"-基板10;-支持棒の一つの部分が基板10上に堆積され、支持棒の他の部分111,121が基板から連続して延出する2つの支持棒11,12;-支持棒11,12の2つの端部の間に延び、金属材料の少なくとも2つの層を備え、その層の一方が残留引張応力を有する材料で作られ、他方が残留圧縮応力を有する材料で作られ、これらの金属層の厚さが、限定値より小さい金属ワイヤの全残留応力を得るために前記2つの層の間の残留応力を補償するに適している、熱線を形成するように意図された金属ワイヤ13;-支持棒の上に配置され、各々がワイヤ13の端部の一方に接続される電気的接触子14,15、を備えたことを特徴とするミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。支持棒11,12が、シリコンSi又は炭化珪素SiCのナノ結晶ダイヤモンドから作られる請求項1記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。支持棒11,12が、3μmより小さい、例えば100nmと3μmとの間の厚さをそれぞれ有するナノ結晶ダイヤモンドから作られる請求項1又は2に記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13の金属材料の前記少なくとも2つの層は、各々が金属材料、AgTiCrAlCuAuNiW又はPtの少なくとも1つで作られる請求項1~3のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13が、タングステンの少なくとも1つの層で被覆されたニッケルの少なくとも1つの層を備え、ニッケル層の厚さとタングステン層の厚さの比が2と5の間にある請求項1~4のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。ニッケル層の厚さが50nmと2μmとの間にある請求項1~5のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13が、白金の少なくとも1つの層を備える請求項1~6のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13が複数の金属二重層を備え、各二重層は、残留引張応力を有する材料から作られた1つの層と、残留圧縮応力を有する材料で作られた他の層とによって形成され、これらの金属層の厚さが、限定値より小さい金属ワイヤの全残留応力を得るために前記少なくとも2つの層の間の残留応力を補償するのに適する請求項1~7のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13が、-白金の第1層;-タングステンの層で被覆されたニッケルの層によって形成された複数の二重層;および-白金の第2層、を備える請求項1~8のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13の厚さが、100nmと5μmの間、好ましくは1μmと3μmとの間である請求項1~9のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13が、50μmと1mmの間の長さを有する請求項1~10のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属ワイヤ13が、温度によって直線的に変化し、20°Cで5オームと10オームとの間にあり、200°Cで10オームと15オームとの間にあるオーム抵抗を有する請求項1~11のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。電気的接触子14,15が、材料、AgTiCrAlCuAuNiW又はPtの少なくとも1つからなる請求項1~12のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。金属接触子14,15と支持棒11,12との間に、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、セラミック又はポリマー材料からなる熱的絶縁層16が設けられる請求項1~13のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。支持棒11,12の間および金属ワイヤ13の下に、機械的強化部材17が設けられた請求項1~14のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。機械的強化部材17が、3μmより小さく、例えば100nmと3μmとの間の厚さを有する請求項15記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサ1。aセンサの支持棒を形成するように意図された材料から作られた層を、基板の表面に堆積し;b少なくとも2つの支持棒を形成するために、工程aで堆積された前記材料をエッチングし:c金属ワイヤを形成するために、工程bでエッチングされた支持棒の端部間に金属材料の少なくとも2つの層を堆積し、これらの層の一方は残留引張応力を有する材料から作られ、他方は残留圧縮応力を有する材料から作られ、これらの金属層の厚さは、限定値より小さい金属ワイヤの全残留応力を得るために前記少なくとも2つの層間の残留応力を補償するのに適当であり;d工程cで堆積された金属ワイヤを焼鈍し;e電気的接触子を形成するために、支持棒上に金属の1つ以上の層を堆積して各接触子を金属ワイヤの各端部に接続し;f支持棒の一部を基板から解放するために基板をエッチングする、ことを含み、基板から出発する工程を備えることを特徴とするミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程aが基板表面上でナノ結晶ダイヤモンドの層を成長させることを含む請求項17記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程aが、a1例えば、水で希釈したナノメータサイズのダイヤモンド結晶のコロイド溶液を調製し、a2前記溶液内に基板を設置し、a3この溶液に浸漬した基板を超音波にさらす、ことを含む工程を備える、請求項17又は18に記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程bが、金属ワイヤの機械的支持体として意図された、2つの棒間に延びる機械的支持体のエッチングを備える請求項17~19のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程cがキャップの輪郭によるリフトオフ処理によって行われる請求項17~20のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程aが、200°Cと700°Cの間の温度で、15分と45分の間に行われる請求項17~21のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程eが、e1支持棒上に、例えば噴霧によって種の層を堆積し;次に、e2工程e1で堆積された種の層の上に電気分解によって金属材料の少なくとも1層を堆積し、随意に第1金属層の上に他の金属層を堆積すること、を含む請求項17~22のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程fが、化学的エッチング、例えば、KOHの槽内におけるウエットエッチング又はXeF2中におけるガス相エッチングによって行われる請求項17~23のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。工程fが物理化学的エッチング、例えばボッシュDRIE型のプラズマエッチングによって行われる請求項17~24のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。棒の上と、基板上の棒の延長において熱的絶縁層を堆積することを含む追加の工程が、工程eの前に設けられる請求項17~25のいずれか1つに記載のミリメートル未満のサイズの熱線センサを製造する方法。"