"基板と、前記基板上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層上に配置される光吸収層と、前記光吸収層上に配置されて、第1酸化物を含む第1ウィンドウ層と、及び前記第1ウィンドウ層上に配置されて、前記第1酸化物より酸素組成比がさらに高い第2酸化物を含む第2ウィンドウ層とを含む太陽光発電装置。前記第1酸化物は以下の化学式1で表され、前記第2酸化物は以下の化学式2で表されることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。化学式1:M、NOX化学式2:M、NOYここで、M及びNは金属であり、0<X<1、0<Y<1であり、XはYより小さい。第1ウィンドウ層の厚さは、40nm乃至120nmであることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第1酸化物及び前記第2酸化物はジンクオキサイド、インジウムスズ酸化物及びインジウム亜鉛酸化物で構成されるグループから選択されて、前記第1酸化物及び前記第2酸化物は導電型不純物がドーピングされることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記ウィンドウ層から延長されて前記裏面電極層に接続される接続部を含み、前記光吸収層には前記裏面電極層を露出する第1貫通溝が形成されて、前記接続部は前記第1貫通溝に配置されることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記接続部は、前記第1ウィンドウ層と一体で形成されて、前記裏面電極層に直接接続される第1導電層と、前記第2ウィンドウ層と一体で形成されて、前記第1導電層上に配置される第2導電層を含むことを特徴とする請求項5に記載の太陽光発電装置。前記第1導電層は前記第1酸化物を含み、前記第2導電層は前記第2酸化物を含むことを特徴とする請求項6に記載の太陽光発電装置。前記第2ウィンドウ層の透過率は前記第1ウィンドウ層の透過率より高いことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第1ウィンドウ層の抵抗は前記第2ウィンドウ層の抵抗より低いことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第1ウィンドウ層は以下の化学式3で表される物質を含み、前記第2ウィンドウ層は以下の化学式4で表される物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。化学式3:Zn、AlOX、ここで、090<X<095である。化学式4:Zn、AlOY、ここで、096<Y<1である。基板と、前記基板上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層上に配置される光吸収層と、前記光吸収層上に配置されるウィンドウ層と、前記ウィンドウ層から延長されて前記光吸収層を貫通して前記裏面電極層に接続される接続部を含み、前記接続部は、前記裏面電極層に直接接続されて第1酸化物を含む第1導電層と、前記第1導電層上に配置されて前記第1酸化物より酸素組成比が高い第2酸化物を含む第2導電層を含む太陽光発電装置。前記ウィンドウ層は、前記第1酸化物を含んで前記第1導電層と一体で形成される第1ウィンドウ層と、前記第2酸化物を含み、前記第2導電層と一体で形成される第2ウィンドウ層を含むことを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電装置。前記第1酸化物は以下の化学式1で表され、前記第2酸化物は以下の化学式2で表されることを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電装置。化学式1:M、NOX化学式2:M、NOYここで、M及びNは金属であり、0<X<1、0<Y<1であり、XはYより小さい。前記第1酸化物は前記第2酸化物より低い抵抗を有することを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電装置。第1導電層の厚さは40nm乃至120nmであることを特徴とする請求項11に記載の太陽光発電装置。基板上に裏面電極層を形成する段階と、前記裏面電極層上に光吸収層を形成する段階と、前記光吸収層上に第1酸化物を含む第1ウィンドウ層を形成する段階と、前記第1ウィンドウ層上に前記第1酸化物より酸素組成比が高い第2酸化物を含む第2ウィンドウ層を形成する段階と、を含む太陽光発電装置の製造方法。前記第1ウィンドウ層を形成する段階及び前記第2ウィンドウ層を形成する段階で同一ターゲットが使用されて、前記第2ウィンドウ層を形成する段階は酸素雰囲気で前記ターゲットを使用して、前記第2酸化物を前記第1ウィンドウ層上に蒸着する段階を含むことを特徴とする請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第2ウィンドウ層を形成する段階において、前記酸素の割合は、前記第2ウィンドウ層が形成されるチャンバーの全体気体の約0.05vol乃至約1.5volであることを特徴とする請求項17に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、向上された効率を有して、高い生産性を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。本発明の太陽光発電装置は、基板と、該基板上に配置される裏面電極層と、該裏面電極層上に配置される光吸収層と、該光吸収層上に配置されて、第1酸化物を含む第1ウィンドウ層と、前記第1ウィンドウ層上に配置されて、前記第1酸化物より酸素組成比がさらに高い第2酸化物を含む第2ウィンドウ層とを含む。本発明の太陽光発電装置は、基板と、該基板上に配置される裏面電極層と、該裏面電極層上に配置される光吸収層と、該光吸収層上に配置されるウィンドウ層と、前記ウィンドウ層から延長されて、前記光吸収層を貫通して、前記裏面電極層に接続される接続部とを含み、前記接続部は、前記裏面電極層に直接接続されて、第1酸化物を含む第1導電層と、前記第1導電層上に配置されて、前記第1酸化物より酸素組成比がさらに高い第2酸化物を含む第2導電層とを含む。本発明の太陽光発電装置の製造方法は、基板上に裏面電極層を形成する段階と、前記裏面電極層上に光吸収層を形成する段階と、前記光吸収層上に第1酸化物を含む第1ウィンドウ層を形成する段階と、前記第1ウィンドウ層上に前記第1酸化物より酸素組成比がさらに高い第2酸化物を含む第2ウィンドウ層を形成する段階と、を含む。本発明による太陽光発電装置は、酸素含量が高い第2ウィンドウ層を含むウィンドウ層を含む。これによって、ウィンドウ層の透過率が向上して、ウィンドウ層の面抵抗が減少される。よって、本発明による太陽光発電装置は、向上した効率を有する。また、ウィンドウ層の一部である第2ウィンドウ層が酸素雰囲気で形成されるので、スパッタリング工程でアーキングarchingの発生を抑制することができる。これによって、ウィンドウ層を容易に形成することができ、本発明による太陽光発電装置は、向上した量産性を有することができる。また、接続部は酸素含量が低い第1導電層を通じて後面電極層に接続する。これによって、接続部と後面電極層との間の接続特性が向上し、本発明による太陽光発電装置は向上した特性を有する。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されるものとして記載する場合において、上onと下underは,直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることをすべて含む。また,各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準で説明する。図面での各構成要素の大きさは、説明のために誇張されることができ、実際に適用される大きさを意味するものではない。図1は、実施例による太陽光発電装置を示した平面図である。図2は、図1でA-A’線に沿って切断した断面を示した断面図である。図1乃至図2を参照すると、太陽光発電装置は、支持基板100、裏面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、高抵抗バッファ層500、ウィンドウ層600及び複数個の接続部700を含む。前記支持基板100は、プレート形状を有して、前記裏面電極層200、前記光吸収層300、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500、前記ウィンドウ層600及び前記接続部700を支持する。前記支持基板100は、絶縁体であることができる。前記支持基板100は、硝子基板、プラスチック基板または金属基板であることができる。さらに詳しくは、前記支持基板100は、ソーダライムガラスsodalimeglass基板であることができる。前記支持基板100は、透明であることがある。前記支持基板100は、リジッドであるか、またはフレキシブルであることができる。前記裏面電極層200は、前記支持基板100上に配置される。前記裏面電極層200は導電層である。前記裏面電極層200として使用される物質の例としては、モリブデンなどの金属を挙げることができる。また、前記裏面電極層200は、二つ以上の層を含むことができる。この時、それぞれの層は同じ金属で形成されるか、またはお互いに異なる金属で形成されることができる。前記裏面電極層200には第1貫通溝TH1が形成される。前記第1貫通溝TH1は前記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。前記第1貫通溝TH1は平面から見た時、一方向に延長される形状を有することができる。前記第1貫通溝TH1の幅は、およそ80μm乃至200μmであることがある。前記第1貫通溝TH1によって、前記裏面電極層200は複数個の裏面電極に区分される。すなわち、前記第1貫通溝TH1によって、前記裏面電極が定義される。前記裏面電極は前記第1貫通溝TH1によってお互いに離隔される。前記裏面電極はストライプ形態で配置される。これとは異なるように、前記裏面電極はマトリックス形態で配置されることができる。この時、前記第1貫通溝TH1は平面から見た時、格子形態で形成されることができる。前記光吸収層300は、前記裏面電極層200上に配置される。また、前記光吸収層300に含まれた物質は、前記第1貫通溝TH1に満たされる。前記光吸収層300は、I-III-VI族系化合物を含む。例えば、前記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。前記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは、およそ1eV乃至1.8eVであることがある。また、前記光吸収層300は、前記第2貫通溝TH2によって、複数個の光吸収部を定義する。すなわち、前記光吸収層300は、前記第2貫通溝TH2によって、前記光吸収部に区分される。前記バッファ層400は、前記光吸収層300上に配置される。前記バッファ層400は硫化カドミウムCdSを含み、前記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは、およそ2.2eV乃至2.4eVである。前記高抵抗バッファ層500は、前記バッファ層400上に配置される。前記高抵抗バッファ層500は、不純物がドーピングされないジンクオキサイドi-ZnOを含む。前記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは、およそ3.1eV乃至3.3eVである。前記光吸収層300、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500には、第2貫通溝TH2が形成される。前記第2貫通溝TH2は、前記光吸収層300を貫通する。また、前記第2貫通溝TH2は、前記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。前記第2貫通溝TH2は、前記第1貫通溝TH1に接して形成される。すなわち、前記第2貫通溝TH2の一部は平面から見た時、前記第1貫通溝TH1の横に形成される。前記第2貫通溝TH2の幅は、およそ80μm乃至およそ200μmであることがある。前記ウィンドウ層600は、前記高抵抗バッファ層500上に配置される。前記ウィンドウ層600は透明であり、導電層である。前記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、前記ウィンドウ層600はジンクオキサイドzincoxide、インジウムスズ酸化物indiumtinoxide:ITOまたはインジウム亜鉛酸化物indiumzincoxide:IZOなどを含むことができる。また、前記酸化物はアルミニウムAl、アルミナAl2O3、マグネシウムMgまたはガリウムGaなどの導電性不純物を含むことができる。さらに詳しくは、前記ウィンドウ層600はアルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide:AZOまたはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide:GZOなどを含むことができる。前記ウィンドウ層600は、第1ウィンドウ層610及び第2ウィンドウ層620を含む。前記第1ウィンドウ層610は高抵抗バッファ層500上に形成されて、前記第2ウィンドウ層620は前記第1ウィンドウ層610上に形成される。前記第1ウィンドウ層610は、前記第2ウィンドウ層620より低い酸素組成比を有する。すなわち、前記第1ウィンドウ層610は前記第2ウィンドウ層620より低い酸素含量を有する。さらに詳しくは、前記第1ウィンドウ層610は第1酸化物を含み、前記第2ウィンドウ層620は第2酸化物を含む。この時、前記第2酸化物の酸素の組成比は前記第1酸化物の酸素の組成比より大きくなることができる。すなわち、前記第1ウィンドウ層610及び前記第2ウィンドウ層620が、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドで形成されることができる。この時、前記第1ウィンドウ層610は、酸素の組成比が相対的に低いジンクオキサイドを含み、前記第2ウィンドウ層620は酸素の組成比が相対的に高いジンクオキサイドを含む。例えば、前記第1酸化物は、以下の化学式1で表すことができ、前記第2酸化物は以下の化学式2で表すことができる。化学式1:M、NOX化学式2:M、NOYここで、M及びNは金属である。より具体的には、前記MはZnまたはSnからなり、NはAlまたはGaからなることができる。また、ここで、0<X<1、0<Y<1であり、XはYより小さい。ここで、0.90<X<0.95で、0.96<Y<1である。より具体的には、前記第1酸化物は以下の化学式3で表し、前記第2酸化物は以下の化学式4で表すことができる。化学式3:Zn、AlOX、ここで、0.90<X<0.95である。化学式4:Zn、AlOY、ここで、0.96<Y<1である。前記第1ウィンドウ層610の厚さは、前記ウィンドウ層600の厚さのおよそ5乃至およそ10であることがある。また、前記第2ウィンドウ層620の厚さは、前記ウィンドウ層600のおよそ90乃至およそ95であることがある。例えば、前記ウィンドウ層600の厚さは、およそ800nm乃至およそ1200nmであることがあって、前記第1ウィンドウ層610の厚さは、およそ40nm乃至およそ120nmであることがある。前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500及び前記ウィンドウ層600には第3貫通溝TH3が形成される。前記第3貫通溝TH3は、前記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。例えば、前記第3貫通溝TH3の幅は、およそ80μm乃至およそ200μmであることがある。前記第3貫通溝TH3は、前記第2貫通溝TH2に接する位置に形成される。さらに詳しくは、前記第3貫通溝TH3は、前記第2貫通溝TH2の隣に配置される。すなわち、平面から見た時、前記第3貫通溝TH3は、前記第2貫通溝TH2の隣に並んで配置される。前記バッファ層400は、前記第3貫通溝TH3によって、複数個のバッファに区分される。同じく、前記高抵抗バッファ層500は、前記第3貫通溝TH3によって、複数個の高抵抗バッファに区分される。また、前記第3貫通溝TH3によって、前記ウィンドウ層600は、複数個のウィンドウに区分される。すなわち、前記ウィンドウは前記第3貫通溝TH3によって定義される。前記ウィンドウは、前記裏面電極と対応される形状を有する。すなわち、前記ウィンドウはストライプ形態で配置される。これとは異なるように、前記ウィンドウはマトリックス形態で配置されることができる。また、前記第3貫通溝TH3によって、複数個のセルC1、C2が定義される。さらに詳しくは、前記第2貫通溝TH2及び前記第3貫通溝TH3によって、前記セルC1、C2が定義される。すなわち、前記第2貫通溝TH2及び前記第3貫通溝TH3によって、実施例による太陽光発電装置は、前記セルC1、C2に区分される。前記接続部700は、前記第2貫通溝TH2内側に配置される。前記接続部700は、前記ウィンドウ層600から下方に延長されて、前記裏面電極層200に接続される。例えば、前記接続部700は、前記第1セルのウィンドウから延長されて、前記第2セルの裏面電極に接続される。したがって、前記接続部700はお互いに接するセルを連結する。さらに詳しくは、前記接続部700はお互いに接するセルC1、C2にそれぞれ含まれたウィンドウと裏面電極を連結する。前記接続部700は、前記ウィンドウ層600と一体で形成される。すなわち、前記接続部700で使用される物質は、前記ウィンドウ層600で使用される物質と同一である。前記接続部700は第1導電層710及び第2導電層720を含む。前記第1導電層710は、前記第1ウィンドウ層610と連結される。さらに詳しくは、前記第1導電層710は、前記第1ウィンドウ層610と一体で形成される。前記第1導電層710は前記第1酸化物を含む。すなわち、前記第1導電層710は相対的に低い酸素含量を有する。前記第1導電層710は、前記裏面電極層200に直接接続される。すなわち、前記第1導電層710は前記裏面電極層200に直接的な接触によって接続される。前記第2導電層720は、前記第1導電層710上に配置される。前記第2導電層720は前記第2貫通溝TH2内側に配置される。前記第2導電層720は、前記第2ウィンドウ層620と連結される。さらに詳しくは、前記第2導電層720は前記第2ウィンドウ層620と一体で形成される。前記第2導電層720は前記第2酸化物を含む。すなわち、前記第2導電層720は相対的に高い酸素含量を有する。前記接続部700は、相対的に低い酸素含量を有する前記第1導電層710を通じて前記裏面電極層200に接続される。よって、前記第1導電層710と前記裏面電極層200との間の接続特性が向上することができるし、前記セルC1、C2が前記接続部700によって効果的に連結される。したがって、実施例による太陽光発電装置は、前記セルC1、C2との間の断線を防止して、向上した発電効率を有する。前記第1ウィンドウ層620は相対的に高い酸素組成比を有するので、低い面抵抗及び高いキャリア濃度を有する。このように、高い電気的特性を有する前記第1ウィンドウ層620は、殆どの電流が流れるウィンドウ層600の下部に位置する。これによって、前記ウィンドウ層600は、全体的に向上した電気的特性を有することができる。特に、前記第1ウィンドウ層610は相対的に薄い厚さに形成されても、高い電気的特性を有することができる。すなわち、前記ウィンドウ層600で電流が主に流れる部分は、相対的に低い厚さの下部領域に該当するので、前記第1ウィンドウ層610は前記第2ウィンドウ層620より薄い厚さを有することができる。また、前記第2ウィンドウ層620は前記第1ウィンドウ層610より向上した透過率を有するので、前記第1ウィンドウ層620の厚さが大きいほど、前記ウィンドウ層600は高い光学的特性を有することができる。したがって、前記第2ウィンドウ層620は前記第1ウィンドウ層610より大きい厚さを有する。前記第2ウィンドウ層620は、相対的に高い酸素含量を有するために、前記第2ウィンドウ層620は低いキャリア濃度を有する。例えば、前記第1ウィンドウ層610は、およそ3×1020cm2乃至9×1020cm2のキャリア濃度を有することができ、前記第2ウィンドウ層620はおよそ1×1020cm2乃至2×1020cm2のキャリア濃度を有することができる。前記第2ウィンドウ層620は低いキャリア濃度を有するために、長波長帯の光は前記第2ウィンドウ層620を容易に透過されることができる。また、前記第2ウィンドウ層620は酸素雰囲気で形成されるために、ディフェクトの数が少ない。すなわち、前記第2ウィンドウ層620が形成される過程で酸素気体に含まれた酸素は、前記第2ウィンドウ層620のディフェクトを減少させる。これによって、前記第2ウィンドウ層620は短波長帯の光を容易に透過させることができる。また、前記酸素によって、前記第2ウィンドウ層620の結晶は均一に形成される。これによって、前記第2ウィンドウ層620は低い面抵抗を有する。したがって、実施例による太陽光発電装置に含まれたウィンドウ層600は向上した透過率及び向上した伝導度を有する。これによって、実施例による太陽光発電装置は、向上した性能を有する。また、前記第2ウィンドウ層620は、酸素雰囲気でのスパッタリング工程によって形成される。これによって、スパッタリング工程時、アーキング発生が抑制されて、実施例による太陽光発電装置は、効率的に生産されることができる。図3乃至図7は、実施例による太陽光発電装置の製造方法を示した断面図である。本製造方法に関する説明は、前で説明した太陽光発電装置に対する説明を参考する。図3を参照すると、支持基板100上に裏面電極層200が形成されて、前記裏面電極層200はパターニングされて第1貫通溝TH1が形成される。これによって、前記支持基板100上に複数個の裏面電極が形成される。前記裏面電極層200はレーザーによってパターニングされる。前記第1貫通溝TH1は、前記支持基板100の上面を露出して、およそ80μm乃至およそ200μmの幅を有することができる。また、前記支持基板100及び前記裏面電極層200の間に拡散防止膜などのような追加的な層が介されることができ、この時、前記第1貫通溝TH1は前記追加的な層の上面を露出するようになる。図4を参照すると、前記裏面電極層200上に光吸収層300、バッファ層400及び高抵抗バッファ層500が形成される。前記光吸収層300は、スパッタリング工程または蒸発法などによって形成されることができる。例えば、前記光吸収層300を形成するために銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と金属前駆体膜precursorfilmを形成した後、セレン化selenization工程によって形成させる方法が幅広く使用されている。金属前駆体膜を形成させた後、セレン化することを細分化すると、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程によって、前記裏面電極200上に金属前駆体膜が形成される。以後、前記金属前駆体膜は、セレン化selenization工程によって、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2と、CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なるように、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び前記セレン化工程は同時に進行されることができる。これとは異なるように、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用するか、または銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程によって、CIS系またはCIG系光吸収層300が形成されることができる。以後、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdeposition:CBDなどによって蒸着されて、前記バッファ層400が形成される。以後、前記バッファ層400上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などによって蒸着されて、前記高抵抗バッファ層500が形成される。前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500は、低い厚さで蒸着される。例えば、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500の厚さは、およそ1nm乃至およそ80nmである。以後、前記光吸収層300、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。前記第2貫通溝TH2は、チップなどの機械的な装置またはレーザー装置などによって形成されることができる。例えば、およそ40μm乃至およそ180μmの幅を有するチップによって、前記光吸収層300及び前記バッファ層400は、パターニングされることができる。また、前記第2貫通溝TH2はおよそ200乃至600nmの波長を有するレーザーによって形成されることができる。この時、前記第2貫通溝TH2の幅は、およそ100μm乃至およそ200μmであることがある。また、前記第2貫通溝TH2は、前記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図5を参照すると、前記光吸収層300上及び前記第2貫通溝TH2内側に第1ウィンドウ層610が形成される。すなわち、前記第1ウィンドウ層610は前記高抵抗バッファ層500上及び前記第2貫通溝TH2内側に透明な導電物質が蒸着されて形成される。この時、前記第2貫通溝TH2内側に前記透明な導電物質が満たされて、前記第1ウィンドウ層610は前記裏面電極層200に直接接触するようになる。この時、前記第1ウィンドウ層610は無酸素雰囲気で、前記透明な導電物質が蒸着されて形成されることができる。さらに詳しくは、前記第1ウィンドウ層610は酸素を含まない不活性気体雰囲気でアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着されて形成されることができる。さらに詳しくは、前記第1ウィンドウ層610はAr雰囲気またはArH2の雰囲気でスパッタリング工程によって形成されることができる。さらに詳しくは、前記第1ウィンドウ層610を形成するためのスパッタリング工程は、2.6W/cm2乃至4.5W/cm2電力と、100sccm乃至200sccmのアルゴンガスArgas及び3mtorr乃至10mtorrの工程圧力で進行されることができる。図6を参照すると、前記第1ウィンドウ層610上に第2ウィンドウ層620が形成される。前記第2ウィンドウ層620は酸素雰囲気で形成される。すなわち、前記第2ウィンドウ層620は酸素雰囲気で前記第1ウィンドウ層610上に透明な導電物質が蒸着されて形成される。さらに詳しくは、酸素及び不活性気体が含まれた気体雰囲気でアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドなどの物質が前記第1ウィンドウ層610に蒸着されて、前記第2ウィンドウ層620が形成されることができる。さらに詳しくは、前記第2ウィンドウ層620は、ArO2の雰囲気でスパッタリング工程によって形成されることができる。さらに詳しくは、前記第2ウィンドウ層620を形成するためのスパッタリング工程は、2.6W/cm2乃至4.5W/cm2電力と、100sccm乃至200sccmのアルゴン気体と、およそ0.05vol乃至およそ1.5volの酸素混合気体と、およそ5mtorr乃至およそ8mtorrの工程圧力で進行されることができる。このように、前記第2ウィンドウ層620は酸素雰囲気で形成されるために、前記第2ウィンドウ層620は前記第1ウィンドウ層610より多い酸素を含むようになる。すなわち、前記第2酸化物の酸素の組成比が前記第1酸化物より大きくなる。図7を参照すると、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500及び前記ウィンドウ層600の一部が除去されて第3貫通溝TH3が形成される。これによって、前記ウィンドウ層600はパターニングされて、複数個のウィンドウ及び複数個のセルC1、C2が定義される。前記第3貫通溝TH3の幅は、およそ80μm乃至およそ200μmであることがある。このように、実施例による太陽光発電装置の製造方法によって、向上した接続特性を有する接続部700を含み、向上した特性を有するウィンドウ層600を含む太陽光発電装置が提供されることができる。また、以上で実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれて、必ず一つの実施例のみに限定されるものではない。延いては、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に係る内容は、本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。以上で実施例を中心に説明したが、これは単に例示であるだけで、本発明を限定するものではなくて、本発明が属する分野の通常の知識を有した者なら本実施例の本質的な特性を脱しない範囲で、以上に例示されない様々な変形と応用が可能であることが分かるであろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。"