真空密封された本体ケースと、この本体ケース内に順次設けられたターゲット部と、電子源と、を備え、前記本体ケースのターゲット部に対向する面をX線入射面とし、このX線入射面の外面の表面粗さは、この内面の表面粗さよりも粗く形成したX線センサ。前記本体ケースに開口部を設け、この開口部を蓋体で覆い、この蓋体をX線入射面とした構成とした請求項1記載のX線センサ。前記蓋体の外周を、本体ケースの開口部に溶着した構成とした請求項2に記載のX線センサ。X線源と、前記X線源から所定の間隔をおいて対向配置されたX線センサとを備え、前記X線センサとして、請求項1ないし3のいずれかに記載のX線センサを用いたことを特徴とするX線診断装置。従来のX線センサの課題は、X線の感度を均一にできないことであった。X線診断装置においては、撮像範囲を広くとるために例えば、胸部X線など、X線源に所定間隔おいて対向配置されるX線センサのX線入射面も大きな面積が必要となる。また、このX線入射面は、X線透過率を向上させるために、薄く構成することも必要となっている。このような構成において、X線センサ本体ケース内は、X線の照射エネルギーを光電変換可能とするために、X線入射面を有する蓋体によって真空密封されている。真空密封されたことにより蓋体を内側に引っ張る負圧が発生し、その負圧によって、蓋体の中央付近が内側に向けて凹形状になる応力が発生する。この応力に対しては、蓋体の面積が大きくなればなるほど、あるいは、蓋体の厚みを薄くすればするほど、その強度が低下することとなり、その結果としてX線入射面の平面性が確保できず、X線センサのX線に対する感度が均一にできなくなるのであった。そこで本発明は、X線入射面の平面度を確保し、X線の感度を均一にすることを目的とするものである。上記した目的を達成するために本発明にかかるX線センサは、真空密封された本体ケースと、この本体ケース内に順次設けられたターゲット部と、電子源と、を備え、前記本体ケースのターゲット部に対向する面をX線入射面とし、このX線入射面の外面の表面粗さは、この内面の表面粗さよりも粗く形成し、これにより所期の目的を達成するものである。以上のように本発明は、真空密封された本体ケースと、この本体ケース内に順次設けられたターゲット部と、電子源と、を備え、前記本体ケースのターゲット部に対向する面をX線入射面とし、このX線入射面の外面の表面粗さは、この内面の表面粗さよりも粗く形成したものであるので、X線照射面の平面度を確保し、X線の感度を均一に保つことができる。すなわち、本発明においては、本体ケースのX線照射面となる外面の表面粗さを、この内面の表面粗さよりも粗く形成することで、外面側に対して凸に湾曲する応力が発生するが、この力が、真空包装された容器内部の負圧によって、X線照射面の外面側を凹に湾曲する応力を相殺することとなり、その結果、X線照射面の平面度を確保することになるので、X線の感度を均一に保つことができるのである。以下、本発明にかかるX線センサ、およびそのX線センサを用いたX線診断装置の実施の一形態について、添付図面を交えて説明する。なお添付図面は、理解を容易にするために模式的な図を示している。まず、この実施の形態にかかるX線診断装置の全体構成について、図1および図2を用いて説明する。図1は本発明の実施の形態にかかるX線診断装置の構成図である。図1に示すように、X線診断装置は、X線源1と、X線源1から所定の間隔をおいて対向配置されるX線センサ2とを備え、X線源1から放射したX線を撮像対象者3に照射し、その撮像対象者3を通過したX線をX線センサ2に入射させることにより、撮像対象者3の内部の状態を目視可能とするものである。具体的には、側面視したときの形状が略半円状のアーム4の一端にX線源1が設けられ、該アーム4の他端にX線センサ2が設けられている。このようにしてX線源1とX線センサ2が所定の間隔をおいて対向配置されている。したがってアーム4によって、ベット5に横たわった撮像対象者3を挟んでX線源1とX線センサ2とを対向配置させることができるので、X線源1から放射されて撮影対象者3を通過したX線を、X線センサ2で検出することができる。アーム4は、装置本体6に回動自在に取り付けられている。装置本体6は、アーム4を回動させる駆動装置図示せずを内蔵している。このようにすることで、撮像対象者3の内部の状態を様々な角度から目視することが可能となる。図2は本発明の実施の形態にかかるX線診断装置のブロック図である。図2に示すように、X線源1はX線制御部7に接続されており、X線制御部7はコントローラ8に接続されている。コントローラ8は、X線診断装置全体の動作を統括的に制御するものである。X線制御部7は、コントローラ8からの指令信号に従って、X線源1によるX線の放射動作やX線の照射量を制御する。X線センサ2は画像処理部9に接続されている。画像処理部9は、X線センサ2から取り出された電気信号光電変換信号を検出して画像処理する。画像処理部9により処理された信号はコントローラ8に送信される。コントローラ8は、X線センサ2が検出したX線の光量強度に基づく画像、すなわち撮像対象者3の内部の状態を表示する画像をモニタ10に映し出す。またX線センサ2は、電子源制御部11にも接続されている。この電子源制御部11もコントローラ8に接続されている。電子源制御部11は、コントローラ8からの指令信号に従って、後述する電子源による電子線の照射動作や電子線の照射量を制御する。装置本体6に内蔵されているアーム4を回動させる駆動装置図示せずは移動制御部13に接続されており、移動制御部13はコントローラ8に接続されている。移動制御部13は、コントローラ8からの指令信号に従って、アーム4の回動動作を制御する。コントローラ8には、さらに入力部14が接続されている。コントローラ8は、入力部14から入力された指令に従って、X線診断装置全体の動作を統括的に制御する。続いて、この実施の形態にかかるX線センサ2について、図3ないし図6を用いて説明する。図3は本発明の実施の形態にかかるX線センサの外観を示す斜視図であり、図4は本発明の実施の形態にかかるX線センサの断面図であり、図5は本発明の実施の形態にかかるX線センサの光導電性膜の構成図であり、図6は本発明の実施の形態にかかるX線センサの制御ブロック図である。図3および図4に示すように、X線センサ2は、平面視したときの形状が矩形状の取り付け基板15を備える。また図4に示すように、取り付け基板15の主面上には、同じく矩形状の電子源16が設けられており、その電子源16の上部には、ターゲット部12が配置されている。ターゲット部12の構成としては、X線入射面側より、X線透過性基板17と、X線透過性基板17のX線入射面とは反対側の面には薄膜状電極が形成されていて、そのX線透過性基板17の薄膜状電極が形成されている面上に光導電性膜18を設けたものとなっている。より詳しくは、X線透過性基板17は、X線が入射される面X線入射面とは反対側の面が電子源16に向くように、取り付け基板15に対して対向配置されている。図示しないが、X線透過性基板17のX線入射面とは反対側の面には薄膜状電極が形成されていて、そのX線透過性基板17の薄膜状電極が形成されている面上に光導電性膜18が設けられている。さらに図3および図4に示すように、取り付け基板15の主面上において、電子源16とターゲット部12X線透過性基板17および光導電性膜18で構成は、側壁19によって四方を囲まれた状態となっており、その結果、電子源16とターゲット部は、取り付け基板15を底面とし、側壁19を側面とした本体ケース19a内に配置された構成となっている。この本体ケース19a上部の開口した部分を蓋体であるカバー20で覆うのであるが、このカバー20は、ターゲット部12と電子源16によってX線の照射エネルギーを光電変換可能とするために、本体ケース内は真空密封された状態で構成されている。図5に示すように、ターゲット部12の光導電性膜18は、X線透過性基板17の薄膜状電極21が形成されている面上に順次設けられた正孔注入阻止層22と、電界緩和層23と、X線や可視光などの照射によって発生した正孔をトラップする正孔トラップ層24と、電荷増倍機能を持つ光導電性の感度層25と、電子注入阻止層26とからなる。したがって、X線透過性基板17は、電子注入阻止層26が電子源16に向くように、取り付け基板15に対して対向配置される。これにより、電子源16は光導電性膜18の電子注入阻止層26側の面に向けて電子線を照射することができる。ここで、薄膜状電極21には酸化インジウムスズITOや酸化スズなどが使用される。また、正孔注入阻止層22には酸化セリウムCeO2が、電界緩和層23には非晶質セレンa-Seが、正孔トラップ層24には非晶質セレンa-Seとフッ化リチウムLiFが、感度層25には非晶質セレンa-Seが、電子注入阻止層26には硫化アンチモンSb2S3がそれぞれ使用される。光導電性膜18に電界緩和層23と正孔トラップ層24が設けられているのは、正孔注入阻止層22などにキズや膜厚ムラが発生している場合でも、それによる白キズの発生を抑えることができるようにするためである。すなわち、正孔注入阻止層22などにキズや膜厚ムラが発生している状態では、X線が照射されていない時でも薄膜状電極21に接続される高圧電源から正孔が常時流入し、その流入した正孔が光導電性膜18の内部電界により加速増倍して白キズとして現れてしまう。この問題に対して、薄膜状電極21と感度層25との間に正孔トラップ層24を設けることにより、正孔トラップ層24で正孔をトラップさせて、薄膜状電極21と正孔トラップ層24との間の電界を緩和させることができる。したがって、正孔注入阻止層22などにキズや膜厚ムラがある場合でも、高圧電源から流入した正孔が感度層25へ到達することを防止して、白キズを低減することができる。さらに、正孔注入阻止層22と正孔トラップ層24との間に配置された電界緩和層23により、薄膜状電極21と正孔トラップ層24との間の電界緩和領域を広げることができる。したがって、この電界緩和層23により、白キズの発生をより抑えることができる。また、この実施の形態では、電界緩和層23の厚みを、薄膜状電極21と正孔注入阻止層22とからなる層の厚みよりも厚くして、可視光用途のセンサの電界緩和層の厚み30nm程度よりも厚くしている。これにより、可視光用途のセンサよりも電界緩和効果を効果的に発揮させることができる。なお、可視光用途のセンサにおいても、薄膜状電極には酸化インジウムスズITOや酸化スズなどが使用され、正孔注入阻止層には酸化セリウムCeO2が使用され、電界緩和層には非晶質セレンa-Seが使用され、正孔トラップ層には非晶質セレンa-Seとフッ化リチウムLiFが使用され、感度層には非晶質セレンa-Seが使用され、電子注入阻止層には硫化アンチモンSb2S3が使用される。図6に示すように、電子源16には、電子線を照射するための電圧Vdが供給される。さらに電子源16は、電子源制御部11に含まれるX走査ドライバ27とY走査ドライバ28に接続している。したがって、電子源16は、X走査ドライバ27とY走査ドライバ28により、光導電性膜18の電子注入阻止層26側の面に電子線を走査する。またX線センサ2は、図6に示すように、複数の開口が設けられたメッシュ29を備えてもよい。メッシュ29は、電子源16から照射される電子線を加速させたり、集束させたり、余剰電子を回収するために設けられる中間電極であり、電子源制御部11に含まれるメッシュ電圧印可部30に接続している。メッシュ電圧印可部30はメッシュ29に正電圧メッシュ電圧Vmeshを印可する。メッシュ29は、公知の金属材料、合金、半導体材料等で形成することができる。薄膜状電極21は、高電圧Vharpを供給する高電圧源31に接続している。この高電圧Vharpにより、光導電性膜18の感度層25に高電界がかかる。さらに薄膜状電極21は画像処理部9に接続している。画像処理部9は、上述したように、薄膜状電極21から取り出された光電変換信号を検出して画像処理する。光電変換信号のレベルは、X線透過性基板17のX線入射面に入射される光の光量強度に応じて変化する。以上の説明で本実施形態における、基本的な構成及び作用が理解されたところで、以下、本実施形態における特徴点について説明をする。実施の形態1図4に示されるX線センサ2において取り付け基板15、側壁19、カバー20によって囲まれるX線センサ本体ケース19a内部は真空密封されている。このため取り付け基板15、側壁19、カバー20には真空による負圧のため、X線センサ本体ケース19a内部の方向に引っ張られるので、X線照射面となるカバー20の外面側を凹に湾曲する応力が発生する。この応力に対して、取り付け基板15、側壁19の板厚を厚くして、機械的な強度増強することで、X線センサ本体ケース19a内部の負圧による応力の影響を抑制することができることとなるが、カバー20は同様の方法で板厚を厚くすると、材料の如何に係わらずX線をより吸収してしまい、X線センサ2の感度が低下してしまう。このためカバー20は板厚を増やせないため、図7に示すように、カバー20の外面側が本体ケース19aの内部の負圧によって凹に変形をする。また、図7に示すようにカバー20が変形した場合、X線の入射面も平面に保てないため、X線センサ2のX線に対する感度が均一にできなくなる。これらの課題への対策として、カバー20のX線入射側となる外面と、その内面の表面粗さを変えることによって、表裏で表面粗さが異なるカバー20はトワイマン効果により生じる残留応力差による影響を受け、反りが発生することとなるが、この表面粗さを、外面の表面粗さを、この内面の表面粗さよりも粗くするとカバー20はX線照射側に凸に反るようになり、X線センサ本体ケース19a内部の負圧の影響を緩和でき、図4に示すようにより薄い板厚のカバー20で感度が均一なX線センサ2を構成できることとなる。ここでカバー20の材料は真空密封を行うため気密性が高く、X線透過率が高いものであればよい。カバー20の断面図を図8に示す。目視で見た場合、内面32は外面31と比較して光の反射率が高いのでより鏡面に見える。AFM原子間力顕微鏡で測定した場合、内面32は外面31と比較して凹凸が少ないため加工傷が少なく、表面粗さも小さく測定される。具体的には図8に示すようにカバー20のX線入射側である外面31とターゲット部12側である内面32の表面状態は異なる。AFMで測定される表面粗さの項目はRaJISB0601:2001に定義してある算術平均粗さ、うねり成分は除くがある。Raは長さLの測定エリアの凹凸曲線を関数fxとした場合、fxを積分した値をさらにLで割った値であり、測定した表面全体の凹凸形状を平均化した値である。即ち内面32のRa<外面31のRaとなる。カバー20の内面32はCMPや化学研磨、数μm以下の粒子径の研磨剤による精密研磨による仕上げが好ましい。一方外面31は内面32よりも粒子径の大きい研磨剤による研磨による加工での仕上げが好ましい。またはブラスト加工を行ってもよい。図9に示すようにカバー20の外側にCFRPなどの真空密封の材料には適さないがX線の透過率が高く、機械的強度の強い補強材34を貼り付けてもよい。また図10のように側壁19とカバー20を取り外し、取り付け基板15、内側側壁33、X線透過性基板17で真空密封を行い、X線透過性基板17のX線入射側の面と電子源16側の面の表面粗さを変えてもよい。以下にカバー20にガラスを用いた場合のX線センサの組み立て方法の一例を簡単に示す。ガラスの成分は特に規定しないが、ソーダライムガラスを使用した場合について示す。組立の方法はカバー20に関する点を除いて、特許文献1に記載のある方法と大きく変わるところはない。取り付け基板15、側壁19、内側側壁33はカバー20と同じソーダライムガラスを使用する。本体ケース19aの内部は真空密封される必要があるのでガスを発生しにくい材料で形成されるのが好ましく、これらの部材間もフリットガラスを使ったフリット封着などによって接合させるのが好ましい。また取り付け基板15には電子源16やメッシュ30、ターゲット部12と電気的に接続できるよう予め電極を形成させておく。電極の材質はワイヤーボンドを行いやすいように金やアルミがよい。次に電子源16を導電性ペーストで取り付け基板15にダイボンドし、ワイヤーボンディングして取り付け基板15と電気的に接合させる。そしてメッシュ29を電子源16上に設置させる。ターゲット部12は内側側壁33にインジウム等を介して接合させる。ターゲット部12、グリッド29をそれぞれ取り付け基板15など電気的に接合させた後、カバー20を側壁19と接合させる。カバー20の側壁19への接合はインジウムリング等を介して行う。カバー20を側壁19に取り付ける前に本体ケース19a内部の真空度維持を目的としてゲッターを本体ケース19a内部に装填してもよい。カバー20の取り付けは真空中で行うか、予め排気管を取り付け基板15にフリットガラスを介して取り付けておき、カバー20を側壁19に接合後本体ケース19a内部を真空排気し、チップオフにより封止をしてもよい。インジウムを用いてカバー20を圧着する場合はカバー20の外周部に予めインジウムを隙間なく均等に付着させた後、側壁19に押し付けることで圧着を行う。カバー20であるが、内面32は酸化セリウムによるCMPで仕上げをする。外面31は一般的な研磨剤であるWAアルミナまたはGC炭化珪素による研磨で仕上げを行い、カバー20の外面31と内面32の表面粗さを変化させて使用する。トワイマン効果により生じる反りは材質による差はあるが、対象物の板厚が薄いほど、平面部分の面積が大きいほど大きくなる。ガラスの直径が50mm、厚みが3mm程度であればカバー20の外面31の研磨に使用する研磨剤の粒子径は1μm程度でよい。このときカバー20を側壁19に押し付ける力は500kg程度でよい。前記構造のX線センサーではカバー20が平坦となりX線センサーの感度をより均一に保つことができる。