフィー法によって、リッジ上部のSiO2を部分的に除去する。次に、真空蒸着法およびリソグラフィー法を用いてp側およびn側電極510、511を形成する。良好な電気特性を得るため、高温窒素雰囲気中で電極と半導体を合金化する。最後に、劈開により端面に結晶面を出し、反射率を調整するための誘電体膜を両端面にコーティングして完成する。このようにして完成したSLDをSD-OCTシステムに搭載し、図3aで示す駆動波形で駆動することにより、図3bのスペクトル形状を得ることができる。図4に、以上のようにして作成したSLDを組み込んだSD-OCTシステムを示す。このシステムは光源部600、ファイバ同士を光結合する光結合部620、参照光光学系参照光反射部630、測定対象物650へ光を照射するための照射光学系640、分光器660およびスペクトル情報を画像に変換する画像変換部670より構成されている。光源部600は、所定の駆動波形を発生させる駆動制御回路601、図1に示すSLD602、光ファイバへ光を結合するレンズ603より構成されている。そして、駆動制御回路601はSLD602を駆動するに際し、3つ以上の電流値を持つ駆動波形を発生させて、該電流値の間を周期的に変動さることが可能に構成されている。ここで、SLD602から出射された光は、603を通して光ファイバへ入射する。また、光結合部620により分波された光の一部は参照光学系630へ入る。参照光学系630はコリメータレンズ631および632、反射鏡633で構成されており、上記光結合部620を経由して入射した光は反射鏡633で反射され戻り光として再度光ファイバへ入射する。光ファイバから光結合部620で分波されたもう片方の光は、照射光学系640へ入る。照射光学系640はコリメータレンズ641および642、光路を90°曲げるための反射鏡643で構成されている。照射光学系640は入射した光を測定対象物650へ入射するとともに、反射光を再び光ファイバへ結合する役割がある。上記駆動制御回路601として使用できる回路としては、特許文献2等に開示されているような、公知の端面発光型レーザやSLDの駆動に用いられるような回路が使用可能である。このような駆動回路でSLD602を駆動することで、所定の電流値、そして図3aなどに示されているキャリア密度を実現することができる。そして、参照光学系630および照射光学系640から戻ってきた光は光結合部620を通り、これらの光を分光処理する分光器660へ入る。分光器660はコリメータレンズ661および662、分光するためのグレーティング663およびグレーティングにより分光された光のスペクトル情報を得るためのラインセンサ664で構成されている。分光器660はそれに入射した光のスペクトル情報を得る構成となっている。分光器660で得た情報は、650の光断層画像へ変換するための画像変換部670で画像へ変換され、最終的な出力である断層画像情報が得られる。[実施例2]実施例2として、実施例1とは異なり、第1の導電型のクラッド層と第2の導電型のクラッド層のいずれか一方に、2つ以上の電極が形成されるようにした形態の構成例について説明する。まず、図5により本実施例2に用いられるSLDの構造について説明する。本実施例においては、半導体層構成は実施例1と同一である。しかし、本実施例では図5に示すように、リッジ520上部に電極が2つ440および441あり、電気的に分離されている。これらはp-クラッド層504に電気的にコンタクトしている。実施例1では電極は一つであったため、素子全体を一つの波形で駆動しスペクトルを制御していた。一方、本実施例では2つの電極に独立して電流を流すことができるため、スペクトル制御に対する自由度をより大きくすることができる。本実施例のデバイス構造は、電極440が長さ1mm、電極441が長さ0.5mmである。リッジ520の幅は実施例1と同じであり、電極が2つあること、それにより素子長が長くなっていること以外は、デバイス構造は実施例1と同一である。光は両端面より出射するが、電極441側の端面より出射した光をシステムに取り入れて使用する。図6に、本実施例での駆動条件とスペクトル形状を示す。図6aは各電極の駆動波形を示す。実線1440は電極440を駆動するための駆動波形であり、点線1441は電極441を駆動するための駆動波形である。図6aでは、2つの電極に異なる駆動波形を入力している。そして、電流は3つの異なるレベルの間で変化している。図5のSLDを図6aに示す駆動方法により駆動したときの出射光の積算スペクトルを図6bに示す。これより、本実施例においても単峰性のスペクトル形状が実現できることが分かる。単峰性にできるという観点では、実施例1と同様であるが、本実施例では、駆動波形における一定値保持時間の比率を実施例1と比較し、小さくできる点がメリットである。具体的には、実施例1の駆動波形の場合、図3aより最も長い保持時間は0.9であり、最も短い保持時間は0.0015である。つまり、最も長い時間と短い時間の比率は600倍である。一方、本実施例ではもっと長い保持時間は1.0であり、最も短い保持時間は0.01であるため、その比率は100である。この様に、本実施例では、保持時間の比率を小さくすることができる。駆動波形の繰り返し周期はラインセンサの読み取り周期で決まるため、保持時間の比率を小さくできるということは駆動回路に求められる周波数特性は狭い範囲で良いことになる。一方、実施例1の場合には短い時間で確実に電流を流す必要があり、より高い駆動性能の電気回路が必要となる。また、この駆動波形の特徴として、一部にキャリア密度が1x1018cm1の部分が存在することが挙げられる。これは、本実施例の量子井戸の場合、光の利得誘導放出が発生するレベルよりも小さなキャリア密度であり、言い換えると透明キャリア密度より低いキャリア密度による駆動となっている。なお、本実施例での透明キャリア密度は1.5x1018cm1である。上述したように、SLDでは誘導放出を用いて動作するため誘導放出が起きるレベル、具体的には透明キャリア密度以上の駆動電流で駆動する。一方、本実施例では、誘導放出だけでなく、このような透明キャリア密度以下の駆動も行なっている。これは、電極440の下の領域の活性層で発生した誘導放出光の一部を電極441の下の活性層の吸収スペクトルにより形状制御するためである。このように2電極構造で、かつ透明キャリア密度以下のキャリア注入レベルのスペクトルも利用することで、上記のような低い保持時間比率でも実施例1と同様な単峰性のスペクトル形状を実現できる。また、電極数が増えたことで、より自由にスペクトルを制御できるようになる。図7では、図6と比較し、より矩形形状のスペクトルを実現する。図7aに駆動波形を示す。図7aでは、電極440の駆動波形を2440が示しており、電極441の駆動波形を2441が示している。そして、図7bに本実施例のSLD構造を図7aの駆動波形で駆動した場合の積算スペクトルを示す。図6では単峰性のスペクトル形状であったが図7ではより矩形に近いスペクトル形状であることが分かり、同じSLDであっても駆動波形を変えることでより自由にスペクトル形状を変化させることが分かる。図6および図7より、システムの要求や得たい画像の種類によって、駆動波形を変えるだけで、光源の特性を自由に変える。例えば、スペクトルの半値全幅を優先したい場合、つまりOCT画像の分解能を上げたい場合には、図6よりも図7の方が好ましい。一方、SN比や偽信号の少ない画像を得たい場合には、図6の様なより単峰性のスペクトル形状にすることにより、実現できる。そして、本発明ではこれらの切り替えをSLDの駆動波形を変更することのみで実現できる。本実施例の素子作成手順は、上部電極510のかわりに440および441の2つの電極を設ける点を除いては、実施例1と同一のため、省略する。これを用いたSD-OCTシステムを図8に示す。図8ではSLD802およびそのために2電極を独立駆動できる駆動部801を除き図4と同じ部材で構成されているため、同じ記号を付している。構成および各部の役割も図4と同一であるため、説明は省略する。本実施例ではp-クラッドに電気的にコンタクトしている電極は2つであったが、3つ以上であっても効果を奏する。実施例1と2を比較し、上述のように、電極の数を1個から2個に増やすことにより、スペクトル形状制御の自由度が増したように、3個以上にすることにより、より自由に制御できるようになる。そのため、3つ以上の電極を用いた場合であっても、本発明の効果を奏する。