"アN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂Pを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下である、請求項1に記載のパターン形成方法。前記繰り返し単位Aが、N-メチロール系の部分構造を2個以上有する、請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記樹脂Pが、更に、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位Bを有する樹脂である、請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記樹脂Pが、前記繰り返し単位Aとは異なる、水酸基を有する繰り返し単位Cを有する樹脂である、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記繰り返し単位Cが、脂肪族環状構造を有する繰り返し単位である請求項5に記載のパターン形成方法。前記繰り返し単位Bが、脂肪族環状構造を有する繰り返し単位である、請求項4~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。更に、エ有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。請求項11に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項13に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明の目的は、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュード、及び、ドライエッチング耐性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイスを提供することにある。本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記課題が解決される。1アN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂Pを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。2前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下である、上記1に記載のパターン形成方法。3前記繰り返し単位Aが、N-メチロール系の部分構造を2個以上有する、上記1又は2に記載のパターン形成方法。4前記樹脂Pが、更に、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位Bを有する樹脂である、上記1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。5前記樹脂Pが、前記繰り返し単位Aとは異なる、水酸基を有する繰り返し単位Cを有する樹脂である、上記1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。6前記繰り返し単位Cが、脂肪族環状構造を有する繰り返し単位である、上記5に記載のパターン形成方法。7前記繰り返し単位Bが、脂肪族環状構造を有する繰り返し単位である、上記4~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。8感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、上記1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。9前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、上記1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。10更に、エ有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、上記1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。11上記1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。12上記11に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。13上記1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。14上記13に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。15前記繰り返し単位Aが、2個以上のN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位である、上記1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。16前記N-メチロール系の部分構造が、下記一般式L-1で表される部分構造である、上記1~10及び15のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式L-1に於いて、RL1は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。pは1又は2を表す。qは2-pで表される整数を表す。は、繰り返し単位Aを構成する他の原子との結合手を表す。17更に、酸の作用により前記樹脂Pを架橋する化合物を含有する、上記1~10、15及び16のいずれか1項に記載のパターン形成方法。18更に、2個以上の水酸基を有する、分子量2000以下の低分子化合物を含有する、上記1~10、15~17のいずれか1項に記載のパターン形成方法。19更に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を含有する、上記1~10、15~18のいずれか1項に記載のパターン形成方法。20更に、塩基性化合物を含有する、上記1~10、15~19のいずれか1項に記載のパターン形成方法。本発明によれば、ラインウィズスラフネスLWR等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュード、及び、ドライエッチング耐性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイスを提供できる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線EB等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明のパターン形成方法は、アN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂Pを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む。N-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂Pを使用する本発明のパターン形成方法が、有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュード、及び、ドライエッチング耐性に優れる理由は定かではないが以下のように推定される。有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う場合、レジスト膜における溶解コントラストが低いとパターン境界部が部分的に溶解してしまい、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能や露光ラチチュードを悪化させてしまう。しかしながら、本発明においては、樹脂と、露光部において架橋反応を起こす部位架橋性部位、すなわち、N-メチロール系の部分構造とが予め結合した構成となっているため、露光部において、樹脂間の架橋反応のみで、硬化反応は完了するすなわち、硬化性が高い。これにより、未露光部と露光部の有機溶剤を含む現像液に対する溶解速度差を高いものにできる換言すれば、溶剤コントラストを向上できる。このような、溶剤コントラストの向上が、ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、露光ラチチュードが優れることに寄与したものと考えられる。また、上記したように、露光部における硬化性は高く、これにより、ドライエッチング耐性が優れたものと考えられる。本発明のパターン形成方法は、更に、エ有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。リンス液は、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液であることが好ましい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程の後に、オ加熱工程を有することが好ましい。また、樹脂Pは、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂でもある。よって、本発明のパターン形成方法は、カアルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。本発明のパターン形成方法は、イ露光工程を、複数回有することができる。本発明のパターン形成方法は、オ加熱工程を、複数回有することができる。本発明のレジスト膜は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成される膜であり、例えば、基材に、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布することにより形成される膜である。以下、本発明で使用し得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物について説明する。また、本発明は以下に説明する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関するものでもある。本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、ネガ型の現像露光されると現像液に対して溶解性が減少し、露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像に用いられる。即ち、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、有機溶剤を含む現像液を用いた現像に用いられる有機溶剤現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物とすることができる。ここで、有機溶剤現像用とは、少なくとも、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、典型的にはレジスト組成物であり、ネガ型のレジスト組成物即ち、有機溶剤現像用のレジスト組成物であることが、特に高い効果を得ることができることから好ましい。また本発明に係る組成物は、典型的には化学増幅型のレジスト組成物である。[1]PN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂本発明のパターン形成方法に用いられる樹脂Pは、N-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有している。樹脂PにおけるN-メチロール系の部分構造は、上記したように、露光部において、架橋反応を引き起こす架橋性部位である。よって、樹脂Pを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成される膜を、露光し、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することにより、未露光部のみが現像液に溶解し、ネガ型のパターンを形成することができる。繰り返し単位繰り返し単位Aは、N-メチロール系の部分構造を有していれば、その他の構造は特に制限されないが、N-メチロール系の部分構造を2個以上有していることがより好ましい。ここで、N-メチロール系の部分構造とは、窒素原子に共有結合したメチロール系基を指す。よって、N-メチロール系の部分構造を2個以上有しているとは、2個以上のメチロール系基が異なる窒素原子に共有結合してなる形態のみならず、2個以上のメチロール系基が同一の窒素原子に共有結合してなる場合をも含む。N-メチロール系の部分構造は、例えば、下記一般式L-1で表される部分構造を指す。一般式L-1に於いて、RL1は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。pは1又は2を表す。qは2-pで表される整数を表す。は、繰り返し単位Aを構成する他の原子との結合手を表す。RL1におけるアルキル基としては、直鎖状あるいは分岐状のいずれであってもよく、炭素数1~20のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t‐ブチル基、n‐ペンチル基、n‐ヘキシル基、n‐オクチル基、n‐ドデシル基等が挙げられる。炭素数1~8のアルキル基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基がより好ましく、炭素数1~4のアルキル基が特に好ましい。RL1におけるシクロアルキル基としては、単環型あるいは多環型のいずれであってもよく、炭素数3~17のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルナニル基、アダマンチル基等が挙げられる。炭素数5~12のシクロアルキル基が好ましく、炭素数5~10のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数5~6のシクロアルキル基が特に好ましい。一般式L-1におけるRL1としては、水素原子、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1~6のアルキル基がより好ましく、水素原子、炭素数1~4のアルキル基が特に好ましい。繰り返し単位Aは、下記一般式L-2で表される繰り返し単位であることが好ましい。一般式L-2に於いて、RL2、RL3及びRL4は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Xは、各々独立に、単結合、又は、直鎖状又は分岐状の炭化水素基、環員としてヘテロ原子を含有しても良い環状の炭化水素基、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、-NR-Rは水素原子、アルキル基又は-CH2ORL1で表される基、及び、これらを組み合わせた基からなる群より選択されるr1価の基を表す。なお、-CH2ORL1で表される基におけるRL1は、上記一般式L-1におけるRL1と同義である。Lは、一般式L-1で表される部分構造を含む1価の有機基を表す。rは1~5の整数を表す。ただし、Xが単結合である場合、rは1である。RL2、RL3及びRL4におけるアルキル基の具体例及び好ましい例は、RL1におけるアルキル基において前掲したものと同様である。RL2、RL3及びRL4におけるシクロアルキル基の具体例及び好ましい例は、RL1におけるシクロアルキル基の上記具体例と同様である。RL2、RL3及びRL4におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子であることがより好ましい。RL2、RL3及びRL4におけるアルコキシカルボニル基のアルキル部位の具体例及び好ましい例は、RL1におけるアルキル基において前掲したものと同様である。RL2及びRL3は、各々独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。RL4は、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。直鎖状又は分岐状の炭化水素基としては、炭素数1~5の直鎖状又は分岐状の炭化水素基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状又は分岐状の炭化水素基が好ましい。環員としてヘテロ原子を含有しても良い環状の炭化水素基は、芳香族環基であっても、非芳香族環基であってもよい。芳香族環基における芳香族環としては、炭素数3~12のものが好ましく、より具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環等を挙げることができる。非芳香族環基における非芳香族環としては、炭素数4~12のものが好ましく、より具体的には、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、テトラヒドロフラン環等を挙げることができる。Lは、一般式L-1で表される部分構造を含む1価の有機基であれば特に限定されないが、一般式L-1で表される部分構造自体であることが好ましい。この場合であって、かつ、一般式L-1において、p=1すなわち、q=1である場合、一般式L-1で表される部分構造における2つの結合手は、一方のみがXに結合している場合であっても、一方がXに結合すると共に、他方が連結基例えば、アルキレン基、カルボニル基、-O-、-S-、-CO-、-SO2-又はこれらを組み合わせた基などを介してXに結合して環を形成する場合であっても良いが、一方のみがXに結合している場合、他方のは、水素原子、又は、1価の有機基例えば、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、-O-、-S-、-CO-、-SO2-又はこれらを組み合わせた基に結合することが好ましい。rは1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。上記一般式L-2で表される繰り返し単位は、下記一般式L-3で表される繰り返し単位であることが好ましい。一般式L-3に於いて、RL2、RL3、RL4、L及びrは、一般式L-2に於けるRL2、RL3、RL4、L及びrと同義であり、好ましい例も同様である。ただし、X’が単結合である場合、rは1である。X’は、一般式L-2に於けるXと同義である。以下に、繰り返し単位Aの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例において、R’は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。繰り返し単位Aは、1種で使用しても、2種以上で使用してもよい。繰り返し単位Aの含有量は、樹脂P中の全繰り返し単位に対して3モル以上であることが好ましく、5モル以上であることがより好ましく、10モル以上であることが更に好ましい。また、繰り返し単位Aの含有量は、樹脂P中の全繰り返し単位に対して、70モル以下であることが好ましく、65モル以下であることがより好ましく、60モル以下であることが更に好ましい。B酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位樹脂Pは、酸の作用により分解して極性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する繰り返し単位Bを更に含んでいることが好ましい。樹脂Pが極性基を生じると、有機溶剤を含む現像液との親和性が低くなり、不溶化ネガ化が更に促進されると考えられる。繰り返し単位Bは、極性基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。この極性基としては、例えば、フェノール性ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等の酸基が挙げられる。好ましい極性基としては、カルボキシ基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの極性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01及びR02のアリール基は、炭素数6~10のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアラルキル基は、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが結合して形成される環としては、シクロアルキル基単環若しくは多環であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数5の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。繰り返し単位Bは、シクロアルキル基やシクロアルキレン基等の脂肪族環状構造脂環構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。脂肪族環状構造における脂肪族環は、炭素数3~20の脂肪族環であることが好ましく、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などの単環のシクロアルカン環、ノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、アダマンタン環などの多環のシクロアルカン基環を好適に挙げることができる。酸分解性基としては、好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Pが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIにより表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、無置換である置換基を有していないことが好ましいが、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~8、ハロゲン原子、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。なかでも、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストをより向上させる観点から、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有さない置換基であることがより好ましく例えば、水酸基で置換されたアルキル基などではないことがより好ましく、水素原子及び炭素原子のみからなる基であることが更に好ましく、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが特に好ましい。樹脂Pは、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び/又は一般式IIにより表される繰り返し単位を有することがより好ましい。式I及びII中、R1及びR3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は1価の有機基を表す。R2、R4、R5及びR6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R9における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式AIのR9で記載したものと同様である。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R3は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基であることが好ましい。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式Iにおける各々と同義である。一般式IIにより表される繰り返し単位は、以下の一般式II-1により表される繰り返し単位であることがより好ましい。式II-1中、R3~R5は、それぞれ、一般式IIにおけるものと同義である。R10は置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。R10としては、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストを増大させる観点から、水素原子及び炭素原子のみからなる基が挙げられ、例えば、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。樹脂Pは、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び一般式IIにより表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましく、一般式Iにより表される繰り返し単位と一般式IIにより表される繰り返し単位とを含んだ樹脂であることも好ましい。また、他の形態において、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。本発明の樹脂が、繰り返し単位Bを有する場合、その合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20~80モルが好ましく、25~75モルがより好ましく、30~70モルが更に好ましい。また、この場合、繰り返し単位Bと繰り返し単位Aとのモル比は、5:95~95:5であることが好ましく、30:70~93:17であることがより好ましく、35:65~90:10であることが特に好ましい。好ましい繰り返し単位Bの具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、前述する一般式II-1におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。酸分解性樹脂が複数の繰り返し単位Bを含んでいる場合、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。C水酸基を有する繰り返し単位樹脂Pは、更に、繰り返し単位Aとは異なる、水酸基を有する繰り返し単位Cを有していることが好ましく、アルコール性水酸基を有する繰り返し単位であることが、より好ましい。樹脂Pに、水酸基を有する繰り返し単位Cを含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができ、諸性能例えば、感度、LWR、解像度、耐ドライエッチング性等を更に良化させることが可能となる。繰り返し単位Cにおける水酸基は、アルコール性水酸基であることが好ましい。すなわち、繰り返し単位Cにおける水酸基は、アルコール性水酸基を有する構造を形成していることが好ましい。本明細書において、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基フェノール性水酸基以外のものであれば限定されないが、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコールにおける水酸基以外のものが好ましい。繰り返し単位AにおけるN-メチロール系の部分構造との反応効率が向上する為、該水酸基は1級アルコール性水酸基水酸基が置換している炭素原子が、水酸基とは別に2つの水素原子を有する基、又は水酸基が置換している炭素原子に他の電子求引性基が結合していない2級アルコール性水酸基であることが好ましい。該水酸基は、特に1級アルコール性水酸基であることが好ましく、これにより、得られるパターンの形状をより良好なものにすることができる。アルコール性水酸基を有する構造としては、例えばヒドロキシアルキル基炭素数2~8が好ましく、炭素数2~4がより好ましい、ヒドロキシシクロアルキル基好ましくは炭素数4~14、ヒドロキシアルキル基で置換されたシクロアルキル基好ましくは総炭素数5~20、ヒドロキシアルコキシ基で置換されたアルキル基好ましくは総炭素数3~15、ヒドロキシアルコキシ基で置換されたシクロアルキル基好ましくは総炭素数5~20等が挙げられ、上述のように1級アルコールの残基が好ましく、-CH2n-OHnは1以上の整数、好ましくは2~4の整数で表される構造がより好ましい。繰り返し単位Cは、シクロアルキル基やシクロアルキレン基等の脂肪族環状構造脂環構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。脂肪族環状構造における脂肪族環は、炭素数3~20の脂肪族環であることが好ましく、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などの単環のシクロアルカン環、ノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、アダマンタン環などの多環のシクロアルカン基環を好適に挙げることができる。繰り返し単位Cは、水酸基を1個のみ有する繰り返し単位C1と、2個以上の水酸基を有する繰り返し単位C2とに大別できる。水酸基を1個のみ有する繰り返し単位C1としては、下記一般式I-1で表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式I-1中、Raは、水素原子、ハロゲン原子、又は、アルキル基を表す。L1は、単結合又は2価の連結基を表す。A1は、2価の炭化水素基を表す。R1は、水酸基又は水酸基を有する有機基を表す。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raのアルキル基の炭素数としては、炭素数1~4のものが好ましい。Raのアルキル基は、水酸基以外の置換基を有していても良く、例えば、ハロゲン原子などを挙げることができる。Raとして好ましくは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。L1の2価の連結基としては、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基を挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。A1の2価の炭化水素基の好ましい例としては、ノルボルニレン基、イソボルニレン基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ヘキサシクロヘプタデカニレン基、アダマンチレン基、ジアマンチレン基、スピロデカニレン基、スピロウンデカニレン基などを挙げることができ、これらのうち、アダマンチレン基、ジアマンチレン基、ノルボルニレン基がより好ましい。R1の水酸基を有する有機基としては、特に限定されないが、-L1’-OHで表される基を挙げることができる。ここで、L1’は2価の連結基を表し、その具体例としては、前記L1で説明したものと同様である。また、水酸基を有する有機基としては、水酸基を有するアルコキシ基例えば、2-ヒドロキシエトキシ基等や水酸基を有するフッ化アルキル基例えば、-CH2CCF32OHで表される基等も好適に挙げることができる。以下に繰り返し単位C1を例示するが、本発明は、これらに限定されない。具体例中、RXは水素原子又はメチル基を表す。また、2個以上の水酸基を有する繰り返し単位C2は、水酸基を2~8個で有するのが好ましく、2~6個で有するのがより好ましく、3~5個で有するのが特に好ましい。水酸基の個数を8個以下とすることにより、樹脂Pの有機溶剤を含む現像液に対する溶解性を確実に付与できるので、意図しない現像不良を起こすことなく、良好なパターンをより確実に形成することができる。2個以上の水酸基を有する繰り返し単位C2としては、一般式I-2で表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式I-2中、Ra’は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、又は、水酸基で置換されてもよいアルキル基を表す。L1は、単結合又は2価の連結基を表す。A1は、n11価の炭化水素基を表す。R1は、水酸基又は水酸基を有する有機基を表す。R1が複数存在する場合、R1は同じでも異なっていてもよい。n1は1以上の整数を表す。ただし、n1が1の時、Ra’は、水酸基、又は、水酸基で置換されたアルキル基を表し、水酸基で置換されたアルキル基であることが好ましい。Ra’のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Ra’の水酸基で置換されてもよいアルキル基の炭素数としては、炭素数1~4のものが好ましい。Ra’として好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、水酸基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。L1の連結基の具体例及び好ましい例としては、それぞれ、上記一般式I-1のL1として説明した2価の基を挙げることができる。A1のn11価の炭化水素基としては、直鎖若しくは分岐の脂肪族炭化水素基、又は、単環若しくは多環の脂環炭化水素基であることが好ましい。ここで、単環若しくは多環の脂環炭化水素基の環は、環を構成する原子として、酸素等のヘテロ原子を含んでいても良い。直鎖若しくは分岐の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数1~12のアルキル基が挙げられ、炭素数2~6のアルキル基が好ましい。上記単環の脂環炭化水素基としては、例えば、炭素数3~12のシクロアルキル基に由来する基、炭素数3~12のシクロアルケニル基に由来する基などを挙げることができ、好ましくは、炭素数3~7の単環式炭化水素基である。n11価の単環の脂環炭化水素基の好ましい例としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、2-テトラヒドロピラニル基の各基に由来する基などを挙げることができる。上記多環の脂環炭化水素基には、環集合炭化水素基例えばビシクロヘキシル基、架橋環式炭化水素基が含まれる。架橋環式炭化水素基としては、2環式炭化水素基、3環式炭化水素基、4環式炭化水素基などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素基には、縮合環式炭化水素基例えば、5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した基も含まれる。n11価の多環の脂環炭化水素基の好ましい例としては、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ヘキサシクロヘプタデカニル基、アダマンチル基、ジアマンチル基、スピロデカニル基、スピロウンデカニル基の各基に由来する基などを挙げることができ、これらのうち、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルニル基の各基に由来する基がより好ましい。A1のn11価の炭化水素基としては、直鎖若しくは分岐の脂肪族炭化水素基であっても、単環若しくは多環の脂環炭化水素基であってもよいが、ドライエッチング耐性の観点においては、単環若しくは多環の脂環炭化水素基であることが好ましく、多環の脂環炭化水素基であることがより好ましい。n1は、1~5の整数であることが好ましく、1~3の整数であることがより好ましい。R1の水酸基を有する有機基の具体例及び好ましい例としては、上記一般式Iで説明したR1と同様のものを挙げることができる。一般式Iで表される繰り返し単位において、Raとしての水酸基で置換されてもよいアルキル基、L1及びL1’としての2価の連結基、A1としてのn11価の炭化水素基、及び、R1としての水酸基を有する有機基は、それぞれ、更に、水酸基以外の置換基を有していても良く、そのような置換基としてはハロゲン原子、アルキル基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基を挙げることができる。繰り返し単位C2は、主鎖のα位例えば式I-2におけるRa’が置換されていても良いアクリル酸のエステルから誘導される繰り返し単位であることが好ましく、式I-2に対応する構造のモノマーから誘導されることがより好ましい。以下に繰り返し単位C2を例示するが、本発明は、これらに限定されない。繰り返し単位Cは、前述の繰り返し単位B及び後述する繰り返し単位D~Eのうち少なくとも1種が水酸基を有した構造であってもよい。樹脂Pが、繰り返し単位Cを有する場合、その含有量は、樹脂Pを構成する全繰り返し単位に対して、1~60モルであることが好ましく、3~50モルであることがより好ましい。特に、樹脂Pが、水酸基を1個のみ有する繰り返し単位C1を含有する場合、その含有量は、樹脂Pを構成する全繰り返し単位に対して、1~60モルであることが好ましく、5~55モルがより好ましく、10~50モルであることが更に好ましい。また、特に、樹脂Pが、2個以上の水酸基を有する繰り返し単位C2を含有する場合、その含有量は、樹脂Pを構成する全繰り返し単位に対して、一般的に1~40モル、好ましくは3~30モル、より好ましくは5~20である。D非極性基を有する繰り返し単位本発明の樹脂Pは、更に、非極性基を有する繰り返し単位Dを有することが好ましい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できるとともに、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。非極性基を有する繰り返し単位Dは、繰り返し単位中に極性基例えば前記酸基、水酸基、シアノ基等を含まない繰り返し単位であることが好ましく、後述するラクトン構造を有さない繰り返し単位であることが好ましい。このような繰り返し単位としては、一般式4又は一般式5で表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式中、R5は水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。Raは、複数存在する場合互いに独立に水素原子、水酸基、ハロゲン原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Raのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。nは0~2の整数を表す。R5は好ましくは少なくとも一つの環状構造を有する。R5における炭化水素基としては、例えば鎖状及び分岐の炭化水素基、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。R5は、ドライエッチング耐性の観点から、好ましくは単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基を含み、更に好ましくは多環式炭化水素基を含む。R5は、好ましくは-L4-A4-R4n4で表される基を表す。L4は単結合又は2価の炭化水素基を表し、好ましくは単結合、アルキレン基好ましくは炭素数1~3又はシクロアルキレン基好ましくは炭素数5~7を表す。A4はn41価の炭化水素基を表し、好ましくは単環又は多環の脂環炭化水素基を表す。n4は、0~5の整数を表し、好ましくは0~3の整数である。R4は炭化水素基を表し、好ましくはアルキル基好ましくは炭素数1~3又はシクロアルキル基好ましくは炭素数5~7を表す。鎖状及び分岐の炭化水素基としては、たとえば、炭素数3~12のアルキル基が挙げられる。単環式炭化水素基としては、たとえば、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基である。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基例えばビシクロヘキシル基、架橋環式炭化水素基が含まれる。架橋環式炭化水素基として、2環式炭化水素基、3環式炭化水素基、4環式炭化水素基などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素基には、縮合環式炭化水素基例えば、5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した基も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素基としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの基は更に置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基を挙げることができる。非極性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、水素原子、水酸基、ハロゲン原子又は置換基を有してもよい炭素数1~4のアルキル基を表す。Raのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raとして好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。樹脂Pが、繰り返し単位Dを有する場合、その含有量は、樹脂Pを構成する全繰り返し単位に対して、1~50モルであることが好ましく、5~30モルであることがより好ましい。Eラクトン構造を有する繰り返し単位樹脂Pは、ラクトン構造を有する繰り返し単位Eを含有してもよい。ラクトン構造はいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14、LC1-17であり、特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AII’で表される繰り返し単位が好ましい。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。特に好ましいラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン構造を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。ラクトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式IIIで表される単位を含有することが好ましい。式III中、Aは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、1~5の整数を表し、1であることが好ましい。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基、R7におけるアルキル基は、各々置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシルオキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数3~20のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造を有する1価の有機基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に一般式IIIで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式III-1で表される繰り返し単位がより好ましい。一般式III-1に於いて、R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式IIIと同義である。R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。mは、置換基数であって、0~5の整数を表す。mは0又は1であることが好ましい。R9のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としては水酸基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。mが1以上である場合、少なくとも1つのR9はラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。一般式III-1で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。本発明の効果を高めるために、2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式IIIの内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することも好ましい。樹脂Pが、ラクトンを有する繰り返し単位Eを含有する場合、その含有量は、樹脂Pを構成する全繰り返し単位に対して、15~70モルが好ましく、より好ましくは20~60モル、更に好ましくは30~50モルである。樹脂Pは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3有機溶剤に対する現像性、4膜べり親疎水性、極性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。なお、樹脂Pにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Pは実質的に芳香族基を有さない具体的には、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは5モル以下、より好ましくは3モル以下、理想的には0モル、すなわち、芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂Pが単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Pは、後述する樹脂Eを含んでいる場合、樹脂Pは、樹脂Eとの相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明の組成物に用いられる樹脂Pとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50モル以下であることが好ましい。本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、樹脂Pは、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明における樹脂Pは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開2009-037108号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を30°C~90°C程度で30分~4時間程度加熱するような工程を加えてもよい。本発明における樹脂Pの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~18,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。樹脂Pの分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.0~2.0、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつ、レジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、樹脂Pの組成物全体中の含有量は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明において、樹脂Pは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。あるいは、樹脂Pと、樹脂Pには該当しないその他の樹脂を併用して用いてもよい。その場合、全樹脂中、樹脂Pが50質量以上存在することが好ましい。特に、樹脂Pは、上記繰り返し単位Aに加えて、上記繰り返し単位B及び上記繰り返し単位Cの少なくとも一方を含有することが好ましく、上記繰り返し単位Cを含有することがより好ましく、上記繰り返し単位Bと上記繰り返し単位Cと含有することが更に好ましい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、上記したように、樹脂Pと、樹脂Pには該当しないその他の樹脂以下、単に、その他の樹脂とも言うとを含有する場合、樹脂P及びその他の樹脂の少なくとも一方が、上記繰り返し単位B及び上記繰り返し単位Cの少なくとも一方を含有することが好ましく、上記繰り返し単位Cを含有することがより好ましく、上記繰り返し単位Bと上記繰り返し単位Cと含有することが更に好ましい。[2]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B本発明において使用する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、酸発生剤ともいうを含有することが好ましい。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンとしては、下記式BIで表されるアリールスルホン酸を生じるアニオンも好ましい。式BI中、Arは、芳香族環を表し、スルホン酸基及びA基以外に更に置換基を有してもよい。pは、0以上の整数を表す。Aは、炭化水素基を有する基を表す。pが2以上のとき、複数のA基は同一でも異なっていてもよい。一般式BIについて更に詳細に説明する。Arにより表される芳香族環としては、炭素数6~30の芳香族環が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ペンタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、インデン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。上記芳香族環がスルホン酸基及びA基以外に有し得る置換基としては、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基等を挙げることができる。また、2以上の置換基を有する場合、少なくとも二つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。炭化水素基を有する基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンゾイル基、アセチル基、トリル基等のアシル基等が挙げられる。Aにより表される、炭化水素基を有する基における炭化水素基としては、非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられ、該炭化水素基の炭素原子数は3以上であることが好ましい。A基としては、Arに隣接する炭素原子が3級若しくは4級の炭素原子であることが好ましい。A基としての非環式炭化水素基としては、イソプロピル基、t―ブチル基、t―ペンチル基、ネオペンチル基、s-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基の有する炭素数の上限としては、好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。A基としての環状脂肪族基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられ、置換基を有していてもよい。環状脂肪族基の有する炭素数の上限としては、好ましくは15以下、更に好ましくは12以下である。上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。Aとしての環状脂肪族基又は非環式炭化水素基の具体例としては以下のものが挙げられる。酸拡散抑制の観点から、上記の中でも下記構造がより好ましい。pは0以上の整数を表し、その上限は化学的に可能な数であれば特に限定されない。酸の拡散抑制の観点から、pは通常0~5、好ましくは1~4、更に好ましくは2~3、最も好ましくは3を表す。A基は、酸拡散抑制の観点から、スルホン酸基の少なくとも1つのo位を置換していることが好ましく、2つのo位を置換している構造であることがより好ましい。本発明の酸発生剤Bは、一態様において、下記一般式BIIで表される酸を発生する化合物である。式中、Aは一般式BIにおけるAと同様であり、二つのAは同一でも異なってもよい。R1~R3は、各々独立に、水素原子、炭化水素基を有する基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基又はニトロ基を表す。炭化水素基を有する基の具体例としては、上記に例示した基と同様の基が挙げられる。また、好ましいスルホン酸アニオンとして、下記一般式Iで表される酸を生じるアニオンも挙げることができる。式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、及び、アルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式Iについて、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体例としてはフッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1、R2のアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1、R2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基を挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。このなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、-O―、―SO2-が好ましく、―COO-、-OCO-、―SO2-がより好ましい。Aの環状の有機基としては、特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含む等が挙げられる。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが好ましい。また、環状の有機基としては、ラクトン構造も挙げることができ、具体例としては、前述の樹脂Pが有していても一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造を挙げることができる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけるものと同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。なお、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン中の2つのアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。同様に、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン中の複数のアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。特に、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオンとしては、下記一般式A3又はA4で表されるアニオンを挙げることができる。一般式A3及びA4中、Yは少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキレン基であり、好ましくは炭素数2~4のアルキレン基である。アルキレン鎖中に酸素原子を含有していてもよい。更に好ましくは炭素数2~4のパーフロロアルキレン基であり、最も好ましくはテトラフロロエチレン基、ヘキサフロロプロピレン基、オクタフロロブチレン基である。式A4におけるRは、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。なお、アルキル基又はシクロアルキル基中のアルキレン鎖中に酸素原子を含有していてもよい。一般式A3又はA4で表されるアニオンを有する化合物としては、特開2005-221721号公報に記載されている具体例などを挙げることができる。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。一般式ZIにおけるR201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1~ZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1~ZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、フェニルチオ基、又はハロゲン原子を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~8個のシクロアルキル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基、炭素数3~8の環状アルコキシ基を挙げることができる。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cおけるものと同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができ、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。アリル基としては、特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。ビニル基としては特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。化合物ZI-4とは、以下の一般式ZI-4で表される化合物である。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~10の整数を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロベンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、secブトキシ、tブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。前記、R13、R14、R15の各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、一般式ZI-4中の硫黄原子と共に5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環を形成する基が望ましい。また、前記2価の基に対する置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、R14のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基は、上記のように置換されていてもよく、置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。以下に、一般式ZI-4で表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物を挙げることができる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤の内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。酸発生剤の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.5~17質量、更に好ましくは1~15質量である。[3]架橋剤C本発明において使用する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に、酸の作用により樹脂Pを架橋する化合物以下、架橋剤と称するを含有してもよい。架橋剤Cは、樹脂Pを架橋しうる架橋性基を有している化合物であり、好ましくは、メラミン系化合物、尿素系化合物、アルキレン尿素系化合物、又はグリコールウリル系化合物の架橋剤である。好ましい架橋剤の例として、N-ヒドロキシメチル基、N-アルコキシメチル基、若しくはN-アシルオキシメチル基を有する化合物を挙げることができる。N-ヒドロキシメチル基、N-アルコキシメチル基、若しくはN-アシルオキシメチル基を有する化合物としては、下記一般式CLNM-1で表される部分構造を2個以上より好ましくは2~8個有する化合物が好ましい。一般式CLNM-1に於いて、RNM1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はオキソアルキル基を表す。一般式CLNM-1に於ける、RNM1のアルキル基は、炭素数1~6の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましい。RNM1のシクロアルキル基は、炭素数5~6のシクロアルキル基が好ましい。RNM1のオキソアルキル基は、炭素数3~6のオキソアルキル基が好ましく、例えば、β‐オキソプロピル基、β‐オキソブチル基、β‐オキソペンチル基、β‐オキソへキシル基等を挙げることができる。一般式CLNM-1で表される部分構造を2個以上有する化合物のより好ましい態様として、下記一般式CLNM-2で表されるウレア系架橋剤、下記一般式CLNM-3で表されるアルキレンウレア系架橋剤、下記一般式CLNM-4で表されるグリコールウリル系架橋剤、下記一般式CLNM-5で表されるメラミン系架橋剤が挙げられる。一般式CLNM-2に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM2は、各々独立に、水素原子、アルキル基炭素数1~6が好ましい、又はシクロアルキル基炭素数5~6が好ましいを表す。一般式CLNM-2で表されるウレア系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N-ジメトキシメチルウレア、N,N-ジエトキシメチルウレア、N,N-ジプロポキシメチルウレア、N,N-ジイソプロポキシメチルウレア、N,N-ジブトキシメチルウレア、N,N-ジt-ブトキシメチルウレア、N,N-ジシクロヘキシルオキシメチルウレア、N,N-ジシクロペンチルオキシメチルウレア、N,N-ジアダマンチルオキシメチルウレア、N,N-ジノルボルニルオキシメチルウレア等が挙げられる。一般式CLNM-3に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM3は、各々独立に、水素原子、水酸基、直鎖又は分岐のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、オキソアルキル基炭素数3~6が好ましい、アルコキシ基炭素数1~6が好ましい又はオキソアルコキシ基炭素数1~6が好ましいを表す。Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基炭素数1~3が好ましい又はカルボニル基を表す。より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、1-メチルエチレン基、ヒドロキシメチレン基、シアノメチレン基等が挙げられる。一般式CLNM-3で表されるアルキレンウレア系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N-ジメトキシメチル-4,5-ジメトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジエトキシメチル-4,5-ジエトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジプロポキシメチル-4,5-ジプロポキシメチルエチレンウレア、N,N-ジイソプロポキシメチル-4,5-ジイソプロポキシメチルエチレンウレア、N,N-ジブトキシメチル-4,5-ジブトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジt-ブトキシメチル-4,5-ジt-ブトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジシクロヘキシルオキシメチル-4,5-ジシクロヘキシルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジシクロペンチルオキシメチル-4,5-ジシクロペンチルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジアダマンチルオキシメチル-4,5-ジアダマンチルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジノルボルニルオキシメチル-4,5-ジノルボルニルオキシメチルエチレンウレア等が挙げられる。一般式CLNM-4に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM4は、各々独立に、水素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシ基を表す。RNM4のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、アルコキシ基炭素数1~6が好ましいとして、より具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。一般式CLNM-4で表されるグリコールウリル系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N,N,N-テトラメトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラエトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラプロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトライソプロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラブトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラt-ブトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラシクロヘキシルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラシクロペンチルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラアダマンチルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラノルボルニルオキシメチルグリコールウリル等が挙げられる。一般式CLNM-5に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式CLNM-5 ́で表される原子団を表す。RNM6は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式CLNM-5 ́ ́で表される原子団を表す。一般式CLNM-5 ́において、RNM1は、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。一般式CLNM-5 ́ ́において、RNM1は、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものであり、RNM5は、一般式CLNM-5に於けるRNM5と同様のものである。RNM5及びRNM6のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、アリール基炭素数6~10が好ましいとして、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t‐ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。一般式CLNM-5で表されるメラミン系架橋剤としては、例えば、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサシクロヘキシルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサシクロペンチルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサアダマンチルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサノルボルニルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルベンゾグアナミン、等が挙げられる。一般式CLNM-1~CLNM-5に於ける、RNM1~RNM6で表される基は、更に置換基を有してもよい。RNM1~RNM6が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~20、シクロアルコキシ基好ましくは炭素数4~20、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~20等を挙げることができる。架橋剤Cは、分子内にベンゼン環を有するフェノール化合物であってもよい。フェノール化合物としては、分子量が1200以下、分子内にベンゼン環を3~5個含み、更にヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、そのヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基を少なくともいずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるフェノール誘導体が好ましい。このようなフェノール誘導体を用いることにより、本発明の効果をより顕著にすることができる。ベンゼン環に結合するアルコキシメチル基としては、炭素数6個以下のものが好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、i-プロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、i-ブトキシメチル基、sec-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基が好ましい。更に、2-メトキシエトキシ基及び、2-メトキシ-1-プロピル基の様に、アルコキシ置換されたアルコキシ基も好ましい。フェノール化合物としては分子内にベンゼン環を2個以上有するフェノール化合物であることがより好ましく、また、窒素原子を含まないフェノール化合物であることが好ましい。具体的には、樹脂Pを架橋しうる架橋性基を1分子あたり2~8個有するフェノール化合物であることが好ましく、架橋性基を3~6個有することがより好ましい。これらのフェノール誘導体の内、特に好ましいものを以下に挙げる。式中、L1~L8は架橋性基を示し、同じであっても異なっていてもよく、架橋性基としては好ましくはヒドロキシメチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基を示す。フェノール化合物は、市販されているものを用いることもでき、また公知の方法で合成することもできる。例えば、ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物上記式においてL1~L8が水素原子である化合物とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を60°C以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平6-282067号、特開平7-64285号等に記載されている方法にて合成することができる。アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を100°C以下で行うことが好ましい。具体的には、EP632003A1等に記載されている方法にて合成することができる。このようにして合成されたヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、いずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるこのようなフェノール誘導体は、単独で使用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。架橋剤Cは、分子内にエポキシ基を有するエポキシ化合物であってもよい。エポキシ化合物としては、下記一般式EP2で表される化合物が挙げられる。式EP2中、REP1~REP3は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、該アルキル基及びシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。またREP1とREP2、REP2とREP3は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。アルキル基及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては例えば、ヒドロキシル基、シアノ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルスルホン基、アルキルスルホニル基、アルキルアミノ基、アルキルアミド基、などが挙げられる。QEPは単結合若しくはnEP価の有機基を表す。REP1~REP3は、これら同士だけでなくQEPとも結合して環構造を形成していても良い。nEPは2以上の整数を表し、好ましくは2~10、更に好ましくは2~6である。但しQEPが単結合の場合、nEPは2である。QEPがnEP価の有機基の場合、鎖状若しくは環状の飽和炭化水素構造炭素数2~20が好ましい若しくは芳香環構造炭素数6~30が好ましい、又はこれらがエーテル、エステル、アミド、スルホンアミド等の構造で連結された構造などが好ましい。以下にBエポキシ構造を有する化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、架橋剤を含有してもしなくても良いが、含有する場合、架橋剤の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、3~15質量が好ましく、より好ましくは3.5~12質量、更に好ましくは4~10質量である。[4]架橋助剤本発明において使用する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、樹脂Pの架橋反応を補助するべく、架橋助剤を更に含有していても良い。架橋助剤は、2個以上の水酸基を有する化合物であることが好ましく、2~6個の水酸基を有する化合物であることがより好ましく、3個又は4個の水酸基を有する化合物であることが更に好ましい。架橋助剤における水酸基は、アルコール性水酸基であることが好ましい。架橋助剤は、分子量2000以下の低分子化合物であることが好ましく、1500以下の低分子化合物であることがより好ましく、分子量900以下の低分子化合物であることが更に好ましい。ここで、本発明における低分子化合物とは、不飽和結合を持った化合物いわゆる重合性モノマーを、開始剤を使用しつつその不飽和結合を開裂させ、連鎖的に結合を成長させることによって得られる、いわゆるポリマーやオリゴマーではなく、分子量2000以下より好ましくは1500以下、更に好ましくは900以下の一定の分子量を有する化合物実質的に分子量分布を有さない化合物である。なお、分子量は、通常、100以上である。架橋助剤は、式LOHpで表される化合物であることが好ましい。ここで、Lはp価の炭化水素基であり、pは1以上の整数である。Lとしての炭化水素基としては、炭素数1~10好ましくは炭素数3~6の鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数4~12好ましくは炭素数6~10の環状の炭化水素基などを好適に挙げることができる。pは2~6の整数であることが好ましく、3又は4の整数であることがより好ましい。以下、架橋助剤の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明において、架橋助剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、架橋助剤を含有してもしなくても良いが、含有する場合、架橋助剤の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、3~15質量が好ましく、より好ましくは4~12質量、更に好ましくは4~10質量である。[5]溶剤D本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、通常、溶剤を含有する。前記各成分を溶解させて感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが好ましく挙げられる。環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン、3-メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが好ましく挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130°C以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[5]疎水性樹脂E本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂以下、疎水性樹脂E又は単に樹脂Eともいうを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂Eが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。疎水性樹脂Eは前述のように界面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂Eは、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂Eに於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂Eがフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ、及びR65~R68の少なくとも1つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、疎水性樹脂Eは、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、或いは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。以下、フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂Eは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレア結合よりなる群から選択される単独或いは2つ以上の組み合わせ好ましくは総炭素数12以下が挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下、一般式CS-1~CS-3で表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。更に、疎水性樹脂Eは、下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つを有していてもよい。x酸基yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基、z酸の作用により分解する基酸基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基が挙げられる。酸基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に、直接、酸基が結合している繰り返し単位、或いは、連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。酸基xを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。酸基xを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~50モルが好ましく、より好ましくは3~35モル、更に好ましくは5~20モルである。酸基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。式中、Rxは水素原子、CH3、CF3、又は、CH2OHを表す。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基yとしては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂Pの項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、3~98モルであることがより好ましく、5~95モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位は、樹脂Pで挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。疎水性樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~80モルが好ましく、より好ましくは10~80モル、更に好ましくは20~60モルである。疎水性樹脂Eは、更に、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子等で置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、エーテル結合、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。一般式IIIにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Eは、更に、下記一般式CII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式CII-ABにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。以下に一般式III、CII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。疎水性樹脂Eがフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂Eの重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂Eに含まれる全繰り返し単位中10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Eが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂Eの重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂Eに含まれる全繰り返し単位中、10~100モルであることが好ましく、20~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Eの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000で、より好ましくは1,000~50,000、更により好ましくは2,000~15,000である。また、疎水性樹脂Eは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。疎水性樹脂Eの組成物中の含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対し、0.01~10質量が好ましく、0.05~8質量がより好ましく、0.1~5質量が更に好ましい。疎水性樹脂Eは、樹脂P同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0.01~5質量であることが好ましく、より好ましくは0.01~3質量、0.05~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~5の範囲が好ましく、より好ましくは1~3、更に好ましくは1~2の範囲である。疎水性樹脂Eは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、樹脂Pで説明した内容と同様であるが、疎水性樹脂Eの合成においては、反応の濃度が30~50質量であることが好ましい。以下に疎水性樹脂Eの具体例を示す。また、下記表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。[7]界面活性剤F本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくてもよく、含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。本発明の組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。上記に該当する界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、界面活性剤を含有してもしなくても良いが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全量溶剤を除くに対して、10ppm以下とすることで、疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[8]塩基性化合物本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有しても良い。そのような塩基性化合物の具体例としては、下記一般式A~Eで示される構造を有する塩基性化合物を挙げることができる。ここで、R250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基好ましくは炭素数6~20であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよいR250とR251とは、酸素原子等のヘテロ原子を介して、互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシアルキル基、アリールオキシアルキル基などを挙げることができ、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子などから選択される1個以上の原子を含んでも良い。置換基を有するアルキル基及び置換基を有するシクロアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基又は炭素数3~20のアミノシクロアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3~20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。置換基を有するアリール基としては、1個以上のアルキル基を置換基として有するアリール基を好適に挙げることができる。式中、R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、アルキル基好ましくは炭素数1~6又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~6を示す。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造特に好ましくは、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドなどのテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物から選ばれる少なくとも1種類の含窒素化合物を挙げることができる。これらの化合物としては、例えば、米国特許出願公開第2007/0224539号明細書の0066に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、塩基性化合物の1種として、酸の作用により脱離する基を有する含窒素有機化合物を用いることもできる。この化合物の例として、例えば、下記一般式Fで表される化合物を挙げることができる。なお、下記一般式Fで表される化合物は、酸の作用により脱離する基が脱離することによって、系中での実効的な塩基性を発現する。一般式Fにおいて、Raは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基又は1-アルコキシアルキル基である。少なくとも2つのRbは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数をそれぞれ表し、nm=3である。一般式Fにおいて、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。前記Rのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基が水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい例を具体的に示すと、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルモルホリン、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等が挙げられる。上記一般式Fで表される化合物は、市販のものを用いても、市販のアミンから、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis第四版等に記載の方法で合成してもよい。また、特開2009-199021号公報等に記載の方法に準じても、合成可能である。もっとも一般的な方法としては市販のアミンに対して二炭酸エステル又はハロギ酸エステルを作用させることによって得る方法がある。式中、Xはハロゲン原子を表す。Ra、Rbは一般式Fと同義である。塩基性化合物の分子量は、250~2000であることが好ましく、更に好ましくは400~1000である。LWRのさらなる低減の観点からは、塩基性化合物の分子量は、400以上であることが好ましく、500以上であることがより好ましく、600以上であることが更に好ましい。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物を含有する場合、その含有量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して、0.05~8.0質量であることが好ましく、更に好ましくは0.05~5.0質量、特に好ましくは0.05~4.0質量である。[9]活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物以下、化合物PAともいうを含有しても良い。化合物PAは、塩基性官能基又はアンモニウム基と、活性光線又は放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する化合物PA’であることが好ましい。すなわち、化合物PAは、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物、又は、アンモニウム基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有するアンモニウム塩化合物であることが好ましい。塩基性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、一~三級アミン、含窒素複素環ピリジン、イミダゾール、ピラジンなどの構造が挙げられる。アンモニウム基の好ましい部分構造として、例えば、一~三級アンモニウム、ピリジニウム、イミダゾリニウム、ピラジニウム構造などを挙げることが出来る。なお、塩基性官能基としては、窒素原子を有する官能基が好ましく、1~3級アミノ基を有する構造、又は含窒素複素環構造がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子吸引性の官能基カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子などが直結していないことが好ましい。本発明に於いて、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下することは、活性光線又は放射線の照射により化合物PAのプロトン活性光線又は放射線の照射により発生された酸に対するアクセプター性が低下することを意味する。アクセプター性が低下するとは、塩基性官能基を有する化合物とプロトンとからプロトン付加体である非共有結合錯体が生成する平衡反応が起こる時、あるいは、アンモニウム基を有する化合物の対カチオンがプロトンに交換される平衡反応が起こる時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。このように、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAがレジスト膜に含有されていることにより、未露光部においては、化合物PAのアクセプター性が十分に発現されて、露光部等から拡散した酸と樹脂Pとの意図しない反応を抑制することができるとともに、露光部においては、化合物PAのアクセプター性が低下するので、酸と樹脂Pとの意図する反応がより確実に起こり、このような作用機構の寄与もあって、線幅バラツキLWR、フォーカス余裕度DOF及びパターン形状に優れるパターンが得られるものと推測される。なお、塩基性は、pH測定を行うことによって確認することができるし、市販のソフトウェアによって計算値を算出することも可能である。活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAの具体例としては、例えば特開2006-208781号公報、特開2006-330098号公報に記載のものを挙げることができる。以下、化合物PAの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物の合成は、上記化合物に対応する酸又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平11-501909号公報又は特開2003-246786号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平7-333851号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。また、化合物PAの更なる具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。化合物PAの分子量は、500~1000であることが好ましい。化合物PAの含量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量である。化合物PAは、単独であるいは2種以上で用いられる。また、化合物PAは、前述の塩基性化合物と併用してもよい。[10]その他の添加剤本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて更に、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、溶解阻止剤及び溶解促進剤等を含有させることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分濃度は、通常1.0~10質量であり、好ましくは、2.0~5.7質量、更に好ましくは2.0~5.3質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインエッジラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できるものと考えられる。固形分濃度とは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。[11]パターン形成方法本発明のパターン形成方法ネガ型パターン形成方法は、ア感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を少なくとも有する。レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。また、本発明のパターンは、本発明のパターン形成方法によって形成される。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~120°Cで行うことが好ましく、80~110°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。本発明における露光装置に用いられる光源波長に制限は無いが、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm、F2エキシマレーザー波長157nm等を適用できる。本発明のレジスト膜に対しては、活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては、空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが、好ましくは純水である。この場合、レジスト組成物に、前述の疎水性樹脂を予め添加しておいてもよいし、また、レジスト膜を形成した後に、その上に液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに求められる性能、その使用法などについては、シーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第7章に解説されている。トップコートは、波長193nmのレーザーに対する透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂Eはトップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。露光後にトップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、現像液により剥離できることが好ましい。本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2やSiN等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。現像工程有機溶剤を含む現像液による現像を行う際に使用し得る有機系現像液としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、又は炭化水素系溶剤を含有する現像液を用いることができ、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有することが好ましい。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、メチルアミルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。特に、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミルなどの酢酸アルキルエステルが好ましい。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチル-2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、性能を有する範囲内で、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。すなわち、現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましい。特に、有機溶剤を含む現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。有機溶剤を含む現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルアミルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルアミルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。界面活性剤現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては、前記した、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。樹脂A’有機溶剤を含む現像液、及び後述するリンス液は、有機溶剤に可溶な樹脂A’を含有してもよい。これにより、処理液に樹脂A’が前もって溶解していることで、レジスト膜の処理液への溶解や、処理液のレジスト膜への浸透やを促進されることが推測される。樹脂A’としては、有機溶剤に可溶であれば特に制限されず、レジスト組成物に用いられる樹脂が好適に用いることができるが、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等も使用できる。有機溶剤に可溶な樹脂A’としては、例えば、以下のような繰り返し単位を有するものが挙げられる。酸分解性基を有する繰り返し単位水酸基を有する繰り返し単位非極性基を有する繰り返し単位ラクトン構造を有する繰り返し単位ヒドロキシスチレン及びその誘導体由来の繰り返し単位側鎖に芳香環を有するメタアクリルエステル繰り返し単位具体的には、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が含有する樹脂と同様のものが挙げられる。本発明の樹脂A’の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは3,000~25,000であり、より好ましくは5,000~15,000である。樹脂A’の分散度分子量分布は、好ましくは1.2~3.0、更に好ましくは1.4~1.8である。樹脂A’の処理液全体中の配合量は、処理液全量に対して0.0001~10質量が好ましく、より好ましくは0.001~5質量である。また、樹脂A’は、処理液に1種含まれていても複数含まれていてもよい。本発明の樹脂A’は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、更に好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することでを変える方法などを挙げることができる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。リンス工程有機溶剤を含む現像液による現像の後には、リンス液を用いてリンスする工程を含むことが好ましい。リンス液としては、有機溶剤を含むリンス液が好ましい。有機溶剤を含む現像液による現像後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。リンス液はより好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有し、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有し、更により好ましくは、1価アルコールを含有し、特に好ましくは炭素数5以上の1価アルコールを含有する。ここで、現像後のリンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。これらの中でもとりわけ、炭素数5以上の分岐アルキルアルコールが好ましい。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量未満が好ましく、より好ましくは5質量未満、特に好ましくは3質量未満である。含水率を10質量未満にすることで、良好な現像特性を得ることができる。すなわち、リンス液に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましく、97質量以上100質量以下であることが最も好ましい。有機溶剤を含む現像液による現像後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤、樹脂A’を適当量添加して使用することもできる。含有しうる界面活性剤及び樹脂A’の種類及び添加量は、現像液におけるものと同様である。リンス工程においては、現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。<合成例樹脂P-1の合成>シクロヘキサノン123.1質量部を窒素気流下、65°Cに加熱した。この液を攪拌しながら、下記構造式LM-1で表されるモノマー27.8質量部、下記構造式AM-1で表されるモノマー34.3質量部、シクロヘキサノン228.6質量部、2,2’-アゾビス2,2’-ジメチルバレロニトリルV-65、和光純薬工業株製3.73質量部の混合溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、65°Cで更に2時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン/酢酸エチル質量比:9/1で再沈殿、ろ過し、得られた固体を真空乾燥することで、本発明の樹脂P-1を49.4質量部得た。得られた樹脂のGPCキャリア:N-メチルピロリドンNMPから求めた重量平均分子量Mw:ポリスチレン換算は、Mw=12300、分散度はMw/Mn=1.89であった。13C-NMRにより測定したP-1の組成比は50/50モル比;左から順に対応であった。<樹脂>以下、同様にして、樹脂P-2~P-11を合成した。合成したポリマー構造を以下に記す。また、各繰り返し単位の組成比モル比;左から順に対応、重量平均分子量、分散度を下表に示す。<酸発生剤>酸発生剤としては、以下の化合物を用いた。<塩基性化合物>塩基性化合物として、以下の化合物を用いた。<架橋剤>架橋剤として、以下の化合物を用いた。<架橋補助剤>架橋補助剤として、以下の化合物を用いた。<疎水性樹脂>疎水性樹脂としては、先に挙げた樹脂HR-1~HR-90から、適宜選択して用いた。なお、疎水性樹脂HR-79は米国特許出願公開第2010/0152400号明細書、国際公開第2010/067905号、国際公開第2010/067898号などの記載に基づき合成した。<界面活性剤>界面活性剤として、以下のものを準備した。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製;フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製;フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製;シリコン系<溶剤>溶剤として、以下のものを準備した。A-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAA-2:γ-ブチロラクトンA-3:シクロヘキサノンB-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEB-2:乳酸エチル<現像液>現像液として、以下のものを準備した。SG-1:酢酸ブチルSG-2:メチルアミルケトンSG-3:エチル-3-エトキシプロピオネートSG-4:酢酸ペンチルSG-5:酢酸イソペンチルSG-6:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA<リンス液>リンス液として、以下のものを用いた。SR-1:4-メチル-2-ペンタノールSR-2:1-ヘキサノールSR-3:酢酸ブチルSR-4:メチルアミルケトンSR-5:エチル-3-エトキシプロピオネート実施例1~25及び比較例1<ArFドライ露光>レジスト調製下記表4に示す成分を同表に示す溶剤に固形分で3.8質量溶解させ、それぞれを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物レジスト組成物を調製した。シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークPB:Prebakeを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用いて、パターン露光を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ=75nmでありかつライン:スペース=1:1である6ハーフトーンマスクを用いた。その後、105°Cで60秒間加熱PEB:PostExposureBakeした。次いで、下記表に記載の有機溶剤系現像液で30秒間パドルして現像し、下記表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした。続いて、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させることにより、線幅75nm1:1のラインアンドスペースパターンを得た。露光ラチチュードEL、線幅が75nmのラインアンドスペースライン:スペース=1:1のマスクパターンを再現する露光量を求め、これを最適露光量Eoptとした。次いで線幅が目的の値である75nmの±10即ち、67.5nm及び82.5nmとなるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュードELを算出した。ELの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さい。[EL]=[線幅が82.5nmとなる露光量-線幅が67.5nmとなる露光量]/EoptラインウィズスラフネスLWR、nm露光ラチチュード評価における最適露光量にて解像した75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンの観測において、測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIにてパターン上部から観察する際、線幅を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを3σで評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。これらの評価結果を、下記表4に示す。表4に示す結果から明らかなように、樹脂がN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有しない比較例1は、露光ラチチュードELが小さく、ラインウィズスラフネスLWRが大きく、EL及びLWRのいずれにも劣ることがわかる。一方、N-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂Pを使用した実施例1~25は、ELが大きく、LWRが小さく、EL及びLWRのいずれにも優れることがわかる。また、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位B又は水酸基を有する繰り返し単位Cが樹脂中に含有された実施例2~8は、EL及びLWRがより優れ、上記繰り返し単位Bと上記繰り返し単位Cとが樹脂中に含有された実施例9、10、12~25は、EL及びLWRが更に優れる傾向になることが分かった。実施例26~50及び比較例2<ArF液浸露光>レジスト調製下記表5に示す成分を同表に示す溶剤に固形分で3.8質量溶解させ、それぞれを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物レジスト組成物を調製した。シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚95nmの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークPB:Prebakeを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製;XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.900、インナーシグマ0.812、XY偏向を用い、ホール部分が60nmでありかつホール間のピッチが90nmである正方配列のハーフトーンマスクここではネガ画像形成のため、ホールに対応する部分が遮光されているを介して、パターン露光を行った。液浸液としては超純水を用いた。その後、105°Cで60秒間加熱PEB:PostExposureBakeした。次いで、下記表に記載の有機溶剤系現像液で30秒間パドルして現像し、下記表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした。続いて、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させることにより、孔径45nmのコンタクトホールパターンを得た。露光ラチチュードEL、測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIにより孔径を観察し、孔径が45nmのコンタクトホールパターンを解像する時の最適露光量を感度EoptmJ/cm2とした。求めた最適露光量Eoptを基準とし、次いでホールサイズが目的の値である45nmの±10即ち、40.5nm及び49.5nmとなるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラチチュードEL、を算出した。ELの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さく、良好である[EL]=[孔径が40.5nmとなる露光量-孔径が49.5nmとなる露光量]/Eopt局所的なパターン寸法の均一性LocalCDU、nm露光ラチチュード評価における最適露光量で露光された1ショット内において、互いの間隔が1μmの20箇所の領域の各領域ごとに任意の25個のホールサイズ、すなわち、計500個のホールサイズを測定し、これらの標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど寸法のばらつきが小さく、良好な性能であることを示す。これらの評価結果を、下記表5に示す。表5に示す結果から明らかなように、樹脂がN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有しない比較例2は、露光ラチチュードELが小さく、ローカルCDUが大きく、EL及びローカルCDUのいずれにも劣ることがわかる。一方、N-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂Pを使用した実施例26~50は、ELが大きく、ローカルCDUが小さく、EL及びローカルCDUのいずれにも優れることがわかる。また、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位B又は水酸基を有する繰り返し単位Cが樹脂中に含有された実施例27~33は、EL及びLWRがより優れ、上記繰り返し単位Bと上記繰り返し単位Cとが樹脂中に含有された実施例34、35、37~50は、EL及びローカルCDUが更に優れる傾向になることが分かった。実施例51~75及び比較例3<ドライエッチング耐性評価>レジスト調製下記表6に示す成分を同表に示す溶剤に固形分で3.8質量溶解させ、それぞれを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物レジスト組成物を調製した。シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、100°Cで60秒間に亘ってベークPB:Prebakeを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜に対し、ArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Conventional、アウターシグマ0.89を用いて、30mJ/cm2の露光量で全面一括露光を行った。その後、105°Cで60秒間加熱PEB:PostExposureBakeした。次いで、下記表に記載の有機溶剤系現像液で30秒間パドルして現像し、下記表に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした。続いて、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させることにより、ドライエッチング評価用のレジスト膜を得た。ドライエッチング速度DE、Å/sec上記で得られたレジスト膜の初期膜厚FT1、Åを測定した。次いで、ドライエッチャー日立ハイテクノロジー社製、U-621を用いて、C4F6ガスを供給しながら、30秒間エッチングを行った。その後、エッチング後に得られたレジスト膜の膜厚FT2、Åを測定した。そして、次式で定義されるドライエッチング速度DEを算出した。[DEÅ/sec]=FT1-FT2/30以下の基準に従いDEの優劣を評価した。DEの値が小さいほど、エッチングによる膜厚変化が小さいことを表し、性能良好である。○ドライエッチング速度10Å/sec未満△ドライエッチング速度10Å/sec以上12Å/sec未満×ドライエッチング速度12Å/sec以上この評価結果を、下記表6に示す。表6に示す結果から明らかなように、樹脂がN-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有しない比較例3は、ドライエッチング耐性に劣ることがわかる。一方、N-メチロール系の部分構造を有する繰り返し単位Aを有する樹脂Pを使用した実施例51~75は、ドライエッチング耐性に優れることがわかる。"