基板上の第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルおよび/またはミクロレベルで決定するアライメントマークであって、前記第1の露光時に投影された第1のアライメントパターンと、前記さらなる露光時に投影された第2のアライメントパターンと、前記第1のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第1のサブマークと、前記第2のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第2のサブマークとを含み、前記基板上の前記第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置が前記マクロレベルで得られ、少なくとも1つのサブマークが、前記第1のアライメントパターンのイメージラインおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって少なくとも部分的に画定され、前記イメージラインの一部分が前記第1の露光時に投影され、前記イメージラインの一部分が前記さらなる露光時に投影され、前記少なくとも1つのサブマークの前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置が前記ミクロレベルで得られる、アライメントマーク。前記少なくとも1つのサブマークが前記第1のサブマークまたは前記第2のサブマークである、請求項1に記載のアライメントマーク。前記第1のサブマークおよび前記第2のサブマークのそれぞれが、前記第1のアライメントパターンのイメージラインおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって画定される、請求項1に記載のアライメントマーク。前記少なくとも1つのサブマークで、前記第1および第2の一方のアライメントパターンのイメージラインが他方のアライメントパターンのイメージラインを囲む、請求項1に記載のアライメントマーク。前記少なくとも1つのサブマークで、前記第1および第2の一方のアライメントパターンのイメージラインが長方形セルのアレイを画定し、前記第1および第2の他方のアライメントパターンのイメージラインが、前記長方形セルのそれぞれの中にラインを画定する、請求項1に記載のアライメントマーク。前記第1の露光および前記さらなる露光がダブルパターニング法の一部である、請求項1に記載のアライメントマーク。前記ミクロレベルが前記基板上の投影解像度とほぼ同じである、請求項1に記載のアライメントマーク。前記ミクロレベルが、150nmより小さい範囲、好ましくは5nmから100nmの範囲内にある、請求項1に記載のアライメントマーク。前記マクロレベルが、200nmより大きい範囲、好ましくは0.5μmから50μmの範囲内にある、請求項1に記載のアライメントマーク。請求項1に記載のアライメントマークを備える基板。リソグラフィ法で使用するパターニングデバイスの組であって、第1の露光時にアライメントマークの一部として基板上に投影される第1のアライメントパターンを有する第1のパターニングデバイスと、さらなる露光時に同じアライメントマークの一部として前記基板上に投影される第2のアライメントパターンを有する第2のパターニングデバイスとを含み、前記第1のアライメントパターンが前記アライメントマークの第1のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第2のアライメントパターンが前記アライメントマークの第2のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記基板上の前記第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置が、前記第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで決定するのに適しており、前記第1のアライメントパターンと前記第2のアライメントパターンが組み合わさって、前記第1のアライメントパターンのイメージラインおよび第2のアライメントパターンのイメージラインによって少なくとも部分的に画定される少なくとも1つのサブマークを画定し、前記第1の露光時に前記イメージラインの一部分が投影され、前記さらなる露光時に前記イメージラインの一部分が投影され、前記基板上の前記少なくとも1つのサブマークの前記第1のアライメントパターンと前記第2のアライメントパターンとの前記イメージラインの相対位置が、前記第1の露光と前記さらなる露光のアライメントをミクロレベルで決定するのに適している、パターニングデバイスの組。第1の露光時にパターンを第1のパターニングデバイスから基板上に転写する工程と、さらなる露光時にパターンを第2のパターニングデバイスから前記基板上に転写する工程とを含み、前記第1のパターニングデバイスが、前記第1の露光時にアライメントマークの一部として前記基板上に投影される第1のアライメントパターンを備え、前記第2のパターニングデバイスが、前記さらなる露光時に同じアライメントマークの一部として投影される第2のアライメントパターンを備え、前記第1のアライメントパターンが、前記アライメントマークの第1のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第2のアライメントパターンが、前記アライメントマークの第2のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第1のアライメントパターンと前記第2のアライメントパターンが組み合わさって少なくとも1つのサブマークを画定し、さらに、前記第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで、前記基板上の前記第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置の比較によって決定する工程と、前記第1の露光とさらなる露光のアライメントをミクロレベルで、前記基板上の前記少なくとも1つのサブマーク内の前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置の比較によって決定する工程とを含む、デバイス製造方法。前記第1の露光およびさらなる露光がダブルパターニング法の一部である、請求項14に記載の方法。単一の位置において2つの強度レベル例えば、マクロレベルおよびミクロレベルで多重露光のアライメントを決定するのに使用できるアライメントマークを設けることが望ましい。本発明の一実施形態によれば、基板上の第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルおよび/またはミクロレベルで決定するように構成され配置されるアライメントマークが提供され、前記アライメントマークは、第1の露光時に投影された第1のアライメントパターンと、さらなる露光時に投影された第2のアライメントパターンと、前記第1のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第1のサブマークと、前記第2のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第2のサブマークとを含み、前記基板上の前記第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置が、第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで表し、少なくとも1つのサブマークが、前記第1のアライメントパターンおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって少なくとも部分的に画定され、イメージラインの一部分が第1の露光時に投影され、イメージラインの一部分が第2の露光時に投影され、前記少なくとも1つのサブマークの前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置が、第1の露光と第2の露光のアライメントをミクロレベルで表す。本発明の一実施形態によれば、基板上の第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルおよび/またはミクロレベルで決定するためのアライメントマークを備える基板が提供され、前記アライメントマークは、第1の露光時に投影された第1のアライメントパターンと、さらなる露光時に投影された第2のアライメントパターンと、前記第1のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第1のサブマークと、前記第2のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第2のサブマークとを含み、前記基板上の前記第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置が、第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで表し、少なくとも1つのサブマークが、前記第1のアライメントパターンおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって部分的に画定され、イメージラインの一部分が第1の露光時に投影され、イメージラインの一部分が第2の露光時に投影され、前記少なくとも1つのサブマークの前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置が、第1の露光と第2の露光のアライメントをミクロレベルで表す。本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ法で使用するパターニングデバイスの組が提供され、この組は、第1の露光時にアライメントマークの一部として基板上に投影されるべき第1のアライメントパターンを有する第1のパターニングデバイスと、さらなる露光時に同じアライメントマークの一部として前記基板上に投影されるべき第2のアライメントパターンを有する第2のパターニングデバイスとを含み、前記第1のアライメントパターンが前記アライメントマークの第1のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第2のアライメントパターンが前記アライメントマークの第2のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記基板上の第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置が、前記第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで決定するのに適しており、前記第1のアライメントパターンと前記第2のアライメントパターンが組み合わさって、前記第1のアライメントパターンのイメージラインおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって少なくとも部分的に画定される少なくとも1つのサブマークを画定し、第1の露光時にイメージラインの一部分が投影され、さらなる露光時にイメージラインの一部分が投影され、前記基板上の前記少なくとも1つのサブマークの前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置が、第1の露光とさらなる露光のアライメントをミクロレベルで決定するのに適している。本発明の一実施形態によれば、デバイス製造方法が提供され、この方法は、第1の露光時にパターンを第1のパターニングデバイスから基板上に転写する工程と、さらなる露光時にパターンを第2のパターニングデバイスから前記基板上に転写する工程とを含み、前記第1のパターニングデバイスが、前記第1の露光時にアライメントマークの一部として前記基板上に投影される第1のアライメントパターンを備え、前記第2のパターニングデバイスが、さらなる露光時に同じアライメントマークの一部として投影される第2のアライメントパターンを備え、前記第1のアライメントパターンが、前記アライメントマークの第1のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第2のアライメントパターンが、前記アライメントマークの第2のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第1のアライメントパターンと前記第2のアライメントパターンが組み合わさって少なくとも1つのサブマークを画定し、さらに、第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで、前記基板上の第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置の比較によって決定する工程と、第1の露光とさらなる露光のアライメントをミクロレベルで、前記基板上の前記少なくとも1つのサブマーク内の前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置の比較によって決定する工程とを含む。図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB例えばUV放射または他の任意の適切な放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持する構造になっており、かついくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続された、マスクサポート構造例えばマスクテーブルMTとを含む。この装置はまた、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持する構造になっており、かついくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された、基板テーブル例えばウェーハテーブルWTまたは基板サポートも含む。この装置はさらに、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを、基板Wのターゲット部分C例えば、1つまたは複数のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSを含む。この照明システムは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプのコンポーネント、または他のタイプのコンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。マスクサポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支承する。マスクサポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、また、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなど他の条件によって決まる仕方でパターニングデバイスを保持する。マスクサポート構造は、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用し、パターニングデバイスを保持することができる。マスクサポート構造は、例えば必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。マスクサポート構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書においてレチクルまたはマスクという用語を使用することがあればそれは、パターニングデバイスという、より一般的な用語と同義と見なすことができる。本明細書において使用されるパターニングデバイスという語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することが可能な任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフティングフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意すべきである。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に一致する。パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフト、ハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。本明細書で使用される投影システムという用語は、使用する露光放射、あるいは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする、任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における用語投影レンズのいかなる使用も、より一般的な用語投影システムと同義と見なされてよい。本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ例えば透過性マスクを使用するタイプである。あるいは、装置は反射タイプ例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプでよい。リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルまたは基板サポートおよび/または2つ以上のマスクテーブルまたはマスクサポートを有するタイプのものとすることができる。そのようなマルチステージ機では、追加のテーブルまたはサポートを同時に使用することができ、あるいは、1つまたは複数の他のテーブルまたはサポートが露光用に使用されている間に、1つまたは複数のテーブルまたはサポート上で準備ステップを実施することができる。リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプとすることもできる。液浸液は、リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影システムとの間に適用することもできる。液浸技法を使用して投影システムの開口数を増加させることができる。本明細書で使用されるような液浸という用語は、基板などの構造体が液体中に沈められなければならないことを意味せず、むしろ液体が露光中投影システムと基板との間に置かれていることを単に意味する。図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。光源およびリソグラフィ装置は、例えば光源がエキシマレーザである場合は、別々の要素であってよい。そのような場合、光源はリソグラフィ装置の部分を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って光源SOからイルミネータILへ送達される。他の場合では、例えば、光源が水銀ランプである場合、光源はリソグラフィ装置の一体の部分であってよい。光源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ばれてよい。イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタADを含んでよい。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内輝度分布の外側および/または内側半径範囲一般にそれぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるは調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなど様々な他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性および輝度分布を有するように調節するのに使用されてよい。放射ビームBは、マスクサポート構造例えば、マスクテーブルMT上で保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームBは、マスクMAを横切って、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に集束する。基板テーブルWTは、第2の位置決めデバイスPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサの助けにより、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと図1には明示的に図示されない別の位置センサを使用し、マスクMAを、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルWTまたは基板サポートの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。スキャナではなくステッパの場合には、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータだけに接続することも、固定とすることもできる。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2、および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間の空間内に位置してもよいこれらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイ間に位置してもよい。図1に2つのマスクMAの組が示されている。これら2つのマスクは、例えばダブルパターニング技法で使用することができ、第1の露光時に第1のマスクのパターンが基板W上に投影され、第2の露光時に第2のマスクのパターンが基板W上に投影される。それぞれのマスクMAは、アライメントマークM1、M2に加えて、アライメントパターンM3a、M3bを備える。アライメントパターンM3aとM3bは異なっていてもよい。アライメントパターンM3a、M3bは、基板上に投影されてアライメントマークM3pを形成する。アライメントマークM3pに投影されたアライメントパターンM3a、M3bの相対位置の比較により、第2の露光時に投影されたパターンに対する第2の露光時に投影されたパターンの相対位置の情報が得られる。アライメントパターンM3a、M3bによって形成されたアライメントマークM3pにより、マクロレベルのアライメントの情報が得られるが、ミクロレベルのアライメントの情報もまた得られる。マクロレベルおよびミクロレベルという用語は、アライメントが決定される2つのレベルの間の相対関係を示すのに用いられるが、絶対範囲とは必ずしも関係がない。マクロレベルおよびミクロレベルという用語は、多重露光のアライメントを決定するために使用されるアライメントマークのフィーチャを含む測定範囲の大きさを示すために用いられる。しかし、マクロレベル設計もミクロレベル設計も、露光のアライメントを同じ精度で、例えば製品解像度で決定するのに用いることができる。マクロレベルは、例えば200nmよりも大きい範囲、好ましくは0.5μmから5μmの範囲内とすることができる。ミクロレベルは、好ましくは製造解像度とほぼ同じである。この製造解像度は、150nmよりも小さい範囲、好ましくは5nmから100nmの範囲内とすることができる。さらに、アライメントパターンM3a、M3bは、光学または回折をベースとする技法など、任意の実行可能な技法を用いることによってマクロレベルアライメントおよびミクロレベルアライメントを決定できるように選択される。マクロレベルアライメントは、例えばスキャトロメトリ技法例えば、分光スキャトロメトリまたは角度分解スキャトロメトリによって、またはリソグラフィ装置を使用する方法によって決定することができ、ミクロレベルアライメントは、CD-SEMクリティカルディメンション-走査型電子顕微鏡で実施される測定を用いる方法によって決定することができる。アライメントパターンM3a、M3b、および結果として得られるアライメントマークは、図2、4または7で示されるように実現することができるが、他の適切なアライメントパターンもまた適用することができる。本発明の一実施形態では、既知のマクロレベルターゲットマーク設計が用いられる。このような既知のターゲットマーク設計は、第1の露光時に投影された第1のサブマークと、第2の露光時に投影された第2のサブマークとを少なくとも含むことができ、投影された第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置により、アライメント情報がマクロレベルで得られる。本発明によるターゲットマークでは、既知のターゲットマークのサブマークの少なくとも1つが複数のイメージラインにサブセグメント化され、これらイメージラインの一部分が第1の露光時に投影され、イメージラインの一部分が第2の露光時に投影される。その結果、それぞれのサブマークを使用して、アライメント情報をミクロレベルで得ることができるようになる。したがって、1つのサブマークをマクロレベルとミクロレベルの両方のアライメント情報を得るために使用することができる。一般に、本発明によるアライメントターゲットの一実施形態では、イメージラインの一部分が第1の露光時に投影され、さらなる露光時にイメージラインの一部分が投影されることに留意されたい。当業者には理解されるように、ダブルパターニング法では、前述のさらなる露光が通常は第2の露光になる。イメージラインという用語は、アライメントパターンの一部を描写するために用いられることに注意されたい。これらのイメージラインは、細長いラインである必要がなく、アライメントパターンで使用されるのに適した他の任意の形状を有することもできる。本発明によるアライメントマークの一実施形態は、第1のアライメントパターンのイメージラインおよび第2のアライメントパターンのイメージラインによって少なくとも部分的に画定される少なくとも1つのサブマークを含む。言い換えると、本発明によるアライメントマークは、前記第1のアライメントパターンによって、または前記第2のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された少なくとも1つのサブマークを備え、このサブマークは、第2のアライメントパターンまたは第1のアライメントパターンそれぞれからのイメージラインによってサブセグメント化される。一実施形態では、上述のようにサブセグメント化サブマークは、マクロレベルアライメント情報を得るために使用される1つまたは複数のサブマークであり、すべてのサブマークがサブセグメント化されていることが好ましい。しかし、本発明によるターゲットマークはまた、マクロレベルアライメント情報を得るための2つ以上のサブマークと、ミクロレベルアライメント情報を得るための1つまたは複数の他のサブセグメント化サブマークとを含むこともできる。一実施形態では、サブセグメント化サブマークの外周は、この外周がマクロアライメント情報を決定するのに使用されるので、主に、好ましくは完全に、一方のアライメントパターンのイメージラインによって形成される。このような実施形態では、前記第1および第2のアライメントパターンの一方のイメージラインが長方形セルのアレイを画定し、前記第1および第2のアライメントパターンの他方のラインが、前記長方形セルのそれぞれの中にラインを画定する。図1に示されたリソグラフィ装置は、以下のモードの少なくとも1つにおいて使用することが可能である。1.ステップモードでは、マスクテーブルMTまたはマスクサポートおよび基板テーブルWTまたは基板サポートが、実質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられた全パターンが、一度でターゲット部分C上に投影されるすなわち単一静止露光。次いで、基板テーブルWTまたは基板サポートは、別のターゲット部分Cを露光することが可能となるようにX方向および/またはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光においてイメージングされるターゲット部分Cのサイズを限定する。2.スキャンモードでは、マスクテーブルMTまたはマスクサポートおよび基板テーブルWTまたは基板サポートが、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTまたはマスクサポートに対する基板テーブルWTまたは基板サポートの速度および方向は、投影システムPSの拡大率縮小率および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャニング方向の幅を限定し、スキャニング動作の長さが、ターゲット部分のスキャニング方向の高さを決定する。3.別のモードでは、マスクテーブルMTまたはマスクサポートが、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ実質的に静的状態に保たれ、基板テーブルWTまたは基板サポートが、移動されまたはスキャンされるとともに、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは基板サポートの各移動の後で、またはスキャン中の連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。上で説明した使用モードの組合せおよび/または変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用することも可能である。図2は、本発明によるアライメントターゲットの実現可能な一実施形態を示す。図2の左上側は、第1のアライメントパターン2を備えるパターニングデバイス1の円形部分を示す。図2の右上側は、第2のアライメントパターン4を備えるパターニングデバイス3の円形部分を示す。パターニングデバイス1、3の組はさらに、いくつかの基板5の上に投影されるべき投影パターンも備える。パターニングデバイス1、3は、ダブルパターニング法に適するものとすることができる。ダブルパターニング法は、基板上のフィーチャの密度を高めるために用いることができる。第1のパターニングデバイス1の第1の露光と、第2のパターニングデバイス3の第2の露光との互いのアライメントを検査するために、アライメントパターン2、4が用意される。パターニングデバイス1のアライメントパターン2とパターニングデバイス3のアライメントパターン4との間の違いが見えるように、アライメントパターン4は破線で示されていることに注意されたい。実際のアライメントパターン4は、実線を備えることができる。第1および第2の露光時、アライメントパターン2、4は、図2の下側に示されるように基板5の一部分の上に投影されて、マクロレベルとミクロレベルの両方で第1の露光と第2の露光のアライメントを表すアライメントマーク6を形成する。アライメントパターン2、4は、2つのサブマーク7、8を形成する。サブマーク7の外周はアライメントパターン2によって形成され、第2のサブマーク8の外周は第2のアライメントパターン4によって形成される。サブマーク7のアライメントパターン2のイメージライン内に、第2のアライメントパターン4のイメージラインが得られ、サブマーク8のアライメントパターン4のイメージライン内に、第1のアライメントパターン2のイメージラインが得られる。したがって、第1のアライメントパターン2のイメージラインは、サブマーク7の中に第2のアライメントパターン4のイメージラインを囲み、逆も同様に、第2のアライメントパターン4のイメージラインは、サブマーク8の中に第1のアライメントパターン2のイメージラインを囲む。測定領域範囲9、すなわちマクロレベル測定範囲内で、第1の露光と第2の露光のアライメントは、2つのサブマーク7、8の相対位置を比較することによってマクロレベルで決定することができる。通常はサブマーク7の外周とサブマーク8の外周とが比較されるので、サブマーク7、8の相対位置を比較することは、第1のアライメントパターン2の位置と第2のアライメントパターン4の位置とを比較することに相当する。測定領域10内、すなわちミクロレベル測定範囲内で、第1の露光と第2の露光のアライメントは、サブマーク8内のアライメントパターン2と4を比較することによってミクロレベルで決定することができる。それに対応して、第1の露光と第2の露光の間のアライメントもまた、サブマーク7内のアライメントパターン2と4を比較することによって決定することができる。サブマーク7、8内のアライメントパターン2、4の相対位置は、例えばCD-SEMで実施される測定を用いる方法によって決定することができる。図3は、従来技術による従来のバーインバーアライメントマーク100を示し、これは、各サブマークの相対位置を比較することによってアライメントをマクロレベルで決定するのに使用される。このようなバーインバー設計は、2つ続きの露光のアライメントを決定する測定方法において用いることができる。アライメントマーク100は、第1の露光で投影された4つの外側バー形サブマーク101と、第2の露光で投影された4つの内側バー形サブマーク102とから形成される。サブマーク101とサブマーク102の相対位置を測定して、第1の露光と第2の露光のアライメントを決定することができる。基板のバーの太さは約2μmであり、したがって、アライメントを決定できるマクロレベル範囲は、ほぼ同じ範囲の例えば2~10μmになる。図示のバーインバー設計の代わりに、アライメントマークはまた、相対位置が第1の露光と第2の露光のアライメントを表すように、別々の露光で投影されたいくつか別々の配置のサブマークを含むこともできる。本発明の一実施形態では、このような従来の設計を本発明のアライメントマークの設計に用いることができる。図4は、図3の従来の設計に基づくアライメントマーク設計20を示す。図4の実施形態では、サブマーク21、22のそれぞれが、第1の露光時に投影される部分実線で示すと、第2の露光時に投影される部分破線で示すとにサブセグメント化される。各サブセグメント化は、各サブマークの外周が露光の一方によって形成されるように選択される。好ましくは主に、より好ましくは完全に1つの露光からサブマークの外周を該当する側に生成することによって、サブマーク21、22の相対位置が比較される従来の測定方法を高い信頼性で維持することができる。サブマーク21、22内のイメージラインの寸法は、実際の製品の製品解像度に似るように、例えば10nmから150nmの範囲で選択される。その結果、製品解像度レベル、すなわちミクロレベルの第1の露光と第2の露光のアライメントは、サブマーク21、22それぞれの中で決定することができるようになる。したがって、一代替実施形態では、従来の設計のサブマーク21、22の一部分だけ、または一方だけでもサブセグメント化して、本発明によるアライメントマークを得ることができる。図4のアライメントマークにより、同じアライメントマークによる同じ場所でのマクロレベルおよびミクロレベルのアライメント測定が可能になる。一代替実施形態では、いくつかのサブマークを含む他の任意の従来のアライメントマークを本発明によるアライメントマークの設計で使用することができる。第1の露光で投影される部分、および第2の露光で投影される部分のサブマークのうちの少なくとも1つをサブセグメント化することによって、従来のアライメントマークは、各サブマークの相対位置を比較することによるマクロレベルの従来の重ね合わせ測定と、サブマーク内の第1の露光と第2の露光のアライメントパターンの相対位置を比較することによるミクロレベルのさらなる重ね合わせ測定とに適するものにすることができる。図5a、5bおよび5cを参照して、サブマーク21、22のサブセグメント化の別の利点について論じる。いくつかのダブルパターニング法では、2つの露光の間にフォトレジスト層が基板上に設けられる。この層は通常、第1の露光の後にフォトレジスト層材料を基板表面の上で回転させることによって基板上にもたらされる。フォトレジスト材料は、パターン付きビームが投影される基板の各部分、すなわち基板上に投影されるパターンによって引き寄せられる。隣り合う投影されたラインの間の間隔が、製品パターンの場合では通常であるように相対的に小さいとき、フォトレジスト層は平坦になる。この間隔が従来のアライメントターゲットの場合のように大きいときは、フォトレジスト層は高さの違いを示すことがある。図5aは、第1の露光時にパターン52が投影される第1のフォトレジスト層51を有する基板50の一部分を示す。第2のフォトレジスト層53が、第2の露光前に基板上に設けられる。第2の露光のパターンは図示されていない。製品パターンの解像度が相対的に高いので、第2のフォトレジスト層は、基板の表面の上で同様に引き寄せられ、そのため平坦になる。第2の露光での第1のフォトレジスト層と第2のフォトレジスト層の組合せに対する最適焦点高さFは、図5aに破線で示されている。図5bに、図3の従来のターゲットの第1の露光後の断面が線A-Aに沿って示されている。すなわち、サブマーク101は投影されているが、サブマーク102はまだ基板50上に投影されていない。第1のフォトレジスト層51への露光後、第2のフォトレジスト層53が基板50上に設けられる。サブマーク102が投影されるべき位置は基板50上であるので、第2のフォトレジスト層53は、この位置でかなり低く、あるいは存在することさえない。その結果、サブマーク102の第2の露光に対する最適焦点高さFは、製品フィーチャに対する最適焦点高さよりもかなり低くなる。最良焦点露光条件は製品フィーチャによって決まるので、アライメントターゲットの第2の露光は焦点がずれて印刷され、その結果、信頼性が低いアライメント測定になる。図5cでは、図4のアライメントマークの第1の露光後の基板50上の同様な断面が線B-Bに沿って示されている。第1のフォトレジスト層51への第1の露光後、全サブマーク21、22の一部分が投影される。その結果、第2のフォトレジスト層53が、サブマーク21、22のすべての位置に設けられることになる。それゆえに、第2の露光時にサブマーク21、22のさらなる部分が投影される領域内に、平坦な第2のフォトレジスト層53が設けられることになり、これは、基板の製品パターン上の第2のフォトレジスト層53とほぼ同じ高さを有する。したがって、アライメントマークの第2の露光に対する最適焦点高さFは、製品パターンの最適焦点高さFとほぼ一致し、アライメントマークの第2の露光は、基板上に正確に印刷することができる。それゆえに、第1の露光時に投影される部分、および第2の露光で投影される部分それぞれのサブマークのサブセグメント化は、製品の第2のフォトレジスト層の高さと、いくつかのダブルパターニング法における基板のアライメントマーク領域の高さとの違いによる焦点の問題を未然に防ぐ。この焦点の問題はまた、従来は第1の露光で投影されるだけのサブマークのサブセグメント化によって取り除くこともできることに注意されたい。図6は、別の従来技術による従来のマクロレベルアライメントマーク110を示す。この既知の設計は、2つ続きの露光のアライメントを決定する測定方法において用いることができる。アライメントマーク110設計は、第1の露光で投影されるバー形サブマーク111と、第2の露光で投影されるバー形サブマーク112とを含む。サブマーク101とサブマーク102の相対位置を測定して、第1の露光と第2の露光のアライメントをマクロレベルで決定することができる。図示のバーインバー設計の代わりに、アライメントマークはまた、相対位置が別々の露光の互いのアライメントを表すように、別々の露光で投影されたいくつかの別々の配置のサブマークを含むこともできる。図7は、図6の従来の設計に基づくアライメントマーク設計30を示す。図7の実施形態では、サブマークのそれぞれが、第1の露光時に投影される部分実線で示すと第2の露光時に投影される部分破線で示すとにサブセグメント化される。各サブセグメント化は、各サブマークの外周が露光の1つによって形成されるように選択される。好ましくは主に、より好ましくは完全に1つの露光からサブマークの外周を該当する側に生成することによって、サブマーク31、32の相対位置が比較されるマクロレベルの従来の測定方法を高い信頼性で維持することができる。サブマーク31、32内のイメージラインの寸法は、実際の製品の製品解像度に似るように、例えば5nmから150nmの範囲で選択される。その結果、第1の露光と第2の露光のミクロレベルのアライメントは、サブマーク31、32それぞれの中で決定することができるようになる。したがって、一代替実施形態では、従来の設計のサブマーク31、32の一部分だけ、または1つだけでもサブセグメント化して、本発明によるアライメントマークを得ることができる。図7のアライメントマークにより、同じアライメントマークによる同じ場所でのマクロレベルおよびミクロレベルのアライメント測定が可能になる。本発明はまた、以下の諸実施形態によって説明することもできる。1.基板上の第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルおよびミクロレベルで決定するためのアライメントマークであって、第1の露光時に投影された第1のアライメントパターンと、さらなる露光時に投影された第2のアライメントパターンと、前記第1のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第1のサブマークと、前記第2のアライメントパターンによって少なくとも部分的に画定された第2のサブマークとを含み、前記基板上の前記第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置が、第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで表し、少なくとも1つのサブマークが、前記第1のアライメントパターンおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって少なくとも部分的に画定され、イメージラインの一部分が第1の露光時に投影され、イメージラインの一部分がさらなる露光時に投影され、前記少なくとも1つのサブマークの前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置が、第1の露光とさらなる露光のアライメントをミクロレベルで表す。2.前記少なくとも1つのサブマークが前記第1のサブマークまたは前記第2のサブマークである、実施形態1のアライメントマーク。3.前記第1のサブマークおよび前記第2のサブマークのそれぞれが、前記第1のアライメントパターンのイメージラインおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって画定される、実施形態1のアライメントマーク。4.前記少なくとも1つのサブマークで、前記第1および第2の一方のアライメントパターンのイメージラインが他方のアライメントパターンのイメージラインを囲む、実施形態1のアライメントマーク。5.前記少なくとも1つのサブマークで、前記第1および第2の一方のアライメントパターンのイメージラインが長方形セルのアレイを画定し、前記第1および第2の他方のアライメントパターンのイメージラインが、前記長方形セルのそれぞれの中にラインを画定する、実施形態1のアライメントマーク。6.前記第1の露光および前記さらなる露光がダブルパターニング法の一部である、実施形態1のアライメントマーク。7.前記ミクロレベルが前記基板上の投影解像度とほぼ同じである、実施形態1のアライメントマーク。8.前記ミクロレベルが、150nmより小さい範囲、好ましくは5nmから100nmの範囲内にある、実施形態1のアライメントマーク。9.前記マクロレベルが、200nmより大きい範囲、好ましくは0.5μmから50μmの範囲内にある、実施形態1のアライメントマーク。10.前記第1および第2のサブマークの幅が、200nmより大きい範囲、好ましくは0.5μmから50μmの範囲内にある、実施形態1のアライメントマーク。11.前記サブマークの幅が0.5μmと5μmの間にある、実施形態1のアライメントマーク。12.実施形態1~11のいずれかのアライメントマークを備える基板。13.リソグラフィ法で使用するパターニングデバイスの組であって、第1の露光時にアライメントマークの一部として基板上に投影されるべき第1のアライメントパターンを有する第1のパターニングデバイスと、さらなる露光時に同じアライメントマークの一部として前記基板上に投影されるべき第2のアライメントパターンを有する第2のパターニングデバイスとを含み、前記第1のアライメントパターンが前記アライメントマークの第1のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第2のアライメントパターンが前記アライメントマークの第2のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記基板上の第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置が、前記第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで決定するのに適しており、前記第1のアライメントパターンと前記第2のアライメントパターンが組み合わさって、前記第1のアライメントパターンのイメージラインおよび前記第2のアライメントパターンのイメージラインによって少なくとも部分的に画定される少なくとも1つのサブマークを画定し、第1の露光時にイメージラインの一部分が投影され、さらなる露光時にイメージラインの一部分が投影され、前記基板上の前記少なくとも1つのサブマークの前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置が、第1の露光とさらなる露光のアライメントをミクロレベルで決定するのに適している、パターニングデバイスの組。14.アライメントマークが実施形態1~11の特徴のいずれかを備える、実施形態13のパターニングデバイスの組。15.第1の露光時にパターンを第1のパターニングデバイスから基板上に転写する工程と、さらなる露光時にパターンを第2のパターニングデバイスから前記基板上に転写する工程とを含み、前記第1のパターニングデバイスが、前記第1の露光時にアライメントマークの一部として前記基板上に投影される第1のアライメントパターンを備え、前記第2のパターニングデバイスが、さらなる露光時に同じアライメントマークの一部として投影される第2のアライメントパターンを備え、前記第1のアライメントパターンが、前記アライメントマークの第1のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第2のアライメントパターンが、前記アライメントマークの第2のサブマークを少なくとも部分的に画定し、前記第1のアライメントパターンと前記第2のアライメントパターンが組み合わさって少なくとも1つのサブマークを画定し、さらに、第1の露光とさらなる露光のアライメントをマクロレベルで、前記基板上の第1のサブマークと第2のサブマークの相対位置の比較によって決定する工程と、第1の露光とさらなる露光のアライメントをミクロレベルで、前記基板上の前記少なくとも1つのサブマーク内の前記第1のアライメントパターンのイメージラインと前記第2のアライメントパターンのイメージラインとの相対位置の比較によって決定する工程とを含むデバイス製造方法。16.前記第1の露光およびさらなる露光がダブルパターニング法の一部である、実施形態15の方法。17.アライメントマークが実施形態1~11の特徴のいずれかを備える、実施形態15の方法。19.フォトレジスト層が、第1の露光と第2の露光の間に基板上に配置される、実施形態15の方法。本文中では、IC製造時におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及することがあるが、本明細書で説明したリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途があり得ることを理解されたい。当業者なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語ウェーハまたはダイのいかなる使用も、それぞれ、より一般的な用語基板またはターゲット部分と同義なものと見なしてよいことを理解するであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック一般に基板にレジストの層を与え、露光後のレジストを現像するツール、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ICを作成するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板も意味してよい。本発明の実施形態の使用に対して、光リソグラフィの文脈において上記で特定の参照がなされていても、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィおよび状況が許すところで使用されてよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内の微細構成が、基板上に作成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は、基板に与えられたレジストの層へ押しつけられてよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジスト中にパターンを残してレジストから離される。本明細書に使用される用語放射およびビームは、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子線と同様に紫外線UV放射例えば365、248、193、157または126nmの、またはそのくらいの波長を有するおよび超紫外線EUV放射例えば5~20nmの範囲の波長を有するを含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。文脈によって許される場合、レンズという用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の1つまたは組合せを意味している。上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。例えば、本発明は、上述の方法について説明する機械可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクの形態をとることができる。上記の記述は、例示を意図したものであり、限定するものではない。したがって、以下に詳述される特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変更形態が作成され得ることが当業者には明白であろう。