"表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの洗浄時に、該凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、前記薬液は凹凸パターン表面にOH基が導入された後に、蒸気として凹凸パターン表面に供給されるものであり、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤を93.5~97.499質量;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテルアセテートを2~5質量;ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物を0.5~5質量;トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸を0.001~0.25質量含むことを特徴とする薬液。請求項1に記載の薬液を調製する薬液の調製方法において、混合前のハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテルアセテート;ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物;トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つを精製することにより、前記薬液中の水分量を該薬液総量に対し5000質量ppm以下とすることを特徴とする凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液の調製方法。ウェハを薬液により処理するウェハ処理方法において、請求項1の薬液に不活性ガスを供給して薬液の蒸気を発生させる蒸気発生工程と、ウェハを収納したチャンバ内を加熱する加熱工程と、前記蒸気発生工程で発生された薬液の蒸気をウェハ表面に供給する供給工程とを有することを特徴とするウェハ処理方法。ウェハを薬液により処理するウェハ処理方法において、ウェハを収納したチャンバ内を加熱する加熱工程と、前記チャンバ内を減圧する減圧工程と、前記減圧工程により、請求項1の薬液が貯留されたタンクと前記チャンバ内の圧力差により、前記タンクに貯留された薬液をウェハ表面に供給する供給工程とを有することを特徴とするウェハ処理方法。水にウェハを浸漬し、その後、ウェハを水から引き上げ、ウェハを薬液の蒸気にさらす工程を有するウェハの洗浄方法は、複数枚のウェハの洗浄処理を一度に実施し、半導体ウェハの洗浄プロセスの効率化に有効な方法であるが、凹凸パターンの倒れ防止に着目した撥水性保護膜を形成する洗浄方法に適用しようとする場合、次の2つの課題を解決する必要があることがわかった。1撥水性保護膜を形成するための薬液を蒸気化しやすいものとすること2蒸気化された薬液と、ウェハ表面に残っている水とが相溶し、凹凸パターン部に撥水性保護膜を形成できること本発明は、凹凸パターンが形成されたウェハ表面の洗浄に関し、このウェハ洗浄方法に適用できる薬液を提供することを課題とする。請求項1に記載のウェハパターンの保護膜形成用薬液は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの洗浄時に、該凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤を93.5~97.499質量;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテルアセテートを2~5質量;ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物を0.5~5質量;トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸を0.001~0.25質量含むことを特徴とするものである。上記薬液とすることで、発明が解決しようとする課題の項で述べた1蒸気化を行いやすい撥水性保護膜を形成するための薬液を提供すること2蒸気化された薬液と、ウェハ表面に残っている水とが相溶し、凹凸パターン部に撥水性保護膜を形成できることを解決し、前記ウェハの洗浄方法に適したものとなる。特に、水にウェハを浸漬し、その後、ウェハを水から引き上げ、ウェハを薬液の蒸気にさらす工程を有するウェハの洗浄方法に適したものとなる。すなわち、この洗浄方法では、表面に酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンなどのケイ素化合物を有する凹凸パターンを持つシリコンウェハを水に浸漬した時に、これらの層などを含む凹凸パターン表面にOH基が導入される。そして、ウェハを水から引き上げ、前記薬液の蒸気の雰囲気にさらすことで、凹凸パターン部に保持された水に薬液の蒸気が溶け込んでいく。この過程にて、前記シラザン化合物と凹凸パターン表面のOH基とが反応し、凹凸パターン表面に撥水性保護膜が形成されていく。その後、ウェハの乾燥を実施し、UV照射、オゾン処理、加熱処理などにより撥水性保護膜をウェハから除去する。請求項2に記載の薬液の調製方法は、請求項1に記載の薬液を調製する薬液の調製方法において、混合前の、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテルアセテート;ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物;トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つを精製することにより、前記薬液中の水分量を該薬液総量に対し5000質量ppm以下とすることを特徴とする凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液の調製方法である。請求項3に記載のウェハ処理方法は、ウェハを薬液により処理するウェハ処理方法において、請求項1の薬液に不活性ガスを供給して薬液の蒸気を発生させる蒸気発生工程と、ウェハを収納したチャンバ内を加熱する加熱工程と、前記蒸気発生工程で発生された薬液の蒸気をウェハ表面に供給する供給工程とを有することを特徴とする。請求項4に記載のウェハ処理方法は、ウェハを薬液により処理するウェハ処理方法において、ウェハを収納したチャンバ内を加熱する加熱工程と、前記チャンバ内を減圧する減圧工程と、前記減圧工程により、請求項1の薬液が貯留されたタンクと前記チャンバ内の圧力差により、前記タンクに貯留された薬液をウェハ表面に供給する供給工程とを有することを特徴とする。本発明のウェハパターンの保護膜形成用薬液は、蒸気化しやすく、しかも水との相溶性に優れるので、ウェハ洗浄方法でウェハの凹凸パターン表面に撥水性保護膜を効率良く形成できる。本発明のウェハパターンの保護膜形成用薬液は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの洗浄時に、該凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤を93.5~97.499質量;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテルアセテートを2~5質量;ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物を0.5~5質量;トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸を0.001~0.25質量含む。前記シラザン化合物は、濃度が低くなると前記撥水性保護膜を十分に形成できない。一方、前記シラザン化合物は可燃性であるため、濃度が高くなると引火性の危険が増加する。本発明の保護膜形成用薬液は蒸気化されるため、引火性の危険を下げることは重要である。以上より、前記シラザン化合物の濃度は、0.5~5質量であり、0.7~4質量がより好ましい。トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸は、前記シラザン化合物と凹凸パターン表面のOH基との反応を促進することに奏功する。前記酸の濃度が小さいと促進効果が小さくなる。ただし、前記酸は前記シラザン化合物と反応して該シラザン化合物の反応性を減少させるため、前記酸の濃度が大きいと前記保護膜形成用薬液の保管安定性が低下する。このため、前記酸の濃度は、0.001~0.25質量であり、0.005~0.25質量が特に好ましい。前記グリコールエーテルアセテートは水溶性であり、本発明の保護膜形成用薬液と水との相溶性を高めることに奏功する。ただし、沸点が高いため、濃度が高くなると該薬液の蒸気化が難しくなる。このため、前記グリコールエーテルアセテートの濃度は、2~5質量であり、2.5~4質量がより好ましい。前記フッ素系溶剤は、引火性が低くすなわち引火点が高く、沸点が低い。このため、濃度が高いと、前記保護膜形成用薬液は引火性が低くなりすなわち引火点が高くなり、安全に蒸気化を行うことができる。ただし、濃度を高くしすぎると、前記シラザン化合物、前記酸、前記グリコールエーテルアセテートの濃度が低くなる。このため、濃度は93.5~97.499質量であり、94.0~97.0質量がより好ましい。本発明の保護膜形成用薬液の調製方法は、前記フッ素系溶剤、前記エーテルアセテート、前記シラザン化合物、及び前記酸を所望割合となるよう混合する工程を有することを特徴とする。なお、前記シラザン化合物と前記酸は、反応して該シラザン化合物の反応性が低下する可能性がある。このため、シラザン化合物と前記酸を混合するとき、前記シラザン化合物と前記酸の少なくとも一方を、前記含フッ素溶剤や前記エーテルアセテートで希釈しておくと、該反応の急激な進行を防止できるため好ましい。また、本発明の薬液の調製方法は、前記含フッ素溶剤、前記グリコールエーテルアセテート、前記シラザン化合物、及び前記酸を所望割合となるよう混合する工程を有するものであるが、混合前には、含フッ素溶剤、グリコールエーテルアセテート、シラザン化合物、酸、及び、混合後の混合液のうち少なくとも1つをモレキュラーシーブ等の吸着剤や蒸留等により精製して水分を除去しておいてもよい。なお、前記の混合前のシラザン化合物、及び、酸は、溶剤含フッ素溶剤、グリコールエーテルアセテートを含んだ状態であってもよい。混合前に全ての溶液を精製しておいてもよいし、混合後の溶液を精製してもよい。また、保護膜形成用薬液中の水分量は、該薬液総量に対し5000質量ppm以下であることが好ましく、特に1000質量ppm以下、さらに500質量ppm以下が好ましい。なお、前記水分量は、50質量ppm以上であってもよい。また、本発明の保護膜形成用薬液は、前記含フッ素溶剤、前記グリコールエーテルアセテート、前記シラザン化合物、前記酸の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で、他の添加剤等を含有してもよい。該添加剤としては、過酸化水素、オゾンなどの酸化剤、界面活性剤等が挙げられる。また、ウェハの凹凸パターンの一部に、前記シラザン化合物では保護膜が形成できない材質がある場合は、該材質に保護膜を形成できるものを添加しても良い。表面に微細な凹凸パターンを有するウェハを洗浄する方法として、本発明の薬液を用いる方法について、以下に説明する。凹凸パターン表面が形成されたウェハWは図1に示すような洗浄装置1内に導入される。ここで、凹凸パターン表面は、例えばRIE法などの各種凹凸パターン形成方法により形成されたものであり、凹凸パターンの間隔として45nm以下、アスペクト比として5以上のものが好適に用いられる。凹凸パターン表面部は、シリコンを含んでおり、表面は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、および、単結晶シリコンの少なくとも一つを含んでいる。ウェハWは、ウェハWのホルダー5により支持材4に保持されており、水洗浄槽3の水系洗浄液2内に支持材4とともに浸漬される。ここで水系洗浄液2は、水、あるいは、水に有機溶媒、酸、アルカリ、酸化性物質のうち少なくとも1種が混合された水を主成分例えば、水の含有率が50質量以上とするものが挙げられる。水系洗浄液2は複数あっても良い。なお、清浄度を考慮すると、水系洗浄液は水、あるいは、複数ある場合は最後が水であるのが好ましい。水系洗浄液2内に例えば0.5~10分間保持した後、ウェハWは、支持材4ごと引き上げられる。この際、凹凸パターン凹部は、水系洗浄液で満たされた状態となっている。ウェハWが水系洗浄液から引き上げられた後、槽3は、好ましくは、装置1の外に排出されるか、蓋をして装置1内の環境からは閉じられた状態とされる。その後、図示しない装置により、保護膜形成用薬液が蒸気化され、蒸気化された保護膜形成用薬液を、配管などを通じて装置1内に導入し、好ましくは、装置1内を保護膜形成用薬液の蒸気で満たす。適宜この状態を保持することで、保護膜形成用薬液の蒸気と凹凸パターン凹部に満たされた水系洗浄液との置換が生じる。先の水系洗浄液により、凹凸パターン表面に水酸基が生じており、この水酸基とシラザン化合物とが反応することで撥水性保護膜が形成される。保護膜の形成後、ウェハWは装置1内で、又は、装置1の外から取り出された状態で、乾燥が行われ、撥水性保護膜の除去が行われる。撥水性保護膜の除去は、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、及び、ウェハをオゾン曝露することから選ばれる少なくとも1つの処理を行うことにより、撥水性保護膜を除去する工程が行われる。また、当該工程では、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。撥水性の程度は、水に対する接触角で測定できる。しかしながら、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの場合、パターンは非常に微細なため、該凹凸パターン表面に形成された前記保護膜自体の接触角を正確に評価できない。水滴の接触角の評価は、JISR3257基板ガラス表面のぬれ性試験方法にもあるように、サンプル基材表面に数μlの水滴を滴下し、水滴と基材表面のなす角度の測定によりなされる。しかし、パターンを有するウェハの場合、接触角が非常に大きくなる。これは、Wenzel効果やCassie効果が生じるからで、接触角が基材の表面形状ラフネスに影響され、見かけ上の水滴の接触角が増大するためである。そこで、本発明では前記薬液を表面が平滑なウェハに供して、ウェハ表面に保護膜を形成して、該保護膜を表面に微細な凹凸パターンが形成されたウェハの表面に形成された保護膜とみなし、評価を行った。なお、本発明では、表面が平滑なウェハとして、表面に熱酸化膜層を有し表面が平滑なシリコンウェハを用いた。詳細を下記に述べる。以下では、保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法、該保護膜形成用薬液の調製、そして、ウェハに該保護膜形成用薬液を供した後の評価結果が述べられる。保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法として、以下の1、2の評価を行った。1ウェハ表面に形成された保護膜の接触角評価保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約2μlを置き、水滴とウェハ表面とのなす角接触角を接触角計協和界面科学製:CA-X型で測定した。ここでは保護膜の接触角が50~130°の範囲であったものを合格表中で○と表記とした。2毛細管力の評価下式を用いてPを算出し、毛細管力Pの絶対値を求めた。P=2×γ×cosθ/Sここで、γは表面張力、θは接触角、Sはパターン寸法を示す。なお、線幅:45nmのパターンでは、気液界面がウェハを通過するときの洗浄液が水の場合はパターンが倒れやすく、2-プロパノールの場合はパターンが倒れ難い傾向がある。パターン寸法:45nm、ウェハ表面:酸化ケイ素の場合、洗浄液が、2-プロパノール表面張力:22mN/m、酸化ケイ素との接触角:1°では毛細管力は0.98MN/m2となる。一方、水銀を除く液体の中で表面張力が最も大きい水表面張力:72mN/m、酸化ケイ素との接触角:2.5°では毛細管力は3.2MN/m2となる。そこで中間の2.1MN/m2を目標とし、水が保持されたときの毛細管力が2.1MN/m2以下になれば合格表中で○と表記とし、2.1MN/m2を越えるものは不合格表中で×と表記とした。実施例11保護膜形成用薬液の調製含フッ素溶剤として、3M製ハイドロフルオロエーテルNovecHFE-7100;95.4g、グリコールエーテルアセテートとして、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;3g、を混合し、モレキュラーシーブ4Aユニオン昭和製により混合液から水分を除去し、精製を行った。次いで得られた混合液に、シラザン化合物として、ヘキサメチルジシラザンH3C3Si-NH-SiCH33;1.5g、酸として、トリメチルシリルトリフルオロアセテートCH33Si-OCOCF3;0.1gを混合し、該液中の水分量が10質量ppm以下であり、含フッ素溶剤濃度;95.4質量、グリコールエーテルアセテート濃度;3質量、シラザン化合物濃度;1.5質量、酸濃度;0.1質量の保護膜形成用薬液を得た。なお、該薬液中の水分量は、カールフィッシャー式水分計京都電子製、ADP-511型により測定を行った。2ウェハの洗浄平滑な熱酸化膜付きシリコンウェハ表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するSiウェハを室温で1質量のフッ酸水溶液に2min浸漬し、次いで純水に1min浸漬した。3ウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理上記1保護膜形成用薬液の調製で調製した保護膜形成用薬液100mlを1リットルのビーカーに入れ、該ビーカーをヒーターで加熱して該薬液を沸騰させた。沸騰が安定したところで、上記2ウェハの洗浄で用意したウェハを水に濡れた状態で、該薬液に浸漬せずにビーカー内に設置して該薬液の蒸気をウェハに供した。この状態を3分間維持した後、ウェハを取出して自然乾燥させた。得られたウェハを上記保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法に記載した要領で評価したところ、表1に示すとおり、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は80°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.6MN/m2となり、毛細管力は小さかった。実施例2酸にトリフルオロ酢酸を用いた以外はすべて実施例1と同じとした。結果は、表1に示すとおり、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は78°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.7MN/m2となり、毛細管力は小さかった。実施例3酸に無水トリフルオロ酢酸を用いた以外はすべて実施例1と同じとした。結果は、表1に示すとおり、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は80°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.6MN/m2となり、毛細管力は小さかった。実施例4含フッ素溶剤に1,2ジクロロ-3,3,3-トリフルオロプロペンDCTFPを用いた以外はすべて実施例1と同じとした。結果は、表1に示すとおり、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は82°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.4MN/m2となり、毛細管力は小さかった。実施例5シラザン化合物にテトラメチルジシラザンH3C2SiH-NH-SiHCH32を用いた以外はすべて実施例1と同じとした。結果は、表1に示すとおり、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は82°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.4MN/m2となり、毛細管力は小さかった。実施例6酸にトリフルオロ酢酸を用いた以外はすべて実施例5と同じとした。結果は、表1に示すとおり、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は80°となり、撥水性付与効果を示した。また、水が保持されたときの毛細管力は0.6MN/m2となり、毛細管力は小さかった。比較例1シリコンウェハに保護膜形成用薬液を供さなかった以外は、実施例1と同じとした。すなわち、本比較例では、撥水化されていない表面状態のウェハを評価した。評価結果は表1に示すとおり、ウェハの接触角は3°と低く、水が保持されたときの毛細管力は3.2MN/m2と大きかった。比較例2シラザン化合物濃度を0.1質量とし、含フッ素溶剤濃度を96.8質量とした以外はすべて実施例1と同じとした。評価結果は表1に示すとおり、表面処理後の接触角は30°と低く、水が保持されたときの毛細管力は2.8MN/m2と大きかった。比較例3酸濃度を0.0001質量とし、含フッ素溶剤濃度を95.4999質量とした以外は実施例1と同じとした。評価結果は表1に示すとおり、表面処理後の接触角は36°と低く、水が保持されたときの毛細管力は2.6MN/m2と大きかった。なお、本発明による調製方法により調製された薬液を使用する装置は、図1に示した洗浄装置に限るものではない。図2は、本発明のウェハ処理方法を実施するための第1のウェハ処理装置の概略構成を示す図である。この第1のウェハ処理装置では、チャンバ10とタンク20を備えている。チャンバ10内には、ウェハWを保持するために保持機構11が収納されている。この保持機構11の下面にはモータ12が連結されている。このモータ12が回転駆動することにより、ウェハWを保持した状態の保持機構11が回転する。保持機構11の内部には、ウェハWを加熱するためのヒータ13が内蔵されている。保持機構11の上側には、保持機構11に保持されたウェハWの表面と対向する円筒状のノズル14を備えている。このノズルには、ウェハWの表面に前記薬液の蒸気を供給するための複数の孔図示省略が形成されている。チャンバ10とタンク20との間には、前記薬液の蒸気をタンク20からチャンバ10内のノズル14へ供給するための供給配管21が接続されている。タンク20には、薬液を供給するための薬液供給配管22の下流側が接続されている。さらに、タンク20には、不活性ガスである窒素ガスをタンク20へ供給するための窒素ガス供給配管24の下流端が接続されている。窒素ガスがタンク20に貯留された薬液中に供給されると薬液がバブリングされ、タンク20内に薬液の蒸気が発生する。この第1のウェハ処理装置を使用したウェハ処理方法は以下のような工程となる。まず、薬液供給配管22を介して薬液をタンク20へ供給する。次に、供給配管24を介して、窒素ガスをタンク20に貯留された薬液中に供給する。この窒素ガスにより薬液がバブリングされ、薬液の蒸気がタンク20内に発生する。次に、モータ12の駆動を開始するとともに、ヒータ13によるウェハWの加熱を開始する。このときのウェハWの加熱温度は、室温から80°Cの間である。そして、タンク20内に発生された薬液の蒸気がチャンバ10へ供給され、ノズル14から保持機構11に保持されたウェハWへ供給される。これにより、本発明の薬液により、ウェハWの表面が撥水化されるため、微細パターンが表面張力により倒壊されることを防止できる。なお、タンク20に、洗浄液を供給するための洗浄液供給配管23の下流側を接続し、前記薬液とは別のタイミングでタンク20に洗浄液を供給し、蒸気を発生させ、ウェハへ供給しても良い。図3は、本発明のウェハ処理方法を実施するための第2のウェハ処理装置の概略構成を示す図である。図2に示す第1のウェハ処理装置との違いは、タンク20に貯留された薬液をバブリングして薬液の蒸気を発生させるか、チャンバ10内を減圧して、チャンバ10内とタンク20内との圧力差を利用して、薬液の蒸気をチャンバ10へ供給するかの違いだけである。したがって、第2のウェハ処理装置では、チャンバ10内を減圧するための減圧配管18がチャンバ10の側部に接続されている。なお、第2のウェハ処理装置では、タンク20に窒素ガスを供給するための窒素ガス供給配管24図2参照は、設けられていない。この第2のウェハ処理装置を使用したウェハ処理方法は以下のような工程になる。まず、薬液供給配管22を介して薬液をタンク20へ供給する。次に、まず、減圧配管18を介してチャンバ10内を減圧する。次に、モータ12の駆動を開始するとともに、ヒータ13によるウェハWの加熱を開始する。このときのウェハWの加熱温度は、室温から80°Cの間である。そして、チャンバ10内とタンク20内との圧力差によりタンク20内に発生された薬液の蒸気がチャンバ10へ供給され、ノズル14から保持機構11に保持されたウェハWへ供給される。これにより、本発明の薬液により、ウェハWの表面が撥水化されるため、微細パターンが表面張力により倒壊されることを防止できる。なお、タンク20に、洗浄液を供給するための洗浄液供給配管23の下流側を接続し、前記薬液とは別のタイミングでタンク20に洗浄液を供給し、蒸気を発生させ、ウェハへ供給しても良い。"