基板と、前記基板上に形成され、部分的に開口部を有する電極と、前記電極の上方に配置された半導体レーザと、前記電極と前記半導体レーザとの間に形成された半田バンプと、を備え、前記開口部を介して露出した前記基板の表面と前記半田バンプとが非接触である、半導体レーザ装置。前記半導体レーザは、活性層からの距離が最も近い面が、前記半田バンプを介して、前記電極と対向することを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記半田バンプの熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体レーザ装置。複数の前記開口部が、前記活性層の延在方向に配列された列として形成されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。1又は複数の前記列を備えることを特徴とする、請求項4に記載の半導体レーザ装置。前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、請求項5に記載の半導体レーザ装置。前記1の前記列又は前記複数の前記列のいずれかが、前記活性層の直下に形成されることを特徴とする、請求項5に記載の半導体レーザ装置。前記活性層の直下に形成されたものを除く前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、請求項7に記載の半導体レーザ装置。複数の前記開口部が、モザイク状に形成されることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。部分的に開口部を有する電極を、基板上に形成し、半田バンプを、前記電極上に形成し、半導体レーザを、前記半田バンプの上方に配置し、前記半田バンプを溶融し、その後冷却することにより、前記半導体レーザと前記電極とを接合し、前記半田バンプは、溶融することにより前記開口部を介して露出した前記基板の表面に接触し、その後冷却されて収縮することにより前記露出した前記基板の前記表面と非接触となる、半導体レーザ装置の製造方法。しかし、発明者は、PLC上にLDを実装したモジュールには、以下の問題点があることを見出した。PLC上にLDを実装したモジュールは、低コストで生産できる利点を持つ一方で、副モード抑圧比以下、SMSR:SubModeSuppressionRatio歩留まりが悪いという欠点を有する。この欠点は、応力に対して敏感なDFB-LDを、半田接合によってPLC基板上に実装することにより生じる。以下、この欠点が生じるメカニズムについて、簡単に説明する。なお、以下では、特に断らない限り、LDはDFB-LDを指すものとする。LD45は、図9に示すように、活性層47側の表面上面側電極E3が、半田バンプ44に接している。そのため、LD45の活性層47は、半田バンプ44の熱収縮に起因した応力を、PLC基板41側から受ける。一般に、半田の熱膨張係数は、PLC基板の熱膨張係数より大きい。例えば、半田がAuSnからなる場合、その熱膨張係数は17.5×10-6/°Cである。PLC基板の主材料がSiである場合は、その熱膨張係数は2.4×10-6/°Cである。従って、LD実装完了後に半田が室温まで冷却されると、半田はPLC基板よりも大きく収縮する。図11Aは、半田バンプ44が溶融している場合の通常の半導体レーザ装置400の正面図である。半田バンプ44が溶融している場合には、図11Aに示すように、LD45には応力が働かない。一方、図11Bは、半田バンプ44が冷却された場合の通常の半導体レーザ装置400の正面図である。半田バンプ44が冷却された場合には、半田バンプ44は熱収縮する。そのため、図11Bに示すように、LD45はPLC基板41側への引っ張り応力σが生じる。そのため、LD45は撓みが生じ、活性層47は応力σの影響を受ける。LDの活性層に応力が掛かると、活性層の屈折率が変化し、LDの発振状態が不安定となる。その結果、SMSRの劣化が生じ、SMSR歩留まりが低下してしまう。つまり、LDの半田実装におけるSMSR歩留まりを改善するには、LDをPLC基板側に引っ張る応力の低減が必要である。活性層にかかる応力を低減する方法として、PLC電極の一部を除去する構造以下、同構造を中抜き電極構造と表記が使用されることがある。これにより、PLC基板に接着する半田の面積を減少させ、活性層にかかるPLC基板方向への引っ張り応力の低減を図ることができる。図12は、中抜き電極構造を有する半導体レーザ装置500の斜視図である。図12では、PLC電極52を見やすくするため、PLC電極52上の半田バンプ44及びLD45を省略している。中抜き電極構造は、真上にLD活性層が配置される部分のPLC電極が除去された構造である。PLC電極52は、真上にLD活性層が配置される部分を挟んで、PLC電極52a及び52bに分割されている。なお、PLC電極52a及び52bの間のPLC基板41の表面は、SiまたはSi酸化物などで覆われている。半導体レーザ装置500のその他の構成は、図8に示す通常の半導体レーザ装置400と同様であるので、説明を省略する。図13は、半田バンプ44が冷却された場合の半導体レーザ装置500の正面図である。PLC電極52a及び52bの間のPLC基板41の表面は、SiまたはSi酸化物などで覆われているため、この部分には半田バンプ44は接着しない。その結果、半田バンプとPLC電極52a及び52bとが接触している部分でしか、応力σは生じない。つまり、活性層直下の半田バンプ44はPLC電極とは接合しないので、活性層にかかる応力を低減することが可能となる。しかしながら、中抜き電極構造を有する半導体レーザ装置500によればLD45にかかる応力を低減できるものの、同構造ではLD温度の上昇による光学特性の劣化が生じる点が短所である。上述のように、半導体レーザ装置500における半田バンプ44とPLC電極52との接合面積は、図8に示す通常の半導体レーザ装置400における半田バンプ44とPLC電極42との接合面積よりも小さい。半導体レーザ装置500では、LDから発せられた熱の排熱経路が狭く、通常構造よりも放熱特性が劣化する。そのため、半導体レーザ装置500では、LDから発せられた熱がLD周辺に滞留し、LDの動作温度が上昇する。その結果、半導体レーザ装置500の光出力が低下してしまう。さらに、図13に示す半田非接触部72には、空気が入り込む。一般に、空気は放熱特性が非常に悪く、中抜き電極構造における放熱特性劣化を助長する。特許文献2に記載の手法では、LD自体に接合層を形成しなくてはならない。そのため、LDの製造工程が複雑になってしまう。また、特許文献3に記載の手法では、活性層から遠い側の面である裏面をマウント側に向けて、LDが実装されている。従って、熱源である活性層からの熱を、十分にマウント側に放熱することができない。本発明は上記の事情に鑑みて為されたものであり、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の一態様である半導体レーザ装置は、基板と、前記基板上に形成され、部分的に開口部を有する電極と、前記電極の上方に配置された半導体レーザと、前記電極と前記半導体レーザとの間に形成された半田バンプと、を備え、前記開口部を介して露出した前記基板の表面と前記半田バンプとが非接触であるものである。本発明の一態様である半導体レーザ装置の製造方法は、部分的に開口部を有する電極を、基板上に形成し、半田バンプを、前記電極上に形成し、半導体レーザを、前記半田バンプの上方に配置し、前記半田バンプを溶融し、その後冷却することにより、前記半導体レーザと前記電極とを接合し、前記半田バンプは、溶融することにより前記開口部を介して露出した前記基板の表面に接触し、その後冷却されて収縮することにより前記露出した前記基板の前記表面と非接触となるものである。本発明によれば、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。実施の形態1実施の形態1にかかる半導体レーザ装置について説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体レーザ装置100の構成を示す斜視図である。半導体レーザ装置100は、図1に示すように、PLC基板11上に、PLC電極12及びLD搭載用台座13が形成されている。LD15は、PLC電極12及びLD搭載用台座13の上に実装されている。図1では、LD15は上面側がPLC電極12側に位置するように実装される。図1では、LD15に形成されたLD裏面側電極E2を表示している。図2は、図1の端面部16の正面図である。半導体レーザ装置100は、図2に示すように、半田バンプ14を介して、LD15とPLC電極12とが接合されている。LD15は、活性層17までの距離が近い側の表面がPLC電極12側になるように実装される。つまり、LD15は、LD上面側電極E1がPLC電極12側に位置するように実装される。なお、この際、活性層17の延在方向発振方向がLD搭載用台座13の長手方向に沿うように実装される。続いて、半導体レーザ装置100の製造方法について説明する。図3A及び図3Bは、半導体レーザ装置100の製造工程を示す斜視図である。まず、PLC基板11上に、PLC電極12及びLD搭載用台座13を形成する図3A。そして、PLC電極12上に、半田バンプ14を形成する図3B。半田バンプ14には、例えばAuSnからなる半田が用いられる。そして、半田バンプ14上に、LD15を載せる。その後、PLC基板11に熱を加えて半田バンプ14を溶融し、その後冷却する。例えば、半田バンプ14溶融時の温度は290°Cであり、冷却時の温度は室温25°C程度である。その結果、LD15とPLC電極12とは、半田バンプ14により接合される。これにより、LD15がPLC基板11上に実装され、図1に示す半導体レーザ装置100が得られる。続いて、PLC電極12について詳しく説明する。本実施の形態にかかる半導体レーザ装置100は、PLC電極12の形状を工夫することにより、LD15にかかる熱応力を低減しつつ、放熱特性を確保するものである。図4は、実施の形態1にかかるPLC電極12の上面図である。なお、図4の点線枠19は、LD15の活性層17の位置を模式的に示している。図4に示すように、PLC電極12には、開口部18が形成されている。図4では、活性層17の直下に、開口部18が活性層17の延在方向に列状に形成される例について示している。開口部18が形成されている部分のPLC基板11の表面は、SiまたはSi酸化物などで覆われている。なお、図4に示す開口部18の配置は例示に過ぎず、1以上の開口部18が形成されていればよい。また、開口部18は、活性層の直下ではない位置に形成されてもよい。図5は、図1のV-V線における半導体レーザ装置100の断面図である。尚、図4においては、V-V線は開口部18を通過している。図5に示すように、半導体レーザ装置100には、LD15とPLC電極12とが接合されている半田接触部1が存在する。半田接触部1は高い放熱特性を有するので、半田接触部1が周期的に存在することにより、LD15から発生する熱を十分に放熱することが可能である。また、開口部18のPLC基板11の表面は、SiまたはSi酸化物などで覆われているため、半田バンプ14は、PLC基板11には接着しない。そのため、開口部18によりLD15とPLC基板11との間に空隙が生じている半田非接触部2が存在する。半田非接触部2が周期的に存在することにより、半田バンプ14の熱収縮の影響を緩和し、LD15にかかる引っ張り応力を低減することが可能となる。つまり、本構成によれば、高い放熱特性と熱応力の低減とを両立することができる。従って、半導体レーザ装置100によれば、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。実施の形態2次に、実施の形態2にかかる半導体レーザ装置について説明する。実施の形態2にかかる半導体レーザ装置200は、半導体レーザ装置100のPLC電極12を、PLC電極22に置き換えた構成を有する。半導体レーザ装置200のその他の構成及び製造方法は、半導体レーザ装置100と同様である。よって、以下では、PLC電極22の構成についてのみ説明する。図6は、実施の形態2にかかるPLC電極22の上面図である。なお、図6の点線枠29は、活性層17の位置を模式的に示している。PLC電極22では、微小な開口部28が、活性層17の延在方向に、活性層17を挟んで、2列形成されている。PLC電極22によれば、PLC電極12と同様に、接合部と半田非接触部とを交互に形成することが可能である。つまり、PLC電極22は、PLC電極12と同様の作用効果を奏することができる。従って、半導体レーザ装置200によれば、半導体レーザ装置100と同様に、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。なお、図6に示すPLC電極22の構成は例示に過ぎない。よって、開口部28の列は2列ではなく、任意の列数とすることができる。また、開口部28の列は、活性層17の直下に形成されてもよい。実施の形態3次に、実施の形態3にかかる半導体レーザ装置について説明する。実施の形態3にかかる半導体レーザ装置300は、半導体レーザ装置100のPLC電極12を、PLC電極32に置き換えた構成を有する。半導体レーザ装置300のその他の構成及び製造方法は、半導体レーザ装置100と同様である。よって、以下では、PLC電極32の構成についてのみ説明する。図7は、実施の形態3にかかるPLC電極32の上面図である。なお、図7の点線枠39は、活性層17の位置を模式的に示している。PLC電極32では、微小な開口部38が、モザイク状千鳥格子状に形成される。PLC電極32によれば、PLC電極12及び22と同様に、接合部と半田非接触部とを交互に形成することが可能である。つまり、PLC電極32は、PLC電極12及び22と同様の作用効果を奏することができる。従って、半導体レーザ装置300によれば、半導体レーザ装置100及び200と同様に、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することができる。その他の実施の形態なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態では、開口部の形状は矩形であるが、開口部の形状は上述の例に限られない。すなわち、開口部の形状を、円形や三角形などの任意の多角形などの、他の形状とすることが可能である。また、開口部の配置及び数は、上述の実施の形態で示す例に限られない。すなわち、熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる限り、開口部を任意の位置に配置し、任意の数の開口部を設けることが可能である。上述の実施の形態では、AuSnからなる半田を半田バンプに用いたが、他材料からなる半田を用いることができる。上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。付記1基板と、前記基板上に形成され、部分的に開口部を有する電極と、前記電極の上方に配置された半導体レーザと、前記電極と前記半導体レーザとの間に形成された半田バンプと、を備え、前記開口部を介して露出した前記基板の表面と前記半田バンプとが非接触である、半導体レーザ装置。付記2前記半導体レーザは、活性層からの距離が最も近い面が、前記半田バンプを介して、前記電極と対向することを特徴とする、付記1に記載の半導体レーザ装置。付記3前記半田バンプの熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする、付記1又は2に記載の半導体レーザ装置。付記4複数の前記開口部が、前記活性層の延在方向に配列された列として形成されることを特徴とする、付記1乃至3のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。付記51又は複数の前記列を備えることを特徴とする、付記4に記載の半導体レーザ装置。付記6前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、付記5に記載の半導体レーザ装置。付記7前記1の前記列又は前記複数の前記列のいずれかが、前記活性層の直下に形成されることを特徴とする、付記5に記載の半導体レーザ装置。付記8前記活性層の直下に形成されたものを除く前記複数の前記列の一部の列とそれ以外の列とが、前記活性層の直下の領域を挟んで対向して形成されることを特徴とする、付記7に記載の半導体レーザ装置。付記9複数の前記開口部が、モザイク状に形成されることを特徴とする、付記1乃至3のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。付記10前記複数の前記開口部の一部が、前記活性層の直下に形成されることを特徴とする、付記9に記載の半導体レーザ装置。付記11前記半田バンプの周囲の前記基板と前記半導体レーザと間に形成された、半導体レーザ搭載用台座を更に備えることを特徴とする、付記1乃至10のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。付記12前記開口部を介して露出した前記基板の表面が、シリコン又はシリコン酸化膜で覆われていることを特徴とする、付記1乃至11のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。付記13部分的に開口部を有する電極を、基板上に形成し、半田バンプを、前記電極上に形成し、半導体レーザを、前記半田バンプの上方に配置し、前記半田バンプを溶融し、その後冷却することにより、前記半導体レーザと前記電極とを接合し、前記半田バンプは、溶融することにより前記開口部を介して露出した前記基板の表面に接触し、その後冷却されて収縮することにより前記露出した前記基板の前記表面と非接触となる、半導体レーザ装置。