"Pb、Ti及びZrを少なくとも含むペロブスカイト型結晶からなる圧電体膜と、該圧電体膜に設けられた電極とを有し、前記圧電体膜の100面に由来するX線の回折ピーク位置2θが21.89以上21.97以下であり、かつ、200面半価幅2θが、0.30以上0.50以下であることを特徴とする圧電素子。請求項1記載の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項2記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。しかしながら、このような圧電素子では満足する変位を得ることができなかった。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の圧電素子においても同様に存在する。本発明は、このような事情に鑑み、小さな駆動電圧で大きな歪みを得ることができる圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供することを課題とする。本発明の圧電素子は、Pb、Ti及びZrを少なくとも含むペロブスカイト型結晶からなる圧電体膜と、該圧電体膜に設けられた電極とを有し、前記圧電体膜の100面に由来するX線の回折ピーク位置2θが21.89以上21.97以下であり、かつ、200面半価幅2θが、0.30以上0.50以下であることを特徴とする。圧電体層の100面に由来するX線の回折ピーク位置が2θ=21.89~21.97度の範囲内であり、かつ、200面半価幅が、0.30以上0.50以下であることで、小さな駆動電圧で大きな歪みを得ることができる所望の高い変位特性を得ることができる。本発明の液体噴射ヘッドは、前記圧電素子を具備することを特徴とする。高い変位特性を得ることができる圧電素子を備えていることで、液体噴射特性が高い。本発明の液体噴射装置は、前記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする。液体噴射特性が高い液体噴射ヘッドを有することで、所望の液体噴射を実現することができる。インクジェット式記録ヘッドまず、本発明の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドについて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びそのA-A′断面図である。図示するように、流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の並設とは直交する方向の外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えばガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように、弾性膜50が形成されている。弾性膜50上には、酸化ジルコニウムからなる絶縁体層55が形成される。なお、この絶縁体層55に代えて、もしくは絶縁体層55の上面に配向制御層を設けて第1電極60を100面に優先配向するように構成してもよい。さらに、この絶縁体層55上には、第1電極60と圧電体層70と第2電極80とが、後述する製造方法で積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体層55及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50及び絶縁体層55を設けずに、第1電極60のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。ここで、上述した第1電極60は、イリジウムIr、白金Pt、パラジウムPdなどの白金族金属及び金Auからなる群から選択される金属からなり、複数層積層したものであってもよい。なお、積層した場合には、後のプロセスにより、結果的に混合層となってもよい。本実施形態では、絶縁体層55側から順に、Pt/Ir/Ptの積層膜とした。圧電体層70は、このような第1電極60上に形成され、電気機械変換作用を示す圧電材料からなる。圧電体層70は、ペロブスカイト型構造の結晶膜である圧電体膜を積層してなるものであり、Pb、Ti及びZrを少なくとも含むものである。圧電体層70の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT等の圧電性材料強誘電性材料や、これに酸化ニオブ、酸化ニッケル又は酸化マグネシウム等の金属酸化物を添加したもの等が好適であり、ジルコン酸チタン酸鉛ランタンPb,LaZr,TiO3又は、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛PbZr,TiMg,NbO3等も用いることができる。本実施形態では、チタン酸ジルコン酸鉛を用いている。本実施形態では、圧電体層70に含まれるチタン酸ジルコン酸鉛PbZrxTi1-xO3は、理想的にはx=0.5であることが挙げられるが、0.47≦x≦0.53、好ましくは0.48≦x≦0.52を満たすものである。この範囲であることで誘電率や圧電特性が極めて大きくなり所望の変位特性を得ることができる。他方で、この範囲を超えることで、耐久性の低下や圧電特性の低下が生じる。このような第1電極60上にエピタキシャル成長で形成される圧電体層70は、第1電極60の面方位の影響を受けて配向制御され、結晶面方位が100に優先配向する。なお、優先配向とは、結晶の配向方向が無秩序ではなく、特定の結晶面がほぼ一定の方向に向いている状態をいう。具体的には、100面に優先配向するとは、X線回折広角法によって圧電体膜を測定した際に生じる100面、110面及び111面の回折強度の比率100/100110111が0.5より大きいことを意味する。圧電体層70は、X線回折広角法により測定すると、その優先配向した100面に由来するX線の回折ピーク位置2θが21.89以上21.97以下であり、かつ、200面半価幅2θが、0.30以上0.50以下である回折X線の波長λは、λ=1.5405Å。なお、本実施形態でいう圧電体層は、第1電極60上面に接触して作製された一層目の圧電体膜を除き、一括して焼成されて形成されたものをいう。本実施形態では脱脂工程や焼成工程等で調整することにより、圧電体膜を上記所定の回折ピーク位置を有する結晶系とすることができる。100面に由来するX線の回折ピーク位置がこのように比較的広角側に数値が低い方にあることで、圧電体層70は菱面体晶となり、圧電体層における引っ張り応力が減少して、圧電体層に電圧が印加されていない場合における撓みを圧力発生室12とは逆側に調整することができる。このように圧力発生室12とは逆側に撓んだ後に電圧印加時には圧力発生室12側へ撓むことから、低い電圧で変位量を大きくすることができる。かつ、X線の回折ピークの200面半価幅がこのように低いことにより、厚さ方向に組成変化組成傾斜が低く、所望の圧電特性を有する圧電体層を形成できることから、変位量を増加させることができる。例えば、このような圧電体層70のX線回折広角法によって測定すると使用した測定装置はブルカーエイエックスエス社製商品名D8DISCOVERwithGADDS、回折X線の波長λは、λ=1.5405Å、回折ピークは図3に示すようになる。即ち、その100面に由来するX線の回折ピーク位置が2θ=21.93でありかつ、200面半価幅が0.39である。圧電体層70の厚さについては、製造工程でクラックが発生しない程度に厚さを抑え、且つ十分な変位特性を呈する程度に形成する。具体的には、圧電体層70の厚さは、一般的に0.2~5μmであるが、本発明では、0.6~1.5μmである。本実施形態では、1330nmである。このような比較的薄膜の圧電体層70では、耐久性がよく、かつ、変位がよい。なお本実施形態では、圧電体層70を後述するようにエピタキシャル成長方法により設けるので、その膜を下地の結晶構造及び格子面間隔と類似するように所定の条件で形成することが好ましい。また、下地の表面との間に静電相互作用による反発力のない結晶構造となるように形成することが好ましい。なお、圧電体層70を下地の配向に拘束されない自由成長により設けてもよい。このように圧電体層が、100面に由来するX線の回折ピーク位置2θが21.89以上21.97以下であり、かつ、200面半価幅2θが、0.30以上0.50以下であれば、所望の高い変位特性を得ることができる。また、圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、絶縁体層55上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、絶縁体層55及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、絶縁体層55、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出される。この場合に、本実施形態では、圧電体層70が100面に優先配向し、100面に由来するX線の回折ピーク位置2θが21.89以上21.97以下であり、かつ、200面半価幅2θが、0.30以上0.50以下であることから、たわみ変形量が大きく、低い駆動電圧で高い変形量例えば図3に示す測定結果の場合には470nmを得ることができる。製造方法以下、上述したインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図4~図9を参照して説明する。なお、図4~図9は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。まず、図4aに示すように、流路形成基板10が複数一体的に形成されるシリコンウエハーである流路形成基板用ウエハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2からなる二酸化シリコン膜51を形成する。次いで、図4bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜51上に、ジルコニウムZr層を形成後、例えば、500~1200°Cの拡散炉で熱酸化して酸化ジルコニウムZrO2からなる絶縁体層55を形成する。次いで、図4cに示すように、絶縁体層55上の全面に第1電極60を形成する。この第1電極60の材料は、圧電体層70がチタン酸ジルコン酸鉛PZTであることに鑑みれば、酸化鉛の拡散による導電性の変化が少ない材料であることが望ましい。このため、第1電極60の材料としては白金、イリジウム等が好適に用いられる。また、第1電極60は、例えば、スパッタリング法やPVD法物理蒸着法などにより形成することができる。次に、流路形成基板用ウエハー110の第1電極60が形成された面にチタン酸ジルコン酸鉛PZTからなる圧電体層を形成する。ここで、本実施形態では、有機金属化合物を溶媒に溶解分散したいわゆるゾル塗布溶液を塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル-ゲル法を用いて圧電体層70を形成している。なお、圧電体層70の製造方法は、ゾル-ゲル法に限定されず、例えば、MODMetalOrganicDecomposition法等を用いてもよい。圧電体層70の具体的な形成手順としては、まず、図4cに示すように、第1電極60上にスパッタ法例えば、本実施形態ではDCスパッタ法より所定の厚さのチタンTiからなる第1チタン含有層71を形成する。このときのスパッタ条件は特に限定されないが、スパッタ圧力は、0.4~4.0Paの範囲内であるのが好ましい。また、スパッタ出力は50~100Wとするのが好ましく、スパッタ温度は常温約23~25°C~200°Cの範囲内とするのが好ましい。さらに、パワー密度は1~4kW/m2程度とすることが好ましい。このように第1チタン含有層71を形成することで、次工程で形成する圧電体層70の結晶の核となる種チタンを多数形成することができる。その後、図4dに示すように、圧電体前駆体膜72を成膜し、すなわち、第1チタン含有層71が形成された流路形成基板用ウエハー110上に金属有機化合物を含むゾル溶液を塗布して圧電体前駆体膜72を形成する塗布工程。次いで、この圧電体前駆体膜72を所定温度に加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。例えば、本実施形態では、圧電体前駆体膜72を100~180°Cで3~10分間保持し、さらに圧電体前駆体膜72を100~180°Cで3~10分間保持することで乾燥することができる。次に、乾燥した圧電体前駆体膜72を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。脱脂工程では、圧電体前駆体膜72を、300~400°C程度の温度に加熱して約3~10分保持することで脱脂する。本実施形態では、以下説明する脱脂装置を用いて375°Cで3分間保持した。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜72に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。図5に示すように、脱脂装置400は、複数のチャンバー401が積載されてなるいわゆる多段式の脱脂装置である。チャンバー401は、それぞれ内部に圧電体前駆体膜72が形成された流路形成基板用ウエハー110が載置される基板載置台402を備えている。この基板載置台402には、ヒーター403が設けられており、これにより流路形成基板用ウエハー110を加熱することが可能である。このチャンバー401の天井は蓋部404により封止されている。この蓋部404は、内部のガスを除去するための排気管405をその中央に備えている。排気管405は、垂直方向に積載されたチャンバー401間のチャンバー支持部406の間に延設されて、各チャンバー401の間から排気を外部へ送出する。ここで、本実施形態では、流路形成基板用ウエハー110の基板面から蓋部404との距離Hが10~20cmである。通常の脱脂装置では基板面から蓋部404との距離は2cm程度であり、本実施形態では、脱脂装置400はこれに比べて距離Hが長いことから、脱脂工程における排気が効率よく行われ、これにより得られる圧電体膜73が上述したような低い電位で大きな変位を有するものとなる。即ち、通常の多段式脱脂装置のように基板面から蓋部404との距離Hが2cmであると、蓋部404の輻射熱によって圧電体膜が下方だけでなく上方からも脱脂されてしまう。本来は圧電体膜形成時に圧電体膜の下層に結晶核を形成したいが、このように上方からも脱脂されてしまう場合、得られる圧電体膜中にランダムに結晶核が形成されてしまう。このため、下方からの結晶成長が阻害され、結晶方向の揃った好ましい圧電体膜73を形成することができない場合が考えられる。また、通常の脱脂装置のように基板面から蓋部404との距離が2cmであると、脱脂工程で蒸発したガス、即ち、圧電体前駆体膜72に含まれる有機成分がNO2、CO2、H2O等として離脱してなるガスが蓋部404で反射して流路形成基板用ウエハー110の圧電体前駆体膜に再度付着してしまうことがあり、脱脂の効果を十分に得られないことがある。これに対し、本実施形態では、流路形成基板用ウエハー110の基板面から蓋部404との距離Hが10~20cmであり、通常の脱脂装置の基板面から蓋部404との距離2cmよりも長い。これにより、上方に載置されているチャンバー401からの熱の影響を受けにくくするように構成されている。さらに、流路形成基板用ウエハー110の基板面から蓋部404との距離Hが長いことで、脱脂工程で圧電体前駆体膜72から離脱したガスが排気管405から流出しやすく、圧電体前駆体膜に再度付着してしまうことを防止している。従って、本実施形態における圧電体前駆体膜72図4参照は、脱脂工程で、所望の温度で脱脂できると共に、上部のチャンバー401からの熱による影響を受けにくく構成されているので、その後の工程により圧電体前駆体膜を加熱して結晶化させた場合に、組成傾斜が小さくなり、所望の圧電体膜を形成することが可能である。さらにまた、脱脂工程で離脱したガスが排気管405から流出しやすく、再付着することが抑制されているので、不純物の混入が抑制される。次に、図6aに示すように、圧電体前駆体膜を赤外線加熱装置によって所定温度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜73を形成する焼成工程。なお、本実施形態では、一層目の圧電体膜73の厚みは、120nmであった。このように本実施形態で後述するように一層目の圧電体膜73の厚みを他の圧電体膜73の厚みよりも薄くするのは、圧電体層70の配向、結晶粒径を制御するためである。なお、このような赤外線加熱装置を用いて加熱する焼成工程では、圧電体前駆体膜72を700~760°Cに加熱するのが好ましく、本実施形態では、赤外線加熱装置によって、740°Cで5分間加熱を行って圧電体前駆体膜72を焼成して圧電体膜73を形成した。また、焼成工程では、昇温レートは100°C/sec以上が好適である。このように圧電体膜73の焼成時の昇温レートを100°C/sec以上とすることで、低温の昇温レートで長時間行うのに比べて、短時間で行うことができると共に、圧電体膜73を比較的粒径が小さく且つ均一な結晶で形成することができ、大粒結晶の形成を実質的に防止することができる。なお、上述した乾燥工程及び脱脂工程においても、焼成工程で用いる赤外線加熱装置を用いることで、使用する装置の種類を減少させて製造コストを低減することができるが、脱脂工程では、上述のように脱脂時に圧電体前駆体膜72の第1電極60側からエピタキシャル成長させるために脱脂装置を用いることが好ましい。そして、図6aに示すように、第1電極60上に一層目の圧電体膜73を形成した段階で、第1電極60及び1層目の圧電体膜73を同時にパターニングする。なお、第1電極60及び圧電体膜73のパターニングは、例えば、イオンミリング等のドライエッチングにより行うことができる。次いで、パターニング後、第2チタン含有層74を形成する。第2チタン含有層74は、1層目の圧電体膜73及び絶縁体層55に亘って形成される。この第2チタン含有層74は、この第2チタン含有層74上に形成される圧電体膜73の配向制御を行うために形成されている。第2チタン含有層74は、第1チタン含有層71と同様に、例えばスパッタ法により所定の厚さで形成される。その後、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる前駆体膜形成工程を繰り返して、図6bに示すように圧電体前駆体膜72を複数層図中では3層形成し、その後、一括して焼成工程を行い、複数層からなる圧電体膜73を一括して形成する一括焼成工程。本実施形態では、この一括焼成工程で一括して焼成されて得られる圧電体膜73の膜厚が、140nm以上、好ましくは240nm以上である。これらの前駆体膜形成工程を複数繰り返した後一括焼成工程を行う工程を繰り返し、図6cに示すように複数層の圧電体膜73からなる所定厚さの圧電体層70を形成する。例えば、本実施形態では、前駆体膜形成工程を3回繰り返した後一括焼成工程を行う工程を3回繰り返し、その後、圧電体前駆体膜72を2層形成した後に一括焼成工程を行い、計12回の塗布により全体で1330nm程度の厚みの圧電体層70を得た。その後、図7aに示すように、圧電体層70上に亘って、例えば、イリジウムIrからなる第2電極80を形成する。そして、図7bに示すように、圧電体層70及び第2電極80を、各圧力発生室12に対向する領域にパターニングして圧電素子300を形成する。圧電体層70及び第2電極80のパターニングとしては、例えば、反応性イオンエッチングやイオンミリング等のドライエッチングが挙げられる。次に、リード電極90を形成する。具体的には、図7cに示すように、流路形成基板用ウエハー110の全面に亘ってリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングすることで形成される。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウエハー110の圧電素子300側に、シリコンウエハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウエハー130を接着剤35を介して接合する。次に、図8bに示すように、流路形成基板用ウエハー110を所定の厚みに薄くする。次いで、図8cに示すように、流路形成基板用ウエハー110にマスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図9に示すように、流路形成基板用ウエハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウエハー110及び保護基板用ウエハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウエハー110の保護基板用ウエハー130とは反対側の面にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウエハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウエハー110等を一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、図1に示すようなインクジェット式記録ヘッドIとする。試験例かかるインクジェット式記録ヘッドの圧電素子について、上述した実施形態に記載した圧電素子を形成した試験例1。また、試験例2~5では、それぞれ試験例1とは製造条件を変えて圧電素子を形成し、さらにX線回折ピークを測定すると共に、変位量を算出した。結果を以下の表1に示す。なお、表1中、100ピーク位置、200半価幅、変位量については数値範囲に含まれていたことを示す。このように、試験例2、3では、上述した基板―蓋部間距離の長い脱脂装置を用いて脱脂工程を行うことで、前記圧電体層の100面に由来するX線の回折ピーク位置が2θ=21.89~21.97の範囲内であり、かつ、200面半価幅が、0.30以上0.50以下である圧電素子を形成することができた。特に、試験例3の場合には、圧電素子の変位量は、他の試験例に比べて高く、高い変位量を得ることができた。これに対し、基板―蓋部間距離が短い試験例1、4、5ではそれぞれ変位量が低かった。他の実施形態以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の構成は上述したものに限定されるものではない。また、このような本発明の液体噴射ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、液体噴射装置に搭載される。図10は、その液体噴射装置の一例を示す概略図である。図10に示すように、液体噴射ヘッドを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8上に搬送されるようになっている。ここで、上述した実施形態においては、本発明の液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを説明したが、液体噴射ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED面発光ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも適用することができる。勿論、このような液体噴射ヘッドを搭載した液体噴射装置も特に限定されるものではない。さらに、本発明は、このような液体噴射ヘッドに圧力発生手段として搭載されるアクチュエーター装置を構成する圧電素子だけでなく、あらゆる装置に搭載されるアクチュエーター装置を構成する圧電素子に適用することができる。例えば、上述したヘッドの他に、センサー等にも適用することができる。"