"第1の方向の一方側端部から他方側端部に延在した細長形状を有する複数の第1の導電型の第1の表面と、前記他方側端部から一方側端部に延在した細長形状を有する複数の第2の導電型の第2の表面とを、一主面に有する光電変換部と、前記複数の第1の表面のそれぞれの上において前記第1の方向の一方側端部から他方側端部に延在するように配された複数の第1のフィンガー部と、前記複数の第1のフィンガー部が電気的に接続されており、前記光電変換部の一主面の前記一方側端部に配された第1のバスバー部と、を有する第1の電極と、前記複数の第2の表面のそれぞれの上において前記他方側端部から一方側端部に向かって延在するように配された複数の第2のフィンガー部と、前記複数の第2のフィンガー部が電気的に接続されており、前記光電変換部の一主面の前記他方側端部に配された第2のバスバー部と、を有する第2の電極と、を備え、前記第2のバスバー部は、前記第1のフィンガー部及び前記第2のフィンガー部の上に跨って連続的に配され、前記第1のフィンガー部と前記第2のバスバー部とを絶縁する第1の絶縁層を有する、太陽電池。請求項1に記載の太陽電池において、前記第1の電極は少数キャリアを収集する電極であり、前記第2の電極は多数キャリアを収集する電極である。請求項1または2に記載の太陽電池において、前記第1のバスバー部は、前記第1のフィンガー部及び前記第2のフィンガー部の上に跨って連続的に配され、前記第1のバスバー部と前記第2のフィンガー部とを絶縁する第2の絶縁層を有する。請求項3に記載の太陽電池において、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とは一体に設けられている。請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池において、前記第1の電極及び前記第2の電極のそれぞれは、第1の透明導電性酸化物層と、前記第1の透明導電性酸化物層の上に配された第2の透明導電性酸化物層と、前記第2の透明導電性酸化物層の上に配された金属層とを含み、前記第2のバスバー部では、前記第2の透明導電性酸化物層及び前記金属層が、前記第1のフィンガー部及び前記第2のフィンガー部の上に跨がって連続的に配されている。請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池において、前記光電変換部は、第1または第2の導電型を有する半導体材料からなる基板と、前記基板の前記一主面の上に配されており、前記第1の表面を構成している第1の半導体層と、前記基板の前記一主面の上に配されており、前記第2の表面を構成している第2の半導体層と、を有する。請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池において、前記光電変換部は、第1または第2の導電型を有する半導体材料からなる基板と、前記基板に設けられており、前記第1の表面を構成している第1のドーパント拡散領域と、前記基板に設けられており、前記第2の表面を構成している第2のドーパント拡散領域と、を有する。近年、太陽電池の光電変換効率をさらに改善したいという要望が高まってきている。本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することにある。本発明に係る太陽電池は、光電変換部と、第1の電極と、第2の電極とを備えている。光電変換部は、細長形状を有する複数の第1の導電型の第1の表面と、細長形状を有する複数の第2の導電型の第2の表面とを、一主面に有する。複数の第1の表面は、第1の方向の一方側端部から他方側端部に延在している。複数の第2の表面は、他方側端部から一方側端部に延在している。第1の電極は、複数の第1のフィンガー部と、第1のバスバー部とを有する。複数の第1のフィンガー部は、複数の第1の表面のそれぞれの上において第1の方向の一方側端部から他方側端部に延在するように配されている。第1のバスバー部には、複数の第1のフィンガー部が電気的に接続されている。第1のバスバー部は、光電変換部の一主面の一方側端部に配されている。第2の電極は、複数の第2のフィンガー部と、第2のバスバー部とを有する。複数の第2のフィンガー部は、複数の第2の表面のそれぞれの上において他方側端部から一方側端部に向かって延在するように配されている。第2のバスバー部には、複数の第2のフィンガー部が電気的に接続されている。第2のバスバー部は、光電変換部の一主面の他方側端部に配されている。第2のバスバー部は、第1のフィンガー部及び第2のフィンガー部の上に跨って連続的に配されている。本発明に係る太陽電池は、第1の絶縁層をさらに備えている。第1の絶縁層は、第1のフィンガー部と第2のバスバー部とを絶縁している。本発明によれば、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。以下、本発明の好ましい実施形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる一例である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態などにおいて参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。《第1の実施形態》太陽電池1の構成図1は、本実施形態に係る太陽電池1の裏面側の略図的平面図である。図2は、図1の線II-IIにおける略図的断面図である。図3は、図1の線III-IIIにおける略図的断面図である。図4は、図1の線IV-IVにおける略図的断面図である。図5は、図1の線V-Vにおける略図的断面図である。図6は、図1の線VI-VIにおける略図的断面図である。太陽電池1は、光電変換部10を備えている。光電変換部10は、受光によりキャリア電子及び正孔を発生させる部分である。光電変換部10は、第1の主面10a及び第2の主面10bを有する。光電変換部10は、主として第1の主面10aの略全面において受光する。このため、第1の主面10aを受光面といい、第2の主面10bを裏面ということもある。太陽電池1の光電変換部10は、p型またはn型の導電型を有する半導体材料からなる基板11と、p型半導体層12pと、n型半導体層12nとを備えている。基板11は、第1の主面11a及び第2の主面11bを有する。第1の主面11aは受光面側にあり、第2の主面11bは裏面側にある。本実施形態では、基板11をn型としているため、正孔が少数キャリアとなり、電子が多数キャリアとなる。p型半導体層12pとn型半導体層12nとのそれぞれは、基板11の第2の主面11bの上に配されている。p型半導体層12pは、y方向第1の方向のy2側端部一方側端部からy1側端部他方側端部側に向かって延びる細長形状を有する。一方、n型半導体層12nは、y方向のy1側端部からy2側端部側に向かって延びる細長形状を有する。また、p型半導体層12pと、n型半導体層12nとは、x方向に沿って交互に配列されている。光電変換部10の第2の主面10bには、p型半導体層12pのp型表面10bpと、n型半導体層12nのn型表面10bnとが含まれる。p型表面10bpは、y方向のy2側端部からy1側端部側に向かって延びる細長形状を有する。一方、n型表面10bnは、y方向のy1側端部からy2側端部側に向かって延びる細長形状を有する。また、p型表面10bpとn型表面10bnとは、y方向と交差するx方向第2の方向に沿って交互に配されている。なお、基板11の第1の主面11aが、光電変換部10の第1の主面10aを構成してもよい。或いは、基板11の第1の主面11a上に、パッシベーション層または反射防止層、或いはパッシベーション層と反射防止層との積層構造を有していてもよい。この場合には、パッシベーション層又は反射防止層が、光電変換部10の第1の主面10aを構成する。p型半導体層12pのx方向の両端部は、n型半導体層12nのx方向の両端部の上方に位置している。p型半導体層12pのx方向の端部と、n型半導体層12nのx方向の端部とは、絶縁層28によって隔離されている。なお、基板11は、例えば、n型の結晶シリコンにより構成することができる。p型半導体層12pは、p型のアモルファスシリコンにより構成することができる。n型半導体層12nは、n型のアモルファスシリコンにより構成することができる。p型半導体層12p及びn型半導体層12nのそれぞれは、水素を含むことが好ましい。n型半導体層12nと基板11との間には、例えば、数Å~250Å程度の、発電に実質的に寄与しない程度の厚みのi型半導体層が配されていてもよい。同様に、p型半導体層12pと基板11との間には、例えば、数Å~250Å程度の、発電に実質的に寄与しない程度の厚みのi型半導体層が配されていてもよい。i型半導体層は、例えば、i型のアモルファスシリコンにより構成することができる。i型半導体層は、水素を含むことが好ましい。絶縁層28は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素或いは酸窒化ケイ素などにより構成することができる。絶縁層28は、水素を含んでいることが好ましい。p型表面10bpには、p側電極13pが電気的に接続されている。このp側電極13pは、少数キャリアである正孔を収集するための電極である。図1に示されるように、p側電極13pは、機能上、複数のp側フィンガー部14pと、p側バスバー部15pとを有する。複数のp側フィンガー部14pのそれぞれは、p型表面10bpの上において、y方向のy2側端部からy1側端部にまで延在するように配されている。複数のp側フィンガー部14pは、x方向に沿って相互に間隔をおいて配列されている。p側バスバー部15pには、複数のp側フィンガー部14pが電気的に接続されている。p側バスバー部15pは、光電変換部10の第2の主面10b上のy方向のy2側端部に位置する辺に沿って延びるように配されている。本実施形態では、具体的には、p側バスバー部15pは、光電変換部10の第2の主面10bのy方向のy2側端部において、複数のp側フィンガー部14p及び後述する複数のn側フィンガー部14nの上に跨がって連続的に配されている。p側バスバー部15pは、複数のp側フィンガー部14pのy方向の一方側端部の上に配されている。n型表面10bnには、n側電極13nが電気的に接続されている。このn側電極13nは、多数キャリアである電子を収集するための電極である。図1に示されるように、n側電極13nは、機能上、複数のn側フィンガー部14nと、n側バスバー部15nとを有する。複数のn側フィンガー部14nのそれぞれは、n型表面10bnの上において、y方向のy1側端部からy2側端部側に向かって延びるように配されている。複数のn側フィンガー部14nは、x方向に沿って相互に間隔をおいて配列されている。複数のn側フィンガー部14nと複数のp側フィンガー部14pとは、x方向に沿って交互に配列されている。n側バスバー部15nには、複数のn側フィンガー部14nが電気的に接続されている。n側バスバー部15nは、光電変換部10の第2の主面10b上のy方向のy1側端部に位置する辺に沿って延びるように配されている。n側バスバー部15nは、光電変換部10の第2の主面10bのy方向のy1側端部において、複数のp側フィンガー部14p及び複数のn側フィンガー部14nの上に跨がって連続的に配されている。n側バスバー部15nは、複数のn側フィンガー部14nのy方向の他方側端部の上に配されている。p側電極13pは、構成上、第1のp側TCO層21及び第2のp側TCO層22と、p側金属層23とを備えている。第1のp側TCO層21は、p型表面10bpの上に配されている。第2のp側TCO層22は、第1のp側TCO層21の上に配されている。p側金属層23は、第2のp側TCO層22の上に配されている。具体的には、図2及び図3に示されるように、p側電極13pのうち、p側フィンガー部14pのn側バスバー部15nの下方に位置する部分以外の部分は、第1のp側TCO層21及び第2のp側TCO層22とp側金属層23とを備えている。p側フィンガー部14pのn側バスバー部15nの下方に位置する部分は、第1のp側TCO層21により構成されており、第2のp側TCO層22及びp側金属層23を有さない。また、図3に示されるように、p側バスバー部15pは、第1のp側TCO層21及び第2のp側TCO層22と、p側金属層23とを備えている。但し、p側バスバー部15pでは、第1のp側TCO層21は、p型半導体層12pのp型表面10bp上では設けられているが、n型半導体層12nのn型表面10bn上の一部で設けられていない。一方、第2のp側TCO層22とp側金属層23は、p型半導体層12pのp型表面10bp上でもn型半導体層12nのn型表面10bn上でも設けられている。n側電極13nは、構成上、第1のn側TCO層24及び第2のn側TCO層25と、n側金属層26とを備えている。第1のn側TCO層24は、n型表面10bnの上に配されている。第2のn側TCO層25は、第1のn側TCO層24の上に配されている。n側金属層26は、第2のn側TCO層25の上に配されている。具体的には、図2および図4に示されるように、n側電極13nのうち、n側フィンガー部14nのp側バスバー部15pの下方に位置する部分以外の部分は、第1のn側TCO層24及び第2のn側TCO層25と、n側金属層26とを備えている。図3に示されるように、n側フィンガー部14nのp側バスバー部15pの下方に位置する部分は、第1のn側TCO層24により構成されており、第2のn側TCO層25及びn側金属層26を有さない。また、図4に示されるように、n側バスバー部15nは、第1のn側TCO層24と、第2のn側TCO層25と、n側金属層26とを備えている。但し、n側バスバー部15nでは、第1のn側TCO層24は、n型半導体層12nのn型表面10bn上では設けられているが、p型半導体層12pのp型表面10bp上の一部で設けられていない。一方、第2のn側TCO層25とn側金属層26は、n型半導体層12nのn型表面10bn上でもp型半導体層12pのp型表面10bp上でも設けられている。第1のp側TCO層21、第2のp側TCO層22、第1のn側TCO層24及び第2のn側TCO層25のそれぞれは、例えば、ドーパントを含む酸化インジウムや酸化亜鉛などの透明導電性酸化物TransparentConductiveOxideにより構成することができる。p側金属層23及びn側金属層26は、例えば、Cu、Ag,Au,Alなどの金属、或いはそれらの金属のうちの一種以上を含む合金により構成することができる。p側金属層23及びn側金属層26は、例えばめっき膜であってもよい。太陽電池1では、p側フィンガー部14pとn側バスバー部15nとを絶縁する絶縁層27が配されている。また、この絶縁層27は、n側フィンガー部14nとp側バスバー部15pとをも絶縁している。すなわち、本実施形態では、p側フィンガー部14pとn側バスバー部15nとを絶縁する第1の絶縁層と、n側フィンガー部14nとp側バスバー部15pとを絶縁する第2の絶縁層が一体に設けられている。絶縁層27は、窒化ケイ素、酸化ケイ素などにより構成することができる。絶縁層27には、貫通孔27a、27bが設けられている。n側バスバー部15nの下には、p側フィンガー部14p上に絶縁層27が配された領域と、p側フィンガー部14pと絶縁層27とが配されておらず、第1のn側TCO層24が貫通孔27bによって絶縁層27から露出した領域とが、x方向に沿って交互に設けられている。貫通孔27bを経由して、第2のn側TCO層25は、第1のn側TCO層24と接続されている。p側バスバー部15pの下には、n側フィンガー部14n上に絶縁層27が配された領域と、n側フィンガー部14nと絶縁層27とが配されておらず、第1のp側TCO層21が貫通孔27aによって絶縁層27から露出した領域とが、x方向に沿って交互に設けられている。貫通孔27aを経由して、第2のp側TCO層22は、第1のp側TCO層21と接続されている。太陽電池1の製造方法図7~図11のそれぞれは、太陽電池1の製造工程を説明するための略図的断面図である。なお、図7~図11に示す略図的断面図は、図1に示す線II-IIに対応する部分を表すものである。太陽電池1の製造方法の一例について説明する。まず、半導体材料からなる基板11の第2の主面11bの上に、n型半導体層12nを構成するための半導体層30と、第1のn側TCO層24を構成するためのTCO層31とを、この順番で形成する図7。半導体層30及びTCO層31のそれぞれは、例えば、プラズマCVD法などのCVDChemicalVaporDeposition法、スパッタリング法などの薄層形成法により形成することができる。次に、TCO層31を部分的に除去することにより、第1のn側TCO層24を形成する。TCO層31の部分的な除去は、例えば、レジストマスクなどを用いたエッチングにより行うことができる。なお、TCO層31を形成せず、パターニングされた第1のn側TCO層24を直接形成してもよい。次に、半導体層30と第1のn側TCO層24とを覆うように、絶縁層32を形成する図8。絶縁層32は、例えば、スパッタリング法、CVD法などの薄層形成法などにより形成することができる。次に、絶縁層32及び半導体層30を部分的に除去することにより、半導体層30からn型半導体層12nを形成すると共に、基板11の第2の主面11bの一部分を露出させる。絶縁層32及び半導体層30の部分的な除去は、例えば、レジストマスクなどを用いたエッチングにより行うことができる。次に、基板11の第2の主面11bの露出部及び絶縁層32を覆うように、p型半導体層12pを構成するための半導体層33と、第1のp側TCO層21を構成するためのTCO層34とを、この順番で形成する図9。半導体層33及びTCO層34のそれぞれは、例えば、プラズマCVD法などのCVD法、スパッタリング法などの薄層形成法により形成することができる。次に半導体層33とTCO層34と絶縁層32とを部分的に除去する。これにより、絶縁層32から絶縁層28を形成する。半導体層33から細長形状のp型半導体層12pを形成する。TCO層34から第1のp側TCO層21を形成する。それと共に、第1のn側TCO層24の一部を露出させる。次に、第1のn側TCO層24の露出部と、第1のp側TCO層21とを覆うように、絶縁層27を構成するための絶縁層35を形成する図10。絶縁層35は、例えば、スパッタリング法、CVD法などの薄層形成法などにより形成することができる。次に絶縁層35を部分的に除去することにより、絶縁層27を形成すると共に、第1のp側TCO層21の一部と、第1のn側TCO層24の一部とを露出させる。絶縁層35の部分的な除去は、例えば、レジストマスクなどを用いたエッチングにより行うことができる。次に、第2のp側TCO層22及び第2のn側TCO層25を構成するためのTCO層36と、p側金属層23及びn側金属層26を構成するための金属層37とを形成する図11。TCO層36は、例えば、スパッタリング法、CVD法などの薄層形成法などにより形成することができる。p側金属層23及びn側金属層26は、例えば、スパッタリング法、CVD法などの薄層形成法、めっき法、導電性ペーストの塗布などにより形成することができる。このとき、n側バスバー部15nが形成される領域では、第1のp側TCO層21を露出させない。第1のn側TCO層24の一部を露出させるように絶縁層35の部分的な除去を行う。また、p側バスバー部15pが形成される領域では、第1のn側TCO層24を露出させない。第1のp側TCO層21の一部を露出させるように絶縁層35の部分的な除去を行う。最後に、TCO層36と金属層37とを部分的に除去することにより、TCO層36から第2のp側TCO層22及び第2のn側TCO層25を形成すると共に、金属層37からp側金属層23及びn側金属層26を形成する図2。このとき、n側バスバー部15n及びp側バスバー部15pが形成される領域では、TCO層36と金属層37の除去は行わない。ただし、n側バスバー部15nが形成される領域とp側フィンガー部14pが形成される領域との間では、TCO層36と金属層37の除去が行われる。同様に、p側バスバー部15pが形成される領域とn側フィンガー部14nが形成される領域との間では、TCO層36と金属層37の除去が行われる。なお、TCO層36と金属層37との部分的な除去は、例えば、レジストマスクなどを用いたエッチングにより行うことができる。以上の工程により、太陽電池1を完成させることができる。ところで、従来の太陽電池では、例えば、多数キャリアを収集するためのn側バスバー部の下方の領域には、n型表面が位置しており、p型表面及びp側電極は位置していない。このため、この領域で発生した少数キャリアである正孔は、p側フィンガー部に収集されるまでに移動しなければならない距離が長いため、p側フィンガー部により収集されるまでに再結合により消失しやすい。同様に、基板のp側バスバー部の下方の領域で発生した電子は、n側フィンガー部により収集されるまでに移動しなければならない距離が長いため、n側フィンガー部により収集されるまでに再結合により消失しやすい。それに対して本実施形態では、n側バスバー部15nが、p型表面10bpの上に配されたp側フィンガー部14p及びn側フィンガー部14nの上に跨がって連続的に配されている。このため、基板11のn側バスバー部15nの下方の領域で発生した正孔がp側フィンガー部14pにより収集されるまでに移動しなければならない距離が短い。よって、この領域で発生した正孔の再結合による消失を抑制することができる。また、p側バスバー部15pが、n型表面10bnの上に配されたn側フィンガー部14n及びp側フィンガー部14pの上に跨がって連続的に配されている。このため、基板11のp側バスバー部15pの下方の領域で発生した電子がn側フィンガー部14nにより収集されるまでに移動しなければならない距離が短い。よって、この領域で発生した電子の再結合による消失を抑制することができる。従って、太陽電池1では、改善された光電変換効率を実現することができる。なお、n側バスバー部15n及びp側バスバー部15pとの一方のみと、光電変換部10との間に、p側フィンガー部14pまたはn側フィンガー部14nが配されている場合であっても、光電変換効率を改善できるという効果が得られる。但し、光電変換効率の向上には、少数キャリアの再結合による消失の抑制が大きく寄与することから、少なくとも、n側バスバー部15nと光電変換部10との間にp側フィンガー部14pが配されていることが好ましい。本実施形態に係る太陽電池1には、複数のp側フィンガー部14pが電気的に接続されたp側バスバー部15pが設けられている。このため、例えば、金属層23をめっきにより、容易に厚く形成することができる。同様に、太陽電池1には、複数のn側フィンガー部14nが電気的に接続されたn側バスバー部15nが設けられている。このため、例えば、金属層26をめっきにより、容易に厚く形成することができる。太陽電池1では、p側電極13p及びn側電極13nのそれぞれが、第1のp側TCO層21,第2のp側TCO層22,第1のn側TCO層24及び第2のn側TCO層25に加えて、これらのTCO層よりも電気抵抗が低いp側金属層23及びn側金属層26を有する。このため、p側電極13p及びn側電極13nのそれぞれの電気抵抗が低い。従って、より改善された光電変換効率を得ることができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の説明において、第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。第2の実施形態図12は、第2の実施形態における太陽電池の略図的断面図である。第1の実施形態に係る太陽電池1では、光電変換部10が、半導体材料からなる基板11と、p型表面10bpを構成しているp型半導体層12pと、n型表面10bnを構成しているn型半導体層12nとを有していた。但し、本発明において、光電変換部は、一主面にp型表面とn型表面とを有するものである限りにおいて特に限定されない。例えば、図12に示されるように、第2の実施形態に係る太陽電池2の光電変換部10は、半導体材料からなる基板40と、n型表面10bnを構成しているn型ドーパント拡散領域40nと、p型表面10bpを構成しているp型ドーパント拡散領域40pとを有していてもよい。なお、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。例えば、バスバー部と光電変換部との間に位置しているフィンガー部が、TCO層と金属層との積層体、または金属層のみによって構成されていてもよい。p側バスバー部とn側バスバー部とのうちの一方と光電変換部との間には、フィンガー部が設けられていなくてもよい。半導体材料からなる基板の導電型はp型であってもよい。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"