導電性プラグと、相変化記録材料膜と上部電極層とを含む相変化素子であって、該導電性プラグと該相変化記録材料膜とが縦方向に接続されるとともに、該相変化記録材料膜と該上部電極層とが、該相変化記録材料膜の側面の少なくとも一部で接続されている、相変化素子。前記相変化記録材料膜の横断面の径が、前記導電性プラグの横断面の径よりも大きく、かつ該相変化記録材料膜の側面全体が前記上部電極と接続されていることを特徴とする、請求項1に記載の相変化素子。前記上部電極層が、導電性サイドウォールとして前記相変化記録材料膜の横側面全体を囲むように形成され、かつ該導電性サイドウォールとコンタクトプラグとを接続する導電性電極層を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の相変化素子。前記相変化記録材料膜はその横断面が円形に形成されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の相変化素子。前記相変化記録材料膜は横方向に線状に形成されており、複数の相変化素子の相変化記録材料膜として共有されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の相変化素子。導電性プラグと、相変化記録材料膜と上部電極層とを含む相変化素子の製造方法であって、第1の絶縁層に第1の開口部を形成して該第1の開口部に導電性プラグを埋め込む工程と、該導電性プラグを埋め込んだ該第1の絶縁層の上面に上部電極層を形成する工程と、該上部電極層に第2の開口部を形成して、該第2の開口部に相変化記録材料膜を埋め込む工程と、を含むことを特徴とする、相変化素子の製造方法。前記相変化記録材料膜の横断面の径が、前記導電性プラグの横断面の径よりも大きいことを特徴とする、請求項6に記載の製造方法。前記上部電極層を形成する工程の前に、前記導電性プラグを埋め込んだ前記第1の絶縁層の上面に第2の絶縁層を形成する工程を含み、該上部電極層は該第2の絶縁層の上面に形成され、該第2の絶縁層と該上部電極層に前記第2の開口部を形成して、該第2の開口部に前記相変化記録材料膜を埋め込むことを特徴とする、請求項6に記載の製造方法。前記第2の開口部は、その開口形状が円形又は線状に形成されることを特徴とする、請求項6~8のいずれか一に記載の製造方法。しかしながら、図10のような相変化記録材料の閉じ込め構造を作製するためには、ボトムコンタクト型相変化素子構造とは異なり、相変化記録材料膜を上下電極層間の層間絶縁膜内に堆積した後のエッチバック又はCMPchemicalmechanicalpolishing処理が必要不可欠である。それらの処理のダメージにより、ボトムコンタクト型相変化素子構造と比べて、相変化記録材料膜/上部電極層界面の接触抵抗の増大とばらつきが生じることにより、電気特性におけるSet抵抗とReset抵抗の識別が困難になることが懸念されている。本発明に係る相変化素子は、導電性層間膜を用いることで、導電性電極プラグ上部にあった上部電極層を、相変化記録材料膜を埋設している開口部の側壁に作製し、相変化記録材料膜堆積後のエッチバック又はCMP処理のダメージを回避する。これにより、相変化記録材料膜/上部電極層界面の接触抵抗の増大とばらつきを抑制することができる。第1の視点において、本発明に係る相変化素子は、導電性プラグと、相変化記録材料膜と上部電極層とを含む相変化素子であって、該導電性プラグと該相変化記録材料膜とが縦方向に接続されるとともに、該相変化記録材料膜と該上部電極層とが、該相変化記録材料膜の側面の少なくとも一部で接続されている。本明細書において、縦方向とは、薄層内ないし薄膜内に形成された相変化素子において、この層ないし膜に垂直な方向ないし厚み方向を意味する。またこの層ないし膜に平行な方向を横方向という。即ち縦断面図においては、特に記載がない限り、左右方向が横方向であり、上下方向が縦方向に相当する。なお、側面とは横方向軸に交叉する典型的には直交する面である。第2の視点において、本発明に係る相変化素子の製造方法は、導電性プラグと、相変化記録材料膜と上部電極層とを含む相変化素子の製造方法であって、第1の絶縁層に第1の開口部を形成して該第1の開口部に導電性プラグを埋め込む工程と、該導電性プラグを埋め込んだ該第1の絶縁層の上面に上部電極層を形成する工程と、該上部電極層に第2の開口部を形成して、該第2の開口部に相変化記録材料膜を埋め込む工程と、を含むことを特徴とする。このような相変化素子により、相変化記録材料膜/上部電極層界面の接触抵抗の増大とばらつきを抑制することができる。第1の視点において、前記相変化記録材料膜の横断面の径が、前記導電性プラグの横断面の径よりも大きく、かつ該相変化記録材料膜の側面全体が前記上部電極と接続されていることが好ましい。また、前記上部電極層が、導電性サイドウォールとして前記相変化記録材料膜の横側面全体を囲むように形成され、かつ該導電性サイドウォールとコンタクトプラグとを接続する導電性電極層を有することが好ましい。また、前記相変化記録材料膜はその横断面を円形に形成することができる。また、前記相変化記録材料膜は横方向に線状に形成し、複数の相変化素子の相変化記録材料膜として共有することができる。第2の視点において、前記相変化記録材料膜の横断面の径が、前記導電性プラグの横断面の径よりも大きいことが好ましい。また、前記上部電極層を形成する工程の前に、前記導電性プラグを埋め込んだ前記第1の絶縁層の上面に第2の絶縁層を形成する工程を含み、該上部電極層は該第2の絶縁層の上面に形成され、該第2の絶縁層と該上部電極層に前記第2の開口部を形成して、該第2の開口部に前記相変化記録材料膜を埋め込むことが好ましい。前記第2の開口部は、その開口形状が円形又は線状に形成することができる。以下に図面を参照して本発明の実施例に係る相変化素子相変化メモリ素子について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1図1aは、本発明の実施例1に係る相変化記録材料膜埋設型の相変化素子の横断面平面図であり、図1bは横断面図に一点鎖線で示した位置における縦断面図である。なお、横断面図においては内部構造をわかりやすく説明するため、上部電極層15と開口部16に埋め込まれた相変化記録材料膜相変化記録材料層20の平面的構造が見えるように記載したが、同時にコンタクトプラグ21の平面的構造も見えるように、場所により断面位置を適宜変えた平面図的な記載としている。また、図において同じ構成が複数記載されているが、同一の部分に同一符号を繰り返して付すことはしていない。また、本明細書でいう横、縦とは、薄層状ないし薄膜状に構成された素子の層ないし膜に平行な方向を横とし、それに垂直な方向ないし厚み方向を縦としている。図1bに示すように、本発明の実施例1に係る相変化素子では、導電性プラグ13の上部に相変化記録材料膜20を配置し、相変化記録材料膜20の側面でかつ第2の層間絶縁膜絶縁層18の上部に上部電極層15を配置した構造となっている。即ち相変化記録材料膜20はその側面で上部電極層15と電気的に接続されている。相変化記録材料膜20の上部には第3の層間絶縁膜絶縁層22が配置され、上部電極層15の上にコンタクトプラグ21が形成されている。なお、下部電極は本発明において主要な要素ではないために図1bにおいては記載されていないが、下部電極は導電性プラグ13の下方に形成されている。相変化記録材料、絶縁膜絶縁層、電極層等の構成材料としては、それぞれに必要な性質を有する公知の材料を用いることができ、特に限定されるものではない。なお、断面図において、相変化記録材料膜20が3箇所記載されているが、中央の相変化記録材料膜20においては一部が相変化した状態を例示しているProgrammablevolumeと図示した部分。このように、上部電極層15を相変化記録材料膜20の側面と接するように設けていることから、その接触面は相変化記録材料膜20に対しエッチバック又はCMP処理がなされるときの影響を受けない。したがって、相変化記録材料膜を堆積した後のエッチバック又はCMP処理によるダメージによって、相変化記録材料膜/上部電極層界面の接触抵抗の増大とばらつきが発生しやすいという問題を回避することができる。次に図2を参照して、本発明の実施例1に係る相変化素子の製造方法について説明する。各図2a~dにおいて、上は横断面図平面図を示し、下は横断面図に一点鎖線で示した位置における縦断面図を示す。なお横断面図においては、図1aと同様に内部構造をわかりやすく説明するために適宜内部の注目部分を記載した平面図的な記載となっている。まず、図2aに示すように、第1の層間絶縁膜絶縁層11を堆積し、レジスト塗布露光現像をする。続いてレジストをマスクとし、第1の層間絶縁膜11をエッチングして第1の開口部図示せず、導電性プラグ13が堆積した部分を形成し、レジストを除去する。そして全面にTiN等の導電性膜成長を行って第1の開口部を埋め、さらにCMPを行って導電性プラグ13を形成する。次に、第2の層間絶縁膜18と上部電極層15をこの順に堆積し、レジスト塗布露光現像をする。そのレジストをマスクとし、上部電極層15及び第2の層間絶縁膜18をエッチングして第2の開口部16を形成し、レジストを除去すると図2bに示す構造になる。次に、相変化記録材料膜20の堆積とCMPを行う。これにより、図2cに示すように開口部16内に相変化記録材料膜20を埋め込んだ構造が得られる。相変化記録材料膜20に対しCMPを実施することにより、相変化記録材料膜20の上面はダメージを受ける。しかしながら、第2の開口部16に埋め込まれた相変化記録材料膜20の側面は、CMPによるダメージを受けない。次に、図2dに示すように、第3の層間絶縁膜22を堆積し、これを適宜レジストマスクでエッチングしたのち、BLを接続するコンタクトプラグ21を形成する。こうして図1に示す相変化素子が完成する。実施例2図3a、bは、本発明の実施例2に係る相変化素子のそれぞれ横断面平面図及び縦断面図である。なお、横断面図における記載方法は図1、2と同様である。図3における相変化素子は、相変化記録材料膜20を埋め込んだ領域が、ホール状円形ではなく横方向横断面図である図3aにおいては上下方向に長いライン形状線状、即ち長矩形の構成としている。これは図2に示す製造方法において、円形の第2の開口部16の代わりに線状長矩形の第2の開口部16aを設けることにより製造することができる。本実施例2では、1つのライン形状の相変化記録材料膜20が複数の相変化素子に共通化されている図示していないが、図3aにおいて上下方向にも他の素子が配列されており、それらの素子の相変化記録材料膜20として共通化されている。これにより、図1に示すホール形状の相変化記録材料膜20の場合よりも埋設性が向上するメリットがある。実施例3図4a、bは、本発明の実施例3に係る相変化素子のそれぞれ横断面平面図及び縦断面図である。なお、横断面図における記載方法は図1~3と同様である。図4における相変化素子は、図1の相変化素子の上部電極層15と第2の層間絶縁層18からなる層を、上部電極層15のみに置き換えた構造である。図4に示す構造においては、導電性プラグ13と上部電極層15とが接触しないように、相変化記録材料膜20の大きさ本実施例では横断面の径を導電性プラグ13の大きさ本実施例では横断面の径よりも大きく形成している。図4のような構造とすることで、製造プロセスの工程数を減らすことができ、製造コストを下げることができる。なお、図4に示す相変化素子は、例えば図2に示す製造方法において、第2の層間絶縁膜18を形成しないかわりに、開口部16を導電性プラグ13よりも大きく形成することで製造することができる。実施例4図5a、bは、本発明の実施例4に係る相変化素子のそれぞれ横断面平面図及び縦断面図である。なお、横断面図における記載方法は図1~4と同様である。図5における構造は、図1の上部電極層15のかわりに、導電性S/Wサイドウォール19を用いたものである。導電性電極層15aは、コンタクトプラグ21と導電性S/W19とを接続する層である。このような形状によっても、上記実施例2、3と同等の効果を得ることができる。次に、図5に示す相変化素子の製造方法を、図6、7により説明する。まず、図6aに示すように、第1の層間絶縁膜11を堆積し、レジスト塗布露光現像をする。続いてレジストをマスクとし、第1の層間絶縁膜11をエッチングして第1の開口部図示せずを形成し、レジストを除去する。そして全面にTiN等の導電性膜成長を行って第1の開口部を埋め、さらにCMPを行って導電性プラグ13を形成する。次に、導電性電極層15aと第2の層間絶縁膜18をこの順に堆積し、レジスト塗布露光現像をする。そのレジストをマスクとし、第2の層間絶縁膜18及び上部電極層15aをエッチングして第2の開口部19aを形成し、レジストを除去すると図6bに示す構造になる。次に、導電性S/W19を全面に堆積し、第2の開口部19aの側壁部のみ残してエッチングして図6cのような形状を得る。さらに相変化記録材料膜20の堆積とCMPを行うことにより、図7dに示すように第2の開口部19a内に相変化記録材料膜20を埋め込んだ構造が得られる。次に、図7eに示すように、第3の層間絶縁膜22を堆積し、さらに第3の層間絶縁膜22と第2の層間絶縁膜18をレジストで導電性電極層15aに達するまでエッチングしたのち、BLを接続するコンタクトプラグ21を形成する。こうして図5に示す相変化素子が完成する。以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、本発明の全開示請求の範囲及び図面を含むの枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施例ないし実施例の変更調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲及び図面を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。