"多相超低誘電率膜を形成する方法であって、プラズマエンハンス化学気相付着装置内に基板を裁置するステップと、Si、C、O、およびHの原子を含む第1の前駆物質ガスを前記装置内に流すステップと、CおよびHの原子を含む有機分子を主に含む第2の前駆物質ガスを前記装置内に流すステップと、1つのSi原子およびeビーム放射に対して敏感な反応基を含む分子を含む第3の前駆物質ガスを前記装置内に流すステップと、前記基板上に、誘電率が2.7以下の多相超低k膜を堆積するステップと、前記堆積した膜をeビーム放射によって硬化させるステップと、を含む、方法。多相超低誘電膜を形成する方法であって、プラズマエンハンス化学気相付着装置内に基板を裁置するステップと、Si、C、O、およびHの原子を含む第1の前駆物質ガスを前記装置内に流すステップと、1つのSi原子およびeビーム放射に対して敏感な反応基を含む分子を含む第2の前駆物質ガスを前記装置内に流すステップと、前記基板上に、誘電率が2.7以下の多相超低k膜を堆積するステップと、前記堆積した膜をeビーム放射によって硬化させるステップと、を含む、方法。前記堆積した膜をeビーム放射によって硬化させるステップが、1KeVおよび100KeVの間の電子エネルギを用いて行われる、請求項2に記載の方法。低k値を有する誘電材料は、市販されている。例えば、かかる1つの材料は、k値が2.0のポリテトラフルオロエチレンPTFEである。しかしながら、これらの誘電材料は、300~350°Cを超える温度に露呈された場合、概して熱的に安定していない。このため、少なくとも400°Cの熱安定性を必要とするULSIチップにおいてこれらの誘電体を集積する間、これらは役に立たなくなる。ULSIデバイスに適用することが考えられている典型的な従来技術の低k材料には、メチルシロキサン、メチルセスキオキサン、ならびに他の有機および無機ポリマ等、シリコンSi、炭素C、および酸素Oを含むポリマが含まれる。例えば、N.Hacker等による論文Propertiesofnewlowdielectricconstantspinonsiliconoxidebaseddielectrics、Mat.Res.Soc.Symp.Proc.発行、Vol.4761997年p25に記載された材料は、熱安定性の要求を満足させると思われるが、スピンオン技法によって膜を調製する際に、相互接続構造における集積のために必要な厚さに達した場合、これらの材料の一部は容易に亀裂を広げてしまう。更に、前駆物質は、大量生産に用いるにはコストが高く、法外なほどである。これに対して、VLSIおよびULSIチップの製造ステップのほとんどは、プラズマエンハンス化学的または物理的気相付着技法によって実行される。このため、すでに設置されていて利用可能な処理設備を用いて、プラズマエンハンス化学気相付着PECVD:plasmaenhancedchemicalvapordeposition技法によって低k材料を製造することができると、製造プロセスにおけるその集積が簡略化され、製造コストが削減し、有害な廃棄物の生成が抑えられる。米国特許第6,147,009号および第6,497,963号は、誘電率が3.6以下であるSi、C、O、およびH原子から成り、極めて低い亀裂伝搬速度を示す低誘電率材料について記載している。米国特許第6,312,793号、第6,441,491号、および第6,479,110B2号は、Si、C、O、およびH原子で構成されるマトリクスから成る多相低k誘電材料について記載し、1つの相は、主にCおよびHから成り、誘電率が3.2以下である。また、当技術分野において、誘電率が2.7未満および好ましくは2.3未満である超低k膜が公知である。従来技術の超低k膜に伴う主な問題は、かかる膜をULSIデバイスにおいて集積する場合、集積した膜の機械的強度が低いことである。一般に、超低k膜は、k値が約2.7~3である膜に比べると、弾性係数および硬度がはるかに小さい。従来技術の超低k膜に伴う上述の欠点を考慮すると、弾性係数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低k膜を生成可能なPECVDプロセスを開発することが求められている。従って、本発明の目的は、誘電率が2.7以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率k膜を提供することである。本発明の別の目的は、本発明の超低k膜を製造するためのPECVD方法を提供することである。本発明の更に別の目的は、少なくとも2つの相を含む超低k膜すなわち多相膜を製造するための方法を提供することである。第1の相は、Si、C、O、およびHから成り、すなわち、水素化酸化シリコン炭素、または炭素ドープ酸素、CDO膜以後、SiCOHと称するであり、更に、基本的にCおよびH原子から成る少なくとも第2の相を含む。本発明の多相超低k膜は、主にSi、C、O、およびHの原子から成り、米国特許第6,312,793号および第6,347,443号および第6,479,110B2号に開示された多相材料に比べて、強い骨格構造を有する。本発明の更に別の目的は、約0.5から約20nmであるナノメートルサイズの孔または空隙を含む多相超低k膜を調製することである。本発明の更に別の目的は、誘電率が2.4以下で、弾性係数が約5以上で、硬度が約0.7以上である多相超低k膜を調製することである。これらの値は、既存の超低k膜よりも大きい。本発明の別の目的は、誘電率が2.2以下で、弾性係数が約3以上で、硬度が約0.3以上である多相超低k膜を調製することである。これらの値は、既存の超低k膜よりも大きい。本発明の別の目的は、平行板プラズマエンハンス化学気相付着リアクタにおいて多相超低k膜を製造するための方法を提供することである。本発明の別の目的は、BEOL相互接続構造において、レベル内またはレベル間誘電体として電子構造において用いるための多相超低k膜を製造するための方法を提供することである。本発明の更に別の目的は、BEOL配線構造において、レベル内またはレベル間誘電体として絶縁材料層を組み込んだ電子構造を提供することである。絶縁材料層の少なくとも1つが、本発明の多相超低k膜である。本発明の更に別の目的は、BEOL配線構造において、レベル内またはレベル間誘電体として本発明の多相超低k膜の層を有する電子構造を提供することである。このBEOL配線構造は、反応性イオンエッチングのマスク、研磨ストップ、または拡散バリアとして用いるための、異なる材料で形成した少なくとも1つの誘電キャップ層を含む。本発明において、以下の選択肢の1つを含む方法を利用することによって、これらおよび他の目的および利点が達成される。すなわち、少なくとも1つの前駆ガスが、少なくとも3つのSi-O結合を含むシロキサン分子を含むか、または、少なくとも1つの前駆ガスが、eビーム放射に敏感な反応基を含むシロキサン分子を含む。"