互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の画素回路の各々に対応して設けられ、所定の電位を供給する固定電位配線と、前記固定電位線と電気的に接続されるシールド配線と、を有し、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に接続され、前記走査線に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、を備え、前記シールド配線は、当該画素回路の隣の画素回路に対応する固定電位配線から、当該画素回路のデータ線の下部まで延設して形成されており、前記シールド配線の少なくとも一部が、前記データ線と交差している、ことを特徴とする電気光学装置。前記シールド配線と前記データ線とが交差する領域を交差領域としたとき、前記駆動トランジスターのゲートを、前記交差領域の前記データ線の長手方向の幅内に配置した、ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記シールド配線は、前記データ線より下層に形成され、かつ、前記駆動トランジスターのゲートと同層あるいはそれより上層の配線層で形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電気光学装置。第1画素回路を有する第1発光素子と、前記第1発光素子の隣に第1の方向に沿って配置され、第2画素回路を有する第2の発光素子と、を備える電気光学装置であって、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って配置され、前記第1画素回路に電気的に接続された第1固定電位配線と、前記第2の方向に沿って配置され、前記第1画素回路に電気的に接続された第1データ線と、前記第2の方向に沿って配置され、前記第2画素回路に電気的に接続された第2固定電位配線と、前記第2の方向に沿って配置され、前記第2画素回路に電気的に接続された第2データ線と、前記第1画素回路に電気的に接続され、前記第1発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスターと、前記第2固定電位配線に接続された配線と、を有し、前記第1データ線及び前記配線は、前記第1の方向及び前記第2の方向に垂直な第3の方向から見て重なることを特徴とする、電気光学装置。前記第1発光素子は第1画素電極と、前記第1画素電極と対向して配置された対向電極と、前記第1画素電極と前記対向電極との間に配置された有機発光層とを含み、前記第1画素回路は、前記駆動トランジスターのゲート電極と前記第1ゲート線との間にされたスイッチングトランジスターと、前記駆動トランジスターのゲート電極と前記スイッチングトランジスターとを接続する中継電極とを有し、前記中継電極は、前記第1の方向から見て前記配線の幅内に配置されていることを特徴とする、請求項4に記載の電気光学装置。前記中継電極は、前記データ線と前記駆動トランジスターのゲート電極との間の層に配置されたことを特徴とする、請求項5に記載の電気光学装置。前記中継電極は、前記駆動トランジスターのゲート電極と同層に配置されたことを特徴とする、請求項5に記載の電気光学装置。前記第1発光素子と、前記第2発光素子とは異なる波長の光を出射すべきものであることを特徴とする、請求項4乃至7のいずれか一項に記載の電気光学装置。請求項1乃至8のいずれかに記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。ところで、上記のような画素回路の構成で実駆動を行うと、データ線の電位変動により、ノイズが発生する。OLEDに供給される電流は駆動トランジスターのゲートソース間の電圧で定めるため、このノイズが駆動トランジスターのゲートノードやソースノードに影響すると、正確な輝度が表示できずムラなどが発生していた。特に、狭ピッチで画素回路を配置し、ゲートノードに接続された保持容量を大きくできない場合に大きな問題となる。従来の構造では、寄生容量を介して、データ線のノイズが駆動トランジスターのゲートおよびソースノードに侵入する。これにより、保持容量に蓄積したデータ信号が変化し、駆動トランジスターを介してOLED素子に供給される電流も同様に変化する。この変化量が輝度ムラとして視認され、表示品位低下を招く。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、データ線の電位変動に伴う画質劣化を低減することを解決課題の一つとする。上記課題を解決するために本発明に係る電気光学装置にあっては、互いに交差する複数の走査線および複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の画素回路の各々に対応して設けられ所定の電位を供給する固定電位配線と、前記固定電位線と電気的に接続されるシールド配線と、を有し、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に接続され、前記走査線に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御されるスイッチングトランジスターと、を備え、前記シールド配線は、当該画素回路の隣の画素回路に対応する固定電位配線から、当該画素回路のデータ線の下部まで延設して形成されており、前記シールド配線の少なくとも一部が、前記データ線と交差していることを特徴とする。本発明によれば、シールド配線が、隣の画素回路の固定電位配線から、ノイズを発生させるデータ線の下部まで、延設しており、シールド配線は、その少なくとも一部がデータ線と交差している。したがって、この交差箇所において、データ線とシールド配線との間に平行平板容量が形成される。そのため、データ線から駆動トランジスターのゲートへの電界強度が弱まり、データ線から駆動トランジスターのゲートとの間に形成される寄生容量を大幅に削減される。その結果、駆動トランジスターのゲートがデータ線から受けるノイズの影響が軽減され、高い表示品位を得る。なお、シールド線の端部は、データ線より駆動トランジスターのゲートの近くに延設していてもよいし、あるいは、データ線の幅方向の途中まで延設していてもよい。また、シールド配線自体へのノイズ印加が発生するが、このシールド配線は、次に映像信号を書き込む隣接画素回路の固定電位配線から延設しているため、自画素回路の表示品位の影響は無くなる。また、隣の画素回路がノイズよる変動を受けても、正規の映像信号が次のタイミングで書き込まれるため、表示品位への影響を抑制することができる。本発明において、前記シールド配線と前記データ線とが交差する領域を交差領域としたとき、前記駆動トランジスターのゲートを、前記交差領域の前記データ線の長手方向の幅内に配置することが好ましい。この構成においては、交差領域に平行平板容量が形成され、交差領域のデータ線の長手方向の幅内に駆動トランジスターのゲートが配置されるので、平行平板容量の近傍にある保護したい駆動トランジスターのゲートへのデータ線からの電界強度が弱まり、データ線から駆動トランジスターのゲートとの間に形成される寄生容量を大幅に削減し、駆動トランジスターのゲートへのノイズ印加を防止する。本発明において、前記シールド配線は、前記データ線より下層に形成され、かつ、前記駆動トランジスターのゲートと同層あるいはそれより上層の配線層で形成してもよい。この構成によれば、平行平板容量は、前記配線層とデータ線との間で優先的に形成される。このため、保護したい駆動トランジスターのゲートと同層またはそれより上層の配線層でシールド配線を形成すれば、大部分の寄生容量は、前記平行平板容量として形成されることになり、より高いノイズ抑制効果が得られる。本発明の電気光学装置にあっては、第1画素回路を有する第1発光素子と、前記第1発光素子の隣に第1の方向に沿って配置され、第2画素回路を有する第2の発光素子と、を備える電気光学装置であって、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って配置され、前記第1画素回路に電気的に接続された第1固定電位配線と、前記第2の方向に沿って配置され、前記第1画素回路に電気的に接続された第1データ線と、前記第2の方向に沿って配置され、前記第2画素回路に電気的に接続された第2固定電位配線と、前記第2の方向に沿って配置され、前記第2画素回路に電気的に接続された第2データ線と、前記第1画素回路に電気的に接続され、前記第1発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスターと、前記第2固定電位配線に接続された配線と、を有し、前記第1データ線及び前記配線は、前記第1の方向及び前記第2の方向に垂直な第3の方向から見て重なることを特徴とする。本発明によれば、第2画素回路の第2固定電位配線に接続された配線と、ノイズを発生させる第1画素回路の第1データ線とが、第1の方向及び第2の方向に垂直な第3の方向から見て重なっている。したがって、この重なり箇所において、第1データ線と前記配線との間に平行平板容量が形成される。そのため、第1データ線から駆動トランジスターのゲートへの電界強度が弱まり、第1データ線から駆動トランジスターのゲートとの間に形成される寄生容量が大幅に削減される。その結果、駆動トランジスターのゲートが第1データ線から受けるノイズが影響を軽減され、高い表示品位を得る。なお、前記配線の端部は、第1データ線より駆動トランジスターのゲートの近くに延設していてもよいし、あるいは、第1データ線の幅方向の途中まで延設していてもよい。また、前記配線自体へのノイズ印加が発生するが、前記配線は、次に映像信号を書き込む第2画素回路の第2固定電位配線から延設しているため、自画素回路の表示品位の影響は無くなる。また、第2画素回路がノイズよる変動を受けても、正規の映像信号が次のタイミングで書き込まれるため、表示品位への影響を抑制することができる。本発明においては、前記第1発光素子は第1画素電極と、前記第1画素電極と対向して配置された対向電極と、前記第1画素電極と前記対向電極との間に配置された有機発光層とを含み、前記第1画素回路は、前記駆動トランジスターのゲート電極と前記第1ゲート線との間にされたスイッチングトランジスターと、前記駆動トランジスターのゲート電極と前記スイッチングトランジスターとを接続する中継電極とを有し、前記中継電極は、前記第1の方向から見て前記配線の幅内に配置してもよい。この構成においては、前記配線と前記第1データ線との重なり領域に平行平板容量が形成され、駆動トランジスターのゲート電極とスイッチングトランジスターとを接続する中継電極が、第1の方向から見て前記配線の幅内に配置されるので、平行平板容量の近傍にある保護したい駆動トランジスターのゲートへのデータ線からの電界強度が弱まり、第1データ線から駆動トランジスターのゲートとの間に形成される寄生容量を大幅に削減し、駆動トランジスターのゲートへのノイズ印加を防止する。本発明においては、前記中継電極は、前記データ線と前記駆動トランジスターのゲート電極との間の層に配置するようにしてもよい。また、前記中継電極は、前記駆動トランジスターのゲート電極と同層に配置するようにしてもよい。さらに、本発明においては、前記第1発光素子と、前記第2発光素子とは異なる波長の光を出射すべきものとしてもよいなお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウントディスプレイHMDや電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。<実施形態>図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置10の構成を示す斜視図である。電気光学装置10は、例えばヘッドマウントディスプレイにおいて画像を表示するマイクロディスプレイである。電気光学装置10の詳細については後述するが、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などが例えばシリコン基板に形成された有機EL装置であり、画素回路には、発光素子の一例であるOLEDが用いられている。電気光学装置10は、表示部で開口する枠状のケース72に収納されるとともに、FPCFlexiblePrintedCircuits基板74の一端が接続されている。FPC基板74には、半導体チップの制御回路5が、COFChipOnFilm技術によって実装されるとともに、複数の端子76が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。当該上位回路から複数の端子76を介して画像データが同期信号に同期して供給される。同期信号には、垂直同期信号や、水平同期信号、ドットクロック信号が含まれる。また、画像データは、表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば8ビットで規定する。制御回路5は、電気光学装置10の電源回路とデータ信号出力回路との機能を兼用するものである。すなわち、制御回路5は、同期信号にしたがって生成した各種の制御信号や各種電位を電気光学装置10に供給するほか、デジタルの画像データをアナログのデータ信号に変換して、電気光学装置10に供給する。図2は、第1実施形態に係る電気光学装置10の構成を示す図である。この図に示されるように、電気光学装置10は、走査線駆動回路20と、データ線駆動回路30と、表示部100とに大別される。このうち、表示部100には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路110がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部100において、m行の走査線12が図において横方向に延在して設けられ、また、n列のデータ線14が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線12と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、m行の走査線12とn列のデータ線14との交差部に対応して画素回路110が設けられている。このため、本実施形態において画素回路110は、縦m行×横n列でマトリクス状に配列されている。ここで、m、nは、いずれも自然数である。走査線12および画素回路110のマトリクスのうち、行ロウを区別するために、図において上から順に1、2、3、...、m-1、m行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線14および画素回路110のマトリクスの列カラムを区別するために、図において左から順に1、2、3、...、n-1、n列と呼ぶ場合がある。本実施形態では、列毎に給電線16がデータ線14に沿ってそれぞれ設けられている。各給電線16にはリセット電位としての電位Vorstが共通に給電されている。さて、電気光学装置10には、次のような制御信号が制御回路5によって供給される。詳細には、電気光学装置10には、走査線駆動回路20を制御するための制御信号Ctr1と、データ線駆動回路30を制御するための制御信号Ctr2とが供給される。走査線駆動回路20は、フレームの期間にわたって走査線12を1行毎に順番に走査するための走査信号を、制御信号Ctr1にしたがって生成するものである。ここで、1、2、3、...、m-1、m行目の走査線12に供給される走査信号を、それぞれGwr、Gwr、Gwr、...、Gwr、Gwrと表記している。なお、走査線駆動回路20は、走査信号Gwr~Gwrのほかにも、当該走査信号に同期した各種の制御信号を行毎に生成して表示部100に供給するが、図2においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置10が1カットコマ分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が120Hzであれば、その1周期分の8.3ミリ秒の期間である。また、データ線駆動回路30は、走査線駆動回路20によって選択された行に位置する画素回路110に対し、当該画素回路110の諧調データに応じた電位のデータ信号Vd、Vd、...、Vdが、1、2、...、n列目のデータ線14に制御回路5によって供給される。図3を参照して画素回路110について説明する。なお、図3には、i行目及び当該i行目の走査線12と、j列目及び当該j列目に対し右側で隣り合うj1列目のデータ線14との交差に対応する2画素分の画素回路110が示されている。ここで、iは、画素回路110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上m以下の整数である。同様に、j、j1は、画素回路110が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上n以下の整数である。本実施形態においては、i行目及び当該i行目の走査線12と、j列目のデータ線14との交差に対応する画素回路110が第1画素回路に相等し、i行目及び当該i行目の走査線12と、j1列目のデータ線14との交差に対応する画素回路110が第2画素回路に相等する。即ちj列目のデータ線14が第1データ線であり、j1列目のデータ線が第2データ線である。図3に示されるように、画素回路110は、PチャネルMOS型のトランジスター121~125と、OLED130と、保持容量132とを含む。各画素回路110については互いに同一構成なので、i行j列に位置するもので代表して説明する。i行j列の画素回路110において、トランジスター122は、書き込みトランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードはi行目の走査線12に接続され、そのドレインまたはソースノードの一方がj列目のデータ線14に接続され、他方がトランジスター121におけるゲートノードgと、保持容量132の一端と、トランジスター123のドレインノードとにそれぞれ接続されている。ここで、トランジスター121のゲートノードについては、他のノードと区別するためにgと表記する。i行目の走査線12、つまり、トランジスター122のゲートノードには、走査信号Gwrが供給される。トランジスター121は、駆動トランジスターとして機能するものであり、そのソースノードは給電線116に接続され、そのドレインノードがトランジスター123のソースノードと、トランジスター124のソースノードとにそれぞれ接続されている。ここで、給電線116には、画素回路110において電源の高位側となる基板電位Velが給電される。トランジスター123は、補償用トランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードには制御信号Gcmpが供給される。トランジスター124は、発光制御トランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードには制御信号Gelが供給され、そのドレインノードはトランジスター125のソースノードとOLED130のアノードとにそれぞれ接続されている。トランジスター125は、初期化用トランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードには制御信号Gorstが供給され、そのドレインノードはj列目に対応した給電線固定電位配線16に接続されて電位Vorstに保たれている。ここで、トランジスター121が第1トランジスターに相当し、トランジスター122が第2トランジスターに相当し、トランジスター123が第3トランジスターに相当する。また、トランジスター125が第4トランジスターに相当し、トランジスター124が第5トランジスターに相当する。保持容量132の他端は、給電線116に接続される。このため、保持容量132は、トランジスター121のソースドレイン間の電圧を保持することになる。なお、保持容量132としては、トランジスター121のゲートノードgに寄生する容量を用いても良いし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いても良い。本実施形態において電気光学装置10はシリコン基板に形成されるので、トランジスター121~125の基板電位については電位Velとしている。OLED130のアノードは、画素回路110毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、OLED130のカソードは、画素回路110のすべてにわたって共通の共通電極118であり、画素回路110において電源の低位側となる電位Vctに保たれている。OLED130は、上記シリコン基板において、アノードと光透過性を有するカソードとで白色有機EL層を挟持した素子である。そして、OLED130の出射側カソード側にはRGBのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。このようなOLED130において、アノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機EL層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板アノードとは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。また、本実施形態では、給電線16に接続され、トランジスター121のゲート配線への電界強度の影響を抑制することを目的とした配線シールド配線であるシールドパターン117が、データ線14と交差する位置まで延設されており、この交差部において平行平板容量134が形成されている。この平行平板容量134により、データ線14からトランジスター121のゲート配線への電界強度が弱まり、寄生容量133が大幅に削減されることになる。詳しくは後述する。<電気光学装置の動作>次に、図4を参照して電気光学装置10の動作について説明する。図4は、電気光学装置10における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。この図に示されるように、走査信号Gwr~Gwrが順次Lレベルに切り替えられて、1フレームの期間において1~m行目の走査線12が1水平走査期間H毎に順番に走査される。1水平走査期間Hでの動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、i行目が水平走査される走査期間において、特にi行j列の画素回路110について着目して動作を説明する。本実施形態ではi行目の走査期間は、大別すると、図4においてbで示される初期化期間とcで示される補償期間とdで示される書込期間とに分けられる。そして、dの書込期間の後、間をおいてaで示されるの発光期間となり、1フレームの期間経過後に再びi行目の走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、発光期間→初期化期間→補償期間→書込期間→発光期間というサイクルの繰り返しとなる。<発光期間>説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図4に示されるように、i行目の発光期間では、走査信号GwrがHレベルであり、制御信号GelはLレベルである。また、論理信号である制御信号Gel、Gcmp、Gorstのうち、制御信号GelがLレベルであり、制御信号Gcmp、GorstがHレベルである。このため、図3に示すi行j列の画素回路110においては、トランジスター124がオンする一方、トランジスター122、123、125がオフする。したがって、トランジスター121は、ゲートソース間の電圧Vgsに応じた電流IdsをOLED130に供給する。後述するように、本実施形態において発光期間での電圧Vgsは、トランジスター121の閾値電圧から、データ信号の電位に応じてレベルシフトした値である。このため、OLED130には、階調レベルに応じた電流がトランジスター121の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。なお、i行目の発光期間は、i行目以外が水平走査される期間であるから、データ線14の電位は適宜変動する。ただし、i行目の画素回路110においては、トランジスター122がオフしているので、ここでは、データ線14の電位変動を考慮していない。<初期化期間>次にi行目の走査期間に至ると、まず、第1期間としてbの初期化期間が開始する。初期化期間では、発光期間と比較して、制御信号GelがHレベルに、制御信号GorstがLレベルに、それぞれ変化する。このため、図3に示すi行j列の画素回路110においてはトランジスター124がオフし、トランジスター125がオンする。これによってOLED130に供給される電流の経路が遮断されるとともに、OLED130のアノードが電位Vorstにリセットされる。OLED130は、上述したようにアノードとカソードとで有機発光層を挟持した構成であるので、アノードカソードの間には、容量が並列に寄生する。発光期間においてOLED130に電流が流れていたときに、当該OLED130のアノードカソード間の両端電圧が当該容量によって保持されるが、この保持電圧は、トランジスター125のオンによってリセットされる。このため、本実施形態では、後の発光期間においてOLED130に再び電流が流れるときに、当該容量で保持されている電圧の影響を受けにくくなる。詳細には、例えば高輝度の表示状態から低輝度の表示状態に転じるときに、リセットしない構成であると、輝度が高い大電流が流れたときの高電圧が保持されてしまうので、次に、小電流を流そうとしても、過剰な電流が流れてしまって、低輝度の表示状態にさせることができなくなる。これに対して、本実施形態では、トランジスター125のオンによってOLED130のアノードの電位がリセットされるので、低輝度側の再現性が高められることになる。なお、本実施形態において、電位Vorstについては、当該電位Vorstと共通電極118の電位Vctとの差がOLED130の発光閾値電圧を下回るように設定される。このため、初期化期間次に説明する補償期間および書込期間において、OLED130はオフ非発光状態である。<補償期間>i行目の走査期間では、次に第2期間としてcの補償期間となる。補償期間では初期化期間と比較して、走査信号Gwrおよび制御信号GcmpがLレベルとなる。一方、補償期間では、制御信号GrefがHレベルに維持された状態で制御信号/GiniがHレベルになる。補償期間においてトランジスター123がオンするので、トランジスター121はダイオード接続となる。このため、トランジスター121にはドレイン電流が流れて、ゲートノードgおよびデータ線14を充電する。詳細には、電流が、給電線116→トランジスター121→トランジスター123→トランジスター122→j列目のデータ線14という経路で流れる。このため、トランジスター121のオンによって互いに接続状態にあるデータ線14およびゲートノードgの電位は上昇する。ただし、上記経路に流れる電流は、トランジスター121の閾値電圧を|Vth|とすると、ゲートノードgが電位Vel-|Vth|に近づくにつれて流れにくくなるので、補償期間の終了に至るまでに、データ線14およびゲートノードgは電位Vel-|Vth|で飽和する。したがって、保持容量132は、補償期間の終了に至るまでにトランジスター121の閾値電圧|Vth|を保持することになる。<書込期間>初期化期間の後、第3期間としてdの書込期間に至る。書込期間では、制御信号GcmpがHレベルになるので、トランジスター121のダイオード接続が解除される。j列目のデータ線14からi行j列の画素回路110におけるゲートノードgに至るまでの経路における電位は、保持容量132によってVel-|Vth|に維持される。<発光期間>i行目の書込期間の終了した後、発光期間に至る。この発光期間では、上述したように制御信号GelがLレベルになるので、i行j列の画素回路110においては、トランジスター124がオンする。OLED130には、階調レベルに応じた電流がトランジスター121の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。このような動作は、i行目の走査期間において、j列目の画素回路110以外のi行目の他の画素回路110においても時間的に並列して実行される。さらに、このようなi行目の動作は、実際には、1フレームの期間において1、2、3、...、m-1、m行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。また、図3において破線で示されるようにデータ線14と画素回路110におけるゲートノードgとの間には寄生容量133が実際には寄生する。このため、データ線14の電位変化幅が大きいと、当該寄生容量133を介してゲートノードgに伝播し、いわゆるクロストークやムラなどが発生して表示品位を低下させてしまう。当該寄生容量133の影響は、画素回路110が微細化されたときに顕著に現れる。しかしながら、本実施形態においては、図3に示すように、給電線16に接続されたシールドパターン117が、データ線14と交差する位置まで延設されており、この交差部において平行平板容量134が形成されている。この平行平板容量134により、データ線14からトランジスター121のゲート配線への電界強度が弱まり、寄生容量133が大幅に削減されることになる。本発明のより望ましい構成としては、ノイズを発生させる配線と、ノイズの影響を受けるノードの最近傍あたりで、給電線16から延設したシールドパターン117とデータ線14を交差させることが好ましい。これにより、電界の影響を大幅に減らすことができる。さらに、本構成に従うと、シールドパターン117自体へのノイズ印加が発生するが、次に映像信号を書き込む隣接画素からシールドパターン117を延設しているため、自画素の表示品位の影響は無い。また、隣接画素がノイズによる変動を受けても、正規の映像信号が次のタイミングで書き込まれるため、表示品位に影響しない。本実施形態によれば、トランジスター125をオンさせる期間、すなわちOLED130のリセット期間として、走査期間よりも長い期間、例えば2水平走査期間を確保することができるので、発光期間においてOLED130の寄生容量に保持された電圧を十分に初期化することができる。また、本実施形態によれば、トランジスター121によってOLED130に供給される電流Idsは、閾値電圧の影響が相殺される。このため、本実施形態によれば、トランジスター121の閾値電圧が画素回路110毎にばらついても、そのばらつきが補償されて、階調レベルに応じた電流がOLED130に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。さらに、本実施形態によれば、給電線16に接続されたシールドパターン117が、データ線14と交差する位置まで延設されており、この交差部において平行平板容量134が形成されているので、データ線14からトランジスター121のゲート配線への電界強度が弱まり、寄生容量133が大幅に削減することができる。その結果、寄生容量133を介してゲートノードgに伝播する、いわゆるクロストークやムラなどの発生を確実に防止して、高品位の表示が可能になる。<画素回路の構造>次に、この画素回路110の構造について、図5および図6を参照して説明する。図5は、1つの画素回路110の構成を示す平面図であり、図6は、図5におけるA-A’線で破断した部分断面図である。なお、図5は、トップエミッションの画素回路110を観察側から平面視した場合の配線構造を示しているが、簡略化のために、OLED130における画素電極陽極以降に形成される構造体を省略している。また、以下の各図においては、各層、各部材、各領域などを認識可能な大きさとするために、縮尺を異ならせている。まず、図6に示されるように、基礎となる基板2が設けられている。基板2は、平板状に設けられるが、図5においては、各トランジスターの位置が容易に理解できるように、島状に表している。基板2には、図6に示されるように、トランジスター122およびトランジスター123を形成するための能動領域140が形成されている。ここで、能動領域とは、MOS型トランジスタが形成される領域である。また、この能動領域140と同様に、基板2には、図5に示すように、能動領域141、142、143が設けられている。能動領域141はトランジスター121を構成し、能動領域142はトランジスター124を構成し、能動領域143はトランジスター125を構成するものである。図6に示されるように、能動領域140~143のほぼ全面を覆うようにゲート絶縁膜17が設けられている。ゲート絶縁膜17の表面には、アルミニウムやポリシリコンなどのゲート配線層が設けられるとともに、当該ゲート配線層をパターニングすることによって、ゲート電極144が設けられている。ゲート電極144はトランジスター121のゲート電極であり、このゲート電極144と同じ階層には、図5に示すように、トランジスター122のゲート電極145、トランジスター123のゲート電極146、トランジスター124のゲート電極147およびトランジスター125のゲート電極148が設けられている。図6において、ゲート電極144またはゲート絶縁膜17を覆うように第1層間絶縁膜18が形成されている。第1層間絶縁膜18の表面には導電性の配線層が成膜されるとともに、当該配線層のパターニングによって中継電極41が形成されている。また、図5に示すように、この中継電極41と同階層に、中継電極42、43、44、45がそれぞれ形成されている。このうち、中継電極41は、第1層間絶縁膜18を開孔するコンタクトホール31を介してトランジスター121のゲート電極144に接続されている。また、中継電極41は、第1層間絶縁膜18およびゲート絶縁膜17をそれぞれ開孔するコンタクトホール32を介してトランジスター122およびトランジスター123の能動領域140に接続されている。なお、図4において異種の配線層同士が重なる部分において□印に×印を付した部分がコンタクトホールである。図5において、中継電極42の一端は、第1層間絶縁膜18およびゲート絶縁膜17をそれぞれ開孔するコンタクトホール33を介してトランジスター122の能動領域140に接続される一方、中継電極42の他端は、後述する第2層間絶縁膜19を開孔するコンタクトホール34を介して後述するデータ線14に接続されている。中継電極43の一端は、第1層間絶縁膜18およびゲート絶縁膜17をそれぞれ開孔するコンタクトホール35を介してトランジスター121の能動領域141に接続される一方、中継電極43の他端は、第1層間絶縁膜18およびゲート絶縁膜17をそれぞれ開孔するコンタクトホール36を介してトランジスター123の能動領域140に接続されている。中継電極44の一端は、第1層間絶縁膜18およびゲート絶縁膜17をそれぞれ開孔するコンタクトホール37を介してトランジスター125の能動領域143に接続される一方、中継電極44の他端は、後述する第2層間絶縁膜19を開孔するコンタクトホール38を介して後述する給電線16に接続されている。中継電極45の一端は、第1層間絶縁膜18およびゲート絶縁膜17をそれぞれ開孔するコンタクトホール39を介してトランジスター125の能動領域143に接続される一方、中継電極45の他端は、第1層間絶縁膜18およびゲート絶縁膜17をそれぞれ開孔するコンタクトホール50を介してトランジスター124の能動領域142に接続されている。また、上述した中継電極41、42、43、44、45と同階層には、走査線12、制御線118、114、115が形成されている。走査線12は、第1層間絶縁膜18を開孔するコンタクトホール51を介してトランジスター122のゲート電極145に接続されている。制御線118は、第1層間絶縁膜18を開孔するコンタクトホール52を介してトランジスター123のゲート電極146に接続されている。制御線114は、第1層間絶縁膜18を開孔するコンタクトホール53を介してトランジスター125のゲート電極148に接続されている。制御線115は、第1層間絶縁膜18を開孔するコンタクトホール54を介してトランジスター124のゲート電極147に接続されている。さらに、上述した中継電極41、42、43、44、45と同階層には、図6に示すように、シールドパターン117が形成されている。シールドパターン117は、平面的に見て、給電線16の下方からデータ線14の下方に至るまで延設されており、図5に示すように、データ線14の長手方向の幅も広くなるように形成されている。ここで、平面的に見るとは特許請求の範囲における、第3の方向から見ることである。さらに下方とは給電線固定電位配線16及びデータ線14の基板2側を指し、データ線14の長手方向とは特許請求の範囲における第2の方向に対応する。このようにシールドパターン117をデータ線14と交差するように構成することにより、平行平板容量134が形成されることになり、データ線14から、中継電極41および中継電極41と電気的に接続されたトランジスター121のゲート電極144への電界強度が弱まり、中継電極41とデータ線14との間に形成される寄生容量133の影響を大幅に削減することができる。本発明のより望ましい構成としては、ノイズを発生させる配線と、ノイズの影響を受けるノードの最近傍あたりで給電線16から延設したシールドパターンとデータ線14を交差させることが好ましい。より具体的には、シールドパターン117とデータ線14とが交差する領域を交差領域としたとき、中継電極41を、交差領域のデータ線14の長手方向の幅内に配置することが好ましい。この場合、交差領域に平行平板容量134が形成され、交差領域のデータ線14の長手方向の幅内に中継電極41が配置されるので、平行平板容量134の近傍にある保護したいトランジスター121のゲートに電気的に接続された中継電極41へのデータ線14からの電界強度が弱まり、データ線14から中継電極41およびトランジスター121のゲートとの間に形成される寄生容量を大幅に削減し、トランジスター121のゲートへのノイズ印加を抑制することができる。さらに、本構成に従うと、シールドパターン117を新たな製造工程の追加なしに形成することができるため、コスト増加を防ぐことができる。本構成により、シールドパターン117自体へのノイズ印加が発生するが、点順次操作を採用する場合には、次に映像を書き込む隣の画素からシールドパターン117を延設しているため、自画素の表示品位の影響は無い。また、隣の画素がノイズによる変動を受けても、正規の映像信号が次のタイミングで書き込まれるため、表示品位に影響しない。中継電極41、42、43、44、45、および、走査線12、制御線118、114、115、並びにシールドパターン117、または第1層間絶縁膜18を覆うように第2層間絶縁膜19が形成されている。第2層間絶縁膜19の表面には導電性の配線層が成膜されるとともに、当該配線層のパターニングによってデータ線14および給電線16ならびに電源線図示略への接続部分119がそれぞれ形成されている。このうち、給電線16は、第2層間絶縁膜19を開孔するコンタクトホール55を介してシールドパターン117に接続されている。また、上述したように、給電線16は、第2層間絶縁膜19を開孔するコンタクトホール38を介して中間電極44に接続されている。さらに、データ線14は、第2層間絶縁膜19を開孔するコンタクトホール34を介して中間電極42に接続されている。また、電源線への接続部分119は、第2層間絶縁膜19、第1層間絶縁膜18、ゲート絶縁膜17を開孔するコンタクトホール56を介してトランジスター121の能動領域141に接続されている。さらに、電源線への接続部分119は、コンタクトホール57を介して、図5に示す層よりもさらに上層において電源線に接続されている。なお、図3に示す容量132は、上述した給電線16、データ線14よりも上層に形成されるが、図示を省略する。電気光学装置1としての以降の構造については図示省略するが、陽極に画素回路110毎に有機EL材料からなる発光層が積層されるとともに、各画素回路110にわたって共通の透明電極が、陰極を兼ねる共通電極118として設けられる。これによって、発光素子150は、互いに対向する陽極と陰極とで発光層を挟持したOLEDになり、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて発光して、基板2とは反対方向に向かって観察されることになるトップエミッション構造。このほかにも、発光層を大気から遮断するための封止ガラスなどが設けられるが、説明は省略する。また、図5では、OLED130の陽極である画素電極の図示を省略している。<応用変形例>本発明は、上述した実施形態や応用例などの実施形態等に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。<制御回路>実施形態において、データ信号を供給する制御回路5については電気光学装置10とは別体としたが、制御回路5についても、走査線駆動回路20やデマルチプレクサ30、レベルシフト回路40とともに、シリコン基板に集積化しても良い。<基板>実施形態においては、電気光学装置10をシリコン基板に集積した構成としたが、他の半導体基板に集積した構成しても良い。また、ポリシリコンプロセスを適用してガラス基板等に形成しても良い。いずれにしても、画素回路110が微細化して、トランジスター121において、ゲート電圧Vgsの変化に対しドレイン電流が指数関数的に大きく変化する構成に有効である。<制御信号Gcmp>実施形態等において、i行目でいえば、書込期間において制御信号GcmpをHレベルとしたが、Lレベルとしても良い。すなわち、トランジスター123をオンさせることによる閾値補償とノードゲートgへの書き込みとを並行して実行する構成としても良い。<トランジスターのチャネル型>上述した実施形態等では、画素回路110におけるトランジスター121~125をPチャネル型で統一したが、Nチャネル型で統一しても良い。また、Pチャネル型およびNチャネル型を適宜組み合わせても良い。<シールドパターン>上述した実施形態では、シールドパターン117を保護したいトランジスターのゲート配線と同層に形成する例について説明したが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく、ゲート配線よりも上層の配線総でシールドパターン117を形成するようにしてもよい。寄生容量133は、ノイズを発生させる配線と、その近傍の保護したいトランジスターのゲート配線との間で優先的に形成される。したがって、保護したいトランジスターのゲート配線と同層あるいはそれより上層の配線でシールドパターン117を形成すれば、平行平板容量134がノイズを発生させる配線とシールドパターン117との間で形成されることとなり、より高いノイズ抑制効果を得ることができる。<その他>実施形態等では、電気光学素子として発光素子であるOLEDを例示したが、例えば無機発光ダイオードやLEDLightEmittingDiodeなど、電流に応じた輝度で発光するものであれば良い。<電子機器>次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置10を適用した電子機器について説明する。電気光学装置10は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウントディスプレイを例に挙げて説明する。図7は、ヘッドマウントディスプレイの外観を示す図であり、図8は、その光学的な構成を示す図である。まず、図7に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ300は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル310や、ブリッジ320、レンズ301L、301Rを有する。また、ヘッドマウントディスプレイ300は、図8に示されるように、ブリッジ320近傍であってレンズ301L、301Rの奥側図において下側には、左眼用の電気光学装置10Lと右眼用の電気光学装置10Rとが設けられる。電気光学装置10Lの画像表示面は、図8において左側となるように配置している。これによって電気光学装置10Lによる表示画像は、光学レンズ302Lを介して図において9時の方向に出射する。ハーフミラー303Lは、電気光学装置10Lによる表示画像を6時の方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。電気光学装置10Rの画像表示面は、電気光学装置10Lとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置10Rによる表示画像は、光学レンズ302Rを介して図において3時の方向に出射する。ハーフミラー303Rは、電気光学装置10Rによる表示画像を6時方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。この構成において、ヘッドマウントディスプレイ300の装着者は、電気光学装置10L、10Rによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。また、このヘッドマウントディスプレイ300において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置10Lに表示させ、右眼用画像を電気光学装置10Rに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる3D表示。なお、電気光学装置10については、ヘッドマウントディスプレイ300のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。