"マルチチップモジュール10であって、チップ受入領域38と複数のボンディングパッド18,20とを有する支持基板12と、複数のボンディングパッド46を有する第1の半導体チップ40とを含み、第1の半導体チップ40はチップ受入領域38に搭載され、マルチチップモジュールはさらに、第1の対向端縁53および第2の対向端縁55を有するスペーサ50を含み、スペーサ50は第1の半導体チップ40に結合され、マルチチップモジュールはさらに、スペーサ50と接触する支持材料60と、接着層を介してスペーサ50に結合される第2の半導体チップ64とを含み、支持材料60の一部は、第1の半導体チップ40と第2の半導体チップ64との間からスペーサ50と第2の半導体チップ64との間に延在する、マルチチップモジュール。支持材料12は、第1の半導体チップ40と第2の半導体チップ64とに接触する、請求項1に記載のマルチチップモジュール10。したがって、ボンディングパッドに形成される接合材の完全性を劣化させないマルチチップモジュールおよびマルチチップモジュールを製造する方法を有することが有利であろう。費用効率が高くかつさまざまなマルチチップモジュールプロセスとの統合に好適であることは、この方法および構造にとってさらに有利であろう。発明の概要この発明は、マルチチップモジュールおよびマルチチップモジュールを製造するための方法を提供することにより、上述の必要性を満足する。一実施例に従うと、この発明は、第1および第2の主表面を有する支持基板を設けるステップを含み、支持基板は、チップ受入領域と複数のボンディングパッドとを有する。第1の半導体チップはチップ受入領域に結合され、第1の半導体チップは複数のボンディングパッドを有する。第1の半導体チップの第1のボンディングパッドは、支持基板の第1のボンディングパッドに結合される。スペーサは、第1の半導体チップの一部に結合される。支持材料は、スペーサと第1の半導体チップとのうちの少なくとも1つの上に配置される。第2の半導体チップは、支持材料上に位置決めされ、第2の半導体チップは、第1の主表面と複数のボンディングパッドとを有する。第2の半導体チップの第1のボンディングパッドは、支持基板の第2のボンディングパッドに結合される。別の実施例に従うと、この発明は、マルチチップモジュールを製造するための方法を含み、この方法は、支持基板上のチップまたはダイ受入領域に第1の半導体チップが装着された支持基板を設けるステップを含む。支持基板は複数のボンディングパッドを有し、第1の半導体チップは複数のボンディングパッドを有する。スペーサは第1の半導体チップに結合され、支持材料はスペーサと第1の半導体チップとのうちの1つの上に配置される。支持材料が第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間で位置決めされることにより第2の半導体チップのための支持をもたらすように、半導体チップがスペーサに結合される。さらに別の実施例に従うと、この発明は、チップ受入領域と複数のボンディングパッドとを有する支持基板を有するマルチチップモジュールを含む。複数のボンディングパッドを有する第1の半導体チップがチップ受入領域に搭載される。第1および第2の対向端縁を有するスペーサが第1の半導体チップに結合される。支持材料はスペーサと接触する。第2の半導体チップはスペーサに結合され、支持材料の一部が第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間に位置決めされる。この発明は、同じ参照番号が同じ要素を示す添付の図面と関連して以下の詳細な説明を読むことにより、よりよく理解されるであろう。詳細な説明この発明は一般的に、マルチチップモジュールおよびマルチチップモジュールを製造するための方法を提供するが、ここではマルチチップモジュールの半導体チップが垂直に積層される。マルチチップモジュールの半導体チップを垂直に積層する際に、ワイヤボンドのための隙間ができるように、半導体チップの間にスペーサが挿入される。スペーサの上方に位置する半導体チップの一部が、スペーサの端縁の上に張出す。スペーサの上に張出す半導体チップの部分はしなりやすい。しなりやすさは一般的に半導体チップの脆弱性を増大させるが、脆弱性の増大は、約0.6ミリメートルmm未満の厚さを有する半導体チップにおいてより顕著である。このしなりやすさはワイヤボンディングプロセスの間に半導体チップを振動させ、これにより半導体チップ上のボンディングパッドにボンディングされたワイヤが破壊される。この発明に従うと、スペーサの上に張出す第2の半導体チップの部分下に支持材料を形成することにより、この振動が軽減される。支持材料は、半導体チップに付加的な剛性を与え、この剛性が半導体チップの張出し部分の振動を減少させ、かつワイヤボンドの信頼性を向上させる。図1は、この発明の実施例に従った製造の中間段階におけるマルチチップモジュール10の部分の側面断面図である。図1に示されるのは、頂部表面14と底部表面16とを有するボールグリッドアレイBGA支持構造12である。BGA支持基板12は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂、またはフェノール樹脂のような樹脂から形成される。好ましくは、BGA支持基板12の樹脂材料は、ビスマレイミドトリアジンBT樹脂である。支持基板12の他の好適な材料は、エポキシ-ガラス複合材、FR-4、セラミックスなどを含む。基板12はBGA基板に限定されず、ピングリッドアレイPGA基板、セラミック基板、プリント回路板などであってもよいことを理解されたい。ボンディングパッド18Aおよび18Bならびにボンディングパッド20Aおよび20Bが頂部表面14上に形成される。複数のボンディングパッド22が底部表面16上に形成される。ボンディングパッド18A、18B、20A、および20Bが、BGA支持基板12を通って延在する電気相互接続28、30、26、および32を介して、底部表面16上のボンディングパッド22B、22C、22A、および22Dにそれぞれ電気的に接続される。明確化のために、図1においては4つの相互接続のみが、BGA支持基板12を通って延在するのが示される。しかしながら、支持基板12のような支持基板の頂部表面上のボンディングパッドのすべてまたはほぼすべてが、支持基板の底部表面上のボンディングパッドに結合されることを理解されたい。さらに、ボンディングパッド18Aおよび18Bは、頂部表面14上に形成される複数のボンディングパッド18のうちの2つであることを理解されたい。同様に、ボンディングパッド20Aおよび20Bは、頂部表面14上に形成される複数のボンディングパッド20のうちの2つである。複数のボンディングパッド18および20は、図3を参照してさらに例示されかつ説明される。はんだボール34がボンディングパッド22に装着される。やはり図1を参照して、ダイ接着剤36が半導体チップ受入領域38上に分配され、半導体チップまたはダイ40がダイ接着剤36上に置かれる。半導体チップ40は、底部表面42と頂部表面44とを有する。複数のボンディングパッド46が、頂部表面44の外周に配置される。半導体チップまたはダイ40の底部表面42がダイ接着剤36上に置かれる。ボンディングパッド46Aおよび46Bしか示されないが、ボンディングパッド46Aおよび46Bは複数のボンディングパッド46の一部であることを理解されたい。これら複数のものは、図3を参照してさらに例示されかつ説明される。基板12と、半導体チップ40と、ダイ接着剤36との組合せはキュア装置に入れられ、ダイ接着剤36が硬化する。たとえば、ダイ接着剤36は、摂氏約100度°Cから約175°Cまでの温度に、約5分間から約60分間加熱することにより硬化する。好適なダイ接着剤は、銀充填エポキシ、シリカ充填エポキシブレンド、有機材料で充填されたエポキシ膜などを含む。ダイ接着剤36が硬化した後に、ダイ接着剤48が頂部表面44の中央部分に配置され、スペーサ50がダイ接着剤48上に置かれる。スペーサ50は、頂部表面52と、底部表面54と、端縁53および55とを有する。スペーサ50は、誘電材料であっても、たとえばシリコンまたは別の半導体チップなどのような半導体材料であってもよい。スペーサ50が正方形であるように示されるが、その形状はこの発明の限定ではない。たとえば、スペーサ50は長方形、円形、三角形などである。ダイ接着剤48は、約100°Cから約175°Cの温度に、約5分間から約60分間加熱することにより硬化する。好適なダイ接着剤は、銀充填エポキシ、シリカ充填エポキシブレンド、有機材料で充填されたエポキシ膜などを含む。やはり図1を参照して、半導体チップ40上のボンディングパッド46は、たとえばワイヤボンディングプロセスを用いて、BGA基板12上の対応のボンディングパッド18に電気的に接続される。図1に示されるのは、相互接続ワイヤ56Aによってボンディングパッド18Aに結合されるボンディングパッド46Aと、相互接続ワイヤ56Bによってボンディングパッド18Bに結合されるボンディングパッド46Bである。図1には2つの相互接続ワイヤしか示されないが、典型的には複数の相互接続56は2つ以上の相互接続ワイヤを含むことを理解されたい。複数の相互接続ワイヤ56は、図3を参照してさらに例示されかつ説明される。ここで図2を参照して、さらに製造に沿ったマルチチップモジュール10の側面断面図を示す。図2に示されるのは、半導体チップ40の表面44上に配置された支持材料60と、スペーサ50の表面52上に配置されたダイ接着剤62とである。好ましくは、支持材料60は、熱導体でありかつ電気絶縁体であるエポキシペーストである。支持材料60を含むエポキシペーストの例は、商標Teflonにより販売されるポリテトラフルオロエチレンで充填されたエポキシ材料Teflonは、イーアイデュポンドゥヌムールアンドカンパニーコーポレイションEIDuPontDeDemoursandCompanyCorpの商標である、無機材料で充填された非導電ペーストたとえばシリカ、商標Teflonによって販売されるポリテトラフルオロエチレンで充填されたビスマレイミド材料などを含む。ダイ接着剤62に好適な材料は、銀充填エポキシ、シリカ充填エポキシブレンド、有機材料で充填されたエポキシ膜などを含む。ここで図3を参照して、マルチチップモジュール10の上面図が示され、この上面図は図2に示される製造段階と同じ段階を示す。換言すれば、図2は図3の切断線2-2に沿った側面断面図である。図3はさらに、複数のボンディングパッド18と、複数のボンディングパッド20と、複数のボンディングパッド46と、複数のワイヤ相互接続56と、図2に示された個々のボンディングパッド18A、18B、20A、および20Bと、個々の相互接続56Aおよび56Bとを示す。さらに、図3は支持材料60とダイ接着剤62とを示す。支持材料60は二重Y字型またはドッグボーン型を有するように示されるが、これはこの発明の限定ではない。たとえば、支持材料60は円形、三角形、完全四角形、五角形、および他の多角形を有するように形成されてもよい。ここで図4を参照して、さらに製造に沿ったマルチチップモジュール10の側面断面図を示す。半導体チップ64はダイ接着剤62上に置かれる。より特定的には、半導体チップ64は、ダイ接着剤62上に置かれる裏側66と、上に複数のボンディングパッド70が形成された表側68とを有する。圧力が半導体チップ64に加えられて、それにより、半導体チップ64をダイ接着剤62において位置決めし、かつ、支持材料60を横方向に圧入して表面44と表面66との間の領域を実質的に充填させる。この領域において、半導体チップ64の周辺部分65は、スペーサ50上に張出す。支持材料60およびダイ接着剤62は、約100°Cから約175°Cの温度に、約5分間から約60分間加熱されることにより硬化する。支持材料60が表面44と表面66との間の領域を実質的に充填するので、半導体チップ64の周辺部分65は端縁53および54上に自由に張出さず、支持材料60によって支持される。こうして、周辺部分65は、その後のワイヤボンディングステップの間に顕著に弾むことがない。支持材料60を表面44と表面66との間に配置することの利点とは、これがマルチチップモジュールにおいて形成されるワイヤボンドの製造性および信頼性を向上させることである。複数のボンディングパッド70は、たとえばワイヤボンディングプロセスを用いて、複数のボンディングパッド20の対応のボンディングパッドに電気的に接続される。より特定的には、ボンディングパッド70Aは相互接続ワイヤ74Aによってボンディングパッド20Aに電気的に接続され、ボンディングパッド70Bは相互接続ワイヤ74Bによってボンディングパッド20Bに電気的に接続される。相互接続ワイヤ74Aおよび74Bは、複数の相互接続ワイヤ74のうちの2つの相互接続ワイヤである。ここで図5を参照して、保護カバー78が、半導体チップ64と、相互接続ワイヤ56および74と、BGA基板12とを覆って形成される。図5に示される保護カバーはグローブトップ材料である。しかしながら、保護材料の種類はグローブトップ材料であることに限定されないことを理解されたい。たとえば、保護カバー78は蓋またはキャップであってもよい。図6は、この発明の別の実施例に従ったマルチチップモジュール100を示す。マルチチップモジュール100の製造の初期のステップは、マルチチップモジュール10の製造のものと同様である。よって、図6の説明は、図1の説明から続く。支持材料102は、スペーサ表面52の中央部分上に配置される。好ましくは、支持材料102は、熱伝導性であって電気絶縁性であるエポキシペースト、すなわち、これは電気絶縁体である。支持材料102の好ましいエポキシペーストは、商標Teflonによって販売されるポリテトラフルオロエチレンで充填されるエポキシ材料、無機材料で充填された非導電ペーストたとえばシリカ、商標Teflonによって販売されるポリテトラフルオロエチレンで充填されたビスマレイミド材料などを含む。支持材料102は、ダイ接着剤としての役割も果たす。ここで図7を参照して、マルチチップモジュール100の上面図が示され、この上面図は図6に示されるものと同じ製造の段階を示す。換言すれば、図6は図7の切断線6-6に沿った側面断面図である。図3と同様に、図7はさらに、複数のボンディングパッド18と、複数のボンディングパッド20と、複数のボンディングパッド46と、複数のワイヤ相互接続56と、図2および図6に示された個々のボンディングパッド18A、18B、20A、および20Bと、個々の相互接続56Aおよび56Bとを示す。さらに、図7は支持材料102を示す。支持材料102は二重Y字型またはドッグボーン型を有するように示されるが、これはこの発明の限定ではない。たとえば、支持材料102は、円形、三角形、完全四角形、五角形、および他の多角形を有するように形成されてもよい。ここで図8を参照して、さらに製造に沿ったマルチチップモジュール100の側面断面図を示す。半導体チップ104が支持材料102上に置かれる。より特定的には、半導体チップ104は、支持材料102上に置かれる裏側106と、上に複数のボンディングパッド110が形成された表側108とを有する。圧力が半導体チップ104に加えられて、それにより、半導体チップ104を支持材料102において位置決めし、かつ、スペーサ50の端縁53および55を越えるように支持材料102を表面44と表面106との間の領域に押込む。支持材料102の一部がスペーサ50に残り、支持材料102の一部が表面44と表面106との間の領域を実質的に充填する。支持材料102が表面44と表面106との間の領域を実質的に充填するので、半導体チップ104の周辺部分112は自由に張出さず支持される。こうして、周辺部分112はその後のワイヤボンディングステップにおいて顕著に弾むことがない。支持材料102は、約100°Cから約175°Cの温度に約5分間から約60分間加熱されることにより硬化する。支持材料102を表面44と表面106との間に配置することの利点とは、これがマルチレベル半導体パッケージング構造において形成されるワイヤボンドの製造性および信頼性を向上させることである。複数のボンディングパッド110は、たとえばワイヤボンディングプロセスを用いて、複数のボンディングパッド20の対応のボンディングパッドに電気的に接続される。より特定的には、ボンディングパッド110Aは、相互接続ワイヤ114Aによってボンディングパッド20Aに電気的に接続され、ボンディングパッド110Bは相互接続ワイヤ114Bによってボンディングパッド20Bに電気的に接続される。説明の明確化のために、図8においては複数の相互接続ワイヤのうちの2つの相互接続ワイヤ、すなわち、相互接続ワイヤ114Aおよび114Bのみを示す。ここで図9を参照して、保護カバー116が、半導体チップ104と、相互接続ワイヤ56A、56B、114A、および114Bと、BGA支持基板12とを覆って形成される。図9に示される保護カバー116は、蓋装着材料118によってBGA支持基板12に固定される蓋である。保護カバーの種類は蓋に限定されないことを理解されたい。たとえば、保護カバー114は、グローブトップ材料または他の好適な保護材料であってもよい。以上、垂直に積層される半導体チップを有するマルチチップモジュールおよびマルチチップモジュールを製造するための方法が提供されたことが認識されるであろう。この発明に従ったマルチチップモジュールの利点とは、これがワイヤボンディングプロセスの間の半導体チップの領域の振動または弾みを減少させるための手段を提供することである。これはワイヤボンドの信頼性を向上させ、デバイスの壊損を減少させる。この発明の別の利点とは、スペーサにボンディングすることのできる半導体チップのサイズの種類が増すことである。支持材料が半導体チップのためにさらなる支持をもたらすので、より大きなチップをスペーサに搭載できる。さらに、この発明は、費用および時間効率のよい態様で、マルチチップモジュール処理フローに容易に統合可能である。ここに特定の好ましい実施例および方法を開示したが、そのような実施例および方法の変形および修正をこの発明の精神および範囲から逸脱することなく行ない得ることが、当業者には上記開示から明らかであろう。たとえば、支持材料はスペーサと第1の半導体チップとの上に配置されてもよい。これに代えて、ダイ接着剤48のようなダイ接着剤を用いるのではなく、接着フィルムを用いて半導体チップ64とスペーサ50とを結合してもよい。接着剤を用いる利点とは、接着剤を硬化させる必要がないことである。この発明が、添付の特許請求の範囲ならびに該当する法律の規則および原則によって要求される程度にのみ限定されることが意図される。"