"被処理物に真空処理を行なう真空処理装置であって、真空処理室と、前記真空処理室内で相互に対向するように配設され、対向する表面間に前記被処理物が配置される一対の電極と、一対の前記電極の一方または双方に設けられ、前記表面間に配置された前記被処理物の温度を制御する温度制御機構と、を備え、前記温度制御機構は、前記電極の内部において前記電極の前記表面に沿うように延設された加熱器と、前記電極の端面から前記電極の前記内部に入り込み、前記電極の前記内部において前記電極の前記表面に沿うように前記加熱器と並んで延設され、前記電極の前記端面側から所定の冷却用媒体が通流される冷却管と、前記冷却管が入り込んでいる前記電極の前記端面から前記冷却管を取り囲みつつ前記電極の前記内部に入り込むように所定の長さで延在し、前記冷却管の長手方向における一部と前記電極との間を埋めるように設けられた低熱伝導物質と、を含み、前記低熱伝導物質は、前記冷却管の長手方向における残部と前記電極とが直接接触している部分の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している、真空処理装置。前記冷却管は、第1冷却管および第2冷却管を有し、前記第1冷却管は、前記電極の前記端面から前記電極の前記内部に入り込み、前記第2冷却管は、前記第1冷却管が入り込んでいる前記電極の前記端面と対向する端面から前記電極の前記内部に入り込み、前記第1冷却管および前記第2冷却管は、前記電極の前記表面に沿って延在しつつ前記電極の前記内部において相互に隣り合うように配置され、前記第1冷却管の前記内部を流れる前記冷却用媒体の通流方向と前記第2冷却管の前記内部を流れる前記冷却用媒体の通流方向とは逆向きである、請求項1に記載の真空処理装置。前記温度制御機構は複数の前記冷却管を有し、複数の前記冷却管の各々は、前記電極の前記端面から前記電極の前記内部に入り込み、前記電極の前記表面に沿って延びる上流部と、前記上流部の延在方向の先端に連続し、前記電極の外部または前記電極の前記内部で折り返したあと前記電極の前記内部において前記電極の前記表面に沿って延在し、前記電極の前記端面から前記電極の外部に出る下流部と、を含み、複数の前記冷却管の各々は、一の前記冷却管における前記上流部と他の前記冷却管における前記下流部とが相互に隣り合うように配置され、前記上流部の前記内部を流れる前記冷却用媒体の通流方向と前記下流部の前記内部を流れる前記冷却用媒体の通流方向とは逆向きである、請求項1に記載の真空処理装置。前記低熱伝導物質の熱伝導率は、前記冷却管を構成する材質の熱伝導率よりも低い、請求項1から3のいずれかに記載の真空処理装置。前記低熱伝導物質は、フッ素樹脂を含む、請求項1から4のいずれかに記載の真空処理装置。前記低熱伝導物質は、樹脂系の発泡体を含む、請求項1から4のいずれかに記載の真空処理装置。前記低熱伝導物質は、セラミック系の断熱材を含む、請求項1から4のいずれかに記載の真空処理装置。前記冷却用媒体は、気体である、請求項1から7のいずれかに記載の真空処理装置。被処理物に熱処理を行なう熱処理装置であって、前記被処理物が載置される支持台と、前記被処理物の温度を制御する温度制御機構と、を備え、前記温度制御機構は、前記支持台の内部において前記支持台の表面に沿うように延設された加熱器と、前記支持台の端面から前記支持台の前記内部に入り込み、前記支持台の前記内部において前記支持台の前記表面に沿うように前記加熱器と並んで延設され、前記支持台の前記端面側から所定の冷却用媒体が通流される冷却管と、前記冷却管と前記支持台との間において前記冷却管を所定の厚さで取り囲むように設けられ、前記冷却管の前記支持台に対する熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する低熱伝導部と、を含み、前記低熱伝導部の前記厚さは、前記冷却用媒体が通流される方向に向かって徐々に減少する、熱処理装置。前記低熱伝導部の前記厚さは、前記冷却用媒体が通流される方向に向かって指数関数的に減少する、請求項9に記載の熱処理装置。前記低熱伝導部の前記厚さは、前記冷却用媒体が流れる方向に向かって一次関数的に減少する、請求項9に記載の熱処理装置。前記低熱伝導部の前記厚さは、前記冷却用媒体が通流される方向に向かって階段状に減少する、請求項9に記載の熱処理装置。前記低熱伝導部は、フッ素樹脂、樹脂系の発泡体、およびセラミック系の断熱材からなる群から選ばれる少なくとも1つの部材を含む、請求項9から12のいずれかに記載の熱処理装置。請求項9から12のいずれかに記載の前記熱処理装置を備え、前記被処理物に成膜処理を行なう成膜処理装置であって、前記低熱伝導部は、前記支持台内における中空空間であり、前記中空空間は、前記成膜処理に使用される雰囲気ガスを含む、成膜処理装置。請求項13に記載の前記熱処理装置を備え、前記被処理物に成膜処理を行なう、成膜処理装置。本発明は、被処理物の温度をより均一にすることが可能な熱処理装置およびその熱処理装置を備えた成膜処理装置、ならびに被処理物の温度をより均一にすることが可能な真空処理装置を提供することを目的とする。本発明に基づく真空処理装置は、被処理物に真空処理を行なう真空処理装置であって、真空処理室と、上記真空処理室内で相互に対向するように配設され、対向する表面間に上記被処理物が配置される一対の電極と、一対の上記電極の一方または双方に設けられ、上記表面間に配置された上記被処理物の温度を制御する温度制御機構と、を備え、上記温度制御機構は、上記電極の内部において上記電極の上記表面に沿うように延設された加熱器と、上記電極の端面から上記電極の上記内部に入り込み、上記電極の上記内部において上記電極の上記表面に沿うように上記加熱器と並んで延設され、上記電極の上記端面側から所定の冷却用媒体が通流される冷却管と、上記冷却管が入り込んでいる上記電極の上記端面から上記冷却管を取り囲みつつ上記電極の上記内部に入り込むように所定の長さで延在し、上記冷却管の長手方向における一部と上記電極との間を埋めるように設けられた低熱伝導物質と、を含み、上記低熱伝導物質は、上記冷却管の長手方向における残部と上記電極とが直接接触している部分の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。好ましくは、上記冷却管は、第1冷却管および第2冷却管を有し、上記第1冷却管は、上記電極の上記端面から上記電極の上記内部に入り込み、上記第2冷却管は、上記第1冷却管が入り込んでいる上記電極の上記端面と対向する端面から上記電極の上記内部に入り込み、上記第1冷却管および上記第2冷却管は、上記電極の上記表面に沿って延在しつつ上記電極の上記内部において相互に隣り合うように配置され、上記第1冷却管の上記内部を流れる上記冷却用媒体の通流方向と上記第2冷却管の上記内部を流れる上記冷却用媒体の通流方向とは逆向きである。好ましくは、上記温度制御機構は複数の上記冷却管を有し、複数の上記冷却管の各々は、上記電極の上記端面から上記電極の上記内部に入り込み、上記電極の上記表面に沿って延びる上流部と、上記上流部の延在方向の先端に連続し、上記電極の外部または上記電極の上記内部で折り返したあと上記電極の上記内部において上記電極の上記表面に沿って延在し、上記電極の上記端面から上記電極の外部に出る下流部と、を含み、複数の上記冷却管の各々は、一の上記冷却管における上記上流部と他の上記冷却管における上記下流部とが相互に隣り合うように配置され、上記上流部の上記内部を流れる上記冷却用媒体の通流方向と上記下流部の上記内部を流れる上記冷却用媒体の通流方向とは逆向きである。好ましくは、上記低熱伝導物質の熱伝導率は、上記冷却管を構成する材質の熱伝導率よりも低い。好ましくは、上記低熱伝導物質は、フッ素樹脂を含む。好ましくは、上記低熱伝導物質は、樹脂系の発泡体を含む。好ましくは、上記低熱伝導物質は、セラミック系の断熱材を含む。好ましくは、上記冷却用媒体は、気体である。本発明に基づく熱処理装置は、被処理物に熱処理を行なう熱処理装置であって、上記被処理物が載置される支持台と、上記被処理物の温度を制御する温度制御機構と、を備え、上記温度制御機構は、上記支持台の内部において上記支持台の表面に沿うように延設された加熱器と、上記支持台の端面から上記支持台の上記内部に入り込み、上記支持台の上記内部において上記支持台の上記表面に沿うように上記加熱器と並んで延設され、上記支持台の上記端面側から所定の冷却用媒体が通流される冷却管と、上記冷却管と上記支持台との間において上記冷却管を所定の厚さで取り囲むように設けられ、上記冷却管の上記支持台に対する熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する低熱伝導部と、を含み、上記低熱伝導部の上記厚さは、上記冷却用媒体が通流される方向に向かって徐々に減少する。好ましくは、上記低熱伝導部の上記厚さは、上記冷却用媒体が通流される方向に向かって指数関数的に減少する。好ましくは、上記低熱伝導部の上記厚さは、上記冷却用媒体が流れる方向に向かって一次関数的に減少する。好ましくは、上記低熱伝導部の上記厚さは、上記冷却用媒体が通流される方向に向かって階段状に減少する。好ましくは、上記低熱伝導部は、フッ素樹脂、樹脂系の発泡体、およびセラミック系の断熱材からなる群から選ばれる少なくとも1つの部材を含む。本発明に基づく成膜処理装置は、本発明に基づく上記の熱処理装置を備え、上記被処理物に成膜処理を行なう成膜処理装置であって、上記低熱伝導部は、上記支持台内における中空空間であり、上記中空空間は、上記成膜処理に使用される雰囲気ガスを含む。本発明に基づく他の成膜処理装置は、本発明に基づく上記の熱処理装置を備え、上記被処理物に成膜処理を行なう。本発明によれば、被処理物の温度をより均一にすることが可能な熱処理装置およびその熱処理装置を備えた成膜処理装置、ならびに被処理物の温度をより均一にすることが可能な真空処理装置を得ることができる。[比較例]本発明に基づいた各実施の形態について説明する前に、図1~図8を参照して、本発明に関する比較例1および比較例2について説明する。[比較例1]図1から図4を参照して、本比較例における真空処理装置について説明する。本比較例における真空処理装置の全体的な構成は、後述する本発明に基づいた実施の形態1における真空処理装置1図9参照と共通している。本比較例における真空処理装置の全体的な構成についてはここでは説明しないものとする。図1は、本比較例における真空処理装置のアノード電極31Yおよび温度制御機構30Yを示す平面図である。図2は、図1中におけるII-II線に関する矢視断面図である。図3は、図1中におけるIII-III線に関する矢視断面図である。図1を参照して、アノード電極31Yは平板状に構成され、長手方向に長さL1を有している。アノード電極31Yには基板2の温度を制御する温度制御機構30Y詳細は後述するが設けられる。アノード電極31Yは上部電極板36と下部電極板37図2参照とから構成される。上部電極板36および下部電極板37は所定のネジ図示せずによって相互に固定される。基板2はアノード電極31Yの表面31S上に載置される。図2を参照して、上部電極板36の下面には、アノード電極31Yの長手方向図2紙面垂直方向に沿って溝36Mおよび溝36Nが平行に並んで設けられる。下部電極板37の上面には、同方向に沿って溝37Mおよび溝37Nが平行に並んで設けられる。図1を再び参照して、溝36Mおよび溝37Mによって、直径D1を有し、アノード電極31Yを長手方向に貫通する円柱状の空間が形成される。溝36Nおよび溝37Nによって、直径D3を有し、アノード電極31Yを長手方向に貫通する円柱状の空間が形成される。温度制御機構30Yは、長手方向において略均一な外径直径D3に対応を有する棒状の加熱器33と、長手方向において略均一な外径直径D1に対応を有する管状の冷却管34とを含んでいる。加熱器33は溝36Nおよび溝37Nに挟まれており、加熱器33とアノード電極31Yとは相互に接触している。冷却管34は溝36Mおよび溝37Mに挟まれており、冷却管34とアノード電極31Yとは相互に接触している。上記構成によって、加熱器33は、端面31Tから端面31Tに対向する端面31Uに向かってアノード電極31Yを貫通し、アノード電極31Yの内部において表面31Sに沿って延在している。冷却管34は、加熱器33と平行に並んだ状態で端面31Tから端面31Uに向かってアノード電極31Yを貫通し、アノード電極31Yの内部において表面31Sに沿って延在している。本比較例における真空処理装置は加熱器33に所定の電力が投入される。加熱器33との熱交換によってアノード電極31Yは加熱される。図3を参照して、冷却管34に、端面31T側から端面31U側に向かって流れるように窒素ガスなどの冷却用媒体38が供給される矢印AR1および矢印AR2参照。冷却用媒体38との熱交換によってアノード電極31Yは冷却される。上部電極板36に対する加熱および冷却によって表面31S上に載置された基板2も間接的に加熱および冷却される。基板2のプラズマ処理中および処理待機中においては、アノード電極31Yに設けられた熱電対図示せずによって表面31Sの温度が測定される。熱電対の測定値に基づいて加熱器33への電力の投入量および冷却管34への冷却用媒体の供給量が調節される。当該調節によって表面31S上に載置された基板2の温度が所望の値となるように制御される。図4を参照して、アノード電極31Yにおける冷却管34の冷却性能に関する試験を行なった。当該試験において、アノード電極31Yの長さL1図3参照は約800mmである。所定の量の電力を加熱器33に投入しつつ、所定の量の窒素ガスを冷却用媒体38として冷却管34に供給した。基板2の温度が定常状態となった後、冷却管34の付近の基板2の温度分布を測定した。図4は、アノード電極31Yの端面31Tからの距離Lmmの位置における基板2の温度分布P1を示している。距離L=0の部分が端面31T図3参照に対応する。距離L=800の部分が端面31U図3参照に対応する。温度分布P1に示されるように、距離L=0端面31T側から距離L=800端面31U側に向かうにつれて基板2の温度は徐々に上昇している。冷却用媒体38の通流方向に対して基板2の温度は不均一である。この原因は次の通りである。熱交換によって冷却用媒体38の温度は上流側端面31T側に比べて下流側端面31U側の方が高くなる。冷却用媒体38による基板2に対する脱熱量冷却性能は上流側に比べて下流側の方が低くなる。本比較例における真空処理装置によれば、プラズマ処理中における基板2の温度分布が不均一となる。基板2に対して均一な成膜処理やエッチング処理等を施すことは困難となる。[比較例2]図5から図8を参照して、本比較例における真空処理装置について説明する。ここでは、上述の比較例1との相違点について説明する。図5は、本比較例における真空処理装置のアノード電極31Zおよび温度制御機構30Zを示す平面図である。図6は、図5中におけるVI-VI線に関する矢視断面図である。図7は、図5中におけるVII-VII線に関する矢視断面図である。図5を参照して、アノード電極31Zには基板2の温度を制御する温度制御機構30Zが設けられる。温度制御機構30Zは、加熱器33と、冷却管34と、空洞領域39詳細は次述するとを含んでいる。本比較例においては、溝36Mおよび溝37Mが1つの段差数を有する階段状に形成される。溝36Mおよび溝37Mによって、直径D1を有する円柱状の空間と、直径D2を有する円柱状の空間とが形成される。直径D2は直径D1よりも大きい。これらの空間は相互に連続し、アノード電極31Zを長手方向に貫通している。直径D2を有する空間は端面31T側に位置し、直径D1を有する空間は端面31U側に位置している。図6を参照して、直径D2を有する空間に冷却管34が配設されることによって空洞領域39が形成される。図7を参照して、空洞領域39は円筒状の空間である。空洞領域39は、冷却管34が入り込んでいるアノード電極31Zの端面31Tから、冷却管34を取り囲みつつアノード電極31Zの内部に入り込むように所定の長さL2で延在している。長さL2は空洞領域39が端面31Tから端面31Uに到達しない長さである。直径D1を有する上記の空間においては、冷却管34は溝36Mおよび溝37Mに挟まれており、冷却管34とアノード電極31Zとは相互に接触している。直径D2を有する上記の空間においては、冷却管34は空洞領域39を挟んで溝36Mおよび溝37Mに対向しており、冷却管34とアノード電極31Zとは相互に接触していない。冷却管34とアノード電極31Zとが接触していない部分空洞領域39が形成される部分の熱伝導率は、冷却管34とアノード電極31Zとが接触している部分の熱伝導率よりも低くなっている。本比較例における真空処理装置は、上述の比較例1における真空処理装置と同様に、加熱器33に所定の電力が投入され、冷却管34に冷却用媒体38が供給される矢印AR1および矢印AR2参照。上部電極板36に対する加熱および冷却によって、表面31S上に載置された基板2は間接的に加熱および冷却される。図8を参照して、アノード電極31Zにおける冷却管34の冷却性能に関する試験を行なった。当該試験において、アノード電極31Zの長さL1図7参照は約800mmである。空洞領域39の長さL2は約400mmである。所定の量の電力を加熱器33に投入しつつ、所定の量の窒素ガスを冷却用媒体38として冷却管34に供給した。基板2の温度が定常状態となった後、冷却管34の付近の基板2の温度分布を測定した。図8は、アノード電極31Zの端面31Tからの距離Lmmの位置における基板2の温度分布Q1,Q2を示している。温度分布Q1は真空雰囲気下での試験結果である。温度分布Q2はヘリウムガス1000Paの雰囲気下での試験結果である。温度分布Q1に示されるように、基板2の温度は距離L=0端面31T側から距離L=400に向かうにつれて低下している。基板2の温度は距離L=400から距離L=800端面31T側に向かうにつれて緩やかに上昇している。空洞領域39が設けられた範囲において冷却用媒体38の脱熱量冷却性能が低下している。上述の比較例1の場合図4参照に比べて、基板2の温度の不均一性バラツキは少ない。一方、温度分布Q2に示されるように、ヘリウムガス雰囲気下においては、基板2の温度は距離L=0から距離L=800に向かうにつれて徐々に上昇している。冷却用媒体38の通流方向に対して基板2の温度は不均一である。この原因は、空洞領域39の内部に熱伝導性の高いヘリウムガスが侵入し図5,図7中の矢印AR3参照、ヘリウムガスが熱を伝達する媒体として作用したためである。本比較例における真空処理装置によれば、上述の比較例1における真空処理装置に比べて基板2の温度分布の不均一性は改善される。しかしながら、プラズマ処理中の真空処理室内の雰囲気に応じて基板2の温度分布が不均一となる。基板2に対して均一な成膜処理やエッチング処理等を施すことは困難となる。[実施の形態]本発明に基づいた各実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。各実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。各実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。[実施の形態1]図9から図13を参照して、本実施の形態における真空処理装置1について説明する。図9は、真空処理装置1の全体的な構成を模式的に示す断面図である。真空処理装置1図9を参照して、真空処理装置1はたとえばプラズマ処理装置であり、基板2に対してプラズマ処理またはエッチング処理などの真空処理を行なう。真空処理装置1は、搬入搬出室としての真空処理室10、プラズマ処理室としての真空処理室20、アノード電極31、カソード電極32、および温度制御機構30図9において図示せず、図10~図12を参照して後述するを備えている。真空処理室10および真空処理室20の間には、ゲートバルブ17が設けられる。各真空処理室10,20は、アルミニウム合金から構成され、内面には鏡面加工が施されている。ゲートバルブ17は開閉可能に構成される。ゲートバルブ17の開閉制御によって、真空処理室10と真空処理室20とは連通状態および隔離状態が制御される。真空処理室10は、搬入搬出用扉11から基板2が搬入される。真空処理室10内に設けられたヒータ16によって、基板2は適切な温度に設定される。真空処理室10には、導入管12を通してリークガスが導入される。真空処理室10に導入されたリークガスは、排気管13、排気バルブ14、および真空ポンプ15によって真空処理室10から排出される。アノード電極31およびカソード電極32は、真空処理室20内で表面31Sおよび表面32Sが相互に対向するように水平配置されている。アノード電極31およびカソード電極32はたとえばアルミニウム合金から構成される。真空処理室20は、所定の雰囲気に設定された後、ゲートバルブ17を通して基板2が搬入される。基板2は真空処理室20内で表面31Sおよび表面32Sの間に配置される。本実施の形態においては、表面31S上に基板2が載置される。アノード電極31は接地されている。カソード電極32はコンデンサ26および整合回路27を通して高周波電源28に接続される。真空処理室20には導入管22を通して反応ガスが導入される。真空処理室20は、排気管23、圧力調整バルブ24A、排気バルブ24B、および真空ポンプ25によって適切な圧力に設定されたり、高真空に排気されたりする。真空処理室20はメンテナンス扉21を使用して作業員が出入りすることもできる。アノード電極31温度制御機構30図10~図13を参照して、本実施の形態におけるアノード電極31および温度制御機構30について詳細に説明する。図10は、真空処理装置1に用いられるアノード電極31および温度制御機構30を示す平面図である。図11は、図10中におけるXI-XI線に関する矢視断面図である。図12は、図10中におけるXII-XII線に関する矢視断面図である。図10を参照して、アノード電極31は平板状に構成され、長手方向に長さL1を有している。アノード電極31には基板2の温度を制御する温度制御機構30詳細は後述するが設けられる。アノード電極31は上部電極板36と下部電極板37図11参照とから構成される。上部電極板36および下部電極板37は所定のネジ図示せずによって相互に固定される。基板2被処理物はアノード電極31上部電極板36の表面31S上に載置される。図11を参照して、上部電極板36の下面には、アノード電極31の長手方向図11紙面垂直方向に沿って溝36Mおよび溝36Nが平行に並んで設けられる。下部電極板37の上面には同方向に沿って溝37Mおよび溝37Nが平行に並んで設けられる。図10を再び参照して、溝36Mおよび溝37Mは1つの段差数を有する階段状に形成される。溝36Mおよび溝37Mによって、直径D1を有する円柱状の空間と、直径D2を有する円柱状の空間とが形成される。直径D2は直径D1よりも大きい。これらの空間は相互に連続し、アノード電極31を長手方向に貫通している。直径D2を有する空間は端面31T側に位置し、直径D1を有する空間は端面31U側に位置している。溝36Nおよび溝37Nによって、直径D3を有し、アノード電極31を長手方向に貫通する円柱状の空間が形成される。温度制御機構30は、長手方向において略均一な外径直径D3に対応を有する棒状の加熱器33と、長手方向において略均一な外径直径D1に対応を有する管状の冷却管34と、低熱伝導物質35とを含んでいる。加熱器33は、加熱器33に電力を供給するための配線図示せずに接続され、たとえばシーズヒータから構成される。加熱器33は溝36Nおよび溝37Nに挟まれており、加熱器33とアノード電極31とは相互に接触している。図12を参照して、冷却管34はたとえばステンレス鋼から構成され、溝36Mおよび溝37Mの間に設けられる。直径D1を有する上記の空間においては、冷却管34は溝36Mおよび溝37Mに挟まれており、冷却管34とアノード電極31とは相互に接触している。直径D2を有する空間に冷却管34が配設されることによって、円筒状の空洞領域が形成される。当該空洞領域に上記の低熱伝導物質35が設けられる。直径D2を有する上記の空間においては、冷却管34は低熱伝導物質35を介在して溝36Mおよび溝37Mに挟まれており、冷却管34とアノード電極31とは相互に接触していない。低熱伝導物質35は、冷却管34とアノード電極31とが相互に接触している部分における熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。低熱伝導物質35は円筒状に形成される。低熱伝導物質35は、冷却管34が入り込んでいるアノード電極31の端面31Tから、冷却管34を取り囲みつつアノード電極31の内部に入り込むように所定の長さL2で延在している。長さL2は低熱伝導物質35が端面31Tから端面31Uに到達しない長さである。上記構成によって、加熱器33は、端面31T図10参照から端面31Tに対向する端面31Uに向かってアノード電極31を貫通し、アノード電極31の内部において表面31Sに沿って延在している。冷却管34は、加熱器33と平行に並んだ状態で端面31Tから端面31Uに向かってアノード電極31を貫通し、アノード電極31の内部において表面31Sに沿って延在している。低熱伝導物質35は、冷却管34の長手方向の端面31T側における一部とアノード電極31との間を埋めている。冷却管34の長手方向の端面31U側における残部とアノード電極31とは接触している。低熱伝導物質35が介在していることによって冷却管34とアノード電極31とが接触していない部分上記の一部の熱伝導率は、冷却管34とアノード電極31とが接触している部分上記の残部の熱伝導率よりも低くなっている。本実施の形態における真空処理装置1は、加熱器33に所定の電力が投入され、冷却管34に窒素ガスなどの冷却用媒体38が供給される矢印AR1および矢印AR2参照。表面31S上に載置された基板2は間接的に加熱および冷却される。真空処理装置1によれば、低熱伝導物質35の存在によって、アノード電極31の内部冷却管34とアノード電極31との間にヘリウムガス等の反応ガスは侵入しない。冷却管34とアノード電極31との間の熱伝導率が、プラズマ処理中の真空処理室20内の雰囲気によって影響されない。基板2の温度分布は均一となる。複数のプラズマ処理を行なうために異なる雰囲気が真空処理室20内に形成されたとしても、基板2に対して均一な成膜処理やエッチング処理等を施すことが可能となる。低熱伝導物質35の長さL2図10参照は、基板2などの仕様によって最適化されるが、たとえばアノード電極31の長さL1図10参照の約1/3であるとよい。低熱伝導物質35は、溝36Mおよび溝37Mによって形成される空間を埋め尽くすように設けられるとよい。熱伝達率を調整するために、低熱伝導物質35と溝36Mおよび溝37Mとの間には多少の空間が設けられていてもよい。低熱伝導物質35、溝36Mおよび溝37Mは、基板2を均一に冷却可能なように、たとえば端面31Tから端面31U側に向かうにつれて径が小さくなるようなテーパー状に形成されていてもよい。低熱伝導物質35、溝36Mおよび溝37Mの長さ大きさおよび形状は、アノード電極31の厚さ、アノード電極31の長さ、アノード電極31の材質、基板2の大きさ、加熱器33の発熱量、高周波電源28図9参照の出力、冷却用媒体38の種類などに応じて、基板2を均一に冷却可能なように最適化されるとよい。温度制御機構30は、アノード電極31およびカソード電極32図9参照の一方に設けられていてもよく双方に設けられていてもよい。低熱伝導物質35の熱伝導率は、冷却管34を構成する材質たとえばステンレス鋼の熱伝導率よりも低いとよい。低熱伝導物質35の熱伝導率は、冷却用媒体38として用いられるヘリウムガス熱伝導率約0.15W/mKや水素ガス熱伝導率約0.18W/mKなどの熱伝導率よりも低いとよい。低熱伝導物質35の熱伝導率は、使用される反応ガスの熱伝導率と同等または若干高いとよい。低熱伝導物質35は、ポリテトラフルオロエチレンPTFEまたはペルフルオロアルコキシフッ素樹脂PFAなどの、熱伝導率が低く且つプラズマに対する耐性が高いフッ素樹脂を含んでいてもよい。この場合、基板2の温度は長期にわたって安定して制御される。低熱伝導物質35は、熱伝導率を容易に制御可能な樹脂系の発泡体を含んでいてもよい。この場合、低熱伝導物質35の熱伝導率は約0.026W/mK以下とするとよい。低熱伝導物質35は、セラミック系の断熱材を含んでいてもよい。セラミック系の断熱材を通して行なわれる冷却管34とアノード電極31との熱交換は、乾燥空気または窒素を通して行なわれる冷却管34とアノード電極31との熱交換と同等の効果を得ることができる。冷却用媒体38としては、液体であってもよいし気体であってもよい。冷却用媒体38が熱容量の低い気体であっても、冷却用媒体38を冷却管34内で循環させることで、上記同様の作用効果を得ることができる。冷却用媒体38が窒素ガス、希ガス、またはアルゴンガスなどの不活性ガスである場合、冷却用媒体38が液体である場合に比べて安価に実施されることが可能となり、且つ真空処理装置1としての安全性も向上する。冷却用媒体38の流量は、基板2を均一に冷却可能なように最適化されるとよい。[実施の形態1に基づく実施例]図13を参照して、アノード電極31における冷却管34の冷却性能に関する試験を行なった。当該試験において、アノード電極31の長さL1図12参照は約800mmである。アノード電極31の材質はアルミニウム合金である。加熱器33はシーズヒータである。冷却管34の外形は約1/4インチである。冷却管34の材質はステンレスである低熱伝導物質35の長さL2は約400mmである。低熱伝導物質35の材質はポリテトラフルオロエチレンPTFEである。冷却用媒体38は窒素ガスである。アノード電極31に設けられた熱電対による設定温度は140°Cである。所定の量の電力を加熱器33に投入しつつ、約23リットル/minの窒素ガスを冷却用媒体38として冷却管34に供給した。基板2の温度が定常状態となった後、冷却管34の付近の基板2の温度分布を測定した。図13は、アノード電極31の端面31Tからの距離Lmmの位置における基板2の温度分布R1,R2を示している。温度分布R1は、真空雰囲気下での試験結果である。温度分布R2は、ヘリウムガス1000Paの雰囲気下での試験結果である。図13中の温度分布R1,R2に示すように、距離L=0から距離L=800に向かうにつれて基板2の温度は緩やかに上昇している。低熱伝導物質35が設けられた範囲において冷却用媒体38の脱熱量冷却性能が低下している。上述の比較例1の場合図4参照に比べて、基板2の温度の不均一性バラツキは少ない。低熱伝導物質35が設けられることによって、上述の比較例2の場合図8参照に比べて、温度分布R1真空雰囲気下と温度分布R2ヘリウムガス雰囲気下との差が少なくなっている。温度分布R1,R2に見られるわずかな不均一性は、低熱伝導物質35、溝36Mおよび溝37Mの長さ大きさおよび形状などを最適化することによって容易に解消される。当該試験結果から、真空処理装置1によれば、冷却管34とアノード電極31との間の熱伝導率が、プラズマ処理中の真空処理室20内の雰囲気によって影響されず、基板2の温度分布は均一となることがわかる。[実施の形態2]図14~図17を参照して、本実施の形態における真空処理装置について説明する。ここでは、上述の実施の形態1との相違点について説明する。図14は、本実施の形態における真空処理装置のアノード電極31Aおよび温度制御機構30Aを示す斜視図である。図15は、本実施の形態における真空処理装置のアノード電極31Aおよび温度制御機構30Aを示す平面図である。図16は、図15中におけるXVI-XVI線に関する矢視断面図である。図17は、図15中におけるXVII-XVII線に関する矢視断面図である。図17においては、アノード電極31Aが透過的に示されることによって、アノード電極31Aの内部に設けられた冷却管34A詳細は後述するの上流部34A1と、アノード電極31Aの内部に設けられた冷却管34B詳細は後述するの下流部34B2とが重なった状態で点線で図示されている。実際には、上流部34A1と下流部34B2とは離れている図15参照。図14および図15を参照して、本実施の形態におけるアノード電極31Aには、基板2図15参照の温度を制御する温度制御機構30A詳細は後述するが設けられる。図16を参照して、上部電極板36の下面にはアノード電極31Aの長手方向図16紙面垂直方向に沿って、溝36MA、溝36N、および溝36MBがこの順に並んで複数設けられる。下部電極板37の上面には、同方向に沿って溝37MA、溝37N、および溝37MBがこの順に並んで複数設けられる。図15を再び参照して、本実施の形態においては、10本の各溝36MA,37MA,36MB,37MBがアノード電極31Aの端面31Tから端面31Uに向かって貫通するように設けられる。5本の各溝36N,37Nが、アノード電極31Aの端面31Tから端面31Uに向かって延びる平面視略U字形状に設けられる。各溝36MA,37MA,36MB,37MB,36N,37Nにおいては、端面31Tから端面31Uに向かって延在する部分が相互に平行且つ等間隔である。溝36MAおよび溝37MAは、1つの段差数を有する階段状に形成される。溝36MAおよび溝37MAによって、直径D1Aを有する円柱状の空間と、直径D2Aを有する円柱状の空間とが形成される。直径D2Aは直径D1Aよりも大きい。これらの空間は相互に連続し、アノード電極31Aを長手方向に貫通している。直径D2Aを有する空間は端面31T側に位置し、直径D1Aを有する空間は端面31U側に位置している。溝36MBおよび溝37MBは、1つの段差数を有する階段状に形成される。溝36MBおよび溝37MBによって、直径D1Bを有する円柱状の空間と、直径D2Bを有する円柱状の空間とが形成される。直径D2Bは直径D1Bよりも大きい。これらの空間は相互に連続し、アノード電極31Aを長手方向に貫通している。直径D2Bを有する空間は端面31U側に位置し、直径D1Bを有する空間は端面31T側に位置している。図14を再び参照して、温度制御機構30Aは、加熱器33と、冷却管34A第1冷却管と、低熱伝導物質35Aと、冷却管34B第2冷却管と、低熱伝導物質35Bとを複数含んでいる。加熱器33は、長手方向において略均一な外径直径D3に対応を有しており、平面視U字形状に構成される。加熱器33は溝36Nおよび溝37Nに挟まれており、加熱器33とアノード電極31Aとは相互に接触している。加熱器33は端面31Tからアノード電極31Aを平面視U字形状に貫通し、アノード電極31Aの内部において表面31Sに沿って延在している。冷却管34Aは上流部34A1および下流部34A2を有している。上流部34A1および下流部34A2は略均一な外径図15における直径D1Aに対応を有しており、全体として略U字形状細長環状を呈している。上流部34A1は冷媒供給管34Mに接続され、下流部34A2は冷媒排出管34Nに接続される。上流部34A1は、溝36MAおよび溝37MAの間に設けられる。上流部34A1は、端面31Tから端面31Uに向かってアノード電極31Aを貫通し、アノード電極31Aの内部において表面31Sに沿って延在している。下流部34A2は、略J字状に形成され、上流部34A1の端面31U側の端部に連続している。下流部34A2は、アノード電極31Aの外部に露出しており、端面31Uから延設された庇部31Kの下方を通って、端面31U側から端面31T側に向かってアノード電極31Aの底面下方をアノード電極31Aの底面に沿って延在している。直径D1A図15参照を有する上記の空間においては、上流部34A1は溝36MAおよび溝37MAに挟まれており、上流部34A1とアノード電極31Aとは相互に接触している。直径D2A図15参照を有する空間に上流部34A1が配設されることによって、円筒状の空洞領域が形成される。当該空洞領域に上記の低熱伝導物質35Aが設けられる。直径D2Aを有する上記の空間においては、上流部34A1は低熱伝導物質35Aを介在して溝36MAおよび溝37MAに挟まれており、上流部34A1とアノード電極31Aとは相互に接触していない。低熱伝導物質35Aは上流部34A1とアノード電極31Aとが相互に接触している部分における熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。図17を参照して、低熱伝導物質35Aは円筒状に形成される。低熱伝導物質35Aは、上流部34A1が入り込んでいるアノード電極31Aの端面31Tから、上流部34A1を取り囲みつつアノード電極31Aの内部に入り込むように所定の長さL2Aで延在している。長さL2Aは低熱伝導物質35Aが端面31Tから端面31Uに到達しない長さである。図14を再び参照して、冷却管34Bは上流部34B1および下流部34B2を有している。上流部34B1および下流部34B2は略均一な外径図15における直径D1Bに対応を有しており、全体として略U字形状細長環状を呈している。上流部34B1は冷媒供給管34Mに接続され、下流部34B2は冷媒排出管34Nに接続される。上流部34B1は、略J字状に形成され、端面31T側から端面31U側に向かってアノード電極31Aの底面下方をアノード電極31Aの底面に沿って延在している。上流部34B1は、庇部31Kの下方を通って、下流部34B2の端面31U側の端部に連続している。下流部34B2は、溝36MBおよび溝37MBの間に設けられる。下流部34B2は、端面31Uからアノード電極31Aの内部に入り込んでおり、端面31Uから端面31Tに向かってアノード電極31Aを貫通している。下流部34B2はアノード電極31Aの内部において表面31Sに沿って延在している。直径D1B図15参照を有する上記の空間においては、下流部34B2は溝36MBおよび溝37MBに挟まれており、下流部34B2とアノード電極31Aとは相互に接触している。直径D2B図15参照を有する空間に下流部34B2が配設されることによって円筒状の空洞領域が形成される。当該空洞領域に上記の低熱伝導物質35Bが設けられる。直径D2Bを有する上記の空間においては、下流部34B2は低熱伝導物質35Bを介在して溝36MBおよび溝37MBに挟まれており、下流部34B2とアノード電極31Aとは相互に接触していない。低熱伝導物質35Bは下流部34B2とアノード電極31Aとが相互に接触している部分における熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。図17を再び参照して、低熱伝導物質35Bは円筒状に形成される。低熱伝導物質35Bは、下流部34B2が入り込んでいるアノード電極31Aの端面31Uから、下流部34B2を取り囲みつつアノード電極31Aの内部に入り込むように所定の長さL2Bで延在している。長さL2Bは低熱伝導物質35Bが端面31Uから端面31Tに到達しない長さである。図14を再び参照して、上記構成によって、冷却管34Aの上流部34A1、加熱器33、および冷却管34Bの下流部34B2は、アノード電極31Aの内部においてこの順で並んでいる。冷却管34Aの上流部34A1と冷却管34Bの下流部34B2とはアノード電極31Aの内部において相互に隣り合っている。本実施の形態における真空処理装置は、加熱器33に所定の電力が投入される。冷却管34Aには、冷媒供給管34Mを通して上流部34A1から窒素ガスなどの冷却用媒体38が供給される矢印AR1A参照。冷却管34Bには、冷媒供給管34Mを通して上流部34B1から窒素ガスなどの冷却用媒体38が供給される矢印AR1B参照。上流部34A1および上流部34B1への冷却用媒体38の各々の供給量は、約500リットル/min以上約1500リットル/min以下とするとよい。上流部34A1内を流れる冷却用媒体38の通流方向と、下流部34B2内を流れる冷却用媒体38の通流方向とは逆向きである。上流部34A1および下流部34B2の各々を流れる冷却用媒体38との熱交換によってアノード電極31Aは冷却される。表面31S上に載置された基板2は間接的に加熱および冷却される。アノード電極31Aを通り抜けることによって熱交換が完了した冷却用媒体38は冷媒排出管34Nに排出される矢印AR2Aおよび矢印AR2B参照。低熱伝導物質35A,35Bの存在によって、アノード電極31Aの内部冷却管34A,34Bとアノード電極31Aとの間にヘリウムガス等の反応ガスは侵入しない。冷却管34A,34Bとアノード電極31Aとの間の熱伝導率が、プラズマ処理中の真空処理室内の雰囲気によって影響されないため、基板2の温度分布が不均一とならない。上流部34A1と下流部34B2とを同一の大きさ、形状および材質に設定し、且つ、低熱伝導物質35Aの長さL2A図15参照と低熱伝導物質35Bの長さL2B図15参照とを同一の値に設定するとよい。上流部34A1内の冷却用媒体38の通流方向に生じる基板2の温度分布のバラツキと、下流部34B2内の冷却用媒体38の通流方向に生じる基板2の温度分布のバラツキとは略対称となる。冷却管34Aの上流部34A1と冷却管34Bの下流部34B2とは隣り合っているため、これらのバラツキは相殺され、基板2の温度分布はより均一となる。実施の形態2に基づく実施例として、上述の実施の形態1に基づく実施例と同様の試験を行なった。冷却用媒体38としては、約750リットル/minの窒素ガスを冷却管34A,34Bに供給した。その結果、冷却管34A,34Bとアノード電極31Aとの間の熱伝導率が、プラズマ処理中の真空処理室20内の雰囲気によって影響されないことが確かめられた。[実施の形態3]図18~図21を参照して、本実施の形態における真空処理装置について説明する。ここでは、上述の実施の形態1との相違点について説明する。図18は、本実施の形態における真空処理装置のアノード電極31Bおよび温度制御機構30Bを示す斜視図である。図19は、本実施の形態における真空処理装置のアノード電極31Bおよび温度制御機構30Bを示す平面図である。図20は、図19中におけるXX-XX線に関する矢視断面図である。図21は、図19中におけるXXI-XXI線に関する矢視断面図である。図21においては、アノード電極31Bが透過的に示されることによって、アノード電極31Bの内部に設けられた冷却管34C詳細は後述するの上流部34C1と、アノード電極31Aの内部に設けられた他の冷却管34C詳細は後述するの下流部34C2とが重なった状態で点線で図示されている。実際には、冷却管34Cの上流部34C1と他の冷却管34Cの下流部34C2とは離れている図19参照。図18および図19を参照して、本実施の形態におけるアノード電極31Bには、基板2図19参照の温度を制御する温度制御機構30B詳細は後述するが設けられる。図18および図20を参照して、上部電極板36の下面には、アノード電極31Bの端面31T図18参照から端面31U図18参照に向かって延びる平面視略U字形状の溝36Mと、溝36Mの内側に位置し、アノード電極31Bの端面31Tから端面31Uに向かって延びる平面視略U字形状の溝36Nとが複数並んで設けられる。下部電極板37の上面には、アノード電極31Bの端面31Tから端面31Uに向かって延びる平面視略U字形状の溝37Mと、溝37Mの内側に位置し、アノード電極31Bの端面31Tから端面31U図18参照に向かって延びる平面視略U字形状の溝37Nとが複数並んで設けられる。図19を再び参照して、本実施の形態においては、5本の各溝36M,37M,36N,37Nが、アノード電極31Bに設けられる。各溝36M,37M,36N,37Nにおいては、端面31Tから端面31Uに向かって延在する部分が、相互に平行且つ等間隔になるように設けられる。溝36Mおよび溝37Mは、1つの段差数を有する階段状に形成される。溝36Mおよび溝37Mによって、直径D1を有する円柱状の空間と、直径D2を有する円柱状の空間とが形成される。直径D2は直径D1よりも大きい。これらの空間は相互に連続し、アノード電極31Bを平面視U字形状に貫通している。直径D2を有する空間は端面31Tからアノード電極31Bの内部に向かって延在している。直径D1を有する空間は、直径D2を有する空間の延在方向の先端から端面31Uに向かい、端面31Uの手前で折り返して端面31Tに向かうように延在している。溝36Nおよび溝37Nによって、直径D3を有する平面視U字形状の空間が形成される。図18を再び参照して、温度制御機構30Bは、加熱器33と、冷却管34Cと、低熱伝導物質35とを複数含んでいる。加熱器33は、長手方向において略均一な外径直径D3に対応を有しており、平面視U字形状に構成される。加熱器33は溝36Nおよび溝37Nに挟まれており、加熱器33とアノード電極31Bとは相互に接触している。加熱器33は、アノード電極31Bを平面視U字形状に貫通し、アノード電極31Bの内部において表面31Sに沿って延在している。冷却管34Cは、溝36Mおよび溝37Mの間に設けられ、アノード電極31Bを平面視U字形状に貫通している。冷却管34Cは、上流部34C1および下流部34C2を有している。上流部34C1および下流部34C2は略均一な外径図19における直径D1に対応を有しており、全体として略U字形状を呈している。上流部34C1は冷媒供給管34Mに接続され、下流部34C2は冷媒排出管34Nに接続される。上流部34C1は、アノード電極31Bの端面31Tからアノード電極31Bの内部に入り込み、アノード電極31Bの内部において表面31Sに沿って延在している。下流部34C2は、略J字状に形成され、上流部34C1の端面31U側の端部先端に連続している。下流部34C2は、当該端部から端面31Uに向かい、端面31Uの手前で折り返している。下流部34C2は、端面31Uの手前で折り返した後、端面31Tに向かうようにアノード電極31Bの内部において表面31Sに沿って延在し、端面31Tからアノード電極31Bの外部に出ている。下流部34C2は、端面31Uの手前で折り返さず、アノード電極31Bの外部に出た後に折り返してもよい。直径D1図19参照を有する上記の空間においては、上流部34C1は溝36Mおよび溝37Mに挟まれており、上流部34C1とアノード電極31Bとは相互に接触している。直径D2図19参照を有する空間に上流部34C1が配設されることによって円筒状の空洞領域が形成される。当該空洞領域に上記の低熱伝導物質35が設けられる。直径D2を有する上記の空間においては、上流部34C1は低熱伝導物質35を介在して溝36Mおよび溝37Mに挟まれており、上流部34C1とアノード電極31Bとは相互に接触していない。低熱伝導物質35は、上流部34C1とアノード電極31Bとが相互に接触している部分における熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。図21を参照して、低熱伝導物質35は円筒状に形成される。低熱伝導物質35は、上流部34C1が入り込んでいるアノード電極31Bの端面31Tから、上流部34C1を取り囲みつつアノード電極31Bの内部に入り込むように所定の長さL2で延在している。長さL2は、アノード電極31Bの長さL1の約1/2以上2/3以下となるよう設定されるとよい。図18を再び参照して、上記構成によって、冷却管34Cの上流部34C1、加熱器33、および冷却管34Cの下流部34C2は、アノード電極31Bの内部においてこの順で並んでいる。冷却管34Cの上流部34C1と、他の冷却管34Cの下流部34C2とは、アノード電極31Bの内部において相互に隣り合っている。本実施の形態における真空処理装置は、加熱器33に所定の電力が投入され、冷却管34Cには、冷媒供給管34Mを通して上流部34C1から窒素ガスなどの冷却用媒体38が供給される矢印AR1参照。上流部34C1および下流部34C2の各々を流れる冷却用媒体38との熱交換によって、アノード電極31Bは冷却される。上流部34C1内を流れる冷却用媒体38の通流方向と、下流部34C2内を流れる冷却用媒体38の通流方向とは逆向きである。上部電極板36に対する加熱および冷却によって、表面31S上に載置された基板2も間接的に加熱および冷却される。アノード電極31Bを通り抜けることによって熱交換が完了した冷却用媒体38は冷媒排出管34Nに排出される矢印AR2参照。低熱伝導物質35の存在によって、プラズマ処理中および処理待機中において、アノード電極31Bの内部冷却管34Cとアノード電極31Bとの間にヘリウムガス等の反応ガスは侵入しない。冷却管34Cとアノード電極31Bとの間の熱伝導率が、プラズマ処理中の真空処理室内の雰囲気によって影響されないため、基板2の温度分布が不均一とならない。上述の実施の形態2における冷却管34A,34B図14参照と異なり、冷却管34Cはアノード電極31Bを平面視U字形状に貫通している。冷却管34Cとアノード電極31Bとの接触面積が拡大しているため冷却効率が高い。上流部34C1内の冷却用媒体38の通流方向に生じる基板2の温度分布のバラツキと、下流部34C2内の冷却用媒体38の通流方向に生じる基板2の温度分布のバラツキとは、上流部34C1と下流部34C2とが隣り合っていることにより緩和され、基板2の温度分布は均一となる。基板2の温度分布をより均一とするために、下流部34C2の端面31U寄りの部分に低熱伝導物質35に相当する部材を設けてもよい。[実施の形態4]以下、図22~図26を参照して、本実施の形態について説明する。本実施の形態においては、本実施の形態における熱処理装置100が本実施の形態における成膜処理装置1000に備えられる態様に基づいて説明する。成膜処理装置1000図22を参照して、本実施の形態における成膜処理装置1000について説明する。図22は、成膜処理装置1000の全体的な構成を模式的に示す断面図である。成膜処理装置1000は、熱処理装置100詳細は後述するを備える。成膜処理装置1000は、基板102被処理物に対して所定の成膜処理を行なう。成膜処理装置1000は、成膜処理室120、アノード電極131支持台、カソード電極132、および温度制御機構130図22において図示せずを備えている。成膜処理室120は、成膜処理室120内における雰囲気ガスの雰囲気を制御することができる。成膜処理室120は、アルミニウム合金から構成され、内面には鏡面加工が施される。アノード電極131およびカソード電極132は、成膜処理室120内で表面131Sおよび表面132Sが相互に対向するように水平配置される。アノード電極131およびカソード電極132はたとえばアルミニウム合金から構成される。成膜処理室120には、導入管122を通して、成膜処理室120内における所定の処理に用いられる雰囲気ガス反応ガスが導入される。雰囲気ガスには、たとえば、H2で希釈したSiH4モノシランガス、PH3ホスフィンガス、B2H6ジボランガス、またはCO2ガス等が含まれる。成膜処理室120は、排気管123、圧力調整バルブ124A、排気バルブ124B、および真空ポンプ125によって適切な圧力に設定されたり、高真空に排気されたりする。成膜処理室120は、メンテナンス扉121を使用して作業員が出入りすることもできる。本実施の形態においては、アノード電極131の表面131S上に基板102が載置される。アノード電極131は接地されている。カソード電極132はコンデンサ126および整合回路127を通して高周波電源128に接続される。熱処理装置100図23~図25を参照して、本実施の形態における熱処理装置100について説明する。図23は、熱処理装置100を示す平面図である。図24は、図23中のXXIV-XXIV線に関する矢視断面図である。図25は、図23中のXXV-XXV線に関する矢視断面図である。図23~図25においては、熱処理装置100上に基板102被処理物が載置された様子が示されている。図23および図24を参照して、熱処理装置100は、支持台としてのアノード電極131と、温度制御機構130とを備える。アノード電極131は平板状に構成され、長手方向に長さL101を有する。アノード電極131は、上部体136と下部体137図24参照とから構成される。上部体136および下部体137は良好な熱伝導性を有する部材から構成される。上部体136および下部体137は所定のネジ図示せずによって相互に固定される。基板102被処理物はアノード電極131上部体136の表面131S上に載置される。アノード電極131に、基板102の温度を制御する温度制御機構130が設けられる。温度制御機構130は、加熱器133と、冷却管134と、低熱伝導物質135低熱伝導部とを含む。低熱伝導物質135は、上部体136および下部体137を構成する部材よりも低い熱伝導率を有する部材たとえば断熱材から構成される。図24を参照して、上部体136の下面には、アノード電極131の長手方向図24紙面垂直方向に沿って溝136Mおよび溝136Nが略平行に並んで設けられる。下部体137の上面には同方向に沿って溝137Mおよび溝137Nが略平行に並んで設けられる。図23を再び参照して、溝136Nおよび溝137Nによって、直径D103を有し、アノード電極131を長手方向に貫通する円柱状の空間が形成される。溝136Mおよび溝137Mによって、端面131Tからの距離L100の位置において内径D100を有する略円錐状の空間が形成される。内径D100は、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて徐々に小さくなるようにテーパー状に構成される。好ましくは、内径D100は指数関数的に小さくなるように構成されるとよい詳細な理由は追って後述する。温度制御機構130は、長手方向において略均一な外径直径D103に対応を有する棒状の加熱器133と、長手方向において略均一な外径直径D101を有する管状の冷却管134と、低熱伝導物質135とを含む。加熱器133は、加熱器133に電力を供給するための配線図示せずに接続され、たとえばシーズヒータから構成される。加熱器133は、溝136Nおよび溝137Nに挟まれており、加熱器133とアノード電極131図24参照とは相互に接触している。図25を参照して、冷却管134はたとえばステンレス鋼から構成され、溝136Mおよび溝137Mの間に設けられる。端面131Tからの距離L100の位置において内径D100を有する円錐状の空間に、冷却管134が配設される。冷却管134の配設によって、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて厚さ肉厚が徐々に小さくなる略円筒状の空間が形成される。当該空間に、上記の低熱伝導物質135が設けられる。低熱伝導物質135は、冷却管134が入り込んでいるアノード電極131の端面131Tから、冷却管134を徐々に小さくなる厚さ内径D100に対応するで取り囲みつつ、アノード電極131の内部に入り込むように設けられる。上述のとおり、低熱伝導物質135低熱伝導部は、上部体136および下部体137を構成する部材よりも低い熱伝導率を有する部材たとえば断熱材から構成される。換言すると、低熱伝導物質135は、冷却管134のアノード電極131に対する熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。端面131Tからアノード電極131の内部に入り込むように設けられる低熱伝導物質135は、端面131Tから冷却管134の長手方向の全域にわたって設けられていてもよく、端面131Tから冷却管134の長手方向の一部にわたって設けられていてもよい。上記構成によって、加熱器133は、端面131T図23参照から端面131Tに対向する端面131Uに向かってアノード電極131を貫通し、アノード電極131の内部において表面131Sに沿って延在する。冷却管134は、加熱器133と平行に並んだ状態で、端面131Tから端面131Uに向かってアノード電極131を貫通し、アノード電極131の内部において表面131Sに沿って延在する。低熱伝導物質135は、冷却管134とアノード電極131との間を部分的にまたは全域にわたって埋める。徐々に厚さが小さくなるテーパー状の低熱伝導物質135が介在していることによって、冷却管134とアノード電極131との間の熱伝導率は、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて徐々に高くなる。冷却管134からアノード電極131への熱は、端面131T側は伝わりにくく、端面131U側に向かうにつれて徐々に伝わり易くなる。本実施の形態における熱処理装置100は、加熱器133に所定の電力が投入され、冷却管134に窒素ガスなどの冷却用媒体138が供給される矢印AR101および矢印AR102参照。表面131S上に載置された基板102は間接的に加熱および冷却される。基板102に対する所定の成膜処理中および処理待機中においては、アノード電極131に設けられた温度測定器図示せずによって表面131Sの温度が測定される。温度測定器の測定値に基づいて加熱器133への電力の投入量および冷却管134への冷却用媒体138の供給量が調節される。当該調節によって、表面131S上に載置された基板102の温度が所望の値となるように制御される。本実施の形態における低熱伝導物質135は、上述の実施の形態1図10参照における低熱伝導物質35図10参照に比べて、徐々に厚さが小さくなる低熱伝導物質135が介在していることによって、冷却管134とアノード電極131との間の熱伝導率は、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて徐々に高くなる。本実施の形態おける熱処理装置100によれば、冷却管134とアノード電極131との間の熱伝導率は、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて徐々に高くなるため、上述の実施の形態1に比べて基板102の温度分布の不均一性はより一層改善されることができる。低熱伝導物質135の熱伝導率は、冷却管134を構成する材質たとえばステンレス鋼の熱伝導率よりも低いとよい。低熱伝導物質135の熱伝導率は、冷却用媒体138として用いられるヘリウムガス熱伝導率約0.15W/mKや水素ガス熱伝導率約0.18W/mKなどの熱伝導率よりも低いとよい。低熱伝導物質135の熱伝導率は、使用される雰囲気ガス反応ガスの熱伝導率と同等または若干高いとよい。低熱伝導物質135は、ポリテトラフルオロエチレンPTFEまたはペルフルオロアルコキシフッ素樹脂PFAなどの、熱伝導率が低く且つプラズマに対する耐性が高いフッ素樹脂を含んでいてもよい。この場合、基板102の温度は長期にわたって安定して制御される。低熱伝導物質135は、熱伝導率を容易に制御可能な樹脂系の発泡体を含んでいてもよい。この場合、低熱伝導物質135の熱伝導率は約0.026W/mK以下とするとよい。低熱伝導物質135は、セラミック系の断熱材を含んでいてもよい。セラミック系の断熱材を通して行なわれる冷却管134とアノード電極131との熱交換は、乾燥空気または窒素を通して行なわれる冷却管134とアノード電極131との熱交換と同等の効果を得ることができる。冷却用媒体138としては、液体であってもよいし気体であってもよい。冷却用媒体138が熱容量の低い気体であっても、冷却用媒体138を冷却管134内で循環させることで、上記同様の作用効果を得ることができる。冷却用媒体138が窒素ガス、または希ガスなどの不活性ガスである場合、冷却用媒体138が液体である場合に比べて安価に実施されることが可能となり、且つ熱処理装置100としての安全性も向上する。冷却用媒体138の流量は、基板102をより均一に冷却可能なように最適化されるとよい。図26を参照して、低熱伝導物質135の厚さ内径D100に対応が指数関数的に小さくなる場合において、低熱伝導物質135のより好ましい形状について説明する。冷却管134の中心からの半径方向における距離r、低熱伝導物質135の端面131T側の内径r=D101における温度をTin、低熱伝導物質135の端面131U側における内径r=D101の温度をToutとする。端面131Tから距離L100、冷却管134の中心からの半径方向の距離rの位置における低熱伝導物質135の温度TL100,rは、低熱伝導物質135の内径r=D101においては次の式1によって表される。TL100,D101=TinTout-Tin×L100/L101式1冷却管134の単位長さあたりの放熱量E、低熱伝導物質135の熱伝導率λ、低熱伝導物質135の厚さD100を用いると、低熱伝導物質135の内径D101と外径D100の温度差ΔTは次の式2によって表される。ΔT=E×lnr/D101/2π×λ式2低熱伝導物質135の外径D100の温度をTplateとすると、低熱伝導物質135の内径D101と外径D100の温度差ΔTは次の式3によって表される。ΔT=TL100,D101-Tplate式3アノード電極131の冷却において、低熱伝導物質135の厚さはアノード電極131の長手方向長さL101と比べて十分に小さい。アノード電極131の長手方向の各位置において低熱伝導物質135の厚さが変動しても、その変動の大きさは小さく、低熱伝導物質135は円筒形状であるとみなすことができる。よって、低熱伝導物質135の外径D100の温度Tplateが冷却用媒体138の流動方向において一定である時の低熱伝導物質135の外径D100は、式1~式3に基づいて、次の式4のように表すことができる。D100=D101×exp[TinTout-Tin×L100/L101-Tplate×2π×λ/E]式4低熱伝導物質135の外径D100は、端面131Tからの距離L100においては上記の式4に基づく指数関数となる。図26における曲線Kは、上記の式4をグラフ化したものである。曲線Kにおいては、冷却管134の直径低熱伝導物質135の内径D101を6mm、L100=0における低熱伝導物質135の内径部における温度Tinを30°C、L=800mmにおける低熱伝導物質135の内径部における温度Toutを150°C、低熱伝導物質135の外径部における温度Tplateを150°C、アノード電極131の長手方向の長さL101を800mm、低熱伝導物質135の熱伝導率λを0.25W/mK、総放熱量E×Lを150Wとした場合の、端面131Tからの距離L100と断熱材の外径D100との関係を示している。曲線Kのような外径D100をもつ形状の低熱伝導物質135の外径部は、理論上は温度が一定となる。したがって、アノード電極131に対しても均一な熱伝達が行なわれることとなる。このことから、低熱伝導物質135の外径D100は端面131Tからの距離L100の関係は、指数関数またはそれに近い関係である事が望ましい。この構造によれば、アノード電極131に対する冷却管134の脱熱量がより均一となる。基板102の温度も均一となり、成膜処理等をより均一に行う事が可能となる。また、アノード電極131の端面端面131Tまたは端面131U等からの放熱を考慮して、アノード電極131の端面付近における冷却用媒体138での脱熱を抑えるために、アノード電極131の端面付近での低熱伝導物質135の外径を、他の部分に比べて大きくしてもよい。アノード電極131に対する冷却管134の脱熱量がより均一となる。基板102の温度も均一となり、成膜処理等をさらに均一に行う事が可能となる。[実施の形態5]図27を参照して、本実施の形態にについて説明する。ここでは、上述の実施の形態4との相違点について説明する。図27は、上述の実施の形態4における図25に相当し、本実施の形態におけるアノード電極131Aおよび低熱伝導物質135を示す断面図である。上述の実施の形態4においては、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて、低熱伝導物質135の外径D100が、指数関数的に減少する態様に基づいて説明した。図27に示すように、低熱伝導物質135の端面131T側の内径の温度Tinと低熱伝導物質135の端面131U側の内径の温度をToutとの温度差が小さい場合は、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて、低熱伝導物質135の外径D100は一次関数的に減少するように構成されてもよい。この場合、低熱伝導物質135の形状は、円錐台形状となる。低熱伝導物質135の外径D100が円錐台形状となることによって、低熱伝導物質135およびアノード電極131の設計および製作が容易となる。[実施の形態6]図28を参照して、本実施の形態について説明する。ここでは、上述の実施の形態4との相違点について説明する。図28は、上述の実施の形態4における図25に相当し、本実施の形態におけるアノード電極131Bおよび低熱伝導物質135を示す断面図である。上述の実施の形態4および実施の形態5においては、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて、低熱伝導物質135の外径D100は連続的に減少する。図28に示すように、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて、低熱伝導物質135の外径D100は階段状に小さくなるように構成されてもよい。低熱伝導物質135の形状としては、筒径の異なる複数の円筒状に分割された部材が積層されることによって構成されるとよい。低熱伝導物質135の分割数、および、それぞれの円筒形状の外径D100を最適化することによって、上述の実施の形態4および実施の形態5と同様の効果が得られる。低熱伝導物質135を、その厚さが階段状に減少するように構成することによっても、低熱伝導物質135およびアノード電極131Bの製作が容易となる。低熱伝導物質135が分割された部材の積層によって構成される場合には、低熱伝導物質135またはアノード電極131Bの製作後に、低熱伝導物質135を構成する部材の一部の外径を変更して、温度分布を微調整する事も容易に可能である。基板102の温度がより均一になるように温度制御することが可能となる。[実施の形態7]図29を参照して、本実施の形態について説明する。ここでは、上述の実施の形態4~6との相違点についてのみ説明する。図29は、上述の実施の形態4における図25に相当し、本実施の形態におけるアノード電極131Cおよび中空空間135C低熱伝導部を示す断面図である。上述の実施の形態4~6においては、溝136Mおよび溝137Mによって形成された空間に、低熱伝導物質135が埋め込まれるように設けられた。本実施の形態においては、溝136Mおよび溝137Mによって、端面131T側および端面131U側の両端が閉塞された中空空間135Cが形成される。当該中空空間135Cには、成膜処理装置1000における成膜処理に使用される雰囲気ガスが充填される。雰囲気ガスとしては、冷却管134のアノード電極131Cに対する熱伝導率よりも低い熱伝導率を有するガスが選択される。当該構成によれば、上述の実施の形態4~6における低熱伝導物質135を設ける必要がない。中空空間135Cに雰囲気ガスが充填および封止されることで、この雰囲気ガスは、上述の実施の形態4~6における低熱伝導物質135と同様に機能することができる。中空空間135Cにおける内径D100は、端面131Tから端面131Uに向かうにつれて、指数関数的に減少してもよく、一次関数的に減少してもよく、階段状に減少してもよい。上述の実施の形態4~7においては、熱処理装置100が成膜処理装置1000プラズマ処理装置に備えられるという態様に基づいて説明した。熱処理装置100としては、成膜処理装置1000以外の他の装置たとえば、画像形成装置またはCat触媒CVD装置などにも搭載されることが可能である。以上、本発明に基づいた各実施の形態について説明したが、今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。たとえば、したがって、本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"