"物理蒸着チャンバ内でターゲットにRFエネルギを結合する給送構造体であって、RFエネルギを受け取る第1の端部と、該RFエネルギをターゲットに結合するために該第1の端部に相対する第2の端部とを有する本体であって、該本体が、該第1の端部から該第2の端部まで該本体を通って配置された中心開口部を更に有する前記本体と、前記第1の端部で前記本体に結合された第1の部材であって、該第1の部材が、該本体を取り囲んで該本体から半径方向外側に延びる第1の要素と、RF電源からRFエネルギを受け取るように該第1の部材に配置された1つ又はそれよりも多くの端子とを含む前記第1の部材と、前記ターゲットに前記RFエネルギを分配するように前記本体の前記第2の端部に結合されたソース分配プレートであって、該ソース分配プレートが、該プレートを通って配置されて該本体の前記中心開口部に整列する孔を含む前記ソース分配プレートと、を含むことを特徴とする給送構造体。前記本体は、前記RFエネルギが前記ソース分配プレートに実質的に均一に供給されるように給送構造体の周囲の周りに該RFエネルギを分配するのに十分な長さを有することを特徴とする請求項1に記載の給送構造体。前記本体の前記長さ対該本体の外径の比が、少なくとも約0.5:1であることを特徴とする請求項2に記載の給送構造体。前記第1の部材は、前記第1の要素から延びる1つ又はそれよりも多くの片持ちアームであって、1つ又はそれよりも多くの端子のうちの端子が各片持ちアームに配置される前記1つ又はそれよりも多くの片持ちアームと、前記第1の要素に配置された1つ又はそれよりも多くのスロットであって、該1つ又はそれよりも多くのスロットのうちの少なくとも1つのスロットが、前記1つ又はそれよりも多くの端子のうちの少なくとも1つの端子と前記本体の間に配置され、エネルギを該1つ又はそれよりも多くのスロットの周りで該少なくとも1つの端子から該本体まで誘導する前記1つ又はそれよりも多くのスロットと、を更に含む、ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の給送構造体。前記1つ又はそれよりも多くの片持ちアームは、前記第1の要素の周りに対称的に配置された2つ又はそれよりも多くの片持ちアーム、を更に含む、ことを特徴とする請求項4に記載の給送構造体。前記1つ又はそれよりも多くのスロットは、約180から約360度未満までの円弧長を有する単一のスロットから構成されることを特徴とする請求項4に記載の給送構造体。前記1つ又はそれよりも多くの片持ちアームは、第1の要素から延びる1つの片持ちアームから構成され、前記端子は、前記第1の要素に相対する前記1つの片持ちアームの端部に配置される、ことを特徴とする請求項6に記載の給送構造体。物理蒸着のための装置であって、RFエネルギを供給するRF電源と、処理チャンバの内部に配置された基板支持体と該基板支持体の支持面に面して該処理チャンバの該内部に配置されたターゲットとを有する処理チャンバと、前記処理チャンバの外側に配置され、かつ前記ターゲットの周縁に沿って該ターゲットの背面に結合されて該ターゲットの該周縁の近くに前記RFエネルギを分配するソース分配プレートと、第1の端部と、該第1の端部に相対する第2の端部と、該第1の端部から該第2の端部まで本体を通って配置された中心開口部と、該第1の端部で該本体に結合された第1の部材とを有する本体と、を含み、前記第1の部材は、前記本体を取り囲んで該本体から半径方向外側に延びる第1の要素と該第1の部材に配置された1つ又はそれよりも多くの端子とを含み、該1つ又はそれよりも多くの端子のうちの少なくとも1つが、前記RF電源に結合され、前記本体の前記第2の端部は、前記ターゲットに相対する前記ソース分配プレートの第1の側で該ソース分配プレートに結合される、ことを特徴とする装置。前記本体は、前記RFエネルギが前記ソース分配プレートに実質的に均一に供給されるように給送構造体の周囲の周りに該RFエネルギを分配するのに十分な長さを有することを特徴とする請求項8に記載の装置。前記本体の前記長さ対該本体の外径の比が、少なくとも約0.5:1であることを特徴とする請求項9に記載の装置。マグネットと前記ターゲットの背面の近くで該マグネットを回転させるシャフトとを含む回転マグネトロンアセンブリであって、該シャフトが、該ターゲットから垂直に延びる中心軸線に対して同軸であり、該シャフトが、前記本体の前記中心開口部と前記ソース分配プレートを通って配置された対応する孔とを通って配置される前記回転マグネトロンアセンブリ、を更に含むことを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の装置。前記第1の部材は、前記第1の要素から延びる1つ又はそれよりも多くの片持ちアームであって、前記1つ又はそれよりも多くの端子のうちの端子が、該1つ又はそれよりも多くの片持ちアームの各片持ちアームに配置される前記1つ又はそれよりも多くの片持ちアームと、前記第1の要素に配置された1つ又はそれよりも多くのスロットであって、該1つ又はそれよりも多くのスロットのうちの少なくとも1つのスロットが、前記1つ又はそれよりも多くの端子のうちの少なくとも1つの端子と前記本体の間に配置されてエネルギを該1つ又はそれよりも多くのスロットの周りで該少なくとも1つの端子から該本体まで誘導する前記1つ又はそれよりも多くのスロットと、を更に含む、ことを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の装置。前記1つ又はそれよりも多くの片持ちアームは、前記第1の要素の周りに対称的に配置された2つ又はそれよりも多くの片持ちアーム、を更に含む、ことを特徴とする請求項12に記載の装置。前記1つ又はそれよりも多くのスロットは、単一のスロットから構成され、前記単一のスロットは、約180から約360度未満までの円弧長を有する、ことを特徴とする請求項12に記載の装置。DCエネルギを供給し、前記第1の部材の前記1つ又はそれよりも多くの端子のうちの端子を通じて前記ターゲットに結合されたDC電源、を更に含むことを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の装置。従って、本発明者は、改良されたRF給送構造体及びそれを組み込んだPVDチャンバを提供する。物理蒸着の方法及び装置を提供する。一部の実施形態では、物理蒸着チャンバ内のターゲットにRFエネルギを結合するための給送構造体は、RFエネルギを受け取る第1の端部と、第1の端部に相対するRFエネルギをターゲットに結合する第2の端部とを有する本体であって、第1の端部から第2の端部まで本体を通って配置された中心開口部を更に有するこの本体と、第1の端部で本体に結合される第1の部材であって、本体を取り囲み本体から外側に半径方向に延びる第1の要素と、RF電源からRFエネルギを受け取る第1の部材に配置された1つ又はそれよりも多くの端子とを含むこの第1の部材と、ターゲットにRFエネルギを分配する本体の第2の端部に結合されたソース分配プレートであって、ソース分配プレートがこのプレートを通って配置され本体の中心開口部と整列する孔を含むこのソース分配プレートとを含むことができる。一部の実施形態では、物理蒸着のための装置は、RFエネルギを供給するRF電源と、処理チャンバの内部に配置された基板支持体と基板支持体の支持面に面して処理チャンバの内部に配置されたターゲットとを有する処理チャンバと、処理チャンバの外側に配置され、かつターゲットの周縁の近くにRFエネルギを分配するためにターゲットの周縁に沿ってターゲットの背面に結合されたソース分配プレートと、第1の端部と、第1の端部に相対する第2の端部と、第1の端部から第2の端部まで本体を通って配置された中心開口部と、第1の端部で本体に結合された第1の部材とを有する本体とを含むことができ、第1の部材は、本体を取り囲んで本体から外側に半径方向に延びる第1の要素と、第1の部材に配置された1つ又はそれよりも多くの端子とを含み、この1つ又はそれよりも多くの端子のうちの少なくとも1つがRF電源に結合され、本体の第2の端部は、ターゲットに相対するソース分配プレートの第1の側でソース分配プレートに結合される。一部の実施形態では、物理蒸着のための装置は、RFエネルギを供給するRF電源と、処理チャンバの内部に配置された基板支持体と基板支持体の支持面に面して処理チャンバの内部に配置されたターゲットとを有する処理チャンバと、処理チャンバの外側に配置され、かつターゲットの周縁の近くにRFエネルギを分配するためにターゲットの周縁に沿ってターゲットの背面に結合されたソース分配プレートと、第1の端部と、第1の端部に相対する第2の端部と、第1の端部から第2の端部まで本体を通って配置された中心開口部と、第1の端部で本体に結合された第1の部材とを有する本体とを含むことができ、第1の部材は、本体を取り囲んで本体から外側に半径方向に延びる第1の要素と、第1の要素から延びる片持ちアームと、片持ちアームに配置されてRF電源からRFエネルギを受け取る端子と、端子と本体の間に第1の要素を通って配置されたスロットであって、スロットの周りで端子から本体までRFエネルギを誘導するこのスロットとを含み、スロットは、約180度から約360度未満までの円弧長を有し、本体の第2の端部は、ターゲットに相対するソース分配プレートの第1の側でソース分配プレートに結合される。本発明の他の及び更に別の実施形態を以下に説明する。以上に簡単に要約し、以下で詳細に説明する本発明の実施形態は、添付図面に表された本発明の図示の実施形態の参照によって理解することができる。しかし、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示すのみであり、従って、その範囲の制限と見なすべきでないことに注意すべきであり、本発明は、他の等しく有効な実施形態を満足できる。理解を容易にするために、可能な場合、諸図に共通な同一要素を示すために同一の参照番号が使用される。諸図は、一定の比率には描かれず、かつ明確にするため簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる説明なしに他の実施形態に有利に組込めることが考えられている。RF及び任意的にDCエネルギ又は電力を物理蒸着PVDチャンバのターゲットに結合する装置、及びターゲットに結合される中心に給送されるRF及び任意的にDC電力を有する物理蒸着PVDチャンバを本明細書に提供する。本発明の装置は、有利な態様においては、ターゲットに近くかつ物理蒸着PVDチャンバ内の電磁場がより均一であり、それによって加工されている基板上のターゲット材料のより均一な分配が容易にされるように物理蒸着PVDチャンバ内のターゲットへのRF及びDC電力の結合を可能にする。一部の実施形態では、本発明の装置は、約1から約500mTorrの範囲の圧力のような高圧力高周波RFPVD用途に有益である。低圧力RFPVDも、本明細書に開示する本発明の装置から利益を得ることができる。図1は、本発明の一部の実施形態による物理蒸着チャンバ処理チャンバ100の概略断面図である。適切なチャンバの例は、ALPS登録商標PLUS及びSIPENCORE登録商標PVD処理チャンバを含み、両方はカリフォルニア州サンタクララ所在のAppliedMaterials,Inc.から市販されている。AppliedMaterials,Inc.及び他の製造業者が提供する他の処理チャンバも、本明細書に開示する本発明の装置から利益を得ることができる。処理チャンバ100は、基板104をその上に受け入れる基板支持ペデスタル102と、ターゲット106のようなスパッタリングソースとを収容する。基板支持ペデスタル102は、チャンバ壁図示のように又は接地シールドとすることができる接地筐体壁108内部に位置することができる。接地シールド140は、図1においてターゲット106より上のチャンバ100の少なくともいくらかの部分を覆って示されている。一部の実施形態では、接地シールド140は、ターゲットより下に延びることができ、同じくペデスタル102を包み込む。処理チャンバは、RF及びDCエネルギをターゲット106に結合するための給送構造体110を含む。給送構造体は、ターゲットに又は例えば本明細書に説明するターゲットを収容するアセンブリにRFエネルギをかつ任意的にDCエネルギを結合するための装置である。一部の実施形態では、給送構造体110は、管状とすることができる。本明細書で用いられている管状は、あらゆる一般的な断面であり、円形のみではない断面を有する中空部材を一般的に言う。給送構造体110は、第1の端部114と、第1の端部114に相対する第2の端部116とを有する本体112を含む。一部の実施形態では、本体112は、第1の端部114から第2の端部116まで本体112を通って配置された中心開口部115を更に含む。給送構造体110の第1の端部114は、RF電源118にかつ任意的にDC電源120に結合することができ、それらは、ターゲット106にRF及びDCエネルギを供給するためにそれぞれ利用することができる。例えば、DC電源120は、ターゲット106に負の電圧又はバイアスを印加するのに利用することができる。一部の実施形態では、RF電源118によって給送されるRFエネルギは、約2MHzから約60MHzの周波数の範囲とすることができ、又は例えば2MHz、13.56MHz、27.12MHz、又は60MHzのような非制限周波数を使用することができる。一部の実施形態では、複数のRF電源例えば、2つ又はそれよりも多くを提供することができ、複数の上述の周波数でRFエネルギを供給する。給送構造体110は、RF電源118及びDC電源120からRF及びDCエネルギを伝達する適切な導電材料で製造することができる。任意的に、DC電源120は、給送構造体110を通過することなくターゲットに代替的に結合することができる図1に破線で示すように。給送構造体110は、RF及びDCエネルギそれぞれの給送構造体110の周囲の周りでの実質的に均一な分配を容易にする適切な長さ254を有することができる。例えば、一部の実施形態では、給送構造体110は、約0.75から約12インチ、又は約3.26インチの長さ254を有することができる。一部の実施形態では、本体112が中心開口部を持たない時以下に説明されかつ図3に示すように、給送構造体110は、約0.5から約12インチの長さ254を有することができる。一部の実施形態では、本体は、少なくとも約1:1の長さ対内径ID252の比を有することができる。一部の実施形態では、本体は、少なくとも約0.5:1、例えば、約0.6:1の長さ対外径OD250の比を有することができる。本発明者は、少なくとも1:1又はより大きい長さ対内径の比、又は0.5:1又はより大きい長さ対外径の比の具備が、給送構造体110からのより均一なRF送出を提供するすなわち、RFエネルギが、給送構造体の周りにより均一に分配され、RF結合を給送構造体110の真の中心点に接近させることを見出した。給送構造体110の内径252すなわち、中心開口部115の直径は、マグネトロンシャフトがその中に延びることを可能にしながらできるだけ小さく、例えば、約1インチから約11インチ、又は約3.9インチとすることができる。一部の実施形態では、マグネトロンシャフトが存在しない場合例えば、マグネトロンが使用されない場合、又はマグネトロンが図3に示すような中心を外れたシャフトによるなどでターゲットの背面の上に中心配置されたシャフトによる以外の方式で制御される場合、給送構造体110の内径252はゼロインチのように小さくすることができる例えば、本体112を中心開口部115なしに提供することができる。そのような実施形態では、給送構造体110の内径252は、もしあれば、例えば、約0インチから約11インチとすることができる。給送構造体110の外径250は、機械的完全性のための給送構造体110の十分な壁厚を維持しながらできるだけ小さく、例えば、約1.5インチから約12インチ、又は約5.8インチとすることができる。図3に示すようにマグネトロンシャフトが存在しない場合、一部の実施形態では、給送構造体110の外径250は、約0.5インチのように小さくすることができる。そのような実施形態では、給送構造体110の外径は、例えば、約0.5インチから約12インチとすることができる。より小さい内径かつより小さい外径の具備は、給送構造体110の長さを増大させずに長さ対IDの比かつ長さ対ODの比の改善を容易にする。RF及びDCエネルギの両方をターゲットに結合するのに使用されるとして上述したが、給送構造体110は、RFエネルギのみをターゲットに結合するために使用することができ、DCエネルギは提供されないか又は異なる位置からターゲットに結合される。そのような実施形態では、DCエネルギが提供される時に、給送構造体110を通じて提供されるようには均一でない場合があるのにも関わらず、RFエネルギは、ターゲットへのより均一な提供を保ち、より均一なプラズマ処理が容易にされる。本体112の第2の端部116は、ソース分配プレート122に結合される。ソース分配プレートは、ソース分配プレート122を通って配置されて本体112の中心開口部115と整列する孔124を含む。ソース分配プレート122は、給送構造体110からのRF及びDCエネルギを伝達する適切な導電材料で製造することができる。ソース分配プレート122は、導電性部材125を通じてターゲット106に結合することができる。導電性部材125は、ソース分配プレート122の周縁に近いソース分配プレート122のターゲット向き面128に結合した第1の端部126を有する管状部材とすることができる。導電性部材125は、ターゲット106の周縁に近いターゲット106のソース分配プレート向き面132に又はターゲット106のバッキングプレート146に結合する第2の端部130を更に含む。空洞134は、導電性部材125の内向き壁と、ソース分配プレート122のターゲット向き面128と、ターゲット106のソース分配プレート向き面132とによって定めることができる。空洞134は、ソース分配プレート122の孔124を通じて本体112の中心開口部115に連通している。空洞134と本体112の中心開口部115とは、図1に示されている回転マグネトロンアセンブリ132の1つ又はそれよりも多くの部分を少なくとも部分的に収容するために利用することができる。一部の実施形態では、空洞は、水H2Oなどのような冷却流体で少なくとも部分的に満たすことができる。接地シールド140は、処理チャンバ100の蓋の外側面を覆うために提供することができる。接地シールド140は、例えば、チャンバ本体の接地接続を通じて接地と結合することができる。接地シールド140は、給送構造体110がソース分配プレート122に結合するために接地シールド140を通過することを可能にする中心開口部を有する。接地シールド140は、アルミニウム又は銅などのようなあらゆる適切な導電材料を含むことができる。絶縁間隙139が、接地シールド140と、分配プレート122、導電性部材125、及びターゲット106及び/又はバッキングプレート146の外側面との間に提供され、RF及びDCエネルギが接地に直接送られることが防止される。絶縁間隙は、空気、又はセラミック又はプラスチックなどのような他の適切な絶縁材料で満たすことができる。一部の実施形態では、接地カラー141は、給送構造体110の本体112と下側部分との周りに配置することができる。接地カラー140は、接地シールド140に結合され、かつ接地シールド140の一体部分又は接地シールドに結合された独立部分とすることができ、給送構造体110の接地を提供する。接地カラー140は、アルミニウム又は銅のような適切な導電材料で製造することができる。一部の実施形態では、接地カラー141の内径と給送構造体110の本体112の外径の間に配置された間隙は、できるだけ小さく、かつ電気的分離を提供するのに過不足のないように保つことができる。間隙は、プラスチック又はセラミックのような絶縁材料で満たすことができ又は空隙とすることができる。接地カラー141は、RF給送部例えば、以下で説明する電気給送部205と本体112の間のクロストークを防止し、それによってプラズマ及び処理の均一性を改善する。アイソレータプレート138は、ソース分配プレート122と接地シールド140の間に配置することができ、RF及びDCエネルギが接地に直接送られることが防止される。アイソレータプレート138は、給送構造体110がソース分配プレート122に結合するためにアイソレータプレート138を通過することを可能にする中心開口部を有する。アイソレータプレート138は、セラミック又はプラスチックなどのような適切な絶縁材料を含むことができる。代替的に、アイソレータプレート138の代わりに空隙を提供することができる。アイソレータプレートの代わりに空隙が提供される実施形態では、接地シールド140は、接地シールド140上に置かれるあらゆる構成要素を支持するのに十分構造的に健全とすることができる。図2は、給送構造体110を拡大図でかつ図1に示すよりも非常に詳細に表している。一部の実施形態では、給送構造体110は、本体112の第1の端部又はその付近で本体112に結合され、本体から半径方向外側に延びる第1の部材を含むことができ、以下に説明するようにエネルギソースへの給送構造体110の結合が容易にされる。例えば、一部の実施形態において、給送構造体110は、本体112の第1の端部114を取り囲んで本体112から半径方向外側に延びる第1の要素202を含むことができる。第1の要素202は、図2に示すように、環状ディスク又はリングの形態の形状とすることができる。第1の要素202は、本体112の一体部分とすることができ、又は代替的に第1の端部114の近くで本体112上に例えば溶接、ろう付け、締付け、又はボルト付けなどによって結合することができる個別要素第1の端部114に近い破線によって表されるようなとすることができる。第1の要素202は、本体112を構成するのと同様な材料を含むことができる導電材料を含む。RF電源118及びDC電源120をそれぞれ第1の要素202に結合するために、端子201、203を第1の要素202に配置することができる。例えば、各端子は、RF電源118、及び一部の実施形態では、DC電源120をそれぞれ端子201、201に結合するために電気給送部205、207を受け取るように構成することができる。例えば、電気給送部205、207は、接続ロッドなどのようなRF及び/又はDCエネルギを結合するためのあらゆる適切な給送部とすることができる。端子は、少なくとも高圧力条件の下で基板104上の均一な層堆積を達成するあらゆる適切な位置に配置することができる。例えば、端子201、203は、中心開口部115の周りで正反対に存在することができる。代替的に、端子201、203は、第1の要素202の直径に沿って非対称的に配置することができ、又は基板104上の望ましい均一な堆積プロフィールを達成するためのあらゆる適切な構成にあることができる。代替的に、RF及びDCエネルギは、第1の要素202内の1つ又はそれよりも多くの共通の端子に結合することができる例えば、単一端子に、又は端子201、203両方に。第1の要素202は、少なくとも高圧力の下で基板104上の均一な層堆積を達成するのに要するあらゆる適切な直径とすることができる。第1の要素202は、約2から約20インチの範囲の直径を有することができる。一部の実施形態では、第1の要素202の直径は、約10インチである。本発明者は、有利な態様においては、第1の要素202へのRFエネルギの結合が、例えば、RFエネルギが、例えば、本体112の側壁から半径方向に延びた位置に電気給送部205、207を結合することによって本体112の側壁に直接に結合された場合よりもターゲットに近くでRFエネルギの電磁場分布における更に良好な均一性の達成を容易にすることができることを見出した。具体的には、本体112の側壁へのRFエネルギの直接結合は、RFエネルギ分配を改善することができるが、本発明者は、いくらかの不均一性がそれでも存在し、RFエネルギがソース分配プレートからより遠く離れて本体に結合される場合に、更に別の改善を行うことができることを見出した例えば、上述の本体112の長さ対ID又はODの比、及び/又は第1の要素202へのRFエネルギの結合を参照されたい。一部の実施形態では、給送構造体110は、第2の端部112に又はその付近で本体112に結合された第2の部材を含むことができ、ソース分配プレート122への本体112の結合が容易にされる。一部の実施形態では、第2の部材は、本体112の第2の端部116を取り囲む第2の要素204とすることができる。第1の要素204は、図2に示すように、環状ディスク又はフランジ形態の形状とすることができる。第2の要素204は、本体112の一体部分とすることができ、又は代替的に第2の端部116の近くに本体112上に例えば溶接、ろう付け、締付け、又はボルト付けなどによって固定することができる個別要素第2の端部116に近い破線によって表されるようなとすることができる。第2の要素204は、本体112を構成するのと同様な材料を含むことができる導電材料を含む。第2の要素204は、孔124の近くにソース分配プレート122の本体向き面209に給送構造体110を結合するのに利用することができる。第2の要素204は、ソース分配プレート122への給送構造体110の結合における構造サポートを提供するのに所望されるあらゆる適切な直径とすることができる。例えば、第2の要素204は、約2から約12インチの範囲の直径を有することができる。一部の実施形態では、第2の要素204の直径は、約7インチである。一部の実施形態では、給送構造体110は、本体112の第2の端部からソース分配プレート122の孔124内に延びる第3の要素210を含むことができる。第3の要素210は、管状とすることができ、かつ図2に示すように本体112の拡大部分とすることができる。例えば、第3の要素210は、給送構造体110とソース分配プレート122の間の結合の構造安定性を更に改善するために提供することができる。ソース分配プレート122の本体向き面からソース分配プレート122のターゲット向き面128まで延びるとして描かれているが、第3の要素210の長さは、図示よりも大きいか又は小さい場合がある。第1及び第2の要素204、202と同様に、第3の要素210は、本体112の連続部分とすることができ、又は代替的に第2の端部116の近くに本体112上に例えば溶接、ろう付け、締付け、又はボルト付けなどによって固定することができる個別要素第2の端部116に近い水平破線によって表されるようなとすることができる。第2の要素210は、本体112を構成するのと同様な材料を含むことができる導電材料を含む。一部の実施形態では、給送構造体110は、ライナ212を更に含むことができる。ライナ212は、本体112の中心開口部124に配置することができる。ライナ212は、更に、本体112の第1の端部114からソース分配プレート122のターゲット向き面128まで中心開口部124の内部を覆うことができる。ライナ212は、例えば、本体112の中心開口部115に近い第1の要素202の一部分の上である本体112の第1の端部114の上に部分的に配置することができる。ライナ212は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、プラスチック、又はセラミックなどである絶縁材料を含むことができる。例えば、ライナ212は、マグネトロンアセンブリ136の構成要素を導電性の給送構造体110、かつRF及びDC電源118、120から絶縁するために利用することができる。図2に表された給送構造体110の構成は一例に過ぎず、他の設計も考えられる。例えば、図4A-図4Eは、本発明の一部の実施形態による給送構造体110の他の構成の上面図の非限定的な例である。図4Aは、第1の部材が本体112の相対する側に配置され、中心開口部115から離れて半径方向外側に延びる片持ちアーム402、404を含む場合の給送構造体110の上面図を表している。端子201、203は、アーム402、404内にそれぞれ配置され、RF接続ロッド又はDC接続ロッドなどのような接続ロッドとすることができる電気給送部205、207をそれぞれ受け入れる。一部の実施形態では、第1の部材は、本体112に結合されたリング例えば、第1の要素202を更に含むことができ、リングは、半径方向外側にリングから延びる片持ちアーム402、404を有する。装置の一部の実施形態では、本発明者は、第1の要素単独でも、従来型の装置と比べてターゲットに近い電磁場分布の均一性を改善するが、それは、要求されるような電磁場分布は提供しない場合があることを見出した。従って、本発明者は、更に、本体112の第1の端部114から又は第1の要素から半径方向に延びる1つ又はそれよりも多くの片持ちアームの具備がターゲットに近い電磁場分布の均一性を更に改善することができることを見出した。本明細書に開示する実施形態のあらゆる場合のように、RFエネルギは、いずれか又は両方の端子に印加することができ、任意的に、いずれか又は両方の端子へのDCエネルギの印加も同様である。例えば、一部の実施形態では、RFエネルギは、第1の端子201に印加することができ、DCエネルギは、第2の端子203に印加することができる。代替的に、RFエネルギは、第1の端子201と第2の端子203の両方に印加することができる。代替的に、RFエネルギとDCエネルギは、第1の端子201と第2の端子203の両方に各々印加することができる。給送構造体110へのRF及び/又はDCエネルギの印加のための位置の数は変えることができる例えば、1つ又はそれよりも多く。1つよりも多い給送位置が提供される場合の一部の実施形態では、そのような位置は、対称的に配置することができる図4Aに表された2つの相対する端子201、203。例えば、図4Bに表されるように、3つよりも多い4個又は8個が示されているの給送位置を提供することができる。図4Bは、4つの片持ちアーム402、404、406、408を有する給送構造体110を表している。各アームは、RF又はDCエネルギソースに結合する端子例えば、201、203、401、403を有する。この図面で410と表示された破線に示すように、端子を有する付加的な片持ちアームも対称配置の状態で提供することができる。RFエネルギは、端子の各々に又は相対する端子に結合することができ、かつ一部の実施形態では、DCエネルギを端子の各々に又は相対する端子に結合することができる。一部の実施形態では、RFエネルギは、相対する端子の第1のセット例えば、201、203に提供することができ、DCエネルギは、第1のセットと異なる相対する端子の第2のセット例えば、401、403に提供することができる。図4Aの場合のように、片持ちアームの各々は、本体112に結合されたリングから半径方向外側に延びることができる。一部の実施形態では、端子は、連続的ではなく、2つ又はそれよりも多くの個別のポイントで給送構造体110の本体112に結合することができる。例えば、図4Cに示すように、スロット414は、有利な態様においては、片持ちアーム402、404の各々と本体112の間に提供することができ、端子203、203に印加されたエネルギが接触領域416に誘導される。スロット414は、スロット414を横断する端子から本体への導電経路がないように例えば、エネルギはスロット414の周囲を移動すべきであるように、本体112の外側壁412の半径方向外側に少なくとも部分的に形成される。例えば、各端子RFエネルギに対して一方又は両方、かつDCエネルギに対して一方又は両方に結合されたエネルギは、有利な態様においては、端子位置から例えば90度離れて伝播するようにスロットによって強制され、1つのみのRFサプライ及びDCサプライが給送構造体110に結合される時であっても対称的な給送がそのように提供される。スロット414は、スロットの相対する側の間のクロストークを防止又は最小にするのに適切なあらゆる幅を有することができる。例えば、一部の実施形態では、スロット414は、約1/8から約2インチの幅を有することができ、又は一部の実施形態では、約1/2インチよりも大きい幅を有することができる。一部の実施形態では、スロット414は、約45から約90度の円弧長を有することができる。一部の実施形態では、図4Dに表されるように、付加的なスロット418は、接触ポイント416のサイズを有利な態様においては制限し、かつエネルギRF又はDCのそれぞれの端子201、203から給送構造体110の本体112への結合の精密な位置を更に制御するために提供することができる。一部の実施形態では、図4Dに示すように、スロット414、416は、90度より僅かに小さい円弧長を各々有することができ、給送構造体110の本体112の周りに90度毎に配置され、端子201、203を接続する想像線に対して約45度回転した4つの接触ポイント416を提供する。そのような実施形態では、各端子201、203から最も近い接触ポイント416までの距離はほぼ等しく、それによって給送構造体110を経由するそれぞれのエネルギソースからターゲットへのエネルギの対称的な印加が容易にされる。上記に開示された様々な実施形態を組み合わせることができる。例えば、図4Eに表されるように、端子図示の4つの端子201、203、401、403は、複数の片持ちアーム図示の4つの片持ちアーム402、404、406、408の各々に提供することができ、スロット414は、本体112の周りに配置された接触ポイント416にエネルギを誘導するために片持ちアームと本体112の間に提供することができる。上述のように端子に印加されたエネルギの経路を更に制御するための付加的なスロット418を提供することができる。一部の実施形態では、図4Fに示すように、単一のスロット414を提供することができる。スロット414は、約90度と360度より僅かに小さい角度の間の円弧長又は約180度と約360度よりも僅かに小さい角度の間の円弧長を有することができる。スロット414は、RFエネルギが印加される端子図4Fでは端子203に隣接して提供することができる。このような単一スロット414の具備は、端子203からRF給送構造体の本体112まで移動するRFエネルギのための単一接触ポイント416を提供する。スロット414の円弧長に応じて、接触ポイント416は、サイズを変えることができる。例えば、スロット414が約180度の円弧長を有する時に、接触ポイント416は、本体112の周りに約180度延びることになる。スロット414が、360度より僅かに小さい円弧長を有する時に、接触ポイント416は小さい場合がある。そのような実施形態では、接触ポイント416は、本体112に結合するタブ404のための頑強な接触ポイントを提供するのに十分大きくなくてはならない。本発明者は、制御された非対称性をRF給送に提供すれば、ターゲットに最後に到達するRFエネルギの対称性がより一層対称とすることができることを予期せずに見出した。例えば、接触ポイント416に沿った強いRF結合と組み合わせたスロット414を横断する弱いRF結合により、本体112を下って分配プレート122図1に示されているに移動する複合RFエネルギがより均一又は対称であるように制御することができる。本発明者は、更に、この効果が、提供されるRFエネルギの周波数に基づいて変化することを予期せずに見出した。従って、スロット404の円弧長さは、ターゲットに提供されるRFエネルギの対称性を制御するために、使用されるRFエネルギの周波数に基づいて変化させることができる。一部の実施形態では、図4Fに示すように第2の端子端子201は、ターゲットにDCエネルギを結合するために提供することができる。一部の実施形態では、第2の端子は省くことができる。図1に戻れば、ターゲット106は、接地アルミニウムアダプタ142上に絶縁アイソレータ144を通じて支持することができる。ターゲット106は、金属又は金属酸化物のようなスパッタリング中に基板104上に堆積される材料を含む。一部の実施形態では、バッキングプレート146は、ターゲット106のソース分配プレート向き面132に結合することができる。バッキングプレート146は、銅-亜鉛、銅-クロム、又はターゲットと同じ材料のような導電材料を含むことができ、それによってRF及びDC電力をバッキングプレート146を通じてターゲット106に結合することができる。代替的に、バッキングプレート146は非導電性とすることができ、かつ導電性部材125の第2の端部130にターゲット106のソース分配プレート向き面132を結合するための電気給送貫通部などのような導電性要素図示せずを含むことができる。バッキングプレート146は、例えば、ターゲット106の構造安定性を改善するために含むことができる。基板支持ペデスタル102は、ターゲット106の主面に面する材料受け入れ面を有し、ターゲット106の主面に相対する平面的な位置にスパッタ被覆される基板104を支持する。基板支持ペデスタル102は、処理チャンバ100の中心領域148内に基板104を支持することができる。中心領域148は、処理の間での基板支持ペデスタル102の上方の領域として定められる例えば、処理位置にある時のターゲット106と基板支持ペデスタル102の間。一部の実施形態では、基板支持ペデスタル102は、底部チャンバ壁152に接続したベローズ150によって垂直に移動することができ、処理チャンバ100の下側部分内の装荷ロックバルブ図示せずによって基板104が基板支持ペデスタル102上に移送され、その後堆積位置又は処理位置に持ち上げられることが可能とされる。一種類又はそれよりも多くの処理ガスをガス源154から質量流量コントローラ156を通じてチャンバ100の下側部分の中に給送することができる。処理チャンバ100の内部を排気して処理チャンバ100内の望ましい圧力の維持を容易にするために、排気ポート158を提供し、バルブ160を通じてポンプ図示せずに結合することができる。基板104上に負のDCバイアスを誘起するために、RFバイアス電源162を基板支持ペデスタル102に結合することができる。更に、一部の実施形態では、負の自己バイアスを処理の間に基板104上に形成することができる。例えば、RFバイアス電源162によって給送されるRF電力は、約2MHzから約60Hzの周波数の範囲とすることができ、例えば、2MHz、13.56MHz、又は60Hzのような非制限周波数を使用することができる。他の用途においては、基板支持ペデスタル102は、接地することができ、又は電気的フローティングのままとすることができる。例えば、RFバイアス電力が所望されない可能性がある場合の用途に対して、基板104上の電圧を調整するために、キャパシタンス調整器164を基板支持ペデスタルに結合することができる。回転式マグネトロンアセンブリ136は、ターゲット106の背面例えば、ソース分配プレート向き面132の近くに配置することができる。回転式マグネトロンアセンブリ136は、ベースプレート168によって支持された複数のマグネット166を含む。ベースプレート168は、チャンバ100と基板104との中心軸線に一致する回転シャフト170に接続される。マグネトロンアセンブリ136の回転を駆動するために、回転シャフト170の上端にモータ172を結合することができる。マグネット166は、ターゲット106の表面にほぼ平行にかつ接近してチャンバ100内部に磁場を発生させ、電子を捕捉して局所プラズマ密度を高め、これは、次に、スパッタリング速度を高める。マグネット166は、チャンバ100の上部の周囲に電磁場を発生させ、マグネット166は、回転してその電磁場を回転させ、これは、ターゲット106をより均一にスパッタリングさせるように処理のプラズマ密度に影響を与える。例えば、回転シャフト170は、1分間に約0から150回転することができる。一部の実施形態では、チャンバ100は、アダプタ142の棚部176に接続された接地底部シールド174を更に含むことができる。底部シールド174上に暗空間シールド178を支持することができ、これは、ネジ又は他の適切な方法により底部シールド174に固定することができる。底部シールド174と暗空間シールド178の間の金属ネジ接続は、2つのシールド174、178がアダプタ142に対して接地されることを可能にする。アダプタ142は、次に、アルミニウムチャンバ側壁108に対して密封され、かつ接地される。両方のシールド174、178は、硬質非磁性ステンレス鋼で典型的に形成される。底部シールド174は、下方に延び、かつほぼ一定の直径を有する概略管状部分180を有することができる。底部シールド174は、アダプタ142とチャンバ壁108との壁に沿って基板支持ペデスタル102の上面より下まで下向きに延び、かつ基板支持ペデスタル102の上面に達するまで上方に戻る例えば、底部でu字形状部分184を形成する。カバーリング186は、基板支持ペデスタル102がそのより低い装荷位置にある時に底部シールド174の上方延長内側部分188の上端に載っているが、ペデスタルがそのより上の堆積位置にある時に基板支持ペデスタル102の外側周囲に載って基板支持ペデスタル102をスパッタリング堆積から保護する。基板104の周囲を堆積から遮断するために付加的な堆積リング図示せずを使用することができる。一部の実施形態では、基板支持ペデスタル102とターゲット106の間に磁場を選択的に提供するために、マグネット190をチャンバ200の周りに配置することができる。例えば、図1に示すように、マグネット190は、処理位置にある時の基板支持ペデスタル102のすぐ上の領域にあるチャンバ壁108の外側に配置することができる。一部の実施形態では、マグネット190は、アダプタ142に隣接するような他の位置に追加的又は代替的に配置することができる。マグネット190は、電磁石とすることができ、電磁石によって発生する磁場の強度を制御するために電源図示せずに結合することができる。すなわち、RF及びDC電力を結合する装置を本明細書に提供した。本発明の装置は、有利な態様においては、ターゲット材料が基板上に均一に分配されるようにした物理蒸着PVDチャンバ内でのターゲットへのRF及びDC電力の結合を可能にする。本発明の装置は、約1から約500mTorrの範囲の圧力のような高圧力高周波RFPVD用途に有利である。しかし、低圧力RFPVDも本明細書に開示した本発明の装置から利益を得る。上述の事項は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本範囲を逸脱することなく本発明の他のかつ更に別の実施形態を案出することができる。"