"パッケージ裏面にヒートスプレッダが設けられた半導体パッケージを、配線基板の放熱用ランドの上に重ね、ヒートスプレッダと放熱用ランドを半田で接合して実装する半導体パッケージの実装構造において、上記放熱用ランドを半導体パッケージの少なくとも一辺から外側にはみ出す平面形状とし、このはみ出し部分を、半導体パッケージのリペア時に半田ごてを接触させる半田ごて接触部としたことを特徴とする半導体パッケージの実装構造。上記半導体パッケージが、その左右両辺から突き出す複数のリード端子片を備えたICパッケージであり、上記放熱用ランドが、その縦長ランド部の前後両端に上記ICパッケージの前後両辺からはみ出す横長の半田ごて接触部を一体に形成した工字形の平面形状を有するものであることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージの実装構造。しかしながら、図3に示す従来の半導体パッケージの実装構造では、放熱用ランド4が半導体パッケージ1の下に完全に隠れてしまうため、半導体パッケージ1を配線基板3からリペアする必要が生じた場合には、ブロアを用いて熱風を周囲から半田に吹き付けて溶融しなければ半導体パッケージ1をリペアすることができず、リペア作業が極めて面倒で手間がかかるという問題があった。一方、前記特許文献1の配線基板は、放熱性を向上させるためにランドの面積をヒートスプレッダの面積の9割以上としたものであり、前記特許文献2の半導体装置は、放熱性を向上させるために絶縁性基板のアイランド形成領域に放熱用ビアホールを設けたものであるが、これらの配線基板や半導体装置はいずれも、半導体パッケージや半導体素子のリペア作業性を向上させる工夫がされていないため、これらの配線基板や半導体装置の技術を応用しても、上記の問題を解決することはできない。同様に、前記特許文献3の半導体装置や、前記特許文献4の電子部品の実装構造も、パッケージや電子部品のリペア作業性を向上させる工夫がされていないため、これらの技術を応用しても、上記の問題を解決することはできない。本発明は上記事情の下になされたもので、その解決しようとする課題は、配線基板の放熱用ランドの形状を工夫することにより、ヒートスプレッダと放熱用ランドを接合している半田を半田ごてで速やかに加熱溶融させて、半導体パッケージを簡単にリペアできるように改良した半導体パッケージの実装構造を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明に係る半導体パッケージの実装構造は、パッケージ裏面にヒートスプレッダが設けられた半導体パッケージを、配線基板の放熱用ランドの上に重ね、ヒートスプレッダと放熱用ランドを半田で接合して実装する半導体パッケージの実装構造において、上記放熱用ランドを半導体パッケージの少なくとも一辺から外側にはみ出す平面形状とし、このはみ出し部分を、半導体パッケージのリペア時に半田ごてを接触させる半田ごて接触部としたことを特徴とするものである。本発明に係る半導体パッケージの実装構造では、上記半導体パッケージが、その左右両辺から突き出す複数のリード端子片を備えたICパッケージであり、上記放熱用ランドが、その縦長ランド部の前後両端に上記ICパッケージの前後両辺からはみ出す横長の半田ごて接触部を一体に形成した工字形の平面形状を有するものであることが好ましい。本発明に係る半導体パッケージの実装構造のように、配線基板の放熱用ランドが半導体パッケージの少なくとも一辺から外側にはみ出す平面形状とされ、このはみ出し部分が半田ごて接触部とされていると、半導体パッケージをリペアする必要が生じた場合に、半田ごて接触部に半田ごてを接触させて放熱用ランドを加熱し、ヒートスプレッダと放熱用ランドを接合している半田を速やかに溶融させて半導体パッケージを簡単にリペアすることができる。そして、放熱用ランドの面積が、半導体パッケージの少なくとも一辺からはみ出した分だけ大きくなるので、放熱性も向上する。特に、放熱用ランドが、その縦長ランド部の前後両端にICパッケージの前後両辺からはみ出す横長の半田ごて接触部を一体に形成した工字形の平面形状を有するものであると、ICパッケージの前後両辺からはみ出したそれぞれの半田ごて接触部に半田ごてを一つずつ接触させることにより、半田を一層速やかに溶融させて半導体パッケージを極く短時間でリペアできるため、リペア作業性が更に向上する。また、ICパッケージを実装するときには、工字形の放熱用ランド両端の横長の半田ごて接触部がICパッケージの位置決めマークの役目を果たすため、ICパッケージの位置決め作業も容易になる。以下、図面を参照して、本発明に係る半導体パッケージの実装構造の実施形態を詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの実装構造を示すもので、aは同実装構造の平面図、bは同実装構造の断面図であり、また、図2のaは半導体パッケージの平面図、図2のbは配線基板の部分平面図である。この実施形態で実装される半導体パッケージ1は、図1b,図2aに示すように、該パッケージの左右両辺左右側壁から突き出す複数のリード端子片1aを備えたICパッケージであって、その裏面中央部には方形の金属板よりなるヒートスプレッダ2が露出して設けられている。一方、配線基板3の表面には放熱用ランド5が露出して形成されており、この放熱用ランド5の左右両側には、ICパッケージ1のリード端子片1aを半田接続する端子パターン6が形成されている。この放熱用ランド5は、ICパッケージ1のヒートスプレッダ2よりも横幅が少し広い縦長ランド部5aの前後両端に、横長の半田ごて接触部5b,5bを一体に形成した工字形の平面形状を有するランドであって、半田ごて接触部5b,5bは、ICパッケージ1を実装したとき、図1aに示すように、ICパッケージ1の前後両辺から外側へはみ出すように形成されている。この実施形態の半田ごて接触部5bは、ICパッケージ1の横幅よりも横長に形成されているが、ICパッケージ1の横幅よりも短く形成されていても勿論よい。この実施形態の実装構造は、上記のようにヒートスプレッダ2を裏面中央部に形成したICパッケージ1を、図1a,bに示すように、配線基板3の放熱用ランド5の縦長ランド部5aに重ね、この縦長ランド部5aとICパッケージ1のヒートスプレッダ2を半田7で接合すると共に、ICパッケージ1のリード端子片1aを配線基板3の端子パターン6に半田接続したものであって、図1aに示すように、半田ごて接触部5b,5bはICパッケージ1の前後両辺から外側へはみ出して露出している。そのため、ICパッケージ1をリペアする必要が生じた場合には、ICパッケージ1の前後両辺からはみ出した半田ごて接触部5b,5bに半田ごてを接触させて放熱用ランド5を速やかに加熱し、ヒートスプレッダ2と放熱用ランド5の縦長ランド部5aを接合している半田7を短時間で溶融させると同時に、ICパッケージ1のリード端子片1aと配線基板3の端子パターン6を接続している半田を加熱溶融させて、ICパッケージ1を簡単にリペアすることができる。また、ICパッケージ1の前後両辺からはみ出す半田ごて接触部5b,5bが縦長ランド部5aの両端に一体的に形成されていると、放熱用ランド5の全体の面積が大きくなるので、その分だけ放熱性も向上する。放熱用ランド5は上記の工字形に限定されるものではなく、ICパッケージ1の少なくとも一辺から外側にはみ出す平面形状を有するものであればよい。けれども、この実施形態のように放熱用ランド5が縦長ランド部5aの前後両端に横長の半田ごて接触部5b,5bを一体に形成した工字形の平面形状を有するものであると、ICパッケージ1の前後両辺からはみ出したそれぞれの半田ごて接触部5b,5bに半田ごてを一つずつ接触させて放熱用ランド5を前後両側から加熱し、半田7を一層速やかに溶融させてICパッケージ1を極く短時間でリペアできるため、リペア作業性が更に向上する利点がある。そして、ICパッケージ1を実装するときには、工字形の放熱用ランド5の横長の半田ごて接触部5b,5bがICパッケージ1の位置決めマークの役目を果たすため、ICパッケージ1の位置決め作業も容易になる利点がある。なお、放熱性を更に向上させるために、配線基板3の放熱用ランド5形成部分に複数のスルーホールを形成すると共に、配線基板3の裏面に放熱用の金属パターンを形成し、ICパッケージ1から発生した熱をスルーホールを介して配線基板3の裏面の金属パターンに伝導させて放熱させるようにしてもよいことは言うまでもない。また、半導体パッケージがLSIパッケージである場合も、そのリード端子片が突き出していないLSIパッケージの端辺からはみ出すように放熱用ランドの半田ごて接触部を形成すれば、上記のICパッケージと同様にLSIパッケージのリペアを容易に行えることは言うまでもない。なお、本明細書にいう半田ごてとは、本来の半田ごての他に種々の加熱治具を含む広い概念の用語である。"