"放射線が照射されることにより光を発生する発光層と、前記発光層に積層され、前記発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生するセンサ部および当該センサ部で発生された電荷を読み出すためのスイッチング素子を含む画素が複数個形成された基板と、前記発光層の前記基板が積層された側と反対側、または前記基板の前記発光層が積層された側と反対側に積層され、各々複数の領域に光学的に分離され、前記複数の領域の一部の領域における導光量が前記一部の領域以外の他部の領域における導光量より多くされた導光板と、を備えた放射線検出器。前記導光板が前記発光層に積層されている場合、前記発光層と前記導光板との間に介在され、光の一部分を通過させ、かつ前記一部分以外の光を反射する光反射層をさらに備えた請求項1記載の放射線検出器。前記導光板は、前記複数の領域の各々毎に分割されており、前記導光板と当該導光板が積層されている部材との間に介在され、前記放射線検出器の内部の防湿性を維持するためのバリアフィルムをさらに備えた請求項1または請求項2記載の放射線検出器。前記導光板は、積層された側とは反対側に、前記一部の領域において前記他部の領域よりも反射率が高い光反射層を設けることで、前記複数の領域の一部の領域における導光量が前記一部の領域以外の他部の領域における導光量より多くされている請求項1から請求項3の何れか1項記載の放射線検出器。前記光反射層は、前記一部の領域に対応する領域において通過する光の光量が、前記他部の領域に対応する領域を通過する光の光量より多くされることで、前記複数の領域の一部の領域における導光量が前記一部の領域以外の他部の領域における導光量より多くされている請求項2記載の放射線検出器。前記導光板の側面に光反射層をさらに備えた請求項1から請求項5の何れか1項記載の放射線検出器。前記導光板は、積層された側とは反対側の面が傾斜面とされている請求項1から請求項6の何れか1項記載の放射線検出器。傾斜面を備え、当該傾斜面側が前記導光板の前記傾斜面に積層され、当該導光板に積層された状態で当該導光板と組み合わされて前記導光板と共に板状となる補強板をさらに備えた請求項7記載の放射線検出器。前記導光板は、放射線の入射側とは反対側に積層されている請求項1から請求項8の何れか1項記載の放射線検出器。前記導光板により導光された光を受光する複数の受光部をさらに備えた請求項1から請求項9の何れか1項記載の放射線検出器。請求項1から請求項9の何れか1項記載の放射線検出器と、前記放射線検出器の前記導光板により導光された光を受光する複数の受光部と、前記放射線検出器の前記基板により得られた電荷に基づいて放射線画像の撮影を行う撮影手段と、前記前記複数の領域の一部を通過して前記導光板により導光された光を放射線の照射量を検出するために用い、前記前記複数の領域の一部以外の領域を通過して前記導光板により導光された光を放射線の照射開始を検出するために用いるよう制御する制御手段と、を備えた放射線画像撮影装置。請求項10記載の放射線検出器と、前記放射線検出器の前記基板により得られた電荷に基づいて放射線画像の撮影を行う撮影手段と、前記放射線検出器の前記複数の受光部の受光結果に基づいて前記撮影手段による撮影動作を制御する制御手段と、を備えた放射線画像撮影装置。請求項1に記載の放射線検出器を備えた放射線画像撮影装置によって実行されるプログラムであって、コンピュータを、前記放射線検出器の前記導光板における前記複数の領域の一部により導光された光に基づいて放射線の照射開始を検出すると共に、前記放射線検出器の前記導光板における前記複数の領域の他部により導光された光に基づいて放射線の照射量を検出する検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線画像撮影装置による撮影動作を制御する制御手段と、として機能させるためのプログラム。しかしながら、上記特許文献1に開示されている技術では、撮影対象領域の全域について1枚の導光板光ガイド部材により導光された光を検出しているため、撮影対象部位が比較的小さく、撮影対象領域における放射線が撮影対象部位を透過しない領域以下、素抜け領域という。の撮影対象領域の全域に対する割合が比較的高い場合において前述した照射制御処理を実行する場合には、放射線の照射量を比較的多く検出してしまう結果、露光不足となってしまう場合がある、という問題点があった。なお、この場合、放射線の曝射を伴う再撮影を行う必要があり、結果的に被検者の被曝量が増加してしまう。一方、前述した同期制御処理を実行する場合、被検者による放射線の被曝量をできるだけ少なくするためには放射線の照射開始を可及的速やかに検出する必要がある。これに対し、前述した照射制御処理を実行する場合には、放射線の照射量を検出する際に、導光板により導光された光を受光する受光素子が飽和検出量に達しないことが極めて重要である。しかしながら、上記特許文献1に開示されている技術では、前述したように撮影対象領域の全域について1枚の導光板により導光された光を検出しているため、放射線の照射開始は速やかに検出することができるものの、導光光を受光する受光素子が飽和検出量に達してしまう場合がある、という問題点があった。本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる放射線検出器、放射線画像撮影装置およびプログラムを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る放射線検出器は、請求項1に記載したように、放射線が照射されることにより光を発生する発光層と、前記発光層に積層され、前記発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生するセンサ部および当該センサ部で発生された電荷を読み出すためのスイッチング素子を含む画素が複数個形成された基板と、前記発光層の前記基板が積層された側と反対側、または前記基板の前記発光層が積層された側と反対側に積層され、各々複数の領域に光学的に分離され、前記複数の領域の一部の領域における導光量が前記一部の領域以外の他部の領域における導光量より多くされた導光板と、を備えている。請求項1に記載の放射線検出器によれば、放射線が照射されることにより光を発生する発光層に、前記発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生するセンサ部および当該センサ部で発生された電荷を読み出すためのスイッチング素子を含む画素が複数個形成された基板が積層される。ここで、本発明では、前記発光層の前記基板が積層された側と反対側、または前記基板の前記発光層が積層された側と反対側に、各々複数の領域に光学的に分離され、前記複数の領域の一部の領域における導光量が前記一部の領域以外の他部の領域における導光量より多くされた導光板が積層される。すなわち、本発明では、発光層によって発生された光を導光する導光板が光学的に複数の領域に分離され、当該複数の領域の一部における光の検出感度が他部に比較して高くされているので、前記一部の領域により導光された光を用いて同期制御処理を実行することにより、速やかに放射線の照射開始を検出することができる一方、前記他部の領域により導光された光を用いて照射制御処理を行うことにより、当該光を受光する受光素子の飽和を防止することができる。このように、請求項1に記載の放射線検出器によれば、発光層によって発生された光を導光する導光板が光学的に複数の領域に分離され、当該複数の領域の一部における光の検出感度が他部に比較して高くされているので、同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項2に記載したように、前記導光板が前記発光層に積層されている場合、前記発光層と前記導光板との間に介在され、光の一部分を通過させ、かつ前記一部分以外の光を反射する光反射層をさらに備えるようにしても良い。これにより、発光層により発光した光の一部分を利用して同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項3に記載したように、前記導光板は、前記複数の領域の各々毎に分割されており、前記導光板と当該導光板が積層されている部材との間に介在され、前記放射線検出器の内部の防湿性を維持するためのバリアフィルムをさらに備えるようにしても良い。これにより、放射線検出器の内部の防湿性を維持することができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項4に記載したように、前記導光板は、積層された側とは反対側に、前記一部の領域において前記他部の領域よりも反射率が高い光反射層を設けることで、前記複数の領域の一部の領域における導光量が前記一部の領域以外の他部の領域における導光量より多くされているようにしても良い。これにより、簡易に一部の領域における導光量を他部の領域における導光量よりも多くすることができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項5に記載したように、前記光反射層は、前記一部の領域に対応する領域において通過する光の光量が、前記他部の領域に対応する領域を通過する光の光量より多くされることで、前記複数の領域の一部の領域における導光量が前記一部の領域以外の他部の領域における導光量より多くされているようにしても良い。これにより、簡易に一部の領域における導光量を他部の領域における導光量よりも多くすることができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項6に記載したように、前記導光板の側面に光反射層をさらに備えるようにしても良い。これにより、導光板に入射する光を効率的に集光することができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項7に記載したように、前記導光板は、積層された側とは反対側の面が傾斜面とされているようにしても良い。これにより、導光板の一方の面を傾斜させることで導光機能を向上させることができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項8に記載したように、傾斜面を備え、当該傾斜面側が前記導光板の前記傾斜面に積層され、当該導光板に積層された状態で当該導光板と組み合わされて前記導光板と共に板状となる補強板をさらに備えるようにしても良い。これにより、補強板により外圧に対する強度を向上させることができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項9に記載したように、前記導光板は、放射線の入射側とは反対側に積層されているようにしても良い。これにより、請求項1の構成と同様に、同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる、という効果を奏する。また、本発明に係る放射線検出器において、請求項10に記載したように、前前記導光板により導光された光を受光する複数の受光部をさらに備えるようにしても良い。これにより、放射線検出器に備えられた受光部により導光された光を受光することができる、という効果を奏する。一方、上記目的を達成するために、請求項11に記載の放射線画像撮影装置は、請求項1から請求項9の何れか1項記載の放射線検出器と、前記放射線検出器の前記導光板により導光された光を受光する複数の受光部と、前記放射線検出器の前記基板により得られた電荷に基づいて放射線画像の撮影を行う撮影手段と、前記前記複数の領域の一部を通過して前記導光板により導光された光を放射線の照射量を検出するために用い、前記前記複数の領域の一部以外の領域を通過して前記導光板により導光された光を放射線の照射開始を検出するために用いるよう制御する制御手段と、を備えている。従って、請求項11に記載の放射線画像撮影装置によれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、請求項1に記載の発明と同様に、同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる、という効果を奏する。また、請求項12に記載の放射線画像撮影装置は、請求項10記載の放射線検出器と、前記放射線検出器の前記基板により得られた電荷に基づいて放射線画像の撮影を行う撮影手段と、前記放射線検出器の前記複数の受光部の受光結果に基づいて前記撮影手段による撮影動作を制御する制御手段と、を備えている。従って、請求項12に記載の放射線画像撮影装置によれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、請求項1に記載の発明と同様に、同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる、という効果を奏する。一方、上記目的を達成するために、請求項13に記載のプログラムは、請求項1に記載の放射線検出器を備えた放射線画像撮影装置によって実行されるプログラムであって、コンピュータを、前記放射線検出器の前記導光板における前記複数の領域の一部により導光された光に基づいて放射線の照射開始を検出すると共に、前記放射線検出器の前記導光板における前記複数の領域の他部により導光された光に基づいて放射線の照射量を検出する検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線画像撮影装置による撮影動作を制御する制御手段と、として機能させるためのプログラムである。従って、請求項13に記載のプログラムによれば、コンピュータを請求項1に記載の発明と同様に作用させることができるので、請求項1に記載の発明と同様に、同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる、という効果を奏する。本発明によれば、同期制御処理および照射制御処理を的確に行うことができる、という効果を奏する。第1実施形態以下、第1実施形態に係る放射線画像撮影装置について添付図面を用いて詳細に説明する。図1は、第1実施形態に係る放射線画像撮影装置である電子カセッテ1の外観を示す切り欠き斜視図である。図1に示すように、電子カセッテ1は筐体2を備えている。この筐体2は、電子カセッテ1の軽量化を図るために、例えば、カーボンファイバー炭素繊維、アルミニウム、マグネシウム、バイオナノファイバセルロースミクロフィブリル、または複合材料等で構成されている。筐体2の内部には、放射線検出器3及び鉛板4が放射線Xの照射方向に沿ってこの順に順次積層されて配置されている。また、筐体2の内部の一端側には、放射線Xの照射方向において放射線検出器3と重ならない位置に、カセッテ制御部や電源部を収容するケース5が配置されている。図2は、第1実施形態に係る電子カセッテ1に設けられた放射線検出器3の3画素部分の構成を示す断面模式図である。図2に示すように、放射線検出器3は、絶縁性の基板10の上に、信号出力部11、センサ部12、及びシンチレータ蛍光体膜13が順次積層されており、各画素は、信号出力部11、センサ部12により構成され、基板10上に複数配列されている。シンチレータ13は、センサ部12の上部基板10と対面しない側に透明絶縁膜14を介して形成されていて、X線等の放射線Xを光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。放射線検出器3において、このシンチレータ13により入射した放射線Xが光に変換される。なお、シンチレータ13が発する光の波長域は、可視光域波長360nm~830nmであることが好ましく、この放射線検出器3によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。シンチレータ13に用いられる蛍光体としては、具体的には、放射線XとしてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウムCsIを含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm~700nmにあるCsITlタリウムが添加されたヨウ化セシウムを用いることが特に好ましい。なお、CsITlの可視光域における発光ピーク波長は565nmである。センサ部12は、上部電極15a、下部電極15b、及び当該上下の電極間に配置された光電変換膜16を有する。光電変換膜16は、シンチレータ13が発光する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。上部電極15aは、シンチレータ13により生じた光を光電変換膜16に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ13の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物TCOTransparentConductingOxideを用いることが好ましい。なお、上部電極15aとしてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を90以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO2、TiO2、ZnO2等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはITOが最も好ましい。なお、上部電極15aは、全画素で共通の一枚構成としてもよく、画素毎に分割してもよい。光電変換膜16は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ13により発光した光を吸収するとともに、吸収した光に応じた電荷を発生させる。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜16であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ13による発光以外の電磁波が光電変換膜16に吸収されることがほとんどなく、放射線Xが光電変換膜16で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。光電変換膜16を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ13により発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ13の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ13の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ13により発光した光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ13の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ13の材料としてCsITlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜16で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。放射線検出器3における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電極15a,15bと、当該電極15a,15b間に挟まれた有機光電変換膜16を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ね、もしくは混合により形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体化合物であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。有機n型半導体化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体化合物であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。この有機p型半導体及び有機n型半導体として適用可能な材料、及び光電変換膜16の構成については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜16は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。光電変換膜16の厚みは、シンチレータ13からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜16の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜16に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。なお、図2に示す放射線検出器3では、光電変換膜16は、全画素に渡って共有される一枚構成であるが、画素毎に分割されていてもよい。また、光電変換膜16は、有機光電変換材料を含まなくても良い。下部電極15bは、画素毎に分割された薄膜で構成されている。下部電極15bは、透明または不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。また、下部電極15bの厚みは、例えば、30nm以上300nm以下とすることができる。センサ部12では、上部電極15aと下部電極15bとの間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜16で発生した電荷正孔、電子のうちの一方を上部電極15aに移動させ、他方を下部電極15bに移動させることができる。本実施形態の放射線検出器3では、上部電極15aに配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極15aに印加される。また、バイアス電圧は、光電変換膜16で発生した電子が上部電極15aに移動し、正孔が下部電極15bに移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。各画素を構成するセンサ部12は、少なくとも下部電極15b、光電変換膜16、及び上部電極15aを含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜17及び正孔ブロッキング膜18の少なくとも一方を設けることが好ましいが、両方を設けることが特に好ましい。電子ブロッキング膜17は、下部電極15bと光電変換膜16との間に設けることができ、下部電極15bと上部電極15a間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極15bから光電変換膜16に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。電子ブロッキング膜17には、電子供与性有機材料を用いることができる。電子ブロッキング膜17に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜16の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数Wfより1.3eV以上電子親和力Eaが大きく、かつ、隣接する光電変換膜16の材料のイオン化ポテンシャルIpと同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。電子ブロッキング膜17の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部12の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。正孔ブロッキング膜18は、光電変換膜16と上部電極15aとの間に設けることができ、下部電極15bと上部電極15a間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極15aから光電変換膜16に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。正孔ブロッキング膜18には、電子受容性有機材料を用いることができる。正孔ブロッキング膜18の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部12の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。正孔ブロッキング膜18に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜16の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数Wfより1.3eV以上イオン化ポテンシャルIpが大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料の電子親和力Eaと同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜16で発生した電荷のうち、正孔が上部電極15aに移動し、電子が下部電極15bに移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜17と正孔ブロッキング膜18との位置を逆に配置すればよい。また、基板10において、各画素の下部電極15bに対面する側の面には上述した信号出力部11が形成されている。信号出力部11は、下部電極15bに対応して、下部電極15bに移動した電荷を蓄積するコンデンサ19と、コンデンサ19に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタThinFilmTransistor、以下、単に薄膜トランジスタという場合がある。20が形成されている。コンデンサ19及び薄膜トランジスタ20の形成された領域は、平面視において下部電極15bと重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素における信号出力部11とセンサ部12とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器3画素の平面積を最小にするために、コンデンサ19及び薄膜トランジスタ20の形成された領域が下部電極15bによって完全に覆われていることが望ましい。コンデンサ19は、基板10と下部電極15bとの間に設けられた絶縁膜21を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極15bと電気的に接続されている。これにより、下部電極15bで捕集された電荷をコンデンサ19に移動させることができる。薄膜トランジスタ20は、図示しないゲート電極、ゲート絶縁膜、及び活性層チャネル層が積層され、さらに、活性層上にソース電極とドレイン電極が所定の間隔を開けて形成されている。また、基板10には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。このように、基板10、絶縁膜21、下部電極15b、電子ブロッキング膜17、光電変換膜16、正孔ブロッキング膜18、上部電極15a、及び透明絶縁膜14が順次積層されることにより、TFT基板であるセンサ基板22が形成されている。また、シンチレータ13の上面センサ基板22に対面しない側の面には、半透過層23、ガラス保護層24、バリアフィルム層25、導光板26が順次積層されている。本実施形態に係る半透過層23は、入射する光の一部分を透過させ、入射する光の当該一部分以外の光を反射する。半透過層23は、特定の波長の光を選択的に透過させることができるダイクロイックフィルタで構成されている。この際、例えば、屈折し難い長波長成分の光を選択的に透過させるようにすると良い。なぜなら、長波長成分の光は半透過層23で反射してセンサ部12で受光した場合に画像ボケにつながり易いからである。また、半透過層23は、ハーフミラーにより形成されていても良く、あるいは、アルミAl、銀Ag等の反射材料で多数の穴が形成されるかまたは部分的に穴が空くように形成されていても良く、これらの構成により光の一部分を透過させ当該一部分以外の光を反射するように構成されていても良く、さらには拡散板で形成されていても良い。放射線検出器3に当該半透過層23が設けられることにより、シンチレータ13で発光した光の一部を導光板26に入射させることができる。ガラス保護層24は、例えば樹脂フィルムである。本実施形態では、半透過層23とバリアフィルム層25との間にガラス保護層24が設けられているが、これに限定されず、ガラス保護層24を設けずに、半透過層23をバリアフィルム層25に直接貼り付ける構成にしても良い。シンチレータ13により発光した光の一部が半透過層23を透過し、ガラス保護層24に入射する。ガラス保護層24に入射した光は、ガラス保護層24を通過し、バリアフィルム層25を通過した上で導光板26に入射する。そして、導光板26に入射した光は、導光板26の内部を導かれて後述する光検知部39によって検知される。図3は、第1実施形態に係る電子カセッテ1の電気系の要部構成を示す構成図である。図3に示すように、電子カセッテ1に内蔵された放射線検出器3は、隣り合う2辺の一辺側にゲート線ドライバ30が配置され、他辺側に信号処理部30Aが配置されている。センサ基板22には複数のゲート配線31及び複数のデータ配線32が設けられている。個々のゲート配線31はゲート線ドライバ30に接続され、個々のデータ配線32は信号処理部30Aに接続されている。センサ基板22の各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ30からゲート配線31を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ20によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線32を伝送されて信号処理部30Aに入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。図示は省略するが、信号処理部30Aは、個々のデータ配線32毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路およびサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線32を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/Dアナログ/デジタル変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順にシリアルに入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。信号処理部30Aには画像メモリ33が接続されており、信号処理部30AのA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ33に順次記憶される。画像メモリ33は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ33に記憶される。画像メモリ33はカセッテ制御部34と接続されている。カセッテ制御部34はマイクロコンピュータを含んで構成され、CPU中央処理装置35と、記録媒体としてのROMReadOnlyMemory及びRAMRandomAccessMemoryを含むメモリ36と、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部37とを備えており、電子カセッテ1全体の動作を総括的に制御する。さらに、カセッテ制御部34には無線通信部38接続されている。無線通信部38は、IEEEInstituteofElectricalandElectronicsEngineers802.11a/b/g等に代表される無線LANLocalAreaNetwork規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部34は、無線通信部38を介して、コンソールなどの外部装置と無線通信が可能とされており、外部装置との間で各種情報の送受信が可能とされている。そして、カセッテ制御部34には光検知部39が接続されている。光検知部39は、例えばフォトトランジスタ、フォトダイオード、フォトIC、CdSセル等で構成される光センサである。なお、光検知部39の構成はこれらに限定されない。光検知部39は、その検出結果を図示しないA/D変換器によりデジタルデータに変換し、カセッテ制御部34に出力する。光検知部39は、放射線検出器3の内部に設けられていても、放射線検出器3とは別個に電子カセッテ1の内部に設けられていても良い。ところで、電子カセッテ1は、放射線検出器3に対する放射線Xの曝射が開始されたときに当該曝射開始を検知して放射線画像の撮影を開始する等、放射線画像の撮影動作を制御する同期制御処理を行う。また、電子カセッテ1は、放射線検出器3に対する放射線Xの照射量を検出して累積照射量に基づいて放射線画像の撮影を終了させる等、放射線画像の撮影動作を制御するAECAutomaticExposureControl制御処理上述した照射制御処理を行う。この際、本実施形態に係る電子カセッテ1は、放射線検出器3に放射線Xが照射されたときにシンチレータ13にて発光した光の一部分を導光板26で導光し、導出された光の光量を検出することで、曝射開始を検出して同期制御処理を行ったり照射量を検出してAEC制御処理を行ったりする。ところで、従来の電子カセッテにおいて、撮影対象領域の全域について1枚の導光板により導光された光を検出する場合、撮影対象部位が比較的小さく、撮影対象領域における放射線が撮影対象部位を透過しない素抜け領域の撮影対象領域の全域に対する割合が比較的高い場合においてAEC制御処理を実行する場合には、放射線の照射量を比較的多く検出してしまう結果、露光不足となってしまう、という問題点があった。なお、この場合、放射線の曝射を伴う再撮影を行う必要があり、結果的に被検者の被曝量が増加してしまう。一方、同期制御処理を実行する場合、被検者による放射線の被曝量をできるだけ少なくするためには放射線の照射開始を可及的速やかに検出する必要がある。これに対し、照射制御処理を実行する場合には、放射線の照射量を検出する際に、導光板により導光された光を受光する受光素子が飽和検出量に達しないことが極めて重要であるそこで本実施形態に係る電子カセッテ1は、シンチレータ13で発生した光の一部分を導光板26に入射させ、入射した光を予め定められた領域毎に分けて導光して領域毎に各々別個に検知し、それぞれの領域毎に同期制御処理及びAEC制御処理の何れかに使用する。この際、本実施形態に係る電子カセッテ1は、後述するように導光板26を光学的に分離した複数の導光領域26aで構成し、入射する導光領域26a毎に導光される光を検知し、検知された光の光量が放射線Xの照射量に対応することを利用して、当該光の光量に基づいて同期制御処理またはAEC制御処理を行う。本実施形態に係る電子カセッテ1では、照射量が過剰に見積もられることのない領域をAEC制御処理に使用されるための領域A、放射線Xの曝射開始を即座に検出することができる領域を同期制御処理に使用するための領域Bとして、領域A及び領域Bに各々導光領域26aが配置されている。そして各々の導光領域26aは光学的に遮断されていて、各々の導光領域26aの内部において光が導光される。各々の導光領域26aを光学的に遮断する方法は、例えば、各々の導光領域26aが接する面において、アルミAl、銀Ag等の反射材料で反射膜を形成する等、既知の何れかの方法である。なお、導光板26を構成する各々の導光領域26aは、導光板26が物理的に分割されることにより光学的に分離されていても良く、あるいは、一体型でかつ隣接する導光領域26a間に反射膜を設ける等により光学的に分離されていても良い。図4は、第1実施形態に係る電子カセッテ1の放射線検出器3を上方から見た図であり、AEC制御処理に使用されるための領域A、及び同期制御処理に使用するための領域Bのそれぞれの配置位置の一例を示す図である。図4に示すように、電子カセッテ1は、放射線検出器3の中央側には撮影時において撮影対象部位が存在する可能性が高いことを考慮し、中央側にAEC制御処理に使用されるための領域Aを配置し、領域Aを通過した光を用いてAEC制御処理を行う。また電子カセッテ1は、放射線検出器3における両端側には撮影時において撮影対象部位が存在しない可能性が高いことを考慮して、両端側に同期制御処理に使用するための領域Bを配置し、領域Bを通過した光を用いて同期制御処理を行う。領域Aを通過した光を導光領域26aに入射させて光検知部39で検知させるとともに、領域Bを通過した光を領域Aとは異なる導光領域26aに入射させて領域Aとは異なる光検知部39で検知させる。この構成により、電子カセッテ1は、領域Aを通過した光、領域Bを通過した光をそれぞれ別個に取得し、領域Aを通過した光をAEC制御処理に使用し、領域Bを通過した光を同期制御処理に使用する。また、各々の導光領域26aの外周側面のうちの、光検知部39が設けられていない領域には、光を反射する反射層41が設けられている。反射層41は、例えばアルミAl、銀Ag等の反射材料で形成されている。この反射層41により、各々の導光領域26aで導光される光が光検知部39で検知されずに外部に漏れてしまうことが防止され、導光された光を有効に利用することができる。ここで、本実施形態に係る電子カセッテ1において、上述したAEC制御処理や同期制御処理を行うための構成についてさらに詳細に説明する。図5は、第1実施形態に係る電子カセッテ1の放射線検出器3の図4のY-Y面における側断面の構成を模式的に示した断面模式図である。図5に示すように、放射線検出器3は、センサ基板22及び導光板26を備えていて、複数の柱状結晶13aが配列されてなるシンチレータ13が当該センサ基板22及び導光板26の間に挟まれた状態で構成されている。また、シンチレータ13の上面センサ基板22が積層される面と反対側の面には半透過層23が設けられ、更にシンチレータ13と導光板26との間には、半透過層23を介してガラス保護層24が設けられている。ガラス保護層24と導光板26との間には、樹脂基板で形成されたバリアフィルム層25が設けられている。バリアフィルム層25は、導光板26が複数の導光領域26aから構成されているため各々の隣接する導光領域26a間に隙間が開いている可能性を考慮し、放射線検出器3の内部の防湿性を維持するために設けられる。半透過層23は、領域Aに対応する領域を通過する光の光量を少なくなるようにし、領域Bに対応する領域を通過する光の光量を領域Aに対応する領域より多くなるように形成されると良い。これにより、同期制御処理に使用される光の光量を多くすることができる。導光板26とセンサ基板22との間には、シンチレータ13の周囲全体を囲むように封止部材40が設けられる。封止部材40は、例えば樹脂等で形成されており、シンチレータ13が圧迫されて破損しないように導光板26とセンサ基板22との間に常に一定のスペースが形成されるように導光板26とセンサ基板22とを固定するとともに、導光板26とセンサ基板22との間すなわちシンチレータ13等に水分等が入り込むことを防止するものである。導光板26は、シンチレータ13にて発光した光を所定方向にガイドする光ガイド部材としての機能を有して導光領域26aが複数、放射線検出器3の一面を覆うように配置されることにより構成されている。放射線検出器3に放射線Xが曝射されると、シンチレータ13に入射した放射線Xが光に変換され、変換された光のうちの一部が、半透過層23に入射し、入射した光の更に一部が、半透過層23を通過してガラス保護層24、バリアフィルム層25を介して導光板26に入射する。導光板26のうちの領域Aに配置された導光領域26aに入射した光と、導光板26のうちの領域Bに配置された導光領域26aに入射した光は、光検知部39のそれぞれ別個の光センサによって検知され、各々の光センサで各々電気信号に変換して、カセッテ制御部34に対して出力する。複数の光センサのうち、領域Aを通過する光を検出する光センサの検知感度を低くなるようにし、領域Bを通過する光を検出する光センサの検知感度を、領域Aを通過する光を検出する光センサの検出感度より高くなるように構成されると良い。これにより、同期制御処理に使用される光の検知感度を高くすることができる。なお、放射線検出器3を製造する際には、以下のパターン1、2として示す方法等を適用することができる。パターン1センサ基板22上に直接蒸着によりシンチレータ13を形成する一方、ガラス保護層24に半透過層23を塗布または貼付により形成する。また、導光板26の一方の面にバリアフィルム層25を貼り付ける。そして、シンチレータ13のセンサ基板22とは反対側にガラス保護層24を半透過層23が間に介するように貼り合わせるとともに、ガラス保護層24にバリアフィルム層25が間に介するように導光板26を貼り合わせる。パターン2センサ基板22上に直接蒸着によりシンチレータ13を形成する一方、ガラス保護層24に半透過層23を塗布または貼付により形成する。また、導光板26の一方の面にバリアフィルム層25を貼り付ける。そして、シンチレータ13のセンサ基板22とは反対側にガラス保護層24を半透過層23が間に介するように重ねるとともに、ガラス保護層24にバリアフィルム層25が間に介するように導光板26を重ね、相互に押し当てた状態で放射線検出器3全体をパウチ加工ラミネート加工する。パターン3図6A乃至Cは、第1実施形態に係る電子カセッテ1の放射線検出器3をパターン3により形成する際の、各工程における当該放射線検出器の側断面の構成を模式的に示した断面模式図である。なお、図6A乃至Cにおいて半透過層23の図示を省略している。図6Aに示すように、ガラス保護層24にシンチレータ13を直接蒸着により積層する際、ガラス保護層24において、シンチレータ13を形成するCsIの膜厚分布は一定にはならず、通常、中心部が厚くなるように形成される。これを考慮し、図6Bに示すように、ガラス保護層24を、耐熱性樹脂基板樹脂:ポリイミド、アラミドなどで形成し、ガラス保護層24をCsIの膜厚に沿って撓ませることにより、センサ基板22とシンチレータ13とを均一密着させる。そして、図6Cに示すように、ガラス保護層24の上面シンチレータ13が積層される面と反対側の面に導光板26を積層し、導光板26とセンサ基板22とでシンチレータ13をサンドウィッチする。このように、導光板26がガラス素材の複数の導光領域26aから構成されていることにより、導光板26が全体としてフレキシブル性を有しシンチレータ13の形状に合わせて撓むのに加え、ガラス基板と蒸着樹脂基板との密着性が良いため、より均一密着性を高めることができる。図7は、第1実施形態に係る電子カセッテ1の放射線検出器3の別例の側断面の構成を模式的に示した断面模式図である。図7に示すように、本実施形態に係る電子カセッテ1の放射線検出器3において、導光板26の上面バリアフィルム層25が積層される面と反対側の面に反射層42が設けられていても良い。導光板26に反射層42が設けられることにより、シンチレータ13で発光し導光板26に入射した光を、有効に光検知部39に導光することができる。反射層42は、AEC制御処理に使用されるための領域Aにおいて、信号の飽和を防止するために反射率の低い反射膜42аで形成し、同期制御処理に使用されるための領域Bにおいて、放射線検出器3に対する放射線Xの照射を高感度で検出するために、反射膜42aよりも反射率の高い反射膜42bで形成すると良い。また、本実施形態に係る電子カセッテ1において、導光板26及びセンサ基板22をガラス素材を用いて形成する例について説明したが、これに限定されず、導光板26及びセンサ基板22の双方が樹脂で形成されていても良い。ガラス基板とガラス基板、あるいは樹脂基板と樹脂基板のように、同様の材質からなる基板でシンチレータ13を挟み込むことにより、放射線検出器3の外圧に対する強度を向上させることができる。さらに、本実施形態に係る電子カセッテ1の光検知部39において、同様の光センサを複数用いて、領域Aを通過した光及び領域Bを通過した光を各々別個に検知する例について説明したが、これに限定されず、検知感度の異なる光センサを複数例えば、2つ用いても良い。具体的には、同期制御処理に使用される光センサとして検知感度が高い光センサを用い、AEC制御処理に使用される光センサとして検知感度が低い光センサを用いると良い。次に、本実施形態に係る電子カセッテ1が、放射線検出器3に放射線Xの曝射が開始された際に領域Bを通過した光を使用して当該放射線Xの照射開始を検知することにより同期制御処理を行い、放射線画像の撮影を行っている最中に領域Aを通過した光を使用して放射線Xの撮影完了を検知することによりAEC制御処理を行う際の流れについて説明する。図8は、本実施形態に係る電子カセッテ1のCPU35により実行される撮影制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは記録媒体である記憶部37の所定領域に予め記憶されている。図示しないコンソールは、ユーザ操作に基づいて撮影実行指示の情報を電子カセッテ1に対して送信する。そして、撮影実行指示の情報を受信することに基づいて、電子カセッテ1は撮影制御処理を開始する。電子カセッテ1が撮影実行指示の情報を無線通信部35を介して受信すると、ステップS103において、CPU35は、同期制御用の放射線Xの照射量を示す情報を取得する。すなわち、CPU35は、光検知部39から領域Bを通過した光の光量を示す情報を取得し、当該光の光量から放射線Xの照射量を導出する。次のステップ105において、CPU35は、上記ステップS103において取得した放射線Xの照射量が第1閾値以上であるか否かを判定する。この第1閾値は、放射線Xの曝射が開始されたことを認識するための照射量の下限値を示していて、当該下限値を示す情報が予め設定されて記憶部37の所定領域に記憶されている。ステップS105において放射線Xの照射量が第1閾値以上となったと判定された場合、CPU35は、放射線画像の撮影を開始するように電子カセッテ1を制御する。この際、放射線検出器3の各画素におけるコンデンサ19に蓄積された電荷を放電させた後に、当該コンデンサ19への電荷の蓄積を再び開始することにより、放射線画像の撮影動作を開始する。撮影動作を開始すると、次のステップS109において、CPU35は、AEC制御用の放射線Xの照射量を取得する。すなわち、CPU35は、光検知部39から領域Aを通過した光の光量を示す情報を取得し、当該光の光量から放射線Xの照射量を導出する。ステップS111において、CPU35は、上記ステップS109において取得した放射線Xの照射量が第2閾値以上であるか否かを判定する。この第2閾値は、放射線画像の撮影が完了したことを認識するための照射量の下限値を示していて、当該下限値を示す情報が予め設定されて記憶部37の所定領域に記憶されている。ステップS111において照射量が第2閾値以上でないと判定された場合は、ステップS113において、CPU35は、上記ステップS109において取得した放射線Xの照射量を累積して、ステップS109に移行する。ステップS113にてCPU35が放射線Xの照射量を累積することにより、放射線Xの累積照射量を導出することができる。ステップS111にて照射量累積照射量が第2閾値以上であると判定された場合は、ステップS115において、CPU35は、上記ステップ107の処理によって開始した放射線画像の撮影を停止するように電子カセッテ1を制御する。そして、次のステップS117にて、CPU35は、曝射停止指示の情報をコンソールに無線通信部38を介して送信する。撮影動作が開始されてから停止するまでの間、CPU35は、ゲート線ドライバ30を制御してゲート線ドライバ30から1ラインずつ順に各ゲート配線31にオン信号を出力させ、各ゲート配線31に接続された各薄膜トランジスタ20を1ラインずつ順にオンさせる。放射線検出器3は、各ゲート配線31に接続された各薄膜トランジスタ20を1ラインずつ順にオンされると、1ラインずつ順に各コンデンサ19に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線32に流れ出す。各データ配線32に流れ出した電気信号は信号処理部30Aでデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ33に記憶される。このようにして電子カセッテ1において、導光板26にて導光された光のうち領域Bを通過した光が検知され、検知された光により放射線Xの照射開始が判断される。また、電子カセッテ1において、導光板26にて導光された光のうち領域Bを通過した光が検知され、検知された光により放射線Xの照射終了が判断される。これにより、同期制御処理およびAEC制御処理を的確に行うことが可能となる。第2実施形態以下、第2実施形態に係る電子カセッテ1Aについて添付図面を用いて詳細に説明する。第1実施形態に係る電子カセッテ1の放射線検出器3においては、板状の導光領域26aが複数配置されて導光板26が構成されているが、第2実施形態に係る電子カセッテ1Aの放射線検出器3Aは、一面が傾斜していて全体として楔形に形成された導光領域26bが複数配置されて導光板26Aが構成されたものである。なお、第1実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図9は、第2実施形態に係る電子カセッテ1Aの放射線検出器3Aを上方から見た図であり、領域A及び領域Bのそれぞれの配置位置の一例を示す図である。図9に示すように、電子カセッテ1Bは、第1実施形態と同様に、放射線検出器3Aの中央側には被検体が存在している可能性が高いことを考慮し、中央側にAEC制御処理に使用されるための領域Aを配置し、領域Aを通過した光を用いてAEC制御処理を行う。また電子カセッテ1は、放射線検出器3Aにおける両端側には被検体が存在していない可能性が高いことを考慮して、両端側に同期制御処理に使用するための領域Bを配置し、領域Bを通過した光を用いて同期制御処理を行う。図10は、第2実施形態に係る電子カセッテ1Aの放射線検出器3Aを示す図9のY-Y面における断面模式図である。図10に示すように、第2実施形態に係る電子カセッテ1Aは、放射線検出器3Aにおいて、上述したように、ガラス基板である複数の導光領域26bが一面が傾斜していることにより各々楔形に形成されている。また、各々の導光領域26bの上面バリアフィルム層25が積層される面と反対側の面に、それぞれ導光領域26bと上面視同形状で同様に一面が傾斜していることにより楔形に形成された補強板43が積層されている。この際、導光領域26b及び補強板43が相互に傾斜した面が対面するように積層された状態で、補強板43の上面導光板26Aが積層される面と反対側の面と導光板26Aの下面補強板43が積層される面と反対側の面が平行になり全体として板状となるように積層される。そして、相互に積層された導光領域26bと補強板43との組が放射線検出器3Aの一面を覆うように配置されることにより、導光板26Aが構成されている。楔形の導光板26Aにおける拡がった側面には光検知部39が設けられていて、導光領域26bに入射した光が導光領域26b内を拡がった側面の方向に導光され、光検知部39により検知される。補強板43は、ガラスまたは強化ガラスで形成されたガラス基板であっても、樹脂及びバリアフィルムで形成された樹脂基板であっても良い。しかしながら、センサ基板22がガラス基板であった場合、補強板43もガラス基板であることが好ましく、センサ基板22が樹脂基板であれば、補強板43も樹脂基板であることが好ましく、補強板43及びセンサ基板22の熱膨張率が略同じになるような組み合わせが好ましい。なお、電子カセッテ1Bにおいて筐体2が遮光機能を有し外部から内部に自然光が入射することはないが、筐体2の継ぎ目等から万が一自然光が漏れて入射してしまう場合を考慮し、補強板43に当該自然光を遮断するように光吸収性色付きを持たせても良い。これは、特に電子カセッテ1がISS方式の場合に有効である。ISSIrradiationSideSampling方式とは、シンチレータの放射線照射面側にTFT基板が配置されている方式である。また、各々の導光領域26bと補強板43との間に、シンチレータ13で発光した光を反射する反射層44が設けられている。反射層44は、例えばアルミAl、銀Ag等の反射材料で形成されている。あるいは、反射層44は、表面を荒らすことによって反射性能を高めるように形成されても良い。なお、反射層44は、領域Aに設けられる導光領域26bに対応する領域と領域Bに設けられる導光領域26bに対応する領域とで反射率が異なるように形成されていても良い。この場合には、同期制御処理に使用される周縁側の領域Bにおいて反射率が高くなり、AEC制御処理に使用される中心側の領域Aで反射率が低くなるように形成されると良い。これにより、導光板26Aにより導光される同期制御処理に使用される光を多くすることができる。楔形の導光領域26bは導光機能が高いので、光検知部39に検知されずに捨てられてしまう光を少なくすることができる。楔形の導光領域26bは、衝撃性や荷重性に不安があるが、楔形に形成された補強板43で補うことにより、耐衝撃性、耐荷重性が確保されている。楔形のガラス基板が複数枚本実施形態では、導光領域26b及び補強板43の2枚で重なり合っていることにより導光性能を高めるとともに、強度を維持することが可能となっている。なお、第2実施形態に係る電子カセッテ1Aが、放射線検出器3Aに放射線Xが曝射された際に放射線画像の撮影を開始し、放射線画像の撮影が完了した際に放射線Xの曝射の停止を促す撮影制御処理を行う際の流れは、第1実施形態と同様に、図8に示す流れで行われる。第3実施形態以下、第3実施形態に係る電子カセッテ1Bについて添付図面を用いて詳細に説明する。第3実施形態に係る電子カセッテ1Bの放射線検出器3Bは、第2実施形態と同様に、一面が傾斜していて全体として楔形に形成された導光領域26bが複数配置されて導光板26Bが構成されたものである。なお、第1実施形態及び第2実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図11は、第3実施形態に係る電子カセッテ1Bの放射線検出器3Bを上方から見た図であり、領域A及び領域Bのそれぞれの配置位置の一例を示す図である。図11に示すように、電子カセッテ1Bは、第1実施形態と同様に、放射線検出器3Bの中央側には被検体が存在している可能性が高いことを考慮し、中央側にAEC制御処理に使用されるための領域Aを配置し、領域Aを通過した光を用いてAEC制御処理を行う。また電子カセッテ1は、放射線検出器3Bにおける外周側には被検体が存在していない可能性が高いことを考慮して、外周側に同期制御処理に使用するための領域Bを配置し、領域Bを通過した光を用いて同期制御処理を行う。図12は、第3実施形態に係る電子カセッテ1Bの放射線検出器3Bを示す図11のY-Y面における断面模式図である。図12に示すように、第3実施形態に係る電子カセッテ1Bの放射線検出器3Bにおいて、上述したように、楔形のガラス基板である導光板26Bは、複数の導光領域26bに各々が楔形になるように分離されている。また、各々の導光領域26bの上面バリアフィルム層25が積層される面と反対側の面に、それぞれ導光板26、26Bの各々に上面視同形状で同様に楔形に形成された補強板43bが積層されている。この際、導光領域26b及び補強板43bが積層された状態で、補強板43bの上面導光領域26bが積層される面と反対側の面と導光領域26bの下面補強板43bが積層される面と反対側の面が平行になり全体として板状となるように積層される。そして、相互に積層された導光領域26bと補強板43bとの組が放射線検出器3Bの一面を覆うように配置されている。上述したように、楔形の各々の導光領域26bにおける拡がった側面には光検知部39が設けられていて、導光領域26bに入射した光が導光領域26b内において当該拡がった側面の方向に導光され、光検知部39により検知される。AEC制御処理に使用されるための領域A及び同期制御処理に使用されるための領域Bが隣接する場合、図11に示すように、領域Aの導光領域26bに導光された光を検出する光検知部39と領域Bの導光領域26bに導光された光を検出する光検知部39とが隣接する可能性が考えられるが、この場合には、双方の検知部39の間に反射部材を設けて、領域Aの導光領域26bに導光された光と領域Bの導光領域26bに導光された光とが混ざらないようにすると良い。楔形の導光領域26bは板状の導光板に比較すると導光機能が高いので、光検知部39に検知されずに捨てられてしまう光を少なくすることができる。楔形の導光板26Bは、衝撃性や荷重性に不安があるが、楔形に形成された補強板43、43bで補うことにより、耐衝撃性、耐荷重性が確保されている。楔形のガラス基板が複数枚本実施形態では、導光板26B及び補強板43、43bで重なり合っていることにより導光性能を高めるとともに、強度を維持することが可能となっている。なお、第3実施形態に係る電子カセッテ1Bが、放射線検出器3Aに放射線Xが曝射された際に放射線画像の撮影を開始し、放射線画像の撮影が完了した際に放射線Xの曝射の停止を促す撮影制御処理を行う際の流れは、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、図8に示す流れで行われる。なお、第1実施形態乃至第3実施形態において、放射線としてX線を用いる場合について説明したが、これに限定されず、γ線やその他の放射線であっても良い。また、第1実施形態乃至第3実施形態において、各々の導光板26、26Aで導光された光が同期制御処理あるいはAEC制御処理の何れかに使用される例について説明したが、これに限定されず、各々の導光板26、26Aの各々で導光された光が他の処理を含めた3種類以上の目的の何れかに使用されるようにしても良い。また、第1実施形態乃至第3実施形態において、導光板26、26Aが、シンチレータ13のセンサ基板22が積層される面の反対側の面に設けられる例について説明したが、これに限定されない。図13Aは、第1実施形態に係る電子カセッテの放射線検出器の別例の側断面の構成を模式的に示した断面模式図であり、図13Bは、第2実施形態に係る電子カセッテの放射線検出器の別例の側断面の構成を模式的に示した断面模式図である。図13Aに示すように、導光板26が、シンチレータ13のセンサ基板22が積層される側の面に設けられても良い。この場合には、センサ基板22が光を透過する素材で形成されるとともに、センサ基板22の下面シンチレータ13が積層される面と反対側の面にバリアフィルム層25が設けられ、さらにバリアフィルム層25の下面センサ基板22が積層される面と反対側の面に導光板26が積層される。これにより、導光板26に放射線Xが直に照射されるのを回避し、導光板26の劣化を防止することができる。同様に、図13Bに示すように、導光板26Aが、シンチレータ13のセンサ基板22が積層される側の面に設けられても良い。この場合には、センサ基板22が光を透過する素材で形成されるとともに、センサ基板22の下面シンチレータ13が積層される面と反対側の面にバリアフィルム層25が設けられ、さらにバリアフィルム層25の下面センサ基板22が積層される面と反対側の面に導光板26A、補強板43が積層される。これにより、第2実施形態の場合と同様の効果を得ることができる。なお、図13A及びBに示すように、導光板26、26Aがセンサ基板22の下面側シンチレータ13が積層される面と反対側の面の側に積層される場合には、半透過層23が設けられず、シンチレータ13の上面センサ基板22が積層される面とは反対側の面にガラス保護層24とが積層される。図14A乃至Iは、上記第1実施形態乃至第3実施形態に係る電子カセッテ1、1A、1Bの放射線検出器3、3A、3Bにおける導光領域26a、26bの配置位置の他の例を示す平面図である。図14Aは、矩形状の導光領域26a、26bが縦方向及び横方向に複数列配置された例である。被検体の形状に合致するように導光領域26a、26bの各々に領域Aまたは領域Bを配置することで、被検体の形状に依存することなくAEC制御及び同期制御を行うことができる。図14Bは、放射線検出器3の両端側に三角形状の導光領域26a、26bが縦方向及び横方向に複数列配置され、放射線検出器3の中央側に矩形状の導光領域26a、26bが1列配置された例である。図14Cは、三角形状の導光領域26a、26bが縦方向及び横方向に複数列配置された例である。これらの場合も図14Aの場合と同様に、被検体の形状に合致するように導光領域26a、26bの各々に領域Aまたは領域Bを設定することで、被検体の形状に依存することなくAEC制御及び同期制御を行うことができる。図14Dは、六角形状の導光領域26a、26bがハニカム状に配置された例である。このように導光領域26a、26bを六角形状にすることで、丸みを帯びた被検体の形状にできるだけ合致するように領域A及び領域Bを配置することができる。図14Eは、円弧状の導光領域26a、26bが複数配置された例である。このように導光領域26a、26bを円弧状にすることで、例えばマンモグラフィ撮影を行う場合に、乳房の形状にできるだけ合致するように領域A及び領域Bを配置することができる。図15A乃至Iは、上記第1実施形態乃至第3実施形態に係る電子カセッテ1、1A、1Bの放射線検出器3、3A、3Bにおける領域A及び領域Bの配置位置の他の例を示す平面図である。なお、図14において、第1のカラーフィルタ25aの配置位置を黒抜きで、第2のカラーフィルタ25bの配置位置を白抜きで示している。図15Aに示すように、放射線検出器3、3A、3Bの中央部に被検体が存在することがわかっている場合には、中央部において矩形状に領域Aを配置し、その外周部に領域Bを配置すると良い。また、図15Bに示すように、被験者の肺と腸を撮影する場合には、肺に相当する位置及び腸に相当する位置に領域Aを配置し、それらの外周部に領域Bを配置すると良い。また、図15Cに示すように、放射線検出器3、3A、3Bの中央部に被検体が存在する可能性が高い場合には、中央部に領域Aを多く配置し、その外周部に領域A及び領域Bの双方を配置すると良い。また、図15Dに示すように、図11Cの場合において、中央部に領域Aを多く配置し、その外周部に領域Bを多く配置すると良い。また、図15Eに示すように、マンモグラフィ撮影を行う場合には、乳房に相当する位置に領域Aを配置し、その外周部に領域Bを配置すると良い。また、図15Fに示すように、放射線検出器3、3A、3Bにおいて被検体が存在する位置がわからない場合には、放射線検出器3、3A、3Bにおける2本の対角線上に領域Aを配置し、その外周部に領域Bを配置すると良い。また、図15Gに示すように、図15Fの場合において、一方の対角線上のみに領域Aを配置しても良い。この場合、領域Bの配置位置、すなわち同期制御処理に使用される領域が広くなり、同期制御処理に使用される光の検出感度を向上させることができる。また、図15Hに示すように、放射線検出器3、3A、3Bにおいて被検体が存在する位置がわからない場合には、放射線検出器3、3A、3Bにおける各辺の2本の中央線上に領域Aを配置し、その外周部に領域Bを配置すると良い。また、図15Iに示すように、放射線検出器3、3A、3Bにおいて被検体が存在する位置がわからない場合には、隣接する相互の導光領域26a、26bが各々異なるように領域Aまたは領域Bの何れかを配置すると良い。なお、放射線XとしてX線を曝射した場合、肺野はX線の透過量が多いので、肺野に対応する領域を同期制御処理に利用しても良い。"