"塩素原子を、粒子の総質量に対して50~1000質量ppm含有し、該塩素原子が非水溶性の形態で存在している導電性銅粒子。平均粒子径が0.01~20μmである請求項1に記載の導電性銅粒子。請求項1または2に記載の導電性銅粒子と溶剤とを含む導電体形成用組成物。樹脂バインダを含む請求項3に記載の導電体形成用組成物。基材と、請求項3または4に記載の導電体形成用組成物により前記基材上に形成された導電体膜とを有する導電体付き基材。請求項1に記載の導電性銅粒子の製造方法であって、銅粒子および銅IIイオンの少なくとも一方を、塩化物イオンが含まれ、pH3以下、かつ酸化還元電位が220mV以下である反応系で還元する工程を有する、導電性銅粒子の製造方法。しかし、方法1により製造した銅粒子を使用した導電体膜は、成膜直後は優れた導電性を有するが、室温、空気中の保存で体積抵抗率が大幅に増加するため、電子機器の配線には使用できない。方法2によれば、水素化銅微粒子が凝集した粒子が得られるが、この方法で製造した粒子を用いて導電体膜とした際、導電性が不充分であり、室温、空気中の保存で体積抵抗率が増加する。方法3により製造した銅粒子を使用した導電体膜は、成膜直後でも体積抵抗率が大きく、その体積抵抗率が経時的に増加するので、電子機器の配線には使用できない。本発明は、体積抵抗率が低く、かつその経時変化が小さい導電体膜を形成できる導電性銅粒子および導電性銅粒子の製造方法、前記導電性銅粒子を含む導電体形成用組成物、ならびに前記導電体形成用組成物により形成した導電体膜を有する導電体付き基材の提供を目的とする。本発明の導電性銅粒子は、塩素原子を、粒子の総質量に対して50~1000質量ppm含有し、該塩素原子が非水溶性の形態で存在している。本発明の導電性銅粒子は、平均粒子径が0.01~20μmであることが好ましい。本発明の導電体形成用組成物は、本発明の導電性銅粒子と溶剤とを含む。また、本発明の導電体形成用組成物は、樹脂バインダを含むことが好ましい。本発明の導電体付き基材は、基材と、本発明の導電体形成用組成物により前記基材上に形成された導電体膜とを有する。本発明の導電性銅粒子の製造方法は、銅粒子および銅IIイオンの少なくとも一方を、塩化物イオンが含まれ、pH3以下、かつ酸化還元電位が220mV以下である反応系で還元する工程を有する方法である。本発明の導電性銅粒子を使用すれば、体積抵抗率が低く、かつその経時変化が小さい導電体膜を形成できる。また、本発明の導電性銅粒子の製造方法によれば、体積抵抗率が低く、かつその経時変化が小さい導電体膜を形成できる導電性銅粒子が得られる。また、本発明の導電体形成用組成物は、本発明の導電性銅粒子を含み、体積抵抗率が低く、かつその経時変化が小さい導電体膜を形成できる。また、本発明の導電体付き基材は、導電体膜の体積抵抗率が低く、かつその経時変化が小さい。<導電性銅粒子>本発明の導電性銅粒子を使用することで、体積抵抗率が低く、かつ経時的な体積抵抗率の増加が小さい導電体膜を形成できる。前記効果を有する導電体膜を形成できる理由は必ずしも明らかではないが、次のように推定される。本発明の導電性銅粒子は、非水溶性の形態で存在する塩素原子を含む。本明細書中において、塩素原子が非水溶性の形態で存在しているとは、後述する測定法により測定される塩化物イオン濃度が10質量ppm以下となることを意味する。本発明の導電性銅粒子を得るには銅IIイオン2価の銅イオンを還元するが、その過程において、銅Iイオン1価の銅イオンを経由すると考えられる。銅Iイオンが生成した際、近傍に1価の陰イオンである塩化物イオンが適量存在すると、両者は速やかに反応して、導電性銅粒子の表面に塩化銅Iが形成されると考えられる。そのため、導電性銅粒子表面の酸化が抑えられ、低い体積抵抗率が得られると考えられる。また、塩化銅Iは、水に対する溶解性が極めて低く、水との親和性が低いため、空気中の水分による劣化が小さい。そのため、導電体付き基材とした後も体積抵抗率の増加を長期間抑制できるという、優れた効果を奏すると考えられる。以上のように、本発明の導電性銅粒子では、水への溶解性が極めて低い形態で塩素原子が存在すると考えられる。ただし、導電性銅粒子における塩化銅Iの同定が困難であるため、後述の測定法によって測定される塩化物イオン濃度が10質量ppm以下になることをもって、非水溶性と定義している。導電性銅粒子中の塩素原子の含有量は、導電性銅粒子の総質量に対して、50~1000質量ppmであり、80~300質量ppmが好ましい。塩素原子の含有量が前記下限値以上であれば、銅粒子の表面酸化の進行を抑制できる。塩素原子の含有量が前記上限値以下であれば、体積抵抗率の小さい導電体膜を形成できる。導電性銅粒子中の塩素原子の含有量は、蛍光X線分析により測定される。測定法1.導電性銅粒子中の塩素原子の含有量を蛍光X線分析法によって測定する。2.導電性銅粒子に含有されている塩素原子が全て蒸留水中に溶出したとすれば、当該蒸留水中に含まれる塩化物イオンの濃度が100質量ppmとなる量の導電性銅粒子を、蒸留水に浸漬する。3.導電性銅粒子を浸漬した蒸留水を、20°Cにおいて、試験管ミキサーアズワン社製、HM-01を使用して1000rpmで5秒間撹拌した後、該蒸留水中に溶出した塩化物イオン濃度を測定する。ここで、使用する蒸留水は、溶存酸素濃度を1質量ppm以下に調整した蒸留水である。なお、溶存酸素濃度を1質量ppm以下とするのは、導電性銅粒子に存在する塩化銅I1価の銅が、溶存酸素による酸化の影響で塩化銅II2価の銅に変化することを防ぐためである。導電性銅粒子の表面銅濃度単位:原子に対する表面酸素濃度単位:原子の割合で表される表面酸素量は、0.5以下が好ましく、0.3以下がより好ましい。前記表面酸素量が前記上限値以下であれば、導電性銅粒子間の接触抵抗がより小さくなり、導電体膜の導電性が向上する。なお、導電性銅粒子の表面酸素濃度と表面銅濃度は、X線光電子分光分析により求められる。測定は粒子表面から中心へ向けて約3nmの深さまでの範囲に対して行われる。この範囲について測定がされていれば、粒子表面の状態を充分把握できる。本発明の導電性銅粒子の形態は、特に限定されない。本発明の導電性銅粒子は、例えば、下記導電性銅粒子A~Eが挙げられる。A非水溶性の形態の塩素原子を含有する一次粒子であって、その平均粒子径が1μm以上の銅粒子。B非水溶性の形態の塩素原子を含有する一次粒子であって、その平均粒子径が1μm以上の銅粒子の表面に、非水溶性の形態の塩素原子を含有する二次粒子であって、その平均粒子径が20~350nmの水素化銅微粒子が付着した銅複合粒子。C非水溶性の形態の塩素原子を含有する二次粒子であって、その平均粒子径が10nm~1μmの水素化銅微粒子。D非水溶性の形態の塩素原子を含有する一次粒子であって、その平均粒子径が1μm以上の銅粒子の表面に、非水溶性の形態の塩素原子を含有する二次粒子であって、その平均粒子径が20~350nmの銅微粒子が付着した銅複合粒子。E非水溶性の形態の塩素原子を含有する二次粒子であって、その平均粒子径が10nm~1μmの銅微粒子。導電性銅粒子Bおよび導電性銅粒子Dは、一次粒子と二次粒子の組合せからなる導電性銅粒子であり、導電性銅粒子A、CおよびEは、一次粒子のみ、または二次粒子のみからなる導電性銅粒子である。水素化銅微粒子は、加熱することで水素化銅が金属銅に変換され、銅微粒子となる。すなわち、導電性銅粒子Bは、加熱することにより導電性銅粒子Dとなる。また、導電性銅粒子Cは、加熱することにより導電性銅粒子Eとなる。本発明の導電性銅粒子は、酸化防止、および導電体形成用組成物の流動性の向上の目的から、表面が有機物によって被覆されていることが好ましい。なお、被覆とは有機物が導電性銅粒子の表面全体を覆っている場合だけでなく、部分的に覆っている場合も含む。さらに、有機物が導電性銅粒子の表面に結合している場合のみならず、配位している場合等も含む。前記有機物としては、カルボン酸、アミン、イミダゾール系化合物、トリアゾール系化合物等が挙げられる。前記カルボン酸としては、オレイン酸、ステアリン酸、ミリスチン酸、ドデカン酸、デカン酸、オクチル酸、オクタン酸、ヘキサン酸、安息香酸、サリチル酸、およびアビエチン酸等が挙げられる。前記アミンとしては、オレイルアミン、ステアリルアミン、ミリスチルアミン、ドデシルアミン、デシルアミン、オクチルアミン、ヘキシルアミン、およびアニリン等が挙げられる。前記有機物としては、導電性銅粒子と共に樹脂バインダを含む導電体形成用組成物を調製する場合、当該導電性銅粒子と樹脂とのぬれ性の点から、カルボン酸が好ましく、オレイン酸、サリチル酸、アビエチン酸がより好ましい。なお、ぬれ性とは界面エネルギーを変化させることによる粒子表面と樹脂との親和性のことである。本発明の導電性銅粒子の平均粒子径は、0.01~20μmが好ましく、導電性銅粒子の形状に応じ、この範囲内において適宜調整されればよい。導電性銅粒子が一次粒子を含む場合の平均粒子径は、1~10μmがより好ましい。また、導電性銅粒子が二次粒子のみからなる場合の平均粒子径は、0.01~1μmが好ましく、0.02~0.4μmが特に好ましい。導電性銅粒子の平均粒子径が前記下限値以上であれば、該導電性銅粒子を含む導電体形成用組成物の流動特性が良好となる。導電性銅粒子の平均粒子径が前記上限値以下であれば、微細配線を作製しやすくなる。本明細書中における平均粒子径は、導電性銅粒子の形状によって以下のように求めることができる。一次粒子について平均一次粒子径を求めるときは、走査型電子顕微鏡以下、SEMと記す。像の中から無作為に選んだ100個の粒子の粒子径を測定し、それら粒子径を平均することにより算出される。二次粒子については、透過型電子顕微鏡以下、TEMと記す。像の中から無作為に選んだ100個の粒子の粒子径を測定し、それら粒子径を平均することにより算出される。銅粒子が球状でない場合は、一次粒子であれば、銅粒子の長径と短径との平均値を粒子径とする。粒子が二次粒子である場合は、二次粒子の長径と二次粒子の短径との平均値を粒子径とする。また、導電性銅粒子Bの場合は、一次粒子である銅粒子と、該銅粒子に付着した二次粒子である水素化銅微粒子とを含む導電性銅粒子B全体をSEMによって観察し、二次粒子も含めたうえでの長径と短径との平均値を粒子径とする。同様に、導電性銅粒子Dの場合は、一次粒子である銅粒子と、該銅粒子に付着した二次粒子である銅微粒子とを含む導電性銅粒子D全体をSEMによって観察し、二次粒子も含めたうえでの長径と短径との平均値を粒子径とする。<導電性銅粒子の製造方法>本発明の導電性銅粒子は、銅粒子および銅IIイオンの少なくとも一方を、塩化物イオンが含まれ、pH3以下、かつ酸化還元電位が220mV以下である反応系で還元する工程を有する製造方法により製造できる。以下、製造する導電性銅粒子の形態の種類毎に、具体的な製造方法を説明する。導電性銅粒子Aを製造する方法導電性銅粒子Aを製造する方法としては、例えば、下記工程α-1およびα-2を有する方法が挙げられる。α-1一次粒子である銅粒子以下、銅粒子a1という。が分散媒に分散され、塩化物イオンが含まれ、pH3以下、かつ酸化還元電位が220mV以下である反応系以下、反応系αという。で、銅粒子a1を還元して導電性銅粒子Aを得る工程。α-2反応系αから導電性銅粒子Aを分離する工程。工程α-1:銅粒子a1を分散媒に分散し、当該分散媒に溶解して塩化物イオンを生成する化合物を添加し、pHを3以下として、還元剤を添加して、反応系αを形成して銅粒子a1を還元する。ここで、還元反応中は、反応系αの酸化還元電位が220mV以下となるように調整する。銅粒子a1は、通常、表面が酸化されて、亜酸化銅からなる酸化被膜が形成されている。工程α-1の反応系αでは、銅粒子a1の酸化被膜の亜酸化銅が還元される。また、分散媒に溶解して塩化物イオンを生成する化合物を添加し、pHを3以下として、還元剤を添加した後に、銅粒子a1を分散させて反応系αを形成してもよい。ここでも、還元反応中は、反応系αの酸化還元電位が220mV以下となるように調整する。銅粒子a1としては、銅ペーストと呼ばれる導電体形成用組成物に一般的に使用される公知の金属銅粒子が挙げられる。この金属銅粒子は、一次粒子である。また、銅粒子a1の粒子形状は、球状であってもよく、板状や鱗粉状等の形状であってもよい。銅粒子は表面が酸化されやすいため、市販の銅粒子は、一般に表面の酸化防止を目的として、ステアリン酸、オレイン酸、ミリスチン酸等の長鎖カルボン酸で表面処理されていることが多い。長鎖カルボン酸で表面処理されている銅粒子は、表面が疎水性であるため、後述する水等の高極性分散媒中で凝集しやすい。そのため、長鎖カルボン酸で表面処理されている銅粒子を使用する場合は、工程α-1前に表面の長鎖カルボン酸を除去することが好ましい。表面の長鎖カルボン酸の除去は、銅粒子を脱脂剤によって処理したり、アルカリ性の水溶液中で加熱処理したりすることにより実施できる。また、後述するように銅粒子a1の媒体は、水や水とアルコール類との混合媒体等、極性の高い媒体を用いる。銅粒子a1のこれらの高極性分散媒への分散性が向上し、銅粒子の凝集を抑制しやすい点から、銅粒子a1としては、分散剤で前処理された銅粒子が好ましい。分散剤は、銅粒子の表面に担持され、その表面を親水化する。長鎖カルボン酸で表面処理された銅粒子であっても、分散剤による前処理により、表面が親水化された銅粒子が得られる。分散剤としては、銅粒子への化学吸着性を有する各種水溶性化合物を使用できる。前記水溶性化合物としては、短鎖の脂肪族カルボン酸類、水溶性高分子化合物、キレート剤等が挙げられる。短鎖の脂肪族カルボン酸類としては、炭素数6以下の脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸、脂肪族アミノ酸等の脂肪族モノカルボン酸類;炭素数10以下の脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸等の脂肪族ポリカルボン酸類がより好ましい。水溶性高分子化合物としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシプロピルセルロース、プロピルセルロース、エチルセルロース等が挙げられる。キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、イミノジ二酢酸等が挙げられる。分散剤としては、短鎖の脂肪族カルボン酸類が好ましく、グリシン、アラニン、クエン酸、クエン酸無水物、リンゴ酸、マレイン酸、マロン酸等の炭素数8以下の脂肪族ポリカルボン酸類がより好ましく、リンゴ酸、マレイン酸等の脂肪族ジカルボン酸、またはクエン酸等のトリカルボン酸が特に好ましい。前処理は、分散剤を水等の溶媒に溶解させ、この溶液中に銅粒子を投入して撹拌することにより実施できる。これにより、銅粒子表面に分散剤が結合する。前処理は、銅粒子の表面の酸化を抑制する点から、処理容器内を不活性ガスで置換して行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス等を使用できる。前処理後、溶媒を除去し、必要により水等で洗浄することで、前処理により表面が親水化された銅粒子が得られる。前処理は、加熱下でも実施できる。加熱下で前処理を実施することにより、処理速度が向上する。加熱温度は、50°C以上、かつ水等の溶媒の沸点以下低沸点の分散剤を使用する場合はその沸点以下。が好ましい。加熱時間は、5分間以上が好ましい。また、長時間の加熱は経済的でないので、加熱時間は3時間以下が好ましい。前処理に用いる分散剤の量は、前処理前の銅粒子の100質量部に対して、0.1~10質量部が好ましい。銅粒子a1の平均粒子径平均一次粒子径は、1~20μmが好ましい。これにより、平均粒子径平均一次粒子径が1~20μmの導電性銅粒子Aが得られやすい。反応系α100質量中の銅粒子a1の濃度は、0.1~50質量が好ましい。銅粒子a1の濃度が0.1質量以上であれば、分散媒の使用量を抑制でき、また導電性銅粒子Aの生産効率が良好となる。銅粒子a1の濃度が50質量以下であれば、銅粒子a1同士の凝集の影響がより小さくなるので、導電性銅粒子Aの収率が高くなりやすい。分散媒としては、水または水を主成分とし、メタノール、エタノール、2-プロパノール、エチレングリコール等のアルコール類を含む媒体を使用でき、水が特に好ましい。なお、水を主成分とするとは、分散媒100質量中、水が70質量以上であることを意味する。反応系α中の塩化物イオンの濃度は、反応系αの総質量に対して、5~100質量ppmが好ましく、10~50質量ppmがより好ましい。塩化物イオンの濃度が前記下限値以上であれば、還元反応の過程において銅粒子a1表面に適切な量の塩化物イオンが存在するので、塩化銅Iが生成しやすくなり、体積抵抗率が低い導電性銅粒子Aが得られやすい。また、塩化物イオンの濃度が前記上限値以下であれば、導電性銅粒子A中の塩化銅Iの量が多すぎて導電性が低下することを抑制しやすい。塩化物イオンの濃度は、銅粒子a1の分散媒に溶解して塩化物イオンを生成する化合物の添加量を調節することで調節できる。塩化物イオンを生成する化合物としては、塩酸、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化銅II等を適宜使用できる。反応系αのpHは、3以下であり、0.5~3が好ましく、0.5~2がより好ましい。反応系αのpHが3以下であれば、銅粒子a1表面の酸化被膜の還元が円滑に行われる。また、pH3以下という低pHの領域では、特定の酸化還元電位で塩化銅Iの安定域が存在することが知られている中野博昭ら、JournalofMMIJ誌、123号2007年、33-38頁。このことから、工程α-1においては、酸化被膜を還元する際、銅粒子a1表面に塩化銅Iが生成し、結果として非水溶性の形態で塩素原子を含有する導電性銅粒子Aが得られると考えられる。また、pHが0.5以上であれば、銅粒子から銅IIイオンが過度に溶出することを抑制しやすく、銅粒子a1の表面改質を円滑に実施しやすい。反応系αのpHは、pH調整剤により調整する。pH調整剤としては、酸が使用できる。pH調整剤の酸としては、ギ酸、クエン酸、マレイン酸、マロン酸、酢酸、プロピオン酸等の水またはアルコール類に可溶のカルボン酸が好ましい。前記カルボン酸は、銅粒子表面に吸着され、還元処理後の導電性銅粒子Aの表面に残存する場合がある。残存した前記カルボン酸は、導電性銅粒子Aの表面を保護して酸化を抑制する効果が期待できる。pH調整剤の酸としては、前記カルボン酸のなかでも、ギ酸が特に好ましい。ギ酸は、アルデヒドの構造-CHOを有する化合物であるので、還元性を有する。したがって、還元処理後の導電性銅粒子Aの表面にギ酸が残存することで、導電性銅粒子Aの表面の酸化を抑制する効果がより高くなり、結果として、導電性銅粒子Aを使用した導電体膜の体積抵抗率の上昇を抑制しやすくなる。pH調整剤の酸としては、前記水またはアルコール類に可溶のカルボン酸以外に、硫酸、硝酸、塩酸等を使用してもよい。塩酸は、塩化物イオンの濃度の調整と、pHの調整を同時に行える。分散媒に銅粒子a1を分散し、塩化物イオンを生成する化合物塩酸等を添加した分散液のpHが3以下の場合は、該分散液をそのまま還元処理に使用できる。また、酸によってpHが低くなりすぎた場合は、pH調整剤として塩基を使用してpHを調整できる。反応系αの酸化還元電位ORPは、220mV以下であり、150~220mVが好ましく、180~220mVが特に好ましい。ORPが220mV以下であれば、銅粒子a1表面の酸化被膜の還元効果が大きくなり、表面改質が充分に進行する。ORPが220mV超であると、表面改質が不十分となり、初期の体積抵抗率が大きいだけでなく、体積抵抗率の経時的な変化も大きくなる。本明細書中において、ORPは、標準水素電極SHEの電位に対する電位差として求められる。反応系αのORPは、使用する還元剤の種類により調節できる。また、ギ酸等の還元性を有する酸によってもある程度調節できる。還元剤としては、次亜リン酸化合物、アミンボラン化合物、水素化物等が挙げられる。次亜リン酸化合物としては、次亜リン酸、次亜リン酸塩等が挙げられる。アミンボラン化合物としては、ジメチルアミンボラン等が挙げられる。水素化物としては、水素化ホウ素塩等が挙げられる。還元剤としては、次亜リン酸、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボラン、または水素化ホウ素塩が好ましく、次亜リン酸または次亜リン酸塩が特に好ましい。還元剤の使用量は、銅粒子a1全体に対して、1倍モル以上が好ましく、1.2~10倍モルがより好ましい。還元剤の使用量が銅粒子a1全体に対して1倍モル以上であれば、銅粒子a1表面の銅に対して還元剤が大過剰となり、還元が充分に進行しやすい。また、還元剤の使用量が銅粒子a1全体に対して10倍モル以下であれば、経済的に有利であり、また還元剤分解物の量が少なくなるのでその除去が容易になる。還元反応は、銅粒子a1を分散媒に分散し、塩化物イオンの濃度およびpHを調整した分散液に、還元剤を添加して開始してもよく、塩化物イオンの濃度およびpHを調整し、還元剤を添加した分散媒に、銅粒子a1を分散させて開始してもよい。還元反応の反応温度は、5~60°Cが好ましく、35~50°Cがより好ましい。反応温度が前記下限値以下であれば、還元反応が進行しやすい。反応温度が前記上限値以下であれば、分散媒が蒸発することによる反応系αの濃度変化の影響が小さい。還元反応の終了後、得られた導電性銅粒子Aを反応系αから分離し、必要により水等で洗浄した後、乾燥して導電性銅粒子Aの粉末を得る。還元剤分解物等の副生物は、分散媒に可溶であるので、濾過、遠心分離等の方法で導電性銅粒子Aと分離できる。導電性銅粒子Bを製造する方法導電性銅粒子Bを製造する方法としては、例えば、下記工程β-1~工程β-3を有する方法が挙げられる。β-1銅IIイオンと塩化物イオンを含み、pH3以下、ORPが220mV以下の反応系以下、反応系βという。で、銅IIイオンを還元し、二次粒子であって、その平均粒子径20~350nmの水素化銅微粒子以下、水素化銅微粒子b1という。を生成させる工程。β-2水素化銅微粒子b1の生成前、生成途中または生成後の反応系β中に、一次粒子である銅粒子以下、銅粒子b2という。を添加し、銅粒子b2の表面に水素化銅微粒子b1が付着した水素化銅複合粒子導電性銅粒子Bを生成させる工程。β-3導電性銅粒子Bを反応系βから分離する工程。工程β-1:水溶性銅化合物を溶媒に溶解し、該溶媒に溶解して塩化物イオンを生成する化合物を添加し、pHを3以下として、酸化還元電位が220mV以下となる還元剤を添加して、反応系βを形成する。反応系βでは、還元剤により銅IIイオンが還元され、非水溶性の形態の塩素原子を含有する、二次粒子である水素化銅微粒子b1が生成する。水素化銅微粒子b1は20~350nmの凝集した二次粒子とすることが好ましい。水溶性銅化合物としては、硫酸銅II、硝酸銅II、ギ酸銅II、酢酸銅II、塩化銅II、臭化銅II、ヨウ化銅I等が挙げられる。溶媒としては、水溶性銅化合物が溶解し、かつ後述する還元剤に対して不活性な溶媒であれば特に限定されず、水または水とアルコール類エタノール、イソプロピルアルコール等との混合溶媒が好ましく、水が特に好ましい。反応系β100質量中の水溶性銅化合物の濃度は、0.1~30質量が好ましい。水溶性銅化合物の濃度が0.1質量以上であれば、溶媒の使用量を抑制でき、また、水素化銅微粒子b1の生成効率が良好となる。水溶性銅化合物の濃度が30質量以下であれば、水素化銅微粒子b1の収率が向上する。反応系β中の塩化物イオンの濃度は、前記反応系αと同様の理由で、反応系βの総質量に対して、5~100質量ppmが好ましく、10~50質量ppmがより好ましい。塩化物イオンの濃度は、分散媒に溶解して塩化物イオンを生成する化合物を使用することで調整できる。塩化物イオンを生成する化合物としては、塩酸、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化銅II等を適宜使用できる。反応系βのpHは、3以下とする。反応系βのpHが3以下であれば、反応系β中の銅IIイオンと水素イオンが還元剤により還元され、水素化銅微粒子b1が充分に生成する。また、銅IIイオンが還元された銅Iイオンと塩化物イオンから塩化銅Iが生成することで、非水溶性の形態で塩素原子を含有する水素化銅粒子b1が生成すると考えられる。反応系βのpHは、水素化銅微粒子b1の生成効率の点から、0.5~2がより好ましい。反応系βのpHを調整する酸としては、前記導電性銅粒子Aの製造の説明で挙げたものと同じものが挙げられ、得られる導電性銅粒子Bの表面の酸化を抑制する効果がより高くなり、導電体膜の体積抵抗率の上昇を抑制しやすくなる点から、ギ酸が特に好ましい。反応系βの酸化還元電位ORPは、220mV以下、150~220mVが好ましい。ORPが220mV以下であれば、銅IIイオンの還元効果が大きくなり、水素化銅微粒子b1が充分に生成する。ORPが220mV超であれば、表面改質が不十分となり、初期の体積抵抗率が大きいだけでなく、体積抵抗率の経時的な変化も大きくなる。還元剤としては、前記導電性銅粒子Aの製造の説明で挙げたものと同じものが挙げられ、次亜リン酸、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボラン、または水素化ホウ素塩が好ましく、次亜リン酸または次亜リン酸塩が特に好ましい。還元剤の添加量は、使用する水溶性銅化合物に対して1.2~10倍モルが好ましい。還元剤の添加量が水溶性銅化合物に対して1.2倍モル以上であれば、還元反応が円滑に進行する。還元剤の添加量が水溶性銅化合物に対して10倍モル以下であれば、水素化銅微粒子b2に含まれる不純物ナトリウム、ホウ素、リン等。の量を抑制しやすい。反応系βは、還元剤を水等の溶媒に溶解した還元剤溶液と、水溶性銅化合物を水等の溶媒に溶解した溶液以下、水溶性銅化合物溶液という。とを混合して形成してもよく、粉末等の固体状態の還元剤を水溶性銅化合物溶液に添加して形成してもよい。反応系βとは、水素化銅微粒子が生成する系を意味し、具体的には、銅IIイオンおよび塩化物イオンを含み、pH3以下の水溶性銅化合物溶液に、還元剤を添加した直後で、まだ水素化銅微粒子b1の生成反応が進行していない系、水素化銅微粒子b1の生成反応が進行している状態の系、水素化銅微粒子b1の生成反応が終了し、生成した水素化銅微粒子b1が分散している状態の系を意味する。反応系βには、水溶性銅化合物溶液の溶媒、該溶媒中に溶解した水溶性銅化合物実質的にイオン化しており、銅IIイオン、および対の陰イオン等として存在する、塩化物イオンを生成する化合物実質的にはイオン化しており、塩化物イオン、および対の陽イオン等として存在する、水素化銅微粒子b1が生成した後のイオンや残渣、還元剤およびその分解物等が存在する。例えば、生成した水素化銅微粒子b1を単離して新たに分散媒に分散させて分散液とした場合は、その分散液中の水素化銅微粒子b1は反応系βに存在する水素化銅微粒子b1ではない。反応系βの反応温度は、60°C以下が好ましく、5~60°Cがより好ましく、20~50°Cが特に好ましい。水素化銅は加熱により分解する性質を有するが、反応系βの反応温度が前記上限値以下であれば、水素化銅微粒子b2の分解を抑制しやすい。反応系βの反応温度が前記下限値以上であれば、還元反応が進行しやすい。工程β-2:工程β-1で形成した反応系βに、一次粒子である銅粒子b2を添加し、銅粒子b2の表面に水素化銅微粒子b1が付着した水素化銅複合粒子導電性銅粒子Bを生成させる。工程β-2で添加した銅粒子b2は、反応系β中で表面の酸化被膜が還元され、非水溶性の形態で塩素原子を含有するようになると共に、その表面に、非水溶性の塩素原子を含有する水素化銅粒子b1が付着する。反応系βへの銅粒子b2の添加時期は、水素化銅微粒子b1の生成前、水素化銅微粒子b1の生成途中、または水素化銅微粒子b1の生成後である。水素化銅微粒子b1の生成前の反応系βに銅粒子b2を添加するとは、反応系βが形成された時点で既に銅粒子b2が存在していることを意味する。例えば、水溶性銅化合物溶液中に銅粒子b2を添加した後に、還元剤を添加して反応系βを形成する場合が挙げられる。また、水素化銅微粒子b1の生成後の反応系βに銅粒子b2を添加するとは、水素化銅微粒子b1の新たな生成が生じない状態で、かつ既に生成している水素化銅微粒子b1のさらなる成長が生じない状態の反応系βに、銅粒子b2を添加することを意味する。例えば、反応系β中の銅イオンや還元剤が消費されて水素化銅微粒子b1の生成反応が起こらなくなった後に、銅粒子b2を添加する場合が挙げられる。反応系βへの銅粒子b2の添加は、体積抵抗率が低い導電性銅粒子Bが得られやすい点から、水素化銅微粒子b1の生成前、または水素化銅微粒子b1の生成途中が好ましい。水素化銅微粒子b1の生成前および生成途中では、反応系β中に銅IIイオンが存在している。反応系βに銅IIイオンが存在している状態で銅粒子b2を加えることによって、銅粒子b2と水素化銅微粒子b1とが共存した状態で銅IIイオンを還元できるため、銅粒子b2と水素化銅微粒子b1とがより強固に結合する。銅IIイオンの存在は、銅イオン電極、紫外可視光の分光スペクトル解析、原子発光スペクトルによって銅原子濃度を測定する方法、により把握できる。反応系βに添加する銅粒子b2としては、前記前記導電性銅粒子Aの製造で説明した銅粒子a1と同じ銅粒子が挙げられ、平均粒子径平均一次粒子径が1~20μmの銅粒子が好ましい。反応系β中の銅粒子b2の含有量は、還元剤を添加する前の水溶性銅化合物溶液中における銅IIイオンの含有量水溶性銅化合物は全てイオン化しているものとする。100質量部に対して、1~100質量部が好ましく、5~100質量部がより好ましい。工程β-3:反応系βから、生成した導電性銅粒子Bを分離し、粉末状態の粒子を得る。導電性銅粒子Bを分離する方法は特に限定されず、例えば、遠心分離、濾過等が挙げられる。分離した導電性銅粒子Bは、水等の洗浄液で洗浄し、導電性銅粒子Bに付着している溶解性不純物を除去することが好ましい。また、分離の前に、溶媒置換等により、反応系βの溶媒、および該溶媒に溶解している不純物水溶性銅化合物の陰イオン、還元剤の分解物等。を除去してもよい。導電性銅粒子Cを製造する方法導電性銅粒子Cを製造する方法としては、例えば、下記工程γ-1およびγ-2を有する方法が挙げられる。γ-1銅IIイオンと塩化物イオンを含み、pH3以下、ORPが220mV以下の反応系以下、反応系γという。で、銅IIイオンを還元し、二次粒子であり、その平均粒子径が10nm~1μmの水素化銅微粒子導電性銅粒子Cを生成させる工程。γ-2導電性銅粒子Cを反応系γから分離する工程。工程γ-1:工程γ-1は、下記の好ましい条件以外は、導電性銅粒子Bの製造における工程β-1と同様の方法で実施できる。反応系γで生成させる導電性銅粒子Cの二次粒子の平均粒子径は、10nm~1μmが好ましい。導電性銅粒子Cの平均粒子径は、反応温度や反応時間の制御、分散剤の添加により調節できる。工程γ-2:工程γ-2は、導電性銅粒子Bの製造における工程β-3と同様にして実施できる。導電性銅粒子Dを製造する方法導電性銅粒子Dを製造する方法としては、導電性銅粒子Bを製造し、得られた導電性銅粒子Bを加熱し、導電性銅粒子Bにおける水素化銅微粒子b1を金属銅微粒子に変換して導電性銅粒子Dとする方法が挙げられる。この場合、水素化銅微粒子b1の水素化銅が金属銅に変換して生成する銅微粒子は、一次粒子である銅粒子b2の表面からは剥離しない。また、加熱前の水素化銅微粒子b1の大きさと、生成する銅微粒子の大きさには実質的に差がない。そのため、導電性銅粒子Bとほぼ同じ構造、かつほぼ同じ平均粒子径の導電性銅粒子Dが得られる。加熱温度は、60~120°Cが好ましく、60~100°Cがより好ましく、60~90°Cがさらに好ましい。加熱温度が前記下限値以上であれば、加熱時間を短縮でき、製造コストを抑制できる。加熱温度が前記上限値以下であれば、銅微粒子同士のを抑制しやすく、導電体膜の体積抵抗率の増加を抑制しやすい。導電性銅粒子Bの加熱時の圧力は、-101~-50kPaゲージ圧が好ましい。加熱時の圧力が-101kPa以上であれば、大規模な装置を必要とせず、余分な溶媒を除去して乾燥させることが容易になる。加熱時の圧力が-50kPa以下であれば、時間を短縮でき、製造コストを抑制できる。導電性銅粒子Eを製造する方法導電性銅粒子Eを製造する方法としては、導電性銅粒子Cを製造し、得られた導電性銅粒子Cを加熱し、導電性銅粒子Cにおける水素化銅を金属銅に変換して導電性銅粒子Eとする方法が挙げられる。この場合、加熱前の導電性銅粒子Cの大きさと、加熱により生成する導電性銅粒子Eの大きさには実質的に差がない。導電性銅粒子Cの加熱条件は、導電性銅粒子Dの製造方法における導電性銅粒子Bの加熱条件と同じ条件を採用できる。<導電体形成用組成物>本発明の導電体形成用組成物は、本発明の導電性銅粒子と、溶剤とを必須成分として含み、必要に応じて樹脂バインダを含む。導電性銅粒子としては、前記導電性銅粒子A~Eからなる群から選ばれる1種以上が好ましく、導電性銅粒子A、導電性銅粒子Bおよび導電性銅粒子Dからなる群から選ばれる1種以上がより好ましく、導電性銅粒子A、導電性銅粒子Bまたは導電性銅粒子Dのいずれかが特に好ましい。溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、シクロヘキサノール、テルピネオール、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。導電体形成用組成物中の溶剤の含有量は、印刷用ペースト等に適した粘度に調整しやすい点から、導電性銅粒子100質量に対して、1~20質量が好ましい。樹脂バインダとしては、金属ペーストに使用される公知の熱硬化性樹脂バインダ、熱可塑性樹脂バインダ等が挙げられる。熱硬化性樹脂バインダは、硬化時の温度において、充分に硬化反応が進行するものを使用することが好ましい。また、熱可塑性樹脂バインダは、タックが小さく、使用環境において導電体の形状を維持できるものを使用することが好ましい。樹脂バインダとしては、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ビスマレイドトリアジン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂が好ましく、フェノール樹脂が特に好ましい。樹脂バインダの硬化物または固化物は、量が多すぎると導電性銅粒子間の接触を妨げ、導電体膜の体積抵抗率を上昇させる。そのため、導電体形成用組成物中の樹脂バインダの含有量は、その硬化物または固化物の量が導電性銅粒子の導電性を妨げない範囲内とする必要がある。導電体形成用組成物中の樹脂バインダの含有量は、導電性銅粒子の体積と、該導電性銅粒子間にできる空隙との比率を考慮して適宜選択でき、導電性銅粒子の100質量部に対して、5~50質量部が好ましく、5~20質量部がより好ましい。樹脂バインダの含有量が前記下限値以上であれば、導電体膜の硬度がより良好となる。樹脂バインダの含有量が前記上限値以下であれば、導電体膜の体積抵抗率を低く抑えやすい。本発明の導電体形成用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲であれば、必要に応じて、各種添加剤レベリング剤、カップリング剤、粘度調整剤、酸化防止剤等。等を含んでもよい。[製造方法]本発明の導電体形成用組成物は、本発明の導電性銅粒子と、溶剤と、必要に応じて使用する樹脂バインダ等を混合することにより調製できる。樹脂バインダのうち、熱硬化性樹脂バインダを混合する場合、熱硬化性樹脂バインダが硬化せず、かつ溶剤が揮発消失しない程度の加熱を行ってもよい。また、必要に応じて、混合容器内を不活性ガスで置換して混合を行ってもよい。これにより、混合中の導電性銅粒子の酸化を抑制しやすくなる。以上説明した本発明の導電体形成用組成物にあっては、空気中であっても酸化され難い本発明の導電性銅粒子を含んでいるため、体積抵抗率が低く、かつ体積抵抗率の経時的な変化が小さい導電体膜を形成できる。<導電体付き基材>本発明の導電体付き基材は、基材と、本発明の導電体形成用組成物により前記基材上に形成された導電体膜とを有する。本発明の導電体付き基材は、導電体膜が線状の配線体であることが好ましく、プリント配線板であることが好ましい。基材としては、ガラス基材、プラスチック基材ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等のフィルム状の基材等。、繊維強化複合材料製の基材ガラス繊維強化樹脂基材等。、セラミックス基材、金属基材等が挙げられる。導電体膜の体積抵抗率は、1.0×10-4Ωcm以下が好ましい。体積抵抗率が1.0×10-4Ωcm以下であれば、本発明の導電体付き基材を、電子機器用の導電体として好適に使用できる。導電体膜の体積抵抗率は、四探針式抵抗値計により測定される。また、導電体膜における、成膜直後の体積抵抗率に対する一ヶ月後の体積抵抗率の変化率は、5以下が好ましく、2以下がより好ましい。導電体膜の厚さは、安定した導電性を確保しつつ、配線形状を維持することが容易である点から、1~100μmが好ましく、5~50μmが特に好ましい。[製造方法]本発明の導電体付き基材は、基材の表面に、本発明の導電体形成用組成物を塗布して塗布層を形成し、該塗布層から溶剤等の揮発性成分を除去して導電体膜を形成することで製造できる。また、本発明の導電体形成用組成物が熱硬化性樹脂バインダを含む場合は、塗布層から溶剤等の揮発性成分を除去した後、熱硬化性樹脂バインダを硬化することにより導電体膜を形成する。この場合、得られた導電体膜は、導電性銅粒子と、熱硬化性樹脂バインダの硬化物とを含む。また、本発明の導電体形成用組成物が熱可塑性樹脂バインダを含む場合は、塗布層から溶剤等の揮発性成分を除去することにより導電体膜を形成する。この場合、得られた導電膜は、導電性銅粒子と、固形の熱可塑性樹脂とを含む。導電体形成用組成物の塗布方法としては、スクリーン印刷法、ロールコート法、エアナイフコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ダイコート法、スライドコート法等の公知の方法が挙げられる。導電体形成用組成物が熱硬化性樹脂バインダを含む場合、熱硬化性樹脂バインダの硬化は、加熱によって行うことができる。加熱の方法としては、温風加熱、熱輻射等の方法が挙げられる。加熱温度および加熱時間は、導電体膜に求められる特性に応じて適宜決定できる。導電体形成用組成物が、導電性銅粒子として、導電性銅粒子Bまたは導電性銅粒子Cを含んでいる場合は、熱硬化性樹脂バインダの硬化と同時に、それら導電性銅粒子に含まれる水素化銅が金属銅に変換される。導電体形成用組成物が熱可塑性樹脂バインダを含む場合であって、導電性銅粒子として、導電性銅粒子Bまたは導電性銅粒子Cを含んでいる場合は、溶剤等の揮発性成分を除去する際の加熱により、それら導電性銅粒子に含まれる水素化銅が金属銅に変換される。加熱温度は、100~300°Cが好ましい。加熱温度が100°C以上であれば、導電体形成用組成物に含まれる溶剤が充分に揮発する。また、熱硬化性樹脂の硬化が進行しやすい。加熱温度が300°C以下であれば、導電体膜を形成する基材としてプラスチックフィルムを使用できる。硬化時間は、硬化温度に応じて、樹脂バインダが充分に硬化する時間とすればよい。導電体膜を形成する環境は、特に限定されず、空気中であってもよく、酸素が少ない窒素下であってもよい。なかでも、製造設備が単純になる点から、空気中が好ましい。以上説明した本発明の導電体付き基材は、体積抵抗率が低く、かつ体積抵抗率の経時的な変化が小さい導電体膜を有している。以下、実施例によって本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によっては限定されない。例1~5は実施例であり、例6~10は比較例である。[測定方法]本実施例における各数値の測定方法を以下に示す。平均粒子径還元処理前の銅粒子、および得られた導電性銅粒子の平均粒子径は、以下のように測定した。一次粒子の場合は、SEM日立製作所社製、S-4300にて得られたSEM像の中から無作為に選んだ100個の粒子の粒子径を測定し、平均することにより算出した。また、二次粒子の場合は、透過型電子顕微鏡TEMにて得られたTEM像の中から無作為に選んだ100個の粒子の粒子径を測定し、平均することにより算出した。反応系の塩化物イオン濃度反応系の塩化物イオン濃度の測定は、塩素イオン電極東亜ディーケーケー社製、HM-20Pにて行った。反応系のpH反応系のpHの測定は、pHメータ東亜ディーケーケー社製、HM-20Pにて行った。反応系の酸化還元電位反応系の酸化還元電位ORPの測定は、ORPメータ東亜ディーケーケー社製、RM-12Pにて行った。導電性銅粒子の塩素原子含有量得られた導電性銅粒子中の塩素原子の含有量は、蛍光X線分析理学電機工業社製、ZSX100eによって求めた。導電性銅粒子の表面酸素量得られた導電性銅粒子の表面酸素量は、X線光電子分光分析アルバックファイ社製、ESCA5500によって表面酸素濃度[原子]と表面銅濃度[原子]を求め、表面酸素濃度を表面銅濃度で除して算出した。導電性銅粒子中の塩素原子の水溶性試験導電性銅粒子に含有されている塩素原子が全て蒸留水中に溶出した場合に、当該蒸留水中の塩化物イオンの濃度が100質量ppmとなる量の導電性銅粒子を、蒸留水溶存酸素濃度1質量ppm以下に浸漬した。ついで、導電性銅粒子を浸漬した蒸留水を、20°Cにおいて、試験管ミキサーアズワン社製、HM-01を使用して1000rpmで5秒間撹拌した後、該蒸留水中に溶出した塩化物イオン濃度を塩素イオン電極を用いて測定した。導電体膜の厚さ導電体膜の厚さは、DEKTAK3VeecometrologyGroup社製にて測定した。導電体膜の表面抵抗値導電体膜の表面抵抗値は、四探針式抵抗値計三菱油化社製、型式:lorestaIPMCP-T250にて、成膜直後に測定した。また、一ヶ月経過後の導電体膜の表面抵抗値を再度測定し、成膜直後の表面抵抗値に対する変化率単位:を求めた。導電体膜の体積抵抗率前記の手法で測定した、導電体膜の厚さと導電体膜の表面抵抗値との積をとって、体積抵抗率を求めた。[例1]導電性銅粒子A1の製造ガラス製ビーカー内にて、銅粒子三井金属鉱業社製、商品名1400YP、平均一次粒子径7μmの100gを蒸留水の1800gに分散させ、pH調整剤としてギ酸の30gと、塩化物イオンを生成する化合物として35質量塩酸を加えて、反応系の塩化物イオン濃度を10質量ppmとした。ついで、ビーカーを40°Cのウォーターバス中に入れ、撹拌しながら50質量の次亜リン酸水溶液の180gを加えて反応系αを形成し、30分間撹拌を続けた。次亜リン酸を加えた直後の反応系αのpHと、反応終了後の反応系αのpH、反応終了後の反応系αの酸化還元電位ORPを表1に示す。撹拌終了後、濾過によって沈殿物を分離した。該沈殿物を蒸留水の600gに再分散させた後、再び遠心分離によって凝集物を沈殿させ、沈殿物を分離した。-35kPaゲージ圧の減圧下、沈殿物を80°Cで60分間加熱し、残留水分を揮発させて徐々に取り除き、導電性銅粒子A1を得た。導電性銅粒子A1中の塩素原子の含有量は、100質量ppmであった。また、導電性銅粒子A1の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、5質量ppm未満であった。すなわち、導電性銅粒子A1に含有されている塩素原子は、非水溶性の形態であった。また、導電性銅粒子A1の平均粒子径は、7μmであった。導電体膜形成用組成物の調製フェノール樹脂群栄化学社製、商品名レジトップPL6220の0.26gをエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートの0.15gに溶解した樹脂溶液に、導電性銅粒子A1の1.2gを加えた。この混合物を乳鉢中に入れ、室温下で混ぜ合わせて導電体膜形成用組成物を得た。フェノール樹脂の添加量は、導電性銅粒子A1の100質量部に対して、11質量部であった。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物をガラス基板に塗布し、150°Cで1時間加熱してフェノール樹脂を硬化させ、厚さ20μmの導電体膜を形成し、該導電体膜の体積抵抗率を測定した。[例2]導電性銅粒子A2の製造反応系α中の塩化物イオン濃度を25質量ppmとした以外は、例1と同様にして導電性銅粒子A2を得た。得られた導電性銅粒子A2の塩素原子の含有量は、250質量ppmであった。また、導電性銅粒子A2の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、5質量ppm未満であった。すなわち、導電性銅粒子A2に含有されている塩素原子は、非水溶性の形態であった。また、導電性銅粒子A2の平均粒子径は、7μmであった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子A2を使用して、例1と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。[例3]導電性銅粒子D1の製造ガラス製ビーカー内にて、銅粒子三井金属鉱業社製、商品名1400YP、平均一次粒子径7μmの100gを蒸留水の1800gに分散させた。つぎに、pH調整剤としてギ酸の15gと、水溶性銅化合物としてギ酸銅の39gと、塩化物イオンを生成する化合物として35質量塩酸とを加えて、反応系の塩化物イオン濃度を10質量ppmとした。ついで、ビーカーを40°Cのウォーターバス中に入れ、撹拌しながら50質量の次亜リン酸水溶液の180gを加えて反応系βを形成し、30分間撹拌を続けた。撹拌終了後、反応系βを例1の反応系αと同様に処理することで、導電性銅粒子D1を得た。この例では、一旦、一次粒子である銅粒子の表面に二次粒子である水素化銅微粒子が付着した形態の導電性銅粒子B1が生成し、残留水分を揮発させるために80°Cで60分間加熱する過程において、水素化銅微粒子が銅微粒子に変換されて導電性銅粒子D1が得られていると考えられる。得られた導電性銅粒子D1の塩素原子の含有量は、150質量ppmであった。また、導電性銅粒子D1の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、5質量ppm未満であった。すなわち、導電性銅粒子D1に含有されている塩素原子は、非水溶性の形態であった。また、導電性銅粒子D1の平均粒子径は、8μmであった。導電体膜形成用組成物の調製非晶質ポリエステル樹脂東洋紡績社製、商品名バイロン300の0.15gをシクロヘキサノンの0.35gに溶解した樹脂溶液に、導電性銅粒子D1の1.2gを加えた。この混合物を乳鉢中に入れ、室温下で混ぜ合わせて導電体膜形成用組成物を得た。非晶質ポリエステル樹脂の添加量は、導電性銅粒子D1の100質量部に対して、11質量部であった。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物をガラス基材に塗布し、150°Cで1時間加熱して非晶質ポリエステル樹脂を硬化させ、厚さ20μmの導電体膜を形成し、該導電体膜の体積抵抗率を測定した。[例4]導電性銅粒子D2の製造反応系β中の塩化物イオン濃度を15質量ppmとした以外は、例3と同様にして導電性銅粒子D2を得た。得られた導電性銅粒子D2の塩素原子の含有量は、400質量ppmであった。また、導電性銅粒子D2の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、8質量ppmであった。すなわち、導電性銅粒子D2に含有されている塩素原子は、非水溶性の形態であった。また、導電性銅粒子D2の平均粒子径は、8μmであった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子D2を使用して、例3と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。[例5]導電性銅粒子D3の製造反応系β中の塩化物イオン濃度を25質量ppmとした以外は、例3と同様にして導電性銅粒子D3を得た。得られた導電性銅粒子B3の塩素原子の含有量は、700質量ppmであった。また、導電性銅粒子D3の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、10質量ppmであった。すなわち、導電性銅粒子D3に含有されている塩素は、非水溶性の形態であった。また、導電性銅粒子D3の平均粒子径は、8μmであった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子D3を使用して、例3と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。[例6]導電性銅粒子の製造ガラス製ビーカー内にて、銅粒子三井金属鉱業社製、商品名1400YP、平均一次粒子径7μmの100gを蒸留水の1800gに分散させ、ギ酸の30gを加えた後、ビーカーを40°Cのウォーターバス中に入れ、撹拌しながら硫酸90gを加えて反応系を形成した以外は、例1と同様にして導電性銅粒子F1を得た。得られた導電性銅粒子F1の塩素原子の含有量は、50質量ppm未満であった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子F1を使用して、例1と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。[例7]導電性銅粒子の製造ガラス製ビーカー内にて、銅粒子三井金属鉱業社製、商品名1400YP、平均一次粒子径7μmの100gを蒸留水1800gに分散させ、ビーカーを40°Cのウォーターバス中に入れた後、撹拌しながらギ酸72gを加えて反応系を形成した以外は、例1と同様にして導電性銅粒子F2を得た。得られた導電性銅粒子F2の塩素原子の含有量は、50質量ppm未満であった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子F2を使用して、例1と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。[例8]導電性銅粒子の製造ガラス製ビーカー内にて、銅粒子三井金属鉱業製、商品名1400YP、平均一次粒子径7μmの100gを蒸留水の1800gに分散させ、35質量塩酸を加えて反応系中の塩素原子の濃度を100質量ppmとし、ビーカーを40°Cのウォーターバス中に入れた後、撹拌しながらギ酸の72gを加えて反応系を形成した以外は、例1と同様にして導電性銅粒子F3を得た。得られた導電性銅粒子F3の塩素含有量は、300質量ppmであった。また、導電性銅粒子F3の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、30質量ppmであった。すなわち、導電性銅粒子F3に含有されている塩素は、水溶性の形態であった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子F3を使用して、例1と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。[例9]導電性銅粒子の製造例7と同様にして導電性銅粒子を得た後、さらに該導電性銅粒子に、塩素原子の含有量が100質量ppmになるように塩酸を添加し、導電性銅粒子F4を得た。得られた導電性銅粒子F4の塩素原子の含有量は、100質量ppmであった。また、導電性銅粒子F4の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、90質量ppmであった。すなわち、導電性銅粒子F4に含有されている塩素は、水溶性の形態であった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子F4を使用して、例1と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。[例10]導電性銅粒子の調製例7と同様にして導電性銅粒子を得た後、さらに該導電性銅粒子に、塩素原子の含有量が1,000質量ppmになるように塩酸を添加し、導電性銅粒子F5を得た。得られた導電性銅粒子F5の塩素原子の含有量は、1,000質量ppmであった。また、導電性銅粒子F5の水溶性試験を実施したところ、蒸留水中に溶出した塩化物イオンの濃度は、90質量ppmであった。すなわち、導電性銅粒子F5に含有されている塩素は、水溶性の形態であった。導電体膜形成用組成物の調製導電性銅粒子F5を使用して、例1と同様にして導電体膜形成用組成物を得た。導電体膜の形成得られた導電体膜形成用組成物を使用して、例1と同様にして導電体膜を形成し、その体積抵抗率を測定した。例1~10における反応系、導電性銅粒子、導電体膜の特性及び評価結果を表1に示す。表1に示すように、塩素原子の含有量が50質量ppm未満の導電性銅粒子を使用した例6および7、ならびに水溶性の形態の塩素原子を含有する導電性銅粒子を使用した例8~10の導電体膜は、成膜直後から体積抵抗率が高かったり、成膜直後の体積抵抗率は低くても、保存により体積抵抗率が増大したりした。これに対し、非水溶性の形態の塩素原子を50~1000質量ppm含有する本発明の導電性銅粒子を使用した例1~5の導電体膜は、体積抵抗率が低く、またその一ヶ月経過後の変化率も低かった。本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。本出願は、2010年10月6日出願の日本特許出願2010-226632に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。"