"半導体材料を含む基板に設けられた第1電極と、該第1電極の上部に設けられた第2電極と、該第1電極と該第2電極との間に形成されたPN接合部と、該第2電極の外部端子に至る導体部周囲を覆うように設けられた、被評価絶縁膜を含む絶縁層と、前記被評価絶縁膜を介して、前記PN接合部の周辺部に電圧を印加する第3電極とを備えるテスト素子を用いた絶縁膜評価方法であって、前記第2電極から前記PN接合部に一定の逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加ステップと、前記第3電極から前記PN接合部の周辺部に電圧を掃引印加する掃引電圧印加ステップと、掃引印加によりPN接合部に流れる電流を測定する電流測定ステップと、掃引電圧と測定電流との関係に基づいて前記被評価絶縁膜の電気的特性を取得する電気的特性取得ステップとを備えることを特徴とする絶縁膜評価方法。前記被評価絶縁膜の材料が異なる複数の素子を製作するテスト素子製作ステップと、材料ごとに前記電気的特性を取得し、該電気的特性を比較する比較ステップとを備えることを特徴とする請求項1記載の絶縁膜評価方法。前記掃引電圧印加ステップは、増加掃引ステップと減少掃引ステップとを有することを特徴とする請求項1記載の絶縁膜評価方法。半導体材料を含む基板に設けられた第1電極と、該第1電極の上部に設けられた第2電極と、該第1電極と該第2電極との間に形成されたPN接合部と、該第2電極の外部端子に至る導体部周囲を覆うように設けられた、被評価絶縁膜を含む絶縁層とを備えたテスト素子であって、前記被評価絶縁膜を介して、前記PN接合部の周辺部に電圧を印加する第3電極を備えることを特徴とするテスト素子。前記第3電極は、前記被評価絶縁膜と同層以上に設けられることを特徴とする請求項4記載のテスト素子。前記第3電極は、前記第2電極の導体部周囲で、かつ、前記PN接合部周辺部に対応して前記PN接合部の上部に設けられることを特徴とする請求項4記載のテスト素子。前記第3電極は、前記PN接合部の上部に、前記PN接合部端部を跨ぐように設けられることを特徴とする請求項4記載のテスト素子。前記第3電極は、略リング形状であることを特徴とする請求項4記載のテスト素子。非特許文献1記載の従来技術は、受動素子にかかるものであり、その構造にトランジスタやダイオードの様な能動素子を有していないので、絶縁膜を構成する材料が半導体素子の電気的特性に与える影響を評価することは出来ない。なお、上述の通り、評価材料毎に実際に半導体装置を試作する事は、費用や時間の点で実行が困難である。本発明は上記課題を解決しようとするものであり、ダイオードやトランジスタのような能動素子において、被評価絶縁膜が半導体素子に与える影響を容易に評価する方法および評価に用いるテスト素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明にかかる絶縁膜評価方法は、半導体材料を含む基板に設けられた第1電極と、該第1電極の上部に設けられた第2電極と、該第1電極と該第2電極との間に形成されたPN接合部と、該第2電極の外部端子に至る導体部周囲を覆うように設けられた、被評価絶縁膜を含む絶縁層と、前記被評価絶縁膜を介して、前記PN接合部の周辺部に電圧を印加する第3電極とを備えるテスト素子を用いた絶縁膜評価方法であって、前記第2電極から前記PN接合部に一定の逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加ステップと、前記第3電極から前記PN接合部の周辺部に電圧を掃引印加する掃引電圧印加ステップと、掃引印加によりPN接合部に流れる電流を測定する電流測定ステップと、掃引電圧と測定電流との関係に基づいて前記被評価絶縁膜の電気的特性を取得する電気的特性取得ステップとを備える。逆バイアス電圧印加だけでは、PN接合部に電流は流れない。第3電極からPN接合部の周辺部への電圧印加により、PN接合部の空乏層が外側に延び、PN接合部に逆方向電流が流れる。掃引電圧と測定電流との関係I-V特性は、被評価絶縁膜の電気的特性を反映している。さらに好ましくは、上記絶縁膜評価方法において、さらに、前記被評価絶縁膜の材料が異なる複数の素子を製作するテスト素子製作ステップと、材料ごとに前記電気的特性を取得し、該電気的特性を比較する比較ステップとを備える。例えば、既知材料で絶縁膜を形成したテスト素子と、新規材料で絶縁膜を形成したテスト素子とを製作し、両者の電気的特性I-V特性を比較する。一般に、I-V特性の電流変化が少ないほど、安定的な優れた材料であると評価できる。さらに好ましくは、前記掃引電圧印加ステップは、増加掃引ステップと減少掃引ステップとを有する。増加掃引電圧印加によるI-V特性と、減少掃引電圧印加によるI-V特性とを比較することにより、絶縁膜材料の履歴依存性を評価できる。上記課題を解決するため、本発明のテスト素子は、半導体材料を含む基板に設けられた第1電極と、該第1電極の上部に設けられた第2電極と、該第1電極と該第2電極との間に形成されたPN接合部と、該第2電極の外部端子に至る導体部周囲を覆うように設けられた、被評価絶縁膜を含む絶縁層とを備えたテスト素子であって、前記被評価絶縁膜を介して、前記PN接合部の周辺部に電圧を印加する第3電極を備える。第3電極から被評価絶縁膜を介するPN接合部の周辺部への電圧印加により、PN接合部の空乏層が外側に延び、PN接合部に逆方向電流が流れる。さらに好ましくは、前記第3電極は、前記被評価絶縁膜と同層以上に設けられる。第3電極からの印加電圧による電界は、第3電極より下層に及ぶが、一部は同層の側面にも及ぶ。したがって、被評価絶縁膜は第3電極より下層にある第3電極は被評価絶縁膜より上層にあることが好ましいが、同層であっても評価できる。さらに好ましくは、前記第3電極は、前記第2電極の導体部周囲で、かつ、前記PN接合部周辺部に対応して前記PN接合部の上部に設けられる。これにより、第3電極からPN接合部の周辺部へ電圧を印加できる。さらに好ましくは、前記第3電極は、前記PN接合部の上部に、前記PN接合部端部を跨ぐように設けられる。これにより、第3電極からPN接合部の周辺部へ、より効果的に電圧を印加できる。さらに好ましくは、前記第3電極は、略リング形状である。これにより、第3電極からPN接合部の周辺部へ、より均一に電圧を印加できる。上記テスト素子により容易に安定した精度の良い測定ができる。上記テスト素子は容易に製作できる。能動素子において、被評価絶縁膜が半導体素子に与える影響を容易に評価できる。本発明の実施形態に関して図に基づいて説明する。<第1実施形態>~構成~図1は第1実施形態にかかるテスト素子の断面図である。図2は、テスト素子を製作するためのマスクのレイアウト図である。テスト素子は、P型Si基板11と、N型拡散層12と、シリサイド層14と、金属配線21,22,23,40と、酸化膜31,32と、保護膜33,37と、絶縁膜34,35,36とを備えている。P型Si基板11上にN型拡散層12が形成され、N型拡散層12端部にPN接合が形成される。N型拡散層12の表面は高濃度不純物を含むN層13となっており、シリサイド層14NiSiとの間にオーミック接触を形成している。P型Si基板11の表面には薄い酸化膜31SiO2と素子分離用の厚い酸化膜32が形成されている。酸化膜31,32の上に保護膜33P-SiOが形成され、保護膜33にはコンタクト孔24が形成され、コンタクト孔24にはタングステンWが埋め込まれ、下層のシリサイド層14と上層の金属配線21を電気的に接続している。N型拡散層12は平面的に不純物拡散領域Nを形成し、酸化膜32に囲まれた領域は素子分離領域Lを形成する。保護膜33の上には多層配線構造金属配線21,22の2層配線、たとえばCuが形成されていて、金属配線21,22間は配線接続孔25を介して電気的に接続されている。また、金属配線21、配線接続孔25、金属配線22に対応して、3層の層間絶縁膜34,35,36が形成されている。絶縁膜34,35,36の上には保護膜37とパッド引き出し用の金属配線23が形成されている。酸化膜32がN型拡散層12周りに形成されるPN接合の空乏層に接触しないように、素子分離領域Lと不純物拡散領域Nの間には1um程度の間隔が形成される。この間隔により、安定した高感度の測定後述ができる。さらに特徴的構成として、金属配線22が配置される絶縁膜36には、金属配線ゲート電極40が配置される。ゲート電極40は、略リング形状をしており、金属配線22周囲で、かつ、N型拡散層12の周辺部に対応してN型拡散層12の上部に設けられる。リング形状により、ゲート電圧による電界を絶縁膜34,35,36に均一に与えることができ、安定的な測定後述ができる。特に、本実施形態では、ゲート電極40はリング幅方向にN型拡散層12端部を内外に跨ぐように設けられている。その結果、ゲート電極40はN型拡散層12端部を覆っている。言い換えると、N型拡散層12端部から上方に延びる仮想線図1破線が、ゲート電極40のリング幅方向の面と交差している。この構成により、ゲート電圧による電界を絶縁膜34,35,36に効果的に与えることができ、安定的な測定後述ができる。~動作~図3は、本実施形態に係るテスト素子の動作を説明する図である。まず、金属配線23に、逆バイアスの電圧Vkを印加する。このとき、逆バイアスであるため、PN接合には電流は流れない。逆バイアスの電圧Vkを印加した状態で、ゲート電極40にゲート電圧Vgを印加する。ゲート電圧印加により電界が発生し、デート電極40直下および周辺の絶縁膜34~36に電荷が捕獲あるいは放出され、PN接合の空乏層が外側に延びる現象が生じる。その結果、PN接合には逆方向電流Ikが流れる。ゲート電圧Vgを掃引印加すると、電圧の増減に応じて、電流Ikが変化する。ゲート電圧Vgと電流Ikの関係を測定し、このI-V特性を絶縁膜の電気的特性として取得する。~評価方法~本実施形態に係るテスト素子を用いた絶縁膜評価方法の一例ついて説明する。ここでは、保護膜33,37の材料特性は既知なものとし、絶縁膜34,35,36を同じ材料で形成する。まず、既知な材料Aで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子以下、材料Aと、新材料Bで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子以下、材料Bを製作する。材料Aと材料Bの電気的特性を取得し、両者を比較する図4参照。材料Aにおいては、ゲート電圧Vgが0~80Vでは、電流Ikに大きな変化はないが、約80Vを超えると大きく変化する閾値80V。材料Bにおいては、ゲート電圧Vgが0~100Vでは、電流Ikに大きな変化はないが、約100Vを超えると大きく変化する閾値100V。これにより、材料Bは材料Aより電流変化が少なく、安定的な材料であると考えられる。言い換えると、新材料Bは、既知材料Aよりも優れていると評価できる。本実施形態に係るテスト素子を用いた絶縁膜評価方法の別の例について説明する。前述の図4は、0Vから200Vにゲート電圧Vgを掃引印加増加した場合の例である。一方、図5は、200Vから0Vにゲート電圧Vgを掃引印加減少した場合の例である。図5において、既知材料Aでは、180~80Vまで電圧減少に伴い電流も減少するが、80V以下になると、電流はほとんど流れなくなる閾値80V。新規材料Bでは、180~90Vまで電圧減少に伴い電流も減少するが、90V以下になると、電流はほとんど流れなくなる閾値90V。すなわち、図4と図5の比較から、既知材料Aは履歴依存性がないが、新規材料Bは若干の履歴依存性の可能性があると評価できる。~効果~従来技術と比較することにより、本実施形態の効果について説明する。図6は、従来技術の一例に係るテスト素子の断面図である。従来技術のテスト素子は、P型Si基板11と、金属配線51,52,53,54,55,56と、保護膜33,37と、絶縁膜34,35,36とを備えている。保護膜33の上には多層配線構造金属配線51,52および金属配線54,55の2層配線、たとえばCuが形成されていて、金属配線51,52間は配線接続孔57を介して電気的に接続されて、金属配線54,55間は配線接続孔58を介して電気的に接続されている。また、金属配線51,54、配線接続孔57,58、金属配線52,55に対応して、3層の層間絶縁膜34,35,36が形成されている。絶縁膜34,35,36の上には保護膜37とパッド引き出し用の金属配線53,56が形成されている。従来技術のテスト素子を用いた絶縁膜評価方法について説明する。金属配線53,56間に電圧を印加する。金属配線51,54間は絶縁膜34により絶縁されており、電流は流れない。しかし、金属配線53,56間の電圧印加が増すと、金属配線51,54間にリーク電流が発生する。印加電圧とリーク電流の関係を測定することで、絶縁膜34の材料特性を評価する。しかし、従来技術のテスト素子は受動素子であり、能動素子における材料評価はできない。本実施形態におけるテスト素子は能動素子であり、能動素子における材料評価ができる。本実施形態における絶縁膜評価方法では、テスト素子の電気的特性を取得し比較するものであり、新規材料を用いた半導体装置の評価に比べ、簡単な測定で評価ができる。本実施形態におけるテスト素子は、マスクパターンを変えるだけで通常の半導体集積回路製造プロセスで製作することができ、特殊な半導体素子を用いる必要はない。したがって、集積回路の製造プロセスで本体の回路と同時に製作することができる。その結果、集積回路の製造と並行して、集積回路への適合性を評価することができる。また、新規材料を用いた半導体装置を試作するのに比べ、簡単に製作できる。本実施形態のテスト素子は、ゲート電極40が絶縁膜34,35の上部かつ絶縁膜36と同層に配置されているため、ゲート電圧印加により、ゲート電圧による電界を絶縁膜34,35,36に与えることができ、これにより、絶縁膜34,35,36の評価ができる。本実施形態のテスト素子は、ゲート電極40の特徴的な形状および配置により、安定的な測定ができる。~変形例~図7は、本実施形態の変形例に係るテスト素子の断面図である。ゲート電極40のリング幅を外側に広げたものである。この構成により、テスト素子の感度をさらに向上させることができる。本実施形態においては、P型基板とN型拡散層を用いているが、PN接合であればよいので、N型基板とP型拡散層を用いてもよい。本実施形態においては、絶縁膜34,35,36の材料を同じとし、既知な材料Aで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子と、新材料Bで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子とを製作し、比較したが、たとえば、既知な材料Aで絶縁膜34,35,36を形成したテスト素子と、新材料Bで絶縁膜34を既知な材料Aで絶縁膜35,36を形成したテスト素子とを製作し、比較してもよい。この場合、絶縁膜34が被評価絶縁膜となる。本実施形態においては、保護膜33,37の材料特性は既知なものとし評価対象としていないが、保護膜33の材料特性も含めて評価してもよい。<第2実施形態>図8は第2実施形態にかかるテスト素子の断面図である。図9は、テスト素子を製作するためのマスクのレイアウト図である。第1実施形態の金属配線Al23と保護膜37がない点で相違する。第1実施形態では、金属配線23に逆バイアスの電圧Vkを印加するのに対し、第2実施形態では、金属配線22に逆バイアスの電圧Vkを印加する。それ以外の構成や動作は同じであり、第1実施形態と同様な絶縁膜評価ができる。金属配線Al23と保護膜37がないことにより、テスト素子の製作プロセスがさらに簡単になる。また、金属配線Al23と保護膜37がないことにより、テスト素子の小型化を図ることができる。ただし、金属配線22に逆バイアスの電圧Vkを印加するために、金属配線22のリードを絶縁膜36に設ける必要がある。そのためゲート電極41のリングの一部が切断され、切断部に金属配線22のリードが設けられている。ゲート電極41の一部が切断された結果、PN接合周辺部の一部リング切断部に対応にはゲート電圧を印加することが出来なくなるので、ゲート電圧がPN接合のI-V特性に与える効果が若干低減する。すなわち、第2実施形態に係るテスト素子は、第1実施形態に係るテスト素子ほどの測定精度を要求しないような簡便な評価に適している。<第3実施形態>図10は第3実施形態にかかるテスト素子の断面図である。更に、第2実施形態の金属配線22と絶縁膜35,36がない点、ゲート電極42が絶縁膜34に配置されている点で相違する。第2実施形態では、金属配線22に逆バイアスの電圧Vkを印加するのに対し、第3実施形態では、金属配線21に逆バイアスの電圧Vkを印加する。それ以外の構成や動作は同じであり、第2実施形態と同様な絶縁膜評価ができる。金属配線22と絶縁膜35,36がないことにより、第2実施形態に比べて、テスト素子の製作プロセスがさらに簡単になり、また、テスト素子の小型化をさらに図ることができる。ただし、ゲート電極42が絶縁膜34と同層に配置されており、ゲート電圧による電界は絶縁膜34の側面のみにしか及ばないため、感度は若干低下する。すなわち、第3実施形態に係るテスト素子は、第2実施形態に係るテスト素子ほどの測定精度を要求しないような更に簡便な評価に適している。たとえば、予備評価を迅速に行う場合に有効である。なお、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、適宜変形できる。"