薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に形成された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、を備えた半導体装置。前記酸素供給層が、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である、請求項1に記載の半導体装置。前記酸素供給層が、アクリル樹脂、SOG材料、シリコーン樹脂、エステル重合樹脂、あるいはシラノール基、CO-OR基、またはSi-OH基を含む樹脂からなる、請求項1または2に記載の半導体装置。前記酸素供給層の厚さが500nm~3500nmの範囲にある、請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。前記拡散防止層が、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンからなる、請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。前記拡散防止層の厚さが50nm~500nmの範囲にある、請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。前記保護層が、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる、請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記下部配線とが、前記ゲート絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して接続されている、請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。前記接続部において、前記コンタクトホールが酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層とを貫通するように形成されており、前記上部配線と前記下部配線とが、前記コンタクトホールを介して接続されている、請求項8に記載の半導体装置。前記接続部は、前記下部配線の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された上部配線と、前記上部配線の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された導電層と、を有し、前記接続部の前記絶縁層、前記上部配線、前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するようにコンタクトホールが形成されており、前記コンタクトホール内に形成された前記導電層を介して、前記下部配線と前記上部配線とが電気的に接続されている、請求項8に記載の半導体装置。前記接続部は、前記下部配線の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された前記上部配線と、前記上部配線の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された導電層と、を有し、前記接続部の前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するように第1コンタクトホールが形成されており、前記接続部の前記絶縁層、前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するように第2コンタクトホールが形成されており、前記第1コンタクトホール内で前記上部配線と前記導電層とが電気的に接続されており、前記第2コンタクトホール内で前記下部配線と前記導電層とが電気的に接続されている、請求項8に記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料による補助容量電極と、前記補助容量電極の上に、前記補助容量電極に接するように形成された前記拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された補助容量対向電極と、を有する補助容量を備えた、請求項1から11のいずれかに記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料による補助容量電極と、前記補助容量電極の上に、前記補助容量電極に接するように形成された第1導電層と、前記第1導電層の上に、前記前記第1導電層に接するように形成された前記拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された補助容量対向電極と、を有する補助容量を備えた、請求項1から11のいずれかに記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料による補助容量電極と、前記補助容量電極の上に、前記補助容量電極に接するように形成された酸化物半導体層と、前記補助容量電極上の前記酸化物半導体層に接するように形成された前記拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された補助容量対向電極と、を有する補助容量を備えた、請求項1から11のいずれかに記載の半導体装置。請求項1から14のいずれかに記載の半導体装置を含む表示装置であって、前記拡散防止層の上に形成された画素電極を備え、前記画素電極が、前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続されている表示装置。請求項1から14のいずれかに記載の半導体装置を含む表示装置であって、前記酸素供給層と前記拡散防止層との間に配置された下層電極と、前記拡散防止層の上に配置され、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に接続された上層電極と、を備えたフリンジフィールド型の表示装置。前記ゲート電極と同じ材料によって形成されたコモン線を備え、前記コモン線と前記下層電極とが、前記ゲート絶縁層、前記保護層、および前記酸素供給層とを貫通するコンタクトホールを介して接続されている、請求項16に記載のフリンジフィールド型の表示装置。前記保護層の密度が1.9~2.2g/cm3の範囲内にある、請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。前記保護層が、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された第1保護層、および前記第1保護層の上に形成された、前記第1保護層よりも密度の低い第2保護層からなる、請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。前記第1保護層の密度が2.1~2.4g/cm3の範囲内にあり、前記第2保護層の密度が1.9~2.2g/cm3の範囲内にある、請求項19に記載の半導体装置。前記酸化物半導体層と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間に形成されたエッチングストッパ層を備えた、請求項1から7に記載の半導体装置。請求項20または21に記載の半導体装置を備えた表示装置。薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に配置された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に、前記酸化物半導体層に接するように形成された酸素供給層と、を備えた半導体装置。前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と前記酸素供給層との間に配置された保護層を備え、前記酸素供給層が、前記保護層に形成されたコンタクトホールを介して、前記酸化物半導体層に接している、請求項23に記載の半導体装置。前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層を備える、請求項23または24に記載の半導体装置。前記酸化物半導体層と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間に形成されたエッチングストッパ層を備えた、請求項23に記載の半導体装置。薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、を備えた、半導体装置。薄膜トランジスタを備えたトップゲート型の半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記絶縁層及び前記ゲート電極の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、を備えた、半導体装置。請求項23から28のいずれかに記載の半導体装置を備えた表示装置。しかしながら、酸化物半導体TFTでは、TFTの製造プロセス中、例えば熱処理工程等において酸素欠損が生じ、キャリア電子が生じて不要なOFF電流が発生するなどの問題が発生し得る。また、ソースドレイン電極のエッチング工程やその上部の絶縁層の形成工程において、下方にある酸化物半導体層が、還元作用等のダメージを受けるという問題も生じ得る。本願発明者が検討した結果、酸化物半導体層がその下部のゲート絶縁層、またはその上部の保護層等と接する構成の酸化物半導体TFTにおいては、酸化物半導体層内部、または酸化物半導体層と絶縁層、保護層等との界面近傍に酸素欠損等による欠陥準位が発生し易く、それにより、TFTの特性低下、信頼性低下、品質のばらつき増加等の問題が発生することがわかった。上記特許文献3には、特性の優れたトランジスタを得るために、非晶質酸化物を形成した後に、非晶質酸化物の成膜温度よりも高い温度で熱処理を行なうことなどが記載されているが、このような方法によっても、酸素欠損に起因する欠陥準位の低減を行なうことはできず、良好なTFT特性を得ることは難しい。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、酸化物半導体TFTの酸化物半導体層に発生する欠陥を低減して、TFT特性の優れた半導体装置を製造することを目的とする。また本発明は、そのような半導体装置をTFT基板として備えた高性能の表示装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に形成された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、を備えている。ある実施形態では、前記酸素供給層は、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である。ある実施形態では、前記酸素供給層は、アクリル樹脂、SOG材料、シリコーン樹脂、エステル重合樹脂、あるいはシラノール基、CO-OR基、またはSi-OH基を含む樹脂からなる。ある実施形態では、前記酸素供給層の厚さは500nm~3500nmの範囲にある。ある実施形態では、前記拡散防止層は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸窒化シリコンからなる。ある実施形態では、前記拡散防止層の厚さは50nm~500nmの範囲にある。ある実施形態では、前記保護層は、酸化シリコンまたは窒化シリコンからなる。ある実施形態では、前記半導体装置は、前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記下部配線とが、前記ゲート絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して接続されている。ある実施形態では、前記接続部において、前記コンタクトホールは酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層とを貫通するように形成されており、前記上部配線と前記下部配線とが、前記コンタクトホールを介して接続されている。ある実施形態では、前記接続部は、前記下部配線の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された上部配線と、前記上部配線の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された導電層と、を有し、前記接続部の前記絶縁層、前記上部配線、前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するようにコンタクトホールが形成されており、前記コンタクトホール内に形成された前記導電層を介して、前記下部配線と前記上部配線とが電気的に接続されている。ある実施形態では、前記接続部は、前記下部配線の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された前記上部配線と、前記上部配線の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された導電層と、を有し、前記接続部の前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するように第1コンタクトホールが形成されており、前記接続部の前記絶縁層、前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するように第2コンタクトホールが形成されており、前記第1コンタクトホール内で前記上部配線と前記導電層とが電気的に接続されており、前記第2コンタクトホール内で前記下部配線と前記導電層とが電気的に接続されている。ある実施形態では、前記半導体装置は、前記ゲート電極と同じ材料による補助容量電極と、前記補助容量電極の上に、前記補助容量電極に接するように形成された前記拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された補助容量対向電極と、を有する補助容量を備えている。ある実施形態では、前記半導体装置は、前記ゲート電極と同じ材料による補助容量電極と、前記補助容量電極の上に、前記補助容量電極に接するように形成された第1導電層と、前記第1導電層の上に、前記前記第1導電層に接するように形成された前記拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された補助容量対向電極と、を有する補助容量を備えている。ある実施形態では、前記半導体装置は、前記ゲート電極と同じ材料による補助容量電極と、前記補助容量電極の上に、前記補助容量電極に接するように形成された酸化物半導体層と、前記補助容量電極上の前記酸化物半導体層に接するように形成された前記拡散防止層と、前記拡散防止層の上に形成された補助容量対向電極と、を有する補助容量を備えている。本発明による表示装置は、上記の半導体装置を含む表示装置であって、前記拡散防止層の上に形成された画素電極を備え、前記画素電極が、前記保護層、前記酸素供給層、および前記拡散防止層を貫通するコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続されている。本発明による他の表示装置は、上記の半導体装置を含む表示装置であって、前記酸素供給層と前記拡散防止層との間に配置された下層電極と、前記拡散防止層の上に配置され、前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に接続された上層電極と、を備えたフリンジフィールド型の表示装置である。ある実施形態では、他の表示装置は、前記ゲート電極と同じ材料によって形成されたコモン線を備え、前記コモン線と前記下層電極とが、前記ゲート絶縁層、前記保護層、および前記酸素供給層とを貫通するコンタクトホールを介して接続されている。本発明による半導体装置のある実施形態では、前記保護層の密度は1.9~2.2g/cm3の範囲内にある。本発明による半導体装置のある実施形態では、前記保護層は、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された第1保護層、および前記第1保護層の上に形成された、前記第1保護層よりも密度の低い第2保護層からなる。ある実施形態では、前記第1保護層の密度は2.1~2.4g/cm3の範囲内にあり、前記第2保護層の密度は1.9~2.2g/cm3の範囲内にある。本発明による半導体装置のある実施形態は、前記酸化物半導体層と前記ソース電極およびドレイン電極との間に形成されたエッチングストッパ層を備えている。本発明による他の表示装置は、上記の半導体装置を備えた表示装置である。本発明による他の半導体装置は、薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に配置された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に、前記酸化物半導体層に接するように形成された酸素供給層と、を備えている。ある実施形態では、半導体装置は、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と前記酸素供給層との間に配置された保護層を備え、前記酸素供給層は、前記保護層に形成されたコンタクトホールを介して、前記酸化物半導体層に接している。ある実施形態では、半導体装置は前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層を備えている。ある実施形態では、半導体装置は前記酸化物半導体層と前記ソース電極およびドレイン電極との間に形成されたエッチングストッパ層を備えている。本発明による他の半導体装置は、薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された酸素供給層と、を備えている。本発明による他の半導体装置は、薄膜トランジスタを備えたトップゲート型の半導体装置であって、基板の上に形成された、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記絶縁層及び前記ゲート電極の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された拡散防止層と、を備えている。本発明による他の表示装置は、上記半導体装置を備えた表示装置である。本発明によれば、酸素供給層から酸化物半導体層にH2O、OR基、またはOH基が供給されるため、より欠陥の修復された酸化物半導体層を有する、高性能の半導体装置を得ることができる。また、本発明によれば、TFT毎に特性のばらつきが少ない、高信頼性の半導体装置を得ることができる。また、本発明によれば、特性の優れた酸化物半導体TFTを有する表示装置によって、高品質な表示を提供することが可能となる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態による表示装置、半導体装置を説明する。ただし、本発明の範囲は以下の実施形態に限られるものではない。本発明の半導体装置は、酸化物半導体TFTが形成されたTFT基板であり、各種表示装置や電子機器などのTFT基板を広く含むものとする。本実施形態の説明においては、半導体装置を、酸化物半導体TFTをスイッチング素子として備えた表示装置のTFT基板として説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態による液晶表示装置1000の構成を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、液晶表示装置1000は、液晶層を挟んで互いに対向するTFT基板半導体装置100および対向基板200と、TFT基板100および対向基板200のそれぞれの外側に配置された偏光板210および220と、表示用の光をTFT基板100に向けて出射するバックライトユニット230とを備えている。TFT基板100には、複数の走査線ゲートバスラインを駆動する走査線駆動回路240、および複数の信号線データバスラインを駆動する信号線駆動回路250が配置されている。走査線駆動回路240および信号線駆動回路250は、TFT基板100の内部または外部に配置された制御回路260に接続されている。制御回路260による制御に応じて、走査線駆動回路240からTFTのオン-オフを切り替える走査信号が複数の走査線に供給され、信号線駆動回路250から表示信号図3に示す画素電極20への印加電圧が、複数の信号線に供給される。対向基板200は、カラーフィルタおよび共通電極を備えている。カラーフィルタは、3原色表示の場合、それぞれが画素に対応して配置されたR赤フィルタ、G緑フィルタ、およびB青フィルタを含む。対向基板200を4原色以上の表示方式に対応させてもよい。共通電極は、液晶層を挟んで複数の画素電極20を覆うように形成されている。共通電極と各画素電極20との間に与えられる電位差に応じて両電極の間の液晶分子が画素毎に配向し、表示がなされる。図2は、TFT基板100の構成を模式的に示す平面図であり、図3は、TFT基板100の表示領域DAの構成を模式的に示す平面図である。図2に示すように、TFT基板100は、表示部DAと表示部DAの外側に位置する周辺部FAを有する。周辺部FAには、図1に示した走査線駆動回路240および信号線駆動回路250、電圧供給回路の電気素子などが、例えばCOGChiponGlass方式によって配置されている。周辺部FAにおけるTFT、ダイオード等の電気素子は、表示部DAのTFTと同じ製造工程にて形成され得る。また、周辺部FAの外端部付近にはFPCFlexiblePrintedCircuits等の外部素子を取り付けるための端子部30が配置されている。さらに、周辺部FAには、信号線等の上部配線と走査線等の下部配線とを電気的に接続する接続部25が形成されている。図示してはいないが、表示領域DAと周辺領域FAとの境界には複数の接続配線が配置されている。各信号線12は、それぞれに対応して形成された接続部を介して接続配線に電気的に接続されている。接続部によって、上部配線である信号線12が下部配線である接続配線に接続される。図3に示すように、表示部DAには、複数の画素50がマトリクス状に配置されており、複数の走査線14と複数の信号線12とが互いに直交するように延びている。走査線14の一部はTFT10のゲート電極を構成する。複数の走査線14と複数の信号線12との交点それぞれの付近には、能動素子である薄膜トランジスタTFT10が画素50毎に形成されている。各画素50には、TFT10のドレイン電極に電気的に接続された、例えばITOIndiumTinOxideからなる画素電極20が配置されている。また、隣り合う2つの走査線14の間には補助容量線Csラインとも呼ぶ16が走査線14と平行に延びている。各画素10内には補助容量Cs18が形成されており、補助容量線16の一部が補助容量18の補助容量電極下部電極をなしている。この補助容量電極と、補助容量対向電極上部電極と、両電極の間に配置された層により補助容量18が構成される。TFT10のドレイン電極は補助容量の補助容量対向電極に接続されており、補助容量対向電極は層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して画素電極20に接続されている。TFT10のゲート電極、走査線14、補助容量線16、および補助容量電極は、基本的に、同一の材料によって、同一の工程で形成される。TFT10のソース電極とドレイン電極、信号線12、補助容量対向電極は、基本的に、同一の材料によって、同一の工程で形成される。図4は、実施形態1によるTFT基板100半導体装置100と呼ぶこともあるにおけるTFT10の構成を模式的に表した断面図である。図4に示すように、TFT10は、ガラス基板等の基板60の上に形成されたゲート電極62と、基板60の上にゲート電極62を覆うように形成されたゲート絶縁層66単に絶縁層66と呼ぶこともあると、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、ゲート絶縁層66および酸化物半導体層68の上に形成されたソース電極70sおよびドレイン電極70dと、ソース電極70sおよびドレイン電極70dの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78と、を備えている。後に図12~14に示すように、拡散防止層78の上には透明導電材料による画素電極20が形成されている。画素電極20の下の拡散防止層78、層間絶縁層74、および保護層72にはコンタクトホールが形成されており、画素電極20は、そのコンタクトホールの底でTFT10のドレイン電極70dと接している。ゲート電極62は、例えばチタンTiからなる下層ゲート電極の上に、例えば銅Cuからなる上層ゲート電極が形成された2層構造を有し得る。ゲート電極を、Ti/Alアルミニウム/Ti等の3層構成としてもよい。ゲート絶縁層66は、窒化シリコンによって形成されている。ゲート絶縁層66を、酸化シリコンで形成してもよく、窒化シリコン層と酸化シリコン層との2層構成に形成してもよい。酸化物半導体層68は、In-Ga-Zn-O系半導体IGZOからなる層である。酸化物半導体層68の上に形成されたソース電極70sおよびドレイン電極70dは、Ti/Al/Tiの3層構成からなる導電層である。ソース電極70sおよびドレイン電極70dを、Al/Ti、Cu/Ti、Cu/Moモリブデン等の2層構成としてもよい。保護層72は、酸化シリコンSiO2または窒化シリコンSiNxにより形成されている。保護層72を設けない構成もあり得る。拡散防止層78は、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiNx、または酸窒化シリコンSiNOにより形成されている。酸素供給層74は、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である。本実施形態では、酸素供給層74は、例えばアクリル樹脂をスピンコート法によって塗布して形成されている。SOG材料には、シリコーンsilicone樹脂、シラノール例えばSiOH4、アルコキシシラン、シロキサン樹脂等を含むスピンオングラスSOG材料を用いることができる。酸素供給層74を、シラノール基またはSi-OH基を含む他の樹脂材料から形成してもよい。また、酸素供給層74は、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料によって形成してもよい。図5に示すように、酸素供給層74がH2O、OR基、またはOH基を含むことから、アニール等の熱処理工程において、酸素供給層74から保護層72を介して酸化物半導体層68のチャネル部にH2O、OH基、またはOR基が拡散され、酸化物半導体層68中の酸素欠損等に起因する欠陥が補われる。これにより、TFTの特性が向上し、TFT毎のばらつきが少ない、高品質の半導体装置を提供することができる。また、酸化物半導体層74の上部に拡散防止層78が配置されていることから、酸素供給層74から上方に移動したH2O、OR基、またはOH基が、拡散防止層78の底面にて反射されて酸化物半導体層68に向けて移動する。よって、拡散防止層78を形成した後に熱処理を行なう場合、酸化物半導体層68により多くのH2O、OR基、またはOH基の供給がなされ、より多くの欠陥が修復される。図6aは、複数のTFT10の電圧-電流特性を表したグラフであり、bは酸素供給層および拡散防止層を有しない複数のTFTの電圧-電流特性を表したグラフである。両グラフにおいて、横軸はゲート電圧値を表し、縦軸はソース-ドレイン電流値を表している。図6aからわかるように、実施形態1のTFT10では、ゲート電圧0V付近における電流の立ち上がりが急峻であり、かつ複数のTFT10の特性S値間にばらつきが少ない。これは、何れのTFT10においても、TFT10のON時から印加電圧に応じた適切な電流値が得られることを示している。一方、図6bに示されるように、酸素供給層および拡散防止層を有しないTFTでは、ON電流の立ち上がりが鈍く、立ち上がり位置に大きなばらつきが見られる。また、OFF電流値にもばらつきが生じている。これら比較から、実施形態1のTFT10によれば、よりTFT特性の安定した高性能の半導体装置が得られることがわかる。次に、図7および図8を参照しながらTFT基板100の製造方法を説明する。図7a~dおよび図8e~gは、TFT基板100の製造工程を示す模式的な断面図である。工程A:まず、基板60の上にスパッタ法などにより、Ti層およびCu層をこの順に積層する。Ti層の厚さは30~150nmであり、Cu層の厚さは200~500nmである。次に、積層した2層を公知のフォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いてパターニングして第1マスク工程、図7aに示すゲート電極62を得る。このとき、ここでは図示しない走査線14、補助容量線16、補助容量電極、下部配線等も同時に形成される。その後、残ったレジストの剥離および基板の洗浄が行われる。工程B:次に、基板60の上にゲート電極62を覆うようにゲート絶縁層66を積層する。ゲート絶縁層66は、プラズマCVD法によって厚さ100~700nmに積層された窒化シリコン層である。窒化シリコンの変わりに酸化シリコンSiO2を積層してもよく、窒化シリコンと酸化シリコンの両方を積層してもよい。次に、図7bに示すように、ゲート絶縁層66の上に酸化物半導体材料68mを積層する。酸化物半導体材料68mは、例えばIn-Ga-Zn-OIGZOであり、スパッタ法によって厚さ10~100nm積層される。酸化物半導体材料68mを塗布法またはインクジェット法によって積層してもよい。酸化物半導体材料には、IGZOの代わりに他の種類の酸化物半導体膜を用いてもよい。工程C:その後、積層した酸化物半導体材料68mを、フォトリソグラフィ法、例えばシュウ酸を用いたウェットエッチング法でパターニングして第2マスク工程、図7cに示すように、TFT10のチャネル層を含む酸化物半導体層68を得る。その後、残ったレジストの剥離および基板の洗浄が行われる。工程D:次に、スパッタ法により、ゲート絶縁層66の上に酸化物半導体層68を覆うように、Ti、Al、およびTiをこの順番に積層する。次に、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法によって、これら3層をパターニングして、図7dに示すように、ソース電極70sおよびドレイン電極70dを得る第3マスク工程。その後、残ったレジストの除去、および基板洗浄がなされる。ウェットエッチングの代わりにドライエッチングを用いることも可能である。Ti、Al、およびTiを積層する代わりに、Al/Ti、Al/Mo、Cu/Ti、またはCu/Moを積層してもよい。またこれらの金属を単層で用いることもあり得る。この工程では、ここでは図示しない信号線12、補助容量対向電極、上部配線等も同時に形成される。工程E:次に、図8eに示すように、CVD法により酸化シリコンを基板全体に積層して、保護層72を形成する。酸化シリコンの代わりに、窒化シリコンを積層してもよく、また、酸化シリコンおよび窒化シリコンの両方を積層してもよい。保護層72の厚さは、25nm~350nmである。保護層72の厚さがこれよりも薄い場合、保護層としての機能が落ち、TFTの信頼性が低下する。これよりも厚い場合には、膜応力等による膜剥がれが懸念される。またその場合、保護層72の成膜およびエッチングに時間がかかり、生産性が悪くなる。工程F:次に、図8fに示すように、保護層72の上に、アクリル樹脂の酸素供給材料74mを塗布する。シリコーン樹脂等のSOG材料をスピンコートで塗布してもよい。酸素供給材料74mとして、シラノールSiOH4、アルコキシシラン、シロキサン樹脂等を含む材料を用いることができる。酸素供給層74を、シラノール基またはSi-OH基を含む他の樹脂材料から形成してもよい。また、酸素供給層74は、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料によって形成してもよい。酸素供給層74の厚さは、500nm~3500nmである。酸素供給層74の厚さがこれよりも薄い場合、発明の効果が得られない恐れがあり、また、これよりも厚い場合には、膜剥がれ、および生産性の低下が懸念される。工程G:次に、酸素供給層74の上にCVD法により酸化シリコンを基板全体に積層して、図8gに示すように、拡散防止層78を形成する。酸化シリコンの代わりに、窒化シリコンを積層してもよく、また、酸化シリコンおよび窒化シリコンの両方を積層してもよい。拡散防止層78の厚さは、50nm~500nmである。その後、大気雰囲気の中で、200°C~400°Cの温度でアニール処理を行って、TFT10が完成する。拡散防止層78を、窒化シリコン膜、もしくは酸化シリコンと窒化シリコン膜との積層膜とし、保護層72をシリコン酸化膜とすることで、拡散防止層78による高い拡散防止効果と保護層72による保護膜機能を両立させることが可能となる。なお、保護層72には保護膜としての機能とH2O、OR基、またはOH基を適度に透過する性質が必要である。窒化シリコン膜は酸化シリコン膜に比べ、H2O、OR基、またはOH基を透過しにくい性質を有する。アニール処理の際に、酸素供給層74から保護層72を介して酸化物半導体層68のチャネル部に、H2O、OH基、またはOR基が拡散され、酸化物半導体層68中の酸素欠損等に起因する欠陥が補われる。また、酸素供給層74から上方に移動したH2O、OR基、またはOH基が、拡散防止層78の底面にて反射されて酸化物半導体層68に向けて移動する。よって、酸化物半導体層68にH2O、OR基、またはOH基の供給がなされ、より欠陥が修復される。その後、拡散防止層78の上に、例えばスパッタ法により透明導電材料を堆積する。このとき透明導電材料は、ドレイン電極70d上の保護層72、酸素供給層74、および拡散防止層78に設けられたコンタクトホール内にも積層され、コンタクトホールの底部においてドレイン電極70dと接する。透明導電材料としては、ITOを用いる。透明導電材料にIZO、ZnO等を用いてもよい。次いで、公知のフォトリソグラフィ法によって、透明電極層のパターニングを行って画素電極20が形成される。以上の工程により、TFT10を有するTFT基板100が完成する。次に、図9~図11を参照して、TFT基板100における接続部25の第1~第3構成例を説明する。図9~図11は、それぞれ、接続部25の第1~第3構成例の断面を模式的に表している。第1構成例:第1構成例による接続部25は、図9に示すように、基板60の上に形成された下部配線62dと、下部配線62dの上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に形成された上部配線70uとを備えている。酸化物半導体層68が配置されない形態もあり得る。下部配線62dは、ゲート電極62と同時に同じ材料で形成された金属層である。上部配線70uは、ソース電極70sおよびドレイン電極70dと同時に同じ材料で形成された金属層である。接続部25において、酸化物半導体層68およびゲート絶縁層66のそれぞれには、互いに重なる位置に開口が設けられており、これら2層を貫通するようにコンタクトホール25haが形成されている。ゲート絶縁層66の開口は酸化物半導体層68の開口よりも大きく、コンタクトホール25haにおいて、ゲート絶縁層66および酸化物半導体層68の側面は階段状に形成されている。上部配線70uと下部配線62dとは、コンタクトホール25haを介して接続されている。つまり、コンタクトホール25ha内に形成された上部配線70uが、コンタクトホール25haの底部で下部配線62dと接続されている。なお、接続部25に酸化物半導体層68が配置されない形態においては、コンタクトホール25haは、ゲート絶縁層66のみを貫通するように形成される。上部配線70uの金属層を積層する場合、コンタクトホール25haの側面が急斜面であると、側面において金属層の切断が生じやすく、接続部における断線が発生する恐れがある。本構成例では、上部配線70uが、急傾斜の側面ではなく、ゲート絶縁層66および酸化物半導体層68の階段状の側面の上に形成されるため、上部配線70uの切断が生じにくい。よって、信頼性の高い接続部25を形成することができる。第2構成例:第2構成例による接続部25は、図10に示すように、基板60の上に形成された下部配線62dと、下部配線62dの上に形成されたたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された上部配線70uと、上部配線70uの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78と、拡散防止層78の上に形成された導電層20tとを備えている。下部配線62dは、ゲート電極62と同時に同じ材料で形成された金属層であり、上部配線70uは、ソース電極70sおよびドレイン電極70dと同時に同じ材料で形成された金属層である。導電層20tは、画素電極20と同時に同じ材料で形成されている。接続部25において、ゲート絶縁層66、上部配線70u、保護層72、酸素供給層74、および拡散防止層78のそれぞれには、互いに重なる位置に開口が設けられている。開口は、下層から上層に向けて大きくなるように形成されており、これらの層を貫通するようにコンタクトホール25hbが形成されている。コンタクトホール25hbにおいて、各層の端部は、より上層になるに従ってより外側に位置するように、階段状に形成されている。上部配線70uと下部配線62dとは、コンタクトホール25hb内の導電層20tを介して接続されている。つまり、コンタクトホール25hb内には、ゲート絶縁層66、上部配線70u、保護層72、酸素供給層74、および拡散防止層78の側面を覆うように導電層20tが形成されており、その側面において導電層20tと上部配線70uが接続され、コンタクトホール25hbの底部で導電層20tと下部配線62dとが接続されている。コンタクトホール25hb内に導電層20tを形成する場合、ITO、IZO等の金属がスパッタ法によって積層されるが、コンタクトホール25hbの側面が急斜面であると、金属層の切断や金属層と上部配線70uとの接触不良が発生し易い。また、各層の端部が同じ位置となるように形成しようとすると、フォトリソグラフィにおけるマスクの位置ずれ、エッチングシフトのばらつき、オーバーハング等により、下層の端部が上層の端部よりも外側に形成されることが生じ得る。これは導電層20tに断線を引き起こす原因となる。本構成例では、各層の側面が、より上層になるに従ってより外側に位置するように形成されるため、コンタクトホール25hbの側面が階段状に形成され、導電層20tの断線および導電層20tと上部配線70uとの接触不良が防止される。また、多層構成部位における接続を一つのコンタクトホールを介して行なうため、接続部の面積を小さく抑えることができる。これにより、TFT基板の高密度化、小型化が可能となる。また、コンタクトホール25hbを、各層のエッチングをハーフトーン露光、レジストアッシング等を利用して、一括して行なって形成することもできる。この場合、製造効率が向上し、TFT基板を低コストで製造することが可能となる。第3構成例:第3構成例による接続部25は、図11に示すように、基板60の上に形成された下部配線62dと、下部配線62dの上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された上部配線70uと、上部配線70uの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78と、拡散防止層78の上に形成された導電層20tとを備えている。下部配線62dは、ゲート電極62と同時に同じ材料で形成された金属層であり、上部配線70uは、ソース電極70sおよびドレイン電極70dと同時に同じ材料で形成された金属層である。導電層20tは、画素電極20と同時に同じ材料で形成されている。接続部25には、拡散防止層78、酸素供給層74、および保護層72を貫通する第1コンタクトホール25hc、ならびに、拡散防止層78、酸素供給層74、保護層72、およびゲート絶縁層66を貫通する第2コンタクトホール25hdが形成されている。上部配線70uと導電層20tとは、第1コンタクトホール25hc内で接続されている。つまり、コンタクトホール25hc内には、拡散防止層78、酸素供給層74、および保護層72の側面を覆うように導電層20tが形成されており、コンタクトホール25hcの底部で導電層20tと上部配線70uとが接続されている。導電層20tと下部配線62dとは、第2コンタクトホール25hd内で接続されている。つまり、コンタクトホール25hd内には、拡散防止層78、酸素供給層74、保護層72、およびゲート絶縁層66の側面を覆うように導電層20tが形成されており、コンタクトホール25hdの底部で導電層20tと下部配線62dとが接続されている。このようにして、上部配線70uと下部配線62dとが、導電層20tを介して電気的に接続されている。第1および第2構成例同様、コンタクトホール25hcおよび25hdの側面を階段状に形成してもよく、それによって、導電層20tの断線を防止することができる。次に、本発明による他の実施形態実施形態2~14を説明する。以下の説明においては、実施形態1と同じ構成要素には同じ参照番号を付け、その詳細な説明を省略する。同様の構成を有する構成要素からは同様の効果を得ることができる。以下の実施形態で説明するTFTおよびTFT基板は、基本的に実施形態1のTFT10およびTFT基板100と交換可能である。実施形態2図12は、実施形態2によるTFT基板100の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態によるTFT基板100の基本的構成は、以下に説明する以外、実施形態1のTFT基板100と同じである。本実施形態によるTFT基板100は、図1および図2に示した液晶表示装置1000のTFT基板100として用いられ得る。図12に示すように、TFT基板100は、接続部25と、TFT10と、補助容量Cs18を備えている。実施形態2における接続部25の構成は、基本的に実施形態1の第2構成例の接続部25と同じである。ただし、第2構成例におけるゲート絶縁層66と上部配線70uとの間に、酸化物半導体層68が配置されており、ゲート絶縁層66、酸化物半導体層68、上部配線70u、保護層72、酸素供給層74、および拡散防止層78を貫通するようにコンタクトホール25hbが形成されている。本実施形態の接続部25においても、コンタクトホール25hb側面において、複数の層がより上層になるに従ってより外側に位置するように形成されるため、コンタクトホール25hbの側面が階段状に形成され、導電層20tの断線および導電層20tと上部配線70uとの接触不良が防止される。また、配線接続を一つのコンタクトホールを介して行なうため、接続部の面積を小さく抑えることができる。接続部25として、実施形態1の第1あるいは第3構成例の接続部25を形成してもよい。補助容量18が形成された領域Cs領域と呼ぶには、基板60の上に、補助容量電極62c、ゲート絶縁層66、保護層72、酸素供給層74、拡散防止層78、および補助容量対向電極20cがこの順に積層されている。補助容量電極62cはTFT10のゲート電極62と同じ工程で同じ材料によって形成されている。補助容量対向電極20cは画素電極20と同じ工程で同じ材料によって形成されている。補助容量電極62cの上には、ゲート絶縁層66、保護層72、および酸素供給層74を貫通する開口が形成されており、その開口内に拡散防止層78および補助容量対向電極20cが積層されている。開口内で、拡散防止層78は補助容量電極62cに接しており、補助容量対向電極20cは拡散防止層78に接している。補助容量電極62cと、それに対向する補助容量対向電極20cと、両電極の間に挟まれた拡散防止層78とによって、補助容量18が構成される。この構成により、両電極の間隔を狭めることができるので、酸素供給層74を含む多層構成のTFT基板100においても、狭い領域に大きな容量を有する補助容量18を形成することができる。次に、図13を参照しながら、実施形態2によるTFT基板100の第1変形例の構成を説明する。第1変形例によるTFT基板100の基本的構成は、以下に説明する以外、実施形態2のTFT基板100と同じである。以下、異なる部分を中心に説明する。図13に示すように、TFT基板100は、接続部25と、TFT10と、補助容量Cs18を備えている。補助容量18が形成されたCs領域には、基板60の上に、補助容量電極62c、ゲート絶縁層66、保護層72、酸素供給層74、透明電極材料からなる導電層第1導電層22、拡散防止層78、および補助容量対向電極第2導電層20cがこの順に積層されている。補助容量電極62cの上には、ゲート絶縁層66、保護層72、および酸素供給層74を貫通する開口が形成されており、その開口内に導電層22、拡散防止層78、および補助容量対向電極20cが積層されている。開口内で、導電層22は補助容量電極62cと接しており、拡散防止層78は導電層22と補助容量対向電極20cとに挟まれている。補助容量電極62cおよび導電層22と、それに対向する補助容量対向電極20cと、拡散防止層78とによって、補助容量18が構成される。この構成により、両電極の間隔を狭めることができるので、酸素供給層74を含む多層構成のTFT基板100においても、狭い領域に大きな容量を有する補助容量18を形成することができる。次に、図14を参照しながら、実施形態2によるTFT基板100の第2変形例の構成を説明する。第2変形例によるTFT基板100の基本的構成は、以下に説明する以外、実施形態2のTFT基板100と同じである。以下、異なる部分を中心に説明する。図14に示すように、TFT基板100は、接続部25と、TFT10と、補助容量Cs18を備えている。補助容量18が形成されたCs領域には、基板60の上に、補助容量電極62c、ゲート絶縁層66、酸化物半導体層68、保護層72、酸素供給層74、拡散防止層78、および補助容量対向電極20cがこの順に積層されている。補助容量電極62cの上面はゲート絶縁層66に覆われることなく、酸化物半導体層68に接している。酸化物半導体層68の上には、保護層72および酸素供給層74を貫通する開口が形成されており、その開口内に拡散防止層78および補助容量対向電極20cが積層されている。開口内で、酸化物半導体層68は拡散防止層78と接しており、拡散防止層78は補助容量対向電極20cに接している。補助容量電極62cおよび酸化物半導体層68と、それに対向する補助容量対向電極20cと、拡散防止層78とによって、補助容量18が構成される。酸化物半導体層68は熱処理がなされることにより導体化しており、補助容量電極としての機能を果たす。よって、両電極の間隔を狭めることができ、酸素供給層74を含む多層構成のTFT基板100においても、狭い領域に大きな容量を有する補助容量18を形成することができる。また、Cs部における酸化物半導体層68のパターニングおよび熱処理は、それぞれTFT10の酸化物半導体層68のパターニングおよび熱処理と同時に行なわれる。よって、工程数を増やすことなく効率的に高性能の補助容量18を形成することができる。実施形態3次に、本発明の実施形態3による表示装置を説明する。実施形態3の表示装置は、フリンジフィールドFFS型の液晶表示装置である。実施形態1と同じ構成要素には同じ参照番号を付け、異なる部分を中心に説明を行なう。図15は、実施形態3によるTFT基板100の画素50の構成を模式的に表した平面図であり、図16は、実施形態3によるTFT基板100のA-A’断面TFT10の断面およびB-B’断面の構成を模式的に表した断面図である。図15および図16に示すように、TFT基板100は、画素50ごとにTFT10、TFT10のドレイン電極70dに接続された上層電極画素電極94、および下層電極92を備えている。TFT10の構成は、実施形態1および2において説明したTFT10と同じである。TFT基板100には、走査線14と平行に延びるコモン線90が配置されている。走査線14、コモン線90、および隣り合う2つの信号線12によって囲まれた領域が1つの画素50に対応している。コモン線90からは、画素50の周辺部において信号線12と平行に延びる支線90bが分岐している。支線90bの上のゲート絶縁層66、保護層72、および酸素供給層74にはコンタクトホールが形成されており、コンタクトホール側面および底面には下層電極92の一部が形成されている。つまり、下部電極92と支線90bおよびコモン線90とは、コンタクトホールを介して接続されている。コモン線90および支線90bは、TFT10のゲート電極62と同じ工程において同じ材料で形成される。上層電極94は櫛歯状の形態を有している。下層電極92は酸素供給層74と拡散防止層78との間に、画素50のほぼ全体にわたって形成されており、上層電極92は、拡散防止層78の上に形成されている。上層電極92の櫛歯部分互いに平行に延びる複数の線状部分と下層電極92との間に形成される電界に応じて、上層電極94上の液晶が配向し、表示がなされる。図17は、実施形態3のTFT基板100における画素50の構成の変形例を模式的に表した平面図である。図17に示すように、変形例ではコモン線90は画素10の中央付近を走査線14と平行に延びている。支線90bは形成されず、コモン線90と下部電極92とは、コモン線90の上に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。実施形態4次に、図18を参照して、本発明の実施形態4によるTFT10の構成を説明する。図18は、実施形態4によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態4のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、酸化物半導体層68、ソース電極70s、及びドレイン電極70dの上に、酸化物半導体層68のチャネル部分に接するように形成された酸素供給層74とを備えている。このTFT10は、実施形態1のTFT10から保護層72と拡散防止層78とを除いた構成を有しており、それ以外の構成は実施形態1と同じである。実施形態4の構成によれば、酸化物半導体層68のチャネル部に酸素供給層74が直接接しているため、チャネル部の欠陥を効率的に補うことができる。ただし、拡散防止層78による効果を得ることはできない。実施形態5次に、図19を参照して、本発明の実施形態5によるTFT10の構成を説明する。図19は、実施形態5によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態5のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、ソース電極70s及びドレイン電極70dの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74とを備えている。このTFT10は、実施形態1のTFT10から拡散防止層78を除いた構成を有しており、保護層72にはコンタクトホール72hが形成されている。それ以外の構成は実施形態1と同じである。コンタクトホール72hは酸素供給層74によって埋められており、コンタクトホール72hの底部で酸素供給層74が酸化物半導体層68に接している。酸素供給層74と酸化物半導体層68とがチャネル部近傍で接しているため、実施形態1よりも酸化物半導体層68により多くのH2O等を補充することができる。また、実施形態4のように、酸化物半導体層68のチャネル部に直接酸素供給層74が接する場合、チャネル部の上面付近に多くの不純物が混入するなどの不具合が発生する恐れがある。しかし、本実施形態では、チャネル部上に保護層72が形成されているため、そのような不具合が防止され、TFTの信頼性が向上する。なお、拡散防止層78による効果を得ることはできない。実施形態6次に、図20を参照して、本発明の実施形態6によるTFT10の構成を説明する。図20は、実施形態5によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態5のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、ソース電極70s及びドレイン電極70dの上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78とを備えている。このTFT10は、実施形態1のTFT10から保護層72を除いた構成を有しており、実施形態4に拡散防止層78を付加した構成を有している。実施形態6の構成によれば、酸化物半導体層68のチャネル部に酸素供給層74が直接接しているため、チャネル部の欠陥を効率的に補うことができる。また、拡散防止層78による効果も得ることができる。実施形態7次に、図21を参照して、本発明の実施形態7によるTFT10の構成を説明する。図21は、実施形態7によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態7のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、ソース電極70s及びドレイン電極70dの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層の上に形成された拡散防止層78とを備えている。このTFT10は、実施形態1のTFT10における保護層72にコンタクトホール72hが形成された形態を有している。また、この形態は、実施形態5に拡散防止層78を付加した形態でもある。コンタクトホール72hは酸素供給層74によって埋められており、コンタクトホール72hの底部で酸素供給層74が酸化物半導体層68に接している。酸素供給層74と酸化物半導体層68とがチャネル部近傍で接しているため、実施形態1よりも酸化物半導体層68により多くのH2O等を補充することができる。また、実施形態4のように、酸化物半導体層68のチャネル部に直接酸素供給層74が接する場合、チャネル部の上面付近に多くの不純物が混入するなどの不具合が発生する恐れがある。しかし、本実施形態では、チャネル部上に保護層72が形成されているため、そのような不具合が防止され、TFTの信頼性が向上する。また本形態によれば、拡散防止層78による効果も得ることができる。図22は、本実施形態による複数のTFT10の電圧-電流特性を表したグラフであり、横軸はゲート電圧値を、縦軸はソース-ドレイン電流値をそれぞれ表している。図6aは、保護層72がコンタクトホール72hを有さず、酸化物半導体層68と酸素供給層74とが直接接することのない実施形態1の特性を表していた。図6aと図22とを比較してわかるように、実施形態7のTFT10では、実施形態1のTFT10よりも、ゲート電圧0V付近での電流の立ち上がりがより急峻であり、かつ複数のTFT10の特性S値にばらつきが少ない。これは、実施形態7によれば、複数のTFT10において、ON時から印加電圧に応じたより適切な電流値が、よりばらつき少なく得られることを示している。これらの比較から、酸化物半導体層68と酸素供給層74とが直接接することにより、よりTFT特性の安定した高性能の半導体装置が得られることがわかる。次に、図23~28を参照して本発明による実施形態8~13を説明する。これらの実施形態では、各TFT10が酸素供給層74の上に拡散防止層78が配置されるものとして説明しているが、拡散防止層78を備えない形態もあり得る。実施形態8まず、図23を参照して、本発明の実施形態8によるTFT10の構成を説明する。図23は、実施形態8によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態8のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、ソース電極70s及びドレイン電極70dの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78とを備えている。このTFT10は、実施形態1のTFT10と同じ構成を有している。ただし、本実施形態の保護層72は実施形態1の保護層72よりも低い密度を有している。保護層72の密度は、例えば実施形態1では、2.2g/cm3であり、実施形態8では2.0g/cm3である。実施形態8の保護層72の密度は1.9~2.2g/cm3の範囲内にあることが好ましい。より低い密度を有することにより、実施形態1の保護層72よりもH2O等の透過率が高くなり、より多くのチャネル部の欠陥を補うことができる。実施形態9次に、図24を参照して、本発明の実施形態9によるTFT10の構成を説明する。図24は、実施形態9によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態9のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、ソース電極70s及びドレイン電極70dの上に形成された第1保護層72aと、第1保護層72aの上に形成された第2保護層72bと、第2保護層72bの上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78とを備えている。このTFT10は、保護層72が、第1保護層72aと第2保護層72bによる2層構成となっている以外は、実施形態1のTFT10と同じ構成を有している。第1保護層72aは第2保護層72bよりも高い密度を有する。第1保護層72aの密度は、例えば2.2g/cm3であり、第2保護層72bの密度は、例えば2.0g/cm3である。第1保護層72aの密度は2.1~2.4g/cm3の範囲内にあることが好ましく、第2保護層72bの密度は1.9~2.2g/cm3の範囲内にあることが好ましい。酸化物半導体層68と接する第1保護層72aを低密度にすると、保護層としての信頼性が低下する。本実施形態では、保護層72の特に重要な酸化物半導体層68界面付近の部分酸化物半導体層68の界面から5~25nmの厚さ部分を高密度膜とし、第2保護層72bを低密度膜とすることで、保護膜としての機能とH2O、OR基、またはOH基を適度に透過する性質の両方を保護層72に与えている。実施形態10次に、図25を参照して、本発明の実施形態10によるTFT10の構成を説明する。図25は、実施形態10によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態10のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたエッチングストッパ層ES層97と、ソース電極70s、及びドレイン電極70dと、ES層97、ソース電極70s、及びドレイン電極70dの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78とを備えている。ES層97は、酸化物半導体層68のチャネル部上の、ソース電極70sとドレイン電極70dの端部に挟まれた位置に配置されている。ES層97の両端部の上には、それぞれソース電極70s及びドレイン電極70dの端部が形成されており、ES層97の中央部の上面は保護層72に接している。ES層97は、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜上層がシリコン窒化膜によって形成されている。ここではシリコン酸化膜の厚さを100nmとした。ES層97が配置されることにより、ソース電極70sおよびドレイン電極70dとなるメタル層をエッチングする際のエッチングダメージから酸化物半導体層68のチャネル部を保護することができる。したがって、より特性の安定した信頼性の高いTFTを作製することができる。実施形態11次に、図26を参照して、本発明の実施形態11によるTFT10の構成を説明する。図26は、実施形態11によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態11のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置されたES層97、ソース電極70s、及びドレイン電極70dと、ES層97、ソース電極70s、及びドレイン電極70dの上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78とを備えている。実施形態10とは保護層72が形成されていない点で異なるが、他の構成は同じである。酸化物半導体層68のチャネル部に酸素供給層74がES層97のみを介して接しているため、H2O等のチャネル部への移動が容易となり、チャネル部の欠陥を効率的に補うことができる。実施形態10および11では、TFT10がES層97を有する2つの形態を説明したが、これに限られず、上述した実施形態1~9のチャネル層の上にES層97が配置された形態も本願発明の実施形態に含まれ得る。実施形態12次に、図27を参照して、本発明の実施形態12によるTFT10の構成を説明する。図27は、実施形態12によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態12のTFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、ソース電極70s及びドレイン電極70dの上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に配置された保護層72と、保護層72の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78とを備えている。ここでは、ソース電極70s及びドレイン電極70dはゲート絶縁層66と酸化物半導体層68との間に形成される。ただし、ソース電極70s及びドレイン電極70dの端部に挟まれた酸化物半導体層68のチャネル部は、その下面がゲート絶縁層66の上面と直接接するように形成されている。この構成によれば、酸化物半導体層68が、ソース電極70s及びドレイン電極70dを挟むことなく、保護層72のみを介して酸素供給層74に接するので、H2O等の酸化物半導体層68への移動が容易となり、酸化物半導体層68の欠陥をより多く補うことができる。実施形態13次に、図28を参照して、本発明の実施形態13によるTFT10の構成を説明する。図28は、実施形態13によるTFT10の断面を模式的に表している。実施形態13のTFT10はトップゲート型のTFTであり、基板60の上に形成されたソース電極70s及びドレイン電極70dと、ソース電極70s及びドレイン電極70dの上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62の上に形成された酸素供給層74と、酸素供給層74の上に形成された拡散防止層78とを備えている。酸化物半導体層68の、ソース電極70s及びドレイン電極70dの端部に挟まれたチャネル部は基板60に接するように形成され、その他の部分はソース電極70sまたはドレイン電極70dの上に形成される。ゲート電極62は、酸化物半導体層68の中央上部に配置され、ゲート電極62が形成されていない部分では、ゲート絶縁層66と酸素供給層74とが直接接している。この構成によれば、ゲート絶縁層66を介して、酸素供給層74から酸化物半導体層68にH2O等が移動するため、酸化物半導体層68の欠陥を補うことができる。また、ソース電極70s及びドレイン電極70dが拡散防止層としての役割を果たすので、より効果的に欠陥が補われる。実施形態14次に、本発明の実施形態14による有機EL表示装置1002を説明する。図29は、有機EL表示装置1002単に表示装置1002とも呼ぶの構成を模式的に示す断面図である。図に示すように、表示装置1002は、TFT基板140と、TFT基板140の上に設けられたホール輸送層144と、ホール輸送層144の上に設けられた発光層146と、発光層146の上に設けられた対向電極148を備えている。ホール輸送層144と発光層146は有機EL層を構成する。有機EL層は絶縁性突起147によって区分されており、区分された有機EL層が1つの画素の有機EL層をなす。TFT基板140は、上述した実施形態のTFT基板100と基本的に同じ構成を有しており、基板60の上に形成されたTFT10を備えている。TFT10には、実施形態1から13で説明したTFT10が用いられ得る。TFT基板140は、TFT10を覆って積層された層間絶縁層74、および層間絶縁層74の上に形成された画素電極109を有している。画素電極109は、層間絶縁層74に形成されたコンタクトホール内でTFT10のドレイン電極に接続されている。TFT基板140の平面構成は、図2および3に示したものと基本的に同じであるので、その説明を省略する。なお、TFT基板140として、補助容量を有しない形態を用いてもよい。画素電極109および対向電極148によって有機EL層に電圧が印加されると、ホール輸送層144を介して画素電極109から発生したホールが発光層146に送られる。また同時に、発光層146には対向電極148から発生した電子が移動し、そのようなホールと電子が再結合されることにより発光層146内で発光が起こる。発光層146での発光を、アクティブマトリクス基板であるTFT基板140を用いて画素毎に制御することにより、所望の表示がなされる。ホール輸送層144、発光層146、および対向電極148の材料、ならびにこれらの層構造には、公知の材料および構造を用いてよい。ホール輸送層144と発光層146との間に、ホール注入効率を上げるために、ホール注入層を設けることもあり得る。光の出射効率を上げるとともに、有機EL層への高い電子注入効率を達成するため、対向電極148には、透過率が高く、且つ仕事関数の小さな材料を用いることが好ましい。本実施形態の有機EL表示装置1002は、実施形態1~13で説明したTFT10を用いているため、実施形態1~13で説明したものと同様の効果を得ることができる。本実施形態によれば、高性能な表示を行うことができる有機EL表示装置1002を製造効率よく提供することが可能となる。