窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板であって、Si単結晶基板の111主面に形成された窒化ケイ素層を有し、前記窒化ケイ素層上に順次積層されたAl層とAlN結晶層またはAlGaN結晶層とを有し、前記AlN結晶層またはAlGaN結晶層の表面は0001の面方位とIII族元素極性の表面を有していることを特徴とする基板。前記AlN結晶層またはAlGaN層上に積層された付加的なAlGaN結晶層をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の基板。前記付加的なAlGaN結晶層はAl組成比が順次低減された複数のサブ層を含むことを特徴とする請求項2に記載の基板。六方晶系のウルツ鉱型構造を有するAlN結晶は、c軸に沿ってAl原子とN原子が非対称に配列した極性結晶である。無極性の基板上にAlN結晶層の厚さをc軸方向に成長させる場合、表面にAl原子が安定して存在するAl極性III族元素極性とN原子が安定して存在するN極性V族元素極性のいずれかの方位で成長する。このような極性の相違は結晶成長表面のモフォロジーに特徴的に表れ、Al極性面は平坦性の高い表面であるのに対して、N極性面は六角形状のファセットを有する凹凸の顕著な表面になる傾向にある。したがって、特許文献3におけるように極性面を考慮せずにAlN結晶層をバッファ層として成長させれば、Al極性面とN極性面が混在したAlN結晶層の表面を生じ、高い表面平坦性が得られない。そして、そのAl極性面とN極性面の混在は、AlNバッファ層上に成長させられるデバイス用窒化物半導体積層構造内まで引き継がれ、半導体積層構造のさらなる表面平坦性の悪化を招く。また、特許文献4におけるようにSi基板表面を窒化処理した窒化ケイ素層上にAlN結晶バッファ層を成長させる場合にも、Al極性面とN極性面の混在したAlN結晶バッファ層が成長しやすい傾向にある。上述のような課題に鑑み、本願発明は、窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供することを主要な目的としている。本発明者達は、鋭意検討を重ねた結果、シリコン基板に形成された窒化ケイ素層の表面上に直接に高温AlNバッファ層を形成するのではなくて、Al層を介在させることによって従来の高温AlNバッファ層に比べて表面平坦性が顕著に改善された新規なバッファ層構造が得られることを見出すに至った。本発明によれば、窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板は、Si単結晶基板の111主面に形成された窒化ケイ素層を有し、この窒化ケイ素層上に順次積層されたAl層とAlN結晶層またはAlGaN結晶層とを有し、このAlN結晶層またはAlGaN結晶層の表面は0001の面方位とIII族元素極性の表面を有していることを特徴としている。なお、本発明による基板は、AlN結晶層またはAlGaN層上に積層された付加的なAlGaN結晶層をさらに有してもよい。この付加的なAlGaN結晶層は、Al組成比が順次低減された複数のサブ層を含むこともできる。上記のような本発明によれば、AlNまたはAlGaNの結晶バッファ層を成長させる前に窒化ケイ素層上にAl層を均一に形成することによって、AlNまたはAlGaNの結晶バッファ層の表面に良質なIII族極性面が得られる。すなわち、そのAlNまたはAlGaNの結晶バッファ層の表面は、実質的にIII族極性面のみを含んでいるので、高い平坦性を有している。実施形態図1は、本発明による基板を用いて作製し得るヘテロ接合電界効果トランジスタの積層構造の一例を模式的断面図で示している。このようなヘテロ接合電界効果トランジスタの積層構造の作製方法の一例が、以下において説明される。基板1としては、111主面を有するSi基板が用いられる。まず、フッ酸系のエッチャントでSi基板1の表面酸化膜を除去した後に、MOCVD有機金属気相堆積装置の窒素雰囲気のチャンバ内にその基板がセットされる。基板1がセットされた後には、チャンバ内の窒素雰囲気が水素雰囲気に入れ替えられる。そして、チャンバ内圧力13.3kPaの下で、H2流量=50slmと基板温度1100°Cの条件にてSi基板1の表面の熱クリーニングが行なわれる。その後、チャンバ内圧力と基板温度を維持したまま、NH3流量=12.5slmとH2流量=37.5slmの条件下でSi基板1の表面が40秒間窒化処理される。これによって、Si基板1の表面に窒化ケイ素層1aが形成される。引続いて、NH3の供給を停止し、H2流量=50slmとTMAトリメチルアルミニウム流量=54sccmの条件下でAl層を6秒間堆積させる。これによって、Si基板1の窒化ケイ素層1aの表面が、Al層2aによって覆われる。さらに、TMA流量=108.5sccm、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で、Al層2a上に厚さ200nmのAlN層2bを堆積させる。その後、基板温度を1150°Cに上昇させ、TMA流量=90.0sccm、TMGトリメチルガリウム流量=12.7sccm、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で、Al0.7Ga0.3N層3が400nmの厚さに堆積される。続いて、TMA流量=50.9sccm、TMG流量=22.1sccm、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で、Al0.4Ga0.6N層4が400nmの厚さに堆積され、さらにTMA流量=16.4sccm、TMG流量=30.4、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で、Al0.1Ga0.9N層5が400nmの厚さに堆積される。これによって、組成傾斜バッファ層構造3-5が形成される。その後、13.3kPaの圧力と1150°Cの基板温度を維持したままで、TMG流量=49.8sccm、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で、GaN層6が300nmの厚さに堆積される。続いて、GaN層6の堆積条件から圧力のみが90kPaに下げられ、GaN層7が700nmの厚さに堆積される。ここで、堆積圧力が低い場合にはTMGに含まれるカーボンがGaN層内にドープされやすく、堆積圧力が高い場合にはTMGからGaN層内にカーボンがドープされにくい傾向にある。そして、GaN層7の堆積後には、圧力が再度13.3kPaに上げられて、AlN特性改善層81nm厚、Al0.2Ga0.8N障壁層925nm厚およびGaNキャップ層101nm厚を含む電子供給層が堆積される。このとき、AlN層8はTMA流量=47sccm、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で堆積され、AlGaN層9はTMG流量=10.2sccm、TMA流量=6.2sccm、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で堆積され、そしてGaN層10はTMG流量=13sccm、NH3流量=12.5slm、およびH2流量=37.5slmの条件下で堆積され得る。なお、以上の実施形態ではAlGaN層3、4および5のAl組成比が0.7、0.4および0.1の順に変化させられたが、組成傾斜バッファ層構造に含まれるAlGaN層におけるAl組成比の組合せはこの組合せに限定されるものではない。また、組成傾斜バッファ層構造に含まれて異なるAl組成比を有するAlGaN層の数も3層に限定されず、任意の数とすることができる。重要なことは、組成傾斜バッファ層構造の下面から上面に向かうにしたがってAl組成比が徐々に減少していくことである。比較例と実施例本発明の基板による改善効果を調べるために、従来技術を利用して比較例としての基板が作製された。この比較例の基板は、図1におけるSi基板1の窒化ケイ素層1a上に、AlN結晶バッファ層2bおよび組成傾斜バッファ層構造3-5を有しているが、Al層2aを有していない。すなわち、比較例においては、上述の実施形態と同様にSi基板1の表面が窒化処理されたことによる窒化ケイ素層1a上に、AlN結晶バッファ層2aが、1100°Cの基板温度、13.3kPaの圧力、108.5sccmのTMA流量、12.5slmのNH3、およびH2流量=37.5slmのMOCVD条件下で200nmの厚さに成長させられた。その後、AlN結晶バッファ層2a上に上述の実施形態と同様に複数の窒化物半導体層3-10が積層され、これによって窒化物半導体デバイス用のエピタキシャルウエハを得た。図2は、こうして得られた比較例のエピタキシャルウエハの最上面におけるノマルスキー光学顕微鏡写真を示している。なお、この顕微鏡写真中の白い線分は、200μmのスケールを示している。図2の写真から明らかなように、比較例の基板を利用して作製されたエピタキシャルウエハの表面は多くの微細な凸状欠陥を含んでいることが分かる。他方、本発明の実施例による基板を含むエピタキシャルウエハは、上述の実施形態において図1を参照して説明されたように、Si基板1の窒化ケイ素層1a上のAl層2aおよびAlN結晶バッファ層2bを含んで作製された。図3は、こうして得られた実施例のエピタキシャルウエハの最上面におけるノマルスキー光学顕微鏡写真を示している。この顕微鏡写真中の白い線分も、200μmのスケールを示している。図2と対比から明らかなように、本発明の基板を利用して作製された窒化物半導体デバイス用のエピタキシャルウエハの表面を示す図3においては、図2において観察されるような凸状欠陥が消失していることが分かる。すなわち、本発明の基板を利用して作製された窒化物半導体デバイス用のエピタキシャルウエハの表面は顕著に改善された平坦性を有しており、半導体デバイスの作製に好ましく用いられ得ることが理解されよう。図4は図2における凸状欠陥以外の一部領域を拡大して示すノマルスキー光学顕微鏡写真であり、この写真中の白い線分は10μmのスケールを示している。ここに添付の図4の写真では少し見づらいが、原写真ではオレンジピールのように荒れた表面地肌が観察され得る。他方、図5は図3一部領域を拡大して示す顕微鏡写真であり、この写真中の白い線分も図4と同様に10μmのスケールを示している。図5においては、図3を拡大して観察しても図4におけるようなオレンジピール状の肌荒れ表面を示すコントラストが観察されず、極めて平滑な表面を示していることが分かる。以上のように、Si基板表面の窒化ケイ素層上にAlN結晶バッファ層を成長させる前に窒化ケイ素層をAl層で覆うことによって、そのAlN結晶バッファ層の表面の平滑性を顕著に改善することができ、その結果としてAlN結晶バッファ層上に成長する窒化物半導体層の表面の平滑性をも改善することができる。この理由としては、窒化ケイ素層がAl層で覆われたことによって、その上に成長するAlN結晶バッファ層が均一なAl極性面を有することとなって、それによって改善された表面平坦性が得られると考えられる。なお、上述の実施形態および実施例においてはAl層上にAlN結晶バッファ層を堆積する例について説明されたが、AlN結晶バッファ層の代わりにAlGaN結晶バッファ層を堆積しても同様な効果が得られる。また、上述の実施形態および実施例では窒化ケイ素層1aがシリコン基板1の窒化処理で形成される例が説明されたが、場合によってはMOCVDまたはスパッタリングなどの他の方法を利用して窒化ケイ素層1aを形成することも可能である。