"信号が入力される線状の伝送ライン2aが表面に形成され、裏面全体にグランド面2bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記グランド面の一部がビアホール11を介して前記表面に導出され、この導出されたグランド面の一部と前記伝送ラインとの間が膜抵抗12により接続された入力基板2と、前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン3a,4aが表面に形成され、裏面全体にグランド面3b,4bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極13,15が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗14,16により接続された2組の出力基板3,4と、前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ5,6と、前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ7とを備えたことを特徴とする高周波スイッチ。前記膜抵抗12における前記入力基板2の伝送ライン2aと前記グランド面2bの一部との間の長さ、及び前記膜抵抗14,16における前記2組の出力基板3,4の伝送ライン3a,4aとワイヤを含む電極13,15との間の長さが電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下であることを特徴とする請求項1記載の高周波スイッチ。信号が入力される線状の伝送ライン2aが表面に形成され、裏面全体にグランド面2bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記グランド面の一部がビアホール11を介して前記表面に導出され、この導出されたグランド面の一部と前記伝送ラインとの間が膜抵抗12により接続された入力基板2を配置するステップと、前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン3a,4aが表面に形成され、裏面全体にグランド面3b,4bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極13,15が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗14,16により接続された2組の出力基板3,4を配置するステップと、前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ5,6を配置するステップと、前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ7を配置するステップとを含むことを特徴とする高周波スイッチの製造方法。前記膜抵抗12における前記入力基板2の伝送ライン2aと前記グランド面2bの一部との間の長さ、及び前記膜抵抗14,16における前記2組の出力基板3,4の伝送ライン3a,4aとワイヤを含む電極13,15との間の長さを電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下にするステップを更に含むことを特徴とする請求項3記載の高周波スイッチの製造方法。しかしながら、図3に示す従来の高周波スイッチ51には、手巻きの円錐形コイルからなるチョークコイル52が用いられており、その取付作業性が悪いという課題があった。しかも、手巻きによってチョークコイル52を作製するため、巻きムラに固体差が生じ、ターン間隔のばらつきなどで周波数特性に影響を与えるなどの課題があった。また、特許文献1に開示される高周波スイッチによれば、動作中心周波数の波長λcを規定し、この周波数を中心として広帯域での動作を最適化することができる。しかし、特定の周波数向けではないスペクトラムアナライザにおいては、狭帯域の周波数特性により、信号が伝達しづらいポイントが発生し、測定結果に影響を与えるという課題があった。そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、従来に比べて、DCから特定の周波数まで全く周波数特性を持たない高周波スイッチ及びその製造方法を提供するとともに周波数特性及び組立性の向上を図ることができる高周波スイッチ及びその製造方法を提供することを目的としている。上記目的を達成するため、本発明の請求項1に記載された高周波スイッチは、信号が入力される線状の伝送ライン2aが表面に形成され、裏面全体にグランド面2bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記グランド面の一部がビアホール11を介して前記表面に導出され、この導出されたグランド面の一部と前記伝送ラインとの間が膜抵抗12により接続された入力基板2と、前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン3a,4aが表面に形成され、裏面全体にグランド面3b,4bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極13,15が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗14,16により接続された2組の出力基板3,4と、前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ5,6と、前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ7とを備えたことを特徴とする。請求項2に記載された高周波スイッチは、請求項1の高周波スイッチにおいて、前記膜抵抗12における前記入力基板2の伝送ライン2aと前記グランド面2bの一部との間の長さ、及び前記膜抵抗14,16における前記2組の出力基板3,4の伝送ライン3a,4aとワイヤを含む電極13,15との間の長さが電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下であることを特徴とする。請求項3に記載された高周波スイッチの製造方法は、信号が入力される線状の伝送ライン2aが表面に形成され、裏面全体にグランド面2bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記グランド面の一部がビアホール11を介して前記表面に導出され、この導出されたグランド面の一部と前記伝送ラインとの間が膜抵抗12により接続された入力基板2を配置するステップと、前記入力基板からの信号が入力される線状の伝送ライン3a,4aが表面に形成され、裏面全体にグランド面3b,4bが形成されたマイクロストリップラインを構成し、前記伝送ラインから所定距離隔てた位置に電極13,15が形成され、該電極と前記伝送ラインとの間が膜抵抗14,16により接続された2組の出力基板3,4を配置するステップと、前記2組の出力基板のそれぞれの電極に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される2組のコンデンサ5,6を配置するステップと、前記バイアス端子への正負電圧の印加により、前記入力基板と前記2組の出力基板との間の伝送路を選択的に切り替えるピンダイオードスイッチ7を配置するステップとを含むことを特徴とする。請求項4に記載された高周波スイッチの製造方法は、請求項3の高周波スイッチの製造方法において、前記膜抵抗12における前記入力基板2の伝送ライン2aと前記グランド面2bの一部との間の長さ、及び前記膜抵抗14,16における前記2組の出力基板3,4の伝送ライン3a,4aとワイヤを含む電極13,15との間の長さを電気長で使用最大周波数の半波長λ/2以下にするステップを更に含むことを特徴とする。本発明によれば、チョークコイルに代えて、膜抵抗が回路基板上に形成されるので、従来の高周波スイッチと比較して、周波数特性、組立性の向上を図ることができる。しかも、従来のような手巻きによるチョークコイルが不要なので、巻きムラの固体差によるターン間隔のばらつきなどで周波数特性に影響を与えることもない。さらに、伝送ラインからグランドまでの電気長がλ/2になる周波数において、電気長で使用最大周波数の半波長λ/2で成形することで使用周波数で影響を受けないショートスタブと同じ効果。以下、本発明を実施するための形態について、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。尚、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、この形態に基づいて当業者などによりなされる実施可能な他の形態、実施例及び運用技術などはすべて本発明の範疇に含まれる。図1は本発明に係る高周波スイッチの一実施の形態を示す概略平面図、図2aは図1のA-A線部分断面図、図2bは図1のB-B線部分断面図である。本例の高周波スイッチ1は、周波数が低域から高域まで使用可能なスイッチであり、図1に示すように、入力基板2、第1の出力基板3、第2の出力基板4、第1のコンデンサ5、第2のコンデンサ6、ピンダイオードスイッチ7を備えて概略構成される。入力基板2は、薄板状誘電体基板からなり、導体箔からなる伝送ライン2aが表面に線状に蒸着形成されるとともに、導体箔からなるグランド面2bが裏面全体に蒸着形成されたマイクロストリップラインを構成している。線状の伝送ライン2aの中央には、伝送ライン2aから所定距離隔てた位置にビアホール11が形成されている。ビアホール11は、図2aに示すように、伝送ライン2aとグランド面2bとの間を電気的に接続するためのメッキ穴で形成される。グランド面2bの一部は、入力基板2の裏面からビアホール11内を通じて表面に導出して形成される。そして、伝送ライン2aとグランド面2bの一部との間は、例えば窒化タンタルやニクロム等からなる膜抵抗12を介して接続される。膜抵抗12は、伝送ライン2aおよびグランド面2bに先立って入力基板2の表面に蒸着形成される。また、膜抵抗12は、50Ωより高い値に設定され、使用される電源電圧に応じて適宜選択可能である。さらに、波長短縮率を加味した膜抵抗12における伝送ライン2aとグランド面2bの一部との間の長さは、電気長で最大使用周波数の半波長λ/2以下に設定される。第1の出力基板3は、入力基板2と同様に、薄板状誘電体基板からなり、導体箔からなる伝送ライン3aが表面に線状に蒸着形成されるとともに、導体箔からなるグランド面3bが裏面全体に蒸着形成されたマイクロストリップラインを構成している。また、第1の出力基板3には、図2bに示すように、伝送ライン3aの中央で伝送ライン3aから所定距離隔てた位置に第2のコンデンサ6とワイヤボンディングするための電極13が形成される。さらに、第1の出力基板3の伝送ライン3aと電極13との間は、例えば窒化タンタルやニクロム等からなる膜抵抗14を介して接続される。膜抵抗14は、伝送ライン3aおよびグランド面3bに先立って第1の出力基板3の表面に蒸着形成される。また、膜抵抗14は、50Ωより高い値に設定され、使用される電源電圧に応じて適宜選択可能である。さらに、波長短縮率を加味した膜抵抗14における伝送ライン3aとワイヤを含む電極13との間の長さは、電気長で最大使用周波数の半波長λ/2以下に設定される。第2の出力基板4は、第1の出力基板3と同様の構成であって、薄板状誘電体基板からなり、導体箔からなる伝送ライン4aが表面に線状に蒸着形成されるとともに、導体箔からなるグランド面4bが裏面全体に蒸着形成されたマイクロストリップラインを構成している。また、第2の出力基板4には、図2bに示すように、伝送ライン4aの中央で伝送ライン4aから所定距離隔てた位置に第1のコンデンサ5とワイヤボンディングするための電極15が形成される。さらに、第2の出力基板4の伝送ライン4aと電極15との間は、例えば窒化タンタルやニクロム等からなる膜抵抗16を介して接続される。膜抵抗16は、伝送ライン4aおよびグランド面4bに先立って第2の出力基板4の表面に蒸着形成される。また、膜抵抗16は、50Ωより高い値に設定され、使用される電源電圧に応じて適宜選択可能である。さらに、波長短縮率を加味した膜抵抗16における伝送ライン4aとワイヤを含む電極15との間の長さは、電気長で最大使用周波数の半波長λ/2以下に設定される。第1のコンデンサ5は、不要な高周波成分を除去するもので、単板コンデンサからなり、第1の出力基板3の電極13との間がワイヤボンディングされる。なお、第1のコンデンサ5は、不図示のバイアス端子との間がワイヤボンディングされており、バイアス端子から伝送ライン3aを介して正の電圧又は負の電圧がバイアス電圧として選択的に印加される。第2のコンデンサ6は、不要な高周波成分を除去するもので、第1のコンデンサ5と同様の単板コンデンサからなり、第2の出力基板4の電極15との間が金ワイヤによりワイヤボンディングされる。なお、第2のコンデンサ6は、不図示のバイアス端子との間が金ワイヤによりワイヤボンディングされており、バイアス端子から伝送ライン4aを介して正の電圧又は負の電圧がバイアス電圧として選択的に印加される。ピンダイオードスイッチ7は、アノード同士が向き合って直列接続され、その交点と入力基板2の伝送ライン2aとの間が金ワイヤによりワイヤボンディングされた2組のダイオード7a,7bを有している。ピンダイオードスイッチ7は、不図示の2つのバイアス端子から伝送ライン3a,4aを介して正負のバイアス電圧を印加することにより、入力基板2の伝送ライン2aから入力される信号の伝送路を第1の出力基板4側又は第2の出力基板5側に選択的に切り替えている。そして、上記のように構成される高周波スイッチ1では、入力基板2の伝送ライン2aの一端に信号が入力されると、その信号は伝送ライン2aの他端からピンダイオードスイッチ7に伝送される。ここで、ピンダイオードスイッチ7のダイオード7aに順方向電流が流れるように第1の出力基板3側のバイアス端子に負の電圧を印加し、ピンダイオードスイッチ7のダイオード7bが逆電圧方向になるように第2の出力基板4側のバイアス端子に正の電圧を印加すると、第1の出力基板3の伝送ライン3aが選択される。そして、ピンダイオードスイッチ7を介して第1の出力基板3の伝送ライン3aの一端から入力した信号は、伝送ライン3aの他端から例えばコネクタ、アンプ、他の回路等に出力される。これに対し、ピンダイオードスイッチ7のダイオード7bに順方向電流が流れるように第2の出力基板4側のバイアス端子に負の電圧を印加し、ピンダイオードスイッチ7のダイオード7aが逆電圧方向になるように第1の出力基板3側のバイアス端子に正の電圧を印加すると、第2の出力基板4の伝送ライン4aが選択される。そして、ピンダイオードスイッチ7を介して第2の出力基板4の伝送ライン4aの一端から入力した信号は、伝送ライン4aの他端から例えばコネクタ、アンプ、他の回路等に出力される。このように、本発明の高周波スイッチ1は、図3に示す従来の高周波スイッチ51におけるチョークコイルに代えて、膜抵抗12,14,16を回路基板2,3,4上に最小に作り込む構成なので、従来の高周波スイッチと比較して、周波数特性、組立性の向上を図ることができる。しかも、抵抗制御により、従来のような手巻きによるチョークコイルが不要になるので、巻きムラの固体差によるターン間隔のばらつきなどで周波数特性に影響を与えることもない。"