圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブするガラス基板のスクライブ方法であって、スクライブ予定ラインの走査開始側のガラス基板端面から所定距離内側における強化ガラスの表面に初期亀裂を形成する第1工程と、前記走査開始側の端部領域を除いて、前記初期亀裂からスクライブ予定ラインに沿って、レーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる第2工程と、を含むガラス基板のスクライブ方法。前記強化ガラスの表面において、スクライブ予定ラインの走査開始側の端部領域にはレーザ光を反射する反射膜が形成されており、前記第2工程は、前記反射膜が形成された強化ガラスの表面に対して処理を実行する、請求項1に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第2工程では、スクライブ予定ラインの走査終了側のガラス基板端面から所定距離内側までの端部領域において、レーザ光照射による加熱及び加熱領域の冷却を停止する、請求項1又は2に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記強化ガラスの表面において、スクライブ予定ラインの走査開始側及び走査終了側の端部領域にはそれぞれレーザ光を反射する反射膜が形成されており、前記第2工程は、前記反射膜が形成された強化ガラスの表面に対して処理を実行する、請求項3に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程における初期亀裂の深さは強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下である、請求項1から4のいずれかに記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程では、初期亀裂は強化ガラスの全厚みの54を越えない深さである、請求項5に記載のガラス基板のスクライブ方法。ところで、最近のFPDフラットパネルディスプレイ業界では、基板端面の強度が重要視されるために、ガラス基板として、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた層強化層を有しており、最近では、特に端面強度が要求されるタッチパネル等のカバーガラスに用いられている。このような強化ガラスは、表面に強い圧縮応力を有し、内部には引っ張り応力を有している。このため、強化ガラスに対して、従来の方法でレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成すると、主にレーザ光の走査開始側における基板端面に形成されたスクライブ溝亀裂を起点として、厚み方向の全体にわたって亀裂が進展する場合が多い。このように基板の全深さにわたって亀裂が形成されると、スクライブラインに沿って基板が自然に分離されてしまう以下、スクライブによって基板が完全に分断されることをフルカットという。このような状況では、クロススクライブ工程、すなわち、先のスクライブラインと直交するスクライブラインに沿ってスクライブ溝を形成する工程が非常に困難になる。本発明の課題は、表面が強化された強化ガラスに対してスクライブ溝を形成する際に、フルカットを防止して、ガラス基板を容易に所望の形状に分断できるようにすることにある。第1発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブする方法であり、第1工程と、第2工程と、を含む。第1工程は、スクライブ予定ラインの走査開始側のガラス基板端面から所定距離内側における強化ガラスの表面に初期亀裂を形成する。第2工程は、走査開始側の端部領域を除いて、初期亀裂からスクライブ予定ラインに沿って、レーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる。ここでは、強化ガラスの表面に初期亀裂が形成され、その後、初期亀裂にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。これにより初期亀裂がスクライブ予定ラインに沿って進展する。このとき、スクライブ予定ラインの走査開始側のガラス基板端面から所定距離内側における強化ガラスの表面に初期亀裂が形成され、この初期亀裂からレーザ光の照射が開始される。すなわち、レーザ光の走査開始側のガラス端面から初期亀裂までの端部領域には、レーザ光による加熱及び加熱領域の冷却処理はなされない。以上のように、レーザ光の走査開始側の端部領域にはレーザ光が照射されないので、従来方法を用いて強化ガラスをスクライブした場合に発生していた基板の自然分離を避けることができる。したがって、例えばクロススクライブ等の後の加工工程が容易になる。第2発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1発明のスクライブ方法において、強化ガラスの表面において、スクライブ予定ラインの走査開始側の端部領域にはレーザ光を反射する反射膜が形成されている。そして、第2工程は、反射膜が形成された強化ガラスの表面に対して処理を実行する。レーザ光を照射しない領域を形成する場合、レーザ発振のオン、オフ制御を光学系等の移動に同期させることによって形成することが可能である。しかし、本発明のように、レーザ光を照射しない領域に反射膜を形成することにより、より容易に第2工程を実施することができる。なお、反射膜としては、レーザ光を反射する金属パターン膜、ITO膜等が考えられる。第3発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1又は第2発明のスクライブ方法において、第2工程では、スクライブ予定ラインの走査終了側のガラス基板端面から所定距離内側までの端部領域において、レーザ光照射による加熱及び加熱領域の冷却を停止する。ここでは、走査開始側の端部領域に加えて、走査終了側の端部領域についてもレーザ光は照射されない。このため、より確実に基板の自然分離を避けることができる。第4発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第3発明のスクライブ方法において、第2工程は、スクライブ予定ラインの走査開始側及び走査終了側の端部領域に、レーザ光を反射する反射膜を形成することにより実施する。ここでは、前記同様に、レーザ光を照射しない領域に反射膜を形成することにより、より容易に第2工程を実施することができる。第5発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1から第4発明のいずれかのスクライブ方法において、第1工程では、初期亀裂の深さは強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下である。ここで、初期亀裂の深さが強化ガラスの強化層の厚みの114倍に満たない場合は、強化層が除去されずに残っており、後工程でのレーザ光照射による加熱処理及び冷却処理を行っても亀裂は進展せず、スクライブ溝を形成することは困難である。一方で、初期亀裂の深さが強化層の厚みの167倍を超える場合は、後工程での加熱及び冷却によって、亀裂が意図せずに、またスクライブ予定ラインに沿わずに進展し、所望のスクライブ溝を形成することが困難になる。そこで、この発明では、初期亀裂の深さを、強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下としている。このため、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。第6発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第5発明のスクライブ方法において、第1工程では、初期亀裂は強化ガラスの全厚みの54を越えない深さである。初期亀裂の深さが、前述のように、強化層の114~167倍であっても、ガラス基板全体の厚みが薄い場合は、初期亀裂を深く形成すると、スクライブ予定ラインに沿って亀裂が進展しない場合がある。そこで、この発明では、初期亀裂の深さを、強化ガラスの全厚みの54を越えないようにしている。このため、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。以上のように、本発明では、表面が強化された強化ガラスに対してスクライブ溝を形成する際に、フルカットを防止して、ガラス基板を容易に所望の形状に分断することができる。[装置構成]図1は、本発明の一実施形態による方法を実施するためのスクライブ装置の概略構成を示す図である。スクライブ装置1は、例えば、マザーガラス基板を、FPDフラットパネルディスプレイに使用される複数のガラス基板に分断するための装置である。ここでのガラス基板は、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。前述のように、この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた強化層を有している。スクライブ装置1は、レーザビームをガラス基板Gに向けて照射する照射部2と、冷却部3と、図示しない移動部と、を備えている。冷却部3は、図示しない冷媒源から供給される冷媒を、ノズル4を介して噴射して冷却スポットCPを形成する。移動部は、照射部2及び冷却部3のノズル4を、ガラス基板Gに設定されたスクライブ予定ラインSL1~SL5に沿って、ガラス基板Gとの間で相対移動させる。照射部1は、レーザビームLBを照射するレーザ発振器例えば、CO2レーザを有し、このレーザビームLBを、光学系を介してガラス基板G上にビームスポットLSとして照射する。なお、ここでは図示していないが、ガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂を形成するための初期亀裂形成手段が設けられている。初期亀裂形成手段としては、圧子やカッターホイール等の機械的ツールが用いられるが、レーザアブレーション加工によって初期亀裂を形成することも可能である。[スクライブ方法]まず、図1に示すように、4辺端部領域にレーザ光を反射する反射膜RC1~RC4が形成されたガラス基板Gを用意する。反射膜RC1は、スクライブ予定ラインSL1SL2に沿ってスクライブ溝を形成する処理以下、スクライブ処理と記すを実行する際に、レーザ光の照射の走査開始側の端部領域に形成されている。反射膜RC2は、スクライブ予定ラインSL1SL2に沿ってスクライブ処理を実行する際に、レーザ光の照射の走査終了側の端部領域に形成されている。また、反射膜RC3は、スクライブ予定ラインSL3SL4SL5に沿ってスクライブ処理を実行する際の、レーザ光の照射の走査開始側の端部領域に形成され、反射膜RC4、はスクライブ予定ラインSL3SL4SL5に沿ってスクライブ処理を実行する際の、レーザ光の照射の走査終了側の端部領域に形成されている。なお、走査開始側の端部領域に形成される反射膜RC1RC3は、3mm~5mmの幅が好ましい。また、走査終了側の端部領域に形成される反射膜RC2RC4は、8mm~20mmの幅が好ましい。次に、カッターホイール等の初期亀裂形成手段を用いてガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂TRを形成する。このとき、初期亀裂の位置は、反射膜に隣接してその内側である。また、初期亀裂の深さは、強化ガラスの表面に形成された圧縮応力を有する強化層が除去される程度の深さにする。具体的には、初期亀裂の深さを、強化層の厚みの114倍以上167倍以下の深さにする。次に、ガラス基板Gに対して、照射部1からレーザビームLBが照射される。このレーザビームLBはビームスポットLSとしてガラス基板G上に照射される。そして、照射部1から出射されるレーザビームLBが、各スクライブ予定ラインSL1~SL5に沿ってガラス基板Gと相対的に移動させられる。このとき、走査開始側及び走査終了側の端部領域には、反射膜RC1~RC4が形成されているので、これらの端部領域ではレーザビームLBは反射されてガラス基板Gには照射されない。したがって、これらの反射膜RC1~RC4が形成された領域では、ガラス基板Gは加熱されない。反射膜RC1~RC4が形成されていない領域では、ガラス基板GはビームスポットLSによってガラス基板Gの軟化点よりも低い温度に加熱される。また、冷却スポットCPをビームスポットLSの移動方向後方において追従させることにより、加熱された領域が冷却される。以上のようにして、レーザビームLBの照射によって加熱されたビームスポットLSの近傍には圧縮応力が生じるが、その直後に冷媒の噴射によって冷却スポットCPが形成されるので、垂直クラックの形成に有効な引張応力が生じる。この引張応力により、ガラス基板Gの端部に形成された初期亀裂TRを起点としてスクライブ予定ラインSLに沿った垂直クラックが形成され、所望のスクライブ溝が形成される。そして、レーザビームLBが照射されない端部領域では、亀裂が進展しないか、あるいは亀裂が進展するとしても浅い領域のみである。以上のようなスクライブ方法では、初期亀裂から亀裂がガラス基板Gの全深さに進展することはなく、基板が自然に分断されるのを防止することができる。[ガラス基板の分断に関する検証]<従来例による実験例>図2に、従来の方法、すなわち反射膜を形成することなく、スクライブ予定ラインの開始端から終了端までレーザ加熱及び冷却を行った場合の例を示している。基板は、全体厚みが07mmで、強化層の厚みが18μmの強化ガラスである。また、レーザビームの条件は、レーザ出力が200W、走査速度は200mmsecである。なお、図2では、ガラス基板の端部領域は表れていない。図2aはスクライブ直後の状態である。ここでは、スクライブラインスクライブ溝は、基板の全深さにわたって進展していない状態以下、この状態をハーフカットと記すであり、図では薄いラインで表れている。図2bはスクライブ処理から5秒後の状態である。ここでは、スクライブの開始点側図の右側から図の中央付近までスクライブラインがフルカット図では濃いラインで表れているされている。図2cはスクライブ処理から20秒後の状態である。ここでは、図で表れているすべての部分で、スクライブラインがフルカット図では濃いラインで表れているされている。このように、スクライブ予定ラインの開始端から終了端までのすべてにわたってレーザ加熱及び冷却を行った場合は、基板が自然に分断されるフルカットされる。<実施例及び比較例>図3に、本発明の一実施形態によるスクライブ方法でスクラブ処理をした例を含む検証結果を示している。ここでは、対象とするガラス基板は図2で示した比較例と同様である。また、レーザビームの条件も図2で示した比較例と同様である。図3において、基板EdgeStartはスクライブ走査開始側の基板端部を意味し、基板EdgeEndはスクライブ走査終了側の基板端部を意味している。また、遮蔽は反射膜を意味している。さらに、n5は、スクライブ処理を5回行って、フルカットにならずにハーフカットのスクライブ処理がn回達成できたことを示している。また、これらの例では、初期亀裂はスクライブ走査開始側の基板端面から10mm内側に入った位置に形成した。さらに、遮蔽の条件は以下の通りである。基板EdgeStart:初期亀裂を遮蔽すると、亀裂が進展しないので、初期亀裂を遮蔽しないように、スクライブ走査開始側の基板端面から5mmの範囲を遮蔽した。基板EdgeEnd:スクライブ走査終了側の基板端面から10mmの範囲を遮蔽した。なお、終了側の遮蔽については、幅が5mm程度の場合、亀裂が自然に端面部まで進展しまい、そこからフルカットになってしまう場合がある。そこで、フルカットにならないスクライブ走査の終了側の遮蔽幅は、8mm以上が好ましい。反射膜としては、この図3の実験では、アルミテープを基板表面に添付することで対応した。以上のような条件で、ガラス基板の端部から端部まで全ラインにわたってレーザビームを照射した。<実験例及び比較例のまとめ>図3の検証から明らかなように、少なくともスクライブ開始側の端部領域に対してレーザビームが照射されないようにしたレーザビームを反射するようにした場合は、40の確率でハーフカットのスクライブが実現できた。そして、スクライブ開始側に加えてスクライブ終了側をも遮蔽した場合は、100の確率でハーフカットのスクライブが実現できた。一方、スクライブ開始側を遮蔽せず、スクライブ終了側のみを遮蔽した場合は、ハーフカットのスクライブが実現できる確率は20に減少する。また、両方の端部領域において遮蔽しない場合は、図2でも示したが、ハーフカットのスクライブはできず、フルカットになってしまう。[初期亀裂に関する考察]次に、初期亀裂の深さに関する実験例を以下に示す。<実験例1>図4に、全体厚みが0.55mmで、強化層の厚みが18μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例1を示している。具体的には、図4は、初期亀裂形成時の工具圧子のガラスに対する押圧荷重とそのときの溝深さとの関係を示すとともに、その後のレーザ加熱及び冷却処理によるスクライブ結果を示している。この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は230mmsecである。また、冷却条件は、ビーム後端において高さ4mmの位置に冷却ノズルを配置し、冷却水及びエアをビームスポットで加熱された部分に吐出している。この実験例1から、初期亀裂の溝深さが19~30μm強化層の厚みの105~167倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さが19μm未満では亀裂が確実に進展せず不安定である、また30μmを越えると割れが発生してスクライブ予定ライン以外に亀裂が形成されることがわかる。なお、初期亀裂の溝深さの例を図5に示している。この図5に示すように、所定の面積が確保されている最も深い部分までの深さを溝深さとしており、一部先鋭的に深部まで到達している亀裂については無視している。[実験例2]図6に、全体厚みが07mmで、強化層の厚みが21μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例2を示している。図の横軸と縦軸の関係は図4と同様である。また、この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は170mmsecである。また、冷却条件は実験例1と同様である。この実験例2から、初期亀裂の溝深さが約24~50μm強化層の厚みの114~238倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さが24μm未満では亀裂が確実に進展せず不安定である、また50μmを越えると割れが発生してスクライブ予定ライン以外に亀裂が形成されることがわかる。なお、押付荷重が約6~24Nであれば、溝深さが50μmを越えても所望のスクライブ溝が形成されるが、溝深さのみに着目すると、初期亀裂の溝深さは約24~50μmが妥当である。[実験例3]図7に、全体厚みが11mmで、強化層の厚みが34μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例3を示している。図の横軸と縦軸の関係は図4と同様である。また、この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は170mmsecである。また、冷却条件は実験例1と同様である。この実験例3から、初期亀裂の溝深さが約24~60μm強化層の厚みの071~176倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さ浅すぎる場合は亀裂が進展せず、また60μmを越えると亀裂進展が不安定であることがわかる。なお、実験例2と同様に、押付荷重が約6N~24Nであれば、溝深さが60μmを越えても所望のスクライブ溝が形成されるが、溝深さのみに着目すると、初期亀裂の溝深さは約24~60μmが妥当である[まとめ]以上から、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝を形成するためには、初期亀裂の深さは強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下であることが望ましいことがわかる。また、初期亀裂の深さは、ガラス板厚が0.55mmでは30μm55以下であること、ガラス板厚が07mmでは50μm71以下であること、ガラス板厚が11mmでは60μm54以下であることが望ましいことがわかる。このことは、初期亀裂の深さは、ガラスの板厚の54以下であることが望ましいことを示している。[特徴]1スクライブラインの走査開始側及び走査終了側の端部領域に対してレーザ光が照射されないようにしているので、基板のハーフカットが実現でき、基板の自然分離を避けることができる。したがって、クロススクライブ等の後の加工工程が容易になる。2レーザビームが照射されないようにするための手段として、基板の両端部領域に反射膜を形成しているので、レーザビームの非照射領域を容易に形成することができる。3初期亀裂を形成する際に、初期亀裂の深さを強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下にしているので、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。4初期亀裂の深さを、強化ガラスの全厚みの54以下にしているので、意図しない方向に亀裂が進展するのを抑えることができる。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。前記実施形態では、基板に反射膜を形成してレーザビームの非照射領域を形成したが、各端部領域においてレーザ発振をオフにしてレーザビームの非照射領域を形成するようにしてもよい。