半導体モジュールであって、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有する半導体装置と、第1電極と接している第1電極板と、第2電極と接している第2電極板と、第1電極板から絶縁された状態で第1電極板を貫通しており、第2電極板と接続されている第1配線部材、を有しており、第1電極板、及び、第2電極板に対して半導体装置を加圧する圧力が加わっていることによって、第1電極板、半導体装置、及び、第2電極板が互いに固定されている、半導体モジュール。半導体装置と第2電極板を取り囲んでおり、第1電極板に固定されており、外周面または内周面に第1ネジ溝が形成されている筒体と、第2ネジ溝が形成されており、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって筒体に固定されており、第2電極板を半導体装置に向かって加圧しているカバー、をさらに有する請求項1に記載の半導体モジュール。カバーに、冷却器が固定されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。半導体基板の前記一方の表面に第3電極がさらに形成されており、第1電極板から絶縁された状態で第1電極板を貫通しており、第3電極に接続されている第2配線部材、をさらに有する請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体モジュール。上述したストレスを低減するために、はんだ等のろう材による接合を用いることなく、半導体装置を配線に接続することが検討されている。例えば、日本国特許公開公報H9-252067号以下、特許文献1というには、半導体装置と各電極板を積層し、これらを加圧することで半導体装置と各電極板とを接続した半導体モジュールが開示されている。しかしながら、この半導体モジュールでは、陽極板が半導体モジュールの下面に配置されており、陰極板が半導体モジュールの上面に配置されている。このため、この半導体モジュールを機器に取り付ける際には、半導体モジュールの上面側すなわち、陰極板側と半導体モジュールの下面側すなわち、陽極板側にそれぞれ配線を接続する必要がある。すなわち、この半導体モジュールを機器に取り付ける際には、複雑な配線が必要となる。したがって、本明細書では、より簡単な配線により機器に取り付けることが可能な半導体モジュールを提供する。本明細書が開示する半導体モジュールは、半導体装置と、第1電極板と、第2電極板と、第1配線部材を有している。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有する。第1電極板は、第1電極と接している。第2電極板は、第2電極と接している。第1配線部材は、第1電極板から絶縁された状態で第1電極板を貫通しており、第2電極板と接続されている。第1電極板、及び、第2電極板に対して半導体装置を加圧する圧力が加わっていることによって、第1電極板、半導体装置、及び、第2電極板が互いに固定されている。この半導体モジュールでは圧力によって第1電極板、半導体装置、及び、第2電極板が互いに接続されている。この半導体モジュールでは、ろう材による接合を用いていないため、半導体装置の発熱時に、半導体装置にストレスが加わり難い。また、第2電極板は、第1電極板を貫通している第1配線部材に接続されている。したがって、第1電極板側で、第1電極板に対する配線のみならず、第2電極板に対する配線を設けることができる。したがって、この半導体モジュールは、機器に取り付ける際に、より簡単な配線により接続が可能である。上述した半導体モジュールは、半導体装置と第2電極板を取り囲んでおり、第1電極板に固定されており、外周面または内周面に第1ネジ溝が形成されている筒体と、第2ネジ溝が形成されており、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって筒体に固定されており、第2電極板を半導体装置に向かって加圧しているカバーをさらに有することが好ましい。なお、カバーは、第2電極板に直接接触して第2電極板を半導体装置に向かって加圧していてもよいし、他の部材を介して第2電極板を半導体装置に向かって加圧していてもよい。この半導体モジュールは、カバーを回転させて第2ネジ溝を第1ネジ溝に係合させることで、カバーと筒体を組み立てることができる。第2電極板に対する配線は第1配線部材によって第1電極板を貫通して外側に引き出されているので、カバーを通して第2電極に対する配線を設ける必要はない。したがって、カバーを回転させる組立方式を採用しても、カバーを回転させるときに配線部材が邪魔になることがない。また、このような構成によれば、カバーを回転させることで、カバーによって第2電極板を半導体装置に向かって加圧することができる。すなわち、カバーを筒体に取り付けることで、第1電極板、半導体装置、及び、第2電極板を互いに固定することができる。したがって、この半導体モジュールは、容易に組み立てることができる。上述した半導体モジュールは、カバーに、冷却器が固定されていることが好ましい。上述したようにカバーには配線を設ける必要がないので、カバーと冷却器とを好適に接続することができる。このため、半導体装置を好適に冷却することができる。上述した半導体モジュールは、半導体装置の前記一方の表面に第3電極がさらに形成されており、第1電極板から絶縁された状態で第1電極板を貫通しており、第3電極に接続されている第2配線部材をさらに有することが好ましい。このような構成によれば、第3電極に対する配線を、第1電極板側に引き出すことができる。したがって、第1電極板側に、第3電極に対する配線を設けることができる。第1実施例図1に示す半導体モジュール10は、ケース40とカバー50内に半導体装置20を収容したアセンブリである。ケース40は、金属により構成されている。ケース40は、平板部40aと筒部40bを有している。平板部40aは、略平面状に形成されている。図1、2に示すように、筒部40bは、平板部40aに対して垂直に中心軸が伸びる円筒形状に形成されている。筒部40bは、平板部40a上に固定されている。筒部40bの外周面には、ネジ溝40cが形成されている。筒部40bの内側の平板部40a上には、金属板84、半導体装置20、金属板82、バスバー30、絶縁板80、ピン90が設置されている。金属板84は、平板部40a上に設置されている。金属板84は、すず等の比較的柔らかい金属により構成されている。金属板84上には、半導体装置20が設置されている。半導体装置20は、SiCにより構成された半導体基板24を有している。半導体基板24には、MOSFETが形成されている。半導体基板24の下面には、MOSFETのソース電極26と、MOSFETのゲート電極28の複数個が形成されている。図2に示すように、半導体基板24は、長方形である。複数のゲート電極28は、半導体基板24の1つの長辺に沿って配列されている。図1に示すように、半導体基板24の上面には、MOSFETのドレイン電極22が形成されている。半導体装置20は、ソース電極26が金属板84と接触するように、金属板84上に設置されている。各ゲート電極28は、金属板84と接触していない。ケース40の平板部40aには、半導体装置20のゲート電極28と対向する位置に、平板部40aを上面から下面に貫通する貫通孔94が形成されている。貫通孔94は複数のゲート電極28が配列されている方向に沿って伸びている。すなわち、全てのゲート電極28と対向するように、平面視したときに略長方形の形状を有する1つの貫通孔94が平板部40aに形成されている。貫通孔94内には、絶縁部材92が固定されている。絶縁部材92は、PPS等の樹脂材料により構成されている。貫通孔94は、絶縁部材92により塞がれている。ゲート電極28と対向する位置の絶縁部材92には、金属製のピン90が固定されている。なお、図1では、1つのピン90のみを図示しているが、各ゲート電極28と対向する各位置に、1つずつピン90が固定されている。すなわち、絶縁部材92には、複数のピン90が固定されている。各ピン90は、絶縁部材92を貫通している。したがって、各ピン90の上端は平板部40aの上側に位置しており、各ピン90の下端は平板部40aの下側に位置している。各ピン90の平板部40aよりも上側の部分90aは、弾性変形するバネ部である。各バネ部90aは、湾曲した状態で対応するゲート電極28と接触している。各ピン90は、絶縁部材92によってケース40の平板部40aから絶縁されている。金属板82は、半導体装置20上に設置されている。金属板82は、すず等の比較的柔らかい金属により構成されている。バスバー30は、金属製の平板を折り曲げることで構成された部品である。バスバー30は、平板部30aと、貫通配線部30bと、外側配線部30cを有している。平板部30aは、略平面状に形成されており、金属板82上に設置されている。貫通配線部30bは、平板部30aから下方向に伸びている。ケース40の平板部40aには、半導体装置20と対向しない位置に、貫通孔96が形成されている。貫通配線部30bは、貫通孔96を通って平板部40aの下側まで伸びている。貫通孔96内には、絶縁部材88が固定されている。絶縁部材88は、貫通孔96を閉じている。貫通配線部30bは、絶縁部材88に固定されているとともに、絶縁部材88によって平板部40aから絶縁されている。外側配線部30cは、貫通配線部30bの下端から側方に伸びている。外側配線部30cは、平板部40aよりも下側において平板部40aと平行に伸びている。絶縁板80は、バスバー30の平板部30a上に設置されている。絶縁板80は、AlN等の絶縁体により構成されている。カバー50は、金属により構成されている。カバー50の外表面には、絶縁塗装が施されている。カバー50は、円筒形状の側壁部50bと、その円筒形状の中心孔の一端を閉塞する平板部50aとを有している。すなわち、カバー50は、カップ形状を備えている。側壁部50bの内周面には、ネジ溝50cが形成されている。カバー50のネジ溝50cは、ケース40のネジ溝40cに係合している。すなわち、ネジ溝40c、50cを用いて、カバー50がケース40に締結されている。カバー50の平板部50aの下面は、絶縁板80と接している。すなわち、カバー50の平板部50aとケース40の平板部40aによって、金属板84、半導体装置20、金属板82、バスバー30、絶縁板80からなる積層体が挟まれている。カバー50はケース40に対して高いトルクで締結されている。したがって、前記積層体は、平板部50aと平板部40aによって加圧されている。この圧力によって、前記積層体を構成する各部材が互いに固定されている。なお、ケース40の平板部40aと金属板84との接触部分、金属板84と半導体装置20のソース電極26との接触部分、半導体装置20のドレイン電極22と金属板82との接触部分、金属板82とバスバー30の平板部30aとの接触部分、及び、ピン90と半導体装置20のゲート電極28との接触部分は、はんだ等のろう材によって接合されていない。したがって、カバー50をケース40から取り外すと、前記積層体の各部材を互いに分離させることができる。カバー50の平板部50aの上面には、絶縁シート70が設置されている。絶縁シート70の上面には、冷却器60が設置されている。冷却器60は、液循環式の冷却器である。なお、カバー50と絶縁シート70との接触部分、及び、絶縁シート70と冷却器60の接触部分には、グリースが塗布されている。これによって、冷却器60とカバー50の間における熱抵抗が低減されている。以上に説明したように、この半導体モジュール10では、半導体基板24の下面側に位置するソース電極26に対する配線が、ケース40の平板部40aによって構成されている。また、半導体基板24の上面側に位置するドレイン電極22に対する配線であるバスバー30が、ケース40の平板部40aを貫通して平板部40aの下側に引き出されている。また、ゲート電極28に対する配線であるピン90が、ケース40の平板部40aを貫通して平板部40aの下側に引き出されている。したがって、平板部40aすなわち、ソース電極26に対する外部配線、バスバー30すなわち、ドレイン電極22に対する外部配線、及び、ピン90すなわち、ゲート電極28に対する外部配線を、半導体モジュール10の下面側に設置することができる。このため、カバー50の上面には、外部配線が設置されない。カバー50の上面に外部配線が存在しないので、カバー50の上面全体を絶縁シート70を介して冷却器60に接続することができる。このため、冷却器60で半導体装置20を好適に冷却することができる。また、このように各電極に対する配線を半導体モジュール10の下面側にまとめることで、これらの配線の間のインダクタンスを低減することができる。また、この半導体モジュール10では、半導体装置20が圧力によって周囲の部材に対して固定されており、半導体装置20と周囲の部材とがろう付け等によって接合されていない。したがって、半導体装置20が発熱することで半導体装置20とその周囲の部材が熱膨張した場合に、半導体装置20にストレスが加わり難い。したがって、この半導体モジュール10は寿命が長い。また、この半導体モジュール10では、図2に示すように半導体装置20の平面形状が長方形である。また、半導体装置20の1つの長辺に沿って、複数のゲート電極28が配列されている。また、半導体装置20の反対の長辺近傍において、バスバー30の貫通配線部30bがケース40の平板部40aを貫通している。このような配置によれば、図2に示すように、筒部40b内のバスバー30の平面形状を略正方形とすることができ、筒部40b内の領域をより広く活用することができる。次に、半導体モジュール10の製造方法について説明する。最初に、ケース40の平板部40a上に金属板84を載置する。次に、複数のピン90と絶縁部材92とが一体化した部品を、平板部40aの貫通孔94に設置する。次に、金属板84上に半導体装置20を載置する。このとき、ソース電極26を金属板84に接触させ、各ゲート電極28を対応するピン90に接触させる。次に、半導体装置20上に、金属板82を載置する。次に、図3に示すように、バスバー30と絶縁部材88とが一体化した部品を設置する。なお、この段階では、バスバー30はL字状の断面形状を有しており、図1の外側配線部30c絶縁部材88の下側から折れ曲がっている部分が形成されていない。ここでは、絶縁部材88が貫通孔96内に設置されるまで、バスバー30の貫通配線部30bをケース40の貫通孔96に挿入する。また、バスバー30の平板部30aを、金属板82に接触させる。次に、バスバー30の平板部30a上に、絶縁板80を載置する。次に、カバー50のネジ溝50cをケース40のネジ溝40cと係合させることで、カバー50をケース40に固定する。カバー50をその中心軸回りに回転させることでカバー50を下側に移動させると、カバー50の平板部50aが絶縁板80と接触する。そこから、さらにカバー50を回転させると、カバー50の平板部50aが絶縁板80を半導体装置20に向かって加圧する。これによって、カバー50の平板部50aとケース40の平板部40aに挟まれている積層体すなわち、金属板84、半導体装置20、金属板82、バスバー30の平板部30a、及び、絶縁板80が、その積層方向に加圧される。これによって、積層体の各部材が互いに固定される。なお、金属板84は、隣接するソース電極26及びケース40の平板部40aよりも柔らかい。このため、積層体が加圧されると、金属板84の上面がソース電極26の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板84がソース電極26と密着する。同様に、積層体が加圧されると、金属板84の下面が平板部40aの表面形状に合わせて塑性変形し、金属板84が平板部40aと密着する。これによって、ソース電極26と平板部40aとが確実に接続される。また、金属板82は、隣接するドレイン電極22及びバスバー30の平板部30aよりも柔らかい。このため、積層体が加圧されると、金属板82の下面がドレイン電極22の表面形状に合わせて塑性変形し、金属板82がドレイン電極22と密着する。同様に、積層体が加圧されると、金属板82の上面が平板部30aの表面形状に合わせて塑性変形し、金属板82が平板部30aと密着する。これによって、ドレイン電極22と平板部30aとが確実に電気的に接続される。また、積層体が加圧されると、ピン90のバネ部90aが撓む。これによって、ピン90とゲート電極28との間に適切な圧力が加わり、ピン90とゲート電極28とが確実に接続される。カバー50をケース40に固定したら、バスバー30の下側の部分を折り曲げて、外側配線部30cを形成する。その後、カバー50に、絶縁シート70を介して冷却器60を取り付けることで、図1に示す半導体モジュール10が完成する。この半導体モジュール10では、半導体装置20に対する配線がカバー50を貫通していない。したがって、組立時にカバー50を自由に回転させることができる。したがって、ネジ溝40cとネジ溝50cとを係合させて、カバー50をケース40に取り付けることができる。また、このネジ構造によって、カバー50によって前記積層体を加圧することができる。したがって、この半導体モジュール10は、容易に組み立てることができる。なお、第1実施例の半導体モジュール10では、ケース40の平板部40aと金属板84によって、第1電極板ソース電極26に接している電極板が構成されている。また、バスバー30の平板部30aと金属板82によって、第2電極板ドレイン電極22に接している電極板が構成されている。また、バスバー30の貫通配線部30bによって、第1配線部第1電極板から絶縁された状態で第1電極板を貫通しており、第2電極板と接続されている配線部が構成されている。また、ケース40の筒部40bによって、半導体装置と第2電極板を取り囲んでおり、第1電極板に固定されており、外周面に第1ネジ溝が形成されている筒体が構成されている。また、カバー50によって、第2ネジ溝が形成されており、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって筒体に固定されており、第2電極板を絶縁板80を介して半導体装置に向かって加圧しているカバーが構成されている。また、ピン90によって、第1電極板から絶縁された状態で第1電極板を貫通しており、第3電極ゲート電極に接続されている第2配線部材が構成されている。なお、第1実施例では、絶縁シート70を介してカバー50が冷却器60に固定されていた。しかしながら、カバー50の表面に絶縁膜が形成されており、その絶縁膜を介してカバー50が冷却器60に固定されていてもよい。また、図4に示すように、ケース40とカバー50の周囲全体が絶縁体である樹脂74に覆われていてもよい。この場合、図4に示すように半導体装置20の周囲の空間ケース40とカバー50に囲まれた空間に樹脂74が充填されていてもよいし、この空間に樹脂が充填されていなくてもよい。また、図5に示すように、カバー50に絶縁性のキャップ72を被せて、キャップ72を介してカバー50を冷却器60に固定してもよい。また、第1実施例では、平板部40aと筒部40bが一体化していたが、これらが別部材により構成されていてもよい。例えば、図6に示すように、金属製の平板40aに絶縁体により構成された筒40bが固定されていてもよい。なお、図4~6においては、第1実施例と同じ構成の部材には、第1実施例と同じ参照番号を付している。また、第1実施例の半導体モジュール10は、金属板84を有していたが、金属板84が存在せず、ソース電極26が直接平板部40aと接触していてもよい。また、第1実施例の半導体モジュール10は、金属板82を有していたが、金属板82が存在せず、ドレイン電極22が直接平板部30aと接触していてもよい。また、第1実施例の半導体モジュール10は、絶縁板80を有していた。しかしながら、例えばカバー50が絶縁体により構成されている場合等のように、バスバー30とケース40との絶縁を確保できる場合には、絶縁板80が存在しなくてもよい。第2実施例次に、図7、8に示す第2実施例の半導体モジュール100について説明する。なお、第2実施例の半導体モジュール100は、ケース40とカバー50以外については、第1実施例の半導体モジュール10と同じ構成を有している。なお、図7、8においては、第1実施例と同じ構成の部材には、第1実施例と同じ参照番号を付している。第2実施例の半導体モジュール100は、ケース140が、筒部を有していない。すなわち、ケース140は、平板部のみにより構成されている。ケース140には、3つのネジ孔142が形成されている。第2実施例の半導体モジュール100では、カバー150の側壁部150bが、略長方形を描くように形成されている。また、側壁部150bにフランジ150cが形成されている。フランジ150cには、貫通孔152が形成されている。カバー150の貫通孔152を通して、ケース140のネジ孔142にネジ162が締結されている。3つのネジ162によって、カバー150がケース140に固定されており、これらの間の積層体が加圧されている。このように、加圧によって半導体装置20が周囲の部材に対して固定されているので、第2実施例の半導体モジュール100は寿命が長い。また、半導体モジュール100では、半導体装置20のソース電極26及びゲート電極28に対する配線がケース140の下側に引き出されている。したがって、外部配線を容易に設置することができる。なお、上述した第1実施例及び第2実施例では、半導体装置がMOSFETであったが、IGBT、ダイオード等、種々の半導体装置に対して、上述した実施例の構成を適用することができる。以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。