"光源より励起光を照射して反射面からエバネッセント波を放出させ、前記反射面上に固定化されたアナライトを標識した蛍光物質を励起させ、この励起された蛍光を光検出手段で検出するようにした蛍光検出装置であって、前記蛍光検出装置は、反射面とその反射面上に形成された反応層とを有するチップ構造体を、装置本体に対して着脱して使用する、または装置本体に対して固定して使用するように構成されており、前記反応層は、流路と、前記流路内に前記アナライトを捕捉するためのリガンドが形成された反応エリアと、を備え、前記流路内に形成された前記反応エリアと、前記反応エリアで捕捉されたアナライトを標識した蛍光物質を励起させるための励起光を照射する範囲である励起エリアと、の関係が、反応エリア>励起エリアの関係を満たすように各エリアの大きさが規定されていることを特徴とする蛍光検出装置。前記励起エリアが、前記反応エリアの流路上流側に位置する端部および流路下流側に位置する端部の両端部を除いたエリアである請求項1に記載の蛍光検出装置。前記反応層の流路が、往復送液系である請求項1または2に記載の蛍光検出装置。前記光源より照射される励起光が、レーザ光である請求項1から3のいずれか記載の蛍光検出装置。前記反射面が、誘電体部材上に形成された金属薄膜により形成されてなる請求項1から4のいずれかに記載の蛍光検出装置。前記蛍光検出装置が、表面プラズモン増強蛍光センサまたは全反射蛍光センサのいずれかである請求項1から5のいずれかに記載の蛍光検出装置。反射面とその反射面の一方側に形成された反応層とを有し、前記反応層が、流路と、前記流路内に前記アナライトを捕捉するためのリガンドが形成された反応エリアと、を備えたチップ構造体の前記反応エリアでアナライトを捕捉し、前記アナライトを蛍光物質で標識する工程と、前記チップ構造体の前記反射面の他方側から励起光を照射して、前記反応エリアの前記蛍光物質を励起させる工程と、励起された蛍光を光検出手段にて測定する工程と、を少なくとも有する蛍光検出方法であって、前記反応エリアの前記蛍光物質を励起させる工程において、前記反応エリアと、前記反応エリアで捕捉されたアナライトを標識した蛍光物質を励起させるための前記励起光を照射する範囲である励起エリアと、の関係が、反応エリア>励起エリアの関係を満たすように前記励起光を照射することを特徴とする蛍光検出方法。前記励起エリアが、前記反応エリアの流路上流側に位置する端部および流路下流側に位置する端部の両端部を除いたエリアである請求項7に記載の蛍光検出方法。ところで、上述したような従来の表面プラズモン増強蛍光センサ100では、流路108を介して反応層106の反応エリア110にアナライトを有する試料溶液を流入させた際、流路108が一方向送液系Onepass循環送液系であると、流路上流側に位置する反応エリア110の端部に反応量が偏ってしまう場合があった。また、流路108が双方向の往復送液系であると、流路上流側と下流側に位置する反応エリア110の両端部に反応量が偏ってしまう場合があった。これは、送液される試料溶液が、例えば流路の高さ又は流路の幅が数10μm程度のマイクロ流路内では層流となるため、反応エリア110の上流から下流に進むにしたがって、反応エリア110の表面近傍と表面から離れた位置とでアナライトの濃度差が生じ、反応エリア110の上流に比べて下流の反応量が低くなるためである。このように流路108を介して試料溶液を反応エリア110に供給するようにしたフローアッセイ系の表面プラズモン増強蛍光センサ100では、反応量が反応エリア110の端部に偏った状態で、反応エリア110の全面に励起光114を照射して反応エリア110の蛍光122を励起させ、励起された蛍光122を光検出手段124で検出している。このことは、図9および図10に示した一方向の循環送液系と双方向の往復送液系との反応エリアにおける反応量の分布状況のグラフからも明らかであり、反応エリア110の端部に反応量が偏って反応量分布のバラツキが大きくなってしまうと、励起エリア130に対して蛍光標識物質が存在する量及び蛍光標識物質が存在する流路中の位置がバラツキ、測定結果が安定しないという問題があった。なお、図9および図10の符号132は、反応量が偏った箇所を示したものである。このような問題は、極微少なアナライトの検出を目的とする表面プラズモン増強蛍光センサのような蛍光検出装置にとって、非常に重大な問題となる。本発明はこのような現状に鑑みなされたものであって、測定結果のバラツキを抑えることができ、高精度にアナライトの検出を行うことのできる蛍光検出装置およびこれを用いた蛍光検出方法を提供することを目的とする。本発明は、前述したような従来技術における問題点を解決するために発明されたものであって、本発明の蛍光検出装置は、光源より励起光を照射して反射面からエバネッセント波を放出させ、前記反射面上に固定化されたアナライトを標識した蛍光物質を励起させ、この励起された蛍光を光検出手段で検出するようにした蛍光検出装置であって、前記蛍光検出装置は、反射面とその反射面上に形成された反応層とを有するチップ構造体を、装置本体に対して着脱して使用する、または装置本体に対して固定して使用するように構成されており、前記反応層は、流路と、前記流路内に前記アナライトを捕捉するためのリガンドが形成された反応エリアと、を備え、前記流路内に形成された前記反応エリアと、前記反応エリアで捕捉されたアナライトを標識した蛍光物質を励起させるための励起光を照射する範囲である励起エリアと、の関係が、反応エリア>励起エリアの関係を満たすように各エリアの大きさが規定されていることを特徴とする。さらに、本発明の蛍光検出方法は、反射面とその反射面の一方側に形成された反応層とを有し、前記反応層が、流路と、前記流路内に前記アナライトを捕捉するためのリガンドが形成された反応エリアと、を備えたチップ構造体の前記反応エリアでアナライトを捕捉し、前記アナライトを蛍光物質で標識する工程と、前記チップ構造体の前記反射面の他方側から励起光を照射して、前記反応エリアの前記蛍光物質を励起させる工程と、励起された蛍光を光検出手段にて測定する工程と、を少なくとも有する蛍光検出方法であって、前記反応エリアの前記蛍光物質を励起させる工程において、前記反応エリアと、前記反応エリアで捕捉されたアナライトを標識した蛍光物質を励起させるための前記励起光を照射する範囲である励起エリアと、の関係が、反応エリア>励起エリアの関係を満たすように前記励起光を照射することを特徴とする。このように反応エリアと励起エリアを規定すれば、例えば反応エリア端部の反応量の分布が大きい箇所反応量の差が大きい箇所を除いた箇所を励起エリアとすることで、測定結果のバラツキを飛躍的に抑え、高精度にアナライトの検出を行うことができる。また、本発明の蛍光検出装置は、前記励起エリアが、前記反応エリアの流路上流側に位置する端部および流路下流側に位置する端部の両端部を除いたエリアであることを特徴とする。さらに、本発明の蛍光検出方法は、前記励起エリアが、前記反応エリアの流路上流側に位置する端部および流路下流側に位置する端部の両端部を除いたエリアであることを特徴とする。このようにすれば、流路が一方向の送液系Onepass循環送液系であっても双方向の往復送液系であっても、反応エリア端部の反応量の分布が大きい箇所が除かれるため、測定結果のバラツキを飛躍的に抑え、高精度にアナライトの検出を行うことができる。また、本発明の蛍光検出装置は、前記反応層の流路が、往復送液系であることを特徴とする。特に双方向の往復送液系であれば、一方向の送液系Onepass循環送液系よりも反応量の分布が少なく反応エリアの端部と反応エリアの中央部との反応量の差が出難くなり、一方向の送液系Onepass循環送液系と比べてさらに測定結果のバラツキを飛躍的に抑え、高精度にアナライトの検出を行うことができる。また、本発明の蛍光検出装置は、前記光源より照射される励起光が、レーザ光であることを特徴とする。このようにレーザ光であれば、励起エリアの位置および大きさの設定が容易であるため、測定結果のバラツキを飛躍的に抑え、高精度にアナライトの検出を行うことができる。また、本発明の蛍光検出装置は、前記反射面が、誘電体部材上に形成された金属薄膜により形成されてなることを特徴とする。このような反射面であれば、金属薄膜によって生じたエバネッセント波で反応エリアの蛍光を励起することができ、高精度にアナライトの検出を行うことができる。また、本発明の蛍光検出装置は、表面プラズモン増強蛍光センサまたは全反射蛍光センサのいずれかであることを特徴とする。このように表面プラズモン増強蛍光センサまたは全反射蛍光センサであれば、高精度に極微量および/または極低濃度のアナライトの検出を行うことができる。本発明によれば、反応エリアに対する励起エリアの大きさを規定し、反応エリアに対して励起エリアを小さくしたので、例えば反応量の分布の少ない範囲のみ、すなわち反応エリア端部の反応量の分布が大きい箇所を除いた箇所を励起エリアとして測定するなど、測定結果のバラツキを抑えることができ、高精度にアナライトの検出を行うことのできる蛍光検出装置およびこれを用いた蛍光検出方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいてより詳細に説明する。本発明の蛍光検出装置および蛍光検出方法は、光源より励起光を照射することで反射面より生じたエバネッセント波を用いてアナライトを標識した蛍光物質を励起させ、この励起された蛍光を検出することで高精度にアナライトを検出するものである。なお、本発明の実施の形態については、本発明の蛍光検出装置の一実施例である表面プラズモン増強蛍光センサを例にして説明を行う。また、本明細書中でいう表面プラズモンとは、広義の意味で用いられるものであって、局在プラズモンについても含まれるものである。<表面プラズモン増強蛍光センサ10>図1に示した本発明の一実施例である表面プラズモン増強蛍光センサ10は、基本的な構造について、先に図7を用いて説明した従来の表面プラズモン増強蛍光センサ100と同じである。このような表面プラズモン増強蛍光センサ10は、まず誘電体部材12と、誘電体部材12上に形成された金属薄膜14と、金属薄膜14上に形成され、流路18上の所定位置にリガンドが固定化された反応エリア20を備えた反応層16と、を有するチップ構造体22を備えている。なお、チップ構造体22は、必ずしも表面プラズモン増強蛍光センサ10蛍光検出装置に予め備えられている必要はなく、チップ構造体22を、表面プラズモン増強蛍光センサ10蛍光検出装置に設けた装填部図示せずに着脱可能な構成とし、例えば蛍光検出を行う度に新たなチップ構造体22を装填部図示せずに装填した後、測定対象のサンプルをチップ構造体22に供給して蛍光検出するような態様であっても良く、勿論本発明はそのような態様も包含するものである。本実施の形態における反応エリア20は、流路18の形成された範囲と同じ範囲としている。しかしながら反応エリアの範囲は特に限定されるものではなく、例えば金属薄膜14の全面に形成されたり、流路の途中に区画形成されるなど自由に位置や範囲を決めることが可能である。そして、チップ構造体22の誘電体部材12側には、誘電体部材12内に入射され、金属薄膜14に向かって全反射条件で励起光24を照射する光源26を備え、さらに光源26から照射され金属薄膜14で反射した反射光28を受光する受光手段30が備えられている。光源26から照射される励起光24としてはレーザ光が好ましく、波長200~900nm、0.001~1,000mWのLDレーザ、または波長230~800nm、0.01~100mWの半導体レーザが好適である。特にレーザ光は、光の照射位置や照射面積の設定が容易であるため本発明に好適である。一方、チップ構造体22の反応層16側には、反応層16の反応エリア20で固定化されたアナライトを標識した蛍光物質が発する蛍光32を受光する光検出手段34が設けられている。光検出手段34としては、超高精度の光電子増倍管、または多点計測が可能なCCDイメージセンサを用いることが好ましい。なお、反応層16の反応エリア20と光検出手段34との間には、蛍光32を効率良く集光するための集光部材36と、蛍光32以外に含まれる光を除去し、必要な蛍光32のみを選択する波長選択機能部材38が設けられている。集光部材36としては、光検出手段34に蛍光シグナルを効率よく集光することを目的とするものであれば、任意の集光系で良い。簡易な集光系としては、顕微鏡などで使用されている市販の対物レンズを転用してもよい。対物レンズの倍率としては、10~100倍が好ましい。一方、波長選択機能部材38としては、光学フィルタ,カットフィルタなどを用いることができる。光学フィルタとしては、減光NDフィルタ,ダイアフラムレンズなどが挙げられる。さらにカットフィルタとしては、外光装置外の照明光,励起光励起光の透過成分,迷光各所での励起光の散乱成分,プラズモンの散乱光励起光を起源とし、チップ構造体上に位置する構造物または付着物などの影響で発生する散乱光,酵素蛍光基質の自家蛍光などの各種ノイズ光を除去するフィルタであって、例えば干渉フィルタ,色フィルタなどが挙げられる。なお、図1に示した表面プラズモン増強蛍光センサ10は、チップ構造体22を表面プラズモン増強蛍光センサ10の構成の一部として説明したが、このような形態に限定されるものではなく、上述の光源26及び光検出手段34を少なくとも含み、さらに例えば集光部材36や波長選択機能部材38を表面プラズモン増強蛍光センサ10の装置本体に備え、その装置本体に対してチップ構造体22を着脱して使用する形態としても良く、チップ構造体22を装置本体に対して固定して使用する形態であっても良いものである。そして、表面プラズモン増強蛍光センサ10の使用においては、反応層16の反応エリア20内に流路18を介してアナライトを有する試料溶液を流入させ、その後、同様にこのアナライトを標識する蛍光物質を、流路18を介して流入させることで、反応エリア20に蛍光物質で標識されたアナライトが固定化された状態とする。そして、この状態で光源26より誘電体部材12を介して、反射面を形成する金属薄膜14に全反射条件で励起光24を反応エリア20内の一部に照射することで、金属薄膜14の表面からエバネッセント波を放出させ、このエバネッセント波により励起エリア40に対応する位置に固定化されたアナライトを標識する蛍光32を励起させる。そして、反応エリア20内一部において、エバネッセント波によって励起された蛍光32を光検出手段34で検出することで、極微量および/または極低濃度のアナライトを検出することができるようになっている。なお、金属薄膜14の材質としては、好ましくは金,銀,アルミニウム,銅,および白金からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属からなり、より好ましくは金からなり、さらにこれら金属の合金から成ることである。このような金属は、酸化に対して安定であり、かつ粗密波表面プラズモンによる電場増強が大きくなることから金属薄膜14の材質として好適である。また、金属薄膜14の形成方法としては、例えばスパッタリング法,蒸着法抵抗加熱蒸着法,電子線蒸着法など,電解メッキ,無電解メッキ法などが挙げられる。中でもスパッタリング法,蒸着法は、薄膜形成条件の調整が容易であるため好ましい。さらに金属薄膜14の厚さとしては、金:5~500nm、銀:5~500nm、アルミニウム:5~500nm、銅:5~500nm、白金:5~500nm、およびそれらの合金:5~500nmの範囲内であることが好ましい。電場増強効果の観点からは、金:20~70nm、銀:20~70nm、アルミニウム:10~50nm、銅:20~70nm、白金:20~70nm、およびそれらの合金:10~70nmの範囲内であることがより好ましい。金属薄膜14の厚さが上記範囲内であれば、粗密波表面プラズモンが発生し易く好適である。また、このような厚さを有する金属薄膜14であれば、大きさ縦×横は特に限定されないものである。さらに、アナライト検出時に用いられる検体としては、血液,血清,血漿,尿,鼻孔液,唾液,便,体腔液髄液,腹水,胸水等などが挙げられる。また、検体中に含有されるアナライトは、例えば、核酸一本鎖であっても二本鎖であってもよいDNA,RNA,ポリヌクレオチド,オリゴヌクレオチド,PNAペプチド核酸等、またはヌクレオシド,ヌクレオチドおよびそれらの修飾分子,タンパク質ポリペプチド、オリゴペプチド等,アミノ酸修飾アミノ酸も含む。,糖質オリゴ糖,多糖類,糖鎖等,脂質,またはこれらの修飾分子,複合体などが挙げられ、具体的には、AFPαフェトプロテイン等のがん胎児性抗原や腫瘍マーカー,シグナル伝達物質,ホルモンなどであってもよく、特に限定されない。さらに蛍光物質としては、所定の励起光24を照射するか、または電界効果を利用することで励起し、蛍光32を発する物質であれば特に限定されないものである。なお本明細書でいう蛍光32とは、燐光など各種の発光も含まれるものである。また、誘電体部材12としては、光学的に透明な各種の無機物,天然ポリマー,合成ポリマーを用いることができ、化学的安定性,製造安定性および光学的透明性の観点から、二酸化ケイ素SiO2または二酸化チタンTiO2を含むことが好ましい。さらに、このような表面プラズモン増強蛍光センサ10は、光源26から金属薄膜14に照射される励起光24による表面プラズモン共鳴の共鳴角を調整するため、角度可変部図示せずや、光検出手段34に入力された情報を処理するためのコンピュータ図示せずなどを有しても良いものである。ここで、角度可変部図示せずは、サーボモータで全反射減衰ATR条件を求めるために受光手段30と光源26とを同期し、45~85°の角度変更を可能とし、分解能が0.01°以上であることが好ましい。上記した構成を有する本実施の形態の表面プラズモン増強蛍光センサ10は、特に反応エリア20で固定化されたアナライトを標識した蛍光物質が発する蛍光32を励起する励起エリア40が、反応エリア20よりも小さく設定されている点において特徴的である。以下、このように反応エリア20と励起エリア40とを設定してなる表面プラズモン増強蛍光センサ10について説明する。<反応エリア20と励起エリア40との関係>本発明の蛍光検出装置の一実施例である表面プラズモン増強蛍光センサ10は、図2に示したように、反応エリア20に対して、光源26より照射される励起光24による励起エリア40が小さく設定されている。反応エリア20の全面における反応量の分布は、図3に示したように、一方向の循環送液系の場合、流路上流に位置する反応エリア端部図3では左側端部において反応量が偏った状態となる。なお、図3において、横軸の反応エリア端部からの相対位置は、反応エリア20の流路方向における全長を1として、一端を0、他端を1として表したものであり、縦軸の分布バラツキ具合は、反応エリア20全体における全反応量を単位領域で平均した反応量の平均値を1として、その平均値に対する各単位領域の反応量の比率を表したものである。この単位領域は、反応エリア20を流路方向全長の1/100毎に区分けした領域である。したがって、この反応エリア20の内、反応量の偏っていない箇所、すなわち図3に示したグラフ縦軸の分布バラツキ具合の幅が僅かとなるエリアを励起エリア40に設定することにより、測定結果のバラツキを抑えることができ、高精度なアナライトの検出が可能である。なお、図2に示した反応エリア20と励起エリア40との関係では、励起エリア40が、反応エリア20の流路上流側に位置する端部および流路下流側に位置する端部の両端部を除いたエリアに設定されているが、循環送液系は、流路18の上流側に位置する反応エリア20端部において反応量が偏り反応量が局部的に多くなること、流路18の下流側では反応量の偏りは生じないため、図4および図5に示したように、励起エリア40を反応エリア20の上流側の端部のみを除いたエリアとしても良いものである。一方、双方向の往復送液系の場合には図6に示したように、反応エリア20の流路18の上流側の端部と流路18の下流側の端部において反応量が偏った状態となる。このため往復送液系の場合には、反応エリア20の流路18の上流側の端部と流路18の下流側の端部とを除いたエリアを励起エリア40とすることで、測定結果のバラツキを抑えることができ、高精度にアナライトの検出を行うことができる。循環送液系と往復送液系とを比べると、往復送液系の方が反応量の分布バラツキ具合が少ないため、表面プラズモン増強蛍光センサ10に用いる送液系としては往復送液系の方が好適である。なお、往復送液系については、従来より公知の技術を用いることができ、例えば流路18の上流側に往復送液ポンプ図示せずを設置するとともに、流路18の下流側に試料溶液の混合部図示せずを設置し、往復送液ポンプ図示せずの駆動により、反応エリア20内に試料溶液を流して流路18の下流側の混合部図示せずへ試料溶液を移動させ、次いで再度往復送液ポンプ図示せずを駆動させて今度は混合部図示せず内の試料溶液を往復送液ポンプ図示せず側へ移動させることを複数回繰り返すことで、反応エリア20に蛍光物質で標識されたアナライトが固定化されることとなる。また、本発明においては、金属薄膜14の上面に形成された反応層16において、金属薄膜14が形成されたエリアよりも内側に反応エリア20が形成されているが、このような構成に限定されるものではなく、金属薄膜14の形成されたエリアの全面上に反応エリア20を設けても良く、これらのエリアの関係は如何なるものであっても良いものである。なお、上記説明では本発明の蛍光検出装置の一実施例として表面プラズモン増強蛍光センサ10を用いて説明したが、表面プラズモン増強蛍光センサ10と同様の原理を用いた全反射蛍光センサ図示せずであっても、反応エリア20よりも励起エリア40を小さくすれば、測定結果のバラツキを抑えることができ、高精度にアナライトの検出を行うことができる。なお、励起エリア40は反応エリア20内に位置するよう設定することは勿論である。表面プラズモン増強蛍光センサ10と全反射蛍光センサ図示せずの構成の違いとして、表面プラズモン増強蛍光センサ10は誘電体部材12の上面に金属薄膜14が形成され、この上に反応層16が形成されるのに対し、全反射蛍光センサ図示せずは誘電体部材の上面に直接反応層が形成される点が挙げられる。全反射蛍光センサ図示せずの場合には、誘電体部材と反応層との界面においてエバネッセント波が生ずるものであること以外、表面プラズモン増強蛍光センサと基本的な構成は同じであるため、その詳細な説明について本明細書では省略する。上記したように本発明の蛍光検出装置およびこれを用いた蛍光検出方法は、反応エリアに対する励起エリアの大きさを規定し、反応量の分布の少ない範囲のみ、すなわち反応エリア端部の反応量の分布が大きい箇所を除いた箇所のみを励起エリアとして測定するように各エリアの大きさを規定したので、測定結果のバラツキを抑えることができ、高精度にアナライトの検出を行うことができるものであって、本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能なものである。"