絶縁基板の片面に電極パターンが、および上記絶縁基板の他の面に裏面電極が、それぞれ形成された半導体素子基板と、上記絶縁基板の表面で、上記電極パターンまたは上記裏面電極が形成されていない部分の少なくとも一部を覆う、樹脂製の応力緩和接着層と、上記電極パターンの、上記絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して固着された半導体素子と、この半導体素子および上記半導体素子基板を覆う第一の封止樹脂とを備え、上記応力緩和接着層の樹脂の弾性率は、上記第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。半導体素子基板の上記半導体素子が固着された側であって上記半導体素子基板の周辺部分に、上記半導体素子基板の周囲を囲むように設けられた半導体素子の高さよりも高い樹脂製の区画壁を備えるとともに、第一の封止樹脂が上記区画壁の内側を満たし、上記区画壁の樹脂の弾性率は上記第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。応力緩和接着層の樹脂と区画壁の樹脂とは同じ材料で形成されたことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。第一の封止樹脂および区画壁を覆う、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さい弾性率を有する第二の封止樹脂を備えたことを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。応力緩和接着層の樹脂または区画壁の樹脂の弾性率が30kPaから1GPaの範囲であり、第一の封止樹脂の弾性率が1GPaから20GPaの範囲であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。絶縁基板の片面に電極パターンが、および上記絶縁基板の他の面に裏面電極が、それぞれ形成された半導体素子基板と、上記電極パターンの、上記絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して固着された半導体素子と、上記半導体素子基板の上記半導体素子が固着された側であって上記半導体素子基板の周辺部分に、上記半導体素子基板の周囲を囲むように設けられた、半導体素子の高さよりも高い樹脂製の区画壁と、上記区画壁の内側を、上記半導体素子および上記半導体素子基板を覆うように設けられた第一の封止樹脂とを備え、上記区画壁の樹脂の弾性率は、上記第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。第一の封止樹脂および区画壁を覆う、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さい弾性率を有する第二の封止樹脂を備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。半導体素子がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイアモンドの半導体であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。請求項3に記載の半導体装置の製造方法であって、半導体素子基板を、樹脂注入穴を有する上治具と下治具で挟む工程と、上記上治具と上記下治具とで上記半導体素子基板を挟んだ状態で減圧環境に設置する工程と、この減圧環境で上記樹脂注入穴から未硬化の樹脂を注入する工程と、樹脂を注入した後大気圧環境下に取り出し、注入した樹脂を硬化させた後、上記上治具と上記下治具を取り外して脱型する工程とにより、区画壁および応力緩和接着層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1および特許文献2に開示されている方法では、半導体素子がSiCなどワイドバンドギャップ半導体素子になって、これまで以上に高温で動作したり、これに対応してヒートサイクル試験の温度が高温になったりすると、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりして、半導体装置の信頼性を著しく損ねる課題があった。この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。この発明は、絶縁基板の片面に電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極が、それぞれ形成された半導体素子基板と、絶縁基板の表面で、電極パターンまたは裏面電極が形成されていない部分の少なくとも一部を覆う、樹脂製の応力緩和接着層と、絶縁基板とは反対側の電極パターンの面に接合材を介して固着された半導体素子と、この半導体素子および半導体素子基板を覆う封止樹脂とを備え、応力緩和接着層の樹脂の弾性率を、封止樹脂の弾性率よりも小さくしたものである。この発明に係る半導体装置は上記のように構成されているため、高温動作に際して、応力緩和接着層により封止樹脂に生じる応力が緩和され、高温動作による動作不良を起こし難い信頼性の高い半導体装置を得ることができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置の基本構造を示す断面図、図2は封止樹脂、配線、および端子を取り除いて示す本発明の実施の形態1による半導体装置の基本構造の上面図である。図1は図2のA-A位置に相当する位置で切断した断面図であり、第一の封止樹脂12、配線13および端子14を含めて示している。絶縁基板1の上面に電極パターン2、裏面に裏面電極3が貼られた半導体素子基板4の電極パターン2の表面に半導体素子5、6がはんだなどの接合材7で固着されている。ここで、例えば半導体素子5は大電流を制御するMOSFETのような電力用半導体素子であり、半導体素子6は例えば電力用半導体素子5に並列に設けられる還流用のダイオードである。半導体素子基板4は裏面電極3側がベース板10にはんだなどの接合材70で固着されており、このベース板10が底板となり、ベース板10とケース側板11とでケースが形成され、このケース内に第一の封止樹脂12を注入してモールドする。各半導体素子には各半導体素子の電極などを外部に電気接続するための配線13が接続され、配線13が端子14に接続されている。半導体素子基板4は、絶縁基板1の上面に電極パターン2、裏面に裏面電極3が貼られたものであるが、絶縁基板1は、これら電極パターン2と裏面電極3で完全に覆われておらず、半導体素子基板4単体では絶縁基板1が露出している部分がある。本実施の形態1では、この半導体素子基板4において、絶縁基板1が露出している部分を、第一の封止樹脂12よりも弾性率が低い低弾性の樹脂で覆っている。本発明では、低弾性の樹脂の部分図1では符号8で示す部分を、応力緩和接着層と称する。本発明は、本実施の形態1のみならず他の実施の形態においても、電力用半導体素子として、150°C以上で動作する半導体素子に適用すると効果が大きい。特に、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaN系材料またはダイアモンドといった材料で形成された、珪素Siに比べてバンドギャップが大きい、いわゆるワイドバンドギャップ半導体に適用すると効果が大きい。また、図2では、一つのモールドされた半導体装置に半導体素子が4個しか搭載されていないが、これに限定するものではなく、使用される用途に応じて必要な個数の半導体素子を搭載することができる。電極パターン2、裏面電極3、ベース板10および端子14は、通常銅を用いるが、これに限定するものではなく、アルミや鉄を用いても良く、これらを複合した材料を用いても良い。また表面は、通常、ニッケルメッキを行うが、これに限定するものではなく、金や錫メッキを行っても良く、必要な電流と電圧を半導体素子に供給できる構造であれば構わない。また、銅インバー銅などの複合材料を用いても良く、SiCAl、CuMoなどの合金を用いても良い。また、端子14及び電極パターン2は、第一の封止樹脂12に埋設されるため、樹脂との密着性を向上させるため表面に微小な凹凸を設けても良く、化学的に結合するようにシランカップリング剤などで接着補助層を設けても良い。半導体素子基板4は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si3N4などのセラミックの絶縁基板1に銅やアルミの電極パターン2および裏面電極3を設けてあるものを指す。半導体素子基板4は、放熱性と絶縁性を備えることが必要であり、上記に限らず、セラミック粉を分散させた樹脂硬化物、あるいはセラミック板を埋め込んだ樹脂硬化物のような絶縁基板1に電極パターン2および裏面電極3を設けたものでも良い。また、絶縁基板1に使用するセラミック粉は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si3N4などが用いられるが、これに限定するものではなく、ダイアモンド、SiC、B2O3、などを用いても良い。また、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を用いても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な放熱性と絶縁性が得られる量が充填されていれば良い。絶縁基板1に用いる樹脂は、通常エポキシ樹脂が用いられるが、これに限定するものではなく、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などを用いても良く、絶縁性と接着性を兼ね備えた材料であれば構わない。配線13は、アルミまたは金でできた断面が円形の線体を用いるが、これに限定するものではなく、例えば断面が方形の銅板を帯状にしたものを用いても良い。また図1では、半導体素子に3本の配線しか施されていないが、これに限定するものではなく、半導体素子の電流密度などにより、必要な本数を設けることができる。また、配線13は、銅や錫などの金属片を溶融金属で接合しても良く、必要な電流と電圧を半導体素子に供給できる構造であれば構わない。応力緩和接着層8には、例えばシリコーン樹脂を用いるが、これに限定するものではなく、ウレタン樹脂やアクリル樹脂なども用いる事ができる。また、Al2O3、SiO2などのセラミック粉を添加して用いることもできるが、これに限定するものではなく、AlN、BN、Si3N4、ダイアモンド、SiC、B2O3などを添加しても良く、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を添加しても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量であれば良い。ただし、応力緩和接着層8の弾性率は、第一の封止樹脂12の弾性率よりも小さくなければならない。半導体素子が高温で動作すると、半導体素子の周囲にある第一の封止樹脂12や半導体素子基板4が熱膨張し、半導体素子が動作を止めると、熱収縮が起こる。すなわちヒートサイクルが生じる。第一の封止樹脂12は、半導体素子基板4の材料のうち電極パターン2や裏面電極3の材料例えば銅の線膨張係数に近い線膨張係数となるように調整されているため、絶縁基板1とは線膨張係数が異なる。従来の半導体装置では、半導体素子基板の電極パターン2や裏面電極3が形成されていない部分は、第一の封止樹脂12と絶縁基板1が直接接しているため、ヒートサイクルを繰り返すうちに、両者の線膨張係数の違いにより、第一の封止樹脂12と絶縁基板1との接触部分で、第一の封止樹脂12の剥離や亀裂が発生し、半導体装置の信頼性を著しく低下させていた。しかしながら、図1に示す本発明の実施の形態1による半導体装置では、第一の封止樹脂12で覆う前の半導体素子基板4単体において絶縁基板1が露出している部分に、第一の封止樹脂12よりも弾性率が低い樹脂の応力緩和接着層8を設けた。このため、ヒートサイクルが生じた場合、第一の封止樹脂12よりも低弾性、すなわち軟らかい応力緩和接着層8の部分で、膨張係数の違いにより発生する応力が緩和され、封止樹脂12の剥離や亀裂が生じ難くなり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。なお、図1、図2では、応力緩和接着層8を、半導体素子基板4において絶縁基板1が露出する部分全てを覆い、絶縁基板1が第一の封止樹脂12と接触する部分を無くした。しかし、必ずしも半導体素子基板4において絶縁基板1が露出する部分全てを応力緩和接着層8で覆う必要は無く、半導体素子基板4において絶縁基板1が露出する部分の一部、好ましくは露出する面積の80以上を応力緩和接着層8で覆っていれば良い。半導体素子基板4において絶縁基板1が露出する部分の面積が20以下であれば、第一の封止樹脂12の剥離や亀裂を防止する効果が十分にある。また、応力緩和接着層8は、電極パターン2の上面を覆っていても良いが、応力緩和接着層8が電極パターン2を覆う面積は、電極パターン2の表面積の50以下が好ましい。50を超えると、第一の封止樹脂12が電極パターン2と接着する面積が少なくなり、第一の封止樹脂12によって半導体素子基板4や半導体素子5、6を抑える力が小さくなり、ヒートサイクル時に接合材70が剥離を起こし、半導体装置の信頼性を低下させる可能性がある。実施の形態2.図3は、本発明の実施の形態2による半導体装置の基本構造を示す断面図である。図3において、図1と同一符号は、同一または相当する部分を示す。図3に示すように、本実施の形態2では、実施の形態1における応力緩和接着層8に加えて、半導体素子基板4の周辺を囲むように、樹脂製の区画壁9を設けた。この区画壁9で区切られた内部を第一の封止樹脂120で覆っている。また第一の封止樹脂120および区画壁9の外部は、第二の封止樹脂121で覆っている。図4に、第一の封止樹脂120、第二の封止樹脂121、端子14および配線13を取り除いた基本構造の上面図を示す。図3は図4のB-B位置に相当する位置で切断した断面図であり、第一の封止樹脂120、第二の封止樹脂121、端子14および配線13を含めて示している。区画壁9の材料としては、例えばシリコーン樹脂を用いるが、これに限定するものではなく、ウレタン樹脂やアクリル樹脂なども用いる事ができる。また、Al2O3、SiO2などのセラミック粉を添加して用いることもできるが、これに限定するものではなく、AlN、BN、Si3N4、ダイアモンド、SiC、B2O3などを添加しても良く、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を添加しても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量であれば良い。ただし、区画壁9の弾性率は、第一の封止樹脂120よりも小さくなければならない。また、区画壁9と応力緩和接着層8とは、異なる材料を用いても良いが、同じ材料が好ましい。異なる材料を用いる場合は、区画壁9と応力緩和接着層8は互いに接着する材料を用いる。区画壁と応力緩和接着層とを同じ材料で構成した場合の構造の断面図を図5に示す。図5において、図1、図3と同一符号は、同一または相当する部分を示す。図5の半導体装置では、半導体素子基板4の周辺部分の応力緩和接着層8を高く形成して、区画壁90を構成することにより、区画壁と応力緩和接着層とを同じ材料で形成している。すなわち、区画壁90の半導体素子基板4を覆う部分が応力緩和接着層を兼ねた構成となっている。さらに、配線に銅板配線130を用いた例を図6に示す。図6において、図1、図3および図5と同一符号は、同一または相当する部分を示す。銅板配線130の表面は、防錆のためにニッケル鍍金を用いてもよく、防錆剤などの化学的処理を行っても良い。また、各封止樹脂との密着性を高めるために、表面に凹凸を設けても良く、シランカップリング剤などの化学的処理を行っても良い。ここでは、配線として銅板を用いた例を示したが、端子と電気的に接続することができ、半導体素子とも電気的に接続することができ、必要な電流容量を確保できる材料であれば、銅以外の金属を用いても良い事は言うまでも無い。区画壁9、90の高さは、第一の封止樹脂120が半導体素子5や6を覆うように、半導体素子5や6の高さ以上であり、半導体装置のケース側板11の高さを超えない高さであれば構わない。また、区画壁9、90の幅は、絶縁基板1の大きさが100mm×100mm以下のサイズが多い事から、1~2mm程度が良いが、これに限定するものではなく、第一の封止樹脂120を区画するのに必要な幅であれば構わない。第二の封止樹脂121には、例えばシリコーン樹脂を用いるが、これに限定するものではなく、ウレタン樹脂やアクリル樹脂なども用いる事ができる。また、Al2O3、SiO2などのセラミック粉を添加して用いることもできるが、これに限定するものではなく、AlN、BN、Si3N4、ダイアモンド、SiC、B2O3などを添加しても良く、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を添加しても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量であれば良い。本実施の形態2では、半導体素子基板4の周辺部分に区画壁9や90を設けて、区画壁の内部を第一の封止樹脂120で覆い、区画壁9、90および第一の封止樹脂120を覆うように第二の封止樹脂121を設けた。応力緩和接着層8に加えて、区画壁9、90や第二の封止樹脂121を、第一の封止樹脂120よりも弾性率が低い材料で構成している。第一の封止樹脂120が硬化収縮やヒートサイクル時の熱応力を発生する際も、弾性率の低い区画壁で応力緩和するため、半導体素子基板4への応力負荷が小さくなる。また、半導体素子基板4の外部を弾性率の低い第二の樹脂121で封止することで、第一の樹脂120と同等の弾性率の樹脂で封止するよりも、ベース板や半導体素子基板に発生する応力負荷が小さくなる。この結果、第一の封止樹脂120が半導体素子基板4から剥離したり亀裂が生じたりするのを防止することができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。実施の形態3.図7は、本発明の実施の形態3による半導体装置の構造を示す断面図である。図7において、図1、図3および図5と同一符号は、同一または相当する部分を示す。図7に示すように、本実施の形態3では、半導体素子基板4の周辺を囲むように、第一の封止樹脂12よりも弾性率が低い樹脂製の区画壁90を設けた。また、本実施の形態3においては、半導体素子基板4上面の電極パターン2が無い部分に応力緩和接着層を設けていない。このように、本実施の形態3では、応力緩和接着層を設けず、半導体素子基板4の周辺を囲むように区画壁90を設けて、区画壁90の内部を第一の封止樹脂120で覆い、外部を第二の封止樹脂121で覆うようにした。区画壁90や第二の封止樹脂121を、第一の封止樹脂120よりも弾性率が低い材料で構成している。区画壁を設けたので第一の封止樹脂で封止する容量が少なくなり、区画壁や第二の封止樹脂に低弾性の樹脂を用いることで半導体素子基板やベース板にかかる応力負荷を減少できるため、第一の封止樹脂120が半導体素子基板4から剥離したり亀裂が生じたりするのを抑制する事ができる。応力緩和接着層を設けないと、第一の封止樹脂120と絶縁基板1の間に発生する熱応力は大きくなるため、実施の形態2よりも若干効果は低減するが、区画壁が無いものに比較して、第一の封止樹脂120が半導体素子基板4から剥離したり亀裂が生じたりするのを抑制することができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。実施の形態4.図8は、本発明の実施の形態4による半導体装置の構造を示す断面図である。図8において、図1、図3、図5および図6と同一符号は、同一または相当する部分を示す。本実施の形態4では、半導体素子5や6に配線を接続するためのソケット131を設けた。第一の封止樹脂120で覆った後に外部からソケット131に配線を差し込むことができるよう、ソケット131は、第一の封止樹脂120の表面に露出するように設けられている。通常、ソケットは、パイプ上の金属に金属状のピンを挿入することで両者の電気的な接続を行うが、この方法に限定するものではなく、第一の封止樹脂120に埋め込まれた半導体素子5や6と配線を電気的に繋げる構造であれば構わない。また、ソケット131の表面は、第一の封止樹脂120や第二の封止樹脂121との密着性を向上させるために表面に凹凸を設けても良く、シランカップリング剤などの化学的な処理を行っても良い。半導体素子5や6とソケット131の電気的な接続は、通常、はんだ材を用いて接続するがこれに限定するものではなく、銀ペーストや焼結により金属結合する材料を用いても良い。図8では、ソケット131への配線は銅板配線130を用いているが、通常の線状の配線を用いても良いのは言うまでもない。図8の破線で示した部分、すなわち区画壁90の内部に第一の封止樹脂120を注入して半導体素子5、6を封止したものをモジュール100として、このモジュール100をケース側板11内に複数個配置して一つの半導体装置とした構成の概念図を図9に示す。図9において、図8と同一符号は同一または相当する部分を示す。図9では、第二の封止樹脂121、端子14および配線130を取り除き、さらに一部は第一の封止樹脂120も取り除き半導体素子が見える状態を示す斜視図である。図9において、各モジュールの間に設けられているバー110は、各モジュールからの配線を橋渡しするための端子図9では取り除いて示している。を取り付けるための部材である。この構造では、第一の封止樹脂120で半導体素子5、6を封止した後、第二の封止樹脂121でモジュールを封止する前に、ソケット131から通電することにより各モジュール100の動作試験を行うことができる。動作試験において不良モジュールが判明した場合、不良モジュールについては、半導体素子基板4とベース板10の間の接合を取り除き、良品モジュールと置き換えることができるため、半導体装置の歩留まりの向上が図れる。実施の形態5.図10は、本発明の実施の形態5による半導体装置の基本構造を示す断面図である。図10において、図1、図3、図5および図6と同一符号は、同一または相当する部分を示す。本実施の形態5では、区画壁91が、電極パターン2とは独立して設けられた電極パターン20の上に形成されている。この構造であれば、独立した電極パターン20を介して、電極パターン20の区画壁91の外部となる部分から端子14などへ配線13を接続することにより、モジュール100内からモジュール100外への電気接続を行うことで、第一の封止樹脂120と第二の封止樹脂121の界面を配線13が通過することが無く、繰り返しヒートサイクルを受けても配線が断線しにくくなる。この時、電極パターン20の上には、区画壁91との密着性を向上させるために、表面に凹凸を設けても良く、シランカップリング材の様な化学的な処理を行っても良い。実施の形態6.図11は、本発明の半導体装置の製造方法を示す模式図である。応力緩和接着層および区画壁は、注射器に未硬化の樹脂を入れて、必要な箇所に押し出しながら描画したり、スクリーンマスクを用いて印刷を行ったりして作製できる。しかし、これらの方法では作製に時間がかかる。半導体素子基板の電極パターンと裏面電極を、溝を設けた治具で挟み、その後に未硬化の樹脂を注入硬化すれば、溝の位置や形状を変えることで多様な区画壁を設けた基板を作製できる。まず、絶縁基板1の片面に電極パターン2、他方の面に裏面電極3、が貼りつけられた半導体素子基板4を準備する図11A。また、テフロン登録商標で作製された上治具21と下治具22で構成される分割式の治具を準備する図11B。上治具21には樹脂を注入するための樹脂注入穴23が設けられている。下治具22の所定の位置に半導体素子基板4を置き、位置がずれない様に上治具22を用いて蓋をし、ねじ留めや油圧プレス等の方法を用いて、後に樹脂が注入された際に上下の治具から樹脂が漏れないよう十分締め付ける。上治具21および下治具22は、電極パターン2および裏面電極3の表面に樹脂が流れないよう、十分な平面度をもって作製しておく。次に半導体素子基板4を内包した治具の内部を減圧チャンバー31等を用いて10torrまで減圧する。その後、図11Cの矢印で示すように未硬化の樹脂41を上治具21の樹脂注入穴23から約1MPaの押圧力で注入する。治具の空間部分の全部に樹脂が注入されたら、760torr大気に戻し、樹脂を熱硬化させる。例えば、樹脂にシリコーン樹脂である信越化学製KE1833を用いる場合は、120°Cで1時間の硬化を行う。熱硬化後は、治具を室温まで冷却してから、上下の治具を分割して、基板を取り出せば、応力緩和接着層8および区画壁90が同時に成型された基板が作製できる図11D。この時、1か所の樹脂注入穴23から全ての空間部分に樹脂が注入されるよう、電極パターン2および裏面電極3以外の表面と、区画壁90を設ける箇所は、治具内部の空間で繋がっていなければならない。ここで、治具には、脱気用の穴を設けても良い。また、治具の壁面に、脱型性を向上させるために、離型剤を塗布しても良いことは言うまでもなく、治具の材質もテフロン登録商標以外の材料を用いて良い事はいうまでも無い。以上のように、本発明の実施の形態6による半導体装置の製造方法によれば、応力緩和接着層と区画壁とを同時に作製でき作製時間を短縮できるだけでなく、両者の間に界面を作ることが無いため、絶縁性も向上し、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。治具を使用しているので、同一形状の樹脂硬化物を精度良く形成できるだけでなく、治具内部の空間が繋がっている様にしたため、応力緩和接着層と区画壁とを同時に作製でき、両者の界面から剥離を起こすことが無い。また、減圧下で圧力をかけて樹脂注入するため、低弾性樹脂である応力緩和接着層や区画壁に気泡が入りにくいだけでなく、絶縁基板や銅パターンや裏面電極との密着性が向上し、ヒートサイクル時にも剥離しにく、絶縁性も向上する。更に、電極パターンや裏面電極を治具で挟み込んだため、樹脂硬化時の温度による表面酸化の影響が少なくなり、半導体素子やベース板を接合材で接合した時の信頼性が向上するという効果も奏する。実施の形態7.本実施の形態7では、試験用の半導体装置モジュールを、種々の材料を用いた応力緩和接着層や封止樹脂により作製し、パワーサイクル試験およびヒートサイクル試験を行った結果を実施例として示す。パワーサイクル試験は、半導体素子の温度が200°Cになるまで通電し、その温度に達したら通電を止め、半導体素子の温度が120°Cになるまで冷却し、冷却された後に再び通電した。またヒートサイクル試験は、半導体装置全体を、温度制御が可能な恒温曹に入れ、恒温曹の温度を-40°C~150°Cの間で繰り返し変化させて実施した。実施例1.図12には、図1に示した構造、すなわち区画壁を設けず、応力緩和接着層8のみを設けた構造で、第一の封止樹脂12に弾性率が70GPaのサンユレック製EX550を用いて、応力緩和接着層8の弾性率を変えたときのパワーサイクル試験およびヒートサイクル試験の結果を示す。半導体装置には、ベース板のサイズが50×92×3mm、AlNを用いた絶縁基板1のサイズが232×234×112mm、SiCを用いた半導体素子のサイズが5×5×035mm、接合材には千住金属製M731、ポリフェニレンサルファイドPPSを用いたケース、直径が04mmのアルミを用いた配線を使用した。また、本試験では、モジュール内部にSiC半導体素子を1個のみ搭載し、パワーサイクル試験およびヒートサイクル試験を行った。図12の例1-1について説明する。東レダウコーニング製SE1885弾性率15kPaを用いて応力緩和接着層8を作製した場合、パワーサイクル試験では、100000サイクル後に第一の封止樹脂12に剥離が発生し、ヒートサイクル試験でも100サイクル後に第一の封止樹脂12の剥離と亀裂が発生して半導体装置が動作しなくなることがわかった。例1-2では、東レダウコーニング製SE1886弾性率30kPaを用いて応力緩和接着層8を作製した結果、パワーサイクル試験は180000サイクルまで改善され、ヒートサイクル試験でも600サイクルまで改善することが判明した。例1-3では、信越化学製KE1833弾性率35MPaを用いて、応力緩和接着層8を作製した結果、パワーサイクル試験は200000サイクルまで改善され、ヒートサイクル試験でも1000サイクルまで改善することが判明した。例1-4では、信越化学製KER4000にガラスフィラーを約50wt添加し、弾性率を900MPaに調整し、応力緩和接着層8を作製した結果、パワーサイクル試験は190000サイクル、ヒートサイクル試験でも800サイクルまで動作することがわかった。例1-5では、信越化学製KER4000にガラスフィラーを約58wt添加し、弾性率を1000MPaに調整し、応力緩和接着層8を作製した結果、パワーサイクル試験は100000サイクルに低下し、ヒートサイクル試験も200サイクルに低下することがわかった。例1-6では、信越化学製KER4000にガラスフィラーを約75wt添加し、弾性率を1200MPaに調整し、応力緩和接着層8を作製した結果、パワーサイクル試験は80000サイクルに低下し、ヒートサイクル試験も150サイクルに低下することがわかった。以上の結果より、応力緩和接着層8の弾性率Nは、30kPa以上1GPa未満の範囲が適切であることがわかった。実施例2.図13に、図5の構造、すなわち、応力緩和接着層8と区画壁90を同じ材料で設けた構造で試験した結果を示す。なお、本実施例2では、第二の封止樹脂121として東レダウコーニング製SE1885弾性率15kPaを用いた。また、例2-1~例2-5の応力緩和接着層8と区画壁90の材料は、それぞれ実施例1の例1-1~例1-5と同じである。図13の例2-1から例2-5より、この構造では、実施例1よりサイクル数は改善することがわかる。ただし、応力緩和接着層8と区画壁90の樹脂材料の弾性率の範囲については、実施例1と同様の結果が得られた。実施例3.図14に、図1の構造、すなわち区画壁を設けず、応力緩和接着層8のみを設けた構造で、応力緩和接着層8に信越化学製KE1833弾性率35MPaを用いて、第一の封止樹脂12の弾性率を変化させた時のパワーサイクル試験とヒートサイクル試験の結果を示す。図14の例3-1について説明する。信越化学製KER4000にガラスフィラーを約50wt添加し、弾性率を900MPaに調整した封止樹脂で封止した結果、パワーサイクル試験では、90000サイクル後に封止樹脂に剥離が発生し、ヒートサイクル試験でも50サイクル後に封止樹脂の剥離と亀裂が発生して半導体装置が動作しなくなることがわかった。例3-2では、信越化学製KER4000にガラスフィラーを約58wt添加し、弾性率を1GPaに調整した封止樹脂で封止した結果、パワーサイクル試験では、160000サイクル、ヒートサイクル試験では、300サイクルまで改善することがわかった。例3-3では、サンユレック製EX550弾性率70GPaを第一の封止樹脂に用いた結果、パワーサイクル試験では、180000サイクル、ヒートサイクル試験では、800サイクルまで改善することがわかった。例3-4では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを15wt添加し、弾性率を12GPaに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、160000サイクル、ヒートサイクル試験では、600サイクルになることがわかった。例3-5では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを20wt添加し、弾性率を14GPaに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、140000サイクル、ヒートサイクル試験では、500サイクルになることがわかった。例3-6では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを36wt添加し、弾性率を20GPaに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、110000サイクル、ヒートサイクル試験では、450サイクルになることがわかった。例3-7では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを40wt添加し、弾性率を22GPaに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、100000サイクル、ヒートサイクル試験では、200サイクルになることがわかった。この結果より、第一の封止樹脂の弾性率Mは、1GPa以上20GPa以下の範囲が適切であることが判明した。実施例4.図15に、図5の構造、すなわち、応力緩和接着層8と区画壁90を同じ材料で設けた構造で試験した結果を示す。応力緩和接着層8と区画壁90には信越化学製KE1833弾性率35MPaを、第二の封止樹脂121には、東レダウコーニング製SE1886を用い、第一の封止樹脂120の弾性率を変化させた試験結果である。例4-1~例4-7の第一の封止樹脂は、それぞれ実施例3の例3-1~3-7と同じである。図15の例4-1~例4-7に示す試験結果からわかるように、この構造では、実施例3に比較して、サイクル数は改善するが、第一の封止樹脂の弾性率の範囲については実施例3と同様の結果が得られた。実施例5.図16には、ベース板のサイズが85×120×3mm、Si3N4を用いた絶縁基板のサイズが232×234×112mm、SiCを用いた半導体素子のイズが5×5×035mm、接合材には千住金属製M731、ポリフェニレンサルファイドPPSを用いたケース側板、直径が04mmのアルミを用いた配線を部材に使用した、区画壁90を設けた図5の構造の半導体装置の試験モジュールによるパワーサイクル試験およびヒートサイクル試験の結果を示す。本実施例5は、実施例4と絶縁基板の材料が異なり、ベース板のサイズが実施例4のものより大きい試験モジュールによる、第一の封止樹脂120の弾性率を変化させた試験である。応力緩和接着層には信越化学製KE1833弾性率35MPaを、第二の封止樹脂121には、東レダウコーニング製SE1886を用いた。例5-1~例5-7の第一の封止樹脂は、それぞれ実施例4の例4-1~4-7と同じである。図16の例5-1~例5-7に示す試験結果を図15の例4-1~例4-7に示す試験結果と比較してわかるように、本実施例5においても実施例4とほぼ同様の結果が得られた。以上の、実施例1~5の試験結果より、第一の封止樹脂には、1GPa以上20GPa以下の範囲の弾性率の樹脂を用い、応力緩和接着層や区画壁には、30kPa以上1GPa未満の範囲の弾性率の樹脂を用いることで、より剥離や亀裂が発生し難く、信頼性の高い半導体装置が得られることがわかった。