"第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた第1の配向層と、前記第1の配向層上に設けられたストライプ状の第1の電極と、ストライプ状の第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に配置されコレステリック液晶を有する液晶層と、前記第2の電極上に設けられた第2の配向層と、前記第2の配向層上に設けられた第2の基板を備え、前記第1の配向層は前記第1の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接しており、前記第2の配向層は前記第2の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接していることを特徴とする、液晶表示装置。前記液晶層は、平面図上で前記第1及び第2の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第1及び前記第2の配向層と接する非画素領域を有し、前記第1及び第2の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、請求項1記載の液晶表示装置。前記第1及び第2の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が6°~89°であることを特徴とする、請求項2記載の液晶表示装置。前記第1及び第2の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項記載の液晶表示装置。前記第1の電極上に設けられ前記液晶層と接する第3の配向層と、前記第2の電極下に設けられ前記液晶層と接する第4の配向層を更に備えたことを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項記載の液晶表示装置。前記第1及び第2の配向層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、及び二酸化ケイ素SiO2からなるグループから選択された1つの材料で形成されていることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項記載の液晶表示装置。第1の基板上の第1の配向層の上に第1の透明電極層を形成する工程と、前記第1の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第1の電極を形成して前記第1の配向層を前記第1の電極間で露出する工程と、第2の基板上の第2の配向層の上に第2の透明電極層を形成する工程と、前記第2の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第2の電極を形成して前記第2の配向層を前記第2の電極間で露出する工程と、前記第1及び第2の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記第1及び第2の基板間にコレステリック液晶を注入して封止することで液晶層を形成する工程を含むことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。前記液晶層は、平面図上で前記第1及び第2の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第1及び前記第2の配向層と接する非画素領域を有し、前記第1及び第2の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、請求項7記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1及び第2の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が6°~89°であることを特徴とする、請求項8記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1及び第2の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、請求項7乃至9のいずれか1項記載の液晶表示装置の製造方法。従来のコレステリック液晶を用いた液晶表示装置では、コントラスト比を向上することは難しい。そこで、本発明は、コントラクト比を向上可能なコレステリック液晶を用いた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の一観点によれば、第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた第1の配向層と、前記第1の配向層上に設けられたストライプ状の第1の電極と、ストライプ状の第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に配置されコレステリック液晶を有する液晶層と、前記第2の電極上に設けられた第2の配向層と、前記第2の配向層上に設けられた第2の基板を備え、前記第1の配向層は前記第1の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接しており、前記第2の配向層は前記第2の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接していることを特徴とする液晶表示装置が提供される。本発明の一観点によれば、第1の基板上の第1の配向層の上に第1の透明電極層を形成する工程と、前記第1の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第1の電極を形成して前記第1の配向層を前記第1の電極間で露出する工程と、第2の基板上の第2の配向層の上に第2の透明電極層を形成する工程と、前記第2の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第2の電極を形成して前記第2の配向層を前記第2の電極間で露出する工程と、前記第1及び第2の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記第1及び第2の基板間にコレステリック液晶を注入して封止することで液晶層を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。開示の液晶表示装置及びその製造方法によれば、コントラスト比を向上することが可能となる。開示の液晶表示装置及びその製造方法では、非画素領域のコレステリック液晶をフォーカルコニック暗状態に安定化させるために、第1及び第2の配向層を形成する。コレステリック液晶で形成された液晶層は、第1及び第2の電極間に挟まれている。第1及び第2の配向層は、第1及び第2の電極の外側、即ち、液晶層とは反対側に形成され、非画素領域においてコレステリック液晶と接する。例えば、第1及び第2の配向層の非画素領域におけるコレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域におけるコレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。以下に、開示の液晶表示装置及びその製造方法の各実施例を図面と共に説明する。第1実施例図3は、液晶表示装置の構成の一例を示す図である。図3に示す液晶表示装置の構成は、本発明の各実施例において使用可能である。図3乃至図5及び図7において、図1と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。コレステリック液晶を用いたフルカラー表示が可能な液晶表示装置300は、図3に示す如く接続された液晶表示素子31、データ電極駆動回路311、走査電極駆動回路312、及び制御回路313を有する。液晶表示素子31は、青色B表示部又は、表示パネル32B、緑色G表示部又は、表示パネル32G、及び赤色R表示部又は、表示パネル32Rを有する。後述する図4に示すように、B表示部32Bはプレーナ状態で青色の光を反射するB用液晶層22Bを備え、G表示部32Gはプレーナ状態で緑色の光を反射するG用液晶層22Gを備え、R表示部32Rはプレーナ状態で赤色の光を反射するR用液晶層22Rを備える。制御回路313は、例えばCPUCentralProcessingUnitの如きプロセッサで形成可能であり、表示するべき画像のデータ以下、画像データと言うに基づいてデータ電極駆動回路311及び走査電極駆動回路312を制御する。データ電極駆動回路311は、制御回路313の制御下でB,G,Rの各表示部32B,32G,32Rの下電極又は、データ電極42Bb,42Gb,42Rbに画像データに応じた電圧を印加して駆動する。走査電極駆動回路312は、制御回路313の制御下でB,G,Rの各表示部32B,32G,32Rの上電極又は、走査電極42Ba,42Ga,42Raに走査周波数に応じたパルス電圧を印加して駆動する。データ電極駆動回路311及び走査電極駆動回路312によるB,G,Rの各表示部32B,32G,32Rの駆動方法自体は周知であるため、その詳細な説明は省略する。この例では、B,G,Rの各表示部32B,32G,32Rの駆動系が共通化されたデータ電極駆動回路311及び走査電極駆動回路312が設けられているが、B,G,Rの各表示部32B,32G,32Rの駆動系を別々に設けても良いことは言うまでもない。図4は、本発明の第1実施例における液晶表示素子の構成の一例を示す断面図である。各表示部32B,32G,32Rの構成は同じであるため、以下の説明ではB表示部32Bの構成について説明する。図4では、B表示部32Bの上基板21Baの上方から表示面に向かって入射するものとする。このため、R表示部32Rの下基板21Rbの裏面には、可視光吸収層24が設けられている。このため、B,G,R用の各液晶層22B,22G,22Rの全てがフォーカルコニック状態の際に、液晶表示装置300の表示画面には黒色が表示される。光吸収層24は、必要に応じて設ければ良い。尚、図4では表示部32B,32G間、及び、表示部32G,32R間に間隙があるが、表示部32B,32Gは接しているのが好ましい。同様に、表示部32G,32Rも接しているのが好ましい。図4において、B表示部32Bは、下基板21Bb、下基板21Bb上に設けられた第1の配向層41Bb、第1の配向層41Bb上に設けられたストライプ状の下電極42Bb、下電極42Bbと直交する方向に延びるストライプ状の上電極42Ba、上下電極42Ba,42Bb間に配置されコレステリック液晶を有するB用液晶層22B、上電極42Ba上に設けられた第2の配向層41Ba、及び第2の配向層41Ba上に設けられた上基板21Baを有する。上下電極42Ba,42Bb及び第1及び第2の配向層41Bb,41Baの周縁部には、シール材43Bが設けられている。上下電極42Ba,42Bb及び第1及び第2の配向層41Bb,41Ba及びシール材43Bにより封止された空間には、青色を選択的に反射するように調整されたB用コレステリック液晶が封入されることでB用液晶層22Bが形成されている。第1の配向層41Bbは、下電極42Bb間でB用液晶層22BのB用コレステリック液晶と接しており、第2の配向層41Baは上電極42Ba間でB用液晶層22BのB用コレステリック液晶と接している。B表示部32Bの上下基板21Ba,21BbのB用液晶層22B側に設けられた上下電極42B1,42Bbは、この例では320ドット×240ドットのQVGAQuarterVideoGraphicsArray表示ができるように0.24mmのピッチで形成されている。上下電極42B1,42Bbは、例えばインジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxide、インジウム亜鉛酸化物IZO:IndiumZincOxide、銀のナノワイヤ等の透明導電膜で形成可能である。又、B用液晶層22Bの厚さセルギャップを均一に保持するために、樹脂製又は無機酸化物製の球状、柱状等のスペーサ図示せずをB用液晶層22B内に複数設けても良い。この例では、B用液晶層22B内に複数のスペーサが挿入されてセルギャップの均一性が保持されているものとする。B用液晶層22Bのセルギャップdは、例えば3μm≦d≦6μmの範囲である。図5は、B表示部32Bの非画素領域を説明する平面図である。液晶層22Bは、平面図上で上下電極21Ba,21Bbが直交する画素領域221Bと、隣接する画素領域間221Bに設けられB用コレステリック液晶が第1及び前記第2の配向層41Bb,41Baと接する非画素領域222Bを有する。第1及び第2の配向層41Bb,41Baの非画素領域222BにおけるB用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域221BにおけるB用コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。第1及び第2の配向層41Bb,41BaのB用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が例えば6°~89°である。一例として、画素領域221Bの一辺が150μmの場合、非画素領域222Bの幅は例えば10μmである。第1及び第2の配向層41Bb,41Baに使用する、B用コレステリック液晶に対するプレチルト角が6°~89°の材料は、例えばポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂及びアクリル樹脂等の有機膜や二酸化ケイ素SiO2等である。同様に、G表示部32Gにおいて、第1及び第2の配向層41Gb,41Gaの非画素領域におけるG用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域におけるG用コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。第1及び第2の配向層41Gb,41GaのG用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が例えば6°~89°である。又、R表示部32Rにおいて、第1及び第2の配向層41Rb,41Raの非画素領域におけるR用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、画素領域におけるR用コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きい。第1及び第2の配向層41Rb,41RaのR用コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が例えば6°~89°の範囲である。次に、液晶組成物について説明する。各液晶層22B,22G,22Rを形成する液晶組成物は、ネマティック液晶混合物にカイラル材を例えば10wt~40wt添加したコレステリック液晶である。カイラル材の添加量は、ネマティック液晶成分とカイラル材の合計量を100wtとしたときの値である。ネマティック液晶には、各種周知のネマティック液晶材料を用いることができる。液晶組成物の屈折率異方性Δnは、例えば0.18~0.24の範囲であることが好ましい。液晶組成物の屈折率異方性がこの範囲より小さいと、プレーナ状態の反射率が低くなり、逆にこの範囲より大きいと、フォーカルコニック状態での散乱反射が大きくなると共に、粘度も高くなり応答速度が低下する。各液晶層22B,22G,22Rの厚みは、例えば3μm~6μmの範囲であることが好ましい。各液晶層22B,22G,22Rの厚みがこの範囲より小さいと、プレーナ状態の反射率が低くなり、逆にこの範囲より大きいと駆動電圧が高くなりすぎる。次に、各表示部32B,32G,32Rの旋光性について説明する。B,G,Rの各表示部32B,32G,32Rの積層構造において、プレーナ状態におけるG用液晶層22Gでの旋光性と、B用及びR用液晶層22B,22Rでの旋光性とは異なる。上基板21Ba,21Ga,21Ra及び下基板21Bb,21Gb,21Rbは、透光性を有する。この例では、上基板21Ba,21Ga,21Ra及び下基板21Bb,21Gb,21Rbには、縦横の長さが12cm×12cmの大きさに切断されたポリエチレンナフタレートPENフィルム基板を使用している。PEN基板に代えて、ガラス基板や、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリカーボネイトPC等のフィルム基板即ち、フレキシブル基板を使用しても良い。上基板21Ba,21Ga,21Ra及び下基板21Bb,21Gb,21Rbの少なくとも一方がフィルム基板の場合、薄くて軽い表示部32B,32G,32R及び液晶表示装置300を実現できる。尚、積層構造の最下層に配置されるR表示部32Rの下基板21Rbは、不透光性であっても良い。次に、液晶に対するプレチルト角と液晶に電圧を印加しない時メモリ状態の反射率明るさについて説明する。上下基板の表面にコレステリック液晶に対するプレチルト角が0°~89°の範囲で異なるポリイミド樹脂で第2及び第1の配向層を成膜し、セルギャップが4μmとなるよう貼合せた空セルを作製し、第1及び第2の配向層間にコレステリック液晶を注入した。コレステリック液晶の注入後、作製したセルを加熱し、コレステリック液晶を等方相状態にした後、室温まで徐冷して注入時のストレスによる液晶の配向を除去した。次に、作製したセルの表面に対して30°の方向から光を入射し、0°方向への反射率を測定した。尚、プレチルト角は、コレステリック液晶の母液晶ネマチック液晶に対する値であり、クリスタルローテーション法で求めた。図6は、プレチルト角と反射率の関係を説明する図である。図6からもわかるように、コレステリック液晶に対するプレチルト角が2°以下の場合、38以上の高い反射率を示した。この場合のコレステリック液晶の配向状態を顕微鏡で観察したところ、プレーナ状態であった。コレステリック液晶に対するプレチルト角が4°の場合、反射率が20程度と低くなった。この場合のコレステリック液晶の配向状態は、プレーナ状態とフォーカルコニック状態とが混在したものであった。コレステリック液晶に対するプレチルト角が6°~89°の範囲の場合、反射率が2以下と小さく、良好な暗状態であった。この場合の液晶の配向状態は、フォーカルコニック状態であった。以上より、非画素領域のコレステリック液晶に対するプレチルト角を6°~89°の範囲とすることで、非画素領域をフォーカルコニック暗状態にでき、コントラスト比の向上が可能であることが確認された。つまり、非画素領域のコレステリック液晶に対するプレチルト角が6°~89°の範囲であると、非画素領域のコレステリック液晶をフォーカルコニック暗状態に安定化することができる。第2実施例図7は、本発明の第2実施例における液晶表示素子の構成の一例を示す断面図である。図7中、図4と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図7に示す液晶表示素子31のB表示部32Bは、下電極42Bb上に設けられB用液晶層22Bと接する第3の配向層46Bbと、上電極42Ba下に設けられB用液晶層22Bと接する第4の配向層46Baを更に有する。第3及び第4の配向層46Bb,46Baは、第1及び第2の配向層41Bb,41Baと同様の材料で形成可能である。又、第4及び第3の配向層46Bb,46Baは、上下電極42Ba,42Bbと同じパターンを有するようにパターニング、或いは、印刷により形成可能である。第3及び第4の配向層46Bb,46Baを設けることで、特に画素領域221BにおけるB用液晶層22Bのコレステリック液晶の配向制御が更に容易になる。同様に、G表示部32Gは、下電極42Gb上に設けられG用液晶層22Gと接する第3の配向層46Gbと、上電極42Ga下に設けられG用液晶層22Gと接する第4の配向層46Gaを更に有する。又、R用表示部32Rは、下電極42Rb上に設けられR用液晶層22Rと接する第3の配向層46Rbと、上電極42Ra下に設けられR用液晶層22Rと接する第4の配向層46Raを更に有する。次に、液晶表示装置の製造方法及び比較例について説明する。製造方法1例えば縦横の長さが12cm×12cmの大きさに切断した2枚のポリカーボネートPCフィルム基板21Gb,21Gaにコレステリック液晶に対するプレチルト角が例えば6°のポリイミドの第1及び第2の配向層41Gb,41Gaを形成し、例えば150°Cで焼成する。第1及び第2の配向層41Gb,41Ga上に銀のナノワイヤからなる透明電極を塗布し、フォトリソグラフィー工程を経て銀のナノワイヤ電極21Gb,21Gaのパターニングを行う。電極21Gb,21Gaのパターニングは、例えば0.24mmピッチで320ドット×240ドットのQVGA表示ができるように形成する。電極21Gb,21Gaのパターニングにより、電極21Gb又は、21Gaと電極21Gb又は、21Gaの間にポリイミドの第1の配向層41Gb又は、第2の配向層41Gaが露出する。次に、一方のPCフィルム基板21Ga上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、例えば150°Cで120分焼成することで、例えば高さ4μmのスペーサ又は、構造体を作製する。このスペーサは、2枚のPCフィルム基板21Gb,21Gaを重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。次に、他方のPCフィルム基板21Gb上の周縁部に例えばエポキシ系のシール材43Gをディスペンサを用いて塗布する。そして、2枚のPCフィルム基板21Gb,21Gaをスペーサ及びシール材32Gを介して貼り合わせて、例えば1kg/cm2の力で加圧しながら160°Cで1時間加熱する。これにより、シール材32Gが硬化し両PCフィルム基板21Gb,21Gaと接着する。これと同時に、スペーサも両PCフィルム基板21Gb,21Gaと接着する。最後に、真空注入法によりG用コレステリック液晶を注入口から両PCフィルム基板21Gb,21Ga間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでG表示部22Gが完成する。同様にして、R表示部22RとB表示部22Bを作製する。このとき、R用コレステリック液晶とB用コレステリック液晶の螺旋の方向を、G用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。作製したB,G,Rの各表示部22B,22G,22Rを例えば110°Cに昇温して液晶を等方相とした後、例えば-1°C/minで室温まで徐冷することで、各表示部22B,22G,22Rの非画素領域の液晶配向状態がフォーカルコニック状態となり、非画素領域は光学的な暗状態となる。作製したB,G,Rの各表示部22B,22G,22Rを積層して液晶表示素子31作製し、液晶表示素子31に駆動回路例えば、ドライバICを接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバICに所定の波形を印加することで、明るく、コントラスト比に優れた表示のカラー電子ペーパーが得られる。製造方法2上記製造方法1の場合と同様に、例えば縦横の長さが12cm×12cmの大きさに切断した2枚のポリカーボネートPCフィルム基板21Gb,21Gaにコレステリック液晶に対するプレチルト角が例えば88°のポリイミドの第1及び第2の配向層41Gb,41Gaを形成し、例えば150°Cで焼成する。第1及び第2の配向層41Gb,41Ga上に銀のナノワイヤからなる透明電極を塗布し、フォトリソグラフィー工程を経て銀のナノワイヤ電極21Gb,21Gaのパターニングを行う。電極21Gb,21Gaのパターニングは、例えば0.24mmピッチで320ドット×240ドットのQVGA表示ができるように形成する。電極21Gb,21Gaのパターニングにより、電極21Gb又は、21Gaと電極21Gb又は、21Gaの間にポリイミドの第1の配向層41Gb又は、第2の配向層41Gaが露出する。次に、一方のPCフィルム基板21Ga上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、例えば150°Cで120分焼成することで、例えば高さ4μmのスペーサ又は、構造体を作製する。このスペーサは、2枚のPCフィルム基板21Gb,21Gaを重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。次に、他方のPCフィルム基板21Gb上の周縁部に例えばエポキシ系のシール材43Gをディスペンサを用いて塗布する。そして、2枚のPCフィルム基板21Gb,21Gaをスペーサ及びシール材32Gを介して貼り合わせて、例えば1kg/cm2の力で加圧しながら160°Cで1時間加熱する。これにより、シール材32Gが硬化し両PCフィルム基板21Gb,21Gaと接着する。これと同時に、スペーサも両PCフィルム基板21Gb,21Gaと接着する。最後に、真空注入法によりG用コレステリック液晶を注入口から両PCフィルム基板21Gb,21Ga間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでG表示部22Gが完成する。同様にして、R表示部22RとB表示部22Bを作製する。このとき、R用コレステリック液晶とB用コレステリック液晶の螺旋の方向を、G用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。作製したB,G,Rの各表示部22B,22G,22Rを例えば110°Cに昇温して液晶を等方相とした後、例えば-1°C/minで室温まで徐冷することで、各表示部22B,22G,22Rの非画素領域の液晶配向状態がフォーカルコニック状態となり、非画素領域は光学的な暗状態となる。作製したB,G,Rの各表示部22B,22G,22Rを積層して液晶表示素子31作製し、液晶表示素子31に駆動回路例えば、ドライバICを接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバICに所定の波形を印加することで、明るく、コントラスト比に優れた表示のカラー電子ペーパーが得られる。製造方法3例えば縦横の長さが12cm×12cmの大きさに切断した2枚のポリカーボネートPCフィルム基板21Gb,21Gaにコレステリック液晶に対するプレチルト角が例えば40°のSiO2の第1及び第2の配向層41Gb,41Gaを斜法蒸着により形成する。第1及び第2の配向層41Gb,41Ga上にIZOからなる透明電極をスパッタ法で形成し、フォトリソグラフィー工程を経てIZO電極21Gb,21Gaのパターニングを行う。電極21Gb,21Gaのパターニングは、例えば0.24mmピッチで320ドット×240ドットのQVGA表示ができるように形成する。電極21Gb,21Gaのパターニングにより、電極21Gb又は、21Gaと電極21Gb又は、21Gaの間にSiO2の第1の配向層41Gb又は、第2の配向層41Gaが露出する。次に、一方のPCフィルム基板21Ga上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、例えば150°Cで120分焼成することで、例えば高さ4μmのスペーサ又は、構造体を作製する。このスペーサは、2枚のPCフィルム基板21Gb,21Gaを重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。次に、他方のPCフィルム基板21Gb上の周縁部に例えばエポキシ系のシール材43Gをディスペンサを用いて塗布する。そして、2枚のPCフィルム基板21Gb,21Gaをスペーサ及びシール材32Gを介して貼り合わせて、例えば1kg/cm2の力で加圧しながら160°Cで1時間加熱する。これにより、シール材32Gが硬化し両PCフィルム基板21Gb,21Gaと接着する。これと同時に、スペーサも両PCフィルム基板21Gb,21Gaと接着する。最後に、真空注入法によりG用コレステリック液晶を注入口から両PCフィルム基板21Gb,21Ga間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでG表示部22Gが完成する。同様にして、R表示部22RとB表示部22Bを作製する。このとき、R用コレステリック液晶とB用コレステリック液晶の螺旋の方向を、G用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。作製したB,G,Rの各表示部22B,22G,22Rを例えば110°Cに昇温して液晶を等方相とした後、例えば-1°C/minで室温まで徐冷することで、各表示部22B,22G,22Rの非画素領域の液晶配向状態がフォーカルコニック状態となり、非画素領域は光学的な暗状態となる。作製したB,G,Rの各表示部22B,22G,22Rを積層して液晶表示素子31作製し、液晶表示素子31に駆動回路例えば、ドライバICを接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバICに所定の波形を印加することで、明るく、コントラスト比に優れた表示のカラー電子ペーパーが得られる。上記の製造方法1,2,3の場合、コレステリック液晶に対するプレチルト角が夫々6°,88°,40°の配向層が、電極のパターニング後に露出する。電極のパターニングを行うことで、非画素領域においてコレステリック液晶に対するプレチルト角が夫々6°,88°,40°の配向層が露出するので、配向層を電極のパターニング後に形成する場合に比べると、非画素領域と配向層との位置合せ精度及び生産性が向上する。比較例縦横の長さが12cm×12cmの大きさに切断した2枚のPCフィルム基板に銀のナノワイヤからなる透明電極を塗布し、フォトリソグラフィー工程を経て銀のナノワイヤ電極のパターニングを行う。電極のパターニングは、0.24mmピッチで320ドット×240ドットのQVGA表示ができるように形成する。電極のパターニングにより、電極と電極の間にPCフィルム基板が露出する。次に、一方のPCフィルム基板上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を経てレジストをパターニングし、150°Cで120分焼成することで、高さ4μmのスペーサを作製する。このスペーサは、2枚のPCフィルム基板を重ねたときにセルギャップを維持するためのものである。次に、他方のPCフィルム基板上の周縁部にエポキシ系のシール材をディスペンサを用いて塗布する。そして、2枚のPCフィルム基板をスペーサ及びシール材を介して貼り合わせて、1kg/cm2の力で加圧しながら160°Cで1時間加熱する。これにより、シール材が硬化し両PCフィルム基板と接着する。これと同時に、スペーサも両PCフィルム基板と接着する。最後に、真空注入法によりG用コレステリック液晶を注入口から両PCフィルム基板間に注入した後、例えばエポキシ系の封止材で注入口を封止することでG表示部が完成する。同様にして、R表示部とB表示部を作製する。このとき、R用コレステリック液晶とB用コレステリック液晶の螺旋の方向を、G用コレステリック液晶の螺旋の方向と逆にする。作製したB,G,Rの各表示部を例えば110°Cに昇温して液晶を等方相とした後、例えば-1°C/minで室温まで徐冷すると、B,G,Rの各表示部の非画素領域の液晶配向状態はプレーナ状態となり、非画素領域は光学的な明状態となる。作製したB,G,Rの各表示部を積層して液晶表示素子作製し、液晶表示素子に駆動回路例えば、ドライバICを接続することで、カラー電子ペーパーを作製することができる。この場合、ドライバICに所定の波形を印加すると、非画素領域が明状態であるため、表示のコントラスト比は低い。これにより、第1及び第2の配向層を設けることにより、非画素領域のコレステリック液晶をフォーカルコニック暗状態に安定化させることができ、コントラスト比を向上可能であることが確認された。以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた第1の配向層と、前記第1の配向層上に設けられたストライプ状の第1の電極と、ストライプ状の第2の電極と、前記第1及び第2の電極間に配置されコレステリック液晶を有する液晶層と、前記第2の電極上に設けられた第2の配向層と、前記第2の配向層上に設けられた第2の基板を備え、前記第1の配向層は前記第1の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接しており、前記第2の配向層は前記第2の電極間で前記液晶層のコレステリック液晶と接していることを特徴とする、液晶表示装置。付記2前記液晶層は、平面図上で前記第1及び第2の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第1及び前記第2の配向層と接する非画素領域を有し、前記第1及び第2の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、付記1記載の液晶表示装置。付記3前記第1及び第2の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が6°~89°であることを特徴とする、付記2記載の液晶表示装置。付記4前記第1及び第2の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、付記1乃至3のいずれか1項記載の液晶表示装置。付記5前記第1の電極上に設けられ前記液晶層と接する第3の配向層と、前記第2の電極下に設けられ前記液晶層と接する第4の配向層を更に備えたことを特徴とする、付記1乃至4のいずれか1項記載の液晶表示装置。付記6前記第1の基板、前記第1の配向層、前記第1の電極、前記液晶層、前記第2の電極、前記第2の配向層、及び前記第2の基板は液晶表示素子を形成し、異なる色用の液晶層を有する前記液晶表示素子が複数積層されていることを特徴とする、付記1乃至5のいずれか1項記載の液晶表示装置。付記7前記第1及び第2の配向層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、及び二酸化ケイ素SiO2からなるグループから選択された1つの材料で形成されていることを特徴とする、付記1乃至6のいずれか1項記載の液晶表示装置。付記8前記非画素領域の液晶をフォーカルコニック暗状態に安定化することを特徴とする、付記2又は3記載の液晶表示装置。付記9第1の基板上の第1の配向層の上に第1の透明電極層を形成する工程と、前記第1の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第1の電極を形成して前記第1の配向層を前記第1の電極間で露出する工程と、第2の基板上の第2の配向層の上に第2の透明電極層を形成する工程と、前記第2の透明電極層をパターニングしてストライプ状の第2の電極を形成して前記第2の配向層を前記第2の電極間で露出する工程と、前記第1及び第2の基板をシール材を介して貼り合わせる工程と、前記第1及び第2の基板間にコレステリック液晶を注入して封止することで液晶層を形成する工程を含むことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。付記10前記液晶層は、平面図上で前記第1及び第2の電極が直交する画素領域と、隣接する画素領域間に設けられ前記コレステリック液晶が前記第1及び前記第2の配向層と接する非画素領域を有し、前記第1及び第2の配向層の前記非画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、前記画素領域における前記コレステリック液晶に対するプレチルト角より大きいことを特徴とする、付記9記載の液晶表示装置の製造方法。付記11前記第1及び第2の配向層の前記コレステリック液晶に対するプレチルト角は、クリスタルローテーション法で求めた値が6°~89°であることを特徴とする、付記10記載の液晶表示装置の製造方法。付記12前記第1及び第2の基板のうち少なくとも一方はフレキシブル基板であることを特徴とする、付記9乃至11のいずれか1項記載の液晶表示装置の製造方法。付記13前記第1及び第2の配向層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、及び二酸化ケイ素SiO2からなるグループから選択された1つの材料で形成されていることを特徴とする、付記8乃至12のいずれか1項記載の液晶表示装置の製造方法。以上、開示の液晶表示装置及びその製造方法を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。"