"透明基板と、該透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、該パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのパターン形成膜のエッチング条件の評価方法であって、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、パターン形成膜のエッチング条件を評価することを特徴とするパターン形成膜のエッチング条件の評価方法。上記パターン形成膜に適用するエッチングがフッ素系ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のパターン形成膜のエッチング条件の評価方法。上記パターン形成膜が、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成され、上記エッチングマスク膜が、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン形成膜のエッチング条件の評価方法。フォトマスク上のパターンサイズが小さくなるにつれて、レジスト膜は薄くする必要がある。特に、サイズが50nm以下のフォトマスクパターンを形成するためには、膜厚150nm以下のレジスト膜が求められる。そのような薄いレジスト膜に最適化されたエッチングマスク膜は、膜厚30nm以下が必要とされている。上記のようにエッチングマスク膜を用いるときにはエッチングマスク膜はより薄い方がレジスト膜も薄くできるので望ましい。しかし、エッチングマスク膜を薄くするという観点だけでエッチングマスク膜を選ぶと、パターン形成膜にパターン欠陥が生じたり、パターンが設計どおりに形成されないという問題が生じる。また、エッチングマスク膜はパターン形成膜のエッチングに対してエッチング耐性があった方が好ましい。しかし、パターン形成膜のエッチングに対してエッチング耐性のある膜はエッチングマスク膜のエッチングに対してもエッチングしにくいことが多く、エッチングマスク膜をパターニングするためのレジスト膜を薄くできない等の問題が生じる。エッチングマスク膜は、少なくとも、パターン形成膜のエッチングが終了するまで残存する程度の膜厚が必要であるが、エッチングマスク膜をパターン形成するときにはレジストのダメージが極力小さい状態でエッチングされるように、なるべく薄い方がよい。一方、パターン形成膜のエッチングのエッチング条件によっては、エッチングマスク膜へのダメージが大きく、薄い膜厚のエッチングマスク膜ではエッチングにより膜が消失し、エッチングマスクとしての機能を果たすことができないおそれがある。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、エッチングマスク膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、パターン形成膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の被エッチング性との双方を評価して、良好なエッチング条件を見出すことができるパターン形成膜のエッチング条件の評価方法を提供することを目的とする。本発明者らは、エッチングマスク膜のエッチング特性について検討した結果、パターン形成膜をエッチングするときに、エッチングマスク膜がどのようなものであっても、エッチングクリアタイムが長いながらもエッチングされてしまうことがわかった。そして、遮光膜などのパターン形成膜に生じるパターン欠陥などの原因は、エッチングマスク膜のパターニングの際にエッチングマスクとなるレジスト膜が、エッチングマスク膜のパターニングの際にエッチングされること、また、パターン形成膜のパターニングの際にエッチングマスクとなるエッチングマスク膜が、パターン形成膜のパターニングの際にエッチングされることにあることを知見した。更に、エッチング条件によって、パターン形成膜とエッチングマスク膜とのエッチング選択性が異なるため、単純にパターン形成膜のエッチングクリアタイムが短いエッチング条件を選ぶだけでは、十分な加工ができない場合があることを知見した。そこで、本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、エッチングマスク膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、パターン形成膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の被エッチング性との双方を相対的に評価する方法として、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、パターン形成膜のエッチング条件を評価することで、良好なエッチング条件を選定することができることを見出し、本発明をなすに至った。従って、本発明は、以下のパターン形成膜のエッチング条件の評価方法を提供する。請求項1:透明基板と、該透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、該パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのパターン形成膜のエッチング条件の評価方法であって、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、パターン形成膜のエッチング条件を評価することを特徴とするパターン形成膜のエッチング条件の評価方法。請求項2:上記パターン形成膜に適用するエッチングがフッ素系ドライエッチングであることを特徴とする請求項1記載のパターン形成膜のエッチング条件の評価方法。請求項3:上記パターン形成膜が、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成され、上記エッチングマスク膜が、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン形成膜のエッチング条件の評価方法。本発明によれば、パターン形成膜に対する良好なエッチング条件を選定することができ、このようなエッチング条件を用いてフォトマスクブランクから、フォトマスクを作製すれば、エッチングマスク膜を薄膜化できることから微細加工が可能となり、また、パターン形成膜へのフォトマスクパターンの転写性が良好であり、パターン欠陥の少ないフォトマスクブランクを得ることができる。以下、本発明について更に詳しく説明する。本発明においては、石英基板等の透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクにおいて、エッチングマスク膜の下に形成されたパターン形成膜、好ましくはエッチングマスク膜に隣接して形成されたパターン形成膜のエッチング条件を評価する。パターン形成膜には、フォトマスクを作製したときに遮光パターンを形成するための遮光膜、位相シフトパターンを形成するためのハーフトーン位相シフト膜等の位相シフト膜などが含まれ、フォトマスクとして用いるときに、フォトマスクパターンとして光学作用を与える光学機能膜である。一方、エッチングマスク膜は、パターン形成膜をエッチングする際に、エッチング耐性を有する膜であり、そのエッチングマスクパターンを利用して、パターン形成膜をエッチングするために用いられる膜、いわゆるハードマスク膜である。パターン形成膜、エッチングマスク膜は、いずれも、単層で構成された膜でも、複数層で構成された膜でもよい。また、パターン形成膜は、反射防止膜、密着性改善膜、保護膜などを含んでいてもよい。パターン形成膜とエッチングマスク膜とは、エッチング性が異なればよく、例えば、パターン形成膜及びエッチングマスク膜のうちの一方の膜、特に、パターン形成膜を、SF6、CF4などのフッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングでエッチングされ、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングでエッチングされにくい膜とすることができる。このような膜としては、例えば、ケイ素膜、ケイ素を含有し、ケイ素以外の金属を含有しない膜、ケイ素とケイ素以外の金属とを含有する材料で形成した膜などが挙げられる。この場合、上記ケイ素以外の金属としては、例えば、モリブデン、タングステン、タンタル及びジルコニウムから選ばれる1種以上が挙げられ、モリブデンが、加工性がよく好ましい。これらの膜は、更に、酸素、窒素、炭素及び水素から選ばれる1種以上の軽元素を含んでいてもよい。この場合、他方の膜上記一方の膜がパターン形成膜であれば、エッチングマスク膜は、SF6、CF4などのフッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングでエッチングされにくく、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングでエッチングされる膜とするのがよい。このような膜としては、例えば、クロムを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成した膜、タンタルを含有し、ケイ素を含有しない材料で形成した膜などが挙げられる。これらの膜は、更に、酸素、窒素、炭素及び水素から選ばれる1種以上の軽元素を含んでいてもよい。なお、塩素系エッチングガスも、フッ素系エッチングガスも、更にヘリウムやアルゴンなどの不活性ガスを含んでいてもよい。エッチングの組合せとして、フッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングと、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せを挙げたが、これに限定されるものではない。その他のエッチングの組合せとしては、塩素ガスを含み、酸素ガスを含まない塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングと、塩素ガスと酸素ガスとを含む塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せ、塩素ガスと酸素ガスとを異なる比率で含む塩素系エッチングガスを用いた2種の塩素系ドライエッチングの組合せ、フッ素系エッチングガスを用いたフッ素系ドライエッチングと、塩素ガスを含み、酸素ガスを含まない塩素系エッチングガスを用いた塩素系ドライエッチングとの組合せなどを挙げることができる。エッチングマスク膜を用いて、遮光膜等のパターン形成膜のフォトマスクパターンを形成する方法を、パターン形成膜がMoSi系の遮光膜、エッチングマスク膜がCr系の膜であるフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する場合を具体例として、その一例を説明する。まず、透明基板上に、MoSi系遮光膜とCr系エッチングマスク膜とが順に積層されたフォトマスクブランクを準備し、Cr系エッチングマスク膜の上にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜を加工してレジストパターンを得た後、塩素系ドライエッチングでエッチングマスク膜をパターン加工する。次に、レジスト膜を除去し、エッチングマスク膜をエッチングマスクとして、フッ素系ドライエッチングで遮光膜をパターン加工することによりフォトマスクが製造される。この場合、エッチングマスクパターンは、必要に応じて除去することができる。微細なフォトマスクパターンを高精度で形成するためには、アスペクト比の観点からレジストの膜厚を薄くするほうがよい。レジストの膜厚はエッチングマスク膜をパターン加工する際のエッチング時間に依存している。薄膜レジストで十分な加工を可能にするためには、エッチングマスク膜のエッチング時間を短くする必要がある。短いエッチング時間で十分な加工を可能にすることは、1エッチングクリアタイムが短い膜組成膜構成にすること、及び2エッチングマスク膜の膜厚を薄くすることの少なくとも一方により達せられる。しかし、エッチングマスク膜を用いて遮光膜等のパターン形成膜を加工する際は、エッチングマスク膜は、パターン形成膜のエッチングに対し十分な耐性が必要である。耐性を向上させることは、3エッチングクリアタイムが長い膜組成膜構成にすること、及び4エッチングマスク膜の膜厚を厚くすることの少なくとも一方により達せられる。一方、パターン形成膜のエッチング条件に求められるのは、パターン形成膜のエッチングクリアタイムは短いが、エッチングマスク膜のエッチングクリアタイムは長いことである。本発明においては、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とを測定し、両者のクリアタイム比C1/C2により、パターン形成膜のエッチング条件を評価する。本発明は、パターン形成膜からフォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC1と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイムC2とのクリアタイム比C1/C2を、FOMFigureofMerit:性能指数とし、パターン形成膜のエッチング条件の指標とする評価方法である。前者C1は、パターン形成膜をエッチングする際のエッチングマスク膜の耐エッチング性に相当し、後者C2は、パターン形成膜をエッチングする際の被エッチング性に相当する。従って、C1/C2はより大きい方が好ましいものとなり、好ましくは2以上、より好ましくは5以上である。なお、C1/C2の上限は、特に限定されるものではないが、エッチングマスク膜がCr系の膜、遮光膜がMoSiN膜で構成されているものであれば、実用上は、例えば8以下である。C1/C2がより大きなエッチング条件でパターン形成膜をエッチングすることによって、エッチングマスク膜を薄膜化することができ、その結果、エッチングマスク膜をパターニングする際に用いるレジスト膜を薄膜化することができ、微細なパターンを形成することができる。エッチングにおけるクリアタイムは、エッチング開始から、膜が除去されて、基板や下層の膜が露出するまでの時間である。エッチングクリアタイムは、エッチング中の膜の反射率を測定し、その変化からエッチングの終了を検出して求めることができる他、膜をエッチング中に観察できるときは、目視により、基板や下層の膜の露出を確認し、エッチングの終了を判断して求めることができる。また、エッチングチャンバー中のプラズマの発光スペクトルなどの解析によるプラズマ中のイオン又は元素の分析により、その変化からエッチングの終了を検出して求めることもできる。エッチング条件は、エッチングガスのガス流量、ガス圧、プラズマに投入する電力などがあり、例えば、図1に示されるドライエッチング装置でドライエッチングを行うとき、電力は、被処理基板側フォトマスクブランク側に印加する電力RF1:RIEリアクティブイオンエッチングと、誘導コイルに印加する電力RF2:ICP誘導結合プラズマの各々を調整すればよい。なお、図1中、1はチャンバー、2はアース、3は下部電極、4はアンテナコイル、5は被処理基板、RF1,RF2は高周波電源である。エッチングガスのガス流量は0.1~100sccm、ガス圧は1~10Pa、電力は1~500Wとすればよい。なお、エッチングクリアタイムは、パターン形成膜とエッチングマスク膜とを積層したものに対して連続してエッチングして求めることも可能であり、このようにすれば、評価時間を短縮することができる。エッチングマスク膜の膜厚は、パターン形成膜のエッチング条件における、エッチングマスク膜及びパターン形成膜のエッチングクリアタイムにより設定することができる。パターン形成膜のエッチングクリアタイムよりも、エッチングマスク膜のエッチングクリアタイムの方が長ければよく、例えば、1.1~5倍、特に1.2~3倍となる膜厚を設定すればばよい。エッチングマスク膜の膜厚は薄い方が好ましいが、薄すぎるとパターン欠陥を生じ、厚すぎると、レジスト膜が厚くなり、微細なパターン形成に不利になるだけでなく、パターンの粗密依存性が大きくなる。エッチングマスク膜の膜厚は、具体的には、1~30nm、特に1~10nmとすることが好ましい。このようなエッチングマスク膜に対して適用するレジスト膜の膜厚は30~200nm、特に30~150nm、とりわけ30~100nmとすることができる。一方、パターン形成膜の膜厚は、光学機能により異なるが、上記エッチングマスク膜の膜厚に対しては、通常10~100nm、特に20~80nmの膜厚のものが好適である。本発明のパターン形成膜のエッチング条件の評価方法は、例えば、透明基板上に、パターン形成膜として遮光膜が形成され、その上にエッチングマスク膜が形成されたバイナリーフォトマスクブランクや、透明基板上に、パターン形成膜としてハーフトーン位相シフト膜等の位相シフト膜と、必要に応じてその上に遮光膜とが形成され、更にその上にエッチングマスク膜が形成された位相シフトマスクブランクのパターン形成膜のエッチング条件の評価方法として有効である。以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。[実施例1]石英基板上に、MoSi系材料の遮光膜を成膜し、この遮光膜上に、エッチングマスク膜としてCr系材料の膜を成膜した。遮光膜はMoSiN膜であり、その膜厚が60nm、エッチングマスク膜はCr膜であり、その膜厚が5nmとなるよう、各々の成膜時間を調整した。成膜したMoSi系材料の遮光膜とCr系材料膜のエッチングマスク膜について、図1に示すエッチング装置を用い、A~Gの7種のドライエッチング条件でフッ素系ドライエッチングを実施し、エッチングクリアタイムを求めた。エッチング条件を表1に示す。RF1RIE:リアクティブイオンエッチング:CW連続放電RF2ICP:誘導結合プラズマ:CW連続放電エッチング中、波長675nmの検査光に対する反射率の経時変化を測定した。条件Cでエッチングを実施したときの反射率の経時変化を図2に示す。Cr系材料膜が完全にエッチングされると、MoSi系材料の遮光膜のエッチングが始まり、遮光膜の膜厚が減少することによって反射率が減少し、最終的には石英基板の反射率の値に達する。各々のエッチング条件のエッチングクリアタイムを表2に示す。測定されたエッチングクリアタイムから、パターン形成膜である遮光膜のエッチングクリアタイムに対する、エッチングマスク膜のエッチングクリアタイムであるC1/C2を求めた。これらエッチング条件A~Gでは、条件AのC1/C2が最も高く、最も適したエッチング条件であることがわかった。"