第1面と、該第1面に対向する第2面を有する絶縁性基材と、前記絶縁性基材の前記第2面上に設けられた導電層と、前記絶縁性基材の前記第1面上に設けられるとともに所定の線幅を有する第1マイクロストリップラインと、電子部品の端子と電気的に接続される第1導電性パッドであって、前記絶縁性基材の前記第1面上に設けられ、かつ、前記第1マイクロストリップラインよりも低い特性インピーダンスを有する第1導電性パッドと、前記第1マイクロストリップラインの前記一端と前記導電性パッドを電気的に接続するよう前記第1マイクロストリップラインの前記一端と前記第1導電性パッドとの間に設けられた中継ラインであって、前記第1マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する第1中継ラインと、を備えた基板。前記導電層は、前記絶縁性基材の前記第2面のうち、前記絶縁性基材を介して前記第1マイクロストリップラインと対向する部分を含む一方、前記第1導電性パッドと対向する部分を含まない所定領域に配置されていることを特徴とする請求項1記載の基板。前記絶縁性基材の前記第1面上に設けられるとともに所定の線幅を有する第2マイクロストリップラインであって、前記第1マイクロストリップラインとともに差動マイクロストリップラインを構成する第2マイクロストリップラインと、前記絶縁性基材の前記第1面上に形成された第2導電性パッドであって、前記第1及び第2導電性パッドの差動インピーダンスが前記第1及び第2マイクロストリップラインの差動インピーダンスよりも低くなっている第2導電性パッドと、前記第2マイクロストリップラインの前記一端と前記第2導電性パッドを電気的に接続するよう前記第2マイクロストリップラインの前記一端と前記第2導電性パッドとの間に設けられた第2中継ラインであって、前記第2マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する第2中継ラインと、を更に備えたことを特徴とする請求項1記載の基板。前記導電層は、前記絶縁性基材の前記第2面のうち、前記絶縁性基材を介して前記第1及び第2マイクロストリップラインの双方と対向する部分を含む一方、前記第1及び第2導電性パッドの双方と対向する部分を含まない所定領域に配置されていることを特徴とする請求項3記載の基板。請求項1又は2記載の基板と、前記基板の前記第1導電性パッドと電気的に接続された少なくとも1つの端子を有する回路要素と、を備えた電子部品。前記回路要素は、前記基板の少なくとも一部を収納するハウジングと、前記基板の前記第1導電性パッドと前記端子とを電気的に接続した状態で保持する構造を有するコネクタを含むことを特徴とする請求項5記載の電子部品。前記基板の前記第1導電性パッドと前記回路要素の前記端子は、直接接触又は半田付けにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項5記載の電子部品。前記第1マイクロストリップラインから前記回路要素の前記端子に至る電気経路長は、当該電気経路を伝搬する信号に含まれる最大周波数の、実効誘電率における波長の1/4未満であることを特徴とする請求項5記載の電子部品。発明者は、上記従来技術について検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、従来の信号配線1図14では、導電性パッド3のように導体幅が大きくなると、特性インピーダンスが低く、かつ、容量成分C成分が大きくなる。一方、マイクロストリップライン2のように導体幅が小さくなると、特性インピーダンスが高くなり、かつ、誘導成分L成分も大きくなる。そのため、マイクロストリップライン2の一端と導電性パッド3の接続部分CO10が、当該信号配線1における特性インピーダンスの不連続点となる。このように信号伝送経路における不連続点の存在は、高周波特性の低下要因である反射を引き起こすことが知られている。上述のように、従来、高周波を伝送するため、基板は、特性インピーダンスを制御可能なマイクロストリップラインを用いて対応していたが、端子部やコネクタとの接続において、特性インピーダンスのミスマッチに起因した高周波特性の劣化が更なる高速信号伝送の弊害になりつつあった。本発明は上述のような従来技術の考察に基づいてなされたものであり、マイクロストリップラインを含みかつ良好な高周波特性を有する信号配線を、備えた基板及びそれを含む電子部品を提供することを目的としている。上述の課題を解決するため、本発明は、少なくともその表面に信号配線が設けられた、PCBに代表される基板に関し、絶縁性基材と、該絶縁性基材を挟む導電層及び第1高速信号配線を備える。絶縁性基材は、第1面と、該第1面に対向する第2面を有する。導電層は、絶縁性基材の第2面上に設けられ、代表的には、第1高速信号配線と対を成すグラウンドプレーンである。第1高速信号配線は、絶縁性基材の第1面上に設けられ、第1マイクロストリップラインと、別の回路要素におけるいずれかの端子と電気的に接続される第1導電性パッドと、第1中継ラインから構成されている。第1マイクロストリップラインは、所定の線幅を有する。第1導電性パッドは、第1マイクロストリップラインよりも低い特性インピーダンスを有する。第1中継ラインは、第1マイクロストリップラインの一端と導電性パッドを電気的に接続するよう第1マイクロストリップラインの一端と第1導電性パッドとの間に設けられている。第1中継ラインは、第1マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。なお、LSI等の電子デバイス用に用意される基板は、信号数の増加に対応するために多層構造の採用が一般的である。高速信号伝送用の信号配線としては、基板の最外層上に配置するときはマイクロストリップライン、該基板の内層に配置するときはストリップラインが適用される。高速信号の送信及び受信を行う電子デバイスは基板と半田により基板の最外層上の導体に接続される。しかしながら、基板の内層に配置されたストリップラインと最外層の導体を接続するためには、スルーホールが使用される。この場合、スルーホールも特性インピーダンスがコントロールされた伝送線路ではなく、高周波特性の劣化の原因となる。一方、送信用LSIの接続部から受信用LSIの接続部の間の基板上の配線をすべてマイクロストリップラインにすると、スルーホールによる信号劣化の原因を抑えることができる。そこで、本発明に係る基板では、高速信号配線の主要部として、マイクロストリップラインが採用されている。また、本発明に係る基板は、高速差動信号伝送を可能にする構成を備えてもよい。この場合、上記第1高速信号配線と対を成す第2高速信号配線も絶縁性基材の第1面上に配置される。この第2高速信号配線は、第2マイクロストリップラインと、第2導電性パッドと、第2中継ラインから構成されている。第2マイクロストリップラインは、所定の線幅を有し、かつ、第1マイクロストリップラインとともに差動マイクロストリップラインを構成する。第1及び第2導電性パッドの差動インピーダンスは、第1及び第2マイクロストリップラインの差動インピーダンスよりも低くなっている。第2中継ラインは、第2マイクロストリップラインの一端と第2導電性パッドを電気的に接続するよう第2マイクロストリップラインの一端と第2導電性パッドとの間に設けられている。第2中継ラインは、第2マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。上述のように、第1及び第2導電性パッドの導体幅は、それぞれ、第1及び第2マイクロストリップラインの線幅よりも太く設定されている。上述のように導体幅が広いと特性インピーダンスは低下するがC成分が大きくなる。一方、導体幅を細くすると特性インピーダンスは高くなりL成分も大きくなる。本発明に係る基板では、特性インピーダンスの低い導電性パッドと特性インピーダンスの高いマイクロクロストリップラインとの間に、マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することにより、マイクロストリップラインに接続される前に、導電性パッド部分の低いインピーダンスを中継ライン部分の高いインピーダンスで補償することができる。本発明に係る基板において、絶縁性基材の第2面上に設けられた導電層は、該絶縁性基材の第2面のうち、第1面上に設けられたマイクロストリップラインと対向する部分を含む一方、第1面上に設けられた導電性パッドと対向する部分を含まない所定領域に配置されてもよい。このように、第2面上に設けられた導電層のうち、絶縁性基材を介して導電性パッドの直下に位置する部分を除去しておくことにより、第1面上に設けられた高速信号配線の高周波特性を更に改善することが可能になる。上述のように絶縁性基材を介して導電性パッドの直下に位置する導電層の一部を除去することは、該導電性パッドの特性インピーダンスを高くすることができるので有効である。一方で、除去された導電層の一部の他に、更に別の絶縁性基材を介して別の導電層が存在する場合多層構造基板、該別の導電層と導電性パッドとのC結合の影響により所望の値まで当該導電性パッドの特性インピーダンスを高くすることができない場合がある。その場合でも、マイクロストリップラインと導電性パッドとの間に高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することが有効である。また、従来の高速信号配線に対して、絶縁性基材を介して導電性パッド直下に位置する導電層の一部を完全に除去してしまうと、高速信号配線間のクロストークや電磁障害EMIの問題が起こることがある。しかしながら、導電性パッドと対向している導電層の一部を完全になくすことは望ましくない場合などでも、中継ラインの追加のみで特性インピーダンスを調整又は補償しきれる場合もあり得る。なお、当該基板は、上述のように複数の絶縁性基材と複数の導電層とを交互に積層した多層構造が採用されてもよい。特に、多層構造の基板では、内層の導電層が絶縁性基材の面よりも小さい面積を有する場合、該小さい面積を有する導電層を挟む絶縁性基材同士が一体化された構造となる。ただし、本明細書では、1層の導電層を挟む絶縁性基材は、それぞれ別部材として規定するものとする。上述のような構造を有する本発明に係る基板は、電子デバイス、信号配線、コネクタ等の回路要素を含む電子部品への適用が可能である。すなわち、本発明に係る電子部品は、上述のような構造を有する基板本発明に係る基板と、回路要素を備え、該回路要素は、基板の高速信号配線の一部を構成する導電性パッドと電気的に接続された少なくとも1つの端子を有する。本発明に係る電子部品では、導体幅の大きな導電性パッドの他、コネクタ等の別の回路要素でもその特性インピーダンスが所望の値よりも低下している場合があり得る。このような場合でも、高速信号配線に一部として中継ラインが追加されることにより、信号伝送経路全体の特性インピーダンスを調整することが可能になる。なお、回路要素としてのコネクタは、基板の少なくとも一部を収納するハウジングと、該基板の導電性パッドに電気的に接続される端子と、基板を保持する構造を有する。また、導電性パッドと他の回路要素の端子は、直接接触又は半田付けにより電気的に接続される。さらに、本発明に係る電子部品において、マイクロストリップラインから他の回路要素の端子に至る電気経路長は、当該電気経路を伝搬する信号に含まれる最大周波数の、実効誘電率における波長の1/4未満であるのが好ましい。このように、マイクロストリップライン以外の中継ライン、導電性パッド、他の回路要素の端子は、特性インピーダンスの不連続を構成している。この不連続部分の長さに相当する電気経路長が伝送信号に含まれる最大周波数の実効誘電率における波長の1/4未満であれば、高速信号線路における電磁波の共振を効果的に抑制され得る。そのため、コネクタ等の他の回路要素の経路長が短ければ、高い周波数までこの効果を発揮することが可能になる。本発明によれば、特性インピーダンスの低い導電性パッドと特性インピーダンスの高いマイクロクロストリップラインとの間に、マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することにより、マイクロストリップラインに接続される前に、導電性パッド部の低いインピーダンスを中継ラインの高いインピーダンスで補償している。これにより、マイクロストリップラインと導電性パッドと間の接続部分インピーダンス不連続点で発生する信号反射を効果的に低減することが可能になる。特に、基板とコネクタの接続部では特性インピーダンスが低くなる傾向がある。そのため、この部分又はその周辺回路の特性インピーダンスを高くすると、低くなった特性インピーダンスを補償をすることができる。このインピーダンス補償は、例えばC成分をCとし、L成分をLとしたときに、以下の式1で与えられる値が所望の特性インピーダンスに近くなるように調整するのがよい。さらに、特性インピーダンスが低くなる部分の電気経路長が、伝送信号に含まれる最大周波数の実効誘電率における波長の1/4未満であれば、該インピーダンス低下部分における反射がさらに小さくなり、特性インピーダンスを一定に維持する上でより効果的である。以下、この発明に係る基板及び電子部品の各実施形態を、図1~図13を用いて詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。また、必要に応じて従来の高速信号配線の構成を示す図14も参照する。図1は、本発明に係る基板の概略構成を説明するための斜視図である。また、図2は、図1に示された基板10の表面上に設けられた第1高速信号配線100又は第2高速信号配線200の構成を示す平面図である。図1に示されたように、本願発明に係る基板は、複数の絶縁性基材20、40、60と、グラウンドプレーンとして機能する複数の導電層30、50が交互に積層された多層構造を有する、PCBに代表される基板である。特に、最表部に位置する絶縁性基材20は、基板10の上面に相当する第1面21と、該第1面21に対向する第2面を有する。絶縁性基材20の第1面21上には、差動信号伝送を可能にするため、対を成す第1高速信号配線100と第2高速信号配線200が設けられ、第2面22上にはグラウンドプレーン30が設けられている。第1高速信号配線100は、第1マイクロストリップライン110と、第1導電性パッド120と、第1マイクロストリップライン110と第1導電性パッド120を連絡する第1第1中継ライン130から構成されている。一方、第2高速信号配線200は、第1マイクロストリップライン110と差動マイクロストリップラインを構成する第2マイクロストリップライン210と、第2導電性パッド220と、第2マイクロストリップライン210と第2導電性パッド220を連絡する第2中継ライン230から構成されている。さらに、絶縁性基材20の第1面21上には、第1及び第2導電性パッド120、220の双方を挟むように、グラウンド用の導電性パッド300、400が配置されている。絶縁性基材20には、その内面上に導体部材が設けられた貫通孔350、450が設けられており導電性パッド300、400のそれぞれは、貫通孔300、400の内面上に設けられた導体部材を介してグラウンドプレーン30に電気的に接続されている。なお、上記絶縁性基材20、40、60それぞれの材料は、ガラス繊維入りエポキシ樹脂等の誘電体からなる。また、基材材料は、ガラス繊維の代わりに紙を含んでもよいし、エポキシ樹脂の代わりにフェノール樹脂やポリアミド樹脂を含んでもよい。導電層30、50それぞれの材料は、一般に銅が使用されるが、銅以外にも銀や金が使用されてもよい。上記高速信号配線の材料も、導電層材料と同じでよい。また、その他の材料が意図された応用例には適宜選択される。さらに、積層された2枚の絶縁性基材の間には、上記1枚の導電層に代えて、絶縁性基材よりも高い誘電率を有する誘電体層と、該誘電体層を挟み、協働してコンデンサを構成する2枚の導電層で構成された層構造が配置されてもよい。このような層構造としては、例えば、スリーエム社製のEmbeddedCapacitorMaterialECMが使用可能である。ECMは、高誘電材料を柔軟性のあるシート状に形成したものである。このような基板は、印刷回路板を作製する方法によって、作製することができる。第1高速信号配線100は、図2に示されたように、第1マイクロストリップライン110と、第1導電性パッド120と、第1中継ライン130から構成されている。なお、第2高速信号配線200についても同様に構成されている。第1マイクロストリップライン110は、高速信号伝送用にその特性インピーダンスが調整された線幅W1中心線AXに直交する方向に沿った幅を有する。第1導電性パッド120の導体幅は、コネクタなどの他の回路要素との接触マージンを確保するため、第1マイクロストリップライン110の一端に向かって伸びた当該第1導電性パッド120の長手方向図2中の第1高速信号線100の中心線AXに相当に直交する方向の幅W2>Wである。第1中継ライン130は、第1マイクロストリップライン110と第2導電性パッド120との間に配置され、一端が第1マイクロストリップライン110の一端に接続される一方、他端が第1導電性パッド120に接続されている。また、第1中継ライン130は、第1マイクロストリップライン110の線幅W1よりも細い線幅W3<W1を有する。ここで、第1マイクロストリップライン110、第1導電性パッド120、及び第1中継ライン130は、それぞれ異なる導体幅を有し、特性インピーダンスも異なっている。そのため、第1導電性パッド120と第1中継ライン130の接続点CO1と、第1マイクロストリップライン110と第1中継ライン130の接続点CO2は、特性インピーダンスの不連続点となっている。換言すれば、第1高速信号配線において、第1導電性パッド120及び第1中継ライン130が該第1高速信号配線における特性インピーダンスの不連続区間の一部を構成していることになる。なお、図2に示された高速信号配線は、直線形状を有するが、所定曲率の曲がった部分を有する形状であってもよい。また、上述のように基板上の信号配線は、導体幅が大きくなるほどその特性インピーダンスは低下する傾向にある。したがって、本願発明は、図2に示されたように、低い特性インピーダンスを有する導電性パッドと高い特性インピーダンスを有するマイクロストリップラインとの間に、マイクロストリップラインよりも更に高い特性インピーダンスを有する中継ラインを配置することにより、導電性パッドとマイクロストリップラインとの間のインピーダンス補償を行っている。図3は、第1実施形態に係る基板の構成を示す平面図及び側面図である。この第1実施形態に係る基板10aは、2枚の絶縁性基材と2枚の導電層が交互に積層された多層構造を有し、基板裏面に相当する面に設けられたグラウンドプレーン50a導電層と、該グラウンドプレーン50a上に設けられた絶縁性基材40aと、該絶縁性基材40a上に設けられたグラウンドプレーン30a導電層と、該グラウンドプレーン30a上に設けられた絶縁性基材20aを備える。絶縁性基材20aの第1面21aグラウンドプレーン30aとの接触面に対向する面は基板10aの上面に相当する。絶縁性基材20aの第1面21a上には、差動信号伝送を担う2本の高速信号配線第1高速信号配線100a、第2高速信号配線200aが形成されるとともに、グラウンド用の導電性パッド300a、400aも形成されている。ここで、第1高速信号配線100aは、高速信号伝送用に設計された第1マイクロストリップライン110aと、第1導電性パッド120aと、第1マイクロストリップライン110aと第1導電性パッド120aとの間に配置された第1中継ライン130aから構成されている。第2高速信号配線200aは、高速信号伝送用に設計された第2マイクロストリップライン210aと、第2導電性パッド220aと、第2マイクロストリップライン210aと第2導電性パッド220aとの間に配置された第2中継ライン230aから構成されている。第1面21aにおいて、グラウンド用の導電性パッド300aが形成された領域内には、グラウンドプレーン30aを介してグラウンドプレーン50aにまで到達する貫通孔350aが形成されており、該貫通孔350aの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド300aがグラウンドプレーン30a、50aの双方に電気的に接続されている。同様に、第2面21aにおいて、グラウンド用の導電性パッド400aが形成された領域内には、グラウンドプレーン30aを介してグラウンドプレーン50aにまで到達する貫通孔450aが形成されており、該貫通孔450aの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド400aもグラウンドプレーン30a、50aの双方に電気的に接続されている。図4は、第2実施形態に係る基板の構成を示す平面図及び側面図である。この第2実施形態に係る基板10bも、第1実施形態に係る基板10aと同様に、2枚の絶縁性基材と2枚の導電層が交互に積層された多層構造を有し、基板裏面に相当する面に設けられたグラウンドプレーン50b導電層と、該グラウンドプレーン50b上に設けられた絶縁性基材40bと、該絶縁性基材40b上に設けられたグラウンドプレーン30b導電層と、該グラウンドプレーン30b上に設けられた絶縁性基材20bを備える。絶縁性基材20bの第1面21bグラウンドプレーン30bとの接触面に対向する面は基板10bの上面に相当する。絶縁性基材20bの第1面21b上には、差動信号伝送を担う2本の高速信号配線第1高速信号配線100b、第2高速信号配線200bが形成されるとともに、グラウンド用の導電性パッド300b、400bも形成されている。ただし、この第2実施形態に係る基板10bでは、絶縁性基材20bと絶縁性基材40bとに挟まれたグラウンドプレーン30bの一部が除去されている。第1高速信号配線100bは、高速信号伝送用に設計された第1マイクロストリップライン110bと、第1導電性パッド120bと、第1マイクロストリップライン110bと第1導電性パッド120bとの間に配置された第1中継ライン130bから構成されている。第2高速信号配線200bは、高速信号伝送用に設計された第2マイクロストリップライン210bと、第2導電性パッド220bと、第2マイクロストリップライン210bと第2導電性パッド220bとの間に配置された第2中継ライン230bから構成されている。第1面21bにおいて、グラウンド用の導電性パッド300bが形成された領域内には、グラウンドプレーン30bを介してグラウンドプレーン50bにまで到達する貫通孔350bが形成されており、該貫通孔350bの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド300bがグラウンドプレーン30b、50bの双方に電気的に接続されている。同様に、第2面21bにおいて、グラウンド用の導電性パッド400bが形成された領域内には、グラウンドプレーン30bを介してグラウンドプレーン50bにまで到達する貫通孔450bが形成されており、該貫通孔450bの内面に設けられた導体部材を介して、グラウンド用の導電性パッド400bもグラウンドプレーン30b、50bの双方に電気的に接続されている。上述のように構成された第2実施形態に係る基板10bでは、グラウンドプレーン30bの一部、すなわち、絶縁性基材20bを介して導電性パッド120b、220b、300b、400bの直下に位置する部分が除去されている。特に高速信号配線100b、200bに関して、このように絶縁性基材20bを介して第1及び第2導電性パッド120b、220bの直下に位置するグラウンドプレーン30bの一部を除去することは、該第1及び第2導電性パッド120b、220bそれぞれの特性インピーダンスを高くすることができるので有効である。ただし、図4に示された例では、除去されたグラウンドプレーン30bの一部の他に、更に別の絶縁性基材40bを介して別のグラウンドプレーン50bが存在する。この場合、グラウンドプレーン50bと第1及び第2導電性パッド120b、220bとのC結合の影響により所望の値まで当該第1及び第2導電性パッド120b、220bそれぞれの特性インピーダンスを高くすることができない場合がある。その場合でも、第1マイクロストリップライン110bと第1導電性パッド120bとの間、第2マイクロストリップライン210bと第2導電性パッド220bとの間それぞれに、高い特性インピーダンスを有する第1及び第2中継ライン130b、230bが配置されることで、当該第1及び第2高速信号配線100b、200bそれぞれの特性インピーダンス調整又は補償が可能になる。なお、図4に示された第2実施形態に係る基板10bは、上述のようにグラウンドプレーン30bの一部が除去されることにより、絶縁性基材20bと絶縁性基材40bが一体化された構造となる。ただし、本明細書では、1枚のグラウンドプレーン30bを挟む絶縁性基材20b、40bは、それぞれ別部材として取り扱うものとする。ここで、大量かつ高速の信号伝送を担う信号配線は高密度化と良好な高周波特性が要求されるのは上述のとおりである。基板などに設けられた信号配線の高密度化は、線自体の細幅化と他の回路要素電子デバイス、コネクタ等の端子間隔を狭小化により実現される。一方、信号配線の良好な高周波特性を実現するためには、該信号配線における反射、挿入損失、クロストークの低減が重要となってくる。上記基板では、信号配線における反射の低減は、当該信号配線全体に亘って特性インピーダンスを一定に保つことが最も好ましい。ここで、特性インピーダンスは、信号用導体の幅、信号用導体とグラウンド用導体との距離、信号用導体とグラウンド用導体の間に位置する誘電体材料の厚み、該誘電体材料の誘電率、さらに、差動信号伝送をする場合は、2本の信号用導体間の距離も影響する。図14に示されたように、絶縁性基材の表面に形成されたマイクロストリップラインに関しては、その特性インピーダンスの制御は容易であり、1本の信号配線とグラウンドプレーンによるシングルエンド伝送において、特性インピーダンスZoは以下の式2で決定される。また、差動信号伝送用の差動マイクロストリップラインの場合、その差動インピーダンスZdiffは以下の式3で決定される。信号配線における挿入損失を小さく抑えるには、反射損失、導体損失、誘電体損失を小さく抑えることが有効であるが、上述のように反射の低減も一つの手段となる。信号配線間のクロストークは、容量結合C結合、誘導結合L結合により発生する。C結合は、隣接する信号配線間の距離が小さいと大きくなるため、信号配線の高密度化に伴い信号端子例えば図14の導電性パッド3間の距離が小さくなるとクロストークの原因となる。ただし、信号配線の近傍にグラウンド用の導体パターンがあると、信号用導体とグラウンド用導体との容量が大きくなり、クロストークが低下する。そこで発明者は、上述のような構造を有する第1及び第2実施形態に係る基板について、その特性インピーダンス及び挿入損失を、従来の基板図14参照を比較対象として図7にその一例を示す差動信号伝送モデルを用いてシミュレーションした。図5は、第1実施形態、第2実施形態、及び従来の各基板いずれも差動信号伝送を行うための差動マイクロストリップラインが形成されているについて、その差動インピーダンスを反射率測定法TDR:TimeDomainReflectometryによりシミュレーションした結果を示すグラフである。この図5において、縦軸はシミュレーションのために用意された差動信号伝送モデルの各差動インピーダンスを示し、横軸は時間を示す。更に、図5において、グラフG510は従来の基板図14参照を含み差動信号伝送モデルの差動インピーダンスを示し、グラフG520は第1実施形態に係る基板図3参照を含む差動信号伝送モデルの差動インピーダンスを示し、そして、グラフG530は第2実施形態に係る基板図4参照を含む差動信号伝送モデルの差動インピーダンスを示す。一方、図6は、第1実施形態、第2実施形態、及び従来の各基板いずれも差動信号伝送を行うための差動マイクロストリップラインが形成されているについて、その挿入損失をシミュレートした結果を示すグラフである。この図6において、縦軸はシミュレーションのために用意された差動信号伝送モデルの各挿入損失を示し、横軸は伝送される信号周波数周を示す。更に、図6において、グラフG610は従来の基板図14参照を含み差動信号伝送モデルの挿入損失を示し、グラフG620は第1実施形態に係る基板図3参照を含む差動信号伝送モデルの挿入損失を示し、そして、グラフG530は第2実施形態に係る基板図4参照を含む差動信号伝送モデルの挿入損失を示す。図5及び図6のシミュレーション結果を得るため、発明者は、CST社MW-STUDIOのトランジェントソルバーTransientsolverにて3次元電磁界シミュレーションを行い、差動信号伝送のTDRと挿入損失計算を行った。なお、図7に示された差動信号伝送モデルシミュレーションモデルは、一例として、第2実施形態に係る基板10cが組み込まれたモデルである。この差動信号伝送モデルにおいて、接続側基板1000と、接続用コネクタCは各モデルに共通の構成要素であり、シミュレーション対象の基板のみが、取り替えられる。シミュレーション条件としては、電磁波の励起はモデルの基板端面に相当するところに設定したウェーブガイドポートにより行い、境界条件は損失のある導体壁Conductingwallとした。また、コネクタCのハウジング材料は誘電率4に設定し、基板材料の誘電率は4.3に設定し、そして、各端子は完全導体に設定した。図7に示された差動信号伝送モデルを構成する各基板及びコネクタについては、内部構造を明確に表現するため、絶縁材料部分は省略されている。この図7において、各シミュレーションに共通の接続用基板1000には差動信号配線として、従来の差動マイクロストリップラインが形成されている。この接続用基板1000の絶縁性基材内にはグラウンドプレーン1100が包埋され、その裏面にはグラウンドプレーン1200が設けられている。接続用基板1000の上面には、第1高速信号配線2000と、第2高速信号配線3000が配置されている。第1高速信号配線2000は、差動信号伝送用の第1マイクロストリップライン2100と、それに接続された第1導電性パッド2200から構成されている。第2高速信号配線3000は、第1マイクロストリップライン2100と差動信号伝送用に対を成す第2マイクロストリップライン3100と、それに接続された第2導電性パッド3200から構成されている。さらに、接続用基板1000の上面には、グラウンド用の導電性パッド4000、5000が設けられている。これら導電性パッド4000、5000が形成された領域内には、グラウンドプレーン1100を介してグラウンドプレーン1200にまで到達する貫通孔4500、5500がそれぞれ形成されており、これら貫通孔4500、5500の内面に設けられた導体部材4510、5510を介して、導電性パッド4000、5000のそれぞれが、グラウンドプレーン1100、1200の双方に電気的に接続されている。なお、グラウンドプレーン1100は、絶縁性基材を介して導電性パッド2200、3200、4000、5000それぞれの直下に位置する部分が除去された形状を有する。なお、接続用基板1000において、第1及び第2マイクロストリップライン2000、3000の差動インピーダンスは100Ωに設定されている。また、第1及び第2導電性パッド2200、3200のサイズは0.28mm×1.3mm導体幅×パッド長に設定されている。一方、シミュレーション対象の基板10c図7の例では第2実施形態に係る基板に相当は、高速信号配線100c、200cの構造を除き、上述の接続用基板1000と同様の構造を有する。すなわち、基板10cの絶縁性基材内にはグラウンドプレーン30cが包埋され、その裏面にはグラウンドプレーン50cが設けられている。基板10cの上面には、第1高速信号配線100cと、第2高速信号配線200cが配置されている。第1高速信号配線100cは、差動信号伝送用の第1マイクロストリップライン110cと、第1導電性パッド120cと、これらを接続する第1中継ライン130cから構成されている。第2高速信号配線200cは、第1マイクロストリップライン110cと差動信号伝送用に対を成す第2マイクロストリップライン210cと、第2導電性パッド220cと、これらを接続する第2中継ライン230cから構成されている。さらに、基板10cの上面には、グラウンド用の導電性パッド300c、400cが設けられている。これら導電性パッド300c、400cが形成された領域内には、グラウンドプレーン30cを介してグラウンドプレーン50cにまで到達する貫通孔350c、450cがそれぞれ形成されており、これら貫通孔350c、450cの内面に設けられた導体部材351c、451cを介して、導電性パッド300c、400cのそれぞれが、グラウンドプレーン30c、50cの双方に電気的に接続されている。なお、グラウンドプレーン30cは、絶縁性基材を介して導電性パッド120c、220c、300c、400cそれぞれの直下に位置する部分が除去された形状を有する。なお、基板10cにおいて、第1及び第2マイクロストリップライン100c、200cの差動インピーダンスは100Ωに設定されている。また、導電性パッド300c、120c、220c、400c間のピッチは0.65mmに設定され、第1及び第2導電性パッド120c、220cのサイズは0.33mm×1.0mm導体幅×パッド長に設定されている。さらに、第1及び第2中継ライン130c、230cのサイズは、1.3mm×0.13mmライン長×線幅に設定されている。各シミュレーションに共通のコネクタCは、絶縁性材料からなるハウジング内に4系統の電気経路を有する。このコネクタCにおいて、第1電気経路はコネクタピンC10により構成され、コネクタピンC10は、接続用基板1000に設けられたグラウンド用の導電性パッド5000の領域P21に直接接触する端子部C11と、シミュレーション対象の基板10cに設けられたグラウンド用の導電性パッド300cの領域P11に直接接触する端子部C12を有する。第2電気経路はコネクタピンC20により構成され、コネクタピンC20は、接続用基板1000に設けられた第2導電性パッド3200の領域P22に直接接触する端子部C21と、基板10cに設けられた第1導電性パッド120cの領域P12に直接接触する端子部C22を有する。第3電気経路はコネクタピンC30により構成され、コネクタピンC30は、接続用基板1000に設けられた第1導電性パッド2200の領域P23に直接接触する端子部C31と、基板10cに設けられた第2導電性パッド220cの領域P13に直接接触する端子部C32を有する。第4電気経路はコネクタピンC40により構成され、コネクタピンC40は、接続用基板1000に設けられた導電性パッド4000の領域P24に直接接触する端子部C41と、基板10cに設けられた導電性パッド400cの領域P14に直接接触する端子部C42を有する。以上の構成により、図7に示された例の差動信号伝送モデルでは、グラウンド用の導電性パッド300c、5000がコネクタピンC10を介して電気的に接続され、グラウンド用の導電性パッド400c、4000がコネクタピンC40を介して電気的に接続される。また、基板10cの第1マイクロストリップライン110cは、コネクタピンC20を介して接続用基板1000の第2マイクロストリップライン3100に電気的に接続され、基板10cの第2マイクロストリップライン210cは、コネクタピンC30を介して接続用基板1000の第1マイクロストリップライン2100に電気的に接続される。なお、接続用基板1000における接続領域P21~P24から基板10cにおける接続領域P11~P14までの距離は5.7mmに設定されている。図5から分かるように、矢印COで示された部位において、従来の基板グラフG510では、導電性パッドの存在により、急激に差動信号伝送における特性インピーダンスの落ち込みが発生している。一方、第1及び第2実施形態に係る基板グラフG520、530では、矢印COで示された部位において、差動信号伝送における特性インピーダンスピークが発生している。これはマイクロストリップラインと導電性パッドの間に追加された中継ラインが寄与しており、導電性パッドの存在により発生する特性インピーダンスの落ち込みが、グラフG510よりはグラフG520の方が、更には、グラフG520よりもグラフG530の方が緩和されている。以上のように、第1及び第2実施形態に係る基板では、従来の基板と比較して、目標値差動特性インピーダンス:100Ωに対する変動幅を効果的に抑制していることが分かる。したがって、本発明に係る基板は、従来の基板と比較しても、高速信号配線における特性インピーダンスの安定性を向上させるために有効であることが分かる。また、図6からも分かるように、従来の基板グラフG610の挿入損失は、8GHzを越えたあたりから急激に低下することが分かる。一方、第1実施形態に係る基板グラフG620では、8GHzを越える高周波域において、従来の基板よりも確実に挿入損失が改善されている。特に10GHzを超えた周波数領域では、この改善傾向は、第2実施形態に係る基板グラフG630の場合に顕著になっている。なお、高速信号配線において特性インピーダンスの安定性に影響を与える回路要素は、マイクロストリップラインを除いた、コネクタを含む電気経路である。図8は、図7に示されたシミュレーションモデルを例に、特性インピーダンスの不連続区間の電気経路長を説明するための斜視図である。この図8に示された例では、本願発明に係る高速信号配線100dと従来の高速信号配線3000aがコネクタピンC100を介して接続されている。特に、高速信号配線100dは、マイクロストリップライン110dと、導電性パッド120dと、中継ライン130dから構成され、従来の高速信号配線3000aは、マイクロストリップライン3100aと導電性パッド3200aから構成されている。また、導電性パッド3000aがコネクタピンC100の端子部C110と接触し、導電性パッド120dがコネクタピンC100の端子部C120に接触することにより、マイクロストリッピライン3000aとマイクロストリップライン110dが電気的に接続されている。図8の構成において、特性インピーダンスの不連続区間の長さ電気経路長は、中継ライン130dが占める区間Lc、導電性パッド120dの一部が占める区間Lb2、コンタクトピンC100の占める区間La、導電性パッド3200aの一部が閉める区間Lb1の合計である。このように定義される電気経路長は、該電気経路を伝搬する信号に含まれる最大周波数の、実効誘電率における波長の1/4未満であるのが好ましい。このように、特性インピーダンスの不連続部分の長さに相当する電気経路長が伝送信号に含まれる最大周波数の実効誘電率における波長の1/4未満であれば、高速信号線路における電磁波の共振を効果的に抑制され得るからである。したがって、中継ラインのライン長は、特性インピーダンスの不連続区間の長さ、すなわちこの区間の電気経路長の範囲内で設定されるのが好ましい。次に、上述のような構造を有する基板本発明に係る基板が適用された、本願発明に係る電子部品の各実施形態について、図9~図13を参照しながら詳細に説明する。通常、基板間の電気的接続は、コネクタなどの回路要素を介して行われることが多い。しかしながら、コネクタ自身、及び、コネクタと基板との接続部は、構造や材料が均一でないため、この部分における信号伝送経路の特性インピーダンスが変化し高周波特性が著しく低下してしまう。例えばコネクタの場合、接触信頼性を維持するためのばね設計を始め、端子の樹脂ハウジングへの保持や剛性等、さまざまな機能を構造的に実現する必要がある。そのため、当該コネクタは複雑な形状となる。一例として、カードエッジコネクタと基板との接続部は、カードエッジコネクタの端子と基板との位置ずれを吸収するため、該基板上の接続用パッド図14の導電性パッド3に相当の幅を広く取る必要があり、したがってパッド幅は、高速信号伝送用に設計されたマイクロストリップラインよりも導体幅が広くなる場合が多い。このようにカードエッジコネクタと基板との接続部分に関しては、基板上に配置される接続用パッドは導体幅自体が広いことに加え、基板上のパッド間スペースが小さいこと、コネクタ端子が接続用パッド上に存在すること、信号用導体とグラウンド用導体の対向面積が大きいこと、差動信号伝送用途においてはグラウンド用導体との対向面積の大きさに加えて対を成す2本の信号用導体の対向面積が大きいこと、高密度化に伴い配線間や端子間距離が小さくなる傾向があること、などの理由から、上記接続部における特性インピーダンスが所望の値より低くなる。上述のようにコネクタ及びその周辺回路は、基板の制御された特性インピーダンスからはずれており、信号の反射の原因となる。しかしながら、コネクタ自身の特性インピーダンスのミスマッチは、特性インピーダンスの不連続部分の長さが短いほど小さくなる。特に、種々のコネクタの中でも上記カードエッジコネクタは、2ピースコネクタなどと比較してもコネクタの電気長が短く、高周波特性がよい。そのため、基板に接続されるコネクタにはカードエッジコネクタがよく利用されている。なお、信号周波数が高くなると、小さな特性インピーダンスのミスマッチも信号品質に影響するが、上述の理由から、信号品質が重要な高速信号伝送には、コネクタから電子デバイスLSI等までの信号配線としてマイクロストリップラインを利用することが多いのが現状である。特に近年、信号周波数が高くなり、特性インピーダンスのずれにより、カードエッジコネクタをマイクロストリップラインの基板と組み合わせて使うだけでは不十分な場合がでてきた。更に、カードエッジコネクタにおいて、当該コネクタと基板の接続部のパッド幅が広いことに起因して特性インピーダンスが低くなる部分による信号の高周波特性の劣化の影響も顕著になってきた。本願発明に係る基板は、上記特許文献1~3に記載されたカードエッジコネクタへの適用へも好適である。特に、上記特許文献1の図11のような絶縁性ハウジングを有するコネクタ、すなわち、バネ側端子の変位を絶縁性ハウジングの形状に沿わせて行うコネクタは、接触時の端子の応力を分散することができる。一方、端子の一部を固定することによりバネを構成するコネクタで応力分散を実現しようとすると、長い端子が必要になるが、この構造では、短い端子で同じ内部応力にて同じ接触力を実現することができる。このようなカードエッジコネクタと本願発明に係る基板の組合せにより、優れた高周波特性を実現することができる。図9及び図10には、上記カードエッジコネクタのより具体的な構造が示されている。なお、図9は、本発明に係る電子部品の一実施形態として、本実施形態に係る基板が適用されたカードエッジコネクタの一例を示す斜視図である。また、図10は、図9中に示されたコネクタ部分の、I-I線に沿った構造を示す断面図である。図9及び図10に示されたように、差動信号伝送用の2本のマイクロストリップライン511、512が設けられた基板510上にはカードエッジコネクタ520が搭載されている。また、このカードエッジコネクタ520は、図9中の矢印AR1に沿って基板530の一端導電性パッドが形成された側の一端が差し込まれた状態で、該基板530を保持する構造を備える。基板530の表面には、本実施形態における高速信号配線マイクロストリップライン、中継ライン、導電性パッドと同様の構造を有する差動信号伝送用の2本の高速信号配線100e、200eが配置されている。また、この基板530の表面にはグラウンド用の導電性パッド300e、400eも配置されている。カードエッジコネクタ520は、絶縁性材料からなるハウジング521を備える。このハウジング521は、基板530の一端導電性パッドが配置されているた側の一端が挿入される収納空間522を有するとともに、該収納空間522に収納された基板530の両側に位置するよう配置された1対のコンタクトピンを備える。一方のコンタクトピンは、基板530が空間522に挿入されたときに矢印AR31に沿って撓む端子部524aを有するとともに、ハウジング521の外部に露出している端子部523aを有する。他方のコンタクトピンは、基板530が空間522に挿入されたときに矢印AR32に沿って撓む端子部524bを有するとともに、ハウジング521の外部に露出している端子部523bを有する。基板530は、端子部524a、524bの弾性力によりハウジング521内において保持される。なお、端子部523bは、基板510上に配置されたマイクロストリップライン511、512の一端に電気的に接続された導電性パッドに半田付けされている。さらに、図11は、本発明に係る基板の他の実施形態として、本発明に係る電子部品へ適用可能な構造を示す展開図である。この図11に示された基板600は、例えば図12に示されたようなケーブルコネクタへの適用に適している。すなわち、図11に示された基板600は、グラウンドプレーン630が絶縁性基材610、620により挟まれた構造を有し、その側面からはグラウンドプレーン630の一部が露出している。一方、他の側面一方の信号配線用端子が設けられている側601、602にはグラウンドプレーン630は露出していない。すなわち、この基板600は、絶縁性基材を介して信号配線用端子の直下には、グラウンドプレーンが存在しない構成が採用されている。基板600の裏面621上には、本実施形態における高速信号配線651、652が配置されている。これら高速信号配線651、652は、信号配線用端子661と、該裏面621と上面631とを連絡するスルーホール端子662を含み、マイクロストリップラインとこれら端子間には、該マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインが配置されている。同様に、基板600の上面631上には、本実施形態における高速信号配線653、654が配置されている。これら高速信号配線653、654も、信号配線用端子663と、裏面621上に配置されたスルーホール端子664と電気的に接続された信号配線用端子664を含み、マイクロストリップラインとこれら端子間には、該マイクロストリップラインよりも高い特性インピーダンスを有する中継ラインが配置されている。上述のような構造を有する基板600は、例えば上記特許文献4及び5に記載されたようなケーブルコネクタ等への適用が可能である。なお、図12は、本発明に係る電子部品の他の実施形態として、図11に示された本実施形態に係る基板が適用されたケーブルコネクタの一例を示す斜視図一部破断図である。図12には、異なる形状の接続部分を有するケーブルコネクタ710、720が示されているケーブルコネクタ710は、4芯ケーブルとコネクタボディ711と、接続用端子714を内蔵するジョイント部712を備える。コネクタボディ711内には、図11に示された基板600と同じ構造の基板630a絶縁性基材内にグラウンドプレーン630aが包埋されているが収納されており、その表面には両端に中継ラインが接続されたマイクロストリップライン650aと、信号配線用端子663a、664aが配置されている。信号配線用端子663aは、それぞれ、ケーブル712の各導体芯に、半田671により電気的に接続されている。一方、信号配線端子664aは、それぞれ接続用端子714に、半田672により電気的に接続されている。一方、ケーブルコネクタ720は、多芯ケーブル722と、コネクタボディ721と、ケーブルコネクタ710のジョイント部713を位置決めした状態で収納するスリーブ部723を有する。コネクタボディ721及びスリーブ部723内には、図11に示された基板600と同じ構造の基板630b絶縁性基材内にグラウンドプレーン630aが包埋されているが収納されており、その表面には両端に中継ラインが接続されたマイクロストリップライン650bと、信号配線用端子663bが配置されている。ケーブルコネクタ710のジョイント部713がケーブルコネクタ720のスリーブ部723に収納されると同時に、基板600bの端部信号配線用端子663bが配置された側の端部が、接続用端子714により把持されることにより、ケーブルコネクタ710とケーブルコネクタ720が接続される。なお、図12の例では、基板600bを接続用端子714の弾性力を利用して把持しているが、この基板600bの保持構造は、例えば上記特許文献4に示されたように、コンプレッションマウント構造により、電気的な接続状態を維持した状態で、基板600bを保持する構造であってもよい。さらに、図13は、本発明に係る電子部品の他の実施形態として、2ピースコネクタの一例を示す斜視図である。この図13に示された例では、基板810に搭載されたコネクタ813と、基板820に搭載されたコネクタ823とを介して、基板810上に配置された高速信号配線850と、基板820上に配置された高速信号配線不図示とが電気的に接続される。基板810は、コネクタ813が搭載される上面811と、該上面とグラウンドプレーンを挟むように対向する裏面812を有する。また、基板820も、コネクタ823が搭載された上面822と、グラウンドプレーンを介して上面と対向する裏面821を有する。基板810の上面811上に搭載されるコネクタ813は、基板820の上面822上に搭載されたコネクタ823のコネクタピン824を、電気的に接続した状態で収納する複数の開口814を備え、端子815は基板810の上面811上に配置された高速信号配線850の導電性パッドに半田付けされる。