造粒作業中の造粒機中から粒子をサンプリングし、サンプリングした粒子を上昇旋回流に随伴させて浮遊状態で冷却し、冷却された粒子を撮像し、撮像された画像を処理して粒子の粒径を算出する粒子の粒径測定方法。造粒作業中の造粒機内にサンプリング管を挿入し、吸引によって粒子をサンプリングするに際して、サンプリング管として、その下端の開口端が、該サンプリング管の軸方向に対して傾斜するように形成されたものを用い、サンプリング管の傾斜した開口端が、造粒機内での粒子の流動方向に対して反対側を向くように、該サンプリング管を造粒機内に挿入する請求項1に記載の粒径測定方法。サンプリング管は、傾斜した開口端を下端に有する主管と、該主管の延びる方向に並設された空気導入管を備え、空気導入管は、その下端の開口端が、主管の下端の傾斜した開口端のうち、上側に位置する部位と連通しており、サンプリング管を造粒作業中の造粒機内に挿入し、空気導入管の上端を開放端にして、主管の上端から空気を吸引することで、粒子をサンプリングする請求項2に記載の粒径測定方法。サンプリング管として、造粒機内への挿入角度又は挿入深さが可変になっているものを用いる請求項2又は3に記載の粒径測定方法。造粒される粒子の各種原料のうち、造粒の核となる粒子として略立方体の形状を有するものを用い、撮像された画像の処理において、円形度が0.785以上である粒子のみを対象として粒径を測定する請求項1ないし4のいずれか一項に記載の粒径測定方法。造粒機内に挿入される下端及びそれと反対側に位置する上端とを有する粒子のサンプリング管と、サンプリング管の上端に接続する粒子の冷却部と、冷却された粒子を撮像する撮像部と、撮像された画像を処理して、粒子の粒径を算出する画像処理部とを備え、冷却部は、上昇旋回流の発生部を有し、サンプリングされた粒子が上昇旋回流に随伴して該冷却部内において浮遊状態で冷却されるように構成されている粒子の粒径測定装置。サンプリング管の下端の開口端が、該サンプリング管の軸方向に対して傾斜しており、サンプリング管は、その開口端が、造粒機内での粒子の流動方向に対して反対側を向くように該造粒機内に挿入されて使用される請求項6に記載の粒径測定装置。サンプリング管は、傾斜した開口端を下端に有する主管と、該主管の延びる方向に並設された空気導入管を備え、空気導入管は、その下端の開口端が、主管の下端の傾斜した開口端のうち、上側に位置する部位と連通しており、主管の上端は冷却部に接続されており、空気導入管の上端は開放端になっており、サンプリング管は、主管の開口端が、造粒機内での粒子の流動方向に対して反対側を向くように該造粒機内に挿入されて使用される請求項7に記載の粒径測定装置。サンプリング管は、造粒機内への挿入角度又は挿入深さが可変になっている請求項6ないし8のいずれか一項に記載の粒径測定装置。造粒機を用いた造粒は一般に加熱下に行われる。したがって、造粒機内から粒子を直接取り出して粒径を測定しようとすると、熱に起因して複数の粒子どうしの結合が起こって粒子が粗大化し、個々の粒子の正確な粒径を測定することが容易でなかった。特に造粒の原料中に熱によって溶融する成分、例えばバインダ成分が含まれている場合に、粒子の粗大化が顕著となる。粗大化した粒子を画像処理によって個々の粒子に分離して、個々の粒子の粒径を測定することも考えられる。しかし粒子どうしを分離するときには、膨張や収縮などの画像処理を行うため、本来の粒子情報が欠ける可能性がある。また、複雑なアルゴリズムを用いて粗大化した粒子を測定の対象から除去し、粗大化していない個々の粒子の粒径を測定する手法も知られている。例えば粒子の縦横比と面積によって粗大化した粒子か否かを判定する手法が知られている。しかし、例えば面積に閾値を設けた場合、造粒中にたまたま大きな単独粒子が生成されると、その情報を見逃し正確な粒度が得られない可能性がある。したがって本発明の課題は、前述した従来技術が有する欠点を解消し得る粒子の粒径測定方法及び粒径測定装置を提供することにある。本発明は、造粒作業中の造粒機中から粒子をサンプリングし、サンプリングした粒子を上昇旋回流に随伴させて浮遊状態で冷却し、冷却された粒子を撮像し、撮像された画像を処理して粒子の粒径を算出する粒子の粒径測定方法を提供するものである。また本発明は、造粒機内に挿入される下端及びそれと反対側に位置する上端とを有する粒子のサンプリング管と、サンプリング管の上端に接続する粒子の冷却部と、冷却された粒子を撮像する撮像部と、撮像された画像を処理して、粒子の粒径を算出する画像処理部とを備え、冷却部は、上昇旋回流の発生部を有し、サンプリングされた粒子が上昇旋回流に随伴して該冷却部内において浮遊状態で冷却されるように構成されている粒子の粒径測定装置を提供するものである。本発明によれば、熱に起因する粒子どうしの結合が防止され、粒子の粒径をサンプリングしたままの状態で測定できるので、粒子の粒径を正確に測定することができる。以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき図面を参照しながら説明する。図1には、本発明の粒径測定装置の一実施形態が模式的に示されている。同図に示す装置10は、バッチ式の攪拌混合造粒機100内において造粒された粒子の粒径及び粒度分布をインラインで測定するためのものである。インラインで測定とは、バッチ式の造粒機100内で造粒されている状態の粒子をサンプリングして測定することである。したがってバッチ処理によって造粒された後の粒子を造粒機100から取り出して測定する操作は、インラインでの測定に該当しない。図1に示す粒径測定装置10は、大別してサンプリング部20、冷却部30、搬送部40、撮像部50及び画像処理部60を備えている。以下、これらについて説明する。サンプリング部20はサンプリング管21を備えている。サンプリング管21は、下端及びそれと反対側に位置する上端がいずれも開口している。サンプリング管21の下端は、図1に示すように造粒機100内に挿入される部位である。サンプリング管21の上端は連結管22の一端に接続されている。連結管22の他端は、後述する冷却部30に接続されている。サンプリング管21の上端近傍にはエジェクタ23が取り付けられている。エジェクタ23の空気導入部23aには、高圧空気源図示せずから高圧空気が導入されるようになっている。空気導入部23aに高圧空気を導入することによって、サンプリング管21には、その下端から上端に向けて吸引力が発生する。この吸引力を利用してサンプリング管21内に粒子Pを吸引する。吸引された粒子Pは、連結管22を通じて冷却部30に導入される。図2にはサンプリング部20の要部が示されている。サンプリング部20においては、サンプリング管21がその上端近傍の位置において第1取付板24に固定されている。第1取付板24は、シリンダ25のピストン25aに固定されている。シリンダ25を動作させることで、サンプリング管21はその軸方向へ進退可能になっている。シリンダ25は第2取付板26に取り付けられている。シリンダ25は、第2取付板26の面内において、第2取付板26に設けられた軸26aの周りに回動可能に取り付けられている。これによってサンプリング管21は、軸26aの周りに回動可能になっている。第2取付板26は、第3取付板27に立設された一対の鉛直案内軸27aに取り付けられている。第2取付板26は鉛直案内軸27aに沿って、図2中、Y方向に昇降可能になっている。これによって、サンプリング管21はY方向に昇降可能になっている。第3取付板27は、基盤28に立設された一対の支持板28a間に掛け渡された水平案内軸28bに沿って、図2中、X方向に移動可能になっている。これによって、サンプリング管21はX方向に移動可能になっている。以上のとおり、サンプリング管21は、図2中、XY平面内で移動可能になっており、更に軸26a周りに回動可能になっており、その上、該サンプリング管21の軸方向に進退可能になっている。その結果、サンプリング管21は、造粒機100内への挿入角度及び挿入深さが可変になっている。またサンプリング管21は、造粒機100内への挿入位置も可変になっている。これによって、造粒機100内の任意の場所からの粒子Pのサンプリングが可能になる。このことは、造粒機100内での造粒状態を正確に解析するのに大いに有用である。図2に示すように、サンプリング管21はその下端の開口端21aが、該サンプリング管21の軸方向に対して傾斜するように形成されている。開口端21aがこのようになっていることの利点については後述する。図1に戻ると、連結管22を介してサンプリング部20と連結している冷却部30部は、上端が開口し、かつ下端に粒子Pの取出口を有している円筒状の本体部31を有している。本体部31の取出口は閉塞栓32によって閉塞されている。本体部31の壁面には一対のエアノズル33が設置されている。エアノズル33は、本体部31の上端と下端との間の位置に設置されている。エアノズル33は、略水平方向に空気が噴出されるように設置されている。エアノズル33は、その一端が本体部31の内部に臨み、他端が本体部31の外部に位置している。この他端には、高圧空気源図示せずが接続される。図1に示す本体部31の上面視である図3に示すように、各エアノズル33は、上面視した状態の本体部31において180度反対側の位置に取り付けられている。したがって、高圧空気源図示せずからエアノズル33に空気を供給すると、該エアノズル33の一端から噴出する空気流は、本体部31内において、図3中、矢印で示す方向に旋回する旋回流となる。しかも、本体部31はその上端が開口し、かつ下端は閉塞栓32によって閉塞されているので、旋回流は本体部31の上端に向けて上昇する。すなわち上昇旋回流が生じる。したがって、サンプリング部20でサンプリングされた粒子Pは上昇旋回流に随伴されて浮遊状態で冷却空冷される。冷却部30における本体部31の直下には搬送部40が設置されている。搬送部40は直進フィーダ41を備えている。直進フィーダ41は、冷却部30において冷却された粒子Pを単層に整列させて搬送させるために用いられる。直進フィーダ41としては、物品の整列搬送に従来用いられているものと同様のものを用いることができる。搬送部40において整列された粒子Pは、その単層の整列状態を維持したまま撮像部50へと搬送される。撮像部50は透明な傾斜搬送板51を備えている。傾斜搬送板51の2つの面のうち、一方の面側にはカメラ等の撮像手段52が設置されている。傾斜搬送板51の他方の面にはバックライト53が設置されている。傾斜搬送板51の傾斜方向に沿って単層状態で転がり落ちる粒子Pは、撮像手段52によって撮像される。撮像されたデータは、電気信号に変換されて画像処理部60へ送られる。画像処理部60は例えばパーソナルコンピュータ等の電子計算機から構成されている。以上の構成を有する粒径測定装置を用いた粒径測定方法について説明する。粒子Pを製造するための造粒機100としては、例えば図1に示すような攪拌混合造粒機を使用することができる。図1に示す攪拌混合造粒機100は、ベッセル101の内部の下部に回転ブレード102を備えている。回転ブレード102の回転軸は、ベッセル101外に設置されたモータ103に接続されている。これによって回転ブレード102は、水平面内で回転可能になっている。ベッセル101の内部の側壁には攪拌スクリュー104が設置されている。攪拌スクリュー104は、鉛直面内で回転可能になっている。更にベッセル101の内部には、加熱手段図示せずが設置されている。加熱手段は、ベッセル101外に設置された温調ユニット105よって制御される。以上の構成を有する攪拌混合造粒機100によれば、加熱下での回転ブレード102及び攪拌スクリュー104の回転による転動圧密作用によって、粒子Pの原料から、球形に近い形状の粒子Pが製造される。製造された粒子Pは、回転ブレード102の回転によって水平面内において一方向へ流動する。造粒作業中の造粒機100には、サンプリング管21が挿入される。サンプリング管21の挿入は、該サンプリング管21の下端が、粒子Pの流動体における所定の深さの位置となるように、該サンプリング管21の挿入角度及び挿入深さを調整する。サンプリング管21の挿入に際しては、図4に示すように、サンプリング管21の傾斜した開口端が、造粒機100内での粒子Pの流動体Fの流動方向Dに対して反対側を向くようにすることが好適である。このような挿入状態とすることで、流動体Fの流動方向に対してサンプリング管21の背面側に空間Sが形成されやすくなる。したがって、エジェクタ23を作動させて吸引を開始すると、空間Sを通じてサンプリング管21の外部からサンプリング管21の内部に向けて空気が流入する。これとともに粒子Pがサンプリング管21内に吸引される。その結果、サンプリング管21内が粒子Pによって目詰まりすることが効果的に防止される。この目詰まり防止効果は、サンプリング管21を流動体Fに深く挿入したときに一層顕著なものとなる。特にサンプリング管21として図5a及びbに示すものを用いると、吸引時におけるサンプリング管21の目詰まりが一層効果的に防止される。このサンプリング管21は、傾斜した開口端21aを下端に有する主管21bと、主管21bの延びる方向に並設された空気導入管21cを備えている。空気導入管21cは、その下端の開口端が、主管21bの下端の傾斜した開口端21aのうち、上側に位置する部位と連通している。この連通部位においては、主管21bの開口端21aは空気導入管21cによって閉塞されている。そして主管21bの開口端21aのうちの下側に位置する部位が開口している。主管21bの上端は冷却部30に接続されている。また空気導入管21cの上端は開放端になっている。このサンプリング管21を用いた場合にも、図5cに示すように、主管21bの傾斜した開口端21aが、造粒機100内での粒子Pの流動体Fの流動方向Dに対して反対側を向くようにする。そして、エジェクタ図示せずを作動させて吸引を開始すると、開放端になっている空気導入管21cの上端から空気が吸引される。吸引された空気は、主管21bの開口端21aから吸引された粒子Pを随伴して主管21b内を上昇する。このサンプリング管21を用いれば、該サンプリング管21を流動体Fに一層深く挿入しても目詰まりが起こりづらくなる。サンプリング管21によって吸引された粒子Pは直接冷却部30へ導入される。直接とは、サンプリング部20と冷却部30との間において、粒子Pに対して何らの操作も行わないことをいう。粒子Pを直接冷却部30へ導入することで、加熱されて互いに結合しやすくなっている粒子Pどうしの結合を効果的に防止することができる。冷却部30において、粒子Pは、該冷却部30の本体部31におけるエアノズル33よりも上部の位置から該本体部31内に導入される。粒子Pの導入に先立ち、エアノズル33から室温の又はそれよりも冷却された空気を噴出させて、本体部31内に上昇旋回流を生じさせる。上昇旋回流が生じている状態下に粒子Pを本体部31内に導入することで、上昇旋回流による上向きの力と粒子Pに作用する重力とがバランスして、粒子Pは浮遊状態で空冷される。浮遊状態で粒子Pが空冷されることで、冷却中に粒子Pどうしが結合することが効果的に防止されて、粗大粒子の生成が抑制される。その結果、粒子Pの粒径を、サンプリングしたままの状態で測定できる。冷却部30の本体部31内においては、上昇旋回流による上向きの力と粒子Pに作用する重力とがバランスするように、上昇旋回流の圧力や流量を調整することが好ましい。上昇旋回流による空冷によって、粒子Pどうしが結合しない温度まで冷却されたら、上昇旋回流の噴出を停止する。これによって粒子Pは本体部31の下部に蓄積される。この状態においては粒子Pどうしの結合の懸念はない。次に、本体部31の取出口に設けられている閉塞栓32を開いて粒子Pを搬送部40の直進フィーダ41に移載する。直進フィーダ41に移載された粒子Pは、該直進フィーダ41によって単層状態で整列される。粒子Pはその単層の整列状態を維持したままで、傾斜搬送板51に沿って転がり落ちる。そのときに撮像手段52によって粒子Pを撮像する。撮像は、バックライト53によって照射された粒子Pの投影像を撮影することで行われる。撮像は間欠的に行ってもよく、あるいは連続して行ってもよい。撮像データは電気信号に変換されて画像処理部60へ送信される。画像処理部60においては、予め決められた処理手順に従い画像を処理し、粒子Pの粒径を求める。例えば撮像された粒子Pの投影像からその面積を算出し、算出された面積に基づき円相当直径を算出し、その値を粒子Pの直径とすることができる。画像処理においては、撮像された粒子の形状がほぼ一定の場合、例えば球形の場合、粒径の測定を精度よく行うことができるが、様々な形状を有する粒子が含まれている場合には、粒径の測定の精度が低下する。例えば目的とする粒子が球形であるのに対して、造粒される粒子Pの各種原料のうち、造粒の核となる粒子として略立方体の形状を有するものを用いる場合には、撮像された粒子の投影像に、円形に加えて矩形のものが含まれることがある。また、粒子Pどうしの結合が生じた場合には、撮像された粒子の投影像に不定形のものが含まれることがある。これら円形以外の投影像が含まれていると、上述した円相当直径の算出の精度が低下する。そこで、画像処理に円形度という概念を導入し、一定の範囲の円形度を有する投影像のみを抽出し、該投影像のみを対象として粒径を測定することが有利である。円形度は、投影像の真円度を表す指標であり、投影像が真円に近いほどその値は1に近づく。円形度Cは、投影像の面積をSとし、投影像の周囲長をLとしたとき、C=4πS/L2で定義される。面積S及び周囲長Lの単位はピクセルpixelである。上述の円形度としては、好ましくは0.785以上1以下の範囲を採用することが、結合していない単独粒子のみの粒径を精度よく測定できる点から有利である。以上のようにして、造粒機100内で造粒されている粒子Pの粒径及びそれに基づく粒度分布をインラインで精度よく測定することができる。測定の対象となる粒子Pとしては、様々な原料から造粒されるものを用いることができる。粒子Pの原料は、例えば無機物及び/又は有機物の粉体を主体とし、バインダ成分が添加されているものを用いることができる。粉体としては、造粒機100内における造粒時の温度で溶融しないものが用いられる。バインダ成分としては、造粒時の温度で溶融するもの、例えば60°C以上で溶融する有機化合物、具体的にはポリエチレングリコールPEGなどを用いることができる。造粒機100の運転条件としては、例えば加熱温度として好ましくは常温~80°Cの範囲を採用することができる。以上のようにして測定された粒子Pの粒径及び粒度分布は、造粒機100における造粒条件にフィードバックされる。これによって、目的とする粒径及び粒度分布を有する粒子Pを製造することができる。粒子Pの粒径及び粒度分布の測定は極めて短時間で行うことができるので、フィードバックも短時間で行える。その結果、粒子Pの粒径及び粒度分布にばらつきが生じることが極力抑制される。以上、本発明をその好ましい実施形態に基づき説明したが、本発明は前記の実施形態に制限されない。例えば図1に示す実施形態では、造粒機100として攪拌混合造粒機を用いたが、これ以外の型式の造粒機を用いてもよい。また前記の実施形態においては、エジェクタ23による吸引で粒子Pをサンプリングしたが、これに代えて造粒機100内に空気を圧入し、サンプリング管21を介して粒子Pをサンプリングしてもよい。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、は質量を意味する。実施例1及び比較例1図1に示す造粒機100を用いて造粒を行った。造粒機100として、深江パウテック社製のハイスピードミキサー商品名を用いた。造粒機100内に3.75kgの原料を投入し、最高80°Cの加熱下に造粒を行った。原料の処方は以下の表1に示すとおりであった。この原料は、衣料用洗剤の成分の一つである。造粒機100内に、図5a及びbに示す構造のサンプリング管21を挿入し、エジェクタ23を動作させて、造粒機100内の粒子Pを吸引した。そして、吸引された粒子Pを冷却部30内に導入した。サンプリング管21の目詰まりは生じなかった。冷却部30においては、2つのエアノズル33から0.15MPaの常温の空気を噴出させて上昇旋回流を生じさせた。この上昇旋回流によって粒子Pを浮遊状態で冷却した。冷却時間は10秒とした。冷却後、冷却部30の本体部31の下部から粒子Pを排出し、直進フィーダ41によって単層に整列させた。次いで、水平方向から60°~80°傾けた傾斜搬送板51に沿って粒子Pを落下させ、その状態をCCDカメラで撮像した。傾斜搬送板51には粒子選別スリットを設けて、粒子Pが最終的にスリットの隙間を単層状態で落下するようにした。また、撮像は間欠的に行った。そして撮像したデータを画像処理部60で処理して粒子Pの粒径及び粒度分布を測定した。画像処理においては、撮像された粒子の投影像に対して円形度を適用し、0.785以上1以下の範囲の円形度を有する投影像のみを測定の対象とした。このようにして、粒子Pの粒径及び粒度分布を測定した。粒径及び粒度分布の測定は、造粒機100の運転によってPEGが溶融して粒子Pの造粒が開始された後から36分経過するまでの間、1分ごとに粒子Pを吸引し、吸引した粒子Pそれぞれについて行った。測定結果を図6に示す。同図から明らかなように、造粒機100の運転中にわたり、粗大粒子が観察されることなく、粒子の粒度分布及び平均粒径を測定できることが判る。以上の操作とは別に、比較例1として、冷却部30において上昇旋回流を生じさせず、空冷を行わなかった以外は実施例1と同様の操作を行った。実施例1及び比較例1で得られた粒子Pの顕微鏡像を図7a及びbに示す。これらの図から明らかなように、実施例1で得られた粒子は、個々に分離していることが判る。これに対して、比較例1で得られた粒子は、粒子どうしの結合が起こっていることが判る。また、実施例1において、0.785以上1以下の範囲の円形度によって選択された粒子の形状を図8aに示す。同図中、符号aで示される粒子のみが粒径の測定対象となり、他の粒子は粒径の測定から除外された。円形度に基づく粒子の選択を行わない場合には、図8bに示すように、符号a~dで示される粒子が、画像処理による粒径の測定対象となる。