"個基板の実装面に所定の電子部品がフリップチップ実装され、前記実装面が前記電子部品とともに絶縁性樹脂材料からなる封止層により封止された構造を有する高周波モジュールの製造方法であって、表面および/または内部に電極パターンが配設された複数の個基板がマトリックス状に連設された集合基板を準備する工程と、前記集合基板の実装面上に所定の電子部品をフリップチップ実装する工程と、前記集合基板を、主面が垂直になるような姿勢で収容する、上面が開口した基板収容空間が、収容される前記集合基板の厚み方向に対応する方向に複数並べて配設された治具の、前記基板収容空間に、前記集合基板を収容する工程と、前記集合基板が収容された前記基板収容空間のそれぞれに、前記開口から未硬化の封止樹脂を充填して、前記集合基板を前記未硬化の封止樹脂に浸漬させる工程と、前記集合基板が浸漬された状態で前記未硬化の封止樹脂を硬化させることにより、前記集合基板の実装面と前記電子部品を封止する封止層を形成する工程と、前記封止層が形成された前記集合基板を所定の位置でカットして、個々の個基板に分割する工程とを含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。前記治具として、前記基板収容空間の、前記集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくすることができるように構成された治具を用い、前記集合基板が収容された前記基板収容空間のそれぞれに、前記未硬化の封止樹脂を充填した後に、前記基板収容空間の、前記集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくした後、前記未硬化の封止樹脂を硬化させるようにしたことを特徴とする請求項1記載の高周波モジュールの製造方法。前記基板収容空間に充填された前記未硬化の封止樹脂の脱泡処理を行った後で、前記未硬化の封止樹脂を硬化させることを特徴とする請求項1または2記載の高周波モジュールの製造方法。本発明は、上記課題を解決するものであり、個基板の実装面に少なくとも一部の電子部品がフリップチップ実装され、かつ、該実装面が電子部品とともに封止層により封止されているとともに、基板と電子部品との間にボイドが形成されないように封止樹脂が確実に充填された、信頼性の高い高周波モジュールを効率よく確実に製造することが可能な高周波モジュールの製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明の高周波モジュールの製造方法は、個基板の実装面に所定の電子部品がフリップチップ実装され、前記実装面が前記電子部品とともに絶縁性樹脂材料からなる封止層により封止された構造を有する高周波モジュールの製造方法であって、表面および/または内部に電極パターンが配設された複数の個基板がマトリックス状に連設された集合基板を準備する工程と、前記集合基板の実装面上に所定の電子部品をフリップチップ実装する工程と、前記集合基板を、主面が垂直になるような姿勢で収容する、上面が開口した基板収容空間が、収容される前記集合基板の厚み方向に対応する方向に複数並べて配設された治具の、前記基板収容空間のそれぞれに、前記集合基板を収容する工程と、前記集合基板が収容された前記基板収容空間のそれぞれに、前記開口から未硬化の封止樹脂を充填して、前記集合基板を前記未硬化の封止樹脂に浸漬させる工程と、前記集合基板が浸漬された状態で前記未硬化の封止樹脂を硬化させることにより、前記集合基板の実装面と前記電子部品を封止する封止層を形成する工程と、前記封止層が形成された前記集合基板を所定の位置でカットして、個々の個基板に分割する工程とを含むことを特徴としている。また、本発明の高周波モジュールの製造方法は、前記治具として、前記基板収容空間の、前記集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくすることができるように構成された治具を用い、前記集合基板が収容された前記基板収容空間のそれぞれに、前記未硬化の封止樹脂を充填した後に、前記基板収容空間の、前記集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくした後、前記未硬化の封止樹脂を硬化させるようにしたことを特徴としている。また、本発明の高周波モジュールの製造方法においては、前記基板収容空間に充填された前記未硬化の封止樹脂の脱泡処理を行った後で、前記未硬化の封止樹脂を硬化させることが好ましい。本発明の電子部品モジュールの製造方法は、その実装面上に所定の電子部品がフリップチップ実装された集合基板を、主面が垂直になるような姿勢で収容することができるように構成され、上面が開口した基板収容空間が、収容される前記集合基板の厚み方向に対応する方向に複数並べて配設された治具の、上記基板収容空間に、集合基板を収容し、基板収容空間の開口から未硬化の封止樹脂を充填して、集合基板を未硬化の封止樹脂に浸漬し、封止樹脂を硬化させることにより、集合基板の実装面と電子部品を封止する封止層を形成した後、集合基板を所定の位置でカットして、個々の個基板に分割するようにしているので、集合基板と電子部品との間にボイドが形成されないように封止樹脂を充填して、信頼性の高い高周波モジュールを効率よく製造することができる。なお、本発明において、集合基板を、主面が垂直になるような姿勢で収容するという場合、主面は文字どおり正確に垂直である必要はなく、実質的に垂直といえるような姿勢で収容することができればよい。すなわち、本発明においては、複数の個基板を含む集合基板の段階で、実装面と電子部品の樹脂封止を行うようにしているので、生産性を向上させることが可能になる。また、集合基板を、主面が垂直になるように保持して基板収容空間に封止樹脂を充填するようにしているので、フリップチップ実装された電子部品と、集合基板の実装面との隙間から気泡が抜けやすく、集合基板と電子部品との間にボイドが形成されない、良好な樹脂封止を行うことが可能になる。したがって、本発明によれば、個基板の実装面に電子部品がフリップチップ実装され、実装面が電子部品とともに封止層により封止された信頼性の高い高周波モジュールを効率よく製造することができる。また、治具として、各基板収容空間の、集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくすることができるように構成された治具を用い、集合基板が収容された基板収容空間に封止樹脂を充填した後に、基板収容空間のそれぞれの、集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくした後、封止樹脂を硬化させるようにした場合、製品の低背化を図ることが可能になり、小型で信頼性の高い高周波モジュールを提供することが可能になる。また、集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法が小さくされた基板収容空間の内壁と集合基板の間にほとんど隙間がないような態様で、基板収容空間に集合基板が収容、保持された状態で封止樹脂の硬化が行われるため、集合基板に反りが生じることを防止して、背が低く、小型で信頼性が高く、しかも反りのない高周波モジュールを得ることが可能になる。また、基板収容空間に封止樹脂を充填した後、脱泡処理を行った後で、封止樹脂を硬化させることにより、さらに確実に集合基板と電子部品との間にボイドのない信頼性の高い高周波モジュールを製造することができる。以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。図1は、本発明の実施例1にかかる方法により製造される高周波モジュールを示す図である。この高周波モジュール1は、基板個基板2の実装面2aに、例えばチップコンデンサ3a、半導体装置3bなどの電子部品33a,3bが実装され、半導体装置3bがフリップチップ実装されているとともに、実装面2aと電子部品33a,3bが、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂からなる封止層4により封止された構造を有している。以下に、この高周波モジュール1を製造する方法について説明する。まず、図2に示すように、表面および/または内部に電極パターン図示せずが配設された複数の個基板2がマトリックス状に連設された集合基板10を準備する。それから、図2に示すように、この集合基板10の実装面10a上に所定の電子部品33a,3bを実装し、半導体装置3bについてはフリップチップ実装する。次に、図3に示すように、電子部品33a,3bが実装され、そのうちの一部電子部品3bがフリップチップ実装された集合基板10を、その主面実装面10aが垂直になる姿勢で収容することが可能で、かつ、上面が開口11aとされた基板収容空間11が、収容されるべき集合基板10の厚み方向図3に矢印Aで示す方向に対応する方向に複数並べて配設された治具20を用意し、この治具20の開口11aから基板収容空間11のそれぞれに、集合基板10を収容する。なお、後述の封止樹脂硬化させる前の封止層4a図4を硬化させた後、治具20の基板収容空間11の開口11aから集合基板10を確実に取り出すことができるようにするためには、治具20として、少なくとも封止樹脂4aと接する基板収容空間11の内壁面11bを、硬化後の封止樹脂封止層4図1との剥離性に優れた材料から形成するか、または、内壁面11bに剥離性を付与するような処理を施した治具を用いることが望ましい。ただし、基板収容空間11の内周面11bに、硬化後の封止樹脂封止層4との剥離性を持たせていない場合にも、集合基板10と、治具20の基板収容空間11の内壁面11bとの間に、硬化後の封止樹脂封止層4との剥離性を有するシート状部材剥離シートや板状部材剥離板などを配設することにより対応することが可能である。なお、この実施例1では、治具20として、基板収容空間11の内壁面11bに、硬化後の封止樹脂封止層4に対する剥離性を付与した構成のものを用いる場合を例にとって説明する。図4に示すように、治具20の開口11aから、集合基板10が収容された基板収容空間11のそれぞれに、未硬化の封止樹脂4aを充填して、集合基板10を未硬化の封止樹脂4aに浸漬させる。その後、未硬化の封止樹脂4aの脱泡処理を行う。封止樹脂4aの脱泡処理は、例えば、封止樹脂4aを減圧雰囲気にさらす方法や、封止樹脂4aに振動を加えながら、封止樹脂4aを減圧雰囲気にさらす方法などが例示されるが、その具体的な方法に特別の制約はない。なお、封止樹脂4aを減圧雰囲気にさらすにあたっては、治具20全体を減圧雰囲気に置いてもよく、また、基板収容空間11の開口側から真空吸引するようにしてもよい。また、封止樹脂4aに振動を加える方法としては、治具20を振動させるようにしてもよく、また、超音波振動などの方法により封止樹脂4aを直接振動させるようにしてもよい。次いで、集合基板10が浸漬された状態で未硬化の封止樹脂4aを硬化させることにより、集合基板10の実装面10aと電子部品3を封止する封止層4図1参照を形成する。そして、封止層4が形成された集合基板10を、治具20の基板収容空間11から取り出し、所定の位置でカットして、個々の個基板に分割する。これにより、図1に示すような、高周波モジュール1が得られる。この実施例1では、複数の個基板2を含む集合基板10の段階で、複数の集合基板10を、治具20の各基板収容空間11に収容して樹脂封止を行うようにしているので、生産性を向上させることが可能になるとともに、集合基板10を、主面10aが垂直になるように保持して基板収容空間11に封止樹脂4aを充填するようにしているので、集合基板10がフリップチップ実装された電子部品33bを備えている場合にも、気泡が集合基板10と電子部品3の間から抜けやすく、集合基板10と電子部品3との間にボイドが形成されることを防止することができる。したがって、この実施例1の方法によれば、基板個基板2の実装面2aに少なくとも一部の電子部品33bがフリップチップ実装され、実装面2aおよび電子部品3が封止層4により確実に封止された、信頼性の高い高周波モジュールを効率よく製造することができる。なお、この実施例1では、治具20として、基板収容空間11の内壁面11bが、硬化後の封止樹脂封止層4との剥離性を備えた構成のものを用いたが、上述のように、剥離シートや剥離板を用いることにより、治具20として、基板収容空間11の内壁面11bが硬化後の封止樹脂との剥離性を備えていない構成のものを用いた場合にも、同様の効果を得ることができる。図5は本発明の他の実施例実施例2において用いた治具を示す図であり、aは基板収容空間の、集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を大きくした状態を示す図、bは基板収容空間の、集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくした状態を示す図である。この実施例2では、集合基板を収容するための基板収容空間を備えた治具として、図5a,bに示すように、基板収容空間11の、集合基板10の厚み方向矢印Aで示す方向に対応する方向の寸法を変化させることができるように構成された治具20Aを用いた。なお、治具20Aは、集合基板10の厚み方向に対応する方向の寸法を変化させるように構成されていることを除いて、上記実施例1で用いた治具20と同じ構成を有している。なお、この治具20Aでは、各基板収容空間11を仕切る、仕切り壁21を、集合基板10の厚み方向図5a,bに矢印Aで示す方向に移動させることにより、基板収容空間11の、矢印Aで示す方向の寸法を、大きくしたり小さくしたりすることができるように構成されている。そして、この実施例2では、治具20Aを用いたこと以外は、上記実施例1の場合と同様にして、高周波モジュールを作製した。以下、この実施例2における高周波モジュールの製造方法について、実施例1の高周波モジュールの製造方法と相違する点を中心に説明を行う。図6に示すように、治具20Aにおける基板収容空間11の、集合基板10の厚み方向に対応する方向矢印Aの方向の寸法を大きくした状態で、電子部品3が実装された集合基板10を、基板収容空間11の開口11aから挿入して、基板収容空間11のそれぞれに、その主面実装面10aが垂直になる姿勢で収容する。それから、図7に示すように、治具20Aの開口11aから基板収容空間11のそれぞれに、未硬化の封止樹脂4aを充填して、集合基板10を未硬化の封止樹脂4aに浸漬させる。その後、未硬化の封止樹脂4aの脱泡処理を行う。封止樹脂4aの脱泡処理は、例えば、封止樹脂4aを減圧雰囲気にさらす方法や、封止樹脂4aに所定の振動を加えながら、封止樹脂4aを減圧雰囲気にさらす方法などが例示されるが、その方法に特別の制約はないのは上述の通りである。それから、図8に示すように、各基板収容空間11を仕切る、仕切り壁21を、集合基板10の厚み方向図8に矢印Aで示す方向に移動させることにより、基板収容空間11の、矢印Aで示す方向の寸法を小さくする。次いで、集合基板10が浸漬された状態で未硬化の封止樹脂4aを硬化させることにより、集合基板10の実装面10aと電子部品3を封止する封止層4を形成する。上述のように、基板収容空間11の、矢印Aで示す方向の寸法を小さくした状態で封止樹脂を硬化させることにより、封止層4を備えた集合基板10の厚みを薄くすることが可能になる。そして、封止層4が形成された集合基板10を取り出し、所定の位置でカットして、個々の個基板に分割する。これにより、図9に示すような、実施例1の方法で得られる高周波モジュールに比べて背の低い厚みが薄い高周波モジュール1が得られる。さらに、その他の点においても、上記実施例1の高周波モジュールの製造方法の場合と同様の効果を得ることができる。なお、この実施例2では、仕切り壁21を移動させることにより、基板収容空間11の、集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくする前の段階で脱泡処理を行っているが、脱泡処理は、基板収容空間11の、集合基板の厚み方向に対応する方向の寸法を小さくした後で行ってもよい。また、上記の実施例1および2では、集合基板を基板収容空間11に収容した後、基板収容空間11に封止樹脂4aを充填注入するようにしているが、状況によっては、基板収容空間に封止樹脂を充填注入した後、基板収容空間内の封止樹脂に集合基板を浸漬するようにしてもよい。また、セラミック多層基板の低背化が進むと、集合基板を基板収容空間に収容する前に、基板収容空間に封止樹脂を注入しておく方が、樹脂を注入しやすくて望ましいという場合もある。なお、本発明においては、集合基板あるいは個基板の具体的な構成に特別の制約はなく、その実装面に実装される電子部品の種類、そのうちのフリップチップ実装される電子部品の種類や割合、搭載される電子部品の配設態様などに特別の制約はなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。また、本発明は、フリップチップ実装された電子部品や個基板の実装面を覆う天板を備えた構成を有するセラミック多層基板を製造する場合にも適用することが可能である。"