"半導体モジュールであって、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に設けられており、第1熱膨張率を有する第1部材と、前記半導体素子で発生する熱の伝熱経路に設けられており、前記第1熱膨張率とは異なる第2熱膨張率を有する第2部材と、前記第1部材と前記第2部材の間に設けられているとともに、前記第1部材と前記第2部材の間で回転可能に構成されている回転部材と、を備えている半導体モジュール。前記回転部材は、少なくとも第1状態から第2状態にまで回転可能となるように、前記第1部材と前記第2部材の間で挟持されており、前記第1状態では、前記第1部材が前記回転部材を加圧する加圧力の第1作用方向と前記第2部材が前記回転部材を加圧する加圧力の第2作用方向の双方が前記回転部材の回転軸を通っており、前記第2状態では、前記第1作用方向と前記第2作用方向の少なくともいずれか一方が前記回転部材の回転軸を通らない請求項1に記載の半導体モジュール。前記第1部材の表面のうちの前記第2部材に対向する表面に設けられている包囲壁をさらに備えており、前記包囲壁は、平面視したときに前記回転部材の周囲を一巡している請求項1又は2に記載の半導体モジュール。例えば、両面冷却方式を採用した場合、半導体素子とリード電極板は、はんだ層を介して接合されることが多い。半導体素子に用いられる材料とリード電極板に用いられる材料は異なっており、異なる熱膨張率を有する。このため、半導体素子とリード電極板が熱の変化に曝されると、半導体素子とリード電極板の熱膨張量に相違が生じる。これにより、半導体素子とリード電極板の間のはんだ層には大きな応力が加わり、はんだ層が破損してしまう。はんだ層が破損すると、半導体モジュールの冷却特性が悪化することから、半導体モジュールの信頼性が低下してしまう。特に、半導体素子とリード電極板の間のはんだ層が破損すると、半導体素子とリード電極板の間の電気的なコンタクトも悪化することから、半導体モジュールの電気的特性も悪化し、半導体モジュールの信頼性が低下してしまう。上記では、半導体素子とリード電極板の間の熱膨張差に起因する課題を説明したが、同様の課題は、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に存在する様々な部材間で起こり得る。本明細書では、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に存在する部材間に印加される応力を緩和する技術を提供することを目的としている。本明細書で開示される技術は、半導体モジュールに具現化される。半導体モジュールは、第1部材と第2部材と回転部材を備えている。第1部材は、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に設けられており、第1熱膨張率を有する。第2部材は、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に設けられており、第1熱膨張率とは異なる第2熱膨張率を有する。第1部材又は第2部材の一例には、半導体素子も含まれる。回転部材は、第1部材と第2部材の間に設けられているとともに、第1部材と第2部材の間で回転可能に構成されている。この態様の半導体モジュールでは、第1部材と第2部材が異なる熱膨張率を有しており、熱変化に曝されたときに、第1部材と第2部材の熱膨張量に相違が生じる。本明細書で開示される半導体モジュールでは、第1部材と第2部材の間に回転部材が設けられており、その回転部材は第1部材と第2部材の間で回転可能であることを特徴としている。これにより、第1部材と第2部材は、回転部材に対して強固に拘束されないことから、第1部材と第2部材が熱変化に曝されて第1部材と第2部材の熱膨張量に相違が生じたとしても、回転部材が回転することによって第1部材と第2部材の間に加わる応力が緩和される。この結果、第1部材と第2部材が熱変化に曝されたとしても、第1部材と第2部材の間には過大な応力が加わることがないので、信頼性の高い半導体モジュールが得られる。本明細書で開示される半導体モジュールでは、回転部材は、少なくとも第1状態から第2状態にまで回転可能となるように、第1部材と第2部材の間で挟持されているのが望ましい。すなわち、回転部材は、第1部材と第2部材から加圧力を受けており、その加圧力によって第1部材と第2部材の間で挟持されている。この場合、第1状態では、第1部材が回転部材を加圧する加圧力の第1作用方向と第2部材が回転部材を加圧する加圧力の第2作用方向の双方が回転部材の回転軸を通っている。また、第2状態では、第1作用方向と第2作用方向の少なくともいずれか一方が回転部材の回転軸を通らない。第1状態にある回転部材には、第1部材と第2部材から回転モーメントが加わらないので、回転部材は安定的に第1部材と第2部材の間で挟持されている。すなわち、第1状態の回転部材は、初期状態に対応している。第1部材と第2部材が熱変化に曝されて第1部材と第2部材の熱膨張量に相違が生じると、回転部材が回転して第2状態となる。第2状態にある回転部材には、熱膨張による回転方向とは逆向きの回転モーメントが第1部材と第2部材から加わる。このため、熱変化が終了した後には、その回転モーメントを受けて回転部材が第1状態初期位置に復元することができる。本明細書で開示される半導体モジュールは、第1部材の表面のうちの第2部材に対向する表面に設けられている包囲壁をさらに備えているのが望ましい。包囲壁は、平面視したときに回転部材の周囲を一巡していることを特徴としている。この態様の半導体モジュールでは、回転部材が第1部材に対して所望の位置に位置決めされるので、回転部材を必要な位置に正確に配置することができる。本明細書で開示される半導体モジュールでは、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に存在する部材間に印加される応力が緩和される。本明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。第1特徴回転部材は、第1部材と第2部材が熱変化に曝されたときに、第1部材と第2部材の面方向の相対変位を許容することができる。より詳細には、回転部材は、常温において垂直方向に対向する第1部材の第1部位と第2部材の第2部位に関し、熱変化に曝されたときに、それら第1部位と第2部位の面方向の相対変位を許容することができる。第2特徴第1部材と第2部材の組合わせには、半導体素子とリード電極板、半導体素子と絶縁基板、絶縁基板と冷却器が含まれる。第3特徴回転部材は、曲面を有しており、その曲面で第1部材と第2部材に対して接触している。第4特徴回転部材には、熱伝導率が高く、硬い材料を用いるのが望ましい。好ましくは、回転部材には金属を用いるのが望ましい。第5特徴冷却器は、ヒートシンクとヒートスプレッダを組合わせた構造であってもよい。第6特徴半導体素子は、ワイドバンドギャップの材料で形成されたパワー半導体素子である。そのようなパワー半導体素子は、200°C以上の高温動作での使用が想定されていることから、伝熱経路の部材間の応力緩和が重要である。本明細書で開示される技術は、そのようなパワー半導体素子が搭載される半導体モジュールにおいて特に有用である。図1に、車載用の半導体ジュール1の構成を示す。半導体モジュール1は、直流電源と交流モータの間に接続されるインバータ回路に用いられる。半導体モジュール1は、冷却器10と絶縁基板20と半導体素子34と回転部材36とリード電極板38を備えている。冷却器10は、半導体素子34で発生した熱を放熱するために用いられている。冷却器10は、水冷式であり、冷却水が流動する複数の貫通孔を備えている。一例では、冷却器10の材料にアルミニウムが用いられている。絶縁基板20は、冷却器10と半導体素子34の間に設けられており、第1配線層22と絶縁層24と第2配線層26が積層した構造を備えている。第1配線層22が冷却器10側に配置されており、第2配線層26が半導体素子34側に配置されている。絶縁基板20と冷却器10は、図示しないろう材を介してろう付されている。一例では、第1配線層22と第2配線層26の材料に銅が用いられている。絶縁層24の材料にはセラミックが用いられており、一例では窒化ケイ素Si3N4が用いられている。半導体素子34には、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor又はIGBTInsulatedGateBipolarTransistorのパワー半導体素子が用いられている。半導体材料には、ワイドバンドギャップの材料が用いられており、典型的には炭化ケイ素、窒化ガリウムが用いられている。半導体素子34と絶縁基板20は、Zn-Al系のはんだ層32を介して接合されている。半導体素子34の半導体材料が炭化ケイ素の場合、その線膨張係数は約4.2×10-6/Kである。半導体素子34の半導体材料が窒化ガリウムの場合、その線膨張係数は約5.6×10-6/Kである。回転部材36は、半導体素子34とリード電極板38の間に設けられており、半導体素子34とリード電極板38の間で回転可能に構成されている。回転部材36は、半導体素子34に接するとともに、リード電極板38にも接している。リード電極板38は、半導体素子34の表面から側方に向けて伸びている。リード電極板38は、半導体素子34の表面の電極例えば、ゲート電極及びエミッタ電極に対して外部回路との間の電気的な接続を提供する。また、リード電極板38は、半導体素子34と絶縁基板20を冷却器10側に向けて加圧している。図2に示されるように、回転部材36は、半導体素子34のエミッタ電極46に接するとともに、リード電極板38にも接している。回転部材36は導電性であり、一例では、その材料に銅が用いられている。このため、半導体素子34のエミッタ電極46とリード電極板38は、回転部材36を介して電気的に接続されている。回転部材36は、非円形状であるのが望ましく、一例では、断面楕円形状を有している。また、リード電極板38には、回転部材36の表面形状に対応した凹部38aが形成されており、その凹部38a内に回転部材36が配置されている。具体的には、凹部38aの内壁を構成する曲面の曲率半径は、回転部材36の表面の曲率半径よりも大きく形成されている。このため、回転部材36は、凹部38aの内壁に沿って回転可能である。一例では、リード電極板38の材料に銅が用いられており、その線膨張率は約17×10-6/Kである。半導体モジュール1はさらに、半導体素子34の表面に形成されている包囲壁40を備えている。包囲壁40は、半導体素子34の表面から突出するように形成されている。包囲壁40は、多結晶半導体部42と絶縁部44を有している。一例では、多結晶半導体部42の材料に多結晶シリコンが用いられており、絶縁部44の材料に酸化シリコンが用いられている。例えば、包囲壁40は、多結晶半導体部42をパターニングした後に、その多結晶半導体部42を覆うように絶縁部44を形成することで形成することができる。包囲壁40は、平面視したときに、回転部材36の周囲を一巡して形成されている。このため、回転部材36は、包囲壁40で囲まれる溝部50内に配置されている。包囲壁40は、回転部材36が横滑りしてその位置が大幅に変動してしまうのを禁止する。図3に示されるように、一例では、回転部材36は、半導体素子34の表面に均一に分散して設けられていてもよい。次に、半導体モジュール1の特徴を説明する。図2が常温環境下又は半導体素子34が動作していないときの半導体モジュール1の状態を示しており、図4が高温環境下又は半導体素子が動作しているときの半導体モジュール1の状態を示している。図2の常温環境下又は半導体素子34が動作していないときの半導体モジュール1では、半導体素子34が回転部材36を加圧する加圧力の第1作用方向1A紙面上下方向とリード電極板38が回転部材36を加圧する加圧力の第2作用方向1B紙面上下方向の双方が回転部材36の回転軸36aを通っている。このため、回転部材36には回転モーメントが加わらないので、回転部材36は半導体素子34とリード電極板38の間で安定的に挟持されている。この半導体モジュール1では、例えば、半導体素子34がONOFFを繰返すことにより、半導体素子34から熱が発生する。半導体素子34で発生した熱は、絶縁基板20を介して冷却器10に伝熱され、冷却器10によって外部に放熱される。また、半導体素子34で発生した熱の一部は、リード電極板38を介して外部に放熱される。例えば、半導体素子34の半導体材料がシリコンの場合、半導体素子34の線膨張率が約3.0×10-6/Kである。一方、リード電極板38の線膨張率が約17×10-6/Kである。このため、半導体素子34とリード電極板38が異なる熱膨張率を有している。半導体素子34で発生した熱によって半導体素子34とリード電極板38が高温になると、リード電極板38が半導体素子34よりも面方向に大きく熱膨張する。図4には、リード電極板38が図示左側に向けて熱膨張する例を示す。リード電極板38が図示左側に向けて熱膨張すると矢印1C参照、回転部材36は、リード電極板38との間の摩擦力、及びリード電極板38の凹部38aの形状により、反時計周りの回転モーメントを受けて回転する。これにより、リード電極板38が半導体素子34よりも大きく熱膨張したとしても、回転部材36が回転することにより、半導体素子34とリード電極板38の間の応力が緩和される。半導体素子34とリード電極板38が高温になり、リード電極板38が半導体素子34に比して面方向に大きく熱膨張しても、回転部材36が回転することによって半導体素子34とリード電極板38の間には過大な応力が加わることがない。回転部材36が半導体素子34とリード電極板38の間で回転すると、半導体素子34が回転部材36を加圧する加圧力の第1作用方向1Aとリード電極板38が回転部材36を加圧する加圧力の第2作用方向1Bは、回転部材36の回転軸36aを通らない状態となり、回転部材36には復元力が加わる。すなわち、回転部材36には、半導体素子34とリード電極板38の間の熱膨張差に起因する反時計回りの回転モーメントと、それに抗する時計周りに回転モーメントが印加される。半導体素子34とリード電極板38の間の熱膨張差が大きい場合、その熱膨張差に起因する反時計回りの回転モーメントの方が復元力よりも大きくなり、回転部材36は回転して半導体素子34とリード電極板38の間の応力を緩和する。一方、半導体素子34とリード電極板38の間の熱膨張差が小さくなると、熱膨張差に起因する反時計回りの回転モーメントよりも復元力の方が大きくなり、回転部材36は時計回りの回転モーメントを受けて初期位置に復元される。このように、回転部材36は、繰り返しの熱変化を受けたとしても、初期位置から大きく移動することがない。半導体モジュール1の変形例図5に示されるように、半導体モジュール1はさらに、半導体素子34とリード電極板38の間に設けられている応力緩和層60を備えていることを特徴としている。応力緩和層60の材料には、導電性の液体金属を用いてもよく、あるいは導電性の低融点金属を用いてもよい。液体金属の一例には、ガリスタンガリウム:68.5,インジウム:21.5,錫:10が挙げられる。低融点金属の一例には、共晶系のウッドメタルビスマス:50,鉛:26.7,カドミウム:10が挙げられる。応力緩和層60は、半導体素子34が動作しているときに液体状態であり、回転部材36の回転を妨げることがない。一方で、応力緩和層60が設けられていると、半導体素子34とリード電極板38の間の熱伝導及び電気伝導が向上する。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、回転部材36のレイアウトは、図3に示されるように、包囲壁40で囲まれる溝部50に1つの回転部材36が配置されてもよく、包囲壁40で囲まれる溝部50に複数の回転部材36が配置されてもよい。また、回転部材36の形態は、断面楕円形状に限られず、様々な形状を用いることができ、例えば、球体、円柱体、多面体を用いることができる。さらに、図6に示されるように、複数種類の形態の回転部材を組合わせて配置してもよい。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"