"アンテナ素子と給電回路との間に挿入されるインピーダンス変換回路を備えるデバイスであって、前記給電回路に接続された第1インダクタンス素子を含む第1回路、および前記アンテナ素子と接地との間に接続され、前記第1インダクタンス素子に結合した第2インダクタンス素子を含む第2回路を備え、前記第2回路は、前記第2インダクタンス素子に接続されたキャパシタを含むことを特徴とするインピーダンス変換デバイス。アンテナ素子と給電回路との間に挿入されるインピーダンス変換回路を備えるデバイスであって、前記給電回路に接続された第1インダクタンス素子を含む第1回路と、前記第1インダクタンス素子に結合した第2インダクタンス素子を含む第2回路と、を備え、前記アンテナ素子側から見た前記インピーダンス変換回路のインピーダンスの実部の周波数特性が前記アンテナ素子の放射抵抗の周波数特性に近づく方向に、前記第1回路に対する前記第2回路のインピーダンスの実部の周波数特性が異なっていることを特徴とするインピーダンス変換デバイス。前記第2回路は、前記第2インダクタンス素子に接続されたキャパシタを含む、請求項2に記載のインピーダンス変換デバイス。前記キャパシタは前記第2インダクタンス素子に対して並列に接続された、請求項1または3に記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1インダクタンス素子および前記第2インダクタンス素子は、複数の誘電体層または磁性体層が積層された積層体内に配置された導体パターンで構成され、前記キャパシタは前記積層体に搭載されたチップキャパシタである、請求項1、3または4に記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1インダクタンス素子および前記第2インダクタンス素子は、複数の誘電体層または磁性体層が積層された積層体内に配置された導体パターンで構成され、前記キャパシタは、前記積層体内に形成された、互いに対向する電極で構成された、請求項1、3または4に記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とを密結合させることにより生じる等価的な負のインダクタンス成分で前記アンテナ素子の実効的なインダクタンス成分が抑制された、請求項1~6のいずれかに記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1回路の第1端は前記給電回路に接続され、前記第1回路の第2端は前記アンテナ素子に接続され、前記第2回路の第1端は前記アンテナ素子に接続され、前記第2回路の第2端はグランドに接続されている、請求項1~7のいずれかに記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1インダクタンス素子は第1コイル素子および第2コイル素子を含み、前記第1コイル素子および前記第2コイル素子は互いに直列的に接続されていて、且つ閉磁路を作るように導体の巻回パターンで構成されている、請求項8に記載のインピーダンス変換デバイス。前記第2インダクタンス素子は第3コイル素子および第4コイル素子を含み、前記第3コイル素子および前記第4コイル素子は互いに直列的に接続されていて、且つ閉磁路を作るように導体の巻回パターンが形成されている、請求項9に記載のインピーダンス変換デバイス。前記キャパシタは、前記第3コイル素子と第4コイル素子との接続点と接地との間に接続された、請求項10に記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合されていて、前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きとが同じである、請求項1~11のいずれかに記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きは、前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子との間に磁気障壁が生じる向きである、請求項1~12のいずれかに記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1インダクタンス素子および前記第2インダクタンス素子は、複数の誘電体層または磁性体層が積層された積層体内に配置された導体パターンで構成され、前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは前記積層体の内部で結合している、請求項1~4,7~13のいずれかに記載のインピーダンス変換デバイス。前記第2インダクタンス素子は電気的に並列接続された少なくとも二つのインダクタンス素子で構成され、この二つのインダクタンス素子は前記第1インダクタンス素子を挟む位置関係に配置されている、請求項14に記載のインピーダンス変換デバイス。前記第1コイル素子および前記第2コイル素子の導体パターンは、前記第3コイル素子および前記第4コイル素子の導体パターンより線幅が細いかまたは同等であり、前記第3コイル素子および前記第4コイル素子の導体パターンは、平面視で前記第1コイル素子および前記第2コイル素子の導体パターンにそれぞれ重なっている、請求項15に記載のインピーダンス変換デバイス。前記積層体内にグランド導体が設けられていて、前記第2インダクタンス素子が前記第1インダクタンス素子よりも前記グランド導体の近くに設けられていて、前記キャパシタは前記第2インダクタンス素子と前記グランド導体との間に生じる浮遊容量で構成された、請求項14~16のいずれかに記載のインピーダンス変換デバイス。前記グランド導体は、前記二つのインダクタンス素子を外側から更に挟み込む位置関係に配置されている、請求項17に記載のインピーダンス変換デバイス。アンテナ素子と、前記アンテナ素子と給電回路との間に挿入されるインピーダンス変換回路とを含むアンテナ装置であって、前記インピーダンス変換回路は、前記給電回路に接続された第1インダクタンス素子を含む第1回路、および前記アンテナ素子と接地との間に接続され、前記第1インダクタンス素子に結合した第2インダクタンス素子を含む第2回路を備え、前記第2回路は、前記第2インダクタンス素子に接続されたキャパシタを含むことを特徴とするアンテナ装置。アンテナ素子と、給電回路と、前記アンテナ素子と前記給電回路との間に接続されるインピーダンス変換回路とを含むアンテナ装置を備えた通信端末装置であって、前記インピーダンス変換回路は、前記給電回路に接続された第1インダクタンス素子を含む第1回路、および前記アンテナ素子と接地との間に接続され、前記第1インダクタンス素子に結合した第2インダクタンス素子を含む第2回路を備え、前記第2回路は、前記第2インダクタンス素子に接続されたキャパシタを含むことを特徴とする通信端末装置。ところが、特許文献1,2に示されている整合回路は複数の共振回路を含むものであるため、この整合回路における挿入損失が大きくなりやすく、十分な利得が得られないことがある。他方、特許文献3,4に示されているチューナブルアンテナは、可変容量素子を制御するための回路、すなわち周波数帯域を切り換えるための切替回路、が必要であるので回路構成が複雑になりやすい。また、切替回路での損失や歪みが大きいので十分な利得が得られないことがある。本発明は上述した実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、広い周波数帯域で給電回路とアンテナ素子とを整合させるインピーダンス変換デバイス、このインピーダンス変換デバイスを備えたアンテナ装置およびこのアンテナ装置を備えた通信端末装置を提供することにある。本発明のインピーダンス変換デバイスは、アンテナ素子と給電回路との間に挿入されるインピーダンス変換回路を備えるデバイスであって、前記給電回路に接続された第1インダクタンス素子を含む第1回路、および前記アンテナ素子と接地との間に接続され、前記第1インダクタンス素子に結合した第2インダクタンス素子を含む第2回路を備え、前記第2回路は、前記第2インダクタンス素子に接続されたキャパシタを含むことを特徴とする。本発明のアンテナ装置は、アンテナ素子と、前記アンテナ素子と給電回路高周波回路との間に挿入されるインピーダンス変換回路とを含み、前記インピーダンス変換回路は、前記給電回路に接続された第1インダクタンス素子を含む第1回路、および前記アンテナ素子と接地との間に接続され、前記第1インダクタンス素子に結合した第2インダクタンス素子を含む第2回路を備え、前記第2回路は、前記第2インダクタンス素子に接続されたキャパシタを含むことを特徴とする。本発明の通信端末装置は、アンテナ素子と、給電回路と、前記アンテナ素子と前記給電回路との間に接続されるインピーダンス変換回路とを含むアンテナ装置を備えた通信端末装置であって、前記インピーダンス変換回路は、前記給電回路に接続された第1インダクタンス素子を含む第1回路、および前記アンテナ素子と接地との間に接続され、前記第1インダクタンス素子に結合した第2インダクタンス素子を含む第2回路を備え、前記第2回路は、前記第2インダクタンス素子に接続されたキャパシタを含むことを特徴とする。本発明によれば、インピーダンス変換回路にてアンテナの放射抵抗と同傾向の周波数特性を有するインピーダンスの実部を得て、アンテナ装置のインピーダンスの周波数特性変化を小さくすることができる。ゆえに、高周波回路と広い周波数帯域でマッチングのとれたアンテナ装置を容易に実現できる。また、インピーダンスの周波数特性変化が少ないアンテナを備えて、周波数帯域の異なる各種の通信システムに対応可能な通信端末装置を実現できる。《第1の実施形態》図1Aは、第1の実施形態に係るアンテナ装置の基本形であるアンテナ装置100の回路図、図1Bはその等価回路図である。図1Aに示すように、アンテナ装置100は、アンテナ素子11と、このアンテナ素子11に接続されたインピーダンス変換デバイス25Pとを備えている。アンテナ素子11はモノポール型アンテナであり、このアンテナ素子11の給電端にインピーダンス変換デバイス25が接続されている。インピーダンス変換デバイス25Pは厳密に言うと、インピーダンス変換デバイス25のうち第1インダクタンス素子L1はアンテナ素子11と給電回路30との間に挿入されている。給電回路30は高周波信号をアンテナ素子11に給電するための回路であり、高周波信号の生成や処理を行うが、高周波信号の合波や分波を行う回路を含んでいてもよい。インピーダンス変換デバイス25Pは、給電回路30に接続された第1インダクタンス素子L1と、第1インダクタンス素子L1に結合した第2インダクタンス素子L2とを備えている。より具体的には、第1インダクタンス素子L1の第1端は給電回路30に、第2端はアンテナ素子11にそれぞれ接続されていて、第2インダクタンス素子L2の第1端はアンテナ素子11に、第2端はグランドにそれぞれ接続されている。このインピーダンス変換デバイス25Pは、第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2とを相互インダクタンスMを介して密結合したトランス型回路を含む。このトランス型回路は、図1Bに示すように、三つのインダクタンス素子La,Lb,LcによるT型回路に等価変換できる。すなわち、このT型回路は、給電回路に接続される第1ポートP1、アンテナ素子11に接続される第2ポートP2、グランドに接続される第3ポートP3、第1ポートP1と分岐点Aとの間に接続された第1インダクタンス素子La、第2ポートP2と分岐点Aとの間に接続された第2インダクタンス素子Lb、および第3ポートP3と分岐点Aとの間に接続された第3インダクタンス素子Lcで構成される。一方、アンテナ素子11は図1Bに表れているように、等価的にインダクタンス成分LANT、放射抵抗成分Rr、およびキャパシタンス成分CANTで構成される。第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2とは互いに結合し、相互インダクタンスMを生じている。第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2により実現される機能は、まず給電回路側高周波回路側のインピーダンスの実部をアンテナ側のインピーダンスの実部に整合するようインピーダンス変換を行うことである。多くの場合、給電回路側のインピーダンスは50Ωに設定されるが、アンテナ素子のインピーダンスは50Ωより低いことが多い。図1BのP2点から給電回路30側を見たインピーダンスの実部をRcとすると、Rc=給電回路側のインピーダンス50Ω×L2/L1L22Mになる。インピーダンスの実部についてアンテナと高周波回路を整合するには、Rc=RrとなるようL1、L2およびMの値を設定すればよい。しかし、前述したように、アンテナのインピーダンスの実部Rrも周波数特性を有しており、広い周波数帯に亘り整合するためには、Rcにも実部Rrと同様の周波数特性を持たせることが必要である。なお、アンテナのインピーダンスの実部は一般的に放射損失と抵抗損失の和に相当するが、抵抗損失が小さい場合にはほぼ放射抵抗に相当する。図2Aは前記高周波回路のインピーダンスの実部Rcをアンテナの放射抵抗Rrと同等の周波数特性にしたアンテナ装置101の回路図である。図2Bはその等価回路図である。図2Aに示すように、第2インダクタンス素子L2に並列するキャパシタ容量Cpを設けることで、等価回路上は図2Bに示すように、第3インダクタンス素子LcにキャパシタCpが付加された構造となる。このことにより、図2A、図2BのP2点から給電回路高周波回路側を見たインピーダンスの実部Rcにアンテナの放射抵抗Rrと同傾向の周波数特性をもたせることができる。すなわち、Cpがない場合には、第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2のインピーダンス比は周波数によらず一定であるが、Cpと第2インダクタンス素子L2の並列インピーダンスは共振周波数以下では、周波数の上昇にともない次第に増加する。そのため、前記Rcの値は、共振周波数以下では、周波数が高くなるほど大きくなる。従ってL1,L2,Cpの各素子値を適切に設定することで、P2点から給電回路側を見たインピーダンスの実部Rcの周波数特性をアンテナの放射抵抗Rrの周波数特性と同等にすることができる。キャパシタCpは、第2インダクタンス素子L2に対して並列に部品としてのキャパシタ部品を接続することによって設けてもよいし、第2インダクタンス素子L2の配線をグランド導体に近接させることで生じる寄生容量で構成してもよい。以上、インピーダンス変換デバイス25がアンテナの放射抵抗Rrについて、広い周波数帯域で高周波回路と整合させることを述べた。第1の実施形態では、次に述べるように、さらにリアクタンス成分についても広い周波数帯に亘って整合する。図2Aに示した図1Aについても同様である。第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2とは密結合している。このことにより等価的な負のインダクタンス成分-Mが生じている。そして、この負のインダクタンス成分-Mによって、アンテナ素子11自身が持つインダクタンス成分を打ち消すことにより、アンテナ素子11のインダクタンス成分が見かけ上小さくされている。すなわち、アンテナ素子11の実効的な誘導性リアクタンス成分が小さくなるため、アンテナ素子11は高周波信号の周波数に依存しにくくなる。図2Aに示した第1インダクタンス素子L1のインダクタンスをL1、第2インダクタンス素子L2のインダクタンスをL2、相互インダクタンスをMで表すと、図2Bの第1インダクタンス素子LaのインダクタンスはL1M、第2インダクタンス素子Lbのインダクタンスは-M、第3インダクタンス素子LcのインダクタンスはL2Mである。すなわち、第2インダクタンス素子Lbのインダクタンスは、L1,L2の値に関わらず負の値である。すなわち、ここに等価的な負のインダクタンス成分が形成されている。アンテナ素子11単体のインダクタンス成分LANTは、インピーダンス変換デバイス25における前記負のインダクタンス成分-Mによって打ち消されるように作用する。すなわち、インピーダンス変換デバイス25のA点からアンテナ素子11側を見た第2インダクタンス素子Lbを含めたアンテナ素子11のインダクタンス成分は小さく理想的にはゼロになり、その結果、このアンテナ装置101のインピーダンス周波数特性が小さくなる。このように負のインダクタンス成分を生じさせるためには、第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2とを高い結合度で結合させることが重要である。具体的には、インダクタンス素子の素子値にもよるが、この結合度は例えば0.1以上、さらには0.5以上であることが好ましい。なお、アンテナ素子11単体のインダクタンス成分LANTをインピーダンス変換デバイス25における前記負のインダクタンス成分-Mによって必ずしも完全に打ち消す必要はなく、アンテナ素子11単体のインダクタンス成分LANTをインピーダンス変換デバイス25における前記負のインダクタンス成分-Mで低減できれば、リアクタンス成分についての整合の改善効果がある。このようにして、アンテナと高周波回路間のインピーダンスを実部虚部共に広い周波数帯域にわたり整合できる。図3は、前記P2点から高周波回路側を見た入力インピーダンスのシミュレーション例である。破線は前記キャパシタCpのない場合の特性を示している。実線は前記キャパシタCpを設けた場合の特性を示している。Cpを設けることにより、高周波側で放射抵抗Rrの値がより大きくなるような周波数特性になることがわかる。図4は前記P2点から見たインピーダンス変換デバイス25のインピーダンスの実部抵抗分の周波数特性を示す図である。図4中、Aはアンテナの放射抵抗、B1は、前記キャパシタCpがある場合のP2点から高周波回路側を見たインピーダンス変換デバイス25のインピーダンスの実部、B2は前記キャパシタCpが無い場合のP2点から高周波回路側を見たインピーダンス変換デバイスのインピーダンスの実部である。Cpがある場合、P2点から高周波回路側を見たインピーダンスの実部Rcの周波数特性をアンテナの放射抵抗Rrの周波数特性と同等にすることができ、広い周波数帯域で高周波回路と整合させることができることが分かる。なお、アンテナ素子についてはモノポールアンテナについて述べたが、図5に示したようにその他のアンテナでもよい。図5はマルチバンドに対応させたアンテナ装置101の回路図である。このアンテナ装置101は、GSM登録商標方式やCDMA方式に対応可能なマルチバンド対応型移動体無線通信システム800MHz帯、900MHz帯、1800MHz帯、1900MHz帯に用いられるアンテナ装置である。アンテナ素子11は分岐モノポール型アンテナである。このアンテナ装置101は通信端末装置のメインアンテナとして利用される。分岐モノポール型のアンテナ素子11の第1放射部は主にハイバンド側1800~2400MHz帯のアンテナ放射素子として作用し、第1放射部と第2放射部の両者で主にローバンド側800~900MHz帯のアンテナ素子として作用する。ここで、分岐モノポール型のアンテナ素子11は必ずしもそれぞれの対応周波数帯で共振する必要はない。なぜなら、インピーダンス変換デバイス25が、各放射部のもつ特性インピーダンスを給電回路30のインピーダンスにマッチングさせているからである。インピーダンス変換デバイス25は、例えば、800~900MHz帯で、第1放射部と第2放射部のもつ特性インピーダンスを給電回路30のインピーダンス通常は50Ωにマッチングさせている。これにより、給電回路30から供給されたローバンドの高周波信号を第1放射部および第2放射部から放射させ、または、第1放射部および第2放射部で受信したローバンドの高周波信号を給電回路30に供給することができる。同様に、給電回路30から供給されたハイバンドの高周波信号を第1放射部から放射させ、または、第1放射部で受信したハイバンドの高周波信号を給電回路30に供給することができる。第1の実施形態によれば、インピーダンス変換デバイス25はアンテナの放射抵抗の周波数変化に対応するインピーダンス整合と、アンテナの等価インダクタンスに整合する負のインダクタンス値を同時に実現できるため、様々なインピーダンスのアンテナに対しても広い周波数帯にわたり整合をとることができ、広帯域の通信やマルチバンドの通信、複数のシステムが同一アンテナを共用する場合でも回路とアンテナ間の損失の小さな通信機が実現できる。また、本インピーダンス変換デバイスとアンテナもしくは高周波回路の間にインダクタンス素子や容量素子、フィルタ素子など整合調整用の素子をさらに加えることでさらにインピーダンス整合の微調整を行ってもよい。《第2の実施形態》図6Aは第2の実施形態のインピーダンス変換デバイス15およびそれを備えたアンテナ装置の回路図である。このインピーダンス変換デバイス15は、第1の実施形態のインピーダンス変換デバイス25における第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2をそれぞれ2つのインダクタンス素子に分割し、それぞれの相互インダクタンスが図6Aの関係となるように、それぞれのインダクタンス素子を配置したものである。図6Bは、図6Aに示した回路に磁界結合と電界結合の様子を示す各種矢印を書き入れた図である。図6Bに示すように、給電回路から図中矢印a方向に電流が供給されたとき、第1コイル素子L1aに図中矢印b方向に電流が流れるとともに、第2コイル素子L1bには図中矢印c方向に電流が流れる。そして、これらの電流により、図中矢印Aで示されるように、閉磁路を通る磁束が形成される。コイル素子L1aとコイル素子L2aは互いに並走しているので、コイル素子L1aに電流bが流れて生じる磁界がコイル素子L2aに結合して、コイル素子L2aに誘導電流dが逆方向に流れる。同様に、コイル素子L1bとコイル素子L2bは互いに並走しているので、コイル素子L1bに電流cが流れて生じる磁界がコイル素子L2bに結合して、コイル素子L2bに誘導電流eが逆方向に流れる。そして、これらの電流により、図中矢印Bで示されるように、閉磁路を通る磁束が形成される。コイル素子L1a,L1bによる第1インダクタンス素子L1に生じる磁束Aの閉磁路と、コイル素子L2a,L2bによる第2インダクタンス素子L2に生じる磁束Bの閉磁路とは独立しているので、第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2との間には等価的な磁気障壁MWが生じることになる。また、コイル素子L1aとコイル素子L2aとは電界によっても結合されている。同様に、コイル素子L1bとコイル素子L2bとは電界によっても結合されている。したがって、コイル素子L1aおよびコイル素子L1bに交流信号が流れるとき、コイル素子L2aおよびコイル素子L2bには電界結合による電流が励起される。図6B中のキャパシタCa,Cbは前記電界結合のための結合容量を表象的に表した記号である。第1インダクタンス素子L1に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により第2インダクタンス素子L2に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により第2インダクタンス素子L2に流れる電流の向きとは同じである。したがって、第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2とは磁界と電界の両方で強く結合することになる。すなわち、損失を抑え、高周波エネルギーを伝搬させることができる。インピーダンス変換デバイス15は、第1インダクタンス素子L1に交流電流が流れるとき、磁界を介した結合により第2インダクタンス素子L2に流れる電流の向きと、電界を介した結合により第2インダクタンス素子L2に流れる電流の向きとが同じになるよう構成された回路であると言うこともできる。こうした効果により、より結合が強く損失の少ないトランスとして機能するため、損失の少ないインピーダンス変換トランス、大きな相互インダクタンス値が得られる。また、L2a,L2bをグランド導体により近い位置に配置することで、前記キャパシタCpを得ることができる。従って、図6A、図6Bの構成でも第1の実施形態と同様でかつより損失の小さいインピーダンス変換および整合をさせることができる。図7Aは第2の実施形態のインピーダンス変換デバイス15の斜視図、図7Bはそれを下面側から見た斜視図である。また、図8はインピーダンス変換デバイス15を構成する積層体40の分解斜視図である。図8に示すように、各基材層は磁性体シートで構成され、各層に導体パターンが形成されている。図8に示した範囲で基材層51aに導体パターン73が形成され、基材層51bに導体パターン72,74が形成され、基材層51cに導体パターン71,75が形成されている。基材層51dに導体パターン63が形成され、基材層51eに導体パターン62,64が形成され、基材層51fに導体パターン61,65が形成されている。基材層51gに導体パターン66が形成され、基材層51hには給電端子41、グランド端子42、アンテナ端子43が形成されている。図8中の縦方向に延びる線はビア電極であり、導体パターン同士を層間で接続する。図8において、導体パターン63の右半分と導体パターン61,62によって第1コイル素子L1aを構成している。また、導体パターン63の左半分と導体パターン64,65によって第2コイル素子L1bを構成している。また、導体パターン73の右半分と導体パターン71,72によって第3コイル素子L2aを構成している。また、導体パターン73の左半分と導体パターン74,75によって第4コイル素子L2bを構成している。各コイル素子L1a,L1b,L2a,L2bの巻回軸は多層基板の積層方向に向いている。そして、第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bの巻回軸は異なる関係で並置されている。同様に、第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bは、それぞれの巻回軸が異なる関係で並置されている。そして、第1コイル素子L1aと第3コイル素子L2aのそれぞれの巻回範囲が平面視で少なくとも一部で重なり、第2コイル素子L1bと第4コイル素子L2bのそれぞれの巻回範囲が平面視で少なくとも一部で重なる。この例ではほぼ完全に重なる。このようにして8の字構造の導体パターンで4つコイル素子を構成している。なお、各層は誘電体シートで構成されていてもよい。但し、比透磁率の高い磁性体シートを用いれば、コイル素子間の結合係数をより高めることができる。図9は、図8に示した多層基板の各層に形成された導体パターンによるコイル素子を通る主な磁束を示している。磁束FP12は導体パターン61~63による第1コイル素子L1aおよび導体パターン63~65による第2コイル素子L1bを通る。また、磁束FP34は導体パターン71~73による第3コイル素子L2aおよび導体パターン73~75による第4コイル素子L2bを通る。図10は第2の実施形態に係るインピーダンス変換デバイス15の4つコイル素子L1a,L1b,L2a,L2bの磁気的結合の関係を示す図である。このように、第1コイル素子L1aおよび第2コイル素子L1bは、この第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bとによって第1の閉磁路磁束FP12で示すループが構成されるように巻回されていて、第3コイル素子L2aおよび第4コイル素子L2bは、第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bとによって第2の閉磁路磁束FP34で示すループが構成されるように巻回されている。このように、第1の閉磁路を通る磁束FP12と第2の閉磁路を通る磁束FP34とが互いに逆方向になるように4つコイル素子L1a,L1b,L2a,L2bが巻回されている。図10中の二点鎖線の直線はこの2つの磁束FP12とFP34とが互いに交わらないような磁気障壁を表している。このようにコイル素子L1aとL2aの間、およびL1bとL2bの間に磁気障壁が生じる。《第3の実施形態》図11は第3の実施形態に係るインピーダンス変換デバイスの構成を示す図である。図11に示した範囲で基材層51aに導体パターン73が形成され、基材層51bに導体パターン72,74が形成され、基材層51cに導体パターン71,75が形成されている。基材層51fに導体パターン63が形成され、基材層51eに導体パターン62,64が形成され、基材層51dに導体パターン61,65が形成されている。基材層51gの下面には給電端子41、グランド端子42、アンテナ端子43が形成されている。図11中の縦方向に延びる線はビア電極であり、導体パターン同士を層間で接続する。図11において、導体パターン63の右半分と導体パターン61,62によって第1コイル素子L1aを構成している。また、導体パターン63の左半分と導体パターン64,65によって第2コイル素子L1bを構成している。また、導体パターン73の右半分と導体パターン71,72によって第3コイル素子L2aを構成している。また、導体パターン73の左半分と導体パターン74,75によって第4コイル素子L2bを構成している。図12は第3の実施形態に係るインピーダンス変換デバイスの4つコイル素子L1a,L1b,L2a,L2bの磁気的結合の関係を示す図である。このように、第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bとによって第1の閉磁路磁束FP12で示すループが構成される。また、第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bとによって第2の閉磁路磁束FP34で示すループが構成される。第1の閉磁路を通る磁束FP12と第2の閉磁路を通る磁束FP34の向きは互いに逆方向である。ここで、第1コイル素子L1aおよび第2コイル素子L1bを1次側、第3コイル素子L2aおよび第4コイル素子L2bを2次側と表すと、図12に示すように、1次側のうちの2次側に近い方に給電回路がつながるので、1次側のうちの2次側近傍の電位を高くすることができ、コイル素子L1aとコイル素子L2aとの間での電界結合が高まり、この電界結合による電流が大きくなる。この第3の実施形態の構成によっても、コイル素子L1aとL1b、L2aとL2bのインダクタンス値はそれぞれの結合により小さくなるため、この第3の実施形態で示したインピーダンス変換デバイスも第2の実施形態のインピーダンス変換デバイスと同様の効果を奏する。《第4の実施形態》図13は第4の実施形態に係るインピーダンス変換デバイスの回路図である。このインピーダンス変換デバイスは、給電回路30とアンテナ素子11との間に接続された第2の直列回路27、アンテナ素子11とグランドとの間に接続された第1第3の直列回路26,28とで構成されている。第2の直列回路27は第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bとが直列に接続された回路である。第1の直列回路26は第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bとが直列に接続された回路である。第3の直列回路28はもう一つの第3コイル素子L2cともう一つの第4コイル素子L2dとが直列に接続された回路である。図13において、囲みM34はコイル素子L1aとL1bとの結合、囲みM12はコイル素子L2aとL2bとの結合、囲みM56はコイル素子L2cとL2dとの結合をそれぞれ表している。また、囲みM135はコイル素子L1aとL2aとL2cとの結合を表している。同様に、囲みM246はコイル素子L1bとL2bとL2dとの結合を表している。図14は第4の実施形態に係るインピーダンス変換デバイスを多層基板に構成した場合の各層の導体パターンの例を示す図である。各層は磁性体シートで構成され、各層に導体パターンが形成されている。図14に示した範囲で基材層51aに導体パターン82が形成され、基材層51bに導体パターン81,83が形成され、基材層51cに導体パターン72が形成されている。基材層51dに導体パターン71,73が形成され、基材層51eに導体パターン61,63が形成され、基材層51fに導体パターン62が形成されている。基材層51gの上面にはグランド導体69が形成されている。基材層51gの下面には給電端子41、グランド端子42、アンテナ端子43がそれぞれ形成されている。図14中の縦方向に延びる破線はビア電極であり、導体パターン同士を層間で接続する。図14において、導体パターン62の右半分と導体パターン61とによって第4コイル素子L2bを構成している。また、導体パターン62の左半分と導体パターン63とによって第3コイル素子L2aを構成している。また、導体パターン71と導体パターン72の右半分とによって第2コイル素子L1bを構成している。また、導体パターン72の左半分と導体パターン73とによって第1コイル素子L1aを構成している。また、導体パターン81と導体パターン82の右半分とによってもう一つの第4コイル素子L2dを構成している。また、導体パターン82の左半分と導体パターン83とによってもう一つの第3コイル素子L2cを構成している。導体パターン62とグランド導体69との間に、図13に示したキャパシタCpが生じる。図14において破線の楕円形は閉磁路を表している。閉磁路CM12はコイル素子L2aとL2bとに鎖交する。また、閉磁路CM34はコイル素子L1aとL1bとに鎖交する。さらに、閉磁路CM56はコイル素子L2cとL2dとに鎖交する。このように、第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bとによって第1の閉磁路CM12が構成され、第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bとによって第2の閉磁路CM34が構成され、第3コイル素子L2cと第4コイル素子L2dとによって第3の閉磁路CM56が構成される。図14において二点鎖線の平面は、前記三つの閉磁路の間にコイル素子L1aとL2a、L1aとL2c、L1bとL2b、L1bとL2dが各々逆向きに磁束が発生するように結合しているために等価的に生じる二つの磁気障壁MWである。換言すると、この二つの磁気障壁MWでコイル素子L1a,L1bによる閉磁路の磁束、コイル素子L2a,L2bによる閉磁路の磁束、およびコイル素子L2c,L2dによる閉磁路の磁束をそれぞれ閉じ込める。このように、第2の閉磁路CM34が第1の閉磁路CM12および第3の閉磁路CM56で層方向に挟み込まれた構造とする。この構造により、第2の閉磁路CM34は二つの磁気障壁で挟まれて充分に閉じ込められる閉じ込められる効果が高まる。すなわち、結合係数の非常に大きなトランスとして作用させることができる。そのため、前記閉磁路CM12とCM34との間、およびCM34とCM56との間をある程度広くすることができる。このことにより、図13に示した第1の直列回路26と第2の直列回路27との間、第2の直列回路27と第3の直列回路28との間のそれぞれに生じるキャパシタンスを小さくできる。すなわち、自己共振点の周波数を定めるLC共振回路のキャパシタンス成分が小さくなる。また、第4の実施形態によれば、コイル素子L2a,L2bによる第1の直列回路26と、コイル素子L2c,L2dによる第3の直列回路28とが並列接続された構造であるので、自己共振点の周波数を定めるLC共振回路のインダクタンス成分が小さくなる。このようにして、自己共振点の周波数を定めるLC共振回路のキャパシタンス成分もインダクタンス成分も小さくなって、自己共振点の周波数を使用周波数帯域から充分に離れた高い周波数に定めることができる。また、この第4の実施形態においては、第1インダクタンス素子L1a,L1bを第2のインダクタンス素子L2a,L2b,L2c,L2dで挟み込むように配置することによって、第1インダクタンス素子L1a,L1bとグランドとの間に生じる浮遊容量が抑制される。このような放射に寄与しない容量成分が抑制されることによって、アンテナの放射効率を高めることができる。また、第1インダクタンス素子L1a,L1bと第2インダクタンス素子L2a,L2b,L2c,L2dとがより密結合し、つまり、漏れ磁界が少なくなり、第1インダクタンス素子L1a,L1bと第2インダクタンス素子L2a,L2b,L2c,L2dとの間の高周波信号のエネルギー伝達ロスが少なくなる。なお、第1インダクタンス素子を構成するコイル素子L1a,L1bと第2インダクタンス素子を構成するコイル素子L2a,L2bとは平面視で大半が重なっている。そのため、コイル素子L2a,L2bは、コイル素子L1a,L1bとグランド導体69との間に容量が生じるのを抑制する。このことにより、第1インダクタンス素子L1a,L1bによる第1回路のインピーダンスの実部の周波数特性を一定にしたまま、第2インダクタンス素子L2a,L2b,L2c,L2dおよびキャパシタCpによる第2回路のインピーダンスの実部の周波数特性を効果的に変化させることができる。《第5の実施形態》図15は第5の実施形態のアンテナ装置の回路図である。ここで用いられているインピーダンス変換デバイス35は、第1インダクタンス素子L1と二つの第2インダクタンス素子L21,L22を備えたものである。第1インダクタンス素子L1は第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bとで構成されている。第2インダクタンス素子L21は第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bとで構成されている。また、もう一つの第2インダクタンス素子L22は第3コイル素子L2cと第4コイル素子L2dとで構成されている。図13に示した回路と異なり、この第5の実施形態では、第2インダクタンス素子L21,L22に対して並列接続されるキャパシタCpを個別の素子として備えている。図16は前記インピーダンス変換デバイス35を構成する積層体40の分解斜視図である。各層は磁性体シートで構成され、各層に導体パターンが形成されている。図16に示した範囲で基材層51iに導体パターン81,83が形成され、基材層51jに導体パターン82が形成され、基材層51aに導体パターン74が形成されている。基材層51bには導体パターン72が形成され、基材層51cに導体パターン71,73が形成されている。基材層51dに導体パターン61,63が形成され、基材層51eに導体パターン62が形成され、基材層51fに導体パターン68が形成されている。基材層51gの上面にはグランド導体69が形成されていて、下面に給電端子41、グランド端子42、アンテナ端子43がそれぞれ形成されている。図16中の縦方向に延びる破線はビア電極であり、導体パターン同士を層間で接続する。図16において、導体パターン72の右半分と導体パターン71とによって第1コイル素子L1aを構成している。また、導体パターン72の左半分と導体パターン73とによって第2コイル素子L1bを構成している。また、導体パターン81と導体パターン82の右半分とによって第3コイル素子L2aを構成している。また、導体パターン82の左半分と導体パターン83とによって第4コイル素子L2bを構成している。また、導体パターン61と導体パターン62の右半分とによってもう一つの第3コイル素子L2cを構成している。また、導体パターン62の左半分と導体パターン63とによってもう一つの第4コイル素子L2dを構成している。導体パターン68とグランド導体69との対向によって、図15に示したキャパシタCpが形成されている。《第6の実施形態》図17は第6の実施形態のアンテナ装置が備えるインピーダンス変換デバイスを構成する積層体40の分解斜視図である。各層は磁性体シートで構成され、各層に導体パターンが形成されている。図17に示した範囲で基材層51iに導体パターン81,83が形成され、基材層51jに導体パターン82が形成され、基材層51aに導体パターン74,75が形成されている。基材層51bには導体パターン72が形成され、基材層51cに導体パターン71,73が形成されている。基材層51dに導体パターン61,63が形成され、基材層51eに導体パターン62が形成され、基材層51hにグランド導体70が形成されている。基材層51fの上面にはグランド導体69が形成されていて、下面に給電端子41、グランド端子42、アンテナ端子43がそれぞれ形成されている。図17中の縦方向に延びる破線はビア電極であり、導体パターン同士を層間で接続する。図17において、導体パターン72の右半分と導体パターン71とによって第1コイル素子L1aを構成している。また、導体パターン72の左半分と導体パターン73とによって第2コイル素子L1bを構成している。また、導体パターン81と導体パターン82の右半分とによって第3コイル素子L2aを構成している。また、導体パターン82の左半分と導体パターン83とによって第4コイル素子L2bを構成している。また、導体パターン61と導体パターン62の右半分とによってもう一つの第3コイル素子L2cを構成している。また、導体パターン62の左半分と導体パターン63とによってもう一つの第4コイル素子L2dを構成している。グランド導体69と導体パターン62とは互いに対向していて、両者間に容量が生じている。また、グランド導体70と導体パターン81,83とは互いに対向していて、両者間に容量が生じている。この第6の実施形態に係るインピーダンス変換デバイスを備えたアンテナ装置の回路図は図15に示したものと同じである。前記グランド導体69と導体パターン62との間に生じる容量、およびグランド導体70と導体パターン81,83との間に生じる容量が図15に示したキャパシタCpに相当する。なお、この第6の実施形態のように、複数層に形成された各種導体パターンの上下をグランド導体69,70で挟んだ構造により、積層体全体を薄くしても外部の導体や回路との不要結合が抑制されるので安定した特性が得られる、そのため薄型化できる。また、積層体の上層にグランド導体70を備えることにより、積層体の上面に表面実装部品を搭載してもインピーダンス変換特性に影響を与えない。そのため、積層体に各種チップ部品を搭載してモジュール部品を構成することができる。《第7の実施形態》図18は第7の実施形態のアンテナ装置が備えるインピーダンス変換デバイスを構成する積層体の分解平面図である。各層は磁性体シートで構成され、各層に導体パターンが形成されている。図18において基材層1は最上層の磁性体シート、基材層11は最下層の磁性体シートである。基材層1~10については各磁性体シートの下面に形成されている導体パターンを示している。最下層の基材層11については積層体に形成された後に形成された外部電極のパターンを示している。図18において、基材層1にグランド導体70、基材層10にグランド導体69がそれぞれ形成されている。基材層2には導体パターン82、基材層3には導体パターン81a,83a、基材層4には導体パターン81b,83b、基材層5には導体パターン71,73、基材層6には導体パターン72、基材層7には導体パターン61b,63b、基材層8には導体パターン61a,63a、基材層9には導体パターン62がそれぞれ形成されている。また、積層体の下面には給電端子41、アンテナ端子43およびグランド端子42a~42dが形成されている。第1インダクタンス素子を構成する第1コイル素子および第2コイル素子の導体パターン71,72,73の線幅は、第2インダクタンス素子を構成する第3コイル素子および第4コイル素子導体パターン61a,61b,62,63a,63b,81a,81b,82,83a,83bの線幅より細いかまたは同等である。また、第3コイル素子および第4コイル素子を構成する各導体パターンは、平面視で第1コイル素子および第2コイル素子の導体パターンにそれぞれ重なっている。この構造により、第1インダクタンス素子とグランド導体との間の浮遊容量を抑制できる。図18に示したインピーダンス整合回路の等価回路は図15に示したものと同じである。図18において、導体パターン72の右半分と導体パターン71とによって第1コイル素子L1aを構成している。また、導体パターン72の左半分と導体パターン73とによって第2コイル素子L1bを構成している。また、導体パターン81a,81bと導体パターン82の右半分とによって第3コイル素子L2aを構成している。また、導体パターン82の左半分と導体パターン83a,83bとによって第4コイル素子L2bを構成している。また、導体パターン61a,61bと導体パターン62の右半分とによってもう一つの第3コイル素子L2cを構成している。また、導体パターン62の左半分と導体パターン63a,63bとによってもう一つの第4コイル素子L2dを構成している。グランド導体69と導体パターン62とは互いに対向していて、両者間に容量が生じている。また、グランド導体70と導体パターン82とは互いに対向していて、両者間に容量が生じている。この第7の実施形態に係るインピーダンス変換デバイスを備えたアンテナ装置の回路図は図15に示したものと同じである。前記グランド導体69と導体パターン62との間に生じる容量、およびグランド導体70と導体パターン82との間に生じる容量が図15に示したキャパシタCpに相当する。前記各種導体パターンには、銀や銅などの導電性材料を主成分として形成することができる。各基材層には、誘電体であればガラスセラミック材料、エポキシ系樹脂材料などを用いることができ、磁性体であればフェライトセラミック材料やフェライトを含有する樹脂材料などを用いることができる。基材層用の材料としては、特に、UHF帯用のインピーダンス変換デバイスを形成する場合は誘電体材料を用いることが好ましく、HF帯用のインピーダンス変換デバイスを形成する場合は磁性体材料を用いることが好ましい。《第8の実施形態》図19Aは第8の実施形態に係るインピーダンス変換デバイス25Cおよびそれを備えたアンテナ装置108Aの回路図、図19Bは第8の実施形態に係るインピーダンス変換デバイス15Cおよびそれを備えたアンテナ装置108Bの回路図、図19Cは第8の実施形態に係るインピーダンス変換デバイス35Cおよびそれを備えたアンテナ装置108Cの回路図である。図19Aに示すアンテナ装置108Aは、アンテナ素子11と、このアンテナ素子11に接続されたインピーダンス変換デバイス25Cとを備えている。アンテナ素子11の給電端にインピーダンス変換デバイス25Cが接続されている。インピーダンス変換デバイス25Cは厳密に言うと、インピーダンス変換デバイス25Cのうち第1インダクタンス素子L1はアンテナ素子11と給電回路30との間に挿入されている。インピーダンス変換デバイス25Cは、給電回路30に接続された第1インダクタンス素子L1と、第1インダクタンス素子L1に結合した第2インダクタンス素子L2とを備えている。第1インダクタンス素子L1の第1端は給電回路30に、第2端はアンテナ素子11にそれぞれ接続されていて、第2インダクタンス素子L2の第1端はアンテナ素子11に、第2端はグランドにそれぞれ接続されている。アンテナ装置108Aでは、第2インダクタンス素子L2の途中と接地との間にキャパシタCpが設けられている。図19Bに示すアンテナ装置108Bは、アンテナ素子11と、このアンテナ素子11に接続されたインピーダンス変換デバイス15Cとを備えている。このインピーダンス変換デバイス15Cは、前記インピーダンス変換デバイス25Cにおける第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2をそれぞれ2つのインダクタンス素子に分割し、それぞれの相互インダクタンスが図19Bの関係となるように、それぞれのインダクタンス素子を配置したものである。図19Cに示すアンテナ装置108Cは、アンテナ素子11と、このアンテナ素子11に接続されたインピーダンス変換デバイス35Cとを備えている。このインピーダンス変換デバイス35Cは、第1インダクタンス素子L1と二つの第2インダクタンス素子L21,L22を備えたものである。第1インダクタンス素子L1は第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bとで構成されている。第2インダクタンス素子L21は第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bとで構成されている。また、もう一つの第2インダクタンス素子L22は第3コイル素子L2cと第4コイル素子L2dとで構成されている。第8の実施形態のインピーダンス変換デバイス25C,15C,35Cに共通の構成は、第2インダクタンス素子の途中と接地との間にキャパシタCpを設けたことである。このように、キャパシタCpは第2インダクタンス素子の途中と接地との間に接続してもよい。図20は図19Cに示したインピーダンス変換デバイス35Cを多層基板に構成した場合の各層の導体パターンの例を示す図である。各層は磁性体シートで構成され、各層に導体パターンが形成されている。図20に示した範囲で基材層51aに導体パターン82が形成され、基材層51bに導体パターン81,83が形成され、基材層51cに導体パターン72が形成されている。基材層51dに導体パターン71,73が形成され、基材層51eに導体パターン61,63が形成され、基材層51fに導体パターン62が形成されている。基材層51gの上面には導体パターン68が形成されている。基材層51hの上面にはグランド導体69が形成されている。基材層51hの下面には給電端子41、グランド端子42、アンテナ端子43がそれぞれ形成されている。図20中の縦方向に延びる破線はビア電極であり、導体パターン同士を層間で接続する。図20において、導体パターン62の右半分と導体パターン61とによって第4コイル素子L2bを構成している。また、導体パターン62の左半分と導体パターン63とによって第3コイル素子L2aを構成している。また、導体パターン71と導体パターン72の右半分とによって第2コイル素子L1bを構成している。また、導体パターン72の左半分と導体パターン73とによって第1コイル素子L1aを構成している。また、導体パターン81と導体パターン82の右半分とによってもう一つの第4コイル素子L2dを構成している。また、導体パターン82の左半分と導体パターン83とによってもう一つの第3コイル素子L2cを構成している。導体パターン68とグランド導体69との間に、図19Cに示したキャパシタCpが生じる。その他の構成は図14に示したインピーダンス変換デバイスと同じである。図21は、図19Cに示したP2点から高周波回路側を見た入力インピーダンスのシミュレーション例である。破線は前記キャパシタCpのない場合の特性を示している。実線は前記キャパシタCpを設けた場合の特性を示している。使用周波数範囲で周波数の上昇に伴って、インピーダンス軌跡は図中の矢印方向右回りに推移する。キャパシタCpを第2インダクタンス素子に対して並列に接続した場合は図3に示したように、周波数上昇にともなって、インピーダンスは誘導性領域スミスチャートの上半分から容量性領域スミスチャートの下半分へ推移するが、この第8の実施形態では、誘導性領域内でインピーダンス軌跡が回ることにより、高周波域のインピーダンスの設計自由度が増し、高周波域での実部または虚部のインピーダンスの設計が容易になる。したがって、ハイバンドでのアンテナの放射抵抗とインピーダンス整合し易くなる。図22は図19CのP2点から見たインピーダンス変換デバイス35Cのインピーダンスの実部抵抗分の周波数特性を示す図である。図22中、Aはアンテナの放射抵抗、B1は、前記キャパシタCpがある場合のP2点から高周波回路側を見たインピーダンス変換デバイス35Cのインピーダンスの実部、B2は前記キャパシタCpが無い場合のP2点から高周波回路側を見たインピーダンス変換デバイスのインピーダンスの実部である。Cpがある場合、図4に示した例と比較すると、周波数上昇に伴うインピーダンスの上昇傾向が大きくなりすぎず、ローバンド700MHz帯とハイバンド2GHz帯の両方について、P2点から高周波回路側を見たインピーダンスの実部Rcの周波数特性をアンテナの放射抵抗Rrの周波数特性と同等にすることができる。すなわち広い周波数帯域で高周波回路と整合させることができることが分かる。このようにインピーダンス軌跡が回る理由は、図19Cに示した第3コイル素子L2cとキャパシタCpとで共振回路が構成され、この共振により高インピーダンスとなるが、L2a及びL2bでの並列回路があるので、一定のインピーダンスまでしか上がらず、この共振周波数から離れた周波数では、第4コイル素子L2dとキャパシタCpとによる経路が有効になってインピーダンス変換比が周波数に応じて定まることによるものと推測される。なお、図20に示した例では導体パターン62の中央とグランド導体との間にキャパシタCpを設けたが、さらに導体パターン82の中央とグランド導体との間にキャパシタCpを設けてもよい。《第9の実施形態》第9の実施形態では、既に示したインピーダンス変換デバイス35Cを備えた通信端末装置の例を示す。図23Aは第9の実施形態の第1例である通信端末装置、図23Bは第2例である通信端末装置のそれぞれの構成図である。これらは、例えば携帯電話移動体端末向けの1セグメント部分受信サービス通称:ワンセグの高周波信号の受信用470~770MHzの端末である。図23Aに示す通信端末装置1は、蓋体部である第1筺体10と本体部である第2筺体20とを備え、第1筺体10は第2筺体20に対して折りたたみ式あるいはスライド式で連結されている。第1筺体10にはグランド板としても機能する第1放射素子11が設けられ、第2筺体20にはグランド板としても機能する第2放射素子21が設けられている。第1および第2放射素子11,21は金属箔などの薄膜あるいは導電性ペーストなどの厚膜からなる導電体膜で形成されている。この第1および第2放射素子11,21は給電回路30から差動給電することでダイポールアンテナとほぼ同等の性能を得ている。給電回路30はRF回路やベースバンド回路のような信号処理回路を有している。なお、インピーダンス変換デバイス35Cのインダクタンス値は、二つの放射素子11,21を結ぶ接続線33のインダクタンス値よりも小さいことが好ましい。周波数特性に関する接続線33のインダクタンス値の影響を小さくすることができるからである。図23Bに示す通信端末装置2は第1放射素子11をアンテナ単体として設けたものである。第1放射素子11はチップアンテナ、板金アンテナ、コイルアンテナなど各種アンテナ素子を用いることができる。また、このアンテナ素子としては、例えば、筺体10の内周面や外周面に沿って設けられた線状導体を利用してもよい。第2放射素子21は第2筺体20のグランド板としても機能するものであり、第1放射素子11と同様に各種のアンテナを用いてもよい。ちなみに、通信端末装置2は折りたたみ式やスライド式ではないストレート構造の端末である。なお、第2放射素子21は、必ずしも放射体として十分に機能するものでなくてもよく、第1放射素子11がいわゆるモノポールアンテナのように振る舞うものであってもよい。給電回路30は一端が第2放射素子21に接続され、他端がインピーダンス変換デバイス35Cを介して第1放射素子11に接続されている。また、第1および第2放射素子11,21は接続線33によって互いに接続されている。この接続線33は第1および第2筺体10,20のそれぞれに搭載されている電子部品図示省略の接続線として機能するもので、高周波信号に対してはインダクタンス素子として振る舞うがアンテナの性能に直接的に作用するものではない。インピーダンス変換デバイス35Cは、給電回路30と第1放射素子11との間に設けられ、第1および第2放射素子11,21から送信される高周波信号、あるいは、第1および第2放射素子11,21にて受信する高周波信号の周波数特性を安定化させる。それゆえ、第1放射素子11や第2放射素子21の形状、第1筺体10や第2筺体20の形状、近接部品の配置状況などに影響されることなく、高周波信号の周波数特性が安定化する。特に、折りたたみ式やスライド式の通信端末装置にあっては、蓋体部である第1筺体10の本体部である第2筺体20に対する開閉状態に応じて、第1および第2放射素子11,21のインピーダンスが変化しやすいが、インピーダンス変換デバイス35Cを設けることによって高周波信号の周波数特性を安定化させることができる。すなわち、アンテナの設計に関して重要事項である中心周波数の設定通過帯域幅の設定インピーダンスマッチングの設定などの周波数特性の調整機能をこのインピーダンス変換デバイス35Cが担うことが可能になり、アンテナ素子そのものは、主に指向性や利得を考慮するだけでよいため、アンテナの設計が容易になる。《他の実施形態》以上に示した幾つかの実施形態では、第1インダクタンス素子および第2インダクタンス素子の両方が一つのコイル素子で構成される例と、第1インダクタンス素子および第2インダクタンス素子の両方が二つのコイル素子で構成される例を示したが、第1インダクタンス素子または第2インダクタンス素子の一方が一つのコイル素子で構成され、他方が二つのコイル素子で構成されていてもよい。"