銅箔の少なくとも一方の面に、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層を有することを特徴とするプリント配線板用銅箔。銅箔の少なくとも一方の面に、粒子長さの50の位置の粒子中央の平均直径D2と前記粒子根元の平均直径D1の比D2D1が1~4であることを特徴とする請求項1記載のプリント配線板用銅箔。前記粒子中央の平均直径D2と粒子長さの90の位置の粒子先端D3の比D2D3が08~10であることを特徴とする請求項2記載のプリント配線板用銅箔。前記粒子中央D2の平均直径が07~15μmであることを特徴とする請求項2又は3記載のプリント配線板用銅箔。前記粒子先端の平均直径D3が07~15μmであることを特徴とする請求項3又は4記載のプリント配線板用銅箔。前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱防錆層、当該耐熱防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を備えることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸硫酸銅からなる電解浴を用いて、前記請求項1~6のいずれか一項に記載の粗化処理層を形成することを特徴とするプリント配線板用銅箔の製造方法。前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱防錆層を形成し、次に当該耐熱防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することを特徴とする請求項7記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂の表面において、凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が20以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。前記請求項1~8のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂において、銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が20以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂の表面に、無電解銅めっき電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。前記請求項1~8のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂の表面に、無電解銅めっき電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする請求項11又は12記載のプリント配線板。本発明の課題は、銅箔の他の諸特性を劣化することなく、上記の回路浸食現象を回避する半導体パッケージ基板用銅箔を開発することである。特に、銅箔の粗化処理と工程を改善し、銅箔と樹脂との接着強度を高めることができるプリント配線板用銅箔、その製造方法、プリント配線板用樹脂基板及びプリント配線板を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明者が鋭意検討した結果、以下のプリント配線板用銅箔及びその製造方法並びにプリント配線板を提供するものである。1銅箔の少なくとも一方の面に、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層を有することを特徴とするプリント配線板用銅箔。2銅箔の少なくとも一方の面に、粒子長さの50の位置の粒子中央の平均直径D2と前記粒子根元の平均直径D1の比D2D1が1~4であることを特徴とする前記1記載のプリント配線板用銅箔。3前記粒子中央の平均直径D2と粒子長さの90の位置の粒子先端D3の比D2D3が08~10であることを特徴とする前記2記載のプリント配線板用銅箔。4前記粒子中央D2の平均直径が07~15μmであることを特徴とする前記2又は3記載のプリント配線板用銅箔。5前記粒子先端の平均直径D3が07~15μmであることを特徴とする前記3又は4記載のプリント配線板用銅箔。6前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱防錆層、当該耐熱防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を備えることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。7硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸硫酸銅からなる電解浴を用いて、前記請求項1~6のいずれか一項に記載の粗化処理層を形成することを特徴とするプリント配線板用銅箔の製造方法。8前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱防錆層を形成し、次に当該耐熱防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することを特徴とする請求項7記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。9粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂の表面において、凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が20以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。10前記1~8のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂において、銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が20以上であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。11粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。12前記1~8のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。13針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする請求項11または12記載のプリント配線板。以上に示したように、本発明のプリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある球状突起物ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状又は棒状の微細な粗化粒子を形成するものである。この銅箔は、樹脂との接着強度を高め、パッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対しても、引き剥がし強度を大きくすることが可能となり、ファインエッチングを可能としたプリント配線板を提供することができるという、優れた効果を有する。またこの銅箔は、銅層を一旦エッチングにより全面除去し、粗化面が樹脂層に転写されることにより、その後に樹脂面に形成される回路用の銅めっき層無電解めっき層との密着力を高める工法にも有用である。近年印刷回路のファインパターン化及び高周波化が進む中で印刷回路用銅箔半導体パッケージ基板用銅箔及び半導体パッケージ基板用銅箔と半導体パッケージ用樹脂を張り合わせて作製した半導体パッケージ用基板として極めて有効である。次に、本発明の理解を容易にするため、本発明を具体的かつ詳細に説明する。本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでもよい。上記の通り、本発明のプリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある球状突起物ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状又は棒状の微細な銅の粗化粒子を形成するものである。その形状は、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層を有することである。より望ましい形状としては、銅箔の少なくとも一方の面に、粒子長さの50の位置の粒子中央の平均直径D2と前記粒子根元の平均直径D1の比D2D1が1~4であることである。さらに、前記粒子中央の平均直径D2と粒子長さの90の位置の粒子先端D3の比D2D3が08~10とすることができる。この場合、前記粒子中央D2の平均直径が07~15μmであること、前記粒子先端の平均直径D3が07~15μmであることが望ましい。図1に、粒子寸法の概略説明図を示す。図1には、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1、粒子長さの50の位置の粒子中央の平均直径D2、粒子長さの90の位置の粒子先端D3を示す。これによって、粒子の形状を特定することができる。また、前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱防錆層、当該耐熱防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を形成することができる。これらの銅箔の粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸硫酸銅からなる電解浴を用いて形成することができるが、上記の形状になるように、電解処理条件を任意に設定することにより達成できる。さらに、前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱防錆層を形成し、次に当該耐熱防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することができる。上記の粗化処理層を形成した銅箔と樹脂は、プレス法若しくはラミネート法という手段により積層体とすることができる。さらに、このように粗化処理層を有する銅箔に樹脂を積層して、エッチングにより銅層を除去すると、銅層が除去された樹脂に、銅箔の粗化面の凹凸を転写される。この転写された樹脂の凹凸は銅箔表面の粗化粒子の形状と個数分布を示したものであり、重要である。銅箔の粗面の粒子の根元が細い場合には、穴の径が小さく、樹脂面の穴の占める面積の総和が小さくなる。銅箔の粗面の粒子の根元が細い、いわゆる逆涙滴状の粒子は、一見銅箔と樹脂との接着強度が増加するように見えるが、銅層と粗化粒子の密着幅が狭いために、銅層と樹脂層を剥離する際、粗化粒子はその根元から切れ易く、銅層と粗化粒子の界面或いは粗化粒子の根元から切れた部分で剥離し、密着力が低下する。樹脂面の穴の占める面積の総和が20以上であることが必要である。また、銅箔の粗面の粒子の根元が細い場合には、エッチングにより銅層を除去した樹脂の穴が蛸壺状となり、表面の穴が小さいために、樹脂表面に無電解めっきを形成する場合でも、無電解めっき液が入り込めず、無電解めっきが不完全となる。当然ながら、めっきの剥離強度が低下するという問題を生ずる。このように、銅箔の粗化面は、ある程度の直径と長さが必要であり、この銅箔の粗面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が重要となる。これを20以上とすることにより、回路のピーリング強度を向上させることができる。前記の通り、粗化処理層を有する銅箔に樹脂層を積層した後、銅層をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき電解銅めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板を得ることができるが、無電解めっき電解めっき層銅層は、樹脂基板の粗面の凹凸上に形成され、その樹脂面の凹凸を反映して針状粒子又は棒状の粒子が形成される。この、針状粒子又は棒状の粒子は、回路幅10μm中に5個以上存在することが望ましく、これによって、樹脂と無電解めっきによるか回路層との接着強度を大きく向上させることができる。本発明は、このようにして形成されたプリント配線板を提供する。上記の通り、針状又は棒状の微細な銅の粗化粒子からなる粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸硫酸銅からなる電解浴を用いて製造することができる。針状の微細な銅の粗化粒子からなる粗化処理層は、粉落ち防止、ピール強度向上のため硫酸硫酸銅からなる電解浴でかぶせメッキを行う事が望ましい。具体的な処理条件は、次の通りである。液組成1CuSO45H2O:393~118gLCu:10~30gLH2SO410~150gLNa2WO42H2O:0~90mgLW:0~50mgLドデシル硫酸ナトリウム:0~50mgH3AsO3:0~6315mgLAs:0~2000mgL電気めっき条件1温度:30~70°C電流条件1電流密度:25~110Adm2粗化クーロン量:50~500Asdm2めっき時間:05~20秒液組成2CuSO45H2O:78~314gLCu:20~80gLH2SO450~200gL電気めっき条件2温度:30~70°C電流条件2電流密度:5~50Adm2粗化クーロン量:50~300Asdm2めっき時間:1~60秒さらに、上記粗化処理層上に、さらに亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱防錆層、当該耐熱防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を形成してプリント配線板用銅箔とすることができる。耐熱防錆層としては、特に制限されるものではなく、従来の耐熱防錆層を使用することが可能である。例えば、半導体パッケージ基板用銅箔に対して、従来使用されてきた黄銅被覆層を使用することができる。さらに、この耐熱防錆層に、クロメート皮膜層及びシランカップリング剤層を形成して銅箔の少なくとも樹脂との接着面とする。これらのクロメート皮膜層とシランカップリング剤層からなる被覆層を持つ銅箔を樹脂に積層接着し、さらに当該銅箔上に、耐エッチング性の印刷回路を形成した後、印刷回路部分を除く銅箔の不要部分をエッチングにより除去して、導電性の回路を形成する。耐熱防錆層としては、既存の処理を使用できるが、具体的には例えば、次のものを使用することができる。液組成NaOH:40~200gLNaCN:70~250gLCuCN:50~200gLZnCN2:2~100gLAs2O3:001~1gL液温40~90°C電流条件電流密度:1~50Adm2めっき時間:1~20秒前記クロメート皮膜層は、電解クロメート皮膜層又は浸漬クロメート皮膜層を用いることができる。このクロメート皮膜層は、Cr量が25150μgdm2であることが望ましい。Cr量が25μgdm2未満では、防錆層効果がない。また、Cr量が150μgdm2を超えると効果が飽和するので、無駄となる。したがって、Cr量は25150μgdm2とするのが良い。前記クロメート皮膜層を形成するための条件の例を、以下に記載する。しかし、上記の通り、この条件に限定される必要はなく、すでに公知のクロメート処理はいずれも使用できる。この防錆処理は、耐酸性に影響を与える因子の一つであり、クロメート処理により、耐酸性はより向上する。浸漬クロメート処理K2Cr2O71~5gL、pH25~45、温度40~60°C、時間05~8秒電解クロメート処理クロム亜鉛処理アルカリ性浴K2Cr2O702~20gL、酸:燐酸、硫酸、有機酸、pH10~35、温度20~40°C、電流密度01~5Adm2、時間05~8秒電解クロム亜鉛処理アルカリ性浴K2Cr2O7Na2Cr2O7或いはCrO32~10gL、NaOH又はKOH10~50gL、ZnOH又はZnSO47H2O005~10gL、pH7~13、浴温20~80°C、電流密度005~5Adm2、時間5~30秒電解クロメート処理クロム亜鉛処理酸性浴K2Cr2O72~10gL、Zn0~05gL、Na2SO45~20gL、pH35~50、浴温20~40°C、電流密度01~30Adm2、時間1~30秒本発明の半導体パッケージ基板用銅箔に使用するシランカップリング剤層としては、通常銅箔に使用されているシランカップリング剤を使用することができ、特に制限はない。例えば、シラン処理の具体的な条件を示すと、次の通りである。02エポキシシラン04TEOS、PH5テトラアルコキシシランと、樹脂との反応性を有する官能基を備えたアルコキシシランを1種以上含んでいるものを使用することもできる。このシランカップリング剤層の選択も任意ではあるが、樹脂との接着性を考慮した選択が望ましいと言える。次に、実施例及び比較例について説明する。なお、本実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。したがって、本発明の技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て本発明に含まれる。なお、本発明との対比のために、比較例を掲載した。実施例1厚さ12μmの電解銅箔銅層粗化形成面粗さ:Rz06μmを用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきを行った。以下に、処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は250とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°C本粗化処理の後、下記に示す正常めっきを行った。以下に、処理条件を示す。液組成2CuSO45H2O:156gLCu:40gLH2SO4100gL電気めっき温度140°C電流条件1電流密度:30Adm2粗化クーロン量:150Asdm2次に、耐熱防錆層の上に電解クロメート処理を行った。電解クロメート処理クロム亜鉛処理酸性浴CrO3:15gLZnSO47H2O20gLNa2SO418gLpH46、浴温37°C電流密度20Adm2時間1~30秒PH調整は硫酸又は水酸化カリウムで実施次に、このクロメート皮膜層の上に、シラン処理塗布によるを施した。シラン処理の条件は、次の通りである。02エポキシシラン実施例1の粗化処理層のFIBSIM写真を図2の左側に示す。この粗化処理層の表面粗さRzが117μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が057μm、粒子長さL1が268であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が474となり、前記図2から、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1057のほか、中央の平均直径D2083、先端の平均直径D3068、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1147、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1121、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2083を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔に樹脂を積層した。樹脂を積層した銅層をエッチングにより除去した樹脂レプリカ表面のSEM写真を図2の右側に示す。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が51、穴の密度は210個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしていることが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は101kgcm、加熱後のピール強度は094kgcmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。実施例2厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は310とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°Cこの粗化処理層の表面粗さRzが151μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が051μm、粒子長さL1が268μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が521となり、前記図2から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1051μmのほか、中央の平均直径D2078μm、先端の平均直径D3068μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1151、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1132、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2087を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅層を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が29、穴の密度は193個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしているのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は081kgcm、加熱後のピール強度は078kgcmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。実施例3厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は430とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°Cこの粗化処理層の表面粗さRzが156μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が059μm、粒子長さL1が268μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が452となり、前記図2から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1051μmのほか、中央の平均直径D2073μm、先端の平均直径D3065μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1123、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1110、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2089を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅層を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が43、穴の密度は177個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしているのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は084kgcm、加熱後のピール強度は077kgcmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。実施例4厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は350とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°Cこの粗化処理層の表面粗さRzが162μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が089μm、粒子長さL1が298μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が333となり、前記図2から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1089μmのほか、中央の平均直径D2165μm、先端の平均直径D3098μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1118、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1110、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2093を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅層を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が78、穴の密度は202個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしているのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は090kgcm、加熱後のピール強度は086kgcmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。実施例5厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は480とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°Cこの粗化処理層の表面粗さRzが101μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が026μm、粒子長さL1が268μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が1034となり、前記図2から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1026μmのほか、中央の平均直径D2084μm、先端の平均直径D3079μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1323、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1306、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2095を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔に樹脂を積層した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が40、穴の密度は265個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしているのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は091kgcm、加熱後のピール強度は084kgcmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。実施例6厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は320とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°Cこの粗化処理層の表面粗さRzが148μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が060μm、粒子長さL1が268μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が444となり、前記図2から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1060μmのほか、中央の平均直径D2084μm、先端の平均直径D3078μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1139、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1130、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2094を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔と樹脂の積層体を形成した後、エッチングにより銅層を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が93、穴の密度は222個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしているのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は091kgcm、加熱後のピール強度は091kgcmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。比較例1厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は1050とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°C比較例1の粗化処理層のSEM写真を図3の左側に示す。この粗化処理層の表面粗さRzが113μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が012μmで根元幅が小さく、粒子長さL1が387であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が3097となり、前記図3から、本願発明に適合しない針状又はデンドライト状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。上記の通り、本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という、本願発明の条件を満たしていなかった。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1012μmのほか、中央の平均直径D2074μm、先端の平均直径D3074μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1593、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1593、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2100を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合していなかった。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅層を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が2、穴の密度は106個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしていないのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は054kgcm、加熱後のピール強度は053kgcmであり、いずれも前述の実施例に比べて、ピール強度が大きく劣っていた。上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅層と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。比較例2厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は950とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°C比較例2の粗化処理層の表面粗さRzが102μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が015μmで根元幅が小さく、粒子長さL1が283であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が1854となり、前記図3から推定して、本願発明に適合しない針状又はデンドライト状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。上記の通り、本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という、本願発明の条件を満たしていなかった。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1015μmのほか、中央の平均直径D2065μm、先端の平均直径D3065μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1425、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1425、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2100を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合していなかった。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔に樹脂を積層成した後、エッチングにより銅層を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が4、穴の密度は211個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしていないのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は054kgcm、加熱後のピール強度は053kgcmであり、いずれも前述の実施例に比べて、ピール強度が大きく劣っていた。上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅層と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。比較例3厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面マット面:M面に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は980とした。液組成1CuSO45H2O:589gLCu:15gLH2SO4100gLNa2WO42H2O:54mgLW:3mgLドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm電気めっき温度150°C比較例3の粗化処理層の表面粗さRzが088μmで、粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が014μmで根元幅が小さく、粒子長さL1が298であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が2064となり、前記図3から推定して、本願発明に適合しない針状又はデンドライト状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JISH0501項目7切断法に基づく。上記の通り、本願発明の粒子長さの10の位置の粒子根元の平均直径D1が02μm~10μmであり、粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1D1が15以下の銅箔の粗化処理層という、本願発明の条件を満たしていなかった。この結果を、表1に示す。なお、表1には、粗化粒子の根元の平粒直径幅D1014μmのほか、中央の平均直径D2065μm、先端の平均直径D3065μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比:D2D1450、先端の平均直径と根元の平均直径との比:D3D1450、先端の平均直径と中央の平均直径との比:D3D2100を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合していなかった。次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT830を用いて、銅箔と樹脂の積層体を形成した後、エッチングにより銅層を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が14、穴の密度は312個μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20以上の条件を満たしていないのが分かる。上記のように銅箔に樹脂MBT830を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表1に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は054kgcm、加熱後のピール強度は053kgcmであり、いずれも前述の実施例に比べて、ピール強度が大きく劣っていた。上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅層と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。以上から、本願発明のプリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある球状突起物又はデンドライト状の結晶粒径ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状の微細な粗化粒子を形成することによって、銅箔自体の樹脂との接着強度を高め、パッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対しても、引き剥がし強度を大きくすることが可能となり、ファインエッチングを可能とした銅箔及びその製造方法を提供することができるという大きな効果を有することが分かる。