グラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、前記粒子を除去する工程と、を有することを特徴とするグラフェンナノメッシュの製造方法。前記粒子は、Ni、Co、Fe、Cu、Ru、Ti、Ta、Mo、Pt、Pd、W、Re、及びVからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項1に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。前記粒子の直径は、0.5nm~100nmであることを特徴とする請求項1に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする請求項1に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする請求項1に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする請求項1に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を700°C以下とすることを特徴とする請求項1に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を-20~20の範囲内とすることを特徴とする請求項1に記載のグラフェンナノメッシュの製造方法。基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にソース電極及びドレイン電極が設けられた構造を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記グラフェンナノメッシュの電位を制御するゲート電極を形成する工程と、を有し、前記構造を形成する工程は、前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、前記粒子を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記構造を形成する工程は、前記粒子を除去する工程の後に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記構造を形成する工程は、前記粒子を堆積する工程の前に、前記グラフェンの両端に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記構造として、前記グラフェンナノメッシュと前記基板との間に空間が存在するものを形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子は、Ni、Co、Fe、Cu、Ru、Ti、Ta、Mo、Pt、Pd、W、Re、及びVからなる群から選択された少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子の直径は、0.5nm~100nmであることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子を除去する工程は、前記粒子を酸性溶液に溶解させる工程を有することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子を除去する工程は、昇温により前記粒子を蒸発させる工程を有することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子をドライ法により前記グラフェン上に堆積することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子に炭素を吸収させる際の温度を700°C以下とすることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子を除去する工程により形成される孔のサイズに対して、ネックの幅を-20~20の範囲内とすることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にアノード電極及びカソード電極が設けられ、前記グラフェンナノメッシュの前記アノード電極及び前記カソード電極の間の部分にpn接合が存在する構造を形成する工程を有し、前記構造を形成する工程は、前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積する工程と、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させる工程と、前記粒子を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトディテクタの製造方法。本発明は、十分なバンドギャップを得ることができるグラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。グラフェンナノメッシュの製造方法の一態様では、グラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積し、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させ、前記粒子を除去する。半導体装置の製造方法の一態様では、基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にソース電極及びドレイン電極が設けられた構造を形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の前記グラフェンナノメッシュの電位を制御するゲート電極を形成する。前記構造を形成する際に、前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積し、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させ、前記粒子を除去する。フォトディテクタの製造方法の一態様では、基板上に、グラフェンナノメッシュの両端にアノード電極及びカソード電極が設けられ、前記グラフェンナノメッシュの前記アノード電極及び前記カソード電極の間の部分にpn接合が存在する構造を形成する。前記構造を形成する際に、前記グラフェンナノメッシュとなるグラフェン上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する複数の粒子を堆積し、前記粒子の温度が前記所定の温度以上となるまで加熱して、前記粒子に、前記グラフェンの当該粒子下の部分を構成する炭素を吸収させ、前記粒子を除去する。上記のグラフェンナノメッシュの製造方法等によれば、簡便な方法で十分なバンドギャップを得ることができる。以下、実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。第1の実施形態先ず、第1の実施形態について説明する。図1A~図1Cは、第1の実施形態に係るグラフェンナノメッシュの製造方法を工程順に示す図である。先ず、図1Aに示すように、基板14上にグラフェン11を用意する。例えば、グラファイト結晶から粘着テープで剥離したグラフェン11を基板14上に貼り付ける。また、基板14としてSiC基板を用い、基板14をアニールしてその表面にグラフェン11を形成してもよい。また、化学気相成長CVD:chemicalvapordeposition法で合成したグラフェンを利用してもよい。なお、グラフェン11が基板14と接している必要はなく、例えば、図1Dに示すように、基板14上に設けられた支持部材15によってグラフェン11が懸架され、グラフェン11と基板14との間に空間が存在していてもよい。次いで、図1Bに示すように、グラフェン11上に、所定の温度以上で炭素を吸収する性質を有する粒子12を堆積する。粒子12の材料としては、例えば、Ni、Co、Fe、Cu、Ru、Ti、Ta、Mo、Pt、Pd、W、Re、及びV等が挙げられる。これら金属の合金を用いてもよい。また、これらのうちで、Ni、Co及びFeの単体金属又は合金が特に好ましい。これらは、カーボンナノチューブ等の形成の際に触媒として用いられる。粒子12のサイズは、製造しようとするグラフェンナノメッシュの孔の大きさに応じて決定することが好ましく、例えば、0.5nm~100nm程度とする。ここで、粒子12を堆積する方法の一例について説明する。図2は、粒子12の堆積に用いられる装置の例を示す図である。この装置を用いた方法では、低圧Heガス中でのレーザーアブレーションによりナノ粒子を発生する。具体的には、1.9SLMスタンダードリッター毎分のHeガスを生成室61に導入し、生成室61の圧力を約1kPaに調整する。そして、生成室61に設置した金属ターゲット62、例えばCoターゲットをパルスレーザー63で照射する。ここで、パルスレーザー63としては、例えば、YAGYttriumAluminumGarnetレーザーの2倍波532nmのものを用い、パワーは2W、パルスの繰り返し周波数は20Hzとする。レーザーの照射により金属ターゲット62から金属蒸気が生成され、この金属蒸気がHeガスで急冷されると、粒径が1nm~100nm程度の粒子が形成される。粒径が1nm~100nm程度の粒子はナノ粒子とよばれる。そして、粒子はHeガスにより微粒子サイズ選別部インパクタ64に送られる。インパクタ64は粒子の慣性により、あるサイズ以上の粒子を除去する装置である。ナノ粒子は一般的に凝集などにより時間と共に成長するため、ナノ粒子のサイズには下限が存在する。従って、インパクタ64によってあるサイズ以上のナノ粒子を除去すれば、インパクタ64を通過するナノ粒子のサイズが制御される。ここでは、例えば、インパクタ64を通過するナノ粒子の直径が約4nmとなるような条件でインパクタ64を使用することとする。インパクタ64によりサイズ選別されたナノ粒子は、その後、ポンプ65及び66を用いた差動排気により、ポンプ67が繋がれた10-3Pa程度の圧力の堆積室70に導かれる。堆積室70に導かれる過程でナノ粒子はビーム状になり、ステージ68に置かれた基板69にほぼ垂直に衝突して堆積される。この方法では、粒子12は最密充填に配列せずにランダムな配置をとる。図3Aに、基板に堆積されたナノ粒子の走査型電子顕微鏡像の一例を示し、図3Bに、当該ナノ粒子の直径Dの分布を示す。上記の方法はいわゆるドライ法であるが、液相法により粒子12をグラフェン11上に堆積してもよい。液相法では、例えば、図4Aに示すように、粒子12を分散させた懸濁液21にグラフェン11及び基板14を浸漬し、次いで、図4Bに示すように、グラフェン11及び基板14を懸濁液21から引き上げる。なお、ドライ法と液相法とを比較すると、ドライ法の方が粒子12の堆積時にグラフェン11に生じる汚染が抑制される。従って、ドライ法を採用することが好ましい。粒子12をグラフェン11上に堆積した後には、例えばアニール炉内等、粒子12の温度が、炭素を吸収する温度以上となるまで加熱し、粒子12にグラフェン11の当該粒子12下の部分を構成する炭素を吸収させる。この結果、図1Cに示すように、グラフェン11の炭素を吸収された部分に孔13が形成される。なお、粒子12が炭素を吸収する温度はその材料によって異なるが、多くの材料において300°C以上である。また、粒子12の温度が700°Cを超えると、グラフェン11上で粒子12が表面拡散することがある。このため、粒子12を加熱する温度は300°C~700°Cとすることが好ましい。粒子12の材料としてCoが用いられている場合、加熱温度は例えば400°C~500°C程度とする。また、加熱の時間は、粒子12の材料及び大きさ、並びに形成しようとする孔13の大きさに応じて決定することができ、例えば30分間程度とする。ある時間までは加熱時間が長くなるほど孔13が大きくなるが、粒子12が吸収できる炭素の量に上限があるため、それ以上に長い時間の加熱を行っても、孔13は大きくなりにくい。従って、適切な材料及び大きさの粒子12を用いれば、加熱時間を厳密に制御せずとも一定の大きさの孔13を安定して得ることができる。加熱を行う雰囲気は特に限定されないが、例えば、アルゴン及び水素の混合ガスの雰囲気とし、アニール炉内の圧力は約1kPaとする。次いで、図1Cに示すように、炭素を吸収した粒子12を除去する。粒子12の除去では、例えば、希塩酸又は塩化鉄水溶液等の酸性溶液中に粒子12等を浸漬し、粒子12を溶解させる。浸漬する時間は、例えば1分間程度とする。この結果、グラフェン11に複数の孔13が形成されて構成されたグラフェンナノメッシュ10が得られる。本実施形態の方法によれば、微細な孔13を安定して形成することができ、これに伴って、グラフェンナノメッシュ10のネックの幅も安定して微細なものとすることができる。グラフェンナノメッシュのバンドギャップはネックの幅が狭いほど大きくなるため、大きなバンドギャップを安定して得ることができる。非特許文献4によると、グラフェンナノメッシュのバンドギャップEgは、ネックの幅Wnmに反比例するような依存性を示すEg≒0.95/WeV。従来の方法によって得られるネック幅は小さくても7nm程度であるのに対し、本実施形態の方法によれば、5nm以下のネック幅を得ることができる。この結果、大きなバンドギャップが得られ、大きなオンオフ比を得ることが可能となる。また、粒子12のサイズ及び密度を制御することにより、バンドギャップの大きさを制御することが可能である。なお、ネックの幅に比べて孔13が極端に大きい場合には、大きな電流を流せなくなることがある。このため、孔13のサイズとネックの幅は同程度とすることが望ましい。例えば、ネックの幅は、孔13のサイズの±20の範囲内にあることが望ましい。ドライ法で粒子12をグラフェン11上に堆積した場合、上述のように、粒子12は不規則に配列し、形成される孔13の配列も不規則なものとなり、ネックの幅にばらつきが生じる。従って、ネックの幅を測定することは困難である。しかし、このような場合のバンドギャップは、同一の大きさの孔13が同一の密度でグラフェンナノメッシュ10に規則的に配列していると仮定した場合のバンドギャップと同程度となる。このため、孔13の配列が不規則であっても、そのときのネックの幅は、同一の大きさの孔13が同一の密度でグラフェンナノメッシュ10に規則的に配列していると仮定した場合のネックの幅と同程度とみなすことができる。第2の実施形態次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、炭素を吸収した粒子12のエッチングの方法が第1の実施形態と異なる。すなわち、第2の実施形態では、粒子12に炭素を吸収させた後、アニール炉を真空に排気し、その後、更に加熱して粒子12を蒸発させ、温度を下げる。他の構成は第1の実施形態と同様である。なお、更なる加熱では、例えば、5秒間程度で1100°C程度まで加熱する。また、温度の低下は、例えば、粒子12の蒸発後に瞬時に行う。このような第2の実施形態によれば、ドライプロセスで粒子12を除去することができる。第1の実施形態のように、ウェットプロセスで粒子12を除去した場合には、その過程でグラフェン11にダメージを与える可能性があるが、第2の実施形態によれば、このような可能性を著しく抑制することができる。また、ドライプロセス後に残渣が存在し、この残渣の除去にウェットプロセスを行うとしても、その時間は極めて短くすることができるため、グラフェン11へのダメージはほとんど生じない。第3の実施形態次に、第3の実施形態について説明する。図5A~図5Dは、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。先ず、図5Aに示すように、基板31上に設けられた絶縁膜32上に、チャネルの形状のグラフェンナノメッシュ30を配置する。グラフェンナノメッシュ30の配置に当たっては、チャネルの形状に加工しておいたグラフェンナノメッシュ30を絶縁膜32上に配置してもよく、チャネルより大きなグラフェンナノメッシュを形成した後に、チャネルの形状に加工してもよい。いずれにしても、グラフェンナノメッシュは、第1又は第2の実施形態の方法で形成する。次いで、図5Bに示すように、グラフェンナノメッシュ30の両端にソース電極34及びドレイン電極35を形成する。ソース電極34及びドレイン電極35には、例えば、厚さが10nm程度のTi膜及びその上に形成された厚さが50nm程度のAu膜が含まれる。ソース電極34及びドレイン電極35は、例えばリフトオフ法により形成することができる。この場合、ソース電極34を形成する予定の領域及びドレイン電極35を形成する予定の領域を露出するレジストマスクをフォトリソグラフィ又は電子線リソグラフィを利用して形成し、電極材料の真空蒸着を行い、レジストマスクをその上の電極材料と共に除去する。その後、図5Cに示すように、グラフェンナノメッシュ30、ソース電極34及びドレイン電極35を覆うゲート絶縁膜36を形成する。ゲート絶縁膜36の形成では、例えば、蒸着法により厚さが2nm程度のAl膜を堆積し、このAl膜を酸化し、続いて、原子層堆積ALD:atomiclayerdeposition法により厚さが10nm程度のアルミナ膜を堆積する。次いで、図5Dに示すように、ゲート絶縁膜36上に、ソース電極34及びドレイン電極35間のグラフェンナノメッシュ30の電位を制御するゲート電極37を形成する。ゲート電極37には、例えば、厚さが10nm程度のTi膜及びその上に形成された厚さが50nm程度のAu膜が含まれる。ゲート電極37も、例えばリフトオフ法により形成することができる。また、ゲート絶縁膜36に、ソース電極34の一部を露出する開口部34a及びドレイン電極35の一部を露出する開口部35dを形成する。このようにして、グラフェンナノメッシュ30をチャネルとするトップゲート型の電界効果トランジスタが得られる。なお、ソース電極34、ドレイン電極35及びゲート電極37の材料は、上記のAu及びTiに限定されない。例えば、Cr膜とその上のAu膜との積層体、Ni膜、Co膜、Pt膜、Pd膜及びSi膜等を用いることができる。また、ゲート絶縁膜36の材料は、上記のものに限定されず、HfO2膜及びSiO2膜等を用いることができる。第4の実施形態次に、第4の実施形態について説明する。図6A~図6Cは、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。先ず、図6Aに示すように、基板31上に設けられた絶縁膜32上に、チャネルの形状のグラフェン41を配置する。グラフェン41の配置に当たっては、チャネルの形状に加工しておいたグラフェン41を絶縁膜32上に配置してもよく、チャネルより大きなグラフェンを形成した後に、チャネルの形状に加工してもよい。次いで、第3の実施形態と同様にして、グラフェン41の両端にソース電極34及びドレイン電極35を形成する。その後、図6Bに示すように、グラフェン41上に粒子42を堆積する。粒子42としては、第1の実施形態における粒子12と同様のものを用いる。続いて、粒子42等を加熱し、粒子42にグラフェン41の当該粒子42直下の部分を構成する炭素を吸収させる。次いで、炭素を吸収した粒子42を除去する。この結果、図6Cに示すように、複数の孔が設けられたグラフェンナノメッシュ30が得られる。その後、第3の実施形態と同様にしてゲート絶縁膜36の形成以降の処理を行い図5C、図5D参照、半導体装置を完成させる。第3の実施形態では、ソース電極34及びドレイン電極35の形成時にグラフェンナノメッシュ30にダメージが生じる懸念があるが、このような第4の実施形態によれば、このような懸念を払しょくすることができる。グラフェンナノメッシュ30を得る前にソース電極34及びドレイン電極35を形成しているためである。なお、第3の実施形態、第4の実施形態の変形例として、図7に示すように、絶縁膜32に埋め込まれたゲート電極39及びその上のゲート絶縁膜38を備えたバックゲート型の電界効果トランジスタを製造してもよい。この場合には、ゲート電極39の形成及びゲート絶縁膜38の形成に伴うグラフェンナノメッシュ30へのダメージを防止することができる。グラフェンナノメッシュ30を得る前にゲート電極39及びゲート絶縁膜38を形成しているためである。第5の実施形態次に、第5の実施形態について説明する。図8A~図8Eは、第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。先ず、図8Aに示すように、基板31上に設けられた絶縁膜32上に、チャネルと同様の平面形状の金属膜43を形成し、その上にグラフェン41をCVD法により形成する。金属膜43としては、グラフェン41の形成時に触媒として機能するものを形成する。次いで、図8Bに示すように、金属膜43及びグラフェン41の両端に、金属膜43及びグラフェン41を上方及び側方から取り囲むようにしてソース電極34及びドレイン電極35を形成する。その後、図8Cに示すように、ウェットエッチングにより、ソース電極34、ドレイン電極35及びグラフェン41を残したまま金属膜43を除去する。この処理を行うため、金属膜43の材料としては、所定の溶液、例えば塩酸を用いたウェットエッチングにおいて、ソース電極34及びドレイン電極35よりも溶解しやすいもの、例えばFe、Co、Ni、Cu等を用いる。なお、図1Dに示す形態は、このような処理により得ることができる。金属膜43の除去後には、図8Dに示すように、グラフェン41上に粒子42を堆積する。続いて、粒子42等を加熱し、粒子42にグラフェン41の当該粒子42直下の部分を構成する炭素を吸収させる。次いで、炭素を吸収した粒子42を除去する。この結果、図8Eに示すように、複数の孔が設けられたグラフェンナノメッシュ30が得られる。その後、第3の実施形態と同様にしてゲート絶縁膜36の形成以降の処理を行い図5C、図5D参照、半導体装置を完成させる。第6の実施形態次に、第6の実施形態について説明する。図9A~図9Cは、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図である。先ず、図9Aに示すように、基板31上に設けられた絶縁膜32上に、チャネルと同様の平面形状の金属膜43を形成し、その上にグラフェンナノメッシュ30を配置する。グラフェンナノメッシュ30の配置では、例えば、グラフェンをCVD法により形成し、その上に粒子12と同様の粒子を堆積し、加熱によりグラフェンを構成する炭素の一部を当該粒子に吸収させ、当該粒子を除去する。次いで、図9Bに示すように、金属膜43及びグラフェンナノメッシュ30の両端に、金属膜43及びグラフェンナノメッシュ30を上方及び側方から取り囲むようにしてソース電極34及びドレイン電極35を形成する。その後、図9Cに示すように、ウェットエッチングにより、ソース電極34、ドレイン電極35及びグラフェンナノメッシュ30を残したまま金属膜43を除去する。その後、第3の実施形態と同様にしてゲート絶縁膜36の形成以降の処理を行い図5C、図5D参照、半導体装置を完成させる。第7の実施形態次に、第7の実施形態について説明する。図10は、第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。第7の実施形態では、フォトディテクタを製造する。先ず、図10に示すように、透明基板55上に、受光部の形状のグラフェンナノメッシュ50を配置する。グラフェンナノメッシュ50の配置に当たっては、受光部の形状に加工しておいたグラフェンナノメッシュ50を透明基板55上に配置してもよく、受光部より大きなグラフェンナノメッシュを形成した後に、受光部の形状に加工してもよい。いずれにしても、グラフェンナノメッシュは、第1又は第2の実施形態の方法で形成する。次いで、グラフェンナノメッシュ50の両端にアノード電極53及びカソードドレイン電極54を形成し、これらの間において、グラフェンナノメッシュ50上にAl2O3膜51及びHfO2膜52を形成する。このとき、Al2O3膜51をHfO2膜52よりもアノード電極53側に位置させる。グラフェンナノメッシュ50のAl2O3膜51下の部分はp型半導体として機能し、HfO2膜52下の部分はn型半導体として機能する。従って、グラフェンナノメッシュ50にpn接合が存在することになる。そして、グラフェンナノメッシュ50に透明基板55を介して光が照射すると、光起電力が生じる。なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。