対向するフランジ間に絶縁スペーサを挟み、締結部材で締結することにより、前記フランジ間を真空シールする真空接続装置であって、前記フランジと前記締結部材の間に設けられた絶縁部材と、前記フランジの各対向面に設けられたエッジと、前記各エッジから前記フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、前記各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、前記樹脂ガスケットは、前記エッジより前記外周部側の前記空間内に留まっていることを特徴とする真空接続装置。前記樹脂ガスケットは、テフロン登録商標からなることを特徴とする請求項1に記載の真空接続装置。試料が載置される描画室と、荷電粒子ビームを照射するビーム照射装置と、前記描画室および前記ビーム照射装置の少なくとも一方にある気体を排気する排気装置と、前記描画室または前記ビーム照射装置に繋がる配管と、前記排気装置に繋がる配管とを接続する真空接続装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、前記真空接続装置は、前記2つの配管の端部に設けられたフランジと、前記フランジ同士を絶縁スペーサを挟んで締結する締結部材と、前記フランジと前記締結部材の間に設けられた絶縁部材と、前記フランジの各対向面に設けられたエッジと、前記各エッジから前記フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、前記各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、前記樹脂ガスケットは、前記エッジより前記外周部側の前記空間内に留まっていることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。前記樹脂ガスケットは、テフロン登録商標からなることを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画装置。荷電粒子ビーム描画装置に繋がる配管の端部と、排気装置に繋がる配管の端部とにそれぞれフランジを設け、絶縁スペーサを挟んだ状態で前記フランジ同士を締結するとともに、前記フランジの各対向面に設けられたエッジから、前記フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部によって挟まれた空間に樹脂ガスケットを介装し、前記樹脂ガスケットが前記エッジより前記外周部側の前記空間内に留まるようにすることを特徴とする排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法。本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、電気的絶縁性を保持しつつ、高い真空度で配管などを接続可能な真空接続装置を提供することにある。また、本発明は、電気的絶縁性と高真空度を実現することのできる荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。さらに、本発明は、電気的絶縁性と高真空度を保持しつつ、排気装置を荷電粒子ビーム描画装置へ取り付ける方法を提供することにある。本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。本発明の第1の態様は、対向するフランジ間に絶縁スペーサを挟み、締結部材で締結することにより、フランジ間を真空シールする真空接続装置であって、フランジと締結部材の間に設けられた絶縁部材と、フランジの各対向面に設けられたエッジと、各エッジからフランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、樹脂ガスケットは、エッジより外周部側の空間内に留まっていることを特徴とするものである。本発明の第1の態様において、樹脂ガスケットは、テフロン登録商標からなることが好ましい。本発明の第2の態様は、試料が載置される描画室と、荷電粒子ビームを照射するビーム照射装置と、描画室およびビーム照射装置の少なくとも一方にある気体を排気する排気装置と、描画室またはビーム照射装置に繋がる配管と、排気装置に繋がる配管とを接続する真空接続装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、真空接続装置は、2つの配管の端部に設けられたフランジと、フランジ同士を絶縁スペーサを挟んで締結する締結部材と、フランジと締結部材の間に設けられた絶縁部材と、フランジの各対向面に設けられたエッジと、各エッジからフランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部と、各テーパ部によって挟まれた空間に介装される樹脂ガスケットとを有し、樹脂ガスケットは、エッジより外周部側の空間内に留まっていることを特徴とするものである。本発明の第2の態様において、樹脂ガスケットは、テフロン登録商標からなることが好ましい。本発明の第3の態様は、荷電粒子ビーム描画装置に繋がる配管の端部と、排気装置に繋がる配管の端部とにそれぞれフランジを設け、絶縁スペーサを挟んだ状態でフランジ同士を締結するとともに、フランジの各対向面に設けられたエッジから、フランジの各外周部に向かって形成されたテーパ部によって挟まれた空間に樹脂ガスケットを介装し、樹脂ガスケットがエッジより外周部側の空間内に留まるようにすることを特徴とする排気装置の荷電粒子ビーム描画装置への取付方法に関する。本発明の第1の態様によれば、電気的絶縁性を保持しつつ、高い真空度で配管等を接続可能な真空接続装置が提供される。また、本発明の第2の態様によれば、電気的絶縁性と高真空度を実現することのできる荷電粒子ビーム描画装置が提供される。さらに、本発明の第3の態様によれば、電気的絶縁性と高真空度を保持しつつ、排気装置を荷電粒子ビーム描画装置へ取り付ける方法が提供される。図1は、本実施の形態の真空接続装置によって配管同士を接続する様子を示す断面図である。配管1は、図示しない電子ビーム描画装置の描画室に繋がっているものとすることができる。あるいは、配管1は、電子ビーム描画装置のビーム照射装置に繋がっているものとすることもできる。配管2は、図示しない排気装置に繋がっているものとすることができる。ここで、排気装置は、イオンポンプまたは分子ポンプなどとすることができる。配管1と配管2の各端部には、リング状のフランジ3とフランジ4が互いに対向するように設けられている。フランジ3、4は、互いの対向する面に、先の尖ったエッジ13、14を備えたコンフラットフランジである。これらのフランジは、締結部材で締結することによって真空シールされる。具体的には、フランジ3、4は、座金7、8を介し、ボルト9とナット10によって締め付けられるようになっている。締結部材を構成するボルト9とナット10は金属製とすることができ、さらに、座金8も金属製とすることができる。但し、フランジと締結部材の間には絶縁部材を設ける。図1の例では、座金7を絶縁性の樹脂とするとともに、ボルト9を絶縁性の樹脂11で被覆して、ボルト9と、フランジ3、4とが電気的に絶縁されるようにしている。また、フランジ3とフランジ4の間には、絶縁性の樹脂からなるスペーサ絶縁スペーサ12が設けられている。これにより、フランジ3とフランジ4が直接的に接触するのを防ぐことができる。フランジ3には、エッジ13から外周部へ向かってテーパ部15が形成されている。同様に、フランジ4にも、エッジ14から外周部へ向かってテーパ部16が形成されている。フランジ3とフランジ4とが対向して配置されることで、テーパ部15とテーパ部16の間に空間が形成される。本実施の形態では、この空間に絶縁性の樹脂からなるガスケット樹脂ガスケット5を介装する。これにより、配管1と配管2の高真空下での接続を実現することができる。ガスケット5は、電子ビーム描画装置へと続く空間に露出している。このため、ガスケット5を構成する樹脂としては、樹脂表面からの低分子物質などの放出が少ないものを用いる。表1は、大気圧からの排気過程における樹脂の気体放出速度と吸水率とを比較した一例である。尚、吸水率は、常温常圧下で樹脂中に含まれる水分の割合である。本発明者の検討によれば、1時間当たりの気体放出速度が1.6×10-3Pam3s1m2以下の樹脂であれば、本実施の形態におけるガスケットの構成材料として使用可能である。しかしながら、高い真空度を実現する点からは、気体放出速度および吸水率のいずれもが低い値を示すテフロン登録商標を用いることが好ましい。また、ガスケット5が電子ビーム描画装置へと続く空間に露出する面は、できるだけ小さいことが好ましい。図2は、ガスケットの大きさを変えた以外は、図1と同じ構成を有するコンフラットフランジの断面図である。図2において、ガスケット6は、テーパ部15とテーパ部16によって形成される空間からエッジ13、14を超えて配管1、2の方へはみ出している。一方、図1のガスケット5は、エッジ13、14より外周部側であって、テーパ部15とテーパ部16によって形成される空間に留まっている。上記のような違いにより、図2で電子ビーム描画装置へと続く空間に露出する面S2の面積は、図1における対応する面S1の面積より大きくなる。本発明者の検討によれば、同じ樹脂を使用した場合であっても、図2のような構成とすることにより、配管1および配管2の内部の真空度は、図1の構成より低下することが分かっている。これは、樹脂から放出される気体の量が増えるためと推測される。以上述べたように、本実施の形態の真空接続装置では、フランジ同士を対向させ、樹脂からなるスペーサを挟んだ状態で金属製のボルトで締め詰める。このとき、ボルトとフランジの間に樹脂製の座金を設けるとともに、フランジに接触するボルトの面を樹脂で被覆して、ボルトとフランジを電気的に絶縁する。また、互いに対向するフランジのエッジ間に、樹脂からなるガスケットを介装する。このような構造の真空接続装置とすることにより、電子ビーム描画装置の電気的絶縁性を保持しつつ、電子ビーム描画装置を排気装置に接続することができる。また、真空接続装置に使用する樹脂としては、テフロン登録商標が好ましい。さらに、ガスケットは、フランジのエッジより外周部側であって、テーパ部によって形成される空間内に留まるようにすることが好ましい。このようにすることにより、樹脂から放出される気体の量を少なくすることができ、高真空度を実現することができる。本実施の形態の真空接続装置は、配管同士、配管と各種機器類および排気装置との接続、または、配管と各種計器との接続などに用いることができる。次に、図3~図5を用いて、本実施の形態の電子ビーム描画装置について述べる。図3に示すように、電子ビーム描画装置101は、描画部103と制御部104とで構成される。描画部103は、描画室300と、描画室300の天井部に設けた電子鏡筒301とを備えている。電子鏡筒301は、上述したビーム照射装置を構成する。描画室300内には、互いに直交するX方向とY方向に移動自在なステージ302が設けられており、ステージ302上に試料102が載置される。試料102は、例えば、ガラス基板上にクロム膜等の遮光膜とレジスト膜とが積層されたマスクである。電子鏡筒301内には、上から順に、電子銃303と、照明レンズ304と、ブランキング偏向器305と、ブランキングアパーチャ306と、第1成形アパーチャ307と、投影レンズ308および成形偏向器309と、第2成形アパーチャ310と、主偏向器311と、対物レンズ312と、副偏向器313とが配置されている。電子銃303から発せられた電子ビームBは、照明レンズ304により第1成形アパーチャ307に照射されるが、ブランキングオン時非描画期間には、ブランキング偏向器305により偏向されてブランキングアパーチャ306上に照射され、第1成形アパーチャ307には照射されない。第1成形アパーチャ307には矩形状の開口が形成されている。そして、電子ビームBは、第1成形アパーチャ307を透過する際に、その断面形状が矩形に成形され、投影レンズ308により第2成形アパーチャ310上に投影される。この際、成形偏向器309により第2成形アパーチャ310への電子ビームBの投影場所を変化させ、電子ビームBの形状と寸法を制御する。第2成形アパーチャ310を透過した電子ビームBの焦点は、対物レンズ312により試料102に合わせられる。そして、主偏向器311による電子ビームBの主偏向と副偏向器313による電子ビームBの副偏向とで、試料102に対する電子ビームBのショット位置が制御される。試料102上に描画されるパターン50は、図4に示すように、主偏向で偏向可能なY方向幅の短冊状の複数のストライプ51に分割され、さらに、各ストライプ51は、行列状の多数のサブフィールド52に分割される。パターン50の描画に際しては、ステージ302をストライプ51の幅方向に直交するX方向に連続移動させつつ、電子ビームBを主偏向により各サブフィールド52に位置決めし、所定のショット図形54に成形された電子ビームBを副偏向によりサブフィールド52の定位置にショットして図形53を描画する。そして、1つのストライプ51の描画を終了すると、ステージ302をY方向にステップ移動させてから次のストライプ51の描画を行い、これを繰り返して試料102の全体にパターン50を描画する。このように、電子ビームBは、主偏向器311と副偏向器313によって偏向され、連続的に移動するステージ302に追従しながら、照射位置を決められる。X方向のステージ移動を連続的に行うとともに、電子ビームBのショット位置をステージ移動に追従させることで、描画時間の短縮を図ることができる。尚、本実施の形態においては、ステージ302を停止させた状態で1つの主偏向領域の描画を行い、次の領域へ移動するときには描画を行わないステップアンドリピート方式の描画方法であってもよい。制御部104は、電子ビーム描画装置101の各種制御を行う制御計算機400を備えている。制御計算機400には、ステージ302の制御を行うステージ制御部406が接続されている。ステージ制御部406には、ステージ302を駆動する駆動部401と、ステージ302に固定したステージミラー302aへのレーザ光の入反射でステージ302の位置を測定するレーザ側長計402とが接続されている。また、制御計算機400には、偏向制御部403が接続されており、ブランキング偏向器305、成形偏向器309、主偏向器311および副偏向器313を偏向制御部403により各偏向器用アンプ305a、309a、311a、313aを介して制御する。制御部104は、さらに、パターンデータCADデータを、電子ビーム描画装置101で処理可能なフォーマットに変換した描画データを記憶する記憶装置404を備えている。また、制御部104は、ショットデータ生成部405を備えている。ショットデータ生成部405は、描画データで規定されるパターン50を複数のストライプ51に分割する処理、各ストライプ51をサブフィールド52に分割する処理、各サブフィールド52内の図形53の形状、大きさ、位置を決定する処理、図形53を1回のショットで描画できる複数部分に分割する処理等を行ってショット図形54のデータを生成する。このショット図形データは偏向制御部403へ送られる。試料102に対して電子ビームによる描画を行う場合には、描画室300と電子鏡筒301の内部を所定の真空度にする。具体的には、描画室300と電子鏡筒301に配管を設け、これらを排気装置の配管に接続することにより、描画室300や電子鏡筒301の内部の気体を排出する。排気装置としては、例えば、イオンポンプまたは分子ポンプなどを用いることができる。また、上記配管同士の接続には、本実施の形態の真空接続装置が用いられる。これにより、電気的絶縁性と高真空度を実現することのできる電子ビーム描画装置が提供される。図5は、電子ビーム描画装置101の配管1と、排気装置201の配管2とが、フランジ3、4を介して接続する様子を示す概略平面図である。図1に示すように、本実施の形態によれば、フランジ3とフランジ4を対向させ、樹脂からなるスペーサ12を挟んだ状態で金属製のボルト9で締め詰める。このとき、ボルト9とフランジ3の間に樹脂製の座金7を設けるとともに、フランジ3に接触するボルト9の面を樹脂11で被覆して、ボルト9とフランジ3を電気的に絶縁する。また、互いに対向するフランジ3、4のテーパ部15、16によって挟まれた空間に、樹脂からなるガスケット5を介装する。このようにすることにより、電子ビーム描画装置101の電気的絶縁性を保持しつつ、電子ビーム描画装置101を排気装置201に接続することができる。ガスケット5に使用する樹脂としては、テフロン登録商標が好ましい。さらに、ガスケット5は、フランジ3、4のエッジ13、14より外周部側であって、テーパ部15、16によって形成される空間内に留まるようにすることが好ましい。このようにすることにより、ガスケット5を構成する樹脂から放出される気体の量を少なくして、電子ビーム描画装置101の内部を高真空にすることができる。尚、電子ビーム描画装置の絶縁性を保持した状態で、これを排気装置に接続する方法としては、例えば、図6に示す構造も考えられる。図6では、図示しない電子ビーム描画装置に繋がる配管1と、図示しない排気装置に繋がる配管2とが、真空接続装置1000、2000、3000によって接続されている。真空接続装置2000は、配管1と配管5000を接続するものであり、フランジ2003とフランジ2004とが、金属製の座金2008を介して、ボルト2009とナット2010で締め付けられている。また、これらの間には、銅製のガスケット2005が介装されている。真空接続装置3000は、配管2と配管4000を接続するものであり、その構造は真空接続装置2000と同じである。真空接続装置1000は、配管4000と配管5000を接続するものであり、フランジ1003とフランジ1004とが、樹脂スペーサ1011を挟んだ状態で、ボルト1009とナット1010によって締め付けられている。尚、ボルト1009とナット1010は金属製であり、座金1008も金属製であるが、座金1007は絶縁性の樹脂である。また、ボルト1009のフランジ1003、1004と接触する部分には、絶縁性の樹脂が被覆されている。さらに、フランジ1003とフランジ1004の間には、セラミック製のシールリング1005が配置されており、Oリング1001によって真空シールされている。図6の構造によっても、電子ビーム描画装置の絶縁性を保持した状態で、電子ビーム描画装置を排気装置に接続することができる。しかしながら、この構成では、図1に比べて真空接続装置と配管の数が増えるために装置が大型化する。また、配管抵抗が大きくなることによって真空度が低下するという問題もある。これに対して、図1の真空接続装置によれば、樹脂ガスケットを用いることで、1つの真空接続装置で配管1と配管2を接続することができる。したがって、図6のように装置を大型化することがなく、また、高真空度を達成することができる。本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、電子ビームを用いたが、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。また、上記では、本実施の形態の真空接続装置を介して、電子ビーム描画装置と排気装置を接続する例について述べたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、電子ビーム描画装置以外の真空装置、例えば、スパッタリング装置およびCVDChemicalVaporDeposition装置などの各種成膜装置、透過型電子顕微鏡または走査透過型電子顕微鏡などを、本実施の形態の真空接続装置を介して排気装置に接続することも可能である。