消去単位である複数のセクタを有するフラッシュメモリを備え、前記フラッシュメモリに複数項目のデータを記憶する半導体装置であって、前記複数のセクタの各々が、データの書き込みの対象となる使用中状態であるか、データが書き込まれた後の使用済み状態であるか、データが書き込まれていない未使用状態であるかを管理するセクタ管理部と、同一項目のデータを更新する際、更新前の古いデータを前記使用中状態又は前記使用済み状態のセクタに格納したまま、前記使用中状態のセクタに更新後の新しいデータを書き込む書き込み部と、前記複数項目の各々に対して、当該項目の最新のデータが前記使用済み状態のセクタに格納されている有効状態であるか、当該項目の最新のデータが前記使用中状態のセクタに格納されている無効状態であるかを管理するデータ管理部とを備え、前記セクタ管理部は、使用中状態の第1セクタに空き容量が無くなった場合に、当該第1セクタを使用済み状態に変更するとともに、未使用状態の第2セクタを使用中状態に変更し、前記半導体装置は、さらに、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が第1設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている、前記有効状態の項目の最新のデータである有効データを、前記使用中状態の第2セクタへ転送する転送処理を行う転送部と、前記転送処理の後、前記使用済み状態の第1セクタのデータを消去する消去部とを備える半導体装置。前記転送部は、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が前記第1設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている有効データの一部を、前記使用中状態の第2セクタへ転送し、前記転送部は、さらに、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が前記第1設定値より小さい第2設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている有効データの全てを、前記使用中状態の第2セクタへ転送する請求項1記載の半導体装置。前記転送部は、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が前記第1設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている有効データのうち、前記第2設定値を超えるデータ量のデータを、前記使用中状態の第2セクタへ転送する請求項2記載の半導体装置。前記転送部は、前記使用済み状態の第2セクタに格納されている有効データの合計データ量である未転送データ量を前記第1設定値として用い、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が、前記未転送データ量に一致した場合に前記転送処理を行う請求項1記載の半導体装置。前記セクタ管理部は、前記複数のセクタの各々に、当該セクタが前記使用中状態であるか、前記使用済み状態であるか、前記未使用状態であるか、を示すセクタ管理情報を記憶し、前記データ管理部は、前記複数のセクタの各々に、前記複数項目の各々が前記有効状態であるか、前記無効状態であるかを示すデータ管理情報を記憶する請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1設定値は、前記複数項目のデータの合計のデータ量から前記フラッシュメモリの最小書き込み単位分のデータ量を減算した値である請求項1記載の半導体装置。前記第1設定値は、前記複数項目のデータの合計のデータ量から、当該複数項目のデータのうち最小のデータのデータ量を減算した値である請求項1記載の半導体装置。バッテリーの状況を示すデータを取得するデータ取得部と、前記データを記録する、請求項1~4、6及び7のいずれか1項に記載の半導体装置とを備えるバッテリー監視装置。消去単位である複数のセクタを有するフラッシュメモリに複数項目のデータを記憶するデータ書き込み方法であって、前記複数のセクタの各々が、データの書き込みの対象となる使用中状態であるか、データが書き込まれた後の使用済み状態であるか、データ消去済みの未使用状態であるかを管理するセクタ管理ステップと、同一項目のデータを更新する際、更新前の古いデータを前記使用中状態又は前記使用済み状態のセクタに格納したまま、前記使用中状態のセクタに更新後の新しいデータを書き込む書き込みステップと、前記複数項目の各々に対して、当該項目の最新のデータが前記使用済み状態のセクタに格納されている有効状態であるか、当該項目の最新のデータが前記使用中状態のセクタに格納されている無効状態であるかを管理するデータ管理ステップとを含み、前記セクタ管理ステップでは、使用中状態の第1セクタに空き容量が無くなった場合に、当該第1セクタを使用済み状態に変更するとともに、未使用状態の第2セクタを使用中状態に変更し、前記データ書き込み方法は、さらに、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が第1設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている、前記有効状態の項目の最新のデータである有効データを、前記使用中状態の第2セクタへ転送する転送処理を行う転送ステップと、前記転送処理の後、前記使用済み状態の第1セクタのデータを消去する消去ステップとを含むデータ書き込み方法。請求項9記載のデータ書き込み方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。このようなフラッシュROMフラッシュメモリを含む半導体装置では、使用中状態のセクタの空き容量がなくなった場合、データの消去が必要となる。しかしながら、フラッシュROMの特性として上述したようにセクタ単位での消去しか実施できないため、書き込んだデータを全て消去する必要がある。そのため、消去を実行する前に、別のセクタへ最新データを転送する必要がある。そして、このデータ転送中はユーザーからの書き込み処理は行えない。このため、ユーザーの書き込み禁止時間が存在するという課題がある。また、データ転送を行うことにより、同じデータを両セクタに書き込むこととなる。これにより、フラッシュメモリへデータを書き込む回数が増加するという課題がある。そこで、本発明は上記課題を解決するもので、書き込み禁止時間を短くできるとともに、フラッシュメモリへデータを書き込む回数を少なくできる半導体装置、バッテリー監視装置及びデータ書き込み方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る半導体装置は、消去単位である複数のセクタを有するフラッシュメモリを備え、前記フラッシュメモリに複数項目のデータを記憶する半導体装置であって、前記複数のセクタの各々が、データの書き込みの対象となる使用中状態であるか、データが書き込まれた後の使用済み状態であるか、データが書き込まれていない未使用状態であるかを管理するセクタ管理部と、同一項目のデータを更新する際、更新前の古いデータを前記使用中状態又は前記使用済み状態のセクタに格納したまま、前記使用中状態のセクタに更新後の新しいデータを書き込む書き込み部と、前記複数項目の各々に対して、当該項目の最新のデータが前記使用済み状態のセクタに格納されている有効状態であるか、当該項目の最新のデータが前記使用中状態のセクタに格納されている無効状態であるかを管理するデータ管理部とを備え、前記セクタ管理部は、使用中状態の第1セクタに空き容量が無くなった場合に、当該第1セクタを使用済み状態に変更するとともに、未使用状態の第2セクタを使用中状態に変更し、前記半導体装置は、さらに、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が第1設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている、前記有効状態の項目の最新のデータである有効データを、前記使用中状態の第2セクタへ転送する転送処理を行う転送部と、前記転送処理の後、前記使用済み状態の第1セクタのデータを消去する消去部とを備える。このような構成により、本発明の一形態に係る半導体装置は、使用中状態のセクタに書き込みが行われた項目のデータを無効として扱い、当該項目のデータは転送処理において使用中状態のセクタに転送しない。これにより、当該半導体装置は、転送処理におけるデータ量を削減できるので、書き込み禁止時間を短くできる。また、当該半導体装置は、重複したデータの書き込みを削減できるためフラッシュメモリの書き込み回数を少なくできる。また、前記転送部は、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が前記第1設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている有効データの一部を、前記使用中状態の第2セクタへ転送し、前記転送部は、さらに、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が前記第1設定値より小さい第2設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている有効データの全てを、前記使用中状態の第2セクタへ転送してもよい。このような構成により、本発明の一形態に係る半導体装置は、最後にデータ転送を行う時期を遅らすことができる。よって、有効データと同項目のデータが使用中状態のセクタに書き込まれる確率が上がる。これにより、本発明の一形態に係る半導体装置は、さらに、データ転送量を削減できるので、さらに、書き込み禁止時間を短くできるとともに、フラッシュメモリへデータを書き込む回数を少なくできる。また、前記転送部は、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が前記第1設定値以下になった場合に、前記使用済み状態の第1セクタに格納されている有効データのうち、前記第2設定値を超えるデータ量のデータを、前記使用中状態の第2セクタへ転送してもよい。このような構成により、本発明の一形態に係る半導体装置は、使用中状態のセクタに、確実に全ての有効データを転送できる。また、前記転送部は、前記使用済み状態の第2セクタに格納されている有効データの合計データ量である未転送データ量を前記第1設定値として用い、前記使用中状態の第2セクタの空き容量が、前記未転送データ量に一致した場合に前記転送処理を行ってもよい。このような構成により、本発明の一形態に係る半導体装置は、データ転送を行う時期を遅らすことができるので、有効データと同項目のデータが使用中状態のセクタに書き込まれる確率が上がる。これにより、本発明の一形態に係る半導体装置は、さらに、データ転送量を削減できるので、さらに、書き込み禁止時間を短くできるとともに、フラッシュメモリへデータを書き込む回数を少なくできる。また、前記セクタ管理部は、前記複数のセクタの各々に、当該セクタが前記使用中状態であるか、前記使用済み状態であるか、前記未使用状態であるか、を示すセクタ管理情報を記憶し、前記データ管理部は、前記複数のセクタの各々に、前記複数項目の各々が前記有効状態であるか、前記無効状態であるかを示すデータ管理情報を記憶してもよい。このような構成により、本発明の一形態に係る半導体装置は、セクタのデータ消去と同時に、セクタ管理情報及びデータ管理情報を変更できる。また、前記第1設定値は、前記複数項目のデータの合計のデータ量から前記フラッシュメモリの最小書き込み単位分のデータ量を減算した値であってもよい。このような構成により、本発明の一形態に係る半導体装置は、使用中状態のセクタに、確実に全ての有効データを転送できる。また、前記第1設定値は、前記複数項目のデータの合計のデータ量から、当該複数項目のデータのうち最小のデータのデータ量を減算した値であってもよい。また、本発明の一形態に係るバッテリー監視装置は、バッテリーの状況を示すデータを取得するデータ取得部と、前記データを記録する、前記半導体装置とを備えてもよい。このような構成により、本発明の一形態に係るバッテリー監視装置は、EEPROMの代替としてフラッシュメモリを使用することができるので、当該バッテリー監視装置のコストを削減できる。なお、本発明は、このような半導体装置及びバッテリー監視装置として実現できるだけでなく、半導体装置及びバッテリー監視装置に含まれる特徴的な手段をステップとするデータ書き込み方法として実現したり、そのような特徴的なステップをコンピュータに実行させるプログラムとして実現したりすることもできる。そして、そのようなプログラムは、CD-ROM等の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びインターネット等の伝送媒体を介して流通させることができるのは言うまでもない。さらに、本発明は、このような半導体装置及びバッテリー監視装置の機能の一部又は全てを実現する半導体集積回路LSIとして実現できる。本発明は、書き込み禁止時間を短くできるとともに、フラッシュメモリへデータを書き込む回数を少なくできる半導体装置、バッテリー監視装置及びデータ書き込み方法を提供できる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態において同じ符号を付した構成要素は同様の動作を行うので、再度の説明を省略する場合がある。実施の形態1本発明の実施の形態1に係る半導体装置は、使用中状態のセクタの空き容量が設定値に達した場合に、使用済み状態のセクタの有効なデータ未転送データを使用中状態のセクタに転送する。これにより、当該半導体装置は、書き込み禁止時間を短くできるとともに、フラッシュメモリへデータを書き込む回数を少なくできる。まず、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100の構成を説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100の構成を示す図である。図1に示す半導体装置100は、フラッシュメモリ110と、制御部120とを備える。この半導体装置100は、データをフラッシュメモリ110の異なる領域に順次書き込む。言い換えると、半導体装置100は、データを更新する際、更新後の新しいデータを、更新前の古いデータに上書きするのではなく、更新前のデータをフラッシュメモリ110に格納したまま、フラッシュメモリ110の別領域に更新後のデータを書き込む。また、半導体装置100は、フラッシュメモリ110に最後に書き込まれたデータを有効なデータとしてフラッシュメモリ110から読み出す。例えば、半導体装置100は、1チップの半導体集積回路である。言い換えると、半導体装置100は、例えば、フラッシュメモリが搭載された1チップマイコンマイクロコントローラである。フラッシュメモリ110フラッシュROMは、電気的にデータ書き換え及びデータ消去可能な不揮発性メモリである。図2は、フラッシュメモリ110の構成を示す図である。図2に示すように、フラッシュメモリ110は、消去単位である複数のセクタ200を含む。このフラッシュメモリ110へのデータの書き込みは、例えば、1byte単位で実行可能である。また、このフラッシュメモリ110のデータの消去は、1セクタ単位でしか実施することができない。また、フラッシュメモリ110は、プログラム等が格納されるROM領域201と、データ記録に使用されるデータ記録領域203と、ROM領域201及びデータ記録領域203として使用されない未使用領域202とを含む。また、データ記録領域203に含まれる各セクタ200図2のセクタN-1及びセクタNは、管理領域210と、データ領域220とを含む。データ領域220には、複数項目のデータが記憶される。ここで、項目とは、データの種類を示し、同一項目のデータは、同一のデータサイズである。例えば、書き込みデータは、データ識別子を含む。このデータ識別子は、当該書き込みデータを識別するための情報であり、当該書き込みデータの項目を示す。このデータ識別子を参照することにより、半導体装置100は、書き込みデータの項目を判別できる。また、以下では、特段の記載がない限り、セクタ200とは、データ記録領域203に含まれるセクタ200のことを指す。図3は、本発明の実施の形態1におけるセクタ200の構成を示す図である。なお、以下では、簡単化のため、フラッシュメモリ110が2つのセクタ200A及び200Bを有する場合を例に説明する。なお、これら2つのセクタ200A及び200Bを特に区別しない場合にはセクタ200と記す。また、以下では、フラッシュメモリ110に格納されるデータの項目は、5種類No.0~No.4であるとする。また、これら5種類のデータのデータサイズは同じであるとする。図3に示すように、管理領域210には、当該セクタ200の使用状態以下、セクタ状態と呼ぶを示すセクタ管理情報211と、当該セクタ200に格納されている各項目のデータの状態を示すデータ管理情報212とが格納される。また、データ領域220内には、設定値230が設定されている。セクタ管理情報211は、セクタ状態として、使用中状態、未使用状態、及び使用済み状態のいずれかを示す。使用中状態は、複数のセクタ200のうち当該セクタ200がデータの書き込みの対象となることを示す。具体的には、データ書き込みの際に、使用中状態のセクタ200がデータ書き込み先のセクタに選択される。使用済み状態は、当該セクタ200が、全ての領域にデータが書き込まれた後、かつデータ消去前の状態であることを示す。未使用状態は、当該セクタ200にデータが書き込まれていないことを示す。また、未使用状態は、当該セクタ200がデータ消去済みであることを示す。言い換えると、未使用状態は、当該セクタ200が使用可能な状態であるが、現在使用されていないことを示す。なお、以下では、セクタ状態が使用中状態のセクタ200を使用中セクタと呼び、セクタ状態が未使用状態のセクタ200を未使用セクタと呼び、セクタ状態が使用済み状態のセクタ200を使用済みセクタと呼ぶ。データ管理情報212は、複数項目No.0~No.4の各々が有効状態であるか無効状態であるかを示す。このデータ管理情報212は、各項目に対応し、対応する項目が有効状態であるか無効状態であるかを示すデータ管理情報240~244を含む。ここで、有効状態とは、使用中セクタに当該項目の最新のデータが格納されていないことを示す。つまり、有効状態とは、当該項目の最新のデータが当該使用済みセクタに格納されていることを示す。また、無効状態とは、使用中セクタに当該項目の最新のデータが格納されていることを示す。つまり、無効状態とは、当該項目の最新のデータが当該使用済みセクタに格納されていないことを示す。設定値230は、フラッシュROM書き込み方法での目印として使用される。制御部120は、フラッシュメモリ110へのデータ書き込み、読み出し、及び消去を行う処理部である。この制御部120の機能は、例えば、CPUがプログラムを実行することにより実現される。また、当該プログラムは、例えば、フラッシュメモリ110に格納されている。なお、制御部120の機能の一部又は全てを専用の回路ハードウェアで実現してもよい。制御部120は、データを使用中セクタに順次書き込む。また、制御部120は、使用中セクタ及び使用済みセクタに格納されている同一項目のデータのうち、最後に書き込まれたデータを有効なデータとしてフラッシュメモリ110から読み出す。この制御部120は、書き込み部121と、転送部122と、セクタ管理部123と、消去部124と、読み出し部125と、データ管理部126とを備える。セクタ管理部123は、フラッシュメモリ110に含まれる複数のセクタ200のセクタ状態を管理する。具体的には、セクタ管理部123は、各セクタ200に当該セクタ200のセクタ状態を示すセクタ管理情報211を記憶する。また、セクタ管理部123は、各セクタ200に記憶されているセクタ管理情報211を管理及び変更する。また、セクタ管理部123は、複数のセクタ200のうち、例えば、1つのセクタ200のみを使用中セクタに設定する。また、セクタ管理部123は、使用中セクタに空き容量がなくなった場合、当該使用中セクタのセクタ状態を使用済み状態に変更し、未使用セクタのセクタ状態を使用中状態に変更する。データ管理部126は、複数項目の各々が有効状態であるか無効状態であるかを管理する。具体的には、データ管理部126は、各セクタ200に当該セクタ200のセクタ状態を示すデータ管理情報212を記憶する。また、データ管理部126は、各セクタ200に記憶されているデータ管理情報212を管理及び変更する。書き込み部121は、データを更新する際、更新前の古いデータを使用中セクタ及び使用済みセクタに格納したまま、使用中セクタの別領域に更新後の新しいデータを書き込む。転送部122は、使用中セクタの空き容量が設定値230以下になった場合に、使用済みセクタに格納されている有効データを使用中セクタへ転送する転送処理を行う。ここで、有効データとは、使用済みセクタに格納されている、有効状態の項目の最新のデータである。消去部124は、転送部122による転送処理の後、使用済みセクタのデータを消去する。言い換えると、消去部124は、使用済みセクタに有効データがなくなった場合に、当該使用済みセクタのデータを消去する。読み出し部125は、使用中セクタ及び使用済みセクタに格納されている複数のデータのうち最後に使用中セクタ又は使用済みセクタに書き込まれた各項目のデータを最新のデータとして読み出す。次に、半導体装置100におけるフラッシュメモリ110へのデータ書き込み方法について説明する。図4は本発明の実施の形態1におけるデータ書き込み方法のフローチャートである。図5~図8は、当該データ書き込み方法における動作例を示す図である。まず、セクタ管理部123は、データの書き込み要求があった場合、使用中セクタに空き容量があるか否かを判断するS101。ここでは、図5に示すように使用中セクタ200Aに空き容量がないとする101でNo。この場合、セクタ管理部123は、使用中セクタ200Aのセクタ管理情報211を使用済に設定するとともにS102、未使用セクタ200Bのセクタ管理情報211を使用中に設定するS103。そして、書き込み部121は、ステップS103でセクタ管理情報211を変更した使用中セクタ200BにNo.0の書き込み要求のデータ300を書き込むS104。次に、データ管理部126は、使用済みセクタ200AのNo.0のデータ管理情報240を無効状態に設定するS105。以上の処理により、図5に示す状態となる。次に、使用中セクタに空き容量がある場合の動作を説明する。図6に示すように使用中セクタ200Bに空き容量がある場合S101でYes、書き込み部121は、使用中セクタ200BにNo.1の書き込み要求のデータ301を書き込むS106。次に、データ管理部126は、使用済みセクタ200AのNo.1のデータ管理情報241を無効状態に設定するS107。以上の処理により、図6に示す状態となる。次に、転送部122は、使用中セクタ200Bの空き容量が設定値230以下であるか否かを判定するS108。ここでは、使用中セクタ200Bの空き容量が設定値230より多いのでS108でNo、制御部120は処理を終了する。次に、使用中セクタの空き容量が設定値230以下になった場合の動作を説明する。図7に示すように使用中セクタ200Bの空き容量が設定値230以下になった場合S108でYes、転送部122は、使用済みセクタ200Aの有効データNo.2のデータ302、No.3のデータ303及びNo.4のデータ304を使用中セクタ200Bへ転送するS109。以上の処理により、図7に示す状態となる。次に、図8に示すように、消去部124は、使用済みセクタ200Aのデータを消去するS110。このとき、制御部120は、使用済みセクタ200Aのセクタ管理情報211を未使用に変更するとともに、使用済みセクタ200Aのデータ管理情報212の全ての項目を有効状態に変更する。具体的には、このセクタ管理情報211及びデータ管理情報212の変更処理は、セクタ200Aのデータ消去と同時に行われる。つまり、セクタ管理情報211が未使用状態を示す論理値及びデータ管理情報212が有効状態を示す論理値と、データが消去された状態の当該データの論理値と同じにする。これにより、セクタ200Aのデータ消去と同時に、セクタ管理情報211で示されるセクタ状態を未使用状態に変更できるとともに、使用済みセクタ200Aのデータ管理情報212の全ての項目を有効状態に変更できる。以上により、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100は、使用中セクタに書き込みが行われた項目のデータを無効として扱う。これにより、半導体装置100は、使用中セクタが切り換る際のデータ転送量が削減できるので、ユーザーによる書き込み禁止時間を減少できる。また、重複したデータの書き込みが削減できるためフラッシュメモリ110へデータを書き込む回数を少なくできる。ここで、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100の効果を説明するために、本発明の比較例に係る半導体装置について説明する。図9は、本発明の比較例に係る半導体装置による、使用中セクタに空き容量がない場合の動作例を示す図である。図9に示すように、当該比較例に係る半導体装置は、使用中セクタに空き容量がない場合、使用中セクタ200Aに格納されているデータのうち、各項目No.0~No.4の最新のデータ251~255を未使用セクタに転送する。これにより、最新のデータが次に使用されるセクタ200Bに格納される。その後、当該半導体装置は、書き込み要求のデータ250をセクタ200Bに書き込む。その後、セクタ200Bが使用中状態に変更される。また、空き容量がなくなったセクタ200Aのデータが消去されるとともに、当該セクタ200Aが未使用状態に変更される。このような処理を行った場合、転送処理において、常に全ての項目No.0~No.4のデータを転送する必要がある。また、この転送処理中は、データ250の書き込みは行われないため、書き込み要求が発生してから、データ250の書き込みが完了するまでに時間が多くかかってしまう。一方で、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100では、使用中セクタ200Aに空き容量がなくなった際に、直ちに転送処理を行うのではなく、次の使用中セクタ200Bにある程度データが書き込まれた後に転送処理を行う。ここで、この転送処理において、使用中セクタ200Bに既に書き込まれたデータ図7に示す例ではNo.0及びNo.1のデータに関しては転送処理を行う必要がない。これにより、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100は、転送処理において転送するデータ量を削減できる。この結果、当該半導体装置100は、書き込み禁止時間を減少できるとともに、フラッシュメモリ110へデータを書き込む回数を少なくできる。次に、設定値230の具体例を説明する。図10は、設定値230の第1の具体例を示す図である。図10に示す例では、設定値230は、取り扱う全データの合計270から最小書き込み単位271を減算した値である。ここで、取り扱う全データの合計270とは、複数項目No.0~No.4のデータの合計のデータ量である。また、最小書き込み単位271とは、フラッシュメモリ110の最小書き込み単位分のデータ量であり、例えば、1バイトである。このような設定値230を用いることにより、使用済みセクタの有効データを使用中セクタへ転送する際に、使用中セクタの空き容量が転送する有効データよりも少なくなり、当該データを転送しきれなくなることを防止できる。図11は、設定値230の第2の具体例を示す図である。図11に示す例では、設定値230は、取り扱う全データの合計270から最小データのデータ量272を減算した値である。ここで、最小データのデータ量272とは、複数項目のデータのうち最小のデータのデータ量である。図11に示す例では、No.0~No.4のデータのうち、No.0のデータのデータ量が最も小さい。よって、設定値230は、取り扱う全データの合計270からNo.0のデータのデータ量を減算した値である。このような設定値230は、設定値230の境界を跨いでデータが書き込まれない場合に有効である。そして、このような設定値230を用いることで、図10に示す場合に比べて、設定値230を小さくできるので、転送処理の際に転送するデータ量を削減できる可能性が高まる。なお、設定値230は、取り扱う全データの合計270から最小書き込み単位271を減算した値以上であってもよい。例えば、設定値230は、取り扱う全データの合計270と同じ、又は、取り扱う全データの合計270より大きくてもよい。また、図10及び図11では、複数項目のデータの各々のデータ量が異なる場合を示しているが、複数項目のデータのデータ量は同じであってもよい。なお、上記説明では、セクタ管理情報211及びデータ管理情報212が、対応するセクタ200内に格納される例を述べたが、セクタ管理情報211及びデータ管理情報212の少なくとも一方が、対応するセクタ外に格納されてもよい。例えば、セクタ管理情報211及びデータ管理情報212の少なくとも一方は、フラッシュメモリ110の他のセクタ、又は、半導体装置100が備える他のメモリ図示せずに格納されてもよい。また、セクタ管理情報211及びデータ管理情報212の少なくとも一方は、テーブル等により一括して管理されてもよい。実施の形態2本発明の実施の形態2では、上述した実施の形態1に係る半導体装置100の変形例について説明する。本発明の実施の形態2に係る半導体装置100は、複数の設定値を用いて、転送処理を制御する。なお、本発明の実施の形態2に係る半導体装置100のブロック構成は、実施の形態1と同様のため説明は省略する。また、以下では、実施の形態1との相違点を主に説明する。図12は、本発明の実施の形態2におけるセクタ200の構成を示す図である。図12に示すように、本発明の実施の形態2では、第1設定値231と第2設定値232とが用いられる。図13は、本発明の実施の形態2におけるデータ書き込み方法のフローチャートである。図14及び図15は、当該データ書き込み方法における動作例を示す図である。なお、ステップS101~S107の動作は図4に示す実施の形態1と同様であり、説明は省略する。ステップS107の後、転送部122は、使用中セクタ200Bの空き容量が第1設定値231以下であるか否かS201、及び、使用中セクタ200Bの空き容量が第2設定値232以下であるか否かS202を判定する。なお、このステップS201及びS202の判定処理の順序は任意でよい。また、これらの処理の一部又は全てを同時に行なってもよい。使用中セクタ200Bの空き容量が第1設定値231より多い場合S201でNo、制御部120は処理を終了する。次に、使用中セクタの空き容量が第1設定値231以下になった場合の動作を説明する。図14に示すように使用中セクタ200Bの空き容量が第1設定値231以下、かつ第2設定値232より多い場合S201でYes、かつ、S202でNo、転送部122は、使用済みセクタ200Aの有効データの一部ここではNo.2のデータ312を使用中セクタ200Bへ転送するS203。そして、次に、データ管理部126は、転送されたNo.2のデータ管理情報242を無効状態に設定するS204。ここで、ステップS203で転送されるデータは、第2設定値232に収まらない有効データである。つまり、図14に示す例では、3つの項目No.2~No.4が有効状態であり、第2設定値232はデータ2つ分の容量である。よって、転送部122は、第2設定値232に収まらない1つのデータここではNo.2を使用中セクタ200Bへ転送する。具体的には、転送部122は、使用済みセクタに格納されている有効データの合計データ量である未転送データ量と第2設定値232とを比較する。そして、転送部122は、未転送データ量が第2設定値232より大きい場合、使用済みセクタ200Aに格納されている有効データのうち、第2設定値232を超えるデータ量以上のデータを、使用中セクタ200Bへ転送する。また、転送部122は、未転送データ量が第2設定値232以下の場合、使用済みセクタ200Aに格納されている有効データを、使用中セクタ200Bへ転送しない。次に、使用中セクタの空き容量が第2設定値232以下になった場合の動作を説明する。図15に示すように使用中セクタ200Bの空き容量が第2設定値232以下になった場合S202でYes、転送部122は、使用済みセクタ200Aの有効データの全てここではNo.3のデータ313及びNo.4のデータ314を使用中セクタ200Bへ転送するS205。次に、消去部124は、使用済セクタ200Aのデータを消去するS110。以上により、本発明の実施の形態2に係る半導体装置100は、使用中セクタの空き容量が第1設定値231以下になった際には、有効データの一部のみを使用中セクタに転送する。これにより、例えば、当該転送の後に、未転送の有効データが使用中セクタに書き込まれた場合には、当該有効データを転送しなくてもよい。また、本発明の実施の形態2に係る半導体装置100は、使用中セクタの空き容量が第1設定値231以下になった際に、有効データのデータ量が少ない場合には、転送処理を行わない。これにより、使用中セクタの空き容量が第1設定値231以下になった後に、未転送の有効データが使用中セクタに書き込まれた場合には、当該有効データを転送しなくてもよい。このように、本発明の実施の形態2に係る半導体装置100は、上述した実施の形態1に係る半導体装置100に比べ、さらに、転送データ量を削減できる。また、本発明の実施の形態2に係る半導体装置100は、転送処理を2回に分けて行うことにより、1回当たりの転送データ量を小さくできるので、1回の書き込み禁止時間を短くできる。なお、上記説明では、半導体装置100が2つの設定値を用いる例を述べたが、3個以上の設定値を用いてもよい。実施の形態3本発明の実施の形態3では、上述した実施の形態1に係る半導体装置100の変形例について説明する。上記実施の形態1では、設定値230は予め定められた一定値であったが、本発明の実施の形態3に係る半導体装置100では、未転送データ量を設定値として用いる。図16は、本発明の実施の形態3におけるデータ書き込み方法のフローチャートである。図17及び図18は、当該データ書き込み方法における動作例を示す図である。なお、ステップS101~S107の動作は図4に示す実施の形態1と同様であり、説明は省略する。ステップS107の後、転送部122は、使用済みセクタ200Aに格納されている有効データの合計データ量である未転送データ量と、使用中セクタ200Bの空き容量とが一致しているか否かを判定するS308。例えば、図17に示す例では、データ322が使用中セクタ200Bに書き込まれた状態において、使用済みセクタ200Aの有効データはNo.3及びNo.4のデータの2つである。また、使用中セクタの空き容量は、データ4つ分である。この場合、未転送データ量と使用中セクタ200Bの空き容量とが一致しないのでS308でNo、制御部120は処理を終了する。一方、図18に示す例では、データ321が使用中セクタ200Bに書き込まれた状態において、使用済みセクタ200Aの有効データはNo.3及びNo.4のデータの2つである。また、使用中セクタの空き容量は2つのデータ2つ分である。この場合、未転送データ量と使用中セクタ200Bの空き容量とが一致するのでS308でYes、転送部122は、使用済みセクタ200Aの有効データNo.3のデータ323及びNo.4のデータ324を使用中セクタ200Bへ転送するS109。その後、消去部124は、使用済セクタ200Aのデータを消去するS110。以上により、本発明の実施の形態3に係る半導体装置100は、未転送データ量と使用中セクタ200Bの空き容量とが一致した場合に、有効データを使用中セクタに転送する。これにより、本発明の実施の形態3に係る半導体装置100は、実施の形態1に係る半導体装置100に比べて、転送処理を行うタイミングを遅らすことができる。このように、本発明の実施の形態3に係る半導体装置100は、上述した実施の形態1に係る半導体装置100に比べ、さらに、転送データ量を削減できる。なお、転送部122は、未転送データ量に予め定められたマージンを加えた値と、使用中セクタ200Bの空き容量とが一致した場合に、有効データを使用中セクタに転送してもよい。また、転送部122は、使用中セクタ200Bの空き容量が、未転送データ量に予め定められたマージンを加えた値以下になった場合に、有効データを使用中セクタに転送してもよい。実施の形態4本発明の実施の形態4では、上述した半導体装置を備えるバッテリー監視装置について説明する。図19は、本発明の実施の形態4に係るバッテリー監視装置400の構成を示すブロック図である。図19に示す、バッテリー監視装置400は、バッテリー410に接続されており、データ取得部401と、半導体装置100データ記録装置とを備える。データ取得部401は、バッテリー410の状況を示すデータを取得する。半導体装置100は、上述した実施の形態1~3のいずれかに係る半導体装置である。この半導体装置100は、データ取得部401が取得したデータをフラッシュメモリ110に記録する。ここでは、バッテリー410の状況を示すデータとは、バッテリーの状況を示すログ等である。具体的には当該データは、時間ごとの電圧値、温度或いは電流値を示すデータ、又は、バッテリー410を起動してからの経過時間を示すデータ、又は、エラー情報等である。このようなデータは頻繁に更新される。よって、上述した半導体装置100を採用することにより、フラッシュメモリ110の書き換え回数を削減できるとともに、データ転送時間を少なくできる。これにより、フラッシュメモリ110を少ないメモリ容量で構成できる。このように、バッテリー監視装置400は、頻繁なデータの記録に適している。なお、ここでは、一例として、バッテリー監視装置400に本発明の半導体装置100を用いる例を説明したが、本発明に係る半導体装置100は、ログを記録する他のシステム又はデータの書き換え量が多い他のシステムにも好適である。例えば、電力量メータ、又は水道メータ等でも同様の効果を得ることができる。以上、本発明の実施の形態に係る半導体装置及びバッテリー監視装置について説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。また、上記実施の形態に係る半導体装置及びバッテリー監視装置に含まれる各処理部は典型的には集積回路であるLSIとして実現される。これらは個別に1チップ化されてもよいし、一部又は全てを含むように1チップ化されてもよい。また、集積回路化はLSIに限るものではなく、専用回路又は汎用プロセッサで実現してもよい。LSI製造後にプログラムすることが可能なFPGAFieldProgrammableGateArray、又はLSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブルプロセッサを利用してもよい。また、本発明の実施の形態に係る、半導体装置及びバッテリー管理装置の機能の一部又は全てを、CPU等のプロセッサがプログラムを実行することにより実現してもよい。さらに、本発明は上記プログラムであってもよいし、上記プログラムが記録された非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体であってもよい。また、上記プログラムは、インターネット等の伝送媒体を介して流通させることができるのは言うまでもない。また、上記実施の形態1~4に係る、半導体装置、バッテリー監視装置及びそれら変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。また、上記で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。更に、本発明の主旨を逸脱しない限り、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。