"材料に励起を与え、材料から発せられる光を検知する測定方法において、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように、材料に励起を与え、複数の励起時間を含む長さの測定時間内に、材料から励起時間に発せられる光と励起時間の終末に続いて発せられる減衰光とを分離し、前記測定時間内に、分離された複数の前記減衰光を蓄積して検知し、蓄積された検知光の強度に基づいてキャリアの寿命を測定することを特徴とするキャリア寿命の測定方法。材料から発せられる光を励起時間の終末と同時またはそれ以後に取得することで、励起時間に発せられる光から減衰光を分離する請求項1記載のキャリア寿命の測定方法。材料から発せられる光を励起時間の途中から取得することで、励起時間に発せられる光と、前記光の一部および減衰光とを分離する請求項1記載のキャリア寿命の測定方法。励起源から発せられる励起を励起側の変調装置に通過させて、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように、材料に励起を与える請求項1ないし3のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。励起源から励起を断続的に発生させて、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように、材料に励起を与える請求項1ないし3のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料から発せられる光を受光側の変調装置に通過させて、励起時間に発せられる光から減衰光を分離し、測定時間に相当する露光時間を有する受光装置によって、複数の減衰光を蓄積して検知する請求項1ないし5のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料から発せられる光を間欠的に受光できる受光装置を用いて、励起時間に発せられる光から減衰光を分離するとともに、測定時間内に複数の減衰光を蓄積して検知する請求項1ないし5のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。前記受光装置は、複数の受光素子が配列したものであり、それぞれの受光素子で複数の減衰光を蓄積して検知する請求項6または7記載のキャリア寿命の測定方法。複数の受光素子が二次元的に配列した受光装置を使用し、材料の一定の面積の領域から発せられた減衰光をそれぞれの受光素子で同時に取得し、前記領域内における位置とキャリア寿命に関する情報を得る請求項8記載のキャリア寿命の測定方法。複数の受光素子が列を成して配列した受光装置を使用し、複数の受光素子によって材料から発せられる減衰光を同時に取得し、この取得ラインを移動させて、材料の一定の面積の領域内における位置とキャリア寿命に関する情報を得る請求項8記載のキャリア寿命の測定方法。材料に複数の周波数の励起を与え、それぞれの周波数の励起において材料から発せられる減衰光を蓄積した検知光を取得し、異なる周波数の励起で得られた前記検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去して、キャリアの寿命成分を定量化して測定する請求項1ないし10のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。励起時間が間隔を空けて繰り返されるように材料に励起を与えたときに、減衰光が蓄積されて得られた検知光の強度と、材料から発せられる光を連続して検出して得られる検出光の強度との比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する請求項1ないし10のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料に与える励起を異なる波形で変調して、それぞれの変調波形の励起において材料から発せられる減衰光を蓄積した検知光を取得し、異なる波形の変調で得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する請求項1ないし10のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料から発せられる光を互いに相違する位相の波形で変調して、減衰光を蓄積して検知した検知光を取得し、異なる位相の変調で得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する請求項1ないし10のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料に励起を与える間隔と励起時間とのデューティ比、および励起時間に発せられる光から減衰光を分離するときの分離時間とこの分離時間の間隔とのデューティ比を相違させ、異なるデューティ比のときに減衰光が蓄積されて得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する請求項1ないし10のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料に与える励起が励起光である請求項1ないし15のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料に与える励起が励起電力である請求項1ないし15のいずれかに記載のキャリア寿命の測定方法。材料に励起を与え、材料から発せられる光を検知する測定装置において、励起時間が間隔を空けて繰り返される励起を材料に与える励起装置と、複数の励起時間を含む長さの測定時間内に、材料から励起時間に発せられる光と励起時間の終末に続いて発せられる減衰光とを分離し、前記測定時間内に、分離された複数の前記減衰光を蓄積して検知する検知装置と、を有することを特徴とするキャリア寿命の測定装置。前記励起装置が、励起源と、励起源から発せられる励起を、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように変調する励起側の変調装置とを有する請求項18記載のキャリア寿命の測定装置。前記励起装置が、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように励起を発する励起源を有している請求項18記載のキャリア寿命の測定装置。前記励起源が、発光源である請求項19または20記載のキャリア寿命の測定装置。前記励起源が、励起電力の発生源である請求項19または20記載のキャリア寿命の測定装置。前記検知装置は、前記材料から発せられる光を、励起時間に発せられる光と減衰光とに分離する変調装置と、測定時間に相当する露光時間内に複数の減衰光を蓄積して検知する受光装置とを有する請求項18ないし22のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。前記検知装置は、材料から発せられる光を間欠的に受光して、励起時間に発せられる光から減衰光を分離するとともに、複数の減衰光を蓄積して検知する受光装置を有する請求項18ないし22のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。前記検知装置は、材料から発せられる光を励起時間の終末と同時またはそれ以後に取得することで、励起時間に発せられる光から減衰光を分離する請求項23または24記載のキャリア寿命の測定装置。前記検知装置は、材料から発せられる光を励起時間の途中から取得することで、励起時間に発せられる光と、前記光の一部および減衰光とを分離する請求項24記載のキャリア寿命の測定装置。前記受光装置は、複数の受光素子が配列したものであり、それぞれの受光素子が複数の減衰光を蓄積して検知する請求項23ないし26のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。前記受光装置が、二次元的に配列した複数の受光素子を有しており、それぞれの受光素子で材料の一定の面積の領域から発せられた減衰光が取得されて、前記領域内における位置とキャリア寿命に関する情報が得られる請求項27記載のキャリア寿命の測定装置。前記受光装置が、列を成して配列する複数の受光素子を有し、前記受光装置と材料とを前記列と交叉する向きに相対的に移動させる移送装置を有しており、複数の受光素子によって材料から発せられる減衰光が同時に取得されるとともに、この取得ラインが移動して、一定の面積の領域内における位置とキャリア寿命に関する情報が得られる請求項27記載のキャリア寿命の測定装置。材料と前記検知装置との間に波長フィルタが設けられている請求項18ないし29のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。材料と前記検知装置との間に偏光フィルタが設けられている請求項18ないし29のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。材料に与える励起の周波数を変化させる励起装置が設けられ、異なる周波数で励起したときに前記検知装置で取得される検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられている請求項18ないし31のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。材料に与えられる励起を、励起時間が間隔を空けて繰り返して与える励起装置が設けられ、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように材料に励起を与えたときに前記検知装置で取得される検知光の強度と、前記検知装置で材料から発せられる光を連続して検出した検出光の強度との比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられている請求項18ないし31のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。材料に与える励起を異なる波形で変調して、それぞれの変調波形の励起において材料から発せられる減衰光を蓄積して検知する検知装置が設けられ、異なる波形の変調で得られた検知強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられている請求項18ないし31のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。材料から発せられる光を互いに相違する位相の波形で変調して、減衰光を蓄積して検知する検知装置が設けられ、異なる位相の変調で得られた検知強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられている請求項18ないし31のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。材料に励起を与える間隔と励起時間とのデューティ比を相違させる励起装置と、励起時間に発せられる光と減衰光を分離するときの分離時間とこの分離時間の間隔とのデューティ比を相違させる検知装置とを有し、異なるデューティ比のときに減衰光が蓄積されて得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられている請求項18ないし31のいずれかに記載のキャリア寿命の測定装置。これまで述べたように、従来技術においてルミネッセンスを高速に評価する方法を実現した例があるものの、キャリア寿命は測定できてはおらず、キャリア寿命から算出される欠陥の種類や濃度、などを評価できていないのが現状である。また、従来のキャリア寿命評価を行う方法では、計測装置が非常に高価であり、測定にも時間がかかるため測定コストがかかるほか、マップ測定などのような多数点の測定を行って測定データ分布を得ることができなかった。本発明は、材料に接触することなく、材料から発せられる光を観察する方法を工夫することで、エネルギーキャリアの寿命に関する情報を低コスト、高速で得ることができるキャリア寿命の測定方法および測定装置提供することを目的としている。また、本発明は、半導体などの材料内のキャリア寿命の分布を求めることが可能なキャリア寿命の測定方法および測定装置を提供することを目的としている。本発明のキャリア寿命の測定方法は、材料に励起を与え、材料から発せられる光を検知する測定方法において、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように、材料に励起を与え、複数の励起時間を含む長さの測定時間内に、材料から励起時間に発せられる光と励起時間の終末に続いて発せられる減衰光とを分離し、前記測定時間内に、分離された複数の前記減衰光を蓄積して検知し、蓄積された検知光の強度に基づいてキャリアの寿命を測定することを特徴とするものである。本発明のキャリア寿命の測定方法は、材料から発せられる光を励起時間の終末と同時またはそれ以後に取得することで、励起時間に発せられる光から減衰光を分離する。または、材料から発せられる光を励起時間の途中から取得することで、励起時間に発せられる光と、前記光の一部および減衰光とを分離する。本発明のキャリア寿命の測定方法は、励起源から発せられる励起を励起側の変調装置に通過させて、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように、材料に励起を与えるものである。あるいは、励起源から励起を断続的に発生させて、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように、材料に励起を与えるものである。本発明のキャリア寿命の測定方法は、材料から発せられる光を受光側の変調装置に通過させて、励起時間に発せられる光から減衰光を分離し、測定時間に相当する露光時間を有する受光装置によって、複数の減衰光を蓄積して検知するものである。または、材料から発せられる光を間欠的に受光できる受光装置を用いて、励起時間に発せられる光から減衰光を分離するとともに、測定時間内に複数の減衰光を蓄積して検知するものである。本発明のキャリア寿命の測定方法は、前記受光装置が、複数の受光素子が配列したものであり、それぞれの受光素子で複数の減衰光を蓄積して検知するものである。例えば、複数の受光素子が二次元的に配列した受光装置を使用し、材料の一定の面積の領域から発せられた減衰光をそれぞれの受光素子で同時に取得し、前記領域内における位置とキャリア寿命に関する情報を得ることが可能である。あるいは、複数の受光素子が列を成して配列した受光装置を使用し、複数の受光素子によって材料から発せられる減衰光を同時に取得し、この取得ラインを移動させて、材料の一定の面積の領域内における位置とキャリア寿命に関する情報を得ることが可能である。本発明のキャリア寿命の測定方法は、材料に複数の周波数の励起を与え、それぞれの周波数の励起において材料から発せられる減衰光を蓄積した検知光を取得し、変調周波数の増加に伴って前記検知光の強度が非線形で増加する周波数から、キャリア寿命を定量化して測定することが可能である。さらに、異なる周波数の励起で得られた前記検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去して、キャリアの寿命成分を定量化して測定することが可能である。または、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように材料に励起を与えたときに、減衰光が蓄積されて得られた検知光の強度と、材料から発せられる光を連続して検出して得られる検出光の強度との比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定することが可能である。あるいは、材料に与える励起を異なる波形で変調して、それぞれの変調波形の励起において材料から発せられる減衰光を蓄積した検知光を取得し、異なる波形の変調で得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定することが可能である。また、材料から発せられる光を互いに相違する位相の波形で変調して、減衰光を蓄積して検知した検知光を取得し、異なる位相の変調で得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定することも可能である。さらには、材料に励起を与える間隔と励起時間とのデューティ比、および励起時間に発せられる光から減衰光を分離するときの分離時間とこの分離時間の間隔とのデューティ比を相違させ、異なるデューティ比のときに減衰光が蓄積されて得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定することが可能である。本発明のキャリア寿命の測定方法は、材料に与える励起が励起光である。あるいは、材料に与える励起が励起電力である。本発明のキャリア寿命の測定装置は、材料に励起を与え、材料から発せられる光を検知する測定装置において、励起時間が間隔を空けて繰り返される励起を材料に与える励起装置と、複数の励起時間を含む長さの測定時間内に、材料から励起時間に発せられる光と励起時間の終末に続いて発せられる減衰光とを分離し、前記測定時間内に、分離された複数の前記減衰光を蓄積して検知する検知装置と、を有することを特徴とするものである。本発明のキャリア寿命の測定装置は、前記励起装置が、励起源と、励起源から発せられる励起を、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように変調する励起側の変調装置とを有する。または、前記励起装置が、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように励起を発する励起源を有しているものである。本発明のキャリア寿命の測定装置は、前記励起源が、発光源であり、または、前記励起源が、励起電力の発生源である。本発明のキャリア寿命の測定装置は、前記検知装置が、前記材料から発せられる光を、励起時間に発せられる光と減衰光とに分離する変調装置と、測定時間に相当する露光時間内に複数の減衰光を蓄積して検知する受光装置とを有するものである。または、前記検知装置が、材料から発せられる光を間欠的に受光して、励起時間に発せられる光から減衰光を分離するとともに、複数の減衰光を蓄積して検知する受光装置を有するものである。本発明のキャリア寿命の測定装置は、前記検知装置が、材料から発せられる光を励起時間の終末と同時またはそれ以後に取得することで、励起時間に発せられる光から減衰光を分離するものである。または、前記検知装置が、材料から発せられる光を励起時間の途中から取得することで、励起時間に発せられる光と、前記光の一部および減衰光とを分離するものである。本発明のキャリア寿命の測定装置は、前記受光装置は、複数の受光素子が配列したものであり、それぞれの受光素子が複数の減衰光を蓄積して検知するものとして構成できる。この場合に、前記受光装置が、二次元的に配列した複数の受光素子を有しており、それぞれの受光素子で材料の一定の面積の領域から発せられた減衰光が取得されて、前記領域内における位置とキャリア寿命に関する情報が得られるものとなる。あるいは、前記受光装置が、列を成して配列する複数の受光素子を有し、前記受光装置と材料とを前記列と交叉する向きに相対的に移動させる移送装置を有しており、複数の受光素子によって材料から発せられる減衰光が同時に取得されるとともに、この取得ラインが移動して、一定の面積の領域内における位置とキャリア寿命に関する情報が得られるものとなる。また、本発明のキャリア寿命の測定装置は、材料と前記検知装置との間に波長フィルタが設けられているもの、または、材料と前記検知装置との間に偏光フィルタが設けられているものである。本発明のキャリア寿命の測定装置は、材料に与える励起の周波数を変化させる励起装置が設けられ、異なる周波数で励起したときに前記検知装置で取得される検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられているものとして構成できる。または、材料に与えられる励起を、励起時間が間隔を空けて繰り返して与える励起装置が設けられ、励起時間が間隔を空けて繰り返されるように材料に励起を与えたときに前記検知装置で取得される検知光の強度と、前記検知装置で材料から発せられる光を連続して検出した検出光の強度との比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられているものとして構成できる。または、材料に与える励起を異なる波形で変調して、それぞれの変調波形の励起において材料から発せられる減衰光を蓄積して検知する検知装置が設けられ、異なる波形の変調で得られた検知強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられているものとして構成できる。さらには、材料から発せられる光を互いに相違する位相の波形で変調して、減衰光を蓄積して検知する検知装置が設けられ、異なる位相の変調で得られた検知強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられているものとして構成できる。また、材料に励起を与える間隔と励起時間とのデューティ比を相違させる励起装置と、励起時間に発せられる光と減衰光を分離するときの分離時間とこの分離時間の間隔とのデューティ比を相違させる検知装置とを有し、異なるデューティ比のときに減衰光が蓄積されて得られた検知光の強度の比から、発光強度の成分を除去し、キャリアの寿命成分を定量化して測定する判別部が設けられているものとして構成できる。本発明は、材料に接触することなく、材料から発せられる光を観察することで、材料内のキャリアの寿命に関する情報を得ることができる。また、本発明は、材料の所定の領域内でキャリア寿命の分布を求めることが可能である。本発明は、半導体などの材料から発せられる光ルミネッセンスを検知することで、その材料を評価する。結晶材料中には、電子のエネルギーを基準にした伝導帯や非発光センター、不純物準位、欠陥誘起準位などの種々の準位が存在する。励起電子が非熱平衡状態で準位に存在すると、ある確率でホールと再結合して消滅する過程でキャリア寿命が発生する。このとき励起電子のエネルギーは光に変換されたり、格子振動となり熱として材料に伝わってゆく。このときの発光特性は、結晶特有の電子構造や種々の欠陥を反映するものであり、一般的には、結晶欠陥の密度が高いとキャリア寿命が短くなる。したがって、キャリア寿命を測定することは、材料の欠陥状況や純度を知る上で重要である。太陽電池用の結晶は、欠陥が少ないことが必要である。欠陥密度が高いと、太陽光の照射によって発生した励起電子電気エネルギーが欠陥準位に捕えられて熱に変換されたり再発光してしまい、電気エネルギーとして取り出せないことになる。また、太陽電池は、その受光部で発生したキャリアが電極へ到達することで発電が起こるが、キャリア寿命から導かれる拡散距離以内に電極が存在していないと発電ができなくなる。したがって、キャリア寿命が長ければ、電極配置密度を少なくでき、受光面積を増大できることになる。非接触で高速にウエハ全面のキャリヤ寿命分布が測定できれば、太陽電池の製造工程においても、受光部発電部自体を製造したり加工する工程や工程ごとの検査工程などで逐次太陽電池特性を知ることができる。例えば、受光部となるpn接合を高品質で形成する必要があるが、イオン注入アニールや導電性結晶の成長など再処理が不可能な製造工程に対し、製造直後にキャリア寿命をウェハ全面で測定することによって、全工程が完了する以前に太陽電池としての品質を評価できることになる。このとき、キャリア寿命の評価結果を分布イメージ図で表現することにより、製造中に侵入した不良の原因とその場所を明らかにでき製造損失を少なくできるばかりでなく、歩留まり向上や生産性の改善を行えることになる。本発明の測定方法および測定装置は、ルミネッセンス光材料からの発光を非接触で測定して、材料のキャリア寿命を高速、低コストで求めるものである。そのために、励起中の発光と、励起後の発光を区別、または分離して計測することを特徴とする。さらに、繰り返して分離した発光を蓄積して記録するのを特徴とするものである。以下の実施の形態は、フォトルミネッセンスによりキャリア寿命を評価している。フォトルミネッセンスは、光によって励起した励起電子が、ホールと再結合する際に発光する過程の概念である。ただし、本発明における励起および発光はフォトルミネッセンスに限られるものではなく、エレクトロルミネッセンスなどによっても実施が可能である。図1は、シリコンSiなどのウエハに所定時間連続する励起光を与えたときのルミネッセンス光を示しており、横軸が時間で縦軸が発光の大きさである。理想的には、連続する光の励起によるルミネッセンス光の大きさはACWPである。ここで、ACWは励起強度であり、Pは発光確率頻度である。図1においてハッチングを付す面積は、時間Tmを測定時間とし、発光の大きさを測定時間で積分した値ACWPTmに相当している。この積分値には、キャリア寿命に関する情報も含まれているはずであるが、積分値からキャリア寿命の情報を単独で抽出することはできない。図2は、シリコンなどの半導体材料に励起光を与えたときの発光とキャリア寿命との関係を示しており、横軸が時間であり、縦軸が発光の大きさである。材料内に励起光のフォトンが1個吸収されると、材料の特性で決まる特性時間τが経過した後に、より低いエネルギーのフォトンが確率Pで再発光する。材料に対して同じエネルギーをもつ無限の数のフォトンが吸収されて前述のプロセスで順次に再発光すると、発光の確率分布は指数関数的な減衰曲線となる。理想的には、励起光を振幅Aδのデルタ関数とすると、発光確率の減衰曲線はAPetτeは自然数で表わされる。前記τがキャリア寿命のパラメータである。すなわち、初期の発光の大きさが1/eに減少までに要する時間τをキャリア寿命のパラメータとして評価することができる。ただし、前記時間τを測定しようとすると、非常に高速で非常によく同期した高感度検出器を使用して、多くのフォトンを測定し平均化することが必要である。さらに、前記時間τはナノ秒領域の非常に短いものであるため、フォトンの平均化のために非常に長い測定時間が必要となる。さらに、極めて弱い光を検出することが必要であるため、通常の検出器のノイズレベルや装置全体のバックグランドレベルでは、実質的に測定が困難である。図3は、材料に急峻なパルスの励起光を与えたときの材料からの発光の大きさと時間との関係を示している。図3では、発光の大きさの変化が太い実線で示されている。急峻なパルス状の励起光が立ち上がると、発光の大きさが時間に応じて曲線的に立ち上がる特性を示し、励起光の立ち下がりの後に、発光の大きさが時間に応じて曲線的に減衰する特性を示す。発光の大きさを時間で積分した積分値である図3のハッチング領域の面積は、励起光のパルスの時間幅をTP、振幅をAPとすると、発光の積分値はPTPAPとなる。このときの発光は、発光確率頻度Pと、キャリア寿命とが互いに区別できることなく混在している状態であり、前記積分値は、キャリア寿命の情報のみを抽出したものではない。ただし、図3において、励起光のパルスの立ち下りの後の発光の減衰曲線は、図2に示したAPetτの畳み込み特性を有し、キャリア寿命のパラメータτを含むものである。本発明は、図3において励起パルスの立下りに続いて減衰する減衰光を分離して取得することでキャリア寿命の評価を行おうとするものである。ただし、パルスの立下りの後の発光の減衰時間はきわめて短いために、分離した減衰光のみを取得するためにはきわめて高速に応答する受光装置が必要となる。しかも、減衰光が微弱であるため、この減衰光を取得するためには、高速に応答する受光装置を用いて、減衰光を何回も繰り返して取得することが必要になり、きわめて高度な受光技術が必要となる。図4は、材料に励起を与え、材料から発せられる光から減衰光を分離し、分離された複数の減衰光を取得することができる本発明の基本的な実施の形態の測定方法と測定装置を示している。図4に示す測定装置1は、励起装置10と検知装置20を有している。励起装置10は、励起源11と励起側の変調装置12を有している。検知装置20は、受光側の変調装置21とフィルタ22と受光装置23とを有している。励起源11は、連続発振型の半導体レーザであり、励起側の変調装置12と受光側の変調装置21は音響光学素子である。受光装置23は、所定の露光時間において光を蓄積して検知する積分型の受光装置であり、例えば多数のCCD素子を有する受光装置である。フィルタ22は波長フィルタまたは偏光フィルタである。図5aは、励起源11から連続して発光する連続光13が、例起側の変調装置12で変調された後の励起光14の波形を示している。変調装置12として使用される音響光学素子は、超音波周波数で格子定数を制御して、通過する連続光13に対する屈折率を高速で切替えるものである。したがって、変調装置12を通過した励起光14の大きさを、図5aに示すように、立ち上がりと立下りをほぼ矩形波に近い特性に変調することができる。図5aに示す励起光14の照射励起と周期とのデューティ比は50である。図5bは、励起光14が、シリコンなどの半導体材料30に与えられるときに、半導体材料30から発せられるルミネッセンス光24の強度変化を示している。図3に示したように、ルミネッセンス光24の大きさは、励起光14の急峻な立ち上がりに追従して時間に応じて曲線的に増加し、励起光14の急峻な立下りに続いて曲線的に減衰する。図5cは、受光側の変調装置21による変調波形を示している。この変調波形は、図5aに示す励起光14の立下りと同期して立ち上がり、励起光14の立ち上がりと同期して立ち下がるように設定されている。励起側の変調装置12と受光側の変調装置21は同じ音響光学素子で構成されており、励起側の変調装置12と受光側の変調装置21は、同じ周波数で互いに逆位相の制御信号によって動作する。図5dは、半導体材料30から発せられるルミネッセンス光24が受光側の変調装置21で変調された後の分離光25を示している。受光側の変調装置21の変調により、図5bに示すルミネッセンス光24のうち、励起光14が照射されている励起時間中の光が取得されず、励起光14の終末励起時間の終末に続く減衰光26のみが取り出される。図5dに示すように、ルミネッセンス光24から、減衰光26のみを分離して取り出すためには、図5cに示す受光時の変調により、励起光14の終末励起時間の終末と同時またはその後にルミネッセンス光24を取得すればよい。なお、図5bは、半導体材料30のいずれかの1点の領域から発せられるルミネッセンス光24の強度変化を示しており、図5dの分離光25は、その1点の領域から発せられたルミネッセンス光24から減衰光26を分離したものである。この1点の領域とは、受光装置23で検知される1つの画素であり、1つの受光素子であるCCD素子が受光できる領域として位置づけられる。図5dに示す分離光25は、フィルタ22を通過することで減衰光26を含む光成分が抽出されて、受光装置23に受光される。受光装置23に設けられたCCD素子は、光の受光を開始してから検知出力をメモリに移行させるまで間に光を蓄積する露光時間を有しているが、この露光時間に対し、図5acに示す変調周期が十分に短く設定されている。この露光時間が図5dに示す複数の分離光25を蓄積積分して検知する測定時間となる。図2と図3に示したように、励起光14の終末に続いて発せられる減衰光26は、キャリア寿命のパラメータτを含むものであり、複数の減衰光26が蓄積された検知光は、キャリア寿命の情報を含むものとなる。励起光14の終末に続いて発光する減衰光26は微弱な光であるが、図5acに示す変調波形を比較的高い周波数に設定することで、受光装置23の露光時間内に多数の減衰光26を蓄積積分して検知でき、その結果、検知光の強度は、受光装置23の検知ノイズやその他のノイズに比べて十分に高いレベルの出力として取り出すことができる。図6は、励起側の変調装置12と受光側の変調装置21の変調周波数と、受光装置23のCCD素子において減衰光26を蓄積して受光した検知光の強度との関係を示している。横軸の対数軸が変調周波数で縦軸が検知光の強度である。図6は、露光時間積分時間を一定としたときに、キャリア寿命が50nsec、70nsec、100nsec、150nsec、200nsec、300nsec、500nsecと段階的に変化する材料を想定して、検知光の強度変化をシミュレーションした結果である。図6に示すように、変調周波数が低く、変調周期がキャリア寿命のパラメータである時間τよりも十分に長いときは、露光時間中に蓄積される減衰光26の光量がわずかであり、減衰光26を蓄積した検知光の強度がほぼゼロになる。変調周波数を増加していくと、その増加に比例して、露光時間中に蓄積される減衰光26の数が増えるので、減衰光26を蓄積した検知光の強度がほぼ直線的に上昇する。さらに、変調周波数が高くなり、図5cに示すルミネッセンス光24の取得時間T1が時間τに接近してくると、変調周波数の増加に伴って検知光の強度が非線形で増加する。さらに、変調周波数が高くなると、取得時間T1内に蓄積される減衰光26の光量が飽和し、図6に示すように、検知光の強度が飽和する。励起側の変調装置12による励起変調のデューティ比が50で、受光側の変調装置21による受光変調のデューティ比が50のとき、飽和した検知光の強度の理論値は、図1に示すルミネッセンス光の発光強度発光確率ACWPの1/4である。図6では、検知光の強度が飽和値の50となるレベルを破線の横線で示している。飽和値が50となるレベル、すなわちそれぞれの実線と破線との交点は、それぞれのキャリア寿命の材料で測定した検知光の強度が、変調周波数の対数的な増加に対してほぼ直線的に変化している領域に位置している。図6のシミュレーション結果から、いずれかの単一の変調周波数測定周波数を用いて図5aに示す励起光の変調と図5cに示す受光の変調を行って検知光の強度を取得すると、検知光の強度が高ければキャリア寿命が長く、検知光の強度が低ければキャリア寿命が短いと判別することができる。このときの変調周波数測定周波数は、図6において、検知光の強度が横軸の対数的な増加に対してほぼ直線的に上昇する領域を使用することが好ましい。また、複数の測定点の発光強度発光確率ACWPが同じ材料を試料とし、単一の変調周波数測定周波数を用いて、それぞれの測定点からの検知光の強度を取得すれば、同じ材料内でキャリア寿命が長い場所の検知光の強度が高く、キャリア寿命が短い場所の検知光の強度が低くなり、材料からの検知光の強度を、キャリア寿命の長短に対応する濃淡のデータとして把握することが可能になる。次に、図7に示す線図は、図6に示すシミュレーションに基づいて、公称キャリア寿命と図5acでの変調周波数との比例関係を求めたものである。横軸が公称キャリア寿命で、縦軸が1/変調周波数、すなわち変調周期を示している。図7の図中における実線の直線は、図6に示されるそれぞれのキャリア寿命の材料の特性曲線実線と破線との交点を結んだ線に相当している。つまり、図7の図中の実線は、検知光の強度が飽和値の50となるときの変調周期と、その材料の公称キャリア寿命との関係を示している。図7のシミュレーション結果から、検知光の強度が飽和値の50となるときの変調周期変調周波数は、キャリア寿命に対して比例的に変化し、その比例定数Kが0.13であることを立証できた。すなわち、検知光の強度が飽和値の50となる変調周波数Fが解れば、F=0.13/τxからキャリア寿命τxを求めることが可能である。なお、図7に示す比例関係は、必ずしもキャリア寿命が50nsecから500nsecの範囲に限られるものではない。なお、上述したキャリア寿命の指針となる変調周波数は、必ずしも飽和値の50である必要はなく、検知光の強度が変調周波数に対して直線的に変化する領域であれば、検知光の強度が飽和値の例えば60や40となったときの周波数からキャリア寿命を求めてもよい。材料を励起したときに得られる検知光の強度の変化には、その材料の発光強度発光確率ACWPに起因する強度成分と、キャリア寿命の強度成分の双方が含まれている。ただし、図5および図6に基づいて説明したように、変調周波数を掃引することによって、キャリア寿命を定量的に精度良く求めることが可能になる。さらに、材料の1点に対してキャリア寿命の定量値が求まれば、それ以降は、2つの固定した変調周波数を用いて、減衰光26を蓄積積分した検知光を測定し、異なる変調周波数で得られた2つの検知光の強度の比を求めることで、発光強度発光確率を相殺して、キャリア寿命の強度成分を絶対的な測定値として抽出することが可能になる。この測定方法により、変調周波数を常に掃引しなくても、高速にキャリア寿命を定量的に求めることが可能になる。以下、この測定方法について説明する。図9ないし図11は、材料の場所によって発光強度発光確率とキャリア寿命が変動する材料を想定して、材料のそれぞれの場所からキャリア寿命の情報を単独で抽出する測定方法のシミュレーション結果を示している。図9に示すように、このシミュレーションでは、発光強度発光確率とキャリア寿命が場所によって互いに異なった特性で変動している材料を想定する。図9の横軸は、材料におけるX方向の座標位置を示している。この材料は、発光強度発光確率がX座標の右へ行くにしたがって徐々に低下し、キャリア寿命はX座標の変化に伴って波打つように増減している。図10Aは、図9に示した材料のX座標上のある1点の領域において、励起側の変調装置12と受光側の変調装置21のそれぞれの変調特性を、互いに逆の位相で且つ変調周波数を1MHzとしたときの波形を示している。図10Aの波形の種類は図5と同じであり、aが励起側の変調波形、bが材料から発せられるルミネッセンス光の強度波形、cが受光側の変調波形、dが減衰光が分離された分離波形である。図10Aのdにおいて分離された分離光をCCD素子の露光時間内に相当する測定時間で積分することで検知光の強度が得られる。図11では、変調周波数が1MHzのときの検知光の強度をX座標上の複数の点で求め、その点を結んだ変化曲線31を二点鎖線で示している。図10Bは、励起側の変調装置12と受光側の変調装置21のそれぞれの変調特性を、互いに逆の位相で且つ変調周波数を10MHzとしたときの波形であり、図10Aと同様に、aが励起側の変調波形、bが材料から発せられるルミネッセンス光の強度波形、cが受光側の変調波形、dが減衰光が分離された分離波形である。図10Bのdにおいて分離された減衰光を1MHzのときと同じ測定時間で積分したのが変調周波数10MHzでの検知光の強度である。図11では、X座標上の複数の点で変調周波数が10MHzのときの検知光の強度を求め、その強度を結んだ線32を実線で示している。図11では、変調周波数が1MHzのときの検知光の強度を結んだ変化曲線31と、変調周波数が10MHzのときの検知光の強度を結んだ線32との比を求め、この比を結んだ線を実線の曲線33で示している1MHz/10MHz。この曲線33の変動特性は、図9に示したキャリア寿命の変動曲線ときわめて近似しており、前記比がキャリア寿命を単独で抽出した情報に基づくものであることを理解できる。図8は、公称キャリア寿命のパラメータτ1が130nsecの材料において、キャリア寿命のパラメータがτ1/5から2τ1までばらつきがある材料に関して、前述した図9ないし図11で説明したシミュレーションにより、変調周波数が1MHzのときに減衰光26を蓄積積分して得た検知光の強度と、変調周波数が10MHzのときに減衰光26を蓄積積分して得た検知光の強度との比を求めた結果である。図8の横軸はキャリア寿命のパラメータτであり、縦軸が、1MHzときの検知光の強度/10MHzのときの検知光の強度の比である。図8では、2つの変調周波数で得た検知光の比と公称キャリア寿命とが、ほぼ直線的に比例していることがわかる。よって、互いに異なる変調周波数で得た検知光の強度の比を求めることによって、キャリア寿命をその増減と比例する定量的な値として把握できることがわかる。これは、材料の発光強度発光確率ACWPが相違し、図6に示す検知光の強度の飽和値が相違していたとしても、前記比を求めることで、キャリア寿命に関する情報を単独で抽出できることを意味している。図12は、aに示すように、励起光を変調せずに材料に連続する励起光を与えた例を示している。このとき、bに示すように、材料から連続するルミネッセンス光が得られ、cに示すように材料からの発光を変調しないため、dに示すように、受光装置のCCD素子で連続するルミネッセンス光が検知される。図11には、CCD素子の露光時間に相当する測定時間で図12dに示す連続光を積分して得られた検知光の強度の1/4を求め、X座標のそれぞれの場所で得られた強度/4を結んだ線34を破線で示している。この線34は、10MHzの変調によって得られた検知光の強度を結んだ線32ときわめて近似している。したがって、変調周波数が1MHzのときの検知光の強度を示す変化曲線31と、連続する励起光を与えたときに得られた検知光の強度/4を示す線34との比を求めると、この比の変動は曲線33とほぼ一致する。したがって、励起光とルミネッセンス光を変調して得られた検知光の強度と、連続する励起光で得られた検知光の強度との比を求めることによっても、キャリア寿命の情報を単独で取り出すことができる。上記の実施の形態では、励起側の変調装置12と受光側の変調装置21による光の変調特性が、急峻に立ち上がり急峻に立ち下がる矩形波に従うことを前提とし、且つ励起側の変調装置12と受光側の変調装置21とが完全に同期して動作することを前提として説明してきた。しかし、変調装置の能力やノイズなどの影響で変調特性が正確な矩形波特性にならないことがあり、また励起側の変調装置12の変調動作と受光側の変調装置21の変調動作との間に時間ずれなどが生じる可能性がある。しかし、本発明の測定方法と測定装置は、変調特性が正確な矩形波でなくても、また励起側の変調と受光側の変調とに時間的なずれがあっても、その特徴を発揮でき、キャリア寿命に関する情報を単独で取り出すことが可能である。図13に示す例では、aに示す励起側の変調装置12による変調特性が台形波形となっている。そのため、材料からbに示す特性のルミネッセンス光24が発せられる。cに示す受光側の変調装置21による変調特性も台形波形である。aに示す励起側の台形波形の変調と、cに示す受光側の台形波形の変調は、互いに逆位相で且つ同じ周波数で互いに同期している。ルミネッセンス光24が、cに示す特性の変調を受ける結果、受光装置23でdに示す分離光25が検知される。cに示す受光側の変調特性は台形波形であるため、dに示す分離光25で得られる光成分26aには、励起時間に続いて発光する減衰光のみならず、励起時間に発せられる光の成分の一部も含まれている。図9に示したのと同じ発光強度発光確率とキャリア寿命の変動特性を有する材料を想定し、図13に示す変調波形により得られる検知光の強度をシミュレーションで求めた。図13acに示す変調周波数を1MHzとして、X座標のそれぞれの場所で得られる分離光25をCCD素子の露光時間に相当する測定時間で積分した検知光の強度を求め、図14に、その変化曲線31aを二点鎖線で示している。また、図13acに示す変調周波数を10MHzとして、X座標のそれぞれの場所から得られた分離光25を前記測定時間で積分した検知光の強度を求め、図14に、その強度を結んだ線32aを実線で示している。変調周波数が1MHzのときに得られた検知光の強度と、変調周波数が10MHzのときに得られた検知光の強度との比を求めたのが曲線33aである。この曲線33aは、図9に示すキャリア寿命の増減の特性ときわめて近似している。すなわち、図13に示す変調特性に基づいて、異なる変調周波数で得られた検知光の強度の比を求めることによっても、キャリア寿命を単独で抽出した情報を得ることができる。図15は、図13に示す変調特性において1MHzの変調周波数で求められた検知光の強度と、10MHzの変調周波数で求められた検知光の強度との比を求め、強度の比の変化を公称キャリア寿命との関係で示したものである。図15は図8と同様の評価を行っているものである。図15に示すように、前記比は公称キャリア寿命に対してほぼ直線的に変化しており、図13に示す変調特性に基づき、異なる変調周波数で得られた検知光の強度の比を求めると、この比が、キャリア寿命の長短と比例的に対応していることがわかる。さらに、図14には、図12Bと同様にして材料に連続する励起光を与えたときに得られる検知光の強度の1/4を求め、X座標上の複数の場所で求めた前記強度を結んだ線34を破線で示している。この線34と、台形波形で且つ10MHzで変調したときの検知光の強度を示す線32aがほぼ一致している。したがって、図13に示す台形波形の変調特性で変調して得られた検知光の強度と、材料を連続して励起したときに得られる検知光との比からも、キャリア寿命の情報を単独で抽出することが可能である。図16に示すシミュレーションでは、aに示す励起側の変調特性が三角関数に近似した波形となっており、材料からはbに示す特性のルミネッセンス光24が発せられる。cに示す受光側の変調特性も三角関数に近似した波形である。aに示す励起側の三角関数波形の変調とcに示す受光側の三角関数波形の変調は、同じ周波数で互いに逆位相となるように同期している。dには材料から発せられるルミネッセンス光24を変調した分離光25の強度変化が示されている。bに示す特性のルミネッセンス光24が、cに示す三角関数波形の変調を受けるため、dに示す分離光25に含まれる光成分26bには、励起時間の後に発せられる減衰光の成分のみならす、励起時間に発せられる光の成分の一部も含まれている。図17には、図16に示す三角関数波形で1MHzの変調周波数で得られた検知光の強度の変化曲線31bと、三角関数波形で10MHzの変調周波数で得られた検知光の強度の変動を示す線32bと、変化曲線31bと線32bとの比を求めた曲線33bとが示されている。この曲線33bは、図9に示した材料のキャリア寿命の変動曲線と近似しており、キャリア寿命に関する情報が抽出されていることが解る。また、図17に示す変化曲線31bと、連続する励起光で得られたルミネッセンス光の強度の1/4の変化を示す線34との比からも、前記曲線33bと同等の特性が得られる。図18は、図15に相当しており、図16に示す三角関数波形で1MHzの変調周波数で得られた検知光の強度と、三角関数波形で10MHzの変調周波数で得られた検知光の強度との比と、公称キャリア寿命との関係を示したものである。図18から、三角関数波形で変調したときも、異なる周波数で得られた検知光の強度の比を求めことで、キャリア寿命の成分と比例する情報を得ることが可能である。次に、発光強度の成分を除去し、キャリア寿命成分を定量化する測定方法は、前述のような異なる変調周波数による検知光の強度の比や、さらに連続光による検知光の強度の1/4の値を用いることの他、以下のような測定方法を用いることも可能である。図19に示すシミュレーションは、図9に示す特性の材料を想定し、変調波形を相違させたときに得られる検知光の強度の比を求めることで、キャリア寿命に関する情報を単独で抽出できることを示している。図19Aは、図10Aの波形と同じであり、aに示す励起側の変調波形が矩形波であり、cに示す受光側の変調波形も矩形波である。aに示す励起側の変調波形とcに示す受光側の変調波形は、同じ1MHzの周波数で互いに位相が逆となるように同期している。dで得られた分離光をCCDの露光時間に相当する測定時間で積分したのが検知光の強度である。図20には、矩形波の変調で得られた検知光の強度のX座標上での分布が、二点鎖線の変化曲線31cで示されている。図19Bは、図16と同じ波形であり、aに示す励起側の変調波形と、cに示す受光側の変調波形とが三角関数に近似した曲線である。aの変調波形とcの変調波形は同じ周波数であり、位相が180度ずれた逆位相となっている。また、図19Aのacに示す矩形波と、図19Bのacに示す三角関数波形は、互いに同じ周波数であり、1MHzである。図20には、三角関数波形の変調で得られた検知光の強度のX座標上での分布が、実線の変化曲線32cで示されている。図20には、矩形波の変調で得られた検知光の強度の変化曲線31cと、三角関数波形の変調で得られた検知光の強度の変化曲線32cとの比を求めた曲線33cが示されている。この曲線33cは、図9に示すキャリア寿命の変動曲線に近似しており、キャリア寿命の情報を反映していることがわかる。図21には、矩形波の変調による検知光の強度/三角関数波形の変調による検知光の強度の比と、公称キャリア寿命との関係が示されている。図21から、矩形波の変調で得られた検知光の強度と三角関数波形の変調により得られた検知光の強度の比の大小が、キャリア寿命の大きさの変化にほぼ追従していることを理解できる。図22に示すシミュレーションは、図9に示す特性の材料を想定し、励起側の変調波形と受光側の変調波形との間の位相差を相違させて得られた2種類の検知光の強度の比を求めることで、キャリア寿命に関する情報を単独で抽出できることを示している。図22Aに示す波形は、図10Aおよび図19Aと同じであり、aに示す励起側の変調波形と、cに示す受光側の変調波形が、同じ1MHzの周波数で位相差が180度の矩形波である。dで得られた分離光をCCDの露光時間に相当する測定時間で積分したのが検知光の強度であり、図23には、この検知光の強度のX座標上での分布が、二点鎖線の変化曲線31dで示されている。図22Bは、aに示す励起側の変調波形と、cに示す受光側の変調波形とが矩形波であり、励起側と受光側との位相差が0度である。図22Aのacに示す矩形波と、図22Bのacに示す矩形波は共にデューティ比が50であり、周波数はともに1MHzである。図23には、図22Bの変調で得られた検知光の強度のX座標上での分布を示す線32dが実線で示されている。図23では、図22Aの波形の変調で得られた検知光の強度の変化曲線31dと、図22Bの波形の変調で得られた検知光の強度の変化曲線32dとの比を求めた曲線33dが示されている。この曲線33dは、図9に示すキャリア寿命の変動曲線に近似しており、キャリア寿命の情報を反映していることがわかる。図24には、図22Aの変調による検知光の強度/図22Bの変調による検知光の強度の比と、公称キャリア寿命との関係が示されている。図24から、異なる位相差の矩形波で変調された2種類の検知光の強度の比を求めることで、キャリア寿命の成分と比例する情報を得ることが可能である。図25ないし図27に示すシミュレーションは、図9に示す特性の材料を想定し、変調波形のデューティ比を相違させて得られた2種類の検知光の強度の比を求めることで、キャリア寿命に関する情報を単独で抽出できることを示している。図25Aに示す波形は、図10Aと図19Aおよび図21Aと同じであり、aに示す励起側の変調波形と、cに示す受光側の変調波形が、同じ1MHzの周波数で互いに位相が逆の矩形波である。図25Bに示す波形は、aに示す励起側の変調波形と、cに示す受光側の変調波形が、1MHzの周波数で逆位相の矩形波である。ただし、図25Aは、変調波形のデューティ比が50:50であるのに対し、図25Bは、デューティ比が90:10である。図26には、図25Aの変調で得られた検知光の強度のX座標上での分布を示す変化曲線31fが二点差線で示され、図25Bの変調で得られた検知光の強度のX座標上での分布を示す変化曲線32fが実線で示されている。また、変化曲線31fと変化曲線32fとの比を求めた曲線33fが示されている。この曲線33fは、図9に示すキャリア寿命の変動曲線に近似しており、キャリア寿命の情報を反映していることがわかる。図27には、図25Aの変調による検知光の強度/図25Bの変調による検知光の強度の比と、公称キャリア寿命との関係が示されている。図26と図27とから、デューティ比を相違させて測定した検知光の強度の比から、キャリア寿命の情報を抽出できることがわかる。上記の各実施の形態では、以下の例について説明した。1異なる周波数の変調で得られた2種類の検知光の強度の比を求める。2間欠的な励起により得られた検知光の強度と、連続する励起により得られた検知光の強度との比を求める。3矩形波以外の波形で励起側の変調または受光側の変調を行う。4互いに波形が相違する変調で得た2種類の検知光の強度の比を求める。5励起側の変調と受光側の変調との位相差を互いに相違させて得た2種類の検知光の強度の比を求める。6異なるデューティ比の変調で得られた2種類の検知光の強度の比を求める。上記の条件は、互いに組み合わせることが可能である。例えば、図28Aに示す例えば1MHzの矩形波の変調で得られた検知光の強度と、図28Bに示す三角関数に近似した波形であって矩形波よりも周波数が高い例えば10MHzの変調で得られた検知光の強度の比を求めることによっても、キャリア寿命に関する情報を独立させて抽出することが可能である。また、図5や図10Aに示す例では、aで示す励起側の変調と、cで示す受光側の変調とを、共にデューティ比が50で逆位相の矩形波とすることによって、材料に励起を与える励起時間の終末に続く減衰光を励起中の光から分離している。これに対し、図29に示す例では、aで示す励起側の変調と、cで示す受光側の変調が、共にデューティ比が40の矩形波に基づくものであり、励起側の変調と受光側の変調とで位相が144度ずれている。この構成によっても、材料に励起を与える励起時間の終末に同期させて、減衰光を励起中の光から分離することができる。このように、励起側の変調と受光側の変調は、位相差180°およびデューティ比50に限定されるものではなく、減衰特性を分離可能な変調波形であればよい。図30には、これまで説明した測定方法を実現するのに最適な測定装置40が示されている。図4に示した基本構造の測定装置1と同様に、励起装置10は励起源11と励起側の変調装置12を有している。励起源11は連続発光の半導体レーザであり、変調装置12は音響光学素子である。励起源11で発せられた連続光13は、変調装置12で変調されて励起光14となる。変調装置12の前方にレンズ41が設けられており、変調された励起光14が光学的に変調されて、材料30の表面の所定の面積の領域に与えられる。レンズ41は、コリメートレンズや焦点比の大きい凸レンズまたは凹レンズ、あるいはそれらの組み合わせであり、材料30の所定の面積の領域に与えられる光量の差が最小となるように構成される。検知装置20は、受光側の変調装置21と受光装置23を有している。変調装置21は音響光学素子である。材料30と変調装置21との間に集光レンズ42が設けられている。材料30の所定の領域から発せられるルミネッセンス光24は、集光レンズ42で集光されて変調装置21に与えられ、変調装置21で分離された分離光25が受光装置23で受光される。受光装置23は複数のCCD素子が配列した受光素子アレイであり、その前方に、分離光25を受光素子アレイに集光させるカメラレンズ43が設けられている。なお、検知装置20には必要に応じて図4に示したフィルタ22が装備される。受光装置23に設けられた受光素子アレイが、二次元的に配列した複数のCCD素子を有しているものであれば、材料30の所定面積の領域から発せられたルミネッセンス光24を個々のCCD素子で同時に受光することが可能になる。個々のCCD素子で得られた検知光の強度によって、一定の面積の領域のそれぞれの点のキャリア寿命の情報を得ることができる。また、それぞれのCCD素子で検知された検知光の強度に対し、図11の曲線33に示すような比の演算を行うことで、広い領域内のそれぞれの点に関して、キャリア寿命に関する情報を抽出することが可能である。また、受光装置23に設けられた受光素子アレイが、1列または複数の列を成すCCD素子を有しているものである場合には、材料30が設置されたテーブルを前記列と直交する方向へ間欠的または連続的に移動させる移送装置45を設けることによって、材料30の広い面積からのルミネッセンス光を、受光装置23のCCD素子によって順次取得することが可能である。これは、材料30が設置されたテーブルが固定されて、測定装置40が移動しても同じである。図30に示す測定装置40は、変調制御部46を有している。この変調制御部46によって励起側の変調装置12と受光側の変調装置21が制御され、各図に示したように、励起光の変調とルミネッセンス光の変調が行なわれる。測定装置40には、主制御部としても機能する判別部47が設けられ、励起源11と変調装置12,21が制御される。これとともに、受光装置子23の個々のCCD素子がその露光時間に蓄積して得た検知光が、メモリに保持された後に、ディジタル値に変換されて判別部47に与えられる。判別部47で、図11の曲線33に示すような比の演算が行われ、個々のCCD素子を画素単位として、材料30の測定領域のそれぞれの点のキャリア寿命の情報を得ることができる。判別部47で演算された材料30のそれぞれの点のキャリア寿命の情報は、所定面積の領域内の比較情報として使用することができる。例えば、それぞれの点のキャリア寿命を数字情報として表示装置に表示することができ、または、キャリア情報に対応する濃淡を有するイラスト画像として表示させることなどが可能になる。この場合、個々のCCDが濃淡の画素単位となる。図31に示す測定装置40Aは、材料30から発せられるルミネッセンス光24を分離するビームスプリッタ51が設けられて、ルミネッセンス光24が集光レンズ42に向かう成分と第2のカメラレンズ52に向かう成分とに分離される。そして、第2のカメラレンズ52を経た光が変調装置を介することなく、第2の受光装置53に与えられる。この測定装置40Aでは、一度の測定で、ルミネッセンス光24を変調した検知光と、無変調の検知光を得ることができる。または、ビームスプリッタ51で分離された光を第2の変調装置で変調して受光装置53で検知してもよい。これにより、一度の測定で異なる変調の検知光を得ることができる。なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、励起源11として間欠的に発光するパルス発光レーザを使用すると、変調装置12を設けなくても、種々のデューティ比に変調した励起光14を得ることができる。また、受光装置23を、それぞれの検知素子が光を間欠的に受光し、間欠的に受光した検知出力をメモリに蓄積できるものを使用すれば、変調装置21を設けなくても、ルミネッセンス光からキャリア寿命の成分である減衰光を分離し、さらに分離した減衰光を所定の露光時間に蓄積することが可能である。さらに励起装置10が励起光を発するものではなく、間欠的な電力を発生するものであり、この電力で材料30内のキャリアが励起され再結合して発光するエレクトロルミネッセンスにより、キャリア寿命を測定することも可能である。さらに、本願発明の測定方法および測定装置の対象である材料は、シリコンSi、リン化インジウムInP、炭化シリコンSiC、ガリウム砒素GaAs、シリコンゲルマニウム合金SiGe、ゲルマニウムGe、カルコパイライト型化合物CuInS2、カルコパイライト系多結晶膜CuIn,GaSe2、フラーレンC60誘導体系有機半導体、などの半導体結晶材料が典型的なものであるが、これら以外の半導体材料であってもよい。さらには、励起光や励起電力によって、内部のキャリアが励起されて活性化し、電子などのキャリアのエネルギーレベルが低下する際に光を発するものであれば、有機材料や高分子材料などであってもよい。"