"ap型不純物をドープしたp型GaN系窒化物半導体層を有する半導体基板を、酸素を含む雰囲気中でアニールしてp型不純物を活性化する工程と、b酸素を含まない雰囲気中で、前記p型GaN系窒化物半導体層表面に紫外線を照射し、表面キャリア濃度を増大させる工程と、を含み、前記工程bは、前記工程aの後に行い、前記工程aによる影響を回復する窒化物半導体装置の製造方法。前記工程bの紫外線が、波長172nm以下の成分を含む請求項1に記載の窒化物半導体装置の製造方法。前記工程bの雰囲気が、窒素雰囲気である請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置の製造方法。実施例の一目的は、バルク領域の抵抗が低く、表面の抵抗も低いp型GaN系窒化物半導体層を含む窒化物半導体装置を製造する方法を提供することである。実施例の1形態によれば、ap型不純物をドープしたp型GaN系窒化物半導体層を有する半導体基板を、酸素を含む雰囲気中でアニールしてp型不純物を活性化する工程と、b酸素を含まない雰囲気中で、p型GaN系窒化物半導体層表面に紫外線を照射し、表面キャリア濃度を増大させる工程と、を含み、工程bは、工程aの後に行い、工程aによる影響を回復する窒化物半導体装置の製造方法が提供される。特開平05-183189号は、GaNからNが脱離するのを抑制し、低抵抗p型領域を実現するためには、p型不純物をドープしたGaNを加圧窒素雰囲気中、700°C以上でアニールすることが好ましいと教示する。特開2002-57161号は、p型不純物をドープしたGaNを大気雰囲気中、200°C~400°Cで100分以上アニールすると抵抗率の低下を図ることができると教示し、さらに雰囲気を酸素、不活性ガス等に変更しても同様の傾向が得られると教示する。これらの教示は、アニール時の雰囲気は窒素雰囲気が好ましいか、アニール時の雰囲気は結果に影響しないことを教示する。本発明者らは、アニール時の雰囲気の影響を調べるために予備実験を行なった。図1A-1Cbは、予備実験を説明するための断面図、および得られた結果を示すグラフである。図1Aは作成したサンプルの構成を示す断面図である。サファイア基板51の上に、有機金属気相成長法MOCVDにより、ノンドープGaN層等の下地層52を成長し、その上にMgをドープしたp型GaN層53、高濃度にMgをドープしたp型GaN層54を成長したサンプル50を作成した。p型GaN層54を厚く成長すると、結晶性が低下するので、p型GaN層53の表面に薄くp型GaN層54を成長している。p型GaN層53とp型GaN層54を合わせて、p型層と呼ぶことがある。成長したままアズグロウンのp型領域は高抵抗状態である。GaN系窒化物半導体層を成長したサファイア基板を半導体基板と呼ぶことがある。図1Baは、窒素雰囲気中のアニール工程を示す。アニール装置中にサンプル50を配置し、窒素雰囲気として、700°C、15分間のアニールを行った。図1Bbは、大気雰囲気中のアニール工程を示す。アニール装置中にサンプル50を配置し、大気雰囲気として、700°C、15分間のアニールを行った。各サンプルに対して、液体を接触させ、CV測定からキャリア濃度を算出した。結晶を削りながら測定をすることにより、キャリア濃度の深さ方向分布を測定した。図1Caは、窒素雰囲気中のアニールを行なったサンプルのキャリア濃度を深さの関数として示すグラフである。図1Cbは、大気雰囲気中のアニールを行なったサンプルのキャリア濃度を深さの関数として示すグラフである。表面のキャリア濃度が高い領域がp型GaN層54に相当し、それより内部のほぼ一定のキャリア濃度を有する領域がp型GaN層53に相当するであろう。図1Ca,1Cbを比較すると、p型GaN層53に相当すると考えられるバルク中のキャリア濃度は大気雰囲気中のアニールを行なったサンプルの方が高いことが明らかである。大気雰囲気が窒素雰囲気と異なる点は、第1に酸素を含むことであろう。酸素を含む大気雰囲気でキャリア濃度が高くなったことは、酸素を含む雰囲気中のアニールでキャリア濃度を向上できることを示唆する。すなわち、酸素を含む雰囲気中でアニールすることによりキャリア濃度を向上できるであろう。しかしながら、大気雰囲気中のアニールを行なったサンプルのp型層表面p型GaN層54のキャリア濃度は、1.15×1020cm-3と、窒素雰囲気中のアニールを行なったサンプルのp型層表面p型GaN層54のキャリア濃度1.51×1020cm-3より低いことも判った。大気雰囲気中の酸素がバルク内ではキャリア濃度を向上させ、表面ではキャリア濃度を低下させていると考えられる。どのような現象が生じているのかは究明していないが、表面では何らかの化学的変化が生じている可能性がある。そこで、本発明者らは、大気中アニールがp型層表面に与えた影響を回復することを考えた。大気中でアニールを行なった後、表面に高エネルギの紫外線UVを照射する実験を行なった。図2Aは、作成したサンプルの構成を示す断面図である。基本的に図1Aに示すサンプルと同じ構成である。サファイア基板11の上に、有機金属気相成長法MOCVDにより、ノンドープGaN層等の下地層12を成長し、その上にMgをドープしたp型GaN層13、高濃度にMgをドープしたp型GaN層14を成長したサンプル10を作成した。成長したままアズグロウンのp型領域は高抵抗状態である。図2Bは大気中のアニール工程を示す。サンプル10を大気雰囲気中、700°Cで15分アニールした。図1Bbと同様の工程である。図2Cは、アニール後のサンプル10に対する紫外線照射工程を示す。紫外線光源としては、ピーク波長172nmのXe2エキシマランプを用い、放射照度10mW/cm2の照射をp型層表面に主として5分間行った。図2Dは、大気中アニール後のサンプルのキャリア濃度を深さの関数として示すグラフである。図1Cbの特性に対応するが、ロットが異なっており、サンプル10のp型層14、p型層13の厚さは、サンプル50のp型層54、p型層53の厚さと異なる。p型層表面のキャリア濃度は、5×1019cm-3であった。図2Eaは、大気中でアニールしたサンプル10の表面に、窒素雰囲気中で、ピーク波長172nmの紫外線を放射照度10mW/cm2で5分照射したサンプルのキャリア濃度を深さの関数として示すグラフである。同じロットを使用した図2Dと比較すると、p型層のバルクのキャリア濃度抵抗率はほぼ変わらず、p型層表面のキャリア濃度が、5×1019/cm3程度から2×1020/cm3へと、大幅に増加している。ピーク波長172nmの紫外線照射が、キャリア濃度を増大する機能を示したと考えられる。波長172nmより短波長の紫外線はより高エネルギであるので、同様の機能を有すると考えられる。図2Ebは、大気中でアニールしたサンプル10の表面に、真空雰囲気中で、ピーク波長172nmの紫外線を放射照度10mW/cm2で5分照射したサンプルのキャリア濃度を深さの関数として示すグラフである。図2Dに示す紫外線照射前と比べると、p型層表面のキャリア濃度は5×1019/cm3程度から9.6×1019/cm3へと明らかに向上している。但し、向上の程度は、窒素雰囲気中の紫外線照射より低い。図2Ecは、大気中でアニールしたサンプル10の表面に、大気中で3分、その後窒素雰囲気中で5分、ピーク波長172nmの紫外線を放射照度10mW/cm2で照射したサンプルのキャリア濃度を深さの関数として示すグラフである。図2Dに示す紫外線照射前と比べると、表面のキャリア濃度は5×1019/cm3程度から7.4×1019/cm3へと明らかに向上している。但し、向上の程度は、窒素雰囲気中の紫外線照射、真空雰囲気中の紫外線照射より低くなっている。酸素雰囲気は、大気中アニールと同様の影響を与える可能性が考えられる。酸素を含む雰囲気中の紫外線照射後、酸素を含まない雰囲気で紫外線照射を行なう場合を含めて酸素を含まない雰囲気中での紫外線照射と呼ぶ。これらの結果から、Mg等のp型不純物をドープしたGaN系半導体を、酸素を含む雰囲気中でアニールし、その後、紫外線照射を行なうと表面キャリア濃度を向上できることが判る。紫外線は、172nmより短い波長の成分を含むことが望ましいであろう。紫外線照射時の雰囲気は、真空より窒素雰囲気が高いキャリア濃度を実現している。酸素を含む雰囲気中の紫外線照射は、真空中の紫外線照射より表面キャリア濃度向上の効果が低くなる。以下、これらの実験結果に基づく実施例を説明する。図3Aに示すように、c面サファイア基板1をMOCVD装置に投入し、水素雰囲気中で1000°C、10分の加熱サーマルクリーニングを行い、約400-500°Cで、トリメチルガリウムTMG、アンモニアNH3を供給してGaN低温バッファ層21を形成し、1000°Cまで昇温して30秒間保持することにより低温バッファ層21を結晶化させる。温度1000°Cのまま、TMG、NH3を供給し、ノンドープGaN層22を約1μm形成する。層21、22をまとめて下地層2と呼ぶことがある。温度1000°CでTMG、NH3、SiH4を供給し、Siドープのn型GaN層3を約5μm成長させる。温度を約700-800°Cに降温し、活性層ALを成長する。活性層として例えば多重量子井戸構造を形成する。図3Bに示すように、InGaNのウェル層WL/GaNのバリア層BLを1周期として9周期成長を行う。TMG、トリメチルインジウムTMI、NH3を供給し、例えば膜厚約2.2nmのInGaN井戸層WLを成長し、TMG、NH3を供給し、例えば膜厚約15nmのGaN障壁層BLを成長する。9周期分繰り返す。図3Aに戻り、温度を870°Cまで上げ、TMG、トリメチルアルミニウムTMA、NH3、CP2Mgビスシクロペンタディエルマグネシウムを供給し、Mgドープのp型Al0.15Ga0.85N電子ブロッククラッド層4を約20nmを成長する。同じ温度でTMG、NH3、CP2Mgを供給しMgドープのp型GaN層5を約85nmを成長し、更に高濃度にMgをドープしたp型GaNコンタクト層6を約5nm成長する。p型層5とp型層6を合わせてp型層と呼ぶことがある。このようにして、発光ダイオード用のGaN系窒化物半導体積層が形成される。図3Cに示すように、成長したGaN系窒化物半導体積層を大気雰囲気中、700°Cで15分アニールする。バルクp型領域のキャリア濃度向上が期待できる。大気雰囲気に換え、酸素を含む雰囲気を用いることもできる。図3Dに示すように、アニール後のGaN系窒化物半導体積層の表面p型層側にピーク波長172nmのXe2エキシマランプ光を放射照度10mW/cm2で5分照射する。雰囲気は、真空又は窒素が好ましい。但し、短時間酸素を含む雰囲気とし、その後真空又は窒素雰囲気とすることもできる。その後、公知の方法により、n側電極、p側電極を形成する。図3Eに示すように、レジストマスクを用い、n側電極形成領域において、表面側からp型層6、5、電子ブロック層4、活性層ALをエッチングし、n型層3を露出する。n型層3上にTi/Al積層のn側電極7、p型層上にPt/Ag積層のp側電極8を形成する。図3Fに示すように、p型層の上にp側電極8を形成後、Si等の支持基板9をAu-Sn共晶層等を用いて結合し、サファイア基板1をレーザリフトオフなどで剥離し、n型層3を露出し、その上にn側電極7を形成することもできる。キャリア濃度を向上させたGaN系窒化物半導体のp型層は、レーザに用いることもできる。図4Aは、端面発光型のGaN系窒化物半導体レーザの構造を示す断面図である。GaN基板31の上に、n型GaNコンタクト層32、n型AlGaNクラッド層33、GaNガイド層34、3つのウェル層を含む多重量子井戸構造の活性層AL,p型AlGaN電子ブロック層36、GaNガイド層37、p型AlGaNクラッド層38、p型GaNコンタクト層39を含む積層が成長され、大気雰囲気乃至酸素を含む雰囲気中のアニールを行い、窒素雰囲気中でピーク波長172nmの紫外線照射を行ない、p型層のキャリア濃度を向上させる。p型GaNコンタクト層39、p型AlGaNクラッド層38の一部厚さがメサ状にエッチングする。メサ構造は例えば幅1.5μm程度、長さは例えば500μm程度である。メサ構造の側面とその両側の切欠き部底面は酸化シリコン等の絶縁膜40で覆う。p型GaN層39表面にPt/Au等のp側電極41を形成し、GaN基板31裏面にTi/Pt/Au等のn側電極42を形成する。その後、両端面を劈開して共振器構造を形成する。図4Bは、面発光型のGaN系窒化物半導体レーザの構造を示す断面図である。Si基板43の上に共晶層44を介してp側電極46、47が接合される。例えばp側電極46はTi/Pt/Au積層であり、p側電極47はITOインジウム錫酸化物である。DBRミラー45がp電極46,47と同一平面上に併設される。DBRミラー45は、例えばGaN/AlN繰り返し積層からなる誘電体多層膜ミラーである。DBRミラー45、p側電極47の上に酸化シリコン等の絶縁膜48を介して、p型GaNコンタクト層39、5つのウェル層を含む多重量子井戸構造の活性層AL,n型GaNコンタクト層32、を積層し、n型GaN層32の上にDBRミラー49とTi/Pt/Au等のn側電極42が同一平面上に並設される。製造プロセスとしてはサファイア基板上に上側の層から下側の層にエピタキシャル成長を行い、p型層を形成した後、大気雰囲気乃至酸素を含む雰囲気中のアニールを行い、窒素雰囲気中でピーク波長172nmの紫外線照射を行ない、p型層のキャリア濃度を向上させる。光は上下DBR間を往復し、上側DBRミラー46から出射する。以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例示された材料、数値は制限的意味を有さない。種々の変更、改良、置換、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。"