プラズマ処理工程がなされる基板処理室、前記基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった3次元構造物で形成されるリブ構造体、エッジが前記リブ構造体に固定して載置される誘電体、および前記誘電体それぞれの上部に位置し、高周波電源と連結して前記誘電体の内側空間で誘導電磁場を形成するアンテナ、を含む、基板処理装置。前記リブ構造体は、中央頂点から下に向かって放射状に伸びた第1構造体、および前記第1構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第2構造体、を含む、請求項1に記載の基板処理装置。前記基板処理室と接する前記リブ構造体の最下端において、前記第1構造体間の距離はすべて同じである、請求項2に記載の基板処理装置。前記第2構造体は、前記第1構造体間の間隔および曲率に合わせて個別に製作され、前記第2構造体の両端が前記第1構造体に結合する、請求項2に記載の基板処理装置。前記第1構造体と前記第2構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、前記ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、前記ベース支持台の外面と前記突出部の側面が前記誘電体のエッジを支持する載置部を構成する、請求項2に記載の基板処理装置。前記リブ構造体は、互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第3構造体、および前記第3構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第4構造体、を含む、請求項1に記載の基板処理装置。前記第3構造体は同じ方向に曲がっており、前記第3構造体のうちで中央に位置する第3構造体である程、大きい高さで形成される、請求項6に記載の基板処理装置。前記第4構造体は、前記第3構造体間の間隔および曲率に合わせて個別に製作され、前記第4構造体の両端が前記第3構造体に結合する、請求項6に記載の基板処理装置。前記第3構造体と前記第4構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、前記ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、前記ベース支持台の外面と前記突出部の側面が前記誘電体のエッジを支持する載置部を構成する、請求項6に記載の基板処理装置。前記リブ構造体は、前記第3構造体と直交する方向に沿って曲がった中央構造体をさらに含む、請求項7に記載の基板処理装置。前記リブ構造体は、互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第5構造体、および直線上に配置され、前記第5構造体と交差する第6構造体、を含む、請求項1に記載の基板処理装置。前記第5構造体は同じ方向に曲がっており、同じ長さで形成され、前記第6構造体は、前記第5構造体の長さ方向に沿って等間隔に配置される、請求項11に記載の基板処理装置。前記第6構造体は、前記第5構造体間の間隔に対応する長さで個別に製作され、前記第6構造体の両端が前記第5構造体に結合する、請求項11に記載の基板処理装置。前記第5構造体と前記第6構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、前記ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、前記ベース支持台の外面と前記突出部の側面が前記誘電体のエッジを支持する載置部を構成する、請求項11に記載の基板処理装置。前記誘電体は、前記リブ構造体によって区画された空間のサイズおよび曲率に対応するように形成される、請求項1に記載の基板処理装置。前記誘電体のうちのいずれか1つの誘電体に、反応ガスを注入するためのガス注入口が形成される、請求項15に記載の基板処理装置。薄膜トランジスタとキャパシタを含む駆動回路部を形成する段階、および前記駆動回路部と電気的に連結した有機発光素子を製造する段階、を含み、前記駆動回路部と前記有機発光素子のうちの少なくとも1つを製造する段階において、請求項1~16のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置を利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングのうちの少なくとも1つの工程を実行する、有機発光表示装置の製造方法。本発明は、大面積基板処理装置において、誘電体の破損を防ぎ、支持体サイズの拡大による電磁場の遮蔽を抑制し、電力損失を最小化することができる、プラズマを利用した基板処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は、基板処理装置を利用した有機発光表示装置の製造方法を提供することを他の目的とする。本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、プラズマ処理工程が行われる基板処理室と、基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった3次元構造物で形成されるリブ構造体と、エッジがリブ構造体に固定して載置する誘電体と、誘電体それぞれの上部に位置し、高周波電源と連結して誘電体の内側空間に誘導電磁場を形成するアンテナとを含む。リブ構造体は、中央頂点から下に向かって放射状に伸びた第1構造体と、第1構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第2構造体とを含んでもよい。基板処理室と接するリブ構造体の最下端において、第1構造体間の距離はすべて同じであってもよい。第2構造体は、第1構造体間の間隔および曲率に合わせて個別に製作され、第2構造体の両端が第1構造体に結合してもよい。第1構造体と第2構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、ベース支持台の外面と突出部の側面が誘電体のエッジを支持する載置部を構成してもよい。他の一側において、リブ構造体は、互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第3構造体と、第3構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第4構造体とを含んでもよい。第3構造体は同じ方向に曲がっており、第3構造体のうちで中央に位置する第3構造体である程、大きい高さで形成されてもよい。第4構造体は、第3構造体間の間隔および曲率に合わせて個別に製作され、第4構造体の両端が第3構造体に結合してもよい。第3構造体と第4構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、ベース支持台の外面と突出部の側面が誘電体のエッジを支持する載置部を構成してもよい。リブ構造体は、第3構造体と直交する方向に沿って曲がった中央構造体をさらに含んでもよい。他の一側において、リブ構造体は、互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第5構造体と、直線上に配置され、第5構造体と交差する第6構造体とを含んでもよい。第5構造体は同じ方向に曲がっており、同じ長さで形成され、第6構造体は第5構造体の長さ方向に沿って等間隔に配置されてもよい。第6構造体は、第5構造体間の間隔に対応する長さで個別に製作され、第6構造体の両端が第5構造体に結合してもよい。第5構造体と第6構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、ベース支持台の外面と突出部の側面が誘電体のエッジを支持する載置部を構成してもよい。誘電体は、リブ構造体によって区画された空間のサイズおよび曲率に対応するように形成されてもよい。誘電体のうちのいずれか1つの誘電体に、反応ガスを注入するためのガス注入口が形成されてもよい。本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタとキャパシタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部と電気的に連結した有機発光素子を製造する段階とを含む。駆動回路部と有機発光素子のうちの少なくとも1つを製造する段階において、上述した基板処理装置を利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングのうちの少なくとも1つの工程が行われる。大面積基板を処理するための基板処理装置において、リブ構造体を少なくとも一方向に曲がった3次元構造物で形成することにより、形状的な安全性を高めて誘電体を安定的に支持し、リブ構造体の幅を減らしてアンテナから誘導される電磁場の遮蔽を抑制することができる。したがって、リブ構造体による電力損失を最小化し、基板の処理効率を向上させることができる。さらに、上述した基板処理装置を利用して、大面積有機発光表示装置を容易に製造することができる。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様に相違した形態に実現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。図1は本発明の第1実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図であり、図2は図1に示す基板処理装置を示す断面図である。図1と図2を参照すれば、第1実施形態の基板処理装置100は、基板処理室10、リブ構造体20、複数の誘電体30、および複数のアンテナ40を含む。第1実施形態の基板処理装置100は、アンテナ40を利用して基板処理室10に誘導電磁場を形成し、誘導電磁場によって生成されたプラズマを利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングなどの基板処理を行う。基板処理室10は、プラズマを利用した基板処理工程が行われる空間を提供する。基板処理室10は大体的に直六面体形状であってもよく、基板処理室10の側壁には基板の搬出入を可能にする開口部101が形成される。開口部101は、ドア部材図示せずによって選択的に開放または閉鎖する。基板処理室10の内部には、基板50を支持する基板支持部102が設置される。基板支持部102としては、静電力によって基板を吸着支持する静電チャックelectrostaticchuck、または真空圧によって基板を吸着支持する真空チャックvacuumchuckを用いてもよい。また、基板支持部102は、機械的クランピング方式を利用して基板を支持してもよい。基板支持部102は、駆動部材107によって上下方向に移動が可能なように設置される。これにより、基板50は、より均一なプラズマ密度分布を示す領域に配置される。基板支持部102には、基板50を工程温度に加熱させる加熱部材103が設置されてもよい。加熱部材103としては、コイルのような抵抗発熱体などが用いられてもよい。基板支持部102は高周波電源104と連結し、基板支持部102と高周波電源104の間に整合器図示せずが配置されてもよい。高周波電源104は基板支持部102にバイアス電圧を提供し、後述するリブ構造体20と誘電体30の内部空間に生成されたプラズマのイオンとラジカルなどが、基板50の表面に十分に高いエネルギーを有して衝突するようにする。基板処理室10は、排気口105を介して真空ポンプ106と連結する。真空ポンプ106は、基板処理室10の内部を排気させて真空状態に維持させる。排気口105と真空ポンプ106を連結する排気ライン上に、圧力調節バルブ図示せずが設置されてもよい。上述した基板処理室10は、ディスプレイ用大面積基板処理のために、基板50のサイズに比例する内部空間を形成する。また、誘導結合型プラズマ生成のための構造物、すなわち、誘電体30とアンテナ40支持のためのリブ構造体20も、基板50のサイズに比例して大型に形成される。このとき、リブ構造体20と誘電体30は、少なくとも一方向に沿って曲がった3次元構造物で形成される。図3は図1に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図であり、図4は図3のI-I線を基準として切開したリブ構造体を示す断面図である。図3と図4を参照すれば、リブ構造体20は、全体的な骨格がドーム形状となるように形成される。このために、リブ構造体20は、最上端に位置する中央頂点から下に向かって放射状に伸びた複数の第1構造体201と、複数の第1構造体201と交差するように円周方向に沿って位置する複数の第2構造体202とを含む。リブ構造体20は、アルミニウムまたはステンレス鋼のような金属で製造される。基板処理室10と接するリブ構造体20の最下端において、第1構造体201間の距離はすべて同じであってもよい。また、第1構造体201の長さ方向に沿って測定される第2構造体202間の距離は、互いに同じであってもよく異なってもよい。第2構造体202は、第1構造体201間の間隔に対応する長さで個別に製作されてもよい。この場合、第2構造体202は、隣接する2つの第1構造体201の間に配置され、両端が溶接またはボルト-ナット結合のような機械的な結合方法によって第1構造体201に固定されてもよい。図3では、便宜上、第1構造体201と第2構造体202が一体に連結したものとして示した。リブ構造体20は誘電体30を支持するための支持体であるため、誘電体30のエッジを固定させるための載置部21を備える。このために、第1構造体201と第2構造体202それぞれは、T字型の断面を有するように形成される。具体的に、第1構造体201と第2構造体202それぞれは、基本骨格をなすベース支持台22と、ベース支持台22の外面中央に形成された突出部23とを含む。ベース支持台22の幅w1図4を参照が突出部23の幅w2図4を参照よりも大きいため、ベース支持台22の外面と突出部23の側面が誘電体30のエッジを載置させるための載置部21として機能する。図5は図1に示す基板処理装置のうち、リブ構造体と誘電体を示す斜視図であり、図6は図5のII-II線を基準として切開したリブ構造体を示す断面図である。図5と図6を参照すれば、第1構造体201と第2構造体202によって区画された空間ごとに、1つの誘電体30が独立的に配置される。それぞれの誘電体30は、第1構造体201と第2構造体202によって区画された空間のサイズおよび曲率に合わせて個別に製作された後、リブ構造体20の載置部21に固定される。誘電体30は一定の厚さで形成され、クォーツまたはセラミックなどで製造されてもよい。複数の誘電体30は、リブ構造体20と共にドーム形状の構造物を形成する。ドーム形状のリブ構造体20は、形状的な安定性が極めて優れているため、第1構造体201と第2構造体202の幅を小さく維持しながらも、誘電体30を安定的に支持することができる。第1構造体201と第2構造体202の幅が小さいということは、ドーム形状構造物の大部分を誘電体30として配置できるということを意味する。再び図1と図2を参照すれば、複数の誘電体30のうちのいずれか1つの誘電体30に、プラズマ生成のための反応ガスを注入するガス注入口301が形成される。ガス注入口301はガス供給ライン302と連結し、ガス供給ライン302上に反応ガス供給源303が位置する。複数の誘電体30それぞれの上部にアンテナ40が設置される。アンテナ40は螺旋形構造の誘導結合型プラズマアンテナであって、ドーム形状の構造物内に注入された反応ガスからプラズマを生成するために、RFRF:radio-frequencyパワーを送信する機能を行う。RFパワーは誘電体30を透過し、ドーム形状の構造物の内部空間に提供される。図7は図1に示すアンテナの連結状態を示す概略図である。図1と図7を参照すれば、アンテナ40は誘電体30それぞれの上部に螺旋形で配置され、複数のアンテナ40はRFパワーを供給するための高周波電源41と連結する。例えば、アンテナ40それぞれは、螺旋の中央と連結する第1端部43と、螺旋のエッジと連結する第2端部44とを含んでもよい。第1端部43が互いに連結して高周波電源41と連結する。また、アンテナ40と高周波電源41の間に整合器42が設置されてもよい。アンテナ40の連結状態は、図に示す例に限定されるものではなく、多様な変形が可能である。高周波電源41が作動すれば、高周波電源41のRFパワーはアンテナ40に分散供給される。アンテナ40に分散供給されたRFパワーは、ドーム形状構造物の内部空間に磁場を形成する。この磁場の時間による変化によって誘導電場が形成され、ガス注入口301を介してドーム形状構造物の内部空間に供給された反応ガスは、誘導電場からイオン化に必要な十分なエネルギーを得てプラズマを生成する。生成されたプラズマは、基板処理室10に配置された基板50の表面と衝突して基板50を処理する。上述した基板50の処理過程において、基板50が大型化する程、プラズマ生成のための誘電体30およびリブ構造体20も大型化しなければならない。第1実施形態の基板処理装置100は、ドーム形状のリブ構造体20を提供することにより、リブ構造体20の幅を減らしながらも、形状的な安全性を高めることができる。したがって、リブ構造体20は、誘電体30を安定的に支持することができる。また、リブ構造体20の幅縮小により、基板50の処理過程において、リブ構造体20がアンテナ40から誘導される電磁場とカップリングを引き起こし、電磁場を遮蔽させることを最小化することができる。したがって、リブ構造体20による電力損失を抑制し、基板50の処理効率を向上させることができる。図8は本発明の第2実施形態に係る基板処理装置の斜視図であり、図9は図8に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図である。図8と図9を参照すれば、第2実施形態の基板処理装置200は、リブ構造体210が互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった複数の第3構造体203と、複数の第3構造体203と交差するように円周方向に沿って位置する複数の第4構造体204とで構成されることを除いては、上述した第1実施形態の基板処理装置と同じ構造からなる。第1実施形態と同じ部材については同じ図面符号を用い、以下では第1実施形態とは異なる部分について主に説明する。第3構造体203は同じ方向に曲がっており、互いに距離をおいて並んで配置される。第3構造体203が奇数、例えば3つが備えられる場合、中央に位置する第3構造体203が最も大きい高さで形成され、残りの2つの第3構造体203は同じ高さで形成される。第4構造体204は円周方向に沿って配置され、第3構造体203と交差する。第4構造体204は、第3構造体203間の間隔に対応する長さで個別に製作されてもよい。この場合、第4構造体204は、隣接する2つの第3構造体203の間に配置され、両端が溶接またはボルト-ナット結合のような機械的な結合方法によって第3構造体203に固定されてもよい。図8と図9では、便宜上、第3構造体203と第4構造体204が一体に連結したものとして示した。リブ構造体210は、第3構造体203と直交する方向に沿って曲がった中央構造体207を含んでもよい。中央構造体207は、リブ構造体210の最上端を横切るように配置されてもよい。このような中央構造体207は、第4構造体204とも直交する。中央構造体207は、リブ構造体210のうちで、第3構造体203の強度があまり及ばない領域でリブ構造体210の強度を補完する機能を行う。第3構造体203と第4構造体204、および中央構造体207それぞれは、上述した第1実施形態と同様に、基本骨格をなすベース支持台22と、ベース支持台22の外面中央に形成された突出部23とを含む。ベース支持台22の外面と突出部23の側面が誘電体30のエッジを固定させるための載置部21として機能する。図10は本発明の第3実施形態に係る基板処理装置の斜視図であり、図11は図10に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図である。図10と図11を参照すれば、第3実施形態の基板処理装置300は、リブ構造体220が互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった複数の第5構造体205と、直線上に配置され、複数の第5構造体205と交差する複数の第6構造体206とで構成されることを除いては、上述した第1実施形態の基板処理装置と同じ構造からなる。第1実施形態と同じ部材については同じ図面符号を用い、以下では第1実施形態とは異なる部分について主に説明する。第5構造体205は同じ方向に曲がっており、すべて同じ長さに形成される。第5構造体205は、一方向に沿って等間隔に配置される。第6構造体206は直線型構造体であって、第5構造体205と交差するように配置される。第6構造体206は、第5構造体205が曲がった長さ方向に沿って等間隔に配置される。第3実施形態の基板処理装置において、リブ構造体220は、ビニールハウス形状で形成される。第6構造体206は、第5構造体205間の間隔に対応する長さで個別に製作されてもよい。この場合、第6構造体206は、隣接する2つの第5構造体205の間に配置され、両端が溶接またはボルト-ナット結合のような機械的な結合方法によって第5構造体205に固定されてもよい。図10と図11では、便宜上、第5構造体205と第6構造体206が一体に連結したものとして示した。第5構造体205と第6構造体206それぞれは、上述した第1実施形態と同様に、基本骨格をなすベース支持台22と、ベース支持台22の外面中央に形成された突出部23とを含む。ベース支持台22の外面と突出部23の側面が誘電体30のエッジを固定させるための載置部21として機能する。第3実施形態の基板処理装置300は、処理しようとする基板50の縦横比が大きい場合に適した構造であると言える。次に、上述した基板処理装置を利用した有機発光表示装置の製造方法について説明する。図12は有機発光表示装置の配置図であり、図13は図12のA-A線に沿って切開した断面図である。次に説明する画素構造は例示に過ぎず、本実施形態の有機発光表示装置が後述する構造に限定されるものではない。図12と図13を参照すれば、有機発光表示装置400は複数の画素を含み、それぞれの画素は有機発光素子410と駆動回路部を含む。駆動回路部は、少なくとも2つの薄膜トランジスタ420、430と、少なくとも1つのキャパシタ440とを含む。薄膜トランジスタ420、430は、基本的にスイッチングトランジスタ420と駆動トランジスタ430とを含む。有機発光素子410は、画素電極411と有機発光層412、および共通電極413を含む。画素電極411は正孔注入電極であってもよく、共通電極413は電子注入電極であってもよい。画素電極411と共通電極413から有機発光層412に正孔と電子が注入され、注入された正孔と電子が結合した励起子excitonが励起状態から基底状態に落ちるときに発光がなされる。キャパシタ440は、層間絶縁膜51を間において配置された第1蓄電板441と第2蓄電板442とを含む。スイッチングトランジスタ420は、スイッチング半導体層421、スイッチングゲート電極422、スイッチングソース電極423、およびスイッチングドレイン電極424を含む。駆動トランジスタ430は、駆動半導体層431、駆動ゲート電極432、駆動ソース電極433、および駆動ドレイン電極434を含む。スイッチングトランジスタ420は、画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極422はゲートライン61に連結し、スイッチングソース電極423はデータライン62に連結する。スイッチングドレイン電極424は第1蓄電板441に連結する。駆動トランジスタ430は、選択された画素の有機発光層412を発光させるための駆動電圧を画素電極411に印加する。駆動ゲート電極432は第1蓄電板441に連結し、駆動ソース電極433と第2蓄電板442は電源ライン63に連結する。駆動ドレイン電極434は、コンタクトホールを介して有機発光素子410の画素電極411に連結する。スイッチングトランジスタ420は、ゲートライン61に印加されたスキャン電圧によって作動し、データライン62に印加されたデータ電圧を駆動トランジスタ430に伝達する。電源ライン63から駆動トランジスタ430に印加される共通電圧とスイッチングトランジスタ420から伝達されたデータ電圧との差に該当する電圧がキャパシタ440に貯蔵され、キャパシタ440に貯蔵された電圧に対応する電流が駆動トランジスタ430を介して有機発光素子410に流れて有機発光層412が発光する。図13において、図面符号52は基板を示し、図面符号53は有機発光素子410を保護する封止基板を示す。上述した有機発光表示装置400は、基板52から駆動回路部と有機発光素子410を構成する多様な膜を順に積層する過程を経て製造される。本実施形態に係る有機発光表示装置400の製造方法は、薄膜トランジスタ420、430とキャパシタ440を含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部と電気的に連結した有機発光素子410を形成する段階とを含む。駆動回路部と有機発光素子410のうちの少なくとも1つを製造するとき、上述した基板処理装置を利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングのうちの少なくとも1つの工程が行われる。金属で製造される膜、例えば、薄膜トランジスタ420、430のゲート電極422、432、ソース電極423、433、ドレイン電極424、434、キャパシタ440の第1蓄電板441と第2蓄電板442、有機発光素子410の画素電極411と共通電極413などは、金属膜を蒸着した後、これをパターニングする過程を経て形成される。有機発光素子410の有機発光層412は、スピンコーティング後、これをパターニングする過程を経て形成される。上述した基板処理装置は、金属蒸発源図示せずを備え、金属膜を蒸着する蒸着設備として用いられてもよい。また、基板処理装置は、エッチングガスの供給を受け、金属膜の一部またはスピンコーティングされた有機発光層の一部を除去するエッチング設備として用いられてもよい。さらに、基板処理装置は、パターニング過程においてマスク層として用いられたフォトレジスト膜を除去するアッシング設備として用いられてもよい。上述した基板処理装置を利用して、大面積有機発光表示装置400を容易に製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明、および添付の図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。