半導体素子が接続されたリードフレームと、前記リードフレームに接続された電極端子と、前記電極端子の一部が露出するように、前記半導体素子、前記電極端子、および前記リードフレームを封止する第一の封止樹脂と、前記第一の封止樹脂から露出した前記リードフレームを封止する第二の封止樹脂と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記リードフレームは、前記半導体素子が接続された面の反対面側が放熱部材で固定されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記リードフレームおよび前記放熱部材は、銅または銅合金で形成されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。前記電極端子は、円筒状または円柱状の形状であり、前記リードフレームに対して略垂直に接合されることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体装置。前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料で形成されることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の半導体装置。前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンドのいずれかであることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。半導体素子および電極端子をリードフレームに接続する工程と、前記電極端子の一部が露出するように、前記半導体素子、前記電極端子、および前記リードフレームを第一の封止樹脂で封止する工程と、前記第一の封止樹脂から突出した前記リードフレームの一部を切断する工程と、前記リードフレームの一部を切断して、前記第一の封止樹脂から露出した前記リードフレームを第二の封止樹脂で封止する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。従来の半導体装置では、リードフレームを用いた場合に、電極端子を半導体装置の外周部から取り出すため、所定の絶縁距離を確保するために、リードフレームのリード間隔を広く確保する必要があり、半導体装置のサイズが大きくなるという問題点があった。この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、電極端子間の絶縁距離を容易に確保でき小型化が可能な半導体装置を得るものである。半導体素子が接続されたリードフレームと、前記リードフレームに接続された電極端子と、前記電極端子の一部が露出するように、前記半導体素子、前記電極端子、および前記リードフレームを封止する第一の封止樹脂と、前記第一の封止樹脂から露出した前記リードフレームを封止する第二の封止樹脂と、を備えることを特徴とする半導体装置。この発明は、リードフレームを用い、リードフレームを第一の封止樹脂で樹脂封止した後に、第一の封止樹脂から露出したリードフレームを第二の封止樹脂で樹脂封止することにより、電極端子間の絶縁距離を容易に確保でき半導体装置の小型化が可能となる。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1における半導体装置の上面概略図である。図2は、図1のA-B線における半導体装置の断面概略図である。はじめに、この発明の実施の形態1における半導体装置の全体構成について説明する。図1と図2に示すように、半導体装置11は、リードフレーム1、スイッチング素子2a、整流素子2b以下、半導体素子2と称す、ヒートスプレッダー3、主電極用端子4a、信号電極用端子4b以下、電極端子4と称す、アルミワイヤ5、スリーブ6、絶縁シート7絶縁層7a、銅箔7b、第一の封止樹脂8、第二の封止樹脂9、外部電極端子10で構成される。回路パターンが構成されたリードフレーム1の半導体素子接続部である所定の位置に半導体素子2スイッチング素子2a、整流素子2bが導電性の接合材図示なしを用いて固着されるとともに電気的に接続される。半導体素子2のリードフレーム1との固着面の反対面側である半導体素子2の表面に形成された電極は、アルミワイヤ5等のいわゆるワイヤボンディングによる配線部材により、リードフレーム1と電気的に接続される。そして、アルミワイヤ5が接続されたリードフレーム1は、円筒または円柱状の形状の電極端子4主電極用端子4a、信号電極端子4bを介して、外部との電気的な接続を行う。また、電極端子4は、リードフレーム1に対して略垂直に配置される。そして、電極端子4には、電極端子4と第一の封止樹脂である樹脂8とのシール性を確保するための円筒状のスリーブ6を外周に挿入している。リードフレーム1の半導体素子2を接続した面の反対面側には、半導体素子2から発生する熱を放熱するための放熱部材であるヒートスプレッダー3が接合材図示なしを用いて固着されている。さらに、ヒートスプレッダー3のリードフレーム1との接合面の反対面側は、絶縁層7aと金属薄膜である銅箔7bの2層構造になっている絶縁シート7と固着している。そして、リードフレーム1、半導体素子2、ヒートスプレッダー3、電極端子4、アルミワイヤ5、絶縁シート7を含めてトランスファーモールドにより形成される第一の封止樹脂8を用いて封止する。このとき、電極端子4の端部および銅箔7bの一部が第一の封止樹脂8内から露出するように封止する。封止後、第一の封止樹脂8から外部へ突出した部分のリードフレーム1を切断する。そして、切断することによって第一の封止樹脂8から露出する切断部を覆うように第一の封止樹脂8の一部を第二の封止樹脂9で封止する。最後に、外部電極端子10を電極端子4に挿入または固着する。つぎに、各部材の詳細について説明する。リードフレーム1は、導電性を有する材料であれば良く、中でも導電性の高い銅または銅合金が良い。半導体素子2は、リードフレーム1に接合材を用いて固着される。接合材としては、導電性を有する接合材であればよく、ハンダ、導電性接着材、焼結銀などが挙げられる。半導体素子2は、シリコンを基材とした一般的な素子でも良いが、本発明においては炭化珪素や窒化ガリウムGaN、またはダイヤモンドといったシリコンと較べてバンドギャップが広い、いわゆるワイドバンドギャップ半導体材料を適用したときに好適な構造を目指しており、特に炭化珪素を用いた半導体素子に好適である。デバイスの種類としては、特に限定する必要はないが、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorやMOSFETMetalOxideSemiconductorField-Effect-Transistorのようなスイッチング素子2a、またはダイオードのような整流素子2bが考えられる。ヒートスプレッダー3は、熱伝導率の高い金属で構成されている。例えば、熱伝導性の高い銅の板材で構成されている。銅が主成分であれば良く、銅以外の金属を含有していても構わない。また、軽量で熱伝導率の高いアルミニウムまたはその合金でもよい。第一の封止樹脂8との密着性を上げるように表面に凹凸を設けても良い。また、化学結合を強固にするためにプライマー等の表面処理を実施してもよい。ヒートスプレッダー3は、半導体素子2が接続された面の反対面側のリードフレーム1に接合材を用いて固着する。接合材としては、この場合は熱伝導性が良好なもので良く、上記で記載した以外の接合材以外に、絶縁性の高熱伝導接着材も使用できる。円筒または円柱状の形状の電極端子4は、導電性が良好な金属が良い。例えば、銅または銅合金があげられる。電極端子4の形状が円筒状の場合、リードフレーム1と固着する側は穴がふさがっていても良い。電極端子4の外周には、第一の封止樹脂8の入り込みを防止するための円筒状の樹脂スリーブ6を挿入する。この樹脂スリーブ6の材質としては、第一の封止樹脂成形時に溶融しなくて、強度が確保できる材料が良い。材料としては、ナイロン、ポリパラフェニレンサルファイドPPS、ポリブチレンテレフタレートPBTなどの熱可塑性樹脂が用いることができる。電極端子4はリードフレーム1と接合材で固着する。この場合の接合材としては、リードフレーム1と半導体素子2を固着する際に用いた導電性の接合材を用いることができる。アルミワイヤ5を介して、半導体素子2と電極端子4は電気的に導通させる。ヒートスプレッダー3のリードフレーム1と固着している面の反対面側には、銅箔7b面上にエポキシ樹脂等からなる熱硬化性の樹脂に、高熱伝導性で絶縁性のセラミック粒子、例えば、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等を充填材として混入した絶縁層7aとを接着させる。この絶縁層7aは熱伝導性と絶縁性を有する樹脂層である。この絶縁層7aは絶縁性が高いことから、厚みを100~300μmと比較的薄い厚みで使用することができるため、放熱特性も非常に高い。第一の封止樹脂8を構成するいわゆる封止樹脂材としては、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に、溶融シリカ等のセラミック粒子を充填材として混入し、熱膨張係数や弾性率を調整した材料を用いる。第一の封止樹脂8をトランスファーモールドにより形成した後に、第一の封止樹脂8から外部へ突出した部分のリードフレーム1の一部を切断する。そして、リードフレーム1を切断することによって第一の封止樹脂8から露出する切断部を覆うように第一の封止樹脂8の一部を第二の封止樹脂9で封止する。この第二の封止樹脂9は、室温で性状が液体である樹脂で第一の封止樹脂8と同様に、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に、溶融シリカ等のセラミック粒子を充填材として混入し、熱膨張係数や弾性率を調整した材料である。リードフレーム1の切断部を第二の封止樹脂9で覆うことで、切断部が露出することがなく、絶縁距離の確保のためにリードフレーム1のリード間隔を広げる必要がなくなり、半導体装置の小型化が可能となる。電極端子4には、外部電極端子10を接続する。外部電極端子10の材質としては、電極端子4と同じく導電性が良好な金属が良い。例えば、銅または銅合金があげられる。次に、本実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図3は、この発明の実施の形態1における半導体装置の製造プロセスを示す。図3に示すように、まず、はじめに、図3aに示すように、準備工程において、半導体素子2等を接続するための母材となるリードフレーム1を準備する。次に、図3bに示すように、素子接続工程において、リードフレーム1の一方の面に半導体素子2スイッチング素子2a、整流素子2bと電極端子4主電極用端子4a、信号電極端子4bを、リードフレーム1の半導体素子2と電極端子4を固着した面の反対面側にヒートスプレッダー3を接合材図示せずで固着する。このとき、接合材としてハンダを用いる場合は、固定治具で各部材を位置決めして、一括でハンダリフローすることで製造することができる。次に、図3cに示すように、ワイヤボンディング工程において、半導体素子2の表面に形成された電極と、リードフレーム1とを、アルミワイヤ5により電気的に接続する。リードフレーム1を用いることで半導体素子接続からワイヤボンディングの工程間の搬送の効率が非常に良くなる。次に、図3dに示すように、封止前工程において、電極端子4には封止工程実施中に第一の封止樹脂8が電極端子4の中および上に入り込まないように、円筒状の樹脂スリーブ6を外周に挿入する。このとき、樹脂スリーブ6は電極端子4より突き出すように挿入する。次に、図3eに示すように、トランスファーモールドを用いた封止工程において、金型上に絶縁シート7銅箔7bの上に絶縁層7aを設置し、その上にヒートスプレッダー3と一体になったリードフレーム1を、絶縁層7aとヒートスプレッダー3とが接するように固着する。その後、リードフレーム1、半導体素子2、ヒートスプレッダー3、電極端子4、アルミワイヤ5、絶縁シート7を含めてトランスファーモールドにより形成される第一の封止樹脂8を用いて封止する。このとき、電極端子4の端部および銅箔7bの一部が第一の封止樹脂8内から露出するように封止する。樹脂スリーブ6を挿入した電極端子4は、金型の型締め時に樹脂スリーブ6が移動することで第一の封止樹脂8とのシール性を確保でき、第一の封止樹脂8の入り込みを防止することができる。また、これ以外の方法で電極端子4の中および上に第一の封止樹脂8が入り込まないようにしても良い。その他の方法としては、例えば、以下のものが挙げられる。トランスファーモールド時にリードフレーム1を金型で挟んだ際に、必ず金型に当たるように電極端子4の長さを調整する。電極端子4が当たった際に電極端子4が変形することで第一の封止樹脂8とのシール性を確保することができる。この場合、変形のしやすさから、円筒状の電極端子の方が良い。あるいは、電極端子4が当たる金型に樹脂フィルムを予め貼り付けておき、樹脂フィルムに電極端子4をくい込ませることで第一の封止樹脂8とのシール性を確保する。リードフレーム1を用い、リードフレーム1の一部を金型で挟み固定することで、第一の封止樹脂8の成形時に、電極端子4の金型内での位置決めが正確にでき、第一の封止樹脂8の注入圧力による位置ズレも非常に小さくなることから、半導体装置11における電極端子4の位置ズレを非常に小さくすることができる。次に、図3fに示すように、リードフレーム切断工程において、封止に用いた第一の封止樹脂8を硬化した後に、第一の封止樹脂8から外部に出ているリードフレーム1の不要部分を切断する。そして、図3gに示すように、リードフレーム1の不要部分切断後に、リードフレーム1の切断部を第二の封止樹脂9で覆うように封止する。第二の封止樹脂9で封止する際は、金型や枠ケースを用いても良く、第二の封止樹脂9が垂れないようであれば、金型や枠ケースを用いなくても良い。あるいは、リードフレームの一部を切断せずに、そのまま外部電極として使用しても良い。最後に、図3hに示すように、電極端子4に外部電極端子10を接続する。電極端子4が円筒状の場合は、外部電極端子10を円筒の穴の部分に挿入する方法が良い。または、挿入ではなく、ハンダ付け、ろう付け、超音波接合、溶接等で電極端子4と外部電極端子10を接続しても良い。このような製造フローを経て、半導体装置11が形成される。以上のように構成された半導体装置においては、従来は、半導体装置の外周部から電極端子を取り出していたため、絶縁距離の確保のためにリードフレーム1のリード間隔を広げる必要があったが、上出し電極構造としたことで、絶縁距離の確保のためにリードフレーム1のリード間隔を広げる必要が無くなり半導体装置の小型化が可能となる。また、第一の封止樹脂8から突出したリードフレーム1の一部を切断し、第一の封止樹脂8から露出した切断部を第二の封止樹脂9で樹脂封止することにより、リードフレーム1のリード間の絶縁距離を容易に確保できる。さらに、リードフレーム1を用いたことで、生産性が向上する。また、トランスファーモールドを用いたことにより、第一の封止樹脂8と各部材との密着性が向上し、信頼性が向上する。さらに、リードフレーム1を用いたことで、トランスファーモールド時にリードフレーム1の一部を金型で挟み込むため、電極端子4の位置決めも容易になる。また、リードフレーム1やヒートスプレッダー3に、熱伝導性や導電性に優れた銅または銅合金を用いることで、放熱性に優れた半導体装置の提供が可能となる。さらに、半導体材料として、ワイドバンドギャップ半導体材料を用いて半導体素子を形成することで、高温動作や電力損失低減ができ高効率化が可能となる。実施の形態2.図4は、この発明の実施の形態2における半導体装置の断面概略図である。本実施の形態2における半導体装置においては、半導体素子2が接続される半導体素子接続部分のリードフレームの厚さが半導体素子2を接続した面の反対面側に厚くなったリードフレーム21を用いることにより、実施の形態1におけるヒートスプレッダー3が不要になったことが実施の形態1と異なり、その他の部分は実施の形態1と同様である。本発明の実施の形態2における半導体装置の全体構成について説明する。半導体装置31は、リードフレーム21として、半導体素子2を接続した面の反対面側に厚くなった異形状のリードフレーム21を用いる。このことにより、実施の形態1におけるヒートスプレッダー3が不要になる。図5は、この発明の実施の形態2における半導体装置の製造プロセスを示す。図5に示すように、製造方法としては、実施の形態1と同様の製造プロセスを用いることができる。ただし、上述のように、半導体素子2が接続される半導体素子接続部分のリードフレームの厚さが半導体素子2を接続した面の反対面側に厚くなったリードフレーム21を用いることにより、ヒートスプレッダー3の取り付けが不要となり、半導体装置31の製造工程を簡略化することができる。以上のように構成された半導体装置においては、実施の形態1の特性を維持しながら、ヒートスプレッダー3をリードフレーム21に固着する必要がなくなり、固着に用いる接合材による熱抵抗の上昇の抑制、および製造時の固着プロセスを簡略化することが可能となる。