"放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータと、前記シンチレータに生じる前記蛍光を検出する画素アレイを有し、前記画素アレイに密接して設けられた前記シンチレータを支持するセンサパネルと、を備え、前記シンチレータの前記画素アレイに密接する面とは反対側の面には、前記蛍光を反射する反射層が設けられており、前記反射層は、複数の反射膜片からなり、前記反射膜片の各々は、周囲の反射膜片との間に隙間をおいて設けられ、前記画素アレイの各画素の一部に、反射膜片間の前記隙間が重なっており、前記反射層を透過して前記シンチレータに放射線が入射せしめられる放射線画像検出装置。請求項1に記載の放射線画像検出装置であって、前記反射膜片は、その面積が前記画素アレイの画素の面積よりも小さく形成され、前記画素毎に設けられており、前記画素には、少なくとも一つの前記反射膜片が重なっている放射線画像検出装置。請求項1に記載の放射線画像検出装置であって、前記反射膜片は、その幅が前記画素アレイの画素列毎又は画素行の幅よりも小さく形成され、前記画素列又は前記画素行毎に設けられており、前記画素列又は前記画素行には、少なくとも一つの前記反射膜片が重なっている放射線画像検出装置。請求項1から3のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記反射膜片は、アルミニウムからなる放射線画像検出装置。請求項4に記載の放射線画像検出装置であって、反射膜片間の前記隙間は、前記シンチレータに入射する放射線の波長以上で前記シンチレータに生じる蛍光波長の5倍以下である放射線画像検出装置。請求項1から5のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記蛍光体の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群によって形成される柱状部を有し、前記柱状結晶の端部の集合によって構成される面において前記画素アレイに密接している放射線画像検出装置。請求項6に記載の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記蛍光体の結晶が粒状に成長してなる粒状結晶の群によって形成される非柱状部をさらに有し、前記非柱状部は、前記柱状部の前記画素アレイに密接する側とは反対側に設けられている放射線画像検出装置。請求項1から7のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記画素アレイに接着層を介して貼り合わされている放射線画像検出装置。請求項1から7のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記センサパネル上に直接形成されている放射線画像検出装置。請求項1から9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置と、前記放射線画像検出装置に向けて放射線を照射する放射線源と、を備える放射線撮影装置。請求項10に記載の放射線撮影装置であって、被写体として乳房を撮影する放射線撮影装置。請求項8に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、支持体上に形成された前記シンチレータを、前記センサパネルの前記画素アレイに貼り合わせ、前記画素アレイに貼り合わされた前記シンチレータから前記支持体を剥離し、前記支持体が剥離されて露呈した前記シンチレータの面に、前記反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。請求項12に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記支持体が剥離されて露呈した前記シンチレータの面に、前記シンチレータの蛍光を反射する反射膜を形成し、前記反射膜をエッチングして前記複数の反射膜片に分離し、前記反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。請求項8に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、支持体上に、前記シンチレータの蛍光を反射する反射膜及び前記シンチレータをこの順に形成し、前記支持体上に形成された前記シンチレータを、前記センサパネルの前記画素アレイに貼り合わせ、前記画素アレイに貼り合わされた前記シンチレータから前記支持体を剥離し、前記支持体が剥離されて露呈した前記反射膜をエッチングして前記複数の反射膜片に分離し、前記反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。請求項9に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記センサパネル上に、前記シンチレータ及び該シンチレータの蛍光を反射する反射膜をこの順に形成し、前記反射膜をエッチングして前記複数の反射膜片に分離し、前記反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。特許文献3に記載された放射線画像検出装置において、支持体が剥離されて露呈するシンチレータの面は、シンチレータに生じる蛍光を反射する蛍光反射層によって覆われている。シンチレータに発生した蛍光のうち画素アレイとは反対側に向かう蛍光は、蛍光反射層によって画素アレイに向けて反射される。それにより、蛍光の利用効率が高まり、感度の向上が図られる。しかしながら、特許文献3に記載された放射線画像検出装置において、蛍光反射層としては、アルミニウム薄膜が用いられており、特に低エネルギーのX線が用いられるマンモグラフィー撮影などにおいて、蛍光反射層におけるX線吸収が問題となる場合がある。本発明は、上述した事情に鑑みなされたものであり、感度に優れる放射線画像検出装置を提供することを目的とする。放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータと、前記シンチレータに生じる前記蛍光を検出する画素アレイを有し、前記画素アレイに密接して設けられた前記シンチレータを支持するセンサパネルと、を備え、前記シンチレータの前記画素アレイに密接する面とは反対側の面には、前記蛍光を反射する反射層が設けられており、前記反射層は、複数の反射膜片からなり、前記反射膜片の各々は、周囲の反射膜片との間に隙間をおいて設けられ、前記画素アレイの各画素の一部に、反射膜片間の前記隙間が重なっており、前記反射層を透過して前記シンチレータに放射線が入射せしめられる放射線画像検出装置。本発明によれば、シンチレータに固有の支持体がなく、シンチレータはセンサパネルによって支持されている。それにより、シンチレータの支持体による放射線吸収がなくなり、感度が向上する。そして、シンチレータの画素アレイに密接する面とは反対側の面に反射層を設けることによって、蛍光の利用効率が高まり、感度が向上する。さらに、その反射層を、複数の反射膜片によって構成し、各画素の一部に反射膜片間の隙間を重ねることによって、各画素に重なるシンチレータの部分に入射する放射線量が増加し、感度が向上する。図1に示す放射線撮影装置は、被写体として乳房Bを撮影するマンモグラフィー装置である。このマンモグラフィー装置80は、床に設置固定された基台図示せずに対して旋回可能に連結されたアーム部材81と、アーム部材81の一端に配設された放射線源収納部82と、アーム部材81の他端に配設された撮影台83と、撮影台83に対して上下方向に移動可能に構成された圧迫板84とを備えている。X線源収納部82には放射線源85が収納されており、撮影台83には放射線画像検出装置1が収納されている。放射線源85と放射線画像検出装置1とは、互いに対向するように配置されている。放射線源85としては、印加される高電圧に応じてX線を発生するX線管86と、X線管86から発せられたX線のうち、被写体の検査領域に寄与しない部分を遮蔽するように照射野を制限する可動式のコリメータ87aを備えたコリメータユニット87とから構成されている。マンモグラフィー撮影においては、比較的低エネルギーのX線例えば、28keVが放射線源85から乳房Bに照射される。圧迫板84は、移動機構図示せずによりアーム部材81に沿って移動し、撮影台83との間で乳房Bを挟み込んで圧迫する。この圧迫状態で、放射線源85から乳房Bに放射線が照射されて撮影が行われる。撮影台83に収納された放射線画像検出装置1は、放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータ11と、センサパネル3とを備えている。センサパネル3は、絶縁性基板20と、絶縁性基板20上に設けられた画素アレイ21とを有している。画素アレイ21を構成する画素の各々は、シンチレータ11に生じる蛍光を検出する。シンチレータ11は、画素アレイ21との間に接着層4を介在させて画素アレイ21に貼り合わされており、センサパネル3によって支持されている。接着層4は、シンチレータ11の蛍光を減衰させることなく画素アレイ21に到達させ得るものであれば特に制限はなく、固化して濡れ性を失う接着によってシンチレータ11と画素アレイ21とを接合するものに限らず、濡れ性を保つ粘着によって両者を接合するものも含む。そのような接着層4としては、例えば、UV硬化接着剤や加熱硬化型接着剤や室温硬化型接着剤やホットメルト型接着剤などの接着剤、若しくはゴム系粘着剤やシリコーン系粘着剤やアクリル系粘着剤などの粘着剤、又はこれらの接着剤や粘着剤が両面に設けられた両面接着/粘着シート、等によって形成することができる。なお、接着剤としては、画像の鮮鋭度を低下させないという観点から、画素サイズに対して十分に薄い接着層を形成し得る低粘度エポキシ樹脂製の接着剤が好ましい。また、粘着剤としては、光や酸化による劣化が少ないアクリル系粘着剤が好ましい。放射線画像検出装置1は、いわゆる裏面読取型PSS:PenetorationSideSamplingの放射線画像検出装置であり、放射線入射側にシンチレータ11が配置される。被写体を透過した放射線は、まずシンチレータ11に入射する。放射線が入射したシンチレータ11において蛍光が発生し、ここで発生した蛍光が画素アレイ21によって検出される。図2及び図3は、センサパネル3の構成を示す。画素アレイ21は、絶縁性基板20上に複数の画素22が2次元状に配列されてなり、画素22の各々は、光電変換素子23、及びスイッチ素子24によって構成されている。光電変換素子23は、シンチレータ11の蛍光を受光して電荷を生成する光導電層25と、この光導電層25の表裏面に設けられた一対の電極26,27を有している。光導電層25のシンチレータ11側の面に設けられた電極26は、光導電層25にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極であり、反対側の面に設けられた電極27は、光導電層25で生成された電荷を収集する電荷収集電極である。電荷収集電極27は、スイッチ素子24に接続されており、電荷収集電極27に収集された電荷は、スイッチ素子24を介して読み出される。絶縁性基板20上には、2次元状に配列された画素22の配列方向のうちの一方向行方向に延設され各画素22のスイッチ素子24をオン/オフさせるための複数本のゲート線28と、ゲート線28と直交する方向列方向に延設されオン状態のスイッチ素子24を介して電荷を読み出すための複数の信号線データ線29とが設けられている。ゲート線28及び信号線29の各々は、絶縁性基板20の縁部に設けられた接続端子部30において接続回路31に接続され、この接続回路31を介してゲートドライバ及び信号処理部を有する回路基板図示せずに接続される。スイッチ素子24は、ゲートドライバからゲート線28を介して供給される信号により行単位で順にオン状態とされる。そして、オン状態とされたスイッチ素子24によって読み出された電荷は、電荷信号として信号線29を伝送されて信号処理部に入力される。これにより、電荷が行単位で順に読み出され、上記の信号処理部において電気信号に変換され、デジタル画像データが生成される。絶縁性基板20は、典型的にはガラス基板が用いられるが、フレキシブルな樹脂基板を用いることもできる。なお、フレキシブルな樹脂基板については後述する。光電変換素子23は、例えば、アモルファスシリコンのPN接合薄膜又はPIN接合薄膜を光導電層25に用いたアモルファスシリコンフォトダイオードとして構成することができる。また、光導電層25としては、アモルファスシリコンの他に、キナクリドンなどの有機化合物からなる有機光電変換膜も用いることができる。なお、有機光電変換膜については後述する。スイッチ素子24は、例えば活性層にアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorとして構成することができる。また、TFTの活性層としては、アモルファスシリコンの他に非晶質酸化物半導体材料や有機半導体材料なども用いることができる。なお、非晶質酸化物半導体材料や有機半導体材料については後述する。光電変換素子23のアレイとスイッチ素子24のアレイとが一つの同じ層に形成されていてもよいし、シンチレータ11側から、スイッチ素子24のアレイ、光電変換素子23のアレイの順に互いに異なる層に形成されていてもよいが、図示の例のように、シンチレータ11側から、光電変換素子23のアレイ、スイッチ素子24の順に互いに異なる層に形成されていることが好ましい。光電変換素子23のアレイとスイッチ素子24のアレイとが互いに異なる層に形成されていることによって、光電変換素子23のサイズを大きくすることができる。そして、シンチレータ11側から、光電変換素子23のアレイ、スイッチ素子24のアレイの順に形成されていることによって、光電変換素子23のアレイをシンチレータ11に近接して配置することができ、感度が向上する。図4は、シンチレータ11の構成を示す。シンチレータ11は、柱状部40と非柱状部41とで構成されている。柱状部40は、蛍光体の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶43の群によって形成されている。なお、近隣の複数の柱状結晶が結合して一つの柱状結晶を形成する場合もある。隣り合う柱状結晶43の間には空隙が置かれ、柱状結晶43は互いに独立して存在する。非柱状部41は、柱状結晶43の基端側で柱状部40に隣設され、蛍光体の結晶が比較的小さい粒状に成長してなる粒状結晶42の群によって形成されている。なお、非柱状部41には、蛍光体の非晶質体が含まれる場合もある。非柱状部41において、粒状結晶は、不規則に結合し、あるいは重なり合って存在する。柱状部40の柱状結晶43の各々は、その基端部を非柱状部41によって互いに連結されており、非柱状部41は、互いに独立して存在する柱状結晶43の群が離散することを防止する。センサパネル3に支持されたシンチレータ11は、さらに非柱状部41によって自己支持され、その形状がより確実に保持される。シンチレータ11を形成する蛍光体としては、例えば、CsI:Tlタリウム賦活ヨウ化セシウム、NaI:Tlタリウム賦活ヨウ化ナトリウム、CsI:Naナトリウム賦活ヨウ化セシウム、等のアルカリハライド蛍光体を用いることができ、なかでも、発光スペクトルがアモルファスシリコンフォトダイオードの分光感度の極大値550nm付近に適合する点で、CsI:Tlが好ましい。シンチレータ11は、柱状部40の柱状結晶43の先端部の集合によって構成される面蛍光出射面において画素アレイ21に貼り合わされる。放射線露光によってシンチレータ11に生じる蛍光は、柱状結晶43の先端部の集合によって構成された蛍光出射面から画素アレイ21に向けて出射される。柱状結晶43の各々に生じた蛍光は、その柱状結晶43と周囲の空隙との屈折率差に起因して柱状結晶43内で全反射を繰り返すことで拡散を抑制され、画素アレイ21に導光される。それにより、画像の鮮鋭度が向上する。また、柱状結晶43の先端部は、先鋭なテーパ状に形成されている。柱状結晶43の先端部が、このような凸形状に形成されていることにより、平坦若しくは凹形状に比べて光の取り出し効率が高められ、感度が向上する。先端部の角度θは40度~80度が好ましい。シンチレータ11の蛍光出射面とは反対側の面は、非柱状部41の粒状結晶42の群によって形成されており、この面上には、シンチレータ11に生じた蛍光を反射する反射層15が設けられている。反射層15の詳細な構成については後述する。図5は、シンチレータ11の図4におけるV‐V断面を示す電子顕微鏡写真である。図5に明らかなように、柱状部40においては、柱状結晶43が結晶の成長方向に対しほぼ均一な断面径を示し、且つ、柱状結晶43の周囲に空隙を有し、柱状結晶43が互いに独立して存在することがわかる。柱状結晶43の結晶径柱径は、光ガイド効果、機械的強度、そして画素欠陥防止の観点から、2μm以上8μm以下であることが好ましい。柱径が小さすぎると、柱状結晶43の機械的強度が不足し、衝撃等により損傷する懸念があり、柱径が大きすぎると、画素毎の柱状結晶43の数が少なくなり、結晶にクラックが生じた際にその画素が欠陥となる確率が高くなる懸念がある。ここで、柱径は、柱状結晶43の成長方向上面から観察した結晶の最大径を示す。具体的な測定方法としては、柱状結晶43の成長方向上面からSEM走査型電子顕微鏡で観察することで柱径を測定する。柱状結晶43が100本から200本観察できる倍率約2000倍程度で観察し、1撮影に含まれる結晶全てに対し、柱径の最大値を測定して平均した値を採用している。柱径μmは小数点以下2桁まで読み、平均値をJISZ8401に従い小数点以下2桁目を丸めた値とする。また、柱状部40の厚み柱状結晶43の長さは、放射線のエネルギーにもよるが、200μm以上700μm以下であることが好ましい。柱状部40の厚みが小さすぎると、放射線を十分に吸収することができず、感度が低下する虞があり、厚みが大きすぎると光拡散が生じ、柱状結晶43の光ガイド効果によっても画像の鮮鋭度が低下する懸念がある。図6は、シンチレータ11の図4におけるVI‐VI断面を示す電子顕微鏡写真である。図6に明らかなように、非柱状部41においては、粒状結晶42が不規則に結合したり重なり合ったりしており、結晶間の明確な空隙は、柱状部40程は認めらない。非柱状部41を形成する粒状結晶42の径は、非柱状部41によるシンチレータ11の形状保持の観点から、0.5μm以上7.0μm以下であることが好ましい。結晶径が小さすぎ、あるいは大きすぎると、機械的強度が低下する懸念がある。ここで、結晶同士が結合している場合の結晶径の測定は、隣接する結晶間に生じる窪み凹同士を結んだ線を結晶間の境界と見なし、結合した結晶同士を最小多角形となるように分離して結晶径を測定し、柱状部40における結晶径と同様にして平均値をとり、その値を採用する。また、非柱状部41の厚みは、5μm以上125μm以下であることが好ましい。非柱状部41の厚みが小さすぎると、機械的強度が得られない虞があり、また厚みが大きすぎると、非柱状部41における蛍光の寄与が増大し、画像の鮮鋭度が低下する懸念がある。図7は、反射層15の構成を示す。反射層15は、複数の反射膜片16によって構成されており、反射膜片16の各々は、周囲の反射膜片16との間に隙間17をおいて設けられている。画素アレイ21の各画素22の一部には、反射膜片間の隙間17が重なっており、その余の部分には反射膜片16が重なっている。反射膜片間の隙間17を通ってシンチレータ11に入射する放射線は、反射膜片16による吸収を受けることなくシンチレータ11に入射する。よって、隙間17が重なるシンチレータ11の第1の部分11aには、反射膜片16に覆われるシンチレータ11の第2の部分11bに比べて、より多くの蛍光が生じる。そして、画素22によって検出される蛍光は、主として画素22に重なるシンチレータ11の部分に生じる蛍光であるところ、画素22の一部に反射膜片間の隙間17が重なっており、即ち画素22の一部に比較的多くの蛍光を生じさせるシンチレータ11の第1の部分11aが重なっていることから、感度が向上する。また、被写体である乳房B図1参照において散乱された放射線以下、散乱線というは、反射層15に斜入する。散乱線の進行方向にみた反射膜片16の厚みは、略垂直に反射層15に入射する場合に比べて長くなり、散乱線は、反射膜片16によって十分に吸収されて除去される。それにより、画像の鮮鋭度を向上させることができる。反射層15は、例えば、シンチレータ11の蛍光出射面とは反対側の面上に、アルミニウムなどの光反射性を有する金属の薄膜を形成し、この反射膜に対して所定のパターンにエッチングを施し、複数の反射膜片16に分割することによって形成することができる。図8は、反射層15のパターンニングの一例を示す。図8に示す例では、反射膜片16は、画素22毎に設けられ、反射膜片間の隙間17は、二次元格子状に設けられている。反射膜片16の面積は、画素22の面積よりも小さく、反射膜片16は、対応する画素22の中央部に重なっており、画素22の四辺の縁部に、反射膜片間の隙間17が重なっている。なお、図8に示す例において、画素22には一つの反射膜片16が重なっているが、より細分化された複数の反射膜片が重なっていてもよい。図9は、反射層15のパターンニングの他の例を示す。図9に示す例では、反射膜片16は、画素列毎に設けられ、反射膜片間の隙間17は、画素列に直交する行方向に周期的に配列される縞状に設けられている。反射膜片16の幅は、画素列の幅よりも小さく、反射膜片16は、対応する画素列の行方向の中央部に重なっており、画素22の列方向に沿った二辺の縁部に、反射膜片間の隙間17が重なっている。なお、図9に示す例において、画素列には一つの反射膜片16が重なっているが、より細分化された複数の反射膜片が重なっていてもよい。以上のように、反射膜片16が、画素22又は画素列画素行毎に設けられ、画素22又は画素列画素行より小さく形成されていることによって、画素アレイ21に対して静止している反射膜片16の配列が画像に写り込むことがなくなる。図10は、反射膜片16の膜厚を0.5mmで反射膜片間の隙間17をシンチレータ11で生じる蛍光波長と等しくした場合に、反射膜片間の隙間17を複数配置したときの、シンチレータ11における反射層15が形成される面X線入射面の面積に対する隙間17の総和面積の割合とシンチレータ11に入射するX線量の関係を示す。シンチレータ11に入射するX線は、反射膜片間の隙間17に対して十分直進性をもって入射されるため、隙間17の総和面積の割合に比例してシンチレータ11に入射するX線量は増加する。これに対して、シンチレータ11に生じた蛍光のうち、画素22とは反対側に向かう蛍光はシンチレータ11の非柱状部41で等方的に拡散された後に反射膜片16で反射されるため、反射膜片間の隙間17による反射光量の低下はほとんどない。したがって、シンチレータ11にX線を効率よく入射させ、シンチレータ11で生じる画素22とは反対側に向かう蛍光を反射膜片間の隙間17から極力透過させないようにでき、高感度の放射線検出器が得られる。反射膜片間の隙間17は、隙間17からの蛍光の透過を抑制する観点から、X線波長以上でシンチレータ11に生じる蛍光波長の5倍程度以下が好ましく、具体的には10~2500nmがよく、シンチレータ11に生じる蛍光波長程度がより好ましい。以下に放射線画像検出装置1の製造方法を説明する。図11は、放射線画像検出装置1の製造工程を示す。まず、シンチレータ11は、気相堆積法によって製造することができる。蛍光体としてCsI:Tlを用いる場合には、真空度0.01~10Paの環境下で、CsI:Tlを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、支持体10の温度を室温20°C~300°Cとして、CsI:Tlの結晶を支持体10上に堆積させる。支持体10上にCsI:Tlの結晶相を形成する際、当初は直径の比較的小さい粒状結晶42を堆積させて非柱状部41を形成する。そして、真空度及び支持体10の温度の少なくとも一方の条件を変更し、非柱状部41を形成した後に連続して柱状部40を形成する。具体的には、真空度を上げる、及び/又は支持体10の温度を高くすることによって、柱状結晶43の群を成長させる。柱状結晶43の成長終期における支持体10の温度を制御することによって、柱状結晶43の先端部の形状先端角度θを制御することができる。概ね、110°Cで170度、140°Cで60度、200°Cで70度、260°Cで120度となる。支持体10としては、その上にシンチレータ11を形成することができる限りにおいて特に限定されないが、例えば、カーボン板、CFRPCarbonFiberReinforcedPlastic、ガラス板、石英基板、サファイア基板、鉄やスズやクロムやアルミニウムなどから選択される金属シート、等を用いることができる。以上のように支持体10上に形成されたシンチレータ11を、接着層4を介してセンサパネル3の画素アレイ21に貼り合わせるFIG.11A。そして、画素アレイ21に貼り合わされたシンチレータ11から支持体10を剥離するFIG.11B。次いで、支持体が剥離されて露呈したシンチレータ11の面上に、アルミニウムなどの光反射性を有する金属の薄膜16 ́を形成するFIG.11C。この反射膜16 ́は、例えば蒸着などの手段によってシンチレータ11の面上に成膜することができる。なお、CsI:Tl等のアルカリハライド蛍光体中のハロゲンが反射膜16 ́の材料である金属を腐食させることがあり、また、アルカリハライド蛍光体は潮解性を有しているため、図示の例においては、支持体10が剥離されて反射膜16 ́が成膜される前に、シンチレータ11を保護膜12によって被覆している。保護膜12としては、典型的にはポリパラキシリレンが用いられ、気相体積法によってシンチレータ11の表面に成膜することができる。次いで、シンチレータ11の面上に形成された反射膜16 ́に対して、所定のパターンでエッチングを施し、反射膜16 ́を複数の反射膜片16に分割し、反射層15を形成するFIG.11D。エッチングにより除去された膜部分が、反射層15における反射膜片間の隙間17となる。以上により、放射線画像検出装置1を得る。なお、上述した製造方法において、反射膜16 ́を支持体10の表面に予め成膜しておき、支持体10の反射膜16 ́上にシンチレータ11を形成し、その後に反射膜16 ́をシンチレータ11に残して支持体10を剥離するようにしてもよい。製造工程において用いられた支持体10が剥離され、シンチレータ11がセンサパネル3によって支持されていることにより、支持体10とセンサパネル3の絶縁性基板20との線膨張係数の差に起因する放射線画像検出装置の反りが生じない。また、支持体10が剥離されることによって、シンチレータ11に負荷される荷重が軽減され、シンチレータ11を形成する柱状結晶43の先端部に損傷や変形が生じることを防止することができる。以上、説明したとおり、放射線画像検出装置1において、シンチレータ11に固有の支持体がなく、シンチレータ11はセンサパネル3によって支持されている。それにより、シンチレータ11に固有の支持体による放射線吸収がなくなり、感度が向上する。そして、シンチレータ11の画素アレイ21に貼り合わされる面とは反対側の面に反射層15を設けることによって、蛍光の利用効率が高まり、感度が向上する。さらに、その反射層15を、複数の反射膜片16によって構成し、各画素22の一部に反射膜片間の隙間17を重ねることによって、各画素22に重なるシンチレータ11の部分に入射する放射線量が増加し、感度が向上する。なお、上述した放射線画像検出装置1及びその製造方法において、シンチレータ11は、支持体10上に形成され、接着層4を介してセンサパネル3に貼り合わされているが、シンチレータをセンサパネル3上に直接形成するようにしてもよい。図12に示す例においては、センサパネル3を支持体として、上述した気相堆積法により、柱状部及び非柱状部をこの順にセンサパネル3上に形成し、シンチレータ11をセンサパネル3上に直接形成しているFIG12A。そして、シンチレータ11の面上に、アルミニウムなどの光反射性を有する金属の薄膜16 ́を形成するFIG.12B。次いで、シンチレータ11の面上に形成された反射膜16 ́に対して、所定のパターンでエッチングを施し、反射膜16 ́を複数の反射膜片16に分割し、反射層15を形成するFIG.12C。また、シンチレータ11がCsI:Tl等のアルカリハライド蛍光体の柱状結晶43の群によって形成されるものとして説明したが、シンチレータには、柱状結晶を形成しないGOSガドリニウムオキシサルファイド等の蛍光体を用いることもでき、それらの蛍光体を支持体又はセンサパネルに塗布して形成することもできる。以上、マンモグラフィー装置を例に本発明に係る放射線撮影装置及び放射線画像検出装置の実施形態を説明したが、上述した放射線画像検出装置は、放射線画像を高感度、高精細に検出しうるため、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求される医療診断用のX線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。例えば、工業用のX線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線α線、β線、γ線の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。以下、センサパネルを構成する各要素に用いることのできる材料について説明する。[光電変換素子]上述した光電変換素子23の光導電層25図2参照としては、例えば特開2009-32854号公報に記載された有機光電変換OPC;Organicphotoelectricconversion材料により形成された膜以下、OPC膜というを使用することができる。OPC膜は、有機光電変換材料を含み、蛍光体から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むOPC膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、蛍光体による発光以外の電磁波がOPC膜に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線がOPC膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。OPC膜を構成する有機光電変換材料は、蛍光体で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、蛍光体の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と蛍光体の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ蛍光体から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、蛍光体の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、アリーリデン系有機化合物、キナクリドン系有機化合物、及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、蛍光体の材料としてCsITlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、OPC膜で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。バイアス電極26および電荷収集電極27の間に設けられる有機層の少なくとも一部をOPC膜によって構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合により形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体化合物であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これらに限らず、n型アクセプター性化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いることができる。有機n型半導体化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体化合物であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5ないし7員のヘテロ環化合物例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これらに限らず、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いることができる。p型有機色素又はn型有機色素としては、公知のものを用いることができるが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素ゼロメチンメロシアニンシンプルメロシアニンを含む、3核メロシアニン色素、4核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体等が挙げられる。一対の電極間に、p型半導体層とn型半導体層とを有し、該p型半導体とn型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該p型半導体およびn型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する光電変換膜感光層を好適に用いることができる。このように、光電変換膜において、バルクへテロ接合構造層を含ませることにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。なお、上記バルクへテロ接合構造については、特開2005-303266号公報において詳細に説明されている。光電変換膜の厚みは、蛍光体からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、電荷分離に寄与しない割合を考慮すると、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。上述したOPC膜に関するその他の構成は、例えば、特開2009-32854号公報の記載が参考となる。[スイッチ素子]スイッチ素子24の活性層としては、例えば特開2009-212389号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機TFTはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタFET構造である。このFET構造は、絶縁性基板上面の一部にゲート電極を設け、さらに該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。さらに絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部に透明ソース電極と透明ドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。活性層ここでいう有機半導体材料とは、半導体の特性を示す有機材料のことであり、無機材料からなる半導体と同様に、正孔ホールをキャリアとして伝導するp型有機半導体材料あるいは単にp型材料、正孔輸送材料とも言う。と、電子をキャリアとして伝導するn型有機半導体材料あるいは単にn型材料、電子輸送材料とも言う。がある。有機半導体材料は一般にp型材料の方が良好な特性を示すものが多く、また、一般に大気下でのトランジスタ動作安定性もp型トランジスタの方が優れているため、ここでは、p型有機半導体材料について説明する。有機薄膜トランジスタの特性の一つに、有機半導体層中のキャリアの動きやすさを示すキャリア移動度単に移動度とも言うμがある。用途によっても異なるが、一般に移動度は高い方がよく、1.0×107cm2/Vs以上であることが好ましく、1.0×106cm2/Vs以上であることがより好ましく、1.0×105cm2/Vs以上であることがさらに好ましい。移動度は電界効果トランジスタFET素子を作製したときの特性や飛行時間計測TOF法により求めることができる。前記p型有機半導体材料は、低分子材料でも高分子材料でも良いが、好ましくは低分子材料である。低分子材料は、昇華精製や再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの様々な精製法が適用できるため高純度化が容易であること、分子構造が定まっているため秩序の高い結晶構造を取りやすいこと、などの理由から高い特性を示すものが多い。低分子材料の分子量は、好ましくは100以上5000以下、より好ましくは150以上3000以下、さらに好ましくは200以上2000以下である。このようなp型有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物又はナフタロシアニン化合物を例示することができ、具体例を以下に示す。なお、Mは金属原子、Buはブチル基、Prはプロピル基、Etはエチル基、Phはフェニル基をそれぞれ表す。活性層以外のスイッチ素子の構成要素ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極を構成する材料としては、必要な導電性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ITOインジウムドープ酸化スズ、IZOインジウムドープ酸化亜鉛、SnO2、ATOアンチモンドープ酸化スズ、ZnO、AZOアルミニウムドープ酸化亜鉛、GZOガリウムドープ酸化亜鉛、TiO2、FTOフッ素ドープ酸化スズなどの透明導電性酸化物、PEDOT/PSSポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸などの透明導電性ポリマー、カーボンナノチューブなどの炭素材料が挙げられる。これらの電極材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。絶縁層に用いられる材料としては、必要な絶縁効果を有するものであれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナなどの無機材料、ポリエステルPENポリエチレンナフタレート、PETポリエチレンテレフタレートなど、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ノボラック樹脂、PVAポリビニルアルコール、PSポリスチレン、などの有機材料が挙げられる。これらの絶縁膜材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。上述した有機TFTに関するその他の構成は、例えば、特開2009-212389号公報の記載が参考となる。また、スイッチ素子24の活性層には、例えば特開2010-186860号公報に記載された非晶質酸化物も使用することができる。ここで、特開2010-186860号に記載された電界効果型トランジスタが有する非晶質酸化物含有の活性層について示す。この活性層は、電子またはホールの移動する電界効果型トランジスタのチャネル層として機能する。活性層は、非晶質酸化物半導体を含んだ構成とされている。この非晶質酸化物半導体は、低温で成膜可能であるために、可撓性のある基板上に好適に形成される。活性層に用いられる非晶質酸化物半導体としては、好ましくはIn、Sn、Zn、又はCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含む非晶質酸化物であり、より好ましくは、In、Sn、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物、さらに好ましくは、In、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物である。活性層に用いられる非晶質酸化物としては、具体的には、In2O3、ZnO,SnO2、CdO,Indium-Zinc-OxideIZO、Indium-Tin-OxideITO、Gallium-Zinc-OxideGZO、Indium-Gallium-OxideIGO、Indium-Gallium-Zinc-OxideIGZOが挙げられる。活性層の成膜方法としては、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが好ましい。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法PLD法が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。例えば、RFマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。成膜された活性層は、周知のX線回折法によりアモルファス膜であることが確認される。活性層の組成比は、RBSラザフォード後方散乱分析法により求められる。また、この活性層の電気伝導度は、好ましくは10-4Scm-1以上102Scm-1未満であり、より好ましくは10-1Scm-1以上102Scm-1未満である。この活性層の電気伝導度の調整方法としては、公知の酸素欠陥による調整方法や、組成比による調整方法、不純物による調整方法、酸化物半導体材料による調整方法が挙げられる。上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開2010-186860号公報の記載が参考となる。[絶縁性基板]絶縁性基板20としては、例えば光透過率に優れるプラスチックフィルムを使用することができる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP、ポリイミド、ポリアリレート、二軸延伸ポリスチレンOPS等からなるフィルムが挙げられる。また、これらのプラスチックフィルムに、有機あるいは無機のフィラーを含有させてもよい。また、フレキシブルでかつ低熱膨張、高強度といった、既存のガラスやプラスチックでは得られない特性を有するアラミド、バイオナノファイバーなどを用いて形成されたフレキシブル基板も好適に使用しうる。これらのなかでも、耐熱性を有するポリアリレートガラス転移温度:約193°C、二軸延伸ポリスチレン分解温度:250°C、ポリイミドガラス転移温度:約300°C、アラミドガラス転移温度:約315°C等が好適に使用でき、それによれば、シンチレータを絶縁性基板に直接形成することができる。アラミドアラミド材料は、ガラス転移温度315°Cという高い耐熱性、ヤング率が10GPaという高い剛性、熱膨張率が-3~5ppm/°Cという高い寸法安定性を有する。このため、アラミド製のフィルムを用いると、一般的な樹脂フィルムを用いる場合と比べて、半導体層の高品質の成膜が容易に行える。また、アラミド材料の高耐熱性により、電極材料を高温硬化させて低抵抗化できる。さらに、ハンダのリフロー工程を含むICの自動実装にも対応できる。またさらに、ITOindiumtinoxideやガスバリア膜、ガラス基板と熱膨張係数が近いために、製造後の反りが少ない。そして、割れにくい。ここで、ハロゲンを含まないハロゲンフリーJPCA-ES01-2003の規定に適合なアラミド材料を用いることが環境負荷低減の点で好ましい。アラミドフィルムは、ガラス基板やPET基板と積層されてもよいし、デバイスの筐体に貼り付けられてもよい。アラミドの分子間の凝集力水素結合力の高さによる溶媒への低溶解性を分子設計によって解決することにより、無色透明で薄いフィルムへの成形が容易とされたアラミド材料についても、好適に用いることができる。モノマーユニットの秩序性、および芳香環上の置換基種位置を制御する分子設計により、アラミド材料の高剛性や寸法安定性に繋がる直線性の高い棒状の分子構造を維持しつつ、溶解性が良い成形の容易さが得られる。この分子設計により、ハロゲンフリーをも実現できる。また、フィルムの面内方向の特性が最適化されたアラミド材料についても、好適に用いることができる。成型中に逐次変化するアラミドフィルムの強度に応じて、溶液キャスト、縦延伸、横延伸の工程ごとに張力条件を制御することにより、直線性の高い棒状分子構造であって物性に異方性が生じやすいアラミドフィルムの面内方向の特性をバランスできる。具体的に、溶液キャスト工程では、溶媒の乾燥速度の制御による面内厚み方向の物性の等方化、溶媒を含んだ状態のフィルムの強度とキャストドラムからの剥離強度の最適化、を図る。縦延伸工程では、延伸中に逐次変化するフィルムの強度、溶媒の残留量に応じた延伸条件を精密に制御する。横延伸工程では、加熱によって変化するフィルム強度の変化に応じた横延伸の条件の制御、フィルムの残留応力を緩和するための横延伸の条件の制御を図る。このようなアラミド材料の使用により、成型後のアラミドフィルムがカールしてしまう問題を解決できる。上記の成形容易さに対する工夫、およびフィルム面内方向の特性のバランスに対する工夫のいずれにおいても、アラミドならではの直線性の高い棒状の分子構造が維持されているので、熱膨張係数を低く維持できる。製膜時の延伸条件の変更などにより、熱膨張係数をさらに低減することも可能である。バイオナノファイバーナノファイバーは、光の波長に対して十分に小さなコンポーネントは光散乱を生じないことから、透明でフレキシブルな樹脂材料の補強として用いることができる。そして、ナノファイバーの中でも、バクテリアが産出するセルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと、可視光波長に対して約1/10のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有しており、このバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料バイオナノファイバーということがあるを好適に用いることができる。バクテリアセルロースシートにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を約60~70と高い比率で含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示す透明バイオナノファイバーが得られる。このバイオナノファイバーにより、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数約3~7ppm、鋼鉄並の強度、および高弾性が得られる。上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開2008-34556号公報の記載が参考となる。以上、説明したように、本明細書には、下記1から9の放射線画像検出装置が、また下記10及び11の放射線撮影装置が、また下記12から15の放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。1放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータと、前記シンチレータに生じる前記蛍光を検出する画素アレイを有し、前記画素アレイに密接して設けられた前記シンチレータを支持するセンサパネルと、を備え、前記シンチレータの前記画素アレイに密接する面とは反対側の面には、前記蛍光を反射する反射層が設けられており、前記反射層は、複数の反射膜片からなり、前記反射膜片の各々は、周囲の反射膜片との間に隙間をおいて設けられ、前記画素アレイの各画素の一部に、反射膜片間の前記隙間が重なっており、前記反射層を透過して前記シンチレータに放射線が入射せしめられる放射線画像検出装置。2上記1の放射線画像検出装置であって、前記反射膜片は、その面積が前記画素アレイの画素の面積よりも小さく形成され、前記画素毎に設けられており、前記画素には、少なくとも一つの前記反射膜片が重なっている放射線画像検出装置。3上記1の放射線画像検出装置であって、前記反射膜片は、その幅が前記画素アレイの画素列毎又は画素行の幅よりも小さく形成され、前記画素列又は前記画素行毎に設けられており、前記画素列又は前記画素行には、少なくとも一つの前記反射膜片が重なっている放射線画像検出装置。4上記1から3のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記反射膜片は、アルミニウムからなる放射線画像検出装置。5上記4の放射線画像検出装置であって、反射膜片の前記隙間は、前記シンチレータに入射する放射線の波長以上で前記シンチレータに生じる蛍光波長の5倍以下である放射線画像検出装置。6上記1から5のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記蛍光体の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群によって形成される柱状部を有し、前記柱状結晶の端部の集合によって構成される面において前記画素アレイに密接している放射線画像検出装置。7上記6の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記蛍光体の結晶が粒状に成長してなる粒状結晶の群によって形成される非柱状部をさらに有し、前記非柱状部は、前記柱状部の前記画素アレイに密接する側とは反対側に設けられている放射線画像検出装置。8上記1から7のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記画素アレイに接着層を介して貼り合わされている放射線画像検出装置。9上記1から7のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、前記センサパネル上に直接形成されている放射線画像検出装置。10上記1から9のいずれか一つの放射線画像検出装置と、前記放射線画像検出装置に向けて放射線を照射する放射線源と、を備える放射線撮影装置。11上記10の放射線撮影装置であって、被写体として乳房を撮影する放射線撮影装置。12上記8の放射線画像検出装置の製造方法であって、支持体上に形成された前記シンチレータを、前記センサパネルの前記画素アレイに貼り合わせ、前記画素アレイに貼り合わされた前記シンチレータから前記支持体を剥離し、前記支持体が剥離されて露呈した前記シンチレータの面に、前記蛍光反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。13上記12の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記支持体が剥離されて露呈した前記シンチレータの面に、前記シンチレータの蛍光を反射する反射膜を形成し、前記反射膜をエッチングして前記複数の反射膜片に分離し、前記反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。14上記8の放射線画像検出装置の製造方法であって、支持体上に、前記シンチレータの蛍光を反射する反射膜及び前記シンチレータをこの順に形成し、前記支持体上に形成された前記シンチレータを、前記センサパネルの前記画素アレイに貼り合わせ、前記画素アレイに貼り合わされた前記シンチレータから前記支持体を剥離し、前記支持体が剥離されて露呈した前記反射膜をエッチングして前記複数の反射膜片に分離し、前記反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。15上記9の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記センサパネル上に、前記シンチレータ及び該シンチレータの蛍光を反射する反射膜をこの順に形成し、前記反射膜をエッチングして前記複数の反射膜片に分離し、前記反射層を形成する放射線画像検出装置の製造方法。"