絶縁性セラミックス部材からなる基材の上に、順次、両端に端子部を有する導電性部材からなるヒーターパターン及び絶縁性セラミックス部材からなる被覆層を有し、前記端子部には前記絶縁性セラミックス部材からなる被覆層が存在せず、電源に連結するリード線が該端子部に接続されたセラミックスヒーターであって、前記ヒーターの端子部が導電性保護膜によって覆われていると共に、該ヒーターの端子部と前記リード線が、伸展性を有する導電性材料からなるワッシャーを介して固着接続されてなることを特徴とするセラミックスヒーター。前記導電性保護膜が還元性雰囲気に対して耐性を有する、請求項1に記載されたセラミックスヒーター。前記伸展性を有する導電性材料が、還元性雰囲気に対する耐性を有する、請求項1又は2に記載されたセラミックスヒーター。前記還元性雰囲気が、アンモニアガス、水素ガス、アンモニアガスと水素ガスの混合ガス、窒素ガスと水素ガスの混合ガスのいずれかである、請求項2又は3に記載されたセラミックスヒーター。前記端子部に形成された導電性保護膜が、タングステン又は白金からなる、請求項1に記載されたセラミックスヒーター。前記絶縁性セラミックス部材からなる基材が熱分解窒化ホウ素からなる、請求項1~5の何れかに記載されたセラミックスヒーター。前記導電性部材からなるヒーターパターンが熱分解グラファイトからなる、請求項1~6の何れかに記載されたセラミックスヒーター。前記絶縁性セラミックス部材からなる被覆層が熱分解窒化ホウ素からなる、請求項1~7の何れかに記載されたセラミックスヒーター。請求項1に記載されたセラミックスヒーターの製造方法であって、前記ヒーターの端子部に設けられる導電性保護膜を、イオンプレーティング法、スパッタリング法、化学気相蒸着法、原子層堆積法ALD法の何れかの方法よって形成することを特徴とする、請求項1に記載されたセラミックスヒーターの製造方法。請求項1に記載されたセラミックスヒーターに使用されるワッシャーであって、その素材が白金からなることを特徴とするワッシャー。したがって本発明の第1の目的は、MOCVD法によって結晶成長させる場合に使用するセラミックスヒーターであって、還元性雰囲気において好適に使用することのできるセラミックスヒーターを提供することにある。本発明の第2の目的は、還元性雰囲気において好適に使用することのできるセラミックスヒーターの製造方法を提供することにある。更に本発明の第3の目的は、還元性雰囲気において好適に使用することのできるセラミックスヒーターに用いるワッシャーを提供することにある。本発明の上記の諸目的は、絶縁性セラミックス部材からなる基材の上に、順次、両端に端子部を有する導電性部材からなるヒーターパターン及び絶縁性セラミックス部材からなる被覆層を有し、前記端子部には前記絶縁性セラミックス部材からなる被覆層が存在せず、電源に連結するリード線が該端子部に接続されたセラミックスヒーターであって、前記ヒーターの端子部が導電性保護膜によって覆われていると共に、該ヒーターの端子部と前記リード線が、伸展性を有する導電性材料からなるワッシャーを介して固着接続されてなることを特徴とするセラミックスヒーター、該セラミックスヒーターの製造方法、及び該セラミックスヒーターに使用するワッシャーによって達成された。本発明においては、前記導電性保護膜及び前記伸展性を有する導電性材料が、還元性雰囲気に対する耐性を有することが好ましく、特に、該還元性雰囲気が、アンモニアガス、水素ガス、アンモニアガスと水素ガスの混合ガス、窒素ガスと水素ガスの混合ガスのいずれかであることが好ましい。本発明においては、前記絶縁性セラミックス部材からなる基材が熱分解窒化ホウ素からなることが好ましく、前記導電性部材からなるヒーターのパターンが熱分解グラファイトからなることが好ましく、また、前記絶縁性セラミックス部材からなる被覆層が熱分解窒化ホウ素からなることが好ましい。本発明のセラミックスヒーターは、これをMOCVD法の基板加熱に使用しても、端子部が還元性雰囲気によって損傷を受けるということがないので、長期に渡って安定的に使用することが可能となる。本発明は、ヒーターの端子部を導電性保護膜によって覆うと共に、該保護膜によって覆われているヒーターの端子部と電源に接続するリード線を、伸展性を有する導電性材料からなるワッシャーを介して固着接続する点に最大の特徴がある。本発明で使用する絶縁性セラミックス部材からなる基材は、公知の絶縁性セラミックス部材からなる基材の中から適宜選択して使用することができるが、本発明においては特に熱分解窒化ホウ素からなる基材を使用することが好ましい。この熱分解窒化ホウ素からなる基材は、例えば、三塩化ホウ素とアンモニアを原料とし、化学気相蒸着法によって形成することができる。本発明で使用する熱分解窒化ホウ素からなる基材の厚さは、特に限定されるものではないが、05~3mmであることが好ましく、特に1~2mmとすることが好ましい。熱分解窒化ホウ素からなる基材の厚さが05mmより薄いと、製造時や使用時にセラミックスヒーターを取り扱う際に破損し易くなり、3mmより厚いと、化学気相蒸着法に要する時間が長くなるので製造コストが高くなる。熱分解窒化ホウ素からなる基材の上に設ける導電層として、本発明においては、熱分解グラファイトからなる導電層を好ましく使用する。この熱分解グラファイトからなる導電層は、メタン、プロパン等の炭化水素ガスを原料とし、化学気相蒸着法によって形成することが好ましい。化学気相蒸着法を用いれば、導電性ペーストをスクリーン印刷により塗布する手法よりも厚さを均一にできるからである。熱分解グラファイトからなる導電層の厚さは特に限定されるものではないが、10~300μmであることが好ましく、特に30~150μmとすることが好ましい。本発明においては、ヒーターの温度を迅速に目的の温度に到達させ、且つ均熱化させるために、電源容量やヒーターのパターンの形状との兼ね合いをよく考慮し、上記した範囲で適切な厚さを選択すればよい。熱分解グラファイトからなる導電層を形成した後、これを機械加工してヒーターのパターンを形成する。熱分解グラファイトからなるヒーターのパターン上に設ける被覆相は公知の絶縁層の中から適宜選択することができるが、本発明においては、特に、三塩化ホウ素とアンモニアを原料とし、化学気相蒸着法によって形成される熱分解窒化ホウ素を使用することが好ましい。この場合の熱分解窒化ホウ素からなる被覆層の厚さは特に限定されるものではないが、20~300μmであることが好ましく、特に50~200μmとすることが好ましい。熱分解窒化ホウ素からなる被覆層の厚さが20μmより薄いと絶縁破壊を起こす危険があり、300μmより厚いと剥離しやすくなる。次に、ヒーター2の両端に、電源を接続する際にネジ又はボルトを通すための貫通孔4を開けると共に、該貫通孔4の周囲の被覆層3を機械加工により除去してヒーター2を露出させ、電源を接続するための端子部5を形成する。本発明においては、上記のようにして形成されたPGPBNヒーターの端子部に、雰囲気ガスに対する耐性例えばアンモニアガス耐性又は水素ガス耐性を有する保護膜を形成する。本発明においては、金属を用いてこの保護膜を形成することが好ましく、特にタングステン又は白金を用いて上記保護膜を形成することが好ましい。タングステンや白金は融点が高く、また1300°C付近の温度で、上記のセラミックスヒーターを構成する材料である熱分解窒化ホウ素や熱分解グラファイトと接触させても、反応したり、固着したりすることがない。実際、タングステンはアンモニアガス乾燥や水素ガス乾燥中では、融点まで安定であり、白金はR熱電対、S熱電対の構成材料として、水素雰囲気1100°Cで使用可能である。本発明においては、PGPBNヒーターの端子部以外をマスキング材料で覆い、イオンプレーティング法、スパッタリング法、化学気相蒸着法、原子層堆積法ALD法から選択されるいずれかの方法によって、図3a図に示すように端子部にのみアンモニアガス耐性又は水素ガス耐性を有する保護膜12を形成するか、図3b図に示すように、端子部の外側の範囲まで覆うように保護膜12を形成する。図3b図のように保護膜12を形成すれば、マスキング材料の開口部が端子部の径より大きくなるので、保護膜形成時にマスキング材料の位置が少々ずれても、端子部に露出したヒーター上に、保護膜の未コート部分が発生し難くなる。なお、ここでマスキング材料とは、保護膜の形成時に、保護膜が付着する必要のない部分を予め覆う、覆いを意味する。イオンプレーティング法、スパッタリング法、化学気相蒸着法、原子層堆積法ALD法から選択されるいずれかの方法によって保護膜を形成すれば、熱蒸着法やエレクトロンビーム蒸着法によって保護膜を形成する場合よりも、緻密でより付着力のある保護膜とすることができるので、1000°C以上の還元性雰囲気下で使用されるセラミックスヒーター端子部の保護膜としてより適したものとなるが、本発明のセラミックスヒーターの使用がこのような場合に限定されるわけではない。このようにして製造された、端子部に還元性雰囲気に対する耐性を有する保護膜が形成されたセラミックスヒーターを、1000°C以上の還元性雰囲気下で使用するためには、図4a及びb図に示す電源接続方法、又はこれに準じた方法で電源と接続すれば良い。図4a及びb図の構成は、基本的には図2の構成と同じであるが、前記したようにカーボンワッシャー6は還元性雰囲気下では消耗するため、本発明においては、これに代えて白金のワッシャー13を使用する。白金は柔らかく伸展性があるので、これらのワッシャーをネジ又はボルト、ナット等でセラミックスヒーターの端子部に締め付けることにより、端子部で露出しているヒーター表面に密着させることができる。白金ワッシャーの厚さは、特に制限されることは無いが、01mm以下とすることが好ましく、特に0.03mm~0.1mm厚の白金ワッシャーを使用することが好ましい。0.03mm寄り薄くすると、ワッシャー形状への加工が困難となる一方、01mmより厚くしても効果は変わらないが、厚くすればするほどワッシャーコストが大となるからである。また、電源の接続に使用するネジ又はボルト、ナット等の材質は、白金より安価なタングステン製とすることが好ましい。グラファイトや炭素炭素複合材料等の炭素材料からなるものは避けることが必要である。熱分解グラファイトや、カーボンワッシャーと同様に、1000°C以上の還元性雰囲気中では消耗してしまうためである。なお、本発明のセラミックスヒーターにおける端子部の構造として、図1a及びb図、図3a及びb図、図5a及びb図を例示したが、本発明はこれらの構造に限定されるものではない。即ち、貫通穴を設け、その周囲に同心円状にヒーターを露出させる構造を例示したが、この構造に限定されるものではない。また、本発明のセラミックスヒーターの電源接続方法として、図4a及びb図を例示したが、本発明はこの構成に限定されるものでもない。また、リード線としては一端に圧着端子を取り付けたワイヤー状のものを示したが、ワイヤー状でなく、例えば円柱状、板状等であっても良い。圧着端子を使用しない、又は圧着端子と同様の機能を果たす、異なった形状の部品を使用する場合であっても、実質的に電源からヒーターに電流を導く経路となるものであれば、本発明におけるリード線の概念に含まれる。更に、本発明の導電性部品として通常のワッシャー形状のものを例示したが、本発明はこれら通常のワッシャー形状に限定されるものではない。本明細書においては、端子部の構造に応じて実質的にワッシャーとして機能する適切な形状に変更したものも、本発明のワッシャーの概念に包含される。以下、本発明を実施例に基づいて更に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。まず、4リットル/分のアンモニアと2リットル/分の三塩化ホウ素を、10Torrの圧力下、1850°Cで反応させて、直径60mm、厚さ10mmの熱分解窒化ホウ素製の円板を作製し、これをセラミックスヒーターの支持基材とした。次に、3リットル/分のメタンを、5Torr1750°Cで熱分解させてこの円板上に厚さ50μmの熱分解グラファイト層を設け、これに機械加工を施してヒーターのパターンを形成した。更に、このヒーター上に5リットル/分のアンモニアと2リットル/分の三塩化ホウ素を、10Torr1890°Cの条件で反応させ、熱分解窒化ホウ素の絶縁膜で一体的に被覆した。次に、ヒーターの両端に貫通孔を設けると共に、貫通孔の周囲の被覆層を除去してヒーターを露出させ、電源を接続するための端子部を形成して、図5a図に示すようなPGPBNヒーターを得た。このとき、端子部の直径を10mmとした。次に、このPGPBNヒーターの端子部以外をSUS板でマスキングし、イオンプレーティング法により、図5b図のように端子部とその外側05mmの範囲に、タングステンからなる厚さ05μmの保護膜12を形成させた。得られたセラミックスヒーターを真空チャンバー内にセットし、図4a及びb図に示すように、白金ワッシャー13を介してヒーターの端子部2と電源のリード線11を接続し、本発明のセラミックスヒーターを完成した。このとき、白金ワッシャーの直径を98mmとした。得られた本発明のセラミックスヒーターを、圧力が1Paという真空に近い条件下で通電し、1300°Cに昇温した後、チャンバー内にアンモニアガスを5リットル/分の流量で供給すると共に、チャンバー内の圧力を1000Paに調整した。この状態でセラミックスヒーターの温度を1300°Cに保持し続け、120時間経過した後に通電を止め、ヒーターを冷却した。冷却後にセラミックスヒーターをチャンバーから取り出してヒーターの端子部を確認したところ、ヒーター端子部にはタングステンからなる保護膜が残存しており、端子部のヒーターが消耗した形跡は確認されなかった。比較例1実施例1で使用した白金ワッシャーの代わりにカーボンワッシャーを使用したこと以外は実施例1と同様にして比較例となるセラミックスヒーターを製作した。得られたセラミックスヒーターについて、実施例1と同様にしてチャンバー内で1300度に保持したところ、20分後には電源のブレーカーが作動した。冷却後にセラミックスヒーターをチャンバーから取り出し、ヒーターの端子部を確認したところ、放電が発生したためか端子部が焼け焦げており、通電不可能な状態となっていた。比較例2端子部への、アンモニアガス耐性及び水素ガス耐性を有する保護膜の形成を行わなかった他は、実施例1と同様にして比較例としてのセラミックスヒーターを製作した。得られたセラミックスヒーターについて、保持時間を26時間とした他は実施例1と同様にしてチャンバー内で1300度に保持した後、通電を止め、ヒーターを冷却した。冷却後にセラミックスヒーターをチャンバーから取り出し、ヒーターの端子部を確認したところ、貫通穴近傍のヒーターに消耗は確認されなかった。しかしながら、端子部の直径が10mmで、白金ワッシャーの直径が98mmであったので、熱分解窒化ホウ素からなる被覆層と白金ワッシャーとの間の僅かな隙間からアンモニアガスが入り込み、端子部外周側のヒーターが約25μm消耗していた。比較例3端子部に対して、アンモニアガス耐性又は水素ガス耐性を有する保護膜の形成を行わなかった他は、比較例1と同様にして比較例としてのセラミックスヒーターを製作した。得られたセラミックスヒーターについて、比較例1と同様にしてチャンバー内で1300°Cに保持したところ、10分後に電源のブレーカーが作動した。冷却後にセラミックスヒーターを真空チャンバーから取り出し、ヒーターの端子部を確認した。端子部は、放電が発生したためか焼け焦げており、セラミックスヒーターは通電不可能な状態となっていた。