微細構造の製造方法であって、窒化物半導体基板の上に窒化物半導体層を成長させる工程と、窒化物半導体層に第一の孔と、該窒化物半導体の結晶面で構成される多角形が有する対称性を示す点群の元による変換と、拡大縮小の組み合わせによって、該基板の主面の方向から見た平面視で、該第一の孔と合同にならない第二の孔を形成するエッチング工程と、窒素を含む原料雰囲気下でマストランスポートによって、前記第一の孔と前記第二の孔の表面に前記窒化物半導体層を構成する窒化物半導体の結晶面を形成する熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする微細構造の製造方法。前記窒化物半導体基板の主面がC面であって、前記第二の孔は、C軸周りの60度の整数倍回転と、M軸周りの鏡映と、A軸周りの鏡映とのそれぞれと、拡大縮小の組み合わせによって、基板の主面の方向から見た平面視で前記第一の孔と合同にならないことを特徴とする請求項1に記載の微細構造の製造方法。前記窒化物半導体基板の主面の法線が、C軸からM軸方向、またはA軸方向に傾いており、前記第二の孔は、C軸を前記基板の主面に射影した軸の周りの鏡映と、拡大縮小の組み合わせによって、基板の主面の方向から見た平面視で前記第一の孔と合同にならないことを特徴とする請求項1に記載の微細構造の製造方法。前記基板の主面の方向から見た平面視で、前記第一の孔が、前記多角形と一致することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の微細構造の製造方法。前記窒化物半導体基板の主面がC面であって、前記基板の主面の方向から見た平面視で、前記第二の孔が、前記多角形をC軸の周りに30度回転した多角形であることを特徴とする請求項4に記載の微細構造の製造方法。前記窒化物半導体基板の主面の法線が、C軸からM軸方向またはA軸方向に傾いており、前記基板の主面の方向から見た平面視で、前記第二の孔が、前記多角形を前記法線の周りに180度回転した多角形であることを特徴とする請求項4に記載の微細構造の製造方法。前記基板の主面の方向から見た平面視で、前記第一の孔と前記第二の孔の面積が等しいことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の微細構造の製造方法。前記基板の主面の方向から見た平面視で、前記第一の孔に内接する前記多角形と、前記第二の孔に内接する前記多角形が合同であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の微細構造の製造方法。前記熱処理工程において、エピタキシャル成長温度で熱処理を行うことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の微細構造の製造方法。前記窒化物半導体層を構成する窒化物半導体がGaNであって、前記熱処理工程において800°C以上、1200°C以下の範囲で熱処理を行うことを特徴とする請求項9に記載の微細構造の製造方法。請求項1から10のいずれか1項に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法が、フォトニック結晶を構成する複数配列された細孔を作製する際に用いられる製造方法であることを特徴とする微細構造の製造方法。前記フォトニック結晶は、前記第一の孔が複数配列された第一の領域と、前記第二の孔が複数配列された第二の領域を有することを特徴とする請求項11に記載の微細構造の製造方法。前記第一の領域と前記第二の領域で、フォトニック結晶の放射係数が等しく、結合係数が異なることを特徴とする請求項12に記載の微細構造の製造方法。前記第一の領域と前記第二の領域で、フォトニック結晶の結合係数が等しく、放射係数が異なることを特徴とする請求項12に記載の微細構造の製造方法。請求項11から14のいずれか1項に記載のフォトニック結晶により面発光レーザを形成することを特徴とする微細構造の製造方法。請求項13に記載のフォトニック結晶を内部に備え、前記第一の領域と前記第二の領域で、フォトニック結晶の結合係数が大きい領域の方が、注入される電流密度が小さい面発光レーザであることを特徴とする微細構造の製造方法。請求項14に記載のフォトニック結晶を内部に備え、前記第一の領域と前記第二の領域で、放射係数の相違によって射出ビームパターンが制御されている面発光レーザであることを特徴とする微細構造の製造方法。請求項1から10のいずれか1項に記載の窒化物半導体の微細構造の製造方法が、前記第一の孔が複数配列された第一の領域と、前記第二の孔が複数配列された第二の領域を有するSWSを構成する複数配列された細孔を、作製する際に用いられる製造方法であることを特徴とする微細構造の製造方法。前記第一の領域と、前記第二の領域が、面内で異方性を有することを特徴とする請求項18に記載の微細構造の製造方法。特許文献1では、大きさの異なる孔を、面内で開口の大きさを変えたマスクを用いたドライエッチングによって、大きさの異なる孔を製造している。しかしながら、特許文献1に開示されている方法では、開口の大きさによって孔の大きさだけでなく、孔の深さも決まってしまう。即ち、孔の大きさと孔の深さの制御に制限があるという課題を有している。なぜならば、開口の大きさによってドライエッチングのエッチングレートが異なるためである。具体的には、開口の大きさが大きいほどドライエッチングのエッチングレートが速いため、大きさの大きい孔ほど深さが深くなってしまう。そこで、本発明は、上記課題に鑑み、従来よりも自由に、孔の大きさと深さの面内分布を制御することが可能となる微細構造の製造方法を提供することを目的とする。本発明の微細構造の製造方法は、窒化物半導体基板の上に窒化物半導体層を成長させる工程と、窒化物半導体層に第一の孔と、該窒化物半導体の結晶面で構成される多角形が有する対称性を示す点群の元による変換と、拡大縮小の組み合わせによって、該基板の主面の方向から見た平面視で、該第一の孔と合同にならない第二の孔を形成するエッチング工程と、窒素を含む原料雰囲気下でマストランスポートによって、前記第一の孔と前記第二の孔の表面に前記窒化物半導体層を構成する窒化物半導体の結晶面を形成する熱処理を行う工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、従来よりも自由に、孔の大きさと深さの面内分布を制御することが可能となる微細構造の製造方法を実現することができる。以下に、本発明の実施形態について説明する。なお、異なる実施形態間で、同一の構成要素については同一の符号を付す。[実施形態1]実施形態1における微細構造100の製造工程を、図1、図2を用いて、工程毎に順次説明する。まず、図1aに示す成長工程を説明する。窒化物半導体基板101に、窒化物半導体層102を、例えばMOCVD法等によって順次エピタキシャル成長させる。窒化物半導体とは、AlN、InN、GaNまたは、これらの混晶を意味する。なお、図の上側は窒化物半導体基板101の主面105方向から見た平面図であり、下側は平面図のA-A ́面で構造を切断した断面図である。以後の上下に分かれた図面も、特に断りがない限り、平面図と断面図である。次に、図1b、図2cに示すエッチング工程を説明する。窒化物半導体層102上に、プラズマCVDやスパッタ等によって、エッチングマスク103を成膜する。エッチングマスク103の材料は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを用いる。その後、エッチングマスク103に、第一の孔111を形成するための開口部121、第二の孔112を形成するための開口部122を作製する。具体的には、電子線リソグラフィ等によってレジストに開口部121、122のパターンを作製し、レジストをマスクとしたドライエッチングにより、開口部121、122を持つエッチングマスク103を作製する図1b。ドライエッチングに用いるガスは、例えばCF4やCHF3を用いる。その後、エッチングマスク103をマスクとしたドライエッチングにより、窒化物半導体層102に、第一の孔111、第二の孔112を作製する。孔を形成する際に用いるガスは、例えばCl2、HCl、CCl3、HBr、HIのいずれかのガスと、He、Ar、Xe、N2のいずれかのガスとの混合ガスを用いる。続いて、エッチングマスク103を、例えばフッ酸に浸すことによって除去する図2c。図1b、図2cに示すように、エッチング工程後の孔の平面視形状は、開口部の平面視形状と一致する。また、ドライエッチングのエッチングレートは開口部の大きさによって決定される。従って、エッチング工程後の孔の深さは、エッチング工程後の孔を主面105方向から見た時の孔の大きさで決定される。例えば図1bに示すように開口部121と開口部122の大きさが同じ場合、図2cに示すように孔111の深さと孔112の深さも同じになる。エッチングマスクの開口部121と開口部122の形状は、後の熱処理工程において形成される結晶面からなる、多角形の形状を踏まえて決定する。そのため、これらについては熱処理工程の説明を行った後に説明する。続いて、熱処理による面形成のため、図2dに示す熱処理工程を行う。この熱処理工程では、第一の孔111、第二の孔112でマストランスポートを生じさせ、孔の表面に、窒化物半導体層102を構成する窒化物半導体の結晶面104を形成する。熱処理工程後の孔は結晶面が形成されることによって形状が変化するため、第一の孔を孔131、第二の孔を孔132、と別の符号を付す。次に、熱処理工程について説明する。まず、マストランスポートによる結晶面104の形成について説明する。マストランスポートとは、熱エネルギーによって原子が表面から脱離して輸送された後、表面エネルギーが小さくなる位置で再吸着する現象である図3a。従って、マストランスポートによって形成される面104は結晶構造によって決定される。窒化物半導体の場合、マストランスポートで形成される面は000_1面と{1_100}面、あるいはより高指数の斜めの面が形成され易い。中でも、特に低指数の000_1面と、{1_100}面、{1_101}面が表面エネルギーの低い面であるため、これらの面が結晶面104として形成される。マストランスポートを生じさせた場合、熱エネルギーによる原子の脱離、輸送、再吸着は、表面エネルギーの低い面が形成され、表面が安定するまで行われる。従って、孔111、孔112に対してマストランスポートを行った場合、表面エネルギーの低い結晶面104が形成されるまで孔が細くなる図3b。以上より、孔131、孔132を窒化物半導体基板101の主面105方向から見た時の平面視形状は、各々、孔111、孔112に内接し、結晶面104で形成される多角形となる。一方、孔131、孔132の深さは、孔111、孔112の深さに対し、結晶面104が形成されるために斜めになる以外は、殆ど変わらない。従って、熱処理工程では、エッチング工程で形成された孔の深さを保ったまま、孔の大きさを制御できる。一方、特許文献1に示す、マスクの開口部の大きさを変えて孔の大きさを変化させる手法では、エッチング工程で孔の大きさと深さが同時に決まってしまう。そのため、本発明に示す製造方法を用いることで、従来の製造方法を用いた場合よりも、孔の大きさと深さの面内分布制御の自由度が向上する。次に、熱処理工程にて形成される結晶面104で形成される多角形の具体的な形状について説明する。図4aは、主面105の法線106と窒化物半導体基板101のC軸が一致する場合の、熱処理工程後の孔形状である。同様に、図4bは法線106がC軸からM軸方向に傾いた場合、図4cは法線106がC軸からA軸方向に傾いた場合、図4dは法線106がC軸からM軸とA軸の中間に傾いた場合である。結晶面104で形成される多角形の形状は、図4aのように法線106とC軸が一致する場合は、{1_100}面を反映して正六角形133となる。図4b、図4cでは、結晶面104で形成される多角形の形状は、C軸を主面105に射影した鏡映軸107を有する多角形134となる。図4dでは、結晶面104で形成される多角形の形状は、対称性を持たない多角形135となる。以上により、熱処理工程において形成される結晶面104の形状の説明をした。これを踏まえて、エッチングマスクの開口部121と開口部122の形状を決定することについて説明する。開口部の形状と、エッチング工程によって形成される孔111、112を主面105方向から見た平面視形状は一致するため、開口部の形状を決定することと、孔111と孔112の平面視形状を決定することは等価である。従って、孔111と孔112を、主面105方向から見た時の平面視形状について説明を行う。孔111と、孔112は、以下の条件を満たしている。即ち、結晶面で構成される多角形133、134が有する対称性を示す点群の元による変換操作と、拡大縮小操作の組み合わせによって、主面105方向から見た平面視で、孔111と孔112が合同でない。この条件を条件Pと呼ぶ。条件Pを満たしている場合、熱処理工程における孔111から孔131の変化と、孔112から孔132の変化が異なっているため、熱処理工程にて孔の大きさの面内分布を制御することが可能となる。一方、条件Pを満たしていない場合、熱処理工程における孔111から孔131の変化と、孔112から孔132の変化が等価になるため、熱処理工程にて孔の大きさの面内分布を制御することが困難である。次に、図面を用いて例を示しながら更に具体的に説明する。まず、図4aのように主面105がC面の場合、主面105方向から見た平面視で、結晶面で構成される多角形は正六角形133である。図5aに示すように、正六角形は、C軸周りの60度の整数倍回転と、M軸とA軸周りの鏡映という対称性を有する。つまり、法線106とC軸が一致した場合、結晶面で構成される正六角形133が有する対称性を示す点群はD6であり、その元は、中心の周りのn×60度回転と、M軸とA軸周りの鏡映の合計12個である。従って、孔111と孔112の平面視形状は、これらの12個の変換操作と、拡大縮小操作の組み合わせによって合同にならなければ条件Pを満たす。図5b、c~図6d、eは、エッチング工程後の孔111、孔112、熱処理工程後の孔131、孔132の平面視形状と、本発明に含まれるかどうかを説明した図である。図5bは、60度回転と拡大縮小の組み合わせで合同になるので条件Pを満たさない。また、図5cも、M軸周りの鏡映と拡大縮小の組み合わせで合同になるので条件Pを満たさない。一方、図6d、図6eは、D6の12個の元と拡大縮小の組み合わせによって合同にならないため、本発明に含まれる。図4b~cのように法線106がC軸からM軸方向、またはA軸方向に傾いた場合、主面105方向から見た平面視で、結晶面で構成される多角形は図7aに示すように軸107を鏡映軸に持つ多角形134である。従って、孔111と孔112の平面視形状は、軸107周りの鏡映と、拡大縮小操作の組み合わせによって合同にならなければ条件Pを満たす。図7b~図8c、dは、エッチング工程後の孔111、孔112、熱処理工程後の孔131、孔132の平面視形状と、本発明に含まれるかどうかを説明した図である。図7bは、軸107の周りの鏡映と拡大縮小の組み合わせで合同になるので本発明に含まれない。一方、図8c、図8dは、軸107の周りの鏡映と拡大縮小の組み合わせによって合同にならないため、本発明に含まれる。図4dのように、法線106がC軸からM軸とA軸の中間に傾いた場合、主面105方向から見た平面視で、結晶面で構成される多角形は対称性を持たない多角形135である。従って、孔111と孔112の平面視形状は、拡大縮小操作によって合同にならない=相似形でない場合、条件Pを満たす。条件Pを満たさない図5b、c、図7bの場合、孔111と孔131を重ね合わせた図形と、孔112と孔132を重ね合わせた図形が相似となる。従って、熱処理工程における孔111から孔131への変化と、孔112から孔132の変化が等価となり、孔の大きさの面内分布を制御することが困難である。条件Pを満たす図6d、e、図8c、dの場合、孔111と孔131を重ね合わせた図形と、孔112と孔132を重ね合わせた図形が相似ではない。従って、熱処理工程における孔111から孔131への変化と、孔112から孔132の変化が異なる。そのため、熱処理工程にて孔の大きさの面内分布を制御することができる。以上より、孔111と孔112を条件Pを満たすようにエッチング工程にて作製しておけば、後の熱処理工程と組み合わせて、孔の大きさと深さの面内分布制御の自由度が、従来の製造方法よりも向上することがわかる。孔111は、主面105方向から見た平面視で、結晶面104で形成される多角形の形状に一致しており、もう片方は異なっていることが好ましい。なぜならば、結晶面104で形成される多角形の形状に一致している孔111は熱処理工程にて形状が変化しない一方、多角形の形状に一致していない孔112は形状が変化するため、両者の変化量の差が大きくなるためである。例えば、主面105がC面の場合は図6eに相当する。図6eでは孔111は主面105方向から見た平面視形状が正六角形133と一致し、孔112は主面105方向から見た平面視形状が正六角形133と一致しない。この時、多角形133の形状に一致していない孔112が、主面105方向から見た平面視で、正六角形133をC軸の周りに30度回転した形状であれば、好ましい図6e。何故ならば、孔112は熱処理工程において最も大きく形状が変化するため、孔111と孔112の熱処理工程における孔形状変化量の差が、更に大きく異なるためである。また、孔112は熱処理工程において最も大きく形状が変化するため、孔のアスペクト比が最も大きくなる。一般に、アスペクト比の大きい孔をドライエッチングで作製することは困難であるため、アスペクト比の大きい孔が製造可能になる点からも、孔の大きさと深さの面内分布制御の自由度が向上している。一方、法線106がC軸からM軸方向、またはA軸方向に傾いた場合は図8dに相当する。図8dでは孔111は主面105方向から見た平面視形状が多角形134と一致し、孔112は主面105方向から見た平面視形状が多角形134と一致しない。この時、多角形134の形状に一致していない孔112が、主面105方向から見た平面視で、多角形134を法線106の周りに180度回転した形状であれば、更に好ましい図8d。何故ならば、孔112は熱処理工程において最も大きく形状が変化するため、孔111と孔112の熱処理工程における孔形状変化量が、更に大きく異なるためである。また、孔112は熱処理工程において最も大きく形状が変化するため、孔のアスペクト比が最も大きくなる。一般に、アスペクト比の大きい細孔をドライエッチングで作製することは困難であるため、アスペクト比の大きい孔が製造可能になる点からも、孔の大きさと深さの面内分布制御の自由度が向上している。続いて、熱処理工程を行う条件について説明する。熱処理工程では、窒化物半導体層102からの窒素の脱離を抑えるために、V族である窒素の原料雰囲気下中で行う。V族の供給源は、例えばN2やNH3を用いる。熱処理工程を行う温度は、窒化物半導体層102を形成する窒化物半導体がマストランスポートを生じ、結晶面104が形成される条件であれば良い。具体的には、エピタキシャル成長温度まで基板を加熱すれば十分である。エピタキシャル成長温度とは、半導体結晶を結晶性良く成長させるための温度であり、例えばGaNでは1000°C以上1200°C以下の範囲である。エピタキシャル成長温度より高い温度で熱処理を行った場合、表面の原子の一部が蒸発してしまうため、エピタキシャル成長温度以下で熱処理を行った方が良い。一方、エピタキシャル成長温度より小さい温度でも、原子の拡散がわずかに生じて結晶面104が形成されるため、エピタキシャル成長温度より小さい温度で熱処理を行っても良い。GaNの場合、800°C以上であれば原子の拡散が生じる。なお、微細構造100は、第一の孔131と第二の孔132を周期的に並べたフォトニック結晶140であっても良い。フォトニック結晶140を構成する格子点の形状が面内分布を有しているため、光の伝播状態を面内で制御することが出来る。例えば、光の伝播状態を面内で制御することで、特許文献1で開示されているようなスペックルを低減したフォトニック結晶レーザが提供できる。フォトニック結晶140は、図9に示すように、第一の孔131が周期的に並んだ第一の領域141と、第二の孔132が周期的に並んだ第二の領域142に分かれて形成されていてもよい。何故なら、第一の領域141と、第二の領域142の間で、フォトニック結晶140における光の回折の起こりやすさを異ならせることが出来るためである。なお、フォトニック結晶は図9のような正方格子でなくても良く、長方格子、三角格子、斜方格子などであっても良い。また、微細構造100は、第一の孔131が複数配列されてなる第一の領域151と、第二の孔132が複数配列されてなる第二の領域152からなるSWS150であってもよい。第一の領域151の有効屈折率N1は、第一の領域151における第一の孔131の充填率によって決定され、同様に第二の領域152の有効屈折率N2は、第二の孔132の充填率によって決定される。従って、本発明の製造方法を用いて第一の孔131と第二の孔132の大きさと深さを制御することで、有効屈折率N1と有効屈折率N2を、従来よりも容易に制御することが出来る。SWS150における光の伝播は有効屈折率によって決定されるため、本発明に示す製造方法を用いる事で、SWS150における光伝播の面内分布制御が、従来よりも容易になる。図10aは、SWS150を、有効屈折率に空間分布を設けた、透過型の空間変調素子に適用した例である。図10bは、SWS150を、異方性を有する有効屈折率分布を用いて、偏光制御素子に適用した例である。[実施形態2]つぎに、実施形態2における微細構造の製造方法について説明する。本実施形態に示す微細構造200の製造方法は、実施形態1に示す微細構造100の製造方法に対し、エッチング工程で形成する孔の、基板の主面105方向から見た平面視での形状に限定を加えたものである。微細構造200の、エッチング工程後の第一の孔211、第二の孔212の形状と、熱処理工程後の第一の孔231、第二の孔232の形状を図11に示した。第一の孔211と第二の孔212は、実施形態1で説明した条件Pを満たした上、主面105方向から見た平面視で、孔211と孔212の面積が等しい。孔211と孔212の面積が等しいため、熱処理工程後の第一の孔231と第二の孔232は、深さが等しく、基板101の主面105方向から見た平面視で、大きさのみが異なる。以下に、その理由を説明する。実施形態1で説明したように、孔211と孔212の大きさが同じ場合、孔211と孔212の深さも等しくなる。更に、熱処理工程では、孔の底に結晶面104が形成されるために斜めになる以外は、孔の深さは殆ど変化しない。従って、孔231と孔232の、孔の深さも等しくなる。一方、孔211と孔212は条件Pを満たすため、熱処理工程における孔の形状変化が異なる。従って、孔231と孔232を主面105方向から見た平面視形状は異なる。以上により、孔211と孔212の面積を等しくしたため、孔231と孔232の深さが等しく、大きさのみが異なる構造を作製できることがわかる。微細構造200は、第一の孔231が周期的に並んだ第一の領域241と、第二の孔232が周期的に並んだ第二の領域242に分かれて形成されているフォトニック結晶240を形成していると、更に好ましい。以下にその理由を説明する。フォトニック結晶において、面内における2次元方向への光の回折の起こりやすさは、2次の結合係数κで決定される。図12aに、孔の深さを一定として孔の大きさを変えたときのκの変化を、図12bに、孔の大きさを一定として孔の深さを変えたときのκの変化を図示した。ここで孔の大きさとは、孔を主面105方向から見た時の平面視における、孔の大きさのことを示す。一方、フォトニック結晶において、面外への光の回折の起こりやすさは、放射係数αで決定される。同様に、図12aに、孔の深さを一定として孔の大きさを変えたときのαの変化を、図12bに、孔の大きさを一定として孔の深さを変えたときのαの変化を図示した。なお、計算で用いたフォトニック結晶の構造は図12cに示す通りである。図12よりわかるように、孔の深さを変えた時にはκの変化は小さい一方でαは大きく変化し、孔の大きさを変えた時にはαの変化は小さい一方でκは大きく変化する。面内で開口の大きさを変えたマスクを用いたドライエッチングによって孔を作製する従来の製造方法では、孔の大きさが大きいほど孔の深さが深くなってしまう。一方、微細構造200を用いたフォトニック結晶240は、第一の領域241と第二の領域242の間で、孔231と孔232の深さが等しく、大きさのみを異ならせることが出来る。そのため、従来の製造方法で作製した場合に比べ、第一の領域241と第二の領域242の間でのαの変化を小さく、κの変化を大きくすることが出来る。フォトニック結晶240が面発光レーザ250を形成している場合、第一の領域241と第二の領域242で、結合係数κが大きい領域の方が、注入される電流密度が小さい方が好ましい。以下でその理由を説明する。図13に、本実施形態の面発光レーザ250の構造を示す。面発光レーザ250は、窒化物半導体基板101上に、n型窒化物半導体層251、活性層252、p型窒化物半導体層253が積層されており、内部に孔231と孔232からなるフォトニック結晶240を有する。n型電極254とp型電極255から電流が活性層252に注入され、再結合によって発光する。発光した光は、フォトニック結晶240の面内への回折によって増幅されてレーザ発振を起こし、面外への回折によって、射出ビーム256として取り出される。射出ビーム256が電極によって吸収されるのを防ぐため、p型電極255は、射出ビームが取り出される領域からずれて配置されている。p型窒化物半導体層253の電気伝導度が低いため、活性層252における電流密度分布は、図14に示すように、周辺が大きく中心が小さくなる。電流密度が大きく、κの大きさによって決定されるフォトニック結晶での光増幅が強いほど、レーザ発振を生じやすい。従って、主面105方向に沿って一様なフォトニック結晶を用いた場合、均一なレーザ発振が得られない。しかし、電流密度が高い周辺ではκを大きく、電流密度が低い中心ではκを小さくするようにフォトニック結晶240に分布を持たせれば、均一なレーザ発振を得ることが出来る。この時、領域241と領域242間のαの変化は従来の製造方法よりも小さいため、レーザ光の取り出し効率も一様に近づく。従って、射出ビームの強度を、従来の製造方法よりも一様にすることが出来る。以上より、結合係数の大きな領域の方が、電流密度が小さい面発光レーザとすることで、均一なレーザ発振と、一様な射出ビーム強度の両立を、従来よりも容易に実現できる。[実施形態3]実施形態3に示す微細構造300の製造方法は、実施形態1に示す微細構造100の製造方法に対し、エッチング工程で形成する孔の平面視形状に限定を加えたものである。微細構造300の、エッチング工程後の第一の孔311、第二の孔312の形状と、熱処理工程後の第一の孔331、第二の孔332の形状を図15に示した。第一の孔311と第二の孔312は、実施形態1で説明した条件Pを満たした上、主面105方向から見た平面視で、孔に内接し、結晶面104から形成される多角形が互いに合同である。このことは、主面105方向から見た平面視で、第一の孔331と第二の孔332が合同であることを意味する。何故ならば、実施形態1で説明したように、熱処理工程後の孔を主面105方向から見た時の平面視形状は、孔に内接し、結晶面で形成される多角形となるためである。孔331と孔332が互いに合同であるため、熱処理工程後において、主面105方向から見た平面視で、第一の孔331と第二の孔332の大きさが等しい。一方、主面105方向から見た平面視で、第一の孔311と第二の孔312の大きさが異なるため、エッチング工程におけるエッチングレートの相違を反映して、孔311と孔312の深さは異なる。実施形態1で説明したように、熱処理工程では、孔の底に結晶面104が形成されるために斜めになる以外は孔の深さは殆ど変化しない。従って、孔331と孔332の深さも異なる。以上により、孔311と孔312に内接し、結晶面104から形成される多角形を合同としたため、孔331と孔332の大きさが等しく、深さのみが異なる構造を作製できることがわかる。微細構造300は、第一の孔331が周期的に並んだ第一の領域341と、第二の孔332が周期的に並んだ第二の領域342に分かれて形成されているフォトニック結晶340を形成していると、更に好ましい。以下に、その理由を説明する。図12よりわかるように、κの大きさは孔の深さよりも孔の大きさで、αの大きさは孔の大きさよりも孔の深さによって大きく変化する。面内で開口の大きさを変えたマスクを用いたドライエッチングによって孔を作製する従来の製造方法では、孔の大きさが大きいほど孔の深さが深くなってしまう。一方、微細構造300を用いたフォトニック結晶340は、第一の領域341と第二の領域342の間で、孔331と孔332の大きさが等しく、深さのみを異ならせることが出来る。そのため、従来の製造方法で作製した場合に比べ、第一の領域341と第二の領域342の間でκの変化を小さく、αの変化を大きくすることが出来る。フォトニック結晶340が面発光レーザ350を形成している場合、第一の領域341と第二の領域342間での放射係数αの相違によって射出ビームパターンを制御することが出来る。図16に面発光レーザ350の構造を示す。面発光レーザ350は、フォトニック結晶240とn型電極254、p型電極255を、フォトニック結晶340とn型電極354、p型電極355に置き換えた以外は、面発光レーザ250と同じ構造である。αで決定される射出ビームの強度は、領域341と領域342間のαの相違を反映しており、射出ビームパターンが制御されている。面発光レーザ350は、n側から射出ビーム356を取り出す構造となっている。この場合、p型電極355が活性層の真上に配置できるため、電流密度分布を均一に出来る。従って、レーザ発振のしやすさはκの大きさで大部分が決定される。前述したように、領域341と領域342間のκの変化は、従来の製造方法よりも小さいため、従来よりも均一なレーザ発振が得られる。以上より、フォトニック結晶340を面発光レーザ350に適用した場合、従来の製造方法で作製したフォトニック結晶を用いた場合よりも、均一なレーザ発振を実現しつつ、射出ビームパターンを制御できる。なお、図14のように注入電流に分布がある場合、均一なレーザ発振を実現しつつ、射出ビームパターンの制御を実現するためには、第一の領域と第二の領域でαとκを同時に変化させることが好ましい。この場合であっても、本発明に示す製造方法を用いれば、孔の大きさと深さの面内分布の自由度が向上するため、均一なレーザ発振と射出ビームパターン制御の両立が、従来の製造方法よりも容易となる。つぎに、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1として、実施形態2における微細構造200の製造方法を説明する。まず、C面GaN基板上に、MOCVD法を用いてGaNを500nm成長させる。次に、CVDによってSiO2からなる膜を150nm成膜する。次に、電子線リソグラフィによってレジストに開口部221、開口部222を作製する。開口部221は、結晶面104で形成される一辺40nmの正六角形である。開口部222は、結晶面104で形成される正六角形をC軸周りに30度回転した一辺40nmの正六角形である。続いてレジストをマスクとし、CF4ガスを用いてSiO2をドライエッチングする。その後、残ったSiO2をマスクとし、Cl2ガスを用いてGaNをエッチングし、深さ160nMの孔を形成する。最後にフッ酸でSiO2を除去する。このようにして、孔211、孔212が形成される。この時、開口部221と開口部222の面積が等しいため、孔211と孔212の深さは同じである。その後、NH3ガス雰囲気中で、基板を1050°Cまで加熱する。この時、ガスの流量は、N2ガスを5slm、NH3ガスを10slmとした。基板温度が1050°Cに到達したら温度を1050°Cに保ち10分間熱処理する。エピタキシャル成長温度で熱処理を行うことで、結晶面000_1と{1_100}、{1_101}が形成される。実施形態2で説明したように、孔231は主面105方向から見た平面視形状が変化しないが、孔232は結晶面104が形成されるまで細くなり、一辺が35nmの正六角形となる。以上より、孔の深さが同じで、孔の大きさが異なる孔231、孔232が作製できる。なお、実施形態1で説明したように、C面基板でなく、法線106がC軸からM軸またはA軸に傾いた基板を用いることもできる。この場合は、開口部221と開口部222を、図17aに示すように、法線106の周りに180度回転したときに合同になる形状とすれば良い。この時、熱処理工程前後の孔形状は図17bに示す通りとなる。[実施例2]実施例2として、実施形態3における微細構造300の製造方法を説明する。実施例2に示す微細構造300の製造方法は、実施例1に示す微細構造200の製造方法に対して、開口部の形状のみが異なる。まず、実施例1と同様にGaNとSiO2を成膜する。次に、レジストに開口部321、開口部322を作製する。開口部321は、結晶面104で形成される一辺35nmの正六角形である。開口部322は、結晶面104で形成される正六角形をC軸周りに30度回転した一辺40nmの正六角形である。開口部321は、開口部322に内接する、結晶面104で形成される正六角形となっている。続いて、実施例1と同様にSiO2、GaNをエッチングする。この時、開口部321と開口部322の面積の相違を反映して、孔311の深さは160nm、孔312の深さは180nmとなる。その後、実施例1と同様に熱処理を行う。実施形態3で説明したように、孔331は主面105方向から見た平面視形状が変化しないが、孔332は結晶面{1_100}が形成されるまで細くなり、平面視形状が孔331と同じになる。以上より、孔の大きさが同じで、孔の深さが異なる孔331、孔332が作製できる。なお、実施形態1で説明したように、C面基板でなく、法線106がC軸からM軸またはA軸に傾いた基板を用いることもできる。この場合は、開口部321と開口部322を、図4に示すように、法線106の周りに180度回転したときに相似となり、内接する多角形134同士が合同となる形状とすれば良い。この時、熱処理工程前後の孔形状は図18bに示す通りとなる。[実施例3]実施例3として、本発明に示す微細構造の製造方法を適用したフォトニック結晶を用いた面発光レーザの製造方法を説明する。まず、C面GaN基板上に、n型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層を図19aに示す層構成となるように成膜する。次に、実施例1、2と同様にエッチングと熱処理によって、フォトニック結晶層を形成する配列された複数の孔を作製する。続いて、フォトニック結晶層の上にコンタクトをとるためのp型コンタクト層を120nm成膜した後、電子ビーム蒸着法によってNi10nm/Au40nmからなるp型電極、Ti20nm/Al100nmからなるn型電極を蒸着する。ここで、実施例1で説明した製造方法を用いて、孔231が複数配列された領域241と、孔232が複数配列された領域242からなる、フォトニック結晶240を作製した場合を考える。この時、実施形態2で説明したように、従来の製造方法よりもαの変化を小さく、κの変化を大きくすることが出来る。さらに、κの大きい領域を電流密度の小さい中心部に、κの小さい領域を電流密度の大きい周辺部に配置した面発光レーザとすることで、均一なレーザ発振と一様な射出ビーム強度の両立を、従来よりも容易に実現できる。具体的には、実施例1に示す孔231を格子定数160nmで並べた領域241を周辺部に、孔232を格子定数160nmで並べた領域242を中心部とすれば良い。領域241と領域242の結合係数κ、放射係数αは図19bのようになり、電流密度の小さい中心部の方が、κが大きくなっており、αの変化は小さい。次に、実施例2で説明した製造方法を用いて、孔331が複数配列された領域341と、孔332が複数配列された領域342からなる、フォトニック結晶340を作製した場合を考える。この時、実施形態3で説明したように、従来の製造方法よりもκの変化を小さく、αの変化を大きくすることが出来る。さらに、フォトニック結晶340を面発光レーザに用いる事で、均一なレーザ発振と射出ビームパターン制御の両立が、従来の製造方法よりも容易となる。具体的には、実施例2に示す孔331を格子定数160nmで並べた領域341と、孔332を格子定数160nmで並べた領域342を用いればよい。領域341と領域342の結合係数κ、放射係数αは図19cのようになり、均一なレーザ発振を実現と射出ビーム制御の両立を、従来よりも容易に実現できる。なお、電流狭窄部を設ける場合は、活性層を成長した後、フォトリソグラフィなどによってSiO2等の絶縁膜を選択的に成膜すれば良い。[実施例4]実施例4として、本発明に示す微細構造を適用したSWS150の製造方法を説明する。まず、実施例1、2と同様に成長工程、エッチング工程、熱処理工程によって、複数配列の孔をGaN中に作製する。この時、孔の大きさ及び複数孔の間隔は、SWSの動作波長λに対して十分小さくしておく。具体的には、λの0.1倍以下であれば良い。例えば、実施例1に示す微細構造200や実施例2に示す微細構造300を、間隔50nm以下で配列すれば、λ=500nmの緑帯域の光に対してSWSとして動作する。SWSが、大きさや深さの異なる孔で形成される複数の領域を有していれば、複数の領域間の、有効屈折率の相違を利用して、空間変調素子や偏光制御素子に利用することが出来る。