"絶縁基板の上面に半導体素子の電極が接続される半導体素子接続パッドを形成するとともに該絶縁基板の下面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを形成する工程と、感光性を有するソルダーレジスト用樹脂層を、前記絶縁基板の上面および下面に前記半導体素子接続パッドおよび前記外部接続パッドを覆うように被着させる工程と、感光性を有する前記ソルダーレジスト用樹脂層を、該ソルダーレジスト用樹脂層における前記半導体素子接続パッドの中央部に対応する部位と前記外部接続パッドの中央部に対応する部位とが選択的に未露光部として残り、該未露光部以外の部位が感光されるように露光する工程と、露光された前記ソルダーレジスト用樹脂層を、前記感光された部位がそのままで残るとともに前記未露光部の一部が前記感光された部位よりも薄い薄膜となって前記半導体素子接続パッドの中央部および前記外部接続パッドの中央部を覆って残るように現像した後、現像されたソルダーレジスト用樹脂層を硬化させる工程と、硬化した前記ソルダーレジスト用樹脂層における前記薄膜を絶縁基板の下面側のみ除去して前記外部接続パッドの中央部を露出させる工程と、前記半導体素子接続パッドの中央部を前記薄膜で覆ったままの状態で、前記外部接続パッドの露出した中央部に無電解めっき法によりめっき金属層を被着させる工程と、絶縁基板の上面側の前記ソルダーレジスト用樹脂層における前記薄膜を除去して前記半導体素子接続パッドの中央部を露出させる工程と、露出した前記半導体素子接続パッドの中央部に半田を溶着させる工程と、を行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。本発明の課題は、絶縁基板の下面に設けた銅から成る外部接続パッドに無電解めっき法によるめっき金属層が良好に被着されているとともに、絶縁基板の上面に設けた銅から成る半導体素子接続パッドに半田が直接溶着された配線基板の製造方法を提供することにある。本発明の配線基板の製造方法は、絶縁基板の上面に半導体素子の電極が接続される半導体素子接続パッドを形成するとともに該絶縁基板の下面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを形成する工程と、感光性を有するソルダーレジスト用樹脂層を、前記絶縁基板の上面および下面に前記半導体素子接続パッドおよび前記外部接続パッドを覆うように被着させる工程と、感光性を有する前記ソルダーレジスト用樹脂層を、該ソルダーレジスト用樹脂層における前記半導体素子接続パッドの中央部に対応する部位と前記外部接続パッドの中央部に対応する部位とが選択的に未露光部として残り、該未露光部以外の部位が感光されるように露光する工程と、露光された前記ソルダーレジスト用樹脂層を、前記感光された部位がそのままで残るとともに前記未露光部の一部が前記感光された部位よりも薄い薄膜となって前記半導体素子接続パッドの中央部および前記外部接続パッドの中央部を覆って残るように現像した後、現像されたソルダーレジスト用樹脂層を硬化させる工程と、硬化した前記ソルダーレジスト用樹脂層における前記薄膜を絶縁基板の下面側のみ除去して前記外部接続パッドの中央部を露出させる工程と、前記半導体素子接続パッドの中央部を前記薄膜で覆ったままの状態で、前記外部接続パッドの露出した中央部に無電解めっき法によりめっき金属層を被着させる工程と、絶縁基板の上面側の前記ソルダーレジスト用樹脂層における前記薄膜を除去して前記半導体素子接続パッドの中央部を露出させる工程と、露出した前記半導体素子接続パッドの中央部に半田を溶着させる工程と、を行なうことを特徴とするものである。本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁基板の上面側に形成した半導体素子接続パッドの中央部をソルダーレジスト用樹脂層の硬化した薄膜で覆ったままの状態で、絶縁基板の下面側に形成した外部接続パッドの中央部を露出させ、その露出した外部接続パッドの中央部に無電解めっき法によりめっき金属層を被着させることから、外部接続パッドにめっき金属層を被着させる際には、半導体素子接続パッドはソルダーレジスト用樹脂層が硬化した薄膜で覆われているので、外部接続パッドのみに選択的にめっき金属層を被着させることができる。この場合、半導体素子接続パッドの中央部を覆うソルダーレジスト用樹脂層の薄膜は硬化されて樹脂成分の架橋が進んでいるので、強いアルカリ性を呈する無電解めっき液中であっても、めっき液中に溶出することはなく、したがって、外部接続パッドに無電解めっき法によりめっき金属層を良好に被着させることができる。また、外部接続パッドにめっき金属層を被着させた後に、半導体素子接続パッド上のソルダーレジスト用樹脂層の薄膜を除去し、露出した半導体素子接続パッドの中央部に半田を溶着させることから、銅から成る半導体素子接続パッド上に半田を直接溶着することができる。次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を添付の図1a~hを基に説明する。まず、図1aに示すように、絶縁基板1の上面に半導体素子の電極が電気的に接続される半導体素子接続パッド2を形成するとともに絶縁基板1の下面に外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される外部接続パッド3を形成する。絶縁基板1は、例えばガラス-エポキシ板やエポキシ樹脂から成る複数の絶縁層を積層して成る平板であり、その内部には銅箔や無電解および電解銅めっき層から成る内部配線導体不図示が形成されている。半導体素子接続パッド2および外部接続パッド3は、それぞれ厚みが10~30μm程度の銅箔や無電解および電解銅めっき層から成り、従来周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法により形成される。なお、半導体素子接続パッド2の大きさは直径が50~100μm程度、外部接続パッド3の大きさは直径が300~1000μm程度である。次に、図1bに示すように、感光性を有するソルダーレジスト用樹脂層4,5を、絶縁基板1の上面および下面に半導体素子接続パッド2および外部接続パッド3を覆うように被着させる。なお、ソルダーレジスト用樹脂層4,5の厚みは半導体素子接続パッド2上および外部接続パッド3上で10~20μm程度の厚みとする。次に、図1cに示すように、感光性を有するソルダーレジスト用樹脂層4,5を、ソルダーレジスト用樹脂層4,5における半導体素子接続パッド2の中央部に対応する部位と外部接続パッドの中央部に対応する部位とが選択的に未露光部4a,5aとして残るとともに、未露光部4a,5a以外の部位が感光されるように露光する。なお、露光の際には、未露光部4a,5aに対応する部分が紫外線を透過せず、それ以外の部分が紫外線を透過するガラス板からなる露光マスクをソルダーレジスト用樹脂層4,5に対向するように配置し、そのマスクを透して未露光部4a,5a以外の部位に紫外線を照射して感光させる方法が採用される。次に、図1dに示すように、露光されたソルダーレジスト用樹脂層4,5を、感光された部位がそのままで残るとともに未露光部4a,5aの一部が感光された部位よりも薄い薄膜4b,5bとなって半導体素子接続パッド2の中央部および外部接続パッド3の中央部を覆って残るように現像する。なお、現像には、炭酸ナトリウムを含有するアルカリ性の現像液が用いられる。半導体素子接続パッド2の中央部および外部接続パッド3の中央部を覆って残る薄膜4b,5bの厚みは0.5~2.0μm程度である。このような厚みの薄膜4b,5bを残すためには、現像の時間を通常より短くしたり、現像液の温度を通常より下げたり、現像液の濃度を通常よりも下げたりする。これらの操作を単独あるいは組み合わせて現像を行なうことにより、未露光部4a,5aが完全に除去することなく半導体素子接続パッド2の中央部および外部接続パッド3の中央部に0.5~2.0μmの厚みの薄膜4b,5bを形成することが可能である。次に、現像されたソルダーレジスト用樹脂層4,5を硬化させる。硬化には紫外線硬化および熱硬化が用いられる。紫外線硬化の場合、ソルダーレジスト用樹脂層4,5の全面に紫外線を照射する。熱硬化の場合、ソルダーレジスト用樹脂層4,5をその熱硬化温度より高い温度に加熱する。紫外線硬化の後に熱硬化を行なってもよいし、熱硬化の後に紫外線硬化を行なってもよい。ソルダーレジスト用樹脂層4,5は、硬化により含有される樹脂成分の架橋が進み、耐アルカリ性が強いものとなる。次に、図1eに示すように、硬化した下面側のソルダーレジスト用樹脂層5における薄膜5bを除去して外部接続パッド3の中央部を露出させる。薄膜5bの除去には、例えばウェットブラスト法が用いられる。具体的には、外部接続パッド3の中央部を覆う薄膜5bが消失するまで下面側のソルダーレジスト用樹脂層5の全面にアルミナ等から成る砥粒を水とともに高圧で吹き付ける方法が採用される。この吹き付けにより、下面側のソルダーレジスト用樹脂層5の表面が薄く削り取られて薄膜5bを除去できる。このとき、上面側のソルダーレジスト用樹脂層4における薄膜4bは、半導体素子接続パッド2の中央部を覆ったままで残しておく。また、薄膜5bの除去後には、露出した外部接続パッド3の表面を過酸化水素および硫酸を含有するエッチング液で薄くエッチングして清浄化することが好ましい。次に、図1fに示すように、露出した外部接続パッド3の表面に無電解めっき法によりめっき金属層6を形成する。めっき金属層6としてはニッケルめっき層と、パラジウムめっき層と、金めっき層とを順次被着させたニッケル-パラジウム-金めっき層が好ましい。ニッケルめっき層は、例えば硫酸ニッケルとクエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、塩化アンモニウム等を含有する無電解ニッケル-リンめっき液を用いて外部接続パッド3の露出面上にリンを3~10質量程度含有する無電解ニッケルめっき層を析出させることにより被着される。無電解ニッケルめっき層の厚みは0.5~10μmの範囲が好ましい。パラジウムめっき層は、例えば塩化テトラアンミンパラジウムとエチレンジアミン、次亜燐酸ナトリウム等を含有する還元型無電解パラジウム-リンめっき液を用いてニッケルめっき層上にリンを2~5質量含有する還元型無電解パラジウムめっき層を析出させることにより被着される。パラジウムめっき層の厚みは0.01~0.2μm範囲が好ましく、0.03~0.1μmの範囲が特に好ましい。金めっき層は、例えばシアン化金カリウムと水酸化カリウム、スルホン酸塩、シアン化カリウム、アミノアルコール等を含有する置換還元型無電解金めっき液を用いてパラジウムめっき層上に置換還元型無電解金めっき層を析出させることにより被着される。金めっき層の厚みは0.01~0.5μm範囲が好ましい。なお、めっき金属層6としては、ニッケルめっき層と金めっき層とを順次被着させたニッケル-金めっき層を用いても良い。このとき、上面側の半導体素子接続パッド2は、ソルダーレジスト用樹脂層4の硬化した薄膜4bで覆われているので、めっき金属層が半導体素子接続パッドに被着されることはない。また、めっき金属層6を被着するためのめっき液は、強いアルカリ性を示すものの、半導体素子接続パッド2の中央部を被覆する薄膜4bは硬化して樹脂成分の架橋が進んでいるので、めっき液中に溶出することはなく、したがって、外部接続パッドにめっき金属層6を良好に被着させることができる。次に、図1gに示すように、硬化した上面側のソルダーレジスト用樹脂層4における薄膜4bを除去して半導体素子接続パッド2の中央部を露出させる。薄膜4bの除去には、薄膜5bの場合と同様に例えばウェットブラスト法が用いられる。具体的には、半導体素子接続パッド2の中央部を覆う薄膜4bが消失するまで上面側のソルダーレジスト用樹脂層4の全面にアルミナ等から成る砥粒を水とともに高圧で吹き付ける方法が採用される。この吹き付けにより、上面側のソルダーレジスト用樹脂層4の表面が薄く削り取られて薄膜4bが除去される。なお、薄膜4bの除去後には、露出した半導体素子接続パッド2の表面を過酸化水素および硫酸を含有するエッチング液で薄くエッチングして清浄化することが好ましい。最後に、図1hに示すように、露出した半導体素子接続パッド2の上に鉛フリー半田から成る半田バンプ7を直接溶着することによって本発明による配線基板が完成する。なお、半導体素子接続パッド2に半田バンプ7を溶着するには、半導体素子接続パッド2上に半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷した後、リフローする方法や、半導体素子接続パッド上に半田ボールを搭載した後、リフローする方法が採用される。かくして、本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁基板の下面に設けた銅から成る外部接続パッドに無電解めっき法によるめっき金属層が良好に被着されているとともに、絶縁基板の上面に設けた銅から成る半導体素子接続パッドに半田が直接溶着された配線基板を提供することができる。"