"主面に素子搭載領域を備える1または複数の第1のリードフレームと、主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される1または複数の第2のリードフレームと、前記第1のリードフレームおよび前記第2のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を開口して形成される樹脂部と、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームの前記主面に対する側面の少なくとも一部および前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとの間隙に設けられる保持樹脂と、少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記第1のリードフレームおよび前記第2のリードフレームと前記保持樹脂との境界上を被覆する被覆部とを有することを特徴とする半導体装置用パッケージ。前記被覆部を前記主面および前記主面に対する裏面の両面に形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置用パッケージ。前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と同一材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と異なる材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記被覆部が非導電性接着剤を介して接着された非導電性の板であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記被覆部として、直接塗布された被覆材料を用いることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いることを特徴とする請求項1~請求項6のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記樹脂部がリフレクタであり、前記板が銀板であり、光半導体装置用パッケージとして用いることを特徴とする請求項5記載の半導体装置用パッケージ。前記樹脂部の開口内で露出する前記被覆部の表面に凹凸が形成されることを特徴とする請求項1~請求項8のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記凹凸を複数の突起で形成することを特徴とする請求項9記載の半導体装置用パッケージ。前記凹凸を複数の凹みで形成することを特徴とする請求項9記載の半導体装置用パッケージ。前記凹凸を1または複数の溝で形成することを特徴とする請求項9記載の半導体装置用パッケージ。リードフレームを金型内に載置する金型工程と、前記金型内に樹脂を注入して素子搭載領域を開口する樹脂部および前記リードフレームを保持する保持樹脂ならびに少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を形成する樹脂注入工程とを有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。素子搭載領域を開口する樹脂部およびリードフレームを保持する保持樹脂を樹脂成型する工程と、少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を樹脂成型する工程とを有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。請求項1~請求項6のいずれかに記載の半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記樹脂部の開口部の内部を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。請求項7または請求項8のいずれかに記載の半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、前記光半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記リフレクタの開口部の内部を封止する透光性樹脂とを有し、光半導体装置であることを特徴とする半導体装置。しかしながら、従来半導体装置用パッケージでは、リードフレーム21,22と樹脂24または樹脂部23との密着力が不足する場合がある。例えば、樹脂24または樹脂部23の形成時に、樹脂注入後冷却工程における熱収縮により、リードフレーム21,22と樹脂24との間に隙間28が生じる場合がある。また、外力等の応力によりリードフレーム21,22と樹脂24との間に隙間28が生じる場合がある。このように、リードフレーム21,22と樹脂24との間に隙間28が生じると、半導体装置の形成時における封止樹脂27のポッティングの際に封止樹脂27が隙間28から漏れ出し、外観不良や樹脂部23の開口内部の封止樹脂27不足、あるいは、漏れ出した封止樹脂27が外部端子に付着して接続不良や実装不良を引き起こす問題点があった。また、隙間28から外気や水分が封止樹脂27に浸入し、封止樹脂27に気泡が発生したり、封止樹脂27の耐湿性が低化したりする問題点もあった。本発明は、上記問題点を解決するものであり、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用パッケージは、主面に素子搭載領域を備える1または複数の第1のリードフレームと、主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される1または複数の第2のリードフレームと、前記第1のリードフレームおよび前記第2のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を開口して形成される樹脂部と、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームの前記主面に対する側面の少なくとも一部および前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとの間隙に設けられる保持樹脂と、少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記第1のリードフレームおよび前記第2のリードフレームと前記保持樹脂との境界上を被覆する被覆部とを有することを特徴とする。また、前記被覆部を前記主面および前記主面に対する裏面の両面に形成することが好ましい。また、前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と同一材料からなることが好ましい。また、前記被覆部が樹脂であり、前記樹脂部および前記保持樹脂と異なる材料からなる構成でも良い。また、前記被覆部が非導電性接着剤を介して接着された非導電性の板であっても良い。また、前記被覆部として、直接塗布された被覆材料を用いても良い。また、前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いても良い。また、前記樹脂部がリフレクタであり、前記板が銀板であり、光半導体装置用パッケージとして用いても良い。また、前記樹脂部の開口内で露出する前記被覆部の表面に凹凸が形成されても良い。また、前記凹凸を複数の突起で形成しても良い。また、前記凹凸を複数の凹みで形成しても良い。また、前記凹凸を1または複数の溝で形成しても良い。さらに、本発明の半導体装置用パッケージの製造方法は、リードフレームを金型内に載置する金型工程と、前記金型内に樹脂を注入して素子搭載領域を開口する樹脂部および前記リードフレームを保持する保持樹脂ならびに少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を形成する樹脂注入工程とを有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする。また、素子搭載領域を開口する樹脂部およびリードフレームを保持する保持樹脂を樹脂成型する工程と、少なくとも前記リードフレームと前記保持樹脂の境界上を被覆する被覆樹脂を樹脂成型する工程とを有し、前記被覆樹脂が少なくとも前記開口内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームと前記保持樹脂の少なくとも境界上に形成されることを特徴とする。さらに、本発明の半導体装置は、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記樹脂部の開口部の内部を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。また、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、前記光半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記リフレクタの開口部の内部を封止する透光性樹脂とを有し、光半導体装置であることを特徴とする。以上により、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。樹脂部の開口内に露出する部分において、リードフレームと樹脂との界面を被覆することにより、リードフレームと樹脂との間の隙間を塞ぎ、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。特に、水分の浸入を防ぐことで水分の膨張および収縮によるパッケージの破壊を防止することができる。実施の形態1まず、図1,図2を用いて実施の形態1における半導体装置用パッケージの構成および製造方法を説明する。図1は実施の形態1における半導体装置用パッケージの構成を示す図であり、図1aは上面図、図1bは図1aにおけるX-X’断面図、図1cは3端子の半導体装置用パッケージの構成を示す図である。図2は実施の形態1における半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図である。図1において、1はインナーリードに半導体素子の搭載領域4を備えるリードフレーム、2はインナーリードに半導体装置との接続領域5を備えるリードフレーム、3はリードフレーム1およびリードフレーム2上に形成されてこれらを保持すると共に搭載領域4と接続領域5を囲んで保護する樹脂部、6はリードフレーム1、2の間隙、側面、必要に応じて裏面に設けられてリードフレーム1、2を保持する保持樹脂、10はリードフレーム1、2の間隙に設けられる保持樹脂6上にリードフレーム1,2と保持樹脂6との境界を完全に被覆するように設けられる被覆樹脂である。本発明の半導体装置用パッケージは、樹脂部3から開口内部で露出するリードフレーム1,2と保持樹脂6との境界を被覆樹脂10で被覆することにより、リードフレーム1,2と保持樹脂6との間の隙間18を塞ぐことができる。また、被覆樹脂10が熱収縮等したとしても、リードフレーム1,2の方向に収縮するため、被覆樹脂10とリードフレーム1,2との間に隙間が生じることはない。ここで、被覆樹脂10は、樹脂部3の開口内において、図1に示すようにリードフレーム1,2間の保持樹脂6上を含めてリードフレーム1,2と保持樹脂6との境界を越えてリードフレーム1,2上に一部がかかるように形成しても良いが、少なくともリードフレーム1,2と保持樹脂6との境界を覆うように形成すれば良い。以上の説明は、リードフレーム2を1本備える2端子の半導体装置用パッケージを用いて行っているが、図1cに例示するように、リードフレーム2を複数備える構成であってもかまわない。その場合、被覆樹脂10を、開口内部で樹脂部3から露出する領域における、隣接するリードフレーム2間のリードフレーム2と保持樹脂6との境界にも形成することが望ましい。また、図1に示すように、リードフレーム1,2の裏面に保持樹脂6を形成しないことが半導体装置用パッケージの薄型化および高放熱効率化のため望ましいが、リードフレーム1,2の保持力を大きくする必要がある場合には、リードフレーム1,2の裏面にも保持樹脂6を形成しても良く、後出の他の実施の形態における半導体装置用パッケージでも同様である。次に、図2を用いて実施の形態1における半導体装置用パッケージの製造方法を説明する。まず、図2aに示すように、樹脂部3を形成するための金型7内にリードフレーム1,2を所定の位置関係で載置する。ここで、金型7には、樹脂部3、保持樹脂6の形成領域に加え、リードフレーム1,2と保持樹脂6との境界上に被覆樹脂10の形成領域となる空間が設けられている。この状態で、金型7の樹脂注入口8から樹脂を注入する。注入された樹脂は、金型7内の空間に充填され、樹脂部3および保持樹脂6ならびに被覆樹脂10を形成する。その後、図2bに示すように、樹脂を硬化させた後、金型7を外すことにより、リードフレーム1,2上に樹脂部3を設け、少なくともリードフレーム1,2の側面および間隙の保持樹脂6と樹脂部3とでリードフレーム1,2を保持し、リードフレーム1,2と保持樹脂6との境界上に被覆樹脂10が形成された半導体装置用パッケージが完成する。このように、リードフレーム1,2と保持樹脂6との境界上の少なくとも開口内部で樹脂部3から露出する部分に被覆樹脂10を形成することにより、少なくとも封止樹脂が注入される部分のリードフレーム1,2と保持樹脂6との間の隙間18が塞がれるため、樹脂部3の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。特に、水分の浸入を防ぐことで、封止樹脂に浸入した水分の膨張および収縮により、封止樹脂や樹脂部3が破壊されることによるパッケージの破壊を防止することができる。また、被覆樹脂10が十分な強度を有する場合には、隙間18があったとしてもリードフレーム1,2の保持力が向上し、樹脂によるリードフレームの固定を確実に行うことができるので、半導体素子の搭載位置精度が向上し、半導体素子の接続が安定する。上記説明では、被覆樹脂10をリードフレーム1,2の搭載領域4が存在する面である主面側に形成したが、リードフレーム1,2の主面に対する裏面側に形成しても、両面に形成しても良い。例えば、両面に被覆樹脂10を形成する場合には、図2で示した製造工程において、金型7に代わり、図2cに示す金型9を用いることにより、樹脂成型することができる。実施の形態2次に、図3,図4を用いて実施の形態2における半導体装置用パッケージの構成および製造方法を説明する。図3は実施の形態2における半導体装置用パッケージの構成を例示する図であり、被覆部の構成例を示す図である。図4は実施の形態2における半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図である。実施の形態1では、被覆樹脂10を保持樹脂6および樹脂部3と同時に同じ樹脂材料で樹脂成型して形成したが、被覆樹脂10を別の樹脂成型工程で形成しても良く、また、図3aに示すように、別の樹脂材料で形成した被覆樹脂11としても良い。別工程で形成することにより、被覆樹脂11が形成工程で収縮しないように特に管理した条件で形成することができる。また、被覆樹脂11はリードフレーム1,2を保持する効果は必要ないので、保持力が小さいとしても、隙間18を被覆できる樹脂材料を選択することができ、また、収縮が生じ難い材料を選択することもできる。これにより、より確実に隙間18を塞ぐことが可能となる。また、隙間18の被覆は樹脂により行うことに限定する必要はなく、図3bに示すように、セラミックやプラスティック製の非導電性の板12により被覆する構成としても良い。この場合、リードフレーム1,2に保持樹脂6と樹脂部3を設けた後図4a、リードフレーム1,2間の保持樹脂6上を含めてリードフレーム1,2と保持樹脂6との境界を越えてリードフレーム1,2上に一部がかかるように非導電性の接着剤16を塗付し図4b、接着剤16を介して板12を保持樹脂6上からリードフレーム1,2上にわたる領域に貼り付ける図4c。このように、板12によって隙間18を被覆することにより、樹脂部3の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。さらには、リードフレーム1,2と保持樹脂6との境界上に、封止樹脂や水分を透過しない被覆材料を直接塗布することにより、隙間18を被覆することも可能である。このように、隙間18が生じる領域であるリードフレーム1,2と保持樹脂6との境界上に、隙間18を被覆するように、樹脂や板、被覆材料等の被覆部を設けることにより、リードフレーム1,2と保持樹脂6との間の隙間18が塞がれるため、樹脂部3の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。上記実施の形態1および実施の形態2の半導体装置用パッケージにおいて、リードフレーム1,2の上面の樹脂部3をリフレクタとすることにより、光半導体装置用パッケージとすることもできる。この場合、リフレクタの材料となる樹脂を光の反射率の高い樹脂を用いるか、リフレクタの素子搭載面側の表面を光の反射率の高い材料でコーティングすることにより発光効率を向上することができ、好ましい。また、リフレクタの素子搭載面側の表面に素子搭載面側に向かう傾斜を設けることが、発光効率の向上のために好ましい。さらに、被覆樹脂10,11として光の反射率の高い樹脂を用いることが同様に好ましく、板12を銀板等の光の反射率の高い板とすることが好ましい。実施の形態3次に、図5を用いて実施の形態3における半導体装置用パッケージの構成を説明する。図5は実施の形態3の半導体装置用パッケージにおける被覆部の構成を示す図であり、図5aは凹凸として突起を設ける場合を例示する要部斜視図、図5bは凹凸として凹みを設ける場合を例示する要部斜視図、図5cは凹凸として溝を設ける場合を例示する要部斜視図である。実施の形態3における半導体装置用パッケージは、実施の形態1における被覆樹脂10の表面、あるいは実施の形態2における半導体装置用パッケージの被覆樹脂11図3a参照。以下同様または板12図3b参照。以下同様等の被覆部の表面に凹凸を形成することを特徴とする。図5に示すように、被覆樹脂10、被覆樹脂11および板12は樹脂部3の開口内において、リードフレーム1,2と保持樹脂6との境界上を覆うように形成される。このような、被覆樹脂10、被覆樹脂11または板12の樹脂部3の開口内から露出している表面に凹凸を形成する。あらかじめ被覆樹脂10、被覆樹脂11または板12の露出表面に凹凸を形成しておくことにより、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制しながら、半導体装置用パッケージに半導体装置を搭載し、樹脂部3で囲まれた領域に封止樹脂を封止する場合に、被覆樹脂10、被覆樹脂11または板12と封止樹脂との接触面積が増加し、被覆樹脂10、被覆樹脂11または板12と封止樹脂との密着性が向上するため、封止樹脂のはがれを防止し、確実に封止樹脂を封止することができる。凹凸の具体的な形状は、例えば、被覆樹脂10、被覆樹脂11または板12の表面に複数の突起31を形成する形状図5a、複数の凹み32を形成する形状図5b、1または複数の溝33を、リードフレーム1の側面のリードフレーム2と対向する面と平行な方向、直行する方向、あるいはそれらを組み合わせた方向等、任意の方向に形成する形状図5c、あるいはこれらの突起31、凹み32、溝33を組み合わせた形状とすることができる。突起31あるいは凹み32の形状は任意であり、球面、角柱、角錐等とすることができ、また、これらを組み合わせても良い。突起31あるいは凹み32の大きさは任意であり、様々な大きさの突起31あるいは凹み32を複数設けても良いし、大きさを統一しても良い。また、突起31あるいは凹み32を規則的に整列させても良いし、不規則に配置しても良い。また、溝33の長さ、幅、深さ等のサイズも任意である。上記のような凹凸を形成する際には、図2の金型7に、凹凸を形成するための形状を形成しておくことにより、樹脂部3および保持樹脂6の形成と同時に表面に凹凸が形成された被覆樹脂10を形成することができる。また、特に板12の場合は、板12の形成後に、切削やエッチング等の加工により凹凸を形成しても良い。さらに、実施の形態2における被覆樹脂11を備える半導体装置用パッケージの場合、保持樹脂6の被覆樹脂11との接触面に凹凸を形成することにより、保持樹脂6と被覆樹脂11との密着性も向上し、被覆樹脂11のはがれも防止することができる。実施の形態4次に、図6を用いて実施の形態1~実施の形態3における半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を説明する。図6は実施の形態4における半導体装置の構成を示す図であり、図6aは上面図、図6bは図6aのX-X’断面図、図6cは被覆部として板を用いた実施例を示す図である。実施の形態4における半導体装置は、図6に示すように、実施の形態1~実施の形態3における半導体装置用パッケージの搭載領域4上に導電性接着剤等で半導体素子13を固着し、半導体素子13と接続領域5とをワイヤ14等の導電性材料で電気的に接続し、半導体素子13とワイヤ14とを封止するように、樹脂部3とリードフレーム1,2とで囲まれた領域に封止樹脂15を形成することにより形成される。この時、リードフレーム1,2の裏面に樹脂を設けない半導体装置用パッケージを用いた場合には、半導体素子13の動作時に発生する熱を素早く放出することができる。また、半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。このように、リードフレーム1,2と保持樹脂6との境界上の少なくとも開口内部で樹脂部3から露出する部分に被覆樹脂10,11あるいは板12図3,図4参照等で被覆部を形成することにより、リードフレーム1,2と保持樹脂6との間の隙間18が塞がれるため、樹脂部3の開口内からの封止樹脂15の漏れ出しや、開口内への外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。ここで、上述の光半導体装置用パッケージを用い、半導体素子13として光半導体素子を搭載し、封止樹脂15として透光性樹脂を用いることにより、光半導体装置を形成することもできる。その場合、図6cに示すように、板12図3,図4参照として銀板17を用いることにより、光半導体素子からの出射光が銀板17で反射するため、光半導体装置の発光効率を向上させることができる。"