第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記基板間に設けられた液晶層と、前記第1基板の液晶層側の表面に設けられた第1配向膜と、前記第2基板の液晶層側の表面に設けられた第2配向膜とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記製造方法は、前記第1配向膜及び/又は前記第2配向膜に対して複数の画素にわたる連続的な走査露光を行うことを含み、前記走査露光は、各画素内において、第1配向方位に向けて液晶分子を配向させる第1走査露光と、第2配向方位に向けて液晶分子を配向させる第2走査露光とからなり、前記第2配向方位は、前記第1配向方位に対して平行かつ反対であり、前記第1走査露光及び前記第2走査露光において、前記基板面の法線に対して傾斜した方向から光線が入射され、前記第1走査露光の光線照射方向と前記第2走査露光の光線照射方向とは、前記基板を平面視したときに互いに略反平行であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含み、前記第1配向膜及び第2配向膜は、液晶分子を第1配向膜及び第2配向膜表面に対して略垂直に配向させるものであることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。前記液晶表示装置の製造方法は、第1配向膜及び第2配向膜に対する走査露光の方向が略直交するように第1基板及び第2基板の貼り合わせを行うことを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置の製造方法。前記走査露光は、光源と第1配向膜及び/又は第2配向膜との間に、フォトマスクを介在させて露光するものであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記フォトマスクは、略直線状の開口部が設けられたものであることを特徴とする請求項4記載の液晶表示装置の製造方法。前記フォトマスクに設けられた開口部のピッチは、走査方向と垂直な方向の画素ピッチと同じ長さであることを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置の製造方法。前記走査露光は、第1基板及び/又は第2基板の一端から他端まで連続的に走査するものであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記走査露光は、基板面の法線方向に対する入射角を5°以上、70°以下にして光線を照射するものであることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記光線は、偏光であることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記光線は、紫外線であることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記液晶分子のプレチルト角は、85°以上、90°未満であることを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記液晶分子のプレチルト角のばらつきは、0.5°以内であることを特徴とする請求項1~11のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1走査露光又は前記第2走査露光が行われた領域の幅は、走査方向と垂直な方向の画素ピッチの略半分であることを特徴とする請求項1~12のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1走査露光又は前記第2走査露光が行われた前記領域は、画素内での面積比が等しいことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装置の製造方法。前記液晶表示装置は、第1基板側に第1偏光板を有し、第2基板側に第2偏光板を有するものであり、前記第1配向膜の配向方位と第1偏光板の吸収軸が平行、かつ第2配向膜の配向方位と第2偏光板の吸収軸が平行であることを特徴とする請求項1~14のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記走査露光は、カメラを用いて検出した位置データに基づき、前記光線の照射位置を補正しながら行われることを特徴とする請求項1~15のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1走査露光及び前記第2走査露光の走査方向は各々、互いの配向方位が反対かつ平行である2つの領域の境界と平行であることを特徴とする請求項1~16のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。基板を載置するステージ及び光源を備える配向処理用露光装置であって、前記光源は、前記ステージ面の法線に対して0°以上90°未満の入射角で光線を照射するものであり、前記配向処理用露光装置は、更に、前記ステージ及び/又は前記光源を移動させる移動手段を備え、前記基板面上の光線の照射位置を移動させて複数画素にわたり直線的且つ連続的に走査されるものであり、前記ステージ上に載置された基板の各画素で、第1配向方位に向けて液晶分子を配向させる第1走査露光と、第2配向方位に向けて液晶分子を配向させる第2走査露光とを施すものであり、前記第2配向方位は、前記第1配向方位に対して平行かつ反対であり、前記第1走査露光及び前記第2走査露光は、前記基板面の法線に対して傾斜した方向から光線を入射するものであり、前記第1走査露光及び前記第2走査露光において、前記第1走査露光の光線照射方向と前記第2走査露光の光線照射方向とが前記基板を平面視したときに互いに略反平行となるように、前記光線の照射位置を走査することを特徴とする配向処理用露光装置。前記配向処理用露光装置は、更に、撮影により前記ステージ上の前記基板の所定位置を読み取る位置データ検出用のカメラを備え、該カメラにより検出した位置データに基づき、前記光線の照射位置を補正しながら走査することを特徴とする請求項18記載の配向処理用露光装置。前記光源は、前記ステージ面の法線に対して0°よりも大きい入射角で光線を照射することを特徴とする請求項18又は19に記載の配向処理用露光装置。光源とステージとの間に、フォトマスクを介在させて露光することを特徴とする請求項18~20のいずれかに記載の配向処理用露光装置。前記フォトマスクは、略直線状の開口部が設けられたものであることを特徴とする請求項21記載の配向処理用露光装置。前記フォトマスクに設けられた開口部のピッチは、走査方向と垂直な方向の画素ピッチと同じ長さであることを特徴とする請求項22記載の配向処理用露光装置。前記フォトマスクに設けられた開口部の幅は、走査方向と垂直な方向の画素ピッチの略半分であることを特徴とする請求項22又は23記載の配向処理用露光装置。ステージ上に載置された基板の一端から他端まで連続的に走査することを特徴とする請求項18~24のいずれかに記載の配向処理用露光装置。基板面の法線方向に対する入射角を5°以上、70°以下にして光線を照射するものであることを特徴とする請求項18~25のいずれかに記載の配向処理用露光装置。前記光線は、偏光であることを特徴とする請求項18~26のいずれかに記載の配向処理用露光装置。前記光線は、紫外線であることを特徴とする請求項18~27のいずれかに記載の配向処理用露光装置。請求項1~17のいずれかに記載された液晶表示装置の製造方法、又は、請求項18~28のいずれかに記載された配向処理用露光装置を用いて製造されたことを特徴とするVATNモードの液晶表示装置。本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、画素内に複数のドメインが形成される液晶表示装置の配向膜に対して効率よく安定的に配向処理を行うことができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。本発明者らは、画素内に複数のドメインが形成される液晶表示装置の配向膜に対して効率よく安定的に配向処理を行うことができる液晶表示装置の製造方法について種々検討したところ、光配向法における露光方法に着目した。そして、配向膜に対して、複数の画素にわたる連続的な走査露光を行うことにより、光源と被露光領域とを固定して被露光領域内を同時に露光する同時露光よりも安定的な配向処理が可能となることを見出した。また、画素内に複数のドメインを形成させる場合には、通常、配向膜が基板面内で複雑な配向パターンを有することになるため、走査露光では配向処理の回数が大幅に増加したり、配向処理自体が困難であるが、VATNモード等では、基板面内で配向パターンが連続することから、各画素を反平行方向に複数回走査しながら露光することにより、少ない配向処理回数で安定的な配向処理を行うことができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。すなわち、本発明は、第1基板と、上記第1基板に対向する第2基板と、上記基板間に設けられた液晶層と、上記第1基板の液晶層側の表面に設けられた第1配向膜と、上記第2基板の液晶層側の表面に設けられた第2配向膜とを備える液晶表示装置の製造方法であって、上記製造方法は、第1配向膜及び/又は第2配向膜に対して複数の画素にわたる連続的な走査露光を行うことを含み、上記走査露光は、各画素内に液晶分子を第1配向膜及び/又は第2配向膜表面に対して反平行方向に配向させる領域を形成するように、各画素内を反平行方向に複数回走査しながら第1配向膜及び/又は第2配向膜に対して露光することを含む液晶表示装置の製造方法である。以下に本発明を詳述する。本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1配向膜及び/又は第2配向膜に対して複数の画素にわたる連続的な走査露光を行うことを含む。第1配向膜及び/又は第2配向膜は、走査露光により配向処理配向方位の規定が行われるものである。より具体的には、第1配向膜及び/又は第2配向膜は、通常、光照射により配向規制力が変化し、かつ光照射の方向又は光の照射領域の移動方向に応じて配向方位が変化する材料で形成された光配向膜である。なお、配向方位とは、液晶層に含まれる液晶分子の傾斜方向を基板面に投影したときに示す方位を意味する。本発明において、走査露光とは、基板面上の光線の照射位置を移動させながら露光するものであれば特に限定されず、スキャン露光とも呼ばれる。スキャン露光の具体的態様としては、例えば、光源を移動させながら該光源から発せられる光線を基板面上に照射する態様、基板を移動させながら光源から発せられる光線を基板面上に照射する態様、光源及び基板を移動させながら光源から発せられる光線を基板面上に照射する態様が挙げられる。スキャン露光は、同時露光に比べて、基板面内における照射量等の安定性に優れているため、配向方位、プレチルト角等の配向膜の特性がばらつくことを効果的に抑制することができる。また、スキャン露光は、同時露光等に比べて小さな光源を用いることができるので、露光装置の省スペース化が可能である。また、上記スキャン露光は、画像検出用カメラ等により、基板上のパターンを読み取りながらスキャン方向を制御するものであることが好ましい。これにより、基板が歪んでいるような場合であっても、画素配列に沿って高精度のスキャン露光を行うことができる。読み取りに用いる基板上のパターンとしては特に限定されないが、スキャン方向に沿って周期的又は連続的に設けられたものが好ましく、基板に設けられた配線、ブラックマトリクス等を利用することができる。本発明における走査露光は、各画素内に液晶分子を第1配向膜及び/又は第2配向膜表面に対して反平行方向に配向させる領域を形成するように、各画素内を反平行方向に複数回少なくとも1往復走査しながら第1配向膜及び/又は第2配向膜に対して露光することを含む。このとき、1回目で露光する画素内の領域と2回目で露光する画素内の領域とは重複していてもよいが、実質的に異なることが好ましい。なお、本明細書において、反平行方向に走査するとは、走査の際の進行方向が互いに逆であり、かつ進路が互いに平行であることを意味し、各画素内に液晶分子を第1配向膜及び/又は第2配向膜表面に対して反平行方向に配向させる領域を形成するとは、各画素内に、第1配向膜及び/又は第2配向膜近傍の液晶分子をある方向に配向する領域Pと、第1配向膜及び/又は第2配向膜近傍の液晶分子を領域Pの配向方位に対して反平行方向である方向に配向する領域Qとを形成することを意味する。したがって、領域P及び領域Qにおける配向方位は、互いに略180度異なる。なお、領域P及び領域Qにおける配向方位は、厳密に180度異なる必要はなく、実質的に逆の向きであればよい。このように、ある方向Aと、方向Aに対して平行であって向きが逆の方向Bとに走査しながらスキャン露光することで、一画素に2以上のドメインを有する液晶表示装置の配向処理を簡便に行うことができる。なお、本発明では、スキャン露光は、複数の画素にわたり連続的に行われることから、本発明を用いて製造された液晶表示装置の配向膜は、スキャン露光された領域において、反平行方向の配向パターンが複数の画素で連続することになる。したがって、本発明は、VATNモード等の液晶表示装置の製造方法に特に好適である。上記スキャン露光の態様としては、点状光源を用いて点状光線スポット状光線を露光する態様、線状光源を用いてスキャン露光のスキャン方向に沿った線状光線を露光する態様、各種光源を用いてフォトマスクを介して露光する態様等が挙げられる。これらの態様によれば、1つの画素内において、照射領域及び非照射領域を設けることができるので、反平行方向の配向分割を行うことができる。また、これらの態様のなかでも、フォトマスクを介して露光する態様によれば、フォトマスクに所望の開口を設けることによって、光源の形状に関わらず、容易に光線の形状を制御することができる。また、本発明では、スキャン露光を行うので、大型基板上の配向膜の配向処理を行う場合においてもフォトマスクを大型化する必要がなく、フォトマスクが撓むことにより露光の均一性が低下する等の問題は特に発生しない。なお、点状光線とは、基板照射面における形状がスポット状の光線であり、例えば、レーザ光線、光源からの光を光学レンズにより点状となるように集光された光線等を用いることができる。また、線状光線とは、基板照射面における形状が略線状帯状の光線であり、例えば、光源からの光を光学レンズにより略線状となるように集光された光線等を用いることができる。上記スキャン露光は、露光する配向膜の材料にもよるが、光線を基板面の法線に対して斜め方向から入射させるものであることが好ましく、VATNモードであれば、光線の基板面の法線に対する入射角を5度以上、70度以下にすることが好ましい。これにより、VATNモードにおいて好適なプレチルト角を液晶層に付与することができる。5度未満であると、プレチルト角が小さくなりすぎ、液晶表示装置の応答速度が著しく低下するおそれがある。70度を超えると、プレチルト角が大きくなりすぎ、液晶表示装置のコントラスト比が充分に得られないおそれがある。ただし、非特許文献1に開示の光配向法のように、プレチルト角の発現が光の照射領域の移動方向による場合には、光線に入射角をつける必要がなく0度でも可能である。その他、光源の種類、露光量、配向膜表面における光線のサイズ、スキャン速度、偏光板の有無等のスキャン露光の各種条件は、所望の配向方位、プレチルト角等の配向膜の形成条件に応じて適宜設定すればよい。なお、プレチルト角とは、液晶層に電圧が印加されない電圧無印加の状態オフ状態において、配向膜表面と、配向膜近傍の液晶分子の長軸方向とがなす角度である。本発明の液晶表示装置の製造方法としては、上述したスキャン露光工程を必須として含むのである限り、その他の工程については特に限定されるものではない。本発明により製造される液晶表示装置は、第1基板と、上記第1基板に対向する第2基板と、上記基板間に設けられた液晶層と、上記第1基板の液晶層側の表面に設けられた第1配向膜と、上記第2基板の液晶層側の表面に設けられた第2配向膜とを備えるものである。本発明により製造される液晶表示装置の構成としては、このようなマトリクス型液晶表示装置の標準的な構成要素を必須とするものである限り、その他の構成要素については特に限定されるものではない。上記第1基板及び第2基板のうちいずれか一方の基板は、スイッチング素子である薄膜トランジスタ以下、TFTともいう。及び画素電極がマトリクス状に設けられたTFTアレイ基板であることが好ましい。また、上記第1基板及び第2基板のうち他方の基板は、カラーフィルタ及び共通電極を有するカラーフィルタ基板以下、CF基板ともいう。であることが好ましい。このように、本発明により製造される液晶表示装置は、アクティブマトリクス型液晶表示装置であることが好ましいが、単純マトリクス型液晶表示装置であってもよい。本発明により単純マトリクス型液晶表示装置を製造する場合には、第1基板及び第2基板は、通常、ストライプ状の信号電極列電極が設けられた基板と、該信号電極と略直交するようにストライプ状の走査電極行電極が設けられた基板との組み合わせである。なお、画素は、アクティブマトリクス型液晶表示装置においては、画素電極と、それに対向する共通電極とによって規定される。また、単純マトリクス型液晶表示素子においては、ストライプ状の信号電極と走査電極との交差部によって規定される。上記液晶層の液晶モードとしては特に限定されないが、配向分割された垂直配向VAモードであることが好ましい。すなわち、上記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含み、上記第1配向膜及び第2配向膜は、液晶分子を第1配向膜及び第2配向膜表面に対して略垂直に配向させるものであることが好ましい。本発明ではスキャン露光を利用することから、配向分割されたVAモードのように、配向膜により液晶のプレチルト角を高精度に制御する必要がある液晶モードに好適である。また、上記配向分割されたVAモードとしては、VATNモード、VAECBモード、VAHANモード等が挙げられる。なかでも、VATNモードが特に好適に利用される。すなわち、本発明の液晶表示装置の製造方法は、第1配向膜及び第2配向膜に対する走査露光の方向が略直交するように露光並びに第1基板及び第2基板の貼り合わせを行うことが好ましい。VATNモードの場合、第1配向膜及び第2配向膜の両方が、複数の画素で連続する反平行方向の配向パターンを有することから、本発明の配向処理方法を利用して容易に画素内に4つのドメインを形成することができ、これにより優れた視野角特性を実現することができる。また、VATNモードでは、液晶分子のプレチルト角が液晶表示装置の表示特性に非常に大きな影響を与えることから、配向膜の配向処理を安定的に行うことが特に重要である。なお、本明細書において、第1配向膜及び第2配向膜に対する走査露光の方向が略直交するように露光並びに第1基板及び第2基板の貼り合わせを行うとは、VATNモードにおける液晶表示が可能な程度に、液晶分子を実質的に互いに直交する方位に配向させることができれば、液晶分子を完全には直交させなくてもよい。より具体的には、第1配向膜及び第2配向膜の配向方位が85~95度で交わることが好ましい。また、本発明の液晶表示装置の製造方法では、対向する第1配向膜と第2配向膜とで走査露光の方向が略平行となるように露光及び基板の貼り合わせを行うことにより、VAECBモードの液晶表示装置を製造することができる。但し、VAECBモードの場合には、一画素に2ドメインを有するVAECBモードまでしか製造することができない。本発明において用いられる配向処理用露光装置としては、ステージと、上記ステージ面の法線に対して0度以上90度未満の入射角で光線を照射する光源と、ステージ及び/又は光源を反平行方向に移動させる手段とを備えるものが好適である。このような、ステージ及び光源を備える配向処理用露光装置であって、上記光源は、ステージ面の法線に対して0度以上90度未満の入射角で光線を照射するものであり、上記配向処理用露光装置は、更に、ステージ及び/又は光源を反平行方向に移動させる手段を備える配向処理用露光装置もまた本発明の1つである。このような本発明の配向処理用露光装置によれば、スキャン露光により光配向処理を行うことができることから、同時露光による光配向処理を行う場合よりも、光配向処理を効率よく安定的に行うことができる。したがって、VATNモード等の液晶表示装置の配向処理に特に好適である。上記ステージとしては、第1基板及び/又は第2基板を載置することができるものであれば特に限定されないが、基板を真空吸着等により固定することができるものが好ましい。上記光源の光照射の態様としては、フォトマスクを介して露光しない場合には、複数の光源が一定の間隔で配置されることが好ましい。一方、フォトマスクを介して露光する場合には、上記光源の配置態様は特に限定されない。上記ステージに照射される光線は、偏光板等を用いて偏光にすることが好ましい。また、上記配向処理用露光装置は、画像検出用カメラ及び画像処理装置を備えることが好ましく、これにより、基板上のパターンを読み取りながらスキャン方向を制御することが可能となる。本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、各画素を反平行方向に複数回走査しながら露光する走査露光を行うことから、画素内に複数のドメインが形成される液晶表示装置の配向膜に対して効率よく安定的に配向処理を行うことができる。このような本発明の液晶表示装置の製造方法は、特にVATNモードの液晶表示装置の製造に好適である。以下に実施例を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。実施例1以下に、図1~3を用いて本発明に係る実施例1の4VATNモードの液晶表示パネルの製造方法について説明する。図1aは、本実施例のTFTアレイ基板における光配向膜に対する光線照射方向を示す平面模式図であり、bは、本実施例のCF基板における光配向膜に対する光線照射方向を示す平面模式図である。図2aは、本実施例の第1基板であるTFTアレイ基板の平面模式図であり、bは、本実施例の第2基板であるCF基板の平面模式図である。図3は、本実施例の露光装置の斜視模式図である。まず、通常の方法にて配向膜形成前の一対の第1及び第2基板を準備する。第1基板としては、図2aに示すように、ガラス基板図示せず上に、1走査信号線15、2TFT11、3画素電極12及び4データ信号線16を順次形成することによって、基板上に走査信号線及びデータ信号線が絶縁膜図示せずを介してマトリクス状に交差するように配置され、更にその交点毎にTFT及び画素電極が配置されたTFTアレイ基板を用いる。一方、第2基板としては、図2bに示すように、ガラス基板図示せず上に、1ブラックマトリクスBM13、2カラーフィルタ14、3保護膜図示せず及び4透明電極膜図示せずを順次形成することによって、基板上にBMがマトリクス状に配置され、更にそのBMで区切られた領域にカラーフィルタが配置されたCF基板を用いる。なお、基板は絶縁性の表面を有するものであればよく、ガラスに特に限定されない。また、上述の各構成部材の材質は、通常用いられる材料を用いればよい。次に、TFTアレイ基板及びCF基板に対して、光配向膜材料を含む溶液をスピンキャスト法等により塗布した後、例えば180°Cで60分間焼成することによって、垂直光配向膜を形成した。光配向膜材料としては特に限定されず、感光性基を含む樹脂等が挙げられる。より具体的には、4-カルコン基下記化学式1、4’-カルコン基下記化学式2、クマリン基下記化学式3、及び、シンナモイル基下記化学式4等の感光性基を含むポリイミド等が好適である。上記1~4の感光性基は、光線照射により架橋反応二量化反応を含む、異性化反応、光再配向等を生じるものであり、これらによれば、光分解型の光配向膜材料に比べてプレチルト角のばらつきを効果的に小さくすることができる。なお、下記化学式1~4の感光性基は、ベンゼン環に置換基が結合した構造も含まれる。また、下記化学式4のシンナモイル基におけるカルボニル基に更に酸素原子が結合したシンナメート基C6H5-CH=CH-COO-は、合成しやすいという利点を有している。したがって、光配向膜材料としては、シンナメート基を含むポリイミドがより好ましい。なお、焼成温度、焼成時間及び光配向膜の膜厚は特に限定されず、適宜設定すればよい。次に、TFTアレイ基板のスキャン露光方法について説明する。まず、図3を用いて露光装置について説明する。図3に示すように、本実施例における露光装置20aは、基板26を載置するためのステージ21と、ランプ、偏光板及び光学フィルタを有する光源22、光源下方、かつ光線照射方向に設置されたフォトマスク23とを含んで構成される。また、ステージ21、及び/又は、光源22及びフォトマスク23は、相対的に水平移動が可能なように設計されており、これにより、露光装置20aは、基板表面に設けられた光配向膜に対して、フォトマスク23内に設けられた開口部図示せずから照射される光線を用いてスキャン露光を行うことができる。更に、光源22は、ステージ21及びフォトマスク23に対して斜め方向に傾斜可能なように設計されており、これにより、露光装置20aは、基板表面に設けられた光配向膜に対して適宜斜め方向から光照射しながらスキャンすることができる。ランプとしては特に限定されず、低圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ等が挙げられる。また、ランプの代わりにエキシマレーザ等のレーザを用いてもよい。照射光の波長は配向膜材料等により、適宜設定すればよいが、紫外線を用いることが好ましい。また、偏光板の消光比、光学フィルタの種類、基板及びフォトマスク間の距離であるプロキシミティギャップ等は適宜設定すればよい。次に、図1aを用いてTFTアレイ基板の露光方法について説明する。まず、TFTアレイ基板を露光装置のステージに載置する。このとき、図1aに示すように、フォトマスク23a内には、走査信号線15方向図1中において左右方向の画素ピッチの略2分の1の幅W1を有する平面形状が矩形状の開口部24aが複数個設けられている。また、複数個の開口部24aのピッチは、走査信号線15方向の画素ピッチと同じ長さになるように設定されている。続いて、フォトマスク23aの開口部24aの端の位置を、データ信号線16に合うように位置合わせした後、まずスキャン方向-y図1中において下方向にデータ信号線16に沿ってTFTアレイ基板の端から端まで複数の画素を連続的にスキャン露光する。続いて、開口部24aの位置を走査信号線15方向に画素ピッチの略2分の1だけ水平移動させ、同様に開口部24aの位置合わせを行った後、スキャン方向yスキャン方向-yとは反平行方向、すなわち図1中において上方向にデータ信号線16に沿ってTFTアレイ基板の端から端まで同様にスキャン露光を行う。これにより、TFTアレイ基板の画素は、互いに配向方位が反平行方向である2つの領域A及び領域Bに配向分割されることとなる。また、スキャン露光は、分割露光等に比べて、照射量の安定性に非常に優れているため、各領域A及び領域Bにおける配向方位、プレチルト角等の特性ばらつきを効果的に抑制することができる。なお、開口部24aの平面形状は、所望のドメインパターンを形成することができれば特に限定されず、矩形状の他に円状、楕円状、略直線状帯状等が挙げられる。また、開口部24aの幅W1も所望のドメインパターンに合わせて適宜設定すればよいが、スキャン露光後に、未照射領域ができないように設定することが好ましい。次に、図1bを用いてCF基板の露光方法について説明する。まず、CF基板を露光装置のステージに載置する。このとき、図1bに示すように、フォトマスク23b内には、TFTアレイ基板のデータ信号線に対応する位置に形成されたBM18以下、データ線上BMともいう。方向図1中において上下方向の画素ピッチの略2分の1の幅W2を有する平面形状が矩形状の開口部24bが複数個設けられている。また、複数個の開口部24bのピッチは、データ線上BM18方向の画素ピッチと同じ長さになるように設定されている。続いて、フォトマスク23bの開口部24bの端の位置を、TFTアレイ基板の走査信号線に対応する位置に形成されたBM17以下、走査線上BMともいう。に合うように位置合わせした後、まずスキャン方向x図1中において右方向に走査線上BM17に沿ってCF基板の端から端まで複数の画素を連続的にスキャン露光する。続いて、開口部24bの位置をデータ線上BM18方向に画素ピッチの略2分の1だけ水平移動させ、同様に開口部24bの位置合わせを行った後、スキャン方向-xスキャン方向xとは反平行方向、すなわち図1中において左方向に走査線上BM17に沿ってCF基板の端から端まで同様にスキャン露光を行う。これにより、CF基板の画素は、互いに配向方位が反平行方向である2つの領域C及び領域Dに配向分割されることとなる。また、TFTアレイ基板に対するスキャン露光と同様に、各領域C及び領域Dにおける特性ばらつきを効果的に抑制することができる。なお、開口部24bの平面形状は、所望のドメインパターンを形成することができれば特に限定されず、矩形状の他に円状、楕円状、略直線状帯状等が挙げられる。また、開口部24bの幅W2も所望のドメインパターンに合わせて適宜設定すればよいが、スキャン露光後に、未照射領域ができないように設定することが好ましい。本実施例においては、フォトマスクを用いてスキャン露光を行う方法について説明したが、フォトマスクは用いなくともよい。この場合には、光学レンズ等を用いて、配向膜表面での光線形状を適宜調整することが好ましい。4VATNモードにおいて好適なプレチルト角を液晶分子に付与するため、露光する配向膜の材料にもよるが、照射光線の基板面の法線に対する入射角を5度以上、70度以下の方向から照射することが好ましく、また、スキャン露光時の照射量及びスキャン速度を適宜設定することが好ましい。ただし、非特許文献1に開示の光配向法のように、プレチルト角の発現が光の照射領域の移動方向による場合には、光線に入射角をつける必要が無く0度でも可能である。なお、4VATNモードにおいて、TFTアレイ基板におけるスキャン方向と、CF基板におけるスキャン方向とは、TFTアレイ基板及びCF基板を貼り合わせた時に、それぞれのスキャン方向が略直交すればよく、図1a及びbで示したスキャン方向に特に限定されない。次に、スキャン露光されたTFT基板及びCF基板を、例えば4μmのプラスチックビーズを基板上に散布した後に貼り合わせる。このとき、一画素における両基板の光線照射方向の関係は、図7のようになり、各ドメイン内では、スキャン方向は対向する基板同士で略直交する。次に、これら基板間に負の誘電異方性を有するネマチック液晶材料を封入すると、各ドメインで液晶分子はそれぞれの異なった方向にプレチルト角を発現する。これにより、各ドメインの液晶層の層面内方向及び厚さ方向における中央付近の液晶分子の配向方位は、光線照射された方向から45度傾いた方向となる。その結果、出来上がった液晶表示パネルに信号電圧を印加すると、4つのドメインの液晶分子は、それぞれ異なる4方向に倒れることとなり、広視野角を実現することができる。なお、プレチルト角は特に限定されないが、液晶表示パネルの透過率を大きくする観点から、4VATNモードにおいては85~90度未満にすることが好ましく、また、プレチルト角のばらつきは、0.5度以内にすることが好ましい。その後、両基板の外側に、2枚の偏光板を互いの吸収軸が直交し、かつ一方の吸収軸がTFTアレイ基板のバスライン走査信号線又はデータ信号線と平行になるように貼り付ける。これにより、オフ状態において、液晶分子はほぼ垂直配向するため、液晶表示パネルは良好な黒表示ノーマリーブラックモードを実現することができる。また、液晶表示パネルは、それぞれ異なる4方向に液晶分子が応答するドメインを4つ有するため、視角方向にほとんど依存しない表示特性を示すことができる。このように、本実施例の液晶表示パネルの製造方法によれば、スキャン露光を用いることから、特性ばらつきの小さいドメインを有する4VATNモードの液晶表示パネルを少ない処理回数で作製することができる。実施例2以下に、図4を用いて本発明に係る実施例2の4VATNモードの液晶表示パネルの製造方法について説明する。図4は、本実施例の露光装置の斜視模式図である。本実施例においては、露光装置の形態及びスキャン露光の態様以外は、実施例1と同様であるので、実施例1と本実施例とで重複する内容については説明を省略する。まず、図4を用いて本実施例における露光装置について説明する。図4に示すように、本実施例における露光装置20bは、実施例1の露光装置20aに更に基板上に形成されるバスライン走査信号線又はデータ信号線、BM等の直線的な微細パターンを検出する画像検出用カメラ25が加えられた構成を有する。これにより、本実施例における露光装置20bは、画像検出用カメラ25で撮影した画像の画像解析処理等を行うことによって、撮影した画像をもとにステージ21、及び/又は、フォトマスク23及び光源22の位置を決定することが可能になる。次に、本実施例におけるスキャン露光の方法について説明する。まず、露光対象である基板26をステージ21に載置する。続いて、画像検出用カメラ25で撮影した基板に設けられたBM、バスライン等の画像を画像解析処理することで得られる位置データをもとに、ステージ21、及び/又は、フォトマスク23及び光源22を、自動でスキャン露光開始位置に水平移動させ、フォトマスク23の開口部図示せずの位置を所定の位置にセットする。そして、光線照射処理時も同様に、画像検出用カメラ25で撮影した画像をもとに画像解析処理を行い、開口部の位置がバスライン、BM等からずれないように、ステージ21、及び/又は、フォトマスク23及び光源22の位置を逐一補正しながら、スキャン露光を行う。このように、本実施例の液晶表示パネルの製造方法によれば、画像検出用カメラ25を用いて露光スタート位置の決定、及び、露光位置の補正を行うことから、TFTアレイ基板又はCF基板において画素配列がゆがんでいる場合においても、画素内に所望のドメインを高精度に形成することができる。なお、本願は、2005年12月2日に出願された日本国特許出願2005-350020号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。