原版および投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、前記原版を保持し、前記投影光学系の光軸に直交し、かつ互い直交する第1方向および第2方向のそれぞれに可動で、前記第1方向の位置計測に用いられる第1マークおよび前記第2方向の位置計測に用いられる第2マークを備えた原版保持部と、前記基板を保持し、前記第1方向および前記第2方向のそれぞれに可動で、前記第1方向の位置計測に用いられる第3マークおよび前記第2方向の位置計測に用いられる第4マークを備えた基板保持部と、前記第1マーク、前記投影光学系、および前記第3マークを通過した光量、および、前記第2マーク、前記投影光学系、および前記第4マークを通過した光量をそれぞれ検出する検出部と、前記検出部の出力に基づいて、前記第1方向および前記第2方向における前記原版保持部と前記基板保持部との位置合わせを行わせる制御部と、を備え、前記制御部は、前記原版保持部と前記基板保持部との相対移動を、前記第1方向および前記第2方向において並行して行わせ、前記検出部の出力に基づき前記位置合わせを行わせ、かつ、前記位置合わせが行えるように、前記第1マークの前記第2方向の長さまたは前記第3マークの前記第2方向の長さの一方は、他方より大きく、また、前記第2マークの前記第1方向の長さまたは前記第4マークの前記第1方向の長さの一方は、他方より大きく、このとき、すべての前記長さは、前記投影光学系の物面または像面のいずれかにおける長さである、ことを特徴とする露光装置。前記第1マークの前記第2方向の長さをL1Yとし、前記第2マークの前記第1方向の長さをL1Xとし、前記第3マークの前記第2方向の長さをL2Yとし、前記第4マークの前記第1方向の長さをL2Xとし、前記第1方向における前記相対移動の量をDXとし、前記第2方向における前記相対移動の量をDYとすると、L1Y≧L2Y2×DY、または、L2Y≧L1Y2×DY、およびL1X≧L2X2×DX、または、L2X≧L1X2×DXが成立するように構成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記制御部は、前記位置合わせのなされた状態で、前記光軸の方向における前記原版保持部と前記基板保持部との相対移動を行わせ、前記検出部の出力に基づいて、前記第1方向に関する合焦状態における前記原版保持部と前記基板保持部との相対位置、および、前記第2方向に関する合焦状態における前記原版保持部と前記基板保持部との相対位置を求める、ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。前記検出部は、光電変換素子を含む、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の露光装置。請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。しかしながら、特許文献1に示すようなTTLオートフォーカスによる合焦位置の検出方法では、工程数が多い。例えば、合焦位置計測の準備工程として、レチクルステージとウエハステージとのX軸およびY軸の各方向に対する位置合わせ計測工程があるが、従来の露光装置では、まずX軸方向の位置合わせ計測工程を実施し、次にY軸方向の位置合わせ計測工程を実施する。したがって、位置合わせ計測に要する時間が多く、結果的に露光装置の生産性を低下させる。本発明は、原版保持部と基板保持部との位置合わせに要する時間の短さの点で有利な露光装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、原版および投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、原版を保持し、投影光学系の光軸に直交し、かつ互い直交する第1方向および第2方向のそれぞれに可動で、第1方向の位置計測に用いられる第1マークおよび第2方向の位置計測に用いられる第2マークを備えた原版保持部と、基板を保持し、第1方向および第2方向のそれぞれに可動で、第1方向の位置計測に用いられる第3マークおよび第2方向の位置計測に用いられる第4マークを備えた基板保持部と、第1マーク、投影光学系、および第3マークを通過した光量、および、第2マーク、投影光学系、および第4マークを通過した光量をそれぞれ検出する検出部と、検出部の出力に基づいて、第1方向および第2方向における原版保持部と基板保持部との位置合わせを行わせる制御部と、を備え、制御部は、原版保持部と基板保持部との相対移動を、第1方向および第2方向において並行して行わせ、検出部の出力に基づき位置合わせを行わせ、かつ、位置合わせが行えるように、第1マークの第2方向の長さまたは第3マークの第2方向の長さの一方は、他方より大きく、また、第2マークの第1方向の長さまたは第4マークの第1方向の長さの一方は、他方より大きく、このとき、すべての長さは、投影光学系の物面または像面のいずれかにおける長さである、ことを特徴とする。本発明によれば、例えば、原版保持部と基板保持部との位置合わせに要する時間の短さの点で有利な露光装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。まず、本発明の一実施形態に係る露光装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置1の構成を示す概略図である。この露光装置1は、半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程のうちのリソグラフィー工程にて使用され、基板被処理基板であるウエハやガラスプレートに対して露光処理を施すものである。特に、本実施形態の露光装置1は、ステップアンドリピート方式、またはステップアンドスキャン方式を採用する走査型投影露光装置とする。なお、図1以下の各図において、基板に向かう光軸方向にZ軸を取り、該Z軸に垂直な平面内で走査露光時の走査方向第2方向にY軸を取り、該Y軸に直交する非走査方向第1方向にX軸を取って説明する。露光装置1は、照明系2と、原版3を保持する原版ステージ4と、投影光学系5と、基板6を保持する基板ステージ7と、上記の各構成要素の動作などを制御する制御系8とを備える。照明系2は、不図示の光源を含み、原版3を照明する。光源としては、例えば、パルスレーザ光源や、一または複数の連続光源水銀ランプやキセノンランプなどが使用可能である。ここで、露光のオン/オフは、パルス光源を使用する場合には、パルスレーザ光源への供給電力の制御により切り換え、一方、連続光源を使用する場合には、照明系2内に備えるシャッターにより切り換えられ得る。または、照明系2内に備える可変視野絞りの開閉によって露光のオン/オフを切り換える場合もある。原版3は、例えば石英ガラス製であり、その表面には基板に転写されるべきパターンが形成されている。また、原版ステージ原版保持部4は、原版3を載置および保持しつつ、X軸およびY軸の各方向に可動とするステージ装置である。ここで、原版ステージ4は、ステップアンドスキャン方式による走査露光を行う際には、Y軸方向にスキャン移動する。また、原版ステージ4は、その外周部に不図示の移動鏡を設置しており、原版ステージ4の位置は、移動鏡に向けてレーザビームを投射し、その反射光を受光するレーザ干渉計の出力に基づいて計測される。図2は、Z軸方向上面から見た原版ステージ4を示す平面図である。原版ステージ4は、その表面に、原版3の載置領域4aと、該載置領域4aの一外周領域に形成される複数の原版側合焦用マーク10とを有する。原版側合焦用マーク10は、図2に示すように、例えば3つの原版側合焦用マーク10a~10cから構成されている。これらの各原版側合焦用マーク10a~10cは、それぞれXY平面において、Y軸方向を長手方向とする複数の開口部スリットで構成された垂直方向のマークと、X軸方向を長手方向とする複数の開口部で構成された水平方向のマークとを有する。以下、上記の垂直方向のマークをVVerticalマークM1Vと表記し、一方、上記の水平方向のマークをHHorizontalマークM1Hと表記する。なお、各VマークM1VおよびHマークM1Hについては、以下で詳説する。投影光学系5は、照明系2から原版3に照射された照射光により、原版3に形成されたパターンを等倍または所定倍率例えば1/4または1/5で基板6の表面上に投影する。基板6は、その表面にレジスト感光剤が塗布されたウエハまたはガラスプレートなどの被処理基板である。基板ステージ基板保持部7は、基板6を載置および保持しつつ、少なくともXYZの3軸方向に可動とするステージ装置である。ここで、走査露光を行う際には、基板ステージ7は、Y軸方向にスキャン移動する。また、基板ステージ7は、原版ステージ4と同様に、その外周部に不図示の移動鏡を設置しており、基板ステージ7の位置は、移動鏡に向けてレーザビームを投射し、その反射光を受光するレーザ干渉計の出力に基づいて計測される。この基板ステージ7も、原版側合焦用マーク10によるマーク像の照射位置に対応した表面に、原版側合焦用マーク10と同種で、基板6の載置領域に対して、その外周領域に形成される複数の基板側合焦用マーク11を有する。具体的には、基板側合焦用マーク11は、不図示であるが、3つの原版側合焦用マーク10a~10cにそれぞれ対応した3つの基板側合焦用マークからなり、その高さは、基板ステージ7に基板6を載置した際の基板6の上面の高さと略同一とする。さらに、基板ステージ7は、各基板側合焦用マーク11の直下に、基板側合焦用マーク11の開口部を通過した光を検出する光検出部検出部12を備える。この光検出部12としては、例えば光電変換素子や各種センサなどが採用可能である。なお、光検出部12については、以下で詳説する。制御系8は、例えばコンピュータなどで構成され、露光装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御系8は、少なくとも原版ステージ4および基板ステージ7の動作を制御するステージ制御系13と、光検出部12による出力に基づいて自動で最良結像面ベストフォーカス面を検出する自動合焦制御系14とを含む。なお、制御系8は、露光装置1の他の部分と一体で構成してもよいし、露光装置1の他の部分とは別の場所に設置してもよい。次に、本実施形態の一特徴である原版側合焦用マーク10および基板側合焦用マーク11の形状について説明する。まず、比較例として、従来の原版側合焦用マークおよび基板側合焦用マークの形状について説明する。図3a、bは、それぞれZ軸方向上面から見た、従来の原版側合焦用マーク20および基板側合焦用マーク21を示す平面図である。投影光学系5の物面にある原版側合焦用マーク20では、図3aに示すように、それぞれ複数の開口部からなるVマークM1V ́とHマークM1H ́とが互いに隣接し、かつ、各マークM1V ́、M1H ́の長さは、それぞれ開口部を並べた横幅と略同一である。一方、投影光学系5の像面にある基板側合焦用マーク21も、図3bに示すように、原版側合焦用マーク20の各マークM1V ́、M1H ́と略同一形状マーク像と同一形状のVマークM2V ́とHマークM2H ́とを有する。これに対して、図4a、bは、それぞれZ軸方向上面から見た、本実施形態の原版側合焦用マーク10および基板側合焦用マーク11を示す平面図である。本実施形態では、原版側合焦用マーク10におけるVマークM1V第1マークの開口部の長手方向の長さと、基板側合焦用マーク11におけるVマークM2V第3マークの開口部の長手方向の長さとは、それぞれ異なる。これは、他方の原版側合焦用マーク10におけるHマークM1H第2マークおよび基板側合焦用マーク11におけるHマークM2H第4マークについても同様である。例えば、図4aに示すように、原版側合焦用マーク10におけるVマークM1Vの開口部の長手方向の長さをL1Yとし、HマークM1Hの開口部の長手方向の長さをL1Xとする。一方、図4bに示すように、基板側合焦用マーク11におけるVマークM2Vの開口部の長手方向の長さをL2Yとし、HマークM2Hの開口部の長手方向の長さをL2Xとする。また、後述する位置合わせ計測において要求されるX軸方向への原版ステージ駆動量をDXとし、一方、Y軸方向への原版ステージ駆動量をDYとする。このとき、本実施形態では、上記長さL1YおよびL1Xには、以下に示す式1および式2が成立する。L1Y≧L2Y2×DY1L1X≧L2X2×DX2次に、原版側合焦用マーク10におけるVマークM1VおよびHマークM1Hの開口スリットの長さL1Y、L1Xを、上記のように式1、2の値以上に設定した場合の光検出部12の構成について説明する。まず、比較例として、従来の光検出部の構成について説明する。図5は、基板側合焦用マーク21の直下に位置する従来の光検出部23を示す断面図である。例えば、光検出部23として光電変換素子を採用すると仮定すると、光電変換素子は、基板側合焦用マーク21のVマークM2V ́およびHマークM2H ́を通過した光を1つの受光部23aで受光し、その出力から光量を測定することが可能である。これに対して、図6は、基板側合焦用マーク11の直下に位置する本実施形態の光検出部12を示す断面図である。この場合も光検出部12として光電変換素子を採用すると仮定すると、本実施形態の光検出部12は、基板側合焦用マーク11のVマークM2VおよびHマークM2Hを通過した光を、それぞれ個別に受光する複数ここでは2つの受光部12a、12bを有する。この場合、2つの受光部12a、12bによる各出力から、VマークM2VおよびHマークM2Hを通過した光の光量を個別に測定することが可能である。次に、上記のような原版側合焦用マーク10および基板側合焦用マーク11、ならびに光検出部12を用いたTTLオートフォーカスによる合焦位置の補正について説明する。通常、投影露光装置では、基板の表面と投影光学系のベストフォーカス面とを高精度に合致させることが求められる。そこで、露光装置は、原版に形成されたパターンの像を基板上の所定の位置ショットに露光するにあたり、原版ステージと基板ステージとのX軸およびY軸の各方向に対する位置合わせを行い、ここで取得した最適位置を参照して合焦位置の検出を実施する。従来、各合焦用マーク20、21のX軸方向に対する位置合わせは、原版側合焦用マーク20のVマークM1V ́によるマーク像光のうち、基板ステージをX軸方向に駆動したときのVマークM2V ́を通過したものの光量の変化に基づいて最適位置を求める。同様に、各合焦用マーク20、21のY軸方向に対する位置合わせは、原版側合焦用マーク20のHマークM1H ́によるマーク像のうち、基板ステージをY軸方向に駆動したときのHマークM2H ́を通過したものの光量の変化に基づいて最適位置を求める。すなわち、位置合わせ計測に必要な基板ステージの駆動方向は、互いに直交している。ここで、従来の光検出部23は、図5に示すように、1つの受光部23aにてVマークM2V ́およびHマークM2H ́を通過した光の両方を受光する構成であるため、制御部は、それぞれの通過光の光量の変化を個別にモニタリングすることが不可能である。そこで、本実施形態の光検出部12は、図6に示すように、VマークM2VおよびHマークM2Hを通過した光をそれぞれ個別に受光する2つの受光部12a、12bを有する。この場合、制御系8は、基板ステージ7をX軸方向に、かつ原版ステージ4をY軸方向にそれぞれ相対移動させつつ、受光部12a、12bからの各出力により、それぞれの光量の変化を同時にモニタリングすることで、同時に個別の位置合わせ計測が可能となる。ここで、図3a、bに示す従来例のように、原版側合焦用マーク20と基板側合焦用マーク21とを構成する各マークM1V ́、M2V ́または、M1H ́、M2H ́の開口部の長手方向の長さがそれぞれ等しい場合には、高精度な位置計測が難しい。この理由として、以下、一例であるが、従来のVマークM1V ́、M2V ́を用いた場合の原版ステージのY軸方向駆動によるX軸方向の計測側から見た光量の変化への影響について、図7を用いて説明する。図7は、従来のマーク像の検出を説明するためのX軸方向から見た原版ステージ、投影光学系、および基板ステージの位置関係と、受光部23aに入射する光の状態とを示す断面図である。特に、図7aは、位置計測の開始時、図7bは、位置計測の中間地点、また、図7cは、位置計測の終了直前の場合を示し、順に時系列となっている。なお、図7において、原版ステージ、投影光学系、および基板ステージには、便宜上、図1に示す本実施形態の露光装置1の構成と同一の符号を付す。ここで、原版側合焦用マーク20と基板側合焦用マーク21とは、開口部の長手方向の断面を表している。また、図7では、X軸方向の位置計測において同時に必要となる基板ステージ7のX軸方向の駆動については、図面の奥から手前への方向となるため図示されない。さらに、この例では、HマークM1H ́、M2H ́を用いてY軸方向の位置計測も同時に実施されるが、この場合には、原版ステージ4は、時系列でY軸方向に駆動し、原版側合焦用マーク20もY軸方向に移動することとなる。まず、図7aにおいて、同時に実施されるY軸方向の位置計測のための原版ステージ4のY軸方向の駆動も同様に開始時であるため、原版側合焦用マーク20および基板側合焦用マーク21のY軸方向に対する位置ずれは、ほとんどない。したがって、VマークM1V ́を通過した光のほぼ全てが、VマークM2V ́を通過して、受光部23aに入射する。次に、図7bにおいて、同時に実施される原版ステージ4のY軸方向の駆動も開始するため、VマークM1V ́とVマークM2V ́とには、Y軸方向に対する位置ずれが発生する。したがって、VマークM1V ́を通過した光の一部は、VマークM2V ́の周辺の遮光部24により遮光され、受光部23aに入射する光の光量が減少する。そして、図7cにおいて、同時に実施される原版ステージ4のY軸方向の駆動も、図7bの状態からさらに進行するため、VマークM1V ́とVマークM2V ́とのY軸方向に対する位置ずれもさらに大きくなる。したがって、遮光部24により遮光される遮光量が増大し、受光部23aに入射する光の光量もさらに減少する。このように、従来の各合焦用マーク20、21の構成でX軸方向とY軸方向との位置計測を同時に実施すると、光検出部23の出力には、原版ステージ4のX軸方向の駆動による所望の光量変化成分に加え、Y軸方向の駆動による光量変化成分も加算されてしまう。すなわち、光検出部23による光量の出力変化に基づいて最適位置を求める位置合わせ計測では、高精度な位置計測が困難である。これに対して、本実施形態の原版側合焦用マーク10では、上記のように、VマークM1VとHマークM1Hとの開口部の長手方向のそれぞれの長さL1Y、L1Xを、式1、2の値よりも大きく設定する。さらに、光検出部12も、上記のように、VマークM2VおよびHマークM2Hを通過した光をそれぞれ個別に受光する受光部12a、12bを有する。以下、本実施形態のVマークM1V、M2V、および光検出部12受光部12a用いた場合の原版ステージ4のY軸方向駆動によるX軸方向の計測側から見た光量の変化への影響について、図8を用いて説明する。図8は、本実施形態におけるマーク像の検出を説明するためのX軸方向から見た原版ステージ4、投影光学系5、および基板ステージ7の位置関係と、受光部12aに入射する光の状態とを示す断面図である。特に、図8aは、位置計測の開始時、また、図8bは、位置計測の終了直前の場合を示し、図7aおよび図7cにそれぞれ対応している。まず、図8aにおいて、原版側合焦用マーク10を構成するVマークM1Vの開口部の長手方向の長さは、上記のように、VマークM2Vの開口部の長手方向の長さに位置合わせ計測に、必要な原版ステージ4の駆動量の2倍を加えた値以上である。すなわち、投影光学系5を介して基板ステージ7の表面上のベストフォーカス位置に投影されるマーク像は、基板側合焦用マーク11のVマークM2Vの開口部の長さに対して長くなる。そして、図8bにおいて、同時に実施される原版ステージ4のY軸方向の駆動がほとんど終了する場合でも、Y軸方向に対する位置ずれはあるものの、投影されるマーク像は、遮光部16により遮光されず、VマークM2Vの長手方向範囲から外れない。すなわち、受光部12aに入射する光の光量光量変化は、原版ステージ4のY軸方向への駆動の影響を受けず、受光部12aは、結果的に所望の基板ステージ7のX軸方向への駆動による光量のみを計測することが可能となる。なお、上記の例では、VマークM1V、M2Vを用いた場合の原版ステージ4のY軸方向駆動によるX軸方向の計測側から見た光量の変化への影響について説明したが、HマークM1H、M2Hを用いてX軸方向駆動によるY軸方向の計測側から見た場合も同様である。したがって、光検出部12は、X軸およびY軸の各方向の位置計測に要求される正確な光量を出力できるため、制御系8は、この出力に基づいて高精度な位置計測が可能となる。次に、露光装置1による合焦位置の補正の手順について説明する。図9は、本実施形態の合焦位置の補正の流れを示すフローチャート図である。まず、制御系8は、合焦位置の補正を開始すると、X/Y軸方向の位置合わせ計測を実行するステップS101。このステップS101では、まず、制御系8は、図1に示すように、ステージ制御系13により、原版側合焦用マーク10aに対して照明系2からの光15が照射される所定の位置に原版ステージ4を移動させる。次に、制御系8は、ステージ制御系13により、原版側合焦用マーク10aのVマークM1VおよびHマークM1Hによるマーク像の結像位置が、基板側合焦用マーク11aのVマークM2VおよびHマークM2Hにほぼ合致する位置に、基板ステージ7を移動させる。次に、制御系8は、光15を照射させた状態で、光検出部12の2つの受光部12a、12bの出力に基づく光量の変化を自動合焦制御系14によりモニタリングしながら、基板ステージ7をX軸方向に、原版ステージ4をY軸方向に同時に相対移動させる。このとき、受光部12aの出力は、原版側合焦用マーク10aのVマークM1Vによるマーク像の結像位置に対し、基板側合焦用マーク11aのVマークM2Vの位置が一致する状態で最大強度となる。したがって、制御系8は、この最大強度となるときの基板ステージ7のX軸方向の位置情報をステージ制御系13から取得することで、X軸方向の最適位置を求めることができる。同様に、受光部12bの出力は、原版側合焦用マーク10aのHマークM1Hによるマーク像の結像位置に対し、基板側合焦用マーク11aのHマークM2Hの位置が一致する状態で最大強度となる。したがって、制御系8は、この最大強度となるときの基板ステージ7のY軸方向の位置情報をステージ制御系13から取得することで、Y軸方向の最適位置を求めることができる。次に、制御系8は、ステップS101にて得られた最適位置に基板ステージ7を移動させるマーク位置合わせ駆動を実行するステップS102。ここで、Y軸方向の最適位置への移動については、基板ステージ7または原版ステージ4のどちらでもよい。以上、X/Y軸方向の位置合わせ計測ステップS101およびマーク位置合わせ駆動ステップS102は、以降の合焦位置計測ステップS103を精度良く実施するための準備工程である。次に、制御系8は、原版側合焦用マーク10aと基板側合焦用マーク11aとがXY平面内で位置合わせされた状態で、VマークM1V、M2V、およびHマークM1H、M2Hを用いた合焦位置計測H/Vマーク合焦位置計測を実施するステップS103。この場合、制御系8は、光15を照射させた状態で、光検出部12の2つの受光部12a、12bの出力に基づく光量の変化を自動合焦制御系14により同時にモニタリングしながら、基板ステージ7をZ軸方向に駆動させる。このとき、制御系8は、基板ステージ7のZ軸方向の位置情報と光検出部12からの出力との関係を取得する。次に、制御系8は、ステップS103にて取得した基板ステージ7のZ軸方向の位置情報と光検出部12からの出力との関係から、合焦位置を算出するステップS104。図10は、基板ステージ7のZ軸方向の位置情報Z位置に対する光検出部12の出力の変化出力波形を示すグラフである。このステップS104では、制御系8は、図10に示す出力変化を参照して、以下のA~Dの方法を適用することで、合焦位置Z0を算出することができる。A光15の強度が最大となる基板ステージ7のZ位置を合焦位置Z0とする。B光15の最大強度に対して、予めある割合のスライスレベルを設定し、このスライスレベルの出力に対応する基板ステージ7のZ1、Z2の各位置から、Z0=Z1Z2/2として、合焦位置Z0を算出する。C光15の強度および基板ステージ7のZ位置に対して重心計算を行い、重心位置を合焦位置Z0とする。D光15の強度および基板ステージ7のZ位置に対して2次関数y=a×x2b×xcの近似を実行し、Z0=-b/2aとして合焦位置Z0を算出する。この場合、予めある割合のスライスレベルを設定し、このスライスレベル以上の光15の強度を示す基板ステージ7のZ位置から2次関数の近似を実行することが望ましい。以上の工程により、制御系8は、原版側合焦用マーク10aに対応する像高における合焦位置の算出を完了するが、他の原版側合焦用マーク10b、10cに対応するものについても、同様の手順にて合焦位置の算出を実行する。そして、制御系8は、ステップS104にて取得した合焦位置に向けて、基板ステージ7をZ軸方向に駆動しステップS105、合焦位置の補正を終了する。従来、合焦位置計測の準備工程であるX軸およびY軸方向の各位置合わせ計測では、X軸方向に原版ステージ4を駆動して計測する工程と、その後、Y軸方向に原版ステージ4を駆動して計測する工程との2つの工程を要していた。これに対して、本実施形態では、ステップS101に示すように、X軸方向とY軸方向とに対して原版ステージ4を同時駆動させ、並行して位置合わせ計測を実施する。したがって、位置合わせ計測に要する時間を短縮させることが可能となる。さらに、従来、VマークM1V ́、M2V ́、および、HマークM1H ́、M2H ́を用いた合焦位置計測では、HマークM1H ́、M2H ́による合焦位置計測工程と、その後、VマークM1V ́、M2V ́による合焦位置計測工程との2つの工程を要していた。これに対して、本実施形態では、ステップS103に示すように、VマークM1V ́、M2V ́、および、HマークM1H ́、M2H ́による合焦位置計測を同時に実施する。したがって、合焦状態における原版ステージ4と基板ステージ7との相対位置の計測である合焦位置計測に要する時間をも短縮させることが可能となる。なお、この合焦位置計測を同時に実施することで、各計測結果から算出された合焦位置の差から、投影光学系5の非点収差を得ることができるという利点もある。加えて、各合焦位置の平均位置を目標として基板ステージ7の位置を補正することで、原版3上の全方向に延びるパターンに関し、最適に露光を実施することができるという利点もある。以上のように、本実施形態によれば、位置合わせ計測に要する時間を短縮させ、さらには合焦位置計測に要する時間をも短縮させることができる。すなわち、合焦位置の補正全体に要する時間を短縮させることができるので、生産性の点で有利となる露光装置を提供することができる。なお、上記説明では、原版側合焦用マーク10におけるVマークM1Vの開口部の長手方向の長さが、基板側合焦用マーク11におけるVマークM2Vの開口部の長手方向の長さよりも長く設定するものとしたが、本発明は、これに限定するものではない。例えば、これとは逆に、基板側合焦用マーク11におけるVマークM2Vの開口部の長手方向の長さを、原版側合焦用マーク10におけるVマークM1Vの開口部の長手方向の長さよりも長くしても同様の効果を奏する。この場合、上記の式1および式2にそれぞれ対応する式3および式4が成立することになる。L2Y≧L1Y2×DY3L2X≧L1X2×DX4デバイスの製造方法次に、本発明の一実施形態のデバイス半導体デバイス、液晶表示デバイス等の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディングと、パッケージング工程封入を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。