第1面、及び前記第1面と対向する第2面を有し、蛍光材料及びガラス材料を含む蛍光基質と、前記蛍光基質の前記第1面に設けられる第1導電パターンと、前記蛍光基質の前記第2面に設けられる第2導電パターンと、前記蛍光基質を貫通して、前記第1導電パターンと前記第2導電パターンとを接続する少なくとも1つの導電部材と、前記第2導電パターンと接続された光取り出し面を有し、前記蛍光基質の前記第2面に設けられる発光ダイオードLEDチップとを備え、前記LEDチップは、前記少なくとも1つの導電部材を介して前記第1導電パターンと電気的に接続される、LEDパッケージ構造。前記蛍光基質の厚みは、前記蛍光基質全体にわたって実質的に一定である請求項1に記載のLEDパッケージ構造。前記蛍光材料は、黄色蛍光物質、又は、少なくとも2つの異なる波長の蛍光物質を含む請求項1に記載のLEDパッケージ構造。前記蛍光物質は、少なくとも2つの異なる波長を含む場合、黄色蛍光物質、赤色蛍光物質及び緑色蛍光物質のうちの少なくとも2つを含む請求項3に記載のLEDパッケージ構造。前記LEDチップの前記光取り出し面と前記蛍光基質の前記第2面との間に配置されたアンダーフィルを更に備え、前記アンダーフィルは、前記LEDチップの前記光取り出し面を少なくとも一部覆う請求項1に記載のLEDパッケージ構造。前記アンダーフィルは、前記LEDチップの複数の側面を覆う請求項5に記載のLEDパッケージ構造。回路基板を更に備え、前記光取り出し面に対向する前記LEDチップの背面は、前記回路基板上に配置される請求項1に記載のLEDパッケージ構造。第1面、及び前記第1面と対向する第2面を有し、少なくとも1つの蛍光材料とガラス材料との混合物を含み、前記第1面と前記第2面とを接続する複数の導電部材が形成される蛍光基質を設ける工程と、前記第1面に第1導電パターンを、前記第2面に第2導電パターンを形成する工程と、複数の発光ダイオードLEDチップを、前記蛍光基質の前記第2面上にボンディングする工程とを備え、前記複数の導電部材の少なくとも一部は、前記第1導電パターンと前記第2導電パターンとを接続し、前記複数のLEDチップのそれぞれは、前記第2導電パターンと接続された対応する光取り出し面を有し、前記複数の導電部材の対応する1つを介して前記第1導電パターンと電気的に接続されている、LEDパッケージ構造の製造方法。前記第1面と前記第2面とを接続する複数の貫通孔を前記蛍光基質に形成し、前記蛍光基質の前記第1面から突出する複数の導電柱を形成するべく、前記複数の貫通孔を電気めっきし、前記蛍光基質の前記第1面と同一平面に前記複数の導電部材が設けられるように、前記複数の導電柱を研磨することによって、前記複数の導電部材が形成される請求項8に記載のLEDパッケージの製造方法。前記研磨は、研磨装置を使用して、前記蛍光基質の厚みを低減し、前記複数の導電部材を露出させるべく、前記蛍光基質を削り取ることを含む請求項9に記載のLEDパッケージの製造方法。支持基板の凹部に、複数の導電バンプを形成し、前記複数の導電バンプを覆うように、前記支持基板の凹部に、前記少なくとも1つの蛍光材料と前記ガラス材料とを満たし、前記複数の導電バンプ、前記少なくとも1つの蛍光材料及び前記ガラス材料を一緒に加熱して、前記蛍光基質に前記複数の導電バンプが埋め込まれるように前記蛍光基質を形成し、前記蛍光基質の前記第1面と同一平面に前記複数の導電部材が設けられるように、前記蛍光基質及び前記複数の導電バンプを研磨することによって、前記複数の導電部材が形成される請求項8に記載のLEDパッケージの製造方法。前記蛍光基質の前記第2面に前記複数のLEDチップをボンディングした後に、前記複数のLEDチップの前記光取り出し面と前記蛍光基質の前記第2面との間に、アンダーフィルを形成する工程を更に備え、前記アンダーフィルは、前記複数のLEDチップの前記光取り出し面を少なくとも一部覆う、又は、前記複数のLEDの前記光取り出し面の少なくとも一部及び前記複数のLEDチップの複数の側面の少なくとも一部を覆う請求項8に記載のLEDパッケージの製造方法。前記アンダーフィルを形成する工程の後に、複数のLEDパッケージ構造を形成する切断工程を実行する工程を更に備える請求項12に記載のLEDパッケージの製造方法。図1Aは、本開示の一実施形態に係るLEDパッケージ構造の断面図である。図1Aに示すように、一実施形態では、LEDパッケージ構造100aは、蛍光基質110、第1導電パターン120、第2導電パターン130、少なくとも1つの導電部材140a図1Aでは1つのみ示されている、及びLEDチップ150を含む。より詳細には、蛍光基質110は、互いに対向する2つの面、第1面112及び第2面114を含む。一実施形態において、蛍光基質110は、例えば、蛍光物質及びガラス材料の混合物で構成される。蛍光基質110は、通常は、全体的に均一な厚みを有する。第1導電パターン120は、蛍光基質110の第1面112に配置される。一実施形態の蛍光基質110の蛍光物質は、例えば、黄色蛍光材料であるが、その他の種類の蛍光材料であってもよいし、2色以上の蛍光材料を利用してもよいことは明らかである。例えば、黄色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせてもよく、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせてもよい。また、第2導電パターン130が、蛍光基質110の第2面114に配置される。導電部材140aは、蛍光基質110を貫通して、第1導電パターン120と第2導電パターン130とを接続している。LEDチップ150は、蛍光基質110の第2面114側に配置され、第2導電パターン130に接続される光取り出し面152を有する。このように構成することにより、第2導電パターン130、導電部材140a、及び第1導電パターン120によって形成される導電経路を通じて、LEDチップ150を、外部要素図示せずと電気的に接続することができる。一実施形態では、LEDチップ150は、垂直発光型のLEDチップであるが、等価の発光特性を有するその他のLEDチップも、本開示の範囲に含まれることは理解されるべきである。例えば、高電圧LEDチップ又は交流ACLEDチップも採用可能である。導電部材140aを介してLEDチップ150と電気的に接続される蛍光基質110によれば、導電部材140aによって、3次元積層を最大にし、LEDチップ150の寸法を最小化することができる。このように、蛍光基質110とLEDチップ150との間の信号は、導電部材140aを介して受け渡されるため、部品速度の向上、信号遅延の低減、及び低消費電力につながる。別の実施形態では、LEDパッケージ構造110aは更に、アンダーフィル160aを備える。アンダーフィル160aは、LEDチップ150の光取り出し面152と、蛍光基質110の第2面114との間に配置されている。好ましくは、アンダーフィル160aは、LEDチップ150の光取り出し面152を覆う。一実施形態において、アンダーフィル160aの機能は、LEDチップ150の光取り出し面152を保護し、また、蛍光基質110とLEDチップ150との間の隙間に配置されたLEDチップ150から放出される光が全反射するのを防いでおり、これによって、LEDパッケージ構造100aの照明効率を向上させることができる。一実施形態において、アンダーフィル160aは、これに限定されないが、例えば、シリコーン又はシリカゲル、エポキシ樹脂、又はこれらの組み合わせのようなエポキシを含む材料によって形成されている。別の実施形態では、アンダーフィル160aは、蛍光基質110における蛍光材料とは異なる添加物としての蛍光材料を更に含んでもよい。例えば、蛍光基質110が、黄色蛍光材料を含む場合には、アンダーフィル160aの蛍光材料は、赤色蛍光体を含んでもよい。また、別の例として、蛍光基質110が、緑/赤色蛍光材料を含む場合には、アンダーフィル160aの蛍光材料は、赤色蛍光体/緑色蛍光体を含んでもよい。このようにして、LEDパッケージ構造110aの彩度を向上させることができる。一実施形態において、LEDチップ150がそれぞれ、ガラス材料及び蛍光材料の混合物を含む蛍光基質110を使用して構成されている場合、第1導電パターン120、第2導電パターン130及び導電部材140は、蛍光基質110上に配置され、LEDチップ150それぞれは、所望の波長を生成するよう選択されたものであって、このような複数のLEDチップ150は、同じ範囲の波長の光を生成することができる。更に、LEDパッケージ構造の蛍光基質110が均一な厚みを有するため、LEDチップ150を出射して蛍光基質110を通過する光は、高い均一性を有する光へと変換される。したがって、このような複数のLEDパッケージ構造は、実質的に同じ範囲の波長を有する白色光を生成することができる。言い換えると、本開示によれば、LEDパッケージ構造110aは、良好な均一性を有する光を生成することができる。以下のその他の実施形態の説明では、上述したものと同じ構成要素には、同じ参照番号を付し、簡略化のため、その説明を省略する。図1Bは、本開示の別の実施形態に係るLEDパッケージ構造の断面図である。図1A及び図1Bに示すように、図1BのLEDパッケージ構造100aと図1AのLEDパッケージ構造100aとは、図1BのLEDパッケージ構造100aでは複数の回路基板135が蛍光基質110の第2面114上に配置されている点を除いて、同様な構成を有している。図示した実施形態では、LEDパッケージ構造100aは、複数の第1導電パターン120、複数の第2導電パターン130、複数の導電部材140及び複数のLEDチップ150を含む。一実施形態において、蛍光基質110の第2面114上の回路基板135の場合、LEDチップ150と関連付けられた複数の第2導電パターン130は、回路基板135を介して互いに電気的に接続されており、要望に応じた様々な回路設計が可能である。すなわち、ユーザーのLEDパッケージ構造100aの要求に応じて、様々な回路設計を構成することができ、また、蛍光基質110に実装できるため、ユーザーは、直列に又は並列に接続された複数のLEDチップ150構成を効率的に達成することができる。図1Cは、本開示の更なる別の実施形態に係るLEDパッケージ構造の断面図である。図1B及び図1Cに示すように、図1CのLEDパッケージ構造100aと図1BのLEDパッケージ構造100aとは、図1CのLEDパッケージ構造100aでは回路基板170及び少なくとも1つのボンディングワイヤ180をさらに備えている点を除いて、同様な構成を有している。実際のボンディングワイヤ180の数は、図1Cに記載されている数に限定されず、蛍光基質110に実際に実装されている回路に応じて、決定される。図示された実施形態のLEDパッケージ構造100aは、回路基板170上に配置されており、各LEDチップ150の光取り出し面152に対向する背面154が、回路基板170上に配置されている。LEDパッケージ構造100aは、第1導電パターン120及び回路基板170と、ボンディングワイヤ180を介して電気的に接続されている。このように構成することによって、LEDチップ150を、回路基板170を介して、外部の回路図示せずと電気的に接続することができ、LEDパッケージ構造100aの適用範囲を拡大することができる。図2Aは、本開示の更なる別の実施形態に係るLEDパッケージ構造の断面図である。図2A及び図1Bに示すように、図2AのLEDパッケージ構造100bと図1BのLEDパッケージ構造100aとは、図2AのLEDパッケージ構造100bではアンダーフィル160bがLEDチップ150の複数の側面156を少なくとも部分的に覆うように延在している点を除いて、同様な構成を有している。図示された実施形態では、LEDチップ150はそれぞれ、サファイア基板を有してもよく、アンダーフィル160aによって覆われたLEDチップ150の側面156によって、光漏れ又は全反射を防ぐことができる。これによって、LEDパッケージ構造100bの照明効率を向上させることができる。図2Bは、本開示の更なる実施形態に係るLEDパッケージ構造の断面図である。図2A及び図2Bに示すように、図2BのLEDパッケージ構造100bと図2AのLEDパッケージ構造100bとは、図2BのLEDパッケージ構造100bは、回路基板170及び少なくとも1つのボンディングワイヤ180図2Bには、2つのみ示されているを備えている点を除いて、同様な構成を有している。LEDチップ150それぞれの光取り出し面152に対向する背面154は、回路基板170上に配置されている。回路基板170は、ボンディングワイヤ180を介して、第1導電パターン120と電気的に接続されている。このように構成することによって、LEDチップ150を、回路基板170を介して、外部の回路図示せずと電気的に接続することができ、LEDパッケージ構造100bの適用範囲を拡大することができる。上記では、LEDパッケージ構造100a、100a、100a、100b及び100bの実施形態を説明した。以下の詳細な説明は、図1A及び図1BのLEDパッケージ構造100a、100aを例として、図3A~3I、図4A~4D及び図5A~5Dを参照して、本開示に係るLEDパッケージ構造の製造工程の実施形態を対象としている。図3A~3Iは、本開示の一実施形態に係るLEDパッケージ構造の製造工程を示した図である。図4A~4Dは、本開示の一実施形態に係る導電部材の製造工程を示した図である。図5A~5Dは、本開示の別の実施形態に係る導電部材の製造工程を示した図である。図示及び説明を簡易にするため、図3Dでは支持基板190が省略されている。図3Fは、図3Eの線I-Iに沿った断面図であり、図3H及び図3Iはそれぞれ、図3Gにおける線II-IIに沿った断面図である。図3Aに示すように、LEDパッケージ構造の製造工程の一実施形態によれば、蛍光基質110及び支持基板190が設けられる。支持基板190は、蛍光基質110を載置するように構成されている。蛍光基質110は、互いに対向する2つの面、第1面112及び第2面114図3C参照を有している。一実施形態において、蛍光基質110は、少なくとも1つの蛍光材料とガラス材料とを、高温下で混合することによって形成される。この高温下での混合工程において、突起構造を蛍光基質上に形成してもよく、例えば、凸表面、円錐表面、台形の突起部等を設けることにより、光取り出し効率を高め、光を取り出す角度を設計可能にしてもよい。図3B及び図4Aに示すように、複数の貫通孔142が蛍光基質110に形成されて、第1面112と第2面114とを接続している。一実施形態において、工作機械10を使用して、レーザー穴あけ工程又は機械的穴あけ工程を蛍光基質110に対して実行することにより、貫通孔142を形成する。その後、図4Bに示すように、亜鉛めっき工程を行って、複数の導電柱144を複数の貫通孔142内に形成し、導電柱144が、蛍光基質110の第1面112から突出するようにする。図4C及び図4Dに示すように、蛍光基質110及び導電注144が削られて短くなり、第1面112が形成されるように、蛍光基質110に対して研磨工程を実施し、第1面112が導電部材140aと同一平面となるようにする。好ましくは、研磨工程は、例えば、ダイヤモンド研磨機械のような工作機械20を使用して実行され、蛍光基質110をダイヤモンド研磨機で時計周りの回転方向に研削しつつ、蛍光基質110を載せている支持基板190を第1の方向に動かす。すなわち、ダイヤモンド研磨機が回転しながら研削している間に、支持基板をダイヤモンド研磨機に対して動かす。無論、本発明は、ダイヤモンド研磨機の回転方向、又は支持基板190及び蛍光基質110を動かす方向に限定されない。例えば、ある実施形態では、ダイヤモンド研磨機は、半時計方向に回転してもよい。工作機械20は、蛍光基質110の厚みを低減すると同時に、導電部材140aが第1面112と同一平面となるように導電部材140aを削り取る。これは、次に行う製造工程に有益である。蛍光基質110が、全体的に均一な厚みとなるよう薄く削られると、構成要素の光取り出し効率を大幅に向上させることができる。一実施形態では、研削した後の蛍光基質110の厚みは、およそ、10~500μmである。好ましくは、厚みは、10~150μmである。別の実施形態では、導電部材が、別の形態で実装されてもよい。図5Aには、複数の導電バンプ146が、支持基板190の凹部内に形成されている。導電バンプ146を形成する材料は、これに限定されないが、例えば、金である。次に、図5Bに示すように、支持基板190の凹部内に、蛍光材料図示せず及びガラス材料図示せずを充填する。蛍光材料及びガラス材料が、導電バンプ146を覆う。蛍光材料は、少なくとも1種類の蛍光物質を含む。さらに、導電バンプ146、蛍光材料及びガラス材料が共に高温下に置かれて、導電バンプ146が埋め込まれた蛍光基質110が形成される。最後に、図5C及び図5Dに示すように、蛍光基質110及び導電バンプ146に研磨工程を実施して、蛍光基質110の第1面112と同一平面に配置される導電部材140aを形成する。研磨工程は、図4A~4Cに示したものと同様であり、簡略化の目的から、ここでは繰り返して説明しない。工作機械20によって、導電バンプ146及び/又は蛍光基質110の第1面112が研磨されて、蛍光基質110の厚みが低減し、導電部材140aは、厚みが低減した蛍光基質110の第1面112と同一平面に位置する。研削した後の蛍光基質110の厚みは、好ましくは、およそ、10~500μmである。より好ましくは、厚みは、10~150μmである。本開示では、蛍光基質110及び導電柱144を研削する時に、ダイヤモンドカッターが回転する。ダイヤモンドカッターを回転させることによって、ダイヤモンドカッターの非常に小さな先端部により、切断点を切断線にすることができ、最終的には、蛍光基質110とダイヤモンドカッターとの間の相対的な動きによって研削面が形成される。このようにして、蛍光基質110の第1面112が、ダイヤモンド研磨機によって研磨されて、鱗状のパターンを有する粗面が形成される傾向がある。その結果、LEDチップ150図1A参照から出射する光が全反射してしまうのを防ぐことができ、LEDパッケージ構造100a図1A及び100a図1Bの照明効率を向上させることができる。図3C及び図3Dに示すように、第1導電パターン120は、蛍光基質110の第1面112上に形成され、第2導電パターン130は、蛍光基質110の第2面114上に形成される。導電部材140aは、第1導電パターン120と第2導電パターン130図3Fとを電気的に接続する。第2導電パターン130が形成された後、第2導電パターン130を接続する複数の回路基板135が、蛍光基質110の第2面114に形成される。選択肢として、第2導電パターン130を、回路基板135を介して対応する第2導電パターン130と電気的に接続して、異なる電気回路を形成してもよい。図3E~3Fに示すように、複数のLEDチップ150が、蛍光基質110の第2面114にフリップチップ接続される。LEDチップ150のそれぞれは、対応する第1導電パターン120に接続される光取り出し面152を備える。LEDチップ150のそれぞれは、対応する導電部材140aを介して、対応する第1導電パターン120と電気的に接続される。その他の実施形態では、実際の実装要求に基いて、蛍光基質110上に形成された電気回路の設計に応じて、複数のLEDチップ150を直列に接続してもよいし、並列に接続してもよい。図3G及び図3Hに示すように、LEDチップ150の光取り出し面152と蛍光基質110の第2面114との間に、アンダーフィル160aを形成する。一実施形態において、アンダーフィル160aは、LEDチップ150の光取り出し面152を少なくとも一部覆う。図3Hに示すように、複数の切断線Lに沿って切断工程が実行され、例えば、LEDパッケージ構造100aのようなLEDパッケージ構造が複数形成される。この時点で、LEDパッケージ構造100aの製造工程が完了する。別の実施形態では、図3Iに示すように、アンダーフィル160bは、LEDチップ150の複数の側面156を覆うように延在していてもよい。複数のLEDチップ150の少なくとも一部がそれぞれ、サファイア基板を有する場合、アンダーフィル160bによって覆われたLEDチップ150の側面156によって、LEDチップ150から出射された光が、蛍光基質110とLEDチップ150との間の隙間で全反射するのを防ぐことができる。これによって、LEDパッケージ構造100bの照明効率を向上させることができる。最後に、複数の切断線Lに沿って切断工程が実行され、例えば、LEDパッケージ構造100aのようなLEDパッケージ構造が複数形成される。この時点で、LEDパッケージ構造100aの製造工程が完了する。図3A~3Iに示されたLEDパッケージ構造100a、100aの製造工程は、例示することを目的としており、上記で説明した特定のステップは、パッケージング工程で使用されている既存の技術であってもよい。当業者であれば、実装における実際の要求に応じて、工程を、調整、省略又は追加することができる。さらに、本開示は、LEDパッケージ構造100a、100a、100a、100b及び100bの形態に限定されない。当業者であれば、所望の技術的効果を達成するべく、実際の実装要求に応じて、記載した実施形態を使用又は修正することができる。上述の説明に記載したように、本開示によればLEDパッケージ構造は、ガラス材料と1以上の蛍光材料の混合物から形成された蛍光基質、導電パターン及び導電部材を備える。蛍光基質は、ほぼ均一な厚さを有する。複数のLEDチップによって生成される波長は、実質的に同じである。蛍光基質を介してLEDチップから出射する光は、高い色均一性を有する。したがって、実質的に同一の波長範囲内にある白色光を出射可能なLEDパッケージを得ることができる。従来の蛍光層の製造方法と比較して、本開示によれば、蛍光材料の余分な使用が避けられるので、製造コストを下げることができ、また、LEDパッケージ構造の照明効率を向上させることができる。また、蛍光基質は、導電部材を介してLEDチップと電気的に接続されるため、蛍光基質とLEDチップとの間の信号を、導電部材を通じて伝送することができる。その結果、部品速度が向上し、信号遅延を低減させることができ、また、消費電力を下げることができる。幾つかの実施形態が開示されたが、これらは、本開示の範囲を限定することを意図していない。本開示の範囲及び精神の範囲内において、本開示の実施形態に対して様々な改良及び変更が可能であることは、当業者にとって明らかである。上記の観点から、本開示の範囲は、添付の特許請求項及びそれらの均等物によって規定される。