半導体基板10に受光素子20が複数形成され、前記半導体基板10における前記受光素子20の形成面10a上に、透光膜30を介して遮光膜40が形成され、該遮光膜40に、前記受光素子20に対応した透光用の開口部50が形成された光センサであって、前記遮光膜40の平面形状が、楕円形であることを特徴とする光センサ。前記開口部50の輪郭線が、楕円形であることを特徴とする請求項1に記載の光センサ。前記形成面10aに直交する高さ方向において、同一の高さ位置に複数の前記遮光膜40が位置しており、1つの前記遮光膜40につき、1つの前記開口部50が形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光センサ。同一の高さ位置にある複数の遮光膜40は、マトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の光センサ。前記遮光膜40は、前記透光膜30に多層に形成され、各層の前記遮光膜40に前記開口部50が形成されていることを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の光センサ。各層の前記遮光膜40を連結する連結部41が、多層の前記遮光膜40の間に配置されており、前記連結部41は遮光性を有することを特徴とする請求項5に記載の光センサ。前記遮光膜40は、金属材料から成り、前記半導体基板10には、外部素子と通信するための通信部60が形成されており、該通信部60は、発振回路61を有し、該発振回路61の直上には、前記透光膜30と前記遮光膜40の内、前記透光膜30のみが位置していることを特徴とする請求項1~6いずれか1項に記載の光センサ。上記したように、特許文献1に示される光センサでは、半導体基板に透光層が形成され、この透光層に遮光マスクが形成されている。通常、半導体基板の平面形状は、矩形状であり、透光層及び遮光マスクの平面形状は、半導体基板の平面形状に合わせて形成される。そのため、遮光マスクの平面形状も矩形状となり、遮光マスクには4つの角部が形成されることとなる。透光層と遮光マスクとに線膨張係数差がある場合、その線膨張係数差に基づく熱応力が、遮光マスクに印加される。上記したように、遮光マスクは4つの角部を有するが、このような角部には熱応力が集中し易いため、クラックが生じ易い。遮光マスクにクラックが生じると、遮光性が低下する虞がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、遮光性の低下が抑制された光センサを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、半導体基板10に受光素子20が複数形成され、半導体基板10における受光素子20の形成面10a上に、透光膜30を介して遮光膜40が形成され、該遮光膜40に、受光素子20に対応した透光用の開口部50が形成された光センサであって、遮光膜40の平面形状が、楕円形であることを特徴とする。このように本発明によれば、遮光膜40の平面形状が、楕円形となっている。これによれば、遮光膜の平面形状が矩形の構成とは異なり、角部が形成されないので、遮光膜40の特定の部位への、透光膜30と遮光膜40の線膨張係数差に基づく熱応力の集中が抑制される。これにより、遮光膜40にクラックが生じることが抑制され、遮光性の低下が抑制される。請求項2に記載のように、開口部50の輪郭線が、楕円形である構成が好適である。これによれば、開口部の輪郭線が矩形の構成とは異なり、遮光膜40に角張った部位が形成されないので、遮光膜40の特定の部位への熱応力の集中が抑制される。これにより、遮光膜40にクラックが生じることが抑制され、遮光性の低下が抑制される。請求項3に記載のように、形成面10aに直交する高さ方向において、同一の高さ位置に複数の遮光膜40が位置しており、1つの遮光膜40につき、1つの開口部50が形成された構成が好ましい。これによれば、1つの遮光膜につき、複数の開口部が形成された構成と比べて、遮光膜40の強度の低下が抑制される。したがって、熱応力によって遮光膜40にクラックが生じることが抑制され、遮光性の低下が抑制される。請求項4に記載のように、同一の高さ位置にある複数の遮光膜40は、マトリックス状に配置された構成が良い。これによれば、乱雑に複数の遮光膜が配置された構成と比べて、半導体基板10の体格の増大が抑制される。この結果、光センサの体格の増大が抑制される。請求項5に記載のように、遮光膜40は、透光膜30に多層に形成され、各層の遮光膜40に開口部50が形成された構成が良い。これによれば、隣接する2つの受光素子20の間に、多層の遮光膜40が位置するので、ある開口部50から入射した光が、その開口部50と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制される。これにより、各受光素子20の出力信号に、外乱ノイズが含まれることが抑制される。請求項6に記載のように、各層の遮光膜40を連結する連結部41が、多層の遮光膜40の間に配置されており、連結部41は遮光性を有する構成が良い。これによれば、ある開口部50から入射した光が、その開口部50と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制される。これにより、各受光素子20の出力信号に、外乱ノイズが含まれることが抑制される。請求項7に記載のように、遮光膜40は、金属材料から成り、半導体基板10には、外部素子と通信するための通信部60が形成されており、該通信部60は、発振回路61を有しており、該発振回路61の直上には、透光膜30と遮光膜40の内、透光膜30のみが位置した構成が良い。発振回路61の出力信号の周波数は、自身が有する静電容量に依存する。そのため、静電容量が、金属材料から成る遮光膜40によって変動すると、出力信号の周波数が乱れる虞がある。これに対して、請求項7に記載の発明では、発振回路61の直上に、遮光膜40が位置していない。これによれば、遮光膜40によって、出力信号の周波数が乱れることが抑制される。以下、本発明に係る光センサを車両に搭載した場合の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る光センサの概略構成を示す平面図である。図2は、第1実施形態に係る光センサの概略構成を示す断面図である。なお、図1では、光センサ100の特徴点を明瞭とするために、遮光膜40にハッチングを入れている。以下においては、受光素子20の形成面10aに沿い、車両の前後を貫く方向を前後方向、形成面10aに沿い、車両の左右を貫く方向を左右方向と示す。そして、形成面10aに直交する方向を高さ方向と示す。光センサ100は、車両のフロントパネルに搭載され、主として、太陽の位置を検出するのに使用される。光センサ100は、図1及び図2に示すように、要部として、半導体基板10と、受光素子20と、透光膜30と、遮光膜40と、開口部50と、通信部60と、を有する。半導体基板10の形成面10a側に受光素子20が形成され、受光素子20の形成面10a上に透光膜30が形成され、透光膜30に遮光膜40が形成されている。そして、遮光膜40には、透光用の開口部50が形成され、この開口部50を介して、光が受光素子20に入射するようになっている。受光素子20の出力信号は、通信部60を介して、外部素子図示略に送信される。半導体基板10は、矩形状を成し、上記した受光素子20や、通信部60を構成する電子素子図示略が形成されている。これら電子素子は、半導体基板10に形成された配線パターン図示略を介して電気的に接続されている。受光素子20は、光を電気信号に変換するものである。本実施形態に係る受光素子20は、PN接合を有するフォトダイオードであり、半導体基板10の形成面10a側に形成されている。受光素子20は、左右方向を行、前後方向を列としてマトリックス状に配置されている。透光膜30は、光透過性と絶縁性を有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えばアクリル樹脂がある。遮光膜40は、遮光性と導電性を有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えばアルミニウムがある。図1に示すように、複数の遮光膜40は、左右方向を行、前後方向を列としてマトリックス状に配置されている。そして、各遮光膜40の平面形状が楕円形を成している。本実施形態では、遮光膜40の平面形状が円形を成している。図2に示すように、遮光膜40は、透光膜30に3層形成され、それぞれの遮光膜40に透光用の開口部50が形成されている。そして、開口部50の輪郭線は、遮光膜40と同様にして、円形を成している。各遮光膜40、及び、遮光膜40と半導体基板10に形成された配線パターンとは、遮光性と導電性を有する連結部41を介して、電気的に接続されている。遮光膜40と連結部41は、各電子素子を電気的に接続する配線としての機能も果たしている。なお、図1に示すように、複数の遮光膜40との間には、隙間が形成されるので、この隙間を介して、意図しない光が受光素子20に入射する虞がある。これを防ぐために、本実施形態では、1つの遮光膜40の縁を囲むように、連結部41が形成されている。開口部50は、受光素子20に入射する光を規定するものである。図1に示すように、1つの遮光膜40に、1つの開口部50が形成されている。そして、開口部50も、受光素子20及び遮光膜40と同様にして、左右方向を行、前後方向を列としてマトリックス状に配置されている。開口部50によって、受光素子20に入射する光の仰角が規定され、開口部50と受光素子20との配置位置によって、受光素子20に入射する光の左右角が規定されている。通信部60は、外部素子と通信するものである。通信部60は、RC発振回路61を有しており、RC発振回路61のパルス信号に基づいて、外部と通信を行っている。図2に示すように、RC発振回路61の直上には、遮光膜40が形成されていない。次に、本実施形態に係る光センサ100の作用効果を説明する。上記したように、遮光膜40の平面形状が、円形となっている。これによれば、遮光膜の平面形状が矩形の構成とは異なり、角部が形成されないので、遮光膜40の特定の部位への、透光膜30と遮光膜40の線膨張係数差に基づく熱応力の集中が抑制される。これにより、遮光膜40にクラックが生じることが抑制され、遮光性の低下が抑制される。開口部50の輪郭線が、円形である。これによれば、開口部の輪郭線が矩形の構成とは異なり、遮光膜40に角張った部位が形成されないので、遮光膜40の特定の部位への熱応力の集中が抑制される。これにより、遮光膜40にクラックが生じることが抑制され、遮光性の低下が抑制される。1つの遮光膜40につき、1つの開口部50が形成されている。これによれば、1つの遮光膜につき、複数の開口部が形成された構成と比べて、遮光膜40の強度の低下が抑制される。したがって、熱応力によって遮光膜40にクラックが生じることが抑制され、遮光性の低下が抑制される。複数の遮光膜40は、マトリックス状に配置されている。これによれば、乱雑に複数の遮光膜が配置された構成と比べて、半導体基板10の体格の増大が抑制される。この結果、光センサ100の体格の増大が抑制される。3層の遮光膜40が、透光膜30に形成され、各層の遮光膜40に開口部50が形成されている。これによれば、隣接する2つの受光素子20の間に、多層の遮光膜40が位置するので、ある開口部50から入射した光が、その開口部50と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制される。これにより、各受光素子20の出力信号に、外乱ノイズが含まれることが抑制される。図2に示すように、遮光性を有する連結部41が、複数の遮光膜40の間に配置されている。これによれば、ある開口部50から入射した光が、その開口部50と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制される。これにより、各受光素子20の出力信号に、外乱ノイズが含まれることが抑制される。RC発振回路61のパルス信号の周波数は、自身が有する静電容量に依存する。そのため、静電容量が、金属材料から成る遮光膜40によって変動すると、パルス信号の周波数が乱れる虞がある。これに対して、本実施形態では、RC発振回路61の直上に、遮光膜40が位置していない。これによれば、遮光膜40によって、出力信号の周波数が乱れることが抑制される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、光センサ100が車両に搭載された例を示した。しかしながら、光センサ100の適用としては、上記例に限定されない。本実施形態では、遮光膜40の平面形状、及び、開口部50の輪郭線が円形である例を示した。しかしながら、遮光膜40の平面形状、及び、開口部50の輪郭線としては、上記例に限定されず、図3に示すように、楕円形であれば良い。更に言えば、角張った部位がなければ、いかような形状でも採用することができる。例えば、角部がR状となった矩形を採用することもできる。図3は、光センサの変形例を示す平面図である。本実施形態では、複数の遮光膜40が、マトリックス状に配置された例を示した。しかしながら、遮光膜40の配置としては、上記例に限定されない。例えば、ある点から放射状に複数の遮光膜40が配置された構成を採用することもできる。本実施形態では、ある高さ位置に複数の遮光膜40が形成された例を示した。しかしながら、ある高さ位置に1つの遮光膜40が形成された構成を採用することもできる。本実施形態では、1つの遮光膜40に1つの開口部50が形成された例を示した。しかしながら、1つの遮光膜40に複数の開口部50が形成された構成を採用することもできる。本実施形態では、遮光膜40が3層である例を示した。しかしながら、遮光膜40の層数は上記例に限定されず、例えば、1層、2層、4層以上でも良い。本実施形態では、遮光膜40が、遮光性と導電性を有する材料から成る例を示した。しかしながら、遮光膜40によって、半導体基板10に形成された各電子素子を電気的に接続しなくとも良い場合、遮光膜40を、光を吸収する性質を有する材料によって形成しても良い。本実施形態では、通信部60が、RC発振回路61を有する例を示した。しかしながら、通信部60が、LC発振回路を有する構成を採用することもできる。