"少なくとも半導体素子を配置する第1基板と、トランスと、交流成分を低減するフィルタ機構と、前記第1基板,前記トランス,前記フィルタ機構を収容するケースと、を有する電源装置において、近接して配置される前記トランスと前記フィルタ機構との間に備えられ、前記トランスの漏れ磁束を遮蔽する第1遮蔽部を有することを特徴とする電源装置。前記第1遮蔽部は、前記トランスと前記フィルタ機構とを電気的に接続する接続部材を通すスリットまたは穴を有し、前記スリットまたは前記穴は、前記ケースの端部に近い位置に配置することを特徴とする請求項1に記載の電源装置。前記フィルタ機構は、交流成分を低減するフィルタ部と、出力電力を安定させる出力安定部と、を有し、前記フィルタ部と前記出力安定部との間に備えられ、前記漏れ磁束を遮蔽する第2遮蔽部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の電源装置。外部装置に電力を出力する出力端子を有し、前記出力端子は、前記フィルタ部から前記出力安定部に流れる電流の経路と、前記出力安定部から前記出力端子に流れる電流の経路とが交差するように配置されることを特徴とする請求項3に記載の電源装置。前記ケースは、一面を開口させた箱状のケース本体と、前記ケース本体の開口部を覆うケース蓋と、を有し、前記フィルタ機構の前記ケース蓋側に備えられ、前記漏れ磁束を遮蔽する第3遮蔽部を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電源装置。前記第3遮蔽部には、少なくとも一層がグラウンドに接続される第2基板を用いることを特徴とする請求項5に記載の電源装置。前記出力端子はバスバーを含み、前記バスバーの前記ケース蓋側に備えられ、前記漏れ磁束を遮蔽する第4遮蔽部を有することを特徴とする請求項4から6のいずれか一項に記載の電源装置。前記第4遮蔽部には、少なくとも一層がグラウンドに接続される第3基板を用いることを特徴とする請求項7に記載の電源装置。しかし、特許文献1に記載の技術では、フィルタ回路3のチョークコイル4,5や二次側回路のチョークコイル24については何らシールドされていない。そのため、トランス20や制御回路用トランス44等からの漏れ磁束による影響を受ける。同文献の図2に示すチョークコイル4,5は、ヒートシンク27などで遮蔽されてなく、しかも制御回路用トランス44との間には電解コンデンサ18しか配置されていない。そのためチョークコイル4,5は、トランス20や制御回路用トランス44からの漏れ磁束による影響を受け易い。また同文献の図3に示すチョークコイル24は、トランス20にほぼ隣接して配置されているため、トランス20からの漏れ磁束による影響を大きく受け易い。上述したフィルタ回路3のチョークコイル4,5や二次側回路のチョークコイル24について、トランス20や制御回路用トランス44等からの漏れ磁束による影響を受けなくするには、各チョークコイルをヒートシンク27で遮蔽する構成が考えられる。この構成では、各チョークコイルに対して個別にヒートシンクを必要とするので、コスト高になるという問題点がある。本発明はこのような点に鑑みてなしたものであり、従来よりもコストを抑えながらも、トランスからの漏れ磁束による影響を従来よりも低減して外部装置に電力を供給することができる電源装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するためになされた請求項1に記載の発明は、少なくとも半導体素子を配置する第1基板と、トランスと、交流成分を低減するフィルタ機構と、前記第1基板,前記トランス,前記フィルタ機構を収容するケースとを有する電源装置において、近接して配置される前記トランスと前記フィルタ機構との間に備えられ、前記トランスの漏れ磁束を遮蔽する第1遮蔽部を有することを特徴とする。この構成によれば、トランスとフィルタ機構とを仕切るように第1遮蔽部を介在させるので、フィルタ機構はトランスからの漏れ磁束による影響が低減される。第1遮蔽部は磁束を遮蔽可能な任意の構造や材質等でよいので、従来技術のように高価なヒートシンクを用いなくても済む。よって、従来よりもコストを抑えながらも、トランスからの漏れ磁束による影響を従来よりも低減遮断を含むして外部装置に電力を供給することができる。なお第1遮蔽部は、トランスからの漏れ磁束による影響を低減できる電磁シールドであれば形状,厚み,材料素材等は任意である。例えば、金属板板金を含む,金属メッシュ等が該当する。この第1遮蔽部は、ケースの一部として形成してもよく、ケースと一体化してもよく、ケースとは別体に形成した部材をケースに固定や設置等してもよい。フィルタ機構は、交流成分を低減するフィルタ部を含むように構成されていれば、回路の如何を問わない。トランスからの漏れ磁束による影響は、例えば出力電力すなわち出力電圧や出力電流にノイズが重畳する等のように、出力電力の供給を受ける外部装置にとって望ましくない状態を含む。ノイズは、上述したトランスの漏れ磁束には限定されない。例えば、半導体素子のスイッチングによる放射ノイズや、インパルスノイズ等のような外来ノイズなども該当する。外部装置は電力を必要とするものであれば任意である。例えば、制御装置ECUやコンピュータ等、回転電機電動機,発電機,電動発電機等、系統電力系統を含むなどが該当する。請求項2に記載の発明は、前記第1遮蔽部は、前記トランスと前記フィルタ機構とを電気的に接続する接続部材を通すスリットまたは穴を有し、前記スリットまたは前記穴は、前記ケースの端部に近い位置に配置することを特徴とする。この構成によれば、接続部材を通すためのスリットや穴は、ケースの端部に近い位置に配置されるので、トランスからの漏れ磁束が漏洩するのを大幅に低減できる。なお接続部材には、例えばケーブルやコード等を用いるが、トランスからの漏れ磁束を含むノイズによる影響を低減するためにシールド線を用いるのが望ましい。請求項3に記載の発明は、前記フィルタ機構は、交流成分を低減するフィルタ部と、出力電力を安定させる出力安定部とを有し、前記フィルタ部と前記出力安定部との間に備えられ、前記漏れ磁束を遮蔽する第2遮蔽部を有することを特徴とする。この構成によれば、第2遮蔽部は、フィルタ部に含まれるコイルやインダクタからの漏れ磁束による影響が出力安定部に及ぶのを低減することができる。なおフィルタ部には、コイルまたはインダクタを含み、交流成分を低減する任意の回路を適用できる。例えば、パッシブフィルタ例えばLC回路やRLC回路等でもよく、オペアンプ等の能動素子を含むアクティブフィルタでもよい。出力安定部には、コンデンサまたはキャパシタを含み、出力電力を安定させる任意の回路を適用できる。請求項4に記載の発明は、外部装置に電力を出力する出力端子を有し、前記出力端子は、前記フィルタ部から前記出力安定部に流れる電流の経路と、前記出力安定部から前記出力端子に流れる電流の経路とが交差するように配置されることを特徴とする。この構成によれば、磁束の直進性や回折を考慮して出力端子の位置を設定するので、トランスからの漏れ磁束が直接的に出力安定部に及ぶのを低減することができる。請求項5に記載の発明は、前記ケースは、一面を開口させた箱状のケース本体と、前記ケース本体の開口部を覆うケース蓋とを有し、前記フィルタ機構の前記ケース蓋側に備えられ、前記漏れ磁束を遮蔽する第3遮蔽部を有することを特徴とする。この構成によれば、第1遮蔽部を乗り越える漏れ磁束による影響を第3遮蔽部で低減して外部装置に電力を供給することができる。請求項6に記載の発明は、前記第3遮蔽部には、少なくとも一層がグラウンドに接続される第2基板を用いることを特徴とする。この構成によれば、複数層からなる第2基板は、少なくとも一層がグラウンドに接続されるので、フィルタ部の機能と第3遮蔽部の機能を兼ねることができる。フィルタ部と第3遮蔽部とを第2基板で実現できるので、装置全体のコストを低減することができる。なおグラウンドは電源装置の共通電位であり、必ずしも0Vとは限らない。請求項7に記載の発明は、前記出力端子はバスバーを含み、前記バスバーの前記ケース蓋側に備えられ、前記漏れ磁束を遮蔽する第4遮蔽部を有することを特徴とする。この構成によれば、第1遮蔽部を乗り越える漏れ磁束による影響を第4遮蔽部で低減して外部装置に電力を供給することができる。なお出力端子はバスバーを含みには、出力端子がバスバー自体で構成される場合と、端子とバスバーとで構成される場合とを含む。請求項8に記載の発明は、前記第4遮蔽部には、少なくとも一層がグラウンドに接続される第3基板を用いることを特徴とする。この構成によれば、複数層からなる第3基板は、少なくとも一層がグラウンドに接続されるので、フィルタ部の機能と第4遮蔽部の機能を兼ねることができる。フィルタ部と第4遮蔽部とを第3基板で実現できるので、装置全体のコストを低減することができる。以下、本発明を実施するための形態について、図面に基づいて説明する。なお、特に明示しない限り、接続するという場合には電気的な接続を意味する。各図は、本発明を説明するために必要な要素を図示し、実際の全要素を図示してはいない。上下左右等の方向を言う場合には、図面の記載を基準とする。連続符号は記号~を用いて表記する。例えば接続線J1~J8は、接続線J1,J2,J3,J4,J5,J6,J7,J8を意味する。ノイズには、トランス1318の漏れ磁束に由来するノイズに限らず、半導体素子やコイル等のノイズや外来ノイズを含む。まず、電源装置の構成例について図1と図2を参照しながら説明する。図1には電源装置の構成例を模式的に分解斜視図で示す。ただし、スペースの都合上、整流部の図示を省略している。図2には電源装置の構成例を示す。具体的には、平面図を図2Aに示し、図2Aに示す矢印D1方向から見た側面図を図2Bに示す。図1と図2に示す電源装置10は、いわゆるDC-DCコンバータであって、電力源例えばバッテリや燃料電池等から供給される直流電圧を目的の電圧に変換して出力する機能を担う。この電源装置10は、大別してケース11、第1基板12、トランス13、図示しない整流部14、フィルタ部15、出力安定部16、冷却部17などを有する。なお、フィルタ部15および出力安定部16はフィルタ機構に相当する。ケース11は、ケース蓋11aとケース本体11bとで構成される。ケース本体11bは、一面を開口させた箱状筐体である。図1の例では簡単のために直方体状の形成例を示すが、第1基板12やトランス13などを収容可能であれば、形成する形状は任意である。ケース蓋11aは、ケース本体11bの開口部を覆う蓋である。本形態のケース11は金属で形成するが、全体の一部または全部について使用環境条件例えば温度,電磁シールド,剛性等を満たす他の材料例えば樹脂等で形成してもよい。ケース本体11bは、複数の遮蔽部を有し、複数の収容部が形成されている。図1の構成例では第1遮蔽部11cと第2遮蔽部11dとを有し、これらの遮蔽部によって収容部SP1~SP3が区画される。第1遮蔽部11cは、整流部14とフィルタ機構すなわちフィルタ部15および出力安定部16との間に介在して配置される。第2遮蔽部11dは、フィルタ部15と出力安定部16との間に介在して配置される。本形態の構成例では、第1遮蔽部11cおよび第2遮蔽部11dをケース本体11bの内側底面や側面から起立して形成され、鋳造や射出成形等によってケース本体11bと一体成型される。第1遮蔽部11cや第2遮蔽部11dを含む複数の遮蔽部は、ノイズ主にトランス13の漏れ磁束に由来するノイズを遮蔽する機能を担う。具体的には、ノイズの影響を低減または遮断できる電磁シールドであれば形状,厚み,材料素材等は任意である。例えば、金属板板金を含む,金属メッシュ,発泡金属等が該当する。また、所定形状例えば板状や筐体状等に成形された樹脂部材の表面や裏面に金属インクまたは同様の物質でメッキしたものでもよい。第1遮蔽部11cおよび第2遮蔽部11dについて、具体的な構成例については後述する図5を参照。収容部SP1には、第1基板12、トランス13、整流部14などが収容される。収容部SP2には、フィルタ部15などが収容される。収容部SP3には、出力安定部16などが収容される。各収容部の大きさは、収容する基板や回路素子等の大きさや、収容する数などに応じて変わる。図1に示す収容部SP1~SP3の大きさは一例に過ぎない。第1基板12は、いわゆるプリント基板層数を問わないであり、実装品を所要の位置に配置して実装する。当該実装品は、素子例えば半導体素子群Qgや回路素子等を含むや部品例えば接続線,台座,端子台等を含むなどのように基板に実装可能なものが該当し、表面実装品であるか否かを問わない。半導体素子群Qgの素子数は問わないが、本形態ではスイッチング素子Q1~Q3で構成される。トランス13は、第1基板12と整流部14との間に介在して配置される。このトランス13は、第1コア部13a、コイル13b、第2コア部13cなどを有する。また、後述する1次側端子13t1a,13t1b,13t1c,13t1dや、2次側端子13t2a,13t2b,13t2c,13t2dを有する図6を参照。整流部14は交流電力を直流電力に変換する機能を担い、例えば整流回路や整流器などが該当する。フィルタ部15はフィルタ機構の一部を構成し、整流部14で整流された直流電力特に直流電圧。以下同じである。に含まれる交流成分を低減除去を含むする機能を担う。例えば、パッシブフィルタLC回路,RLC回路等や、アクティブフィルタなどが該当する。本形態では、フィルタ部15をLC回路で構成するとともに図6を参照、当該LC回路を第2基板15aに実装する図4を参照。出力安定部16はフィルタ機構の一部を構成し、フィルタ部15で交流成分が低減された直流電力を安定化して出力する機能を担う。具体的には、電圧が脈動する場合があるので、当該脈動を抑えるためにコンデンサあるいはコンデンサ群が該当する。以下同様とする。を用いる。当該コンデンサは第3基板16aに実装する図4を参照。なお、第2基板15aおよび第3基板16aについての詳細は後述する。冷却部17は、ケース11に収容される収容部品等を冷却する機能を担う。本形態では、冷却部17として冷却フィン17a放熱フィンを適用する、この冷却フィン17aは、ケース本体11bの下裏面側に一体成形される。上述した収容部品等をケース本体11bの内側に収容した状態を図3に示す。図3の構成例では、図面左側から順番に、第1基板12、トランス13、整流部14、フィルタ機構を直線状に配置している。ただし、フィルタ機構はフィルタ部15と出力安定部16とで図面上下方向に配置している。入力コネクタ11eと第1基板12との間の接続には、接続線J1が用いられる。入力コネクタ11eは入力端子に相当する。第1基板12とトランス13との間の接続には、接続線J2,J5が用いられる。トランス13と整流部14との間の接続には、接続線J3,J6が用いられる。整流部14とフィルタ部15との間の接続には、接続線J4が用いられる。フィルタ部15と出力安定部16との間の接続には、接続線J7が用いられる。出力安定部16と出力コネクタ11fとの間の接続には、接続線J8が用いられる。出力コネクタ11fは出力端子に相当する。接続線J1~J8には、バスバーを用いてもよく、シールド線や他の導電線を用いてもよい。接続線J8は出力コネクタ11fの一部として形成してもよい。例えば、出力コネクタ11fの端子が接続線J8例えばバスバーとなるような場合が該当する。出力コネクタ11fは、フィルタ部15から出力安定部16に流れる電流の経路接続線J7と、出力安定部16から出力コネクタ11fに流れる電流の経路接続線J8とが交差特に直交するように配置される。トランス13とフィルタ機構との間には、第1遮蔽部11cが配置される。この第1遮蔽部11cの配置によって、トランス13の漏れ磁束を含むノイズがフィルタ機構の作動に影響するのを防止する。具体的には、出力コネクタ11fから出力される出力電力にノイズが重畳されるのを防止する。また、フィルタ機構を構成するフィルタ部15と出力安定部16との間には、第2遮蔽部11dが配置される。この第2遮蔽部11dの配置によって、フィルタ部15に含まれるコイルの漏れ磁束を含むノイズが出力安定部16の作動に影響するのを防止する。具体的には、出力コネクタ11fから出力される出力電力にノイズが重畳されるのをより確実に防止する。電源装置10で電力処理を行うにあたり、第1遮蔽部11cには接続線J4を通し、第2遮蔽部11dには接続線J5を通す必要がある。これを具体化した例を図4に側面図で示す。図4A,図4B,図4Cは接続線J4,J7にバスバーを用いる例であり、図4Dは接続線J4,J7にシールド線を用いる例である。また、図4Aと図4Bはスリットを形成した例であり、図4Cと図4Dは貫通穴を形成した例である。これらのスリットや貫通穴は、各遮蔽部の一部に形成する。スリットSL1,SL2は、接続線J4,J7を通すために形成される。図4Aと図4Bに示すスリットSL1,SL2は、バスバーの配置に応じてスリット幅L1,L2ただしL1>L2や深さDP1,DP2ただしDP1<DP2が異なる。すなわちバスバーを用いて配線する場合には、図4Aのような幅広の配置と、図4Bのような縦長の配置とがある。これらのスリットSL1,SL2は、バスバーの配置に合わせて形成する。この場合、ケース11の端部図1や図3に示すようにケース本体11bの内壁面に近い位置に配置するのが望ましい。また、スリットSL1,SL2のうち上部の隙間は、例えば遮蔽部材SK具体的にはクリップ状に形成されたシールド部材等などで覆って遮蔽シールドするのが望ましい。貫通穴H1,H2は、接続線J4,J7を通すために形成される。図4Cと図4Dに示す貫通穴H1,H2は、バスバーの配置に応じて深さDP1,DP2が異なる。図4Cは図4Aと同じ深さDP1で形成した例を示し、図4Dは図4Bと同じ深さDP2で形成した例を示す。貫通穴H1,H2に接続線J4,J7を通す。貫通穴H1,H2は、接続線J4,J7を通すことが可能な最小の貫通穴にするのが望ましい。すなわち、貫通穴H1,H2の形状と、バスバーまたはシールド線の断面形状は、ほぼ同一であるのが望ましい。貫通穴H1,H2と、バスバーまたはシールド線とに隙間が生じる場合には、遮蔽部材例えば金属板やスチールウール等を用いて、当該隙間を遮蔽シールドするのが望ましい。図5には、図3に示すV-V線矢視の断面図を示す。第2基板15aおよび第3基板16aは、複数層二層以上のプリント基板であり、いずれもケース蓋11aに近い位置に配置される。第2基板15aは、回路素子や部品等を配置する配置層表層または裏層のほかに、当該配置層以外の少なくとも一層であって基板のほぼ全面でノイズを遮蔽するグラウンド層15bを有する。図3や図5の構成例では、配置層にコイルL15a,L15bやコンデンサC15a,C15b,C15cなどを配置する。コンデンサC15a,C15b,C15cは、いずれも静電容量を蓄積できれば種類を問わない。例えば、プラスチックフィルムコンデンサ、セラミックコンデンサ、マイカコンデンサ、電解コンデンサ、電気二重層コンデンサなどが該当する。第3基板16aについても第2基板15aと同様であり、回路素子や部品等を配置する配置層表層または裏層のほかに、当該配置層以外の少なくとも一層であって基板のほぼ全面でノイズを遮蔽するグラウンド層16bを少なくとも一層有する。図3や図5の構成例では、配置層に複数の個体を並列接続したコンデンサC16などを配置する。上述したグラウンド層15b,16bは、泊状や板状の金属部材で形成され、それぞれ文字通りにグラウンドNに接続される。この構造および接続によれば、グラウンド層15b,16bはグラウンドNと同電位になるので、第1遮蔽部11cを乗り越えるノイズによる影響を低減して外部装置20に電力を供給することができる。上述のように構成される電源装置10を回路図で示すと、図6のようになる。ただし、図6に示す回路図は一例にすぎず、主要部を示す。図6において、電力源Edcは直流電力を電源装置10に供給する。電力源Edcには、例えばバッテリや燃料電池が用いられる。電力源Edcのプラス端子に接続する入力コネクタ11e端子は、チョークコイルL10およびコンデンサC10を経て、トランス13の1次側端子13t1aに接続される。一方、電力源Edcのマイナス端子に接続する入力コネクタ11e-端子は、チョークコイルL10やコンデンサC12bを経て、トランス13の1次側端子13t1bに接続される。チョークコイルL10は入力フィルタとして機能し、コンデンサC10は直流電力の充放電を繰り返し行う。第1基板12は、スイッチング素子Q1~Q3、ダイオードD1~D3、コンデンサC10,C12a,C12b、ドライブ回路12a、制御回路12b、検出回路12cなどを有する。スイッチング素子Q1~Q3は、ドライブ回路12aからそれぞれ対応して伝達される駆動信号G1~G3に従って個別にスイッチングが制御される。検出回路12cは出力コネクタ11f端子の出力電圧すなわち電圧Vdを検出する。制御回路12bは、電圧Vdが目標電圧となるように、ドライブ回路12aを駆動する指令信号Vcを出力する。目標電圧は、制御回路12b内の記録媒体に予め記録したり、外部装置例えばECU等から入力したりする。ドライブ回路12aは、指令信号Vcに基づいて、上述した駆動信号G1~G3を生成して対応するスイッチング素子にそれぞれ出力する。スイッチング素子Q1とスイッチング素子Q2,Q3とは直列接続される。スイッチング素子Q2とスイッチング素子Q3とは並列接続される。スイッチング素子Q1のソース端子と、スイッチング素子Q2,Q3のドレイン端子との接続点は、トランス13の1次側端子13t1c,13t1dに接続される。二点鎖線で示すダイオードD1~D3はフリーホイールダイオードとしての機能を担い、対応するスイッチング素子Q1~Q3に内蔵されたものでもよく、外付けしたものでもよい。コンデンサC10は、コンデンサC12aの一方側端子およびトランス13の1次側端子13t1aと、スイッチング素子Q2,Q3のソース端子およびコンデンサC12bの他方側端子との間に接続される。コンデンサC12bの一方側端子は、トランス13の1次側端子13t1bと接続される。コンデンサC12aは、コンデンサC10の一方側端子およびトランス13の1次側端子13t1aと、スイッチング素子Q1のドレイン端子との間に接続される。およびコンデンサC10およびコンデンサC12bの各他方側端子は、スイッチング素子Q2,Q3のソース端子に共通して接続される。トランス13は、2次側端子13t2aと2次側端子13t2dとが合流して接続直結される。この合流接続点と出力コネクタ11f端子との間には、フィルタ機構すなわちフィルタ部15や出力安定部16などが接続される。フィルタ部15は、出力電力の高周波成分を除去する機能を担い、コイルL15a,L15bやコンデンサC15a,C15b,C15cなどを有する。具体的には、合流接続点と出力コネクタ11f端子との間にコイルL15a,L15bを直列接続する。合流接続点とコイルL15aとの接続点と、グラウンドNおよび出力コネクタ11f-端子との間にはコンデンサC15aを接続する。コイルL15aとコイルL15bとの接続点と、グラウンドNおよび出力コネクタ11f-端子との間にはコンデンサC15bを接続する。コイルL15bと出力コネクタ11f端子との接続点と、グラウンドNおよび出力コネクタ11f-端子との間には、コンデンサC15cを接続する。出力安定部16は、後述する整流部14による整流に伴う電力特に電圧の脈動を抑制する機能を担い、一のコンデンサC16または複数の個体を並列接続したコンデンサC16などを有する。コンデンサC16は、出力コネクタ11fすなわち端子と-端子との間に接続される。出力コネクタ11fには、外部装置20が接続される。外部装置20には、電力を必要とする任意の機器を適用できる。例えば、制御装置ECUやコンピュータ等、回転電機電動機,発電機,電動発電機等、系統電力系統を含むなどが該当する。またトランス13は、2次側端子13t2bと2次側端子13t2cとの間に整流部14が接続される。整流部14は、トランス13から出力される交流電力を整流する機能を担う。図6には二相全波整流を行う構成例を示す。すなわち、二つのダイオードを反対方向に直列接続し、これらのダイオードの各アノード側端子を共通してグラウンドNに接続する。二相全波整流に代えて、単相ブリッジ整流を行う構成としてもよい。上述した整流部14、フィルタ部15および出力安定部16によって安定化された出力電力は、外部装置20に出力される。この電力処理を行う際、フィルタ機構フィルタ部15および出力安定部16は、太破線で示す第1遮蔽部11cによってノイズが遮蔽される。また、フィルタ部15はグラウンド層15bによってノイズが遮蔽され、出力安定部16はグラウンド層16bによってノイズが遮蔽される。このように二重に遮蔽する構造としたので、トランス13からの漏れ磁束を含むノイズによる影響を従来よりも低減して外部装置20に電力を供給することができる。上述した実施の形態によれば、以下に示す各効果を得ることができる。まず請求項1に対応し、電源装置10において、近接して配置されるトランス13とフィルタ機構との間に備えられ、トランス13の漏れ磁束を遮蔽する第1遮蔽部11cを有する構成とした図1,図3等を参照。この構成によれば、トランス13とフィルタ機構とを仕切るように第1遮蔽部11cを介在させるので、フィルタ機構はトランス13からの漏れ磁束を含むノイズによる影響が低減される。第1遮蔽部11cは磁束を遮蔽可能な任意の構造や材質等でよいので、従来技術のように高価なヒートシンクを用いなくても済む。よって、従来よりもコストを抑えながらも、トランス13からの漏れ磁束を含むノイズによる影響を従来よりも低減して外部装置20に電力を供給することができる。請求項2に対応し、第1遮蔽部11cは、トランス13とフィルタ機構とを電気的に接続する接続部材を通すスリットSL1,SL2または貫通穴H1,H2穴を有し、スリットSL1,SL2または貫通穴H1,H2は、ケース11の端部図1や図3に示すようにケース本体11bの内壁面に近い位置に配置する構成とした図1,図3,図4を参照。この構成によれば、接続部材を通すためのスリットSL1,SL2や貫通穴H1,H2は、ケース11の端部に近い位置に配置されるので、トランス13からの漏れ磁束を含むノイズが漏洩するのを大幅に低減できる。請求項3に対応し、フィルタ機構は、交流成分を低減するフィルタ部15と、出力電力を安定させる出力安定部16とを有し、フィルタ部15と出力安定部16との間に備えられ、漏れ磁束を遮蔽する第2遮蔽部11dを有する構成とした図1,図3,図6を参照。この構成によれば、第2遮蔽部11dは、フィルタ部15に含まれるコイルL15a,L15bやインダクタからの漏れ磁束を含むノイズによる影響が出力安定部16に及ぶのを低減することができる。請求項4に対応し、外部装置20に電力を出力する出力コネクタ11f出力端子を有し、出力コネクタ11fはフィルタ部15から出力安定部16に流れる電流の経路接続線J7と、出力安定部16から出力コネクタ11fに流れる電流の経路接続線J8とが交差するように配置される構成とした図3を参照。この構成によれば、磁束の直進性や回折を考慮して出力コネクタ11fの位置を設定するので、トランス13からの漏れ磁束を含むノイズが直接的に出力安定部16に及ぶのを低減することができる。請求項5に対応し、ケース11は、一面を開口させた箱状のケース11本体と、ケース11本体の開口部を覆うケース11蓋とを有し、フィルタ機構のケース11蓋側に備えられ、漏れ磁束を遮蔽する第3遮蔽部第2基板15aのグラウンド層15bを有する構成とした図3,図5を参照。この構成によれば、第1遮蔽部11cを乗り越える漏れ磁束を含むノイズによる影響をグラウンド層15bで低減して外部装置20に電力を供給することができる。請求項6に対応し、第3遮蔽部には、グラウンド層15b少なくとも一層がグラウンドNに接続される第2基板15aを用いる構成とした図3,図6を参照。この構成によれば、複数層からなる第2基板15aは、フィルタ部15の機能と第3遮蔽部の機能を兼ねることができる。フィルタ部15と第3遮蔽部とを第2基板15aで実現できるので、装置全体のコストを低減することができる。請求項7に対応し、出力コネクタ11fはバスバーからなる接続線J8を含み、バスバーのケース11蓋側に備えられ、漏れ磁束を遮蔽する第4遮蔽部第3基板16aのグラウンド層16bを有する構成とした図3,図5を参照。この構成によれば、第1遮蔽部11cを乗り越える漏れ磁束を含むノイズによる影響をグラウンド層16bで低減して外部装置20に電力を供給することができる。請求項8に対応し、第4遮蔽部には、グラウンド層16b少なくとも一層がグラウンドNに接続される第3基板16aを用いる構成とした図3,図5を参照。この構成によれば、複数層からなる第3基板16aは、フィルタ部15の機能と第4遮蔽部の機能を兼ねることができる。フィルタ部15と第4遮蔽部とを第3基板16aで実現できるので、装置全体のコストを低減することができる。他の実施の形態以上では本発明を実施するための形態について説明したが、本発明は当該形態に何ら限定されるものではない。言い換えれば、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施することもできる。例えば、次に示す各形態を実現してもよい。上述した実施の形態では、冷却部17は、空冷式の冷却フィン17aを備える構成とした図1,図2,図5を参照。この形態に代えてあるいは加えて、他の冷却手段を構成してもよい。他の冷却手段は、例えば図7に示す水冷機構17bや、ヒートポンプなどのうちで一以上が該当する。水冷機構17bには、冷媒例えば水,空気,油等を流すための入出口となる流入管17cや流出管17dを備える。流入管17cや流出管17dの配置は任意であり、図7の配置例に限られない。これらの流入管17cおよび流出管17dは、管状部材例えばホースやパイプ等を用いて物理的に接続され、図示しない冷却装置例えばラジエータ等との間で冷媒が流れるように構成される。水冷機構17bは、特に発熱し易い回路素子例えば半導体素子群Qgや整流部14等が冷えるように冷媒通路を形成するのが望ましい。他の冷却手段で構成しても、半導体素子群Qgや実装品を冷却できるので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。上述した実施の形態では、ケース11は、ケース本体11bと冷却部17すなわち冷却フィン17aまたは水冷機構17bとを一体形成する構成とした図1,図2,図5,図7を参照。この形態に代えて、冷却部17を別体に形成したうえで、ケース本体11bに固定する構成としてもよい。固定の手段は任意であり、例えばネジやボルト等の締結部材を用いて締結固定したり、例えば溶接や半田付け等によって接合したりするなどが挙げられる。この構成であっても、冷却部17によってケース本体11bを冷却することができるので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。上述した実施の形態では、第1コア部13a、コイル13bおよび第2コア部13cを有するトランス13を適用した図1,図3を参照。この形態に代えて、図8に示すトランス18いわゆるE型トランスを適用することもできる。図8に示すトランス18は、コア部18aやコイル18bなどで構成される。コア部18aは、コア上部とコア下部とを対向させて固定することで形成される。コア部18aの開口部位窓面とも呼ぶ。を、図3の上下方向に向けるように配置すれば、フィルタ機構すなわちフィルタ部15および出力安定部16に与える影響が低減される。したがって、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。上述した実施の形態では、第1遮蔽部11cおよび第2遮蔽部11dをケース本体11bと一体成型した図1,図3等を参照。この形態に代えて、第1遮蔽部11cおよび第2遮蔽部11dのうちで一以上の遮蔽部について、別体に形成したうえで、ケース本体11bの内側所定位置に固定する構成としてもよい。固定の手段は上述した通りである。第1遮蔽部11cおよび第2遮蔽部11dをT字状に一体化して固定すれば、作業工数を低減することができる。いずれの構成にせよ、第1遮蔽部11cと第2遮蔽部11dとをケース11に備える点では相違ないので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。上述した実施の形態では、フィルタ部15は、コイルL15a,L15bを含む構成とした図3,図6を参照。この構成に代えて、一以上のコイルをリアクトルに代えて構成してもよい。リアクトルを用いる場合でもコイルと同等に作用するので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。上述した実施の形態では、フィルタ部15はコンデンサC15a,C15b,C15cを含み、出力安定部16はコンデンサC16を含む構成とした図3,図6を参照。この構成に代えて、一以上のコンデンサをキャパシタに代えて構成してもよい。キャパシタを用いる場合でもコンデンサと同等に作用するので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。上述した実施の形態では、第3遮蔽部を第2基板15aのグラウンド層15bで実現し、第4遮蔽部を第3基板16aのグラウンド層16bで実現する構成とした図5を参照。この形態に代えて、グラウンド層15b,16bのうちで一以上に代えて、第1遮蔽部11cや第2遮蔽部11dと同様の遮蔽部を形成する構成としてもよい。図5を例にすると、ケース蓋11aと第2基板15aとの間に第3遮蔽部を形成したり、ケース蓋11aと第3基板16aとの間に第4遮蔽部を形成したりする。いずれの構成にせよ、第1遮蔽部11cを乗り越えるノイズを遮蔽することができるので、上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。"