"良熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分に分割されたサセプタ主部分と、前記良熱伝導体より高い熱伝導率を有する高熱伝導体で形成され、前記内側部分と前記外側部分の外部側壁との間の熱移動を促進する熱伝導部材であって、前記内側部分を包囲して配置された内側包囲部分と、前記外側部分の外部側壁と面一に配置された外面延在部分と、前記内側包囲部分と前記外面延在部分との間で熱移動を行う熱伝導部分と、を含む熱伝導部材と、を有するMOCVD装置用サセプタ。前記内側部分は円柱形状を有し、前記外側部分は円筒形状を有し、前記内側包囲部分は前記内側部分の側壁を包囲する円筒形状を有し、前記外面延在部分は前記外側部分の外側側壁の周期的領域を覆う、請求項1記載のMOCVD装置用サセプタ。前記熱伝導部分は、前記外側部分を同一形状の複数部分に分割する、請求項1又は2記載のMOCVD装置用サセプタ。前記熱伝導部分は、前記外側部分を同一形状の複数部分に分割する板状部材である、請求項1又は2記載のMOCVD装置用サセプタ。前記熱伝導部材と前記外側部分との界面に配置され、前記良熱伝導体より熱伝導率の低い断熱部材をさらに有する請求項1~4のいずれか1項記載のMOCVD装置用サセプタ。前記良熱伝導体がグラファイトであり、前記高熱伝導体がダイヤモンド、キュービックボロンナイトライドのいずれかを含む、請求項1~5のいずれか1項記載のMOCVD装置用サセプタ。請求項1~6のいずれか1項記載のサセプタと、前記サセプタの周囲に配置された抵抗加熱ヒータと、前記サセプタ上方に開口を有するフローチャネルと、を有するMOCVD装置。サセプタの大型化を可能にし、大型化に伴うデメリットを抑制する。実施例によれば、良熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分に分割されたサセプタ主部分と、前記良熱伝導体より高い熱伝導率を有する高熱伝導体で形成され、前記内側部分と前記外側部分の外部側壁との間の熱移動を促進する熱伝導部材であって、前記内側部分を包囲して配置された内側包囲部分と、前記外側部分の外部側壁と面一に配置された外面延在部分と、前記内側包囲部分と前記外面延在部分との間で熱移動を行う熱伝導部分と、を含む熱伝導部材と、を有するMOCVD装置用サセプタが提供される。内側部分と外側部分の外部側壁との間に外側部分より熱伝導率の高い熱伝導部材が配置され、熱の移動が促進される。従来のサセプタは、通常、最表面をコーティングする場合は別として、カーボングラファイト等の無垢材から形成した。カーボングラファイトは、良好な熱伝導率を有する良熱伝導体であり、化合物半導体との反応性も低く、抵抗加熱や誘導加熱により酸素を含まない、真空中又は不活性雰囲気中での高温加熱も可能であり、サセプタとして好適な材料である。但し、2インチウエハ用サセプタの寸法を単純に増大して大型化すれば、熱の移動に要する時間は長くなり、一端を加熱又は放熱する場合の温度分布は大きくなると考えられる。面内温度差が増大し、エピタキシャル層の組成の面内分布が増大してしまうことも予想される。本発明者は、サセプタを大型化し、且つ面内温度分布を所定範囲内に収めるため、大型化したサセプタにおける、熱の移動を促進することを考えた。サセプタの主要部は、従来同様、グラファイトなどの良熱伝導体で形成することとする。良熱伝導体中に、熱伝導率が極めて高い材料を分布させ、熱の高速移動を図る。グラファイトが約120-165W/mKの熱伝導率を有するのに対し、ダイヤモンドは約1000-2000W/mKの熱伝導率を有し、キュービックボロンナイトライドcBNもダイアモンドと同程度の熱伝導率を有することが期待される。これらの材料は、無垢材からの加工は容易でないが、粒状材、ないし粉末材が入手可能であり、必要に応じてセラミックス材料と混合した複合材料として、種々の形状に加工することができる。これら、グラファイトと比較して、少なくとも4倍以上の高い熱伝導率を有する材料を、本明細書では高熱伝導体と呼ぶ。図3Aに示すように、良熱伝導体であるグラファイトのサセプタ10を、内側部分4と外側部分6とに分割する。高熱伝導体で伝熱部材5を形成し、外側部分6外壁から内側部分4に熱を伝達する。なお、サセプタ10上面にはグラファイト製の基板ホルダ100が配置される。図3Bに示すように、伝熱部材5は、内側部分4を包囲する内側包囲部分51と、外側部分6の外側表面と面一に広がる外面延在部分53と、内側包囲部分51と外面延在部分とを熱的に連結する熱伝導部分52を含み、高熱伝導体で形成される。図3Aは、図3BにおけるIIIA-IIIA線に沿う断面である。IIIC-IIIC線に沿う断面を図3Cに示す。高熱伝導体を含む構成は、良熱伝導体の一部を高熱伝導体に置換したと考えることもできよう。良熱伝導体を高熱伝導体で置換すれば、その部分の熱抵抗は低減し、熱移動が促進される。外面延在部分53が加熱されれば、その熱は熱伝導部分52を介して内側包囲部分51に速やかに伝達され、内側部分4を加熱する。全体を良熱伝導体で形成した場合と較べ、一部を高熱伝導体に置換すると、全体としての熱伝導度を向上することができる。高熱伝導体を適所に配置することにより、サセプタ全体を均一性良く、高速に加熱放熱することが可能となる。図3A-3Cの構成では内側部分4はグラファイトなどの良熱伝導体であり、例えば、その寸法も従来のサセプタと同等である。高熱伝導体の内側包囲部分51が、内側部分4を包囲して加熱することにより、従来のサセプタ同様の加熱放熱が可能と期待される。外面延在部分53と熱伝導部分52は、内側部分4と外側部分6とがほぼ同時に所定温度まで加熱放熱できるように設計する。図4に示すように、サセプタ10の周囲に抵抗加熱ヒータ8が配置される。ダイヤモンドやcBNは、高周波コイルによる加熱には適していないと考えられるので、カーボンなどの抵抗加熱ヒータを用いる。なお、カーボンヒータのパターンとしては公知の種々のパターンを採用できる。抵抗加熱ヒータ8をサセプタ10の側面周囲に配置して、サセプタ全体を加熱することになる。サセプタ10を回転することにより、温度分布を均一化できる。熱は、サセプタ10の外側側面から内部に向かうことになる。昇温時には、熱伝導部材5は、サセプタ10の外側側面に配置された外面延在部分53で熱を受け、熱伝導部分52中を外側部分6よりも優先的に熱を移動させ、内側部分4を包囲する内側包囲部分51をより迅速に均一温度にする。外面延在部分53の配置は、外側部分6の加熱と内側部分4の加熱が同等に進むようにすることが望ましい。例えば、外側部分6と内側部分4の体積を考慮して、外側側壁に露出される、外側部分6の面積と、外面延在部分53の面積を設定する。例えば、外側側壁に露出される、外側部分6の面積と、外側延在部分53の面積の比が外側部分6の体積と内側部分4の体積の比と同一になるように設計する。これにより外側部分6と内側部分4の単位体積単位時間当たりに流入する熱量がほぼ同一となり、サセプタの表面温度及び昇温降温速度が面内で均一に分布しやすくなる。内側包囲部分51からの加熱により内側部分4が加熱されるのは、従来技術のサセプタと同様となろう。降温時には、熱の移動方向が逆になる。図3A-3Cの構成では、外側部分6に、板状の熱伝導部分52を収容する、4つのスリットが半径方向に形成され、外側部分6は4つの均等部分に分割された。熱伝導部分52は、外面延在部分53と内側包囲部分51との間の熱移動を効率的に行えれば良く、その形状などに特に制限はない。但し、半径方向に熱伝導部材を配置しても、外側部分6は円柱方向に関して高い対称性例えば4回対称を持つことが、温度分布の均一化の点から望ましいであろう。図3Dは、熱伝導部分52がサセプタ10の高さ分連続した板状ではなく、高さ方向で複数の部分に分割した形状である場合を示す。紙面垂直方向の熱伝導部分52の断面形状は種々可能であり、例えば矩形である。熱伝導部分52と外側部分6とが等間隔で配置されている場合を示したが、これに限らない。サセプタの上面にも、高熱伝導体の熱伝導部分5が露出する場合を示したが、サセプタ10の上面に直接成長基板を配置するような場合、サセプタ上面の熱的性質は均一である方が好ましい。図3Eは、サセプタ10の上面にグラファイトなどの良熱伝導帯のキャップ層11を配置した場合を示す。キャップ層11の上に基板ホルダ100を配置しても良い。内側部分4、外側部分6は、従来から用いてきた信頼性のある良熱伝導体で形成する。熱伝導部材5は高熱伝導体で形成するため、良熱伝導体より高い熱伝導率を有する。高熱伝導体の熱伝導部材を配置したことにより、全体が良熱伝導体で形成された場合より、熱の移動を促進できる。これまで説明した構成では、熱伝導部材5から外側部分6にも熱が伝達される。外側部分6は外側側面がヒータ8に対向し、直接熱を受け、発散することもできる。内側部分4をより効率的に昇温、降温するためには、熱伝導部材5と外側部材6との間の熱の移動は抑制する方が好ましいこともあろう。図5A,5Bは、第2の実施例によるサセプタを示す断面図である。図5Aに示すように、熱伝導部材5と外側部分6との境界に、断熱部材9を配置する。断熱部材9は、アルミナ、窒化アルミニウム、多孔性セラミックスや、ガラスウール等良熱伝導体より低い熱伝導率を有する材料で形成することができる。単なる空間を形成しても、固相部材より熱伝導率は低くできる。位置的な信頼性を強化するため、突起などにより接点を形成し、必要な物理的支持力を与えることもできる。図5Bは、断面の厚さが段階的に変化する熱伝導部材5と外側部分6との界面に断熱部材9を配置した形状を示す。熱伝導部材5の熱伝導部分52は、断面厚さが厚い部分を周期的に配置して、外側部分6表面の温度分布を均一に保ちつつ、熱伝導部材5全体としての熱伝導率を促進している。断熱部材9が熱伝導部材5から外側部分6への熱の移動を抑制している。ここまで、内側部分を1つの外側部分が一重に包む形態を説明した。外側部分が複数存在する形態も可能である。図6において、サセプタの内側部分4は、第1の外側部分61、第2の外側部分62に囲まれている。内側部分4と第1の外側部分61の間に第1の内側包囲部分51、第1の外側部分61と第2の外側部分6-2の間に第2の内側包囲部分52、第2の外側部分の外側側壁上に配置された外面延在部分53が配置されている。第1の内側包囲部分51、第2の内側包囲部分52、外面延在部分53間の熱的接続は、構成を考慮して適宜行う。図7は、MOCVD装置としての構成を示す。サセプタ10は以上説明した、いずれかのサセプタである。サセプタ10の上面に基板ホルダ100が載置され、成長基板110を支持する。基板ホルダ100は、石英製フローチャネル20の開口に露出される。フローチャネル20には、N2,H2等のキャリアガスとトリメチルガリウムTMG,トリメチルインジウムTMI,トリメチルアルミニウムTMA、NH3等のソースガス、SiH4,Cp2Mg等の不純物ガスが流される。サセプタ10の周囲にはカーボンヒータ8が配置され、サセプタ10を所望温度まで加熱する。なお、ヒータ8の周囲にはガード30が配置されている。以上実施例に沿って、本発明を説明したが、本発明はこれらに限られるものではない。例えば、種々の、変形、置換、組み合わせ、改良などが可能なことは当業者に自明であろう。"