磁電変換素子を内蔵するICパッケージ、およびICパッケージから伸びる複数のリード線を有するICと、このICを収容する収容空間を有し、射出成形により外側の表面に樹脂モールド部が形成される収納容器とを備え、前記収容空間を構成する内壁面には、前記ICパッケージの表面の一部分が当接する当接領域が存在し、前記樹脂モールド部は、前記当接領域以外の内壁面の外側の表面に形成され、前記磁電変換素子は、前記ICパッケージの前記当接領域への当接、および、前記収納容器の外側の表面への前記樹脂モールド部の形成により位置決めされていることを特徴とする磁気式検出装置。請求項1に記載の磁気式検出装置において、前記収納容器は、前記収容空間を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起を有し、この突起は、前記樹脂モールド部と融着していることを特徴とする磁気式検出装置。請求項1または請求項2に記載の磁気式検出装置において、前記ICパッケージは、前記当接領域により挟まれて保持されていることを特徴とする磁気式検出装置。請求項1ないし請求項3の内のいずれか1つに記載の磁気式検出装置において、前記複数のリード線は、それぞれ、前記収容空間においてターミナルに電気的に接続しており、前記収容空間には、ポッティング材が注入されていることを特徴とする磁気式検出装置。請求項4に記載の磁気式検出装置において、前記ターミナル間にはコンデンサが取り付けられ、このコンデンサは、ポッティング材により封止されていることを特徴とする磁気式検出装置。請求項1ないし請求項5の内のいずれか1つに記載の磁気式検出装置において、前記複数のリード線は、それぞれ、前記収容空間においてターミナルに電気的に接続しており、前記収納容器は、前記ICを前記収容空間に収容するための開口を有し、この開口は、前記ターミナルを個別に通す貫通穴を有する蓋により閉鎖され、前記ターミナルは、前記貫通穴を通っている状態で前記蓋に係合する蓋止めを有し、前記蓋は、前記蓋止めにより前記ターミナルと係合している状態で、熱かしめにより前記収納容器と一体化して前記開口を閉鎖することを特徴とする磁気式検出装置。請求項1ないし請求項3の内のいずれか1つに記載の磁気式検出装置において、前記複数のリード線は、それぞれ、前記収容空間においてターミナルに電気的に接続しており、前記ターミナル間にはコンデンサが取り付けられ、前記IC、前記ターミナル、および前記コンデンサは、インサート部品として射出成形されて1つのサブアッシーを構成し、前記ICは、前記サブアッシーを構成する射出成形において前記ICパッケージ以外の部分がインサート部品とされ、前記サブアッシーが前記収容空間に収容された後、前記樹脂モールド部が形成されることを特徴とする磁気式検出装置。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、磁気式検出装置において、射出成形により樹脂モールド部を形成して磁電変換素子を位置決めする際に、ICの出力電圧特性が変動するおそれを低減することにある。請求項1の手段請求項1の手段によれば、磁気式検出装置は、磁電変換素子を内蔵するICパッケージ、およびICパッケージから伸びる複数のリード線を有するICと、ICを収容する収容空間を有し、射出成形により外側の表面に樹脂モールド部が形成される収納容器とを備える。また、収容空間を構成する内壁面には、ICパッケージの表面の一部分が当接する当接領域が存在し、樹脂モールド部は、当接領域以外の内壁面の外側の表面に形成される。そして、磁電変換素子は、ICパッケージの当接領域への当接、および、収納容器の外側の表面への樹脂モールド部の形成により位置決めされている。これにより、ICパッケージに樹脂の射出圧が作用しないように射出成形して樹脂モールド部を形成することができるとともに、磁電変換素子を位置決めすることができる。このため、射出成形により樹脂モールド部を形成して磁電変換素子を位置決めする際に、ICの出力電圧特性が変動するおそれを低減することができる。請求項2の手段請求項2の手段によれば、収納容器は、収容空間を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起を有し、突起は樹脂モールド部と融着している。収納容器の外側の表面と樹脂モールド部との間に界面が形成されると、界面を通じて流体が収容空間に浸入するおそれがある。そこで、収容空間を環状に包囲するように収納容器の外側の表面にツバ状の突起を設け、突起と樹脂モールド部とを融着させる。これにより、界面を経由して収容空間に至る流体の浸入路が、突起と樹脂モールド部との融着部において遮断されるので、界面を通じて流体が収容空間に浸入するおそれを低減することができる。請求項3の手段請求項3の手段によれば、ICパッケージは、当接領域により挟まれて保持されている。これにより、磁電変換素子の位置をさらに安定させることができる。また、例えば、ICの出力電圧特性に影響を及ぼしにくい方向においてICパッケージを挟むことができるように、ICパッケージの形状や当接領域の範囲を設定することができる。以上により、ICの出力電圧特性に影響を与えることなく、磁電変換素子の位置をさらに安定させることができる。請求項4の手段請求項4の手段によれば、複数のリード線は、それぞれ、収容空間においてターミナルに電気的に接続しており、収容空間にはポッティング材が注入されている。これにより、ターミナルを位置決めすることができる。請求項5の手段請求項5の手段によれば、ターミナル間にはコンデンサが取り付けられ、コンデンサはポッティング材により封止されている。これにより、コンデンサを位置決めすることができる。請求項6の手段請求項6の手段によれば、収納容器は、ICを収容空間に収容するための開口を有し、開口は、ターミナルを個別に通す貫通穴を有する蓋により閉鎖されている。また、ターミナルは、貫通穴を通っている状態で蓋に係合する蓋止めを有し、蓋は、蓋止めによりターミナルと係合している状態で、熱かしめにより収納容器と一体化して開口を閉鎖する。これにより、ターミナルを位置決めすることができる。請求項7の手段請求項7の手段によれば、IC、ターミナル、およびコンデンサは、インサート部品として射出成形されて1つのサブアッシーを構成し、ICは、サブアッシーを構成する射出成形においてICパッケージ以外の部分がインサート部品とされている。そして、サブアッシーが収容空間に収容された後、樹脂モールド部が形成される。これにより、サブアッシーにおいて予めターミナルおよびコンデンサの位置を安定させた上で、サブアッシーを収納容器に収容してICパッケージを当接領域に当接させるとともに、収納容器の外側の表面に樹脂モールド部を形成することができる。このため、ICの出力電圧特性が変動するおそれを低減することができるとともに、ターミナルおよびコンデンサを位置決めしてターミナルおよびコンデンサの位置を安定させることができる。実施形態1の磁気式検出装置は、磁電変換素子を内蔵するICパッケージ、およびICパッケージから伸びる複数のリード線を有するICと、ICを収容する収容空間を有し、射出成形により外側の表面に樹脂モールド部が形成される収納容器とを備える。また、収容空間を構成する内壁面には、ICパッケージの表面の一部分が当接する当接領域が存在し、樹脂モールド部は、当接領域以外の内壁面の外側の表面に形成される。そして、磁電変換素子は、ICパッケージの当接領域への当接、および、収納容器の外側の表面への樹脂モールド部の形成により位置決めされている。また、収納容器は、収容空間を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起を有し、突起は樹脂モールド部と融着している。また、ICパッケージは、当接領域により挟まれて保持されている。さらに、複数のリード線は、それぞれ、収容空間においてターミナルに電気的に接続しており、収容空間にはポッティング材が注入されている。また、ターミナル間にはコンデンサが取り付けられ、コンデンサはポッティング材により封止されている。実施形態2の磁気式検出装置によれば、収納容器は、ICを収容空間に収容するための開口を有し、開口は、ターミナルを個別に通す貫通穴を有する蓋により閉鎖されている。また、ターミナルは、貫通穴を通っている状態で蓋に係合する蓋止めを有し、蓋は、蓋止めによりターミナルと係合している状態で、熱かしめにより収納容器と一体化して開口を閉鎖する。実施形態3の磁気式検出装置によれば、IC、ターミナル、およびコンデンサは、インサート部品として射出成形されて1つのサブアッシーを構成し、ICは、サブアッシーを構成する射出成形においてICパッケージ以外の部分がインサート部品とされている。そして、サブアッシーが収容空間に収容された後、樹脂モールド部が形成される。実施例1の構成実施例1の磁気式検出装置以下、検出装置と呼ぶ。1を、図1~図3を用いて説明する。検出装置1は、ホール素子などの磁電変換素子図示せずを具備するものであり、例えば、磁電変換素子に対して相対的に回転したり直線変位したりしながら磁界を変化させる永久磁石等の磁束発生手段図示せずと組み合わされ、回転角や直線変位量の検出に用いられる。すなわち、検出装置1は、磁電変換素子の機能により、磁束発生手段の回転角や直線変位量に応じた量の磁束を検出するとともに、検出した磁束量に応じた電圧を発生する。検出装置1は、磁電変換素子を有するIC2と、IC2を収容する収納容器3と、樹脂の射出成形により収納容器3の外側に形成される樹脂モールド部4とを備え、磁電変換素子は、IC2を収納容器3に収容するとともに収納容器3の外側に樹脂モールド部4を形成することで位置決めされる。IC2は、磁電変換素子を内蔵するICパッケージ5と、ICパッケージ5から伸びる複数のリード線6とを有し、ICパッケージ5は、磁電変換素子等の各種素子が搭載された半導体基板7をエポキシ樹脂等の樹脂材料によりモールドして設けられ、リード線6は、半導体基板7上の各種素子と外部とを導通するために利用される。ここで、ICパッケージ5は、面方向が半導体基板7と略同一となる略正方形の板状に設けられている。また、リード線6は全て、正方形の4辺の内、1つの辺をなす面のみから垂直に突出している。なお、ICパッケージ5から突出するリード線6は3本であり、3本のリード線6は、それぞれ、磁電変換素子にて発生する電圧を出力するためのリード線6A、電源図示せずと磁電変換素子とを導通するためのリード線6B、グランドと磁電変換素子とを導通するためのリード線6Cである。収納容器3は、IC2を収容する収容空間9を有する樹脂成形品である。収容空間9は、主にICパッケージ5を収容する先端側の空間領域9aと、空間領域9aの後端側に連続して広がる空間領域9bとからなる。また、空間領域9aの先端は閉塞しており、空間領域9bの後端は、IC2を収容空間9に収容するための開口10を形成している。ここで、空間領域9aにICパッケージ5を収容して磁電変換素子を位置決めした状態において、X、Y、Z座標軸を用いた直角座標系を定義する。まず、X軸は収納容器3についての先端、後端により定義される方向を示す軸であり、Y軸はICパッケージ5の面方向においてX軸に垂直な方向を示す軸である。また、Z軸はX軸、Y軸に垂直であってICパッケージ5の厚さ方向を示す軸である。さらに、X軸~Z軸に関し、一方側および他方側を図2および図3等に示すように定義する。この直角座標系を用いてICパッケージ5の形状を具体的に説明すると、ICパッケージ5は、Z軸方向で視た形状が略正方形図3a参照、かつX軸方向で視た形状がY軸方向に長い六角形である板状かつ直角柱状の六角柱であり、Y軸方向に関して一方側と他方側とで鏡映対象をなす図3c参照。すなわち、ICパッケージ5のX軸方向の一方面Xa、他方面Xbは、Y軸方向に長い六角形であり、Y軸方向に関して一方側と他方側とで鏡映対象をなす以下、ICパッケージ5のX軸方向の一方面Xa、他方面Xbを、それぞれ先端面Xa、後端面Xbと呼ぶ。。また、ICパッケージ5のZ軸方向の一方面ZaはZ軸に垂直な正方形であり、ICパッケージ5のZ軸方向の他方面ZbはZ軸に垂直な長方形である。そして、他方面Zbは、X軸方向の長さが一方面Zaに等しく、Y軸方向の長さが一方面Zaよりも短い。さらに、ICパッケージ5のY軸方向の一方側は、X軸方向に長く一方面Zaに直交する一方側面Yal、一方側面Ya1と他方面Zbとを接続する一方傾斜面Ya2により画されている。同様に、ICパッケージ5のY軸方向の他方側は、他方側面Ybl、他方傾斜面Yb2により画されている。このような形状を有するICパッケージ5を保持して位置決めするため、収納容器3の空間領域9aは、以下のような形状に設けられている。まず、空間領域9aは、ICパッケージ5の先端面Xaが当接する内壁面xにより、X軸方向の一方側を画されており、内壁面xは空間領域9aをX軸方向の一方側で閉塞し、内壁面xは、ほぼ全面で先端面Xaの当接を受けている。つまり、内壁面xの大部分は、ICパッケージ5の先端面Xaが当接する当接領域L0をなす。また、空間領域9aは、Y軸方向の長さがICパッケージ5よりも僅かに大きくなるように設けられ、空間領域9aをY軸方向の一方側で画する内壁面yaは、ICパッケージ5の一方側面Yalおよび一方傾斜面Ya2との間に隙間11yaを形成し、同様に、空間領域9aをY軸方向の他方側で画する内壁面ybは、ICパッケージ5の他方側面Yblおよび他方傾斜面Yb2との間に隙間11ybを形成する。また、空間領域9aをZ軸方向の一方側で画する内壁面zaには、Y軸方向に幅広の浅い溝12aが設けられている。そして、ICパッケージ5の一方面Zaは、Y軸方向に関する一方縁近傍および他方縁近傍においてのみ内壁面zaに当接しており、一方縁近傍と他方縁近傍との間の広範囲において溝12aの底面との間に隙間11zaを形成している。つまり、内壁面zaには、ICパッケージ5の一方面Zaの一方縁近傍が当接する当接領域L1、他方縁近傍が当接する当接領域L2が個別に形成されている。さらに、空間領域9aをZ軸方向の他方側で画する内壁面zbにも、Y軸方向に幅広の浅い溝12bが設けられている。そして、ICパッケージ5の他方面Zbは、Y軸方向に関する一方縁近傍および他方縁近傍においてのみ内壁面zbに当接しており、一方縁近傍と他方縁近傍との間の広範囲において溝12bの底面との間に隙間11zbを形成している。つまり、内壁面zbには、ICパッケージ5の他方面Zbの一方縁近傍が当接する当接領域L3、他方縁近傍が当接する当接領域L4が個別に形成されている。ここで、溝12aは、溝12bよりもY軸方向に幅広であるから、当接領域L3、L4はY軸方向に関して当接領域L1、L2の間に存在する。また、当接領域L1、L3は、隙間11yaを挟んで離れており、ICパッケージ5のY軸方向一方側の部分をZ軸方向に挟み込んで保持している。同様に、当接領域L2、L4は、隙間11ybを挟んで離れており、ICパッケージ5のY軸方向他方側の部分をZ軸方向に挟み込んで保持している。また、ICパッケージ5において、半導体基板7は、Y軸方向に関して当接領域L3、L4の間に存在しており、当接領域L1、L3により挟まれる部分、当接領域L2、L4により挟まれる部分には存在していない。リード線6A~6Cは、後端面Xbから空間領域9aに突出しており、さらに、空間領域9aをX軸方向の他方側に突き抜けて空間領域9bまで突出する。そして、リード線6A~6Cは、空間領域9bでそれぞれターミナル13A、13B、13Cの一端に溶接されている。また、ターミナル13A、13C間、ターミナル13B、13C間には、それぞれ、ノイズ除去用のコンデンサ14がハンダにより接続されており、コンデンサ14は、空間領域9bに収容されている。そして、収容空間9には、例えば、エポキシのようなポッティング材が注入され、コンデンサ14はポッティング材により封止されている。また、収納容器3のX軸方向の他端であって空間領域9bの開口10を形成する部分の外側の表面には、収容空間9を環状に包囲して外側の表面から外側に伸びるツバ状の突起16が設けられ、突起16は、樹脂モールド部4と融着している以下、収納容器3の外側の表面を外側表面17と呼ぶ。。なお、ターミナル13A~13Cの他端は、空間領域9bからX軸方向の他方側に突出しており、それぞれ、樹脂モールド部4とともにコネクタ18を構成するターミナル19A、19B、19Cの一端と溶接されている。樹脂モールド部4は、ポリオレフィン、ポリアミドまたはポリエステル等の熱可塑性樹脂を収納容器3の外側に射出成形することで設けられている。ここで、外側表面17の内、樹脂モールド部4と界面を形成する界面領域20は、X軸方向に関して他方寄りの外側表面17である。より具体的には、X軸方向に関して、リード線6A~6Cとターミナル13A~13Cとの溶接領域と、コンデンサ14のハンダ付け領域との間に界面領域20の一方縁が存在し、界面領域20の他方縁は突起16である。このため、樹脂モールド部4は、当接領域L0~L4以外の内壁面の外側表面17に形成されている。そして、磁電変換素子は、ICパッケージ5の当接領域L0~L4への当接、および、収納容器3の外側表面17への樹脂モールド部4の形成により位置決めされている。実施例1の効果実施例1の検出装置1は、磁電変換素子を内蔵するICパッケージ5、およびICパッケージ5から伸びるリード線6A~6Cを有するIC2と、IC2を収容する収容空間9を有し、射出成形により外側表面17に樹脂モールド部4が形成される収納容器3とを備える。また、収容空間9を構成する内壁面には、ICパッケージ5の表面の一部分が当接する当接領域L0~L4が存在し、樹脂モールド部4は、当接領域L0~L4以外の内壁面の外側表面17に形成される。そして、磁電変換素子は、ICパッケージ5の当接領域L0~L4への当接、および、収納容器3の外側表面17への樹脂モールド部4の形成により位置決めされている。これにより、IC2のICパッケージ5に樹脂の射出圧が作用しないように射出成形して樹脂モールド部4を形成することができるとともに、磁電変換素子を位置決めすることができる。このため、射出成形により樹脂モールド部4を形成して磁電変換素子を位置決めする際に、IC2の出力電圧特性が変動するおそれを低減することができる。また、収納容器3は、収容空間9を環状に包囲して外側表面17から外側に伸びるツバ状の突起16を有し、突起16は樹脂モールド部4と融着している。収納容器3の外側表面17と樹脂モールド部4との間に界面が形成されると、界面を通じて流体が収容空間9に浸入するおそれがある。そこで、収容空間9を環状に包囲するように収納容器3の外側表面17にツバ状の突起16を設け、突起16と樹脂モールド部4とを融着させる。これにより、界面を経由して収容空間9に至る流体の浸入路が、突起16と樹脂モールド部4との融着部において遮断されるので、界面を通じて流体が収容空間9に浸入するおそれを低減することができる。また、ICパッケージ5は、Y軸方向一方側の部分を互いに離れた当接領域L1、L3により挟まれて保持され、他方側の部分を互いに離れた当接領域L2、L4により挟まれて保持されている。さらに、ICパッケージ5において、半導体基板7は、Y軸方向に関して当接領域L3、L4の間に存在しており、当接領域L1、L3により挟まれる部分、当接領域L2、L4により挟まれる部分には存在していない。これにより、IC2の出力電圧特性は、当接領域L1、L3によるICパッケージ5の挟み込み、および当接領域L2、L4によるICパッケージ5の挟み込みに影響を受けない。このため、IC2の出力電圧特性に影響を与えることなく、磁電変換素子の位置をさらに安定させることができる。また、リード線6A~6Cは、それぞれ、収容空間9の空間領域9bにおいてターミナル13A~13Cに電気的に接続しており、収容空間9にはポッティング材が注入されている。これにより、ターミナル13A~13Cを位置決めすることができる。さらに、ターミナル13A、13C間およびターミナル13B、13C間には、それぞれコンデンサ14が取り付けられ、コンデンサ14はポッティング材により封止されている。これにより、コンデンサ14を位置決めすることができる。実施例2実施例2の検出装置1によれば、図4に示すように、収納容器3の開口10は蓋22により閉鎖されている。蓋22は、例えば、収納容器3と同一の樹脂材料により設けられており、ターミナル13A~13Cをそれぞれ個別に通す3つの貫通穴23を有する。また、ターミナル13Cは、貫通穴23を通っている状態で蓋22に係合する蓋止め24を有する。そして、蓋22は、蓋止め24によりターミナル13Cと係合している状態で、熱かしめにより収納容器3と一体化して開口10を閉鎖する。ここで、収納容器3は、突起16よりもX軸方向の他方側に伸びる熱かしめ部25を有しており、熱かしめ部25を熱かしめすることで蓋22と収納容器3とが一体化している。これにより、収容空間9にポッティング材を注入しなくてもターミナル13A~13Cを位置決めすることができる。実施例3実施例3の検出装置1によれば、図5に示すように、IC2、ターミナル13A~13C、およびコンデンサ14は、インサート部品として射出成形されて1つのサブアッシー27を構成し、IC2は、サブアッシー27を構成する射出成形においてリード線6A~6Cがインサート部品とされており、ICパッケージ5はインサート部品とされずに射出成形されていない。そして、サブアッシー27を収容空間9に収容した後、サブアッシー27を収容した収納容器3をインサート部品として射出成形により樹脂モールド部4を形成する。これにより、サブアッシー27において予めターミナル13A~13Cおよびコンデンサ14の位置を安定させた上で、サブアッシー27を収納容器3に収容してICパッケージ5を当接領域L0~L4に当接させるとともに、収納容器3の外側表面17に樹脂モールド部4を形成することができる。このため、IC2の出力電圧特性が変動するおそれを低減することができるとともに、ターミナル13A~13Cおよびコンデンサ14を位置決めしてターミナル13A~13Cおよびコンデンサ14の位置を安定させることができる。実施例4実施例4の検出装置1によれば、図6に示すように、内壁面yaにICパッケージ5の一方側面Yalが当接しており、当接領域L1は内壁面zaに存在する部分と内壁面yaに存在する部分とに拡大している。同様に、内壁面ybにICパッケージ5の他方側面Yb1が当接しており、当接領域L2は内壁面zaに存在する部分と内壁面ybに存在する部分とに拡大している。実施例5実施例5の検出装置1によれば、図7に示すように、ICパッケージ5に一方傾斜面Ya2が設けられておらず、一方側面Ya1がZ軸方向の他方側に拡大され、内壁面ya全体が当接領域L5となっている。つまり、実施例1、4等における当接領域L1、L3とは異なり、実施例5では、分離することなく一続きの当接領域L5となっている。同様に、ICパッケージ5に他方傾斜面Yb2が設けられておらず、他方側面Yb1がZ軸方向の他方側に拡大され、内壁面yb全体が当接領域L6となっている。つまり、実施例1、4等における当接領域L2、L4とは異なり、実施例5では、分離することなく一続きの当接領域L6となっている。なお、当接領域L1、L3を一続きの当接領域L5とし、当接領域L2、L4を一続きの当接領域L6とした場合、当接領域L5自身によりICパッケージ5のY軸方向一方側の部分をZ軸方向に挟んで保持することができ、同様に、当接領域L6自身によりICパッケージ5のY軸方向他方側の部分をZ軸方向に挟んで保持することができる。変形例検出装置1の態様は、実施例に限定されず種々の変形例を考えることができる。例えば、実施例の検出装置1によれば、磁電変換素子は、ICパッケージ5の当接領域L0~L4への当接、および、収納容器3の外側表面17への樹脂モールド部4の形成により位置決めされていたが、ICパッケージ5と収納容器3との当接の態様はこのようなものに限定されない。例えば、ICパッケージ5と収納容器3との当接を、先端面Xaと当接領域L0との当接のみに限定し、ICパッケージ5の当接領域L0への当接、および樹脂モールド部4の形成により磁電変換素子の位置決めをしてもよい。また、実施例の検出装置1のIC2によれば、ICパッケージ5は正方形の板状を呈し、リード線6は正方形の4辺の内の1つの辺をなす後端面Xbのみから垂直に突出していたが、ICパッケージ5の形状を柱状に設けたり、リード線6を複数の面から異方向に突出させたりしてもよい。また、実施例の検出装置1によれば、ICパッケージ5の他方面ZbはY軸方向の長さが一方面Zaよりも短く設定されていたが、Y軸方向の長さに関して、他方面Zbの方が一方面Zaよりも長くなるように設定してもよい。また、実施例の検出装置1によれば、リード線6A~6Cの接続パターンに関し、リード線6Aが磁電変換素子にて発生する電圧の出力用であり、リード線6Bが電源と磁電変換素子との導通用であり、リード線6Cがグランドと磁電変換素子との導通用であったが、リード線6A~6Cの接続パターンは、このような態様に限定されない。