窒化物半導体発光素子の製造方法であって、基板上に、順に第1窒化物半導体層と、活性層とを結晶成長させ、前記活性層の上に、第2窒化物半導体層を、結晶成長により形成した窒化物半導体構造を用意する工程と、前記窒化物半導体構造の前記第2窒化物半導体層側の主面に、前記活性層を貫通して前記第1窒化物半導体層まで到達する複数の細孔を形成する工程と、前記窒化物半導体構造を、熱処理温度が950°C以上の窒素元素を含む雰囲気で熱処理し、マストランスポートを生じさせることにより、前記第2窒化物半導体層から移動する第3窒化物半導体で、少なくとも前記活性層を貫通する細孔を含む、前記第2窒化物半導体層に形成された細孔を塞ぐ熱処理工程と、を有し、前記第2窒化物半導体層にInGaN、もしくは、GaNのいずれかの材料が用いられ、マストランスポートにより前記第2窒化物半導体層から移動する第3窒化物半導体がGaNであることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。前記熱処理工程は、該熱処理工程を行う雰囲気におけるIII/V族モル比が前記窒化物半導体構造を用意する工程の前記結晶成長の雰囲気におけるIII/V族モル比よりも小さく、前記熱処理工程前の前記第2窒化物半導体層の厚さをtsemi2とし、前記細孔の前記主面の面内方向の面積充填率をf、前記第3窒化物半導体の厚さをtcov、としたとき、前記tsemi2が、次の関係式を満足することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。tsemi2≧ftcov/1-f前記tsemi2は、前記活性層の厚さをtactとしたとき、前記tactは、tsemi2≦{tcov/1-f-tact}の関係式を満足し、かつ、tact≦tcovの関係式を満足することを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記細孔を周期的に配列し、1次元フォトニック結晶、もしくは、2次元フォトニック結晶のいずれかを形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。窒化物半導体発光素子であって、基板上に、順に第1窒化物半導体層と、活性層と、InGaN、もしくは、GaNのいずれかの材料による第2窒化物半導体層とが積層された窒化物半導体構造を備え、前記窒化物半導体構造の前記第2窒化物半導体層側の主面に、前記活性層を貫通して前記第1窒化物半導体層まで到達する複数の空孔が形成され、マストランスポートにより、前記第2窒化物半導体層から移動するGaNによる第3窒化物半導体で、少なくとも前記活性層を貫通する空孔を含む、前記第2窒化物半導体層に形成された空孔が埋め込まれ、前記活性層のバンドギャップが、前記第3窒化物半導体のバンドギャップよりも小さく構成された構造を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。前記第3窒化物半導体と前記空孔の界面が、前記第1窒化物半導体層にあり、前記活性層の厚さをtactとし、前記第3窒化物半導体の厚さをtcov、としたとき、次の関係式を満足することを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体発光素子。tact≦tcov我々は、鋭意検討した結果、上記従来例のものにおいては、つぎのような課題を有していることを見出した。熱処理によって、マストランスポートを生じさせた窒化物半導体層表面に成長させた従来例による活性層は、マストランスポートを生じさせない窒化物半導体層表面に成長させた活性層と比較して、発光強度が約1/10に低下する。すなわち、発光素子の光学特性を制御する微細構造を、マストランスポートによって窒化物半導体層内に埋め込み、その後に活性層を結晶成長させたものでは、マストランスポートによって、窒化物半導体発光素子の発光特性が悪化する。これは、マストランスポートによって、窒化物半導体層表面の結晶性が悪化するからである。そこで、本発明は、上記課題に鑑み、活性層の下の窒化物半導体層に微細構造を有する窒化物半導体発光素子を形成するに際し、活性層の発光強度の低下を抑制することが可能となる窒化物半導体発光素子およびその製造方法の提供を目的とする。本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物半導体発光素子の製造方法であって、基板上に、順に第1窒化物半導体層と、活性層とを結晶成長させ、前記活性層の上に、第2窒化物半導体層を、結晶成長により形成した窒化物半導体構造を用意する工程と、前記窒化物半導体構造の前記第2窒化物半導体層側の主面に、前記活性層を貫通して前記第1窒化物半導体層まで到達する複数の細孔を形成する工程と、前記窒化物半導体構造を、熱処理温度が950°C以上の窒素元素を含む雰囲気で熱処理し、マストランスポートを生じさせることにより、前記第2窒化物半導体層から移動する第3窒化物半導体で、少なくとも前記活性層を貫通する細孔を含む、前記第2窒化物半導体層に形成された細孔を塞ぐ熱処理工程と、を有し、前記第2窒化物半導体層にInGaN、もしくは、GaNのいずれかの材料が用いられ、マストランスポートにより前記第2窒化物半導体層から移動する第3窒化物半導体がGaNであることを特徴とする。また、本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に、順に第1窒化物半導体層と、活性層と、InGaN、もしくは、GaNのいずれかの材料による第2窒化物半導体層とが積層された窒化物半導体構造を備え、前記窒化物半導体構造の前記第2窒化物半導体層側の主面に、前記活性層を貫通して前記第1窒化物半導体層まで到達する複数の空孔が形成され、マストランスポートにより、前記第2窒化物半導体層から移動するGaNによる第3窒化物半導体で、少なくとも前記活性層を貫通する空孔を含む、前記第2窒化物半導体層に形成された空孔が埋め込まれ、前記活性層のバンドギャップが、前記第3窒化物半導体のバンドギャップよりも小さく構成された構造を有することを特徴とする。本発明によれば、活性層の下の窒化物半導体層に微細構造を有する窒化物半導体発光素子を形成するに際し、活性層の発光強度の低下を抑制することが可能となる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を実現することができる。本発明は、従来例のマストランスポートによって微細構造を窒化物半導体層内に埋め込み、その後に活性層を結晶成長させたものでは、マストランスポートによって窒化物半導体層表面の結晶性が悪化し、発光強度が低下するという知見によるものである。本発明では、活性層よりも下に位置する半導体層の結晶性を悪化させないため、結晶成長による活性層の形成より前には、空孔を活性層の下に埋め込むためのマストランスポートを生じさせないように構成される。その詳細については、以下の本発明の実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法により説明する。[実施形態1]本発明を適用した実施形態1における基板上に積層して形成された窒化物半導体構造を備えた窒化物半導体発光素子の製造方法を、図1を用いて説明する。特に、本実施形態では、DFB型の青色面発光レーザである窒化物半導体発光素子の製造方法の構成例について説明する。窒化物半導体構造の結晶成長工程まず、窒化物半導体構造100を結晶成長により形成し用意する工程を、図1aを用いて説明する。基板101上に、順に、クラッド層102と、第1窒化物半導体層103と、活性層104とを、有機金属気相成長MOVPE法により結晶成長させ、さらにその上に、第2窒化物半導体層105を結晶成長させて、窒化物半導体構造100を形成する。基板101は、例えば、GaN基板、SiC基板、サファイア基板であることが好ましい。本実施形態においては、n型GaN基板である。クラッド層102は、例えば、GaN、AlGaN、InGaNのいずれかであり、それらの多層構造であっても良い。本実施形態においては、n型AlGaNである。第1窒化物半導体層103は、例えば、GaN、AlGaN、InGaNのいずれかであり、本実施形態においてはn型GaNである。活性層104は、第1窒化物半導体層103と第2窒化物半導体層105よりも、バンドギャップが狭い材料で形成され、InGaNである。活性層104は、多重量子井戸MQWsであっても良く、例えば本実施形態においては、障壁層が厚さ7.5nmのGaNで、井戸層が厚さ2.5nmのInGaNの、3周期のMQWsである。第2窒化物半導体層105は、例えば、GaN、InGaNのいずれかであり、それらの多層構造であっても良い。本実施形態においてはGaNであり、その厚さは、15nmである。細孔の形成工程次に、細孔の形成工程について、図1bと図1cを用いて説明する。図1bは、図1aの工程に続いて、窒化物半導体構造100の第2窒化物半導体層105側の主面106に、エッチングマスク107を形成する工程を説明する図である。エッチングマスク107の材料は、例えば、加工が容易な、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、感光性材料のいずれかであることが好ましい。エッチングマスク107の材料が感光性材料である場合、開口108は、フォトリソグラフィもしくは電子ビームリソグラフィで形成する。エッチングマスク107の材料が酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンである場合、開口108は、フォトリソグラフィもしくは電子ビームリソグラフィのいずれかと、エッチングで形成する。エッチングは、ウェットエッチング、もしくは、ドライエッチングのいずれであってもよい。開口108は、上記第2窒化物半導体層側の主面106の面内方向に、周期的な配列を有する。本実施形態における開口108の直径は60nmであり、その周期配列は、正方格子状であって周期は160nmである。本実施形態においては、この開口108の周期配列が、後の工程で、2次元フォトニック結晶を形成する元のパターンとなる。図1cは、図1bの工程に続いて、細孔109を形成する工程を説明する図である。細孔109は、エッチングマスク107を用いて、第2窒化物半導体層105と、活性層104をエッチングし形成される。細孔109の底面は、第2窒化物半導体層105と活性層104を貫通し、第1窒化物半導体層103まで到達する。エッチングは、ウェットエッチング、もしくは、ドライエッチングのいずれでも良いが、孔形状の制御性を考慮すると、ICPInductivelyCoupledPlasmaによるドライエッチングが好ましい。ドライエッチングに使用するプラズマのガス組成は、例えば、Cl、Br、Iのいずれかの元素を含む。より具体的には、Cl2、BCl3、HBr、HI、HClのいずれかのガスと、He、Ar、Xe、N2のいずれかのガスとの混合ガスプラズマであることが好ましい。細孔109を形成後、エッチングマスク107は、除去する。なお、本実施形態における細孔109のサイズは、直径60nm、深さ220nmであり、面内方向の周期は160nmの正方格子状である。熱処理工程次に、熱処理工程について説明する。図1dは、図1cの工程に続いて、細孔109が形成された窒化物半導体構造100の熱処理工程を説明する図である。熱処理工程の雰囲気は、V族である窒素元素を含む雰囲気下で行われ、例えば、N2、またはNH3のいずれかを含む雰囲気下で行われる。V族雰囲気下で熱処理を行う理由は、III族元素よりもV族元素の方が熱エネルギーによって脱離しやすいためである。V族元素である窒素元素を含むガスを供給した雰囲気下で熱処理することで、第1窒化物半導体層103と、活性層104と、第2窒化物半導体層105からのV族元素の減少を防いでいる。熱処理工程は、温度950°C以上の雰囲気で行われ、例えば、本実施形態においては1050°Cである。温度950°C以上であれば、マストランスポートが生じ、細孔上部110は、第2窒化物半導体層105から移動してきた第3窒化物半導体によって塞がれる。なお、第3窒化物半導体112はGaNである。活性層104はInGaNであるため、活性層104のバンドギャップは、第3窒化物半導体112のバンドギャップよりも狭い。この熱処理工程により、第1窒化物半導体層103の面内方向には複数の空孔111が形成される。第2窒化物半導体層105と活性層104の面内方向には、空孔111の真上の位置に、複数の柱状の第3窒化物半導体112が形成される。なお、柱状の第3窒化物半導体112の面内方向のサイズは、空孔111の面内方向のサイズと同じであり、空孔111と第3窒化物半導体112は、基板垂直方向に隣接している。本実施形態では、細孔109は、正方格子状の周期的な配列を成しているので、空孔111の配列は、2次元フォトニック結晶層113として機能する。空孔111の内壁は、マストランスポートによって、第1窒化物半導体層103の結晶面ファセットが形成される程度に整形される。なお、マストランスポートとは、熱エネルギーによって原子が表面から脱離し、表面エネルギーが小さくなる位置で再吸着する現象である。半導体の組成を保ちながら、表面形状を変化させることが可能である。熱処理工程の雰囲気次に、熱処理工程のIII/V族比について説明する。熱処理工程を行う雰囲気には、III族原料は必ずしも必要ない。ここで、III族原料とは、例えば、TMG、TMA、TMIである。本実施形態において、熱処理工程の雰囲気のIII族/V族モル比は0である。本実施形態の熱処理工程においては、III族原料が少ない方が、細孔109の側壁に原料が成長する速度が遅くなるので、熱処理工程前後で、細孔109の直径の変化を小さくできる。一方で、窒化物半導体構造100を用意する工程における結晶成長、すなわち、第1窒化物半導体層103、活性層104、第2窒化物半導体層105の結晶成長を行う雰囲気は、III族原料が必要である。すなわち、本実施形態の熱処理工程の雰囲気のIII/V族モル比は、窒化物半導体構造100を用意する工程の結晶成長の雰囲気のIII/V族モル比よりも小さいことを特徴とする。第3窒化物半導体の厚さの熱処理温度依存性次に、熱処理温度と第3窒化物半導体112の厚さの関係を説明する。図2は、実験で得られた、熱処理温度Tと熱処理工程後の第3窒化物半導体112の厚さtcovとの関係を説明した図である。細孔上部110は、熱処理温度が950°C以上で塞がる。本実施形態において、熱処理温度Tと第3窒化物半導体112の厚さtcovは、概ね、次の式1で表される。tcov=-0.205×T256式1第3窒化物半導体112の厚さは、熱処理温度が高くなるにつれて、薄くなる。熱処理温度が高くなりすぎると、第2窒化物半導体層105と第3窒化物半導体112のGaNが蒸発するので、熱処理温度は1250°C以下が好ましい。なお、本実施形態においては、T=1050°Cであるので、tcov=41nmである。第2窒化物半導体層の下限値次に、第2窒化物半導体層105の厚さの下限値について図3aから図3dを用いて説明する。図3aは、熱処理工程前の窒化物半導体構造300を説明する図であり、熱処理前の第2窒化物半導体層305の厚さをtsemi2と表す。図3bは、熱処理工程後の窒化物半導体構造300を説明する図であり、熱処理後の第3窒化物半導体312の厚さをtcovで表す。熱処理前後における、第2窒化物半導体層305の厚さtsemi2の変化を、理解しやすくするために、図3b中で、第2窒化物半導体層305の一部の点線は、熱処理前の第2窒化物半導体層305を表している。熱処理工程後においても、第2窒化物半導体層305が、窒化物半導体構造300の主面306に露出しているように、細孔309の主面306方向の面積充填率をf、第3窒化物半導体312の厚さをtcov、としたとき、熱処理工程前の第2窒化物半導体層305の厚さtsemi2は、次の式2の関係式を満足する。tsemi2≧ftcov/1-f式2上記式2を満足することで、第2窒化物半導体層305の体積が、細孔上部310を塞ぐ第3窒化物半導体312の体積を上回る。すなわち、熱処理工程後においても、第2窒化物半導体層305が、窒化物半導体構造300の主面306に露出している。すなわち、熱処理工程中に、活性層304が、窒化物半導体構造300の主面306に露出し、活性層304が熱処理でダメージを受けることがない。本実施形態においては、f=0.11、tcov=41nmであり、第2窒化物半導体層305はtsemi2=15nmは、式2を満足している。なお、面積充填率fについては、次の段落で説明する。細孔の面積充填率次に、面積充填率fについて説明する。本実施形態において、細孔309は周期的な配列を形成し、その周期配列は2次元フォトニック結晶である。その上面図を表したのが図3cである。2次元フォトニック結晶を構成する異なる方向にのびる2つ基本並進ベクトルのうち、一方向の長さをa、もう一方向の長さをb、2つベクトルのなす角度をθ、細孔309の面積をSで表すと、面積充填率fは式3で表される。f=S/absinθ式3本実施形態においては、細孔309の直径は60nm、周期は160nm、θ=90度であるため、f=0.11となる。また、本実施形態の変形例として、周期的な配列が1次元フォトニック結晶であるときの上面図を表したのが図3dである。1次元フォトニック結晶を構成する基本並進ベクトルの長さをa、基本並進ベクトル方向の細孔309の幅をwで表すと、充填率fは式4で表される。f=w/a式4また、他の変形例として、細孔309がランダムに配置されている場合、面積充填率fは、単位面積あたりに細孔309が占める平均の密度で表される。第2窒化物半導体層の上限値次に、第2窒化物半導体層305の厚さtsemi2の上限値について図3eを用いて説明する。図3eは、熱処理工程後の窒化物半導体構造300の一例である。図3eは、図3bとは異なり、熱処理工程後において、空孔311と第3窒化物半導体312の界面330が、第1窒化物半導体層303よりも上の層にあり、空孔311の内壁には、活性層側壁320が含まれている。活性層側壁320の表面は、マストランスポートによって、第3窒化物半導体312と同じ材料で薄く覆われるので、活性層側壁320の表面準位による非発光再結合は抑制できる。しかし、より確実に、非発光再結合を抑制するには、第3窒化物半導体312が、活性層側壁320を完全に覆うことが好ましい。すなわち、第3窒化物半導体312と空孔311の界面330の位置が、第1窒化物半導体層303にあることが好ましい。熱処理工程後、第3窒化物半導体312と空孔311との界面330の位置が、第1窒化物半導体層303にあるようにするためには、熱処理工程前の第2窒化物半導体層305の厚さtsemi2は、活性層304の厚さをtactとしたとき、次の式5の関係式を満足することが好ましく、かつ、活性層304の厚さtactは、式6の関係式を満足することが好ましい。tsemi2≦{tcov/1-f-tact}式5tact≦tcov式6本実施形態においては、活性層304は、障壁層が厚さ7.5nmのGaNで、井戸層が2.5nmのInGaNの、3周期のMQWsであるため、活性層304の厚さはtact=22.5nmである。また、tcov=41nm、f=0.11であるため、第2窒化物半導体層305のtsemi2=15nmは、式5と式6のいずれも満足している。ゆえに、本実施形態において、熱処理工程後の窒化物半導体構造300は、図2bで表されるように、第3窒化物半導体312が、活性層側壁320を覆う構造となる。クラッド層とコンタクト層と電極の形成工程次に、クラッド層とコンタクト層と電極の形成工程について、図1eを用いて説明する。熱処理工程後、第1窒化物半導体層105と第3窒化物半導体112で形成される窒化物半導体構造100の主面114上に、順に、クラッド層115、コンタクト層116をMOVPE法により結晶成長させる。本実施形態においては、クラッド層115がp型AlGaN、コンタクト層116がハイドープのp型GaNである。つづいて、基板101の裏面活性層104側とは反対側の面に電極117を形成し、コンタクト層116の表面に電極118を形成する。電極117と電極118の材料としては、例えば、Ti、Al、Ni、Auを含む金属で形成される。また、電極117と電極118の材料として、ITOやZnOを用いても良い。電極117と電極118の形成方法としては、例えば、スパッタや蒸着である。窒化物半導体発光素子における特徴的構成本実施形態では、結晶成長による活性層104の形成より前には、空孔111を活性層104の下に埋め込むためのマストランスポートを生じさせていない。すなわち、活性層104よりも下に位置する半導体層の結晶性が悪化することもないため、本発明の課題に挙げた発光強度の低下約1/10の低下は発生しない。本実施形態における活性層104の発光強度の低下としては、細孔109が、活性層104を貫通することによる活性層体積の減少分のみ、発光強度が弱まる。すなわち、細孔109の面積充填率fの分だけ、発光強度が弱まる。本実施形態において、細孔109の面積充填率はf=0.11であるので、細孔109を形成したことによる、発光強度の低下は約9/10に抑えることができる。本実施形態においては、発光強度の大幅な低下を引き起こすことなく、活性層の下にフォトニック結晶を埋め込んだ、窒化物半導体発光素子の製造が可能となる。また、本実施形態の窒化物半導体発光素子のその他の特徴として、基板101に対して垂直方向の光分布が、活性層104付近に強度ピークを有する、分離閉じ込めヘテロ構造SCH構造を有することが挙げられる。活性層104付近に光分布強度のピークを有するSCH構造を形成するには、活性層104付近の屈折率を、クラッド層102およびクラッド層114の屈折率よりも大きくする必要がある。本実施形態においては、図1cの細孔の形成工程においては、活性層104を貫通して細孔109を形成しているので、活性層104付近の平均屈折率は低下する。しかしながら、つづいて行う図1dの熱処理工程によりマストランスポートが生じ、第2窒化物半導体層105内のGaNが細孔上部110を塞ぐ。これにより、活性層104付近の平均屈折率は再び増加する。すなわち、活性層104に形成した細孔上部110をマストランスポートによって、再び埋め戻すことができる本実施形態の熱処理工程だからこそ、SCH構造の作製が可能となる。SCH構造は、光強度分布と活性層104に注入されるキャリア濃度分布のピークを合わせることが可能となるためレーザ発振が容易となる。本実施形態の窒化物半導体発光素子は、2次元フォトニック結晶を有するDFB型の面発光レーザとして機能する。[実施形態2]本発明を適用した実施形態2における窒化物半導体発光素子の製造方法を説明する。特に、本実施形態では、高効率緑色LEDである窒化物半導体発光素子の製造方法の構成例について説明する。本実施形態では、実施形態1の製造方法と重複するところが多いため、実施形態1の製造方法と異なる部分を説明する。まず、窒化物半導体構造400を結晶成長により形成し用意する工程を図4aを用いて説明する。本実施形態は、高効率LEDであるので、クラッド層が不要である。基板401上に、順に、第1窒化物半導体層403と、活性層404と、第2窒化物半導体層405を、MOVPE法により結晶成長させ、窒化物半導体構造400を形成する。基板401はn型GaN基板であり、第1窒化物半導体層403はn型GaNである。活性層404は、障壁層が厚さ7.5nmのInxGa1xN0≦x≦1で、井戸層が厚さ2.5nmのInyGa1yN0≦y≦1からなる5周期のMQWsであり、tact=42.5nmである。Inの組成は、x<yであり、本実施形態においては、緑色で発光するように、Inの組成を25とした。第2窒化物半導体層405は、InzGa1zN0≦z≦1、z<yであり、その厚さは、tsemi2=30nmである。細孔の形成工程は、実施形態1と同じである。細孔の配列は、配光特性が良くなるようにランダムであり、細孔のサイズは、直径120nm、深さ350nm、平均的な面積充填率は、f=0.125とした。次に、続いて行う熱処理工程について図4bを用いて説明する。熱処理温度は1000°Cである。本実施形態では、第2窒化物半導体層405はInGaNであるが、熱処理工程によって、細孔上部を塞ぐ第3窒化物半導体層412はGaNである。これは、熱処理温度1000°Cでは、マストランスポートが生じる際、第2窒化物半導体層405表面のIn原子が蒸発するためである。本熱処理工程により、第2窒化物半導体層405と活性層404の面内方向には、空孔411の真上の位置に、複数の柱状の第3窒化物半導体412が形成される。なお、柱状の第3窒化物半導体412の面内方向のサイズは、空孔411の面内方向のサイズと同じであり、空孔411と第3窒化物半導体412は、基板垂直方向に隣接している。次に、熱処理工程後、第1窒化物半導体層405と第3窒化物半導体412で形成される窒化物半導体構造400の主面414上に、順に、スペーサ層415、コンタクト層416をMOVPE法により結晶成長させる図4c。本実施形態においては、スペーサ層415がp型GaN、コンタクト層416がハイドープのp型GaNである。電極417と電極418の形成は、実施形態1と同じである。本実施形態の製造工程により、作製した窒化物半導体発光素子は、以下のような特徴を有する。本実施形態においては、熱処理温度は1000°Cであるため、式1より、細孔上部を塞ぐ第3窒化物半導体層412の厚さは、tcov=51nmとなる。f=0.125、tcov=51nmであるため、tsemi2=30nmは、式2を満足している。すなわち、熱処理工程中に、活性層404が、窒化物半導体構造400の主面406に露出し、活性層404が熱処理工程でダメージを受けることはない。一方で、活性層の厚さは、tact=42.5nmであり、式5は満たしていない。すなわち、図4bに示すように、第3窒化物半導体412と空孔411の界面430の位置が、第1窒化物半導体層403よりも上の層にあり、空孔411の内壁には、活性層側壁420が含まれている。活性層側壁420の表面が、第3窒化物半導体412で完全に覆われる場合と比較して、表面準位起因の非発光再結合による発光強度の低下が懸念される。しかし、本実施形態の活性層404は、緑色で発光するように、In組成が25と、青色の発光素子よりも高い割合でInが入っている。このような高いIn組成を有するInGaNの活性層404内では、Inの偏析が生じるため、活性層の側壁の表面準位による非発光再結合がそもそも抑制されている。ゆえに、第3窒化物半導体412と空孔411の界面430の位置が、第1窒化物半導体層403よりも上の層にあり、空孔411の内壁には、活性層側壁420が含まれていたとしても、発光強度が低下することはない。また、本実施形態においても、実施形態1と同様、活性層404よりも下に位置する半導体層の結晶性が悪化することもないため、本発明の課題に挙げた発光強度の低下約1/10の低下は発生しない。本発明を適用した本実施形態により、大きく発光強度の低下を引き起こすことなく、活性層の下に光取り出し効率向上のための微細構造を埋め込んだ、高効率LEDである窒化物半導体発光素子の製造が可能となる。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]本発明の実施例1では、図5に示した2次元フォトニック結晶を有するDFB型の面発光レーザである窒化物半導体発光素子の製造方法の構成例について説明する。n型GaN基板501上に、順に、n型クラッド層502である厚さ1umのn型Al009Ga091Nと、ガイド層503である厚さ300nmのn型GaNと、活性層504と、ガイド層505である厚さ10nmのn型GaNとを、MOVPE法により結晶成長させる。本実施例では、ガイド層505が、第2窒化物半導体層105に相当する。なお、活性層504は、障壁層が厚さ4.0nmのIn001Ga099Nで、井戸層が1.5nmのIn009Ga091Nの、3周期のMQWsである。発光波長のピークは405nm付近である。続いて、GaN層504の主面に、直径80nm、深さ240nm、周期185nmの細孔が三角格子状に配列した2次元フォトニック結晶を形成する。続いて行う熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slmstandardlitterperminitues、NH3流量が5slmであり、熱処理温度は、1100°Cである。III族原料のTMGは流していない。すなわち、熱処理工程雰囲気のIII族/V族のモル比は0である。本実施例の構成では、熱処理温度は、1150°Cであるため、ガイド層505のGaNがマストランスポートによって移動し、細孔上部が、GaN512で塞がれ、空孔511が形成される。空孔511が2次元フォトニック結晶層513を形成する。本実施例においては、熱処理雰囲気にn型ドーパント原料であるSi2H6やp型ドーパント原料であるCp2Mgを流していないが、GaN層512の導電性を制御するためには、それらの原料を適宜流しても良い。熱処理温度は、1150°Cであるため、式1より、GaN512の厚さは、tcov=20nmである。細孔の面積充填率はf=0.17であることから、ガイド層505の厚さtsemi2=10nmは、式2を満足している。すなわち、熱処理工程中に、活性層504が表面に露出しダメージを受けることはない。また、本実施例の構成は、活性層504の厚さはtact=12.5nmであるため、ガイド層505の厚さtsemi2=10nmは、式5と式6のいずれをも満足している。ゆえに、本実施例において、熱処理工程後、細孔上部を塞ぐGaN512が、活性層側壁も覆う構造となる。熱処理工程後、ガイド層505とGaN512で形成される主面上に、順に、ガイド層521である厚さ60nmのGaN、電子ブロック層522である厚さ20nmのp型Al016Ga084N、クラッド層515である厚さ800nmのp型Al008Ga092N、コンタクト層516である厚さ50nmであるp型GaNを、MOVPE法により結晶成長させる。続いて、n型GaN基板501の裏面にn側の電極517であるITOをスパッタにより形成し、p側のコンタクト層516の表面に電極518であるNi/Au/Ti/Auを形成する。p側の電極518を導電性のヒートシンクに実装する。本実施例の製造工程により、作製した窒化物半導体発光素子は、以下のような特徴を有する。本実施例では、活性層504の形成より前には、空孔511を活性層504の下に形成するためのマストランスポートを生じさせていない。すなわち、活性層504よりも下に位置する半導体層の結晶性が悪化することもないため、本発明の課題に挙げたような、発光強度の低下約1/10の低下は発生しない。活性層504の発光強度の低下としては、細孔の面積充填率f=0.17の分だけ発光強度が低下するのみ、すなわち、発光強度の低下は約83に抑えることができる。レーザ発振には十分なゲインが保たれている。また、熱処理後、活性層側壁は、GaN512で埋め込まれているので、表面準位による非発光再結合は十分抑制できる。さらに、活性層側壁を含む細孔上部がGaN512で埋め込まれることにより、n型GaN基板501に対して垂直方向の光分布が、活性層504付近に光強度ピークを有する、分離閉じ込めヘテロ構造SCH構造となる。すなわち、本実施例で示した製造方法により作製した窒化物半導体発光素子は、2次元フォトニック結晶を有するDFB型の面発光レーザとして機能する。[実施例2]本発明を適用した実施例2における窒化物半導体発光素子の製造方法を説明する。特に、本実施例では、図6に示した高い光取り出し効率を有する青紫色LEDの製造方法の構成例について説明する。本実施例では、実施例1の製造方法と重複するところが多いため、実施例1の製造方法と異なる部分を説明する。本実施例は、高効率LEDであるので、クラッド層が不要である。n型GaN基板601上に、順に、GaN層603である厚さ500nmのn型GaNと、活性層604と、GaN層605である厚さ40nmのn型GaNとを、MOVPE法により結晶成長させる。本実施例では、GaN層605が、第2窒化物半導体層105に相当する。なお、活性層604は、障壁層が厚さ5.0nmのIn001Ga099Nで、井戸層が厚さ2.5nmのIn009Ga091Nの、6周期のMQWsである。発光波長のピークは405nm付近である。続いて、GaN層604の主面に、細孔を形成する。細孔の配列は、配光特性が良くなるようにランダムであり、細孔のサイズは、直径150nm、深さ300nm、平均的な面積充填率はf=0.3とした。続いて行う熱処理工程の雰囲気は、N2流量が10slm、NH3流量が8slmであり、熱処理温度は、960°Cである。III族原料のTMGは流していない。すなわち、熱処理工程雰囲気のIII族/V族のモル比は0である。熱処理温度は、960°Cであるため、式1より、GaN612の厚さは、tcov=59nmである。細孔の面積充填率はf=0.3であることから、ガイド層605の厚さtsemi2=40nmは、式2を満足している。すなわち、熱処理工程中に、活性層604が表面に露出しダメージを受けることはない。式5と式6に関して、f=0.3、tcov=59nm、tact=40nmであるので本実施例は、式5と式6を満足している。熱処理工程後、ガイド層605とGaN612で形成される主面上に、順に、電子ブロック層622である厚さ20nmのp型Al016Ga084N、GaN層615である厚さ20nmのp型GaN、コンタクト層616である厚さ20nmであるp型GaNを、MOVPE法により結晶成長させる。続いて、n型GaN基板601の裏面にn側の電極617であるTi/Al/Ni/Auを蒸着により形成し、p側のコンタクト層616の表面に電極618であるITOを形成する。本発明により、大きく発光強度の低下を引き起こすことなく、活性層の下に光取り出し効率向上のための微細構造を埋め込んだ、高効率な青紫色LEDである窒化物半導体発光素子の製造が可能となる。