シリコンソースsiliconsource、塩基base、バナジウムソースとしてV5-含有化合物、還元剤、塩salt及び水を含有する反応混合物を水熱反応させ、バナドシリケート分子篩を形成することを含む、バナドシリケート分子篩の製造方法。前記バナジウムソースとしてV5-含有化合物に含有されたV5を、前記還元剤によってV4に還元する、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記還元剤が、有機還元剤、無機還元剤、またはこれらの組合せを含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記有機還元剤が、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、アミン基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、スルフィド基、バイスルフィド基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基、ウレア基及びこれらの組合せからなる群から選択される官能基を有する有機還元剤を1種以上含む、請求項3に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記有機還元剤が、炭素数1~20を有するカルボン酸及びその誘導体、炭素数1~20を有するジカルボン酸及びその誘導体、炭素数1~20を有するポリカルボン酸及びその誘導体、炭素数1~20を有するアミノ酸及びその誘導体、炭素数1~20を有する1価または多価アルコール、炭素数1~20を有するアルデヒド系化合物及びその誘導体、炭素数1~20を有するカルバモイル酸及びその誘導体、アミノ酸及びその誘導体、ボロン酸、ボラン系化合物、ヒドラジン系化合物、シラン系化合物、ヒドロキシラクトン系化合物、ヒドロキノン系化合物、有機酸のアンモニウム塩、カーボネート系化合物、アミド系化合物、アミン系化合物、ヒドロキシアミン系化合物、アンモニア及びアンモニア前駆物質、ウレア及びウレア前駆物質、ウレア加水分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項3に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記有機還元剤が、下記化学式1または化学式2で表示される化合物を含む、請求項3に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記化学式1及び2のそれぞれにおいて、R及びR ́は独立して水素、または下記グループAから選択される一つ以上の置換基を有することができる、炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、アミン基、炭素数6~20のアリール基またはアラルキル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基、またはウレア基である。[グループA]炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、ハロゲン、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、アミン基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基及びウレア基からなる置換基群。前記有機還元剤が、下記化学式3で表示される化合物を含む、請求項3に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記式3のうちR ́ ́は、下記グループBから選択される一つ以上の置換基を有することができる、炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、アミン基、炭素数6~20のアリール基またはアラルキル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基、またはウレア基である。[グループB]炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、ハロゲン、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、アミン基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基及びウレア基からなる置換基群。前記無機還元剤が、無機酸、金属のハロゲン塩、金属のチオサルフェート塩、金属のサルファイト塩、金属のバイサルファイト塩、亜鉄酸塩、金属の亜硫酸塩、水素化金属、金属ボロヒドリド、金属のアンモニウム塩、金属の過硫酸塩、金属の過ヨウ素酸塩、次亜リン酸、次亜リン酸アンモニウム、金属の次亜リン酸塩、金属のエチレンジアミン四酢酸塩、及びこれらの組合せからなる群から選択される化合物を含む、請求項3に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記反応混合物が、酸acidをさらに含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記酸が、無機酸、有機酸及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項9に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記反応混合物を、水熱反応させる前に熟成agingさせることをさらに含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。下記ステップを含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記シリコンソース、前記塩基及び水を含有する第1溶液を準備するステップ。前記バナジウムソースとして、V5-含有化合物、前記還元剤、及び水を含有する第2溶液を準備するステップ。前記第1溶液、前記第2溶液及び前記塩を混合して前記反応混合物を準備するステップ。前記反応混合物を水熱反応させてバナドシリケート分子篩を形成するステップ。前記反応混合物において、前記シリコンソースに由来するSiO2:前記V5-含有化合物に由来するV2O5:前記還元剤:前記塩基:前記塩:水H2Oのモル比が、4~10:01~1:1~50:1~20:1~20:30~450である、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記反応混合物において、前記シリコンソースに由来するSiO2:前記V5-含有化合物に由来するV2O5:前記還元剤:前記酸:前記塩基:前記塩:水H2Oのモル比が、4~10:01~1:1~50:1~20:1~20:1~20:30~450である、請求項9に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記形成されたバナドシリケート分子篩が、V5イオンを実質的に含有しない、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記シリコンソースは、シリケート塩silicatesalt、シリコン酸化物、または下記化学式4で表示されるケイ素化合物を含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記化学式4において、R1~R4は、互いに独立してそれぞれ水素、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン族元素、C1~C22のアルキル基またはアルコキシ基、アラルキル基またはアリール基を示し、R1~R4は、それぞれ一つ以上の酸素、窒素、硫黄または金属原子である。前記シリコンソースが、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のシリケート塩、コロイドシリカ、シリカヒドロゲル、ケイ酸silicicacid、ヒュームドシリカfumedsilica、テトラアルキルオルトシリケート、シリコン水酸化物及びこれらの組合せからなる群から選択される化合物を含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記V5-含有化合物が、V2O5、VOCl3、VOBr3、VOF3、VOI3、VOSO4、NaVO3、Na3VO4、NH4VO3及びこれらの組合せからなる群から選択される化合物を含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記塩基が、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含有する化合物を含む、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記塩が、アルカリ金属の塩またはアルカリ土類金属の塩を含有する、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。前記水熱反応が、100°C以上で行われる、請求項1に記載のバナドシリケート分子篩の製造方法。請求項1~請求項21のいずれか一項の方法によって製造されたバナドシリケート分子篩であって、SiO4正四面体tetrahedronとVO6正八面体octahedronとが連結された骨格を含み、V5イオンを実質的に含有しない、バナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項22に記載のバナドシリケート分子篩。請求項22に記載の前記バナドシリケート分子篩内のV4イオンをV5イオンに酸化することによって得られてなる、バナドシリケート分子篩。前記V4イオンを、有機酸化剤、無機酸化剤またはこれらの組合せを含む酸化剤によってV5イオンに酸化する、請求項24に記載のバナドシリケート分子篩。下記一般式1で表示される組成を有するバナドシリケート分子篩でって、SiO4正四面体とVO6正八面体とが連結された骨格を含み、5 ゚~10 ゚の範囲で回折角2θに一つ以上のピークを有する粉末X線回折パターンを示す、バナドシリケート分子篩。前記一般式1のうちAは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びこれらの組合せからなる群から選択される1価または2価の金属陽イオンを示し、rは05~3で、sは05~2で、nは1~6で、tは01~2である。526 ゚、590 ゚、592 ゚、598 ゚、665 ゚、704 ゚、748 ゚、760 ゚または764 ゚の回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項26に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示す、請求項27に記載のバナドシリケート分子篩。等軸晶系Cubic、トランケイテッド六方晶系TruncatedCubicまたはブリックBrick状の結晶状を有する、請求項26に記載のバナドシリケート分子篩。請求項26~請求項36のいずれか一項に記載のバナドシリケート分子篩内のV4イオンを酸化剤を利用してV5イオンに酸化することによって得られてなる、バナドシリケート分子篩。前記酸化剤が、有機酸化剤または無機酸化剤を含む、請求項37に記載のバナドシリケート分子篩。本発明者らは、バナドシリケートを生産するための迅速でかつ低コストの新規製造方法を開発しようと研究した。その結果、本発明者らは、シードを使用せず、鋳型templateを含まずに、バナジウムソースとしてV5-含有化合物を使用し、前記V5-含有化合物を還元剤を利用してV4に還元することを含む方法により、迅速でかつ低コストでバナドシリケートを製造することができることを見出して、本願を完成した。すなわち、本願は、バナドシリケート分子篩の新規製造方法、前記バナドシリケート分子篩の新規方法によって製造されるバナドシリケート分子篩及びその誘導体、新規バナドシリケート分子篩及びその誘導体を提供する。しかし、本願が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されなかった他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。本願の一態様は、シリコンソースsiliconsource、塩基base、バナジウムソースとしてV5-含有化合物、還元剤、塩salt及び水を含有する反応混合物を水熱反応させてバナドシリケート分子篩を形成することを含む、バナドシリケート分子篩の製造方法を提供することである。本願の他の態様は、前記製造方法によって製造され、SiO4正四面体tetrahedronとVO6正八面体octahedronとが連結された骨格を含み、V5イオンを実質的に含有しない、バナドシリケート分子篩を提供することである。本願のまた他の態様は、前記製造方法によって製造されたバナドシリケート分子篩内のV4イオンをV5イオンに酸化することによって得られてなる、バナドシリケート分子篩を提供することである。本願のまた他の態様は、下記一般式1で表示される組成を有し、SiO4正四面体とVO6正八面体とが連結された骨格を含み、5 ゚~10 ゚範囲の回折角2θに一つ以上のピークを有する粉末X線回折パターンを示す、バナドシリケート分子篩を提供することである:前記一般式1のうちAは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びこれらの組合せからなる群から選択される一価または二価の金属陽イオンを示し、rは05~3で、sは05~2で、nは1~6で、tは01~2である。本願のまた他の態様は、前記一般式1で表示されるバナドシリケート分子篩内のV4イオンをV5イオンに酸化することによって得られてなる、バナドシリケート分子篩を提供することである。本願によると、シードを使用せず、鋳型templateを含まずに、バナジウムソースとしてV5-含有化合物を使用して、迅速でかつ低コストで純粋なバナドシリケート分子篩を合成することができる。また、NH3処理過程も必要なく、製造されたバナドシリケート分子篩内のVIVO32-陽子線を良く保存することができ、全てのV原子の酸化状態が4である純粋なバナドシリケート分子篩を製造することができ、AM-6とその他に多様な新規構造を有するバナドシリケート分子篩を合成することができる。これにより、本願の前記製造方法によって製造されるバナドシリケート分子篩または前記バナドシリケート分子篩内の純粋なVIVO32-陽子線の重要な物理化学的性質を研究することが可能になる。また、純粋なVIVO32-陽子線を有する本願によるバナドシリケート分子篩は、電子素子、ナノ素子、触媒分野、ナノ材料及びナノ細孔材料分野などに応用されることができる。以下、本願が属する技術分野で通常の知識を持った者が容易に実施することができるように、本願の実施形態及び実施例を詳しく説明する。しかし、本願は、様々な異なる形態で実施することができ、ここで説明する実施形態及び実施例に限らない。明細書全体において、ある部分がある構成要素を含むとすると、これは、特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。本明細書で使用される程度の用語約、実質的になどは、言及された意味に固有の製造及び物質許容誤差が提示される時、その数値でまたはその数値に近接した意味として使用され、本願の理解を助けるために、正確であるか絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に利用することを防止するために使用される。また、本願の明細書全体において、~するステップまたは~のステップは、~のためのステップを意味しない。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として用語アルキルは、特に定義されなければ、単独でまたはアルコキシ、アリールアルキル、ハロアルキル及びアルキルアミノのような他の用語と共に使用される場合、1~約22個の炭素原子、1~約20個の炭素原子、1~約10個の炭素原子、または1~約6個の炭素原子をそれぞれ有する線状または分枝状ラジカルを含む。前記アルキル基は、任意の炭素位置で他の置換基によって置換されることができる。例えば、前記アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、t-ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、4、4-ジメチルペンチル、オクチル、2、2、4-トリメチルペンチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、及びこれらの異性体などが挙げられるが、これに制限されない。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として用語アルケニルは、2~約20個の炭素原子、2~約12個の炭素原子、2~約10個の炭素原子、または2~約6個の炭素原子を有し、1個以上の炭素対炭素の二重結合をそれぞれ含有する直鎖、分枝鎖または環状炭化水素ラジカルを意味する。前記アルケニル基は、任意の利用可能な付着点で置換されることができる。例えば、アルケニルラジカルの例としては、エテニル、プロペニル、アリル、ブテニル及び4-メチルブテニル、ペンチニル、ヘキセニル、イソヘキセニル、ヘプテニル、4、4-ジメチルペンチニル、オクテニル、2、2、4-トリメチルペンチニル、ノネニル、デセニル及びこれらの異性体などが含まれるが、これに制限されない。用語アルケニル及び低級アルケニルは、シス及びトランス配向、または代案として、E及びZ配向を有するラジカルを含む。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として用語アルキニルは、2~約20個の炭素原子、2~約12個の炭素原子、2~約10個の炭素原子、または2~約6個の炭素原子及び1個以上の炭素対炭素の三重結合をそれぞれ含有する直鎖、分枝鎖または環状炭化水素ラジカルを意味する。前記アルキニル基は、任意の利用可能な付着点で置換されることができる。このようなラジカルの例としては、エチニル、プロピニル、ブチニル、4-メチルブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、イソヘキシニル、ヘプテニル、4、4-ジメチルペンチニル、オクテニル、2、2、4-トリメチルペンチニル、ノニニル、デシニル及びこれらの異性体などが含まれるが、これに制限されない。アルキニル基に対して代表的な置換体としては、アルキル基に対して前記列挙されたもの、例えばアミノ、アルキルアミノなどが挙げられる。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として用語アルコキシまたはアルキルチオは、それぞれ酸素連結-O-または硫黄連結-S-を通じて結合された前記記載したようなアルキル基を意味する。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として用語アリールアルキル[アルアルキルaralkylまたはアラルキル]は、前記記載したようなアルキル基を通じて結合された芳香族環、即ち、アリール-置換されたアルキルラジカルを含む。好ましいアリールアルキルラジカルは、アリールラジカルが1~6個の炭素原子を有するアルキルラジカルに付着したアリールアルキルラジカルである。このようなラジカルの例としては、ベンジル、ビフェニルメチル、ナフチル、及びフェニルエチルなどが含まれることができるが、これに制限されない。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として用語アリールは、単環式または二環式芳香族環、例えばフェニル、置換されたフェニルなどだけでなく、接合された基、例えばナフチル、フェナントレニル、インデニル、テトラヒドロナフチル及びインダニルなどを含む。従って、アリール基は、6個以上の原子を有する1個以上の環を含有し、22個以下の原子を含有する5個以下の環が存在することができ、隣接炭素原子または適合したヘテロ原子の間に二重結合が交代に共鳴存在することができる。アリール基は、任意にハロゲン、例えばF、Br、ClまたはI、アルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、アルコキシ、例えばメトキシまたはエトキシ、ヒドロキシ、カルボキシ、カルバモイル、アルキルオキシカルボニル、ニトロ、アルケニルオキシ、トリフルオロメチル、アミノ、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、シアノ、アルキルS0mm=0、1、2またはチオールを含めた、しかしこれに限らない1個以上の基に置換されることができる。好ましいアリールは、任意置換されたフェニルである。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として用語アミノは、-NH2を意味する。アミノは、同一であるか異なり得る1または2個の置換体、例えばアルキル、アリール、アリールアルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアリール、ヘテロアリールアルキル、シクロヘテロアルキル、シクロヘテロアルキルアルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、チオアルキル、カルボニルまたはカルボキシルに任意に置換されることができる。このような置換体は、カルボン酸、本願に記載された任意のアルキルまたはアリール置換体にさらに置換されることができる。一部実施様態において、アミノ基は、カルボキシルまたはカルボニルに置換され、N-アシルまたはN-カルバモイル誘導体を形成する。本願の明細書全体において、単独でまたはまた他の基の一部分として、用語シクロアルキルは、3~20個、または3~9個、あるいは3~7個の炭素原子の完全に飽和された及び部分的に不飽和された炭化水素環を意味する。また、シクロアルキルは置換されることができる。置換されたシクロアルキルは、ハロ、アルキル、置換されたアルキル、アルケニル、アルキニル、ニトロ、シアノ、オキソ=O、ヒドロキシ、アルコキシ、チオアルキル、-CO2H、-C=OH、CO2-アルキル、-C=Oアルキル、ケト、=N-OH、=N-O-アルキル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロシクロ、5または6-オンケタール即ち、1、3-ジオキソランまたは1、3-ジオキサン、-NR ́R ́ ́、-C=ONR ́R ́ ́、-CO2NR ́R ́ ́、-C=ONR ́R ́ ́、-NR ́CO2R ́ ́、-NR ́C=OR ́ ́、-SO2NR ́R ́ ́及び-NR ́SO2R ́ ́ここで、それぞれのR ́及びR ́ ́は、独立して水素、アルキル、置換されたアルキル及びシクロアルキルから選択されるか、R ́及びR ́ ́は、共にヘテロシクロまたはヘテロアリール環を形成するからなる群から選択された1、2または3個の置換体を有する環を意味する。本願の明細書全体において、用語ハロゲンまたはハロは、独立的な成分に対して選択された塩素、臭素、フッ素またはヨウ素を意味する。本願の明細書全体において、用語シクロアルケニルは、一つ以上の炭素-炭素二重結合を有するカルボサイクリックグループを含む。シクロアルケニルグループは、C3~C20環、またはC3~C9環、あるいはC3~C6環を含む。例えば、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンチニル、シクロペンタジエニル、シクロヘキセニル、シクロヘプテニル、シクロヘプタジエニルなどが含まれることができるが、これに制限されない。本願の明細書全体において、用語シクロアルキニルは、一つ以上の炭素-炭素三重結合を有するカルボサイクリックグループを含む。シクロアルキニルグループは、C3~C20環で、またはC3~C9環、あるいはC3~C6環を含み、例えばシクロプロピニル、シクロブチニル、シクロペンチニル、シクロヘキシニル及びシクロヘプテニルなどが含まれることができるが、これに制限されない。本願の明細書全体において、用語アルカリ金属は、Na、K、Rb、Cs、Frなどを意味し、用語アルカリ土類金属は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Raなどを意味する。以下、本願のバナドシリケート分子篩の新規製造方法、前記方法によって製造されるバナドシリケート分子篩及びその誘導体、新規バナドシリケート分子篩及びその誘導体に対して、実施形態及び実施例と図面を参照して具体的に説明する。しかし、本願は、このような実施形態及び実施例と図面に制限されない。本願の一態様によると、バナドシリケート分子篩の製造方法は、シリコンソースsiliconsource、塩基base、バナジウムソースとしてV5-含有化合物、還元剤、塩salt及び水を含有する反応混合物を水熱反応させてバナドシリケート分子篩を形成することを含むことができる。前記バナドシリケート分子篩の製造方法によって、純粋なバナドシリケートを迅速でかつ低コストで製造することができる。具体的に、前記バナドシリケート分子篩の製造方法では、シードを使用せず、鋳型templateを含まずに、バナジウムソースとして安価なV5-含有化合物を使用して、前記V5-含有化合物をV4に還元させ、迅速でかつ低コストで純粋なバナドシリケート分子篩を合成することができる。前記シリコンソースsiliconsource、前記塩基base、前記バナジウムソースとしてV5-含有化合物、前記還元剤、前記塩salt及び水を含有する前記反応混合物を形成することにおいて、前記各成分は、同時にまたは順次に混合されることができ、必要な場合、加熱、冷却、還流、及び/または真空状態で行うことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記バナジウムソースとしてV5-含有化合物に含有されたV5は、前記還元剤によってV4に還元されるものであっても良く、これにより、前記製造方法によって製造されるバナドシリケート分子篩は、V5イオンを実質的に含まない純粋なVIVバナドシリケート分子篩であることができるが。これに制限されない。実施形態において、前記還元剤は、有機還元剤、無機還元剤、またはこれらの組合を含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記有機還元剤は、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、アミン基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基、ウレア基及びこれらの組合せからなる群から選択される作用基を有する有機還元剤を1種以上含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記有機還元剤は、炭素数1~20を有するカルボン酸及びその誘導体、炭素数1~20を有するジカルボン酸及びその誘導体、炭素数1~20を有するポリカルボン酸及びその誘導体、炭素数1~20を有するアミノ酸及びその誘導体、炭素数1~20を有する1価または多価アルコール、炭素数1~20を有するアルデヒド系化合物及びその誘導体、炭素数1~20を有するカルバモイル酸及びその誘導体、アミノ酸及びその誘導体、ボロン酸、ボラン系化合物、ヒドラジン系化合物、シラン系化合物、ヒドロキシラクトン系化合物、ヒドロキノン系化合物、有機酸のアンモニウム塩、カーボネート系化合物、アミド系化合物、アミン系化合物、ヒドロキシアミン系化合物、アンモニア及びアンモニア前駆物質、ウレア及びウレア前駆物質、ウレア加水分解生成物、及びこれらの組合せからなる群から選択されるものを含むことができるが、これに制限されない。例えば、前記有機還元剤は、下記化学式1または化学式2で表示されるものを含むことができるが、これに制限されない。前記化学式1及び2のそれぞれにおいて、R及びR ́のそれぞれは、独立して水素、または、下記グループAから選択される一つ以上の置換基を有することができる、炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、アミン基、炭素数6~20のアリール基またはアラルキル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基、またはウレア基である。[グループA]炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、炭素数6~20のアリール基またはアラルキル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、アミン基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基、及びウレア基からなる置換基群。例えば、前記有機還元剤は、下記化学式3で表示されるものを含むことができるが、これに制限されない。前記式3うちR ́ ́は、下記グループBから選択される一つ以上の置換基を有することができる、炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、アミン基、炭素数6~20のアリール基またはアラルキル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基、またはウレア基である。[グループB]炭素数1~20の線状または分枝状アルキル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルケニル基、炭素数3~20のシクロアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキニル基、炭素数2~20の線状または分枝状アルキニル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数1~20の線状または分枝状アルコキシ基、ハロゲン、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、アミン基、サルファイト基、バイサルファイト基、カーボネート基、バイカーボネート基、亜リン酸基、次亜リン酸基、チオール基、シアン基、チオシアン基、アンモニウム基、ヒドラジニル基、ボロヒドリド基、アミド基、シラン基、アミノ基、カルバモイル基及びウレア基からなる置換基群。例えば、前記有機還元剤は、ギ酸、シュウ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、グルタル酸、ヒドロキシグルタル酸、アスコルビン酸、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、酢酸、アミノ酢酸、プロピオン酸、アミノプロピオン酸、3-アミノプロピオン酸、ブタン酸、アミノブタン酸、カルバミン酸、2、3、4-トリヒドロキシグルタル酸、クエン酸、イソクエン酸、トランスアコニット酸、シスアコニット酸、ホモクエン酸、炭酸、エタノール、プロパノール及びその異性体、ブタノール及びその異性体、ペンタノール及びその異性体、ヘキサノール及びその異性体、ヒドラジン及びその誘導体、ウレア及びその誘導体及び前駆物質、カルバメタノール、グリコール、グリセロール、グルコース、リボース、トリヒドロキシベンゼン、ボラン、ジメチルアミンボラン、乳酸、マロン酸、ヒドロキシルアミン、トリヒドロキシベンゼン、ポリカルボキシル酸、アミノ酸及びその誘導体、ポリアクリル酸、アラニン、グリシン、ヒドロキノン及びその誘導体、ヒドロキノンスルホン酸、これらの塩、及びこれらの混合物を含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記無機還元剤は、無機酸、金属のハロゲン塩、金属のチオサルフェート塩、金属のサルファイト塩、金属のバイサルファイト塩、亜鉄酸塩、金属の亜硫酸塩、水素化金属、金属ボロヒドリド、金属のアンモニウム塩、金属の過硫酸塩、金属の過ヨウ素酸塩、次亜リン酸、次亜リン酸アンモニウム、金属の次亜リン酸塩、金属のエチレンジアミン四酢酸塩、及びこれらの組合せからなる群から選択されるものを含むことできるが、これに制限されない。例えば、前記無機還元剤は、エチレンジアミン四酢酸のナトリウム塩またはカリウム塩、ナトリウムアルデヒドスルホキシネート、カリウムアルデヒドスルホキシネート、ナトリウムホルムアルデヒドスルホキシネート、カリウムホルムアルデヒドスルホキシネート、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、重亜硫酸ソーダ、硫酸第1鉄、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸水素カリウム、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のサルファイト塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のバイサルファイト塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のチオサルフェート塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水素化物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のボロヒドリド、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のアンモニウム塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の過硫酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の過ヨウ素酸塩、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の次亜リン酸塩、及びこれらの組合せからなる群から選択されるものを含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記反応混合物が酸acidをさらに含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記酸は、無機酸、有機酸及びこれらの組合せからなる群から選択されるものを含むことができるが、これに制限されない。例えば、前記酸は、硫酸、塩酸、臭素酸、ボロン酸、ヨウ素酸、硝酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、過リン酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、過塩素酸、亜臭素酸、次亜臭素酸、過臭素酸、亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、過ヨウ素酸、亜硝酸、フッ化水素、3フッ化ホウ素、テトラフルオロホウ酸またはリンフッ化水素酸を含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記バナドシリケート分子篩の製造方法は、前記反応混合物を水熱反応させる前に熟成agingさせることをさらに含むことができるが、これに制限されない。前記熟成過程は、例えば室温またはそれ以上の温度で前記反応混合物を撹拌することで行われることができ、このような熟成過程によって前記反応混合物はゲルgel状に形成されることができる。実施形態において、前記バナドシリケート分子篩の製造方法は、前記シリコンソース、前記塩基及び水を含有する第1溶液を準備するステップ、前記バナジウムソースとしてV5-含有化合物、前記還元剤及び水を含有する第2溶液を準備するステップ、前記第1溶液、前記第2溶液及び前記塩を混合して前記反応混合物を準備するステップ、前記反応混合物を水熱反応させてバナドシリケート分子篩を形成するステップを含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記第2溶液を準備するステップにおいて、前記還元剤として酸を使用する場合、前記酸を含む溶液を加熱した後、これに前記バナジウムソースとしてV5-含有化合物を添加することで、前記V5-含有化合物が溶解し易くなるようにすることができるが、これに制限されない。実施形態において、前記反応混合物は、前記シリコンソースに由来するSiO2:前記V5-含有化合物に由来するV2O5:前記還元剤:前記塩基:前記塩:水H2Oのモル比が、4~10:01~1:1~50:1~20:1~20:30~450の組成を有することができるが、これに制限されない。実施形態において、前記反応混合物は、前記シリコンソースに由来するSiO2:前記V5-含有化合物に由来するV2O5:前記還元剤:前記酸:前記塩基:前記塩:水H2Oのモル比が、4~10:01~1:1~50:1~20:1~20:1~20:30~450の組成を有することができるが、これに制限されない。実施形態において、前記形成されるバナドシリケート分子篩は、V5イオンを実質的に含有しないが、これに制限されない。例えば、前記形成されるバナドシリケート分子篩は、前記バナジウムソースとして前記V5-含有化合物を還元させて製造されることで、V5イオンを実質的に含有しない純粋なVIVバナドシリケート分子篩であることができる。実施形態において、前記シリコンソースは、シリケート塩silicatesalt、シリコン酸化物、または下記化学式4で表示されるケイ素化合物を含むものであるが、これに制限されない。前記化学式4において、R1~R4は、互いに独立してそれぞれ水素、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン族元素、C1~C22のアルキル基またはアルコキシ基、アラルキル基またはアリール基を示し、R1~R4は、それぞれ一つ以上の酸素、窒素、硫黄または金属原子を含むことができるが、これに制限されない。例えば、前記アルキル基または前記アルコキシ基に含まれるアルキル基は、C1~C22の線状または分枝状のアルキル基を含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記シリコンソースは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のシリケート塩、コロイダルシリカ、シリカヒドロゲル、ケイ酸silicicacid、ヒュームドシリカfumedsilica、テトラアルキルオルトシリケート、シリコン水酸化物及びこれらの組合せからなる群から選択されるものを含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記V5-含有化合物は、V2O5、VOCl3、VOBr3、VOF3、VOI3、VOSO4、NaVO3、Na3VO4、NH4VO3及びこれらの組合せからなる群から選択されるものを含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記塩基は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含有する化合物を含むことができるが、これに制限されない。前記アルカリ金属またはアルカリ土類金属は、周期表のアルカリ金属族及びアルカリ土類金属族に含まれる金属元素の中で選択される。実施形態において、前記塩は、アルカリ金属の塩またはアルカリ土類金属の塩を含有することができるが、これに制限されない。例えば、前記アルカリ金属の塩またはアルカリ土類金属の塩は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン塩、アンモニウム塩、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、燐酸塩及びこれらの組合せからなる群から選択されることができるが、これに制限されない。実施形態において、前記水熱反応は、室温または室温以上の温度で行われることができ、例えば100°C以上で行われても良いが、これに制限されない。例えば、前記水熱反応は、オートクレーブautoclaveのような高圧反応器に前記反応混合物を導入した後、密閉状態で一定温度に加熱して行われることができる。本願の他の態様において、上記したような本願によるバナドシリケート分子篩の製造方法によって製造され、V5イオンを実質的に含有しないバナドシリケート分子篩が提供されることができる。前記バナドシリケート分子篩は、SiO4正四面体tetrahedronとVO6正八面体octahedronとが連結された骨格を含み、V5イオンを実質的に含有しない純粋なVIVバナドシリケート分子篩であることができる。既存に知られた構造を有するバナドシリケート分子篩の場合、前記本願の新規バナドシリケート分子篩の製造方法によって製造される場合、結晶性が向上されることができ、V5イオンを実質的に含有しない純粋なVIVバナドシリケート分子篩として収得されることができ、物理化学的特性が改善されることができる。実施形態において、前記本願の新規バナドシリケート分子篩の製造方法によって製造されるバナドシリケート分子篩は、下記表1に示すような回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。本願のまた他の態様は、前記バナドシリケート分子篩内のV4イオンをV5イオンに酸化することによって得られてなる、バナドシリケート分子篩を提供することができる。このようなバナドシリケート分子篩は、触媒、ナノ材料などの分野で有用に利用されることができる。実施形態において、前記V4イオンは、有機酸化剤、無機酸化剤またはこれらの組合を含む酸化剤によってV5イオンに酸化されることができるが、これに制限されない。例えば、前記酸化剤は、過酸化水素、パーオキシド類、酸素酸類、ハロゲン類、金属のハロゲン塩、硝酸塩、臭素、N2O、-NO2基を含む化合物、-NO基を含む化合物、N-オキシド類、過安息香酸perbenzoicacid、オゾン、酸素、硫酸、硝酸、亜硝酸、過硫酸、亜硫酸、次亜硫酸、塩酸、臭素酸、ボロン酸、ヨウ素酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、過リン酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、過塩素酸、亜臭素酸、次亜臭素酸、過臭素酸、次亜ヨウ素酸、過ヨウ素酸、フッ化水素、過カルボン酸Percarboxylicacid、3フッ化ホウ素、テトラフルオロホウ酸、リンフッ化水素酸、及び前記酸の金属塩からなる群から選択されることができるが、これに制限されない。本願のまた他の態様は、下記一般式1で表示される組成を有し、SiO4正四面体とVO6正八面体とが連結された骨格を含み、5 ゚~10 ゚である範囲の回折角2θに一つ以上のピークを有する粉末X線回折パターンを示す、新規バナドシリケート分子篩が提供されることができる。前記一般式1のうちAは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びこれらの組合せからなる群から選択される一価または二価の金属陽イオンを示し、rは05~3で、sは05~2で、nは1~6で、tは01~2である。例えば、前記一般式1のうちAは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びこれらの組合せからなる群から選択される一つ以上の一価または二価の金属陽イオンを含むことができる。実施形態において、前記式のうちAは、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Baまたはこれらの組合を含むことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、526 ゚、590 ゚、592 ゚、598 ゚、665 ゚、704 ゚、748 ゚、760 ゚または764 ゚の回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表2に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表3に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表4に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表5に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表6に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表7に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表8に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことであることができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、下記表9に示すように、下記回折角2θにピークを有する粉末X線回折パターンを示すことができるが、これに制限されない。実施形態において、前記新規バナドシリケート分子篩は、等軸晶系Cubic、トランケイテッド六方晶系TruncatedCubicまたはブリックBrick状の結晶状を有することができるが、これに制限されない。本願のまた他の態様は、前記バナドシリケート分子篩内のV4イオンをV5イオンに酸化することによって得られてなる、新規バナドシリケート分子篩を提供することができる。実施形態において、前記V4イオンは、有機酸化剤、無機酸化剤またはこれらの組合を含む酸化剤によってV5イオンに酸化されることができるが、これに制限されない。例えば、前記酸化剤は、過酸化水素、パーオキシド類、酸素酸類、ハロゲン類、金属のハロゲン塩、硝酸塩、臭素、N2O、-NO2基を含む化合物、-NO基を含む化合物、N-オキシド類、過安息酸perbenzoicacid、オゾン、酸素、硫酸、硝酸、亜硝酸、過硫酸、亜硫酸、次亜硫酸、塩酸、臭素酸、ボロン酸、ヨウ素酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、過リン酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、過塩素酸、亜臭素酸、次亜臭素酸、過臭素酸、次亜ヨウ素酸、過ヨウ素酸、フッ化水素、過カルボン酸Percarboxylicacid、3フッ化ホウ素、テトラフルオロホウ酸、リンフッ化水素酸、及び前記酸酸の金属塩からなる群から選択されることができるが、これに制限されない。以下、実施例を利用して本願を詳しく説明する。しかし、本願は、このような実施例によって制限されない。[実施例]<バナドシリケートの製造時に使用される試薬>ケイ酸ナトリウムNa2SiO3、17~19wtのNa2O及び35~38wtのSiO2、Kanto、ケイ酸ナトリウムNa2SiO3、8wtのNa2O及び27wtのSiO2、Sigma-Aldrich、ケイ酸ナトリウムN-brandNa2SiO3、889wtのNa2O及び2889wtのSiO2、PQCorp、LudoxHS-40コロイドシリカ、40wt懸濁水溶液、Sigma-aldrich、バナジル硫酸水和物VOSO4、97、Aldrich、酸化バナジウムVV2O5、99、Sigma-aldrich、シュウ酸H2O4C2、99、Sigma-aldrich、硫酸H2SO4、95、Duksan、水酸化ナトリウムNaOH、93~100、Samchun、塩化ナトリウム99.5、Samchun、水酸化カリウムKOH、95、Samchun、塩化カリウムKCl、99、Oriental、フッ化カリウムKF、95、Samchun、水酸化セシウムCsOH、995Aldrich、塩化セシウムCsCl99、Aldrich、塩化ルビジウムRbCl99、Aldrich及びエタノールEtOH、95、Skを使用した。下記表10及び表11に、本願による実施例及び比較例において、バナドシリケートを製造するために使用されたシリコンソース、バナジウムソース、還元剤シュウ酸、エタノール、酸、塩基、塩のそれぞれの種類及び使用量、水の使用量、反応温度及び反応時間を示した。前記表10及び表11に記載された成分を混合して収得した反応混合物の組成は、前記シリコンソースに由来するSiO2:V2O5:H2C2O4:H2SO4:Na2O塩基由来:Cs2O塩基由来:NaCl:KCl:KF:CsCl:EtOH:H2Oに対する合成モル比は、4~74:02~1:19~412:05~81:05~77:13~48:1~135:16~87:12~67:16~87:8~44:30~415であった。前記表10及び表11に示す条件で合成された各バナドシリケートに対する具体的な合成方法は、下記の通りである。[実施例1]バナドシリケートSVS-1の合成新規バナドシリケートSVS-1を合成するために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、KF、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:KF:EtOH:H2Oのモル比は、67:100:412:77:672:40:315であった。具体的に、SVS-1の合成のために、Na2SiO3122g溶液を脱イオン水DDW、12gで希薄させ、前記希薄された溶液に、NaOH4gをDDW20gに溶解させたNaOH溶液を撹拌しながら添加し、前記Na2SiO3を加水分解するために、混合液を30分間撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、シュウ酸575gとDDW20gとを共に混合し、シュウ酸が水に充分に溶けるまで徐々に加熱した。V2O52gを上記したように加熱されたシュウ酸溶液に添加し、撹拌して第2溶液を準備した。これにより、直ちにCO2排出と共に黄色V2O5が溶解され、濃い青色の溶液V5からV4にに変わった。前記第2溶液を室温まで冷却し、最初の第1溶液に徐々に滴下して添加した。次いで、5分後に前記混合物にEtOH20gを添加し、1時間撹拌した後、KF45gとDDW10gとを含む希薄されたKF溶液を添加して反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で14時間熟成させ、ゲルgel状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン登録商標-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で36時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを室温で冷却させた後、遠心分離及び充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥によってSVS-1結晶濃い緑色を収得した。本実施例によって収得された新規バナドシリケートSVS-1の粉末X線回折パターン、IRスペクトル及びSEM写真は、図1a~図1cにそれぞれ示し、粉末X線回折ピーク分析は、前記表2に示したものと同一である。[実施例2]バナドシリケートSVS-2の合成新規SVS-2の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、KF、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:KF:EtOH:H2Oに関して合成ゲルのモル比は、54:100:25:62:095:24:254であった。具体的に、Na2SiO312.2g溶液を脱イオン水DDW、12gで希薄させ、前記希薄された溶液に、NaOH4gをDDW20gに溶解させたNaOH溶液を撹拌しながら添加した後、30分間撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、V2O521g、シュウ酸43g及びDDW20gを共に混合し、その混合物を100°C近くで4時間還流refluxして第2溶液を準備した。前記第2溶液を室温で冷却させた後、前記第2溶液濃い黒色を前記第1溶液に徐々に滴下して添加した。5分後にEtOH15gを前記混合物に添加した後、1時間撹拌した後、KF09gとDDW10gとを含む希釈KF溶液を添加した。前記反応混合物を最終的に室温で14時間熟成させてゲルgel状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して前記オートクレーブを210°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で48時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを室温で冷却させた後、遠心分離及び充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥によってSVS-2結晶濃い緑色を収得した。本実施例によって収得された新規バナドシリケートSVS-2の粉末X線回折パターン、IRスペクトル及びSEM写真は、図2a~図2cにそれぞれ示し、粉末X線回折ピーク分析は、前記表3に示したものと同一である。[実施例3]バナドシリケートSVS-3の合成本実施例は、三つの異なる結晶状を有する新規バナドシリケートSVS-3の合成に関する。SVS-3等軸晶系、トランケイテッド等軸晶系、及びブリック状の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、CsCl、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:CsCl:EtOH:H2Oに関してモル比は、それぞれ67:100:4:77:16:40:314、67:100:4:77:24:40:314及び67:100:4:77:325:40:314であった。1SVS-3等軸晶系模様の合成Na2SiO36.1gを脱イオン水DDW、6gで希釈させ、前記希釈された溶液に、NaOH2gとDDW10gとを含むNaOH溶液を撹拌と同時に添加し、前記Na2SiO3を加水分解するために、混合液を30分間撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、シュウ酸285gとDDW10gとを共に混合し、シュウ酸が水に充分に溶けるまで徐々に加熱した。具体的に、V2O51g粉を熱いシュウ酸溶液に添加し、5分間撹拌した後、室温で冷却させて第2溶液を準備した。前記第2溶液を前記第1溶液に徐々に滴下して添加した。5分後にEtOH10gを前記混合物に添加し、1時間撹拌してCsCl155gとDDW5gとを含む希釈されたCsCl溶液を添加して反応混合物を収得した。最終的に、前記収得された反応混合物を室温で14時間熟成させ、ゲルgel状の反応混合物を収得した。前記熟成後に、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを210°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で36時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを室温に冷却させた後、遠心分離及び充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥によってSVS-3結晶濃い緑色を収得した。2SVS-3トランケイテッド等軸晶系及びブリック状の合成トランケイテッド等軸晶系、及びブリック状を有するSVS-3結晶を合成するために、前記反応混合物の製造時に225g及び3gのCsClをそれぞれ使用したことを除いては、前記1SVS-3等軸晶系状の合成で記載した方法と同一の方法でトランケイテッド等軸晶系、及びブリック状を有するSVS-3結晶を合成した。本実施例によって収得された新規バナドシリケートSVS-3の粉末X線回折パターンは、図3aに示し、IRスペクトルは及び図3b等軸晶系状、図3cトランケイテッド等軸晶系状、図3dブリック状にそれぞれ示し、粉末X線回折ピーク分析は、それぞれ表4等軸晶系状、表5トランケイテッド等軸晶系状及び表6ブリック状に示したものと同一であり、SEM写真は図4a等軸晶系状、図4bトランケイテッド等軸晶系状、図4cブリック状に示した。[実施例4]バナドシリケートSVS-Xの合成新規バナドシリケートSVS-Xの合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、KF、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:KF:EtOH:H2Oに関してモル比は、43:100:19:47:29:26:197であった。Na2SiO3122g溶液を脱イオン水DDW、12gで希釈させ、前記希釈された溶液に、NaOH36gをDDW20gで希釈させたNaOH溶液を撹拌しながら添加した後、前記Na2SiO3を加水分解するために30分間撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、シュウ酸43g、V2O531gとDDW20gとを共に混合して第2溶液を準備した。前記第1溶液と第2溶液とを撹拌しながら混合した後、1時間後にKF3g及びDDW8gを含有したKF溶液を添加し、30分後にEtOH20gを前記混合物に添加して反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で14時間熟成させ、ゲルgel状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で48時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを室温に冷却させた後、遠心分離及び充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥によってSVS-X結晶を収得した。本実施例によって収得された新規バナドシリケートSVS-Xの粉末X線回折パターンは図5aに示し、SEM写真は図5bに示し、粉末X線回折ピーク分析は、前記表7に示したものと同一である。[実施例5]バナドシリケートSVS-Yの合成新規バナドシリケートSVS-Yの合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、NaCl及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:NaCl:H2Oに関してモル比は、6:100:326:66:11:285であった。具体的に、Na2SiO3122g溶液を脱イオン水DDW、12gで希釈させ、前記希釈された溶液に、NaOH36gをDDW15gで希釈させたNaOH溶液と、NaCl8g及びDDW15gを含有したNaCl溶液とを激しく撹拌しながら添加して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、V2O522g、シュウ酸5gとDDW20gを共に混合して第2溶液を準備した。前記第1溶液と第2溶液とを撹拌しながら混合して反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で14時間熟成させ、ゲルgel状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で48時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを室温に冷却させた後、遠心分離及び充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥によってSVS-Y結晶を収得した。本実施例によって収得された新規バナドシリケートSVS-Yの粉末X線回折パターンは図6aに示し、SEM写真は図6bに示し、粉末X線回折ピーク分析は、前記表8に示したものと同一である。[実施例6]バナドシリケートSVS-Zの合成新規SVS-Zの合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、KF、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:KF:EtOH:H2Oに関してモル比は、534:100:344:584:537:251であった。具体的に、Na2SiO3122g溶液を脱イオン水DDW、12gで希釈させ、前記希釈された溶液に、NaOH36gをDDW20gで希釈させたNaOH溶液を撹拌しながら添加した後、前記Na2SiO3を加水分解するために30分間撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、V2O525g、シュウ酸6gとDDW20gとを共に混合して第2溶液を準備した。前記第1溶液と第2溶液とを撹拌しながら混合した後、1時間後にKF45gとDDW10gとを含むKF溶液を添加して反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で14時間熟成させ、ゲルgel状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で36時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを室温に冷却させた後遠心分離及び充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥によってSVS-Z結晶濃い緑色を収得した。本実施例によって収得された新規バナドシリケートSVS-Zの粉末X線回折パターンは図7aに示し、SEM写真は図7bに示し、粉末X線回折ピーク分析は、前記表9に示したものと同一である。[実施例7]バナドシリケートAM-6-Yの合成AM-6-Yの合成のために、Na2SiO3、V2O5、H2SO4、KOH、EtOH及びDDWを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2SO4:Na2O:K2O:EtOH:H2Oに関してモル比は、607:100:361:294:31:72:415であった。具体的に、Na2SiO317-19wtのNa2O及び35-38wtのSiO2から122gをDDW40gで希釈させた。KOH44g及びDDW40gを含むKOH溶液を前記シリコンソース溶液に撹拌しながら添加した後、前記Na2SiO3を加水分解するために1時間撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、V2O519g、H2SO445g、EtOH4g及びDDW10gを25ml丸底フラスコで共に混合し、その混合物を100°C近くで1時間還流refluxさせて第2溶液を準備したが、黄色V2O5粉末が完全に溶解されて、濃い青色の溶液が作られた。それから、前記溶液を室温で冷却させ、前記第1溶液に滴下して徐々に添加して反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で14時間熟成させ、ゲルgel状の反応混合物を収得した。前記熟成後に、シードETS-10結晶を添加せずに、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で22時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを水を利用して室温に冷却させた後、遠心分離及び充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥によってAM-6-Yを収得した。本実施例によって収得された新規バナドシリケートAM-6-Yの粉末X線回折パターンとIRスペクトルとは、図8a及び図8bにそれぞれ示し、粉末X線回折ピーク分析は、表1に示したものと同一であり、SEM写真は図9aに示し、[110]及びb[001]方向によるTEMイメージは、それぞれ図10a及び図10bに示した。[比較例1]バナドシリケートAM-6-RA3μm及び5μmの合成3μmAM-6-RAの合成は、RochaとAndersonとのAM-6の3μm合成過程に従って行った。反応混合物においてNa2O:K2O:SiO2:V2O5:H2Oにモル比は、10:023:097:010:30であった。前記反応混合物の製造過程は、簡単に下記の通りである。Na2SiO38wtのNa2O及び27wtのSiO2から1878g溶液に、連続的に、NaOH060g及びDDW45gを含む溶解されたNaOH溶液、KCl3g及びDDW45gを含む溶解されたKCl溶液、NaCl924g及びDDW15gを含むNaCl溶液を撹拌と同時に添加して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、DDW23gにVOSO445gを溶解させて第2溶液を準備した。前記第1溶液と第2溶液とを混合して室温で12時間熟成させてゲル状の反応混合物を収得した。前記熟成後に、前記反応混合物を二つの部分に分けるが、一部分は01gのETS-10シードを添加し、他の部分はETS-10シードを添加しなかった。前記二つの反応混合物をそれぞれ別途に50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して前記オートクレーブを230°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で3日間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、前記オートクレーブを水を利用して冷却させた。前記反応混合物から少し薄い緑色のAM-6見えない結晶と、空色の未反応ゲルの主要相phaseまたは一部未確認の相phaseの混合物が収得された。前記溶液のpHが中性になるまで前記複数回洗浄して沈降させた。前記沈降後約2時間、上層部の空色の液体部分は除去し、下層部の少量のAM-6結晶を収得して充分な量のDDWで洗浄し、100°Cで1時間乾燥させた。ETS-10シード結晶を含まない前記反応混合物の場合、AM-6のような沈降された結晶が得られなかった。5μmサイズのAM-6-RAを製造するため、前記反応混合物に924gのNaClの代わりに3gのNaClを使用したことを除いては、前記と同一の方法で製造した。本願の比較例によって収得された3μmサイズのバナドシリケートAM-6-RAの粉末X線回折パターン及びIRスペクトルは、図11a及び図11bにそれぞれ示し、粉末X線回折ピーク分析は、下記表12に示したものと同一であり、SEM写真は図9bに示した。[比較例2]バナドシリケートAM-6-S-TMAの合成AM-S-TMAの合成のために、Na2SiO3、VOSO4、NaCl、KCl、TMAOH及びDDWを含む反応混合物ゲルを準備したが、Na2O:K2O:SiO2:V2O5:TMA:H2Oに関してモル比は、45:13:485:05:22:209であった。AM-6-S-TMAのためのゲルの製造過程は、下記の通りである。塩化ナトリウム642g、塩化カリウム343g、TMAOH1457gテトラメチルアンモニウムヒドロキシド25wt水溶液、ケイ酸ナトリウム18g、N-brand及びDDW20gを含有した溶液Aを準備し、前記溶液が透明になるまで激しく撹拌した。次に、脱イオン水230gにVOSO45H2OAldrich449gを溶かして製造した溶液Bを前記溶液Aに添加し、最終的にその混合物オリーブ色のゲルを16時間熟成させた。熟成後にゲルを50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、230°Cに予熱されたオーブンの中で適正条件下で72時間反応させた。前記反応の完了後、前記オートクレーブを水を利用して冷却させた。遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することで、AM-6-S-TMA結晶を収得した。本比較例によって収得されたAM-6-S-TMAのSEM写真は、図9cで確認可能である。[実施例8]バナドシリケートVSH-1の合成VSH-1の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、KOH、KCl、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:K2O:KCl:EtOH:H2Oに関してモル比は、431:100:305:519:316:20:360であった。VSH-1の合成のために、脱イオン水DDW、50gにルドックス55gを希釈させた。この溶液にKOH52g及びDDW10gを含有したKOH溶液を撹拌しながら添加し、その混合物を30分間撹拌した。KCl15g及びDDW5gを含む希釈KCl溶液を前記溶液に添加して第1溶液を収得した。バナジウムソースを準備するため、別途に、V2O527g、シュウ酸33gとDDW10gとを共に混合して第2溶液を収得し、室温で冷却させて前記第1溶液に徐々に滴下して混合した。1時間後に前記混合物にEtOH75gを添加して反応混合物を収得した。最終的に、前記反応混合物を室温で10時間熟成させてゲル状の反応混合物を収得した。前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを210°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で30時間反応させた。室温に冷却させた後、遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-1を収得した。本実施例によって収得されたVSH-1の粉末X線回折パターンとIRスペクトルは、図12a及び図12bにそれぞれ示し、SEM写真は図12cに示し、粉末X線回折ピーク分析は下記表13に示した。[実施例9]バナドシリケートVSH-2の合成VSH-2の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、CsOH、及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Cs2O:H2Oに関してモル比は、54:100:401:13:264であった。水DDW、5gにルドックス55gを希釈させ、CsOH6g及びDDW15gを含有したCsOH溶液を撹拌と同時に添加した。その混合物を1時間撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースは、V2O527g、シュウ酸35g及びDDW10gを混合することで準備し、第2溶液を準備した。前記第1溶液と前記第2溶液とを共に混合して室温で16時間撹拌してゲル状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で36時間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、遠心分離し、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-2を収得した。本実施例によって収得されたVSH-2の粉末X線回折パターンとIRスペクトルは、図13a及び図13bにそれぞれ示し、SEM写真は図13cに示し、粉末X線回折ピーク分析は下記表14に示した。[実施例10]バナドシリケートVSH-3の合成VSH-3合成のために、Na2SiO3、V2O5、H2SO4、KOH、EtOH及びDDWを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2SO4:Na2O:K2O:KF:EtOH:H2Oに関してモル比は、535:100:325:13:46:12:8:365であった。Na2SiO317~19wtのNa2O及び35~38wtのSiO2から61gとルドックス55gとをDDW40gに溶かした。KOH6gがDDW40gに溶解されたKOH溶液を前記溶液に撹拌しながら添加し、Na2SiO3を加水分解するために混合溶液を1時間激しく撹拌して第1溶液を準備した。バナジウムソースを準備するため、別途に、V2O525g、H2SO446g、EtOH5g及びDDW10gを25mlの丸底フラスコで共に混合して第2溶液を準備した。前記第2溶液を前記第1溶液に滴下して添加した後、KF溶液を添加して反応混合物を収得した。前記収得された反応混合物を室温で14時間熟成させ、ゲル状の反応混合物を収得した。前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で3日間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、前記オートクレーブを水で冷却させた後、遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-3を収得した。本実施例によって収得されたバナドシリケートVSH-3の粉末X線回折パターンを図14aに示し、SEM写真は図14bに示し、粉末X線回折ピーク分析は、下記表15に示したものと同一である。[実施例11]バナドシリケートVSH-4の合成VSH-4の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、CsOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Cs2O:H2Oに関してモル比は、4:100:217:49:200であった。水DDW、5gにルドックス55gを希釈し、CsOH15g及びDDW19gを含有したCsOH溶液を撹拌しながら添加し、その混合物を1時間撹拌した。別途に、バナジウムソースは、シュウ酸25g、V2O5165gとDDW10gとを混合して準備した。前記二つの溶液を共に混合して室温で16時間撹拌してゲル状の反応混合物を収得した。前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で36時間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、前記オートクレーブを水で冷却させた後、遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-4を収得した。本実施例によって収得されたバナドシリケートVSH-4の粉末X線回折パターンを、図15aに示し、SEM写真は図15bに示し、粉末X線回折ピーク分析は、下記表16に示したものと同一である。[実施例12]バナドシリケートVSH-9の合成VSH-9の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、CsCl、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:CsCl:EtOH:H2Oに関してモル比は、67:100:401:77:87:40:334であった。Na2SiO317~19wtのNa2O及び35~38wtのSiO2から61gを水DDW、6gに溶かし、NaOH2g及びDDW7gを含有したNaOH溶液を撹拌しながら添加し、その混合物を1時間撹拌する。別途に、バナジウムソースは、V2O51g、シュウ酸285g及びDDW10gを混合することで製造した。前記二つの溶液を共に混合し、1時間後にCsCl8g及びDDW10gの溶液、そしてEtOH10gを添加して反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で16時間熟成させてゲル状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で36時間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、前記オートクレーブを冷却させた後、遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-9を収得した。本実施例によって収得されたバナドシリケートVSH-9の粉末X線回折パターンを、図16aに示し、SEM写真は図16bに示し、粉末X線回折ピーク分析は、下記表17に示したものと同一である。[実施例13]バナドシリケートVSH-12の合成VSH-12の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、CsOH、及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Cs2O:H2Oに関してモル比は、67:100:4:48:330であった。水DDW、5gにルドックス55gを希釈し、CsOH9g及びDDW18gを含有したCsOH溶液を撹拌しながら添加した。その混合物を1時間撹拌した。別途に、バナジウムソースは、V2O51g、シュウ酸275g及びDDW10gを混合することで反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で16時間熟成させてゲル状の反応混合物を収得した。次いで、前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で48時間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、前記オートクレーブを冷却させた後、遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-12を収得した。本実施例によって収得されたバナドシリケートVSH-12の粉末X線回折パターンは図17aに示し、SEM写真は図17bに示し、粉末X線回折ピーク分析は、下記表18に示したものと同一である。[実施例14]バナドシリケートVSH-13の合成VSH-13の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、NaCl、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:NaCl:EtOH:H2Oに関してモル比は、74:100:401:81:135:44:350であった。Na2SiO317~19wtのNa2O及び35~38wtのSiO2から122gを水DDW、12gに溶かし、NaOH36g及びDDW10gを含有したNaOH溶液を撹拌しながら添加し、その混合物を1時間撹拌した。別途に、バナジウムソースは、V2O52g、シュウ酸5g及びDDW20gを混合することで製造した。前記二つの溶液を共に混合してNaCl8g及びDDW20gの溶液、そしてEtOH20gをそれぞれ添加して反応混合物を収得した。前記反応混合物を最終的に室温で16時間熟成させ、50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で72時間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、前記オートクレーブを室温に冷却させた後、遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-13を収得した。本実施例によって収得されたバナドシリケートVSH-13の粉末X線回折パターンとIRスペクトルは、図18a及び図18bにそれぞれ示し、SEM写真は図18cに示し、粉末X線回折ピーク分析は、下記表19に示したものと同一である。[実施例15]バナドシリケートVSH-16の合成VSH-16の合成のために、SiO2、V2O5、シュウ酸、NaOH、NaCl、EtOH及びH2Oを含む反応混合物ゲルを準備したが、SiO2:V2O5:H2O4C2:Na2O:NaCl:EtOH:H2Oに関してモル比は、607:100:326:66:11:36:285であった。Na2SiO3122g溶液を脱イオン水DDW、12gで希釈し、この溶液に、NaOH36g及びDDW15gを含有したNaOH溶液とNaCl8g及びDDW15gを含むNaCl溶液とを激しく撹拌しながら添加した。別途に、バナジウムソースを製造するため、V2O522g、シュウ酸5g及びDDW20gを共に混合した。前記二つの溶液を共に混合し、30分後にEtOH20gを添加して反応混合物を収得した後、最終的に前記反応混合物を室温で14時間熟成させてゲル状の反応混合物を収得した。前記反応混合物を50mlテフロン-ライニングステンレススチールオートクレーブ内に注入して、前記オートクレーブを220°Cに予熱されたオーブンの中に入れて、適正条件下で72時間水熱反応させた。前記水熱反応の完了後、前記オートクレーブを室温に冷却させた後、遠心分離、充分な量のDDWで洗浄及び100°Cで1時間乾燥することでVSH-16を収得した。本実施例によって収得されたバナドシリケートVSH-16の粉末X線回折パターンとIRスペクトルは、図19a及び図19bにそれぞれ示し、SEM写真は図19cに示し、粉末X線回折ピーク分析は、下記表20に示したものと同一である。本実施例によって収得されたバナドシリケートVSH-16は、図19cに示したSEM写真に示すように、優れた結晶性を示した。しかし、比較例として従来、アメリカのHouston大学で合成した方法によってVSH-16を合成した場合、図20のSEM写真で確認できるように、純粋な結晶を得ることができなかった。[実施例16]バナドシリケートSVS-3の酸化誘導体前記実施例3で製造されたVIVバナドシリケートであるSVS-3を酸化剤Br2、CCl4溶解を利用して前記SVS-3試料内のV4イオンをV5イオンに酸化させ、SVS-3構造を維持しながらV5イオンを含有する新規バナドシリケートを製造した。前記SVS-3試料内のV4イオンのV5イオンへの酸化に対する分析は、EXAFS広域X線吸収微細構造:ExtendedX-rayAbsorptionFineStructure、ESR電子スピン共鳴法:ElectronSpinResonance及びSQUID超伝導量子干渉計:superconductingquantuminterferencedeviceを利用して行った。図24のEXAFS分析データによると、前記SVS-3試料内のV4イオンがV5イオンに50または100酸化されるにつれて、EXAFSピーク位置が変化することが分かり、このような点は、図24aに示したEXAFSピークに対する拡大グラフである図24bのEXAFSデータによって明確に分かる。前記SVS-3試料内のV4イオンのV5イオンへの酸化は、図25aに示したESR及び図25bに示したSQUID分析データによっても明確に分かる。図25bに示したSQUIDデータによると、VIVバナドシリケートであるSVS-3の磁気モーメントmは173BMであり、VVバナドシリケートであるSVS-3は磁化率Magneticsusceptibility値を示さないが、前記VIVバナドシリケートSVS-3内のV4イオンの50がV5イオンに酸化される場合、特異な磁化率Magneticsusceptibility値を示すことが分かる。<実施例及び比較例の比較検討>従来の製造方法に使用されるVOSO4V4ソースの代わりにV2O5V5ソースが使用されるという事実にもかかわらず、実験過程でNa2SiO3、V2O5、KOH、還元剤シュウ酸、エタノールとDDW脱イオン蒸留水、そして必要な場合、H2SO4を含む反応混合物ゲルから新規バナドシリケート及び優れた結晶性を有するAM-6-Yが容易に収得された。このような本願による前記製造方法によって既存に知られたバナドシリケートだけでなく、前記実施例1~7で製造された新規バナドシリケートも容易でかつ効率的に製造することができる。比較のために、AM-6-RA、AM-6-S-TMA及びAM-6-S-NH3も製造した。粉末X線回折パターンを通じてAM-6-YがETS-10構造を有することを確認することができ、AM-6-YがAM-6-RAとは違って石英のような不純物で汚染されなかったことを示した図8。図9a~cに示すように、AM-6-Y結晶のSEM電子走査顕微鏡イメージ図9aは、その結晶の平均a/c比が138で、表面が非常に滑らかな典型的なトランケイテッド八面体truncatedoctahedron状を採択していることを示した。対照的に、AM-6-RAの典型的なa/c比は08で、多くの結晶は粗くて割れた面を有している図9b。AM-6-S-TMAの結晶の形態は不規則で表面は非常に粗い図9c。図10のTEM透過電子顕微鏡イメージを通じてAM-6-YがAM-6構造を有することを確認することができ、欠陷defectがあり、同質異像polymorphであるAとBとの混合物であることを見出した。AM-6-Y、AM-6-RA及びAM-6-S-TMAの平均収得率は、それぞれ84、49及び48バナジウム量を基準にであるが、本願に開示のAM-6-Y合成過程では、バナジウムソースとして安価なV2O5を使用するという点だけでなく、より高い収得率を提供するという点でも、さらに経済的である。それに、AM-6-RAとAM-6-S-TMAとの平均合成反応時間が3日以上であるが、AM-6-Yは、220°Cで20時間であり、より短い反応時間の間に容易に製造されることができる。空気を溶出気体として利用した初期AM-6サンプルのTGA熱重量分析を通じて500°Cまで水の損失が続き、AM-6-S-TMAは、実際に有機鋳型を含有していることが分かる。AM-6-RAの場合、ETS-10のTGA曲線のように、100-250°Cの温度範囲で水の損失量はAM-6-Yの場合より多い。これは、間接的にその中にETS-10コアがあることを示す。窒素吸着によって測定された初期AM-6-Y、AM-6-RA、AM-6-S-TMA、AM-6-S-NH3のBET表面積は、それぞれ395、417、81及び296m2g-1であった。AM-6-S-TMAの非常に少ない表面積は、気孔の大部分がTMAイオンで封鎖されていることを示す。AM-6-Y及びAM-6-RAの場合と比較して、AM-6-S-NH3で相当な表面積減少は、NH3を利用してTMAの除去後にその構造が部分的に損傷されたことを示す。AM-6-RAのN2-吸着等温線は、サンプル内にメソ孔があることを示す。そのようなメソ孔は、ETS-10コアとAM-6シェルとの間の境界で-Ti-O-Ti-O-V-O-V-陽子線をTi-O-Ti-OHとHO-V-O-V-の鎖で容易に分離させることで、前記ETS-10コアとAM-6シェルとの間に形成されるものとみえる。そのようなメソ孔が存在することによって、AM-6-YよりAM-6-RAがわずかに高い表面積を有する。多様な陽イオンK、Na、Ba2、Sr2、Ca2、Mg2、Pb2、Cd2及びZn2に対するイオン交換度は、それぞれに相応する塩の1モル溶液を使用してAM-6-Y、AM-6-RA、AM-6-S-TMA及びAM-6-S-NH3に対して得られた。前記イオン交換は、室温で150分間実施され、3回繰り返した。3回繰り返した後、イオン交換度は、AM-6-Y、AM-6-RA、AM-6-S-TMA及びAM-6-S-NH3に対して、それぞれ80~99、70~94、6~26及び60~77であった。従って、前記イオン交換度は、AM-6-Y>AM-6-RA>AM-6-S-NH3>>AM-6-S-TMAの順で増加した。このような結果を通じて、TMAイオンがAM-6チャンネルを封鎖し、TMAイオンを熱いNH3で処理して除去しても損傷しないAM-6の生成を誘導しないということが分かり、AM-6-S-TMA内のTMAイオンが初期pristine金属陽イオンの他の陽イオンとのイオン交換を相当妨害していることが分かる。初期ETS-10、AM-6-RA、AM-6-S-TMA、AM-6-S-NH3及びAM-6-Yのラマンスペクトルが図21aに比較されている。AM-6-Yは、869cm-1で現われるAM-6-RA及びAM-6-S-TMAの縦軸ストレッチング震動に比べて、少し青方偏移された871cm-1でV-O-Vの縦軸ストレッチング震動を示した。前記わずかな青方偏移は、AM-6-RA及びAM-6-S-TMAの場合に比べて、AM-6-Yのより高いK/Naの割合のためである非特許文献14。AM-6-RAのラマンスペクトルは、724cm-1で、常にV-O-Vの場合と共に、Ti-O-Ti縦軸ストレッチング震動をみせる。AM-6-S-TMAのラマンスペクトルは、756cm-1でTMAによる追加の弱いラマンバンドを示した。他のAM-6サンプルとは違って、AM-6-S-NH3は、V-O-Vストレッチングバンドを示さないが、これは、全てのV-O-V陽子線がTMAの除去過程の間に破壊されたことを示す図21a。本発明者は、300°Cで45分350°Cで3時間の代わりにだけNH3で処理しても、全てのV-O-V陽子線を破壊するに充分であることを見出した。真空下における熱的安全性の試験を通じて、V-O-V陽子線が180°Cで分解し始めるということを見出し図21b、これは、250°Cで分解し始めるETS-10内のTi-O-Ti陽子線よりAM-6内のV-O-V陽子線が熱的に安定していないことを示す非特許文献14。単位セル式MI2VSi5O13xH2Oに基づいて、理想的なAM-6内のそれぞれのV原子の酸化状態は4でなければならない。これは、それぞれのバナジウム原子は、一つの単電子を有し、従って、理論的な原子磁気モーメントμは173BMでなければならないことを意味する図21c。AM-6-RA、AM-6-S-TMA及びAM-6-S-NH3の測定されたμは、それぞれ147、152及び130BMであるが、AM-6-Yの測定されたμは176BMであった。この結果は、AM-6-Y内の大部分のバナジウム原子は4の酸化状態で存在し、他のAM-6サンプル内の相当量のバナジウムイオンは5酸化状態で存在することを示す非特許文献18-20。しかし、AM-6サンプルのESRスペクトルは、全て同様にみえるが、これは、ESRがV-O-V鎖の純度を区別する手段として適切でないことを示す。初期AM-6サンプルのTGAデータは470°C~520°Cの間で重さの増加が始まるということを示した。ETS-10は重さの増加をみせないので、前記重さ増加はV4からV5への酸化に起因して起こる。四つのAM-6サンプルとETS-10のUV-visスペクトルは、図22aに比較されている。それぞれのスペクトルは、UV領域で強い吸収帯を有しており、可視光とIR領域では相対的により弱い吸収帯を有している。UV領域の最大吸収波長λmaxsは、AM-6-S-TMA、AM-6-S-NH3、AM-6-Y、AM-6-RA及びETS-10に対して、それぞれ218、219、247、280及び285nmである。今後、詳細なスペクトル分析研究がさらに必要である。しかしながら、UV領域のスペクトルを比較すると、AM-6-RAがETS-10シードを含有していることを再度示す図22a。AM-6-S-TMAからAM-6-S-NH3への末端部の吸収線の大きな赤方偏移は、VO32-陽子線が熱いNH3でTMAイオンを除去する間に損傷されたことを示す。乾燥した状態で、K、Na、Ba2、Sr2、Ca2、Mg2、Pb2、Cd2及びZn2と交換されたAM-6-Yシリーズの電子吸収スペクトルを通じて、UV領域の吸収帯のλmaxとバンドギャップエネルギーEg、各吸収スペクトルの変曲点で判断は、漸次的に相手陽イオンの電気陰性度が増加するにつれて漸次的に赤方偏移するという事実が分かる図22b非特許文献22。前記結果は、AM-6-Yが多様な側面滑らかな表面を有し、ETS-10シードを含まず、孔を封鎖するTMAイオンを含まず、全てのV原子が4の酸化状態であり、高い質のVIVO32-陽子線を有する点で実質的に理想的な物質であることを示す。これは、VIVO32-陽子線図23の電子的転移の性質を研究することができる特有の機会を提供する。また、λmaxとEgとの吸収エネルギーは、骨格framework酸素δOfのサンダーソンの部分電荷側面で線形関係を示す図22c。この結果は、以前の研究結果LMCT非特許文献18及びチタン酸塩の陽子線の場合とは反対に、UV領域バンドは、V4-O2-の間の電荷伝達または金属-配位子の間の電荷伝達CTによって発生するという非常に興味深い事実を示す非特許文献14-16。本発明者らは、これが酸化物分子篩でMLCT相互作用を説明するための第一の例示と信じる。AM-6-RAとAM-6-S-NH3も同様な趨勢をみせる。UV領域バンドとは違って、可視光21eVと近赤外線11eVとの領域バンドは、陽イオンがPb2、Cd2及びZn2の場合を除いては、多様な反対陽イオンに対して位置が移動しなかった図22d。この結果は、以前の研究結果LMCT非特許文献18とは反対に、それらがV4のd-d転移のため起こることを示す。-O-V4O4-O-構造がETS-10のように平たいz-in正八面体の構造を採用していると仮定すると非特許文献16、23、24、11eV及び21eVでは、それぞれdxy→dx2-y2-及びdxy→dz2転移が起きるであろう。V2O5からAM-6-Yを合成するということは、AM-6-Y内の全てのV原子の酸化状態が4であるが、V2O5内のVの酸化状態が5という意味で実に興味深い。確実に、添加された酸及び/またはエタノールのようなアルコールなどの還元剤が合成する間、V2O5のV5をV4に還元させる作用をする。これにより、本願によってV2O5のような安価なバナジウムV5-含有化合物と還元剤とを利用して純粋なバナドシリケート分子篩を容易に製造することができる。本願による前記製造方法によって既存に知られたバナドシリケートだけでなく、前記実施例1~7で製造された新規バナドシリケートも製造することができる。以上、実施形態及び実施例を挙げて本願を詳しく説明したが、本願は、前記実施形態及び実施例に限らず、様々な多様な形態で変形されることができ、本願の技術的思想内で当分野で通常の知識を持った者によって様々な多くの変形が可能であることが明らかである。