"第1の主面と前記第1の主面に対向する第2の主面とを有し、前記第1の主面から前記第2の主面に貫通する貫通孔が形成されたコア材と、前記第1の主面側又は前記第2の主面側の少なくとも一方に、層間樹脂層を介して積層された配線層と、を備え、前記コア材は、前記第1,第2の主面と前記貫通孔の内周面との境界に形成される角が除去されている境界部を有することを特徴とする配線基板。前記貫通孔の開口径は、前記第1,第2の主面付近において、前記第1,第2の主面に近づくにつれて拡がることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。前記境界部の表面は、R面であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の配線基板。前記境界部の表面は、粗化されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の配線基板。前記コア材は、鉄とニッケルとの合金を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の配線基板。第1の主面と前記第1の主面に対向する第2の主面とを有するコア材に、前記第1の主面から前記第2の主面に貫通する貫通孔を形成する工程と、前記第1,第2の主面と前記貫通孔の内周面との境界に形成される角を除去する工程と、前記貫通孔に樹脂を充填する工程と、前記第1の主面側又は前記第2の主面側の少なくとも一方に、層間樹脂層を積層する工程と、前記層間樹脂層上に、配線層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。従来のコア基板は、表面及び裏面と貫通孔の内周面との境界に角が形成されている。しかしながら、従来のコア基板では、この角を除去していない。このため、この角を起点にして、絶縁層となるプリプレグにクラックが発生したり、電圧印可時にイオンマイグレーションが発生するなどの不具合が配線基板に生じる虞がある本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、コア材の表面及び裏面と貫通孔の内周面との境界に形成される角に起因する不具合を抑制できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成すべく、本発明は、第1の主面と第1の主面に対向する第2の主面とを有し、第1の主面から第2の主面に貫通する貫通孔が形成されたコア材と、第1の主面側又は第2の主面側の少なくとも一方に、層間樹脂層を介して積層された配線層と、を備え、コア材は、第1,第2の主面と貫通孔の内周面との境界に形成される角が除去されている境界部を有している。本発明によれば、第1,第2の主面と貫通孔の内周面との境界に形成される角が除去された境界部を有しているので、該角に起因するクラックやイオンマイグレーションの発生を抑制して、配線基板に不具合が生じる虞を防止することができる。また、角が除去されているので、貫通孔内に層間樹脂層となるプリプレグが充填されやすくなる。なお、本発明の一態様においては、貫通孔の開口径は、第1,第2の主面付近において、第1,第2の主面に近づくにつれて拡がる形状とすることができる。貫通孔の開口径を、第1,第2の主面付近において、第1,第2の主面に近づくにつれて拡がる形状とすることで、クラックやイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。また、貫通孔内に層間樹脂層となるプリプレグがより充填されやすくなる。また、本発明の他の態様においては、境界部の表面をR面とすることができる。境界部の表面をR面とすることで、クラックやイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。また、貫通孔内に層間樹脂層となるプリプレグがより充填されやすくなる。また、本発明の他の態様においては、境界部の表面を粗化することができる。境界部の表面を粗化することで、コア材の第1の主面及び第2の主面にそれぞれ積層される層間樹脂層との密着性が向上する。また、本発明の他の態様においては、コア材を、鉄とニッケルとの合金を主成分とすることができる。コア材を、鉄とニッケルとの合金を主成分とすることで、配線基板の熱膨張を低減できる。また、鉄とニッケルとの合金は、好適な熱伝導性を有しているため、配線基板の放熱性が向上する。以上説明したように、本発明によれば、コア材の表面及び裏面と貫通孔の内周面との境界に形成される角に起因する不具合を抑制できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明では、コア基板上にビルドアップ層を形成した配線基板を例に、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、半導体チップが接続される側を表面側とし、マザーボードやソケット等以下、マザーボード等と称するが接続される側を裏面側とする。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る配線基板100の平面上面図である。図2は、図1の一点鎖I-Iにおける線配基板100の断面図である。配線基板の構成図1及び図2に示すように、配線基板100は、コア基板10、ビルドアップ層20、ソルダーレジスト層31及びソルダーレジスト層41を備える。コア基板の構成コア基板10は、金属板11コア材と、層間絶縁層14と、スルーホールH内に形成されたスルーホール導体19cと、スルーホール導体19cの中空部に充填された充填樹脂16と、層間絶縁層14の表面及び裏面に形成された表面配線層19a及び裏面配線層19bと、充填樹脂16の両端に形成された蓋めっき層17,18とを備える。金属板11は、鉄FeとニッケルNiとの合金を主成分とする。金属板11は、第1の主面11a表面と、この第1の主面11aに対向する第2の主面11b裏面とを有する。金属板11には、第1の主面11aから第2の主面11bに貫通する複数の貫通孔11cが形成されている。金属板11は、第1,第2の主面11a,11bと貫通孔11cの内周面との境界に形成される角が除去されている境界部11dを有する。なお、この実施形態では、金属板11として、鉄FeとニッケルNiとの合金を使用しているが、銅など、他の金属合金を含むを使用してもよい。金属板11の境界部11dは、貫通孔11cの開口径が、第1,第2の主面11a,11b付近において、第1,第2の主面11a,11bに近づくにつれて拡がるR面となっている。また、金属板11の第1,第2の主面11a,11b及び境界部11dは、表面が粗化されている。層間絶縁層14の貫通孔11cに対応する位置には、スルーホールHが形成され、このスルーホールHの内周面には、表面配線層19aと裏面配線層19bとを互いに導通させるスルーホール導体19cが形成されている。また、スルーホール導体19cの中空部は、エポキシ樹脂等の充填樹脂16により充填されている。さらに、充填樹脂16の両端は、蓋めっき層17,18により封止されている。なお、この実施形態では、スルーホール導体19c内に充填樹脂16を充填しているが、スルーホールH内をスルーホール導体19cで充填するようにしてもよい。この場合、スルーホールH内がスルーホール導体19cで満たされるため、充填樹脂16は必要としない。ビルドアップ層の構成ビルドアップ層20は、コア基板10の表面側に積層された絶縁層21,24層間樹脂層と、配線層23,26と、ビア導体22,25とを備える。なお、この第1の実施形態では、ビア導体22,25をフィルドビアとしているが、コンフォーマルビアとしてもよい。絶縁層21は、熱硬化性樹脂組成物からなり、コア基板10の表面に積層される。絶縁層21の表面には、配線層23が形成されている。また、絶縁層21には、コア基板10の表面配線層19aと配線層23とを電気的に接続するビア導体22が形成されている。絶縁層24は、熱硬化性樹脂組成物からなり、配線層23上に積層される。絶縁層24の表面には、配線層26が形成されている。また、絶縁層24には、配線層23と配線層26とを電気的に接続するビア導体25が形成されている。ソルダーレジスト層の構成ソルダーレジスト層31は、熱硬化性又は/及び光硬化性の樹脂組成物からなるフィルム状のソルダーレジストをビルドアップ層20の配線層26上に積層して形成される。ソルダーレジスト層31には、複数の開口31aが形成されている。ソルダーレジスト層31の開口31a内には、半田バンプ33が形成されており、その上端は、ソルダーレジスト層31の上面31bから突出している。なお、この実施形態では、ソルダーレジスト層31として、フィルム状のソルダーレジストを使用しているが、ワニス状のソルダーレジストを塗布して、ソルダーレジスト層31を形成してもよい半田バンプ33は、図示しない半導体チップの電極との接続端子であり、Ni層及びAu層からなるメタル層32を介して、配線層26と電気的に接続されている。半田バンプ33は、Sn-Ag系、Pb-Sn系、Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系、Sn-Zn系などの低融点合金からなる。なお、この実施形態では、半田バンプ33は、Ni層及びAu層からなるメタル層32を介して配線層26と電気的に接続されているが、例えば、メタル層32を、Ni、Pd及びAuから構成してもよいし、Sn、Ni又はAuから選択される金属で構成してもよい。さらに、半田バンプ33を、メタル層32を介さずに配線層26と電気的に接続してもよい。ソルダーレジスト層41は、熱硬化性又は/及び光硬化性の樹脂組成物からなるフィルム状のソルダーレジストをコア基板の裏面配線層19b上に積層して形成される。ソルダーレジスト層41には、複数の開口41aが形成されている。ソルダーレジスト層41の開口41aの底部には、裏面配線層19bが位置する。開口41aから露出した裏面配線層19bの表面には、Ni層及びAu層からなるメタル層42が被覆されている。該メタル層42は、図示しないマザーボード等との接続端子として使用される。なお、この実施形態では、ソルダーレジスト層41として、フィルム状のソルダーレジストを使用しているが、ワニス状のソルダーレジストを塗布して、ソルダーレジスト層41を形成してもよい。また、メタル層42を、Ni、Pd及びAuから構成してもよいし、Sn、Ni又はAuから選択される金属で構成してもよい。配線基板の製造方法図3~図17は、第1の実施形態に係る配線基板100の製造工程を示す図である。以下、図3~図17を参照して、配線基板100の製造方法について説明する。コア基板形成工程鉄FeとニッケルNiとの合金を主成分とする金属板11の所定の位置に貫通孔11cを形成する。貫通孔11cは、レーザー加工、ドリル加工、エッチング加工等により形成する図3参照。貫通孔11cが形成された金属板11をエッチング液例えば、硫酸銅水溶液や過硫酸に浸して、金属板11をウェットエッチングし、その後、既存の鉄―ニッケル合金用マイクロエッチング液例えば、硫酸、硫化鉄、塩化アンモニウムを含むエッチング剤で金属板11表面を粗化する。ウェットエッチングにより、金属板11の第1,第2の主面11a,11bと貫通孔11cの内周面との境界に形成される角が除去された境界部11dが形成される図4参照。また、金属板11の境界部11dの形状は、貫通孔11cの開口径が、第1,第2の主面11a,11b付近において、第1,第2の主面11a,11bに近づくにつれて拡がるR面となる。さらに、上述の鉄―ニッケル合金用マイクロエッチング液で金属板11表面を粗化することにより、金属板11の第1,第2の主面11a,11b及び境界部11dの表面が粗化される。金属板11の第1の主面11a及び第2の主面11bに、厚みが約20~80μmでエポキシ樹脂からなるドライタイプの樹脂フィルム12,13プリプレグを積層ラミネートする図5参照。なお、この実施形態では、樹脂フィルム12,13として、エポキシ樹脂からなるドライタイプの樹脂フィルムを使用しているが、例えば、ポリイミド系など、他の樹脂系からなる樹脂フィルムを使用するようにしてもよい。次に、金属板11及び樹脂フィルム12,13の積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着し、表面が層間絶縁層14で被覆された金属板11を得る図6参照。なお、押圧の際に、樹脂フィルム12,13の一部は貫通孔11c内に進入する。金属板11は、第1,第2の主面11a,11bと貫通孔11cの内周面との境界に形成される角が除去された境界部11dを有し、該境界部11dがR面となっているので、貫通孔11c内に層間絶縁層14となる樹脂フィルム12,13が充填されやすい。また、金属板11の第1,第2の主面11a,11b及び境界部11dは、表面が粗化されている。このため、金属板11と、この金属板11を被覆する層間絶縁層14とは、良好な密着性を有している。金属板11の貫通孔11cの略中心をとおるように、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いた孔あけ加工によりスルーホールHを形成する図7参照。スルーホールHの内径は、例えば、約150μmである。なお、スルーホールH形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが好ましい。なお、スルーホールHは、ドリル加工により形成してもよい。スルーホールHの内周面を含む層間絶縁層14の表面に、Pdを含むメッキ触媒を被覆した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、銅めっき層15を形成する図8参照。この銅めっき層15は、図1及び図2を参照して説明した表面配線層19a、裏面配線層19b及びスルーホール導体19cとなる。その後、スルーホール導体19c内をエポキシ樹脂等の充填樹脂16で充填する。なお、充填樹脂16を充填後、充填樹脂16の両端を研磨する図9参照。充填樹脂16の両端及び銅めっき層15上に、Pdを含むメッキ触媒を被覆した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、蓋めっき層17,18を形成する図10参照。蓋めっき層17,18上に、感光性樹脂からなる樹脂フィルムを貼り付け、当該フィルムに対して露光および現像フォトグラフィ技術を施して、所定のパターンを有するエッチングレジストを形成する。次に、上記所定のパターン間から露出する蓋めっき層17,18及び銅めっき層15をエッチングする。その結果、表面配線層19aと裏面配線層19bとが形成される図11参照。ビルドアップ層形成工程次に、コア基板10の表面にビルドアップ層20を形成する。このビルドアップ層20は、セミアディティブ法により形成される。初めに、コア基板10の表面を粗化した後、コア基板10の表面に絶縁層21となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料を積層し、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、絶縁層21にビアホール21aを形成する図12参照。続いて、絶縁層21の表面を粗化した後、無電解めっきを行い、ビアホール21aの内壁を含む絶縁層21上に無電解銅めっき層を形成する。次にフォトレジストを絶縁層21上に形成された無電解銅めっき層上にラミネートして、露光現像を行い、所望の形状にめっきレジストを形成した後、このめっきレジストをマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターンを得る。次に、めっきレジストを剥離して、めっきレジスト下に存在していた無電解銅めっき層を除去して、配線層23を得る。また、この際に、ビアホール21a内にビア導体22も形成される図13参照。次に、絶縁層21、配線層23及びビア導体22を形成した時と同様にして、絶縁層24、配線層26及びビア導体25を形成する図14参照。ソルダーレジスト層形成工程ビルドアップ層20の表面及びコア基板10の裏面に、それぞれフィルム状のソルダーレジストをプレスして積層する。積層したフィルム状のソルダーレジストを露光現像して、開口31aが形成されたソルダーレジスト層31と、開口41aが形成されたソルダーレジスト層41とを得る図15参照。めっき工程次に、ソルダーレジスト層31,41のそれぞれ開口31a,41aから露出した配線層23、ビア導体22及び裏面配線層19bを過硫酸ナトリウム等によりエッチングして、表面の酸化膜等の不純物を除去した後、無電解還元めっきにより、Ni層及びAu層からなるメタル層32,42を形成する図16参照。バックエンド工程半田印刷により、メタル層32上に半田ペーストを塗布した後、所定の温度と時間でリフローを行い、半田バンプ33を形成する図17参照。なお、この実施形態では、半田ペーストの塗布により半田バンプ33を形成しているが、半田ボールをメタル層32上に搭載するいわゆるマイクロボールマウント法や、半田をメタル層32上にめっきするめっき法により半田バンプ33を形成してもよい。以上のように、この第1の実施形態に係る配線基板100では、金属板11が、第1,第2の主面11a,11bと貫通孔11cの内周面との境界に形成される角が除去されている境界部11dを有するので、第1,第2の主面11a,11bと貫通孔11cの内周面との境界に形成される角に起因する不具合、例えば、クラックやイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。また、金属板11の境界部11dは、貫通孔11cの開口径が、第1,第2の主面11a,11b付近において、第1,第2の主面11a,11bに近づくにつれて拡がるR面となっている。このため、上記クラックやイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。第1,第2の主面11a,11bと貫通孔11cの内周面との境界に形成される角が除去された境界部11dを有し、該境界部11dがR面となっているので、貫通孔11c内に層間絶縁層14となるプリプレグが充填されやすくなる。金属板11の第1,第2の主面11a,11b及び境界部11dは、表面が粗化されているので、金属板11を被覆する層間絶縁層14との密着性が向上する。さらに、金属板11は、鉄FeとニッケルNiとの合金を主成分とする。鉄とニッケルとの合金を主成分とすることで、配線基板100の熱膨張を低減することができる。また、鉄とニッケルとの合金は、好適な導電性を有しているため、配線基板100の放熱性が向上する。なお、この実施形態では、コア基板10の表面側及び裏面側に、それぞれビルドアップ層が2層ずつ形成されているが、ビルドアップ層は、2層に限られず、何層であってもよい。また、コア基板10の表面側及び裏面側で、形成されるビルドアップ層の数異なっていても構わない。第2の実施形態図18は、第2の実施形態に係る配線基板200の平面上面図である。図19は、図18の一点鎖I-Iにおける線配基板200の断面図である。以下、図18及び図19を参照して、第2の実施形態に係る配線基板200の構成図を説明するが、図1を参照して説明した配線基板100と同じ構成には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。図18及び図19に示すように、第2の実施形態に係る配線基板200は、コア基板10の裏面側にビルドアップ層50が形成されている点が、図1及び図2を参照して説明した配線基板100とは異なる。ビルドアップ層50は、コア基板10の裏面側に積層された絶縁層51,54層間樹脂層と、配線層53,56と、ビア導体52,55とを備える。なお、この実施形態では、ビア導体52,55をフィルドビアとしているが、コンフォーマルビアとしてもよい。絶縁層51は、熱硬化性樹脂組成物からなり、コア基板10の裏面に積層される。絶縁層51の表面には、配線層53が形成されている。また、絶縁層51には、コア基板10の裏面配線層19bと配線層53とを電気的に接続するビア導体52が形成されている。絶縁層54は、熱硬化性樹脂組成物からなり、配線層53上に積層される。絶縁層54の表面には、配線層56が形成されている。また、絶縁層54には、配線層53と配線層56とを電気的に接続するビア導体55が形成されている。以上のように、コア基板10の裏面側にビルドアップ層50を形成しても、図1及び図2を参照して説明した第1の実施形態に係る配線基板100と同様の効果を得ることができる。その他の実施形態以上、本発明を、具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記具体例では、配線基板100が半田ボールを介してマザーボード等と接続するBGA基板である形態について説明しているが、半田ボールの代わりにピンもしくはランドを設けた、いわゆるPGAPinGridArray基板もしくはLGALandGridArray基板として配線基板100をマザーボード等と接続するようにしてもよい。"