電極と、該電極の一方主面上に設けられた圧電膜と、該圧電膜を覆うように設けられた導体膜とを含み、該導体膜には部分的に切れ目があることを特徴とする圧力センサ素子。前記切れ目に面した前記導体膜の側面に凹凸があることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ素子。前記切れ目の幅は前記圧電膜側に向かって狭くなっていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ素子。平面視で、前記切れ目は屈曲していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれかに記載の圧力センサ素子。前記切れ目は角部を有する形状に屈曲していることを特徴とする請求項4に記載の圧力センサ素子。平面視で、前記切れ目は分岐点を有していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれかに記載の圧力センサ素子。平面視で、前記切れ目は前記導体膜の周縁よりも内側に位置していることを特徴とする請求項1乃至請求項6のうちいずれかに記載の圧力センサ素子。平面視で、前記切れ目の端部は幅が先端に向かって狭くなっていることを特徴とする請求項7に記載の圧力センサ素子。前記導体膜上に第2の電極があることを特徴とする請求項1乃至請求項8のうちいずれかに記載の圧力センサ素子。しかしながら、特許文献1に記載された圧力センサ素子は、自動車のエンジンルームのような温度変化や機械的振動が大きな環境で使用すると、導体膜が温度変化により膨張収縮したり、繰り返し大きな荷重が加わって歪んだりすることで、広範囲に膜剥がれを起こすおそれがある。これにより、発生した電荷を十分に集電することができなくなって、感度がばらついたり大きく低下したりして正しい圧力が検知できなくなるおそれがあるという問題があった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、使用環境によらず、導体膜の剥がれを抑制して正しい圧力を検知する圧力センサ素子を提供することを目的とする。本発明の圧力センサ素子は、電極と、該電極の一方主面上に設けられた圧電膜と、該圧電膜を覆うように設けられた導体膜とを含み、該導体膜には部分的に切れ目があることを特徴とするものである。本発明の圧力センサ素子は、導体膜に切れ目があることで、温度変化により膨張収縮したり、繰り返し大きな荷重が加わって歪んだりしても、応力が緩和されて弱まる。また、切れ目が部分的にあることで、切れ目の周囲で導体膜がつながっていることから、導体膜が剥がれにくくなる。したがって、安定的に外部圧力に比例した信号を発生させ、正しい圧力を検知することができる。以下、本発明の圧力センサ素子の実施の形態の例について、図面を参照して詳細に説明する。図1aは本発明の圧力センサ素子の実施の形態の一例を示す概略斜視図であり、図1bは図1aのA-A線で切断した要部拡大断面図である。図1に示す例の圧力センサ素子は、電極10と、電極10の一方主面上に設けられた圧電膜11と、圧電膜11を覆うように設けられた導体膜12とを含み、導体膜12には部分的に切れ目121がある。電極10は、Fe-Ni-Co合金、ステンレス、炭素鋼、ニッケル、銅等で、その用途に応じて例えば円板状、矩形板状、環状リング板状に形成されたものであり、薄膜形成プロセスにおける結晶成長に適しているものが好ましい。なお、自動車エンジンの点火プラグ取付部に実装してエンジンのシリンダ内圧を測定するために使用する場合であって、電極10の形状が円板状の場合は、例えば直径2~50mm、厚み0.1~2mmに形成される。電極10の一方主面上に設けられた圧電膜11は、スパッタリング、CVD、イオンプレーティング、真空蒸着等の手法によって成膜してなるもので、例えば窒化アルミニウム、酸化亜鉛、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、ランガサイト等の薄膜化が可能な圧電材料からなる。この圧電膜11の厚みは、例えば0.1~20μmである。圧電膜11を覆うように設けられた導体膜12は、圧電膜11と同様にスパッタリング、CVD、イオンプレーティング、真空蒸着等の手法によって成膜してなるもので、アルミニウム、金、白金、モリブデン、ニッケル、銅、ITO酸化インジウムスズ、導電性カーボン等の導電性の材料からなる。この導体膜12の厚みは、例えば0.01~10μmである。そして、導体膜12には部分的に切れ目121がある。部分的に切れ目121があるとは、導体膜12を分断するように端から端にわたって形成されたものではなく、切れ目121の少なくとも一端は導体膜12によって閉鎖されていることを意味している。この切れ目121の幅は例えば0.001~10μmであり、長さは例えば1μm~10mmである。圧電膜11に外部から圧力が加わると、圧電膜11の圧電的性質により印加された圧力に応じた量だけ圧電膜11の両主面に電荷が発生する。この電荷は電極10または導体膜12を介して外部に出力される。例えば、電極10に正の電荷が集められ、導体膜12に負の電荷が集められ、それぞれが外部に出力される。外部に出力された電荷は、アンプにより電圧信号に変換されるなどして、印加された圧力の測定に供する。このような構造によれば、導体膜12が温度変化により膨張収縮したり、繰り返し大きな荷重が加わって歪んだりしても、切れ目121で応力が弱まって剥がれにくくなる。また、切れ目121が部分的にあることで、切れ目121の周囲で導体膜12がつながっていることから、導体膜12が剥がれにくくなる。したがって、外部圧力に比例した信号を発生させ、正しい圧力を検知することができる。ここで、図2に示すように、切れ目121に面した導体膜12の側面に凹凸があるのが好ましい。なお、この凹凸としては、断面で見て例えば凹部または凸部の幅が001~1μm、これらの段差が0.01~1μmである。この構成によれば、凹凸部分で導体膜2の剛性が小さくなり、この部分への応力集中を低減できる。また、導体膜2に作用する応力は切れ目121に面した導体膜12の側面の法線方向に働くことから、凹凸により応力の方向が分散され特定の方向に揃わなくなるので、膜剥がれがより生じにくくなってより正しい圧力を検知できる。また、図3に示すように、切れ目121の幅は圧電膜11側に向かって狭くなっているのが好ましい。この構成によれば、切れ目121において導体膜12の膜厚が圧電膜11側に向かって薄くなることから、この部分の剛性が小さくなって導体膜12に加わる応力が小さくなり、切れ目121を起点とする膜剥がれがより生じにくくなってより正しい圧力を検知できる。また、図4に示すように、平面視で、切れ目121は屈曲しているのが好ましい。例えば、直線と直線とが交わるように屈曲している場合は、交わる角度としては10~170度になっている。この構成によれば、導体膜12に作用する応力は切れ目121の表面の法線方向に働くことから、切れ目121が屈曲した構造とすることで、切れ目に加わる応力が特定の方向に揃わなくなって膜剥がれがより生じにくくなる。なお、導体膜12に振動が加わっても、入射した振動波は切れ目121において同時に反射しないので、切れ目121の側面に加わる振動エネルギーが分散される効果もあり、より正しい圧力が検知できる。また、図5に示すように、切れ目121は角部を有する形状に屈曲しているのが好ましい。この構成によれば、導体膜12に繰り返し大きな荷重が加わっても、導体膜12に加わる歪みは角部折れ曲がり部に集中し、角部の先端にクラックが生じることで、導体膜12全体では歪みが緩和されて、膜剥がれがより生じにくくなり、より正しい圧力が検知できる。また、図6に示すように、平面視で切れ目121は分岐点を有しているのが好ましい。この構造によれば、導体膜12に作用する応力は切れ目121の表面の法線方向に働くことから、切れ目121に分岐点がある構造とすることで、切れ目に加わる応力が特定の方向に揃わなくなって膜剥がれがより生じにくくなる。なお、導体膜12に振動が加わっても、導体膜12内を伝わる振動の波が切れ目121の分岐点で分断され、減衰する効果もあり、より正しい圧力が検知できる。また、図7に示すように、平面視で、切れ目121は導体膜12の周縁よりも内側に位置しているのが好ましい。換言すれば、切れ目121が導体膜121の周縁まで達していないのが好ましい。切れ目121が導体膜121の周縁まで延びていて、導体膜121の周縁に開口部が有ると、そこに応力集中が起こり易いが、上記の構成によればそうした問題を回避することができるので、より■れにくくなる。この切れ目121は、導体膜12の周縁よりも10μm以上内側に位置しているのが効果的であり、例えば10μm~10mm内側にあるのがよい。なお、外部から電気的なノイズが侵入しても、切れ目121が導体膜12の周縁よりも内側に位置していることで、電気的ノイズによる誘導電流が、切れ目121の端を回り込んで流れるようになる。このような状態になると、導体膜12に生じる切れ目121の内周に沿って、インダクタンス成分とキャパシタンス成分が形成され、これらが並列LCフィルタと同様の作用を働くので、周波数の高い外部ノイズによる電流は流れにくくなり、より正しい圧力が検知できる。一方、切れ目121が導体膜の周縁よりも内側に位置していない場合は、電気的ノイズによる誘導電流が、切れ目121を回り込んで流れなくなるため、このような効果はあらわれない。また、図8に示すように、平面視で切れ目121の端部は幅が先端に向かって狭くなっているのが好ましい。この構成によれば、導体膜12に繰り返し大きな圧力が加わった場合、導体膜12に生じる歪みは切れ目121の先端の狭くなった部分に集中し、先端にクラックが生じることで、導体膜12全体では、歪みが緩和されて剥がれにくくなり、より正しい圧力が検知できる。なお、上記の圧力センサ素子は、図9に示すように、導体膜12上に電極10と同様の第2の電極13を配置した構成であってもよい。導体膜12に斜め上方から圧力が加わっても、導体膜12上で第2の電極13が横滑りして、導体膜12と圧電膜11との界面のせん断力および導体膜12に加わる横方向の変形が緩和され、導体膜12の剥がれを低減させることができる。圧電膜11に外部から圧力が加わると、圧電膜11の圧電的性質により印加された圧力に応じた量だけ圧電膜11の両主面に電荷が発生し、例えば電極10に正の電荷が集められ、第2の電極13に負の電荷が集められる。電極10または第2の電極13に集められた電荷は、信号線、GND線図示せず等を介して、外部に出力される。外部に出力された電荷は、アンプにより電圧信号に変換されるなどして、印加された圧力の測定に供する。さらに、図示しないが、電極10、圧電膜11、導体膜12、電極10、圧電膜11、導体膜12の順のように複数積層し、例えば筐体に収容することで、圧力センサとして利用してもよい。導体膜12の上に第2の電極13を配置したり、圧力センサ素子を複数積層したりすることで、さらに導体膜12が剥がれにくく、集電効果を向上させることができる。以下、本発明の圧力センサ素子の製造方法の例として、図1に示す圧力センサ素子の製造方法を説明する。まずはじめに、Fe-Ni-Co合金、ステンレス、炭素鋼、ニッケル、銅等の金属材料からなる電極10の片面に、窒化アルミニウム、酸化亜鉛等の薄膜化に適した圧電材料からなる圧電膜11を成膜する。圧電膜11の成膜方法としては、スパッタリング、CVD、イオンプレーティング、真空蒸着等の手法を用いる。例えばスパッタリングで圧電膜11を成膜する場合には、図10に示すように、成膜容器20内の基板ホルダ21に電極10をセットし、スパッタリングガス23中で、スパッタ電源22から、スパッタリングターゲット24に電力を供給し、成膜を行う。続いて、アルミニウム、金、白金、モリブデン、ニッケル、銅、ITO酸化インジウムスズ、導電性カーボン等の導電性材料からなる導体膜12を圧電膜11の表面に成膜する。導体膜12の成膜方法としては、スパッタリング、CVD、イオンプレーティング、真空蒸着等の手法を用いる。ここで、導体膜12に切れ目を設けるためには、導体膜12の一部をイオンミリングで除去したり、導体膜12の成膜時に圧電膜11の表面にマスクを設けたりする方法が挙げられる。また、図2に示すような切れ目121に面した導体膜12の側面に凹凸がある形状の圧力センサ素子を作製するには、機械加工、エッチング加工等により、前記マスク側面に凹凸を設ければよい。また、図3に示すような切れ目121の幅が圧電膜11側に向かって狭くなっている形状の圧力センサ素子を作製するには、前記マスク側面の形状を切れ目121の形状に対応する形状としたり、導体膜12をイオンミリング加工する際の条件調整を行ったりすればよい。なお、条件調整としては、例えばイオンビームの走査幅を時間の経過に従って徐々に狭くする方法、イオンビーム径を磁場やアパーチャを使って徐々に絞る方法が挙げられる。また、図4~図8の圧力センサ素子を作製する場合は、前記マスクパターンを図に示すような形状とすればよい。また、図9の圧力センサ素子を作製する場合は、図1~図8の圧力センサ素子に第2の電極13をのせて固定すればよい。