正極をSiCの化学式を有している炭化ケイ素とし、負極をSi3N4の化学式を有している窒化ケイ素とし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、陽極にアモルファスSiC、及び陰極にアモルファスSi3N4を、電極リード金属性の基盤に高速で製膜する製膜する製法として、高周波による大気圧プラズマ化学蒸着CVD法以下、略して、CPD法とするにより、シリコン二次電池のアモルファスケイ素化合物電極の製膜を可能とすることを特徴とする、当該ケイ素化合物電極の製造方法、及び製造装置。請求項1において、シリコン二次電池のアモルファスケイ素化合物電極のCPD法製膜を可能とするために、従来一般に使用されていたプラズマ励起に用いる電源周波数1356MHzRF帯よりも、一桁高い従来の150MHzVHF帯の高周波よりも、さらに高い300MHz以上のUHF帯を使用して、安定なグロープラズマを発生させ、高密度に生成される反応種を利用した成膜法を採用して、小さな電極基板間ギャップにおいて高密度なプラズマを発生させることが可能とする、当該ケイ素化合物電極の製膜方法、及び製膜装置。請求項1において、シリコン二次電池を組み立てるために、請求項2においてリード金属板の表面に高周波CPD法を使用して製膜した、SiCの化学式を有している炭化ケイ素の正極、及びSi3N4の負極を各々製造した後、各電極に非水電解質を塗布して、接合することを特徴とした当該シリコン二次電池の製造方法。従来のプラズマCVDPECVDは、高品質な成膜には400°C付近までプロセス温度を上げる必要があったので、200°C未満での高品質な成膜を実現し、低いプロセス温度で高いクオリティのSi3N4の均一性成膜が可能なSiC及びSi3N4電極の高速CPD法製膜を目的とする。正極をSiCの化学式を有している炭化ケイ素とし、負極をSi3N4の化学式を有している窒化ケイ素とし、正極と負極との間に非水電解質を採用する固体電解質型二次電池をCPD法で製造するために、陽極にアモルファスSiC、及び陰極にアモルファスSi3N4を、電極リード金属性の基盤に高速で製膜する製膜する製法として、高周波大気圧プラズマ化学蒸着CVD法以下、略して、CPD法とするにより、シリコン二次電池のアモルファスケイ素化合物電極の製膜を可能とする。シリコン二次電池のアモルファスケイ素化合物電極の製膜を可能とするために、従来一般に使用されていたプラズマ励起に用いる電源周波数1356MHzRF帯よりも、一桁高い従来の150MHzVHF帯よりも、さらに高い高周波550MHzUHF帯を使用して、安定なグロープラズマを発生させ、高密度に生成される反応種を利用した成膜法を採用して、小さな電極と基板間ギャップにおいて高密度なプラズマを発生させることが可能とする。高い周波数として、基準波で例えば550MHzを発生するために、本発明者は超小型の水晶振動子を、特許文献3のUSApatent6952074を発明した。単一波長で指向性のある高周波弾性波を最初に発振させることに成功したキーポイントは、溝型凹-凸concavo-convexレンズ形状水晶物体を形成するのに、撓みの現象と動圧の現象を同時に使用して、表面に凸レンズ形状を裏面に凹レンズ形状を同時に加工する設計法を発見したことによる。すなわち、凸レンズ形状の加工軸である中心軸線と凹レンズ形状の加工軸である中心軸線が、同時に形成可能な設計法を提案した。その結果、2つの中心軸線は、極く自然に完全に一致することになる。さらに水晶の光軸又は回転光軸と、2つの中心軸線が完全に一致する設計法も提案した。これにより、2段階形状をした片面溝型single-sidedgroovedtypeの振動部分として、極く小さい凹-凸レンズ形状でありながら、2つの中心軸線と水晶の光軸又は回転光軸の3つの軸線が完全に一致した水晶振動子が完成した。本設計法に基づいて開発に成功した水晶振動子は、2段階溝型水晶母材の中に、片面が凸レンズ形状で、他の面が凹レンズ形状をした極く小さい凹-凸レンズ形状の振動部分を有する。この振動部分は、適切に設計された上下蒸着電極の基に、厚みすべりmodeで振動しthickness-shearvibrationmode、主振動の近傍に全くspuriousmodeが存在しない、かつQ値の高いATカット水晶振動子で、基準波で例えば550MHzを発生できる。試料水晶ブランクとして、厚さが90μm、縦幅が3.58mm、横幅が3.58mmの、素材がAT-cutのものを用いた。水晶ブランクの中心部分に、最初に、口径が1.6mmで深さが57.0μmの、10角形状の大きい面積にフッ酸を使用してchemicaletching加工を行って、1段階形状をしたgroovedtypeの水晶ブランクを加工している。この1段階形状で10角形状をしたgroovedtypeの中心部分に、さらに2番目の加工工程としてフッ酸を使用して、2回目のchemicaletching加工にて、円形形状をした、口径が0.59mmで、深さが15.0μmの2段階形状部分を形成した。フッ酸を使用しての2回のchemicaletching加工を行ってできた、2段階形状をしたsingle-sidedgrooved-typeの水晶ブランクは、最初に小さい面積の円形形状の口径が0.59mmの振動部分をchemicaletching加工して、次に2番目の加工工程として大きい面積の口径が1.6mmの10角形状をした溝部分をchemicaletching加工で製作すると、水晶の異方性が発生して、振動部分に水晶の結晶方向が発生することにより、水晶振動子としては全く使用することができなかった。通常考えられないchemicaletching加工方法にて、2段階形状をしたsingle-sidedgrooved-typeの水晶振動子を完成させることができた。上下の研磨盤の間に水晶ブランクをある一定の圧力をかけて挟み、dual-facepolishingmachineを使用して研磨加工をする。研磨剤としては、酸化セリウムを使用すると、凹形状をした水晶ブランクを上下の研磨盤で圧力を掛けて挟むために、dual-facepolishingmachineに挟まれた凹形状の水晶ブランクの圧力分布は、矢印にて示しているように、フレーム部分は上下の両側からの圧力を受けるが、振動部分の反対側は空洞となっているので、下からのみの圧力を受ける。その結果、10角形状をした溝部分及び円形形状の振動部分の中心を頂点として、上方向に撓む。こうして、上方向に逃げた撓みの分だけ、圧力は中心部分を最小として、両端で最大となる。また両部分の間の研磨量は、球面の一部のように曲率をもって変化する。研磨量は圧力に比例する。したがって、加工後の2段階形状をしたsingle-sidedgrooved-typeの水晶ブランクは、振動部分の中心部分を最大として飛び出し、膨らんだ凸レンズ形状となる事が解明できた。この結果、平-凸レンズ形状が完成した。シリコン二次電池を組み立てるために、リード金属に製膜した、SiCの化学式を有している炭化ケイ素の正極、及びSi3N4窒化ケイ素の負極を製造した後、各電極に非水電解質を塗布して、張り合わせることにより、当該シリコン二次電池を迅速に組み立て製造できる。従来のプラズマCVDは、高品質な成膜には400°C付近までプロセス温度を上げる必要があったが、200°C未満での高品質な成膜を実現し、低いプロセス温度で高いクオリティで均一性成膜が可能SiC及びSi3N4電極を高速にて製膜できる。シリコン二次電池を組み立てるために、リード金属に製膜した、SiCの化学式を有している炭化ケイ素の正極、及びSi3N4窒化ケイ素の負極を製造した後、各電極に非水電解質を塗布して、接合して張り合わせることにより、当該シリコン二次電池を迅速に製造できる。従来のプラズマCVDPECVDは、高品質な成膜には400°C付近までプロセス温度を上げる必要があったが、本発明の図1に示すCPD法では、200°C未満での高品質な成膜5を反応ガス1を使用して実現し、CVD装置への低温化の要求に対し、高いクオリティの炭化ケイ素SiCを成膜することが可能である。図1に示すPECVD装置を用いて成膜した膜厚、膜応力、組成比、エッチ耐性などの項目について計測した。また熱の影響を調べるため、600°Cでアニールを行い、焼きなまし前のサンプルと比較をした結果、堆積速度は56nmsであり、アニール後のサンプルでは膜厚が20nm減少した。またアニールをすることによって、膜応力は圧縮領域から引張り領域へと遷移することも確認された。組成をEPMAで求めたところ、SiとCの比は、低周波LF成分が小さいほどCが減少し、LF成分が大きいほどCが増加することが分かり、Cの量が膜応力に影響を与えていることが推測される。図1に示す高周波CPD法を使用して、低温で堆積させたアモルファスSiC膜でも、化学的安定性が失われることなく、十分なエッチ耐性があることが分かった。本発明の図2に示すSi3N4厚膜の高速連続デポジションPECVD装置は、膜のストレス制御、膜厚均一性の制御のために、プラズマ源に磁気強化型誘導結合方式MagneticallyEnhancedInductivelyCoupledPlasmaを採用して、大型8インチウェハーまでの対応も可能である。図3に示すように本発明のCPD法により、一般に反応ガス1のプラズマ励起に用いられている電源周波数1356MHzRF帯よりも、一桁高い従来の150MHzVHF帯の高周波製膜速度は約6倍になっていたが、本発明ではさらに高い550MHzUHF帯電源10を使用しているので、高周波CPD法を使用して、電極3と基板7の間のギャップにおいて高密度なプラズマ4を発生できて、従来のRF帯電源の製膜速度をよりも約10倍速くなった。プラズマCVDにも対応可能なDriftdiffusionmodel計算によると、この反応性混合ガスの場合、アンモニア濃度を五パーセント程度にすると、アモルファスSi3N4膜が最適に製造できる。さらに、シリコン二次電池を組み立てるために、リード金属に製膜した、SiCの化学式を有している炭化ケイ素の正極、及びSi3N4の化学式を有している窒化ケイ素の負極を製造した後、各電極に非水電解質を塗布して、張り合わせることにより、当該シリコン二次電池を迅速に製造できる。なお、大容量シリコン二次電池の生産には、この約4ボルト単位電池の集電リードは金属箔板であるから、直列に容易に積層できる特長がある。