半導体素子の設計データからマスク作製に必要なマスク描画データを作成するマスクデータ生成方法であって、前記設計データに光近接効果補正処理を行って、フラクチャ数の多い描画データを作成する工程と、前記フラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつグリッドサイズを拡大し、前記フラクチャの頂点数を削減する処理を行ったマスク描画データを作成する工程と、前記グリッドサイズが拡大された前記マスク描画データによるマスク転写特性をシミュレーションにより評価する工程と、前記シミュレーションによる評価において、前記マスク転写特性が良好と判断された場合の前記グリッドサイズのマスク描画デ-タをマスク描画に適用する工程と、を含むことを特徴とするマスクデータ生成方法。前記マスク転写特性が良好と判断された場合の前記グリッドサイズが複数の場合、前記複数のグリッドサイズにおける各々のマスク転写特性とマスク描画時間とから、最適なグリッドサイズのマスク描画デ-タを求めてマスク描画に適用する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のマスクデータ生成方法。前記シミュレーションによる評価において、前記マスク転写特性が不良と判断された場合には、前記フラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつ前記グリッドサイズを拡大し、前記フラクチャの頂点数を削減する処理を行う工程を繰り返し、前記マスク転写特性が良好と判断されるグリッドサイズのマスク描画デ-タを求める工程を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクデータ生成方法。前記光近接効果補正処理が、前記設計データに光近接効果補正用の線幅オフセットを与えて光近接効果補正用バイアス付の設計データとし、さらに前記光近接効果補正用バイアス付の設計データに光近接効果補正用のサブレゾルーション補助構造体SRAFパターンを付加した設計データとしたものであることを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスクデータ生成方法。前記フラクチャ数の多い描画データが、フリーフォームパターンを矩形で表現したフラクチャ数の多い多頂点パターンの描画データであることを特徴とする請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載のマスクデータ生成方法。請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載のマスクデータ生成方法を用い、前記最適なグリッドサイズのマスク描画データにより、所定のマスクブランクにマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、マスクを作製することを特徴とするマスクの製造方法。そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、半導体素子のパターン形成に用いられるフォトマスクのパターン描画時間を短縮して、微細パターンを有する高品質のマスクを作製することができるマスクデータ生成方法及びこのマスクデータ生成方法によるマスクの製造方法を提供することである。上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の発明に係るマスクデータ生成方法は、半導体素子の設計データからマスク作製に必要なマスク描画データを作成するマスクデータ生成方法であって、前記設計データに光近接効果補正処理を行って、フラクチャ数の多い描画データを作成する工程と、前記フラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつグリッドサイズを拡大し、前記フラクチャの頂点数を削減する処理を行ったマスク描画データを作成する工程と、前記グリッドサイズが拡大された前記マスク描画データによるマスク転写特性をシミュレーションにより評価する工程と、前記シミュレーションによる評価において、前記マスク転写特性が良好と判断された場合の前記グリッドサイズのマスク描画デ-タをマスク描画に適用する工程と、を含むことを特徴とするものである。本発明の請求項2に記載の発明に係るマスクデータ生成方法は、請求項1に記載のマスクデータ生成方法において、前記マスク転写特性が良好と判断された場合の前記グリッドサイズが複数の場合、前記複数のグリッドサイズにおける各々のマスク転写特性とマスク描画時間とから、最適なグリッドサイズのマスク描画デ-タを求めてマスク描画に適用する工程を含むことを特徴とするものである。本発明の請求項3に記載の発明に係るマスクデータ生成方法は、請求項1または請求項2に記載のマスクデータ生成方法において、前記シミュレーションによる評価において、前記マスク転写特性が不良と判断された場合には、前記フラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつ前記グリッドサイズを拡大し、前記フラクチャの頂点数を削減する処理を行う工程を繰り返し、前記マスク転写特性が良好と判断されるグリッドサイズのマスク描画デ-タを求める工程を含むことを特徴とするものである。本発明の請求項4に記載の発明に係るマスクデータ生成方法は、請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスクデータ生成方法において、前記光近接効果補正処理が、前記設計データに光近接効果補正用の線幅オフセットを与えて光近接効果補正用バイアス付の設計データとし、さらに前記光近接効果補正用バイアス付の設計データに光近接効果補正用のサブレゾルーション補助構造体SRAFパターンを付加した設計データとしたものであることを特徴とするものである。本発明の請求項5に記載の発明に係るマスクデータ生成方法は、請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載のマスクデータ生成方法において、前記フラクチャ数の多い描画データが、フリーフォームパターンを矩形で表現したフラクチャ数の多い多頂点パターンの描画データであることを特徴とするものである。本発明の請求項6に記載の発明に係るマスクの製造方法は、請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載のマスクデータ生成方法を用い、前記最適なグリッドサイズのマスク描画データにより、所定のマスクブランクにマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、マスクを作製することを特徴とするものである。本発明のマスクデータ生成方法によれば、フラクチャ数の多いマスク描画データの面積を保存しつつ、フラクチャの頂点数を削減することで短時間でのデータ処理が可能となる。上記の実現により、半導体リソグラフィにおけるマスクパターンの転写性能を確保した状態で、マスクパターン描画時間を短縮することができ、マスク作製のコストを低減し、ターンアラウンドタイムを向上させることができる。本発明のマスクの製造方法によれば、本発明のマスクデータ生成方法を用いてマスクパターンデータ数が削減されたことにより、マスク製造時間及びマスク検査時間が短縮され、微細パターンを有する高品質のマスクを、従来の製造方法に比べて短時間で作製することができる。以下、図面に基づいて、本発明の実施形態に係るマスクデータ生成方法及びマスクの製造方法について詳細に説明する。図1は、本発明のマスクデータ生成方法を示すフロー図である。まず、図1に示すように、半導体素子の設計データ11を準備する。半導体素子は、例えば、素子分離層、ゲート層、配線層、コンタクトホール層などの複数の層から構成されており、通常、1枚のマスクには1つの層のパターンからなるレイヤーのみが配置され、各レイヤーのパターンを形成した複数のマスクのパターンを順次ウェハ上に位置合わせして転写し、半導体素子が製造される。設計データ11としては、GDSIIフォーマットあるいはストリームフォーマットなどのマスク用の標準的なフォーマットのレイアウトパターンデータが用いられる。レイアウトパターンデータは、半導体素子のパターンの図形形状、大きさ、位置情報などで構成されている。次に、上記の設計データ11にOPC処理12を行う。本発明においてOPC処理12としては、従来用いられてきたハンマーヘッド型やセリフ型などのOPC処理、SRAFパターンあるいはバイアスOPCなど種々のOPC技術が適用でき、特定のOPC技術に限定されることはない。また、複数のOPC技術を併用することも可能である。以下、微細パターン形成のOPC処理の代表的な手法として、バイアスOPCとSRAFパターン付加を併用したOPC処理を例にして、本発明のマスクデータ生成方法を説明する。まず、設計データ11に光近接効果補正用の線幅オフセットを部分的に与えて、バイアスOPC処理を行う。図2は、このときの半導体素子の例としてバイアスOPC付のメモリ回路のレイアウトパターン図の一部である。また、図9は、半導体素子の例としてバイアスOPC付の周辺回路のレイアウトパターン図の一部である。次に、バイアスOPC処理したのみの設計データでは、微細パターンを転写するマスク用としてはウェハ露光時の露光裕度が未だ不十分であることが予測されるので、さらに、例えば、上記のILTInverseLithographyTechnologyを適用してSRAFパターンをフリーフォームFreeForm:曲線形状パターンとして設けたOPC処理12を行い、フリーフォームパターンを矩形で表現し、図1に示す図形分割フラクチャ:Fractureと称する。数の多い多頂点パターンのデータ13とする。図3は、図2に示すバイアスOPC付のメモリ回路のパターンデータを、さらにILT処理によりSRAFパターンを付加したOPC処理12をして得られたグリッドサイズ0.1nmのフリーフォーム曲線形状で描いたマスク描画データのパターン図である。図3において、図2に示すバイアスOPCを基準としたときのショット数は340倍となる。また、図10は、図9に示すバイアスOPC付の周辺回路のパターンデータを、さらにILT処理によりSRAFパターンを付加したOPC処理12をして得られたグリッドサイズ0.1nmのフリーフォームのマスク描画データのパターン図である。図10において、図9に示すバイアスOPCを基準としたときのショット数は495倍となる。図3および図10に示すように、転写すべき主パターンの周辺には、補助パターンとして多数のSRAFパターンが設けられている。個々のSRAFパターンはごく微細であって、SRAFパターン自体は半導体基板上に結像しないので転写されないが、ウェハ露光時の主パターンの解像性や露光裕度などの転写特性を向上させる効果を有する。SRAFパターンは上述のようにそれ自身結像しないことが必要であり、主パターンの寸法よりも微小な寸法でなければならない。SRAFパターンの数はマスクパターンにより異なるが、通常、1枚のマスク上に数10万~数100万本程度、多い場合には数億本ものSRAFパターンが配置される。図3、図10に示されるように、フリーフォームパターンなどのフラクチャ図形分割数の多いデータは、複雑で精密な曲線を作成することができ、微細パターン作成用としての要望が強いが、図形の頂点数が多いためにマスク描画データのフラクチャ数が多くなることにより、描画データが膨大となりマスク作製に大きな負荷となる。フリーフォームのパターンデータを扱うのでグリッドサイズは小さく、図3、図10はともに0.1nm以下である。次に、図1に示すように、上記のフラクチャ数の多いマスク描画データ13のフラクチャ頂点数を削減する処理14を行う。このとき、本発明のマスクパターン生成方法においては、上記のフラクチャ数の多いマスク描画データの面積を保存しつつ描画グリッドサイズを拡大し、フラクチャの頂点数を削減する処理14を行ってマスク描画データを作成する。本発明において、拡大するグリッドサイズは、通常、1nm~数十nmの範囲にある大きさである。このフラクチャの頂点数を削減する処理14により、面積を保存しつつ描画グリッドサイズが拡大されたマスク描画データ15が作成される。本発明において、上記のマスク描画データの面積を保存しつつフラクチャの頂点数を削減する方法としては、例えば、図4に示す方法を用いることができる。すなわち、図4aに示すように、処理前のパターン形状を、図4bに示す処理途中のように、面積Aと面積Bが同じになるように頂点数を減らし、図4cに示すように処理後のパターン形状を形成することにより、マスク描画データの面積を保存しつつ、フラクチャの頂点数を削減する。フリーフォームパターンなどのフラクチャ数の多いパターンは、単純にグリッドサイズを大きくするだけでは、画線が太ったり細ったりして実用できない。本発明のマスクパターン生成方法においては、フラクチャ数の多いマスク描画データの面積を保存しつつ描画グリッドサイズを拡大することにより、曲線または曲線近似された多数の直線パターンで形成されたフラクチャの頂点数が削減され、その結果、電子ビーム描画時のショット数が削減されたマスクデータを生成させるものである。本発明においては、グリッドサイズを大きくしても描画データの面積が保存されているので、一定のグリッドサイズの範囲内においてパターン転写特性が維持されるという効果を示す。上記のパターン転写特性は、後述するように、シミュレーションにより好ましい一定の範囲を求めることができる。図5は、図3に示すフリーフォームのマスク描画データの面積を保存しつつ、グリッドサイズを1nmに拡大した処理で得られたマスク描画データのパターン図である。図5においては、図3に示すマスク描画データの面積は保存されており、図2に示すバイアスOPCを基準としたときのショット数は93倍となる。同様に、図6、図7および図8は、マスク描画データの面積を保存しつつ、グリッドサイズを順に4nm、16nmおよび32nmに拡大した処理で得られたマスク描画データのパターン図である。図6、図7および図8においては、図3に示すマスク描画データの面積は保存されており、図2に示すバイアスOPCを基準としたときのショット数は、順に61倍、18倍、7倍となる。また、図11は、図10に示すフリーフォームのマスク描画データの面積を保存しつつ、グリッドサイズを1nmに拡大した処理で得られたマスク描画データのパターン図である。図11においては、図10に示すマスク描画データの面積は保存されており、図9に示すバイアスOPCを基準としたときのショット数は147倍となる。同様に、図12、図13および図14は、マスク描画データの面積を保存しつつ、グリッドサイズを順に4nm、16nmおよび32nmに拡大した処理で得られたマスク描画データのパターン図である。図12、図13および図14においては、図10に示すマスク描画データの面積は保存されており、図9に示すバイアスOPCを基準としたときのショット数は、順に104倍、35倍、16倍となる。図15は、上記の図2~図14の説明に加えて、描画パターンのグリッドサイズnmをさらに拡大したときの、メモリパターン、直接周辺パターンそれぞれのバイアスOPCを基準としたときの描画ショット数を示す。直接周辺パターンはメインパターン付近にある接続回路を示すパターンである。図16は、図15をグラフに示したものであり、横軸に描画グリッドサイズnm:マスク上、縦軸にバイアスOPCを基準としたときの描画ショットの比率を示す。図16において、菱形はメモリパターン、正方形は直接周辺パターンの場合を示す。図15、図16が示すように、バイアスOPC描画データを基準1ショットとしたとき、フリーフォーム描画データグリッドサイズ0.1nmでは、メモリパターンで340ショット、直接周辺パターンは495ショットと膨大な描画データとなる。しかし、描画データの面積を保存しつつグリッドサイズを拡大することにより、パターンのフラクチャ数が削減され、描画データのショット数が低減される。例えば、グリッドサイズ12nmでは、メモリパターンで25ショット、直接周辺パターンは47ショットと、フリーフォームの場合に比べて1/10以下のショット数の描画データとなる。上記のように、本発明のマスクデータ生成方法においては、マスク描画データのパターン面積を保存した状態で、描画データのグリッドサイズを拡大し、パターンのフラクチャ数を削減することにより短時間でのデータ処理を可能とし、マスクのパターン描画時間の短縮を図るものである。次に、図1に示すように、上記のグリッドサイズが拡大された各々のマスク描画データ15により、ウェハ上へのマスクパターンの転写特性をシミュレーションにより評価する。シミュレーションによる評価により、マスク転写特性が良好OKと判断された場合には、そのグリッドサイズのマスク描画デ-タ15をマスク描画に適用する16。すなわち、転写特性が良好と判断されたマスク描画デ-タ15を用い、電子線レジストを塗布した所定のマスクブランクにマスクパターンを描画し、現像してレジストパターンを形成した後、マスクブランクをエッチング加工し、上記のレジストパターンを剥離してマスクを作製する。本発明において、マスク転写特性が良好と判断された場合のグリッドサイズが複数である場合には、複数のグリッドサイズにおける各々のマスク転写特性とマスク描画時間とを比較する。マスク転写特性とマスク描画時間はトレードオフの関係にあるので、両者を比較することにより最適なグリッドサイズのマスク描画デ-タを求めマスク描画に適用するのが好ましい。マスク転写特性としては、通常用いられる指標、例えば、露光裕度ExposureLatitude:ELと記す。などを挙げることができる。露光裕度は、ウェハ上のフォトレジスト膜パターンの寸法が許容される限界内に収まるような露光エネルギーの範囲である。上記のシミュレーションには市販のソフトを用いることができる。例えば、シミュレーションに用いる市販のソフトとして、EM-SuiteVersionv6.00商品名:PanoramicTechnology社製、PROLITH商品名:KLATencor社製などが挙げられる。図17は、PROLITH商品名:KLATencor社製によるシミュレーションにより求めた描画データのグリッドサイズ対数軸:nmを拡大したときの露光裕度EL:である。グリッドサイズ0.1nmのときがフリーフォームパターンの場合であり、露光裕度13である。図16に示すように、グリッドサイズを大きくしても、グリッドサイズ16nmまでは露光裕度に大きな変動はなく11以上を確保している。図14に示されるように、グリッドサイズ16nmは、フリーフォームパターンの場合に比べて、描画データのショット数がメモリパターンで1/19、周辺パターンで1/14に低減され、それに比例してマスク描画時間が短縮される。したがって、本例の場合には、グリッドサイズ16nmを転写性が良好なグリッドサイズとして設定し、マスク描画に適用する。上記のシミュレーションによる評価において、マスク転写特性が不良NGと判断された場合には、上記のフラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつグリッドサイズを拡大し、フラクチャの頂点数を削減する処理14を行う工程を繰り返して行い、マスク転写特性が良好と判断されるグリッドサイズのマスク描画デ-タを求める。以後は、上記のマスク転写特性が良好と判断された場合の手順に従って、良好と判断されたグリッドサイズのマスク描画デ-タ15をマスク描画に適用し16、マスクを作製する。上記の例においては、設計データのOPC処理をバイアスOPC処理とSRAFパターンを付加したOPC処理の併用した場合について説明したが、もとより他のOPC処理においても本発明を適用することができる。また、フラクチャ数の多いパターンとしてフリーフォームパターンを例にして説明したが、本発明はフリーフォームパターンに限らず、他のフラクチャ数の多いパターンにも適用することができる。次に、上記のマスクデータ生成方法を用いて得られた最適なグリッドサイズのマスク描画データを用いて、電子線レジストを塗布した所定のマスクブランクにマスクパターンを電子線描画し、現像してレジストパターンを形成した後、上記のマスクブランクをエッチング加工し、マスクを作製する。作製されたマスクは外観欠陥検査、寸法検査などの検査を行い半導体素子製造工程へ出荷される。本発明のマスクの製造方法においては、マスクパターンデータ数が削減されたことにより、マスク描画時間のみならずマスク検査時間も短縮され、微細パターンを有する高品質のマスクを、従来の製造方法に比べて短時間で作製することができる。