"冗長メモリ又は集積回路の選択された導電リンク構造からターゲット材料を除去するレーザベースの加工方法であって、各リンク構造は両側面及び上下面を有し、前記上下面がリンク深さを規定する距離だけ離れているものであって、レーザパルスのバーストを生成し、第1のターゲットリンク構造の深さに基づいて、レーザパルスの第1のバーストにおける1つ以上の第1のパルスを第1の偏光に選択的に設定し、前記レーザパルスの第1のバーストを前記第1のターゲットリンク構造に向けて、前記第1のターゲットリンク構造の少なくとも第1の部分をアブレートする、方法。さらに、第2のターゲットリンク構造の深さに基づいて、レーザパルスの第2のバーストにおける1つ以上の第2のパルスを第2の偏光に選択的に設定し、前記レーザパルスの第2のバーストを前記第2のターゲットリンク構造に向ける、請求項1の方法。前記第1の偏光は放射偏光、前記第2の偏光は方位角偏光であり、前記第1のターゲットリンク構造の深さは、前記第2のターゲットリンク構造の深さ未満である、請求項2の方法。さらに、前記レーザパルスの第1のバーストを前記第1のターゲットリンク構造に向ける前に、レーザパルスの第1のバーストにおける1つ以上の第2のパルスを第2の偏光に選択的に設定して、前記ターゲットリンク構造の第2の部分をアブレートする、請求項1の方法。前記第1の偏光は放射偏光、前記第2の偏光は方位角偏光であり、前記リンク構造の第2の部分は、前記リンク構造の第1の部分よりも深い、請求項4の方法。選択されたリンク構造のそれぞれの上面は、隣接する上側のパッシベーション材料であり、選択されたリンク構造のそれぞれの下面は、隣接する下側のパッシベーション材料であり、さらに前記下側のパッシベーション材料をクラックすることなく、前記第1のターゲットリンク構造の上側の角部で前記上側のパッシベーション材料をクラックするように選択された第1の振幅に、前記レーザパルスの第1のバーストにおける前記第1のパルスのうち1つ以上を選択的に調整し、アブレーション閾値を超えて前記第1のターゲットリンク構造を徐々に加熱するように上昇して順次高くなる第2の振幅で、前記レーザパルスの第1のバーストにおける複数の第2のパルスを選択的に調整し、前記第2の振幅のそれぞれは前記第1の振幅未満である、請求項1の方法。さらに、一定の第3の振幅で前記レーザパルスの第1のバーストにおける複数の第3のパルスを選択的に調整し、前記第3の振幅は前記第1の振幅未満である、請求項6の方法。さらに、前記第1のターゲットリンク構造の残渣を除去するように減少して順次小さくなる第4の振幅で、前記レーザパルスの第1のバーストにおける複数の第4のパルスを選択的に調整する、請求項7の方法。冗長メモリ又は集積回路の選択された導電リンク構造からターゲット材料を除去するレーザベースの加工方法であって、各リンク構造は両側面及び上下面を有し、前記上下面がリンク深さを規定する距離だけ離れているものであって、レーザパルスのバーストを生成し、前記レーザパルスのバーストにおける1つ以上の第1のパルスを第1の偏光に選択的に設定し、前記レーザパルスのバーストにおける1つ以上の第2のパルスを第2の偏光に選択的に設定し、前記レーザパルスのバーストをターゲットリンク構造に向ける、方法。前記第1の偏光は放射偏光、前記第2の偏光は方位角偏光であり、前記1つ以上の第1のパルスは、前記1つ以上の第2のパルスよりも前に前記ターゲットリンク構造を照射する、請求項9の方法。選択されたリンク構造のそれぞれの上面は、隣接する上側のパッシベーション材料であり、選択されたリンク構造のそれぞれの下面は、隣接する下側のパッシベーション材料であり、さらに前記下側のパッシベーション材料をクラックすることなく、前記ターゲットリンク構造の上側の角部で前記上側のパッシベーション材料をクラックするように選択された第1の振幅に、前記レーザパルスのバーストにおける前記1つ以上の第1のパルスを選択的に調整し、アブレーション閾値を超えて前記第1のターゲットリンク構造を徐々に加熱するように上昇して順次高くなる第2の振幅で、前記レーザパルスのバーストにおける複数の第2のパルスを選択的に調整し、前記第2の振幅のそれぞれは前記第1の振幅未満である、請求項9の方法。さらに、一定の第3の振幅で前記レーザパルスのバーストにおける複数の第3のパルスを選択的に調整し、前記第3の振幅は前記第1の振幅未満である、請求項11の方法。さらに、前記ターゲットリンク構造の残渣を除去するように減少して順次小さくなる第4の振幅で、前記レーザパルスのバーストにおける複数の第4のパルスを選択的に調整する、請求項12の方法。冗長メモリ又は集積回路の選択された導電リンク構造からターゲット材料を除去するレーザベースの加工方法であって、各リンク構造は両側面及び上下面を有し、前記上下面がリンク深さを規定する距離だけ離れているものであり、選択されたリンク構造のそれぞれの上面は、隣接する上側のパッシベーション材料であり、選択されたリンク構造のそれぞれの下面は、隣接する下側のパッシベーション材料であって、レーザパルスのバーストを生成し、前記下側のパッシベーション材料をクラックすることなく、前記ターゲットリンク構造の上側の角部で前記上側のパッシベーション材料をクラックするように選択された第1の振幅に、前記レーザパルスのバーストにおける1つ以上の第1のパルスを選択的に調整し、アブレーション閾値を超えて前記第1のターゲットリンク構造を徐々に加熱するように上昇して順次高くなる第2の振幅で、前記レーザパルスのバーストにおける複数の第2のパルスを選択的に調整し、前記第2の振幅のそれぞれは前記第1の振幅未満であって、前記レーザパルスのバーストをターゲットリンク構造に向ける、方法。さらに、一定の第3の振幅で前記レーザパルスのバーストにおける複数の第3のパルスを選択的に調整し、前記第3の振幅は前記第1の振幅未満である、請求項14の方法。さらに、前記ターゲットリンク構造の残渣を除去するように減少して順次小さくなる第4の振幅で、前記レーザパルスのバーストにおける複数の第4のパルスを選択的に調整する、請求項15の方法。さらに、前記ターゲットリンク構造の深さに基づいて、前記レーザパルスのバーストの偏光を選択的に設定する、請求項14の方法。さらに、前記レーザパルスのバーストにおける前記1つ以上の第1のパルスを第1の偏光に選択的に設定し、前記レーザパルスのバーストにおける前記複数の第2のパルスを第2の偏光に選択的に設定する、請求項14の方法。前記第1の偏光は放射偏光、前記第2の偏光は方位角偏光であり、前記1つ以上の第1のパルスは、前記複数の第2のパルスよりも前に前記ターゲットリンク構造を照射する、請求項18の方法。本開示は、時間的パワープロファイル及び/又は偏光を最適化したレーザパルスを用いて導電リンクを効果的かつ確実にアブレートするためのシステム及び方法を提供する。ある実施形態においては、レーザビームと導電リンクの結合が、導電リンクをアブレートするのに必要なパルスエネルギーを減少させるように、レーザビームの偏光特性が設定される。そのような実施形態においては、ターゲットリンク構造の深さに基づいて偏光が選択される。他の実施形態においては、材料が除去されるターゲット位置がより深くなるにつれ、偏光が変化する。加えて、あるいは他の実施形態においては、レーザビームの時間的パワープロファイルの第1の部分は立ち上がり時間が急峻になっており、導電リンクの下側の角部でクラックが形成されることなく、導電リンクの上側の角部の上にあるパッシベーション層においてクラックが形成されるように導電リンクの上側の部分を加熱する。本明細書で開示される実施形態は、ウェハ内又はウェハ間のパッシベーション層における厚さの変化に適応することができる。クラックの形成後、時間的パワープロファイルは、徐々に導電リンクを加熱するように、減少し、ゆっくりと増加する。以下に述べるように、材料の温度が上昇すると、材料のレーザ吸収が増加する。時間的パワープロファイルをゆっくりと増加させることにより、レーザビームと導電リンクとの間の結合を改善することができる。また、徐々に加熱することにより、熱が周りのパッシベーション層に伝播して、アブレーション中の導電リンクとパッシベーション材料との間の界面周辺の応力を緩和することができる。ある実施形態においては、時間的パワープロファイルをゆっくりと増加させた後、時間的に平坦な部分を形成し、アブレーション及び/又はゆっくりとした時間的パワープロファイルの減少を確保して導電リンクの残渣を清浄する。ある実施形態においては、所望の時間的パワープロファイルは、電気光学変調器EOM又は音響光学変調器AOMのような高速光学変調器と連続波CW又はモードロックレーザを用いることにより生成される。ここで、同様の参照符号が同様の要素を示している図面を参照する。わかりやすくするために、参照符号の最初の数字は、対応する要素が最初に用いられた図面番号を示している。以下の説明では、本発明の実施形態が完全に理解できるように、非常にたくさんの具体的な詳細が述べられる。しかしながら、具体的な詳細のうち1つ以上のものがなくても、あるいは、他の方法、構成要素、又は材料によっても実施形態を実現できることは、当業者であれば理解できるであろう。また、本発明の態様を不明瞭にすることを避けるために、既知の構造、材料、又は動作は、図示されていないか、あるいは詳細には述べられていない場合がある。さらに、1以上の実施形態においては、任意の適切な方法により、ここで述べられる特徴、構造、又は特性を組み合わせることができる。上述したように、材料の温度が上昇すると、材料のレーザ吸収が増加する。例えば、図4は、銅の光吸収の温度依存性を示す表である。この表は、様々なレーザビーム波長266nm、355nm、532nm、1047nm及び温度25°C加熱前及び加熱後の両方、100°C、200°C、300°Cに対する銅の吸光係数kを示している。吸光係数kは、物質が所定の波長の光を強く吸収する度合いに対応するパラメータであることは、当業者であれば理解できるであろう。図4に示されるように、銅の吸光係数kは、温度が上昇すると、示されたそれぞれの波長で増加している。他の例として、図5は、アルミニウムの光吸収の熱依存性のグラフを示している。破線の垂直線510は、アルミニウムの固体状態と液体状態との間の遷移を表している。グラフ512は、波長10.6μmの光に対するアルミニウムの吸収を表している。グラフ514は、波長1.064μmの光に対するアルミニウムの吸収を表している。グラフ516は、波長0.53μmの光に対するアルミニウムの吸収を表している。グラフ518は、波長0.355μmの光に対するアルミニウムの吸収を表している。図5に示されるように、示された波長のそれぞれでのアルミニウムの吸収は、温度とともに増加する。このため、本明細書で述べられる実施形態は、レーザビームの時間的パワープロファイルを次第に増加させてレーザビームと導電リンクとの間の結合を改善するものである。図6は、一実施形態における、CWレーザ610から安定したレーザパルス列を生成する例示システム600のブロック図である。CWレーザ610は、波長が約1.0μmから約1.3μm、出力パワーが約20WまでのCWレーザビーム611を出力する。CWレーザ610は、例えば、イットリウムアルミニウムガーネットYAGレーザ又はバナデートYVO4レーザを含んでいてもよい。システム600は、CWレーザ610からCWレーザビーム611を受け、このCWレーザビーム611を整形された一連のレーザパルス図7参照からなるレーザパルス列614に変換するAOM612を含んでいる。他の実施形態では、AOM612の代わりに、あるいはAOM612に加えて、EOMを用いることができる。AOM612は、光路に沿ったレーザパルス列614をワークピースターゲット例えば、ターゲットリンク構造の位置の方向に向ける。AOM612は、CWレーザビームのうち使用されない部分をビームダンプに偏向させる。また、AOM612は、レーザパルス列614の個々のレーザパルスを所望の時間的パワープロファイルに対して整形する。システム600は、AOM612によりなされる変調例えば、各レーザパルスの形状を選択及び制御する1以上のプロセッサ図示せずを備えたコントローラ616を含んでいてもよい。図7は、一実施形態における、図6に示されるようなCWレーザビーム611及びレーザパルス列614を模式的に示すものである。便宜的に、AOM612を用いてCWレーザビーム611をレーザパルス列614に変換するプロセスが矢印710で表されている。CWレーザビーム611の時間的パワープロファイルすなわち、時間に対する強度は一定であり、レーザパルス列614の時間的パワープロファイルは、一連の個々のレーザパルス7125つが示されているにおいて変化している。各レーザパルス712をワークピース上の異なるターゲット位置例えばリンク構造に向けてもよい。各レーザパルス712は、0.002μsから0.01μsの範囲のゆっくりとした立ち上がり時間を有する第1の部分714と、実質的に一定なパワーが0.002μsから0.1μs間継続する第2の部分716と、0.002μsから0.01μsの立ち下がり時間を有する第3の部分718とを含んでいる。第1の部分714により導電リンクを徐々に加熱してリンクをアブレートして上側のパッシベーション層を開口してもよい。第2の部分716及び第3の部分718は、すべての実施形態で必要なわけではない。しかしながら、図7に示される実施形態では、第2の部分716により付加的なエネルギーが供給されリンクがアブレートされ、第3の部分718により金属残渣が除去されリンクの電気的な切断が確保される。上述したように、レーザパルス712の第1の部分714のゆっくりとした立ち下がり時間は、導電リンクの下側の角部での下側のパッシベーション材料におけるクラックを避けるように選択される。しかしながら、リンク加工用途によっては、レーザパルス列614におけるそれぞれのパルス712の全継続時間が導電リンクの下側の角部でのクラックを引き起こすことがある。例えば、図8Aは、長いパルス814例えば20nsを有するレーザビーム812で加工される導電リンク810を模式的に示している。便宜的に、誘電体パッシベーション材料は示されていない。導電リンク810の全体に付けられた陰影によって示されているように、長いパルス814により、上側のクラック816が導電リンク810の上側の角部から誘電体パッシベーション材料を貫通し、下側のクラック818が導電リンク810の下側の角部から誘電体パッシベーション材料を貫通する程度まで導電リンク810の全体が加熱され得る。導電リンク810の上側の角部と下側の角部は、レーザビーム812の伝搬方向すなわちレーザビーム812はリンク810の上面から下面に向かって進むに関して述べたものであることに留意されたい。上述したように、下側のクラック818は加工品質と歩留まりを低下させてしまう。図8Bは、一実施形態において、短いパルス822例えば約1ns未満を有するレーザビーム820で加工される導電リンク810を模式的に示している。図8Aと同様に、図8Bにおいては便宜的に誘電体パッシベーション材料が示されていない。導電リンク810の上部824だけに付けられた陰影によって示されているように、短いパルス822により、導電リンク810の上側の角部から誘電体パッシベーション材料を貫通する上側のクラック816が形成されるように導電リンク810の上部824のみが加熱され得る。しかしながら、短いパルス822は、導電リンク810の残りの部分を加熱しない。このように、短いパルス822は、導電リンク810の下側の角部から形成される下側のクラックを生じさせることはない。実施形態によっては、2以上の短いパルスを用いて上側のクラック816を形成しつつ、下側のクラック818は形成しないようにできることは、当業者であれば本明細書の開示から理解できるであろう。下側のクラック818を生じさせずに導電リンク810の上側の角部から誘電体パッシベーション材料を貫通する上側のクラック816を生成するために用いられたレーザパルスの時間的パルス幅は、導電リンク810用に用いられる特定の材料や導電リンク810の厚さ例えば深さのようなファクターに依存している。熱影響部HAZは、熱がワークピースに影響を与える範囲であり、以下により表すことができる。HAZ=2熱拡散率パルス幅^1/2HAZの計算が示しているように、導電リンクの厚さが約1μm未満の場合、導電リンクの上側の部分に熱を局所的に集めるために、数百ピコ秒しかないほど短いパルス幅が必要とされる場合がある。例えば、銅リンクの厚さが約0.4μmである場合、パルス幅が約100psであるレーザパルスを用いて下側のクラックを生じないように銅リンクの上側の部分を加熱してもよい。しかしながら、レーザパルスが約100psよりも長い場合は、銅リンクの上側の角部だけでなく、下側の角部でも熱応力が生じ、大きな開口の生成、チッピング、及び/又はクラッキングのために、その後のリンクアブレーションが歩留まりを低下させてしまう。他の例として、厚さが約0.2μmの銅リンクを該銅リンクの下側の角部で下側のクラックを生じることなく加工するために、時間的パルス幅が約30ps未満のレーザパルスが必要とされる場合がある。図6に示される外部AOM612又は外部EOMは、上記例において述べたように、CWレーザビーム611から30psのレーザパルスを生成するのに必要とされる変調速度を有していなくてもよい。以下に述べる実施形態においては、例えばピコ秒のモードロックレーザにより生成されるパルスレーザビームが外部EOM又はAOMに供給され、調整バーストレーザパルスが生成される。図9は、一実施形態における、短レーザパルス又は超短レーザパルスの調整バーストを生成する例示システム900のブロック図である。レーザシステム900は、パルスレーザ910と、変調器912と、コントローラ914とを含んでいる。また、このシステム900は、オプションの増幅器916を含んでいてもよい。パルスレーザ910は、一連の短モードロックレーザパルス又は超短モードロックレーザパルス911を生成する。例えば、パルスレーザ910は、ダイオード励起固体レーザ又はファイバレーザを含んでいてもよい。変調器912は、パルスレーザ910により供給されたモードロックレーザパルス911を振幅変調し、所望の時間的パワープロファイルを有するエンベロープを持ったレーザパルス913の調整バーストを供給する。オプションの増幅器916は、変調器912により供給された調整バーストを増幅する。変調器912は、例えばAOM又はEOMを含んでいてもよい。応答時間が約1ns以上のAOMを用いることで、最適な時間的パルス形状に対してモードロックレーザパルスの回折効率を変調することができ、導電リンクを縦断するようにクラックを生じさせ、導電リンクをアブレート及び除去することができる。この変調は、コントローラ914から受信した制御信号に基づいている。このため、特定の用途又はターゲットの種類に応じて所望のバーストエンベロープを有するようにコントローラ914をプログラミングしてもよい。ある実施形態においては、バーストエンベロープの振幅及びその特定の形状を制御することに加え、エンベロープの下でのレーザパルスの時間的間隔及び/又はバーストエンベロープ全体の時間的幅を制御するように変調器912をプログラミングしてもよい。例えば、パルスピッキング例えば、パルス間の距離又はパルス繰り返し周波数を制御するようにパルスを選択するを用いることにより、プログラム可能なバーストエンベロープを得ることができる。図10A、図10B、及び図10Cは、ある実施形態における、図9に示されるモードロックレーザパルス911及びレーザパルス913の調整バーストを模式的に示すものである。特に便宜上、図10A、図10B、及び図10Cのそれぞれは、5つの別個のレーザパルス913の調整バーストを示している。ある実施形態においては、ワークピース上の別個のターゲット位置例えばリンク構造に各バースト913を向けてもよい。また、図10A、図10B、及び図10Cにおいては、便宜上、変調器912例えばAOMを用いてモードロックレーザパルス911をレーザパルス913の調整バーストに変換するプロセスは矢印1010で表されている。モードロックレーザパルス911のそれぞれは、約1ns未満の時間的パルス幅を有している。例示の実施形態においては、モードロックレーザパルス911のそれぞれは、繰り返し率約80MHzで約10psから約20psの範囲の時間的パルス幅を有している。モードロックレーザの繰り返し率はキャビティ長によって決まる可能性がある。しかしながら、例えば、パルスピッカーを有する主発振器出力増幅器MOPAの構成をパルスピッカーの応答時間に応じた任意の繰り返し率で実施してもよい。例えば、パルスピッカーがEOMの場合、繰り返し率は約1Hzから約10MHzの範囲である場合がある。他の実施形態では、モードロックレーザパルス911のそれぞれの時間的パルス幅は、約1nsから約100fsの範囲にある。本明細書では、約10ps未満の時間的パルス幅を超短又は超高速レーザパルスということがある。一実施形態においては、レーザパルス913の各調整バーストのバーストエンベロープの時間的幅は、約10psから約1nsの範囲にある。他の実施形態においては、バーストエンベロープの時間的幅は、約1nsから約10nsの範囲にある。他の実施形態においては、バーストエンベロープの時間的幅は、約10nsから約100nsの範囲にある。他の実施形態においては、バーストエンベロープの時間的幅は、約100nsから約1msの範囲にある。バーストエンベロープは、特定の用途に応じて他の時間的幅を有していてもよい。図10A及び図10Bにおいて、レーザパルス913の各調整バーストは、導電リンクを横断して誘電体パッシベーション材料にクラックを生じさせるように選択された振幅を有する1つ以上の第1のパルス1012を含んでいる。一実施形態においては、第1のパルス1012のパルスエネルギーは、約01μJから約002μJの範囲にある。そのような実施形態においては、第1のパルス1012の時間的パルス幅は、レーザパルス913の調整バーストにおける他のパルスよりも短く、導電リンクの上側の部分に熱エネルギーを局所的に集めるようにしている。例えば、深さが約1μmの導電リンクに対しては、例えば、ヒューズ全体が確実に加熱され吹き飛ばされるように第1のパルス1012の時間的パルス幅が約05nsであり、バースト913内の他のパルスのそれぞれの時間的パルス幅が約1ns以上であってもよい。このように、ある実施形態では、第1のパルス1012は、レーザパルス913のバースト内の他のパルスのいずれの高さの2倍であってもよい。便宜上、図10A及び図10Bは、レーザパルス913の特定のバーストにおいて、1つの第1のパルス1012の振幅が他のパルスの振幅よりも相当に大きいものであるように示している。しかしながら、特定の用途に応じて各バーストにおいて2つ以上の第1のパルス1012を用いることもできる。1つ以上の第1のパルス1012の振幅は、上側のパッシベーション層の厚さ、リンクの体積、及び/又はパッシベーション層及び導電リンクに使用される特定の材料に依存する場合がある。図10A及び図10Bにも示されるように、1つ以上の第1のパルス1012の後に、導電リンクを加熱しアブレートする第2のパルス1014のグループが続く。第2のパルス1014のグループにおけるそれぞれのパルスのそれぞれの振幅は、上述した1つ以上の第1のパルス1012の振幅よりも小さい。第2のレーザパルス1014のグループにおける複数のパルスの振幅は、時間とともに次第に増加する。パルス振幅が次第に増加することにより、導電リンクが緩やかに加熱され、レーザビーム吸収が改善され、レーザエネルギーの線量が低減されるとともに、導電リンクの下側の角部付近の誘電体パッシベーション材料への応力を低減しつつ、導電リンクがアブレートされる。加工される特定の材料、導電リンクの体積、及び/又は導電リンクの上側にあるパッシベーション層の厚さに基づいて、第2のレーザパルス1014のグループの時間的幅例えば、パルス繰り返し率に基づくパルス数及び/又は次第に増加する振幅の傾き例えば立ち上がり時間を選択してもよい。導電リンクのアブレーション後、電気的切断を確保するために金属残渣を除去する必要がある場合がある。図10Aに示されるように、上側のパッシベーション層これは導電リンクのアブレーション中に吹き飛ばされているがなくなったターゲット位置に第3のレーザパルス1016のグループを照射して金属残渣を除去してもよい。図10Aの例に示されるように、第3のパルス1016のグループの複数のパルスの振幅は、時間とともに次第に減少し、スムーズクリーニング中にターゲット位置に残っている残渣が少なくなっていくにつれ周囲の材料に放散される熱量を少なくする。周囲の材料における熱影響を低減又は除去するために、図10Bに示される例示の実施形態は第3のパルスのグループを含んでいない。さらに、すべての用途において金属残渣の除去が必要とされるわけではない。図10Cにおいて、レーザパルス913のそれぞれの調整バーストは、上述した第2のパルス1014のグループと第3のパルス1016のグループを含んでいるが、図10A及び図10Bに示されるような大きな第1のパルス1012は含んでいない。図10A及び図10Bに示される実施形態は、例えば、lowk誘電材料又は他のパッシベーション材料がパルスのバーストに対して実質的に透明である場合には有用であり得る。一方、図10Cに示される実施形態は、導電リンクの上側にあるlowk誘電材料又は他のパッシベーション材料がバーストのレーザパルスの少なくとも一部を吸収するような場合には有用であり得る。この状態では、金属リンクが加熱され始めると、レーザパルス913の調整バーストが上側のパッシベーション層をアブレートし始めるので、上側のパッシベーション層をクラックするために大きな初期パルスが必要とされない場合がある。図10A、図10B、及び図10Cに示されるように、リンクを加工するために複数のレーザパルスを使用すると、インキュベーションと呼ばれるプロセスにおいて導電リンクのアブレーション閾値が下がる。アブレーション閾値以下のフルエンスは、金属や他の材料に影響を与え、次のパルスに対するアブレーション閾値が材料の種類に依存する程度にまで下がり得る。以下の式は、インキュベーション現象を表している。Fthn=Fth1n^s-1ここで、Fth1は単一パルスに対するアブレーション閾値であり、Fthnはn個のパルスに対するアブレーション閾値であり、sはインキュベーションファクターである。上述したように、ある実施形態においては、レーザビームと導電リンクとの間の結合が導電リンクをアブレートするために必要なパルスエネルギーを低下させるようにレーザビームの偏光特性が設定される。そのような実施形態は、単独で、あるいは上述した実施形態のリンク加工中の任意の時間的パワープロファイルとともに用いることができる。一実施形態においては、ターゲットリンク構造の深さに基づいて偏光が選択される。他の実施形態においては、より深いターゲット位置から材料が除去されるにつれ、偏光が変化する。放射偏光レーザビーム又は方位角偏光レーザビームを使用することで、レーザビームと金属リンクとの間の結合を改善し、プロセスウィンドウを狭くしてしまう過度のアブレーションが緩和される。フルエンスと金属の種類によっては、放射偏光又は方位角偏光のいずれかを用いることができる。金属リンクとレーザビームとの間の結合は、レーザアブレーションにより生成された切断溝に沿った多重反射だけでなく、偏光にも依存する。放射偏光レーザビームにより、比較的低いフルエンスにおける材料との結合が改善される。しかしながら、より高いフルエンスについては、方位角偏光レーザビームによる多重反射が関与し始める。いずれの場合も、放射偏光レーザビーム又は方位角偏光レーザビームは、円偏光レーザビームや直線偏光レーザビームよりも効率的に金属をアブレートする。ある実施形態においては、比較的薄いターゲット構造に対して、あるいはターゲット構造の上面層に対して放射偏光が使用される。比較的深いターゲット構造に対して、あるいは上側の層が除去されたターゲット構造の下側の層に対しては、方位角偏光が用いられる。図11は、一実施形態における、レーザパルスの偏光を選択的に設定するレーザ加工システム1100のブロック図である。システム1100は、パルスレーザ1110と、変調器1112と、経路セレクタ1114とを含んでいる。パルスレーザ1110は、上述した図9、図10A、図10B、及び図10Cに関して述べたレーザパルス911のような、一連の短モードロックレーザパルス又は超短モードロックレーザパルスを生成する。パルスレーザ1110は、例えば、ダイオード励起固体レーザ又はファイバレーザを含んでいてもよい。変調器1112は、パルスレーザ1110により供給されたモードロックレーザパルスを振幅変調し、上述したように、所望の時間的パワープロファイルを有するエンベロープのレーザパルスの調整バーストを供給する。変調器912は、例えば、AOM又はEOMを含んでいてもよい。図示はしていないが、システム1100は、図9に示されるオプションの増幅器916のように増幅器を含んでいてもよい。例えば、手動で調整可能なミラー、ファーストステアリングミラー、電気光学偏向器、又は音響光学偏向器から経路セレクタ1114を選択することができる。経路セレクタ1114は、放射偏光器1116を含む第1のビーム経路又は方位角偏光器1118を含む第2のビーム経路に沿うように変調器1112の出力を選択的に方向付ける。ある実施形態においては、特定のターゲットの深さに基づく実行時の経路選択のために、あるいはターゲットの層が除去されるのに伴って偏光を変更するために、経路セレクタ1114をコントローラ1120の支配下に置いてもよい。コントローラ1120は、コンピュータ読取可能な記憶媒体に記録されたコンピュータ実行可能な命令を処理する1つ以上のプロセッサ図示せずを含んでいてもよい。上述したように、変調器1112を制御してレーザパルスのバーストに対する所望の時間的パワープロファイルを選択するためにコントローラ1120を用いることもできる。システム1100は、2つのビーム経路と2つのミラー1124,1126を組み合わせてレーザビームをビーム経路の少なくとも一方に方向付けるビームコンバイナを含んでいる。放射偏光器1116は、例えば、LMR1064放射偏光出力カプラ、PLR1064放射偏光器、又はSWP1064偏光変換器を含んでいてもよく、これらはそれぞれ日本の仙台市にあるフォトニックラティス社から入手可能である。方位角偏光器1118は、例えば、LMA1064方位角偏光器出力カプラ、PLA1064方位角偏光器、又はSWP1064偏光変換器を含んでいてもよく、これらはフォトニックラティス社から入手可能である。図12は、一実施形態における、選択的偏光を用いたレーザ加工の方法1200のフローチャートである。この方法1200では、レーザパルスのバーストを生成する1210。また、この方法1200では、第1のターゲットの深さに基づいてレーザパルスの第1のバーストの偏光を設定し1212、このレーザパルスの第1のバーストを第1のターゲットの方向に向ける1214。第1のターゲットが比較的厚い場合には、レーザパルスの第1のバーストを方位角偏光してもよい。一方、第1のターゲットが比較的薄い場合には、パルスの第1のバーストを放射偏光してもよい。例えば、波長λが約1μmでスポットサイズが約1μmのレーザビームは、約1.6μmの共焦点パラメータすなわち、wOをスポットの半径とすると2πw02λを有している。このため、レーザビームにより生成された切断溝内の多重反射は、約2μmの深さでは相当なものになる可能性がある。したがって、この例では、ターゲットの厚さが2μm未満のときはレーザパルスの第1のバーストを放射偏光し、ターゲットの厚さが2μm以上のときはレーザパルスの第1のバーストを方位角偏光する。この方法1200では、さらに、第2のターゲットの深さに基づいてレーザパルスの第2のバーストの偏光を設定し1216、このレーザパルスの第2のバーストを第2のターゲットの方向に向ける1218。第2のターゲットが比較的厚い場合には、レーザパルスの第2のバーストを方位角偏光してもよい。一方、第2のターゲットが比較的薄い場合には、パルスの第2のバーストを放射偏光してもよい。図13は、一実施形態における、導電リンク1309を有するウェハ1305の加工を模式的に示すものである。連続リンク吹き飛ばしプロセスでは、リンクランlinkrun1310のそれぞれに対して一度ウェハ1305を横断してXY運動ステージ図示せずを走査する。繰り返しウェハ1305を前後に走査することにより、完全なウェハ加工がなされる。装置は、典型的には、Y軸リンクラン1312破線で示されるを加工する前に、すべてのX軸リンクラン1310実線で示されるを加工するために前後に走査する。この例は例示的なものに過ぎない。リンクランの他の構成や他の加工の様相も考えられる。例えば、ウェハや光学部品レールを移動させることによりリンクを加工することも可能である。さらに、連続動作によりリンクバンクやリンクランを加工しなくてもよい。便宜上、X軸リンクラン1310とY軸リンクラン1312との交点付近にあるウェハ1305の一部を拡大してグループになった複数のリンク1309又はリンクバンクを示している。リンク加工中、第1のターゲット位置1314がレーザパルスの第1の調整バースト913で照射され、リンク1309のうちの1つが吹き飛ばされる。この例では、第1の調整バースト913は、第1のターゲット位置1314のリンク構造の深さに基づいて選択された第1の偏光形態例えば放射偏光である。その後、第2のターゲット位置1316がレーザパルスの第2の調整バースト913で照射され、他のリンク1309が吹き飛ばされる。第2の調整バースト913は、第2のターゲット位置1316のリンク構造の深さに基づいて選択された第2の偏光形態例えば方位角偏光である。各調整バースト913の時間的パワープロファイルを図10A、図10B、又は図10Cに関して説明したように整形してもよい。一実施形態においては、各調整バーストの時間的パワープロファイルは、各ターゲット位置1314,1316について同一である。他の実施形態では、第1のターゲット位置1314に与えられる調整バースト913の時間的パワープロファイルは、第2のターゲット位置に与えられる調整バースト913の時間的パワープロファイルと異なっている。他の数多くの種類のターゲットやターゲット特徴部を本明細書における実施形態により加工してもよいことは、当業者であれば本明細書の開示から理解するであろう。さらに、特定の種類のターゲットに基づいて、各バースト913の形状を動的に選択してもよい。このように、異なるバーストエンベロープ及び/又は異なる偏光形態を有するレーザパルスのバースト913により、異なる種類のターゲットを有するデバイスを加工してもよい。図14は、他の実施形態における、選択的な偏光を用いたレーザ加工方法1400のフローチャートである。この方法1400では、レーザのバーストを生成し1410、レーザパルスのバースト内の1つ以上の第1のパルスを第1の偏光に設定して1412、ターゲット位置の第1の層をアブレートする。上述したように、ターゲット位置の第1の層の厚さに基づいて第1の偏光の選択を行ってもよい。この方法1400では、さらに、レーザパルスのバースト内の1つ以上の第2のパルスを第2の偏光に設定して1414、ターゲット位置の第2の層をアブレートする。再び、ターゲット位置の第2の層全体の深さ例えば、第1の層の厚さを第2の層の厚さに加えたものに基づいて第2の偏光の選択を行ってもよい。例えば、図10Aに示される第1のレーザパルス1012と第2のレーザパルス1014のグループを放射偏光して上側のパッシベーション層をクラックして導電リンクをアブレートしてもよい。第3のレーザパルス1016のグループを方位角偏光してより深い位置にある金属残渣を清浄してもよい。ある実施形態では、この方法1400において、さらに、例えば、上述したAOM又はEOMを用いてレーザパルスのバーストのバーストエンベロープを調整してもよい1416。さらに、この方法1400では、レーザパルスのバーストをターゲット位置に向けてもよい1418。本発明の根底にある原理から逸脱することなく、上述した実施形態の詳細に対して多くの変更を加えることができることを当業者は本明細書の開示から理解するであろう。したがって、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によってのみ決定されるべきである。"