2次元状に配列された複数の画素単位セルと、前記画素単位セルの列に対応して設けられ、対応する列の前記画素単位セルの信号電圧を伝達する垂直信号線とを備え、前記画素単位セルは、半導体基板の上方に形成され、入射光を光電変換する光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記光電変換膜の前記画素電極と反対側の面に形成され、正電圧が印加された透明電極と、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたゲート電極を有し、前記画素電極の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタと、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域を有し、前記増幅トランジスタのゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタとを有し、前記半導体基板内には、前記リセットトランジスタの画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、前記寄生ダイオードのブレークダウン電圧は、前記増幅トランジスタのゲート破壊電圧以下である固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記リセットトランジスタのゲート電極に前記リセットトランジスタのオンオフを制御するリセット信号を印加する行走査回路を備え、前記リセット信号のローレベル電圧は、前記寄生ダイオードのブレークダウン電圧を前記ゲート破壊電圧以下とする電圧である請求項1に記載の固体撮像装置。前記リセットトランジスタの閾値電圧は、前記増幅トランジスタの閾値電圧より高い請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記画素単位セルは、さらに、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素単位セルから前記垂直信号線に信号電圧を出力させるアドレストランジスタを有し、前記リセットトランジスタの閾値電圧は、前記アドレストランジスタの閾値電圧より高い請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記半導体基板には、前記リセットトランジスタの画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域と反対の導電型を有し、前記寄生ダイオードを形成するブレークダウン拡散領域が形成され、前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタの画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域と接し、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有する請求項1~4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタのソース領域又はドレイン領域と重なって形成される請求項5に記載の固体撮像装置。前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタのゲート電極下方に位置する請求項5又は6に記載の固体撮像装置。前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタのソース領域及びドレイン領域をつなぐように連続して形成される請求項7に記載の固体撮像装置。前記リセットトランジスタのリセット電圧は、前記ゲート破壊電圧以下である請求項1~8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。2次元状に配列された複数の画素単位セルと、前記画素単位セルの列に対応して設けられ、対応する列の前記画素単位セルの信号電圧を伝達する垂直信号線とを備え、前記画素単位セルは、半導体基板の上方に形成され、入射光を光電変換する光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記光電変換膜の前記画素電極と反対側の面に形成され、正電圧が印加された透明電極と、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたゲート電極を有し、前記画素電極の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタと、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域を有し、前記増幅トランジスタのゲート電極の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記増幅トランジスタのゲートと結線され、ブレークダウン電圧が前記増幅トランジスタのゲート破壊電圧以下である保護ダイオードとを有する固体撮像装置。ところで、積層型のイメージセンサにおいて光電変換膜に印加される電圧は、光電変換膜の種類によるが、特許文献1に示されているカルコゲナイド膜、三硫化アンチモン膜およびアモルファスシリコン膜、ならびに近年注目されてきている特許文献2に示されている有機光導電膜では、10Vから100Vである。この電圧は、シリコン基板に形成された画素回路を構成するトランジスタのゲート絶縁膜の破壊電圧ゲート破壊電圧及び電源電圧より高いため、動作条件により増幅トランジスタのゲートが破壊してセンサが破壊し動作しなくなるという問題がある。例えば光電変換膜に印加される電圧がゲート破壊電圧4.5~5Vを超えて、増幅トランジスタのゲート破壊が起こる。そこで、本発明は、かかる問題に鑑み、光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、2次元状に配列された複数の画素単位セルと、前記画素単位セルの列に対応して設けられ、対応する列の前記画素単位セルの信号電圧を伝達する垂直信号線とを備え、前記画素単位セルは、半導体基板の上方に形成され、入射光を光電変換する光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記光電変換膜の前記画素電極と反対側の面に形成され、正電圧が印加された透明電極と、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたゲート電極を有し、前記画素電極の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタと、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域を有し、前記増幅トランジスタのゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタとを有し、前記半導体基板内には、前記リセットトランジスタの画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、前記寄生ダイオードのブレークダウン電圧は、前記増幅トランジスタのゲート破壊電圧以下であることを特徴とする。ここで、前記リセットトランジスタの閾値電圧は、前記増幅トランジスタの閾値電圧より高くてもよい。また、前記画素単位セルは、さらに、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素単位セルから前記垂直信号線に信号電圧を出力させるアドレストランジスタを有し、前記リセットトランジスタの閾値電圧は、前記アドレストランジスタの閾値電圧より高くてもよい。本態様によれば、光電変換膜に印加される電圧が高く、リセットトランジスタのオフ時に透明電極に強い入射光が入ってきた場合でも、寄生ダイオードはブレークダウン状態となって増幅トランジスタのゲート破壊が抑えられる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記リセットトランジスタのゲート電極に前記リセットトランジスタのオンオフを制御するリセット信号を印加する行走査回路を備え、前記リセット信号のローレベル電圧は、前記寄生ダイオードのブレークダウン電圧を前記ゲート破壊電圧以下とする電圧であってもよい。本態様によれば、回路等の新たな構成を付加することなく、増幅トランジスタのゲート破壊が抑えることができ。また、前記半導体基板には、前記リセットトランジスタの画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域と反対の導電型を有し、前記寄生ダイオードを形成するブレークダウン拡散領域が形成され、前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタの画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域と接し、前記半導体基板よりも高い不純物濃度を有してもよい。本態様によれば、寄生ダイオードのブレークダウン電圧を更に低くして増幅トランジスタのゲート破壊保護能力を向上させることができる。また、前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタのソース領域又はドレイン領域と重なって形成されてもよい。本態様によれば、寄生ダイオードのブレークダウン電圧を更に低くすることができるため、ゲート破壊保護能力を向上させることができる。また、前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタのゲート電極下方に位置してもよい。本態様によれば、寄生ダイオードがゲート電圧の影響を受け易くなるため、ブレークダウン拡散領域の不純物濃度を下げてノイズの増大を抑えつつ寄生ダイオードのブレークダウン電圧を低くすることができる。また、前記ブレークダウン拡散領域は、前記リセットトランジスタのソース領域及びドレイン領域をつなぐように連続して形成されてもよい。本態様によれば、リセットトランジスタの閾値電圧を高くしてダイナミックレンジの大きいセンサを実現できる。また、前記リセットトランジスタのリセット電圧は、前記ゲート破壊電圧以下であってもよい。本態様によれば、リセットトランジスタがオン時には増幅トランジスタのゲートにリセット電圧が導入されるため、リセットトランジスタのオン時の増幅トランジスタのゲート破壊が抑えられる。また、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、2次元状に配列された複数の画素単位セルと、前記画素単位セルの列に対応して設けられ、対応する列の前記画素単位セルの信号電圧を伝達する垂直信号線とを備え、前記画素単位セルは、半導体基板の上方に形成され、入射光を光電変換する光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記光電変換膜の前記画素電極と反対側の面に形成され、正電圧が印加された透明電極と、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたゲート電極を有し、前記画素電極の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタと、前記半導体基板内に形成されたトランジスタであって、前記画素電極と結線されたソース領域又はドレイン領域を有し、前記増幅トランジスタのゲート電極の電位をリセットするリセットトランジスタと、前記増幅トランジスタのゲートと結線され、ブレークダウン電圧が前記増幅トランジスタのゲート破壊電圧以下である保護ダイオードとを有することを特徴とする。本態様によれば、光電変換膜に印加される電圧が高く、透明電極に強い入射光が入ってきた場合でも、保護ダイオードはオン状態となって増幅トランジスタのゲート破壊が抑えられる。本発明によれば、光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な信頼性の高い積層型イメージセンサを提供できる。その結果、このセンサを搭載した製品において長時間の使用が可能な信頼性の高いカメラを提供できる。以下、本発明の実施形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。また、以下において記述される数値は、すべて本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数値に制限されない。さらに、構成要素間の接続関係は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明の機能を実現する接続関係はこれに限定されない。第1の実施形態図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す回路図である。この固体撮像装置は、積層型の固体撮像装置であって、2次元状に配列された複数の画素単位セル11から構成される感光領域と、垂直走査部行走査回路15、光電変換膜制御線16、垂直信号線垂直信号線配線17、負荷部18、カラム信号処理部行信号蓄積部19、水平信号読み出し部列走査回路20、電源配線ソースフォロア電源21、反転増幅器フィードバックアンプ23及びフィードバック線24から構成され、画素単位セル11を順次駆動し信号を取り出す駆動回路部とを備える。画素単位セル11は、アドレストランジスタ行選択トランジスタ4と、増幅トランジスタ5と、リセットトランジスタ6と、光電変換膜部8とを有する。光電変換膜部8は、入射光を光電変換し、入射光の光量に応じた信号電荷を生成及び蓄積する。増幅トランジスタ5は、光電変換膜部8で生成された信号電荷量に応じた信号電圧を出力する。リセットトランジスタ6は、光電変換膜部8、言い換えると増幅トランジスタ5のゲート電極の電位をリセット初期化する。アドレストランジスタ4は、所定行の画素単位セル11から垂直信号線17に信号電圧を選択的に出力させる。垂直走査部15は、アドレストランジスタ4のゲート電極にアドレストランジスタ4のオンオフを制御する行選択信号を印加することで、垂直方向列方向に画素単位セル11の行を走査し、垂直信号線17に信号電圧を出力させる画素単位セル11の行を選択する。垂直走査部15は、リセットトランジスタ6のゲート電極にリセットトランジスタ6のオンオフを制御するリセット信号を印加することで、リセット動作を行わせる画素単位セル11の行を選択する。光電変換膜制御線16は、全ての画素単位セル11に共通に接続され、全ての光電変換膜部8に同じ正の定電圧を印加する。垂直信号線17は、画素単位セル11の列に対応して設けられ、対応する列の画素単位セル11の信号電圧を列方向垂直方向に伝達する。負荷部18は、各垂直信号線17に対応して設けられ、対応する垂直信号線17に接続されている。負荷部18は、増幅トランジスタ5とともにソースフォロア回路を構成している。カラム信号処理部19は、相関2重サンプリングに代表される雑音抑圧信号処理及びAD変換アナログ-デジタル変換等を行う。カラム信号処理部19は、各垂直信号線17に対応して設けられ、対応する垂直信号線17に接続されている。水平信号読み出し部20は、水平方向行方向に配された複数のカラム信号処理部19の信号を順次水平共通信号線図外に読み出す。電源配線21は、増幅トランジスタ5及びリセットトランジスタ6のドレイン領域に接続され、画素単位セル11の配列領域撮像領域で垂直方向図1の紙面の上下方向に配線される。これは、画素単位セル11が列ごとにアドレスされるため、ドレイン配線を列方向垂直方向に配線すると、一列の画素駆動電流がすべて一本の配線に流れて電圧降下が大きくなるためである。電源配線21は、全ての画素単位セル11の増幅トランジスタ5に共通にソースフォロア電源電圧を印加している。反転増幅器23は、画素単位セル11の列に対応して設けられている。反転増幅器23の出力はリセットトランジスタ6のソース領域に接続されており、アドレストランジスタ4とリセットトランジスタ6とが導通状態にある時、アドレストランジスタ4の出力を受け取り、増幅トランジスタ5のゲート電位が、一定のフィードバック電圧反転増幅器23の出力電圧になるように、フィードバック動作する。この時、反転増幅器23の出力電圧は、0V又は0V近傍の正電圧となる。フィードバック線24は、画素単位セル11の列に対応して設けられ、反転増幅器23の出力信号を対応する列の画素単位セル11にフィードバックする。上記構造を有する固体撮像装置では、垂直走査部15により選択された行の画素単位セル11において、光電変換膜部8で光電変換された信号電荷が増幅トランジスタ5で増幅されアドレストランジスタ4を介して垂直信号線17に出力される。そして、出力された信号はカラム信号処理部19に電気信号として蓄積された後、水平信号読み出し部20で選択され出力される。その後、信号を出力した画素単位セル11内の信号電荷はリセットトランジスタ6をオンすることにより排出される。その際、リセットトランジスタ6がkTC雑音と呼ばれる大きな雑音を発生するが、この雑音はリセットトランジスタ6をオフし信号電荷の蓄積を始めるときも残留する。従って、kTC雑音を抑圧するために反転増幅器23で雑音出力を反転増幅しフィードバック線24でリセットトランジスタ6のソース領域にフィードバックする。図2は本実施形態に係る固体撮像装置における1つの画素単位セル11の詳細な構造を示す断面図である。画素単位セル11は、半導体基板としてのp型シリコン基板1内に形成された3つのトランジスタつまりアドレストランジスタ4、増幅トランジスタ5及びリセットトランジスタ6からなる画素回路と、シリコン基板1上に順次積層された層間絶縁膜14、画素電極7、光電変換膜13及び透明電極9からなる光電変換膜部8とを有する。画素単位セル11では、シリコン基板1内に形成されたn型拡散層領域10A及び10Bと、シリコン基板1上に形成されたゲート電極3Aとからリセットトランジスタ6が形成されている。同様に、シリコン基板1内に形成されたn型拡散層領域10C及び10Dと、シリコン基板1上に形成されたゲート電極3Bとから増幅トランジスタ5が形成されている。さらに、シリコン基板1内に形成されたn型拡散層領域10D及び10Eと、シリコン基板1上に形成されたゲート電極3Cとからアドレストランジスタ4が形成されている。画素単位セル11の間のシリコン基板1内には画素単位セル11間を電気的に分離する素子分離領域12が形成されている。n型拡散層領域10Aはリセットトランジスタ6のソース領域として機能し、n型拡散層領域10Bはリセットトランジスタ6のドレイン領域として機能している。n型拡散層領域10Cは増幅トランジスタ5のドレイン領域として機能して機能している。n型拡散層領域10Dは増幅トランジスタ5のソース領域及びアドレストランジスタ4のドレイン領域として機能し、n型拡散層領域10Eはアドレストランジスタ4のソース領域として機能している。例えば、シリコン基板1の不純物濃度は1×1017cm-3であり、n型拡散層領域10A、10B、10C、10D及び10Eの不純物濃度は1×1020~1022cm-3であり、ゲート電極3A、3B及び3C下方のゲート絶縁膜の膜厚は6.5~10nmである。光電変換膜13は、アモルファスシリコン等からなり、シリコン基板1の上方に形成され、入射光を光電変換する。画素電極7は、光電変換膜13のシリコン基板1側の面上に形成され、光電変換膜13と接し、光電変換膜13で発生した信号電荷を収集する。透明電極9は、光電変換膜13のシリコン基板1側の面画素電極7と反対側の面上に形成され、光電変換膜13の信号電荷を画素電極7に読み出すために、光電変換膜制御線16を介して光電変換膜13に正の定電圧が印加される。増幅トランジスタ5は、シリコン基板1内の画素電極7の下方に形成されたMOSトランジスタであって、画素電極7と結線されたゲート電極3Bを有し、画素電極7の電位に応じた信号電圧を出力する。リセットトランジスタ6は、シリコン基板1内の画素電極7の下方に形成されたMOSトランジスタであって、画素電極7と結線されたドレイン領域を有し、増幅トランジスタ5のゲート電極3Bの電位をリセット電圧フィードバック電圧にリセットする。アドレストランジスタ4は、シリコン基板1内の画素電極7の下方に形成されたMOSトランジスタであって、増幅トランジスタ5と垂直信号線17との間に設けられ、画素単位セル11から垂直信号線17に信号電圧を出力させる。なお、アドレストランジスタ4は、増幅トランジスタ5のソース領域と垂直信号線17との間に挿入されているが、増幅トランジスタ5のドレイン領域と電源配線21との間に挿入されてもよい。画素電極7は、コンタクトを介して増幅トランジスタ5のゲート電極3Bとリセットトランジスタ6のドレイン領域n型拡散層領域10Bに接続されている。画素電極7と接続されたn型拡散層領域10Bとシリコン基板1との間のpn接合は信号電荷を蓄積する寄生ダイオード蓄積ダイオードを形成する。図3は、図2のX-Y線に沿った部分における電位を示す図である。透明電極9には正電圧が印加されており、信号がない状態リセットされている状態においては、寄生ダイオードであるn型拡散層領域10Bの電位は、ほぼ0Vである。透明電極9の上部から入射した光は透明電極9を通過して光電変換膜13に入射し、ここで電子正孔対に変換される。変換された電子正孔対のうちの電子は透明電極9側に移送され透明電極9に接続された電源配線21に流れる。一方、正孔はn型拡散層領域10B側に移送されここに蓄積される。このため、n型拡散層領域10Bの電位は方向に変化し、n型拡散層領域10Bとシリコン基板1との間に電圧が加わる。n型拡散層領域10Bに蓄積された正孔により側に変化した電圧は、増幅トランジスタ5のゲート電極3Bに伝達され、増幅トランジスタ5により増幅された信号はアドレストランジスタ4を通過し画素単位セル11外部つまり垂直信号線17に出力される。その後、n型拡散層領域10Bに蓄積された信号電荷はリセットトランジスタ6をオンすることにより排出される。このとき、透明電極9に印加されている電圧より低い電圧にリセットされる。ここで、透明電極9に強い入射光が入ってくると、n型拡散層領域10Bの電位が上昇し、最終的には透明電極9に印加された電圧とほぼ同じ電位になる。透明電極9に印加される電圧は、上述のように10~100V程度であり、MOSトランジスタの耐圧限界~5Vより大きい。したがってn型拡散層領域10BにつながっているMOSトランジスタつまり増幅トランジスタ5は破壊される可能性が高い。具体的には増幅トランジスタ5のゲート電極3Bとシリコン基板1との間のゲート絶縁膜が破壊される可能性が高い。しかしながら、シリコン基板1内に形成されたリセットトランジスタ6の寄生ダイオードのブレークダウン電圧を増幅トランジスタ5のゲート破壊電圧以下とすることで、寄生ダイオードが保護ダイオードとして機能するため、このような破壊を抑えることができる。これは、寄生ダイオードのブレークダウン電圧が増幅トランジスタ5のゲート破壊電圧以下となるように、リセット信号のローレベル電圧の値を例えば0V以下に設定することにより実現される。これについて以下で詳述する。図4は、リセットトランジスタ6の断面図である。リセットトランジスタ6のソース領域つまりn型拡散層領域10Aには図1に示すように反転増幅器23からフィードバック電圧が印加されている。そして、リセットトランジスタ6のドレイン領域つまりn型拡散層領域10Bとシリコン基板1との間には逆バイアスの電圧が印加されている。透明電極9に強い入射光が入ってn型拡散層領域10Bの電圧が大きくなると寄生ダイオードがブレークダウンを起こし、ある電圧より大きな電圧はn型拡散層領域10Bにかからなくなる。図5は寄生ダイオードの電流電圧特性を示す図である。なお、図5において横軸にn型拡散層領域10Bの電圧を、縦軸にn型拡散層領域10Bとシリコン基板1との間に流れる電流を示している。また、グラフA、B及びCはそれぞれ異なるリセットトランジスタ6のゲート電圧が異なる場合における特性を示しており、グラフA、B及びCの順でリセットトランジスタ6のゲート電圧が高くなっている。グラフA、B及びCのいずれにおいても、n型拡散層領域10Bの印加電圧が大きなってブレークダウン電圧26を超えると、電流が急激に増加しそれ以上の電圧はかからなくなる。一般にこの電圧はトランジスタのゲート破壊電圧27より大きい。理由はこの電圧を低くするとトランジスタの動作範囲が狭くなるためである。しかしながら、ブレークダウン電圧26は、pn接合の近傍にゲート電極が存在すると、ゲート電極に印加される電圧に依存するようになる。図5に示されるように、リセットトランジスタ6のゲート電圧が下がると、寄生ダイオードのpn接合にかかっている電界強度が増してくるため、ブレークダウン電圧26が低下してくる。その結果、寄生ダイオードのブレークダウン電圧26はゲート破壊電圧27以下になりグラフA、n型拡散層領域10Bに電気的に接続している増幅トランジスタ5のゲート破壊は起きなくなる。ここで、リセットトランジスタ6のゲート電圧が低い場合はこのように増幅トランジスタ5のゲートを保護できるが、リセットトランジスタ6にはパルス電圧が印加されるので、リセットトランジスタ6のゲート電極3Aには低いローレベル電圧例えば0Vと高いハイレベル電圧例えば3.3Vのどちらも印加される。ハイレベルパルス電圧が印加されているときはn型拡散層領域10Bとシリコン基板1との間のブレークダウン電圧26はゲート破壊電圧27をこえており、ゲート保護の機能がない。しかし、この場合はリセットトランジスタ6がオンしており、n型拡散層領域10Bの電圧はn型拡散層領域10Aの電圧と等しくなるため、フィードバック電圧をゲート破壊電圧27以下に設定しておけば破壊は起こらない。従って、リセットトランジスタ6のリセット電圧はゲート破壊電圧以下とされ、例えば0Vとされる。図6Aは、本実施形態に係る固体撮像装置の基本的な撮像動作を示すフローチャートである。なお、図6Aにおいて、SEL1は、1行目の画素単位セル11に印加される行選択信号を示す。RST1は、1行目の画素単位セル11に印加されるリセット信号を示す。SEL2及びRST2も、対応する行が異なる点以外同様である。1水平周期は、行選択信号が有効になってから、次の行の行選択信号が有効になるまでSEL1の立ち上がりからSEL2の立ち上がりまでの期間であり、1行分の画素単位セル11から信号電圧を読み出すのに要する期間である。1垂直周期は、全行の画素単位セル11から信号電圧を読み出すのに要する期間である。フィードバック動作は、行選択信号とリセット信号とが同時に有効になったときに起こる。つまり、アドレストランジスタ4とリセットトランジスタ6とが同時にオンのとき起こる。図6Aのように、垂直走査部15は、画素単位セル11からの信号読み出しの後にリセット動作フィードバック動作を行うように制御する。具体的には、まずアドレストランジスタ4のゲート電極にハイレベルの行選択信号を印加することにより、増幅トランジスタ5の出力信号を垂直信号線17に出力させ、次に、行選択信号がハイレベルになってから一定時間遅れてリセット信号をハイレベルにすることにより、反転増幅器23の出力を画素電極7にフィードバックさせる。このフィードバック動作により、リセットトランジスタ6で信号電荷をリセットするときに発生するリセット雑音は抑圧され、次の信号電荷にリセット雑音が重畳されることが軽減されるので、ランダム雑音を抑圧することが出来る。なお、図6Bに示されるように、リセット信号のリセットパルスの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに傾斜が付与され、リセットパルスの振幅が小さくてもよい。これにより、立ち下がりエッジに起因するランダムノイズの発生を抑制することができる。また、リセット信号の振幅が小さく、エッジに傾斜が付与されるので、リセットトランジスタ6を、オンとオフの2状態を持つ単純なスイッチとしてではなく、オンからとオフまで抵抗値が連続的に変化するスイッチとして動作させることができる。以上のように、本実施形態の固体撮像装置によれば、画素単位セル11はその内部に増幅トランジスタ5のゲート絶縁膜の保護機能を有する。つまり、寄生ダイオードのブレークダウン電圧が増幅トランジスタ5のゲート破壊電圧より小さいため、光電変換膜13に印加される電圧が高く、リセットトランジスタ6のオフ時に透明電極9に強い入射光が入ってきた場合でも、寄生ダイオードはブレークダウン状態となって増幅トランジスタ5のゲート破壊が抑えられる。また、リセットトランジスタ6に印加されるフィードバック電圧がゲート破壊電圧より小さく、リセットトランジスタ6がオン時に増幅トランジスタ5のゲートにフィードバック電圧が導入されるため、リセットトランジスタ6がオン時の増幅トランジスタ5のゲート破壊も抑えられる。変形例1図7は、本変形例に係る固体撮像装置のリセットトランジスタ6の構造を示す図である。なお、図7aはリセットトランジスタ6の断面図であり、図7bはリセットトランジスタ6の上面図である。本変形例の固体撮像装置は、画素単位セル11が寄生ダイオードのブレークダウン電圧及びブレークダウン電流を制御するためのブレークダウン拡散領域29をシリコン基板1内のチャネル領域に備えるという点で本実施形態の固体撮像装置と異なる。ブレークダウン拡散領域29は、リセットトランジスタ6の画素電極7と結線されたドレイン領域n型拡散層領域10Bと反対の導電型つまりシリコン基板1と同じ導電型p型を有し、寄生ダイオードを形成する。ブレークダウン拡散領域29は、n型拡散層領域10Bと接し、シリコン基板1よりも高い不純物濃度、例えば1桁高い1×1018cm-3の不純物濃度を有し、さらにドレイン領域より低い不純物濃度を有する。従って、増幅トランジスタ5の閾値電圧とアドレストランジスタ4の閾値電圧とは等しいが、リセットトランジスタ6の閾値電圧は増幅トランジスタ5及びアドレストランジスタ4の閾値電圧より高くなる。ブレークダウン拡散領域29は、リセットトランジスタ6のゲート電極3Aの下方に、リセットトランジスタ6のドレイン領域n型拡散層領域10B及びソース領域n型拡散層領域10Aに挟まれて位置する。以上のように、本変形例に係る固体撮像装置によれば、寄生ダイオードを形成するリセットトランジスタ6のドレイン領域に接する形で、該ドレイン領域と反対の導電型で高不純物濃度のブレークダウン拡散領域29が設けられる。従って、寄生ダイオードのブレークダウン電圧を低くして増幅トランジスタ5のゲート破壊保護能力を向上させることができる。このとき、ブレークダウン拡散領域29は、リセットトランジスタ6の一部の領域だけで構成されるためリセットトランジスタ6の特性には大きな影響を与えない。また、本変形例に係る固体撮像装置によれば、ブレークダウン拡散領域29は、リセットトランジスタ6のゲート電極3Aの下方に設けられるため、寄生ダイオードがゲート電圧の影響を受けてそのブレークダウン電圧が下がり易くなる。従って、ブレークダウン拡散領域の不純物濃度を下げてノイズの増大を抑えつつ寄生ダイオードのブレークダウン電圧を低くすることができる。変形例2図8は、本変形例に係る固体撮像装置のリセットトランジスタ6の構造を示す図である。なお、図8aはリセットトランジスタ6の断面図であり、図8bはリセットトランジスタ6の上面図である。本変形例の固体撮像装置は、リセットトランジスタ6のドレイン領域n型拡散層領域10B及びソース領域n型拡散層領域10Aと同じ幅のブレークダウン拡散領域29をシリコン基板1内に備えるという点で変形例1の固体撮像装置と異なる。以上のように、本変形例に係る固体撮像装置によれば、変形例1の固体撮像装置と同様の理由により増幅トランジスタ5のゲート破壊保護能力を向上させることができる。変形例3図9は、本変形例に係る固体撮像装置のリセットトランジスタ6の構造を示す図である。なお、図9aはリセットトランジスタ6の断面図であり、図9bはリセットトランジスタ6の上面図である。本変形例の固体撮像装置は、シリコン基板1内においてリセットトランジスタ6のドレイン領域n型拡散層領域10Bの下方つまりチャネル領域の外側にブレークダウン拡散領域29を備えるという点で変形例1の固体撮像装置と異なる。以上のように、本変形例に係る固体撮像装置によれば、変形例1の固体撮像装置と同様の理由により増幅トランジスタ5のゲート破壊保護能力を向上させることができる。変形例4図10は、本変形例に係る固体撮像装置のリセットトランジスタ6の構造を示す図である。なお、図10aはリセットトランジスタ6の断面図であり、図10bはリセットトランジスタ6の上面図である。本変形例の固体撮像装置は、シリコン基板1内においてリセットトランジスタ6のドレイン領域n型拡散層領域10Bの左方ソース領域が設けられていない側つまりチャネル領域の外側にブレークダウン拡散領域29を備えるという点で変形例1の固体撮像装置と異なる。以上のように、本変形例に係る固体撮像装置によれば、変形例1の固体撮像装置と同様の理由により増幅トランジスタ5のゲート破壊保護能力を向上させることができる。変形例5図11は、本変形例に係る固体撮像装置のリセットトランジスタ6の構造を示す図である。なお、図11aはリセットトランジスタ6の断面図であり、図11bはリセットトランジスタ6の平面図である。本変形例の固体撮像装置は、ブレークダウン拡散領域29がリセットトランジスタ6のドレイン領域n型拡散層領域10Bと重なるように形成されているという点で変形例1の固体撮像装置と異なる。このような構成は、例えばシリコン基板1におけるリセットトランジスタ6のドレイン領域とゲート電極3A下方の領域とにp型不純物を注入することにより形成される。以上のように、本変形例に係る固体撮像装置によれば、ブレークダウン拡散領域29がリセットトランジスタ6のドレイン領域にはみ出して形成されるため、変形例1の固体撮像装置よりもさらにゲート破壊保護能力を向上させることができる。変形例6図12は、本変形例に係る固体撮像装置のリセットトランジスタ6の構造を示す図である。なお、図12aはリセットトランジスタ6の断面図であり、図12bはリセットトランジスタ6の平面図である。本変形例の固体撮像装置は、ブレークダウン拡散領域29がリセットトランジスタ6のソース領域n型拡散層領域10A及びドレイン領域n型拡散層領域10Bをつなぐように連続して形成されているという点で変形例1の固体撮像装置と異なる。リセットトランジスタ6のソース領域に印加する電圧は低く設定することが多い。理由は図3においてリセットトランジスタ6のドレイン領域に信号が蓄積されると該ドレイン領域の電圧がプラス方向に電圧がシフトしていくため、信号のないリセット状態の電圧が低いほうが増幅トランジスタ5の動作範囲が広くなりダイナミックレンジの大きいセンサが実現できるためである。この場合、リセットトランジスタ6の閾値電圧は高くしても動作する。従って、本変形例に係る固体撮像装置によれば、リセットトランジスタ6のゲート電極3A下のシリコン基板1全面に閾値電圧調整用の拡散層として高不純物濃度でブレークダウン拡散領域29を形成することで、リセットトランジスタ6の閾値電圧を高くしてダイナミックレンジの大きいセンサを実現できる。第2の実施形態図13は、本実施形態に係る固体撮像装置の画素単位セル11の構成を示す回路図である。本実施形態の固体撮像装置は、画素単位セル11の内部に保護トランジスタ32が設けられているという点で第1の実施形態に係る固体撮像装置と異なる。保護トランジスタ32のゲート電極とドレイン領域とは増幅トランジスタ5のゲート電極と結線され、保護トランジスタ32のソース領域は保護電圧33に結線されている。保護トランジスタ32は増幅トランジスタ5のゲート破壊電圧以下でオンするため、入射光で信号が大きくなって保護トランジスタ32のゲート電圧が上昇してくると保護トランジスタ32がオンする。その結果、増幅トランジスタ5のゲート電極には保護電圧源33の電圧が印加されるようになり信号がさらに増えてもそれ以上大きな電圧にはならなくなり増幅トランジスタ5のゲート破壊は抑えられる。以上のように、本実施形態の固体撮像装置によれば、画素単位セル11はその内部に増幅トランジスタ5のゲート絶縁膜の保護機能を有する。つまり、画素単位セル11は増幅トランジスタ5のゲート破壊電圧以下でオンする保護トランジスタ32をさらに有するため、光電変換膜13に印加される電圧が高く、透明電極9に強い入射光が入ってきた場合でも、保護トランジスタ32はオン状態となって増幅トランジスタ5のゲート破壊が抑えられる。また、リセットトランジスタ6に印加されるフィードバック電圧がゲート破壊電圧より小さく、リセットトランジスタ6がオン時に増幅トランジスタ5のゲートにフィードバック電圧が導入されるため、リセットトランジスタ6がオン時の増幅トランジスタ5のゲート破壊も抑えられる。なお、本実施形態の固体撮像装置は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と比較して、保護トランジスタ32や保護電圧33を導入する配線が必要になるため、画素単位セル11が大きい場合には有効である。以上、本発明の固体撮像装置について、実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。例えば、上記実施形態において、シリコン基板1の導電型はp型であり、画素回路の各トランジスタはn-チャネル型であるとしたが、シリコン基板1の導電型はn型であり、画素回路の各トランジスタはp-チャネル型でもかまわない。この場合は電圧電位の符号が逆になる。例えば、リセットトランジスタ6のソース領域が画素電極7と結線されて蓄積ダイオードとして機能し、ブレークダウン拡散領域がリセットトランジスタ6のソース領域と反対の導電型で該ソース電極と接して重なって形成される。また、上記実施形態において、画素回路を構成する各トランジスタはMOSトランジスタであるとしたが、電界効果トランジスタFETであればこれに限られない。また、上記実施形態において、画素単位セル11には保護トランジスタ32が設けられるとしたが、増幅トランジスタ5のゲート電極と結線され、ブレークダウン電圧が増幅トランジスタ5のゲート破壊電圧以下である保護ダイオードが代わりに設けられてもよい。また、上記実施形態において、リセットトランジスタ6のドレイン領域とシリコン基板1により寄生ダイオードが形成されるとした。しかし、シリコン基板1にp型ウェル領域が形成され、画素回路がウェル領域内に形成される場合には、リセットトランジスタ6のドレイン領域とウェル領域により寄生ダイオードが形成される。