"基板上にコーティング工程を利用して、高分子膜を形成する段階と、前記高分子膜上に保護膜を形成する段階と、前記基板を熱処理し、前記基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法。前記基板が、シリコン、シリコン酸化物、金属ホイル、ステンレススチール、金属酸化物、高配向性熱分解グラファイトHOPG、六方晶窒化ホウ素、c-planeサファイアウェーハ、硫化亜鉛、高分子基板、及びそれらのうち2以上の組み合わせを含むことを特徴とする請求項1に記載の炭素薄膜の製造方法。前記高分子膜の高分子が炭素及び水素を含み、600°C以下の熱分解温度を有し、非共役性主鎖を有する絶縁性高分子を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の炭素薄膜の製造方法。前記高分子膜の高分子が、下記化学式1で表示される反復単位、下記化学式2で表示される反復単位、及び下記化学式3で表示される反復単位のうち一つ以上を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法:前記化学式1ないし3で、Y1は、NまたはCR11であり、Y2は、O、S、NR12またはCR13R14であり、Y3及びY4は、互いに独立して、NまたはCR15であり、R1ないしR15は、互いに独立して、水素原子-H、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC6-C30アリールアルキル基、置換または非置換のC6-C30アリールオキシ基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリール基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールアルキル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールオキシ基、置換または非置換のC5-C20シクロアルキル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロシクロアルキル基、置換または非置換のC1-C30アルキルエステル基、置換または非置換のC6-C30アリールエステル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールエステル基、及び-NQ1Q2からなる群から選択され、前記Q1ないしQ2は互いに独立して、水素原子、C1-C30アルキル基、C6-C30アリール基及びC2-C30ヘテロアリール基からなる群から選択され、A1は、置換または非置換のC6-C30アリール基、または置換または非置換のC2-C30ヘテロアリール基であり、前記は、隣接する反復単位との結合サイトである。前記高分子が、前記化学式1で表示される反復単位からなり、前記化学式1で、Y1がNであることを特徴とする請求項4に記載の炭素薄膜の製造方法。前記高分子が、前記化学式2で表示される反復単位からなり、前記化学式2で、Y2がOであることを特徴とする請求項4または5に記載の炭素薄膜の製造方法。前記高分子が、前記化学式3で表示される反復単位からなり、A1が置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のナフチル基、または置換または非置換のピリジニル基であることを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記高分子膜の形成段階が、前記基板上に、前記高分子及び溶媒を含んだ第1混合物、または前記高分子の前駆体及び溶媒を含んだ第2混合物を、コーティング工程を利用して提供する段階を含むことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記保護膜が、800°C以上の融点を有する物質を含んだことを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記保護膜が、金属、金属酸化物、セラミック、半導体酸化物及び半導体窒化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記保護膜が、銅Cu、ニッケルNi、パラジウムPd、金Au、銀Ag、アルミニウムAl、モリブデンMo、銅酸化物、ニッケル酸化物、パラジウム酸化物、アルミニウム酸化物、モリブデン酸化物、窒化ガリウムGaN、窒化シリコンSiN、シリコン酸化物SiO2及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記熱処理を、前記高分子膜に含まれた高分子が炭化される条件下で行うことを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記熱処理を、不活性雰囲気または真空雰囲気下で、前記高分子膜に含まれた高分子の熱分解温度以上2,500°C以下の温度範囲、及び30秒ないし5日の時間範囲で行うことを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記熱処理遂行前に、前記保護膜及び高分子膜を所定パターンに沿ってパターニングする段階、及び前記熱処理遂行後、前記炭素薄膜を所定パターンに沿ってパターニングする段階のうち一つ以上をさらに含むことを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記炭素薄膜が、グラファイトシート、グラフェンシート、数層グラフェンafewlayergraphene及び非晶質炭素シートからなる群から選択されることを特徴とする請求項1~14のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記高分子膜の形成段階前に、前記基板上に触媒膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記触媒膜が、ニッケルNi、コバルトCo、鉄Fe、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、銅Cu、マグネシウムMg、モリブデンMo、ロジウムRh、シリコンSi、タンタルTa、チタンTi、タングステンW、ウラン、バナジウムV、ジルコニウムZr、及びそれらのうち2以上の組み合わせを含むことを特徴とする請求項16に記載の炭素薄膜の製造方法。前記保護膜形成段階前に、前記高分子膜をプリベークし、前記高分子膜を安定化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項1~17のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記炭素薄膜の形成段階後、前記保護膜を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1~18のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記炭素薄膜の形成段階後、前記触媒膜を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16~19のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。前記炭素薄膜の形成段階から収得した炭素薄膜を、他の基板に転写することを特徴とする請求項1~20のいずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法。請求項1ないし請求項21のうち、いずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法によって製造された炭素薄膜を含んだ電気素子。前記電子素子が、無機発光素子、有機発光素子、無機太陽電池、有機太陽電池素子、無機薄膜トランジスタ、メモリ、電気化学/バイオセンサ、RFradiofrequency素子、レクティファイア、CMOSmetaloxidesemiconductor素子または有機薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項22に記載の電子素子。請求項1ないし請求項21のうち、いずれか1項に記載の炭素薄膜の製造方法によって製造された炭素薄膜を含んだ電気化学素子。前記電気化学素子が、リチウムバッテリまたは燃料電池であることを特徴とする請求項24に記載の電気化学素子。しかしながら、従来の伝導性を有する炭素系材料の製造方法では、生産コストが非常に掛かるほか、安定的に生産供給できる技術が確立されていないという問題があり、ましてや大面積の二次元炭素薄膜を製造することはできていなかった。そこで、本発明は、経済的であって安定しており、大面積の二次元炭素薄膜を製造する方法を提供するものである。本発明はまた、前記炭素薄膜の製造方法によって製造された炭素薄膜を含んだ電子素子及び電気化学素子を提供するものである。本発明において、基板上にコーティング工程を利用して、高分子膜polymerfilmを形成する段階と、前記高分子膜上に保護膜を形成する段階と、前記基板を熱処理し、前記基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法が提供される。前記基板は、シリコン、シリコン酸化物、金属ホイル、金属酸化物例えば、酸化マグネシウムMgOなど、高配向性熱分解グラファイトHOPG:highlyorderedpyrolyticgraphite、六方晶窒化ホウ素H-BN:hexagonalboronnitride、c-planeサファイアウェーハ、硫化亜鉛ZnS、高分子基板、またはそれらのうち2以上の組み合わせを含むことができる。また、前記基板以外に、結晶構造を有するいかなる基板でも可能である。例えば、Niホイル、Cuホイル、Pdホイル、MgO、ZnS、c-planeサファイア、h-BNなどの基板を使用することができる。前記高分子膜の高分子は、炭素及び水素を含み、600°C以下の熱分解温度thermaldecompositiontemperatureを有し、非共役性主鎖non-conjugatedmainbackboneを有する絶縁性高分子を含むことができる。例えば、前記高分子膜の高分子は、下記化学式1で表示される反復単位repeatingunit、下記化学式2で表示される反復単位、及び下記化学式3で表示される反復単位のうち一つ以上を含むことができる:前記化学式1ないし3で、Y1は、NまたはCR11であり、Y2は、O、S、NR12またはCR13R14であり、Y3及びY4は互いに独立して、NまたはCR15であり、R1ないしR15は互いに独立して、水素原子-H、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC6-C30アリールアルキル基、置換または非置換のC6-C30アリールオキシ基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリール基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールアルキル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールオキシ基、置換または非置換のC5-C20シクロアルキル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロシクロアルキル基、置換または非置換のC1-C30アルキルエステル基、置換または非置換のC6-C30アリールエステル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールエステル基、及び-NQ1Q2からなる群から選択され、前記Q1ないしQ2は互いに独立して、水素原子、C1-C30アルキル基、C6-C30アリール基及びC2-C30ヘテロアリール基からなる群から選択され、A1は、置換または非置換のC6-C30アリール基、または置換または非置換のC2-C30ヘテロアリール基であり、前記は、隣接する反復単位との結合サイトである。前記高分子膜の形成段階は、前記基板上に、前記高分子及び溶媒を含んだ第1混合物、または前記高分子の前駆体及び溶媒を含んだ第2混合物をコーティング工程を利用して提供する段階を含むことができる。前記保護膜は、800°C以上の融点を有する物質を含むことができる。例えば、前記保護膜は、金属、金属酸化物、セラミック、半導体酸化物及び半導体窒化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含むことができる。前記炭素薄膜の製造方法において、前記熱処理は、前記高分子膜に含まれた高分子が炭化carbonizedされる条件下で行われる。前記熱処理を不活性雰囲気または真空雰囲気下で、前記高分子膜に含まれた高分子の熱分解温度以上2,500°C以下の温度範囲、かつ30秒ないし5日の時間範囲で行われる。前記炭素薄膜の製造方法は、前記熱処理遂行前に、前記保護膜及び高分子膜を所定パターンに沿ってパターニングする段階、及び前記熱処理遂行後、前記炭素薄膜を所定パターンに沿ってパターニングする段階のうち一つ以上をさらに含むことができる。前記炭素薄膜は、グラファイトシート、グラフェンシート、数層グラフェンafewlayergraphene及び非晶質炭素シートからなる群から選択されたものである。前記炭素薄膜の製造方法は、前記高分子膜の形成段階前、前記基板上に触媒膜を形成する段階をさらに含むことができる。ここで、前記触媒膜は、ニッケルNi、コバルトCo、鉄Fe、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、銅Cu、マグネシウムMg、モリブデンMo、ロジウムRh、シリコンSi、タンタルTa、チタンTi、タングステンW、ウランU、バナジウムV、ジルコニウムZr、及びそれらのうち2以上の組み合わせを含むことができる。前記炭素薄膜の製造方法は、前記保護膜形成段階前に、前記高分子膜をプリベークし、前記高分子膜を安定化させる段階をさらに含むことができる。前記炭素薄膜の製造方法は、前記炭素薄膜の形成段階後、前記保護膜及び/または触媒膜を除去する段階をさらに含むことができる。前記炭素薄膜の製造方法は、前記炭素薄膜の形成段階から収得した炭素薄膜を他の基板に転写する段階をさらに含むことができる。本発明においてまた、前記炭素薄膜の製造方法によって製造された炭素薄膜を含んだ電子素子が提供される。前記炭素薄膜は、各種電子素子の電極及び/または配線、活性層例えば、半導体素子の活性層activelayerとして使われうる。本発明においてまた、前記炭素薄膜の製造方法によって製造された炭素薄膜を含んだ電気化学素子が提供される。本発明の炭素薄膜の製造方法を利用すれば、安定していて経済的であり、大面積の二次元炭素薄膜を容易に製造することができる。また、優秀な伝導度を有する炭素薄膜を収得でき、これを、伝導性が要求される各種電極または配線などに応用することができる。以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態実施例について詳細に説明すれば、次の通りである。図1は、前記カーボン薄膜の製造方法の一実施形態具現例を順に図示した断面図である。図1を参照して、前記カーボン薄膜の製造方法の一実施形態具現例について説明すれば、下記の通りである。まず、基板11を準備する。前記基板11は、その上部に形成される高分子膜13と実質的に反応せず、高温下に露出されても、変形、劣化などが起こらない物質を含むことができる。前記基板11としては、一般的な半導体工程で使われる基板が使われうる。例えば、前記基板11は、シリコン、シリコン酸化物例えば、SiO2、シリコン窒化物例えば、SiN、窒化半導体例えば、GaN、金属ホイルmetalfoil例えば、銅ホイル、アルミニウムホイル、ニッケルホイル、パラジウムホイル、ステンレススチールなど、金属酸化物、高配向性熱分解グラファイトHOPG:highlyorderedpyrolyticgraphite、六方晶窒化ホウ素H-BN:hexagonalboronnitride、c-planeサファイアウェーハ、ZnS硫化亜鉛、高分子基板polymersubstrate、及びそれらのうち2以上の組み合わせを含むことができる。前記金属ホイルは、アルミニウムホイルのように、融点meltingpointが高く、炭素薄膜を形成触媒として作用しない物質からなるか、あるいは銅及びニッケルホイルのように、炭素薄膜形成触媒としても作用することができる物質からなりうる。前記金属酸化物の例としては、アルミニウム酸化物、モリブデン酸化物、マグネシウム酸化物、酸化インジウムスズITOなどを挙げることができ、前記高分子基板の例としては、ケプトンホイル、ポリエーテルスルホンPES、ポリアクリレートPAR、ポリエーテルイミドPEI、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエチレンテレフタレートPET、硫化ポリフェニレンPPS、ポリアリレートpolyallylate、ポリイミド、ポリカーボネートPC、三酢酸セルロースTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAPなどを挙げることができるが、それらに限定されるものではない。前記基板11として、高分子膜13の炭化促進のために、Cu、Ni、Pdなどと共に、炭素薄膜形成触媒としても作用することができる物質からなる金属ホイルを使用する場合、前記基板上に触媒膜を形成する段階を省略できる。一方、HOPG、六方晶窒化ホウ素、c-planeサファイアウェーハ及び硫化亜鉛を、基板11の材料として選択する場合にも、前記基板11上部に、触媒膜32図2を形成せずとも、炭素薄膜が形成されうる。一方、基板11は、互いに異なる1以上の物質の混合物からなる単一層でもあり、互いに異なる2以上の物質からなる個別層が積層された多層構造でもありうる。例えば、前記基板11は、シリコン層及びシリコン酸化物層からなる2層構造を有することができる。その後、前記基板11上に、高分子膜13を形成する段階1Aを遂行する。前記段階1Aは、コーティング工程を利用して遂行する。前記高分子膜13の高分子は、炭素及び水素を含み、600°C以下の熱分解温度thermaldecompositiontemperatureを有し、非共役性主鎖non-conjugatedmainchainを有する絶縁性高分子を含むことができる。さらに具体的には、前記高分子膜13の高分子は、下記化学式1で表示される反復単位repeatingunit、下記化学式2で表示される反復単位、及び下記化学式3で表示される反復単位のうち一つ以上を含むことができる。前記化学式1で、Y1は、NまたはCR11であり、前記化学式2で、Y2は、O、S、NR12またはCR13R14であり、前記化学式3で、Y3及びY4は互いに独立して、NまたはCR15であり、前記化学式3で、A1は、置換または非置換のC6-C30アリール基、または置換または非置換のC2-C30ヘテロアリール基でありうる。一方、前記化学式1ないし3で、R1ないしR15は、後述する炭素薄膜形成のための熱処理時に、容易に脱着されうる基でありうる。このようなR1ないしR15は互いに独立して、水素原子-H、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC6-C30アリールアルキル基、置換または非置換のC6-C30アリールオキシ基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリール基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールアルキル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールオキシ基、置換または非置換のC5-C20シクロアルキル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロシクロアルキル基、置換または非置換のC1-C30アルキルエステル基、置換または非置換のC6-C30アリールエステル基、置換または非置換のC2-C30ヘテロアリールエステル基、及び-NQ1Q2からなる群から選択され、前記Q1ないしQ2は互いに独立して、水素原子、C1-C30アルキル基、C6-C30アリール基及びC2-C30ヘテロアリール基からなる群から選択されうる。好ましくは、例えば、前記R1ないしR15は、互いに独立して、水素原子-H、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、C1-C10アルキル基、C1-C10アルコキシ基、及び-NQ1Q2からなる群から選択されうる。ここで、前記Q1ないしQ2は互いに独立して、水素原子及びC1-C10アルキル基からなる群から選択されうる。より好ましくは、例えば、前記R1ないしR15は、互いに独立して、水素原子-H、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基及び-NH2からなる群から選択されうるが、それらに限定されるものではない。前記化学式3で、A1が、置換されたC6-C30アリール基または置換されたC2-C30ヘテロアリール基である場合、前記置換されたC6-C30アリール基または置換されたC2-C30ヘテロアリール基の置換基は、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、C1-C30アルキル基、C1-C30アルコキシ基、C6-C30アリール基、C6-C30アリールアルキル基、C6-C30アリールオキシ基、C2-C30ヘテロアリール基、C2-C30ヘテロアリールアルキル基、C2-C30ヘテロアリールオキシ基、C5-C20シクロアルキル基、C2-C30ヘテロシクロアルキル基、C1-C30アルキルエステル基、C6-C30アリールエステル基、及びC2-C30ヘテロアリールエステル基からなる群から選択されうるが、それらに限定されるものではない。好ましくは、例えば、前記置換基は、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、C1-C10アルキル基及びC1-C10アルコキシ基からなる群から選択されうるが、それらに限定されるものではない。一方、前記化学式1ないし3で、は、隣接する反復単位との結合サイトを示したものである。好ましくは、例えば、前記高分子膜13に含まれた高分子は、前記化学式1で表示される反復単位からなるが、前記化学式1で、Y1は、Nでありうる。または、前記高分子膜13に含まれた高分子は、前記化学式1で表示される反復単位からなるが、前記化学式1で、Y1は、Nであり、R1ないしR3は互いに独立して、水素原子-H、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基及び-NH2からなる群から選択されうる。好ましい他の例としては、例えば、前記高分子膜13に含まれた高分子は、前記化学式2で表示される反復単位からなるが、前記化学式2で、Y2は、Oでありうる。または、前記高分子膜13に含まれた高分子は、前記化学式2で表示される反復単位からなるが、前記化学式2で、Y2は、Oであり、R7は水素原子、C1-C10アルキル基及びC1-C10アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などからなる群から選択され、前記R4ないしR6は互いに独立して、水素原子-H、ニトロ基-NO2、シアノ基-CN、ヒドロキシル基-OH、カルボキシル基-COOH、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基及び-NH2からなる群から選択されうる。また、前記高分子膜13に含まれた高分子は、前記化学式3で表示される反復単位からなるが、前記化学式3で、A1は、置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のペンタレニル基、置換または非置換のインデニル基、置換または非置換のナフチル基、置換または非置換のアズレニル基、置換または非置換のヘプタレニル基、置換または非置換のインダセニル基、置換または非置換のアセナフチル基、置換または非置換のフルオレニル基、置換または非置換のフェナレニル基、置換または非置換のフェナントレニル基、置換または非置換のアントラセニル基、置換または非置換のフルオランテニル基、置換または非置換のトリフェニレニル基、置換または非置換のピレニレニル基pyrenylenyl、置換または非置換のクリセニル基chrysenyl、置換または非置換のナフタセニル基、置換または非置換のピセニル基、置換または非置換のペリレニル基perylenyl、置換または非置換のペンタフェニル基pentaphenyl、置換または非置換のヘキサセニル基、置換または非置換のピロリル基、置換または非置換のピラゾリル基、置換または非置換のイミダゾリル基imidazolyl、置換または非置換のイミダゾリニル基、置換または非置換のイミダゾピリジニル基、置換または非置換のイミダゾピリミジニル基、置換または非置換のピリジニル基、置換または非置換のピラジニル基pyrazinyl、置換または非置換のピリミジニル基、置換または非置換のインドリル基indolyl、置換または非置換のプリニル基、置換または非置換のキノリニル基、置換または非置換のフタラジニル、置換または非置換のインドリジニル基、置換または非置換のナフチリジニル基、置換または非置換のキナゾリニル、置換または非置換のシノリニル基、置換または非置換のインダゾリル、置換または非置換のカルバゾリル基、置換または非置換のフェナジニル基、置換または非置換のフェナントリジニル基、置換または非置換のピラニル基、置換または非置換のクロメニル基、置換または非置換のベンゾフラニル基、置換または非置換のチオフェニル基、置換または非置換のベンゾチオフェニル基、置換または非置換のイソチアゾリル基、置換または非置換のベンゾイミダゾリル基、及び置換または非置換のイソキサゾリル基からなる群から選択されうる。好ましくは、例えば、前記A1は、置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のナフチル基、または置換または非置換のピリジニル基であるが、それらに限定されるものではない。より好ましくは、例えば、前記高分子膜13に含まれた高分子は、前記化学式11aで表示される反復単位からなる高分子、前記化学式12aで表示される反復単位からなる高分子、前記化学式12bで表示される反復単位からなる高分子、前記化学式13aで表示される反復単位からなる高分子、前記化学式13bで表示される反復単位からなる高分子、前記化学式13cで表示される反復単位からなる高分子、前記化学式13dで表示される反復単位からなる高分子、前記化学式13eで表示される反復単位からなる高分子または前記化学式13fで表示される反復単位からなる高分子であるが、それらに限定されるものではない。前記高分子膜13に含まれた高分子は、前述のように、化学式1ないし3のうち一つで表示される反復単位からなるか、または化学式1の反復単位、化学式2の反復単位及び化学式3の反復単位のうち一つ以上を含む共重合体でもありうる。例えば、前記高分子膜13に含まれた高分子は、化学式1の反復単位、化学式2の反復単位及び化学式3の反復単位のうち一つ以上以外に、ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP、ポリブテン-1PB-1、ポリ4-メチル-1-ペンテン、ポリ塩化ビニルPVC、ポリフッ化ビニルPVF、ポリビニルアミンPVAm、ポリスチレンPS、ポリ4-ビニルフェノールPVP、ポリ2-ビニルナフタレン、ポリ1-ビニルナフタレン、ポリ2-ビニルピリジン、ポリ4-ビニルピリジン、ポリイソブチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン及びポリアクリル酸からなる群から選択された物質の反復単位をさらに含んだ共重合体でありうる。または、前記高分子膜13に含まれた高分子は、前記化学式1で表示される反復単位及び前記化学式2で表示される反復単位のうち一つ以上を有するイコサン酸との共重合体であるなどの多様な変形が可能である。特に好ましくは、例えば、前記高分子膜13に含まれた高分子は、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレートまたはポリビニルアルコールであるが、それらに限定されるものではない。前記高分子膜13に含まれた高分子の重量平均分子量Mwは、1,000ないし10,000,000、好ましくは、10,000ないし1,000,000でありうる。前記高分子膜13に含まれた高分子の重量平均分子量が、前述のような範囲を満足する場合、後述する第1混合物がコーティング段階に適したフロー性及び/または粘度を有することができ、伝導度に優れる炭素薄膜を収得することができる。前記段階1Aは、前記基板11上に、前記高分子及び溶媒を含んだ第1混合物、または前記高分子の前駆体及び溶媒を含んだ第2混合物を、コーティング工程を利用して提供する段階を含む。ここで、第2混合物を利用する場合、後述するソフトベーキング段階、熱処理段階で重合反応が進み、前述のような高分子を形成することができる。前記第1混合物及び第2混合物は、架橋剤、酸触媒、金属フィラ、セラミックフィラ及びナノ粒子からなる群から選択された1種以上の添加剤をさらに含むことができる。前記コーティング工程は、例えば、スピンコーティング法、インクジェットプリンティング法、ノズルプリンティング法、ディップコーティング法、電気泳動蒸着法、テープキャスティング法、スクリーンプリンティング法、ドクターブレードコーティング法、グラビアプリンティング法、グラビアオフセットプリンティング法、LBLangmuir-Blodgett法、または多層薄膜自己組立法layer-by-layerself-assemblyであるが、それらに限定されるものではない。好ましくは、例えば、前記コーティング工程は、スピンコーティング法を利用することができる。一方、前記第1混合物及び/または第2混合物の濃度を制御することによって、前記高分子膜13の単位体積当たり含まれる高分子の含有量が制御されうるので、前記高分子膜13の厚みを制御することができ、これにより、図1で、炭素薄膜17の厚みも、制御することができる。従って、前記炭素薄膜の製造方法によれば、容易に炭素薄膜の厚みを制御することができる。前記第1混合物及び/または第2混合物を前記基板11に提供した後、選択的に、前記第1混合物及び/または第2混合物に含まれた溶媒を除去するための、ソフトベーキングを行うことができる。前記ソフトベーキングの温度範囲及び時間範囲は、選択された高分子、選択された溶媒、第1混合物及び/または第2混合物の濃度などによって調節されうる。前記高分子膜13の厚みは、前記第1混合物及び前記第2混合物の濃度を調節することによって調節され、2nmないし50μmの範囲を有することができる。前記高分子膜13が前述のような範囲を満足する場合、グラフェン単一層以上の厚みを有する炭素薄膜を形成することができ、均一な膜質の高分子膜13を形成することができる。例えば、前記高分子膜13の厚みは、2nmないし50μm好ましくは、例えば、2nmないし1,000nmの範囲であるが、前記範囲を満足する場合、製造された炭素薄膜17は、グラフェン単層厚である0.34nmないし50nm厚を有することができ、可視光領域の波長の光の透過度に優れ、各種ディスプレイなどの透明電極として使われうる。または、例えば、前記高分子膜13の厚みを約50μm以上に調整すれば、それから製造された炭素薄膜17は、一般配線電極としても活用することができる。次に、前記高分子膜13の上部に、保護膜15を形成する段階1Bを遂行する。前記保護膜15は、高分子膜13に含まれた高分子が、熱処理段階によって劣化degradation及び/または焼成されて損失されることを防止する役割を行う。従って、前記保護膜15の形成によって、複数個の六員炭素環が互いに融合されているグラフェン構造ドメインを多数含み、伝導度の向上された炭素薄膜を得ることができる。前記保護膜15は、800°C以上の融点を有する物質を含むことができる。例えば、前記保護膜15は、金属、金属酸化物、セラミック、半導体酸化物及び半導体窒化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含むことができる。例えば、前記保護膜15は、銅Cu、ニッケルNi、パラジウムPd、金Au、銀Ag、アルミニウムAl、モリブデンMo、銅酸化物、ニッケル酸化物、パラジウム酸化物、アルミニウム酸化物、モリブデン酸化物、窒化ガリウムGaN、窒化シリコンSiN、シリコン酸化物SiO2及びそれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された一つ以上の物質を含むことができる。前記保護膜15の厚みは、2nmないし2,000nm、好ましくは、10nmないし600nmでありうる。前記保護膜15の厚みが前記範囲を満足する場合、均一な層を形成することができる。前記保護膜15は、通常の金属膜及び/または金属酸化物膜の形成方法例えば、蒸着法などを利用して形成されうる。この後、熱処理段階の段階1Cを遂行し、高分子膜13を炭化させ、炭素薄膜17を形成する。前記熱処理段階は、前記高分子膜13に含まれた高分子が炭化される条件下で行われる。このために、前記熱処理は、不活性雰囲気例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気及び/または酸素雰囲気などまたは真空雰囲気で遂行されうる。また、選択的に、炭化反応を促進させたり、または炭素薄膜17内の欠陥defectを誘導して炭素薄膜17の仕事関数を改質するために、熱処理の遂行中、水素、メタン、CF4ガスなどを、不純物ガスとして注入されうる。また、前記熱処理を、前記高分子膜13に含まれた高分子の熱分解温度thermaldegradationtemperature以上2,500°C以下の温度範囲好ましくは、例えば、600°Cから1,500°Cで30秒ないし5日好ましくは、例えば、1分ないし20時間の時間範囲で行われる。このような熱処理遂行の雰囲気、温度及び熱処理時間は、前記高分子膜13に含まれた高分子の構造、含有量などによって選択されうる。前記熱処理すなわち、図1で、段階1Cを介して、高分子膜13の高分子が炭化されつつ炭素薄膜17が形成されるが、このとき、高分子が互いに継続的に結合しつつ、グラフェンライク構造を含んだドメインを形成することができる。前記熱処理段階1Cの温度を、保護膜15に含まれた物質の融点以上の温度に調節することによって、炭素薄膜17の形成と同時に、保護膜15を除去することもできる。または、前記熱処理段階1Cの熱処理条件が、保護膜15の除去に不十分である場合、図1には図示されていないが、形成された炭素薄膜17の上部には、保護膜15の一部以上が残留しうる。従って、前記炭素薄膜の製造方法は、形成された炭素薄膜17に残留した保護膜15を除去する段階をさらに含むことができる。炭素薄膜17の上部に残留した保護膜15は、公知の金属膜及び/または金属酸化物膜の除去方法を利用して除去されうるが、例えば、金属用または金属酸化物用エッチェントで炭素薄膜17の表面を洗浄し、炭素薄膜17の上部に残留しうる保護膜15を除去することができる。例えば、前記保護膜15がNiからなるものであるならば、FeCl3主に、蒸留水1M溶液またはMarblereagent主に、50mlのHCl:50mlの蒸留水:10gのCuSO4を利用して、前記保護膜15を除去することができる。従って、前記炭素薄膜の製造方法は、コーティング工程及び熱処理工程に基づくので、前記炭素薄膜の製造方法によれば、経済的であって安定して大面積の二次元炭素薄膜17を得ることができる。また、前記第1混合物及び/または前記第2混合物の濃度を制御することによって、炭素薄膜17の厚みを簡便に制御することができるので、容易に多様なサイズの炭素薄膜17を得ることができる。一方、前記段階1Cの遂行前、保護膜15及び高分子膜13をパターニングしたり、前記段階1Cの遂行後、炭素薄膜17を基板11から分離する前に、炭素薄膜17をパターニングすることにより、炭素薄膜17に対するパターニング工程を容易に実施することができる。このようにパターニングされた炭素薄膜17上に、各種素子構造体を直ちに形成することができるので、前記炭素薄膜17は、多様なパターンを有した電極または配線などに容易に活用されうる。前記パターニング方法としては、フォトリソグラフィ、ソフトリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ、モールドアシストリソグラフィ、ステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィ、ディップペンリソグラフィ、マイクロコンタクトプリンティング及びインクジェットプリンティングからなる群から選択された一つ以上を使用することができる。または、段階1Cすなわち、前記熱処理遂行後には、感光剤とマスクとを利用するパターニング及び/または酸素プラズマを利用したパターニングが使われうる。前記炭素薄膜17は、グラファイトシート、グラフェンシートあるいはフィルム、数層グラフェンafewlayergrapheneまたは非晶質炭素フィルムでありうる。前記グラフェンシートは、0.34nm厚を有するグラフェン単一層、2層ないし10層のグラフェン単一層が積層された構造を有する数層グラフェンafewlayergraphene、または前記数層グラフェンよりは多数層グラフェン単一層が積層された構造を有するグラフェン多重層でありうる。例えば、前記炭素薄膜17は、グラフェンシートでありうる。好適な一実施形態具現例によれば、前記炭素薄膜17は、数層グラフェンであるが、それに限定されるものではない。前記炭素薄膜17は、可視光線領域の光に対して、50以上の透過度を有することができる。一方、前記炭素薄膜17は、優秀な伝導度を有することができる。例えば、10S/cm以上の伝導度を有することができる。図2は、前記炭素薄膜の製造方法の他の実施形態具現例である。図2は、基板31の上部に、触媒膜32を形成した後、触媒膜32の上部に、高分子膜33を形成したという点を除いては、前記図1によって説明される炭素薄膜の製造方法と同一である。図2によれば、基板31上に、触媒膜32を形成した後、前記触媒膜32の上部に、高分子膜33を形成段階3Aし、前記高分子膜33上に、保護膜35を形成段階3Bした後、これを熱処理して、炭素薄膜37を形成段階3Cする。図2で、基板31、高分子膜33、保護膜35、炭素薄膜37、段階3A、段階3B及び段階3Cは、それぞれ図1の基板11、高分子膜13、保護膜15、炭素薄膜17、段階1A、段階1B及び段階1Cについての説明を参照する。前記触媒膜32は、炭素薄膜37の形成時、グラフェン構造形成のための触媒として作用し、炭素薄膜37のグラフェンライク構造ドメインを増加させる役割を行うことができる。前記触媒膜32は、ニッケルNi、コバルトCo、鉄Fe、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、銅Cu、マグネシウムMg、モリブデンMo、ロジウムRh、シリコンSi、タンタルTa、チタンTi、タングステンW、ウラン、バナジウムV、ジルコニウムZr、及びそれらのうち2以上の組み合わせを含むことができる。前記触媒膜32の厚みは、10nmないし1,000nm好ましくは、例えば、200nmないし600nmでありうる。触媒膜32の厚さが前記範囲を満たす場合、優れた電気的特性例えば、伝導度などを有する炭素薄膜を製造することができる。前記触媒膜32は、炭素薄膜37の形成のための熱処理段階で、炭素薄膜37の形成後に残留することがあるが、炭素薄膜37を分離させるために、前記触媒膜32を除去する段階をさらに含むことができる。一方、前記炭素薄膜の製造方法は、前記保護膜15、35形成前に、前記高分子膜13、33をプリベークし、前記高分子膜13、33を安定化させる段階をさらに含むことができる。前記プリベークによって、前記高分子膜13、33における高分子の一部以上は、安定化された高分子に変換されうる。前記プリベークは、前記高分子膜13、33に含まれた高分子における分子内添加反応intramolecularadditionreactioninthepolymer、及び前記高分子における分子内二重結合形成反応intramoleculardoublebondformationreactioninthepolymerのうち一つ以上の反応が起こる条件下で遂行されうる。このようなプリベークの条件は、前記高分子膜13、33に含まれた高分子の構造、高分子の配向状態、高分子の含有量などによって異なるが、200°Cないし350°Cの温度範囲好ましくは、例えば、250°Cないし300°C及び1分ないし24時間好ましくは、例えば、1分ないし15時間でありうる。前記プリベークの結果、高分子膜13、33に含まれた安定化された高分子は、複数の飽和または不飽和の六員環を含むが、前記複数の飽和または不飽和の六員環は、互いに縮合融合された構造を有することができる。好ましくは、例えば、前記高分子膜13、33に含まれた高分子が、前記化学式1で表示される反復単位からなる高分子である場合、安定化された高分子は、下記化学式1aで表示される反復単位、及び下記化学式1bで表示される反復単位のうち一つ以上を含むことができる:前記化学式1a及び1bで、Y1、R1ないしR3及びについての詳細な説明は、前記化学式1についての説明を参照する。または、前記高分子膜13、33に含まれた高分子が、前記化学式2で表示される反復単位からなる高分子である場合、安定化された高分子は、下記化学式2aで表示される反復単位、下記化学式2bで表示される反復単位、及び下記化学式2cで表示される反復単位のうち一つ以上を含むことができる:前記化学式2aないし2cで、Y2、R4ないしR7及びについての詳細な説明は、前記化学式2についての説明を参照する。前記高分子膜13、33に含まれた高分子が、前記化学式3で表示される反復単位からなる高分子である場合、前記化学式3で、A1で表示された環に含まれた二重結合が、化学式2の-C=Y2-結合と類似した方式で安定化された高分子形成に寄与することができるが、それに限定されるものではない。例えば、前記高分子膜13、33に含まれた高分子が、下記化学式4で表示されるポリアクリロニトリルPANである場合、前述のようなプリベーク遂行の結果、前記ポリアクリロニトリルのシアノ基のNは、隣接するシアノ基のCと単一結合を形成する分子内添加反応が起き、下記化学式4aで表示される第1安定化されたポリアクリロニトリルが形成され、前記第1安定化されたポリアクリロニトリルでは、脱水素化反応に基づいた分子内二重結合形成反応が起き、下記化学式4bで表示される第2安定化されたポリアクリロニトリルが形成されうる。従って、前記高分子膜13、33に含まれた高分子が、前記化学式4で表示されるポリアクリロニトリルPANである場合、プリベークの結果として形成された安定化された高分子は、前記化学式4bで表示される第2安定化された高分子のみ含むか、または前記化学式4aで表示される第1安定化された高分子と、前記化学式4bで表示される第2安定化された高分子とをいずれも含むことができる。これは、プリベーク段階の条件によって調整されうる。このように、前記プリベーク段階によって、高分子膜13、33の高分子において一部以上は、耐熱性を有するはしご構造の安定化された高分子に変換できるが、前記安定化された高分子を、炭素薄膜17、37形成のための熱処理段階段階1C図1、段階3C図2で露出しても、高分子の分解が最小化されうる。従って、複数個の六員炭素環が互いに縮合融合されているグラフェン構造ドメインを多数含んで、伝導度が向上された炭素薄膜を得ることができる。例えば、前記炭素薄膜17、37形成のための熱処理時、2個の第2安定化されたポリアクリロニトリル化学式4bは、まず互いに結合し、下記化学式4cのような構造を形成することができる。前述のような結合が続きつつ炭化がなされれば、下記化学式4dのような構造の第1層が複数層含まれた炭素薄膜17、37を収得することができる。前記炭素薄膜17、37で、複数層の第1層は、前記第1層が延びる第1方向に対して垂直である第2方向に沿って積層されるが、それに限定されるものではない。前述のように、前記炭素薄膜の製造方法で使用された触媒膜32及び/または保護膜15、35は、前記炭素薄膜17、37の形成後に残留することがあり、このとき、エッチェントを利用して除去することができる。前記炭素薄膜17、37は、炭素薄膜17、37が形成された基板11、31上で直接利用されうる例えば、基板11、31上に形成された炭素薄膜17、37を直接にdirectlyパターニングし、基板11、31上に炭素薄膜電極パターンを形成する。または、前記炭素薄膜17、37を、炭素薄膜17、37が形成された基板11、31から分離させた後、所定の他の基板例えば、プラスチック基板に転写させ、例えば、フレキシブルな素子具現実現に利用することも可能である。前記転写工程は、基板11、31上に形成された炭素薄膜17、37を、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリジメチルシロキサンPDMS、熱転写テープthermalreleasetapeのような接着層と接触させ、炭素薄膜17、37を基板11、31と分離させた後、接着層に接着された炭素薄膜17、37を所定の他の基板と接触させることによって行うことができる。所定の他の基板に転写された炭素薄膜17、37は、RIEreactiveionetchingやガス例えば、O2プラズマ工程を介して、所定のパターンにパターニングされうる。前記炭素薄膜は、伝導性が要求される各種層に使われうる。例えば、各種電子素子及び電気化学素子の電極、配線、チャンネル層などに応用されうる。前記電子素子は、例えば、無機発光素子inorganiclightemittingdiode、有機発光素子OLED:organiclightemittingdiode、無機太陽電池inorganicsolarcell、有機太陽電池素子OPV:organicphotovoltaicdiode、または無機薄膜トランジスタinorganicthinfilmtransistor、メモリ、電気化学/バイオセンサ、RFradiofrequency素子、レクティファイア、CMOScomplementarymetal-oxidesemiconductor素子または有機薄膜トランジスタOTFT:organicthinfilmtransistorであり、前記電気化学素子としては、例えば、リチウムバッテリまたは燃料電池であるが、それらに限定されるものではない。前記有機発光素子の一実施形態具現例の概略的な構造は、図3を参照する。図3の有機発光素子100は、第1電極110、正孔注入層120、正孔輸送層130、発光層140、電子輸送層150、電子注入層160及び第2電極170を含む。前記有機発光素子100の第1電極110及び第2電極170間に電圧を印加すれば、第1電極110から注入された正孔は、正孔注入層120及び正孔輸送層130を経由して、発光層140に移動し、第2電極170から注入された電子は、電子注入層160及び電子輸送層150を経由して、発光層140に移動する。前記正孔及び電子のようなキャリアは、発光層140で再結合して励起子exitonを生成するが、この励起子が励起状態から基底状態に変わりつつ光が生成される。前記第1電極110は、前述のような炭素薄膜でありうる。正孔注入層120は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成されうる。このとき、真空蒸着法を選択する場合、蒸着条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、例えば、100ないし500°Cの蒸着温度範囲、10-10ないし10-3torrの真空度範囲、0.01ないし100Å/secの蒸着速度範囲内で選択されうる。一方、スピンコーティング法を選択する場合、コーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性によって異なるが、2,000rpmないし5,000rpmのコーティング速度範囲、80°Cないし200°Cの熱処理温度コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度範囲内で選択されうる。前記正孔注入層120の材料としては、公知の正孔注入材料を使用することができるが、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATA;下記化学式参照のこと、4,4’,4-トリス{N,Nジフェニルアミノ}トリフェニルアミンTDATA;下記化学式参照のこと、4,4’,4-トリスN-2-ナフチル-n-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン2T-NATA;下記化学式参照のこと、ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸Pani/DBSA、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリ4-スチレンスルホネートPEDOT/PSS、ポリアニリン/カンファースルホン酸Pani/CSA、またはポリアニリン/ポリ4-スチレンスルホネートPANI/PSSなどを使用することができるが、それらに限定されるものではない。前記正孔注入層120の厚みは、約10Åないし10,000Å、好ましくは、例えば、100Åないし1,000Åでありうる。前記正孔注入層120の厚みが前記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔注入特性を得ることができる。前記正孔輸送層130は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成されうる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層120形成のための条件と類似した範囲内で選択される。正孔輸送層130の材料は、公知の正孔輸送材料を利用して形成することができるが、例えば、N,N’-ジ1-ナフチル-N,N’-ジフェニルベンジジンNPB、N-フェニルカルバゾール、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1-ビフェニル]-4,4’-ジアミンTPDなどの芳香族縮合環を有するアミン誘導体;4,4’,4-トリスN-カルバゾリルトリフェニルアミンTCTAのようなトリフェニルアミン系物質のような公知の正孔輸送物質を使用することができる。このうち、例えば、TCTAの場合、正孔輸送の役割以外にも、発光層140から励起子が拡散することを防止する役割も行うことができる。前記正孔輸送層130の厚みは、50Åないし1,000Å、好ましくは、例えば、100Åないし600Åでありうる。前記正孔輸送層130の厚みが前述のような範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔輸送特性を得ることができる。前記発光層140は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成されうる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層120形成のための条件と類似した範囲内で選択される。前記発光層140は、単一発光材料からなり、ホスト及びドーパントを含むこともできる。前記ホストの例としては、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3、4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルCBP、9,10-ジナフタレン-2-イルアントラセンADN、TCTA、1,3,5-トリスN-フェニルベンズイミダゾール-2-イルベンゼンTPBI、3-tert-ブチル-9,10-ジナフト-2-イルアントラセンTBADN、E3下記化学式参照のこと、BeBq2下記化学式参照のことなどを使用することができるが、それらに限定されるものではない。一方、公知の赤色ドーパントとして、PtOEP下記化学式参照のこと、Irpiq3下記化学式参照のこと、Btp2Iracac下記化学式参照のことなどを利用することができるが、それらに限定されるものではない。また、公知の緑色ドーパントとして、Irppy3ppy=フェニルピリジン下記化学式参照のこと、Irppy2acac下記化学式参照のこと、Irmpyp3下記化学式参照のこと、10-2-ベンゾチアゾリル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H,11H-1ベンゾピロピラノ6,7-8-i,jキノリジン-11-オンC545T;下記化学式参照のことなどを利用することができるが、それらに限定されるものではない。一方、公知の青色ドーパントとして、F2Irpic下記化学式参照のこと、F2ppy2Irtmd下記化学式参照のこと、Irdfppz3下記化学式参照のこと、ter-フルオレン、4,4’-ビス[4-ジ-p-トリルアミノスチリル]ビフェニルDPAVBi、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレンTBPなどを利用することができるが、それらに限定されるものではない。前記発光層140の厚みは、100Åないし1,000Å、好ましくは、例えば、100Åないし600Åでありうる。前記発光層の厚みが前記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を得ることができる。正孔阻止層図示せずは、発光層140例えば、発光層140がリン光化合物を含む場合の三重項励起子または正孔がカソードなどで広がる現象を防止する役割を行うものであり、発光層140の上部にさらに形成でき、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成することができる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層120形成のための条件と類似した範囲内で選択される。前記正孔阻止層の材料は、公知の正孔阻止材料のうちから任意に選択されうる。例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体などを使用することができる。前記正孔阻止層の厚みは、約50Åないし1,000Å、好ましくは、例えば、100Åないし300Åでありうる。前記正孔阻止層の厚みが、前記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔阻止特性を得ることができる。前記電子輸送層150は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって、発光層140または正孔阻止層の上部に形成されうる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層120形成のための条件と類似した範囲内で選択される。前記電子輸送層150の物質材料として、公知の電子輸送材料を使用することができるが、例えば、Alq3、1,2,4-トリアゾール誘導体TAZ;下記化学式参照のこと、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP;下記化学式参照のこと、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト-ベリリウムBeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-p-フェニルフェノラート-アルミニウムBAlq;下記化学式参照のことのような公知の材料を使用することもできる:前記電子輸送層150の厚みは、約100Åないし1,000Å、好ましくは、例えば、200Åなし500Åでありうる。前記電子輸送層150の厚みが前述のような範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子輸送特性を得ることができる。前記電子輸送層150の上部には、電子注入層160が形成されうる。前記電子注入層160の形成材料としては、公知の電子注入材料であるLiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、BaF2などが使われ、前記電子注入層160の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層120の形成とほぼ同じ条件範囲から選択される。前記電子注入層160の厚みは、約1Åないし100Å、好ましくは、例えば、5Åないし50Åでありうる。前記電子注入層160の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべきほどの電子注入特性を得ることができる。前記第2電極170は、カソード電子注入電極であり、相対的に小さい仕事関数を有する金属や合金や電気伝導性化合物及びそれらの組み合わせを使用することができる。具体的な例としては、リチウムLi、マグネシウムMg、アルミニウムAl、アルミニウム-リチウムAl-Li、カルシウムCa、マグネシウム-インジウムMg-In、マグネシウム-銀Mg-Agなどを挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ITO、酸化インジウム亜鉛IZOなどを使用することもできる。例えば、前記薄膜炭素を含んだ有機発光素子は、第1電極前述のような炭素薄膜/正孔注入層ポリエチレンジヒドロキシチオフェンPEDOT、厚み50nm=500Å/正孔輸送層NPB、厚み20nm=200Å/発光層BeBq2:C545T、厚み30nm=300Å/電子輸送層BeBq2、厚み20nm=200Å/電子注入層LiF、厚み1nm=10Å/第2電極Al、150nm=1,500Åの構造を有することができるが、それに限定されるものではない。前記有機発光素子は、前述のような炭素薄膜の製造方法を利用し、第1電極を形成するが、優秀な電気的特性の第1電極を含むことができ、製造コストを節減することができる。図4は、前記炭素薄膜を含んだ有機太陽電池素子の一実施形態具現例を概略的に図示したものである。図4の有機太陽電池素子200は、第1電極210、正孔コレクトcollectingバッファ層220、ヘテロ接合層230、電子受容層240及び第2電極250を含むことができる。有機太陽電池素子200に照射された光は、ヘテロ接合層230で正孔と電子とに分離され、電子は、電子受容層240を経て第2電極250に移動し、正孔は、正孔コレクトバッファ層220を経て第1電極210に移動しうる。前記第1電極210は、前述のような炭素薄膜でありうる。前記正孔コレクトバッファ層220は、正孔を受容する材料からなりうるが、例えば、前述のような有機発光素子100の正孔注入層120及び正孔輸送層130の材料を利用することができる。前記ヘテロ接合層230は、照射された光から正孔と電子とを分離させる物質を含むことができる。例えば、前記ヘテロ接合層230は、p型有機半導体材料とn型有機半導体材料とを含むことができる。例えば、前記ヘテロ接合層230は、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT及びフェニルC61酪酸メチルエステルPCMBを含むことができるが、それらに限定されるものではない。前記電子受容層240は、電子を受容する材料からなりうるが、例えば、前述のような有機発光素子100の電子注入層160の材料を利用することができる。前記第2電極250は、カソード電子注入電極であり、相対的に小さい仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びそれらの組み合わせを使用することができる。具体的な例としては、リチウムLi、マグネシウムMg、アルミニウムAl、アルミニウム-リチウムAl-Li、カルシウムCa、マグネシウム-インジウムMg-In、マグネシウム-銀Mg-Agなどを挙げることができる。例えば、前記炭素薄膜を含んだ有機太陽電池素子は、第1電極前述のような炭素薄膜/バッファ層PEDOT、厚み35nm=350Å/ヘテロ接合層P3HT:PCBM、厚さ210nm=2,100Å/電子受容層BaF2、厚さ1nm=10Å/第2電極Al、厚さ100nm=1,000Åの構造を有することができるが、それに限定されるものではない。図5は、前記炭素薄膜を含んだ有機薄膜トランジスタの一実施形態具現例を概略的に図示したものである。図5の有機薄膜トランジスタ300は、基板311、ゲート電極312、絶縁層313、有機半導体層315、及びソース電極314a並びにドレイン電極314bを含む。前記ゲート電極312、有機半導体層315、及びソース電極314a並びにドレイン電極314bのうち一つ以上が、前述のような炭素薄膜でありうる。前記基板311は、一般的な電子素子で使われる基板を使用するが、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性などを考慮し、ガラス基板または透明プラスチック基板を使用することができる。前記基板311上には、所定パターンのゲート電極312が形成されている。前記ゲート電極312は、例えば、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、またはAl:Nd、Mo:W合金のような金属または金属の合金からなりうるが、それらに限定されるものではない。または、前記ゲート電極312は、前述のような炭素薄膜からなりうる。前記ゲート電極312の上部には、前記ゲート電極312を覆うように、絶縁層313が備わっている。前記絶縁層313は、金属酸化物または金属窒化物のような無機物からなったり、絶縁性有機高分子のような有機物からなりうるなど、多様な物質によって具備可能である。絶縁層313の上部には、有機半導体層315が形成されている。前記有機半導体層315は、前述のような炭素薄膜でありうる。または、前記有機半導体層315は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α-6-チオフェン、α-4-チオフェン、ペリレンperylene及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミドperylenetetracarboxylicdiimide及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物perylenetetracarboxylicdianhydride及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフローレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン-ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びその誘導体、α-5-チオフェンのオリゴチオフェン及びその誘導体、金属含有あるいは無含有のフタロシアニン及びその誘導体、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びそれらの誘導体などを含むことができるが、それらに限定されるものではない。前記有機半導体層315上には、ソース電極314a並びにドレイン電極314bがそれぞれ形成されている。前記ソース電極314a並びにドレイン電極314bは、図5から分かるように、一定部分ゲート電極312と重畳するように備わりうるが、必ずしもそれに限定されるものではない。前記ソース電極314a並びにドレイン電極314bは、前記炭素薄膜からなりうる。または、前記ソース電極314a並びにドレイン電極314bは、有機半導体層をなす物質との仕事関数を考慮し、5.0eV以上の貴金属noblemetal、例えば、Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru、Ir、Os、及びそれらのうち2以上の組み合わせを使用することができる。例えば、前記有機薄膜トランジスタは、基板/ゲート電極/絶縁層/有機半導体層前述のような炭素薄膜/ソース電極並びにドレイン電極Au、10nm以上の構造を有することができる。または、前記有機薄膜トランジスタは、基板/ゲート電極/絶縁層/有機半導体層ペンタセン/ソース電極並びにドレイン電極前述のような炭素薄膜の構造を有することができる。以上、前記電子素子について、図3ないし図5を参照しつつ説明したが、それらに限定されるものではない。例えば、前記図3の有機発光素子で、第1電極110の材料によって、第2電極170が前記炭素薄膜でありうる。また、図5は、ボトムゲート型有機薄膜トランジスタを図示したものであるが、トップゲート型有機薄膜トランジスタのような多様な構造の有機薄膜トランジスタへの変形も可能であることは言うまでもない。本発明による炭素薄膜は、前記素子以外にも、メモリ、電気化学/バイオセンサ、RF素子、レクティファイア及びCMOS素子のような電子素子を始めとして、リチウムバッテリ、燃料電池のような電気化学素子に、電極及び活性材料として適用されうる。また、応用素子は、それらに限定されるものではない。本発明は、図面に図示された実施形態実施例を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態実施例が可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。実施例1基板として厚さ300nmのシリコン酸化物膜が形成されたシリコン基板2.0cm×2.0cmを準備した後、30分間UVultraviolet/オゾン処理し、シリコン酸化物膜表面を親水性処理した。前記シリコン酸化物膜の上部に、ジメチルホルムアミドDMF、DAEJUNGChemicals社製溶媒にポリスチレン重量平均分子量Mwは、130,000、Sigma-Aldrich社製が含まれた溶液2wtをスピンコーティングした後、溶媒を除去するために、100°Cで3分間ベーキングし、10nm厚のポリスチレン膜を形成した。前記ポリスチレン膜上に、ニッケルNiを蒸着し、50nm厚のNi保護膜を形成した後、前記基板を石英管に入れてファーネス内に装着した。アルゴンArガス50sccm及び水素ガス10sccmを、前記石英管に一定に投入しつつ、ハロゲンランプ熱源を使用し、前記基板を1,000°Cで1分間熱処理した。前記熱処理終了後、前記基板が位置した石英管をファーネスから分離して自然冷却し、炭素薄膜を前記基板から分離し、炭素薄膜サイズは、2.0cm×2.0cmであり、厚みは、10nmであるを収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、95S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例2ポリスチレンの代わりに、ポリアクリロニトリル重量平均分子量Mwは、150,000、Sigma-Aldrich社製を使用したという点を除いては、前記実施例1と同じ方法を利用して炭素薄膜を収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、100S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例3ポリスチレンの代わりに、ポリメチルメタクリレート数平均分子量Mnは、130,000を使用したという点を除いては、前記実施例1と同じ方法を利用して炭素薄膜を収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、105S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例4Ni保護膜の厚みを50nmから25nmに変更したという点を除いては、前記実施例2と同じ方法を利用して炭素薄膜を収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、25S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例5Ni保護膜の厚みを50nmから10nmに変更したという点を除いては、前記実施例2と同じ方法を利用して炭素薄膜を収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、10S/cmの伝導度を有することを確認した。比較例1ないし3Ni保護膜を形成しなかったという点を除いては、前記実施例1ないし3と同じ方法によって実験を行った。比較例4シリコン酸化物膜上に、400nm厚のNi層を形成した後、ポリスチレン膜を形成し、前記ポリスチレン膜上に、Ni保護膜を形成しなかったという点を除いては、前記実施例1と同じ方法によって実験を行った。比較例5シリコン酸化物膜上に、400nm厚のNi層を形成した後、ポリアクリロニトリル膜を形成し、前記ポリアクリロニトリル膜上に、Ni保護膜を形成しなかったという点を除いては、前記実施例2と同じ方法によって実験を行った。比較例6シリコン酸化物膜上に、400nm厚のNi層を形成した後、ポリメチルメタクリレート膜を形成し、前記ポリメチルメタクリレート膜上に、Ni保護膜を形成しなかったという点を除いては、前記実施例3と同じ方法によって実験を行った。実施例6基板として、厚さ300nmのシリコン酸化物膜が形成されたシリコン基板2.0cm×2.0cmを準備した後、30分間UV/オゾン処理し、シリコン酸化物膜の表面を親水性処理した。前記シリコン酸化物膜の上部に、DMF中にポリアセチロニトリル高分子重量平均分子量Mwは、15,000であるが含まれている溶液2wtをスピンコーティングした後、溶媒であるDMFを除去するために、160°Cで3分間ベーキングし、25nm厚のポリアセチロニトリル膜を形成した。前記ポリアセチロニトリル膜を、大気雰囲気下で、250°Cで10時間プリベークし、前記ポリアセチロニトリル膜に含まれたポリアセチロニトリル中の一部以上を、安定化されたポリアセチロニトリルに変換させた。この後、前記ポリアセチロニトリル膜上に、ニッケルNiを蒸着し、300nm厚のNi保護膜を形成した後、前記基板を石英管に入れてファーネス内に装着した。アルゴンArガス50sccm及び水素ガス10sccmを、前記石英管に一定に投入しつつ、ハロゲンランプ熱源を使用し、前記基板を600°Cで3時間熱処理した。熱処理終了後、前記基板が位置した石英管をファーネスから分離して自然冷却し、炭素薄膜を前記基板から分離し、炭素薄膜サイズは、2.0cm×2.0cmであり、厚みは、10nmであるを収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、100S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例7熱処理を1,000°Cで15分間行ったという点を除いては、前記実施例6と同じ方法で、炭素薄膜サイズは、2.0cmx2.0cmであり、厚みは、約5nmであるを収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、110S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例8300nm厚のNi保護膜の代わりに、300nm厚の銅Cu保護膜を形成したという点を除いては、前記実施例6と同じ方法で、炭素薄膜サイズは、2.0cm×2.0cmであり、厚みは、約10nmであるを収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、10S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例9熱処理を1,500°Cで10時間行ったという点を除いては、前記実施例6と同じ方法で、炭素薄膜サイズは、2.0cm×2.0cmであり、厚みは、約20nmであるを収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、200S/cmの伝導度を有することを確認した。実施例10ポリアクリロニトリル膜の代わりに、ポリメチルメタクリレート膜使用したポリメチルメタクリレートの重量平均分子量Mwは、15,000であるを形成したという点を除いては、前記実施例6と同じ方法で、炭素薄膜サイズは、2.0cm×2.0cmであり、厚みは、約10nmであるを収得した。前記炭素薄膜の伝導度を4-pointprobeで測定した結果、95S/cmの伝導度を有することを確認した。評価例1実施例2、4及び5の炭素薄膜に対して、BRUKER社のモデル名SENTERRADispersiveRamanMicroscope機器を利用してラマンスペクトルを測定し、その結果を図6に示した。ラマンスペクトルは、常温で50倍対物レンズを利用し、532nmのレーザ波長を利用して測定した。これと同一の方法を利用して測定した比較例1ないし3のラマンスペクトルは、図7に、比較例4ないし5のラマンスペクトルは、図8に示した。図6ないし8によれば、実施例2、4及び5の炭素薄膜は、グラフェンの特性を示すピークを有するが、比較例1ないし6から収得したフィルムは、グラフェンの特性を示すピークを有さないということを確認することができる。評価例2前記実施例6及び実施例7の炭素薄膜に対して、BRUKER社のモデル名SENTERRADispersiveRamanMicroscopeの機器を利用してラマンスペクトルを測定し、その結果を図9に示した。ラマンスペクトルは、常温で50倍対物レンズを利用し、532nmのレーザ波長を利用して測定した。図9から、実施例6の炭素薄膜のラマンスペクトルは、1,362cm-1と1,597cm-1とのラマンシフト値を示しており、高強度の広域幅から見て、非晶質の炭素薄膜であることが分かる。特定理論によって限定されるものではないが、それらは、実施例6の熱処理温度条件のためでありうる。一方、実施例7の炭素薄膜のラマンスペクトルから、実施例7の炭素薄膜は、グラフィンであることが分かる。このとき、実施例7の炭素薄膜のラマンスペクトルにおいて、1,346cm-1のピークは、残余シアノ基-CNから由来したものであるか、炭素薄膜の欠陥defect構造によるものである。"