"石英管を加熱しながら、該石英管内に希土類元素含有物質、アルミニウム含有物質及びゲルマニウム含有物質を供給し、石英管内に希土類元素、アルミニウム及びゲルマニウムがドープされたスートを堆積させるスート堆積工程と、前記スート堆積工程よりも後に前記石英管をコラップスするコラップス工程を備え、前記スート堆積工程時に、前記ゲルマニウム含有物質の供給濃度をスート堆積中にスート堆積開始時よりも増加させることを特徴とする希土類添加光ファイバの製造方法。請求項1に記載の希土類添加光ファイバの製造方法において、前記スート堆積工程時に、前記希土類含有物質及び前記アルミニウム含有物質の少なくとも一方の供給濃度をスート堆積中にスート堆積開始時よりも減少させることを特徴とする希土類添加光ファイバの製造方法。請求項1又は2に記載の希土類添加光ファイバの製造方法において、前記コラップス工程時に、前記石英管内に塩素ガスを供給することを特徴とする希土類添加光ファイバの製造方法。請求項1~3の何れか1項に記載の製造方法により製造される希土類添加光ファイバ。希土類元素、アルミニウム及びゲルマニウムがドープされたコアと、前記コアの外周囲に設けられたクラッドを備え、前記ゲルマニウムのドーピングプロファイルは、ゲルマニウムの濃度が前記コアとクラッドとの界面から立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコアの中心に向かって略一定となり、コア径の30~80位置からコアの中心に向かってさらに高くなり、コアの中心部で最大となっていることを特徴とする希土類添加光ファイバ。希土類元素、アルミニウム及びゲルマニウムがドープされたコアと、前記コアの外周囲に設けられたクラッドを備え、前記ゲルマニウムのドーピングプロファイルは、ゲルマニウムの濃度が前記コアとクラッドとの界面から立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコアの中心に向かって略一定となり、コア径の30~80位置からコアの中心に向かってさらに高くなり、コア径の10~50位置で最大となり、そこからコアの中心に向かって低減していることを特徴とする希土類添加光ファイバ。請求項5又は6に記載の希土類添加光ファイバにおいて、前記希土類元素は、イッテルビウムであり、前記コアに含有されているイッテルビウムに対するアルミニウムの重量比は、0.35以上であり、前記コアに含有されているゲルマニウムに対するアルミニウムの重量比は、0.15~5.0であることを特徴とする希土類添加光ファイバ。希土類添加光ファイバを用いたファイバレーザや光ファイバ増幅器では、通信、産業への応用の観点から高い光変換効率が求められる。従って、希土類添加光ファイバにおいては、伝送損失が低いことが求められる。特に、長い希土類添加光ファイバを用いたファイバレーザや光ファイバ増幅器において、希土類添加光ファイバの低損失化が強く求められている。また、伝送損失が大きいと、信号光の吸収による変換効率の劣化及び発熱が生じて希土類添加光ファイバ及びそれを含むシステムの信頼性の問題を生じる。つまり、希土類添加光ファイバの低損失化は必須の課題である。本発明の課題は、低損失の希土類添加光ファイバ及びその製造方法を提供することである。本願発明者は、コアに希土類元素及びAlがドープされた希土類添加光ファイバにおいて、コアにさらにGeをドープすることにより、レーリ散乱を抑制し、伝送損失を低減し得ることを見出した。ところが、Geはコアの屈折率を上昇させてしまうため、Geをコアにドープすると、屈折率差、ひいてはコア開口数NA:NumericalApertureも大きくなってしまう。そのため、例えば低NAの光ファイバを製造するためには、Geと同様にコアの屈折率を上昇させるAlのドープ量を低減せざるを得ない。しかしながら、Alのドープ量を低減すると、光ファイバのフォトダークニング耐性が悪化するという別の問題があるため、低減することのできるAlのドープ量が限られ、結果として、Geのドープ量が限られてしまう。本発明は、かかる事情を踏まえた上で、低損失化及び低フォトダークニングに適するようにGeのドーピングプロファイルを制御したものである。具体的に、第1の発明では、石英管を加熱しながら、該石英管内に希土類元素含有物質、アルミニウム含有物質及びゲルマニウム含有物質を供給し、石英管内に希土類元素、アルミニウムAl及びゲルマニウムGeがドープされたスートを堆積させるスート堆積工程と、前記スート堆積工程よりも後に前記石英管をコラップスするコラップス工程を備えた希土類添加光ファイバの製造方法を対象とし、前記スート堆積工程時に、前記ゲルマニウム含有物質の供給濃度をスート堆積中にスート堆積開始時よりも増加させることを特徴とする。この製造方法によると、Geのドープ濃度がコアとクラッドとの界面からコアの中心に向かって立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコアの中心に向かって略一定となり、そこからコアの中心に向かってさらに高くなり、コアの中心部厳密なコアの中心のみならず、コアの中心付近をも含む。以下、本明細書中において同様。で最大となるGeのドーピングプロファイルを有する光ファイバを製造し得る。こうしたGeのドーピングプロファイルでは、コアの中心部のGe濃度を高くしても、コア全体の実効的な屈折率は、Alに対し少ししか高くならない。従って、コア中心部のGe濃度を高くすることで、伝送損失が低く且つ、良好なフォトダークニング耐性を有する光ファイバを作製することができる。第2の発明では、第1の発明において、前記スート堆積工程時に、前記希土類添加含有物質及び前記アルミニウム含有物質の少なくとも一方の供給濃度をスート堆積中にスート堆積開始時よりも減少させることを特徴とする。こうすることで、コアのGeのドープ濃度が高くなっているコア中心部の屈折率を低減することができる。第3の発明では、第1又は2の発明において、前記コラップス工程時に、前記石英管内に塩素ガスを供給することを特徴とする。こうすることで、石英管内を脱水することができ、そのことにより光ファイバに含まれるOHヒドロキシル基を低減することができる。これにより、OH基による吸収損失を低減することができる。また、コア中心部のGe濃度を低減することもでき、そのことにより光ファイバのSBS閾値を高くすることができる。第4の発明では、第1~3の何れか1つの発明に係る製造方法により製造される希土類添加光ファイバを対象とする。この希土類添加光ファイバは、上述したようなGeのドーピングプロファイルを有するため、伝送損失が低く且つ、良好なフォトダークニング耐性を有する。第5の発明では、希土類添加光ファイバを対象とし、希土類元素、アルミニウム及びゲルマニウムがドープされたコアと、前記コアの外周囲に設けられたクラッドを備え、前記ゲルマニウムのドーピングプロファイルは、ゲルマニウムの濃度が前記コアとクラッドとの界面から立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコアの中心に向かって略一定となり、コア径の30~80位置からコアの中心に向かってさらに高くなり、コアの中心部で最大となっていることを特徴とする。第6の発明では、希土類添加光ファイバを対象とし、希土類元素、アルミニウム及びゲルマニウムがドープされたコアと、前記コアの外周囲に設けられたクラッドを備え、前記ゲルマニウムのドーピングプロファイルは、ゲルマニウムの濃度が前記コアとクラッドとの界面から立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコアの中心に向かって略一定となり、コア径の30~80位置からコアの中心に向かってさらに高くなり、コア径の10~50位置で最大となり、そこからコアの中心に向かって低減していることを特徴とする。第5及び第6の発明のようなGeのドーピングプロファイルとすることで、低伝送損失の希土類添加光ファイバを実現することができる。第7の発明では、請求項5又は6に記載の希土類添加光ファイバにおいて、前記希土類元素は、イッテルビウムであり、前記コアに含有されているイッテルビウムに対するアルミニウムの重量比は、0.35以上であり、前記コアに含有されているゲルマニウムに対するアルミニウムの重量比は、0.15~5.0であることを特徴とする。こうすることで、良好なフォトダークニング耐性を有するイッテルビウム添加光ファイバを製造することができる。低損失の希土類添加光ファイバ及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎない。光ファイバの構成図1は、本発明の実施形態に係る光ファイバ200の斜視図である。この光ファイバ200は、いわゆる希土類添加光ファイバであり、例えばファイバレーザや光通信信号の増幅器に用いられる。光ファイバ200は、コア210と、該コア210の外周囲に設けられたクラッド220とを有する。コア210及びクラッド220は、石英から成る。コア210には、希土類元素Er、Yb、Ndネオジウム、Tmツリウム等、Al、及びGeがドープされている。コア210にドープされた希土類元素及びAlのドーピングプロファイルは、希土類元素又はAlのドープ濃度がコア210とクラッド220との界面からコア210の中心に向かって急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となっている図8,9,11参照。これに対し、Geのドーピングプロファイルは、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220との界面からコア210の中心に向かって急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコア210の中心に向かって略一定となり、そこからコア210の中心に向かってさらに高くなり、コア210の中心部で最大となっている図8,9,11参照。即ち、Geのドーピングプロファイルは、希土類元素及びAlのドーピングプロファイルとは異なり、コア210においてGeのドープ濃度が2段階で高くなっている。気相MCVDModifiedChemicalVaporDeposition装置次に、光ファイバ200を製造するための気相MCVD装置Uについて説明する。本実施形態に係る気相MCVD装置Uは、図2に示すように、装置本体10、SiCl4四塩化ケイ素供給源20、GeCl4四塩化ゲルマニウム供給源30、希土類元素含有物質供給源40、AlCl3塩化アルミニウム供給源60、ガス供給源70、廃ガス処理部80、及び装置制御部90を備える。装置本体10は、一対の管支持部11が間隔をおいて立設されており、それらの基端部を連結するようにバーナーガイド12が設けられている。一対の管支持部11の一方には、石英管Pの一端を軸回転可能に密閉して保持するロータリージョイント13が設けられていると共に、そのロータリージョイント13に、石英管P内に突出するようにハステロイノズル14が設けられている。一対の管支持部11の他方には、石英管Pの他端を軸回転可能に密閉して保持すると共に石英管P内の圧力を制御する管内圧制御部15が設けられている。これらにより、一対の管支持部11は、ロータリージョイント13と管内圧制御部15との間で石英管Pを水平支持するように構成されている。ハステロイノズル14は、図3に示すように、軸中心部に設けられた円柱状のヒータ141と、該ヒータ141と同心状に、各々、間隔をおいて内側筒部142及び外側筒部143が設けられている。そして、ヒータ141と内側筒部142との間には、第1ガス流路144が設けられている。この第1ガス流路144は、ハステロイノズル14端面の小径環状の第1ガス供給口146に連通している。また、内側筒部142と外側筒部143との間には、第2ガス流路145が設けられている。この第2ガス流路145は、ハステロイノズル14端面の大径環状の第2ガス供給口147に連通している。ロータリージョイント13には複数の配管接続部不図示が設けられ、これら複数の配管接続部のそれぞれは、第1ガス供給口146及び第2ガス供給口147の少なくとも一方に連通している。尚、ハステロイノズル14は、上記構成に限らず、単一のガス供給口が設けられ、ロータリージョイント13の複数の配管接続部が全てその単一のガス供給口に連通した構成であってもよい。バーナーガイド12には、一対の管支持部11で水平支持された石英管Pの下方に位置して、石英管Pの長さ方向に沿って往復移動可能に酸水素バーナー16が設けられている。酸水素バーナー16は、石英管Pを下方から酸水素炎で加熱するように構成されている。石英管Pの上側には、酸水素バーナー16と同期して石英管Pの長さ方向に沿って往復移動可能にパイロメータ17が設けられている。パイロメータ17は、酸水素バーナー16で加熱されている石英管Pの温度を検知する機能を有する。SiCl4供給源20は、例えば、SiCl4を蒸気の形態で供給するSiCl4ベーキング機或いはSiCl4バブリング機で構成されている。SiCl4供給源20には、一端がロータリージョイント13の配管接続部に接続され、長さ方向に沿って電気ヒータが設けられたSiCl4供給配管21の他端が接続されている。尚、SiCl4の堆積による閉塞を防止するためには、SiCl4供給源20のSiCl4供給配管21との接続部に加熱手段が設けられていることが好ましい。GeCl4供給源30は、例えば、ゲルマニウム含有物質としてのGeCl4を蒸気の形態で供給するGeCl4バブリング機で構成されている。GeCl4供給源30には、一端がロータリージョイント13の配管接続部に接続され、長さ方向に沿って電気ヒータが設けられたGeCl4供給配管31の他端が接続されている。尚、GeCl4の堆積による閉塞を防止するためには、GeCl4供給源30のGeCl4供給配管31との接続部に加熱手段が設けられていることが好ましい。希土類元素含有物質供給源40は、例えば、希土類元素含有物質を蒸気の形態で供給する希土類元素含有物質ベーキング機で構成されている。希土類元素含有物質供給源40には、一端がロータリージョイント13の配管接続部に接続され、長さ方向に沿って電気ヒータが設けられた希土類元素含有物質供給配管41の他端が接続されている。尚、希土類元素含有物質の堆積による閉塞を防止するために、希土類元素含有物質供給源40の希土類元素含有物質供給配管41との接続部に加熱手段が設けられていることが好ましい。希土類元素含有物質としては、例えば、希土類元素のDPMDipivaloymethanate等のアルキル基を有するβ-ジケトン金属錯体例えば、ErDPM3、YbDPM3、NdDPM3、CP錯体例えば、YbCP3、又は、塩化物例えば、ErCl3、YbCl3等が挙げられる。AlCl3供給源60は、例えば、アルミニウム含有物質としてのAlCl3を蒸気の形態で供給するAlCl3ベーキング機で構成されている。AlCl3供給源60には、一端がロータリージョイント13の配管接続部に接続され、長さ方向に沿って電気ヒータ62線状のヒータが設けられたAlCl3供給配管61の他端が接続されている。尚、AlCl3の堆積による閉塞を防止する観点からは、AlCl3供給源60のAlCl3供給配管61との接続部に加熱手段が設けられていることが好ましい。ガス供給源70は、O2酸素ガス、Cl2塩素ガス、Heヘリウムガス、N2窒素ガス、SF6六フッ化硫黄ガス、SiF4四フッ化ケイ素ガス、BF3三フッ化ホウ素ガス等の供給源となっている。ガス供給源70には、一端がロータリージョイント13の配管接続部に接続され、長さ方向に沿って電気ヒータが設けられたガス供給管71の他端が接続されている。また、ガス供給源70には、一端がSiCl4供給源20に接続され、長さ方向に沿って電気ヒータが設けられた図示しないO2ガス供給管の他端が接続されている。さらに、ガス供給源70には、それぞれ一端がGeCl4供給源30又は希土類元素含有物質供給源40又はAlCl3供給源60に接続され、長さ方向に沿って電気ヒータが設けられた複数のキャリアガス供給管不図示の他端が接続されている。廃棄ガス処理部80には、一端が管内圧制御部15に設けられた廃棄ガス排出部不図示に接続された廃棄ガス排出配管81の他端が接続されている。装置制御部90には、装置本体10のロータリージョイント13、ハステロイノズル14、管内圧制御部15、酸水素バーナー16、及びパイロメータ17、並びに各配管に設けられた電気ヒータが接続されている不図示。電気ヒータは、各配管の外周に接触するように設けられていてもよく、また、管内部に埋設されていてもよく、さらに、管内周に接触するように設けられていてもよい。一例として、AlCl3供給配管61の外周に接触するように設けられた電気ヒータ62を図4に示す。各配管の電気ヒータは、図4aに示すように、長さ方向に沿って縦添え状に設けられていてもよく、図4bに示すように、長さ方向に沿って螺旋状に設けられていてもよい。管内の温度を均一化させる観点からは、後者の構成が好ましい。尚、本実施形態では、SiCl4供給源20、GeCl4供給源30、希土類元素含有物質供給源40、及びAlCl3供給源60は、それぞれ専用配管を介してロータリージョイント13に各ガスを供給する構成であるが、特にこれに限定されるものではなく、それらのうちの複数から延びる配管を統合した1本の配管を介してロータリージョイント13に混合ガスを供給する構成であってもよい。光ファイバの製造方法次に、本実施形態に係る気相MCVD装置Uを用いた光ファイバ200の製造方法について図5を参照しながら説明する。-準備工程-まず、一方の管支持部11のロータリージョイント13に、石英管Pの一端を密封するように保持させると共に、他方の管支持部11の管内圧制御部15に、石英管Pの他端を密閉するように保持させる。これにより、石英管Pは、ロータリージョイント13と管内圧制御部15との間で軸回転可能に水平支持される。ここで、石英管Pは、例えば、長さが500~600mm、外径が28~36mm、及び肉厚が1.5~5.0mmである。尚、光ファイバ200へのOH基の混入を抑制するために、石英管Pとして無水石英を採用することが好ましい。ここでいう無水石英とは、OH基の含有量が赤外線分光器による測定限界である1ppm以下であるものをいう。-クリーニング工程-次に、各配管及びハステロイノズルの温度をスート堆積温度付近まで上げて、石英管P内の圧力を管内制御部15により制御すると共に、石英管P内にO2ガス及びキャリアガスHeガスを供給する。これにより、気相MVCD装置Uの配管がクリーニングされる。ここで、石英管P内へのキャリアガスの供給配管としては、少なくともAlCl3供給配管61を使用する。但し、石英管P内へのキャリアガスの供給配管としては、逆流を防ぐ観点から、GeCl4供給配管31、希土類元素含有物質供給配管41、AlCl3供給配管61、及びその他のガス供給配管の全てを使用することが好ましい。キャリアガスの供給配管の配管温度は、例えば150~250°Cである。このときのキャリアガスの流量は、例えば0.01~10L/minである。キャリアガスは、ハステロイノズル14の第1及び第2ガス供給口146、147のいずれから供給してもよい。ハステロイノズル14のヒータ141の温度は、例えば250~350°Cである。石英管P内の差圧力は例えば-100~100Paである。尚、クリーニング時間は、AlCl3供給配管61の腐食を防止するために、短時間にすることが好ましく、例えば1~10時間にすることが好ましい。また、このクリーニング工程は省略してもよい。その場合には、各配管の腐食防止の観点から、各配管の昇温時間を極力短くすることが好ましい。-エッチング工程-続いて、石英管Pのエッチングを行う。そして、図5aに示すように、ロータリージョイント13により水平支持した石英管Pを軸回転させ、石英管P内にエッチングガスを供給すると共に、石英管P内の圧力を管内圧制御部15により制御し、さらに、石英管Pに沿って酸水素バーナー16を往復移動させながら石英管Pを酸水素炎で加熱する。これにより、石英管Pの管内壁がエッチングされる。尚、エッチング処理の前に酸水素バーナー16で石英管Pを空焼きしてもよい。ここで、石英管Pの回転数は、例えば10~50rpmである。また、エッチングガスとしては、例えば、SF6、He、及びO2を含む混合ガスが挙げられ、この場合の流量は、例えば、SF6が0.01~0.2L/min、Heが0.1~0.5L/min、及びO2が0.5~3L/minである。石英管P内へのキャリアガスの供給配管としては、逆流を防ぐ観点から、GeCl4供給配管31、希土類元素含有物質供給配管41、AlCl3供給配管61、及びその他のガス供給配管の全てを使用することが好ましい。エッチングガスを供給する配管の温度は、例えば150~250°Cである。エッチングガスは、ハステロイノズル14の第1及び第2ガス供給口146、147のいずれから供給してもよい。酸水素バーナー16の送り速度は、例えば100~200mm/minであり、戻り速度は、例えば2000~4000mm/minである。石英管Pの温度は、例えば1800~2300°Cである。石英管P内の圧力は、例えば-100~100Paである。エッチング処理時間は、酸水素バーナー16の往復ターン数に換算して例えば1~5ターンである。-スート堆積工程-そうして、エッチングガスの供給を停止した後、図5bに示すように、石英管P内に、SiCl4供給源20からSiCl4供給配管21を介してSiCl4及びO2ガスを、希土類元素含有物質供給源40から希土類元素含有物質供給配管41を介して希土類元素含有物質及びキャリアガスを、AlCl3供給源60からAlCl3供給配管61を介してAlCl3及びキャリアガスを、GeCl4供給源30からGeCl4供給配管31を介してGeCl4及びキャリアガスをそれぞれ供給すると共に、石英管Pを軸回転させつつ酸水素バーナー16の炎を軸方向に走査させることにより外部から加熱する。これにより、石英管P内に、希土類元素、Al、GeがドープされたSiO2ガラス微粒子から成るスートSが堆積する。そうして、スートSは、酸水素炎の熱により加熱されて透明のガラス層になる。ここで、SiCl4の供給量は、例えば1~30000μmol/minであり、O2ガスの流量は、例えば0.4~3L/minである。SiCl4供給源20の温度は、SiCl4が気化する温度以上である必要があるが、例えば50~100°Cである。SiCl4供給配管21の配管温度は、例えば150~250°Cである。希土類元素含有物質の供給量は、例えば0.01~400μmol/minであり、そのキャリアガスHeガスの流量は、例えば50~500mL/minである。希土類元素含有物質供給源40の温度、つまり、希土類元素含有物質ガスを発生させるベーキング温度は、希土類元素含有物質が気化する温度以上である必要があるが、例えば150~230°Cである。希土類元素含有物質供給配管41の配管温度は、150~300°Cが好ましく、200~250°Cがより好ましい。尚、希土類元素含有物質は、比較的高い温度で気化するが、例えばステンレス製の希土類元素含有物質供給配管41に対しては腐食性が低く、配管温度が高くても腐食の問題を生じない。AlCl3の供給量は、例えば1~4000μmol/minであり、そのキャリアガスHeガスの流量は、例えば50~500mL/minである。AlCl3供給源60の温度、つまり、AlCl3ガスを発生させるバブリング温度は、AlCl3が気化する温度以上である必要があるが、90~200°Cであることが好ましく、100~180°Cであることがより好ましい。AlCl3供給配管61の配管温度は、90~200°Cであることが好ましく、100~150°Cであることがより好ましい。GeCl4の供給量は、例えば0.1~3000μmol/minであり、そのキャリアガスHeガスの流量は、例えば5~500mL/minである。GeCl4供給源30の温度、つまりGeCl4ガスを発生させるバブリング温度は、GeCl4が気化する温度以上である必要があるが、15~40°Cであることが好ましく、20~30°Cであることがより好ましい。GeCl4供給配管31の配管温度は、50~250°Cであることが好ましく、100~200°Cであることがより好ましい。そして、本発明の特徴として、GeCl4の供給量をスート堆積中にスート堆積開始時の供給量以下、初期供給量ともいうよりも増加させる。これにより、Geの供給濃度がスート堆積中にスート堆積開始時の供給濃度以下、初期供給濃度ともいうよりも増加する。これにより、後述するコラップス工程、ロッドインチューブ工程、線引工程を経て作製される光ファイバ200のGeのドーピングプロファイルは、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220との界面からコア210の中心に向かって急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコア210の中心に向かって略一定となり、そこからコア210の中心に向かってさらに高くなり、コア210の中心部で最大となる。ここで、Geは、コア210の屈折率を増加させるため、Ge濃度が高いコア210の中心部の屈折率が高くなる。この高くなったコア210の中心部の屈折率を低減するために、同様にコア210の屈折率を増加させるAl及び/又は希土類元素のコア210の中心部の濃度を低減してもよい。具体的には、希土類元素含有物質及び/又はAlCl3の供給量をスート堆積中に初期供給量よりも減少させてもよい。但し、Alの濃度を低減すると、希土類元素のクラスタリングが起きやすくなり、フォトダークニング耐性が悪化する。そのため、希土類元素に対するAlの重量比=Al/希土類元素を所定以上にすることが好ましい。こうした希土類元素に対するAlの重量比の条件を満たすためには、ファイバ用途によってコア210の屈折率が限定されるのでコア210にドープすることができるGeの量が限定される。尚、コア210の屈折率を低減するために、Bホウ素やFフッ素をドープしてもよい。但し、別の問題が生じ得るため、好ましくはない。石英管P内に供給するガスとしては、BF3、BDPM3、B2、F2、SiF4、BCl3、BBr3ガス等が挙げられるが、堆積効率や扱い易さの観点からBF3ガスやBDPM3ガスが望ましい。また、POCl3オキシ塩化リンを石英管P内に供給してもよい。石英管Pの加熱温度は、特に限定されるものではなく、例えば、1800~2300°Cである。石英管P内の圧力は、大気圧との差圧が-100~100Paになるように制御することが好ましい。ハステロイノズル14のヒータ141の温度は、例えば250~350°Cである。堆積処理時間は、酸水素バーナー16の往復ターン数に換算して例えば3~30ターンである。スートSの層数は、使用する石英管Pや形成目的によって異なるが、1層であってもよく、また、複数層であってもよい。但し、比屈折率プロファイルや製造する光ファイバ200において適切なコア径のコア210を形成する観点からは、例えば10回程度連続して0.05~0.2mmの層を形成することが好ましい。-コラップス工程-続いて、気相MCVD装置Uの各部の温度を下げ、He、O2ガス以外のガスの供給を停止し、図5cに示すように、石英管Pを軸回転させつつ、石英管Pに沿って酸水素バーナー16を往復移動させることにより、石英管Pを酸水素炎で加熱して内部空間を縮小させて潰す。これにより、希土類元素、Al及びGeがドープされた中央のコア形成部と、該コア形成部を被覆するように外側に設けられたクラッド形成部とを有する円柱状のMCVD母材が得られる。ここで、上記He、O2ガスに加えて、Cl2ガスを供給してもよく、こうすることでMCVD母材を脱水し、光ファイバ200に含まれるOH基を低減することができる。また、このとき、Geが一部揮散し、MCVD母材のコア形成部、ひいては光ファイバ200のコア210の中心部におけるGe濃度が低減する。これにより、光ファイバ200のSBS閾値を大きくすることができるつまり、SBSを抑制することができる。各成分の流量は、例えば、Heガスが0.01~1L/min、O2ガスが0.01~5L/min、及びCl2ガスが0.005~0.5L/min程度であることが好ましい。また、Cl2ガスの供給は、内部空間の縮小に伴って減少させることが好ましい。石英管P内の圧力は、例えば-100~100Paである。石英管Pの加熱温度は、例えば1900~2300°Cである。酸水素バーナー16の送り速度は、例えば5~100mm/minであり、戻り速度は、例えば2000~4000mm/minである。コラップス処理時間は、酸水素バーナー16の往復ターン数に換算して例えば5~50ターンである。尚、気相MCVD装置Uの使用後は、AlCl3ガス供給配管61内の腐食を防止する観点から、配管温度を室温まで下げ、AlCl3ガス供給配管61をN2ガス等でパージすることが好ましい。-ロッドインチューブ工程-前記コラップス工程で得られたMCVD母材は、酸水素火炎による加熱によって混入するOH-イオンの濃度を低減すべく、ロッドインチューブ法により、石英管例えば無水合成石英管を被せてコラップスすることにより大径化し、それを延伸する。これにより、図6に示すような、希土類元素、Al及びGeがドープされた中央部のコア形成部110と、該コア形成部110を被覆するように外側に設けられたクラッド形成部120とを有する円柱状の光ファイバ母材100が得られる。この場合、旋盤でMCVD母材を石英管で被覆して一体化させればよい。コア径と被覆ガラス径の比率は、製造目的によって異なるが、例えば、光ファイバ母材100のクラッド径母材径/コア径コア形成部110の径=20~100となるようにクラッド形成部120の厚さが調整される石英管を用いることがある。尚、下記式を満たすことがシングルモード条件である。規格化周波数:V=2πr/λn12-n221/2<2.405ここで、rはコア半径、λは伝搬波長、n1はコア屈折率、n2はクラッド屈折率である。上記クラッド径/コア径の比は、伝搬波長λをカットオフ波長設計値例えば1.4μmとし、コア屈折率n1及びクラッド屈折率n2をプリフォームアナライザにより測定された光ファイバ母材100のコア形成部110及びクラッド形成部120の屈折率とし、上記シングルモード条件式から算出されるコア半径rの条件から導くことができる。光ファイバ母材100は、例えば、外径が20~50mmコア形成部10の径0.5~10mm、及び長さが100~600mmである。ダブルクラッドファイバを作製する場合には、光ファイバ母材100のクラッド径母材径/コア径コア形成部110の径=30~50となるようにロッドインチューブ工程を実施する場合がある。コア径を大きくする目的は、モードフィールド径MFD:modefielddiameterを大きくすることで非線形特性を抑え、高出力のファイバレーザを得るためであるが、コア径が10~30μmであっても、光ファイバの曲げによって高次モードを除去することでシングルモードが実現可能となる。また、ロッドインチューブ工程実施後の母材は、ポンプガイドポンピングガイド形状を加工するために研削及び研磨工程を行う場合がある。ポンプガイド形状は、励起光とコアの結合方式によって異なるが、一般的には八角形、D型等がある。尚、このロッドインチューブ工程は、省略してもよい。即ち、前記コラップス工程で得られたMCVD母材は、それをそのまま光ファイバ母材100としてもよく、また、外周を削って小径化したものを光ファイバ母材100としてもよい。-線引工程-続いて、図7に示すように、光ファイバ母材100を線引装置Bにセットし、加熱炉Hで加熱して線引きする。これにより、図1に示すような、希土類元素、Al及びGeがドープされたコア210と、該コア210を被覆するように外側に設けられ、ドーパントがドープされていないクラッド220とを有する光ファイバ200が製造される。ここで、線引温度炉温度は例えば2000~2200°Cである。線引速度は例えば5~300m/sである。製造される光ファイバ200は、例えば、コア径が3~40μm、及びクラッド径ファイバ径が125~400μmである。尚、光ファイバ200の線引きと同時にUV硬化型樹脂等で形成された被覆層を設けてもよい。光ファイバ200に被覆される樹脂の種類は、ファイバ用途によって異なるが、例えば、シングルクラッドファイバではガラスより高い屈折率を持つ樹脂、ダブルクラッドファイバではガラスより低い屈折率を持つ樹脂が被覆される。ダブルクラッドファイバの場合、低屈折率樹脂層は励起光を閉じ込める第2クラッドの役割をする。尚、ポンプガイドとして、いわゆるエアホール構造が採用される場合もある。実施形態の作用効果上記のようにして製造された光ファイバ200は、前述したように、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220との界面からコア210の中心に向かって立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコア210の中心に向かって略一定となり、そこからコア210の中心に向かってさらに高くなり、コア210の中心部で最大となるようなGeのドーピングプロファイルを有する。こうしたGeのドーピングプロファイルでは、コア210の中心部のGe濃度を高くしても、コア210全体の実効的な屈折率は、少ししか高くならない。従って、コア210の中心部のGe濃度が比較的高くなるようにゲルマニウム含有物質の供給濃度を調整することで、伝送損失が低く且つ、良好なフォトダークニング耐性を有する光ファイバ200を作製することができる。実施例1~3及び比較例1,2の光ファイバを作製し、伝送損失、フォトダークニング耐性の評価を行った。実施例1実施例1では、希土類元素としてYbを採用したYb添加光ファイバをMCVD装置Uにより作製した。そのため、希土類元素供給源40にYbDPM3を準備した。石英管Pとしては、無水石英を採用した。配管の腐食による不純物の混入を最小限にするために、電気ヒータを各配管の外周に接触するように且つ、長さ方向に沿って螺旋状に設けた。準備工程及びエッチング工程を経てスート堆積工程を実施した。以下、スート堆積工程における各種条件を説明する。石英管P内の圧力は、大気圧との差圧が-20Paとなるように制御された。各供給源の設定温度はそれぞれ、SiCl4供給源20が75°C、GeCl4供給源30が22°C、希土類元素含有物質供給源40が225°C、AlCl3供給源60が115°Cであった。各配管の設定温度はそれぞれ、SiCl4供給配管21が230°C、GeCl4供給配管31が230°C、希土類元素含有物質供給配管41が240°C、AlCl3供給配管61が115°Cであった。ハステロイドノズル14の設定温度は、300°Cであった。ハステロイドノズル14から石英管P内に供給される原料のうち、YbDPM3とAlCl3とを別々のガス供給口つまり、第1及び第2ガス供給口146,147から石英管P内に供給した。これにより、YbDPM3とAlCl3とがハステロイドノズル14内で反応することを防止した。スート堆積開始時の各ガス原料の流量供給量は、SiCl4が3000μmol/min、AlCl3が1900μmol/min、YbDPM3が24μmol/min、GeCl4が150μmol/min、O2が2L/min、AlCl3のキャリアガスHeガスが300mL/min、YbDPM3のキャリアガスHeガスが300mL/min、GeCl4のキャリアガスHeガスが20mL/minであった。そして、Geのドーピングプロファイルを制御すべく、GeCl4の供給量を、スート堆積中酸水素バーナー16の9ターン目に、300μmol/minに増加させた。このときのGeCl4のキャリアガスHeガスは40mL/minであった。堆積処理時間は、酸水素バーナー16の往復ターンに換算して10ターンであった。酸水素バーナー16の温度は、約1950°Cであった。スート堆積工程後、コラップス工程を実施した。以下、コラップス工程における各種条件を説明する。石英管P内の圧力は、スート堆積工程と同様に、大気圧との差圧が-20Paとなるように制御された。石英管P内には、Heガス及びO2ガスを流した。Heガスの流量は、0.01~0.6L/minであり、O2ガスの流量は、0.01~3L/minであった。コラップス工程で作製されたMCVD母材は、長さが500mmであり、外径が11.8mmであり、コア形成部の外径は、プリフォームアナライザで測定したところ2.1mmであった。MCVD母材のYb濃度は、質量濃度で7000~9000ppm程度、Al濃度は、質量濃度で4500~5500ppm程度、Ge濃度は、質量濃度で2000~2500ppm程度であった。MCVD母材のコア形成部の915nm帯域の吸収係数は、170~200dB/mであった。コラップス工程後、ロッドインチューブ工程を実施して光ファイバ母材100を作製した。光ファイバ母材100は、長さが600mm、コア形成部110の外径が1.5mm、クラッド形成部120の外径が18.7mmであった。ロッドインチューブ工程後、線引工程を実施して光ファイバ200を得た。線引温度は、2150°Cであった。線引工程を経て得られた光ファイバ200は、コア径が10±2μm、ファイバ径が125±5μm、コア開口数NA:NumericalApertureが0.085であった。また、Al濃度は、0.45wt重量百分率、Yb濃度は、0.81wt、Ge濃度は、0.23wtであった。Geに対するAlの重量比は、1.95であった。図8は、実施例1に係る光ファイバ200の特性プロファイルを示し、aは屈折率プロファイルを、bはドーピングプロファイルをそれぞれ示す。尚、図8aにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、縦軸は、コア210とクラッド220との屈折率差である。また、図8bにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、左縦軸は、Yb及びAlのドープ濃度wtであり、右縦軸は、Geのドープ濃度wtである。ドーピングプロファイルは、EPMAElectronProbeMassAnalyzerを用いて測定した。同図によると、屈折率プロファイルは、コア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となり、コア210の中心付近で若干高くなり、コア210の中心で最大となった、ほぼステップインデックス型となっている。また、Yb1点鎖線及びAl破線のドーピングプロファイルは、Yb又はAlのドープ濃度がコア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となった、ほぼステップインデックス型となっている。これに対し、Ge実線のドーピングプロファイルは、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置コア径の59位置からコア210の中心に向かって略一定となり、コア径の25の位置からコア210の中心に向かって急峻に立ち上がってさらに高くなり、コア210の中心で最大となっている。即ち、Geのドーピングプロファイルは、Yb及びAlのドーピングプロファイルとは異なり、Geのドープ濃度が2段階で高くなっている。ここで、2段目のGe濃度つまり、コア210の中心のGe濃度であって、最大Ge濃度は、1段目のGe濃度つまり、コア径の59位置のGe濃度の約2倍であった。尚、コア径は、屈折率プロファイルの横軸つまり、距離軸と屈折率プロファイルとの交点から求めた。そうして、コア210の中心をコア径0とし、コア210の中心からコア210の半径分だけ離れた位置をコア径100とした。この実施例1に係る光ファイバ200の波長1000~1380nm帯域における最小伝送損失は、約8dB/kmであった。また、フォトダークニング評価試験を行ったところ、670nm付近の損失増加分は約15dBであった図14参照。ここで、フォトダークニング評価試験では、フォトダークニング耐性を規格化するために、異なる吸収係数を有する光ファイバのファイバ長を変化させることで、光ファイバの総吸収係数Yb濃度を略一致させ、励起波長915nm、励起パワー500mWで24時間照射後の670nmのレーザ光の透過率を計測した。また、希土類ファイバの両端に融着する光ファイバとしては、1.3μm零分散光ファイバを採用した。実施例2実施例2に係る光ファイバ200は、スート堆積工程の各ガス原料の流量供給量を除いて、実施例1と同様にして作製した。そのため、詳しい説明は、上記実施例1に譲ることとし、実施例1と異なる点を中心に説明する。この実施例2では、コア210の中心部の屈折率を低減すべく、YbDPM3及びAlCl3の供給濃度を初期供給濃度よりも減少させた。具体的には、スート堆積開始時の各ガス原料の流量供給量は、SiCl4が3000μmol/min、AlCl3が1900μmol/min、YbDPM3が26μmol/min、GeCl4が375μmol/min、O2が2L/min、AlCl3のキャリアガスHeガスが300mL/min、YbDPM3のキャリアガスHeガスが300mL/min、GeCl4のキャリアガスHeガスが50mL/minであった。そして、コア210の中心部の屈折率を低減すべく、YbDPM3の供給量を、スート堆積中酸水素バーナー16の9ターン目に、22μmol/minに減少させ、AlCl3の供給量を酸水素バーナー16の9ターン目に、1800μmol/minに減少させた。また、Geのドーピングプロファイルを制御すべく、GeCl4の供給量を、スート堆積中酸水素バーナー16の9ターン目に、525μmol/minに増加させた。このときのGeCl4のキャリアガスHeガスが70mL/minであった。こうして作製された実施例2に係る光ファイバ200は、実施例1と同様に、コア径が10±2μm、ファイバ径が125±5μm、コアNAが0.085であった。また、Al濃度は、0.33wt、Yb濃度は、0.8wt、Ge濃度は、0.5wtであった。Geに対するAlの重量比は、0.66であった。図9は、実施例2に係る光ファイバ200の特性プロファイルを示し、aは屈折率プロファイルを、bはドーピングプロファイルをそれぞれ示す。尚、図9aにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、縦軸は、コア210とクラッド220との屈折率差である。また、図9bにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、左縦軸は、Yb及びAlのドープ濃度wtであり、右縦軸は、Geのドープ濃度wtである。同図によると、屈折率プロファイルは、コア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となり、コア210の中央部で若干低くなった、ほぼステップインデックス型となっている。また、Yb1点鎖線及びAl破線のドーピングプロファイルは、Yb又はAlのドープ濃度がコア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となり、コア210の中央部で若干低くなった、ほぼステップインデックス型となっている。これに対し、Ge実線のドーピングプロファイルは、実施例1と同様に、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置コア径の73の位置からコア210の中心に向かって略一定となり、コア径の27の位置からコア210の中心に向かって急峻に立ち上がってさらに高くなり、コア210の中心で最大となっている。ここで、2段目のGe濃度つまり、コア210の中心のGe濃度であって、最大Ge濃度は、1段目のGe濃度つまり、コア径の73位置のGe濃度の約1.4倍であった。図10は、実施例2に係る光ファイバにおける波長と伝送損失との関係を示すグラフである。尚、同図において、横軸は、波長nmであり、縦軸は、伝送損失dB/kmである。図10によると、実施例2に係る光ファイバ200の波長1000~1380nm帯域における最小伝送損失は、約6dB/kmであることがわかる。また、実施例1と同様にしてフォトダークニング評価試験を行ったところ、励起波長915nm、励起パワー500mWで24時間照射後の670nm付近の損失増加分は約6dBであった図14参照。実施例3実施例3に係る光ファイバ200は、コラップス工程においてCl2を石英管P内に流した点が実施例1,2と異なる。そのため、詳しい説明は、上記実施例1に譲ることとし、実施例1,2と異なる点を中心に説明する。スート堆積開始時の各ガス原料の流量供給量は、SiCl4が3000μmol/min、AlCl3が1900μmol/min、YbDPM3が26μmol/min、GeCl4が375μmol/min、O2が2L/min、AlCl3のキャリアガスHeガスが300mL/min、YbDPM3のキャリアガスHeガスが300mL/min、GeCl4のキャリアガスHeガスが50mL/minであった。そして、Geのドーピングプロファイルを制御すべく、スート堆積中酸水素バーナー16の9ターン目に、GeCl4の供給量を525μmol/minに増加し、GeCl4のキャリアガスHeガスを70mL/minとした。また、コア210の中心部のドーピングプロファイルを制御すべく、さらにはMCVD母材を脱水し、光ファイバ200に含まれるOH基を低減すべく、コラップス工程において、Cl2ガスを石英管P内に供給した。このとき、MCVD母材に含まれるYb、Al、Geが一部揮散し、MCVD母材のコア形成部、ひいては光ファイバ200のコア210の中心のYb、Al、Ge濃度が低減する。これにより、光ファイバ200のSBS閾値を高くすることができる。尚、Cl2ガスの流量は、7mL/minであった。こうして作製された実施例3に係る光ファイバ200は、実施例1,2と同様に、コア径が10±2μm、ファイバ径が125±5μm、コアNAが0.085であった。また、Al濃度は、0.35wt、Yb濃度は、0.8wt、Ge濃度は、0.48wtであった。Geに対するAlの重量比は、0.73であった。図11は、実施例3に係る光ファイバ200の特性プロファイルを示し、aは屈折率プロファイルを、bはドーピングプロファイルをそれぞれ示す。尚、図11aにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、縦軸は、コア210とクラッド220との屈折率差である。また、図11bにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、左縦軸は、Yb及びAlのドープ濃度wtであり、右縦軸は、Geのドープ濃度wtである。同図によると、屈折率プロファイルは、コア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となり、コア210の中央部で急峻に低減している。また、Yb1点鎖線及びAl破線のドーピングプロファイルは、実施例2と同様に、Yb又はAlのドープ濃度がコア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となり、コア210の中央部で若干低くなった、ほぼステップインデックス型になっている。これに対し、Ge実線のドーピングプロファイルは、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置コア径の59の位置からコア210の中心に向かって略一定となり、コア径の35位置からコア210の中心に向かってさらに急峻に立ち上がって高くなり、コア210の中心付近コア径の29の位置で最大となり、そこからコア210の中心に向かって急峻に低減している。ここで、2段目のGe濃度つまり、コア210の中心付近のGe濃度であって、最大Geドープ濃度は、1段目のGe濃度つまりコア径の59位置のGe濃度の1.4倍であった。図12は、実施例3に係る光ファイバにおける波長と伝送損失との関係を示すグラフである。尚、同図において、横軸は、波長nmであり、縦軸は、伝送損失dB/kmである。図12によると、実施例3に係る光ファイバ200の波長1000~1380nm帯域における最小伝送損失は、約5dB/kmであることがわかる。また、実施例1,2と同様にしてフォトダークニング評価試験を行ったところ、励起波長915nm、励起パワー500mWで24時間照射後の670nm付近の損失増加分は約7dBであった。比較例1比較のため、コア210にAl及びYbのみをドーピングした光ファイバ200を作製した。作製された光ファイバ200は、実施例1~3と同様に、コア径が10±2μm、ファイバ径が125±5μmであった。また、コアNAが0.08であった。そして、Al濃度は0.51wtであり、Yb濃度は0.8wtであった。図13は、比較例1に係る光ファイバ200の特性プロファイルを示し、aは屈折率プロファイルを、bはドーピングプロファイルをそれぞれ示す。なお、図13aにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、縦軸は、コア210とクラッド220との屈折率差である。また、図13bにおいて、横軸は、コア210の中心を0とした径方向の距離μmであり、縦軸は、Yb及びAlのドープ濃度wtである。同図によると、屈折率プロファイルは、コア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となった、ほぼステップインデックス型になっている。また、Yb及びAlのドーピングプロファイルは、Yb又はAlのドープ濃度がコア210とクラッド220の界面で急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置から中心に向かって略一定となった、ほぼステップインデックス型となっている。比較例1に係る光ファイバ200の波長1000~1380nm帯域における最小伝送損失は約21dB/kmであった。また、実施例1~3と同様にして、フォトダークニング評価試験を行った。その結果、励起波長915nm、励起パワー500mWで24時間照射後の670nm付近の損失増加分は約21dBであった図14参照。なお、コア径が40μm、ポンプガイドが600μm、ファイバ外径が1000μmのエアホール構造のダブルクラッドファイバを作製し、ファイバ長を15m、励起波長を915nm、入射NAを0.45として、レーザ発振特性を評価したところ、光-光変換効率は60であった。比較例2比較例2として、コア210にYb及びGeのみをドーピングした光ファイバ200を作製した。作製された光ファイバ200は、実施例1~3と同様に、コア径が10±2μm、ファイバ径が125±5μmであった。また、コアNAが0.08であった。そして、Yb濃度は、0.81wtであり、Ge濃度は、1.2wtであった。実施例1~3と同様にして、フォトダークニング評価試験を行った結果、励起波長915nm、励起パワー500mWで24時間照射後の670nm付近の損失増加分は約26dBであった図14参照。伝送損失の評価表1は、上記で説明した実施例1~3及び比較例1に係る光ファイバの特性をまとめたものである。表1に示すように、波長1000~1380nm帯域の最小伝送損失は、実施例1では8dB/km、実施例2では6dB/km、実施例3では5dB/km、比較例1では21dB/kmであり、実施例1~3に係る光ファイバは何れも、コア210にAl及びYbのみをドープした比較例1よりも低くなっている。しかも、実施例2,3では、伝送損失が限界値である5~6dB/kmとなることがわかる。フォトダークニング耐性の評価図14は、実施例1,2及び比較例1,2に対するフォトダークニング評価結果である。同図によると、全てのファイバは時間と共に損失が増大しており、Ybクラスタリングによってカラーセンターが生じ、損失が増大したと考えられる。表2は、実施例1~3及び比較例1,2に係る光ファイバのフォトダークニング特性をまとめたものである。表2に示すように、励起波長915nm、励起パワー500mWで24時間照射後の670nm付近の損失増加分は、実施例1では15dB、実施例2では6dB、実施例3では7dB、比較例1では21dBであり、Al及びYbが添加されたコア210にGeを添加することにより上記損失増加分が低減し、フォトダークニング耐性が向上することがわかる。また、実施例1と実施例2,3とを比較することで、コア210にAl、Yb、Geを添加した光ファイバの損失増加分は、Ge濃度に依存し、Ge濃度が高いほど低減することがわかる。しかしながら、比較例2の結果からわかるように、コア210にAlを添加せずにGe濃度を高くしても、逆に上記損失増加分が増加し、フォトダークニング耐性が悪化することがわかる。以上のことから、フォトダークニング耐性は、コア210に含まれるYbに対するAlの重量比=Al/Yb及びGeに対するAlの重量比=Al/Geに大きく依存することが推測される。そこで、コア210に含まれるAl/Yb及び、Al/Geを変化させてフォトダークニング耐性を評価したところ、良好なフォトダークニング耐性を有する光ファイバを得るためには、Al/Yb重量比は、0.35以上が好ましく、0.4~30がより好ましく、Al/Ge重量比は、0.15~5.0が好ましく、0.3~3.0がより好ましいことが判明した。レーザ特性の評価また、レーザ特性を評価するために、実施例のような2段階のGeドーピングプロファイルを有し、コア径が40μm、ポンプガイド径が600μm、ファイバ外径が1000μmのエアホール構造のダブルクラッドファイバを作製した。そして、ファイバ長を15m、励起波長を915nm、入射NAを0.45としてレーザ発振特性を評価したところ、連続発振でもフォトダークニングによる出力劣化は見られず、1000W出力での光光変換効率は65となり、比較例1の変換効率60よりも高くなった。Geのドーピングプロファイルの評価さらに、Geのドーピングプロファイルを評価した。Geのドーピングプロファイルとしては、以下に示す条件の場合に、伝送損失を効果的に低減することが確認された。即ち、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220との界面からコア210の中心に向かって急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコア210の中心に向かって略一定となり、コア径の30~80位置からコア210の中心に向かってさらに高くなって、コア210の中心部で最大となるか、或いは、Geのドープ濃度がコア210とクラッド220との界面からコア210の中心に向かって急峻に立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコア210の中心に向かって略一定となり、コア径の30~80位置からコア210の中心に向かってさらに高くなり、コア径の10~50位置で最大となり、そこからコア210の中心に向かって低減していることが好ましいことが判明した。また、1段目のGe濃度に対する2段目のGe濃度の比は、1.1倍~10倍が好ましく、1.2~8倍がより好ましいことが判明した。さらに、Geのドーピングプロファイルのコア210の中心部の窪みにおけるGe濃度は、最大Ge濃度の0~95が好ましく、10~60がより好ましいことが判明した。以上の評価により、本発明の有効性が実証された。"