"第1配線基板と、前記第1配線基板に実装された第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に設けられた第2配線基板と、前記第2配線基板に実装された第2半導体素子と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する接続部と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1半導体素子を封止し、且つ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを接着する第1樹脂層と、を含むことを特徴とする半導体装置。前記第1樹脂層は、単層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記接続部は、前記第1樹脂層で封止されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記接続部の少なくとも一部は、前記第1樹脂層から表出することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第2半導体素子を封止する第2樹脂層を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。第1配線基板に第1半導体素子を実装する工程と、前記第1半導体素子の上方に、第2半導体素子が実装された第2配線基板を配置する工程と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられた接続部によって、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する工程と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられた樹脂層によって、前記第1半導体素子を封止し、且つ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを接着する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。第1配線基板と、前記第1配線基板に実装された第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に設けられた第2配線基板と、前記第2配線基板に実装された第2半導体素子と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する接続部と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1半導体素子を封止し、且つ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを接着する樹脂層と、を含む半導体装置と、前記半導体装置が実装された第3配線基板と、を含むことを特徴とする電子装置。ところで、PoP実装では、下側と上側の半導体パッケージが干渉すると、接続不良が発生してしまう場合がある。例えば、下側の半導体パッケージの半導体素子を封止している樹脂層が、上側の半導体パッケージの配線基板と干渉すると、上側の配線基板に設けられているバンプ等の接続端子を下側の配線基板のパッドに接続できない、といったことが起こり得る。このような下側と上側の半導体パッケージの干渉を起こさせずに両半導体パッケージを、接続端子を含む接続部で接続することを可能にするため、例えば、下側の配線基板のパッド位置を高くしたり、パッド上に電極を別途設けたりする方法もある。しかし、いずれの方法もコストの増加を招く可能性がある。また、これまでの実装形態では、下側と上側の半導体パッケージの間が空隙となり、両半導体パッケージは接続部で接続されてはいるものの、それだけでは十分な耐衝撃性、接続信頼性を得ることができない場合があった。本発明の一観点によれば、第1配線基板と、前記第1配線基板に実装された第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に設けられた第2配線基板と、前記第2配線基板に実装された第2半導体素子と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する接続部と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1半導体素子を封止し、且つ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを接着する第1樹脂層とを含む半導体装置が提供される。開示の半導体装置によれば、コストの増加を抑制し、高い接続信頼性を実現することが可能になる。図1は半導体装置の一構成例を示す図である。図1に示す半導体装置1は、配線基板2とそれに実装された半導体素子3、及び配線基板4とそれに実装された半導体素子5を有している。尚、半導体素子3は、例えば、ワイヤ接続又はフリップチップ接続によって配線基板2に実装される。同様に、半導体素子5は、例えば、ワイヤ接続又はフリップチップ接続によって配線基板4に実装される。半導体装置1の、下側と上側の配線基板2,4は、それらの間に設けられた接続部6によって電気的に接続されている。接続部6には、例えば、半田ボール等のバンプ突起電極が用いられる。更に、半導体装置1の下側と上側の配線基板2,4の間には、樹脂層7が設けられている。この樹脂層7により、下側の配線基板2に実装されている半導体素子3が封止され、且つ、半導体素子3,5がそれぞれ実装された下側と上側の配線基板2,4同士が接着されている。このように半導体装置1は、配線基板2に半導体素子3が実装された下側の素子部と、配線基板4に半導体素子5が実装された上側の素子部とが積層され、間の接続部6によって電気的に接続される。そして、下側の素子部に含まれる半導体素子3は、樹脂層7によって封止され、この樹脂層7によって、下側と上側の素子部同士が接着される。即ち、樹脂層7は、下側の半導体素子3を封止する封止樹脂としての役割を果たすと共に、下側と上側の素子部同士配線基板2,4同士を接着する接着剤、アンダーフィル材としての役割を果たす。この半導体装置1の下側の素子部には、上側の素子部が積層されていない状態において、予め半導体素子3が封止樹脂で封止されているような半導体パッケージを用いることを要しない。上記のような構成を有する半導体装置1では、下側と上側の素子部を、干渉させることなく積層し、接続部6によって電気的に接続することができ、接続不良の発生を回避することが可能になる。更に、この半導体装置1では、下側と上側の素子部を樹脂層7によって接着するため、接続部6の高い耐衝撃性、接続信頼性を実現することが可能になる。また、下側と上側の素子部を積層するにあたり、配線基板の構造を大幅に変更したり、配線基板に別途所定高さの電極を設けたりすることを要せず、コストの増加を抑えることが可能になる。以下、半導体装置について、より詳細に説明する。図2は半導体装置の一例を示す図である。尚、図2には、半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。図2に示す半導体装置10は、配線基板20と、その配線基板20に実装された半導体素子30を有している。配線基板20は、コア基板21、並びにコア基板21の表裏面側に設けられた導電部22、及び絶縁性の保護膜23を有している。コア基板21は、例えば、単層のコア層とすることができる。或いはコア基板21は、単層のコア層の表裏面にそれぞれ、配線パターン等を含む1層又は複数層の導電部と、そのような導電部間に設けられる絶縁部とを含んだ多層配線層や、コア層を含まないコアレス構造とすることもできる。配線基板20の導電部22のうち、表裏面の保護膜23から表出する一部の導電部22a,22b,22cは、パッド電極パッドとして機能する。半導体素子30は、このような配線基板20上に配置され、その配置領域の外側で保護膜23から表出する導電部22aに、ワイヤ40によって接続されている。また、この図2の例では、配線基板20の、ワイヤ40が接続される導電部22aの外側で保護膜23から表出する導電部22bに、バンプ50を設けている。このバンプ50には、例えば、金Auバンプ、銅Cuバンプを用いることができる。半導体装置10では、配線基板20に実装された半導体素子30の上方に、半導体パッケージ60が積層されている。ここで、図3Aは半導体パッケージの一例を示す図である。尚、図3Aには、半導体パッケージの一例の要部断面を模式的に図示している。図3Aに示す半導体パッケージ60は、配線基板70と、その配線基板70の一主面表面側に実装された半導体素子80、及び配線基板70の半導体素子80実装面側と反対の面裏面側に設けられたバンプ90を有している。半導体パッケージ60の配線基板70は、上記の配線基板20と同様の構造とすることができる。即ち、配線基板70は、コア基板71、並びにコア基板71の表裏面側に設けられた導電部72、及び絶縁性の保護膜73を有している。コア基板71は、例えば、単層のコア層、或いは、コア層の表裏面にそれぞれ1層又は複数層の導電部と当該導電部間に設けられる絶縁部とを含んだ多層配線層とすることができる。配線基板70の導電部72のうち、表裏面の保護膜73から表出する一部の導電部72a,72bが、パッドとして機能する。図3Aに示す半導体パッケージ60では、このような配線基板70の一主面表面上に半導体素子80が配置され、半導体素子80は、その配置領域の外側で保護膜73から表出する導電部72aに、ワイヤ100によって接続されている。半導体素子80及びワイヤ100は、樹脂層110によって封止されている。配線基板70の半導体素子80実装面側と反対の面裏面側において保護膜73から表出する導電部72bに、バンプ90が設けられている。このバンプ90には、半田ボール等を用いることができる。図2の例では、この図3Aに示したような構成を有する半導体パッケージ60の、配線基板70、バンプ90及び樹脂層110を図示している。このような半導体パッケージ60が、配線基板20に実装された半導体素子30の上方に配置され、配線基板70の導電部72bに設けられたバンプ90が、配線基板20の導電部22bに設けられたバンプ50に、又はバンプ50と導電部22bに、接続される。図2の例では、下側の配線基板20のバンプ50が、上側の配線基板70のバンプ90に埋め込まれた状態を図示している。バンプ50,90を接続することにより、半導体パッケージ60上側の素子部と、半導体素子30が配線基板20に実装された下側の素子部とが、電気的に接続される。図2に示す半導体装置10では、更に、下側と上側の配線基板20,70の間に、樹脂層120が設けられている。この樹脂層120により、下側の配線基板20に実装された半導体素子30が封止されると共に、下側と上側の配線基板20,70が接着されている。即ち、半導体装置10は、半導体素子30が配線基板20に実装された下側の素子部半導体パッケージと、上側の素子部である半導体パッケージ60とが、樹脂層120で接着された状態で積層された構造になっている。上記のような構成を有する半導体装置10は、例えば、次のような方法を用いて形成することができる。図4は半導体装置の形成方法の一例を示す図である。尚、図4A~Eには、半導体装置の各形成工程の要部断面を模式的に図示している。半導体装置10の形成では、例えば、まず図4Aに示すような配線基板20を準備する。配線基板20は、例えば、ビルドアップ法を用いて形成することができる。その際、配線基板20のコア基板21或いはコア基板21内部のコア層には、セラミック基板、金属基板、プリプレグ等を用いることができる。配線基板20の導電部導電部22のほか、コア基板21内部に導電部がある場合には当該導電部を含むには、Cu等を用いることができる。配線基板20の絶縁部保護膜23のほか、コア基板21内部に絶縁部がある場合には当該絶縁部を含むには、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いることができる。配線基板20を準備した後は、図4Bに示すように、配線基板20に半導体素子30を実装する。例えば、半導体素子30を、配線基板20の所定領域にダイアタッチ材等図示せずを用いて固定配置し、配置した半導体素子30と配線基板20の導電部22aとを、Au等のワイヤ40を用いて接続する。また、この例では、図4Cに示すように、配線基板20の半導体素子30実装面側の導電部22bに、比較的小さな例えば半導体パッケージ60のバンプ90に比べて小さなバンプ50、又はそのような比較的小さな先端部分を有するバンプ50を設ける。これは、このバンプ50を、後述する半導体パッケージ60の圧着時に、半導体パッケージ60のバンプ90と接続し易くするため、より具体的にはバンプ50をバンプ90に食い込ませ易くするためである。バンプ50は、例えば、Auバンプとすることができる。Auバンプは、Auワイヤの先端部を導電部22bに接続した後に切断することで形成される、Auスタッドバンプとすることができる。Auスタッドバンプの形成は、上記のワイヤ40による接続と同じ装置を用いて実施することができ、例えば、上記のワイヤ40による接続と共に、実施することができる。また、バンプ50としては、Cuのスタッドバンプやポストを用いることもできる。Cuスタッドバンプは、例えば、Auスタッドバンプと同様に、配線基板20への半導体素子30の実装後に、Cuワイヤを用いて、導電部22b上に形成することができる。Cuポストは、例えば、配線基板20の準備工程において、その導電部22b上に、めっき法等を用いて形成しておくことができる。ワイヤ40による接続及びバンプ50の形成後は、図4Dに示すように、配線基板20上に、所定量の樹脂材料121を供給配置する。樹脂材料121には、上記図2で述べた樹脂層120として利用可能な材料を用いる。即ち、樹脂材料121には、配線基板20に実装された半導体素子30を封止することができ、且つ、配線基板20を後述のようにその上側に配置される配線基板70と接着することのできる材料が選択される。この樹脂材料121には、様々なものを用いることができる。例えば、樹脂材料121には、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂ほか、熱可塑性樹脂や紫外線硬化型樹脂等も用いることができる。また、そのような樹脂に非導電性フィラーを含有させた材料樹脂組成物を用いることもできる。供給する樹脂材料121には、液状のもの、又はパウダー状のものを用いることができる。樹脂材料121を配線基板20上に供給した後は、配線基板20の上に、予め準備された半導体パッケージ60を、バンプ90と導電部22bの位置合わせを行って配置し、例えば所定温度で加熱しながら、配線基板20に圧着する。半導体パッケージ60を熱圧着する際の温度は、例えば、バンプ90が、そこに配線基板20のバンプ50が食い込む程度、例えばバンプ90の表面に生じ得る酸化膜をバンプ50が突き破る程度の硬さになるような軟化するような温度とすることができる。更に、半導体パッケージ60を熱圧着する際の温度は、樹脂材料121が液状である場合には、当該樹脂が流動性を失わず、硬化しないような温度とし、樹脂材料121がパウダー状である場合には、当該樹脂が溶融し、流動性を発現するような温度とする。半導体パッケージ60を配線基板20に熱圧着する際には、樹脂材料121及びバンプ50,90の材質の組み合わせに基づいて、熱圧着時の温度、圧力荷重等の条件を設定する。所定の条件で配線基板20に半導体パッケージ60を圧着することで、図4Eに示すように、半導体パッケージ60のバンプ90に、配線基板20のバンプ50を食い込ませる。それにより、バンプ90が、バンプ50或いはバンプ50と導電部22bの両方に接続され、配線基板20と、半導体パッケージ60の配線基板70とが、電気的に接続されるようになる。バンプ50を用いることで、配線基板20,70の間の、一定の接続信頼性を確保することが可能になっている。また、この圧着時には、図4Dの工程で供給された、流動性を有する或いは供給後に溶融されて流動性が発現された樹脂材料121が、半導体パッケージ60に押され、配線基板20,70の間に、例えば図4Eに示したように全体的に、充填される。尚、この場合、図4Dの工程では、図4Eに示したような構造配線基板20,70の間に樹脂材料121が全体的に充填された構造が得られるような量の樹脂材料121を供給しておく。また、バンプ90とバンプ50とが接続される前に樹脂材料121がバンプ50を被覆してしまい、バンプ90とバンプ50の電気的な接続が不完全となることを防ぐために、配線基板20の各バンプ50の樹脂材料121供給位置側に、樹脂材料の流動を阻止する所定の寸法のダムを所定の材料で形成しておくことも可能である。これにより、バンプ90とバンプ50の電気的接続をより確実に行える。このようにして配線基板20,70の間に充填された樹脂材料121が、硬化されることで、樹脂層120が形成される。それにより、半導体素子30が樹脂層120で封止され、且つ、配線基板20,70が樹脂層120で接着された状態が得られるようになる。尚、樹脂材料121は、その材質に応じ、半導体パッケージ60を熱圧着する場合の加熱により、或いは当該加熱後の冷却により、或いはまた、紫外線等の照射により、硬化することができる。また、樹脂材料121の材質に応じ、半導体パッケージ60の圧着後にキュア処理を実施し、樹脂材料121を硬化させることもできる。また、半導体パッケージ60の圧着後には、バンプ90を溶融させ、バンプ90がバンプ50の周囲や導電部22bの上に濡れ広がるようにするためのリフロー処理を実施してもよい。上記のようなバンプ50を用い、これをバンプ90に食い込ませるようにすることで、リフロー処理を行う場合には、フラックスを用いなくても、バンプ50や導電部22bに対するバンプ90の一定の濡れ性を確保することができる。以上、この図4に示したような方法により、図2に示した半導体装置10を形成することができる。また、半導体装置10は、次のような方法を用いて形成することもできる。図5は半導体装置の形成方法の一例を示す図である。尚、図5A~Eには、半導体装置の各形成工程の要部断面を模式的に図示している。この図5A~Eに示す各形成工程のうち、図5A~Cは、上記の図4A~Cと同様に行うことができる。即ち、配線基板20を準備した後図5A、その配線基板20に半導体素子30を固定配置し、半導体素子30と配線基板20をワイヤ40で接続し図5B、配線基板20の導電部22bにバンプ50を形成する図5C。その後、ここでは、図5Dに示すように、配線基板20の上に、予め準備された半導体パッケージ60を、バンプ90と導電部22bの位置合わせを行って配置し、所定の条件で圧着する。半導体パッケージ60を熱圧着する場合には、その時の温度を、例えば、半導体パッケージ60のバンプ90が、そこに配線基板20のバンプ50が食い込む程度の硬さになるような温度とすることができる。所定の条件で配線基板20に半導体パッケージ60を圧着することにより、図5Dに示したように、半導体パッケージ60のバンプ90に、配線基板20のバンプ50を食い込ませる。それにより、配線基板20と、半導体パッケージ60の配線基板70とを、電気的に接続させる。尚、半導体パッケージ60を配線基板20に圧着する際、或いは圧着した後に、バンプ90を溶融させ、バンプ90がバンプ50の周囲や導電部22bの上に濡れ広がるようにするためのリフロー処理を実施してもよい。配線基板20に半導体パッケージ60を接続した後、図5Eに示すように、配線基板20と、半導体パッケージ60の配線基板70の間に、樹脂材料121を供給、充填し、硬化させることで、樹脂層120を形成する。これにより、半導体素子30が樹脂層120で封止され、且つ、配線基板20,70が樹脂層120で接着された状態が得られるようになる。尚、樹脂材料121の材質に応じ、更にキュア処理を実施してもよい。以上、この図5に示したような方法によっても、図2に示した半導体装置10を形成することができる。上記の図4及び図5に示した方法によれば、半導体素子30が配線基板20に実装された下側の素子部に、上側の素子部となる半導体パッケージ60を積層する際に、双方の素子部が干渉してしまうといった状況を回避することができる。ここで、比較のため、別形態の半導体装置及びその形成方法について、図6~図8を参照して説明する。図6は別形態の半導体装置及びその形成方法の説明図である。この図6に示す方法では、まず図6Aに示すように配線基板20を準備した後、図6Bに示すように、その配線基板20に半導体素子30を固定配置し、半導体素子30と配線基板20をワイヤ40で接続する。そして、半導体素子30及びワイヤ40を樹脂層130によって封止する。このようにして下側の素子部半導体パッケージ140を形成した後に、半導体パッケージ140に対して、予め準備された半導体パッケージ60の接続が行われる。この方法では、上側に配置される半導体パッケージ60のバンプ90の高さが、少なくとも、下側に配置される半導体パッケージ140の樹脂層130の高さよりも高くなければならない。このような条件を満たさないと、図6Cに示すように、上側の半導体パッケージ60の配線基板70が、下側の半導体パッケージ140の樹脂層130と干渉してしまい、半導体パッケージ60のバンプ90を、配線基板20の導電部22bに接続できなくなる。また、ここでは図示を省略するが、バンプ90及び樹脂層130自体は上記のような高さの条件を満たしていても、半導体パッケージ60,140に生じる反り等の変形により、配線基板20,70の間の距離が広がってしまい、上記同様の接続不良が発生してしまう場合もある。このような干渉による接続不良は、バンプ90の大型化、或いは半導体素子30や樹脂層130の薄型化によって、回避することも可能である。しかし、バンプ90の狭ピッチ化、それによる微細化に伴い、バンプ90を大型化することができなかったり、半導体素子30や樹脂層130の更なる薄型化が難しかったりする場合もある。上記のような干渉による接続不良を回避するために、次の図7及び図8に示すような方法を用いることも考えられる。図7及び図8はそれぞれ、別形態の半導体装置及びその形成方法の一例を示す図である。例えば、図7の例では、配線基板20を準備し図7A、その配線基板20に実装した半導体素子30を樹脂層130で封止して半導体パッケージ140を形成し、導電部22bに半田等の電極層150を所定高さで形成する図7B。そして、予め準備された半導体パッケージ60のバンプ90を、電極層150に接続する図7C。図7に示す方法では、予め所定高さの電極層150を設けておくことで、上記のような配線基板70と樹脂層130との干渉による接続不良の発生を抑制する。また、図8の例では、導電部22bの下に1層又は複数層からなる別の層24を形成した配線基板20を用い図8A、下側の半導体パッケージ140の形成図8B、上側の半導体パッケージ60の接続を行う図8C。図8に示す方法では、配線基板20に層24を設けておくことで、上記のような配線基板70と樹脂層130との干渉による接続不良の発生を抑制する。但し、図7及び図8に示したような方法で得られる半導体装置では、その半導体装置全体の厚みが増してしまう場合がある。更に、図8に示したように、配線基板20に新たに層24を設け、その構造を変更するような場合には、配線基板20のコストの増加、それによる半導体装置のコストの増加を招く可能性がある。また、図7及び図8に示したような方法で得られる半導体装置では、半導体パッケージ60,140の間が空隙となり、それらはバンプ90を介して接続されてはいるものの、それだけでは十分な耐衝撃性、接続信頼性を得ることができない場合がある。このほか、上記のような半導体素子30を含む下側の素子部に干渉しないような中間基板を別途設け、その上に、上記の半導体パッケージ60のような上側の素子部を積層する方法も考えられる。しかし、この方法の場合、中間基板を設けるため、半導体装置の厚みが増し、また、コストの増加を招いてしまう。また、下側の素子部を樹脂封止後、積層する上側の素子部との接続に用いる接続端子を改めて作製する方法、下側の素子部について、半導体素子を配線基板に内蔵する方法等も考えられる。しかし、これらの方法もまた、半導体装置の厚みが増す、コストの増加を招く等の可能性がある。一方、図4及び図5に示したような方法では、上記のような干渉による接続不良を回避でき、また、装置の大型化やコストの増加を抑えて、接続信頼性の高い半導体装置10を実現することができる。即ち、図4に示した方法では、半導体素子30を実装した配線基板20上に樹脂材料121を供給した後、上側の半導体パッケージ60を圧着し、その際に樹脂材料121を押し広げることで、配線基板20,70の間に充填された樹脂層120を形成する。また、図5に示した方法では、半導体素子30を実装した配線基板20に、上側の半導体パッケージ60を圧着により接続した後、配線基板20,70の間に樹脂材料121を充填し、樹脂層120を形成する。図4及び図5のいずれの場合も、樹脂層120により、半導体素子30が封止され、配線基板20,70が接着される。図4及び図5に示した方法のようにして、半導体素子30を封止する樹脂層120を形成することで、図6に示したような半導体パッケージ60の干渉、及びそれによる接続不良の発生を回避することができる。図4及び図5に示した方法によれば、バンプ90が微細化した場合でも、バンプ90が一定の高さ図4及び図5の例では導電部22bの表面からワイヤ40の上端までの高さを上回れば、配線基板20,70の間をバンプ90で精度良く接続することができる。また、図4及び図5に示した方法によれば、配線基板20の導電部22bの上に電極層150を設けたり、導電部22bの下に層24を設けたりすることを要せず、半導体装置10の厚みが増すのを抑えることができ、更に、コストの増加を抑えることができる。図4及び図5に示した方法で形成される半導体装置10において、樹脂層120は、半導体素子30を封止すると共に、配線基板20,70を接着する。このような樹脂層120を設けることにより、耐衝撃性、接続信頼性に優れた半導体装置10を実現することができる。尚、以上の説明では、配線基板20,70の間に全体的に樹脂層120が充填される場合を例にして述べたが、配線基板20,70の間に部分的に樹脂層120が充填される場合にも、上記同様の効果を得ることができる。図9は半導体装置の一例を示す図である。尚、図9には、半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。樹脂層120は、図9Aに示すように、バンプ90よりも内側の領域で、半導体素子30及びワイヤ40を封止するように設けられていてもよい。また、半導体素子30及びワイヤ40を封止する樹脂層120は、図9Bに示すように、バンプ90に接していてもよい。図9A,Bに示したような半導体装置10a,10bでは、配線基板20,70の間に部分的に設けられた樹脂層120により、配線基板20,70が接着される。図9A,Bに示したような半導体装置10a,10bは、例えば、図4に示した方法の例に従い、上側の半導体パッケージ60を圧着する前に供給する樹脂材料121図4Dの量を調整することにより、得ることができる。例えば、樹脂材料121の供給量を図4Dの場合よりも少なく調整し、図9Aに示したような半導体装置10aを得ることが可能である。また、樹脂材料121の供給量を、それよりは多く、且つ、図4Dの場合よりも少なく調整すれば、図9Bに示したような半導体装置10bを得ることが可能である。樹脂材料121の粘度、バンプ90のピッチやサイズ等によっては、バンプ90が、半導体パッケージ60の圧着時に樹脂材料121が外側へ流出するのを抑えるダムとして機能し得る。この図9A,Bに示したように、バンプ90の少なくとも一部が表出するように樹脂層120が設けられている場合であっても、上記の半導体装置10について述べたのと同様の効果を得ることができる。また、以上述べた半導体装置10等は、LGALandGridArray型の半導体装置として利用することができる。このほか、半導体装置10等は、BGABallGridArray型半導体装置とすることもできる。図10はBGA型半導体装置の一例を示す図である。尚、図10には、BGA型半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。図10Aに示す半導体装置10cは、図2に示した半導体装置10配線基板20,70の間に全体的に樹脂層120が充填の配線基板20の導電部22cに、外部接続用の半田ボール等のバンプ91を設けたBGA構造を有している。図10Bに示す半導体装置10dは、図9Aに示した半導体装置10a配線基板20,70の間に部分的に樹脂層120が充填の配線基板20の導電部22cに、バンプ91を設けたBGA構造を有している。尚、図9Bに示した半導体装置10bについても、同様のBGA構造を得ることができる。このようなBGA構造を有する半導体装置10c,10d等を形成することもできる。また、半導体装置10c,10d等を、それらの配線基板20に設けたバンプ91を用いて、マザーボードやインターポーザ等、別の配線基板に実装し、電子装置を実現することもできる。図11は電子装置の一例を示す図である。尚、図11には、電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。図11Aに示す電子装置200aは、半導体装置10c配線基板20,70の間に全体的に樹脂層120が充填、配線基板210及びアンダーフィル材220を有している。配線基板210は、ここでは図示を省略するが、配線パターン等を含む1層又は複数層の導電部と、そのような導電部間に設けられる絶縁部とを含む。半導体装置10cは、バンプ91によって、配線基板210と電気的に接続フリップチップ接続されている。このようにして接続された半導体装置10cと配線基板210の間を埋めるように、アンダーフィル材220が設けられている。図11Bに示す電子装置200bは、半導体装置10d配線基板20,70の間に部分的に樹脂層120が充填が用いられている点で、図11Aの電子装置200aと相違する。電子装置200bでは、アンダーフィル材220が、バンプ91を介して接続された半導体装置10dと配線基板210の間のほか、半導体装置10dの配線基板20,70の間で樹脂層120が充填されていない領域にも、充填される。尚、図9Bに示した半導体装置10bを用いても、同様の電子装置を得ることができる。半導体装置10c,10d等を用いることで、接続不良が抑えられ、耐衝撃性、接続信頼性に優れた電子装置を実現することができる。また、以上の説明では、半導体装置10,10a,10b,10c,10d等が備える下側の配線基板20に、半導体素子30をワイヤ40で接続する構造を例示したが、配線基板20には、半導体素子をフリップチップ接続することもできる。図12はフリップチップ接続を含む半導体装置の一例を示す図である。尚、図12には、半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。図12Aに示す半導体装置10eは、半田ボール等のバンプ31を有する半導体素子30a、及び半導体素子30aのバンプ31に対応する位置に、保護膜23から表出する導電部22dパッドが設けられた配線基板20aを備える。半導体素子30aは、配線基板20a上に配置され、バンプ31が導電部22dに接続されて、配線基板20aにフリップチップ接続されている。半導体装置10eでは、このように半導体素子30aが配線基板20aにフリップチップ接続された素子部の上に、半導体パッケージ60が、バンプ90を介して接続されている。そして、配線基板20a,70の間には、全体的に樹脂層120が充填され、この樹脂層120により、半導体素子30aが封止されると共に、配線基板20a,70が接着されている。図12Bに示す半導体装置10fは、樹脂層120が配線基板20a,70の間に部分的に充填されている点で、図12Aの半導体装置10eと相違する。尚、図12Bには、樹脂層120がバンプ90から離間した場合を例示しているが、樹脂層120は、バンプ90と接していてもよい。このような半導体装置10e,10f等によれば、樹脂層120によって配線基板20a,70を接着するため、樹脂層120を設けなかった場合に比べ、耐衝撃性、接続信頼性を高めることができる。また、接続信頼性を高めるために、樹脂層120を設けなかった場合の、下側と上側の素子部の間に、別途アンダーフィル材を充填することを要しない。更に、樹脂層120を設けることで、配線基板20a,70の間や、下側の素子部における半導体素子30aと配線基板20aの間に、別途アンダーフィル材を充填することも要しない。即ち、樹脂層120を、配線基板20a,70を接着する接着剤として用いると共に、半導体素子30aと配線基板20aの間のアンダーフィル材として用いることができる。また、以上の説明では、半導体装置10のほか、半導体装置10a,10b,10c,10d,10e,10f等において、上側の素子部として、図3Aに示したような半導体パッケージ60を用いる場合を例にして述べた。上記の手法は、このような半導体パッケージ60、即ち、半導体素子80が配線基板70にワイヤ100で接続された構造を有する半導体パッケージ60に限らず、図3Bに示すような半導体パッケージ160を用いる場合にも、同様に適用可能である。図3Bに示す半導体パッケージ160は、配線基板170、及びその配線基板170に実装された半導体素子180を有している。そして、配線基板170の半導体素子180実装面側と反対面側に、バンプ90が設けられている。半導体パッケージ160の配線基板170は、コア基板171、並びにコア基板171の表裏面側に設けられた導電部172、及び絶縁性の保護膜173を有している。コア基板171は、例えば、単層のコア層、或いは、コア層の表裏面にそれぞれ1層又は複数層の導電部と当該導電部間に設けられる絶縁部とを含んだ多層配線層とすることができる。配線基板170の導電部172のうち、表裏面の保護膜173から表出する一部の導電部172a,172bが、パッドとして機能する。図3Bに示す半導体パッケージ160では、このような配線基板170に、半導体素子180が、半田ボール等のバンプ181を介してフリップチップ接続されている。バンプ181は、配線基板170の表面側の保護膜173から表出する導電部172aと接続されている。配線基板170と半導体素子180の間には、アンダーフィル材190が充填されている。バンプ90は、配線基板170の裏面側の保護膜173から表出する導電部172bに接続されている。図13はフリップチップ接続を含む半導体装置の一例を示す図である。尚、図13には、半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。図13Aに示す半導体装置10gは、図3Aに示したような半導体パッケージ60に替えて、図3Bに示したような半導体パッケージ160を用いている点で、上記の半導体装置10図2と相違する。図13Bに示す半導体装置10hは、図3Aに示したような半導体パッケージ60に替えて、図3Bに示したような半導体パッケージ160を用いている点で、上記の半導体装置10a図9Aと相違する。半導体パッケージ160を用いる場合にも、図4及び図5に示した方法の例に従って、半導体装置10g,10hを形成することができる。即ち、半導体素子30が配線基板20に実装された下側の素子部の上に、半導体パッケージ160を積層し、配線基板20,170の間をバンプ50,90で電気的に接続すると共に、樹脂層120で充填する。半導体装置10g,10hにおいても、上記の半導体装置10について述べたのと同様の効果を得ることができる。尚、半導体パッケージ160は、上記の半導体装置10b,10c,10d,10e,10fにおける半導体パッケージ60に替えて、用いることもできる。尚、以上の説明では、下側と上側の素子部にそれぞれ1個ずつ半導体素子半導体素子30,80又は半導体素子30,180を設ける場合を例示したが、半導体素子の個数はこれに限定されるものではない。下側の素子部の配線基板20上に複数個の半導体素子を実装したり、上側の素子部の配線基板70,170上にそれぞれ複数個の半導体素子を実装したりすることもできる。また、以上述べたような半導体装置に用いる半導体素子としては、ロジック素子やメモリ素子等、様々な種類の半導体素子を用いることができる。例えば、下側の素子部の半導体素子30としてロジック素子を用い、上側の素子部の半導体素子80,180としてメモリ素子を用いて、半導体装置を構成することが可能である。以上、半導体装置について説明した。以下、半導体装置の形成方法について更に説明する。ここでは、図2,図10に示した半導体装置10,10cを例に、その形成方法を第1~第3実施例として説明する。まず、第1実施例について説明する。図14は半導体装置の形成方法の第1実施例を示す図である。尚、図14A~Gには、半導体装置の各形成工程の要部断面を模式的に図示している。まず、図14Aに示すように、複数一例として4つの半導体素子30が搭載可能な大判の配線基板20Aを準備する。ここでは図示を省略するが、配線基板20Aには、搭載される各半導体素子30に対応して、図2,図10に示したような配線基板20の構造が含まれる。このような配線基板20A上に、ダイアタッチ材図示せずを用いて各半導体素子30を搭載する。次いで、図14Bに示すように、配線基板20A上に搭載された各半導体素子30と、配線基板20Aの所定箇所図2等に示した導電部22aとを、それぞれ、例えばAuのワイヤ40によって接続する。これにより、配線基板20Aに各半導体素子30が実装された状態を得る。更に、図14Cに示すように、配線基板20Aの、各半導体素子30を実装した面側の所定箇所図2等に示した導電部22bにそれぞれ、バンプ50を設ける。バンプ50としては、例えばAuスタッドバンプを設ける。次いで、図14Dに示すように、配線基板20Aに実装された各半導体素子30の上にそれぞれ、液状又はパウダー状の樹脂材料121を供給する。液状の樹脂材料121を用いる場合には、例えば、配線基板20A上の各半導体素子30の位置に、そのような液状の樹脂材料121を所定量ずつ滴下していくことで、樹脂材料121の供給を行う。パウダー状の樹脂材料121を用いる場合には、例えば、配線基板20A上の各半導体素子30の位置に、そのようなパウダー状の樹脂材料121を所定量ずつ配置していくことで、樹脂材料121の供給を行う。各位置に供給する樹脂材料121の量は、後述のように上側の半導体パッケージ60を配線基板20Aに圧着したときに、その半導体パッケージ60の配線基板70と、下側の配線基板20Aとの間に、全体的に樹脂材料121が充填されるような量に設定する。次いで、図14Eに示すように、上側の半導体パッケージ60を、それに設けられているバンプ90例えば半田ボールと、下側の配線基板20Aに設けられているバンプ50例えばAuスタッドバンプとが接続されるように、加熱しながら圧着する。半導体パッケージ60の圧着には、フリップチップボンダを用いることができる。フリップチップボンダにより、半導体パッケージ60を配線基板20Aの上方に、バンプ90とバンプ50図2等に示した導電部22bの位置を合わせて配置し、配線基板20A側に圧着する。フリップチップボンダには、配線基板20Aが載置されるステージや、半導体パッケージ60を保持吸着等して搬送するコレットに、加熱機構を設けておくことができる。半導体パッケージ60の圧着時の加熱は、そのようなステージ、コレット、或いはその両方によって、行うことができる。半導体パッケージ60の圧着時の温度は、半導体パッケージ60のバンプ90が、そこに配線基板20Aのバンプ50が食い込む程度、例えばバンプ90の表面に生じ得る酸化膜をバンプ50が突き破る程度の硬さになるような温度とすることができる。このような半導体パッケージ60の圧着時に、先に供給した樹脂材料121を、配線基板20A,70の間に充填させる。液状の樹脂材料121を用いている場合には、半導体パッケージ60の圧着時の温度を、樹脂材料121が流動性を失わず、硬化しないような温度に設定する。パウダー状の樹脂材料121を用いている場合には、半導体パッケージ60の圧着時の温度を、樹脂材料121が溶融し、流動性を発現するような温度に設定する。半導体パッケージ60の圧着により、流動性を示す樹脂材料121が押し広げられ、図14Eに示したように、半導体パッケージ60が配線基板20Aに接続されると共に、樹脂材料121が配線基板20A,70の間に充填される。樹脂材料121は、その材質に応じて、半導体パッケージ60の圧着時の加熱によって硬化されるか、或いは当該加熱後の冷却によって硬化される。或いはまた、紫外線等が照射されることで硬化される場合もある。樹脂材料121が硬化されることで、樹脂層120Aが形成される。樹脂層120Aは、各半導体素子30を封止すると共に、配線基板20Aと各配線基板70とを接着する。尚、この段階では、樹脂層120Aは、必ずしも完全に硬化した状態になっていることを要せず、半硬化状態であってもよい。その場合には、半硬化状態の樹脂層120Aの硬化を更に進めるための処理を実施すればよい。例えば、樹脂層120A樹脂材料121に熱硬化性樹脂を用いている場合で、樹脂層120Aを半硬化状態としている場合には、更に硬化を進めるキュア処理を実施する。尚、このようなキュア処理は、後述するバンプ91搭載後のリフロー処理と兼ねることもできる。また、上記のような半導体パッケージ60の圧着後には、バンプ90の、バンプ50等に対する接合性の観点から、バンプ90の材質に応じた温度でのリフロー処理を実施してもよい。半導体パッケージ60と配線基板20Aとをバンプ90及び樹脂層120Aを介して接続した後は、例えば、図14Fに示すように、配線基板20Aにバンプ91例えば半田ボールを搭載する。バンプ91は、配線基板20Aの裏面半導体パッケージ60側と反対側の面の所定箇所図2等に示した導電部22cに搭載する。バンプ91の搭載後、リフロー処理を実施する。これにより、図14Fに示したようなBGA構造を得る。その後、図14Fに点線で示したような位置で配線基板20A及び樹脂層120Aのダイシングを行うことで、図14Gに示すような、個片化された配線基板20及び樹脂層120を含む、BGA型の半導体装置10cを得る。尚、図14Fに示したようなバンプ91を搭載せずに、ダイシングを行い、LGA型の半導体装置10を得ることもできる。次に、第2実施例について説明する。図15は半導体装置の形成方法の第2実施例を示す図である。尚、図15A~Dには、半導体装置の各形成工程の要部断面を模式的に図示している。この第2実施例では、上記第1実施例で述べた図14A~Dの工程までは同じとすることができる。第2実施例では、図14Dの工程に続き、図15Aに示すような、凹部301を備える冶具下側冶具300を用い、樹脂材料121を供給した配線基板20Aを、その下側冶具300の凹部301に配置する。そして、例えばフリップチップボンダを用い、半導体パッケージ60を配線基板20Aに圧着し、バンプ50,90を接続する。尚、この圧着時に加熱を行うようにしてもよい。このような半導体パッケージ60の圧着に伴い、樹脂材料121が配線基板20A,70の間に押し広げられる。このとき、この第2実施例では、図15Aに示したような下側冶具300を用いていることで、樹脂材料121が配線基板20Aの外方に流出するのを抑えることが可能になっている。次いで、図15Bに示すような、押圧面311と加熱機構図示せずを備えた冶具上側冶具310を用い、配線基板20A上の半導体素子30を、加熱しながら一括で押圧する。これにより、半導体パッケージ60のバンプ90と、配線基板20Aのバンプ50とを接合すると共に、配線基板20A,70の間に樹脂材料121を充填、硬化完全に硬化又は半硬化する。このときも、下側冶具300を用いていることで、樹脂材料121の外方への流出を抑えることが可能になっている。配線基板20A,70の間に充填された樹脂材料121が硬化することで、樹脂層120Aが形成される。樹脂層120Aは、各半導体素子30を封止すると共に、配線基板20Aと各配線基板70とを接着する。尚、この後、更に樹脂層120のキュア処理を実施したり、バンプ90のリフロー処理を実施したりしてもよい。以後は、上記第1実施例と同様、図15Cに示すように、配線基板20Aにバンプ91例えば半田ボールを搭載し、リフロー処理後、図15Cに点線で示したような位置で配線基板20A及び樹脂層120Aのダイシングを行う。これにより、図15Dに示すような、個片化された配線基板20及び樹脂層120を含む、BGA型の半導体装置10cを得る。尚、図15Cに示したようなバンプ91を搭載せずに、ダイシングを行い、LGA型の半導体装置10を得ることもできる。次に、第3実施例について説明する。図16は半導体装置の形成方法の第3実施例を示す図である。尚、図16A~Gには、半導体装置の各形成工程の要部断面を模式的に図示している。第3実施例では、上記第1実施例と同じように、まず、図16Aに示すように、配線基板20Aに複数の半導体素子30を搭載し、図16Bに示すように、各半導体素子30と配線基板20Aとをワイヤ40で接続する。更に、図16Cに示すように、配線基板20A上にバンプ50を設ける。次いで、この第3実施例では、図16Dに示すように、半導体パッケージ60を配線基板20Aに圧着し、バンプ50,90を接続する。半導体パッケージ60の圧着には、フリップチップボンダを用いることができる。フリップチップボンダのステージ、コレットに加熱機構を設け、加熱しながら半導体パッケージ60を配線基板20Aに圧着してもよい。また、半導体パッケージ60を配線基板20Aに圧着した後に、リフロー処理を実施してもよい。半導体パッケージ60を配線基板20Aに圧着した後は、図16Eに示すように、配線基板20A,70の間に液状の樹脂材料121を充填する。樹脂材料121は、例えば、配線基板20Aの端部から、配線基板20A,70の間の空隙に注入し、配線基板20A,70の間に充填することができる。充填した樹脂材料121を、その材質に応じた方法で硬化することで、樹脂層120Aが形成される。樹脂層120Aは、各半導体素子30を封止すると共に、配線基板20Aと各配線基板70とを接着する。尚、この後、更に樹脂層120のキュア処理を実施したり、バンプ90のリフロー処理を実施したりしてもよい。以後は、上記第1実施例同様、図16Fに示すように、配線基板20Aにバンプ91半田ボールを搭載し、リフロー処理後、図16Fに点線で示したような位置で配線基板20A及び樹脂層120Aのダイシングを行う。これにより、図16Gに示すような、個片化された配線基板20及び樹脂層120を含む、BGA型の半導体装置10cを得る。尚、図16Fに示したようなバンプ91を搭載せずに、ダイシングを行い、LGA型の半導体装置10を得ることもできる。以上説明したように、半導体素子を配線基板に実装した下側の素子部に、同様に半導体素子を配線基板に実装した上側の素子部が積層され、両素子部が、バンプ等を含む接続部で電気的に接続され、更に、両素子部間に設けられた樹脂層で接着される。この樹脂層により、下側と上側の素子部同士が接着されると共に、下側の素子部に含まれる半導体素子が封止される。このような構造を採用することにより、接続部の狭ピッチ化、微細化に対応でき、接続信頼性の高い半導体装置を実現することが可能になる。以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1第1配線基板と、前記第1配線基板に実装された第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に設けられた第2配線基板と、前記第2配線基板に実装された第2半導体素子と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する接続部と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1半導体素子を封止し、且つ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを接着する第1樹脂層と、を含むことを特徴とする半導体装置。付記2前記第1樹脂層は、単層であることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。付記3前記接続部は、前記第1配線基板に設けられた第1突起電極と、前記第2配線基板に設けられ、前記第1突起電極に接続された第2突起電極とを含むことを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。付記4前記接続部は、前記第1樹脂層で封止されていることを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。付記5前記接続部の少なくとも一部は、前記第1樹脂層から表出することを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。付記6前記第2半導体素子を封止する第2樹脂層を含むことを特徴とする付記1乃至5のいずれかに記載の半導体装置。付記7第1配線基板に第1半導体素子を実装する工程と、前記第1半導体素子の上方に、第2半導体素子が実装された第2配線基板を配置する工程と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられた接続部によって、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する工程と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられた樹脂層によって、前記第1半導体素子を封止し、且つ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを接着する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。付記8前記第1半導体素子の上方に前記第2配線基板を配置する工程前に、前記第1配線基板の、前記第1半導体素子の実装面側に、前記樹脂層を設ける工程を含むことを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。付記9前記接続部によって前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する工程後に、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に前記樹脂層を設ける工程を含むことを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。付記10第1配線基板と、前記第1配線基板に実装された第1半導体素子と、前記第1半導体素子の上方に設けられた第2配線基板と、前記第2配線基板に実装された第2半導体素子と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを電気的に接続する接続部と、前記第1配線基板と前記第2配線基板の間に設けられ、前記第1半導体素子を封止し、且つ、前記第1配線基板と前記第2配線基板とを接着する樹脂層と、を含む半導体装置と、前記半導体装置が実装された第3配線基板と、を含むことを特徴とする電子装置。"