"基板上に導電性ペーストを塗布する段階と、前記導電性ペーストを乾燥又は低温で加熱して金属層を形成する段階と、前記金属層に電界を印加して前記金属層によるジュールヒーティングJouleheatingによって前記金属層を熱処理する段階と、を有することを特徴とする電極の形成方法。前記金属層を熱処理する段階は、前記金属層の両側端部にプローブprobeを接触させ、該プローブに電圧を印加する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の電極の形成方法。前記金属層を熱処理する段階は、前記金属層の両側端部に金属プレートを接触させ、該金属プレートに電圧を印加する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の電極の形成方法。前記金属層を熱処理する段階は、前記金属層に直流電源を印加することを特徴とする請求項1に記載の電極の形成方法。前記金属層を熱処理する段階は、前記金属層にパルスを適用した直流電源を印加することを特徴とする請求項1に記載の電極の形成方法。結晶質シリコーン層の第1面上に導電性ペーストを塗布する段階と、前記導電性ペーストを乾燥又は低温で加熱して金属層を形成する段階と、前記金属層に電界を印加して前記金属層によるジュールヒーティングによって前記金属層を熱処理して第1電極を形成する段階と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。前記金属層を熱処理して第1電極を形成する段階は、前記金属層の両側端部にプローブを接触させ、該プローブに電圧を印加する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記金属層を熱処理して第1電極を形成する段階は、前記金属層の両側端部に金属プレートを接触させ、該金属プレートに電圧を印加する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記金属層を熱処理して第1電極を形成する段階は、前記金属層に直流電源を印加することを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記金属層を熱処理して第1電極を形成する段階は、前記金属層にパルスを適用した直流電源を印加することを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記結晶質シリコーン層の第1面は、太陽光の受光面であることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記結晶質シリコーン層は、第2導電型の結晶質シリコーン層であることを特徴とする請求項11に記載の太陽電池の製造方法。前記第2導電型の結晶質シリコーン層と前記第1電極との間に第1真性非晶質シリコーン層及び第1導電型の非晶質シリコーン層を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。前記第1導電型の非晶質シリコーン層と前記第1電極との間に第1透明導電酸化膜を形成する段階を更に有し、前記導電性ペーストは、前記第1透明導電酸化膜上に塗布されることを特徴とする請求項13に記載の太陽電池の製造方法。前記第1透明導電酸化膜は、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ITZOIndiumTinZincOxide、ATOAntimonyTinOxide、又はAZOAlumium-dopedZincOxideで形成することを特徴とする請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記金属層を熱処理して第1電極を形成する段階は、前記金属層を300~400°Cの温度で熱処理することを特徴とする請求項13に記載の太陽電池の製造方法。前記導電性ペーストを乾燥又は低温で加熱して金属層を形成する段階は、200°C以下の温度で行われることを特徴とする請求項13に記載の太陽電池の製造方法。前記第2導電型の結晶質シリコーン層の第1面と対向する該第2導電型の結晶質シリコーン層の第2面上に第2電極を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項13に記載の太陽電池の製造方法。前記第2導電型の結晶質シリコーン層と前記第2電極との間に第2真性非晶質シリコーン層及び第2導電型の非晶質シリコーン層を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項18に記載の太陽電池の製造方法。前記第2導電型の非晶質シリコーン層と前記第2電極との間に第2透明導電酸化膜を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項19に記載の太陽電池の製造方法。前記結晶質シリコーン層の一面にテクスチャリングtexturing構造を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、電極の抵抗を下げることができる電極の形成方法を提供することにある。本発明の他の目的は、電極の抵抗を下げることができる電極の形成方法を利用した太陽電池の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による電極の形成方法は、基板上に導電性ペーストを塗布する段階と、前記導電性ペーストを乾燥又は低温で加熱して金属層を形成する段階と、前記金属層に電界を印加して前記金属層によるジュールヒーティングJouleheatingによって前記金属層を熱処理するする段階と、を有する。上記他の目的を達成するためになされた本発明の一特徴による太陽電池の製造方法は、結晶質シリコーン層の第1面上に導電性ペーストを塗布する段階と、前記導電性ペーストを乾燥又は低温で加熱して金属層を形成する段階と、前記金属層に電界を印加して前記金属層によるジュールヒーティングによって前記金属層を熱処理して第1電極を形成する段階と、を有する。その他、実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。以下、本発明の電極の形成方法及びこれを利用した太陽電池の製造方法を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明の利点、特徴、及びそれらを実現する方法は、図面を参照しながら後述する実施形態の詳細な説明を参照することによって明確になるであろう。しかし、本発明は、以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は、単に本発明の開示が完全になるように、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に対して発明の範囲を完全に開示するために提供するものである。図面において層及び領域のサイズ及び相対的なサイズは説明を明瞭にするために誇張することがある。本明細書で、単数形は文言に特別に言及しない限り複数形も含む。本明細書において含むcomprises又は含むcomprisingを使用した場合は、言及した構成要素、段階、動作、及び素子が、一つ以上の他の構成要素、段階、動作、及び/又は素子の存在又は追加を排除するものではない。素子elements又は層が、異なる素子又は層の上onと指称するものは、他の素子或いは層の真上だけでなく、中間に他の層又は他の素子が介在する場合を全て含む。これに対し、一つの素子が他の素子と直接上directlyon、真上と指称するものは中間に他の素子又は層が介在しないものを示す。明細書全体において同一参照符号は同一構成要素を指す。及び/又はは、言及したアイテムの各々及び一つ以上の全ての組合せを含む。空間的に相対的な位置関係を表す用語である下below、下beneath、下部lower、上above、上部upperなどは、図面に示しているように一つの素子又は構成要素と異なる素子又は構成要素との相対的な位置関係を分かりやすく記述するために使用する。これらの空間的に相対的な位置関係を表す用語は、図面に示している方向に加えて使用時又は動作時における素子の異なる方向を含む用語として理解しなければならない。明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。以下、図1~図4を参照して本発明の第1実施形態による電極の形成方法について詳細に説明する。図1~図4は、本発明の第1実施形態による電極の形成方法を工程順に示す斜視図である。図1を参照すると、基板100上に導電性ペーストpaste110を塗布する。導電性ペースト110の組成は、特に制限されないが、例えば、金属パウダ、ガラスフリット、及びバインダを含んでもよい。金属パウダとしては、電気伝導度及び反射度が優れた銀、アルミニウム、チタニウム、及びこれらの合金などを利用することができる。導電性ペースト110を基板100上に塗布する方法は、スピンコーティングspincoating、スリットコーティングslitcoating、スプレーspray法、スクリーンプリンティングscreenprinting、インクジェットink-jet法、グラビアgravure印刷法、オフセットoff-set印刷法、又はディスフェンシングdispensing法などを利用することができる。図2を参照すると、導電性ペースト110を乾燥又は低温で加熱して金属層120を形成する。導電性ペースト110を乾燥又は低温で加熱して固体状態の金属層120を形成した後に、金属層120に電界を印加することが可能である図3及び図5を参照。導電性ペースト110の乾燥又は低温加熱時の温度は約200°C以下であってもよい。導電性ペースト110が塗布された基板100を工程チェンバに入れて工程チェンバ内の温度を上昇させることによって、導電性ペースト110を乾燥又は低温で加熱することができる。図3を参照すると、金属層120に電界を印加する。金属層120の両側端部にプローブprobe130を接触させた後、プローブ130に電圧Vを印加して金属層120に電界を印加する。金属層120に電界が印加されると金属層120に電流が流れ、ジュールjoule熱が発生する。本発明による電極の形成方法ではこのようなジュール熱を利用するジュールヒーティングjouleheating方式で金属層120を熱処理する。金属層120に印加される電界を調節することによって金属層120の熱処理温度を調節することができる。金属層120を所望する温度で熱処理するために金属層120に印加しなければならない電界金属層120の線幅、高さ、長さなどによって変わってもよい。例えば、金属層120の線幅が約4mm程度である場合、金属層120に印加される電圧は約100V以下であってもよく、電流は約5A以下であってもよい。金属層120に電界を印加する際は数μsec~数msecの非常に短い時間のあいだに印加する。このときの電界には通常の直流電源を印加するか又はパルスを適用した直流電源を印加することができる。パルスを適用した直流電源を印加すると微細な温度制御が容易であり、金属層120の下部に形成された基板100の損傷を防止することに対してより有利である。図3、図4を参照すると、ジュールヒーティングjouleheating方式で金属層120を熱処理して電極150を完成する。本実施形態のように導電性ペースト110を利用して電極150を形成する場合、導電性ペースト110を高温で熱処理するほど、完成した電極150の抵抗が減少する傾向がある。例えば導電性ペースト110の熱処理温度を約170°Cから約220°Cに上昇させた場合、電極150の線抵抗を約30Ω/m~約120Ω/m程度減少させることができる。しかし、導電性ペースト110を高温で熱処理するために工程チェンバの温度を高温に上昇させる場合、導電性ペースト110が形成された下部基板100が熱によって損傷され得る。しかし、ジュールヒーティング方式の場合、数μsec~数msecの非常に短い時間のあいだに金属層120を約300°C~約400°C程度の温度で加熱することができる。ジュールヒーティング方式を利用する場合には数μsec~数msecの非常に短い時間のあいだにのみ金属層120に熱を加えるので、金属層120の下部に形成された基板100までこのような熱が伝達することを防止することができるため、基板100が熱によって損傷することを防止することができる。一方、金属層120に電界を印加する際、パルスを適用した直流電源を印加する場合には微細な温度制御が容易であるため、金属層120の下部に形成された基板100の損傷を防止することに対してより有利である。以下、図1、2及び図4、図5を参照して本発明の第1実施形態による電極の変形例による形成方法について詳細に説明する。図5は、本発明の第1実施形態による電極の形成方法の変形例による金属層に電界を印加する方法を示す斜視図である。本発明の第1実施形態による電極の変形例による形成方法は、金属層に電界を印加する方法を除いては上述した本発明の第1実施形態による電極の形成方法と同様であるため、以下差異点を中心に説明する。図5を参照すると、本発明の第1実施形態による電極の変形例による形成方法では、金属層120の両側端部に金属プレート140を接触させた後、金属プレート140に電圧Vを印加して金属層120に電界を印加する。以下、本発明の第1実施形態による電極パターンの形成方法及びその変形例を利用する太陽電池の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。先ず、図6~8を参照して本発明の第1~3実施形態による太陽電池の製造方法によって製造された太陽電池について説明する。図6~8は、本発明の第1~3実施形態による太陽電池の製造方法によって製造された太陽電池の斜視図である。図6に示す第1実施形態による太陽電池1はHITHeterojunctionwithIntrinsicThinlayer太陽電池である。本実施形態ではHIT太陽電池を例えて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本明細書において前面frontsurfaceは太陽光の受光面light-receivingsurfaceを意味し、後面backsurfaceは前面に対向する面を意味する。また第1導電型及び第2導電型はP型又はN型を意味する。以下では説明の便宜のため、第1導電型がP型であり、第2導電型がN型である場合を説明する。図6を参照すると、太陽電池1は第2導電型の結晶質crystalシリコーン層200の前面上に順次に形成される第1真性intrinsic非晶質シリコーン層210、第1導電型の非晶質シリコーン層220、第1透明導電酸化TCO:TransparentConductiveOxide膜230、及び前面電極270と、第2導電型の結晶質シリコーン層200の後面上に順次に形成される第2真性非晶質シリコーン層240、第2導電型の非晶質シリコーン層250、第2透明導電酸化膜260、及び後面電極280を含む。第2導電型の結晶質シリコーン層200は単結晶又は多結晶シリコーン層であってもよい。第1真性非晶質シリコーン層210及び第2真性非晶質シリコーン層240は電子と正孔を同一個数で含む純粋に近い非晶質シリコーン層である。第2導電型の結晶質シリコーン層200と第1導電型の非晶質シリコーン層220との間に第1真性非晶質シリコーン層210を形成し、第2導電型の結晶質シリコーン層200と第2導電型の非晶質シリコーン層250との間に第2真性非晶質シリコーン層240を形成することによって、第2導電型の結晶質シリコーン層200と第1導電型の非晶質シリコーン層220及び第2導電型の非晶質シリコーン層250の間の界面の欠陥などによる電子と正孔の再結合を防ぐことができる。第1真性非晶質シリコーン層210及び第2真性非晶質シリコーン層240は約20~100Åの厚さで形成されてもよい。第1導電型の非晶質シリコーン層220及び第2導電型の非晶質シリコーン層250は約30~100Åの厚さで形成されてもよい。第1透明導電酸化膜230は太陽電池1の前面に入射する太陽光の反射を最小化させる役割を果たすことができる。第2透明導電酸化膜260は太陽光によって生成された電荷の再結合を最小化させる役割を果たすことができ、第1透明導電酸化膜230もまた同様の役割をすることができる。第1透明導電酸化膜230と第2透明導電酸化膜260はITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ITZOIndiumTinZincOxide、ATOAntimonyTinOxide、又はAZOAlumium-dopedZincOxideのような透明導電酸化膜で形成することができる。第1透明導電酸化膜230及び第2透明導電酸化膜260は約800~1,000Åの厚さで形成されてもよい。前面電極270は太陽光の受光面積を形成するために格子grid形状を有することができる。例えば、前面電極270はバスバーbusbar271とフィンガーラインfingerline272を含み、バスバー271とフィンガーライン272が互いに交差して形成された格子形状を有してもよい。後面電極280も前面電極270と同様に格子形状で形成されてもよい。その場合、後面電極280は太陽光を受光する面に形成される電極ではないので、抵抗減少のために格子間のピッチを小さく形成することも可能である。また、後面電極280は第2透明導電酸化膜260の全体面を覆うように形成することもできる。図7に示す第2実施形態による太陽電池2もHIT太陽電池である。図7に示す太陽電池2が図6に示す太陽電池1と異なる点は、第2導電型の結晶質シリコーン層200の後面がテクスチャリングtexturing構造を有することである。第2導電型の結晶質シリコーン層200の後面をテクスチャリング構造で形成すると太陽電池2の内部への有効光の吸収量を更に増加させることができる。図7では第2導電型の結晶質シリコーン層200の後面がテクスチャリング構造を有することを図示するが、本発明はこれに限定されるものではなく、第2導電型の結晶質シリコーン層200の前面、又は第2導電型の結晶質シリコーン層200の前面及び後面の両方がテクスチャリング構造を有してもよい。図8に示す第3実施形態による太陽電池3は結晶系太陽電池である。本実施形態では結晶系太陽電池を例にあげて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図8を参照すると、太陽電池3は、積層された第1導電型の結晶質シリコーン層310及び第2導電型の結晶質シリコーン層320を含み、第2導電型の結晶質シリコーン層320の前面上に積層された反射防止層330と前面電極340、及び第1導電型の結晶質シリコーン層310の後面上に積層された後面電極350を含む。第1導電型の結晶質シリコーン層310及び第2導電型の結晶質シリコーン層320は単結晶又は多結晶シリコーン層であってもよい。反射防止層330は太陽電池3の前面に入射する太陽光の反射を最小化させる役割を果たすことができ、シリコーン窒化膜SiNxなどで形成することができる。前面電極340は太陽光の受光面積を形成するために格子形状を有することができる。例えば、前面電極340はバスバー341とフィンガーライン342を含み、バスバー341とフィンガーライン342が互いに交差して形成された格子形状を有してもよい。後面電極350は太陽光を受光する面に形成される電極ではないので、抵抗減少のために第1導電型の結晶質シリコーン層310の全体面を覆うように形成してもよい。また、後面電極350を前面電極340と同様に格子形状で形成してもよい。以下、本発明の第1実施形態による太陽電池の製造方法について説明する。図6及び図9~図14を参照して本発明の第1実施形態による太陽電池の製造方法について説明する。図9~図14は、図6に示す太陽電池の製造方法を説明するための斜視図である。先ず、図9を参照すると、第2導電型の結晶質シリコーン層200の前面上に第1真性非晶質シリコーン層210、第1導電型の非晶質シリコーン層220、及び第1透明導電酸化膜230を順次に形成する。第1真性非晶質シリコーン層210、第1導電型の非晶質シリコーン層220、及び第1透明導電酸化膜230を形成する際にはプラズマ強化化学気相蒸着方法PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、PECVDを利用して形成することができる。続いて、図10を参照すると、第2導電型の結晶質シリコーン層200の後面上に第2真性非晶質シリコーン層240、第2導電型の非晶質シリコーン層250、及び第2透明導電酸化膜260を順次に形成する。第2真性非晶質シリコーン層240、第2導電型の非晶質シリコーン層250、及び第2透明導電酸化膜260もプラズマ強化化学気相蒸着方法を利用して形成することができる。続いて、図11を参照すると、第1透明導電酸化膜230の前面及び第2透明導電酸化膜260の後面上に各々前面電極及び後面電極形成のための導電性ペースト291、281を塗布する。導電性ペースト291、281の組成は特に制限されないが、例えば、金属パウダ、ガラスフリット、及びバインダを含んでもよい。金属パウダとしては電気伝導度及び反射度の優れた銀、アルミニウム、チタニウム、及びこれらの合金などを利用してもよい。導電性ペースト291、281を第1透明導電酸化膜230及び第2透明導電酸化膜260上に塗布する方法は、スピンコーティングspincoating、スリットコーティングslitcoating、スプレーspray法、スクリーンプリンティングscreenprinting、インクジェットink-jet法、グラビアgravure印刷法、オフセットoff-set印刷法、又はディスフェンシングdispensing法などを利用することができる。続いて、図12を参照すると、導電性ペースト291、281を乾燥又は低温で加熱して前面電極形成用金属層293、294及び後面電極形成用金属層283を形成する。前面電極形成用金属層293、294はバスバー形成用金属層293及びフィンガーライン形成用金属層294を含んでもよい。導電性ペースト291、281の乾燥時の温度は約200°C以下であってもよい。導電性ペースト291、281が塗布された構造物を工程チェンバに入れて工程チェンバ内の温度を上昇させることによって、導電性ペースト291、281を乾燥又は低温で加熱させることができる。図13及び図14を参照すると、前面電極形成用金属層293、294に電界を印加する。図13を参照すると、バスバー形成用金属層293の両側端部にプローブ130を接触させた後、プローブ130に電圧Vを印加してバスバー形成用金属層293に電界を印加することができる。バスバー形成用金属層293の各々に対してプローブ130を接触させて電界を印加する。図14を参照すると、フィンガーライン形成用金属層294の各々に対してもプローブ130を接触させて電界を印加する。プローブ130を利用してバスバー及びフィンガーライン形成用金属層293、294に電界を印加する場合には各金属層293、294に印加される電界を個別的に細密に調節することができる。金属層293、294に電界が印加されると金属層293、294に電流が流れ、ジュール熱が発生する。このようなジュール熱を利用するジュールヒーティング方式で金属層293、294を熱処理する。金属層293、294に印加される電界を調節することによって金属層293、294の熱処理温度を調節することができる。金属層293、294を所望する温度で熱処理するために金属層293、294に印加しなければならない電界は金属層293、294の線幅、高さ、長さなどにより変わってもよい。例えば、金属層293、294の線幅が約4mm程度である場合、金属層293、294に印加される電圧は約100V以下であってもよく、電流は約5A以下であってもよい。金属層293、294に電界を印加する際は数μsec~数msecの非常に短い時間のあいだに印加する。このとき電界は一般的な直流電源を印加するか又はパルスを適用した直流電源を印加してもよい。パルスを適用した直流電源を印加する場合は、微細な温度の制御が容易であり、金属層293、294の下部に形成された第1真性及び第1導電型の非晶質シリコーン層210、220の損傷を防止することに対してより有利である。図6、図13及び図14を参照すると、ジュールヒーティング方式でバスバー形成用金属層293及びフィンガーライン形成用金属層294を熱処理して前面電極270のバスバー271とフィンガーライン272を完成する。上記で説明したように導電性ペーストを利用して電極を形成する場合、導電性ペーストを高温で熱処理するほど電極の抵抗が減少する傾向がある。しかし、本実施形態で説明するHIT太陽電池の製造では工程チェンバの温度が約200°Cを超過すると非晶質シリコーン層210、220、240、250の結晶化を招く恐れがある。非晶質シリコーン層210、220、240、250が結晶化されると、これはHIT太陽電池において欠陥として作用し得る。しかし、本実施形態で利用するジュールヒーティング方式の場合、数μsec~数msecの非常に短い時間のあいだにバスバー形成用金属層293及びフィンガーライン形成用金属層294を約300°C~約400°C程度の温度で加熱することができる。ジュールヒーティング方式を利用する場合には数μsec~数msecの非常に短い時間のあいだにのみバスバー形成用金属層293及びフィンガーライン形成用金属層294に熱を加えるため、バスバー形成用金属層293及びフィンガーライン形成用金属層294に隣接した第1導電型の非晶質シリコーン層220までこのような熱が伝達されることを防止することができる。従って、非晶質シリコーン層210、220が結晶化されることを防止し、且つ前面電極270の抵抗も減少させることもできる。一方、金属層293、294に電界を印加する際、パルスを適用した直流電源を印加する場合には微細な温度制御が容易であるため、金属層293、294の下部に形成された非晶質シリコーン層210、220の結晶化を防止することに対してより有利なこともある。一方、後面電極形成用金属層283にも前面電極形成用金属層293、294に電界を印加したのと同様の方法で電界を印加して後面電極280の抵抗を減少させることもできる。図6、図9~図12、及び図15、図16を参照して本発明の第1実施形態による太陽電池の製造方法の変形例について説明する。図15、図16は、本発明の第1実施形態による太陽電池の製造方法の変形例による前面電極形成用金属層に電界を印加する方法を示す斜視図である。本発明の第1実施形態による太陽電池の製造方法の変形例は、前面電極形成用金属層に電界を印加する方法を除いては上述した本発明の第1実施形態による太陽電池の製造方法と同様であるため、以下差異点を中心に説明する。図15を参照すると、多数のバスバー形成用金属層293に亘ってバスバー形成用金属層293の両側端部に金属プレート140を接触させた後、金属プレート140に電圧Vを印加して多数のバスバー形成用金属層293に電界を同時に印加する。図16を参照すると、多数のフィンガーライン形成用金属層294に亘ってフィンガーライン形成用金属層294の両側端部に金属プレート140を接触させて電界を印加する。金属プレート140を利用して金属層293、294に電界を印加する場合には多数の金属層293、294に電界を同時に印加することができるので工程時間を短縮させることができる。図7及び図17を参照して本発明の第2実施形態による太陽電池の製造方法について説明する。図17は、本発明の第2実施形態による太陽電池の製造方法の第2導電型の結晶質シリコーン層の後面にテクスチャリング構造を形成することを示す斜視図である。本発明の第2実施形態による太陽電池の製造方法は第2導電型の結晶質シリコーン層の後面にテクスチャリング構造を形成することを除いては本発明の第1実施形態による太陽電池の製造方法及びその変形例と同様であるため、以下差異点を中心に説明する。図17を参照すると、第2導電型の結晶質シリコーン層200の後面にテクスチャリング構造を形成する場合は、公知のエッチング法を利用したエッチングetchingによって形成することができる。例えば、TMAHTetraMethylAmmoniumHydroxide、水酸化カリウムKOH、又は水酸化ナトリウムNaOHなどの塩基性エッチング溶液に第2導電型の結晶質シリコーン層200である光吸収層を浸すことによってテクスチャリング構造を形成することができる。以後の過程は図9~図16に示す太陽電池の製造方法により行われてもよい。図8及び図18~図21を参照して本発明の第3実施形態による太陽電池の製造方法について説明する。図18~図21は、図8に示す太陽電池の製造方法を説明するための斜視図である。図18を参照すると、第1導電型の結晶質シリコーン層310上に第2導電型の結晶質シリコーン層320を形成し、第2導電型の結晶質シリコーン層320上に反射防止層330を形成する。続いて、反射防止層330の前面及び第1導電型のシリコーン層310の後面上に各々前面電極及び後面電極形成のための導電性ペースト361、351を塗布する。続いて、図19を参照すると、導電性ペースト361、351を乾燥又は低温で加熱して前面電極形成用金属層363、364及び後面電極形成用金属層353を形成する。前面電極形成用金属層363、364はバスバー形成用金属層363及びフィンガーライン形成用金属層364を含んでもよい。導電性ペースト361が塗布された構造物を工程チェンバに入れて工程チェンバ内の温度を上昇させることによって、導電性ペースト361を乾燥又は低温で加熱させることができる。図20及び図21を参照すると、前面電極形成用金属層363、364に電界を印加する。図20を参照すると、バスバー形成用金属層363の両側端部にプローブ130を接触させた後、プローブ130に電圧Vを印加してバスバー形成用金属層363に電界を印加する。バスバー形成用金属層363の各々に対してプローブ130を接触させて電界を印加する。図21を参照すると、フィンガーライン形成用金属層364の各々に対してもプローブ130を接触させて電界を印加する。金属層363、364に電界が印加されると金属層363、364に電流が流れ、ジュール熱が発生する。このようなジュール熱を利用するジュールヒーティング方式で金属層363、364を熱処理する。このとき金属層363、364に印加される電界を調節して金属層363、364が800°C以上の温度で熱処理されるようにすることができる。本実施形態では金属層363、364の下部に第1及び第2導電型の結晶質シリコーン層310、320が形成されているので、上記で説明した実施形態と比較して金属層363、364をより高温で熱処理することができる。図8、図20及び図21を参照すると、ジュールヒーティング方式でバスバー形成用金属層363及びフィンガーライン形成用金属層364を熱処理して前面電極340のバスバー341とフィンガーライン342を完成する。一方、後面電極形成用金属層353にも前面電極形成用金属層363、364に電界を印加したのと同一な方法で電界を印加して後面電極350の抵抗を減少させることもできる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。"