"基板に第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に形成するステップと、前記第2半導体層に蛍光粉層を形成するステップと、一部の蛍光粉層及び一部の第2半導体層を除去して少なくとも1つの溝を形成し、前記溝から一部の第2半導体層が露出されるステップと、一部の蛍光粉層、一部の第2半導体層、一部の発光層及び一部の第1半導体層を除去して少なくとも1つの切欠きを形成し、前記切欠きから一部の第1半導体層が露出されるステップと、前記切欠きに第1電極を形成し、前記溝に第2電極を形成するステップと、を含むことを特徴とするLEDチップの製造方法。前記第2半導体層に蛍光粉層を形成するステップの前に、前記第2半導体層に光透過導電層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDチップの製造方法。前記蛍光粉層の厚みは0.1~10μmであり、前記第2半導体層及び光透過導電層はいずれも粗面化処理が行われ、前記蛍光粉層が前記光透過導電層に成形されることを特徴とする請求項2に記載のLEDチップの製造方法。前記蛍光粉層は磁気制御スパッタリング塗膜機によって前記光透過導電層に成形され、具体的には、前記磁気制御スパッタリング塗膜機に保護ガスを注入し、蛍光粉をターゲット材とし、前記ターゲット材と光透過導電層との間の距離を20~50mmにするように前記ターゲット材の位置を調整し、前記磁気制御スパッタリング塗膜機の真空度が210-3Paを超えないように真空抽出し、スパッタリングのパワーが200~500Wになるように制御することを特徴とする請求項3に記載のLEDチップの製造方法。前記一部の蛍光粉層及び一部の第2半導体層を除去して少なくとも1つの溝を形成し、前記溝一部の第2半導体層が露出されるステップは、具体的には、前記蛍光粉層にフォトレジストを塗布して第1フォトレジスト層塗布を形成し、前記第1フォトレジスト層から一部の蛍光粉層が露出され、前記蛍光粉層をエッチングして露出した一部の蛍光粉層を除去し、前記第2半導体層までにエッチングし、一部の第2半導体層を除去して溝を形成し、露光、現像を行なってフォトレジストを除去することを特徴とする請求項1に記載のLEDチップの製造方法。前記一部の蛍光粉層、一部の第2半導体層、一部の発光層及び一部の第1半導体層を除去して少なくとも1つの切欠きを形成し、前記切欠きから一部の第1半導体層が露出されるステップは、具体的には、前記蛍光粉層及び溝にフォトレジストを塗布して第2フォトレジスト層を形成し、前記第2フォトレジスト層から縁部の一部の蛍光粉層が露出され、前記蛍光粉層をエッチングして縁部の一部の蛍光粉層を除去し、第1半導体層までにエッチングし、一部の蛍光粉層、一部の第2半導体層、一部の発光層及び一部の第1半導体層を除去して切欠きを形成し、露光、現像を行なってフォトレジストを除去することを特徴とする請求項5に記載のLEDチップの製造方法。NaOH溶液を用いて前記蛍光粉層に対してウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項5又は6に記載のLEDチップの製造方法。前記切欠きに第1電極を形成し、前記溝に第2電極を形成するステップは、具体的には、前記蛍光粉層及び切欠きにフォトレジストを塗布して第3フォトレジスト層を形成し、前記第3フォトレジスト層から前記溝及び切欠きの電極が設置される部分が露出され、電極を蒸着して前記切欠きに第1電極を成形し、前記溝に第2電極を成形し、露光、現像、洗浄を行い、フォトレジスト及び前記第3フォトレジスト層に位置するメッキ層を除去することを特徴とする請求項6に記載のLEDチップの製造方法。LEDチップにおいて、請求項1~8のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されることを特徴とするLEDチップ。LEDにおいて、請求項9に記載のLEDチップを有することを特徴とするLED。本発明の目的は、LEDチップの製造方法を提供し、従来の技術におけるLEDチップの製造プロセスにLEDチップの表面に蛍光粉を成形できなく、LEDの光射出効率が低くなり、後続の工程で大量の蛍光粉が無駄にされる問題を解決しようとすることにある。本発明の実施例は以下のように実現される。基板に第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に形成するステップと、前記第2半導体層に蛍光粉層を形成するステップと、一部の蛍光粉層及び一部の第2半導体層を除去して少なくとも1つの溝を形成し、前記溝から一部の第2半導体層が露出されるステップと、一部の蛍光粉層、一部の第2半導体層、一部の発光層及び一部の第1半導体層を除去して少なくとも1つの切欠きを形成し、前記切欠きから一部の第1半導体層が露出されるステップと、前記切欠きに第1電極を形成し、前記溝に第2電極を形成するステップとを含むLEDチップの製造方法。本発明の実施例の他の目的は上記製造方法によって製造されたLEDチップを提供することにある。本発明の実施例の他の目的は上記LEDチップを有するLEDを提供する。本発明はLEDの製造プロセスにおいて蛍光粉を塗布する工程がLEDチップの製造工程に含まれるため、プロセスが簡単で制御可能であり、LEDの光射出効率を向上し、大量の蛍光粉を節約し、コストを大幅に低減することができる。以下、本発明の目的、技術方案及び利点を分かりやすくするために、図面及び実施例を参照して本発明を詳しく説明する。理解すべきことは、ここに記載した具体的な実施例はただ本発明を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明の実施例はLEDの製造プロセスにおいて蛍光粉塗布の工程がLEDチップの製造工程に含まれるため、プロセスが簡単で制御可能であり、LEDの光射出効率を向上し、大量の蛍光粉を節約し、コストを大幅に低減することができる。本発明の実施例が提供したLEDチップの製造方法は、基板に第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に形成するステップと、前記第2半導体層に蛍光粉層を形成するステップと、一部の蛍光粉層及び一部の第2半導体層を除去して少なくとも1つの溝を形成し、前記溝から一部の第2半導体層が露出されるステップと、一部の蛍光粉層、一部の第2半導体層、一部の発光層及び一部の第1半導体層を除去して少なくとも1つの切欠きを形成し、前記切欠きから一部の第1半導体層が露出されるステップと、前記切欠きに第1電極を形成し、前記溝に第2電極を形成するステップとを含む。本発明の実施例が提供したLEDチップは上記製造方法によって製造される。本発明の実施例が提供したLEDは上記LEDチップを有する。以下、具体的な実施例を参照しながら本発明の実現を詳しく説明する。図1は本発明の実施例が提供したLEDチップの製造方法を実現するフローを示し、具体的には、以下の通りである。ステップS101では、基板に第1半導体層、発光層、第2半導体層を順に形成する。図2に示すように、まず、基板1に第1半導体層2を成長し、そして第1半導体層2に発光層3を沈積し、さらに発光層3に第2半導体層4を成長し、エピタキシャルダイを形成する。ここで、基板1の材料として、例えばサファイア、シリコン、炭化ケイ素又は合金を挙げるが、これらに限られなく、伝熱性を有するものが好ましい。一般に、第1半導体層2はN型半導体層例えばN-GaNであり、第2半導体層4はP型半導体層如P-GaNであり、発光層3は例えばエネルギーギャップ層又は多重量子井戸MultipleQutumWell,MQWであるが、これらに限られない。ステップS102では、第2半導体層に蛍光粉層を形成する。本発明の1つの実施例として、まず、第2半導体層4に光透過導電層5TransparentConductiveLayer,TCLを形成し、光透過導電層5例えばインジウムスズ酸化物ITO半導体が図3に示すように蒸着の方式で第2半導体層4に形成される。この光透過導電層5によって、電流が第2半導体層4に均一に分布されるため、LEDチップの発光がより均一になる。図4に示すように、光透過導電層5に蛍光粉層6を形成する。本発明の実施例は磁気制御スパッタリング塗膜機を用い、LEDチップ例えば青色発光LEDチップと合わせる蛍光粉例えば黄色蛍光粉をターゲット材として光透過導電層5に蛍光粉層6を塗布し、プロセスパラメーターは以下の通りである。a.磁気制御スパッタリング塗膜機に保護ガス、好ましくは、アルゴンArを注入する。b.蛍光粉ターゲット材と光透過導電層5との間の距離が50~20mmになるように蛍光粉ターゲット材の位置を調節する。c.磁気制御スパッタリング塗膜機の真空度が210-3Paを超えないように真空抽出する。d.スパッタリングのパワーを200~500Wにする。e.スパッタリングの時間は蛍光粉層6の厚み0.1~10μmによるが、一般に、20~120minである。本発明の実施例はLEDチップの製造プロセスにおいてエピタキシャルダイに蛍光粉層を形成し、極めて少ない蛍光粉を使用し、コストも低い。好ましくは、光透過導電層5を蒸着する前、第2半導体層4の表面を粗面化して光透過導電層5と第2半導体層4との結合をより緊密にすることで、チップの信頼性の向上に役に立つ。もちろん、光透過導電層5に蛍光粉層6を形成する前、光透過導電層5の表面を粗面化して光透過導電層5と蛍光粉層6の結合をより緊密にすることで、同様に、チップの信頼性の向上に役に立つ。ステップS103では、一部の蛍光粉層及び一部の第2半導体層を除去して少なくとも1つの溝を形成し、この溝から一部の第2半導体層が露出される。図5に示すように、まず、蛍光粉層6にフォトレジストを塗布して厚み0.5~2.0mmの第1フォトレジスト層7を形成し、ここで、第1フォトレジスト層7から一部の蛍光粉層17が露出される。そして、NaOHの希溶液濃度が0.01mol/Lであるによって蛍光粉層をウェットエッチングし、露出した一部の蛍光粉層17を除去する。そして、図6に示すように、インダクタンス結合プラズマ反応器ICPによって第2半導体層までにエッチングして一部の第2半導体層を除去して溝16を形成する。そして、露光、現像を行ってフォトレジストを除去する。ステップS104では、一部の蛍光粉層、一部の第2半導体層、一部の発光層及び一部の第1半導体層を除去して少なくとも1つの切欠きを形成し、この切欠きから一部の第1半導体層が露出される。図7に示すように、まず、蛍光粉層6及び溝16にフォトレジストを塗布し、厚み0.5~2.0mmの第2フォトレジスト層8を形成し、ここで、第2フォトレジスト層8から縁部の一部の蛍光粉層15が露出される。そして、NaOHの希溶液濃度が0.01mol/Lであるによって蛍光粉層に対してウェットエッチングを行い、縁部一部の蛍光粉層15を除去する。そして、図8に示すように、インダクタンス結合プラズマ反応器ICPを用いて第1半導体層2までにエッチングし、一部の蛍光粉層、一部の第2半導体層、一部の発光層及び一部の第1半導体層を除去して平面部及び直立部を有する切欠き18を形成する。そして、露光、現像を行なってフォトレジストを除去する。ステップS105では、切欠きに第1電極を形成し、溝に第2電極を形成する。図9に示すように、まず、蛍光粉層及び切欠き18にフォトレジストを塗布し、厚み0.5~2.0mmの第3フォトレジスト層9を形成し、ここで、第3フォトレジスト層9から上記溝16及び切欠きの電極が設置される部分が露出される。そして、図10に示すように、電極を蒸着し、好ましくは、金属例えばAuで蒸着を行い、第3フォトレジスト層9に金属メッキ層10を形成し、第1電極11例えば負電極が切欠き18、即ち露出した第1半導体層に成形され、第2電極12例えば正電極が溝16、即ち露出した第2半導体層に成形される。そして、図11に示すように、露光、現像、洗浄を行い、フォトレジスト及び第3フォトレジスト層9に位置するメッキ層を除去することによって、LEDチップ例えば白色発光LEDチップを製造し、このLEDチップが透明接着剤によって所要の色のLED例えば白色発光LEDに直接実装される。LEDチップが発生した光が比較的高い屈折率を有する蛍光粉層に直接射入し、全反射の確率を低減し、光射出を増加するとともにチップの温度を低減する。また、蛍光粉層がLEDチップが発生した光を直接に受け、吸収による損失がなく、励起されやすくなる。もちろん、大きい寸法のLEDチップを所要寸法のLEDチップに切断してもよい。本発明の実施例はLEDの製造プロセスにおいて蛍光粉を塗布する工程がLEDチップの製造工程に含まれるため、プロセスが簡単で制御可能であり、LEDの光射出効率を向上し、大量の蛍光粉を節約し、コストを大幅に低減することができる。まず、第2半導体層に光透過導電層を形成し、そして光透過導電層に蛍光粉層を形成することで、LEDの発光が均一になる。また、磁気制御スパッタリング塗膜機によって光透過導電層に蛍光粉層が形成され、蛍光粉をターゲット材とすることで、制御しやすくなる。以上はただ本発明の好適な実施例であり、本発明を制限するものではなく、本発明の精神や原則内になされるいずれかの変更や同等の入れ替え、改良等はいずれも本発明の保護範囲に含まれるべきである。"