配線基板と、前記配線基板上に配置された光半導体素子と、前記光半導体素子を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂を覆う感熱部と、を有し、前記感熱部は、前記光半導体素子からの光が出射するか、又は入射する部分は透明となっていて、かつ、それ以外の部分は不透明である、光半導体装置。配線基板上に光半導体素子を配置する工程と、前記光半導体素子を封止樹脂で覆う工程と、前記封止樹脂を不透明な感熱部で覆う工程と、前記感熱部の一部に熱を加え、その部分を透明にする工程と、を有する光半導体装置の製造方法。特許文献1には、表面実装型発光装置の製造方法が開示されている。この方法によって、発光部を除く封止樹脂面にTiO2含有樹脂を塗布することによって、反射部材を形成し、より小型の発光装置を製造できた。しかし、この手法は、電極にTiO2含有樹脂を塗らないように細かなマスキング処理を要する。このため、マスキングの気密性を保持するための押さえ治具などは大掛かりな設備投資を必要とする。更に、より小型の発光装置を製造しようとすれば、より高い塗布精度を必要とするため、更に大掛かりな設備投資を必要としてしまう。従って、より簡単な工程で発光装置等を製造しうる方法が求められていた。本発明の一観点によれば、配線基板上に光半導体素子を配置する工程と、前記光半導体素子を封止樹脂で覆う工程と、前記封止樹脂を不透明な感熱部で覆う工程と、前記感熱部の一部に熱を加え、その部分を透明にする工程と、を有する光半導体装置の製造方法が開示される。本発明による製造方法は、光半導体装置の光出射部又は光入射部を感熱材料の透明化によって得る一方で、それ以外の反射部又は遮蔽部を有色状態のままの感熱材料を利用する点に特徴がある。即ち、任意の部分に感熱材料を変色させるための加熱を行うだけで光出射部又は光入射部を形成できる。感熱材料を含む樹脂部は、光半導体素子を封止する樹脂の上から、スプレーやポッティングなどの精度を必要としない手法によって容易に作製できるため、大掛かりな設備投資は不要である。以下、図面に従って本発明を説明する。図1から図4は、本発明による第一の実施形態の光半導体装置の製造方法を示す図である。まず、図1にあるように、配線パターン2を形成した配線基板1上に、発光ダイオード素子やフォトダイオード素子等の光半導体素子3を配置する。光半導体素子3は、導電性ペースト図示せずや、ワイヤ4などにより配線パターン2に電気的に接続される。その後、透明な封止樹脂5によって光半導体素子3、ワイヤ4が封止される。次に、図2にあるように、不透明な感熱部6によって、封止樹脂5を被覆する。感熱部6は、例えば、樹脂と有機溶剤とによって構成されるバインダー材料に感熱材料を混合したものを用いる。封止材料5を覆う工程は、例えば、スプレー法、ディップ法、スクリーン印刷法、ポッティング法などを選択できる。被覆後、加熱によって有機溶剤の気化と樹脂硬化を行い、感熱部6を封止樹脂5上に固定する。次に、図3にあるように、感熱部6のうち、光半導体素子3に該当する部分の上方を加熱し、透明感熱部6aとする。この一部分のみ加熱するには、例えば、加熱した金属ブロックを感熱部6に押し付けるなどの方法を選択できる。最後に、図4にあるように、配線基板1と不透明感熱部6bをダイシング、ブレーキング等の方法によって分割し、個片化する。その後、各々に個片化された光半導体装置は、実装基板などに半田などによって固定される等の通常の電子部品として扱われる。感熱部6は、製造方法と機能の観点によって好適な材料が選択される。感熱材料としては、常温において不透明であって、変色点以上になると不可逆的に透明となる物質を使用する。例えば、サリチリデンアニリン系化合物やフルオラン系化合物等である。ここで、変色点としては感熱部6を形成後に最も高温となる工程中の温度より、更に高い必要がある。例えば、個片化後にリフロー工程などを経て半田実装される場合、リフロー工程は230°C程度であることが通例である。従って、このような場合には、変色点が230°Cより高い材料を使用するべきである。なぜなら、この環境下に曝されて不透明感熱部6bが透明化してはならないからである。一般的に言って、変色点としては感熱部6を形成後に最も高温となる工程中の温度より20°C以上高ければ、工程中の温度管理をさほど厳密にしなくともすむため、より望ましい。なお、感熱材料の色は任意のものを選択できるが、光半導体素子として発光素子を採用した場合、その発光波長と一致する色である場合、発光色表示を兼ねると共に光取り出し効率向上にも資する。光半導体素子3は、好適には発光ダイオード素子又はフォトダイオード等の受光素子である。発光ダイオード素子の場合、不透明感熱部6bは反射部として作用し、封止樹脂5の側面方向へ放出されようとする光をその内側へ反射して戻し、透明感熱部6aからより多くの光が放出されるようにする。一方、受光素子の場合、不透明感熱部6bは遮蔽部として作用し、封止樹脂5の側面方向から入射されようとする光を遮蔽して、透明感熱部6aから光が入射されるようにする。その他、配線基板1、配線パターン2、ワイヤ4、封止樹脂5などは従来から利用されてきたものと同様のため、説明を省略する。図5から図8は、本発明による第二の実施形態の光半導体装置の製造方法を示す図である。この装置は、受光素子7と、発光素子8とが一つのパッケージの中に遮光部9を隔てて存在する、いわゆる光センサである。まず、図5にあるように、配線パターン2が形成された配線基板1上に受光素子7と発光素子8とを配置する。受光素子7及び発光素子8は、導電性ペースト図示せずや、ワイヤ4などにより配線パターン2に電気的に接続される。その後、透明な封止樹脂5によって光半導体素子3、ワイヤ4が封止される。更に、受光素子7と発光素子8との間に遮光部9を設け、発光素子8からの光が、直接受光素子7側へ放射されないようにする。次に、図6にあるように、不透明な感熱部6によって、封止樹脂5を被覆する。被覆後、加熱によって有機溶剤の気化と樹脂硬化を行い、感熱部6を封止樹脂5上に固定する。次に、図7にあるように、感熱部6のうち、受光素子7に該当する部分の上方を加熱し、透明感熱部6aとする。この一部分のみ加熱するには、加熱した金属ブロックを感熱部6に押し付けるなどの方法を選択できるのは、第一の実施形態と同様である。なお、受光素子7に該当する部分の上方のみならず、発光素子8に該当する部分の上方をも加熱して透明感熱部6aを形成してもよい。最後に、図8にあるように、配線基板1と不透明感熱部6bをダイシング、ブレーキング等の方法によって分割し、個片化する。その後、各々に個片化された光センサ装置は、実装基板などに半田などによって固定される等の通常の電子部品として扱われる。完成した光センサ装置の構成を、図9に示す。図9の左側の斜視図にあるとおり、受光素子7の上方に該当する部分のみ透明となっている。このため、図9の右側にあるとおり、受光素子7は、発光素子8から発して被検知物で反射した光を受けることができる。一方で、他の方向から入射しようとする迷光は不透明感熱部6bによって遮られ、受光素子7に入ることはない。従って、信号-雑音比S/N比を高めることができる。感熱部6は、第一の実施形態と同様、常温において不透明であって、変色点以上になると不可逆的に透明となる感熱材料を含む。また、配線基板1等については従来から利用されてきたものを採用できることも第一の実施形態と同様である。