原液Fの擬似移動床SMB分離のためにSMBデバイス内において実施される方法であって、前記SMBデバイスは少なくとも1つのカラムを有し、前記カラムは、それぞれが注入/抜き出しシステムを包含するプレートPiによって分離される複数の吸着剤床からなり、前記方法において前記原液Fおよび脱着剤Dが注入され、少なくとも1つのエキストラクトEおよび少なくとも1つのラフィネートRが抜き出され、前記注入および抜き出しのポイントは、切換え時間STをもった1つの吸着剤床に対応する値により時間と共にシフトされ、さらに前記SMBの複数の運転ゾーン、特に前記脱着剤Dの注入と前記エキストラクトEの抜き出しの間にあるゾーン1、前記エキストラクトEの抜き出しと前記原液Fの注入の間にあるゾーン2、前記原液Fの注入と前記ラフィネートRの抜き出しの間にあるゾーン3、および前記ラフィネートRの抜き出しと前記脱着剤Dの注入の間にあるゾーン4の4つの主ゾーンが決定され、前記デバイスは、さらに、前記カラムの全長にわたって2つの連続するプレート、すなわちインデクスiを偶数またはそれを除いて奇数のいずれかとするPiとして示される上流プレートおよびPi1として示される下流プレートを直接結合する外部バイパスラインLi/i1を包含し、かつ前記プレートのフラッシングを可能にし、前記デバイスにおいてバイパスラインLi/i1が、2つの部分、すなわち前記バイパスラインの上流に位置する前記プレートPiと、前記注入または抜き出しラインとの接続ポイントとの間にある第1の部分、および前記注入または抜き出しラインとの接続ポイントと、前記バイパスラインの下流に位置する前記プレートPi1との間にある第2の部分、に区分され、かつ前記デバイスにおいてバイパスラインLi/i1のそれぞれが、前記バイパスライン内のフラッシングフローを調整するための自動化された手段を包含し、前記フラッシングフローは、前記バイパスラインが運転中の前記注入または抜き出しラインへ接続されるときに、a原液または脱着剤が上流プレートPi上に注入されるときには、フラッシングフローが前記バイパスラインの前記第2の部分内に導入されて前記フラッシングフローが前記同期フローレートの50プラスまたはマイナス5と概ね等しい値に調整され、前記バイパスラインの前記第1の部分内において、前記注入フローレートが、前記フラッシングフローレートのための値によって減ぜられた原液または脱着剤の注入のためのフローレートと等しくなることによって補正されること、およびbエキストラクトまたはラフィネートが下流プレートPi1から抜き出されるときには、フラッシングフローが前記バイパスラインの前記第1の部分内に導入されて前記フラッシングフローが前記同期フローレートの50プラスまたはマイナス5と等しい値に調整され、前記バイパスラインの前記第2の部分内において、前記抜き出しフローレートが、前記フラッシュフローレートの値によって減ぜられたエキストラクトまたはラフィネートの抜き出しのためのフローレートと等しくなることによって補正されること、という2つのルールに従って確定され、前記同期フローレートがViVi1VLi/i1/STとして定義され、この式において、Viは、前記上流プレートPiの分配/抽出システムの容積を表し、Vi1は、前記下流プレートPi1の分配/抽出システムの容積を表し、VLi/i1は、PiとPi1の間の前記バイパスラインの容積を表し、かつSTは、切換え時間を表すとする擬似移動床SMB分離方法。床の総数が12であり、ゾーン1内に2床、ゾーン2内に5床、ゾーン3内に3床、ゾーン4内に2床に分配される、請求項1に記載の擬似移動床SMB分離方法。床の総数が15であり、ゾーン1内に3床、ゾーン2内に6床、ゾーン3内に4床、ゾーン4内に2床に分配される、請求項1に記載の擬似移動床SMB分離方法。請求項1乃至3のいずれかに記載の擬似移動床分離方法の応用であって、芳香族C8炭化水素の混合物内のp‐キシレンの分離に対してなされる応用。請求項1乃至3のいずれかに記載の擬似移動床分離方法の応用であって、芳香族C8炭化水素の混合物内のm‐キシレンの分離に対してなされる応用。この出願は、次の点において特許文献15の改良である。第1に、バイパスラインは、注入または抜き出し運転の間に、すなわちより厳密には、前記バイパスラインが運転時に注入ラインまたは抜き出しラインと接続されるとき、バイパスラインが系統的に閉じられることがなく、第2に、フローレートを管理するためのルールは、注入または抜き出し運転の間にバイパスラインに対して適用するものである。本発明は、2つの連続するプレートを接続するバイパスラインの特定の構成に関し、最初のプレートが偶数インデクスを有するか、またはそれを除いた態様においては奇数インデクスを有する。図1aは、Pi、Pi1、Pi2、Pi3として示された4つの分配器プレートによって分離された5つの床を包含する本発明の擬似移動床SMBデバイスの部分を表し、前記4つの分配器プレートは、2つのバイパスラインLi/i1およびLi2/i3によってペア構成で接続される。各バイパスラインは、同一の手段を包含する。ラインLi/i1は、原液F注入ラインへの接続、脱着剤D注入ラインへの接続、エキストラクトE抜き出しラインへの接続、およびラフィネートR抜き出しラインへの接続を包含する。注入ラインへの接続は、抜き出しラインへの接続の上流に配置される。注入ラインへの接続と抜き出しラインの間に調整バルブVi/i1がある。バイパスラインLi/i1は、さらにViおよびVi1として示された2つのオン‐オフバルブを包含する。ViはプレートPiと注入および抜き出しラインとの接続の間に配置されており、Vi1は注入および抜き出しラインへの接続とプレートPi1の間に配置されている。図1bは、Pi、Pi1、Pi2、Pi3として示された4つの分配器プレートによって分離された5つの床を包含する本発明の擬似移動床SMBデバイスの変形の部分を表し、これら4つの分配器プレートは、2つのバイパスラインLi/i1およびLi2/i3を介してペア構成で接続される。各バイパスラインは、同一の手段を包含する。ラインLi/i1は、原液F注入ラインへの接続、脱着剤D注入ラインへの接続、エキストラクトE抜き出しラインへの接続、およびラフィネートR抜き出しラインへの接続を包含する。バイパスラインLi/i1は、さらに、2つの調整バルブViおよびVi1を包含する。ViはプレートPiと注入および抜き出しラインとの接続の間に配置されており、Vi1は注入および抜き出しラインへの接続とプレートPi1の間に配置されている。図1cは、Pi、Pi1、Pi2、Pi3として示された4つの分配器プレートによって分離された5つの床を包含する本発明の擬似移動床SMBデバイスの別の変形の部分を表し、これら4つの分配器プレートは、2つのバイパスラインLi/i1およびLi2/i3を介してペア構成で接続される。各バイパスラインは、同一の手段を包含する。ラインLi/i1は、2つの原液F注入ラインへの2つの接続、2つの脱着剤D注入ラインへの2つの接続、2つのエキストラクトE抜き出しラインへの2つの接続、および2つのラフィネートR抜き出しラインへの2つの接続を包含する。注入および抜き出しラインへの接続は、2つのグループに分割され、1つはバイパスラインLi/i1の上流、残りはその下流に分けられる。各グループは、原液Fの注入のため、脱着剤Dの注入のため、エキストラクトEの抜き出しのため、およびラフィネートRの抜き出しのためのラインへの接続を包含する。バイパスラインLi/i1は、さらに、一方におけるバイパスラインの上流の注入および抜き出しラインの接続と、他方におけるバイパスラインの下流の注入および抜き出しラインの接続の間に配置された調整バルブVi/i1を包含する。図2は、運転時の擬似移動床デバイスの第1の変形の部分を表す。デバイスのこの部分は、P2、P3、P4、P5として示された4つの分配器プレートを包含する。図2の最初の部分左部分は、プレートP3上に脱着剤Dが注入される間の時間tにおける構成を示し、その間はバイパスラインL2/3の第2の部分においてフラッシングのフローレートが調整される。また、時間tにおいては、プレートP4からエキストラクトEが抽出され、バイパスラインL4/5の第2の部分内にはフローがない。図2の2番目の部分右部分は、時間t後の1切換え期間すなわち、tΔtにおける前述の構成を示している。脱着剤DがプレートP3上に注入され、バイパスラインL2/3の第1の部分内にフローがない。この時間、すなわちtΔtにおいても、バイパスラインL4/5の第1の部分でフラッシングのフローレートの調整を行う間にエキストラクトEがプレートP5から抜き出される。図3は、運転中の12の床によって構成される先行技術の擬似移動床デバイスを示している。図3aは、サイクルの第1ステップに対応する。図3bは、サイクルの第2ステップに対応する。図4は、運転中の12の床によって構成される本発明の擬似移動床デバイスを示している。図4aは、サイクルの最初のステップに対応する。図4bは、サイクルの2番目のステップに対応する。本発明は、カラムの全長に沿って2つの連続するプレート、すなわちPiとする上流のプレートおよびPi1とする下流のプレートを直接結合する外部バイパスラインLi/i1を包含するデバイスのバイパスラインを管理するための方法に関し、ここでインデクスiは、偶数またはそれを除いて奇数である。明瞭のため、第1の場合においては、バイパスラインがプレートP2とP3、P4とP5、P6とP7という形で以下同様にプレートを接続する。別の場合においては、バイパスラインがプレートP1とP2、P3とP4、P5とP6という形で以下同様にプレートを接続する。運転中の注入ラインまたは抜き出しラインと接続されるバイパスラインは、運転中の注入ラインまたは抜き出しラインのいずれとも接続されないバイパスラインと区別される必要がある。運転中の注入ラインまたは抜き出しラインのいずれとも接続されないバイパスラインについては、特許文献15に定義されているとおり、バイパスライン内のフローレートを調整するルールが継続的に適用される。本発明は、運転中の注入ラインまたは抜き出しラインと接続されるバイパスラインだけに適用され、特定の場合に、前記バイパスライン上のフラッシングフローを確立することからなる。このフラッシングフローは、運転中の注入ラインに接続されたバイパスライン内において生じるときは、したがって前記注入フローの一部によって構成される。このフラッシングフローは、運転中の抜き出しラインに接続されたバイパスライン内において生じるときは、したがって前記抜き出しフローの一部を構成する。次の2つの場合を区別することが可能であり、それらが本発明の発明の要旨を形成する。a原液または脱着剤が、上に定義されている方向において上流プレートと呼ばれるプレート上に注入される場合、およびbエキストラクトまたはラフィネートが、上に定義されている方向において下流プレートと呼ばれるプレートから抜き出される場合。本発明のデバイスのより良好な理解のためには、上流プレートPiを下流プレートPi1へ接続しているバイパスラインLi/i1上において、次に示す2つの部分が区別されなければならない。前記バイパスラインの上流に位置するプレートPiと、注入または抜き出しラインとの接続ポイントの間にある第1の部分、および注入または抜き出しラインとの接続ポイントと、前記バイパスラインの下流に位置するプレートPi1の間にある第2の部分。続いて本発明を構成する2つのルールを次のとおりに述べることができる。a原液または脱着剤が上流プレートPi上に注入されるときには、フラッシングフローがバイパスラインの第2の部分内に導入されて前記フラッシングフローが同期フローレートの50プラスまたはマイナス5とほぼ等しい値に調整され、バイパスラインの第1の部分内において、注入フローレートが、バイパスラインの第2の部分内に導入されるフラッシングフローのための値を減じた原液または脱着剤の注入のためのフローレートと等しくなることによって補正され、bエキストラクトまたはラフィネートが下流プレートPi1から抜き出されるときには、フラッシングフローがバイパスラインの第1の部分内に導入されて前記フラッシングフローが同期フローレートの50プラスまたはマイナス5と等しい値に調整され、バイパスラインの第2の部分内において、抜き出しフローレートが、バイパスラインの第1の部分内に導入されるフラッシュのフローレートの値を減じたエキストラクトまたはラフィネートの抜き出しのためのフローレートと等しくなることによって補正される。同期フローレートはViVi1VLi/i1/STとして定義され、この式において、Viは上流プレートPiの分配/抽出システムの容積を表し、Vi1は下流プレートPi1の分配/抽出システムの容積を表し、VLi/i1はPiとPi1の間のバイパスラインの容積を表し、STは切換え時間を表す。比較的意外なことに、ルールaおよびbに従ったフラッシングフローの設定が、以下の実施例の中で例証されているとおり、所望の生成物の歩留まりにおける有意な利得をもたらし得ることが明らかになった。本発明の第1の変形によれば、SMBユニットの床の総数は12であり、様々なゾーン内において以下のとおりに分配される。ゾーン1内に2床、ゾーン2内に5床、ゾーン3内に3床、ゾーン4内に2床。本発明の第2の変形においては、SMBユニットの床の総数は15であり、様々なゾーン内において以下のとおりに分配される。ゾーン1内に3床、ゾーン2内に6床、ゾーン3内に4床、ゾーン4内に2床。本発明の方法は、芳香族C8炭化水素の混合物内のp‐キシレンの分離に応用できる。また本発明の方法は、芳香族C8炭化水素の混合物内のm‐キシレンの分離に応用できる。本発明は、改良された擬似移動床分離デバイスに関する。より厳密に述べれば、本発明は、様々な流体の注入および抜き出しのための単一チャンバを伴うSMBユニットの分野に含まれ、各プレートが特定数のパネルに分割され、各パネルに流体の注入および抜き出しのためのチャンバが備えられる。それに加えて本発明のSMBユニットは、バイパスラインが2つの隣接するプレート、すなわちインデクスiを偶数またはそれを除いて奇数のいずれかとするPiとPi1を、カラムの全長にわたって接続するユニットである。したがって、任意のインデクスi偶数または奇数を考えた場合に、プレートPiが、バイパスラインを介してプレートPi1またはそれを除いてプレートPi‐1へ接続される。図1aは、上流プレートPiを下流プレートPi1へ接続するバイパスラインLi/i1を示している。このバイパスラインLi/i1は、原液Fおよび脱着剤Dの注入のためのラインおよびエキストラクトEおよびラフィネートRの抜き出しのためのラインを包含する。注入ラインへの接続は、抜き出しラインへの接続の上流に位置する。注入ラインへの接続と抜き出しラインへの接続の間には、調整バルブVi/i1が備わる。バイパスラインLi/i1はまた、ViおよびVi1として示された2つのオン‐オフバルブを包含する。Viは、プレートPiと注入および抜き出しラインへの接続の間に配置されており、Vi1は、注入および抜き出しラインへの接続とプレートPi1の間に配置されている。本発明のデバイスの変形図1bは、バイパスラインLi/i1がオン‐オフバルブを含まず、注入ラインへの接続と抜き出しラインへの接続の間に調整バルブの配置もないが、2つの調整バルブViおよびVi1を包含する。ViはプレートPiと注入および抜き出しラインへの接続の間に配置され、Vi1は注入および抜き出しラインへの接続とプレートPi1の間に配置される。意外なことに、運転中の注入または抜き出しラインへ接続されるバイパスラインの理想的な機能は、前記バイパスラインの部分における特定のフラッシングフローの確立を必然的に伴うことが分かっている。次に示すバイパスラインLi/i1の2つの部分を識別することが可能である。前記バイパスラインの上流に位置するプレートPiと注入または抜き出しラインとの接続ポイントの間にある第1の部分、および注入または抜き出しラインとの接続ポイントと前記バイパスラインの下流に位置するプレートPi1の間にある第2の部分。原液または脱着剤が上流の位置にあるプレートPi上に注入されるとき、前記プレートPiはバイパスラインLi/i1を介してプレートPi1へ接続されているが、先行技術に開示されたものとは対照的に、バイパスラインLi/i1は閉じられてはならず、その逆にバイパスラインの第2の部分内を流れるフラッシングフローのフローレートが調節されてプレートPi1を洗い流す。このフローレートは、概略で同期の50に対応するべく調整されなければならない。バイパスラインLi/i1の第1の部分内を流れる補正後の注入フローは、その後、バイパスラインの第2の部分内を流れるフラッシュのフローレートによって減じられた原液または脱着剤の注入フローレートと等しくなる。原液または脱着剤が下流の位置にあるプレートPi1上に注入されるとき、前記プレートPi1はバイパスラインLi/i1を介してプレートPiへ接続されているが、その場合には前記バイパスラインが閉じられなければならない。バイパスラインの第2の部分内のフローレートは、原液または脱着剤の注入フローレートと等しくなる。図2は、時間tにおいてバイパスラインL2/3上における脱着剤Dの注入の間にフラッシングフローが存在する場合を示す。以下の説明は、調整バルブVi/i1および2つのバルブViおよびVi1を包含するバイパスライン図1aの構成に基づく。脱着剤Dは、バイパスラインL2/3の上流に位置するプレートであるプレートP2上へのストリームの注入が行われるようにバイパスラインL2/3上に注入される。したがって、調整バルブV2/3が脱着剤Dからなるフラッシングフローを調整することが可能であり、オン‐オフバルブV2およびV3は開かれている。このフラッシングフローは、プレートP3を洗い流すことができる。時間tΔtΔtは切換え時間に、バイパスラインL2/3の下流に位置するプレートであるプレートP3上へのストリームの注入が行われるようにバイパスラインL2/3上においてフローDの注入が行われる。この場合には、バイパスラインL2/3の第2の部分内にのみフローが生じるように、オン‐オフバルブV2が閉じられ、バルブV3が開かれる。同様に、エキストラクトまたはラフィネートがプレートPi1から抜き出されるとき、前記プレートPi1はバイパスラインLi/i1を介してプレートPiへ接続されているが、先行技術に開示されたものとは対照的に、該バイパスラインは閉じられてはならず、その逆にバイパスラインLi/i1の第1の部分内を流れるフラッシングフローのフローレートが修正されてプレートPiの内容物が抜き出されることを可能にする。このフローは、概略で同期の50に対応するべく調整されなければならない。バイパスラインLi/i1の第2の部分内を流れる補正後の抜き出しフローは、その後、バイパスラインの第1の部分内を流れるフラッシュのフローレートによって減じられたエキストラクトまたはラフィネートの抜き出しのフローレートと等しくなる。エキストラクトまたはラフィネートがプレートPiから抜き出されるとき、前記プレートPiはバイパスラインLi/i1を介してプレートPi1へ接続されているが、その場合には前記バイパスラインは閉じられなければならない。図2は、時間tΔtにバイパスラインL4/5上においてエキストラクトEの抜き出しが行われる間にフラッシングフローが存在する場合を示す。以下の説明は、調整バルブVi/i1および2つのバルブViおよびVi1を包含するバイパスライン図1aの構成に基づく。時間tにおいて、バイパスラインL4/5の上流に位置するプレートであるプレートP4におけるストリームを抜き出すようにエキストラクトEがバイパスラインL4/5から抜き出される。したがって、バイパスラインL4/5の第1の部分内にのみフローが生じるように、オン‐オフバルブV5が閉じられ、オン‐オフバルブV4が開かれる。時間tΔtΔtは切換え時間に、バイパスラインL4/5の下流に位置するプレートであるプレートP5からのストリームの抜き出しが行われるようにバイパスラインL4/5上においてエキストラクトEの抜き出しが行われる。この場合には、プレートP4から抜き出されるフラッシングフローのレートの調整に調整バルブV4/5が使用され、オン‐オフバルブV4およびV5が開かれる。より厳密に述べれば、本発明は、少なくとも1つのカラムを有する擬似移動床SMBデバイスにおける原液FのSMB分離のための方法として定義可能であり、前記カラムは、それぞれが注入/抜き出しシステムを包含するプレートPiによって分離される複数の吸着剤の床からなり、その方法においては原液Fおよび脱着剤Dが注入され、少なくとも1つのエキストラクトEおよび少なくとも1つのラフィネートRが抜き出され、注入および抜き出しのポイントが、切換え時間STをもった1つの吸着剤床に対応する値により経時的にシフトされ、さらにSMBの複数の運転ゾーン、特に脱着剤Dの注入とエキストラクトEの抜き出しの間にあるゾーン1、エキストラクトEの抜き出しと原液Fの注入の間にあるゾーン2、原液Fの注入とラフィネートRの抜き出しの間にあるゾーン3、およびラフィネートRの抜き出しと脱着剤Dの注入の間にあるゾーン4の4つの主ゾーンが決定され、デバイスはさらに、カラムの全長にわたって2つの連続するプレート、すなわちインデクスiを偶数またはそれを除いて奇数のいずれかとするPiとして示される上流プレートおよびPi1として示される下流プレートを直接結合する外部バイパスラインLi/i1を包含し、かつ前記プレートのフラッシングを可能にし、当該デバイスにおいてバイパスラインLi/i1は、2つの部分、すなわち前記バイパスラインの上流に位置するプレートPiと、注入または抜き出しラインとの接続ポイントの間にある第1の部分、および注入または抜き出しラインとの接続ポイントと、前記バイパスラインの下流に位置するプレートPi1の間にある第2の部分、に区分され、かつ当該デバイスにおいてバイパスラインLi/i1のそれぞれは、バイパスライン内のフラッシングフローを調整するための自動化された手段を包含し、前記フラッシングフローは、バイパスラインが運転中の注入または抜き出しラインへ接続されるときに次に示す2つのルールに従って設定される。a原液または脱着剤が上流プレートPi上に注入されるときには、フラッシングフローがバイパスラインの第2の部分内に導入されて前記フラッシングフローが、同期フローレートの50プラスまたはマイナス5と等しい値付近に調整され、バイパスラインの第1の部分内において、注入フローレートが、バイパスラインの第2の部分内に導入されるフラッシングフローのための値を減じた原液または脱着剤の注入のためのフローレートと等しくなることによって補正され、bエキストラクトまたはラフィネートが下流プレートPi1から抜き出されるときには、フラッシングフローがバイパスラインの第1の部分内に導入されて前記フラッシングフローが同期フローレートの50プラスまたはマイナス5と等しい値に調整され、バイパスラインの第2の部分内において、抜き出しフローレートが、バイパスラインの第1の部分内に導入されるフラッシュのフローレートの値を減じたエキストラクトまたはラフィネートの抜き出しのためのフローレートと等しくなることによって補正される。同期フローレートはViVi1VLi/i1/STとして定義され、この式において、Viは、脱離プレートPiの分配/抽出システムの容積を表し、Vi1は、到着プレートPi1の分配/抽出システムの容積を表し、VLi/i1は、PiとPi1の間のバイパスラインの容積を表し、STは、切換え時間を表す。超同期は、次式によって表される。超同期=考慮中のバイパスライン内の実際のフローレート/同期フローレート-1次に示す実施例から、本発明のより良好な理解が得られるであろう。原液注入、脱着剤溶離剤または溶剤と呼ぶこともできる注入、エキストラクト抜き出し、およびラフィネート抜き出しを伴う長さ1.1m、内部半径3.5mの12の床によって構成されるSMBユニットを考える。プレートは、単一の注入/抜き出しチャンバを有する。合計容積はViVi1VLi/i1として定義され、ここで、VLi/i1はプレートPiからプレートPi1へのバイパスラインの容積であり、ViはプレートPiの分配/抽出システムの容積であり、Vi1はプレートPi1の分配/抽出システムの容積である。合計容積は、プレートPiとプレートPi1の間にある床の容積の3を表す。床の分配は2/5/3/2の構成とし、すなわち床は次のとおりに分配される。ゾーン1内に2床、ゾーン2内に5床、ゾーン3内に3床、ゾーン4内に2床。使用された吸着剤はタイプBaXのゼオライトであり、溶離剤はp‐ジエチルベンゼンである。温度を175°Cとし、圧力を15バールとする。原液は、p‐キシレン20、o‐キシレン24、m‐キシレン51、およびエチルベンゼン5からなる。使用された切換え時間は141.6秒である。したがって、本方法の完全サイクルは12ステップを包含する。原液および脱着剤の注入のための液体フローレートは次のとおりである。原液については204.1m3h‐1、脱着剤については224.5m3h‐1、すなわち溶剤比S/F=1.1である。ゾーン1内のフローレートは888.9m3h‐1であり、エキストラクトのフローレートは96.8m3h‐1である。すべてのフローレートは、25°Cの基準温度においてm3h‐1を単位として与えられている。運転中の注入または抜き出しラインのいずれとも接続されていないバイパスライン内のフローレートは、ゾーン2において同期の120に、ゾーン3において同期の125に調整される。ゾーン1および4が2床によって構成されることから、これらのゾーン内に位置する各バイパスラインは、必然的に運転中の注入ラインまたは抜き出しラインと接続される。実施例1先行技術による実施例バイパスラインが運転中の注入または抜き出しラインと接続されるときにバイパスラインを閉じることからなる先行技術では、シミュレーションにおいて、p‐キシレンの純度99.72、およびp‐キシレンの歩留まり83.8が得られた。図3aは、先行技術の擬似移動床デバイスのサイクルの第1ステップを示しており、図3bはその第2ステップを示している。本方法のサイクルを構成する12ステップの間におけるバイパスラインの各部分内のフローレートを次の表1に示す。表1内の負の値は、バイパスラインが運転中の注入または抜き出しラインのいずれにも接続されていないときの、そのライン内のフローと比較した向流に対応する。実施例2本発明による実施例上に定義されているルールフローレートが同期の50に対応する値に調整されるに従って運転中の注入または抜き出しラインと接続されるバイパスライン内のフラッシングフローを、特定の場合に調整することからなる本発明によれば、p‐キシレンの純度99.76、およびp‐キシレンの歩留まり85.3が得られた。図4aは、本発明の擬似移動床デバイスについてのサイクルの第1ステップを示しており、図4bはその第2ステップを示している。本方法のサイクルを構成する12ステップの間におけるバイパスラインの各部分内のフローレートを次の表2に示す。表2においては、フラッシングフローについての値が太字で示されている。このフラッシングフローレートは、16.6m3/hであった。表2内の負の値は、バイパスラインが運転中の注入または抜き出しラインのいずれとも接続されていないときの、そのライン内のフローと比較した向流に対応する。