平行光ビームとワークとを相対的に移動させ、前記平行光ビームにより前記ワークにパターンを露光するパターン露光装置において、前記平行光ビームを主走査方向に走査させる主走査手段と、前記ワークを副走査方向に走査させるステージと、前記平行光ビームを出射するための、活性層に沿う方向が前記主走査方向に対して垂直であるマルチモードの半導体レーザとを備え、前記ワークの任意の露光箇所を前記平行光ビームで露光することを特徴とするパターン露光装置。前記平行光ビームは複数のマルチモードの半導体レーザから出射された互いに平行な複数の平行光ビームであり、前記ワークの任意の露光箇所を互いに異なる前記平行光ビームで複数回露光することを特徴とする請求項1に記載のパターン露光装置。前記主走査手段がポリゴンミラーであることを特徴とする請求項1に記載のパターン露光装置。前記平行光ビームのビーム径を前記主走査方向に縮小するビーム径縮小手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載のパターン露光装置。前記ビーム径縮小手段がアナモルフィックプリズムペアであることを特徴とする請求項4に記載のパターン露光装置。前記ビーム径縮小手段がシリンドリカルレンズタイプのビームエキスパンダーであることを特徴とする請求項4に記載のパターン露光装置。プリント基板の場合、ソルダーレジストを露光する工程があるが、ソルダーレジストの感度は一般に低く、露光のスループットが低かった。そこで、本発明は、平行光ビームとワークとを相対的に移動させ、前記平行光ビームにより前記ワークにパターンを露光するパターン露光装置において、ソルダーレジスト等の低感度レジストに対応するため、高出力のマルチモードの半導体レーザを用いることが考えられるが、マルチモードの半導体レーザは活性層に沿う方向にパワーのピークが複数存在し、パワーのピークが複数存在する方向の品質が安定しないという問題があった。上記の課題を解決するため、本発明では、平行光ビームとワークとを相対的に移動させ、前記平行光ビームにより前記ワークにパターンを露光するパターン露光装置において、高出力のマルチモードの半導体レーザを用い、マルチモードの半導体レーザの活性層に沿う方向を主走査方向に対して垂直に配置することを特徴とする。しかしながら、本発明において、主走査方向のビーム径が平行ガラス一体ユニットの溝幅Wgより大きくなってしまうという問題が発生した。これを改善するために、平行光ビームのビーム径を主走査方向に縮小するビーム径縮小手段を備えたことを特徴とする。高出力のマルチモードの半導体レーザを用い、マルチモードの半導体レーザの活性層に沿う方向を主走査方向に垂直に配置することにより、品質の安定した高出力なパターン露光装置を可能にした。本発明のパターン露光装置は、図5に示す従来のパターン露光装置において、マルチモードの半導体レーザを用い、マルチモードの半導体レーザを図1で示すように活性層に沿う方向を主走査方向に垂直に配置し、光源光学系1を図2に示す光源光学系1Aに置き換えたものである。図1は本発明に係るパターン露光装置のマルチ横モードの半導体レーザの方向とビーム形状およびそのパワー分布を説明する図、図2は本発明に係るパターン露光装置の光源光学系を説明する図である。x方向が副走査方向であり、y方向が主走査方向である。半導体レーザの向きは、本発明のパターン露光装置においては、図1のように活性層に沿う方向が主走査方向に垂直であるが、従来のパターン露光装置においては、図3のように活性層に沿う方向が主走査方向に平行である。マルチモードの半導体レーザは、図1に示すように、活性層に垂直な方向のパワーのピークは単一でありシングルモード、活性層に沿う方向にはパワーのピークが複数存在しマルチモード、パワーのピークが複数存在する方向マルチモード方向にパワーが安定しないという特徴を持つ。すなわち、ON-OFF駆動により発光強度が変わり、活性層に沿う方向マルチモード方向のビーム径が変化しやすいという性質を持つ。本発明のパターン露光装置の光源光学系1Aは、図2に示すように、マルチモードの半導体レーザ12と非球面レンズ13とを含むマルチ平行ビーム発生ユニット11と、ビーム径縮小手段400と、平行ガラス一体ユニット14とから構成されている。マルチ平行ビーム発生ユニット11は、マルチモードの半導体レーザ12から出射した発散光を非球面レンズ13により収束させて平行光ビーム10にし、平行光ビーム10が複数の場合、複数の平行光ビーム10を互いに平行になるようにする。平行光ビーム10は、ビーム径縮小手段400に入射し、平行ガラス一体ユニット14の溝Gで全反射されるように主走査方向のビーム径が縮小される。複数の半導体レーザを用いた場合の半導体レーザの位置とレーザ光の向きは、本発明の場合は図4aのようになり、従来技術の場合は図4bのようになる。従来技術における実験例を、比較例1および比較例2として示し、本発明の実験例を実施例として示す。図81は、横線溝を描画する場合の被露光面でのビーム走査位置を示す図であり、図82は、縦線溝を描画する場合の被露光面でのビーム走査位置を示す図である。図91は、縦線溝を描画する時の半導体レーザの活性層に沿う方向が主走査方向に垂直である場合の被露光面でのビーム形状を示す図であり、図92は、縦線溝を描画する時の半導体レーザの活性層に沿う方向が主走査方向に平行である場合の被露光面でのビーム形状を示す図である。比較例1図5に示す従来のパターン露光装置において、光源に複数のマルチ横モードの半導体レーザ12を用い、図3に示すように各マルチ横モードの半導体レーザ12の活性層300に沿う方向を主走査方向に平行な方向で、図4bに示すような規則的な2次元配列にし、互いに平行な複数の平行光ビーム10で被露光箇所を複数回露光することで、基板8に横線溝を描画する実験を行なった。図81に示すように、横線溝の描画は、主走査方向y方向と横線の方向が同一であることより、半導体レーザ12をON駆動した状態で、平行光ビーム10を描画の開始点から終了点まで主走査方向y方向に連続照射しながら移動させることで1本の横線溝を描画するため、動作は容易である。この比較例の場合、図12および図13で示す結果となり、外観は凸凹のないなめらかな線で、各溝幅はほぼ均一であった。描画の開始点から終了点まで半導体レーザ12をON駆動した状態であるため発光強度が不変であり、ビーム径も変化することがないため、溝幅がほぼ均一な安定した品質が得られた。比較例2図5に示す従来のパターン露光装置において、光源に複数のマルチ横モードの半導体レーザ12を用い、図3に示すように各マルチ横モードの半導体レーザ12の活性層300に沿う方向を主走査方向に平行な方向で、図4bに示すような規則的な2次元配列にし、互いに平行な複数の平行光ビーム10で被露光箇所を複数回露光することで、基板8に縦線溝を描画する実験を行なった。図82に示すように、縦線溝の被露光点で半導体レーザ12をON-OFF駆動させることによりできる平行光ビーム10のビームスポットを、副走査方向x方向に複数照射して合成させることにより1本の縦線溝を描画するため、動作は横線溝の描画より難しい。この比較例の場合、図14および図15で示す結果となり、外観は凸凹のある線で、各溝幅は不均一である。図92に示すように、活性層に沿う方向マルチモード方向が主走査方向y方向であり、半導体レーザ12はON-OFF駆動のたびに発光強度が変わり、ビーム径が横方向y方向に変化するため、溝幅が不均一な凸凹のある縦線溝になってしまった。そこで、図5に示す従来のパターン露光装置において、光源光学系を図2に示す光源光学系1Aに置き換え、光源にマルチ横モードの半導体レーザ12を用い、図1に示すようにマルチ横モードの半導体レーザ12の活性層300に沿う方向を主走査方向に垂直な方向で、図4aのような規則的な2次元配列にし、互いに平行な複数の平行光ビーム10で被露光箇所を複数回露光することで、基板8に縦線溝を描画する実験を行なった。比較例2と同様に、縦線溝の被露光点で半導体レーザ12をON-OFF駆動させることによりできる平行光ビーム10のビームスポットを、副走査方向x方向に複数照射して合成させることにより1本の縦線溝を描画した。マルチ平行ビーム発生ユニット11により互いに平行にされた平行光ビーム10は、ビーム径縮小手段400に入射し、平行ガラス一体ユニット14の溝Gの幅Wgで全反射されるように主走査方向のビーム径が縮小され、さらに平行ガラス一体ユニット14により副走査方向のビームピッチが縮小される。この実施例の場合、図7で示す溝Gの幅WgはWg=1.6mmである。図2において、非球面レンズ13から出射した平行光ビーム10の主走査方向のビーム径をφA=4mmとすると、溝Gに入射時のビーム径がφB=約1.6mmとなるようにビーム径縮小手段400であるアナモルフィックプリズムペアの縮小倍率Mの値を次の計算により求め、設定する。アナモルフィックプリズムペアの縮小倍率Mをより小さくすることで主走査方向のビーム径をさらに縮小してもよい。主走査方向のビーム径を縮小するためにアナモルフィックプリズムペアを用いたが、シリンドリカルレンズタイプのビームエキスパンダーを用いてもよい。アナモルフィックプリズムペアは、他の光学系に比べると、ペアであるプリズム同士をシフトさせたとしても光軸がずれるだけで収差が発生しないという利点がある。この実施例の場合、図10および図11で示す結果となり、外観は凸凹の少ない線で、各溝幅はほぼ均一となり、縦線溝の品質を改善することができた。図91に示すように、活性層300に沿う方向マルチモード方向が副走査方向x方向であることより、半導体レーザ12がON-OFF駆動しても、シングルモード方向である主走査方向y方向の発光強度の変化は少なく、主走査方向y方向である横方向のビーム径の変化も少ないため、縦線溝の溝幅はほぼ均一となった。副走査方向x方向である縦方向のビーム径の変化は、縦線溝の溝幅には影響しないため問題ない。なお、図9におけるx方向はステージ7により走査される副走査方向、y方向は本発明の主走査に最適な主走査手段ポリゴンミラー5により走査される主走査方向である。この実施例の構成で、マルチモードの半導体レーザに代えてシングルモードの半導体レーザを用いたとしても品質面での問題はない。また、平行光ビーム10は単数でも複数でもよいが、ワークの任意の露光箇所を互いに異なる複数の平行光ビーム10で複数回露光するほうが、露光品質を平均化することができ、より品質を安定させることにつながる。この実施例のような構成にすることによって、高出力でかつ品質の安定したパターン露光装置を提供することができる。