"逆メサ方向に直線状に形成された直線導波路部と、前記直線導波路部に接続し、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部と、を有する光半導体装置であって、前記直線導波路部が、活性層を具備するものであり、前記傾斜導波路部が、前記活性層と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層を具備するものであり、前記直線導波路部がメサ構造で形成され、前記傾斜導波路部がメサ構造で形成されると共に、前記傾斜導波路部のメサ構造が前記直線導波路部のメサ構造よりも低く形成され、前記直線導波路部のメサ構造の側部に半導体層が積層される一方、前記傾斜導波路部のメサ構造が半導体層で埋め込まれることを特徴とする光半導体装置。請求項1に記載された光半導体装置であって、前記直線導波路部のメサ構造の高さが2.5μm以上であり、前記傾斜導波路部のメサ構造の高さが2.5μm未満であることを特徴とする光半導体装置。請求項2に記載された光半導体装置であって、前記傾斜導波路部のメサ構造の高さが、前記導波路層の厚さ以上であることを特徴とする光半導体装置。請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載された光半導体装置であって、前記直線導波路部および前記傾斜導波路部がn型InP基板、または、半絶縁性InP基板上に形成されるものであり、前記導波路層の上部にp-InP層が形成され、前記p-InP層が300nm以下の厚さであることを特徴とする光半導体装置。請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載された光半導体装置であって、前記半導体層が、ルテニウムをドーピングした半絶縁体を含有する層であることを特徴とする光半導体装置。請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載された光半導体装置であって、前記傾斜導波路部が、前記逆メサ方向に対して5度以上傾く方向へ直線状に延在する傾斜状導波路、または曲線状に延在する曲線状導波路であることを特徴とする光半導体装置。請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載された光半導体装置を具備することを特徴とする半導体レーザアレイ。請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載された光半導体装置を具備することを特徴とするリング共振器。請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載された光半導体装置を具備することを特徴とするマッハツェンダー干渉計。一般的に半導体レーザの導波路を埋め込みヘテロ構造BHで作製する場合には、100基板の場合に<011>方向の、いわゆる逆メサ方向に導波路を形成する。これとは直交する<011->この1-は1の上の横棒を示す方向の順メサ方向に導波路を形成すると、再成長時にその後のプロセスに不適切な結晶面が生成されてしまうため作製が困難である。ここで、図11に、メサ構造を作製した後に、メサ構造作製時の絶縁マスク709を、そのまま選択成長のマスクとして用いてInPにFeをドーピングした半絶縁体722で両脇を埋め込み再成長した後の断面を模式的に示す。図11aは、導波路を逆メサ方向に作製した場合の導波路と直交する断面図であり、図11bは、導波路を順メサ方向に作製した場合の導波路と直交する断面図である。この図11bに示すように、順メサ方向に導波路を作製した場合には、マスク絶縁膜709上に半絶縁体722がせりあがるように異常に結晶成長して、マスク709上に空間730が形成されてしまい、素子作製が困難になる。これは、メサ構造の高さが高いほどその脇に再成長する半導体の量が増加するため、異常成長する量も増加することになる。なお、図11にて、符号701はn型InPを示し、符号702は活性層を示し、符号704はp型InPを示し、符号706はコンタクト層を示す。LDアレイ集積素子では、前述のように、LDと結合器を結ぶ導波路部分で、曲線導波路、若しくは、逆メサ方向からずれた角度で導波路を形成する必要がある。ここで、図12aにLDを逆メサ方向に配置したアレイ素子を模式的に示す平面を示し、図12bに図12aにおけるx-x’断面を示し、図12cに図12aにおけるy-y’断面を示す。なお、図12aに示すアレイ素子は上述した図10に示すアレイ素子と同一であり、同一部材には同一符号を付記しその説明を省略する。図12aにて、A11は逆メサ方向を示し、A12は導波路812fの延在方向を示し、θ10は逆メサ方向A11と導波路812fの延在方向A12との角度を示す。図12bcにて、符号901はn型InPを示し、符号902は活性層を示し、符号904はp型InPを示し、符号906はコンタクト層を示し、符号909は絶縁膜を示し、符号915は導波路層を示し、符号922は半絶縁性InPを示す。LDと結合器を結ぶ導波路部分では、電流を注入する必要が無いためコンタクト層も埋め込まれてしまっても問題が無いため、再成長時にはエッチングマスクを剥がしてしまって再成長しても良い。しかしながら、埋め込み量が多い場合には、異常成長が生じて、空間ができたり図11b参照、図12cに示すように、ひさし931ができたりしてしまう。これは逆メサ方向からの角度が大きくなればなるほど顕著になる。また、メサ構造の高さが高くなればなるほど顕著になる。これにより、例えば、この上に金属配線を行う場合などには、断線するなどの諸問題が生じる可能性があった。この問題コンタクト層上における空間の生成やひさしの生成といった異常成長を解決するためには、できるだけ逆メサ方向からの角度が小さくなるようにし、異常な成長が起きないようにすれば良いが、角度を浅くするとLDと結合器の距離が長くなり、素子長の増大を招き装置自体が大型化してしまう。さらに、装置の大型化に伴って伝搬損失が増大してしまう。そこで、本発明の目的は、前述した問題に鑑み提案されたもので、逆メサ方向に直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することである。上述した課題を解決する第1の発明に係る光半導体装置は、逆メサ方向に直線状に形成された直線導波路部と、前記直線導波路部に接続し、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部と、を有する光半導体装置であって、前記直線導波路部が、活性層を具備するものであり、前記傾斜導波路部が、前記活性層と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層を具備するものであり、前記直線導波路部がメサ構造で形成され、前記傾斜導波路部がメサ構造で形成されると共に、前記傾斜導波路部のメサ構造が前記直線導波路部のメサ構造よりも低く形成され、前記直線導波路部のメサ構造の側部に半導体層が積層される一方、前記傾斜導波路部のメサ構造が半導体層で埋め込まれることを特徴とする。上述した課題を解決する第2の発明に係る光半導体装置は、第1の発明に係る光半導体装置であって、前記直線導波路部のメサ高さが2.5μm以上であり、前記傾斜導波路部のメサ高さが2.5μm未満であることを特徴とする。上述した課題を解決する第3の発明に係る光半導体装置は、第2の発明に係る光半導体装置であって、前記傾斜導波路部のメサ構造の高さが、前記導波路層の厚さ以上であることを特徴とする。上述した課題を解決する第4の発明に係る光半導体装置は、第1乃至第3の発明の何れか一つに係る光半導体装置であって、前記直線導波路部および前記傾斜導波路部がn型InP基板、または、半絶縁性InP基板上に形成されるものであり、前記導波路層の上部にp-InP層が形成され、前記p-InP層が300nm以下の厚さであることを特徴とする。上述した課題を解決する第5の発明に係る光半導体装置は、第1乃至第4の発明の何れか一つに係る光半導体装置であって、前記半導体層が、ルテニウムをドーピングした半絶縁体を含有する層であることを特徴とする。上述した課題を解決する第6の発明に係る光半導体装置は、第1乃至第5の発明の何れか一つに係る光半導体装置であって、前記傾斜導波路部が、前記逆メサ方向に対して5度以上傾く方向へ直線状に延在する傾斜状導波路、または曲線状に延在する曲線状導波路であることを特徴とする。上述した課題を解決する第7の発明に係る半導体レーザアレイは、第1乃至第6の発明の何れか一つに係る光半導体装置を具備することを特徴とする。上述した課題を解決する第8の発明に係るリング共振器は、第1乃至第6の発明の何れか一つに係る光半導体装置を具備することを特徴とする。上述した課題を解決する第9の発明に係るマッハツェンダー干渉計は、第1乃至第6の発明の何れか一つに係る光半導体装置を具備することを特徴とする。本発明に係る光半導体装置によれば、LDアレイ素子などの傾斜導波路部を有する光半導体装置において、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、短い距離で逆メサ方向からの傾斜角の大きい導波路とし、直線導波路部と傾斜導波路部を結ぶ埋め込み導波路を作製でき、装置自体を小型化できる。これに伴って伝搬損失を低減できる。本発明に係る光半導体装置の実施形態を、以下に示す実施形態において詳細に説明する。[第一の実施形態]本発明に係る光半導体装置の第一の実施形態について、図1乃至図4に基づき詳細に説明する。本実施形態では、半導体レーザアレイに適用した場合について説明する。図1は光半導体装置を模式的に示す平面図であり、図2は図1に示すII-II’断面図であり、図3は図1に示すIII-III’断面図である。図4は光半導体装置の作製工程を示す図であり、図4a~dは図1に示すII-II’断面構造の作製工程を示し、図4e~hは図1に示すIII-III’断面構造の作製工程を示す。本実施形態に係る光半導体装置10では、図1に示すように、基板1としてn型InP100基板を用い、LDの導波路の方向が<011>方向の逆メサ方向A1である。光半導体装置10は、半導体レーザLD部11、導波路部12、結合器13、および半導体増幅器SOA14を具備する。半導体レーザ部11は6つの半導体レーザ11a~fを具備するものである。これら6つの半導体レーザ11a~fは並列に配置される。導波路部12は、各半導体レーザ11a~fと結合器13を接続する導波路12a~fで構成されている。これら導波路12a~fは、逆メサ方向A1に対して傾斜する方向に延在している。例えば、導波路12fは、逆メサ方向A1に対して角θ1傾斜した傾斜方向A2に延在して形成されている。そして、各半導体レーザ11a~fからの出力光は、各導波路12a~fを通って結合器13で結合している。結合した光は半導体増幅器14で増幅されて出力されている。半導体レーザ11fは、図2に示すように、下層側から順番に、n型InP101、活性層102、p型InP104、コンタクト層106、絶縁膜109が積層された構造である。n型InP101の上部の一部、活性層102、p型InP104でメサ構造131が形成されている。そして、n型InP101の上部、活性層102、コンタクト層106の両側に接して半絶縁性InP半絶縁体122が積層された構造となっている。なお、半導体レーザ11a~eは、この半導体レーザ11fと同一の層構造となっており、その説明を省略する。導波路12fは、図3に示すように、下層側から順番に、n型InP101、導波路層115、p型InP104が積層された構造である。n型InP101の上部の一部、導波路層115、p型InP104でメサ構造132が形成されている。そして、n型InP101の上部、導波路層115、p型InP104が半絶縁性InP半絶縁体122で埋め込まれた構造となっている。導波路12fにおけるメサ構造132の高さメサ高さh2は、半導体レーザ11fにおけるメサ構造131の高さメサ高さh1よりも低く形成されている。なお、導波路12a~eは、この導波路12fと同一の層構造となっており、その説明を省略する。ここで、上述した半導体レーザ直線導波路部および導波路傾斜導波路部の作製方法につき図4を参照して説明する。最初に、図4aおよび図4eに示すように、n型InP基板101上にGaInAsP活性層102若しくはGaInAsP導波路層115を成長させ、更にp型InPクラッド層104、GaInAsPコンタクト層106を成長させる。選択成長によるバッドジョイント法などにより、LDやSOAなど利得を持つ領域には活性層を、導波路や結合器を作製する領域には導波路層を成長するようにすれば良い。本実施形態では有機金属気相成長法MOCVD法を用いた。更にSiO2絶縁膜を堆積した後、リソグラフィーおよび反応性イオンエッチングRIEなどの方法を用いて導波路を形成するためのエッチングマスク導波路形状のエッチングマスク109をGaInAsPコンタクト層106の表面に作製するエッチングマスク形成工程。続いて、図4bおよび図4fに示すように、SiO2絶縁膜からなるエッチングマスク109をマスクとしてドライエッチング技術により半導体をエッチングする第一のエッチング工程。具体的には、GaInAsPコンタクト層106、p型InPクラッド層104の一部をエッチング除去する。本実施形態では、誘導結合プラズマICPRIEを用いた。本実施形態では、活性層102上のp型InPクラッド104が2.0μm厚、コンタクト層106が0.2μm厚であったため、エッチング深さを2.0μmとした。続いて、図4cおよび図4gに示すように、半導体レーザ部のエッチングマスク109を残す一方、導波路部12上のエッチングマスク109のみを除去しエッチングマスク除去工程、再度ICP-RIEによりエッチングを行った第二のエッチング工程。これにより、半導体レーザ部には図に示すように2段階のエッチングにより2段分の高さのメサ構造が形成される。他方、導波路部には、導波路層115上のp型InP層104やコンタクト層106もエッチングされるため、1段目の高さのメサ構造が形成される。すなわち、導波路部では、第一のエッチング工程にて作製されたエッチングの深さ分の高さのメサ構造が形成される。2回目のエッチングでは1.5μmのエッチングを行ったため、半導体レーザ部では合計3.5μmの高さを有するメサ構造が形成され、導波路部では2.0μmの高さを有するメサ構造が形成された。続いて、図4dおよび図4hに示すように、Ruをドーピングした半絶縁性のInPによりメサ構造を埋め込み再成長した半絶縁体再成長工程。図4dでは、エッチングマスクを残したまま選択成長を行ったため、メサ脇にのみ結晶が成長する。半導体レーザ部は、3.5μmの高いメサ構造であるが、逆メサ方向の導波路であるために異常成長が生じない。すなわち、半導体レーザ部11では、メサ構造の側部に半絶縁体122が積層する。他方、図4hでは、エッチングマスクを除去しているので、全体的に結晶が成長する。メサ高さが2.0μmと比較的低いため、逆メサ方向から傾斜した導波路であるが、異常成長がなく成長する。すなわち、導波路部12では、メサ構造が半絶縁体122で埋め込まれる。したがって、本実施形態に係る光半導体装置10によれば、異常成長なく導波路層を再成長することが可能となったため、デバイス表面に形成した金属配線の断線が生じなくなった。本実施形態を適用する以前は、素子作製時に断線が生じないまでも、異常成長部分の上部が不規則な凹凸があり、配線が細くなったり、薄くなったりしてしまい、抵抗値が大きくなったり、電流を流している間に発熱により断線したりしていたいが、本発明の適用により、設計通りの配線が可能となり、ダイオードの電流-電圧特性からは、通常の半導体レーザで一般的な抵抗値5Ωが得られた。また、短い距離で逆メサ方向からの傾斜角の大きい導波路とし、直線導波路部と傾斜導波路部を結ぶ埋め込み導波路を作製でき、装置自体を小型化できる。これに伴って伝搬損失を低減できる。また、本実施形態に係る光半導体装置の作製方法によれば、エッチングマスク除去工程で導波路部12上のエッチングマスクを除去した半導体に対して第二のエッチング工程でエッチングを行うため、半導体レーザ部11のメサ構造131と導波路部12のメサ構造132とでその高さが異なる構造となる。そして、第二のエッチング工程の後に半絶縁体再成長工程を行うことで、半導体レーザ部11のメサ構造131の側部に半絶縁体122が積層される一方、導波路部12のメサ構造132が半絶縁体122で埋め込まれる。よって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置10を確実に作製することができる。本実施形態では、半導体レーザ部11として分布活性DFBレーザを用いて説明したが、その他の波長可変レーザなどを用いることも可能である。また、結合器13としてMMIを用いて説明したが、ファネル型や多段のY分岐など他の結合器などを用いることも可能である。本発明の重要な点は、集積素子である光半導体装置を構成する一つ一つで素子の種類ではなく、逆メサ方向から傾斜した角度を持つ導波路のメサ構造の高さを低くすることである。本実施形態では、InPとGaInAsPの組み合わせによる層構造を用いて説明したが、この半導体材料だけでなく、GaAs、AlGaAs、AlGaAsP、GaInNAsなど、その他の半導体材料を用いることも可能である。また、活性層および導波路層としては、バルクだけでなく、量子井戸構造や、量子細線、量子ドットなどの低次元量子井戸構造などとすることも可能である。また、活性層や導波路層のコア層の上下に、コア層とクラッド層の中間の屈折率を持つ光閉じ込めのための層を設け、分離ヘテロ構造SCHなどとすることも可能である。結晶成長の方法としては、MOCVD法だけではなく、分子線エピタキシャル成長法MBEなどほかの成長方法を用いることも可能である。エッチングマスクおよび選択成長時のマスクとしては、SiO2のみでなくSiNやその他膜、もしくはそれらの混合膜などとすることも可能である。半導体のエッチングとしては、ICP-RIEだけでなく、並行平板RIEやECR-RIBEなどその他のエッチング方法とすることも可能であり、本実施形態に係る光半導体装置の形状を作製できる方法であれば使用することが可能である。また、エッチングの方法によっては、メサ構造の脇側部のエッチング深さと、メサ構造から離れた場所のエッチングの深さが異なる場合があるが、メサ構造の脇のエッチング深さが所望の深さとなることが重要である。本実施形態では、半導体レーザ部11のメサ構造の高さを3.5μm、導波路部12のメサ構造の高さを2.0μmとしたが、メサ構造の高さを変えて検討した結果、導波路部のメサ構造の高さを2.5μm未満とすることにより、異常成長が抑制できる。また、本実施形態では、1段目のエッチングを2.0μm、2段目のエッチングを1.5μmとしたが、導波路部のメサ構造の高さを2.5μm未満になる範囲で1段目と2段目のエッチング量を変更しても良い。半導体レーザ部のような逆メサ方向に延在する導波路のメサ構造の高さに制限は無い。通常、波長1.5μm波長帯の半導体レーザの場合、単一モード条件などを考慮して、導波路層の厚さは0.1μm~0.5μm程度に設計される。本発明では、導波路の曲線部のメサ構造の高さを低くするが、導波路層が消失してしまうと光を導波させることが不可能となる。また、導波路の横方向の光閉じ込めを行う必要があることから、導波路部のメサ構造の高さは少なくとも導波路層の厚さ以上は必要である。また、本実施形態では、直線導波路部である半導体レーザ11部は全て高いメサ構造としたが、少なくとも傾斜導波路部、具体的には、逆メサ方向に対して所定の角度で傾斜した方向に直線状に延在する傾斜状導波路、もしくは曲線状に延在する曲線状導波路のメサ構造の高さを低くすれば良く、直線導波路部の一部が低いメサ構造とすることも可能である。すなわち、直線導波路部であっても、電流を注入する一部を高いメサ構造とし、その他を低いメサ構造とすることも可能である。本実施形態では、メサ構造を埋め込む材料である半絶縁体として、RuをドーピングしたInPを用いて説明したが、FeをドーピングしたInPを用いることも可能である。但し、Ruをドーピングすることにより、p型を形成するためのドーパントであるZnとFeとの相互拡散を抑制することができるため、より設計通りの絶縁特体を得ることが可能となる。このため本実施形態のように電流で波長を変化させることができる分布活性DFBレーザなどでは、高速な波長切り替えのための高周波信号に対しても動作することが可能となる。本実施形態では、100基板を用い、LDの方向を<011>逆メサ方向としたが、基板の面方位が異なる場合には、LDの方向を<011>方向と等価な結晶方向で考えることが可能である。本実施形態では、導波路部12の逆メサ方向からの傾きは、およそ40度であった。メサ構造の高さが3.5μm程度である場合、逆メサ方向からの傾きが10度程度であっても異常成長が生じるが、本発明により更に逆メサ方向から大きな傾きを持った導波路であっても問題なく埋め込み再成長が可能である。これにより、半導体レーザ部と結合器の距離を短縮することが可能となり、素子長の短縮化が可能となり装置自体を小型化することができる。これに伴って、伝搬損失の低減が可能となる。さらに、傾斜導波路部としては、逆メサ方向に対して5度以上傾斜した傾斜導波路を具備する光半導体装置に適用することが可能である。このような形状の導波路を具備する光半導体装置に適用することで、マスクの上方にひさしが形成したり、マスクの上方が半導体で覆われて当該マスクと半導体との間に空間が形成したりすることを防止することができ、マスクの上方に電極を容易に作製できるようになる。よって、製造時間の増加を抑制できると共に、そのコスト増を抑制できる。ここで、2段目のエッチングにより導波路層上に残すInP層の厚さにつき検討する。一般的に、再成長の境界面は結晶欠陥が発生し易く、意図しない再結晶が発生することになるため、半導体レーザなどの電流を注入して用いるデバイスの場合には、できるだけ再成長界面を活性層から離すようにした方が特性の向上が望める。一方で、p型のInPは光の吸収損失が多いことが知られている。本実施形態の場合には、電流を注入しない導波路の曲線部に2段エッチングを適用していることから、再成長界面の結晶欠陥の影響よりも、p型InPの吸収損失を低減するために、導波路層上のp-InP層の厚さをできるだけ減らし、p-InP層にかかる光フィールドの割合を低減した方が良い。導波する光のフィールドが導波路層上のp-InPにかかる割合は、p-InPの厚さが1μmの時に比べて、300nmのときに80、200nmのときに63、100nmのときに41に低減できる。したがって、導波路層上のp-InP層を300nm以下にすることで、p型InP層による吸収損失を低減する効果も得ることができる。また、本実施形態では、半導体レーザ部11や導波路部12などの各素子が形成される基板1をn型InPとしたが、この基板をp型InP、または、半絶縁性InP、例えばFeをドープしたInPとすることも可能である。基板をp型InPとし、この基板上に上記各素子が形成された光半導体装置とする場合には、半導体レーザ部における活性層の上部、導波路部における導波路層の上部にp型InP104の代わりにn型InPを積層すれば良い。基板を半絶縁性InPとし、この基板上に上記各素子が形成された光半導体装置とする場合、半絶縁性基板上にn型InP層を積層し、活性層などの層を積層した後にp型InP層を積層すれば良い。このような光半導体装置であっても、活性層などの層上のp-InP層を300nm以下にすることで、p型InP層による吸収損失を低減する効果も得ることができる。また、半絶縁性基板を用いた光半導体装置とする場合、半絶縁性基板上にp型InP層を積層し、活性層などの層を積層した後にn型InP層を積層することも可能である。[第二の実施形態]本発明に係る光半導体装置の第二の実施形態について、図5に基づき詳細に説明する。図5は光半導体装置を模式的に示す平面図である。本実施形態に係る光半導体装置は、上述した第一の実施形態に係る光半導体装置をリング共振器に適用した場合の装置である。本実施形態に係る光半導体装置200は、図5に示すように、リング共振器250と入出力導波路260とを具備する装置である。リング共振器250と入出力導波路260は、方向性結合器により光学的に結合している。なお、リング共振器250および入出力導波路260は、同一基板201上に作製されている。具体的には、リング共振器250は、第一の曲線導波路部210と、第二の曲線導波路部220と、直線導波路部230とで構成される機器である。第一の曲線導波路部210は、図中左側へ向けて凸状をなし、曲線状に延在する第一の曲線状導波路211で構成されている。第二の曲線導波路部220は、図中右側へ向けて凸状をなし、曲線状に延在する第二の曲線状導波路221で構成されている。直線導波路部230は、第一の曲線状導波路211の一方の入出力部と第二の曲線状導波路221の一方の入出力部とを接続する第一の直線導波路231と、第一の曲線状導波路211の他方の入出力部と第二の曲線状導波路221の他方の入出力部とを接続する第二の直線導波路232とを具備するものである。リング共振器250に利得を持たせたレーザとするためには、活性層を備え、電流を注入することが必要である。そのため、直線部分に活性層を備え、この部分を高いメサ構造で形成する。他方、曲線部分を低いメサ構造で形成して、埋め込み再成長時に異常成長が起きないようにする。本実施形態で用いた層構造は、第一の実施形態と同一であり、本実施形態の直線部分が第一の実施形態のレーザ部11に相当し、曲線部分が第一の実施形態の導波路部12に相当する。本実施形態では、第一の実施形態で説明した2段エッチングを用いて、1段目のエッチングにより1.5μm、2段目のエッチングにより1.5μmエッチングし、高いメサ構造の高さを3.0μm、低いメサ構造の高さを1.5μmとした。本実施形態に係る光半導体装置200によれば、第一の実施形態に係る光半導体装置10と比べて、逆メサ方向からの角度が大きい導波路部分を再成長するため、第一の実施形態の場合よりも低いメサ構造の高さを低くすることにより、異常成長の無い再成長を行うことができた。[第三の実施形態]本発明に係る光半導体装置の第三の実施形態について、図6に基づき詳細に説明する。図6は光半導体装置を模式的に示す平面図である。本実施形態に係る光半導体装置は、上述した第一の実施形態に係る光半導体装置をマッハツエンダー干渉計に適用した場合の装置である。本実施形態に係る光半導体装置300は、図6に示すように、第一の曲線導波路部310と、第二の曲線導波路部320と、直線導波路部330とを具備する装置である。具体的には、第一の曲線導波路部310は、2つの入力部311,312と2つの出力部313,314を有する第一の2×2のMMIカプラ合分波器315を具備するものである。第二の曲線導波路部320は、2つの入力部321,322と2つの出力部323,324を有する第二の2×2のMMIカプラ合分波器325を具備するものである。直線導波路部330は、第一の2×2のMMIカプラ315における一方の出力部313と第二の2×2のMMIカプラ325の一方の入力部321とを接続する第一の光導波路331と、第一の2×2のMMIカプラ315における他方の出力部314と第二の2×2のMMIカプラ325の他方の入力部322とを接続する第二の光導波路332とを具備するものである。ただし、本実施形態に係る光半導体装置300は、活性層がなく、何れの領域も導波路層を有する層構造とした装置である。直線部分である直線導波路部330では、電気的に屈折率を変える必要があるため、高いメサ構造として元の層構造を残した。合分波器を含む曲線導波路部310,320は、2段エッチングにより低いメサ構造とした。すなわち、2段エッチングを適用した場合には、1段目のエッチングを行った後に曲線導波路部310,320上のエッチングマスクを除去する一方、直線導波路部330上のエッチングマスクを残し、この状態にて2段目のエッチング行って、直線導波路部330を曲線導波路部310,320よりも高いメサ構造とした。そして、本実施形態に係る光半導体装置300では、導波路層の上部のp型InPクラッド層を2.5μmとしたので、一段目のエッチングを2.5μm、二段目のエッチングを2.0μmとした。これにより、高いメサ構造の高さメサ高が4.5μmとなり、低いメサ構造の高さメサ高が2.5μmとなった。このように本実施形態では、メサ高が4.5μmと高いために、メサの方向が逆メサ方向から5度程度傾いていても異常成長が生じたが、本発明の適用により、異常成長がなく埋め込み再成長が可能となった。このように、半導体レーザだけでなく、その他の光素子に対しても本発明を適用可能である。したがって、本実施形態に係る光半導体装置300によれば、上述した第一の実施形態に係る光半導体装置10と同様、短い距離で逆メサ方向からの傾斜角の大きい導波路とし、直線導波路部と傾斜導波路部を結ぶ埋め込み導波路を作製でき、装置自体を小型化できる。これに伴って伝搬損失を低減できる。"