基板、前記基板の上に位置する第1電極、前記第1電極の上に位置する光吸収層、前記光吸収層の上に位置するバッファ層、及び前記バッファ層の上に位置する第2電極を含み、前記バッファ層は下記化学式1及び下記化学式2]のいずれか一つで表される化合物で形成される太陽電池:前記xは、0<x<1である前記光吸収層は、CdTe、CuInSe2、CuIn、GaSe2、CuIn、GaSe、S2、AgInGaSe2、CuIn、AlSe2、及びCuGaSe2のうちから選択された少なくとも一つで形成される、請求項1に記載の太陽電池。前記第1電極は反射伝導性金属で形成される、請求項1に記載の太陽電池。前記第1電極は、モリブデンMO、銅Cu、及びアルミニウムのいずれか一つで形成される、請求項3に記載の太陽電池。前記第2電極は透明な伝導性酸化物で形成される、請求項4に記載の太陽電池。前記第2電極は、ITO、IZO、ZnO、GaZO、ZnMgO、及びSnO2のいずれか一つで形成される、請求項5に記載の太陽電池。前記第2電極の上に位置する反射防止膜をさらに含む、請求項1に記載の太陽電池。基板、前記基板の上に位置する第1電極、前記第1電極の上に位置する光吸収層、前記光吸収層の上に位置するバッファ層、及び前記バッファ層上に位置する第2電極を含み、前記バッファ層は、酸化インジウムIn2O3にシリコンSi及び錫Snのいずれか一つをドーピングして形成される太陽電池。前記光吸収層は、CdTe、CuInSe2、CuIn、GaSe2、CuIn、GaSe、S2、AgInGaSe2、CuIn、AlSe2、及びCuGaSe2のうちから選択された少なくとも一つで形成される、請求項8に記載の太陽電池。前記第1電極は反射伝導性金属で形成される、請求項9に記載の太陽電池。前記第1電極は、モリブデンMO、銅Cu、及びアルミニウムのいずれか一つで形成される、請求項10に記載の太陽電池。前記第2電極は透明な伝導性酸化物で形成される、請求項11に記載の太陽電池。前記第2電極は、ITO、IZO、ZnO、GaZO、ZnMgO、及びSnO2のいずれか一つで形成される、請求項12に記載の太陽電池。前記第2電極の上に位置する反射防止膜をさらに含む、請求項8に記載の太陽電池。P型半導体層、N型半導体層、前記P型半導体層と前記N型半導体層との間に形成されたバッファ層を含み、前記バッファ層は下記化学式1及び下記化学式2のうちのいずれか一つで表される化合物で形成される太陽電池。ここで、前記xは、0<x<1であるしかし、硫化カドミウムなどは短波長領域で光吸収損失が生じ、そのため光效率が低下する恐れがある。本発明の目的は、光透過率を高めて效率を改善することができる太陽電池を提供することにある。本発明の実施形態による太陽電池は、基板、前記基板の上に位置する第1電極、前記第1電極の上に位置する光吸収層、前記光吸収層の上に位置するバッファ層、及び前記バッファ層の上に位置する第2電極を含み、前記バッファ層は下記化学式1及び下記化学式2のいずれか一つで表される化合物で形成される。ここで、前記xは、0<x<1である。前記光吸収層は、CdTe、CuInSe2、CuIn、GaSe2、CuIn、GaSe、S2、AgInGaSe2、CuIn、AlSe2、及びCuGaSe2のうちから選択された少なくとも一つで形成することができる。前記第1電極は、反射伝導性金属で形成することができる。前記第1電極は、モリブデンMO、銅Cu、及びアルミニウムのいずれか一つで形成することができる。前記第2電極は、透明な伝導性酸化物で形成することができる。前記第2電極は、ITO、IZO、ZnO、GaZO、ZnMgO、及びSnO2のいずれか一つで形成することができる。前記第2電極の上に位置する反射防止膜をさらに含むことができる。本発明の他の実施形態による太陽電池は、基板、前記基板の上に位置する第1電極、前記第1電極の上に位置する光吸収層、前記光吸収層の上に位置するバッファ層、及び前記バッファ層上に位置する第2電極を含み、前記バッファ層は、酸化インジウムIn2O3にシリコンSi及び錫Snのいずれか一つをドーピングして形成することができる。前記光吸収層は、CdTe、CuInSe2、CuIn、GaSe2、CuIn、GaSe、S2、AgInGaSe2、CuIn、AlSe2、及びCuGaSe2のうちから選択された少なくとも一つで形成することができる。前記第1電極は、反射伝導性金属で形成することができる。前記第1電極は、モリブデンMO、銅Cu、及びアルミニウムのいずれか一つで形成することができる。前記第2電極は、透明な伝導性酸化物で形成することができる。前記第2電極は、ITO、IZO、ZnO、GaZO、ZnMgO、及びSnO2のいずれか一つで形成することができる。前記第2電極の上に位置する反射防止膜をさらに含むことができる。本発明の他の実施形態による太陽電池は、P型半導体層とN型半導体層との間に形成されたバッファ層を含み、前記バッファ層は下記化学式1及び下記化学式2のうちのいずれか一つで表される化合物で形成される。ここで、前記xは、0<x<1である。本発明の実施形態によれば、新しい組成を有するバッファ層を適用して短波長領域で光損失を減らすことによって、光效率を向上することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、他の形態に具体化することも可能である。むしろ、ここで紹介する実施形態は、開示された内容を徹底でかつ完全なものとなるようにし、また当業者に本発明の思想を充分に伝達するために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは明確性を期するために誇張して示した。また、層が他の層または基板の上にあるという場合に、それは他の層または基板の上に直接形成できるか、またはそれらの間に第3の層が介在されることもできる。明細書の全体にわたって、同一の参照番号に表示された部分は同一の構成要素を意味する。図1は、本発明の実施形態による太陽電池を示す概略的な断面図である。図1を参照すると、本発明の実施形態による太陽電池は、基板100、基板100の上に位置する第1電極110、第1電極110の上に位置する光吸収層120、光吸収層120の上に位置するバッファ層130、バッファ層130の上に位置する第2電極140、第2電極140の上に位置する反射防止膜150、及びグリッド電極160を含む。反射防止膜150は省略可能である。他の実施形態において、反射防止膜150は、基板100と第1電極110との間に位置することができる。第1電極110は、モリブデンMO、銅Cu、アルミニウムAlのような反射伝導性金属で形成することができる。光吸収層120は、1族元素、3族元素、及び6族元素のうちから選択された少なくとも一つの元素を含むことができる。光吸収層120は、化合物半導体で形成することができ、CdTe、CuInSe2、CuIn、GaSe2、CuIn、GaSe、S2、AgInGaSe2、CuIn、AlSe2、及びCuGaSe2からなる群より選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。バッファ層130はpn接合をなすP型半導体層とN型半導体層との間に形成されて、p型半導体とn型半導体との格子定数及びエネルギーバンドギャップの差を緩和させる役割をする。したがって、バッファ層130として用いられる物質のエネルギーバンド値は、N型半導体とP型半導体のエネルギーバンドギャップの中間くらいの値を有するか、またはN型半導体とP型半導体のバンドギャップより大きい値を有することができる。本発明の実施形態によるバッファ層130は、下記化学式1及び下記化学式2のいずれか一つで表される化合物で形成することができる。上記xは、0<x<1である。本発明の他の実施形態によるバッファ層130は、酸化インジウムIn2O3にシリコンSi、錫Sn、及び窒素Nのいずれか一つをドーピングして形成することができる。バッファ層130にシリコンSi、錫Sn、及び窒素Nのいずれか一つをドーピングすることによって、抵抗率またはキャリアの密度を調節することができる。本実施形態によるバッファ層130は、下記化学式3乃至下記化学式5のいずれか一つで表される化合物で形成することができる。上記xは、0<x<1である。バッファ層130は、スピンコーティングSpin-coating方法、ディッピングDipping方法、化学的溶液成長法Chemicalbathdeposition;CBD、原子蒸着法AtomicLayerDeposition;ALDなどを利用して形成することができる。第2電極140は透明伝導性酸化物で形成することができる。第2電極140は、ITO、IZO、ZnO、GaZO、ZnMgO、またはSnO2のいずれか一つの物質で形成することができる。第1電極110または第2電極140を通じて光吸収層120に光が入射すると、電子と正孔が生成され、電子が第1電極110に移動され、正孔は第2電極140に移動されて、電流が流れるようになる。または、光吸収層の種類によって電子が第2電極140に移動され、正孔が第1電極110に移動されて、電流が流れることも可能である。光吸収層120の光吸収率が高いほど、太陽電池の光效率が高くなることができる。反射防止膜150はフッ化マグネシウムMgF2で形成でき、グリッド電極160は銀Ag、銀ペーストSilverpaste、アルミニウムAlまたはニッケルアルミニウム合金などを利用して形成することができる。図2は、硫化カドミウムCdSで形成されたバッファ層の厚さを変化させる時、波長による外部量子效率ExternAlQuantumEfficiency;EQEを示すグラフである。図2を参照すると、従来の硫化カドミウムCdSでバッファ層を形成した場合に、500nm以下の短波長で、その厚さが増加するほど透過率が落ちる。そのため、500nm以下の短波長で光損失が発生し得る。図3及び図4は、バッファ層の材料を変化させる時、波長による光透過率を示すグラフである。図3を参照すると、バッファ層の物質として、硫化カドミウムCdS、酸化インジウムIn2O3、InGaO、及びInAlOを使用した。特に、InGaOはIn1-xGax2O3でxが0.1である場合であり、InAlOはIn1-xAlx2O3でxが0.34である場合を測定した。この時、500nm以下の短波長領域での透過率が、既存の硫化カドミウムCdSを使用した場合よりも、本発明の実施形態によるバッファ層として酸化インジウムIn2O3にガリウムまたはアルミニウムを混合した場合にさらに良いことが確認できる。図4を参照すると、バッファ層の物質として、硫化カドミウムCdS、シリコンSiがドーピングされた酸化インジウムInO:Si、及び錫Snがドーピングされた酸化インジウムInO:Snを使用した。特に、シリコンSiがドーピングされた酸化インジウムInO:Siは、In2O3にSiを0.14atatomicを添加し、錫Snがドーピングされた酸化インジウムInO:Snは、In2O3にSnを0.15atを添加した場合を測定した。この時、500nm以下の短波長領域での透過率が、既存の硫化カドミウムCdSを使用した場合よりも、本発明の他の実施形態によるバッファ層としてシリコンSiがドーピングされた酸化インジウムInO:Siまたは錫Snがドーピングされた酸化インジウムInO:Snを使用した場合にさらに良いことが確認できる。図5は、本発明の実施形態によるバッファ層でガリウムの含量によるバンドギャップを示すグラフである。具体的に、化学式In1-xGax2O3で、xが0、0.10、0.28、0.79である場合に、分光光度計UV/VisSpectrometerで測定した結果を光エネルギーによるαhν2の値に表した。バンドギャップEgは、次の式1によって分かる。ここで、Aは定数で、αは光学的吸収係数、hνは光エネルギーphotonenergy、nはエネルギー遷移shiftによる値である。直接遷移半導体の場合n=1/2と知られている。バンドギャップは、図5において、グラフの扇形領域を横軸に向けて延長する時、延長された扇形領域が横軸と会う地点での横軸の値を示す。図5を参照すると、xが0の時に3.65eV、xが0.1の時に3.85eV、xが0.28の時に3.9eV、xが0.79の時に4.3eV程度のバンドギャップを示す。つまり、酸化インジウムに合金として添加されたガリウムGaの量が増加することによって、バンドギャップ値が大きくなる。図6は、本発明の実施形態によるバッファ層でアルミニウムの含量によるバンドギャップを示すグラフである。具体的に、化学式In1-xAlx2O3でxが0、0.15、0.28、0.34である場合に、分光光度計UV/VisSpectrometerで測定した結果を光エネルギーによるαhν2の値に表した。図6を参照すると、xが0の時に3.65eV、xが0.15の時に3.85eV、xが0.28の時に3.9eV、xが0.34の時に4.3eV程度のバンドギャップを示す。つまり、酸化インジウムに合金として添加されたアルミニウムAlの量が増加するによって、バンドギャップ値が大きくなる。図7は、本発明の他の実施形態によるバッファ層でシリコンSiの含量によるバンドギャップを示すグラフである。具体的に、酸化インジウムIn2O3にシリコンSiを0.15at不純物として添加した場合に、分光光度計UV/VisSpectrometerで測定した結果を光エネルギーによるαhν2の値に表した。図7を参照すると、本発明の実施形態によるバッファ層にシリコンSiが不純物として添加された酸化インジウムInO:Siのバンドギャップは3.67eV程度であって、酸化インジウムIn2O3よりバンドギャップが大きくなる。図8は、本発明の他の実施形態によるバッファ層で錫Snの含量によるバンドギャップを示すグラフである。具体的に、酸化インジウムIn2O3に錫Snを0.14at不純物として添加した場合に、分光光度計UV/VisSpectrometerで測定した結果を光エネルギーによるαhν2の値に表した。図8を参照すると、本発明の実施形態によるバッファ層として錫Snが不純物として添加された酸化インジウムInO:Snのバンドギャップは3.70eV程度であって、酸化インジウムIn2O3よりバンドギャップが大きくなる。このように、本発明の実施形態によるバッファ層として、酸化インジウムIn2O3にインジウムInと同一の3族元素であるガリウムGaまたはアルミニウムAlを合金して所望のバンドギャップに調節することができ、酸化インジウムIn2O3にシリコンSiまたは錫Snをドーピングすることによって、抵抗率、キャリア密度を調節することができる。したがって、短波長領域における光吸収損失を最小化して、光效率を高めることができる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。