ガラス基板上に、金属ハロゲン化物の島状膜を形成する工程と、前記ガラス基板を加熱延伸することで前記島状膜を伸長させ、前記金属ハロゲン化物の針状粒子を形成する工程と、前記針状粒子の前記金属ハロゲン化物を還元することで金属からなる針状金属粒子を形成する工程と、を有し、前記金属ハロゲン化物は反応性物理蒸着法により前記ガラス基板上に堆積されることを特徴とする偏光素子の製造方法。前記島状膜を形成する工程が、前記反応性物理蒸着法により前記ガラス基板上に前記金属ハロゲン化物からなる被膜を形成する工程と、前記被膜をエッチング処理することにより前記島状膜とする工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の偏光素子の製造方法。前記エッチング処理が、不活性ガス又は反応性ガスを用いたドライエッチング処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載の偏光素子の製造方法。前記反応性物理蒸着法が、Au、Ag、Cu、Cd、Alから選ばれる1種又は2種類以上の金属からなるターゲットと、ハロゲンガスを含むプロセスガスとを用いる反応性スパッタ法であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の偏光素子の製造方法。特許文献1記載の製造方法では、ガラス製品中に万遍なくハロゲン化物が析出する一方で、還元工程ではガラス製品表層のハロゲン化物しか還元できないため、ガラス製品の厚さ方向の中央部分にハロゲン化物が残存する。そのため、偏光素子の透過率が低下し、液晶表示装置などに適用した場合、十分な明るさが得られない虞がある。一方、特許文献2記載の方法によれば、ガラス製品の表層部にのみ銀又は銅を導入するので、還元されずに残るハロゲン化物に起因する上記の不具合を防止することができる。しかし、ガラス製品を高温350°C~750°Cの溶融塩中に8時間程度も浸漬させる必要があるため、環境負荷が高い。つまり、製造時の消費エネルギーが非常に多く、かつ生産性が悪い。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、光学特性に優れた偏光素子を簡便に製造する方法を提供することを目的の一つとする。本発明の偏光素子の製造方法は、ガラス基板上に、金属ハロゲン化物の島状膜を形成する工程と、前記ガラス基板を加熱延伸することで前記島状膜を伸長させ、前記金属ハロゲン化物の針状粒子を形成する工程と、前記針状粒子の前記金属ハロゲン化物を還元することで金属からなる針状金属粒子を形成する工程と、を有し、前記金属ハロゲン化物は反応性物理蒸着法により前記ガラス基板上に堆積されることを特徴とする。この製造方法によれば、ガラス基板の表面に島状膜を形成し、この島状膜を延伸して針状粒子とした後、還元処理により針状金属粒子を形成しているので、金属ハロゲン化物を確実に還元処理することができる。したがって、金属ハロゲン化物の残存による光学特性の低下が生じることはない。また、薄膜形成工程を用いてガラス基板上に金属ハロゲン化物の島状膜を形成するので、イオン交換によりガラスの表層に金属を導入する従来との工程と比較して著しく簡便な工程で製造することができる。そのため、製造時の消費エネルギーを極めて少なくすることができ、生産性も高めることができる。前記島状膜を形成する工程が、前記反応性物理蒸着法により前記ガラス基板上に前記金属ハロゲン化物からなる被膜を形成する工程と、前記被膜をエッチング処理することにより前記島状膜とする工程と、を有する製造方法としてもよい。この製造方法によれば、被膜を形成する工程とは独立に被膜をエッチング処理する際の条件を選択することができるため、島状膜を構成する島状粒子の配置密度を容易に制御することができ、ひいては偏光素子の光学特性を容易に制御することができる。前記エッチング処理が、不活性ガス又は反応性ガスを用いたドライエッチング処理である製造方法としてもよい。この製造方法によれば、簡便に歩留まりよく金属ハロゲン化物の島状膜を形成することができる。前記反応性物理蒸着法が、Au、Ag、Cu、Cd、Alから選ばれる1種又は2種類以上の金属からなるターゲットと、ハロゲンガスを含むプロセスガスとを用いる反応性スパッタ法である製造方法としてもよい。この製造方法によれば、歩留まりよく高速に金属ハロゲン化物をガラス基板上に形成することができるので、効率良く偏光素子を製造することができる。以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。図1は、本実施形態の偏光素子の製造方法を示す図である。本実施形態の偏光素子の製造方法は、図1に示すように、成膜工程S1と、エッチング工程S2と、延伸工程S3と、還元工程S4と、を有する。成膜工程S1は、図1aに示したように、反応性物理蒸着法を用いて、ガラス基板10上に金属ハロゲン化物からなる被膜11を形成する工程である。ガラス基板10としては、特に限定されず、公知のいかなるガラス基板も用いることができる。これは、本実施形態の偏光素子の製造方法では、ガラス基板中に金属ハロゲン化物を析出させたり、ガラス基板の表面にイオン交換により金属イオンを導入したりする必要がなく、金属ハロゲン化物の被膜11を形成可能なものであればよいからである。具体的には、石英ガラス、ソーダライムガラス、サファイアガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス等、偏光素子の用途に応じて種々のガラス基板を用いることができる。反応性物理蒸着法は、物理蒸着中の反応により化合物薄膜を形成する成膜法である。本実施形態の場合、物理蒸着法により飛散させた金属粒子と、反応ガスに含まれるハロゲンとの反応により、ガラス基板10上に金属ハロゲン化物からなる被膜11を形成する。物理蒸着法としては、特に限定されず、蒸発系、スパッタ系のいずれであってもよい。蒸発系の物理蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法MBE、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法などを例示することができる。スパッタ系の物理蒸着法としては、マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング、ECRスパッタリングなどを例示することができる。成膜工程S1において、例えば反応性スパッタを用いる場合、金属ターゲットとして、Au、Ag、Cu、Cd、Alから選ばれる1種又は2種以上の金属からなるターゲットを用いることができる。反応ガスとしては、ハロゲンF、Cl、Br、I、At、Uusのガス又はハロゲン化合物のガスが用いられる。これらを用いて形成される金属ハロゲン化物は、例えば、AgClx、AlF、AgF、AgBr、AgI、AlClx等である。ハロゲン化合物ガスとしては、特に限定されるものではないが、BCl3、BBr3、BF3等のホウ素化合物ガス、CF4、C2F6等のフッ化炭素化合物、GeCl4、GeF4等のゲルマニウム化合物、SiCl4、SiF4等のシリコン化合物、SiHCl3、SiH2Cl2等のシラン化合物、NF3、PF3、SF6、SnCl4、TiCl4、WF6等を挙げることができる。次に、エッチング工程S2は、図1bに示したように、成膜工程S1で形成した被膜11をエッチング処理することで、多数の島状粒子12aからなる島状膜12を形成する工程である。エッチング処理としては、ドライエッチング処理を用いることが好ましい。ドライエッチング処理は被膜11の材質に応じてガス種を選択して用いればよい。すなわち、不活性ガスAr等を用いたスパッタエッチング処理であってもよく、反応性ガスCl2、BCl3、HBr、CF4、SF6等を用いた反応性ドライエッチング処理であってもよい。図2bは、エッチング工程後のガラス基板表面を示す平面図である。図2aに示すように、上記エッチング処理により、粒径が2~8nm程度の金属ハロゲン化物例えばAgClx、AlF等からなる島状粒子12aが形成される。島状粒子12aの間の領域には、ガラス基板10の表面が露出した領域10aが形成されている。本実施形態のエッチング工程S2では、被膜11を部分的に除去することで被膜11を島状膜12を形成するので、被膜11のエッチング条件を緩やかにし、容易に制御可能な状態で処理を十知ることが好ましい。具体的には、被膜11の膜厚にもよるが、エッチレートを10nm/min~100nm/minの範囲とすることが好ましい。なお、本実施形態では、成膜工程S1において一様な被膜11を形成し、その後のエッチング工程S2で被膜11を島状膜12へ加工することとしているが、成膜工程S1により島状膜12を形成する場合には、エッチング工程S2は不要である。本実施形態の成膜工程S1では反応性物理蒸着法を用いて金属ハロゲン化物を成膜するが、金属ハロゲン化物は気化しやすいため、反応により生成する金属ハロゲン化物のガラス基板10への付着と脱離のバランスを調整すれば、成膜工程S1により図2aに示したような島状膜12を形成することが可能である。次に、延伸工程S3では、図1cに示すように、加熱して軟化させたガラス基板10を、島状粒子12aが設けられているガラス基板10の面と平行な方向に引き延ばす。引き延ばす方法としては、ガラス基板10を面と平行な方向に引っ張る延伸処理であってもよく、圧力により薄く延ばす圧延処理であってもよい。延伸工程S3における加熱温度は特に限定されず、ガラス基板10が溶融させることなく軟化させることができる温度に加熱すればよい。延伸工程S3により、ガラス基板10は延伸方向に引き延ばされるとともに薄く加工される。また、ガラス基板10の島状粒子12aも延伸方向に引き延ばされ、図2bに示すように、ガラス基板10上で延伸方向図示左右方向に配向した多数の針状粒子12bとなる。針状粒子12bは、アスペクト比が5以上の細長い形状であり、例えば、幅1~3nm、長さ5~20nm程度の大きさである。また、複数の針状粒子12bの間の領域には、図2aに示した領域10aが引き延ばされることによって、細長いスリット状の領域10bが形成される。このスリット状の領域10bの大きさは、島状粒子12aの形成密度により変化するが、幅1~10nm、長さ3~50nm程度である。次に、還元工程S4では、図1dに示したように、ガラス基板10を、水素等の還元雰囲気中に配置するとともに加熱することで、針状粒子12bを構成する金属ハロゲン化物を還元する。これにより、ガラス基板10上に針状金属粒子12cが形成される。例えば、針状粒子12bがAgClxからなるものである場合には、Agからなる針状金属粒子12cが形成される。針状粒子12bがAlFからなるものである場合には、Alからなる針状金属粒子12cが形成される。以上の工程により、ガラス基板10上に、基板面内の一方向に配向した多数の針状金属粒子12cがスリット状の領域10bを介して配列された偏光素子100を製造することができる。本実施形態の製造方法により製造される偏光素子100は、可視光の波長よりも狭い幅の針状金属粒子12cが狭ピッチで配列されていることにより、透過光を所定の振動方向の直線偏光に分離する機能を奏する光学素子として用いることができる。また従来の偏光ガラスでは、針状の金属粒子の配置密度は1μm3あたり20本以下程度であったため、高い偏光分離特性を得るためには、針状の金属粒子をガラス基板の厚さ方向に広く分布させる必要があった。これに対して本実施形態の偏光素子では、針状金属粒子12cは、ガラス基板10の表面に高密度で配置されているため、任意の厚さのガラス基板10を用いることができ、薄型の偏光素子とすることも容易である。以上に詳細に説明した本実施形態の製造方法によれば、薄膜形成技術を用いてガラス基板10の表面に金属ハロゲン化物の島状粒子12aを形成し、これを延伸、還元するので、金属ハロゲン化物を確実に還元することができ、金属のみからなる針状金属粒子12cを容易かつ確実に得ることができる。したがって、従来の偏光ガラスのようにガラス基板内部に金属ハロゲン化物が残留することによって、偏光素子の光透過率を低下させることがない。また、島状粒子12aの形成に、反応性スパッタやドライエッチングなどの薄膜形成技術を用いているため、イオン交換によりガラス基板の表層部に金属元素を導入するプロセスのように高温の溶融塩に長時間浸漬するといった製造工程が不要である。そのため、製造時の消費エネルギーを極めて少なくすることができ、環境負荷を小さくすることができる。また、本実施形態の製造方法は従来の製造方法よりも生産性に優れている。また本実施形態の製造方法では、エッチング工程S2により被膜11を部分的に除去することで島状膜12を形成するので、島状粒子12aの配置密度を極めて容易に制御することができる。すなわち、偏光素子の光学特性を極めて容易に制御することが可能である。なお、成膜工程S1において島状膜12を形成する場合には、成膜条件を調整して島状粒子12aと領域10aとの比率を調整すればよい。また本実施形態の製造方法では、反応性物理蒸着法を用いて金属ハロゲン化物の被膜11あるいは島状粒子12aを形成するので、形成する金属ハロゲン化物の材質変更が極めて容易であり、従来の偏光ガラスの製造プロセスでは使用することができなかった材質であっても用いることが可能である。このように材質の選択範囲が広がることで、偏光素子の光学特性の制御が容易になり、生産性を高めることも容易になる。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の技術範囲は下記の実施例に限定されるものではない。実施例1金属ターゲットとしてAgターゲット純度99.99、厚さ5mm、円盤状が取り付けられた平行平板型のスパッタリング装置の真空容器内に、ガラス基板を配置した基板-ターゲット間距離110mm。次いで、Arガス純度99.999、流量40sccmとClガス流量10sccmの混合ガスを、圧力0.4Paとなるように真空容器内に導入した状態で、Agターゲットに500Wの交流電力発振周波数13.56MHzを入力し、10分間の成膜を行った。これにより、スパッタされたAg粒子をガラス基板上に飛来させ、Clと反応させながらガラス基板上に堆積させることで、ガラス基板上に厚さ321nmのAgClx膜を形成した。次に、ICPドライエッチャー装置の真空容器内にAgClx膜が形成されたガラス基板を配置した。次いで、Arガス流量100sccmを圧力0.4Paとなるように真空容器内に導入した状態で、ICPアンテナに300W、基板バイアスに120Wの交流電力発振周波数13.56MHzを投入し、Arプラズマにより被膜11をエッチングした。このエッチング処理により、図2aに示したのと同様の島状膜をガラス基板上に形成することができた。次に、ガラス基板を延伸することにより、島状膜はガラス基板とともに引き延ばされ、図2bに示すような形状の針状粒子12bを得ることができた。さらに、針状粒子12bを構成する金属ハロゲン化物を還元することにより、Agからなる針状金属粒子12cが形成された。実施例2金属ターゲットとしてAlターゲット純度99.99、厚さ5mm、円盤状が取り付けられた平行平板型のスパッタリング装置の真空容器内に、ガラス基板を配置した基板-ターゲット間距離110mm。次いで、Arガス純度99.999、流量45sccmとCF4ガス流量5sccmの混合ガスを、圧力0.4Paとなるように真空容器内に導入した状態で、Alターゲットに300Wの交流電力発振周波数13.56MHzを入力し、10分間の成膜を行った。これにより、スパッタされたAl粒子をガラス基板上に飛来させ、Fと反応させながらガラス基板上に堆積させることで、ガラス基板上に厚さ212nmのAlF膜を形成した。次に、実施例1と同様にして、ICPドライエッチャー装置を用いたドライエッチング処理を行い、AlF膜をエッチングした。このエッチング処理により、図2aに示したのと同様の島状膜をガラス基板上に形成することができた。次に、ガラス基板を延伸することにより、島状膜はガラス基板とともに引き延ばされ、図2bに示すような形状の針状粒子12bを得ることができた。さらに、針状粒子12bを構成する金属ハロゲン化物を還元することにより、Alからなる針状金属粒子12cが形成された。実施例1と実施例2ではガラス基板上に単層の島状膜を形成して、そのガラス基板を延伸したが、島状膜を単層形成しただけでは偏光素子としての性能が不十分であれば、ガラス基板上に複数の島状膜を積層してからガラス基板を延伸してもよい。この場合、1層目の島状膜の上に透明な絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上に2層目の島状膜を形成する。1層目の島状膜と2層目の島状膜との間に絶縁膜を設けることにより、互いに積層された二つの島状膜同士が融合することが防止される。3層めの島状膜が必要であれば、2層目の島状膜の上に透明な絶縁膜をさらに形成し、該絶縁膜を介して3層めの島状膜を形成すればよい。絶縁膜の材料としては、シリコン酸化物、シリコン窒化物、チタン酸化物やジルコニウム酸化物など透明な材料を用いることができる。絶縁膜の厚さとしては特に限定されないが、例えば100nmとすることができる。このように複数の島状膜を積層した後、ガラス基板を延伸することにより、複数の島状膜はガラス基板とともに引き延ばされ、平面視で図2bに示すような形状の針状粒子12bを得ることができる。さらに、針状粒子12bを構成する金属ハロゲン化物を還元することにより、針状金属粒子12cを形成することができる。以上に説明したように、複数の材質について、図2aに示した島状膜12と同様の形状の島状膜を形成できることが確認された。これらの島状膜は、AgClx又はAgFからなる島状粒子の集合体であることから、ガラス基板を延伸処理することにより、ガラス基板とともに引き延ばされ、図2bに示す形状の針状粒子12bを得ることができる。このように、本発明によれば、光学特性に優れた偏光素子を、従来よりも極めて小さい環境負荷で簡便に製造することができる。