ピンド層を備えたTMRデバイスの製造方法であって、シード層の上に、反強磁性AFM:antiferromagnetic層を形成する工程と、前記AFM層の上に第1CoFe層を形成するステップと、前記第1CoFe層の上にCoFexByからなる非晶質層を形成するステップと、前記非晶質層の上に第2CoFe層を形成するステップとを行うことによりAP2層を形成する工程と、前記第2CoFe層の上にAFM結合層を形成する工程と、前記AFM結合層の上にAP1層を形成する工程と、前記AP1層の上にバリア層を形成する工程と、前記バリア層の上にフリー層を形成する工程と、前記フリー層の上にキャップ層を形成する工程とを含むことを特徴とするTMRデバイスの製造方法。前記第1CoFe層を、0.5nm以上1.5nm以下の厚さに形成することを特徴とする請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。前記第2CoFe層を、0.5nm以上1.5nm以下の厚さに形成することを特徴とする請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。前記CoFexByからなる非晶質層を、0.3nm以上1.5nm以下の厚さに形成することを特徴とする請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。前記バリア層を、0.5nm以上1nm以下の厚さに形成し、前記TMRデバイスのRA値を、0.5Ωμm2以上5Ωμm2以下とすることを特徴とする請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。前記CoFexByからなる非晶質層において、xを0.1以上0.7以下とし、yを0.05以上0.4以下とすることを特徴とする請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。前記非晶質層を形成しない場合と比較して前記ピンド層内の層間結合磁界を約3分の1減少させることを特徴とする請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。前記非晶質層を形成しない場合と比較して前記ピンド層内の交換結合磁界の減少を4よりも少なくすることを特徴とする請求項1記載のTMRデバイスの製造方法。ピンド層を有するTMRデバイスであって、シード層の上に設けられ、このシード層と接触する反強磁性AFM層と、前記AFM層の上に設けられ、前記AFM層と接触する第1CoFe層と、前記第1CoFe層の上に設けられ、前記第1CoFe層と接触するCoFexByからなる非晶質層と、前記CoFexByからなる非晶質層の上に設けられ、前記CoFexByからなる非晶質層と接触する第2CoFe層と、前記第2CoFe層の上に設けられ、前記第2CoFe層と接触するAFM結合層と、前記AFM結合層の上に設けられ、前記AFM結合層と接触するAP1層と、前記AP1層の上に設けられ、前記AP1層と接触するバリア層と、前記バリア層の上に設けられ、前記バリア層と接触するフリー層と、前記フリー層の上に設けられ、前記フリー層と接触するキャップ層とを備え、前記第1CoFe層と、前記CoFexByからなる非晶質層と、前記第2CoFe層とは、AP2層を構成することを特徴とするTMRデバイス。前記第1CoFe層は、0.5nm以上1.5nm以下の厚さを有することを特徴とする請求項9記載のTMRデバイス。前記第2CoFe層は、0.5nm以上1.5nm以下の厚さを有することを特徴とする請求項9記載のTMRデバイス。前記CoFexByからなる非晶質層は、0.3nm以上1.5nm以下の厚さを有することを特徴とする請求項9記載のTMRデバイス。前記バリア層は、0.5nm以上1nm以下の厚さを有し、前記TMRデバイスは、0.5Ωμm2以上5Ωμm2以下であるRA値を有することを特徴とする請求項9記載のTMRデバイス。前記CoFexByからなる非晶質層において、xが0.1以上0.7以下であり、yが0.05以上0.4以下であることを特徴とする請求項9記載のTMRデバイス。前記ピンド層内の層間結合磁界は、前記非晶質層を設けない場合と比較して約3分の1減少することを特徴とする請求項9記載のTMRデバイス。前記ピンド層内の交換結合磁界の減少は、前記非晶質層を設けない場合と比較して4よりも少ないことを特徴とする請求項9記載のTMRデバイス。しかしながら、上記特許文献1~5では、バリア層の下面の平滑性が十分ではなく、その厚さをより薄くし、RA値を十分に低くすることが困難であった。また、十分なロバスト性が得られにくいという問題もあった。よって、TMRデバイスの密度を向上させることも難しい。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、例えばMRAMMagnetoresistiveRandomAccessMemoryにおけるTMRデバイスMTJMagneticTunnelJunctionデバイスの密度を増加させることが可能なTMRデバイスおよびその製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、バリア層の厚さを0.5nm以上1nm以下にすることができるTMRデバイスおよびその製造方法を提供することにある。本発明のその他の目的は、バリア層の下面として平滑な界面を有するTMRデバイスおよびその製造方法を提供することにある。本発明に係るTMRデバイスは、ピンド層を有するものであって、シード層の上に設けられ、このシード層と接触する反強磁性AFM:antiferromagnetic層と、AFM層の上に設けられ、このAFM層と接触する第1CoFe層と、第1CoFe層の上に設けられ、第1CoFe層と接触するCoFexByからなる非晶質層と、CoFexByからなる非晶質層の上に設けられ、CoFexByからなる非晶質層と接触する第2CoFe層と、第2CoFe層の上に設けられ、この第2CoFe層と接触するAFM結合層と、AFM結合層の上に設けられ、AFM結合層と接触するAP1層と、AP1層の上に設けられ、AP1層と接触するバリア層と、バリア層の上に設けられ、バリア層と接触するフリー層と、フリー層の上に設けられ、フリー層と接触するキャップ層とを備え、第1CoFe層と、CoFexByからなる非晶質層と、第2CoFe層とは、AP2層を構成するものである。本発明に係るTMRデバイスの製造方法は、ピンド層を備えたTMRデバイスの製造方法であって、シード層の上に、AFM層を形成する工程と、AFM層の上に第1CoFe層を形成するステップと、第1CoFe層の上にCoFexByからなる非晶質層を形成するステップと、非晶質層の上に第2CoFe層を形成するステップとを行うことによりAP2層を形成する工程と、第2CoFe層の上にAFM結合層を形成する工程と、AFM結合層の上にAP1層を形成する工程と、AP1層の上にバリア層を形成する工程と、バリア層の上にフリー層を形成する工程と、フリー層の上にキャップ層を形成する工程とを含むものである。本発明のTMRデバイスおよびTMRデバイスの製造方法では、AP2層において第1CoFe層と第2CoFe層との間にCoFexByからなる非晶質層が挿入されている。これにより、第1CoFe層が第2CoFe層の結晶化度に対して与える影響を減少させると同時に、AP2層の下地となるAFM層の表面の粗さが補われる。このため、AP2層の上面が高い平滑性を有することになり、AP2層の上に形成されるAFM結合層およびAP1層の平滑性もより高くなり、従って、バリア層の下の界面の平滑性が高くなる。よって、バリア層を薄く形成することができ、RA値を低くすることができる。この場合、AFM層とAP2層との間の交換結合磁界の強度は十分に確保される。また、本発明のTMRデバイスおよびTMRデバイスの製造方法では、第1CoFe層の厚さを0.5nm以上1.5nm以下の厚さとしてもよく、第2CoFe層の厚さを0.5nm以上1.5nm以下にしてもよい。また、非晶質層は、0.3nm以上1.5nm以下の厚さに形成してもよく、xを0.1以上0.7以下とし、yを0.05以上0.4以下としてもよい。さらに、本発明のTMRデバイスおよびTMRデバイスの製造方法では、バリア層は0.5nm以上1nm以下の厚さを有し、RA値が0.5Ωμm2以上5Ωμm2以下であることが好ましい。また、非晶質層を形成しない場合と比較して、ピンド層内の層間結合磁界が約3分の1減少する、または交換結合磁界の減少が4よりも少なくなるのが好ましい。これにより、交換結合磁界の強度が十分に確保されると共に、バリア層の下の界面の平滑性がより高くなる。本発明のTMRデバイスまたはTMRデバイスの製造方法によれば、AP2層がCoFexByからなる非晶質層を有するようにしたので、バリア層の下の界面の平滑性を高くすることができる。これにより、バリア層の厚さを、非晶質層を設けなかった場合よりも薄く、例えば0.5nm以上1nm以下にすることができる。また、高いロバスト性を得ることもできる。よって、例えばMRAMにおいて、TMRデバイス密度を高くすることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図2は本発明の一実施の形態に係るTMRデバイスの断面構造を表すものである。なお、本実施の形態では、AP2層以外の層構造は図1の構成と同様であり、図1と同一構成部分については同一符号を付して以下説明する。本実施の形態のTMRデバイスTMRセンサであり、TMR素子でもあるは、ピンド層を有する積層構造を備えている。その積層構造は、シード層またはバッファ層11上に、反強磁性AFM層12、外側ピンド層AP2層20、例えばRuからなるAFM結合層14、例えばCoFeからなる内側ピンド層AP1層15、誘電体からなるバリア層16、フリー層17およびキャップ層18をこの順で備えている。AP2層20は、AFM層12側から順に、CoFeouter層21外側CoFe層21/CoFexBy層22非晶質層22/CoFeinner層23内側CoFe層23を有する積層構造を備えている。なお、ここでのピンド層は、AP2層20、AFM結合層14およびAP1層15により構成されている。前述のように、TMRデバイスにおいてバリア層16の質が非常に重要である。このバリア層16の質を制御するための重要な鍵は、バリア層16の下に形成する膜の平滑さにある。本実施の形態は、上述したAP2層20とAFM層12との間の強力な交換結合磁界Hexを減少させることなく、AP2層20の平滑さを改善させるものである。本実施の形態では、AP2層20の平滑さを改善するために、通常のAP2層として用いられる標準的なCoFe層内に、CoFexByからなる非晶質層22が挿入されている。外側CoFe層21の厚さは、0.5nm以上1.5nm以下であることが好ましい。また、内側CoFe層23の厚さは、0.5nm以上1.5nm以下であることが好ましい。非晶質層22においてCoFexByはCoFeの原子組成とホウ素Bの原子割合との双方が変化することを表している。CoFexByにおいて、xは0.1以上0.7以下の範囲内の値であることが望ましく、0.1以上0.5以下の範囲であることがより望ましい。yは0.05以上0.4以下の範囲内の値であることが望ましく、0.15以上0.3以下であることがより望ましい。また、非晶質層22の厚さは、好ましくは0.3nm以上1.5nm以下の範囲内であり、0.4nm以上1nm以下の範囲内であることがより望ましい。即ち、本実施の形態のAP2層20は、図2に表されているように、外側CoFe層21/非晶質層22/内側CoFe層23の積層構造を有し、外側CoFe層21がAFM層12の最も近くに形成される。挿入されたCoFexByからなる非晶質層22は、内側CoFe層23の結晶化度に対する外側CoFe層21の影響を減少させると同時に、下地となるAFM層12に用いられるIrMn材料によって生じる表面の粗さをも補うものである。なお、AFM層12としてIrMnが使用される場合もあるが、本発明では、特定のAFM材料に依存することなく、いずれのAFM材料を用いて形成しても同様の作用効果が得られる。また、AP1層15は図1と同様に例えばCoFeにより構成されている。バリア層16は、誘電体材料により構成されている。バリア層16は、AP2層20を設けることにより、非晶質層22を設けない場合よりも薄く形成されることができ、例えばその厚さを0.5nm以上1nm以下にすることができる。これにより、TMRデバイスのRA値は0.5Ωμm2以上5Ωμm2以下の範囲内に低く抑えられる。よって、高い安定性および信頼性が得られるため、優れたロバスト性を有するTMRデバイスが得られ、また、デバイス密度を高くすることができる。なお、シード層11、AFM結合層14、フリー層17およびキャップ層18は、従来のTMRデバイスに用いられる材料によりそれぞれ形成することができる。本実施の形態のTMRデバイスは、シード層またはバッファ層11の上に、AFM層12を形成する工程と、AFM12層の上に外側CoFe層21を形成するステップと、外側CoFe層21の上に非晶質層22を形成するステップと、非晶質層22の上に内側CoFe層23を形成するステップとを行うことによりAP2層20を形成する工程と、内側CoFe層23の上にAFM結合層14を形成する工程と、AFM結合層14の上にAP1層15を形成する工程と、AP1層15の上にバリア層16を形成する工程と、バリア層16の上にフリー層17を形成する工程と、フリー層17の上にキャップ層18を形成する工程とを含んで製造される。各層の具体的な形成方法としては、例えば、従来のTMRデバイスを形成する際に用いる製膜方法などを用いることができる。このように本実施の形態のTMRデバイスおよびその製造方法では、AP2層20において外側CoFe層21と内側CoFe層23との間にCoFexByからなる非晶質層22が挿入されている。これにより、外側CoFe層21が内側CoFe層23の結晶化度に対して与える影響を減少させると同時に、下地となるAFM層12の表面の粗さが補われる。このため、AP2層20の上面が高い平滑性を有することになることから、AP2層20の上に形成されるAFM結合層14およびAP1層15の平滑性もより高くなり、その結果、バリア層16の下の界面の平滑性が高くなる。この場合、AFM層12とAP2層20との間の交換結合磁界の強度は十分に確保される。すなわち、本実施の形態によれば、バリア層16の厚さを、非晶質層22を設けなかった場合よりも薄く、例えば0.5nm以上1nm以下にすることができ、RA値を低くすることができる。また、高いロバスト性を有するデバイスを得ることもできる。よって、例えばMRAMにおいて、デバイス密度を高くすることができる。また、バリア層16の厚さを0.5nm以上1nm以下とし、かつRA値を0.5Ωμm2以上5Ωμm2以下の範囲内にすれば、より高いロバスト性を有するデバイスを得ることができ、デバイス密度をより高くすることができる。さらに、非晶質層22を形成しない場合と比較して、AP2層20内ピンド層内でもあるの、層間結合磁界を約3分の1減少させる、または交換結合磁界の減少を4よりも少なくするようにすれば、デバイス全体の交換特性に大きな影響を与えることなく、バリア層16の下の界面の平滑性がより高くなる。よって、より高い効果を得ることができる。上記の構成の効果を確かめるために、GMRgiantmagnetoresistanceデバイスの積層構造において、CoFexByからなる非晶質層を挿入した場合、即ちピンド層がCoFe/CoFexBy/CoFeからなる構成を有する場合と、非晶質層22を挿入しない場合、即ちピンド層がCoFeのみからなる場合との、ピンド層部分の層間結合磁界Hinを比較した。表1にその結果を示す。Hinの値は、そのB-Hループから得た。なお、GMR積層構造におけるHin値は、膜の粗さに応じて単調に増加するため、下層の粗さの測定に適しており、このことはTMRデバイスの積層構造においても同様である。表1のデータのもととなる全体構造は、Ta層5nm/Ru層5nm/IrMn層7nm/ピンド層/Cu層2.5nm/CoFe層1nm/NiFe層7nm/Ru層5nmとした括弧内は各層の厚さを表す。なお、表1中のCoFexByにおけるxは0.1以上0.7以下であり、yは0.05以上0.4以下である。表1の結果から、ピンド層がCoFe/CoFexBy/CoFeからなる構成を有する場合にはHinが3分の1程減少していることが分かる。このことからCoFeからなるピンド層内に薄いCoFexBy層を挿入した構造では、ピンド層がより平滑になったことが裏付けられる。表2は、CoFeのみを備えたGMR積層構造のピンド層部分と、CoFe/CoFexBy/CoFeからなるピンド層AP2層を有するGMR積層構造のピンド層部分とにおける、Hex、Hc保持力、およびHex/Hcの値を比較している。表2のデータのもととなる全体構造は、Ta層5nm/Ru層5nm/IrMn層7nm/ピンド層/Ru層5nmとした。なお、表2中のCoFexByにおけるxは0.1以上0.7以下であり、yは0.05以上0.4以下である。表2のデータは、本発明によってAP2層にもたらされた変化がデバイス全体の交換特性に大きな影響を与えないことを示している。よって、本発明によれば、より優れたロバスト性を有するTMRデバイスを実現することができ、信頼性および/または性能を犠牲にすることなく、RA値の低いすなわち、バリア層のより薄いTMRデバイスを製造することができるようになる。なお、本発明の一般原理は、CPPcurrentperpendiculartoplane:垂直通電型GMRデバイス、デュアルスピンバルブなどの同様のスピントロニクスデバイスに対して等しい効果をもって適用してもよい。また、上記した実施の形態では、ピンド層がCoFeを含んで構成されたものについて説明したが、本発明においてピンド層を構成する材料は、本実施の形態で説明したものに限定されない。