"Siケイ素及びPリンを含有する導電性ペースト用銅粉であって、Si濃度が0.01atm以上1.2atm未満であり、且つ、当該Si濃度atmと、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるD50μmとの積によって算出されるSi換算量Si濃度×D50が3.50以下であることを特徴とする導電性ペースト用銅粉。銅粉粒子表面から深さ10nmにおけるSi濃度に比べて、表面から深さ2nmにおけるSi濃度が高く、Siが表面層に濃化してなる銅粉粒子を主材としてなることを特徴とする請求項1に記載の導電性ペースト用銅粉。Si濃度を0.01atm以上1.2atm未満の範囲で調整することにより、焼結開始温度を500~900°Cの範囲で調整することができることを特徴とする請求項1又は2に記載の導電性ペースト用銅粉。酸素濃度が800ppm~5000ppmであることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の導電性ペースト用銅粉。Pりんの含有量が0.01~0.3atmであることを特徴とする請求項1~4の何れかに記載の導電性ペースト用銅粉。水アトマイズ法により製造されたものであることを特徴とする請求項1~5の何れかに記載の導電性ペースト用銅粉。請求項1~6の何れかに記載の銅粉を、形状加工処理してなる導電性ペースト用銅粉。請求項1~7の何れかに記載の導電性ペースト用銅粉を含有することを特徴とする導電性ペースト。近年、電気回路などにおいてファインピッチ化が進むのに伴い、導電性ペースト用の銅粉末も微粉化され、銅粉末の比表面積が大きくなってきており、導電性ペースト用の銅粉はさらに酸化し易い状態となってきている。焼成型導電性ペーストに用いる銅粉は、加熱により焼結膜を形成することで導電性を確保するものである。これの焼結温度は、基板、用途、ペーストの配合組成などにより、500~900°Cの範囲で自在に調整できるのが理想である。従来の銅粉は、焼成工程で銅粉が酸化すると焼成を阻害するため、基板、用途、ペーストの配合組成などにより様々に求められる焼結温度特性を満足するようにコントロールすることが難しいという課題を抱えていた。そこで本発明は、耐酸化性を維持しつつも、焼結温度特性を500~900°Cの範囲で自在にコントロールすることができる、新たな導電性ペースト用銅粉及び導電性ペーストを提供することにある。本発明は、Siケイ素及びPリンを含有する導電性ペースト用銅粉であって、Si濃度が0.01atm以上1.2atm未満であり、且つ、当該Si濃度atmと、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるD50μmとの積によって算出されるSi換算量Si濃度×D50が3.50以下であることを特徴とする導電性ペースト用銅粉を提案する。本発明の導電性ペースト用銅粉は、耐酸化性を維持しつつも、焼結温度特性をコントロールすることができる。すなわち、Si濃度が0.01atm以上1.2atm未満の範囲内において、Si濃度atmとD50μmとの積Si濃度×D50の値を3.50以下に規定することにより、焼結開始温度を500~900°Cの範囲で調整することができる。よって、基板、用途、ペーストの配合組成などに応じて焼結温度特性をコントロールすることができるから、導電性ペースト用銅粉として優れている。例えばスクリーン印刷アディティブ法による導体回路形成用や、積層セラミックコンデンサの外部電極用等の各種電気的接点部材用の導電性ペーストの導電材料等に極めて良好に適用することができる。次に、実施の形態例に基づいて本発明を説明するが、本発明が次に説明する実施形態に限定されるものではない。<導電性ペースト用銅粉>本実施形態に係る導電性ペースト用銅粉以下、本銅粉と称するは、Siケイ素及びPリンを含有する導電性ペースト用銅粉である。Siケイ素及びPリンを含有する組成の銅粉であればよいから、Siケイ素及びPリン以外の金属元素を含有していてもよいが、典型的にはCu-P-Si型銅粉である。本銅粉の特徴は、Si濃度が0.01atm以上1.2atm未満であり、且つ、当該Si濃度atmと、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるD50μmとの積によって算出されるSi換算量Si濃度×D50が3.50以下であることにある。Pリンを含有する銅粉にSiケイ素を添加すると、Siケイ素濃度0.01atm以上1.2atm未満の範囲内であれば、Si濃度を高めることにより焼結開始温度を高くすることができる傾向があることを見出すことができた。また、粒径が小さければ、焼結開始温度が低下する傾向があることも確認することができた。しかし、Siケイ素濃度と粒径の何れかを規定するだけでは、焼結性、具体的には焼結開始温度を確実に制御できないことも確認された。そこで、両者の積、すなわち、Si濃度とD50の積Si濃度×D50を基準値として検討したところ、少なくもSi濃度が一定範囲内においては焼結開始温度を段階的に制御できることを見出すことができた。かかる観点から、本銅粉のSi濃度×D50は、3.50以下であることが重要であり、好ましくは0.001~3.40、特に0.005~3.00、中でも特に0.01~2.80であるのがさらによい。このような銅粉は、後の製造方法の項目において説明するように、実施例に基づいてアトマイズ条件を調整することにより製造することができる。但し、この方法に限定するものではない。本銅粉、すなわちSi濃度×D50が3.50以下である銅粉を分析した結果、銅粉粒子の表面にSiが濃化していることが分かった。より具体的な目安としては、銅粉粒子表面から深さ10nmにおけるSi濃度に比べて、表面から深さ2nmにおけるSi濃度が高くなっていることが確認された。Si濃度が極めて低いために定量的に分析することは難しいが、銅粉粒子全体の表面に酸化ケイ素の薄い膜ができるため、内部に酸素が入り難くなり、その結果として焼結性を高めることができ、しかも、耐酸化性も高くなるのではないかと推察することができる。なお、本銅粉において、表面にSiが濃化している銅粉粒子本銅粉粒子と称するが主材料であれば、100全ての銅粉粒子が表面にSiが濃化している銅粉粒子でなくても、同様の効果が得られると考えることができる。よって、本銅粉においては、表面にSiが濃化している銅粉粒子が全体の50wt以上、好ましくは80wt以上、特に90wt以上100wtを含むを占めるのが好ましい。このように銅粉粒子の表面にSiを濃化させるためには、後の製造方法の項目において説明するように、実施例に基づいてアトマイズ条件を調整する方法を挙げることができる。但し、この方法に限定するものではない。本銅粉粒子のSi濃度は、0.01atm以上1.2atm未満の範囲であることが重要である。かかる範囲でSi濃度量を調整することにより、耐酸化性を維持しつつ焼結開始温度を500~900°Cの範囲でより好ましく調整することができる。このように耐酸化性維持と焼結開始温度の制御の観点から、本銅粉粒子のSi濃度は、0.01atm以上1.0atm未満の範囲であるのが好ましく、特に0.03atm以上、中でも0.05atm以上、或いは、特に0.2atm未満、中でも0.1atm未満であるのがより一層好ましい。本銅粉粒子のPりん濃度は、特に限定するものではないが、Pりんの含有量は0.01~0.3atm、特に0.02atm以上、或いは、0.1atm以下、その中でも0.02atm以上、或いは、0.06atm以下の割合で含有するのが好ましい。このような範囲でPりんを含有すれば、粒度微細、耐酸化性を有し、導電性を損なわず、形状や粒度のバラツキが小さく、酸素濃度を低くすることができる。かかる観点から、本銅粉粒子は、粒子内部にPりんを0.02atm以上、0.04atm以下の割合で含有するのがより一層好ましい。本銅粉粒子は、粒状、特に球状を呈するのが好ましい。ここで、粒状とは、アスペクト比平均長径を平均短径で除した値が1~1.25程度で揃っている形状をいい、アスペクト比が1~1.1程度で揃っている形状を特に球状という。なお、形状が揃っていない状態は、不定形状という。このような粒状をなす銅粉は、相互のからみが少なくなり、導電性ペーストの導電材料等に使用した場合、ペースト中での分散性が向上するので、非常に好ましい。本銅粉において、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるD50は、Si濃度と、Si濃度×D50との値からその範囲は規定されるが、中でも0.1μm~10μmであるのが好ましい。かかる範囲でD50を調整することにより、耐酸化性を維持しつつ焼結開始温度を500~900°Cの範囲でより好ましく調整することができる。耐酸化性維持と焼結開始温度の制御の観点から、本銅粉粒子のD50は、0.1μm~10μmであるのが好ましく、特に0.3μm以上、或いは5μm以下、中でも0.5μm以上、或いは、3μm以下であるのがより一層好ましい。本銅粉の初期酸素濃度は、800ppm~5000ppmであるのが好ましい。酸素濃度がかかる範囲であれば、導電性ペーストの導電材料としての導電性及び耐酸化性を良好な範囲にすることができる。本銅粉粒子は、上述のように、銅粉粒子の表面にSiが濃化しており、銅粉粒子全体の表面に酸化ケイ素の薄い膜ができており、粒子内部に酸素が入り難いため、初期酸素濃度が比較的高くても、表面の酸化ケイ素被膜によって耐酸化性を良好に維持することができるものと考えることができる。かかる観点から、本銅粉の初期酸素濃度は800ppm~5000ppmであるのが好ましく、特に1000ppm以上、或いは4000ppm以下、中でも特に1200ppm以上、或いは3000ppm以下であるのがさらに好ましい。本銅粉の焼結開始温度は500~900°Cであるのが好ましい。焼結開始温度をかかる温度範囲内で調整できれば、基板、用途、ペーストの配合組成などに応じて焼結温度特性をコントロールすることができ、極めて便利である。なお、本銅粉は、Siケイ素及びPリン以外に、例えばNi、Ti、Fe、Co、Cr、Mg、Mn、Mo、W、Ta、In、Zr、Nb、B、Ge、Sn、Zn、Bi等のうちの少なくとも一種以上の元素成分を含有してもよい。これらを添加することにより、例えば融点を低下させて焼結性を向上させるなど、導電性ペーストに求められる諸特性を調整することができる。<製法>次に、本銅粉の好ましい具体的な製造方法について説明する。本銅粉は、溶融した銅に、Si成分、さらにその他の添加元素成分を、母合金又は化合物等の形態で所定量添加した後、所定のアトマイズ法により粉体化することにより製造することができる。この種の銅粉は、銅塩を含む溶液などから還元剤により析出させる湿式還元法や、銅塩を加熱気化させて気相中で還元させる気相還元法や、溶融した銅地金を不活性ガスや水等の冷媒で急冷して粉末化するアトマイズ法などにより、製造することが可能である。これらの中でアトマイズ法は、一般的に広く利用されている湿式還元法に比べて、得られる銅粉中の不純物の残留濃度を小さくすることができると共に、得られる銅粉の粒子の表面から内部に至る細孔を少なくすることができるという利点を有している。このため、アトマイズ法により製造された銅粉は、導電性ペーストの導電材料に使用した場合、ペースト硬化時のガス発生量を少なくできると共に、酸化の進行を大幅に抑制できるという利点を有している。アトマイズ法としては、水アトマイズ法を好ましく採用することができる。水アトマイズすることにより、粒子表面にSiをより効果的に濃化することができるばかりか、粒子の微細化を図ることもできる。また、水アトマイズする際に、水中の溶存酸素が粒子内に取り込まれるため、酸素濃度が高まる傾向が認められる。水アトマイズ法の中でも、高圧アトマイズ法によれば、粒子を微細かつ均一に製造することができるので好ましい。高圧アトマイズ法とは、水アトマイズ法においては、50MPa~150MPa程度の水圧力でアトマイズする方法である。アトマイズにより得られた銅粉は、還元処理してもよい。還元処理により、酸化の進行しやすい銅粉の表面の酸素濃度をさらに低減することができる。このような還元処理としては、作業性の観点から、ガスによる還元が好ましい。この還元処理用ガスは、特に限定されることはないが、例えば、水素ガス、アンモニアガス、ブタンガス等を挙げることができる。上記還元処理は、150~300°Cの温度で行うのが好ましく、特に170~210°Cの温度で行うとより好ましい。なぜなら、上記温度が150°C未満であると、還元速度が遅くなってしまい、処理効果を充分に発現することができず、上記温度が300°Cを超えると、銅粉の凝集や焼結を引き起こしてしまうおそれがあり、上記温度が170°C~210°Cであると、酸素濃度の効率のよい低減化を図りながらも、銅粉の凝集や焼結を確実に抑制することができるからである。粉体化した後の銅粉は、分級するのが好ましい。この分級は、適切な分級装置を用いて、目的とする粒度が中心となるように、粗粉や微粉を分離することにより容易に実施することができる。形状加工本銅粉は、そのまま利用することも可能であるが、本銅粉を形状加工処理した上で、利用することもできる。例えば、球状粒子粉末:80以上が球状粒子からなる粉末を、機械的に形状加工して、フレーク状、鱗片状、平板状などの非球状粒子粉末:80以上が非球状粒子からなる粉末に加工することができる。より具体的には、ビーズミル、ボールミル、アトライター、振動ミルなどを用いて機械的に偏平化加工圧伸延または展伸することにより、フレーク状粒子粉末:80以上がフレーク状粒子からなる粉末に形状加工することができる。この際、粒子同士の凝集や結合を防止しながら各粒子を独立した状態で加工するために、例えばステアリン酸などの脂肪酸や、界面活性剤などの助剤を添加するのが好ましい。そして、このような形状加工処理した銅粉を利用することもできるし、また、形状加工しない元粉とこれとを混合して利用することもできる。<用途>本銅粉は、例えば樹脂硬化型導電性ペースト及び焼成型導電性ペーストのいずれに用いる導電フィラーとしても好適である。よって、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる有機バインダーに本銅粉を配合して樹脂硬化型導電性ペーストを調製することもできるし、また、有機ビヒクル中に本銅粉を配合して焼成型導電性ペーストを調製することもできる。本銅粉を導電フィラーとして用いた導電性ペースト用銅粉は、例えばスクリーン印刷アディティブ法による導体回路形成用や、積層セラミックコンデンサの外部電極用等の各種電気的接点部材用の導電性ペーストとして好適に使用することができる。その他、本発明の導電性ペースト用銅粉は、積層セラミックコンデンサの内部電極、インダクタやレジスター等のチップ部品、単板コンデンサ電極、タンタルコンデンサ電極、樹脂多層基板、セラミックLTCC多層基板、フレキブルプリント基板FPC、アンテナスイッチモジュール、PAモジュールや高周波アクティブフィルター等のモジュール、PDP前面板及び背面板やPDPカラーフィルター用電磁遮蔽フィルム、結晶型太陽電池表面電極及び背面引き出し電極、導電性接着剤、EMIシールド、RF-ID、及びPCキーボード等のメンブレンスイッチ、異方性導電膜ACF/ACP等にも使用可能である。<語句の説明>本明細書においてX~YX,Yは任意の数字と表現する場合、特にことわらない限りX以上Y以下の意と共に、好ましくはXより大きい或いは好ましくはYより小さいの意も包含する。また、X以上Xは任意の数字或いはY以下Yは任意の数字と表現した場合、Xより大きいことが好ましい或いはY未満であることが好ましい旨の意図も包含する。以下、本発明を下記実施例及び比較例に基づいてさらに詳述する。実施例および比較例で得られた銅粉に関して、以下に示す方法で諸特性を評価した。1元素含有量試料を酸で溶解し、ICPにて分析した。2酸素濃度酸素窒素分析装置堀場製作所株式会社製EMGA-520型番を用いて銅粉の酸素濃度初期酸素濃度ともいうを分析した。3粒度分布銅粉0.2gを純水100ml中に入れて超音波を照射して3分間分散させた後、粒度分布測定装置日機装株式会社製マイクロトラック商品名FRA型番により、体積累積粒径D50を測定した。4BET比表面積SSAユアサアイオニクス株製のモノソーブ商品名を用いて、JISR16261996ファインセラミックス粉体の気体吸着BET法による比表面積の測定方法の6.2流動法の3.5一点法に準拠して、BET比表面積SSAの測定を行った。その際、キャリアガスであるヘリウムと、吸着質ガスである窒素の混合ガスを使用した。5焼結開始温度及び焼結性の評価セイコーインスツルメンツ社製の熱機械分析装置TMA装置であるTMA/SS6000を用いて焼結開始温度を調べた。焼結性に関しては、Pリンを含有した銅よりも適当に焼結が遅れる、すなわちPリンを含有した銅の焼結開始温度490°C前後よりも焼結開始温度が適当に高い方が本発明の銅粉においては好ましい。そのため、本実施例での焼結性の評価は、500~900°Cの範囲内のものを○、中でも低温領域の500~550°Cの範囲のものを◎、500~900°Cの範囲外のものを×と評価した。<サンプルの調製:実施例比較例>電気銅銅純度:Cu99.95を溶解した溶湯1350°Cに、純金属としてのSi、さらには銅-りんの母合金P15wtを添加して充分に攪拌混合して100kgの溶湯を作製した。次いで、水アトマイズ装置におけるタンディッシュ中に上記溶湯100kgを注入し保持温度1300°C、タンディッシュ底部のノズル口径5mmから溶湯を落下させながら流量5kg/min、フルコーン型のノズル口径26mmの噴射孔から水を逆円錐状の水流形状のなるように上記溶湯にジェット噴射水圧100MPa、水量350L/minして水アトマイズすることにより銅粉を製造した。次に、得られた銅粉を、分級装置日清エンジニアリング株式会社製ターボクラシファイアー商品名TC-25型番により、分級して銅粉サンプルを得た。なお、実施例6-7については、水アトマイズして得られた銅粉を、分級装置日清エンジニアリング株式会社製ターボクラシファイアー商品名TC-25型番により、分級して得られた銅粉を、ビーズミルを用いて機械的に偏平化加工した。実施例1-5で得られた銅粉を電子顕微鏡などで観察し分析した結果、ほとんどが球状粒子であり、銅粉粒子表面から深さ10nmにおけるSi濃度に比べて、表面から深さ2nmにおけるSi濃度が高く、Siが表面層に濃化していることが分かった。また、実施例6-7で得られた銅粉を電子顕微鏡などで観察し分析した結果、ほとんどがフレーク状粒子であり、銅粉粒子表面から深さ10nmにおけるSi濃度に比べて、表面から深さ2nmにおけるSi濃度が高く、Siが表面層に濃化していることが分かった。実施例比較例を比較検討すると、Pリンを含有する銅粉にSiケイ素を添加すると、Siケイ素濃度が0.01atm以上1.2atm未満の範囲であれば、Si濃度を高めることにより焼結開始温度を高くすることができる傾向が認められた。但し、焼結性の観点からは、実施例1及び2が特に優れているため、かかる観点ではSiケイ素濃度が0.10atm未満であるのが好ましいと考えることができる。また、他の試験により、粒径が小さければ、焼結開始温度が低下する傾向があることが確認されている。しかし、Siケイ素濃度と粒径の何れかを規定するだけでは、焼結開始温度を制御できないことが確認された。その一方、Si濃度とD50の積Si濃度×D50を基準値として検討したところ、焼結開始温度を500~900°Cの範囲で制御できることが判明した。かかる観点から、本銅粉のSi濃度×D50は、3.50以下であることが重要であり、好ましくは0.001~3.40、特に0.005~3.00、中でも特に0.01~2.80であるのがさらによいと考えることができる。本実施例の銅粉のように、焼結温度特性をコントロールすることができる理由に関しては、試験的に確認できている訳ではないが、銅粉粒子表面に存在する微量のSiケイ素が焼成時に優先的に酸化物になる結果、酸化物成分すなわちセラミック成分を偏析させることができ、この偏析の程度によって焼結温度特性を変えることができるものと考えることができる。しかもこの際、酸化物成分は焼結後に粒界に偏析するため、導電性を妨げることがない点でも優れている。実施例では、D50を固定し、Si濃度を変化させることにより、Si濃度×D50の値を変化させているが、D50を0.1μm~10μm程度の範囲で変化させてSi濃度×D50の値を変化させても同様の効果を得ることができる。また、このような効果は、Pりん濃度には影響されないことが確かめられている。Pりん濃度は、微粒子化や耐酸化性に影響するため、Pりんの含有量は0.01~0.3atmの割合で含有するのが好ましいと考えることができる。"