第1方向に互いに離間する光入射面と光出射面とを有するボンディングウエッジを用意する工程と、上記光出射面と接合対象とでワイヤを挟んだ状態で、上記光出射面を経由してレーザを上記ワイヤに照射することにより、上記ワイヤおよび上記接合対象を接合する工程と、を備える、ワイヤボンディング構造の製造方法。上記光出射面は、平滑面である、請求項1に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記光入射面は、平滑面である、請求項1または2に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記ボンディングウエッジは、テーパ部を含み、上記テーパ部は、上記光入射面から上記光出射面に向かうほど、上記第1方向に直交する面による断面の面積が小さくなる形状である、請求項1ないし3のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記ボンディングウエッジは、上記テーパ部よりも上記光出射面から遠い側に配置された円柱部を含む、請求項4に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記接合する工程の前に、上記テーパ部に沿って上記ワイヤを送ることにより、上記ワイヤを上記光出射面に正対する位置まで導く工程を更に備える、請求項4または5に記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記ボンディングウエッジは、光路全体がサファイアよりなる、請求項1ないし6のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記ワイヤは、材料として銅を含む、請求項1ないし7のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記接合する工程においては、波長が0.25~0.55μmのレーザを上記光入射面に照射する、請求項1ないし8のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記光出射面は、断面が円弧状であり、上記接合する工程においては、上記ワイヤとして断面形状が円形状のものを用いる、請求項1ないし9のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。上記光出射面は、平坦であり、上記接合する工程においては、上記ワイヤとして断面形状が長方形状のものを用いる、請求項1ないし9のいずれかに記載のワイヤボンディング構造の製造方法。光入射面と、上記光入射面に対し第1方向に離間し、且つ、ワイヤを押し付けるための光出射面と、上記光入射面から上記光出射面に向かうほど、上記第1方向に直交する面による断面の面積が小さくなる形状のテーパ部と、を備える、ボンディングウエッジ。上記光出射面は、平滑面である、請求項12に記載のボンディングウエッジ。上記光入射面は、平滑面である、請求項12または13に記載のボンディングウエッジ。上記テーパ部よりも上記光出射面から遠い側に配置された円柱部を更に備える、請求項12ないし14のいずれかに記載のボンディングウエッジ。上記光出射面は、断面が円弧状である、請求項ないし12ないし15のいずれかに記載のボンディングウエッジ。上記光出射面は、平坦である、請求項12ないし15のいずれかに記載のボンディングウエッジ。光路全体がサファイアよりなる、請求項12ないし17のいずれかに記載のボンディングウエッジ。請求項12ないし18のいずれかに記載のボンディングウエッジと、レーザを照射するレーザ照射装置と、を備え、上記光入射面には、上記レーザ照射装置によって照射されたレーザが入射する、ワイヤボンディング装置。上記ワイヤを上記光出射面に正対する位置に送り出すワイヤガイドを更に備える、請求項19に記載のワイヤボンディング装置。第1面を有する第1接合対象と、第2接合対象と、第1ボンディング部、第2ボンディング部、並びに、上記第1ボンディング部および上記第2ボンディング部をつなぐ橋絡部、を含むワイヤと、を備え、上記第1ボンディング部は、上記第1面が向く方向と同一方向を向く平滑面を有し、且つ、上記第1接合対象における上記第1面の側において上記第1接合対象に接合され、上記第2ボンディング部は、上記第2接合対象に接合されている、ワイヤボンディング構造。上記第1面は、上記第1面と垂直である方向視において上記ワイヤと重ならない領域が全て、平坦となっている、請求項21に記載のワイヤボンディング構造。上記ワイヤは、材料として銅を含む、請求項21または22記載のワイヤボンディング構造。上記第1ボンディング部には、上記平滑面を底面とする凹部が形成されている、請求項21ないし23のいずれかに記載のワイヤボンディング構造。上記橋絡部は、断面形状が円形状であり、上記平滑面は、上記第1面に垂直である面による断面形状が円弧状である、請求項21ないし24のいずれかに記載のワイヤボンディング構造。上記橋絡部は、断面形状が長方形状であり、上記平滑面は、平坦である、請求項21ないし24のいずれかに記載のワイヤボンディング構造。請求項21ないし26のいずれかに記載のワイヤボンディング構造と、上記第1接合対象が積層された半導体素子と、を備え、上記第1接合対象は、電極パッドである、半導体装置。本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、無駄になるレーザのエネルギを少なくしつつ、レーザを照射してはならない箇所へレーザを照射することを回避でき、ワイヤと接合対象とをより強固に接合することができるワイヤボンディング構造の製造方法を提供することをその主たる課題とする。本発明の第1の側面によると、第1方向に互いに離間する光入射面と光出射面とを有するボンディングウエッジを用意する工程と、上記光出射面と接合対象とでワイヤを挟んだ状態で、上記光出射面を経由してレーザを上記ワイヤに照射することにより、上記ワイヤおよび上記接合対象を接合する工程と、を備える、ワイヤボンディング構造の製造方法が提供される。好ましくは、上記光出射面は、平滑面である。好ましくは、上記光入射面は、平滑面である。好ましくは、上記ボンディングウエッジは、テーパ部を含み、上記テーパ部は、上記光入射面から上記光出射面に向かうほど、上記第1方向に直交する面による断面の面積が小さくなる形状である。好ましくは、上記ボンディングウエッジは、上記テーパ部よりも上記光出射面から遠い側に配置された円柱部を含む。好ましくは、上記接合する工程の前に、上記テーパ部に沿って上記ワイヤを送ることにより、上記ワイヤを上記光出射面に正対する位置まで導く工程を更に備える。好ましくは、上記ボンディングウエッジは、光路全体がサファイアよりなる。好ましくは、上記ワイヤは、材料として銅を含む。好ましくは、上記接合する工程においては、吸収率が銅において高くサファイアにおいて低い、波長が0.25~0.55μmのレーザを上記光入射面に照射する。好ましくは、上記光出射面は、断面が円弧状であり、上記接合する工程においては、上記ワイヤとして断面形状が円形状のものを用いる。好ましくは、上記光出射面は、平坦であり、上記接合する工程においては、上記ワイヤとして断面形状が長方形状のものを用いる。本発明の第2の側面によると、光入射面と、上記光入射面に対し第1方向に離間し、且つ、ワイヤを押し付けるための光出射面と、上記光入射面から上記光出射面に向かうほど、上記第1方向に直交する面による断面の面積が小さくなる形状のテーパ部と、を備える、ボンディングウエッジが提供される。好ましくは、上記光出射面は、平滑面である。好ましくは、上記光入射面は、平滑面である。好ましくは、上記テーパ部よりも上記光出射面から遠い側に配置された円柱部を更に備える、ボンディングウエッジが提供される。好ましくは、上記光出射面は、断面が円弧状である。好ましくは、上記光出射面は、平坦である。好ましくは、ボンディングウエッジの光路全体がサファイアよりなる。本発明の第3の側面によると、本発明の第2の側面によって提供されるボンディングウエッジと、レーザを照射するレーザ照射装置と、を備え、上記光入射面には、上記レーザ照射装置によって照射されたレーザが入射する、ワイヤボンディング装置が提供される。好ましくは、上記ワイヤを上記光出射面に正対する位置に送り出すワイヤガイドを更に備える。本発明の第4の側面によると、第1面を有する第1接合対象と、第2接合対象と、第1ボンディング部、第2ボンディング部、並びに、上記第1ボンディング部および上記第2ボンディング部をつなぐ橋絡部、を含むワイヤと、を備え、上記第1ボンディング部は、上記第1面が向く方向と同一方向を向く平滑面を有し、且つ、上記第1接合対象における上記第1面の側において上記第1接合対象に接合され、上記第2ボンディング部は、上記第2接合対象に接合されている、ワイヤボンディング構造が提供される。好ましくは、上記第1面は、上記第1面と垂直である方向視において上記ワイヤと重ならない領域が全て、平坦となっている。好ましくは、上記ワイヤは、材料として銅を含む。好ましくは、上記第1ボンディング部には、上記平滑面を底面とする凹部が形成されている。好ましくは、上記橋絡部は、断面形状が円形状であり、上記平滑面は、上記第1面に垂直である面による断面形状が円弧状である。好ましくは、上記橋絡部は、断面形状が長方形状であり、上記平滑面は、平坦である。本発明の第5の側面によると、本発明の第4の側面によって提供されるワイヤボンディング構造と、上記第1接合対象が積層された半導体素子と、を備え、上記第1接合対象は、電極パッドである、半導体装置が提供される。本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。<第1実施形態>図1は、本実施形態にかかるワイヤボンディング装置の概略図である。同図に示すワイヤボンディング装置801は、ボンディングウエッジ1と、フィーダ2と、ワイヤガイド3と、レーザ照射装置41と、光伝達部42と、移動機構43と、を備える。ワイヤボンディング装置801は、ワイヤ6’を接合対象にボンディングするために用いられる。ボンディングウエッジ1は、ワイヤ6’を接合対象に押し付けつつ、ワイヤ6’に対し効率よくレーザを照射するものである。ボンディングウエッジ1は、ある波長域のレーザを透過させやすい材料よりなる。本実施形態においてボンディングウエッジ1は、光路全体がサファイアよりなる。図2は、本実施形態にかかるワイヤボンディング装置の部分拡大断面図である。図3は、図2のIII-III線に沿う断面図である。図4は、図1に示したワイヤボンディング装置の部分拡大平面図である。図5は、本実施形態にかかるボンディングウエッジの斜視図である。図6は、図2に示したワイヤボンディング装置におけるボンディングウエッジを示す部分拡大断面図である。図7は、図3に示したワイヤボンディング装置におけるボンディングウエッジを示す部分拡大断面図である。図1~図7に示すボンディングウエッジ1は、円柱部11と、テーパ部12と、先端部13と、を含む。円柱部11は、方向Zに垂直な面による断面形状が円形である。円柱部11は、方向Zに沿って延びる円柱状である。円柱部11は側面111および光入射面112を有する。側面111は、方向Zに垂直な面による断面形状が円形である。側面111は平滑面となっている。光入射面112は、方向Zのうちの一方たとえば図2では上方向を向いている。光入射面112は、レーザをボンディングウエッジ1に入射させるための面である。本実施形態では、光入射面112はサファイアによって構成されている。光入射面112は平滑面である。具体的には、光入射面112の中心線平均粗さRaは、たとえば、0.2a~0.025aであることが好ましい。本実施形態において光入射面112は平坦である。テーパ部12は円柱部11につながっている。テーパ部12は、光入射面112から後述の光出射面131に向かうほど、方向Zに垂直な面による断面の面積が小さくなる形状である。テーパ部12は、方向Zに対し傾斜しているテーパ面121を有する。テーパ面121は平滑面となっている。先端部13は方向Zにおけるボンディングウエッジ1の先端に位置する。先端部13は、ワイヤ6’を接合対象に押さえつけるための部位である。先端部13は、光出射面131と、平坦面132とを有する。光出射面131は、ボンディングウエッジ1内を透過してきたレーザを出射するための面である。なお、ボンディングウエッジ1は、光入射面112に入射したレーザを光出射面131に導く機能を担う。光出射面131は光入射面112に対し方向Zにおいて離間している。光出射面131は、光入射面112を構成する材料と同一材料によって構成されている。すなわち本実施形態において光出射面131は、サファイアによって構成されている。光出射面131は平滑面である。具体的には、光出射面131の中心線平均粗さRaは、たとえば、0.2a~0.025aであることが好ましい。図3、図5、図7に示すように、光出射面131は、断面が円弧状である。断面が円弧状である光出射面131は、ワイヤ6’をガイドするガイド溝を構成している。図5に示すように、平坦面132は光出射面131につながっている。本実施形態で用いるワイヤ6’の断面形状は円形状である。ワイヤ6’の直径は、たとえば、20~70μmである。光出射面131の幅L1図7参照は、ワイヤ6’の直径より小さく、たとえばワイヤ6’の直径の80パーセント程度である。これには、光出射面131から出射されたレーザを確実にワイヤ6’に照射できるといったメリットがある。ワイヤ6’は、材料として銅を含む。すなわち、ワイヤ6’は、銅もしくは銅合金である。テーパ部12よりも光出射面131から遠い側に、円柱部11は位置している。図1に示すフィーダ2は、ワイヤ6’を送り出すためのものである。ワイヤガイド3は、フィーダ2によって送られてくるワイヤ6’を光出射面131に正対する位置に導くためのものである。ワイヤガイド3は、たとえば、ボンディングウエッジ1に固定されている。ワイヤガイド3は、ワイヤ6’を光出射面131に正対する位置に適切に導くためのものである。ワイヤ6’を光出射面131に正対する位置に適切に導くために、ワイヤガイド3はボンディングウエッジ1に対して移動可能な構成としてもよい。レーザ照射装置41はレーザ881を発生させ、レーザ881を照射する。レーザ照射装置41は、波長変換ユニットを含んでいることが好ましい。レーザ照射装置41が波長変換ユニットを含んでいると、レーザ照射装置41が、たとえば半波長のレーザ881を照射することができる。レーザ照射装置41の照射するレーザ881の波長については後述する。光伝達部42は、レーザ照射装置41に照射されたレーザ881を光入射面112に導く。光伝達部42としては、たとえば、1または複数のミラーや、光ファイバが挙げられる。図1~図4に示す移動機構43は、ボンディングウエッジ1を保持している。図4に示すように、本実施形態では、移動機構43は、ボンディングウエッジ1を回転可能に保持している。ボンディングウエッジ1が移動機構43に対し回転するときには、ボンディングウエッジ1に固定されたワイヤガイド3も回転する。移動機構43は、ボンディングウエッジ1を所望の位置まで移動させることができる。次に、図8~図14を用いて、ワイヤボンディング装置801を用いたワイヤボンディング方法について説明する。なお、図8~図14においては、移動機構43の記載は省略し、ボンディングウエッジ1については断面を示している。まず、図8に示すように、ボンディングウエッジ1の先端を、第1接合対象71の直上に位置させる。そして、ボンディングウエッジ1の先端を第1接合対象71に向かわせる。次に、ボンディングウエッジ1におけるテーパ部12に沿ってワイヤ6’をフィーダ2が送ることにより、ワイヤ6’を光出射面131に正対する位置まで導く。ワイヤ6’が光出射面131に正対する位置にある際、ワイヤ6’の先端部分は、断面が円弧状である光出射面131によって構成されるガイド溝にはまっている。次に、図9に示すように、ボンディングウエッジ1を第1接合対象71に接近させ、ワイヤ6’をボンディングウエッジ1と第1接合対象71とで挟みこむ。次に、図10に示すように、ワイヤ6’を第1接合対象71に接合する。具体的には、ボンディングウエッジ1における光出射面131と第1接合対象71とでワイヤ6’を挟んだ状態で、光出射面131を経由してレーザ881をワイヤ6’に照射することにより、ワイヤ6’および第1接合対象71を接合する。ワイヤ6’と第1接合対象71とを接合する工程においては、まず、図1に示したレーザ照射装置41がレーザ881を照射する。レーザ照射装置41から照射されたレーザ881は、光伝達部42を経由して、光入射面112に入射する。光入射面112に入射したレーザ881は、ボンディングウエッジ1の内部を光出射面131に向かって進む。ボンディングウエッジ1の内部において、レーザ881は、円柱部11の側面111や、テーパ部12のテーパ面121において全反射しつつ、光出射面131に向かって進む。円柱部11およびテーパ部12を通過したのち光出射面131からレーザ881が出射し、レーザ881がワイヤ6’に照射される。ワイヤ6’のうちレーザ881が照射される領域は、ワイヤ6’のうち光出射面131に正対する領域である。そのため、光出射面131の大きさは、ワイヤ6’のうちレーザ881が照射される領域の大きさを決定する。ワイヤ6’にレーザ881が照射されることにより、ワイヤ6’にレーザ881のエネルギが吸収され、ワイヤ6’の温度が上昇する。これによりワイヤ6’が溶融する。また、ワイヤ6’の熱が第1接合対象71にも伝わる。これにより、第1接合対象71のうちワイヤ6’に近接する部位の温度が上昇し、溶融する。その後、ワイヤ6’および第1接合対象71が固化することにより、ワイヤ6’と第1接合対象71とが接合される。レーザ照射装置41から照射されるレーザ881の波長は、ボンディングウエッジ1を構成する材料の吸収率よりも、ワイヤ6’を構成する材料の吸収率の方が大きい範囲に属することが好ましい。図15は、銅、サファイア、アルミニウムの各々のレーザの吸収率について示すグラフである。同図では、横軸はレーザの波長を表し、縦軸はレーザの吸収率を表している。同図に示すように、レーザの波長がたとえば0.25~0.55μmの範囲内同図の範囲A0内にあるとき、銅によるレーザの吸収率は、サファイアによるレーザの吸収率よりも大きい。そのため、レーザ881として波長が0.25~0.55μmの範囲内であるものを用いる場合、レーザ881のエネルギは、ボンディングウエッジ1にあまり吸収されず、ワイヤ6’に多く吸収される。図11に示すように、ワイヤ6’と第1接合対象71とを接合する工程においては、光出射面131と第1接合対象71とでワイヤ6’を挟みこむことにより、ワイヤ6’は押しつぶされる。これにより、ワイヤ6’には凹部611が形成される。ワイヤ6’を押し付ける光出射面131は上述のように平滑面であるので、凹部611にも平滑面612が形成される。次に、図12、図13に示すように、第2接合対象72の位置までボンディングウエッジ1を移動させる。次に、図13に示すように、ワイヤ6’を第1接合対象71に接合したのと同様に、ワイヤ6’を第2接合対象72に接合する。すなわち、ボンディングウエッジ1における光出射面131と第2接合対象72とでワイヤ6’を挟んだ状態で、光出射面131を経由してレーザ881をワイヤ6’に照射することにより、ワイヤ6’および第2接合対象72を接合する。次に、図14に示すように、ワイヤ6’を切断する。ワイヤ6’の切断は、ボンディングウエッジ1およびワイヤガイド3に対しワイヤ6’を固定しつつ、ボンディングウエッジ1を第2接合対象72から離間させワイヤ6’を引きちぎることにより行われる。本実施形態と異なり、図示しないカッタを用いてワイヤ6’を切断してもよい。以上の工程を経ることにより、図14に示すワイヤボンディング構造601が完成する。同図に示すワイヤボンディング構造601は、ワイヤ6と、第1接合対象71と、第2接合対象72と、を備える。第1接合対象71および第2接合対象72は、導電性の材料よりなる。このような材料としては、たとえばアルミニウムが挙げられる。第1接合対象71および第2接合対象72はそれぞれ、互いに異なる金属よりなる複数の金属層が積層された構造であってもよい。第1接合対象71および第2接合対象72は、たとえば、電極パッド、もしくは、リードフレームである。本実施形態において、第1接合対象71は電極パッドであり、第2接合対象72はリードフレームである。電極パッドである第1接合対象71の厚さは、たとえば、0.2μmである。図17は、本実施形態にかかるワイヤボンディング構造の部分拡大平面図である。図18は、図17のXVIII-XVIII線に沿う断面図である。図19は、図17のXIX-XIX線に沿う断面図である。図20は、図17のXX-XX線に沿う断面図である。第1接合対象71は第1面711を有する。第1面711は方向Zのうちの一方図19、図20では上方向を向いている。本実施形態ではワイヤ6’と第1接合対象71との接合に超音波接合を用いない。仮にワイヤ6’と第1接合対象71との接合に超音波接合を用いると、第1面711に凹凸形状が形成される。しかしながら、図17、図19、図20に示すように、本実施形態では、第1接合対象71の第1面711に凹凸形状が形成されていない。すなわち、第1接合対象71の第1面711は、第1面711と垂直である方向視においてワイヤ6と重ならない領域が全て、平坦となっている。図14に示すように、ワイヤ6は、第1ワイヤボンディング部61と、第2ワイヤボンディング部62と、橋絡部63とを含む。図17、図19、図20に示すように、第1ワイヤボンディング部61は、ワイヤ6のうち第1接合対象71に接合している部位である。図19、図20に示すように、第1ワイヤボンディング部61は、第1接合対象71における第1面711の側において、第1接合対象71に接合されている。本実施形態において、第1ワイヤボンディング部61には凹部611が形成されている。凹部611は、平滑面612と側面613とを有する。平滑面612は、凹部611の底面となっている。平滑面612は、第1面711が向く方向と同一方向を向いている。図19に示すように、平滑面612は、第1面711に垂直である平面による断面形状が円弧状である。上述のように、平滑面612は、平滑である光出射面131がワイヤ6’を押さえつけることにより形成されている。平滑面612の中心線平均粗さRaは、たとえば、0.2a~0.025aである。なお超音波接合を利用するウエッジボンディング方法によると、ボンディングウエッジに押さえつけられた面は、本実施形態における平滑面612ほどの平滑な面とはならない。超音波接合を利用するウエッジボンディング方法におけるボンディングウエッジの押し付け面が、粗面となっているからである。側面613は平滑面612につながっている。図14に示す第2ワイヤボンディング部62は、ワイヤ6のうち第2接合対象72に接合している部位である。第2ワイヤボンディング部62は、第1ワイヤボンディング部61と同様の構成を有するから、説明を省略する。図14、図17に示す橋絡部63は、第1ワイヤボンディング部61および第2ワイヤボンディング部62をつないでいる。図18に示すように、本実施形態において橋絡部63の断面形状は円形状である。図14に示すように、ワイヤボンディング構造601は、半導体素子78とともに、半導体装置301を構成する。半導体装置301においては、ワイヤボンディング構造601の第1接合対象71は、半導体素子78に積層されている。次に、本実施形態の作用効果について説明する。従来技術のような、ボンディングウエッジ1を用いずにワイヤ6’にレーザ881を照射する場合を想定する。この場合、ワイヤ6’に至るまでの空間中においてレーザ881が拡散し、レーザ881の一部はワイヤ6’に照射されず第1接合対象71に直接照射されるおそれがある。第1接合対象71に直接照射されるレーザ881は、ワイヤ6’の溶融にはほとんど寄与しない。この場合、レーザ881のエネルギの一部を無駄にすることになる。一方、レーザ881が拡散した場合であってもレーザ881の一部が第1接合対象71に直接照射されることを防止しようとするには、ワイヤ6’におけるレーザ881を照射する領域を極めて小さくする必要がある。そうすると、ワイヤ6’のうちレーザ881のエネルギが伝わる部位は極めて小さくなり、ワイヤ6’のうち溶融する部位も小さくなる。ワイヤ6’の溶融した部位が、第1接合対象71と接合するため、ワイヤ6’のうち溶融する部位が小さくなると、ワイヤ6’と第1接合対象71との接合領域が小さくなる。ワイヤ6’と第1接合対象71との接合領域が小さいことは、ワイヤ6’と第1接合対象71とをより強固に接合する観点からは好ましくない。本実施形態においては、方向Zに互いに離間する光入射面112と光出射面131とを有するボンディングウエッジ1を用意する。また、図10に示したように、光出射面131と第1接合対象71とでワイヤ6’を挟んだ状態で、光出射面131を経由してレーザ881をワイヤ6’に照射することにより、ワイヤ6’および第1接合対象71を接合する。このような構成によると、レーザ881が光出射面131から出射される際、光出射面131とワイヤ6’との間に隙間が生じにくい。そうすると、レーザ881が光出射面131を出射してワイヤ6’に至るまでに、レーザ881が拡散しにくい。これにより、ワイヤ6’における所望の部位に、レーザ881を確実に照射することが可能となる。したがって、無駄になるレーザ881のエネルギを少なくしつつ、ワイヤ6’と第1接合対象71とをより強固に接合することができる。またワイヤ6’における所望の部位にレーザ881を確実に照射することができるので、レーザ881を照射してはならない箇所へレーザ881を照射することを回避できる。本実施形態においては、光出射面131は平滑面である。このような構成によると、ボンディングウエッジ1の内部を進んできたレーザ881は、光出射面131において反射しにくい。そのため、レーザ881を光出射面131から効率よく出射させることができる。これは、レーザ照射装置41に照射されたレーザ881のエネルギを、より多くワイヤ6’に伝えるのに適する。本実施形態においては、光入射面112は平滑面である。このような構成によると、ボンディングウエッジ1に向かって進んできたレーザ881は、光入射面112において反射しにくい。そのため、レーザ881を光入射面112から効率よく入射させることができる。これは、レーザ照射装置41に照射されたレーザ881のエネルギを、より多くワイヤ6’に伝えるのに適する。本実施形態においては、ボンディングウエッジ1はテーパ部12を含む。テーパ部12は、光入射面112から光出射面131に向かうほど、方向Zに直交する断面の面積が小さくなる形状である。このような構成によると、テーパ部12を進むレーザ881は、テーパ部12の内部を、テーパ面121において全反射しつつ光出射面131に向かう。当該構成は、光入射面112に入射したレーザ881をより多く、光出射面131に導くのに適する。図16は、アルミニウム、銅の各々のレーザの反射率について示すグラフである。同図では、横軸はレーザの波長を表し、縦軸はレーザの反射率を表している。同図に示すように、レーザの波長がたとえば0.25~0.55μmの範囲内同図の範囲A0内であるとき、アルミニウムによるレーザの反射率は、銅によるレーザの反射率よりも、大きい。ここで図10等に示した第1接合対象71がアルミニウムよりなる場合を想定する。この場合、ワイヤ6’によって吸収されずに第1接合対象71にレーザ881が至っても、反射率の大きいアルミニウムよりなる第1接合対象71にてレーザ881は反射され、再びワイヤ6’に向かう。これにより、レーザ881が第1接合対象71を透過し、半導体素子78に至ることを防止できる。レーザ881が半導体素子78に至ることを防止できると、レーザ881が照射されることにより半導体素子78が損傷してしまうことを、抑制できる。また、第1接合対象71にて反射したレーザ881のエネルギはワイヤ6’に吸収される。よって、本実施形態にかかる構成は、レーザ照射装置41によって照射されたレーザ881のエネルギをより多くワイヤ6’に吸収させるのに適する。本実施形態では、背景技術の項で説明したような溶融ボールを、ワイヤに形成しない。そのため、維持が困難な還元雰囲気を発生させる必要がない。また、本実施形態では溶融ボールを形成しないので、溶融ボールに酸化膜が生じることもない。そのため、酸化膜が生じたことに起因する上述の不具合の発生を回避することができる。本実施形態では、ワイヤ6’と第1接合対象71との接合にレーザ881を用いており、超音波接合を用いていない。そのため、第1接合対象71や、第1接合対象71が積層された半導体素子78等が、超音波振動が付加されることによって損傷を受ける、といったことはなくなる。これにより、電極パッドである第1接合対象71の薄型化を図ることもできる。また、レーザ881が照射されたワイヤ6’は局所的に高温になるため、第1接合対象71の下部にヒータを配置する、などといったことも不要となる。そのため、第1接合対象71の位置精度の維持管理が容易になる。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、本実施形態において上述の実施形態と同一もしくは類似の構成については、上述の実施形態で付した符号と同一の符号を付し、その説明を省略する。図21は、本実施形態にかかるワイヤボンディング装置におけるボンディングウエッジを示す部分拡大断面図である。同図に示すボンディングウエッジ1は、光出射面131の断面形状が円弧状ではなく平坦であることを除き、第1実施形態における構成と同様である。本実施形態で用いるワイヤ6’の断面形状は長方形状である。ワイヤ6’の幅は、たとえば、数百μmである。光出射面131の幅L2は、ワイヤ6’の幅と略同一である。ワイヤ6’は、材料として銅を含む。すなわち、ワイヤ6’は、銅もしくは銅合金である。本実施形態におけるボンディングウエッジ1を備えたワイヤボンディング装置を用いてワイヤ6’を第1接合対象71および第2接合対象72に接合する方法は、第1実施形態と同様であるから、説明を省略する。図22には、ボンディングウエッジ1を備えるワイヤボンディング装置を用いて製造したワイヤボンディング構造602を示す。図23は、図22のXXIII-XXIII線に沿う断面図である。図24は、図22のXXIV-XXIV線に沿う断面図である。図25は、図22のXXV-XXV線に沿う断面図である。これらの図に示すワイヤボンディング構造602は、ワイヤ6と、第1接合対象71と、第2接合対象72図示せずと、を備える。第1接合対象71および第2接合対象72は、第1実施形態と同様であるから説明を省略する。ワイヤ6は、第1ワイヤボンディング部61と、第2ワイヤボンディング部62図示略と、橋絡部63とを含む。第1ワイヤボンディング部61は、ワイヤ6のうち第1接合対象71に接合している部位である。第1ワイヤボンディング部61は、第1接合対象71における第1面711の側において、第1接合対象71に接合されている。本実施形態において、第1ワイヤボンディング部61は、平滑面615を有する。平滑面615は、第1面711が向く方向と同一方向を向いている。図24、図25に示すように、平滑面615は、方向Zに垂直な平面に沿って広がる平坦な形状である。平滑面615は、平滑である光出射面131がワイヤ6’を押さえつけることにより形成されている。平滑面615の中心線平均粗さRaは、たとえば、0.2a~0.025aである。第2ワイヤボンディング部62は、ワイヤ6のうち第2接合対象72に接合している部位である。第2ワイヤボンディング部62は、第1ワイヤボンディング部61と略同様の構成を有するから、説明を省略する。図22に示すように、橋絡部63は、第1ワイヤボンディング部61および第2ワイヤボンディング部62をつないでいる。図23に示すように、本実施形態において橋絡部63の断面形状は長方形状である。本実施形態によっても、第1実施形態で述べたのと同様に、無駄になるレーザ881のエネルギを少なくしつつ、ワイヤ6’と第1接合対象71とをより強固に接合することができる。また、本実施形態によっても、第1実施形態で述べた利点と同様の利点を有する。本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。なお、上述の実施形態では超音波接合を全く用いない例を示したが、ワイヤにレーザを照射する際に超音波接合をワイヤに与える方法を採用してもよい。