"スイッチング素子と、前記スイッチング素子上の周辺部に設けられたSiC製ダイオード素子と、前記スイッチング素子と前記SiC製ダイオード素子との間に設けられた絶縁板と、を備えた半導体モジュール。前記絶縁板はエポキシ樹脂からなる請求項1に記載の半導体モジュール。前記スイッチング素子は方形であり、前記SiC製ダイオード素子は、前記スイッチング素子の一辺に近接して設けられた請求項1又は2に記載の半導体モジュール。前記SiC製ダイオード素子は、前記スイッチング素子の角部に設けられた請求項3に記載の半導体モジュール。前記SiC製ダイオード素子及び前記スイッチング素子に対する電流の入出力部であって、前記入出力部は板状のリード板である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記スイッチング素子はSi製IGBT素子、SiC製IGBT素子、Si製MOSFET素子又はSiC製MOSFET素子のいずれか1つである請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。スイッチング素子と、前記スイッチング素子上の周辺部に設けられた複数のSiC製ダイオード素子と、前記スイッチング素子と前記複数のSiC製ダイオード素子との間に設けられた絶縁板と、を備えた半導体モジュール。前記絶縁板はエポキシ樹脂からなる請求項7に記載の半導体モジュール。前記スイッチング素子は方形であり、前記複数のSiC製ダイオード素子は、前記スイッチング素子の一辺に近接して設けられた請求項7又は8に記載の半導体モジュール。前記複数のSiC製ダイオード素子は、前記スイッチング素子の角部に設けられた請求項9に記載の半導体モジュール。前記複数のSiC製ダイオード素子の数は2乃至4である請求項9又は10に記載の半導体モジュール。前記複数のSiC製ダイオード素子及び前記スイッチング素子に対する電流の入出力部であって、前記入出力部は板状のリード板である請求項7乃至11のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記スイッチング素子はSi製IGBT素子、SiC製IGBT素子、Si製MOSFET素子又はSiC製MOSFET素子のいずれか1つである請求項7乃至12のいずれか1項に記載の半導体モジュール。上記に示したような半導体モジュールは、Si製スイッチング素子上にSiC製ダイオード素子を設けて、半導体モジュールの小型化を実現しようとするものである。しかしながらSi製スイッチング素子上にSiC製ダイオード素子を単に設けた場合、SiC製ダイオード素子の放熱経路が十分に確保できず、SiC製ダイオード素子が発生する熱が放熱されずに蓄熱され、半導体モジュールの温度が過度に上昇するという問題が生じる。この問題は電流密度を上げていった場合に特に顕著となる。この発明は、上記のようなSiC製ダイオード素子の放熱に係る課題を解消するためになされたもので、Si製スイッチング素子上のSiC製ダイオード素子の配置を適正にして、SiC製ダイオード素子の放熱経路を確保することにより、温度上昇を抑制した半導体モジュールを提供することを目的とする。この発明に係る半導体モジュールは、スイッチング素子と、スイッチング素子上の周辺部に設けられたSiC製ダイオード素子と、スイッチング素子とSiC製ダイオード素子との間に設けられた絶縁板と、を備えたものである。この発明によれば、SiC製ダイオード素子をスイッチング素子上の周辺部に設けて半導体モジュールを構成したので、SiC製ダイオード素子の放熱経路が確保され、SiC製ダイオード素子の発熱による温度上昇が抑制されるので、温度上昇が抑制された半導体モジュールを得ることができる。実施の形態1図1は、この発明の実施の形態1に係る半導体モジュールの側面図である。熱伝導性が良くかつ電気絶縁性が高い窒化アルミニウムなどからなる絶縁基板1の表面上には、銅などの金属からなるコレクタ電極膜2とエミッタ電極膜3が設けられ、裏面上には、銅などの金属からなる金属膜4が設けられている。Si製スイッチング素子としてのSi製IGBT素子5は、コレクタ電極膜2上に設けられ、はんだによりコレクタ電極膜2と接合されている。ここではSi製IGBT素子5のコレクタ電極側がコレクタ電極膜2と接合されている。これによりSi製IGBT素子5のコレクタ電極とコレクタ電極膜2は電気的に接続される。また熱伝導性が良くかつ電気絶縁性が高い窒化アルミニウムなどからなる絶縁板6が、Si製IGBT素子5のエミッタ電極上に設けられ、はんだによりSi製IGBT素子5のエミッタ電極と接合されている。ここでは、絶縁板6は、Si製IGBT素子5上の周辺部に設けられている。さらに絶縁板6上には、銅などの金属からなるカソード電極膜7が設けられている。そしてSiC製ダイオード素子8が、カソード電極膜7上の設けられ、はんだによりカソード電極膜7と接合されている。これによりSiC製ダイオード素子8のカソード電極とカソード電極膜7は電気的に接続される。なおSiC製ダイオード素子8としては、SiC製ショットキーバリアダイオード素子SiC-SBDを使用することが望ましい。また絶縁基板1に対向する金属膜4上には、銅などの金属からなるベース基板9が、はんだにより接合されている。このベース基板9と絶縁基板1は、半導体素子の熱を放熱する放熱部として作用する。またSi製IGBT素子5及びSiC製ダイオード素子8に対して電流を入出力する入出力部として、一端がSiC製ダイオード素子8のアノード電極に他端がエミッタ電極膜3に接合された第1の電線10と、一端がSi製IGBT素子5のエミッタ電極に他端がエミッタ電極膜3に接合された第2の電線11と、一端がカソード電極膜7に他端がコレクタ電極膜2に接合された第3の電線12が設けられている。なお第1の電線10、第2の電線11及び第3の電線12の材料としては、アルミニウムAlや金Auなどの金属が挙げられる。また図2及び図3は、この発明の実施の形態1に係る半導体モジュールの部分上面図であり、Si製IGBT素子5に対する絶縁板6、カソード電極膜7及びSiC製ダイオード素子8の配置の詳細を示したものである。図2及び図3に示すように、SiC製ダイオード素子8がSi製IGBT素子5上の周辺部に配置されるようにして、絶縁板6、カソード電極膜7及びSiC製ダイオード素子8が設けられる。このように実施の形態1に係る半導体モジュールにおいては、Si製IGBT素子5上の周辺部にSiC製ダイオード素子8を配置することにより、SiC製ダイオード素子8の熱が放熱されやすくなる。そのためSiC製ダイオード素子8の発熱による温度上昇を抑制することができる。よって半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。なお図2及び図3は、Si製IGBT素子5が、一般的に用いられる方形形状の場合を示したものである。このように、Si製IGBT素子5が方形形状の場合は、図2に示すように、SiC製ダイオード素子8を、方形のSi製IGBT素子5の周辺部の一辺に近接して設けることにより、図2に示す方向Aから、SiC製ダイオード素子8の熱が放熱されやすくなる。そのためSiC製ダイオード素子8の温度上昇を抑制することができる。よって半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また図3に示すように、SiC製ダイオード素子8を、方形のSi製IGBT素子5の周辺部の角部に設けることにより、図3に示す方向B及び方向Cから、SiC製ダイオード素子8の熱が放熱されやすくなる。そのためSiC製ダイオード素子8を方形のSi製IGBT素子5の一辺に近接して設けるよりも、SiC製ダイオード素子8の温度上昇を抑制することができる。よって半導体モジュールの温度上昇を更に抑制することができる。実施の形態1においては、Si製IGBT素子5上の周辺部にSiC製ダイオード素子8を1つ配置したものを示したが、さらにSiC製ダイオード素子の放熱を促進させる方法として、複数のSiC製ダイオード素子をSi製IGBT素子5上の周辺部に配置することにより、実施の形態1で示したよりもSiC製ダイオード素子の温度上昇を抑制することができる。以下、複数のSiC製ダイオード素子を用いた場合について説明する。実施の形態2この発明の実施の形態2は、複数のSiC製ダイオード素子を用いた場合として、2つのSiC製ダイオード素子をSi製IGBT素子5上の周辺部に配置したものである。図4及び図5は、この発明の実施の形態2に係る半導体モジュールの部分上面図であり、Si製IGBT素子5上における絶縁板13a及び13b、カソード電極膜14a及び14b、並びにSiC製ダイオード素子15a及び15bの配置の詳細を示したものである。図4及び図5に示すように、SiC製ダイオード素子15a及び15bが、Si製IGBT素子5上の周辺部に配置されるようにして、絶縁板13a及び13b、カソード電極膜14a及び14b並びにSiC製ダイオード素子15a及び15bを設けている。この実施の形態2に係る半導体モジュールの側面図は、実施の形態1で示した図1が利用できる。実施の形態2に係る半導体モジュールは、図1において、絶縁板6を絶縁板13a及び13bに、カソード電極膜7をカソード電極膜14a及び14bに、SiC製ダイオード素子8をSiC製ダイオード素子15a及び15bとした構成に相当する。より詳述すると、窒化アルミニウムからなる絶縁板13a及び13bが、Si製IGBT素子5のエミッタ電極上に設けられ、はんだによりSi製IGBT素子5のエミッタ電極と接合されている。ここでは、絶縁板13a及び13bは、Si製IGBT素子5上の周辺部に設けられている。さらに絶縁板13a上及び13b上には、それぞれ銅などの金属からなるカソード電極膜14a及び14bが設けられている。そしてSiC製ダイオード素子15aが、カソード電極膜14a上に設けられ、はんだによりカソード電極膜14aと接合され、SiC製ダイオード素子15bが、カソード電極膜14b上に設けられ、はんだによりカソード電極膜14bに接合されている。ここではSiC製ダイオード素子15a及び15bのカソード電極が接合されている。これによりSiC製ダイオード素子15a及び15bのカソード電極は、それぞれカソード電極膜14a及び14bと電気的に接続される。なおSiC製ダイオード素子15a及び15bとしては、SiC製ショットキーバリアダイオード素子を用いることが望ましい。また図示はないが、この実施の形態2では、入出力部として、第1の電線10は、一端がSiC製ダイオード素子15a及び15bのアノード電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第2の電線11は、一端がSi製IGBT素子5のエミッタ電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第3の電線12は、一端がカソード電極膜14a及び14bに他端がコレクタ電極膜2に接合されている。なおその他の構成については、実施の形態1の図1で示した構成に相当するため、ここでの説明は省略する。このように実施の形態2に係る半導体モジュールにおいては、複数のSiC製ダイオード素子として、2つのSiC製ダイオード素子15a及び15bをSi製IGBT素子5上の周辺部に配置することにより、SiC製ダイオード素子15a及び15bの熱が放熱されやすくなる。加えてSiC製ダイオード素子を2つにすることにより、1つのSiC製ダイオード素子が受け持つ電流密度を下げることができるため、1つのSiC製ダイオード素子の発熱量を低減させることができる。そのため1つのSiC製ダイオード素子を用いる場合よりも、SiC製ダイオード素子の発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態1で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。なお図4及び図5は、Si製IGBT素子5が、一般的に用いられる方形形状の場合を示したものである。このように、Si製IGBT素子5が方形形状の場合は、図4に示すように、SiC製ダイオード素子15a及び15bを、方形のSi製IGBT素子5の二辺に近接して設けることにより、図4に示す方向D及びEから、SiC製ダイオード素子15a及び15bの熱が放熱されやすくなる。加えてSiC製ダイオード素子を2つにすることにより、1つのSiC製ダイオード素子が受け持つ電流密度を下げることができる。したがってSiC製ダイオード素子15a及び15bの温度上昇は、SiC製ダイオード素子が1つの場合よりも抑制される。ここでは実施の形態1に示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また図5に示すように、SiC製ダイオード素子15a及び15bを、方形のSi製IGBT素子5の周辺部の角部に設けることにより、図5に示す方向F,G,H,Iから、SiC製ダイオード素子15a及び15bの熱が放熱されやすくなる。そのためSiC製ダイオード素子15a及び15bを、方形のSi製IGBT素子5の二辺に近接して設けるよりも、SiC製ダイオード素子15a及び15bの温度上昇を抑制することができる。よって半導体モジュールの温度上昇を更に抑制することができる。実施の形態3実施の形態2においては、複数のSiCダイオードとして、2つのSiC製ダイオード素子15a及び15bをSi製IGBT素子5上の周辺部に配置したものを示した。この発明の実施の形態3は、4つのSiC製ダイオード素子をSi製IGBT素子5上の周辺部に配置したものである。図6及び図7は、この発明の実施の形態3に係る半導体モジュールの部分上面図であり、Si製IGBT素子5上における絶縁板16a乃至16d、カソード電極膜17a乃至17d、並びにSiC製ダイオード素子18a乃至18dの配置の詳細を示したものである。図6及び図7に示すように、SiC製ダイオード素子18a乃至18dが、Si製IGBT素子5上の周辺部に配置されるようにして、絶縁板16a乃至16d、カソード電極膜17a乃至17d並びにSiC製ダイオード素子18a乃至18dを設けている。この実施の形態3に係る半導体モジュールの側面図は、実施の形態1で示した図1が利用できる。実施の形態3に係る半導体モジュールは、図1において、絶縁板6を絶縁板16a乃至16dに、カソード電極膜7をカソード電極膜17a乃至17dに、SiC製ダイオード素子8をSiC製ダイオード素子18a乃至18dとした構成に相当する。より詳述すると、窒化アルミニウムからなる絶縁板16a乃至16dが、Si製IGBT素子5のエミッタ電極上に設けられ、はんだによりSi製IGBT素子5のエミッタ電極と接合されている。ここでは、絶縁板16a乃至16dは、Si製IGBT素子5上の周辺部に設けられている。さらに絶縁板16a乃至16dの上には、それぞれ銅などの金属からなるカソード電極膜17a乃至17dが設けられている。そしてSiC製ダイオード素子18a乃至18dが、それぞれカソード電極膜17a乃至17dの上に設けられ、はんだによりカソード電極膜17a乃至17dと接合されている。ここではSiC製ダイオード素子18a乃至18dのカソード電極が接合されている。これによりSiC製ダイオード素子18a乃至18dのカソード電極は、それぞれカソード電極膜17a乃至17dと電気的に接続される。なおSiC製ダイオード素子18a乃至18dとしては、SiC製ショットキーバリアダイオード素子を用いることが望ましい。また図示はないが、この実施の形態3では、入出力部として、第1の電線10は、一端がSiC製ダイオード素子18a乃至18dのアノード電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第2の電線11は、一端がSi製IGBT素子5のエミッタ電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第3の電線12は、一端がカソード電極膜17aから17dに他端がコレクタ電極膜2に接合されている。その他の構成については、実施の形態1の図1で示した構成に相当するため、ここでの説明は省略する。このように実施の形態3に係る半導体モジュールにおいては、複数のSiCダイオード素子として、4つのSiC製ダイオード素子18a乃至18dをSi製IGBT素子5上の周辺部に配置することにより、SiC製ダイオード素子18a乃至18dの熱が放熱されやすくなる。加えてSiC製ダイオード素子を4つにすることにより、1つのSiC製ダイオード素子が受け持つ電流密度を下げることができるため、1つのSiC製ダイオード素子の発熱量を低減させることができる。そのため2つのSiC製ダイオード素子を用いる場合よりも、SiC製ダイオード素子の発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態2で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。なお図6及び図7は、Si製IGBT素子5が、一般的に用いられる方形形状の場合を示したものである。このように、Si製IGBT素子5が方形形状の場合は、図6に示すように、SiC製ダイオード素子18a乃至18dを、方形のSi製IGBT素子5の四辺に近接して設けることにより、図6に示す方向J,K,L及びMから、SiC製ダイオード素子18a乃至18dの熱が放熱されやすくなる。加えてSiC製ダイオード素子を4つにすることにより、1つのSiC製ダイオード素子が受け持つ電流密度を下げることができる。したがってSiC製ダイオード素子18a乃至18dの温度上昇は、SiC製ダイオード素子が2つの場合よりも抑制される。ここでは実施の形態2で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また図7に示すように、SiC製ダイオード素子18a乃至18dを、方形のSi製IGBT素子5の周辺部の角部に設けることにより、図7に示す方向N,P,Q,R,S,T,U及びVから、SiC製ダイオード素子18a乃至18dの熱が放熱されやすくなる。そのためSiC製ダイオード素子18a乃至18dを、方形のSi製IGBT素子5の四辺に近接して設けるよりも、SiC製ダイオード素子の温度上昇を抑制することができる。よって半導体モジュールの温度上昇を更に抑制することができる。実施の形態4実施の形態1においては、Si製IGBT素子5及びSiC製ダイオード素子8に対して電流を入出力する入出力部として、第1の電線10、第2の電線11及び第3の電線12を用いたものを示した。この発明の実施の形態4では、第1の電線10、第2の電線11及び第3の電線12に代えて、図8に示すように、銅などの金属からなる板状の第1のリード板21、第2のリード板22及び第3のリード板23が用いられる。その他の構成については、実施の形態1の図1で示した構成と同等であるため、ここでの説明は省略する。このように実施の形態4に係る半導体モジュールにおいては、板状の第1のリード板21、第2のリード板22及び第3のリード板23を用いているので、リード板を介して半導体素子の熱が放熱されやすくなる。特に第1のリード板21及び第3のリード板23は、温度が上昇しやすいSiC製ダイオード素子8の放熱に寄与するので、SiC製ダイオード素子8の温度上昇を抑制することができる。また第2のリード板22は、Si製IGBT素子5の放熱に寄与するので、Si製IGBT素子5の温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態1で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また実施の形態4で示した第1のリード板21、第2のリード板22及び第3のリード板23は、実施の形態2に対しても同様に適用することができる。ここでは、入出力部として、第1のリード板21は、一端がSiC製ダイオード素子15a及び15bのアノード電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第2のリード板22は、一端がSi製IGBT素子5のエミッタ電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第3のリード板23は、一端がカソード電極膜14a及び14bに他端がコレクタ電極膜2に接合されている。これにより、特に温度が上昇しやすいSiC製ダイオード素子15a及び15bの発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態2で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また実施の形態4で示した第1のリード板21、第2のリード板22及び第3のリード板23は、実施の形態3に対しても同様に適用することができる。ここでは、入出力部として、第1のリード板21は、一端がSiC製ダイオード素子18a乃至18dのアノード電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第2のリード板22は、一端がSi製IGBT素子5のエミッタ電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第3のリード板23は、一端がSiC製ダイオード素子18a乃至8bのカソード電極膜17a乃至17dに他端がコレクタ電極膜2に接合されている。これにより、特に温度が上昇しやすいSiC製ダイオード素子18a乃至18dの発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態3に示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。なお実施の形態1から実施の形態4においては、SiC製ダイオード素子8,15a及び15b、並びに18a乃至18dの発熱による温度上昇が抑制されるので、絶縁板6,13a及び13b、並びに16a乃至16dの材料を、窒化アルミニウムからより安価なエポキシ樹脂に変更することができる。これにより半導体モジュールのコストを低減させることができる。また実施の形態1から実施の形態4においては、SiC製ダイオード素子8,15a,15b,18a乃至18dをSi製IGBT素子5上の周辺部に配置するのに対応して、絶縁板3,13a,13b,16a乃至16d、並びにカソード電極膜7,14a,14b,17a乃至17dもSi製IGBT素子5上の周辺部に配置したものを示した。しかしながら絶縁板及びカソード電極膜を分割する必要はなく、例えば、実施の形態1の図1で示した絶縁板6とカソード電極膜7をSi製IGBT素子5のエミッタ電極上の全面に設け、Si製IGBT素子5の周辺部にあたるカソード電極膜7上に、SiC製ダイオード素子8,15a,15b,18a乃至18dを設けてもよい。図9は、実施の形態1で示した図2を参考に、絶縁板6、カソード電極膜7をSi製IGBT素子5のエミッタ電極上の全面に設けた例を示す部分上面図である。図9で示すように、Si製IGBT素子5のエミッタ電極のほぼ全面に絶縁板6が設けられ、また絶縁板6上のほぼ全面にカソード電極膜7が設けられている。そしてSi製IGBT素子5上の周辺部にあたるカソード電極膜7上にSiC製ダイオード素子8が接合されている。この場合、電線又はリード板が接合される箇所、及びゲート電極部は、絶縁板6とカソード電極膜7の一部を適宜切り欠いでおく必要がある。なお図9において説明した内容は、当然のことながら、実施の形態2から実施の形態4においても容易に適用することができる。実施の形態5図10は、この発明の実施の形態5に係る半導体モジュールの側面図である。図10において、実施の形態1で示した図1と相違する点は、Si製IGBT素子5のエミッタ電極にSiC製ダイオード素子8のアノード電極を、はんだなどを用いて直接接合したことである。ここでは、SiC製ダイオード素子8は、実施の形態1の図1と比べて、上下逆になっている。これによりSi製IGBT素子5のエミッタ電極とSiC製ダイオード素子8のアノード電極が電気的に直接接続される。なお図10で示した符号の内、実施の形態1の図1と同一のものは、同一の符号を付し、ここでの説明は省略する。これにより絶縁板6を無くすことができるので、SiC製ダイオード素子8の熱がSi製IGBT素子5の方向にも放熱されやすくなる。そのため絶縁板6を有する場合よりもSiC製ダイオード素子8の発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態1で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また絶縁板6と第1の電線10を無くすことができるので、半導体モジュールのコストも低減させることができる。また第1の電線10を無くすことができるので、半導体モジュールの内部配線を簡略化できる効果もある。なお実施の形態5で示した、Si製IGBT素子5のエミッタ電極にSiC製ダイオード素子8のアノード電極を直接接合した構成は、複数のSiC製ダイオード素子を用いている実施の形態2にも対応させることができる。ここではSiC製ダイオード素子15a及び15bのアノード電極をSi製IGBT素子5のエミッタ電極に直接接合している。これによりSiC製ダイオード素子15a及び15bの発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態2で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また実施の形態5で示した、Si製IGBT素子5のエミッタ電極にSiC製ダイオード素子8のアノード電極を直接接合した構成は、複数のSiC製ダイオード素子を用いている実施の形態3にも対応させることができる。ここではSiC製ダイオード素子18a乃至18dのアノード電極をSi製IGBT素子5のエミッタ電極に直接接合している。これによりSiC製ダイオード素子18a乃至18dの発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態3で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。実施の形態6図11は、この発明の実施の形態6に係る半導体モジュールの側面図である。図11において、実施の形態5で示した図10と相違する点は、電流の入出力部として、第2の電線11と第3の電線12に代えて、第2のリード板22をSi製IGBT素子5のエミッタ電極とエミッタ電極膜3との接続に用い、第3のリード板23をSiC製ダイオード素子8のカソード電極とコレクタ電極膜2との接続に用いたことである。なお図11で示した符号の内、実施の形態5の図10と同一のものは、同一の符号を付し、ここでの説明は省略する。これにより、実施の形態5と同様に、絶縁板6を無くすことができるので、SiC製ダイオード素子8の熱がSi製IGBT素子5の方向にも放熱されやすくなる。加えて第2のリード板22と第3のリード板23を用いることにより、リード板を介して熱が放熱されやすくなる。特に第3のリード板23は、温度が上昇しやすいSiC製ダイオード素子8の放熱に寄与するので、SiC製ダイオード素子8の温度上昇を抑制することができる。また第2のリード板22は、Si製IGBT素子5の放熱に寄与するので、Si製IGBT素子5の温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態5で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また絶縁板6と第1のリード板21を無くすことができるので、半導体モジュールのコストも低減させることができる。また第1のリード板21を無くすことができるので、半導体モジュールの内部配線を簡略化できる効果もある。また実施の形態6で示した、Si製IGBT素子5のエミッタ電極にSiC製ダイオード素子8のアノード電極を直接接合すると共に第2のリード板22と第3のリード板23を用いた構成は、複数のSiC製ダイオード素子を用いている実施の形態3にも対応させることができる。ここではSiC製ダイオード素子15a及び15bのアノード電極をSi製IGBT素子5のエミッタ電極に直接接合している。また第2のリード板22は、一端がSi製IGBT素子5のエミッタ電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第3のリード板23は、一端がSiC製ダイオード素子15a及び15bのカソード電極に他端がコレクタ電極膜2に接合されている。これにより、特に温度が上昇しやすいSiC製ダイオード素子15a及び15bの発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態5で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。また実施の形態6で示した、Si製IGBT素子5のエミッタ電極にSiC製ダイオード素子8のアノード電極を直接接合すると共に第2のリード板22と第3のリード板23を用いた構成は、複数のSiC製ダイオード素子を用いている実施の形態4にも対応させることができる。ここではSiC製ダイオード素子18a乃至18dのアノード電極をSi製IGBT素子5のエミッタ電極に直接接合している。また第2のリード板22は、一端がSi製IGBT素子5のエミッタ電極に他端がエミッタ電極膜3に接合され、第3のリード板23は、一端がSiC製ダイオード素子18a乃至18dのカソード電極に他端がコレクタ電極膜2に接合されている。これにより、特に温度が上昇しやすいSiC製ダイオード素子18a乃至18bの発熱による温度上昇を抑制することができる。ここでは実施の形態5で示した場合よりも、半導体モジュールの温度上昇を抑制することができる。なお全ての実施の形態において、SiC製ダイオード素子は、n型又はp型のいずれのSiC基板を用いて製作したものを用いてもよい。なお実施の形態5及び6の場合には、図11に示すように、アノード電極を全面に形成することができるp型のSiC基板を用いて製作したSiC製ダイオード素子を用いることが望ましい。図12は、そのようなp型のSiC基板を用いたSiC製ダイオード素子の一例を示したものである。図12において、31はp型のSiC基板、32はp型のSiC基板31の表面内の形成されたn型の拡散層、33はn型の拡散層32の表面上に形成されたカソード電極、34はカソード電極33の周囲のn型の拡散層31を含むp型のSiC基板31の表面上に形成された保護膜、35はp型のSiC基板31の裏面上に形成されたアノード電極である。なお全ての実施の形態において、スイッチング素子としてIGBT素子を用いたものを示したが、例えば、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor素子やバイポーラトランジスタ素子などの他のスイッチング素子を用いることもでき、この発明の範囲に含まれる。またSi製スイッチング素子は、SiCを材料としたSiC製スイッチング素子としてもこの発明の効果を得ることができる。よってSiC製スイッチング素子を用いることも、この発明の範囲に含まれる。"