半導体ウェハの一方の主面と、該主面の全域を支持する支持基板の一方の主面とを、接着材料を介して接合する工程Aと、前記半導体ウェハの他方の主面側を研磨する工程Bと、前記半導体ウェハの研磨面にエッチングマスク層を形成する工程Cと、前記半導体ウェハの研磨面における、外周域に形成された前記エッチングマスク層を除去して、前記研磨面を露出させる工程Dと、前記エッチングマスク層が除去された領域において、前記半導体ウェハをエッチング処理により除去する工程Eと、を順に備えていることを特徴とする接合基板の製造方法。前記工程Eは、前記半導体ウェハのみならず前記接着材料も除去することを特徴とする請求項1に記載の接合基板の製造方法。前記工程Dは、前記外周域を除いた領域において、前記半導体ウェハの二つの主面の間に貫通孔を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の接合基板の製造方法。前記エッチングマスク層は感光性レジストからなり、前記工程Dは、前記エッチングマスク層を、フォトマスクを用いて露光する工程と、前記エッチングマスク層の露光された部位を現像により除去する工程と、を順に備えていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の接合基板の製造方法。本発明は以上のような点を考慮してなされたものであり、半導体ウェハに対してプラズマ処理を行う際に、半導体ウェハの被処理面内において、プラズマを均一に照射することを可能とする、半導体装置の製造方法を提供する。また、本発明は、半導体ウェハの周縁部における欠けや割れの発生を抑えることが可能な、半導体装置を提供する。本発明の請求項1に係る接合基板の製造方法は、半導体ウェハの一方の主面と、該主面の全域を支持する支持基板の一方の主面とを、接着材料を介して接合する工程Aと、前記半導体ウェハの他方の主面側を研磨する工程Bと、前記半導体ウェハの研磨面にエッチングマスク層を形成する工程Cと、前記半導体ウェハの外周域に形成された前記エッチングマスク層を除去して、前記研磨面を露出させる工程Dと、前記エッチングマスク層が除去された領域において、前記半導体ウェハをエッチング処理により除去する工程Eと、を順に備えていることを特徴とする。請求項1の構成によれば、半導体ウェハを薄く加工することでナイフエッジ形状となった半導体ウェハの周縁部が、エッチング処理によって除去される。そのため、プラズマ処理を行う際に、半導体ウェハの周縁部への電界集中を抑制し、半導体ウェハの被処理面内において、プラズマを均一に照射することができる。本発明の請求項2に係る接合基板の製造方法は、請求項1において、前記工程Eは、前記半導体ウェハのみならず前記接着材料も除去することを特徴とする。請求項2の製造方法によれば、接着材料が、後続の工程において用いる薬液に曝されることにより部分的に溶解し、表面が荒れた形状となり、パーティクルの発生源となるのを防ぐことができる。本発明の請求項3に係る接合基板の製造方法は、請求項1または2において、前記工程Eは、前記外周域を除いた領域において、前記半導体ウェハの二つの主面の間に貫通孔を形成することを特徴とする。請求項3の製造方法によれば、半導体ウェハの周縁部の除去を、貫通孔の形成と同時に行うことができる。したがって、既存のプロセスを変更する必要がないため、半導体装置の生産効率を維持することができる。本発明の請求項4に係る接合基板の製造方法は、請求項1~3のいずれか一項において、前記エッチングマスク層は感光性レジストからなり、前記工程Dは、前記エッチングマスク層を、フォトマスクを用いて露光する工程と、前記エッチングマスク層の露光された部位を現像により除去する工程と、を順に備えていることを特徴とする。請求項4の製造方法によれば、エッチングマスク層を高い解像度でパターン加工することができる。その結果、単にエッジリンス法を用いた場合よりも、パターン解像度の高いエッチングマスク層を得ることができる。そのため、エッチング処理したあとの半導体ウェハの厚さが、被処理面の全域において、より一様となる。したがって、プラズマ処理を行う際に、半導体ウェハの周縁部への電界集中をより抑制することができる。本発明に係る接合基板の製造方法によれば、半導体ウェハを薄く加工することにより形成される、ナイフエッジ形状の周縁部が、エッチング処理を行って除去される。そのため、半導体ウェハの厚さが、被処理面の全域において一様となる。したがって、プラズマ処理を行う際に、半導体ウェハの周縁部への電界集中を抑制し、半導体ウェハの被処理面内において、プラズマを均一に照射することができる。以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。<第一実施形態>図1は、本発明の第一実施形態に係る接合基板100の断面図の一部である。接合基板100は、支持基板101と、支持基板の一方の主面101aにおける中央域R1に、接着材料102を介して接合された半導体ウェハ103と、支持基板101と反対側に位置する半導体ウェハ103の一方の主面103aに設けられた導電部104とを有する。そして、導電部104が露出するように、半導体ウェハの一方の主面103aと研磨後の主面研磨面103dとの間を貫通する孔貫通孔105が設けられている。支持基板101は、プロセス処理中の半導体ウェハ103を支持するものであり、半導体ウェハの一方の主面103aにおける全域が、支持基板の一方の主面101aに接合されている。したがって、支持基板101の径は、半導体ウェハ103の径以上である必要がある。また、支持基板101は、厚さが500[μm]程度であり、のガラス基板、シリコン基板、セラミックス基板、樹脂性の基板等を利用することができる。接着材料102としては、アクリル、ポリイミド、エポキシ、シリコーン等からなる樹脂を用いる。接着材料102は、支持基板の一方の主面101aにおいて、全域に形成してもよいし、半導体ウェハ103と接合する領域のみに形成してもよい。半導体ウェハ103は、貫通配線基板として機能させるため、研磨して100[μm]程度の厚さに加工されている。そして、半導体ウェハの側面103cは、一方の主面103aおよび研磨面103dと垂直をなす形状となっている。導電部104は、例えば、Al、Cu、Cr、Ti、Au、Si等の導電性を有する金属により構成されている。図2は、第一実施形態に係る接合基板100の実施例を説明する図であり、第一実施形態に係る接合基板100を、専用のケース107に収納した状態を示している。ケース107は、工程の前後において、接合基板100を搬送する際、あるいは保管する際に用いられるものである。図2では、接合基板100を一つだけ収納するケース107が例として示されているが、通常のケース107は、内部に複数の仕切りが設けられ、隣接する仕切り同士の間に、一つの接合基板100を収納するように構成されたものもある。第一実施形態に係る接合基板100の構成によれば、半導体ウェハ103の支持基板101との接合面は、支持基板の一方の主面101aにおいて外周域を除いた領域中央域R1に含まれる。そのため、接合基板100を、搬送用あるいは保管用のケース107に、Da方向に沿って収納した際に、支持基板101の周縁部のみがケースの内側面107aに接触し、半導体ウェハの周縁部103gはケースの内側面107aに接触しない。したがって、ケースの内側面107aとの接触による、半導体ウェハの周縁部103gにおける欠けや割れの発生を抑えることができる。そして、パーティクル発生の要因となる半導体ウェハの欠けや割れの発生を抑えることにより、後工程における、絶縁不良、パターニング不良等による信頼性低下を防ぐことができる。また、第一実施形態に係る接合基板100の構成によれば、半導体ウェハの側面103cが、二つの主面103a、103dと垂直をなす形状となっている。そのため、接合基板100を構成する半導体ウェハ103は、従来の半導体装置500のように、半導体ウェハの側面503cが、二つの主面503a、503dと垂直をなさない形状ナイフエッジ形状となっている場合に比べて、機械的に強い。したがって、接合基板100がケース107内でDb方向に動いて、半導体ウェハ103がケースの内側面107bに接触したとしても、半導体ウェハの周縁部103gにおいて、パーティクル発生の要因となる欠けや割れが発生し難い。そして、後工程における、絶縁不良、パターニング不良等による信頼性低下を防ぐことができる。[製造方法]図3~5は、第一実施形態に係る接合基板100の製造工程図である。接合基板100の製造方法について、図3~5を用いて説明する。まず、図3aに示すように、半導体ウェハの一方の主面103aと、その全域を支持する支持基板の一方の主面101aとを、接着材料102を介して接合する工程A。半導体ウェハの一方の主面103aのうち、デバイスとして機能させる領域には、貫通配線と電気的に接続される導電部104が設けられている。半導体ウェハの側面103cは、面取りされたR形状となっている。なお、最終形態としての半導体ウェハ103の径は支持基板の径d以下となる必要があるが、少なくとも工程Aにおける半導体ウェハ103の径は、支持基板101の径dと同程度であってもよいし、異なっていてもよい。次に、半導体ウェハ103を、その他方の主面裏面103b側を研磨処理バックグラインド処理することにより、図3bに示すように、薄くする工程B。そして、研磨後に洗浄を行い、研磨処理にともなって生じたパーティクルを除去する。研磨処理はCMP法を用いて行ってもよい。加工された半導体ウェハの周縁部103eは半導体ウェハの周縁ほど薄くなり、その先端が尖ったナイフエッジ形状となる。次に、図4aに示すように、半導体ウェハの研磨後の主面研磨面103dに、例えば感光性のレジストからなるエッチングマスク層106を形成する工程C。ここでは、ポジ型の感光性レジストを用いる場合の例について説明する。次に、半導体ウェハの研磨面103dにおける、貫通孔の開口部に相当する領域開口領域に形成されたエッチングマスク層106a、および半導体ウェハ103の外周域に相当する領域に形成されたエッチングマスク層106bを選択的に除去する。ここでの開口領域は、半導体ウェハ103と支持基板101とが重なる領域に含まれる。また、ここでの外周域は、半導体ウェハの一方の主面103aにおいて、デバイスとして機能させる上で必要となる領域より、外側の領域を意味する。通常の場合、外周域の大きさは、半導体ウェハ103から取れるチップの数と製造装置による有効加工範囲とで決定される。典型的な外周域の大きさは、半導体ウェハ103の最外端から半導体ウェハ103の中心方向に幅1~5[mm]程度の範囲となる。エッチングマスク層106の選択的な除去は、フォトリソグラフィ技術を用いて行うことができる。すなわち、図4bに示すように、半導体ウェハの研磨面103dにおける、貫通孔を形成する領域および外周域に形成されたエッチングマスク層106a、106bを、フォトマスクMを用いて露光する。そして、図4cに示すように、露光された部位をなすエッチングマスク層106a、106bを、所定の現像液を用いて現像し、除去する工程D。フォトリソグラフィ技術を用いると、単にエッジリンス法を用いてエッチングマスク層106を選択的に除去した場合に比べて、パターン解像度の高いエッチングマスク層を得ることができる。すなわち、パターン端部に凹凸が無く、露出した半導体ウェハとの境界が鮮明なエッチングマスク層106を得ることができる。なお、ネガ型の感光性レジストを用いる場合には、半導体ウェハの研磨面103dにおける、貫通孔を形成する領域および外周域を除いた領域を露光する。そして露光されていない領域に含まれるエッチングマスク層106a、106bを、所定の現像液を用いて現像し、除去する。次に、ドライエッチング反応性イオンエッチング処理により、図5aに示すように、エッチングマスク層106が除去された領域、すなわち、貫通孔の開口領域、および外周域において、半導体ウェハを除去する工程E。これにより、半導体ウェハ103と支持基板101との接合面と重なる領域において、半導体ウェハの二つの主面103a、103dの間を貫通する孔貫通孔105が形成される。そして、貫通孔105の支持基板101側の開口部において、導電部104が露出する。また、半導体ウェハの側面103cが、二つの主面103a、103dと垂直をなす形状となる。半導体ウェハを除去する手段として、異方性のドライエッチング処理を適用することにより、エッチング媒体が支持基板の他方の主面101bに回り込み、ダメージを与えるのを防ぐことができる。そのため、異方性のドライエッチング処理は、支持基板として光学的な性能が要求される場合に有効となる。なお、エッチング処理を、O2とCF4の混合ガスを導入して行うことにより、貫通孔の開口領域、および外周域において、半導体ウェハ103とともに、樹脂からなる接着材料102も同時に除去することができる。工程A~Eまでの処理を順に行うことにより、第一実施形態に係る接合基板100を製造することができる。以上説明した、第一実施形態に係る接合基板100の製造方法によれば、半導体ウェハ103を薄く加工することにより形成される、ナイフエッジ形状の周縁部103eが、エッチング処理を行って除去される。そのため、半導体ウェハ103の厚さが、被処理面研磨面103dの全域において一様となる。したがって、プラズマ処理を行う際に、半導体ウェハの周縁部への電界集中を抑制し、被処理面103d内において、プラズマを均一に照射することができる。図4cは、第一実施形態の変形例に係る半導体装置110の断面図の一部を示している。半導体装置110は、上述した製造方法により製造された接合基板100に対し、支持基板101を、その他方の主面101b側から研磨処理することにより、完全に除去したものである。半導体装置110の構成によれば、一方の主面113aが露出しているため、デバイスとしての機能や貫通配線の形状を、ウェハ状態において容易に評価することができる。なお、半導体装置110は、用途に合わせて所望の支持基板と接合しなおしてもよい。<第二実施形態>図6は、本発明の第二実施形態に係る接合基板200の断面図の一部である。接合基板200は、支持基板201と、支持基板の一方の主面201aにおける中央域R1に、接着材料202を介して接合された半導体ウェハ203と、支持基板201と反対側に位置する接着材料の表面202aに設けられた導電部204a、204bとを有する。導電部204aは、接着材料の表面202aのうち、半導体ウェハの一方の主面203aと接する位置に配され、導電部204aが露出するように、半導体ウェハの一方の主面203aと研磨面203dとの間を貫通する孔貫通孔205が設けられている。接着材料202は、支持基板の一方の主面201aにおける全域に配され、かつ導電部204bは、半導体ウェハ203と支持基板201との接合領域を除いた領域において露出する、接着材料の表面202aに配される。第二実施形態に係る接合基板200の構成によれば、半導体ウェハ203の支持基板201との接合面は、支持基板の一方の主面201aにおいて外周域を除いた領域中央域R1に含まれる。そのため、接合基板200を、搬送用あるいは保管用のケースに収納した際に、支持基板201の周縁部のみがケースの内側面に接触し、半導体ウェハの周縁部203gはケースの内側面に接触しない。したがって、ケースの内側面との接触による、半導体ウェハの周縁部における欠けや割れの発生を抑えることができる。そして、パーティクル発生の要因となる半導体ウェハの欠けや割れの発生を抑えることにより、後工程における、絶縁不良、パターニング不良等による信頼性低下を防ぐことができる。また、第二実施形態に係る接合基板200の構成によれば、半導体ウェハの側面203cが、二つの主面203a、203dと垂直をなす形状となっている。そのため、接合基板200を構成する半導体ウェハ203は、従来の半導体装置500のように、半導体ウェハの側面503cが二つの主面503a、503dと垂直をなさない形状ナイフエッジ形状となっている場合に比べて、機械的に強い。したがって、接合基板200がケース内で動いて、半導体ウェハ203がケースの内側面に接触したとしても、パーティクル発生の要因となる、半導体ウェハの周縁部203eにおける欠けや割れが発生し難い。そして、後工程における、絶縁不良、パターニング不良等による信頼性低下を防ぐことができる。また、第二実施形態に係る接合基板200の構成によれば、接着材料202が支持基板201の保護層として機能する。そのため、支持基板の一方の主面101aが、後続の工程処理にともなって受けるダメージを、防ぐことができる。[製造方法]図7~9は、第二実施形態に係る接合基板200の製造工程図である。接合基板200の製造方法について、図7~9を用いて説明する。まず、図7aに示すように、半導体ウェハの一方の主面203aと、その全域を支持する支持基板の一方の主面201aとを、接着材料202を介して接合する工程A。半導体ウェハの一方の主面203aのうち、デバイスとして機能させる領域には、貫通配線と電気的に接続される導電部204aが設けられている。また、接着材料202の表面のうち、半導体ウェハの一方の主面203aと接していない領域には、導電部204bが設けられている。半導体ウェハの側面203cは、面取りされたR形状となっている。図7aは、支持基板201と半導体ウェハ203とが同程度の径dを有する場合の例を示しているが、工程Aにおいては、両者の径が異なっていてもよい。次に、半導体ウェハ203を、その他方の主面203b側を研磨処理バックグラインド処理することにより、図7bに示すように、薄く加工する工程B。そして、研磨後に洗浄を行い、研磨処理にともなって生じたパーティクルを除去する。研磨処理はCMP法を用いて行ってもよい。加工された半導体ウェハの周縁部203eはナイフエッジ形状となり、中央部203fよりもさらに薄くなる。次に、図8aに示すように、半導体ウェハの研磨面203dに、例えば感光性のレジストからなるエッチングマスク層206を形成する工程C。ここでは、第一実施形態と同様に、ポジ型の感光性レジストを用いる場合の例について説明するが、ネガ型の感光性レジストを用いることもできる。次に、半導体ウェハの研磨面203dにおける、貫通孔の開口部に相当する領域開口領域に形成されたエッチングマスク層206a、および半導体ウェハ103の外周域に相当する領域に形成されたエッチングマスク層206を選択的に除去する。ここでの開口領域は、半導体ウェハ203と支持基板201との接合面と重なる領域より、内側の領域を意味する。また、ここでの外周域は、半導体ウェハの一方の主面203aにおいて、デバイスとして機能させる上で必要となる領域より、外側の領域を意味する。通常の場合、外周域の大きさは、半導体ウェハ203から取れるチップの数と製造装置による有効加工範囲とで決定され、半導体ウェハ203の最外端から半導体ウェハ203の中心方向に幅1~5[mm]程度の範囲となる。エッチングマスク層206の選択的な除去は、フォトリソグラフィ技術を用いて行うことができる。すなわち、図8bに示すように、半導体ウェハの研磨面203dにおける、貫通孔を形成する領域および外周域に形成されたエッチングマスク層206a、206bを、フォトマスクMを用いて露光する。そして、図8cに示すように、露光された部位をなすエッチングマスク層206a、206bを、所定の現像液を用いて現像し、除去する工程D。次に、ドライエッチング反応性イオンエッチング処理により、図9aに示すように、エッチングマスク層206が除去された領域、すなわち、半導体ウェハの研磨面203dにおける、貫通孔を形成する領域および外周域において、半導体ウェハを除去する工程E。これにより、半導体ウェハ103と支持基板101との接合面と重なる領域において、半導体ウェハの二つの主面203a、203dの間を貫通する孔貫通孔205が形成される。そして、貫通孔205の支持基板201側の開口部において、導電部204aが露出する。また、半導体ウェハの側面203cが、二つの主面203a、203dと垂直をなす形状となる。また、半導体ウェハの研磨面203dにおける外周域に設けられた導電部204bが、エッチングストッパーとして機能するため、図9bに示すように、外周域に接着材料202が除去されずに残っている。接着材料202は、支持基板201の保護層として機能するため、支持基板の一方の主面が、後続の工程処理にともなって受けるダメージを、防ぐことができる。工程A~Eまでの処理を順に行うことにより、第二実施形態に係る接合基板200を製造することができる。以上説明した、第二実施形態に係る接合基板200の製造方法によれば、半導体ウェハ203を薄く加工することにより形成される、ナイフエッジ形状の周縁部203eが、エッチング処理を行って除去される。そのため、半導体ウェハ203の厚さが、被処理面研磨面203dの全域において一様となる。したがって、プラズマ処理を行う際に、半導体ウェハの周縁部への電界集中を抑制し、被処理面203d内において、プラズマを均一に照射することができる。