"青色系の光を発する発光素子と、前記発光素子の光を励起光として、黄色系の光を発する単一の単結晶からなる蛍光体とを備えた発光装置。前記蛍光体は、Y3xyLxMyAl5ZNZO12wLは、Gd又はLu、Mは、Ce,Tb,Eu,Yb,Pr,Tm,Smからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga又はIn、0≦x<3、0<y≦1、0≦z≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する請求項1に記載の発光装置。前記蛍光体は、Tb3x―yGdxMyScLu2ZAl3WNZWO12VMは、Ce,Eu,Yb,Pr,Tm,Smからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga又はIn、0≦x<3、0<y≦1、0≦z<2、0<w<3、-0.2≦v≦0.2で表される組成を有する請求項1に記載の発光装置。前記蛍光体は、前記zが0.5≦z≦2である請求項3に記載の発光装置。前記蛍光体は、Tb3xyGdxMyScLuvN5vO12wMは、Ce,Eu,Yb,Pr,Tm,Sm、Nd,Dy,Ho,Erからなる群より選択される少なくとも1種類以上の元素、Nは、Ga、In、Alからなる群より選択される少なくとも1種類以上の元素、0≦x<3、0<y≦1、0≦v≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する請求項1に記載の発光装置。前記蛍光体は、Y3xyGdxMyLvN5vO12wLはSc,Luより選択される少なくとも1種類以上の元素、Mは、Ce,Tb,Eu,Yb,Pr,Tm,Sm、Nd,Dy,Ho,Erからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga、In、Alより選択される少なくとも1種類以上の元素、0≦x<3、0<y≦1、0≦v≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する請求項1に記載の発光装置。前記蛍光体は、前記vが0.5≦v≦2である請求項5又は6に記載の発光装置。前記蛍光体は、前記yが0.003≦y≦0.2である請求項2乃至7の何れか1項に記載の発光装置。前記蛍光体は、前記yが0.01≦y≦0.2である請求項2乃至7の何れか1項に記載の発光装置。上記のように構成された発光装置では、粒状の蛍光体を固定するためのエポキシ樹脂等の結合剤バインダーが長期の使用等により劣化すると、光の透過率が低くなって発光効率が低下してしまう。また、発光色のむらを抑制するためには個々の蛍光体の粒を小さくすることが望ましいが、粒径を小さくするほど、蛍光体の体積に対する蛍光体の表面積が大きくなるので、例えば水分等の外部環境の影響を受けやすく、また組成の不均一や表面付近での結晶性の低さによって非発光領域が相対的に大きくなるため、蛍光体の励起効率が低くなり、発光装置の発光効率が低下してしまう。そこで、本発明は、粒状の蛍光体を用いた場合に比較して、長期の使用による発光効率の低下を抑制することが可能な発光装置を提供することを課題とする。[1]青色系の光を発する発光素子と、前記発光素子の光を励起光として、黄色系の光を発する単一の単結晶からなる蛍光体とを備えた発光装置。[2]前記蛍光体は、Y3xyLxMyAl5ZNZO12wLは、Gd又はLu、Mは、Ce,Tb,Eu,Yb,Pr,Tm,Smからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga又はIn、0≦x<3、0<y≦1、0≦z≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する前記[1]に記載の発光装置。[3]前記蛍光体は、Tb3x―yGdxMyScLu2ZAl3WNZWO12VMは、Ce,Eu,Yb,Pr,Tm,Smからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga又はIn、0≦x<3、0<y≦1、0≦z<2、0<w<3、-0.2≦v≦0.2で表される組成を有する前記[1]に記載の発光装置。[4]前記蛍光体は、前記zが0.5≦z≦2である前記[3]に記載の発光装置。[5]前記蛍光体は、Tb3xyGdxMyScLuVN5VO12wMは、Ce,Eu,Yb,Pr,Tm,Sm、Nd,Dy,Ho,Erからなる群より選択される1種類以上の元素、Nは、Ga、In、Alからなる群より選択される少なくとも1種類以上の元素、0≦x<3、0<y≦1、0≦v≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する前記[1]に記載の発光装置。[6]前記蛍光体は、Y3xyGdxMyLVN5VO12wLはSc、Luより選択される少なくとも1種類以上の元素、Mは、Ce,Tb,Eu,Yb,Pr,Tm,Sm、Nd,Dy,Ho,Erからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga、In、Alからなる群より選択される少なくとも1種類以上の元素、0≦x<3、0<y≦1、0≦v≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する前記[1]に記載の発光装置。[7]前記蛍光体は、前記vが0.5≦v≦2である、前記[5]又は[6]に記載の発光装置。[8]前記蛍光体は、前記yが0.003≦y≦0.2である前記[2]~[7]の何れかに記載の発光装置。[9]前記蛍光体は、前記yが0.01≦y≦0.2である前記[2]~[7]の何れかに記載の発光装置。本発明によれば、粒状の蛍光体を用いた場合に比較して、長期の使用による発光効率の低下を抑制することが可能となる。[第1の実施の形態]本発明の第1の実施の形態について、図1A及び図1Bを参照して説明する。図1Aは、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置1の断面図である。図1Bは、図1Aに示す発光装置1を構成する発光素子10及びその周辺部の断面図である。図1Aに示すように、発光装置1は、LEDからなる発光素子10と、発光素子10の光出射面を覆うように設けられた単一の単結晶からなる蛍光体2と、発光素子10を支持するAl2O3等のセラミック基板3と、白色の樹脂からなる本体4と、発光素子10及び蛍光体2を封止する透明樹脂8とを備えて構成されている。セラミック基板3は、例えばタングステン等の金属によってパターン形成された配線部31,32を有している。配線部31,32は、発光素子10のn側電極15A及びp側電極15B後述に電気的に接続されている。本体4は、セラミック基板3上に形成され、その中央部に開口部4Aが形成されている。開口部4Aは、セラミック基板3側から外部に向かって徐々に開口幅が大きくなるテーパ状に形成されている。開口部4Aの内面は、発光素子10の発光光を外部に向かって反射する反射面40となっている。図1Bに示すように、発光素子10は、そのn側電極15A及びp側電極15Bがセラミック基板3の配線部31,32にバンプ16,16によって接続されて、セラミック基板3に実装されている。発光素子10は、例えばGaN系半導体化合物を用いたフリップチップ型であり、例えば380~490nmの波長に光量のピークを有する青色系の光を発光する。この発光素子10は、サファイア等からなる素子基板11の第1の主面11aに、n型GaN層12、発光層13、及びp型GaN層14がこの順に形成されている。n型GaN層12の露出部分にはn側電極15Aが、p型GaN層14の表面にはp側電極15Bが、それぞれ形成されている。発光層13は、n型GaN層12及びp型GaN層14からキャリアが注入されることにより、青色系の光を発する。この発光光は、n型GaN層12及び素子基板11を透過して、素子基板11の第2の主面11bから出射される。すなわち、素子基板11の第2の主面11bは発光素子10の光出射面である。また、素子基板11の第2の主面11b側には、第2の主面11bの全体を覆うように、蛍光体2が配置されている。蛍光体2は、その全体が単一の単結晶からなる平板状である。ここで、単一の単結晶とは、第2の主面11bと同等もしくはそれ以上の大きさを有し、実質的に全体が一つの単結晶とみなせるものをいう。また、蛍光体2は、素子基板11に対向する第1の面2aが、素子基板11の第2の主面11bとの間に他の部材を介することなく、素子基板11に直接接触している。蛍光体2と素子基板11とは、分子間力によって接合されている。また、本実施の形態では、蛍光体2がYAGイットリウムアルミニウムガーネット系蛍光体からなる。より具体的には、蛍光体2は、Y3Al5O12をベースとし、Y3xyLxMyAl5ZNZO12wLは、Gd又はLu、Mは、Ce,Tb,Eu,Yb,Pr,Tm,Smからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga又はIn、0≦x<3、0<y≦1、0≦z≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する。ここで、Lは、Yを置換する発光中心とならない成分である。Mは、Yを置換する発光中心となり得る成分付活剤である。また、NはAlを置換する成分である。また、蛍光体2は、TSLAGテルビウムスカンジウムルテチウムアルミニウムガーネット系蛍光体であってもよい。より具体的には、Tb3ScLu2Al3O12をベースとし、Tb3x―yGdxMyScLu2ZAl3WNZWO12VMは、Ce,Eu,Yb,Pr,Tm,Smからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga又はIn、0≦x<3、0<y≦1、0≦z<2、0<w<3、-0.2≦v≦0.2で表される組成を有する蛍光体2であってもよい。ここで、Mは、Tbを置換する発光中心となり得る成分付活剤である。また、NはAlまたはSc、Luを置換する成分である。ここで、zは0.5≦z≦2であれば、単結晶作製時のクラックなどの欠陥形成を抑制しやすくなり、より好ましい。また、蛍光体2は、Tb3xyGdxMyAl5ZvSc,LuvNZO12wLは、Gd又はLu、Mは、Ce,Tb,Eu,Yb,Pr,Tm,Smからなる群から選択される1種類以上の元素、Nは、Ga又はIn、0≦x<3、0<y≦1、0≦z<5、0<v<2、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する蛍光体であってもよい。なお、このTSLAG系蛍光体を用いた場合でも、上記yで表される付活剤の濃度は、0.003以上かつ0.2以下であることが望ましく、0.01以上かつ0.2以下であるとより望ましい。付活剤濃度をこの範囲とすることにより、蛍光体2の厚みtを好適な範囲に設定することができ、また濃度消光を抑制することができる。また、蛍光体2は、Tb3xyGdxMyScLuvN5vO12wMは、Ce,Eu,Yb,Pr,Tm,Sm、Nd,Dy,Ho,Erからなる群より選択される少なくとも1種類以上の元素、Nは、Ga、In、Alからなる群より選択される少なくとも1種類以上の元素、0≦x<3、0<y≦1、0≦v≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する蛍光体であってもよい。ここで、vは0.5≦v≦2であれば、単結晶作製時のクラックなどの欠陥形成を抑制しやすくなり、より好ましい。また、蛍光体2は、Y3xyGdxMyLvN5vO12wLはSc、Luより選択される1種類以上の元素、Mは、Ce,Tb,Eu,Yb,Pr,Tm,Sm、Nd,Dy,Ho,Erからなる群から選択される少なくとも1種類以上の元素、Nは、Ga、In、Alよりなる群から選択される少なくとも1種類以上の元素、0≦x<3、0<y≦1、0≦v≦5、-0.2≦w≦0.2で表される組成を有する蛍光体であってもよい。ここで、vは0.5≦v≦2であれば、単結晶作製時のクラックなどの欠陥形成を抑制しやすくなり、より好ましい。なお、上記の蛍光体2の組成のうち、一部の原子は結晶構造上の異なる位置を占めることがある。上記yで表される付活剤の濃度は、0.003以上かつ0.2以下であるとよい。これは、付活剤濃度が0.003未満では、必要な蛍光を得るために必要な蛍光体2の厚みtが厚くなるため例えばt>3mm、蛍光体2の取り数が減少してしまうためである。また、付活剤の濃度が0.2を超えると、蛍光体2を薄くする必要があるため例えばt<0.1mm、蛍光体2の機械的強度の低下により蛍光体2に割れや欠け等が発生しやすくなるとともに、濃度消光が発生し得るためである。なお、濃度消光とは、隣接分子間のエネルギー移動が発生して本来のエネルギーが十分に蛍光として外部に放射されないこと非発光遷移等により、付活剤の高濃度化に応じて蛍光強度が増大しなくなる現象である。また、さらに好適には、上記yで表される付活剤の濃度は、0.01以上かつ0.2以下であるとよい。y≧0.01とすることで、蛍光体2を適切な厚み例えば、t≦2mmとすることができる。つまり、蛍光体2の厚みtmmは、0.1≦t≦3.0とすることが好適であり、0.1≦t≦2.0であることがさらに望ましい。この蛍光体2は、例えばCZ法CzochralskiMethod、EFG法EdgeDefinedFilmFedGrowthMethod、FZ法FloatingZoneMethod等の液相成長法、CVD法ChemicalVaporDepositionMethod等の気相成長法、又は焼結体の固相反応等によって得ることができる。CZ法による場合、例えば窒素ガス雰囲気中にて、<111>方向に1mm/hの育成速度で種結晶を引き上げることによりYAG単結晶を製造し、これを発光素子10の素子基板11の第2の主面11b光出射面に対応する大きさに切り出すことによって蛍光体2を作成することができる。図2は、CZ法によってYAG単結晶を製造する製造工程を結晶育成装置の断面図と共に示す模式図である。図2に示すように、結晶育成装置80は、イリジウム製のルツボ81と、ルツボ81を収容するセラミックス製の筒状容器82と、筒状容器82の周囲に巻回される高周波コイル83とを主として備えている。高周波コイル83は、ルツボ81に誘導電流を生じさせ、ルツボ81を加熱する。YAG単結晶は、結晶育成装置80を用いて、例えば次にように得られる。まず、Y2O3粉末純度99.99、Al2O3粉末純度99.99、Gd2O3粉末純度99.99、及びCeO2粉末純度99.99を用意し、これらの粉末を乾式混合し、混合粉末を得る。このとき、Y2O3粉末、Al2O3粉末、Gd2O3粉末、及びCeO2粉末の合計モル数を基準100モルとしたY2O3粉末、Al2O3粉末、Gd2O3粉末、及びCeO2粉末の配合率はそれぞれ、例えば36.6モル、62.3モル、0.363モル、及び0.737モルである。続いて、上記混合粉末を、直径50mm、深さ50mmの筒状ルツボ81に詰める。次に、高周波コイル83に電流を印加してルツボ81を加熱して混合粉末を溶融させ、融液90を得る。続いて、YAGイットリウムアルニミウムガーネットからなる3×3×70mmの角棒状の種結晶91を用意し、その種結晶90の先端を融液90に漬けた後、種結晶91を、10rpmの回転数で回転させながら、毎時1mmの引き上げ速度で引き上げる。このとき、筒状容器82内に毎分2Lの流量で窒素を流し込み、大気圧下、窒素雰囲気で種結晶91の引き上げを行う。こうして直径約2.5cm、長さ約5cmの透明なYAG単結晶92が得られる。以上のように構成された発光素子10に通電すると、配線部31、n側電極15A、及びn型GaN層12を介して電子が発光層13に注入され、また配線部32、p側電極15B、及びp型GaN層14を介して正孔が発光層13に注入されて、発光層13が発光する。発光層13の青色の発光光は、n型GaN層12及び素子基板11を透過して素子基板11の第2の主面11bから出射され、蛍光体2の第1の面2aに入射する。第1の面2aから入射した光の一部は、励起光として蛍光体2を励起する。蛍光体2は、発光素子10からの青色系の光の一部を吸収し、吸収した光を例えば500~630nmの波長に光量のピークを有する黄色系の光に波長変換する。蛍光体2に入射した青色系の光のうちの一部は蛍光体2に吸収されて波長変換され、黄色系の光として蛍光体2の第2の面2bから出射される。また、蛍光体2に入射した光のうちの残りの一部は蛍光体2に吸収されずに蛍光体2の第2の面2bから出射される。青色と黄色は補色関係にあるので、発光装置1は、青色光と黄色光とを混合した白色光を放射する。また、発光装置1が発する白色光の色温度は、3800~7000Kであることが望ましい。より望ましい発光装置1の白色光の色温度は、4000~5500Kである。白色光の色温度は、蛍光体2の付活剤濃度や厚み等によって調整することができる。第1の実施の形態の効果本実施の形態によれば、粒状の多数の蛍光体を結合して保持するための結合剤バインダーを用いる必要がないので、結合剤の劣化による発光効率の低下を抑制することができる。また、粒状の多数の蛍光体を結合した場合に比較して、蛍光体全体の表面積を小さくすることができるので、外部環境の影響による蛍光剤の特性劣化を抑制できるとともに、蛍光体の組成の均一性及び結晶性を高めることができるので、発光装置の発光効率を高めることができる。また、高出力の励起光の照射に対して、樹脂の劣化による効率の低下や蛍光体の劣化が起こりにくい効果が期待できる。また、蛍光体としてYAG系の単結晶を用いたので、青色系の光を効率よく吸収して黄色系の光を発光し、効率的に白色光を得ることができる。またさらに、蛍光体2の付活剤濃度を0.003以上かつ0.2以下、より好ましくは0.01以上かつ0.2以下としたので、蛍光体2の厚みを加工及び組付けに適切な厚みとすることができるとともに、濃度消光を抑制することができる。[第2の実施の形態]次に、本発明の第2の実施の形態について、図3A~図3Cを参照して説明する。図3Aは、本実施の形態に係る発光装置1Aの断面図、図3Bは、発光装置1Aを構成する発光素子10A及びその周辺部の断面図、図3Cは、発光素子10Aの平面図である。本実施の形態に係る発光装置1Aは、発光素子の発光光を単一の単結晶からなる蛍光体に入射して波長変換する構成は第1の実施の形態に係る発光装置1と共通するが、発光素子の構成及び発光素子に対する蛍光体の配置位置が第1の実施の形態とは異なっている。以下、第1の実施の形態について説明したものと同一の機能及び構成を有する発光装置1Aの構成要素については共通する符号を付して説明を省略する。図3A及び図3Bに示すように、発光装置1Aは、発光素子10Aの素子基板11がセラミック基板3側を向くように配置されている。また、発光素子10Aの開口部4A側に、YAG系の単一の単結晶からなる蛍光体21が接合されている。また。蛍光体21としては、第1の実施の形態において記載した各組成のものを用いることができる。図3B及び図3Cに示すように、発光素子10Aは、素子基板11、n型GaN層12、発光層13、p型GaN層14を有し、さらにp型GaN層14の上にITOIndiumTinOxide:酸化インジウムスズからなる透明電極140を有している。透明電極140の上にはp側電極15Bが形成されている。透明電極140は、p側電極15Bから注入されたキャリアを拡散してp型GaN層14に注入する。蛍光体21は、図3Cに示すように、p側電極15B、及びn型GaN層12上に形成されたn側電極15Aに対応する部分に切り欠きを有する略四角形状に形成されている。また、蛍光体21は、透明電極140側の第1の面21aが透明電極140の表面140bに分子間力によって接合されている。蛍光体21の組成は、第1の実施の形態における蛍光体2の組成と同様である。図3Aに示すように、発光素子10Aのn側電極15Aは、ボンディングワイヤ311によってセラミック基板3の配線部31に接続されている。また、発光素子10Aのp側電極15Bは、ボンディングワイヤ321によってセラミック基板3の配線部32に接続されている。以上のように構成された発光素子10Aに通電すると、配線部31、n側電極15A、及びn型GaN層12を介して電子が発光層13に注入され、また配線部32、p側電極15B、透明電極140、及びp型GaN層14を介して正孔が発光層13に注入されて、発光層13が発光する。発光層13の青色の発光光は、p型GaN層14及び透明電極140を透過して透明電極140の表面140bから出射される。すなわち、透明電極140の表面140bは発光素子10Aの光出射面である。透明電極140の表面140bから出射された光は、蛍光体21の第1の面21aに入射する。第1の面21aから蛍光体21に入射した光の一部は、励起光として蛍光体21を励起する。蛍光体21は、発光素子10Aからの青色光の一部を吸収し、吸収した光を主として黄色光に波長変換する。より詳細には、蛍光体21は、発光素子10Aからの380~490nmの波長に光量のピークを有する青色系の光で励起されて500~630nmの波長に光量のピークを有する黄色系の光を発する。このように、蛍光体21に入射した青色光のうちの一部は蛍光体21に吸収されて波長変換され、黄色光として蛍光体21の第2の面21bから出射される。また、蛍光体21に入射した青色光のうちの残りの一部は蛍光体21に吸収されずにそのまま蛍光体21の第2の面21bから出射される。青色と黄色は補色関係にあるので、発光装置1Aは、青色光と黄色光とを混合した白色光を放射する。本実施の形態によっても、第1の実施の形態について説明したのと同様の作用及び効果が得られる。[第3の実施の形態]次に、本発明の第3の実施の形態について、図4を参照して説明する。図4は、本実施の形態に係る発光装置1Bの断面図である。本実施の形態に係る発光装置1Bは、発光素子の発光光を単一の単結晶からなる蛍光体に入射して波長変換する構成は第1の実施の形態に係る発光装置1と共通するが、蛍光体の配置位置が第1の実施の形態とは異なっている。以下、第1又は第2の実施の形態について説明したものと同一の機能及び構成を有する発光装置1Bの構成要素については共通する符号を付して説明を省略する。図4に示すように、発光装置1Bは、セラミック基板3上に、第1の実施の形態と同様の構成を有する発光素子10を備えている。発光素子10は、本体4の開口部4A側に位置する素子基板11図1B参照の第2の主面11bから本体4の開口部4A側に向かって青色光を出射する。本体4には、その開口部4Aを覆うように、蛍光体22が接合されている。蛍光体22は平板状に形成され、本体4の上面4bに接着剤等により結合されている。蛍光体22としては、第1の実施の形態において記載した各組成のものを用いることができる。また、蛍光体22は、発光素子10よりも大きく、全体が実質的に一つの単結晶である。以上のように構成された発光装置1Bに通電すると、発光素子10が発光し、第2の主面11bから蛍光体22に向かって青色光を出射する。蛍光体22は、発光素子10の出射面に面した第1の面22aから発光素子10の青色の発光光を入射し、この発光光によって励起された黄色光を第2の面22bから外部に放射する。このように、蛍光体22に入射した青色光のうちの一部は蛍光体22に吸収されて波長変換され、黄色光として蛍光体22の第2の面22bから出射される。また、蛍光体22に入射した青色光のうちの残りの一部は蛍光体22に吸収されずに蛍光体22の第2の面22bから出射される。青色と黄色は補色関係にあるので、発光装置1Bは、青色光と黄色光とを混合した白色光を放射する。本実施の形態によっても、第1の実施の形態について説明したのと同様の作用及び効果が得られる。また、発光素子10と蛍光体22とが離間しているので、発光素子10の出射面に蛍光体を接合する場合に比較して大型の蛍光体22を用いることができ、発光装置1Bの組み付けの容易性が高まる。[第4の実施の形態]次に、本発明の第4の実施の形態について、図5を参照して説明する。図5は、本実施の形態に係る発光装置1Cの断面図である。図5に示すように、本実施の形態では、発光素子と、発光素子が実装される基板及び蛍光体との位置関係が第3の実施の形態とは異なっている。以下、第1、第2又は第3の実施の形態について説明したものと同一の機能及び構成を有する発光装置1Cの構成要素については共通する符号を付して説明を省略する。本変形例に係る発光装置1Cは、白色の樹脂からなる本体5と、本体5に形成されたスリット状の保持部51に保持された透明基板6と、本体5の開口部5Aを覆うように配置されたYAG系の単一の単結晶からなる蛍光体22と、透明基板6の蛍光体22側の面とは反対側の面に実装された発光素子10Aと、発光素子10Aに通電するための配線部61,62とを備えて構成されている。蛍光体22の組成は、第1の実施の形態に係る蛍光体2と同様である。本体5は、その中心部に曲面上の凹部が形成され、この凹部の表面が発光素子10Aの発光光を蛍光体220側に反射する反射面50となっている。透明基板6は、例えばシリコーン樹脂やアクリル樹脂、PET等透光性をもつ樹脂、又はガラス状物質、サファイア、セラミックス、石英等単結晶若しくは多結晶からなる透光性をもつ部材からなり、発光素子10Aの発光光を透過させる透光性及び絶縁性を有している。また、透明基板6には、配線部61,62の一部が接合されている。発光素子10Aのp側電極及びn側電極と配線部61,62の一端部との間は、ボンディングワイヤ611,612により電気的に接続されている。配線部61,62の他端部は、本体5の外部に引き出されている。以上のように構成された発光装置1Cに通電すると、発光素子10Aが発光し、発光光の一部は透明基板6を透過して蛍光体22の第1の面22aに入射する。また、発光素子10Aの他の一部は本体5の反射面50で反射して透明基板6を透過し、蛍光体22の第1の面22aに入射する。蛍光体22に入射した光のうちの一部は蛍光体22に吸収されて波長変換され、残りの一部は蛍光体22に吸収されずに蛍光体22の第2の面22bから出射される。このように、発光装置1Cは、発光素子10Aが発した青色光と蛍光体22で波長変換された黄色光とを混合した白色光を放射する。本変形例によっても、上記した第3の実施の形態の効果と同様の効果がある。また、発光素子10Aから蛍光体220側とは反対側に出射した光が反射面50で反射して透明基板6を透過し、蛍光体220に入射するので、発光装置1Cの光取り出し効率が高くなる。[第5の実施の形態]次に、本発明の第5の実施の形態について、図6A及び図6Bを参照して説明する。図6Aは、本実施の形態に係る発光装置1Dの断面図、図6Bは、発光装置1Dを構成する発光素子7の断面図である。図6Aに示すように、本実施の形態では、発光素子の構成及びその配置が第3の実施の形態とは異なっている。以下、第1、第2又は第3の実施の形態について説明したものと同一の機能及び構成を有する発光装置1Dの構成要素については共通する符号を付して説明を省略する。発光装置1Dには、セラミック基板3に設けられた配線部32上に、発光素子7が配置されている。発光素子7は、図6Bに示すように、Ga2O3基板70、バッファ層71、Siドープのn-GaN層72、Siドープのn-AlGaN層73、MQWMultipleQuantumWell層74、Mgドープのp-AlGaN層75、Mgドープのp-GaN層76、p電極77をこの順に積層して形成されている。また、Ga2O3基板70のバッファ層71と反対側の面には、n電極78が設けられている。Ga2O3基板70は、n型の導電型を示すβ-Ga2O3からなる。MQW層74は、InGaN/GaNの多重量子井戸構造を有する発光層である。p電極77は、ITOIndiumTinOxideからなる透明電極であり、配線部31と電気的に接続されている。n電極78は、ボンディングワイヤ321によってセラミック基板3の配線部32に接続されている。なお、素子基板としては、β-Ga2O3に替えて、SiCを用いてもよい。以上のように構成された発光素子7に通電すると、n電極78、Ga2O3基板70、バッファ層71、n-GaN層72、及びn-AlGaN層73を介して電子がMQW層74に注入され、またp電極77、p-GaN層76、p-AlGaN層75を介して正孔がMQW層74に注入されて、青色系の光を発する。この青色系の発光光は、Ga2O3基板70等を透過して発光素子7の出射面7aから出射され、蛍光体22の第1の面22aに入射する。蛍光体22は、発光素子7の出射面に面した第1の面22aから発光素子10の青色系の発光光を入射し、この発光光によって励起された黄色光を第2の面22bから外部に放射する。このように、蛍光体22に入射した青色光のうちの一部は蛍光体22に吸収されて波長変換され、黄色光として蛍光体22の第2の面22bから出射される。また、蛍光体22に入射した青色光のうちの残りの一部は蛍光体22に吸収されずに蛍光体22の第2の面22bから出射される。青色と黄色は補色関係にあるので、発光装置1Dは、青色光と黄色光とを混合した白色光を放射する。本実施の形態によっても、第3の実施の形態について説明したのと同様の作用及び効果が得られる。以上の説明からも明らかなように、本発明は、上記実施の形態及び図示例に限定されるものではなく、各請求項に記載した範囲内で様々に設計変更が可能である。例えば、発光素子及び蛍光体をいわゆる砲弾型の樹脂により封止してもよい。また、一つの発光装置が複数の発光素子を有する構成としてもよい。またさらに、青色系の光を発する発光素子の光を励起光として黄色系の光を発する単一の単結晶からなる蛍光体と、前記蛍光体と異なる色調の光を発する単一の単結晶からなる蛍光体など複数の単一の単結晶からなる蛍光体を組み合わせて発光装置を構成してもよい。"