基板と、物体を支持するサポート層と、電極を含みかつ前記基板と前記サポート層との間に配置された電極層であって、前記電極の通電の際に前記物体に静電引力を加える電極層と、前記サポート層を変形させる複数のアクチュエータとを含む、静電チャック。前記複数のアクチュエータは前記電極層と前記基板との間にある、請求項1に記載の静電チャック。前記複数の電極は、前記電極層とは反対側の前記基板の側面にある、請求項1に記載の静電チャック。前記複数のアクチュエータは、前記物体が支持されている前記サポート層の表面の平面と実質的に垂直である方向に延在および収縮するように構成されている、請求項1、2または3に記載の静電チャック。前記複数のアクチュエータは、前記物体が支持されている前記サポート層の表面と実質的に平行である平面に二次元アレイで構成されている、請求項1~4のうちのいずれかに記載の静電チャック。前記複数のアクチュエータは第1方向に延在する一次元アレイで構成されている、請求項1~5のうちのいずれかに記載の静電チャック。前記アクチュエータは、前記第1方向に対して垂直方向に延びる前記サポート層の細長部分を変形させるように構成されている、請求項6に記載の静電チャック。前記複数のアクチュエータは複数のピエゾアクチュエータである、請求項1~7のうちのいずれかに記載の静電チャック。補償データセットに基づいて前記複数のアクチュエータを制御するコントローラをさらに含む、請求項1~8のうちのいずれかに記載の静電チャック。前記静電チャックによって補正されるエラーの測定から前記補償データセットを生成する補償データセットジェネレータをさらに含む、請求項9に記載の静電チャック。前記補償データセットは、スキャン位置に依存して前記アクチュエータに適用される、請求項9または10に記載の静電チャック。前記物体はパターニングデバイスである、請求項1~11のうちのいずれかに記載の静電チャック。前記物体は基板である、請求項1~12のうちのいずれかに記載の静電チャック。リソグラフィシステムであって、レチクルがパターン付きビームを生成するように前記レチクルを放射ビームのパス内でクランプするレチクルサポートと、前記パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、リソグラフィプロセス中に前記基板を支持する基板サポートと、前記レチクルサポートに結合された静電チャックとを含み、前記静電チャックは、基板と、物体を支持するサポート層と、電極を含みかつ前記基板と前記サポート層との間に配置された電極層であって、前記電極の通電の際に前記物体に静電引力を加える電極層と、前記サポート層を変形させる複数のアクチュエータとを含む、リソグラフィシステム。物体の表面凹凸を決定することと、前記凹凸に基づいて複数の補償値を決定することと、前記複数の補償値を複数のマトリックスポイントと相関させることであって、各マトリックスポイントは、チャックの基板とサポート層との間に配置された複数のアクチュエータのうちの1つによって形成される、ことと、前記複数のマトリックスポイントの各々における前記物体に適用される関連付けられた補償値に対応する各アクチュエータに対する作動レベルを決定することと、前記物体が前記サポート層上にクランプされる間、各マトリックスポイントにおける前記補償値に従って前記サポート層を変形させるために前記アクチュエータの各々に前記作動レベルを適用することとを含む、方法。I.概要0030本発明は、イメージ補償のアドレス可能な静電チャックシステム便宜上、本明細書中、静電チャック、あるいは単にチャックまたはチャック/クランプとも呼ぶに関する。本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される1つ以上の実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって限定される。0031記載される1つ以上の実施形態、および一実施形態、実施形態、例示的実施形態などへの本明細書における言及は、記載される1つ以上の実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。0032本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアまたはその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、1つ以上のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読取可能媒体に記憶した命令としても実施することができる。機械読取可能媒体は、機械例えば計算デバイスで読取可能な形態で情報を記憶するかまたは伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読取可能媒体は、リードオンリーメモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光または音響デバイスなどを含んでよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかしながら、そのような記述は便宜的なものにすぎず、そのような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。0033イメージ補償静電チャックシステムおよびその使用方法の実施形態を以下に詳述する。一実施形態では、イメージ補償静電チャック自体は、基板と、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体などの物体を支持するサポート層と、サポート層を変形させるように構成された複数のアクチュエータを含むアクチュエータ層とを含む。それによって、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体は、電極の通電の際に物体に電極引力を加えるように構成された電極を含む静電チャックの電極層によってパターニングデバイスがサポート層に静電力によって引き寄せられたときに、制御可能に変形することができる。複数のアクチュエータは、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体が支持されているサポート層の表面と実質的に平行である平面に二次元アレイで構成されてよい。あるいは、複数のアクチュエータは、第1方向に延在する一次元アレイで構成される。計算された作動レベルが各々のアクチュエータに適用されてサポート層を変形させ、それによってパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体は、少なくともマトリックスポイントがスキャンされている間、すなわち、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他の物体がスキャン動作中に照明スリットに対して所定の位置にある間、各マトリックスポイントで必要な分だけ変形される。0034さらに、イメージ品質を高めるためにイメージ補償静電チャックを用いる実施形態が提供される。各方法は、サポート層にチャックされるパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他の物体をサポート層上に配置すること、既知または測定/結像されたエラーを複数の補償値に変換すること、およびそれらの値を複数のアクチュエータのうちの1つによって形成された複数のマトリックスポイントのうちの1つと関連付けることを含んでよい。その後、各マトリックスポイントにおける適用される関連付けられた補償値という結果となるために必要な作動レベルを計算および適用する。少なくとも1つの実施形態は、関連する構成部品例えば、パターニングデバイスチャック、パターニングデバイス、基板チャック、基板などの表面凹凸を受けること、および表面凹凸を補正値に変換することを含む。この実施形態は、関連する構成部品の能動的測定またはイメージ品質にフィードバックを提供するための結像システムの使用を含まない。0035別の実施形態は、干渉計システムを利用して物体の表面凹凸を決定する。この実施形態は、上記したものと同じ変換、関連付け、計算、および適用方法を行うが、補償値の適用の後に残留表面凹凸が存在するか否かを判断するために干渉計を使用することできる。残留表面凹凸が存在する場合、適用された補償値が修正されて残留凹凸を補償する。0036さらに、別の実施形態は、イメージ品質評価システムを利用して結像されたパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体のイメージ品質に影響を与える複数のイメージエラーを決定する。この手順は、システムで行われるあらゆる結像の前に行われてよい。同様に、イメージ品質評価は、リソグラフィツール自体の結像およびイメージ評価能力を利用してリソグラフィツール内その場で生じる。チャック、レチクルおよび基板ウェーハの可能な表面凹凸に加えて、イメージ品質評価システムは複数のイメージエラー例えば、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪み、イメージ非点収差などを補正できる。この実施形態は、補償値の適用の後、残留イメージ品質エラーが存在するか否かを決定するためにイメージ品質評価システムを使用することもできる。残留イメージ品質エラーが存在している場合、残留エラーを補償するように、適用された補償値を修正する。0037さらなる別の実施形態では、イメージ品質に影響を与えるパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体と垂直の位置エラーを生成するスキャン不正確性を補正するために上記の方法を利用することができる。電極は、典型的に、チャックされるパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体のスキャン方向と垂直なラインにアドレスされる。別の実施形態では、電極は、チャックされるパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体のスキャン方向と垂直な弧状でアドレスされてよい。0038そのような実施形態をより詳細に記載する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。II.例示的リソグラフィ環境A.例示的反射型および透過型リソグラフィシステム0039図1Aおよび図1Bは、それぞれリソグラフィ装置100およびリソグラフィ装置100’を概略的に示す。リソグラフィ装置100およびリソグラフィ装置100’の各々は、放射ビームB例えば、DUVまたはEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイスMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されているサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板Wを正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結されている基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTとを備える。リソグラフィ装置100および100’は、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分例えば、1つ以上のダイを含むC上に投影するように構成された投影システムPSも有する。リソグラフィ装置100では、パターニングデバイスMAおよび投影システムPSは反射型であり、リソグラフィ装置100’では、パターニングデバイスMAおよび投影システムPSは透過型である。0040照明システムILとしては、放射Bを誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0041サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置100および100’の設計、および、パターニングデバイスMAが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスMAを保持することができる。サポート構造MTは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムPSに対して所望の位置に確実に置くことができる。0042パターニングデバイスMAという用語は、基板Wのターゲット部分C内にパターンを作り出すように、放射ビームBの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームBに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分C内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してもよい。0043パターニングデバイスMAは、透過型図1Bのリソグラフィ装置100’のようにであっても、反射型図1Aのリソグラフィ装置100のようにであってもよい。パターニングデバイスMAの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームBにパターンを付ける。0044投影システムPSという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。EUVまたは電子ビーム放射に対しては真空環境が使用されてもよい。というのは、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。0045リソグラフィ装置100および/またはリソグラフィ装置100’は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルWTを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加の基板テーブルWTを並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上の基板テーブルWTを露光用に使うこともできる。0046図1Aおよび図1Bを参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば、放射源SOがエキシマレーザである場合、放射源SOとリソグラフィ装置100および100’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源SOは、リソグラフィ装置100または100’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームBは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBD図1Bを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源SOが水銀ランプである場合、放射源SOは、リソグラフィ装置100および100’の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。0047イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタAD図1Bを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネント図1Bを含むことができる。イルミネータILを使って放射ビームBを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0048図1Aを参照すると、放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスMAによってパターン形成される。リソグラフィ装置100では、パターニングデバイス例えば、マスクMAから放射ビームBが反射される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上に放射ビームBの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサIF1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0049図1Bを参照すると、放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上に放射ビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ図1Bには明示的に示されていないを使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。0050通常、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0051リソグラフィ装置100および100’は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。1.ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。2.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する。パルス放射源SOが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0052上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0053本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0054さらなる実施形態においては、リソグラフィ装置100は、EUVリソグラフィのためのEUV放射ビームを生成するように構成された極端紫外線EUV源を含む。一般には、EUV源は放射システム内に構成されており下記参照、対応する照明システムはEUV源のEUV放射ビームを調整するように構成されている。B.例示的EUVリソグラフィ装置0055図2は、本発明の一実施形態による例示的EUVリソグラフィ装置200を概略的に示す。図2では、EUVリソグラフィ装置200は、放射システム42、照明光学ユニット44および投影システムPSを含む。放射システム42は、放射ビームが放電プラズマによって形成され得る放射源SOを含む。一実施形態では、EUV放射は、電磁スペクトルのEUV範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される、例えば、Xeガス、Li蒸気あるいはSn蒸気などのガスまたは蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを、例えば、放電で生成することによって作り出すことができる。例えば、10PaのXe、Li、Sn蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な生成のために必要とされることがある。放射源SOによって放出される放射は、放射源チャンバ47から、放射源チャンバ47における開口部内またはその後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ49を介してコレクタチャンバ48へと進む。一実施形態では、ガスバリア49はチャネル構造を含んでもよい。0056コレクタチャンバ48は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ50集光ミラーまたはコレクタとも呼ぶを含む。放射コレクタ50は、上流放射コレクタ側50aおよび下流放射コレクタ側50bを有する。コレクタ50を通った放射は、格子スペクトルフィルタ51から反射してコレクタチャンバ48内のアパーチャにおける仮想放射源ポイント52に合焦することができる。放射コレクタ50は、当業者には周知である。0057放射ビーム56は、集光チャンバ48から、法線入射リフレクタ53および54を介してレチクルまたはマスクテーブルMT上に位置決めされたレチクルまたはマスク図示せず上へと照明光学ユニット44内で反射する。パターン付きビーム57が形成され、これは、投影システムPSにおいて反射要素58および59を介してウェーハステージまたは基板テーブルWT上で支持された基板図示せず上に結像される。様々な実施形態では、照明光学ユニット44および投影システムPSは、図2に示されたものよりも多くのまたは少ない要素を含んでもよい。例えば、格子スペクトルフィルタ51は、リソグラフィ装置のタイプによって任意的に存在してもよい。さらに、一実施形態では、照明光学ユニット44および投影システムPSは、図2に示されたものよりも多くのミラーを含んでもよい。例えば、投影システムPSは、反射要素58および59に加えて1~4個の反射要素を組み入れてもよい。図2では、参照番号180は2つのリフレクタ間の空間、例えば、リフレクタ142とリフレクタ143との間の空間を示す。0058一実施形態では、集光ミラー50は、かすめ入射ミラーの代わりにまたはそれに加えて法線入射コレクタを含んでもよい。さらに、集光ミラー50は、リフレクタ142、143および146を有する入れ子化されたコレクタについて記述されているが、本明細書中、コレクタの一例としてさらに使用されている。0059さらに、図2に概略的に示すような格子51の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよい。EUVが透過する光フィルタ、ならびにUV放射があまり透過せず、またはUV放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当業者には周知である。したがって、格子スペクトル純度フィルタは、本明細書中、格子または透過型フィルタを含むスペクトル純度フィルタとしてほぼ同じ意味でさらに示される。図2には示されていないが、EUV透過型光フィルタは、例えば集光ミラー50の上流に構成された追加の光学要素、あるいは照明ユニット44および/または投影システムPSにおける光EUV透過型フィルタとして含まれてもよい。0060光学要素に対する上流および下流という用語は、それぞれ、1つ以上の追加の光学要素の光学的上流および光学的下流である1つ以上の光学要素の位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置200を通り抜ける光路に従って、第2光学要素より放射源SOに近い第1光学要素は第2光学要素の上流に構成され、第2光学要素は第1光学要素の下流に構成される。例えば、集光ミラー50がスペクトルフィルタ51の上流に構成されるのに対して、光学要素53はスペクトルフィルタ51の下流に構成される。0061図2に示される全ての光学要素および本実施形態の概略図に示されていない追加の光学要素は、例えばSnなどの放射源SOによって生成される汚染物質の堆積を受けやすいことがある。これは放射コレクタ50にも当てはまり、スペクトル純度フィルタ51が存在した場合にも当てはまる。したがって、洗浄デバイスがこれらの光学要素のうちの1つ以上を洗浄するために採用されるとともに洗浄方法がそれらの光学要素に適用されてもよいが、法線入射リフレクタ53および54、ならびに反射要素58および59、または追加のミラー、格子等の他の光学要素に適用されてもよい。0062放射コレクタ50はかすめ入射コレクタであってもよく、そのような実施形態では、コレクタ50は光軸Oに沿って位置合わせされる。放射源SOまたはその像は、光軸Oに沿って配置されてもよい。放射コレクタ50は、リフレクタ142、143および146シェルまたはいくつかのWolter型リフレクタを含むWolter型リフレクタとしても公知であるを含んでもよい。リフレクタ142、143および146は、入れ子化され、光軸Oの周りで回転対称であってもよい。図2では、内側リフレクタは参照番号142で示され、中間リフレクタは参照番号143で示され、かつ外側リフレクタは参照番号146で示される。放射コレクタ50は、ある体積すなわち1つ以上の外側リフレクタ146内の体積を囲む。通常、1つ以上の外側リフレクタ146内の体積は、小さな開口部が存在してもよいが、円周方向で閉じられている。0063リフレクタ142、143および146のそれぞれは、その少なくとも一部が1層の反射層または多数の反射層を表す表面を含んでよい。したがって、リフレクタ142、143および146あるいは3つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタの実施形態における追加のリフレクタは、放射源SOからEUV放射を反射および集光するように少なくとも部分的に設計され、かつリフレクタ142、143および146の少なくとも一部は、EUV放射を反射および集光するように設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、EUV放射を反射および集光するように設計されない。これらの反射層の表面上には、保護のためのキャップ層または反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる光フィルタが存在してもよい。0064放射コレクタ50は、放射源SOまたは放射源SOの像の付近に配置されてよい。リフレクタ142、143および146の各々は、少なくとも2つの隣接する反射面を含んでよく、放射源SOから離れたほうに位置する反射面は、放射源SOに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Oに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ50は、光軸Oに沿って伝搬するEUV放射ビームを生成するように構成される。少なくとも2つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Oの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ50が、外側リフレクタ146の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ146の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有してもよいことが理解されたい。0065本明細書中に記載する実施形態において、レンズおよびレンズ要素という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0066本明細書で使用する放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365、248、193、157、または126nmの波長λを有する、極端紫外線EUVまたは軟X線例えば、5~20nmの範囲の波長、例えば13.5nmの波長を有するまたは5nm未満で働く硬X線、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。一般に、約780~3000nm以上の間の波長を有する放射がIR放射とみなされる。UVは、約100~400nmの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいて、UVは、水銀放電ランプによって生成することができる波長、すなわちG線436nm、H線405nmおよび/またはI線365nmにも当てはまる。真空UVまたはVUVすなわち、空気によって吸収されるUVは、約100~200nmの波長を有する放射を指す。深UVは、通常、126nm~428nmの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザがリソグラフィ装置内で使用されるDUV放射を生成することができる。例えば5~20nmの範囲内の波長を有する放射は、少なくとも一部が5~20nmの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関係することを当業者は理解されたい。III.イメージ補償静電チャックまたはクランプ0067図3は、本発明の一実施形態による拡大された静電チャックアセンブリ300および関連テーブル400を概略的に示す。図3では、静電チャックアセンブリ300は、チャック基板310、少なくとも1つの電極層315および320、サポート層330例えば、ピンチャックの形態を有するおよびアクチュエータ層350を含む。静電チャックアセンブリ300は、リソグラフィ動作中、パターニングデバイス例えば、マスクMAを適切な位置で支持すなわち、クランプするように構成される。0068一例では、チャック基板310は、アセンブリ全体に支持およびサポートを提供し、電極層315および320ならびにサポート層330の設置面積を超えてもよい。0069一例では、チャック基板310の上に直接あるかまたはその中に配置され得る電極層320自体は、少なくとも1つの電極からなる。電極層320は、基板310とサポート層330との間に配置される。電極層320の電極に電圧を加えると、静電引力がパターニングデバイス例えば、マスクMAに加えられる。したがって、パターニングデバイス例えば、マスクMAを、例えば静電力によって、チャック300に取り外し可能に取り付けることができる。パターニングデバイス例えば、マスクMAは静電チャック300およびテーブル400とは独立している。パターニングデバイスはアクチュエータを全く含まない。パターニングデバイスは受動的な物体であってよい。0070電極層320は1つより多い電極を含んでよい。電極の数、サイズおよび形状は、多数の要素、例えば、所望の静電クランプ力の全体的な面積すなわち、サイズ、必要な静電力を実現するための所要の密度すなわち、平行電極間の間隔および所要の静電力場の設計特性などに依存してよい。0071一実施形態では、チャック300は、チャック300を移動可能テーブル400に取り付けるように構成された少なくとも1つの電極を含むさらなる電極層315を含んでよい。移動可能テーブル400はテーブル電極410を含んでよい。さらなる電極層315とテーブル電極410との間に生成される静電場は、チャック300をテーブル400にクランプするのに効果的である。チャック300をテーブル400に取り付ける代替的な方法、例えば機械的固定が提供されてもよい。0072一例では、サポート層330は、電極層320の封入を完了し、チャックにクランプされているあらゆる物体に物理的サポートを提供する。例えば、サポート層330は、通常、平坦な端部を有する複数の非常に小さいガラス突出部からなる。チャック基板310、電極層315および320、サポート層330およびアクチュエータ層350の全てまたはいくつかは、例えば、積層、接着、結合または固定することによって一緒に取り付けられる。0073一例では、パターニングデバイス例えば、マスクMAを、サポート層330の外側表面上に配置して完全に支持することができる。一例では、サポート層330はガラスからなり、それによってピンチャック330は導電性を有さず、電極層320からパターニングデバイス例えば、マスクMAへの静電力結合に対して全く影響を与えない。サポート層330は、パターニングデバイス例えば、マスクMAをクランプすなわち、適切な場所で保持しない。むしろクランプは、電極層320を含む電極に電圧を加えることによって生成される静電場によって提供され、サポート層330は、単に物理的接触サポートを提供する。静電場が生成される電極層320の上の領域は、イメージ補償のアドレス可能な静電チャックの静電クランプ領域と呼ぶことができる。0074一例では、チャック300には、複数のアクチュエータ351を含むアクチュエータ層350が設けられる。一例では、アクチュエータ351はサポート層330を変形させるように構成される。サポート層330を変形させることにより、パターニングデバイス例えば、マスクMAが電極層320によって生成される静電力によってサポート層330にクランプされた場合、サポート層330の変形はパターニングデバイス例えば、マスクMAに伝達される。したがって、複数のアクチュエータ350を用いてパターニングデバイス例えば、マスクMAを変形させることができる。0075一実施形態では、アクチュエータ層350は、電極層320とは反対側である基板310の側面に配置される。しかしながら、アクチュエータ層350は、サポート層330を変形することができる限りあらゆる場所に位置決めされてよい。例えば、アクチュエータ層350は、電極層320とサポート層330との間、電極層320と基板310との間、さらなる電極315とテーブル400との間、テーブル400におけるテーブル電極410のいずれか側といった非限定の場所のうちの任意の場所に位置決めされてよい。0076アクチュエータ層350のアクチュエータ351の数、サイズおよび位置は、必要に応じて選択される。一例では、アクチュエータ351はピエゾアクチュエータである。0077隣接するアクチュエータ351間の間隔は1つまたは両方の直交方向において均一または不均一であってよい。一例では、アクチュエータ351は、作動の方向および/または作動の大きさにおいて制御可能であってよい。これは、例えば、パターニングデバイス例えば、マスクMAの凹状および凸状の両方の部分を、その凹状および/または凸状部分の下で複数のアクチュエータ351を用いて平坦に補正することを可能にする。0078したがって、クランプおよび補償機能は独立していて最大のクランプ力を達成することができる。Zおよび-Zの両方の補正が可能である。高密度のアクチュエータ351が可能であり、アクチュエータ351および制御部品は例えば、プリンタヘッドに使用するために容易に利用可能である。0079図4および図5は、アクチュエータ351の異なる実施形態を概略的に平面図で示す。図4は、二次元アレイの複数のアクチュエータのアクチュエータ351を示す。限定的ではなく説明の便宜上、アクチュエータ351は、平面図において円形であって、互いに直交する2つの主軸によって二次元アレイにおいて規則的間隔で示される。各アクチュエータ351は、アナログマルチプレクサ355によってアクチュエータ351に電圧を印加することによって個別にアドレス可能である。論理スイッチ357は正しい列のアクチュエータ351を選択する。一実施形態では、複数のアクチュエータ350の主軸は、互いに直交するx方向およびy方向である。代替の実施形態では、各々のアクチュエータ351は、個別にアドレス可能であってよい。これは製造および電気的接続がより困難になることもあるが、より簡単な作動レベルの制御という結果となる。逆に、図4の実施形態では、正確な通電レベルを各アクチュエータに適用することが重要であり得る。なぜなら、特定のxy点は同じxまたはy電極を示す他の点と作動レベルを共有するからである。0080サポート層330の所望の変形が一度計算されると、アクチュエータ層350のアクチュエータ351は、サポート層330を所要の領域内の所要の量によって変形させるように制御されてよい。これは、パターニングデバイス例えば、マスクMA340が電極層320によってサポート層330に取り付けられた後またはパターニングデバイス例えば、マスクMAがサポート330に取り付けられるかまたはクランプされる前に行われてよい。パターニングデバイス例えば、マスクMAは、サポート層330と類似の形状を有する。これは、パターニングデバイス例えば、マスクMAを変形させることを可能にし、それによって、例えば、サポート層330を変形させるアクチュエータ層350のアクチュエータ351が存在しない場合と比較してパターニングデバイス例えば、マスクMAをより完全に平坦にする。スキャン動作中、各アクチュエータ351の作動レベルを一定に維持することができ、それによって簡単な制御を提供する。0081図5では、電極351a~351xは一次元アレイで構成される。複数の電極351a~351xは、y方向照明スリット1120に対するチャック300のスキャン方向に延びたサポート層330の一部を変形させるように構成される。一次元アレイはx方向第1方向に延在する。スキャン中、チャック300は矢印301で示されるy方向に移動する。論理モジュール357には、照明スリット1120に対するy方向におけるチャック300の位置に関連するデータ359が提供される。xおよびy方向におけるパターニングデバイス例えば、マスクMAの各位置の所要の作動レベルを知ることによって、アクチュエータ351a~351xの各々は、照明スリット1120の下に位置決めされた物体の一部のマトリックスポイントに対する所要のレベルによって適切なときに作動されてよい。0082したがって、図4の実施形態と比較して、アクチュエータ層350のアクチュエータ351a~351xの各々は複数のマトリックスポイントを形成する。複数のマトリックスポイントは、パターニングデバイス例えば、マスクMAのスキャン動作と実質的に平行なラインにあるすなわち、y方向にアラインされる。相関中、各々のアクチュエータに対する複数のマトリックスポイントの所要の補償値は、マトリックスポイントが照明スリット1120の下にあるときまたはパターニングデバイスたとえば、マスクMAまたはチャックが照明スリット1120に対するスキャン動作中に所定の位置にあるときのスキャン動作の期間に相関される。0083したがって、作動値は少なくとも部分的にスキャン動作中に適用され、そしてその適用中、各々のアクチュエータ351a~351xに適用される作動レベルは、スキャン動作の期間および/または照明スリット1120に対する物体の位置に対する補償値によって変化する。0084少なくとも一実施形態では、クランプされるパターニングデバイス例えば、マスクMAはかなり一貫した変形を有する。特に、パターニングデバイス例えば、マスクMAは、多くの場合、パターニングデバイス例えば、マスクMAの端に沿って変形される例えば、湾曲される。パターニングデバイス例えば、マスクMAは、中心がパターニングデバイス例えば、マスクMAの外端の上または下である弓の形状をとることができる。したがって、チャック300は、望ましくは、チャック300面積の端における変形のより正確な制御を提供する。アクチュエータ351は、これを達成するために静電クランプ領域の端により密接に配置される。0085本発明の少なくとも一実施形態では、静電チャック300はパターニングデバイスとは異なる物体を支持してよい。例えば、チャック300は、結像対象の基板Wを支持してよい。0086チャック300は静電チャックとは別のチャックであってもよい。例えば、チャック300は、加圧クランプ例えば、真空クランプの使用などといった異なる方法によってパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体をサポート層330に保持してもよい。0087本明細書中、その全体が参考として援用されるJP2009-164284号は、チャックに取り付け可能であるパターン形成ボードを開示する。パターン形成ボードは、基板に転写されるパターンを形成するために反射層および吸収層を有する。反射層および吸収層は、基体部およびピエゾ素子と積層される。ピエゾ素子に電圧を加えて反射層および吸収層を変形することができる。このシステムは、結像される異なるパターンの各々に個別のアレイのピエゾ素子を提供する必要があるという不利な点を有する。すなわち、JP2009-164284号のシステムは、ピエゾ素子を組み込むためにパターニングデバイスの特別な製造を必要とする一方、本発明は、従来のパターニングデバイス例えば、マスクおよび基板などの他のさらなる物体と共に使用することができるこれは、ピエゾ素子アレイは各基板に積層される必要があるため、JP2009-164284のシステムでは実用的ではない。0088図6Aは、チャック上に設置された非平坦なレチクルの断面を概略的に示す。0089図6Bは、本発明の一実施形態による、各アクチュエータ351が電気的に個別にアドレス可能であるチャック300の断面を概略的に示す。図6Aの非平坦性は補正された。要素610は、11個の例示的アクチュエータ351への11個の例示的電気的接続の一連であるここでは、断面が示されている。電気的接続610は、図6に示すように、電圧V1~V11の作動レベルが与えられる。本発明のアクチュエータ351に対する作動レベルの最も一般的な測定基準は電圧であるが、作動レベルは電圧のみで規定されることに限定されない。作動レベルの電気的接続を介するアクチュエータ351への適用は、作動レベルに比例するアクチュエータの拡張または収縮を生成し、それによってサポート層310の変形、よってパターニングデバイス例えば、マスクMAの所望の変形を生成する。0090パターニングデバイス例えば、マスクMAは、アクチュエータ層350のアクチュエータ351によって誘導される変形によって補正することができる表面凹凸例示的パターニングデバイス例えば、マスクMAの湾曲によって図6Aに示すを含み得る。複数の作動レベルV1~V11を複数の電気的接続610を介して複数のアクチュエータ351に伝達することができるため、複数の変形をサポート層330に生成することができる。これは、1つ以上のアクチュエータが、周囲のサポート表面と比較してサポート層330のサポート表面において正または負のずれzまたは-zを生成することができるということを意味する。一例では、この原理は上記の図4および図5に開示される二次元の実施形態に当てはめることができ、ここでは、変形は、複数の直交に配置されたアクチュエータ351または一次元アクチュエータアレイに適用される作動レベル基づいて二次元でパターニングデバイス例えば、マスクMAに適用される。しかしながら、本発明は、単に変形エラーの補正を提供することに限定されない。0091一例では、クランプされたパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体に変形を適用させてチャック/クランプの表面凹凸、投影システムの結像エラー、ターゲット基板の変形/凹凸、およびスキャン方向と垂直であるスキャンエラーを補正することができる。したがって、複数のアクチュエータ351は、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは基板W変形を補正するためだけに使用されるのではなく、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは基板W変形が様々な他のリソグラフィシステムエラーのイメージを補償するように誘導し、それによって全イメージ品質を向上させ、その結果、製造欠陥を最小限にして効率を上げる、ということに留意することが重要である。0092図7Aは、本発明の一実施形態による、上手く結像されるデバイスの量を高めることによって製造効率を最大にするために静電チャックを使用する方法を示す。静電チャックシステムを使用する一方法は、パターニングデバイス例えば、マスクMA710をクランプすることおよび凹凸730を補償することといった2つのステップを含む。さらなるステップを採用してもよい。0093図7Bの実施形態は、クランプすることステップ710と補償することステップ730との間にさらに5つのステップを含む。これら5つのステップとは、表面凹凸マップを受けること712、凹凸マップを複数の補償値714に変換すること714、補償値を、各々が複数のアクチュエータのうちの1つによって形成されるマトリックスポイントと関連付けまたは相関させること716、適用される関連付けられた補償値という結果となるアクチュエータ351の作動レベルを決定する例えば、計算すること718、および計算した作動レベル720を適用することである。0094一例では、補償値は、仮想平面例えば、z軸と垂直であるからのマトリックスポイントの変位を示し得る変位値である。一実施形態では、関連付けられるマトリックスポイントにおける補償値を達成するために対応するアクチュエータ351によって必要とされる補償値の方向および/または大きさに比例する信号であり得る。したがって、パターニングデバイスたとえば、マスクMAがサポート層330上にクランプされる一方、各々のアクチュエータ351に作動レベルを適用させて各マトリックスポイントにおける補償値に従ってサポート層30を変形させる。0095図5の実施形態の場合、相関中、各々のアクチュエータ351に対する複数のマトリックスポイントの複数の補償値は、スキャン動作中にマトリックスポイントがスキャンされる期間および/または照明スリット1120に対するスキャン動作中のチャック300の位置と相関される。その後、適用は少なくとも部分的にスキャン動作中に行われる。適用中、各々のアクチュエータ351に適用される作動レベルは、スキャン動作の期間および/または照明スリットに対するパターニングデバイス例えば、マスクMAの位置に対する補償値による期間/位置によって変化する。0096本発明の一実施形態では、適切な位置で保持されるすなわち、チャックされるパターニングデバイス例えば、マスクMAは、まず初めに、標準の均一なカスタム化されていない静電場を介して例えば、図3に示すようなイメージ補償のアドレス可能な静電チャック300にクランプされるステップ710。表面凹凸マップを動的変形コントローラ図示せずによって受けるステップ712。コントローラは、ステップ712から受けたマップを複数の補償値例えば、表面凹凸を補償するために必要とされる変形の量に変換するステップ714ための内部論理を含む。ステップ716では、コントローラは、各々の補償値を、各々が複数のアクチュエータ351のうちの1つによって形成されるマトリックスポイントと関連付ける。その後、ステップ718では、各アクチュエータ351に対する作動レベルは、補償値がクランプされたパターニングデバイス例えば、マスクMAに適用されるように計算される。最後に、ステップ720では、計算された作動レベルは、コントローラによって静電チャック300のアクチュエータ351に適用される。作動レベルをアクチュエータ351に適用することによって、凹凸を補償するステップ730が達成される。アドレス可能な作動レベルが静電チャックアクチュエータ351に適用された後、変形は不均一であってよく、複数のアクチュエータ351の各々は異なる作動レベルで保持されてよい。異なる作動レベルは、チャックされているパターニングデバイス例えば、マスクMAに対して異なる変形力を生成する。この空間的に異なる変形は、パターニングデバイス例えば、マスクMAの表面凹凸を補正するように、保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMAをチャック300が再整形することを可能にする。0097イメージ補償のアドレス可能なチャック300は、クランプされているパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体の表面凹凸を補正することに限定されない。イメージ補償のアドレス可能な静電チャックは、サポート層330および/または下層のチャック基板310が、クランプされているパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体が変形することをもたらす製造欠陥を有する場合、変形を補正することもできる。クランプされるパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体の変形をもたらす製造凹凸は、補正の前に予めマッピングされるすなわち、識別される必要がある。同様に、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体および基板/ピンチャックの両方のマッピングされた凹凸が存在する場合、コントローラは2つのデータセットを組み合わせ、イメージの両方のタイプのエラーを補償する補正を作り出すことができる。0098別の実施形態では、投影システムによって作り出されるイメージエラー例えば、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪み、非点収差などが存在しており、非均一な変形をパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体に適用することは、イメージエラーを補償する。ある実施形態では、イメージエラーの詳細は予め定量化されている。このデータは、イメージエラーを補償するためだけに、あるいは、チャック基板/ピンチャックの製造欠陥および/またはパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体自体の表面凹凸を補正することと組み合わせて、コントローラによって使用されてよい。別の実施形態では、スキャン方向と垂直である繰り返しのスキャンエラーを補償することができる。スキャンエラーに関するデータは、コントローラによって受けることができ、かつスキャン中の適切な時点でパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体に加えられる静電力を修正することによって補償することもできる。スキャンエラーを補正することは、それのみで行われてもよく、または、チャック基板/ピンチャック製造エラー、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体表面凹凸、および投影システムによって導入されるイメージエラーを補償することと組み合わせて行われてもよい。0099図8Aは、補償作動値がアクチュエータ351に適用された後、イメージの残留エラーが検査され、その後これはアクチュエータ351のさらなる補償作動によって補償することができるようにフィードバックを有する静電チャックを用いる本発明の別の方法を示す。図8Aは、以下のステップ、すなわち、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体が静電チャック810にクランプされること810、凹凸が測定されること820、凹凸が補償されること830、適切な補償が適用されたか否かを検証するためにイメージが監視されること840、およびエラーが1つでも残っている場合、これらの残留エラーは補償されること850を含む。リソグラフィシステムは、凹凸/エラー820を多数の方法によって測定することができる例えば、凹凸/エラーは、干渉計システムを用いて測定することができ、またはリソグラフィ装置の既存の結像システムを上手く利用するイメージ品質評価システムを用いて測定することができる。適切な補償を検証するためにはステップ840、凹凸/エラーに対する初期測定と同一の測定が行われる。残留エラーのさらなる補償の適用は、イメージを既に補償している不均一な変形に加えられる。0100図8Bに示す実施形態では、図7Bに示すように補償される凹凸/エラーを受ける代わりに凹凸/エラーが測定される。例えば、図7Aおよび図7Bのようにさらなるステップを採用してもよい。図8Bは、クランプすることステップ810と補償することステップ830との間にさらに5つのステップを含む。これらの5つのステップとは、凹凸を測定すること820図8Aおよび図8Bに示す、凹凸を複数の補償値に変換すること822、補償値をアクチュエータによって形成されるマトリックスポイントと関連付けること824、適用される関連付けられた補償値という結果となるアクチュエータの作動レベルを計算すること826、および計算された作動レベル828を適用する828ことである。0101本発明の一実施形態では、適切な位置で保持されるすなわち、チャックされるパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体は、標準の均一なカスタム化されていない静電場を介して例えば、図3に示すようなイメージ補償のアドレス可能な静電チャック300にクランプされるステップ810。パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体凹凸の測定をとりステップ820、これを動的変形コントローラ図示せずに送る。コントローラは、ステップ820からの測定された凹凸を複数の補償値すなわち、表面凹凸を補償するために必要とされる変形の量に変換するステップ822ための内部論理を含む。ステップ824では、コントローラは、各々の補償値をマトリックスポイントと関連付ける。ステップ826では、各アクチュエータ351に対する作動レベルは、関連付けられた補償値がクランプされたパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体に適用されるように計算される。ステップ828では、計算された作動レベルは、コントローラによって静電チャック300のアクチュエータ351に適用される。作動レベルをアクチュエータ351に適用するステップ828ことによって、凹凸を補償するステップ830が達成される。アドレス可能な作動レベルを静電チャック300に適用することは不均一であってよく、アクチュエータの各々は異なる通電レベルで保持されてよい。異なる作動レベルは、チャックされているパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体に対して変形を生成する。この変形は、物体の表面凹凸を補正するように、保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体をチャックが再整形することを可能にする。0102一例では、ステップ820から828はステップ840および850で繰り返され、第1補償方法によって元々測定または生成されていないあらゆる残留エラーを補償する。残留補償は初期補償に累積される。一実施形態では、残留凹凸/エラーの測定およびフィードバックを使用する補償は連続的ではなく、ユーザ定義の通過回数の後に完了したものとみなされる。0103図9Aは、本発明の一実施形態による、イメージ品質フィードバックイメージ補償のアドレス可能な静電チャックを用いて静電チャックを使用する方法を示す。この実施形態では、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体は、均一な静電場有しかつ全てのアクチュエータ351が中性位置にある静電チャック上にクランプされるステップ910。イメージ品質評価システムを用いてパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体に像が形成されるステップ920。一実施形態では、イメージ品質評価システムは、追加の装置を必要とすることなくリソグラフィシステムのイメージ部品および性能を使用することができる。イメージの品質は測定されるステップ930。イメージが良好であるか否かについての判断がされるステップ940。イメージが良好であるか否かを決定することは、ユーザの考え次第による主観テストである。しかしながら、本発明の最終的な目的はリソグラフィデバイス欠陥を最小にしかつリソグラフィプロセスのスループットを最大にすることであるため、テストにはいくつかの目的要素がある。これらの目的要素としては、イメージアライメント、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪みおよび非点収差などを排他的に含む。イメージが良好とみなされた場合ステップ940、方法は、イメージ品質が許容可能であるためステップ960で止まる。しかしながら、答えが否定的であった場合、すなわちイメージ品質が良好ではなかった場合ステップ940、ステップ950、すなわちイメージ品質の補償が行われ、これは、物体内へと誘導される変形という結果となる。0104図9Bは、イメージ品質を補償することであるステップ950の詳細図である。0105図9Bに示す一実施形態では、適切な位置で保持されるすなわち、チャックされるパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体は、標準の均一なカスタム化されていない静電場を介して例えば、図3に示すようなイメージ補償のアドレス可能な静電チャック300にクランプされるステップ910。ステップ920でイメージ品質すなわち、イメージアライメント、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪みおよび非点収差の測定を行い、これを動的変形コントローラ図示せずに送る。コントローラは、イメージ品質が十分に良いか否かを決定するステップ940。イメージ品質が良好ではないと決定された場合、コントローラは、測定された凹凸ステップ920を複数の補償値すなわち、表面凹凸を補償するために必要とされる変形の量に変換するステップ952ための内部論理を含む。ステップ954では、コントローラは、各々の補償値をマトリックスポイントと関連付ける。ステップ956では、各アクチュエータ351に対する作動レベルは、関連付けられた補償値がクランプされたパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体に適用されるように計算される。ステップ958では、計算された作動レベルは、コントローラによって静電チャック300のアクチュエータ351に適用される。作動レベルをアクチュエータ351に適用するステップ958ことによって、イメージ品質を補償するステップ930が達成される。異なる変形は、パターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体の表面凹凸を補正するように、保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMAまたは結像対象の基板Wなどの他のクランプ物体を静電チャックが再整形することを可能にする。0106一例では、イメージ補償のアドレス可能な静電チャックは、スキャンエラー、例えば、スキャン方向yと垂直であるz方向の非平坦性エラーを補正することもできる。図10および図11は、ステージのスリット照明に基づいて静電チャックをアドレスする方法の2つの別々の実施形態を示す。図10は、アドレス可能な静電チャックマトリックス1010およびX方向の弧状照明スリット1020を示す。Y方向のスキャンエラーは、弧状の照明スリット1020などの照明スリットの形状に基づいて適切なときに補償することができる。図11は、X方向の線形照明スリット1120に対して補償を行うアドレス可能な静電チャックマトリックス1110を示す。0107イメージ補償は、本発明の一実施形態による、ターゲット基板すなわち、ウェーハのアドレス可能な静電チャックのクランプによって達成することもできる。イメージ品質における残留凹凸/エラーは、不均一な静電力をイメージ基板に適用することによって補償することもできる。0108本発明の別の実施形態では、別のタイプのエラー/凹凸を測定および補償する前に特定のタイプのエラー/凹凸を測定および補償することによってイメージエラー/パターニングデバイス例えば、マスクMA/基板W凹凸を補償する方法が行われる。イメージエラー/パターニングデバイス例えば、マスクMA/基板W凹凸のタイプは、リソグラフィシステム内の異なる周波数で生じ、リソグラフィシステムの効率を上げるためには、エラー/凹凸を似たような順序でアドレスする必要がある。0109図12は、本発明の一実施形態による、異なるエラー/凹凸および補償の実施の順序の階層チャートである。実施されるべき第1の補償はチャック/クランプエラー1210の補償である。チャック/クランプ部品はリソグラフィ装置の不変の部分であり、チャック/クランプのエラー/凹凸はまれに温度限界および摩損のみによって変化する。次に実施されるべき補償は、少なくともパターニングデバイス例えば、マスクMAを取り替えるごとによって測定されるパターニングデバイス例えば、マスクMAエラー1220である。実施されるべき第3の補償は、X方向の照明1230における光学結像エラーである。これらのエラーは、リソグラフィシステムとの多数の変動要因により、チャック/クランプ凹凸およびパターニングデバイス例えば、マスクMAエラーより僅かに多く生じる。実施されるべき次の補償は、Y方向スキャン1240における光学結像エラーであり、このY方向スキャン1240は、X方向照明1230と同様、リソグラフィシステムとの多数の変動要因により僅かに多く生じる。実施されるべき第5の補償は、より一層多く生じるステージスキャンエラー1250である。スキャンエラー1250は、多くの場合、決定論的ではなく、測定/定量化することがより困難である。決定論的であるステージスキャンエラー1250は、他の4つの補償がイメージ品質を高めるために使用された後に補償される。そして最後に、基板Wエラー1260の補償である。エラーは、頻繁に起こる基板Wの取替えごとに存在する。しかしながら、基板Wのエラーの補償は、他のタイプの補償と比較して全体のイメージ品質に対してあまり影響を与えない。したがって、最も頻繁に起きるのは基板Wエラーであることにかかわらず、通常、他の補償がイメージ品質を適切に高めることができる。0110一例では、これらの異なるタイプの補償が、イメージ品質が満足できるものになるまでバラバラに行われる。例えば、一部の場合、チャック/クランプエラー1210のみを補償する必要があるが、他の場合、許容可能なイメージ品質を達成するために各タイプのエラーを補償する必要がある。補償は、各レベルがイメージ品質全体をさらに高めるように累積的であり、イメージ品質が一度許容レベルを達成すると、さらなる補償は必要とされない。0111上記の説明は、限定ではなく例示を意図するものである。本発明が以下に述べる項目によって表されるものであることも明らかになるであろう。1.リソグラフィシステムであって、レチクルがパターン付きビームを生成するように前記レチクルを放射ビームのパス内でクランプするように構成されたレチクルサポートと、前記パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、リソグラフィプロセス中に前記基板を支持するように構成された基板サポートと、前記レチクルサポートに結合された静電チャックとを含み、前記静電チャックは、基板と、物体を支持するサポート層と、電極を含みかつ前記基板と前記サポート層との間に配置された電極層であって、前記電極の通電の際に前記物体に静電引力を加えるように構成された電極層と、前記サポート層を変形させるように構成された複数のアクチュエータとを含む、リソグラフィシステム。2.前記複数のアクチュエータは、前記レチクルサポートのスキャン方向と実質的に垂直な方向に延在する一次元アレイで構成されている、前記1に記載のリソグラフィシステム。3.結像された物体のイメージ品質に影響を与える複数のイメージエラーを決定するためにイメージ品質評価システムを利用することと、前記複数のイメージエラーに基づいて複数の静電補償力値を決定することと、前記複数の静電補償力値を、チャックの前記サポート層の下の基板に配置された第1および第2の等間隔に配置された電極のセットによって形成される複数のマトリックスポイントと相関させることであって、前記第1および第2の電極のセットは他方のセットと略直交する向きである、ことと、前記複数のマトリックスポイントの各々における前記物体に適用される関連付けられた補償力値に対応する前記第1および第2の電極のセットにおける各電極に対する通電レベルを決定することと、前記複数のマトリックスポイントの各々で前記物体に対して静電補償力を生成するために前記第1および第2の電極のセットにおける各電極に前記通電レベルを適用することとを含む、方法。4.前記複数のイメージエラーは、イメージフィールド湾曲、イメージ焦点品質、イメージ歪みおよび非点収差のうちの少なくとも1つを含む、前記3に記載の方法。5.前記アクチュエータの各々に対する前記作動レベルの適用の後に残る前記結像された物体の前記イメージ品質に影響を与える前記イメージエラーを、前記イメージ品質評価システムを用いて決定することをさらに含む、前記3に記載の方法。6.前記補償値は、ステージ、チャック、物体基板またはイメージ基板と垂直な位置エラーを生成するスキャン不正確性のためのものである、前記3に記載の方法。7.前記イメージ品質評価は、リソグラフィツールにおける結像の前に生じる、前記3に記載の方法。8.前記イメージ品質評価は、リソグラフィツールの結像およびイメージ評価性能を利用してリソグラフィツール内その場で生じる、前記3に記載の方法。9.前記複数のアクチュエータの各々は前記複数のマトリックスポイントを形成する、前記15または前記3~8のうちのいずれかに記載の方法。10.前記複数のマトリックスポイントは、前記物体のスキャン動作と実質的に平行なラインにある、前記9に記載の方法。11.前記相関中、前記アクチュエータの各々に対する前記複数のマトリックスポイントの前記補償値は、スキャン動作の期間および/または照明スリットに対するスキャン動作中の前記物体の位置と相関される、前記9または10に記載の方法。12.前記適用は少なくとも部分的にスキャン動作中に行われ、前記適用中、前記アクチュエータの各々に適用される前記作動レベルは、前記スキャン動作の期間および/または前記照明スリットに対する前記物体の位置に対する前記補償値によって変化する、前記11に記載の方法。13.物体の表面凹凸を決定するために干渉計を利用することと、前記凹凸に基づいて複数の補償値を決定することと、前記複数の補償値を複数のマトリックスポイントと相関させることであって、各マトリックスポイントは、チャックの基板とサポート層との間に配置された複数のアクチュエータのうちの1つによって形成される、ことと、前記複数のマトリックスポイントの各々における前記物体に適用される関連付けられた補償値に対応する各アクチュエータに対する作動レベルを決定することと、前記物体が前記サポート層上にクランプされる間、各マトリックスポイントにおける前記補償値に従って前記サポート層を変形させるために前記アクチュエータの各々に前記作動レベルを適用することと、各アクチュエータに対する前記作動レベルの適用の後に残る前記物体の前記表面凹凸を、前記干渉計を用いて決定することを含む、方法。14.補償が決定される前記表面凹凸は、前記チャックされる物体に存在せず、むしろ前記チャックされる物体が結像される表面上に存在する、前記13に記載の方法。15.前記チャックされる物体は、チャックすることの前には最小限および所定の表面凹凸を有しており、それにより、チャックすることによって誘導される前記表面凹凸は、チャック表面凹凸または空間的に不均一なクランプに起因する、前記13に記載の方法。結論0112発明の概要および要約の項目は、一人以上の発明者が想定するような本発明の1つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全ての例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明および添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。0113本発明は、特定の機能の実施を例示する機能的構成要素およびその関係を用いて上記に記載してきた。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜性のために本明細書中に任意に画定されている。特定の機能およびその関係が適切に行われる限り、代替的な境界を画定することができる。0114特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更および/またはこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応および変更は、本明細書に提示された教示および案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味および範囲に入るものとする。本明細書の表現または用語は説明のためのもので、制限するものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者には教示および案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。0115本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても制限されず、以下の特許請求の範囲およびその同等物によってのみ規定されるものである。