流体投与装置の表面処理方法であって、前記流体投与装置のうち、少なくとも流体と接触する部分の1以上の処理対象表面を、多重荷電の多重エネルギイオンビームを用いたイオン注入によって変化させる処理を含み、前記の通り変化させられた処理対象表面は、当該変化させられた処理対象表面における細菌の出現及び増殖の一方又は両方を抑制する特性を有し、前記多重荷電イオンは、ヘリウムHe、ホウ素B、炭素C、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeから選択され、イオン注入は0μmから3μmの深さまで実施されること、を特徴とする表面処理方法。前記イオンビームは、電子サイクロトロン共鳴ECR:ElectronCyclotronResonance源によって発生させられること、を特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。前記多重エネルギイオンは同一の抽出電圧で同時に注入されること、を特徴とする請求項1又は2に記載の表面処理方法。前記1以上の処理対象表面は合成材料で形成されており、当該合成材料は、ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP、ポリ塩化ビニルPVC、ポリテトラフルオロエチレンPTFEの少なくとも1つから成ること、を特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記1以上の処理対象表面はエラストマ、ガラス、又は金属で形成されていること、を特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記投与装置は、流体を格納した貯蔵容器と、前記貯蔵容器に装着されたポンプ又は弁である投与部材と、投与開口部を備えて前記投与部材を駆動する投与ヘッドと、から成ること、を特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記流体は、鼻又は口に噴霧される、又は鼻又は口から吸入される医薬流体であること、を特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記表面処理方法は、流体投与装置の組立ラインにおいて連続的に実行されること、を特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の表面処理方法。モノマーを有機材料の深層にグラフトする深層グラフト処理方法を含み、当該深層グラフト処理方法は、連続して実行される2つの処理を含み、当該2つの処理とは、aイオンビームを用いたイオン衝撃処理と、bモノマーのグラフト処理と、であって、aのイオン衝撃処理において、20nmから3000nmの範囲の厚みeradを有する層1の中に遊離基溜まりが形成され、0nmから3000nmの範囲の厚みestabを有する遊離基溜まり1と表面との間に介在する安定化層2が形成され、イオンビームのイオンは、ヘリウムHe、ホウ素B、炭素C、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeのイオンを構成要素とするリストから選択され、イオン加速電圧は10kV以上かつ1000kV以下であり、有機材料の処理温度は当該有機材料の融解温度以下であり、単位面積あたりのイオン量は、1012ions/cm2から1018ions/cm2の範囲におさまるように選択され、当該選択にあたっては、有機材料の表面抵抗率の経時変化の計測値を用いて最大の抵抗値ジャンプステップを生じさせるイオン量が特定されること、そして、bのグラント処理は、拡散温度Tdにおいて、モノマーMを表面から安定化層2を経て遊離基溜まり1まで拡散させる処理から成ること、を特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記グラフト処理に続いて、殺菌性イオンを含んだ溶液に浸漬させる浸漬処理が行われること、を特徴とする請求項9に記載の表面処理方法。いずれかのイオンについて、遊離基溜まり1及び安定化層2の形成にあたっての単位面積あたりのイオン量を選択する処理は、実験データに基づいて実行され、当該実験データは、事前に得られたものであり、所定のエネルギにおける別種類のイオンについて、最大の抵抗値ジャンプステップを生じさせる単位面積あたりのイオン量を示すものであること、を特徴とする請求項9又は10に記載の表面処理方法。単位面積あたりのイオン量が1013ions/cm2から5×1017ions/cm2の範囲にあること、を特徴とする請求項9乃至11のいずれか一項に記載の表面処理方法。イオン加速電圧が20kVから200kVの範囲にあること、を特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の表面処理方法。拡散温度Tdは環境温度から有機材料の融解温度Tfまでの範囲にあること、を特徴とする請求項9乃至13のいずれか一項に記載の表面処理方法。選択されるモノマーMは、親水性、疎水性、抗菌性の特性の少なくとも1つを有すること、を特徴とする請求項9乃至14のいずれか一項に記載の表面処理方法。所定のイオンについて、遊離基溜まり1に対応するグラフト層に溜まる殺菌性金属イオンの表面ロードの生成に当たり、量V及び接触面域Sを有する流体4における濃度が前記殺菌性金属イオンに特有な閾値殺菌濃度を上回ることが可能となるようエネルギを選択する処理が、立証済みのデータに基づいて実行され、当該立証済みのデータは、処理の厚みと、ポリマーのバルク密度と、ポリマーを構成するモノマーのモル質量と、ポリマーを構成するモノマー1つにつきグラフトされるモノマーの数と、グラフトされたモノマーによって結合される殺菌性金属イオンの数とに基づいて、単位面積あたりの殺菌性金属イオンの数の変化を表すのに用いることが可能なものであること、を特徴とする請求項15に記載の表面処理方法。有機材料は、01mm/秒から1000mm/秒の範囲の速度VDで、イオンビームに対して移動可能であること、を特徴とする請求項9乃至16のいずれか一項に記載の表面処理方法。有機材料の同一領域が、速度VDで複数のN本の経路を通る形でイオンビームの下を移動させられること、を特徴とする請求項17に記載の表面処理方法。有機材料は、ポリマー、エラストマ、又は樹脂のファミリーに属する材料のリストから選択されること、を特徴とする請求項9乃至18のいずれか一項に記載の表面処理方法。そこで、本発明は、上記の問題が生じない表面処理方法を提案することを目的とする。具体的には、本発明は、効果的で長期間持続し、無公害であり、流体との相互反応がなく、実行が簡単である、という表面処理方法を提供することを目的とする。1つの特定の側面として、本発明は、イオンビームを用いて有機材料の深層にモノマーをグラフトする方法を提案する。具体的には、本発明は、薬剤の投与と投与との間に、特に鼻用スプレーの先端において細菌が増殖するのを抑制することを目的とする。有機との用語は、ある材料が、共有結合によって、炭素原子同士又は炭素原子と他の原子とが結合することによって構成されていること意味する。例として、このカテゴリには、ポリマー、エラストマ、又は樹脂のグループに属する材料が含まれる。一般論として、こうした有機材料については、固有の特徴として、電気絶縁体であること、電離放射線を受けて遊離基を生じさせること、が挙げられる。電離放射線には、紫外線UV、X線、ガンマγ線放射、電子ビーム、イオンビームがある。一例として、電離放射線を受けた場合、C=C型の共有結合からは2つの遊離基が生じる.で示す。その各々が1つの炭素原子の上に位置する.C-C.。そして、その各々が他の分子例えばO2と結合することができるが、その結合は基反応において生じ、当該基反応は3つのステップ1:開始、2:成長、3:阻害によって特徴づけられる。モノマーとの用語は、ポリマーの合成に使用される単純分子を意味する。これらのモノマーの有機材料へのグラフトを可能にするためには、これらモノマーが、電離放射線によって有機材料内に生じた遊離基との反応が可能な不飽和結合例えば、二重結合を有している必要がある。ポリマー材料を電子衝撃型又はガンマ放射線型の電離放射線にさらすことで、遊離基が生成されるイオン化反応。当該遊離基は、架橋反応として知られる反応で結合することで、有機材料の原子間に新たな共有結合を生じさせることができる。また、当該遊離基を利用すれば、外部から、有機材料の原子を用いて、モノマーをグラフトすることもできる。遊離基は、ビニル型又はアクリル型の不飽和結合を有するモノマーと反応する。電子衝撃又はガンマ放射線による電離放射線を、照射装置と組み合わせて使用すれば、非常に異なった形式の支持体をグラフトすることができる。それら支持体とは、例えば、薄膜、テキスタイル面、コンパウンド充填顆粒compoundfilledgranules、医療機器である。グラフトが可能なビニル型、アリル型、アクリル型の不飽和結合を有するモノマーは、電離放射線を作用させれば、炭素鎖に結合することも可能であろう。モノマーが有する他の化学官能基又はリガンドによっては、支持体材料には、特定の特性防腐特性、イオン交換特性、付着促進特性などが永続的に与えられる。しかしながら、電子衝撃やガンマ放射線を用いたグラフト方法には、電離粒子発生手段やその範囲に関連した問題があり、そのために、用法が大きく制限されている。ガンマ線を発生させるユニットは、技術的見地からも安全の見地からも、管理が極端に難しい。こうしたユニットは、ロッドの形をした放射性コバルト60線源から成り、当該ロッドは、厚み2mメートルの壁を備えたコンクリート製の遮蔽区画に密封されている。当該区画の中には、線源のストックを貯蔵するプールも収容されている。これは、線源が休止状態にある際の生物学的保護を目的としている。稼働状態では、容器別名トレイを運ぶ搬送機が、処理対象の物品を線源の周辺で移動させると共に、当該物品を搬送して区画に出し入れする。こうした複雑な構成のおかげで、放射線を確実に封じ込めながら、物品を停止させることなしに通過させることができる。線源のパワーは数百万キュリーに達する場合もある。電子ビームを発生させるユニットは同様に、全て使用が難しい。材料中の電子の減速によって生じる強いX線を遮断するために、厚い遮蔽システムを設ける必要がある。更に、電子ビームは、絶縁有機材料の中心における静電荷の蓄積を原因とした機能停止を引き起こす場合がある。また、上とは別の、物理的な問題もある。これは、ガンマ放射線及び電子の過度の透過力に関連しているガンマ放射線で数メートル、電子で数mmミリメートル。ここまで大きな透過力は、有機材料のバルク特性を変化させることなく表面を処理する、という内容の作業には適していない。実際、エラストマの場合では、バルク弾性特性が失われたり剛性が増したりして、剛性のレベルが上がり、形状加工された表面例えば、フロントガラスに形を合わせることができなくなってしまう場合もあるが、こうした事態は望ましくない。更に別のグラフト方法も存在する。これは、冷プラズマを用いて最表面に作用するものである。冷プラズマは、気体を通常は低真空下で放電の作用によって励起することで得られる電離媒質である。高周波プラズマkHz[キロヘルツからMHzメガヘルツ、マイクロ波プラズマ245GHzギガヘルツが最も広く使われている。それによって、中性分子大半を占める、イオン負イオン及び正イオン、電子、ラジカル種化学的に非常に活発、励起種の混合が得られる。こうしたプラズマが冷と呼ばれるのは、熱力学平衡状態にない媒質だからである。熱力学平衡状態では、基本的にエネルギは電子に捕らえられているが、気体のマクロ的温度は環境温度に近い値に留まる。電極から発せられた電子は、気体分子と衝突して活性化させる。その後、電離又は解離が生じ、これは遊離基の生成を伴う。これらの励起種は、反応装置のチャンバに拡散し、とりわけ基材の表面に到達する。そこで、多くの種類の表面反応が発生する非常に低いエネルギでの注入2、3nmナノメートル、エネルギ移動、結合の生成又は破壊。表面で生じる反応の種類に応じて、表面の活性化、層の成長、浸食などが起こりうる。冷プラズマを用いた化学的グラフトの本質は、酸素、窒素、空気、アンモニア、テトラフルオロカーボンなどの気体を、活性種と共に操作することにあり、当該活性種はポリマーの高分子連鎖と化学反応して、処理気体に特有な共有結合C-O、CN、C-Fなどが形成されることになる。こうした種類の処理は、プラズマにさらされる表面の、一番上の数ナノメートルにしか作用しない。こうした方法で活性化されたポリマー表面については、その後、特定の生物学的適合性を有する分子ヘパリン、リン脂質などと接触させることで、化学結合による結合を生じさせる場合もある。一般に、化学的グラフトは、放電が行われる領域の外に処理対象の材料を配置して実行される放電後。グラフトの厚みが非常に小さいため、処理の効果が継続する期間は短い。また、化学的グラフトは使用状況摩耗、摩擦、すり減りの影響を受けやすく、これら条件によっては非常に短期間で効果が消滅する。このため、有機材料の深層グラフト処理方法が必要となるが、そこでは、直ちに実用化が可能な方法を用いることが望ましい。こうした有機材料を大量に、そして妥当な価格で提供できるようにするためである。そこで、本発明は、更なる目的として、安価であると共に、多くの用途の必要を満たす形で表面処理を行うことの可能な、有機材料用の深層グラフト処理方法を提供する。そこで、本発明は、以下のような、ステップa、bから成る、有機材料用の深層グラフト処理方法を提案する。すなわち、aイオン衝撃処理イオンビームのイオンは、ヘリウムHe、ホウ素B、炭素C、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeのイオンを構成要素として構成されるリストから選択され、イオン加速電圧は10kVキロボルト以上又は1000kV以下であり、有機材料の処理温度は当該有機材料の融解温度以下であり、単位面積あたりのイオン量は、1012ions/cm2から1018ions/cm2の範囲におさまるように選択され、イオン衝撃によって、次のステップでモノマーのグラフトに用いられる遊離基溜りreservoirを成す層が形成される。当該遊離基溜りは、数マイクロメートル程度の厚みの表面層を特徴とする。また、この遊離基溜りについては、必須ではないが、最表面層によって周囲の環境から隔絶してもよい。当該最表面層は、イオン衝撃によって完全に架橋されたものであって、基本的にアモルファス炭素によって構成される。最表面の当該アモルファス炭素層は、本質的に反応性が低く、遊離基溜りを周囲環境から守って安定させる作用を有し、また、有機材料の表面の硬度を高めるのに役立つ。bグラフト処理遊離基溜りに存在する分子にモノマーをグラフトさせる目的で慎重に選択された拡散温度において、表面から遊離基溜りに向けてモノマーを拡散させる処理。拡散温度は、以下の結果が得られるように選択しなければならない。処理厚み安定化層遊離基溜りの中に存在する遊離基が活性化される。表面から安定化層を通して遊離基溜りに向かうモノマーの拡散プロセスが促進される。遊離基のメカニズムが促進され、その結果、溜りに存在する分子にモノマーがグラフトされる。環境温度に戻る過程で有機材料の特性が損なわれないことが保証される。1つの実施の形では、ガラス転移温度Tgが最適と思われる。別の実施の形では、ガラス転移温度Tgと融解温度との間で拡散温度を探る、というオプションも可能であるが、この場合は、冷却条件に留意して、有機材料が元々有していた特性が回復されるようにする。最後に、3つ目の実施の形では、環境温度からガラス転移温度Tgの範囲内で拡散温度を探る、というオプションも可能であるが、これは、遊離基の密度及び反応性とモノマーの拡散速度とが、グラフトに要する時間を大幅に短縮できる高さであることが前提となる。拡散温度の選択は、有機材料及びグラフト可能なモノマーの性質に大きく依存する。効果的な点として、本発明に従ってイオンを選択し、これらイオンを用いたイオン衝撃の条件を定めれば、モノマーを1マイクロメートル程度の厚みで高密度に深層グラフトするのに最適な遊離基溜り密度を特定することができる。こうしたモノマーは、疎水性、親水性、抗菌性、更には導電性を有したものとすることができる。つまり、本発明によれば、疎水性、親水性、抗菌性、又は導電性まで有する、厚くて非常に有効なバリアを形成することができる。モノマーの例として、ここでは以下を挙げる。親水性モノマー:acrylicacid疎水性モノマー:2ethylmethacrylate、2hydroxypropylmethacrylate抗菌剤モノマー:dimethyloctylammoniumethylmethacrylate、bromideorchloride、ethyleneglycolmethacrylatephosphatesilverioncomplex加速電圧及び単位面積あたりイオン量について、本発明に従って選択した範囲を用いれば、イオン衝撃による深層グラフトが可能となると共に、1マイクロメートル程度の厚みの処理が可能となる最適化実験条件を選択することができる、ということを発明者は確認した。更に、発明者は、本発明の方法が低温具体的には、環境温度で使用できること、そして、本発明の実施中も有機材料の温度は融解温度以下に保たれること、を確認できた。従って、有機材料の物理化学的な変化や遊離基の自己結合が避けられる、という効果が実現される。本発明の方法には、バルク特性bulkpropertyを変えることなく1マイクロメートル程度の厚みにわたって、有機材料の表面特性を変化させることができる、という効果がある。本発明による範囲での単位面積あたりのイオン量の選択は、事前の調整ステップにおいて行われる。当該調整ステップでは、考慮対象の有機材料で構成されたサンプルに、He、B、C、N、O、Ne、Ar、Kr、Xeから選択した1つのイオンを用いて、イオン衝撃を加える。この有機材料へのイオン衝撃は、有機材料の複数の異なる領域において行われ、本発明の範囲でイオン量を変化させながら行われる。そして、処理した領域の表面抵抗値の経時変化を、環境条件において計測する。これは抵抗値ジャンプresistivejumpを特定するためである。抵抗値ジャンプは、表面よりも下にある遊離基溜りの非常に急速な酸化を特徴とする。この現象は、ある程度の期間の経過後に発生するが、その期間は、有機材料中の酸素の拡散に関連して決まる。発明者は、抵抗値ジャンプの大きさから溜りに存在する遊離基の密度が推測されること、そして、所定の有機材料に用いるイオン量の選択は、抵抗値ジャンプが最大となる量を求める形でおこなうべきであること、を確認した。処理した領域の表面抵抗値単位はΩ/□オーム/平方の計測はIEC規格60093に従って行う。いかなる特定の科学的理論にも拘束されるものではないが、抵抗値ジャンプに関するこうした現象は、空気中から遊離基溜りへの酸素の拡散と、その後の、当該領域に存在する分子の非常に急速な結合遊離基のメカニズムによるとから説明できるように思われる。この酸化プロセスの影響により、遊離基の密度言い換えれば、表面導電率が突然低下する。有機材料の表面抵抗の経時的変化を分析すると、この現象は、ステップの形で表れる抵抗値ジャンプによって示される。これよりも量を大きくすると、これら遊離基は姿を消し、長期にわたって非常に安定した電気的特性を備えたアモルファス炭素が残される。その後、有機材料の表面抵抗の変化は、長期にわたって一定を保つ。本発明の方法によれば、当該深層の遊離基溜りの存在を示す抵抗値ジャンプを確認することができる。抵抗値ステップの大きさから、この溜りの中に存在する遊離基の密度が推測される。よって、これができるだけ大きくなるように選択すべきである。モノマーの深層グラフトに密接に関連した疎水性、親水性、抗菌性といった特性を強化することに加えて、本発明の方法を用いれば、アモルファス炭素の最表面層を形成することで、1マイクロメートル以下の厚みで有機材料の表面を硬化させることができる。こうしたアモルファス炭素層を得るには、注入するイオンの量を調節して、最表面では有機材料を完全に架橋させる一方、深い位置では部分的に架橋させるようにする。発明者は、この効果が、電子サイクロトロン共鳴ECR源で得られる多重エネルギ、多重荷電のイオンの場合に特に強化されることを確認した。そして、電荷が低く、その分不活発なイオンは、最表面の有機材料アモルファス炭素層の全体的な架橋に関与し、その一方、電荷が高く、その分活発なイオンは深層の遊離基溜りの形成に関与する、と考えられる。つまり、アモルファス炭素の形で完全に架橋される最表面層と、これに続いてモノマーでグラフトされる深層とを、連続した2層として形成することができる。効果的な点として、こうした共重合化によれば、複数の特性の向上を明確な組み合わせの形で実現できる堅さ/疎水性;硬さ/粘着力;硬さ/抗菌性、その他。本発明の方法には、有機材料のバルク特性を変化させることなしに、厚く、それゆえに過酷な使用条件でも長期間効果を発揮できる、という疎水性又は抗菌性のバリアを生成する効果がある。実際的な利用法として、環境中の湿気を通さないようにプラスチック製のビンに処理を施せば、こうしたプラスチック製のビンは、ガラス製のビンの代わりに使用することができるであろう。また、別の例では、本発明の方法は、表面の硬さと優れた湿潤性親水性とを併せ持ち、水ベースのラッカーの使用に非常に適したエラストマを提供することができる、という効果を有する。様々な実施の形があり、これらは組み合わせが可能である。単位面積あたりのイオン量を1013ions/cm2から5×1017ions/cm2の範囲とすること。ポリマー材料はポリマー、エラストマ、または樹脂のファミリーに属すること。イオン加速電圧を20kVから200kVの範囲とすること。ECR源によってイオンを生成すること。ECR源には、小型でエネルギを節約できるという効果、そして、複合層アモルファス炭素層/グラフト可能層の形成に適した多重電荷、多重エネルギのイオンを生成できるという効果がある。本発明が提供するのは、流体投与装置の表面処理方法であって、前記流体投与装置のうち、少なくとも流体と接触する部分の1以上の処理対象表面を、多重荷電の多重エネルギイオンビームを用いたイオン注入によって変化させる処理を含み、前記の通り変化させられた処理対象表面は、当該変化させられた処理対象表面における細菌の出現及び増殖の一方又は両方を抑制する特性を有し、前記多重荷電イオンは、ヘリウムHe、ホウ素B、炭素C、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeから選択され、イオン注入は0μmから3μmの深さまで実施される、という表面処理方法である。効果的な実施形は従属請求項に記載されている。具体的には、上記の方法は、モノマーを有機材料の深層にグラフトする深層グラフト処理方法を含み、当該深層グラフト処理方法は、連続して実行される2つの処理を含み、当該2つの処理とは、aイオンビームを用いたイオン衝撃処理と、bモノマーのグラフト処理と、であって、aのイオン衝撃処理において、20nmから3000nmの範囲の厚みeradを有する層1の中に遊離基溜まりが形成され、0nmから3000nmの範囲の厚みestabを有する遊離基溜まり1と表面との間に介在する安定化層2が形成され、イオンビームのイオンは、ヘリウムHe、ホウ素B、炭素C、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeのイオンを構成要素とするリストから選択され、イオン加速電圧は10kV以上かつ1000kV以下であり、有機材料の処理温度は当該有機材料の融解温度以下であり、単位面積あたりのイオン量は、1012ions/cm2から1018ions/cm2の範囲におさまるように選択され、当該選択にあたっては、有機材料の表面抵抗率の経時変化の計測値を用いて最大の表面抵抗値ジャンプステップを生じさせるイオン量が特定されること、そして、bのグラント処理は、拡散温度Tdにおいて、モノマーMを表面から安定化層2を経て遊離基溜まり1まで拡散させる処理から成ること、とする。本発明に関する上記の特徴及び効果、並びに、他の特徴及び効果については、非限定的な例として示す添付図面を参照しながら具体的に示す、以下の詳細な説明を読むことで、より明らかになるであろう。本発明は、具体的に言えば、国際公開第2005/085491号に記載されたものと類似した方法を用い、金属材料の表面を約aμmの深さにわたって構造的に変化させることで、当該金属材料に特定の物理的特性を与えるものである。上記国際公開第2005/085491号は、イオン注入方法に関するものであり、より具体的に言えば、多重電荷多重エネルギイオンのビームの用法に関するものである。当該注入方法は、特に、プラスチック材料製部品の大量生産に用いる型として使用されるアルミニウム合金から製造される部品の処理に用いられてきた。驚くべきことに、この種の方法は、処理対象の表面での生物膜の形成を制限し、それによって、鼻用又は経口型の投与装置において医薬流体と接触するよう作られた面における細菌の出現及び/又は増殖を制限、更には防止する、という目的にも適していることがわかった。当該イオン注入方法にこうした用途があることは、これまで認識されていなかった。国際公開第2005/085491号の記述は、その全体が、参照の目的で本明細書に組み込まれるものとする。処理対象の表面は金属製であるが、ポリマーなどの合成物とすることもできる。また、本発明の方法は、ガラスやエラストマなどの材料に適用することもできる。要約して言えば、本方法は、電子サイクロトロン共鳴源ECR源と呼ばれるなど、1又は複数のイオン源を使用する処理から成る。このECR源は、例えば、20kVから200kVの範囲の抽出電圧において約10mA[ミリアンペア]全電荷あわせての全電流で、多重エネルギイオンの初期ビームを発生させることができる。ECR源は調整手段に向けてイオンビームを発し、当該調整手段は、ECR源から発せられた初期ビームを集中及び調整して注入イオンビームに変え、当該注入イオンビームは処理対象の部品に当てられる。用途及び処理対象の材料に応じて、イオンは、ヘリウム、ホウ素、炭素、窒素、酸素、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンから選択される。また、処理対象の部品の最高温度も、その性質に応じて異なる。通常の注入深さは、0μmから3μmの範囲にあり、処理対象の表面だけでなく、改善しようとする特性にも依存する。ECRイオン源の特殊性は、主に、単一電荷および多電荷のイオンを発生させるという事実にあり、これは、複数の多重エネルギイオンを同じ抽出電圧で同時に注入できることを意味する。従って、処理すべき厚み全体にわたって同時に、適正に分布された注入プロフィールを得ることができる。これによって、表面処理の品は向上する。本方法は、真空ポンプで排気した室chamberの中で実行するのが効果的である。このように真空にするのは、残留気体によってビームが遮断されること、そして、同じ気体によってイオン注入時に部品表面が汚染されること、を防止するためである。また、特に国際公開第2005/085491号に記載されているように、上述した調整手段は、効果的な構成として、以下の構成要素を、ECR源から処理対象の部品までの間の位置に有している。電荷および質量に応じてイオンをフィルタリングすることの可能な質量分析装置。ただし、高純度気体例えば、高純度窒素ガスN2を入れる場合には、こうした分析装置は必須ではない。分析装置により、イオン源が生成した単一電荷イオンおよび多電荷イオンの全てを回収して、多重エネルギイオンビームを得ることができる。イオンビームを所定の形状、例えば円筒形と所定の径とを有した形で提供する1又は複数のレンズ。初回注入時に縦方向断面のビーム強度を解析するプロファイラprofiler。イオンビームの強度を連続的に、当該イオンビームと交差することなしに計測する強度変換器。本器具の主な働きは、イオンビームの中断を検知すること、処理中のイオンビームの強度変化の記録を可能にすることである。特定のタイミング例えば、部品の処理を行うことなく移動している間においてイオンの軌跡を遮るシャッター例えば、ファラデーケージ。効果的な実装の形では、処理対象の部品をECR源に対して移動させる。部品は、例えば、NC数値制御式:numericallycontrolled機械による制御の下で用いられる可動支持体に搭載しておけばよい。処理対象の部品の移動は、以下に従って計算される。すなわち、ビームの径、処理対象領域の外輪郭および内輪郭、表面に対するビームの角度に応じた固定又は可変の移動速度、そして実行済みの経路の数。本処理方法の可能な実行形の1つを以下に述べる。先ず、処理対象の部品を、室の中で適当な支持体に取り付ける。その後、室を閉じ、真空ポンプを用いて強度の真空とする。真空状態に達すると直ちに、イオンビームの発射を開始し、調整を行う。前記ビームの調整が終わると、シャッターを上げ、NC機械を起動する。その後、当該NC機械は、1又は複数の経路でビームに当てられる処理対象部品の位置及び移動速度を制御する。必要な経路の数に達すると、シャッターが落とされ、ビームは遮断される。その後、ビームの放射が終わり、室を外気に対して開き、真空状態は解消される。問題がなければ、冷却回路を切り、処理対象部品を室から取り出す。処理対象部品の所定の個所において、イオンビームの通過に関連して上昇する温度を下げるためには、ビームの半径を大きくする1cm2あたりのパワーを下げる、又は、移動速度を上げる、というやり方が考えられる。部品が小さすぎて、処理に起因する熱を放射だけでは解消できない場合には、ビームのパワーを下げてもよいしそうすると、処理時間は長くなる、あるいは冷却回路を働かせてもよい。本発明の方法は、化学物質を必要としないため、汚染が生じない。また、本方法は乾燥状態で実行されるため、液体を用いる処理方法の場合に必要となる、比較的長い乾燥期間が不要となる。また、真空室の外に無菌環境を設ける必要もなく、従って、本方法は、どのような場所でも実行できる。本方法がとりわけ効果的であるのは、流体投与装置の組立ラインに組み込んで、そのラインの中で中断なしに行える、という点である。このように本処理方法を生産ツールに組み込むことで、製造及び組立のプロセスは全体として単純化及び高速化される。よって、本方法はコストの点で有用な効果を有する。図1乃至6は、本発明の効果的な実施の形を示す。本発明の実施例では、ポリカーボネート製サンプルをECR源から発せられるヘリウムイオンで処理する場合について検討した。イオンビームはHe、He2イオンから成り、電流は5mAであった。He、He2イオンの比率は、He/He2=10であった。抽出加速電圧は35kVとし、Heエネルギは35keVキロ電子ボルト、He2エネルギは90keVであった。処理対象サンプルをビームに対して移動させ、移動速度は40mm/sミリメートル/秒であり、戻りの際に1mmずつ横方向にずらした。必要な処理量を達成するために、複数回移動させる形で処理を実行した。ポリカーボネートの表面抵抗の経時変化を、IEC規格60093に従って実行した。すなわち、2つの電極を、一方は径dを有するディスクの形で、他方は内径Dを有して前記ディスクと中心が一致したリングの形で構成し、1分後にこれら電極の間の電気抵抗を計測した。電極をポリカーボネートの表面に置き、100Vボルトの電圧をかけた。Dは15mmとし、dは6mmとした。表面抵抗の計測は1015Ω/□未満の値についてのみ可能であった。本発明の第1の実施例では、PPポリプロピレンのサンプルを使用し、アクリル酸を用いたグラフト処理を検討した。処理には、ECR源から発せられたヘリウムイオンを用いた。イオンビームは、電流が300μA[マイクロアンペア]、He及びHe2イオンから成り比率:He/He2=10、抽出加速電圧は35kVであった。Heエネルギは35keVであり、He2のそれは90keVであった。処理対象サンプルをビームに対して移動させ、移動速度は80mm/秒であり、戻りの際に3mmずつ横方向にずらした。必要な処理量を達成するために、複数回移動させる形で処理を実行した。ポリプロピレンPPのサンプルに、量を変えながらイオン衝撃を与えた。量は、2×1014ions/cm2平方センチメートル当たりのイオン数、5×1014ions/cm2、1015ions/cm2であった。グラフト処理条件は同一であった。すなわち、10重量のアクリル酸溶液CH2=CH-COOHに24時間浸漬し、温度は40°Cに保った。液滴の接触角を計測したところ、グラフト処理後の表面の湿潤性の変化が確認された。疎水性挙動から親水性挙動への変化という特徴が見られた。この結果を下の表1にまとめた。PPの挙動は変化した。処理前のサンプルがいくぶん疎水性挙動接触角は76度を示していたのに対し、処理後のサンプルの挙動はいくらか親水性に傾いている接触角は64度に下がった。親水性挙動は、5×1014ions/cm2から1015ions/cm2の範囲の量を用いた場合について相当に向上したことが分かる。Heで処理したPPのFTIRフーリエ変換赤外線分析からは、Heで処理したポリカーボネートPCの表面導電率の計測で見られたのと同じ程度の量であることが分かった。本発明の第2の実施例では、ポリプロピレンのサンプルを使用し、アクリル酸を用いたグラフト処理を検討した。処理にはECR源から発せられる窒素イオンを用いた。イオンビームは、電流が300μAであって、N、N2及びN3イオンから成り比率は、順番に60、40、10、抽出加速電圧は35kVであった。Nのエネルギは35keV、N2のそれは90keV、N3のそれは105keVであった。PPのサンプルに、量を変えながらイオン衝撃を与えた。量は、2×1014ions/cm2、5×1014ions/cm2、1015ions/cm2、5×1015ions/cm2であった。処理対象サンプルをビームに対して移動させ、移動速度は80mm/秒であった。戻りの際に3mmずつ横方向にずらした。必要な処理量を達成するために、複数回移動させる形で処理を実行した。以下の2種類のグラフト処理条件を用いた。その結果を表2にまとめた。10容量のアクリル酸溶液CH2=CH-COOH、温度は40°Cに維持;10容量のアクリル酸溶液CH2=CH-COOH、温度は60°Cに維持。留意すべき点は、処理され、40°C又は60°Cのアクリル酸溶液に浸漬されたサンプルの全てについて、実際にグラフトが生じたことである。処理を行わずに溶液に浸漬されたサンプルでは、湿潤性に関して全く変化が見られず、これは、明らかに、本発明の方法で推奨する条件でのイオン衝撃がグラフト実現の源であることを示している。1015ions/cm2未満の量では、接触角は2度の増減で、大差はないように見える。1015ions/cm2、5×1015ions/cm2の量では結果が逆転しているのが分かる。量を1015ions/cm2として60°Cで浸漬した場合、水の液滴の接触角は、40°Cで浸漬した場合よりも小さかった70度<75度。量を5×1015ions/cm2として60°Cで浸漬した場合、水の液滴の接触角は、40°Cで浸漬した場合よりも大きかった65度<75度。特定の科学的理論に拘束されるものではないが、量が少ない方が2×1014ions/cm2、5×1014ions/cm2安定化層は薄くなると考えてよいであろう。アクリル酸分子は、40°Cでも60°Cでも、この安定化層を比較的短時間で通過し、通過時点では未だ、イオン衝撃によって作られる溜まりreservoirの中心においてさえ、遊離基の自己結合は始まっていない。溜まりからの遊離基によるアクリル酸のグラフトは、その後全体に及ぶ。接触角は、遊離基の溜まりを表面から隔絶する安定化層の厚みと共に大きくなる傾向がある。量が増やされるとすなわち、安定化層の厚みが特定の閾値に達すると、温度は遊離基の自己結合を多少促進する形で作用するが、これはグラフトには不都合である。つまり、アクリル酸が、遊離基の溜まりに到達してその内部でグラフトを実現する時間がなくなってしまう。実際、60°Cにおける液滴の接触角は、40°Cの場合よりも高い。発明者は、60°Cでグラフトを行うよりも、40°Cで、さらには環境温度でグラフトを行う方が好ましい、と結論することができる。また、アクリル酸のグラフトについては、より洗練された形での調査方法FTIR分析でも確認を行った。異なる量を用いた複数のサンプルについて調査したIR赤外線スペクトルでは、1710cm1毎センチメートルの周辺で吸収ピークを示したカルボニル基の吸収ピーク:C=O。そして、およそ3200cm1で吸収ピークが出現した水酸基OHの吸収ピーク。これら2種類の官能基カルボニル基、水酸基は、PPには存在しないため、アクリル酸由来としか考えられない。下の表3、4は、それぞれ40°C、60°Cの浸漬温度で得られる結果を示す。吸収ピーク透過率の低下が最も大きくなる最適量は、およそ5×1014ions/cm2であることが分かる。60°Cでの浸漬の場合、吸収ピーク透過率の低下が最も大きくなる最適量は、およそ1015ions/cm2であったことが分かる。これは、COグループ1710cm1にもOHグループ3200cm1にもあてはまる。吸収ピークは60°Cの場合の方が40°Cの場合よりも低かった。これにより、一部の遊離基が温度の影響で部分的に自己結合したことが確認された。発明者は、事前のテスト及び推論に基づいて、以下を示すことができる。すなわち、所定のエネルギを有するあらゆる種類のイオンについて、異なるエネルギを有する別種のイオンについて同一条件下で得られる結果を利用することで、最大の抵抗値ジャンプステップを示す量を求めることが可能である。その関係は以下の式で示される。N1×EionE1=N2×EionE2この式において、N1は、イオン1の最大抵抗値ジャンプステップに関わるイオン量単位面積あたりのイオンの数である;E1はイオン1のエネルギである;EionE1は、イオン1のポリマー中の軌跡の開始における電離エネルギである。このエネルギは、電離の形でイオン1がポリマーの電子に解放するエネルギに相当する;N2は、イオン2の最大抵抗値ジャンプステップに関わるイオン量単位面積あたりのイオンの数である;E2はイオン2のエネルギである;EionE2は、イオン2のポリマー中の軌跡の開始における電離エネルギである。この電離エネルギは、イオンの性質及びエネルギ、そしてポリマーの性質によって決まる。これらの計算を実行するための方法及びデータは、文献TheStoppingandRangeofIonsinMatterJFZiegler著volumes26、PergamonPress社、1977~1985、文献TheStoppingandRangeofIonsinSolidsJFZiegler、JPBiersack、ULittmark著PergamonPress社、NewYork1985JPBiersack、LHaggmark著、NuclInstrandMeth、vol174、257、1980に具体的に開示されている。更に、そのような計算の容易化や実行のためのソフトウェアも開発され、販売されている。例えば、SRIMTheStoppingandRangeofIonsinMatterやTRIMTheTransportofIonsinMatterという商品名で、これらは、特にJamesFZieglerによって開発されたものである。例えば、PPポリプロピレンについては、以下の対応表表5が得られる。表の第1列は、公知の実験データの再掲であり、使用するイオンの種類がHe、イオンのエネルギが35keVである。PPで中での軌跡の開始におけるヘリウムの電離エネルギは10eV/Å電子ボルト/オングストロームであるTRIMSRIMの提供。1015ions/cm2との量は、PCの抵抗値ジャンプステップについて実験で特定された量である。PCの電離エネルギは95eV/Åで、PPのそれとほとんど同じであることが分かっている。第2列では、イオンNの性質が分かる。エネルギは50keVであり、電離エネルギは20eV/ÅであるTRIMSRIMの提供。抵抗値ジャンプステップが最大となる量は、関係式:N=10×1015/20=5×1014ions/cm2の適用によって導き出される。この量は、PPについてFTIRで導き出される値に比較的近い表3を参照。第3列は、検証が必要な、アルゴンを用いたグラフトの別の例である。この列では、抵抗値ジャンプステップが最大となる量は、約5×1014ions/cm2と導き出された。言い換えると、窒素ビームで得られる量に比較的近い。本発明の方法は以下の効果によって特徴づけられる。溶液のモノマーのアクセスにとって最適量の遊離基溜まりの生成。プラズマ、電子ビーム、ガンマ放射線を用いる他のグラフト技術には、遊離基が深い位置で生成されるためにモノマーがアクセスできず、材料のバルク特性も劣化する、という不都合がある。上記の遊離基溜りが、環境温度において蓄積でき、更に、グラフト前の環境条件下でも長期間にわたって蓄積されること。処理されたポリマーは、イオン衝撃の数日後にグラフトを行うことができる。これは、電子ビームやガンマ放射線を用いる他のプラズマグラフト技術では不可能である。これら技術では安定化層が生成されない。処理されたポリマーはグラフトまでの間、-20°Cよりも低い低温で、暗所に保管しなければならない。グラフト層がモノマーで飽和させられること。殺菌作用を有することが知られているイオン例えば、銀イオンAg、銅イオンCu2、亜鉛イオンZn2などを蓄積し、放出するグラフト層を生成するための実施形は、2つ存在する。どちらの実施形を選択するかは、基本的にコストによって決まる。ここで選択基準の例を挙げるとすれば、グラフトされるモノマーのコスト、そして、抗菌作用を得るために実行する必要のある手順の数である浸漬する溶液は1種類か2種類か。第1の実施形は、ポリマーにイオン衝撃を与えた後、金属塩の溶液に浸漬する、という手順から成る。当該溶液の例としては、金属アクリル酸塩溶液CH2=CH-COOM又は2CH2=CH-COOM2が挙げられる。使用が考えられる例としては、銅アクリル酸塩、銀アクリル酸塩、亜鉛アクリル酸塩がある。銅アクリル酸塩には殺菌特性があることが知られており、特に艇体用の汚れ止めペイントに用いられる。これは、海生生物の付着を防ぐことが目的である。海事法では、環境への影響を理由として、銅の浸出は、海水と接触する最初の14日間で、1日あたり20マイクログラム/cm2を超えてはならない、と定めている。抗菌グラフトの原理は次の通りである。すなわち、アクリル酸塩が遊離基と反応して基材に結合する。それとともに、殺菌性金属イオンがCO2の末端に弱く結びつく。その後、金属イオンは外部に放出され、殺菌作用を発揮する。第2の実施形は以下の2つのステップから成る。第1ステップでは、ポリマーにイオン衝撃が与えられ、そして当該ポリマーは、金属イオンとの間で弱結合キレート化タイプを確立する能力のあるモノマーでグラフトされる。ここで挙げられる例はアクリル酸である。アクリル酸の水酸基の非結合電子対は、キレート化によって金属イオンを捕えることができる。第2ステップでは、グラフト層に殺菌性金属イオンをロードする。その手段は、当該イオンを含んだ溶液への浸漬である。一旦グラフト層に蓄積された殺菌性金属イオンは、グラフト層に塗布された流体と接触すると直ちに解放される。殺菌性金属イオンの濃度が、当該イオンの性質に固有の殺菌濃度閾値を上回ると直ちに、殺菌性金属イオンは流体に拡散し、殺菌作用を発揮する。銀イオンAgの場合、20ppmpartspermillion、100万分の1言い換えると、1kgキログラムあたり20mgの濃度閾値で、以下の細菌に対する殺菌性が高くなることが知られている。すなわち、黄色ブドウ球菌メチシリンに耐性のある黄色ブドウ球菌、MRSA、エンテロコッカスフェシウムバンコマイシンに耐性のあるエンテロコッカス、VRE、エンテロコッカスフェカリスバークホリデリアセパシアアルカリゲネス種、緑膿菌、クレブシエラニューモニエシュードモナス種、アシネトバクター種、シトロバクターコセリ。アクリル酸でグラフトされ、Agイオンをロードされた層1cm2に1cm3の流体が置かれる場合、有効な殺菌作用を発揮するためには、20μg/cm2に相当するAgイオンが放出されなければならない。銅の場合、殺菌濃度閾値はおよそ10ppm、言い換えれば10μg/cm3マイクログラム/立方センチメートルである。グラフト層に殺菌性イオンをロードするための溶液は数多くある。硫酸銅CuSO4、硝酸銀AgNO3、塩化銀の溶液が例として挙げられる。いずれの実施形でも、抗菌性グラフト層は、殺菌性イオン交換器として働いて以下の効果を実現するように、その特徴を調整するのが効果的である。長期間にわたって以下のような効果的な抗菌作用を保証すること。-殺菌濃度閾値を上回っており、-想定される用途にとって有意な期間にわたって効果を維持する。処理の環境又は健康に関する悪影響を抑制すること。例えば、Agイオンを得るための貴金属の量を減らすことで、実施のコストを下げること。発明者は、イオン衝撃のパラメータに基づいて金属イオン蓄積量に関する予測を立てるのに有用な公式を確立することを目的とした、金属イオンのグラフト及び蓄積のモデルを開発した。このモデルが基づいているのは、第1に、実験によって観察されるグラフト層の特定の性質であり遊離基溜まりは表面の高さにあって、アモルファス炭素の安定化層によって保護される、第2に、立体障害の考慮であるその作用は、存在する遊離基の数に関わりなくグラフトを制限することである。このモデルには、以下の点がまとめられている。最大の抵抗値ジャンプステップが生じる量。-ポリマーを構成するモノマーは、それが持ちうる遊離基の数について均等なチャンスを有する。遊離基の数は最表面からイオンの軌跡の終わりまでの間で減少していく。-これらの遊離基が安定化層に蓄積され、その数はグラフトの瞬間まで一定である。グラフト用のモノマーのグラフト処理は、ポリマーを構成するモノマーの大きさによって制限される。グラフトされるモノマーの大きさがポリマーを構成するモノマーの大きさに匹敵する場合、ポリマーを構成するモノマーに複数のモノマーをグラフトすることはできない。グラフトには以下の規則がある。すなわち、ポリマーを構成するモノマーにグラフトできるモノマーの数Ngは、Lp>Lgとした場合、Lp/LgからLp/Lg-1の範囲となる。ここで、Lgはグラフトされるモノマーの長さであり、Lpはポリマーを構成するモノマーの長さである。Lp<Lgとした場合、NgはLp/Lg1に等しくなる。グラフトされたモノマーは殺菌性金属イオンと弱結合する。グラフトされたモノマーと結合する殺菌性イオンの数は、その化学組成を考慮することで求められる。例えば、グラフトされたモノマーがアクリル酸などであれば、キレート化によって収容できるのはAg又はCu2イオン1つだけである。その1つは、水酸基OHの2つの非結合性ダブレットのうちの1つと結合する。これらの仮定から、発明者は以下の公式を確立することができた:Nion=1/2602×1023EpKANionは、蓄積及び放出することの可能な単位面積あたりの殺菌性イオンの数を示す。1/2:最表面からイオンの軌跡の終わりまでに遊離基が直線的に減少することを考慮した補正要因を示す。Ep:イオン衝撃及びグラフトの厚みを示す。この厚みは、イオンのエネルギ及び性質と、ポリマーの性質とによって決まり、TRIMSRIMソフトウェアを用いて計算することができる。ρ:ポリマーのバルク密度を示すMmol:ポリマーを構成するモノマーのモル重量を示すK:ポリマーを構成するモノマー1つにつきグラフトされるモノマーの平均数を示す-Lp>Lgの場合、KはLp/LgからLp/Lg-1の範囲にあり、平均値は、K=2×Lp/Lg-1/2で得られる。-Lp<Lgの場合、K=Lp/Lg1である。-この数値Kは、実験によって精度を上げたり修正したりしてもよいし、更には実験から直接導き出してもよい。これを実現するには、RBSとして知られる技術を用いる。当該技術を用いれば、層ごとにスプレーを行うことで、質量分析によってスプレーされた元素の構成を導き出すことができる。例えば、グラフトされたアクリル酸の存在に起因する単位面積あたりの酸素原子の数を評価し、単位面積あたりのアクリル酸モノマーの数を導き出すことができる。先ず、アクリル酸モノマー1つにつき2つの酸素原子が必要であることが分かっており、次いで、これらの原子がポリマーから生じることはありえないことが分かっているからである。実験的な補正要因の適用によって、数値Kは修正することができる。数値Aは、グラフトされたモノマー1つにつき結合される蓄積、放出可能な金属イオンの数である。数値Aはグラフトされたモノマーの化学組成から導き出される。例えば、銀アクリル酸塩モノマーの場合、グラフトされたアクリル酸塩モノマー1つには、銀イオンAgが1つだけ存在する:A=1。別の例として、アクリル酸モノマーの場合、1つの水酸基OHに銀イオンAgは1つだけ、キレート化によって結合される:A=1。このモデルでは、蓄積可能な金属イオンは全てが完全に放出可能であると推定される。この数値Aは、1μgマイクログラム程度の非常に微妙な測定値から、修正又は導き出され、当該測定値は微量天秤を用いて得られる。これを行うには、グラフトされたポリマーの殺菌性金属イオン溶液への浸漬の前後の重量差μg/cm2で表す、あるいは、グラフト処理され、殺菌性金属イオンがロードされたポリマーの脱イオン水への浸漬の前後の重量差を評価する必要がある。そうすれば、実験的な補正要因の適用によって、数値Aは修正することができる。単位面積あたりの電荷Csは、単位面積につき蓄積され放出される殺菌性金属イオンの質量として定義されるが、以下の式で導き出すとができる。Cs=Nion/Nat×ρNionは単位面積あたりの蓄積、放出可能な殺菌性金属イオンの数を示す。ρは、殺菌性金属イオンの発生源である金属のバルク密度を示す。Natは、殺菌性金属イオンの発生源である金属の単位量あたりの原子の数を示す。この式を用いれば、ポリマーのグラフト層に蓄積され放出されるイオンの数の推定値を得ることができ、所定量の流体に関する殺菌効果を推計、予測することができる。例えば以下の場合について考える。すなわち、安定化層と最適な遊離基溜まり最大の抵抗値ジャンプステップが得られるように算出された異なる量の3種類のイオン、He、N、Arを用い、同じエネルギでイオン衝撃をPPポリプロピレンに与え、イオン衝撃の後には、アクリル酸でグラフトが行われ、最終的に銀又は銅の溶液に浸漬される、という場合である。式のパラメータは以下の値で初期設定される。ポリマーPPのバルク密度:ρ=09g/cm3グラム/立方センチメートル。ポリマーのモノマーのモル重量:Mmol=42gグラムモノマー:CH2=CH-CH3。ポリマーを構成するモノマー1つにつきグラフトされるモノマー数の推計値:K=05。グラフトされるモノマーCH2=CH-COOHのサイズは、ポリマーCH2=CH-CH3のモノマーのそれにほぼ匹敵する。グラフトされたモノマー1つに対して結合する金属イオンAg又はCu2の数の推計値:A=1。蓄積され放出される、殺菌性金属イオンの表面ロード量を計算し、これを殺菌濃度閾値に関する知識と組み合わせて考えた場合、効果的な殺菌作用を備えることのできる流体量の予測が可能となる。一例として、イオン衝撃及びグラフト処理のパラメータが固定の場合、Agイオンの溶液への浸漬の後に、表6に示す表面ロード推計値が得られる。Heでイオン衝撃を与え、アクリル酸でグラフトし、その後Agイオンの溶液で浸漬した層によって蓄積され解放されるAgイオンの表面ロードは、およそ19cm3の流体量を処理する場合には高い殺菌特性を有することが分かるAgの殺菌濃度は20ppm、言い換えれば、20μg/cm3である。Nによるイオン衝撃の場合、蓄積され放出されるAgイオンの表面ロードはより低いものとなるが、それでも、065cm3の処理には有効である。Arによるイオン衝撃の場合、蓄積され放出されるAgイオンの表面ロードを利用すれば、厚み2mmの流体膜を処理することができる。従って、本発明の方法により処理される表面の殺菌特性は、想定される用途が流体の液滴を対象とするのか流体膜を対象にするか、などに応じて調整することができる。固定のパラメータでイオン衝撃を与えグラフト処理した後にCu2イオンの溶液への浸漬を行う場合については、表7に示す表面ロード推計値が得られる。Agイオンの場合と同じ方法では、Heでイオン衝撃を与え、アクリル酸でグラフトし、その後Cu2イオンの溶液に浸漬して得られた層に蓄積され解放されたCu2イオンのロードは、21cm3程度の流体量の処理の場合には、高い殺菌特性を有することが分かるCu2の場合の殺菌濃度閾値は10ppm、言い換えると10μg/cm3に等しい。所定の1種類のイオンに対して用いる別の手法があり、それは、イオンのエネルギを調節するというものである。言い換えると、処理厚みEpの深さを調整して、殺菌濃度閾値殺菌性金属イオンに固有な値を上回るのに充分な殺菌性金属イオンのロードが蓄積され、所定の量及び接触面積を有する流体に放出されるようにする。流体に放出することのできる金属イオンのロードは、殺菌性表面と流体との接触面積に比例する。一例として、35keV、50keV、70keVの3通りのエネルギにより、窒素イオン1種類のみでイオン衝撃を与え、アクリル酸でグラフトした後に、Cu2銅の溶液に浸漬したPPの場合を挙げる。ここでは、接触面積が1cm2で量が1cm3の流体量において10μg/cm3に等しい殺菌濃度閾値を上回ることのできるエネルギを特定する目的で、各々のエネルギに対して蓄積されて放出可能となったCu2イオンの表面ロードを推計する。表面ロード推計値を表8に示す。この表から分かるのは、およそ60keVのエネルギがあれば、1cm2の面積上に広がる1cm3を処理するのに充分な10μg/cm2の殺菌性電荷を生じさせることができる、ということである。本発明の方法を用いれば、最適な特性親水性、疎水性、抗菌性、金属イオン交換体を有するグラフト層の形成が可能となるイオン衝撃パラメータを決定することができ、多くの実施条件を開放しておくことができるグラフトすされるモノマーの溶液の性質、温度、濃度、そして、グラフトされた層にロードされる金属イオン。これら実施条件が影響を与えるのは化学反応速度の点結果を得る速度だけである。これらの条件は結果自体にはほとんど影響しない。これらの実施条件は業者の権限の範囲内であり、業者は、生産率、経済的コストその他とのすりあわせを行う事前のテストの間に、これら条件を調節しなければならない。一般論として、発明者の推奨するところでは、事前のテストには40°Cを超えない温度の溶液を用いてグラフト前の遊離基の再結合を避け、同溶液の濃度は10容量未満として、殺菌性イオンを用いたグラフト処理中又はロード処理中の溶液の均質性を高いものとするのがよい。細菌類や真菌類へのAg、Cu2イオンの作用の範囲は部分的に重複する。細菌や真菌の処理においては、前者の方がより効果的であり、更に言えば、後者とは全く比較にならない。殺菌性表面のいくつかの具体例では、これらイオンの作用の範囲を広げることができる。そのための手法の一例を挙げれば、イオン衝撃を与えアクリル酸でグラフトしたPPを殺菌性のCu2及び/又はAgの金属イオン溶液の中に同時又は順番に一方向又は別方向に浸漬する。そうすると、最終的には、特定の殺菌性金属イオンの蓄積比率が得られる例えば、70が銀イオンAg、30が銅イオンCu2という比率で殺菌性金属イオンが蓄積される。図1は、本発明の方法によるイオン衝撃で作られる有機材料の厚み構造を示す。イオンXが厚みepenにわたって有機材料に入り込む際、その過程で遊離基を発生させる。その先の層3では、有機材料は本来の特性を維持している。好ましい点として、最表面遊離基は、領域2において迅速に結合し、架橋によって安定した層を形成する。当該安定した層は基本的に、厚みestabのアモルファス炭素によって構成される。これより深い位置にある遊離基は、厚みeradを有する、より反応性の高い層1を構成し、これはグラフト1に適している。この層1を遊離基溜まりrと呼ぶ。ここにある遊離基は、この後のモノマーMのグラフトに利用できる。ただし、ここで留意すべき点として、最表面で入射イオンから放出されるエネルギの量が不充分で、最表面において完全な架橋が実現されない場合には、領域2が存在しないこともありうる。こうして安定した層2が存在しない場合、有機材料の層は入射イオンXにアクセス可能な厚みにわたって、遊離基1の溜まりと結びつく。言い換えると、epenはeradと等しくなる。遊離基溜まり1は、その場合、直に外部に接することになる。第2のステップにおいて実行されるグラフトとは、上記のとおり存在しない場合もありうるアモルファス炭素2の安定化層を通して、モノマーMを有機材料の表面から遊離基溜まり1に向けて拡散させることである。遊離基溜まり1への拡散の後、モノマーMがrと反応することで、グラフト化学合成物gが生成されるが、これは、元のモノマーの親水性、疎水性、又は抗菌性の特性を備える。厚みeradは20nmから3000nmの範囲にあり、これら数値は、入射イオンのエネルギを考慮することで得られる、これらイオンの軌跡の最小値、最大値に対応する。厚みestabは、処理される厚みに応じて、さらには、完全に架橋する場合、わずかに架橋する場合、あるいは架橋しない場合に応じて変化し、0nmから3000nmの範囲でアモルファス炭素が形成される。この場合の規則は、epen=eradestabで表される。図2は、周囲環境における表面抵抗の経時変化を示す。1処理されていない有機材料曲線1。本質的に強い絶縁性を有する。2本発明の方法を用いて処理した同じ有機材料曲線2。最適な遊離基の最適化された溜まりを有する。このことは、期間dの後に見られる抵抗値ジャンプステップhによって容易に確認される。この遅延は、環境中の酸素がアモルファス炭素層1を通って拡散するのに要する時間に対応している。この層1が厚いほど、遅延も長くなる。3イオン量を増やして処理した同じ有機材料曲線3。架橋によって厚いアモルファス炭素層が生じ、これは、抵抗が小さく、時間が経っても非常に安定している。横座標Tは時間を表し、縦座標Rは表面抵抗単位はΩ/□を表す。図3は、実験で得られたポリカーボネートの表面抵抗の経時変化を、4種類の異なるヘリウム量について示している。ヘリウム量は、1015ions/cm2曲線1、25×1015ions/cm2曲線2、5×1015ions/cm2曲線3、25×1016ions/cm2曲線4である。抵抗の測定はIEC規格60093に従って行った。本方法で用いた抵抗測定法では、1015Ω/□以上の抵抗を計測することはできなかった。計測できなかった部分はグラフでは、1015Ω/□を超えた位置の範囲Nで示されている。横座標はサンプルが処理されてから表面抵抗が計測されるまでの時間を示し、単位は日数である。縦座標は表面抵抗の計測値を示し、単位はΩ/□である。ヘリウム量が1015ions/cm2の場合に対応する曲線1からは、本発明の方法を用いた処理の後、抵抗値は1ヵ月をかけて15×1016Ω/□から5×1012Ω/□へと約3桁下がり、その後突然、元の値である約15×1016Ω/□を回復したことが分かる。3桁の抵抗値ステップは、30日目あたりの段差の形で明らかに見て取ることができる。この抵抗値ステップは、空気中の酸素と迅速に結合する深層遊離基溜まりの存在を明らかにしている。いかなる特定の科学的理論にも拘束されるものではないが、この30日という期間は、環境中の酸素が拡散して、周囲環境と遊離基溜まりとの間に介在する最表面の比較的アモルファスな炭素の層を通過するのに要する時間を示しているはずである。それぞれ、25×1015ions/cm2、5×1015ions/cm2、25×1016ions/cm2のヘリウム量に対応する曲線2、3、4からは、120日超の期間、表面抵抗がほぼ1011Ω/□、5×109Ω/□、15×108Ω/□の値で安定していることが分かる。いかなる特定の科学的理論にも拘束されるものではないが、25×1015ions/cm2を上回る量を用いて得られる層は、非常に安定している。これは、極めてわずかな遊離基しか含まれていないためだと考えられる。これらの層は完全な架橋の賜物であり、これによって、アモルファス炭素原子の層が形成されることになる。表面抵抗の測定は、モノマーの最適な深層グラフトを可能にするイオン量この例では1015ions/cm2を特定する方法として効果的なものである。本発明の方法では、一般論として、抵抗値ジャンプステップが最大となる量を特定することを推奨する。この特定処理に要する時間を短縮するためには、サンプルの温度を高くすることで、環境中の酸素の拡散速度を上げるのがよいであろう。図4は抗菌層を形成するための実施形を示す。ここでは、イオンXを用いたイオン衝撃をポリマーに加えることで遊離基溜まり1を作り出す。複数種のモノマーMを含んだ単一の溶液への浸漬によって、当該遊離基溜まりでモノマーMのグラフトが実現される。モノマーMは、グラフト可能部分Gxと当該Gxに弱結合する殺菌性金属イオンmxとから成る。グラフトの実行が終わると、蓄積されていた殺菌性金属イオンmxは、ステップaにおいて、安定化層2を通って放出され、その殺菌効果を発揮する。使用できる殺菌性金属イオンの例としては、銀アクリル酸塩CH2=CH-COOAgがある。図5は、抗菌層を形成するための第2の実施形を示す。ここでは、第1のステップとして、イオンXを用いたイオン衝撃をポリマーに加えることで遊離基溜まり1を作り出し、モノマーを含んだ溶液への浸漬によって、当該遊離基溜まりでモノマーMのグラフトが実現される。それに続いて、第2のステップとして、グラフトされたモノマーを殺菌性金属イオンmxの溶液に浸漬する。当該殺菌性金属イオンmxは、サブステップaにおいて拡散して安定化層2を通過し、蓄積されて層1のモノマーMに弱結合キレート化する。その結果、サブステップbでは、再び拡散して安定化層2を通過し、殺菌作用を発揮することができる。ここで挙げる例では、アクリル酸の溶液中でグラフトを行い、硫酸銅溶液への浸漬でCu2イオンの蓄積を得る。図6は、グラフト層1に蓄積されていた殺菌性金属イオンmxが、液滴4の形で層2の表面に置かれた流体の中に拡散する様子を示す。抗菌作用が発揮されるのは、流体に拡散する金属イオンの量が閾値殺菌濃度Agイオンで20ppm、すなわち20μg/cm3、銅イオンCu2で10ppm、すなわち10μg/cm3と推計されるを上回った時である。同一体積Vの流体では、拡散速度は接触面積Sに応じて変化する。表面の親水性が大きいほど、接触面積も広がる。そして、殺菌性金属イオンの流体への拡散も高速化する。ある量の流体に拡散する殺菌性金属イオンの最大濃度はCs×S/Vに等しい。ここで、Csは抗菌性表面の殺菌性金属イオンの表面ロードである。加速電圧1000kVで得られるグラフトの深さからして、1000μg/cm3を上回る蓄積は不可能である。本発明の方法の各種の実施の形は、組み合わせることも可能である。有機材料はイオンビームに対して01mm/sから1000mm/sの範囲の速度VDで移動させればよい。これにより、サンプルを移動させて、ビームよりも大きい寸法の領域を処理することが可能となる。移動速度は一定でもよいし可変でもよい。1つの実施形では有機材料を移動させて、イオンビームは動かさない。また、別の実施形では、イオンビームを有機材料上に走らせる。イオンビームを移動させながら、有機材料を移動させることも可能である。1つの実施形では、有機材料の同じ領域を速度VDで複数回Nイオンビームの下を移動させる。こうすれば、N回の完了時には、当該領域が受けたイオン量の合計に相当するイオン量で有機材料の同一領域を処理することができる。また、留意すべき点として、有機材料の寸法が許す場合には、静止状態で1回又は複数回イオンのフラッシュを発する、という形で処理ステップを実現できるかもしれない。イオンビームによる処理の後、深層グラフトさせようとするモノマーを含んだ液体又は気体環境に浸漬する前に、有機材料に空気を通す。イオンビーム処理から浸漬までの経過時間は、可能な限り短くし、環境中の酸素と水分との結合を避けなければならない。浸漬温度の設定に当たっては、モノマーの拡散速度がイオンビーム下を通す際の移動速度に匹敵するものとなるようにして、環境温度に戻る過程で有機材料の特性の変化が誘起されないようにするべきである。当業者であれば、添付の特許請求の範囲で定められる本発明の範囲から逸脱しない形で、様々な変更を施すことが可能であろう。