"被検体を撮像する際に撮像波長領域を互いに異なる4以上に分割された波長バンドで撮像するマルチバンドカメラにおいて、光学系の瞳の位置に配置され、前記4以上に分割された波長バンドをそれぞれ透過させる4以上の光学フィルタを有するバンドパスフィルタと、正のマイクロレンズが二次元状に配列されたマイクロレンズアレイと、前記マイクロレンズアレイの焦点付近かつ前記バンドパスフィルタと共役位置もしくは共役位置近傍に配置され、前記バンドパスフィルタを透過し前記マイクロレンズアレイにより導かれた光束が入射する二次元状に配列された複数の画素からなる光電変換素子と、前記光学フィルタに対応する前記画素からの信号出力に基づいて、前記被検体からの前記光束の分光強度を測定する測定部と、を備え、前記マイクロレンズアレイの前記マイクロレンズ間の所定方向のピッチをPlとし、前記光電変換素子の前記画素の前記所定方向のピッチをPsとし、1つの前記マイクロレンズに対応する前記所定方向の前記画素の数をnとし、前記画素の所定方向の有効寸法をuとし、前記二次元状に配列された複数の画素上に形成される前記バンドパスフィルタの実像の所定方向の寸法をtとし、前記マイクロレンズが所定方向に配列される個数をNaとし、前記瞳に対応する射出瞳から前記マイクロレンズまでの距離をLとし、前記マイクロレンズの焦点距離をf≪Lとすると、下記の数式を満たすマルチバンドカメラ。前記被検体の実像が前記マイクロレンズ上に形成されることを特徴とする請求項1に記載のマルチバンドカメラ。前記画素は矩形形状で、前記バンドパスフィルタの各光学フィルタも矩形形状であり、前記各光学フィルタは光を遮る遮光領域がなく隣り合うように並べて配置される請求項1又は請求項2に記載のマルチバンドカメラ。前記画素は矩形形状で、前記バンドパスフィルタの各光学フィルタも矩形形状であり、前記バンドパスフィルタは、前記フィルタの隣り合う同士の間に光を遮る遮光領域を介して並べて配置される請求項1又は請求項2に記載のマルチバンドカメラ。前記光電変換素子は、前記画素の隣り合う同士の間に光束が入射しても電気信号を出力しない不感帯を有している請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のマルチバンドカメラ。前記マイクロレンズ1個に対応する前記光電変換素子の画素数を、前記光学フィルタの数の整数倍とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のマルチバンドカメラ。前記光学系は前記被検体の第1実像を形成する撮像光学系又は前記撮像光学系の前記第1実像から第2実像を形成するリレー光学系を含む請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のマルチバンドカメラ。前記バンドパスフィルタが前記リレー光学系に配置されている請求項7に記載のマルチバンドカメラ。前記マイクロレンズアレイと前記光電変換素子との間には、下記の数式を満たす厚さTのスペーサが配置されている請求項1から請求項8に記載のマルチバンドカメラ。前記光電変換素子からの信号出力に基づいて、前記被検体を表示する表示部を備える請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のマルチバンドカメラ。前記被検体と前記光電変換素子とを結ぶ光軸上に配置される一対の偏光子を備え、前記一対の偏光子中、少なくとも1枚の偏光子が前記光軸の周りを相対的に回転可能である請求項1から請求項10のいずれか一項に記載のマルチバンドカメラ。前記光学系を構成するレンズのうち、前記瞳よりも前記被写体側の前記レンズのみを前記被検体と前記光電変換素子とを結ぶ光軸方向に移動させることにより、前記被検体の実像が前記マイクロレンズ上に結像するように調整される請求項1から請求項11のいずれか一項に記載のマルチバンドカメラ。光学系の瞳の位置に配置された4以上に分割された波長バンドに対応する光学フィルタを有するバンドパスフィルタと、前記バンドパスフィルタを透過した光束を導くマイクロレンズアレイとを介して、被検体を二次元に配列された画素からなる光電変換素子で撮像するマルチバンド画像撮像方法であって、下記の数式を満たした前記マイクロレンズを有する前記マイクロレンズアレイを用意する用意工程と、前記光電変換素子の各前記画素に対して感度の校正を行う感度校正工程と、前記バンドパスフィルタと前記マイクロレンズアレイとを介して、前記被検体を前記光電変換素子で撮像する撮像工程と、前記撮像工程で撮像された信号出力に基づいて、前記分割された波長バンド毎の分光強度を測定する測定工程と、を備えるマルチバンド画像撮像方法。ここで、Plは前記マイクロレンズアレイの前記マイクロレンズ間の所定方向のピッチを示し、Psは前記光電変換素子の前記画素の前記所定方向のピッチを示し、nは1つの前記マイクロレンズに対応する前記所定方向の前記画素の数を示し、uは前記画素の所定方向の有効寸法を示し、tは前記二次元状に配列された複数の画素上に形成される前記バンドパスフィルタの実像の所定方向の寸法を示し、Naは前記マイクロレンズが所定方向に配列される個数を示し、Lは前記瞳に対応する射出瞳から前記マイクロレンズまでの距離を示し、fは前記マイクロレンズの焦点距離を示している。前記用意工程後、及び前記感度校正工程前に、前記所定方向に前記マイクロレンズアレイの真ん中に位置したマイクロレンズに入射した平行光により前記光電変換素子上に形成されたスポットが、前記所定方向に前記マイクロレンズアレイの真ん中に位置したマイクロレンズに対応する前記光電変換素子の複数の画素の前記所定方向における真ん中に位置するように、前記マイクロレンズアレイと前記光電変換素子との前記光電変換素子面内での位置合わせを行う位置合わせ工程を備える請求項13に記載のマルチバンド画像撮像方法。前記撮像工程で撮像された信号出力に基づいて、表示部に前記被検体の像、又は像の各部位のスペクトルを表示する表示工程を備える請求項13又は請求項14に記載のマルチバンド画像撮像方法。しかし、特許文献1の第2実施例ではカラーフィルタアレイがディテクタアレイの直前ではなく対物レンズの近傍に配置されたマルチバンドカメラは、カラーフィルタアレイを光学系と合わせることが困難であると記載している。本発明はバンドパスフィルタが撮像光学系内部に配置された場合にも実施可能であるマルチバンドカメラ及びマルチバンド画像撮像方法を提供することを目的とする。第1観点のマルチバンドカメラは、被検体を撮像する際に撮像波長領域を互いに異なる4以上に分割された波長バンドで撮像する。また、マルチバンドカメラは、光学系の瞳の位置に配置され4以上に分割された波長バンドをそれぞれ透過させる4以上の光学フィルタを有するバンドパスフィルタと、正のマイクロレンズが二次元状に配列されたマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイの焦点付近かつバンドパスフィルタと共役位置もしくは共役位置近傍に配置されバンドパスフィルタを透過しマイクロレンズアレイにより導かれた光束が入射する二次元状に配列された複数の画素からなる光電変換素子と、光学フィルタに対応する画素からの信号出力に基づいて被検体からの光束の分光強度を測定する測定部と、を備える。ここで、マイクロレンズアレイのマイクロレンズ間の所定方向のピッチをPlとし、光電変換素子の画素の所定方向のピッチをPsとし、1つのマイクロレンズに対応する所定方向の画素の数をnとし、画素の所定方向の有効寸法をuとし、二次元状に配列された複数の画素上に形成されるバンドパスフィルタの実像の所定方向の寸法をtとし、マイクロレンズが所定方向に配列される個数をNaとし、射出瞳からマイクロレンズまでの距離をLとし、マイクロレンズの焦点距離をf≪Lとすると、下記の数式を満たす。第2観点のマルチバンド画像撮像方法は、光学系の瞳の位置に配置された4以上に分割された波長バンドに対応する光学フィルタを有するバンドパスフィルタと、バンドパスフィルタを透過した光束を導くマイクロレンズアレイとを介して、被検体を二次元に配列された画素からなる光電変換素子で撮像する。マルチバンド画像撮像方法は、下記の数式を満たしたマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイを用意する用意工程と、光電変換素子の各画素に対して感度の校正を行う感度校正工程と、バンドパスフィルタとマイクロレンズアレイとを介して被検体を光電変換素子で撮像する撮像工程と、撮像工程で撮像された信号出力に基づいて分割された波長バンド毎の分光強度を測定する測定工程と、を備える。ここで、Plはマイクロレンズアレイのマイクロレンズ間の所定方向のピッチを示し、Psは光電変換素子の画素の所定方向のピッチを示し、nは1つのマイクロレンズに対応する所定方向の画素の数を示し、uは画素の所定方向の有効寸法を示し、tは二次元状に配列された複数の画素上に形成されるバンドパスフィルタの実像の所定方向の寸法を示し、Naはマイクロレンズが所定方向に配列される個数を示し、Lは射出瞳からマイクロレンズまでの距離を示し、fはマイクロレンズの焦点距離を示している。本発明は、一回の撮像でマルチバンドの二次元分光画像が得られるマルチバンドカメラ及びマルチバンド画像撮像方法である。第1実施形態<撮像部50の構成>撮像部50の構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。第1実施形態において、光軸Axの方向をZ軸方向とし、そのZ軸方向に垂直な平面をXY平面として説明する。また、以降の変形例及び第2実施形態でも同じ座標系が用いられる。図1は、第1実施形態の撮像部50の概略図である。なお、理解を助けるために図1に被写体11が描かれているが撮像部50に付属されたものではない。図1に示されたように、撮像部50は、光軸Axに沿って配置された2つのレンズ12とレンズ14とから構成された撮像光学系10を備える。ここで、撮像光学系10の焦点距離は例えばカメラレンズの場合5mm~数100mm程度で、レンズ12、14は複数のレンズからなるレンズ群である。また、レンズ12とレンズ14との間における瞳の位置にバンドパスフィルタ部13が配置されている。これにより、被写体11側のレンズ12のみを光軸Axに沿って動かすことで、撮像光学系10の焦点の調整が可能である。すなわち、被検体11の実像が後述のマイクロレンズアレイ15上に結像するように調整される。この時、レンズ14は動かさないので、バンドパスフィルタ部13、レンズ14、マイクロレンズアレイ15の相対関係は全く変化しない。撮像部50は、撮像光学系10のZ側、且つ被写体11の共役位置に配置されたマイクロレンズアレイ15を備える。マイクロレンズアレイ15はXY平面に数万~数百万個の正のマイクロレンズMLから構成されている。各マイクロレンズMLは例えば円形、四角形又は六角形で、その焦点距離は数十~数百μm程度である。また、撮像部50は、マイクロレンズアレイ15のZ側、且つバンドパスフィルタ部13の共役位置又はその近傍に光電変換素子17を備える。光電変換素子17はXY平面に配置された数十万~数千万個の画素16から構成されている。光電変換素子17は、例えば二次元CCDChargeCoupledDeviceイメージセンサ、または二次元CMOSイメージセンサである。また、例えば各画素16はバンドパスフィルタ132a~132iと相似形の形状である。図2はバンドパスフィルタ部13のZ軸方向からみた平面図である。図2に示されたように、円形のバンドパスフィルタ部13は、中央に配置された矩形のバンドパスフィルタアレイ132と、その周囲の遮光部131とを有している。バンドパスフィルタアレイ132は、3×3形状に配置された9個の矩形のバンドパスフィルタ132a~132iから構成されている。バンドパスフィルタ132aは例えば波長領域が390nm~430nmの光を透過し、バンドパスフィルタ132bは波長領域が430nm~470nmの光を透過する。同様にバンドパスフィルタ132cは470nm~510nmの光、バンドパスフィルタ132dは510nm~550nmの光、バンドパスフィルタ132eは550nm~590nmの光、バンドパスフィルタ132fは590nm~630nmの光、バンドパスフィルタ132gは630nm~670nmの光、バンドパスフィルタ132hは670nm~710nmの光を透過する。バンドパスフィルタ132iは波長領域が710nm~750nmの光を透過することとなる。すなわち、全体のバンドパスフィルタアレイ132は波長領域が390nm~750nmの光を9バンドに分けて透過することができる。遮光部131は、例えばクロムメッキされ、被写体11図1を参照からの光を遮光する。これにより、被写体11図1を参照からのバンドパスフィルタアレイ132を透過せずに光電変換素子17図1を参照に入射する光を遮光することができる。本明細書では、バンドパスフィルタアレイ132は3×3形状に配置された9個のバンドパスフィルタから構成されているが、これに限らず、例えば2×2形状に配置された4個のバンドパスフィルタ又は4×4形状に配置された16個のバンドパスフィルタで構成されてもよい。また、バンドパスフィルタアレイ132の波長領域は可視光領域390nm~750nmに限られず、紫外線領域又は赤外線領域を含めてもよい。図3aは第1実施形態のマイクロレンズアレイ15の一部を示した平面図で、bはそのA-A断面図である。図3aに示されたように、マイクロレンズアレイ15は複数の円形のマイクロレンズMLがX軸及びY軸方向に沿って一直線に並んで構成されている。また、図3bに示されたように各マイクロレンズMLはその光の入射側が平面上となって所定の幅を有し、光の射出側が円弧に形成されている。ここで、被写体11の結像面IRはマイクロレンズML上に形成されている。さらに、後述の図1に示されたように、撮像部50はマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との間に配置され、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とのZ方向の距離を決める一対のスペーサSCを備えている。スペーサSCについては後述の図9で詳しく説明する。<撮像部50内の光路>撮像部50内の光路について、図1、図4及び図5に示された被写体11上のある一点Pからの光束L1、L2を一例として説明する。ここで、理解を助けるために光束L1、L2の主光線のみを描いて説明する。図1に示されるように、被写体11の一点Pからの光束L1、L2は、撮像光学系10のレンズ12で屈折されてバンドパスフィルタ部13に入射する。例えば、光束L1がバンドパスフィルタ部13のバンドパスフィルタ132b図2を参照を透過し、光束L2がバンドパスフィルタ部13のバンドパスフィルタ132h図2を参照を透過する。すなわち、光束L1に含まれた波長領域が430nm~470nmの光のみがバンドパスフィルタ部13を透過する。同様に、光束L2に含まれた波長領域が670nm~710nmの光のみがバンドパスフィルタ部13を透過する。バンドパスフィルタ部13を透過した光束L1、L2は、撮像光学系10のレンズ14で屈折されてマイクロレンズアレイ15に入射する。ここで、マイクロレンズアレイ15が被写体11と共役位置に配置されているので、被写体11の実像がマイクロレンズアレイ15に結像される。なお、被写体11側のレンズ12のみを光軸Axに沿って動かすことで、撮像光学系10の焦点の調整が可能である。このため、同じ一点Pからの光束L1と光束L2とはマイクロレンズアレイ15の同一のマイクロレンズML1図4を参照に入射する。また、図4はバンドパスフィルタ部13のバンドパスフィルタアレイ132と、マイクロレンズアレイ15と、光電変換素子17の画素16との関係を示した説明図である。図5は図4中の破線Aで囲まれた部分を拡大した図である。図4及び図5に示されたように、光電変換素子17の画素16はバンドパスフィルタと共役位置もしくは共役位置近傍に配置されている。ここで、マイクロレンズML1の焦点距離はレンズ14の焦点距離よりも桁違いに短いので、バンドパスフィルタ132b、132hと共役な位置はマイクロレンズML1の焦点近傍である。さらに、マイクロレンズMLの焦点面、若しくはその近傍に光電変換素子17の画素16が配置されているので、実像132b’、132h’は光電変換素子17の画素16の上に形成されることになる。図5に示されたように、光束L1と光束L2は、それぞれ異なる画素161と画素162との位置に集光する。但し、バンドパスフィルタアレイ132の大きさ又はマイクロレンズMLの倍率などによって、バンドパスフィルタ部13の実像は1画素のみに集光するとは限らず、複数の画素上に集光することもある。図6a、bは、マイクロレンズアレイ15側から見た画素16と、バンドパスフィルタアレイ132の実像132’との関係を説明する図である。図6aとbとの違いは、バンドパスフィルタアレイ132の大きさ、及び、レンズ14とマイクロレンズMLによる、実像132’の結像倍率により、実像132’が結像する画素16の領域が変わっている点である。図6aにおいて、実像132’は7×7の49個の画素16の領域に結像している。図6aに示されたように、例えば太線の矩形に示された実像132b’は画素16a~16iを含んだ9つの画素3×3に結像されている。ここで、画素16eにはバンドパスフィルタ132bを透過した光束L1のみが結像している。一方、例えば画像16aには2つのバンドパスフィルタ132a、132bを透過した光束からなる実像132a’、実像132b’が結像している。また例えば画像16iには4つのバンドパスフィルタ132b、132c、132e、132fを透過した光束からなる実像132b’、実像132c’、実像132e’実像132f’が結像している。このため、被写体11の波長特性を求めるときには、例えばバンドパスフィルタ132bを透過した光束L1のみが入射した画素16eでバンドパスフィルタ132bを透過した光束L1の特性を求める。同様に、ほかの8つのバンドパスフィルタの実像132a’、132c’~132i’においても、9つの画素3×3の真ん中の画素16を用いて光束の波長特性を求める。図6bにおいて、実像132’は6×6の36個の画素16の領域に結像している。図6bに示されたようにバンドパスフィルタ132bの実像132b’は画素16p~16sを含んだ4つの画素に結像される。このとき、例えばバンドパスフィルタ132bを透過した光束L1の特性を求める際には、4つの画素16p~16sのいずれか一つを用いてもよく、すべての出力を合算してもよい。同様に、ほかの8つのバンドパスフィルタの実像132a’、132c’~132i’も4つの画素16の領域に結像される。このため、各光束の波長特性を求めるときには、それぞれの画素16を用いる。<マイクロレンズMLと画素16とのピッチ関係>バンドパスフィルタアレイ132を透過した光束が効率的に活用されるためには、図6bに示すように、光電変換素子17の画素16と、その上に形成されるバンドパスフィルタ132a~132iの像が正しく合致する方が好ましい。このため、マイクロレンズアレイ13と光電変換素子17とのXY方向の位置を合わせるだけでなく、両者のピッチを相対的に補正する。このようなピッチ関係について、図7を参照しながら説明する。図7は、マイクロレンズアレイ15のマイクロレンズMLと光電変換素子17の画素16とのピッチ関係を説明するための図である。図7において、Ylは光軸Ax中心からマイクロレンズMLの中心までの距離である。次に、バンドパスフィルタアレイ132の射出瞳位置に見る虚像132’’の光軸Ax上の点から射出する光束LLを考える。この時、Ysは光軸Axから、光束LLがマイクロレンズMLの中心を透過して到達する光電変換素子17の画素16上の点までの距離である。また、Lはバンドパスフィルタアレイの虚像132’’撮像光学系10の射出瞳からマイクロレンズアレイ15までの距離である。Tはマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との距離で、fはマイクロレンズMLの焦点距離である。また図7に示されたように、像側が非テレセントリックな光学系になっている。なお、像側が非テレセントリックであるため、バンドパスフィルタアレイ132を透過し、マイクロレンズML中心を透過する光束LLは外側へ広がりながら光電変換素子17の画素16上に到達する。ここで、結像の基本公式より以下の数式1が得られる。...1数式1をTについて解くと、数式2の左式が得られる。...2数式2において、f≪Lであるので、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との距離TはマイクロレンズMLの焦点距離fとほぼ同じとなり、数式2の右式に示されたとおりである。つまり、バンドパスフィルタアレイ132の実像はマイクロレンズアレイ15からほぼ焦点距離fの位置に形成されている。また、図7に示された幾何関係により、YlとYsとは数式3を満たしている。...3数式2の左式を数式3に代入すると、数式4が得られる。...4数式4の関係はマイクロレンズアレイ15の全てのマイクロレンズMLに対して成立するので、以下の数式5が得られる。...5数式5において、Plはマイクロレンズアレイ15のマイクロレンズピッチで、Psは光電変換素子17の画素ピッチで、nは1つのマイクロレンズMLに対応する一次元方向X或いはY軸方向の画素16の数である。つまり、マイクロレンズピッチPlと画素ピッチPsとは数式5を満たす必要がある。上述のように、像側が非テレセントリックな光学系の場合、マイクロレンズアレイ15のマイクロレンズピッチPlをやや小さ目に設計するほうが好ましい。一方、像側がテレセントリックな光学系の場合はL→∞と考えれば良く、数式5から以下の数式6が得られる。...6数式6から分かるように、マイクロレンズアレイ15のマイクロレンズピッチPlは、以下の数式7を満たすように設計するほうが望ましい。Pl=nPs...7上述のように、マイクロレンズアレイ15のマイクロレンズMLと光変換素子17の画素16のピッチ関係について説明した。しかし、実際のピッチ合わせでは、誤差が生じることがある。以下、マイクロレンズMLと画素16とのピッチ合わせに誤差が生じた場合でも、分光特性の測定に影響を与えない方法について、図8a~cを参照しながら説明する。図8aはマイクロレンズMLと画素16、またその上に形成される各バンドパスフィルタの実像との位置関係を示す。なお、ここでは、1つのバンドパスフィルタの実像132y’に、2つの画素163,164が対応する場合を例にしている。図8bはマイクロレンズMLと画素16とのピッチ合わせが正しく行われた場合を示す。図8cはマイクロレンズMLと画素16とのピッチ合わせにずれが生じた場合を示す。マイクロレンズMLと画素16とのピッチ合わせが正しく行われると、図8bに示すように、バンドパスフィルタの実像132y’が、2つの画素163,164上の正規の位置に形成される。しかし、マイクロレンズMLと画素16とのピッチ合わせにずれが生じると、図8cに示すように、バンドパスフィルタの実像132y’が、隣接する画素165に被ることになる。このようになると、各バンドパスフィルタ間での干渉が生じて、分光特性が正しく測定できないおそれがある。このような状況に対応するため、予めずれを考慮して、マイクロレンズアレイ15のマイクロレンズMLと光変換素子17の画素16とのピッチ合わせをする必要がある。図8bに示すように、バンドパスフィルタの実像132y’から隣接する画素165までの所定方向の距離をσとし、光変換素子17の画素16の所定方向のピッチをPsとし、画素16の所定方向の有効寸法をuとし、バンドパスフィルタが二次元状に配列された複数の画素163,164上に形成する実像132y’の所定方向の寸法をtとしたとき、以下の式8が得られる。...8マイクロレンズML間の所定方向のピッチPlが誤差を有する場合、最外周部ほど累積値が大きくなる。このため、ピッチPlに許容される誤差は、マイクロレンズMLが所定方向に配列される個数をNaとしたとき、σをNa2で割る必要があり、Naとなる。さらに、このピッチPlの誤差は、±で考える必要がある。その結果、マイクロレンズML間の所定方向のピッチPlは、以下の数式9を満たすように設計されることが望ましい。...9数式9を満足すれば、マイクロレンズアレイ15のマイクロレンズMLと光変換素子17の画素16とのピッチ合わせにずれが生じた場合でも、そのずれが分光特性の測定に影響を与えることがない。<マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とのXY方向の位置合わせ>以下、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とのXY方向の位置合わせについて、図9~図11を参照しながら説明する。図9は、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とを拡大して示した図である。図10aは、1つのマイクロレンズMLに対するY軸方向の画素16が奇数個の場合におけるマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との位置合わせを示している。図10bは、1つのマイクロレンズMLに対するY軸方向の画素16が偶数個の場合におけるマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との位置合わせを示している。図11は、光電変換素子17の画素16の面内回転調整を示している。図9に示されたように、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との間にはマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との距離を決めるスペーサSCが配置されている。マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との距離T、すなわちスペーサSCの厚さは数式2で得られる値とする。また、Y軸方向の位置決めを一例として説明する場合では、マイクロレンズアレイ15に対して垂直、且つY軸方向の中心部に平行な光PLを照射する。このとき、光電変換素子17の画素と光電変換素子17の画素上に形成されるスポットSPとの関係を図10にしている。図10aに示されたように、例えば中心のマイクロレンズMLに対するY軸方向の画素が奇数個26a~26cである場合では、奇数個の中心部の画素26bの出力が最大になるようにマイクロレンズアレイ15に対して光電変換素子17を相対的に移動させて位置決めが行われる。すなわち、スポットSPが画素26bに位置するように位置決めを行う。図10bに示されたように、例えば中心のマイクロレンズMLに対するY軸方向の画素が偶数個36a~36d又は36e~36hである場合では、偶数個の中心の一つ上の画素36bと一つ下の画素36cと、又は画素36fと画素36gとの出力が吊り合うようにマイクロレンズアレイ15に対して光電変換素子17を相対的に移動させて位置決めが行われる。すなわち、スポットSPが画素36bと画素36cとの間、又は画素36fと画素36gとの間に位置するように位置決めを行う。以上マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とのY軸方向の位置決めに関して説明してきたが、同様に、X軸方向に対しても位置決めが行われる。また、図9では1つのマイクロレンズMLにマイクロレンズMLの径と同等な光PLを照射する場合を一例として説明したが、複数のマイクロレンズMLに大きな径を有する光PLを照射してもよい。この場合では、光電変換素子17の中心にある画素16から得られる信号のみを検出すればよい。<マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との回転調整>マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との回転調整位置決めについて、図11を参照しながら説明する。ここで、回転調整は図9及び図10で説明されたXY方向の位置合わせも含めて同時に行うことにする。図11の点線に示されたように、例えばマイクロレンズアレイ15が9×9個の81個のマイクロレンズMLで構成されている。なお、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との回転調整を行うために、マイクロレンズアレイ15の3つのマイクロレンズMLに図9に示されたような平行な光PLを照射する。例えば、マイクロレンズアレイ15のX軸方向の中心線に位置したマイクロレンズML51、並びマイクロレンズアレイ15のY軸方向の中心線に位置したマイクロレンズML15及びML95が選ばれる。また、マイクロレンズML51に対応するスポットをSxとし、マイクロレンズML15に対応するスポットをSy1とし、マイクロレンズML95に対応するスポットをSy2とする。マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との回転調整を行うとき、スポットSxが光電変換素子17のX軸方向の中心線Wxに、スポットSy1及びSy2が光電変換素子17のY軸方向の中心線Wyに位置するように、光電変換素子17の位置を調整する。これにより、マイクロレンズアレイ15のXY方向の中心線と光電変換素子17のXY方向の中心線とが重ねる。すなわち、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との回転調整、およびXY方向の位置合わせが同時に行われる。ここで、スポットSy1及びSy2で光電変換素子17のY軸方向の中心線Wyの位置を決定するので、スポットSy1とSy2とが互いに大きく離れている方が回転調整の精度は向上する。また、図11では、X軸方向の位置決めを1箇所で行いY軸方向の位置決めを2箇所で行ったが、X軸方向の位置決めを2箇所で行いY軸方向の位置決めを1箇所で行っても同様である。<マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との位置合わせ誤差の影響低減>上述のように、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とに関してピッチ合わせ、XY方向の位置合わせ、及び回転調整について説明した。しかし、実際のピッチ合わせXY方向の位置合わせでは誤差が生じことがある。以下、XY方向の位置合わせに誤差が生じた場合の誤差の影響低減について、図12及び図13を参照しながら説明する。図12はバンドパスフィルタアレイ132の実像132’の位置ずれを示している。図13aは遮光帯233を有するバンドパスフィルタアレイ232の平面図で、bは不感帯47を有する光電変換素子の画素46の平面図である。マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とのピッチ合わせ、XY方向の位置合わせ、及び回転調整が正しく行われると、図12に示された太線の位置にバンドパスフィルタアレイ132の実像132’が形成される。ここで、実像132’は図6bに示されたように各バンドパスフィルタの実像はちょうど4つの画素16に結像される。しかし、実際にXY方向の位置合わせに誤差が生じると、点線に示されたようにバンドパスフィルタアレイ132の実像が正規の位置からずれて像132z’が形成される。したがって、バンドパスフィルタ132a~132i図2を参照同士の干渉が生じて分光特性が正しく測定できない可能性がある。また、マイクロレンズMLの結像性能が悪い場合には、バンドパスフィルタアレイ132の実像132’がボケることにより広がってしまう場合もある。したがって、バンドパスフィルタ132a~132i図2を参照同士の干渉が生じて分光特性が正しく測定できない。このような状況に対応して、バンドパスフィルタ132a~132iの実像同士に隙間を持たせることが望ましい。このためには、図13aに示されたようにバンドパスフィルタ132a~132i同士の間に光を遮る遮光帯233を形成することが好ましい。このような構成によれば、バンドパスフィルタ132a~132i同士の間から光が漏れて分光特性の測定に影響を与えることも防止できる。このような状況に対応して、図13bに示されたように光電変換素子17の各画素46同士の間に光が入射しても電気信号を出力しない不感帯47を形成することが好ましい。このような構成によれば、バンドパスフィルタアレイ132の実像132’がボケてもそのボケた部分図では太線に示すが不感帯47に位置して分光特性の測定に影響を与えない。以上、XY方向の位置合わせに誤差が生じた場合の誤差の低減について説明したが、ピッチ合わせに関して誤差が生じた場合も、遮光帯又は不感体を設けるような方法で、誤差を低減できる。<マルチバンドカメラ100の全体構成>図14は、マルチバンドカメラ100の全体構成を示した概略図である。図14に示されたように、マルチバンドカメラ100は、撮像部50と、撮像部50からのデータの処理を行う中央演算処理装置CPUCentralProcessingUnit51とを備えている。なお、CPU51は、校正係数演算部511と、内部メモリ512と、分光測定部513と、画像生成部514とを有している。またマルチバンドカメラ100は、撮像部50により撮像された二次元分光画像を記憶する画像メモリ52と、その画像メモリ52に記録された二次元分光画像を表示する表示部となるディスプレイ53とをさらに備えている。マルチバンドカメラ100において、CPU51と画像メモリ52及びディスプレイ53とはバス55を介して接続されている。マルチバンドカメラ100により各波長領域の波長特性を測定するとき、バンドパスフィルタ部13及びマイクロレンズアレイ15の感度の校正を行うことが好ましい。この感度の校正は、校正係数演算部511により行われる。すなわち、校正係数演算部511は、基準被写体図示しないを撮像することで各波長領域に関する校正係数を求める。このとき、基準被写体として例えば分光反射率が明確な真っ白な紙と発光スペクトルが明確な白色光源が用いられる。内部メモリ512は、校正係数演算部511により求められた校正係数を記憶する。内部メモリ512はデータの読み書き可能なものであればよい。分光測定部513は、撮像部50により撮像された被写体11図1を参照の画像データと内部メモリ512に記録された校正係数とに基づいて、各波長領域の波長特性を求める。また分光測定部513で求められた波長特性に基づいて、図15に示されたように各波長領域の強度グラフを表示部となるディスプレイ53に表示する。図15は、マルチバンドカメラ100で撮像された被写体11図1を参照上の1点の分光強度グラフである。被写体11図1を参照上の点Pから出た光はバンドパスフィルタアレイ132の9個のバンドパスフィルタ132a~132iを通過する。分光強度グラフは、それらの波長特性の光の強度を示したグラフである。画像生成部514は、撮像部50により撮像された被写体11図1を参照の画像データに基づいて、被検体11を表示部となるディスプレイ53に表示する。ディスプレイ53がRGBの三原色の表示素子であり、バンドパスフィルタアレイ132が9個のバンドパスフィルタであるとする。この場合、画像生成部514は、実像132a’~132c’の画像出力をRに対応させ、実像132d’~132f’の画像出力をGに対応させ、実像132g’~132i’の画像出力をBに対応させたりする。<マルチバンドカメラ100によるマルチバンド画像撮像方法>マルチバンドカメラ100によるマルチバンド画像撮像方法について、図16を参照しながら説明する。図16は、マルチバンドカメラ100によるマルチバンド画像撮像方法を示したフローチャートである。ステップS11では、数式5を満たしているマイクロレンズMLを含んだマイクロレンズアレイ15が用意される。ステップS12では、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との位置合わせが行われる。ステップS12については、図9~図11及び図17を参照しながら説明する。図17は、マイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との位置合わせステップS13を説明したフローチャートである。図17に示されたステップT121において、図9に示されたように、マイクロレンズアレイ15に対して垂直、且つほぼ平行光束である光PLが入射する。すると、図10に示されたように中心のマイクロレンズに対応する光電変換素子17の画素にはスポットSPが形成される。ステップT122において、ステップS11で求められたマイクロレンズMLと光電変換素子17の画素16とのピッチ関係に基づいて、中心のマイクロレンズに対応するY軸又はX軸方向の画素の数が奇数個である場合にステップT123に進む。また、中心のマイクロレンズに対応するY軸方向の画素の数が偶数個である場合にステップT124に進む。ステップT123において、中心のマイクロレンズに対応する例えばY軸又はX軸方向の画素の数が奇数個のとき、スポットSPが真ん中の画素に形成するようにマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とが調整される図10aを参照。同時に、Y軸方向の中心位置Sy1、Sy2、及びX軸方向の中心位置Sxで位置ずれを検出することでマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とのX軸方向、Y軸方向、回転の調整が行われる図11を参照。ステップT124において、中心のマイクロレンズに対応する例えばY軸又はX軸方向の画素の数が偶数個のとき、スポットSPが真ん中の2つの画素の間に形成するようにマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とが調整される図10bを参照。同時に、Y軸方向の中心位置Sy1、Sy2、及びX軸方向の中心位置Sxで位置ずれを検出することでマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17とのX軸方向、Y軸方向、回転の調整が行われる図11を参照。ステップT123及びT124では、X軸方向の位置決めを1箇所で行いY軸方向の位置決めを2箇所で行ったが、X軸方向の位置決めを2箇所で行いY軸方向の位置決めを1箇所で行っても同様である。図16のフローチャートに戻り、ステップS13では、光電変換素子17の各画素16に対して感度の校正が行われる。ステップS13については、図18~図21を参照しながら説明する。図18は、光電変換素子17の各画素16に対して行われる感度の校正ステップS13を説明したフローチャートである。図19は校正係数を求める前の準備工程の説明図で、図20は校正係数を求める説明図で、図21は各画素16と校正用バンドパスフィルタBPFj1~αの出力との関係を示したグラフである。図18に示されたステップT131において、図19に示されたように完全拡散板DP、校正用バンドパスフィルタBPFj及びパワーメータPMが配置される。ここで、図16のステップS12で説明されたようにマイクロレンズアレイ15と光電変換素子17との位置合わせ後に、各画素16に対して感度の校正を行う。理想的には、各バンドパスフィルタの分光透過率や、マイクロレンズアレイの特性、光電変換素子の分光感度等が既知であれば計算により校正できる。しかし、種々の誤差が含まれてしまうため、実験的に校正係数を求めることが望ましい。また、実験的に校正係数を求めるためには、全てのバンドパスフィルタの波長域のスペクトルを含み、撮像光学系10の視野角内で均一な光を照射できる光源が好ましい。そこで、図19及び後述の図20では光源として太陽光SLが用いられている。さらに、校正用バンドパスフィルタBPFjj=1~α、αはバンドパスフィルタアレイのバンドパスフィルタ数は、バンドパスフィルタアレイ132内の一つのバンドパスフィルタの特性に等しい分光透過率特性を有している。また、完全拡散板DPと校正用バンドパスフィルタBPFjとの距離は、完全拡散板DPから撮像光学系10のピントが合う範囲内とする図20を参照。ステップT132において、校正用バンドパスフィルタBPFjの後側に配置されたパワーメータPMは、完全拡散板DPに反射され校正用バンドパスフィルタBPFjを透過した太陽光SLの単位面積当たりの光量Ij1~αを記録する。ステップT133において、校正用バンドパスフィルタBPFjが交換される。α枚の校正用バンドパスフィルタBPFj中にステップT132で使われなかった校正用バンドパスフィルタBPFjを交換する。ステップT134において、ステップT132及びT133を繰り返しながら各校正用バンドパスフィルタBPFjに対して光量Ij1~αを測定して記録する。ステップT135において、図20に示されたように、撮像部50がパワーメータPMの位置に位置するようにマルチバンドカメラ100が設置される。図20では説明を助けるために、撮像部50及びCPU51のみが描かれている。ステップT136において、マルチバンドカメラ100はそのピントを完全拡散板DPに合わせて撮像する。ステップT137において、光電変換素子17の各画素16に対して出力が読み出される。ステップT138において、校正用バンドパスフィルタBPFjに対して閾値を越す出力が抽出される。なお、図21に示されたように校正用バンドパスフィルタBPFjに対応する画素16からの出力EX2とそれ以外の画素16からの出力EX1とは大きな差が生じるので、閾値は低い値に設定することが好ましい。その後、校正用バンドパスフィルタBPFjに対応する画素16からの出力値EX2がCPU51に記録される。ステップT139において、ステップT138で抽出された校正用バンドパスフィルタBPFjに対応する画素16の出力値EX2をステップT134で記録された光量Ijで除算して各画素に対する校正係数Rjkk=1~βが求められる。なお、βは校正用バンドパスフィルタBPFjに対応する画素16の数を示し、マイクロレンズMLの数に等しいか又はその整数倍である。ステップT140において、ステップT133で説明されたように、校正用バンドパスフィルタBPFjを交換しながらステップT137及びT139を繰り返す。これにより、全ての校正係数Rjkが求められる。図19及び図20において各画素16の感度の校正には照明光として太陽光SLを使用しているが、ランプの光を照射してもよい。但し、ランプを使用する場合は、拡散板上で光量ムラが生じやすいので、予め光量ムラを別途測定して、その校正を行うことが望ましい。しかし、各画素間の感度が揃っていることが確認されていれば、簡易的には、ある一つのバンドパスフィルタに対する出力を基準として、他のバンドパスフィルタに対する出力の相対的な感度比のみを補正値として使用してもよい。再び図16のフローチャートに戻り、ステップS14では、ステップS13で求められた各バンドパスフィルタ132a~132iを透過する各波長領域の画素16に対する校正係数が内部メモリ512に記憶される。一度校正係数を取得すれば、その後ステップS11~S14の各工程を必ずしも行う必要はない。ステップS15では、操作者はレリーズボタン不図示を押して、被写体11図1を参照を撮像する。光電変換素子17から被写体11の画像データが画像メモリ52に送られる。ステップS16では、ステップS15で求められた被写体11の画像データが画像メモリ52に記憶される。ステップS17では、ステップS13で求められた校正係数及びステップS16で記憶された被写体11の画像データに基づいて、分光測定部513は各バンドパスフィルタ132a~132iを透過する各波長領域の光束の波長特性を求める。図6aに示された場合には、各バンドパスフィルタ132a~132iの実像132a’~132i’のそれぞれが結像する9個3×3の画素16の中から、1つのバンドパスフィルタのみの実像が結像している画素16を用いて各波長領域の光束の波長特性が求められる。一方、図6bに示された場合には、各バンドパスフィルタ132a~132iの実像132a’~132i’のそれぞれが結像する4つの画素16中の少なくとも一つの画素16を用いて各波長領域の光束の波長特性が求められる。ステップS18では、画像生成部514によりステップS17求められた波長特性がグラフの形でディスプレイ53に表示される図15を参照。ステップS19では、画像メモリ52に記憶された被写体11の画像データに基づいて、画像生成部514は、被写体11の全体画像をディスプレイ53に表示する。なお、ステップS17及びS18とステップS19とは並行に行われてもよい。第1実施形態の変形例<撮像部50’の構成>図22は第1実施形態の変形例である撮像部50’の概略図で、図23は光量調整部21の構成を示した斜視図で、図24は光量調整部21の特性を示したグラフである。上述したように、バンドパスフィルタ部13は撮像光学系10の瞳の位置に配置されている。このため、絞り羽根からなる絞りを瞳の位置に配置することが困難である。そこで、偏光子からなる光量調整部21を配置している。図22に示されたように、撮像部50’は第1実施形態で説明された撮像部50に光量調整部21が付加されている。本実施形態では光量調整部21はその軸を光軸Axに合わせるように撮像光学系10のレンズ12とバンドパスフィルタ部13との間に配置されている。しかし、光量調整部21は被検体11から光電変換素子17までの間であればどこに配置されてもよい。図23に示されたように、光量調整部21は一対の偏光子21a及び21bから構成されている。なお、偏光子21bは偏光子21aに対して相対的に矢印Arに沿って回転することができる。このため、偏光子21aに入射された入射光Liは偏光子21bの回転により偏光子21bを射出する射出光Loとなる。これにより、射出光Loの光量は図24に示された正弦波状に変化される。第1実施形態の変形例では、偏光子21bが偏光子21aに対して相対的に回転した。しかし、逆に偏光子21aが偏光子21bに対して回転しても同じ効果が得られ、偏光子21aと偏光子21bとが相対的に回転すれば良い。またこの偏光子には、波長依存性や角度依存性の少ない偏光特性を有するワイヤグリッドを用いることが好ましい。第2実施形態<撮像部60の構成>図25は、第2実施形態の撮像部60の概略図である。図25において第1実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して説明する。図25に示された撮像部60は光軸Axに配置されたレンズ12及びレンズ14から構成された撮像光学系10と、リレーレンズ31a及びリレーレンズ31bから構成されたリレー光学系31とを備える。リレー光学系31のリレーレンズ31aとリレーレンズ31bとの間の瞳の位置には、バンドパスフィルタ部13図2を参照が配置されている。また、被写体11の共役位置には複数のマイクロレンズMLから構成されたマイクロレンズアレイ15が配置されている。さらに、マイクロレンズアレイ15のZ側、且つバンドパスフィルタ部13の共役位置に複数の画素16から構成された光電変換素子17を備える。このような構成にすると、バンドパスフィルタ部13がリレー光学系31の中に配置されている。このため、倍率の異なる他の撮像光学系10に交換できる。これにより、マルチバンドカメラ100の撮像倍率を調整することができる。第2実施形態においても、第1実施形態の変形例で説明されたように、撮像部60に一対の偏光子21a、21bから構成された光量調整部21図23を参照が付加されてもよい。<撮像部60での光路>被写体11の一点Pからの光束L1、L2は、撮像光学系10のレンズ12、14で屈折されて被写体11の実像P’が点線で描かれた面Hに結像される。そして、光束L1、L2はリレー光学系31に入射する。また、リレー光学系31のレンズ31aで屈折された光束L1、L2はバンドパスフィルタ部13に入射する。例えば、光束L1がバンドパスフィルタ部13のバンドパスフィルタ132h図2を参照を透過し、光束L2がバンドパスフィルタ部13のバンドパスフィルタ132b図2を参照を透過する。すなわち、光束L1に含まれた波長領域が670nm~710nmの光のみがバンドパスフィルタ部13を透過する。同様に、光束L2に含まれた波長領域が430nm~470nmの光のみがバンドパスフィルタ部13を透過する。バンドパスフィルタ部13を透過した光束L1、L2は、リレー光学系31のレンズ31bで屈折されてマイクロレンズアレイ15に入射する。ここで、マイクロレンズアレイ15が被写体11及び面Hと共役位置に配置されているので、実像P’の実像Pがマイクロレンズアレイ15に結像される。このため、被写体11の一点Pからの光束L1、L2はマイクロレンズアレイ15の同一のマイクロレンズML1に入射する。また第2実施形態においても、光電変換素子17の画素16はバンドパスフィルタと共役位置もしくは共役位置近傍に配置されてある。マイクロレンズML1の焦点距離はレンズ31bの焦点距離よりも桁違いに短いので、バンドパスフィルタ132b、132hと共役な位置はマイクロレンズML1の焦点近傍である図5を参照。"