"基板と、前記基板上の裏面電極層と、前記裏面電極層上の光吸収層と、前記光吸収層上のバッファ層と、前記バッファ層上のウィンドウ層とを含み、前記裏面電極層は、第1の貫通溝を含み、前記裏面電極層は、上部と下部の面積が相違する台形の形状に形成されることを特徴とする、太陽電池。前記第1の貫通溝が形成された裏面電極層の側面は、基板の垂直線と30 ゚乃至60 ゚の傾きを有するように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記裏面電極層は、複数の層で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記複数の裏面電極層は、上部の裏面電極層が、下部の裏面電極層に比べて粒子密度が高い値を有するに形成されることを特徴とする、請求項3に記載の太陽電池。前記第1の貫通溝は、20um乃至150umの幅で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。更に、前記基板と裏面電極層との間にナトリウムがドーピングされた中問層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。基板上に裏面電極層を形成するステップと、前記基板の上面を露出するように、前記裏面電極層の一部をエッチングするステップと、前記裏面電極層の上に、光吸収層、バッファ層、及びウィンドウ層を形成するステップとを含み、前記裏面電極層の一部をエッチングするステップは、レーザが前記基板の上面に対して傾斜する方向に照射されることを特徴とする、太陽電池の製造方法。前記レーザは、複数回照射され、前記基板の垂直線を基準に対称され、前記基板の垂直線に対して、それぞれ30 ゚乃至60 ゚の傾きを有するように入射することを特徴とする、請求項7に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の貫通溝は、500nm乃至1200nm波長のレーザを入射して形成されることを特徴とする、請求項7に記載の太陽電池の製造方法。前記裏面電極層を形成するステップは、前記基板に隣接する下部の裏面電極層を形成するステップと、前記下部の裏面電極層上に形成され、前記下部の裏面電極層に比べて相対的に粒子密度の高い上部の裏面電極層を形成するステップとを含むことを特徴とする、請求項7に記載の太陽電池の製造方法。前記複数のレーザの焦点は、互いに5以上60以下で重なり合うようにして、第1の貫通溝を形成することを特徴とする、請求項8に記載の太陽電池の製造方法。開示の実施形態は、信頼性の向上した太陽電池及びその製造方法を提供することである。本発明の実施形態による太陽電池は、基板と、前記基板上の裏面電極層と、前記裏面電極層上の光吸収層と、前記光吸収層上のバッファ層と、前記バッファ層上のウィンドウ層とを含み、前記裏面電極層は、第1の貫通溝を含み、前記第1の貫通溝の側面は、前記基板の上面と傾斜して形成される。本発明の実施形態による太陽電池の製造方法は、基板上に裏面電極層を形成するステップと、前記基板の上面を露出するように前記裏面電極層の一部をエッチングするステップと、前記裏面電極層の上に、光吸収層と、バッファ層と、ウィンドウ層とを形成するステップとを含み、前記裏面電極層の一部をエッチングするステップは、レーザが前記基板の上面に対して傾斜する方向に照射される。本発明によると、第1の貫通溝により複数個に分離される裏面電極層の側面が、基板と傾きを有するように形成される。これにより、第1の貫通溝の形成に際して、レーザによる熱衝撃でバリが生じる現象を防止することができるようになる。また、基板と斜面を有するように形成される第1の貫通溝により、カバレージ不良が生じることを防止することができるので、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。本発明を説明するに当たって、各支持基板、層、膜、または電極などが、各支持基板、層、膜、電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態による太陽光発電装置を示す平面図であり、図2は、図1におけるАА′線に沿って切断した断面を示す断面図である。図2を参照すると、本発明の実施形態による太陽電池は、支持基板100と、前記支持基板100上の裏面電極層200と、前記裏面電極層200上の光吸収層300と、前記光吸収層300上のバッファ層400と、高抵抗バッファ層500と、前記高抵抗バッファ層500上のウィンドウ層600とを含む。前記支持基板100は、プレート状を有し、前記裏面電極層200と、光吸収層300と、バッファ層400と、高抵抗バッファ層500と、ウィンドウ層600とを支持する。前記支持基板100は、絶縁体であるか、前記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または、金属基板であるか、より詳しくは、前記支持基板100は、ソーダライムガラス基板であり得る。前記支持基板100がソーダライムガラスの場合、ソーダライムガラスに含有したナトリウムが、太陽電池の製造工程中に、CIGSで形成された光吸収層300に拡散することがあるが、これにより、光吸収層300の電荷濃度が増加することになる。これは、太陽電池の光電変換効率を増加させる要因となり得る。その他に、支持基板100の材質として、アルミナのようなセラミック基板、ステンレススチール、柔軟性のある高分子などが使用される。前記支持基板100は、透明であるか、リジッドであるか、フレキシブルである。前記裏面電極層200は、前記支持基板100の上に配置される。前記裏面電極層200は、導電層である。前記裏面電極層200は、太陽電池のうち、前記光吸収層300で生成された電荷が移動するようにして、太陽電池の外部に電流を流すようにすることができる。前記裏面電極層200は、このような機能を果たすため、電気伝導度が高く、比抵抗が小さくなければならない。また、前記裏面電極層200は、光吸収層300を形成するCIGS化合物と接触されるので、光吸収層300と裏面電極層200は、接触抵抗値の小さい抵抗性接触とならなければならない。更に、前記裏面電極層200は、CIGS化合物の形成に際して伴う硫黄、または、セレニウムの雰囲気下での熱処理時、高温安全性が維持されなければならない。また、前記裏面電極層200は、熱膨脹係数の差で、前記支持基板100と剥離現象が生じないように、前記支持基板100と接着性が優れていなければならない。このような裏面電極層200は、モリブデン、金、アルミニウム、クロム、タングステン,及び銅のいずれかで形成される。これらのうち、特に、モリブデンは、他の元素に比べて、前記支持基板100と熱膨脹係数の差が小さいため接着性が優れていて、剥離現象が生じることを防止することができ、上述した裏面電極層200に要求される特性を全般的に満たすことができる。前記裏面電極層200は、2以上の層を含むことができる。この時、それぞれの層は、同一の金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成される。前記裏面電極層200には、第1の貫通溝が形成される。前記第1の貫通溝は、前記支持基板100の上面の一部を露出するオープン領域である。前記第1の貫通溝は、平面視において、一方向に延在する形状を有する。前記第1の貫通溝により露出した支持基板100の幅は、約20um乃至150umである。前記第1の貫通溝により、前記裏面電極層200は、多数の裏面電極に区分される。即ち、前記第1の貫通溝により、裏面電極が定義される。前記裏面電極は、ストライプ状に配置される。これとは異なり、前記裏面電極は、マトリックス状に配置されることができる。この時、前記第1の貫通溝は、平面視において、格子状に形成されることができる。前記第1の貫通溝は、レーザによりパターニングされる。第1の貫通溝を形成するため、基板と垂直方向に入射される既存のレーザパターニングの場合、レーザの照射部位での空気膨脹、及び熱衝撃により、裏面電極層200にバリが生じることがある。前記バリとは、裏面電極層200にパターニングを形成することに際して、第1の貫通溝の縁部に発生する、端が薄く巻かれた加工跡を意味する。大面積の太陽電池の場合、支持基板上に成長される裏面電極層は、密度を異ならせて複数の層に形成され得るが、この場合、支持基板と接する下部の裏面電極層は、前記支持基板との接着性を向上するため、低密度で形成することができ、光吸収層と接する上部の裏面電極層は、電気伝導度を考えて、相対的に高密度で形成することができる。前記のように、密度が相違する複数の層が成長される場合、第1の貫通溝を形成するためのパターニング工程の際、レーザによる熱衝撃により、相対的に密度の低い下部の裏面電極層の熱膨脹係数が、相対的に大きい値を有することがある。これにより、下部の裏面電極層が上部の裏面電極層に比べて相対的にさらに膨脹するので、第1の貫通溝が形成された裏面電極層の縁付近が、上部に向けて撓まれた形状に形成されることがある。また、レーザを垂直に入射して裏面電極層に第1の貫通溝を形成する場合、以後に成長される光吸収層が均一に成長されず、グレーンが合わせられた形状に形成されて、カバレージ不良が発生することがある。これにより、前記グレーンの界面で電流の損失が発生することになる。また、前記グレーンが基板と離隔して形成されることもあるので、素子の信頼性は、改善の余地がある。図3は、図2のBを拡大した断面図である。本発明の実施形態によると、前記第1の貫通溝の側面210、220は、基板の垂直線と傾斜した角度を持つように形成され得る。前記θが80 ゚を超える場合、隣接した裏面電極間の距離が増加するようになるので、相対的に光発電領域は減少し、30 ゚未満の場合、隣接する裏面電極間の距離が狭くなるようになって、隣接する太陽電池セルの間にショートが発生することがあるので、前記θは、10 ゚<θ≦80 ゚の範囲で形成されるか、望ましくは、30 ゚≦θ≦60 ゚の範囲で形成される。前記第1の貫通溝の側面210、220は、それぞれ同一の角度で形成されるか、前記範囲内で異なる値を有するように形成される。前記角度により、前記裏面電極層200は、上部と下部のエッチング面積が相違する台形の形状に形成されることができる。即ち、前記第1の貫通溝を形成するために、レーザを複数の方向から前記基板の垂直面と傾斜して入射して、上部に行くほど、エッチング面積が広くなるように形成される。前記のように、複数のレーザが相互に傾斜して入射されて第1の貫通溝が形成されるので、裏面電極層200の側面が、支持基板100と斜面を持つように形成される。即ち、支持基板100から上部に行くほど、エッチング面積が増加して、上部に行くほど、第1の貫通溝の幅が増加する。これにより、上部と下部の裏面電極層の熱膨脹係数の差によるバリの発生する確率が減少するので、素子の信頼性が向上される。前記裏面電極層200の上には、光吸収層300が形成される。前記光吸収層300は、p型半導体化合物を含む。さらに詳しくは、前記光吸収層300は、I-III-VI族係化合物を含む。例えば、前記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系、銅-亜鉛-錫-セレナイド系結晶構造を有する。前記光吸収層300の上には、バッファ層400と、高抵抗バッファ層500とが形成される。CIGS化合物を光吸収層300として有する太陽電池は、p型半導体であるCIGS化合物薄膜と、n型半導体であるウィンドウ層600薄膜との間に、pn接合を形成する。しかし、2つの物質は、格子定数とバンドギャップエネルギーの差が大きいので、良好な接合を形成するためには、バンドギャップが2つの物質の中間に位置するバッファ層が必要である。前記バッファ層400を形成する物質としては、CdS、ZnSなどのII-VI族があり、太陽電池の発電効率の面で、CdSが相対的に優れている。前記高抵抗バッファ層500は、不純物がドーピングされないジンクオキサイドを含む。前記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至3.3eVである。前記高抵抗バッファ層500の上に、ウィンドウ層600が形成される。前記ウィンドウ層600は透明であり、導電層である。また、前記ウィンドウ層600の抵抗は、前記裏面電極層200の抵抗よりも高い。前記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、前記ウィンドウ層600は、ジンクオキサイド、インジウムチンオキサイド、または、インジウムジンクオキサイドなどを含む。また、前記酸化物は、アルミニウム、アルミナ、マグネシウム、または、ガリウムなどの導電性不純物を含む。さらに詳しくは、前記ウィンドウ層600は、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイド、または、ガリウムがドーピングされたジンクオキサイドなどを含む。以上で検討したように、第1の貫通溝が、支持基板100の垂直線と傾斜した面を有するように形成されるので、第1の貫通溝の形成に際して、レーザによる熱衝撃によりバリが生じる現象を防止することができるようになる。また、基板と斜面を有するように形成される第1の貫通溝により、カバレージ不良が生じることを防止できるので、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。図4乃至図7は、本発明の実施形態による太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本発明の製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に関する説明を参考する。図4を参考すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成され、前記裏面電極層200はパターニングされて、第1の貫通溝が形成される。これにより、前記支持基板100の上に多数の裏面電極が形成される。前記裏面電極層200は、レーザによりパターニングされる。前記第1の貫通溝は、前記支持基板100の上面を露出し、約80um乃至200umの幅を有する。また、前記支持基板100と前記裏面電極層200との間に、拡散防止膜のような追加的な層が介在されることができ、この時、前記第1の貫通溝は、前記追加的な層の上面を露出するようになる。前記第1の貫通溝は、側面が傾きを有するように形成され得る。このため、複数のレーザが、支持基板100の垂直線に対して傾斜した角度を有するように形成される。前記角度により、前記裏面電極層200は、上部と下部のエッチング面積が相違する台形の形状に形成される。即ち、前記第1の貫通溝を形成するために、レーザを複数の方向から前記基板の垂直面と傾斜して入射して、上部に行くほど、エッチング面積が広くなるように形成することができる。前記複数のレーザの焦点は、互いに5以上60以下で重なり合うようにして、第1の貫通溝を形成するのが望ましい。前記第1の貫通溝は、例えば、約500乃至1200nmの波長を有するレーザによって形成される。図5を参考すると、前記裏面電極層200の上に、光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500が形成される。前記光吸収層300は、スパッタリング工程、または、蒸発法などにより形成されることができる。例えば、前記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により、上記裏面電極層200の上に金属プリカーサ膜が形成される。以後、前記金属プリカーサ膜は、セレン化工程により、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程、及び前記セレン化工程は、同時に進行され得る。また、銅ターゲット及びインジウムターゲットだけを使用するか、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程、及びセレン化工程により、CIS系、又は、CIG系光吸収層300が形成される。以後、硫化カドミウムが、スパッタリング工程、または、溶液成長法などにより蒸着され、前記バッファ層400が形成される。以後、前記光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500の一部が除去されて、第2の貫通溝が形成される。前記第2の貫通溝は、チップなどの機械的な装置、または、レーザ装置などによって形成されることができる。例えば、約40um乃至180umの幅を有するチップにより、前記光吸収層300及び前記バッファ層400がパターニングされる。また、前記第2の貫通溝は、約200乃至600nmの波長を有するレーザにより形成される。この時、前記第2の貫通溝の幅は、約30um乃至100umであり得る。また、前記第2の貫通溝は、前記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図6を参考すると、前記光吸収層300の上、及び前記第2の貫通溝の内側に、ウィンドウ層600が形成される。即ち、前記ウィンドウ層は、前記バッファ層400の上、及び前記第2の貫通溝の内側に、透明な導電物質が蒸着されて、形成される。このとき、前記第2の貫通溝の内側に前記透明な導電物質が満たされ、前記ウィンドウ層600は、前記裏面電極層200に直接接触するようになる。ここで、前記ウィンドウ層600は、無酸素雰囲気で、前記透明な導電物質が蒸着されて形成され得る。更に詳しくは、前記ウィンドウ層600は、酸素を含まない不活性気体雰囲気で、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着されて形成され得る。次に、前記バッファ層400、高抵抗バッファ層500、及び前記ウィンドウ層600の一部が除去されて、第3の貫通溝が形成される。これにより、前記ウィンドウ層600がパターニングされて、多数のウィンドウ、及び多数のセルが定義される。前記第3の貫通溝の幅は、約30um乃至200umである。前記接続部700は、前記第2の貫通溝の内側に配置される。前記接続部700は、前記ウィンドウ層600から下方に延在し、前記裏面電極層200に接続される。例えば、前記接続部700は、前記第1のセルのウィンドウから延在して、前記第2のセルの裏面電極に接続される。したがって、前記接続部700は、互いに隣接するセルを連結する。さらに詳しくは、前記接続部700は、互いに隣接するセルにそれぞれ含まれたウィンドウと裏面電極とを連結する。前記接続部700は、前記ウィンドウ層600と一体に形成される。すなわち、前記接続部700で用いられる物質は、前記ウィンドウ層600で用いられる物質と同一である。図7を参照すると、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500、及び前記ウィンドウ層600の一部が除去されて、第3の貫通溝が形成される。これにより、前記ウィンドウ層600はパターニングされて、多数のウィンドウ、及び多数のセルが定義される。このように、本発明の実施形態によると、第1の貫通溝の形成の際、レーザによる熱衝撃によりバリが発生する現象を防止することができ、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。また、以上で実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示されない多様な変形及び応用が可能であることが分かるであろう。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"