基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上にIn、CuおよびGaを含むプリカーサを形成する工程と、前記プリカーサをH2Seガス雰囲気中で加熱処理してカルコパイライト化合物からなる光吸収層を形成するセレン化工程を備えた太陽電池の製造方法であって、前記セレン化工程に引き続いて不活性ガス雰囲気中で350°C以上且つ前記セレン化の最高温度よりも低い温度で光吸収層の焼き戻しを行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項1に記載の太陽電池の製造方法において、前記セレン化及び焼き戻しは同一の加熱炉内で行い、セレン化後に加熱炉内を脱気した後に不活性ガスを導入し、冷却後再加熱して焼き戻すことを特徴とする太陽電池の製造方法。特許文献1に開示される方法によれば、カルコパイライト化合物の構成成分が均一に分布した光吸収層が得られる。しかしながら、セレン化工程では比較的高温に維持することで、結晶化構造の再配置がなされるため、光吸収層内に内部応力結晶の歪みが残存し、これが電池特性の向上阻害の要因となっている。本発明は、セレン化工程において光吸収層内に残存する内部応力結晶の歪みを除去して太陽電池特性の向上を図ることを目的とする。上記課題を解決するため本発明に係る太陽電池の製造方法は、基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上にIn、CuおよびGaを含むプリカーサを形成する工程と、前記プリカーサをH2Seガス雰囲気中で加熱処理してカルコパイライト化合物からなる光吸収層を形成するセレン化工程を備えた太陽電池の製造方法であって、前記セレン化工程に引き続いて不活性ガス雰囲気中で350°C以上且つ前記セレン化の最高温度よりも低い温度、例えば500°C以下で光吸収層の焼き戻しを行う構成である前記セレン化及び焼き戻しは同一の加熱炉内で行い、セレン化後に加熱炉内を脱気した後に不活性ガスを導入し、冷却後再加熱して焼き戻す。不活性ガスで雰囲気を置換することで、セレン化後のプリカーサ表面などでの不要な反応を防止できる。本発明によれば、セレン化工程に引き続いて光吸収層の焼き戻しを行うため、セレン化での高温処理で発生した光吸収層の内部応力による結晶の歪みを除去し、短絡電流IscやフィルファクタFFなどの電池特性を改善できる。図1に示すように、係る太陽電池の製造方法の実施に用いる装置は、プリカーサを形成するインライン式スパッタ装置10とプリカーサをセレン化する熱処理装置20とからなる。インライン式スパッタ装置10は複数枚の基板11を収納できる仕入室12と、この仕入室12に仕切弁13を介して連続する第1のスパッタ成膜室14と、この第1のスパッタ成膜室14に仕切弁15を介して連続する第2のスパッタ成膜室16と、この第2のスパッタ成膜室16に仕切弁17を介して連続する取出室18から構成され、第1のスパッタ成膜室14にはInターゲット14aが取り付けられ、第2のスパッタ成膜室16にはCu-Ga合金ターゲットが取り付けられている。また熱処理装置20の外側にはヒータ21が配置され、熱処理装置20の内部にはプリカーサが形成された基板11をセットする石英ボート22が配置され、更に熱処理装置20内には外側からガス導入管23が挿入されている。以上において、仕入室12内にセットされている基板表面にはMoからなる下部電極が形成され、この基板11は第1のスパッタ成膜室14に送り込まれ、下部電極の表面にスパッタリングによってIn層が形成され、更にこの基板11は第2のスパッタ成膜室16に送り込まれ、前記In層の上にスパッタリングによってCu-Ga層が形成さる。前記In層とCu-Ga層が積層されてプリカーサが形成される。このプリカーサが形成された基板11は取出室18に送り込まれて次のセレン化のために待機する。本実施例にあっては図2に示すように、セレン化を第1のセレン化、第2のセレン化及び第3のセレン化に分けている。第1のセレン化は熱処理装置20内を減圧状態50~95kPaとし熱処理装置20内の温度を250°C以下に維持し、この間10分間に熱処理装置20内にH2Seガスを導入する。この後、第2のセレン化では熱処理装置20内の温度を250~450°Cまで昇温する。この間の熱処理装置20内の圧力は減圧状態50~95kPaを維持し、処理時間は10~120分とする。第2のセレン化に引き続いて第3のセレン化では熱処理装置20内の温度を450~650°Cまで昇温する。第3のセレン化の時間は10~120分とする。第3のセレン化によって、In、Cu及びGaの各線分を拡散させつつSe成分を取り込み、カルコパイライト化合物CuIn-GaSe2が得られる。上記第3のセレン化に引き続き、熱処理装置20内を減圧し窒素ガスN2を導入してH2Seガスと置換する。そして、炉内温度が200°Cになった時点で焼き戻しのために再加熱する。この再加熱の到達温度は350°C以上とする。好ましくは500°C以下である。この後、徐々に冷却することで、カルコパイライト化合物からなる光吸収層として内部応力による結晶の歪みが除去されたものが得られる。上記の光吸収層の上に化学浴堆積法CBDやスパッタリングにより、n型半導体として機能するInSなどからなるバッファ層を形成し、更にバッファ層の上に透明な上部電極を形成し、スクライブ工程によって直列接続された複数のセルに分割することで太陽電池が完成する。図3はX線回折によるCuInSe2ピークシフトを示すグラフであり、このグラフから焼き戻し後のCIGS中のCuInSe2ピークが本来のCuInSe2ピーク位置近づいていることが分かる。このことから焼き戻しにより結晶内の応力が緩和されていると考えられる。また以下の表は、焼き戻しによる短絡電流Iscの向上を示す表であり、焼き戻し温度を約450°Cとすると、最もIscが向上することが分かる。