"1つの電極2および1つの対極6、ならびに電極2と対極6との間の、主要成分として化合物EWG-D-EWGを含有する式中、EWGは、伸長したドナーブロックDに対して電子吸引性特性を有する少なくとも1つの有機感光層4を備えた光電子工学部品において、伸長したドナーブロックDが最大9個の共役二重結合を直鎖状に連続して有し、複素環式5員環および/またはそこから縮合した同種もしくは異種の系および/またはビニレンから構成されており、ドナーブロックDが少なくとも1つの置換基を有することを特徴とする光電子工学部品。伸長したドナーブロックDの複素環式5員環が、互いに独立にチオフェン、セレノフェン、フランまたはピロールおよび/またはそこから縮合した同種もしくは異種の系から選択されていることを特徴とする、請求項1に記載の部品。伸長したドナーブロックDの少なくとも1つの置換基が、π電子を、例えば自由電子対として、または多重結合中に有することを特徴とする、請求項1または2のいずれか一つに記載の部品。伸長したドナーブロックDの少なくとも1つの置換基が、エーテル、チオエーテル、アミンの群、または置換もしくは無置換の、4~10個の原子を有する芳香族化合物もしくは複素環芳香族化合物、またはα位に少なくとも1つの二重結合を有するアルケニルから選択されているか、あるいは2つの隣接する置換基の場合には、これらの置換基が複素環式5、6または7員環を形成することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つに記載の部品。伸長したドナーブロックDが、少なくとも5つ、特に好ましくは少なくとも7つの共役二重結合を直鎖状に連続して有することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一つに記載の部品。伸長したドナーブロックにおいて、少なくとも5つの直鎖状共役二重結合が共有化学結合または非共有化学結合を介して架橋されており、ただし、この架橋が、それぞれジエンの1、4-位を介して形成されており、少なくとも1つの原子を含むことを特徴とする、請求項1~5のいずれか一つに記載の部品。伸長したドナーブロックが少なくとも2つの共有結合性架橋を有することを特徴とする、請求項1~6のいずれか一つに記載の部品。伸長したドナーブロックにおいて、少なくとも1つの共有結合性架橋を介して5員環が形成されることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一つに記載の部品。共有結合性架橋が、S、Se、O、NR、CR2、環外二重結合を有するC=CR2、B-R、P-RおよびPORを介して形成されており、式中、RはH、直鎖状もしくは分岐状アルカン、または置換もしくは無置換アレーンであって、架橋を介して5員環が形成されることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一つに記載の部品。共有結合性架橋が、-RN-NR-または-N=N-または-R2C-CR2-または-RC=CR-を介して形成されており、式中、Rは、互いに独立にH、直鎖状もしくは分岐状のアルカン、またはアレーンであってもよく、架橋が6員環を形成することを特徴とする、請求項1~9のいずれか一つに記載の部品。非共有結合性架橋が、第一級もしくは第二級アミン、アルコール基またはチオール基との水素結合を介して形成されているか、あるいは空間的に近接する、例えば、S-O、S-F、Se-O、Se-F、N-O、O-Pのような原子団間の相互の引力を介して形成されていることを特徴とする、請求項1~10のいずれか一つに記載の部品。伸長したドナーブロックDに対して電子吸引性の基EWGが、少なくとも1つのシアノ置換基もしくはフッ素置換基、またはプロ芳香族チオフェン単位もしくはキノイドチオフェン単位を有する分子断片から選択されていることを特徴とする、請求項1~11のいずれか一つに記載の部品。伸長したドナーブロックDに対して電子吸引性の基EWGが、R1=H、CNおよびR2=H、CH3、CNの、から選択されており、式中、Dは、伸長したドナーブロックDへの結合箇所を表し、Rは、分岐状もしくは直鎖状のC1~C8-アルキルから選択される置換基であることを特徴とする、請求項1~12のいずれか一つに記載の部品。本発明の課題は、従来技術の不利点を克服し効率の改善をもたらす有機光電子工学部品を提示することである。本発明によると、この課題は、1つの電極および1つの対極、ならびに電極と対極との間の、主要成分として少なくとも1つの化合物、EWG-D-EWGを含有する式中、EWGelectronwithdrawinggroup、電子吸引性基は、伸長したドナーブロックDに対して電子吸引性の基である少なくとも1つの有機感光層を備えた光電子工学部品であって、伸長したドナーブロックDが最大9個の共役二重結合を直鎖状に連続して有し、複素環式5員環および/またはそこから縮合した同種もしくは異種の系および/またはビニレンから構成されていること、ならびにドナーブロックDが少なくとも1つの置換基を有することを特徴とする光電子工学部品によって解決される。好ましくは、複素環式5員環は、互いに独立にチオフェン、セレノフェン、フランまたはピロールから選択されている。縮合した複素環式5員環とは、1つの複素環式5員環が、2つの隣接するC原子をさらなる1つの複素環式5員環と共有すると理解される。その際、縮合した5員環は、同一であっても異なってもよい。好ましくは、少なくとも1つの置換基が、π電子を、例えば自由電子対として、または多重結合中に有し、特に好ましくは少なくとも1つの置換基が電子供与性基である。好ましくは、少なくとも1つの置換基が、エーテル、チオエーテル、アミンからなる1群、または置換もしくは無置換の、4~10個の原子を有する芳香族化合物もしくは複素環芳香族化合物、またはα位に少なくとも1つの二重結合を有するアルケニルから選択されるか、あるいは2つの隣接する置換基の場合には、これらの置換基が複素環式5、6または7員環を形成し、特に好ましくは、直鎖状もしくは分岐状のC1~C8-アルカンからのエーテルもしくはチオエーテル、またはπ電子に富む芳香族化合物もしくは複素環芳香族化合物、例えば5員環および6員環の複素環芳香族化合物、またはα位に少なくとも1つの二重結合を有するC1~C8アルケニルから選択される。一実施形態では、伸長したドナーブロックは、ビニレンを含む一連の複素環式5員環からなり、ただし、式Iaに示されるように、少なくとも1つの置換基が、複素環式5員環およびビニレンへの共有結合を有し、これらと共に自身が1つの5員環を形成している。ただし、X=S、Se、O、NR;Y=S、Se、O、NRで、R=アルキル、アリールである。さらなる一実施形態では、伸長したドナーブロックDの少なくとも5つの二重結合が共有化学結合または非共有化学結合を介して架橋されており、ただし、この架橋は、それぞれジエンの1、4-位を介して形成されており少なくとも1つの原子を含む。好ましくは少なくとも2つの架橋が、共有結合で形成されている。特に好ましくは、例えば式IbおよびIcに示されるように、少なくとも1つの共有結合性架橋を介して5員環が形成されている:ただし、X=S、Se、O、N;Y=S、Se、O、NR、CR2、SiR2、C=CR2で、R=アルキル、アリール、R=アルキル、アリールである。共有結合性架橋とは、この場合、二重結合-単結合-二重結合の連続として定義されているジエンが、1、4位において少なくとも2つの共有結合および少なくとも1つの原子を介して環を形成すると理解される。非共有結合性架橋は、伸長したドナーブロック内の2つの原子が互いに引力を有するため、ジエンを介して、1、4-位において少なくとも1つの非共有結合および少なくとも1つの原子を介して環が形成される場合に存在する。その原子対に関して、公開されている結晶構造から、共有結合が存在することなしにその間隔がファンデルワールス半径よりも小さいことが公知であるか、またはその原子対に関して電気陰性度の点で明らかな相違が生じる場合に引力が存在する。好ましくは、共有結合性架橋は、S、Se、O、NR、CR2、SiR2、環外二重結合を有するC=CR2、B-R、P-RおよびPORを介して形成されており、式中、RはH、直鎖状もしくは分岐状アルカン、または置換もしくは無置換アレーンArenであって、架橋を介して5員環が形成されるか、あるいは共有結合性架橋が、RN-NR-または-N=N-または-R2C-CR2-または-RC=CR-を介して形成されており、式中、Rは、互いに独立にH、直鎖状もしくは分岐状のアルカン、またはアレーンであってもよく、架橋は6員環を形成する。好ましくは、非共有結合性架橋は、第一級もしくは第二級アミン、アルコール基もしくはチオール基との水素結合を介して形成されているか、または空間的に近接する、電気陰性度の異なる、例えば、S-O、S-F、S-N、Se-O、Se-N、Se-F、N-O、O-Pのような原子団間の相互の引力を介して形成されている。好ましくは、伸長したドナーブロックは、少なくとも5つ、特に好ましくは少なくとも7つの共役二重結合を直鎖状に連続して有する。好ましくは、電子吸引性基EWGは、少なくとも1つのシアノ置換基またはフッ素置換基、例えば、ただし、R1=H、CN、およびR2=H、CH3、CN、F、CF2n-CF3でn=0~3、またはプロ芳香族単位もしくはキノイド単位、例えば、を有する分子断片から選択されており、式中、Dは、伸長したドナーブロックDへの結合箇所を表し、Rは、分岐状もしくは直鎖状のC1~C8-アルキルから選択される置換基である。本発明のさらなる一実施形態では、伸長したドナーブロックは、から選択される単位を含有する。好ましくは、記載された化合物の昇華点は、10-4~10-9mbarの圧力範囲において150~350°Cであり、分解点を少なくとも50°C下回り、好ましくは融点を少なくとも50°C下回る。本発明のさらなる一実施形態では、伸長したドナーブロックDは、一連の置換もしくは無置換の複素環式5員環からなり、このドナーブロックの中では、例えば、式Idに示されるように、少なくとも3つの隣接する複素環式5員環が、共有結合性架橋または非共有結合性架橋を有する。ただし、R=アルキル、アリールである。本発明のさらなる一実施形態では、伸長したドナーブロックDは、例えば式Ieに示されるように、少なくとも4つの縮合した複素環式5員環を含有する。ただし、R=アルキル、アリールである。本発明のさらなる一実施では、伸長したドナーブロックDは、例えば、式Icに示されるように、少なくとも2つの縮合した複素環式5員環、および非共有結合性架橋を介して結合している、少なくとも1つのさらなる複素環式5員環のブロックからなる。本発明による光電子工学部品は、有機太陽電池、有機発光ダイオード、トランジスタ、または光検出器であってもよく、特に好ましくは有機太陽電池である。好ましくは、本発明による部品の少なくとも1つの有機感光層が、吸光層または発光層である。本発明による部品中の有機感光層は、単層としてまたは混合層としてのいずれか一方で存在する。混合層とは、本発明においては、記載された化合物、EWG-D-EWGの1つ、ならびに少なくとももう1つの化合物を含有する層と理解され、ただし、両化合物はそれぞれ少なくとも16質量ずつ存在する。本発明による部品は、キャリアガスを用いてまたは用いずに個々の層を真空中で蒸着すること、1つ以上の液状溶液から、例えば、スピンコーティング、滴下、または印刷により塗布することにより、全体としてまたは部分的のいずれか一方で製造することが可能である。好ましくは、前記化合物の1つを含有するせめて少なくとも1つの有機層が、キャリアガスを用いてまたは用いずに真空中での塗布によって蒸着される。特に好ましくは、部品の電極と対極との間のすべての層が、キャリアガスを用いてまたは用いずに真空中での塗布によって蒸着される。本発明のさらなる一実施形態では、部品が、有機pin型太陽電池、ないし有機pin型タンデム太陽電池、またはpin型マルチ太陽電池として実施されている。その際、2つの連続して相互連結された太陽電池の垂直スタックからなる太陽電池がタンデム太陽電池と呼ばれる。その際、複数の連続して相互連結された太陽電池の垂直スタックからなる太陽電池がマルチ太陽電池と呼ばれ、ただし、最大10個の太陽電池が1つのスタックにおいて相互連結されている。本発明のさらなる一実施形態では、部品中にさらに、1つ以上の、ドーピングされていない、部分的にドーピングされた、または完全にドーピングされた輸送層が存在する。好ましくは、この輸送層は、<450nm、特に好ましくは<400nmにおいて吸収極大を有する。本発明のさらなる一実施形態では、部品が、タンデムセルまたはマルチセルからなる。好ましくは、部品は、nip、ni、ip、pnip、pni、pip、nipn、nin、ipn、pnipn、pninまたはpipn型構造の組合せからなり、この組合せでは、少なくとも1つのi層を含有する複数の独立した組合せが互いに積層されている。本発明のさらなる一実施形態では、部品の層系の層が、入射光の光学的距離を延長する光トラップとして形成されている。本発明のさらなる一実施形態では、部品が、平坦な、曲がった、またはフレキシブルな担体面上で使用される。好ましくは、これらの担体面は、プラスチックフィルムまたは金属フィルム例えば、アルミニウム、鋼鉄等である。本発明のさらなる一実施形態では、光活性混合層の少なくとも1つが、アクセプターとして、フラーレンないしフラーレン誘導体C60、C70等の群からの材料を含有する。本発明のさらなる一実施形態では、接触部は、金属、導電性酸化物、特に、ITO、ZnO:Alもしくは別のTCO、または導電性ポリマー、特にPEDOT:PSSもしくはPANIからなる。さらなる一実施形態では、第1の電子伝導層n層と基板上に存在する電極との間にもう1つのp型ドーピング層が存在するため、pnipまたはpni型構造であって、ただし、好適には、このドーピングが非常に高く選択されているため、直接pn接触部が遮断作用をもつのではなく、好ましくはトンネルプロセスにより、損失の少ない再結合をもたらす。本発明のさらなる一実施形態では、部品において、光活性のi層と基板上に存在する電極との間にもう1つのp型ドーピング層が存在するため、pipまたはpi型構造であって、ただし、付加的なp型ドーピング層は、i層の電子輸送レベルを最大0.4eV、しかし好ましくは0.3eV未満下回るフェルミ準位を有するため、i層からこのp層への損失の少ない電子取出しをもたらす。本発明のさらなる一実施形態では、p型ドーピング層と対極との間にもう1つのn層系が存在するため、nipnまたはipn型構造であって、ただし、好適には、このドーピングが非常に高く選択されているため、直接pn接触部が遮断作用をもつのではなく、好ましくはトンネルプロセスにより、損失の少ない再結合をもたらす。さらなる一実施形態では、部品中において、真性光活性層と対極との間にもう1つのn層系が存在するため、ninまたはin型構造であって、ただし、付加的なn型ドーピング層は、i層の正孔輸送レベルを最大0.4eV、しかし好ましくは0.3eV未満上回るフェルミ準位を有するため、i層からこのn層への損失の少ない正孔取出しをもたらす。本発明のさらなる一実施形態では、部品がn層系および/またはp層系を含有するため、pnipn、pnin、pipnまたはp-i-n型構造であって、これらの層はいずれの場合も、-伝導型に依存せずに-基板側で光活性i層に隣接する層が、基板に面さずにi層に隣接する層よりもわずかな熱仕事関数を有するので、部品に外部電圧が印加されない場合に、光発生電子が好ましくは基板へと搬出されることを特徴とする。前記構造のさらなる一実施形態では、これらの構造が、有機タンデム太陽電池またはマルチ太陽電池として実施されている。したがって、この部品は、nip、ni、ip、pnip、pni、pip、nipn、nin、ipn、pnipn、pninまたはpipn型構造の組合せからなるタンデムセルであって、この組合せでは、少なくとも1つのi層を含有する複数の独立した組合せが互いに積層されているクロスコンビネーション。前記構造のさらなる一実施形態では、この構造が、pnipnipn型タンデムセルとして実施されている。本発明の一実施形態では、部品が、1つ以上の無機材料を含有する少なくとも1つの無機層で構成されている。意外なことには、一般的な見解に反して、5つ未満の複素環式5員環を含むドナーブロックがすでに、このドナーブロックが適した置換基を有するのであれば、有機半導体としての使用のために、吸光係数および吸収範囲で測定して十分な吸収、ならびに電荷輸送特性を有することが認められた。その際、これらの化合物は、より長鎖の同族体と比べて、より数少ない合成ステップが必須であることから、たいていの場合にはより安価に製造できるという利点、およびこれらの化合物はたいていの場合にはより低温で蒸発可能であるという利点を有する。このことは、本発明による部品を製造する際の明らかなコスト削減をもたらす。以下の表では、EWGとしてチオフェン成分およびジシアノビニルをベースとする吸収体を含む単セルとしての太陽電池に関する最も重要な係数を示す。前記化合物は、文献において公知の方法A.Mishra、C.-Q.Ma、P.Baeuerle、Chem.Rev.2009、109、1141~1278:FunctionalOligothiophenes:MolecularDesignforMulti-DimensionalNanoarchitecturesandtheirApplications.IF22.76非特許文献9、Xiaoetal.J.Am.Chem.Soc.2005、1273813281~13286頁非特許文献10、TTT:Freyetal.,Chem.Commun.2002、2424~2425頁非特許文献11に基づき製造可能である。公知の反応からのモジュラーシステムによって、必要な反応を選択することにより、記載の化合物を製造することができる。当業者に公知の方法により、複素環式5員環に置換基を挿入することが可能でありGronowitz、Thiophenes、Elsevier2004非特許文献12、この置換基が非共有結合性または共有結合性架橋のための前駆体として利用される。2つの複素環は、公知のクロスカップリングを介して共有結合することが可能である。以下に、いくつかの例示的実施形態およびそれに帰属する図を手がかりに、本発明をより詳細に説明する。列挙する例示的実施形態において、本発明によるいくつかの部品を模範的に示す。重要な係数を特徴付けるために、電流電圧特性曲線から読み取られる曲線因子、開放電圧および短絡電流を列挙する。これらの例示的実施形態は、それらの例示的実施形態に制限することなく本発明を説明するものである。例示的実施形態1化合物1aを含むMip部品10-6~10-8mbarにおける真空昇華により、透明上部接触部ITOを備えたガラス上のサンプル、1層のバックミンスターフラーレンC60、化合物1aおよびC60の比率が2:1の混合層、p型ドーピングされた正孔輸送層、1層の金からなるMip部品を製造した。化合物1aの合成を図1に示す。混合層は、蒸着めっきの最中に水晶振動子モニターを利用して測定したところ目標厚20nmを有する。図2では、C60と化合物1aからなる20nmの混合層を備えたMipセルの電流電圧特性曲線が見て取れる。この曲線からの重要な係数は、IR吸収体としては非常に高い0.91Vの開放電圧UOC、および本発明による部品の市販製造用としては良好な領域にある53.5の曲線因子FFである。例示的実施形態2:化合物1bを含むMip部品10-6~10-8mbarにおける真空昇華により、透明上部接触部ITOを備えたガラス上のサンプル、1層のバックミンスターフラーレンC60、化合物1bとC60、2:1の混合層、p型ドーピングされた正孔輸送層、1層の金からなるMip部品を製造した。混合層は、蒸着めっきの最中に水晶振動子モニターを利用して測定したところ目標厚10nmを有する。図3は、C60と化合物1bからなる10nmの混合層を備えたMipセルの電流電圧特性曲線を示す。開放電圧Uoc、0.9Vおよび短絡電流FF、4.5mAと同様に、曲線因子は67.3と本発明による部品の市販製造用としては非常に高い。例示的実施形態3:化合物1cを含むMip部品10-6~10-8mbarにおける真空昇華により、透明上部接触部ITOを備えたガラス上のサンプル、1層のバックミンスターフラーレンC60、化合物1cとC60、2:1の混合層、p型ドーピングされた正孔輸送層、1層の金からなるMip部品を製造した。混合層は、蒸着めっきの最中に水晶振動子モニターを利用して測定したところ目標厚20nmを有する。図4は、C60と化合物1cからなる20nmの混合層を備えたMipセルの電流電圧特性曲線を示す。開放電圧Uoc、0.88Vおよび短絡電流、6.2mAと同様に、曲線因子FFは50.6と本発明による部品の市販製造用としては良好な範囲にある。例示的実施形態4:化合物1dを含むMip部品10-6~10-8mbarにおける真空昇華により、透明上部接触部ITOを備えたガラス上のサンプル、1層のバックミンスターフラーレンC60、化合物1dとC60、2:1の混合層、p型ドーピングされた正孔輸送層、および1層の金からなるMip部品を製造した。混合層は、蒸着めっきの最中に水晶振動子モニターを利用して測定したところ目標厚20nmを有する。図5は、C60と化合物1dからなる20nmの混合層を備えたMipセルの電流電圧特性曲線を示す。開放電圧Uoc、1.02Vおよび短絡電流、8.9mAと同様に、曲線因子FFは50.7と本発明による部品の市販製造用としては良好な範囲にある。本発明のさらなる一実施形態では、図6において、入射光の光学的距離を延長するための光トラップが活性系において使用される。その際、周期的に微細加工された基板上に部品が構成され、部品の均一な機能、この部品のショートのない接触および全面にわたる磁場の均一な分布が、ドーピングされたワイドギャップ層の使用によって保証されることにより光トラップが実現される。その際、特に有利であるのは、主要成分として化合物、EWG-D-EWGを含有する吸収層を、光が少なくとも2度貫通することであって、それにより、光吸収の上昇、およびその結果、太陽電池の効率の改善がもたらされ得る。このことは、例えば、図6におけるように、基板が表面上でそれぞれ1~数百マイクロメートルの範囲の高さhおよび幅dを有するピラミッド状の構造を有することによって達成され得る。高さおよび幅は、同じに選択されていても異なって選択されていてもよい。同様に、ピラミッドは対称的または非対称的に構成されていてもよい。この場合、ピラミッド状構造の幅は1μm~200μmにある。ピラミッド状構造の高さは、1μm~1mmであってよい。1.図6の記載:1μm<d<200μm1μm<h<1mm11:基板12:電極;例えば、ITOまたは金属10~200nm13:HTLまたはETL-層系10~200nm14:混合層110~200nm15:混合層210~200nm16:HTLまたはETL-層系10~200nm17:電極;例えば、ITOまたは金属10~200nm18:入射光の行程さらなる一例示的実施形態では、本発明による、図7の光活性部品は、以下の層順序を有する:1.ガラス基板1、2.ITO基底接触部2、3.電子輸送層ETL3、4.有機感光層系10~200nm4、5.正孔輸送層HTL5、6.上部接触部例えば金6。"