"下記一般式F-1で表される化合物。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。但し、R15~R18中のいずれか一つは、R’15~R’18中のいずれか一つと連結し、単結合を形成する。A11及びA12はそれぞれ独立に下記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式A-1中、Ra1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。は一般式A-1で表される置換基が一般式F-1におけるR11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する際の結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。S11はそれぞれ独立に下記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表す。R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して脂肪族炭化水素環を形成してもよい。前記一般式F-1が、下記一般式F-2で表される、請求項1に記載の化合物。一般式F-2中、R11~R16、R18、R’11~R’16、R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。A11及びA12はそれぞれ独立に前記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。前記一般式F-1又は一般式F-2において、R11~R16、R18、R’11~R’16、R’18はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す、請求項1又は2に記載の化合物。前記一般式F-1又は一般式F-2において、一般式A-1で表される置換基がR12及びR’12にそれぞれ独立に置換する、請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式A-1におけるnが1又は2を表す、請求項1~4のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式A-1において、Ra1~Ra8が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数6~14のアリール基を表す、請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。ただし、Ra1~Ra8中のいずれか少なくとも1つは前記置換基S11を表す。前記一般式A-1におけるRa3及びRa6のいずれか少なくとも1つがそれぞれ独立に、前記置換基S11を表す、請求項1~6のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式F-1又は一般式F-2におけるYが-CR21R22-を表し、該R21及びR22はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す、請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式F-1又は一般式F-2におけるYが-NR20-を表し、該R20はアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す、請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式A-1におけるXaが単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、又はアリーレン基を表す、請求項1~9のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式A-1におけるXaが単結合、酸素原子、又は炭素数1~6のアルキレン基を表す、請求項1~9のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式F-1又はF-2で表される化合物のイオン化ポテンシャルIpが4.9eV以上5.8eV以下である、請求項1~11のいずれか1項に記載の化合物。前記一般式F-1又はF-2で表される化合物の分子量が500以上2000以下である、請求項1~12のいずれか1項に記載の化合物。請求項1~13のいずれか1項に記載の化合物を含む電子ブロッキング材料。請求項1~13のいずれか1項に記載の化合物を含む膜。光電変換素子用の材料では、高い光電変換効率、高速な応答性を実現するためには、暗電流を低減するための電極からの電荷注入に対するブロッキング能だけでなく、光電変換膜中で発生した電荷を電極まで輸送できる高い電荷輸送能も必要である。電荷輸送能に乏しい材料を使用した光電変換素子では光電流が観測されないことになる。更に、カラーフィルタ設置、保護膜設置、素子のハンダ付け等、加熱工程を有する製造プロセスへの適用や保存性の向上を考慮すると、光電変換素子用の材料は、高い耐熱性を有する必要がある。一般に耐熱性の高い材料としては、vanderWaals力が大きい高分子量の材料が選択されるが、分子量大の分子は、自由度の増加、対称性の低下により、分子の内部回転にともなう分子形態のばらつきが大きくなり、分子のエネルギー状態のばらつきが増大するため電荷の移動度が低下しやすいため有機ELとその工業化最前線、第一編、第三節、p25-p27、高耐熱かつ高い移動度の材料を実現するのは困難であった。すなわち、正孔輸送を利用したジアリールアミン部分骨格を持つ光電変換素子用材料の場合、小さな値のEa電子親和力、高ホール正孔輸送性、高耐熱性を満たすように材料設計を行う必要があるが、これらの要求を満たすには構造が大きく制限されることになる。その他にも、素子構成中で適当に使用できるよう、エネルギー準位の位置が好ましい値になるような分子設計を考慮する必要がある。Ipイオン化ポテンシャルの値が小さい材料と、Eaの値の大きな材料例えば、フラーレンC60を接触させると、Ipの値が小さい材料層のHOMOからEaの値の大きな材料層のLUMOに熱励起により光電変換素子内で電荷電子、正孔が発生し、ノイズ源である暗電流が増大する。フラーレンC60と接触する電子ブロッキング層のIpは、十分大きい必要があり、かつ、フラーレンC60バルクへテロ層中でホールを輸送する材料のHOMOからホールを障壁なく受け取れる程度に小さい必要がある。即ち、電子ブロッキング層のIpはかなり限定された値になるよう設計しなければならず、上記のように元々自由度が小さかった材料設計に、更に大きな制約を加えなければならなかった。本発明は、上記のような問題点を改善すべくなされたものであり、光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。更に、暗電流の増加を低減し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子における電子ブロッキング層の形成に適した化合物を提供する。本発明による鋭意検討の結果、特定の構造の化合物を使用することで、上記の目的を達成することが分かった。本発明における下記一般式F-1で表される化合物は、縮環ジアリールアミン下記一般式A-1で表される置換基を下記の2価の連結基D-1でつないだ構造を有する化合物である。従来、電子ブロッキング層材料としては、連結基D-2で縮環ジアリールアミンをつないだ構造が提案されており、該従来の電子ブロッキング層材料は高い電荷捕集効率、高速応答性、低暗電流特性を有していたが、耐熱性は十分ではなかった。耐熱性を向上させるためには、一般的に分子量を大きくして分子間の相互作用分子間力を大きくする、縮環構造を多く導入し、分子の自由度を低下させる等の手段がとられる。しかし、相互作用の大きい材料や縮環構造をとる材料はp共役系が大きく広がっており、深いEa大きいEaの材料を含む光電変換層と相互作用して沸き出し電荷が界面で形成され、暗電流が増大しやすかった。また、分子間相互作用の抑制、高分子量化の目的で、立体障害を付与することも可能であるが、立体障害となる置換基が嵩だか過ぎると、電荷輸送能の低下に繋がり、得られた素子の高速応答性を損なうため、嵩だかい置換基は多く含まないことが好ましいとされている。しかし、本発明では、縮環ジアリールアミン一般式A-1で表される置換基を下記の2価の連結基D-1でつなぐ事で、高い電荷捕集効率、高速応答性、低暗電流特性を損なうことなく、耐熱性を向上させる事が可能となった。縮環ジアリールアミンを連結基D-1で連結した一般式F-1で表される化合物は、D-2で連結した電子ブロッキング材料と比較して、高分子量化し、耐熱性を向上させることができる。また、骨格間の結合がねじれて共役系が切断されているため、光電変換層と相互作用せずに暗電流が低く保たれていると推定される。また、電荷輸送ユニットであるジアリールアミン構造が、分子の内側ではなく、両端に導入されているため、高い電荷輸送性を有していると考えられる。Yはそれぞれ独立に、-CR21R22-、-SiR23R24-、-NR20-、酸素原子、又は硫黄原子を表し、R20~R24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表す。更に、本発明者らの検討により、連結基D―1の連結位置、一般式A-1で表される置換基の結合位置、下記置換基S11の置換位置、及び置換基S11の種類を検討する事で、応答速度の低下を起こさずに電子ブロッキング層を高耐熱化させることができた。連結基D―1の連結位置、一般式A-1で表される置換基の結合位置、下記置換基S11の置換位置、及び置換基S11の最適点を見出す事で、光電変換層との相互作用抑制、高分子量化による一般式F-1で表される化合物同士の分子間力増大の効果が強く表われ、高耐熱化したと考えられる。すなわち、上記課題は以下の手段によって解決することができる。<1>下記一般式F-1で表される化合物。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。但し、R15~R18中のいずれか一つは、R’15~R’18中のいずれか一つと連結し、単結合を形成する。A11及びA12はそれぞれ独立に下記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式A-1中、Ra1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。は一般式A-1で表される置換基が一般式F-1におけるR11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する際の結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。S11はそれぞれ独立に下記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表す。R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して脂肪族炭化水素環を形成してもよい。<2>前記一般式F-1が、下記一般式F-2で表される、上記<1>に記載の化合物。一般式F-2中、R11~R16、R18、R’11~R’16、R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。A11及びA12はそれぞれ独立に前記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。<3>前記一般式F-1又は一般式F-2において、R11~R16、R18、R’11~R’16、R’18はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す、上記<1>又は<2>に記載の化合物。<4>前記一般式F-1又は一般式F-2において、一般式A-1で表される置換基がR12及びR’12にそれぞれ独立に置換する、上記<1>~<3>のいずれか1項に記載の化合物。<5>前記一般式A-1におけるnが1又は2を表す、上記<1>~<4>のいずれか1項に記載の化合物。<6>前記一般式A-1において、Ra1~Ra8が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数6~14のアリール基を表す、上記<1>~<5>のいずれか1項に記載の化合物。ただし、Ra1~Ra8中のいずれか少なくとも1つは前記置換基S11を表す。<7>前記一般式A-1におけるRa3及びRa6のいずれか少なくとも1つがそれぞれ独立に、前記置換基S11を表す、上記<1>~<6>のいずれか1項に記載の化合物。<8>前記一般式F-1又は一般式F-2におけるYが-CR21R22-を表し、該R21及びR22はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す、上記<1>~<7>のいずれか1項に記載の化合物。<9>前記一般式F-1又は一般式F-2におけるYが-NR20-を表し、該R20はアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す、上記<1>~<7>のいずれか1項に記載の化合物。<10>前記一般式A-1におけるXaが単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、又はアリーレン基を表す、上記<1>~<9>のいずれか1項に記載の化合物。<11>前記一般式A-1におけるXaが単結合、酸素原子、又は炭素数1~6のアルキレン基を表す、上記<1>~<9>のいずれか1項に記載の化合物。<12>前記一般式F-1又はF-2で表される化合物のイオン化ポテンシャルIpが4.9eV以上5.8eV以下である、上記<1>~<11>のいずれか1項に記載の化合物。<13>前記一般式F-1又はF-2で表される化合物の分子量が500以上2000以下である、上記<1>~<12>のいずれか1項に記載の化合物。<14>上記<1>~<13>のいずれか1項に記載の化合物を含む電子ブロッキング材料。<15>上記<1>~<13>のいずれか1項に記載の化合物を含む膜。本発明は上記<1>~<15>に関するものであるが、参考のためその他の事項1~20についても記載した。1透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式F-1で表される化合物を含有する光電変換素子。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。但し、R15~R18中のいずれか一つは、R’15~R’18中のいずれか一つと連結し、単結合を形成する。A11及びA12はそれぞれ独立に下記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式A-1中、Ra1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。は結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。S11はそれぞれ独立に下記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表す。R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。2前記一般式F-1で表される化合物が、下記一般式F-2で表される化合物である上記1に記載の光電変換素子。一般式F-2中、R11~R16、R18、R’11~R’16、R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。A11及びA12はそれぞれ独立に前記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。3前記一般式F-1又は一般式F-2において、一般式A-1で表される置換基がR12及びR’12にそれぞれ独立に置換する、上記1又は2に記載の光電変換素子。4前記一般式A-1におけるnが1又は2を表す、上記1~3のいずれか1項に記載の光電変換素子。5前記一般式A-1におけるRa3及びRa6のいずれか少なくとも1つがそれぞれ独立に、前記置換基S11を表す、上記1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。6前記一般式F-1又は一般式F-2におけるYが-NR20-を表し、該R20はアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す、上記1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。7前記一般式F-1又は一般式F-2におけるYが-CR21R22-を表し、該R21及びR22はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、又は複素環基を表す、上記1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。8前記一般式F-1及びF-2で表される化合物のイオン化ポテンシャルIpが4.9eV以上5.8eV以下である、上記1~7のいずれか1項に記載の光電変換素子。9前記一般式F-1及びF-2で表される化合物の分子量が500以上2000以下である、上記1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子。10前記光電変換層がn型有機半導体を含む、上記1~9のいずれか1項に記載の光電変換素子。11前記n型有機半導体がフラーレン又はフラーレン誘導体である、上記10に記載の光電変換素子。12前記光電変換膜が下記一般式Iの化合物を含む、上記1~11のいずれか1項に記載の光電変換素子。一般式I式中、Z1は5又は6員環を形成するのに必要な原子群を表す。L1、L2、及びL3はそれぞれ独立に、無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。D1は原子群を表す。n1は0以上の整数を表す。13導電性膜、電子ブロッキング層、光電変換層、及び透明導電性膜が、この順に積層された、上記1~12のいずれか1項に記載の光電変換素子。14上記1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層及び前記電子ブロッキング層を、それぞれ真空加熱蒸着により製膜する工程を含む製造方法。15上記1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子を含む光センサ。16上記1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子を含む撮像素子。17上記1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子、上記15に記載の光センサ、又は上記16に記載の撮像素子の駆動方法であって、前記電子ブロッキング層に接触する電極を陰極に、もう一方の電極を陽極にして電圧を印加する、駆動方法。18下記一般式F-1で表される化合物。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。但し、R15~R18中のいずれか一つは、R’15~R’18中のいずれか一つと連結し、単結合を形成する。A11及びA12はそれぞれ独立に下記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式A-1中、Ra1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。は結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。S11はそれぞれ独立に下記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表す。R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。19上記18に記載の化合物を含む電子ブロッキング材料。20上記18に記載の化合物を含む膜。本発明によれば、特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供することができる。[光電変換素子]本発明の光電変換素子は、透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式F-1で表される化合物を含有する。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。但し、R15~R18中のいずれか一つは、R’15~R’18中のいずれか一つと連結し、単結合を形成する。A11及びA12はそれぞれ独立に下記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式A-1中、Ra1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。は結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。S11はそれぞれ独立に下記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表す。R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。光電変換膜中に前記一般式F-1の化合物を含む態様としては特に限定されないが、光電変換膜に更に電子親和力Eaが大きい材料好ましくはEaが4.0eV以上の材料を含む場合、この電子親和力Eaが大きい材料と前記一般式F-1の化合物とが接触した状態となるようにすることが好ましい。電子親和力Eaが大きい材料と接触した状態で前記一般式F-1の化合物を含むことにより、両材料の界面における湧き出し電荷電子、正孔の発生を効果的に抑制することができる。なお、電子親和力Eaが4.0eV以上の材料としては、後述のフラーレン又はフラーレン誘導体が好ましい。より具体的には、以下のような態様の光電変換素子が好ましい。1光電変換膜が、光電変換層と電荷ブロッキング層電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層の一方、若しくは両方を含み、光電変換層に電子親和力Eaが大きい材料を含有し、電子ブロッキング層が一般式F-1の化合物からなる態様。2光電変換膜が、光電変換層と電荷ブロッキング層電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層の一方、若しくは両方を含み、光電変換層に電子親和力Eaが大きい材料を含有し、電子ブロッキング層が複数の層から構成され、光電変換層に直接接触する電子ブロッキング層に一般式F-1の化合物が含まれる様態。上記1の態様では、一般式F-1の化合物からなる電子ブロッキング層により、電子ブロッキング層と光電変換層間の沸き出し電荷を抑制しつつ、かつ電極からの電子の注入を防止することができ、上記2の態様では、一般式F-1の化合物からなる電子ブロッキング層と光電変換層が直接接触することで該層間で沸き出し電荷が発生するのを防止することができる。一般式F-1の化合物は一般にEaが小さいため、電子ブロッキング層として用いられることが好ましい以下、本発明に係る光電変換素子の好適な実施形態について説明する。導電性膜、光電変換層、電子ブロッキング層、及び透明導電性膜がこの順に積層されているものでも良いが、好ましい態様は、導電性膜、電子ブロッキング層、光電変換層、及び透明導電性膜がこの順に積層されているものである。図1に、本実施形態に係る光電変換素子の構成例を示す。図1aに示す光電変換素子10aは、下部電極11上に、電子ブロッキング層16Aと、光電変換層12と、上部電極15がこの順に積層されたものである。図1bに示す光電変換素子10bは、下部電極11上に、電子ブロッキング層16Aと、光電変換層12と、正孔ブロッキング層16Bと、上部電極15がこの順に積層されたものである。図1a、b中の電子ブロッキング層、光電変換層、正孔ブロッキング層の積層順は、用途、特性に応じて逆にしても構わない。本実施形態に係る光電変換素子を構成する要素について説明する。電極電極上部電極透明導電性膜15と下部電極導電性膜11は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができる。上部電極15から光が入射されるため、上部電極15は検知したい光に対し十分透明である事が必要である。具体的には、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫ATO、FTO、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫ITO、酸化亜鉛インジウムIZO等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属薄膜、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、高導電性、透明性等の点から、導電性金属酸化物である。上部電極15は光電変換層12上に成膜するため、該光電変換層12の特性を劣化させることのない方法で成膜される事が好ましい。下部電極11は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明を持たせず光を反射させるような材料を用いる場合等がある。具体的には、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫ATO、FTO、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫ITO、酸化亜鉛インジウムIZO等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン、アルミニウム等の金属及びこれらの金属の酸化物や窒化物などの導電性化合物、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとITOとの積層物などが挙げられる。電極を形成する方法は特に限定されず、電極材料との適正を考慮して適宜選択することができる。具体的には、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、CVD、プラズマCVD法等の化学的方式等により形成することができる。電極の材料がITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法ゾルーゲル法など、酸化インジウム錫の分散物の塗布などの方法で形成することができる。更に、ITOを用いて作製された膜に、UV-オゾン処理、プラズマ処理などを施すことができる。上部電極15はプラズマフリーで作製することが好ましい。プラズマフリーで上部電極15を作成することで、プラズマが基板に与える影響を少なくすることができ、光電変換特性を良好にすることができる。ここで、プラズマフリーとは、上部電極15の成膜中にプラズマが発生しないか、又はプラズマ発生源から基体までの距離が2cm以上、好ましくは10cm以上、更に好ましくは20cm以上であり、基体に到達するプラズマが減ずるような状態を意味する。上部電極15の成膜中にプラズマが発生しない装置としては、例えば、電子線蒸着装置EB蒸着装置やパルスレーザー蒸着装置がある。EB蒸着装置又はパルスレーザー蒸着装置については、沢田豊監修透明導電膜の新展開シーエムシー刊、1999年、沢田豊監修透明導電膜の新展開IIシーエムシー刊、2002年、日本学術振興会著透明導電膜の技術オーム社、1999年、及びそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。以下では、EB蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をEB蒸着法と言い、パルスレーザー蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をパルスレーザー蒸着法と言う。プラズマ発生源から基体への距離が2cm以上であって基体へのプラズマの到達が減ずるような状態を実現できる装置以下、プラズマフリーである成膜装置というについては、例えば、対向ターゲット式スパッタ装置やアークプラズマ蒸着法などが考えられ、それらについては沢田豊監修透明導電膜の新展開シーエムシー刊、1999年、沢田豊監修透明導電膜の新展開IIシーエムシー刊、2002年、日本学術振興会著透明導電膜の技術オーム社、1999年、及びそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。TCOなどの透明導電膜を上部電極15とした場合、DCショート、あるいはリーク電流増大が生じる場合がある。この原因の一つは、光電変換層12に導入される微細なクラックがTCOなどの緻密な膜によってカバレッジされ、反対側の第一電極膜11との間の導通が増すためと考えられる。そのため、Alなど膜質が比較して劣る電極の場合、リーク電流の増大は生じにくい。上部電極15の膜厚を、光電変換層12の膜厚すなわち、クラックの深さに対して制御する事により、リーク電流の増大を大きく抑制できる。上部電極15の厚みは、光電変換層12厚みの1/5以下、好ましくは1/10以下であるようにする事が望ましい。通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本実施形態に係る光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子では、シート抵抗は、好ましくは100~10000Ω/□でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、上部電極透明導電性膜15は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換層12での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、非常に好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、透過率の増加を考慮すると、上部電極15の膜厚は、5~100nmであることが好ましく、更に好ましくは5~20nmである事が望ましい。電荷ブロッキング層本実施形態に係る電荷ブロッキング層は、下記一般式F-1で表される化合物を含有する。Eaの大きな材料を含む光電変換層に接するブロッキング層の材料として一般式F-1の材料を用いる事が本発明の実施態様の1つである。電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層本発明における電子ブロッキング層は一般式F-1で表される化合物を含有する。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。但し、R15~R18中のいずれか一つは、R’15~R’18中のいずれか一つと連結し、単結合を形成する。A11及びA12はそれぞれ独立に下記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式A-1中、Ra1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。は結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。S11はそれぞれ独立に下記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表す。R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。さらなる置換基の具体例は後述の置換基Wが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基であり、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、であり、更に好ましくはフッ素原子、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基であり、最も好ましくはアルキル基である。R11~R18、R’11~R’18として好ましくは、化学的安定性、電荷移動度、耐熱性の観点から、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、複素環基であり、より好ましくは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基、炭素数6~18のアリール基、又は炭素数4~16の複素環基である。中でも電荷移動度、耐熱性の観点から、一般式A-1で表される置換基がR12及びR’12にそれぞれ独立に置換することが好ましく、一般式A-1で表される置換基がR12及びR’12にそれぞれ独立に置換し、R11、R13~R18、R’11、R’13~R’18が水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基であることがより好ましく、特に好ましくは一般式A-1で表される置換基がR12及びR’12にそれぞれ独立に置換し、R11、R13~R18、R’11、R’13~R’18が水素原子である。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。すなわち、Yは炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子からなる二価の連結基を表す。該置換基としては後述の置換基Wが挙げられる。Yはそれぞれ独立に、-CR21R22-、-SiR23R24-、-NR20-、酸素原子、又は硫黄原子を表し、R20~R24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表すことが好ましい。このうち、化学的安定性、電荷移動度、耐熱性の観点から、-CR21R22-、-SiR23R24-、-NR20-、が好ましく、-CR21R22-、-NR20-、がより好ましく、-CR21R22-が特に好ましい。前記-CR21R22-において、R21及びR22は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表す。R21及びR22は更に置換基を有してもよく、そのさらなる置換基の具体例は置換基Wが挙げられ、好ましくはアルキル基、アリール基、又はアルコキシ基である。R21及びR22として好ましくは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、複素環基であり、より好ましくは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基、炭素数6~18のアリール基、又は炭素数4~16の複素環基であり、更に好ましくは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数1~18のアルキル基である。前記-SiR23R24-において、R23及びR24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表す。R23及びR24は更に置換基を有してもよく、そのさらなる置換基の具体例は置換基Wが挙げられ、好ましくはアルキル基、アリール基、又はアルコキシ基である。R23及びR24として好ましくは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、複素環基であり、より好ましくは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基、炭素数6~18のアリール基、又は炭素数4~16の複素環基であり、更に好ましくは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数1~18のアルキル基である。また、R23及びR24は結合して環を形成してもよく、該環としては脂肪族炭化水素環が好ましく、炭素数4~10の脂肪族炭化水素環がより好ましい。前記-NR20-において、R20は、好ましくは、アルキル基、アリール基、複素環基を表す。R20は更に置換基を有してもよく、そのさらなる置換基の具体例は置換基Wが挙げられ、好ましくはアルキル基、又はアリール基である。R20としてより好ましくは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基、炭素数6~18のアリール基、又は炭素数4~16の複素環基であり、更に好ましくは水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数1~18のアルキル基である。一般式A-1におけるRa1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表す。Ra1~Ra8は更に置換基を有してもよく、そのさらなる置換基の具体例は置換基Wが挙げられ、アルキル基が好ましい。また、Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。形成する環としては、炭素数5~18のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、シンノリン環、アクリジン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、プテリジン環、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾピリジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ホスホール環、ホスフィニン環、シロール環などが挙げられる。好ましくは、炭素数5~18のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、ペリレン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環であり、更に好ましくは、炭素数5~18のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環であり、特に好ましくは、炭素数5~10のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、アントラセン環であり、中でも好ましくは炭素数5~10のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環であり、最も好ましくは、炭素数5~6のシクロアルキル環、ベンゼン環、インダン環である。これらの環は更に後述する置換基Wを有していてもよい。Ra1~Ra8として、化学的安定性、電荷移動度、耐熱性の観点から、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数6~18のアリール基、炭素数4~16の複素環基が好ましく、水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~14のアリール基がより好ましく、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数6~10のアリール基が更に好ましい。アルキル基は分岐を有するものであってもよい。Ra1~Ra8の好ましい具体例としては、水素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。また、Ra3及びRa6の少なくとも一方が水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であり、かつRa1、Ra2、Ra4、Ra5、Ra7、Ra8は、水素原子である場合、又はRa2及びRa7の少なくとも一方が水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であり、かつRa1、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra8は、水素原子である場合が好ましく、Ra3及びRa6が水素原子又は炭素数1~6のアルキル基であり、かつRa1、Ra2、Ra4、Ra5、Ra7、Ra8は、水素原子である場合が特に好ましい。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。該更なる置換基の具体例は置換基Wが挙げられ、好ましくはアルキル基、又はアリール基である。Xaは、単結合、炭素数1~12のアルキレン基、炭素数2~12のアルケニレン基、炭素数6~14のアリーレン基、炭素数4~13の複素環基、酸素原子、硫黄原子、炭素数1~12の炭化水素基好ましくはアリール基又はアルキル基を有するイミノ基例えばフェニルイミノ基、メチルイミノ基、t-ブチルイミノ基、シリレン基が好ましく、単結合、酸素原子、炭素数1~6のアルキレン基例えばメチレン基、1,2-エチレン基、1,1-ジメチルメチレン基、炭素数2のアルケニレン基例えば-CH2=CH2-、炭素数6~10のアリーレン基例えば1,2-フェニレン基、2,3-ナフチレン基、シリレン基がより好ましく、単結合、酸素原子、炭素数1~6のアルキレン基例えばメチレン基、1,2-エチレン基、1,1-ジメチルメチレン基が更に好ましい。置換基S11において、R1は水素原子又はアルキル基を表す。R1として、化学的安定性、電荷移動度、耐熱性の観点から、好ましくは、炭素数1~10のアルキル基、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、iso-プロピル基、ブチル基、又はtert-ブチル基が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、iso-プロピル基、又はtert-ブチル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、iso-プロピル基、又はtert-ブチル基であり、特に好ましくはメチル基、エチル基、又はtert-ブチル基である。R2は水素原子又はアルキル基を表す。R2として、化学的安定性、電荷移動度、耐熱性の観点から、好ましくは、水素原子、又は炭素数1~10のアルキル基、より好ましくは水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基であり、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、iso-プロピル基、ブチル基、又はtert-ブチル基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、又はプロピル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基であり、特に好ましくはメチル基である。R3は水素原子又はアルキル基を表す。R3として、化学的安定性、電荷移動度、耐熱性の観点から、好ましくは、水素原子、又は炭素数1~10のアルキル基、より好ましくは水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基であり、具体的には、水素原子、又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。また、R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。該環としては、脂肪族炭化水素環が好ましい。環員数は特に限定されないが、好ましくは5~12員環であり、より好ましくは5又は6員環であり、更に好ましくは6員環である。該環としては、具体的には、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環などが挙げられる。S11は上記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。一般式A-1におけるRa3及びRa6のいずれか少なくとも1つがそれぞれ独立に、前記置換基S11を表すことが好ましい。置換基S11として好ましくは下記a~xを挙げることができ、a~jがより好ましく、a~hがより好ましく、a~fが特に好ましく、更にa~cが好ましく、aが最も好ましい。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表し、1~3が好ましく、1又は2がより好ましく、2が特に好ましい。S11で表される置換基が導入されることで、光電変換層との相互作用が抑制され、暗電流が小さくなり、高分子量化によって一般式F-1で表される化合物同士の分子間力が増大し、素子が高耐熱化する。本発明における好ましい態様の一つとして、一般式A-1で表される基において、Ra1~Ra8が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を表す場合が挙げられる。一般式A-1で表される基において、Ra1~Ra8が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を表す場合、好ましい形態のひとつは、一般式A-1が、下記一般式A-3~A-5で表される基である。一般式A-3~A-5中、Ra33~Ra38、Ra41、Ra44~Ra48、Ra51、Ra52、Ra55~Ra58は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を表す。は結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表す。S11はそれぞれ独立に前記置換基S11を示し、Ra33~Ra38、Ra41、Ra44~Ra48、Ra51、Ra52、Ra55~Ra58中のいずれかひとつとして置換する。Z31、Z41、Z51はシクロアルキル環、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を表す。nは1~4の整数を表す。一般式A-3~A-5のXa、S11、及びnは一般式A-1のXa、S11、及びnと同義であり、好ましいものも同様である。一般式A-3~A-5のRa33~Ra38、Ra41、Ra44~Ra48、Ra51、Ra52、Ra55~Ra58は一般式A-1のRa21~Ra28が表す水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基と同義であり、好ましいものも同様である。Z31、Z41、Z51はシクロアルキル環、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を表す。Z31、Z41、Z51として表される環として好ましくは、炭素数5~18のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、ペリレン環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、シンノリン環、アクリジン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、プテリジン環、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、イミダゾピリジン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ホスホール環、ホスフィニン環、シロール環などが挙げられる。より好ましくは、炭素数5~18のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、ペリレン環、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環であり、更に好ましくは、炭素数5~18のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、インドール環、カルバゾール環、インダゾール環であり、特に好ましくは、炭素数5~10のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環、アントラセン環であり、中でも好ましくは炭素数5~10のシクロアルキル環、ベンゼン環、ナフタレン環、インダン環であり、最も好ましくは、炭素数5~6のシクロアルキル環、ベンゼン環、インダン環である。これらの環は更に後述する置換基Wを有していてもよい。一般式A-1で表される基の具体例としては、下記N-1~N-135で表される基が挙げられる。但し、本発明はこれらに限定されない。一般式A-1で表される基として好ましくはN-1~N-93であり、N-1~N-79がより好ましく、N-1~N-37がより更に好ましく、N-1~N-3、N-12~N-22、N-24~N-35が中でも好ましく、N-1~N-3、N-17~N-22、N-30~N-35が特に好ましく、N-1~N-3、N-17~N-19、N-30~N-32が最も好ましい。図中のSは前述の置換基S11を表し、n’及びn‘’は各々独立に1~4の整数を表し、n’n‘’は1~4の整数である。一般式F-1で表される化合物として、好ましい形態の一つは、下記一般式F-2で表される化合物である。一般式F-2のような構造を有することで、光電変換層との相互作用が抑制され、暗電流が小さくなり、高分子量化によって分子間力が増大し、素子が高耐熱化する。一般式F-1で表される化合物は一般式F-2で表される化合物であることが好ましい。一般式F-2中、R11~R16、R18、R’11~R’16、R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。A11及びA12はそれぞれ独立に前記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式F-2において、R11~R’16、R18、R’11~R’16、R’18、Y、A11、及びA12は一般式F-1におけるR11~R’16、R18、R’11~R’16、R’18、Y、A11、及びA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。一般式F-1で表される化合物の好ましい形態の一つは、前記一般式F-1において、Yがそれぞれ独立に、-CR21R22-、-SiR23R24-、酸素原子、又は硫黄原子を表し、かつ、前記一般式A-1で表される基において、Ra1~Ra8が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を表す場合である。このような態様の化合物を電子ブロッキング層に用いることで、光電変換層との相互作用が抑制され、暗電流が小さくなり、高分子量化によって分子間力が増大し、素子が高耐熱化する。更に、一般式F-1で表される化合物の他の態様として、前記一般式F-1において、Yがそれぞれ独立に、-NR20-を表す場合も好ましい。このような態様の化合物を電子ブロッキング層に用いることで、応答速度の速い素子が得られるという効果が得られる。本発明に係る化合物のイオン化ポテンシャルIpは、電子ブロッキング層に用いた場合に光電変換層中のホール輸送を担う材料から障壁なくホールを受け取る必要があるため、光電変換層中のホール輸送を担う材料のIpより小さい必要がある。特に、可視域に感度を有するような吸収の材料を選択した場合、より多くの材料に適合するためには、本発明に係る化合物のイオン化ポテンシャルは5.8eV以下であることが好ましい。Ipが5.8eV以下であることにより、電荷輸送に対し障壁を発生させず、高い電荷捕集効率、高速応答性を発現させる効果が得られる。また、Ipは、4.9eV以上であることが好ましく、5.0eV以上あることがより好ましい。Ipが4.9eV以上であることにより、より高い暗電流抑制効果が得られる。なお、各化合物のIpは、紫外光電子分光法UPSや、大気中光電子分光装置例えば、理研計器製AC-2などによって測定できる。本発明に係る化合物のIpは骨格に結合する置換基を変えること等により前記範囲とすることができる。一般式F-1で表される化合物本発明は下記一般式F-1で表される化合物にも関する。一般式F-1で表される化合物は耐熱性に優れ、高い電荷輸送性を有しているため電子ブロッキング層の形成に適している。一般式F-1中、R11~R18、R’11~R’18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。但し、R15~R18中のいずれか一つは、R’15~R’18中のいずれか一つと連結し、単結合を形成する。A11及びA12はそれぞれ独立に下記一般式A-1で表される置換基を表し、R11~R14中のいずれか一つ、及びR’11~R’14中のいずれか一つとして置換する。Yはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又はケイ素原子を表し、これらは更に置換基を有していてもよい。一般式A-1中、Ra1~Ra8は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。Ra1~Ra8のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。は結合位置を表す。Xaは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、シリレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、シクロアルケニレン基、アリーレン基、2価の複素環基、又はイミノ基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。S11はそれぞれ独立に下記置換基S11を示し、Ra1~Ra8中のいずれかひとつとして置換する。nはそれぞれ独立に1~4の整数を表す。R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1~R3のうち少なくとも2つが互いに結合して環を形成してもよい。本発明の一般式F-1で表される化合物におけるR11~R18、R’11~R’18、A11、A12、Y、Xa、Ra1~Ra8、R1~R3、及びnは、前述した本発明の光電変換素子に含有される一般式F-1におけるR11~R18、R’11~R’18、A11、A12、Y、Xa、Ra1~Ra8、R1~R3、及びnと同義であり、また好ましい範囲も同様である。一般式F-1で表される化合物は、前記一般式F-2で表される化合物であることが好ましい。また、一般式F-1で表される化合物は、前記一般式F-1において、Yがそれぞれ独立に、-CR21R22-、-SiR23R24-、酸素原子、又は硫黄原子を表し、かつ、前記一般式A-1で表される基において、Ra1~Ra8が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を表す場合も好ましい。以下、本発明に係る一般式F-1で表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例には限定されない。また、式a~tにおいて、A11とA12、R20とR’20、R23、R24とR’23、R’24等がそれぞれ同一でない場合について、例示した構造以外の組み合わせも可能である。なお、以下の化合物例におけるB-1~B-51の部分構造は以下のものを示す。また、Me:メチル基、Et:エチル基、i-Pr:イソプロピル基、n-Bu:n-ブチル基、t-Bu:tert-ブチル基、Ph:フェニル基、2-tol:2-トルイル基、3-tol:3-トルイル基、4-tol:4-トルイル基、1-Np:1-ナフチル基、2-Np:2-ナフチル基、2-An:2-アンスリル基、2-Fn:2-フルオレニル基である。なお、下記B-27を含む化合物例c-12、i-9、l-9、p-9、q-9、s-12は一般式F-1で表される化合物の具体例ではなく、参考のために記載したものである。本発明に係る化合物の分子量は、好ましくは、500以上2000以下であり、より好ましくは、500以上1500以下であり、更に好ましくは700以上1300以下である。分子量が500以上2000以下であることにより、材料の蒸着が可能となり、耐熱性をより高くすることができる。本発明に係る化合物は、光電変換素子の効果の観点から、ハロゲンイオン及び金属イオンなどの不純物が少ないほうが好ましい。また、本発明に係る化合物は、既知の方法を応用して合成することが可能である。本発明は、前記一般式F-1で表される化合物を含む電子ブロッキング材料、及び前記一般式F-1で表される化合物を含む膜にも関する。一般式F-1の化合物の使用量としては、電荷ブロッキング層として用いる場合、単層換算で10nm以上300nm以下が好ましく、更に好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。光電変換層と電荷ブロッキング層の間に挿入する層として用いる場合は、単層換算で好ましくは100nm以下、より好ましくは50nm以下、更に好ましくは20nm以下である。本発明の光電変換素子は、一般式F-1の化合物を電子ブロッキング層に含有する。電子ブロッキング層において、電極と接する部分では、電極からの電子注入を抑制するため十分小さなEaを有する事が必要であり、それに伴い該部分のIpは結果として比較的小さくなる傾向があること、また、電子ブロッキング層の光電変換層に接する部分においては、光電変換層から電子ブロッキング層にホールをエネルギー障壁なく受け取るために、光電変換層中のホール輸送部分のIpより、小さいIpに設計しなければならないことなどの理由から、電子ブロッキングを構成する材料はIpを比較的小さく設計せざるを得ない場合が多く、その場合、一般式F-1の材料を用いると、光電変換層中のEaが大きい材料と接触した場合に、同じIpでも、沸き出し電荷をより抑制した形で用いる事ができる。電子ブロッキング層中の一般式F-1で表される化合物は、耐熱性、応答速度、効率の観点から、電子ブロッキング層を形成する全化合物質量に対して10質量以上100質量以下であることが好ましく、20質量以上100質量以下であることがより好ましく。更に好ましくは30質量以上100質量以下である。なお、図1bに示す態様のように正孔ブロッキング層を有する場合、正孔ブロッキング層を形成するための材料としては、電子受容性材料を用いることが好ましい。電子受容性材料としては、1,3-ビス4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾリルフェニレンOXD-7等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、バソクプロイン、バソフェナントロリン、及びこれらの誘導体、トリアゾール化合物、トリス8-ヒドロキシキノリナートアルミニウム錯体、ビス4-メチル-8-キノリナートアルミニウム錯体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール化合物などを用いることができる。また、電子受容性有機材料でなくとも、十分な電子輸送性を有する材料ならば使用することは可能である。ポルフィリン系化合物や、DCM4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-4-ジメチルアミノスチリル-4Hピラン等のスチリル系化合物、4Hピラン系化合物を用いることができる。具体的には、以下の化合物が好ましい。なお、以下の具体例において、Eaはその材料の電子親和力eV及びIpはその材料のイオン化ポテンシャルeVを示す。電荷ブロッキング層は、蒸着により形成することができる。蒸着は、物理蒸着PVD、化学蒸着CVDのいずれでもよいが、真空蒸着等の物理蒸着が好ましい。真空蒸着により成膜する場合、真空度、蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定することができる。電荷ブロッキング層の厚みは、10nm以上300nm以下が好ましく、更に好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。10nm以上とすることにより、好適な暗電流抑制効果が得られ、300nm以下とすることにより、好適な光電変換効率が得られる。なお、電荷ブロッキング層は複数層形成してもよい。光電変換層本発明において、光電変換層図1中の12を構成する有機材料は、p型有機半導体及びn型有機半導体の少なくとも一方を含んでいることが好ましく、n型有機半導体を含むことがより好ましい。また、本発明の効果は、光電変換層に電子親和力Eaが4.0eV以上の材料を含む場合に特に大きな効果が発現する。電子親和力Eaが4.0eV以上の材料としては、後述のn型有機半導体が挙げられる。p型有機半導体p型有機半導体化合物は、ドナー性有機半導体化合物であり、主に正孔輸送性有機化合物に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物は、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、n型アクセプター性化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いてよい。上記の中でも、好ましいのはトリアリールアミン化合物である。中でも、下記一般式Iで表されるトリアリールアミン化合物がより好ましい。式中、Z1は5又は6員環を形成するのに必要な原子群を表す。L1、L2、L3はそれぞれ無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。D1は原子群を表す。n1は0以上の整数を表す。一般式I中、Z1は5又は6員環を形成するのに必要な原子群を表す。L1、L2、L3はそれぞれ無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。D1は原子群を表す。n1は0以上の整数を表す。Z1は5又は6員環を形成するのに必要な原子群を表し、形成される環としては、通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましく、その具体例としては例えば以下のものが挙げられる。a1,3-ジカルボニル核:例えば1,3-インダンジオン核、1,3-シクロヘキサンジオン、5,5-ジメチル-1,3-シクロヘキサンジオン、1,3-ジオキサン-4,6-ジオン等。bピラゾリノン核:例えば1-フェニル-2-ピラゾリン-5-オン、3-メチル-1-フェニル-2-ピラゾリン-5-オン、1-2-ベンゾチアゾイル-3-メチル-2-ピラゾリン-5-オン等。cイソオキサゾリノン核:例えば3-フェニル-2-イソオキサゾリン-5-オン、3-メチル-2-イソオキサゾリン-5-オン等。dオキシインドール核:例えば1-アルキル-2,3-ジヒドロ-2-オキシインドール等。e2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核:例えばバルビツル酸又は2-チオバルビツル酸及びその誘導体等。誘導体としては例えば1-メチル、1-エチル等の1-アルキル体、1,3-ジメチル、1,3-ジエチル、1,3-ジブチル等の1,3-ジアルキル体、1,3-ジフェニル、1,3-ジp-クロロフェニル、1,3-ジp-エトキシカルボニルフェニル等の1,3-ジアリール体、1-エチル-3-フェニル等の1-アルキル-1-アリール体、1,3-ジ2―ピリジル等の1,3位ジヘテロ環置換体等が挙げられる。f2-チオ-2,4-チアゾリジンジオン核:例えばローダニン及びその誘導体等。誘導体としては例えば3-メチルローダニン、3-エチルローダニン、3-アリルローダニン等の3-アルキルローダニン、3-フェニルローダニン等の3-アリールローダニン、3-2-ピリジルローダニン等の3位ヘテロ環置換ローダニン等が挙げられる。g2-チオ-2,4-オキサゾリジンジオン2-チオ-2,4-3H,5H-オキサゾールジオン核:例えば3-エチル-2-チオ-2,4-オキサゾリジンジオン等。hチアナフテノン核:例えば32H-チアナフテノン-1,1-ジオキサイド等。i2-チオ-2,5-チアゾリジンジオン核:例えば3-エチル-2-チオ-2,5-チアゾリジンジオン等。j2,4-チアゾリジンジオン核:例えば2,4-チアゾリジンジオン、3-エチル-2,4-チアゾリジンジオン、3-フェニル-2,4-チアゾリジンジオン等。kチアゾリン-4-オン核:例えば4-チアゾリノン、2-エチル-4-チアゾリノン等。l2,4-イミダゾリジンジオンヒダントイン核:例えば2,4-イミダゾリジンジオン、3-エチル-2,4-イミダゾリジンジオン等。m2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン2-チオヒダントイン核:例えば2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン、3-エチル-2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン等。nイミダゾリン-5-オン核:例えば2-プロピルメルカプト-2-イミダゾリン-5-オン等。o3,5-ピラゾリジンジオン核:例えば1,2-ジフェニル-3,5-ピラゾリジンジオン、1,2-ジメチル-3,5-ピラゾリジンジオン等。pベンゾチオフェンー3-オン核:例えばベンゾチオフェンー3-オン、オキソベンゾチオフェンー3-オン、ジオキソベンゾチオフェンー3-オン等。qインダノン核:例えば1-インダノン、3-フェニルー1-インダノン、3-メチルー1-インダノン、3,3-ジフェニルー1-インダノン、3,3-ジメチルー1-インダノン等。Z1で形成される環として好ましくは、1,3-ジカルボニル核、ピラゾリノン核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含み、例えばバルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核、2-チオ-2,4-チアゾリジンジオン核、2-チオ-2,4-オキサゾリジンジオン核、2-チオ-2,5-チアゾリジンジオン核、2,4-チアゾリジンジオン核、2,4-イミダゾリジンジオン核、2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン核、2-イミダゾリン-5-オン核、3,5-ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー3-オン核、インダノン核であり、より好ましくは1,3-ジカルボニル核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含み、例えばバルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核、3,5-ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー3-オン核、インダノン核であり、更に好ましくは1,3-ジカルボニル核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含み、例えばバルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核であり、特に好ましくは1,3-インダンジオン核、バルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核及びそれらの誘導体である。Z1により形成される環として好ましいものは下記の式で表される。Z3は5ないし6員環を形成するに必要な原子群を表す。Z3としては上記Z1により形成される環中から選ぶことができ、好ましくは1,3-ジカルボニル核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含むであり、特に好ましくは1,3-インダンジオン核、バルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核及びそれらの誘導体である。アクセプター部同士の相互作用を制御する事により、C60と共蒸着膜とした際、高い正孔輸送性を発現させる事ができることを見出した。アクセプター部の構造、及び立体障害となる置換基の導入により相互作用の制御を行う事が可能である。バルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核において、2つのN位の水素を好ましくは2つとも、置換基により置換する事で好ましく分子間相互作用を制御する事が可能であり、置換基としては後述の置換基Wがあげられるが、より好ましくはアルキル基であり、更に好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、又はブチル基である。Z1により形成される環が1,3-インダンジオン核の場合、下記一般式IVで示される基又は下記一般式Vで示される基である場合が好ましい。一般式IVR41~R44はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。一般式VR41、R44、R45~R48はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。前記一般式IVで示される基の場合、R41~R44はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。また、R41~R44はそれぞれ隣接するものが、結合して環を形成することができ、R42とR43が結合して環例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環を形成する場合が好ましい。R41~R44としては全てが水素原子である場合が好ましい。前記一般式IVで示される基が前記一般式Vで示される基である場合が好ましい。前記一般式Vで示される基の場合、R41、R44、R45~R48はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。R41、R44、R45~R48としては全てが水素原子である場合が好ましい。Z1により形成される環が2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含むの場合、下記一般式VIで示される基である場合が好ましい。一般式VIR81、R82はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。R83は、酸素原子、硫黄原子又は置換基を表す。前記一般式VIで示される基の場合、R81、R82はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。R81、R82としてはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基2-ピリジル等が好ましく、炭素数1~6のアルキル基例えばメチル、エチル、n-プロピル、t-ブチルを表す場合がより好ましい。R83は、酸素原子、硫黄原子又は置換基を表すが、R83としては酸素原子、又は硫黄原子を表す場合が好ましい。前記置換基としては結合部が窒素原子であるものと炭素原子であるものが好ましく、窒素原子の場合はアルキル基炭素数1~12若しくはアリール基炭素数6~12が好ましく、具体的にはメチルアミノ基、エチルアミノ基、ブチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、フェニルアミノ基、又はナフチルアミノ基が挙げられる。炭素原子の場合は更に少なくとも一つの電子吸引性基が置換していれば良く、電子吸引性基としてはカルボニル基、シアノ基、スルホキシド基、スルホニル基、又はホスホリル基が挙げられ、更に置換基を有している場合が良い。この置換基としては前記Wが挙げられる。R83としては、該炭素原子を含む5員環又は6員環を形成するものが好ましく、具体的には下記構造のものが挙げられる。上記の基中のPhはフェニル基を表す。L1、L2、L3はそれぞれ独立に、無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。置換メチン基同士が結合して環例、6員環例えばベンゼン環を形成してもよい。置換メチン基の置換基は置換基Wが挙げられるが、L1、L2、L3は全てが無置換メチン基である場合が好ましい。n1は0以上の整数を表し、好ましくは0以上3以下の整数を表し、より好ましくは0である。n1を増大させた場合、吸収波長域が長波長にする事ができるか、熱による分解温度が低くなる。可視域に適切な吸収を有し、かつ蒸着成膜時の熱分解を抑制する点でn1=0が好ましい。D1は原子群を表す。前記D1は-NRaRbを含む基であることが好ましく、更に、前記D1が-NRaRbが置換したアリール基好ましくは、置換してよい、フェニル基又はナフチル基を表す場合が好ましい。Ra、Rbはそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を表し、Ra、Rbで表される置換基は置換基Wが挙げられるが、好ましくは、脂肪族炭化水素基好ましくは置換されてよいアルキル基、アルケニル基、アリール基好ましくは置換されてよいフェニル基、又はヘテロ環基である。前記ヘテロ環としては、フラン、チオフェン、ピロール、オキサジアゾール等の5員環が好ましい。Ra、Rbが置換基好ましくはアルキル基、アルケニル基である場合、それらの置換基は、-NRaRbが置換したアリール基の芳香環好ましくはベンゼン環骨格の水素原子、又は置換基と結合して環好ましくは6員環を形成してもよい。この場合、後記の一般式VIII、IX又はXで表される場合が好ましい。Ra、Rbは互いに置換基同士が結合して環好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環を形成してもよく、また、Ra、RbはそれぞれがLL1、L2、L3のいずれかを表す中の置換基と結合して環好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環を形成してもよい。D1はパラ位にアミノ基が置換したアリール基好ましくはフェニル基である場合が好ましい。この場合、下記一般式IIで示されることが好ましい。該アミノ基は置換されていてもよい。該アミノ基の置換基としては、置換基Wが挙げられるが、脂肪族炭化水素基好ましくは置換されてよいアルキル基、アリール基好ましくは置換されてよいフェニル基、又はヘテロ環基が好ましい。前記アミノ基はアリール基が2つ置換した、いわゆるジアリール基置換のアミノ基が好ましく、この場合、下記一般式IIIで示されることが好ましい。更に該アミノ基の置換基好ましくは置換されてよいアルキル基、アルケニル基はアリール基の芳香環好ましくはベンゼン環骨格の水素原子、又は置換基と結合して環好ましくは6員環を形成してもよい。一般式II式中、R1~R6はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。またR1とR2、R3とR4、R5とR6、R2とR5、R4とR6がそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。一般式III式中、R811~R814、R820~R824、R830~R834はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。またR811~R814、R820~R824、R830~R834がそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ra、Rbが脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基の場合の置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルホニル基、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、芳香族ヘテロ環基である。具体例は置換基Wで挙げたものが適用できる。Ra、Rbとして好ましくはアルキル基、アリール基、又は芳香族へテロ環基である。Ra、Rbとして特に好ましくはアルキル基、Lと連結して環を形成するアルキレン基、又はアリール基であり、より好ましくは炭素数1~8のアルキル基、Lと連結して5ないし6員環を形成するアルキレン基、又は置換若しくは無置換のフェニル基であり、更に好ましくは炭素数1~8のアルキル基、又は置換若しくは無置換のフェニル基である。前記D1が下記の一般式VIIで示される場合も好ましい。一般式VII式中、R91~R98はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。mは0以上の整数を表す。mは0又は1である場合が好ましい。Rx、Ryは、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、mが2以上の場合、各6員環に結合するRx、Ryは異なる置換基であっても良い。また、R91とR92、R92とRxと、RxとR94、R94とR97、R93とRy、RyとR95、R95とR96、R97とR98はそれぞれ互いに独立して環を形成しても良い。また、L3n1が0のときはL1との結合部は、R91、R92、R93の位置でも良く、その場合、一般式VII中のL3との結合部として表記されている部位に、それぞれR91、R92、R93に相当する置換基又は水素原子が結合し、隣接するR同士は結合して環を形成しても良い。ここで、隣接するR同士は結合して環を形成しても良い。とは、例えば、R91がL3n1が0のときはL1との結合部になる場合、一般式VIIの結合部にはR90が結合しているとするとR90とR93とが結合し環を形成してもよく、また、R92がL3n1が0のときはL1との結合部になる場合、一般式VIIの結合部にはR90が結合しているとするとR90とR91、R90とR93とがそれぞれ結合し環を形成してもよく、また、R93がL3n1が0のときはL1との結合部になる場合、一般式VIIの結合部にはR90が結合しているとするとR90とR91、R91とR92とがそれぞれ結合し環を形成してもよいことを言う。上記の環はベンゼン環である場合が好ましい。R91~R98、Rx、Ryの置換基は置換基Wが挙げられる。R91~R96はいずれも水素原子である場合が好ましく、Rx、Ryはいずれも水素原子である場合が好ましい。R91~R96は水素原子であり、かつRx、Ryも水素原子である場合が好ましい。前記R97及びR98は、それぞれ独立に、置換基されてよいフェニル基を表す場合が好ましく、該置換基としては置換基Wが挙げられるが、好ましくは無置換フェニル基である。mは0以上の整数を表すが、0又は1が好ましい。前記D1が一般式VIII、IX又はXで表される基である場合も好ましい。一般式VIII式中、R51~R54はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。該置換基として置換基Wが挙げられる。R52とR53、R51とR52はそれぞれ連結して環を形成してもよい。一般式IX式中、R61~R64はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。該置換基として置換基Wが挙げられる。R62とR63、R61とR62はそれぞれ連結して環を形成してもよい。一般式X式中、R71~R73はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。該置換基として置換基Wが挙げられる。R72とR73はそれぞれ連結して環を形成してもよい。前記D1は前記一般式II又はIIIで示される基がより好ましく用いられる。一般式II中、R1~R6はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。またR1とR2、R3とR4、R5とR6、R2とR5、R4とR6がそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。R1~R4における置換基は置換基Wが挙げられるが、好ましくはR1~R4が水素原子、又はR2とR5若しくはR4とR6が5員環を形成する場合であり、より好ましくはR1~R4のいずれもが水素原子である場合である。R5、R6における置換基は置換基Wが挙げられるが、置換基の中でも、置換若しくは無置換のアリール基が好ましく、置換アリール基の置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、アリール基例えば、フェニル基、ナフチレン基、フェナントリル基、アントリル基が好ましい。R5、R6は好ましくはフェニル基、アルキル置換フェニル基、フェニル置換フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基又はフルオレニル基好ましくは9,9’-ジメチル-2-フルオレニル基である。一般式III中、R11~R14、R20~R24、R30~R34はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。またR11~R14、R20~R24、R30~R34がそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。その環形成の例としては、R11とR12、R13とR14が結合してベンゼン環を、R20~R24の隣接する2つR24とR23、R23とR20、R20とR21、R21とR22が結合してベンゼン環を、R30~R34の隣接する2つR34とR33、R33とR30、R30とR31、R31とR32が結合してベンゼン環を、R22とR34が結合してN原子と共に5員環を形成する場合が挙げられる。R11~R14、R20~R24、R30~R34で表される置換基は置換基Wが挙げられるが、好ましくはアルキル基例えば、メチル基、エチル基、アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基であり、これらの基は更に置換基W好ましくはアリール基が置換していてもよい。中でも、R20、R30が置換基である場合が好ましく、かつ、その他のR11~R14、R21~R24、R31~R34は水素原子である場合がより好ましい。一般式Iで表される化合物は、下記一般式pIで表される化合物であることが好ましい。一般式pI式中、Z1は、2つの炭素原子を含む環であって、5員環、6員環、又は、5員環及び6員環の少なくともいずれかを含む縮合環を表す。L1、L2、L3は、それぞれ独立に無置換メチン基又は置換メチン基を表す。n1は0以上の整数を表す。Rp1、Rp2、Rp3、Rp4、Rp5、Rp6は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rp1とRp2、Rp2とRp3、Rp4とRp5、Rp5とRp6、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Rp21、Rp22は、それぞれ独立に、置換アリール基、無置換アリール基、置換ヘテロアリール基、又は無置換ヘテロアリール基を表す。光電変換材料として上記のようにドナー部-NRp21Rp22の部位/アクセプター部L1~L3を介してナフチレン基に結合している部位の連結部をナフチレン基とした化合物をフラーレン類とともに使用することで、優れた耐熱性と高速応答性を有する光電変換素子が得られる。これは、ドナー部/アクセプター部の連結部をナフチレン基とすることで、フラーレン類との相互作用が向上し、応答速度が改善したものと考えられる。また、上記化合物は十分な感度を有する。一般式pIにおいて、L1、L2、L3はそれぞれ独立に、無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。置換メチン基における置換基同士が結合して環を形成してもよい。環としては6員環例えば、ベンゼン環等が挙げられる。置換メチン基の置換基は後述の置換基Wが挙げられる。L1、L2、L3は全てが無置換メチン基である場合が好ましい。n1は0以上の整数を表し、好ましくは0以上3以下の整数を表し、より好ましくは0である。n1を増大させた場合、吸収波長域が長波長にすることができるが、熱による分解温度が低くなる。可視域に適切な吸収を有し、かつ蒸着成膜時の熱分解を抑制する点でn1=0が好ましい。Rp1~Rp6は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rp1~Rp6が置換基を表す場合、Rp1~Rp6が表す置換基としては後述の置換基Wが挙げられるが、特にハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、シアノ基ヘテロ環チオ基が好ましい。Rp1~Rp6は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、シアノ基又はヘテロ環チオ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基がより好ましく、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数4~16の複素環基がより好ましく、水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~14のアリール基が更に好ましく、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数6~10のアリール基が更に好ましく、水素原子が特に好ましい。アルキル基の場合分岐があってもよい。また、Rp1~Rp6が置換基である場合、さらなる置換基を有していてもよい。さらなる置換基としては後述の置換基Wが挙げられる。Rp1~Rp6の好ましい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。Rp1とRp2、Rp2とRp3、Rp4とRp5、Rp5とRp6、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。形成される環としては、後述の環Rが挙げられる。好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピリジン環、ピリミジン環等である。Rp21、Rp22は、それぞれ独立に置換アリール基、無置換アリール基、置換ヘテロアリール基、又は無置換ヘテロアリール基を表す。Rp21、Rp22の両方が無置換フェニル基ではないことが好ましい。Rp21、Rp22が表すアリール基としては、炭素数6~30のアリール基が好ましく、炭素数6~20のアリール基がより好ましい。アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、アントリル基、フルオレニル基が挙げられる。Rp21、Rp22における置換アリール基の置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、t-ブチル基、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、ヘテロアリール基例えば、チエニル基、フラニル基、ピリジル基、カルバゾリル基が好ましい。Rp21、Rp22が表すアリール基又は置換アリール基は、好ましくは、フェニル基、置換フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオレニル基、置換フルオレニル基好ましくは9,9’-ジアルキル-2-フルオレニル基である。Rp21、Rp22がヘテロアリール基である場合、ヘテロアリール基としては、5員、6員又は7員の環又はその縮合環からなるヘテロアリール基が好ましい。ヘテロアリール基に含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子挙げられる。ヘテロアリール基を構成する環の具体例としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピロリン環、ピロリジン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、イミダゾリン環、イミダゾリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピラゾリジン環、トリアゾール環、フラザン環、テトラゾール環、ピラン環、チイン環、ピリジン環、ピペリジン環、オキサジン環、モルホリン環、チアジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペラジン環、トリアジン環等が挙げられる。縮合環としては、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドール環、インドリン環、イソインドール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環、キサンテン環、アクリジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、フェノキサジン環、チアントレン環、チエノチオフェン環、インドリジン環、キノリジン環、キヌクリジン環、ナフチリジン環、プリン環、プテリジン環等が挙げられる。Rp21、Rp22における置換ヘテロアリール基の置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、t-ブチル基、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、ヘテロアリール基例えば、チエニル基、フラニル基、ピリジル基、カルバゾリル基が好ましい。Rp21、Rp22が表すヘテロアリール基又は置換ヘテロアリール基を構成する環としては、好ましくは、チオフェン環、置換チオフェン環、フラン環、置換フラン環、チエノチオフェン環、置換チエノチオフェン環、カルバゾリル基である。Rp21、Rp22は、それぞれ独立に、好ましくはフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ビフェニル基、アントラセニル基、フェナントレニル基であり、フェニル基、ナフチル基、又はフルオレニル基がより好ましい。Rp21、Rp22が置換基を有する場合の置換基として好ましくは、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はヘテロアリール基であり、より好ましくはメチル基、イソプロピル基、t-ブチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、又はカルバゾリル基である。Z1が上記一般式VIで示される基又は上記一般式VIIで示される基である場合、前記一般式pIで表される化合物は、それぞれ下記一般式pIIで表される化合物又は下記一般式pIIIで表される化合物となる。一般式pIで表される化合物が、下記一般式pIIで表される化合物、又は下記一般式pIIIで表される化合物であることが好ましい。一般式pII式中、L1、L2、L3、n1、Rp1、Rp2、Rp3、Rp4、Rp5、Rp6、Rp21、Rp22は、一般式pIと同義であり、好ましい範囲も同様である。Rp41、Rp42、Rp43、Rp44は一般式IVにおけるR41、R42、R43、R44と同義であり、好ましい範囲も同様である。一般式pIII式中、L1、L2、L3、n1、Rp1、Rp2、Rp3、Rp4、Rp5、Rp6、Rp21、Rp22は、一般式pIと同義であり、好ましい範囲も同様である。Rp51、Rp52、Rp53、Rp54、Rp55、Rp56は一般式VにおけるR41、R44、R45、R46、R47、R48と同義であり、好ましい範囲も同様である。一般式pIで表される化合物は、下記一般式pIVで表される化合物であることが好ましい。一般式pIV式中、Z1、L1、L2、L3、n1、Rp1、Rp2、Rp3、Rp4、Rp5、Rp6は、一般式pIと同義であり、好ましい範囲も同様である。Rp7~Rp11、Rp12~Rp16は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Rp7~Rp11、Rp12~Rp16のすべてが水素原子である場合を除く。また、Rp7~Rp11、Rp12~Rp16のうち隣接するものが互いに結合して環を形成してもよい。更に、Rp3とRp7、Rp6とRp16はそれぞれ連結してもよい。一般式pIVにおいて、Rp7~Rp11、Rp12~Rp16、はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。但し、Rp7~Rp11、Rp12~Rp16のすべてが水素原子となることはない。なお、Rp3とRp7又はRp6とRp16が連結する場合は、これ以外のRp8~Rp11、Rp12~Rp15がすべて水素原子となっていてもよい。Rp7~Rp11、Rp12~Rp16が置換基を表す場合、Rp7~Rp11、Rp12~Rp16が表す置換基としては後述の置換基Wが挙げられるが、特にハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、シアノ基、ヘテロ環チオ基が好ましい。Rp7~Rp11、Rp12~Rp16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニル基、シアノ基又はヘテロ環チオ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基がより好ましく、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~20のアリール基、炭素数6~20のアリールオキシ基、5員、6員若しくは7員環又はその縮合環からなる複素環基がより好ましく、水素原子、炭素数1~12のアルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数1~12のアルキルオキシ基、炭素数6~10のアリール基、炭素数6~10のアリールオキシ基、5員若しくは6員環又はその縮合環からなる複素環基が更に好ましい。アルキル基の場合、直鎖状でも分岐状でもよい。複素環基に含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。アルキル基、アルケニル基、アリール基等の具体例としては後述の置換基Wのアルキル基、アルケニル基、アリール基で例示する基が挙げられる。また、Rp7~Rp11、Rp12~Rp16のうち隣接するものが互いに結合して環を形成してもよい。形成される環としては後述の環Rが挙げられる。形成される環として好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピリジン環、ピリミジン環等である。更に、Rp3とRp7、Rp6とRp16はそれぞれ連結してもよい。Rp3とRp7又はRp6とRp16が連結する場合、ナフチレン基とフェニル基とを含む4環以上の縮合環となる。Rp3とRp7又はRp6とRp16との連結は、単結合でもよい。一般式Iで表される化合物は、特開2000-297068号公報に記載の化合物であり、前記公報に記載のない化合物も、前記公報に記載の合成方法に準じて製造することができる。以下に、一般式Iで示される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。上記例示化合物中、R101、R102はそれぞれ独立に水素原子、又は置換基を表す。置換基としては置換基Wが挙げられるが、アルキル基、又はアリール基が好ましい。また、上記一般式Iで表される化合物は、例えば、以下の反応に従って合成することができる。上記式中、Rp1、Rp2、Rp3、Rp4、Rp5、Rp6、Rp21、Rp22は、前記と同義である。なお上記合成例では、一般式Iで表される化合物のうちZ1が1,3-ベンゾインダンジオン核である場合を挙げたが、Z1が他の構造である場合も上記1,3-ベンゾインダンジオンを別のメロシアニン色素における酸性核となる化合物に変更することで上記と同様に合成することができる。n型有機半導体n型有機半導体化合物は、アクセプター性有機半導体化合物であり、主に電子輸送性有機化合物に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン、アントラセン、フラーレン、フェナントレン、テトラセン、ピレン、ペリレン、フルオランテン、又はこれらの誘導体、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5ないし7員のヘテロ環化合物例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、上記したように、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いてよい。n型有機半導体としては、フラーレン又はフラーレン誘導体を用いることが好ましい。フラーレンとは、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC80、フラーレンC82、フラーレンC84、フラーレンC90、フラーレンC96、フラーレンC240、フラーレン540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブを表し、フラーレン誘導体とはこれらに置換基が付加された化合物のことを表す。置換基としては、アルキル基、アリール基、又は複素環基が好ましい。フラーレン誘導体としては、以下の化合物が好ましい。また、フラーレン及びフラーレン誘導体としては、日本化学会編季刊化学総説No.431999、特開平10-167994号公報、特開平11-255508号公報、特開平11-255509号公報、特開2002-241323号公報、特開2003-196881号公報等に記載の化合物を用いることもできる。フラーレン及びフラーレン誘導体の含有量は、p型材料との混合層中において、それ以外に混合膜を形成する材料の量の50以上の量モル比であることが好ましく、200以上の量モル比であることが更に好ましく、300以上の量モル比であることが特に好ましい。光電変換層は、蒸着により形成することができる。蒸着は、物理蒸着PVD、化学蒸着CVDのいずれでもよいが、真空蒸着等の物理蒸着が好ましい。真空蒸着により成膜する場合、真空度、蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定することができる。光電変換層の厚みは、10nm以上1000nm以下が好ましく、更に好ましくは50nm以上800nm以下、特に好ましくは100nm以上500nm以下である。10nm以上とすることにより、好適な暗電流抑制効果が得られ、1000nm以下とすることにより、好適な光電変換効率が得られる。本発明は光電変換層及び電子ブロッキング層を、それぞれ真空加熱蒸着真空蒸着により製膜する工程を含む光電変換素子の製造方法にも関する。[膜密度]本発明の光電変換層は、好ましくは、フラーレン又はフラーレン誘導体と、それ以外の少なくとも1種の材料が混合、若しくは積層された状態で形成される。本発明の光電変換層の膜密度は1.40g/cm3以上2.00g/cm3以下が好ましく1.50g/cm3以上1.70g/cm3以下が更に好ましい。[光センサ]光電変換素子は光電池と光センサに大別できるが、本発明の光電変換素子は光センサに適している。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いたものでもよいし、前記光電変換素子を直線状に配したラインセンサや、平面上に配した2次元センサの形態とすることができる。本発明の光電変換素子は、ラインセンサでは、スキャナー等の様に光学系及び駆動部を用いて光画像情報を電気信号に変換し、2次元センサでは、撮像モジュールのように光画像情報を光学系でセンサ上に結像させ電気信号に変換することで撮像素子として機能する。光電池は発電装置であるため、光エネルギーを電気エネルギーに変換する効率が重要な性能となるが、暗所での電流である暗電流は機能上は問題にならない。更にカラーフィルタ設置当の後段の加熱工程が必要ない。光センサは明暗信号を高い精度で電気信号に変換することが重要な性能となるため、光量を電流に変換する効率も重要な性能であるが、暗所で信号を出力するとノイズとなるため、低い暗電流が要求される。更に後段の工程に対する耐性も重要である。[撮像素子]次に、光電変換素子を含む撮像素子の構成例を説明する。なお、以下に説明する構成例において、すでに説明した部材などと同等な構成作用を有する部材等については、図中に同一符号又は相当符号を付すことにより、説明を簡略化或いは省略する。撮像素子とは画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、各々の光電変換素子画素において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つの光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。図2は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等の撮像装置、電子内視鏡、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載して用いられる。この撮像素子は、図1に示したような構成の複数の光電変換素子と、各光電変換素子の光電変換膜で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し回路が形成された回路基板とを有し、該回路基板上方の同一面上に、複数の光電変換素子が1次元状又は二次元状に配列された構成となっている。図2に示す撮像素子100は、基板101と、絶縁層102と、接続電極103と、画素電極下部電極104と、接続部105と、接続部106と、光電変換膜107と、対向電極上部電極108と、緩衝層109と、封止層110と、カラーフィルタCF111と、隔壁112と、遮光層113と、保護層114と、対向電極電圧供給部115と、読出し回路116とを備える。画素電極104は、図1に示した光電変換素子10aの電極11と同じ機能を有する。対向電極108は、図1に示した光電変換素子10aの電極15と同じ機能を有する。光電変換膜107は、図1に示した光電変換素子10aの電極11及び電極15間に設けられる層と同じ構成である。基板101は、ガラス基板又はSi等の半導体基板である。基板101上には絶縁層102が形成されている。絶縁層102の表面には複数の画素電極104と複数の接続電極103が形成されている。光電変換膜107は、複数の画素電極104の上にこれらを覆って設けられた全ての光電変換素子で共通の層である。対向電極108は、光電変換膜107上に設けられた、全ての光電変換素子で共通の1つの電極である。対向電極108は、光電変換膜107よりも外側に配置された接続電極103の上にまで形成されており、接続電極103と電気的に接続されている。接続部106は、絶縁層102に埋設されており、接続電極103と対向電極電圧供給部115とを電気的に接続するためのプラグ等である。対向電極電圧供給部115は、基板101に形成され、接続部106及び接続電極103を介して対向電極108に所定の電圧を印加する。対向電極108に印加すべき電圧が撮像素子の電源電圧よりも高い場合は、チャージポンプ等の昇圧回路によって電源電圧を昇圧して上記所定の電圧を供給する。読出し回路116は、複数の画素電極104の各々に対応して基板101に設けられており、対応する画素電極104で捕集された電荷に応じた信号を読出すものである。読出し回路116は、例えばCCD、CMOS回路、又はTFT回路等で構成されており、絶縁層102内に配置された図示しない遮光層によって遮光されている。読み出し回路116は、それに対応する画素電極104と接続部105を介して電気的に接続されている。緩衝層109は、対向電極108上に、対向電極108を覆って形成されている。封止層110は、緩衝層109上に、緩衝層109を覆って形成されている。カラーフィルタ111は、封止層110上の各画素電極104と対向する位置に形成されている。隔壁112は、カラーフィルタ111同士の間に設けられており、カラーフィルタ111の光透過効率を向上させるためのものである。遮光層113は、封止層110上のカラーフィルタ111及び隔壁112を設けた領域以外に形成されており、有効画素領域以外に形成された光電変換膜107に光が入射する事を防止する。保護層114は、カラーフィルタ111、隔壁112、及び遮光層113上に形成されており、撮像素子100全体を保護する。このように構成された撮像素子100では、光が入射すると、この光が光電変換膜107に入射し、ここで電荷が発生する。発生した電荷のうちの正孔は、画素電極104で捕集され、その量に応じた電圧信号が読み出し回路116によって撮像素子100外部に出力される。撮像素子100の製造方法は、次の通りである。対向電極電圧供給部115と読み出し回路116が形成された回路基板上に、接続部105,106、複数の接続電極103、複数の画素電極104、及び絶縁層102を形成する。複数の画素電極104は、絶縁層102の表面に例えば正方格子状に配置する。次に、複数の画素電極104上に、光電変換膜107を例えば真空加熱蒸着法によって形成する。次に、光電変換膜107上に例えばスパッタ法により対向電極108を真空下で形成する。次に、対向電極108上に緩衝層109、封止層110を順次、例えば真空加熱蒸着法によって形成する。次に、カラーフィルタ111、隔壁112、遮光層113を形成後、保護層114を形成して、撮像素子100を完成する。撮像素子100の製造方法においても、光電変換膜107に含まれる光電変換層の形成工程と封止層110の形成工程との間に、作製途中の撮像素子100を非真空下に置く工程を追加しても、複数の光電変換素子の性能劣化を防ぐことができる。この工程を追加することで、撮像素子100の性能劣化を防ぎながら、製造コストを抑えることができる。以下では、上述した撮像素子100の構成要素の封止層110の詳細について説明する。[封止層]封止層110としては次の条件が求められる。第一に、素子の各製造工程において溶液、プラズマなどに含まれる有機の光電変換材料を劣化させる因子の浸入を阻止して光電変換層を保護することが挙げられる。第二に、素子の製造後に、水分子などの有機の光電変換材料を劣化させる因子の浸入を阻止して、長期間の保存/使用にわたって、光電変換膜107の劣化を防止する。第三に、封止層110を形成する際は既に形成された光電変換層を劣化させない。第四に、入射光は封止層110を通じて光電変換膜107に到達するので、光電変換膜107で検知する波長の光に対して封止層110は透明でなくてはならない。封止層110は、単一材料からなる薄膜で構成することもできるが、多層構成にして各層に別々の機能を付与することで、封止層110全体の応力緩和、製造工程中の発塵等によるクラック、ピンホールなどの欠陥発生の抑制、材料開発の最適化が容易になることなどの効果が期待できる。例えば、封止層110は、水分子などの劣化因子の浸透を阻止する本来の目的を果たす層の上に、その層で達成することが難しい機能を持たせた封止補助層を積層した2層構成を形成することができる。3層以上の構成も可能だが、製造コストを勘案するとなるべく層数は少ない方が好ましい。[原子層堆積法ALD法による封止層110の形成]光電変換材料は水分子などの劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまう。そのために、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物金属窒化物金属窒化酸化物などセラミクスやダイヤモンド状炭素DLCなどで光電変換膜全体を被覆して封止することが必要である。従来から、酸化アルミニウム、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素やそれらの積層構成、それらと有機高分子の積層構成などを封止層として、各種真空製膜技術で形成されている。もっとも、これら従来の封止層は、基板表面の構造物、基板表面の微小欠陥、基板表面に付着したパーティクルなどによる段差において、薄膜の成長が困難なので段差が影になるので平坦部と比べて膜厚が顕著に薄くなる。このために段差部分が劣化因子の浸透する経路になってしまう。この段差を封止層で完全に被覆するには、平坦部において1μm以上の膜厚になるように製膜して、封止層全体を厚くすることが好ましい。画素寸法が2μm未満、特に1μm程度の撮像素子100において、カラーフィルタ111と光電変換層との距離、すなわち封止層110の膜厚が大きいと、封止層110内で入射光が回折/発散してしまい、混色が発生する。このために、画素寸法が1μm程度の撮像素子100は、封止層110全体の膜厚を減少させても素子性能が劣化しないような封止層材料/製造方法が好ましい。原子層堆積ALD法は、CVD法の一種で、薄膜材料となる有機金属化合物分子、金属ハロゲン化物分子、金属水素化物分子の基板表面への吸着/反応と、それらに含まれる未反応基の分解を、交互に繰返して薄膜を形成する技術である。基板表面へ薄膜材料が到達する際は上記低分子の状態なので、低分子が入り込めるごくわずかな空間さえあれば薄膜が成長可能である。そのために、従来の薄膜形成法では困難であった段差部分を完全に被覆し段差部分に成長した薄膜の厚さが平坦部分に成長した薄膜の厚さと同じ、すなわち段差被覆性が非常に優れる。そのため、基板表面の構造物、基板表面の微小欠陥、基板表面に付着したパーティクルなどによる段差を完全に被覆できるので、そのような段差部分が光電変換材料の劣化因子の浸入経路にならない。封止層110の形成を原子層堆積法で行なった場合は従来技術よりも効果的に必要な封止層膜厚を薄くすることが可能になる。原子層堆積法で封止層110を形成する場合は、先述した封止層110に好ましいセラミクスに対応した材料を適宜選択できる。もっとも、本発明の光電変換膜は光電変換材料を使用するために、光電変換材料が劣化しないような、比較的に低温で薄膜成長が可能な材料に制限される。アルキルアルミニウムやハロゲン化アルミニウムを材料とした原子層堆積法によると、光電変換材料が劣化しない200°C未満で緻密な酸化アルミニウム薄膜を形成することができる。特にトリメチルアルミニウムを使用した場合は100°C程度でも酸化アルミニウム薄膜を形成でき好ましい。酸化珪素や酸化チタンも材料を適切に選択することで酸化アルミニウムと同様に200°C未満で緻密な薄膜を形成することができ好ましい。以上の説明において、B光を吸収する光電変換層とは、例えば、少なくとも400~500nmの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ-ク波長の吸収率が50以上であるものを意味する。G光を吸収する光電変換層とは、例えば、少なくとも500~600nmの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ-ク波長の吸収率が50以上であることを意味する。R光を吸収する光電変換層とは、例えば、少なくとも600~700nmの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ-ク波長の吸収率が50以上であることを意味する。[駆動方法]更に、本発明は、本発明の光電変換素子、光センサ、及び撮像素子の駆動方法であって、前記電子ブロッキング層に接触する電極を陰極に、もう一方の電極を陽極にして電圧を印加する、駆動方法にも関する。[置換基W]置換基Wについて記載する。置換基Wとしてはハロゲン原子、アルキル基シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む、アルケニル基シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む、アルキニル基、アリール基、複素環基ヘテロ環基といっても良い、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基アニリノ基を含む、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基-BOH2、ホスファト基-OPOOH2、スルファト基-OSO3H、その他の公知の置換基が挙げられる。更に詳しくは、Wは、下記の1~48などを表す。1ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子2アルキル基直鎖、分岐、環状の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。それらは、2-a~2-eなども包含するものである。2-aアルキル基好ましくは炭素数1から30のアルキル基例えばメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、t-ブチル、n-オクチル、エイコシル、2-クロロエチル、2-シアノエチル、2-エチルヘキシル2-bシクロアルキル基好ましくは、炭素数3から30の置換又は無置換のシクロアルキル基例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、4-n-ドデシルシクロヘキシル2-cビシクロアルキル基好ましくは、炭素数5から30の置換若しくは無置換のビシクロアルキル基例えば、ビシクロ[1,2,2]ヘプタン-2-イル、ビシクロ[2,2,2]オクタン-3-イル2-dトリシクロアルキル基好ましくは、炭素数7から30の置換若しくは無置換のトリシクロアルキル基例えば、1-アダマンチル2-e更に環構造が多い多環シクロアルキル基なお、以下に説明する置換基の中のアルキル基例えばアルキルチオ基のアルキル基はこのような概念のアルキル基を表すが、更にアルケニル基、アルキニル基も含むこととする。3アルケニル基直鎖、分岐、環状の置換若しくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、3-a~3-cを包含するものである。3-aアルケニル基好ましくは炭素数2から30の置換又は無置換のアルケニル基例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル3-bシクロアルケニル基好ましくは、炭素数3から30の置換若しくは無置換のシクロアルケニル基例えば、2-シクロペンテン-1-イル、2-シクロヘキセン-1-イル3-cビシクロアルケニル基置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数5から30の置換若しくは無置換のビシクロアルケニル基例えば、ビシクロ[2,2,1]ヘプト-2-エン-1-イル、ビシクロ[2,2,2]オクト-2-エン-4-イル4アルキニル基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換のアルキニル基例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基5アリール基好ましくは、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアリール基例えばフェニル、p-トリル、ナフチル、m-クロロフェニル、o-ヘキサデカノイルアミノフェニル、フェロセニル6複素環基好ましくは、5又は6員の置換若しくは無置換の、芳香族若しくは非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数2から50の5若しくは6員の芳香族の複素環基である。例えば、2-フリル、2-チエニル、2-ピリミジニル、2-ベンゾチアゾリル、2-カルバゾリル、3-カルバゾリル、9-カルバゾリル。なお、1-メチル-2-ピリジニオ、1-メチル-2-キノリニオのようなカチオン性の複素環基でも良い7シアノ基8ヒドロキシ基9ニトロ基10カルボキシ基11アルコキシ基好ましくは、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアルコキシ基例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、t-ブトキシ、n-オクチルオキシ、2-メトキシエトキシ12アリールオキシ基好ましくは、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアリールオキシ基例えば、フェノキシ、2-メチルフェノキシ、4-t-ブチルフェノキシ、3-ニトロフェノキシ、2-テトラデカノイルアミノフェノキシ13シリルオキシ基好ましくは、炭素数3から20のシリルオキシ基例えば、トリメチルシリルオキシ、t-ブチルジメチルシリルオキシ14ヘテロ環オキシ基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換のヘテロ環オキシ基例えば、1-フェニルテトラゾールー5-オキシ、2-テトラヒドロピラニルオキシ15アシルオキシ基好ましくはホルミルオキシ基、炭素数2から30の置換若しくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアリールカルボニルオキシ基例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、p-メトキシフェニルカルボニルオキシ16カルバモイルオキシ基好ましくは、炭素数1から30の置換若しくは無置換のカルバモイルオキシ基例えば、N,N-ジメチルカルバモイルオキシ、N,N-ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、N,N-ジ-n-オクチルアミノカルボニルオキシ、N-n-オクチルカルバモイルオキシ17アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、t-ブトキシカルボニルオキシ、n-オクチルカルボニルオキシ18アリールオキシカルボニルオキシ基好ましくは、炭素数7から30の置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基例えば、フェノキシカルボニルオキシ、p-メトキシフェノキシカルボニルオキシ、p-n-ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ19アミノ基好ましくは、アミノ基、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアニリノ基例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、N-メチル-アニリノ、ジフェニルアミノ20アンモニオ基好ましくは、アンモニオ基、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアルキル、アリール、複素環が置換したアンモニオ基例えば、トリメチルアンモニオ、トリエチルアンモニオ、ジフェニルメチルアンモニオ21アシルアミノ基好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアリールカルボニルアミノ基例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、3,4,5-トリ-n-オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ22アミノカルボニルアミノ基好ましくは、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアミノカルボニルアミノ例えば、カルバモイルアミノ、N,N-ジメチルアミノカルボニルアミノ、N,N-ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ23アルコキシカルボニルアミノ基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、t-ブトキシカルボニルアミノ、n-オクタデシルオキシカルボニルアミノ、N-メチルーメトキシカルボニルアミノ24アリールオキシカルボニルアミノ基好ましくは、炭素数7から30の置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基例えば、フェノキシカルボニルアミノ、p-クロロフェノキシカルボニルアミノ、m-n-オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ25スルファモイルアミノ基好ましくは、炭素数0から30の置換若しくは無置換のスルファモイルアミノ基例えば、スルファモイルアミノ、N,N-ジメチルアミノスルホニルアミノ、N-n-オクチルアミノスルホニルアミノ26アルキル若しくはアリールスルホニルアミノ基好ましくは、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアリールスルホニルアミノ例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、2,3,5-トリクロロフェニルスルホニルアミノ、p-メチルフェニルスルホニルアミノ27メルカプト基28アルキルチオ基好ましくは、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアルキルチオ基例えばメチルチオ、エチルチオ、n-ヘキサデシルチオ29アリールチオ基好ましくは、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアリールチオ例えば、フェニルチオ、p-クロロフェニルチオ、m-メトキシフェニルチオ30ヘテロ環チオ基好ましくは、炭素数2から30の置換又は無置換のヘテロ環チオ基例えば、2-ベンゾチアゾリルチオ、1-フェニルテトラゾール-5-イルチオ31スルファモイル基好ましくは、炭素数0から30の置換若しくは無置換のスルファモイル基例えば、N-エチルスルファモイル、N-3-ドデシルオキシプロピルスルファモイル、N,N-ジメチルスルファモイル、N-アセチルスルファモイル、N-ベンゾイルスルファモイル、N-N’-フェニルカルバモイルスルファモイル32スルホ基33アルキル若しくはアリールスルフィニル基好ましくは、炭素数1から30の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、6から30の置換又は無置換のアリールスルフィニル基例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、p-メチルフェニルスルフィニル34アルキル若しくはアリールスルホニル基好ましくは、炭素数1から30の置換若しくは無置換のアルキルスルホニル基、6から30の置換若しくは無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、p-メチルフェニルスルホニル35アシル基好ましくは、ホルミル基、炭素数2から30の置換若しくは無置換のアルキルカルボニル基、炭素数7から30の置換若しくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数4から30の置換若しくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基例えば、アセチル、ピバロイル、2-クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、p-n-オクチルオキシフェニルカルボニル、2―ピリジルカルボニル、2―フリルカルボニル36アリールオキシカルボニル基好ましくは、炭素数7から30の置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基例えば、フェノキシカルボニル、o-クロロフェノキシカルボニル、m-ニトロフェノキシカルボニル、p-t-ブチルフェノキシカルボニル37アルコキシカルボニル基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換アルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、t-ブトキシカルボニル、n-オクタデシルオキシカルボニル38カルバモイル基好ましくは、炭素数1から30の置換若しくは無置換のカルバモイル例えば、カルバモイル、N-メチルカルバモイル、N,N-ジメチルカルバモイル、N,N-ジ-n-オクチルカルバモイル、N-メチルスルホニルカルバモイル39アリール及びヘテロ環アゾ基好ましくは、炭素数6から30の置換若しくは無置換のアリールアゾ基、炭素数3から30の置換若しくは無置換のヘテロ環アゾ基例えば、フェニルアゾ、p-クロロフェニルアゾ、5-エチルチオ-1,3,4-チアジアゾール-2-イルアゾ40イミド基好ましくは、N-スクシンイミド、N-フタルイミド41ホスフィノ基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換のホスフィノ基例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ42ホスフィニル基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換のホスフィニル基例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル43ホスフィニルオキシ基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換のホスフィニルオキシ基例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ44ホスフィニルアミノ基好ましくは、炭素数2から30の置換若しくは無置換のホスフィニルアミノ基例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ45ホスフォ基46シリル基好ましくは、炭素数3から30の置換若しくは無置換のシリル基例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、t-ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル47ヒドラジノ基好ましくは炭素数0から30の置換若しくは無置換のヒドラジノ基例えば、トリメチルヒドラジノ48ウレイド基好ましくは炭素数0から30の置換若しくは無置換のウレイド基例えばN,N-ジメチルウレイド上記の置換基Wの中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような置換基の例としては、-CONHSO2-基スルホニルカルバモイル基、カルボニルスルファモイル基、-CONHCO-基カルボニルカルバモイル基、-SO2NHSO2-基スルフォニルスルファモイル基が挙げられる。より具体的には、アルキルカルボニルアミノスルホニル基例えば、アセチルアミノスルホニル、アリールカルボニルアミノスルホニル基例えば、ベンゾイルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基例えば、メチルスルホニルアミノカルボニル、アリールスルホニルアミノカルボニル基例えば、p-メチルフェニルスルホニルアミノカルボニルが挙げられる。[環R]環Rとしては、芳香族、又は非芳香族の炭化水素環、又は複素環や、これらが更に組み合わされて形成された多環縮合環が挙げられる。例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、及びフェナジン環が挙げられる。例示化合物a-2A-1の合成一般式F-1で表される化合物の例示化合物a-2は、以下の反応式により製造することができる。2-ブロモフルオレン89.0g,0.363molをTHF1.3lに溶解し、5°Cに冷却、カリウムーtert-ブトキシド102g,0.908molを加える。ヨウ化メチル565ml,0.908molを5°Cにおいて滴下する。滴下後、室温で5時間攪拌し、2-ブロモ‐9,9-ジメチル‐フルオレンを収率87で得た。窒素雰囲気下THF50ml中に、マグネシウム粉末3.51g,0.144molを加え、沸点還流し、2-ブロモ‐9,9-ジメチル‐フルオレン75.0g,0.275molのTHF250ml溶液を滴下、1時間攪拌する。その後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム1.59g,1.38mmolを加え、2時間沸点還流し、収率82で化合物1を得た。化合物143.8g,0.113molのクロロホルム500ml溶液に臭素39.8g,0.249molを滴下、3時間攪拌して収率78で化合物2を合成した。化合物21.10g,2.02mmolと酢酸パラジウム22.7mg,0.101mmol、トリt-ブチルホスフィン61.3mg,0.303mmol、炭酸セシウム2.63g,8.08mmol、及び化合物3991mg,4.44mmolをキシレン11mlに溶解させ、窒素雰囲気下4時間沸点還流にて反応させた。反応混合物に酢酸エチルと水を加えて有機相を分離し、有機相を、水、飽和食塩水で洗浄した後減圧下に濃縮し、得られた反応混合物を再結晶、昇華精製により精製、例示化合物a-2を収率66で得た。なお、実施例で使用した化合物A-1がこの例示化合物a-2に該当する。1H-NMR400MHz,inCDCl3:δppm=1.50s,18H,1.65s,12H,7.28-7.32m,2H,7.40-7.46m,4H,7.49d,J=8.2,2H,7.53dd,J=8.7,1.9Hz、2H,7.57dd,J=8.0,1.8Hz、2H,7.66d,J=1.8Hz、2H,7.74dd,J=7.9,1.6Hz、2H,7.77s,2H,7.89d,J=7.8Hz、2H、7.96d,J=8.0Hz、2H、8.18―8.18m,6H。HPLCによれば該化合物の純度は、98.3であった。ICP発光分析ではBr及びBrイオンの含有率は80ppm、Cl及びClイオンの含有率は30ppm、F及びFイオンの含有率は5ppm、Pd及びPdイオンの含有率は6ppm、Cu及びCuイオンの含有率は検出限界以下<1ppmであった。例示化合物a-3A-2の合成一般式F-1で表される化合物の例示化合物a-3は、以下の反応式により製造することができる。化合物21.10g,2.02mmolと酢酸パラジウム22.7mg,0.101mmol、トリt-ブチルホスフィン61.3mg,0.303mmol、炭酸セシウム2.63g,8.08mmol、及び化合物41.24g,4.44mmolをキシレン11mlに溶解させ、窒素雰囲気下4時間沸点還流にて反応させた。反応混合物に酢酸エチルと水を加えて有機相を分離し、有機相を、水、飽和食塩水で洗浄した後減圧下に濃縮し、得られた反応混合物を再結晶、昇華精製により精製、例示化合物a-3を収率61で得た。なお、実施例で使用した化合物A-2がこの例示化合物a-3に該当する。1H-NMR400MHz,inCDCl3:δppm=1.49s,36H,7.44d,J=7.6Hz,4H,7.51dd,J=8.4,1.9Hz、4H,7.56dd,J=8.0,1.9Hz、2H,7.65d,J=1.4Hz、2H,7.73dd,J=7.8,1.8Hz、2H,7.77d,J=1.2Hz、2H,7.88d,J=7.8Hz、2H,7.95d,J=8.0Hz、2H,8.17d,J=1.6Hz、4HHPLCによれば該化合物の純度は、99.5であった。ICP発光分析ではBr及びBrイオンの含有率は55ppm、Cl及びClイオンの含有率は29ppm、Pd及びPdイオンの含有率は30ppm以下であった。例示化合物a-3は、以下の反応式によっても製造することができる。化合物25.00g,9.19mmolとヨウ化銅I1.75g,9.19mmol、トリt-ブチルホスフィン61.3mg,0.303mmol、炭酸セシウム5.09g,15.6mmol、及び化合物45.90g,21.1mmolをN-エチルピロリドン20mlに溶解させ、窒素雰囲気下10時間沸点還流にて反応させた。反応混合物をTHF100mlに溶解、セライトろ過した後、減圧下に濃縮し、再結晶、昇華精製により精製、例示化合物a-3を収率43で得た。HPLCによれば該化合物の純度は99.3であった。ICP発光分析ではBr及びBrイオンの含有率は120ppm、Cl及びClイオンの含有率は30ppm、F及びFイオンの含有率は10ppm、Pd及びPdイオンの含有率は10ppm、Cu及びCuイオンの含有率は90ppm以下であった。例示化合物a-5A-4の合成一般式F-1で表される化合物の例示化合物a-5は、以下の反応式により製造することができる。化合物21.10g,2.02mmolと酢酸パラジウム22.7mg,0.101mmol、トリt-ブチルホスフィン61.3mg,0.303mmol、炭酸セシウム2.63g,8.08mmol、及び化合物61.13g,4.24mmolをキシレン10mlに溶解させ、窒素雰囲気下4時間沸点還流にて反応させた。反応混合物に酢酸エチルと水を加えて有機相を分離し、有機相を水、飽和食塩水で洗浄した後減圧下に濃縮し、得られた反応混合物を再結晶、昇華精製などにより精製、例示化合物a-5を収率44で得た。なお、実施例で使用した化合物A-4がこの例示化合物a-5に該当する。1H-NMR400MHz,inCDCl3:δppm=1.32s,18H,1.61s,12H,1.73s,12H,6.31-6.37m,4H,6.91-6.99m,4H,7.02dd,J=8.6,2.1Hz,2H,7.32dd,J=7.9,1.6Hz、2H,7.42d,J=1.5Hz、2H,7.47d,J=8.5Hz、2H,7.51d,J=2.1Hz,2H,7.73d,J=7.8Hz、2H,7.77s,2H,7.88d,J=7.8Hz、2H,7.99d,J=7.9Hz、2HHPLCによれば該化合物の純度は、99.9であった。ICP発光分析ではBr及びBrイオンの含有率は8ppm、Cl及びClイオンの含有率は4ppm、F及びFイオンの含有率は検出限界以下<1ppm、Pd及びPdイオンの含有率は4ppm、Cu及びCuイオンの含有率は検出限界以下<1ppmであった。例示化合物a-6A-5の合成一般式F-1で表される化合物の例示化合物a-6は、以下の反応式により製造することができる。化合物21.10g,2.02mmolと酢酸パラジウム22.7mg,0.101mmol、トリt-ブチルホスフィン61.3mg,0.303mmol、炭酸セシウム2.63g,8.08mmol、及び化合物71.36g,4.24mmolをキシレン10mlに溶解させ、窒素雰囲気下4時間沸点還流にて反応させた。反応混合物に酢酸エチルと水を加えて有機相を分離し、有機相を水、飽和食塩水で洗浄した後減圧下に濃縮し、得られた反応混合物を再結晶、昇華精製などにより精製、例示化合物a-6を収率35で得た。なお、実施例で使用した化合物A-5がこの例示化合物a-6に該当する。1H-NMR400MHz,inCDCl3:δppm=1.32s,18H,1.60s,12H,1.76s,12H,6.29d,J=8.6Hz,4H,7.00dd,J=8.6,2.2Hz,4H,7.31dd,J=7.9,1.8Hz,2H,7.43d,J=1.6Hz、2H,7.50d,J=2.2Hz、4H,7.73d,J=7.9,1.5Hz、2H,7.77s,2H,7.88d,J=7.8Hz、2H,7.97d,J=7.9Hz、2HHPLCによれば該化合物の純度は、97.8であった。ICP発光分析ではBr及びBrイオンの含有率は40ppm、Cl及びClイオンの含有率は20ppm、F及びFイオンの含有率は2ppm、Pd及びPdイオンの含有率は4ppm、Cu及びCuイオンの含有率は検出限界以下<1ppmであった。例示化合物e-5A-13の合成一般式F-1で表される化合物の例示化合物e-5は、以下の反応式により製造することができる。4-ヨードアニソール25.1g,0.107molに1,4-ジブロモ-2-ニトロベンゼン23.2g,0.0825molと銅粉末15.6g,0.248molを加え、175°Cで3時間攪拌し、化合物10を収率44で得た。化合物1011.1g,36.0mmolとトリフェニルホスフィン23.6g,90.0mmolをo-ジクロロベンゼン70mlに溶解させ、窒素雰囲気下5時間沸点還流にて反応させ、化合物11を収率89で得た。化合物114.4g,0.15.9mmolと酢酸パラジウム89.4mg,0.398mmol、トリt-ブチルホスフィン241mg,119mmol、炭酸セシウム15.5g,47.7mmol、及びヨードトルエン16.2g,79.5mmolをキシレン86mlに溶解させ、窒素雰囲気下3時間沸点還流にて反応させ、化合物12を合成した収率52。窒素雰囲気下THF2ml中に、マグネシウム103mg,4.24mmolを加え、沸点還流し、化合物122.90g,8.23mmolのTHF8ml溶液を滴下、1時間攪拌した。その後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム47.6mg,0.0412mmolを加え、2時間沸点還流し、収率52で化合物13を得た。化合物131.20g,2.20mmolを塩化メチレン50mlに溶解させ、0°C、窒素雰囲気下、1mol/lBBr3塩化メチレン溶液を5.5ml滴下し、室温にて3時間反応させた。反応クエンチ後、反応混合物に酢酸エチルと水を加えて有機相を分離し、有機相を、水、飽和食塩水で洗浄した後減圧下に濃縮した。濃縮した反応混合物を塩化メチレン、N,N’-ジメチルホルムアミド混合溶媒1:130mlに溶解した。窒素雰囲気下5°Cで、ペルフルオロブタンスルホニルフルオリド1.16ml,6.60mmolを滴下、3時間室温にて反応させ、収率46で化合物15を得た。化合物151.00g,0.925mmolとの酢酸パラジウム11.3mg,0.0463mmol、トリt-ブチルホスフィン28.1mg,0.139mmol、炭酸セシウム1.21g,3.70mmol、及び化合物6540mg,2.03mmolをキシレン9mlに溶解させ、窒素雰囲気下4時間沸点還流にて反応させた。反応混合物に酢酸エチルと水を加えて有機相を分離し、有機相を、水、飽和食塩水で洗浄した後減圧下に濃縮し、得られた反応混合物を再結晶、昇華精製により精製、例示化合物e-5を収率39で得た。なお、実施例で使用した化合物A-13がこの例示化合物e-5に該当する。1H-NMR400MHz,inCDCl3:δppm=1.30s,18H,1.72s,12H,6.25d,J=8.6Hz、2H,6.30dd,J=8.3,1.4Hz,2H,6.86-6.94m,4H,6.97dd,J=8.9,2.0Hz,2H,7.23dd,J=6.4,1.8Hz、2H、7.38d,J=1.8Hz、2H,7.43-7.49m,6H、7.57-7.59m,8H、7.65dd,J=8.5,1.6Hz、2H,7.72s,2H,8.24d,J=8.1Hz、2H,8.37d,J=8.2Hz、2HHPLCによれば該化合物の純度は、98.8であった。ICP発光分析ではBr及びBrイオンの含有率は40ppm、Cl及びClイオンの含有率は20ppm、F及びFイオンの含有率は5ppm、Pd及びPdイオンの含有率は検出限界以下<1ppm、Cu及びCuイオンの含有率は検出限界以下<1ppmであった。実施例で使用したその他の化合物についても同様に合成できる。[実施例1]図1aに示す形態の光電変換素子を作製した。すなわち、ガラス基板上に、アモルファス性ITO30nmをスパッタ法により成膜後、下部電極とし、化合物A-1100nmを真空加熱蒸着法により成膜し、電子ブロッキング層を形成した。更にその上に、化合物70とフラーレンC60をそれぞれ単層換算で100nm、300nmとなるように共蒸着した層を真空加熱蒸着により25°Cに基板の温度を制御した状態で成膜して、光電変換層を形成した。なお、光電変換層の真空蒸着は4×10-4Pa以下の真空度で行った。更にその上に、上部電極としてスパッタ法によりアモルファス性ITOを10nm成膜して透明導電性膜を形成し、光電変換素子を作製した。[実施例2、22、23]実施例1において、光電変換層に用いた化合物70を表1に示すように変更したこと以外は同様にして、光電変換素子を作製した。[実施例3~21、比較例1~8]実施例1において、電子ブロッキング層に用いた化合物A-1を表1に示すように変更したこと以外は同様にして、光電変換素子を作製した。[評価]得られた各素子について光電変換素子として機能するかどうかの確認を行った。得られた各素子の前記下部電極及び上部電極に、2.5×105V/cmの電界強度となるように電圧を印加すると、いずれの素子も暗所では100nA/cm2以下の暗電流を示すが、明所では10μA/cm2以上の電流を示し、光電変換素子が機能することを確認した。表1に、得られた各素子の暗電流値実施例1を基準とする相対値及び、各素子を200°C及び210°Cの環境下で30分間保持し、室温に戻した後に測定した暗電流の加熱前の暗電流に対する増加倍率を示す。なお、各材料のIpは、各材料をそれぞれ成膜した各単層膜を理研計器製AC-2により測定することにより求め、EaはIpからエネルギーギャップ分のエネルギーを差し引く事により求めた。エネルギーギャップに相当するエネルギーとして、上記単層膜の分光吸収スペクトルの長波端の波長をエネルギー換算した値を用いた。実施例及び比較例で用いた化合物を下記に示す。実施例1~23は比較例1~8に比べて加熱後の暗電流の増加量が小さく、耐熱性が高いことが分かる。比較例2、5、6及び8に比べては暗電流の相対値が小さい。更に図2に示す形態と同様の撮像素子を作製した。すなわち、CMOS基板上に、アモルファス性ITO30nmをスパッタ法により成膜後、フォトリソグラフィーによりCMOS基板上のフォトダイオードPDの上にそれぞれ1つずつ画素が存在するようにパターニングして下部電極とし、電子ブロッキング材料の製膜以降は、実施例1~23、比較例1~8と同様に作成した。その評価も同様に行い、表1と同様な結果が得られ、撮像素子においても本発明の実施例に基づいた素子は加熱後の暗電流が小さく、耐熱性が高いことが示された。"