可視光の照度を測定する光検出装置であって、赤外光を遮光する赤外遮光手段が設けられた第1の受光素子と、入射する光を遮光する遮光手段が設けられた第2の受光素子と、前記第1の受光素子と前記第2の受光素子に発生した電荷を蓄積させる蓄積手段と、前記第1の受光素子と前記第2の受光素子に蓄積させた電荷の差分を出力する差分回路と、前記差分に基づく電圧が所定の電圧に達したことを検出し検出信号を出力するコンパレータと、前記検出信号に基づき、前記第1の受光素子と前記第2の受光素子に蓄積された電荷と前記差分回路による差分を初期値にリセットした後、前記蓄積手段に電荷を再度蓄積させる制御回路と、前記第1の受光素子または前記第2の受光素子の出力電圧が所定の電位に達した場合に、前記制御回路に前記検出信号を出力する蓄積検出回路と、を備えたことを特徴とする光検出装置。前記蓄積検出回路は、第1の受光素子または前記第2の受光素子の出力電圧を入力するインバータを備えることを特徴とする請求項1に記載の光検出装置。しかし、従来の半導体光検出装置においては、白熱電球などの赤外光を多く含む光が入射した場合、または異常に強い光が入射した場合、以下のような欠点を有する。半導体光検出装置は、パッケージの構造によっては光が半導体チップの側面などから入るので、半導体の基板内で多数の少数キャリアが発生する。このとき、フォトダイオード1及び2と基板の接合部に到達した少数キャリアによって、フォトダイオード1及び2の出力電圧VDI1及び2が低下する。赤外光を多く含む光や異常に強い光が入射した場合、表面から入射する可視光によるフォトダイオードの出力電圧の低下量に対して、半導体チップの側面などから入る赤外光や可視光によって発生する少数キャリアによるフォトダイオードの出力電圧の低下量の比率が大きくなる。従って、フォトダイオード1の出力電圧VDI1とフォトダイオード2の出力電圧VDI2は、差が小さいまま低下していく。フォトダイオード1の出力電圧VDI1は、フォトダイオードの接合が順バイアスになるまでしか低下できず、通常-0.3V程度である。このため、フォトダイオード1及び2のリセット電圧Vrefaが低いと、電圧Voutが基準電圧Vrefcに達する前に、フォトダイオード1の出力電圧VDI1は-0.3Vに達して低下が止まってしまう。フォトダイオード2の出力電圧VDI2がさらに低下すると、電圧Voutは基準電圧Vrefcに達することなく、下がり始めてしまう。従って、期間TBASEにおいてコンパレータの出力は一度も反転しない、という状態になってしまう。半導体光検出装置はデータ0を出力し、即ち検出結果は可視光が入射しているにもかかわらず暗状態となってしまう。そこで、本発明は、赤外光を多く含む光や異常に強い光が入射した場合でも、より実光量に近い測定値を出力することが可能な光検出装置を提供することを目的とする。従来の課題を解決するために、本発明の光検出装置は以下のような構成とした。赤外光を遮光する赤外遮光手段が設けられた第1の受光素子と、入射する光を遮光する遮光手段が設けられた第2の受光素子と、第1の受光素子と第2の受光素子に発生した電荷を蓄積させる蓄積手段と、第1の受光素子と第2の受光素子に蓄積させた電荷の差分を出力する差分回路と、差分に基づく電圧が所定の電圧に達したことを検出し検出信号を出力するコンパレータと、検出信号に基づき第1の受光素子と第2の受光素子に蓄積された電荷と差分回路による差分を初期値にリセットした後、蓄積手段に電荷を再度蓄積させる制御回路と、第1の受光素子または第2の受光素子の出力電圧が所定の電位に達した場合に制御回路に検出信号を出力する蓄積検出回路と、を備えたことを特徴とする光検出装置とした。本発明の光検出装置によれば、第1の受光素子または第2の受光素子の出力電圧が所定の電位に達したことを検出する蓄積検出回路を設け、赤外光が多く含まれる光が入射した場合に、十分な入射光があるにもかかわらず差分が所定の値に達しないときに検出信号を出力する構成としたので、より実光量に近い測定値を出力することが可能になる。以下に、本実施形態に係る半導体光検出装置について説明する。図1は、本実施形態の半導体光検出装置の構成を示した回路図である。本実施形態の半導体光検出装置は、光検出部とカウンタ部から構成されている。光検出部は、受光素子である第1のフォトダイオード1及び第2のフォトダイオード2と、第1のフォトダイオード1のカソードを入力とするインバータ21と、第1の蓄積手段12及び第2の蓄積手段13と、スイッチ6及び7と基準電圧回路8aと、アンプ3及び4と、差分回路5と、クランプ容量20と、クランプ容量20の電荷を初期化するスイッチ11と基準電圧回路8bと、コンパレータ9と、コンパレータ9の出力とインバータ21の出力を入力するOR回路22と、OR回路22の出力する電圧Vcompを受けて各スイッチを制御する制御回路10と、を備えている。カウンタ部は、発振回路14及びクロック成形回路15と、第1のカウンタ16と、第2のカウンタ17と、カウンタリセット回路18と、レジスタ19と、を備えている。第1のフォトダイオード1は、赤外光を遮断する手段が設けられていて、入射した可視光によって電荷を発生する。第2のフォトダイオード2は、入射する光を遮断する遮光手段が設けられていて、基準となる電荷を発生する。インバータ21は、第1のフォトダイオード1のカソードの電圧が低下すると、LoからHiに反転する。即ち、第1のフォトダイオード1の電荷の蓄積検出回路である。出力を第1の蓄積手段12は、第1のフォトダイオード1に発生した電荷を蓄積する。第2の蓄積手段13は、第2のフォトダイオード2に発生した電荷を蓄積する。スイッチ6及び7と基準電圧回路8aは、第1の蓄積手段12及び第2の蓄積手段13の電荷をリセットする。差分回路5は、第1の蓄積手段12及び第2の蓄積手段13に蓄積した電荷の差分を出力する。クランプ容量20は、差分回路5が出力する差分の電圧を蓄える。スイッチ11と基準電圧回路8bは、クランプ容量20の電荷を初期化する。コンパレータ9は、差分に基づく電圧Voutと基準電圧回路8cの基準電圧Vrefcを比較した結果を出力する。即ち、第1のフォトダイオード1に入射した可視光による電荷と、第2のフォトダイオード2の基準となる電荷との差分の電圧が基準電圧Vrefcを超えると、コンパレータ9の出力はLoからHiに反転する。制御回路10は、コンパレータ9の出力がOR回路22を介して出力された電圧Vcompを受けて、リセット信号R及びクランプ信号CLを生成し、その信号によって各スイッチを制御する。更にOR回路22は、インバータ21の出力の反転に応じて、電圧Vcompを反転して制御回路10に出力する。発振回路14及びクロック成形回路15は、クランプ信号CLを受けて、信号TBCLKとクランプ信号CLを出力する。クランプ信号CLの遅延時間αは、リセット信号Rの遅延時間よりも長く設定されている。信号TBCLKは、クランプ信号CLがLoの間だけ、発振回路14の信号が出力される信号である。第1カウンタ16は、信号TBCLKをカウントして、所定のカウント値に達すると信号TBASE1を出力する。即ち、フォトダイオード1及び2が電荷を蓄積している期間を発振回路の周波数で計測するものである。第2カウンタ17は、信号CLをカウントして、カウント値を出力する。即ち、フォトダイオード1及び2が行う電荷の蓄積と放電のサイクル数を計測するものである。カウンタリセット回路18は、カウンタ部がクランプ信号CLのカウントを開始した場合に、信号TBASEをHiにし、第1カウンタ16が信号TBASE1を出力すると、信号TBASEをLoにする。また、カウンタリセット回路18は、第1カウンタ16にリセット信号RESET1を出力して第1カウンタ16のカウント値をリセットし、第2カウンタ17にリセット信号RESET2を出力して第2カウンタ17のカウント値もリセットする。このように、カウンタリセット回路18は、差分回路5が差分を出力している期間の合計が所定期間に達するまで、信号TBASEをHiに保つ。レジスタ19は、16ビットレジスタであり、信号TBASEがHiの間、第2カウンタ17が出力したカウント値を記憶する。そして、信号TBASEがLoに変わると記憶していたカウント値を16ビットのレジスタ出力として出力する。この出力は、TBASE期間にフォトダイオード1及び2が蓄電と放電を繰り返した回数であり、入射光の強度に比例した値となる。このようして、半導体光検出回路は入射光の強度を計測することができる。そして、可視光が主体の光が入射したときの通常動作時の半導体光検出装置の動作は、図4に示した半導体光検出装置のタイミングチャート図と同じである。半導体光検出装置は、期間TBASEを開始すると、制御回路10がリセット信号Rとクランプ信号CLをHiにする。これにより、スイッチ6と7がオンしてフォトダイオード1と2の電圧が基準電圧Vrefaにリセットされる。また、スイッチ11がオンして差分回路5の出力が基準電圧Vrefbにリセットされる。そして、制御回路10は、所定の遅延時間が経過するとリセット信号RをLoにしてスイッチ6と7をオフし、フォトダイオード1と2に蓄電を開始させる。蓄積期間では、フォトダイオード1の出力電圧VDI1は、入射した可視光の量に比例して低下していく。また、フォトダイオード2は遮光されているので、出力電圧VDI2は低下しない。期間αが経過すると、制御回路10は、クランプ信号CLをLoにしてスイッチ11をオフし、差分回路5に差分電圧Voutをコンパレータ9に出力させる。差分回路5の出力する電圧Voutは、徐々に上昇し差分出力期間Tsで基準電圧Vrefcに達する。差分出力期間Tsは、可視光の強度が大きいほど短時間となる。コンパレータ9は、電圧Voutが基準電圧Vrefcよりも小さい場合は、出力VcompをLoにするが、差分出力期間Tsで電圧Voutが基準電圧Vrefcに達すると、出力VcompをHiにする。出力VcompがHiになると、制御回路10は、リセット信号Rとクランプ信号CLをHiにし、出力信号Vcompを遅延させて所定の期間Hi状態を維持する。リセット信号Rとクランプ信号CLがHiになると、スイッチ6及び7、及びスイッチ11がオンし、フォトダイオード1と2がリセットされ、電圧Voutが低下していき、基準電圧Vrefbとなる。以降、リセット信号RがLoになり、続いてクランプ信号CLがLoになり、同じ動作を繰り返す。このように、フォトダイオード1及び2の蓄電とリセットを繰り返し、その差分出力期間Tsは、可視光の強度が大きいほど短くなる。次に、赤外光を多く含む光や異常に強い光が入射したときの本実施形態の半導体光検出装置の動作について説明する。図2は、本実施形態の半導体光検出装置の赤外光を多く含む光や異常に強い光が入射したときの動作を示すタイミングチャートである。蓄積開始までは、通常時の動作、図4のタイミングチャートと同じである。リセット信号RがHiからLoになり蓄積が開始すると、赤外光を多く含む光や異常に強い光が入射した場合は、フォトダイオード2の出力電圧VDI2の低下が早く、フォトダイオード1の出力電圧VDI1との低下の差が小さい。従って、電圧Voutが基準電圧Vrefcに達する前に、フォトダイオード1の出力電圧VDI1は-0.3V程度に達してしまう。ここで、インバータ21の反転電圧Vth21を例えば0.5V程度に設定する。このようにフォトダイオード1のカソードにインバータ21を設けることによって、出力電圧VDI1が下がりきってしまう前に、インバータ21がHiを出力する。従って、OR回路22の出力する電圧Vcompは、コンパレータ9の出力によらずHiになる。以上説明したように、本実施形態の半導体光検出装置は、簡便な回路を追加するだけで、赤外光を多く含む光や異常に強い光が入射したときにおいても、検出出力を本来の望ましい値に近づけることができる。なお、本実施形態では、インバータ21の入力は、フォトダイオード1のカソードであるとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、インバータ21の反転電圧Vth21をあまり低く出来ない場合では、インバータ21の入力にフォトダイオード2のカソードを接続しても、同様の効果を得ることが出来る。また、アンプ3やアンプ4の出力であってもよい。また、インバータ21は、フォトダイオードのカソードの電圧を検出できるような回路であればよく、これに限定されるものではない。また、容量12及び13は、フォトダイオード1と2の受光感度を調節するためのものであり、これらがなくても光を検知することは可能である。