"シール部材が設けられる枠形状の領域であるシール領域の内側に設けられた表示領域と、該表示領域の外側に形成され、上記シール領域を含む額縁状の非表示領域とを有し、上記シール部材を介して対向基板に接着されることによって表示装置を構成するアクティブマトリクス基板であって、絶縁性基板と、上記表示領域における上記絶縁性基板上に形成された電極層と、上記非表示領域における上記絶縁性基板上に配置されて上記電極層と同じ材料によって形成されたマークと、上記電極層及びマークをそれぞれ直接に覆う第1絶縁膜と、上記第1絶縁膜の一部を覆う第2絶縁膜とを備え、上記第2絶縁膜は、上記シール領域の少なくとも一部において上記絶縁性基板上から除去されており、上記マークは、上記第2絶縁膜が除去された領域に配置されると共に、上記シール領域の少なくとも一部に重なるように設けられ、上記絶縁性基板上には、上記マークを覆っている第1絶縁膜の側面及び当該第1絶縁膜の絶縁性基板と反対側の表面を覆う保護膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。請求項1に記載されたアクティブマトリクス基板において、上記表示領域における上記第2絶縁膜の表面には、透明導電膜が形成され、上記保護膜は、上記透明導電膜と同じ材料によって形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。請求項1又は2に記載されたアクティブマトリクス基板において、上記第1絶縁膜は無機絶縁膜によって構成され、上記第2絶縁膜は有機絶縁膜によって構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。請求項1乃至3の何れか1つに記載されたアクティブマトリクス基板において、上記マークを覆っている第1絶縁膜と上記保護膜との間には、半導体層が介在されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。請求項1乃至3の何れか1つに記載されたアクティブマトリクス基板において、上記保護膜は、上記マークを覆っている第1絶縁膜を直接に覆っていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。請求項1乃至5の何れか1つに記載されたアクティブマトリクス基板において、上記マークは、当該アクティブマトリクス基板と上記対向基板との位置合わせに用いるアライメントマークであることを特徴とするアクティブマトリクス基板。第1基板と、上記第1基板に対向して配置された第2基板と、上記第1基板及び第2基板の間に介在され、該第1基板及び第2基板同士を互いに接着する枠形状のシール部材と、上記シール部材が設けられる枠形状の領域であるシール領域の内側に設けられた表示領域と、上記表示領域の外側に形成され、上記シール領域を含む額縁状の非表示領域とを備えた表示装置であって、上記第1基板は、絶縁性基板と、上記表示領域における上記絶縁性基板上に形成された電極層と、上記非表示領域における上記絶縁性基板上に配置されて上記電極層と同じ材料によって形成されたマークと、上記電極層及びマークをそれぞれ直接に覆う第1絶縁膜と、該第1絶縁膜の一部を覆う第2絶縁膜とを有し、上記第2絶縁膜は、上記シール領域の少なくとも一部において上記絶縁性基板上から除去されており、上記マークは、上記第2絶縁膜が除去された領域に配置されると共に、上記シール領域の少なくとも一部に重なるように設けられ、上記絶縁性基板上には、上記マークを覆っている第1絶縁膜の側面及び当該第1絶縁膜の絶縁性基板と反対側の表面を覆う保護膜が形成されていることを特徴とする表示装置。請求項7に記載された表示装置において、上記表示領域における上記第2絶縁膜の表面には、透明導電膜が形成され、上記保護膜は、上記透明導電膜と同じ材料によって形成されていることを特徴とする表示装置。請求項7又は8に記載された表示装置において、上記第1絶縁膜は無機絶縁膜によって構成され、上記第2絶縁膜は有機絶縁膜によって構成されていることを特徴とする表示装置。請求項7乃至9の何れか1つに記載された表示装置において、上記マークを覆っている第1絶縁膜と上記保護膜との間には、半導体層が介在されていることを特徴とする表示装置。請求項7乃至9の何れか1つに記載された表示装置において、上記保護膜は、上記マークを覆っている第1絶縁膜を直接に覆っていることを特徴とする表示装置。請求項7乃至11の何れか1つに記載された表示装置において、上記マークは、上記第1基板と上記第2基板との位置合わせに用いるアライメントマークであることを特徴とする表示装置。シール部材が設けられる枠形状の領域であるシール領域の内側に設けられた表示領域と、該表示領域の外側に形成され、上記シール領域を含む額縁状の非表示領域とを有し、上記シール部材を介して対向基板に接着されることによって表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、絶縁性基板上の上記表示領域に電極層を形成すると共に、上記絶縁性基板上の上記非表示領域に上記電極層と同じ材料からなるマークを上記シール領域に重なるように形成する工程と、上記絶縁性基板上に上記電極層及びマークをそれぞれ直接に覆う第1絶縁膜を形成する工程と、上記第1絶縁膜の一部を覆うと共に、上記シール領域の少なくとも一部及び上記マークが形成されている領域から除去された第2絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁性基板上に上記第1絶縁膜及び第2絶縁膜を覆う材料層を形成した後に、上記材料層の表面にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンから露出している上記材料層をエッチングすることにより、上記マークを覆っている第1絶縁膜の側面及び当該第1絶縁膜の絶縁性基板と反対側の表面を覆う保護膜を形成する工程とを有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。請求項13に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記保護膜を形成する工程では、上記材料層としての透明導電材料層をエッチングすることによって、上記表示領域における上記第2絶縁膜の表面に透明導電膜を形成すると共に、該透明導電膜と同じ材料により上記保護膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。請求項13又は14に記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記第1絶縁膜は無機絶縁膜によって構成され、上記第2絶縁膜は有機絶縁膜によって構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。請求項13乃至15の何れか1つに記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記第1絶縁膜を形成する工程の後に、上記マークを覆うように上記第1絶縁膜の表面に半導体層を形成する工程を有し、上記保護膜を形成する工程では、上記半導体層を覆うように上記保護膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。請求項13乃至15の何れか1つに記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記保護膜を形成する工程では、上記マークを覆っている上記第1絶縁膜の表面に直接に上記保護膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。請求項13乃至17の何れか1つに記載されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、上記マークは、当該アクティブマトリクス基板と上記対向基板との位置合わせに用いるアライメントマークであることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。ところで、TFT基板の非表示領域に、所定のマークを形成することが知られている。このマークは、例えば、TFT基板と対向基板とのアライメント用のマーク、TFT基板と対向基板とのズレ量を測定するためのマーク、及びガラス基板を分断する際の分断ラインのズレ量を測定するためのマーク等である。上記マークは、ゲート配線と同じ材料によって形成することが可能である。一方、近年、非表示領域の縮小化が進められており、TFT基板における非表示領域にシール部材が占める割合が高くなってきている。そのため、上記マークを、シール部材とが重ねて配置することが望まれる。しかし、上記特許文献1に開示されているように、シール部材とTFT基板との接着強度を高める目的でシール部材が配置される領域において層間絶縁膜を除去すると、マークは、層間絶縁膜により覆われずに、例えばゲート絶縁膜及び半導体層等によってのみ覆われることとなる。したがって、ゲート絶縁膜等にピンホールやクラックが生じていれば、そのゲート絶縁膜等を覆う画素電極材料のエッチング時に、エッチャントがゲート絶縁膜等を透過する虞がある。その結果、エッチャントによりマークがエッチングされ、当該マークが欠損したり消失してしまう問題がある。本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、非表示領域を縮小化しながらも、非表示領域に設けたマークの欠損を防止することにある。上記の目的を達成するために、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、枠状のシール部材を介して対向基板に接着されることによって表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を対象としている。上記表示装置は、上記シール部材が設けられる枠形状の領域であるシール領域の内側に設けられた表示領域と、該表示領域の外側に形成され、上記シール領域を含む額縁状の非表示領域とを有している。そして、絶縁性基板と、上記表示領域における上記絶縁性基板上に形成された電極層と、上記非表示領域における上記絶縁性基板上に配置されて上記電極層と同じ材料によって形成されたマークと、上記電極層及びマークをそれぞれ直接に覆う第1絶縁膜と、該第1絶縁膜の一部を覆う第2絶縁膜とを備え、上記第2絶縁膜は、上記シール領域の少なくとも一部において上記絶縁性基板上から除去されており、上記マークは、上記第2絶縁膜が除去された領域に配置されると共に、上記シール領域の少なくとも一部に重なるように設けられ、上記絶縁性基板上には、上記マークを覆っている第1絶縁膜の側面及び当該第1絶縁膜の絶縁性基板と反対側の表面を覆う保護膜が形成されている。また、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、枠状のシール部材を介して対向基板に接着されることによって表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を製造する方法を対象としている。上記表示装置は、上記シール部材が設けられる枠形状の領域であるシール領域の内側に設けられた表示領域と、該表示領域の外側に形成され、上記シール領域を含む額縁状の非表示領域とを有している。そして、絶縁性基板上の上記表示領域に電極層を形成すると共に、上記絶縁性基板上の上記非表示領域に上記電極層と同じ材料からなるマークを上記シール領域に重なるように形成する工程と、上記絶縁性基板上に上記電極層及びマークをそれぞれ直接に覆う第1絶縁膜を形成する工程と、上記第1絶縁膜の一部を覆うと共に、上記シール領域の少なくとも一部及び上記マークが形成されている領域から除去された第2絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁性基板上に上記第1絶縁膜及び第2絶縁膜を覆う材料層を形成した後に、上記材料層の表面にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンから露出している上記材料層をエッチングすることにより、上記マークを覆っている第1絶縁膜の側面及び当該第1絶縁膜の絶縁性基板と反対側の表面を覆う保護膜を形成する工程とを有する。本発明によれば、マークを覆っている第1絶縁膜が例えばピンホールやクラック等を有していたとしても、材料層のエッチングの際に、その第1絶縁膜が保護膜材料層及びレジストパターンによって覆われることにより、エッチャントが第1絶縁膜を透過してマークを欠損させることを防止できる。しかも、マークを覆っている第1絶縁膜の側面及び当該第1絶縁膜の絶縁性基板と反対側の表面が保護膜によって覆われるようにレジストパターンが形成されるため、第1絶縁膜の厚みが特に薄くなりやすいマークのエッジ部分においても、当該第1絶縁膜をレジストパターンによって覆うことが可能になる。その結果、マークをシール領域に配置して非表示領域を縮小化しながらも、より確実にマークの欠損を防止することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。《発明の実施形態1》図1~図44は、本発明の実施形態1を示している。図1は、本実施形態1の液晶表示装置1の要部外観を示す平面図である。図2は、液晶表示装置1の要部構造を示す断面図である。図3は、TFT基板11の角部を拡大して示す平面図である。図4は、液晶表示装置1の要部構造を拡大して示す断面図である。図5は、TFT基板11におけるマーク25が形成されている領域を拡大して示す平面図である。図6は、図5におけるVI-VI線断面を含むTFT基板11の断面図である。図7は、図5におけるVII-VII線断面を含むTFT基板11の断面図である。図8は、周辺配線領域17のゲート材料からなる配線部を示す断面図である。図9は、周辺配線領域17のソース材料からなる配線部を示す断面図である。また、図43は、エッチング前のレジスト層54に覆われた透明導電膜を示す断面図である。図44は、エッチング後のレジストパターン55に覆われた保護膜45を示す断面図である。本実施形態では、アクティブマトリクス基板としてのTFT基板11を備えた液晶表示装置1を、表示装置の例として説明する。液晶表示装置1は、液晶表示パネル10と、この液晶表示パネル10に対向して配置された照明装置であるバックライトユニット不図示とを有している。液晶表示パネル10は、図1、図2及び図4に示すように、アクティブマトリクス基板に構成された第1基板であるTFT基板11と、このTFT基板11に対向して配置された第2基板である対向基板12と、TFT基板11及び対向基板12の間に封入された液晶層13とを有している。対向基板12は、カラーフィルタ図示省略及び共通電極図示省略等が形成された絶縁性基板である矩形状のガラス基板22を有している。TFT基板11及び対向基板12の間には、これらのTFT基板11及び対向基板12同士を互いに接着する枠形状のシール部材14が介在されている。液晶層13はシール部材14によって囲まれている。シール部材14は、例えば紫外線硬化型のエポキシ系樹脂によって構成されている。また、液晶表示パネル10は、図1、図3及び図4に示すように、シール部材14が設けられる枠形状の領域であるシール領域20の内側に設けられた表示領域15と、表示領域15の外側に形成され、シール領域20を含む額縁状の非表示領域16とを有している。ここで、TFT基板11及び対向基板12の液晶層13側表面には、配向膜図示省略がそれぞれ形成されている。表示領域15は画像が表示される領域であり、当該表示領域15には、マトリクス状に配置された複数の画素図示省略が形成されている。非表示領域16には、図3に示すように、シール領域20と表示領域15との間に周辺配線領域17が形成されている。TFT基板11は、互いに並行して延びる複数のソース配線図示省略と、これらに直交して延びる複数のゲート配線図示省略とが形成された絶縁性基板である矩形状のガラス基板21を有している。ガラス基板21には、さらに、各ゲート配線に沿ってそれぞれ延びる複数のCs配線図示省略が形成されている。Cs配線は、各画素に形成される補助容量に所定の電圧を印加するための配線である。TFT基板11の一辺の非表示領域16には、複数の端子図示省略が形成され、液晶表示パネル10を駆動するためのドライバチップ18が実装される端子領域19が形成されている。上記周辺配線領域17は、図8及び図9に示すように、ゲート配線と同じ材料からなる引き出し配線図示省略、COM配線図示省略及び検査用配線図示省略等の第1配線部41と、ソース配線と同じ材料からなる引き出し線図示省略、Cs幹配線図示省略及び検査用配線図示省略等の第2配線部42とが形成されている。COM配線は、上記対向基板12の共通電極に所定の電圧を印加するための配線である。Cs幹配線は、上記複数のCs配線に接続された幹配線である。また、図4に示すように、ガラス基板21上には、画素電極31と、この画素電極31に接続されたTFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスタ30とが各画素毎に形成されている。TFT30は、例えばボトムゲート型のTFTに構成され、表示領域15におけるガラス基板21の表面に形成された電極層であるゲート電極24と、ゲート電極24を直接に覆う第1絶縁膜であるゲート絶縁膜26と、ゲート絶縁膜26の表面に形成された半導体層32とを有している。ゲート電極は、例えば、Al合金の単層膜、又はAl膜、Cu膜、Mo膜、Ti膜若しくはこれらの積層膜によって構成されている。ゲート絶縁膜26は、例えばシリコン窒化膜SiNx膜等の無機絶縁膜により構成され、例えば0.4μm程度の厚みに形成されている。また、半導体層32は、例えば真性アモルファスシリコン及びnアモルファスシリコン等によって形成されている。半導体層32の表面には、この半導体層32の左右両側に設けられたオーミックコンタクト層34が形成されている。オーミックコンタクト層34は、例えばnシリコンによって構成されている。また、対向基板12の上記半導体層32に対向する領域には、ブラックマトリクス33が形成されている。ブラックマトリクス33は、黒色の樹脂膜や、反射率が低い金属膜等によって構成されている。オーミックコンタクト層34の表面には、ソース電極35及びドレイン電極36が形成されている。さらに、ソース電極35に接続されたソース配線37がゲート絶縁膜26の表面に形成されている。ソース配線37、ソース電極35及びドレイン電極36は、例えば、Al合金及びMoの積層膜、又はAl膜、Cu膜、Mo膜、Ti膜若しくはこれらの積層膜によって構成されている。本実施形態のTFT基板11は、いわゆるPixelOnPas構造を有し、上記ソース配線37、ソース電極35、ドレイン電極36、及びゲート絶縁膜26の一部は、パッシベーション膜28と第2絶縁膜である層間絶縁膜27とによって覆われている。パッシベーション膜28は、例えばシリコン窒化膜により構成され、0.1~0.7μmの厚みであって例えば0.3μm程度の厚みに形成されている。層間絶縁膜27は、例えば感光性を有するアクリル系樹脂等の有機絶縁膜によって構成され、パッシベーション膜28の表面に1.0~4.0μmの厚みであって例えば3.0μm程度の厚みで形成されている。層間絶縁膜27及びパッシベーション膜28には、ドレイン電極36の上方位置にコンタクトホールが39貫通形成されている。そして、表示領域15における層間絶縁膜27の表面には、ITO等の透明導電膜からなる画素電極40が形成されている。画素電極40は、コンタクトホール39を介してドレイン電極36に接続されている。一方、非表示領域16におけるガラス基板21上には、ゲート電極24と同じ材料によって形成されたマーク25が配置されている。マーク25は、例えば、TFT基板及び対向基板12同士を貼り合わせる際の位置合わせに用いるアライメントマークである。図5に示すように、マーク25は、ガラス基板21の表面の法線方向から見て、例えば矩形リング状のパターンに形成されている。マーク25の外形の一辺の長さは例えば180μmであり、内側の一辺の長さは例えば122μmである。一方、対向基板12の非表示領域16にも、マーク23が形成されている。マーク23は例えば、ブラックマトリクス33を形成する材料と同じ材料で、一辺の長さが100μmの正方形に形成されている。そうして、マーク23がマーク25の内側に配置されるようにして、対向基板12をTFT基板11に対して位置合わせするようになっている。例えば左右方向のズレ量を計測する場合、上記マーク23の左右方向の中心線と、マーク25の左右方向の中心線との距離を自動測定機不図示により測定する。そのことによって、ズレ量を計測する。尚、自動測定機によるマーク23,25の誤認が生じないように、マーク23,25がズレ無く重なった状態で、マーク23の外縁とマーク25の内縁との間に11μmのギャップが設けられている。さらに、マーク23,25の周囲50μm以内には、他のパターンが配置されないようになっている。そして、非表示領域16におけるガラス基板21上には、マーク25を直接に覆う第1絶縁膜であるゲート絶縁膜26が形成されている。このマーク25を覆っているゲート絶縁膜26は、上記TFT30のゲート電極24を覆っているゲート絶縁膜26とは分離して形成されている。層間絶縁膜27は、図3及び図4に示すように、シール領域20の少なくとも一部においてガラス基板21上から除去されている。言い換えれば、層間絶縁膜27が除去された除去領域29の少なくとも一部は、シール領域20と重なっている。また、除去領域29には、上記周辺配線領域17が形成されていない。すなわち、周辺配線領域17は、除去領域29以外の非表示領域16に形成されている。層間絶縁膜27である有機絶縁膜と、上記シール部材14とは、一般に接着力が比較的弱いが、このように、シール領域20の少なくとも一部から層間絶縁膜27を除去することによって、シール部材14とTFT基板11との接着強度を高めることが可能になる。そして、マーク25は、層間絶縁膜27が除去された領域に配置されると共に、シール領域20の少なくとも一部に重なるように設けられている。さらに、図4、図6及び図7に示すように、ガラス基板21上には、マーク25を覆っているゲート絶縁膜26の側面及び対向基板12側表面すなわち、上記マーク25を覆っているゲート絶縁膜26のガラス基板21と反対側の表面の全体を覆う保護膜45が形成されている。つまり、マーク25を覆っているゲート絶縁膜26は、その全体が保護膜45によって覆われている。本実施形態における保護膜45は、上記マーク25を覆っているゲート絶縁膜26の側面を直接に覆っている。また、保護膜45は、画素電極40と同じ材料であるITO等によって形成されている。さらに、保護膜45の外縁部分は、ガラス基板21の表面に形成されている。そして、上記マーク25を覆っているゲート絶縁膜26と保護膜45との間には、上記TFT30の半導体層32と同じ材料からなる半導体層52が介在されている。-製造方法-次に、上記TFT基板11及び液晶表示装置1の製造方法について説明する。液晶表示装置1は、それぞれ予め製造したTFT基板11と対向基板12とを液晶層13及びシール部材14を介して貼り合わせることによって製造する。例えば対向基板12にシール部材14を矩形枠状に描画し、そのシール部材14の枠内に液晶材料を滴下して供給する。次に、上記マーク25を用いて位置合わせした対向基板12をTFT基板11に貼り合わせる。その後、シール部材14に紫外線を照射して当該シール部材14を硬化させる。そうして、液晶表示装置1を製造する。尚、シール部材14を描画するのは、対向基板12でなく、TFT基板11であってもよい。また、本実施形態では、液晶材料の注入を滴下方式で行う場合について説明したが、枠状のシール部材に注入口不図示を形成し、ディップ式の真空注入を行った後に、その注入口を封止する方法を用いてもよい。ここで、図10~図42を参照して、TFT基板11の製造工程について詳細に説明する。図10,図13,図16,図19,図22,図25,図28,図31,図34,図37,及び図40は、TFT基板のマーク周辺の製造工程を示す断面図である。また、図11,図14,図17,図20,図23,図26,図29,図32,図35,図38,及び図41は、TFT基板のゲート材料からなる配線部周辺の製造工程を示す断面図である。図12,図15,図18,図21,図24,図27,図30,図33,図36,図39,及び図42は、TFT基板のソース材料からなる配線部周辺の製造工程を示す断面図である。まず、第1の工程では、第1のフォトリソ工程により、表示領域15のガラス基板21上にゲート電極24を形成すると共に、非表示領域16のガラス基板21上にゲート電極24と同じ材料からなるマーク25をシール領域20に重なるように形成する。すなわち、図10~図12に示すように、非表示領域16のシール領域20におけるガラス基板21の表面に、例えばAl合金の単層膜からなるマーク25を矩形リング状に形成する。これと同時に、表示領域15におけるガラス基板21の表面にゲート電極24を形成すると共に、非表示領域16の周辺配線領域17におけるガラス基板21の表面に第1配線部41を形成する。次に、第2の工程では、図13~図15に示すように、ガラス基板21上にシリコン窒化膜を0.4μm程度の厚みに成膜することにより、ガラス基板21上にゲート電極24、マーク25及び第1配線部41をそれぞれ直接に覆うゲート絶縁膜26を形成する。さらに、ゲート絶縁膜26の表面に、例えば真性アモルファスシリコン及びnアモルファスシリコン等からなる半導体材料層51を形成する。次に、第3の工程では、図16~図18に示すように、第2のフォトリソ工程により、上記半導体材料層51を、マーク25上と各TFT30の形成領域とにおいて残す一方、非表示領域16において除去する。よって、図17及び図18に示すように、周辺配線領域17ではゲート絶縁膜26が露出している。こうして、TFT30の形成領域において半導体層32をゲート絶縁膜26の表面に形成すると共に、マーク25を覆うようにゲート絶縁膜26の表面に半導体層52を形成する。次に、第4の工程では、図19~図21に示すように、第3のフォトリソ工程により、非表示領域16の周辺配線領域17におけるゲート絶縁膜26の表面に第2配線部42を形成する。第2配線部42は、ゲート絶縁膜26上に、例えばAl合金膜42aとMo膜42bとをこの順に成膜してフォトリソグラフィを行うことにより形成する。次に、第5の工程では、図22~図24に示すように、ガラス基板21上の全体にパッシベーション膜28及び層間絶縁膜有機絶縁膜27をこの順に積層して形成する。パッシベーション膜28は、0.3μm程度の厚みのシリコン窒化膜によって形成する。層間絶縁膜27は、3.0μm程度の厚みの感光性を有するアクリル系樹脂によって形成する。次に、第6の工程では、図25~図27に示すように、第4のフォトリソ工程により、非表示領域16の一部から層間絶縁膜27を除去することによって、除去領域29を形成する。こうして、ゲート絶縁膜26の一部を覆うと共に、シール領域20の少なくとも一部及びマーク25が形成されている領域から除去された層間絶縁膜27を形成する。次に、第7の工程では、図28~図30に示すように、上記層間絶縁膜27を除去した領域においてパッシベーション膜28をエッチングして除去すると共に、半導体層52に覆われていないゲート絶縁膜26も同じ工程でエッチングして除去する。このとき、半導体層52をマスクとして用いることができる。また、ゲート絶縁膜26をエッチングする際に、半導体層52の一部もエッチングされるので、半導体層52の膜厚は薄くなる。次に、第8の工程では、図31~図33に示すように、ガラス基板21上にゲート絶縁膜26及び層間絶縁膜27を覆う材料層としての透明導電材料層53を形成する。透明導電材料層53には、例えばITOやIZOIndiumZincOxide等を適用することができる。その後、第9の工程では、図34~図36に示すように、上記透明導電材料層53の表面にレジスト材料を塗布してレジスト層54を形成する。続いて、第10の工程では、図37~図39及び図43に示すように、レジスト層54をパターニングして、透明導電材料層53の表面にレジストパターン55を形成する。図37に示すように、シール領域20のレジストパターン55の側部57は、透明導電材料層53におけるゲート絶縁膜26の側面を覆っている部分58の外側に配置されている。一方、表示領域15では、各画素電極31の形成領域にレジストパターン55が形成されている。次に、第11の工程では、図40~図42及び図44に示すように、レジストパターン55から露出している透明導電材料層53をエッチングすることにより、マーク25を覆っているゲート絶縁膜26の側面及びゲート絶縁膜26の対向基板12側ゲート絶縁膜26のガラス基板21と反対側を覆う保護膜45を形成する。このとき、保護膜45は、半導体層52の側面及び半導体層52の対向基板12側表面を覆う一方、レジストパターン55によって覆われている。また、表示領域15においてレジストパターン55に重なっていた透明導電材料層53によって、層間絶縁膜27の表面に画素電極31を形成する。その後、レジストパターン55をガラス基板21上から除去して、TFT基板11を製造する。-実施形態1の効果-したがって、この実施形態1によると、マーク25を覆っているゲート絶縁膜26が例えばピンホールやクラック等を有していたとしても、透明導電材料層53のエッチングの際に、ゲート絶縁膜26が保護膜45及びレジストパターン55によって覆われることにより、エッチャントがゲート絶縁膜26を透過してマーク25を欠損させることを防止できる。しかも、マーク25を覆っているゲート絶縁膜26の側面及び対向基板12側が保護膜45によって覆われるようにレジストパターン55が形成されるため、ゲート絶縁膜26の厚みが特に薄くなりやすいマーク25のエッジ部分においても、当該ゲート絶縁膜26をレジストパターン55によって確実に覆うことができる。その結果、マーク25をシール領域20に配置して非表示領域16を縮小化しながらも、より確実にマーク25の欠損を防止することができる。また、ゲート絶縁膜26と保護膜45との間に半導体層52を設けるようにしたので、この半導体層52によってマーク25の欠損をより効果的に防止することができる。そうして、欠損せずに形成されたマーク25によって、TFT基板11と対向基板12とを高精度に位置合わせして互いに貼り合わせることができる。《発明の実施形態2》図45~図48は、本発明の実施形態2を示している。図45は、本実施形態2におけるマーク25周辺のTFT基板11の断面構造を示す図7相当図である。図46は、本実施形態2におけるマーク25周辺のTFT基板11の断面構造を示す図6相当図である。図47は、TFT基板11のマーク25周辺の製造工程を示す断面図である。図48は、エッチング後のレジストパターン55に覆われた保護膜45を示す断面図である。尚、以降の各実施形態では、図1~図44と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。上記実施形態1では、マーク25を覆っているゲート絶縁膜26の表面に半導体層52が残存していたのに対し、本実施形態2は、このような半導体層52が、一旦形成された後に全て除去されたものである。すなわち、本実施形態における保護膜45は、図45及び図46に示すように、ゲート絶縁膜26の表面に直接に形成されている。本実施形態の液晶表示装置1を製造する場合には、上記実施形態1における第3の工程第2のフォトリソ工程において、半導体層52をマーク25上及びTFT30の形成領域にそれぞれ残すようにする。その後、上記実施形態1における第7の工程において、マーク25上の半導体層52をゲート絶縁膜28のエッチングマスクとして用いている際に、その半導体層52のパターンは、エッチングによって全て除去される。ここで、TFT30の形成領域の半導体層52は、層間絶縁膜27とパッシベーション膜28で覆われているので、エッチングされない。このように、半導体層52がマーク25上から除去される場合には、マーク25のエッジ部分の上に積層される膜ゲート絶縁膜26の厚みが、その他の部分例えばTFT30の形成領域よりも薄くなってしまう。しかし、本実施形態では、図47及び図48に示すように、マーク25のエッジ部分においても、ゲート絶縁膜26をレジストパターン55によって確実に覆うことができるため、上記実施形態1と同様に、マーク25をシール領域20に配置して非表示領域16を縮小化しながらも、より確実にマーク25の欠損を防止することができる。《発明の実施形態3》図49~図52は、本発明の実施形態3を示している。図49は、本実施形態3におけるTFT基板11の角部を拡大して示す平面図である。図50~図52は、本実施形態3におけるマーク25を拡大して示す平面図である。上記実施形態1では、TFT基板11のシール領域20に、対向基板12の位置合わせ用のアライメントマークとしてのマーク25を形成したが、本発明はこれに限らず、図49~図52に示すように、その他のマーク25を形成するようにしてもよい。ここで、図50に示すマーク25は、ガラス基板21を大判のガラス基板母材から分断して製造する際の分断ラインの目印となるマークである。図51に示すマーク25は、TFT基板11に対する対向基板12のズレ量を目視により確認するためのマークである。また、図52に示すマーク25は、上記分断ラインのズレ量を目視により確認するためのマークである。図51に示すマーク25は、上記実施形態1におけるマーク25と同様の構成が、2行×4列の合計で8個並んだものである。しかし、対向基板12のマーク23とTFT基板11のマーク25とがズレ無く重なった状態で、マーク23の外縁とマーク25の内縁との間に形成されるギャップは、8組のマーク23,25のそれぞれにおいて互いに異なっている。各組のマーク23,25のギャップは、例えば1μm刻みで3μmから10μmまでの8種類の大きさに規定されている。そして、ギャップが3μmであるマーク23,25について、マーク23の外形の正方形における一辺と、マーク25の内縁の正方形における一辺とが接触していれば、そのズレ量が3μmであると判断する。このマーク23,25を用いれば、簡易にズレ量を検出することが可能となる。尚、高精度にズレ量を検出する場合には、上記実施形態1のマーク23,25を用いることが好ましい。《その他の実施形態》上記各実施形態では、表示装置の例として液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば電子ブック等に用いられるマイクロカプセル型電気泳動方式の表示装置や、有機EL表示装置等の他の表示装置についても、同様に適用することができる。例えば、マイクロカプセル型電気泳動方式の表示装置では、バスラインによって生じる電界のTFT基板の電極に対する影響を低減するために、TFT基板に設けられている画素電極の下に有機絶縁膜層間絶縁膜が形成されている。よって、当該表示装置に本発明を適用すれば、その非表示領域を縮小化しながらも、非表示領域に設けたマークの欠損を防止することができる。また、上記各実施形態では、透明導電膜を材料層の例として説明したが、本発明はこれに限らず、透明導電膜以外の材料からなる他の層を材料層として適用することが可能である。"