"イオン強化された第1の圧縮応力層を構成している第1の表層部に位置する第1のSn拡散層と、イオン強化された第2の圧縮応力層を構成している第2の表層部に位置する第2のSn拡散層とを有し、前記第1のSn拡散層におけるSn濃度は、前記第2のSn拡散層におけるSn濃度の0.7倍~3.0倍である、強化ガラス板。前記強化ガラス板の厚みが、0.2mm~1mmである、請求項1に記載の強化ガラス。前記第1及び第2のSn拡散層の厚みが、それぞれ20μm~50μmである、請求項1または2に記載の強化ガラス板。錫浴を用いたフロート法によりガラス板を作製する工程と、第1の表層部に位置する第1のSn拡散層におけるSn濃度に対する第2の表層部に位置する第2のSn拡散層におけるSn濃度の比が、0.7倍~3.0倍となるように、前記ガラス板の少なくとも一方の表面を研磨する工程と、前記少なくとも一方の表面を研磨したガラス板をイオン強化することにより、前記第1の表層部に第1の圧縮応力層を形成すると共に、前記第2の表層部に第2の圧縮応力層を形成する工程と、を備える、強化ガラス板の製造方法。前記ガラス板を作製する工程において、厚みが0.2mm~1.0mmのガラス板を作製する、請求項4に記載の強化ガラス板の製造方法。前記研磨工程において、前記ガラス板の前記錫浴側に位置していた表面を研磨し、前記ガラス板の前記錫浴とは反対側に位置していた表面を研磨しない、請求項4または5に記載の強化ガラス板の製造方法。厚みの薄いガラス板の一般的な製造方法としては、フロート法が挙げられる。フロート法では、ガラス板は溶融した錫浴に浮かべられるため、ガラス板の錫浴側に位置する表面が錫浴と接する。このとき、錫浴中のSn成分がガラス板の錫浴側に位置する表層に移動する。よって、ガラス板の錫浴側に位置していた表層には、Sn成分の濃度が高く、深いSn拡散層が形成される。一方、ガラス板の錫浴とは反対側に位置する表面には、錫浴から揮発したSn成分が付着する。これにより、ガラス板の錫浴とは反対側に位置していた表層には、Sn成分の濃度が低く、浅いSn拡散層が形成される。両表層におけるSn拡散層のSn濃度と深さの異なるガラス板にイオン強化を行うと、両表層におけるイオン交換の程度に差が生じる。この差が大きいと、強化ガラス板に反りなどが発生しやすくなるという問題がある。このような問題を解決するために、例えば、フロート法で作製したガラス板の両表面を研磨し、表層に位置するSn拡散層を取り除いてから、ガラス板をイオン強化することが考えられる。しかしながら、表層のSn拡散層を取り除くと、ガラス板の表層でのイオン交換が進行しやすくなり、表層に形成される圧縮応力層が深くなる。よって、ガラス板の厚みが、例えば1mm以下と薄い場合には、強化ガラス板の厚みに対する圧縮応力層の深さの割合が大きくなり、強化ガラスが自己破壊しやすくなるという問題がある。本発明は、反りが抑制されており、薄くし得る強化ガラス板及びその製造方法を提供することを主な目的とする。本発明の強化ガラス板は、第1のSn拡散層と、第2のSn拡散層とを有する。第1のSn拡散層は、第1の表層部に位置する。第1の表層部は、イオン強化された第1の圧縮応力層を構成している。第2のSn拡散層は、第2の表層部に位置する。第2の表層部は、イオン強化された第2の圧縮応力層を構成している。第1のSn拡散層におけるSn濃度は、第2のSn拡散層におけるSn濃度の0.7倍~3.0倍である。なお、本発明において、強化ガラス板の表層部に位置するSn拡散層におけるSn濃度は、強化ガラス板の表面を蛍光X線分析して測定した値である。強化ガラス板の厚みは、0.2mm~1mmであってもよい。第1及び第2のSn拡散層の厚みは、それぞれ20μm~50μmであることが好ましい。本発明の強化ガラス板の製造方法は、錫浴を用いたフロート法によりガラス板を作製する工程と、第1の表層部に位置する第1のSn拡散層におけるSn濃度に対する第2の表層部に位置する第2のSn拡散層におけるSn濃度の比が、0.7倍~3.0倍となるように、ガラス板の少なくとも一方の表面を研磨する工程と、少なくとも一方の表面を研磨したガラス板をイオン強化することにより、第1の表層部に第1の圧縮応力層を形成すると共に、第2の表層部に第2の圧縮応力層を形成する工程とを備える。ガラス板を作製する工程において、厚みが0.2mm~1.0mmのガラス板を作製してもよい。研磨工程において、ガラス板の錫浴側に位置していた表面を研磨し、ガラス板の錫浴とは反対側に位置していた表面を研磨しなくてもよい。本発明によれば、反りが抑制されており、薄くし得る強化ガラス板及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。図1は、本実施形態に係る強化ガラス板の略図的断面図である。本実施形態に係る強化ガラス板1は、第1のSn拡散層1aと第2のSn拡散層1bとを有する。第1のSn拡散層1aは、第1の表層部に位置している。第2のSn拡散層1bは、第2の表層部に位置している。第1の表層部は、強化ガラス板1の一方の主面側に位置している。第2の表層部は、強化ガラス板1の他方の主面側に位置している。第1の表層部は、イオン強化された第1の圧縮応力層を構成している。第2の表層部は、イオン強化された第2の圧縮応力層を構成している。第1の圧縮応力層の深さは、第1のSn拡散層1aの厚みと同じであるか、それよりも深い。第2の圧縮応力層の深さは、第2のSn拡散層1bの厚みと同じであるか、それよりも深い。すなわち、第1の圧縮応力層は、第1のSn拡散層1aのみからなってもよいし、第1のSn拡散層1aを超えて形成されていてもよい。また、第2の圧縮応力層は、第2のSn拡散層1bのみからなってもよいし、第2のSn拡散層1bを超えて形成されていてもよい。第1及び第2の圧縮応力層の深さは、それぞれ、通常80μm以下程度であり、50μm以下程度であることが好ましい。また、第1及び第2の圧縮応力層の深さは、それぞれ、通常10μm以上程度であり、30μm以上程度であることが好ましい。第1及び第2のSn拡散層1a,1bの厚みは、それぞれ、20μm~50μm程度であることが好ましく、25μm~45μm度であることがより好ましく、30μm~40μm程度であることがさらに好ましい。第1及び第2のSn拡散層1a,1bにおいては、ガラス成分中にSnが拡散している。強化ガラス板1において、第1のSn拡散層1aにおけるSn濃度は、第2のSn拡散層1bにおけるSn濃度の0.7倍~3.0倍程度である。第1のSn拡散層1aにおけるSn濃度は、第2のSn拡散層1bにおけるSn濃度の0.8倍~1.2倍程度であることが好ましく、0.9倍~1.1倍程度であることが好ましく、1倍程度であることがさらに好ましい。強化ガラス板1において、第1のSn拡散層1aのSn濃度は、通常0.10質量~0.60質量程度であり、0.20質量~0.50質量程度であることが好ましく、0.30質量~0.40質量程度であることがより好ましい。また、第2のSn拡散層1bのSn濃度は、通常0.10質量~1.80質量程度であり、0.10質量~1.20質量程度であることが好ましく、0.10質量~0.60質量程度であることがより好ましい。強化ガラス板1の厚みは、強化ガラス板1の用途によって適宜選択することができ、例えば0.2mm~1mm程度とすることができる。強化ガラス板1を、例えば電子機器のディスプレイなどとして使用する場合、強化ガラス板1の厚みは、0.3mm~0.8mm程度とすることが好ましく、0.4mm~0.7mm程度とすることがより好ましい。強化ガラス板1の少なくとも一方側の主面は、研磨されている。強化ガラス板1の両主面が研磨されていてもよい。第1及び第2の圧縮応力層の圧縮応力値は、それぞれ、通常300MPa以上程度であり、500MPa以上程度であることが好ましく、700MPa以上程度であることがさらに好ましい。なお、第1及び第2の圧縮応力層の圧縮応力値は、それぞれ、通常900MPa以下である。なお、本発明において、強化ガラス板1の表層部分に形成された圧縮応力層の圧縮応力値とその深さは、それぞれ、表面応力計を用い、干渉縞の本数及びその間隔から測定した値である。強化ガラス板1の歪点は、450°C以上程度であることが好ましい。強化ガラス板1の熱膨張係数は、70×10-7/°C~110×10-7/°C程度30°C~380°Cであることが好ましい。強化ガラス板1の密度は、2.6g/cm3以下程度であることが好ましい。以下、本実施形態に係る強化ガラス板1の製造方法について説明する。本実施形態に係る強化ガラス板1は、図2に示されるガラス板2を用いて製造することができる。ガラス板2は、錫浴を用いたフロート法により作製する。錫浴を用いたフロート法により、例えば、厚みが0.2mm~1.0mm程度のガラス板2を作製することができる。ガラス板2は、錫浴を用いたフロート法により製造されるため、ガラス板2の第1及び第2の表層部には、第1及び第2のSn拡散層2a,2bが形成されている。ガラス板2において、第1の表層部は、ガラス板2の錫浴に接していた表面側に位置する。すなわち、第1のSn拡散層2aは、ガラス板2の錫浴に接していた表面側の第1の表層部に位置する。一方、第2の表層部は、ガラス板2の錫浴に接していた表面とは反対側に位置する。すなわち、第2のSn拡散層2bは、ガラス板2の錫浴に接していた表面とは反対側の第2の表層部に位置する。ガラス板2において、錫浴に接していた表面側の第1の表層部の方が、錫浴に接していた表面とは反対側の第2の表層部よりも、錫浴からのSnの拡散量が多い。このため、ガラス板2の第1のSn拡散層2aの厚みの方が、第2のSn拡散層2bの厚みよりも大きい。また、ガラス板2の第1のSn拡散層2aにおけるSn濃度の方が、第2のSn拡散層2bにおけるSn濃度よりも高い。次に、ガラス板2の少なくとも一方の表面を研磨し、図3に示されるように研磨後のガラス板3を得る。具体的には、ガラス板3の第1の表層部に位置する第1のSn拡散層3aにおけるSn濃度に対する第2の表層部に位置する第2のSn拡散層3bにおけるSn濃度の比が、0.7倍~3.0倍となるようにして、ガラス板2の両表面の少なくとも一方を研磨する。このとき、ガラス板2,3の表面を蛍光X線分析し、第1及び第2のSn拡散層3a,3bにおけるSn濃度を確認しつつ、研磨を行うことができる。ガラス板2の錫浴側に位置していた表面のみを研磨し、ガラス板2の錫浴とは反対側に位置していた表面を研磨しなくてもよい。また、ガラス板2の錫浴側に位置していた表面、及び錫浴とは反対側に位置していた表面の両表面を研磨してもよい。ガラス板2の研磨は、例えば機械研磨により行われる。上述の通り、ガラス板2の第1のSn拡散層2aにおけるSn濃度の方が、第2のSn拡散層2bにおけるSn濃度よりも高い。よって、ガラス板2の少なくとも第1のSn拡散層2aの一部が、研磨により取り除かれる。研磨により取り除かれる第1のSn拡散層2aの厚みは、通常10μm~30μm程度であり、15μm~25μm程度であることが好ましく、15μm~20μm程度であることがより好ましい。また、研磨により取り除かれる第2のSn拡散層2bの厚みは、通常0μm~20μm程度であり、0μm~10μm程度であることが好ましく、0μm~5μm程度であることがより好ましい。なお、研磨後のガラス板3の第1及び第2のSn拡散層3a,3bの厚みと、上述の強化ガラス板1の第1及び第2のSn拡散層1a,1bの厚みとは、ほぼ同じである。また、研磨後のガラス板3の第1及び第2のSn拡散層3a,3bにおけるSn濃度と、強化ガラス板1の第1及び第2のSn拡散層1a,1bにおけるSn濃度とは、ほぼ同じである。ガラス板3の組成は、通常SiO2が50質量~75質量程度、Al2O3が10質量~22質量程度、Li2Oが0質量~10質量程度、Na2Oが8質量~20質量程度、K2Oが0質量~10質量程度、MgOCaOSrOBaOが0質量~10質量程度、ZrO2が0質量~10質量程度、B2O3が0質量~5質量程度、TiO2が0質量~5質量程度の組成である。次に、ガラス板3をイオン強化することにより、強化ガラス板1を得る。イオン強化の方法は、特に限定されず、例えば、ガラス板3を硝酸カリウム溶融塩に浸漬し、ガラス板3の表層部分に存在するNaイオンをKイオンと交換することにより行うことができる。上述の通り、ガラス板の両表層にSn濃度と深さの異なるSn拡散層が形成されたガラス板をイオン強化すると、両表層におけるイオン交換の程度に差が生じる。この差が大きいと、強化ガラス板に反りなどが発生しやすくなるという問題がある。また、このような問題を解決するために、フロート法で作製したガラス板の両表面を研磨し、Sn拡散層を取り除いてから、イオン強化すると、イオン交換が過度に進行し、深い圧縮応力層が形成され、強化ガラス板が自己破壊を起こす場合がある。これに対して、本発明者は、強化ガラス板において、第1のSn拡散層1aにおけるSn濃度を、第2のSn拡散層1bにおけるSn濃度の0.7倍~3.0倍とすることにより、反りが抑制され、薄くし得る強化ガラス板1が得られることを見いだした。強化ガラス板1においては、Sn濃度が上記の条件を満たすようにして、敢えて第1及び第2のSn拡散層1a,1bが設けられていることにより、強化ガラス板1の厚みが、例えば0.2mm~1mmと薄くても、強化ガラス板1は反りが抑制され、薄くし得るという優れた効果を奏する。これは、第1及び第2のSn拡散層1a,1bにおけるSn濃度差が少ないことと、第1及び第2のSn拡散層1a,1bが存在することにより、過強化が抑制されていることに起因するものと考えられる。また、本実施形態に係る強化ガラス板の製造方法によれば、強化ガラス板1を好適に製造することができる。以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。実施例1SiO2が58質量、Al2O3が13質量、MgOが2質量、CaOが2質量、Na2Oが15質量、K2Oが5質量、ZrO2が5質量の組成を有し、歪点が520°C、熱膨張係数が100×10-7/°C、密度が2.54g/cm3となるようにガラス原料を調合し、これを溶融炉に投入した。得られた溶融ガラスを錫浴に浮かべ、ガラス板が表1に記載の厚み1.0mmとなるようにして、成形し、徐冷してガラス板2を得た。次に、縦100mm、横100mmとなるようにガラス板2を切断した後、錫浴に接していた側の表面を20μm機械研磨し、研磨後のガラス板3を得た。このとき、錫浴に接していた表面とは反対側の表面は研磨せず、錫浴とは反対側の表層におけるSn濃度Tに対する錫浴側の表層におけるSn濃度Bの比B/Tが表1に記載の値1.0となるようにして、錫浴に接していた表面を研磨した。ガラス板2の表層におけるSn濃度は、蛍光X線分析で確認した。次に、研磨後のガラス板3を450°Cに加熱した硝酸カリウム溶融塩に6時間浸漬して、表層をイオン交換し、強化ガラス板1を得た。得られた強化ガラス板1の反り、圧縮応力層の深さを測定した。結果を表1に示す。反りの評価では、強化ガラス板1を定盤の上に置いたときに、強化ガラス板1と定盤との隙間が0.3mm以上のものを×、0.3mm未満のものを○とした。また、圧縮応力層の深さは、表面応力計FMS-60000を用い、干渉縞の本数とその間隔から測定した。なお、これらの測定に際し、強化ガラス板1の屈折率は1.52、光弾性定数は28nm/cm/MPaとした。実施例2ガラス板2の厚みを0.7mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、強化ガラス板1を得た。なお、ガラス板2の表面を、20μm研磨した。次に、得られた強化ガラス板1の反り、圧縮応力層の深さを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。実施例3ガラス板2の厚みを0.5mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、強化ガラス板1を得た。なお、ガラス板2の表面を、20μm研磨した。次に、得られた強化ガラス板1の反り、圧縮応力層の深さを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。実施例4ガラス板2の厚みを0.7mmとし、B/Tが2.8となるように研磨したこと以外は、実施例1と同様にして、強化ガラス板1を得た。なお、ガラス板2の表面を、10μm研磨した。次に、得られた強化ガラス板1の反り、圧縮応力層の深さを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。比較例1ガラス板の厚みを0.7mmとし、B/Tが0.6となるように研磨したこと以外は、実施例1と同様にして、強化ガラス板を得た。なお、ガラス板の表面を、40μm研磨した。次に、得られた強化ガラス板の反りを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。なお、比較例1の強化ガラス板は、反りが大きすぎたため、圧縮応力層の深さを測定することができなかった。比較例2ガラス板の厚みを0.7mmとし、B/Tが3.1となるように研磨したこと以外は、実施例1と同様にして、強化ガラスを得た。なお、ガラス板2の表面を、5μm研磨した。次に、得られた強化ガラス板の反り、圧縮応力層の深さを実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。比較例3ガラス板の厚みを0.7mmとし、錫浴に接していた側とその反対側の両表面を、Sn濃度がバックグランド程度しか検出できないところまで研磨したこと以外は、実施例1と同様にしてイオン交換処理を行った。なお、ガラス板の錫浴に接していた側とその反対側の表面を、それぞれ、50μmずつ研磨した。次に、実施例1と同様にして、研磨後のガラス板にイオン交換を行おうとしたところ、イオン交換処理中にガラス板が自己破壊したため、強化ガラス板の反りと圧縮応力層の深さを測定することはできなかった。"