酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側に、接着層を介して接合されたシリコン層又はガラス層と、を有する基材。前記一方の面側及び前記他方の面側の何れか一面側には、接着層を介して、前記シリコン層が接合され、前記一面側の反対面側には、接着層を介して、前記ガラス層が接合されている請求項1記載の基材。前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側には、複数の前記線状導体と電気的に接続され、前記接着層に覆われた配線層が形成されている請求項1又は2記載の基材。酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層を有し、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側には、複数の前記線状導体と電気的に接続された配線層、前記配線層を覆う絶縁層、前記絶縁層を介して前記配線層と電気的に接続された第2の配線層、前記第2の配線層を覆う接着層、シリコン層又はガラス層が順次積層されている基材。酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側に接合されたガラス層と、を有する基材。前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側には、複数の前記線状導体と電気的に接続され、前記ガラス層に覆われた配線層が形成されている請求項5記載の基材。前記一面の反対面には、複数の前記線状導体を介して前記配線層と電気的に接続された他の配線層、前記他の配線層を覆う絶縁層、前記絶縁層を介して前記他の配線層と電気的に接続された第2の配線層が順次積層されている請求項6記載の基材。前記配線層は、信号配線と前記信号配線を平面視において囲むように形成されたグランド配線とを含む請求項3、4、6、7の何れか一項記載の基材。しかしながら、シリコンやガラスに貫通孔を形成して導体材料を充填することは容易ではなく、スループットが悪化したり、製造コストが増大したりする問題があった。又、シリコンやガラスを薄くすることにより、加工時間は短縮できるが、機械的な強度が十分ではないため、取り扱いが困難であり、例えば、基材の輸送中や製造工程での作業中に割れが発生する等の問題があった。又、上記複数の線状導体が高密度に設けられた構造を有する基材の場合も、薄くしたシリコンやガラスと同様に、機械的な強度が十分ではないため、取り扱いが困難であり、例えば、基材の輸送中や製造工程での作業中に割れが発生する等の問題があった。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、従来よりも機械的強度が向上した基材を提供することを課題とする。本基材の一の形態は、酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側に、接着層を介して接合されたシリコン層又はガラス層と、を有することを要件とする。本基材の他の形態は、酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層を有し、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側には、複数の前記線状導体と電気的に接続された配線層、前記配線層を覆う絶縁層、前記絶縁層を介して前記配線層と電気的に接続された第2の配線層、前記第2の配線層を覆う接着層、シリコン層又はガラス層が順次積層されていることを要件とする。本基材の更に他の形態は、酸化アルミニウムからなる板状体、及び前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体を備えたコア層と、前記コア層の一方の面側及び他方の面側の少なくとも一面側に接合されたガラス層と、を有することを要件とする。開示の技術によれば、従来よりも機械的強度が向上した基材を提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。第1の実施の形態[第1の実施の形態に係る基材の構造]まず、第1の実施の形態に係る基材の構造について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る基材を例示する断面図である。図1において、X方向はコア層13の一方の面13aと平行な方向、Y方向はコア層13の一方の面13a内においてX方向に垂直な方向、Z方向はX方向及びY方向に垂直な方向基材1の厚さ方向をそれぞれ示している以降の図においても同様。図1を参照するに、第1の実施の形態に係る基材1は、大略すると、コア層13と、接着層14と、シリコン層15と、接着層16と、シリコン層17とを有する。基材1は、配線基板を製造するための平板状の基材である。基材1の平面形状は、例えば、矩形状とすることができる。基材1の平面形状が矩形状の場合、基材1の幅X方向×奥行きY方向は、例えば、200mm×200mm程度とすることができる。基材1の平面形状は、例えば、円形状であってもよい。基材1の平面形状が円形状の場合、基材1の直径は、例えば、6インチ、8インチ、12インチ等とすることができる。基材1の厚さZ方向は、例えば、140~500μm程度とすることができる。コア層13は、酸化アルミニウムからなる板状体11、及び板状体11を厚さ方向に貫通する複数の線状導体12ビアを備えている。線状導体12は、板状体11全体に亘りそのZ方向厚さ方向に貫通する多数の貫通孔11xに金属材料を充填して形成した部分である。線状導体12は、その一端面がコア層13の一方の面13aから露出しており、その他端面がコア層13の他方の面13bから露出している。各線状導体12は、互いに略平行に略一定間隔で板状体11の略全面に亘って形成されている。線状導体12は、例えば平面視円形に形成されており、その直径は例えば30nm~2000nm程度とすることができる。なお、平面視とは、対象物を図1のZ方向から見た場合を指す。又、線状導体12は、隣接する線状導体12の間隔が線状導体12の直径よりも小さくなる程度に密に形成されていることが好ましい。但し、線状導体12の配置形態については、特に限定されず、例えばヘキサゴナル状に配置されていてもよいし、グリッド状に配置されていてもよい。線状導体12を形成する金属材料としては、例えば銀Ag、銅Cu、ニッケルNi等を用いることができる。シリコン層15は、接着層14を介して、コア層13の一方の面13aに接合されている。又、シリコン層17は、接着層16を介して、コア層13の他方の面13bに接合されている。接着層14及び16としては、それぞれ、例えば、エポキシ系樹脂等を主成分とする接着フィルム等を用いることができる。接着層14及び16として、それぞれ、例えば、低融点ガラス等の無機系接着剤を用いてもよい。接着層14及び16のそれぞれの厚さは、例えば、10μm程度とすることができる。シリコン層15及び17のそれぞれの厚さは、例えば20~100μm程度とすることができる。なお、シリコン層15及び17の表面に、それぞれ絶縁層を形成してもよい。絶縁層としては、例えば、熱酸化膜SiO2、ベンゾシクロブテンBCB、ポリベンゾオキサゾールPBO、ポリイミドPI等を用いることができる。以上が、第1の実施の形態に係る基材1の構造である。[第1の実施の形態に係る基材の製造方法]次に、第1の実施の形態に係る基材の製造方法について説明する。図2~図5は、第1の実施の形態に係る基材の製造工程を例示する図である。まず、図2に示す工程では、アルミニウムAlからなる平板を準備し、準備した平板から陽極酸化法により、多数の貫通孔11xが形成された酸化アルミニウムからなる板状体11を形成する。板状体11の大きさは適宜決定できるが、例えば、後工程でシリコン層15及び17としてシリコンウェハを用いる場合には、シリコンウェハの形状に対応する円形とすることができる。板状体11の厚さZ方向は、例えば、50~1000μm程度とすることができる。貫通孔11xは、例えば平面視円形とすることができ、その場合の直径φは例えば30nm~2000nm程度とすることができる。又、貫通孔11xは、隣接する貫通孔11xの間隔Pが貫通孔11xの直径φよりも小さくなる程度に密に形成することが好ましい。但し、貫通孔11xの配置形態については、特に限定されず、例えばヘキサゴナル状に配置してもよいし、グリッド状に配置してもよい。陽極酸化法は、アルミニウムAlからなる平板を陽極として電解液好適には硫酸水溶液中に浸漬し、これに対向配置される白金Pt等の電極を陰極として通電パルス電圧を印加する方法である。これにより、多数の貫通孔11xが形成された酸化アルミニウムからなる板状体11アルミニウムの陽極酸化膜を形成できる。次に、図3に示す工程では、板状体11に形成された貫通孔11xに金属材料を充填して線状導体12を形成する。これにより、コア層13が形成される。線状導体12は、例えばスクリーン印刷法やインクジェット法等を用いて、例えば銀Agや銅Cu等の導電性ペーストを貫通孔11xに充填して形成できる。或いは、金属材料として銅Cuを用いる場合には、板状体11の表面貫通孔11xの内壁面を含むに、無電解銅Cuめっき法によりシード層を形成し、形成したシード層を給電層として利用した電解銅Cuめっき法により、貫通孔11xに銅Cuを充填して線状導体12を形成できる。又、無電解銅Cuめっき法のみにより、銅Cuを貫通孔11xに充填して線状導体12を形成しても構わない。更に、必要に応じて機械研磨、化学機械研磨CMP等により両面を研磨して平坦化し、線状導体12の両端面を板状体11の両面に露出させることができる。このようにして、板状体11に、板状体11の厚さ方向に貫通する微小径の線状導体12が高密度に設けられたコア層13を形成できる。次に、図4に示す工程では、シリコン層15を、接着層14を介して、コア層13の一方の面13aに接合する。又、シリコン層17を、接着層16を介して、コア層13の他方の面13bに接合する。シリコン層15及び17としては、例えば6インチ約150mm、8インチ約200mm、12インチ約300mm等のシリコンウェハ等を用いることができる。シリコンウェハの厚さは、例えば0.625mm6インチの場合、0.725mm8インチの場合、0.775mm12インチの場合等とすることができる。接着層14及び16としては、それぞれ、例えば、エポキシ系樹脂等を主成分とする接着フィルム等を用いることができる。接着層14及び16として、それぞれ、例えば、低融点ガラス等の無機系接着剤を用いてもよい。接着層14及び16のそれぞれの厚さは、例えば、10μm程度とすることができる。次に、図5に示す工程では、シリコン層15及び17を薄型化する。シリコン層15及び17は、例えばバックサイドグラインダー等で薄型化できる。薄型化後のシリコン層15及び17のそれぞれの厚さは、例えば20~100μm程度とすることができる。シリコン層15及び17のそれぞれの厚さを100μm程度以下にすることにより、基材1から配線基板を製造する際に、シリコン層15及び17に、それぞれを厚さ方向に貫通する貫通孔を容易に形成でき、又、形成した貫通孔内に電解めっきを行うための給電層を容易に形成できる。なお、最終的に基材1の機械的強度が十分に確保できれば、シリコン層15及び17のそれぞれの厚さを20μm以下としても構わない。なお、シリコン層15及び17を薄型化してから、それぞれ接着層14及び16を介してコア層13の両面に接合してもよいが、薄型化されたシリコン層15及び17は取り扱いが困難であるため、シリコン層15及び17を、それぞれ接着層14及び16を介してコア層13の両面に接合してから薄型化する方が好ましい。図5に示す工程の後、シリコン層15及び17の表面に、それぞれ絶縁層を形成してもよい。絶縁層としては、例えば、熱酸化膜SiO2、ベンゾシクロブテンBCB、ポリベンゾオキサゾールPBO、又はポリイミドPI等を用いることができる。熱酸化膜SiO2は、例えば、コア層13の表面近傍の温度を例えば1000°C以上とするウェット熱酸化法により熱酸化することで形成できる。熱酸化膜SiO2の厚さは、例えば1~2μm程度とすることができる。ベンゾシクロブテンBCB、ポリベンゾオキサゾールPBO、又はポリイミドPIは、例えば、スピンコート法等により形成できる。ベンゾシクロブテンBCB、ポリベンゾオキサゾールPBO、又はポリイミドPIの厚さは、例えば2~30μm程度とすることができる。但し、熱酸化膜SiO2を形成する場合には、接着層14及び16の耐熱性との関係に留意する必要がある。すなわち、接着層14及び16として、それぞれ、例えば、エポキシ系樹脂等を主成分とする接着フィルム等の有機系接着剤を用いた場合には、CVDChemicalVaporDeposition法により熱酸化膜SiO2を形成する必要がある。なお、絶縁層は、基材1から配線基板を製造する工程内で形成してもよい。以上が、第1の実施の形態に係る基材1の製造方法である。なお、基材1は、この状態で製品として出荷されてもよいし、所定の形状に切断された後に製品として出荷されてもよい。このように、第1の実施の形態によれば、複数の線状導体12が形成されたコア層13の両面に、それぞれ接着層14及び16を介して、シリコン層15及び17を形成することにより、基材1の機械的強度を従来よりもコア層13のみの場合よりも飛躍的に向上できる。その結果、基材1の輸送中や製造工程での作業中における取り扱いが飛躍的に容易になり、基材の輸送中や製造工程での作業中に割れが発生する等の問題を防止できる。又、シリコン層15及び17は薄型化例えば20~100μm程度されているため、基材1から配線基板を製造する工程において、ビアホールを容易に形成できる。又、基材1から配線基板を製造する工程において、シリコン層15及び17にビアホールや配線パターンを半導体プロセスにより形成可能であるため、超微細なビアホール及び超微細な配線パターンを形成できる。なお、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bの何れか一面のみに、接着層を介して、シリコン層を形成し、その反対面には層を形成せずに線状導体12が露出する構造としても上記の効果を奏する。第1の実施の形態の変形例1第1の実施の形態の変形例1では、シリコン層に代えて、ガラス層を形成する例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図6は、第1の実施の形態の変形例1に係る基材を例示する断面図である。図6を参照するに、第1の実施の形態の変形例1に係る基材2は、シリコン層15及び17がそれぞれガラス層25及び27に置換されている点が、基材1図1参照と相違する。ガラス層25及び27の材料としては、例えば、硼珪酸ガラス等を用いることができる。硼珪酸ガラスは、硼酸B2O3と珪酸SiO2を主成分として含むガラスであり、熱膨張係数はシリコンに近い3~6ppm/°C程度である。ガラス層25及び27のそれぞれの厚さは、例えば20~100μm程度とすることができる。ガラス層25及び27のそれぞれの厚さを100μm程度以下にすることにより、基材2から配線基板を製造する際に、ガラス層25及び27に、それぞれを厚さ方向に貫通する貫通孔を容易に形成でき、又、形成した貫通孔内に電解めっきを行うための給電層を容易に形成できる。なお、最終的に基材2の機械的強度が十分に確保できれば、ガラス層25及び27のそれぞれの厚さを20μm以下としても構わない。基材2は、基材1と略同様の製造工程により製造できる。但し、図4及び図5に相当する工程では、コア層13の両面に、それぞれ接着層14及び16を介して、ガラス層25及び27を形成し、その後ガラス層25及び27を薄型化してもよいし、予め薄型化したガラス層25及び27を、コア層13の両面に、それぞれ接着層14及び16を介して形成してもよい。ガラス層25及び27を予め薄型化してもよいのは、ガラス層25及び27は、シリコン層15及び17と比較すると、薄型化例えば20~100μm程度した状態でも取り扱いが比較的容易だからである。又、ガラス層25及び27は、シリコン層15及び17と異なり絶縁体であるから、基材2の製造工程、又は、基材2から配線基板を製造する工程内で絶縁層を形成する必要はない。よって、基材2の製造工程、又は、基材2から配線基板を製造する工程を簡略化できる。このように、第1の実施の形態の変形例1によれば、複数の線状導体12が形成されたコア層13の両面に、それぞれ接着層14及び16を介して、ガラス層25及び27を形成することにより、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、ガラス層25及び27は、シリコン層15及び17より安価であるため、基材2の製造コストを低減できる。なお、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bの何れか一面のみに、接着層を介して、ガラス層を形成し、その反対面には層を形成せずに線状導体12が露出する構造としても上記の効果を奏する。第2の実施の形態第2の実施の形態では、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bに配線層を形成する例を示す。なお、第2の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図7は、第2の実施の形態に係る基材を例示する断面図である。図7を参照するに、第2の実施の形態に係る基材3は、コア層13の一方の面13aに配線層31が形成され、他方の面13bに配線層32が形成されている点が、基材1図1参照と相違する。配線層31は、コア層13の一方の面13aに形成されている。配線層31は、接着層14により覆われている。配線層31は、複数の線状導体12の一端面と電気的に接続されている。配線層32は、コア層13の他方の面13bに形成されている。配線層32は、接着層16により覆われている。配線層32は、複数の線状導体12の他端面と電気的に接続されている。配線層32は、平面視において配線層31と略重複する位置に形成されており、複数の線状導体12を介して配線層31と電気的に接続されている。配線層31及び32の材料としては、例えば、銅Cu等を用いることができる。配線層31及び32として、例えば、チタンTiと銅Cuとを、この順番でコア層13の一方の面13a及び他方の面13bに積層しても構わない。配線層31及び32の厚さは、例えば、それぞれ1~20μm程度とすることができる。配線層31及び32として、例えば、チタンTiと銅Cuとを積層する場合には、まず、スパッタ法等により、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bにチタンTiと銅Cuとを積層形成する。そして、積層形成したチタンTiと銅Cuとを給電層とする電解めっき法により、更に銅Cu層を積層することができる。なお、基材3は、配線基板を製造するための基材であるから、配線層31及び32のパターン形状等は、配線基板を製造するメーカーの仕様に合わせて作製される。つまり、基材1及び2が汎用品であるのに対して、基材3はセミカスタム品である。このように、第2の実施の形態によれば、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bに配線層を形成しても、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、配線層の存在により、基材3の機械的強度を基材1や2よりも更に向上できる。なお、第1の実施の形態の変形例1のように、シリコン層15及び17に代えて、ガラス層25及び27を用いてもよい。ガラス層25及び27を用いた場合には、シリコン層15及び17より安価であるため、基材3の製造コストを低減できる。又、配線層31及び32にアライメントマークを形成しておくと、接着層14及びガラス層25、並びに接着層16及びガラス層27を介してアライメントマークを透視できるため、アライメント性を向上できる。又、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bの何れか一方のみに配線層及びシリコン層又はガラス層を形成し、他方は基材1や2図1及び図6参照と同様の構造としても上記の効果を奏する。第2の実施の形態の変形例1第2の実施の形態の変形例1では、配線層を擬似同軸構造とする例を示す。なお、第2の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図8Aは、第2の実施の形態の変形例1に係る基材を例示する断面図である。図8Bは、第2の実施の形態の変形例1に係る基材を例示する部分平面図である。図8A及び図8Bを参照するに、第2の実施の形態の変形例1に係る基材4は、配線層31及び32が擬似同軸構造である点が、基材3図7参照と相違する。配線層31及び32において、信号配線31s及び32s並びにそれらを接続する複数の線状導体12の周囲には、所定の間隔を空けてGNDグランド配線31g及び32g並びにそれらを接続する複数の線状導体12が配置されている。信号配線31s及び32sは、基材4が配線基板となった際に信号が伝送される配線である。GND配線31g及び32gは、基材4が配線基板となった際に配線基板の基準電位GNDと電気的に接続される配線である。なお、基材4は、配線基板を製造するための基材であるから、配線層31及び32のパターン形状等は、配線基板を製造するメーカーの仕様に合わせて作製される。つまり、基材3と同様に、基材4はセミカスタム品である。このように、信号配線31s及び32s並びに信号配線31sと32sを接続する複数の線状導体12と、これらの周囲に位置するGND配線31g及び32g並びにGND配線31gと32gを接続する複数の線状導体12により、同軸線路と同等の構造となる。その結果、信号配線31s及び32s並びに信号配線31sと32sを接続する複数の線状導体12に対する外部からのノイズをシールド遮蔽する効果を奏する。又、隣接して配置される信号配線31s及び32s並びに信号配線31sと32sを接続する複数の線状導体12間には、GND配線31g及び32g並びにGND配線31gと32gを接続する複数の線状導体12が配置されることになる。そのため、隣接して配置される信号配線31s及び32s並びに信号配線31sと32sを接続する複数の線状導体12間に生じる電気的結合容量結合を低減することが可能となり、信号配線31s及び32s並びに信号配線31sと32sを接続する複数の線状導体12自体がノイズ源となることを防止できる。なお、第1の実施の形態の変形例1のように、シリコン層15及び17に代えて、ガラス層25及び27を用いてもよい。ガラス層25及び27を用いた場合には、シリコン層15及び17より安価であるため、基材4の製造コストを低減できる。又、配線層31及び32にアライメントマークを形成しておくと、接着層14及びガラス層25、並びに接着層16及びガラス層27を介してアライメントマークを透視できるため、アライメント性を向上できる。第2の実施の形態の変形例2第2の実施の形態の変形例2では、コア層の両面に直接ガラス層を形成する例を示す。なお、第2の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図9は、第2の実施の形態の変形例2に係る基材を例示する断面図である。図9を参照するに、第2の実施の形態の変形例2に係る基材5は、接着層14及び16が存在しない点、及びシリコン層15及び17がガラス層55及び57に置換されている点が、基材3図7参照と相違する。つまり、基材5において、ガラス層55は、コア層13の一方の面13aに直接接合されている。又、ガラス層57は、コア層13の他方の面13bに直接接合されている。配線層31及び32は、それぞれ、ガラス層55及び57により覆われている。ガラス層55及び57のそれぞれの厚さは、例えば20~100μm程度とすることができる。ガラス層55及び57の材料としては、例えば、低融点ガラス等を用いることができる。低融点ガラスとしては、例えば、硼珪酸ガラスにビスマスやインジウム等を含有させて融点を下げたもの等を用いることができる。ガラス層55及び57を形成するには、例えば、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bにそれぞれ配線層31及び32を形成後、配線層31及び32を覆うように低融点ガラスペーストをコア層13の一方の面13a及び他方の面13bにそれぞれ塗布し、例えば450°C程度で焼成して形成できる。或いは、固体の低融点ガラスをコア層13の一方の面13a及び他方の面13bにそれぞれ配置し、例えば450°C程度で加熱及び押圧して軟化させた後、固化させることにより形成できる。なお、基材5は、配線基板を製造するための基材であるから、配線層31及び32のパターン形状等は、配線基板を製造するメーカーの仕様に合わせて作製される。つまり、基材3等と同様に、基材5はセミカスタム品である。このように、第2の実施の形態の変形例2によれば、複数の線状導体12が形成されたコア層13の両面に、直接ガラス層55及び57を形成することにより、第2の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、熱膨張係数が数10ppm/°C程度である樹脂系の接着層が存在せず、コア層13、配線層31及び32、並びにガラス層55及び57により基材5を構成しているため、構成材料間の熱膨張係数の不整合を低減できる。又、耐熱性の低い樹脂系の接着層が存在しないため、基材5の耐熱性を向上できる。又、ガラス層55及び57は、シリコン層15及び17より安価であるため、基材5の製造コストを低減できる。又、配線層31及び32にアライメントマークを形成しておくと、ガラス層55及び57を介してアライメントマークを透視できるため、アライメント性を向上できる。なお、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bの何れか一面のみに配線層及びガラス層を形成し、その反対面には層を形成せずに線状導体12が露出する構造としても上記の効果を奏する。又、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bにそれぞれ配線層を形成し、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bの何れか一面のみに配線層を覆うようにガラス層を形成する構造としても上記の効果を奏する。更に、コア層13の両面にそれぞれ配線層31及び32を形成し、配線層31及び32の何れか一方のみを覆うようにガラス層を形成する構造において、ガラス層に覆われていない方の配線層を覆うようにエポキシ系の絶縁性樹脂等からなる絶縁層を形成し、更にこの絶縁層を介して下層の配線層と電気的に接続される他の配線層を形成してもよい。又、コア層13の両面に配線層31及び32が形成されていない状態で、直接ガラス層55及び57を形成する形態図9において、配線層31及び32を削除した形態としてもよい。第3の実施の形態第3の実施の形態では、コア層13の一方の面13aに配線層及び絶縁層を積層形成する例を示す。なお、第3の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図10は、第3の実施の形態に係る基材を例示する断面図である。図10を参照するに、第3の実施の形態に係る基材6は、コア層13の一方の面13aと接着層14との間に、配線層31、絶縁層61、及び配線層62が積層形成され、他方の面13bと接着層16との間に、配線層32、絶縁層63、及び配線層64が積層形成されている点が、基材3図7参照と相違する。絶縁層61は、コア層13の一方の面13aに、配線層31を覆うように形成されている。絶縁層61の材料としては、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層61の厚さは、例えば10~30μm程度とすることができる。配線層62は、絶縁層61の表面に形成されている。配線層62は、絶縁層61を貫通し配線層31の表面を露出するビアホール61x内に充填されたビア配線、及び絶縁層61の表面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線パターンは、所定の平面形状にパターニングされている。ビアホール61xは、接着層14側に開口されていると共に、配線層31の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。配線層62は、ビアホール61x内に露出した配線層31と電気的に接続されている。配線層62の材料としては、例えば銅Cu等を主成分とする導電体を用いることができる。配線層62の一部である配線パターンの厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。配線層62は、接着層14により覆われている。絶縁層63は、コア層13の他方の面13bに、配線層32を覆うように形成されている。絶縁層63の材料としては、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層63の厚さは、例えば10~30μm程度とすることができる。配線層64は、絶縁層63の表面に形成されている。配線層64は、絶縁層63を貫通し配線層32の表面を露出するビアホール63x内に充填されたビア配線、及び絶縁層63の表面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線パターンは、所定の平面形状にパターニングされている。ビアホール63xは、接着層16側に開口されていると共に、配線層32の上面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。配線層64は、ビアホール63x内に露出した配線層32と電気的に接続されている。配線層64の材料としては、例えば銅Cu等を主成分とする導電体を用いることができる。配線層64の一部である配線パターンの厚さは、例えば10~20μm程度とすることができる。配線層64は、接着層16により覆われている。なお、基材6は、配線基板を製造するための基材であるから、配線層31及び32、並びに配線層62及び64のパターン形状等は、配線基板を製造するメーカーの仕様に合わせて作製される。つまり、基材3等と同様に、基材6はセミカスタム品である。このように、第3の実施の形態によれば、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bに配線層及び絶縁層を積層形成しても、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、積層形成した配線層及び絶縁層を利用して、シリコン層15側とシリコン層17側とのピッチ変換が可能となる。なお、第1の実施の形態の変形例1のように、シリコン層15及び17に代えて、ガラス層25及び27を用いてもよい。ガラス層25及び27を用いた場合には、シリコン層15及び17より安価であるため、基材6の製造コストを低減できる。又、配線層62及び64にアライメントマークを形成しておくと、接着層14及びガラス層25、並びに接着層16及びガラス層27を介してアライメントマークを透視できるため、アライメント性を向上できる。又、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bの何れか一方又は双方に、配線層及び絶縁層を複数層積層してもよい。又、コア層13の一方の面13a及び他方の面13bの何れか一方のみに配線層及び絶縁層を積層し、他方は基材3等図7等参照と同様の構造としてもよい。配線基板の例第3の実施の形態に係る基材6を配線基板として用いる例を示す。図11は、第3の実施の形態に係る基材を用いた配線基板を例示する断面図である。図11を参照するに、配線基板7は、基材3の一方の側に、配線層31、絶縁層61、配線層62、接着層14、シリコン層15、配線層71、及びソルダーレジスト層72がこの順番で積層され、基材6の他方の側に、配線層32、絶縁層63、配線層64、接着層16、シリコン層17、配線層73、及びソルダーレジスト層74がこの順番で積層された構造を有する。なお、ビアホール15x及び17xの内壁面を含むシリコン層15及び17の表面には、絶縁層図示せずが形成されている。ソルダーレジスト層72及び74は、例えば、それぞれエポキシ系樹脂等を主成分とする絶縁性樹脂からなり、配線層71及び73は、例えば、それぞれ銅Cu等を主成分とする導電体からなる。配線層71は、シリコン層15の表面に形成されている。配線層71は、シリコン層15を貫通し配線層62の表面を露出するビアホール15x内に充填されたビア配線、及びシリコン層15の表面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線パターンは、所定の平面形状にパターニングされている。配線層71の一部は、ソルダーレジスト層72に形成された開口部72x内に露出し、例えば半導体素子と電気的に接続されるパッドとして機能する。配線層73は、シリコン層17の表面に形成されている。配線層73は、シリコン層17を貫通し配線層64の表面を露出するビアホール17x内に充填されたビア配線、及びシリコン層17の表面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線パターンは、所定の平面形状にパターニングされている。配線層73の一部は、ソルダーレジスト層74に形成された開口部74x内に露出し、例えばマザーボード等の実装基板と電気的に接続されるパッドとして機能する。但し、開口部74x内に露出する配線層73を半導体素子と電気的に接続されるパッドとしてもよい。なお、配線基板は、周知の製造工程により製造できる。このように、基材6を入手し、周知の製造工程を経て、配線基板7を製造できる。又、配線基板7に半導体素子を実装することにより、半導体パッケージを製造できる。配線層71及び73は、それぞれシリコン層15及び17に半導体プロセスにより形成可能であるため、超微細なビアホール及び超微細な配線パターンとすることができる。配線層71及び73を構成する配線パターンは、例えばライン/スペース=1/1μm~10/10μm程度とすることができる。なお、基材1~5を用いても、同様に配線基板や半導体パッケージを製造できる。以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、各実施の形態及びその変形例は、適宜組み合わせることができる。又、コア層13の何れか一方の面側に接着層を介してシリコン層を形成し、その反対面側に接着層を介して又は、接着層を介さずに直接ガラス層を形成する形態も可能である。このような形態であっても、基材の機械的強度を従来よりもコア層13のみの場合よりも飛躍的に向上できる。