半導体素子10と、一面にて前記半導体素子10と接続され前記半導体素子10からの熱を伝達する金属体20、30と、前記半導体素子10および前記金属体20、30を包み込んで封止する封止材60とを有し、前記金属体20、30の他面が放熱面として前記封止材60から露出している半導体実装体100を備え、前記金属体20、30は、金属よりなる金属部21、31、電気絶縁性の絶縁層22、32、導電性の導体層23、33が順次積層されたものであって、前記導体層23、33が前記放熱面を構成しているものであり、冷媒202が流通する冷媒流路201を有する冷却手段200が備えられており、前記冷却手段200の前記冷媒202で前記導体層23、33を冷却することにより、前記半導体実装体100の熱を前記冷媒202に放熱するようにした半導体装置において、前記導体層23、33と前記冷却手段200とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。前記半導体実装体100の前記放熱面と前記冷却手段200との間は、熱伝導性の粘性体300、310で埋められ、当該放熱面は、前記粘性体300、310を介して前記冷却手段200に接触していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体実装体100の前記放熱面は、前記粘性体としての電気絶縁性のグリス300を介して前記冷却手段200に接触しており、前記冷却手段200および前記導体層23、33のいずれか一方に、当該一方側から前記グリス300を貫通して他方側まで突出する突起203が設けられており、この突起203を介して、前記導体層23、33と前記冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体実装体100の前記放熱面は、前記粘性体としての電気絶縁性のグリス300を介して前記冷却手段200に接触しており、前記放熱面は、前記封止材60における前記冷却手段200との対向面よりも前記冷却手段200側に突出した面として構成されており、この突出した前記放熱面を、前記グリス300を介して前記冷却手段200に押し当てることで、前記導体層23、33と前記冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体実装体100の前記放熱面は、前記粘性体としての電気絶縁性のグリス300を介して前記冷却手段200に接触しており、前記導体層23、33は、前記放熱面以外の部位にて前記封止材60により封止されており、前記封止材60には、前記導体層23、33における前記封止材60による封止部位を前記封止材60の外部に露出させる穴61が設けられており、前記冷却手段200のうち前記穴61を介して露出する前記導体層23、33と対向する部位には、突起203が設けられ、前記穴61を介して露出する前記導体層23、33と前記突起203とが、前記穴61を介して直接接触することで、前記導体層23、33と前記冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。一端側が前記封止材60の内部にて前記導体層23、33に電気的に接続され、他端側が前記封止材60より突出して前記冷却手段200に電気的に接続された端子部材90が設けられており、この端子部材90を介して、前記導体層23、33と前記冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体実装体100の前記放熱面は、前記粘性体としての導電性のグリス310を介して前記冷却手段200に接触しており、このグリス310を介して、前記導体層23、33と前記冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。一端側が前記封止材60の内部にて前記導体層23、33に電気的に接続され、他端側が前記封止材60より突出する端子部材90が設けられていることを特徴とする請求項3、4、5、および7のいずれか1つに記載の半導体装置。前記封止材60の一部が、前記冷媒202が流れる冷媒流路201を構成することで前記冷却手段とされており、前記冷媒202を前記放熱面に直接接触して流すようになっており、前記冷媒202は、導電性を有するものとされることによって、前記導体層23、33と前記冷却手段200の前記冷媒202との電気的接続がなされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体実装体100の前記放熱面と前記冷却手段200との間にて、前記粘性体としての導電性のグリス310と、この導電性のグリス310の外側を取り囲むように配置された前記粘性体としての電気絶縁性のグリス300とが介在しており、前記半導体実装体100の前記放熱面は、これら両グリス300、310を介して前記冷却手段200に接触しており、前記導電性のグリス310を介して、前記導体層23、33と前記冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体実装体100と前記冷却手段200との間にて、前記半導体実装体100および前記冷却手段200の少なくとも一方には、前記導電性のグリス310の外周を取り囲む溝400が設けられており、前記導電性のグリス310の拡がりが前記溝400で留められていることを特徴とする請求項7または10に記載の半導体装置。しかしながら、従来の絶縁機能を内蔵した放熱パッケージとしての半導体装置においては、次のような問題がある。この問題について、図15、および図16を参照して説明する。図15は、従来の絶縁機能を内蔵した放熱パッケージとしての半導体装置、いわゆるパワー半導体パッケージとしての半導体装置を示す概略断面図であり、また、図16は、このパワー半導体パッケージとは異なるパワーモジュールの一般的な概略断面構成を示す図である。まず、図16を参照して、パワーモジュールについて説明する。図16に示されるように、従来の一般的なパワーモジュールは、冷却手段200の上に、熱伝導性のグリス300を介して放熱板J1が搭載され、その放熱板J1上にはんだJ2を介して絶縁基板J3、はんだJ2、半導体素子10が順次積層されている。そして、放熱板J1は、当該放熱板J1上からグリス300を通って冷却手段200まで貫通するボルトJ4を介して、冷却手段200に固定されている。このように、パワーモジュールは、半導体素子10→絶縁基板J3→放熱板J1の順に積層した構成であり、これらは熱伝導性のグリス300を介して、冷却手段200にボルトJ4で締結されている。そして、このボルトJ4により、放熱に必要な接圧と接地が確保できている。しかしながら、半導体素子10の直下が絶縁基板J3なので、半導体素子10の発熱は高い熱流速のまま絶縁基板J3に伝熱され、絶縁基板J3での温度上昇が大きくなるつまり、熱抵抗が大きいという問題があった。一方、図15に示される、従来の絶縁機能を内蔵した放熱パッケージとしての半導体装置、いわゆるパワー半導体パッケージとしての半導体装置は、パワーモジュールよりも小型化および高放熱を狙ったものである。図15に示されるパワー半導体パッケージにおいて、半導体実装体100は、半導体素子10と、一面にて半導体素子10と接続された金属体20と、これらを包み込んで封止する封止材60とを有し、放熱面である金属体20の他面が封止材60から露出したものである。そして、金属体20は、一面側から金属部21、絶縁層22、導体層23が順次積層されたものであって、導体層23が放熱面を構成している。そして、冷媒202が流通する冷媒流路201を有する冷却手段200が備えられており、半導体実装体100の導体層23が、グリス300を介して冷却手段200に接触している。それにより、冷却手段200の冷媒202で導体層23が冷却されて、半導体実装体100で発生する熱が冷媒202に放熱されるようになっている。つまり、このものでは、半導体素子10→金属部21→絶縁層22という順に積層した構成とすることで、半導体素子10の発熱は直下の金属部21で拡散し、低い熱流速で絶縁層22へ伝わるため、一般的なパワーモジュールよりも放熱性が向上し、小型化が可能である。ここで、たとえば半導体素子10による高電圧のスイッチングに伴う電圧V0が、金属体20の一面側に印加されたとき、金属体20の絶縁層22を寄生コンデンサとして、放熱面である金属体20の他面、すなわち導体層23に電圧V2が印加される。具体的には、絶縁層22を介した金属部21と導体層23との間の寄生容量をC1、グリス300を介した冷却手段200と導体層23との間の寄生容量をC2とすると、電圧V2は、V2={C1/C1C2}V0の式で示される。このような電圧V2が誘起されると、放熱面である導体層23からのノイズの放射や部分放電により、たとえばグリス300がダメージを受けることが懸念される。ここで、この電圧V2の対策としては、放熱面である導体層23を、グリス300を介して冷却手段200に接地することが有効と考えられる。しかし、グリス300は絶縁性なので、導体層23と冷却手段200との確実な電気的接触の保証は困難である。また、図15に示されるように、一般的に、絶縁層22の表面には金属箔等の導体層23を設け、絶縁検査などに対応できる構成をとることが多い。そして、この導体層23が対地電位となる冷却手段200に接地できれば、グリス300に電界が生じる懸念はなくなる。しかし、導体層23は、グリス300を介して冷却手段200と接するため、必ずしも導通が保証できるものではない。また、その導通状態を検査できる端子もなく、工程内で検査保証できる備えもない。従って、パワー半導体パッケージを用いると、上記した部分放電の懸念がある。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体素子に放熱用の金属体を接続したものを封止材により封止してなる半導体実装体と、冷媒を流す冷却手段とを備え、金属体の放熱面を冷媒にて冷却するようにした半導体装置、いわゆるパワー半導体パッケージとしての半導体装置において、金属体の放熱面を構成する導体層と冷却手段とを確実に同電位とすることを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体素子10と、一面にて半導体素子10と接続され半導体素子10からの熱を伝達する金属体20、30と、半導体素子10および金属体20、30を包み込んで封止する封止材60とを有し、金属体20、30の他面が放熱面として封止材60から露出している半導体実装体100を備え、金属体20、30は、金属よりなる金属部21、31、電気絶縁性の絶縁層22、32、導電性の導体層23、33が順次積層されたものであって、導体層23、33が前記放熱面を構成しているものであり、冷媒202が流通する冷媒流路201を有する冷却手段200が備えられており、冷却手段200の冷媒202で導体層23、33を冷却することにより、半導体実装体100の熱を冷媒202に放熱するようにした半導体装置において、導体層23、33と冷却手段200とが電気的に接続されていることを特徴とする。それによれば、導体層23、33と冷却手段200とが電気的に接続されているから、導体層23、33と冷却手段200とを確実に同電位とすることができる。つまり、半導体実装体100の放熱面である導体層23、33の表面電位を冷却手段200と同じ電位にすることができる。ここで、請求項2に記載の発明のように、請求項1に記載の半導体装置においては、半導体実装体100の前記放熱面と前記冷却手段200との間は、熱伝導性の粘性体300、310で埋められ、当該放熱面は、前記粘性体300、310を介して前記冷却手段200に接触しているものにできる。この場合、粘性体300、310としては、グリスや接着剤、ペーストなどを採用できる。ここで、請求項3に記載の発明のように、請求項2に記載の半導体装置においては、半導体実装体100の放熱面は、粘性体としての電気絶縁性のグリス300を介して冷却手段200に接触しており、冷却手段200および導体層23、33のいずれか一方に、当該一方側からグリス300を貫通して他方側まで突出する突起203が設けられており、この突起203を介して、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされているものにできる。また、請求項4に記載の発明では、請求項2に記載の半導体装置において、半導体実装体100の放熱面は、粘性体としての電気絶縁性のグリス300を介して冷却手段200に接触しており、放熱面は、封止材60における冷却手段200との対向面よりも冷却手段200側に突出した面として構成されており、この突出した放熱面を、グリス300を介して冷却手段200に押し当てることで、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする。それによれば、半導体実装体100と冷却手段200との対向部において、放熱面を封止材60よりも突出させて、グリス300を介して冷却手段200に押し当てているから、導体層23、33である放熱面の一部を冷却手段200に直接接触させることが容易に行え、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされる。また、請求項5に記載の発明では、請求項2に記載の半導体装置において、半導体実装体100の放熱面は、粘性体としての電気絶縁性のグリス300を介して冷却手段200に接触しており、導体層23、33は、放熱面以外の部位にて封止材60により封止されており、封止材60には、導体層23、33における封止材60による封止部位を封止材60の外部に露出させる穴61が設けられており、冷却手段200のうち穴61を介して露出する導体層23、33と対向する部位には、突起203が設けられ、穴61を介して露出する導体層23、33と突起203とが、穴61を介して直接接触することで、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする。それによれば、導体層23、33における放熱面以外の部位にて、冷却手段200の突起203を介して、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされているから、放熱面と冷却手段200との間のグリス300の厚さを、突起203の高さに関係なく薄くすることができ、放熱性能を悪化させることを極力防止できる。また、請求項6に記載の発明のように、請求項1に記載の半導体装置においては、一端側が封止材60の内部にて導体層23、33に電気的に接続され、他端側が封止材60より突出して冷却手段200に電気的に接続された端子部材90が設けられており、この端子部材90を介して、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされているものとしてもよい。また、請求項7に記載の発明のように、請求項2に記載の半導体装置においては、半導体実装体100の放熱面は、粘性体としての導電性のグリス310を介して冷却手段200に接触しており、この導電性のグリス310を介して、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされているものにできる。また、請求項8に記載の発明のように、請求項3、4、5、および7のいずれか1つに記載の半導体装置において、一端側が封止材60の内部にて導体層23、33に電気的に接続され、他端側が封止材60より突出する端子部材90が設けられていてもよい。それによれば、さらに、端子部材90を介して導体層23、33と冷却手段200との電気的接続を検査することが可能となる。また、請求項9に記載の発明のように、請求項1に記載の半導体装置においては、封止材60の一部が、冷媒202が流れる冷媒流路201を構成することで冷却手段とされており、冷媒202を放熱面に直接接触して流すようになっており、冷媒202は、導電性を有するものとされることによって、導体層23、33と冷却手段200の冷媒202との電気的接続がなされているものにできる。また、請求項10に記載の発明では、請求項2に記載の半導体装置において、半導体実装体100の放熱面と冷却手段200との間にて、粘性体としての導電性のグリス310と、この導電性のグリス310の外側を取り囲むように配置された粘性体としての電気絶縁性のグリス300とが介在しており、半導体実装体100の放熱面は、これら両グリス300、310を介して冷却手段200に接触しており、導電性のグリス310を介して、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続がなされていることを特徴とする。それによれば、これら導電性のグリス310および電気絶縁性のグリス300の両グリス300、310を介して、半導体実装体100と冷却手段200とを積層したときに、これら半導体実装体100と冷却手段200との隙間からグリスがはみ出したとしても、そのはみ出したグリスは、外側に位置する電気絶縁性のグリス300となる。そのため、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続に導電性のグリス310を用いた場合であっても、半導体実装体100および冷却手段200の周辺に位置する電気部品等に対して、当該はみ出したグリスによる短絡等の懸念が回避される。また、請求項11に記載の発明では、請求項7または10に記載の半導体装置において、半導体実装体100と冷却手段200との間にて、半導体実装体100および冷却手段200の少なくとも一方には、導電性のグリス310の外周を取り囲む溝400が設けられており、導電性のグリス310の拡がりが溝400で留められていることを特徴とする。それによれば、これら導電性のグリス310を介して、半導体実装体100と冷却手段200とを積層したときに、これら半導体実装体100と冷却手段200との隙間から、導電性のグリス310がはみ出すことを防止することが可能となる。そのため、導体層23、33と冷却手段200との電気的接続に導電性のグリス310を用いた場合であっても、半導体実装体100および冷却手段200の周辺に位置する電気部品等に対して、グリスのはみ出しによる短絡等の懸念が回避される。なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。第1実施形態図1aは、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図であり、図1bは図1a中の丸で囲まれたA部の拡大図である。また、図2は、図1に示される本半導体装置の概略平面構成を示す図であり、第2の金属体30を省略して、モールド樹脂60の内部に位置する構成要素を示したものである。本実施形態の半導体装置は、大きくは、封止材としてのモールド樹脂60によりパッケージとされた半導体実装体100を、グリス300を介して冷却手段200に取り付けてなるものである。半導体実装体100は、半導体素子10と、第1の金属体20と、第2の金属体30と、これらの間に介在する導電性接合部材としての各はんだ40およびヒートシンクブロック50と、さらに、封止材としてのモールド樹脂60とを備えて構成されている。なお、図1では、半導体素子10は1個設けられているが、半導体素子10は2個以上設けられていてもよい。半導体素子10と第1の金属体20の一面との間は、はんだ40によって接合されている。また、半導体素子10と第2の金属体30との間には、銅やアルミなどよりなるヒートシンクブロック50が介在しており、半導体素子10とヒートシンクブロック50との間、および、ヒートシンクブロック50と第2の金属体30との間は、はんだ40によって接合されている。このようなヒートシンクブロック50を設けるのは、図1では、図示しないけれども、半導体素子10からボンディングワイヤを引き出す際の当該ワイヤの高さを確保することなどのためである。つまり、ヒートシンクブロック50は、半導体素子10と第2の金属体30との間の高さを確保する役割を担っている。なお、このヒートシンクブロック50に代えて、第2の金属体30の一部を半導体素子10側に突出させてもよい。ここで、これらはんだ40としては、一般的に用いられている各種のはんだ、たとえば、Sn-Pb系はんだや、Sn-Ag系はんだなどの鉛フリーはんだを採用することができる。これにより、半導体素子10の表面、裏面において、それぞれ、第1の金属体20、第2の金属体30を介して放熱が行われる構成となっている。つまり、各金属体20、30は、その一面にて半導体素子10と接続され、半導体素子10からの熱を伝達する金属体として構成されている。そして、第1の金属体20においては、半導体素子10の搭載面である一面とは反対側の他面図1a中の下面が放熱面として構成され、第2の金属体30においては、半導体素子10の搭載面である一面とは反対側の他面図1a中の上面が放熱面として構成されている。そして、図1に示されるように、各金属体20、30の放熱面は、モールド樹脂60から露出している。この封止材としてのモールド樹脂60は、一般的なモールド材料、たとえばエポキシ樹脂などよりなるものであり、成形型を使用したトランスファーモールド法やポッティングなどによって容易に成形される。具体的には、図1、図2に示されるように、半導体実装体100においては、一対の金属体20、30の隙間、および、半導体素子10の周囲部分に、モールド樹脂60が充填され、各金属体20、30の放熱面がモールド樹脂60より露出している。このように、半導体実装体1は、モールド樹脂60により半導体素子10および金属体20、30を包み込んで封止したものとして構成されている。また、本実施形態では、各金属体20、30は、従来と同様に、半導体素子10の搭載面である一面側から金属よりなる金属部21、31、電気絶縁性の絶縁層22、32、導電性の導体層23、33が順次積層されたものであって、導体層23、33が放熱面を構成しているものである。ここでは、各金属体20、30は半導体素子10よりも大きな矩形板状をなしている。ここで、金属部21、31は、熱伝導や電気伝導に優れた金属ならば、特に限定されるものではなく、たとえばアルミや銅、またはこれらを含む合金などよりなる。また、絶縁層22、32は、アルミナなどよりなり、溶射により成膜されたものや、成形されたシートを貼り付けたものなどよりなる。また、導体層23、33は銅などの箔を貼り付けたものよりなる。このような積層構成の金属体20、30は、上記特許文献1等と同様の方法で作成される。そして、冷却手段200は、ステンレスや銅、アルミなどよりなる冷媒流路201を有し、その内部を冷媒202が流通するものとして構成されている。また、この冷却手段200は、冷媒202を流通させるためのポンプやパイプなどの図示しない構成要素を備えており、これらポンプやパイプは冷媒流路202に連結されて一体化されている。ここで、冷媒202とは、水や油などの流体である。そして、半導体実装体100における各金属体20、30の放熱面すなわち導体層23、33が冷媒により冷却されるようになっている。具体的には、各導体層23、33を、図1bに示されるように、電気絶縁性のグリス300を介して、冷却手段200の冷媒流路201の外壁面に接触させる。具体的には、放熱面である導体層23、33は、グリス300を介して冷却手段200の構成要素である冷媒流路201の外面に接触する。このグリス300は、一般的なもので、たとえばシリコーン樹脂などよりなるものである。ここで、半導体実装体100と冷却手段200とは、締結などにより固定される。これにより、冷却手段200の冷媒202によって導体層23、33が冷却されるから、半導体実装体100にて発生する熱は、冷媒202に放熱される。また、半導体素子10としては、特に限定されるものではないが、たとえばIGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタやサイリスタ等のパワー半導体素子から構成することができる。また、具体的には、この半導体素子10の形状は、図1、図2に示されるように、たとえば矩形板状とすることができる。ここでは、半導体素子10における第2の金属体30側の面である表面はトランジスタなどの素子が形成された素子形成面であり、第1の金属体20側の面である裏面はそのような素子が形成されていない非形成面となっている。また、本実施形態の半導体素子10の表面および裏面には、図示しない電極が形成されている。そして、この電極は、各はんだ40と電気的に接続されている。このように、本実施形態においては、半導体素子10の裏面側の電極は、第1の金属体20に対して、はんだ40を介して電気的に接続され、半導体素子10の表面側の電極は、はんだ40を介して第2の金属体30に対して、電気的に接続されている。ここで、図2に示されるように、主電流電極端子70は、第1の金属体20と一体に成形されたものであり、モールド樹脂60内に位置する第1の金属体20の端部からモールド樹脂60の外部へ突出するように設けられている。ここでは、矩形板状をなすモールド樹脂60の1つの側面にて主電流電極端子70が突出している。また、図示しないが、第2の金属体30についても、第1の金属体20と同様に、主電流電極端子が設けられている。この第2の金属体30の主電流電極端子も、第1の金属体20の主電流電極端子70と同じモールド樹脂60の1つの側面にて突出するとともに、その突出方向も同様とされたものである。これら主電流電極端子70は、半導体素子10の取り出し電極などとして機能するものであり、この主電流電極端子70を介して、本半導体装置はバスバーなどの外部配線部材等との接続が可能になっている。このように、各金属体20、30は、それぞれ、電極と放熱体とを兼ねる金属体として構成されており、本半導体装置において半導体素子10からの放熱を行う機能を有するとともに半導体素子10の電極としての機能も有する。なお、導電性接合部材としては、上記はんだ40の代わりに導電性接着剤などを用いても、半導体素子10と各金属体20、30との熱的電気的な接続が、同様に可能であることは明らかである。また、図2に示されるように、本半導体装置には、制御端子80が設けられている。この制御端子80は、半導体素子10の周囲に設けられたリードフレーム等からなるもので、この制御端子80はモールド樹脂60により封止固定されるとともに、先端部がモールド樹脂60の外部へ突出して設けられている。ここでは、制御端子80は、矩形板状をなすモールド樹脂60の側面のうち主電流電極端子70が突出する側面とは反対側に位置する側面にて突出している。そして、この制御端子80の先端部には、たとえば外部の制御回路基板などが電気的に接続されるようになっており、それによって本半導体装置と当該制御回路基板とが電気的に接続されるものである。この制御端子80は、半導体素子10の表面に設けられている信号電極たとえばゲート電極などと導通する端子、たとえばゲート端子やエミッタ端子などを構成しているものである。そして、図2では示さないが、この制御端子80と半導体素子10とは、モールド樹脂60内部にてボンディングワイヤなどによって結線され、電気的に接続されている。このような本実施形態の半導体装置においては、各金属体20、30について、導体層23、33と冷却手段200とを電気的に接続して、これら両者を同電位とする構成が構築されている。以下、この構成を同電位構成ということにする。次に、第1の金属体20における同電位構成について、主として図1bを参照して述べることとする。なお、第2の金属体30の同電位構成も、第1の金属体20と同様である。つまり、図1a中における第1の金属体20のA部と対向する第2の金属体30の部分についても、同一の同電位構成とされている。そこで、図1bには、第2の金属体30に関する部位を括弧付きの符号として、第1の金属体20に関する部位の符号の後に記してある。なお、図1aに示される両金属体20、30の配置関係より、実際には、図1bの第2の金属体30に関する部位は、図1bに示される第1の金属体20に関する部位を、上下反転したものとなることは言うまでもない。図1bに示されるように、本実施形態では、同電位構成は、端子部材90により構成されている。この端子部材90は銅やアルミなどの電気伝導性を有するものよりなる。そして、端子部材90は、一端側がモールド樹脂60の内部にて導体層23に電気的に接続され、他端側がモールド樹脂60より突出して冷却手段200に電気的に接続されているものである。ここで、端子部材90の一端側と導体層23との接続は、溶接、はんだ、ろう付けなどで行うことができる。また、端子部材90と導体層23とを一体成形されたものとし、導体層23の周辺部の一部を突出させた部位を端子部材90としてもよい。また、端子部材90の他端側は、冷却手段200の構成要素である冷媒流路201の外面に対して、はんだ、溶接、接着、ねじ止め等により電気的に接続する。また、当該他端側は、配線等を介して、冷却手段200の構成要素である上記ポンプやパイプなどに電気的に接続するようにしてもよい。そして、この端子部材90を介して、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされている。それにより、導体層23と冷却手段200とは同電位とされる。ここで、冷却手段200を接地しておけば、導体層23も接地される。ここでは、端子部材90は、第1の金属体20の導体層23における端面から延びてモールド樹脂60の側面より突出しているが、端子部材90は、導体層23におけるモールド樹脂60からの露出面すなわち放熱面以外の面より引き出されていればよい。また、図2に示されるように、端子部材90は、モールド樹脂60の外面のうち上記主電流電極端子70が引き出されている面、および、上記制御端子80が引き出されている面の両面とは、異なる面にて引き出されている。具体的には、矩形板状のモールド樹脂60のうち当該主電流電極端子70および制御端子80が引き出されている側面以外の側面にて、端子部材90が引き出されている。こうすることにより、モールド樹脂60の外面における端子部材90と当該両端子70、80との沿面距離が確保しやすくなり、半導体実装体100の小型化に有効である。次に、上記した構成の半導体装置の製造方法について、簡単に説明する。まず、第1の金属体20の一面に、半導体素子10はんだ付けし、続いて、必要に応じて、半導体素子10と制御端子80とをワイヤボンディングする。次いで、半導体素子10の上にヒートシンクブロック50および第2の金属体をはんだ付けする。しかる後、トランスファーモールド法やポッティングなどにより、両金属体20、30の隙間および外周部等にモールド樹脂60を充填する。こうして、上記半導体実装体100が完成する。その後は、この半導体実装体100を、グリス300を介して冷却手段200に接続する。こうして、絶縁機能を内蔵した放熱パッケージとしての本半導体装置が完成する。ところで、本実施形態によれば、端子部材90を介して、両金属体20、30の導体層23、33と冷却手段200とが電気的に接続されているから、導体層23、33と冷却手段200とを確実に同電位とすることができる。なお、端子部材90は、ひとつの導体層23、33につき、1個に限定されるものではなく、2個以上あってもよい。それによれば、一つの導体層23、33を複数個の端子部材90を介して冷却手段200に接続することになるから、当該接続の信頼性が向上するという利点がある。また、本第1実施形態は、たとえば半導体素子10の表面側には金属体を設けず、裏面側のみに金属体20を設けて当該裏面側からのみ放熱を行う片面放熱型の半導体装置に対しても適用可能である。その場合、当該裏面側の金属体20の導体層23に上記端子部材90を設けて、それによる同電位構成を構築するようにすればよい。第2実施形態図3aは、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図であり、図3bは、図3a中の丸で囲まれたB部の拡大図である。ここでは、本実施形態と上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第1実施形態では、上記図1に示されるように、半導体素子10の表裏両面側に金属体20、30を設けて、半導体素子10の両面から放熱を行う両面放熱型の半導体装置であった。それに対して、本実施形態は、図3に示されるように、半導体素子10の裏面側のみに金属体20を設けて当該裏面側からのみ放熱を行う片面放熱型の半導体装置である。この本実施形態の半導体装置は、上記図1に示される半導体装置において、半導体素子10の表面側のはんだ40、ヒートシンクブロック50、第2の金属体30、冷却手段200を省略し、当該半導体素子10の表面側をモールド樹脂60で封止した構成に相当するものである。そして、本実施形態においても、図3bに示されるように、半導体実装体100の放熱面である導体層23は、電気絶縁性のグリス300を介して冷却手段200に接触している。ここでは、導体層23は、グリス300を介して冷却手段200の冷媒流路201の外壁面に接触している。ここで、本実施形態の半導体装置においても、金属体20において、導体層23と冷却手段200とを電気的に接続して、これら両者を同電位とする同電位構成が構築されている。本実施形態では、上記第1実施形態のように端子部材90による同電位構成ではなく、当該端子部材に代えて突起203による同電位構成を形成している。ここでは、図3bに示されるように、冷却手段200における冷媒流路201の外壁において、当該外壁側からこれに対向する導体層23に突出する突起203を設ける。このような突起203は、プレス加工などにより容易に形成される。この突起203は、たとえば円錐形状やピラミッド形状のものにできる。そして、この突起203は、冷却手段200側からグリス300を貫通して導体層23側まで突出し、導体層23に直接接触している。そして、この突起203を介して、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされ、当該両者23、200が同電位とされている。このような構成は、半導体実装体100を、グリス300を介して冷却手段200に搭載するときに、半導体実装体100を冷却手段200に押し付けるように荷重を加えることにより形成される。それにより、突起203がグリス300を押しのけて、突起203の先端部が導体層23に直接接触する。なお、この突起は、冷却手段200側ではなく、逆に導体層23側に設けてもよい。たとえば金属体20の金属部21の放熱面側をプレス等により突出させることにより、その突出部分にて導体層23が突起を形成する。そして、この場合、導体層23の突起は、放熱面から突出してグリス300を貫通し、その先端部が冷却手段200に接触するものとされる。つまり、本実施形態の突起は、冷却手段200および導体層23のいずれか一方に設けられ、当該一方側からグリス300を貫通して他方側まで突出するものであればよい。そして、冷却手段200自身の一部、または、導体層23自身の一部を突起とすることで、グリス300を貫通する当該突起を介して、導体層23と冷却手段200との電気的接続が行われるのである。こうして、本実施形態によれば、突起203を介して、金属体20の導体層23と冷却手段200とが電気的に接続されているから、導体層23と冷却手段200とを確実に同電位とすることができる。また、図3bに示されるように、本実施形態では、さらに、一端側がモールド樹脂60の内部にて導体層23に電気的に接続され、他端側がモールド樹脂60より突出する端子部材90が設けられている。この端子部材90は、上記第1実施形態の端子部材90において、モールド樹脂60より突出する他端側が冷却手段200と接続されていないものに相当する。このような端子部材90を設けることにより、当該端子部材90を介して、導体層23と冷却手段200との突起203による電気的接続を検査することができる。たとえば、モールド樹脂60の外部にて端子部材90と冷却手段200との導通を検査すれば、導体層23と突起203との電気的接続が確保されているかどうかの確認を容易に行うことができる。次に、本実施形態における突起203の他の例について、図4、図5を参照して述べておく。図4、図5は、それぞれ本実施形態に係る冷却手段200に設けられた突起203の形状のバリエーションを示す概略断面図である。図4に示される例では、突起203を、いわゆるおろし金の突起形状としたものである。具体的には、この突起203は、半球のドームをさらに半分に切断し、その切断部分にてドーム内空間を開口させたような形状である。この場合、突起203は、その突出先端部と根元部との間に開口する凹部203aを有するものとなる。そして、この場合、半導体実装体を、グリス300を介して冷却手段200に接続するとき、半導体実装体と冷却手段200とが放熱面に平行な方向に相対的に往復運動するように、これら両者を摺動させながら、半導体実装体を冷却手段200に押し付けるようにする。そうすると、突起203の先端に残存するグリス300が、図4中の折れ曲がり矢印に示されるように、突起203の凹部203aに入り込んで収容されるから、確実に突起203を導体層23に直接接触させることができ、好ましい。また、この図4に示される突起203と同様の凹部203aを有し、これも同様の効果を奏する突起203としては、図5に示されるような傘形状をなし、その傘の内側を凹部203aとする突起203であってもよい。この場合も、半導体実装体を、グリス300を介して冷却手段200に接続するとき、グリス300を突起203の凹部203aに収容できるから、確実に突起203を導体層23に直接接触させることができ、好ましい。なお、これら各突起203の構成は、上記図1に示した両面放熱型の半導体装置にも適用できる。その場合には、上記図1中の両方の金属体20、30において、上記端子部材90を省略し、導体層22、33と冷却手段200との間に、グリス300を貫通する上記突起203を設けてやればよい。また、この両面放熱型の場合も、当該突起は冷却手段200側ではなく、導体層23、33側に設けたもの、すなわち、導体層23、33を突出させたものであってもよいことはもちろんである。また、片面放熱型、両面放熱型を問わず、当該突起203は、ひとつの導体層23、33につき、1個に限定されるものではなく、2個以上あってもよい。それによれば、一つの導体層23、33を複数個の突起203を介して冷却手段200に接続することになるから、当該接続の信頼性が向上するという利点がある。また、本実施形態においては、半導体実装体100を、グリス300を介して冷却手段200に搭載するときに、突起203がグリス300を押しのけて、突起203が導体層23に接触するが、このとき、導体層23と冷却手段200とに大電流を印加することで、突起203を導体層23に溶着させるようにしてもよい。それにより、突起203と導体層23との導通がより確実となる。なお、この溶着については、導体層23側に突起を設けた場合についても、同様に実現できることはもちろんである。第3実施形態図6は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態に対して、端子部材90を省略し、その代わりに各金属体20、30の導体層23、33により構成される放熱面の構成を変形することで、導体層23と冷却手段200とを電気的に接続して、これら両者を同電位とする同電位構成を構築したものである。なお、図6では、上記図1における第1の金属体20について本実施形態の構成を適用した例を示しているが、上記図1における第2の金属体30についても、これと同様の構成が適用されている。そこで、本実施形態においても、図6には、第2の金属体30に関する部位を括弧付きの符号として、第1の金属体20に関する部位の符号の後に記してある。図6に示されるように、本実施形態においても、半導体実装体100における金属体20の放熱面である導体層23は、電気絶縁性のグリス300を介して冷却手段200に接触している。ここでは、導体層23は、グリス300を介して冷却手段200の冷媒流路201の外壁面に接触している。ここで、本実施形態においては、独自の構造として、金属体20の導体層23である放熱面が、モールド樹脂60における冷却手段200との対向面よりも冷却手段200側に突出した面として構成されている。そして、本実施形態では、この突出した放熱面を、グリス300を介して冷却手段200、ここでは、冷却手段200の構成要素である冷媒流路201の外面に押し当てることで、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされ、上記同電位構成が実現されている。それによれば、半導体実装体100と冷却手段200との対向部において、放熱面をモールド樹脂60よりも冷却手段200側に突出させて、グリス300を介して冷却手段200に押し当てているから、導体層23である放熱面の一部を、グリス300を押しのけて冷却手段200に直接接触させることが容易に行える。具体的には、図6に示されるように、冷却手段200における冷媒流路201の壁は、放熱面の押し込みにより若干凹むが、このとき導体層23における放熱面における周辺部が冷却手段200に直接接触する、そして、この接触部分にて導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされる。こうして、本実施形態によれば、モールド樹脂60より突出する放熱面により、金属体20の導体層23と冷却手段200とが電気的に接続されているから、導体層23と冷却手段200とを確実に同電位とすることができる。また、両面放熱型の半導体装置においては、第2の金属体30側について、図6と同様の構成を適用すれば、もちろん同様の効果が期待される。また、図6では、モールド樹脂60より突出する導体層23の先端面は平坦であり、たとえば矩形面とされているため、その平坦面の外郭部分が冷却手段200に直接接触するが、当該突出により本実施形態の効果が発揮されるのであるから、モールド樹脂より突出する導体層23の形状については、図6の形状に限定されるものではない。また、本実施形態においても、図示しないが、上記第2実施形態の図3bと同様に、一端側がモールド樹脂60の内部にて導体層23に電気的に接続され、他端側がモールド樹脂60より突出する端子部材90を設けてもよい。このような端子部材90を設けることにより、当該端子部材90を介して、導体層23と冷却手段200との接触による電気的接続を検査することができ、当該電気的接続の確認が容易に行える。また、本実施形態は、両面放熱型の半導体装置ではなく、上記図3に示したような片面放熱型の半導体装置についても適用できることはもちろんである。この場合、半導体素子10の片面側に設けられた金属体について、図6と同様の構成を適用すればよい。第4実施形態図7は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第2実施形態と同様に、冷却手段200に突起203を設け、この突起203によって同電位構成を形成するものであるが、その突起203をグリス300の無い部分に設けたところが相違するものである。以下、本実施形態について、上記第2実施形態との相違点を中心に述べる。図7に示されるように、本実施形態においても、半導体実装体100の放熱面は、電気絶縁性のグリス300を介して冷却手段200、ここでは、冷却手段200の構成要素である冷媒流路201の外面に接触している。ここで、本実施形態では、図7に示されるように、金属体20の導体層23は、放熱面以外の部位にてモールド樹脂60により封止されている。そして、モールド樹脂60には、導体層23におけるモールド樹脂60による封止部位をモールド樹脂60の外部に露出させる穴61が設けられている。この穴61は、導体層23からモールド樹脂60の外面まで貫通する孔であり、たとえばモールド樹脂60の成形金型の形状調整により容易に形成される。そして、冷却手段20の構成要素である冷媒流路201の外面のうち穴61を介して露出する導体層23の部分と対向する部位には、上記第2実施形態と同様、導体層23側に突出する突起203が設けられている。そして、穴61を介して露出する導体層23の部分と突起203とが、穴61を介して直接接触することで、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされ、両者は突起203を介して同電位とされている。ここで、突起203としては、上記図3~図5に示した形状のものとすることができ、穴61は、これら突起203が通過する形状であればよく、たとえば丸穴や角穴などでよい。それによれば、導体層23における放熱面以外の部位にて、冷却手段200の突起203を介して、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされているから、放熱面と冷却手段200との間のグリス300の厚さを、突起203の高さに関係なく薄くすることができ、結果として放熱性能を悪化させることを極力防止できる。たとえば、上記第2実施形態のように、導体層203のうちモールド樹脂60より露出し且つグリス300が付着する放熱面にて突起203を設けた場合、その突起203の高さと同等のグリス300の厚さが必要となる。そのため、突起203の高さによっては、必要以上にグリス300が厚くなってしまい、放熱性能の悪化につながる可能性があるが、本実施形態によれば、そのような問題が回避される。こうして、本実施形態によれば、突起203を介して、金属体20の導体層23と冷却手段200とが電気的に接続されているから、導体層23と冷却手段200とを確実に同電位とすることができる。また、本実施形態においても、図示しないが、上記第2実施形態と同様、導体層23と冷却手段200との突起203による電気的接続を検査するための端子部材を設けてもよく、それによれば、当該端子部材90を介して、当該電気的接続の確認が容易に行うことができる。また、本実施形態の突起203も、ひとつの導体層23につき、1個に限定されるものではなく、2個以上あってもよい。それによれば、一つの導体層23を複数個の突起203を介して冷却手段200に接続することになるから、当該接続の信頼性が向上するという利点がある。また、この本実施形態の構成は、上記第2実施形態と同様に、片面放熱型の半導体装置に限定するものではなく、上記図1に示したような両面放熱型の半導体装置であっても、適用が可能であることは言うまでもない。たとえば上記図1中の両方の金属体20、30において、上記端子部材90を省略し、両金属体20、30のそれぞれについて、上記図7に示される構成としてやればよい。第5実施形態図8は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第1実施形態において、端子部材90を省略し、その代わりにグリス310を導電性のものとすることで、このグリス310を介して、導体層23と冷却手段200とを電気的に接続して、これら両者を同電位とする同電位構成を構築したものである。なお、図8では、上記図1における第1の金属体20について本実施形態の構成を適用した例を示しているが、上記図1における第2の金属体30についても、これと同様の構成が適用されているから、図8には、第2の金属体30に関する部位を括弧付きの符号として、第1の金属体20に関する部位の符号の後に記してある。図8に示されるように、本実施形態では、半導体実装体100の放熱面は、導電性のグリス310を介して冷却手段200、ここでは冷却手段200の構成要素である冷媒流路201の外面に接触しており、このグリス310を介して、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされている。このような導電性のグリス310としては、たとえば銅や銀などの導電性のフィラーを樹脂に含有させたものが挙げられる。こうして、本実施形態によれば、グリス310を介して、金属体20の導体層23と冷却手段200とが電気的に接続されているから、導体層23と冷却手段200とを確実に同電位とすることができる。また、図8に示されるように、本実施形態においても、上記第2実施形態と同様、導体層23と冷却手段200との突起203による電気的接続を検査するための端子部材90を設ければ、この端子部材90を介して、導体層23と冷却手段200とのグリス310による電気的接続を検査することができ、当該電気的接続の確認が容易に行える。また、図示しないが、本実施形態においては、放熱面の直下に位置する冷却手段200の面において、導電性のグリス310を中央部に配置し、その周辺部を囲むように電気絶縁性の上記グリス300を配置するようにしてもよい。この場合、半導体実装体100からグリスがはみ出しても、そのはみ出したグリス300は電気絶縁性であるから、隣の部品との短絡防止という点で好ましい。なお、図8では、上記図1における第1の金属体20について本実施形態の構成を適用した例を示しているが、上記図1における第2の金属体30についても、これと同様の構成を適用できることは言うまでもない。さらには、上記した両面放熱型の半導体装置ではなく、片面放熱型の半導体装置についても、これと同様の構成を適用できることは明らかである。第6実施形態図9は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置を示す図であり、aは概略斜視図、bはa中の一点鎖線C-Cに沿った概略断面図、cはb中の丸で囲まれたD部の拡大図である。本実施形態の半導体装置は、上記第1実施形態に示した両面放熱型の半導体装置において、封止材であるモールド樹脂60、62の一部62が、冷媒202が流れる冷媒流路201を構成しているものである。具体的には、図9に示されるように、モールド樹脂60、62は、半導体素子10および金属体20、30を封止する封止部60と、封止部60の周囲にて放熱面を取り囲むように環状に設けられた壁部62とよりなる。そして、封止部60と壁部62との間の部位に、貫通穴としての冷媒流路201が構成されている。なお、このようなモールド樹脂60、62の構成は、型成形などにより容易に実現できる。また、モールド樹脂60、62において、封止部60と壁部62とは別体であってもよく、たとえば封止部60を形成した後に、壁部62を2次成形や接着などにより封止部60に一体化させるようにしてもよい。そして、この冷媒流路201を冷媒202が流通することにより、図9cに示されるように、放熱面である導体層23、33に冷媒202が直接接触し、当該放熱面の冷却が行われるようになっている。なお、図9cは、第2の金属体30について示しているが、第1の金属体20についても第2の金属体30側と同一構成であるから、図9cには、第1の金属体20に関する部位を括弧付きの符号として、第2の金属体30に関する部位の符号の後に記してある。ここにおいて、本実施形態では、冷媒202を、導電性を有するものとしている。それにより、両金属体20、30の導体層23、33と冷却手段200の冷媒202との電気的接続がなされている。ここで、導電性の冷媒202としては、水でもよいが、水は導電性ではあるものの電気分解するので好ましくなく、たとえば液体ナトリウムや、水銀などが好ましいものとして挙げられる。こうして、本実施形態によれば、両金属体20、30の導体層23、33と冷却手段200の冷媒202とが電気的に接続されているから、導体層23、33と冷却手段200とを確実に同電位とすることができる。また、図9に示されるように、本実施形態では、さらに、一端側がモールド樹脂60の内部にて導体層33に電気的に接続され、他端側がモールド樹脂60より突出する端子部材90が設けられている。ここでは、第2の金属体30側の導体層33について端子部材90を設けた構成を示しているが、第1の金属体20の導体層23についても、図示しないが、同じように端子部材90が設けられている。この端子部材90は、上記第1実施形態の端子部材90において、モールド樹脂60より突出する他端側が冷却手段200と接続されていないものに相当する。そして、モールド樹脂60の外部にて、端子部材90と冷却手段200におけるポンプなどの導体部分との導通を検査することにより、導体層23、33と冷媒202との電気的接続を検査することができ、当該電気的接続の確認が容易に行える。さらに、本実施形態は、両面放熱型の半導体装置ではなく、片面放熱型の半導体装置についても、これと同様の構成を適用できることは明らかである。第7実施形態本発明の第7実施形態は、導電性のグリス310により、半導体実装体100の放熱面である導体層23と冷却手段200との間を埋める構成において、導電性のグリス301のはみ出しによる周辺部品の短絡防止を目的として成されるものである。図10は本実施形態の第1の例、図11は本実施形態の第2の例、図12は本実施形態の第3の例、図13は本実施形態の第4の例、図14は本実施形態の第5の例をそれぞれ示す概略断面図である。ここで、図10~図14のそれぞれにおいて、aは半導体実装体100と冷却手段200との組み付け前の状態を示し、bは当該組み付け後の状態を示している。なお、図10~図14においては、半導体素子10の一方の面に位置する金属体20のみを示しているが、上記第1実施形態のように、半導体素子10の他方の面にも金属体30がある場合には、この金属体30、さらには当該金属体30の放熱面である導体層33についても、同様の構成を採用できることはもちろんである。まず、図10bに示される第1の例の構成は、半導体実装体100の放熱面である導体層22と冷却手段200との間にて、粘性体としての導電性のグリス310と、この導電性のグリス310の外側全周を取り囲むように配置された粘性体としての電気絶縁性のグリス300とが介在しているものである。そして、半導体実装体100の放熱面である導体層23は、これら両グリス300、310を介して冷却手段200に接触しており、導電性のグリス310を介して、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされている。この構成は、たとえば、図10aに示されるように、半導体実装体100における導体層23の全面に電気絶縁性のグリス300を配置し、当該導体層23の中央部に導電性のグリス310を配置した状態で、これらグリス300、310を介して、半導体実装体100を冷却手段200に重ねて押し付けることにより、図10bに示される構成としてできあがる。この場合、両グリス300、310を介して、半導体実装体100と冷却手段200とを積層したときに、これら半導体実装体100と冷却手段200との隙間からグリスがはみ出したとしても、そのはみ出したグリスは、導電性のグリス310ではなく、その外側に位置する電気絶縁性のグリス300となる。そのため、導体層23と冷却手段200との電気的接続に導電性のグリス310を用いた場合であっても、半導体実装体100および冷却手段200の周辺に位置する電気部品等に対して、当該はみ出したグリスが付着したとしても、短絡等の懸念を回避することができる。次に、図11bに示される第2の例においても、図11aの状態から、導電性のグリス310および電気絶縁性のグリス300を介して半導体実装体100を冷却手段200に押し付けることで、上記第1の例と同様、半導体実装体100の導体層22と冷却手段200との間にて、導電性のグリス310と、その外側を取り囲むように配置された電気絶縁性のグリス300とが介在し、導体層23は、これら両グリス300、310を介して冷却手段200に接触しており、導電性のグリス310を介して、導体層23と冷却手段200との電気的接続がなされている。この場合にも、中心部に導電性のグリス310、その外周部に電気絶縁性のグリス300というグリスの配置を採ることで、上記第1の例と同様、半導体実装体100および冷却手段200の周辺に位置する電気部品等に対して、当該はみ出したグリスが付着したとしても、短絡等の懸念が回避される。さらに、この第2の例では、半導体実装体100と冷却手段200との間にて、半導体実装体100に、導電性のグリス310の外周を取り囲む溝400を設け、導電性のグリス310の拡がりを溝400で留めている。具体的には、半導体実装体100におけるモールド樹脂60に対して、金型成形等により、導電性のグリス310を囲むように環状の溝400を設ける。そうすると、電気絶縁性のグリス300および導電性のグリス310を介して、半導体実装体100と冷却手段200とを積層したときに、拡がろうとする導電性のグリス310が溝400に入り込むため、半導体実装体100と冷却手段200との隙間から、導電性のグリス310がはみ出すことを防止できる。そのため、半導体実装体100の導体層23と冷却手段200との電気的接続に導電性のグリス310を用いた場合であっても、半導体実装体100および冷却手段200の周辺に位置する電気部品等に対して、グリスのはみ出しによる短絡等の懸念を回避することができる。なお、この溝400は、導電性のグリス310の外側全周を取り巻くように連続して設けられることが望ましいが、半導体実装体100の形状などによって、当該グリスがはみ出すまでの距離が長い部位が存在する場合には、当該距離が長い部位には溝400を設けずに、溝400としては断続的なものであってもよい。次に、図12に示される第3の例は、上記第2の例とは逆に、半導体実装体100と冷却手段200との間にて、冷却手段200に、導電性のグリス310の外周を取り囲む溝400を設け、導電性のグリス310の拡がりを溝400で留めている。具体的には、冷却手段200に対して、プレス加工等により、導電性のグリス310を囲むように環状の溝400を設ける。この場合も、半導体実装体100と冷却手段200との隙間から、導電性のグリス310がはみ出すことを防止でき、仮にグリスのはみ出しが生じても、電気絶縁性のグリス300のはみ出しに留めることが可能となる。次に、図13に示される第4の例は、上記第2の例において、半導体実装体100の放熱面である導体層22と冷却手段200との間に介在させるグリスを、上記第5実施形態と同様に、導電性のグリス310のみとして、この導電性のグリス310を介して、導体層23と冷却手段200とを電気的に接続して、これら両者23、200を同電位とするものである。この場合も、この第4の例では、図13に示されるように、第2の例と同様に、半導体実装体100と冷却手段200との間にて、半導体実装体100に上記溝400を設け、導電性のグリス310の拡がりを溝400で留めている。そのため、半導体実装体100と冷却手段200との隙間から、導電性のグリス310がはみ出すことを防止することができる。次に、図14に示される第5の例では、上記第4の例において、当該第4の例とは逆に、半導体実装体100と冷却手段200との間にて、冷却手段200に、導電性のグリス310の外周を取り囲む溝400を設け、導電性のグリス310の拡がりを溝400で留めている。そして、この場合も、半導体実装体100と冷却手段200との隙間から、導電性のグリス310がはみ出すことを防止でき、半導体実装体100および冷却手段200の周辺に位置する電気部品等に対して、グリスのはみ出しによる短絡等の懸念を回避することができる。なお、導電性のグリス310の外周を取り囲み、その拡がりを留める溝400は、半導体実装体100と冷却手段200との間にて、半導体実装体100および冷却手段200の両方に設けられていてもよいことはもちろんである。また、本実施形態の溝400は、上記各実施形態のうち電気絶縁性のグリス300または導電性のグリス310を用いた構成について、組み合わせて適用可能であることは言うまでもない。他の実施形態なお、上記した導体層23、33は、グリス300、310を介して接触する冷却手段200の部分を構成する金属と同じ金属よりなるものであってもよい。たとえば、両者ともアルミであったり、銅であったりするものにできる。それによれば、導体層23、33とこれに接する冷却手段200とが同じ金属であるから、電蝕防止が期待され、好ましい。また、上記第1実施形態では、端子部材90は、モールド樹脂60の外面のうち上記制御端子80が引き出されている面とは、異なる面にて引き出されていたが、制御端子80が引き出されている面と同じ面にて引き出し、その突出方向も同一方向としてもよい。このような形態は、たとえば上記図9aに示される。この場合、制御端子80を外部の制御回路基板に接続するのと同時に、端子部材90も制御回路基板に接続することが可能となる。そして、この制御回路基板の配線を用いて、冷却手段200の構成要素であるポンプ等に接続すれば、端子部材90と冷却手段200との電気的接続が行える。また、上記各実施形態のうち電気絶縁性または導電性のグリス300、310は、半導体実装体100の放熱面である導体層23と冷却手段200との間を埋める熱伝導性の粘性体300、310として構成されるものであるが、このような粘性体としては、グリス300、310に限るものではなく、それ以外にも、たとえば電気絶縁性または導電性の接着剤やペーストなどを用いてもよい。