"圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で01本μm以下である圧延銅箔。350°Cで30分焼鈍前の圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で01本μm以下である圧延銅箔。最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で01本μm以下である圧延銅箔。前記350°Cで30分間焼鈍前において、再結晶組織の面積率が50未満0を含むである請求項1~3のいずれかに記載の圧延銅箔。350°Cで30分間焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50以上である、請求項1~4のいずれかに記載の圧延銅箔。前記最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となる請求項1~5のいずれか記載の圧延銅箔。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が985以下である請求項1~6のいずれか記載の圧延銅箔。しかしながら、特許文献1記載の技術の場合、予め再結晶させると銅箔の強度が低下し、樹脂との積層時のロール表面の転写や異物の押し込みなどが生じて銅箔に不良部が生じ易くなる。又、予め銅箔を焼鈍する設備が別個に必要となり、設備負担が大きくなる。又、特許文献2記載の技術の場合、特殊な樹脂に限定されるので、FPCの用途に応じて適切な特性を持つ樹脂を選択することができず、適用範囲が狭いと共に、コストアップにつながる。すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔の提供を目的とする。本発明者らは種々検討した結果、最終冷間圧延でのパスごとの加工度を調整することで、再結晶前後の寸法変化が小さくなることを見出した。上記の目的を達成するために、本発明の圧延銅箔は、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で01本μm以下である。又、本発明の圧延銅箔は、350°Cで30分焼鈍前の圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で01本μm以下である。又、本発明の圧延銅箔は、最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で01本μm以下である。前記350°Cで30分間焼鈍前において、再結晶組織の面積率が50未満0を含むであることが好ましい。350°Cで30分間焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50以上であることが好ましい。前記最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となることが好ましい。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が985以下であることが好ましい。本発明によれば、再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔が得られる。以下、本発明の実施形態に係る圧延銅箔について説明する。なお、本発明においてとは、特に断らない限り、質量を示すものとする。<せん断帯>本発明の実施形態に係る圧延銅箔は、350°Cで30分間焼鈍前の圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯が表裏合わせて01本μm以下である。なお、350°Cで30分間加熱することは圧延銅箔に樹脂を積層する工程を模擬したものである。金属材料は圧延加工されるとすべり変形を起こすが、高加工度で変形すると塑性不安定による不均一変形がおこり、せん断帯が発生する。せん断帯とは、圧延板面に対して30~60度傾いた、薄い面状の組織を言う例えば鉄と鋼第70年1984第15号P18。せん断帯は周囲の母相とほぼ類似の結晶方位を持っているが、密なセル組織を持っており、再結晶核生成が起こりやすい。そのため、せん断帯が発達した材料ではせん断帯部と母相とで再結晶が不均一に起こり、その結果として再結晶集合組織の発達が妨げられる。又、せん断帯は圧延平行方向に銅箔厚みを横切るように発達するため、圧延平行方向と圧延直角とに異方性が生じる。そこで、せん断帯を01本μm以下に少なくすることで、異方性を小さくできる。せん断帯を01本μm以下とする方法としては、後述する最終冷間圧延の最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスを存在させ、最終パスでの加工度が最終5パス中で最小とすることが挙げられる。<せん断帯の測定>せん断帯の測定は、図1に示すように、銅箔の圧延平行方向RDの断面Rを研磨し、RD方向の幅W=200μm以上とし、銅箔の厚みtを高さとする観察視野Vを決め、走査型電子顕微鏡SEMの像を得る。そして、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線Cを横切って銅箔表面に到達するせん断帯Shの本数を、視野幅Wで除したものをせん断帯の本数本μmとする。又、銅箔の表裏の面からそれぞれ線Cを引くことができるので、せん断帯の本数は、銅箔の表裏につきそれぞれ測定した値の合計値とする。なお、有意なせん断帯Shは、その一端が銅箔表面に至り、他端が線Cと交差する線であり、これ以外のせん断帯銅箔表面に到達しないか、又は線Cと交差しないせん断帯は、再結晶集合組織発達への影響が小さいため、本発明ではせん断帯としてカウントしない。せん断帯は、強加工による塑性不安定によって圧延面と30~60度傾いた面上でせん断変形が集中的に起こって形成される組織が観察面に現れたものである。したがって、せん断帯は圧延組織の不連続面として観察される。せん断帯部の結晶方位は母相と差がないために、結晶方位測定でせん断帯を規定することはできない。一方、せん断帯は深さ方向に広がっているため、材料の断面を観察して特定することができる。従って、最終圧延後の銅箔の圧延平行方向の断面を観察したとき、圧延面と30~60度傾いた圧延組織の不連続部分をせん断帯とする。具体的には、上記断面の顕微鏡金属顕微鏡、走査型電子顕微鏡SEM、走査イオン顕微鏡SIM等の像を得て、圧延面と30~60度傾いた線を画像解析や目視によりせん断帯と判定することができる。銅箔の断面加工はFIBやCPで行うのが好ましいが、機械研磨等の方法を用いても良い。図2は、圧延平行方向の断面から見たときの組織のSEM像を示す。この図において、符号Shで表した2つの矢印を結ぶ線が線Cを横切って銅箔表面に到達するせん断帯である。又、白い矢印は、線Cに到達しないせん断帯である。<寸法変化率>上記したせん断帯の数を規定することで、350°Cで30分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0~001となる。寸法変化は再結晶によって発生する。FPC製造工程での熱処理で銅箔が再結晶するため、この熱処理を模した350°Cで30分間焼鈍前後の寸法変化が小さければ、FPCの寸法安定性が向上する。なお、350°Cで30分間加熱することは圧延銅箔に樹脂を積層する工程を模擬したものである。<組成>銅箔の成分組成としては、JIS-H3100合金番号C1100に規格するタフピッチ銅TPC又はJIS-H3100合金番号C1020無酸素銅OFCを好適に用いることができる。又、上記したタフピッチ銅又は無酸素銅に対し、添加元素としてAg、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、及びVからなる群から選ばれる一種以上を合計で20~1500質量ppm含有してもよく、より好ましくは20~1000質量ppm含有してもよい。例えば、上記したタフピッチ銅又は無酸素銅に対し、添加元素としてSnを10~500質量ppm、及び/又はAgを10~500質量ppm含有することができる。上記元素の合計含有量が20質量ppm未満であると、軟化温度が低く、常温での保管性が低下する場合がある。又、上記元素の合計含有量が1000質量ppmを超えると、350°Cで30分間焼鈍後において、圧延銅箔の再結晶組織の面積率を50以上とすることが困難となり、圧延銅箔の寸法変化率が001を超えて大きくなる場合がある。なお、FPCに用いられる圧延銅箔は屈曲性を要求されることが多いことから、圧延銅箔の厚みは20μm以下が好ましい。また、圧延銅箔の厚みの下限は特には限定されないが、製造性等を考慮すると、圧延銅箔の厚みは4μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましく、6μm以上が更に好ましい。<再結晶組織>上記した350°Cで30分間焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50以上であることが好ましく、70以上であることがより好ましく、80以上であることが更に好ましく、90以上であることが更に好ましい。寸法変化は再結晶によって発生するため350°Cで30分間焼鈍後に再結晶しなければ、寸法変化はない。しかし、上記した350°Cで30分間焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50未満であると、銅箔の屈曲性が得られず、CCLとして求められる特性を備えられないことがある。また、350°Cで30分間焼鈍前に予め再結晶組織の面積率が50以上である圧延銅箔を用いると、圧延銅箔の強度が低いため取り扱いが困難な場合がある。そこで、350°Cで30分間焼鈍前において、再結晶組織の面積率が50未満であることが好ましく、30未満であることがより好ましく、20未満であることが更に好ましく、10未満であることが更に好ましい。なお、通常は、350°Cで30分間焼鈍前の再結晶組織の面積率が50未満である圧延銅箔を、350°Cで30分間焼鈍して再結晶組織の面積率を50以上にすると、圧延銅箔の寸法変化率が001を超えて大きくなる。そこで、後述するように最終冷間圧延でのパスごとの加工度を調整することで、再結晶前後の寸法変化が圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0~001となり、かつ寸法変化の異方性が小さくなる。なお、再結晶組織の面積率は、銅箔表面を電解研磨し、SEM走査電子顕微鏡像のうち、明瞭な結晶粒界で囲まれた結晶粒を再結晶粒とし、観察面積に占める再結晶粒の面積率を画像解析により算出する。画像解析は、市販の画像解析ソフトウェアを用いればよい。又、観察視野は500μm×500μm以上とする。又、350°Cで30分間焼鈍しても再結晶しないような極端に耐熱性の高い銅箔は屈曲性に欠け、CCL用途に適さない傾向にあるので、本発明では、350°Cで30分間焼鈍後に再結晶率が50以上が好ましいものと規定する。次に、本発明の圧延銅箔の製造方法の一例について説明する。まず、銅及び必要な合金元素、さらに不可避不純物からなる鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で所定厚みに仕上げる。ここで、最終冷間圧延の総加工度を985以下とすることが好ましく、より好ましくは983以下である。又、最終冷間圧延の総加工度は90以上が好ましく、95以上がより好ましい。さらに最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中の最終パスを除くいずれかのパスの最大加工度が40以上であり、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となるように設定する。このように最終冷間圧延の総加工度を985以下とすることで、せん断帯の発達を抑制できる。又、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、かつ最終パスを除くいずれかのパスの最大加工度を40以上とすることで、厚み方向に均一に銅箔を変形させて局部的な変形を抑制し、せん断帯の発達を防止することができる。又、最終パスを低い加工度で圧延することで、材料表面にせん断加工層ができるのを抑制し、材料特性寸法変化の異方性を低減することができる。なお、最終圧延の総加工度が90未満であると、350°Cで30分間焼鈍前に圧延銅箔の再結晶組織の面積率が50未満である場合、350°Cで30分間焼鈍後に圧延銅箔の再結晶組織の面積率を50以上とすることが困難となる。JIS-H3100合金番号C1100に規格するタフピッチ銅TPC又はJIS-H3100合金番号C1020無酸素銅OFCに対し、表1に記載の元素を添加してインゴットを鋳造した。作製したインゴットを800°C以上で厚さ10mmまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返した後、さらに最終冷間圧延で厚み0006~0017mmに仕上げた。なお、実施例1,3,5、7~9、11~15、比較例1~3は厚みを0.012mmとし、実施例2は厚みを0.006mmとし、実施例4は厚みを0.017mmとし、実施例6は厚みを0.009mmとした。なお、最終冷間圧延は10~15パスで行い、最終冷間圧延の総加工度を表1に示す値とした。又、最終冷間圧延の最終5パスの各加工度を表1に示す値とした。加工度は以下の式で求めた。加工度={圧延前厚み-圧延後厚み}圧延前厚み×100また、実施例9は最終冷間圧延後に350°Cで30分間加熱を行った。実施例15は最終冷間圧延後に100°Cで5時間加熱を行った。このようにして得られた各銅箔試料について、諸特性の評価を行った。1寸法変化率各銅箔試料を幅15mm、長さ120mmの短冊状に切り出し、100mmの間隔をあけて2箇所の標点をマーキングした。標点間距離L0を測定した後、銅箔をArフロー雰囲気中で350°Cで30分間焼鈍し、焼鈍後の標点間距離Lを測定した。寸法変化率熱伸縮率は以下の式で求めた値の絶対値とした。なお、銅箔試料は焼鈍後に収縮するため、寸法変化率の値はいずれもマイナスとなる。寸法変化率=|{×100|2再結晶組織の面積率得られた試料に対し、350°Cで30分間焼鈍前と350°Cで30分間焼鈍後に、試料表面を電解研磨し、SEM走査電子顕微鏡像のうち、明瞭な結晶粒界で囲まれた結晶粒を再結晶粒とし、観察面積に占める再結晶粒の面積率を画像解析により算出した。なお、実施例9については、最終冷間圧延後に行った350°Cで30分間加熱の前後でなく、その後に350°Cで30分間焼鈍を行った前後につき、再結晶粒の面積率を測定した。画像解析は、市販の画像解析ソフトウェアソフトウェア名ImageNos、以下のウェブサイトで入手可能なフリーソフトウェアを用いて2値化した。httpwwwgeocitiesjpbaruth0softwarehtmlhttpwwwvectorcojpsoftwin95artse065425htmlさらに、市販のソフトウェアソフトウェア名PixelCounters、以下のウェブサイトで入手可能なフリーソフトウェアを用いて面積率を算出した。httpwwwvectorcojpsoftwin95artse385899html又、観察視野は500μm×500μm以上とした。再結晶組織の面積率は以下の式で求めた。再結晶組織の面積率=再結晶粒の面積/観察視野の面積×1003せん断帯の本数表裏面の合計値頻度図1に示すように、上記350°Cで30分間焼鈍する前の試料の圧延平行RDの断面Rを研磨機械研磨またはCPクロスセクションポリッシャー法し、RD方向の幅W=200μm以上とし、銅箔の厚みtを高さとする観察視野Vを決め、走査型電子顕微鏡SEMの像を得た。そして、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線Cを横切って、銅箔表面に到達するせん断帯Shの本数を、視野幅Wで除したものをせん断帯の本数本μmとして目視で数えた。なお、実施例9については、最終冷間圧延後の350°Cで30分間加熱した直後の銅箔試料につきつまり、実施例9については最終冷間圧延後の350°Cで30分間加熱した後、さらに2回目の350°Cで30分間焼鈍を行ったが、1回目の350°Cで30分間加熱の直後をいう、上記と同様にせん断帯の本数を測定した。なお、銅箔の表裏の面からそれぞれ線Cを引き、銅箔の表裏につきそれぞれせん断帯の本数を測定し、{表面のせん断帯の本数裏面のせん断帯の本数}÷視野幅Wにより、せん断帯の本数を求めた。4屈曲性試料を350°Cで30分間加熱して再結晶させた後、図3に示す屈曲試験装置により、屈曲疲労寿命の測定を行った。この装置は、発振駆動体4に振動伝達部材3を結合した構造になっており、被試験銅箔1は、矢印で示したねじ2の部分と3の先端部の計4点で装置に固定される。振動部3が上下に駆動すると、銅箔1の中間部は、所定の曲率半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では、以下の条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求めた。なお、板厚が0.012mmである場合、試験条件は次の通りである:試験片幅:12.7mm、試験片長さ:200mm、試験片採取方向:試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採取、曲率半径r:2.5mm、振動ストローク:25mm、振動速度:1500回/分。なお、屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に、優れた屈曲性を有していると判断し、○とした。また、屈曲疲労寿命が3万回未満の場合は屈曲性を×とした。また、それぞれ板厚が0.017mm、0.009mm、0.006mmである場合、板厚が0.012mmの場合の屈曲試験と曲げ歪が同じとなるよう、曲率半径rをそれぞれ3.8mm、2mm、1.3mmに変更したが、他の試験条件は同一とした。5通箔性ポリイミド樹脂を銅箔表面に塗布乾燥した後に200°Cで30分加熱し、キャスト法でCCL積層板を作成した。得られたCCLを100mの長さにわたって目視で観察した。CCLに長さ10cm以上のシワが存在した場合は×、長さ10cm以上のシワが存在しなかった場合は○とした。得られた結果を表1に示す。なお、表1の組成の欄の190ppmAgTPCは、JISH3100合金番号C1100のタフピッチ銅TPCに190wtppmのAgを添加したこと意味する。また表1の組成の欄の80ppmSn-OFCはJIS-H3100合金番号C1020の無酸素銅OFCに80wtppmのSnを添加したことを意味する。表1から明らかなように、各実施例の場合、350°Cで30分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0~001であった。又、実施例9を除く各実施例の場合、350°Cで30分間焼鈍前に再結晶組織の面積率が50未満となり、通箔性に優れていた。実施例7、8を除く各実施例の場合、350°Cで30分間焼鈍後の再結晶組織の面積率が50以上となり、屈曲性に優れていた。さらに、各実施例の場合、350°Cで30分間焼鈍前の圧延平行断面から見て、線Cを横切って表面に到達するせん断帯が01本μm以下であった。なお、添加元素の濃度が1000ppmを超えた実施例7の場合、350°Cで30分間焼鈍後に再結晶せず、350°Cで30分間焼鈍後の再結晶組織の面積率が50未満となり、FPCとして必要な屈曲性が得られなかった。但し、高い屈曲性が求められないFPC用途LED用の基材に用いられるFPCや、液晶ディスプレイに用いられるFPC一回折り曲げて使用され、繰り返し屈曲されない等に用いる場合には実用上問題はない。又、最終冷間圧延の総加工度が985未満である実際例8の場合も、350°Cで30分間焼鈍後に再結晶せず、350°Cで30分間焼鈍後の再結晶組織の面積率が50未満となり、FPCとして必要な屈曲性が得られなかった。但し、高い屈曲性が求められないFPC用途LED用の基材に用いられるFPCや液晶ディスプレイに用いられるFPCで、一回折り曲げて使用され、繰り返し屈曲されない等に用いる場合には実用上問題はない。又、最終冷間圧延後にさらに焼鈍した実施例9の場合、350°Cで30分間焼鈍前の面積率が50を超え、キャスト時の通箔性に劣ったが、通箔速度を遅くすれば生産性が低下するものの実用上は問題ない。一方、最終冷間圧延の総加工度が985を超え、最終冷間圧延の最終5パスのいずれのパスの最大加工度も40未満である比較例1の場合、せん断帯が01本μmを超え、350°Cで30分間焼鈍前後の圧延直角方向の寸法変化率が、001を超えた。最終冷間圧延の総加工度が985を超え、最終冷間圧延の最終パスでの加工度が5パス中で最小とならなかった比較例2の場合、せん断帯が01本μmを超え、350°Cで30分間焼鈍前後の圧延直角方向の寸法変化率が、001を超えた。なお、せん断帯の数が多いと、圧延平行方向と直角方向の組織に違いが生じ、圧延直角方向の寸法変化率が特に大きくなる。なお、表1には、銅箔表面から厚み方向の中心線を横切って該表面に到達するせん断帯の表裏面の合計値も表示した。比較例1~3の場合、厚み方向の中心まで達する長いせん断帯は少ないものの、銅箔表面に近い部位に存在するせん断帯の数が多くなることがわかる。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在しないつまり、最終パスに向かって加工度が単調減少する比較例3の場合、せん断帯が多く、寸法変化の異方性が大きくなった。"