原版のパターンの像を投影光学系によって基板上に形成して該基板を露光する露光装置であって、前記投影光学系の温度計測箇所の温度を計測する温度計測部と、前記温度計測部によって計測された温度の変化に基づいて前記投影光学系の光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を実行するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記温度計測箇所の温度の変化に対する2次遅れ応答関数に従って前記光学特性の変化を予測する、ことを特徴とする露光装置。前記温度計測部によって温度を計測して前記光学特性の変化を予測する処理を実行する時間間隔の最小値をΔtmin、前記2次遅れ応答関数における時定数の最大値をτmaxとしたときに、Δtmin/τmax≦0.3が満たされる、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記温度計測部は、前記投影光学系の複数の温度計測箇所の温度を計測するように構成されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。前記2次遅れ応答関数は、前記温度計測箇所における温度の変化と前記投影光学系の光学特性の変化との関係の実測に基づいて決定されている、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光装置。前記投影光学系の光学素子を駆動する補正部を更に備え、前記コントローラは、前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化が低減されるように前記補正部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。前記光学特性は、前記投影光学系の投影倍率を含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。原版のパターンの像を投影光学系によって基板上に形成して該基板を露光する露光装置であって、前記原版を位置決めする原版位置決め機構および前記基板を位置決めする基板位置決め機構を有し、前記原版位置決め機構および前記基板位置決め機構の少なくとも一方から前記投影光学系に伝わる熱量の変化に基づいて前記投影光学系の光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を実行するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記熱量の変化に対する2次遅れ応答関数に従って前記光学特性の変化を予測する、ことを特徴とする露光装置。前記2次遅れ応答関数は、前記熱量の変化と前記投影光学系の光学特性の変化との関係の実測に基づいて決定されている、ことを特徴とする請求項7に記載の露光装置。デバイスを製造するデバイス製造方法であって、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。上述の通り、投影光学系の外部の温度変化を抑制すること、もしくは温度変化の影響を予測し適切に補正することは、微細なパターンを基板に転写するために重要である。露光装置内で発生した熱は、露光装置を構成する各部材間の熱伝導、対流もしくは熱輻射現象によって投影光学系に伝達され、投影光学系の温度を変化させうる。そのため、温度の計測箇所における温度変化が直ちに投影光学系の光学特性の変化をもたらすとは限らず、光学特性の変化は、一般に、温度変化に対し一定の時間遅れを経たのちに現れる。従来技術における光学特性の補正方法では、この時間遅れのために、光学特性の十分な補正精度が得られない場合があった。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、投影光学系の温度変化による投影光学系の光学特性の変化を高い精度で予測しその影響を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、原版のパターンの像を投影光学系によって基板上に形成して該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記投影光学系の温度計測箇所の温度を計測する温度計測部と、前記温度計測部によって計測された温度の変化に基づいて前記投影光学系の光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて前記光学特性の変化による前記基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を実行するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記温度計測箇所の温度の変化に対する2次遅れ応答関数に従って前記光学特性の変化を予測する。本発明によれば、投影光学系の温度変化による投影光学系の光学特性の変化を高い精度で予測しその影響を低減するために有利な技術が提供される。以下、図面を参照しながら本発明のいくつかの実施形態を説明する。以下の説明において、光学特性という用語の概念には、例えば、フォーカス、倍率、歪曲、像面湾曲、非点収差、球面収差、コマ収差が含まれうる。フォーカス、倍率、歪曲、像面湾曲、非点収差、球面収差、コマ収差は、いずれも収差の1つとして理解することができる。フォーカス、像面湾曲、非点収差、球面収差、コマ収差は、投影光学系の波面収差として取り扱うことも可能である。波面収差は、投影光学系の瞳面上の位相分布をツェルニケ多項式で展開したときの各係数の形で表現することができる。図1を参照しながら本発明の第1実施形態の露光装置100について説明する。露光装置100は、光源LS、照明光学系IL、原板位置決め機構RP、投影光学系PO、基板位置決め機構WP、ステージ定盤SP、コントローラCT、温度計温度計測部TPを備えうる。光源LSは、例えば、KrFまたはArF等のガスが封入された紫外光レーザ光源でありうる。光源LSから射出された光束は、照明光学系ILにおいて所望の照度分布、コヒーレンスファクタを有する光束EBに変換され、原板Rに照射される。原板Rには、基板Wに転写すべき回路パターンが形成されている。原版位置決め機構RPは、原板Rを保持する原版チャックを有する原版ステージRSを不図示の駆動機構によって駆動し原版Rを位置決めする。露光装置100が走査露光装置として構成される場合は、原版位置決め機構RPは、基板Wの露光中に、原版Rを保持した原版ステージRSを所定速度で走査駆動する。投影光学系POは、原版Rに形成された回路パターンを縮小倍率β例えばβ=-1/4で、フォトレジストが塗布された基板Wのショット領域に縮小投影し、該ショット領域に回路パターンの像を形成する。ここで、縮小倍率βの符号が負であることは、基板Wに投影される回路パターンの像が倒立像であることを意味している。ステージ定盤SPの上には、基板位置決め機構WPが配置されている。基板位置決め機構WPは、基板Wを保持する基板チャックを有する基板ステージWSを不図示の駆動機構によって駆動し基板Wを位置決めする。基板ステージWSは、3次元方向、即ち投影光学系POの光軸方向、およびそれに直交する2つの方向に駆動されうる。露光装置100が走査露光装置として構成される場合は、基板ステージWSは、基板Wの露光中に、原板ステージRSの走査速度のβ倍の速度で、原版ステージRSと同期して走査駆動される。原板ステージRSおよび基板ステージWSの位置は、不図示の位置検出装置例えば、レーザ干渉計により検出される。コントローラCTは、光源LS、原版位置決め機構RP、基板位置決め機構WP、投影光学系POに組み込まれた補正部PEを制御する。温度計測部TPは、投影光学系POの温度計測箇所の温度を計測する温度計を含み、温度計測部TPにより、投影光学系POの温度計測箇所の温度が計測される。温度計測箇所は、例えば、投影光学系POの鏡筒の外部の一部分でありうる。以下、温度計測部TPで計測された温度に基づいて投影光学系POの倍率誤差の変化を予測する方法を説明する。以下で説明する倍率誤差とは、目標とする縮小倍率βに対する実際の投影倍率の誤差差分である。図2aには、温度計測部TPによって計測された投影光学系POの温度計測箇所の温度の変化が例示されている。図2aにおいて、横軸は経過時間、縦軸は温度の変化である。図2aに示された時間区間TTでは、光源LSから投影光学系POに光が射出されない状態で原版ステージRSが駆動されている。時間区間TTの開始前の区間では、露光装置100は、十分に長い時間にわたって停止状態であり、温度は定常値に安定している即ち、温度は平衡状態になっている。図2aに示された温度の変化は、露光装置100の構成要素、特に原板位置決め機構RPから発せられる熱に起因したものである。図2bには、図2aと同一の時間軸における投影光学系POの倍率誤差の推移が例示されている。図2bにおける各点は、投影光学系POの倍率誤差の計測値を示している。図3には、図2aに例示される温度の計測結果に基づいて以下に示す方法で予測した投影光学系POの倍率誤差の予測値が実線で例示されている。ここで、図3中の各点は、図2bに示す各点と同じである。時刻tにおける投影光学系POの倍率誤差をφt、時刻tにおける温度計測部TPによる温度の計測値をTtとする。まず、露光装置100を十分に長時間にわたって停止させた後に温度計TPによる計測値が一定値であることを確認する。そして、その時刻t0における温度計TPによる計測値Tt0をT0とする。また、温度の変化ΔTtを式1のように定義する。以下では、一例として、温度計測部TPによる温度計測箇所が投影光学系POの鏡筒の外面の一部分であるものとして説明する。式1時刻t0においては、投影光学系POの倍率は、露光装置100の他の構成要素例えば、原版位置決め機構RPの温度変化の影響を受けず、良好に調整された状態であると考えることができる。そこで、時刻t0における投影光学系POの倍率誤差φtを式2のように定義する。2次に、投影光学系POの鏡筒の温度が変化しているときの投影光学系POの倍率誤差φtの変化を示す予測モデル式について説明する。この予測モデル式は、以下で説明するように、2次遅れ応答関数で与えられる。投影光学系POの倍率誤差の変化が発生する原因としては、例えば、投影光学系POを構成する光学素子の温度変化による屈折率変化や、光学素子の熱膨張や、光学素子を保持する鏡筒の熱膨張による光学素子間の間隔の変化などを挙げることができる。原板位置決め機構RPが発生する熱は、まず、投影光学系POの鏡筒の外面この例では、外面の一部部分が温度計測部TPによる温度計測対象である。に伝わる。その後、その熱は、熱伝導、対流もしくは熱輻射によって投影光学POの光学素子およびそれを支持している部分に伝わり、これによって倍率誤差φtの変化が生じる。例えば、原版位置決め機構RPが発生する熱によって投影光学系POの鏡筒の外部が加熱されて投影光学系POに温度勾配が生じうる。熱は、その温度勾配により投影光学系POの内部の光学素子に伝わる。このような熱伝達の現象は、2次遅れ伝達モデル式によって解析することができる。例えば、式3aで示される入力を考える。式3a2次遅れ伝達モデルの伝達関数Gs、応答Ysは、式3b、3cのように記述されうる。式3b式3c上記の2次遅れ伝達モデル式を用いることにより、時刻t-ΔtΔtは正値における倍率誤差の計測値φt-Δt、および、時刻tにおける温度の変化ΔTtの情報、を与えれば、時刻tにおける倍率誤差の計測値φtを式4、5、6で与えられる2次遅れ応答関数に基づいて求めることができる。ここで、式5、6は、漸化式の形式で与えられる。式4式5式6式2のφt0を定める時刻t0において、漸化式の初期値を式7より求めておけば、時刻t0以後の任意の時刻tにおける倍率誤差の予測値φtが得られる。式7式5、6において、以下のパラメータが倍率誤差φtの変化を予測するための予測パラメータになっている。N:予測モデルの自由度αi:温度に対する倍率誤差の変化の飽和値の敏感度パラメータτi、1:第一の時定数パラメータτi、2:第二の時定数パラメータ上記の予測パラメータは、露光装置100の投影光学系POや発熱源の内部構造、配置、温度制御機構等の設計条件に依存する。この実施形態では、以下で説明するように、投影光学系POの温度と倍率誤差との関係を実測により求めることによって予測パラメータが決定される。まず、図2aに例示される投影光学系POの温度計測箇所の温度の変化のデータ以下、温度変化データ、および、図2bに例示される投影光学系POの倍率誤差の変化のデータ倍率誤差変化データを取得する。温度変化データおよび倍率誤差変化データの取得方法の具体例を説明する。まず、図2aに例示される温度変化データの取得方法を例示的に説明する。まず、温度が定常値に安定するように露光装置100を十分に長い時間にわたって停止させる。その後、時刻t0から時間区間TTにわたって、例えば、光源LSから光が射出されない状態で原版位置決め機構RPを動作させて原版ステージRSを駆動する。この際に、時刻t0以降における温度計TPによる計測値温度を不図示のメモリ例えば、コントローラCT内のメモリに記録する。これによって温度変化データを取得することができる。次に、図2bに例示される倍率誤差変化データの取得方法を例示的に説明する。まず、温度が定常値に安定するように露光装置100を十分に長い時間にわたって停止させる。その後、時刻t0から時刻tt-t0<TTにわたって、例えば、光源LSから光が射出されない状態で原版位置決め機構RPを動作させて原版ステージRSを駆動する。そして、時刻tにおける投影光学系POの倍率誤差を測定する。倍率誤差の測定は、例えば、露光によってテストパターンを基板に転写し、転写されたテストパターンを現像し又は現像することなく潜像の状態で計測することによってなされうる。以上の処理を、時刻tを振りながら複数回にわたって実施することによって、時刻t0から時刻tt-t0<TTまでの倍率誤差変化データが得られる。次に、温度が定常値に安定するように露光装置100を十分に長い時間にわたって停止させた後に、時刻t0から時間区間TTにわたって、例えば、光源LSから光が射出されない状態で原版位置決め機構RPを動作させて原版ステージRSを駆動する。そして、その後の時刻tt-t0>TTにおける投影光学系POの倍率誤差を測定する。以上の処理を、時刻tを振りながら複数回にわたって実施することによって、時刻t0から時刻tt-t0>TTまでの倍率誤差変化データが得られる。以上のようにして温度変化データおよび倍率誤差変化データが得られる。温度変化データおよび倍率誤差変化データが得られた後、式4乃至6で表わされる予測モデル式に基づいて算出される倍率誤差が倍率誤差変化データを近似するように、最小二乗法等の計算プロセスにより予測パラメータαi、τi、1、τi、2を決定する。図3の実線は、以上の方法で予測パラメータαi、τi、1、τi、2の値が決定された予測モデルを使って、温度計TPによって計測された温度に基づいて予測された投影光学系POの倍率誤差を示している。図3に示す例では、予測パラメータは、次のとおりである。N=2α1=-62.8[ppm/°C]α2=54.9[ppm/°C]τ1、1=6500[sec]τ2、1=1[sec]τ1、2=1[sec]τ2、2=2200[sec]図3において実測結果を示す点と予測モデルによって計算した実線とが良く一致している。これより、上記の予測モデル式2次遅れ応答関数により投影光学系POの温度の計測結果から投影光学系POの倍率誤差の変化を高い精度で予測できることが分かる。十分な予測精度を得るために必要な予測モデルの自由度Nの値は、投影光学系の設計、例えば投影光学系を構成する光学素子の数などに依存しうる。ここで挙げた例を含め、一般的な露光装置の投影光学系においては、N=2とすれば十分な予測精度が得られる場合が多い。以下、図4を参照しながら、上記の予測モデル2次遅れ応答関数を使って投影光学系POの倍率誤差の変化を予測し、その予測に基づいて光学特性の変化による基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を例示的に説明する。この処理は、コントローラCTによって実行される。像の状態とは、以下で説明する例では、投影光学系POの投影倍率に依存して変化する像の倍率より正確には、原版のパターンに対する像の倍率であるが、より一般的には、投影光学系の収差に起因する像の状態でありうる。まず、コントローラCTは、露光装置100を十分に長い時間にわたって停止させて、投影光学系POの温度が定常値に安定するのを待つ。具体的には、コントローラCTは、ステップS41において温度計TPによって投影光学系POの鏡筒の温度を計測し、ステップS42において、その温度が定常値に安定しているかどうかを判断する。そして、温度が定常値に安定するまで、ステップS41、S42を繰り返す。投影光学系POの鏡筒の温度が定常値に安定したら、ステップS43において、コントローラCTは、時刻tをt0として、時刻t0における倍率誤差φtを式8のように0に設定する。式8その後、ステップS44において、コントローラCTは、補正を実行すべき時刻になるのを待ち、当該時刻になったらステップS45に処理を進める。ここでは、時間間隔ΔtでステップS45~S47の処理が実行される。n回目に実行されるステップS44では、補正を実行すべき時刻は、t0Δt×nである。ステップS45において、コントローラCTは、温度計測部TPを用いて、投影光学系POの鏡筒の温度変化を、時刻t0における温度からの変化ΔTtとして計測する。そして、ステップS46において、コントローラCTは、投影光学系POの倍率誤差φtを計算する。具体的には、コントローラCTは、温度計測部TPを使って計測された温度変化ΔTtと、既知のパラメータαi、τi、1、τi、2と、時刻t-Δtにおける倍率誤差の予測値φt-Δtと、に基づいて、式4、5、6に従って時刻tにおける倍率誤差の予測値φtを計算する。ここで、予測値φt-Δtは、式9で与えられ、最初n=1のときに実行されるステップS46で使用されるφt-Δtは、ステップS43で設定されたφtの値、即ち0である。また、n回目に実行されるステップS46で使用されるφt-Δtは、n-1回目に実行されたステップS46で計算されたφtである。式9時間間隔Δtは、例えば、10[sec]程度に設定されうる。時間間隔Δtは、予測モデル2次遅れ応答関数の時定数に対して一定の比率以下の短時間とするべきである。その理由は、時間間隔Δtが長いと、倍率誤差の変化に対して倍率誤差の補正が十分に追随できないからである。時間間隔Δtの最小値Δtminは、例えば、時定数パラメータτi、1、τi、2の最大値τmaxの0.3倍以下であることが望ましい。即ち、Δtmin/τmax≦0.3が満たされることが望ましい。ステップS47において、コントローラCTは、ステップS46で計算された倍率誤差の予測値φtに基づいて、投影光学系POの倍率誤差の変化による基板Wに形成される像の状態の変化を低減する処理を実行する。具体的には、コントローラCTは、ステップS46で計算された倍率誤差φtが低減されるように、投影光学系POに組み込まれた補正部PEを動作させる。ここで、補正部PEは、投影光学系POの倍率補正用の光学素子を駆動することによって、倍率誤差φtが低減されるように投影光学系POの倍率を補正することができる。補正部PEは、例えば、空気圧アクチュエータ、圧電素子、又は超音波モータなど、のアクチュエータを利用して、倍率補正用の光学素子を投影光学系POの光軸に沿って移動させうる。ここで、投影光学系POの光学素子を駆動する代わりに、又は、それに加えて、光源LSが発生する光の波長を変更することによって倍率誤差φtが低減されるように投影光学系POの倍率を補正してもよい。ここで、投影光学系POの倍率の補正によってフォーカス位置が変化する場合には、この補正に合わせて原版ステージRSおよび基板ステージWSの少なくとも一方をベストフォーカス状態が得られるように移動させればよい。以上の説明では、投影光学系POの温度変化に応じて変化する光学特性が投影倍率倍率誤差であったが、本発明は、これに限定されるものではない。投影光学系POの温度変化により変化する光学特性であって2次遅れ伝達モデルあるいは2次遅れ応答関数によって補正される光学特性は、例えば、フォーカス、像面湾曲、非点収差、球面収差およびコマ収差の少なくとも1つであってもよい。ここで、補正の対象としての光学特性がフォーカスである場合には、その補正を原板ステージRSもしくは基板ステージWSの少なくとも一方の投影光学系の光軸方向における位置を調整することによってなされてもよい。上記の説明は、投影光学系POの温度変化が原板位置決め機構RPが発生する熱に起因するものとしてなされているが、本発明はそれに限定されることはない。投影光学系POの温度変化の要因は、例えば、基板ステージWSおよびそれを駆動する基板ステージ機構、又は、光源LSから発生する熱、露光装置内の温度を制御する空調装置の制御誤差、又は、それらの複合要因であっても良い。次に、図5を参照しながら本発明の第2実施形態の露光装置について説明する。ここで言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態の露光装置200は、複数の温度計によって投影光学系POの温度を計測する構成の一例を提供するものである。図5に例示されるように、第2実施形態の露光装置200では、温度計測部TPが第1温度計TP1および第2温度計TP2を有する。第2実施形態では、倍率誤差の変化の予測パラメータの決定および倍率誤差の変化の予測の際に使用される温度変化ΔTtを与える式として、式1の代わりに、式10が使用される。式10ここで、T1t、T2tは、それぞれ、時刻tにおいて第1温度計TP1、第2温度計TP2によって計測される温度である。第2実施形態によれば、複数の温度計によって計測されたデータを取得することにより、投影光学系POの温度分布を示す情報を得ることができる。第1の実施形態の説明で述べたように、投影光学系POの温度変化は、その内部の熱伝導現象を介して生じることから、第2実施形態では、熱伝導現象をより詳細に捕捉し、倍率誤差の変化の予測精度を向上させている。次に、図6を参照しながら本発明の第3実施形態の露光装置について説明する。ここで言及しない事項は、第1および/または第2実施形態に従いうる。露光装置100が走査露光装置として構成される場合、露光動作に伴って原板ステージRSが高速で走査駆動されるので、原版位置決め機構RPから大きな熱が発生する。そのため、原板位置決め機構RPには、その温度をほぼ一定値に制御するための冷媒配管LURが備えられ、その中を温度制御された冷媒が通過する構成となっている。この冷媒は、冷媒コントローラLCTで温度制御され、冷媒配管LURに送り出される。露光装置200は、冷媒配管LURを流れる冷媒の温度を計測する温度計TRI、TROを備えている。温度計TRIは、原板位置決め機構RPに流入する冷媒の温度を計測するように配置されている。温度計TROは、原板位置決め機構RPから流出した冷媒の温度を計測するように配置されている。〇倍コントローラLCTは、温度計TROと温度計TRIとによって計測された温度に基づいて、原板位置決め機構RPの温度が目標値になるように、冷媒の温度を制御する。原板位置決め機構RPから投影光学系POに伝わる熱は、上記の温度制御によりある程度は抑制されるが、例えば原板ステージRSの駆動速度が非常に高速である場合には、熱を完全に抑制できない場合がある。コントローラCTは、原版ステージRSを駆動するための電力情報、原版ステージRSの駆動モータのエネルギー利用効率設計値の情報等を参照して、原板位置決め機構RPから投影光学系POに伝わる漏れ熱量Jttは時刻を予測することができる。また、コントローラCTは、更に冷媒コントローラLCTが得た温度計TROと温度計TRIによる計測値の情報を参照して、漏れ熱量Jtをより正確に予測することも可能である。漏れ熱量Jtは、投影光学系POに伝わって倍率誤差φtの変化をもたらす。その関係は、以下のように表現できる。式11式1213式11乃至13において、以下のパラメータが倍率誤差の変化を予測するための予測パラメータになっている。γi:漏れ熱量に対する倍率誤差の変化の飽和値の敏感度パラメータτi、1:第一の時定数パラメータτi、2:第二の時定数パラメータ第1の実施形態で説明した方法と同様の予測パラメータ決定工程を経て、上記予測パラメータγi、τi、1、τi、2を決定することができる。その予測パラメータを用い、上記モデル式を用いて倍率誤差の変化を予測し、補正を行うことができる。倍率誤差の変化の予測及び補正方法の詳細も、第1の実施形態で説明した方法と同様とすれば良い。上記の説明は、原版位置決め機構RPから投影光学系POに伝わる熱量に基づいて投影光学系POの光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて該光学特性の変化による基板Wに形成される像の状態の変化を低減する処理である。これと同様に、基板位置決め機構WPから投影光学系POに伝わる熱量に基づいて投影光学系POの光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて該光学特性の変化による基板Wに形成される像の状態の変化を低減することもできる。また、これらの両者を併用してもよい。即ち、原版位置決め機構および基板位置決め機構の少なくとも一方から投影光学系に伝わる熱量に基づいて投影光学系の光学特性の変化を予測し、その予測に基づいて該光学特性の変化による基板に形成される像の状態の変化を低減する処理を実行しうる。本実施形態において、変化の予測、補正を行う投影光学系POの光学特性も、倍率誤差に限られることはなく、フォーカス誤差、像面湾曲、非点収差、球面収差、コマ収差のいずれであっても構わない。つぎに、本発明の一実施形態のデバイス半導体デバイス、液晶表示デバイス等の製造方法について説明する。半導体デバイスは、基板に集積回路を作る前工程と、前工程で作られた基板上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、本発明の第1実施形態乃至第3実施形態にて説明済みの露光装置を使用して感光剤が塗布された基板を露光する工程と、基板を現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディングと、パッケージング工程封入を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。