"D-プシコース溶液から不純物を除去して精製されたD-プシコース溶液を得る段階と、前記精製されたD-プシコース溶液を濃縮させる段階と、前記で濃縮されたD-プシコース溶液からD-プシコースを準安定域metastablezoneの過飽和状態で結晶化させる段階とを含む、D-プシコース結晶を製造する方法。前記精製されたD-プシコース溶液を得る段階が、前記D-プシコース溶液を、脱色剤が充填されたカラムに通過させて、D-プシコース溶液を脱色させる段階と、前記で脱色されたD-プシコース溶液を、イオン交換クロマトグラフィによって脱塩させる段階と、前記で脱塩されたD-プシコース溶液を、カルシウム活性基が付着したイオン交換樹脂が充填されたカラムに通し、精製されたD-プシコース溶液を得る段階とを含む、請求項1に記載の方法。前記精製されたD-プシコース溶液を濃縮させる段階が、約60°C~約70°Cの温度で行われる、請求項1に記載の方法。前記結晶化させる段階で使用される前記濃縮されたD-プシコース溶液に、D-プシコース種晶が、前記濃縮されたD-プシコース溶液中のD-プシコース総量に基づき約0.01~約1g/gの量で添加される、請求項1に記載の方法。前記結晶化させる段階で使用される濃縮されたD-プシコース溶液が、約70g/g以上のD-プシコース溶液である、請求項1に記載の方法。前記結晶化させる段階における結晶化の進行をモニタリングし、D-プシコースの結晶成長が止まるか、またはD-プシコース溶液の濃度がそれ以上変化しない場合に溶液の温度を低くすることによって、前記濃縮されたD-プシコース溶液を準安定域の過飽和状態に維持する、請求項1に記載の方法。前記結晶化させる段階における結晶化の進行をモニタリングし、前記溶液中のD-プシコースが過飽和レベル以上に濃縮された場合に前記濃縮されたD-プシコース溶液より低い濃度のD-プシコース溶液を添加することによって、該濃縮されたD-プシコース溶液を準安定域の過飽和状態に維持する、請求項1に記載の方法。前記結晶化させる段階における準安定域の過飽和状態が、飽和濃度から、該飽和濃度からさらに約6g/g溶液高い濃度までの範囲に存在する、請求項1に記載の方法。本発明の目的は、D-プシコース結晶を製造する方法を提供することである。このために、本発明者らは、生物学的変換や酵素反応によって得られたD-プシコース溶液から有機溶媒を使用せずにD-プシコース結晶を製造する方法に関する研究を行った。この方法において、該D-プシコース結晶は、D-プシコース溶液を準安定域metastablezoneの過飽和状態に維持することによって適切なサイズに製造され、これにより本発明は完成した。本発明は、D-プシコース溶液を、飽和曲線と過飽和曲線との間にある準安定域に維持することによってD-プシコース結晶を製造する方法を提供する。より具体的には、本発明は以下の通りである。本発明1は、D-プシコース溶液から不純物を除去して精製されたD-プシコース溶液を得る段階と、前記精製されたD-プシコース溶液を濃縮させる段階と、前記で濃縮されたD-プシコース溶液からD-プシコースを準安定域metastablezoneの過飽和状態で結晶化させる段階とを含む、D-プシコース結晶を製造する方法である。本発明2は、前記精製されたD-プシコース溶液を得る段階が、前記D-プシコース溶液を、脱色剤が充填されたカラムに通過させて、D-プシコース溶液を脱色させる段階と、前記で脱色されたD-プシコース溶液を、イオン交換クロマトグラフィによって脱塩させる段階と、前記で脱塩されたD-プシコース溶液を、カルシウム活性基が付着したイオン交換樹脂が充填されたカラムに通し、精製されたD-プシコース溶液を得る段階とを含む、本発明1の方法である。本発明3は、前記精製されたD-プシコース溶液を濃縮させる段階が、約60°C~約70°Cの温度で行われる、本発明1の方法である。本発明4は、前記結晶化させる段階で使用される前記濃縮されたD-プシコース溶液に、D-プシコース種晶が、前記濃縮されたD-プシコース溶液中のD-プシコース総量に基づき約0.01~約1g/gの量で添加される、本発明1の方法である。本発明5は、前記結晶化させる段階で使用される濃縮されたD-プシコース溶液が、約70g/g以上のD-プシコース溶液である、本発明1の方法である。本発明6は、前記結晶化させる段階における結晶化の進行をモニタリングし、D-プシコースの結晶成長が止まるか、またはD-プシコース溶液の濃度がそれ以上変化しない場合に溶液の温度を低くすることによって、前記濃縮されたD-プシコース溶液を準安定域の過飽和状態に維持する、本発明1の方法である。本発明7は、前記結晶化させる段階における結晶化の進行をモニタリングし、前記溶液中のD-プシコースが過飽和レベル以上に濃縮された場合に前記濃縮されたD-プシコース溶液より低い濃度のD-プシコース溶液を添加することによって、該濃縮されたD-プシコース溶液を準安定域の過飽和状態に維持する、本発明1の方法である。本発明8は、前記結晶化させる段階における準安定域の過飽和状態が、飽和濃度から、該飽和濃度からさらに約6g/g溶液高い濃度までの範囲に存在する、本発明1の方法である。本発明の態様による製造方法を利用して、D-プシコース溶液から、有機溶媒を使用しない経済的な結晶化工程を通して、純粋であって、かつ産業的適用に適した形態のD-プシコース結晶を製造できる。本発明の詳細な説明本発明のある局面に従い、D-プシコース溶液から不純物を除去して精製されたD-プシコース溶液を収得する段階と、前記精製されたD-プシコース溶液を濃縮させる段階と、前記で濃縮されたD-プシコース溶液からD-プシコースを準安定域の過飽和状態で結晶化させる段階とを含む、精製されたD-プシコース結晶を製造する方法が提供される。本明細書で使われている過飽和状態とは、溶質が溶媒の溶解能を超えて溶解されている不安定な状態であり、溶質が固体に結晶化しうる状態を意味する。従って、結晶化によって溶液から溶質を分離するためには、溶液において過飽和状態に達することが必要である。一般的に、溶液の過飽和状態は、外部条件、不純物、温度、濃度、pHなどによって影響を受けうる。本明細書で使われている準安定域の過飽和状態は、溶液の濃度が平衡濃度、すなわち飽和濃度から、結晶が自発的に析出する最低過飽和濃度までの範囲を意味する。この範囲の濃度では結晶核形成crystalnucleationなどの結晶化は起こらない。しかしながら、この範囲の濃度の溶液に外部から結晶を入れれば、溶液中の溶質の量が過飽和濃度であるので、自発的に結晶成長が起こって結晶サイズが大きくなる。すなわち、結晶を生成するために、飽和濃度以上である溶液に種晶seedが投入されれば、準安定域で種晶が成長して結晶を形成する。結晶化用溶液が過度に濃縮あるいは急激に冷却されると準安定域を超える過飽和状態に達し、従って結晶の成長ではなく結晶核形成が起こり、複数の微細結晶が形成される。従って、適切なサイズの結晶を得るために、結晶化用溶液を、準安定域の過飽和状態に維持させながら適切な速度で結晶化を行わなければならない。本発明のある態様において、出発物質であるD-プシコース溶液は、D-プシコースエピメラーゼを発現するコリネバクテリウム属由来の細菌、またはそれから単離されたD-プシコースエピメラーゼによって調製される。本発明のある態様において、D-プシコース溶液は、大韓民国特許出願第2009-0118465号に記載されているように、コリネバクテリウムグルタミクムCorynebacteriumglutamicumKCTC13032を培養して得られた細胞またはそれから単離された酵素を固定化担体に固定化させること、および該固定化された細胞または酵素にフルクトースを基質として供給することにより、得られうる。D-プシコース溶液からD-プシコース結晶を得るために、D-プシコースの精製及び結晶化に影響を及ぼしうる他の物質を除去し、効率的な結晶化のために必要な状態を形成しなければならない。従って、本発明によるD-プシコース結晶を製造する方法は、D-プシコース溶液から不純物を除去して精製されたD-プシコース溶液を得る段階を含みうる。本発明のある態様において、前記精製されたD-プシコース溶液を得る段階は、D-プシコース溶液を、脱色剤が充填されたカラムに通過させて、D-プシコース溶液を脱色させる段階と、前記で脱色されたD-プシコース溶液を、イオン交換クロマトグラフィによって脱塩させる段階と、前記で脱塩されたD-プシコース溶液を、カルシウム活性基が付着したイオン交換樹脂が充填されたカラムに通し、精製されたD-プシコース溶液を得る段階とを含みうる。本発明のある態様において、前記D-プシコース溶液を脱塩させる段階は、溶液が陽イオン交換樹脂が充填されたカラム、陰イオン交換樹脂が充填されたカラム、及び陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂との混合物が充填されたカラムを通過するクロマトグラフィによって遂行されうる。高純度のD-プシコースを得るために、一般的にクロマトグラフィによる分離が利用される。D-プシコース結晶を得るために、D-プシコース溶液中でのD-プシコースの量は、約70~約85またはそれ以上でなければならない。従って、D-プシコースエピメラーゼ反応によって調製されたD-プシコース溶液中でのD-プシコースの純度は約22でありこれは直接結晶化を行うには低すぎることから、結晶化段階前にD-プシコースを精製し、所望のレベルまで濃縮しなければならない。高純度のD-プシコース結晶を得るために、結晶化段階前に、溶液を脱色及び脱塩することによって不純物を除去してもよく、及び、クロマトグラフィ、例えば、カルシウム活性基が付着したイオン交換樹脂が充填されたカラムでのクロマトグラフィによって、D-プシコースを精製してもよい。本発明によるD-プシコース結晶を製造する方法は、精製されたD-プシコース溶液を濃縮させる段階を含みうる。本発明のある態様において、前記精製されたD-プシコース溶液を濃縮させる段階は、約60°C~約70°Cで行われうる。濃縮液の温度が約70°Cより高く上昇すると、D-プシコースの熱変性が起こることがある。温度が約60°C未満に下がると、溶液を所望レベルに濃縮することは困難である。濃縮が進むにつれて蒸発熱によって反応物の温度が急上昇するので、溶液の濃縮は、温度を約70°C以下に維持しながら速かに行わなければならない。本発明のある態様において、D-プシコース溶液の濃縮は、約65°C以下で行われうる。本発明によるD-プシコース結晶を製造する方法は、濃縮されたD-プシコース溶液の温度及び濃度を調節することによって、該溶液からD-プシコースを準安定域の過飽和状態で結晶化させる段階を含みうる。本発明のある態様において、結晶化段階で使用される濃縮されたD-プシコース溶液は、約70~約85g/gまたはそれ以上のD-プシコース溶液でありうる。本発明のある態様において、結晶化段階で使用される濃縮されたD-プシコース溶液に、D-プシコース種晶が、該D-プシコース溶液中のD-プシコース総量に基づき約0.01~約1g/gの量で添加されうる。本発明において、D-プシコース結晶は、D-プシコースが溶液中で溶媒と平衡状態をなす平衡濃度以上でD-プシコースが存在することから自発的に結晶成長が起こる準安定域の過飽和状態にD-プシコース溶液を維持することによって製造される。本発明において、結晶化に必要とされる過飽和状態は、D-プシコース溶液の温度を低くするか、またはD-プシコース溶液中のD-プシコースの濃度を変化させることによって維持されうる。本発明のある態様において、所定の間隔で試料を採取して該試料を肉眼もしくは顕微鏡を使用して観察すること、または試料の遠心分離から得られた上層中の糖濃度を分析することによって、結晶化段階における結晶化の進行をモニタリングしてもよい。その結果によって、温度またはD-プシコースの濃度を調節することができる。本発明のある態様において、D-プシコース種晶をD-プシコース溶液に添加した後、溶液中でのD-プシコースの結晶成長が止まるか、またはD-プシコース溶液の濃度がそれ以上変化しない場合に温度を低くすることによって、結晶化段階におけるD-プシコース溶液の準安定域の過飽和状態を維持してもよい。本発明のある態様において、D-プシコース溶液へのD-プシコース種晶の添加、および溶液の穏やかな撹拌、例えば約10rpmで撹拌しながらの結晶成長の後、D-プシコースが過飽和レベル以上に濃縮された場合に前記D-プシコース溶液よりも低濃度のD-プシコース溶液を添加することによって、結晶化段階におけるD-プシコース溶液の準安定域の過飽和状態を維持してもよい。本発明のある態様において、結晶化段階においてD-プシコース溶液を準安定域の過飽和状態に維持させるために添加されるD-プシコース溶液は、過飽和レベル以上に濃縮されたD-プシコース溶液よりも低濃度のD-プシコースを含む。例えば、添加されるD-プシコース溶液は約60~約70のD-プシコース溶液でありうる。本発明のある態様において、結晶化段階における過飽和状態は、飽和濃度と該飽和濃度からさらに約6g/g溶液高い濃度との間の範囲に存在しうる。過飽和濃度は、物質に固有の特性であり、飽和した溶液を冷却または濃縮することにより得られる。溶液の温度が溶液の飽和に達する温度から徐々に下がった場合に、高度に濃縮した溶液が不安定な状態に達して微細結晶が形成され始める濃度及び温度として、過飽和濃度及び過飽和温度をそれぞれ定義することができる。過飽和濃度の溶液に脱イオン水を添加し、該溶液を再加熱して微結晶を速やかに溶解させ、希釈された濃度で溶液の温度を飽和温度に調節し、この溶液を再度冷やすことにより、微結晶が生成される過飽和濃度を特定することができる。様々な飽和濃度で、物質の溶液の希釈、加熱、及び再冷却を繰り返すことによって、該物質の準安定域を特定することができる。D-プシコースも固有の準安定域の濃度範囲を有し、この範囲は飽和濃度またはそれ以上から該飽和濃度より約6高いものまでであることが確認された。D-プシコースの準安定域にD-プシコース溶液を維持しながら結晶化を行って、形状が安定しておりかつサイズが大きい結晶を得ることができる。本発明のある態様において、本発明によるD-プシコース結晶を製造する方法は、結晶化段階で得られたD-プシコース結晶を遠心分離によって回収する段階と、前記結晶を脱イオン水で洗浄する段階と、前記結晶を乾燥させる段階とをさらに含むことができる。結晶の乾燥は、流動床乾燥器または真空乾燥器で行われうる。本発明のある態様において、前記精製されたD-プシコース結晶は、約0.1mm~約0.2mmのサイズを有する。本発明のある態様において、精製されたD-プシコース結晶は、酵素反応などによって生成されたD-プシコース溶液を約40g/g溶液の濃度に濃縮し、得られた溶液を、粒状活性炭GAC:granulatedactivecarbon脱色剤が充填されたカラムに、1時間当たり約4mの線速度で通して脱色する段階と、脱色されたD-プシコース溶液を、陽イオン交換樹脂、陰イオン交換樹脂、及び陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂との混合物がそれぞれ充填されたカラムに、約40°Cで、時間当りイオン交換樹脂体積の2倍の速度で注入して、脱色されたD-プシコース溶液を脱塩させる段階と、脱色及び脱塩によって精製されたD-プシコース溶液を約60g/g溶液の濃度に濃縮し、この溶液をカルシウム活性基が付着したイオン交換樹脂で充填された分離カラムに通過させて、フルクトースからプシコースを分離する段階と、分離されたD-プシコース溶液を、約70°C以下で、濃縮器において、約85g/g以上の濃度まで濃縮する段階と、濃縮されたD-プシコース溶液に、D-プシコース種晶を、濃縮されたD-プシコース溶液に溶解されたD-プシコース総量に基づき約0.01~約1g/gの量で注入し、温度及び濃度を調節して、溶液からD-プシコースを準安定域の過飽和状態で結晶化させる段階と、D-プシコース結晶を、結晶化に供された溶液から遠心分離によって分離し、該溶液及びD-プシコース結晶を洗浄し、結晶を流動床乾燥器または真空乾燥器において乾燥する段階とを含む方法によって製造されうる。以下、本発明について、具体的な実施例を参照しながら詳細に説明する。しかしながら、それら実施例は、本発明の例示的説明を目的としたものであり、本発明の範囲は、それら実施例になんら限定されるものではない。実施例1:コリネバクテリウム属微生物を利用した低純度D-プシコース溶液の生成大韓民国特許出願第10-2009-0118465号に開示されているように、コリネバクテリウムグルタミクムKCTC13032培養する段階、及び該微生物、またはそれから単離されたD-プシコースエピメラーゼが固定化された担体によってフルクトースをD-プシコースに転換する段階を含む、D-プシコースを連続生成する方法によって、D-プシコースを調製した。この方法によって調製されたD-プシコース溶液中のD-プシコースの量は約22であり、それから直接結晶化させるには低すぎる濃度であった。実施例2:低純度D-プシコース溶液の精製実施例1で生成されたD-プシコース溶液を約40g/g溶液に濃縮した後、粒状活性炭素granulatedactivecarbonが充填された脱色カラムを通して、濃縮液内の有色物質を除去した。実施例1で生成されたD-プシコース溶液のD-プシコース純度は、固形分含有量が約22と非常に低く、結晶化するには適していなかった。結晶化のためには、結晶化対象物質の純度を約70~約90またはそれ以上に高めねばならない。クロマトグラフィによるD-プシコースの効率的な分離のためには、D-プシコース溶液からイオンが除去されねばならない。分離対象溶液中にイオン成分が存在する場合、分離樹脂の活性基がイオン成分と置換されて樹脂の分離能が低下するので、分離樹脂を繰り返し使用することが不可能となる。従って、前記で調製された脱色されたD-プシコース溶液を、水素基で置換された陽イオン交換樹脂とヒドロキシル基で置換された陰イオン交換樹脂とが充填されたカラムに通した後、最終段階で、陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂の混合物が充填されたイオン交換カラムに通し、前記溶液中のイオン成分を除去した。溶液中のイオン成分除去は、導電率を導電計で測定することによって確認した。精製溶液の導電率は、単位cm当たり約10マイクロジーメンス以下になるように調節した。実施例3:クロマトグラフィを利用した高純度D-プシコース溶液の調製前記実施例2で脱色及び脱塩により有色物質及びイオン成分などの不純物を除去した、低純度D-プシコース溶液を、約60g/g溶液まで濃縮し、その後カルシウム基で置換させたイオン交換樹脂PurolitePCR642Kに通過させて、精製されたD-プシコース溶液を得た。前記イオン交換樹脂カラム内に充填されたイオン交換樹脂の量は、約200Lであり、該カラムに通した試料、すなわち、実施例2で調製された精製されたD-プシコース溶液の量は、約20Lであり、運転温度は、約60°Cであった。試料を注入し、時間当たり約260Lの脱イオン水で溶出させた後、採取した各分画において、HPLCシステムHP、Agilent1200シリーズを使用することによって、フルクトースおよびD-プシコースの濃度をそれぞれ測定した。純粋なD-プシコース分画を取り、D-プシコース及びフルクトースを含有する分画を濃縮し、分離対象試料として再度用いた。カルシウム基で置換されたカラムBioRad社をHPLC分析カラムに利用し、脱イオン水を分当たり約0.5mLの流量で適用した。実施例4:D-プシコース溶液の濃縮結晶化のために必要なD-プシコース濃縮液を得るために、実施例3で精製されたD-プシコース溶液を、真空濃縮器EYELA社、N-11に入れて、約80g/g溶液に濃縮した。濃縮された液をそれぞれチューブに分注し、それぞれ70°C,65°C、及び60°Cのウォーターバス中に立てて放置した。試料を経時的に一定間隔で採取し、濃縮液のアリコートにおける残存量を測定した。その結果が図2に図示されている。濃縮液の温度が約70°C以上になると、3時間後にD-プシコースの熱変性が起こり、22時間後には、初期量に比べて約78のみが残存することが確認された。濃縮過程中、蒸発熱によって内部の温度は約40°C以下に維持されるが、D-プシコースの量が約80g/g溶液以上になると、温度は急上昇する。このような結果から、D-プシコースを約80g/g溶液以上に濃縮する場合、濃縮液の内部温度を約70°C以下に迅速に低下させるか、または例えば約65°C以下で濃縮段階を遂行することが必要であるということが確認された。実施例5:D-プシコース種晶の生成前記実施例3において精製分離されたD-プシコース溶液D-プシコースを約1,000g含有を、実施例4において説明されるように、約85g/g溶液に濃縮した。純度95の製品Sigma社1gを購入し、乳鉢に入れて粉砕した後、これをエタノール溶液と混合させた。二重のdoublejacketed2L反応槽を備える反応器システムIKA登録商標、LR-2.STを晶析装置crystallizerとして利用し、晶析装置内の濃縮液の初期温度を約50°Cに調節し、調製した95純度のD-プシコースのエタノール溶液を種晶として添加し、得られた溶液を約100rpmの速度で撹拌した。濃縮溶液と種晶との混合状態を確認した後、撹拌速度を約10rpmに再調節し、この混合物を時間当たり約1°Cずつ冷却した。顕微鏡を使用して、D-プシコースの結晶個数が急増する濃度を求めた。この状態を過飽和度と見なした。その後、顕微鏡観察及び検糖分析saccharimetricanalysisが、結晶がそれ以上成長しないか、または上澄み液の糖濃度がそれ以上変化しないことを示すまで温度を維持して結晶を成長させ、その後、溶液の温度を約1°Cずつ冷却した。温度が約33°Cまで冷却された後、最終結晶の状態が得られ、これは図3に図示されている。約33°Cで冷却を中止し、遠心分離による脱水、洗浄、及び乾燥を実施して、D-プシコース種晶を得た。得られた最終種晶は、直径約0.04mm~約0.10mmの範囲にあり、乾燥重量は、初期水溶液中に存在したD-プシコースの重さに比べて約40であった。実施例6:D-プシコースの飽和濃度及び過飽和濃度の測定前記実施例3から実施例5の手順を繰り返して、純粋なD-プシコースを得た。調製されたD-プシコースを溶解させて、温度による飽和曲線を得た。30°Cで始め、D-プシコースを少量添加した場合にD-プシコースがそれ以上溶けない濃度を、対応する温度での飽和濃度と定義し、飽和濃度は、温度を80°Cまで上昇させることによって求め、図1に図示されたD-プシコース飽和曲線を作成した。さらに、D-プシコースを溶解させ、約85g/g溶液まで濃縮した。その後、D-プシコース溶液を晶析装置に入れて、微細結晶が急激に形成される温度まで徐々に冷却した。脱イオン水を添加して、飽和濃度を変化させた後、この冷却実験を繰り返して、それぞれの飽和温度の過飽和濃度を測定した。この結果に基づき、図1に図示されているD-プシコース過飽和曲線を作成した。実施例7:温度変化を利用したD-プシコース結晶化前記実施例3に説明されるように精製されたD-プシコース溶液D-プシコースを約2,780g含有を得、これを約85g/g溶液まで濃縮し、晶析装置に入れた。晶析装置は約50°Cの温度を維持するように調節した。実施例5で得た種晶を乳鉢に入れ、エタノールと混合してD-プシコース溶液を調製した。結晶化のために、このD-プシコースエタノール溶液を、晶析装置中の濃縮されたD-プシコース溶液に、種晶が溶液中のD-プシコースと比較して0.3w/wの量で存在するように、種晶として投入した。その後、得られた溶液を撹拌器によって約100rpmで撹拌させ、種晶を濃縮液に均一に分布させた。その後、撹拌器の速度を約10rpmに下げ、経時的に一定間隔で試料を採取して、結晶個数の増加及び結晶サイズの変化を顕微鏡で観察した。試料を、1.5mLマイクロチューブを利用して遠心分離し、上澄み液の濃度及び純度を、それぞれ検糖計saccharimeter及びHPLCで測定した。温度が、結晶サイズの変化、または上澄み液の濃度変化がそれ以上起こらない温度飽和温度に達した場合、晶析装置の温度を約1°Cずつ冷やして、D-プシコース溶液がその飽和濃度と過飽和濃度との間の領域に存在するように、すなわち、準安定域の過飽和状態が維持されるようにした。急冷によって、結晶化のためのD-プシコース溶液が過飽和領域に移行すると、微細結晶が形成され始め、これは種晶の量が多くなる結果となり、最終的に、結晶サイズの減少をもたらす。結晶サイズが小さいと、遠心分離による脱水が容易ではなく、そのためこの結晶を実際の工程に適用することが困難になる。最終上澄み液を、濃度が約74g/g溶液に達するまで冷やし、このときの結晶状態を図4に図示する。結晶化が完了した溶液を高速遠心脱水器に入れ、約4,000rpmで約10分間遠心分離し、上澄み液をデカントし、結晶のみ回収した。その後、脱水中に脱イオン水を噴霧状で加えて、結晶の外部表面の上澄み液を洗い流した。脱水後に回収されたD-プシコースを、乾燥のために流動床乾燥器または真空乾燥器に移動させた。結果は、乾燥後のD-プシコース結晶の量が約1,408gと、最初に溶解されたD-プシコース約2,789gと比較して、50の回収であったことを示した。結晶サイズは、約0.1mm~約0.2mmの範囲にあり、市販されているフルクトースまたはショ糖の約1/2ほどのサイズに相当した。実施例8:濃度変化を利用したD-プシコースの結晶化前記実施例3に説明されるように精製されたD-プシコース溶液から、固形分約5,000gを得た。このうち、約2/3は約60g/g溶液に濃縮し、残りの1/3は約80g/g溶液に濃縮した。80g/g溶液の濃縮液を、10Lのフラスコを装着した濃縮器EYELA社、N-11に入れ、約10rpmで撹拌しながら濃縮させた。実施例5で種晶として調製されたD-プシコースエタノール溶液をフラスコに真空下で添加し、フラスコ中に温度計を装着して、内部温度の変化を測定した。濃縮が進められるにつれて結晶が成長した。経時的に一定間隔で試料を採取して、結晶個数の増加、及び結晶サイズの変化を顕微鏡で観察し、1.5mLマイクロチューブを利用して遠心分離した後、上澄み液の濃度を検糖計で測定し、上澄み液の純度を、HPLCで測定した。溶液はときには過飽和レベル以上に濃縮され、そのため微細結晶が形成された。結果として、結晶サイズは減少した。そのような場合には、あらかじめ調製した約60g/g溶液の低濃度D-プシコース溶液を注入して、生成された微細結晶を溶解させ、結果として同時に、濃度が結晶の成長によって低くなっていた濃縮溶液の純度を高めた。試料を採取して遠心分離に供した。その後、それ以上結晶サイズに変化が認められなければ、真空を除去して、試料を約40°Cで約12時間立てて放置した。このときの結晶状態を図4に図示する。結晶化が完了した溶液を高速遠心脱水器に入れ、約4,000rpmで約10分間遠心分離し、上澄み液をデカントして結晶のみ回収した。その後、脱イオン水を噴霧状で加え、結晶の外部表面の上澄み液を洗い流した。脱水後に回収されたD-プシコース結晶を、流動床乾燥器または真空乾燥器に移動させて乾燥させた。乾燥後の結晶量は約2,650gであり、溶解されていたD-プシコース約5,000gと比較して約53が回収されたことが分かった。結晶サイズは約0.1mm~約0.2mmの範囲であることが分かった。この結晶を、温度変化を利用して調製した結晶と比較した場合、このようにして得た結晶の長さは温度変化により得た結晶よりも長かった。本発明の例示的な実施例について説明したが、上記で説明された態様はあらゆる面において単に例示として提供され、本発明の変形および変化を限定するものではないということが理解されるべきである。本発明の範囲は、前記詳細な説明ではなく添付の特許請求の範囲により規定される。特許請求の範囲の精神及び範囲、ならびにその等価物から導き出されるあらゆる変形または変化は、本発明の範囲に含まれるものであると解釈されねばならない。"