"グラファイトからなる熱吸収リングを備え、前記熱吸収リングは、内側円形開口と、1つまたはそれ以上の温度センサを受け入れるように適合され前記内側円形開口に隣接した環状の中空部とを有し、前記熱吸収リングは、矩形の外側縁を有する気相成長装置。前記熱吸収リングは、前記中空部分から上流に延びる非中空で平坦な前縁部分と、前記中空部分から下流に延びる非中空で平坦な後縁部分とを有する請求項1に記載の装置。前記熱吸収リングを囲む成長チャンバと、ウェーハを受け入れるように構成され、前記内側円形開口内のサセプタと、前記成長チャンバ内に直接放射されるエネルギーが前記外側縁内の領域に当たり前記ウェーハ、前記サセプタおよび前記リングにより吸収されるように、前記成長チャンバの外部にあって前記熱吸収リングの外側縁の投影形状にほぼ一致するような大きさの列をなす複数のランプと、を更に含む請求項1に記載の装置。前記リングを囲む成長チャンバであって、側方部材により連結される上部チャンバ壁及び下部チャンバ壁によって形成された石英の成長チャンバと、前記側方部材同士の間、かつチャンバガス流入口とチャンバガス出口との間を延びる石英の支持プレートであって、前記リングが前記支持プレートの開口内に配置された、支持プレートと、前記リングの前記内側円形開口内のサセプタと、前記サセプタ上に配置されるウェーハの面全体に平行に延び、かつ前記成長チャンバ内の前記サセプタ開口と前記チャンバガス出口との間の水平方向に向けられたプレートと、前記サセプタ及び前記水平方向に向けられたプレートを加熱する前記成長チャンバの外部の放射加熱ランプと、を備え、前記水平方向に向けられたプレートは、前記放射加熱ランプから放射されるエネルギーを前記成長チャンバよりも速く熱を吸収する材料からなり、それにより、前記サセプタを通過して流れる成長ガスは、前記低温の成長チャンバの壁に引きつけられるよりもずっと容易に加熱された前記水平方向に向けられたプレートに引きつけられる請求項1に記載の装置。前記リングは、前記下部チャンバ壁の上にスタンドで支持することにより、或いは1つまたはそれ以上の支持部を周囲のチャンバ構造体から内側に延ばすことにより支持される請求項4に記載の装置。前記熱吸収リングは、炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトからなる請求項1に記載の装置。すなわち、本発明は、平坦に構成された薄い曲面の上部壁及び下部壁を有するプロセスチャンバを提供する。上部壁及び下部壁は、凸状の外部面及び凹状の内部面を有する。これらの壁は、サイドレールの側部で連結され、チャンバにほぼ平坦な楕円又はレンズ状の断面を与え、チャンバの内部の高さは、側壁の幅又は距離よりも短い。サイドレールを横断して延びるとともに連結される内部支持部材は、チャンバの内部の圧力が外より低いモードで操作されるとき、チャンバの破損を防止できる強度を備える。好ましくは、チャンバの上部壁及び下部壁は、ほぼ矩形形状を有し、離間されたサイドレールは、壁の長さを拡大する。これは、細長い構成を与える。内部の支持部材は、入口のフランジまで延びる入口部及び出口のフランジまで延びる出口部を備え、二つの部分の間に大きな開口を有するプレート形状を有する。支持プレートは、実質的にチャンバを上部領域及び下部領域に分割する。サセプタは、支持プレートの開口に配置され、チャンバの下部壁から延びる管を通して延びるシャフトに支持される。処理される半導体ウェーハ又は他の要素は、入口のフランジを通して挿入され、支持プレートの入口部にほぼ位置あわせされたサセプタに支持され、反応ガスは、入口の支持プレートの部分の上及び処理されるウェーハの表面を横切って円滑に流れることができる。この点で、チャンバの上部領域は、ウェーハの処理に独占的に割り当てられることが好ましい。チャンバの上部壁及び下部壁は、石英から作られ、大半径の円柱状管からカットされた部材により構成され、又は、曲線プレートに形成されることが好ましい。これらの部分は、上部壁及び下部壁の縁に溶接しやすいような形に成形され又はカットされた側壁に溶接されることが好ましい。好ましくはないが、単純な円形、楕円形、又は放物線形状ではなく、楕円形の、放物線状の、又は急に曲がったプレート状の断面を有する要素で構成することも可能である。支持プレートは、石英から作られ、上部壁及び下部壁の間の中心に位置することが好ましく、これらの壁の応力は、均一である。このようなチャンバは、減圧処理に耐えることができ、一体化され、薄い石英の上部壁及び下部壁を通して放射エネルギーを伝達する放射ヒータの位置と干渉する外部の支持部材を必要としないという利点がある。また、内部の支持プレートは、チャンバを通した反応ガスの流れを妨害せず、事実、縁より流路の中心でより多くのガスを流すことによって、望ましいガスの流れをもたらすように作用する。さらに、内部の支持部材は、チャンバのウェーハ、サセプタ、又はサセプタリングからの流入又は流出を妨害しない。本発明の他の局面では、チャンバガスの入口及び出口を有する成長質を規定する壁を備える化学気相成長装置が提供される。ほぼ水平な石英の入口壁は、チャンバの入口からサセプタを受ける開口の部分を規定する下流の縁まで延びる。ほぼ円形のサセプタは、開口に水平に位置し、気相成長させる半導体基板を受ける。装置は、さらに、水平部分と下流縁の失透及び気相成長を最小にする入口壁の下流縁に近接する開口に延びる垂直リップとを有する犠牲石英プレートを備える。他の実施形態では、石英プレートの水平部分が入口壁に置かれる。下流縁を規定する開口の部分は、曲げられ、垂直リップは、開口の曲面部分を形成するように曲げられ、入口壁の下流縁の半分を保護するような大きさにされる。第二の犠牲プレートは、サセプタの曲面縁又は下流縁の他の半分を保護するようにサセプタの周りに位置するリングに沿うように曲げられた垂直リップを有するように設けられる。また、他の好ましい実施形態では、犠牲プレートは、入口壁の下で支持され、その垂直リップは、入口壁の下流縁に近接して延びている。犠牲プレートは、サセプタの下に延び、サセプタを回転可能に支持するシャフトを受ける中心孔を有する皿の形状にされてもよい。装置は、サセプタから下流に延びる、ほぼ水平の石英出口壁を備え、サセプタから離間され、皿部材の入口縁は、入口壁の下で支持され、皿部材の下流縁は、出口壁の下で支持されてもよい。さらに他の局面では、本発明は、化学気相成長チャンバの使用方法を提供し、チャンバは、水平に延びるサセプタが基板を受けるように配置され開口の部分を規定する下流縁を有する石英の水平な入口壁を備える。この方法では、入口壁の下流縁の失透及び気相成長を最小化するように、入口壁の下流縁とサセプタとの間に犠牲石英プレートの垂直リップを配置する。サセプタの周りに及びサセプタと入口壁の下流縁との間に延びる温度補償リングが備えられてもよい。犠牲プレートの垂直リップは、温度補償リングと入口壁の下流縁との間のギャップに配置されてもよい。この方法では、入口壁の下流縁の上を上流に延びるフランジを有する垂直リップの上部縁に短く、水平に延びるフランジを備える。さらに他の好ましい実施形態では、チャンバは、また、上流縁に石英の水平な出口壁を備え、入口壁の下流縁及びチャンバの組合せで、サセプタが配置される開口を規定する。リングは、円形であり、犠牲石英プレートは、リングの外形とほぼ一致するような内径を有する。石英プレートは、開口と一致してそれに望ましく沿うような外形を有し、面取りされた矩形形状を有することが好ましい。この点で、開口の縁は、プロセスチャンバの失透及びヒートサイクルから保護される。犠牲石英プレートは、最小のクリアランスで開口内にほぼ沿うような形状が好ましく、入口壁及び出口壁に備えられる修正されたフィンガー部又は支持部材により支持される。さらに他の好ましい実施形態に従えば、本発明は、半導体を支持するサセプタを受けるほぼ円形の開口を規定する内部縁及びほぼ矩形の外部縁を有する温度補償リングを備える化学気相成長チャンバに使用される装置を提供する。リングは、面取りされたコーナー部、前縁、後縁、一対の外部側縁を有することが好ましい。前方の外部縁及び内部縁との間の最短距離は、後縁と内部縁との間の最短距離より短いことが好ましい。リングは、グラファイトから作られ、一つ又はそれ以上の温度センサを受けるようにされた内部のほぼ中空部を有することが好ましい。リングは、ほぼ平坦であり、中空部から前方に延びる管形状ではない前縁、及びほぼ平坦で中空部から後方に延びる管形状ではない後縁部分を有する。さらに他の好ましい実施形態では、本発明は、処理されるウェーハ上の反応ガスの速度を制御するために、噴射機の幅を縦方向に横断して分配された複数の調整部分を有するプロセスチャンバのガス噴射機を備える。噴射機は、一つに実装された流れ制御弁を有する二つの並列に並べられたプレートから形成される。単一のガス入力は、流れ制御弁に共通な充填をもたらし、等圧なガスが各弁機構の上流に供給される。独立に計測される流れが噴射機の出口を形成するスリットのような開口を通って混合される前に、狭い通路が、各弁から噴射機に形成された分離された膨張チャンバへ設けられる。所定のガス速度の反応ガスの帯状の円滑な流れが、チャンバに及びウェーハ上にもたらされる。この帯状のガスの流れは、拡散によってともに混合される分離された流れに十分な距離及び時間をもたらすように、ウェーハの前縁のかなりの距離の上方への流れを形成し、これにより、ウェーハを縦方向に横断するガスの濃度を円滑化する。他の例では、本発明は、サセプタ及びその上のウェーハを支持する石英プロセスチャンバを提供する。温度補償リングは、サセプタを囲み、サセプタの温度をより均一に維持するようにサセプタと同じ高い熱容量の材料から作られる。加熱ランプの上部及び下部は、サセプタ及びリングを加熱するチャンバの外側に配置される。ランプは、必要とされる放射エネルギーを集中し、システムに使用されるエネルギーを保存するように、リングの外側の大きさと同じ大きさにされることが好ましい。ある実施形態では、リングは、サセプタを近接して囲む大きさにされた円形の内側縁及び内部のチャンバ支持プレートの同形状の開口内にきちんとフィットする大きさにされた面取りされた矩形の外側縁を有する。両凸レンズ状プロセスチャンバ図1から図11に、化学気相成長処理等用の反応容器又は反応チャンバ10の一実施形態を示す。チャンバ10は、断面がほぼ両凸レンズ状の形状を有する長くほぼ平坦な形状を有する。両凸レンズ状の形状は、円形の曲率を有する対向する両凸レンズ表面を有する。前記チャンバは、凸状の外表面及び凹状の内表面を備えた上部壁12と、凸状の外表面及び凹状の内表面を備えた下部壁14とを有する。壁12及び壁14は、垂直方向の短いサイドレール16及び18によって接続されている。これらの壁及びサイドレールはさらに、上流の入口端部フランジ20及び下流の出口端部フランジ22によって結合されている。上流及び下流は、後述のように処理ガスの流れに関係し、前及び後ろという記載と同義である。チャンバの高さは、チャンバの幅よりも小さい。この点で、チャンバ10の軸方向は、入口端部フランジ20から出口端部フランジ22に、すなわち切断線3-3に沿って延びている。横方向は、短いサイドレール16及び18の間、すなわち切断線2-2に沿って延びている。高さ方向は、軸方向及び横方向の両方に垂直である。図2の断面図に示すように、両凸レンズ状のチャンバ10は、サイドレール16及び18の間に延びる大きい寸法と、上部壁12及び下部壁14の頂点の間に延びる小さい寸法とを有する。図4によれば、上部壁12及び下部壁14の両方とも、垂直方向の投影が矩形平面となる薄い曲面プレート状の部材である。好適には、壁12及び14は、円形の曲率半径を有し、石英又は同種の材料からなる円筒管から切断した切片により形成され得る。より大きなチャンバには、壁12及び14を、加熱成形した平坦な石英プレートによって構成することができる。変化する半径を有する曲壁には望ましくない応力が生じるため、一定の曲率を備えた円形壁は最適な設計である。好適な一つの実施形態において、上部壁12及び下部壁14は、およそ609.6mmの曲率半径と、4mmから6mmの間の厚みを有し、より好適には壁の厚みはおよそ5mmである。石英が好適ではあるが、同様の望ましい特性を有する他の材料を代用しても良い。いくつかのこれらの望ましい特性は、高い融点、大きく迅速な温度変化に対する耐久性、化学的不活性及び光に対する高い透明度を含む。厚いサイドレール16、18は、矩形の横断面を有する石英ロッドから加工され、或いは他の方法で、図2に示す横断面形状に形成され得る。特に、各サイドレール16、18は、上部壁12の外曲面に連続する上面24と、下部壁14の外面に連続するように曲げられた下面26とを有する補強された本体を備える。各サイドレール16、18の外側面28は平坦で縦に延びている。各サイドレール16、18の内面は、上部スタブ壁upperstubwallsegment32a、中間スタブ壁middlestubwallsegment32b、下部スタブ壁lowerstubwallsegment32cを形成する軸方向に延びる上部及び下部の窪み30a、30bで形成されている。上部スタブ壁32a及び下部スタブ壁32cは、上部壁12及び下部壁14の側縁に軸方向溶接点39で当接している。一つの実施形態において、サイドレール16、18の本体は、約20mmの幅と約21mmの高さを有する。チャンバの内部支持部材本発明によれば、好適にはサイドレール16及び18の間に延びる平坦な矩形のプレート40の形態の支持部材又はストリンガが提供される。図3に示すように、支持プレート40は、チャンバ10の幅を横切って延びる空所又は開口44の輪郭を定め、支持プレートを入口部46a及び出口部46bに分離する開口42を備える。入口部46aは、入口フランジ20から開口44の上流側の縁に延び、出口部46bは、開口44の下流側の縁から出口フランジ22に延びている。図4から分かるように、支持プレートの入口部46aは、出口部46bよりも軸方向に短い。特に、好適な配置において、入口部の長さは、出口部の長さの約70である。釣り合いのとれた配置は、チャンバ壁の強度特性よりもむしろチャンバを通る処理ガスの流れに関連する。図2に最もよく示すように、サイドレール16及び18の各々は、実際には支持プレート40の延長部を形成する、内側に延びる中央スタブ壁32bを備えている。この点で、支持プレート40は実際に、サイドレール16、18の本体で、すなわち、言い換えれば、窪み30a、30bの横方向外側領域で終結している。軸方向結合部48は、支持プレート40と各サイドレール16及び18の中央スタブ壁32bとの間の溶接接合を示す。チャンバ10の重要な面として、中央スタブ壁32bは、上部壁12及び下部壁14を正確に2等分し、これにより支持プレート40は、両者の間の正確な中心線又は中心面に位置する。この所望の配置は、サイドレール16、18の横方向変位によって、プレート40平面内にのみ応力を発生させる。このような変位は、壁12、14が平坦になろうとし外力をそこに及ぼす際の減圧プロセスによって生じる。この振分けを設計することにより、支持プレート40は、著しい曲げ応力又はせん断応力を受けず、より大きな全体に亘る垂直応力に耐え得る。端部フランジ図1及び図3によれば、端部フランジ20、22の各々は、外側にほぼ矩形のスラブ50、51を備え、各スラブは、面取りされたコーナー52及び内側に凸レンズ形状の延長部54を有する。図3から分かるように、内側延長部54は、上部壁12、下部壁14及び中央支持プレート40の形状に一致する。特に、軸方向の短い部分がスラブ50から延び、これらプレート状部材の各々と結合している。チャンバ10の各端部において、曲線の溶接接合部56が、曲面上部壁12、曲面下部壁14及び延長部54の上部、下部の間に形成されている。直線の接合線58は、延長部54の中央部及び支持プレート40の軸方向端部の間に形成されている。入口フランジ20のスラブ50は、チャンバ10内の支持プレート40の上方で上部壁12の下方の領域66に通じる上部に横方向に延びる開口60を備える。対照的に、出口フランジ22のスラブ51は、横方向に延びる一対の開口62及び64を備える。上部開口62は、前述のチャンバ10の上部領域66に通じる。下部開口64は、支持プレート40の下方で下部壁14の上方のチャンバ10の下部領域68に通じる。サイドレール16、18内の丸い窪み30a、30bは、上部領域66、下部領域68の横方向の境界の輪郭を定める。以下に述べるように、ウェーハ処理は、上部領域66のみでなされ、支持プレート40は、処理領域の下限を定める。支持プレートの開口図8に示すように、開口44は、サセプタ及び該サセプタを囲む温度補償リング72を収容するように寸法決めされている。サセプタ70は、静止リング72内で回転するように適合されており、好適には、約0.5mmから1.0mmの小さな環状のギャップを横切って前記リングから距離を隔てて配置される。リング72の中心線は、図4に破線で示す円74により示されている。リング72を囲む支持プレート40内の開口42の形状は、開口44の縁が前記リングに極めて近接するように円形とすることもできる。しかしながら、図4に示すように、円形のコーナーを有する矩形の開口42が幾分好適であることが分かった。支持プレートの入口部46a、出口部46bは、正確な形状を有するように切断されてもよい。或いは、加工の都合上、図4に示すように、短く幾分三角形のすみ肉部76を、所望の形状を得るように、プレート部材及びチャンバサイドレール16、18に溶接してもよい。使用の間、チャンバ10の内部と外部雰囲気との間の圧力差は、上部壁12、下部壁14及びサイドレール16、18の両方の中に応力を生じさせる。サイドレール16、18の内側及び外側に向かう横方向の動作は、中央支持プレート40へのそれらの固定によって制限される。上述した真空処理において、壁12、14は、平坦になろうとすることにより、ほぼ外側に向かう力をサイドレール16、18へ与える。支持プレート40は、張力下に置かれ、サイドレール16、18の外側への変位を制限する。しかしながら、入口部46a、出口部46bの間には、サイドレール16、18に対する支持はなく、この領域に沿って、サイドレール内に応力を生じさせる幾分かの変位が可能である。有限要素解析により、面取りされた矩形の開口42が完全に円形の開口よりも好適であることが示された。これは、図示されたプレートの最大応力は開口の軸方向に沿って拡散するが、円形の開口では、最大応力点がプレートの中心線に沿った点となるからである。他の方法では、矩形開口42は、サイドレール12、14の間に横方向に延びる2つの対向する部分を境界とし、円形開口の2つの対向点で対向するように前記部分に亘って最大応力が分散する。図4に示す円74は、チャンバの上流側及び下流側の縁に対し、又は開口44に対し、中心に位置していないことに注意する必要がある。或いは、出口プレート部46bの上流側の縁に対する円74の下流側の縁又は後縁の位置よりも、入口プレート部46aの下流側の縁に対する円74の上流側の縁又は前縁の位置の方が近い。この配置は、出口プレート部46bの上流側の縁の失透devitrificationの速度を落とすことにより、チャンバの強度を維持するのに役立つ。すなわち、チャンバ壁の温度がサセプタからちょうど下流に向かって最も高くなるように、ガス流はサセプタを通り越す際に熱くなる。したがって、上流側の縁は、サセプタに極めて近い場合、著しい熱サイクル及び失透に晒され得る。そこで、サセプタは、前記上流側の縁との間隔を増すように開口44内で前方にずらされている。いくつかの形態の内、このずらされた配置もまた、チャンバを通る処理ガスの流れに影響する。特に、リングによって囲まれたサセプタ上に置かれたウェーハは、該ウェーハの上流側の開口44を通る反応ガスの量を最小にするべく、入口プレート部46aの下流側の縁に近接して置かれている。これは、サセプタの下のチャンバ10の下部領域68内に堆積し得る反応ガスの量を最小にする。サセプタ及び関連する構造図8から分かるように、温度補償リング72は、支持プレート部材に溶接された垂直方向に延びる部分を有する、肘のような形状の3つの支持部材によって支持されている。特に、前支持部材又はフィンガー80は、チャンバのサイドレール16、18の中間で、前のプレート部材の後方に溶接されている。前支持部材の水平部分は、温度補償リング72の前縁の下方に位置するように、開口44内に後方に向かって延びている。距離を隔てた一対の部材又はフィンガー82は、図8及び図2から図7に示すように、補償リング72の後縁の下方で前方に延びる長い水平部分を有する。このように、補償リング72は、フィンガー80及び82の直立ピン図示せずによって3点で水平に支持されている。結局、ピンは、繰り返される熱サイクルと処理ガス及びエッチングガスへの露呈により劣化するが、かなり迅速に取り替えることができる。サセプタ84は、回転可能なシャフト90の上端部に接続された適切な支持部材88のアーム86に支持された状態で示されている。前記シャフトは、チャンバの底部壁から延びる管92を通って延びている。サセプタ84は、リング72の上縁及び支持プレート40の上面とほぼ水平な状態で示されている。これは、ウェーハが、サセプタ84の上方でプロセスチャンバ10の上部領域66内に位置決めされることを可能にする。さらに、図8によれば、入口フランジ20は、入口コンポーネント94に結合するようになっている。前記コンポーネントは、ウェーハが通って挿入される水平方向に延長されたスロット96を有し、スロット96からウェーハハンドリングチャンバ図示せずに通じるアイソレーションバルブが閉じられた後処理ガスをチャンバの上部領域66に導入する長い入口98を有する。同様に、出口フランジ22は、チャンバ10から処理ガスを排気しチャンバを真空にするための出口コンポーネント100に当接するようになっている。図8から分かるように、出口フランジ22は、支持プレートの上方の領域66と同様に、支持プレートの下のチャンバの下部領域68に開口している。複数の熱電対102が出口コンポーネント100を通ってプロセスチャンバ10の下部領域68内に延びている。熱電対102は、サセプタ84及びその上に位置するウェーハを囲む局所温度を検知するため、サセプタ84の近辺に延びている。米国特許第4821674号ですでに記載したように、サセプタ84を囲む熱電対102の先端検知部の有効な位置決めにより、ウェーハ温度に関する包括的フィードバックが可能となる。さらに、温度の不均一性を補償するために、チャンバ10を囲む放射熱ランプの調整を可能にする。特に、前縁の熱電対104はサセプタ84の前縁に近接して終結し、後縁の熱電対106はサセプタの後縁に近接して終結し、側縁の熱電対図示せずはサセプタの側縁に近接して終結している。熱電対102の各々は、内部に窪みを与える2つの部材から形成される温度補償リング72に入っている。このリングは、参考のために特に参照する米国特許第4821674号にすでに記載されている。温度補償リング72は、熱電対102を受けるためのリングを通る環状通路の境界を共にして定める、ほぼL字形の内部本体及び外部本体を備える。好適には、温度補償リング72は、黒鉛又は他の高い熱吸収材料から構成される。リング72は、処理環境におけるいくつかの利点を与え、主としてサセプタ84の縁からの熱損失を削減する。特に、リング72は、サセプタ84の縁を近接して囲み、材料が同様の温度であるように、処理中同様の温度に維持される。このように、サセプタ及びリングは互いに熱を放射し、両者の間の熱損失を効果的に相殺する。温度補償リング72の他の利点は、ウェーハの領域における反応ガスの予熱及び後熱である。特に、反応ガスは、無反応の雰囲気温度でチャンバに入り、サセプタ及びウェーハの上を通る際に蒸着に適した温度に加熱される。このように、周囲温度補償リング72は、サセプタの前縁、続いてウェーハの前縁に到達する前に反応ガス流を予熱する。このようにして、処理ガスは、ウェーハの縁の上を越える前に、ほぼ定常状態の温度に到達する。さらに、温度補償リング72が下流側の加熱領域を拡げるため、ウェーハの下流側の縁を通過した後、ガスの温度はあまり落ちることがない。温度補償リング72のさらなる利点を、改良したリングを参照して以下に述べる。チャンバを通るガス流を図8に示す。反応ガスは、参考のために特に参照する米国特許第5221556号に記載されている分布のような、予め決められた横方向の速度分布を伴って入口コンポーネント94に入る。予め決められた速度分布は、反応チャンバ10の横方向の外縁よりも中央部に向けてより大きなガス流を与え、サセプタ84で支持される円形ウェーハの中心を越える長い蒸着路depositiontravelpathを補償する。言い換えれば、ウェーハの上方の流路に沿った反応消耗reactantdepletionのため、ウェーハ中央部の上方に、より多くの量の反応ガスが必要とされる。さらに、図2に最もよく示すように、チャンバ10の横断面形状は、あまり反応ガス流が必要とされない側縁よりも、より多くの反応ガス流が必要とされるチャンバの中心において、より多くのガス流を収容する。反応ガスは、矢符112で示すように軸方向後方に流れ、出口コンポーネント100を通り、矢符116で示すように排気導管114を通って下方に出る。典型的には、パージガスがシャフト90を囲む中空管92を通って上方に供給される。前記中空管は、シャフトを囲むガス通路を与えるように寸法決めされている。矢符118によって示すように、パージガスは、チャンバ10の下部領域68に入る。パージガスは、サセプタ84の下に不必要な粒子が蒸着するのを防ぎ、矢符120で示すように、出口フランジ22内の軸方向の下部開口64を通って出る。次に、パージガスは、使用済みの反応ガスと混合し、排気導管114を通り矢符116の通路に沿って下方に流れる。端部フランジ20、22は、好適には、半透明であり、分散された窒素の気泡を有する石英から造られる。一方、中央の薄い壁12、14及び支持プレート40は、放射エネルギーに対して透明であり、チャンバ10内のサセプタ及びウェーハの放射加熱を、これらの構造内を高温にすることなく可能にする。半透明のフランジ20、22は、そこを通る光の伝搬light-pipingを減少させるべく放射エネルギーを散乱させる。これは、フランジ20、22の外側のOリング122を、チャンバ10内で生成する極度の高熱に晒されることから保護する。好適には、下部壁14の下の管92の部分は、そこに分散された窒素の気泡により同様に半透明である。以上に記載したように、開示したチャンバの1つの利点は、比較的薄い石英のチャンバ壁により、減圧された内圧に耐え得るということである。例えば、直径8インチのウェーハ約200mmを収容するように設計されたチャンバにおいて、上部壁12及び下部壁14は、約5mmの壁厚しか必要とせず、支持プレートの厚みは、約10mmである。端部フランジ間のチャンバの長さは約600mm、チャンバの幅は約325mm、端部フランジの高さは約115mmである。チャンバの寸法は、より大きな寸法のウェーハ用に改良され得ることは自明である。例えば、本発明に係るチャンバは、200mm、300mm及びそれより大きな径を有する処理ウェーハに適している。好適には、対応する横断面寸法を同一にしたまま、300mmのウェーハを収容するより広いチャンバは、より大きな高さを有する。300mmウェーハ用チャンバの増加した高さにより、サセプタ及びウェーハを加熱するべくチャンバの周りに配置される放射熱ランプのような他のサブシステムに一定の改良が必要となる。要するに、直径200mm及び300mmのウェーハを処理するための周囲環境は、ある面で異なる必要があるが、これらの差異は、プロセスチャンバの構造及び操作の技術分野における当業者の技術の範疇にある。特定の寸法は、もちろん、単に例示されたものであり、種々の形状及び寸法を、側壁間すなわちチャンバの縦-横断面のより長い寸法を横切って延びる支持プレートに利用することができる。一般化し得る1つのことは、チャンバの全幅は、好適にはチャンバの高さの約3倍であるということである。これは、上部領域66が、横方向の中心線において、およそ6の幅と高さの比を有することを意味する。上述のように本実施形態において、壁12及び14は、24インチの一定の曲率半径を有する。幅と高さの比が大きく増加する場合、上部壁12及び下部壁14は平坦になり、内部を真空にする際、破壊せずに曲げ応力に耐えることがほとんどできないということに注意する必要がある。一方、前記比が大きく減少する場合、壁12及び14の曲率は、より大きくなる。したがって、熱ランプをウェーハ及びサセプタ84から遠ざけて配置し、ウェーハ周りの熱分布の制御を減らす必要がある。支持プレート40が受ける引張り応力は、幅と高さの比が増加しチャンバが平坦になるにつれて増加する。一定のチャンバの真空度において、支持プレート40が受ける引張り応力は、チャンバの幅と高さの比の増加よりも大きな比率で増加する。すなわち、例えば、上部領域66において横方向の中心線における幅と高さの比が2:1である円筒チャンバ形状が、2倍の4:1の比になれば、支持プレート40に生じる応力は2倍以上に増加する。支持プレート40により吸収される引張り応力は、曲面チャンバ壁12及び14に伝わるであろう内側に向かう曲げ応力を緩和する。このように、比較的低いチャンバの縦断面により低圧処理を可能とする最適なチャンバの幅及び高さの比が決定される。チャンバ10は、矩形断面のチャンバを利用し、さらに低く広い形状の有用性を増加させた現存のシステムに好適に改造することができる。チャンバの形状は、ウェーハを一方の端部から挿入することを可能にし、チャンバの他方の端部から交換用サセプタ及びリングを挿入することを可能にする。このような配置は、チャンバ内で処理されるウェーハとほぼ一直線上に並べられた内部支持プレートの上方にガスが流れる状態で、ガス流がチャンバを通って端から端に導かれることも好都合に可能にする。図9に示す他の実施形態において、改良した温度補償リング72’は、支持プレート40における面取りされた矩形の開口42とよく一致するように、外側に設けられている。このように、リング72’は、チャンバ10の上部領域66及び下部領域68を互いに実質的にシールする。この形態において、上部領域66内の反応ガスは、リング72’及び開口42の間に形成されるギャップを通ることができず、ウェーハ上の均一な流れを乱すことがない。図10に示すさらに他の実施形態において、円形リング72を囲む石英の犠牲sacrificialプレート124が設けられている。犠牲プレート124は、リング72の外径とよく一致する内径と、面取りされた矩形開口42と一致し望ましくは接する外形とを有する。この形態において、開口42の縁は、反応チャンバ10の繰り返される加熱による失透から保護される。これは、犠牲プレート124が繰り返される熱サイクルにより失透する際に、より高価で恒久的に設置された支持プレートを維持した状態で犠牲プレート124を取り替えることを可能にする。実際、プレート124は、隙間が最小の状態で開口42内に嵌合するよう形状決めされているが、プレートを開口内に嵌合させ得る製造公差により、接触した状態での嵌合は不可能である。プレート124は、好適には、改良されたフィンガー80、82によって、又は、支持プレート40に取り付けた分離した支持部材図示せずによって支持される。プロセスチャンバの組立て手順本プロセスチャンバのさらなる改良について記載する前に、石英チャンバの組立てについて説明する。反応チャンバ10は、正確な寸法を保証し、構成部品内の内部応力を最小化するように、好適な順序で製造される。特に、反応チャンバ10は、初めに、2つのサイドレール16及び18を端部フランジ20及び22に溶接することにより組み立てられる。図3に関して既に述べたように、フランジ20及び22の各々は、サイドレール16及び18の形状に一致する内側に向けられた延長部54を有する。サイドレール及び端部フランジを結合した後、内部応力を削減するため高温で組み立てた物を焼きなます。次に、サイドレール16、18の中央スタブプレート32b及び端部フランジ20、22の内側の中央延長部によって形成される矩形の型内に中央支持プレート40を溶接する。支持プレート40を溶接した後、内部応力を削減するため、組み立てた物全体を再び焼きなます。次に、支持部材80及び82を支持プレート40の下部の適切な位置に溶接する。面取りした矩形の開口42の境界を定める代わりに、コーナーのすみ肉部76を溶接する。次に、チャンバ10内の鋭利な縁の全てを研磨して滑らかな丸い縁にする。このときに、上部壁12及び下部壁14をサイドレール16及び18並びに端部フランジ20及び22の両方に溶接する。内部応力を削減するため、組み立てられた物を再び焼きなます。次に、下部壁14に形成される円形の開口と同軸である適当な位置に管92を溶接する。次に、組み立てられた物を、石英の表面をわずかに溶かし研磨及び溶接により形成された表面を滑らかにするため、高温で燃焼研磨firepolishする。燃焼研磨は、チャンバ10の形成における本質的工程であり、後の組立て工程及び使用のためにチャンバを強化する。最後に、残留内部応力を削減するため、組み立てた物全体を焼きなます。石英チャンバの組立ては、複雑で繊細な操作であり、技術であると考えられることが当業者には理解されるであろう。このように、上述した手順は、1つの特定の組立て方法を明らかにすることを意図したものであり、他の方法は以下のようになし得る。局所的な溶接によって激しい内部応力が生じ得る。応力を最小化するため、チャンバ全体を高温の加熱炉に好適に挿入し、その中で組み立てる。手順は以下のようである。プロセスチャンバの部材を、作業者がチャンバコンポーネントに手を伸ばし操作し得る大きな戸口を有する大きな加熱炉内に置く。前記加熱炉は初めにシールされ、高温、好適には約900°Cに加熱される。いったん特定の温度に達し、その中の全ての石英コンポーネントが前記温度になれば、溶接者が近づくことができるように大きな戸口が開く。戸口を通る放射熱を削減するため、多くの熱遮蔽物又は熱調節装置が、熱い石英片と戸口との間のチャンバの周りに置かれている。前記遮蔽物は、溶接者がチャンバの溶接すべき局所部分に近づくことができるように配置され、前記領域を囲む熱い石英コンポーネントからの放射熱を最小化する。溶接者は、重たい溶接用グローブ、反射スーツ及びヘルメットで適切に身を包む。加熱炉への戸口が開いた後、内部温度は、およそ500°Cから700°Cに低下する。開いた戸口を通じての熱損失を補充するために、いくらかの補足的な局所加熱を必要とする。この補足的加熱は、例えば、収束型又は発散型ブロートーチにより与えられる。次に、加熱炉の戸口が閉じ、非常に多くの熱が損失した場合には周期的にチャンバ部品を再加熱する状態で、前述の溶接手順が加熱炉内でなされる。この手順は、石英片中の大きな温度勾配を避けることにより、石英片内の内部応力を極めて削減する。処理システム図11は、非常に均一な化学気相成長を生成するべく改良された反応チャンバ130を囲むコンポーネントの特に効果的な配置を示す。改良されたチャンバ130の特徴を述べる前に、処理環境について述べる。チャンバ130は、前述した内部支持プレート40に近似する内部支持プレート132を備え、その中に形成され、半導体ウェーハを支持するサセプタを受けるように寸法決めされた開口133を備える。支持プレート132は、開口133の上流側の前方部135a及び開口133の下流側の後方部135bに分離されている。サセプタ134は、中空のシャフト140に取り付けられた中央ハブ138の径方向に延びた複数のアーム136上に位置している。シャフト140は、チャンバ130の下方に配置されたモータ142により回転する。モータ142及びシャフト140間の回転カップリングは、参考のために先に参照した米国特許第4821674号に明確に記載されている。モータ142は、固定フレームに好適に取り付けられ、チャンバ130内においてサセプタ134を位置決めする調整機構を備える。図11aに、ウェーハ144がサセプタ134に載っている状態を示す。サセプタ134及びウェーハ144を加熱するため、複数の放射熱ランプが、反応チャンバ130の周りに配置されている。第1列の上部ランプ146は、チャンバ130に対し軸方向に延びている。第2列の下部ランプ148は、チャンバ130に対し横方向に延びている。規則正しい一続きのランプがチャンバ130の横方向の範囲を横切って設けられるように、上部列のランプ146の分布は滑らかである。一方、下部列のランプ140は、シャフト140の両側に設けられ、シャフトを囲む領域で不連続である。1つ又はそれより多くのスポットライト又は指向性ランプ150が、チャンバ130の下に位置し、チャンバ130と一体成形された下方に延びる石英管152を囲んでいる。管152は、同心でシャフト140を受ける。管152及びシャフト140は、それらの間に、サセプタ134の下部領域にパージガスを噴射するのに使用される環状のスペースを生成する。パージガスの流れを、図11aに矢符154で示す。指向性ランプ150は、サセプタ134の下部にエネルギーを放射するが、シャフト152及び支持構造により遮られている。特定の加熱配置は、参考のために特に参照する米国特許第4836138号に記載され図示されているものと同様である。上部列ランプ146及び下部列ランプ148は、各々サセプタ領域134の上方、下方にほぼ矩形の配置で分布している。指向性ランプ150と組み合わさったこの配置は、放射エネルギーをサセプタ134及び関連するウェーハ144に収束させる。さらに、上部列146、下部列148の垂直方向は、サセプタ134の加熱の均一性をさらに高める。拡大された温度補償リング155を図11及び11aに示し、その特殊な構造を以下により詳細に記載する。しかしながら、改良された温度補償リング155の周囲形状は、ほぼ矩形であり、上部列ランプ146及び下部列ランプ148からの放射熱の投射コラムprojectedcolumnと一致する。この配置は、極めて有効であり、サセプタ134を横切るより均一な温度をもたらす。ガス噴射機156は、プロセスチャンバ130の上流側に位置し、多数のポートを通ってチャンバに入る反応ガスを測定する、複数の反応ガス流量ニードル弁158を備えている。反応ガスは、噴射機156を通って測定された後、入口開口160を通過し、プロセスチャンバ130の上部領域162に通じる。反応ガスの流れを図11aに矢符164で示す。ガスは、内部支持プレート132の上方で、サセプタ134及びウェーハ144を横切って流れ、プロセスチャンバ130の出口開口166を通って出る。排気路を矢符168で示す。前述した上方へのパージ流154に沿って、軸方向のパージ流170がガス噴射機156により与えられる。特に、以下により詳細に述べるように、ガス噴射機は、パージ入口開口174を通してプロセスチャンバ130の下部領域172に通じる内部通路を備えている。パージガス流170は、下部領域172に入り、サセプタ134及び周囲構造の下部を通過し、矢符178で示すように、パージ出口開口176を通って下部領域から出る。図11は、使用済みの反応ガス流168及び排気パージガス流178の両方を受ける、改良された排気装置180を示す。特に、共通の高圧チャンバ182は、前述のガス流を受け、排気マニホールド186に連通する傾いた排気導管184に導く。排気マニホールド186は、適切な真空源に取り付けられている。高圧チャンバ182は、ほぼ矩形のフランジ部材188により境界を定められている。フランジ部材188は、管190を通じて冷却流体が内部通路に供給されることにより、好適に水冷されている。フランジ部材188の内部冷却は、該フランジ部材とプロセスチャンバ130の間のエラストマーシールの変質を防ぐのに役立つ。改良された温度補償リング図11、図11a及び図12は、サセプタ134を囲む前述の改良された温度補償リング155を示す。このリング155は、図9に関して先に記載したリング72’と多くの点で近似する。すなわち、リング155は、チャンバ130の支持プレート132に形成された面取りした矩形の開口194によく一致するように外側に設けられているが、石英支持プレート132の劣化を避けるためそこから距離を隔てて配置されている。1つの特定の実施形態において、図11aに示すように、改良された温度補償リング155は、下部の環状U字形通路部材196及び上部平面部材198を備える。上部部材198は、一体成形され下方に延びる1つ又はそれより多くの芯出しリング199を使用することにより、通路部材196の上方で芯出しされた開口を備える。前記リングは、円形パターン上に距離を隔てて設置された小さな突起とすることもできる。下部部材196は、前述のようにチャンバ130の下流側端部からパージ出口開口176を通り下部領域172に延びる複数の長い熱電対と、リング155とを支持する。リング155は、その下流側端部に熱電対を受けるための開口を備える。好適には、温度補償リング155によって支持される3つの熱電対があり、その全てが、下流側端部からパージ出口開口176を通ってチャンバに入っている。前記3つの熱電対は、支持プレート132の下部のチャンバ内に平行に前進して延び、横方向に距離を隔てて配置されている。図11aに示す真ん中の熱電対199は、ちょうど支持プレート132の下部に延び、サセプタ134の下流側で終結している。第2の熱電対200は、リング155に入り、通路部材196によって境界を定められた円形の通路に巻かれ、図11aに示すように前縁位置で終結している。第3の熱電対図示せずも、リング155に入り、通路部材196に第2の熱電対200と反対方向に途中まで巻かれ、サセプタ134の前縁及び後縁の中間位置で終結する。このように、3つの熱電対の組合せは、サセプタ134の前縁、後縁及び一方の側縁での温度を検知する。熱電対が通路部材196に入ることを可能にするため、該部材の後端部は、延びたL字形の部分202により形成されている。この部分は、通路の内部に熱電対を挿入することを可能にするため、外部壁が欠けている。図示しないが、前記L字形の部分は、入ってくる3つの熱電対を受けるために十分な長さの弧を描いて延びてもよい。或いは、各熱電対が通路部材196中に入る独立した部分を備えてもよい。上部平面部材198は、通路部材196の内部壁とほぼ同じ直径に寸法決めされ、サセプタ134の外周縁とよく一致するが距離を隔てた内縁を有する。平面部材198の外縁は、通路部材196の外壁から外側に延び、面取りされた矩形の開口133とよく一致する。リング155は、サセプタ134及びウェーハ144を横切る温度の均一性を保証するのに役立つ大きな熱容量を有する黒鉛から好適に構成されている。しかしながら、他の実施形態において、リング155は、より低い熱容量のものから、或いは、複数列のランプ146、148及び150からの直接の放射熱がサセプタ134の縁に当たるよう石英から構成してもよい。図11aを参照すれば、上流側のギャップ204は、リング155と支持プレート132の上流側部分135aとの間にある。同様に、下流側のギャップ206は、リング155の下流側の縁と支持プレート132の下流側部分135bとの間に形成されている。上流側のギャップ204は、下流側のギャップ206よりもわずかに小さい寸法とされている。サセプタ134及びウェーハ144を横切って通る処理ガスは、チャンバ130の入口端部に向かって相対的に冷たい。処理ガスが熱いリング155及びサセプタ134の上を通る際に、ウェーハの後縁で最高温度まで熱くなる。このように、リング155は、プロセスチャンバの環境内において、その上流側の縁とは反対にその下流側の縁でより高い温度になる。石英は、比較的壊れやすく、繰り返される熱サイクルにより劣化する。したがって、その位置におけるリング155による石英の過度の加熱を防止するため、リング155の下流側の縁におけるギャップ206は、わずかに大きくされている。1つの実施形態において、上流側のギャップ204は、約4mmであり、下流側のギャップ206は、約5mmである。犠牲石英プレート図11のプロセスチャンバ130は、更に、開口部133の上流端を保護するために犠牲石英プレート210を有している。図12~14に示すように、犠牲石英プレート210は、プレート状の水平部分212と垂直な湾曲リップ214とを備えている。この水平部分212は、更に大きな中央孔216を有し、該孔は、駆動シャフト140及びハブ138を受け入れることのできる大きさとされている。この水平部分212は、サセプタ134の下方近傍に延び、中央支持プレート132の下部から延びる3本のフィンガー218によって支持されている。このフィンガー218は、第1のチャンバの実施形態に関連して前に記述した支持フィンガー80及び82とよく似ている。より詳細には、前方のフィンガー218aは、中央支持プレート132の上流側部位135aの横幅の中央で交差して配置されている。一対の下流側フィンガー218bは、その下流側部位135bにおいて前記支持プレートの中心から横方向に離隔している。これらのフィンガーの近似的配置は、図12の分解図によく表れている。犠牲石英プレート210の水平部分212は、薄肉とされ矩形領域221を有し、該領域に通孔222が形成された2つの後方延設部220を有している。前記延設部220の前記薄肉領域は、図11aに示すように、下流側のフィンガー218b上にぴったりと嵌まる寸法とされている。通孔222は、支持ピン224を受け入れることのできる大きさとされ、該ピンもまた、フィンガー218b上に支持される。ピン224は、通孔222を通って延び、温度補償リング155を支持するのに用いられる。また、支持ピン227を受けるために、薄肉領域230及び前方の通孔226が水平部分212に形成されている。前方のフィンガー218aは、薄肉領域230にぴったりと嵌まり、犠牲石英プレート210の前端部を支持するとともに、ピン227を介してリング155の前端部を支持する。薄肉領域221及び230、及びより詳しくは、それらによって形成される両側壁が、通孔222及び226及びピン224及び227と組合わさって、フィンガー218a,bに対してプレート210を位置決めする。石英プレート210は、一般的に、一定の横幅を有し、該幅は、前端部において、より幅広の部位228に広がる。この幅広の部位228は、開口部133の形状に合致する湾曲した前部コーナーを有している。垂直リップ214は、前方の部位228の湾曲された縁部から開口部133の湾曲された矩形縁部の近くへ、上方へ向いて延びている。これは図11aによく示されている。この垂直リップ214は、こうして、開口部133において支持プレート132の内側縁部と密接に合致し、この位置において石英を失透から保護する。好ましくは、垂直リップ214は、開口部133の石英と接する。犠牲石英プレート210の形状は、図13及び14に平面図及び断面図で各々示されている。プレート210の厚みは、中央部で厚く、フィンガー218a,bを受け入れ保持する前述の領域221及び230において薄くなっていることに気づくだろう。更に、垂直リップ214は、プレート210の水平部分よりも著しく薄い。ある特定の実施形態においては、200ミリメートルの直径を持つウェーハの処理のための反応チャンバ内で使用するためには、犠牲石英プレート210は、長手方向にほぼ284.5mm以上の寸法を有している。プレート210の幅は、ほぼ189.23mmであり、部位228において外側に広がる縁部は、側縁と30°の角度をなしている。前方の部位228の幅は、約258.06mmである。開口部133の内側縁と密接に合致する前方の縁部の曲面は、ほぼ半径57.15mmである。前記プレートは、その断面のほとんどが5.08mmであるが、フィンガー218を受ける部位は、約1.52mmの厚みを持っている。前記垂直リップは、25.15mmの高さを有しているが、その厚みは、約1.02mmである。図15~17は、前述した石英プレート210とほとんど同様の関係にある。しかしながら、これに対して、石英プレート240は、垂直リップ214の上縁部の形成された水平延設部242を有している。この水平延設部242は、リップ214から前方へ延び、中央支持プレートの上表面に載るようになっている。これは、図11aに示したように、開口部133と極く密接に上方へ延び、水平延設部242は、前記開口部の上部コーナーを超えて延びる。この配置は、更に中央支持プレート132を失透から保護する。その他は、この変更態様の石英プレート240は、前述の石英プレート240と同様であり、サセプタ134に下部近傍でこれに水平に、フィンガー218a,bによって支持される。図18a及び18bは、サセプタ14を囲む犠牲石英プレートが示されている。より詳細には、図18aに示されているように、犠牲石英プレート210は、中央支持プレート132の前方部位135aの下流側縁部に垂直リップ214を見ることができる状態で、サセプタ134の下部近傍に隠れ線で示されている。垂直リップ214は、開口部133の両側の回りに前述したサイドレール18まで横方向に延びていることが分かるだろう。他方、図18bは、開口部133の縁部から前方へ延びる水平延設部242を示している。さらに、犠牲石英プレート240は、サセプタ134の近傍下部でこれに水平に配置されている。他の実施形態では、図18c,19及び20に示されているように、一対に分離した犠牲石英プレート250a及び250が、中央支持プレート132に載置され得る。分離したプレート250は、図19に平面図で示され、上流側端部に一対の面取りされた縁部252を有すると共に、曲線状下流側縁部254を持つ略矩形形状をしている。図20に示されているように、垂直リップ256は、曲線状縁部254から下方へ突出している。曲線状縁部254は、丸みを持たされた矩形開口部133の曲面コーナーと密接に嵌合する寸法とされている。これにより、図18cに示されているように、分離した犠牲石英プレート250a,bは、開口部133の丸みを持ったコーナに配置される。下流側に延びるリップ256は、こうして開口部133のコーナーを失透から保護している。開口部133のコーナーは、真空引き処理の間、最大の応力に晒され、これによって、該コーナーは、繰り返し熱サイクルから最も損傷を受け得る。従って、分離プレート250a,bを備えることで、これらコーナーを保護し、比較的容易に交換することができる。このプレート250a,bは、他の固定手段を用いずに、単に中央支持プレート132上に置かれているだけである。勿論、この分離したプレート250a,bを連結した単一の犠牲石英プレートが想定され、これは、中央支持プレート132の天部に直接置かれ得る。ガス噴射機図21は、図11に関連して既述したガス噴射機156を示している。このガス噴射機156は、石英チャンバ130の上流側縁部に接する略垂直な2部位フランジメンバーから成る。より詳細には、ガス噴射機156は、ウェーハハンドリングチャンバ260仮想線で示した。とプロセスチャンバ130との間に挟まれている。ガス噴射機156とチャンバ130との間の密接な接触を確保するために、当業者にとって周知の手段によって、適切な空気圧が付与される。ウェーハハンドリングチャンバ260は、ガス噴射機256によって区画されたウェーハ又はガスの水平導入スロット264に導かれるテーパー状のウェーハ排出ポート262を有している。ウェーハハンドラー図示せずは、排出ポート262及び導入スロット264を通じ、ハンドリングチャンバ260及びプロセスチャンバ130の方へ及びそこからウェーハを搬送する。1実施形態においては、ウェーハハンドラーが、低姿勢のベルヌーイ型ピックアップ棒を備え、これは前記ウェーハを下側に搬送する導入スロット264にぴったりと嵌まっている。勿論、他の低姿勢ピックアップ棒を使用することができる。これに関し、導入スロット264はほぼ19.05mmの高さを有し、ガス噴射機156を介して約39.62mmの長さを持っている。図22の背面図を参照すると、導入スロット264は、ガス噴射機156の幅の殆ど部分に亘って横方向に延び、200ミリメートルの直径を持つウェーハが通過できるように約228.6mmの幅であることが望ましい。ここの述べられた寸法が、300ミリメートルの直径のウェーハのようにより大きなサイズのウェーハに適応するために変更され得ることは、当業者であれば分かるだろう。米国特許第4828224号明細書に参照され記載されているように、好ましくは、排出ポート262を開閉する相対移動のために、ゲートバルブがハンドリングチャンバ内に載置されている。ある一つの特定の有用な形態において、前記ゲートバルブは、回転本体を含み、該本体は、そこを通るウェーハ通路を有し、該通路は、前記バルブが閉じられた時に、排出ポート262と一直線上にある。ハンドリングチャンバ260及びプロセスチャンバ130の環境を互いから切り離すために、ゲートバルブの一つの固定表面は、ガス噴射機156の前面に対してシールするO-リングを有している。ガス噴射機156は、前部フランジ分割体266と後部フランジ分割体268とから形成されている。前部及び後部フランジ分割体266,268は、一般に垂直に置かれたプレート状部材であって、互いに対向するよに配列されている。より詳しくは、前部フランジ分割体266の前面は、ウェーハハンドリングチャンバ260に対向させられ、前記分割体の後面は、後部フランジ分割体268に接している。更に、後部フランジ分割体268の後面は、プロセスチャンバ130と対向している。これら各要素間には、ウェーハハンドリング領域からのガス漏れまたは該領域へのガスの混入を防ぐため、O-リングシールが設けられている。一般的な長円形をしたチャンバO-リング270は、図22に最もよく示されており、ガス噴射機156とチャンバ130との間にも取付けられている。より詳しくは、後部フランジ分割体268は、チャンバO-リング270を受ける連続溝272図25を、導入スロット264を囲むその後面に有している。チャンバO-リング270は、プロセスチャンバ130の平な前面に接し、上方又は下方部位162,172の各々に繋がる導入通孔160,174を囲んでいる。中間O-リング274は、前部フランジ分割体266の後面にある溝には位置されており、前部フランジ分割体266と後部フランジ分割体268との間の接合点で導入スロット264をシールする。最後に、前記ハンドリングチャンバO-リングは、前部フランジ分割体266の前面にある溝に配置され、ガス噴射機156とウェーハハンドリングチャンバ260との間の境界で導入スロット264をシールする。図22及び図23に示されているように、複数のニードル弁158が、後部フランジ分割体268の上縁を横切って配設されている。好ましくは、後部フランジ分割体に268に等間隔で、中心に配置された5本のニードル弁158である。ニードル弁158の各々は、上方開口の段階状空洞部282図26内に固定された管状カートリッジ280と瓦斯噴射機156を通過するガス流の調節のためのツマミねじ284を備える。これに関し、処理ガスは、後部フランジ分割体268の1側縁にある導入管286を通って入り、ガス噴射機156を通って分配され、導入スロット264を通って最終的にプロセスチャンバ130に入る。処理ガスは、導入管286で入り、5つの調整ツマミねじ284の下部にある後部フランジ分割体268を横方向に横切って延びる水平吸気路ahorizontalplenum288を通って流れる。図26によく表れているように、各カートリッジ280は、空洞282の上部ねじ孔290内に固定されており、該空洞はまた、径を小さくされた弁孔292を形成している。弁孔292の各々は、水平吸気路288との間でガスの流通がある。各カートリッジ280は、ねじ孔290と螺合するための外部ねじ部294と、処理ガスを受け入れて送るための下方小径部分296とを有している。より詳しくは、小径部分296は、処理ガスが吸気路288に沿って各空洞282に自由に流れるのを許容する吸気路288の高さ位置に水平スロット298を有している。導入管286から入るガスは、こうして、吸気路288をその幅に亘って等しい圧力まで満たす。カートリッジ280から分離された弁シート300は、弁孔292の底端に配置され、その外周を前記弁孔に対してO-リング302でシールされている。各ツマミねじ284は、中空カートリッジ280を通って下方に延び且つ弁シート300の内部シーリング面と係合しているニードル304の軸方向に配置され、該ニードルと接している。ニードル304に沿う中間点では、環状ニードル鍔306がスプリング308の付勢力を受ける作用面を形成している。スプリング308は、前記カートリッジの上部筒状孔310内に配置され、小径段部312に接している。ニードル304は、こうしてツマミねじ284と係合しつつ上方に付勢されている。スプリング308は、カートリッジ280に対するニードル304の正確な配置を可能にする。これは、ニードル304が、カートリッジ280の前記穴内で摺動嵌合しており、スプリング308によって止め位置調節可能なツマミねじ284側に付勢されている。加えて、スプリング308の弾性率は、真空引き処理の間、ニードル304の下方への移動に対向するのに十分である。カートリッジ280は、その周縁の尺度目盛りと回動可能なツマミねじ284とを備え、これがマイクロメーターと同じ機能を持つ。カートリッジ280内でツマミねじ284及びニードル304が軸方向に移動すると、該ニードルの下端と弁シート300との間で弁表面が係合又は分離する。第2の小O-リング314は、ニードル304の周囲に設けられ、カートリッジ280内の上部孔310下方の小径孔316に対して作用する。これは、処理ガスをニードル304周囲の上方へ漏れるのを阻止する。第3のO-リング318カートリッジ280の外周に形成された溝に配置され、処理ガスが前記カートリッジ周囲上方へ逃げるのを防ぐために弁孔292に対して作用する。図22を参照すれば、狭い通路320は、弁孔292の下へ下方へ延び、図24に良く表れされたエキスパンドチャンバ322に連通している。図23後部フランジ分割体268の前面を見れば、各エキスパンドチャンバ322は、水平スロットとして形成され、通路320の下の後端で、後部フランジ分割体266に面する前端部にまで、外側に広がる。エキスパンドチャンバ322は、流体分離体324によって分離されている。このような5つのエキスパンドチャンバ322は、それらの間の流体分離体324で形成されている。各エキスパンドチャンバ322の前部下端は、丸みをもった舌片326図21に外径を示したまで延在する。この舌片326は、前方へ突出し、後部フランジ分割体268の前面によって形成される面この面は、前記一対のフランジ分割体の境界面をも形成する。の僅かに手前まで突出している。分離体324は、図23に示したように、前記境界面まで前方へ突出し、丸みを持つ舌片326の最前端位置で終端する。舌片326は、流体分離体324から後方へ連続し、エキスパンドチャンバ322の下方近傍で湾曲し、共通の平面状斜面328に繋がる。斜面328は、図21に示されているように、導入スロット264と交差するまで、下方及び後方へ連続する。図21を見れば、前部フランジ分割体266は、エキスパンドチャンバ322と反対側の後面に形成された一連の凹部330を有する。この凹部330は、互いを分離する狭い壁332該壁を図22に隠れ線で示し、図24に断面で示した。を有している。各凹部330は、延設され、略半円筒状をした下部壁334を有し、該壁は、下方及び後方へ曲がって連続し、舌片336が後部フランジ分割体268の斜面328の下部近傍にまで延びる。狭い壁332は、前記境界面で終端するが、舌片336は、そこから後方へ延びる。傾斜面328の上面と舌片336の下面とが、狭いガス流路用スリット338を形成し、このスリットは、5つのエキスパンドチャンバ322を結合した幅とほぼ同等の幅を持つ。処理ガスは、ニードル弁158で規制され、通路320を通ってエキスパンドチャンバ322に下方へ移動し、そこで、ガス流がその速度を下げるために拡散する。処理ガスの5つの低速度流れは、そこで前記境界面を亘ってほぼ前方へ流れ、凹部330の曲げられた壁によって約180°方向を変えられ、狭いスリット338を通して方向付けさせれ、該スリットは、ガスの流れをシート状帯の形態にする。5つのニードル弁158の各々を介して規制された流れは、流体分離体324によってエキスパンドチャンバ322の各々の中で分離された状態にある。この5つの分離された流れは、スリット338を介して混合され、単一の平坦な帯状になる。排気口180から下流側の真空源の方向に向けてプロセスチャンバ180に沿った圧力勾配を先ず小さくする為に、前記シート状ガス流は、導入スロット264内の下方又は後方、即ち、プロセスチャンバ130を介してほぼ水平に連続して流れる。処理ガスが流れる間、導入スロット264の前端部は、反対側へ流れを阻止するために、前述したゲートバルブによって閉じられる。拡散によって共に配合される分離したガス流に、適切な距離及び時間を与えるように、ガス流の混合は、ウェーハのリーディングエッジの上流側のかなり離れた所で開始し、それによって、ガス濃度プロファイルをウェーハ横方向に亘って滑らかにする。図22に示されているように、ガス噴射機156は、更に、パージガス溝及びプロセスチャンバ130の下部領域172に開口する3つのパージガス孔340を備えている。これに関し、処理ガスは、導入スロット264及び導入通路160を通じてチャンバ130の上部領域162にながれ、その一方、パージガスは、3つの孔340及びパージガス導入孔174を通じて前記チャンバの下部領域172に流れる。パージガス導入口342は、処理ガス導入管286と反対側の後部フランジ分割体268の側端に設けられている。導入口342は、短い水平通路344に導かれ、垂直通路346に接続している。水平パージガス吸気路plenum348は、パージガスを孔340の圧力と等しい圧力で分配している。パージガスは、こうして、ガス噴射機156を通じて送られ、等間隔で配置された孔340を介して存在し、これらの孔は、前記ガス噴射機がプロセスチャンバ130と接する時に、導入スロット264の下方近傍であって、中央支持プレート130の下に配置されている。図21、24及び25を参照すれば、ガス噴射機156は、チャンバO-リング270の保護のために、そこに水冷溝を有している。より詳しくは、一対の下方通路350a,350bが、冷却水流を、ガス噴射機156へ及び該ガス噴射機から送る。ガス噴射機156内の前記内部冷却溝は、図25の断面図によく示されている。冷却水は、通路350aを介し、短いセクション又は通路352を通じて上方へ移動し、延設された水平下部通路354内に入る。この通路354は、垂直横通路356に接続し、従って、延設された水平上部通路358と接続する。最後に、第2の横通路360は、上部通路358から下方へ冷却水排出口350bに延びる。これらの通路の各々は、堅い後部フランジ分割体268に穿設され、栓362がこれらの通路の各々の外側端に設けられていることが分かるだろう。これらの通路のパターンは、チャンバO-リング270の形状と密接に一致する。更に、これらの通路は、図21及び24に良く表されているように、間に介在する固体材料を最小限にして、O-リング270に極近い位置で後部フランジ分割体268内に形成されている。これらの通路を流れる冷却水は、チャンバO-リング270に近接するガス噴射機156の部材の温度を、約15.554°C又はそれ以下に維持するようになっている。使用される冷却水は、好ましくはpH調整された無鉱物mineral-freeの水であり、これは、室温又はそれ以下で導入される。前記ガス噴射機の構成要素は、好ましくはステンレス鋼で製作され、無鉱物の水は、冷却水の流れを妨害するような付着物の生成を阻止する。この調節可能なガス噴射機156は、プロセスチャンバ130を通じて流れるガスの効率を大幅に改良している。特に、従来のガス噴射機の多くは、生じた流れのパターンが定まっているか、或いは、調整が不便であった。従って、再循環がチャンバ壁の沈着物から明らかな場合のように、ガス流が最適な量を下回る時、ガス噴射機を通るガス流を調節するために、ガス噴射機全体を分解しなければならない。このガス噴射機156では、ツマミねじ284が、前記チャンバの横幅に亘って調節可能となっている。もし、再循環が前記チャンバの一つの壁又は他の壁上の粒子の成長によって観測されると、その側のガス流がより高く調節される。ガス噴射機の組立てにおける製造許容差は、ツマミねじ284の設定と前記5つのニードル弁を通過するガス流との間の正確な相関をしばしば阻害する。もし、許容差が完全で有れば、前記ツマミねじは、カートリッジ280のマイクロメータの変化に対応して特定の値に設定され得るし、その流量は、その値から予測可能だろう。しかしながら、この許容差は決して正確とは言えず、前記ニードル弁の調節可能性が、処理を大幅に早める。種々の横方へ分配されたガス流は、ガス噴射機156内で別々に規制されるけれども、噴射機からの集められた排出は、単一のシート状流れであり、そこでは、その流れの長手方向の連結によって、ウェーハリーディングエッジの上流側で、十分に混合させられる。この流れ同士の間の明確な連結を避けることによって、付着の均一性を広げるためである。ある一つの特定の実施形態では、前記マイクロメータは、ニードル304とバルブシート300との間のガス流を許容するために所定の間隙が開けられている。外側の2つのニードル弁158は、1.5ミリメートル離され、2番目の2つのニードル弁は、1.7ミリメートル離され、中央のニードル弁2ミリメートル離されている。この対称的配置は、プロセスチャンバ130を通じて流れる対称的なガス流にとって好ましい。もし、引き続き、再循環がチャンバ内で発ししていることが観察されれば、これは、前記ツマミねじの読みに関わらず、ガス流が対称的でないことを示す。この状態では、1又はそれ以上のツマミねじを調節して、前記チャンバの横側の一つのガス流れを増加させる。典型的な全処理ガスの流れは、16slmである。このガス流は同じ高さの矩形プロセスチャンバ内のガス流に亘って約20パーセント削減される。これは、前記チャンバ内の石英形状に依存する。典型的なガス圧力は、前記ニードル弁通過前に、103.4cmHgである。チャンバ圧力は、ほぼ8cmHgの真空にすることができる。従来の処理ガスは、例えば、ジクロロシラン又はトリクロロシランである。勿論、処理ガス又はドーピングガスは、キャリア典型的には水素と、処理ガスに対してほぼ9対1の割合で混合される。加えて、窒素のようなパージガスは、しばしば、種々のチャンバを掃除するために、前記ガスチャンバから吐出される。更に、塩化水素のようなエッチングガスは、前記溝を掃除するために使用される。ガス噴射機から前記チャンバの下部領域に流れる典型的なパージガスは、5~15slmの間の流量の水素である。勿論、窒素又は他のそのような不活性ガスで代用することもできる。このガス噴射機156は、異なるガス間の素早く鋭敏な移動を可能にするために内在する空所の容積を最小量にしている。即ち、幾つかの処理期間中に、最初のドーパントガスがガス噴射機を通じて前記チャンバ内に導入され、続いて次のドーパントガスが導入される。2種のガスの導入の間の移動時に、最初のガスが時々ガス噴射機内で送れる。この噴射機156は、他方、最小限の空所を持つ極めて小さい内部溝を有しており、その結果、間接的に不活性ガスの導入する時、又は、次のドーパントガスを直接導入する時に、最初のドーパントガスが、直ぐに押し出される。下流側に延設された温度補償リング図27は、図11で示したプロセスチャンバ130に類似し、CVD平行流れプロセスチャンバ370を示し、これは、処理ガス流内でウェーハを支持するためのサセプタ372を有している。前に見たように、処理ガスは、導入口374を通じて入り、前記チャンバ内の排気口376を通じて排出し、サセプタのプレートに平行な方向に流れている。上部及び下部の放射ヒートランプ群378a,378bのは、前記チャンバ近傍に配置されている。ランプ群378a,bは、さらに図11の実施形態で既述されたランプ群よりも更に下側に延びることに気づくだろう。ヒータランプの他の配列も採用し得る。図27に示されたこの発明は、ガス流の温度、速度、方向、及び成分を変更する目的を持ったチャンバ内の下流側構造を紹介している。更に、前記ウェーハ及びサセプタの下流側のプロセスチャンバ壁の温度が、この下流側構造によって上昇させられ、チャンバのエッチング効率を改良する。一つの特定の実施形態では、温度補償リング380は、サセプタ372の回りを囲んで設けられ、多くの点で図11のリング155と同じである。前述のリング155と対比すると、リング155は、支持プレート132の丸みを持った矩形開口部133の縁部へ下流側に延びるが、リング380の天部プレート382は、実質的にさらに延びる。この延在に対応するために、チャンバ370内の支持プレート384は、下流側縁部386を持つサセプタ開口部を有し、該開口部は、前記チャンバの中心線位置で、サセプタ372と排気口376との間のほぼ中間位置にある。望ましくは、図27に示すように、リング380の天部プレート382の下流側縁部が、前記開口の形状に一致しており、該開口部に密接に接近して終端する。後述するように、リング380を延設したことによる利益は、内部支持プレート384のサイズ縮小によるチャンバ370の強度の低下という不利益と釣り合わなければならない。これは、例えば、放射熱を吸収し、この熱をチャンバ壁に戻して反射するという下流側構造の全体からの利益である。これに関して、材料が下流側に多い程、良い。リング380が大きすぎると、他方では、支持プレート384の材料が削減された場合に、真空引き処理中のチャンバ全体の強度が損なわれ得る。一つの実施形態では、天部プレート382は、図9に示された変更態様の温度補償リング72′のそれと同じ丸みを帯びた下流側縁部を有するが、その天部プレートは、円環状又は他の形状で形成され得る。ここで既述された内部支持体を持つプロセスチャンバによって具現化された前記下流側構造によってもたらされた利点は、特有のものではないことに気づくべきである。中央支持プレートのない従来のチャンバは、幾つかの利点をもって前記下流側構造を組み込むこともできる。これらの利点は、以下にプロセスチャンバの示された図面を参照して議論する中で、種々のチャンバの態様に対して当業者に明らかとなるだろう。石英チャンバ388内の下流側構造の一つの一般的実施形態は、図28a及び28bに図示され、サセプタ394の外周と一致し、その近傍の曲線前端縁392を持つ平プレート390を有している。明らかなように、このプレート390は、サセプタ394の下流側のリング380の天部プレート382のその部位を意味するか、又は、サセプタ構造である。もし、プレート390が天部プレート382の一部を構成するなら、それは、前述したチャンバ内支持プレートから延びるフィンガーによって支持される。もし、プレート390が、リング380から分離されているなら、該プレートは、チャンバ内支持プレートに取り付けられたフィンガーから吊設されるか、又は、チャンバ388内に取り付けられ又は配置されたスタンド、好ましくは石英によって支持され得る。プレート390は、好ましくは、グラファイトで構成され、これは、石英チャンバ388よりも早くヒートランプ396の外部から放射されたエネルギーを吸収する。本発明の下流側構造には、幾つかの利点がある。図29aは、下流側プレート390を持たないプロセスチャンバ388を示し、外部ランプ396からの放射熱流398を図示している。チャンバ388の石英壁は、比較的このエネルギー流を透過させるため、実質的に熱が殆ど残らない。しかし、エッチングプロセスでは、望ましくない粒子の成長でできた壁を清浄するために、腐食用ガス流をチャンバ内に導入している間、前記チャンバ壁を加熱することが必要とされる。従って、前記下流側構造が無いと、反応チャンバの壁は、ゆっくりと比較的低温まで温度上昇する。図29bに示したように、チャンバ388内の下流側プレート390を備えておれば、グラファイトプレートから放射されたエネルギー矢印400で示したは、高温まで加熱され、エッチングサイクルを加速し、短時間当たりの効率が改良される。図30aの矢印402は、ウェーハ上の補強された不均一な化学蒸着を示している。このような不均一性は、段階的温度とウェーハ/サセプタの端縁での流量勾配の結果として生じ得る。図30bに矢印404で示したように、プレート390の存在は、より均一な化学気相成長において生じるウェーハの後端での温度と流量勾配をも補助する。図31aにおいては、前記下流側構造を持たない石英プロセスチャンバ388の壁は、それらの段階的温度に基づき、処理を繰り返す内にかなりの量の望ましくない蒸着物を堆積する。この蒸着物の典型的な配向を矢印406によって示した。対称的に、図31bで示したように、グラファイトプレート390は、下流側領域内のチャンバ388内で最も高温の構造となり、矢印408で示したように、蒸着は、チャンバ壁でよりもむしろ、下部領域内で起こる。この下流側プレート390の他の利点は、プロセスチャンバ388内での反応ガスの再循環を減らす傾向であり、再循環は、ウェーハ/サセプタの組み合わせの周囲または上流側でさえも望ましくない蒸着が生じ得る。前記下流側構造を持たないチャンバのこのような再循環410は、図32a及び32bに示されている。図33a及び33bは、下流側プレート390とともに、一般に連続して左から右方向への流れ412を示し、こうして実施的に再循環を除去する。上で図示され記述された下流側構造は、内部支持体を備えた石英チャンバ以外のプロセスチャンバにも有用である。例えば、図34は、入口領域402と出口領域403とを持つプロセスチャンバ400を図示し、これら2つの領域が断面矩形である。入口領域402は、水平上部壁406と垂直段部410で終わる水平第1下部壁408とによって形成される。段部410は、出口領域404の第2下部壁412の始点を形成し、該段部は、上部壁406を入口領域402で分ける。チャンバ400は、こうして、段部410でほぼ倍増する断面積を有する。サセプタ414は、段部410のすぐ下流側の回転シャフト416によって支持され、第1の下部壁408とほぼ同じレベルの面内にある。第2下部壁412の上方の円環状スタンド420によって支持された温度補償リング418は、上述のように、前記サセプタを密接に囲んでいる。スタンド420は、米国特許第4821674号明細書に示されている。プレート422は、リング418から下流側に配置され、第2下部壁412上のスタンド上に支持することができ、またはチャンバ400の側壁によって支持されたピン又はジベル424によって支持することができる。図示のように、プレート422は、リング418,サセプタ414及びその上に支持されたウェーハとほぼ同じ平面内にあり、前記リングからチャンバ出口の近くまで延びている。ランプの上部及び下部群426a,426bは、チャンバ内に放射エネルギーを向け、リング418の先端からプレート422の後端まで広がる領域の上下に実質的に配置されている。前記チャンバからのガス流は、矢印428で示されている。下流側プレート422は、好ましくは、より効果的なチャンバエッチング及びウェーハ上での温度のより均一性といった上述の利点を実現するためにグラファイトで構成される。プレート422は、石英とすることができ、これは、チャンバ内で重大な温度分散に影響することは無いだろうが、ガス流の機能を高め、再循環を減らすだろう。図35は、サセプタ414を囲む変更された温度補償リング432を持つ同様のチャンバ400を示す。リング432は、平面部材436によって載置された下部環状U型部材434を備え、この平面部材は、前記U型部材にほぼ等しいサセプタ回りの幅を有するが、出口領域404内で実質的に下流側に延びる。リング432は、多くの点で図27に示したリング380に類似する。先のリング380と対比すると、該リングは、内部支持プレート384に取り付けられたフィンガーによって支持されていたが、リング432は、スタンド430によって部分的に支持され、下流側支柱438によって部分的に支持されている。もちろん、チャンバ内にリングを配置するために多くの方法があり、好ましい手段は、繰り返された処理サイクルのための劣化した後、簡単に交換することのできる石英構造の幾つかのタイプを含んでいる。再び、リング432は、望ましくは、ウェーハ全体に亘って温度を均一に保つのを助けるため、高い熱容量を持った材料で構成される。図36~38は、ウェーハを支持するためのサセプタ442、ガス噴射機444および放射ランプ446のような、連結された構成部品とともに、図11に示したと同様なチャンバ440を図示している。チャンバ440は、上下チャンバ領域452,454各々を形成する中央支持プレート448を有している。入口端フランジ450は、ガス噴射機444内の反応ガス入力スロット458から上部チャンバ領域452内に繋がる上部スロット456と、ガス噴射機内のパージガス通路462から下部チャンバ領域454に繋がる下部スロット460とを有している。これらの形態は、上述のものと同様である。ガス流形成ダクト464は、ガスを噴射機444からサセプタ442の方へ送るために、チャンバ440内に設けられている。この示された実施形態では、ダクト464は、2つの矩形側壁468上に支持された矩形天部壁466を持った反転U型である。ダクト464は、溝を形成し、該溝内で、噴射機444からのガスがサセプタ442及びその上のに向かって流れる。ダクト464は、サセプタ442に対向する支持プレート450の縁部470から上流側の支持プレート450上方に配置されている。ダクト464の高さ及び幅は、ダクトが上部スロット456に緊密して嵌合するが、好ましくは噴射機444と接触しないようになっている。ダクト464は、フランジ450からその縁部470までの距離のほぼ1/2から2/3まで延び、好ましくは、94mmと114.3mmとの間であり、望ましくは約76.2mmと127mmとの間である。ダクト464は、望ましくは石英で作られ、約1.52mmの厚みを持つ。その横幅は、噴射機スロット458よりも大きく、好ましくは228.6mmであるより大きい寸法が、300ミリメートルウェはのような、大きなウェはの処理に適応したチャンバに必要となろう。。ダクト464の高さは、約22.9mm、又は、スロット458の高さとフランジスロット456の高さとの間である。ダクト464は、好ましくはフランジスロット456を介して前記チャンバにに挿入又は該チャンバから取り外され、このことは、噴射機444の取り外しを必要とする。ダクト464の存在が、噴射機444からのガスの流れが上部領域452のある距離に対してチャンバ440内に膨張するのを制限し、ガスの特性の制御を改善し、ウェーハ上の全体的なガス速度を増加させる。特に、ガス噴射機444は、フローコントロールバルブ472の調節により特別なガス速度特性を作り、以前に記述したように、その特性をチャンバ440内の膨張及び再循環から拡散することができる。これは、真空処理に正反対の大気的なものに対して特に真実である。さらに、ガスの速度は、低圧処理において噴射機444からサセプタ442まで適切に維持され、大気圧処理においてゆっくりと低下される傾向にある。結果として、ダクト464は、下流の速度特性を完全に維持し、すべての処理に対して望ましく、主により高圧の処理に利益のあるガスの流れの膨張及び減速を遅らせる。図36乃至図38に示すダクト464の上部壁466は、真っ直ぐな下流474及び平行な側壁468を有する。この構成により、サセプタ442の丁度平坦な上流にダクト464から現れるまで大きな障害なしに噴射機444により発生されるガスの流れを通過させる。ガスは、ダクト464の壁により制限されずに、少しチャンバ壁の方に膨張する。ダクト464及び出口端の形状は、さらにガスの流れを導き、形成するように変形されてもよい。そのような変形が図38b乃至図38fに示される。図38bは、ガスの流れの方向の内側にテーパが設けられた側壁476を有するダクトを示す。上部壁は、上流縁480より小さい下流縁478を有する。この通路を収束させる構成は、内側のガスの流れに注目し、ダクトの制限から離れた後にチャンバ壁の方の連続した膨張が、遅延されている。図38cは、サセプタ442からみた凹状の下流縁482を示す。下流縁を過ぎると、ガスの流れは、まず中間部で膨張し、いくらか内側の拡散を許容し、中間での流れを増加させる。図38dは、サセプタ442からみた凸状の下流縁484を示す。下流縁を過ぎると、ガスの流れは、まず外側部で膨張し、いくらか外側の拡散を許容し、中間での流れを減少させる。図38eは、コーナー488で終端される角部486を有する下流縁を示す。ダクトの側縁は、上部縁のコーナーより広げられ、図38cの凹状の例と同様のガスフロー効果を誘起し、チャンバの中間部を通して流れが増加される。最後に、図38fは、尖部492で終端される角部490を有する下流縁を示す。ダクトの側縁は、上部壁の中心の前で終端され、図38dの凸状の例と同様のガスフロー効果を誘起し、チャンバの中間部を通して流れが減少される。本チャンバは、特に化学気相成長に適するが、清浄な炉を必要とする他のプロセスでも、改善されたチャンバから利益を得ることができる。たとえば、アニーリング、エッチング、プラズマエンハンストデポジション、及び他の同様のプロセスに本チャンバを適切に変更して利用することができる。本発明は、ある好ましい実施形態について述べたが、当業者に明らかな他の実施形態は、本発明の範囲内にある。従って発明の範囲は、請求項により規定される。"