一方の面に、長手方向に連続する一体成型された凸部を備えた矩形の熱伝導性基板と、当該凸部上に搭載された複数の発光部品と、当該熱伝導性基板の当該一方の面上に、当該凸部に隣接して設けられ、当該複数の発光部品に電力を供給するための配線が設けられた配線基板とを備えた発光部と、一部が前記熱伝導性基板の他方の面に接して設けられ、前記複数の発光部品が発する光を栽培対象である植物に対して集光させる反射部とを備えた植物栽培用の照明装置。前記熱伝導性基板の前記凸部の表面は、当該熱伝導性基板上に設けられた前記配線基板の表面を含む面と同じまたは当該配線基板の表面を含む面から突出していることを特徴とする請求項1に記載の植物栽培用の照明装置。前記複数の発光部品のそれぞれの発光部品は、前記配線基板に設けられた前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の植物栽培用の照明装置。前記熱伝導性基板は、金属材料で構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の植物栽培用の照明装置。前記反射部は、金属材料で構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の植物栽培用の照明装置。前記反射部は、前記発光部が谷部に配置された山型または波板状の構造体で構成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の植物栽培用の照明装置。前記配線基板は、ガラスエポキシ板に配線を設けたものであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の植物栽培用の照明装置。前記複数の発光部品は、青色光を発光する半導体発光素子と赤色光を発光する半導体発光素子とを含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の植物栽培用の照明装置。前記複数の発光部品に含まれる前記青色光を発光する半導体発光素子は、ピーク発光波長420nm~480nmのInGaNで構成される発光層を有し、前記赤色光を発光する半導体発光素子は、ピーク発光波長650nm~690nmのAlGaInPで構成される発光層を有することを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の植物栽培用の照明装置。支柱により水平方向に保持された複数の棚板と、前記複数の棚板において、上下方向に隣接する2つの棚板の下方の棚板上に載置され、植物が栽培される栽培容器と、前記栽培容器の載置された棚板に対して、上方に設けられた棚板の当該栽培容器に対向する面に接して設けられた照明装置とを備える植物栽培装置。前記照明装置は、一方の面に、長手方向に連続する一体成型された凸部を備えた矩形の熱伝導性基板と、当該凸部上に搭載された複数の発光部品と、当該熱伝導性基板の当該一方の面上に、当該凸部に隣接して設けられ、当該複数の発光部品に電力を供給するための配線が設けられた配線基板とを備えた発光部と、一部が当該熱伝導性基板の他方の面に接して設けられ、当該複数の発光部品が発する光を栽培対象である植物に対して集光させる反射部とを備えることを特徴とする請求項10に記載の植物栽培装置。ところで、半導体発光素子は、電流に比例して高輝度になるが、半導体発光素子に流れる電流が大きくなって、半導体発光素子の発熱量が大きくなる。この発熱により半導体発光素子の発光層の温度が上昇すると発光効率が低下してしまう。このため、植物栽培用の照明装置では、半導体発光素子から発生する熱を効率よく放熱できることが求められる。しかし、半導体発光素子から発生する熱を放熱するために、強制空冷や水冷を用いると、植物栽培用の照明装置が複雑且つ大型になってしまう。さらに、照明装置が安価に製造できる構造であることが好ましい。本発明の目的は、半導体発光素子の発熱を効率よく放熱できるとともに、安価に製造できる植物栽培用の照明装置およびその植物栽培用の照明装置を用いた植物栽培装置を提供することにある。かかる目的のもと、本発明が適用される植物栽培用の照明装置は、一方の面に、長手方向に連続する一体成型された凸部を備えた矩形の熱伝導性基板と、凸部上に搭載された複数の発光部品と、熱伝導性基板の一方の面上に、凸部に隣接して設けられ、複数の発光部品に電力を供給するための配線が設けられた配線基板とを備えた発光部と、一部が熱伝導性基板の他方の面に接して設けられ、複数の発光部品が発する光を栽培対象である植物に対して集光させる反射部とを備えている。反射部は、発光部と一体とすることで、放熱面積を増大させることを特徴とすることができる。また、発光部は、例えば反射部が山型の場合、谷部に配置し、山型の傾斜の角度を調整することで、一方向に光の強度を大きくしたり、広い範囲に均一に光を照射したりすることができ、光の強度分布を植物の種類、大きさ、背の高さなどにより適正化できる。このような植物栽培用の照明装置において、熱伝導性基板の凸部の表面は、熱伝導性基板上に設けられた配線基板の表面を含む面と同じまたは配線基板の表面を含む面から突出していることを特徴とすることができる。また、複数の発光部品のそれぞれの発光部品は、配線基板に設けられた配線と電気的に接続されていることを特徴とすることができる。さらに、熱伝導性基板は、金属材料で構成されていることを特徴とすることができる。そして、反射部は、金属材料で構成されていることを特徴とすることができる。また、反射部は、発光部が谷部に配置された山型または波板状の構造体で構成されていることを特徴とすることできる。そしてまた、配線基板は、ガラスエポキシ板に配線を設けたものであることを特徴とすることができる。さらにまた、複数の発光部品は、青色光を発光する半導体発光素子と赤色光を発光する半導体発光素子とを含むことを特徴とすることができる。これらの半導体発光素子は、発光層の材質および構造を高い発光効率を有するものとすることができ、栽培対象である植物の光合成の効率が高い波長植物育成に適合した波長を有することを特徴とすることができる。これにより、植物の光合成の効率が高くなり、消費電力が削減されるとともに、植物育成が促進される。上記の青色光および赤色光を発光するそれぞれの半導体発光素子は、同じ工程で組み立てが可能であるように、上面に正極、負極を有しワイヤボンディングできる構造であることを特徴とすることができる。また、他の観点から捉えると、本発明が適用される植物栽培装置は、支柱により水平方向に保持された複数の棚板と、複数の棚板において、上下方向に隣接する2つの棚板の下方の棚板上に載置され、植物が栽培される栽培容器と、栽培容器の載置された棚板に対して、上方に設けられた棚板の栽培容器に対向する面に接して設けられた照明装置とを備えている。このような植物栽培装置において、照明装置は、一方の面に、長手方向に連続する一体成型された凸部を備えた矩形の熱伝導性基板と、凸部上に搭載された複数の発光部品と、熱伝導性基板の一方の面上に、凸部に隣接して設けられ、複数の発光部品に電力を供給するための配線が設けられた配線基板とを備えた発光部と、一部が熱伝導性基板の他方の面に接して設けられ、複数の発光部品が発する光を栽培対象である植物に対して集光させる反射部とを備えることを特徴とすることができる。本発明によれば、半導体発光素子の発熱を効率よく放熱できるとともに、安価に製造できる植物栽培用の照明装置およびその植物栽培用の照明装置を用いた植物栽培装置を提供できる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。[第1の実施の形態]図1は第1の実施の形態が適用される植物栽培装置1の一例を示した図である。植物栽培装置1は、少なくとも四隅に設けられた支柱16により、間隔を設けて水平方向に設置された複数の棚板15と、上下に隣接する棚板15の下方に位置する棚板15上に載置され、植物2を育成する栽培容器17と、上方に位置し、栽培容器17の上面と対向する棚板15の面栽培容器17の上面に対向する棚板15の裏面に設けられた複数の照明装置10とを備えている。なお、照明装置10は、発光部11と、発光部11から発した光を栽培容器17側に集光させる反射部12とを備えている。植物栽培装置1の照明装置10から、照明装置10に搭載された半導体発光素子チップ64-1~64-9後述する図2参照に電流を供給する電力供給ライン18が設けられている。電力供給ライン18は、棚板15の裏面を伝って、植物栽培装置1の外部に引き出され、植物栽培装置1の外部に置かれた電源19に接続されている。なお、後述する図2に示す半導体発光素子チップ64-1~64-9をそれぞれ区別しないときは、半導体発光素子チップ64と表記する。本実施の形態における棚板15は、栽培容器17を載置する構造材であるとともに、照明装置10から発する熱を放熱する役割を持っている。よって、棚板15は、熱伝導性に優れた材料、例えばアルミニウム、銅またはそれらの合金、ステンレス鋼SUSなどの金属などで構成されていることが好ましい。また、棚板15は熱容量が大きいことが好ましい。反射部12は、照明装置10の半導体発光素子チップ64が発した光のうち、植物2の反対側に向かう光を反射させて、植物2を照射するようにする。すなわち、反射部12は、半導体発光素子チップ64の発する光を効率よく植物2に照射する。このため、反射部12は、棒状の照明装置10に沿って、連続して設けられている。そして、反射部12は、照明装置10に対して垂直な断面が凹面状またはパラボラ状をなしている。反射部12は、熱伝導性に優れた材料、例えばアルミニウム、銅またはそれらの合金、ステンレス鋼SUSなどの金属などで構成されていることが好ましい。また、反射部12の内側には、照明装置10の半導体発光素子チップ64の発する光を効率よく反射するアルミニウム、銀、金赤色光に対してなどの膜が設けられていることが好ましい。すなわち、反射部12は反射鏡として構成されている。また、反射部12は、発光部11の熱伝導性基板21後述する図2参照と接するように設けられ、冷却フィンとしても働くように構成されている。本実施の形態における照明装置10の発光部11は、後述するように、熱伝導性にすぐれた矩形の熱伝導性基板21に複数の発光部品の一例としての半導体発光素子チップ64-1~64-9半導体発光素子チップ64が列状に搭載されて構成されている後述する図2参照。すなわち、照明装置10は、棒状をなしている。そして、照明装置10の半導体発光素子チップ64が発光に伴って発生する熱は、熱伝導により、発光部11の熱伝導性基板21に放熱され、次に熱伝導性に優れた反射部12を介して棚板15に放熱される。よって、発光部11は水冷または空冷されることを要しない。ここで、植物栽培装置1の動作を説明する。植物栽培が培地を用いない水耕栽培である場合は、植物栽培装置1の栽培容器17には、植物2とともに、植物2の根に養分を与える培養液が蓄えられている。培養液は、栽培容器17の一方の端部から供給され、他方の端部から流れ出るように、循環させてもよい。植物栽培が培地を用いた固形培地耕である場合は、植物栽培装置1の栽培容器17には、植物2とともに、土などの培地が蓄えられている。そして、栽培容器17に、水に肥料を溶かした液肥を施すことで、灌水と施肥とを同時に行う。そして、照明装置10に電源19から電力が供給されることにより、照明装置10の半導体発光素子チップ64から発した一部の光は、直接、植物2に照射される。照明装置10から発した他の一部の光は、反射部12で反射して植物2に照射される。これらの光により光合成を行うことで、植物2が成長する。なお、植物2に照射される光の波長は、照明装置10に搭載された半導体発光素子チップ64の発光波長で決められる。なお、赤と青との光が、植物2の育成に優れた効果を有することが知られている。また、植物2に光が照射される時間は、照明装置10の点灯時間によって決められる。これらは、図示しない制御装置によって、コントロールされてもよい。さらに、植物栽培装置1は、温度、湿度がコントロールされた環境に設置されていてもよい。<発光部11>次に、照明装置10の発光部11について説明する。図2は第1の実施の形態が適用される照明装置10の発光部11の一例を示した図である。図2aは、発光部11を上面から見た平面図を示し、図2bは、発光部11のIIB-IIB線での断面図を示している。発光部11は、図2bに示すように、一方の面に、一体に形成された凸部21aを有する表面形状が矩形の熱伝導性基板21と、凸部21aの表面21bに設けられた複数の半導体発光素子チップ64-1~64-9半導体発光素子チップ64と、熱伝導性基板21の凸部21a以外の表面21cに接着層24を介して設けられた配線基板22aおよび22bとを備えている。配線基板22aおよび22bには、半導体発光素子チップ64に電流を供給する配線が設けられている。本実施の形態では、ベアチップである半導体発光素子チップ64を熱伝導性基板21の凸部21aに搭載された、いわゆるCOBChiponBoard実装である。まず、熱伝導性基板21について説明する。熱伝導性基板21熱伝導性基板21は、例えば上面から見た形状が矩形の板状であって、熱伝導性に優れた材料により構成されている。そして、熱伝導性基板21と一体に形成された凸部21aは、熱伝導性基板21の長手方向に連続して構成され、その表面21bは、半導体発光素子チップ64が搭載可能な幅を有している。熱伝導性基板21には、熱伝導性に優れた金属、例えば銅、アルミニウムなどを用いることができる。アルミニウムの場合には、表面がアルマイト加工されていてもよい。熱伝導性基板21は、例えば銅であって、長さが150mm、幅が10mmとすることができる。そして、凸部21aの表面21bの幅は、半導体発光素子チップ64を搭載することができればよい。例えば、半導体発光素子チップ64が350μm×350μmであれば、凸部21aの表面21bの幅熱伝導性基板21の短手方向に計測した長さが半導体発光素子チップ64の一辺長である350μmより長い1mmとすることができる。また、熱伝導性基板21の厚さは、凸部21aの部分で、例えば0.3mmとすることができる。また、凸部21aの高さは、例えば0.15mmとすることができる。そして、凸部21aの両側面に、熱伝導性基板21の長手方向に連なってスリット隙間21dが設けられている。このスリット21dに、配線基板22aおよび22bがはめ込まれる。よって、スリット21dの幅は、配線基板22aおよび22bの厚さと同程度であって、スリット21dに配線基板22aおよび22bをはめ込めればよい。よって、後述するように、例えば配線基板22aおよび22bの厚さが0.15mmの場合、スリット21dの幅は0.17mmとすることができる。また、スリット21dの深さは、半導体発光素子チップ64が発生する熱の熱伝導性基板21への熱伝導による放熱を妨げなければよく、例えば0.2mmとできる。なお、図2bに示したように、配線基板22aおよび22bは、熱伝導性基板21の表面21cに接着層24で固定される。このことから、配線基板22aおよび22bがスリット21dに嵌合して、固定されることを要しない。よって、スリット21dを設けなくともよい。なお、熱伝導性基板21が柔軟性を有する銅などで構成されていると、発光部11を熱伝導性基板21の厚さ方向に変形させて曲げて、植物栽培装置1に取り付けることができる。熱伝導性基板21の製造方法について説明する。熱伝導性基板21は、銅を圧延することにより、長手方向に連続的に、いわゆるロールツーロールで形成できる。これにより、発光部11が安価に構成できる。また、凸部21aを備えた熱伝導性基板21を、いわゆるロールツーロールで形成できれば、熱伝導性基板21の長さを、可変として、発光部11を要求に合わせて構成しうる。その後、熱伝導性基板21の凸部21aの両側面にスリット21dを形成する。さらに、熱伝導性基板21には、発光部11を植物栽培装置1に固定するため、ボルトを貫通させるための孔27が設けられていてもよい。次に、配線基板22aおよび22bについて説明する。配線基板22aおよび22b配線基板22aおよび22bは、例えば短冊状である。配線基板22bは、配線基板22aと同じ構成とし、向きを変えて用いる。よって、配線基板22aについて説明する。配線基板22aは、基体25と基体25の一方の面に設けられた導体パターン23a、23b、23c、23dと、導体パターン23a、23b、23c、23dの表面および基体25の一方の面の導体パターン23a、23b、23c、23dが設けられていない表面を覆うレジスト膜26とを備えている。配線基板22aの基体25の他方の面が接着層24を介して熱伝導性基板21の表面21cに接着されている。なお、配線基板22aの一部は、熱伝導性基板21の凸部21aの側面に設けられたスリット21dにはめ込まれている。配線基板22aの導体パターン23aは、帯状であって、配線基板22aの長手方向に沿って、配線基板22aの一端部から他端部まで繋がって設けられている。一方、短冊状の導体パターン23bが、導体パターン23aと並行するように、相互に接続されることなく、列状に複数設けられている。そして、列状に設けられた複数の導体パターン23bの両端部に、それぞれが短冊状の導体パターン23cおよび23dが設けられている。導体パターン23cおよび23dも長手方向が、導体パターン23aに並行するように、設けられている。すなわち、配線基板22aの長辺側に沿って、複数の導体パターン23bが列状に並ぶとともに、その両端は導体パターン23cおよび23dで挟まれている。配線基板22aの導体パターン23a、23b、23c、23dの表面および配線基板22aの導体パターン23a、23b、23c、23dが設けられていない部分を覆うレジスト膜26には、導体パターン23a、23b、23c、23dの表面の一部を露出させるための開口26a、26b、26c、26d、26e、26f、26gが設けられている。具体的に説明すると、導体パターン23aの両端部には、開口26aおよび26bが設けられている。導体パターン23bには、長手方向に沿って、配線基板22aの一長辺に近い側に、開口26eが設けられている。導体パターン23cの長手方向の一方の端部配線基板22aの長手方向の一端部に開口26cが設けられ、長手方向に沿って、配線基板22aの一長辺に近い側に、開口26fが設けられている。導体パターン23dの長手方向の一方の端部配線基板22aの長手方向の一端部に開口26dが設けられ、長手方向に沿って、配線基板22aの一長辺に近い側に、開口26gが設けられている。そして、配線基板22aは、開口26e、26f、26gが設けられた側が、熱伝導性基板21の凸部21a側に対向するように、熱伝導性基板21の表面21c上に接着層24を介して接着固定されている。配線基板22bは、配線基板22aを180°回転させた構成である。そして、配線基板22bは、配線基板22aと同様に、熱伝導性基板21の表面21c上に接着固定されている。なお、導体パターン23a、23b、23c、23dは、発光部11および半導体発光素子チップ64との接続関係に基づいて定めればよく、図2aに示したパターンに限定されない。次に、配線基板22aの製造方法を説明する。配線基板22aの基体25は、例えば半導体発光素子チップ64からの光を反射させることができる白色のガラスエポキシ板を用いることができる。ガラスエポキシ板の基体25の厚さは、0.1mmとすることができる。このように薄い基体25を用いることで、発光部11を厚さ方向に曲げて使用することができる。基体25には、一方の表面には銅箔が貼り付けられている。そして、銅箔は、従来公知のフォトリソグラフィにより、導体パターン23a、23b、23c、23dに加工される。そして、導体パターン23a、23b、23c、23dおよび基体25の導体パターン23a、23b、23c、23d以外の表面がソルダレジストで覆われる。その後、従来公知のフォトリソグラフィにより、導体パターン23a、23b、23c、23d上の一部に、導体パターン23a、23b、23c、23dを露出させるように開口26a、26b、26c、26d、26e、26f、26gが形成され、レジスト膜26となる。配線基板22aおよび22bでは、開口26a、26b、26c、26dにおいて、導体パターン23a、23c、23dが、植物栽培装置1の外部に設けられた電源19や他の照明装置10の配線基板22aおよび22bなどと接続される。また、配線基板22aおよび22bでは、開口26e、26f、26gにおいて、導体パターン23b、23c、23dと半導体発光素子チップ64とが接続される。すなわち、導体パターン23b、23c、23dと半導体発光素子チップ64のp電極正極、n電極負極とが、ボンディングワイヤ65により接続されている。そして、半導体発光素子チップ64の用語は、後述する図3、4に示す青色発光チップ641と図5、6に示す赤色発光チップ642とをそれぞれ区別しないときに用いる。また、p電極の用語は、後述する図3、4に示す青色発光チップ641における第1p電極210および、図5、6に示す赤色発光チップ642における第2p電極410をそれぞれ区別しないときに用いる。同様に、n電極の用語は、後述する図3、4に示す青色発光チップ641における第1n電極240および、図5、6に示す赤色発光チップ642における第2n電極400をそれぞれ区別しないときに用いる。そして、第1の実施の形態では、図2aに示すように、複数図2では9個の半導体発光素子チップ64-1~64-9半導体発光素子チップ64が、p電極図2aではpと表記する。およびn電極同じくnと表記する。の向きを、隣接する半導体発光素子チップ64間で互い違いになるように配列されている。そして、照明装置10は、半導体発光素子チップ64およびボンディングワイヤ65を覆うように、第1の封止樹脂31が設けられている。さらに、第1の封止樹脂31と開口26e、26f、26gを覆うように、第2の封止樹脂32が設けられている。第1の封止樹脂31は、半導体発光素子チップ64の表面を覆って、外気および湿気等の侵入により半導体発光素子チップ64が劣化することを防止するとともに、ボンディングワイヤ65を覆って、ボンディングワイヤ65を固定し、半導体発光素子チップ64のp電極、n電極から剥れるのを防止する。一方、第2の封止樹脂32は開口26e、26f、26gを覆って、外気および湿気等との接触により、導体パターン23b、23c、23dが腐食するのを防止する。なお、第2の封止樹脂32は、開口26e、26f、26gが露出しないように覆えば、第1の封止樹脂31を覆わなくともよく、隣接する第1の封止樹脂31の間にあってもよい。また、第1の封止樹脂31が、開口26e、26f、26gが露出しないように覆えば、第2の封止樹脂32を省略してもよい。次に、熱伝導性基板21の凸部21aに搭載される半導体発光素子チップ64について説明する。第1の実施の形態では、半導体発光素子チップ64を直接、熱伝導性基板21の凸部21aにCOBChiponBoard実装する。半導体発光素子チップ64は、植物育成に効果が大きい赤、青が望ましく、緑、黄色、赤外、紫外のいずれの光を加えても良い。また、発光部11において、複数の半導体発光素子チップ64として、発光波長が異なるものを混合して用いてもよい。次に、半導体発光素子チップ64について説明する。ここでは、一例として、半導体発光素子チップ64として、青色光を発する半導体発光素子チップ64以下では青色発光チップ641と表記する。と、赤色光を発する半導体発光素子チップ64以下では赤色発光チップ642と表記する。とを用いる。青色発光チップ641および赤色発光チップ642は、1つの発光部11の複数の半導体発光素子チップ64として、混在して用いられてもよい。また、照明装置10が複数の発光部11を備える場合には、発光部11を単位として、青色発光チップ641のみを搭載した発光部11と、赤色発光チップ642のみを搭載した発光部11とを用いてもよい。また、青色光のみを必要とするときは、青色発光チップ641を搭載した発光部11のみを用いればよく、赤色光のみを必要とするときは赤色発光チップ642を搭載した発光部11のみを用いればよい。さらに、他の色光を発光する半導体発光素子を用いてもよい。次に、青色発光チップ641および赤色発光チップ642の一例を説明する。青色発光チップ641図3は窒化ガリウムで構成される発光層を有する青色発光チップ641の構成の一例を説明するための断面図である。図4は青色発光チップ641の上面図である。ここでは、ピーク発光波長420nm~480nmの青色発光チップ641について説明する。なお、図3に示す青色発光チップ641の断面図は、図4における上面図のIII-III線での断面図にあたる。青色発光チップ641は化合物半導体にて構成されている。以下では、III族窒化物化合物半導体、例えばInGaNで構成される発光層を有する青色発光チップ641を例として説明する。第1基板110は、III族窒化物化合物半導体とは異なる材料から構成され、第1基板110上にIII族窒化物半導体結晶がエピタキシャル成長される。第1基板110を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化珪素シリコンカーバイド:SiC、酸化亜鉛ZnO、シリコン、ゲルマニウム、窒化ガリウムなどが挙げられる。ここでは、第1基板110は、一例として、透明で、良好な結晶が得られるサファイアであるとして説明する。なお、基板にエピタキシャル成長後、他の材質の基板に貼り付け、エピタキシャル成長させた基板を除去することで、貼り付けた他の材質の基板を第1基板110とすることもできる。この青色発光チップ641は、サファイア製の第1基板110と、第1基板110上に積層される中間層120と、中間層120上に積層される下地層130と、下地層130上に積層される第1n型半導体層140と、第1n型半導体層140上に積層される第1発光層150と、第1発光層150上に積層される第1p型半導体層160とを備えている。ここで、第1n型半導体層140は、下地層130側に設けられる第1n型コンタクト層140aと第1発光層150側に設けられる第1n型クラッド層140bとを有している。また、第1発光層150は、障壁層150aと井戸層150bとが交互に積層され、2つの障壁層150aによって1つの井戸層150bを挟み込んだ構造を有している。さらに、第1p型半導体層160は、第1発光層150側に設けられる第1p型クラッド層160aと最上層に設けられる第1p型コンタクト層160bとを有する。なお、以下の説明においては、第1n型半導体層140、第1発光層150および第1p型半導体層160を、まとめて第1積層半導体層100と表記する。青色発光チップ641においては、第1p型半導体層160の第1p型コンタクト層160b上に透明正極170が積層され、透明正極170の上面170cに第1p電極210が形成されている。さらに、第1n型半導体層140の第1n型コンタクト層140aに形成された半導体層露出面140cに第1n電極240が積層されている。さらにまた、青色発光チップ641は、第1p電極210および第1n電極240のそれぞれの表面の一部を除いて、透明正極170の表面、第1積層半導体層100の表面および側面、下地層130および中間層120の側面を覆う第1保護層180を備える。この青色発光チップ641においては、第1p電極210と第1n電極240とを介して第1積層半導体層100より具体的には第1p型半導体層160、第1発光層150および第1n型半導体層140に電流を流すことで、第1発光層150が青色光を発するようになっている。なお、第1発光層150は、透明正極170側に加えて、第1基板110側および青色発光チップ641の側方第1発光層150の層方向にも青色光を発する。赤色発光チップ642図5はAlGaInPで構成される発光層を有する赤色発光チップ642の構成の一例を説明するための断面図である。図6は赤色発光チップ642の上面図である。ここでは、AlGaInPで構成された発光層を有するピーク発光波長650nm~690nmの赤色発光チップ642について説明する。なお、図5に示す赤色発光チップ642の断面図は、図6における上面図のV-V線での断面図にあたる。図5に示すように、赤色発光チップ642は、第2積層半導体層300と第2基板310とが接合されて構成されている。そして、第2積層半導体層300は、コンタクト層320、下部クラッド層として働く第2p型半導体層330、第2発光層340、上部クラッド層として働く第2n型半導体層350が、順に積層されて構成されている。そして、赤色発光チップ642は、第2n型半導体層350の上面350cに形成され、第2n電極400と、第2積層半導体層300の第2n型半導体層350、第2発光層340、第2p型半導体層330の一部を切り欠くことによって露出したコンタクト層320の上面320cに形成された第2p電極410とを備える。なお、図6に示すように、第2n電極400は、第2n型半導体層350上に、例えば格子状に形成された配線401と接続されている。配線401は、第2n電極400と同一材料により、第2n型半導体層350からの光の取り出しに影響を与えないよう、細線にて形成されている。これにより、第2n型半導体層350の電位分布を、配線401を設けない場合に比べ、より均一にし、第2発光層340からの発光の分布を均一化している。さらに、赤色発光チップ642は、第2n電極400および第2p電極410の表面の一部を除いて、コンタクト層320、第2p型半導体層330、第2発光層340、第2n型半導体層350を覆う第2保護層360を備えている。この赤色発光チップ642においては、第2n電極400を負極、第2p電極410を正極とし、両者を介して第2積層半導体層300より具体的には、コンタクト層320、第2p型半導体層330、第2発光層340および第2n型半導体層350に電流を流すことで、第2発光層340が発光するようになっている。そして、発生した光は、第2n電極400および配線401が設けられていない第2n型半導体層350の上面や、第2基板310の側面より、赤色発光チップ642の外部に取り出される。第2基板310は、角度αで傾斜した傾斜面310bを有し、光取り出し効率を高めた形状となっている。上記した青色発光チップ641および赤色発光チップ642は、一例であって、これ以外の構造の半導体発光素子チップ、これら以外のピーク発光波長を有する半導体発光素子チップを用いうることは明らかである。なお、本実施の形態では、前述したように、青色発光チップ641と赤色発光チップ642とを使用目的に対応させて用いればよい。よって、青色発光チップ641と赤色発光チップ642とをそれぞれ区別しないときは、半導体発光素子チップ64と表記し、前述したように、青色発光チップ641における第1p電極210および赤色発光チップ642における第2p電極410をそれぞれ区別しないときはp電極と、青色発光チップ641における第1n電極240および赤色発光チップ642における第2n電極400をそれぞれ区別しないときはn電極と表記している。次に、図2aおよびbを参照しつつ、発光部11の製造方法および動作を説明する。発光部11の製造方法と発光部11の動作凸部21aが設けられた熱伝導性基板21の表面21c上に、配線基板22aおよび22bが接着層24を介して接着される。このとき、配線基板22aおよび22bの一部が、熱伝導性基板21のスリット21dにはめ込まれる。接着層24としては、熱伝導性にすぐれた接着剤であるのが好ましい。また、熱伝導性基板21は、金属等であれば、熱伝導性を有すると同時に、電気伝導性も有する。配線基板22aおよび22bの基体25がガラスエポキシ板であれば、絶縁性を有している。よって、接着層24が絶縁性を有しなくとも配線基板22aおよび22bの導体パターン23a、23b、23c、23dと、熱伝導性基板21とが短絡することはない。しかし、接着層24が絶縁性を有しているのが好ましい。次に、熱伝導性基板21の凸部21aの表面21bに、半導体発光素子チップ64青色発光チップ641および/または赤色発光チップ642が接着固定される。半導体発光素子チップ64の凸部21aへの接着固定には、エポキシ樹脂系またはシリコーン樹脂系の接着剤や銀ペーストなどのダイボンド剤を用いうる。そして、半導体発光素子チップ64のp電極、n電極は、ボンディングワイヤ65により、配線基板22aおよび22bの開口26e、26f、26gを介して導体パターン23b、23c、23dと接続される。このため、半導体発光素子チップ64は、配線基板22aおよび22bの開口26e、26f、26gに対応して、熱伝導性基板21の凸部21aの予め定められた位置に接着固定される。その後、第1の封止樹脂31により半導体発光素子チップ64およびボンディングワイヤ65が封止される。さらに、第2の封止樹脂32で開口26e、26f、26gが封止される。第1の封止樹脂31および第2の封止樹脂32は、半導体発光素子チップ64の発光波長に対して透明な各種樹脂を適用して差し支えない。また、第1の封止樹脂31および第2の封止樹脂32は、半導体発光素子チップ64が発する光を吸収してより長波長の光を発する蛍光体を均一に分散させた透明樹脂であってもよい。例えば、半導体発光素子チップ64が青色発光チップ641である場合に、青色発光チップ641が発する青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、青色発光チップ641が発する青色光を吸収して赤色光を発する赤色蛍光体とを含んでもよい。青色発光チップ641が発する青色光と、透明樹脂に含まれる緑色蛍光体が発する緑色光と、同じく透明樹脂に含まれる赤色蛍光体が発する赤色光とによって、青、緑、赤の3原色が揃う。これにより、第1の封止樹脂31および/または第2の封止樹脂32の上面から、白色光が出射されるようになっていてもよい。また、上記赤色蛍光体と緑色蛍光体の代わりに黄色蛍光体を使っても良い。第1の封止樹脂31は、未硬化状態の透明樹脂ペースト蛍光体を含んでもよいを、吐出装置を用いたポッティング法で、熱伝導性基板21の凸部21aの半導体発光素子チップ64が接着固定された位置に、半導体発光素子チップ64およびボンディングワイヤ65を覆うようにポッティング滴下される。次に、未硬化状態の透明樹脂ペーストを硬化させて第1の封止樹脂31を形成する。硬化の処理は、例えば、加熱または紫外線照射等で行えばよい。第1の封止樹脂31としては、剛性に優れたエポキシ樹脂系の封止材料を用いることができる。さらに、第2の封止樹脂32で、第1の封止樹脂31で覆われなかった開口26e、26f、26gを封止する。第2の封止樹脂32としては、柔軟性に優れたシリコーン樹脂系の封止材料を用いることができる。第2の封止樹脂32は、第1の封止樹脂31と同様に形成すればよい。なお、未硬化の第1の封止樹脂31と、未硬化の第2の封止樹脂32とが混合するのを抑制するため、第2の封止樹脂32の形成は、第1の封止樹脂31を硬化させたのちに行うのが好ましい。ここで、第1の封止樹脂31と第2の封止樹脂32とを用いる理由を説明する。熱伝導性基板21は、例えば厚さが1mmの銅であれば、容易に厚さ方向に曲げることができる。このため、発光部11の使用状況によっては、熱伝導性基板21を変形させて用いてもよい。特に、植物栽培用途の場合、照射面が大面積になるため、熱伝導性基板21の取り付け面は、必ずしも平坦ではない。よって、熱伝導性基板21には前述したような柔軟性が必要である。そこで、熱伝導性基板21を変形させた場合でも、剛性に優れた第1の封止樹脂31で、半導体発光素子チップ64およびボンディングワイヤ65を固定しているので、半導体発光素子チップ64およびボンディングワイヤ65に応力がかかることが抑制される。一方、柔軟性に優れた第2の封止樹脂32で封止された半導体発光素子チップ64間は、熱伝導性基板21の変形に追随して、変形することができる。すなわち、熱伝導性基板21を変形して曲げて使用しても、剛性に優れた第1の封止樹脂31で覆われている半導体発光素子チップ64およびボンディングワイヤ65の部分は変形せず、半導体発光素子チップ64は安定に動作する。一方、第2の封止樹脂32は、熱伝導性基板21の変形曲げに柔軟に追随し、熱伝導性基板21を曲げることに対する妨げにならない。このように、熱伝導性基板21を柔軟に曲げて使用することができるので、照明装置10を熱伝導性基板21の厚さ方向に変形させて曲げて、植物栽培装置1に取り付けることができる。なお、熱伝導性基板21を曲げて使用することがない場合は、第2の封止樹脂32を使用することなく、第1の封止樹脂31のみで、半導体発光素子チップ64、ボンディングワイヤ65および開口26e、26f、26gを封止してもよい。図2bに示したように、本実施の形態において、半導体発光素子チップ64は、熱伝導性基板21の凸部21a上にある。そして、配線基板22aおよび22bの厚さは、凸部21aの高さより小さい。よって、凸部21a上に設けられた半導体発光素子チップ64の発光層第1発光層150または/および第2発光層340から側方に発する光は、配線基板22aおよび22bによって妨げられない。すなわち、凸部21aの表面は、配線基板22aおよび22bの表面を含む面と同じまたは配線基板22aおよび22bの表面を含む面から突出していることが好ましい。これにより、反射部12へ光が効率的に照射され、反射部12で光が反射して栽培対象である植物2へ照射される。次に、図2aを参照しつつ、発光部11の動作を説明する。発光部11において、熱伝導性基板21の凸部21aの表面21b上に搭載された複数の半導体発光素子チップ64は、配線基板22aおよび22bの導体パターン23b、23c、23dを介して直列に接続されている。例えば、図2aにおいて、半導体発光素子チップ64-1のp電極pは、配線基板22aの導体パターン23cに接続され、n電極nは、配線基板22bの導体パターン23dに接続されている。そして、配線基板22bの導体パターン23dには、半導体発光素子チップ64-2のp電極pが接続されている。半導体発光素子チップ64-2のn電極nは導体パターン23bに接続されている。導体パターン23bには、半導体発光素子チップ64-3のp電極pが接続されている。このように、半導体発光素子チップ64-1~64-9は、p電極とn電極とが互いに接続されている。すなわち、半導体発光素子チップ64-1~64-9は直列に接続されている。これにより、配線基板22aの導体パターン23cの開口26cを正とし、配線基板22bの開口26cを負として、電源19図1参照に接続すると、半導体発光素子チップ64-1~64-9のそれぞれに同じ値の順方向電流が流れる。ここでは、発光部11の複数の半導体発光素子チップ64が直列に接続されているとしたが、複数の半導体発光素子チップ64のそれぞれが、複数の半導体発光素子チップ64を並列に設けたものであってもよい。このとき、各半導体発光素子チップ64に流れる電流は、配線基板22aの開口26cから、配線基板22bの開口26cへと流れる電流値を、並列に設けた半導体発光素子チップ64の数で割った値となる。次に、配線基板22aおよび22bの使用方法についてさらに説明する。熱伝導性基板21の長手方向の大きさは、例えば150mmである。すると、150mmを超える大きさの照明装置10を実現するには、図2に示した発光部11を複数用いることになる。このとき、複数の発光部11により容易に照明装置10が構成できることが好ましい。これには、照明装置10を構成するそれぞれの発光部11の配線基板22aおよび22bが、簡易な方法で電気的に接続されることが好ましい。図7は、2個の発光部11aおよび11bから構成される発光部11を示した図である。ここでは、図中右側を発光部11aとし、左側を発光部11bとする。発光部11aおよび11bは、図2に示した発光部11であるとする。よって、発光部11aおよび11bのそれぞれについての詳細な説明を省略し、発光部11aおよび11bの電気的な接続関係を説明する。まず、発光部11aおよび11bのそれぞれの配線基板22aおよび22bについて説明する。発光部11aの配線基板22aの導体パターン23aと導体パターン23cとは、開口26aと開口26cとを介して接続配線28aで接続されている。発光部11aの配線基板22bについても同様である。さらに、発光部11bの配線基板22aおよび22bにおいても同様である。次に、発光部11aと発光部11bとの接続について説明する。発光部11aの配線基板22aの導体パターン23aと発光部11bの配線基板22aの導体パターン23aとは、発光部11aの配線基板22aの開口26bと、発光部11bの配線基板22aの開口26aとを介して、接続配線28bで接続されている。同様に、発光部11aの配線基板22bの導体パターン23aと発光部11bの配線基板22bの導体パターン23aとは、発光部11aの配線基板22bの開口26aと、発光部11bの配線基板22bの開口26bとを介して、接続配線28cで接続されている。すなわち、発光部11aおよび発光部11bのそれぞれの配線基板22aの導体パターン23aは同電位になるように接続されている。同様に、発光部11aおよび発光部11bのそれぞれの配線基板22bの導体パターン23aも同電位になるように接続されている。接続配線28a、28b、28cは、開口26a、26b、26cにおいて、導体パターン23a、23cに、銅などの板状または棒状の金属片をハンダなどで固定したものであってよい。また、接続配線28a、28b、28cは、ボンディングワイヤであってもよい。発光部11aの配線基板22aの導体パターン23aに、開口26aを介して電源19図1参照の正の端子を接続し、発光部11bの配線基板22bの導体パターン23aに、開口26aを介して電源19の負の端子を接続する。電源19から、発光部11aに搭載された複数の半導体発光素子チップ64に直列に電流が供給される。同時に、電源19から発光部11bに搭載された複数の半導体発光素子チップ64に直列に電流が供給される。すなわち、発光部11aおよび発光部11bは並列に駆動される。なお、照明装置10は発光部11aおよび発光部11bの2個で構成されるとしたが、3個以上であってもよい。また、発光部11aおよび発光部11bは並列に駆動されるとしたが、複数の発光部11の一部を直列に接続してもよい。導体パターン23a、23b、23c、23dの接続の関係を変えることにより、多様な組み合わせに対応できる。例えば、半導体発光素子チップ64の順方向電位Vfが2Vであって、直列に接続した半導体発光素子チップ64の数を23とすれば、電源19は46Vを供給すればよい。電源19が供給する電流は、半導体発光素子チップ64に流す電流による。例えば、1個の半導体発光素子チップ64に流れる電流が100mAであって、照明装置10が並列に駆動される2個の発光部11からなる場合は、200mAとなる。4個の発光部11からなる場合は、電源19が供給する電流は400mAとなる。また、図2に示した発光部11が並列に配置された複数の半導体発光素子チップ64からなる場合には、並列に配置された半導体発光素子チップ64の個数に比例して、電源19が供給する電流を増加させればよい。本実施の形態に示す配線基板22aおよび22bは、図2aに示したように、配線基板22aおよび22bの長手方向に沿って設けられた導体パターン23aを有することから、複数の発光部11を簡易に接続することができる。次に、反射部12について説明する。反射部12反射部12は、図1に示したように、発光部11に取り付けて構成されている。反射部12は、発光部11が発光した光を効率的に集め、植物2に照射するため、図1に示したような半円状またはパラボラ状などの断面形状が望ましい。しかし、反射部12は、加工が容易なように、直線を折り曲げて構成した直線的な断面形状でもよい。反射部12は、発光部11や棚板15に取り付ければよい。反射部12は、反射率の高いアルミニウム等の金属に、さらに反射率の高い銀、金などのメッキ膜を施したものであることが、反射率および放熱性の点で好ましい。一方、棚板15、発光部11で、充分な放熱性能が得られているのであれば、反射部12は、反射率の高い白色の樹脂等であってもよい。樹脂材料は放熱性が金属材料に比べると劣るが、軽量なため、照明装置10の重量負荷が低減できる。また、樹脂材料は金属材料よりもコストが安いというメリットもある。また、反射部12は、図示しないが、発光部11の熱伝導性基板21の短手方向の長さを延長して、延長した部分を所定の角度に折り曲げることで構成してもよい。放熱性が向上する点および組み立てが容易になる点で望ましい。また、棚板15に直接、発光部11を取りつけ、棚板15の発光部11を取り付ける面に山谷を設けた構造体例えば、山型、波板状または蛇腹状とし、発光部11を谷部に取りつけ、傾斜面を反射部12として利用する構成も、放熱性が向上する点と組み立てが容易になる点で望ましい。次に、照明装置10について説明する。照明装置10照明装置10は、図1に示したように、発光部11に反射部12を取り付けて構成されている。発光部11に反射部12を取り付けた照明装置10を製造し、この照明装置10を植物栽培装置1の棚板15に取り付けてもよい。また、植物栽培装置1の棚板15に、反射部12を取り付けたのちに、反射部12に発光部11を取り付けてもよい。いずれにおいても、発光部11が発する熱が反射部12を介して棚板15に放熱されるように取り付けられればよい。なお、照明装置10は、熱伝導性基板21に設けられたボルトを貫通させるための孔27にボルトを貫通させ、植物栽培装置1に固定してもよい。反射部12にも、熱伝導性基板21に設けられたボルトを貫通させるための孔27に対応した孔を設けておけばよい。上述したように、半導体発光素子チップ64は、熱伝導性に優れた熱伝導性基板21上に接着固定されている。よって、半導体発光素子チップ64が発した熱は、まず熱伝導性基板21に熱伝導により放熱される。次に、半導体発光素子チップ64が発した熱は、熱伝導性基板21から棚板15に熱伝導により放熱される。棚板15は、熱伝導性に優れるとともに、熱容量が大きいので、照明装置10の発する熱を放熱できる。また、一部が発光部11の熱伝導性基板21に接触して設けられている反射部12は、冷却フィンとしても働く。すなわち、本実施の形態では、照明装置10に搭載された半導体発光素子チップ64の発熱を効率よく放熱し、照明装置10の温度の上昇を抑制できる。これにより、照明装置10、すなわち半導体発光素子チップ64を冷却するための、水冷または空冷を不要とできる。また、熱伝導性基板21は連続して製造することができるので、照明装置10を安価に実現できる。さらに、照明装置10が反射部12を備えていることで、植物2に集光できるので、植物育成の効率が高くなる。なお、熱伝導性基板21が柔軟性を有する銅などで構成されていると、発光部11を熱伝導性基板21の厚さ方向に変形させて曲げて、植物栽培装置1に取り付けることができる。これにより、照明装置10を棚板15に密着して取り付けることができ、照明装置10から棚板15への熱伝導をより確保することができる。[第2の実施の形態]第1の実施の形態では、ベアチップである半導体発光素子チップ64を熱伝導性基板21の凸部21aに搭載した。第2の実施の形態では、それぞれが半導体発光素子チップ64を搭載した複数の発光素子パッケージ20を熱伝導性基板21の凸部21aに搭載する。第2の実施の形態においても、半導体発光素子チップ64は、青色発光チップ641または赤色発光チップ642のいずれであってもよい。図8は、第2の実施の形態が適用される照明装置10の発光部11の一例を示した図である。発光部11は、第1の実施の形態における照明装置10と同様に、一方の面に、一体に形成された凸部21aを有する熱伝導性基板21と、凸部21aの表面21bに設けられた複数の発光部品の一例としての発光素子パッケージ20-1~20-8と、熱伝導性基板21の凸部21a以外の表面21cに接着層24図2参照を介して設けられた配線基板22aおよび22bとを備えている。発光素子パッケージ20-1~20-8は、後述する図9に示すように複数の半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dを搭載している。そして、熱伝導性基板21と一体に形成された凸部21aは、熱伝導性基板21の長手方向に連続して構成され、その表面21bは、発光素子パッケージ20が搭載可能な幅を有している。なお、本実施の形態における熱伝導性基板21では、凸部21aの側面にスリットを設けていない。なお、半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dをそれぞれ区別しないときは半導体発光素子チップ64と表記する。また、発光素子パッケージ20-1~20-8をそれぞれ区別しないときは発光素子パッケージ20と表記する。以下では、第2の実施の形態が適用される照明装置10の発光部11において、第1の実施の形態と異なる部分を中心に説明し、同様な部分は、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。熱伝導性基板21は、例えば上面から見た形状が矩形の板状であって、熱伝導性に優れた材料により構成されている。そして、熱伝導性基板21と一体に形成された凸部21aの表面21bは、発光素子パッケージ20において、半導体発光素子チップ64が接着固定される搭載部63後述する図9参照が搭載可能な幅を有している。他の構成は、第1の実施の形態における熱伝導性基板21と同様である。配線基板22aおよび22bは、第1の実施の形態における配線基板22aおよび22bと同様に、例えば短冊状である。本実施の形態でも、配線基板22aおよび22bは、同じ構成であるので、以下では配線基板22aについて説明する。配線基板22aは、導体パターン23a、23b、23c、23d、23eを備えている。導体パターン23aは、帯状であって、配線基板22aの長辺側に沿って、配線基板22aの一端部から他端部まで繋がって設けられている。一方、E字状の導体パターン23bと23eとが、横にしたEが互いにかみ合うように交互に、相互に接続されることなく、導体パターン23aの長手方向と並行するように、列状に複数設けられている。なお、列状に設けられた複数の導体パターン23bおよび23eの列の両端部は、ともに導体パターン23bとなっている。さらに、複数の導体パターン23bおよび23eの列を挟むように、それぞれの一端部がコの字状となった短冊状の導体パターン23cおよび23dが設けられている。導体パターン23cおよび23dも長手方向が、導体パターン23aの長手方向に並行するように、設けられている。配線基板22aの導体パターン23a、23b、23c、23d、23eの表面および配線基板22aの導体パターン23a、23b、23c、23d、23eが設けられていない部分は、図示しないレジスト膜26で覆われている。そして、レジスト膜26には、導体パターン23a、23c、23dの一部を露出させた開口26a、26b、26c、26dが設けられている。さらに、レジスト膜26には、発光素子パッケージ20のリード部62a、62b、62c、62d、62e、62f図9a参照と、導体パターン23b、23c、23d、23eとを接続するために、図示しない開口が設けられている。具体的に説明すると、導体パターン23aの両端部に開口26aおよび26bが設けられている。導体パターン23cの長手方向の一端部に開口26cが設けられ、導体パターン23dの長手方向の一端部に開口26dが設けられている。発光素子パッケージ20は、半導体発光素子チップ64を搭載する搭載部63において、熱伝導性基板21の凸部21aに接着固定されている。そして、発光素子パッケージ20のリード部62a、62b、62c、62d、62e、62fが、導体パターン23b、23c、23d、23eと接続されている。発光素子パッケージ20のリード部62a、62b、62c、62d、62e、62fは、搭載された半導体発光素子チップ64のp電極およびn電極との接続関係により、p側図8ではpと記載する。、n側図8ではnと記載する。が定められている。図9は、発光素子パッケージ20の一例を示した図である。図9aは発光素子パッケージ20の上面図、図9bは発光素子パッケージ20の図9aのIXB-IXB線での断面図を示している。この発光素子パッケージ20は、平面状に形成された開口部71に凹部61aが形成された樹脂容器61、樹脂容器61と一体化した6個のリード部62a、62b、62c、62d、62e、62fおよび搭載部63と、搭載部63に搭載された4個の半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dとを備えている。半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dは、青色発光チップ641または赤色発光チップ642のいずれであってもよい。樹脂容器61は、リード部62a、62b、62c、62d、62e、62fおよび搭載部63に、白色顔料が含有された熱可塑性樹脂以下の説明では白色樹脂と呼ぶを射出成型することによって形成されている。また、ハンダリフローなどの温度がかかる工程に対応できるよう、白色樹脂は、耐熱性が十分考慮された材質が選定されている。基材となる樹脂としてはPPApolyphthalamideが最も一般的であるが、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどでもよい。中でも、本実施の形態では、PPAとして、ジアミンとイソフタル酸またはテレフタル酸との共重合体であるナイロン4T、ナイロン6T、ナイロン6I、ナイロン9T、ナイロンM5Tが特に好ましく用いることができる。樹脂容器61に設けられる凹部61aは、矩形を有する底面70と、同じく矩形状を有する開口部71と、底面70の周縁から開口部71に向けて立ち上がる壁面80とを備えている。ここで、底面70は、凹部61aに露出するリード部62a、62b、62c、62d、62e、62fおよび搭載部63との間の隙間の樹脂容器61の白色樹脂とによって構成されている。一方、壁面80は、樹脂容器61を構成する白色樹脂によって構成されている。なお、底面70の形状については、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよい。また、開口部71の形状については、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよく、底面形状と同一でもよい。半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dは、凹部61aの底面70に配設された搭載部63に、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂からなるダイボンド剤で接着され、固定されている。そして、発光素子パッケージ20は、図9aに示すように、半導体発光素子チップ64aのp電極が、pと記載するリード部62aに、半導体発光素子チップ64aのn電極が、nと記載するリード部62bに、ボンディングワイヤ65により接続されている。同様に、半導体発光素子チップ64bのp電極が、pと記載するリード部62cに、半導体発光素子チップ64bのn電極が、nと記載するリード部62bに、ボンディングワイヤ65により接続されている。半導体発光素子チップ64cのp電極が、pと記載するリード部62eに、半導体発光素子チップ64cのn電極が、nと記載するリード部62dに、ボンディングワイヤ65により接続されている。半導体発光素子チップ64dのp電極が、pと記載するリード部62eに、半導体発光素子チップ64dのn電極が、nと記載するリード部62fに、ボンディングワイヤ65により接続されている。すなわち、リード部62bは、半導体発光素子チップ64a、64bのn電極が共通に接続される。リード部62eは、半導体発光素子チップ64c、64dのp電極が共通に接続される。すなわち、発光素子パッケージ20は、図9aの左側に示すリード部62a、62b、62cがpnpの順になっているのに対し、図9aの右側のリード部62d、62e、62fが、npnの順になっていて、pとnとの関係が逆になっている。ここで、リード部62a、62b、62c、62d、62e、62fおよび搭載部63は、0.1~0.5mm程度の厚みをもつ金属板であり、銅合金等の金属をベースとし、その表面には銀メッキが施されることによって銀メッキ層が形成されている。すなわち、搭載部63は熱伝導性に優れた金属で構成されている。なお、半導体発光素子チップ64の数は、4個に限定されることなく、4個より少なくてもよく、4個より多くてもよい。発光素子パッケージ20の樹脂容器61の開口部71は、樹脂容器61の表面61bに設けたシール層66に接着された透明部材67で覆われている。透明部材67は、半導体発光素子チップ64の発する光の透過性が高いものであればよく、ガラス、アクリル樹脂などを用いることができる。なお、シール層66を介して透明部材67で開口部71を覆う代わりに、第1の実施の形態における第1の封止樹脂31または/および第2の封止樹脂32により、半導体発光素子チップ64およびボンディングワイヤ65を覆って封止してもよい。ここで、図8および図9により、照明装置10の動作を説明する。配線基板22aの開口26cを正に、開口26dを負に設定することで、複数の発光素子パッケージ20に搭載された半導体発光素子チップ64に直列に電流が流れるようになっている。以下では、具体的に説明する。第2の実施の形態では、図8に示すように、複数図8では8個の発光素子パッケージ20-1~20-8発光素子パッケージ20が、隣接する発光素子パッケージ20間で向きが互い違いになるように配列されている。すなわち、図8に示すように、照明装置10の8個の発光素子パッケージ20-1~20-8は、図8中右から順に、リード部62a、62b、62c、62d、62e、62fの向きを交互に変えて配列されている。これにより、配線基板22aの導体パターン23cは、発光素子パッケージ20-1のリード部62epに接続され、半導体発光素子チップ64cと64dのp電極に接続される。半導体発光素子チップ64cと64dのn電極は、リード部62dおよび62fnに接続され、配線基板22aの導体パターン23bを介して、発光素子パッケージ20-2のリード部62aおよび62cpに接続され、発光素子パッケージ20-2の半導体発光素子チップ64aおよび64bのp電極に接続されている。そして、発光素子パッケージ20-2の半導体発光素子チップ64aおよび64bのn電極が、配線基板22aの導体パターン23eを介して、発光素子パッケージ20-3の半導体発光素子チップ64cおよび64dのp電極に接続されている。そして、発光素子パッケージ20-8の半導体発光素子チップ64aと64bとのn電極が接続されたリード部62bが、配線基板22aの導体パターン23dに接続される。よって、配線基板22aの導体パターン23cを正とし、配線基板22aの導体パターン23dを負とするように電源19図1参照に接続すれば、発光素子パッケージ20-1~20-8の半導体発光素子チップ64を順方向に電流が流れ、半導体発光素子チップ64が発光する。すなわち、発光素子パッケージ20-1の半導体発光素子チップ64cと64dとが並列に接続され、発光素子パッケージ20-2の半導体発光素子チップ64aと64bとが並列に接続されている。そして、発光素子パッケージ20-1の並列に接続された半導体発光素子チップ64cと64dと、発光素子パッケージ20-2の並列に接続された半導体発光素子チップ64aと64bとが、直列に接続されている。このようにして、発光素子パッケージ20-1~20-8のそれぞれの並列に接続された半導体発光素子チップ64aと64bとのペアまたは半導体発光素子チップ64cと64dとのペアが、直列に接続されている。2個の半導体発光素子チップ64aおよび64b半導体発光素子チップ64cおよび64dのペアが8段直列に接続されていることになる。配線基板22bにおいても同様であって、発光素子パッケージ20-1の半導体発光素子チップ64aと64bとが並列に接続され、発光素子パッケージ20-2の半導体発光素子チップ64cと64dとが並列に接続されている。そして、発光素子パッケージ20-1の並列に接続された半導体発光素子チップ64aと64bと、発光素子パッケージ20-2の並列に接続された半導体発光素子チップ64cと64dとが、直列に接続されている。なお、照明装置10の構成は、第1の実施の形態と同様である。上述したように、半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dは、熱伝導性に優れた発光素子パッケージ20の搭載部63に搭載され、搭載部63は熱伝導性基板21上に接着固定されている。これにより、半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dが発する熱は、搭載部63を介して熱伝導性基板21に熱伝導により放熱される。次に、半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dが発した熱は、熱伝導性基板21から、反射部12を介して、棚板15に熱伝導により放熱される。棚板15は、熱伝導性に優れるとともに、熱容量が大きいので、照明装置10の発する熱を放熱できる。反射鏡を構成する反射部12は、熱を外気に放熱する放熱フィンとしても働いている。よって、本実施の形態では、照明装置10に搭載された半導体発光素子チップ64の発熱を効率よく放熱し、照明装置10の温度の上昇を抑制できる。これにより、照明装置10、すなわち半導体発光素子チップ64a、64b、64c、64dを冷却するための、水冷または空冷を不要とできる。また、熱伝導性基板21は連続して製造することができるので、照明装置10を安価に実現できる。なお、熱伝導性基板21が柔軟性を有する銅などで構成されていると、発光部11を熱伝導性基板21の厚さ方向に変形させて曲げて、植物栽培装置1に取り付けることができる。これにより、照明装置10を棚板15に密着して取り付けることができ、照明装置10から棚板15への熱伝導をより確保することができる。第2の実施の形態においても、複数の発光部11を、第1の実施の形態において示したと同様、相互に接続することにより、熱伝導性基板21の長手方向の大きさによって制限を受けない照明装置10を構成することができる。なお、配線基板22aおよび22bの導体パターン23a、23b、23c、23d、23eの形状は、図8に示した形状に限定されず、変更して用いることができる。さらに、発光部11に搭載する発光素子パッケージ20の個数は8個に限定されず、変更して用いることができる。