"絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に形成された第1金属配線層および第2金属配線層と、前記第1金属配線層に接合された少なくとも1つの半導体素子と、前記第2金属配線層に接合され、前記絶縁基板の温度を測定することにより前記半導体素子の温度を検出する温度センサと、前記第1金属配線層と前記半導体素子とを接合する第1接合部材と、前記第2金属配線層と前記温度センサとを接合する第2接合部材と、前記絶縁基板の他面に形成された金属層と、前記絶縁基板の他面に対向するようにして前記金属層に接合された放熱部材と、前記金属層と前記放熱部材とを接合する第3接合部材とを備え、前記放熱部材における前記絶縁基板の前記他面に対向する面では、前記温度センサの直下領域から温度センサ側の端部に向けて、相手部位との間に空間が形成されていることを特徴とする半導体装置。前記放熱部材における前記絶縁基板の他面に対向する面では、前記半導体素子の直下領域の全ては、前記第3接合部材により前記金属層と接合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。しかしながら、特許文献1の技術では、良熱伝導層を別途設ける必要があり、しかも、放熱板の表面を加工する必要があるため、重量およびコストが増加してしまう。また、良熱伝導層は、放熱板と接触しているだけであって、放熱板に接合されていないため、実際には放熱への寄与が小さい。しかも、放熱板の有効放熱部を減少させているため、半導体素子の温度上昇を招く虞がある。仮に良熱伝導層を放熱板に接合した場合、良熱伝導層の熱は直ちに放熱板に伝導してしまうため、温度センサによる測定温度は、半導体素子の実際の温度との差が非常に大きくなってしまう。また、この場合、多数の半導体チップの検出を行うことができない。さらに、特許文献1の技術では、半導体素子で発生した熱が、金属配線層、絶縁層、および、放熱板を通じて、良熱伝導層に伝導する態様を提案しているが、この態様では、半導体素子から温度センサまでの経路において放熱板を介在させているため、上記問題は深刻である。したがって、本発明は、良熱伝導層を設けることによる不具合を解消することができるとともに、温度差ΔTjsを小さく設定することにより、半導体素子の温度検出の高精度化を図ることができる半導体装置を提供することを目的とする。本発明の半導体装置は、絶縁基板の一面に形成された第1金属配線層および第2金属配線層と、第1金属配線層に接合された少なくとも1つの半導体素子と、第2金属配線層に接合され、絶縁基板の温度を測定することにより半導体素子の温度を検出する温度センサと、第1金属配線層と半導体素子とを接合する第1接合部材と、第2金属配線層と温度センサとを接合する第2接合部材と、絶縁基板の他面に形成された金属層と、絶縁基板の他面に対向するようにして金属層に接合された放熱部材と、金属層と放熱部材とを接合する第3接合部材とを備え、放熱部材における絶縁基板の他面に対向する面では、温度センサの直下領域から温度センサ側の端部に向けて、相手部位との間に空間が形成されていることを特徴とする。本発明の半導体装置では、半導体素子は、第1金属配線層および第1接合部材を介して絶縁基板の一面上に形成され、温度センサは、第2金属配線層および第2接合部材を介して絶縁基板の一面上に形成されており、温度センサは、絶縁基板の温度を測定することにより半導体素子の温度を検出する。半導体素子で発生した熱は、半導体素子を中心として、第1接合部材、第1金属配線層、絶縁基板、および、第3接合部材を通じて放熱部材に伝導する。ここで本発明の半導体装置では、放熱部材における絶縁基板の他面に対向する面では、温度センサの直下領域から温度センサ側の端部に向けて、相手部位との間に空間が形成されているから、たとえば絶縁基板における温度センサの直下部分は片持ち梁の形態で存在することができる。これにより、片持ち梁部分温度センサの直下部分を他の部材から断熱することができるので、片持ち梁部分から放熱部材へ向かって熱が拡散することを防止することができる。したがって、定常状態では片持ち梁部分の温度を略均一とすることができるので、半導体素子の温度と温度センサによる測定温度との温度差ΔTjsを小さくすることができ、その結果、半導体素子の温度検出の高精度化を図ることができる。よって、数1の数式から判るように、半導体素子の保護制御温度Tpを高く設定することができるので、半導体素子の本来の性能を十分に発揮させることができる。このように本発明の半導体装置では、良熱伝導層を別途設けることなく、上記効果を得ることができるから、放熱部材の表面に加工が不要となり、その結果、重量およびコストを低減することができる。また、放熱部材の有効放熱部を減少させていないから、放熱部材による放熱を十分に行うことができる。さらに、半導体素子から放熱部材までの経路において良熱伝導層を介在させていないから、半導体素子から発生した熱は、直ちに放熱部材に伝導しない。これにより、温度センサによる測定温度と半導体素子の実際の温度との差をさらに小さくすることができる。その結果、多数の半導体チップの検出を行うことができる。本発明の半導体装置は、種々の構成を用いることができる。たとえば、放熱部材における絶縁基板の他面に対向する面では、半導体素子の直下領域の全ては、第3接合部材により金属層と接合されている態様を用いることができる。この態様では、放熱部材における半導体素子の直下領域の全ては、第3接合部材により金属層と接合されているから、半導体素子から放熱部材までの放熱経路を十分に確保することができる。したがって、装置の熱抵抗の上昇を抑制することができるから、半導体素子の熱破壊を効果的に防止することができる。本発明の半導体装置によれば、良熱伝導層を設けることによる不具合を解消することができるとともに、半導体素子の温度と温度センサによる測定温度との温度差ΔTjsを小さく設定することにより、半導体素子の温度検出の高精度化を図ることができる等の効果を得ることができる。以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の概略構成を表す側断面図である。半導体装置100は、絶縁基板101を備え、絶縁基板101の上面には、たとえば銅Cuからなる金属配線層102第1金属配線層,第2金属配線層が形成されている。金属配線層102の上面には、半導体素子104および温度センサ106が接合されている。半導体素子104は、はんだ103第1接合部材により接合され、温度センサ106は、はんだ105第2接合部材により接合されている。半導体素子104と温度センサ106は、金属配線層102上で所定間隔をおいて配置されている。半導体素子104は、たとえば絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT等のパワー半導体素子である。温度センサ106は、絶縁基板101の温度を測定することにより、半導体素子104の温度を検出している。温度センサ106は、たとえば白金温度センサである。絶縁基板101の下面には、たとえば銅からなる金属層107が形成されている。金属層107は、はんだ108第3接合部材を介して、絶縁基板101を放熱板109放熱部材に接合させるとともに、熱膨張等による絶縁基板101の反りを防止するために設けられており、金属配線層102と同じ材料からなる。金属層107の下面には、はんだ108により、たとえば銅からなる放熱板109放熱部材が接合されている。放熱板109は、半導体素子104で発生した熱を放出するヒートスプレッダとしての機能を有する。放熱板109における絶縁基板101の下面に対向する面上面では、温度センサ106の直下領域から温度センサ106側の端部に向けて金属層107と接合されていなく、たとえば金属層107との間に空間110が形成されている。空間110の上の基板部分金属配線層102、絶縁基板101、および、金属層107は、浮上して片持ち梁の形態以下、片持ち梁部分として存在している。放熱板109の上面では、半導体素子104の直下領域の全ては、はんだ108により金属層107と接合されていることが好適である。具体的には、図1に示す形態では、はんだ108の左端面温度センサ106側の端面は、水平方向において、半導体素子104の左端面温度センサ106側の端面と温度センサ106の右端面半導体素子104側の端面との間に位置し、空間110は、はんだ108の左端面から左方向半導体素子104から温度センサ106へ向かう方向に向けて形成され、外部に開放されている。この場合、はんだ108の左端面の断面形状は、図2に示すように直線状でもよいし、図3に示すように曲線状でもよく、特に限定されるものではない。図2,3に示す形態では、はんだ108の形成領域図の斜線は、半導体素子104の配置領域図の破線を包含するようにして設けられ、その面積は、半導体素子104の配置領域の面積よりも大きい。また、図4に示すように、はんだ108の左端面lは、温度センサ106の右端面mの直下領域に位置してもよく、この場合、はんだ108の左端面lは、温度センサ106の右端面mから半導体素子104の幅Wの1/3までの位置の間に位置することが必要である。さらに温度センサ106の直下領域において、図5に示すように、金属層107も設けずに、絶縁基板101の下面を露出させるようにして空間110を形成してもよい。また、半導体素子104と温度センサ106との間で電気絶縁性を確保するために、図6に示すように金属配線層102を金属配線層102A第1金属配線層および金属配線層102B第2金属配線層から構成し、金属配線層102A,102Bを離間させてもよい。温度センサ106による半導体素子104の温度検出について、おもに図1,7を参照して説明する。装置の動作時に半導体素子106で発生した熱は、半導体素子104を中心として、はんだ103、金属配線層102、絶縁基板101、金属層107、および、はんだ108を通じて放熱板109に伝導する。この場合、温度センサ106への熱伝導は、おもにはんだ103、金属配線層102、および、はんだ105を通じてなされるため、半導体素子104の実際の温度と温度センサ106の測定温度とには温度差ΔTjsが生じる。温度制御は、半導体素子の保護制御温度Tpと保証温度Tsとの関係を規定した数1の数式に基づき、温度センサ106による測定温度Tdが保護制御温度Tpを超えないように制御を行う。ここで、図7に示すように金属層107の下面の全面にはんだ18が形成されている比較例の形態の半導体装置10では、はんだ18が半導体素子104の直下領域から温度センサ106の直下領域まで延在している。このため、半導体素子104の発熱中、絶縁基板101では、半導体素子104の直下領域を中心にして略円状に等温度線が形成されるため、絶縁基板101上の金属配線層102に接合された温度センサ106と半導体素子104との温度差ΔTjsが大きい。具体的には、図7に示す比較例で、半導体素子104のA点での温度Ta、温度センサ106のB点での温度Tb、絶縁基板101における半導体素子104と温度センサ106との間の部分のC点での温度Tcの関係は、数2の関係となり、温度差ΔTjsTaとTbとの差は大きい。[数2]Ta>Tc>Tbこれに対して本実施形態では、図1に示すように、放熱板109の上面では、はんだ108の左端面が半導体素子104の左端面と温度センサ104の右端面との間に位置し、空間110が、はんだ108の左端面から左方向に向けて形成され、外部に開放されている。これにより絶縁基板101における温度センサ106の直下部分は片持ち梁の形態で存在することができるから、片持ち梁部分を他の部材から断熱することができる。したがって、片持ち梁部分から放熱板109へ向かって熱が拡散することを防止することができるから、定常状態では片持ち梁部分の温度を略均一とすることができる。すなわち、温度センサ106のB点での温度Tb、片持ち梁部分の根元部のC点での温度Tcとは略等しくなり、図1に示す実施形態では、半導体素子104のA点での温度Ta、温度センサ106のB点での温度Tb、片持ち梁部分の根元部のC点絶縁基板101において図7のC点と同一位置での温度Tcの関係は、数3の関係となる。このように温度差ΔTjsTaとTbとの差を小さくすることができるから、半導体素子の温度検出の高精度化を図ることができる。[数3]Ta>Tc≒Tbなお、図6に示す態様では、熱伝導性が高い金属配線層102において半導体素子104の直下領域の部分と温度センサ106の直下領域の部分とが接続されていないため、熱伝導性は、それら部位が接続されている図1~5に示す態様のものと比較して低い。しかしながら、本実施形態では、上記のように定常状態において片持ち梁部分の温度が略均一になっていれば上記効果が得られるから、熱伝導性が低くても問題はない。図1~5に示す態様では、熱伝導性が良好であるから、たとえば片持ち梁部分の温度が略均一となるまでの時間が短くなり、過渡的な熱の変化に対する温度センサ106の追従性が良くなるというメリットがある。本実施形態では、放熱板109の上面での半導体素子104の直下領域は、はんだ108により金属層107と接合されていることが好適である。図8は、Rthjcモジュール熱抵抗率の変化率と、はんだ端面と半導体素子端面の間隔との関係を表すグラフである。図8では、図4に示す半導体素子104の左端面の位置を原点とし、はんだ108の左端面lが原点よりも左側温度センサ106側に位置するときに図8の横軸の間隔をプラスとし、はんだ108の端面lが原点よりも右側半導体素子104側に位置するときに図8の横軸の間隔をマイナスとしている。図8から判るように、はんだ108の左端面lが、半導体素子104の左端面原点よりも左側に位置するときに、モジュール熱抵抗率の変化率は非常に低い値を示すが、はんだ108の左端面lが、半導体素子104の左端面原点の近傍領域に位置すると、モジュール熱抵抗率は急激に上昇し、はんだ108の左端面lが、半導体素子104の直下領域内に位置するとき、モジュール熱抵抗率が非常に大きくなる。したがって、モジュール熱抵抗率の増大を防止するために、はんだ108の左端面lが、半導体素子104の左端面原点よりも左側に位置することが好適であるすなわち、放熱板109の上面での半導体素子104の直下領域の全ては、はんだ108により金属層107と接合されていることが好適である。図9は、Rthjs温度センサ熱抵抗率の変化率と、はんだ端面と半導体素子端面の間隔との関係を表すグラフである。図9から判るように、はんだ108の左端面lが、右側半導体素子104側に向かうに従って温度センサ熱抵抗率の変化率が0に近づいていき、間隔が6mmよりも大きくなると、温度センサ熱抵抗率の変化率は、略一定略0となり、放熱特性が飽和する。したがって、はんだ108の左端面lが、半導体素子104の左端面0mmの位置から6mmまでの位置に配置されることが好適である。以上のように本実施形態では、半導体素子104の実際の温度と温度センサ106による測定温度との温度差ΔTjsを小さくすることができ、半導体素子104の温度検出の高精度化を図ることができる。これにより、数1の数式から判るように、半導体素子104の保護制御温度Tpを高く設定することができるので、半導体素子104の本来の性能を十分に発揮させることができる。また、良熱伝導層を別途設けることなく、上記効果を得ることができるから、放熱板109の表面に加工が不要となり、その結果、重量およびコストを低減することができる。また、放熱板109の有効放熱部を減少させていないから、放熱板109による放熱を十分に行うことができる。さらに、半導体素子104から放熱板109までの経路において良熱伝導層を介在させていないから、半導体素子104から発生した熱は、直ちに放熱板109に伝導しない。これにより、温度センサ106による測定温度と半導体素子104の実際の温度との差をさらに小さくすることができる。その結果、多数の半導体素子104の検出を行うことができる。特に、放熱板109における半導体素子104の直下領域の全ては、はんだ108により金属層107と接合されているから、半導体素子104から放熱板109までの放熱経路を十分に確保することができる。したがって、半導体装置100の熱抵抗の上昇を抑制することができるから、半導体素子の熱破壊を効果的に防止することができる。上記実施形態を用いて本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば上記実施形態では、本発明の第1接合部材、第2接合部材、および、第3接合部材の材料としてはんだを用いたが、はんだの代わりにろう材を用いてもよい。また、空間110に断熱材を設けてもよい。また、半導体素子104を複数設けてもよい。"