レーザ発振器から発振されたレーザ光をワークに照射して半田付けを行うレーザ半田付けシステムにおいて、前記レーザ光を複数の分割レーザ光に分割するウェッジ基板と、前記ウェッジ基板を前記レーザ光に対して進退駆動して該ウェッジ基板における該レーザ光の入射量を制御するウェッジ基板駆動制御部と、前記各分割レーザ光の強度を取得する強度取得手段と、を備え、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記強度取得手段にて取得された前記各分割レーザ光の強度に基づいて前記ウェッジ基板を進退駆動することを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項1記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記強度取得手段にて取得された前記複数の分割レーザ光の強度比が所定の強度比となるように前記ウェッジ基板を進退駆動することを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項1又は2に記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記ワークは、半田付けがなされる第1ワークと第2ワークとを含み、前記各レーザ光を前記第1ワークと前記第2ワークの各々に照射する照射光学系をさらに備えることを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項3記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記分割レーザ光が照射された前記第1ワークの温度を取得する第1温度取得手段と、前記分割レーザ光が照射された前記第2ワークの温度を取得する第2温度取得手段と、をさらに備え、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記第1温度取得手段にて取得された温度と前記第2温度取得手段にて取得された温度とに基づいて前記ウェッジ基板を進退駆動することを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項3又は4に記載のレーザ半田付けシステムにおいて、半田付け中の半田の状態を撮影する撮影手段をさらに備え、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記撮影手段にて撮影された情報に基づいて前記ウェッジ基板を進退駆動することを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項3~5のいずれか1項に記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記第1ワークは、前記第2ワークの周囲に配置されており、前記ウェッジ基板は、複数設けられ、前記照射光学系は、前記第2ワークに照射される分割レーザ光の光軸の回りに沿って等間隔離間するように複数の前記分割レーザ光を前記第1ワークに照射することを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項6記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記複数のウェッジ基板は、前記レーザ光の光軸の回りに沿って等間隔離間して配設されていることを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項1記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記ワークは、複数の被接合部を有しており、前記各分割レーザ光を前記複数の被接合部の各々に照射する照射光学系をさらに備えることを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項1~8のいずれか1項に記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記レーザ光のスポット形状を略楕円形状又は方形状にするスポット形状変形手段をさらに備えることを特徴とするレーザ半田付けシステム。請求項9記載のレーザ半田付けシステムにおいて、前記スポット形状変形手段は、断面が方形状のコアを有する方形コアファイバであることを特徴とするレーザ半田付けシステム。しかしながら、上述した従来技術では、レーザ光を分割する分割手段として、接合された2つのプリズムやレーザ光の入射位置によって反射率透過率が異なるように構成された分割部材を利用しているので、前記分割手段の構成が複雑化すると共に専用品となる。そのため、レーザ半田付け装置の製造コストが高騰化する懸念がある。また、前記従来技術は、分割レーザ光の強度比が予め設定された強度比となるように分割部材プリズムを移動させるものであるから、実際の分割レーザ光の強度比を管理することはできない。本発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、ウェッジ基板を用いてレーザ光を分割することによりレーザ半田付けシステムの製造コストの高騰化を抑えることができ、且つ分割レーザ光の強度比を管理することにより接合品質の向上を図ることができるレーザ半田付けシステムを提供することを目的とする。[1]本発明に係るレーザ半田付けシステムは、レーザ発振器から発振されたレーザ光をワークに照射して半田付けを行うレーザ半田付けシステムにおいて、前記レーザ光を複数の分割レーザ光に分割するウェッジ基板と、前記ウェッジ基板を前記レーザ光に対して進退駆動して該ウェッジ基板における該レーザ光の入射量を制御するウェッジ基板駆動制御部と、前記各分割レーザ光の強度を取得する強度取得手段と、を備え、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記強度取得手段にて取得された前記各分割レーザ光の強度に基づいて前記ウェッジ基板を進退駆動することを特徴とする。本発明に係るレーザ半田付けシステムによれば、ウェッジ基板におけるレーザ光の入射量を制御しているので、該ウェッジ基板にて分割された複数の分割レーザ光の強度比を容易に変更することができる。これにより、従来技術のように複雑化した専用品の分割手段を用いる必要がないため、レーザ半田付けシステムの製造コストの高騰化を抑えることができる。また、ウェッジ基板駆動制御部が、強度取得手段にて取得された各分割レーザ光の強度に基づいてウェッジ基板を進退駆動して該ウェッジ基板におけるレーザ光の入射量を制御するので、実際の分割レーザ光の強度比を確実に管理することができる。これにより、管理された分割レーザ光をワークに照射して半田付けを行うことができるため、接合品質の向上を図ることができる。[2]上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記強度取得手段にて取得された前記複数の分割レーザ光の強度比が所定の強度比となるように前記ウェッジ基板を進退駆動してもよい。このようなシステムによれば、分割レーザ光の強度比を所定の強度比にすることができるので、接合品質の一層の向上を図ることができる。3上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記ワークは、半田付けがなされる第1ワークと第2ワークとを含み、前記各レーザ光を前記第1ワークと前記第2ワークの各々に照射する照射光学系をさらに備えていてもよい。このようなシステムによれば、照射光学系によって第1ワークと第2ワークとの各々に管理された分割レーザ光を照射することができるので、例えば、第1ワークの熱容量が第2ワークの熱容量よりも大きい場合であっても、該第1ワークと該第2ワークとの温度差を極力小さくすることができる。言い換えれば、該第1ワークの温度と該第2ワークの温度とを略同一にすることができる。これにより、第1ワーク又は第2ワークの接合部分以外の領域に不要な半田が流れることを好適に防止することができるので、第1ワークと第2ワークとを確実に接合することができる。4上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記分割レーザ光が照射された前記第1ワークの温度を取得する第1温度取得手段と、前記分割レーザ光が照射された前記第2ワークの温度を取得する第2温度取得手段と、をさらに備え、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記第1温度取得手段にて取得された温度と前記第2温度取得手段にて取得された温度とに基づいて前記ウェッジ基板を進退駆動してもよい。このようなシステムによれば、分割レーザ光が照射された第1ワークと第2ワークの温度を取得し、それら温度に基づいてウェッジ基板を進退駆動するので、第1ワークと第2ワークの温度管理を行うことができる。これにより、管理された再現性の良い接合が可能となる。5上記のレーザ半田付けシステムにおいて、半田付け中の半田の状態を撮影する撮影手段をさらに備え、前記ウェッジ基板駆動制御部は、前記撮影手段にて撮影された情報に基づいて前記ウェッジ基板を進退駆動してもよい。このようなシステムによれば、半田付け中の半田の状態を撮影手段にて撮影し、撮影された情報に基づいてウェッジ基板を進退駆動するので、半田付け中の半田の状態を管理することができる。これにより、管理された再現性の良い接合が可能となる。6上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記第1ワークは、前記第2ワークの周囲に配置されており、前記ウェッジ基板は、複数設けられ、前記照射光学系は、前記第2ワークに照射される分割レーザ光の光軸の回りに沿って等間隔離間するように複数の前記分割レーザ光を前記第1ワークに照射してもよい。このようなシステムによれば、第2ワークの周囲に第1ワークを配置し、前記第2ワークに照射される分割レーザ光の光軸の回りに沿って等間隔離間するように複数の分割レーザ光を前記第1ワークに照射するので、第1ワークを略均等に昇温することができる。これにより、例えば、第2ワークの全周に亘って半田付けを行う場合であっても、半田を該第2ワークの全周に均一に供給することができる。よって、第1ワークと第2ワークとを確実に接合することができる。7上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記複数のウェッジ基板は、前記レーザ光の光軸の回りに沿って等間隔離間して配設されていてもよい。このようなシステムによれば、複数のウェッジ基板をレーザ光の光軸の回りに沿って等間隔離間して配設するので、第2ワークに照射される分割レーザ光の光軸の回りに沿って等間隔離間するように複数の分割レーザ光を第1ワークに容易に照射することができる。8上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記ワークは、複数の被接合部を有しており、前記各分割レーザ光を前記複数の被接合部の各々に照射する照射光学系をさらに備えていてもよい。このようなシステムによれば、各分割レーザ光を複数の被接合部の各々に照射するので、複数の被接合部を同時に昇温することができる。これにより、複数の被接合部に対して効率的に半田付けを行うことが可能になるので、半田付け工程の工数を大幅に低減することができる。9上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記レーザ光のスポット形状を略楕円形状又は方形状にするスポット形状変形手段をさらに備えていてもよい。このようなシステムによれば、レーザ光のスポット形状を略楕円形状又は方形状にしているので、ウェッジ基板によって分割された分割レーザ光のワークに対するスポット形状についても略楕円形状又は方形状にすることができる。これにより、例えば、ワークの被半田付け部が平面視で矩形状に形成されている場合であっても、該被半田付け部を好適に昇温することができる。[10]上記のレーザ半田付けシステムにおいて、前記スポット形状変形手段は、断面が方形状のコアを有する方形コアファイバであってもよい。ところで、一般的に、ガウス分布状の強度分布を有するレーザ光を用いてプリント配線板に電子部品を半田付けする場合、該レーザ光の中心部分光軸部分のピーク強度が高いため、レーザスポットの中心部分の入熱量が過度になることがある。そうすると、前記プリント配線板にダメージを与えて該プリント配線板から該電子部品が剥がれるおそれがある。上記のレーザ半田付けシステムによれば、方形コアファイバを用いることによりレーザ光のスポット形状を容易に方形状にすることができる。また、レーザ光の強度分布をトップハット状の強度分布にすることができる。これにより、例えば、該レーザ光を用いて樹脂製のプリント配線板に電子部品を半田付けする場合であっても、該プリント配線板にダメージを与えることがないので、該電子部品が該プリント配線板から剥がれることを好適に防止することができる。以上説明したように、ウェッジ基板によりレーザ光を複数の分割レーザ光に分割しているので、レーザ半田付けシステムの製造コストの高騰化を抑えることができる。また、ウェッジ基板駆動制御部が、各分割レーザ光の強度に基づいてウェッジ基板を進退駆動して該ウェッジ基板におけるレーザ光の入射量を制御するので、管理された分割レーザ光をワークに照射して半田付けを行うことができ、その結果、接合品質の向上を図ることができる。以下、本発明に係るレーザ半田付けシステムについて好適な実施形態を例示し、添付の図面を参照しながら説明する。第1実施形態第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aは、レーザ光LBを用いてワークWを昇温させて半田付けを行うためのものであり、LD電源12と、LD電源12から供給される駆動電流に基づいてレーザ光LBを発振するレーザ発振器14と、レーザ発振器14から発振されたレーザ光LBを伝送する伝送ユニット16と、伝送ユニット16にて伝送されたレーザ光LBをワークWに照射するための出射ユニット18と、ワークWを載置するためのステージ20と、半田糸半田Sを供給する半田供給部22と、制御部24とを備える。ワークWは、電気配線302の導電接続部第1ワーク300と、当該電気配線302に導電接続される配線基板304上に平板形状又は薄膜状に形成された端子第2ワーク305とを有する図5参照。本実施形態では、電気配線302の導電接続部300と配線基板304の端子305とが半田付けにより接合される。レーザ発振器14は、例えば、FC-LDファイバカップリングレーザダイオードからなり、LDユニット26と取り出し用光ファイバ28とを一体的に結合して構成される。LDユニット26は、1つ又は複数のLDアレイを有し、LD電源12より所要のLD駆動電流を供給注入されて、例えば、1W~200Wの高出力LD光をレーザ光LBとして発振出力する。取り出し用光ファイバ28は、例えば、SI型光ファイバであって、伝送ユニット16まで延びて、その出射端面よりレーザ光LBを出射する。伝送ユニット16は、入射部30と伝送用光ファイバ32とを有する。入射部30は、取り出し用光ファイバ28より所定の広がり角度で出射されたレーザ光LBを平行光にコリメートするコリメートレンズ34と、コリメートレンズ34からの平行光のレーザ光LBを絞って伝送用光ファイバ32の入射端面に入射させる集光レンズ36とを含む。伝送用光ファイバ32は、任意の長さを有してよく、SUSスパイラル管からなる保護管の中にSI型光ファイバからなるファイバ心線を通したものである。ファイバ心線は、例えば、純粋石英ガラスからなるコアと、このコアを同軸に覆う例えばフッ素ドープ石英ガラスからなるクラッドと、このクラッドを同軸に覆う例えばポリアミドからなる被覆とで構成されている。伝送用光ファイバ32は、出射ユニット18内で終端している。図2に示すように、出射ユニット18は、伝送用光ファイバ32の出射側端部を固定する固定部38と、伝送用光ファイバ32より所定の広がり角度で出射されたレーザ光LBを平行光にコリメートするコリメートレンズ40と、コリメートレンズ40にて平行化されたレーザ光LBを2本の分割レーザ光LB1、LB2に分割するウェッジ基板42と、ウェッジ基板42を駆動するアクチュエータ駆動部44と、該分割レーザ光LB1、LB2をワークWに導く照射光学系46と、該分割レーザ光LB1、LB2の光路上に設けられたシャッター48と、各分割レーザ光LB1、LB2の強度を測定するレーザ強度測定部強度取得手段50と、半田付け中の半田Sの状態を撮影するためのカメラユニット撮影手段52とを有する。ウェッジ基板42は、その透過光の光路を変えることができる。すなわち、レーザ光LBの一部をウェッジ基板42に透過させることにより、該レーザ光LBを、該ウェッジ基板42を透過した透過光分割レーザ光LB1と、該ウェッジ基板42を透過しない光分割レーザ光LB2とに分割することができる。また、ウェッジ基板42は、所定のウェッジ角を有しており、該ウェッジ角が大きくなるほど、ワークWに照射される分割レーザ光LB1の光軸と分割レーザ光LB2の光軸との間の距離光軸間距離Lが大きくなる図5参照。本実施形態では、導電接続部300及び端子305の寸法や形状等から所定の光軸間距離Lを定め、その定められた光軸間距離Lとなるようなウェッジ角を有するウェッジ基板42が選定され用いられている。アクチュエータ44は、レーザ光LBに対してウェッジ基板42を進退する。つまり、アクチュエータ44は、ウェッジ基板42をレーザ光LBの光軸に直交する方向に沿って進退する。これにより、レーザ光LBのウェッジ基板42への入射量を増減することができる。照射光学系46は、各分割レーザ光LB1、LB2をワークWに向けて反射すると共に該各分割レーザ光LB1、LB2の一部を透過するミラー54と、ミラー54によって反射された各分割レーザ光LB1、LB2をワークWに集光する集光レンズ56とを含む。これにより、分割レーザ光LB1を導電接続部300に照射すると共に分割レーザ光LB2を端子305の端面に照射することができる。本実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aは、分割レーザ光LB1の照射により昇温した導電接続部300導電接続部300の第1被半田付け部、導電接続部300における分割レーザ光LB1の照射部位の温度を測定する第1温度測定部58と、分割レーザ光LB2の照射により昇温した端子305端子305の第2被半田付け部、端子305における分割レーザ光LB2の照射部位の温度を測定する第2温度測定部60とをさらに備える。第1温度測定部58と第2温度測定部60は、例えば、放射温度計等の非接触温度計として構成されている。シャッター48は、各分割レーザ光LB1、LB2の通過を許可する開状態と、各分割レーザ光LB1、LB2の通過を遮断する閉状態とを切り替え可能に構成されている。レーザ強度測定部50は、前記ミラー54の透過光を集光する集光レンズ62と、該集光レンズ62によって集光された透過光の強度を測定するビームプロファイラ64とを含む。ビームプロファイラ64の検出信号は制御部24に出力される。カメラユニット52は、導電接続部300の第1被半田付け部と端子305の第2被半田付け部を含む領域を撮影可能に構成されている。カメラユニット52にて撮影された情報画像情報、動画情報は、制御部24に出力される。半田供給部22は、半田Sを所定の送り速度によって導電接続部300端子305に供給可能に構成されている。制御部24は、LD電源12を駆動制御する電源制御部66と、制御部本体68とを有する図1参照。図2に示すように、制御部本体68は、記憶部70、強度比算出部72、強度比判定部74、温度比算出部76、温度判定部78、画像判定部80、ウェッジ基板駆動制御部82、シャッター制御部84、半田供給制御部88、及びカメラユニット制御部86を含む。記憶部70は、設定強度比、設定温度比、設定温度範囲、基準画像等が記憶されている。設定強度比は、導電接続部300に照射される分割レーザ光LB1の強度と端子305に照射される分割レーザ光LB2の強度との比であって、例えば、導電接続部300及び端子305の材質、寸法、形状等から設定される。設定温度比は、導電接続部300の第1被半田付け部の温度と端子305の第2被半田付け部の温度との比であって、例えば、導電接続部300と端子305の半田付けに適した温度比に設定されている。具体的には、前記設定温度比は、例えば、導電接続部300の第1被半田付け部の温度と端子305の第2被半田付け部の温度とが同一の温度となるような比に設定される。設定温度範囲は、例えば、半田Sが溶融可能な程度の適当な温度範囲に設定される。基準画像は、例えば、最適な半田付け条件で半田付けが行われたときの半田付け中における半田Sの状態半田の形状を示す画像が用いられる。強度比算出部72は、ビームプロファイラ64の検出信号に基づいてワークWに照射される2本の分割レーザ光LB1、LB2の強度比を算出する。強度比判定部74は、算出強度比と設定強度比とが一致しているか否かを判定する。温度比算出部76は、第1温度測定部58にて測定された導電接続部300の第1被半田付け部の温度と第2温度測定部60にて測定された端子305の第2被半田付け部の温度との比を算出する。温度判定部78は、算出温度比と設定温度比とが一致しているか否かを判定する。また、温度判定部78は、導電接続部300と端子305の温度が設定温度範囲内にあるか否かを判定する。画像判定部80は、カメラユニット52で撮影された画像と基準画像との一致度合いが所定範囲内にあるか否かを判定する。ウェッジ基板駆動制御部82は、アクチュエータ44に制御信号を送りウェッジ基板42を駆動制御する。シャッター制御部84は、シャッター48を開閉する。カメラユニット制御部86は、カメラユニット52を駆動制御する。半田供給制御部88は、半田供給部22を駆動制御して所定の位置に半田Sを供給する。以上のように構成されたレーザ半田付けシステム10Aを用いて導電接続部300と端子305とを半田付けする手順について図3~図5を参照しながら説明する。先ず、ステージ20に電気配線302の導電接続部300と配線基板304の端子305とを位置決めし、シャッター制御部84は、シャッター48を閉じた状態にしておく。次いで、電源制御部66は、LD電源12を駆動してLDユニット26に駆動電流を供給することにより、レーザ光LBを発振する図3のステップS1。LDユニット26から発振されたレーザ光LBは、取り出し用光ファイバ28から出射されてコリメートレンズ34で平行化された後、集光レンズ36で伝送用光ファイバ32内に入射されて出射ユニット18にまで伝送される。伝送用光ファイバ32から出射されたレーザ光LBは、コリメートレンズ40で平行化された後、ミラー54により反射されてシャッター48に照射されることになる。続いて、ウェッジ基板駆動制御部82は、アクチュエータ44に制御信号を送りウェッジ基板42をレーザ光LBに対して所定量だけ進行するステップS2。そうすると、ウェッジ基板42には、レーザ光LBの一部が入射することになる図4A参照。これにより、レーザ光LBは、ウェッジ基板42の透過光分割レーザ光LB1とウェッジ基板42を透過しない光分割レーザ光LB2とに分割されることになる。その後、分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の強度比を算出するステップS3。具体的には、各分割レーザ光LB1、LB2をミラー54に照射した時のミラー54の各透過光をビームプロファイラ64で測定し、その測定された各透過光の強度に基づいて強度比算出部72が分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の強度比を算出する。そして、強度比判定部74は、算出強度比と設定強度比とが一致しているか否かを判定するステップS4。設定強度比は、記憶部70を参照して取得される。算出強度比と設定強度比とが一致していない場合ステップS4:NOには、ウェッジ基板駆動制御部82は、アクチュエータ44に制御信号を送りウェッジ基板42をレーザ光LBに対して進退駆動するステップS5。これにより、例えば、ウェッジ基板42をさらに進行させた場合には該ウェッジ基板42に対するレーザ光LBの入射量を増加することができ図4B参照、ウェッジ基板42を退行させた場合には該ウェッジ基板42に対するレーザ光LBの入射量を減少することができる。その後、ステップS3以降の処理を行う。算出強度比と設定強度比とが一致した場合ステップS4:YESには、シャッター制御部84は、シャッター48を開くステップS6。シャッター48が開かれると、分割レーザ光LB1が集光レンズ56で集光された状態で導電接続部300の第1被半田付け部に照射されると共に、分割レーザ光LB2が集光レンズ56で集光された状態で端子305の第2被半田付け部に照射されることになるステップS7。続いて、温度比算出部76は、第1温度測定部58にて測定された第1被半田付け部の温度と、第2温度測定部60にて測定された第2被半田付け部の温度とに基づいて、第1被半田付け部と第2被半田付け部との温度比を算出するステップS8。そして、温度判定部78は、算出温度比と設定温度比とが一致したか否かを判定するステップS9。設定温度比は、記憶部70を参照して取得される。算出温度比と設定温度比とが一致していない場合ステップS9:NOには、ウェッジ基板駆動制御部82は、アクチュエータ44に制御信号を送りウェッジ基板42をレーザ光LBに対して進退駆動するステップS10。これにより、第1被半田付け部と第2被半田付け部との温度比を変更する設定温度比に近づけることが可能となる。その後、ステップS8以降の処理を行う。算出温度比と設定温度比とが一致した場合ステップS9:YESには、温度判定部78は、第1被半田付け部の温度と第2被半田付け部の温度とが設定範囲内にあるか否かを判定するステップS11。設定温度範囲は、記憶部70を参照して取得される。第1被半田付け部の温度と第2被半田付け部の温度とが設定温度範囲内でない場合ステップS11:NOには、ステップS8以降の処理を行う。第1被半田付け部と第2被半田付け部の温度が、半田Sを溶融させることができる程度の温度に達していないからである。第1被半田付け部の温度と第2被半田付け部の温度とが設定温度範囲内となった場合ステップS11:YESには、半田供給制御部88は、半田供給部22を制御して第1被半田付け部及び第2被半田付け部に半田Sを供給するステップS12。そして、カメラユニット制御部86は、カメラユニット52を制御して、半田付け中の半田Sの状態を撮影するステップS13。次いで、画像判定部80は、撮影画像と基準画像との一致度合いが所定範囲内であるか否かを判定するステップS14。なお、基準画像は、記憶部70を参照して取得される。撮影画像と基準画像との一致度合いが所定範囲内にない場合ステップS14:NOには、ウェッジ基板駆動制御部82は、アクチュエータ44に制御信号を送り、ウェッジ基板42を進退駆動するステップS15。これにより、半田付け中において、導電接続部300の第1被半田付け部の温度と端子305の第2被半田付け部の温度とを調整することが可能になるので、半田Sの状態を変更することができる。よって、半田付けが完了した時の半田Sの状態に対応した撮影画像と基準画像との一致度合いを所定範囲内にすることが可能となる。その後、ステップS13以降の処理を行う。撮影画像と基準画像との一致度合いが所定範囲内である場合ステップS14:YESには、半田供給制御部88が半田供給部22を制御して半田Sの供給を停止し、電源制御部66がLD電源12の駆動を停止することによりLDユニット26からのレーザ光LBの発振を停止するステップS16。その後、半田付けが終了するステップS17。この段階で、本実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aを用いた半田付けの手順が終了する。本実施形態によれば、ウェッジ基板42におけるレーザ光LBの入射量を制御しているので、該ウェッジ基板42にて分割された2本の分割レーザ光LB1、LB2の強度比を容易に変更することができる。これにより、従来技術のように複雑化した専用品の分割手段を用いる必要がないため、レーザ半田付けシステム10Aの製造コストの高騰化を抑えることができる。また、本実施形態では、算出強度比と設定強度比とが一致するように、ウェッジ基板42を進退駆動してフィードバック制御をしているので、実際の分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の強度比を確実に管理することができる。これにより、管理された各分割レーザ光LB1、LB2により導電接続部300及び端子305を昇温予熱することができるため、接合品質の向上を図ることができる。本実施形態において、分割レーザ光LB1は照射光学系46により導電接続部300に照射され、分割レーザ光LB2は照射光学系46により端子305に照射される。そのため、例えば、端子305の熱容量が導電接続部300の熱容量よりも大きい場合であっても、該端子305と該導電接続部300の温度差を極力小さくすることができる。言い換えれば、導電接続部300の第1被半田付け部の温度と端子305の第2被半田付け部の温度とを略同一にすることができる。これにより、溶融した半田Sが導電接続部300に多く流れることを好適に防止することができるので、該導電接続部300と端子305とを確実に接合することができる。本実施形態によれば、第1温度測定部58にて測定された第1被半田付け部の温度と第2温度測定部60にて測定された第2被半田付け部の温度とに基づいて、第1被半田付け部と第2被半田付け部の温度比を算出し、該算出温度比が設定温度比となるようにウェッジ基板42を進退駆動してフィードバック制御しているので、第1被半田付け部と第2被半田付け部の温度管理を確実に行うことができる。これにより、管理された再現性の良い接合が可能となる。また、半田付け中の半田Sの状態をカメラユニット52にて撮影し、該撮影画像と基準画像との一致度合いが所定範囲内になるように、ウェッジ基板42を進退駆動してフィードバック制御しているので、半田付け中の半田Sの状態を管理することができる。これにより、管理された再現性の良い接合が可能となる。第1変形例次に、第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aを用いた半田付け手順の第1変形例について図6を参照しながら説明する。本変形例では、図3で示すフローチャートの処理内容と同様の処理内容を有するステップについてはその詳細な説明を省略する。なお、後述する第2~第5変形例においても同様である。本変形例に係るレーザ半田付け手順では、ステップS21~ステップS26までの処理が図3のステップS1~ステップS6までの処理と同一である。すなわち、電源制御部66がLD電源12を駆動してLDユニット26からレーザ光LBを発振しステップS21、ウェッジ基板駆動制御部82がアクチュエータ44に制御信号を送りウェッジ基板42を進行させるステップS22。そうすると、レーザ光LBがウェッジ基板42によって、分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2とに分かれ、各分割レーザ光LB1、LB2がシャッター48に照射される。そして、各分割レーザ光LB1、B2の強度比を算出してステップS23、算出強度比と設定強度比とが一致したか否かを判定しステップS24、一致していない場合には、ウェッジ基板42を進退駆動ステップS25してステップS23以降の処理を行う。一方、算出強度比と設定強度比とが一致した場合には、シャッター制御部84はシャッター48を開きステップS26、半田供給制御部88が半田供給部22を制御して半田Sの供給を行うステップS27。シャッター48が開くと、分割レーザ光LB1が第1被半田付け部に照射されると共に分割レーザ光LB2が第2被半田付け部に照射されることになるステップS28。そして、各分割レーザ光LB1、LB2によって昇温された第1被半田付け部と第2被半田付け部に半田Sが供給されることで、半田付けがなされるに至る。続いて、半田供給制御部88が半田供給部22を制御して半田Sの供給を停止し、電源制御部66がLD電源12の駆動を停止することによりLDユニット26からのレーザ光LBの発振を停止するステップS29。その後、半田付けが終了するステップS30。この段階で、本変形例に係るレーザ半田付けの手順が終了する。本変形例によれば、図3の手順と比較して、全体のステップ数が削減された分、レーザ半田付けの制御を簡素化することができる。また、このように簡素化した場合であっても、算出強度比と設定強度比とが一致するように、ウェッジ基板42を進退駆動してフィードバック制御しているので、実際の分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の強度比を確実に管理することができる。これにより、管理された各分割レーザ光LB1、LB2により導電接続部300及び端子305を昇温することができるため、接合品質の向上を図ることができる。第2変形例次に、第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aを用いた半田付け手順の第2変形例について図7を参照しながら説明する。なお、本変形例では、初期状態において、ウェッジ基板42は、レーザ光LBの一部が入射可能な位置に配置されている。図7に示すように、本変形例に係るレーザ半田付け手順では、電源制御部66がLD電源12を駆動してLDユニット26からレーザ光LBを発振するステップS41。そうすると、レーザ光LBがウェッジ基板42によって、分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2とに分かれ、各分割レーザ光LB1、LB2がシャッター48に照射される。続いて、シャッター制御部84がシャッター48を開きステップS42、半田供給制御部88が半田供給部22を制御して半田Sの供給を行うステップS43。シャッター48が開くと、分割レーザ光LB1が第1被半田付け部に照射されると共に分割レーザ光LB2が第2被半田付け部に照射されることになるステップS44。そうすると、第1被半田付け部が分割レーザ光LB1によって昇温すると共に第2被半田付け部が分割レーザ光LB2によって昇温して半田Sが溶融する。そして、温度比算出部76は、第1温度測定部58にて測定された第1被半田付け部の温度と、第2温度測定部60にて測定された第2被半田付け部の温度とに基づいて、第1被半田付け部と第2被半田付け部との温度比を算出するステップS45。その後、温度判定部78は、算出温度比と設定温度比とが一致したか否かを判定しステップS46、一致していない場合には、ウェッジ基板42を進退駆動ステップS47してステップS45以降の処理を行う。一方、算出温度比と設定温度比とが一致した場合には、半田供給制御部88は半田Sの供給を停止するステップS48。次に、電源制御部66がLD電源12の駆動を停止することによりLDユニット26からのレーザ光LBの発振を停止するステップS49。その後、半田付けが終了するステップS50。この段階で、本変形例に係るレーザ半田付けの手順が終了する。本変形例によれば、図3の手順と比較して、全体のステップ数が削減された分、レーザ半田付けの制御を簡素化することができる。また、このように簡素化した場合であっても、第1被半田付け部と第2被半田付け部の温度比を算出し、その算出温度比が設定温度比となるようにウェッジ基板42を進退駆動してフィードバック制御しているので、該第1被半田付け部と該第2被半田付け部の温度管理を確実に行うことができる。これにより、管理された再現性の良い接合が可能となる。ところで、第1温度測定部58と第2温度測定部60が、例えば、放射温度計等の非接触温度計で構成されている場合、ステップS45において、第1被半田付け部の表面的な温度と第2被半田付け部の表面的な温度とに基づいて温度比が算出されることになる。そうすると、第1被半田付け部と第2被半田付け部への入熱量が実際には十分でない場合も有り得る。そのため、本変形例において、ステップS49では、半田Sの供給が停止された算出温度比と設定温度比とが一致した直後にレーザ光LBの発振を停止するのではなく、徐々に又は段階的にレーザ光LBのパワー出力を低下させるようにして該レーザ光LBを停止させることが好ましい。このようにすることにより、第1被半田付け部と第2被半田付け部に十分な入熱を行うことができる。言い換えれば、第1被半田付け部と第2被半田付け部への入熱が不足することはない。また、ステップS49では、上述した設定温度範囲よりも若干高い温度閾値を予め設定しておき、第1被半田付け部及び第2被半田付け部の温度が前記温度閾値に一致した場合に、レーザ光LBの発振を停止してもよい。この場合にも、第1被半田付け部と第2被半田付け部に十分な入熱を行うことが可能である。なお、前記温度閾値は、第1被半田付け部及び第2被半田付け部への入熱量が過度にならない程度の値に設定するとよい。第3変形例次に、第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aを用いた半田付け手順の第3変形例について図8を参照しながら説明する。なお、本変形例では、初期状態において、ウェッジ基板42は、レーザ光LBの一部が入射可能な位置に配置されている。図8に示すように、本変形例に係るレーザ半田付け手順では、ステップS61~ステップS64までの処理が第2変形例のステップS41~ステップS44までの処理と全く同一であるため、その説明を省略する。そして、ステップS64の後、カメラユニット制御部86は、カメラユニット52を制御して、半田付け中の半田Sの状態を撮影するステップS65。次いで、画像判定部80は、撮影画像と基準画像との一致度合いが所定範囲内であるか否かを判定しステップS66、前記一致度合いが所定範囲内にない場合には、ウェッジ基板42を進退駆動ステップS67してステップS65以降の処理を行う。一方、前記一致度合いが所定範囲内である場合には、半田供給制御部88が半田供給部22を制御して半田Sの供給を停止し、電源制御部66がLD電源12の駆動を停止することによりLDユニット26からのレーザ光LBの発振を停止するステップS68。その後、半田付けが終了するステップS69。この段階で、本変形例に係るレーザ半田付けシステム10Aを用いた半田付けの手順が終了する。本変形例によれば、図3の形態と比較して、全体のステップ数が削減された分、レーザ半田付けの制御を簡素化することができる。また、このように簡素化した場合であっても、半田付け中の半田Sの状態をカメラユニット52にて撮影し、該撮影画像と基準画像との一致度合いが所定範囲内となるように、半田付け中の半田Sの状態を管理することができる。これにより、管理された再現性の良い接合が可能となる。第4変形例次に、第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aを用いた半田付け手順の第4変形例について図9を参照しながら説明する。図9に示すように、本変形例に係るレーザ半田付け手順は、図6に示す第1変形例の手順と図7に示す第2変形例の手順とを組み合わせた手順となっている。具体的には、図6のステップS21~ステップS28の処理を行った後に、図7のステップS45~ステップS50の処理を行う。各ステップの具体的な内容は、第1及び第2変形例で説明したので、その説明を省略する。本変形例によれば、分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の強度比を確実に管理すると共に、第1被半田付け部と第2被半田付け部の温度管理を確実に行うことができるので、接合品質の向上を図りつつ管理された再現性の良い接合が可能となる。第5変形例次に、第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aを用いた半田付け手順の第5変形例について図10を参照しながら説明する。図10に示すように、本変形例に係るレーザ半田付け手順は、図6に示す第1変形例の手順と図8に示す第3変形例の手順とを組み合わせた形態となっている。具体的には、図6のステップS21~ステップS28の処理を行った後に、図8のステップS65~ステップS69の処理を行う。各ステップの具体的な内容は、第1及び第3変形例で説明したので、その説明を省略する。本変形例によれば、分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の強度比を確実に管理すると共に、半田付け中の半田Sの状態を管理することができるので、接合品質の向上を図りつつ管理された再現性の良い接合が可能となる。第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aは、上記の構成乃至手順に限定されない。例えば、温度比の算出による制御図9のステップS45~ステップS47と画像制御図10のステップS65~ステップS67とを同時並行して行う構成としてもよい。この場合、温度比又は画像のいずれか一方が一致したことにより状態の管理を行うことができる。また、電源制御部66は、分割レーザ光LB1の強度と分割レーザ光LB2の強度、又は分割レーザ光LB1、LB2の強度比に基づいて、LD電源12の駆動電流値を増減することにより、LDユニット26から発振されるレーザ光LB各分割レーザ光LB1、LB2の出力を変更してもよい。こうすることにより、分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の強度比だけでなく、レーザ光LBのエネルギ量分割レーザ光LB1と分割レーザ光LB2の総エネルギ量を容易に変更することが可能となる。これにより、各分割レーザ光LB1、LB2の強度を設定強度値に容易に調整することが可能となる。よって、接合品質のさらなる向上を図ることができる。この場合、電源制御部66は、例えば、第1被半田付け部の温度第1温度測定部58により測定された温度と第2被半田付け部の温度第2温度測定部60により測定された温度、又は第1被半田付け部と第2被半田付け部の温度比に基づいて前記レーザ光LBの出力を変更してもよいし、カメラユニット52の撮影画像に基づいて前記レーザ光LBの出力を変更してもよい。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Bについて図11及び図12を参照しながら説明する。なお、第2実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Bにおいて、第1実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Aと同一又は同様な機能及び効果を奏する要素には同一の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。なお、後述する第3及び第4実施形態においても同様である。図11及び図12に示すように、本実施形態のワークWは、プリント配線板306上に印刷された銅パターン第1ワーク308と、該銅パターン308に実装される電子部品第2ワーク310とを有する。電子部品310は、例えば、直方体状のチップコンデンサとして構成されており、その中央部分を構成するコンデンサ本体312と、各端部を構成する端子電極314とを含む。本実施形態では、銅パターン308と端子電極314とが半田付けにより接合される。本実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Bでは、コリメートレンズ40とウェッジ基板42との間のレーザ光LBの光路上に、該レーザ光LBのスポット形状を略楕円形状にするためのレンズスポット形状変形手段90と、該レンズ90を透過したレーザ光LBを平行化するコリメートレンズ92とが設けられている。このように構成されたレーザ半田付けシステム10Bによれば、レーザ光LBのスポット形状をレンズ90によって略楕円形状にしているので、各分割レーザ光LB1、LB2のスポット形状についても略楕円形状にすることができる図12参照。これにより、チップコンデンサのように、平面視で略矩形状の端子電極314を銅パターン308に半田付けするような場合であっても、該端子電極314と銅パターン308とを好適に昇温することができる。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Cについて図13~図15を参照しながら説明する。図13及び図15に示すように、本実施形態のワークWは、プリント配線板306上に印刷された銅パターン第1ワーク308と、該銅パターン308に実装スルーホール実装される電子部品第2ワーク316とを有する。プリント配線板306には、貫通孔318が形成されており、該貫通孔318の周りに円環状の銅パターン308が配設されている。電子部品316は、例えば、電解コンデンサとして構成されており、円柱状のコンデンサ本体320と、該コンデンサ本体320の端部から突出してプリント配線板306の貫通孔318に挿通される端子322とを含む。図13及び図14に示すように、本実施形態のレーザ半田付けシステム10Cでは、第1実施形態のウェッジ基板42に替えて複数3つのウェッジ基板100a~100cが設けられている。これらウェッジ基板100a~100cは、レーザ光LBの光軸に沿った方向の位置を揃えた状態で、該光軸の回りに沿って等間隔離間するように配設されている。すなわち、これらウェッジ基板100a~100cは、レーザ光LBの光軸の回りに互いに120°ずつ位相がずれている。なお、前記ウェッジ基板100a~100cは、レーザ光LBの光軸に沿って互いにオフセットしていても構わない。各ウェッジ基板100a~100cには、該ウェッジ基板100a~100cをレーザ光LBに対して進退するアクチュエータ102a~102cが設けられる。そして、ウェッジ基板駆動制御部82は、各アクチュエータ102a~102cに制御信号を送り、これらウェッジ基板100a~100cをレーザ光LBに対して進退駆動する。このようにして構成されるレーザ半田付けシステム10Cでは、レーザ光LBは、各ウェッジ基板100a~100cの透過光分割レーザ光LB1~LB3と、これらウェッジ基板100a~100cを透過しない光分割レーザ光LB4に分割される。すなわち、レーザ光LBは、4本の分割レーザ光LB1~LB4に分割されることになる。そして、分割レーザ光LB4は端子322の端面に照射され、分割レーザ光LB1~LB3は分割レーザ光LB4の光軸の回りに沿って等間隔離間した状態で銅パターン308に照射されることになる。これにより、円環状の銅パターン308を略均等の温度に昇温することができる。よって、端子322の全周に亘って半田付けを行う場合であっても、半田Sを該端子322の全周に均一に供給することができる。よって、端子322と銅パターン308とを確実に接合することができる。本実施形態によれば、ウェッジ基板100a~100cをレーザ光LBの光軸の回りに沿って等間隔離間するように配設しているので、端子322に照射される分割レーザ光LB4の光軸の回りに沿って等間隔離間するように複数の分割レーザ光LB1~LB3を銅パターン308に容易に照射することができる。第4実施形態次に、本発明の第4実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Dについて図16及び図17を参照しながら説明する。図16及び図17に示すように、本実施形態のワークWは、プリント配線板306上に印刷された複数例えば、3つの銅パターン308a~308cと、該銅パターン308a~308cに実装スルーホール実装される電子部品324とを有する。プリント配線板306には、3つの貫通孔318a~318cが形成されており、各貫通孔318a~318cの周りに円環状の前記銅パターン308a~308cが配設されている。電子部品324は、例えば、トランジスタとして構成されており、直方体状のトランジスタ本体326と、トランジスタ本体326から突出してプリント配線板306の各貫通孔318a~318cに挿通される3本の端子328a~328cとを含む。すなわち、本実施形態に係るワークWは、端子328aと銅パターン308aとから構成される被接合部330aと、端子328bと銅パターン308bとから構成される被接合部330bと、端子328cと銅パターン308cとから構成される被接合部330cとを有する。本実施形態に係るレーザ半田付けシステム10Dは、ウェッジ基板110と、該ウェッジ基板110を駆動するアクチュエータ112と、2つの半田供給部114、116とをさらに備える。ウェッジ基板110は、コリメートレンズ40とウェッジ基板42との間において、レーザ光LBの光軸の回りに沿ってウェッジ基板42に対して180°位相をずらして配置されている。なお、ウェッジ基板110は、レーザ光LBの光軸に沿った方向の位置をウェッジ基板42に揃えても構わない。ウェッジ基板駆動制御部82は、アクチュエータ112に制御信号を送り、ウェッジ基板110をレーザ光LBに対して進退駆動する。このようにして構成されるレーザ半田付けシステム10Dでは、レーザ光LBは、各ウェッジ基板42、110の透過光分割レーザ光LB1、LB2と、これらウェッジ基板42、110を透過しない光分割レーザ光LB3とに分割される。すなわち、レーザ光LBは、3本の分割レーザ光LB1~LB3に分割されることになる。そして、各分割レーザ光LB1~LB3は、各被接合部330a~330cに照射される。そのため、3つの被接合部330a~330cを効率的に同時に昇温して半田付けを行うことができる。よって、半田付け工程の工数を大幅に低減することが可能となる。本発明は上記した実施形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは当然可能である。例えば、ワークWは、上述した構成に限定されるものではなく任意に変更が可能である。また、伝送用光ファイバ32のコアの断面形状は、方形状長方形状又は正方形状に形成されていてもよい。すなわち、伝送用光ファイバ32は、方形コアファイバスポット形状変形手段として構成されていてもよい。こうすることで、ピーク強度が低く且つフラットである強度分布トップハット状の強度分布を有するレーザ光LBを得ることができる。すなわち、各分割レーザ光LB1~LB4の強度分布をトップハット状の強度分布にすることができる。ところで、一般的に、ガウス分布状の強度分布を有するレーザ光を用いて樹脂製のプリント配線板に電子部品端子を半田付けする場合、該レーザ光の中心部分光軸部分のピーク強度が高いため、レーザスポットの中心部分の入熱量が過度になることがある。そうすると、前記プリント配線板にダメージを与えて該プリント配線板から該電子部品が剥がれることがある。しかしながら、上記のような方形コアファイバを伝送用光ファイバとして利用すると、各分割レーザ光LB1、LB2の強度分布がトップハット状の強度分布となることから、前記プリント配線板にダメージを与えることがなくなるので、該プリント配線板から電子部品が剥がれることを好適に防止することができる。また、方形コアファイバを構成するコアを断面矩形状に形成すると、レーザスポット形状についても断面矩形状にすることができる。これにより、例えば、図12に示すように、銅パターン308と電子部品チップコンデンサ310の端子電極314とを半田付けする場合であっても、分割レーザ光LB1のスポット形状を該銅パターン308の形状に合わせると共に、分割レーザ光LB2のスポット形状を該端子電極314の形状に合わせることができるため、該銅パターン308と該端子電極314とを好適に昇温することができる。この場合、レーザスポットの長辺と短辺の比率は、長辺:短辺=2:1程度が限界となる。該レーザスポットの長辺の比率をさらに大きくしたい場合細長い形状のレーザスポット形状を得たい場合には、例えば、楕円光学系レンズ90を有する出射ユニット18と前記方形コアファイバとを組み合わせることにより容易に実現することができる。本発明に係るレーザ半田付けシステム10A~10Dにおいて、LDユニット26が複数設けられると共に、各LDユニット26から延在する取り出し用光ファイバ28をバンドルファイバとして構成してもよい。こうすることで、各LDユニット26から発振したレーザ光LBを前記バンドルファイバでまとめることができる。これにより、一層高出力のレーザ光LBを加工半田付けに利用することができる。具体的には、例えば、最大出力が25WのLDユニット26を7つ設けることにより、175Wの高出力のレーザ光LBを得ることができる。また、本発明に係るレーザ半田付けシステム10A~10Dにおいて、取り出し用光ファイバ28は、出射ユニット18に直接接続されていても構わない。こうすることで、入射部30と伝送用光ファイバ32の構成を省略することができるので、レーザ半田付けシステム10A~10Dの構成を簡素化することができる。