真空成膜装置の構成部品本体の表面に、WおよびMoから選ばれる高融点金属からなる溶射膜を形成する工程と、前記溶射膜を還元雰囲気中にて1073~1373Kの温度で加熱し、前記溶射膜表面の酸化被膜を除去しつつ脱ガス処理する工程とを具備し、前記脱ガス処理後の溶射膜を真空中で常温から773Kまで1時間で加熱した後、1時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値で表されるガス残存量が10Torrcc/g以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品の製造方法。請求項1記載の真空成膜装置用部品の製造方法において、前記溶射膜を水素雰囲気中で加熱することを特徴とする真空成膜装置用部品の製造方法。請求項1または請求項2記載の真空成膜装置用部品の製造方法において、前記溶射膜は、表面粗さが平均粗さで5~50μmの範囲であると共に、厚さが50~500μmの範囲であることを特徴とする真空成膜装置用部品の製造方法。請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の真空成膜装置用部品において、前記溶射膜と前記構成部品本体との熱膨張率の差が10×106/K以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品の製造方法。本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法、さらには配線膜等の不良発生原因となるダストやパーティクルの混入を防止し、高集積化された半導体素子用の配線膜形成等への対応を図った真空成膜装置を提供することを目的としている。本発明者らは、真空成膜装置の構成部品からの付着物の剥離による微小パーティクルの発生を極力抑制するために種々検討した結果、付着物の内部応力を吸収して応力を低減することが付着物の剥離抑制に効果を示し、また溶射法で形成した被膜が良好な応力低減効果を有することを見出した。しかし、溶射は通常大気中で行われるため、溶射膜中にはガス、水分等が含まれ、さらに溶射膜の表面には酸化膜等が生成している。このような溶射膜を有する部品等を真空成膜装置内に組込んで使用すると、部品からガス成分が放出されて真空度が上らないだけでなく、ガス成分の放出や表面酸化膜等に起因して付着物の剥離が起こり、新たにパーティクルの発生を誘発することになる。また、腐食性雰囲気中で部品を使用した場合、溶射膜自体が腐食してパーティクルの発生を引き起こす。このような点を改善するためには、溶射法により被膜を形成した後に、水素雰囲気等の還元雰囲気中で加熱処理して脱ガスを実施することが効果的であることを見出した。本発明は上述したような知見に基づいて成されたものであって、本発明の真空成膜装置用部品の製造方法は、真空成膜装置の構成部品本体の表面に、WおよびMoから選ばれる高融点金属からなる溶射膜を形成する工程と、前記溶射膜を還元雰囲気中にて1073~1373Kの温度で加熱し、前記溶射膜表面の酸化被膜を除去しつつ脱ガス処理する工程とを具備し、前記脱ガス処理後の溶射膜を真空中で常温から773Kまで1時間で加熱した後、1時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値で表されるガス残存量が10Torrcc/g以下であることを特徴としている。本発明の真空成膜装置用部品によれば、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することが可能となる。従って、そのような真空成膜装置用部品を用いた真空成膜装置によれば、パーティクルの発生量を大幅に低減でき、配線膜等の不良発生原因となる膜中へのパーティクルの混入が抑制することが可能となる。また、真空成膜装置のクリーニング回数を減らすことができるため、ランニングコストの削減が可能となる。このような真空成膜装置は、高集積化された半導体素子の配線膜形成等に好適である。以下、本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の真空成膜装置用部品の実施形態の要部構成を示す断面図である。同図に示す真空成膜装置用部品1は、部品本体基材2の表面にW溶射膜またはMo溶射膜からなる溶射膜3が設けられている。部品本体2の構成材料は特に限定されるものではないが、例えば装置部品の構成材料として一般的なステンレス材等を用いることができる。また、部品本体2の溶射膜形成面2aは、アンカー効果が得られるように、予めブラスト処理等であらしておくことが好ましい。上記した溶射膜3は、プラズマ溶射法、ガス溶射法、アーク溶射法等の各種溶射法を適用して形成することができ、部品本体2の構成材料や形状、あるいは溶射材料被膜材料等に応じて適宜選択して使用する。溶射膜3は部品本体2に対する密着力に優れるものであるが、成膜工程中の温度上昇に基づく部品本体2と溶射膜3との界面からの剥離等を防止する上で、部品本体2との熱膨張率の差が10×106/K以下の金属材料で溶射膜3を形成することが好ましい。また、溶射膜3上に付着する成膜材料付着物の熱膨張差による剥離を防止する上で、溶射膜3の形成材料は成膜材料との熱膨張率の差も10×106/K以下であることが好ましい。成膜材料との関係のみを考えた場合には、溶射膜3は成膜材料と同一材料、成膜する膜が合金膜や化合物膜等の場合には、成膜材料成膜源を構成する少なくとも1種の金属材料で形成することが望ましい。このような条件を満足させることによって、溶射膜3上に付着した成膜材料の熱膨張差に基づく剥離を防止することができる。このような溶射膜3は、成膜工程中に付着、堆積した成膜材料付着物の剥離防止膜として機能する。ここで、真空成膜装置用部品1の表面には、成膜工程中に成膜材料が付着して堆積するが、部品表面がある程度の凹凸状態であるならば、この付着物の厚さが20~60μm程度までは剥離を生じない。しかし、これ以上になると付着物は容易に剥離する傾向が認められる。これは付着物に内部応力が作用し、厚さが増加するに伴って内部応力が大きくなり、この内部応力の増加に基づいて付着物の剥離が発生する。従って、付着物の剥離を防止するためには、付着物の内部応力を吸収して応力を低減する必要がある。上記した溶射膜3は、気孔を多数含む内部構造等により付着物の内部応力を吸収する作用を有し、良好な付着物の応力低減効果を発揮するものである。ただし、単に溶射形成した膜はガス、水分等を含み、さらに膜表面には酸化膜等が生成している。これらはパーティクルの発生原因、膜寿命の低下要因、真空度の低下要因等となるため、溶射で被膜を形成した後に、水素雰囲気等の還元雰囲気中で加熱処理して脱ガス処理を施し、大気中溶射で被膜中に混入したガスや水分等を除去する。すなわち、上述した溶射膜3は溶射形成後に脱ガス処理を施すことにより、ガス残存量が10Torrcc/g以下とされている。溶射膜3中のガス残存量が10Torrcc/gを超えると、ガス成分の放出や溶射膜の腐食等に起因して付着物の剥離が起ったり、さらには溶射膜自体の剥離等が生じる。言い換えると、ガス残存量が10Torrcc/g以下の溶射膜3によれば、ガス成分の放出や腐食等が防止でき、その上で上述した応力低減効果が十分に発揮されるため、付着物の剥離を安定かつ有効に防止することができる。溶射膜3のガス残存量はより良好な効果を得る上で5Torrcc/g以下とすることが望ましい。図2はステンレス材SUS304の表面にW溶射膜を大気中溶射で形成した後、水素中、1223K×1hの条件で脱ガス処理を行った溶射脱ガス部品の加熱処理に伴うガス放出量を、脱ガス処理を行っていない溶射部品と共に測定した結果である。ガス放出試験は特定の真空中で常温から773Kまで1時間で加熱後、1時間保持する間の放出されるガス量を加熱および保持時の真空度の低下から測定した値を確認することにより実施した。図2から明らかなように、脱ガス処理を行った溶射脱ガス部品はガス放出量が大幅に低減していることが分かる。なお、ここで言うガス残存量とは、特定の真空中で常温から773Kまで1時間で加熱後、1時間保持して放出される総ガス量を加熱後の真空度の低下から測定した値を指すものとする。溶射膜3のガス残存量は減圧溶射等を適用することによって、脱ガス処理を行うことなく低減することも可能であるが、加熱処理による脱ガス処理は表面酸化被膜の除去効果等をも有するため、溶射形成後に実施するものとする。上述した脱ガス処理としての加熱処理は、溶射膜3としてWやMo等の高融点金属を用いる場合、溶射後に溶射膜表面が酸化被膜で覆われているため、水素中等の還元雰囲気中で行うことが好ましく、これにより表面酸化被膜を除去することができる。表面酸化被膜が残存していると、付着物が剥離し易くなるために完全に除去することが望ましい。従って、例えば水素還元処理は真空排気後に水素気流中で実施することが好ましい。また処理温度は、部品本体2の構成材料がステンレスの場合には1073~1373Kとすることが好ましい。処理温度が1073K未満では例えば水素還元効果が十分に得られないおそれがあり、一方1373Kを超えると部品本体2が熱変形等を起こすおそれがある。溶射膜3は、その形成過程に基づいて複雑な表面形態を有することから、付着物に対して良好な密着性を示す。特に、溶射膜3の表面粗さが平均粗さRaで5~50μmの範囲である場合に優れた付着物の剥離防止効果が得られる。すなわち、溶射膜3の表面平均粗さRaが5μm未満であると、付着物が容易に剥離するおそれが大きく、一方50μmを超えると溶射膜3表面の凹凸が大きくなり過ぎて、付着物が溶射膜3全体に付着せずに空孔が残るため、そこを起点として付着物の剥離が起るおそれがある。溶射膜3の表面粗さは平均粗さで10~15μmの範囲とすることがさらに好ましい。また、溶射膜3による付着物の剥離防止効果を得る上で、上述した表面粗さと共に溶射膜3の膜厚を適度に調整することが重要であり、このような点から溶射膜3の膜厚は50~500μmの範囲とすることが好ましい。すなわち、溶射膜3は前述したように付着物の内部応力を低減する効果を有しているが、この応力低減効果は厚さによりその程度が異なり、溶射膜3の厚さが50μm未満であると上記応力低減効果が低下して付着物が剥れ易くなる。一方、500μmを超えると溶射膜3自体に大きな内部応力が発生し、これに付着物の内部応力が加わって剥離が発生し易くなる。溶射膜3の膜厚は、上記した効果がより良好に得られる100~300μmの範囲とすることがさらに好ましい。溶射膜3は単一材料による被膜に限らず、例えば異なる材料からなる2層以上の被膜で溶射膜3を構成してもよい。2層以上の溶射膜3の具体的な構成としては、例えば部品形状が大きく変化する屈曲部や湾曲部等の溶射膜3が剥れやすい部位に、予め部品本体2に対して密着性の高い第1の溶射膜を形成し、その上に付着物に対する密着性の高い第2の溶射膜を形成するような構成、あるいは表面側に耐食性に優れた溶射膜を形成する構成等が挙げられる。さらに、部品本体2と成膜材料との熱膨張差が極端に異なる場合、これらの熱膨張差を緩和するように、熱膨張率が異なる2層以上の溶射膜を順に形成してもよい。2層以上の溶射膜3を適用する場合、それらの間の熱膨張差は溶射膜3と部品本体2や成膜材料との熱膨張差と同様に10×106/K以下とすることが好ましい。上述したような本発明の真空成膜装置用部品は、スパッタリング装置やCVD装置等の真空成膜装置の構成部品として用いられるものであり、成膜工程中に成膜材料が付着する部品であれば、種々の部品に対して適用可能である。具体的な構成については、以下の真空成膜装置の実施形態で説明する。次に、本発明の真空成膜装置の実施形態について説明する。図3は本発明の真空成膜装置をスパッタリング装置に適用した一実施形態の要部構成を示す図であり、11はバッキングプレート12に固定されたターゲットであり、この成膜源であるターゲット11は、成膜源保持部として機能するリング状のターゲット外周押え13およびセンタキャップ14により保持されている。また、ターゲット11の外周部下方には、アースシールド15が設けられており、その下方外周部側には上部防着板16が配置されている。被成膜試料である基板17はターゲット11と対向配置するように、被成膜試料保持部であるプラテンリング18および基板ホルダ19によって保持されている。基板ホルダ19の外周部側には下部防着板20が配置されている。これらは図示を省略した真空容器内に配置されており、真空容器にはスパッタガスを導入するためのガス供給系図示せずと真空容器内を所定の真空状態まで排気する排気系図示せずとが接続されている。なお、図中21は磁場コイルである。この実施形態のスパッタリング装置においては、ターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18および基板ホルダ19を、上述した本発明の真空成膜装置用部品、すなわち表面にガス残存量が10Torrcc/g以下の溶射膜3が設けられた真空成膜装置用部品1で構成している。真空成膜装置用部品1の具体的な構成は前述した通りである。また、この実施形態においては、ターゲット11およびバッキングプレート12を、ターゲット11の非エロージョン領域およびバッキングプレート12の表面に、ガス残存量が10Torrcc/g以下の溶射膜3を設けたもので構成している。溶射膜3はターゲット11からスパッタされた粒子が付着する面に形成されている。このようなスパッタリング装置においては、成膜工程中にターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、ターゲット11およびバッキングプレート12等の表面にスパッタされた成膜材料ターゲット11が付着するが、この付着物の剥離は部品表面の溶射膜3により安定かつ有効に防止される。また、溶射膜3自体も安定で長寿命である。これらによって、ダストおよびパーティクルの発生量、さらには基板17に形成される膜中への混入量を大幅に抑制することができる。従って、16M、64M、256Mというような高集積度の半導体素子の配線膜、すなわち配線幅が0.5μm以下というように狭小で、かつ高密度の配線網を形成する配線膜であっても、微小パーティクル例えば直径0.2μm以上の混入を大幅に抑制できることから、配線不良を大幅に低減することが可能となる。なお、上記実施形態においては、ターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、ターゲット11およびバッキングプレート12を本発明で構成した例について説明したが、これら以外にセンタキャップ14、上部防着板16、下部防着板20等を本発明の真空成膜装置用部品で構成することも有効である。さらに、これら以外の部品についても、成膜工程中に成膜材料の付着が避けられない部品であれば、本発明の真空成膜装置用部品は有効に機能する。このように、本発明の真空成膜装置は被成膜試料保持部、成膜源保持部、防着部品等から選ばれる少なくとも1つを、本発明の真空成膜装置用部品で構成することによって、上述したような優れた効果を得ることができる。本発明の真空成膜装置用部品における溶射膜は、上述したように装置構成部品以外、具体的にはターゲットに対しても有効に機能する。すなわち、ターゲットの外周部分は実質的にはスパッタされず、このような非エロージョン領域にもスパッタされた粒子が付着する。このようなターゲット外周部の付着物が剥離しても、他の部品からの付着物の剥離と同様に配線膜等の不良原因となる。従って、実質的にスパッタされないターゲットの非エロージョン領域に、本発明による溶射膜を予め形成しておくことによって、付着物の剥離に伴う配線不良等が防止できる。また、上記実施形態では本発明の真空成膜装置をスパッタリング装置に適用した例について説明したが、これ以外に真空蒸着装置イオンプレーティングやレーザーアブレーション等を含む、CVD装置等の真空成膜装置にも適用可能であり、上述したスパッタリング装置と同様な効果を得ることができる。次に、本発明の具体的な実施例について説明する。参考例1図3に示したスパッタリング装置のターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、上部防着板16および下部防着板20として、SUS304製基材の表面にプラズマ溶射法で厚さ200μmのTi溶射膜3を形成した後、真空中にて576K×1hの加熱処理を行って脱ガス処理した部品を使用し、マグネトロンスパッタリング装置を構成した。脱ガス処理後のTi溶射膜中のガス残存量は0.9Torrcc/gであり、またTi溶射膜の表面粗さは平均粗さRaで12μmであった。このマグネトロンスパッタリング装置に高純度Tiターゲットをセットし、マグネトロンスパッタリングを行って、6インチウェーハ上にTiとN2ガスの導入によりTiN薄膜を形成した。このようにして得たTiN薄膜上の直径0.3μm以上のパーティクルダスト数を測定した。このような操作を連続して行い、パーティクル数の変化を調査した。その結果を図4に示す。また、上記参考例と同様な各部品を、SUS304製基材の表面にプラズマ溶射法で厚さ200μmのTi溶射膜を形成し、これを脱ガス処理せずに比較例1の部品として用いて、マグネトロンスパッタリング装置を構成した。このマグネトロンスパッタリング装置を真空排気したところ、部品からの放出ガス量が多くスパッタリングが実施できない状態となり、チャンバを長時間ベーキングしてはじめてスパッタリングが行える真空度まで到達した。次に、上記参考例1と同様にしてTiN薄膜上のパーティクル数の変化を調べた。その結果を図4に併せて示す。図4から明らかなように、参考例1によるマグネトロンスパッタリング装置はパーティクル発生量が2000チャージまで安定して少ないのに対して、比較例1によるマグネトロンスパッタリング装置では当初からパーティクル発生量が多く、さらには800チャージ程度でTi溶射膜の剥れに起因したパーティクルの増加が認められた。これらから、実施例の処理によりパーティクルの発生を有効かつ安定して防止できることが確認された。参考例2図3に示したスパッタリング装置のターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、上部防着板16および下部防着板20として、SUS304製基材の表面に、まずプラズマ溶射法で厚さ50μmのNi-Ti合金溶射膜を形成し、続いて厚さ150μmのTi溶射膜を形成した後、真空中にて573K×1hの加熱処理を行った脱ガス処理した部品を用いて、マグネトロンスパッタリング装置を構成した。脱ガス処理後の溶射膜中のガス残存量は1Torrcc/gであり、また最表面のTi溶射膜の表面粗さは平均粗さで15μmであった。このマグネトロンスパッタリング装置に高純度Tiターゲットをセットし、マグネトロンスパッタリングを行って、参考例1と同様にしてパーティクルダスト数の変化を調べた。その結果、参考例1と同様に、パーティクル発生量は2000チャージ程度まで安定して少なかった。また、この参考例2の処理の場合、屈曲部等に対する溶射膜の安定性も高く、そのような部分での剥れも発生せず、極めて良好な結果が得られた。実施例1図3に示したスパッタリング装置のターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、上部防着板16および下部防着板20として、SUS304製基材の表面にプラズマ溶射法で厚さ200μmのW溶射膜を形成した後、水素中にて1273K×1hの加熱処理を行って脱ガス処理した部品を用い、マグネトロンスパッタリング装置を構成した。脱ガス処理後のW溶射膜中のガス残存量は2.6Torrcc/gであり、またW溶射膜の表面には酸化被膜が存在せず、その表面粗さは平均粗さで8μmであった。このマグネトロンスパッタリング装置にMo-Wターゲットをセットし、マグネトロンスパッタリングを行って、参考例1と同様にしてパーティクルダスト数の変化を調べた。その結果、パーティクル発生量は1500チャージ程度まで安定して少なかった。また、その発生量自体も脱ガス処理していないW溶射部品比較例2を用いた場合に比べて1/3程度であった。参考例3図3に示したスパッタリング装置のターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、上部防着板16および下部防着板20として、SUS304製基材の表面にアーク溶射法で厚さ250μmのAl溶射膜を形成した後、真空中にて623K×1hの加熱処理を行って脱ガス処理した部品を用いて、マグネトロンスパッタリング装置を構成した。脱ガス処理後のAl溶射膜中のガス残存量は3.2Torrcc/gであり、またAl溶射膜の表面粗さは平均粗さで25μmであった。このマグネトロンスパッタリング装置に高純度タングステンシリサイドWSi28ターゲットをセットし、マグネトロンスパッタリングを行って、参考例1と同様にしてパーティクルダスト数の変化を調べた。その結果、参考例1と同様に、パーティクル発生量は2000チャージ程度まで安定して少なかった。また、その発生量自体も脱ガス処理していないAl溶射部品比較例3を用いた場合に比べて1/2程度であった。比較例4図3に示したスパッタリング装置のターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、上部防着板16および下部防着板20として、SUS304製基材の表面に、CVD法で厚さ20μmのW膜比較例4を形成した後、真空中にて773K×1hrの加熱処理を行って脱ガス処理した部品を用い、マグネトロンスパッタリング装置を構成した。W膜の表面粗さは平均粗さで0.5μmであった。このマグネトロンスパッタリング装置に高純度タングステンシリサイドWSi28ターゲットをセットし、マグネトロンスパッタリングを行って、参考例1と同様にしてパーティクルダスト数の変化を調べたところ、35チャージ程度で部品表面のタングステンシリサイド膜の剥離が生じ、パーティクルダスト数が大幅に増加した。参考例4図3に示したスパッタリング装置のターゲット外周押え13、アースシールド15、プラテンリング18、基板ホルダ19、上部防着板16および下部防着板20として、SUS304製基材の表面にプラズマ溶射法で厚さ250μmのTi溶射膜を形成した。また、ターゲット11として高純度Tiを使用し、またバッキングプレート12にCuを使用し、この高純度Tiターゲット11の外周部の非エロージョン領域およびCuバッキングプレート12の表面にも、同様にプラズマ溶射法で厚さ250μmのTi溶射膜を形成した。これらTi溶射膜を形成した各部品、ターゲットおよびバッキングプレートを真空中で575K×1hの加熱処理を行って脱ガス処理し、これら脱ガス処理したものを用いて、マグネトロンスパッタリング装置、ターゲットおよびバッキングプレートを構成した。脱ガス処理後のTi溶射膜中のガス残存量は1.2Torrcc/gであり、またTi溶射膜の表面粗さは平均粗さで17μmであった。上記したマグネトロンスパッタリング装置に、上記Cuバッキングプレート12に保持された高純度Tiターゲット11をセットした後、マグネトロンスパッタリングを行って、参考例1と同様にしてパーティクルダスト数の変化を調べた。その結果、ターゲットおよびバッキングプレートに溶射しない場合と比較して、突発的に発生するパーティクルがなくなり、全体のパーティクル数は半減し、パーティクル発生を有効かつ安定して防止できることが確認できた。