非接触で外部装置とデータの送受信を行うRFIDラベルであって、ラベル基材上に設けられたアンテナとして機能する導電層と、前記アンテナに接合されたICチップと、更にRFIDラベルを被着体に貼付けるための接着層を配置して成るRFIDラベルにおいて、前記ラベル基材の厚みが5μm以上20μm以下で、かつ前記ラベル基材の、接着層と接するラベル裏面に、深さがラベル基材の厚みの3分の1以上で、かつ平面方向に300μm以下の間隔で、深さ方向に形状が300μm以下の大きさで、アスペクト比が300:1.7以上のハーフカットを設けたことを特徴とする脆性RFIDラベル。前記接着層と反対面のラベル基材上に目視で光学的な効果を呈するOVD機能層が設けられたことを特徴とする請求項1に記載の脆性RFIDラベル。前記RFIDラベルの導電層が導電性インキで設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載の脆性RFIDラベル。本発明は、以上の事情を鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、OVDとRFIDラベルの一体化において、OVDの光学的な効果による装飾性や意匠性の向上の効果と光学情報の記録の機能などを制限することがなく、また、悪意にRFIDラベルを被着体から剥がそうとした際にラベル基材が容易に破壊して再使用することができないRFIDラベルを提供することにある。上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、非接触で外部装置とデータの送受信を行うRFIDラベルであって、ラベル基材上に設けられたアンテナとして機能する導電層と、前記アンテナに接合されたICチップと、更にRFIDラベルを被着体に貼付けるための接着層を配置して成るRFIDラベルにおいて、前記ラベル基材の厚みが5μm以上20μm以下で、かつ前記ラベル基材の、接着層と接するラベル裏面に、深さがラベル基材の厚みの3分の1以上で、かつ平面方向に300μm以下の間隔で、深さ方向に形状が300μm以下の大きさで、アスペクト比が300:1.7以上のハーフカットを設けたことを特徴とする脆性RFIDラベルである。また、請求項2に記載の発明は、前記接着層と反対面のラベル基材上に目視で光学的な効果を呈するOVD機能層が設けられたことを特徴とする請求項1に記載の脆性RFIDラベルである。また、請求項3に記載の発明は、前記RFIDラベルの導電層が導電性インキで設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載の脆性RFIDラベルである。本発明によるRFIDラベルによって、前記RFIDラベルを被着体から剥がす際に、ラベル基材が非常に薄く脆いために、RFIDラベルが容易に破壊される。これにより、アンテナも断線するため、RFIDラベルの情報を取り出すことをできなくすることができる。更に、ラベル基材表面に設けられたOVD機能層も破壊するため、目視でもその痕跡を確認することもでき、RFIDラベルを再利用することは不可能になり、偽造防止となる。また、本発明によるRFIDラベルは、深さ方向にOVD機能層と反対面に、ハーフカットを設けているので、OVD機能を劣化させることなく、脆性度を高めることができ、またラベル基材全面にハーフカットを設けることが可能である。さらに、ラベルを使い回そうと悪意をもってはがそうとした際、目視できないため、関係者以外はハーフカットが設けられていることに気が付かず、ラベル基材を壊してしまう。以下本発明を実施するための形態を、図面を用いて詳細に説明する。図1は、本発明のRFIDラベルAの断面概念図であり、厚さ5μm以上20μm以下のラベル基材1の片面に深さ方向にハーフカット5が設けてある。ラベル基材1のハーフカット5を設けた面上にアンテナ3を配置し、該アンテナ3の上にICチップ4を設ける。ここで、該アンテナ3は、該ICチップ4の電極部に接合されている。このような構成の層の上に接着層6を配置する。更に、離型シート層7を配置する。更に、ラベル基材1の反対面上にOVD機能層2を設けた構成となっている。図2に示すようにICチップ4は、例えば、正方形状に形成されており、その辺部の長さ寸法が0.4mm程度、高さ寸法が0.1mm程度のものである。なお、辺部の長さ寸法は、これらに限定されるものではなく、適宜なものに設定可能である。アンテナ3に電波が照射され、このICチップ4に電力が供給されると、ICチップ4は稼動状態となり、情報読取装置からの電波に重畳されて送られてくるタイミング信号やコマンドに合わせて、そこに記憶されている情報を情報読取装置に返送する。そして、情報読取装置はこの再放射の強度を測定することで、ICチップ4に格納されている情報を読み出す。RWとRFIDラベルAとの交信に使用する周波数は2.45GHz帯2.400~2.482MHzおよび/または900MHz帯850~950MHzが望ましいが、本発明はこれに限定されるわけではない。<ラベル基材1>本発明のRFIDラベルAにおいては、ラベル基材1は厚み34の薄いフィルムを用いる。厚み34としては、5μm以上20μm以下が好ましい。材質としては、絶縁性材料であれば特に限定されるものではなく、例えばPET、PVC、ABS等を用いることができる。更にこのラベル基材1には、図1、図6に示すように、深さ方向にハーフカット5を設ける。ハーフカットの大きさ32は、視認できない300μm以下で、深さ31としては、ラベル基材1厚み34の3分の1以上の深さ31が好ましく、従って、ハーフカットのアスペクト比は300:1.7以上で、深さ31方向に深いことが好ましい。ハーフカットの断面形状は円形に限られない。平面方向に300μm以内の間隔33で設けることが好ましく、任意の2点間の距離が最も離れても300μm以内であれば良い。<OVD機能層2>OVD機能層2は転写箔としてラベル基材1のアンテナ3の反対面に設けられる。OVD転写箔の作製方法としては、一般的な方法が可能であり、例えば、図5に示すように、支持体11に剥離保護層22を塗布し、その上にエンボス加工を施したホログラム形成層23を設け、更にアルミ薄膜層24、マスク層25、接着層26を設けた構成があげられる。ラベル基材1上に前記OVD転写箔をのせて一定の加熱加圧をかけることでOVD機能層2を形成する。このとき、前記ICチップ4が破壊しないように、ICチップ4を接合する前に転写することが好ましい。若しくは、図3のように、ICチップ4上にかからない部分にOVD機能層2を転写することが好ましい。このようにして形成されたOVD機能層2の厚みは数μmと薄いため、ラベル基材1の破壊と同時にOVD機能層2も破壊する。OVD機能層2は、例えば、ラベル基材1に蒸着法によりアルミや金などの金属薄膜層24を形成し、該金属薄膜層24を加工して形成することができる。すなわち、金属薄膜層24に、ホログラムや回折格子のような光の干渉縞を微細な凹凸パターンとしてホログラム形成層23に記録する、レリーフ型や体積方向に干渉縞を記録する体積型などを用いて加工することによりOVD機能層2となる。<OVD機能層の非導電性>OVD機能層2は、アンテナ3の電波通信を阻害しないように、導電性を示さないことが必要である。したがって、例えばホログラム形成層23上に金属薄膜層24を設けたOVD機能層2を作製した後に、エッチング法を用いて格子状に蒸着膜を切る方法がとられる。この場合、ホログラムの光学的機能を失わないように、10μm以下のラインで切ることが好ましい。他にも、導電性を示さない方法であれば適宜使用できる。例えば、見る角度により色の変化カラーシフトを生じさせる方法として、光学特性の異なるセラミックスの薄膜を多層に積層して多層薄膜構造とさせる方法を用いることもできる。<アンテナ3>アンテナ3の形成方法としては、導電性ペーストを印刷によってパターン状に塗布して形成する方法などを用いることができる。該導電性ペーストの導電性材料としては、銀系が好ましい。例としては、バインダーとしての樹脂と溶剤と微細な銀粒子を含む銀ペーストなどがあげられる。前記銀ペーストは、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、オフセット印刷などの印刷方法で印刷してパターン形成することができる。その後、加熱して、溶剤を蒸発させることで塗膜が形成される。この塗膜に含まれる銀粒子間の接触により、導体としての機能をもつ。これによりアンテナ3を形成することができるが、本発明はこれに限定されるわけではない。また、導電性のインクをインクジェットプリンタでプリントしてもよい。これにより、アンテナ3の厚みを薄く均一に形成でき、よりアンテナ3を破断しやすい構造とすることができる。更に、RFIDラベルA全体の厚さをより薄く平滑とすることができる。アンテナ3はICチップ4の接続端子と接続される。接合部分は、ACPAnisotropicConductivePaste:異方導電性ペーストやACFAnisotropicConductiveFilm:異方導電性フィルムなどのような異方性導電材料や、NCPNon-ConductivePasteやNCFNon-ConductiveFilmなどのような接合用の材料などを適宜選択して用いることができる。また、超音波などにより、直接接合してもよい。なお、ラベル基材1は非常に薄く脆いため、図4に示すOVD機能層2を転写する前のRFIDラベルBのように、仮接着層12を塗布した厚みのある支持体11で仮に補強してアンテナ印刷、ICチップ4の実装加工を行うこともできる。この場合、支持体11を剥がしながら、後述するOVD機能層2を転写する。図4に示すアンテナ3を具備するOVD機能層を転写する前のRFIDラベルBは、図示しない情報読取装置からの電波をこのアンテナによって受け、その長手方向に生じる電位差をICチップに供給するようになっている。アンテナ3の配線パターンは、例えば図5のように、アンテナ3をS字状に連ねたような形に屈曲させ、又は蛇行させるメアンダ状に形成されている。この配線パターンは、前記ICチップ4の端子に対応して、必要に応じてデザインし配置してよいが、後述するように被着体からラベルを剥がそうとした際に、アンテナ3が断線しやすいように、複雑な形状が好ましい。<ハーフカット5>ハーフカット5の方法としては、一般的な方法が可能であり、例えば、抜き刃や針を用いた加工やレザー光などを用いた加工で形成することができる。また、このハーフカット5は後述するアンテナ3に重ならないように設けることが好ましい。これにより、アンテナ3の表面性を荒らすことないため、通信特性を阻害することなくラベル基材2の脆弱性を高めることができる。ハーフカット5はラベル基材に対して厚みの3分の1以上の深さで、かつ平面方向に300μm以下の間隔で設けることで適度な脆性が得られる。ここで、OVD機能層2はラベル基材1上のハーフカット5とは反対面に設ける。接着層と接するラベル裏面に設けることにより、OVD機能層2の光学的な効果を妨げることなく、かつラベル基材1の脆弱性を高めることができる。<接着層6>接着層6の材料としては、アクリル系の熱接着剤、ホットメルト樹脂例えば、ポリアミド、ウレタン、EVA等、あるいは粘着剤等などを用いることができるが、本発明はこれに限定されるわけではない。また、接着層6の表面には、容易に剥離できるような離型シート7が仮粘着されている。<離型シート7>離型シート7としては、紙製又はプラスチック製のシートにシリコン樹脂などの離型剤層がコーティングなどによって積層されているセパレータを用いることができる。<隠蔽層8>なお、ラベル基材1が透明の場合には、前記アンテナ3が表面から見えないように、隠蔽層8を設けることも可能であり、導電性を示さない有機高分子樹脂が適用される。例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、セルロース系樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂や、反応性水酸基を有するアクリルポリオールやポリエステルポリオール等にポリイソシアネートを架橋剤として添加、架橋したウレタン樹脂や、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシメタアクリル、ウレタンメタアクリレート等の電離放射線紫外線あるいは電子線硬化樹脂を、単独もしくはこれらを複合して使用できる。このようにして、図1に示すように、薄く脆くなるような加工がされたラベル基材1の上にアンテナ3を印刷し、更に逆面にOVD機能層2を転写箔を用いて形成することで、被着体からRFIDラベルAを剥がそうとした際に、ラベル基材1が確実に破壊するので、同時にアンテナ3まで断線させることができ、RFIDラベルAの破壊や剥離を試みようとした履歴を残すことが可能となる。更に、OVD機能層2も破壊するためその痕跡を目視でも確認することができ、RFIDラベルAを使いまわすことはできない。次に、本発明の具体的な実施例について説明する。OVD転写箔の作製は、図5に示すように、厚み25μmの透明ポリエチレンテレフタレートPETフィルムから成る支持体11に下記の剥離性保護層22、下記のホログラム形成層23をグラビア法にて各々1μm塗布し、次いで、ロールエンボス法によりホログラムレリーフパターンを形成した。その後、細かい格子状にマスクインキを用いて1μm印刷した後に真空蒸着法を用いて膜厚0.05μmのアルミからなる金属薄膜層24を設け、アルカリエッチング法を用いて導電性を示さないOVD転写箔Cを作製した。剥離保護層の実施組成を以下に示す。アクリル10重量部ポリエチレンWAX0.1重量部MEKメチルエチルケトン59.9重量部トルエン30重量部OVD形成層の実施組成を以下に示す。ウレタン樹脂25重量部MEK50重量部トルエン25重量部接着層の実施組成を以下に示す。塩化ビニル酢酸ビニル共重合体15重量部アクリル樹脂5重量部酢酸エチル50重量部酢酸ブチル30重量部RFIDタグの形成は50μmの厚さのPETフィルム支持体と15μm厚さのPETフィルムラベル基材1を軽粘着で貼り合せたフィルムに、レザー光を用いて、直径200μm、深さ方向7.5μm、平面方向200μmピッチになるようにハーフカットを施した。次に、被着体と同色のエポキシ樹脂ベースのインキをラベル基材のハーフカットを施した面側に、スクリーン印刷にて全面塗布し、乾燥を行って3μm厚みの隠蔽層を設けた。隠蔽層の実施組成を以下に示す。塩化ビニル酢酸ビニル共重合体15重量部酢酸エチル55重量部酢酸ブチル30重量部前述のラベル基材の隠蔽層側に、エボキシ樹脂に銀粉を分散させた導電性ペーストをスクリーン印刷350メッシュにて印刷し、70°C3分温風乾燥機にて乾燥を行って5μm厚みのアンテナを得た。このアンテナに、0.4mm角の大きさであるICチップの2つの端子をACP異方導電性ペーストにより接合した。導電性インキの実施組成を以下に示す。銀ペースト30重量部ポリエステル樹脂5重両部酢酸エチル45重量部酢酸ブチル20重量部次に、離型シート7は、クラフト紙の片面にポリエチレンをラミネートし、その上にシリコン処理を施して離型シート7とした。厚みは112μmであり、アクリル系の粘着剤を塗布し、これを上記RFIDを形成したラベル基材1に転写することで接着層6を設け、図4に示すOVD機能層を転写する前のRFIDラベルBを作製した。OVD機能層2の転写は、上記RFIDタグBを形成したラベル基材1の接着層6と反対面に、50μm厚みのPETフィルム支持体を剥がしながら、前記OVD転写箔Cを加熱加圧をかけて転写しOVD機能層2を形成することで、図1のような、光学機能付きRFIDラベルAを作製した。なお、転写条件は温度160°C、速度5m/min.である。得られたRFIDラベルAは、ICリーダライタ装置で読み取りが可能であった。以下に、本発明の比較例について説明する。<比較例>50μm厚みのPETフィルムの上に、アルミニウム薄膜のアンテナをエッチングにて形成し、RFID用のICチップ4を実装してRFIDインレットを得た。その面に接着層を設けてRFIDラベルDを作製した。このようにして作製したRFIDラベルA、Dを商品が内蔵されたボックスに貼り付けた。その後、このラベルを被着体から慎重に剥がした。実施例1のRFIDラベルAでは、被着体から剥がした際にラベル基材1が脆いために簡単に裂けるように壊れて、基材表面のOVD機能層2であるホログラムも破壊した。同時に導電性インキで形成されたアンテナ3も断線して通信機能を不可能にすることができた。それに対し、比較例のRFIDラベルDを被着体から剥がしたところ、ラベル基材1が綺麗に剥がすことができ、RFIDインレットの通信も可能であった。