"磁化方向のなす相対角度が外部磁界に応答して変化する第1及び第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に位置するスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第1の磁性層は、前記磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、前記第2の磁性層よりも近い側に位置し、前記スペーサ層は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層と、前記主スペーサ層と前記第1の磁性層との間に位置し、一部が酸化された銅を主成分とするボトム層と、を有している、磁気抵抗効果素子。前記ボトム層は、前記第1の磁性層に近いほど酸化された銅の原子分率の比率が低くなっている、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。前記ボトム層に含まれる酸化された銅はCu2Oを含む、請求項1または2に記載の磁気抵抗効果素子。請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド。前記第1の磁性層と前記第2の磁性層の一方が、外部磁界に応答して磁化方向が変化する磁化自由層であり、他方が、磁化方向が固定された磁化固定層であり、前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向両側に設けられ、前記磁化自由層に前記トラック幅方向のバイアス磁界を印加する一対のバイアス磁界印加層を有する、請求項4に記載の磁気ヘッド。前記第1の磁性層と前記第2の磁性層は共に、外部磁界に応答して磁化方向が変化する磁化自由層であり、媒体対向面から見て前記磁気抵抗効果素子の裏面側に設けられ、前記第1及び第2の磁性層に前記媒体対向面と直交する方向のバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層を有する、請求項4に記載の磁気ヘッド。請求項4から6のいずれか1項に記載の磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダ。請求項4から6のいずれか1項に記載の磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリ。請求項4から6のいずれか1項に記載の磁気ヘッドを有するハードディスクドライブ装置。スペーサ層と隣接する強磁性層は、一般にCoNiFe等を主成分としている。これらの元素が酸化物半導体層と接触して配置されていると酸化物半導体層に含まれる酸素の酸化作用によって強磁性層が酸化し、分極率が低下し、MR変化率が低下する可能性がある。特許文献1にはさらに、CoFe等からなる強磁性層と酸化物半導体層との間に銅、金、銀などからなる非磁性金属層を設ける技術が開示されている。これらの非磁性金属層は酸化物半導体に含まれる酸素の拡散を防止し、強磁性層の酸化を防止することが期待されるが、酸化防止膜として機能させるためにはある程度の膜厚が必要となる。一方、膜厚を大きくしすぎると酸化防止効果は得られるものの電子が散乱されやすくなり、MR変化率が低下する。このため、酸化防止と電子の散乱防止という2つの要求をバランスさせることが難しい。本発明は、スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなMR変化率を実現することのできる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。本発明の磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第1及び第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層との間に位置するスペーサ層と、を有している。第1の磁性層は、磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、第2の磁性層よりも近い側に位置している。スペーサ層は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層と、主スペーサ層と第1の磁性層との間に位置し、一部が酸化された銅を主成分とするボトム層と、を有している。酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層を備えるスペーサ層は、銅などの金属層で形成された従来のスペーサ層よりも大きなMR変化率を実現することができる。酸化ガリウムは薄膜状態では通常アモルファス状態で存在するが、アモルファス状態であっても大きなバンドギャップを持つことができ、また、スペーサ層と隣接する磁性層との格子整合隣接する2つの材料の格子定数が一致することが不要であるという利点も持っている。一方、上述のように、スペーサ層と隣接する磁性層は、一般にCoNiFe等を主成分としている。このため、これらの元素が酸化ガリウムと接触して配置されていると、酸化ガリウムに含まれる酸素の酸化作用によって磁性層が酸化し、MR変化率が低下する可能性がある。具体的には、酸化ガリウムは、それに含まれる酸素が拡散して第1の磁性層を構成する元素を酸化させ、分極率を低下させて、MR変化率を低下させる可能性がある。そこで本発明では、スペーサ層は、一部が酸化された銅を主成分とするボトム層を備えている。銅は酸化ガリウムに含まれている酸素の拡散を防止する効果がある。また、酸化された銅は酸化されていない銅と比べて電子の散乱が生じにくい。このようなボトム層を設けることによって、銅の酸化防止効果を確保しつつ、電子の散乱を抑え、MR変化率を高めることができる。本発明によれば、スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなMR変化率を実現することのできる磁気抵抗効果素子を提供することができる。本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子と、その磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドのいくつかの実施形態を、図面を用いて説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド1の要部断面図を示している。薄膜磁気ヘッド1は基板W上に形成され、再生ヘッド2と記録ヘッド3とを有している。図2は、図1のA-A方向から見た再生ヘッド2の側面図、すなわち媒体対向面Sにおける再生ヘッド2の層構成を示している。媒体対向面Sとは、薄膜磁気ヘッド1の、記録媒体Mと対向する面である。まず、図2を参照して、再生ヘッド2の構成について説明する。再生ヘッド2は、スピンバルブタイプの磁気抵抗効果素子4と、磁気抵抗効果素子4を膜面直交方向積層方向Pに挟むように設けられた上部及び下部シールド層6,5と、磁気抵抗効果素子4のトラック幅方向T図1においては紙面直交方向両側に設けられたバイアス磁界印加層32と、を有している。磁気抵抗効果素子4の先端部は図1に示すように、媒体対向面Sに配置されている。磁気抵抗効果素子4は、上部シールド層6と下部シールド層5との間にかかる電圧によって、センス電流Sが膜面直交方向Pに流れるようにされている。磁気抵抗効果素子4と対向する位置における記録媒体Mからの磁場は、記録媒体Mの回転につれて変化する。磁界の変化は磁気抵抗効果に基づくセンス電流Sの電気抵抗変化として検出される。磁気抵抗効果素子4は、この原理を利用して、記録媒体Mに書き込まれた磁気情報を読み出す。表1には、磁気抵抗効果素子4の層構成の一例を示す。表1は、下部シールド層5から上部シールド層6まで、積層順に下から上に記載している。磁気抵抗効果素子4は、NiFe層からなる下部シールド層5の上に、下地層11、反強磁性層12、外側磁化固定層13、交換結合伝達層14、内側磁化固定層15第1の磁性層L1、スペーサ層16、磁化自由層17第2の磁性層L2、保護層18がこの順に積層された層構成を有している。保護層18はNiFe層からなる上部シールド層6に覆われている。下地層11は、その上に積層される反強磁性層12と外側磁化固定層13との良好な交換結合を得るために設けられている。外側磁化固定層13はIrMnからなる反強磁性層12と交換結合している。外側磁化固定層13はRuからなる交換結合伝達層14を介して、内側磁化固定層15と交換結合している。この結果、内側磁化固定層15の磁化方向は強固に固定されている。内側磁化固定層15は膜面内で、媒体対向面Sと直交する方向に磁化されていることが望ましい。内側磁化固定層15と外側磁化固定層13は互いに反平行の向きに磁化方向が固定されているため、これらを合わせた部分の全体的な磁化が抑制される。内側磁化固定層15の上には、スペーサ層16を挟んで、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層17が設けられている。保護層18は、積層された各層が劣化することを防止するために設けられている。外側及び内側磁化固定層13,15並びに磁化自由層17は典型的にはCoFeからなるが、Niを含んでいてもよい。磁気抵抗効果素子4のトラック幅方向T両側には、絶縁膜31を介してバイアス磁界印加層32が形成されている。バイアス磁界印加層32は磁化自由層17を単磁区化するための磁区制御膜であり、磁化自由層17にトラック幅方向Tのバイアス磁界を印加する。絶縁膜31はAl2O3、バイアス磁界印加層32はCoPt,CoCrPtなどで形成される。センス電流Sは、磁気抵抗効果素子4に、膜面直交方向Pに流れるようにされている。センス電流Sは、電極を兼ねる上部及び下部シールド層6,5から供給される。磁化自由層17の磁化方向は、外部磁界が印加されていない状態では、バイアス磁界印加層32からのバイアス磁界によって、トラック幅方向T、すなわち内側磁化固定層15の磁化方向と直交する向きに制御されている。記録媒体Mからの外部磁界が磁化自由層17に印加されると、磁化自由層17の磁化方向は外部磁界の向き及び強さに応じて、膜面内を所定の方向に所定の角度だけ回転する。磁化自由層17の磁化方向は内側磁化固定層15の磁化方向に対して、外部磁界の向き及び強さに応じた相対角度をなし、相対角度に応じて伝導電子のスピン依存散乱が変化して磁気抵抗変化が生じる。磁気抵抗効果素子4は、この磁気抵抗変化を検出して、記録媒体Mの磁気情報を読み取る。磁化自由層17と外側及び内側磁化固定層13,15とはスペーサ層16に関して上下逆に設けられてもよい。換言すれば、磁化自由層17が外側及び内側磁化固定層13,15よりも基板Wに近い側に位置していてもよい。具体的には、内側磁化固定層15から反強磁性層12までの各層が保護層18とスペーサ層16の間に内側磁化固定層15が最も下側に、反強磁性層12が最も上側になるように配置される、磁化自由層17が下地層11とスペーサ層16の間に配置される。本明細書では、磁化自由層17と内側磁化固定層15のうち、磁気抵抗効果素子4が形成される基板Wに近い側、すなわち積層方向に見てスペーサ層16の下側に位置する層を第1の磁性層L1と呼び、基板Wから見て第1の磁性層L1より遠い側、すなわち積層方向に見てスペーサ層16の上側に位置する層を第2の磁性層L2と呼ぶ。表1に示す層構成では、内側磁化固定層15が第1の磁性層L1、磁化自由層17が第2の磁性層L2であり、逆の位置関係の層構成では、磁化自由層17が第1の磁性層L1、内側磁化固定層15が第2の磁性層L2となる。スペーサ層16は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層16bを含んでいる。主スペーサ層16bは酸化ガリウム以外の添加物、例えば金属酸化物を含んでいてよいが、主スペーサ層16b中の酸化ガリウムはモル分率で50以上であることが好ましい。酸化ガリウムの組成は一般式GaOxで表わされ、xの範囲は145≦x≦155である。主スペーサ層16bは、通常はアモルファスの状態で形成される。GaOxは、従来スペーサ層に用いられていたCuと比べて抵抗値が大きく、抵抗変化も大きい。このため、Cuをスペーサ層として用いた従来の磁気抵抗効果素子と比べて大きなMR変化率を得ることができる。酸化ガリウムは高いMR変化率を実現するために有望な材料であるが、酸素を含んでいるため、第1及び第2の磁性層L1,L2が主スペーサ層16bに隣接していると、第1及び第2の磁性層L1,L2に含まれるFe,Co,Ni等の元素、特にFeを酸化する傾向がある。これらの元素が酸化するとMR変化率は低下する傾向にある。そのため、主スペーサ層16bと第1の磁性層L1とが直接接触するのを避け、第1の磁性層L1の酸化を効果的に防止する目的で、スペーサ層16は、主スペーサ層16bと第1の磁性層L1との間に位置するボトム層16aを有している。ボトム層16aは一部が酸化されたCuを主成分とし、主スペーサ層16bと第1の磁性層L1の双方に接して位置している。ボトム層16aはCu以外の添加物を含んでいてよいが、ボトム層16a中の一部が酸化されたCuはモル分率で50以上であることが好ましい。同様の目的で、スペーサ層16は、主スペーサ層16bと第2の磁性層L2との間に双方に接して位置する、銅または亜鉛からなる非磁性層16cを有している。非磁性層16cは第2の磁性層L2の酸化を防止することができる。非磁性層16cは好ましくは実質的に銅または亜鉛からなり、若干の添加物を含んでいてよい。非磁性層16cは一部が酸化していてもよい。つまり、非磁性層16cは実質的に銅または亜鉛と、酸素と、からなっていてもよい。上述のようにボトム層16aは一部が酸化されたCuを主成分としている。すなわち、ボトム層16aは、金属のCuとCuの酸化物との混合物を主成分としている。金属状態のCuは電子を散乱させやすいため、ボトム層16aが金属状態のCuだけを主成分として構成されていると、電子の散乱のためにMR変化率が低下する。Cuの酸化物は金属状態のCuと比べて電子の散乱が生じにくいため、ボトム層16aにCuの酸化物が含まれていることによって、ボトム層16aでの電子の散乱が生じにくくなる。第1の磁性層L1の酸化は主に、酸化されていない金属状態のCuで防止し、金属状態のCuで生じ易い電子の散乱をCuの酸化物で防止することによって、第1の磁性層L1の酸化と電子の散乱を共に抑制することができる。第1の磁性層L1の酸化を防止する効果を高めるためには、ボトム層16aは、第1の磁性層L1に近いほど、酸化されたCuの原子分率の比率が低くなっていることが好ましく、ボトム層16aの第1の磁性層L1との隣接部は酸化されていない金属状態のCuだけを含んでいることがさらに好ましい。本実施形態では、ボトム層16aを形成する際に、金属状態のCu膜を成膜し、その後にプラズマ酸化処理を行いCu膜の一部を酸化させる。このため、Cu膜の上部が酸化されやすく、下部が酸化されにくく、このようなCuの分布を容易に得ることができる。Cuは1価の酸化状態Cu2Oと2価の酸化状態CuOをとることができるCu2Oは酸化物であるため電子の散乱が生じにくい一方、CuOと比べて酸素の比率が低いため、Cuと結合した酸素がCuから離脱し第1の磁性層L1を酸化させた場合でもその程度は限定的である。このような理由により、ボトム層16aのCuの酸化物は、Cu2Oを含むことが好ましい。CuOよりもCu2Oの原子分率が高い方がより好ましく、ボトム層16aのCuの酸化物が実質的にCu2Oから構成されていることが更に好ましい。Cu2OとCuOの比率は、プラズマ酸化処理の処理条件処理時間などを適切に選択することによって調整することができる。再び図1を参照すると、再生ヘッド2の上には、スパッタリング等によって形成された素子間シールド層8を介して記録ヘッド3が設けられている。記録ヘッド3はいわゆる垂直磁気記録用の構成を有している。書込のための磁極層は主磁極層21と補助磁極層22とからなる。これらの磁極層は、フレームめっき法等によって形成される。主磁極層21は、FeCoから形成され、媒体対向面Sにおいて、媒体対向面Sとほぼ直交する向きで配置されている。主磁極層21の周囲には、絶縁材料からなるギャップ層24の上を延びるコイル層23が巻回しており、コイル層23によって主磁極層21に磁束が誘導される。コイル層23は、フレームめっき法等によって形成される。この磁束は主磁極層21の内部を導かれ、媒体対向面Sから記録媒体Mに向けて放出される。主磁極層21は、媒体対向面S付近で、膜面直交方向Pだけでなく、トラック幅方向Tにも絞られており、高記録密度化に対応した微細で強い書込磁場を発生する。補助磁極層22は主磁極層21と磁気的に結合した磁性層である。補助磁極層22はNi,Fe,Coのいずれか2つまたは3つからなる合金などで形成された、膜厚約0.01μm~約0.5μmの磁極層である。補助磁極層22は主磁極層21から分岐して設けられ、媒体対向面S側ではギャップ層24及びコイル絶縁層25を介して主磁極層21と対向している。補助磁極層22の媒体対向面S側の端部は、補助磁極層22の他の部分より層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。このような補助磁極層22を設けることによって、媒体対向面S近傍において、補助磁極層22と主磁極層21との間の磁場勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなり、読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。第2の実施形態本実施形態の薄膜磁気ヘッド1は、再生ヘッド2の構成を除いて、図1に示す第1の実施形態と同一である。図3及び表2には、このような磁気抵抗効果素子の層構成を示している。再生ヘッド102は、第1の実施形態と同様に多数の層が積層された磁気抵抗効果素子104と、磁気抵抗効果素子104を膜面直交方向P積層方向に挟むように設けられた上部及び下部シールド層106,105と、を有している。上部及び下部シールド層106,105はセンス電流Sの電極としても用いられ、センス電流Sを磁気抵抗効果素子104の膜面直交方向Pに流す。本実施形態では、第1の磁性層L1と第2の磁性層L2は共に、外部磁界に応答して磁化方向が変化する磁化自由層115,117である。バイアス磁界印加層132は媒体対向面Sから見て磁気抵抗効果素子104の裏面側に、絶縁層131を介して設けられ、第1及び第2の磁化自由層115,117第1及び第2の磁性層L1,L2に媒体対向面Sと直交する方向のバイアス磁界を印加する。第1、第2の磁化自由層115,117の間にはスペーサ層116が設けられている。第1の磁化自由層115と下部シールド層105の間には、第1の磁気的連結層111が、第2の磁化自由層117と上部シールド層106の間には、第2の磁気的連結層118がそれぞれ設けられている。下部シールド層105は、第1の主シールド層105aと、第1の主シールド層105a上に積層された第1の反強磁性層105b及び第1の交換結合磁界印加層105cと、を有している。第1の交換結合磁界印加層105cは第1の反強磁性層105bとの反強磁性結合によって、トラック幅方向Tに磁化方向が固定されている。同様に、上部シールド層106は、第2の主シールド層106aと、第2の主シールド層106aの下方に積層された第2の反強磁性層106b及び第2の交換結合磁界印加層106cと、を有している。第2の交換結合磁界印加層106cは第2の反強磁性層106bとの反強磁性結合によって、トラック幅方向Tに磁化方向が固定されている。第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cは、共に同じ方向に磁化されている。他の実施形態では、第1及び第2の反強磁性層105b,106bと第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cを設ける代わりに、第1及び第2の主シールド層105a,106aをトラック幅方向Tに細長い形状として、形状異方性効果を用いて単磁区化し、磁化方向が同じ方向を向くようにすることもできる。第1の磁気的連結層111は、CoFeからなるギャップ調整層111b,111dとRuからなる交換結合伝達層111a,111c,111eとが交互に積層された構造を有し、交換結合伝達層111a,111eが両側端面に位置している。第2の磁気的連結層118も第1の磁気的連結層111と同様、CoFeからなるギャップ調整層118bとRuからなる交換結合伝達層118a,118cとが交互に積層された構造を有し、交換結合伝達層118a,118cが両側端面に位置している。交換結合伝達層111a,111c,111eを挟む一対の磁性層105c,111b,111d,115、及び交換結合伝達層118a,118cを挟む一対の磁性層106c,118b,117は交換結合をし、図3に示すように、磁化方向が交互に反転しているバイアス磁界は印加されていないとしている。ギャップ調整層111b,111d,118bの膜厚を調整することで、磁気抵抗効果素子104の総膜厚をシールドギャップに合わせて調整することができる。高記録密度を実現するためにはシールドギャップは小さいほど有利であるが、シールドギャップはバイアス磁界印加層132の必要膜厚によって決定される場合がある。そのような場合、ギャップ調整層111b,111d,118bの膜厚を変えることで、磁気抵抗効果素子104の総膜厚、すなわちシールドギャップを調整することが好ましい。以上説明した磁気抵抗効果素子104は以下のように作動する。まず、バイアス磁界印加層132がない仮想的な状態を考える。図4は、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化を示す模式図である。第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cの磁化方向は交換結合伝達層111a,111c,111e,118a,118cを介してギャップ調整層111b111d118bで反転しながら、第1及び第2の磁化自由層115,117まで伝達される。従って、第1の磁化自由層115はトラック幅方向Tに、第1の交換結合磁界印加層105cの磁化方向と反平行の向きy1に磁化される。第2の磁化自由層117はトラック幅方向Tに、第2の交換結合磁界印加層106cの磁化方向と同じ向きy2に磁化される。次に、バイアス磁界が印加された状態を考える。バイアス磁界はトラック幅方向Tを向いた第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向を媒体対向面Sと直交する方向に向けて回転させる。図4の実線矢印x1,x2で示すように、破線矢印y1,y2から互いに逆回りの方向に所定の角度θだけ回転し、理想的には互いに直交する。これが、外部磁界の掛っていない場合の第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化状態である。この状態で、図中白抜き矢印で示すように外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は、外部磁界の向きに応じて、互いに逆回りの方向に回転する。図中A方向に外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向実線矢印x1,x2は図中a方向に回転し、図中B方向に外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は図中b方向に回転する。このようにして、外部磁界に応じて第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向のなす相対角度が変化し、磁気抵抗効果に基づき、センス電流Sの抵抗値が変動する。この原理を利用して、磁気抵抗効果素子104は外部磁界の向き及び強度を検出することができる。このように、本実施形態の磁気抵抗効果素子104は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する一対の磁化自由層115,117と、これらに挟まれたスペーサ層116と、を有している。磁気抵抗効果素子104は、一対の磁化自由層115,117の磁化方向がともに外部磁界に応じて回転する点で第1の実施形態と異なるが、スペーサ層116としては第1の実施形態におけるスペーサ層16と同じ構成を利用することができる。第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は、第1及び第2の磁気的連結層111,118に含まれるRu層およびギャップ調整層の総数を調整することによって反転させることができる。例えば、上部シールド層106と下部シールド層105の磁化方向が反平行である場合、表3に示すように、第1の磁気的連結層111を2層のRu層111a,111cとその間に挿入される1層のギャップ調整層111bとで構成することによって、第1の磁化自由層115の磁化方向を反転させることができる。同様に、図示は省略するが、表2に示す構成において、第2の磁気的連結層118を第1の磁気的連結層111と同様の5層構成とすることによっても同様の効果を得ることができる。次に、以上説明した磁気抵抗効果素子の製造方法について、第1の実施形態の磁気抵抗効果素子を例に説明する。まず、基板W上に、必要に応じ絶縁層を介して、めっき法により下部シールド層5を作成し、次に、磁気抵抗効果素子4を構成する各層をスパッタリングによって成膜する。具体的にはターゲットと基板Wを収容した成膜チャンバを減圧して高真空雰囲気にした後、アルゴン等の不活性ガスを成膜チャンバに導入する。イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させることで、ターゲットから微細な粒子をたたき出し、下部シールド層5の上に順次堆積させていく。ボトム層16aの成膜時には、まず第1の磁性層L1の上に金属状態のCu膜を成膜する。次にCu膜に対してプラズマ酸化処理を行い、成膜されたCu膜の一部を酸化する。これによって、部分的に酸化されたCuを主成分とするボトム層16aを得ることができる。ボトム層16aは、Cu膜を成膜し、その上に酸化銅を成膜することによって得ることもできる。主スペーサ層16bの成膜時にはターゲットとして酸化ガリウムを用いる。次に、成膜された多層膜を磁気抵抗効果素子4の柱状の形状に形成し、磁気抵抗効果素子4の側面を絶縁層31で覆い、バイアス磁界印加層32を、磁気抵抗効果素子4のトラック幅方向T両側に形成し、磁気抵抗効果素子4及びバイアス磁界印加層32の上に上部シールド層6を形成する。第2の実施形態の場合、バイアス磁界印加層132は媒体対向面Sからみて磁気抵抗効果素子4の裏側に形成する。実施例表2に示す層構成の磁気抵抗効果膜を、スパッタリング装置を用いて、Al2O3-TiCALTICからなる基板上に成膜した。非磁性層116cはZnとした。成膜チャンバ圧力は106Pa以下の真空に減圧した後、成膜チャンバ内にArガスを導入し、スパッタ圧力約0.1Paで各層を成膜した。酸化ガリウム層はRFスパッタリング法で成膜し、その他の膜はDCマグネトロンスパッタ法で成膜した。ボトム層は、金属状態のCu膜を成膜し、その後酸素プラズマ処理パワー30W、Arガス流量10mLmin、酸素ガス流量20mLminによってCu膜の一部を酸化させることによって形成した。表2に示す各層を成膜後、250°Cで3時間熱処理アニールを行い、ジャンクションサイズ0.2μm×0.2μmの磁気抵抗効果素子とした。第1及び第2の磁化自由層は外部磁界がない状態では互いに直交する方向を向いているが、外部磁界を印加すると自由に回転し、磁気抵抗効果を生じる。この磁気抵抗効果素子において、表4に示すようにCu膜の酸素プラズマ処理時間を変えてCu膜の酸化の程度を変化させて、MR変化率を求めた。比較のために比較例1,2のサンプルも作成した。比較例1は酸素プラズマ処理を行っておらず、ボトム層はCuのみからなっている。比較例2はCuが全て酸化しており、かつ2価の酸化状態CuOになっている。Cuの酸化の程度はボトム層中のCuの原子分率に対する酸素の原子分率の比率として表し、サンプル1-1~1-5についてのこの比率は酸素プラズマ処理時間から推測した推測値として示した。各サンプルのMR変化率は比較例1で得られたMR変化率を1として規格化した。MR変化率は、ボトム層中の金属状態のCuが多少酸化されただけで改善される。一方、ボトム層中のCuが全て酸化されると比較例2、MR変化率は極端に低下する。CuとCuの酸化物の混合物から構成されるボトム層は、酸素の比率によらず、Cuだけからなるボトム層比較例1とCuの酸化物だけからなるボトム層比較例2のいずれよりも良好なMR変化率を示している。MR変化率はCuの原子分率に対する酸素の原子分率の比率が0.5のとき本実施例では、酸素プラズマ処理時間が60secのときに最大となった。次に、サンプル1-3の磁気抵抗効果素子に対して、電子エネルギー損失分光法ElectronEnergy-LossSpectroscopyEELSによって、ボトム層の相分析を行った。EELSは、電子線を一定の入射エネルギーで標的物質にあて、散乱強度を測定する材料分析方法である。散乱強度Y軸は非弾性散乱によるエネルギー損失X軸の関数として得られる。図5は、EELSによる分析結果を示しており、図中の上側3本の線がCu、Cu2O,CuOのそれぞれについてのスペクトラムプロファイルを示しており、一番下の線がサンプル1-3の分析により得られたスペクトラムプロファイルを示している。一番下の線と上側の3本の線とを比べ、前者が後者のいずれかの線と似ている場合は、分析対象にその線に対応する物質が含まれていると考えられる。特徴的なのはCu2OとCuOに見られる940eV付近のピークとCuに見られる930eV付近の散乱強度の上昇である。サンプル1-3のスペクトラムプロファイルにはCuの酸化物に特徴的な940eV付近でのピークが観察され矢印参照、ボトム層にはCuの酸化物が形成されていることがわかる。また、Cuに見られる930eV付近の散乱強度の上昇も観察され、ボトム層にはCuも含まれていることがわかる。このようにCu膜の成膜後に酸素プラズマ処理を行うことで酸素の拡散が生じ、CuとCuの酸化物の混合物からなるボトム層が形成されることが確認された。次に、薄膜磁気ヘッド1を搭載した磁気ヘッドスライダについて説明する。図6を参照すると、磁気ヘッドスライダ210は、ほぼ六面体形状をなしており、そのうちの一面はハードディスクと対向する記録媒体対向面Sとなっている。磁気ヘッドスライダ210は、回転駆動される円盤状の記録媒体Mであるハードディスクに対向するように、ハードディスクドライブ装置内に配置されている。ハードディスクが図7におけるz方向に回転すると、ハードディスクと磁気ヘッドスライダ210との間を通過する空気流によって、磁気ヘッドスライダ210に、y方向下向きに揚力が生じる。磁気ヘッドスライダ210は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。磁気ヘッドスライダ210の空気流出側の端部図6における左下の端部の近傍には、薄膜磁気ヘッド1が形成されている。図7を参照すると、ヘッドジンバルアセンブリ220は、磁気ヘッドスライダ210と、磁気ヘッドスライダ210を弾性的に支持するサスペンション221と、を備えている。サスペンション221は、ステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム222と、ロードビーム222の一端部に設けられたフレクシャ223と、ロードビーム222の他端部に設けられたベースプレート224と、を有している。フレクシャ223には磁気ヘッドスライダ210が接合され、磁気ヘッドスライダ210に適度な自由度を与える。フレクシャ223の、磁気ヘッドスライダ210が取り付けられる部分には、磁気ヘッドスライダ210の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。ヘッドジンバルアセンブリ220をアーム230に取り付けたものはヘッドアームアセンブリ221と呼ばれる。アーム230は、磁気ヘッドスライダ210をハードディスク262のトラック横断方向xに移動させる。アーム230の一端はベースプレート224に取り付けられている。アーム230の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル231が取り付けられている。アーム230の中間部には軸受け部233が設けられている。アーム230は、軸受け部233に取り付けられた軸234によって回動自在に支持されている。アーム230及び、アーム230を駆動するボイスコイルモータは、アクチュエータを構成する。次に、図8及び図9を参照して、上述した磁気ヘッドスライダが組込まれたヘッドスタックアセンブリとハードディスクドライブ装置について説明する。ヘッドスタックアセンブリとは、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ220を取り付けたものである。図8はヘッドスタックアセンブリの側面図、図9はハードディスクドライブ装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ250は、複数のアーム230を有するキャリッジ251を有している。各アーム230には、ヘッドジンバルアセンブリ220が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ251の、アーム230の反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル253が取り付けられている。ボイスコイルモータは、コイル253を挟んで対向する位置に配置された永久磁石263を有している。図8を参照すると、ヘッドスタックアセンブリ250は、ハードディスクドライブ装置に組込まれている。ハードディスクドライブ装置は、スピンドルモータ261に取り付けられた複数枚のハードディスク262を有している。ハードディスク262毎に、ハードディスク262を挟んで対向するように2つの磁気ヘッドスライダ210が配置されている。磁気ヘッドスライダ210を除くヘッドスタックアセンブリ250及びアクチュエータは、位置決め装置に対応し、磁気ヘッドスライダ210を支持すると共に、磁気ヘッドスライダ210をハードディスク262に対して位置決めする。磁気ヘッドスライダ210はアクチュエータによって、ハードディスク262のトラック横断方向に動かされ、ハードディスク262に対して位置決めされる。磁気ヘッドスライダ210に含まれる薄膜磁気ヘッド1は、記録ヘッド3によってハードディスク262に情報を記録し、再生ヘッド2102によってハードディスク262に記録されている情報を再生する。"