基板上に複数の素子がマトリックス状にそれぞれ形成されたチップ領域と、当該隣り合うチップ領域間にあるストリートと、を備えるデバイスウェハにおいて、ウェハ処理工程で前記基板をエッチングすることにより形成され、前記ストリートの延在方向に沿って当該ストリートに配設される溝部を備え、前記溝部が、スクライバーの回転刃により前記デバイスウェハに対して押圧されて形成される亀裂に、前記デバイスウェハの平面視で連続又は重畳することを特徴とするデバイスウェハ。前記請求項1に記載のデバイスウェハにおいて、前記溝部が、前記複数のストリートが交差する部分で、当該各ストリートの延在方向に沿って互いに交差する十字形状の十字溝部を備えることを特徴とするデバイスウェハ。前記請求項2に記載のデバイスウェハにおいて、前記溝部が、前記隣り合う十字溝部間に前記ストリートの延在方向に沿って延在する直線形状の直線溝部を備えることを特徴とするデバイスウェハ。前記請求項1乃至3のいずれかに記載のデバイスウェハにおいて、前記デバイスウェハの平面視における前記溝部の平面形状は、前記溝部の端部のうち前記回転刃の進行方向側が、当該回転刃の進行方向に向かう先細り形状であることを特徴とするデバイスウェハ。前記請求項1乃至4のいずれかに記載のデバイスウェハにおいて、前記ストリートの延在方向に対して垂直方向の前記デバイスウェハの断面視における前記溝部の断面形状が、前記デバイスウェハの深さ方向に向かう先細り形状であることを特徴とするデバイスウェハ。基板上に複数の素子がマトリックス状にそれぞれ形成されたチップ領域と当該隣り合うチップ領域間にあるストリートとを備えるデバイスウェハを個々のチップに分割するデバイスウェハの切断方法において、前記基板上に前記素子を形成すると共に、前記ストリートの延在方向に沿って当該ストリートに溝部を形成するウェハ処理工程と、前記デバイスウェハに対してスクライバーの回転刃を圧接状態で転動し、前記デバイスウェハの平面視で前記溝部に連続又は重畳する亀裂を形成するスクライブ工程と、前記亀裂からなるスクライブラインに沿って前記デバイスウェハを分断して個々のチップに分割するブレイク工程と、を含むことを特徴とするデバイスウェハの切断方法。請求項6に記載のデバイスウェハの切断方法において、前記ウェハ処理工程と前記スクライブ工程との間に、前記デバイスウェハにおける前記素子が形成された表面に保護テープを貼着するテープ貼付工程を含み、前記スクライブ工程が、前記デバイスウェハの表面に対向する裏面に前記亀裂を形成することを特徴とするデバイスウェハの切断方法。従来の半導体レーザの製造方法においては、溝とスクライブマークとが一方向劈開方向、劈開線に沿って形成されているが、この方向と直交する方向共振器方向に沿って溝とスクライブマークとが形成されていない。このため、従来の半導体レーザの製造方法においては、バーに溝又はスクライブマークがないため、バーを精度よくチップに分割することができず、チップの角部にチッピングが生じる恐れがある。なお、従来の半導体レーザの製造方法において、溝は、GaNウェハの劈開の際に、劈開の進行方向に集中する応力を緩和して所望の方向に劈開させるためのものであり、GaNウェハをエッチングすることなく、GaNウェハ上の薄膜をエッチングして形成するために、単独でGaNウェハの劈開を可能にする深さではない。また、従来の結晶ウェハの分割方法は、グリッドラインの交点及びその近傍以外にウェハ分割用溝を形成しておらず、ダイシングテープの下面側からウェハ分割治具を押圧するのみでは、結晶ウェハから精度よくチップを分割することができず、チップのエッジ部にチッピングが生じる恐れがある。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、デバイスウェハから個々のチップを精度よく分割することができるデバイスウェハ及びデバイスウェハの切断方法を提供することを目的とする。本発明に係るデバイスウェハにおいては、ウェハ処理工程で基板をエッチングすることにより形成され、ストリートの延在方向に沿って当該ストリートに配設される溝部を備え、溝部が、スクライバーの回転刃によりデバイスウェハに対して押圧されて形成される亀裂に、デバイスウェハの平面視で連続又は重畳するものである。開示のデバイスウェハは、ストリートに配設される溝部が、スクライバーの回転刃により形成される亀裂の進展を補助して、デバイスウェハから個々のチップを精度よく分割することができるという効果を奏する。本発明の第1の実施形態デバイスウェハ100は、図1及び図2又は図4及び図5に示すように、ウェハ製造工程を経て作製されたシリコンSiや窒化ガリウムGaN等の半導体ウェハ以下、基板1と称す上に、ウェハ処理工程により、複数の素子がマトリクス状にそれぞれ形成されたチップ領域2と、当該隣り合うチップ領域2間にあるストリート3と、を備える。また、デバイスウェハ100は、ウェハ処理工程で基板1をエッチングすることにより形成され、ストリート3の延在方向に沿って当該ストリート3に配設される溝部10を備える。この溝部10は、図8b又は図9bに示すスクライバーの回転刃ディスク状のカッターホイール200によりデバイスウェハ100に対して押圧されて形成される亀裂20に、デバイスウェハ100の平面視で連続又は重畳することになる。なお、図2、図3及び図5においては、基板1の厚みと、溝部10の長さ、幅及び深さと、亀裂20の長さ、幅及び深さと、ウェハ処理工程で成膜される薄膜酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化膜、保護膜等の膜厚との寸法差が顕著であるため、薄膜の図示を省略し、基板1、溝部10及び亀裂20の縮尺を変更して図示している。ここで、溝部10が亀裂20にデバイスウェハ100の平面視で連続するとは、図3a又は図3bに示すように、デバイスウェハ100における素子が形成された表面101側をスクライビングして表面101に亀裂20を入れた場合に、溝部10と亀裂20とが一体となることである。また、溝部10が亀裂20にデバイスウェハ100の平面視で連続するとは、図3c又は図3dに示すように、デバイスウェハ100の表面101に対向する裏面102側をスクライビングして裏面102に亀裂20を入れた場合に、基板1を介して溝部10と亀裂20とが重畳することである。なお、図3cにおいては、溝部10の端部のうち回転刃200の進行方向側の端部以下、一端部10aと称すと、亀裂20の始点20aと、が基板1を介して一致する場合を図示しているが、基板1を介して溝部10と亀裂20とが重畳するのであれば、溝部10の一端部10aと亀裂20の始点20aとが一致する必要はない。同様に、図3dにおいては、溝部10の端部のうち回転刃200の反進行方向側の端部以下、他端部10bと称すと、亀裂20の終点20bと、が基板1を介して一致する場合を図示しているが、基板1を介して溝部10と亀裂20とが重畳するのであれば、溝部10の他端部10bと亀裂20の終点20bとが一致する必要はない。また、溝部10が亀裂20にデバイスウェハ100の平面視で重畳するとは、図6aに示すように、デバイスウェハ100の表面101に亀裂20を入れた場合に、溝部10内に亀裂20が入ることであり、図6cに示すように、溝部10外に亀裂20が入る場合を含まない。また、溝部10が亀裂20にデバイスウェハ100の平面視で重畳するとは、図6bに示すように、デバイスウェハ100の裏面102に亀裂20を入れた場合に、基板1を介して溝部10と亀裂20とが重畳することであり、図6dに示すように、基板1を介して溝部10と亀裂20とが重畳しない場合を含まない。本実施形態に係るデバイスウェハ100は、溝部10が亀裂20にデバイスウェハ100の平面視で連続又は重畳することにより、スクライブ工程で形成する亀裂20による垂直クラックが溝部10に連結し、不連続又は非重畳である場合と比較して、ブレイク工程で垂直クラックの進展を容易にするという作用効果を奏する。なお、スクライバーの回転刃200の周縁部201は、チップ領域2に形成される素子の構造基板1の厚みに依存し、ブレイク工程において、デバイスウェハ100を個々のチップに分割することができる、亀裂20の長さ、幅及び深さになるような刃先が選択される。例えば、回転刃200の周縁部201は、基板1の厚みが約150μmである場合に、亀裂20の長さが約40μm~50μmとなり、亀裂20の幅が約10μmとなり、亀裂20の深さが約5μmとなる、回転刃200の周縁部201に沿って所定間隔で周設されるV字形状、U字形状、鋸形状又は矩形形状等の突起を形成してなる刃先が選択される。また、溝部10は、亀裂20に対応して、長さが亀裂20の長さ以上に設定され、幅が亀裂20の幅以上に設定され、深さが亀裂20の深さ以上に設定される。なお、本実施形態においては、スクライバーの回転刃200が、複数の突起を周縁部201に有し、溝部10が、回転刃200の打点衝撃によりデバイスウェハ100上に形成される亀裂20にデバイスウェハ100の平面視で連続するように、ストリート3の延在方向に沿って当該ストリート3に複数配設される図1参照。例えば、溝部10は、亀裂20が約40μmの長さ、約10μmの幅及び約5μmの深さである場合に、長さが約120μmに設定され、幅が約30μmに設定され、深さが50μmに設定される。しかしながら、溝部10は、スクライビング工程後からブレイク工程前までのデバイスウェハ100の搬送中に、個々のチップバーに分割されない強度をデバイスウェハ100に保持させる溝の深さであるならば、一のストリート3の一端から他端にかけて連続する一の溝であってもよい図4参照。特に、本実施形態に係る溝部10は、図1bに示すように、複数のストリート3が交差する部分以下、交差領域3aと称すで当該各ストリート3の延在方向に沿って互いに交差する十字形状の十字溝部11と、隣り合う十字溝部11間以下、直線領域3bと称すにストリート3の延在方向に沿って延在する直線形状の直線溝部12と、を備える。このように、デバイスウェハ100は、ストリート3の交差領域3aに十字溝部11を配設することにより、スクライブ工程で形成する亀裂20による垂直クラックが、ブレイク工程で十字溝部11ストリート3の延在方向に進展し、ストリート3の交差領域3aでチップ領域2に進展することがなく、チップの角部におけるチッピングの発生を防止することができるという作用効果を奏する。また、デバイスウェハ100は、ストリート3の直線領域3bに直線溝部12を配設することにより、スクライブ工程で形成する亀裂20による垂直クラックが、ブレイク工程で直線溝部12ストリート3の延在方向に進展し、ストリート3の直線領域3bでチップ領域2に進展することがなく、チップのエッジ部におけるチッピングの発生を防止することができるという作用効果を奏する。なお、デバイスウェハ100の平面視における溝部10の平面形状は、図1bに示すように、溝部10の端部のうち回転刃200の進行方向側一端部10aが、当該回転刃200の進行方向に向かう先細り形状であり、特に、デバイスウェハ100の平面視におけるストリート3の延在方向に沿う溝部10の中心線上に、溝部10の長さ方向の先端が位置する先細り形状であることが好ましい。このように、デバイスウェハ100は、溝部10の平面形状が溝部10の一端部10aで先細り形状であることにより、ストリート3の中心線上に回転刃200を誘導することができ、ストリート3の中心線上に入れられた亀裂20による垂直クラックをストリート3の延在方向に精度よく進展させることができるという作用効果を奏する。なお、ブレイク工程においては、溝部10の一端部10aから垂直クラックを進展させるのであるが、溝部10の他端部10bは垂直クラックの進展にあまり寄与しない。このため、本実施形態においては、溝部10の一端部10aのみを先細り形状としているが、少なくとも溝部10の一端部10aのみを先細り形状とすれば、溝部10の一端部10a及び他端部10bの両端部を先細り形状にしてもよい。また、本実施形態においては、図2eに示すように、スクライバーの回転刃200の往復運動により、互いに平行の隣り合うストリート3において、回転刃200の進行方向が逆転するために、溝部10の平面形状は、図1bに示すように、互いに平行の隣り合うストリート3において、相反する方向に先細り形状としている。しかしながら、溝部10の平面形状を、互いに平行の隣り合うストリート3において、相反する方向に先細り形状にすることは、スクライバーの回転刃200の進行方向と溝部10の他端部10bに対する一端部10aの方向とを合致させる必要がある。このため、溝部10の平面形状は、回転刃200の進行方向及び反進行方向に対応することができるように、溝部10の一端部10a及び他端部10bの両端を先細り形状にすることが好ましい。また、ストリート3の延在方向に対して垂直方向の断面視における溝部10の断面形状は、図2b及び図2cに示すように、デバイスウェハ100の深さ方向に向かう先細り形状であり、特に、デバイスウェハ100の平面視におけるストリート3の延在方向に沿う溝部10の中心線の直下に、溝部10の深さ方向の先端が位置する先細り形状であることが好ましい。このように、デバイスウェハ100は、溝部10の断面形状が先細り形状であることにより、スクライブ工程で形成する亀裂20による垂直クラックを、ブレイク工程でデバイスウェハ100の深さ方向に精度よく進展させることができるという作用効果を奏する。なお、1本のストリート3に延在する溝部10の個数及び形状は、基板1の寸法ウェハ径、厚みや回転刃200の周縁部201の形状によって、適宜設定するものであるが、チッピングが生じ易いチップの角部を保護するために、少なくともストリート3の交差領域3aに十字溝部11を配設することが好ましい。つぎに、本実施形態に係る溝部10の製造方法について、図7を用いて説明する。なお、以下の説明では、基板1上に成膜した酸化シリコン膜4及び窒化シリコン膜5をエッチングする際に溝部10も同時に形成する場合について説明するが、溝部10は、ウェハ処理工程におけるエッチングにより形成するのであれば、この工程に限られるものではない。まず、熱酸化法等により、基板1上に酸化シリコン膜4を成膜し、CVDchemicalvapordeposition法等により、酸化シリコン膜4上に窒化シリコン膜5を堆積し、スピン塗布法等により、窒化シリコン膜5上にフォトレジスト膜6を塗布する図7a。なお、酸化シリコン膜4は、窒化シリコン膜5と基板1との界面に生じるストレスを緩和し、このストレスに起因して基板1の表面に転位などの欠陥が発生するのを防止する。また、窒化シリコン膜5は、ストリート3における基板1をエッチングして溝部10を形成する際に、基板1の表面が酸化されることを防止するマスクとして使用する。そして、リソグラフィ工程により、ストリート3の交差領域3a及び直線領域3bにおける所望の位置に開口を有するフォトレジストパターン7を、窒化シリコン膜5の上に形成する図7b。その後、このフォトレジストパターン7をマスクにしたドライエッチングで、ストリート3の窒化シリコン膜5とその下部の酸化シリコン膜4とを選択的にエッチングすることにより、ストリート3の交差領域3a及び直線領域3bにおける所望の位置に開口部8を形成する図7c。そして、アッシング等により、窒化シリコン膜5上からフォトレジストパターン7を除去し図7d、窒化シリコン膜5をマスクとして、ドライエッチングにより、基板1に溝部10を形成する図7e。このように、デバイスウェハ100は、溝部10がウェハ処理工程で基板1をエッチングすることにより形成されることで、溝部10を形成する特別な工程を追加することなく、デバイスウェハ100の製造工程数及び製造コストの増加を抑制することができるという作用効果を奏する。つぎに、デバイスウェハ100を個々のチップに分割する切断方法について、図8及び図9を用いて説明する。なお、基板1上に素子を形成すると共に、ストリート3の延在方向に沿って当該ストリート3に複数の溝部10を形成する工程ウェハ処理工程については、前述した溝部10の製造方法を除き、通常のウェハ処理工程であるので、説明を省略する。まず、デバイスウェハ100の表面101をスクライビングする場合について、図8を用いて説明する。ウェハ処理工程後に、図示しないウェハマウンタは、ウェハフレーム300とデバイスウェハ100との位置合わせを行ない、デバイスウェハ100の裏面102に粘着性樹脂テープである保護テープ400を貼着し、デバイスウェハ100をウェハフレーム300に固定するテープ貼付工程、図8a。そして、図示しないスクライバーは、デバイスウェハ100の表面101に対して回転刃200を圧接状態で溝部10に対応させて転動し図8b、デバイスウェハ100の平面視で溝部10に連続又は重畳する亀裂20からなるスクライブラインを、デバイスウェハ100の表面101に形成するスクライブ工程、図3a、図3b又は図6a。そして、図示しないブレイク装置は、ストリート3に延在する溝部10及び亀裂20スクライブラインに沿って、デバイスウェハ100の裏面102側にブレード500を配置し、ブレード500によりスクライブラインの直下に応力を加える図8c。そして、ブレイク装置は、デバイスウェハ100の表面101及び裏面102側に垂直クラックを進展させ、デバイスウェハ100をバー状にする図8d。同様に、ブレイク装置は、ストリート3に延在する溝部10及び亀裂20スクライブラインに沿って、バー状のデバイスウェハ100の裏面102側にブレード500を配置し、ブレード500によりスクライブラインの直下に応力を加える図8c。そして、ブレイク装置は、バー状のデバイスウェハ100の表面101及び裏面102側に垂直クラックを進展させ、バー状のデバイスウェハ100を個々のチップに分割するブレイク工程。つぎに、デバイスウェハ100の裏面102をスクライビングする場合について説明する。ウェハ処理工程後に、図示しないウェハマウンタは、ウェハフレーム300とデバイスウェハ100との位置合わせを行ない、デバイスウェハ100の表面101に保護テープ400を貼着し、デバイスウェハ100をウェハフレーム300に固定するテープ貼付工程、図9a。そして、図示しないスクライバーは、基板1の材料である半導体に透明な赤外線レーザを用いてデバイスウェハ100の裏面102側からレーザ光を走査し、デバイスウェハ100の表面101上のチップ領域2及びストリート3を認識して、デバイスウェハ100の裏面102に対する回転刃200のアライメントを行なう。また、スクライバーは、デバイスウェハ100の裏面102に対して回転刃200を圧接状態で溝部10に対応させて転動し図9b、デバイスウェハ100の平面視で溝部10に連続又は重畳する亀裂20からなるスクライブラインを、デバイスウェハ100の裏面102に形成するスクライブ工程、図3c、図3d又は図6b。そして、図示しないブレイク装置は、溝部10及び亀裂20スクライブラインに沿って、デバイスウェハ100の表面101側にブレード500を配置し、ブレード500によりスクライブラインの直下に応力を加える図9c。そして、ブレイク装置は、デバイスウェハ100の裏面102及び表面101側に垂直クラックを進展させ、デバイスウェハ100をバー状にする図9d。同様に、ブレイク装置は、溝部10及び亀裂20スクライブラインに沿って、バー状のデバイスウェハ100の表面101側にブレード500を配置し、ブレード500によりスクライブラインの直下に応力を加える図9c。そして、ブレイク装置は、バー状のデバイスウェハ100の裏面102及び表面101側に垂直クラックを進展させ、バー状のデバイスウェハ100を個々のチップに分割するブレイク工程。このように、デバイスウェハ100の裏面102をスクライビングする場合においては、デバイスウェハ100の表面101に形成した溝部10が、デバイスウェハ100の裏面102に形成された亀裂20から進展した垂直クラックに連結し、デバイスウェハ100から個々のチップに分割するための補助をなすという作用効果を奏する。また、デバイスウェハ100の裏面102をスクライビングする場合においては、デバイスウェハ100の表面101に貼着した保護テープ400が、チップ領域2の素子に加わる外力に対する緩衝材になると共に、スクライブ工程で発生する基板1の欠けや薄膜の剥離などによるパーティクルの素子への付着を防止して、チップ領域2の素子を保護することができるという作用効果を奏する。