"基板を処理するクラスタツールであって、第1基板処理チャンバと、第2基板処理チャンバであって、前記第1基板処理チャンバから固定の垂直距離で離間している前記第2基板処理チャンバと、第3基板処理チャンバと、第4基板処理チャンバであって、前記第3基板処理チャンバから固定の垂直距離で離間して位置決めされた前記第4基板処理チャンバと、前記第1基板処理チャンバと前記第2基板処理チャンバにアクセスするように適合された第1ロボットアセンブリと、前記第1基板処理チャンバから1枚以上の基板を、前記第2基板処理チャンバから1枚以上の基板をほぼ同時に受容し、その後、前記第1基板処理チャンバからの1枚以上の基板を前記第3基板処理チャンバ内に、更に、前記第2基板処理チャンバからの1枚以上の基板を前記第4基板処理チャンバ内に、ほぼ同時に堆積するように適合されている第2ロボットアセンブリと、を備えるクラスタツール。前記第1基板処理チャンバ、前記第2基板処理チャンバ、前記第3基板処理チャンバ、前記第4基板処理チャンバが、コータチャンバ、デベロッパチャンバ、HMDS処理チャンバ、冷蔵チャンバ、ベークチャンバの中から1つ選択される、請求項1に記載のクラスタツール。前記第2ロボットアセンブリが、ロボットと、前記ロボットに接続した第1ロボットブレードと、前記ロボットに接続し、前記第1ブレードから一定距離で離間した第2ロボットブレードと、を備え、前記距離が約100~1200mmである、請求項1に記載のクラスタツール。前記第2ロボットアセンブリが、6軸関節ロボットと、前記6軸関節ロボットに接続した第1ロボットブレードと、前記6軸関節ロボットに接続し、前記第1ブレードから或る距離で離間した第2ロボットブレードと、を備える、請求項1に記載のクラスタツール。前記第2ロボットアセンブリが、それぞれが少なくとも1枚のロボットブレードを有する、2つ以上のフロッグレッグ型ロボットと、前記2つ以上のフロッグレッグ型ロボットの動作と一致するように適合されたコントローラと、を備える、請求項1に記載のクラスタツール。前記第2ロボットアセンブリが、ロボットと、前記ロボットを、垂直方向に対し、ほぼ直交する方向に位置決めするように適合された水平移送装置と、前記ロボットを垂直方向に対しほぼ平行な方向へ移送するように適合された垂直移送装置と、を備える、請求項1に記載のクラスタツール。前記第2ロボットアセンブリがさらに、前記ロボットに接続した支持部と、前記支持部に接続したアクチュエータと、前記支持部に接続しており、基板受容面を有する第1ロボットブレードと、前記アクチュエータに接続しており、基板受容面を有する第2ロボットブレードと、を備え、前記第1ロボットブレードと前記第2ロボットブレードの間に隙間が形成されており、前記アクチュエータが、前記第1ブレードおよび前記第2ブレードの間の隙間を変更するように適合されている、請求項1に記載のクラスタツール。基板を処理するクラスタツールであって、複数の垂直に積重した基板処理チャンバを有する第1処理ラックと、複数の垂直に積重した基板処理チャンバを有する第2処理ラックと、第1ロボットブレードアセンブリであって、第1ロボットブレード、第1ロボットブレードアクチュエータ、を備える前記第1ロボットブレードアセンブリと、第2ロボットブレードアセンブリであって、第2ロボットブレード、第2ロボットブレードアクチュエータ、を備える前記第2ロボットブレードアセンブリと、前記第1ロボットブレードアセンブリと第2ロボットブレードアセンブリが、固定距離で離間して垂直に位置決めされており、さらに、前記第1ロボットブレードアクチュエータまたは前記第2ロボットブレードアクチュエータを使用して、水平方向に別々に位置決めすることができ、前記第1ロボットブレードアセンブリと前記第2ロボットブレードアセンブリに接続した6軸関節ロボットであって、前記第1ロボットブレードアセンブリと前記第2ロボットブレードアセンブリが固定距離で離間しており、前記6軸関節ロボットと協同に動作することで、前記第1処理ラック内の2つの垂直に積重した基板処理チャンバ内に位置決めされた基板に、ほぼ同時にアクセスするように、または、前記第2処理ラック内の前記2つの垂直に積重した基板処理チャンバ内に位置決めされた基板にほぼ同時にアクセスするように適合されている前記6軸関節ロボットと、を備えるクラスタツール。前記第1ロボットアセンブリがさらに、第1底部ロボットブレードと、第1底部ロボットブレードアクチュエータと、を備え、前記第1ロボット部レートと第1底部ロボットブレードが、固定距離で離間して垂直に位置決めされており、さらに、前記第1アクチュエータまたは前記第1底部アクチュエータを使用して、別々に水平に位置決めすることも可能であり、前記第2ロボットアセンブリがさらに、第2底部ロボットブレードと、第2底部ロボットブレードアクチュエータと、を備え、前記第2ロボットブレードと第2底部ロボットブレードが、固定距離で離間して垂直に位置決めされており、さらに、前記第2アクチュエータまたは前記第2底部アクチュエータを使用して、別々に水平に位置決めすることもできる、請求項8に記載のクラスタツール。基板を処理するクラスタツールであって、2枚以上の基板を包含するように適合されたカセットと、第1モジュールであって、垂直方向に積み重ねた2つ以上の基板処理チャンバを備える第1処理ラックを備える前記第1モジュールと、第2モジュールであって、垂直方向に積み重ねた2つ以上の基板処理チャンバを備えた第2処理ラックを備える前記第2モジュールと、前記第1および第2処理ラックのうち少なくとも1つの基板処理チャンバ内と、前記カセット内とに位置決めされた基板にアクセスするように適合された第1ロボットアセンブリと、第2ロボットアセンブリであって、ロボット、前記ロボットに接続した第1ロボットブレード、前記ロボットに接続し、前記第1ロボットブレードから固定距離で離間して位置決めされた第2ロボットブレード、を備える前記第2ロボットアセンブリと、を備え、前記第2ロボットが、前記第1処理ラックおよび第2処理ラックのそれぞれのうち少なくとも1つの内部の基板処理チャンバ内に位置決めされた基板にアクセスするように適合されており、第1および第2ロボットブレードが、前記第1処理ラックおよび第2処理ラックの各々の内の少なくとも2つの基板処理チャンバ内の基板を、ほぼ同時に移送し、取り上げ、さらに/または下ろすように適合されているクラスタツール。前記第1処理ラックおよび第2処理ラックの各々の内の前記2つ以上の垂直に積重した基板処理チャンバが、コータチャンバ、デベロッパチャンバ、HMDS処理チャンバ、冷蔵チャンバ、露光後ベークチャンバ、ベークチャンバから成るグループより選択される、請求項10に記載のクラスタツール。前記第1ロボットおよび前記第2ロボットが関節ロボットであり、前記関節ロボットが6軸関節ロボットである、請求項10に記載のクラスタツール。前記第1ロボットおよび前記第2ロボットがガントリgantryロボットであり、各ガントリロボットが、ロボットと、前記ロボットを、前記垂直方向に対しほぼ直交する方向に位置決めするように適合されている水平移送装置と、前記ロボットを、前記垂直方向に対しほぼ平行な方向へ移送するように適合されている垂直移送装置と、を備える、請求項10に記載のクラスタツール。前記水平移送装置と前記垂直移送装置の各々がさらに、前記ロボットを位置決めするように適合されたモータと、前記ロボットが前記モータによって位置決めされる際に、前記ロボットを案内するように適合されたスライドと、前記モータとスライドを包囲するエンクロージャを形成する1つ以上の壁と、前記1つ以上の壁の1つに搭載されたファンと、を備える、請求項13に記載のクラスタツール。基板を処理するクラスタツールであって、第1の垂直に積重した基板処理チャンバを包含する第1処理ラックと、基板を前記第1処理ラック内の基板処理チャンバへ移送するように適合された第1ロボットと、第1の垂直に積重した基板処理チャンバを包含する第2処理ラックと、前記第1処理ラック内の基板処理チャンバと前記第2処理ラック内の基板処理チャンバの間で基板を移送するように適合された第2ロボットと、前記第1ロボットまたは第2ロボットを使用して、前記第1および第2処理ラック内を通過する前記基板の動作を最適化するように適合されたコントローラと、前記コントローラに結合したメモリであって、前記クラスタツールの操作を方向付けるために、内部で具現化されるコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読媒体を備える前記メモリと、を備え、前記コンピュータ可読プログラムが、前記第1ロボットと第2ロボットの動作を制御するためのコンピュータ命令を備え、前記コンピュータ命令が、i前記第1ロボットおよび第2ロボットへの1つ以上の指令タスクを前記メモリに記憶することと、ii前記メモリ内に保持されている前記第1ロボットへの指令タスクをレビューすることと、iii前記メモリ内に保持されている前記第2ロボットへの指令タスクをレビューすることと、iv各ロボットの使用可能性を平衡化するために、指令タスクを、前記第1ロボットから前記第2ロボットへ、または前記第2ロボットから前記第1ロボットへ移動させることと、を備えるクラスタツール。基板を処理するクラスタツールであって、2枚以上の基板を包含するように適合されたカセットと、垂直に積重した基板処理チャンバを包含しており、また、前記第1処理ラックの第1側部が第1方向に沿って延出し、これを介して前記基板処理チャンバにアクセスできるようになっている第1処理ラックと、垂直に積重した基板処理チャンバを包含しており、また、前記第2処理ラックの第2側部が第2方向に沿って延出し、これを介して前記基板処理チャンバにアクセスできるようになっている第2処理ラックであって、前記第1側部と前記第2側部が或る距離で離間している前記第2処理ラックと、前記第2処理ラックの前記第1側部と前記第1処理ラックの前記第1側部との間の固定位置にある基部を有する第1ロボットであって、前記第1処理ラック、前記第2処理ラック、前記カセットの内部の基板処理チャンバへ基板を移送するように適合されている第1ロボットと、垂直に積重した基板処理チャンバを包含しており、また、前記第3処理ラックの第3側部が第3方向に沿って延出し、これを介して前記基板処理チャンバにアクセスできるようになっている第3処理ラックと、垂直に積重した基板処理チャンバを包含しており、また、前記第2処理ラックの第4側部が第4方向に沿って延出し、これを介して前記基板処理チャンバにアクセスできるようになっている第4処理ラックであって、前記第3側部と前記第4側部が或る距離で離間している前記第4処理ラックと、第2ロボットアセンブリであって、前記第3処理ラックの前記第1側部と前記第4処理ラックの前記第1側部の間の固定位置に在る基部を有するロボット、前記ロボットに接続した第1ロボットブレード、前記ロボットに接続し、前記第1ロボットブレードから固定距離で離間して位置決めされた第2ロボットブレード、を備える前記第2ロボットアセンブリと、を備え、前記第1ロボットブレードおよび第2ロボットブレードが、前記第1処理ラック、第2処理ラック、第3処理ラック、第4処理ラック内の2つのチャンバへ基板をほぼ同時に移送するように適合されているクラスタツール。前記第1ロボットと前記第2ロボットの各々が6軸関節ロボットである、請求項16に記載のクラスタツール。前記第1ロボットが、前記第1処理ラックの前記第1側部と前記第2処理ラックの前記第1側部の間、さらに前記第3処理ラックの前記第1側部と前記第4処理ラックの前記第1側部の間に位置決めされており、前記スライドが、前記第2ロボットを、前記第1方向、第2方向、第3方向、第4方向と、ほぼ平行する第5方向に位置決めするように適合されているスライドアセンブリをさらに備える、請求項17に記載のクラスタツール。前記第1基板処理チャンバ、第2基板処理チャンバ、第3基板処理チャンバ、第4基板処理チャンバが、コータチャンバ、デベロッパチャンバ、HMDS処理チャンバ、冷蔵チャンバ、ベークチャンバの中から1つ選択される、請求項16に記載のクラスタツール。前記第1ロボットと前記第2ロボットが6軸関節ロボットであり、前記第1処理ラックの前記第1側部と前記第2処理ラックの前記第1側部の間に位置決めされ、前記第1ロボットを、前記第1方向および第2方向と概略平行な第5方向に位置決めするように適合されたスライドアセンブリを備える、請求項16に記載のクラスタツール。基板を処理するクラスタツールであって、2枚以上の基板を包含するように適合されたカセットと、基板に第1処理を実行するように適合された第1処理チャンバと、基板に第2処理を実行するように適合された第2処理チャンバであって、前記第1処理チャンバと前記第2処理チャンバが、ほぼ相互に近接している前記第2処理チャンバと、前記第1処理チャンバ内に位置決めされた第1基板および前記第2処理チャンバ内に位置決めされた第2基板と流体連通するように適合されている流体分配手段であって、流体源、前記流体源と流体連通したノズル、流体を前記流体源から前記ノズルへ送出するよう適合された流体送出手段、を備える前記流体分配手段と、前記第1処理チャンバを前記第2処理チャンバから隔離するように適合された可動シャッタと、前記カセット、前記第1処理チャンバ、前記第2処理チャンバの間で基板を移送するように適合されたロボットと、を備える、クラスタツール。第1処理ラックとロボットとを備える、基板を処理するクラスタツールにおいて、前記第1処理ラックは、第1処理モジュールと第2処理モジュールとを備え、前記第1処理モジュールは:基板に第1処理を実行するように適合された第1処理チャンバと;基板に第2処理を実行するように適合された第2処理チャンバであって、前記第1処理チャンバと前記第2処理チャンバが、ほぼ相互に近接している前記第2処理チャンバと;前記第1処理チャンバ、前記第2処理チャンバの内部で処理の最中にある基板と流体連通するように適合された流体分配手段であって、流体源、前記流体源と流体連通しているノズル、流体を前記流体源から前記ノズルへ送出するように適合された流体送出手段を備える前記流体分配手段と;前記第1処理チャンバを前記第2処理チャンバから隔離するように適合された可動シャッタと;を備え、前記第2処理モジュールは:基板に第1処理を実行するように適合された第3処理チャンバと;基板に第2処理を実行するように適合された第4処理チャンバであって、前記第1処理チャンバと前記第2処理チャンバが、ほぼ相互に近接している前記第4処理チャンバと;前記第3処理チャンバ、第4処理チャンバの内部で処理の最中にある基板と流体連通するように適合された流体分配手段であって、流体源、前記流体源と流体連通しているノズル、流体を前記流体源から前記ノズルへ送出するように適合された流体送出手段を備える前記流体分配手段と;前記第1処理チャンバを前記第2処理チャンバから隔離するように適合された可動シャッタと;を備え、前記第1処理モジュールとほぼ近接しており、前記ロボットは、前記第1処理チャンバ、前記第2処理チャンバ、前記第3処理チャンバ、前記第4処理チャンバの間で基板を移送するように適合されている、前記クラスタツール。前記第1処理チャンバが、前記第3処理チャンバよりも上に垂直に配置されており、前記第2処理チャンバが、前記第4処理チャンバよりも上に垂直に配置されている、請求項22に記載のクラスタツール。前記第1処理チャンバ、第2処理チャンバ、第3処理チャンバ、第4処理チャンバから成るグループより選択した2つの前記処理チャンバ内に位置決めされた基板に、ほぼ同時にアクセスするように適合された第1ロボットブレードと第2ロボットブレードを有する支持部を有するロボットを備える、請求項22に記載のクラスタツール。カセットと、処理モジュールと、システムロボットとを備える、基板を処理するクラスタツールにおいて、前記カセットは、2枚以上の基板を包含するように適合され、前記処理モジュールは:1つの処理領域内に在る基板に第1処理を実行するように適合された第1処理チャンバと;1つの処理領域内に在る基板に第2処理を実行するように適合された第2処理チャンバであって、前記第1処理チャンバおよび前記第2処理チャンバが、ほぼ相互に近接している前記第2処理チャンバと;前記第1処理チャンバ、前記第2処理チャンバ内の基板を移送および位置決めするように適合されたロボットであって、ロボットブレード、前記ロボットブレードを前記第1および第2処理チャンバ内に位置決めするように適合されたアクチュエータ、前記ロボットブレードと熱連通しており、上に位置決めされた基板の温度を制御するように適合された熱交換装置、を備える前記ロボットと;を備え、前記システムロボットは、基板を前記カセットと前記第1処理チャンバの間で移送するように適合されている、前記クラスタツール。前記第1処理チャンバが冷蔵チャンバであり、前記第2チャンバが、ベークチャンバ、HMDS処理チャンバ、またはPEBチャンバである、請求項25に記載のクラスタツール。さらに、前記第1処理モジュールに近接して位置決めされた第2処理モジュールを備え、前記第2処理モジュールが:1つの処理領域内に在る基板に第1処理を実行するように適合された第3処理チャンバと;1つの処理領域内に在る基板に第2処理を実行するように適合された第4処理チャンバであって、前記第3処理チャンバと前記第4処理チャンバが、ほぼ相互に近接している前記第4処理チャンバと;基板を前記第3処理チャンバおよび前記第4処理チャンバ内の基板を移送および位置決めするように適合されたロボットであって、ロボットブレード、前記ロボットブレードを前記第1および第2処理チャンバ内に位置決めするように適合されたアクチュエータ、前記ロボットブレードと熱連通しており、上に位置決めされた基板の温度を制御するように適合された熱交換装置、を備える前記ロボットと;を備え、前記システムロボットが、基板を前記カセット、前記第1、第2、第3、第4処理チャンバの間で移送するように適合されている、請求項25に記載のクラスタツール。基板を処理するクラスタツールであって、2枚以上の基板を包含するように適合されたカセットと、処理モジュールであって、第1処理チャンバと、前記第1処理チャンバと、ほぼ近接した第2処理チャンバとを備える前記処理モジュールと、前記第1処理チャンバおよび前記第2処理チャンバ内に位置決めされた基板にアクセスするように適合された第1ロボットと、を備え、前記第1ロボットは、第1ロボットアセンブリと第2ロボットアセンブリとを備え、前記第1ロボットブレードアセンブリは、第1ロボットブレード、第2ロボットブレードを備え、前記第1ロボットブレードと前記第2ロボットブレードが一定距離で離間しており、第2ロボットブレードアセンブリは、第3ロボットブレード、第4ロボットブレードを備え、前記第3ロボットブレードと前記第4ロボットブレードが一定距離で離間しており、前記第2ロボットブレードアセンブリと前記第1ロボットアセンブリが固定距離で離間しており、前記第1ロボットが前記第1処理チャンバと前記第2処理チャンバにほぼ同時にアクセスするように適合されている、前記クラスタツール。基板を処理するクラスタツールであって、2つ以上の垂直に積重した基板処理チャンバを備える第1処理ラックであって、第1側部と第2側部を有する前記第1処理ラックと、2つ以上の垂直に積重した基板処理チャンバを備える第2処理ラックであって、第1側部と第2側部を有する前記第2処理ラックと、前記第1処理ラック内の前記基板処理チャンバに前記第1側部からアクセスするように適合された第1ロボットと、前記第1処理ラック内の前記基板処理チャンバに前記第2側部からアクセスするように、また、前記第2処理ラック内の前記基板処理チャンバに前記第1側部からアクセスするように適合された第2ロボットと、前記第2処理ラック内の前記基板処理チャンバに前記第2側部からアクセスするように適合された第3ロボットと、を備える、クラスタツール。前記第1ロボット、前記第2ロボット、前記第3ロボットの各々が第1アクチュエータと第2アクチュエータとを有し、前記第1アクチュエータが、第1ロボット、第2ロボット、または第3ロボットを垂直方向に移動させるように適合されており、前記第2アクチュエータが、前記第1ロボット、第2ロボット、または第3ロボットを、前記第1処理ラックまたは第2処理ラックの前記第1側部または第2側部と平行する方向へ移動させるように適合されている、請求項29に記載のクラスタツール。前記第1アクチュエータと前記第2アクチュエータが各々、別々のエンクロージャ内に収容されており、各エンクロージャが、エンクロージャを形成する1つ以上の壁であって、前記エンクロージャが内部領域を有し、前記内部領域内において前記第1および第2アクチュエータが位置決めされる前記壁と、前記エンクロージャの前記内部領域と連通した1つ以上のファンアセンブリであって、前記エンクロージャの内部から空気を引き出すように適合されている前記ファンアセンブリと、一般的に、前記内部領域から引き出された前記空気を受容するために位置決めされたフィルタと、をさらに備える、請求項30に記載のクラスタツール。前記第1処理ラックおよび第2処理ラックの前記第1側部と前記第2側部が、それぞれのラック上の前記基板処理チャンバの対向する両側に在る、請求項29に記載のクラスタツール。基板を処理するクラスタツールにおいて:2枚以上の基板を包含するように適合されたカセットと;第1処理ラックであって、垂直に積重した、第1グループの2つ以上の基板処理チャンバを備え、前記2つ以上の基板処理チャンバが、第1方向に沿って延びた第1側部と、第2方向に沿って延びた第2側部とを有している前記第1処理ラックと;前記第1処理ラック内の少なくとも1つの基板処理チャンバ内に位置決めされた基板に、前記第1側部と前記カセットからアクセスするように適合された第1ロボットアセンブリと;第2処理ラックであって、垂直に積重した、第2グループの2つ以上の基板処理チャンバを備え、前記2つ以上の基板処理チャンバが第3方向に沿って延びた第1側部を有し、前記第1側部を介して基板処理チャンバにアクセスすることができる前記第2処理ラックと;第2ロボットアセンブリであって、ロボット、第1ロボットブレード、第2ロボットブレードを備え、前記第1ロボットブレードと前記第2ロボットブレードが一定距離で離間している、前記第2ロボットアセンブリと;を備え、前記第2ロボットアセンブリが、前記第1処理ラック内の少なくとも2つの基板処理チャンバ内に位置決めされた基板に、前記第2側部から、ほぼ同時にアクセスするように、また、前記第2処理ラック内の少なくとも1つの基板処理チャンバ内に位置決めされた基板に、前記第3側部から、ほぼ同時にアクセスするように適合されている、前記クラスタツール。基板を処理するクラスタツールにおいて:2枚以上の基板を包含するように適合されたカセットと;12個以上のコータ/デベロッパチャンバと;ベークチャンバ、HMDS処理チャンバ、PEBチャンバから成るグループより選択した12個以上の処理チャンバと;本質的に、第1ロボットおよび第2ロボットを備える移送システムであって、前記第1ロボットは、前記コータ/デベロッパチャンバの少なくとも1つ、前記処理チャンバの少なくとも1つ、前記カセットの内部に位置決めされた基板にアクセスするように適合され、前記第2ロボットは、前記コータ/デベロッパチャンバの少なくとも1つ、前記処理チャンバの少なくとも1つの内部に位置決めされた基板にアクセスするように適合され、前記第2ロボットは、ロボット、前記ロボットに接続した第1ロボットブレード、前記ロボットに接続し、前記第1ロボットブレードから固定距離で離間して位置決めされた第2ロボットブレードを備える第2ロボットアセンブリから成り、前記第2ロボットは、少なくとも2つのコータ/デベロッパチャンバ内に位置決めされた少なくとも1枚の基板に、ほぼ同時にアクセスするように、また、少なくとも2つの処理チャンバ内に位置決めされた少なくとも1枚の基板に、ほぼ同時にアクセスするように適合されている、前記移送システムと;を備える前記クラスタツール。クラスタツール内で基板を処理する方法であって、第1ロボットを使用して、少なくとも1枚の基板を、第1処理ラック内の2つ以上の垂直に積重した各処理チャンバ内に挿入するステップと、前記第1処理ラック内の前記2つ以上の処理チャンバ内の基板を処理するステップと、第2ロボットを使用して、前記第1ラック内の前記2つ以上の垂直に積重した処理チャンバから前記基板をほぼ同時に除去するステップと、前記第2ロボットを使用して、前記基板を、前記第2処理ラック内の前記2つ以上の垂直に積重した処理チャンバへ同時に移送するステップと、前記第2ロボットを使用して、前記基板を、前記第2処理ラック内の前記2つ以上の垂直に積重した処理チャンバ内に堆積させるステップと、を備える方法。前記処理チャンバ内で実行される前記処理が、HMDS処理、PEB処理、BARC処理、フォトレジストコーティング処理、現像処理、OEBR処理から成るグループより選択される、請求項35に記載の方法。さらに、第3ロボットを使用して、前記第2処理ラック内の前記2つ以上の垂直に積重した処理チャンバから基板を除去するステップと、前記第3ロボットを使用して、前記基板を、第3処理ラック内の2つ以上の垂直に積重した処理チャンバ内に挿入するステップと、をさらに備える、請求項35に記載の方法。前記第2ロボットを使用して、前記基板を、第2処理ラック内の2つ以上の垂直に積重した処理チャンバへ同時に移送するステップが、スライドアセンブリを使用して、ロボット基部を第1方向に沿って位置決めする工程と、6軸関節ロボットを使用して、基板をロボットブレード上に、前記ロボット基部に関連して位置決めする工程と、を備える、請求項35に記載の方法。第2ロボットを使用して、前記基板を、前記第1ラック内の前記2つ以上の垂直に積重した処理チャンバからほぼ同時に除去するステップが、ロボットブレードアクチュエータを使用して、第1ロボットブレードを支持部に関連して延出させる工程と、ロボットブレードアクチュエータを使用して、第2ロボットブレードを支持部に関連して延出させる工程と、前記第2ロボットに接続した前記支持部を位置決めすることにより、第1処理チャンバ内に位置決めされた第1基板を第1の延出されたブレード上に位置決めし、前記第2処理チャンバ内に位置決めされた第2基板を前記第2の延出されたブレード上に位置決めする工程と、前記第1ロボットブレードと前記第2ロボットブレードを引き込む工程と、を備える、請求項35に記載の方法。クラスタツール内で基板を処理する方法であって、第1ロボットを使用して、少なくとも1枚の基板を、第1処理ラック内の2つ以上の垂直に積重した処理チャンバ内に挿入するステップと、前記第1処理ラック内の前記2つ以上の処理チャンバ内で前記基板を処理するステップと、第2ロボットを使用して、前記第1処理ラック内の前記2つ以上の垂直に積重した処理チャンバから基板をほぼ同時に除去するステップであって、前記ブレードが、第1の垂直に積重した処理チャンバにアクセスしないようにするために、前記第2ロボットに取り付けられた支持部に接続しているロボットブレードを再位置決めする工程、第2の垂直に積重した処理チャンバ内の前記支持部に別々に接続したロボットブレードを位置決めする工程、前記第2の垂直に積重した処理チャンバ内に位置決めされた基板を、前記ロボットブレード上に位置決めする工程、前記第2の垂直に積重した処理チャンバから前記ロボットブレードを除去する工程、をさらに備える前記基板を除去するステップと、前記第2ロボットを使用して、前記基板を、第2組の2つ以上の垂直に積重した処理チャンバへ移送するステップと、を備える方法。クラスタツール内で基板を処理する方法であって、第1ロボットを使用して、少なくとも1枚の基板を、クラスタツール内に位置決めされた2つ以上の垂直に積重した処理チャンバの第1側部を介して挿入するステップと、前記処理チャンバ内で前記基板を処理するステップと、第2ロボットを使用して、2枚以上の基板を、前記2つ以上の垂直に積重した処理チャンバの第2側部を介してほぼ同時に除去するステップと、前記第2ロボットを使用して、前記2枚以上の基板を所望の位置へ同時に移送するステップと、を備える方法。前記基板を処理するステップにおいて実行される前記処理が、HMDS処理、PEB処理、BARC処理、フォトレジストコート処理、現像処理、またはOEBR処理から成るグループより選択される、請求項41に記載の方法。クラスタツール内で基板を処理する方法であって、ロボットを使用してカセットから基板を除去するステップと、第1基板を、第2処理チャンバに近接して位置決めされた第1処理チャンバ内に挿入するステップと、前記第1処理チャンバと前記第2処理チャンバの間にシャッタを位置決めすることで、前記第2処理チャンバから前記第1処理チャンバを隔離するステップと、流体分配システムに接続しているノズルを使用して、前記第1処理チャンバ内に位置決めされた前記基板の表面上に処理流体を分配するステップと、第2基板を前記第2処理チャンバ内に挿入するステップと、前記流体分配システムに接続している前記ノズルを使用して、前記第2処理チャンバ内に位置決めした前記第2基板の表面上に処理流体を分配するステップと、を備える方法。クラスタツール内で基板を処理する方法であって、第2処理チャンバに近接して位置決めされた第1処理チャンバ内の基板交換装置上に基板を位置決めするステップと、前記基板を、前記第1処理チャンバ内の前記基板交換装置から冷蔵されたロボットブレードの基板受容面へ移送するステップであって、前記基板受容表面が、内部に保持されている前記基板の温度を制御するように適合されているステップと、前記冷蔵したロボットブレードを使用して、前記基板を前記第2処理チャンバへ移送するステップと、前記冷蔵したロボットプレートを使用して、前記基板を第3処理チャンバへ移送するステップであって、前記第3処理チャンバが前記第2処理チャンバに近接しているステップと、を備える方法。クラスタツール内で基板を処理する方法であって、基板を、第2処理チャンバに近接して位置決めされた第1処理チャンバ内の基板交換装置上に位置決めするステップと、前記基板を、前記第1処理チャンバ内の前記基板交換装置から冷蔵されたロボットブレードの基板受容面へ移送するステップであって、前記基板受容面が、上に保持する前記基板の温度を制御するように適合されているステップと、前記冷蔵したロボットブレードを使用して、前記基板を前記第2処理チャンバへ移送するステップと、前記第2処理チャンバ内の前記基板を所望の温度にまで加熱するステップと、前記冷蔵したロボットを使用して、前記基板を第3処理チャンバへ移送するステップであって、前記第3処理チャンバが前記第2処理チャンバに近接しているステップと、前記第3処理チャンバ内の基板を所望の温度にまで冷却するステップと、を備える方法。クラスタツール内で基板を処理する方法であって、2枚以上の基板を包含しているカセットから基板を移送するステップであって、前記カセットが前記クラスタツール内に保持されているステップと、処理チャンバ内の基板上に最終処理ステップを完了するステップと、前記基板を前記処理チャンバから、冷蔵処理を実行するように適合された冷蔵チャンバへ移送するステップと、前記基板を前記冷蔵チャンバから前記カセットへ移送するステップと、を備える方法。00112本発明は一般的に、システムスループットを増加し、システムの信頼性を高め、クラスタツール内でのウェーハ処理履歴またはウェーハ履歴の繰り返し可能回数を上げ、クラスタツールのフットプリントを低減したマルチチャンバ処理システム例えばクラスタツールを使用して、基板を処理する機器および方法を提供する。一実施形態では、このクラスタツールはトラックリソグラフィ処理を実行するように適合されている。トラックリソグラフィ処理は、基板を感光材料でコートし、次にこの基板をステッパ/スキャナへ移送し、ここで感光材料を何らかの形の放射線で露光して感光材料にパターンを形成し、その後、クラスタツール内で完了される現像処理において、感光材料の特定部分を除去する。00113図1Aおよび図1Cは、クラスタツール10の一実施形態の等角図であり、有利に使用できる本発明の多数の態様を図示している。図1A、図1Cに図示したクラスタツール10の一実施形態は、前端モジュール50、中央モジュール150、後部モジュール200を包含している。前端モジュール50は、一般的に、1つ以上のポッドアセンブリ105例えば部品105A~105D、前端ロボット108図1B、前端処理ラック52を包含する。中央モジュール150は、一般的に、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、中央ロボット107図1Bを包含している。後部モジュール200は、一般的に、後部処理ラック202と後部ロボット109図1Bを包含している。一実施形態において、クラスタツール10は、前端処理ラック52内の処理チャンバにアクセスするように適合されている前端ロボット108と、前端処理ラック52、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、および/または後部処理ラック202内の処理チャンバにアクセスするように適合されている中央ロボット107と、後部処理ラック202内の処理チャンバにアクセスし、場合によっては基板をステッパ/スキャナ5と交換するように適合されている後部ロボット109とを包含している。一実施形態では、シャトルロボット110は、1つ以上の処理ラック例えば前端処理ラック52、第1中央処理ラック152など内に保持された2つ以上の近接した処理チャンバどうしの間で基板を移送するように適合されている。一実施形態では、前端エンクロージャ104を使用して、前端ロボット108周囲の環境、およびポッドアセンブリ105と前端処理ラック52の間の環境を制御している。00114図1Bは、図1Aに図示した一実施形態の平面図を図示しており、本発明の複数の態様で見ることができる使用可能な処理チャンバ構成のさらなる詳細を包含している。図1Bを参照すると、前端モジュール50は、一般的に、1つ以上のポッドアセンブリ105、前端ロボット108、および前端処理ラック52を包含する。1つ以上のポッドアセンブリ105、または前端開き一体形ポッドFOUPは、一般的に、クラスタツール10内で処理される1枚以上の基板Wあるいはウェーハを包含できる1つ以上のカセット106を受け入れるように適合されている。前端処理ラック52は、基板処理シーケンスに見られる様々な処理ステップを実行するよう適合された複数の処理チャンバ例えばベークチャンバ90、冷蔵チャンバ80などを包含している。一実施形態では、前端ロボット108は、ポッドアセンブリ105内に搭載されたカセット間、および前端処理ラック52内に保持されている1つ以上の処理チャンバ間で基板を移送するように適合されている。00115一般的に、中央モジュール150は中央ロボット107、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154を包含している。第1中央処理ラック152と第2中央処理ラック154は、基板処理シーケンスに見られる様々な処理ステップを実行するよう適合された様々な処理チャンバ例えばコータ/デベロッパチャンバ60、ベークチャンバ90、冷蔵チャンバ80などを包含している。一実施形態では、中央ロボット107は、前端処理ラック52、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、および/または後部処理ラック202の間で基板を移送するように適合されている。一態様では、中央ロボット107は、第中央モジュール150の1中央処理ラック152と第2中央処理ラック154の間の中央にあたる場所に位置決めされている。00116後部モジュール200は、一般的に後部ロボット109と後部処理ラック202を包含している。後部処理ラック202は、一般的に基板処理シーケンスに見られる様々な処理ステップを実行するよう適合された処理チャンバ例えばコータ/デベロッパチャンバ60、ベークチャンバ90、冷蔵チャンバ80などを包含している。一実施形態では、後部ロボット109は、後部処理ラック202とステッパ/スキャナ5の間で基板を移送するように適合されている。ステッパ/スキャナ5は、CanonUSA,Inc.カリフォルニア州サンノゼ、NikonPrecisionInc.カリフォルニア州ベルモント、ASMLUS,Inc.アリゾナ州テンペから販売されており、例えば集積回路ICの製造に使用されるリソグラフィック投射機器である。スキャナ/ステッパツール5は、クラスタツール内の基板上に堆積させた感光材料フォトレジストを何らかの電磁放射線で露光することで、基板の表面上に形成する集積回路ICデバイスの個々の層に関連した回路パターンを基板上に生成する。00117一実施形態では、システムコントローラ101を使用して、クラスタツール10内の全てのコンポーネントと、同ツール内で実行される全ての処理を制御する。システムコントローラ101は、一般的に、ステッパ/スキャナ5と通信し、クラスタツール10内で実行される処理の態様を監視および制御するように適合されており、また、基板処理シーケンス全体の全ての態様を制御するように適合されている。システムコントローラ101は、典型的にはマイクロプロセッサベースのコントローラであり、ユーザからの入力、および/または処理チャンバの1つに内蔵されている様々なセンサからの入力を受信し、様々な入力とコントローラのメモリに保持されているソフトウェア命令に従って処理チャンバコンポーネントを適切に制御するように構成されている。システムコントローラ101は一般的にメモリとCPU図示せずを包含しており、これらがコントローラによって、様々なプログラムを保持するため、プログラムを処理するため、プログラムを必要に応じて実行するために利用される。メモリ図示せずはCPUに接続しており、1つ以上のすぐに使用可能な状態にあるメモリ、例えばランダムアクセスメモリRAM、読み出し専用メモリROM、フロッピーディスク、ハードディスク、またはその他の形式のローカルまたは遠隔デジタル記憶装置であってもよい。ソフトウェア命令およびデータを、CPUに命令するためにコーディングして、メモリに記憶しておくことができる。プロセッサを従来の方途でサポートするために、サポート回路図示せずもCPUに接続している。サポート回路はキャッシュ、電源、クロック回路、入力/出力回路、サブシステム等を含んでもよく、これらは当分野において周知のものである。システムコントローラ101で読み取り可能なプログラムまたはコンピュータ命令が、処理チャンバ1つ以上で実行されるタスクを決定する。このプログラムは、システムコントローラ101で読み取り可能なソフトウェアであり、定義された規則と入力されたデータに基づいて処理を監視および制御せよとの命令を含んでいることが好ましい。00118図2Aは、ステッパ/スキャナ5に取り付けた前端モジュール50を包含するクラスタツール10の別の実施形態を図示した平面図である。この構成の前端モジュール50は、前端ロボット108と、前端処理ラック52と、さらにステップ/スキャナ5と通信している後部ロボット109Aとを包含していてもよい。またこの構成では、前端処理ラック52は複数の処理チャンバ例えばコータ/デベロッパチャンバ60、ベークチャンバ90、冷蔵チャンバ80などを包含しており、これらのチャンバは基板処理シーケンスに見られる様々な処理ステップを実行するように適合されている。この構成では、前端ロボット108は、ポッドアセンブリ105内に搭載されたカセット106と、前端処理ラック52内に保持されている1つ以上の処理チャンバとの間で基板を移送するように適合されている。またこの構成では、後部ロボット109Aは、前端処理ラック52とステッパ/スキャナ5の間で基板を移送するように適合されている。一実施形態では、シャトルロボット110は、1つ以上の処理ラック例えば、前端処理ラック52、第1中央処理ラック152図1Bなど内に保持されている2つ以上の近接した処理チャンバどうしの間で基板を移送するように適合されている。一実施形態では、クラスタツール10は、前端モジュール50を包含しているが、後部ロボット109Aは包含せず、またステッパ/スキャナ5にインターフェースされていない。00119図2Bは、図2Aに示したクラスタ10の別の実施形態を図示する平面図である。この実施形態のクラスタ10はステッパ/スキャナ5と通信するように適合されていない。この構成では、クラスタツール10を、前端処理ラック52内に包含されている処理チャンバを利用して所望の処理シーケンスを実行するためのスタンドアロン型ツールとして使用できる。00120図2Cは、クラスタツール10のまた別の実施形態を図示する平面図であり、この実施形態のクラスタツール10は、前端モジュール50と中央モジュール150を包含し、これらはステッパ/スキャナ5に取り付けられ、前端ロボット108および中央ロボット107によって対応される。一実施形態では、中央ロボット107は、前端処理ラック52、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、および/またはステッパ/スキャナ5の間で基板を移送するように適合されている。一実施形態では、シャトルロボット110は、1つ以上の処理ラック例えば前端処理ラック52、第1中央処理ラック152など内に保持されている2つ以上の近接した処理チャンバ間で基板を移送するように適合されている。00121図2Dはクラスタツール10のさらに別の実施形態の平面図であり、このクラスタツール10は、前端モジュール50、中央モジュール150、後部モジュール300を包含しており、後部処理ラック302は第1後部処理ラック302と第2後部処理ラック304を包含するように構成されている。この構成では、後部ロボット109は、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、第1後部処理ラック302、第2後部処理ラック304、中央ロボット107、および/またはステッパ/スキャナ5から基板を移送するように適合されている。またこの構成では、中央ロボット107を、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、第1後部処理ラック302、第2後部処理ラック304、および/または後部ロボット109から基板を移送するように適合できる。一実施形態では、シャトルロボット110は、1つ以上の処理ラック例えば前端処理ラック52、第1中央処理ラック152など内に保持されている2つ以上の近接した処理チャンバ間で基板を移送するように適合されている。00122図2Eは図1Bに図示した一実施形態の平面図を図示しており、この実施形態は、両方の処理チャンバ内においてフォトレジストコートステップ520図3A~図3Cまたは現像ステップ550図3A~図3Cを実行するように適合できる、第2中央処理ラック314図4J内に搭載されたツインコータ/デベロッパチャンバ350図9A~図9Bを包含している。この構成は、2つの処理チャンバ370内に見られる普通のコンポーネントのいくつかを共有して、システムコスト、複雑性、フットプリントを低減することができるため有利である。以下で説明する図9A~図9Bは、ツインコータ/デベロッパチャンバ350の様々な態様を図示する。図2Eはまた、第1中央処理ラック322図4K内に搭載されたベーク/冷蔵チャンバ800を包含しており、これらを、所望の処理シーケンスにおいて様々なベークステップ例えばBARC後ベークステップ512、PEBステップ540など図3A~図3Cおよび冷蔵ステップ例えばBARC後冷蔵ステップ514、PEB後冷蔵ステップ542など図3A~図3Cを実行するように適合できる。ベーク/冷蔵チャンバ800については、以下で図18A~図18Bに関連して説明する。00123図2Fはクラスタツール10のまたさらに別の実施形態の平面図であり、前端モジュール306と中央モジュール310を包含している。この実施形態では、前端モジュール306は第1処理ラック308と第2処理ラック309を包含していてもよく、また中央モジュール310は第1中央処理ラック312と第2中央処理ラック314を包含していてもよい。前端ロボット108は、ポッドアセンブリ105内に搭載されたカセット106、第1処理ラック308、第2処理ラック309、第1中央処理ラック312、第2中央処理ラック314、および/または中央ロボット107の間で基板を移送するように適合されている。中央ロボット107は、第1処理ラック308、第2処理ラック309、第1中央処理ラック312、第2中央処理ラック314、第1端部ロボット108、および/またはステッパ/スキャナ5の間で基板を転送するように適合されている。一実施形態では、前端ロボット108と中央ロボット107は連結式ロボット以下で説明するである。一実施形態では、シャトルロボット110は、1つ以上の処理ラック例えば第1処理ラック308、第1中央処理ラック312など内に保持されている2つ以上の近接した処理チャンバ間で基板を移送するように適合されている。1つの態様では、前端ロボット108が、前端ジュール306の第1処理ラック308と第2処理ラック309の間の中央にあたる場所に位置決めされている。別の態様では、中央ロボット107が、中央モジュール310の第1中央処理ラック312と第2中央処理ラック314の間の中央にあたる場所に位置決めされている。00124図2Gはクラスタツール10のさらに別の実施形態の平面図である。この実施形態は図2Fに示した実施形態と類似しているが、ステッパ/スキャナ5に取り付けできる後部モジュール316が追加されている。この実施形態では、前端モジュール306は第1処理ラック308と第2処理ラック309を包含でき、中央モジュール310は第1中央処理ラック312と第2中央処理ラック314を包含でき、後部モジュール316は第1後部処理ラック318と第2後部処理ラック319を包含できる。前端ロボット108は、ポッドアセンブリ105内に搭載したカセット106、第1処理ラック308、第2処理ラック309、第1中央処理ラック312、第2中央処理ラック314、および/または中央ロボット107の間で基板を移送するように適合されている。中央ロボット107は、第1処理ラック308、第2処理ラック309、第1中央処理ラック312、第2中央処理ラック314、第1後部処理ラック318、第2後部処理ラック319、前端ロボット108および/または後部ロボット109の間で基板を移送するように適合されている。後部ロボット109は、第1中央処理ラック312、第2中央処理ラック314、第1後部処理ラック318、第2後部処理ラック319、中央ロボット107、および/またはステッパ/スキャナ5の間で基板を移送するように適合されている。一実施形態では、1つ以上の前端ロボット108、中央ロボット107、後部ロボット109は連結式ロボット以下で説明するである。一実施形態では、シャトルロボット110は、1つ以上の処理ラック例えば第1処理ラック308、第1中央処理ラック312など内に保持されている2つ以上の近接した処理チャンバ間で基板を移送するように適合されている。1つの態様では、後部ロボット109は、後部モジュール316の第1後部処理ラック318と第2後部処理ラック319の間の中央の場所に位置決めされている。00125図2F、図2Gに図示した実施形態では、処理ラック間に形成された隙間が比較的開放的なスペースを形成して、メンテナンス作業員が実行不能となったクラスタツールコンポーネントにアクセスし易くなっているので有利である。図2F、図2Gに示すように、本発明の1つの態様では、この隙間の幅は処理ラック間のスペースと同程度であり、その高さは処理ラックと同程度である。システムの休止時間とシステム使用可能性は、所与のツールのCoOを決定する上での重要なコンポーネントであるため、クラスタツールコンポーネントに容易に接触しこれを維持できる能力は、他の従来技術の構成と比べて有利である。00126図2Hはクラスタツール10のさらに別の実施形態の平面図である。この実施形態は図2Fに示した実施形態と類似しているが、前端ロボット108と中央ロボット107の基部をクラスタツールの長さそれぞれ符号A1、A2に沿って平行移動できるようにするスライドアセンブリ714図16Hが追加されている。この構成により、各ロボットの到達範囲が延び、ロボットの重なりが向上する。ロボットの重なりは、ロボットが別のモジュールの処理ラック内の処理チャンバにアクセスする能力である。図2Hはシングルのスライドアセンブリ714上の前端ロボット108と中央ロボット107を図示しているのに対し、別の実施形態では、本発明の範囲を変更することのない範囲内で、各ロボット符号107、108が自体のスライドアセンブリの上にあるか、あるいは、スライドアセンブリ上にロボットを1つだけ搭載し、別のロボットを床またはシステムフレームに搭載している。00127図2Iはクラスタツール10の別の実施形態の平面図である。この実施形態は図2Gに示した実施形態と類似しているが、さらに、前端ロボット108の基部と、中央ロボット107および後部ロボット109の基部とが、クラスタツール10の長さそれぞれ符号A1、A2、A3に沿って平行移動できるようにする2本のスライドアセンブリ714A、714B図16Hで説明するを用いている。図2Iは、1本のスライドアセンブリ714A上の前端ロボット108と、シングルのスライドアセンブリ714B上の中央ロボット107および後部ロボット109を図示しており、別の実施形態では、本発明の精神を変更することのない範囲内で、1つ以上のロボット符号107、108、109をそのスライドアセンブリ図示せず上または共有のスライドアセンブリ上に載せたり、3つ全てのロボットをシングルのスライドアセンブリ図示せず上に載せることができる。フォトリソグラフィ処理シーケンス00128図3Aは、基板の表面上に形成されたフォトレジスト材料層を堆積、露光、現像するために使用できる一連の方法ステップ501の一実施形態を図示している。リソグラフィック処理は一般的に以下を包含する。ポッドから基板を除去するステップ508A、BARCコートステップ510、BARC後ベークステップ512、BARC後冷蔵ステップ514、フォトレジストコートステップ520、フォトレジストコート後ベークステップ522、フォトレジスト冷蔵後のステップ524、光学エッジビード除去OEBRステップ536、露光ステップ538、露光後ベークPEBステップ540、PEB後冷蔵ステップ542、現像ステップ550、ポッド内への設置ステップ508B。別の実施形態では、本発明の基本範囲を変更しない範囲内で、一連の方法ステップ501を再配列および修正でき、1つ以上のステップを除去し、あるいは2つ以上のステップを組み合わせて1つのステップにすることができる。00129ポッドから基板を除去するステップ508Aは、一般的に、前端ロボット108に、ポッドアセンブリ1105の1つで静止しているカセット106から基板を除去させる処理として定義される。カセット106は、1枚以上の基板Wを包含しており、さらに、基板処理シーケンスによってクラスタツール10内で基板を処理できるようにするために、ユーザまたは何らかの外部装置図示せずによってポッドアセンブリ105上に設置されている。基板処理シーケンスはユーザによって定義され、システムコントローラ101内に保持されているソフトウェアによって制御される。00130BARCコートステップ510、または底部反射防止コーティング処理これ以降BARCとするは、基板の表面の上に有機材料を堆積させるために使用されるステップである。典型的に、BARC層は、フォトレジスト層が光を吸収する前に基板上に塗布された有機コートであり、この有機コートのために、ステッパ/スキャナ5内で実行される露光ステップ538の最中に基板の表面で光が反射され、フォトレジスト内に戻ることができる。これらの反射を防止しなかった場合、フォトレジスト層内で光学定在波が確立され、これにより、フォトレジストの局所の厚さに従って、回路上の或る場所と別の場所で特徴部のサイズ1つ以上が異なるという結果が生じる。また、複数の電子装置製作ステップの完了後には常に表面トポグラフィのばらつきが現れるため、BARC層を使用して、基板の表面のトポロジーをならすまたは平坦化することもできる。BARC材料が特徴部の周囲および上を充填することで、フォトレジストをより平坦に塗布できるようになり、局所的にフォトレジストの厚さにばらつきが生じることを防止できる。典型的に、BARCコートステップ510は、従来のスピンオンフォトレジスト分配処理を使用して実行される。この従来の処理は、一定量のBARC材料を回転中の基板の表面上に堆積することで、BARC材料中の溶液を気化させ、これにより堆積されたBARC材料の材料特性を変化させるというものである。多くの場合、BARC処理チャンバ内における空気流と排気流の速度を制御することで、溶液気化処理と、基板の表面上に形成された層の特性とを制御する。00131BARC後ベークステップ512は、BARCコートステップ510にて堆積させたBARC層から全ての溶液を確かに除去するために使用され、場合によっては、BARC層の基板の表面への接着を促進するためにも使用される。BARC後ベークステップ512の温度は、基板の表面上に堆積させたBARC材料のタイプによって異なるが、一般的には約250°C未満である。BARC後ベークステップ512の完了に要する時間は、BARC後ベークステップの最中における基板の温度によって異なるが、一般的には約60秒未満である。00132BARC後冷蔵ステップ514は、全ての基板を同一の時間/温度プロフィールと一致させるために、基板が周囲温度よりも高い温度に保たれる時間を制御するべく使用されるステップであり、これによって処理のばらつきを最小化することができる。基板のウェーハ履歴の要素であるBARC処理時間/温度プロフィールのばらつきが堆積させた膜層の特性に影響を及ぼす可能性があるため、多くの場合、このプロフィールを制御することで処理のばらつきを最小化する。BARC後冷蔵ステップ514は、典型的に、BARC後ベークステップ512の後に基板を周囲温度またはこれに近い温度にまで冷却するために使用される。BARC後冷蔵ステップ514完了までに要する時間は、BARC後ベークステップを出る基板の温度によって異なるが、一般的には約30秒未満である。00133フォトレジストコートステップ520は、基板の表面の上にフォトレジスト層を堆積させるために使用するステップである。このフォトレジストコートステップ520の最中に堆積されるフォトレジスト層は、典型的に感光性有機コートである。このフォトレジスト層は、基板上に塗布され、後にステッパ/スキャナ5内部で露光されて、基板の表面上にパターン特徴部を形成する。フォトレジストコートステップ520は、典型的に従来のスピンオンフォトレジスト分配処理を使用して実行される。この従来の処理は、一定量のフォトレジスト材料を、基板を回転させながら、基板の表面上に堆積させ、これによりフォトレジスト材料中の溶液を気化させることで、堆積したフォトレジスト層の材料特性を変化させるものである。フォトレジスト処理チャンバ内における空気流と排気流の速度を制御して、溶液気化処理と、基板の表面上に形成された層の特性との制御を行う。場合によっては、排気流速度を制御し、および/または基板の表面付近に溶液を注入することにより、基板の表面の上の溶液の圧力を部分的に制御し、フォトレジストコートステップ中におけるフォトレジストからの溶液の気化を制御する必要がある。図5Aを参照すると、フォトレジストコートステップ520を完了するには、まず基板をコータチャンバ60A内のスピンチャック1033上に位置決めする。モータがスピンチャック1033と基板を回転させる一方で、基板の中央上にフォトレジストが分配される。回転によって角度トルクがフォトレジスト上で分散され、これによりフォトレジストが半径方向に押し出されて、最終的に基板を完全に被覆する。00134フォトレジストコート後ベークステップ522は、フォトレジストコートステップ520中に堆積させたフォトレジスト層から溶液の全て、あるいはその多くを確かに除去するため、またいくつかの場合ではフォトレジスト層のBARC層への接着を促進するために使用されるステップである。フォトレジストコート後ベークステップ522の温度は、基板の表面上に堆積させるフォトレジスト材料のタイプによって異なるが、一般的には約250°C未満である。フォトレジストコート後ベークステップ522の完了に要する時間は、フォトレジストベーク後のステップの最中における基板の温度によって異なるが、一般的には約60秒未満である。00135フォトレジスト冷蔵後のステップ524は、全ての基板を同一の時間/温度プロフィールと一致させるべく、基板が周囲温度よりも高い温度にある時間を制御するために使用されるステップであり、これによって処理のばらつきが最小化される。時間/温度プロフィールのばらつきは、堆積した膜層の特性に影響を及ぼす可能性があるため、処理のばらつきを最小化するために制御されることが多い。そのため、フォトレジストコート後ベークステップ522が終了してから、フォトレジスト冷蔵後のステップ524の温度を使用して、基板を周囲温度またはこれに近い温度にまで冷却する。フォトレジスト冷蔵後のステップ524の完了に要する時間は、フォトレジストベーク後のステップから出る基板の温度によって異なるが、一般的には約30秒未満である。00136光学エッジビード除去OEBRステップ536は、堆積させた感光フォトレジスト層1つ以上、例えばフォトレジストコートステップ520の最中に形成された層やBARCコートステップ510の最中に形成されたBARC層を放射線源図示せずで露光することで、これらの層の一方または両方を基板の縁から除去できるようにする、また、堆積した層のエッジ除外領域をより均等に制御できるようにするために使用される処理である。基板の表面の露光に使用する放射線の波長と強度は、BARCのタイプと、基板の表面上に堆積させるフォトレジスト層によって異なる。例えば、USHIOAmerica.,Inc.カリフォルニア州サイプレス市からOEBRツールを購入することができる。00137露光ステップ538は、集積回路ICの製造に使用するパターンを形成する目的で、リソグラフィック投射装置例えばステッパスキャナ5によって適用されるリソグラフィック投射ステップである。露光ステップ538は、フォトレジストコートステップ520中に形成されたフォトレジスト層や、BARCコートステップ510フォトレジスト中に形成されたBARC層のような感光材料を何らかの電磁放射線で露光することで、基板の表面上に集積回路IC装置の各層に関連した回路パターンを形成する。ステッパ/スキャナ5はCannon、Nikon、ASML社より購入できる。00138露光後ベークPEBステップ540は、光活性化合物1つ以上の拡散をシミュレーションし、フォトレジスト層における定在波の影響を低減すべく、露光ステップ538の直後に基板を加熱する目的で使用するステップである。化学増感したフォトレジストの場合には、PEBステップがさらに触媒作用による化学反応を生じさせ、これによりフォトレジストの可溶性が変化する。PEB中における温度制御は微小寸法CD制御にとって非常に重要である。PEBステップ540の温度は、基板の表面上に堆積させるフォトレジスト材料のタイプによって異なるが、一般的には約250°C未満である。PEBステップ540完了までに要する時間は、PEBステップ中における基板の温度によって異なるが、一般的には約60秒未満である。00139露光ベーク後PEB冷蔵ステップ542は、全ての基板を同一の時間/温度プロフィールと一致させるべく、基板が周囲温度よりも高い温度にある時間を確かに制御するために使用されるステップであり、これによって処理のばらつきが最小化される。PEB処理時間/温度プロフィールのばらつきは堆積させた膜層の特性に影響する可能性があるため、多くの場合これを制御することで処理のばらつきを最小化させる。したがって、PEB後冷蔵ステップ542の温度は、PEBステップ540後に基板を周囲温度またはこれに近い温度にまで冷却する目的で使用される。PEB後冷蔵ステップ542の完了に要する時間はPEBステップを出る基板の温度によって異なるが、一般的に約30秒未満である。00140現像ステップ550では、溶液を使用して、露光した、あるいはしていないフォトレジスト層およびBARC層に化学的または物理的変化を生じさせることで、露光ステップ538中に形成されたパターンを露出させる。現像処理は、デベロッパ溶液の分配に使用される噴霧、液浸、パドルタイプの処理であってもよい。現像ステップ550の一実施形態では、溶液を基板の表面上に分配した後にリンスステップを実行して基板の表面から溶液材料をリンスすることができる。基板の表面上に分配するリンス溶液は脱イオン水および/または表面活性剤を包含していてもよい。00141ポッドステップ508Bにおける基板の挿入は、一般的に、前端ロボット108に、ポッドアセンブリ105の1つの内部で静止しているカセット106へ基板を戻させる処理として定義される。00142図3Bは、基板の表面に対してトラックリソグラフ処理を実行するために使用される一連の方法ステップ502を含む別の実施形態を図示している。方法ステップ502におけるリソグラフィック処理は、図3Aで見られる全てのステップを包含しているが、但し、BARCコートステップ510とBARC後ベークステップ512を、ヘキサメチルジシラザン以降HMDSとする処理ステップ511とHMDS後冷蔵ステップ513に替えている。別の実施形態では、本発明の基本範囲を変更しない範囲内で、一連の方法ステップ502を再配列、修正したり、1つ以上のステップを除去したり、あるいは2つ以上のステップを組み合わせて1つのステップにすることが可能である。00143HMDS処理ステップ511は、一般的に、基板を約125度よりも高い温度にまで加熱することで、基板を短時間例えば120秒未満の間、一定量のHMDS蒸気を包含する処理ガスに晒して基板の表面の準備および乾燥を行うことにより、後に処理シーケンスにおいて堆積させるフォトレジスト層の接着性を促進させるステップを包含する。HMDS蒸気の使用を、先に、HMDS処理ステップ511と共に使用される化学物質として詳細に説明したが、HMDS処理ステップ511は、より一般的にはこれと類似の、フォトレジスト層の接着性の促進のために基板の表面の準備および乾燥を行うために利用される処理の等級を説明するものである。したがって、本願明細書中での用語HMDSの使用は、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。いくつかの場合において、HMDSステップは蒸気プライムステップと呼ばれる。00144HMDS後冷蔵ステップ513では、フォトレジスト処理ステップに入る全ての基板の初期処理温度を同一にするように基板の温度を制御する。フォトレジストコートステップ520に入る基板の温度のばらつきは、堆積した膜層の特性に大きく影響する可能性があるため、これを制御することで処理のばらつきを最小化する場合が多い。そのため、HMDS後冷蔵ステップ513の温度を使用して、HMDS処理ステップ511後に基板を周囲温度またはこの付近の温度にまで冷却する。HMDS後冷蔵ステップ513の完了に要する時間は、HMDS処理ステップ511から出る基板の温度によって異なるが一般的には約30秒未満である。00145図3Cは、基板にトラックリソグラフィック処理を実施する処理シーケンス、または方法ステップ503の別の実施形態を図示している。このリソグラフィック処理は、一般的に以下のステップを包含している:ポッド508Aからの除去ステップ、BARC前冷蔵ステップ509、BARCコートステップ510、BARC後ベークステップ512、BARC後冷蔵ステップ514、フォトレジストコートステップ520、フォトレジストコート後ベークステップ522、フォトレジスト冷蔵後のステップ524、反射防止トップコートステップ530、トップコート後ベークステップ532、トップコート後冷蔵ステップ534、光学エッジビード除去OEBRステップ536、露光ステップ538、露光後ベークPEBステップ540、PEB後冷蔵ステップ542、現像ステップ550、SAFIER商標解像度拡張用収縮補助膜コートステップ551、現像後ベークステップ552、現像後冷蔵ステップ554、ポッド内への設置ステップ508Bを包含していてもよい。方法ステップ503におけるリソグラフィック処理は、図3Aに見られる全てのステップに加えて、反射防止トップコートステップ530、トップコート後ベークステップ532、トップコート後冷蔵ステップ534、現像後ゲーキングステップ552、現像後冷蔵ステップ554、SAFIER商標コートステップ551を包含する。別の実施形態では、本発明の基本範囲を変更しない範囲内で、方法ステップ503のシーケンスを再配列、修正したり、1つ以上のステップを除去したり、2つ以上のステップを組み合わせて1つのステップにすることができる。00146BARC前冷蔵ステップ509は、基板の温度を、BARC処理ステップに入る全ての基板の初期処理温度が同一となるように制御する。BARCコートステップ510に入る全ての基板の温度のばらつきは、堆積した膜層の特性に大きく影響する可能性があるため、処理のばらつきを最小化する目的で制御されることが多い。したがって、BARC前のステップ509の温度を使用して、PODから移送された基板を周囲温度またはこれに近い温度にまで冷却または温熱する。BARC前冷蔵ステップ509の完了に要する時間は、カセット106内の基板の温度によって異なるが、一般的には約30秒未満である。00147反射防止トップコートステップ530またはトップ反射防止コート処理以降TARCは、フォトレジストコートステップ520中に堆積させたフォトレジスト層の上に有機材料を堆積させるために使用されるステップである。TARC層は、典型的に光を吸収するために使用させ、そうでない場合、TARC層を使用しなかった場合、ステッパ/スキャナ5内で実行される露光ステップ538の最中に、光が基板の表面で反射されフォトレジスト内に戻ってしまう。この反射を防止しないと、フォトレジスト層内で光学低定在波が確立されてしまい、これにより、フォトレジストの局所の厚さに従って、回路上の或る場所と別の場所で特徴部のサイズ1つ以上が異なるという結果が生じる。TARC層はまた、装置基板上に常に現れる基板の表面トポグラフィをならすまたは平坦化するためにも使用できる。反射防止トップコートステップ530は、典型的に、従来のスピンオンフォトレジスト分配処理を使用して実行される。この処理では、基板を回転させながら基板の表面上に一定量のTARC材料を堆積することでTARC材料中の溶液を気化させて、TARC層を高密度化する。コータチャンバ60A内の空気流と排気流の速度は、溶液気化処理と、基板の表面上に形成された層の特性とを制御するために制御される。00148トップコート後ベークステップ532は、反射防止トップコートステップ530で堆積させたTARC層から全ての溶液を確かに除去するために使用するステップである。トップコート後ベークステップ532の温度は、基板の表面上に堆積したTARC材料のタイプによって異なるが、一般的には約250度未満である。トップコート後ベークステップ532の完了に要する時間は、トップコート後ベークステップ中に実行される処理の温度によって異なるが、一般的には約60秒未満である。00149トップコート後冷蔵ステップ534は、基板が周囲温度よりも高い温度にある時間を、全ての基板の時間/温度プロフィールが一致して、処理のばらつきが最小化される形に制御するために使用されるステップである。基板ウェーハ履歴のコンポーネントであるTARC処理時間/温度プロフィールのばらつきは、堆積させた膜層の特性に影響を及ぼす可能性があるため、処理のばらつきを最小化するように制御されてることが多い。典型的に、トップコート後冷蔵ステップ534は、トップコート後ベークステップ532を周囲温度またはこれに近い温度にまで冷却するために使用される。トップコート後冷蔵テップ534の完了に要する時間は、トップコート後ベークステップ532から出る基板の温度によって異なるが、一般的には約30秒未満である。00150現像後ベークステップ552は、現像ステップ550後に残ったフォトレジスト層から全てのデベロッパ溶液を確かに除去するために使用されるステップである。現像後ベークステップ552の温度は、基板の表面上に堆積させるフォトレジスト材料のタイプによって異なるが、一般的には約250°C未満である。現像後ベークステップ552の完了に要する時間は、フォトレジストベーク後のステップの最中における基板の温度によって異なるが、一般的には約60秒未満である。00151現像後冷蔵ステップ554は、基板が周囲温度よりも高い温度にある時間を、全ての基板の時間/温度プロフィールを一致させることで処理のばらつきを最小化するように確かに制御するために使用されるステップである。現像処理時間/温度プロフィールのばらつきは、堆積させた膜層の特性に影響を及ぼす可能性があるため、制御によって処理のばらつきの最小化を図る場合が多い。そのため、現像後冷蔵ステップ554の温度を使用して、現像後ベークステップ552の後に基板を周囲温度またはこれに近い温度にまで冷却する。現像後冷蔵ステップ554の完了に要する時間は、現像後ベークステップ552を出る基板の温度によって異なるが、一般的には約30秒未満である。00152SAFIER解像度拡張用収縮補助膜コートステップ551は、現像ステップ550後に残留したフォトレジスト層の上に材料を堆積させて、現像後ベークステップ552にてこれをベークする処理である。典型的に、SAFIER商標処理は、プロフィールの劣化を非常に低く抑え、さらにラインエッジラフネスLERを改善しながら、ICトレンチパターン、ビア、コンタクト孔の物理的収縮を生じさせるために使用される。SAFIER商標コートステップ551は、典型的に、回転している基板の表面上に一定量のSAFIER商標材料を分配する従来のスピンオンフォトレジスト分配処理を使用して実行される。処理ラック00153図4A~図4Jは、前端処理ラック52、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、後部処理ラック202、第1後部処理ラック302、第2後部処理ラック304、第1処理ラック308、第2処理ラック309、第1中央処理ラック312、第2中央処理ラック314、第1後部処理ラック318、第2後部処理ラック319の一実施形態の側面図を図示する。これらの処理ラックは、基板処理シーケンスの様々な態様を実行する複数の基板処理チャンバを包含している。一般に、図4A~図4Jに図示した処理ラックは、1つ以上のコータチャンバ60A、1つ以上のデベロッパチャンバ60B、1つ以上の冷蔵チャンバ80、1つ以上のベークチャンバ90、1つ以上のPEBチャンバ130、1つ以上の支持チャンバ65、1つ以上のOEBRチャンバ62、1つ以上のツインコータ/デベロッパチャンバ350、1つ以上のベーク/冷蔵チャンバ800、および/または1つ以上のHMDSチャンバ70のような1つ以上の処理チャンバを包含しており、これらの処理チャンバについては以降でさらに説明する。図4A~図4Jに示す処理チャンバの方位付け、タイプ、位置決め、個数は本発明の範囲の制限ではなく、本発明の様々な実施形態を図示することを意図したものである。一実施形態では、図4A~図4Jに示すように、処理チャンバを垂直に積重するか、あるいは1つのチャンバを別のチャンバのほぼ上に位置決めすることでクラスタツール10のフットプリントを低減している。別の実施形態では、チャンバを鉛直に積み重ねることによって、処理チャンバが1つのチャンバが別のチャンバの上に部分的に乗った形で水平方向互い違いのパターンに位置決めされるため、物理サイズの異なる1つ以上のチャンバを使用する場合に、処理ラックのスペースをより効率的に使用できるようになる。さらに別の実施形態では、処理チャンバは、処理チャンバの基部が同じ平面を共用しない形で、垂直方向で互い違いに、および/または、処理チャンバの1側部が別の処理チャンバと同じ面を共用しない形で、水平方向で互い違いに配置されている。クラスタツールを設置するクリーンルームスペースは多くの場合限られており、ツールの建設とメンテナンスに非常に高額の経費がかかるため、クラスタツールフットプリントの最小化はクラスタツールの開発において重要な要因である。00154図4Aは、中央ロボット107と対面し、ポッドアセンブリ105の前に位置している前端処理ラック52をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図1A~図1Bおよび図2A~図2Cに示した図と一致する。図4Aに示す一実施形態では、前端処理ラック52は4個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~CD4と、12個の冷蔵チャンバ80ラベルC1~C12と、6個のベークチャンバ90ラベルB1~B6、および/または6個のHMDS処理チャンバ70ラベルP1~P6を包含している。00155図4Bは、中央ロボット107と対面している第1中央処理ラック152をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図1A~図1Bおよび図2A~図2Cに示した図と一致する。図4Bに示す一実施形態では、第1中央処理ラック152は12個の冷蔵チャンバ80ラベルC1~C12と、24個のベークチャンバ90ラベルB1~B24とを包含している。00156図4Cは、中央ロボット107と対面している第2中央処理ラック154をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図1A~図1Bおよび図2A~図2Cに示した図と一致する。図4Cに示す一実施形態では、第2中央処理ラック154は4個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~CD4、4個の支持チャンバ65ラベルS1~S4を包含する。一実施形態では、4個の支持チャンバ65を4個のコータ/デベロッパチャンバ60で代用している。00157図4Dは、中央ロボット107と対面した後部処理ラック202をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図1A~図1B、図2Bに示した図と一致する。図4Dに示す一実施形態では、後部処理ラック202は4個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~4、8個の冷蔵チャンバ80ラベルC1~8、2個のベークチャンバ90ラベルB1~24、4個のOEBRチャンバ62ラベルOEBR1~4、6個のPEBチャンバ130ラベルPEB1~4を包含している。00158図4Eは、後部ロボット109と対面している第1後部処理ラック302をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図2Cに示した図と一致する。図4Eに示す一実施形態では、第1後部処理ラック302は、4個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~4、8個の冷蔵チャンバ80ラベルC1~8、2個のベークチャンバ90ラベルB1~24、4個のOEBRチャンバ62ラベルOEBR1~4、6個のPEBチャンバ130PEB1~6を包含している。00159図4Fは、後部ロボット109と対面している第2後部処理ラック304をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図2Cに示す図と一致する。図4Fに示す一実施形態では、第2後部処理ラック304は4個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~4、4個の支持チャンバ65ラベルS1~4を包含している。一実施形態では、4個の支持チャンバ65を4個のコータ/デベロッパチャンバ60で代用している。00160図4Gは、前端ロボット108と対面している第1処理ラック308をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図2F~図2Gに示した図と一致する。図4Gに示す一実施形態では、第1処理ラック308は、図18に関連して以下で説明する12個のベーク/冷蔵チャンバ800ラベルBC1~12を包含している。00161図4Hは、前端ロボット108と対面している第2処理ラック309をクラスタツール10の外から見た側面図を図示する。したがって、同図は図2F~図2Gに示した図と一致する。図4Hに示す一実施形態では、第2処理ラック309は4個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~4、4個の支持チャンバ65ラベルS1~4を包含している。一実施形態では、4個の支持チャンバ65を4個のコータ/デベロッパチャンバ60で代用している。00162図4Iは、中央ロボット107または後部ロボット109と対面している第1中央処理ラック312または第1後部処理ラック318をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図2F~図2Gに示す図と一致する。図4Iに示す実施形態では、第1中央処理ラック312または第1後部処理ラック318は、8個の冷蔵チャンバ80ラベルC1~8、14個のベークチャンバ90ラベルB1、B2、B3、B5、B6、B7その他、4個のOEBRチャンバ62ラベルOEBR1~4、6個のPEBチャンバ130ラベルPEB1~6を包含している。別の実施形態では、第1中央処理ラック312または第1後部処理ラック318を、図4Gに図示した、12個の冷蔵チャンバ80と24個のベークチャンバ90を包含する構成と同様に配列することができる。00163図4Jは、中央ロボット107または後部ロボット109と対面している第2中央処理ラック314または第2後部処理ラック319をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図2F~図2Gに示した図と一致する。図4Jに示す一実施形態では、第2中央処理ラック314または第2後部処理ラック319は4個のツインコータ/デベロッパチャンバ350を包含しており、このツインコータ/デベロッパチャンバ350は、コータチャンバ60A、デベロッパチャンバ60B、またはこれらの組み合わせとして構成できる4対の処理チャンバ370を包含している。00164図4Kは、前端ロボット108と対面している第1処理ラック322をクラスタツール10の外から見た側面図を図示している。したがって、同図は図2Eに示す図と一致する。図4Kに示した一実施形態では、第1処理ラック322は12個のベーク/冷蔵チャンバ800ラベルBC1~12を包含している。これについては以降で図18A~図18Bに関連して説明する。コータ/デベロッパチャンバ00165コータ/デベロッパチャンバ60は、例えば図3A~図3Cに示すBARCコートステップ510、フォトレジストコートステップ520、反射防止トップコートステプ530、現像ステップ550、および/またはSAFIER商標コートステップ551を実行するように適合できる処理チャンバである。一般的に、コータ/デベロッパチャンバ60は2つの主要タイプのチャンバ、即ち図5Aに示すコータチャンバ60Aと、図5Dに示すデベロッパチャンバ60B以降で説明するに構成することができる。00166図5Aは、BARCコートステップ510、フォトレジストコートステップおよび反射防止トップコートステップ530を実行するように適合できる、コータチャンバ60Aの一実施形態の垂直断面図である。コータチャンバ60Aはエンクロージャ1001、ガス流分布システム1040、コータカップアセンブリ1003、流体分配システム1025を包含していてもよい。エンクロージャ1001は、一般的に、側壁1001A、基部壁1001B、頂部壁1001Cを包含する。基板Wを処理する処理領域1004を包含するコータカップアセンブリ1003は、カップ1005、回転可能なスピンチャック1034、リフトアセンブリ1030をさらに包含している。回転可能なスピンチャック1034は、一般的に、スピンチャック1033、シャフト1032、回転モータ1031、真空源1015を包含している。スピンチャック1033はシャフト1032によって回転モータ1031に取り付けられており、回転中の基板を持着するように適合された封止面1033Aを包含している。基板は、真空源1015で生成された真空の使用によって封止面1033Aに持着される。カップ1005は、プラスチック材料例えばPTFE、PFA、ポリプロピレン、PVDFその他、セラミック材料、プラスチック材料でコートした金属例えばPVDF、Halar等のいずれかでコートしたアルミニウムまたはSST、または、流体分配システム1025から送出された処理流体と融和性を有するこれ以外の材料で製造されている。一実施形態では、回転モータ1031は、300mmの基板を約1~4000毎分回転数RPMで回転させるように適合されている。00167一般的にリフトアセンブリ1030は、空気シリンダまたはサーボモータのようなアクチュエータ図示せずと、回転可能なスピンチャック1034を所望の位置へ昇降させるべく適合されたリニアボールベアリングスライドのような案内部図示せずを包含している。そのため、リフトアセンブリ1030は、処理中に基板をカップ1005内の回転可能なスピンチャック1034上に搭載された位置決めし、また、外部ロボット例えば、図示にはない前端ロボット108、中央ロボット107、ロボット109などによる交換を可能にするべく、基板をカップ1005Aの頂部よりも上にリフトさせるように適合されている。外部ロボットに取り付けられたロボットのブレード611が、側壁1001A内に形成されたアクセスポート1002を介してエンクロージャ1001に取り付けられている。00168ガス流分布システム1040が、エンクロージャ1001とコータカップアセンブリ1003を通り排出システム1012まで均等なガス流を送出できるように適合されている。一実施形態では、ガス流分布システム1040は、一般的にHEPAフィルタ1041とフィルタエンクロージャ1044を包含しているHEPAフィルタアセンブリである。HEPAフィルタ1041とフィルタエンクロージャ1044はプレナム1042を形成している。このプレナム1042は、ガス源1043から流入し、HEPAフィルタ1041、エンクロージャ1001、およびコータカップアセンブリ1003を通るガス流を均等にすることができる。一実施形態では、ガス源1043は、ガス例えば空気を所望の温度および湿度にて処理領域1004へ送出するように適合されている。00169流体分配システム1025は、一般的に、1つ以上の溶液をスピンチャック1033上に搭載した基板の表面へ送出する1つ以上の流体源アセンブリ1023を包含している。図5Aは、放出ノズル1024、供給管1026、ポンプ1022、フィルタ1021、吸引戻し弁1020、流体源1019を包含する単一の流体源アセンブリ1023を図示する。支持アームアクチュエータ1028は、放出ノズル1024と分配アーム127を所望の位置へ移動させるように適合されている。これにより、放出ノズル1024から基板上の所望の位置へ処理流体を分配することができる。ポンプ1022を使用して処理流体は放出ノズル1024へ送出することができる。ポンプ1022は、流体源1019から処理流体を除去し、この処理流体をフィルタ1021、吸引戻し弁1020、放出ノズル1024を介して基板の表面上へ放出する。放出ノズル1024から放出された処理溶液を、スピンチャック1033によって回転されている基板Wの上へ分配することができる。吸引戻り弁1020は、基板上に望ましくない材料が滴下することを防止するために、基板上に所望の量の処理流体が分配された後に、放出ノズル1024から一定量の溶液を引き戻すように適合されている。分配された処理溶液は基板を回転させることで基板のエッジ部から飛び散り、カップ1005の内壁によって収集され、排液管1011へ送出されて、最終的には廃物収集システム1010へ送出される。フォトレジスト厚さ制御チャンバ00170図5Bは、例えばBARCコートステップ510、フォトレジストコートステップ、反射防止トップコートステップ530を実行するように適合できるコータチャンバ60Aの別の実施形態の側面図である。図5Bに示す実施形態は、基板の表面上に堆積した材料の表面からの溶液の気化を制御して厚さ均等処理の結果を改善するための、堆積ステップの1つ以上の段階中に、基板周囲にエンクロージャを形成するように適合することができる。伝統的に、典型的なスピンオンタイプのコーティング処理における厚さ均等性制御は、最後に堆積させる層の均等性の気化を制御するための、基板回転速度と排出流量の制御に依存する。厚さ均等性の制御は、処理ステップ中に基板の表面を横断する空気流によって異なる。処理中の回転速度は、普通、基板の表面を横切る空力のばらつき例えば、層流から乱流への遷移の可能性が増加するに従ってコータチャンバ60A内で処理された基板の直径が増加することで低下される。空力のばらつきは、基板の表面と相互作用した空気に速力が与えられたことで生じたポンピング効果による基板半径の関数としての風速のばらつきが原因で発生すると考えられている。薄いフォトレジスト層に必要量の溶液を拡散してこれを除去する能力毎、即ち基板の回転速度毎に、コートステップの完了までにかかる時間が異なるという1つの問題が発生する。回転速度が速いほど処理時間が短くなる。そのため、一実施形態では、基板の周囲にエンクロージャを配置して、基板の表面の周囲環境を制御することで、より大型の基板の場合の厚さ均等性の制御を改善している。基板周囲に形成されたエンクロージャが、基板の表面を横切るガス流を遮る傾向にあり、これにより、フォトレジストから相当量の溶液が気化する前にフォトレジストを拡散させることができるため、均等性の制御が改善されるのは溶液の気化の制御によるものであると考えられている。00171この実施形態におけるコータチャンバ60Aは、一般的にはエンクロージャ1001、ガス流分布システム1040、コータカップアセンブリ1003、処理エンクロージャアセンブリ1050、流体分配システム1025を包含している。図5Bに図示した実施形態は、図5Aで説明されているコータチャンバ60Aを参照して上述した多数のコンポーネントを包含しているため、明確性の目的から同一または類似のコンポーネントの参照符号を図5Bでも使用している。この実施形態では、図5Aに図示したスピンチャック1033を、上に基板が静止するエンクロージャコータチャック封止面1056Aを有するエンクロージャコータチャック1056と、チャック基部領域1056Bとで代用している点に留意すべきである。00172図5Bは、処理位置にある処理エンクロージャアセンブリ1050を図示している。エンクロージャの蓋1052がチャック基部領域1056Bとは別々になっているため、交換位置図示せずにある場合には、外部ロボット例えば前端ロボット108、中央ロボット107その他に取り付けられているロボットブレード611を使用して基板をエンクロージャコータチャック1056へ移送することができることに留意されたい。処理エンクロージャアセンブリ1050はエンクロージャ蓋1052とチャック基部領域1056Bを包含し、基板の周囲に処理領域1051を形成するため、コーティング処理の複数の異なる段階中に処理環境を制御することが可能である。一般的に、処理エンクロージャアセンブリ1050は、エンクロージャ蓋1052、スピンチャック1033、回転アセンブリ1055、リフトアセンブリ1054を包含している。リフトアセンブリ1054は、一般的に、リフトアクチュエータ1054Aとリフト搭載ブラケット1053を包含しており、これが回転アセンブリ1055とエンクロージャ1001の表面に取り付けられる。リフトアクチュエータ1054Aは、一般的に、空気シリンダまたは直流サーボモータのようなアクチュエータと、リニアボールベアリングスライドのような案内部図示せずとを包含している。これらは、処理エンクロージャアセンブリ1050内に包含されているスピンチャック1033以外の全てのコンポーネントを昇降させるように適合されている。00173回転アセンブリ1055は、一般的に、1つ以上の回転ベアリング図示せずとハウジング1055Aとを包含している。これらは、エンクロージャコータチャック1056の回転と共にエンクロージャ蓋1052が回転するように適合されている。一実施形態では、スピンチャック1033が回転モータ1031によって回転されると、エンクロージャ蓋1052とチャック基部領域1056Bが接触して生じた摩擦によってハウジング1055Aが回転する。エンクロージャ蓋1052は、蓋シャフト1052Aを介して回転ベアリングに取り付けられている。一実施形態では、エンクロージャ蓋1052とチャック基部領域1056Bの接触は、リフトアセンブリ1030、リフトアセンブリ1054、または協働するこれら両方のリフトアセンブリの動作によって開始される。00174一実施形態では、エンクロージャ蓋1052とチャック基部領域1056Bが接触すると封止が形成され、基板の周囲に包囲された処理環境が作成される。一実施形態では、処理領域1051の容量は、基板の表面上のフォトレジストからの溶液の気化を制御するために多少小さく設けられ、例えば、エンクロージャ蓋1052および/またはチャック基部領域1056Bの基板までの隙間は約3mmであってもよい。00175一実施形態では、エンクロージャ蓋1052とチャック基部領域1056Bが接触し、基板が第1回転速度で回転される一方で、フォトレジスト材料が、蓋シャフト1052A内のクリアランスホール図示せず内の管図示せずを通って処理領域1051へ送出される。このステップでは、回転により生じた遠心力効果のためにフォトレジストが拡散されるが、基板の表面の上で溶液を豊富に含んだ蒸気が形成されることで、フォトレジストの特性変更能力が規制される。フォトレジストの分配後に、エンクロージャ蓋1052とエンクロージャコータチャック1056を、フォトレジストが所望の薄さになるまで第2回転速度にて回転することができ、所望の薄さが得られた時点でエンクロージャ蓋1052をエンクロージャコータチャック1056の表面から上昇させて、フォトレジスト内に残留している溶液を逃がす。これにより最後の溶液蒸発処理が完了する。00176別の実施形態では、従来の押し出し分配処理例えば、不動状態の基板にかけてフォトレジスト分配アーム図示せずを押し流すを使用してフォトレジストの分配を行い、その後、基板を処理エンクロージャアセンブリ1050内に包囲し、所望の速度で回転させることで、所望の厚さの均等な層を達成する。所望の厚さが達成されたら、エンクロージャ蓋1052をエンクロージャコータチャック1056と別々にして、フォトレジストから溶液が気化できるようにする。00177エンクロージャ蓋1052の一実施形態では、処理中に余分なフォトレジストを処理領域1051から出すための複数の孔1052Bが、エンクロージャ蓋1052の外壁に形成される。この構成では、流入地点および/または流出地点がないために、空気とフォトレジストに作用する遠心力によって、基板の表面を横切る空気流が遮られるか、あるいは最小化される。この構成では、空気およびフォトレジストはこれに作用する遠心力によって孔1052Bから流出し、処理領域1051内の圧力が周囲圧力未満に降下する。一実施形態では、基板、エンクロージャ蓋1052、エンクロージャコータチャック1056の回転速度を変更することにより、この処理の複数の異なる段階の最中に処理領域内の圧力を変更させて、フォトレジストの気化を制御することができる。00178一実施形態では、処理中に、溶液を豊富に含んだ蒸気が蓋シャフト1052Aの孔から処理領域1051内に注入されることで、フォトレジスト層の最終的な厚さと均等性が制御される。溶液/デベロッパ分配を行うシャワーヘッド流体分配システム00179従来技術設計では、基板の表面上に均等で繰り返し可能なフォトレジスト層を達成する試みにおいて、コータチャンバカップの外形設計、基板のスピン方法、チャンバ処理領域にかけての空気流の変化、フォトレジスト層分配処理を改善するフォトレジスト分配ハードウェアの設計を強調した。これらの設計は、各種レベルの複雑性とコストで或るレベルの均等性を達成する。CoOを低減し、増加し続ける処理均等性を満たす必要性から、さらなる改善が必要である。00180図5Cは、流体を基板の表面へ送出し、処理均等性の成果を拡張するように適合させた流体分布装置1070を包含するコータ/デベロッパチャンバ60の一実施形態を図示している。本発明の1つの態様では、フォトレジスト層内に見られる流体を使用することにより、気化処理を制御できるようにしている。この構成では、リフトアセンブリ1074を使用することで、流体分布装置1070を基板の表面に対して昇降させることができる。これにより、流体分布装置1070と基板の表面の間に最適な隙間を達成でき、堆積した層の表面を分配した流体によって均等に飽和させることができる。一実施形態では、この隙間は約0.5~15mmである。リフトアセンブリ1074は、一般的に、シャワーヘッドアセンブリ1075とエンクロージャ1003の表面に取り付けることができるリフトアクチュエータ1074Aとリフト取り付けブラケット1073を包含している。リフトアクチュエータ1074は、一般的に、空気シリンダまたは直流サーボモータのようなアクチュエータ図示せずと、リニアボールベアリングスライドのような案内部図示せずを包含し、これらは流体分布装置1070内の全ての構成要素を昇降するように適合されている。00181図5Cは、処理位置にある流体分布装置1070を図示している。流体分布装置1070は、コーティング処理の異なる段階の最中に処理環境の制御を行えるように、基板と流体分布装置1070の間に処理領域1071を形成するシャワーヘッドアセンブリ1075を包含している。一般的に、流体分布装置1070は、シャワーヘッドアセンブリ1075、流体源1077、リフトアセンブリ1074を包含している。00182シャワーヘッドアセンブリ1075は、一般的に、シャワーヘッド基部1072、シャフト1072A、シャワーヘッド板1072Dを包含する。シャフト1072Aはシャワーヘッド基部1072に取り付けられており、流体源1077からシャワーヘッド基部1072内に形成されたプレナム1072Cへ流体を送出するためにシャフト内に形成された中央孔1072Bを有する。シャワーヘッド基部1072に取り付けられたシャワーヘッドプレート1072Dには複数の孔1072Fが形成されており、この孔はプレナム1072C、さらに流体源1077を、シャワーヘッド1072Dの下方面1072Eに接続させる。処理中に、流体源1077から中央孔1072B内に処理流体が分配され、この処理流体がプレナム1072Cへ入り、複数の孔1072Fを通って、基板と下方面1072Eの間に形成された処理領域1071内へと流れる。一実施形態では、孔のサイズ、孔の個数、シャワーヘッド板1072Dにわたる複数の孔1072Fの分布は、処理流体を処理領域1071へ均等に送出するように設計されている。別の実施形態では、孔のサイズ、孔の個数、シャワーヘッド板1072Dにわたる複数の孔1072Fの分布は、処理領域1071に処理流体の所望の不均等な分布を送出するシャワーヘッド板1072Dにわたって不均等に離間している。不均等なパターンは、堆積したフォトレジスト層内に厚さのばらつきを生じさせる可能性のある、空力または別の効果によって生じた厚さのばらつきを修正するために有効である。00183一実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ1075はモータ1072Gと回転封止部1072Hを包含し、これらは処理中に回転し、シャワーヘッドアセンブリ1075へ処理流体を送出するように適合されている。回転封止部1072Hは、当分野において周知の、ダイナミックなリップ封止部またはこれ以外の類似装置であってもよい。フォトレジストノズルリンスシステム00184図6A~図6Bは、封入容器アセンブリ1096をさらに包含する、上述の流体源アセンブリ1023の一実施形態を図示した等角図である。理想的な時間または処理ステップどうしの間に放出ノズル1024が汚染する可能性を低減するため、供給管1026内の処理流体が完全に乾燥してしまうことの防止を試みるため、および/または、流体源アセンブリ1023の様々なコンポーネント例えば放出ノズル1024、供給管出口1026Aなどを洗浄するために、容器開口部1095A図6Aを参照よりも上に放出ノズル1024が位置決めされ、環境領域1099内に制御された領域を形成している。この構成は、乾燥および薄片化し易く、後続の処理ステップで放出ノズル1024を基板の表面の上へ移動した際に粒子問題を生じるフォトレジストのような処理流体を使用する場合に有利である。一実施形態では、図6A~図6Bに示した放出ノズル1024は、処理流体を供給管出口1026Aから、清潔でかつ繰り返し分配できるように供給管1026を保持および支持するように構成されたノズル本体1024Aを包含している。00185図6Aは、回転して基板の表面上に処理流体を分配できるように、放出ノズル1024を封入容器アセンブリ1096と別々にした構成を図示している。一般的に、封入容器アセンブリ1096は1つ以上のリンスノズル1090、容器1095、排水管1094、容器開口部1095Aを包含している。管1090Aに接続しているリンスノズル1090は、1つ以上の流体送出源1093図6A~図6Bでは2つの流体送出源を示している。符号1093A~1093Bを参照と連通している。一般的に、排水管1094は廃物収集システム1094Aに接続している。00186図6Bを参照すると、処理中における基板の汚染を低減する試みにおいて、流体送出源1093に取り付けられ、1つ以上の洗浄溶液をノズルへ送出するための1本または複数のリンスノズル1090を使用して、放出ノズル1024と供給管出口1026Aを洗浄する。一実施形態では、付与処理完了後に残余したフォトレジストを除去できる洗浄溶液である。ノズルの本数とその方位付けは、放出ノズル1024と供給管出口1026Aの全ての側部と表面が洗浄される形で配列準備することができる。洗浄後に、容器1095の環境領域1099内に保持されている残余蒸気を、供給管1026内に保持されている処理流体1種類または複数種類が完全に乾いてしまうことを防止するために使用できる。フォトレジスト温度制御の使用時点00187分配したフォトレジストの温度が特性および処理結果に大きく影響するので、均等で繰り返し可能なコーティング処理を確かに得るために、分配したフォトレジストの温度を厳しく制御する場合が多い。最適な分配温度はフォトレジスト毎に異なる。そのため、コータチャンバ60Aは、異なるフォトレジスト材料を包含する異なる処理レシピを実行するべく複数の流体源アセンブリ1023を包含していてもよいため、望ましい処理結果が一貫して確かに得られるように、流体源アセンブリ1023の温度のそれぞれを制御する必要がある。本発明の実施形態は、コートまたは現像処理中に基板の表面上に分配する前に、フォトレジストの温度を制御するための様々なハードウェアと方法を提供する。00188図6A、図6Bに示すような一実施形態では、放出ノズル1024は、ノズル本体1024Aと、供給管1026と、供給管1026に内容された処理流体とを加熱および/または冷却するように適合された熱交換装置1097を包含している。一実施形態では、熱交換装置は、処理流体の温度を制御するように適合された抵抗性の加熱器である。別の実施形態では、熱交換装置1097は、処理流体の温度を制御するために流体熱交換器に作業流体を流す流体温度コントローラ図示せずを使用して、処理流体の温度を制御するように適合された流体熱交換器である。別の実施形態では、熱交換装置は、処理流体を加熱または冷却するように適合された熱電気装置である。図6A、図6Bは、ノズル本体1024Aと連通した熱交換装置1097を示し、また、本発明の別の実施形態は、熱交換装置1097が、処理流体の温度を効率的に制御するために供給管1026および/またはノズル本体1024Aと接触している構成を含んでいてもよい。一実施形態では、供給管1026の長さは第2熱交換器1097Aを使用することで温度制御される。これにより、供給管内部容量1026B内に保持されている、分配された処理流体の全ての容量が、次の処理ステップ中に望ましい温度で基板の表面上に確かに分配できるようになる。第2熱交換器1097Aは、上述したように電気加熱器、熱電装置および/または流体熱交換装置であってもよい。00189一実施形態では、封入容器アセンブリ1096は、放出ノズル1024を容器開口部1095Aよりも上に位置決めした場合に図6B参照、ノズル本体1024Aと供給管1026内の処理流体の温度を一貫した温度に維持するように温度制御されている。図6A~図6Bを参照すると、容器1095の壁に取り付けた容器加熱交換装置1098を使用して、容器1095を加熱または冷却することができる。容器熱交換装置1098は上述したような熱電装置および/または流体熱交換装置であってもよく、これらはシステムコントローラ101と共に使用されて容器1095の温度を制御する。00190一実施形態では、チュービング1090Aに接続したリンスノズル1090の温度は、洗浄処理中に供給管1026内の処理流体が加熱または冷蔵されないよう、放出ノズル1024と供給管出口1026Aに噴霧される洗浄溶液が望ましい温度になるように制御された温度である。コータノズル設置システム00191均等で繰り返し可能な処理結果を確かに得るために、フォトレジスト材料を分配する基板の表面上の位置を厳しく制御することが好ましい。堆積したフォトレジスト層の均等性は、基板の表面上のフォトレジストを堆積させる位置によって影響される。そのため、放出ノズル1024の正確な位置決めが可能な、多くの場合高額な支持アームアクチュエータ1028を使用して、分配アーム1027の位置を精密に制御することが普通である。コータチャンバ60Aが複数の放出ノズル1024を有し、複数の異なるフォトレジスト材料を分配することが普通であるが、これにより、多数の分配アーム1027を精密または正確に制御する必要が生じるため、コータチャンバ60Aのコストと複雑性が大幅に増加してしまう。したがって、本発明の様々な実施形態は、較正および精密な制御を行うアームは1本のみであることから較正が容易な1本の分配アーム1027を利用する機器および方法を提供する。この構成では、様々な流体源アセンブリ1023に見られる複数の放出ノズル1024は、シャトルアセンブリ1180図7Aを使用することで1本の分配アーム1192と交換することができる。一実施形態では、分配アーム1192は、制御に要する自由度を1度のみにする例えば1本の直線方向z方向ように適合されている。したがって、この構成によってより精密かつ繰り返し可能な放出ノズル1024位置を制御することが可能になり、アームの複雑性、システムコスト、使用可能な基板スクラップ、較正の必要性が低減される。00192図7Aは、1度の自由度を有する分配アーム1192を利用する、コータチャンバ60Aに見られる分配アームシステム1170の一実施形態の平面図である。この構成では、分配アームシステム1170は一般的に分配アームアセンブリ1190、シャトルアセンブリ1180、キャリアアセンブリ1160を包含している。一般的に、分配アームアセンブリ1190は分配アーム1192と、分配アーム1192の内部または上に形成されたノズル取り付け位置1193と、アクチュエータ1191とを包含している。一実施形態では、ノズル保持特徴1194は、シャトルアセンブリ1180によってノズル取り付け位置1193に置かれた放出ノズル1024を掴持するように適合されている。ノズル保持特徴1194は、放出ノズル上の特徴を掴持するか、あるいはこれと相互ロックする、ばね装填式または空気式のアクチュエータであってもよい。アクチュエータ1191は、例えば空気シリンダ、または分配アーム1192を昇降できるその他の装置である。一実施形態では、アクチュエータ1191は、分配アーム1192を或る位置から別の位置へ移動する際にこれの設置または移動の制御を支援するリニア案内部図示せずをさらに包含している。00193キャリアアセンブリ1160は、一般的に、ノズル支持部1161と、放出ノズル1024および供給管10266本の放出ノズル1024と流体源アセンブリ1023を示すを包含する2つ以上の流体源アセンブリ1023と、回転アクチュエータ図示せずを包含している。回転アクチュエータは、システムコントローラ101からの命令を使用して、ノズル支持部1161と、全ての放出ノズル1024およびこれに関連した供給管とを所望の位置へ回転させるように適合されている。00194シャトルアセンブリ1180は、キャリアアセンブリ1160から放出ノズル1024を取り上げ、この放出ノズル1024を回転させて分配アーム1192上のノズル取り付け位置1193へ移送するように適合されている。シャトルアセンブリ1180は、一般的に、アクチュエータアセンブリ1181、シャトルアーム1182、ノズル移送特徴部1183を包含している。ノズル移送特徴部1183は、放出ノズル1024と係合、またはこれを掴持するように適合されている。これにより、放出ノズル1024をキャリアアセンブリ1160から除去してノズル搭載位置1193へ移送し、処理完了後に、ノズル移送位置1193からキャリアアセンブリ1160へ戻すことができる。アクチュエータアセンブリ1181は、一般的に1つ以上のアクチュエータを包含し、このアクチュエータは、シャトルアセンブリ1180を昇降させ、シャトルアーム1182を所望の位置へ回転させるように適合されている。アクチュエータアセンブリ1181は、例えば、昇降タスクを完了するために、空気シリンダ、親ねじに取り付けた交流サーボモータ、交流サーボリニアモータのうち1つ以上を包含する。さらにアクチュエータアセンブリ1181は、回転タスクを完了するために、空気シリンダ、ステッパモータ、交流サーボモータのうち例えば1つ以上を包含することもできる。00195シャトルアーム1182がホームポジション図7Aの符号Aを参照からキャリアアセンブリ1160よりも上の位置へ回転し、次に、ノズル取り上げ位置図示せずに到達するまで垂直に移動する。その後、放出ノズル1024がノズル移送特徴部1183と係合できるよう、キャリアアセンブリ1160が回転する符号Bを参照。次に、シャトルアーム1182が垂直に移動して、放出ノズル1024をキャリアアセンブリ1160と別々し、その後、放出ノズル1024が、分配アーム1192内のノズル搭載位置1193の上に位置決めされるまで回転する。シャトルアーム1182が、ノズル搭載位置1193上に放出ノズル1024を置くまで垂直に移動する。シャトルアーム1182は垂直に移動した後に、回転してホームポジション符号Aを参照へ戻る。次に、分配アームアセンブリ1190内のアクチュエータ1191が、基板処理ステップを開始できるように、放出ノズルを基板の表面の上の所望の位置符号Wを参照へ移動する。放出ノズル1024を除去するにはステップを反転させる。00196図7Bは、分配アームシステム1170の別の実施形態を図示しており、この場合、分配アームアセンブリ1190は2度の回転自由のような自由度、または1度の線形自由x方向、縦の自由度z方向を有する。図7Aに示した実施形態の一部である分配アームアセンブリ1190は、図7Bに図示した分配アームシステム1170の一部ではないため、コータチャンバ60Aの複雑性が低減する。一実施形態では、ノズル、保持特徴部1184は、ノズル移送特徴部1183内部に位置決めされた際に、放出ノズル1024を掴持または保持するように適合されている。図7Bはさらに、放出ノズル1024を保持および移送するのに有効なノズル保持特徴1184の別の使用可能な構成を図示する。動作時に、シャトルアーム1182がホームポジション図7B中の符号Aからキャリアアセンブリ1160の上の位置へ回転し、続いてノズル取り上げ位置図示せずに到達するまで縦に移動する。次に、キャリアアセンブリ1160が、放出ノズル1024がノズル移送特徴部1183と係合できるように回転する符号Bを参照。続いて、シャトルアーム1182が縦に移動することで、放出ノズル1024がキャリアアセンブリ1160と別々になり、その後、放出ノズル1024が基板の表面の上の所望の位置上に位置決めされるまで回転する。シャトルアーム1182が、基板の表面の上の所望の位置符号Wを参照に到達するまで縦に移動すると、処理ステップの開始が可能になる。放出ノズル1024を除去するために、ステップが逆周りに続く。00197一実施形態では、キャリアアセンブリ1160は、ノズル本体1024Aと供給管1026内の処理流体とを、これらがシャトルアセンブリ1180へ移送され、基板の表面の上へ運ばれるのを待っている間、一貫した温度に確かに維持されるように温度制御された複数の封入容器アセンブリ1096図7A~図7Bには図示していない図6A~図6Bを参照を包含している。デベロッパチャンバ00198図5Dを参照すると、例えば現像ステップ550と、SAFIER商標コートステップ551を実行するように適合できるデベロッパチャンバ60Bの一実施形態の側面図である。一実施形態では、デベロッパチャンバ60Bは、一般的にコータチャンバ60A内に包含された全てのコンポーネントを包含しているため、デベロッパチャンバ60Bこれはデベロッパチャンバ60Aではを参照して説明したものと同一または類似のデベロッパチャンバ60Bのいくつかのコンポーネントは同一の数字を有する。00199一実施形態では、現像処理中に、上述の流体分布装置1070を包含するデベロッパチャンバ60Bが、デベロッパ処理流体の均等な流れを基板の表面へ送出するように適合されている。一実施形態では、孔のサイズ、孔の個数、複数の孔1072Fの分布は、基板と流体分布装置1070の底面の間に形成された処理領域1071へ処理流体を均等に送出するように設計されている。別の実施形態では、孔のサイズ、孔の個数、複数の孔1072Fの分布は、基板と流体分布装置1070の底面の間に形成された処理領域1071へ、デベロッパ処理流体の不均等な分布を送出するように設計されている。デベロッパエンドポイント検出機構00200図8Aは、デベロッパエンドポイント検出器アセンブリ1400を包含するデベロッパチャンバ60Bの一実施形態の側面図である。デベロッパエンドポイント検出器アセンブリ1400は、現像ステップ550のエンドポイントを決定するために、レーザと1つ以上の検出器を使用して、光波散乱計測タイプの技術を実行する。一実施形態では、レーザ1401から出射された放射線またはビーム符号Aを参照の単一波長が、露光されたフォトレジスト層が上に堆積した基板の表面上に、基板の表面に対して直角未満の角度で衝突する。ビームAは基板の表面で反射され、反射された放射線Bの強度を検出1410が検出する。一実施形態では、検出器1410は、基板の表面からの一次反射を受容するように方位付けされているので、したがって入射ビームと整列している例えば、表面に対して同じ角度および同じ方向に整列している。露光ステップ538中に衝突ビームとフォトレジスト内に形成されたパターンとの間の干渉のために、現像ステップ550中において、デベロッパにフォトレジストの可溶性部分が溶解する際に、検出された放射線の強度にばらつきが作成され、これにより格子タイプパターンが出現し、これが衝突ビームとますます干渉するようになる。そのため、フォトレジストパターンとの干渉によって衝突ビームの散乱が生じて、検出される主要反射が低減する。一実施形態では、エンドポイントの検出は、検出器1410で測定された反射強度が漸近的にゼロに近づく。00201レーザ1401から出射されたビームが投射される基板の表面上の範囲は、検出範囲と定義される。一実施形態では、この検出範囲のサイズを、検出した信号に包含されたノイズの量を最小化するよう変更または制御する。検出した信号内のノイズは、処理中に検出範囲のそばに見られるパターントポロジーのばらつきが原因で生成される。00202一実施形態では、現像処理の進行に伴い、フォトレジストパターンのシャープさの変化をより容易に検出するために、単一波長レーザの代わりに同調可能レーザを使用する。干渉の量は、形成された格子と入射放射線の波長によって異なる。別の実施形態では、一次反射と、散乱放射線の量とを検出できる複数の検出器符号1410~1412を参照が現像エンドポイントの決定の支援を行う。別の実施形態では、CCD電荷結合装置アレイを使用して、反射した放射線の強度の散乱とシフトを行う。一実施形態では、処理中に基板の表面上に保持された処理流体より出射された反射からノイズが生成されることを防止し、また、スリットを使用することで、反射が検出器に到達することを防止することができる。00203典型的に基板の表面上に既にパターンが存在している製品基板の場合には、図8Bに示すステップを使用できる。この処理ステップは、現像ステップ550の実行以前における、散乱した放射線の初期強度の測定を含む符号1480。次に、現像処理中に強度を測定してこれを初期データと比較することで、基板の表面上に存在するパターンからの寄与が得られる符号1482。この方法は、フォトレジストプロフィールが望ましい場合のみに必要となる場合がある。現像処理期間にわたる強度変更が全て望ましいものである場合には、単一波長の使用は全て必要なものであるため、その下にある散乱に関連した情報は一般的には不要である。00204パターンの詳細な知識が必要な場合には、デベロッパ表面にて、恐らく可変屈折のアクティブな修正図8Cの符号1484が必要である。アクティブ修正部は、外部のばらつきによってデベロッパ流体表面内のばらつきを調整し、また、角度の変化を補正するべく適所にて調整を行う複数の小型の鏡符号1425-27を有することで働く。さらに図8Cはこのような鏡の1つを図示しており、この鏡は、垂直ビーム符号Cからの入力を介して得られた入射ビームAの屈折の変化の知識を用いている。特にデベロッパ流体の表面が平坦かつ無起伏から逸脱するに従い、レーザ1451からのレーザビーム符号Cの通常の反射が、ビームスプリッタ1452を使用することで、検出器1453内で検出される。この構成では、検出器1453は、ビームCをデベロッパ流体の表面にぶつからせる角度の変化によって生じた反射ビームの角度の変化を感知できるCCDであってもよい。システムコントローラ101は、CCDアレイに関連してCCDアレイ上のピーク強度の位置の変化を検出でき、したがって反射角度の変化量を知ることができる。この変化量を知ることで、アクティブミラー1425~1427の角度を調整し、反射ビームBの位置を1つ以上の検出器1410~1412へ送ることができる。この反射の空間位置における一瞬の逸脱は、デベロッパ流体表面における逸脱と上手く相関する必要がある。そのため、適切な制御システムを使用して、検出された反射ビームの位置のばらつきを能動的に位置決めした鏡符号1425~1427を使用して、反射ビームに対する空間相関を作ることができる。00205アクティブミラー1425~1427は、TI社テキサス州ダラスから販売されているマイクロミラーチップ上に使用されているような符号1425~1427小型かつコンパクトなものであってもよい。これらは、明瞭に図8Cにおいてより広く離れて示されている。アクティブミラーは、上述したようなビーム逸脱を引き起こすデベロッパ表面のばらつきを補正するように設計されている。ツインコータおよびデベロッパチャンバ00206図9A~図9Bは、2つの別々の処理チャンバ370と中央領域395を包含するツインコータ/デベロッパチャンバ350の一実施形態の平面図である。この構成は、2つのチャンバ内のいくつかの普通のコンポーネントを共有できるようにし、これによりシステムの信頼性を増加させ、システムコストおよびクラスタツールの複雑性とフットプリントを低減することができるため有利である。一実施形態では、処理チャンバ370は一般的にコータチャンバ60Aまたはデベロッパチャンバ60Bに関連して上述した処理コンポーネントを全て包含している。但し、この場合は2つのチャンバは流体分配システム1025を共有するように適合されている。中央領域395は、シャッタ380と複数のノズル391を包含しており、これらはノズルホルダアセンブリ390に包含されている。上述したように、コータまたはデベロッパチャンバ内で使用されている流体分配システム1025は、1つ以上の処理流体をスピンチャック1033に搭載された基板の表面へ送出する1つ以上の流体源アセンブリ1023を包含している。流体源アセンブリ1023内に包含されている各ノズル391は、典型的に供給管1026、ポンプ1022、フィルタ1021、吸引戻し弁1020、流体源1019に接続しており、1タイプの処理流体を放出するように適合されている。これにより、各流体源アセンブリ1023を左または右のいずれの処理チャンバ370にも使用できるため、各処理チャンバに必要な冗長性が低減する。図9A~図9Bは、ノズルホルダアセンブリ390が5本のノズル391を包含する構成を図示しているが、別の実施形態では、ノズルホルダアセンブリ390が、本発明の基本範囲を変えることなく、5本よりも少ないまたは多い本数のノズルを包含することができる。00207図9Aはノズルアームアセンブリ360を右の処理チャンバ370よりも上に位置決めして、スピンチャック1033上に保持された基板W上に処理流体を分配するツインコータ/デベロッパチャンバ350の平面図である。ノズルアームアセンブリ360は、アーム362とノズル保持機構364を包含している。ノズルアームアセンブリ360は、ノズルアームアセンブリ360を移送し、案内機構361に沿った任意の位置に位置付けるように適合されたアクチュエータ363に取り付けられている。一実施形態では、アクチュエータは、ノズルアームアセンブリ360を垂直に移動するように適合されているため、処理中にノズル391を基板よりも上に正確に位置決めし、ノズル保持機構364がノズルホルダアセンブリ390からノズル391を取り上げ、下ろすことができる。このシステムコントローラ101は、ノズル保持機構364がノズル391をノズルホルダアセンブリ390から取り上げ、下ろすことができるようにノズルアームアセンブリ360の位置を制御できるように適合されている。処理中に基板が相互汚染してしまうことを防止するために、シャッタ380が、1つの処理チャンバ、そしてさらに別の処理チャンバ370を閉鎖し、中央領域395から隔離するべく垂直に移動させるように適合されている。1つの態様では、シャッタ380は、処理中に1つの処理チャンバ370、さらに別の処理チャンバ370を中央領域395から封止可能に隔離するように適合されている。従来のOリングおよび/または別のリップ封止部を使用することで、シャッタに、2つの処理チャンバを封止可能に隔離させることが可能である。00208図9Bは、スピンチャック1033上に保持された基板上に処理流体を分配するために、ノズルアームアセンブリ360を左処理チャンバ370よりも上に位置決めしたツインコータ/デベロッパチャンバ350の平面図である。00209一実施形態では、図示にはないツインコータ/デベロッパチャンバ350が、2つのノズルアームアセンブリ360を包含している。このノズルアームアセンブリ360は、中央領域395内のノズル391にアクセスして、1本のノズルを基板の表面よりも上に位置決めするように適合されている。この構成では、各処理チャンバは、ポンプを共有し、2本の異なるノズル391から分配を行うことで、同じ処理流体を使用して2枚の基板を処理したり、または各チャンバ内で2種の異なる処理流体を分配することができる。冷蔵チャンバ00210図10Aは、BARC後冷蔵ステップ514、フォトレジスト冷蔵後のステップ524、トップコート後の冷蔵ステップ534、PEB後の冷蔵ステップ542、および/または現像後冷蔵ステップ554を実行するように適合可能な冷蔵チャンバ80の1つの実施形態を図示する垂直断面図である。一般的に、冷蔵チャンバ80はエンクロージャ86、冷蔵板アセンブリ83、支持板84、リフトアセンブリ87を包含している。エンクロージャ86は、冷蔵チャンバ80内で実行された処理を、これを囲む環境から隔離して処理領域86Aを形成するための複数の壁符号86B~D、符号85によって形成されている。本発明の1つの態様では、冷蔵チャンバ80内における大気汚染の可能性を熱的に隔離し、最小化するように適合されている。00211一般的に、冷蔵板アセンブリ83は熱交換装置83Aと冷蔵板ブロック83Bを包含している。冷蔵板ブロック83Bは、上述の様々な冷蔵処理例えば、BARC前冷蔵ステップ509、BARC後冷蔵ステップ514、フォトレジスト後の冷蔵ステップ524などを実行するために熱交換装置83Aによって冷蔵される材料から成る熱伝導ブロックである。冷蔵板ブロック83Bは、処理中における温度均等性を向上させるために熱伝導性になっている。一実施形態では、冷蔵板ブロック83Bはアルミニウム、グラファイト、窒化アルミニウム、またはこれ以外の熱伝導性材料から作られてもよい。一実施形態では、冷蔵板ブロック83Bの、基板Wと接触している表面がテフロン飽和陽極アルミニウム、炭化ケイ素、またはこれ以外の、基板の裏面が冷蔵板ブロック83Bと接触した際に基板裏面における粒子の生成を最小化する材料でコートされている。一実施形態では、基板Wは、冷蔵板ブロック83Bの表面に埋め込まれたピン図示せずの上に静止しているため、基板と冷蔵板ブロック83Bの間の隙間が小さくなり粒子生成が低減される。図10Aに示す別の実施形態では、熱交換装置83Aは、冷蔵板ブロック83Bの表面に形成され、チャネル83C内に継続的に流れる熱交換流体を使用して温度制御される、複数のチャンネル83Cで構成されている。流体温度コントローラ図示せずは熱交換流体、さらに冷蔵板ブロック83Bの温度を制御するように適合されている。熱交換流体は、約5~20°Cに温度制御される、例えばパーフルオロポリエーテル例えばGalden登録商標であってもよい。熱交換流体は約5~20°Cの所望の温度で送出される冷蔵水であってもよい。さらに、熱交換流体は、アルゴンや窒素といった温度制御されたガスであってもよい。00212冷蔵板の一実施形態では、熱交換装置83Aは、冷蔵板ブロック83Bの表面上で静止している基板を加熱および冷却するように適合されている。この構成は、所望の処理瀬低ポイント温度の達成に必要な時間が、基板と冷蔵板ブロック83Bの間の温度差に依存するため有利である。したがって、冷蔵板ブロック83Bが固定温度に設定される場合、また、基板をこの固定温度にまで冷却することが望ましい場合には、基板と冷蔵板ブロック83Bの間の小さい温度差により、固定温度に達するまでの最後の数度を冷却するために非常に長い時間がかかる。冷蔵板ブロック83Bの温度を能動的に制御することによって、基板温度が所望の設定ポイント温度またはその付近になるまで基板と冷蔵板ブロック83Bの間に大きな温度差が維持され、その後、冷蔵板ブロック83Bの温度が基板の温度内のアンダーシュートまたはオーバシュートの量を最小化するべく調整される場合には、所望の温度を達成するのに要する時間を短縮できる。冷蔵板ブロック83Bの温度は、熱交換装置83Aによって冷蔵板ブロック83Bから除去される、または冷蔵板ブロック83Bへ送出されるエネルギー量を変更する目的でシステムコントローラ101と共に使用される従来の温度感知装置例えば熱電対図示せずを使用して制御される。したがって、この実施形態では、熱交換装置83Aは、冷蔵板ブロック83Bを加熱する能力と冷却する能力の両方を有する。一実施形態では、熱交換装置83Aは、冷蔵板ブロック83Bを冷却するおよび/または加熱するために使用される熱電装置である。一実施形態では、熱交換装置83Aは、以降でPEBチャンバ130に関連して説明する、基板の加熱および冷却を行うように適合された熱管設計である。一実施形態では、冷蔵板ブロック83Bの容量を最小化する、および/または熱伝導性を増加することで、基板温度を制御する能力を向上させることが有利である場合がある。00213支持板84は、一般的に、冷蔵板アセンブリ83を支持し、これを基部85から絶縁するための板である。一般的に、支持板84は、外部熱の損失または増加を低減するセラミック材料例えばジルコニア、アルミナなどのような熱絶縁材料から成っていてもよい。00214図10Aを参照すると、リフトアセンブリ87は、一般的に、リフトブラケット87A、アクチュエータ87B、リフトピン板87C、3本またはこれ以上のリフトピン87D図10Aには2本のみを図示を包含している。これらは、延出したロボットブレード図示せずから離れて基板Wを昇降させ、さらに、ロボットブレードが引き込まれると基板を冷蔵板ブロック83Bの表面上に設置するように適合されている。ロボットブレード図示せずは、エンクロージャ86の側壁86Dに設けられた開口部88から冷蔵チャンバ80に入るように適合されている。基板をチャンバ内に誤整列することにより、基板処理のばらつきと、基板への損傷を防止するために、典型的に、ロボットがリフトピンどうしの間の中心点と整列した移送位置から基板を取り上げ、下ろすように較正されている。一実施形態では、基部85と、支持板84と、冷蔵板アセンブリ83とに設けられたリフトピン孔89を通って移動する3本のリフトピンが、アクチュエータ87Bの使用により、基板を昇降させるように適合されている。このアクチュエータは、空気シリンダ、または従来の使用可能な基板昇降手段であってもよい。ベークチャンバ00215図10Bは、ベークチャンバ90の一実施形態を図示している。このベークチャンバ90は、BARC後ベークステップ512、フォトレジストコート後のベークステップ522、トップコート後のベークステップ532、および/または、現像後ベークステップ552を実行するように適合されていてもよい。一般的に、ベークチャンバ90はエンクロージャ96、ベーク板アセンブリ93、支持板94、リフトアセンブリ97を包含している。エンクロージャ96は、一般的に、処理領域96Aを形成するために、ベークチャンバ90内で実行される処理を包囲する環境から隔離する傾向にある複数の壁符号96B~D、および要素95を包含している。本発明の1つの態様では、エンクロージャは熱的に隔離し、包囲する環境によるベークチャンバ90の汚染を最小化するように適合されている。00216ベーク板アセンブリ93は、一般的に、熱交換装置93Aとベーク板ブロック93Bを包含している。ベーク板ブロック93Bは、上述した様々なベーク処理例えば、BARC後のベークステップ512、フォトレジストコート後ベークステップ522を実行するために熱交換装置93Aによって加熱される材料で出来た熱伝導性ブロックである。ベーク板93Bは、処理中における温度の均等性を向上させるために熱伝導性のものである。一実施形態では、ベーク板ブロック93Bはアルミニウム、グラファイト、窒化アルミニウム、またはその他の熱伝導性材料から成る。一実施形態では、ベーク板ブロック93Bの、基板Wと接触している表面は、テフロン飽和陽極アルミニウム、炭化ケイ素、またはこれ以外の、基板の裏面がベーク板ブロック93Bと接触した際に基板裏面における粒子の生成を最小化する材料でコートされている。一実施形態では、基板Wは、ベーク板ブロック93Bの表面に埋め込まれたピン図示せずの上に静止しているため、基板とベーク板ブロック93Bの間の隙間が小さくなり粒子生成が低減される。一実施形態では、熱交換装置93Aは、ベーク板ブロック93Bを使用するために使用される熱電装置である。図10Bに示す別の実施形態では、熱交換装置93Aは、ベーク板ブロック93Bの表面に形成され、チャネル93C内に継続的に流れる熱交換流体を使用して温度制御される、複数のチャンネル93Cで構成されている。流体温度コントローラ図示せずは熱交換流体、さらにベーク板ブロック93Bの温度を制御するように適合されている。熱交換流体は、温度約30~250°Cに温度制御される、例えばパーフルオロポリエーテル例えばGalden登録商標であってもよい。また熱交換流体は、アルゴンや窒素といった温度制御されたガスであってもよい。00217支持板94は、一般的に、ベーク板アセンブリ93を支持し、これを基部95から絶縁するための板である。一般的に、支持板94は、外部熱の損失を低減するセラミック材料例えばジルコニア、アルミナなどのような熱絶縁材料から成っていてもよい。00218図10Bを参照すると、リフトアセンブリ97は、一般的に、リフトブラケット97A、アクチュエータ97B、リフトピン板97C、3本またはこれ以上のリフトピン97D図10Bには2本のみを図示を包含している。これらは、延出したロボットブレード図示せずから離れて基板Wを昇降させ、さらに、ロボットブレードが引き込まれると基板をベーク板ブロック9s3Bの表面上に設置するように適合されている。一実施形態では、基部95と、支持板94と、ベーク板アセンブリ93とに設けたリフトピン孔99を通って移動する3本のリフトピンが、アクチュエータ97Bの使用によって基板を昇降させるように適合されている。アクチュエータは空気シリンダか、またはこれ以外の、従来より使用可能な基板昇降手段であってもよい。ロボットブレード図示せずは、エンクロージャ96の側壁96Dに設けられた開口部98からベークチャンバ90に入るように適合されている。HMDSチャンバ00219図10Cは、HMDS処理ステップ511を実行するように適合されたHMDS処理チャンバ70の一実施形態を図示する側面図である。図10Cに示す一実施形態では、HMDS処理チャンバ70は、図10Bに示したベークチャンバ90内に包含されているコンポーネントのいくつかを包含しているため、HMDS処理チャンバ70のいくつかのコンポーネントは、上述したベークチャンバ790を参照して説明したコンポーネントと同一または類似している。したがって、適宜同一の番号を使用している。00220またHMDS処理チャンバ70は、封止された処理領域76の形成に使用される蓋アセンブリ75を包含している。この封止された処理領域76内では、処理ガスが、HMDSベーク板アセンブリ73で加熱された基板Wへ送出される。一般的にHMDSベーク板アセンブリ73は、熱交換装置73AとHMDSベーク板ブロック73Bを包含している。HMDSベーク板ブロック73Bは、上述の様々なHMDS処理ステップを実行するために熱交換装置73Aによって加熱される材料で構成された熱伝導ブロックである。HMDSベーク板ブロック73Bは、処理中における温度均等性を向上させるために熱伝導性になっている。一実施形態では、HMDSベーク板ブロック73Bはアルミニウム、グラファイト、窒化アルミニウム、またはこれ以外の熱伝導性材料から作られてもよい。一実施形態では、HMDSベーク板ブロック73Bの、基板Wと接触している表面が、テフロン飽和陽極アルミニウム、炭化ケイ素、またはこれ以外の、基板の裏面がHMDSベーク板ブロック73Bと接触した際に基板裏面における粒子の生成を最小化する材料でコートされている。一実施形態では、基板Wは、HMDSベーク板ブロック73Bの表面に埋め込まれたピン図示せずの上に静止しているため、基板とHMDSベーク板ブロック73Bの間の隙間が小さくなり粒子生成が低減される。一実施形態では、熱交換装置73Aは、HMDSベーク板ブロック73Bを加熱するために使用される熱電装置である。図10Cに示す別の実施形態では、熱交換装置73Aは、HMDSベーク板ブロック73Bの表面に形成された複数のチャネル73Cで構成されている。このチャネル73Cは、内部を継続的に流れる熱交換流体の使用によって温度制御される。流体温度コントローラ図示せずは熱交換流体、さらにHMDSベーク板ブロック73Bの温度を制御するように適合されている。熱交換流体は、温度約30~250°Cに温度制御される、例えばパーフルオロポリエーテル例えばGalden登録商標であってもよい。また、熱交換流体はアルゴンや窒素といった温度制御されたガスであってもよい。00221一般的に、蓋アセンブリ75は、蓋72A、1つ以上のOリング封止部72C、アクチュエータアセンブリ72を包含している。アクチュエータアセンブリ72は、一般的にアクチュエータ72BとOリング封止部72Dを包含している。Oリング封止部72Dは、HMDS処理領域77をHMDS処理チャンバ70外部の環境から隔離するように設計されている。アクチュエータ72Bは、一般的に、基板をリフトアセンブリ97内でリフトピン97Dへ、またはリフトピン97Dから移送するために、蓋72Aを昇降させるように適合されている。処理領域76を形成するため、また、HMDS処理ステップ511中に使用される処理ガスがHMDS処理領域77内へ逃げることを防止するために、蓋72Aは、蓋72A内またはHMDS基部74上に保持されたOリング封止部72Dの使用により、HMDS基部74間に封止部を形成するように適合されている。00222処理中に、アクチュエータ72Bが蓋72Aを低下させることで、蓋72A、Oリング封止部72C、HMDS基部74の間に耐漏液性の封止部を形成する。処理ガス送出システム71は、HMDS処理ステップ511を実行するために処理ガス1つ以上を処理領域76へ送出する。処理ガス1つ以上を送出するために、HMDS気化システム71Aが、HMDS蒸気とキャリアガスを基板の表面にわたり、隔離弁71Bと、HMDS基部74に形成された入口71Fとを介して処理領域へ送出し、さらに、HMDS基部74に形成された出口71Gからスクラバ71Eへ出す。一実施形態では、処理ガスを包含するHMDS蒸気が処理領域へ送出された後に、浄化ガスが浄化ガス源71Cから処理領域76へ送出することで、残余したHMDS蒸気を全て除去する。浄化ガス源71Cは、隔離弁71の使用によってDHMDS気化システム71Aから隔離されている。一実施形態では、従来のガス熱交換手段図示せずのうちの1つを使用することで、浄化ガス源71Cから送出された浄化ガスを加熱または冷却して、注入された浄化ガスの温度制御を行う。露光後のベークチャンバ00223ポジティブフォトレジストを使用した露光処理の最中に、非可溶性フォトレジスト材料が可溶性材料内に移送される。露光処理中に、光酸生成器またはPAGを包含するフォトレジスト中の成分が、フォトレジストの露光されていない範囲を攻撃し、露光処理中にフォトレジスト層に形成されたパターンのシャープさに影響する有機フォトアシッドを生成する。したがって、未露光フォトレジストの攻撃は、拡散優勢処理である、生成されたフォトアシッドの移動の影響を受ける。形成されたパターンのフォトアシッド攻撃は拡散優勢処理であるため、攻撃速度は関連する2つの変数、時間、温度に依存する。そのため、微小寸法CDの均等性を受容可能なものにし、これを全ての基板を通じて一貫させるようにする際に、これらの変数を制御することが重要となる。00224一実施形態では、PEBステップ540が、ベークチャンバ90内で図10Bに示すとおりに実行される。別の実施形態では、温度制御されたガスが浄化ガス源71Cから処理領域76へ送出されるHMDS処理チャンバ70内においてPEBステップ540を実行することで、HMDSベーク板アセンブリ73上に保持された基板を加熱または冷却する。00225別の実施形態では、PEBチャンバ130内でPEBステップ540を実行する。図10DはPEBチャンバ130の側面図を図示している。このPEBチャンバ130の内部で処理領域138とPEB板アセンブリ133の質量が最適化されることで、熱均等性が向上し、温度の高速変化が可能になり、および/または処理繰り返し可能性が向上する。一実施形態では、PEB板アセンブリは、低温質量PEB板アセンブリ133と熱交換源143を利用して、PEB板アセンブリ133の頂面133Fと連通した基板の高速加熱および/または冷却を行う。この構成においてPEB板アセンブリ133は、基板が上で静止する頂面133Fを有する基板支持領域133Bと、熱交換領域133Aと、基部領域133Cとを包含している。温度感知装置図示せずを使用して、基板支持領域133Bの温度を制御する。この温度感知装置は、システムコントローラ101と共に使用して、熱交換領域133AからPEB板アセンブリ133へ送出されるエネルギー量を変更する。00226熱交換領域133Aは、基板支持領域133B、基部領域133C、側壁133Gの間でこれらによって包囲された領域である。熱交換領域133Aはさらに、1つ以上の入口ポート133Dと、1つ以上の出口ポート133Eを介して、熱交換源143と連通している。また熱交換領域133Aは、頂面133Fと熱連通している基板を加熱および冷却するために、熱交換源143から送出された様々な熱交換流体を受け入れるように適合されている。本発明の1つの態様では、頂面133Fの材料の厚さ即ち、熱交換領域133Aと頂面133Fの間の距離、したがって頂面133Fの質量を最小化することで、基板の高速加熱および冷却を可能にしている。00227一実施形態では、熱交換領域133Aは、基板の温度を制御するために抵抗性の加熱器または熱電装置を包含していてもよい。別の実施形態では、熱交換領域133Aは、例えば基板支持領域133Bの下に搭載されたハロゲンランプのような放射線熱移送方法を使用して、PEB板アセンブリ133の温度を制御するように適合されている。00228PEB板アセンブリ133は、1つの単一材料で、従来の手段例えば機械工作、溶接、ろう付けなどを使用して、あるいは最適なPEB板アセンブリ133を形成するために各材料の熱伝導性、熱膨張、熱衝撃特性を最大限に使用する複合材料例えば、多くの異なった材料を包含する材料によって形成できる。一実施形態では、PEB板アセンブリ133は、アルミニウム、銅、グラファイト、窒化アルミニウム、炭化ボロン、および/または別の材料のような熱伝導から作られている。00229一般的に、熱交換源143は、熱交換流体を熱交換領域133Aへ送出するように適合された少なくとも1つの熱交換流体送出システムを包含している。図10Dに示す一実施形態では、熱交換源143は、熱源131と冷却源142である2つの熱交換流体送出システムを包含している。00230一実施形態では、熱源131は、基板を加熱するために使用される従来型の熱パイプである。一般に、熱パイプは、典型的に断面が円形をした内容物を排出された容器であり、熱源131から熱シンク例えば基板支持領域133Bおよび基板へ熱を移送する少量の作業流体によって充填し戻すことができる。熱の移送は、熱源131内における作業流体の気化と、熱交換領域133Aにおける作業流体の凝縮によって実行される。動作時に、熱交換領域133Aは真空ポンプ図示せずによって内容物が排出され、その後、熱源131内に保持されている作業流体にエネルギーが追加されて、熱源131と熱交換領域133Aの間に圧力勾配が作成される。この圧力勾配が蒸気をより低温な部分へ強制的に流し、その場所で蒸気が凝縮することで、潜在する気化熱によってエネルギーが断たれる。次に、重力、毛管作用によって、作業流体が出口ポート133Eと出口ライン131Bを介して熱源131へ戻る。温度感知装置図示せずをシステムコントローラ101と共に使用し、熱交換領域133Aへ送出されたエネルギー量例えば作業流体の流れを変更することで、基板支持領域133Bの温度が制御される。00231別の実施形態では、対流熱移送タイプの処理によって熱を基板へ移送するために、加熱されたガス、蒸気、または液体が熱源131によって流体源図示せずから熱交換領域133Aへ送出される。この構成では、加熱されたガス、蒸気、または液体が、出口ポート133Eを介して熱交換領域133Aへ送出され、次に廃物収集源142Aaへ送出される。廃物収集源142Aは、スクラバまたは典型的な排出システムであってもよい。00232図10Dに示す一実施形態では、熱交換源143も、基板を所望の温度へ冷却するように適合された冷却源142Aを包含している。冷却源142の一実施形態では、基板支持領域133Bから、さらに基板から熱を除去するために、冷却源が液体窒素を熱交換領域133Aに送出する。冷却源142の別の実施形態では、冷却源が液体窒素を熱交換領域133Aへ送出することにより、基板支持領域133B、さらに基板から熱を除去する。別の実施形態では、冷却源は冷蔵されたガス、液体、蒸気を熱交換領域133Aへ送出することで基板の冷却を行う。本発明の1つの態様では、冷却源は、基板を周囲温度付近にまで冷却するために使用される。00233PEB板アセンブリ133の別の実施形態では、PEB板アセンブリ133を加熱または冷却するために、熱交換装置134が基部領域133C上に設置されている。本発明の1つの態様では、熱交換装置134は、複数の熱伝導ピラー133H2つのみを図示を介して基板支持領域133Cと熱接触している基部領域133Cを冷却する目的で使用される。この構成では、熱源131から高温の流体を注入することで基板を加熱し、熱交換装置134を使用してこれを冷却する。この構成では、基板を冷却するための冷却源142は不要である。複数の熱伝導ピラー133Hは、基板支持領域133Bから基部領域133Cへ、またはこの反対へ熱を移送できる領域である。伝導ピラー133Hはあらゆるパターン、サイズ、密度例えば、ユニット範囲毎のピラー133Hの数にて配列することができるので、熱を熱交換装置134へ、または熱交換装置134から均等に流すことができ、さらに、流体を熱源から均等に送出して基板支持領域133Bと連通させることができる。00234図10Dを参照すると、本発明の1つの態様では、基板の周囲に制御された環境を形成するために、蓋アセンブリ137が、基板Wよりも上に、PEB位置アセンブリ133の頂面133Fと接触して配置されている。一般的に、蓋アセンブリは蓋137Aと蓋アクチュエータ139を包含している。蓋アクチュエータ139は蓋137Aを昇降させるように適合されているので、リフトアセンブリ140によって基板をクラスタツールロボット図示せずおよび頂面133Fへ、またはこれらから移送することができる装置である。一実施形態では、蓋アクチュエータ139は空気シリンダである。蓋は、図10Dに示す処理位置にある場合には頂面133Fと接触しているため、基板を包囲して制御された熱環境を作成する処理領域138が形成される。00235一実施形態では、蓋137Aの温度を制御して、基板の周囲に等角環境を形成することで、処理中の基板にわたる熱均等性を向上させるために、蓋アセンブリ137が熱交換装置137Bを包含していてもよい。この構成では、熱交換装置137Bは、蓋アセンブリ137を迅速に加熱および冷却するために、上述した様式と類似の様式で熱パイプとして作用するように適合されている。一実施形態では、熱交換装置137Bと熱交換領域133Aの両方は、基板の温度を迅速かつ均等に制御するために、熱パイプとして作用するように適合されている。別の実施形態では、熱交換装置137Bは、放射式例えば熱ランプまたは対流式の熱移送手段上述を使用して、蓋アセンブリ137の温度を制御するように適合されている。00236蓋アセンブリ137の別の実施形態では、温度制御された処理流体を基板の表面に流し、さらに蓋出口ポート137Dから出て廃物収集装置141Bへと送出させるために、加熱された流体源141は蓋入口ポート137Cを介して処理領域138に接続している。一般的に、加熱された流体源141は流体源141A、流体加熱器141C、廃物収集装置141B例えば、典型的には排出システムまたはスクラバを包含している。流体源141Aは、処理中に基板の温度を制御するためにガスまたは液体を送出できる。本発明の1つの態様では、流体源141Aは、例えばアルゴン、窒素、ヘリウムのような不活性ガスを送出する。00237図10Dを参照すると、PEBチャンバ130は一般的にエンクロージャ136、PEB板アセンブリ133、リフトアセンブリ140を包含している。一般的に、エンクロージャ136は、PEBチャンバ130内で実行された処理を包囲する環境から隔離する複数の壁符号136B~D、符号135を包含する。本発明の1つの態様では、エンクロージャは、PEBチャンバ130を包囲する環境から熱的に隔離して、汚染を最小化するように適合されている。一般的に、リフトアセンブリ147はリフトブラケット140A、アクチュエータ140B、リフトピン板140C、3本またはこれ以上のリフトピン140D図10Dには2本のみを示すを包含しており、これらは、延出したロボットブレード図示せずから離れて基板Wを昇降させ、さらに、ロボットブレードが引き込まれると基板をPEB板アセンブリ133の表面上に設置するように適合されている。リフトピン孔132は、PEB板アセンブリ133を表面から昇降させるために、リフトピン140Dが基板にアクセスできるように構成されている。アクチュエータ140Bは、空気シリンダまたはその他の従来の使用可能な基板昇降手段であってもよい。ロボットブレード図示せずは、エンクロージャ136の側壁136Dに設けられた開口部136Eからエンクロージャ136に入るように適合されている。可変熱移送弁00238図11Aは、基板を迅速に加熱および冷却するために使用できる板アセンブリの一実施形態を図示する側面図である。これ以降で使用する用語板アセンブリとは、一般的に、この構成から利益を得るように適合することが可能なPEB板アセンブリ133、冷蔵板アセンブリ83、ベーク板アセンブリ93、またはHMDSベーク板アセンブリ73の実施形態を説明することを意図する。図11Aを参照すると、一実施形態において、板アセンブリ250は、処理中に基板Wと熱的に連通するブロック表面254Aを有する伝導ブロック254、冷却領域253、伝導ブロック254と冷却領域253の間に形成された隙間259、入口領域257、出口領域258、流体送出システム275を包含している。00239伝導ブロック254は基板を支持するために使用されており、ブロック表面254Aと熱的に連通している基板を加熱するように適合された加熱板255を包含する。伝導ブロック254は熱伝導材料、例えばアルミニウム、銅、グラファイト、窒化アルミニウム、窒化ボロン、および/または他の材料から作られてもよい。加熱装置255は、伝導ブロック254を加熱するために使用される抵抗性加熱器または熱電装置であってもよい。別の実施形態では、加熱装置255は、伝導ブロック254図示せずの表面に形成された複数のチャネルで構成されており、これらのチャネルは内部に継続的に流れる熱交換流体を使用して温度制御される。流体温度コントローラ図示せずは熱交換流体、さらに伝導ブロック254の温度を制御するように適合されている。熱交換流体は、例えば、温度約30~250°Cに温度制御されたパーフルオロポリエーテル例えばGalden登録商標であってもよい。さらに、熱交換流体は、アルゴンや窒素といった温度制御されたガスであってもよい。00240冷却領域253は、板アセンブリ250の或る範囲であり、この範囲は、伝導作業流体が流体送出システム275によって隙間259へ送出された際に伝導ブロック254を冷却するために、隙間259によって伝導ブロック254から隔離され、低温に維持される。冷却領域253は、板アセンブリ250のこの範囲を冷却するために使用される冷却装置265を包含している。冷却領域253は熱伝導材料、例えばアルミニウム、銅、グラファイト、窒化アルミニウム、窒化ボロン、および/または他の材料から作られてもよい。冷却装置265は、冷却領域253を冷却するために使用される熱電素子であってもよい。別の実施形態では、冷却装置265は、冷却領域253の表面に形成された複数のチャネル図示せずで構成されており、これらのチャネルは内部に継続的に流れる熱交換流体を使用して温度制御される。流体温度コントローラ図示せずは熱交換流体、さらに冷却領域253の温度を制御するように適合されている。熱交換流体は、例えば約5~20°Cに温度制御されたパーフルオロポリエーテル例えばGalden登録商標であってもよい。さらに、熱交換流体は、温度制御されたアルゴンや窒素といったガスであってもよい。00241流体送出システム275は、一般的に、伝導ブロック254と冷却領域253の間に形成された隙間259へ伝導作業流体を送出するように適合された流体送出源270を包含する。流体送出システム275は、伝導作業流体を流体送出システム275から入口領域257を介して隙間259へ流し、次に出口領域258から排出させる。排出された伝導作業流体は流体送出システム275へ戻る。そのため、伝導作業流体は、処理内の異なる段階の最中に、基板の加熱および冷却を行うべく、冷却領域253と伝導ブロック254の間の熱電対を増加させる目的で使用される。伝導作業流体は、伝導ブロック254と冷却領域253の間の熱電対を増加させることが可能な液体、蒸気、ガスであってもよい。一実施形態では、伝導作業流体は、ガリウム、インジウム、錫例えばガリンスタンの液体金属合金;水銀HG;ガルデン;ポリエチレングリコールといった液体である。別の実施形態では、伝導作業流体はヘリウム、アルゴン、二酸化炭素CO2のようなガスである。00242一実施形態では、板アセンブリ250は、PEBステップ540を実行するために、例えばPEBチャンバ内で基板をベークするべく使用される。この構成では、最初に、伝導作業流体が隙間259を流れている間に基板がブロック表面254Aへ送出され、これにより冷却領域253が伝導ブロック254と連通することで、ブロック表面が低温に維持される。基板がブロック表面254Aと接触すると、伝導作業流体がその流れを停止され、隙間259から除去される。これにより、冷却領域253が伝導ブロック254から分断される。一実施形態では、ガス源272を使用して、残余している伝導作業流体を流体移送システム275へ強制的に戻す。次に、加熱装置255から送出されたエネルギーによって、伝導ブロック254をその所望の処理温度に達するまで加熱する。所望の処理温度を一定時間だけ維持した後に、伝導ブロック254と冷却領域253の間の熱電対によって伝導ブロック254を冷却するために、加熱装置255が遮断され、伝導作業流体が隙間259へ送出される。基板は所望の温度に達すると処理チャンバから除去される。00243図11Aに示す板アセンブリ250の一実施形態では、ビードブラスティング、ローレット切りなどの機械工作処理のような機械製作処理を使用して、ブロック表面256を粗くすることで、伝導ブロック254材料が熱衝撃によって損傷する機会を低減し、冷却領域253が伝導ブロック254に結合する表面範囲を拡大している。PEB処理エンドポイント検出システム00244ベークチャンバ、PEBチャンバおよび/またはHMDS処理チャンバ内での処理時間を短縮し、処理結果の繰り返し可能性を向上させる試みにおいては、エンドポイント検出器をチャンバ内に統合することで、処理が完了、またはほぼ完了したので次の冷蔵チャンバ80への移送が可能である旨をシステムコントローラ101に通知することができる。この設計により、処理を必要以上に長く実行し続けたり、オーバーベークする必要が最小化する上に、チャンバ処理が完了したことを確認することも可能になる。この処理は、露光中に生成された有機酸がフォトレジストの露光されていない部分を攻撃することを防止する上で、PEBチャンバにおいて特に重要な処理である。00245この問題を解決するために、一実施形態では、先に識別された先に堆積または露光されたフォトレジスト層の表面上にあるガスおよび蒸気中のPEB、HMDS、ベークチャンバ反応副次物の濃度を測定することにより、処理エンドポイントを決定する。図12Aは、基板Wのフォトレジスト層表面図示せずから拡散された副次物の濃度の変化を検出するよう適合されたエンドポイント検出システム190の一実施形態を図示する。この構成では、レーザ191がビーム符号Aを参照を放出する。このビームは、検出器192が受信した信号の強度を、処理ステップ中にフォトレジスト表面上のガスまたは蒸気中に拡散される副次物との相互作用によって低減させるように波長を調整してから放出される。また、レーザの波長と強度は、レーザが潜在的にフォトレジストをそれ以上露光しないようにする形にも調整されている。一般に、典型的なフォトレジスト処理副次物とは、例えば、炭化水素を包含する材料および二酸化炭素CO2である。フォトレジストから生じたCO2または他の有機分解生成物の濃度の変化によって生じた強度のばらつきから、エンドポイントを推測できる。レーザで放出される1つ以上の波長は約500~4000nmであってもよい。一実施形態では、二酸化炭素の凝縮が検出された場合、レーザの波長は約1960nmであり、この波長は従来のレーザダイオード容易に達成することができる。別の実施形態では、レーザで放出されるビームの波長は4230nmである。00246図12Aは、ベークチャンバ、PEBチャンバ、HMDS処理チャンバ要素199を参照の側面図である。これらの処理チャンバは、基板の表面上に包含されたフォトレジストの表面のすぐ上を交差するビームを放出するレーザ191を包含している。この構成では、レーザ191と検出器192は、放出されたビームが板アセンブリ193上に保持された基板Wの表面のフォトレジスト層と平行し、このフォトレジスト層にごく接近して走行できる形で搭載されている。板アセンブリ193は、例えば、上述したベーク、PEB、HMDS処理ステップ中に基板の処理に使用されるPEB板アセンブリ133またはベーク板アセンブリ93であってもよい。生じた副次物の濃度はフォトレジストの表面のすぐ上において最も高いため、この構成では、一般的にエンドポイント検出システム190は、ガスまたは蒸気中の副次物の濃度の変化に最も良く反応する。この構成の利点は、フォトレジストの表面にビーム投射を行うことで、検出される強度の変化が、ビームの全長にかけてこれを通る副次物量の合計によって表されることである。この方法は、より低い信号対雑音比を提供し、さらにこの処理の異なる段階の最中に処理のばらつきを修正する。00247エンドポイント検出器の別の実施形態では、レーザを使用してフォトレジスト層の厚さを決定し、および/または、処理のエンドポイントを決定するためにフォトレジスト層の反射指数の変化を感知する。図12Bは、フォトレジスト層の厚さの測定、および/またはフォトレジスト層の反射指数の変化の感知に使用できるエンドポイント検出システム198の一実施形態を図示している。一般的に、エンドポイント検出システム198は、レーザ194、ビームスプリッタ195、検出器196を包含する。図12Bに示す一実施形態では、エンドポイント検出システム198は光ファイバケーブル197をさらに包含している。この光ファイバケーブル197により、レーザ194、ビームスプリッタ195、検出器196を基板の表面の上の処理領域199Aから望ましい距離に位置決めすることが可能になる。00248エンドポイント検出処理の一実施形態では、処理中にフォトレジストの厚さおよび/または反射指数の変化を監視できるよう、レーザが複数の波長を放出するように設計されている。フォトレジストの厚さは、処理中にフォトレジストの厚さと反射指数の変化として変化するマルチ波長干渉パターンの変化を検出することで測定される。エンドポイント検出処理の一実施形態では、レーザ194がビームスプリッタ195に放射線を放出すると、レーザ194から放出された一定の割合の放射線がビームスプリッタ195を直接通り光ファイバケーブル197に到達する。次に、光ファイバケーブル197が、放出されたエネルギーを基板の表面に向ける。すると、放出された放射線がフォトレジスト層符号Pの表面および/または基板の表面にて反射、散乱または吸収される。次に、反射された放射線のうち一定の割合が再び光ファイバケーブル197へ戻り、ここで放射線がビームスプリッタ195に向けられる。ビームスプリッタ195は反射された放射線のうち一定の割合を検出器196へ反射させ、ここで入射放射線が検出される。00249上述した実施形態のいずれかを使用して、処理のエンドポイントがいつ発生したかを検出するために、検出された信号を、先に処理された基板から収集した信号またはデータと比較してもよい。一実施形態では、確信できるエンドポイントの検出を行うには、その前に処理後測定値を得ておく必要がある。図12Cは、先に処理したウェーハから収集されたデータを使用して、エンドポイント検出処理を最適化する方法を図示している。この方法では、2枚以上の基板からのエンドポイント信号を参照のため記録する、あるいは、システムコントローラ101のメモリに記憶する必要がある符号Aを参照。次に、エンドポイント信号を理想的な処理と比較する方法を決定するために、2枚以上の基板が十分に処理され、検査される符号Bを参照。その後、この検査データを使用して、理想的な処理時間と実際のエンドポイント信号とが決定され、今度はこれをチャンバ内で処理される後続の基板に使用して、実際の処理の最後が決定される符合Cを参照。最小の接触での熱移送設計の向上00250冷蔵チャンバ、ベークチャンバ、PEBチャンバ、および/またはHMDS処理チャンバの処理時間を短縮することによってシステムスループットを増加するために、様々な方法を採用して基板と熱交換装置の熱電対を増加させる。基板の表面と板アセンブリの表面例えばPEB板アセンブリ133、冷蔵板アセンブリ83などとの接触を増加することで、熱電対が増加し、基板が所望の処理温度に達するまでの時間が短縮される。しかしその一方で、基板の裏面で生成される粒子の数を増加させることにより、露光処理結果さらに装置の生産性に影響するという理由から、接触の増加は望ましくないことが多い。00251基板の裏面における粒子の生成を低減するためには、基板を板アセンブリの表面から離間させる一列の突起を使用して、基板と板アセンブリの表面との接触を最小化することができる。突起は、生成される粒子の数を低減する一方で、基板と板アセンブリの間の熱電対を低減する傾向にある。そのため、多くの場合、板アセンブリの表面からの突起の高さを最小化して熱電対を向上させる一方で、さらに、基板が板アセンブリの表面に触れないようにすることが望ましい。従来技術の用途は、典型的には、板アセンブリの表面に機械工作した孔の中に押し込むまたは設置されたサファイアの球体を、突起として作用させるべく使用するものであった。サファイアと板アセンブリの表面の間に十分に優れた高さ制御を機械工作によって達成することは困難である場合が多い。それは、この技術では、基板が板アセンブリの表面と接触しないようこれを非常に平坦にする必要があるためである。これらの問題は、球体またはピンを維持する表面特徴を形成するのに必要な機械工作動作の全てが何らかの基準データを参照し、板アセンブリの表面トポロジーのばらつきを考慮しないために起こる。この問題は、板アセンブリの表面から突起の高さが約30マイクロメートルである場合に特に重要となる。00252図13Aを参照すると、これらの競合する問題を解決するために、一実施形態では、板アセンブリ170の表面上に一列の精密に制御された小さな接触範囲突起171を形成し、また、基板を板アセンブリの方へ付勢することで基板と板アセンブリの間の熱電対を向上させている。基板の付勢は、真空チャック装置、静電チャック装置、またはこれ以外の、基板を板アセンブリに対して強制的に押圧する従来の方法を使用して行える。CVDおよび/またはPVD堆積処理を使用して、1列の精密に制御された小さな接触範囲突起171を形成することができる。また、CVDおよび/またはPVD堆積処理を使用して、制御されたサイズの薄膜材料を板アセンブリの表面上に所望の高さで均等に堆積させることができる。板アセンブリ170の表面上に突起171を形成するべく堆積する材料は、酸化シリコンSiO2、シリコンSi、金属例えばニッケル、チタン、窒化チタン、モリブデン、タングステンなど、セラミック材料、重合体材料例えばポリイミド、テフロンなどであるか、またはこれ以外の、ほぼ変形することなく付勢力に耐え得る十分な硬性を有し、基板の裏面例えばダイヤモンド、ダイヤモンド状硬質炭素、窒化ボロンとの相互作用によって簡単に摩削しない材料であってもよい。このアプローチは、板アセンブリ表面よりも上に位置する突起の高さを、最新構造の突起高さの約十分の一例えば1/10の高さに制御できるため有利である。突起の高さを低減することで、熱移送速度を増すことが可能であるため、ウェーハを遥かに高速に加熱できるようになり、これにより、ウェーハが最終温度に遷移するまでにかかる時間が短縮され、拡散および化学反応のばらつきを低減できる。さらに、ウェーハと加熱気の間の熱電対がより接近することで、他のチャンバの不均等性の熱衝撃が低減する。このアプローチの別の利点は、より多くの突起171を使用することで、基板バウの大きさを低減できる。これは、基板に外部圧力が印加された際に基板バウが突起間の距離の4番目の力に反比例するためである。各突起171の板アセンブリの表面からの高さが公称的に同一であり、基板が、突起間に最小のバウを設けた状態で、アセンブリの表面よりも上の位置に均等に持着されているため、板アセンブリから基板までの熱移送が均等になる。したがってこの設計は、基板の温度を高速かつ均等に目標温度にする一方で、普通の真空チャックに固有の基板裏面における粒子生成を最小化する。00253一実施形態では、板アセンブリの表面よりも上の位置にマスクを設置することで突起171を形成する。これにより、マスクに形成された特徴部または孔を使用して、画成された特定の範囲上にCVDまたはPVD材料を堆積させられるようになる。こうすることで、マスクに形成された特徴と突起の高さによりサイズが制御され、従来のPVDまたはCVD処理堆積速度を使用して板アセンブリの表面上に特定量の材料を堆積させるようにすることで、突起の高さを制御できる。一実施形態では、PVDまたはCVD処理によって堆積させた突起171の厚さは約100マイクロメートルである。00254図13C、図13Dは、選択的なCVD堆積処理を使用して所望の高さの突起を堆積させる実施形態を図示している。この構成では、例えば、テフロンコートしたアルミニウムで作成した板アセンブリ170の板アセンブリ表面170A内に、二酸化シリコンまたはダイヤモンドシード結晶182A層を埋め込んでいる。この構成では、従来のCVD処理を、二酸化シリコンまたはダイヤモンドの膜182Bをシード結晶182A上に選択的に堆積させるように適合することができる。この実施形態では、シード結晶182Aを、その頂面が板アセンブリ表面170Aとほぼ同一平面を成すように板アセンブリ170A内に埋め込むことができる。本発明の1つの態様では、挿入ツールを使用して、シード結晶182Aを繰り返し据付け、これが板アセンブリの表面170Aと同一平面を成すようにしている。この挿入ツールは、比較的圧縮され難く、平坦で、研磨した面を有する材料で作成されるべきである。また、挿入ツールは、少なくともシード結晶182Aの材料と同じ硬さを有する板アセンブリ内へ挿入される最中に、シード結晶と接触する作業面図示せずを有している必要がある。00255図13Aは、冷蔵チャンバ80、ベークチャンバ90、PEBチャンバ130、および/またはHMDS処理チャンバ70内で使用できる加熱/冷却アセンブリ180の一実施形態を図示している。一実施形態では、加熱/冷却アセンブリ180は板アセンブリ170と真空源175を包含し、これらは処理チャンバ186内に搭載されている。一般的に板アセンブリ170は、板170B、板アセンブリ表面170A、突起171、真空源ポートアセンブリ172を包含している。この構成では、真空源175が真空ポートプレナム172B内に負の圧力を作成して、板アセンブリ170の表面に形成された複数の真空ポート172A内に空気を流動させる。これにより、基板の表面で作成される圧力が低減し、基板が突起171の表面へと付勢される。板170Bは、アルミニウム、銅、グラファイト、窒化アルミニウム、窒化ボロン、および/または他の材料のような熱伝導材料から作ることが可能であり、また、熱交換装置183Aと連通している。図13Aは、上述の冷蔵チャンバ80、ベークチャンバ90、PEBチャンバ130、および/またはHMDS処理チャンバ70の図面に示したものとは形状の異なる熱交換装置183Aを図示している。この実施形態は、上述した全ての特徴を組み込むことを意図する。00256一実施形態では、板アセンブリ170はさらにガス源ポートアセンブリ173とガス源174を包含しており、処理中に基板の端を浄化することによって、基板の後ろで生成される圧力が低減したことにより、気化した溶液蒸気が板アセンブリ表面170Aまたは基板の裏面に堆積することを防止する。例えば、真空チャック構成この構成では、ガス源174を使用して、ガスポートプレナム173B内に正の圧力を作成し、板アセンブリ170の表面に形成された複数のガスポート173Aからガスを流出させている。一実施形態では、ガス源174は、アルゴン、キセノン、ヘリウム、窒素、および/またはクリプトンのような不活性ガスを基板の端へ送出するように適合されている。一実施形態では、またガス源174は、基板の端へ流体を送出するようにも適合されている。00257図13Bは、突起171の頂部に基板が載っていない状態にある板アセンブリ170の表面の平面図を図示することで、突起17133個を図示、真空ポート172A最大367を図示、ガスポート173A最大360を図示の1つの使用可能な構成を図示している。一般に、接触範囲を最小化し、基板と板アセンブリ表面170Aの間の隙間をほぼ均等化するために、板アセンブリ170の表面にかけて複数の突起171どうしが離間している。複数の真空ポート172Aは板アセンブリ170の表面にかけて、かつその周囲にわたって離間しているので、基板を板アセンブリ170へ付勢し、それにより基板と板アセンブリ表面170Aの間の隙間をほぼ均等にすることができる。図13Bに示す一実施形態では、真空ポートの内部アレイ172A符号Aは、ガスポートの外部アレイ173A符号Bと鏡象になっている。この場合、内部アレイAの直径は基板直径よりも小さく、外部アレイBの直径は基板直径と等しいか、あるいはこれよりも大きい。一実施形態では、突起171の形成に使用される堆積させたCVDまたはPVD材料の小さな隆起部を図示せず、真空ポートの内部アレイ172Aとガスポートの外部アレイ173Aの間に設置していることで、板の縁を浄化するのに必要なガスの量が最小化される。図13A~図13Bはまた、リフトアセンブリ87と、基板を板アセンブリ表面170Aから持ち上げるために板アセンブリ表面170Aにかけて延びているリフトピン孔189とを有する構成を図示している。00258一実施形態では、処理中に基板の縁が冷却されることを防止するために、ガス源174から送出されたガスが、ガスポート173Aを出る前に加熱される。別の実施形態では、板アセンブリ170内のガスポートプレナム173Bの長さは、ガスポートプレナム内に注入されたガスが、ガスポート173Aを出る前に板の温度にほぼ達するのに十分な時間だけガスポートプレナム内に存在するように設計されている。支持チャンバ00259支持チャンバ65図4C、図4F、図4Hを使用して、コンテナ、ポンプ、弁、フィルタ、さらにこれ以外の、クラスタツール10内で処理シーケンスを完了するために使用される支持コンポーネントを収納することができる。00260一実施形態では、処理済みの基板内の欠陥を検出するため、統計的な処理制御を実行するため、および/またはシステムが、入ってくる基板の品質のばらつきを補正できるようにするために、支持チャンバ65が粒子測定ツール、OCD分光解析装置、分光反射計、および多様なスキャタロメトリ装置のような様々な度量衡ツールを包含している。1つのケースでは、非接触型の可視および/またはDUV反射計技術を使用して、クラスタツール内の基板上の膜の厚さと、膜の均等の性の測定を実行することができる。反射計ツールは、NanometricsIncorporatedカリフォルニア州ミルピタスから購入することができる。00261統合型OCD分光解析ツールを使用すれば、ウェーハをスタンドアロン型の度量衡ツールへ移動することなく、リソグラフ処理中の膜特徴および閉鎖ループ制御を完了することができるため、移送時間が節約でき、また潜在的な取り扱いによる汚染と損傷を排除することができる。様々な制御度量衡機能をクラスタツール内に直接統合することによって、CD制御とCoOの向上が支援される。OCD分光解析ツールは、NanometricsIncorporatedカリフォルニア州ミルピタスから購入することができる。ウェーハシーケンシング/並行処理00262電子装置製造業者は、市場において競争力を持つため、またCoOw低減するための努力として、多くの場合、クラスタツールアーキテクチャの制限とチャンバ処理時間を仮定した場合の最大の基板スループットを達成しようと、多大な時間を費やして処理シーケンスおよびチャンバ処理時間の最適化を試みている。トラックリソグラフィタイプのクラスタツールでは、チャンバ処理時間がかなり短くなりがちであり例えば処理完了までに約1分間、典型的なトラックシステム処理を完了するために要する処理ステップの数が多いことから、1枚の基板の処理にかかる時間の著しい部分が、クラスタツール内の様々な処理チャンバ間における基板移送処理に費やされてしまう。そこで、クラスタツール10の一実施形態では複数の基板をまとめてグループ化し、2つ以上のグループ毎に移送および処理することでCoOの低減を行っている。この並行処理形式では、システムスループットを増加し、ロボットが処理チャンバ間で基板バッチを移送するためにとる動作数を低減しているので、ロボットの疲労が低減されてシステムの信頼性が増加する。00263本発明の1つの態様では、トラックアーキテクチャは、ポッドアセンブリ105A~D内に搭載したカセット106から基板が1枚ずつ離れ、第1処理ステーションでの処理が終了した後に再び2枚以上の基板のグループにまとめてグループ化されるように設計されている。例えば、図3Aに示す処理シーケンスを使用する場合には、基板はBARCコートステップ5120の終了後にグループ化される。この構成では、カセット106に対応し、各基板を第1処理ステーション内に設置するロボットには1枚ブレードロボットを使用できる。しかし、第1処理ステーションから基板を取り上げ、後続の基板処理ステーションへ設置するロボット例えば中央ロボット107には、グループ化する基板と同じ枚数の基板保持装置例えばロボットブレードを包含するロボットが使用される。例えば、図16Aに示すように、2枚の基板をまとめてグループ化する場合には2枚ブレードタイプの中央ロボット107を使用できる。本発明の別の態様では、基板は、ステッパ/スキャナ5内へ移送される以前にグループ解除され、PEBステップ540の実行後に再びグループ化される。基板はさらに、最終の処理ステーションで前端ロボット108によって取り上げられる前に再びグループ解除される。00264本発明の1つの態様では、基板はポッドアセンブリ105にてまとめてグループ化され、複数のブレードタイプの前端ロボット108、中央ロボット107、後部ロボット109を使用し、クラスタツールを介してグループ毎に移送される。図16A~図16Dは、複数のブレードロボットの一実施形態を図示している。この場合、前端ロボット108の各ブレードに基板が搭載されると、クラスタツールを介した全ての移送処理がグループ毎に完了する。ステッパ/スキャナ5では基板のグループ解除がなされるべき、即ち基板は1枚ずつ移送されるべきであると気付くだろう。00265一実施形態では、基板は対単位でグループ化される。そのため移送処理は、第1処理チャンバ内への1枚基板移送のグループ化ステップ、システムを通過する2枚基板移送のグループ化ステップ、次にステッパ/スキャナ5との間を往復する1枚基板移送のグループ化ステップ、そしてシステムを通過する2枚基板移送のグループ化ステップ、さらに最終チャンバからカセットへの1枚基板移送のグループ化ステップを含む。一実施形態では、図16A~図16Bの下部に示す中央ロボット107は、基板を2枚1グループで移送するため2枚ブレードアセンブリ705を包含している。この2枚ブレードアセンブリ705は、第1ブレードアセンブリ715A上に載っている少なくとも1枚のロボットブレード711Aと、第2ブレードアセンブリ715B上に載っている少なくとも1枚のロボットブレード711Bとを包含している。この構成では、第1ブレードアセンブリ715Aと第2ブレードアセンブリ715Bは、基板のグループ化を内部で行う2つのチャンバの垂直空間に対して固定距離で離間している。例えば、図4Aに示す前端処理ラック52のCD1、CD2内でBARCコートステップ510を実行した後に基板を対にてグループ化する場合には、基板を第1中央処理ラック152内のC12冷蔵チャンバ、C9冷蔵チャンバ、あるいはB5ベークチャンバ、B2ベークチャンバへ移送できるようにCD1チャンバ、CD2チャンバ内における移送位置の空間を構成する。これにより、BARC後の冷蔵ステップ514の完了後に、中央ロボット107が基板の対を、第2中央処理ラック154内に保持されたコータ/デベロッパチャンバ60の1つの対、例えばCD1とCD2、CD2とCD3、CD3とCD4へ移送することができる。002662枚ブレードアセンブリ705の一実施形態では、第2ブレードアセンブリ715Bに対する第1ブレードアセンブリ715Aの水平空間は固定距離で離間しており、これは内部において基板のグループ化が行われる2つのチャンバの水平空間に対応している。この構成では、第1ブレードアセンブリ715Aと第2ブレードアセンブリ715Bは、水平平面上に、2枚ブレードアセンブリ705が水平に離間したチャンバにアクセスすることができる形で整列されている。00267図16Dを参照すると、別の実施形態では、第1ブレードアセンブリ715Aと第2ブレードアセンブリ715Bは、2枚ブレードアセンブリ705上に搭載されたアクチュエータ722を使用して可変距離で離間している。一般に、アクチュエータ722は、様々な数のグループ化された基板どうしの空間を、グループ化した基板が移送されるチャンバの所望の空間と一致するべく変更するように適合されている。1つの態様では、アクチュエータ722は支持部720上に搭載されており、第2表面720Bに取り付けられた第2ブレードアセンブリ715Bを位置決めするように適合されている。この構成では、アクチュエータ722は、第2表面720Bを方向Bへ位置決めすることで、第1ブレードアセンブリ715Aと第2ブレードアセンブリ715Bの間の空間Aを変更できる。一実施形態では、アクチュエータ722は直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータであり、このサーボモータは、DanaherMotionイリノイ州ウッドデール、またはAerotech,Inc.ペンシルベニア州ピッツバーグから購入することができる。00268一実施形態では、基板にバッチ現像処理を施すことが可能である。この場合、基板はグループ化されて移送され、現像処理を実行するためにグループ解除され、その後、再びグループ化されてグループ移送される。バッファステーションのないシーケンシング00269本発明の1つの態様では、基板処理シーケンスとクラスタツールは、処理シーケンス中に実行される基板移送ステップが、処理シーケンスの次の処理ステップを実行するチャンバに対して実行され完了する形で設計されている。従来技術のクラスタツール構成では、普通、処理シーケンス中に仮ステーションまたはバッファチャンバを据付けることで、基板を下ろしたロボットが他の移送ステップを完了できる、および/または、他のロボットが待ち状態の基板を取り上げてシステム内の別の所望の位置へ移送できるようになっている。次の処理ステップが実行されないないチャンバ内に基板を設置するステップは時間の無駄であり、これによりロボット1つ以上の使用可能性が低下し、クラスタツール内の空間が無駄になり、ロボット1つ以上の疲労が増加する。バッファリングステップを追加することで基板ハンドオフの数が増加し、さらに裏面の粒子汚染量が増加するため、装置の生産性に悪影響が及ぶ。また、バッファチャンバ内で費やされる時間を各基板毎に制御しない限り、バッファステップを包含する基板処理シーケンスが異なる基板ウェーハ履歴を固有に有することになる。バッファリング時間を制御すれば、処理変数が追加されることでシステムの複雑性が増加し、これにより達成可能な最大基板スループットが打撃を受け易くなる。ロボットがシステムスループットを制限する場合には、クラスタツールの最大基板スループットが、処理シーケンスを完了するためにロボットが行う動作の総数と、ロボットを動作させるためにかかる時間とによって統制される。通例、ロボットに所望の動作を行わせるのにかかる時間は、ロボットのハードウェア、処理チャンバ間の距離、基板の清潔性の問題、システム制御といった制限によって制限される。典型的に、ロボット動作時間はロボット毎にそれほど異なるわけではなく、業界全体にわたってほとんど一貫している。そのため、処理シーケンスを完了するためのロボット動作数が他よりも固有に少ないクラスタツールのシステムスループットは、処理シーケンスを完了するまでにより多くの動作を要する他のクラスタツール、例えば複数のバッファリングステップを包含するクラスタツールのシステムスループットよりも高い。00270図2A~図2G、図14A~図14Bに示したクラスタツールの様々な実施形態は、システムにかけて基板を移送するのに必要な動作とロボット数が少ないため、従来技術の構成にはない特定の利点を有する。その一例は、カセット1つ以上106にアクセスし、第1処理チャンバ例えばコータチャンバ60A内に基板を直接設置し、第1処理チャンバ内での処理完了後に基板を次の処理チャンバ例えばベークチャンバ90へ送出する前端ロボット108の能力である。従来技術の構成では、カセット、処理チャンバ、および/またはステッパ/スキャナの間の複数の仮ステーションと、クラスタツールを介して処理シーケンスを完了するための複数のロボットとを使用する必要がある。いくつかの従来技術の構成では、例えば、第1ロボットが基板を第1位置に設置し、この位置で第2ロボットが基板を取り上げ、処理チャンバ内の第2位置に設置することが普通である。処理チャンバ内での処理が終了した基板が次に第2ロボットによって再び第1位置へ戻され、ここで第1ロボットまたは第3ロボットによって取り上げられ、システム内の別の位置へ移送される。この移送処理あるいは移送経路は、第1位置と第2位置の間の移送を完了するために別々のロボットを必要とし、基板を移送するために2つの無付加価値動作が必要であることから無駄である。さらなるロボットの追加、および/または無付加価値動作の増加は、低下した基板スループットによってコスト高の原因となり、クラスタツールの信頼性を低下させる。この態様の重要性は、連続シーケンスの信頼性がシーケンスにおける各コンポーネントの製品の信頼性に比例すると知ることによってより理解できる。したがって、99の起動時間を有する1つのロボットは、99の起動時間を有する2つのロボットよりも常に優れているということになるが、これは、それぞれが99の起動時間を有する連続した2つのロボットの起動時間は98.01にしかならないためである。トラックリソグラフィチャンバの処理時間はかなり短くなる傾向にあり、また、典型的な処理シーケンスを完了するために必要な処理ステップ数が多いため、システムの信頼性、ウェーハハンドオフの数、ロボットの無付加価値動作がシステムスループットに大幅に影響してしまう。00271本明細書で説明したクラスタツール構成の1つの利点は、2つ以上のロボットが異なる主要モジュール例えば前端モジュール306、中央モジュール310など内の処理チャンバ例えば冷蔵チャンバ80、ベークチャンバ90などにアクセスできる能力である。例えば、図2Fに示す実施形態では、前端ロボット108は第1中央処理ラック312および第2中央処理ラック314内の処理チャンバにアクセスでき、中央ロボット107は第1処理ラック308および第2処理ラック309内の処理チャンバにアクセスできる。利用中のロボットしかシステムスループットを制限しているロボットを補助できないため、ロボットが別の主要のモジュール内の処理チャンバにアクセスできる能力、またはロボットの重なりは、システムロボット移送に伴う障害を防止する上で重要な態様である。したがって、基板シーケンスの最中に各ロボットが行う負荷平衡化作用によって、基板スループットを増加でき、基板のウェーハ履歴をさらに繰り返し可能にでき、システムの信頼性を向上させることができる。1つの態様において、システムコントローラ101は、最適化したスループットに基づいて基板移送経路を調整するように、または動作不能となった処理チャンバの周囲で作業するように適合されている。スループットの最適化を可能にするシステムコントローラ101の特徴は論理スケジューラとして知られている。論理スケジューラは、ユーザからの入力、およびクラスタツール全体にかけて分布している様々なセンサからの入力に基づいて、タスクおよび基板動作の優先順位を決定する。論理スケジューラは、様々なロボット例えば前端ロボット108、中央ロボット107、後部ロボット109、1つ以上のシャトルロボット110などの各々に要求された特徴タスクのリストをレビューすることで、様々なロボットのそれぞれに付加された負荷平衡化を補助するように適合される。この特徴タスクは、システムコントローラのメモリ内に保持されている。CoOを向上させるべく、クラスタツールアーキテクチャおよびシステムコントローラ101を共に使用してクラスタツールの利用を最大化することで、ウェーハ履歴の繰り返し可能性が高まり、システムの信頼性も向上する。002721つの態様では、ロボットが同時に動作できるようにして、ロボット間の衝突を回避し、システムスループットを向上させるために、システムコントローラ101が、システム例えば2枚ブレードアセンブリ705図16A~図16C、ブレードアセンブリ706図16F~図16Gなど内に設けた全てのロボットの終端効果器の動作を監視および制御するようにさらにプログラムされる。いわゆる衝突回避システムは複数の方法で実現できるが、一般的には、衝突回避の目的でロボット上、あるいはクラスタツール内に位置決めされた様々なセンサを使用して、システムコントローラ101が移送処理中に各ロボットの位置を監視する。1つの態様では、システムコントローラは、各ロボットの動作および/または軌道を能動的に変更することで、衝突を回避し、移送経路の長さを最短化するように適合されている。一実施形態では、ゾーン回避システムを使用して、複数のロボット間の衝突を防止している。ゾーン回避システムの1つの態様では、システムコントローラが自体のハードウェアおよびソフトウェアコンポーネントを使用して、各ロボット周囲のオープンな、もしくは内部で安全に動作できる領域を継続的に監視、更新、および画成することができる。したがって、画成されたオープンまたは安全な領域とは、ロボットが別のロボットと衝突することなく侵入あるいは横切ることができる領域のことである。衝突回避システムの別の実施形態では、システムコントローラは、クラスタツールメインフレームの周囲とロボット1つ以上上に分布している複数のセンサ例えば様々なロボット軸上のエンコーダ、位置センサなどおよびエミッタを、クラスタツール内の各ロボットの実位置を継続的に追跡し、2つ以上のロボットの動作が同じ空間内に入って衝突しないように監視および制御を行うように適合されている。1つの態様では、センサは、各ロボットの位置を監視するためにクラスタツール内の様々な垂直および/または水平方位に位置決めされた光センサである。別の態様では、感知システムを使用して、各ロボットおよびそのコンポーネントが監視される。この感知システムは、様々なロボットコンポーネント上にメインフレーム内で複数のセンサに対して位置決めされたエミッタを使用することで様々なロボットコンポーネントの各々の位置を三角測量することができる。1つの態様では、感知システムはRF送信機および受信機であるエミッタとセンサを包含している。00273図14Aは、クラスタツール10内を流れる基板の一例を図示するために、基板移送経路を概略的に図示す。この例では、バッファステップの数を最小化または完全に排除している。一般的に移送経路は、様々な処理レシピステップを基板1枚以上に実行できるようにするために、基板が、1つの位置から別の位置へ移動する際に移動する経路の略図を図示している。図14Aは、図3Aで説明した処理シーケンスの後の基板の移送経路を図示している。この実施形態では、基板が前端ロボット108によってポッドアセンブリ105符号105Aから除去され、移送路A1を追随してコータチャンバ60A例えばCD1、CD2など図4Aへ移送されることで、基板にBARCコートステップ510を完了できる。BARC処理が一旦完了すると、中央ロボット107が移送経路A2を追随し、基板をベークチャンバ90例えば、B1、B3など図4Bへ移送する。ここで基板にBARC後のベークステップ512を完了できる。BARC後のベークステップ512の完了後、シャトルロボット110が移送経路A3を追随し、基板をBARC後冷蔵ステップ514例えばC1、C2など図4Bへ移送する。BARC後冷蔵ステップ514の実行後、中央ロボット107が移送経路A4を追随し、基板をコータチャンバ60A例えばCD1、CD2など図4Cへ移送する。ここで基板にフォトレジストコートステップ520が実行される。フォトレジストコートステップ520の実行後、次に中央ロボット107が移送経路A5を追随し、基板をベークチャンバ90例えばB2、B4など図4Bへ移送する。ここで基板にフォトレジスト後のベークステップ522が実行される。フォトレジストコート後のベークステップ522の実行後、シャトルロボット110が移送経路A6を追随し、基板を冷蔵チャンバ80例えばC1、C2など図4Bへ移送する。ここで基板にフォトレジスト後の冷蔵ステップ524が実行される。フォトレジスト後の冷蔵ステップ524の実行後、中央ロボット107が移送経路A7を追随し、基板をOEBRチャンバ62例えばOEBR1など図14Aには図示していない。図4Dを参照へ移送する。ここで基板にOEBRステップ536が実行される。次に、後部ロボット109が移送路A8を追随し、基板をステッパ/スキャナ5へ移送する。露光ステップ538の完了後、後部ロボット109が移送経路A9を追随し、基板をPEBチャンバ130図4Dへ移送する。PEBステップ540の実行後、シャトルロボット110が移送経路A10を追随し、基板を冷蔵チャンバ80へ移送する。ここで基板にPEB後の冷蔵ステップ542が実行される。PEB後の冷蔵ステップ542の実行後、後部ロボット109または中央ロボット107が移送経路A11を追随し、基板をデベロッパチャンバ60Bへ移送する。ここで基板に現像ステップ550が実行される。現像ステップ550の実行後、中央ロボット107が移送経路A12を追随し、基板を冷蔵チャンバ80へ移送する。ここで前端ロボット108が基板を取り上げて移送経路A13を追随し、ポッドアセンブリ105へ移送する。00274図14Aに図示するクラスタツール10の1つの態様では、基板を2枚以上ずつのグループで移送するために、グループ化した基板を1グループとして、移送経路A1~A7、A10~A12を介して移動させている。上述したように、この平行処理形式によって、システムスループットが増加し、処理チャンバ間で基板バッチを移送するロボットの動作数が低減し、その結果、ロボットの疲労が低減し、システムの信頼性が増加する。00275図14Aに図示したクラスタ10の1つの態様では、移送経路A3、A6、および/またはA10は中央ロボット107によって完了される。一実施形態では、移送経路A11は、冷蔵チャンバ80とデベロッパチャンバ60Bの間で基板を移送するように適合されたシャトルロボット110によって完了される。00276図14Bは、バッファステップ数を最小化または完全に排除できる、図2Fのクラスタツール10の構成を通過する基板移送経路の一例を概略的に図示する。図14Bは、図13Aに図示した処理手順に追随する基板移送経路を図示する。本実施形態では、図3前端ロボット108がポッドアセンブリ105符号105Cから基板を除去し、移送経路A1を追随してコータチャンバ60Aへ移送する。これにより、基板上でBARCコートステップ510を完了できる。BARC処理が完了すると、次に前端ロボット108が移送経路A2を追随して基板をベークチャンバ90例えばB1、B2、B3など図4Gへ移送する。基板上でBARC後のベークステップ512が完了される。BARC後のベークステップ512の完了後、シャトルロボット514が移送経路A3を追随して基板をBARC後の冷蔵ステップ514例えばC1、C2など図4Gへ移送する。BARC後の冷蔵ステップ514を実行した後、前端ロボット108または中央ロボット107が移送経路A4を追随して基板をコータチャンバ60A例えばCD1、CD2、CD3など図4Jとして構成された処理チャンバ370へ移送し、この処理チャンバ370で基板にフォトレジストコートステップ520が実行される。フォトレジストコートステップ520の実行後、中央ロボット107が移送経路A5を追随して基板をベークチャンバ90例えばB2、B4など図4Iへ移送し、ここでフォトレジストコート後のベークステップ522が実行される。フォトレジストコート後のベークステップ522を実行した後、シャトルロボット110が移送経路A6を追随して基板を冷蔵チャンバ80例えばC1、C2など図4Iへ移送し、ここでフォトレジスト後の冷蔵ステップ524が実行される。フォトレジスト後の冷蔵ステップ524を実行した後に、中央ロボット107が移送経路A7を追随して基板をOEBRチャンバ62例えばOEBR1など図4Iへ移送し、ここでOEBRステップ536が実行される。次に、中央ロボット107が移送経路A8を追随して基板をステッパ/スキャナ5へ移送する。露光ステップ538の完了後、中央ロボット107が移送経路A9を追随して基板をPEBチャンバ130へ移送する。PEBステップ540の実行後、シャトルロボット110が移送経路A10を追随して基板を冷蔵チャンバ80へ移送し、ここでPEB後の冷蔵ステップ542が実行される。PEB後の冷蔵ステップ542の実行後、中央ロボット107が移送経路A11を追随して基板をデベロッパチャンバ60B例えばCD1、CD2、CD3など図4Jとして構成された処理チャンバ370へ移送し、ここで現像ステップ550が実行される。現像ステップ550の実行後に、前端ロボット108が移送経路A12を追随して基板をポッドアセンブリ105へ移送する。1つの態様では、移送経路A12は、中央ロボット107を使用してデベロッパチャンバ60Bから基板を取り上げ、前端ロボット108へ移送し、その後ポッドアセンブリ105へ移送することで完了する。002771つの態様では、移送経路A12は、中央ロボット107が基板を第1処理ラック308内の冷蔵チャンバ80へ移送し、その後、前端ロボット108を使用して基板をカセットへ移送するという2つのステップ図示せずに分割される。この構成では、冷蔵チャンバ80は、基板が、ウェーハ履歴と処理基板上の汚染量とに影響を及ぼす可能性のある熱エネルギーまたは処理流体に露出されることなく常駐できる安全位置として作用する。安全位置は、上昇したリフトピン87D図10Aの下方位置に示す上における基板の持着、または冷却板ブロック83B図10A上における基板の保持と一致する。002781つの態様では、移送経路A12は、中央ロボット107がデベロッパチャンバ60Bから基板を取り上げ、ポッドアセンブリ105へ移送することで完了する。この構成では、中央ロボット107は、スライドアセンブリ図示せずと平行移動アクチュエータ例えばリニアサーボモータなど図示せずを使用してクラスタツール10の全長距離を平行移動することで、カセットまでの所望の到達可能範囲を得られるように適合されている。00279図14Bに図示したクラスタ10の1つの態様では、移送経路A3、A6、および/またはA10は、中央ロボット107または前端ロボット108によって完了される。図14Bに図示したクラスタツール10の別の態様では、グループ化した基板を1つのグループとして移送経路A1~A7、A10~A12に沿って移動するために、基板が2枚以上ずつグループ化され移送される。クラスタロボット設計A.垂直レールロボット設計00280図15Aは、中央ロボット107の一実施形態を図示したクラスタツール10の等角図である。この中央ロボット107の実施形態は、前端処理ラック52、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、および/または後部処理ラック202に包含されている様々な処理チャンバの間で基板を移送するように適合された、フロッグレッグ型ロボット以降、FLRまたはFL型ロボットアセンブリ602を包含している。この実施形態に包含されたコンポーネントを強調および明瞭化する目的で、図15Aから第2中央処理ラック154を除去している。図15A~図15Dを参照すると、一般的に、FLRアセンブリ602は上方フロッグレッグFL型ロボットアセンブリ610、下方フロックレッグFL型ロボットアセンブリ620、リフトレールアセンブリ626を包含している。一般的に、リフトレールアセンブリ626は正面レール614と裏面レール612を包含する。したがって、この構成は、上方FL型ロボットアセンブリ610と下方FL型ロボットアセンブリ620の2つのロボットアセンブリを包含し、これらは垂直面と水平面の両方で相互から独立して動作するように適合されている。この実施形態では、独立上方FL型ロボットアセンブリ610または独立下方FL型ロボットアセンブリ620の各々は、垂直面で即ち、リフトレールアセンブリ626に沿って移動でき、また、FL型ロボット625をシステムコントローラ101からの命令に従って移動させることで、基板を水平面の任意の位置へ移送することができる。図15A~図15Dは、上方FL型ロボットアセンブリ610と下方FL型ロボットアセンブリ620の2つのロボットアセンブリを包含する構成を図示する。クラスタツール10の他の実施形態は3以上のロボットアセンブリを包含していてもよい。クラスタツール10の他の実施形態では、1つのFL型ロボットアセンブリを利用して、クラスタツールを通り基板を移送する。00281図15Bはクラスタツール10の平面図であり、その内部では、後方処理ラック202内に包含されている処理チャンバから来た基板が、FL型ロボットアセンブリ602の下方FL型ロボットアセンブリ620によって交換される。00282図15Cは、上方FL型ロボットアセンブリ610および下方FL型ロボットアセンブリ620の様々なコンポーネントを強調した中央ロボット107の等角図である。典型的にリフトレールアセンブリ626は、中央モジュール150の一部である中央モジュールフレーム図示せずに搭載されている。図15A~図15Dは、上方FL型ロボットアセンブリ610または下方FL型ロボットアセンブリ620内のFL型ロボット625が対向している即ち、上方FL型ロボットが下方に向き、下方FL型ロボットが上方に向いている構成を図示しているが、これ以外の構成、例えば、本発明の範囲から異ならない範囲内で、上方FL型ロボットアセンブリ610または下方FL型ロボットアセンブリ620が両方とも上方または下方に向いている構成の使用も可能である。00283図15Dは、下方FL型ロボットアセンブリ620の平面図であり、上方FL型ロボットアセンブリ610または下方FL型ロボットアセンブリ620内部に普通に見られる様々なコンポーネントを示すことを目的とする。一般的に、上方FL型ロボットアセンブリ610または下方FL型ロボットアセンブリ620は、FL型ロボット625と支持アセンブリ624を包含している。図15A~図15Dに示す一実施形態では、FL型ロボット625は、様々な処理ステーション間で基板を移送するように適合された2つの基板運搬装置すなわち611A、611Bを有するが、しかし、基板運搬装置の数またはフロッグレッグ型構成の使用はここで説明している本発明の様々な態様を制限することを意図したものではないため、この構成も本発明の範囲の制限を意図するものではない。本発明の恩典を得るように適合することができる、2つの基板運搬装置を有する例示的なFL型ロボットの一例が、同一出願による、1994年4月11日付けで提出の米国特許出願第5,447,409号RobotAssemblyに説明されている。上記の出願の全体は本願明細書に組み込まれる。本発明から恩典を得るように適合できるFL型ロボット設計の例には、これ以外にも、1994年8月30日付けで出願の同一出願人による米国特許出願第5,469,035号Two-axismagneticallycoupledrobot、2000年4月14日付けで出願の米国特許出願第6,379,095号RobotForHandlingSemiconductorSubstratesに説明されている。上記の出願の全体は本願明細書に組み込まれる。00284FL型ロボット625が2つの基板運搬装置611A~611Bを有する一実施形態では、一般的に、FL型ロボット624は2軸モータ615、1次アーム618A~B、2次アーム619A~D、リストアセンブリ621A~B、基板運搬装置611A~Bを包含する。一般的に、2軸モータ615の様々な軸が動作することで、一次アーム618A~Bが反対方向へ回転して、基板運搬装置611A~Bが延出または引き込まれるか、あるいは同方向に回転して、基板運搬装置611A~Bが所望の位置へ回転される。FL型ロボット625は、ロボットアセンブリ625を支持および保持する支持アセンブリ624の支持部613上に搭載されている。00285図15C~図15Dを参照すると、支持アセンブリ624は一般的に、支持部613、正面レール614と連通しているモータアセンブリ617A、裏面レール612と連通しているモータアセンブリを包含しており、これらは両方とも支持部613に取り付けられている。一般的に、モータアセンブリ617Aとモータアセンブリ617Bはアクチュエータ630と案内機構631を包含している。一実施形態では、アクチュエータ630は直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータである。このサーボモータは、リフトレールアセンブリ626コンポーネント上に搭載された基部コンポーネント616A~B例えば2次コイルまたは回転子部分との連通を介して、取り付けられたFL型ロボットアセンブリコンポーネント例えば符号610または620を独立的に昇降するように適合されている。一実施形態では、制御のコストおよび容易性の観点から、リフトレール即ち、正面レール614と裏面レール612の一方だけが1つのアクチュエータ630を有し、もう一方のレールは案内機構631のみを有するようにすることが有利である。直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータは、DanaherMotionイリノイ州ウッドデール、またはAerotech,Inc.ペンシルベニア州ピッツバーグから購入することができる。別の実施形態では、アクチュエータ630はステッパモータであるか、または、様々なFL型ロボットアセンブリ610または620コンポーネントを昇降するために使用できる、別タイプのアクチュエータであってもよい。00286案内機構631は、FL型ロボットアセンブリ610コンポーネントまたはFL型ロボットアセンブリ620コンポーネントが昇降される際に、これらをリフトレール上に支持し、正確に案内することにより、FL型ロボットアセンブリ610またはFL型ロボットアセンブリ620の動作の位置と正確性が上手く制御され、基板の一貫した動作および移送を行えるように適合されている。一実施形態図示せずでは、案内機構631は、FL型ロボットアセンブリ610コンポーネントまたはFL型ロボットアセンブリ620コンポーネントを支持および保持するリニア案内部を包含している。リニア案内部は、DanaherMotionイリノイ州ウッドデールから購入することができる。図15C~図15Dに示す別の実施形態では、車輪619が直交構成においてモータアセンブリ617A~Bに取り付けられており、この車輪619がT字型のレール構造618上を転がると、FL型ロボットアセンブリ610コンポーネントまたはFL型ロボットアセンブリ620コンポーネントの位置決めと正確な制御が行われる。00287本発明の1つの態様では、FL型ロボットアセンブリ602は、基板のグループ化とグループ移送を行えるように同期された、2つ以上のFL型ロボットアセンブリ例えば符号610、620を包含する。この構成は、クラスタツール内の基板スループットを向上させるため有利である。1つの態様では、2つ以上のFL型ロボットアセンブリが物理的に結合しているので、FL型ロボットアセンブリの各ブレードの動作が調和するとグループ化されるようになっている。この場合、ロボットアセンブリ610は、固定距離で離間し、同期して動作する。別の態様では、FL型ロボットアセンブリ例えば符号610、620は機械的に結合しているため、固定距離で離間した状態に維持されるが、しかし、それぞれのFL型ロボット625が互いに独立して移動することが可能である例えば、水平面上で独立して動作する。00288別の態様では、2つ以上のFL型ロボットアセンブリのそれぞれの動作を制御し、同期させるためにシステムコントローラ101を使用することで、基板を2枚以上のグループにて移送できるようにしている。例えば、中央ロボット107が2つのロボットを包含するFL型ロボットアセンブリ602である場合は、上方FL型ロボットアセンブリ610および下方ロボットアセンブリ620を使用して、コータチャンバ60A例えばCD1、CD2図4Aから基板をほぼ同時に取り上げ、次に基板を所望のベークチャンバ90例えばB1、B5図4B内にほぼ同時に下ろすことによって図14Aで説明した移送経路A2を完了することができる。この構成は、グループで移動することによりスループットが向上する上に、さらに、別の望ましいタスクを完了するために必要であれば各ロボットが独立して移動できるようになっているので有利である。B.関節ロボット00289図16Aは、関節ロボットアセンブリ702以降、ARアセンブリ702を包含する中央ロボット107の一実施形態の等角図である。ARアセンブリ702は、前端処理ラック52、第1中央処理ラック152、第2中央処理ラック154、および/または後部処理ラック202の内部に包含されている様々な処理チャンバ間で基板を移送するように適合されている。この実施形態に包含されたコンポーネントを強調および明瞭化する目的で、図16Aから第2中央処理ラック154を除去している。一般的に、ARアセンブリ702は関節ロボット710と2枚ブレードアセンブリ705を包含している。一般的に、関節ロボット710は6軸関節ロボットであり、MitsubishiElectricCorporation日本、東京、KawasakiRoboticsUSA,Inc.ミシガン州ウィクソム、StaubliCorp.サウスカロライナ州ダンカンから販売されている。一実施形態では、6軸関節ロボットはStaubliCorp.サウスカロライナ州ダンカンから購入できるモデル番号TX90である。関節ロボット710はロボット基部713Aおよび機械インターフェース713Bを有し、これらはロボットをクラスタツールに、また、終端効果器アセンブリ例えば2枚ブレードアセンブリ705とブレードアセンブリ706などをロボットに接続する。一般的に、6軸関節ロボットは、その複数の軸および複数の接合設計のために、関節ロボットの到達可能範囲は従来のロボットのものと比べて遥かに卓越しているため有利であり、また、複数関節ロボットの到達可能範囲は、基板1枚以上を保持および移送する終端効果器の動作が基板移送中に他のロボットをより効率的に回避できるようにするロボットベース713Aの動作とリンクしていないため、および/または、関節ロボットの信頼性がほとんどの従来型ロボットを超越しているため、より簡単に重なることが可能である。002902枚ブレードアセンブリ705は、一般的に、支持部720、2つ以上のブレードアセンブリ715例えば、第1ブレードアセンブリ715A、第2ブレードアセンブリ715Bなどを包含している。支持部720は関節ロボット710に取り付けられており、これによって案内されることで、第1ブレードアセンブリ715A内のブレードと、第2ブレードアセンブリ715B内のブレードがそれぞれ基板を取り上げ、これを処理ラック内に保持された2つの異なる処理チャンバ内に設置することができる。ロボットブレード間のピッチ符号Aを参照または距離は、第1支持面720Aと第2支持面720Bの間の距離によって固定されており、また、処理ラック内に保持された処理チャンバ間のピッチと一致するように設計されている。これにより、例えば第1中央処理ラック152内の、符号B1、B4を付したベークチャンバの移送位置の間の距離が、前端処理ラック52内の、符号CD1、CD2を付したコータ/デベロッパチャンバの間のピッチと一致するため、BARCコートステップ510の完了後に、基板を、符号B1、B4を付したベークチャンバへ移送してBARC後のベークステップ512を完了することができる。図16Bを参照すると、ピッチAは、一般的に、ブレード711A~Bの間の、基板受容面712A~Bに対して直角方向に向かう距離または空間として定義される。一実施形態では、ピッチ符号Aは約100~1200mm、好ましくは約300~700の距離である。2枚ブレードアセンブリ705は、関節ロボットアセンブリ702に関連して図示されているが、これ以外の構成では、本発明の基本範囲を変更することなく、2枚ブレードアセンブリ705を別タイプのロボット上で利用することができる。002911つの態様では、基板受容面712A~Bは、基板をロボットブレード上の適所に持着する縁掴持機構を使用して、ブレード図示せず上に位置決めされた基板を保持するように適合されている。縁掴持機構は、基板の縁を複数の点例えば3点にて捕え、基板を持着および保持する。00292図16Bを参照すると、一実施形態では、各ブレードアセンブリ715例えば第1ブレードアセンブリ715Aまたは第2ブレードアセンブリ715Bは、一般的に1つ以上のロボットブレードアクチュエータ721符号721A~721Bを参照と、1つ以上のロボットブレード711符号711A~711Bを参照を包含する。ロボットブレードアクチュエータ721は、直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータ、またはこれ以外の、ロボットブレード711の動作および位置の制御が可能な同等の装置であってもよい。一般的に、1つのロボットブレードが別のロボットブレードに対して作動または平行移動することによって、ロボットブレード間のピッチが影響を受けることはない。これは、作動されたブレードが、他のロボットブレードと平行な1平面内で平行移動することが好ましいからである。00293図16Cは、支持面720A上に位置決めした支持ブラケット722A上に搭載されている1対のブレードアセンブリ715A、715Cと、第2支持面720B上に位置決めした支持ブラケット722B上に搭載されている第2対のブレードアセンブリ715B、715Dを包含する2枚ブレードアセンブリ705の一実施形態を図示している。図16Cはさらに、ロボットブレード711Bが作動位置にあり、他のブレード例えば715A、715C~Dが引き込み位置にある状態で示す構成を図示している。2枚ブレードアセンブリ705の1つの態様では、システムコントローラ図示せずとそのロボットブレードアクチュエータ721例えば721A~Dを使用することで、各ブレードアセンブリ715例えば715A~D内に包含された各ロボットブレード711例えば711A~Dを独立的に作動させることができる。図16Cに示す1つの態様では、ロボットブレードのそれぞれの対におけるロボットブレード711を、相互の上にほぼ水平に整列し、水平に離間した方位多くの場合オーバ/アンダー構成と呼ばれるに物理的に位置決めすることができるため、基板を各ブレード上に同時に保持することが可能となる。オーバ/アンダーブレード構成は、例えば、ロボットが基準位置から離れることなく、次に処理される基板を同じ処理チャンバ内に設置する前に先行の基板をそこから別のチャンバへ除去する必要がある場合に有利である。別の態様では、この構成によって、ロボットが全てのブレードを充填し、その後、ツール内の所望の場所へグループ毎に移送できるようになる。例えば、図16Cでは、4枚の基板を4枚のブレードの上へ移送することができる。この構成はまた、グループ毎に移送された基板を、各ブレード711A~Dから基板を1度に1枚ずつ下ろす、または取り上げることによってグループ解除できるというさらなる利点も有する。別の実施形態では、各支持面例えば図16Bの720A、720B上に搭載された、3枚またはそれ以上に積重した基板を、ロボットブレードの対の代わりに使用して、複数基板のグループ毎の移送をさらに促進することができる。00294図16Eは、1枚ブレード符号715Dをポッドアセンブリ105内の基板Wにアクセスできるように延出して、カセット106内で基板を取り上げたり下ろすことを可能にした、オーバ/アンダータイプの2枚ブレードアセンブリ705の断面図を図示している。この構成によって、システムを通って基板をグループ毎に移送し、1度に1枚の基板しか受容できないステーション例えばカセット106、ステッパ/スキャナ5など内にて基板を下ろすおよび/または取り上げられるようになる。002951つの態様では、2つ以上の固定ロボットブレードを包含する、即ちロボットブレードアクチュエータ721を包含していないロボットを使用して、1枚基板移送タスクを実行する場合には、少なくとも1枚のロボットブレードが再位置決めされる、例えば裏返される、回転させる、および/または取り外されるようにロボットが適合されているので、再位置決めされたブレード1つ以上によって、基板を別のロボットブレード上に移送する処理が干渉されることはない。この構造では、別のロボットブレードを使用して基板の移送を行えるようにするために、特別な位置またはチャンバ例えば支持チャンバを、ロボットブレードを受容して、これを所望の方位に再位置決めするように適合することができる。1つ以上のロボットブレードを再位置決めする能力は、近接した他の処理チャンバ位置の利用を可能にするため、グループ毎の移送シーケンスおいて1つ以上の処理チャンバが稼動しておらず、そのためブレードを処理チャンバに入れることができない場合には特に有効である。00296図16F、図16Gは、1枚ブレードタイプの関節ロボットアセンブリ703を包含する前端ロボット108または後部ロボット109の一実施形態の等角図である。単関節アセンブリ703これ以降SAロボットアセンブリ703とするは、ロボットが前端ロボットであるか後部ロボットであるかに応じて、フロンドエンド処理ラック52、ポッドアセンブリ105、後部処理ラック202、ステッパ/スキャナ5内の様々なチャンバどうしの間で基板を移送するように適合されている。一般的に、SAロボットアセンブリ703は関節ロボット710とブレードアセンブリ706を包含する。また一般的に、関節ロボット710は6軸関節ロボットであり、MitsubishiElectricCorporation日本、東京、KawasakiRoboticsUSA,Inc.ミシガン州ウィクソム、StaubliCorp.サウスカロライナ州ダンカンから販売されている。00297図16Gを参照すると、ブレードアセンブリ706は、一般的に、上述した支持部718とブレードアセンブリ715例えば第1ブレードアセンブリ715Aを包含する。ブレードアセンブリ715内のロボットブレード711が、基板を取り上げ、処理ラック内に保持された処理チャンバ内に設置できるようにするために、支持部718が関節ロボット710に取り付けられており、関節ロボットによって案内されるようになっている。一実施形態では、1枚ブレード関節ロボットアセンブリ703は、図16Cに関連して図示および説明した対のうちの1つのような、一対のブレードアセンブリ715を含んでいてもよい。00298一実施形態では、前端ロボット108または後部ロボット109は、図16A~図16D、図14A~図14Bに関連して図示および上述した2枚ブレードアセンブリ705である。この構成は、基板をグループ毎にシステムを通って移送できるようにするため、スループット、CoO、システムの信頼性が増加する。00299図16Hは、スライドアセンブリ714を使用することで、関節ロボット基部713をクラスタツールの長さに沿って並進させ、位置決めできるように適合された可動関節ロボット例えばARアセンブリを示すの等角図である。この構成では、関節ロボット基部713は、スライドアセンブリ714のアクチュエータアセンブリ717に接続しており、また、システムコントローラ101からの命令を使用して、ARアセンブリ702をクラスタツール内の所望の位置へ移動できるように適合されている。スライドアセンブリ714は、一般的にアクチュエータアセンブリ717、カバー図示せず、基部716を包含している。基部716はARアセンブリ702コンポーネントとスライドアセンブリコンポーネントをクラスタツールに支持および搭載する。カバー明瞭な図示はないを使用して、アクチュエータアセンブリ717、および他のスライドアセンブリ特徴を封止することで、これらが処理チャンバに到達する前に粒子が生成することを防止し、また、クラスタツールのメンテナンス中における損傷を防止する。アクチュエータアセンブリ717は、一般的に、アクチュエータ719と案内機構723符号723A、723Bを包含していてもよい。図16Hに示す一実施形態では、アクチュエータ719は直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータである。このサーボモータは、基部716とスライダ719B例えば固定子上に搭載されている基部コンポーネント719Aとの連通を解して、ARアセンブリ702をスライドアセンブリ714の長さに沿って移動させるように適合されている。直接駆動式無ブラシリニアサーボモータは、DanaherMotionイリノイ州ウッドデール、またはAerotech,Inc.ペンシルベニア州ピッツバーグから購入することができる。別の実施形態では、アクチュエータ719はステッパモータ、またはこれ以外の、ロボットの位置決めにしようできるタイプのアクチュエータであってもよい。案内機構723は基部716に搭載されており、また、ロボットを、これがスライド組立て714の長さに沿って移動する際に支持および案内するために使用される。案内機構723は、当分野で周知の、リニアボールベアリングスライドまたは従来のリニア案内部であってもよい。00300図16Hは、スライドアセンブリ714に搭載された1つのロボットを示しているが、別の実施形態では、2つ以上のロボットを同じスライドアセンブリに固定することができる。この構成では、冗長部品の数を低減し、各ロボットの相互に関連した正確な動作を向上させることで、コストの低減が可能である。また、図16Hは、スライドアセンブリ714に搭載された2枚ブレードタイプの関節ロボットを図示しているが、ロボットのタイプまたはブレードの数は本発明の範囲を制限することを意図したものではない。00301図16Iは、2枚のブレードを固定したロボットの一実施形態の断面図を図示している。上記2枚のブレードは、垂直に積重した2つの別々のポッドアセンブリ105内で2枚の基板を取り上げるべく位置決めされている。この構成では、複数のブレードを装備したロボットは、2つのカセット符号106A~B内に位置決めされた基板を取り上げる、および/または下ろすことで、基板移送シーケンスのスタートおよび/または最後に、グループ化された基板の移送処理を実行できるように適合されている。1つの態様では、カセットそしてポッドアセンブリは、ロボットがカセット全てにおいて類似した位置で基板にアクセスできるように距離Aで離間している。1つの態様では、少なくとも1つのカセット例えば符号106Aが不要である場合に、様々な領域例えば符号731A、731Bなどを別のカセットよりも上および/または下に形成することで、ブレードが固定されたロボットの第1固定ロボットブレードが、第2固定ロボットブレードとクラスタツール壁731Cに衝突することなく、第1カセットにアクセスできるようになっている。これにより、1つの態様では、第1ブレード711Aが下方カセット106B内の或る位置にアクセスすると同時に、下方ブレード711Bが壁731Cと衝突することなく領域731Bに入るように、領域731Bを形成することが可能である。図16Iは、ロボットブレード711A~Bが支持部720の支持面720A~Bに固定され、そのためロボットブレードアクチュエータ721を使用しない構成を図示しているが、本発明の基本範囲を変更することなく、ロボットブレードアクチュエータを有する別の実施形態を使用することもできる。C.シャトルロボット00302図17A~図17Cは、近接した様々な処理ラック内のチャンバの間で基板を移送するように適合できるシャトルロボット110の様々な実施形態を図示している。ここでの設計は、後続の処理ステップ、例えばBARC後のベークステップ512とBARC後の冷蔵ステップ514の間、フォトレジストコート後のベークステップ522とフォトレジスト後の冷蔵ステップ524の間において使用されるベーク処理チャンバ例えばベークチャンバ90、HMDS処理チャンバ70、PEBチャンバ130などと冷却チャンバ80の間で基板を移送する場合に使用するのに有利である。したがって、シャトルロボット110は、前端ロボット108、中央ロボット107、後部ロボット109を含む様々なシステムロボット上の作業負荷を低減し、これにより、基板上で別の処理ステップが完了するまでの間にシステムロボットに別のタスクを実行させるために使用される。00303図17Aは、3つの近接した処理チャンバの間、例えば2つのベークチャンバと冷蔵チャンバ80の間で基板を移送するためにシャトルロボット110を使用した一構成の等角図である。そのためこの構成は、例えば図4Bに示す中央処理ラック152内のベークチャンバB1、冷蔵チャンバC1、ベークチャンバB2の間で使用できる。00304図17Bは、近接した2つの処理チャンバ、例えばベークチャンバ90と冷蔵チャンバ80の間で基板を移送するためにシャトルロボット110を使用した一構成の等角図である。そのためこの構成は、例えば図4Aに示す前端処理ラック52に包含されたベークチャンバB1と冷蔵チャンバC7の間、図4Dに示す後部処理ラック202に包含されたPEBベークチャンバPEB1と冷蔵チャンバC3の間、図4Aに示す前端処理ラック52に包含されたHMDS処理チャンバP1と冷蔵チャンバC1の間で使用できる。00305図17Cは、図17Aまたは図17Bに示す近接した処理チャンバの裏側の等角図である。この等角図は、シャトルロボット110の一実施形態を示すことを目的としている。シャトルロボット110は、一般的に、ロボットブレード111とシャトルロボットアクチュエータアセンブリ120を包含している。シャトルロボットアクチュエータアセンブリ120は、一般的に、ロボットブレードアクチュエータ112、スライドアセンブリ113、ロボット駆動アセンブリ119を包含する。ロボットブレード111は、一般的に、基板保持範囲111Aと搭載領域111Bを包含している。取り付け領域111Bは、ロボットブレード111をロボットブレードアクチュエータ112搭載部112Aを参照に取り付けるために使用されるロボットブレード111の一範囲である。基板保持範囲111Aは、基板移送処理中に基板を持着するために、従来の、真空生成源図示せずに取り付けられる真空チャックとして作用するように適合される。ロボットブレードアクチュエータ112は、1つの処理チャンバから別の処理チャンバへ基板を移送するべくロボットブレード111を昇降させるために使用する装置である。一実施形態では、ロボットアクチュエータ112は空気シリンダである。また一実施形態では、ロボットブレードアクチュエータ112とロボットブレード111の間にリニアアクチュエータ例えば無ブラシリニアサーボモータ図示せずを搭載して、ロボットブレード111を延出させるおよび/または引き込むチャンバ内に引き込む、またはチャンバ内から延出させることで、処理チャンバ内のリフトピンまたは他の基板保持特徴により基板移送処理を完了できるようになっている。00306一実施形態では、スライドアセンブリ113は、シャトルロボット110が様々な処理チャンバ間で基板を移送する際にこれを案内するリニアボールベアリングスライドである。一般的に、スライドアセンブリ113はシャトル113Aを包含しており、このシャトル113Aにロボットブレードアクチュエータ112を取り付けることができる。クランプ118は、様々な処理チャンバの間でロボットブレード111を移動するべく、シャトル113Aをロボット駆動アセンブリ119のベルト117に取り付けるために使用される。00307図17Cに示す一実施形態では、ロボット駆動アセンブリ119はベルトおよび滑車タイプのシステムであり、スライドアセンブリ113の長さに沿ってロボットを移動させるために使用される。この構成では、ロボット駆動アセンブリ119は、一般的に2つ以上の遊び滑車116A~B、ベルト117、モータ115を包含しており、ロボットの位置を駆動および制御するように適合されている。一実施形態では、モータ115は、エンコーダを統合した直流サーボモータであるため、システムコントローラ101がシャトルロボット110の位置を追い、これを制御することができる。ロボット駆動アセンブリ119の別の実施形態では、ベルトおよび滑車タイプのシステムを、DanaherMotionイリノイ州ウッドデールから購入できる直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータで代用している。統合型のベーク/冷蔵チャンバ00308図18Aは、クラスタツールの様々な実施形態と共用できる統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の一実施形態を例証している。一般的には、統合型のベーク/冷蔵チャンバ800は3つの主要処理領域、即ち入力領域830、冷蔵領域810、ベーク領域を有する。これらの領域は、様々なベーク方法ステップ例えばBARC後のベークステップ512、PEBステップ540などおよび/または冷蔵方法ステップ例えばBARC後の冷蔵ステップ514、PEB後の冷蔵ステップ542などが実行される場合において、処理シーケンスを実行するように適合できる。統合型のベーク/冷蔵チャンバ800は、エンクロージャ804内に2つ以上のアクセスポート802図18Aには2つを示すを包含していてもよく、これらのアクセスポート802は、外部ロボット例えば前端ロボット108、中央ロボット107など図示せずが、基板を取り上げ、または下ろすために、入力領域830および/または冷蔵領域810にアクセスできるように適合されている。一般的に、エンクロージャ804は入力ステーションステーション804A、冷蔵チャンバエンクロージャ804B、ベークチャンバエンクロージャ804Cを包含している。これらのチャンバは、統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の様々な領域を隔離するように適合されている。00309一実施形態では、入力領域830を、外部ロボットから基板を除去するために使用している。一般的に、入力領域830は、例えばリフトピン836または他の類似した装置のような基板交換装置を包含する封止領域である。この基板交換装置は、外部ロボットが統合型のベーク/冷蔵チャンバ800内で基板を取り上げ、下ろせるようにするよう適合されている。入力領域830はまた、冷蔵された移送アームアセンブリ832がリフトピン836から基板を取り上げたり、リフトピン836に基板を下ろすことができるように構成されている。00310冷蔵された移送アームアセンブリ832は、一般的に、ブレード受容面834と複数の切抜き部835とを有する冷蔵されたブレード833を包含する。ブレード受容面834と複数の切抜き部835は、冷蔵されたブレード833が統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の様々な処理領域内に在る様々な基板交換装置から基板を取り上げる、そこに保持する、そこへ下ろすことができるように適合されている。一実施形態では、冷蔵された移送アームアセンブリ832の冷蔵されたブレード833は、ブレード受容面834上に位置決めされた基板の温度を温度制御できるようにするためにブレード受容面834と熱連通した熱交換装置837図18Bを包含している。1つの態様では、システムコントローラ101と通信している温度コントローラ838図18Bを使用して、熱交換装置837の温度の監視と制御を行う。熱交換装置837は、基板の温度を制御するために、熱電装置および/または組み込み型の熱要素であってもよい。1つの態様では、熱交換装置837は複数の流体チャネル図示せずを包含している。この流体チャネルは、冷蔵されたブレード833内に組み込まれており、また、温度制御した熱交換流体が内部を流通するように構成されている。ブレード受容面834は、基板を受容面上に保持するための機械特徴図示せずを包含していてもよい。1つの態様では、ブレード受容面834は複数の真空ポートを包含していてもよく、この真空ポートは真空源図示せずに接続しているため、基板を保持し、基板とブレード受容面834間の密接した接触を確保することができる。00311図18Bは、冷蔵されたブレードアクチュエータアセンブリ839を利用した、冷蔵された移送アームアセンブリ832の一実施形態を図示している。冷蔵されたブレードアクチュエータアセンブリ839は、図17Cに関連して上述したシャトルロボットアクチュエータアセンブリ120と類似しており、また、統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の様々な処理領域のいずれかにおける、冷蔵されたブレードアセンブリ832の位置を制御するために使用される。明瞭性の理由から、冷蔵されたブレードアクチュエータ組宛品839とシャトルロボットアクチュエータアセンブリ120に使用した共通のコンポーネントの符号を変更していない点に気付くだろう。冷蔵された移送アームアセンブリ832の1つの態様では、システムコントローラ101を利用することで、統合型のベーク/冷蔵チャンバの様々な処理領域のいずれかにおいて、冷蔵されたブレードアセンブリ832を垂直および水平の両方向に位置決めする。冷蔵されたブレード833の位置決めは、統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の1つ以上の面が上に搭載されている冷蔵されたブレードアクチュエータアセンブリ839を使用して行われる。図18A~Bを参照すると、エンクロージャ804は複数のエンクロージャ切抜き部806を包含している。このエンクロージャ切抜き部806は、冷蔵されたブレード833に、統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の様々な処理領域間で基板を移送させることができる。00312図18Aを参照すると、冷蔵領域810は、図10Aに関して図示および説明した冷蔵チャンバ80コンポーネントを包含している。冷蔵領域810の1つの態様では、冷蔵された移送アームアセンブリ832が統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の様々な処理領域間における基板の移送を促進するために、エンクロージャ804Bは、1つ以上のエンクロージャ切抜き部806を包含している。00313ベーク領域820は、図10B~図10Dに関して図示または説明したベークチャンバ90、HMDS処理チャンバ70、PEBチャンバ130の全てのコンポーネントを包含している。ベーク領域820の1つの態様では、冷蔵された移送アームアセンブリ832が統合型のベーク/冷蔵チャンバ800の様々な処理領域間で基板を移送できるようにするために、エンクロージャ804Cは1つ以上の切抜き部806を包含する。00314統合型のベーク/冷蔵チャンバ800を使用する場合、外部ロボットが、基板をアクセスポート802を通って入力領域のリフトピン836へ移送する。リブとピン836の下に位置付けられている冷蔵されたブレード833が垂直に移動することで、基板がリフトピン836から除去されて、ブレード受容面834上に位置決めされる。続いて、冷蔵されたブレード833がベーク領域820へ移動され、ここに基板を置いた後にベーク領域820から出る。これにより、基板上でベーク処理を実行できるようになる。ベーク処理の実行後に、冷蔵されたブレード834がベーク領域820から基板を取り上げ、冷蔵領域810内の基板交換装置へ移送した後に冷蔵領域810から出る。冷蔵処理の実行が終わると、外部ロボットを使用して、基板がアクセスポート802を通って冷蔵領域810から除去される。1つの態様では、冷蔵処理の実行後に、冷蔵されたブレード833が基板を冷蔵領域810から除去して、入力領域内のリフトピン836上に置く。冷蔵領域810は新規の基板上で冷蔵処理を完了するようになされていることから、および/または、外部ロボットに、置かれた位置と同じ位置から基板を取り上げさせることから、この構成は有利である。PEBクラスタツール構成を用いた統合型のスキャナ/ステッパ00315図19Aは、クラスタツールがクラスタツール10Aとステッパ/スキャナ5Aを包含している本発明の一実施形態の平面図である。この構成では、PEBチャンバ5C即ち、上述した要素130図10Dはステッパ/スキャナ5A内に統合されており、ステッパ/スキャナはクラスタツール10Aから取り外すことができる。多くの場合、ステッパ/スキャナのスループットはトラックシステムタイプのクラスタツールのスループットの数倍大きく、したがって1つのトラックシステムに専用の1つのステッパ/スキャナを設けることはステッパ/スキャナの過剰スループット容量を無駄にすることとなるため、この構成は従来技術と比べて有利である。この実施形態により、1つのステッパ/スキャナで、複数のトラックシステムに対応できるようになる一方で、さらに、ステッパ/スキャナ内でPEBステップ540の実行とPEB後の冷蔵ステップ542を実行することにより、露光処理実行後にフォトレジストが安定する。00316図19Aに示す一実施形態では、クラスタツール10Aは、図1Bに関連して図示および上述したように前端モジュール50、中央モジュール150、後部モジュール200を包含できる。この構成では、クラスタツール10Aはステッパ/スキャナと統合されていないため、後部ロボット109図2Eに示すを後部モジュール200から除去して、コスト削減およびシステム複雑性の低減を行っている。別の実施形態では、クラスタツール10Aは、本発明の基本範囲から逸脱しない限りの異なる数の処理チャンバおよび/または処理ラックを包含することができる。00317この構成では、一般的にステッパ/スキャナ5Aは1つ以上のPEBチャンバ5Cと1つ以上の冷蔵チャンバ5B即ち上述における符号80図10Aを包含する。必要なPEBチャンバと冷蔵チャンバの数は、ステッパ/スキャナ5Aが必要とするスループットと、PEBチャンバおよび冷蔵チャンバ内における処理時間とによって異なる。実際の使用時には、PEBチャンバ5Cおよび/または冷蔵チャンバ5Bがステッパ/スキャナの入力ステージおよび/または出力ステージとして作用するため、ステッパ/スキャナロボット図示せずが基板を取り上げ、戻す場所を有するようになる。一実施形態では、PEBチャンバ5Cが基板の加熱および冷却の両方を行うように適合されている場合には上述、少なくとも2つのPEBチャンバを、図19Aには示していないステッパ/スキャナ内の位置5B、5Cに統合することができる。一実施形態では、PEBチャンバ5Cは基板の加熱および冷却の両方を行うように適合されている場合に上述、PEBチャンバを1つのみステッパ/スキャナ5に統合している。00318図19Bは、図19Aに図示したクラスタツール10Aおよびステッパ/スキャナ5Aに関連して使用できる様々な処理レシピステップを包含する方法ステップ504の一実施形態を図示する。この実施形態では、処理シーケンスを3つの全く別の部分、即ちクラスタツール段階1、ステッパ/スキャナ段階、クラスタツール段階2に分けている。クラスタツール段階1は、ステッパ/スキャナツールへの移送前に完了する全ての処理ステップを含む。この処理ステップには、ポッド508Aから基板を除去するステップ、BARCコートステップ510、BARC後のベースステップ512、BARC後の冷蔵ステップ514、フォトレジストコートステップ520、フォトレジストコート後のベークステップ522、フォトレジスト冷蔵後のステップ524、光学エッジビード除去OEBRステップ536、ポッド内への設置ステップ508Bが含まれる。次に、基板のポッドがクラスタツール10Aから除去され、ステッパ/スキャナ5A上に配置されることで、ポッド508Aから基板を除去するステップ、露光ステップ538、露光後のベークPEBステップ540、PEB後の冷蔵ステップ542、ポッド内への設置ステップ508Bを含む処理ステップを実行できるようになる。次に、基板のポッドがステッパ/スキャナ5Aから除去されると、ポッド508A内への設置ステップ、現像ステップ550、現像後の冷蔵ステップ554、ポッド内への設置ステップ508Bを含むクラスタツール段階2ステップを完了できるようになる。別の実施形態では、本発明の基本範囲を変更することなく、方法ステップ504のシーケンスを再配置または変更でき、1つ以上のステップを除去でき、2つ以上のステップを組み合わせて1つのステップにすることが可能である。長円形システム構成00319図20A~図20Bは、内部において、図4A~図4Kに示した様々な処理ラック例えば前端処理ラック52、第1中央処理ラック152など内に包含された処理チャンバが直線状に方位付けされるのではなく、システム内の共通の中心点周囲に配置されたクラスタツール10の別の実施形態を例証している。チャンバの直線方位付けに伴う1つの欠点は、ロボットが、処理ラックにおける最頂位置と最底位置に達することが難しく、また、全ての使用可能な空間を利用するためにアーム延出が大きいより大型のロボットが必要となることである。この問題は6軸関節ロボットを使用する場合に特に解決が困難であるが、これは、6軸関節ロボットの到達範囲が中心点からの距離によって制限されるためである。チャンバが直線状に配置されたラックの頂部または最後にある場合には、これらのチャンバがロボットの中心から最も離れているためこの問題は強調される。ロボットの到達範囲の外にある全てのチャンバにはアクセスできないため、いくつかの場合では、処理ラックの高さを完全に利用できない可能性がある。そのためこの問題では、これらのチャンバにアクセスするためにさらなるチャンバおよび/またはロボットが必要となり、ツールのコストおよびスループットが増加してしまう。00320図20Aに示す一実施形態では、別の方位を使用することで、長円形または半球形と考えられる処理チャンバにロボットがアクセスできるようになる。図20Aは、ロボットR1が処理チャンバPM1から12にアクセスすることができる長円形のクラスタツール構成の側面図である。この構成では、角の積重の最頂および最低のステーションをトラックの中央に向かって移動させることで、ロボットがこれらステーションに対応するために移動すべき距離がさらに低減される。この場合、角の積重はその中心から頂部まで、中心から底部までにかけて階段状パターンにて連鎖的につながっている。その結果、より短い到達範囲を用いた小型ロボットを使用できるようになり、低減された到達距離によりロボット取り扱い回数が低下する。00321図20Bは、複数の垂直に離間した処理チャンバPM1~18がロボットR1の中心点周囲に配置されている。この構成は、球形の作業範囲を利用する。球形の作業範囲は、6軸関節ロボットが角の積重をトラック中心へ接近させて、ロボットに到達させ易くすることで提供される。00322本発明の1つの態様では、図20A、図20Bに図示した構成どうしが合体して完全な球体、部分球体、または半球体方位orientationの処理チャンバを形成している。この処理チャンバは、ロボットが処理チャンバに対応するべく移動する距離を低減するため、また処理チャンバ間の移送時間を低減するためにロボットを包囲して形成される。ガントリロボット設計構成00323図21A~図21Dは、所望の処理シーケンスを実行できるように様々な処理ラックの周囲に並行処理構成にて構成された複数のロボットを使用するクラスタツール10の別の実施形態を図示している。一実施形態では、この並行処理構成は3つのロボット図21Bに示す符号420、430、450を包含し、これらのロボットは、処理ラック内に平行方向に沿って整列して保持された様々な処理チャンバにアクセスするために垂直方向これ以降、z方向と定義するおよび平行方向に移動する。このシステム構成の1つの利点は、中央領域425内のロボットの1つが故障したり、対応目的で分解された場合でも、システムが別の2つのロボットを使用して基板の処理を継続できることである。この構成の別の利点は、柔軟性およびモジュールアーキテクチャによって、ユーザがスループットの必要性を満たすのに要する数の処理チャンバ、処理ラック、処理ロボットを構成できることである。00324図21Aは、第1処理ラック460および第2処理ラック480内に垂直に積重した様々な処理チャンバにアクセスするように適合された3つのロボットを包含するクラスタツール10の一実施形態を図示する等角図である。図21Aには、典型的に後部領域445に取り付けられているステッパ/スキャナ5を示していない。00325図21B~図21Cは、図21Aに示したクラスタツール10の実施形態の平面図および側面図である。図21A~図21Cは、この実施形態と共に使用できる様々なロボットおよび処理チャンバ構成のいくつかを例証することを意図している。一般的にこの構成では、クラスタツール10は前端領域405、中央領域425、後部領域445を包含する。また一般的に、前端領域405は1つ以上のポッドアセンブリ105と前端ロボット410を包含する。1つ以上のポッドアセンブリ105またはFOUPは、クラスタツール10内で処理される1枚以上の基板Wあるいはウェーハを包含していてもよい、1つ以上のカセット106を受容するように適合されている。中央領域425は、一般的に第1中央ロボット420、第2中央ロボット430、第3中央ロボット440、第1処理ラック460、第2処理ラック480を包含する。第1処理ラック460と第2処理ラック480は、基板処理シーケンスに見られる様々な処理ステップを実行するように適合された様々な処理チャンバ例えばコータ/デベロッパチャンバ60、ベークチャンバ90、冷蔵チャンバ80などを包含している。前端ロボット410は、ポッドアセンブリ105内に搭載したカセットと、前端領域405と当接する第1処理ラック460または第2処理ラック480内の1つ以上の処理チャンバとの間で、基板を移送するように適合されている。00326第1中央ロボット420、第2中央ロボット430、第3中央ロボット440は、基板を、第1処理ラック460と第2処理ラック480内に包含された様々な処理チャンバへ移送するように適合されている。一実施形態では、第2中央ロボット430は、基板を第1処理ラック460と第2処理ラック480の間で移送するように適合されている。00327図21Bを参照すると、本発明の1つの態様において、第1中央ロボット420は、第1処理ラック460内の処理チャンバに、少なくとも1つの側部、例えば図示の第1側部471からアクセスするように適合されている。別の態様では、第2中央ロボット430は、第1処理ラック460内の処理チャンバに、少なくとも1つの側部からアクセスするように、また第2処理ラック480内の処理チャンバに、第1処理ラック480の第2側部472および第2処理ラック480の第1側部473からアクセスするように適合されている。1つの態様では、第3中央ロボット450は、第2処理ラック480内の処理チャンバに、少なくとも1つの側部、例えば図示の第2側部474からアクセスするように適合されている。1つの態様では、第1処理ラック460の第1側部471、第1処理ラック460の第2側部472、第2処理ラック480の第1側部473、第2処理ラック480の第2側部474は全て、様々なロボットアセンブリ即ち第1中央ロボット420、第2中央ロボット430、第3中央ロボット450のそれぞれの水平動作アセンブリ490以降で説明すると平行した1方向に沿って整列している。00328一実施形態では、後部領域445は、基板を、後部領域445およびステッパ/スキャナ5に当接する第1処理ラック460および第2処理ラック480内の処理チャンバ間で移送するように適合された後部ロボット440を包含する。00329図21Dは、第3中央ロボット440に最も近い側部上に立ち、第1処理ラック460と対面した状態で見た第1処理ラック460の一実施形態の側面図を例証している。したがって、図21Dは図21A~図21Cに示した図と一致する。一般的に、第1処理ラック460は1つ以上のコータ/デベロッパチャンバ60、1つ以上の冷蔵チャンバ80、1つ以上のベークチャンバ90、1つ以上のOEBRチャンバ62、1つ以上のPEBチャンバ130、1つ以上の支持チャンバ65、および/または1つ以上のHMDSチャンバ70を包含する。図21Dに示す一実施形態では、第1処理ラック460は8個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~8、18この冷蔵チャンバ80ラベルC1~18、8このベークチャンバ90ラベルB1~8、6個のPEBチャンバ130ラベルPEB1~6、2つのOEBRチャンバ6262、および/または6個のHMDS処理チャンバ70ラベルP1~6を包含している。00330図21Eは、第3中央ロボット440に最も近い側部上に立ち、第2処理ラック80と対面した状態で見た第2処理ラック480の一実施形態の側面図を図示する。したがって、図21Eは図21A~図21Cに示した図と一致する。一般的に、第2処理ラック480は1つ以上のコータ/デベロッパチャンバ60、1つ以上の冷蔵チャンバ80、1つ以上のベークチャンバ90、1つ以上のOEBRチャンバ62、1つ以上のPEBチャンバ130、1つ以上の支持チャンバ65、および/または1つ以上のHMDSチャンバ70を包含する。図21Eに示した一実施形態では、第2処理ラック480は4個のコータ/デベロッパチャンバ60ラベルCD1~4、24個の冷蔵チャンバ80ラベルC1~24、12個のベークチャンバ90ラベルB1~12、6個のPEBチャンバ130ラベルPEB1~6、および/または6個の支持チャンバ65ラベルS1~6を包含している。00331図21A~図21Eに示す処理チャンバの方位付け、位置決め、数は、本発明の範囲を制限することを意図するのではなく、本発明の様々な実施形態の図示を意図する。00332図21Fは、図21A~図21Dに図示したクラスタツール構成を使用して、図3Aに示した方法ステップ501を完了するために各クラスタツールロボットが対応する処理ステップを図示している。符号Aで示すボックスで囲んだ方法ステップ508A、510、550、508Bには前端ロボット410が対応する。一実施形態では、BARCコートステップ510は、前端領域405と当接する処理ラック460内に搭載されたコータチャンバ60A内において完了される。図21B、図21D、図21Fを参照すると、前端ロボット410が基板をポッドアセンブリ105から除去し、第1処理ラック460内のCD1またはCD2を付したコータチャンバ60Aの一方の中に設置する。別の実施形態では、BARCコートステップ510は、前端領域405と当接する第1処理ラック460または第2処理ラック480内に搭載したコータチャンバ60Aの中において完了される。この実施形態では、現像ステップ550は、前端領域405と当接する第2処理ラック480内に搭載した冷蔵チャンバ80の中で完了することができる。00333一実施形態では、破線Bで囲んだ方法ステップ510~536の間で基板を移送する処理は、第1中央ロボット420および第2中央ロボットと、第1処理ラック460内に包含されたチャンバとを使用して完了される。別の実施形態では、第2中央ロボット430を使用して、第1処理ラック460と第2処理ラック480の間で基板の移送を行えるため、これらのラック内の使用可能なチャンバを必要に応じて使用することで、処理シーケンス要求を満たすことが可能である。00334一実施形態では、ボックスCで囲んだ処理ステップ536~550の間で基板を移送する処理は、後部ロボット450を使用して完了される。一実施形態では、OEBRステップ536は、後部領域445と当接する第1処理ラック460内に搭載されているOEBRチャンバ62の中で完了される。図21B、図21Dを参照すると、後部ロボット450はOEBRチャンバ62から基板を除去し、この基板を、露光ステップ538を完了するステッパ/スキャナ5内において交換する。露光ステップ538の完了後に、後部ロボット450が基板をステッパ/スキャナ5から除去し、第1処理ラック460または第2処理ラック480内に包含されている符号PEB1~6で示すPEBチャンバのうちの1つの中に設置する。00335一実施形態では、ボックスDで囲んだ処理ステップ540~550の間で基板を移送する処理が、第2中央ロボット430および第3ロボット440と、第2処理ラック480内に包含されたチャンバとを使用して完了される。別の実施形態では、第2中央ロボット430を使用して基板を第1処理ラック460から第2処理ラック480の間で移送するため、これらラック内の使用可能なチャンバを必要に応じて使用して、処理シーケンス要求を満たすことができる。00336図21B、図21D、図21Fを参照すると、処理ステップ550の完了後、前端ロボット410が、符号CD1またはCD2で示すデベロッパチャンバから基板を除去し、対応するポッドアセンブリ105内に設置する。00337図21Gは、前端ロボット410、第1中央ロボット420、第2中央ロボット430、第3中央ロボット440、および/または後部ロボット450として使用するように適合できるロボットアセンブリ411の一実施形態を図示する。一般的に、ロボットアセンブリ411は、ロボットハードウェアアセンブリ485、水平動作アセンブリ490、2つの垂直動作アセンブリ495を包含する。ロボットハードウェアアセンブリ485は、一般的に、独立制御可能な2本のアーム/ブレードを包含する従来の選択的に従順な関節ロボットアームSCARAロボットを包含する。図21Hに示す別の実施形態では、1枚ブレードタイプのロボットハードウェアアセンブリ485を使用して基板の移送を行う。2枚ブレードタイプのロボットは、例えば、ロボットが、処理チャンバ内に次の基板を設置する前にこの同じ処理チャンバから基板を除去しなければならない場合に有利である。例示的な2枚ブレードタイプのロボットは、AsystTechnologiesカリフォルニア州フリーモントから購入できる。00338クラスタツール10の一実施形態では、前端ロボット410、第1中央ロボット420、第2中央ロボット430、第3中央ロボット440、および/または後部ロボット450を、2枚以上の基板を1グループとして移送するように適合することが可能である。これにより基板が並行処理されることで、システムスループットが向上する。例えば1つの態様では、独立制御が可能な複数のアーム/ブレードを包含するロボットを使用して、複数の基板を複数の処理チャンバから取り上げ、後続の複数の処理チャンバ内に置く。1つの態様では、ロボットは、所望の距離またはピッチで離間した複数のブレードを有するアームを使用して、基板の取り上げと下ろしを同時に行うように適合されている。例えば、前端ロボット410、第1中央ロボット420、第2中央ロボット430、第3中央ロボット440、および/または後部ロボット450は、1対のブレードアセンブリ715A、715Bを有する。この1対のブレードアセンブリは、SCARAロボットの独立制御可能なアーム/ブレードの一端に取り付けた支持部720図16A~図16Bに示す上に搭載されている。別の態様では、ロボットは複数の基板を別々に取り上げ、移送し、下ろすように適合されている。例えば2本のアームロボットは、第1アームまたはブレードを使用して第1チャンバから基板を取り上げ、次に第2処理チャンバへ移動して、第2アームまたはブレードを使用して基板を取り上げることで、基板をグループ毎に移送し、下ろすことを可能にしている。00339図21G~図21Iを参照すると、水平動作アセンブリ490は一般的にエンクロージャ491、ロボットアクチュエータ489、ロボット支持インターフェース487、リニアスライド488、ケーブル案内アセンブリ492を包含する。リニアスライド488は、1つ以上のリニアボールベアリングスライドまたは従来のリニア案内部を包含でき、これらは、様々な処理チャンバ間で基板を移送する際に、ロボット支持インターフェース487例えばロボット基部インターフェースおよびロボットハードウェアアセンブリ485を案内する。一実施形態では、ロボットアクチュエータ489は、図21Iに図示した直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータであり、ロボット支持インターフェース487を、エンクロージャ491の支持構造486上に搭載されたリニアスライド488に関連して移動するように適合されている。図21Hは水平動作アセンブリ490の一実施形態を図示しており、この実施形態では、処理チャンバ間で基板を移送できるようにするために、モータ489A例えば直流サーボモータ、ステッパモータなどと、水平動作アセンブリ490の長さに沿って水平に走行したベルトと滑車システム図示せずとがロボット支持インターフェース487を移送および位置決めするように適合されている。00340図21Hは、図21Gに示したロボットアセンブリ411の一実施形態の等角図を図示し、水平動作アセンブリ490と垂直動作アセンブリ495内に包含されている内部コンポーネントの図示を意図している。一般的に、垂直動作アセンブリ495はリフトレールアセンブリ495A、リフトアクチュエータ495B、垂直エンクロージャ495D図21Gを参照。図21Hには示していないを包含している。リフトレールアセンブリ495Aは、水平動作アセンブリを正確に昇降するための構造支持部496と案内機構494を包含している。構造支持部496は、Iビームやその他普通の構造コンポーネントのような従来の構造部材であり、ロボットアセンブリ411をクラスタツール10内のフレーム部材図示せずに接続するように、また、垂直動作アセンブリ495および水平動作アセンブリ490のコンポーネントの重量と、これらによって作成された負荷とを支持するように設計されている。案内機構494は、水平動作アセンブリ490と整列し、案内機構494に沿って垂直に移動する際にこれを正確に案内することが可能な、リニアボールベアリングスライドまたは従来のリニア案内部であってもよい。00341図21Hを参照すると、垂直動作アセンブリ495の一実施形態では、リフトアクチュエータ495Bは、水平動作アセンブリ490およびそのコンポーネントを昇降させるためのベルトおよび滑車の構成図示せずと共に使用する、モータ495C例えば直流サーボモータ、ステッパモータ、あるいはこれ以外のタイプのアクチュエータを包含している。垂直動作アセンブリ495図示せずの別の実施形態では、リフトアクチュエータ495Bは、DanaherMotionイリノイ州ウッドデールから購入できる直接駆動式の無ブラシリニアサーボモータである。ロボットアセンブリ411の一実施形態では、各垂直動作アセンブリは、水平動作アセンブリ490およびその他の支持コンポーネントを昇降させるためのリフトアクチュエータ495Bを包含している。ロボットアセンブリ411の別の実施形態では、2つの垂直動作アセンブリ495と他の垂直動作アセンブリ495の1つに搭載したシングルリフトアクチュエータ495Bは案内機構494のみを包含している。00342図21Iは、水平動作アセンブリ490内に包含されているエンクロージャ491の一実施形態の等角図を図示する。エンクロージャ491は、安全性と汚染低減の理由から、水平動作アセンブリ490内のコンポーネントをカバーおよび支持するように適合されている。回転、スライド、または接触し合う複数の機械コンポーネントによって粒子生成が普通に生成される場合には、基板がクラスタツールを通って移送される間に、水平動作アセンブリ490内、そして垂直動作アセンブリ495内のコンポーネントによって基板に欠陥が生じないようにすることが重要である。一般的に、エンクロージャ491は複数の壁図491A~Fと、支持構造486を包含しており、これらは、エンクロージャ内部で生成された粒子が基板の表面へと前進してしまう機会を最小化するための包囲された領域を形成する。支持構造486は、壁491A~F、ロボットアクチュエータ489、ロボットハードウェアアセンブリ485、リニアスライド488の全てが取り付けられる構造部材である。00343ファンユニット493は、空気をファンポート491Gを介してエンクロージャ491からエンクロージャ491の壁の1つの内部へと引き出し、粒子を包含する空気をフィルタ図示せずへと押しやることで、この空気がクラスタツール10内へ排出される符号Aを参照前に粒子を除去できるように適合されている。この構成では、ファンユニット493内に包含されたファン493Aは、エンクロージャ491内部で負圧を作成することで、エンクロージャ491外部の空気がエンクロージャ内へ引き出されて、エンクロージャ491内部で生成された粒子が漏出する可能性を防止するように設計されている。一実施形態では、フィルタ図示せずは、生成した粒子を空気から除去することができる、HEPAタイプのフィルタまたは他タイプのフィルタである。図21Iに示す構成は、エンクロージャから空気を引き出すために3つのファンユニット493を使用する一実施形態を図示している。別の実施形態では、本発明の範囲を変更することのない範囲内で、図示した3台ファンユニット493構成の代わりに1台または2台ファンユニットシステムを使用できる。00344リフトレールアセンブリ495Aの一実施形態では、ファンユニット493図示せずは、それぞれの垂直エンクロージャ495Dの内部から空気を引き出すことにより、垂直動作アセンブリ495の内部で生成された粒子が基板の表面上に形成した装置に欠陥を生じさせる機会を最小化するように適合されている。基板の中心を発見する装置00345電子装置製造業者は、市場において競争力を持つため、またCoOw低減するための努力として、多くの場合、基板スクラップを低減し、総システムスループット即ち、週毎のウェーハスタートを増加しようと、多大な時間を費やして、システムの起動時間と信頼性の向上を試みている。システムの起動時間と信頼性に影響を及ぼす1つの要因には、基板の損傷例えば、欠け、基板破損などを生じさせる、様々な処理チャンバ内での基板の不整列がある。基板が損傷すると、ユーザは進行中の処理を停止して、部分的に処理が終了している基板を全て廃棄し、影響を受けたチャンバ1つ以上を洗浄してから、処理シーケンスを再スタートしなければならないため、これら全てにより被るシステム休止時間とコストは甚大なものとなる。典型的に、処理チャンバまたはその他のチャンバの1つにおける基板の不整列によって起こる、1枚毎の基板処理におけるばらつきと基板への損傷とを防止するために、ロボットは、移送位置からの基板の取り上げと下ろしについて繰り返し較正される。移送位置は、例えば処理チャンバリフトピンどうしの間の中心点、あるいはチャックの中心点であってもよい。00346これらの問題を解決するために、クラスタツール10の一実施形態では、図22Aに示す基板位置エラー検出および修正システム1200以降、SPEDAC1200とするを使用している。図22Aは、処理ラック内に保持されている2つの隣接した処理チャンバ1220例えばベークチャンバ90、冷蔵チャンバ80、コータ/デベロッパチャンバ60などの等角図を図示す。それぞれの処理チャンバ1220の各開口部88の外側には、2つの別々の基板位置検出および修正システム1200が搭載されている。図22Aは、頂部支持部1204に送信機1206を搭載し、底部支持部1203に検出器1205を搭載したSPEDACシステム1200の一実施形態を図示しており、上記支持部は全て処理チャンバ1220に接続している。00347SPEDACシステム1200は、基板移送ロボットブレードが様々な処理チャンバに見られる開口部88に入る、またはここから出る際にその上に基板が在るかどうかを決定し、後続の移送ステップにおいてロボットブレード1210を再位置決めすることでエラーを修正する。SPEDACシステム1200では、2対の送信機1206から検出器1205へ送られた1対のビーム符号Aを利用して、ビームを通過する基板の位置を検出し、また、ロボット位置を調整して基板の位置のエラーを補正する。システムは、基板位置のエラーを検出すると、不整列の度合いを決定し、こうした不整列が修正可能であれば、ロボットブレード位置を移動させたり、作業者を介入させるべく警告を発することでこれを修正する。さらに、ロボットのブレード上における基板の不整列を検出および補正する例証的な方法の説明は以下の特許にてさらに詳細に説明されている:1996年10月8日付けで発行の米国特許第5,563,798号WaferPositioningSystem、1996年1月9日付けで発行の米国特許第5,483,138号SystemandMethodforAutomatedPositioningofaSubstrateinaProcessingChamber、1999年11月9日付けでFreerks等に発行された米国特許出願第5,980,194号。これらの特許の全体は、本開示にこれに相反することなく組み込まれる。例証的な制御ロボットの位置制御方法の一例が、さらに2003年4月29日付けでFreeman等に発行された米国特許出願第6,556,887号に説明されている。この特許の全体は、本開示にこれに相反することなく組み込まれる。全地球測位00348基板の損傷例えば、欠け、基板破損を防止することでシステムの起動時間および信頼性を向上させるために使用できる別の実施形態は、全地球測位システムGPS図示せずを使用して、ロボットブレードの位置および/または基板の位置におけるエラーを追跡および修正するものである。この構成では、全地球即位検出システムは、ロボットブレード基板またはロボット終端効果器の場所を、所定システムの位置標定基準に関連して定義するために使用される。典型的に、各制御軸の駆動モータのシャフト上にエンコーダを組み込むことにより、ロボットブレードの値の位置フィードバックが提供される。このエンコーダは、ロボットブレードの実位置ではなくモータの位置を報告するものである。実位置は、発生する可能性のある様々な駆動コンポーネント間の緩い結合、誤ったロボットパラメータ設定、ロボット位置制御ドリフト、検出されなかった動作失敗、ハードウェアの衝突によって、報告された位置から変更してしまうことがある。そのため、これらの問題を解決する目的で、本発明の一実施形態を、ロボットブレードの実位置、さらに基板の位置を追跡するために使用することができる。一実施形態では、全地球測位装置1300と通信システム例えばRF送信機1302、ケーブルなどをロボットブレードまたはロボットに統合して、その位置を測定し、これをシステムコントローラにフィードバックするようにしている。そのため、システムコントローラは、GPSセンサまたは別の装置を使用して先に収集した各移送位置の3次元座標システム測定値を使用して、様々なロボット部品の位置を調整することでブレード位置のエラーを修正することができるようになる。ロボット部品は、エンコーダ、または、ロボットの位置の制御に使用されるその他のフィードバックタイプの装置を包含する従来の制御手段を使用して位置決めされる。00349一実施形態では、ロボットブレード付近に搭載されたRF送信機1302と通信中の、即ちシステムコントローラ101と通信を行うRF受信機1303と通信中の全地球測位装置1300の通信によって、ブレード位置のリアルタイム位置フィードバックを達成できる。全地球測位装置1300により、ロボットブレードの実位置を命令された位置と比較して、位置の横滑りや、検出されなかったハードウェアの失敗によって生じた失敗を排除することができる。00350一実施形態では、システムコントローラ101は、GPSシステムとSPEDACシステム1200上述を使用して、ロボット位置の設置、そしてロボットブレードへの基板の設置の不整列エラーを修正する。そのため、この実施形態は、基板設置エラー、またはロボットブレードに対する基板の動作エラーを修正するために使用される。00351先述の説明は、本発明の実施形態に関するものであるが、本発明の基本範囲から逸脱しない限り、本発明のこれ以外およびさらなる実施形態を考案することが可能である。この基本範囲は特許請求の範囲によって決定されたものである。"