チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法であって、石英ルツボにシリコン原料を充填してヒータからの加熱により前記シリコン原料を融解させてシリコン融液とし、円筒体又は角柱体である第1の種結晶を用いて、前記第1の種結晶の一端面を前記シリコン融液の液面に接触させた後、所定の位置まで浸漬させる工程と、前記浸漬させた第1の種結晶の前記シリコン融液との接触界面における形状を撮像手段により検出しつつ、前記シリコン融液の温度を、前記接触界面に晶癖線が確認される温度に調整する工程と、前記第1の種結晶を回収し、前記シリコン融液の温度を前記調整した温度から10°C以上18°C以下高い温度に再調整し、円筒状の円筒部と該円筒部の一端から延在し該円筒部から径が小さくなると共に先端が尖った又は尖った先端を面取りした円錐部とを備える第2の種結晶を用いて、前記再調整した温度にて、ダッシュネッキング法を行わないでシリコン単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。前記第2の種結晶は、前記円錐部の先端をシリコン融液に接触させる前に、前記シリコン融液の液面から上方10mm以下の位置で予熱させることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。しかしながら、種結晶をシリコン融液に浸漬する際の熱ショック転位の発生メカニズムは複雑であり、加えて、このようなシリコン単結晶の育成環境は、使用する部材カーボンヒータ、カーボンルツボ、石英ルツボ等の大きさや材質のばらつき、その使用回数や、製造条件不活性ガス供給量、炉内圧、ヒータ出力等のばらつき等によって、毎回変化するものである。従って、特許文献1、2に記載の方法では、毎回の単結晶の育成において熱ショック転位を抑制するには限界があるものであった。また、仮に熱ショック転位の抑制に失敗し、結晶が有転位化した場合、新たに先端部の尖った種結晶を使用することになるため、結晶製造コストを上げる要因となっていた。また、特許文献3に記載の方法は、種結晶を着液させて種付けを行う際のシリコン融液の温度を、簡易な方法でバラツキ無く適正な温度に調整することができる技術を開示しているものであり、特許文献1、2に記載されたような熱ショック転位を抑制する方法ではないため、当該技術を用いた場合であっても熱ショック転位を抑制するには限界があるものであった。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、単結晶育成環境が毎回変化する場合であっても、その変化に対応して、毎回のシリコン単結晶の育成において種結晶に生じる熱ショック転位の発生を確実に抑制し、ダッシュネッキング法を行わないで無転位のシリコン単結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るシリコン単結晶の製造方法は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法であって、石英ルツボにシリコン原料を充填してヒータからの加熱により前記シリコン原料を融解させてシリコン融液とし、円筒体又は角柱体である第1の種結晶を用いて、前記第1の種結晶の一端面を前記シリコン融液の液面に接触させた後、所定の位置まで浸漬させる工程と、前記浸漬させた第1の種結晶の前記シリコン融液との接触界面における形状を撮像手段により検出しつつ、前記シリコン融液の温度を、前記接触界面に晶癖線が確認される温度に調整する工程と、前記第1の種結晶を回収し、前記シリコン融液の温度を前記調整した温度から10°C以上18°C以下高い温度に再調整し、円筒状の円筒部と該円筒部の一端から延在し該円筒部から径が小さくなると共に先端が尖った又は尖った先端を面取りした円錐部とを備える第2の種結晶を用いて、前記再調整した温度にて、ダッシュネッキング法を行わないでシリコン単結晶を育成することを特徴とする。前記第2の種結晶は、前記円錐部の先端をシリコン融液に接触させる前に、前記シリコン融液の液面から上方10mm以下の位置で予熱させることが好ましい。本発明によれば、単結晶育成環境が毎回変化する場合であっても、その変化に対応して、毎回のシリコン単結晶の育成において種結晶に生じる熱ショック転位の発生を確実に抑制し、ダッシュネッキング法を行わないで無転位のシリコン単結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係わるシリコン単結晶の製造方法を具体的に説明するための各ステップにおけるシリコン融液近傍を示す概念図である。図2は、図1に示す第1の種結晶50Aの具体的態様を示す概念斜視図である。図3は、図1に示す第2の種結晶50Bの具体的態様を示す概念斜視図である。本発明は、CZ法によりシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法であって、石英ルツボにシリコン原料を充填してヒータからの加熱により前記シリコン原料を融解させてシリコン融液とし不図示、円筒体図2a又は角柱体図2bである第1の種結晶50Aを用いて、シリコン融液16上に配置する図1a。次に、前記第1の種結晶50Aを降下させて、前記第1の種結晶50Aの一端面50A1を前記シリコン融液16の液面に接触させた後、所定の位置例えば、前記一端面50A1から他方の一端面方向長さD1方向に1mm以上15mm以下の位置まで浸漬させる図1b。次に、前記浸漬させた第1の種結晶50Aの前記シリコン融液16との接触界面における形状を撮像手段60好ましくはCCDカメラ、以下同じにより検出しつつ、前記シリコン融液16の温度を、前記接触界面に晶癖線が確認される温度に調整する図1c。図4は、図1cにおいて前記接触界面に晶癖線が確認された時のCCDカメラによる具体的な撮像写真である。なお、図4における実線は、前記撮像写真において便宜上、第1の種結晶50A部分とシリコン融液16部分とを見やすく分離するために付した線である。すなわち、図1cにおいては、浸漬させた第1の種結晶50Aのシリコン融液16との接触界面における形状を撮像手段60により検出しつつ、図4に示すように、前記接触界面に晶癖線70が確認される温度に前記シリコン融液16の温度を調整する。次に、前記第1の種結晶50Aを回収し、前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から10°C以上18°C以下高い温度に再調整し、図3に示すような円筒状の円筒部50Baと該円筒部50Baの一端から延在し該円筒部50Baから径が小さくなると共に先端50Bbが尖った又は尖った先端50Bbを面取りした円錐部50Bcとを備える第2の種結晶50Bを用いて、シリコン融液16上に配置する図1d。次に、前記第2の種結晶50Bを降下させて、前記再調整した温度にて、前記第1の種結晶50Aを接触させた前記シリコン融液16の液面と同位置に、前記第2の種結晶50Bの先端50Bbを接触させて図1e、更に、前記第2の種結晶50Bを所定の位置まで浸漬させる。なお、前記所定の位置は、第2の種結晶50Bを浸漬させた後、引上げに転じた位置において、高重量のシリコン単結晶例えば、直径が300mm以上の直胴部を有するシリコン単結晶を保持する際に破断しない程度の強度を有する直径好ましくは6mm以上、更に、好ましくは8mm以上を備えていればよい。すなわち、前記所定の位置は、前記強度を有する直径を備えていれば、円錐部50Bcであってもよく図1f、円筒部50Baであってもよい図1g。以下、本実施形態では、円筒部50Baまで浸漬する態様図1gまで行う態様で説明する。最後に、前記第2の種結晶50Bを所定の位置まで浸漬させた後、引上げに転じてダッシュネッキング法を行わないで所望の直径例えば、直径310mmまで拡径する拡径部、前記所望の直径を維持する直胴部及び前記所望の直径から縮径する縮径部を有するシリコン単結晶Ig拡径部以外は不図示を育成する図1h。なお、前記シリコン融液16の調整された温度及び再調整された温度は、各々が相対的関係にあればよいため、前記温度の測定方法は、測定位置が同一であれば特に限定されるものではない。すなわち、前記シリコン融液16の温度の測定方法は、例えば、サーモグラフィーによる種結晶近傍種結晶から外周方向に10mm以内の円周領域のシリコン融液16の液面の最高温度であってもよく、シリコン融液16を加熱するヒータ後述の表面温度もしくは、ヒータ外周近傍に設置された保温部材の表面温度であってもよい。以下、本実施形態では、前記シリコン融液の温度は、ヒータ外周近傍に設置された保温部材の表面温度で説明する。以上より、本発明は、シリコン単結晶育成用種結晶第2の種結晶50Bと異なる温度調整用種結晶第1の種結晶50Aを用いて、第2の種結晶50Bによるシリコン単結晶の育成前に、事前に、最適なシリコン融液の温度に調整するため、単結晶育成環境が毎回変化する場合であっても、その変化に対応することができる。更に、前記晶癖線70が確認される温度は、前記接触界面において、そのまま種結晶を引き上げてネック部を形成する場合に最適な温度であることを示す指標となるものである。しかしながら、シリコン融液の温度が、前記接触界面においてそのまま種結晶を引き上げてネック部を形成する場合に最適な温度であるということは、種結晶を浸漬させて融解させる温度としては低いものである。従って、前記晶癖線70が確認される温度前記調整された温度で、シリコン単結晶育成用種結晶第2の種結晶50Bを浸漬させる場合は、第2の種結晶50Bが一時的にシリコン融液16内に潜り込んでから融解されることになる。よって、その場合は、第2の種結晶50B内に一時的に大きな温度差が発生するため、当該浸漬時に、第2の種結晶50B内に熱ショック転位が発生する。従って、シリコン融液16の温度を前記調整した温度から10°C以上18°C以下高い温度に再調整し、前記再調整した温度にて第2の種結晶50Bを浸漬させる。これによって、前記第2の種結晶50Bの融解が一時的にシリコン融液16内に潜り込んでから発生するのを抑制することができるため、毎回のシリコン単結晶の育成において、確実に、第2の種結晶50Bの浸漬時に生じる熱ショック転位の発生を抑制することができ、ダッシュネッキング法を行わないで無転位のシリコン単結晶を得ることができる。前記再調整する温度が前記調整した温度から10°C未満高い温度である場合は、シリコン融液の温度が低いため、前記第2の種結晶50Bの融解が一時的にシリコン融液16内に潜り込んでから発生しやすくなるため好ましくない。図5は、シリコン融液の温度が高すぎる場合の第2の種結晶50Bの浸漬時の状態を示す拡大概念図である。前記再調整する温度が前記調整した温度から18°Cを超える高い温度である場合は、シリコン融液の温度が高いため、第2の種結晶50Bがシリコン融液16内に潜り込む前に融解され融解相Lp、更に、シリコン融液16の粘性も高くなるため、融解相Lpの最小径が小さくなってしまう図5参照。従って、第2の種結晶50Bの浸漬時に結晶がちぎれやすくなるため好ましくない。加えて、第1の種結晶50Aとして、図2に示すような円筒体又は角柱体を用いるため、前記第2の種結晶50Bを用いる場合よりも低コストでシリコン融液16の温度調整を行うことができる。すなわち、円筒体又は角柱体とすることで、第2の種結晶50Bのように円錐部50Bcを加工して形成する必要がないため、種結晶としての加工費を低減することができる。更に、第2の種結晶50Bとして、図3に示すような種結晶を用いて、円錐部50Bcの先端50Bbをシリコン融液16の液面に接触させるため、前記第2の種結晶50Bのシリコン融液16への接触時の熱ショック転位の発生を抑制することができる。前記第1及び第2の種結晶は、CZ法によって同一の製造条件で育成されたシリコン単結晶から加工されたものであることが好ましい。このような種結晶を用いることで、単結晶育成環境の変化要因を更に排除することができるため、再現性よく、前述した効果を得ることができる。更に、前記第1の種結晶50Aが円筒体図2aである場合、前記第1及び第2の種結晶の各々の直径第1の種結晶50Aにおいては図2aのH1、第2の種結晶50Bにおいては図3のH2に相当は、同一誤差±3mm以内であることが好ましい。このような種結晶を用いることで、更に、再現性よく、前述した効果を得ることができる。図6は、本発明に係わるシリコン単結晶の製造方法が適用されるシリコン単結晶引上装置の一例を示す断面概念図である。本発明に係わるシリコン単結晶の製造方法が適用されるシリコン単結晶引上装置10は、図6に示すように、炉体12と、炉体12内に配置され、シリコン原料主に、ポリシリコンを保持するルツボ14と、ルツボ14の外周囲に設けられ、ルツボ14を加熱し、ルツボ14内に保持されたシリコン原料を溶融してシリコン融液16とするヒータ18と、シリコン融液16の上方に配置され、CZ法によりシリコン融液16から引上げたシリコン単結晶Ig不図示への輻射熱を遮断する円筒形状の熱遮蔽体20を備える。ルツボ14は、シリコン融液16を保持する石英ルツボ14aと、石英ルツボ14aを収容するカーボンルツボ14bとを備える。ヒータ18の外周囲には第1保温部材22が設けられ、第1保温部材22の上部には、ヒータ18と一定の間隔を有して第2保温部材24が設けられている。熱遮蔽体20の上方には、熱遮蔽体20の内周側、熱遮蔽体20とシリコン融液16との間を通って、ルツボ14の下方に位置する排出口26から炉体12外に排出されるキャリアガスG1を供給するキャリアガス供給口28が設けられている。ルツボ14の上方には、シリコン単結晶Ig不図示を育成するために用いられる種結晶第1の種結晶50A、第2の種結晶50Bを併せて、符号50で示すを保持するシードチャック32が取り付けられた引上用ワイヤ34が設けられている。引上用ワイヤ34は、炉体12外に設けられた回転昇降自在なワイヤ回転昇降機構36に取り付けられている。ルツボ14は、炉体12の底部を貫通し、炉体12外に設けられたルツボ回転昇降機構38によって回転昇降可能なルツボ回転軸40に取付けられている。熱遮蔽体20は、第2保温部材24の上面に取付けられた熱遮蔽体支持部材42を介してルツボ14の上方に保持されている。キャリアガス供給口28には、マスフローコントローラ43を介して、炉体12内にキャリアガスG1を供給するキャリアガス供給部44が接続されている。排出口26には、バタフライ弁46を介して、熱遮蔽体20の内周側、熱遮蔽体20とシリコン融液16との間を通ったキャリアガスG1を排出するキャリアガス排出部48が接続されている。マスフローコントローラ43を調整することで炉体12内に供給するキャリアガスG1の供給量を、バタフライ弁46を調整することで炉体12内から排出する排出ガスキャリアガスG1及びシリコン融液16から発生したSiOxガス等も含むの排出量をそれぞれ制御する。なお、前述した前記第1の種結晶50Aのシリコン融液16との接触界面における形状の検出は、前記接触界面から斜め上方向シリコン融液16の液面から45度以上75度以下の炉体12に設けられた監視窓12Aから撮像手段60CCDカメラを用いることにより行う。続いて、図6に示すようなシリコン単結晶引上装置10を用いたシリコン単結晶の製造方法の一例について説明する。最初にルツボ14にシリコン原料例えば、350kgを充填し、キャリアガス供給部44から炉体12内にキャリアガスG1好ましくは、アルゴンガスを供給し、更に、ヒータ18からの加熱により、ルツボ14内に保持されたシリコン原料を融解させてシリコン融液16とする。次いで、ワイヤ回転昇降機構36とルツボ回転昇降機構38を作動させて、ルツボ14を回転させると共に、シードチャック32に保持した第1の種結晶50Aを前記ルツボ14と逆方向に回転させながら下降させる。次いで、前記第1の種結晶50Aを回転させながら、前記シリコン融液16の液面にその一端面50A1を接触させた後、所定の位置まで浸漬させる。次いで、前記浸漬させた第1の種結晶50Aの前記シリコン融液16との接触界面における形状を撮像手段60により検出しつつ、ヒータ18の出力を制御することによって、前記シリコン融液16の温度を、前記接触界面に晶癖線70が確認される温度に調整する。その後、前記第1の種結晶50Aを回収し、シードチャック32に第2の種結晶50Bを保持し、更に、ヒータ18の出力を制御することによって、前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から10°C以上18°C以下高い温度に再調整する。そして、前記再調整した温度にて、ルツボ14を回転させると共に、第2の種結晶50Bを前記ルツボ14と逆方向に回転させながら下降させて、その先端50Bbを前記シリコン融液16の液面に接触させて、更に、所定の位置まで浸漬させた後、引上げに転じてダッシュネッキング法を行わないでシリコン単結晶Igを育成する。前記第1の種結晶50Aのシリコン融液16へ接触させる接触速度及び前記所定の位置まで浸漬させる浸漬速度は、特に限定されるものではないが、効率よく、前記温度調整を行う観点から、前記接触速度は5mm/min以上20mm/min以下であり、前記浸漬速度は5mm/min以上15mm/min以下であることが好ましい。前記第2の種結晶50Bのシリコン融液16へ接触させる接触速度及び前記所定の位置まで浸漬させる浸漬速度は、特に限定されるものではないが、前記接触速度は1mm/min以上10mm/min以下であり、前記浸漬速度は2mm/min以上10mm/min以下であることが好ましい。前記接触速度をこのような範囲とすることで、前記第2の種結晶50Bの接触時の熱ショック転位の発生を抑制することができる。また、前記浸漬速度をこのような範囲とすることで、前記第2の種結晶50Bの浸漬時の熱ショック転位の発生を抑制することができる。前記第2の種結晶50Bは、前記円錐部50Bcの先端50Bbをシリコン融液16に接触させる前に、前記シリコン融液16の液面から上方10mm以下の位置好ましくは3mm以上10mm以下の位置で予熱させることが好ましい。このようにすることで、前記第2の種結晶50Bの先端50Bbを接触させた際に発生する熱ショック転位の発生をより抑制することができる。前記種結晶を予熱する時間は、特に限定されるものではないが、生産性の観点から、3分以上1時間以下であることが好ましい。種結晶50をシリコン融液16に接触及び所定の位置まで浸漬させる際の種結晶50の回転数、ルツボ14の回転数、前記炉体12内に供給するキャリアガスG1の供給量及び炉内圧は、特に限定されるものではないが、効率的な接触及び浸漬を行う観点から、前記種結晶50の回転数は、5rpm以上30rpm以下であり、前記ルツボ14の回転数は0.5rpm以上15rpm以下であり、前記キャリアガスG1の供給量は、30L/min以上150L/min以下であり、前記炉内圧は、20mbar以上100mbar以下であることが好ましい。なお、本願発明にいうダッシュネッキング法を行わないでシリコン単結晶を育成するとは、前記引上げに転じた時点で、前記第2の種結晶50Bの結晶径を拡径することをいう。また、前記第2の種結晶50Bの浸漬時において、第2の種結晶50Bがシリコン融液16内に潜り込む前に融解し、融解相Lpが形成されながら浸漬される場合がある図7参照。なお、この場合であっても、前記再調整されたシリコン融液16の温度が上記範囲内であるため、前記融解相Lpの最小径H2aが、高重量のシリコン単結晶例えば、直径が300mm以上の直胴部を有するシリコン単結晶を保持する際に破断しない程度の強度を有する直径好ましくは6mm以上、更に、好ましくは8mm以上を備えた状態で浸漬させることができるため問題となることは無い。更に、この場合には、第2の種結晶50Bの直径H2より径が小さい前記融解相Lpが固化した固体相LpSが形成される図1h参照。このような場合には、前記固体相LpSの最小直径は、6mm以上、好ましくは8mm以上に制御することが好ましい。このような制御は、前記第2の種結晶50Bの浸漬時の浸漬速度等により行う事ができる。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。[試験1]実施例1図6に示すようなシリコン単結晶引上装置10を用いて、直径32インチの石英ガラスルツボ14aにシリコン原料を充填し、ヒータ18により溶解させてシリコン融液16とした。次に、円筒体直径図2でいうH1が12.5mm、長さ図2でいうD1が100mmである第1の種結晶50Aを用いて、該円筒体の一端面50A1をシリコン融液16の液面に接触させた後、図1bに示すように、所定の位置前記一端面50A1から長さ方向に10mmの位置まで浸漬させた。次に、前記浸漬させた第1の種結晶50Aの前記シリコン融液16との接触界面における形状をCCDカメラにより検出しつつ、ヒータ18を制御することで、シリコン融液16の温度を図4に示すような晶癖線70が確認される温度に調整した。このときのシリコン融液16の温度シリコン融液16を加熱するヒータ18の外周近傍に設置された保温部材の表面温度、以下同じは、1217°Cであった。次に、前記第1の種結晶50Aを回収し、ヒータ18を制御することで、前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から10.0°C高い温度とした。続いて、円筒部50Baの直径図3でいうH2が12.5mm、長さ図3でいうD2が100mm、円錐部50Bcの長さ図3でいうD3が51.0mm、円錐部50Bcの尖った先端50Bbの角度図3でいうθが14.0°である第2の種結晶50Bを用いて、図1dに示すように、シリコン融液16の高さ5mmの位置で30分間保持して前記第2の種結晶50Bを予熱させた後、図1eに示すように、第2の種結晶50Bの先端50Bbをシリコン融液16に接触させた。次に、第2の種結晶50Bを円筒部50Baの位置図1gに示す位置まで浸漬させて、その後、引上げに転じてダッシュネッキング法を行わないで、直径が310mmまで拡径する拡径部クラウン部を形成し、更に、直径を310mmで維持しながら、長さが1800mmの直胴部を有するシリコン単結晶を育成した。この実施例1の具体的な製造条件は下記の通りである。第1の種結晶50Aの接触速度:10.0mm/min第1の種結晶50Aの浸漬速度:10.0mm/min第2の種結晶50Bの接触速度:6.0mm/min第2の種結晶50Bの浸漬速度:6.0mm/minから2.0mm/min以上3.0mm/min以下の範囲内まで漸減させた後、当該範囲内で制御キャリアガスG1:アルゴンガスキャリアガスG1の供給量:50L/min炉内圧:90~100mbar種結晶50の回転数:10rpmルツボ14の回転数:5rpm種結晶50及びルツボ14の回転方向:逆方向拡径部クラウン部での種結晶50の引上速度:1.0mm/min以上1.5mm/min以下の範囲内で制御実施例2前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から12.0°C高い温度として、その他は、実施例1と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。実施例3前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から14.0°C高い温度として、その他は、実施例1と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。実施例4前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から16.0°C高い温度として、その他は、実施例1と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。実施例5前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から18.0°C高い温度として、その他は、実施例1と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。比較例1前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から8.0°C高い温度とし、かつ、第2の種結晶50Bの下部の最小直径を実施例1と同様になるように、浸漬速度を低下させて、その他は、実施例1と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。次に、実施例1から5及び比較例1で育成された各々のシリコン単結晶の直胴部を成長方向長軸方向に平行してスライスし、スライスされた切断面に対して、X線トポグラフを用いてスリップ転位の発生の有無を評価した。その結果、実施例1から5で得られたすべてのシリコン単結晶において転位の発生は認められなかった。これに対し、比較例1で得られたシリコン単結晶においては、スライスされた切断面のほぼ全体にスリップ転位の発生が認められた。なお、このときの第2の種結晶50Bの下部の最小直径は、実施例1、比較例1では8.8mm、実施例2では8.0mm、実施例3では7.5mm、実施例4では7.0mm、実施例5では6.5mmであった。比較例2前記シリコン融液16の温度を前記調整した温度から20.0°C高い温度として、その他は、実施例1と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。その結果、第2の種結晶50Bの浸漬途中で第2の種結晶50Bとシリコン融液16とがちぎれてしまうことが確認された。比較例3比較例2に対して、第2の種結晶50Bの下部の最小直径が6mm以上となるように、浸漬速度を高めて、その他は、比較例2と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。その結果、比較例2と異なり、第2の種結晶50Bの浸漬途中で第2の種結晶50Bとシリコン融液16とがちぎれてしまうことは無かったものの、得られたシリコン単結晶に対して、前述したスリップ転位の発生の有無を評価したところ、スライスされた切断面のほぼ全体にスリップ転位の発生が認められた。実施例6第2の種結晶50Bの下部の最小直径を実施例2と同様8.0mmになるように、浸漬速度を高めて、その他は、実施例3と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。実施例7第2の種結晶50Bの下部の最小直径を実施例2と同様8.0mmになるように、浸漬速度を高めて、その他は、実施例4と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。実施例8第2の種結晶50Bの下部の最小直径を実施例2と同様8.0mmになるように、浸漬速度を高めて、その他は、実施例5と同様な条件にて、シリコン単結晶を育成した。実施例6から8で得られたシリコン単結晶に対して、前述したスリップ転位の発生の有無を評価したところ、得られたすべてのシリコン単結晶において転位の発生は認められなかった。