第1電極、第2電極及び第1電極と第2電極の間に置かれた有機層を含む有機電子デバイスであって、有機層が、下記式:Iの有機金属錯体及び下記式:IIの化合物を含み、式中、R1及びR2が、互いに独立して、F、C1~C8アルキル又は1つ以上のC1~C8アルキル基で場合により置換されていてもよいC6~C18アリールであるか、或いは、2つの置換基R1及び/又はR2が組み合わされて、1つ以上のC1~C8アルキル基で場合により置換されていてもよい縮合ベンゼン環基を形成し、a及びbが、互いに独立して、0又は1~3の整数であり、R81、R82、R83、R84、R81’、R82’、R83’及びR84’が、互いに独立して、H、C1~C18アルキル、Eで置換されている及び/若しくはDで中断されているC1~C18アルキル、C6~C24アリール、Gで置換されているC6~C24アリール、C2~C20ヘテロアリール又はGで置換されているC2~C20ヘテロアリールであり、Qが、アリーレン又はヘテロアリーレン基であり、それぞれGで場合により置換されていてもよく、Dが、-CO-;-COO-;-S-;-SO-;-SO2-;-O-;-NR25-;-SiR30R31-;-POR32-;-CR23=CR24-;又は-C≡C-であり;そして、Eが、-OR29;-SR29;-NR25R26;-COR28;-COOR27;-CONR25R26;-CN;又はFであり、Gが、E、C1~C18アルキル、Dで中断されているC1~C18アルキル、C1~C18ペルフルオロアルキル、C1~C18アルコキシ又はEで置換されている及び/若しくはDで中断されているC1~C18アルコキシであり、ここで、R23及びR24が、互いに独立して、H、C6~C18アリール;C1~C18アルキル若しくはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;C1~C18アルキル;又は-O-で中断されているC1~C18アルキルであり;R25及びR25が、互いに独立して、C6~C18アリール;C1~C18アルキル若しくはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;C1~C18アルキル;又は-O-で中断されているC1~C18アルキルであるか;或いはR25及びR26が、一緒になって5員又は6員環を形成し、R27及びR28が、互いに独立して、C6~C18アリール;C1~C18アルキル若しくはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;C1~C18アルキル;又は-O-で中断されているC1~C18アルキルであり、R29が、C6~C18アリール;C1~C18アルキル若しくはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;C1~C18アルキル;又は-O-で中断されているC1~C18アルキルであり、R30及びR31が、互いに独立して、C1~C18アルキル、C6~C18アリール又はC1~C18アルキルで置換されているC6~C18アリールであり、R32が、C1~C18アルキル、C6~C18アリール又はC1~C18アルキルで置換されているC6~C18アリールであり、Mが、アルカリ金属原子又はアルカリ土類金属原子であり、nが、Mがアルカリ金属原子である場合は1であり、Mがアルカリ土類金属原子である場合は2である有機電子デバイス。Qが、下記式:式中、R85は、H、C1~C18アルキル、Eで置換されている及び/若しくはDで中断されているC1~C18アルキル、C6~C24アリール、Gで置換されているC6~C24アリール、C2~C20ヘテロアリール又はGで置換されているC2~C20ヘテロアリールであり、そしてD、E及びGは、請求項1に定義されたとおりであるの基である、請求項1記載の有機電子デバイス。式IIの化合物が、下記式:IIb式中、Qは、下記:であり、R85は、H又はC1~C18アルキルであり、そしてR85は、H、C1~C18アルキル又は下記:であるの化合物である、請求項2記載の有機電子デバイス。式IIbの化合物が、下記式:の化合物である、請求項3記載の有機電子デバイス。MがLi、Na又はKであり、そしてnが1である、請求項1~4のいずれか1項記載の有機電子デバイス。式Iの化合物が、下記式:の化合物である、請求項5記載の有機電子デバイス。陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔及び励起子障壁層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を含む有機発光デバイスであり、式I及びIIの化合物を含む有機層が電子輸送層を構成する、請求項1~6のいずれか1項記載の有機電子デバイス。電子輸送層が、下記式:の化合物と式A-1の化合物との混合物を含む、請求項7記載の有機電子デバイス。電子注入層が、フッ化カリウムを含む又はフッ化カリウムからなる、請求項7又は8記載の有機電子デバイス。発光層が、下記式:の化合物を含み、符号が以下の意味:M1は、それぞれの金属原子に可能な任意の酸化状態のCo、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag及びAuからなる群より選択される金属原子であり;カルベンは、非荷電又はモノアニオン性の単座、二座又は三座でありうるカルベン配位子であり、カルベン配位子は、ビスカルベン又はトリスカルベン配位子でもあり得;Lは、モノアニオン性又はジアニオン性配位子であり、これは単座又は二座であってよく;Kは、ホスフィン;ホスホナート及びその誘導体、アルセナート及びその誘導体;ホスフィット;CO;ピリジン;ニトリル及びM1とπ錯体を形成する共役ジエンからなる群より選択される非荷電単座又は二座配位子であり;n1は、カルベン配位子の数であり、ここでn1は少なくとも1であり、n1>1の場合、式Iの錯体におけるカルベン配位子は、同一又は異なっていてよく;mは、配位子Lの数であり、ここでmは0又は≧1であってよく、m>1である場合、配位子Lは、同一又は異なっていてよく;oは、配位子Kの数であり、ここでoは0又は≧1であってよく、o>1である場合、配位子Kは、同一又は異なっていてよく;n1moの合計は、金属原子の酸化状態及び配位数に応じて、配位子のカルベン、L及びKのデンティシティに応じて、また配位子のカルベン及びLの電荷に応じて決まるが、但し、n1は少なくとも1であるを有する、請求項7~9のいずれか1項記載の有機電子デバイス。式IXの化合物が、下記式:の化合物である、請求項10記載の有機電子デバイス。正孔輸送層が、酸化モリブデンMoOx、特にMoO3又は酸化レニウムReOx、特にReO3でドープされた、下記式:の化合物を含む、請求項7~11のいずれか1項記載の有機電子デバイス。請求項1で定義された式Iの有機金属錯体及び請求項1で定義された式IIの化合物を含む有機層、特に電子輸送層。有機電子デバイスにおける請求項13記載の有機層の使用。請求項1~12のいずれか1項記載の有機電子デバイス又は請求項13記載の有機層を含む機器。