"2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法CVDを用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。前記ラテラル成長が発現する条件において、炭素源ガスの供給量は0.001~10であることを特徴とする請求項1記載のダイヤモンド基板の製造方法。前記CVDはプラズマCVDであることを特徴とする請求項1又は2記載のダイヤモンド基板の製造方法。請求項1~3のいずれかの方法で得られたCVDによる成長膜を前記母ダイヤモンド基板から分離して得られたことを特徴とする単結晶のダイヤモンド基板。2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}のダイヤモンド基板上にCVDを用いて膜厚20μm以上の厚膜を形成することを特徴とする成膜方法。本発明はクラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。本発明に係るダイヤモンド基板の製造方法は、2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法CVDを用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。本発明は合成ダイヤモンド等の結晶構造{111}母基板の表面に2°以上のオフ角傾斜面を形成することで化学気相成長法CVD:ChemicalVaporDepositionにおいてラテラル成長を発現させたものである。詳細は後述するが非特許文献1に示すように母ダイヤモンド基板にオフ角を有しないと、ゆっくりとした条件でしかも10~20μm程度の薄膜でないと表面にクラックが発生してしまうのに対して本発明は2°以上の高オフ角の結晶構造{111}母ダイヤモンド基板を用いたのでエピタキシャル成長においてクラックの発生を抑えるとともに表面の平坦化を可能にした。本発明においてオフ角は2~10°の範囲が好ましい。本発明にてCVDにおける炭素源ガスの供給濃度は0.001~10の範囲が好ましく、特に0.05以上の比較的高濃度でもよく、さらに0.2~10あるいは1.0~10のような高濃度の条件でラテラル成長が可能であり、高速にて厚膜が得られる。また、本発明にてCVDはマイクロ波を用いたプラズマCVDを採用することができる。本発明は2°以上の高オフ角の結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上にCVDによりラテラル成長させたので厚さ50μm以上の厚膜成長を可能にしたので形成された厚膜をレーザー等にて母基板より分離させることで自立型の単結晶{111}成長ダイヤモンド基板を得ることができる。また、CVDによる成膜をデバイス等に利用する場合に2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}のダイヤモンド基板上にCVDを用いて膜厚20μm以上の厚膜を形成することもできる。特に表面の平坦性が優れ、欠陥の少ない厚み50μm以上の厚膜を形成することもできる。本発明はエピタキシャル成長させるための{111}母ダイヤモンド基板に2°以上のオフ角を形成したので、表面にクラックを発生させることなく平坦性に優れた厚膜の高速なラテラル成長を実現でき、母ダイヤモンド基板から成長厚膜を切り離すことで自立型の単結晶ダイヤモンド基板を得ることができるとともに、母ダイヤモンド基板を繰り返し使用でき、また自立ダイヤモンド基板を母ダイヤモンド基板として使用できるので低コストである。本発明に係る{111}単結晶母ダイヤモンド基板を用いたエピタキシャル成長にはCVD化学気相成長法を用いることができ、特にマイクロ波を用いたプラズマCVDを用いるのが好ましい。ラテラル成長条件としては圧力:10~200Torr,基板温度:600~1200°C,マイクロ波の出力100~5,000Wの範囲が好ましい。また、炭素源ガスとして水素で希釈したメタンガス、エタンガス、あるいはこれらと一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、アルゴン、窒素の混合ガスを用いることができる。例えば水素ガス中のメタンガスの濃度を0.001~10の範囲に設定することができ、好ましくは0.05~10、特に0.2~10の相対的に高濃度の条件にすると高速な膜成長になる。本発明に係る{111}単結晶のダイヤモンド膜成長ダイヤモンド基板はドーピングによりp型あるいはn型の両方の半導体膜を得ることができる。ドーピング原子としては、ホウ素、リンが代表例である。次に{111}母ダイヤモンド基板のオフ角を変化させてエピタキシャル成長による膜形成を比較調査した。水素ガス流量200sccm,メタンガス流量0.5sccm,7kPa,150W,1020°C、20hの条件にてエピタキシャル成長させた膜の結果を図1~3に示す。図3aは母ダイヤモンド基板のオフ角が9°で図3bは従来のオフ角0°の場合の表面光学顕微鏡像を示す。オフ角0°の従来の方法では、表面に多数のクラックが発生していたのに対して本発明に係るオフ角9°のものはクラックの発生がなく正常であった。図1にオフ角の変化による表面の光学顕微鏡像を示し、オフ角1°,0.5°のものは表面に段差状のスパイラル成長が認められるのに対して、オフ角2°,4°のものはスパイラル成長が認められずに平坦であった。図2にAFM像を示すようにaのオフ角2°のものはRMS=0.06nmであったのに対してbのオフ角0.5°のものはRMS=3.38nmであった。ここでRMSとは、表面荒れの大きさを示す値で計算式は特開2010-251599号に開示する式を用いることができる。次に、2.45GHzのマイクロ波プラズマCVD装置を用いてオフ角9°の{111}母ダイヤモンド基板,水素ガス399sccm,メタンガス1sccm,酸素ガス0.25sccm,1200W,基板温度900°C,成長時間100時間の成長を実施した。その結果、厚さ約0.1mmの成長膜を得ることができ、レーザーカットにより自立型の{111}単結晶成長ダイヤモンド基板を得ることができた。次に、母ダイヤモンド基板のオフ角を2°以上に設定した理由を説明する。{111}母ダイヤモンド基板にエッチング方法でメサ構造を形成し、螺旋転位を起点とした略三角形のスパイラル成長をさせたステップ成長の成長丘の写真を図4に示す。ステップ-ステップ間隔Ws-sはaの1重螺旋転位で最小Ws-s≒9nm,bの2重螺旋転位で最小Ws-s≒6nmであった。図5に模式図を示す。ラテラル成長になるようにオフ角を制限するにはWt<Ws-s,Wt=0.206[nm]/tanθの条件からWt<6nm,θ>1.97°となり、オフ角θが約2°以上であればラテラル成長に抑制することができる。"