"画像表示領域に、複数の画素電極と、前記画像表示領域の周辺に、電気的にフローティング状態となるように設けられたダミー画素電極と、を備え、前記ダミー画素電極と前記画素電極との間隔は、隣り合う前記画素電極同士の間隔よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。請求項1に記載の電気光学装置であって、前記画素電極及び前記ダミー画素電極と誘電体膜を介して対向配置された容量電極を備えること、を特徴とする電気光学装置。請求項2に記載の電気光学装置であって、前記ダミー画素電極の面積が前記画素電極の面積よりも小さいこと、を特徴とする電気光学装置。請求項1に記載の電気光学装置であって、前記ダミー画素電極は、少なくとも前記画像表示領域を連続的に囲む形状であることを特徴とする電気光学装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の含む電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。しかしながら、ダミー画素部に黒色のベタ状の画像を表示させた場合、ダミー画素電極には最大又は最小に近い電圧が印加され続けられる。一方、画素電極には、平均すれば中間調の電圧が印加される。そのため、隣り合う画素電極とダミー画素電極との間には印加される電圧の差によって発生する横方向電界が継続的にかかることとなる。この横方向電界により液晶層中に含まれるイオン性不純物が移動して偏在することで表示が適正に行われないシミ状の表示むらが発生し、電気光学装置の信頼性を落としてしまうという課題があった。また、単純にダミー画素電極を電気的にフローティング状態としても、このシミ状の表示むらの発生を抑制することは困難であるという課題があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる電気光学装置は、画像表示領域に、複数の画素電極と、前記画像表示領域の周辺に、電気的にフローティング状態となるように設けられたダミー画素電極と、を備え、前記ダミー画素電極と前記画素電極との間隔は、隣り合う前記画素電極同士の間隔よりも小さいことを特徴とする。これによれば、フローティング状態をとるダミー画素電極と画素電極との距離が近づくため、画素電極とダミー画素電極との容量結合が密になる。即ち、ダミー画素電極の電位は、隣り合う画素電極の電位に近づく。そのため、横方向電界が緩和され、シミ状の表示むらの発生を防ぐことができる。[適用例2]上記適用例にかかる電気光学装置であって、前記画素電極及び前記ダミー画素電極と誘電体膜を介して対向配置された容量電極を備えること、を特徴とする。上記した適用例によれば、容量電極を備えることで、画素電極にかかる電圧は変動しにくくなり、画質の向上が望める。反面、フリンジ効果で画素電極と容量電極との間に横方向電界がかかる懸念が生じるが、画素電極とダミー画素電極とを近づけることで、このフリンジ効果を抑えることができ、横方向電界を緩和できる。そのため、シミ状の表示むらの発生を防ぐことができる。[適用例3]上記適用例にかかる電気光学装置であって、前記ダミー画素電極の面積が前記画素電極の面積よりも小さいこと、を特徴とする。上記した適用例によれば、ダミー画素電極の面積を前記画素電極の面積よりも小さくすることで、ダミー画素電極が備える容量が小さくなり、容量分割により定まるダミー画素電極の電位を、隣り合う画素電極の電位に近づけることができる。そのため横方向電界が減り、シミ状の表示むらの発生を防ぐことができる。[適用例4]上記適用例にかかる電気光学装置であって、前記ダミー画素電極は、少なくとも前記画像表示領域を連続的に囲む形状であることを特徴とする。上記した適用例によれば、ダミー画素電極が平面的に間隙を有しない、一つに纏まった形状を備えているので、ダミー画素電極内では同じ電位を持つこととなる。そしてその電位は、ダミー画素電極と隣り合う画素電極の電位の平均値を反映した値となる。そのため、ダミー画素電極と画素電極との間での横方向電界は、ダミー画素電極に固定電位を与えた場合と比べ小さくなる。そのため、シミ状の表示むらの発生を防ぐことができる。[適用例5]本適用例にかかる電子機器は、上記した電気光学装置を備えることを特徴とする。これによれば、上述した電気光学装置を備えることで、信頼性に優れた投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。また、以下の形態において、例えば基板上にと記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。第1実施形態本実施形態では、薄膜トランジスターThinFilmTransistor;TFTを画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置液晶プロジェクターの光変調素子液晶ライトバルブとして好適に用いることができるものである。<液晶装置>まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図1及び図2を参照して説明する。図1aは液晶装置の構成を示す概略平面図、同図bは同図aをH-H’線で切った概略断面図、図2aは液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、同図bは、画素及びダミー画素の配列を示す平面図である。図1a及びbに示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された基板としての素子基板10及び対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを有する。素子基板10及び対向基板20は、透明な例えば石英等のガラス基板が用いられている。素子基板10は対向基板20よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材40を介して接合され、その隙間に正又は負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層50を構成している。シール材40は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂等の接着剤が採用されている。シール材40には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー図示省略が混入されている。額縁状に配置されたシール材40の内側には、同じく額縁状に遮光膜21が設けられている。遮光膜21は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物等からなり、遮光膜21の内側が複数の画素Pを有する表示画素部Eとなっている。なお、図1では図示省略したが、表示画像部Eにおいても複数の画素Pを平面的に区分する遮光部が設けられている。素子基板10の1辺部に沿ったシール材40との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材40の内側に検査回路103が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材40の内側に走査線駆動回路102が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部のシール材40の内側には、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続端子104に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と互いに直交する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。なお、検査回路103の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路101と表示画素部Eとの間のシール材40の内側に沿った位置に設けてもよい。図1bに示すように、素子基板10の液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた光透過性を有する画素電極9及びTFT30と、信号配線と、これらを覆う配向膜18とが形成されている。対向基板20の液晶層50側の表面には、遮光膜21と、これを覆うように成膜された層間膜層22と、層間膜層22を覆うように設けられた共通電極23と、共通電極23を覆う配向膜24とが設けられている。遮光膜21は、図1aに示すように平面的にデータ線駆動回路101や走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板20側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示画素部Eに入射しないように遮蔽して、表示画素部Eの表示における高いコントラストを確保している。層間膜層22は、例えば酸化シリコン等の無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜21を覆うように設けられている。このような層間膜層22の形成方法としては、例えばプラズマCVD法等を用いて成膜する方法が挙げられる。共通電極23は、例えばITO等の透明導電膜からなり、層間膜層22を覆うと共に、図1aに示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の配線に電気的に接続している。画素電極9を覆う配向膜18及び共通電極23を覆う配向膜24は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。例えば、SiOx酸化シリコン等の無機材料を用いて気相成長法により成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものや、ポリイミド等の有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものが挙げられる。図2aに示すように、液晶装置100は、少なくとも表示画素部Eにおいて、互いに絶縁されて直交する複数の走査線11及び複数のデータ線6と、データ線6に沿って平行するように配置された容量配線200とを有する。ここで、走査線11が延在する方向がX方向第1方向であり、データ線6が延在する方向がY方向第2方向である。走査線11とデータ線6ならびに容量配線200と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極9と、TFT30と、蓄積容量70とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。走査線11はTFT30のゲート電極30bに電気的に接続され、データ線6はTFT30のソース部30a1に電気的に接続されている。画素電極9はTFT30のドレイン部30a3に電気的に接続されている。そして、ダミー画素電極9Dは、TFT30のドレイン部30a3と分離され、電気的にフローティング状態を保っている。なお、図2aでは、ダミー画素電極9Dを走査線11とデータ線6の始点と終点についてのみ形成した例を示しているが、これは図面の寸法の制約によるもので、例えば4~12本程度の数を用いてもよい。図2bに、各画素の説明を簡略化し、ダミー画素電極9Dと画素電極9との位置関係を示した平面図を示す。図2bに示されるように、ダミー画素電極9Dは、例えば画素電極9を備える表示画素部Eと隣り合うように囲まれている。データ線6はデータ線駆動回路101図1参照に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,...,Dnを画素Pに供給する。走査線11は走査線駆動回路102図1参照に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,...,SCmを各画素Pに供給する。データ線駆動回路101からデータ線6に供給される画像信号D1~Dnは、この順に線順次で供給してもよく、隣り合う複数のデータ線6同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線11に対して、走査信号SC1~SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1~SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6から供給される画像信号D1~Dnが所定のタイミングでTFT30のドレイン部30a3から出力される。そして、TFT30のドレイン部30a3から出力された画像信号が画素電極9に対しては伝達され、ダミー画素電極9Dに対しては伝達されない。例えば図2bに示すように、画像信号D1~Dkと、走査信号SC1~SCjと、が繋がるところにダミー画素PDが割り当てられるようにすることで、ノイズやタイミングのずれ等の影響を受けやすい走査の初段立ち上がり側の信号を使わずに処理することができる。また、同様にダミー画素PDを図示せぬ最終段立ち下がり側に設けることも好適である。画素電極9を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号Dは、画素電極9と液晶層50を介して対向配置された共通電極23との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークにより生じる電位変動を抑制するため、画素電極9と共通電極23との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が接続されている。また、この蓄積容量70は、ダミー画素PDにも形成されている。なお、図1aに示した検査回路103には、データ線6が接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥等を確認できる構成となっているが、図2の等価回路では省略している。また、検査回路103は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線6に供給するサンプリング回路、データ線6に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。このような液晶装置100は透過型であって、画素Pが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。<素子基板の構造の詳細>次に、液晶装置100の素子基板10に設けられた構造について、図3から図5を参照して説明する。なお、ここでは、画素Pとして、画素電極9図1参照に対応した構造について説明する。そして、続けてダミー画素電極9Dに対応するダミー画素PDに対応した構造について説明する。図3及び図4は、液晶装置を構成する素子基板側の各層の位置関係を透過的に示す平面図である。そして図5は、図3、図4に示す平面図をA-A’線で切った積層構造を示す断面図である。なお、図3では、中継層91及び92より下層側の各層を示しており、図4では、中継層91及び92より上層側の各層を示している。また図3、図4及び図5では、各層各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図5は、図3及び図4のA-A’線における断面を示すものであるが、上述したように各層各部材の縮尺を異ならしめてあるため、一部で完全にはA-A’線と対応していない部分が存在している。図5において、素子基板10上には、走査線11が配置されており、走査線11より下地絶縁膜12を介して上層には、半導体層30a及びゲート電極30bを有するTFT30が配置されている。走査線11は、遮光性の導電材料、例えば、Wタングステン、Tiチタン、TiN窒化チタン等から形成されており、素子基板10上で平面的に見て半導体層30aを含むような形状とされている。具体的には、図3に示すように、半導体層30aに沿ってY方向に突出するように設けられた突出部を有している。走査線11は半導体層30aより下層側に配置されているので、上述した突出部を有することによって、素子基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光等の、戻り光に対してTFT30のチャネル部30a2を殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、TFT30における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。TFT30は、図3に示すように、半導体層30aと、ゲート電極30bとを有して構成されている。半導体層30aは、図5に示すように、ソース部30a1、チャネル部30a2、ドレイン部30a3を含んで形成されている。ここで、チャネル部30a2とソース部30a1、又は、チャネル部30a2とドレイン部30a3との界面にはLDDLightlyDopedDrain部が形成されていてもよい。ゲート電極30bは、素子基板10上で平面的に見て、半導体層30aのチャネル部30a2と重なる領域にゲート絶縁膜13図5参照を介して、半導体層30aの上層側に形成されている。ゲート電極30bは、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。TFT30のソース部30a1は、第1層間絶縁膜14上に形成された中継層91と、コンタクトホール31を介して電気的に接続されている。一方、ドレイン部30a3は、中継層91と同層に形成された中継層92に、コンタクトホール32を介して電気的に接続されている。図4及び図5に示すように、中継層91は、第2層間絶縁膜15図5参照上に形成されたデータ線6と、コンタクトホール34を介して電気的に接続されている。一方、中継層92は、データ線6と同層に形成された中継層7に、コンタクトホール35を介して電気的に接続されている。中継層7は更に、コンタクトホール36を介して、後述する容量電極71と同層に設けられた中継層75と電気的に接続されている。また中継層75は、コンタクトホール37を介して、画素電極9と電気的に接続されている。即ち、図5に示すように、TFT30のドレイン部30a3と画素電極9とは、中継層92、中継層7、及び中継層75を順に介して、電気的に中継接続されている。図5に示すように、データ線6及び中継層7の上層側には、第3層間絶縁膜16を介して蓄積容量70が形成されている。蓄積容量70を液晶容量に並列に電気的に接続することで、画素電極9の電圧を、実際に画像信号が印加されている時間よりも、例えば3桁も長い時間だけ保持することが可能となり、液晶素子の保持特性が改善されるため、高コントラスト比を有する液晶装置100を実現することができる。図4、図5に示すように、容量電極71は、液晶容量に電気的に並列に接続された蓄積容量70の片方の電極として機能し、容量配線200に電気的に接続されることによって、固定電位に保持されている。容量電極71は、例えばITO等の透明電極によって構成されている。このため、容量電極71を、開口部を含む表示画素部E図1参照に重なるように形成しても、開口部における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。容量電極71は、島状に形成された中継層75を囲うように形成される。言い換えれば、容量電極71の開口部の内側に中継層75が形成される。中継層92は、走査線11に沿って重なる本体部と、縦に配置されたTFT30の少なくともチャネル部32aの一部からドレイン部30a3を覆うように配置される突出部とを有しており、中継層7は中継層92の本体部に沿って重なる島状の形状を有する。また、中継層75は島状の中継層92から画素電極側に突出するように縦方向の幅が中継層7よりも広く設けられている。容量電極71の開口部は中継層7と中継層75とを接続するコンタクトホール36、及び中継層75と画素電極9とを接続するコンタクトホール37とを設けるために開口されている。中継層7はデータ線と同じ遮光性材料で形成されており、画素と画素の間に設けられ、中継層75は容量電極71と同じ透明材料で形成されており画素電極側に突出していても表示画素部E図1参照の開口率の低下を招くことはない。そして、容量電極71の開口部が縦方向の2つの画素の間に跨って設けられているので、透明な中継層75をその開口部の内側に設けることで、遮光性材料の中継層7及びコンタクトホール36を画素電極間の位置に設けると共に中継層7と重なる位置にコンタクトホール36を設けるためのマージンを確保することができる。容量電極71上には、誘電体膜72が形成されている。誘電体膜72は、容量電極71上を覆うようにベタ状に形成されている。なお、誘電体膜72は透明な誘電性材料である窒化シリコン等で構成されるため、誘電体膜72を、開口部を含む表示画素部E図1参照に広く形成しても、開口部における光透過率を殆ど或いは実践上全く低下させることはない。なお、誘電体膜72の膜厚が薄いほうが、蓄積容量70の容量値を高めるためにはより好ましい。また容量電極71上には、蓄積容量70を画素間で分離するための容量分離膜80が形成されている。蓄積容量70の容量値は、容量分離膜80の面積を増減させることによって、調整することができる。具体的には、容量分離膜80を設けることによって、容量電極71が誘電体膜72を介して画素電極9と対向配置されなくなってしまう部分においては、蓄積容量70は形成されない。図4に示すように、容量分離膜80は隣り合う画素に跨る容量電極71の開口部を避けるように略H状の形状に設けられた容量分離膜開口部を有する。そして、この容量分離膜80の開口部の形状に沿って容量電極71と画素電極9とが対向配置されて蓄積容量70を構成する。すなわち、隣り合うデータ線6の間に設けられる容量電極71の開口部と隣り合うデータ線6の間にもそれぞれ容量分離膜80の開口部が設けられて蓄積容量70を構成することで、画素電極9の内側における蓄積容量部の平面的な面積をできるだけ多く確保している。ここで仮に、蓄積容量70の容量値が小さい場合、画像信号を保持できる時間が短いため、表示画像の画質はあまり改善しない。一方、蓄積容量70の容量値が大きい場合、画像信号を長期間保持できるため表示画像の画質の改善を期待することができるものの、画像信号の供給回路や配線等が大型化してしまう。そのため、実際の液晶装置100では、蓄積容量70の容量値が好適な値に調整される。容量分離膜80上には、画素電極9が形成されている。図4に示すように、画素電極9は、データ線6及び走査線11によってマトリックス状に区分けされた画素ごとに、島状に形成されている。そして、画素電極9上には、液晶層50図2参照に含まれる液晶分子の配向状態を規制するための配向膜18図2参照が形成されている。以上、画素Pとして、画素電極9図1参照に対応したものについて説明した。この画素Pは、図5に示すように、TFT30のドレイン部30a3と画素電極9とが電気的に結合している。次に、ダミー画素電極9Dを備えるダミー画素PDの構造について説明する。図6は、ダミー画素の積層構造を示す図3、図4におけるA-A’線断面図である。図5に示す積層構造との主な相違は、ダミー画素PDにはコンタクトホール37が無く、ダミー画素電極9Dと、TFT30のドレイン部30a3とが電気的に分離され、フローティング状態を取っていることである。なお、図4におけるコンタクトホール37も存在しないこととなる。<画素P、ダミー画素PDのレイアウト>以下、画素P、ダミー画素PDのレイアウトについて、図面を用いて説明する。図7は、画素電極を備える画素が設けられた表示画素部Eと、ダミー画素電極9Dを備えるダミー画素との境界近傍を示す平面レイアウト図である。ここでは、画素Pと、ダミー画素PDとして、表示画素部Eの境界近傍の部分にあるものを示している。図6に示すように、表示画素部Eの境界における画素Pと、ダミー画素PDとの間隔LDは、画素P同士の間隔Lと比べ小さな値を取っている。つまり、画素電極9とダミー画素電極9Dとは、画素電極9同士の容量性結合よりも密に結合している。そのため、ダミー画素電極9Dの電位は、隣り合う画素電極9の電位により強く影響され、当該画素電極9の電位に近い電位を持つこととなり、横方向電界が緩和される。また、ダミー画素PD同士の間隔を小さくすることも、横方向電界を複数のダミー画素PDで分割して緩和することができるようになるため、好適である。また、上記した画素Pには、図5に示すように、画素電極9の下側に誘電体膜72を介して容量電極71が設けられている。画素Pと、ダミー画素PDとの間隔LDを例えば画素P同士の間隔Lと同じ程度にした場合、画素電極9のフリンジ効果により、容量電極71との間で横方向電界が発生してしまい、シミ状の表示むらが発生することがあるため、液晶装置100の信頼性が低下する。そこで、ダミー画素PDとの間隔LDを例えば画素P同士の間隔Lよりも小さな値とすることで、画素電極9のフリンジ電界は、主にダミー画素電極9Dに到達することとなる。また、ダミー画素電極9Dは電気的に分離され、フローティング状態を取っていることから、ダミー画素電極9Dの電位は、画素電極9の電位に近づくよう定まる。そのため、画素電極9の横方向電界は、ダミー画素電極9Dにより緩和されることとなり、シミ状の表示むらの発生を防げることから液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。図8は、画素電極を備える画素と、ダミー画素電極を備える画素との境界近傍の平面レイアウト図である。上記した平面レイアウト図との主な差異は、表示画素部Eの境界における画素Pと、ダミー画素PDとの間隔LDは、画素P同士の間隔Lと比べ小さな値を取っていることに加え、ダミー画素電極9Dの面積が、画素電極9の面積よりも小さいことである。ここでは、表示画素部Eの境界線の法線方向の長さ幅を小さくすることで、ダミー画素電極9Dの面積を小さくしている。このように面積を小さくすることで、画素電極9とダミー画素電極9Dとの間の容量結合成分を下げることなくダミー画素電極9Dを小さくできる。ダミー画素電極9Dの面積を小さくすると、ダミー画素電極9Dと、誘電体膜72を介して設けられた容量電極71の間での静電容量が低下する。そのため、容量分割により定められるダミー画素電極9Dの電位は、より画素電極9の電位に近づくこととなり、さらに横方向電界を緩和することが可能となるので、液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。本実施形態における電気光学装置は、以下の効果を奏する。画素Pの画素電極9を電気的に分離させることのみでダミー画素PDを構成しているため、画素Pとダミー画素PDとでTFT30の負荷は余り変化しない。従って、走査線11及びデータ線6から与えられるダミー画素PDへの駆動信号を乱すことなく処理できる。そのため、画素Pに与えられる駆動信号を歪ませることなく伝達させることができる。画素Pの画素電極9を電気的に分離させることのみでダミー画素PDを構成している。そのため、コンタクトホール36の部分を変えたパターンを備えるフォトマスクを用意することで製造プロセスを変えることなくダミー画素PDを形成できるため、製造工程の追加や変更等を行うことなく製造することができる。ダミー画素PDとの間隔LDは、画素P同士の間隔Lと比べ小さな値を取っている。つまり、画素電極9とダミー画素電極9Dとは、画素電極9同士の容量性結合よりも密に結合している。そのため、ダミー画素電極9Dの電位は、隣り合う画素電極9の電位により強く影響され、当該画素電極9の電位に近い電位を持つこととなり、横方向電界が緩和される。そのため、液晶層50図1b参照に含まれるイオン性不純物の移動を防ぎ、表示が適正に行われないシミ状の表示むらの発生を防げることから液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。ダミー画素PD同士の間隔を小さくすることで、横方向電界を複数のダミー画素PDで分割して緩和することができるようになる。そのため、上記した説明と同様にイオン性不純物の移動を防げることとなり、液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。表示画素部Eの境界線の法線方向の長さ幅を小さくすることで、ダミー画素電極9Dの面積を減らすと、画素電極9とダミー画素電極9Dとの間の容量結合成分を下げることなくダミー画素電極9Dを小さくできる。ダミー画素電極9Dの面積を小さくすると、ダミー画素電極9Dと、誘電体膜72を介して設けられた容量電極71の間での静電容量が低下する。そのため、容量分割により定められるダミー画素電極9Dの電位は、より画素電極9の電位に近づくこととなり、さらに横方向電界を緩和することが可能となるので、液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。画素Pと、ダミー画素PDとの間隔LDを例えば画素P同士の間隔Lと同じ程度にした場合、画素電極9のフリンジ効果により、容量電極71との間で横方向電界が発生してしまい、シミ状の表示むらが発生する場合があるため、液晶装置100の信頼性が低下する。そこで、ダミー画素PDとの間隔LDを、画素P同士の間隔Lと比べ小さな値にすることで、画素電極9からのフリンジ電界は、主にダミー画素電極9Dに到達することとなる。また、ダミー画素電極9Dは電気的に分離され、フローティング状態を取っていることから、ダミー画素電極9Dの電位は、画素電極9の電位に近づくよう定まる。そのため、画素電極9の横方向電界は、ダミー画素電極9Dにより緩和されることとなり、シミ状の表示むらの発生を防げることから液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。第2実施形態次に、図9及び図10を参照して、画素構造が異なる場合における詳細な構成について説明する。図9は画像表示部における画素の平面図であり、図10は、図9のA-A’断面図である。図5で説明した断面図との主な差異は、容量電極71が画素電極9と厚さ方向に対して、図5の場合と比べ離れていることである。そのため、画素電極9とダミー画素電極9Dとを離してレイアウトしても、容量電極71の影響を殆ど受けないことである。図9において、素子基板10上の画素Pは、マトリックス状に配列された複数の透明な画素電極9を備えており、画素電極9の縦横の境界に各々沿ってデータ線6及び走査線11が設けられている。走査線11は、図9中X方向に沿って延びており、データ線6は、走査線11と交差するように、図9中Y方向に沿って延びている。走査線11及びデータ線6が互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のTFT30が設けられている。図9又は図10において、走査線11は、下地絶縁膜12を介して半導体層30aよりも下層側に配置され、例えばタングステンW、チタンTi、チタンナイトライドTiN等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。走査線11は、図9に示すように、X方向に沿って延在し、表示画素部Eにストライプ状に配置される。また、走査線11は、下側遮光膜として機能し、素子基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光等の、戻り光のうちTFT30に進行する光を遮光することができる。また、下地絶縁膜12は、例えばシリコン酸化膜等からなる。下地絶縁膜12は、素子基板10の全面に形成されることにより、素子基板10の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のTFT30の特性変化を防止する機能を有する。また、図9又は図10において、TFT30は、半導体層30a、ゲート電極30bを含んで構成されている。半導体層30aは、例えばポリシリコンからなり、図9中Y方向に沿ったチャネル長を有するチャネル部1a、データ線側のLDD部1b及び画素電極側のLDD部1c、並びにデータ線側のソースドレイン部1d及び画素電極側のソースドレイン部1eからなる。即ち、TFT30はLDD構造を有している。なお、TFT30は、LDD構造を有することが好ましいが、データ線側のLDD部1b、画素電極側のLDD部1cに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極30bをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側のソースドレイン部及び画素電極側のソースドレイン部を形成する自己整合型であってもよい。ここに、ゲート電極30bは、ゲート絶縁膜13を介してチャネル部1a上に配置され、半導体層30aの脇において下地絶縁膜12を貫通して開孔されたコンタクトホール3cを介して最下層の走査線11と電気的に接続される。図9及び図10において、第1層間絶縁膜14を介して素子基板10上のTFT30よりも上層側には、データ線6が設けられている。データ線6は、半導体層30aのデータ線側のソースドレイン部1dに、ゲート絶縁膜13及び第1層間絶縁膜14を貫通するコンタクトホール81を介して電気的に接続されている。また、データ線6及びコンタクトホール81内部は、例えば、Al-Si-Cu、Al-Cu等のAlアルミニウム含有材料、又はAl単体、若しくはAl層とTiN層等との多層膜からなる。データ線6は、TFT30を遮光する機能も有している。図10において、素子基板10上の第2層間絶縁膜15を介して、データ線6よりも上層側には、蓄積容量70が設けられている。そして蓄積容量70は、容量電極71と容量配線200が誘電体膜72を介して対向配置されることにより形成されている。容量電極71は、容量配線200の一部として形成されている。上述したように、容量配線200は、画素電極9が配置された表示画素部Eからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続される。これにより、容量配線200は、固定電位に維持され、固定電位側容量電極として機能し得る。容量配線200は、例えばAlアルミニウム、Ag銀等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、TFT30を遮光する上側遮光膜内蔵遮光膜としても機能する。図9又は図10において、容量電極71は、コンタクトホール83図9及び図10参照を介して画素電極側のソースドレイン部1eと電気的に接続されると共に、コンタクトホール85図9及び図10参照を介して画素電極9に電気的に接続されている。即ち、容量電極71は、画素電極側のソースドレイン部1e及び画素電極9間の電気的な接続を中継する。容量電極71は、上部容量電極と同様、例えばAlアルミニウム等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されている。なお、コンタクトホール83は、第1層間絶縁膜14及び第2層間絶縁膜15を貫通して開孔されており、データ線6において、平面的に見てコンタクトホール83は、データ線6の開孔6h内に配置される。ここに、容量電極71は、好ましくは画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての容量配線200とTFT30との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。従って、TFT30に対してそれよりも上層側から入射する光について、容量配線200及び容量電極71の各々によっても、遮光することが可能である。誘電体膜72は、例えば酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。図9及び図10において、画素電極9は、第3層間絶縁膜16を介して蓄積容量70よりも第3層間絶縁膜16の上層側に形成されている。画素電極9は、容量電極71、コンタクトホール83及び85を介して半導体層30aの画素電極側のソースドレイン部1eに電気的に接続されている。コンタクトホール85は、第3層間絶縁膜16を貫通するように形成された孔部の内壁にITO等の画素電極9を構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極9の上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜18図1b参照が設けられている。以上、画素Pとして、画素電極9図1参照に対応したものについて説明した。この画素Pは、TFT30と画素電極9とが、図示せぬコンタクト等により容量電極71を介して電気的に結合している。次に、ダミー画素電極9Dを備える画素Pの構造について説明する。図11は、ダミー画素の積層構造を示す図9におけるA-A’線断面図である。図10に示す積層構造との主な相違は、ダミー画素PDにはコンタクトホール37が無く、ダミー画素電極9Dと、TFT30とが電気的に分離され、フローティング状態を取っていることである。なお、図10におけるコンタクトホール37も存在しないこととなる。<画素P、ダミー画素PDのレイアウト>以下、画素P、ダミー画素PDのレイアウトについて、図面を用いて説明する。図12は、画素電極を備える画素と、ダミー画素電極を備える画素との境界近傍の平面レイアウト図である。ここでは、画素Pと、ダミー画素PDは、表示画素部Eの境界におけるものを示している。図12に示すように、表示画素部Eの境界における画素Pと、ダミー画素PDとの間隔LDは、画素P同士の間隔Lと比べ小さな値を取っている。つまり、画素電極9とダミー画素電極9Dとは、画素電極9同士の容量性結合よりも密に結合している。そのため、ダミー画素電極9Dの電位は、隣り合う画素電極9の電位により強く影響され、当該画素電極9の電位に近い電位を持つこととなり、横方向電界が緩和される。そのため、液晶層50図1b参照に含まれるイオン性不純物の移動を防ぎ、表示が適正に行われないシミ状の表示むらの発生を防げることから液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。図13は、画素電極を備える画素と、ダミー画素電極を備える画素との平面レイアウト図である。図13では、全面分を表示するため、画素電極9の数を減らして表示している。ダミー画素電極9Dは、平面的に間隙を有さない、一つに纏まった額縁状の形状を備えている。そのため、ダミー画素電極9Dの下側に位置する電子部品が発生する電気力線はダミー画素電極9Dにより平均化される。そのため、スパイク状のノイズ等は、ダミー画素電極9Dにより吸収され、画素Pに飛び込むノイズが小さくなり、画質が向上する。本実施形態における電気光学装置は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。この場合においても、表示画素部Eの境界における画素Pと、ダミー画素PDとの間隔LDは、画素P同士の間隔Lと比べ小さな値を与えることで画素Pと、ダミー画素PDは容量性結合をする。そのため、ダミー画素電極9Dの電位は、隣り合う画素電極9の電位に影響され、当該画素電極9の電位に近い電位を持つこととなり、横方向電界が緩和される。そのため、液晶層50図1b参照に含まれるイオン性不純物の移動を防ぎ、表示が適正に行われないシミ状の表示むらの発生を防げることから液晶装置100図1a参照の信頼性を向上させることができる。ダミー画素電極9Dが一つに纏まった形状をしていることから、ダミー画素電極9D間の横方向電界の発生を防ぐことができる。また、ダミー画素電極9Dの電位は、複数の画素電極9と容量性結合した平均値を取るため、横方向電界は画素電極9に与えられた平均的な電位を反映するようになる。そのため、明るい表示を行った場合でも、暗い表示を行った場合でも、ダミー画素電極9Dの電位は画素電極9の平均的な電位で追従するため、横方向電界の平均値は、ダミー画素電極9Dの電位を定めた場合よりも低く収めることができる。そのため、信頼性を向上することができる。第3実施形態<電子機器>図14は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図14に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバル1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光Rを反射させ、緑色光Gと青色光Bとを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光Gを反射させ、青色光Bを透過させる。ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光Rは、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光Gは、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光Bは、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報映像信号に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。液晶ライトバルブ1210は、上述した液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。このような投射型表示装置1000によれば、画素が高精細であっても安定した動作品質が得られる液晶装置100を備え、高い信頼性が確保できる。"