"結晶形が六方晶である窒化ホウ素粒子と、分散媒と、を含有するp型拡散層形成組成物。前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子のX線回折パターンにおける100、101、102のそれぞれに対応するピークのピーク強度比I100I101/I102が3.5以下である請求項1に記載のp型拡散層形成組成物。前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子のBET比表面積が3m2/g~200m2/gである請求項1又は請求項2に記載のp型拡散層形成組成物。前記窒化ホウ素を5質量~80質量含有する請求項1~請求項3のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。前記窒化ホウ素を10質量~60質量含有する請求項1~請求項4のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。前記分散媒は有機バインダを含有する、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子が機械的表面改質処理物である請求項1~請求項6のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子が湿式粉砕物である請求項1~請求項7のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。前記湿式粉砕物は、ビーズミル又はボールミルによる粉砕物である請求項8に記載のp型拡散層形成組成物。前記湿式粉砕物は、水を含む分散媒中で湿式粉砕処理された粉砕物である請求項8又は請求項9に記載のp型拡散層形成組成物。シリコン基板上に、請求項1~請求項10のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物を付与する工程と、熱拡散処理を施す工程と、を有するp型拡散層の製造方法。シリコン基板上に、請求項1~請求項10のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物を付与する工程と、熱拡散処理を施してp型拡散層を形成する工程と、形成されたp型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。請求項12に記載の製造方法により得た太陽電池素子と、前記太陽電池素子の電極上に配置されたタブ線と、を有する太陽電池。しかしながら、特許文献1に記載されているように、p型拡散層を形成するためにドーパント源としてホウ酸又はB2O3を用いて拡散工程を行うと、拡散能力が不十分であり、十分なBSF効果が得られない場合があった。更にホウ酸等がシリコン基板と反応して結晶性成分を析出してこれが抵抗成分となる場合があった。また、ホウ酸やB2O3を含む拡散層形成用溶液は、保存安定性に問題が有る場合があった。また特許文献2に記載の方法においては、1000°C以上の高温でホウ素を拡散させる必要があるため、シリコン基板に損傷が生じてセル効率が低下する場合があった。更に、ホウ素を部位選択的に拡散する為には、非拡散領域をSiO2などでマスクする必要があり、工程数の増加を招きプロセスが複雑になるという問題がある。本発明は、以上の従来の問題点に鑑みなされたものであり、熱処理時におけるシリコン基板の反りの発生を抑制しながら、高温におけるp型拡散層形成組成物中の成分と基板との反応を抑制して、低抵抗なp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び低抵抗なp型拡散層を有する太陽電池の提供を課題とする。前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。<1>結晶形が六方晶である窒化ホウ素粒子と、分散媒と、を含有するp型拡散層形成組成物。<2>前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子のX線回折パターンにおける100、101、102のそれぞれに対応するピークのピーク強度比I100I101/I102が3.5以下である前記<1>に記載のp型拡散層形成組成物。<3>前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子のBET比表面積が3m2/g~200m2/gである前記<1>又は<2>に記載のp型拡散層形成組成物。<4>前記窒化ホウ素を5質量~80質量含有する前記<1>~<3>のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。<5>前記窒化ホウ素を10質量~60質量含有する前記<1>~<4>のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。<6>前記分散媒は有機バインダを含有する、前記<1>~<5>のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。<7>前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子が機械的表面改質処理物である前記<1>~<6>のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。<8>前記窒化ホウ素は粒子形状で含有され、該粒子が湿式粉砕物である前記<1>~<7>のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物。<9>前記湿式粉砕物は、ビーズミル又はボールミルによる粉砕物である前記<8>に記載のp型拡散層形成組成物。<10>前記湿式粉砕物は、水を含む分散媒中で湿式粉砕処理された粉砕物である前記<8>又は<9>に記載のp型拡散層形成組成物。<11>シリコン基板上に、前記<1>~<10>のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物を付与する工程と、熱拡散処理を施す工程と、を有するp型拡散層の製造方法。<12>シリコン基板上に、前記<1>~<10>のいずれか一項に記載のp型拡散層形成組成物を付与する工程と、熱拡散処理を施してp型拡散層を形成する工程と、形成されたp型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。<13>前記<12>に記載の製造方法により得た太陽電池素子と、前記太陽電池素子の電極上に配置されたタブ線と、を有する太陽電池。本発明によれば、熱拡散時におけるシリコン基板の反りの発生を抑制しながら、高温におけるp型拡散層形成組成物中の成分と基板との反応を抑制して、低抵抗なp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び低抵抗なp型拡散層を有する太陽電池を提供することができる。本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において~を用いて示された数値範囲は、~の前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。さらに本明細書において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。<p型拡散層形成組成物>本発明のp型拡散層形成組成物は、窒化ホウ素と、分散媒とを含有し、更に塗布性などを考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有して構成される。p型拡散層を形成する際に、ホウ素化合物としてホウ酸又はB2O3を用いると、これらが基板のシリコンと反応して結晶性の抵抗成分を形成する恐れがある。またこれらのホウ素化合物を用いると、分散媒と反応する、吸湿するなどの原因によりp型拡散層形成組成物の保存安定性が低下する可能性がある。しかし、窒化ホウ素を用いることで、吸湿性や分散媒との反応性が抑止され、p型拡散層形成組成物の保存安定性が向上する。また、シリコン基板との反応が抑制されて結晶性の抵抗成分の生成が抑制されるため、形成されるp型拡散層の低抵抗化が可能である。特に、窒化ホウ素は化学的に安定であるため、p型拡散層形成組成物の保存安定性がより向上し、またより低抵抗なp型拡散層を形成することができる。更に、六方晶の窒化ホウ素を用いると、形成されるp型拡散層の抵抗をより低くすることが可能である。これは、六方晶の窒化ホウ素はその結晶形に起因してa軸方向六角網面がシリコン基板の面方向へ配向しやすく、窒化ホウ素から揮発するホウ素含有ガスが閉じ込められやすくなり、シリコン基板表面近傍のホウ素含有ガスの濃度が高くなるためと考えられる。ここで、p型拡散層形成組成物とは、窒化ホウ素を含有し、シリコン基板に塗布した後に窒化ホウ素に含まれるホウ素原子をシリコン基板中に熱拡散することでp型拡散層を形成することが可能な材料をいう。窒化ホウ素を含むp型拡散層形成組成物を用いることで、p型拡散層形成工程とオーミックコンタクト形成工程とを分離でき、オーミックコンタクト形成のための電極材の選択肢が広がるとともに、電極の構造の選択肢も広がる。例えば銀等の低抵抗材を電極に用いれば薄い膜厚で低抵抗が達成できる。また、電極も全面に形成する必要はなく、櫛型等の形状のように部分的に形成してもよい。以上のように薄膜あるいは櫛型形状等の部分的形状にすることで、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑えながらp型拡散層を形成することも可能となる。したがって、本発明のp型拡散層形成組成物を適用すれば、従来広く採用されている方法、つまりアルミペーストを印刷し、これを焼成してn型拡散層をp型拡散層を形成するのと同時にオーミックコンタクトを得る方法では発生してしまう基板中の内部応力及び基板の反りの発生が抑制される。また窒化ホウ素に含まれるホウ素原子は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって所望の領域以外にまでp型拡散層が形成されるということが抑制される。この理由として、アクセプタ成分であるホウ素原子が窒化ホウ素中の元素と結合しているため、揮散しにくいものと考えられる。また、六方晶の窒化ホウ素のa軸方向六角網面がシリコン基板の面方向へ配向して、窒化ホウ素から揮発するホウ素含有ガスを閉じ込める機能を有しているものと考えられる。また、両面受光型の太陽電池のように、全面にアルミペーストを印刷できない場合であっても、本発明のp型拡散層形成組成物はp型拡散層の形成に適用することができ、所望の形状を有するP型拡散層を形成することができる。A窒化ホウ素本発明にかかる窒化ホウ素について、詳細に説明する。本発明のp型拡散層形成組成物は窒化ホウ素を含有する。p型拡散層形成組成物が窒化ホウ素を含んでいるかどうかは、粉末X線回折などによって窒化ホウ素に由来するピークの有無を調べることで、判別することができる。p型拡散層形成組成物が窒化ホウ素を含んで構成されることで、吸湿性や分散媒との反応性を抑止することができ、保存安定性が向上する。また、熱拡散時に発生する恐れのある、ホウ素化合物に由来するシリコンとの反応生成物の生成を抑制することができ、優れた特性のp型拡散層を形成することができる。これは例えば、窒化ホウ素は化学的な安定性が高いためと考えることができる。そして、本発明に係る窒化ホウ素は、粒子径を容易に制御できること及び配向性の観点から、結晶形が六方晶hexagonalである窒化ホウ素を含有する。六方晶の窒化ホウ素はa軸方向六角網面がシリコン基板の面方向に配向しやすいことから、形成されるp型拡散層の抵抗をより低くすることが可能である。窒化ホウ素の結晶形は、X線回折パターンによって確認することができる。具体的には、窒化ホウ素の結晶形が六方晶の場合、X線回折パターンにおいて、2θ=27°、42°、50°、55°のピークによって確認される。さらに窒化ホウ素が後述する分散媒中に分散されていることで、ホウ素原子の拡散状態がより均一なp型拡散層を形成することができ、また、部位選択的にp型拡散層を形成することもできる。窒化ホウ素の調製方法は特に制限されず、通常の方法で調製することができる。例えば、ホウ素粉末を窒素気流中で1500°C以上に加熱する方法、融解した無水ホウ酸と窒素あるいはアンモニアをリン酸カルシウム存在下で反応させる方法、ホウ酸やホウ化アルカリと、尿素、グアニジン、メラミンなどの有機窒素化合物を高温の窒素-アンモニア雰囲気中で反応させる方法、融解ホウ酸ナトリウムと塩化アンモニウムをアンモニア雰囲気中で反応させる方法、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法等を例示することができ、上記以外の製造方法であってもよい。上記製造方法の中では、高純度の窒化ホウ素が得られることから、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法を用いることが好ましい。窒化ホウ素は粒子形状でp型拡散層形成組成物に含有されることが好ましい。窒化ホウ素の粒子形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状、および鱗片状等が挙げられ、p型拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から略球状、扁平状、または板状であることが好ましく、扁平状または板状であることがより好ましい。アスペクト比の高い扁平状や板状粒子の窒化ホウ素を用いることで、窒化ホウ素を含むp型拡散層形成組成物をシリコン基板に付与した際に窒化ホウ素がシリコン基板の面方向に配向しやすくなり、低抵抗化が可能となる。この詳細な理由は不明であるが、熱拡散時において、窒化ホウ素がシリコン基板の面方向に配向することでシリコン基板を密閉性良く覆いやすくなり、窒化ホウ素から揮発するホウ素化合物の外気への拡散を抑制し、ホウ素化合物気体とシリコン基板との接触をより容易にするため、ホウ素の拡散を促進するものと考えられる。窒化ホウ素粒子のアスペクト比に特に制限はないが、アスペクト比が高い方が好ましい。具体的には、2~10であることが好ましい。尚、アスペクト比は、窒化ホウ素粒子の電子顕微鏡像を画像処理システムによって解析することで、算出できる。ここでいうアスペクト比とは、長軸の長さ長径と短軸の長さ短径の比率長径/短径である。また、窒化ホウ素は、そのX線回折パターンにおいて、100、101、102のそれぞれに対応するピークのピーク強度比I100I101/I102が3.5以下であることが好ましい。下限は特にはないが、0.1以上であることが好ましい。前記強度比は0.1~2.0であることが更に好ましい。前記ピーク強度が3.5以下であると、窒化ホウ素の結晶性が高く、又は配向性が良好で、シリコン基板への熱拡散時のホウ素拡散能力がより向上する傾向にある。ここでいう配向性とは、窒化ホウ素粒子が、窒化ホウ素のa軸方向六角網面に沿ってシリコン基板の面方向に配置するときの並びやすさの指標を示す。結晶性が高く、シリコン基板へ配向しやすいことで、窒化ホウ素から揮発するホウ素含有ガスが閉じ込め易くなり、シリコン基板表面近傍のホウ素含有ガスの濃度がより高くなるため、ホウ素の拡散能力がより向上すると考えられる。逆に、配向性が低い場合、窒化ホウ素から揮発するホウ素含有ガスが拡散しやすくなり、シリコン基板と接触する確率が低下し、拡散性能が低下すると考えられる。尚、X線回折パターンの前記ピーク強度比は、次の条件で測定したときの値である。X線源:Cu-Kα、出力:40kV、20mA、入射スリット:1°、散乱スリット:1°、受光スリット:0.3mm、走査速度:2°min-1。特定ホウ素化合物粒子の平均一次粒子径は10nm~15μmであることが好ましく、10nm~12μmであることがより好ましく、10nm~5μmであることがより好ましく、50nm~5μmであることが更に好ましい。平均一次粒子径が15μm以下であると、拡散性能及び拡散の均一性がより向上する。本発明おいて一次粒子とは、単独で存在することができる最小粒子を表し、平均一次粒子径とは、走査型電子顕微鏡で観察される一次粒子径の長径を意味する。一次粒子径の長径とは、球状粒子については一次粒子の最大直径を意味し、六角板状または円板状粒子については、それぞれ厚み方向から観察した粒子の投影像における最大直径または最大対角線長を意味する。具体的に平均一次粒子径は、300個の粒子の長径を上記方法により測定し、その個数平均として算出する。窒化ホウ素粒子の体積平均二次粒子径50Dは、p型拡散層の形成性と分散安定性の観点から、10nm以上15μm以下であることが好ましく、50nm以上12μm以下であることがより好ましく、50nm~10μmであることが更に好ましい。15μm以下とすることにより、シリコン基板表面へ均一に分散させることができ、より均一にシリコン基板中にホウ素を拡散させやすい。また、10nm以上とすることで、分散媒への分散を容易にすることができる。ここで、50Dとはメジアン径を指し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。窒化ホウ素粒子の粒子径を前記範囲とする方法は特に制限はされないが、粉砕処理を施すことが好ましい。粉砕処理を施すことで、粒子径を小さくすることができる。粉砕処理方法としては、乾式粉砕処理法及び湿式粉砕処理法が挙げられるが、湿式粉砕処理法であることが好ましい。窒化ホウ素粒子のBET比表面積は3m2/g~200m2/gであることが好ましく、10m2/g~50m2/gであることが更に好ましい。尚、BET比表面積は-196°Cにおける窒素の吸着等温線から算出できる。BET比表面積が3m2/g以上であると十分な拡散性能が得られる傾向にあり、また、200m2/g以下であると分散媒への分散が良好になる傾向がある。またBET比表面積が高いことで、窒化ホウ素粒子から揮発するホウ素含有ガスの量が多くなり、拡散性能がより向上すると考えられる。窒化ホウ素粒子の製造方法に特に制限はないが、機械的表面改質処理を施すことが好ましい。ここでいう機械的表面改質処理とは、粉砕処理や、剪断処理により、粒子表面の物理化学的状態を変化させ、表面を改質する処理を指す。この中でも粉砕処理を施すことが好ましい。粉砕処理法としては、乾式粉砕処理法及び湿式粉砕処理法を挙げることができる。乾式粉砕処理法としては、例えばジェットミル、振動ミル、ボールミル等を用いる方法が挙げられる。湿式粉砕処理法としてはビーズミル、ボールミル等を用いて分散媒中で粉砕処理する方法が挙げられ、ビーズミルを用いる方法がより好適である。粉砕に際して粉砕装置に起因する不純物が窒化ホウ素に混入すると、ドーパント特性が劣化する場合があるため、粉砕容器、ビーズ、ボール等の材質はドーパント特性への影響の少ない材質を選択することが好ましい。具体的にはナイロン、アルミナ、部分安定化ジルコニア等を使用することができる。窒化ホウ素の粉砕処理は、拡散性能の向上及び半導体基板との反応抑制のバランスの観点から、湿式粉砕処理であることが好ましい。湿式粉砕処理に用いられる分散媒は特に制限されず、水であっても、溶剤であっても、これらの混合溶媒であってもよい。溶剤として具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-iso-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤;ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル-n-プロピルエーテル、ジ-iso-プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のエーテル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン等のエステル系溶剤;アセトニトリル、N-メチルピロリジノン、N-エチルピロリジノン、N-プロピルピロリジノン、N-ブチルピロリジノン、N-ヘキシルピロリジノン、N-シクロヘキシルピロリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤;メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤;α-テルピネン、α-テルピネオール、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、α-ピネン、β-ピネン、ターピネオール、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン系溶剤が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。分散媒としてはこれらのなかでも水を用いることが好ましい。これにより純度の管理が容易となり、また、窒化ホウ素の粉砕が容易となる傾向になる。また粉砕処理時の分散媒とp型拡散層形成組成物の分散媒が異なる場合には、粉砕処理後に乾燥し、再度別の分散媒に分散して使用する。機械的粉砕処理をすることで、結晶性の高い窒化ホウ素であっても拡散能力が向上する傾向にある。分散処理における処理条件は、特に制限されず、用いる粉砕装置や分散媒等に応じて適宜選択することができる。また粉砕装置以外の表面改質装置としては、公知の表面改質装置ホソカワミクロン製メカノフュージョン、ノビルタ、奈良機械製ハイブリダイザー等を挙げることができる。粉砕装置以外の表面改質装置を用いた機械的表面改質処理における処理条件は、特に制限されず、用いる表面改質装置に応じて適宜選択することができる。p型拡散層形成組成物中の窒化ホウ素の含有比率は、塗布性、ホウ素の拡散性等を考慮して決定される。p型拡散層形成組成物中における窒化ホウ素の含有比率は、5質量以上80質量以下であることが好ましく、10質量以上60質量以下であることがより好ましく、15質量以上40質量以下であることがより好ましい。p型拡散層形成組成物中における窒化ホウ素の含有比率が5質量以上であると、十分なホウ素拡散能力が得られ、基板の低抵抗化が容易になる傾向にあり、60質量以下であるとp型拡散層形成組成物を均一に塗布することが容易になる傾向にある。本発明に用いられる窒化ホウ素の純度は高いほど好ましく、99質量以上であることが好ましい。特にFe、Cr、Ni、Cu、W、Mnなどの不純物元素の含有量を低くすることで、前記p型拡散層形成組成物を用いて構成した太陽電池素子における発電効率の低下をより効果的に抑制することができる。p型拡散層形成組成物は、必要に応じて窒化ホウ素以外のその他のホウ素化合物を更に含んでいてもよい。窒化ホウ素以外のその他のホウ素化合物としては、炭化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ酸、アルキルホウ酸エステル、テトラアルキルボレート、テトラフェニルボレート、ボラン、ボロン酸、及び塩化ホウ素などを挙げることができる。その他のホウ素化合物の含有量は特に制限されず、例えば、窒化ホウ素に対して100質量以下とすることができ、30質量以下であることが好ましく、1質量以下であることがより好ましい。また、窒化ホウ素以外のホウ素化合物の含有率は特に制限されず、例えば、窒化ホウ素に対して100質量以下とすることができ、30質量以下であることが好ましい。その他のホウ素化合物は、窒化ホウ素の粒子の表面に含まれていてもよく、また窒化ホウ素粒子の内部に含まれていてもよい。B分散媒本発明のp型拡散層形成組成物は、分散媒を含む。分散媒を含んで構成されていることで、より生産性よく所望の形状に均一性の高いp型拡散層を形成することができる。分散媒とは、組成物中において上記窒化ホウ素を分散させる媒体である。具体的に分散媒は、少なくとも溶剤や水等の液状媒体を含み、必要に応じて有機バインダを含んで構成される。溶剤としては、粉砕処理の項で説明した溶剤と同様のものを例示することができる。p型拡散層形成組成物とした場合、基板への塗布性の観点から、α-テルピネオール、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルが好ましく、α-テルピネオール、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルが好ましい溶剤として挙げられる。p型拡散層形成組成物における液状媒体の含有量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することができる。例えば、p型拡散層形成組成物中に、10質量~95質量とすることができ、50質量~90質量であることが好ましい。前記p型拡散層形成組成物は、有機バインダの少なくとも1種を含むことが好ましい。有機バインダは例えば、窒化ホウ素粒子を結着させるために用いられる。有機バインダとしては例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント又はトラガカント誘導体、デキストリン又はデキストリン誘導体、メタアクリル酸樹脂、メタアクリル酸エステル樹脂例えば、アルキルメタアクリレート樹脂、ジメチルアミノエチルメタアクリレート樹脂等、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂及びこれらの共重合体などを挙げることができ、これらから適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。これらの中でも、エチルセルロース、ポリビニルアセタール樹脂、メタアクリル酸樹脂、ヒドロキシエチルセルロース、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましく、エチルセルロース、ポリビニルアセタール樹脂、メタアクリル酸樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことがより好ましい。有機バインダの分子量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することができる。例えば、重量平均分子量を1万~50万とすることができ、5万~30万であることが好ましい。p型拡散層形成組成物における有機バインダの含有量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することができる。例えば、p型拡散層形成組成物中に、0.5質量~10質量とすることができ、2質量~8質量であることが好ましい。p型拡散層形成組成物中の分散媒の構成及び含有比率は、塗布性、ホウ素濃度を考慮して決定される。前記分散媒は、α-テルピネオール、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル及び酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルから選ばれる溶剤をp型拡散層形成組成物中に10質量~95質量含み、エチルセルロース及びポリビニルアルコールからなる群から選ばれる有機バインダをp型拡散層形成組成物中に0.5質量~10質量含んで構成されることが好ましく、α-テルピネオール及びジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルから選ばれる溶剤を10質量~95質量含み、エチルセルロース及びポリビニルアルコールからなる群から選ばれる有機バインダをp型拡散層形成組成物中に0.5質量~10質量含んで構成されることがより好ましい。p型拡散層形成組成物の粘度は特に制限されず、シリコン基板への付与特性等に鑑みて適宜調整することができる。例えば、p型拡散層形成組成物の粘度は25°Cにおいて10mPas~10000Pasとすることができ、1Pas~1000Pasであることが好ましい。Cその他の成分前記p型拡散層形成組成物は、上記窒化ホウ素及び分散媒に加えてその他の成分として、ケイ素含有物質、酸化促進剤、増粘剤、湿潤剤、各種添加剤を含んでもよい。その他の成分としては例えば、界面活性剤、無機粉末、有機ホウ素化合物、有機アルミニウム化合物、ケイ素原子を含む樹脂、チキソ剤などが挙げられる。界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤などが挙げられる。中でも、半導体デバイスへのアルカリ金属や重金属等の不純物の持ち込みが少ないことからノニオン系界面活性剤又はカチオン系界面活性剤が好ましい。更にはノニオン系界面活性剤としてシリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤が例示されるが、拡散等の熱処理時に速やかに焼成されることから、炭化水素系界面活性剤が好ましい。前記炭化水素系界面活性剤としては、エチレンオキサイド-プロピレンオキサイドのブロック共重合体、アセチレングリコール化合物等が例示されるが、形成されるp型拡散層の抵抗値のバラツキをより低減することから、アセチレングリコール化合物がより好ましい。無機粉末は、フィラーとして機能させることができる。具体的には、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素などを例示することができる。有機ホウ素化合物としての有機ホウ素ポリマーは、分子中に10個以上のホウ素原子を含むものであればよく、分子構造に特に制約はない。また前記p型拡散層形成組成物は、チキソ剤を含んでいてもよい。これにより容易にチキソ性を制御することができ、印刷に適切な粘度をもつスクリーン印刷用のペースト組成物を構成することができる。さらにまた、チキソ性が制御されていることより、印刷時におけるペーストの印刷パターンからの滲みやダレを抑制することができる。チキソ剤としては、分散媒に溶解しない有機粒子を挙げることができる。有機粒子としては、特に限定されず、例えばポリエチレングリコール、末端を架橋したポリプロピレンジグリシジルエーテル等からなる有機微粒子が挙げられ、中でもポリエチレングリコールからなる有機微粒子が好ましく用いられる。前記p型拡散層形成組成物は、ケイ素含有物質の少なくとも1種を含んでいてもよい。前記ケイ素含有物質としては、ケイ素酸化物、シラン樹脂、シリコンアルコキシドなどを例示することができる。中でも化学的安定性の点から、ケイ素酸化物であることが好ましく、SiO2であることがより好ましい。ケイ素酸化物は、一般的にSiOxで表されるものである。xの範囲は例えば1≦x≦2であることが好ましく、x=2であることがより好ましい。ケイ素酸化物としてのSiO2は、結晶状のSiO2であっても、非晶質アモルファスのSiO2であってもよく、またSiO2を含むガラス粉末であってもよい。p型拡散層形成組成物がケイ素含有物質を含む場合、ケイ素含有物質を物理的に混合してp型拡散層形成組成物を調製することが好ましい。<p型拡散層及び太陽電池素子の製造方法>次に、本発明のp型拡散層及び太陽電池素子の製造方法について説明する。以下ではp型シリコン基板を用いた方法について記載するが、n型シリコン基板を用いた方法についても同様に適用できる。尚、本明細書において太陽電池素子とは、pn接合が形成されたシリコン基板と、シリコン基板上に形成された電極とを有するものを意味する。また太陽電池とは、太陽電池素子の電極上にタブ線が設けられ、必要に応じて複数の太陽電池素子がタブ線を介して接続されて構成され、封止樹脂等で封止された状態のものを意味する。まず、p型シリコン基板にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を20質量苛性ソーダで除去する。次いで1質量苛性ソーダと10質量イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する。太陽電池素子は、受光面表面側にテクスチャー構造が形成されることにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。次に、オキシ塩化リンPOCl3、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において800°C~900°Cで数十分の処理を行って一様にn型拡散層を形成する。このとき、オキシ塩化リン雰囲気を用いた方法では、リンの拡散は側面及び裏面にも及び、n型拡散層は表面のみならず、側面、裏面にも形成される。そのために、側面のn型拡散層を除去するために、サイドエッチング処理が施される。そして、p型シリコン基板の裏面すなわち受光面ではない面のn型拡散層の上に、上記p型拡散層形成組成物を塗布して、p型拡散層形成組成物層を形成する。本発明では、塗布方法には制限がなく、例えば、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法を挙げることができる。前記p型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無く、例えば、窒化ホウ素量として0.01g/cm2~100g/cm2とすることができ、0.05g/cm2~10g/cm2であることが好ましく、0.1g/m2~10g/m2であることが好ましい。塗布量が多くなるほど、シリコン基板へのホウ素の拡散が容易になる傾向にある。尚、p型拡散層形成組成物の組成によっては、塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程を設けることが好ましい場合がある。その場合には、80°C~300°C程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は1分~10分、乾燥機などを用いる場合は10分~30分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、p型拡散層形成組成物の溶剤組成によって適宜選択可能であり、本発明では特に上記条件に限定されない。p型拡散層形成組成物の塗布、乾燥の工程を二回以上繰り返し、二層以上の構造としてもよい。二層以上の構造とすることで、下記の熱処理及びエッチングした後のp型拡散層の抵抗が低くなる傾向にある。前記p型拡散層形成組成物を塗布したシリコン基板を、酸素を含む雰囲気下、又は酸素を含むガスを流しながら例えば大気中を流しながら、例えば、200°C~800°Cで、好ましくは300°C~800°C、より好ましくは400°C~700°C、更に好ましくは400°C~600°Cで熱処理する。この熱処理により、大部分の分散媒を除去することができ、より良好な特性のp型拡散層を形成することができる。次いで前記p型拡散層形成組成物を塗布したシリコン基板を、例えば、600°C~1250°Cで、好ましくは800°C~1050°Cで熱処理する。この熱処理により、シリコン基板中へホウ素が拡散し、p型拡散層が形成される。熱処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。熱拡散雰囲気は酸素の割合が5体積未満であることが好ましい。熱処理温度が600°C以上であると、ホウ素の拡散が十分に行われ、十分なBSF効果が得られる。また1250°C以下であると、基板が劣化することを抑制できる。尚、拡散層を形成する熱処理は、短時間熱処理RTP技術を用いて実施することもできる。熱処理後にp型拡散層の表面にガラス層等の熱処理物層が形成される場合、このガラス層等をエッチングにより除去する。エッチングとしては、ふっ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。エッチングにより除去した後、過剰のホウ素化合物を除去するために、超音波洗浄などを行うことが好ましい。なお、従来の製造方法では、裏面にアルミペーストを印刷し、これを焼成してn型拡散層をp型拡散層にするのと同時に、オーミックコンタクトを得ている。しかしながら、アルミペーストから形成されるアルミ層の導電率が低いため、シート抵抗を下げるために、通常裏面全面に形成したアルミ層は焼成後において10μm~20μmほどの厚みを有していなければならない。さらに、シリコンとアルミでは熱膨張率が大きく異なることから、焼成および冷却の過程で、シリコン基板中に大きな内部応力を発生させ、反りの原因となる場合があった。この内部応力は、シリコン結晶の結晶粒界に損傷を与え、電力損失が大きくなるという課題があった。また、反りは、モジュール工程における太陽電池素子の搬送や、タブ線と呼ばれる銅線との接続において、セルを破損させ易くしていた。近年では、スライス加工技術の向上から、結晶シリコン基板の厚みが薄型化されつつあり、更に太陽電池素子が割れ易い傾向にある。しかし本発明の製造方法によれば、上記本発明のp型拡散層形成組成物によってn型拡散層をp型拡散層に変換した後、別途このp型拡散層の上に電極裏面電極を設ける。そのため裏面電極に用いる材料はアルミニウムに限定されず、例えばAg銀やCu銅などを適用することができ、裏面電極の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となり、さらに全面に形成する必要もなくなる。そのため焼成および冷却の過程で発生するシリコン基板中の内部応力及び反りを低減できる。上記表面受光面に形成したn型拡散層の上に反射防止膜を形成する。反射防止膜は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜がシリコン窒化膜の場合には、SiH4とNH3の混合ガスを原料とするプラズマCVD法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化水素パッシベーションする。より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05~1.0、反応室の圧力が13.3Pa0.1Torr~266.6Pa2Torr、成膜時の温度が300°C~550°C、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。表面受光面の反射防止膜上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、表面電極用金属ペースト層を形成する。表面電極用金属ペーストは、金属粒子とガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて有機バインダ、その他の添加剤などを含む。次いで、上記裏面のp型拡散層上にも裏面電極用金属ペースト層を形成する。前述のように、本発明では裏面電極の材質や形成方法は特に限定されない。例えば、アルミニウム、銀、又は銅などの金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極用金属ペースト層を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程における太陽電池素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。上記表面及び裏面の電極用金属ペースト層を焼成して、太陽電池素子を完成させる。600°C~900°Cの範囲で数秒~数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜が溶融し、更にシリコン表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子例えば銀粒子がシリコン基板と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極とシリコン基板とが導通される。これはファイアースルーと称されている。表面電極の形状について説明する。表面電極は、例えばバスバー電極、及び該バスバー電極と交差しているフィンガー電極で構成される。このような表面電極は、例えば、上述の電極用金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着などの手段により形成することができる。バスバー電極とフィンガー電極とからなる表面電極は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。尚上述のp型拡散層及び太陽電池素子の製造方法では、p型シリコン基板にn型拡散層を形成するのに、オキシ塩化リンPOCl3、窒素および酸素の混合ガスを用いているが、n型拡散層形成組成物を用いてn型拡散層を形成してもよい。n型拡散層形成組成物にはPリンやSbアンチモンなどの第15族の元素がドナー元素として含有される。n型拡散層の形成にn型拡散層形成組成物を用いる方法では、まず、p型シリコン基板の表面である受光面にn型拡散層形成組成物を塗布し、裏面に本発明のp型拡散層形成組成物を塗布し、600°C~1200°Cで熱処理する。この熱処理により、表面ではp型シリコン基板中へドナー元素が拡散してn型拡散層が形成され、裏面ではホウ素が拡散してp型拡散層が形成される。この工程以外は上記方法と同様の工程により、太陽電池素子が作製される。また、上記では、表面にn型拡散層、裏面にp型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明のp型拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明のp型拡散層形成組成物は、特定の部位にp型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。次に図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1はp型拡散層を製造する工程図の一例を例示するものである。但し、この工程図は本発明の使用方法をなんら制限するものではない。p型シリコン基板1の表面上に、p型拡散層形成組成物を塗布してp型拡散層形成組成物層を形成し、これを熱処理することでp型シリコン基板1の表面近傍にp型拡散層3を形成する。図1aに示すように、p型シリコン基板1の表面近傍にp型拡散層3が形成され、p型拡散層3の上にはp型拡散層形成組成物の熱処理物層2として、例えばガラス層が形成されている。次いで、p型拡散層3の上に形成されたp型拡散層形成組成物の熱処理物層2をエッチング等により除去する。図1bに示すように、図1aにおけるp型拡散層形成組成物の熱処理物層2がエッチング除去され、表面近傍にp型拡散層3が形成されたp型シリコン基板1が得られる。p型シリコン基板1のp型拡散層3の上に、電極ペーストを塗布し、熱処理することで、図1cに示すように、p型拡散層3の上に電極4が形成される。図2はn型拡散層とp型拡散層とを選択的に同時に形成する工程図を説明するものである。受光面の反対側にn型拡散層とp型拡散層とを選択的に形成することで、いわゆるバックコンタクト型の太陽電池素子を構成することができる。p型シリコン基板1の表面にp型拡散層形成組成物及びn型拡散層形成組成物を、それぞれ部分的に塗布し、これを熱処理することで、p型拡散層3及びn型拡散層6を、それぞれ特定の領域に形成することができる。ペーストの塗布はインクジェットやパターン印刷法を用いることができる。これにより図2aに示すように、p型シリコン基板1のp型拡散層3の上にはp型拡散層形成組成物の熱処理物層2が形成され、n型拡散層6の上にはn型拡散層形成組成物の熱処理物層5が形成される。次いで、p型拡散層3の上に形成されたp型拡散層形成組成物の熱処理物層2、及び、n型拡散層6の上に形成されたn型拡散層形成組成物の熱処理物層5をエッチング等により除去する。これにより図2bに示すように、図2aにおけるp型拡散層形成組成物の熱処理物層2及びn型拡散層形成組成物の熱処理物層5がエッチング除去され、表面近傍にp型拡散層3とn型拡散層6とが選択的に形成されたp型シリコン基板1が得られる。次いでp型シリコン基板1の上に反射膜又は表面保護膜7を常法により形成する。このとき図2c1に示すように、p型拡散層3とn型拡散層6とが表面に露出するように部分的に反射膜又は表面保護膜7を形成してもよい。また図2c2に示すように、p型シリコン基板1の全面に反射膜又は表面保護膜7を形成してもよい。次いでp型拡散層3及びn型拡散層6の上に、電極ペーストを選択的に塗布し熱処理することで、図2dに示すようにp型拡散層3及びn型拡散層6の上に、電極4及び電極8をそれぞれ形成することができる。尚、図2c2に示すようにp型シリコン基板1の全面に反射膜又は表面保護膜を形成した場合は、電極ペーストとしてファイヤースルー性を有するガラス粉末を含むものを用いることで、図2dに示すようにp型拡散層3及びn型拡散層6の上に、電極4及び電極8をそれぞれ形成することができる。図2に示す製造工程を含む製造方法で製造される太陽電池素子では、受光面に電極が存在しないため、太陽光を有効に取り込むことができる。上述した実施の形態では、p型シリコン基板を用いた場合について説明を行ったが、n型シリコン基板を用いても同様にして、太陽電池素子を製造することができる。<太陽電池>本発明の太陽電池は、前記太陽電池素子の少なくとも1つを含み、太陽電池素子の電極上にタブ線が配置されて構成される。太陽電池はさらに必要に応じて、タブ線を介して複数の太陽電池素子が連結され、さらに封止材で封止されて構成されていてもよい。前記タブ線及び封止材としては特に制限されず、当業界で通常用いられているものから適宜選択することができる。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。または断りがない限り質量を意味する。<実施例1>p型拡散層形成組成物の調製エチルセルロース有機バインダ、日進化成製エトセルを6.0質量含むテルピネオール分散媒B、日本テルペン化学溶液を調製した。この溶液8gと、六方晶の窒化ホウ素ホウ素化合物A、和光純薬工業製、試薬特級、体積平均二次粒子径:11.7μm、平均一次粒子径:11μm2gを乳鉢で混合して、p型拡散層形成組成物以下、単にペーストともいうを調製した。ペーストの粘度を東京計器製E型粘度計により測定した。25°C、0.5rpmにおける粘度が61Pas、5rpmにおける粘度が37Pasであった。窒化ホウ素の粉末X線回折スペクトルをX線回折計リガク製LAD-2Xを用いて測定した。X線源はCu-Kα、出力は40kV、20mA、入射スリット:1°、散乱スリット:1°、受光スリット:0.3mm、走査速度は2°min-1で測定した。その結果、六方晶の窒化ホウ素に起因するピークが観察されたことから、六方晶の窒化ホウ素であると同定された。また、ピーク強度比I100I101/I102は1.3であった。BET比表面積は自動比表面積測定装置BELJapan製、BELSORP-miniを用い、-196°Cの窒素吸着等温線から算出した。結果を下記表1に示す。熱拡散及びエッチング工程スライスしたn型シリコン基板以下、n型スライスシリコン基板ともいう表面上に、得られたペーストをスクリーン印刷によって塗布し、150°Cのホットプレート上で5分間乾燥させた。続いて、空気を5L/分で流した600°Cの環状炉で1分間、熱処理をした。次いで窒素ガスを5L/分で流した950°Cのトンネル炉で20分間、熱拡散処理を行った。冷却後、n型シリコン基板を流水洗浄し、n型シリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を2.5質量HF水溶液に5分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、p型拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。[評価]外観観察得られたp型拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。また、n型シリコン基板表面を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察したところ、窒化ホウ素粒子を含むペーストを塗布した部分と、塗布していない部分とでは、特に違いは観察されず、異物も観察されなかった。シート抵抗の測定p型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板の表面のシート抵抗を、三菱化学株製Loresta-EPMCP-T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。p型拡散層形成組成物を塗布した部分は140Ω/□であり、Bほう素が拡散してp型拡散層が形成されていた。非塗布部のシート抵抗は950Ω/□であった。基板のXRDパターンの測定p型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。<実施例2>窒化ホウ素電気化学工業製、デンカボロンナイトライド[GP]を用いた以外は同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて実施例1と同様にしてp型拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。尚、デンカボロンナイトライド[GP]の結晶形は六方晶であり、体積平均二次粒子径は9μm、平均一次粒子径は9μmである。p型拡散層形成組成物を塗布した部分のシート抵抗は125Ω/□であり、Bほう素が拡散しp型拡散層が形成されていた。非塗布部のシート抵抗は1000Ω/□であった。p型拡散層を形成したシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。さらに得られたp型拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。<実施例3>フリッチュ製遊星型ボールミルを用い、直径1mm及び3mmのイットリア安定化ジルコニアビーズを各30g用いて、45mlのジルコニア容器に窒化ホウ素電気化学工業製、デンカボロンナイトライド[GP]を4g、及び超純水16gを入れ、800rpmにて30分間粉砕した。得られた窒化ホウ素粉砕物の体積平均二次粒子径は7μm、平均一次粒子径は4μmであった。この窒化ホウ素粉砕物を用いた以外は実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて実施例1と同様にしてp型拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。p型拡散層形成組成物を塗布した部分のシート抵抗は75Ω/□であり、Bほう素が拡散しp型拡散層が形成されていた。非塗布部のシート抵抗は950Ω/□であった。p型拡散層を形成したシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。さらに得られたp型拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。結果を表1に示す。<実施例4>ビーズミルでの粉砕を超純水中ではなく、テルピネオール中で行った以外は、実施例3と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて実施例3と同様にしてp型拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。なお、得られた窒化ホウ素粉砕物の体積平均二次粒子径は8μm、平均一次粒子径は7μmであった。p型拡散層形成組成物を塗布した部分のシート抵抗は140Ω/□であり、Bほう素が拡散しp型拡散層が形成されていた。非塗布部のシート抵抗は800Ω/□であった。p型拡散層を形成したシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。さらに得られたp型拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。<実施例5>p型拡散層形成組成物に含まれる窒化ホウ素の含有量を10質量とした以外は、実施例3と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて実施例3と同様にしてp型拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。p型拡散層形成組成物を塗布した部分のシート抵抗は120Ω/□であり、Bほう素が拡散しp型拡散層が形成されていた。非塗布部のシート抵抗は900Ω/□であった。p型拡散層を形成したシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。さらに得られたp型拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。<実施例6>p型拡散層形成組成物に含まれる窒化ホウ素の含有量を30質量とした以外は、実施例3と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて実施例3と同様にしてp型拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。p型拡散層形成組成物を塗布した部分のシート抵抗は75Ω/□であり、Bほう素が拡散しp型拡散層が形成されていた。非塗布部のシート抵抗は900Ω/□であった。p型拡散層を形成したシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。さらに得られたp型拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。<実施例7>ビーズミルアイメックス製NVM-2を用い、直径0.5mmのイットリア安定化ジルコニアビーズを用い、水媒体中にて窒化ホウ素電気化学工業製、デンカボロンナイトライド[GP]を90分間粉砕した。得られた窒化ホウ素粉砕物の体積平均二次粒子径は7μm、平均一次粒子径は5μmであった。この窒化ホウ素を用いた以外は実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これを用いて実施例1と同様にしてp型拡散層が形成されたn型シリコン基板を得た。p型拡散層形成組成物を塗布した部分のシート抵抗は65Ω/□であり、Bほう素が拡散しp型拡散層が形成されていた。非塗布部のシート抵抗は850Ω/□であった。p型拡散層を形成したシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外のピークは観察されなかった。さらに得られたp型拡散層が形成されたn型シリコン基板には反りが発生していなかった。<比較例1>窒化ホウ素の替わりに酸化ホウ素B2O3、高純度化学製を用いた以外は、実施例1と同様にしてp型拡散層形成組成物を調製し、これをn型シリコン基板に塗布して同様にして熱処理した。酸化ホウ素を含むp型拡散層形成組成物を塗布した部分はフッ酸によるエッチング、水洗後においても黒色の析出物が残存しており、抵抗は1000Ω/□以上であった。さらにn型スライスシリコン基板のXRDパターンを測定したところ、シリコン基板由来以外の結晶化ピークが観察され、酸化ホウ素とシリコン基板の反応物がエッチング処理後においても観察された。以上より、窒化ホウ素または炭化ホウ素を含むp型拡散層形成組成物を用いることで、シリコン基板とホウ素化合物の反応を抑制でき、また、シリコン基板の反りを抑制できる。以上より、窒化ホウ素を含むp型拡散層形成組成物を用いることで、低抵抗なp型拡散層を形成することができる。また、シリコン基板の反りを抑制できる。"