"互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状の樹脂からなり、前記第1及び前記第2の主面の間を厚さ方向に貫通するスリット状の光ファイバ収容部が形成された基材と、前記基材の前記第1の主面に形成された金属からなる配線パターンと、前記基材の前記第2の主面側に接合された板状部材とを備え、前記基材には、前記光ファイバ収容部に収容された光ファイバから光が出射されたとき、その出射光を前記第1の主面側に反射する反射部が形成され、前記板状部材は、前記光ファイバ収容部に収容された光ファイバを前記第2の主面側から支持する光基板。前記反射部は、前記第1の主面に対して鈍角で傾斜して前記基材に形成された傾斜面上に、前記配線パターンを形成する工程で形成された反射層を有してなる、請求項1に記載の光基板。前記光ファイバ収容部及び前記傾斜面は、前記第1の主面に対して前記傾斜面の傾斜角に対応した角度でレーザ光を照射することにより形成された、請求項2に記載の光基板。前記反射層及び前記配線パターンは、その最表面が金Auによりメッキされている、請求項2又は3に記載の光基板。互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状の樹脂からなる基材の前記第1の主面に第1の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属膜の一部を帯状に除去する工程と、前記第1の金属膜を除去した部位に前記第1の主面に対してレーザ光を照射して、スリット状の光ファイバ収容部、及び前記光ファイバ収容部の終端における傾斜面を形成する工程と、前記傾斜面及び前記第1の主面の前記第1の金属膜の上に第2の金属膜を形成する工程と、前記第1及び第2の金属膜の一部をエッチングして前記第1の主面に配線パターンを形成する工程と、前記基材の前記第2の主面に板状部材を接合する工程とを有する、光基板の製造方法。前記光ファイバ収容部及び前記傾斜面を形成する工程は、前記傾斜面の前記第1の主面に対する傾斜角に対応した角度で、前記第1の主面に斜めにレーザ光を照射する工程である、請求項5に記載の光基板の製造方法。請求項1乃至4の何れか1項に記載の光基板、及び前記光ファイバを伝送媒体とする光信号と電気信号とを変換する光電変換素子を備え、前記光電変換素子は、前記反射層を覆うように前記第1の主面に実装された光モジュール構造。特許文献1に記載の光実装基板は、ガイド溝及びテーパ面の形成に金型を用いるので、製造設備が高コストとなる。そこで、本発明は、低コスト化を図ることが可能な光基板、光基板の製造方法、及び光モジュール構造を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決することを目的として、互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状の樹脂からなり、前記第1及び前記第2の主面の間を厚さ方向に貫通するスリット状の光ファイバ収容部が形成された基材と、前記基材の前記第1の主面に形成された金属からなる配線パターンと、前記基材の前記第2の主面側に接合された板状部材とを備え、前記基材には、前記光ファイバ収容部に収容された光ファイバから光が出射されたとき、その出射光を前記第1の主面側に反射する反射部が形成され、前記板状部材は、前記光ファイバ収容部に収容された光ファイバを前記第2の主面側から支持する光基板を提供する。また、前記反射部は、前記第1の主面に対して鈍角で傾斜して前記基材に形成された傾斜面上に、前記配線パターンを形成する工程で形成された反射層を有していてもよい。また、前記光ファイバ収容部及び前記傾斜面は、前記第1の主面に対して前記傾斜面の傾斜角に対応した角度でレーザ光を照射することにより形成されるとよい。また、前記反射層及び前記配線パターンは、その最表面が金Auによりメッキされているとよい。また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状の樹脂からなる基材の前記第1の主面に第1の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属膜の一部を帯状に除去する工程と、前記第1の金属膜を除去した部位に前記第1の主面に対して斜めにレーザ光を照射して、スリット状の光ファイバ収容部、及び前記光ファイバ収容部の終端における傾斜面を形成する工程と、前記傾斜面及び前記第1の主面の前記第1の金属膜の上に第2の金属膜を形成する工程と、前記第1及び第2の金属膜の一部をエッチングして前記第1の主面に配線パターンを形成する工程と、前記基材の前記第2の主面に板状部材を接合する工程とを有する、光基板の製造方法を提供する。また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記光基板、及び前記光ファイバを伝送媒体とする光信号と電気信号とを変換する光電変換素子を備え、前記光電変換素子は、前記反射層を覆うように前記第1の主面に実装された光モジュール構造を提供する。本発明によれば、光基板を薄型化することが可能となる。[実施の形態]図1は、本発明の実施の形態に係る光基板の要部、及び光基板を備えた光モジュール構造の一構成例を示し、aは平面図、bは側面図である。この光基板1は、互いに対向する第1の主面10a及び第2の主面10bを有する板状の基材10を備えている。基材10は、例えばポリイミド等の絶縁性の樹脂からなる。第1の主面10a及び第2の主面10bは互いに平行であり、基材10の厚みは例えば50μmである。図1aは、光基板1を第1の主面10a側から見た状態を示している。光基板1は、基材10の第1の主面10aに形成された導電性の金属からなる複数の配線パターン2と、基材10の第2の主面10b側に接合された板状部材3とを備えている。板状部材3は、基材10よりも高い剛性を有する板状の部材であり、本実施の形態では、板状部材3が銅Cuからなる。なお、板状部材3は、導電性の金属であることが好ましく、例えばアルミニウムやステンレスであってもよい。また、板状部材3が樹脂であってもよい。また、本実施の形態では、板状部材3が第2の主面10bの全体に設けられている。複数の配線パターン2の間には、基材10の樹脂表面が露出している。なお、図1では、後述する光電変換素子41及び押え部材8の裏側にあたる配線パターン2を破線で示している。また、基材10には、第1の主面10a及び第2の主面10bの間を基材10の厚さ方向に貫通し、第1の主面10a及び第2の主面10bに平行に延びるスリット状の光ファイバ収容部100が形成されている。光ファイバ収容部100の終端には、光ファイバ9を伝送媒体とする光を反射する反射部100aが形成されている。反射部100aの詳細な構成については後述する。この光ファイバ収容部100には、光ファイバ9が収容されている。光ファイバ9は、第1の主面10aに貼り付けられた板状の押え部材8により、光ファイバ収容部100から抜け出さないように保持されている。光基板1の第1の主面10a側には、配線パターン2の上に、光電変換素子41と、光電変換素子41に電気的に接続された半導体回路素子42とが実装されている。光電変換素子41は、電気信号を光信号に変換し、又は光信号を電気信号に変換する素子である。前者の例としては、半導体レーザ素子やLEDLightEmittingDiode、発光ダイオード等の発光素子が挙げられる。また、後者の例としては、フォトダイオード等の受光素子が挙げられる。光電変換素子41は、基材10側に形成された開口部から、基材10に垂直な方向に光を出射又は入射するように構成されている。光電変換素子41が電気信号を光信号に変換する素子である場合、半導体回路素子42は、光電変換素子41を駆動するドライバICである。また、光電変換素子41が光信号を電気信号に変換する素子である場合、半導体回路素子42は、光電変換素子41から入力される信号を増幅するプリアンプICである。本実施の形態では、光電変換素子41がフリップチップ実装され、本体部410に4つの端子バンプ411が設けられている。4つの端子411は、それぞれ配線パターン2に接続されている。また、光電変換素子41は、本体部410が反射部100aに対向する位置に実装されている。光電変換素子41が電気信号を光信号に変換する素子である場合、反射部100aは、光電変換素子41から出射された光を光ファイバ9の端面側に反射する。また、光電変換素子41が光信号を電気信号に変換する素子である場合、反射部100aは、光ファイバ9から出射された光を光電変換素子41側に反射する。半導体回路素子42は、本体部420の配線パターン2に向かい合う面の反対側に、複数図1に示す例では12個の端子電極パッド421が設けられている。それぞれの端子421は、ボンディングワイヤ422によって配線パターン2に電気的に接続されている。また、複数の端子421のうち一部の端子421は、光電変換素子41の端子411が接続された配線パターン2に接続され、これにより半導体回路素子42と光電変換素子41とが電気的に接続されている。なお、図1では図示を省略しているが、光基板1には、光電変換素子41及び半導体回路素子42の他に、コネクタやICIntegratedCircuit、あるいは能動素子トランジスタ等や受動素子抵抗器、コンデンサ等などの電子部品を実装することが可能である。次に、図2及び図3を参照して光基板1の製造方法を説明する。図2a~eは、光基板1の反射部100a及びその周辺部における形成過程を示す断面図である。図3a~dは、光基板1を第1の主面10a側から見た反射部100a及びその周辺部における形成過程を示す平面図である。図2a~dは、図3a~dのA-A線断面を示している。光基板1の製造工程は、基材10の第1の主面10aに第1の金属膜21を形成する第1工程と、第1の金属膜21の一部を帯状に除去する第2工程と、第1の金属膜21を除去した部位に第1の主面10aに対して斜めにレーザ光Lを照射して、スリット状の光ファイバ収容部100、及び光ファイバ収容部100の終端における傾斜面101を形成する第3工程と、傾斜面101及び第1の主面10aの第1の金属膜21の上に第2の金属膜22を形成する第4工程と、第1及び第2の金属膜21,22の一部をエッチングして第1の主面10aに配線パターン2を形成する第5工程と、基材10の第2の主面10bに板状部材3を接合する第6工程とを、少なくとも有している。以下、これらの第1~第6工程について、より詳細に説明する。なお、第1~第6工程は、光基板1の製造工程の一例として示すものであり、必ずしもこの順序で行わなくともよい。第1工程では、図2a及び図3aに示すように、基材10の第1の主面10aの全体に第1の金属膜21を形成する。この第1の金属膜21は、例えば蒸着又は無電解メッキによって形成される。本実施の形態では、第1の金属膜21が、主として良導体である銅Cuからなる。第2工程では、図2b及び図3bに示すように、エッチングによって第1の金属膜21の一部を帯状に除去する。より具体的には、第1の金属膜21を除去する帯状の部分21aを除いて第1の金属膜21上にレジスト膜を形成し、エッチングによってレジスト膜が形成されていない部分の第1の金属膜21を溶解させる。第3工程では、図2cに示すように、第2工程で第1の金属膜21を除去した部位を含む範囲に、第1の主面10aに対して斜めにレーザ光Lを照射する。このレーザ光として、より具体的には、例えばエキシマレーザやUVレーザ紫外線レーザを用いることができる。レーザ光Lの照射によって、図2c及び図3cに示すように、光ファイバ収容部100、及び光ファイバ収容部100の終端における傾斜面101が基材10に形成される。傾斜面101は、レーザ光Lの進行方向に沿って形成される。換言すれば、傾斜面101の第1の主面10aに対する角度を傾斜角θとすると、この傾斜角θに対応する角度で第1の主面10aにレーザ光Lを照射することにより、所望の形状の傾斜面101を形成することができる。傾斜角θは鈍角θ>90°であり、本実施の形態では傾斜角θが135°である。すなわち、傾斜面101は、第1の主面10aに対して鈍角で傾斜して基材10に形成されている。第4工程では、第3工程で基材10に形成した傾斜面101、及び第1の主面10aに形成された第1の金属膜21の全体に、第2の金属膜22を形成する。本実施の形態では、第2の金属膜22が主として銅Cuからなり、例えば無電解メッキによって第1の金属膜21及び傾斜面101上に形成される。第5工程では、図2d及び図3dに示すように、第1及び第2の金属膜21,22の一部をエッチングし、エッチングにより除去されなかった第2の金属膜22の上にニッケルNiメッキを施してNiメッキ層23を形成し、さらにNi層メッキ23の上に金Auメッキを施して金メッキ層24を形成して、複数の配線パターン2を形成する。より具体的には、第1の金属膜21及び第2の金属膜22を除去する部分を除いて、第2の金属膜22上にレジスト膜を形成し、エッチングによってレジスト膜が形成されていない部分の第1の金属膜21及び第2の金属膜22を溶解させる。このレジスト膜は、傾斜面101に形成された第2の金属膜22上にも形成され、傾斜面101における第2の金属膜22は除去されずに残る。Niメッキ層23及び金メッキ層24は、エッチングにより除去されなかった第2の金属膜22の上に形成され、これにより配線パターン2が第1の主面10a上に形成される。なお、エッチングにより第1及び第2の金属膜21,22が除去された部分にはNiメッキ層23及び金メッキ層24が形成されず、基材10が露出した状態となる。第6工程では、図2eに示すように、基材10の第2の主面10b側に板状部材3を接合する。板状部材3は、例えば接着によって基材10の第2の主面10bに接合される。板状部材3は、少なくとも光ファイバ収容部100の第2の主面10b側の開口を塞ぐように基材10に接合される。以上の第1~第6工程により、基材10の第1の主面10aには、第1の金属膜21,第2の金属膜22,Niメッキ層23,及び金メッキ層24を有する4層構造の金属からなる配線パターン2が形成される。第1及び第2の金属膜21,22を合わせた厚みは例えば5~25μm、Niメッキ層23の厚みは例えば5μm以下、金メッキ層24の厚みは例えば0.03~0.5μmである。また、傾斜面101には、第2の金属膜22,Niメッキ層23,及び金メッキ層24を有する3層構造の金属からなる反射層102が形成される。つまり、反射部100aは、傾斜面101上に、配線パターン2を形成する工程第5工程で形成された反射層102を有して構成されている。配線パターン2と反射層102とは、配線パターン2の最下層に第1の金属膜21が形成されている他は、共通の層構成を有している。また、配線パターン2及び反射層102は、その最表面が共に金金メッキ層24によりメッキされている。図4は、本実施の形態に係る光モジュール構造を示す断面図である。この光モジュール構造は、光基板1及び光電変換素子41を備え、光電変換素子41は、反射部100aの反射層102を第1の主面10a側から覆うように、第1の主面10aに実装されている。光ファイバ9は、その一端部が光ファイバ収容部100に収容され、その端面9aが反射層102に面している。光ファイバ9は、コア90の外周に筒状のクラッド層91を有している。光ファイバ9の直径は、例えば基材10の厚みの±20μmの範囲である。図4では、光ファイバ9を伝送媒体とする光の光路LPを一点鎖線で示している。板状部材3は、光ファイバ収容部100に収容された光ファイバ9を、第2の主面10b側から支持している。つまり、板状部材3によって、光ファイバ9が光ファイバ収容部100から第2の主面10b側に抜け出すことが抑止されている。光ファイバ収容部100における光ファイバ9の固定は、例えば光ファイバ9を第1の主面10a側から光ファイバ収容部100内に収容し、図略の接着剤を光ファイバ収容部100内に注入し、さらに押え部材8図1参照を基材10の第1の主面10a側に貼り付けることによって行われる。反射層102は、光ファイバ9コア90光が出射されたとき、その出射光を第1の主面10a側に反射する。光電変換素子41が受光素子である場合、反射層102で反射した光は光電変換素子41の本体部410に設けられた開口410aから光電変換素子41内に入射し、光電変換素子41は、この入射光による光信号を電気信号に変換する。また、光電変換素子41が発光素子である場合、光電変換素子41は、半導体回路素子42から供給される電気信号を光信号に変換し、この光信号を表す光を開口410aから出射する。この出射光は、反射層102で反射して、光ファイバ9のコア90に入射し、光ファイバ9を伝搬する。実施の形態の作用及び効果本実施の形態によれば、以下に示す作用及び効果が得られる。1光ファイバ9は、基材10を厚さ方向に貫通する光ファイバ収容部100に収容され、かつ板状部材3によって支持されるので、基材10の厚みを光ファイバ9の直径と同程度例えば光基板1の厚みが光ファイバ9の直径の±20以内とすることができ、基材10を光ファイバ9の直径よりも薄くすることも可能である。図4は、基材10の厚みが光ファイバ9の直径よりも薄く、さらに基材10及び配線パターン2を合わせた厚みが光ファイバ9の直径よりも薄い場合を例示している。これにより、例えば基材の厚さ方向の途中の深さまで形成された溝に光ファイバ9を収容する場合に比較して、光基板1の厚みを薄くすることができる。2反射層102の各層は、配線パターン2を形成する工程で基材10の傾斜面101上に形成される。すなわち、反射層102を形成するための専用の工程が不要であるので、光基板1の製造時間を短縮できると共に、製造コストを低減することができる。3基材10の傾斜面101は、レーザ光の照射によって形成されるので、その表面を精度良く平坦な面に形成することができる。これにより、光電変換素子41から出射された光を光ファイバ9に、又は光ファイバ9から出射された光を光電変換素子41に、的確に反射させることが可能となる。4配線パターン2及び反射層102は、その最上層が金メッキされているので、腐食による反射層102における反射率の低下を抑制することができると共に、配線パターン2と光電変換素子41との電気的な接続を良好とすることができる。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、導電性を有する板状部材3が第2の主面10bの全体に配置された場合について説明したが、板状部材3の一部を所望の形状にエッチングして配線パターンとしてもよい。この場合、第2の主面10b側にも電子部品を実装することができる。また、上記実施の形態では、光基板1に一つの光ファイバ収容部100及び光モジュール構造を形成した場合について説明したが、これに限らず、光基板1に複数の光ファイバ収容部100及び光モジュール構造を形成してもよい。またさらに、上記実施の形態では、第1の金属膜21及び第2の金属膜22が銅Cuである場合について説明したが、これに限らず、第1の金属膜21及び第2の金属膜22の一方又は両方が例えばアルミニウムやステンレスであってもよい。また、配線パターン2や反射層102の各層における材質も、上記したものに限らない。また、基材10の材質も、ポリイミドに限らず、例えばPETPolyethyleneterephthalate、ポリエチレンテレフタラートであってもよい。また、上記実施の形態では、第1の主面10aに対して斜めにレーザ光Lを照射することにより傾斜面101を形成したが、これに限らず、形成すべき傾斜面101の第1の主面10aからの深さ垂直距離に応じてレーザ光の透過率が調節されたシャドーマスクを用いて、第1の主面10aに対して垂直にレーザ光を照射して傾斜面101を形成してもよい。"