"直流入力電源の電圧を絶縁された所定の直流出力電圧に変換する直流-直流変換装置であって、前記直流入力電源と直列に接続される一次側半導体スイッチと変圧器一次巻線との直列回路と、前記変圧器の二次巻線電圧を整流する整流ダイオードと、前記整流ダイオードの出力電圧を平滑する直流リアクトルと平滑コンデンサとから成る平滑フィルタと、前記直流リアクトルの電流を還流させる還流ダイオードと、前記整流ダイオードと逆並列に接続される第1のMOSFETと、前記還流ダイオードと逆並列に接続される第2のMOSFETと、を備え、前記平滑コンデンサの両端電圧を直流出力とするフォワード形直流-直流変換装置において、前記直流出力の電圧は、前記一次側半導体スイッチのオンオフにより制御され、前記第1のMOSFETのオン時間幅は、前の周期の前記一次側半導体スイッチのオフ時間幅内の二次側直流リアクトルに電流が流れる時間幅と、前記直流出力の電圧と、前記変圧器二次巻線の電圧とにより演算し、前記第2のMOSFETのオン時間幅は、前記一次側半導体スイッチの直前のオン時間幅と、前記直流出力の電圧と、前記変圧器二次巻線の電圧とにより演算する演算回路を備えることを特徴とするフォワード形直流-直流変換装置。前記一次側半導体スイッチのオン又はオフの時間幅は、前記変圧器の二次巻線電圧がゼロクロスするタイミングの検出により得ることを特徴とする請求項1に記載のフォワード形直流-直流変換装置。前記変圧器の二次巻線電圧の極性の判定結果と、前記第1又は第2のMOSFETの両端電圧が零近傍であるか否かの判定結果とに基づいて、前記第1又は第2のMOSFETのオンのタイミングを決定することを特徴とする請求項1又は2に記載のフォワード形直流-直流変換装置。前記変圧器の二次巻線電圧は、第1のMOSFETの両端電圧と第2のMOSFETの両端電圧との差分にて求めることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のフォワード形直流-直流変換装置。前記一次側半導体スイッチのオフ時間幅内に、前記第1及び第2のMOSFETの両端電圧を検出し、前記両端電圧が零近傍の電圧を越えている場合に、前記直流リアクトルの電流が断続している不連続モードであると判定することを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載のフォワード形直流-直流変換装置。上述のように、同期整流回路の駆動方式には種々の構成がある。同期整流回路の変換効率を向上させるためには、電流がダイオードの順方向に流れる時間を極力少なくし、またダイオードのスイッチング時の逆電流とMOSFETの貫通電流を阻止することが重要であり、同期整流回路のMOSFETをオンオフするタイミングを最適化することが必要である。図6aの従来例で変圧器の巻線電圧の位相を進めるPLL回路を用いると変換効率の高い同期整流が可能であるが、PLL回路の応答は1周期以上の遅れとなることから、入力電圧や負荷の急激な変動に対しては応答できず損失が増大する。図6bの従来例では、一次回路の信号を絶縁するための変圧器が必要で、部品点数や実装面積が増加する。図6cの従来例では、電流のdi/dtが大きい場合、検出遅れが生じ、逆電流や貫通電流が流れ、変換効率が低下する。従って、本願発明の課題は、一次側回路からの信号を受け取ることなく、二次側同期整流回路の損失を低減できる駆動回路を適用したフォワード形直流-直流変換装置を提供することである。上述の課題を解決するために、第1の発明においては、直流入力電源と直列に接続される一次側半導体スイッチと変圧器一次巻線との直列回路と、前記変圧器の二次巻線電圧を整流する整流ダイオードと、前記整流ダイオードの出力電圧を平滑する直流リアクトルと平滑コンデンサとから成る平滑フィルタと、前記直流リアクトルの電流を還流させる還流ダイオードと、前記整流ダイオードと逆並列に接続される第1のMOSFETと、前記還流ダイオードと逆並列に接続される第2のMOSFETと、を備え、前記平滑コンデンサの両端電圧を直流出力とするフォワード形直流-直流変換装置に関する。前記直流出力の電圧は、前記一次側半導体スイッチのオンオフにより制御され、前記第1のMOSFETのオン時間幅は、前の周期の前記一次側半導体スイッチのオフ時間幅内の二次側直流リアクトルに電流が流れる時間幅と、前記直流出力の電圧と、前記変圧器二次巻線の電圧とにより演算し、前記第2のMOSFETのオン時間幅は、前記一次側半導体スイッチの直前のオン時間幅と、前記直流出力の電圧と、前記変圧器二次巻線の電圧とにより演算する演算回路を備える。第2の発明においては、第1の発明における前記一次側半導体スイッチのオン又はオフの時間幅は、前記変圧器の二次巻線電圧がゼロクロスするタイミングの検出により得る。第3の発明では、第1又は第2の発明において、前記変圧器の二次巻線電圧の極性の判定結果と、前記第1又は第2のMOSFETの両端電圧が零近傍であるか否かの判定結果とに基づいて、前記第1又は第2のMOSFETのオンタイミングを決定する。第4の発明においては、第1~第3の発明における、前記変圧器の二次巻線電圧は、第1のMOSFETの両端電圧と第2のMOSFETの両端電圧との差分にて求める。第5の発明では、第1~第4の発明において、前記一次側半導体スイッチのオフ時間幅内に、前記第1及び第2のMOSFETの両端電圧を検出し、前記両端電圧が零近傍の電圧を越えている場合に、前記直流リアクトルの電流が断続している不連続モードであると判定する。本発明では、変圧器の一次側回路からの信号を受け取ることなく、変圧器の二次巻線電圧、直流出力電圧、及び直前のオン時間幅又はオフ時間幅を組合せて把握することにより、同期整流用MOSFETのオン時間幅及びオフ時間幅を演算している。この結果、最適な駆動が可能となり、変換効率の高いフォワード形直流-直流変換装置を提供することが可能となる。本発明の要点は、変圧器を用いた絶縁型のフォワード形直流-直流変換回路の二次側同期整流回路において、整流用ダイオードと逆並列接続された第1のMOSFETのオン時間幅は、前の周期の一次側半導体スイッチのオフ時間幅内の二次側直流リアクトルに電流が流れる時間幅と、直流出力の電圧と、変圧器二次巻線の電圧とにより演算し、還流用ダイオードと逆並列接続された第2のMOSFETのオン時間幅は、一次側半導体スイッチの直前のオン時間幅と、直流出力の電圧と、変圧器二次巻線の電圧とにより演算する演算回路を備える点である。図1に、本発明の第1の実施例を示す。本発明を適用したフォワード形直流-直流変換装置の主回路と制御回路の構成を示す。主回路構成は従来技術と同様であるので制御回路について説明する。変圧器Trの二次巻線n2の電圧をVn2、整流用MOSFETQ2の両端電圧をVD3、還流用MOSFETQ3の両端電圧をVD4、直流出力電圧をVo、及びリアクトルLの両端電圧をVLとする。制御回路CNTは直流出力電圧検出器G1、MOSFET3の両端電圧検出器G2、MOSFET2の両端電圧検出器G3、演算部CALC、タイミング検出用の高周波発振器OSC、制御回路電源PS、MOSFETQ2の駆動回路DR1、MOSFETQ3の駆動回路DR2から構成される。ここで、制御回路電源PSの入力は外部電源又は直流出力電圧の正極Poに接続する。このような構成において、MOSFETQ2、Q3のゲート駆動信号の時間幅を算出する原理を説明する。変圧器Trの二次巻線n2の電圧をVn2、リアクトルLの電圧をVLとすると、下記の関係式となる。Vn2=VD4-VD3VL=Vo-VD4また、一次側のMOSFETQ1のオン時間幅をton、この時のリアクトルの電流変化幅をΔIL1、MOSFETQ1のオフ時間幅toffにおけるリアクトル電流ILの導通時間幅をtoff’、この時のリアクトルの電流変化幅をΔIL2、リアクトルLのインダクタンスをLaとすると、図2に示すようになる。MOSFETQ1がオンの時ΔIL1=ton×VL/La=ton×Vn2-Vo/LaMOSFETQ1オフ時ΔIL2=toff’×Vo/La定常状態においては、ΔIL1=ΔIL2であるので、n番目のスイッチング周期におけるオン時間幅tonnはtonn=toff’n-1×Vo/Vn2-Vo式1となる。同様にして、n番目のスイッチング周期におけるILの導通時間幅toff’nはtoff’n=tonn×Vn2-Vo/Vo式2となる。ただし、リアクトルLの電流ILが1周期を通して連続である時toff’n=toffn式3リアクトルの電流ILが不連続である時にはtoff’n<toffn式4となる。上述のように、スイッチング周期nのオン時間幅tonnは、式1からわかるように、直前の周期のMOSFETQ1のオフ時間幅内におけるリアクトル電流ILの導通時間幅toff’n-1から求められる。同様に、スイッチング周期nのリアクトル電流ILの導通時間幅toff’nは、式2からわかるように、その周期のオン時間幅tonnから求められることがわかる。これらを実現するための実施例の制御チャート図を図3に、その動作波形図を図4と図5に示す。ここで、図4はリアクトルの電流が連続時の動作波形図で、図5は不連続時の動作波形図である。図3において、ステップAで各種変数を設定し、ステップB,Cで整流動作に入ったかを判断する。整流動作に入った場合、ステップDでMOSFETQ2をオンさせ、ステップEで直流出力電圧Voと変圧器二次巻線電圧Vn2を求め、ステップFで式1に基づいてオン時間幅tonを求める。ステップGでは、求めたオン時間幅tonに達したらMOSFETQ2をオフさせ、還流用MOSFETD3をオンさせる。ステップH,Iで還流モードになったかを判断し、還流モードになったら、ステップJでMOSFETQ3をオンさせ、ステップKで直流出力電圧Voと変圧器二次巻線電圧Vn2を求め、ステップLで式2に基づいてオフ時間幅を求める。ステップMでは、オフ時間幅内での電流が連続であるか不連続であるかを判定し、連続の場合は求めたオフ時間幅後に、不連続の場合は電流が断続したその時点でMOSFETQ3を、各々オフし、次の整流動作に移行する。図4は1周期内の電流が連続の時の動作波形で、図5は還流モード内で電流が断続する場合の動作波形である。いずれの場合も変圧器Trの二次巻線電圧Vn2の変化でゼロクロスのタイミングを検出し、一次側MOSFETQ1のオンオフを検知する。また、変圧器の二次巻線電圧Vn2の極性の判定結果と、第1又は第2のMOSFETの両端電圧VD3又はVD4が零近傍であるか否かの判定結果とに基づいて、MOSFETQ2又はQ3のオンタイミングを決定する。電流が断続する不連続モードと、両方のMOSFETがオフ状態で、MOSFETQ2の電圧VD3とQ3の電圧VD4の両方が負になるので、この条件からMOSFETQ3の信号をオフにする。ここで、電圧検出の閾値は任意の幅を持っていても良い。また、制御遅れやMOSFETのスイッチング時間を加味して、予め推定されたオフ時間よりも早くオフさせるデッドタイムを設けても良い。上記の動作を繰り返すことにより、同期整流回路の二つのMOSFETQ2、Q3を最適に駆動することが可能となり、電流がダイオードを流れる時間幅が減少し、損失が低減される。尚、MOSFETと逆並列にダイオードを接続した回路例を示したが、ダイオードはMOSFETの寄生ダイオードでも同様である。また、一次側のスイッチング回路はリセット巻線なしの構成でも同様に実現できる。"