固体撮像装置の製造方法であって、複数の光電変換部が形成された半導体基板の上に配置された配線構造の上に、複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を形成する工程と、前記カラーフィルタ層の上に感光性のマイクロレンズ材料層を形成する工程と、露光装置の解像限界よりも小さな寸法を有する遮光部の密度に応じた透過光量分布を有するフォトマスクを使用して前記マイクロレンズ材料層を露光することによって前記マイクロレンズ材料層に潜像を形成し、前記マイクロレンズ材料層を現像することによってマイクロレンズを形成する工程とを含み、前記カラーフィルタ層は、表面段差を有し、前記マイクロレンズ材料層は、前記カラーフィルタ層の前記表面段差に応じた表面段差を有する、ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記マイクロレンズの表面段差は、最大高さを有するマイクロレンズと最小高さを有するマイクロレンズとの差ΔHとして評価したときに、0μm<ΔH≦0.5μmを満たす、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。前記マイクロレンズ材料層は、前記カラーフィルタ層に接触するように形成される、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置の製造方法。前記カラーフィルタ層の表面段差は、異なるカラーのカラーフィルタの間における表面の高さの違いによって形成される、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記フォトマスクは、2次元状に配置された複数の矩形領域のそれぞれに、前記マイクロレンズを形成するための遮光部と非遮光部とからなるマイクロレンズパターンを有し、各矩形領域は、当該矩形領域の4つの辺を外縁とする枠領域と、前記枠領域の内縁を境界とする主領域とを含み、前記枠領域は、前記4つの辺のうちの1つの辺をそれぞれ輪郭線の一部とする4つの帯状領域からなり、前記枠領域の前記外縁と前記内縁との間の幅は、露光光の波長の1/2以下であり、遮光部の面積/遮光部の面積非遮光部の面積として定義される遮光部密度が0以上15パーセント以下となり、かつ、4つの前記帯状領域の前記遮光部密度が互いに同一となるように、前記枠領域における遮光部および非遮光部の配置が決定されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、マイクロレンズと光電変換部との距離を低減しつつマイクロレンズの形状制御を容易にするために有利な技術を提供することを目的とする。本発明は、固体撮像装置の製造方法に係り、前記固体撮像装置は、複数の光電変換部が形成された半導体基板の上に配置された配線構造の上に、複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を形成する工程と、前記カラーフィルタ層の上に感光性のマイクロレンズ材料層を形成する工程と、露光装置の解像限界よりも小さな寸法を有する遮光部の密度に応じた透過光量分布を有するフォトマスクを使用して前記マイクロレンズ材料層を露光することによって前記マイクロレンズ材料層に潜像を形成し、前記マイクロレンズ材料層を現像することによってマイクロレンズを形成する工程とを含み、前記カラーフィルタ層は、表面段差を有し、前記マイクロレンズ材料層は、前記カラーフィルタ層の前記表面段差に応じた表面段差を有する。本発明によれば、例えば、マイクロレンズと光電変換部との距離を低減しつつマイクロレンズの形状制御を容易にするために有利な技術が提供される。図1を参照しながら本発明の実施形態の固体撮像装置またはマイクロレンズの製造方法を説明する。ここで、固体撮像装置は、例えば、MOSセンサまたはCCDセンサでありうる。以下では、代表的に、固体撮像装置がMOSセンサである場合の例を説明する。図1aに示す工程では、半導体基板100に光電変換部受光部101およびMOSトランジスタを形成し、その上に配線構造LSを形成し、配線構造LSの上に平坦化層102を形成する。配線構造LSは、複数の配線層と、それらを絶縁する複数の層間絶縁層を含みうる。また、配線構造LSは、例えば、その上面に、インナーマイクロレンズを含みうる。平坦化層102は、可視光領域の波長を有する光の透過率が高い材料で形成されることが好ましく、例えば、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂等の樹脂で形成されうる。平坦化層102は、例えば、塗布回転法で形成されうる。次に、図1bに示すように、平坦化層102の上にカラーフィルタ層103を形成する。カラーフィルタ層103は、複数のカラーフィルタ図1bでは、103a、103b、103cの配列によって構成されうる。カラーフィルタ層103は、例えば、染料または顔料で着色された感光性樹脂をフォトリソグラフィ法でパターニングすることによって形成されうる。カラーフィルタ層103は、表面段差表面に現れる段差を有しうる。これは、カラーフィルタ層103を構成する複数のカラーのカラーフィルタが個別の工程によって製造されうるからである。即ち、カラーフィルタ層103の表面段差は、異なるカラーのカラーフィルタの間における表面の高さの違いによって形成されうる。次に、図1cに示すように、カラーフィルタ層103の上に感光性のマイクロレンズ材料層104を形成する。マイクロレンズ材料層104は、可視光領域の波長を有する光の透過率が高い材料で形成されることが好ましく、例えば、ポジ型のポリスチレン系樹脂等が適しており、塗布回転法で形成されうる。カラーフィルタ層103の上に形成されるマイクロレンズ材料層104は、カラーフィルタ層103の表面段差に応じた表面段差を有しうる。マイクロレンズ材料層104の表面段差の大きさは、図1cに例示されるように、例えば、最大高さを有する部分の表面と最小高さを有する部分の表面との差ΔHとして評価されうる。マイクロレンズ材料層104の表面段差の大きさは、カラーフィルタ層103とマイクロレンズ材料層104との間に平坦化層以下、レンズ下地平坦化層を配置することによって低減されうる。しかしながら、レンズ下地平坦化層を形成することは、工程数の増加や斜入射特性の悪化をもたらす。よって、工程数の削減の観点からは、レンズ下地平坦化層を設けないことが好ましいし、入射特性の向上の観点からは、レンズ下地平坦化層を設けないか薄くすることが好ましい。レンズ下地平坦化層を設けない場合、マイクロレンズ材料層104は、カラーフィルタ層103に接触するように形成される。次に、図1dに示す工程では、マイクロレンズ材料層104を露光装置によって露光することによって、形成すべきマイクロレンズに対応する潜像をマイクロレンズ材料層104に形成する。該フォトマスクは、露光装置の解像限界ここでは、基板上における最小加工寸法に対して露光装置の投影倍率の逆数を乗じた寸法を意味する。よりも小さな寸法のドット遮光部の密度に応じた透過光量分布を有する。このような透過光量分布の形成方法は、面積階調法と呼ばれうる。面積階調法によるマイクロレンズの形成方法は、例えば、特開2008-287212号公報に開示されており、フォトマスクは、特開2008-287212号公報の開示に従って製造することができる。マイクロレンズ材料層104は、該透過光量分布に従った光強度分布で露光され、それに応じた潜像が形成される。次に、図1eに示す工程では、潜像が形成されたマイクロレンズ材料層104を現像することによってマイクロレンズ105を形成する。ここで、現像の後に必要に応じて熱処理を行うことによってマイクロレンズ105の表面を滑らかにしてもよい。面積階調法を適用することにより、マイクロレンズ材料層104の表面段差に起因するマイクロレンズ105の製造誤差を小さくすることができる。すなわち、面積階調法を適用することにより、マイクロレンズ材料層104の表面段差の大きさに対してマイクロレンズ105の製造誤差を鈍感にすることができる。図2は、露光装置のデフォーカス量を変化させたときのレンズ間ギャップ変化量を例示する図である。ここで、横軸は、露光装置のデフォーカス量であり、縦軸は、レンズ間ギャップ変化量である。デフォーカス量とは、マイクロレンズ材料層104の表面と露光装置の投影光学系の像面とのずれ量である。レンズ間ギャップとは、形成されたマイクロレンズアレイにおける隣接するマイクロレンズ間のギャップである。レンズ間ギャップ変化量とは、デフォーカス量が0であるときのレンズ間ギャップからの任意のデフォーカス量におけるレンズ間ギャップに対する変化量である。レンズ間ギャップ量が大きいことは、デフォーカスによるマイクロレンズの寸法誤差が大きいことを意味する。図2には、面積階調法によってマイクロレンズを形成した場合のレンズ間ギャップ変化量と、リフロー法によってマイクロレンズを形成した場合のレンズ間ギャップ変化量とが例示されている。ここでのリフロー法は、解像可能な寸法のパターンを有するフォトマスクを使ってマイクロレンズ材料層を露光し、これを現像することによって断面が矩形状のパターンを形成し、これを熱処理リフローすることによって断面を曲面にする方法である。図2より、リフロー法よりも面積階調法の方が、マイクロレンズ材料層104のデフォーカスに起因するレンズ間ギャップ変化量が小さいことが分かる。ここで、マイクロレンズ材料層104には、カラーフィルタ層103の表面段差に依存した表面段差が形成され、マイクロレンズ材料層104の表面段差が大きいことは、デフォーカス量が大きいことを意味する。レンズ間ギャップ変化量が大きいことは、マイクロレンズの製造誤差例えば、寸法誤差、マイクロレンズ高さが大きいことを意味する。したがって、リフロー法よりも面積階調法の方が、マイクロレンズ材料層104の表面段差に起因するマイクロレンズ105の形状誤差が小さくなることが分かる。これは、面積階調法では、各ドットが解像しないためであると理解される。マイクロレンズ105において、最大高さを有するマイクロレンズと最小高さを有するマイクロレンズ間の高低差をΔH’とすると、表面段差に起因するマイクロレンズ間の高低差は低減される方向になるため、ΔH’<ΔHの関係が成り立つ。本発明の限定を意図したものではないが、一例において、0μm<ΔH≦0.5μmの範囲であれば、0μm<ΔH’<0.5μmの関係が成り立ち、この範囲の高低差であれば、マイクロレンズ105は十分な加工精度を保ったまま量産性を確保できると言える。以上のように、面積階調法を適用した露光方法によれば、カラーフィルタ層とマイクロレンズとの間の平坦化層を省略しても、マイクロレンズの形状例えば、寸法を高い精度で制御することができる。カラーフィルタ層とマイクロレンズとの間の平坦化層の省略は、マイクロレンズとカラーフィルタ層との距離を小さくするために有利である。これは、当該マイクロレンズを有する固体撮像装置の斜入射特性の改善に寄与する。面積階調法は、以上の利点のほか、フォトマスクのドット密度によってフォトマスクの透過光量分布即ち、露光装置によってマイクロレンズ材料層に形成される光強度分布を自由に決定することができるという利点を有する。次に、図3および図4を参照しながら、マイクロレンズ105のアレイをフォトリソグラフィ法によって製造するために好適なフォトマスク200について説明する。フォトマスク200は、2次元状に配置された複数の矩形領域210のそれぞれに、マイクロレンズを形成するための遮光部ドットと非遮光部とからなるマイクロレンズパターンを有する。矩形領域は、典型的には正方形領域であるが、これに限定されない。各遮光部ドットは、フォトリソグラフィ法で使用される露光光の波長例えば、365nmでは解像しない寸法を有し、典型的には、矩形または円形の形状を有しうる。各矩形領域210は、当該矩形領域210の境界を規定する4つの辺221~224を外縁とする枠領域230と、枠領域230の内縁225を境界とする主領域240とを含む。枠領域230は、4つの辺221~224のうちの1つの辺をそれぞれ輪郭線の一部とする4つの帯状領域231~234からなる。例えば、帯状領域231は、辺221を輪郭線の一部としている。枠領域230の外縁である辺221~224と内縁225との間の幅Wは、フォトリソグラフィ法において使用する露光光の波長の1/2以下でありうる。帯状領域231~234は、図4に例示されるように長細い台形であってもよいし、長方形であってもよいし、他の形状を有してもよい。フォトマスクデータは、本発明の好適な実施形態の生成方法に従って典型的にはコンピュータによって生成されうる。フォトマスクデータの生成方法あるいは生成工程は、第1工程と、第2工程とを含む。第1工程では、コンピュータは、各矩形領域210の主領域240における遮光部および非遮光部の配置を決定する。これは、主領域240のフォトマスクデータを生成することに相当する。ここで、第1工程では、主領域240のほか、枠領域230における遮光部および非遮光部の配置を暫定的に決定してもよい。ただし、枠領域230における遮光部および非遮光部の配置は、第2工程において最終的に決定される。第2工程では、コンピュータは、例えば、遮光部密度が0以上15パーセント以下となり、かつ、4つの帯状領域231~234の遮光部密度が互いに同一となるように、枠領域230における遮光部および非遮光部の配置を決定しうる。これは、枠領域230のフォトマスクデータを生成することに相当する。ここで、遮光部密度ドット密度は、遮光部の面積/遮光部の面積非遮光部の面積として定義される。フォトマスクデータは、2値のデータ列を含み、遮光部は1、非遮光部は0として、又は、遮光部は0、非遮光部は1として表現されうる。枠領域230の幅Wが露光光の波長の1/2を越えると、隣接するマイクロレンズの境界部にスペースが形成され、集光率が低下しうる。そこで、枠領域230の幅Wは、露光光の波長の1/2以下であることが好ましい。また、枠領域230の遮光部密度を0以上15パーセント以下とすることにより、マイクロレンズ間の境界部或いは、マイクロレンズの周辺部における感光性レンズ材料の光反応を促進させることができる。これにより、境界部におけるマイクロレンズの形状を目標形状に近づけることができ、集光率を向上させることができる。更に、枠領域230を構成する4つの帯状領域231~234の遮光部密度を互いに同一とすることによって、それぞれのマイクロレンズの形状を均一にすることができる。上記の実施形態において、露光装置の解像限界よりも小さな同一寸法のドットの密度を変化させることによって透過光量分布を制御してもよいし、露光装置の解像限界よりも小さなドットの寸法によって透過光量分布を制御してもよい。