"基材と、基材表面の入力領域に設けられた電極部と、前記入力領域の外側に位置する前記基材表面の非入力領域にて前記電極部と電気的に接続された配線部とを有する基板を備え、前記配線部はCuから成る配線主体層と、前記配線主体層の表面に形成され、前記配線主体層よりも薄い膜厚のCu合金からなる表面保護層と、で構成されることを特徴とする入力装置。前記表面保護層は、CuNi合金で形成される請求項1記載の入力装置。CuNi合金中に占めるNi組成比は、5wt~35wtの範囲内である請求項2記載の入力装置。Ni組成比は、15wt~25wtの範囲内である請求項3記載の入力装置。前記配線部の表面は光学透明粘着層で覆われている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の入力装置。基材と、基材表面の入力領域に設けられた電極部と、前記入力領域の外側に位置する前記基板表面の非入力領域にて前記電極部と電気的に接続された配線部とを有する基板を備え、前記非入力領域の基材表面に、Cu層を形成し、前記Cu層の表面に、前記Cu層よりも膜厚の薄いCu合金層を形成する工程、Cu合金層の表面に前記配線部を形成するためのマスク層を形成する工程、前記マスク層に覆われていないCu合金層及びCu層を連続してウエットエッチングにて除去し、Cuで形成された配線主体層と、前記配線主体層の表面にCu合金で形成された表面保護層とからなる前記配線部を形成する工程、前記マスク層を除去する工程、を有することを特徴とする入力装置の製造方法。基材表面の全体に導電層を形成した後、前記導電層の表面全体に前記Cu層を形成し、更に前記Cu層の表面全体にCu合金層を形成する工程、ウエットエッチングにより、前記非入力領域に、Cuからなる前記配線主体層と、Cu合金からなる表面保護層とで構成される前記配線部を形成する工程、前記入力領域に形成された前記導電層を前記電極部の形状に残すとともに、前記非入力領域に形成された前記導電層を前記配線部下に残し、不要な前記導電層を除去する工程、を有する請求項6記載の入力装置の製造方法。前記Cu合金層を、CuNi合金層で形成する請求項6又は7に記載の入力装置の製造方法。CuNi合金中に占めるNi組成比を、5wt~35wtの範囲内とする請求項8記載の入力装置の製造方法。Ni組成比を、15wt~25wtの範囲内とする請求項9記載の入力装置の製造方法。そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、配線部の構造を改良して、配線抵抗の経時変化が小さくできる入力装置を提供することを目的としている。更に本発明は、サイドエッチングによる後退量を小さくでき、またエッチング液が一液で足りる入力装置の製造方法を提供することを目的としている。本発明における入力装置は、基材と、基材表面の入力領域に設けられた電極部と、前記入力領域の外側に位置する前記基材表面の非入力領域にて前記電極部と電気的に接続された配線部とを有する基板を備え、前記配線部はCuで形成された配線主体層と、前記配線主体層の表面に形成され、前記配線主体層よりも薄い膜厚のCu合金からなる表面保護層と、で構成されることを特徴とするものである。これにより、配線部に対して酸化等の腐食を抑制でき、配線部がCu単層で形成されていた従来に比べて配線抵抗の経時変化を小さく抑えることができる。また表面保護層をCu合金で形成することで、材料原価を低く抑えることができる。本発明では、前記表面保護層は、CuNi合金で形成されることが好ましい。このとき、CuNi合金中に占めるNi組成比は、5wt~35wtの範囲内であることが好ましい。これにより、より効果的に、配線抵抗の経時変化を小さくでき、安定した配線抵抗を有する配線部を構成することが出来る。また、Ni組成比は、15wt~25wtの範囲内であることがより好ましい。これにより、より効果的に、配線抵抗の経時変化を小さく抑えることができる。またサイドエッチングによる最大後退量を小さくでき、更に、エッチングレートを比較的大きくでき、加工時間を短縮し、生産性を向上させることができる。また本発明では、前記配線部の表面が光学透明粘着層で覆われている構成に好ましく適用できる。本発明の配線部の構成によれば、配線部の表面を光学透明粘着層で覆った状態において、酸化等の腐食を適切に抑制でき、配線抵抗の経時変化を効果的に抑制することができる。また本発明における入力装置の製造方法は、基材と、基材表面の入力領域に設けられた電極部と、前記入力領域の外側に位置する前記基板表面の非入力領域にて前記電極部と電気的に接続された配線部とを有する基板を備え、前記非入力領域の基材表面に、Cu層を形成し、前記Cu層の表面に、前記Cu層よりも膜厚の薄いCu合金層を形成する工程、Cu合金層の表面に前記配線部を形成するためのマスク層を形成する工程、前記マスク層に覆われていないCu合金層及びCu層を連続してウエットエッチングにて除去し、Cuで形成された配線主体層と、前記配線主体層の表面にCu合金で形成された表面保護層とからなる前記配線部を形成する工程、前記マスク層を除去する工程、を有することを特徴とするものである。本発明の製造方法によれば、配線部を、Cuから成る配線主体層と、Cu合金から成る表面保護層との積層構造とすることで、サイドエッチングによる後退量を、Cu単層で形成する場合に比べて小さくできる。また、本発明では、ウエットエッチング時、Cu合金層及びCu層を一液のエッチング液により連続してエッチングすることができ、製造コストを抑制でき、製造工程の煩雑化を抑制することができる。また本発明では、基材表面の全体に導電層を形成した後、前記導電層の表面全体に前記Cu層を形成し、更に前記Cu層の表面全体にCu合金層を形成する工程、ウエットエッチングにより、前記非入力領域に、Cuからなる前記配線主体層と、Cu合金からなる表面保護層とで構成される前記配線部を形成する工程、前記入力領域に形成された前記導電層を前記電極部の形状に残すとともに、前記非入力領域に形成された前記導電層を前記配線部下に残し、不要な前記導電層を除去する工程、を有することが好ましい。これにより、電極部、及び配線部を簡単且つ所定のパターン形状で形成することができる。また本発明では、前記Cu合金層を、CuNi合金層で形成することが好ましい。このとき、CuNi合金中に占めるNi組成比を、5wt~35wtの範囲内とすることが好ましい。更に、Ni組成比を、15wt~25wtの範囲内とすることがより好ましい。これにより、Cu層をエッチング可能なエッチング液を用いて、CuNi合金層をエッチングした際に、エッチングレートが極端に小さくなるのを抑制でき、Cu層とCuNi合金層を一液のエッチング液にて、適切にエッチング処理することが出来る。また、製造過程における酸化等の腐食を抑制でき、サイドエッチングによる後退量を効果的に小さくすることが可能になる。本発明の入力装置によれば、配線部に対して酸化等の腐食を抑制し、配線部がCu単層で形成されていた従来に比べて配線抵抗の経時変化を小さく抑えることができる。また表面保護層をCu合金で形成することで、材料原価を低く抑えることができる。また本発明の入力装置の製造方法によれば、配線部を、Cuから成る配線主体層と、Cu合金から成る表面保護層との積層構造とすることで、サイドエッチングによる後退量を小さくできる。また、Cu合金層及びCu層に対してウエットエッチング処理を行うとき、一液のエッチング液により連続してエッチングすることができ、製造コストを抑制でき、製造工程の煩雑化を抑制することができる。図1は本実施形態の入力装置10の分解斜視図である。図2は、図1に示す入力装置を組み立てた状態とし、A-A線に沿って切断し矢印方向から見た部分拡大縦断面図である。図3は本実施形態における配線部の部分拡大縦断面図である。図1に示すように入力装置10は、天板20、上部基板21、下部基板22、及びフレキシブルプリント基板23等を有して構成される。天板20は、プラスチックやガラス基材で形成される。天板20の下面20bには、加飾層18が設けられ、図1に示すように、透光性の入力領域11と入力領域11の周囲を囲む着色された非透光性の非入力領域12とに区分けされている。例えば、非入力領域12は額縁状で形成される。図2に示すように下部基板22には、下部基材24の表面にITOIndiumTinOxide等の透明導電層からなる下部電極部14が形成されている。図1に示すように、入力領域11には、複数本の下部電極部14が所定のパターン形状にて形成される。図1では、各下部電極部14は、X-Y平面の例えばX1-X2方向に沿って延出し、且つ複数の各下部電極部14がY1-Y2方向に間隔を空けて配置される図1では、下部電極部14の一部のみ図示した。本実施形態では、下部電極部14から一体となって非入力領域12に延出し、前記透明導電層で形成されて成る配線下部層28図2,図3参照が下部基材24の表面に形成されている。図1に示すように、入力領域11の周囲を取り囲む非入力領域12には、入力領域11に形成されたセンサ部としての各下部電極部14に電気的に接続される配線部16が引き回されている。配線部16は、非入力領域12のX1側領域及びX2側領域から夫々、引き回され、各配線部16の先端は非入力領域12のY2側領域で接続部17を構成している。図2,図3に示すように、配線部16は、下部電極部14と一体となって延出する配線下部層28上に形成されている。なお配線部16は下部基材24の表面に直接形成されてもよいが、配線部16を配線下部層28上に重ねて形成することで、製造工程を簡単にでき、また配線部16の電気的安定性を適切に向上させることができる。なお、配線下部層28は、配線部16の下に位置して各配線部16の間の下部基材24表面には残されていない。よって、隣接する配線部16同士が、前記配線下部層28を介して短絡することはない。下部基材24は、透光性のポリエチレンテレフタレート等の樹脂やガラスで構成される。下部基材24は、樹脂基材の表裏面にポリエステル樹脂やエポキシ樹脂等の絶縁材料から成るコート層が形成された形態とすることが出来る。図2に示すように上部基板21には、上部基材25の表面にITOIndiumTinOxide等の透明導電層からなる上部電極部13が形成されている。図1に示すように、入力領域11には、複数本の上部電極部13が所定のパターン形状にて形成される。図1では、各上部電極部13は、X-Y平面の例えばY1-Y2方向に沿って延出し、且つ複数の各上部電極部13がX1-X2方向に間隔を空けて配置される図1では、上部電極部13の一部のみ図示した。このように入力領域11に形成された各上部電極部13と各下部電極部14とは直交している。本実施形態では、各上部電極部13と電気的に接続される配線部図示しないが非入力領域12に引き回されている。前記配線部の下には、上部電極部13から一体となって非入力領域12に延出し、前記透明導電層で形成されて成る配線下部層が形成されている。上部基板21に形成された各配線部の先端は、図1に示す接続部15を構成している。上部基材25は、透光性のポリエチレンテレフタレート等の樹脂やガラスで構成される。上部基材25は、樹脂基材の表裏面にポリエステル樹脂やエポキシ樹脂等の絶縁材料から成るコート層が形成された形態とすることが出来る。図2に示すように、下部基板22と上部基板21間が光学透明接着層OCA26を介して接合されている。また図2に示すように、天板20と上部基板21の間は、光学透明接着層OCA27を介して接合されている。図2では、下部基板22及び上部基板21の各電極部13,14を夫々、上方天板20側に向けた状態で、下部基板22と上部基板21間を光学透明粘着層26により接合しているが、一方の電極部を、下方天板20側とは反対側に向けた状態、あるいは、両方の電極13,14を、下方に向けた状態として、下部基板22と上部基板21間を接合してもよい。または図4に示すように、一つの基材50の上面50aに、上部電極部13を形成し、下面50bに、下部電極部14を形成した形態であってもよい。なお図4では、図2と同じ部材に同じ符号を付した。図1,図2に示す入力装置10では、入力領域11の表面に指Fを接触させると、下部電極部14及び上部電極部13を備えた入力領域11での静電容量が変化することで、指Fの接触位置を検出することが可能になっている。図3は、図1のB-B線に沿って切断し矢印方向から見たときに現れる配線部16の拡大縦断面図を示す。図1,図3には2本の配線部16しか図示していないが、実際にはX1側及びX2側の夫々の非入力領域12に配線部16が、10本程度設けられる。図3に示すように、各配線部16は、配線パターン形状の透明導電層ITO等から成る各配線下部層28上に形成される。図3に示すように各配線部16は、Cuから成る配線主体層29と、配線主体層29の表面上面29aに形成されたCu合金から成る表面保護層30との積層構造で形成される。配線主体層29の膜厚H1は、100~150nm程度、表面保護層30の膜厚H2は、15~30nm程度であり、表面保護層30は配線主体層29よりも薄く形成される。表面保護層30はCuNi合金で形成されることが好ましい。このとき、CuNi合金中に占めるNi組成比は、5wt~35wtの範囲内であることが好ましく、より好ましくは15wt~25wtの範囲内である。図3に示す実施形態では、配線部16の表面全体が、防錆膜38で覆われている。防錆膜38の材質は特に限定されるものでない。例えばベンゾトリアゾールを用いることができる。また防錆膜38は形成されなくてもよい。各配線部16の幅寸法T1は、20~100μm程度であり、各配線部16間の間隔T2は、20~100μm程度である。このように、複数の配線部16を限られた非入力領域12内で、狭いピッチで形成しなければいけないため、印刷成形等でなく、本実施形態では、スパッタ法等で薄膜形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて各配線部16を微細なパターンで形成する。図5は本実施形態の配線部16の製造方法を示す工程図である。各図は製造工程における部分拡大縦断面図を示す。図5aの工程では、下部基材24の表面全体にITOIndiumTinOxide等の透明導電層34をスパッタ法や蒸着法により形成する。ここで、透明とは可視光線透過率が80以上の状態を指す。更にヘイズ値が6以下であることが好適である。次に、透明導電層34上の全面にCu層31をスパッタ法や蒸着法で成膜する。Cu層31は、透明導電層34よりも導電性に優れている。更にCu層31上の全面にCu合金層32をスパッタ法や蒸着法で成膜する。このときCu合金層32をCu層31より薄い膜厚で形成する。次に、Cu合金層32の上面にレジスト層を塗布し、露光現像により、非入力領域12に、前記レジスト層35をマスク層として、複数の配線パターン形状で残す。次に図5bの工程では、レジスト層35に覆われていないCu合金層32及びCu層31をウエットエッチングにより連続して除去する。本実施形態では、エッチング液として過硫酸アンモニウムを含むエッチング液を用いることが出来る。そして本実施形態では、この一液のエッチング液でCu合金層32及びCu層31の双方を適切にエッチングすることが可能になっている。残されたCu層31は、配線部16の大部分を構成する配線主体層29であり、残されたCu合金層32は配線部16の表面層を構成する表面保護層30である。図5cに示すように、図5bのウエットエッチング工程により配線部16の側面16aがサイドエッチングの影響を受けると配線部16の幅寸法がレジスト層35の幅寸法よりも小さくなるが、本実施形態ではサイドエッチングの影響を従来に比べて小さくでき、よってサイドエッチングによる最大後退量T3を小さくでき、ウエットエッチング時の制御性に優れる。更に図5bの工程では、レジスト層35に覆われていない透明導電層34bを除去して、配線部16の下に、配線部16とほぼ同形状の配線パターンからなる透明導電層34aを配線下部層28として残す。そして前記レジスト層35を除去する。また、その後に、各配線部16の表面に防錆膜38図3参照をディップ等で塗布してもよい。図5aの工程で、透明導電層34は、入力領域11上の全面にも形成されており、入力領域11上の透明導電層34を、図1に示す下部電極部14として残し、それ以外の不要な透明導電層34を除去する。下部電極部14を形成する工程や、配線部16下に透明導電層34aを配線下部層28として残す工程は、上記した方法以外であってもよく特に限定されるものではない。すなわち図5bでは、配線部16を形成するためのレジスト層マスク層35を利用して、各配線部16間に位置する不要な透明導電層34bを除去したが、例えば、一旦、レジスト層35を除去し、続いて、各配線部16上から入力領域11上の透明導電層34上に配線パターン及び電極パターンからなるレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない透明導電層34を除去することで、下部電極部14の形成と、各配線部16下に位置する配線パターン形状の配線下部層28の形成とを同時に行なうことが可能になる。上部基板21においても図5と同様の製造方法により形成することができる。そして、下部基板22と上部基板21間を光学透明粘着層OCA26を介して接合し、更に、上部基板21と天板20との間を光学透明粘着層OCA27を介して接合する。上記では、配線部16の構造について説明したが、上部基板21に形成される配線部図示しないについても同様の積層構造で形成することができる。本実施形態では、配線部が、Cuから成る配線主体層29と、配線主体層29の表面29aに形成されたCu合金からなる表面保護層30との積層構造で形成される。配線部がCu単層で形成されていた従来では、表面に酸化膜が形成されやすく、また配線部の表面が光学透明粘着層で覆われていても酸化等の腐食を抑えることができず、配線抵抗の経時変化が大きくなる問題があったが、本実施形態のように、Cuの配線主体層29の表面にCu合金の表面保護層30を設けた積層構造で配線部16を形成することで、酸化等の腐食を抑制でき、この結果、配線抵抗の経時変化を小さく抑えることが可能である。また本実施形態における入力装置10の製造方法では、配線部16を、Cuから成る配線主体層29と、Cu合金から成る表面保護層30との積層構造とすることで、サイドエッチングによる後退量をCu単層で配線部を形成するよりも小さくでき、サイドエッチングに対する制御性を高めることができる。図6は、配線部37をCu単層で形成した従来例を示す。図6では、配線部37の上にマスク層であるレジスト層35が設けられている。図6に示す従来例の場合、製造過程で施される熱処理等の影響を受けて、配線部37の表面37aが酸化等で腐食しやすい。後述する実験でも表面37aが酸化等で変色し、その変色の幅寸法が本実施形態に比べて大きくなることが確認されている。このため、ウエットエッチング処理を行うと、レジスト層35下に位置する配線部37の表面37a付近が大幅に除去され、配線部37の側面37bのサイドエッチングによる後退量が非常に大きくなってしまう。よってレジスト層35との密着性も悪い。最悪の場合、レジスト層35が製造過程の途中で剥がれてしまい、配線部37を安定して形成できなかった。このように従来の構成では、サイドエッチングに対する制御性が非常に悪かった。これに対して本実施形態では、Cu合金から成る表面保護層30を配線部16の表面に設けたことで、配線部16の表面に酸化等の腐食が生じるのを抑制でき、この結果、図5cに示すように多少、サイドエッチングの影響を受けても、その最大後退量T3を、Cu単層で配線部37を形成した図6の従来例に比べて効果的に小さくでき、サイドエッチングに対する制御性を高めることができる。また本実施形態では、レジスト層35に覆われていないCu合金層32及びCu層31を一液のエッチング液により連続してウエットエッチングすることができ、製造コストを抑制でき、製造工程の煩雑化を抑制することができる。本実施形態では、Cu合金から成る表面保護層30は、CuNi合金で形成されることが好ましく、Ni組成比は、5wt~35wtであることが好適である。これにより配線抵抗の経時変化を小さくでき、またサイドエッチングによる最大後退量T3をより効果的に小さくできる。したがって所定の配線抵抗を有する配線部16を安定して形成することができる。Ni組成比は15wt~25wtの範囲内であることがより好適である。これにより、効果的に、配線抵抗の経時変化を小さく抑えることができる。また、サイドエッチングによる最大後退量を小さくでき、更に、エッチングレートを比較的大きくでき、加工時間を短縮し、生産性を向上させることができる。また入力装置の製造方法において、CuNi合金のNi組成比を25wt以下とすることで、過硫酸アンモニウムを含むエッチング液を用いた場合に、CuNi合金層32のエッチングレートを大きくでき、より効果的に、Cu合金層32及びCu層31を一液のエッチング液により連続してウエットエッチングすることができる。本実施形態では、Cuからなる配線主体層29の膜厚H1が、Cu合金からなる表面保護層30の膜厚H2よりも大きく形成されている。これにより配線部16の電気的特性は、Cu単層で形成された従来の配線部とほぼ同等にでき、また材料原価もCu単層の従来例とほぼ同等に安く抑えることが出来る。また、図1に示す接続部15,17も配線部と一体に形成された部分であるから図3に示す積層構造で形成される。そして、露出して各接続部15,17が、フレキシブルプリント基板23と圧着される。本実施形態では、接続部15,17が、Cuから成る配線主体層29とCu合金から成る表面保護層30の積層構造で形成され、表面保護層30がフレキシブルプリント基板23との圧着面となっている。本実施形態によれば、各接続部15,17とフレキシブルプリント基板23との圧着強度を良好に保つことが出来る。下部基板22及び上部基板21に形成される全ての配線部が、Cuから成る配線主体層29とCu合金から成る表面保護層30の積層構造で形成されることが好ましいが、一部の配線部が図3に示す積層構造以外の形態で形成されてもよい。図1の入力装置10は静電容量式であったが、本実施形態の配線構造は静電容量式の入力装置に限定されるものでない。図7に示す試験サンプルを形成した。符号40が配線部、符号41がテストパッド、符号42が光学透明粘着層OCAである。配線部40の表面が光学透明粘着層42で覆われている。従来例では、配線部40をCu単層で形成した。また実施例では、配線部40をCu層とCuNi層の積層構造とした。CuNi合金のNi組成比を15wtとした。Cu層の膜厚を150nm、CuNi合金層の膜厚を20nmとした。また図7に示す配線部40の配線幅を50μm、配線長さを30mmとした。実験では、光学透明粘着層42として種類の異なる第1の光学透明粘着層と第2の光学透明粘着層を使用し、温度が60°C、湿度が95の条件下で、試験開始前、65時間後、130時間後、240時間後、300時間後、500時間後の配線部40の配線抵抗を測定した。図8は、配線部40をCu単層で形成した従来例の実験結果である。なお、縦軸は、試験開始前試験時間:0時間の配線抵抗を初期抵抗とし、各試験時間における配線抵抗を電気抵抗変化率で示した。電気抵抗変化率は、各試験時間での配線抵抗-初期抵抗/初期抵抗で示される。図8に示すように、第2の光学透明粘着層を配線部40に重ねて実験を行うと、配線抵抗電気抵抗変化率は、試験時間が長くなるほど急激に上昇することがわかった。図9は、配線部40を、Cu層/CuNi層の積層構造で形成した実施例の実験結果である。なお、縦軸は、試験開始前試験時間:0時間の抵抗値を初期抵抗とし、各試験時間における配線抵抗を電気抵抗変化率で示した。図9に示すように、第1の光学透明粘着層及び第2の光学透明粘着層のどちらを使用した場合でも、配線抵抗電気抵抗変化率の上昇を小さく抑えることができるとわかった。特に、第2の光学透明粘着層を用いた場合、図8に示すように従来例では急激な配線抵抗の上昇が見られたが本実施例によれば、効果的に電気抵抗変化率の上昇を抑制できることがわかった。また第1の光学透明粘着層を用いた場合でも、図8の従来例に比べて電気抵抗変化率の上昇を抑制することができるとわかった。第1の光学透明粘着層は、第2の光学透明粘着層よりも値段が高い。よって製造コストを抑制するには第2の光学透明粘着層を用いることが好ましいが、本実施例によれば、第2の光学透明粘着層を用いても十分に配線抵抗の経時変化を抑制でき、製造コストを抑制することが可能になる。次に、配線部40を、Cu層/CuNi層の積層構造で形成した実施例において、CuNi合金のNi組成比を変化させて、配線抵抗を測定した。実験では、異なるNi組成比のCuNi層を含む各配線部40の試験開始前試験時間:0時間の配線抵抗を夫々、初期抵抗とし、試験時間が500時間となったときの各配線部40の配線抵抗を電気抵抗変化率で示した。図10に示すように、Ni組成比を35wt以下とすると、電気抵抗変化率が32~25の範囲内でほぼ安定し、配線抵抗の変動を低く抑えることができるとわかった。ただし、Ni組成比が少ないと、やや配線抵抗抵抗比が上昇しやすい傾向が見られるため、CuNi合金のNi組成比は、5wt~35wtの範囲が好ましいとした。次に、Si基板上にITO膜を成膜し、さらにITO膜上に膜厚が150nmのCu層をスパッタにて形成し、更にCu層の表面に、膜厚が20nmのCuNi層をスパッタ法にて形成した。続いて、過硫酸アンモニウムを含むエッチング液を用いてエッチングレートを測定した。実験では、CuNi合金のNi組成比を0wt~50wtの範囲内で変動させて、各Ni組成比とエッチングレートとの関係について調べた。その実験結果が図11に示されている。図11に示すように、エッチングレートはNi組成比が約10wtより大きくなると徐々に小さくなり、Ni組成比が50wtになるとエッチングレートが非常に小さくなることがわかった。この結果、Ni組成比が高すぎると、過硫酸アンモニウムを含むエッチング液では、CuNi合金層を適切にエッチングできず、エッチング液が2液必要になることがわかった。続いて、図5bのように不要な部分をCuNi合金層及びCu層をウエットエッチングで除去したときにおけるCuNi合金層のNi組成比とサイドエッチングの最大後退量との関係を調べた。実験では、フォトリソグラフィ技術により、配線幅が30μm、各配線部の間隔が30μmとなるレジスト層マスク層を形成して、前記レジスト層に覆われていないCuNi合金層及びCu層を過硫酸アンモニウムを含むエッチング液によりウエットエッチングした実験サンプル1と、フォトリソグラフィ技術により、配線幅が50μm、各配線部の間隔が50μmとなるレジスト層マスク層を形成して、前記レジスト層に覆われていないCuNi合金層及びCu層を過硫酸アンモニウムを含むエッチング液によりウエットエッチングした実験サンプル2とを形成した。そして、サイドエッチングの最大後退量を測定した。最大後退量は、図5cや図6に示すレジスト層の側縁部の位置から配線部の片側の側面までの最大凹み量で示した。その実験結果が図12に示されている。図12に示すように、CuNi合金層のNi組成比が大きくなると、徐々にサイドエッチングにおける最大後退量が小さくなることがわかった。図13は、上記した実験サンプル1及び実験サンプル2において、配線部の表面の変色した幅寸法を測定した実験結果である。図13に示すように、Ni組成比が大きくなると徐々に変色の幅寸法を小さくできることがわかった。変色は表面の酸化等で生じたものである。図8ないし図13に示す実験結果に基づいて、本実施例では、配線部を、Cu層とCuNi合金層の積層構造とし、CuNi合金層のNi組成比の好ましい範囲を5wt~35wtの範囲内とした。これにより、配線抵抗の経時変化を小さく抑えることができ図9,図10参照、また、CuNi合金層のエッチングレートをCu層と同程度に大きくでき図11参照、配線部の表面に形成される酸化等による変色の幅を小さく抑えることができ図13参照、サイドエッチングによる最大後退量を効果的に小さくできる。またNi組成比のより好ましい範囲を15wt~25wtの範囲内とした。これにより、より効果的に、配線抵抗の経時変化を小さく抑えることができ、サイドエッチングによる最大後退量を小さくできる。更に、エッチングレートを比較的大きくでき、加工時間を短縮し、生産性を向上させることができる。次に、Cu/CuNi以外の積層構造で配線部を形成した場合について実験を行った。実験では、表面保護効果を測定し、更にエッチング液、配線部のサイドエッチングの制御性について調べた。その実験結果が図14に示されている。図14に示すように、配線部をCu/NiFeとした場合、表面保護効果、すなわち酸化等による腐食については、Cu/CuNiとした実施例とほぼ同等であった。しかしながら、ウエットエッチング工程にて、NiFe層とCu層とを別々のエッチング液を用いてエッチングしなければならず2液が必要になり、またサイドエッチングによる最大後退量も、Cu/CuNiとした実施例に比べて変動しやすく、サイドエッチングに対する制御性が悪いことがわかった。また、配線部をCu/MoNbとした場合、エッチング液は1液で済んだが、表面保護効果が悪く、更に、サイドエッチングによる最大後退量も、Cu/CuNiとした実施例に比べて大きくなり、サイドエッチングに対する制御性が悪いことがわかった。以上により配線部をCu層と、CuNi層との積層構造で形成することが表面保護効果やサイドエッチングの制御性に優れ、更にエッチング液を1液で済み、製造工程を容易にでき、製造コストを低く抑えることができるとわかった。"