EUV放射源であって、プラズマ形成位置に燃料の液滴を送るように構成された燃料供給源と、前記プラズマ形成位置におけるプラズマによって放出されたEUV放射を集めおよび反射するように構成され、それにより前記放射源の壁にあるアパーチャを横断するEUV放射ビームを与えるコレクタと、を含み、前記コレクタは、対応する完全な楕円体形状に関連して変形された楕円体形状を有する反射面を有し、それにより前記変形された楕円体形状は、前記完全な楕円体形状を有するコレクタで得られる強度均一性と比較して、3d/NAapより大きい、前記EUV放射ビームの伝播方向に沿った前記アパーチャからある距離において、集められたEUV放射の向上された強度均一性を与え、ここでdは前記アパーチャの直径であり、NAapは前記EUV放射ビームの開口数である、EUV放射源。前記コレクタの前記反射面の前記変形された楕円体形状は、前記完全な楕円体形状に対して外側に湾曲する内側部分と、前記完全な楕円体形状に対して内側に湾曲する外側部分とを含む、請求項1に記載のEUV放射源。前記完全な楕円体形状からの前記コレクタの偏差は、最大で、前記コレクタの前記直径の100分の1であり、前記偏差は前記コレクタの前記反射面に実質的に垂直な方向において測定される、請求項1または2に記載のEUV放射源。完全な楕円体形状からの前記コレクタの偏差は、前記コレクタの前記直径の10000分の1以上であり、前記偏差は前記コレクタの前記反射面に実質的に垂直な方向において測定される、請求項1から3のいずれかに記載のEUV放射源。前記コレクタの形状は、前記EUV放射源の光軸を中心とする余弦級数に従って前記完全な楕円体形状から偏差し:ここで、dZrは前記楕円体形状からの前記コレクタ形状の偏差であり、Aiおよびkiは定数であり、rは前記光軸からの半径方向距離である、請求項1から4のいずれかに記載のEUV放射源。前記コレクタの形状は、前記EUV放射源の光軸を中心とする余弦関数に従って前記完全な楕円体形状から偏差する、請求項1から4のいずれかに記載のEUV放射源。前記プラズマ形成位置は、前記コレクタの焦点に対して変位しており、前記変位は前記コレクタの方向にある、請求項1から7のいずれかに記載のEUV放射源。請求項1から7のいずれか一項に記載の前記EUV放射源と、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与しそれによりパターン付き放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、を含むリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置はアパーチャを含み、前記コレクタ形状は、前記コレクタが前記アパーチャを通過させる、前記プラズマによって放出された放射の十分な合焦を与えるように構成される、請求項8に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置はアパーチャを含み、前記コレクタ形状は、前記集められた放射の少なくとも90が前記アパーチャを通過し、残りは前記アパーチャによってクリッピングされるように前記プラズマによって放出された放射の十分な合焦を与えるように構成される、請求項9に記載のリソグラフィ装置。前記アパーチャは、前記EUV放射源と前記照明システムとの間に配置される、請求項8に記載のリソグラフィ装置。EUV放射を発生させる方法であって、燃料供給源を用いてプラズマ形成位置に燃料の液滴を送ることと、コレクタを用いて前記プラズマ形成位置におけるプラズマによって放出されたEUV放射を集めてEUV放射ビームを与えることと、前記EUV放射ビームを、アパーチャを通るように案内することと、を含み、前記コレクタは、対応する完全な楕円体形状に関連して変形された楕円体形状を有する反射面を有し、それにより前記変形された楕円体形状は、前記完全な楕円体形状を有するコレクタで得られる強度均一性と比較して、3d/NAapより大きい、前記EUV放射ビームの伝播方向に沿った前記アパーチャからある距離において、集められたEUV放射の向上された強度均一性を与え、ここでdは前記アパーチャの直径であり、NAapは前記EUV放射ビームの開口数である、方法。前記コレクタの前記反射面に、完全な楕円体形状に対して外側に湾曲する内側部分と、前記完全な楕円体形状に対して内側に湾曲する外側部分と設けることをさらに含む、請求項12に記載の方法。0020図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置100を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、-放射ビームB例えばEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクまたはレチクルMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば反射投影レンズシステムPSと、を含む。0021照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。0022サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0023パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路といったターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。0024パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型alternating位相シフト、およびハーフトーン型attenuated位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。0025投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の光学コンポーネントを含みうる。EUV放射には真空を用いることが望ましく、これは、他のガスは放射を吸収し過ぎることがあるからである。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。0026本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい例えば反射型マスクを採用する。0027リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってもよい。そのようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0028図1を参照すると、イルミネータILは、EUV放射源を含む放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線EUVビームを受け取る。EUV光を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、物質を、EUV範囲内の1本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも1つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマLPPと呼ばれるこのような方法の1つでは、必要とされるプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する物質の液滴、ストリームまたはクラスタといった燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを提供するための、図1には図示しないレーザを含むEUV放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばEUV放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射源コレクタを使って集められる。例えばCO2レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。0029その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合DPP源と呼ばれる放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0030イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、ファセットフィールドデバイスおよび瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。0031放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えばマスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えばマスクMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使い、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えばマスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えばマスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされうる。0032例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00331.ステップモードでは、サポート構造例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。00342.スキャンモードでは、サポート構造例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えばマスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。00353.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えばマスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0036上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0037図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムIL、および投影システムPSを含むリソグラフィ装置100をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールSOは、放射源コレクタモジュールSOの囲い構造220内に真空環境が維持可能であるように構成される。0038放射源コレクタモジュールSOは、レーザLAによって発生されたレーザ放射を受け取るEUV放射源を含む。レーザLAは、燃料供給源200から提供されるキセノンXe、スズSn、またはリチウムLiといった燃料にレーザビーム205を介してレーザエネルギーを堆積するように構成され、それにより、数十eVの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ210が生成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、コレクタCOによって集められ合焦される。0039コレクタCOによって反射される放射は、仮想放射源点IFに合焦される。放射が反射される結果、仮想放射源点に向けて収束するEUV放射ビームが提供される。仮想放射源点IFは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールSOは、中間焦点IFが囲い構造220内の開口250にまたは付近に位置付けられるように配置される。仮想放射源点IFは、放射放出プラズマ210の像である。0040次に、放射は照明システムILを通過する。照明システムILは、パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21の所望の角分布を、かつ、パターニングデバイスMAにおいて所望の放射強度均一性を与えるように構成されたファセットフィールドミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含みうる。サポート構造MTによって保持されるパターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21が反射されると、パターン付きビーム26が形成され、このパターン付きビーム26は、投影システムPSによって、反射素子28、30を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルWTによって保持される基板W上に結像される。0041通常、図示されるよりも多くの素子が、照明システムILおよび投影システムPS内にあってよい。さらに、図に示すものよりも多くのミラーが存在してよく、例えば、図2に示すものよりも6個もの追加の反射素子が投影システムPSにあってよい。0042従来のリソグラフィ装置では、コレクタCOは楕円体形状である。本発明の実施形態では、コレクタは変形された楕円体である。変形された楕円体との用語は、ほぼ楕円体であるが、変更点を含んでもはや完全な楕円体形状ではない形状を意味することを意図している。0043図3aは、リソグラフィ装置の一部を形成する本発明の一実施形態によるEUV放射源の拡大図である。図3aでは、コレクタCOを照明システムの第1のミラー22と共に示す。図3aには、例えば放射源コレクタモジュールSOの壁WAおよび/またはイルミネータILの壁によって形成されうるアパーチャ250も示す。コレクタCOにおけるEUV放射の反射によって得られるEUV放射がアパーチャを通過する。放射源コレクタモジュールSOとイルミネータIL内の真空条件は異なってよく、例えばイルミネータ内の真空は放射源コレクタモジュール内の真空よりも高い。この場合、放射源コレクタモジュールとイルミネータとの間にアパーチャ250を設けて、例えば放射源コレクタモジュールSOからイルミネータILへのガスの流れを減少することが望ましい。0044コレクタCOは、中心位置に孔230が設けられ、この孔は励起レーザ例えばCO2レーザによって発生されたレーザビーム205を収容できるほど大きい。孔230およびアパーチャ250は共に、図3aに点線で示す光軸OA上にある。0045使用時、ターゲット物質の液滴が、燃料供給源図3aには図示せずによってプラズマ形成位置に向けられる。レーザビーム205はコレクタCOの孔230を通過し、燃料液滴に入射する。レーザビーム205は燃料液滴を蒸発させ、それによりプラズマ形成位置においてプラズマ210が生成される。0046プラズマ210によって放出された放射はコレクタCOによって集められ、反射されたEUV放射ビームはアパーチャ250を介して合焦される。EUV放射ビームはアパーチャ250を通過し、イルミネータの第1のミラー22に入射する。一実施形態では、第1のミラー22はファセットミラーであってよい。第1のミラー22は任意の好適な光学素子であってよい。第1のミラー22は、説明の便宜上、光軸OAに対し垂直であるように示す。実際には、第1のミラー22は光軸OAに対し非垂直であってよく、したがって第1のミラー22は放射を第2のミラー24図2参照に向けて誘導しうる。0047コレクタCOは、対応する完全な楕円体形状に関連して変形された楕円体形状を有する反射面を有する。コレクタCOは、完全な楕円体形状を有するリフレクタではない。比較を容易にするために、図3aに、完全な楕円体を破線300で示す。図3aを参照すると、コレクタCOの反射面の内側部分すなわち、光軸OAに最も近い部分は、完全な楕円体形状に対して外側に湾曲していることが分かるであろう。この文脈において外側に湾曲するという表現は、コレクタCOの反射面が完全な楕円体形状300の外側にあるようにさせる湾曲を意味するものとして解釈されうる。同様に、コレクタCOの反射面の外側部分すなわち、コレクタの外縁に近い部分は、完全な楕円体形状に対して内側に湾曲している。この文脈において内側に湾曲するという表現は、コレクタCOの反射面が完全な楕円体形状300の内側にあるようにさせる湾曲を意味するものとして解釈されうる。完全な楕円体形状の内側にあるコレクタCOの反射面の部分への言及は、コレクタの反射面の当該部分が、完全な楕円体形状300が伸張されて完全な楕円体を形成する場合に形成されうる形状の内側にあることを意味するものとして解釈されうる。同様に、完全な楕円体形状の外側にあるコレクタの一部の反射面への言及は、コレクタの反射面の当該部分が、完全な楕円体形状300が伸張されて完全な楕円体を形成する場合に形成されうる形状の外側にあることを意味するものとして解釈されうる。0048中間位置240において、コレクタCOの反射面は完全な楕円体形状と交差する。0049図3aおよび図3bに、コレクタCOの変形された楕円体形状の効果を示す。図3aは、EUV放射をコレクタCOの外側部分へと進む光線として示し、図3bは、放射をコレクタの内側部分へと進む光線として示す。これらの光線を別々の図面に示すことで図面を過剰に複雑にすることを回避している。0050図3aに示す従来のコレクタ300をまず取り扱う。プラズマ310は破線で示す放射を発生させ、この放射はコレクタ300の外側部分へと進み、コレクタによって反射される。反射された放射は、アパーチャ250における中間焦点IFを通過し、第1のミラー22に入射する。本発明の実施形態のコレクタCOが用いられる場合、プラズマが形成される位置は、左に移動する図3aにはZ方向と示す。したがって、プラズマは、位置310ではなく位置210において発生される。プラズマ310によって発生された放射はコレクタCOへと進み、コレクタによって反射される。放射は、アパーチャ250を通過するが、アパーチャにおける中間焦点には合焦されない。代わりに、放射はアパーチャ250の少し後方で合焦される。放射は、例えばアパーチャから遠く離れて合焦されるのではなくアパーチャ250の少し後方で合焦されるので、依然としてアパーチャを通過できる。放射は、以下にさらに説明するように、アパーチャ250を通過する際にクリッピングされうる。放射は第1のミラー22に入射する。図3aから分かるように、放射は、従来のコレクタ300によって集められた放射よりも光軸OAに近い。0051図3bに示す従来のコレクタ300を参照するに、プラズマ310は破線で示す放射を発生させ、この放射はコレクタ300の内側部分へと進み、コレクタによって反射される。反射された放射は、アパーチャ250における中間焦点IFを通過し、第1のミラー22に入射する。本発明の実施形態のコレクタCOが用いられる場合、プラズマは、位置310ではなくて位置210において発生される。プラズマ210によって発生された放射は、コレクタCOへと進み、コレクタによって反射される。この放射はアパーチャ250を通過するが、アパーチャにおける中間焦点において合焦されない。代わりに、この放射はアパーチャ250の少し前方で合焦される。放射は、アパーチャ250を通過する際にクリッピングされうる。放射は第1のミラー22に入射する。図から分かるように、放射は、従来のコレクタ300によって集められた放射よりも光軸OAから離れている。0052図3aおよび図3bは、本発明の一実施形態によるコレクタCOの効果を概略的に示すことを意図している。これらの図はコレクタCOの形状の厳密な指示を与えることを意図していない。コレクタCOの形状は図4を参照してより理解できるであろう。0053図4は、コレクタの中心コレクタの中心は光軸OAに対応するからの半径方向距離rの関数として、完全な楕円体形状からのコレクタCOの反射面の偏差dZを示すグラフである。コレクタCOの反射面が完全な楕円体形状を有したのならば、グラフは、dZ=0において直線となる。そうではなくて、コレクタCOは完全な楕円体形状とは異なるコレクタCOは変形された楕円体形状であることがグラフから分かるであろう。0054コレクタCOの内側部分すなわち、光軸OAに最も近い部分は、最大約400μmで完全な楕円体形状に対して外側に湾曲する。光軸OAからの半径方向距離は、光軸から約180mmの半径方向距離である位置240まで、外側への湾曲の深度が減少すると増加し、反射面は完全な楕円体形状と交差する。この点240は、図3aおよび図3bに示す位置240に対応する。光軸から約180mmを超えると、コレクタCOは完全な楕円体形状に対して内側に湾曲する。内側湾曲の高さは、最大で約500μmまで半径方向距離と共に増加する。0055コレクタCOの形状の別の説明としては、コレクタは完全な楕円体形状から次の通りに変形される。すなわち、楕円体を中間半径方向位置240に固定し、中間位置240と光軸OAとの間の半径方向位置に楕円の焦点をZ方向に移動させ、中間位置24の外側の半径方向位置において楕円の焦点を-Z方向に移動させる。0056図4から推察されうるように、完全な楕円体形状からのコレクタCOの反射面の偏差dZは、余弦級数によって表されうる。ここでAiおよびkiは定数であり、rは光軸からの半径方向距離である。例えばミラー22の位置といったように、EUVビームの伝播方向におけるアパーチャ250から離れた位置での放射強度の均一性には、式1の高次項はあまり影響を与えないという場合がありうる。これが当てはまる場合、式1はに簡約することができる。ここで、Dはコレクタの直径である。0057完全な楕円体形状からのコレクタCOの反射面の偏差dZは、コレクタCOがもはや完全な楕円体形状でなくなるような偏差である。したがって、コレクタは、一意の第2の焦点に完全に結像されうる一意の第1の焦点を有さない。プラズマ発生位置210は、コレクタCOの近似焦点と呼ばれうるものに近い。0058一実施形態では、コレクタの湾曲ddZ/dr/drにおける変化反射面の二次導関数は、光軸OAの近くおよびコレクタCOの外周近くでは最小である。Zおよび-Z方向における並進は、光軸OAの近くおよびコレクタCOの外周の近くでは最大である。0059一実施形態では、コレクタCOの反射面の形状は、光軸OA周りで回転対称である。つまり、形状は方位角とは無関係で光軸OAからの半径方向距離にのみ依存する。0060図4は、完全な楕円体形状に対するコレクタCOの反射面の特定の寸法セットを示すが、コレクタの反射面は他の寸法を有してもよい。例えば完全な楕円体形状からのコレクタの偏差dZは、最大で、コレクタの直径の100分の1例えば600mmの直径を有するコレクタに対して最大6mmでありうる。例えば完全な楕円体形状からのコレクタの偏差dZは、コレクタの直径の10000分の1以上例えば600mmのコレクタに対して0.06mm以上でありうる。偏差dZは、コレクタCOの反射面に実質的に垂直な方向に測定されうる。0061本発明のコレクタCOの効果は、第1のミラー22における放射ビーム強度の空間変化率を減少することである。つまり、強度の均一性が向上される。0062強度の均一性は遠視野において向上される。遠視野とは、角度視野分布angularfielddistributionが放射源からの距離と実質的に無関係である場所と考えられうる。本発明の文脈では、遠視野は、3d/NAapより大きい、EUV放射の伝播方向に沿ったアパーチャ250からある距離における強度分布の場所として定義され、ここで、dはアパーチャ250の直径であり、NAapはアパーチャ250を横切るEUV放射ビームの開口数である。本説明において、第1のミラー22における強度の均一性に言及する場合、これは、遠視野における強度の均一性を言及してことと同じと見なされうる。0063図5は、従来技術の楕円体形状コレクタ300から生じる、光軸OAからの半径方向距離の関数として第1のミラー22に入射する放射の正規化された強度Iを示すグラフである。このグラフはシミュレーションを用いて生成された。図5から分かるように、光軸OAでは第1のミラー22に入射する放射はない。これは、コレクタ300に孔230があることによる図3aおよび図3b参照。光軸からの半径方向距離が増加するにつれて、放射の強度も最大値1に正規化されるまで急増し、次に光軸から約150mmの半径方向距離で0.3未満に下がる。0064図5に示す放射強度プロファイルは、従来技術のコレクタ300の楕円体形状と、コレクタの反射面の有効性における変動との組み合わせによってもたらされたものである。反射面は多層コーティングを含み、このコーティングの層は、コレクタによって建設的干渉が発生するように選択された厚さを有する。この建設的干渉は反射をもたらす。光軸OAからの半径方向距離が増加するにつれて、多層構造体が建設的干渉を与える有効性は減少し、したがって、コレクタの反射性も減少する。多層コーティングの効率におけるこの減少が、コレクタの形状と共に図5に示す強度プロファイルをもたらす。0065図6は、図4に示す形状を有するコレクタCOから生じる、光軸OAからの半径方向距離の関数として第1のミラー22に入射する放射の正規化された強度を示すグラフである。図6はシミュレーションを用いて生成された。図5と同様に、光軸OAでは第1のミラー22に入射する放射はない。さらにこれも図5と同様に、放射の強度は最大値1に正規化されるまで急増する。次に放射の強度は、光軸からの反射距離の関数として減少する。しかし、図5では150mmの半径方向距離における半径方向強度は0.3未満であったのに対し、約150mmでの半径方向強度は0.3をかなり上回っている。したがって、本発明の実施形態によるコレクタは、第1のミラー22の面に亘って放射の強度が減衰する速度を減少する。強度の均一性が向上された。0066本発明の実施形態は、第1のミラー22に亘って放射強度が減少する速度の相当な減少を与える。強度減少の速度は、例えば20以上で、例えば最大30で減少されうる。0067完全な楕円体形状からのコレクタCOの変更は、2つの競合する効果を提供すると考えられうる。図3bを参照するに、コレクタCOの外側に湾曲した内側部分は、従来のコレクタ300よりも強い湾曲を有し、遠視野における放射ビームにおけるエネルギーを外側に移動させる。図3aを参照するに、プラズマ210とコレクタCOの外側部分との間の距離が減少することによって、遠視野における放射ビームにおけるエネルギーを内側に移動させる。これらの2つの効果間のバランスは、半径方向距離によって変動する。コレクタCOの内縁では、放射の外側エネルギー再分布はさほど大きくはない。外側エネルギーの再分布は、中間点240に到達するまで半径方向距離が増加するにつれて大きくなる。この中間点240を超えると、エネルギーの再分布は外側ではなく内側となる。内側エネルギー再分布は、外側エネルギー再分布より弱く、したがって、コレクタCOは正味の外側エネルギー再分布を与える。0068上に詳述したように、完全な楕円体形状からのコレクタ形状の偏差は余弦関数でありうる。この場合、コレクタCOによって与えられるエネルギー再分布は、余弦関数の導関数、すなわち正弦関数によって左右されうる。これは、コレクタCOの内縁では比較的弱いが内縁からの距離が増加するにつれて大きくなる外側エネルギー再分布を与える。正弦関数、したがって、外側エネルギー再分布は、中間点240において最大値に到達し、次にコレクタCOの外縁においてゼロに徐々に小さくなる。プラズマ発生位置210の従来の位置310からの変化によって、プラズマをコレクタCOの外縁の近くに移動し、さほど大きくない内側エネルギー再分布を与える。このさほど大きくない内側エネルギー再分布は、遠視野における放射ビームが、強度均一性の著しい向上を与えることなく単に大きくなることを防ぐ。0069図5および図6に示す強度プロファイルは正規化されているので、図5および図6では第1のミラー22におけるピーク強度間の差は明らかではない。しかし、本発明の実施形態を用いた場合、第1のミラー22に亘る半径方向強度はよりゆっくりと減衰するので、所与の総放射強度に対して、第1のミラー22に入射するピーク放射は減少されることになる。第1のミラー22に入射する放射のピーク強度を減少することは、ミラーが放射によって損傷される可能性を低くするので有利である。0070図6に示す強度プロファイルは均一ではないが、図5に示す強度プロファイルに比べると均一性が向上されている。均一性が向上された強度プロファイルを与えることは、イルミネータILによってより均一な放射ビームが形成可能となるので、有利である。イルミネータILの主目的は、パターニングデバイスMAにおいて滑らかな強度プロファイルを有する放射を与えることである。本発明は、イルミネータILに入る放射の強度プロファイルを向上させることによって、イルミネータILがパターニングデバイスMAにおいてより滑らかな強度プロファイルを有する放射を与えることを可能にする。これは、パターンがパターニングデバイスMAから基板W上に投影される図2を参照精度を向上することを助けうる。0071別の手法では、パターニングデバイスMAにおける放射の均一性が所定の閾値内に収まりさえすればよければ、本発明は、イルミネータILの光学部品をあまり複雑ではない光学部品と取り替えてもこの要件を満たし続けることを可能としうる。例えば、第1のミラー22を構成するフィールドファセットミラーの数および第2のミラー24を構成する瞳ファセットミラーの数を少なくすることができる。0072コレクタの反射面のプロファイルが、楕円体形状から変更される程度は、コレクタCOと第1のミラー22との間に配置されたアパーチャ250によって制限されうる例えば図3aを参照。コレクタ形状を完全な楕円体形状から変更することの効果を図3aに概略的に示す。コレクタCOの外側部分から反射された光線は、アパーチャ250において合焦されておらず、代わりに放射ビームは、アパーチャにおいて有限直径を有する。この直径は、アパーチャ250の直径よりも小さくなるよう制御されうる。アパーチャにおける放射ビームの直径は、式1の定数Aの振幅を介して制御されうる定数Aを減少すると、放射ビームの直径も減少する。0073一実施形態では、アパーチャ250は所与の直径を有し、また、実質的に全ての放射がアパーチャ250を通過することがリソグラフィ装置の要件でありうる。このことは、コレクタの反射面の半径方向のプロファイルが完全な楕円体形状から変更されうる程度を制限しうる完全な楕円体形状は最強の合焦を与える。これは、翻って、第1のミラー22における半径方向強度プロファイルの均一性が向上されうる度合いを制限しうる。0074幾つかの場合では、放射ビームの一部をアパーチャ250によってクリッピング可能とすることが可能でありうる。例えば放射ビームの1~10またそれ以上をアパーチャ250によってクリッピングしてもよい。放射ビームの一部をクリッピング可能とすることによって、クリッピングがない場合の半径方向強度プロファイルと比べて第1のミラー22における半径方向強度プロファイルの均一性が向上されうる。これは、クリッピングによって、完全な楕円体形状からのコレクタの反射面の形状の更なる変更が可能となるからである。0085一般に、光学的効果を有するアパーチャ250について、より大きい直径を有するアパーチャが、コレクタの反射面の形状を完全な楕円体形状からさらに変更することを可能にする。このことは、翻って、第1のミラー22においてより良好な強度均一性を達成することを可能にする。例えば12mmの直径を有するアパーチャは、6mmの直径を有するアパーチャに比べて第1のミラー22においてかなり向上された強度プロファイルを可能にしうる。図7は、12mmの直径を有するアパーチャについて、シミュレーションを用いて計算された第1のミラー22における強度プロファイルを示す。著しいピークが、強度プロファイルの中心の近くに依然として存在するが、プロファイル全体に亘ってすなわち、第1のミラーに亘って強度のはるかに大きい部分がより均等に広がっていることが分かるであろう。0076アパーチャ250は、例えば2mm以上の直径を有しても、15mmより大きい直径を有してもよい。アパーチャ250は、例えば30mm以下の直径を有しても、例えば15mm未満の直径を有してもよい。0077幾つかの場合では、アパーチャ250は十分に大きくて、著しい光学的効果がないことがある例えば20mm超の直径。この場合、コレクタの反射面の形状は、アパーチャ250の効果を考慮に入れることなく、第1のミラー22における所望の放射強度プロファイルを与えるように選択されうる。0078本発明の実施形態は、上述したようにアパーチャ250における放射の幾らかの合焦ずれを与える。瞳面におけるこの合焦ずれは、リソグラフィ装置内の他の瞳面においても放射の焦点がずれるという利点を与えうる。例えば図2を参照するに、放射はイルミネータILの第2のミラー24においてその焦点がずれうる。これは、第2のミラー24を高い強度の放射が損傷する可能性を低くしうる。0079有利な効果を与えるコレクタ形状を計算しうる1つの方法は、マスワークスMathworksから入手可能であるマットラブMatlabといったプログラム上でのシミュレーションランを用いることである。このシミュレーションは、遠視野における半径方向強度プロファイルを、コレクタ収差ベクトルの関数として計算するように構成され、コレクタ収差ベクトルは、完全な楕円体からのコレクタの偏差dZのフーリエ係数である。シンプレックスSimplex法を用いてメリット関数を計算しうる。メリット関数は、4乗にされた、アパーチャ250を通る透過率によって除算された標準偏差プロファイルでありうる。プラズマの位置は、このシミュレーションにおいて光軸OAに沿って移動可能にされうる。0080本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0081光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0082レンズという用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0083用語EUV放射は、例えば13~14nmの範囲内といった5~20nmの範囲内、または、6.7nmまたは6.8nmといった5~10nmの範囲内の波長を有する電磁放射を包含しているとみなしてよい。0084以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。