発光機能をもった半導体層が金属製の放熱板と接合された構成を具備する複数の発光ダイオードを、前記半導体層が形成された1枚のウェハと前記放熱板となる金属板とを接合する接合工程と、隣接する前記発光ダイオード間における前記半導体層をエッチングする半導体層エッチング工程と、隣接する前記発光ダイオード間における前記金属板を切断する金属板切断工程と、を行うことによって前記発光ダイオードを分離して得る、発光ダイオードの製造方法であって、前記金属板切断工程における前記金属板の切断を、ウェットエッチングにより行うことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記接合工程において、金属からなり前記半導体層の表面に形成された半導体層側接合層と、前記金属板とをはんだ層で接合することにより、前記ウェハと前記金属板とを接合することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。前記半導体層エッチング工程において、前記隣接する発光ダイオードを分離する箇所における前記半導体層、前記半導体層側接合層、及び前記はんだ層をドライエッチングで除去することを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードの製造方法。前記ウェハは、基板上に前記半導体層がエピタキシャル成長によって形成された構成を具備し、前記接合工程において、前記半導体層における前記基板と反対側の面が前記金属板と接合され、前記接合工程の後に、前記基板を前記半導体層から剥離する剥離工程を具備することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。前記半導体層は窒化物半導体で構成され、前記基板はサファイアで構成されることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオードの製造方法。前記金属板は、銅を主成分とする層と、モリブデンを主成分とする層又はタングステンを主成分とする層とが積層されて構成されることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。前記銅を主成分とする層と、前記モリブデンを主成分とする層又はタングステンを主成分とする層とを積層し、印加圧力5MPa以上15MPa以下で、850°C以上1000°C以下の温度で熱間一軸加工法によって接合して、前記金属板を製造することを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法によって製造されたことを特徴とする発光ダイオード。一方の主面側に窒化物半導体のn型層が、他方の主面側に窒化物半導体のp型層が設けられた構成を具備する半導体層における前記他方の主面側に、金属製の放熱板がはんだ層を介して接合された構成を具備することを特徴とする発光ダイオード。前記放熱板の前記半導体層と接合される側の面の算術平均粗さRaが1μm以下であることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオード。前記一方の主面において金を含むn側電極が形成されたことを特徴とする請求項9又は10に記載の発光ダイオード。前記放熱板は、銅を主成分とする層と、モリブデンを主成分とする層又はタングステンを主成分とする層とが積層されて構成されることを特徴とする請求項9から請求項11までのいずれか1項に記載の発光ダイオード。半導体層をサファイア基板上に形成した後に、特許文献1に記載のクラッド材を接合し、その後でサファイア基板を除去するという工程を用いることによって、このクラッド材が接合された放熱効率の高い発光ダイオードを得ることができる。しかしながら、こうしたクラッド材に限らず、サファイア基板の代わりに金属板が支持基板として用いられた場合には、図8に示されたチップ間の分離を行うことが困難である。まず、特許文献1に記載のクラッド材等の金属板をサファイア基板91の代わりに用いて図8cの工程を行った場合、金属板の熱伝導率が高いために、レーザー光の照射によって金属板の上側のn型GaN層92、発光層93等まで高温となる。このため、半導体層中に結晶欠陥が発生し、発光特性に劣化を生ずることがある。また、金属板の下側のダイシングシート100も同様に高温となるため、高分子材料からなるダイシングシート100は変形収縮等し、切断加工の精度が劣化する。また、レーザー光を用いる場合には、レーザー光は小さなスポット状とされるため、分離溝60を形成するためには、レーザー光が走査される。この場合、特に1枚のウェハ当たりの発光ダイオードのチップ数が多い場合には長時間を要する。この点においては、前記のブレードを用いた切断を行う場合にはこの時間は短くなるが、この場合には、前記の通りチップ間の間隔を狭くすることが困難であるため、1枚のウェハから得られるチップ数が少なくなる。従って、放熱効率の高い発光ダイオードを低コストで製造することは困難であった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上記の問題点を解決する積層シート、その製造方法、加工方法を提供することにある。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の発光ダイオードの製造方法は、発光機能をもった半導体層が金属製の放熱板と接合された構成を具備する複数の発光ダイオードを、前記半導体層が形成された1枚のウェハと前記放熱板となる金属板とを接合する接合工程と、隣接する前記発光ダイオード間における前記半導体層をエッチングする半導体層エッチング工程と、隣接する前記発光ダイオード間における前記金属板を切断する金属板切断工程と、を行うことによって前記発光ダイオードを分離して得る、発光ダイオードの製造方法であって、前記金属板切断工程における前記金属板の切断を、ウェットエッチングにより行うことを特徴とすることを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法は、前記接合工程において、金属からなり前記半導体層の表面に形成された半導体層側接合層と、前記金属板とをはんだ層で接合することにより、前記ウェハと前記金属板とを接合することを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法は、前記半導体層エッチング工程において、前記隣接する発光ダイオードを分離する箇所における前記半導体層、前記半導体層側接合層、及び前記はんだ層をドライエッチングで除去することを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法において、前記ウェハは、基板上に前記半導体層がエピタキシャル成長によって形成された構成を具備し、前記接合工程において、前記半導体層における前記基板と反対側の面が前記金属板と接合され、前記接合工程の後に、前記基板を前記半導体層から剥離する剥離工程を具備することを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法において、前記半導体層は窒化物半導体で構成され、前記基板はサファイアで構成されることを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法において、前記金属板は、銅を主成分とする層と、モリブデンを主成分とする層又はタングステンを主成分とする層とが積層されて構成されることを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法は、前記銅を主成分とする層と、前記モリブデンを主成分とする層又はタングステンを主成分とする層とを積層し、印加圧力5MPa以上15MPa以下で、850°C以上1000°C以下の温度で熱間一軸加工法によって接合して、前記金属板を製造することを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記発光ダイオードの製造方法によって製造されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、一方の主面側に窒化物半導体のn型層が、他方の主面側に窒化物半導体のp型層が設けられた構成を具備する半導体層における前記他方の主面側に、金属製の放熱板がはんだ層を介して接合された構成を具備することを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記放熱板の前記半導体層と接合される側の面の算術平均粗さRaが1μm以下であることを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記一方の主面において金を含むn側電極が形成されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードにおいて、前記放熱板は、銅を主成分とする層と、モリブデンを主成分とする層又はタングステンを主成分とする層とが積層されて構成されることを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、放熱効率の高い発光ダイオードを低コストで製造することができる。以下、本発明の実施の形態に係る発光ダイオード、及びその製造方法について説明する。この発光ダイオードには熱伝導率の高い放熱板が接合されている。この製造方法においては、単一の大きな金属板に単一の大きな半導体層が接合され、この構造が後で切断分離されることによって複数の発光ダイオードが得られる。図1は、この発光ダイオードチップの構成を示す断面図である。この発光ダイオードチップ10においては、エピタキシャル成長で形成されたn型GaN層n型層21、発光層22、p型GaN層p型層23からなる半導体層20が用いられている。この半導体層20は発光機能をもつ。ただし、これらの上下関係は図7とは逆向きであり、図1においては、n型層21が上側一方の主面側、p型層23が下側他方の主面側となっている。p型層23の下面発光層22がある側の反対側の面には、p型層23との間の密着性が高くかつはんだ付けが可能である半導体層側接合層25が形成されている。また、半導体層側接合層25は、p型層23との間でオーミック接触がとれる材料で構成される。また、半導体層20が図1中の下側に発した光は、この半導体層側接合層25で反射され、上側に発せられる。n型層21上には、部分的にn電極26が形成されている。n電極26は、n型層21とオーミック接触がとれる材料として例えば金を含む金属材料で構成される。また、この半導体層20の支持基板としては、高い熱伝導率をもった金属で構成された放熱板30が接合されている。放熱板30の上面には、放熱板30との間の密着性が高くかつはんだ付けが可能である放熱板側接合層31が形成されている。放熱板30の構成は後述するが、例えば特許文献1に記載されたクラッド材を放熱板30として用いることができる。図1に示されるように、上記の構成においては、半導体層20側と放熱板30側が、半導体層側接合層25と放熱板側接合層31の間のはんだ層40によって接合されている。この構成においては、放熱板30とn電極26との間で、半導体層20中のpn接合を順方向とする電流を流すことによって、半導体層20主に発光層22を発光させることができる。この際の発熱は、高い熱伝導率を持った放熱板30によってなされる。すなわち、この発光ダイオード10は高い放熱効率をもつ。図2a~e、図3f~i、図4j~kは、この発光ダイオード10の製造方法を示す工程断面図である。ここでは、1枚の大きなサファイア基板、金属板を用いて多数の発光ダイオードが製造され、最後に金属板がチップ間の分離溝に対応する箇所で分断されて図1の形態の発光ダイオード10が得られる。まず、図2aに示されるように、サファイア基板基板11上に、n型層21、発光層22、p型層23が順次エピタキシャル成長される成長工程。発光層22も、窒化物半導体のヘテロ接合が用いられた層である。これらを形成する方法や構成は周知のものを用いることができる。n型層21、発光層22、p型層23からなる半導体層20の結晶性を高め、良好な発光特性を得るために、サファイア基板11とn型層21との間に緩衝層を挿入することもできる。サファイア基板11の特性面方位等は、良質のn型層21、発光層22、p型層23が得られるように適宜設定される。また、サファイア基板11は、例えば直径2インチ程度のウェハ状である。サファイア基板11の厚さは300μm以上であり、かつその機械的強度は高い。一方、n型層21、発光層22、p型層23からなる半導体層20の厚さは例えば20μm以下と薄い。このため、図2aの構造は、サファイア基板11が機械的な支持基板となったウェハである。一方、図2bに示されるように、金属板70を準備する。金属板70は金属材料で構成され、製造される発光ダイオード10における前記の放熱板30となる。金属板70は、この段階ではサファイア基板11と同様のウェハ形状をもつ。その厚さは例えばmm程度であり、サファイア基板11と同様に半導体層20の支持基板となりうる程度の機械的強度をもつ。金属板70の具体的構成特にその膜厚方向における構成については後述する。金属板70における一方の主面に、放熱板側接合層31が形成される放熱板側接合層形成工程。放熱板側接合層31は、例えば金属板70の最表面が銅である場合には、例えばAu/Ni金属板70の直上にニッケルNi、その上に金Auを積層した構造のように、金属板70との間の密着性が良好でかつその上にはんだ付けが可能である構成が用いられる。放熱板側接合層31は、めっきや蒸着等によって形成される。なお、金属板70の放熱板側接合層31が形成される側の表面の面粗さは、その算術平均粗さとして1μm以下とすることが好ましい。これにより、接合強度を高めることができ、かつ半導体層20側から金属板70放熱板30側への熱伝導を向上させることができる。こうした面粗さの調整は、研磨処理によって適宜行われる。また、図2cに示されるように、図2aに示された半導体層20側の構成におけるp型層23上においても、半導体層側接合層25が形成される半導体層側接合層形成工程。半導体層側接合層25としては、p型層23と密着性が高くオーミック接合が可能であり、かつこの上にはんだ付けが可能であるAu/Pt/Ti/Ag層等が用いられる。その形成方法は放熱板側接合層31と同様である。その後、図2dに示されるように、図2bの構造金属板70側と図2cの構造半導体層20側とをはんだ層40で接合する接合工程。この際、はんだ層40の材料としては例えば金-錫や金-ゲルマニウム等の合金を用いることができ、この場合には例えば300°C程度の温度で接合を行うことができる。この状態で、図2eに示されるように、サファイア基板11とn型層21とを分離することにより、サファイア基板11を剥離する剥離工程。この工程は、例えばレーザーリフトオフ法として周知の方法によって行われる。レーザーリフトオフ法においては、サファイア基板11側図2dにおける下側からレーザー光が照射される。レーザー光の波長をGaNの禁制帯幅に対応する波長よりも短く、かつサファイアの禁制帯幅に対応する波長よりも長くすれば、このレーザー光はサファイア基板11を透過し、サファイア基板11近辺のn型層21で吸収され、熱に変換される。この熱によってGaNが局所的に分解し、サファイア基板11とn型層21とが分離する。以降は、金属板70が半導体層20の支持基板となる。なお、分離されたサファイア基板11は研磨を施すことにより、再使用が可能である。この工程以降では、半導体層20等の支持基板は、サファイア基板11に代わり、金属板70となる。次に、図3fに示されるように、露出したn型層21の上にn電極26を形成する。なお、図3f以降においては便宜上図2eまでの場合と上下を反転させている。n電極26は、n型層21とオーミック接触をすることのできる材料例えば金を含む金属層で形成される。n電極26はこの発光ダイオード10が発する光に対して不透明であるため、その面積は、n電極26による遮光の影響が小さくなる程度に小さくする。n電極26を形成するためには、上記の材料を露出したn型層21の表面全面に蒸着等によって成膜した後に、フォトレジストをマスクとしたドライエッチングを行う。あるいは、n電極26が形成されない箇所にフォトレジストマスクを形成してから同様に上記の材料を成膜した後に、フォトレジストマスクを除去する。なお、図3fは断面構造のみを示しているが、n型層21上のn電極26のパターンは、これによる遮光の影響が小さく、かつ全面において有効に発光を行わせることができる限りにおいて任意である。次に、図3gに示されるように、フォトレジスト層マスク50が、各発光ダイオードチップに対応した領域を覆うように形成されるマスク形成工程。図8におけるチップ間の分離溝60に対応した領域においてはフォトレジスト層50は形成されない。図3gは断面を示しているが、フォトレジスト層50の平面形状は、各発光ダイオードチップの平面形状に対応している。この状態で、フォトレジスト層50をマスクとしたドライエッチングを行い、図8における分離溝60に対応した領域における半導体層20p型層23、発光層22、n型層21を除去する半導体層エッチング工程。ここで除去するのは主に窒化物半導体からなる半導体層20であり、例えば塩素系のガスを用いてこのドライエッチングを行うことができる。また、半導体層側接合層25、はんだ層40、放熱板側接合層31は半導体層20に比べて薄いため、これらも同時にエッチングされる。金属板70は半導体層20と比べて厚いため、上記のガスによってエッチングされる量深さは少なくともその全体の厚さに比べて無視できる。このため、このドライエッチングの後の形状は、図3hに模式的に示される通りとなる。すなわち、支持基板となる金属板70上で、各発光ダイオードチップに対応した半導体層20が分離された形態となる。なお、このドライエッチング後においてもフォトレジスト層50が充分残存するように、フォトレジスト層50の厚さは適宜設定される。次に、この状態で、図3iに示されるように、金属板70側にダイシングシート100を貼り付ける。その後、半導体層20等がチップ間で分離された状態で金属板70のウェットエッチングを行う金属板切断工程。このエッチングに際しては、金属板70の材料に応じたエッチング液を用いることができる。また、このウェットエッチングの際にフォトレジスト層50が残存するような設定とされる。これにより、ダイシングシート100上で金属板70も発光ダイオードチップ毎に分離され、図4jの形態が得られる。分離後にフォトレジスト層50を剥離液で除去することにより、最終的に図4kのように、分離された個々の発光ダイオード10が得られる。この製造方法において、最終的なチップの分離は、図4jに示されるウェットエッチングにより行われる。この工程は、図3iに示された構造のウェハを前記のエッチング液に浸漬することにより行われる。このため、チップ間の分離をウェハ全面におい同時にて行うことができる。このため、全てのチップ間の分離を行うのに要する時間を、レーザー光を用いて分離溝を形成する場合と比べて短くすることができる。この際、エッチングされる箇所分離溝に対応の位置はフォトレジスト層50で定まり、この精度はリソグラフィの精度となるため、充分に高い。また、各発光ダイオード10はドライエッチング図3h:半導体層エッチング工程、ウェットエッチング図4j:金属板切断工程の際にはフォトレジスト層50で保護される。このため、上記の製造工程において特性が劣化しない良好な特性の発光ダイオード10を得ることができる。また、サファイア基板11よりも熱伝導率の高い金属板70放熱板30を用いることができるため、この発光ダイオード10の放熱効率は高くなる。更に、単一の大きなサファイア基板11、金属板70を用いて多数個の発光ダイオード10を、簡易な金属板切断工程を用いて製造することができるため、低コストでこの発光ダイオード10を製造することができる。なお、上記の製造方法においては、サファイア基板11上にエピタキシャル成長させた半導体層20を用いた場合につき記載したが、他の構成の半導体層を用いた場合でも同様に発光ダイオードを製造できることは明らかである。例えば、半導体層が化合物半導体ウェハ中に形成され、このウェハを直接取り扱うことができる場合においては、上記の剥離工程は不要となる。また、はんだ層を用いた接合以外の方法で半導体層と放熱板とを接合した場合においても、同様に上記の半導体層エッチング工程、金属板切断工程を行うことができることは明らかである。また、この接合が可能な限りにおいて、半導体層側接合層、放熱板側接合層は不要である。これに対応して、半導体層エッチング工程において半導体層以外にエッチングされる層も変わる。次に、金属板70放熱板30の具体的構成について説明する。放熱板30としては、熱伝導率が高く半導体層20からの放熱を効率的に行うことのできる材料が用いられる。こうした材料としては、銅や銅合金を主成分とするものが特に好ましく用いられる。ただし、例えば半導体層20がGaNで構成される場合、その熱膨張係数は5.6ppm/Kであるのに対して、銅の熱膨張係数は、16ppm/K程度と大きく異なる。この場合には、接合工程後において、反りが発生し、これよりも後の工程において障害となる場合がある。このため、放熱板30としては、銅を主成分とする層と、モリブデン熱膨張係数が5ppm/K程度やタングステン熱膨張係数が4ppm/K程度を主成分とする層とが交互に積層されたクラッド材が好ましく用いられる。こうしたクラッド材においては、熱伝導率や熱膨張係数は一般にはそれぞれの層の比率に応じたものとなり、この比率の設定積層構造の構成によって調整が可能である。例えば、積層構造の構成を調整することによって、放熱板30の熱膨張係数を半導体層20と等しくすることも可能である。モリブデンやタングステンの熱伝導率は銅よりも低い銅:390W/m/K、モリブデン:142W/m/K、タングステン:167W/m/Kため、高い熱伝導率と小さな熱膨張係数は、一般的にはトレードオフの関係となる。しかしながら、これらのいずれの熱伝導率も、サファイア基板の熱伝導率40W/m/Kよりも高い。また、はんだの熱伝導率はその組成により異なるが、一般的には数十W/m/K程度である。このため、はんだ層40を薄くすれば、放熱板30におけるモリブデンやタングステンの比率が高い場合でも、サファイア基板11がそのまま半導体層20と接合された状態と比べて、高い放熱効率を得ることができる。更に、特許文献1には、高い熱伝導率と小さな熱膨張係数を両立させたクラッド材が記載されている。図5は、このクラッド材を用いた放熱板30の一例の断面構造を示す図である。この放熱板30は、共に平板状の銅Cu層301とモリブデンMo層302とが交互に積層されたクラッド材であり、その詳細は特許文献1に記載されている。このクラッド材においては、Cu層301とMo層302とが合計で5層以上積層されている。ただし、Mo層302の占める体積比率図5における合計膜厚の比率は2.78~10とCu層301と比べて小さく、かつMo層302の単層の厚さを200μm以下としている。特許文献1に記載されるように、この構成においては、上記の範囲内において、Cu層301とMo層302の膜厚と積層構成を調整することによって、膜厚方向の熱伝導率と膜厚方向と垂直な方向の熱膨張係数を調整することができる。この際、膜厚方向の熱伝導率をCu層301に近く、例えば200W/m/K以上とすることができる。また、積層条件を上記の通りとした場合、上記の通りMo層302の体積比はCu層301よりも小さいながらも、熱膨張係数をMo5ppm/Kに近づけることができる。このMoの熱膨張係数は、GaNの熱膨張係数5.6ppm/Kと近い。すなわち、図5に示された構成のクラッド材は、銅に近い高い熱伝導率をもち、かつGaNに近い小さな熱膨張係数をもつ。このため、上記の発光ダイオード10における放熱板30として特に好適である。なお、Mo層302の代わりにタングステンW層を用いても同様である。また、Cu層301、Mo層302、W層は、それぞれCu、Mo、Wを100組成とする層である必要はなく、これらを主成分とする層であればよい。また、図5に記載のクラッド材においては、最外層最上層、最下層が共にCu層301となっている。高い熱伝導率をもち、かつ熱膨張係数をGaNに近づけるという観点からは、最外層となるのはCu層301、Mo層302のいずれでもよい。ただし、前記の通り、最外層には放熱板側接合層301が形成される。一般に、Cu上にめっき等によって密着性の高い金属層を形成することは特に容易であるため、最外層をCu層301とする構成は、特に容易に製造することができる。こうしたクラッド材は、例えば、Cu層301、Mo層302を図5の順番で積層し、ホットプレス機等を用いて一軸加圧してこれらを接合することによって製造することができる。この場合、印加圧力を、5MPa以上15MPa以下の範囲とし、850°C以上1000°C以下の温度でこの接合を行うことによって、剥離が発生しにくいクラッド材を得ることができる。この際、銅は酸化しやすい材料であるため、その雰囲気は、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気、あるいは真空中でこの接合を行うことが好ましい。また、この際に、積層前の各層表面に薄いめっき層を形成しておくことにより、接合をより強固とすることもできる。この構成のクラッド材を放熱板30として用いた場合、図4jに示されたウェットエッチングにおいては、例えばCu層301に対しては塩化第II鉄水溶液、Mo層302に対しては硝酸及び燐酸を含むエッチング液を用いることができる。この場合、これらの液の組成濃度は、フォトレジスト層50がエッチング中に消失しない限りにおいて、適宜設定が可能である。また、これらのエッチング液は、積層構成に対応して交互に用いてもよいが、混合して使用することも可能である。また、これらのエッチング液によるGaN半導体層20のエッチング速度は低いため、図4jに示されたウェットエッチング金属板切断工程において、半導体層20に悪影響を与えずにチップ間の分離を行うことができる。すなわち、放熱効率が高い金属板が放熱板30として用いられた図1の構成の発光ダイオード10を、上記の製造方法によって容易に製造することができる。なお、半導体層20におけるサファイア基板11と反対側に金属板70を接合することのできる限りにおいて、発光ダイオードの形態は任意である。図6は、半導体層20を右端部で除去し、放熱板側接合層31を部分的に露出させた構成をもつ発光ダイオードの構成の断面図である。この場合においては、図中の上面側から、2本のボンディングワイヤ70をそれぞれn電極26、露出した放熱板側接合層31に接続することにより、n側、p側との間の電気的接続をとることができる。この構成の発光ダイオードは、図3hのドライエッチングを、半導体層20等のエッチングと、放熱板側接合層31のエッチングの2回に分けて行えば、同様にして製造することができる。このように、上記の製造方法によって、高い熱伝導率をもった金属板が半導体層に接合された構成をもつ発光ダイオードを容易に製造することができる。なお、上記の例では、半導体層が主にGaNからなるものとしたが、発光ダイオードとして用いられ、かつヘテロエピタキシャル成長によって基板上に成長させることができる他の窒化物半導体からなる半導体層を用いた場合でも同様である。また、サファイア以外の成長基板を用いた場合においても、成長基板よりも熱伝導率の高い金属板を発光ダイオードに接合させる場合においては、上記の構造、製造方法が有効であることは明らかである。更に、窒化物半導体以外の半導体からなる半導体層が用いられる場合、例えば、GaAsに代表されるIII-V族化合物半導体が用いられる場合においても、半導体層からの放熱を高効率で行うことが必要となる発光ダイオードであれば、同様であることは明らかである。