温度に依存した特性を有する第1の電圧を発生する第1の電圧発生回路と、前記第1の電圧発生回路と同一の回路構成を有し、前記第1の電圧の温度依存特性とは異なる温度依存特性を持った第2の電圧を発生する第2の電圧発生回路と、前記第1の電圧と前記第2の電圧とを用いた比較結果に基づいて温度の検知結果を出力する比較回路とを備えることを特徴とする温度検知回路。前記第1の電圧発生回路及び前記第2の電圧発生回路は、負の温度依存特性を有する半導体素子と、正の温度依存特性を有する半導体素子と、複数の抵抗素子とを有するものであることを特徴とする請求項1に記載の温度検知回路。前記負の温度依存特性を有する半導体素子は、サブスレショルド領域の動作が負の温度依存特性を持つトランジスタであり、前記正の温度依存特性を有する半導体素子は、チャネル抵抗が正の温度依存特性を持つトランジスタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の温度検知回路。前記比較回路が、前記第1の電圧と、前記第2の電圧を増幅及び分圧して生成した複数の参照電圧とを比較するものであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の温度検知回路。前記第1の電圧と前記第2の電圧とが、互いに異なる極性の温度依存特性を有していることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の温度検知回路。図4を参照して説明した温度検知回路では、温度-電圧変換部20の回路と、この電圧をA/D変換するときに使用される参照電圧例えばVrefの発生回路とが、特定の部分が同一である等の回路の関連性を有することが無く、異なる回路構成として設計されている。参照電圧Vrefは一般に温度に対する依存性が無い電圧を用いるが、厳密性を考慮すると、簡易な構成において実際の回路で温度依存性が全くない参照電圧を発生させることは困難である。そのため、図5に示すように、図4の温度検知回路の出力特性である温度Tempと温度検知データDataとの相関が一定の傾向から外れ、温度検知の精度の補正が困難となる場合が考えられる。すなわち、一定程度の補正を行ったとしても、図5において破線で示すような相関が一定の傾向を示す特性が、実線で示すような相関が一定の傾向から外れるような特性となってしまう場合があるという課題がある。すなわちこの図5の例のように温度と出力データとの関係が複雑となり、高い精度での温度検出が難しくなるという課題があった。なお、図5は、温度Tempと温度検知データの値との関係の一例を示した図である。この例では、図4のコンパレータCMP_1~CMP_Nの個数が9個であるとして、各コンパレータCMP_1~CMP_Nの出力と温度Tempとの関係を示している。破線で示した特性が参照電圧Vrefの温特がほぼフラットの場合、実線で示した特性が参照電圧Vrefの温特がフラットではない場合に対応している。また、電圧Vtempは負の温特を有するものである。また、縦軸に示した温度検知データDataの最上位ビット左端のビットがコンパレータCMP_NN=9の出力に対応し、最下位ビット右端のビットがコンパレータCMP_1の出力に対応している。すなわち、例えば、温度が低い場合には電圧Vtempが高い値となり、コンパレータCMP_1~CMP_Nの各出力が0となる。温度が上昇していくと徐々に電圧Vtempが低下し、コンパレータCMP_1~CMP_Nの各出力が順次0から1に変化している。本発明は、上記の事情を考慮してなされたものであり、温度と温度検知データとの相関が一定の傾向から外れることをできるだけなくし、高精度の温度検知を可能とする温度検知回路を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の温度検知回路は、温度に依存した特性を有する第1の電圧を発生する第1の電圧発生回路と、前記第1の電圧発生回路と同一の回路構成を有し、前記第1の電圧の温度依存特性とは異なる温度依存特性を持った第2の電圧を発生する第2の電圧発生回路と、前記第1の電圧と前記第2の電圧とを用いた比較結果に基づいて温度の検知結果を出力する比較回路とを備えることを特徴とする。本発明によれば、第1の電圧発生回路で発生された温度に依存した特性を有する第1の電圧と、第1の電圧発生回路と同一の回路構成を有する第2の電圧発生回路で発生された第1の電圧の温度依存特性とは異なる温度依存特性を持った第2の電圧との比較結果に基づいて、温度の検知結果が出力される。第1の電圧発生回路の回路構成と第2の電圧発生回路は回路構成とは同一である。そのため、異なる回路構成を有する場合と比べ、第1の電圧の温度変化の特性と第2の電圧の温度変化の特性との相関の管理が比較的容易になる。すなわち、温度と温度検知結果との相関が一定の傾向から外れることを比較的容易に補正し、低減することが可能となる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施の形態としての温度検知回路1の構成を示す回路図である。温度検知回路1は、A/D変換部10と、温度-電圧変換部30とから構成されている。A/D変換部10は、上記において本願の背景技術を説明する際に図4を参照して説明したA/D変換部10と同一の回路構成を有するものであり、各構成には図4で用いたものと同一の符号を付けている。ただし、本実施形態のA/D変換部10は、図4に示したものと入力される電圧の特性が異なる、例えば逆の温度特性を有する。本実施形態では、A/D変換部10が、温度-電圧変換部30から出力された第1の電圧VAと第2の電圧VBとを入力し、それらを用いた比較結果に基づいて温度を検知する比較回路として構成されている。温度-電圧変換部30は、2つの電圧発生回路30A及び30Bを有して構成されている。電圧発生回路30Aは、温度に依存した特性を有する第1の電圧VAを発生する電圧発生回路である。電圧発生回路30Bは、電圧発生回路30Aと同一の回路構成を有し、第1の電圧VAの温度依存特性とは異なる温度依存特性を持った第2の電圧VBを発生する電圧発生回路である。電圧発生回路30Aは、2個のNチャネルMOSトランジスタ以下、単にトランジスタと称するW1A及びW2Aと、3個の抵抗R1A、R2A及びR3Aとから構成されている。電源Vccに一端が接続されている抵抗R3Aは、他端が抵抗R2Aの一端とトランジスタW1AのゲートとトランジスタW2Aのドレインとに接続されている。抵抗R2Aの他端は、トランジスタW1Aのドレインに接続され、また、第1の電圧VAの出力端となっている。トランジスタW1Aのソースは、抵抗R1Aの一端とトランジスタW2Aのゲートに接続されている。抵抗R1Aの他端とトランジスタW2AのソースはグランドVssに接続されている。同様に、電圧発生回路30Bは、2個のトランジスタW1B及びW2Bと、3個の抵抗R1B、R2B及びR3Bとから構成されている。電源Vccに一端が接続されている抵抗R3Bは、他端が抵抗R2Bの一端とトランジスタW1BのゲートとトランジスタW2Bのドレインとに接続されている。抵抗R2Bの他端は、トランジスタW1Bのドレインに接続され、また、第2の電圧VBの出力端となっている。トランジスタW1Bのソースは、抵抗R1Bの一端とトランジスタW2Bのゲートに接続されている。抵抗R1Bの他端とトランジスタW2BのソースはグランドVssに接続されている。電圧発生回路30A及び電圧発生回路30Bの回路構成は、特許文献1の図1に示されている基準電圧発生回路の回路構成と同一である。ただし、特許文献1の図1に示されている基準電圧発生回路では、2つのトランジスタにおける正の温度係数を持つ動作特性と負の温度係数を持つ動作特性とを互いに相殺することで温度に依存しない電圧を発生している。すなわち、特許文献1の図1に示されている基準電圧発生回路の出力電圧の温特は、例えば図2に破線で示すような温度にあまり依存しない特性となる。なお、図2は、横軸に温度、縦軸に電圧をとり、温度変化と電圧変化の関係を示している。これに対して、本実施形態の電圧発生回路30A及び電圧発生回路30Bは、例えば図2に示すように第1の電圧VAと第2の電圧VBとが互いに異なる温度依存特性を有するように各素子の特性が設定されている。電圧発生回路30A及び電圧発生回路30Bでは、トランジスタW1A及びトランジスタW1Bがそのチャネル抵抗の温特として正の温特を持ち、トランジスタW2A及びトランジスタW2Bがサブスレショルド領域で動作することによる負の温特を持つ。すなわち、電圧発生回路30A及び電圧発生回路30Bは、正温度依存を持つ素子であるトランジスタW1A及びトランジスタW1Bと、負正温度依存を持つ素子であるトランジスタW2A及びトランジスタW2Bを有し、正温度依存を持つ素子であるトランジスタW1A及びトランジスタW1Bと負正温度依存をもつ素子であるトランジスタW2A及びトランジスタW2Bとのサイズすなわちチャネル長やチャネル幅等もしくはその関連素子例えば抵抗R1A~R3A及びR1B~R3Bのサイズすなわち抵抗値を変更することで、互いに異なった温度依存特性を有する第1の電圧VA及び第2の電圧VBを発生する。なお、図2に示した第1の電圧VAと第2の電圧VBとの温度依存特性は一例である。すなわち、図2に示すように第1の電圧VAが負の温特温度上昇に伴って電圧が低下する特性を有し、第2の電圧VBが正の温特温度上昇に伴って電圧が上昇する特性を有するもののほか、両者が同一の正または負の温特を有して傾きが異なるものすなわち温度上昇に伴う電圧の変化幅が異なるものや、一方の傾きがほぼ平坦であるもの等とすることができる。本実施形態の温度検知回路1では、2つの温度に依存する電圧発生回路30A及び30Bの出力電圧である第1の電圧VA及び第2の電圧VBが、A/D変換部10へ入力される。A/D変換部10では、第2の電圧VBがオペアンプOP1の反転入力端子に入力され、第1の電圧VAがN個のコンパレータCMP_1~CMP_Nの反転入力端子に入力される。温度依存する電圧発生回路30Bが出力する第2の電圧VBは、抵抗Rxと抵抗Ryの抵抗比など正確にはさらにPチャネルMOSトランジスタT1の動作抵抗などにも依存するがに応じて増幅され、増幅された電圧を抵抗Rxにおいて分圧することで、多段階すなわちN段階の参照電圧VBx1~VBxNとなる。この多段階の参照電圧VBx1~VBxNともう一方の温度依存する電圧発生回路30Aの出力電圧VAの電圧とを、N個のコンパレータCMP_1~CMP_Nで比較することで、Nビットの符号データからなる温度検知データDataが生成される。例えば、このNビットの温度検知データDataと温度を示す温度データとを対応付けた温度対応テーブルを温度検知回路1内の内部記憶部に設けておく。そして、温度検知回路1は、温度検知データDataを求めた後、この温度検知データDataに対応する温度データを内部記憶部の温度対応テーブルから読み出し、温度を示すデータとして出力する。図3は、図2の特性図に、N段階の参照電圧VBx1~VBxNの温度変化の特性を示した図である。第1の電圧VAと参照電圧VBx1~VBxNとを比較することで、図3に示した丸印X1~XNに対応する各温度において、コンパレータCMP_1~CMP_Nの出力が1から0へ又は0から1へと変化する。このように、本実施形態の温度検知回路1では、同一回路構成からなる2個の電圧発生回路30A及び30B但し、電圧発生回路30A及び30Bの温度依存の係数は異なるを用いることで、初めから温度依存特性を有することを前提として温度検知データを求めることを前提としているため、温度と温度検知データDataとの相関が一定の傾向から外れることがなくなりあるいは容易に補正できるようになり、高精度の温度検知が可能となる。なお、本発明の実施の形態は上記のものに限定されず、例えばコンパレータCMP_1~CMP_Nを複数ではなく1個にしたり、第2の電圧VBに加え第1の電圧VAを増幅してからコンパレータCMP_1~CMP_Nに入力するようにしたり、コンパレータCMP_1~CMP_Nを複数ではなく1個にする場合には第1の電圧VAと第2の電圧VBを増幅せずにコンパレータで比較するようにしたり、といった変更を適宜行うことができる。