"窒化物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法において、GaN基板を準備する工程と、前記GaN基板上に、GaNと材料の異なる窒化物半導体からなるバッファ層を部分的に形成する工程と、前記バッファ層から前記GaN基板が露出された第1領域、および、前記バッファ層が形成された第2領域にGaNを成長させてGaN層を形成する工程と、前記GaN層上に窒化物半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記第2領域上の全領域に、前記バッファ層から前記窒化物半導体層に延伸する貫通転位を形成する請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。前記バッファ層は、AlNを成長させて形成する請求項1又は2に記載の半導体発光素子の製造方法。前記窒化物半導体層は、AlxGa1-XN0<X<1を成長させて形成する請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。前記窒化物半導体層を、前記GaN層側からn型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層の順に積層して形成し、前記第1領域上の前記p型窒化物半導体層の表面にp側電極を形成する工程を有する請求項1乃至4のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。前記第2領域上の前記n型窒化物半導体層が露出するように、前記p型窒化物半導体層および前記活性層を除去し、露出された前記n型窒化物半導体層の表面にn側電極を形成する工程を有する請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法。前記GaN層、前記バッファ層および前記GaN基板を除去し、前記第2領域上であって、露出された前記n型窒化物半導体層の表面にn側電極を形成する工程を有する請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法。前記窒化物半導体層を半導体発光素子ごとに分割する工程を有し、前記バッファ層を前記窒化物半導体層の分割予定線に沿って形成する請求項1乃至7のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。しかしながら、GaN基板上に窒化物半導体層を形成することによって、窒化物半導体層に発生する転位を減らすことができる一方、窒化物半導体層に熱膨張係数差に起因したクラックが発生するといった新たな問題を有していた。これは、熱応力を緩和していた転位が減ることによって、応力が十分に緩和されずに窒化物半導体層にかかるためだと考えられている。そこで、本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、クラックの発生が抑制された窒化物半導体層を有する半導体発光素子を提供することを課題とする。本発明によれば、前記課題は次の手段により解決される。本発明に係る窒化物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法は、GaN基板を準備する工程と、前記GaN基板上に、GaNと材料の異なる窒化物半導体からなるバッファ層を部分的に形成する工程と、前記バッファ層から前記GaN基板が露出された第1領域、および、前記バッファ層が形成された第2領域にGaNを成長させてGaN層を形成する工程と、前記GaN層上に窒化物半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。これにより、GaN基板上に形成される窒化物半導体層にクラックが発生するのを抑制することができる。また、前記第2領域上の全領域に、前記バッファ層から前記窒化物半導体層に延伸する貫通転位を形成することができる。これにより、窒化物半導体層にかかる応力を貫通転位によって十分に緩和することができるため、窒化物半導体層に発生するクラックをさらに抑制することができる。また、前記バッファ層は、AlNを成長させて形成するのが好ましく、応力を緩和するのに十分な密度の貫通転位をバッファ層上に形成することができる。また、前記窒化物半導体層として、GaNとの熱膨張係数差が大きく、クラックが比較的に発生しやすいAlxGa1-XN0<X<1であっても成長させることができ、本発明が特に有効に作用する。またさらに、本発明に係る窒化物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法は、前記窒化物半導体層を、前記GaN層側からn型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層の順に積層して形成し、前記第1領域上の前記p型窒化物半導体層の表面にp側電極を形成する工程を有することができる。これにより、第1領域上内にある転位の少ない活性層を主な発光領域とすることができるため、発光効率に優れた半導体発光素子とすることができる。また、前記第2領域上の前記n型窒化物半導体層が露出するように、前記p型窒化物半導体層および前記活性層を除去し、露出された前記n型窒化物半導体層の表面にn側電極を形成する工程、若しくは、前記GaN層、前記バッファ層および前記GaN基板を除去し、前記第2領域上であって、露出された前記n型窒化物半導体層の表面にn側電極を形成する工程を有することができる。これにより、もともと光取り出し効率の悪いn側電極下に貫通転位を集中させて形成することができるため、半導体発光素子として発光効率の低下を最小限にして、窒化物半導体層に発生するクラックを抑制することができる。また、前記窒化物半導体層を半導体発光素子ごとに分割する工程を有し、前記バッファ層を前記窒化物半導体層の分割予定線に沿って形成することができる。これにより、実質的に非発光領域である分割予定線上に貫通転位を集中させて形成することができるため、半導体発光素子として発光効率の低下を最小限にして、窒化物半導体層に発生するクラックを抑制することができる。本発明によれば、クラックの発生が抑制された窒化物半導体層を有する半導体発光素子を提供することができる。以下、本発明に係る半導体発光素子の実施形態として、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。<第1実施形態>図1Aは、第1実施形態に係る半導体発光素子を模式的に示す上面図であり、図1Bは、図1AにおけるA-A′断面図である。図2A~Nは、第1実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を模式的に示す図である。図3は、第1実施形態に係り、バッファ層が形成されたGaN基板を模式的に示す上面図である。図1A及び図1Bに示すように、第1実施形態に係る半導体発光素子10は、支持基板1と、支持基板1の上部に窒化物半導体層2と、窒化物半導体層2の上面に形成された第1電極3と、窒化物半導体層2の下面に形成された第2電極4と、支持基板1と第2電極4とを接合するための接合層5と、を少なくとも有する。窒化物半導体層2は、支持基板1側から順に、p型窒化物半導体層2a、窒化物半導体からなる活性層2b、n型窒化物半導体層2cを有する。n型窒化物半導体層2cは、光取り出し面側発光層に接する面と反対側の面に、n側電極である第1電極3が接続されており、さらに第1電極3の少なくとも一部が露出されるように第1絶縁層6が設けられている。また、p型窒化物半導体層2aは、光反射面側発光層に接する面と反対側の面に、p側電極である第2電極4が接続されており、その第2電極4の周囲に離間して第2絶縁層7が設けられている。第2絶縁層7は、窒化物半導体層2を挟んで第1電極3と対向するように配置されている。窒化物半導体層2は、この対向する領域I1、つまり第1電極3下の領域I1において、n型窒化物半導体層2cからp型窒化物半導体層2aまで延伸する転位貫通転位が主に集中して形成されている。具体的には、領域I1における貫通転位の転位密度が、1×108cm-2程度以上であるのに対し、それ以外の領域I2においては1×107cm-2程度以下の密度を有する。また、第2電極4および第2絶縁層7の下面側には接合層5が設けられており、接合層5が第2電極4とその下に設けられる支持基板1とを電気的に接続している。以下、半導体発光素子10を構成する各要素について説明する。支持基板支持基板は、電極や窒化物半導体層などの各部材が設けられる土台となる部材である。このような支持基板を構成する材料としては、導電性を有していれば良く、例えばSi,SiC,AlN,AlSiC,Cu-W,Cu-Mo,Cu-ダイヤ等が好適に用いられる。窒化物半導体層窒化物半導体層は、n型窒化物半導体層と、窒化物半導体からなる活性層と、p型窒化物半導体層とから少なくとも構成される。このような窒化物半導体を構成する材料としては、InXAlYGa1-X-YN0≦X、0≦Y、XY≦1等が好適に用いられる。第1電極および第2電極第1電極および第2電極は、窒化物半導体層の表面に設けられ、窒化物半導体層に電流を供給するための部材である。本実施形態における第1電極と第2電極とは、上面視において互いに重なり合わないように配置されている。これにより、第1電極と第2電極との間を流れる電流が、窒化物半導体層の内部を最短で流れてしまうのを抑制し、過度な電流集中によって半導体発光素子が破壊するのを防止することができる。このような第1電極および第2電極を構成する材料としては、Ag、Al、Pt、Au、Ni、Ti、Cr、W、Rh、Ru、Hf等の金属材料が好適に用いられる。第1絶縁層第1絶縁層は、第1電極および窒化物半導体層を、電流のショートや埃塵の付着等による物理的ダメージから保護するための層である。第1絶縁層は、第1電極および窒化物半導体層の上部に全面的に設けられており、ワイヤ等の外部接続部を接続するために第1電極の一部が露出するように開口している。このような第1絶縁層を構成する材料としては、透光性を有していれば良く、例えばSiO2が好適に用いられる。第2絶縁層第2絶縁層は、窒化物半導体層と、その下に設けられる接合層や支持基板とを絶縁するための層である。第2絶縁層は、第2電極に隣接する領域に設けられており、SiO2、TiO2、ZrO2等の材料が好適に用いられる。接合層接合層は、第2電極および第2絶縁層を支持基板に接合すると共に、第2電極と支持基板とを電気的に接続するための層である。このような接合層を構成する材料としては、少なくともSn,Pb等の低融点材料を含み、Ti,Pt,Au,Sn,Au,Ag,Cu,Bi,Pb,Zn等の金属材料およびこれらの合金が好適に用いられる。以下、第1実施形態に係る窒化物半導体層2を有する半導体発光素子10の製造方法について説明する。本実施形態に係る製造方法は、GaN基板11を準備する工程と、GaN基板11上に、GaNと異なる窒化物半導体からなるバッファ層12を部分的に形成する工程と、バッファ層12からGaN基板11が露出された第1領域a、および、バッファ層12が形成された第2領域bにGaNを成長させてGaN層13を形成する工程と、GaN層13上に窒化物半導体層2を形成する工程と、を少なくとも有することにより、第2領域b上の全領域に、バッファ層12から窒化物半導体層2に延伸する貫通転位8を形成することができる。これにより、GaN基板11との熱膨張係数差に起因した窒化物半導体層2にかかる応力を貫通転位8によって十分に緩和することができるため、GaN基板11上に形成される窒化物半導体層2にクラックが発生するのを抑制することができる。なお、本発明に係る第2領域上の全領域に、とは、第2領域b上に隙間なく貫通転位8が形成された状態に限定されるものでは無く、少なくとも1×108cm-2程度以上の密度で貫通転位が形成されていれば良いものとする。以下、詳細に説明する。GaN基板の準備工程まず、図2Aに示すように、窒化物半導体層2を成長させるための基板成長基板として、GaN基板11を準備する。GaN基板11は、少なくともその表面部分において、転位密度が、例えば、1×107cm-2程度以下、好ましくは1×106cm-2程度と少ないものが適当である。バッファ層の形成工程次に、準備したGaN基板11の表面の一部領域にSiO2等からなるマスクを形成する。このとき、本実施形態においては、後述する第1電極3が形成される位置に対応してGaN基板11が露出するようにマスクをパターン形成する。マスクが形成されたGaN基板11をMOCVD反応炉内に設置し、キャリアガスとしてH2、原料ガスとしてTMAトリメチルアルミニウムおよびNH3を供給し、900°C以下、より好ましくは400°C~800°Cの温度でAlNを0.01μm~0.10μmの膜厚で低温成長させる。その後、MOCVD反応炉からGaN基板11を取り出し、バッファードフッ酸BHFを用いてマスクを除去することによって、図2B及び図3に示すように、GaN基板11上にAlNからなるバッファ層12が部分的に形成される。このとき、バッファ層12を構成する材料としては、AlN以外にAlGaN等のGaNと材料の異なる窒化物半導体を用いることができるが、本実施形態のようにAlNからなるバッファ層を形成するのが好ましい。これにより、後述するGaN層13をバッファ層12上に形成した際に、応力を緩和するのに十分な密度の貫通転位8を形成することができる。GaN層の形成工程次に、バッファ層12が形成されたGaN基板11をMOCVD反応炉内に設置し、温度を1000°C~1200°Cに設定し、キャリアガスとしてH2およびN2、原料ガスとしてTMGトリメチルガリウムおよびNH3を供給する。これにより、図2Cに示すように、バッファ層12からGaN基板11が露出された第1領域b、および、バッファ層12が形成された第2領域aにGaNが成長することによってGaN層13が形成される。このとき、GaN層13は、第2領域a上に十分な貫通転位8を形成するために、少なくとも第2領域a上に1.0μm以上の膜厚で形成するのが好ましい。形成されたGaN層13は、図2Dに示すように、第2領域a上に貫通転位8が集中して形成されており、その転位密度8はGaN層表面13において1×108cm-2程度以上であるのに対し、第1領域b上では1×107cm-2程度以下の転位密度を有しており、第1領域b上よりも第2領域a上における貫通転位の密度が高い。また、本実施形態ではバッファ層12をGaN基板11の上面に形成したが、GaN基板11上にGaN層13を形成した後にバッファ層12を形成し、さらにバッファ層12上にGaN層13を形成することによって貫通転位8を形成することもできる。窒化物半導体層の形成工程次に、図2Eに示すように、GaN層13上に窒化物半導体層2として、GaN基板11側から、n型窒化物半導体層2c、窒化物半導体からなる活性層2b、p型窒化物半導体層2aの順に形成する。このとき、バッファ層12から延伸する貫通転位8は、GaN層13を介して窒化物半導体層2p型窒化物半導体層2aの表面まで延伸される。これにより、窒化物半導体層2にかかる応力が貫通転位8によって緩和されるため、形成する窒化物半導体層2にクラックが生じるのが抑制することができる。このような窒化物半導体層2を構成する材料としては、InXAlYGa1-X-YN0≦X、0≦Y、XY≦1等が好適に用いられるが、GaNとの熱膨張係数差が大きく、クラックが比較的に発生しやすいAlxGa1-XN0<X<1であっても成長させることができ、本発明が特に有効に作用する。例えば本実施形態においては、まず温度を1000°C~1200°Cに設定し、キャリアガスとしてH2およびN2、原料ガスとしてTMG、TMA、NH3およびSiH4を供給することにより、SiがドープされたAlGaNからなるn型窒化物半導体層2cを形成する。続いて、原料ガスとしてTMIトリメチルインジウム、TMG、TMAを供給することにより、SiがドープされたAlGaNと、アンドープのInGaNとが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層2bを形成する。続いて、原料ガスとしてTMG、TMA、NH3およびCp2Mgシクロペンタジエニルマグネシウムを供給し、MgがドープされたAlGaNからなるp型窒化物半導体層2aを形成する。第2電極の形成工程次に、p型窒化物半導体層2aの表面に、レジストを用いて第1領域bに対応した位置が開口したマスクを形成する。続いて、スパッタリング等で金属材料を導電性の観点から0.05μm~0.5μmの膜厚で積層した後にマスクを除去することにより、図2Fに示すように、第1領域b上のp型窒化物半導体層2aの表面に第2電極p側電極4を形成することができる。これにより、第1領域b上内にある転位の少ない活性層2bを主な発光領域とすることができるため、発光効率に優れた半導体発光素子10とすることができる。なお、積層する金属材料としては、特に限定しないが、例えば光反射率の比較的に高いAg,Al,Pt,Rhや、p型窒化物半導体層側からAg/Ni/Ti/Ptの順に積層した多層構造とすることができる。第2絶縁層の形成工程次に、p型窒化物半導体層2aの表面に、レジストを用いて第2領域aに対応した位置が開口したマスクを形成する。続いて、スパッタリング等で絶縁材料を0.05μm~0.5μmの膜厚で積層した後にマスクを除去することにより、図2Gに示すように、第2領域a上のp型窒化物半導体層2aの表面に第2絶縁層7を形成することができる。なお、積層する絶縁材料としては、特に限定しないが、例えばSiO2,TiO2,ZrO2等を用いることができる。接合層の形成工程次に、図2Hに示すように、p型窒化物半導体層2a、第2電極4および第2絶縁層7上に、スパッタリング等で金属材料を、接合性および導電性の観点から3.0μm~4.0μmの膜厚で積層することによって接合層5を形成する。なお、積層する金属材料としては、特に限定しないが、例えばp型窒化物半導体層2a側からTi/Pt/PtSn/AuSnの順に積層した多層構造とすることができる。貼り合せ工程次に、図2Iに示すように、接合層5が同様に形成された支持基板1を準備し、当該支持基板1側の接合層5と前記したp型窒化物半導体層2a側の接合層5とを貼り合わせ、加熱することで互いに接合する。なお、支持基板1側の接合層5は、p型窒化物半導体層2a側の接合層5との接合性の観点から支持基板1側からTi/Pt/PdSnの順に積層した多層構造とすることができ、貼り合わせることによって、p型窒化物半導体層2a側からTi/Pt/PtSn/AuSn/PdSn/Pt/Tiの順に積層された接合層を形成することができる。GaN基板の除去工程次に、エキシマレーザやフェムト秒レーザ等を用いてGaN基板11側からレーザ光を照射するか、あるいはGaN基板11側から研削等によって、図2Jに示すように、GaN基板11、バッファ層12およびGaN層13を除去し、露出したn型窒化物半導体層2cの表面をCMP化学機械研磨によって研磨する。なお、レーザ光を照射してGaN基板11を除去する場合は、前記GaN層13の形成工程後において、GaN層13とn型窒化物半導体層2cとの間に剥離層図示しないを0.10μm~5.0μmの膜厚で形成しておくのが好ましい。このような剥離層を構成する材料としては、GaN,InGaN,AlGaN及びAlInGaNから選択された少なくとも1つを用いることができる。さらに剥離層は、GaN基板11を透過するレーザ光を吸収するために、GaN基板11のエネルギーバンドギャップよりは小さく、活性層2bのエネルギーバンドギャップよりは大きいエネルギーバンドギャップを有するようにGa,In,Al等の成分比を調節するのが望ましい。これにより、レーザ光をGaN基板11側から剥離層に照射することによって、n型窒化物半導体層2cから容易にGaN層13を剥離して、GaN基板11を除去することができる。第1電極の形成工程次に、露出したn型窒化物半導体層2cの表面に、レジストを用いて第2領域に対応した位置が開口したマスクを形成する。続いて、スパッタリング等で金属材料を導電性の観点から0.05μm~1.5μmの膜厚で積層した後にマスクを除去する。これにより、図2Kに示すように、第2領域a上であって、露出された前記n型窒化物半導体層2cの表面に第1電極n側電極3を形成することができる。なお、図2K以降は、上下を反転して図示する。もともと光取り出し効率の悪い第1電極3下の領域I1に貫通転位8を集中させて形成することができるため、半導体発光素子10として発光効率の低下を最小限にして、窒化物半導体層2に発生するクラックを抑制することができる。なお、積層する金属材料としては、特に限定しないが、例えばn型窒化物半導体層2c側からTi/Pt/Auの順に積層した多層構造とすることができる。第1絶縁層の形成工程次に、図2Lに示すように、半導体発光素子10ごとに分割する位置に対応させて窒化物半導体層2に溝14を形成する。続いて、図2Mに示すように、n型窒化物半導体層2cおよび第1電極3の表面に、スパッタリング等で絶縁材料を積層することにより、第1絶縁層6を形成する。続いて、RIE反応性イオンエッチング等により、第1電極3においてワイヤ等の外部接続部材図示しないが接続される領域に相当する部分を除去する。なお、第1絶縁層6の形成前に、n型窒化物半導体層2cの上面に凹凸を形成ディンプル加工して、半導体発光素子10として光取り出し効率を向上させることもできる。窒化物半導体層の分割工程次に、図2Nに示すように、窒化物半導体層2を半導体発光素子10ごとに分割する。分割方法としては、特に限定しないが、ダイサー、スクライバー、エッチング等当該分野で公知の方法を利用することができる。又は、これらの方法を用いて各半導体素子間の窒化物半導体層に溝を形成し、溝に沿ってブレイカー等で加圧して分割しても良い。以上のようにして本実施形態では、クラックの発生が抑制された窒化物半導体層2を有する半導体発光素子10を提供することができる。<第2実施形態>以下、第2実施形態に係る半導体発光素子、及びその製造方法について説明する。なお、図4は、第2実施形態に係る半導体発光素子を模式的に示す断面図である。図5は、第2実施形態に係り、バッファ層が形成されたGaN基板を模式的に示す上面図である。第2実施形態に係る半導体発光素子20は、図4に示すように、窒化物半導体層2の周縁領域に貫通転位8が集中している以外は、前記第1実施形態に係る半導体発光素子10と同様の構成を備えている。同様の構成については、同じ符号を付して説明を適宜省略する。このような本実施形態に係る半導体発光素子20の製造方法としては、前記した第1実施形態に係るバッファ層12の形成工程にかえて、まず図5に示すように、準備したGaN基板11上に、GaNと材料の異なる窒化物半導体からなるバッファ層12を、後述する窒化物半導体層2の分割予定線100に沿って形成する工程を有する。続いて、第1実施形態と同様に、バッファ層12からGaN基板11が露出された第1領域b、および、バッファ層12が形成された第2領域aにGaNを成長させてGaN層13を形成する工程と、GaN層13上に窒化物半導体層2を形成する工程と、を有する。最後に、窒化物半導体層2を半導体発光素子20ごとに分割する工程と、を有する。これにより、図4に示すように、実質的に非発光領域である分割予定線100上の窒化物半導体層2に、貫通転位8を集中して形成することができるため、半導体発光素子20として発光効率の低下を最小限にして、窒化物半導体層2に発生するクラックを抑制することができる。また、本実施形態では、窒化物半導体層2の周縁領域のみに貫通転位8が集中するように形成したが、これに限定されず、第1実施形態のようにn側電極3下にも同時に貫通転位8を形成しても良い。これにより、窒化物半導体層2に発生するクラックをさらに抑制することができる。<第3実施形態>以下、第3実施形態に係る半導体発光素子、及びその製造方法について説明する。なお、図6Aは、第3実施形態に係る半導体発光素子を模式的に示す上面図である。図6Bは、第2実施形態に係る半導体発光素子であって、図6AにおけるB-B′断面図である。図7A~Hは、第2実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を模式的に示す図である。第3実施形態に係る半導体発光素子30は、第1電極3および第2電極4を同一面側に有する以外は、実質的に前記第1実施形態に係る半導体発光素子10と同様の構成を備える。同様の構成については、同じ符号を付して説明を適宜省略する。図6A及び図6Bに示すように、本実施形態に係る半導体発光素子30は、GaN基板11上に、バッファ層12が部分的に形成され、このバッファ層12を埋めるようにしてGaN層13が形成される。GaN層13上には、窒化物半導体層2としてn型窒化物半導体層2cと、窒化物半導体からなる活性層2bと、p型窒化物半導体層2aとを順に積層して備える。さらに半導体発光素子30は、n型窒化物半導体層2cに電気的に接続するn側電極である第1電極3、およびp型窒化物半導体層2aに電気的に接続するp側電極である第2電極4を、共に上面側に備え、また、第1絶縁層6を表面に備える。第1電極3は、p型窒化物半導体層2aおよび活性層2bの一部が除去されて露出したn型窒化物半導体層2cの表面に直接に形成される。一方、第2電極4は、p型窒化物半導体層2aの表面上のほぼ全面に形成された透光性電極15を介して、透光性電極15上の一部の領域に接して形成される。また、窒化物半導体層2は、主に第1電極3下の領域I1において、バッファ層からn型窒化物半導体層2cの表面まで延伸する転位貫通転位8が集中して形成されている。具体的には、領域I1における貫通転位8の転位密度が、1×108cm-2程度以上であるのに対し、それ以外の領域I2においては1×107cm-2程度以下の密度を有する。なお、本実施形態における上とは、GaN基板11に対して窒化物半導体層2を備えた側を指し、図6Bにおける上方向である。透光性電極透光性電極は、p型窒化物半導体層の全域に電流を均一に供給するための部材であり、導電性酸化物からなる。透光性電極として金属薄膜を用いることもできるが、導電性酸化物は金属薄膜に比べて透光性に優れるため、半導体発光素子として発光効率を向上することができる。このような導電性酸化物としては、Zn,In,Sn,Mgからなる群から選択された少なくとも一種を含む酸化物、具体的にはZnO,In2O3,SnO2,ITOが挙げられる。製造方法本実施形態に係る製造方法は、まずGaN基板を準備する図7A。次にGaN基板上に、GaNと異なる窒化物半導体からなるバッファ層を部分的に形成し、続けてバッファ層からGaN基板が露出された第1領域、および、バッファ層が形成された第2領域にGaNを成長させてGaN層を形成する図7B及び図7C。次に、GaN層上に窒化物半導体層を形成する図7D。さらに、第2領域a上のn型窒化物半導体層2cが露出するように、p型窒化物半導体層2aおよび前記活性層2dを除去する。図7E次に、露出された前記n型窒化物半導体層2cの表面2dにn側電極3を形成する図7F。次に、n型窒化物半導体層2c、第1電極3および第2電極4の表面に第1絶縁層6を形成する図7G。最後に、図12に示すように、窒化物半導体層2を半導体発光素子30ごとに分割する図7H。これにより、もともと光取り出し効率の悪いn側電極3下に貫通転位8を集中させて形成することができるため、半導体発光素子30として発光効率の低下を最小限にして、窒化物半導体層2に発生するクラックを抑制することができる。以下、本発明の効果を確認するために複数のサンプル実施例1、実施例2および比較例を作製し、窒化物半導体層に発生するクラックの状態を比較して説明する。なお、作製するサンプルは、いずれも貫通転位を形成するバッファ層の配置以外は第1実施形態に係る半導体発光素子と同じ構造を有するものである。ただし、クラックの状態を確認し易くするため、電極は形成せずにn型窒化物半導体層まで形成したもので比較する。実施例1及び実施例2に係るサンプルの作製実施例1としては、ウェハを半導体発光素子ごとに分割する際の分割予定線上に、貫通転位が集中するようにバッファ層を配置したサンプルを作成した。実施例2としては、n側電極下に、貫通転位が集中するようにバッファ層を配置したサンプルを作製した。具体的には、まずMOCVD反応炉を用いて、3インチのGaN基板上にAlNを600°Cにて低温成長させて、0.02μm程度の膜厚でバッファ層を形成する。このとき、実施例1においては、図5に示すように、ウェハを半導体発光素子ごとに分割する際の分割予定線100上となるように、1000μm程度の間隔で格子状にバッファ層を形成する。実施例2においては、図3に示すように、半導体発光素子のn電極下の位置に対応させてバッファ層を部分的に0.015μm程度の間隔で略格子状に形成する。続いて、炉内の温度を1050°Cに設定し、バッファ層からGaN基板が露出された第1領域、および、バッファ層が形成された第2領域にGaNを成長させて、1.5μm程度の膜厚でGaN層を形成する。続いて、同じ温度にて、形成されたGaN層上に、SiドープのAlGaNを成長させて、2.0μm程度の膜厚でn型窒化物半導体層を形成する。比較例に係るサンプルの作製比較例としては、GaN基板上にバッファ層を配置せずにサンプルを作製した。具体的には、MOCVD反応炉を用いて、3インチのGaN基板上にGaNを1050°Cにて成長させて、1.5μm程度の膜厚でGaN層を形成する。続いて、同じ温度にて、形成されたGaN層上に、SiドープのAlGaNを成長させて、2.0μm程度の膜厚でn型窒化物半導体層を形成する。貫通転位の密度測定次に、作製した各サンプルにおいて貫通転位の密度を測定した。この測定には、カソードルミネッセンスCLを用いて行なった。その結果、実施例1および実施例2については、図8Cに示すように、n型窒化物半導体層の貫通転位が集中する領域第2領域上の全領域の転位密度が7.0×108cm-1程度であり、図8Aに示すように、それ以外の領域第1領域上の転位密度が3.0×106cm-1程度であった。なお、図8Bは、第1領域および第2領域上の境界付近を測定したものであり、左側が第1領域、右側が第2領域を示している。また、比較例については、n型窒化物半導体層の全領域において、貫通転位の密度が3.0×106cm-1程度と、実施例1および実施例2における第1領域上と同程度であった。クラックの評価次に、作製した各サンプルにおける窒化物半導体層に発生するクラックの状態を評価した。ここでは、金属顕微鏡を用い、その結果を表1に示す。表1において、◎はクラックの発生無し、○はクラックの発生が抑制、×はクラックが多数発生、をそれぞれ示している。以上のようにして、バッファ層が形成された第2領域上の全領域に、バッファ層から窒化物半導体層に延伸する貫通転位を十分に形成することによって、窒化物半導体層にクラックが発生するのを抑制することができた。特に、n電極下である第2領域の占める面積が広い実施例2においては、窒化物半導体層にかかる応力を貫通転位によって十分に緩和することができ、クラックの発生を無くすことができた。"