回転駆動されるターンテーブルと、このターンテーブルの上面上に設けられ、上面に溝を有する研磨布と、この研磨布に研磨剤を供給する研磨剤供給部と、回転駆動され、かつ被研磨物を前記研磨布に押圧して保持する研磨ヘッドと、この研磨ヘッドの下面に設けられた、前記被研磨物を囲う筒状のリテーナーリングと、このリテーナーリングの内側面に設けられた複数の気体噴出孔と、前記リテーナーリングの内部に設けられ、前記複数の気体噴出孔に連通するリング状の気体供給路と、前記リテーナーリングの上面に設けられ、前記リング状の気体供給路に連通する気体供給孔と、この気体供給孔に接続され、前記気体供給孔および前記リング状の気体供給孔を介して前記複数の気体噴出孔に空気若しくは不活性ガスを供給する気体供給部と、を具備し、前記複数の気体噴出孔は、前記気体供給孔から遠いほど小さい径を有することを特徴とするポリッシング装置。回転駆動されるターンテーブルと、このターンテーブルの上面上に設けられ、上面に溝を有する研磨布と、この研磨布に研磨剤を供給する研磨剤供給部と、回転駆動され、かつ被研磨物を前記研磨布に押圧して保持する研磨ヘッドと、この研磨ヘッドの下面に設けられた、前記被研磨物を囲う筒状のリテーナーリングと、このリテーナーリングの内側面に設けられ、前記研磨ヘッドに保持された前記被研磨物の側面に向かって、空気若しくは不活性ガスを噴出する複数の気体噴出孔と、前記複数の気体噴出孔に接続され、前記複数の気体噴出孔に前記空気若しくは前記不活性ガスを供給する気体供給部と、を具備することを特徴とするポリッシング装置。前記リテーナーリングは、前記複数の気体噴出孔に連通するリング状の気体供給路を内部に具備するとともに、前記リング状の気体供給路に連通する気体供給孔を上面に具備し、前記気体供給部は、前記気体供給孔に接続され、前記複数の気体噴出孔は、前記気体供給孔から遠いほど小さい径を有することを特徴とする請求項2に記載のポリッシング装置。前記リテーナーリングは、前記複数の気体噴出孔のそれぞれに連通する複数の気体供給孔を上面に具備し、複数の気体供給孔のそれぞれにはレギュレーターが接続され、前記気体供給部は、複数の前記レギュレーターに共通に接続されることを特徴とする請求項2に記載のポリッシング装置。前記リテーナーリングは、前記複数の気体噴出孔に連通する複数の弧状の気体供給路を内部に具備するとともに、前記複数の弧状の気体供給路のそれぞれに連通する複数の気体供給孔を上面に具備し、複数の気体供給孔のそれぞれにはレギュレーターが接続され、前記気体供給部は、複数の前記レギュレーターに共通に接続されることを特徴とする請求項2に記載のポリッシング装置。実施形態は、被研磨物の側面に研磨剤が付着することを抑制することができるポリッシング装置を提供することを目的とする。実施形態に係るポリッシング装置は、ターンテーブル、研磨布、研磨剤供給部、研磨ヘッド、リテーナーリング、複数の気体噴出孔、および気体供給部、を具備する。前記ターンテーブルは、回転駆動される。前記研磨布は、前記ターンテーブルの上面上に設けられ、上面に溝を有する。前記研磨剤供給部は、前記研磨布に研磨剤を供給する。前記研磨ヘッドは、回転駆動されるものであり、被研磨物を前記研磨布に押圧して保持する。前記リテーナーリングは、前記被研磨物を囲う筒状であって、前記研磨ヘッドの下面に設けられている。前記複数の気体噴出孔は、前記リテーナーリングの内側面に設けられ、前記研磨ヘッドに保持された前記被研磨物の側面に向かって、空気若しくは不活性ガスを噴出する。前記気体供給部は、前記複数の気体噴出孔に接続され、前記複数の気体噴出孔に前記空気若しくは前記不活性ガスを供給する。以下に、実施形態に係るポリッシング装置について、図面を参照して詳細に説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るポリッシング装置10の要部を模式的に示す上面図である。ポリッシング装置10は、回転駆動するターンテーブル11、回転駆動し、ターンテーブル11に被研磨物である半導体ウエハを押圧する研磨ヘッド12、およびターンテーブル11上に研磨剤を供給する研磨剤供給部である研磨剤供給ノズル13を有する。ターンテーブル11は、この下面からターンテーブル11を支持する支持部11aを軸として、この軸11aを中心に図の矢印A方向に回転駆動される。研磨ヘッド12も同様に、ターンテーブル11の支持部11aを中心に図の矢印B方向に回転駆動される。すなわち、ターンテーブル11および研磨ヘッド12は、支持部11aを軸に公転される。さらに研磨ヘッド12は、この上面に連結されたシャフト12aを軸として、この軸12aを中心に図の矢印C方向に回転駆動される。すなわち、研磨ヘッド12は、シャフト12aを軸として、この軸を中心に自転される。ポリッシング装置10は、研磨ヘッド12が被研磨物をターンテーブル11に押圧し、この状態でターンテーブル11および研磨ヘッド12を回転駆動することにより、半導体ウエハを物理的に研磨する。また、ポリッシング装置10は、ターンテーブル11上に、研磨剤供給ノズル13から研磨剤として砥液を供給することにより、半導体ウエハを化学的に研磨する。すなわち、ポリッシング装置10は、半導体ウエハ等の被研磨物を物理的および化学的に研磨するものである。なお、被研磨物が半導体ウエハである場合、砥液として、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁したものが用いられる。図2は、図1のX-X ́に沿ったポリッシング装置10の断面図である。図2に示すように、ポリッシング装置10において、回転駆動するターンテーブル11の上面には、研磨布14が貼付けられている。図3は、ターンテーブル11上に備えられた研磨布14を示す上面図である。図3に示すように、研磨布14は、この上面に格子状の溝14aを有する。この溝14aは、研磨剤供給ノズル13図2から研磨布14に供給される砥液が、ターンテーブル11図2の回転により外部方向に流れてしまうことを抑制するための溝である。供給される砥液は溝14a内に留まるため、ターンテーブル11が回転しても、砥液が研磨布14の上面に供給された状態を維持することができる。なお、溝14aは、砥液が研磨布14の上面に供給された状態を維持することができるように形成されていればよい。従って、溝14aは、必ずしも格子状である必要はなく、例えば渦巻き状に形成されていてもよい。再び図2を参照する。ポリッシング装置10において、研磨ヘッド12は、トップリング15、加圧部材16、およびリテーナーリング17を有する。トップリング15は、上面において研磨ヘッド12の自転軸となるシャフト12aに連結しており、下面において半導体ウエハ18を保持する。トップリング15の下面には、半導体ウエハ18をターンテーブル11に押圧する加圧部材16であるメンブレン16が備えられており、トップリング15は、このメンブレン16を介して半導体ウエハ18を保持する。メンブレン16は、例えばゴム製の風船状のものである。トップリング15およびシャフト12aには、一端がメンブレン16に連通し、他端が気体供給部19に接続された複数の押圧用気体供給路20が備えられており、メンブレン16には、複数の押圧用気体供給路20を介して、気体供給部19から圧縮空気が供給される。このメンブレン16には、各押圧用気体供給路20毎に備えられた押圧用レギュレーター21及び押圧用バルブ22によって調節された空気量および空気圧の圧縮空気が供給される。これにより、メンブレン16を所定の大きさに膨らませ、半導体ウエハ18を押圧して保持する。なお、メンブレン16に供給される圧縮空気は、複数箇所から供給可能であり、これらの供給箇所毎に供給される空気量および空気圧を調整することにより、場所毎に半導体ウエハ18を押圧する圧力を調整することができる。リテーナーリング17は、円筒状のものであり、トップリング15の下面において、メンブレン16を囲うように設けられている。リテーナーリング17は、半導体ウエハ18を研磨する際に、下面が研磨布14に接する。これにより、研磨の際に、半導体ウエハ18と研磨布14との摩擦によって、半導体ウエハ18がトップリング15の下面から外れ、研磨ヘッド12の外部に飛び出すことを抑制する。また、ポリッシング装置10は、半導体ウエハ18の丸みを有する側面、すなわち半導体ウエハ18のウェーハベベル部に向かって圧縮空気を噴出する気体噴出手段を備えている。気体噴出手段は、リテーナーリング17の内側面に設けられた複数の気体噴出孔23、およびこれらの孔23に共通に接続され、これらの孔23に圧縮空気を供給する気体供給部19を含む。以下に、図2、および図4、図5を参照して、気体噴出手段について詳細に説明する。図4は、リテーナーリング17を示す斜視図である。図5は、図4のリテーナーリング17を示す断面図であって、aは図4のX-X ́に沿った断面図、bは同図aのY-Y ́に沿った断面図である。図4に示すように、リテーナーリング17の内側面には、複数の気体噴出孔23が設けられている。また、図5abに示すように、リテーナーリング17の内部には、このリテーナーリング17の周に沿ったリング状の気体供給路24が設けられている。さらに、図4に示すように、リテーナーリング17の上面には、気体供給孔25が設けられている。なお、複数の気体噴出孔23は、リテーナーリング17の内側面に設けられる必要があるが、この理由については後述する。図5abに示すように、全ての気体噴出孔23はリング状の気体供給路24に連通しており、リング状の気体供給路24は、気体供給孔25に連通している。気体供給孔25は、気体供給部19に接続されている。従って、気体供給部19から供給される圧縮空気は、リテーナーリング17の気体供給孔25、リング状の気体供給路24を介して、各気体噴出孔23から噴出される。なお、図2に示すように、リテーナーリング17の気体供給孔25は、トップリング15およびシャフト12aの内部を通るように設けられた噴出用気体供給路26を介して、気体供給部19に接続されている。従って、リテーナーリング17の気体供給孔25には、気体供給部19から、噴出用気体供給路26を介して圧縮空気が供給される。この気体供給孔25には、噴出用気体供給路26に備えられた噴出用レギュレーター27及び噴出用バルブ28によって調節された空気量および空気圧の圧縮空気が供給される。なお、気体供給孔25に供給される圧縮空気の空気量および空気圧は、メンブレン16に供給される圧縮空気の空気量および空気圧とは独立に制御可能となっている。ここで、各気体噴出孔23から噴出する圧縮空気の空気圧は、例えば0.1Mpa~0.5Mpaの範囲内において、それぞれ等しいことが好ましい。しかし、圧縮空気は、一箇所の気体供給孔25からリング状の気体供給路24を介して各気体噴出孔23に供給されるため、気体供給孔25から遠い気体噴出孔23ほど、噴出する圧縮空気の空気圧は低下する。そこで、図4に示すように、各気体噴出孔23から噴出する空気の空気圧を実質的に均一にするために、各気体噴出孔23の径は、例えば1mm~3mmの範囲内において、気体供給孔25から遠いほど小さくなっている。なお、各気体噴出孔23から噴出する空気の空気圧が実質的に均一でなくてもよい場合には、図6に示すリテーナ-リング17 ́ように、各気体噴出孔23の径はそれぞれ等しくてもよい。図7は、図2の要部を拡大して示す図である。図7に示すように、研磨布14に砥液Qが供給されると、砥液Qは、図中の矢印Dに示すように、主に研磨布14の溝14aを介して、研磨ヘッド12のリテーナーリング17内に侵入する。侵入した砥液Qは、半導体ウエハ18の下面と研磨布14との間に供給されるが、これと同時に半導体ウエハ18の丸みを有する側面であるウェーハベベル部18aに付着しようとする。ここで、複数の気体噴出孔23からは、噴出用気体供給路20、リテーナーリング17の気体供給孔25、リング状の気体供給路24を介して、圧縮空気Eが噴出する。複数の気体噴出孔23は、リテーナーリング17の内側面に設けられているため、圧縮空気Eは、ウェーハベベル部18aに向かって、所定の空気圧で噴出する。このように複数の気体供給孔23から圧縮空気Eをウェーハベベル部18aに向かって噴出させることにより、ウェーハベベル部18aに砥液Qが付着することを抑制する。本願発明者等は、実施形態に係るポリッシング装置10および気体噴出手段を具備しない従来のポリッシング装置を用いて、ウェーハベベル部18aに付着した研磨剤の量を実験により測定した。実験にあたり、実施形態に係るポリッシング装置10においては、リテーナーリング17に、径が1.5mmΦの気体噴出孔23を30個設けた。また、各気体噴出孔23から噴出する圧縮空気の空気圧がおよそ0.3Mpaになるように噴出用レギュレーター27及び噴出用バルブ28を調整した。この条件の下、研磨剤として酸化セリウムの砥液を研磨布14に供給し、シリコンウエハの下面に設けた酸化膜を研磨した。研磨後にウェーハベベル部18aに付着した砥液量は、蛍光X線分析装置を用いて検出した。この結果を図8に示す。図8は、従来のポリッシング装置によって研磨した際にウェーハベベル部18aに付着した砥液量および、実施形態に係るポリッシング装置10によって研磨した際にウェーハベベル部18aに付着した砥液量を、定量分析した結果を示す図である。なお、実験は同一条件で5回行っており、図8は、その平均を示す。図8から明らかなように、従来のポリッシング装置においては、Mg、Na、Ti、Ce、およびFeが検出されたのに対し、実施形態に係るポリッシング装置10においては、MgおよびFeは検出されず、Na、Ti、およびCeのみが検出された。さらに、検出された各元素毎の量を比較すると、実施形態に係るポリッシング装置10において検出された各元素の量は、従来のポリッシング装置において検出された各元素の量より減少していることが確認できる。このように、実施形態に係るポリッシング装置10を適用することにより、従来のポリッシング装置と比較して、ウェーハベベル部18aに付着する砥液量を、1桁から2桁程度低減することができた。以上に説明した本実施形態に係るポリッシング装置10によれば、半導体ウエハ18を研磨する際に、リテーナーリング17の内側面に設けられた複数の気体噴出孔23から、ウェーハベベル部18aに所定の空気圧の圧縮空気を噴出させるため、ウェーハベベル部18aに研磨剤が付着することを抑制することができる。この結果、研磨後に半導体ウエハ18を洗浄する洗浄装置、若しくは研磨後に用いられるその他の半導体製造設備が汚染されることを抑制することができる。第2の実施形態図9は、第2の実施形態に係るポリッシング装置30を示す、図2に対応する断面図である。図9に示すポリッシング装置30は、第1の実施形態に係るポリッシング装置10と比較して、リテーナーリング31の構造、および噴出用気体供給路26の数が異なる。以下に、このポリッシング装置30について説明する。図10は、第2の実施形態に係るポリッシング装置30に適用されるリテーナーリング31を示す斜視図である。また、図11は、図10のX-X ́に沿ったリテーナーリング31の断面図である。図10に示すように、リテーナーリング31の内側面には、複数の気体噴出孔23が設けられている。各気体噴出孔23の径は、図示のように等しくてもよいが、異なっていてもよい。また、リテーナーリング17の上面には、気体噴出孔23の数と同数の複数の気体供給孔25が設けられている。図11に示すように、複数の気体噴出孔23は、複数の気体供給孔25と一対一に対応しており、各気体噴出孔23は、対応する気体供給孔25にそれぞれ連通している。複数の気体供給孔25は、一つの気体供給部19に接続されている。従って、気体供給部19から供給される圧縮空気は、リテーナーリング31の各気体供給孔25を介して、対応するそれぞれの気体噴出孔23から噴出される。なお、図9に示すように、複数の噴出用気体供給路26は、複数の気体供給孔25と同数だけ設けられており、複数の気体供給孔25と一対一に対応している。すなわち、リテーナーリング31の各気体供給孔25は、対応するそれぞれの噴出用気体供給路26を介して、気体供給部19に接続されている。従って、リテーナーリング31の各気体供給孔25には、気体供給部19から、対応するそれぞれの噴出用気体供給路26を介して圧縮空気が供給される。各気体供給孔25には、対応する噴出用気体供給路26毎に備えられた噴出用レギュレーター27及び噴出用バルブ28によって調節された空気量および空気圧の空気が供給される。なお、各気体供給孔25に供給される圧縮空気の空気量および空気圧は、それぞれ独立に制御可能となっており、例えば、各気体供給孔25に供給される圧縮空気の空気量および空気圧がそれぞれ等しくなるように、調節することができる。以上に説明した本実施形態に係るポリッシング装置30であっても、リテーナーリング31の内側面に、圧縮空気が噴出する複数の気体噴出孔23が設けられているため、ウェーハベベル部18aに研磨剤が付着することを抑制することができる。この結果、研磨後に半導体ウエハ18を洗浄する洗浄装置、若しくは研磨後に用いられるその他の半導体製造設備が汚染されることを抑制することができる。また、本実施形態に係るポリッシング装置30によれば、各気体噴出孔23から噴出される圧縮空気の空気量および空気圧を、それぞれ独立に制御可能である。従って、各気体噴出孔23から噴出される圧縮空気の空気量および空気圧を、容易に調節することができる。たとえばレギュレーター27によって、各気体噴出孔23の径に応じて噴出される圧縮空気の空気圧を制御することにより、各気体噴出孔23から噴出される圧縮空気の空気圧を、容易に均一にすることができる。この形態は、例えば、各気体噴出孔23の径の製造誤差等によって、気体噴出孔23の径の調節だけでは、各気体噴出孔23から噴出される圧縮空気の空気圧を調節することが困難である場合に有効である。第3の実施形態図12は、第3の実施形態に係るポリッシング装置40を示す、図2に対応する断面図である。図12に示すポリッシング装置40は、第2の実施形態に係るポリッシング装置30と比較して、リテーナーリング41の構造、および噴出用気体供給路26の数が異なる。図13は、第3の実施形態に係るポリッシング装置40に適用されるリテーナーリング41を示す斜視図である。また、図14は、図13のリテーナーリング41を示す断面図であって、aは図13のX-X ́に沿った断面図、bは同図aのY-Y ́に沿った断面図である。図13に示すように、リテーナーリング41の内側面には、複数の気体噴出孔23が設けられている。各気体噴出孔23の径は、図示のように等しくてもよいが、各気体噴出孔23から噴出される圧縮空気の空気圧をより均一にするために、異ならせてもよい。また、図14abに示すように、リテーナーリング41の内部には、周に沿って湾曲する複数の弧状の気体供給路42が設けられている。さらに、図13に示すように、リテーナーリング41の上面には、複数の気体供給孔25が設けられている。なお、複数の気体供給孔25は、複数の弧状の気体供給路42と同数だけ設けられており、一対一に対応している。気体供給孔25の数は、気体噴出孔23の数より少ない。図14abに示すように、複数の気体噴出孔23は、隣接する複数の気体噴出孔23毎に一つの弧状の気体供給路42に連通しており、各弧状の気体供給路42は、対応する気体供給孔25にそれぞれ連通している。複数の気体供給孔25は、一つの気体供給部19に接続されている。従って、気体供給部19から供給される圧縮空気は、リテーナーリング41の複数の気体供給孔25、複数の弧状の気体供給路42を介して、それぞれの気体噴出孔23から噴出される。なお、図13に示すように、複数の噴出用気体供給路26は、気体噴出孔23の数より少なく、複数の気体供給孔25と同数だけ設けられており、複数の気体供給孔25と一対一に対応している。すなわち、リテーナーリング41の各気体供給孔25は、対応するそれぞれの噴出用気体供給路26を介して、気体供給部19に接続されている。従って、リテーナーリング41の各気体供給孔25には、気体供給部19から、対応するそれぞれの噴出用気体供給路26を介して圧縮空気が供給される。各気体供給孔25には、対応する噴出用気体供給路26毎に備えられた噴出用レギュレーター27及び噴出用バルブ28によって調節された空気量および空気圧の空気が供給される。なお、各気体供給孔25に供給される圧縮空気の空気量および空気圧は、それぞれ独立に制御可能となっており、例えば、各気体供給孔25に供給される圧縮空気の空気量および空気圧がそれぞれ等しくなるように、調節することができる。以上に説明した本実施形態に係るポリッシング装置40であっても、リテーナーリング41の内側面に、圧縮空気が噴出する複数の気体噴出孔23が設けられているため、ウェーハベベル部18aに研磨剤が付着することを抑制することができる。この結果、研磨後に半導体ウエハ18を洗浄する洗浄装置、若しくは研磨後に用いられるその他の半導体製造設備が汚染されることを抑制することができる。また、本実施形態に係るポリッシング装置40によれば、各気体噴出孔23から噴出される空気の空気量および空気圧を、気体噴出孔23が接続される弧状の気体供給路42毎に独立に制御可能である。なお、隣接する複数の気体噴出孔23は、一箇所の弧状の気体供給路42に連通しているため、各気体噴出孔23から噴出される圧縮空気の空気圧の制御の精密さは、第1の実施形態に係るポリッシング装10よりは優れるものの、第2の実施形態に係るポリッシング装置30と比較して、僅かに劣る。しかし、第2の実施形態に係るポリッシング30装置と比較して、噴出用気体供給路26、噴出用レギュレーター27、および噴出用バルブ28の数を減少させることができるため、装置コストを低減することができる。以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記実施形態において、気体噴出孔23は、圧縮空気を噴出するが、必ずしも空気を噴出する必要はなく、例えばウェーハベベル部18a若しくは砥液Qと反応しない不活性ガスからなる気体を噴出してもよい。さらに、上記実施形態において、メンブレン16には空気が供給されたが、必ずしも空気が供給される必要はなく、一般に気体を供給すればよい。