"信号光が入力される信号光入力端と、第1光分波合波器と、エルビウムドープトファイバと、第2光分波合波器と、信号光出力端と、励起光を発生するレーザ光源と、該レーザ光源の制御回路と、を備え、前記信号光入力端と前記第1光分波合波器との間に第1アイソレータが、前記第2光分波合波器と前記信号光出力端との間に第2アイソレータが、それぞれ設けられている高速光増幅器であって、前記信号光入力端から入力された信号光と前記レーザ光源からの励起光とが、前記第1光分波合波器によって合波され、該合波された光が前記エルビウムドープトファイバに入射され、前記信号光は前記励起光にて反転状態とされたエルビウムイオンによって増幅された後、前記第2光分波合波器によって、信号光成分と励起光成分とに分波されるように構成されており、分波された信号成分は前記信号光出力端から出力され、分波された励起成分は設けられた反射器によって反射されて戻り励起光となり、該戻り励起光は前記エルビウムドープトファイバを戻り、前記第1光分波合波器によって前記レーザ光源へ戻るように構成されており、前記レーザ光源の出射面に反射防止膜が形成されていることを特徴とする高速光増幅器。請求項1に記載の高速光増幅器において、前記レーザ光源と前記第1光分波合波器との間と、前記第2光分波合波器と前記反射器との間の少なくともどちらか一方に、励起光を通過させるバンドパスフィルタが設けられている高速光増幅器。請求項1に記載の高速光増幅器において、前記第1光分波合波器と前記第2光分波合波器は、いずれも励起光を反射させるとともに、信号光を通過させる高速光増幅器。請求項1に記載の高速光増幅器において、前記第1光分波合波器と前記第2光分波合波器は、いずれも励起光を通過させるとともに、信号光を反射させる高速光増幅器。請求項1に記載の高速光増幅器において、前記レーザ光源の前記制御回路は、信号光の出力レベルを制御している高速光増幅器。上述したように、利用されなかった励起光を再びEDFに戻す方法により、励起光の利用効率は向上するが、さらなる利用効率の向上が求められていた。また、EDFを用いてピークパワーの大きな光を発生させると、EDF中で発生する誘導ラマン散乱StimulatedRamanScattering:SRSや、4光波混合FourWaveMixing:FWM等の非線形光学効果によるノイズ光が発生する。これらのノイズ光もEDFにおいて増幅されるため、EDFの増幅能力がノイズ光の増幅にも使用されることになり、EDFの増幅能力を信号光の増幅に効率よく使用できなかった。EDFによる増幅を高利得とすると、ノイズ光として自然放出光AmplifiedSpontaneousEmission:以下、ASEともいうが発生する。このASEの発生にもEDFの増幅能力が使用されることになり、EDFの増幅能力を信号光の増幅に効率よく使用できなかった。ノイズ光のうち、非線形光学効果によるものを低減するためには、EDFの短尺化が有効であることが知られている。しかしEDFを短尺化すると、大半の励起光がErイオンの励起には利用されずに捨てられることとなり、励起の効率が悪くなっていた。またEDFを短尺化すると、必然的に増幅利得が低下することになってしまう。そこで本発明の目的は、バースト信号の入力に対しても光サージが発生しにくい光増幅器を提供することである。また本発明の目的は、EDFの増幅能力を信号光の増幅に効率よく使用するためにEDFを短尺化しても、励起の効率のよい光増幅器を提供することである。上述した目的を達成するために、本発明は、光増幅機能を持つEDFを備えた光増幅器に励起光の反射器を設けて、励起光源であるレーザ光源からEDFに入射された励起光を反射させてEDFに戻すとともに、さらにレーザ光源内部に反射した励起光の入射が容易になるように構成した。すなわち本発明は、信号光が入力される信号光入力端と、第1光分波合波器と、エルビウムドープトファイバと、第2光分波合波器と、信号光出力端と、励起光を発生するレーザ光源と、該レーザ光源の制御回路と、を備え、前記信号光入力端と前記第1光分波合波器との間に第1アイソレータが、前記第2光分波合波器と前記信号光出力端との間に第2アイソレータが、それぞれ設けられている高速光増幅器であって、前記信号光入力端から入力された信号光と前記レーザ光源からの励起光とが、前記第1光分波合波器によって合波され、該合波された光が前記エルビウムドープトファイバに入射され、前記信号光は前記励起光にて反転状態とされたエルビウムイオンによって増幅された後、前記第2光分波合波器によって、信号光成分と励起光成分とに分波されるように構成されており、分波された信号成分は前記信号光出力端から出力され、分波された励起成分は設けられた反射器によって反射されて戻り励起光となり、該戻り励起光は前記エルビウムドープトファイバを戻り、前記第1光分波合波器によって前記レーザ光源へ戻るように構成されており、前記レーザ光源の出射面に反射防止膜が形成されていることを特徴とする高速光増幅器である。本発明の高速光増幅器は、利用されなかった励起光を反射器によりEDFに戻すように構成され、さらに利用されなかった戻り励起光をレーザ光源の出射面から内部に入射するように構成されている。この戻り励起光は、再度レーザ光源から出射されて、EDFの励起に利用される。つまり本発明の高速光増幅器では、励起光がEDFを含むレーザ光源と反射器との間に閉じ込められることとなる。その結果、EDFに入射された励起光は、当初Erイオンの励起に利用されなかったとしても、最終的に利用されるようになる。このため、発生した励起光が効率的に励起に利用されるので、EDFを効率的に反転分布状態にすることができる。つまりEDFを最大利得で利用できるので、良好なNFを効率よく実現できる。本発明の高速光増幅器は、入力信号光に対して実質的に常に最大利得で増幅することになるので、バースト信号の入力に対しても光サージは実質的に発生しない。また本発明の高速光増幅器では、EDFを実質的に常に完全反転状態で用いており、実質的にEDFの最大利得が得られるので、EDFの長さを最小とすることができる。EDFの長さを最小にできると、必要な利得を得ながら、長尺のEDFで問題となっていた色分散劣化や偏波分散劣化を最小にすることができる。さらに波長帯域の拡がりが大きな超短パルスに対しても、波形劣化を発生させずに増幅できるので、有効である。なお、本発明の高速光増幅器における高速とは、短パルス信号に素早く応答できるという意味として用いている。実施形態1本発明による高速光増幅器を図とともに説明する。図1は、本発明の高速光増幅器100の一実施形態を模式的に示す図である。本発明の高速光増幅器100は、基本的な構成要素として、信号光入力端1と、第1光分波合波器31と、エルビウムドープトファイバ40と、第2光分波合波器32と、信号光出力端2と、励起光を発生するレーザ光源10と、レーザ光源の制御回路14と、を備える。さらに、信号光入力端1と第1光分波合波器31との間に第1アイソレータ61が、第2光分波合波器32と信号光出力端2との間に第2アイソレータ62が、それぞれ設けられている。レーザ光源10からの励起光は、EDF40に入射されてErイオンを励起し、信号光の増幅に利用される。励起に利用されなかった励起光は、第2光分波合波器32によって分波され、設けられた反射器50によって反射されて、戻り励起光となる。そして戻り励起光は、再度EDF40に入射されてErイオンを励起し、そこで利用されなかった戻り励起光は、第1光分波合波器31によってレーザ光源10へ戻るように構成されている。本発明で用いるEDF40は、短尺化されたEDFである。この短尺化されたとは、従来のEDFのファイバ長より短くなったことを意味する相対的な言葉であって、EDFのファイバ長が所定の長さ以下であることを意味するものではない。また、対象とする信号や許容される信号の劣化度合いによっても、短尺化されたEDFの長さは異なってくる。例えばEDFを用いた光短パルス増幅器において、短パルス信号をEDFに入射すると、短パルス信号の半値幅が拡がることになる。具体的には、半値幅が200fsの短パルス信号をEDFに入射したときにおいて、半値幅の増加を20程度許容する場合、すなわち半値幅が240fsになるEDFの長さは、実験の結果2m程度であった。レーザ光源10としては、半導体レーザlaserdiode:以下、LDともいうが好ましく用いられる。レーザ光源の出射面は反射防止膜16が形成されており、反射器によって反射された戻り励起光が、レーザ光源の内部に入射するのを容易にしている。ここで図2を参照しながら、半導体レーザにおけるレーザ発振について述べる。まず半導体レーザの反射面と出射面との距離をL0とし、半導体レーザの出射面と反射器との距離をLとする。半導体レーザの出射面における反射率をR1とし、反射器における反射率をR2とする。半導体レーザの出射面と反射器との間における結合損失をαiとし、吸収損失をαAMPとすると、全損失係数αは、数1α=αiαAMPと表される。半導体レーザの出射面の延長上に反射器を設けたことで、半導体レーザの出射面における見かけの反射率RTは、以下のように表される。数2RT=R12e2αLR12e4αLR122e6αL=R12e2αL[1R12e2αLR122e4αL]=R1[2e2αL]/1R1e2αLつまり、この半導体レーザは、出射面における反射率がRTである半導体レーザと見なすことができる。そこで、この半導体レーザにおける発振条件は、以下のように書き表される。数3R0RT×e2L0=1e2L0=1/R0RTであり、この式から利得の閾値であるgthについて解くと、数4gth-α0=ln/2L0gth=α0ln/2L0となる。ここで、α0は内部共振器における内部損失である。これらの関係から、gthは以下のように書き表される。数5gthα0lnexpLR1R01LR12/2L0]そこで、αAMPの変動に対して、LDのモニタ光電流が一定になるように制御する自動出力制御AutoPowerControl:APC回路によって、変動を補うようにレーザ電流を制御することにより、レーザ発振を安定に保つことができる。このようにすると、入力信号の変動に拘わらず、いつもEDFが完全に反転状態とするのに十分な励起光を供給できる。本発明による高速光増幅器100では、例えば1.55μm帯の信号光を増幅し、励起光としては、例えば0.98μmのレーザ光を使用している。図1に示した第1および第2光分波合波器31,32は、例えば光学薄膜を用いたハーフミラー型の光分波合波器である。図1に示した高速光増幅器100において、第1および第2光分波合波器31,32は、それぞれ信号光である1.55μm帯の光を通過させ、励起光である0.98μmの光を反射する。第1光分波合波器31において、信号光入力端1からの信号光とレーザ光源10からの励起光とが合波されて、EDF40に入射される。第2光分波合波器32において、EDF40から出射した光のうち、信号光成分はそのまま通過し直進して、信号光出力端2から出力される。EDF40から出射した光のうち、励起光成分は、第2光分波合波器32にて反射し分波され、その光路上に設けられた反射器50によって反射されて、戻り励起光となる。その戻り励起光は、再び第2光分波合波器32にて再びEDF40に入射される。このように、励起光源であるレーザ光源10から出射された励起光は、反射器50によって反射されて戻り励起光となり、Erイオンの励起に利用されるので、効率的である。そして第1光分波合波器31にて反射され、レーザ光源10に入射するように構成されている。レーザ光源10において、その出射面には反射防止膜16が形成されている。このため戻り励起光が、レーザ光源の出射面にて反射されることがなく、レーザ光源内に入射しやすくなっている。レーザ光源内に入射した戻り励起光は、再び励起光としてレーザ光源から出射されEDF40に入射され、Erイオンの励起に利用される。このように本発明の高速光増幅器によれば、一度発生させた励起光を無駄にすることなく利用するので、効率的である。なお、レーザ光源の出射面に形成された反射防止膜には、例えば光学薄膜や光学多層膜を用いた反射防止膜とすればよい。反射防止膜の設計波長は、励起光の波長とすればよく、例えば0.98μmとする。レーザ光源の制御回路14は、信号光の出力レベルが一定になるよう、以下のように制御している。図1において、制御回路14は、レーザ光源の出力背面から出力される光をモニタ用のフォトダイオード13でモニタし、設定レベルとの誤差信号をレーザ駆動回路15に出力する。レーザ駆動回路15は、誤差信号によりレーザ駆動電流を制御して、レーザ光源の出力が一定となるように、レーザ光源10を駆動する。本発明の高速光増幅器100において、レーザ光源10と第1光分波合波器31との間と、第2光分波合波器32と反射器50との間の少なくともどちらか一方には、励起光である0.98μmの光のみを通過させるバンドパスフィルタ21,22が設けられているとよい。なお、バンドパスフィルタ同士の特性が十分に一致していれば、レーザ光源と第1光分波合波器との間と、第2光分波合波器と反射器との間の両方に、それぞれバンドパスフィルタ21,22が設けられていてもよい。信号光の入出力端1,2と光分波合波器31,32との間にアイソレータ61,62が設けられているが、その理由は以下のようである。もし、増幅される信号光の光路上に信号帯域の反射光が存在すると、光増幅器が発振状態に陥り不安定になる。また、発振に至らないまでも信号帯域の反射光が存在すると、光増幅器におけるNFの劣化、利得のリップル等の悪影響が発生する。そこで、信号帯域の反射光を防止するために、信号光入力端1と第1光分波合波器31との間と、第2光分波合波器32と信号光出力端2との間に、それぞれアイソレータ61,62を設けている。ところで上述したように、特開平03-025985号公報や特開平09-179152号公報で開示された光ファイバ増幅器では、励起光源と光合波分波器との間には光アイソレータが設けられている。これは、励起光の戻り光が励起光源に入射し、励起光源が不安定になるのを防ぐためである。これに対して、本発明の高速光増幅器では、励起光源と光合波分波器との間に光アイソレータを設けておらず、さらに励起光源の出射面に反射防止膜を形成することにより、戻り励起光を積極的に励起光源に入射するようにしている。もちろん、本発明の高速光増幅器においても、戻り励起光が励起光源に入射することによって、励起光源の動作が不安定になり、利得も不安定になる虞はある。しかし、本発明の高速光増幅器における利得は、主としてErイオンの反転分布状態やEDFの長さに依存しており、励起光源の出力には直接的に依存していない。したがって、励起光源の動作が多少不安定になったとしても、本発明の高速光増幅器では大きな問題にはならない。ここで、本発明の高速光増幅器における励起光源が少しでも不安定にならないようにするために、上述したバンドパスフィルタが設けられている。つまり、励起光源に励起光以外の光が入射しないようにして、励起光源の動作を安定化させるものである。以上説明してきた高速光増幅器において、バースト信号が増幅される様子を、図3に模式的に示した。Aが入力されたバースト信号光であり、Bが増幅された信号光である。入力されたバースト信号は、本発明の高速光増幅器によって増幅されても利得が一定であるので、光サージは発生していないことが分かる。上述した実施形態1の説明では、信号光の波長が1.55μm帯であり、励起光の波長が0.98μmであったが、これに限られることなく、信号光の波長が1.55μm帯であり、励起光の波長が1.48μmであってもよい。この場合は、信号光と励起光とを区別する急峻な減衰特性を持ったフィルタが必要となる。なお、以上説明した実施形態1の高速光増幅器100では、2つの光分波合波器31,32において、信号光の透過効率がよいので好ましい。実施形態2上述した実施形態1の高速光増幅器100では、信号光入力端1と、第1光分波合波器31と、EDF40と、第2光分波合波器32と、信号光出力端2とが、直線的に配置されていた。これに対して、実施形態2の高速光増幅器101では、図4に示すように、レーザ光源10と、第1光分波合波器31と、EDF40と、第2光分波合波器32と、反射器50とが、直線的に配置されている。光増幅器において、必要とされる信号光の入力端と出力端の配置によって、実施形態1か実施形態2を適宜選択すればよい。"