基板と、第1導電領域に第1絶縁領域を介して第2導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第1導電補強領域に絶縁補強領域を介して第2導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えるMEMSデバイス。第1導電補強領域が第1導電領域から連続的に形成されており、絶縁補強領域が第1絶縁領域から連続的に形成されており、第2導電補強領域が第2導電領域から連続的に形成されている請求項1のMEMSデバイス。可動電極が第2導電領域から連続的に形成されており、可動質量体が、第2導電領域に第2絶縁領域を介して第3導電領域がさらに積層されて形成されており、第1導電補強領域が第2導電領域から連続的に形成されており、絶縁補強領域が第2絶縁領域から連続的に形成されており、第2導電補強領域が第3導電領域から連続的に形成されている請求項1のMEMSデバイス。可動電極と固定電極が可動質量体の積層方向に関して対向している請求項1から3の何れか一項のMEMSデバイス。基板と、第1導電領域に第1絶縁領域を介して第2導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、第2導電領域から連続的に形成されており、固定電極に対向して配置された可動電極を備えており、可動質量体が、第2導電領域の第1絶縁領域に接する面の反対側の面に積層されており、第1絶縁領域と略等しい線膨張係数を有する材質の第2絶縁領域を備えているMEMSデバイス。可動質量体がさらに、第2絶縁領域に積層された第3導電領域を備える請求項5のMEMSデバイス。可動電極と固定電極が可動質量体の積層方向に関して対向している請求項5または6のMEMSデバイス。一般的に、可動質量体の導電領域に用いられる導電性材料と絶縁領域に用いられる絶縁性材料では、線膨張係数が相違している。従って、MEMSデバイスの製造過程において、高温での熱処理を経て常温まで冷却する際に、両者の線膨張係数の相違に起因して、導電領域と絶縁領域に残留歪が生じる。例えば、導電性材料として単結晶シリコンを用い、絶縁性材料として酸化シリコンを用いる場合、単結晶シリコンの線膨張係数は約2.6×10-6°Cであり、酸化シリコンの線膨張係数は約5.5×10-7°Cであり、導電領域の線膨張係数は絶縁領域の線膨張係数より大きい。従って、高温での熱処理を経て常温まで冷却すると、絶縁領域に比べて導電領域の方が強く収縮しようとする。導電領域と絶縁領域は互いの変形を拘束し合う関係にあるから、導電領域には面内方向および厚み方向に収縮しようとする残留歪が生じ、絶縁領域には面内方向に膨張しようとする残留歪が生じる。導電領域のうち、絶縁領域に接する側の部分では、絶縁領域によって面内方向の変形が拘束されているので、残留歪を解消しようとする変形を生じない。しかしながら、導電領域のうち、絶縁領域に接する側の反対側の部分では、上記のような残留歪を解消するように、面内方向に収縮する変形を生じる。このような変形が可動質量体の全体に亘って蓄積することで、可動質量体の端部近傍では、導電領域を絶縁領域から引き離す方向の曲げが導電領域に作用する。これによって、可動質量体の端部から連続的に形成された可動電極に反りを生じてしまう。可動電極に反りを生じてしまうと、固定電極との間の位置関係が本来想定しているものとは異なったものとなってしまう。可動質量体の積層方向に関して可動電極と固定電極が対向している場合には、上記のように可動電極に反りを生じてしまうと、可動電極と固定電極の間の間隔が変化してしまう。可動質量体の積層方向に直交する方向に関して可動電極と固定電極が対向している場合には、上記のように可動電極に反りを生じてしまうと、可動電極と固定電極の対向面積が変化してしまう。可動電極に反りを生じてしまうと、MEMSデバイスの動作に影響を及ぼすおそれがある。本明細書では、上記の課題を解決する技術を提供する。本明細書では、積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。本明細書が開示するMEMSデバイスは、基板と、第1導電領域に第1絶縁領域を介して第2導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第1導電補強領域に絶縁補強領域を介して第2導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。上記のMEMSデバイスでは、可動電極の両側が補強部材によって支持されている。この補強部材は積層構造を有しているため剛性が高く、かつ可動質量体に固定されている。上記のような構成とすることで、補強部材が可動電極の可動質量体に対する相対変形を拘束して、可動電極における反りの発生を抑制することができる。上記のMEMSデバイスは、第1導電補強領域が第1導電領域から連続的に形成されており、絶縁補強領域が第1絶縁領域から連続的に形成されており、第2導電補強領域が第2導電領域から連続的に形成されているように構成することができる。上記のような構成とした場合、積層構造を有し、かつ可動質量体に固定されている補強部材を、簡易な製造プロセスで形成することができる。あるいは、上記のMEMSデバイスは、可動電極が第2導電領域から連続的に形成されており、可動質量体が、第2導電領域に第2絶縁領域を介して第3導電領域がさらに積層されて形成されており、第1導電補強領域が第2導電領域から連続的に形成されており、絶縁補強領域が第2絶縁領域から連続的に形成されており、第2導電補強領域が第3導電領域から連続的に形成されているように構成することができる。上記のような構成とした場合も、積層構造を有し、かつ可動質量体に固定されている補強部材を、簡易な製造プロセスで形成することができる。本発明が開示する他のMEMSデバイスは、基板と、第1導電領域に第1絶縁領域を介して第2導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、第2導電領域から連続的に形成されており、固定電極に対向して配置された可動電極を備えており、可動質量体が、第2導電領域の第1絶縁領域に接する面の反対側の面に積層されており、第1絶縁領域と略等しい線膨張係数を有する材質の第2絶縁領域を備えている。上記のMEMSデバイスでは、可動質量体の第2導電領域の両面とも、それぞれ第1絶縁領域と第2絶縁領域に接しており、面内方向での変形が同程度に拘束される。従って、第2導電領域の何れの面においても、第2導電領域の残留歪を解消しようとして面内方向に収縮する変形が生じず、このような変形が可動質量体の全体に亘って蓄積することもない。可動質量体の端部近傍において、第2導電領域を第1絶縁領域から離す方向の曲げが作用することを防ぐことができる。このような構成とすることでも、可動電極における反りの発生を抑制することができる。上記のMEMSデバイスは、可動質量体がさらに、第2絶縁領域に積層された第3導電領域を備えるように構成してもよい。上記のような構成とした場合、第2導電領域から見ると、一方の面には第1絶縁領域を介して第1導電領域が積層され、他方の面には第2絶縁領域を介して第3導電領域が積層された構造になる。第2導電領域の両面側での剛性のバランスをとることが出来る。また第3導電領域により第2絶縁領域を保護し、耐薬品性を向上することが出来る。上記した各種のMEMSデバイスは、可動電極と固定電極が可動質量体の積層方向に関して対向している場合に、特に有利な効果を生じる。可動電極と固定電極が可動質量体の積層方向に関して対向している場合、仮に可動電極に反りが生じると、可動電極と固定電極の間の間隔が変化してしまう。可動電極と固定電極の間の静電容量を検出して可動質量体の変位を検出する場合には、可動電極に反りが生じると、両者間の静電容量が変化してしまい、正確に変位を検出することができなくなってしまう。また、可動電極と固定電極の間に静電引力を印加して可動質量体を振動させる場合には、可動電極に反りが生じると、両者間の静電引力が変化してしまい、可動質量体の運動を適切に制御することができなくなってしまう。上記のMEMSデバイスによれば、可動電極における反りの発生を抑制して、可動電極の反りによってもたらされる上述の問題の発生を防ぐことができる。本明細書が開示する技術によれば、積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制することができる。好ましい実施例の特徴を最初に列記する。特徴1MEMSデバイスは、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第1導電層と、酸化シリコンからなる第1絶縁層と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第2導電層が順に積層されたSOIウェハから製造される。第1実施例以下では図1-図5、図40を参照しながら、第1実施例に係る加速度センサ2の構造について説明する。加速度センサ2は、導電体からなる第1層50と、絶縁体からなる第2層60と、導電体からなる第3層70が順に積層された積層構造を有している。具体的には、本実施例の加速度センサ2は、第1層50は不純物を添加した単結晶シリコンからなり、第2層60は酸化シリコンからなり、第3層70は不純物を添加した単結晶シリコンからなる、いわゆるSOISilicononInsulator構造を有している。図1-図5に示すように、加速度センサ2は、支持基板100と、プルーフマス102と、支持梁104a、104b、104c、104dと、支持部106a、106b、106c、106dを備えている。支持基板100は第1層50に形成されている。支持基板100の外周縁には、枠部170が形成されている。枠部170は、第2層60に形成された絶縁枠部172と、第3層70に形成された導電枠部174を備えている。導電枠部174は絶縁枠部172を介して支持基板100に対して固定されている。図2、図40に示すように、プルーフマス102は、第1層50に形成された下部領域108と、第2層60に形成された絶縁領域110と、第3層70に形成された上部領域112を備えている。図1や図4に示すように、プルーフマス102の下部領域108は、第1分離溝114によって支持基板100から分離されている。プルーフマス102の下部領域108と絶縁領域110と上部領域112は互いに固定されている。図1の支持部106a、106b、106c、106dはそれぞれ、第2層60に形成された絶縁支持部115a、115b、115c、115d図5参照と、第3層70に形成された導電支持部116a、116b、116c、116d図1参照を備えている。導電支持部116a、116b、116c、116dはそれぞれ、絶縁支持部115a、115b、115c、115dを介して支持基板100に固定されている。支持梁104a、104b、104c、104dは第3層70に形成されている。支持梁104a、104b、104c、104dは、プルーフマス102の上部領域112の四隅と、支持部106a、106b、106c、106dの導電支持部116a、116b、116c、116dの間をそれぞれ連結している。プルーフマス102は、支持梁104a、104b、104c、104dと支持部106a、106b、106c、106dを介して、支持基板100に対して支持されている。支持梁104a、104b、104c、104dは、曲げ剛性およびせん断剛性が低くなるように、細長い形状に形成されている。従って、プルーフマス102にZ方向図1の紙面垂直方向の慣性力が作用すると、支持梁104a、104b、104c、104dがZ方向に撓んで、プルーフマス102は支持基板100に対してZ方向に相対変位する。このときの支持梁104a、104b、104c、104dの撓み量は、プルーフマス102に作用する慣性力の大きさに応じたものとなる。言い換えると、支持基板100に対するプルーフマス102の相対変位量は、プルーフマス102に作用する加速度の大きさに応じたものとなる。従って、支持基板100に対するプルーフマス102のZ方向の変位量を検出することで、加速度センサ2に作用しているZ方向の加速度を検出することができる。加速度センサ2は、Z方向変位検出部118a、118bを備えている。Z方向変位検出部118a、118bはそれぞれ、固定電極120a、120bと可動電極122a、122bを備えている。図2に示すように、固定電極120a、120bは第1層50に形成されている。固定電極120a、120bは第2分離溝124a、124bによって支持基板100およびプルーフマス102から分離されている。固定電極120a、120bはそれぞれ、連結部126a、126bを介して支持基板100に連結している。連結部126a、126bは、第2層60に形成された絶縁連結部128a、128bと、第3層70に形成された導電連結部130a、130bを備えている。固定電極120a、120bは絶縁連結部128a、128bによって、支持基板100に対して絶縁されている。連結部126a、126bは、導電連結部130a、130bと絶縁連結部128a、128bを貫通して固定電極120a、120bに接触する導電性の貫通電極132a、132bを備えている。貫通電極132a、132bによって、固定電極120a、120bと導電連結部130a、130bは同電位に維持される。連結部126a、126bは、導電連結部130a、130bの電位を検出する表面電極134a、134bを備えている。表面電極134a、134bの電位を検出することで、固定電極120a、120bの電位をそれぞれ検出することができる。図2に示すように、可動電極122a、122bは第3層70に形成されている。可動電極122a、122bには、加速度センサ2を製造する際に、犠牲層である第2層60を選択的に除去するための複数のエッチングホールが形成されている。可動電極122a、122bは、プルーフマス102の上部領域112からX軸方向図1の左右方向に沿って連続的に伸びている。可動電極122a、122bと、上部領域112と、支持梁104a、104b、104c、104dと、導電支持部116a、116b、116c、116dは、導電性の第3層70において継ぎ目無く一体的に形成されており、これらは全て同電位に維持される。図1に示すように、1つの導電支持部116bには表面電極136が形成されている。表面電極136の電位を検出することで、可動電極122a、122bの電位を検出することができる。なお、プルーフマス102には上部領域112と絶縁領域110を貫通して下部領域108に接触する貫通電極138が設けられている。貫通電極138によって、下部領域108と上部領域112が同電位に維持される。図2に示すように、固定電極120a、120bと可動電極122a、122bは、第2層60の厚さによって規定される間隔Dを隔てて、互いに対向して配置されている。これにより、固定電極120a、120bと可動電極122a、122bの間には、間隔Dに応じた静電容量が構成される。プルーフマス102が支持基板100に対してZ方向に相対変位すると、可動電極122a、122bと固定電極120a、120bの間の間隔Dが変化し、それによって固定電極120a、120bと可動電極122a、122bの間の静電容量が変化する。表面電極134a、134bと表面電極136を用いて固定電極120a、120bと可動電極122a、122bの間の静電容量の変化を検出することで、プルーフマス102の支持基板100に対するZ方向の変位量を算出することができる。なお、本実施例の加速度センサ2では、Z方向変位検出部118aで検出される変位量と、Z方向変位検出部118bで検出される変位量の双方を用いることで、プルーフマス102の支持基板100に対する、X軸方向の相対変位や、Y軸図1の上下方向に伸びる軸周りの相対回転の影響を除去することができる。図1や図3、図40に示すように、本実施例の加速度センサ2は、可動電極122a、122bに対応して、第1補強部140a、140bと第2補強部142a、142bを備えている。図1に示すように、第1補強部140a、140bと第2補強部142a、142bは、プルーフマス102からX軸方向に沿って直線状に伸び、可動電極122a、122bの先端まで達している。図3-図5、図40に示すように、第1補強部140a、140bは、第1層50に形成された下側補強部144a、144bと、第2層60に形成された絶縁補強部146a、146bと、第3層70に形成された上側補強部148a、148bを備えている。下側補強部144aと絶縁補強部146aと上側補強部148aは互いに固定されており、下側補強部144bと絶縁補強部146bと上側補強部148bは互いに固定されている。図4に示すように、下側補強部144a、144bは、プルーフマス102の下部領域108と継ぎ目なく一体的に形成されている。図5に示すように、絶縁補強部146a、146bは、プルーフマス102の絶縁領域110と継ぎ目なく一体的に形成されている。図1に示すように、上側補強部148a、148bは、プルーフマス102の上部領域112と継ぎ目なく一体的に形成されている。また、上側補強部148a、148bは、第3層70に形成された第1電極連結部150a、150bを介して、可動電極122a、122bに連結している。図3-図5、図40に示すように、第2補強部142a、142bは、第1層50に形成された下側補強部152a、152bと、第2層60に形成された絶縁補強部154a、154bと、第3層70に形成された上側補強部156a、156bを備えている。下側補強部152aと絶縁補強部154aと上側補強部156aは互いに固定されており、下側補強部152bと絶縁補強部154bと上側補強部156bは互いに固定されている。図4に示すように、下側補強部152a、152bは、プルーフマス102の下部領域108と継ぎ目なく一体的に形成されている。図5に示すように、絶縁補強部154a、154bは、プルーフマス102の絶縁領域110と継ぎ目なく一体的に形成されている。図1に示すように、上側補強部156a、156bは、プルーフマス102の上部領域112と継ぎ目なく一体的に形成されている。また、上側補強部156a、156bは、第3層70に形成された第2電極連結部158a、158bを介して、可動電極122a、122bに連結している。図1や図3に示すように、第1補強部140aと第2補強部142aは可動電極122aをY軸方向図1の上下方向の両側から挟む位置に配置されており、第1補強部140bと第2補強部142bは可動電極122bをY軸方向の両側から挟む位置に配置されている。また、第1補強部140aと第2補強部142aは、可動電極122aの先端側図1の左側の端部近傍において、第1電極連結部150a、第2電極連結部158aを介して可動電極122aと連結している。第1補強部140b、第2補強部142bと可動電極122bの間の関係も同様である。可動電極122a、122bが第3層70のみから構成されている場合、製造時に可動電極122a、122bに反りを生じて、固定電極120a、120bとの間の間隔Dが変化してしまうおそれがある。しかしながら、本実施例の加速度センサ2では、可動電極122a、122bの先端側の端部の両側が、第1補強部140a、140b、第2補強部142a、142bによって保持されている。第1補強部140a、140bは、製造時にほとんど反りを生じず、かつ剛性が高いので、可動電極122a、122bにおける反りの発生を抑制することができる。また、本実施例の加速度センサ2によれば、可動電極122a、122bのZ方向の曲げ剛性、せん断剛性が向上するため、プルーフマス102の運動に対する可動電極122a、122bの追従性が向上する。プルーフマス102が高速で移動する場合でも、可動電極122a、122bがプルーフマス102の運動に追従することができる。以下では図6-図13を参照しながら、本実施例の加速度センサ2の製造方法について説明する。図6-図10は図1のA-A線断面、すなわち図2の断面に相当し、図11-図13は図1のB-B線断面、すなわち図3の断面に相当する。まず、図6および図11に示すように、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第1層50と、酸化シリコンからなる第2層60と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第3層70の積層構造を有するSOIウェハ200を用意した後、反応性イオンエッチングReactiveIonEtchingRIEによって、第3層70をトリミングする。これによって、第3層70に、上部領域112、支持梁104a、104b、104c、104d、導電支持部116a、116b、116c、116d、可動電極122a、122b、上側補強部148a、148b、第1電極連結部150a、150b、上側補強部156a、156b、第2電極連結部158a、158bが、継ぎ目なく一体的に形成される。さらに、第3層70に、導電枠部174、導電連結部130a、130bがそれぞれ形成される。次いで、図7および図12に示すように、ディープRIE法によって、SOIウェハ200の第1層50をトリミングする。これによって、第1層50に第1分離溝114、第2分離溝124a、124bが形成され、第1層50が、支持基板100と、固定電極120a、120bと、継ぎ目なく一体的に形成された下部領域108、下側補強部144a、144bおよび下側補強部152a、152bに分離される。次いで、図8および図13に示すように、犠牲層である第2層60の酸化シリコンを選択的に除去する。これによって、第2層60に、絶縁枠部172、絶縁領域110、絶縁支持部115a、115b、115c、115d、絶縁連結部128a、128b、絶縁補強部146a、146b、絶縁補強部154a、154bが形成される。SOIウェハ200には、成形時の1100°Cの高温から室温に冷却したことで、残留歪が存在する。単結晶シリコンからなる第1層50、第3層70については、線膨張係数は約2.6×10-6°Cである。他方、酸化シリコンからなる第2層60については、線膨張係数は5.5×10-7°Cである。従って、室温まで冷却された状態では、第1層50、第3層70には、面内方向および厚み方向に収縮しようとする残留歪が存在し、第2層60には面内方向に膨張しようとする歪が存在する。第3層70に関して言うと、第2層60と接する側の部分では、第2層60によって面内方向の変形が拘束されているので、残留歪を解消しようとする変形を生じない。しかしながら、第2層60と接する側の反対側の部分では、上記のような残留歪を解消するように、面内方向に収縮する変形を生じる。このような変形がプルーフマス102の上部領域112の面内方向全体に亘って蓄積することで、上部領域112の端部近傍には、第3層70を第2層60から引き離す方向の曲げが作用する。このため、可動電極122a、122bの下方の第2層60を除去することで、可動電極122a、122bには反りを生じる方向の曲げが作用する。しかしながら、本実施例の加速度センサ2では、可動電極122a、122bの先端側の端部の両側が、剛性の高い第1補強部140a、140b、第2補強部142a、142bによって保持されている。従って、犠牲層である第2層60を選択的にエッチングした後も、可動電極122a、122bが反ってしまうことがない。次いで、図9に示すように、貫通電極132a、132b、貫通電極138を形成する。その後、図10に示すように、表面電極134a、134b、表面電極136を形成することで、図1-図5に示す加速度センサ2が得られる。第2実施例以下では図14-図18を参照しながら、第2実施例に係る加速度センサ4の構造について説明する。本実施例の加速度センサ4は、第1実施例の加速度センサ2とほぼ同様の構成を備えている。以下では第1実施例の加速度センサ2と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。図14に示すように、本実施例の第1補強部302a、302b、第2補強部312a、312bは、プルーフマス102から直線状に伸びて、先端が可動電極122a、122b側に折れ曲がった略L字型の形状に形成されている。図16-図18に示すように、第1補強部302a、302bは、第1層50に形成された下側補強部304a、304bと、第2層60に形成された絶縁補強部306a、306bと、第3層70に形成された上側補強部308a、308bを備えている。下側補強部304aと絶縁補強部306aと上側補強部308aは互いに固定されており、下側補強部304bと絶縁補強部306bと上側補強部308bは互いに固定されている。図17に示すように、下側補強部304a、304bは、プルーフマス102の下部領域108と継ぎ目なく一体的に形成されている。図18に示すように、絶縁補強部306a、306bは、プルーフマス102の絶縁領域110と継ぎ目なく一体的に形成されている。図14に示すように、上側補強部308a、308bは、プルーフマス102の上部領域112と継ぎ目なく一体的に形成されている。また、上側補強部308a、308bは、第3層70に形成された第1電極連結部310a、310bを介して、可動電極122a、122bに連結している。図16-図18に示すように、第2補強部312a、312bは、第1層50に形成された下側補強部314a、314bと、第2層60に形成された絶縁補強部316a、316bと、第3層70に形成された上側補強部318a、318bを備えている。下側補強部314aと絶縁補強部316aと上側補強部318aは互いに固定されており、下側補強部314bと絶縁補強部316bと上側補強部318bは互いに固定されている。図17に示すように、下側補強部314a、314bは、プルーフマス102の下部領域108と継ぎ目なく一体的に形成されている。図18に示すように、絶縁補強部316a、316bは、プルーフマス102の絶縁領域110と継ぎ目なく一体的に形成されている。図14に示すように、上側補強部318a、318bは、プルーフマス102の上部領域112と継ぎ目なく一体的に形成されている。また、上側補強部318a、318bは、第3層70に形成された第2電極連結部320a、320bを介して、可動電極122a、122bに連結している。図15に示すように、固定電極322a、322bは第1層50に形成されている。固定電極322a、322bは第2分離溝324a、324bによって支持基板100、プルーフマス102、第1補強部302a、302bおよび第2補強部312a、312bから分離されている。本実施例の加速度センサ4では、可動電極122a、122bが、Y方向図14の上下方向に関して両側で変形を拘束されているだけでなく、さらに、X方向図14の左右方向に関しても両側で変形を拘束されている。このような構成とすることによって、可動電極122a、122bの変形をより強固に拘束して、可動電極122a、122bにおける反りの発生を抑制することができる。また、可動電極122a、122bのZ方向の曲げ剛性、せん断剛性を向上して、プルーフマス102の運動に対する可動電極122a、122bの追従性を向上することができる。なお、本実施例の加速度センサ4は、第1実施例の加速度センサ2と同様の製造方法によって製造することができる。第3実施例以下では図19-図21を参照しながら、第3実施例に係る加速度センサ6の構造について説明する。本実施例の加速度センサ6は、第1実施例の加速度センサ2とほぼ同様の構成を備えている。以下では第1実施例の加速度センサ2と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。図19、図20に示すように、本実施例の可動電極402a、402bは、分離溝404a、404bによって、プルーフマス102の上部領域112の端部近傍から切り離されている。図19、図21に示すように、可動電極402a、402bは、Y軸方向図19の上下方向の両端において、第1電極連結部150a、150bおよび第2電極連結部158a、158bを介して、第1補強部140a、140bおよび第2補強部142a、142bに支持されている。本実施例の加速度センサ6では、可動電極402a、402bがプルーフマス102の上部領域112の端部近傍から切り離されているので、上部領域112の端部近傍に第3層70を第2層60から引き離す方向の曲げが作用していても、可動電極402a、402bには反りを生じることがない。これにより、可動電極402a、402bにおける反りの発生を確実に抑制することができる。なお、本実施例の加速度センサ6は、第1実施例の加速度センサ2と同様の製造方法によって製造することができる。第4実施例以下では図22-図24、図41を参照しながら、第4実施例に係る加速度センサ8の構造について説明する。本実施例の加速度センサ8は、第1実施例の加速度センサ2とほぼ同様の構成を備えている。以下では第1実施例の加速度センサ2と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。図22や図24、図41に示すように、本実施例の加速度センサ8は、第1実施例の加速度センサ2における第1補強部140a、140bおよび第2補強部142a、142bを備えていない。図23、図41に示すように、本実施例の加速度センサ8では、可動電極122a、122bは、プルーフマス502によって片持ちで支持されている。プルーフマス502は、第1層50に形成された下部領域108と、第2層60に形成された絶縁領域110と、第3層70に形成された上部領域112に加えて、さらに上部領域112の上方に積層された上側絶縁領域504と、上側絶縁領域の上方に積層された上側保護領域506を備えている。上側絶縁領域504は酸化シリコンからなり、上側保護領域506は窒化シリコンからなる。本実施例の加速度センサ8では、プルーフマス502の上部領域112が、絶縁領域110と上側絶縁領域504によって両面から挟み込まれている。絶縁領域110と上側絶縁領域504は線膨張係数が同じであるから、上部領域112の上面側と下面側では、面内方向での変形が同程度に拘束される。従って、上部領域112の何れの面においても、上部領域112の残留歪を解消しようとして面内方向に収縮する変形が生じず、このような変形がプルーフマス502の全体に亘って蓄積することもない。プルーフマス502の端部近傍において、上部領域112を絶縁領域110から引き離す方向の曲げが作用することを防ぐことができる。このような構成とすることで、可動電極122a、122bにおける反りの発生を抑制することができる。本実施例の加速度センサ8の製造方法は、図6-図13を参照しながら説明した第1実施例の加速度センサ2の製造方法とほぼ同様である。図6および図11に示すRIE法による第3層70のトリミングの前に、酸化シリコンからなる上側絶縁領域504を積層する工程と、窒化シリコンからなる上側保護領域506を積層する工程を加えることで、本実施例の加速度センサ8を得ることができる。なお、上側保護領域506は、図8および図13に示す犠牲層エッチングの際に、上側絶縁領域504が除去されることを防ぐために設けられている。上側保護領域506は、最終的に除去してもよいし、除去せずにそのまま残存させてもよい。本実施例では、第1層50に形成された固定電極120a、120bに対してZ方向に対向して配置された、第3層70に形成された可動電極122a、122bにおける反りの発生を抑制する場合について説明した。これ以外にも、例えばプルーフマス102に対して固定された可動電極と、支持基板100に対して固定された固定電極が、いずれも第3層70に形成されて、X方向またはY方向に対向して配置されている場合でも、本実施例と同様の構成を用いることで、可動電極における反りの発生を抑制することができる。例えば、プルーフマス102に対して固定された可動電極がいわゆる櫛歯状電極である場合でも、本実施例と同様に、可動電極と継ぎ目なく一体的に形成された上部領域112の上面側と下面側の両方に絶縁膜が積層される構成とすることで、可動電極における反りの発生を抑制することができる。第5実施例以下では図25-図27を参照しながら、第5実施例に係る加速度センサ10の構造について説明する。本実施例の加速度センサ10は、第1実施例の加速度センサ2とほぼ同様の構成を備えている。以下では第1実施例の加速度センサ2と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。加速度センサ10は、導電体からなる第1層50と、絶縁体からなる第2層60と、導電体からなる第3層70と、絶縁体からなる第4層80と、導電体からなる第5層90が順に積層された積層構造を有している。具体的には、本実施例の加速度センサ10では、第1層50、第3層70および第5層90は不純物を添加した単結晶シリコンからなり、第2層60、第4層80は酸化シリコンからなる。図25、図27に示すように、本実施例の加速度センサ10も、第4実施例の加速度センサ8と同様に、第1実施例の加速度センサ2における第1補強部140a、140bおよび第2補強部142a、142bを備えていない。図26に示すように、本実施例の加速度センサ10では、可動電極122a、122bは、プルーフマス602によって片持ちで支持されている。本実施例の加速度センサ10では、支持基板100の外周縁に、枠部610が形成されている。枠部610は、第2層60に形成された絶縁枠部172と、第3層70に形成された導電枠部174に加えて、第4層80に形成された第2絶縁枠部609と、第5層90に形成された第2導電枠部608を備えている。第2導電枠部608は第2絶縁枠部609を介して導電枠部174に対して固定されており、導電枠部174は絶縁枠部172を介して支持基板100に対して固定されている。本実施例の加速度センサ10では、プルーフマス602は、第1層50に形成された下部領域108と、第2層60に形成された絶縁領域110と、第3層70に形成された上部領域112に加えて、さらに第4層80に形成された第2絶縁領域604と、第5層90に形成された第2上部領域606を備えている。プルーフマス602の下部領域108と絶縁領域110と上部領域112と第2絶縁領域604と第2上部領域606は互いに固定されている。本実施例の加速度センサ10では、プルーフマス602の上部領域112が、絶縁領域110と第2絶縁領域604によって両面から挟み込まれている。絶縁領域110と第2絶縁領域604は線膨張係数が同じであるから、上部領域112の上面側と下面側では、面内方向での変形が同程度に拘束される。従って、上部領域112の何れの面においても、上部領域112の残留歪を解消しようとして面内方向に収縮する変形が生じず、このような変形がプルーフマス602の全体に亘って蓄積することもない。プルーフマス602の端部近傍において、上部領域112を絶縁領域110から引き離す方向の曲げが作用することを防ぐことができる。このような構成とすることで、可動電極122a、122bにおける反りの発生を抑制することができる。本実施例の加速度センサ10の製造方法について説明する。まず、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第1層50と、酸化シリコンからなる第2層60と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第3層70と、酸化シリコンからなる第4層80と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第5層90の積層構造を有するダブルSOIウェハ600を用意した後、反応性イオンエッチングReactiveIonEtchingRIEによって、第5層90と第4層80をそれぞれ選択的に除去する。これによって、第5層90に第2上部領域606と第2導電枠部608が形成され、第4層80に第2絶縁領域604と第2絶縁枠部609が形成される。その後は、図6-図13を参照しながら説明した第1実施例の加速度センサ2の製造方法と同様の工程を経ることで、本実施例の加速度センサ10を得ることができる。本実施例では、第1層50に形成された固定電極120a、120bに対してZ方向に対向して配置された、第3層70に形成された可動電極122a、122bにおける反りの発生を抑制する場合について説明した。これ以外にも、例えばプルーフマス602に対して固定された可動電極と、支持基板100に対して固定された固定電極が、いずれも第3層70に形成されて、X方向またはY方向に対向して配置されている場合でも、本実施例と同様の構成を用いることで、可動電極における反りの発生を抑制することができる。例えば、プルーフマス602に対して固定された可動電極がいわゆる櫛歯状電極である場合でも、本実施例と同様に、可動電極と継ぎ目なく一体的に形成された上部領域112の上面側と下面側の両方に絶縁膜が積層される構成とすることで、可動電極における反りの発生を抑制することができる。第6実施例以下では図28-図30を参照しながら、第6実施例に係る加速度センサ12の構造について説明する。本実施例の加速度センサ12は、第5実施例の加速度センサ10とほぼ同様の構成を備えている。以下では第5実施例の加速度センサ10と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。図28、図30に示すように、本実施例の加速度センサ12では、可動電極122a、122bのY軸方向図28の上下方向の両側端縁に、第1補強部702a、702bと第2補強部704a、704bが形成されている。第1補強部702a、702bと第2補強部704a、704bは、プルーフマス602からX軸方向に沿って直線状に伸び、可動電極122a、122bの先端まで達している。図30に示すように、第1補強部702a、702bは、第4層80に形成された絶縁補強部706a、706bと、第5層90に形成された上側補強部708a、708bを備えている。上側補強部708a、708bは絶縁補強部706a、706bを介して可動電極122a、122bの縁部に固定されている。絶縁補強部706a、706bは、プルーフマス602の第2絶縁領域604と継ぎ目なく一体的に形成されている。上側補強部708a、708bは、プルーフマス602の第2上部領域606と継ぎ目なく一体的に形成されている。第2補強部704a、704bは、第4層80に形成された絶縁補強部710a、710bと、第5層90に形成された上側補強部712a、712bを備えている。上側補強部712a、712bは絶縁補強部710a、710bを介して可動電極122a、122bの縁部に固定されている。絶縁補強部710a、710bは、プルーフマス602の第2絶縁領域604と継ぎ目なく一体的に形成されている。上側補強部712a、712bは、プルーフマス602の第2上部領域606と継ぎ目なく一体的に形成されている。本実施例の加速度センサ12によれば、プルーフマス602の上部領域112が絶縁領域110と第2絶縁領域604によって両面から挟み込まれているので、プルーフマス602の端部近傍において、上部領域112に残留歪の開放に起因する曲げが作用しない。さらに、本実施例の加速度センサ12では、Y軸方向に関して、可動電極122a、122bが第1補強部702a、702bと第2補強部704a、704bによって両側から支持されている。このような構成とすることによって、可動電極122a、122bにおける反りの発生を確実に抑制することができる。また、本実施例の加速度センサ12によれば、可動電極122a、122bのZ方向の曲げ剛性、せん断剛性が向上するため、プルーフマス602の運動に対する可動電極122a、122bの追従性が向上する。プルーフマス602が高速で移動する場合でも、可動電極122a、122bがプルーフマス602の運動に適切に追従することができる。第7実施例以下では図31-図33を参照しながら、第7実施例に係る加速度センサ14の構造について説明する。本実施例の加速度センサ14は、第5実施例の加速度センサ10とほぼ同様の構成を備えている。以下では第5実施例の加速度センサ10と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。図31-図33に示すように、本実施例の加速度センサ14では、可動電極122a、122bのプルーフマス602と接していない周縁全体に亘って、補強部802a、802bが形成されている。図32、図33に示すように、補強部802a、802bは、第4層80に形成された絶縁補強部804a、804bと、第5層90に形成された上側補強部806a、806bを備えている。上側補強部806a、806bは絶縁補強部804a、804bを介して可動電極122a、122bの縁部に固定されている。絶縁補強部804a、804bは、プルーフマス602の第2絶縁領域604と継ぎ目なく一体的に形成されている。上側補強部806a、806bは、プルーフマス602の第2上部領域606と継ぎ目なく一体的に形成されている。本実施例の加速度センサ14によれば、プルーフマス602の上部領域112が絶縁領域110と第2絶縁領域604によって両面から挟み込まれているので、プルーフマス602の端部近傍において、上部領域112に残留歪の開放に起因する曲げが作用しない。さらに、本実施例の加速度センサ14では、Y軸方向に関して、可動電極122a、122bが補強部802a、802bによって両側から支持されており、さらに、X軸方向に関して、可動電極122a、122bがプルーフマス602と補強部802a、802bによって両側から支持されている。このような構成とすることによって、可動電極122a、122bにおける反りの発生を確実に抑制することができる。また、本実施例の加速度センサ14によれば、可動電極122a、122bのZ方向の曲げ剛性、せん断剛性が向上するため、プルーフマス602の運動に対する可動電極122a、122bの追従性が向上する。プルーフマス602が高速で移動する場合でも、可動電極122a、122bがプルーフマス602の運動に適切に追従することができる。さらに、本実施例の加速度センサ14によれば、可動電極122a、122bのX軸周りのねじり剛性が向上するため、可動電極122a、122bの変形を確実に防止することができる。第8実施例以下では図34-図36を参照しながら、第8実施例に係る加速度センサ16の構造について説明する。本実施例の加速度センサ16は、第5実施例の加速度センサ10とほぼ同様の構成を備えている。以下では第5実施例の加速度センサ10と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。図34-図36に示すように、本実施例の加速度センサ16では、可動電極122a、122bの全面に亘って、補強部902a、902bが形成されている。図35、図36に示すように、補強部902a、902bは、第4層80に形成された絶縁補強部904a、904bと、第5層90に形成された上側補強部906a、906bを備えている。上側補強部906a、906bは絶縁補強部904a、904bを介して可動電極122a、122bに固定されている。図35に示すように、絶縁補強部904a、904bは、プルーフマス602の第2絶縁領域604と継ぎ目なく一体的に形成されている。上側補強部906a、906bは、プルーフマス602の第2上部領域606と継ぎ目なく一体的に形成されている。本実施例の加速度センサ16によれば、プルーフマス602の上部領域112が絶縁領域110と第2絶縁領域604によって両面から挟み込まれているので、プルーフマス602の端部近傍において、上部領域112に残留歪の開放に起因する曲げが作用しない。さらに、本実施例の加速度センサ16では、可動電極122a、122bが全体に亘って補強部902a、902bによって支持されている。このような構成とすることによって、可動電極122a、122bにおける反りの発生を確実に抑制することができる。また、本実施例の加速度センサ16によれば、可動電極122a、122bの剛性が向上するため、プルーフマス602の運動に対する可動電極122a、122bの追従性が向上する。プルーフマス602が高速で移動する場合でも、可動電極122a、122bがプルーフマス602の運動に適切に追従することができる。第9実施例以下では図37-図39を参照しながら、第9実施例に係る加速度センサ18の構造について説明する。本実施例の加速度センサ18は、第8実施例の加速度センサ16とほぼ同様の構成を備えている。以下では第8実施例の加速度センサ16と同様の構成については、同一の参照符号を付して、詳細な説明を省略する。図37、図38に示すように、本実施例の加速度センサ18では、プルーフマス910の中央部において、第2上部領域606と第2絶縁領域604が除去されており、露出した上部領域112によって第2可動電極912が形成されている。また、第2可動電極912に対してZ方向に対向するように、第2固定電極914が形成されている。第2固定電極914は第5層90に形成されている。第2固定電極914は、第5層90に形成された支持梁916a、916bを介して、枠部610の第2導電枠部608に固定されている。第2導電枠部608には、表面電極918が形成されている。表面電極918の電位を検出することで、第2固定電極914の電位を検出することができる。なお第2固定電極914には、直下の第4層80を犠牲層として選択的に除去するための複数のエッチングホールが形成されている。図38に示すように、第2固定電極914と第2可動電極912は、第4層80の厚さによって規定される間隔D2を隔てて、互いに対向して配置されている。これにより、第2固定電極914と第2可動電極912の間には、間隔D2に応じた静電容量が構成される。プルーフマス910が支持基板100に対してZ方向に相対変位すると、第2固定電極914と第2可動電極912の間の間隔D2が変化し、それによって第2固定電極914と第2可動電極912の間の静電容量が変化する。表面電極136と表面電極918を用いて第2固定電極914と第2可動電極912の間の静電容量の変化を検出することで、プルーフマス910の支持基板100に対するZ方向の変位量を算出することができる。Z方向変位検出部118a、118bで検出される変位量と組み合わせて評価することで、プルーフマス910の支持基板100に対するZ方向の変位量をさらに精確に算出することができる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上記の実施例では加速度センサを例として本発明のMEMSデバイスを説明したが、本発明は角速度センサやミラーデバイスなどの各種のMEMSデバイスにも応用することが出来る。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。