シリコンカーバイドから半導体構造体を製造する方法であって、当該方法は、ポリシリコン層11を、シリコンカーバイドから成る基板10上に被着するステップと、当該ポリシリコン層11をマスキングするステップであって、当該マスクは、トレンチ12を形成するための少なくとも1つのウィンドウと、インプランテーション領域14を形成するための少なくとも1つのウィンドウとを有しているステップと、DRIEドライエッチングプロセスによって前記マスキングの構造を、前記ポリシリコン層11内に移すステップであって、前記トレンチ12とインプランテーション領域14との間に、ポリシリコンから成るスペーサー13を設けるステップと、前記マスキングを除去するステップと、シリコンカーバイドの酸化に必要な温度よりも低い温度で、前記積層された基板10を熱酸化させるステップと、SIO2HTO層22を析出するステップと、インプランテーション領域14をインプランテーションするステップと、ドライエッチングプロセスによって、前記インプランテーション領域14へのポリシリコン層11の移行部で前記酸化物層19を開けるステップと、クロロトリフルオリドまたはキセノンジフルオリドを用いた、プラズマレスエッチングプロセスによって、前記スペーサー13を除去するステップと、前記基板およびポリシリコン層11上の残余酸化物被覆部並びに完全な酸化物を除去するステップとを有している、ことを特徴とする方法。前記残余酸化物被覆部並びに完全な酸化物を除去した後に、第2のインプランテーション面27をインプランテーションする、請求項1記載の方法。前記残余酸化物被覆部並びに完全な酸化物を除去した後、かつ、前記第2のインプランテーション面27のインプランテーションの前に、当該第2のインプランテーション面を再調整する、請求項1または2記載の方法。前記積層されている基板10の前記熱酸化を、900°C~1000°Cの範囲の温度で行う、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。SiO2HTO層22の析出をLPCVDプロセスによって行う、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記ポリシリコン層からトレンチリップル12への移行部のエッジ21での前記酸化物層19の開放を、DRIEプロセスによって行う、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。請求項1から6までのいずれか1項記載の方法に従って製造されたシリコンカーバイド半導体。本発明の課題は、正確、均一かつ再現可能な構造化を可能にする、シリコンカーバイドから半導体構造を製造する方法を提供することである。上記の課題は、ポリシリコン層を、シリコンカーバイドから成る基板上に被着するステップと、当該ポリシリコン層をマスキングするステップであって、当該マスクは、トレンチを形成するための少なくとも1つのウィンドウと、インプランテーション領域を形成するための少なくとも1つのウィンドウとを有しているステップと、DRIEドライエッチングプロセスによって前記マスキングの構造を、前記ポリシリコン層内に移すステップであって、前記トレンチとインプランテーション領域との間に、ポリシリコンから成るスペーサーを設けるステップと、前記マスキングを除去するステップと、シリコンカーバイドの酸化に必要な温度よりも低い温度で、前記積層された基板を熱酸化させるステップと、SIO2HTO層を析出するステップと、インプランテーション領域をインプランテーションするステップと、ドライエッチングプロセスによって、前記インプランテーション領域へのポリシリコン層の移行部で前記酸化物層を開けるステップと、クロロトリフルオリドまたはキセノンジフルオリドを用いた、プラズマレスエッチングプロセスによって、前記スペーサーを除去するステップと、前記基板およびポリシリコン層上の残余酸化物被覆部並びに完全な酸化物を除去するステップとを有している、ことを特徴とする方法によって解決される。本発明では、シリコンカーバイドから成る半導体構造体を製造する方法が開示される。この方法によって正確、均一かつ再現可能な構造化が可能になる。ここでインプランテーション領域は有利には、時間制御プロセスによって決まるのではなく、設計を確定することによって決まる。本発明ではさらにこの方法に沿って製造された半導体が提供される。特に有利には、個別トランジスタの並列接続時に均一性に非常に高い要求が課せられる場合に、本発明の方法が用いられる。垂直MOSFET素子を構成するためのこの方法は有利である。ここでは、水平方向のチャネル領域が、ソース領域に亘ったベース領域の水平方向の重畳によって規定され、これはほぼ均一に、かつウェハ毎に再現可能に製造される。シリコンカーバイドから成る半導体構造体の本発明の製造方法は、以下のステップを有している。ここでは、洗浄ステップおよび標準プロセスステップは省かれている、ないしはまとめられている。なぜなら、これらのステップは当業者によく知られているからである。ポリシリコン層を、シリコンカーバイドSiCから成る基板ないしはウェハ上に被着するステップポリシリコン層をマスキングするステップ。ここでこのマスクは溝トレンチを形成するための少なくとも1つのウィンドウと、インプランテーション領域を形成するための少なくとも1つのウィンドウとを有している。DRIEドライエッチングプロセス深掘り反応性イオンエッチングによってマスキングの構造体をポリシリコン層内に移し、これによってトレンチとインプランテーション領域との間に、規定の分断領域スペーサーを生じさせるステップ。このスペーサーは、ドライエッチングプロセスによって生じ、インプランテーション領域の方を向いているトレンチリップル、すなわち特徴的な波形状の壁部構造を有している。インプランテーション領域は表面的には僅かにエッチングされ得る。なぜならこのプロセスは、シリコンからシリコンカーバイドSiCへの高い選択性を有しているからである。しかしこのエッチングによって形成された段はナノメートルの領域にある。マスキングを除去する、および場合によっては基板を洗浄するステップSiCの酸化に必要な温度よりも低い温度で、積層された基板を熱酸化するステップ。有利にはこの温度は、酸素内で900°Cから1000°Cの範囲にある。ここでトレンチは封鎖され、構造化されたポリシリコン層が酸化物層によって覆われる。このステップで重要なのは、その他の場合には酸化は均一であるが、ポリシリコン層からトレンチリップルへの移行部のエッジでは、均一性が不十分な酸化物層が形成される、ということである。これに対して、封鎖されたトレンチは機能しない。なぜなら、これは完全に充填され、覆われているからである。シリコンカーバイドから成るインプランテーション領域は、積層されないままである。ポリシリコン層上の酸化物を強化するため、およびインプランテーションのための散乱酸化物として、SiO2から成るHTO層高温酸化物を析出するステップ。有利にはこの析出は、LPCVDプロセス低圧化学気相蒸着によって行われるが、別のCVD技術も使用可能である。これは例えばPECVDプラズマ促進化学気相蒸着、SACVD準常圧化学気相蒸着等である。HTO層の利点は、良好な侵入性である。これによってエッジで過度に厚さが増すことが回避され、トレンチの角が同様に覆われる。トレンチリップルの幾何学的形状も、この層によって覆われる。しかし平坦な層と同じ程度ではない。所望のドーピングおよび必要なドーパントプロファイルに応じて、インプランテーション領域をインプランテーションするステップ。これによって、残りの基板とは異なり、インプランテーション領域内に、所望の新しい特性が生じる。トレンチリップルへのポリシリコン層の移行部のエッジで、ドライエッチングプロセスによって、有利にはDRIEプロセスによって、酸化物層を開けるステップ。平坦な面では均一なエッチングレートが得られるが、エッジでは高いエッチングレートが生じる。このため、および上述したエッジでの薄い酸化物厚さのために、エッチングによって、早く薄化し、酸化物内ですき間が形成される。このプロセスは、スペーサーまでの通路が形成されると停止される。択一的に、トレンチリップルの脚部に割れ目を形成することによって、スペーサーへの通路を形成するプロセスを入れることもできる。別の領域では、シリコンを保護するための十分な厚さの酸化物層が残る。クロロトリフルオリドまたはキセノンジフルオリドを用いた、プラズマレスエッチングプロセスによってスペーサーを除去するステップ。このエッチングは、事前に形成された、スペーサーへの通路を介して行われ、スペーサーのポリシリコンを完全に除去する。エッチング作用は、酸化物によって完全に保護されているトレンチおよび、完全に平らで、酸化物によって保護されているポリシリコン面では行われないので、選択的にスペーサーだけが除去される。不完全にのみ開放されており、周囲がぐるりと開放されていないトレンチリップルも、問題にはならない。なぜなら、CIF3-エッチングガスの毛細管作用によって、広いアンダーエッチング幅が実現可能だからである。酸化物被覆部の崩壊も問題では無い。有利には、エッチングガスに曝されている、基板の表面も、粗面性および格子欠陥に関して、ポリシリコンスペーサーの除去と同時に改善される。犠牲層Siおよびパッシべーション部SiO2に対する、有利に使用されているエッチングガスCIF3の高い選択性によって、エッチングストップが得られるのは有利である。これは、大きいプロセス許容公差を許し、同時に設計において決まる、狭い許容公差を可能にする。残余酸化物被覆部並びに完全な酸化物を除去するステップ。これは有利には、フッ酸を含有したエッチング溶剤による等方性のウエットエッチングによって行われる。完全な酸化物を除去した後、次のインプランテーション面を制限する、事前に、酸化物によって保護されたトレンチのエッジが得られる。次のインプランテーション面をインプランテーションするステップ。上述した本発明の一連のステップによって、1つのマスク面によって、2つのインプランテーション領域を自己調整する方法が得られる。既知のテクノロジーに対する本発明の方法の利点は、ストップ層酸化物被覆部によるプロセスを使用することによって、時間制御されるエッチングプロセスを省くことができること、およびFET素子を使用する場合に、非常に高い精度で、長いチャネル長も短いチャネル長も実現可能であることである。有利には極めて短いチャネル長も実現される。ここでこれは、マスキング時の解像度限界によって決まる。有利な実施形態では、これは、コントロールされたドライ酸化プロセスによって、サブマイクロメーター領域まで再調整される。従って、本発明の半導体では公差は非常に小さくなる。なぜなら、場合によって生じる設備による公差変動を、必要な時には後から調整することができるからである。本発明の有利な発展形態は従属請求項および明細書に記載されている。本発明の実施例を図面および以下の明細書に基づいてより詳細に説明する。図1には、シリコンカーバイドSiCから成る基板10が示されている。この基板によって例えば、500nmのチャネル長を備えたMOSFETが実現される。基板10には、構造化されたポリシリコン層11が設けられている。このポリシリコン層11は、所定の、トレンチ12によって分けられた領域を有している。ここでこの領域は、スペーサー13として示されている。このスペーサー13は、基板10のインプランテーション領域14と隣接している。ここでこのインプランテーション領域は、積層されていない。DRIEトレンチプロセス深堀り反応性イオンエッチングによるプロセス実施によって、インプランテーション領域14の方を向いている、スペーサー13のエッジに、トレンチリップル15が生じる。このスペーサーは、層厚およびプロセスに応じて、複数のトレンチリップルを有することもある。インプランテーション領域14の表面は僅かにエッチングされ得る。なぜなら、DRIEトレンチプロセスは、シリコンからシリコンカーバイドSiCへの高い選択性を有しているからである。エッチングによって形成された段は、ナノメートル領域にある。500nmのチャネル長を備えたMOSFETを実現する場合の寸法例を、図面ないしは以降の説明に記す。500nmとは異なるポリシリコン層の厚さを選択し、異なるマスク寸法レイアウトによって規定されているを選択する場合には、より短いないしはより長いチャネル長を実現することもできる。このような構造によって、100nmの幅17を備えたトレンチ12が生じる。このトレンチは、300nmの幅18を備えたスペーサー13によって、インプランテーション領域14と離されている。トレンチ12に対するアスペクト比は約AR=5であるが500/100、これを、ポリシリコン層11の厚さ16およびトレンチ12の幅17によって、タスクに応じて変えることができる。図2は、例えば酸素内で900°C~1000°Cでの、熱酸化後の状態を示している。この際に、酸化物層19がポリシリコン層11上に成長する。ここでこのプロセスの持続時間は、トレンチ12が完全に封鎖されるように選択される。選択された寸法では、酸化物層19の成長厚dは50nmよりも大きくなる。44のシリコン消費時に、トレンチエッジ20は、22nmだけ、トレンチ12のスペーサー13に反している側へとシフトする。プロセスによって生じる、酸化は、ポリシリコン層11からトレンチリップル15への移行部のエッジ21では、不十分にしか均一でない図3を参照。これに対して、封鎖されたトレンチ12によって、別の酸化物の後続の水平方向の析出のためのベースが形成される。これによって、この場所に存在するが、詳細には示されていないトレンチリップルが封鎖され、機能しなくなる。なぜならこれらのトレンチリップルは完全に埋められ、覆われるからである。このような後続の析出は図4に示されている。LPCVDプロセスによって、薄いHTO層22が析出される。基本的に、別のプロセス例えばPECVC、SACVDも、HTO層22の析出に適している。HTO層22は、良好な侵入性Spaltgaengigkeitを有している。これによって、エッジで厚みが過度に増すことがなくなり、トレンチ12の角が同じように覆われる。トレンチリップル15もHTO層22によって覆われる。しかし、ポリシリコン層11上の平らな、平坦酸化物層19と同じ程度ではない。HTO層22は、インプランテーション領域14も覆い、後続のインプランテーションのための散乱酸化物として用いられる。本願に記載された用途では、所望のチャネル長に合わせて、HTO層22に対して、50~100nmの層厚を基としている。しかし必要に応じて、より薄いまたは格段に厚い酸化物が析出されてもよい。同じように、図4は、インプランテーション領域14が、所望のドーピングで、かつ必要なドーパントプロファイルでインプランテーションされていることを示している。これによって、インプランテーション領域14は、基板10とは異なり、インプランテーション領域14のこの領域23において、所望の新たな特性を有する。トレンチリップル15は、後続のステップの成否に対して重要な影響を有しており、図5に拡大して示されている。DRIEトレンチプロセスは、トポロジーの無い平坦な表面では実質的に均一なエッチングレートを有しているが、エッジではエッチングレートが高くなる。このような事情、および先行するプロセス実施によって、ポリシリコン層11からトレンチリップル15への移行部でのエッジ21で、析出される酸化物層19が薄くなるという事情ファクタfは約0.75~0.5によって、図6に示されているように、エッチングプロセス時に、エッジ21で酸化物層19がより早く薄くなり、酸化物層19内ですき間24が形成される。すき間24の形の通路がCIF3エッチングプロセスのために形成されると、このプロセスは停止する。そうでない場合には、酸化物層19は無傷のままである。図7は、プラズマレスCIF3エッチングプロセスを実施した後の状態を示している。ここではすき間24を通じてスペーサー13が除去されている。スペーサーの代わりに空洞25が生じている。酸化物層19の残りは、図8に示されているように、除去される。これは有利には、フッ酸含有エッチング溶剤による等方性のウエットエッチングによって行われる。これによって、もはや存在していないトレンチ12のトレンチエッジ26が露出する。これは第2のインプランテーション面27のインプランテーションエッジ28を設定する。インプランテーションエッジ28は、トレンチ12によって形成され、22nmだけずらされている第1のエッジに対向している。従ってこの実施例では、500nmのオフセットが生じる。具体的な部品では、これが、FETのチャネル長になるであろう。図9では、後続のインプランテーションのために、散乱酸化物層29が析出されている。これによって、インプランテーションエッジ28は、散乱酸化物層29の厚さぶんだけシフトする。択一的にこれは、レジストマスクによっても行われる、または、全く行われなくてもよい。インプランテーションの後、第2のインプランテーション面27の下方に、所望の特性を備えた、修正されたSiC層30が生じる。図10では、散乱酸化物層29も、ポリシリコン層11も、等方性のウエットケミカルプロセスによって除去されている。択一的にこれがドライエッチングプロセスによって行われてもよい。ドライエッチングプロセスは基板10の表面をさらに修正する。