"筐体に組み込まれて使用されるレーザ光源モジュールであって、パスワードを記憶する記憶部を備え、入力された入力パスワードが前記記憶部に記憶されたパスワードと一致する場合に動作するレーザユニットと、前記筐体の状態に応じて異なるデータを生成するパスワード設定機構と、前記筐体が正規の状態にあるときに、前記パスワード設定機構が生成したデータにより、前記記憶部に記憶されたパスワードと一致する入力パスワードを生成するパスワード生成回路を備えることを特徴とするレーザ光源モジュール。請求項1記載のレーザ光源モジュールにおいて、前記筐体が複数の部材が組み合わされることにより形成されるものであり、前記パスワード設定機構が、複数の端子を接続する配線が施された前記筐体の一部を構成する蓋部パスワード設定機構と、前記筐体を形成する複数の部材が組み合わされるときの接続箇所に設けられ、所定のデータ列を設定可能であるとともに、組み合わせが解除されるときに設定されたデータ列がリセットされる接続部パスワード設定機構と、を備え、前記パスワード生成回路は、前記蓋部パスワード設定機構に示される複数の配線の接続状態と、接続部パスワード設定機構に示されるデータ列に基づいて前記入力パスワードを生成することを特徴とするレーザ光源モジュール。請求項1または請求項2に記載のレーザ光源モジュールにおいて、前記レーザユニットは、レーザ光を出力するレーザ素子と、前記レーザ素子を不能化することが可能なレーザ素子不能化回路と、前記記憶部を備え、前記パスワード生成回路からの入力パスワードが前記記憶部に記憶されたパスワードと所定回数を超えて一致しない場合には、前記レーザ素子不能化回路により前記レーザ素子を不能化するパスワード判定回路とを備えることを特徴とするレーザ光源モジュール。特許文献1ないし特許文献3に記載の装置では、装置自体に設けられたレーザ装置用電源とレーザ装置とは分離されるものの、レーザ装置用電源と異なる電源によりレーザ装置を駆動した場合にはレーザ光が出力されてしまう。特許文献4に記載の装置では、光源用筐体を備える本体部が温度調節部と分離した場合には波長変換効率が低下した状態のレーザ光が出力されることとなる。上述したように、レーザ光は単位面積当たりのエネルギーが高いものであるため、波長変換効率が低下した状態であっても人体、特に、眼に入射した場合には非常に危険となる。また、特許文献1ないし特許文献4に記載の装置のいずれも、装置の筐体の一部を切除し、装置を実際に使用する状態でレーザ光を出力させるといった、装置を改造してレーザ光を本来の用途以外に用いる行為には対処することができない。本発明は、装置外部に取り出されたときにレーザ光を出力することがなく、また、装置の一部が切除されるような改造が施された場合にもレーザ光を出力することのないレーザ光源モジュールを実現することを目的とする。本発明のレーザ光源モジュールは、筐体に組み込まれて使用されるレーザ光源モジュールであって、パスワードを記憶する記憶部を備え、入力された入力パスワードが前記記憶部に記憶されたパスワードと一致する場合に動作するレーザユニットと、前記筐体の状態に応じて異なるデータを生成するパスワード設定機構と、前記筐体が正規の状態にあるときに、前記パスワード設定機構が生成したデータにより、前記記憶部に記憶されたパスワードと一致する入力パスワードを生成するパスワード生成回路を備えることを特徴とする。上記構成を備える本願発明においては、筐体が正規の状態になければレーザユニットが動作しないので、装置外部に取り出されたときにレーザ光を出力することがなく、また、装置の一部が切除されるような改造が施された場合にもレーザ光を出力することのないレーザ光源モジュールが実現できる。次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は本発明によるレーザ光源モジュールを光源として用いたプロジェクタ101の一実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態では、光源以外の構成は一般的なプロジェクタの構成となるため、レーザ光源モジュールについてのみ図示し、これ以外の部分について、図示および説明は省略する。レーザ光源モジュールは、レーザユニット102、パスワード生成回路106、蓋部パスワード設定機構107および接続部パスワード設定機構108から構成されている。レーザユニット102は、パスワード判定回路103、レーザ素子不能化回路104およびレーザ素子105から構成されている。図2は、レーザユニット102の構成を示す断面図である。レーザユニット102は、基板201上に形成されたセラミック多層基板203、セラミック多層基板203を覆う蓋202から構成されている。セラミック多層基板203内には、パスワード判定回路103およびレーザ素子不能化回路104からなる回路群204が形成され、その上面にはレーザ素子105がフェースダウンの状態で搭載されている。蓋202の、レーザ素子105が出射するレーザ光が通る位置にはコリメートレンズ204が設けられている。蓋202は、基板201とともにセラミック多層基板203を機密封止ハーメチックシールしている。セラミック多層基板203には、レーザ素子105と熱膨張係数の近い、例えばAlNなどの材料が用いられている。セラミック多層基板203にレーザ素子105と熱膨張係数の近い材料を用いることにより、セラミック多層基板203とレーザ素子105の位置関係を温度変化に因らない一定のものとすることができ、これにより安定したレーザ出力を得ることが可能となっている。セラミック多層基板203は、上述したように基板201と蓋202により機密封止されている。蓋202が開けられたり、壊されたりして、セラミック多層基板203またはレーザ素子105が取り外された場合、セラミック多層基板203またはレーザ素子105に、ごみの付着、酸化などの化学反応、セラミック多層基板203とレーザ素子105位置関係がずれる、などによって正規の発振状態と異なるものとなり、レーザ出力を得ることができなくなる。図3は、パスワード判定回路103の構成を示すブロック図である。パスワード判定回路103は、パスワード記憶用不揮発性メモリ301、パスワード一時記憶メモリ302、スイッチ回数カウンタ303、比較回路304、および、判定回路305から構成されている。パスワード記憶用不揮発性メモリ301は、パスワードを記憶するもので、記憶する記憶パスワードは製造が行われた工場の出荷時に設定、記憶される。レーザユニット102に電源が投入されると、パスワード生成回路106は、蓋部パスワード設定機構107および接続部パスワード設定機構108に設定されたデータを参照してパスワードを生成し、生成された生成パスワードをパスワード出力S1としてパスワード一時記憶メモリ302へ出力する。パスワード一時記憶メモリ302は生成パスワードを記憶する。スイッチ信号S2は、パスワード出力S1が出力されるごとに、パスワードスイッチ回数カウンタ303へ出力される。パスワードスイッチ回数カウンタ303は、パスワード出力S1が出力されるごとにカウントアップを行うため、パスワードスイッチ回数カウンタ303のカウント値を確認することにより、パスワード出力S1が出力された回数を確認することができる。比較回路304は、パスワード一時記憶メモリ302が生成パスワードを記憶するごとに、パスワード一時記憶メモリ302に記憶された生成パスワードとパスワード記憶用不揮発性メモリ301に記憶された記憶パスワードとを比較し、これらが一致するかを示す比較結果を判定回路305へ出力する。判定回路305は、比較回路304の出力が生成パスワードと記憶パスワードが一致することを示すものである場合には、レーザ素子105に対する電源供給を行わせる旨を示す判定信号S3をレーザ素子不能化回路104へ出力する。これにより、レーザ素子不能化回路104はレーザ素子105に対する電源供給を行う。また、判定回路305は、比較回路304の出力が生成パスワードと記憶パスワードが一致しないことを示すものである場合には、パスワードスイッチ回数カウンタ303のカウント値を確認し、所定回数以下、例えば、3回以下であるかを確認する。所定回数以下である場合には、レーザ素子105に対する電源供給を行わない旨を示す判定信号S3をレーザ素子不能化回路104へ出力する。これにより、レーザ素子不能化回路104はレーザ素子105に対する電源供給は行わない。また、判定回路305は、比較回路304の出力が生成パスワードと記憶パスワードが一致しないことを示すものであり、パスワードスイッチ回数カウンタ303のカウント値が所定回数を越えるものであることを確認した場合には、レーザ素子105に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3をレーザ素子不能化回路104へ出力する。これにより、レーザ素子不能化回路104はレーザ素子105に対する電源供給を不能化する処理を行う。図4は、接続部パスワード設定機構108の具体的な構成を示す断面図である。プロジェクタ101の筐体を構成する上蓋401と下蓋402が組み合わされた状態のときに、複数設けられた接続部パスワード設定機構108が接触することによりデータが生成され、配線403を介してレーザユニット102に送出される。図5は、パスワード設定機構108の具体的な構成を示す図である。図5aは、上蓋401と下蓋402が組み合わされる前の状態を示し、図5bは上蓋401と下蓋402が組み合わされた状態を示し、図5cは上蓋401と下蓋402が組み合わされた後に、上蓋401が開けられたときの状態を示す図である。上蓋401には、複数のトグルスイッチ507が並設されたスイッチ501が設けられ、下蓋402にはスイッチ501の各トグルスイッチ507に対応する位置にデータピン506が立設されている。図5において、スイッチ501の右端には電源受給用の電源受給ピン505が形成され、電源受給ピン505に対応する位置の下蓋402には電源供給ピン502が形成されている。上蓋401と下蓋402が組み合わされた状態のときには、電源供給用の電極ピン502と常に接続状態とされる。電源受給ピン505は、各トグルスイッチ505の一端に共通に接続されている。下蓋402には、直角に折れ曲がった形状のワイパー503が、一端近傍を中心として回動可能に軸支されている。上蓋401は、下蓋402と組み合わされるときには、ワイパー503の端部を押す寸法形状とされるため、図5bに示すような上蓋401と下蓋402と組み合わされた状態のときには、反時計方向に回転し、トグルスイッチ507の上端を押さえる形態となる。図5cに示すように、図5bに示す状態から、上蓋401が開けられて上方に移動すると、ワイパー503により上端が押さえられたトグルスイッチ507は閉じる方向に移動し、各トグルスイッチ507はすべて閉じた状態となる。図6は、接続部パスワード設定機構108とパスワード生成回路106の接続状態を示す図であり、図6a~図6cは図5a~図5cの状態に対応している。装置利用者は、装置の取扱説明書などにより、既知であるデータを接続部パスワード設定機構108に設定する。図6bに示す接続状態筐体が正規の状態のときには、パスワード生成回路106の入力端子A~Eには01001のデータが設定され、パスワード生成回路106は該入力データを基としてパスワードを生成する。その後、上蓋401が開けられた場合にはトグルスイッチ507への設定状態がクリアされるため、設定すべきデータを知らない第3者の使用下では、パスワード一時記憶メモリ302に記憶された生成パスワードと一致するパスワードをパスワード生成回路106が生成することはできず、レーザ素子105が出力を行うことはない。図7は、蓋部パスワード設定機構107の構成を示す図であり、図7aはパスワードとして設定される端子F~Kの接続関係を示す図であり、図7bは図7aに示した接続関係を実現する上蓋401または下蓋402の内部配線を示す図であり、図7cは上蓋401または下蓋402が切り取られた状態を示す図である。図7aに示すように、端子FとH、端子G,I,Kが接続されるような関係の場合筐体が正規の状態、端子Fを基準として見た場合には、端子G~Kに示されるデータは、01000となる。また、端子Gを基準として見た場合には、端子F,H~Kに示されるデータは、00101となる。パスワード生成回路106には、予めどの端子を基準として各端子のデータを見るかが定められており、パスワード生成回路106は、上蓋401または下蓋402が取り付け状態にあるときに接続される各端子から正規のデータを読み取り、該読み取ったデータを基にパスワードを生成する。図7cに示すように、上蓋401または下蓋402が切り取られて切欠701が形成されると、図7aに示される接続関係を確認することができなくなり、パスワード生成回路106は正規のデータを読み取ることができない。このため、上蓋401または下蓋402が切り取られた状態では、パスワード一時記憶メモリ302に記憶された生成パスワードと一致するパスワードをパスワード生成回路106が生成することはできず、レーザ素子105が出力を行うことはない。図8aはレーザ素子不能化回路104の一実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態におけるレーザ素子不能化回路104は、レーザ素子105に電流を供給する、通常使用電流原801、レーザ素子破壊用電流原802、判定信号S3の内容に応じて通常使用電流原801、レーザ素子破壊用電流原802による電流供給を指示する駆動制御部803により構成されている。レーザ素子は、図8bの電流-輝度特性に示されるように、ある値以上の電流となると電流値に応じて輝度が定まるものとなるが、絶対最大定格を超える破壊電流となると素子が破壊される。駆動制御部803は、判定回路305からレーザ素子105に対する電源供給を行わせる旨を示す判定信号S3を受け付けた場合には図3参照、絶対最大定格以下の電流を供給する通常使用電流原801による電流供給を行わせ、判定回路305からレーザ素子105に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3を受け付けた場合には破壊電流を供給するレーザ素子破壊用電流原802による電流供給を行わせ、レーザ素子105を破壊する。図9はレーザ素子不能化回路104の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態におけるレーザ素子不能化回路104は、レーザ素子105に並列に設けられた発熱体駆動回路902、導電材料904、および判定信号S3に応じて発熱体駆動回路902を動作させる駆動制御部901と、発熱体駆動回路902による駆動電流により発熱して導電材料904を加熱する発熱体903から構成されている。駆動制御部901は、判定回路305からレーザ素子105に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3を受け付けると、発熱体駆動回路902を動作させて発熱体903を発熱させる。これにより、導電材料904が加熱して溶融し、レーザ素子105は両端が短絡状態とされて電流が流れないものとなる。図10はレーザ素子不能化回路104の他の実施形態の構成を示すブロック図である。本実施形態におけるレーザ素子不能化回路104は、レーザ素子105への電流供給経路に設けられた抵抗体1003、抵抗体1003の両端に接続し、抵抗体1003のみへの電流供給が可能な抵抗破壊用電流原1002、および、抵抗破壊用電流原1002へ動作を制御する駆動制御部1001から構成されている。駆動制御部1001は、判定回路305からレーザ素子105に対する電源供給を不能化する旨を示す判定信号S3を受け付けると、抵抗破壊用電流原1002を動作させて抵抗体1003を発熱させて焼き切る。これにより、レーザ素子105に電流が流れないものとなる。この出願は2010年7月23日に出願された日本出願特願2010-165991号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。"