"圧延平行方向に測定した表面のJISZ8741に従った60度光沢度G60RDが100以上300以下で、200°Cで30分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた200面の強度Iが、微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度I0に対し、I/I0≧50であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで、かつ圧延直角方向にそれぞれ50μm以上離間する3本の直線上で、オイルピットの最大深さに相当する各直線の厚み方向の最大高さと最小高さの差の平均値dと、前記銅箔の厚みtとの比率dtが01以下であり、圧延平行方向に測定した表面の60度光沢度G60RDと、圧延直角方向に測定した表面のJISZ8741に従った60度光沢度G60TDとの比率G60RDG60TDが08未満である圧延銅箔。前記200°C×30分熱処理後の銅箔表面を電解研磨後にEBSDで観察した場合に、100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20以下である、請求項1記載の圧延銅箔。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延工程において、最終パスの1パス前の段階で圧延平行方向に測定した表面の60度光沢度G60RDが300を超える、請求項1又は2記載の圧延銅箔。しかしながら、特許文献4記載の技術の場合、不均一な結晶粒が多く、銅箔表面の結晶が200面に配向していないため、屈曲性が低下するという問題がある。一方、銅箔の製造時のロールとの密着性を確保したり、銅箔製品の取り扱いを容易にするため、最終冷間圧延でのロール粗度を大きくして銅箔表面を粗くすることが行われているが、銅箔表面を粗くすると、銅箔表面の結晶の配向度が低下して屈曲性が劣ったり、ディッシュダウンが生じやすいことが判明した。すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、銅箔表面を適度に粗くして取り扱い性を向上し、さらに屈曲性に優れるとともに、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔の提供を目的とする。本発明者らは種々検討した結果、最終冷間圧延の最終パスの手前では銅箔の表面をあまり粗くせず、最終冷間圧延の最終パスで銅箔の表面を粗くすることで、最終的な銅箔の表面を粗くしつつ、せん断変形帯を少なくし、屈曲性を向上させ、ディッシュダウンが少なくなることを見出した。上記の目的を達成するために、本発明の圧延銅箔は、圧延平行方向に測定した表面のJISZ8741に従った60度光沢度G60RDが100以上300以下で、200°Cで30分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた200面の強度Iが、微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度I0に対し、I/I0≧50であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで、かつ圧延直角方向にそれぞれ50μm以上離間する3本の直線上で、オイルピットの最大深さに相当する各直線の厚み方向の最大高さと最小高さの差の平均値dと、前記銅箔の厚みtとの比率dtが01以下であり、圧延平行方向に測定した表面の60度光沢度G60RDと、圧延直角方向に測定した表面のJISZ8741に従った60度光沢度G60TDとの比率G60RDG60TDが08未満である。上記した200°C×30分熱処理後の銅箔表面を電解研磨後にEBSDで観察した場合に、100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20以下であることが好ましい。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延工程において、最終パスの1パス前の段階で圧延平行方向に測定した表面の60度光沢度G60RDが300を超えることが好ましい。本発明によれば、銅箔表面を適度に粗くして取り扱い性を向上し、さらに屈曲性に優れるとともに、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔が得られる。以下、本発明の実施形態に係る圧延銅箔について説明する。なお、本発明においてとは、特に断らない限り、質量を示すものとする。まず、図1を参照して、本発明の技術思想について説明する。最終冷間圧延でのロール粗度を大きくして銅箔表面を粗くすると、銅箔の取り扱い性は向上するが、屈曲性が低下したり、ディッシュダウンが生じ易くなる図1の従来例1。これは、最終冷間圧延での粗いロールにより、銅箔の厚み方向にせん断変形帯が生じ、さらに圧延が続いてせん断変形帯が発達するためと考えられる。一方、銅箔の屈曲性を得るために光沢度表面粗さを高める手法が従来から知られている。これは、粗度の低いロールで最終冷間圧延することで、銅箔の厚み方向にせん断変形帯が生じ難くなるためと考えられる。但し、銅箔の光沢度を高くする表面粗さを小さくすると、銅箔の取り扱い性が低下する図1の従来例2。これに対し、本発明者は、最終冷間圧延の最終パスの手前では銅箔の表面をあまり粗くせず例えば、粗度の低いロールで圧延し、最終冷間圧延の最終パスで銅箔の表面を粗くする例えば、粗いロールで圧延することで、最終的な銅箔の表面を粗くしつつ、せん断変形帯を少なくし、屈曲性を向上させ、ディッシュダウンが少なくなることを見出した図1の本発明例。つまり、従来、銅箔の配向性は単に銅箔表面の粗さに依存すると考えられてきたが、実際には材料内部のせん断変形帯の規模が配向度及びディッシュダウンに影響することが分かった。そして、最終冷間圧延において、最終パス以前のパスでせん断帯の発達を充分に抑制できれば、最終パスで銅箔表面を粗く仕上げても、高い配向性を得ることが出来る。ところで、上記したせん断帯の発達度は、従来から用いられている光沢度の値だけでは明確に捉えることができない。つまり、図1の本発明例に示すように最終的な銅箔の表面を粗くしつつ、せん断変形帯を少なくすると、オイルピットが浅くかつある程度幅を持ち、さらにオイルピットの発生頻度が少なくなると考えられるが図2a参照、これはオイルピットの方向に垂直である圧延平行方向RDの光沢度には表れ難い。一方、圧延直角方向TDから見ると、オイルピットがある程度幅を持つため、オイルピットの形状や頻度の変化を平行方向より捉えやすい。このようなオイルピットと光沢度との関係を図2を参照して説明する。図2a、b、cは、それぞれ図1の本発明例、従来例1、従来例2の銅箔表面に対応している。まず、図2aの本発明例の場合、圧延平行方向RDに沿って光沢度GRDを測定すると、オイルピットで反射光の向きが変わって検出されず、光沢度は低くなる。一方、圧延直角方向TDに沿って光沢度GTDを測定した場合、オイルピットがTDに沿って延びていることから、オイルピットで反射光の向きが横にRD方向にずれるものの検出され、光沢度は高くなる。つまり、GRDに比べてGTDが相対的に高くなり、後述する60度光沢度を測定すると、G60RDG60TD<08の関係を満たす。次に、図2bの従来例1の場合、銅箔表面が粗くなり過ぎてオイルピットの深さ及び長さ発生頻度が増え、圧延平行方向RD及び圧延直角方向TDのいずれに沿って光沢度を測定しても、オイルピットで反射光の向きが変わって検出されず、光沢度は低くなる。この場合、GRDに比べてGTDが相対的に低くなり、後述する60度光沢度を測定すると、G60RDG60TD>1の関係を満たす。一方、図2cの従来例2の場合、銅箔表面が平滑になり過ぎてオイルピットが浅くなり過ぎるため、圧延平行方向RDに沿って光沢度GRDを測定しても、オイルピットで反射光の向きが変わり難くなって光沢度は高くなる。つまり、GTDに比べてGRDが相対的に高くなるので、後述する60度光沢度を測定すると、G60RDG60TDの関係が1に近づくつまり、RDとTDの異方性が小さくなる。但し、従来例1のように銅箔表面が粗くないので、G60RDG60TD<1となる。次に、本発明の圧延銅箔の規定及び組成について説明する。1光沢度G60RD圧延平行方向RDに測定した表面の60°光沢度G60RDを100以上300以下とする。G60RDが300を超えると、銅箔表面が平滑になり過ぎて銅箔の製造時のロールとの密着性が低下したり、銅箔製品の取り扱いに難がある。一方、G60RDが100未満になると、銅箔表面が粗くなり過ぎ、材料内部でせん断変形帯が発達して銅箔表面の結晶の配向度が低下し、屈曲性が劣ったり、ディッシュダウンが生じやすくなる。2G60RDG60TD上記したように、最終冷間圧延の最終パスの手前では銅箔の表面をあまり粗くせず、最終冷間圧延の最終パスで銅箔の表面を粗くすることで、最終的な銅箔の表面を粗くしつつ、せん断変形帯を少なくし、屈曲性を向上させ、ディッシュダウンが少なくなる。そして、このようなせん断変形帯が少ない表面は、G60RDG60TD<08となることが本発明者らの実験後述する実施例によって明らかとなった。従って、圧延平行方向に測定した表面の60°光沢度G60RDと、圧延直角方向に測定した表面の60°光沢度G60TDとの比率G60RDG60TDを08未満に規定する。なお、比を採用したのは、全体の光沢度の影響を相殺させるためである。G60RDG60TD≧08となると、上記した図2bのように銅箔表面が平滑になり過ぎ、銅箔の製造時のロールとの密着性が低下したり、銅箔製品の取り扱いに難がある。又、上記した図2cのようにG60RDG60TD>1となると、銅箔表面が粗くなり過ぎ、せん断変形帯が発達して屈曲性が低下したり、ディッシュダウンが生じ易くなる。なお、G60RDG60TD<08とする方法としては、上記したように最終冷間圧延において、最終パス以前のパスでせん断帯の発達を抑制する、つまり最終冷間圧延の最終パス以前のパスで粗さ表面粗さRaが例えば005μm以下が比較的小さいロールを用いて圧延すればよい。一方、最終冷間圧延の最終パスでは、粗さ表面粗さRaが例えば006μm以上が比較的大きいロールを用いて圧延し、最終的に得られる銅箔表面を粗くすればよい。ここで、最終冷間圧延において、最終パスの1パス前の段階で圧延平行方向に測定した表面の光沢度G60RDが300を超えるようにすると、最終冷間圧延の最終パス以前のパスでは銅箔表面が比較的平滑となり、せん断変形帯が導入され難くなるので好ましい。3dt銅箔の厚みtが薄くなると、同じ表面粗さであっても銅箔厚みに占める表面凹凸の割合が大きくなるため、上記したG60RDG60TDによる銅箔表面の評価が十分に行えないことがある。そこで本発明では、dt≦01に規定することで、銅箔の厚みによらず銅箔表面の評価が行える。ここで、dは、図3に示すように銅箔表面で圧延平行方向RDに長さ175μmで、かつ圧延直角方向TDにそれぞれ50μm以上離間する3本の直線L1~L3上で、オイルピットの最大深さに相当する各直線L1~L3の厚み方向の最大高さHMと最小高さHSの差diの平均値である。具体的には、接触式粗さで、L1~L3上の厚み方向のプロファイルを測定して最大高さHMと最小高さHSを求め、各直線L1~L3のdiを平均すればよい。銅箔又は銅合金箔の厚みは特に制限されないが、例えば5~50μmのものを好適に用いることができる。4I/I0200°Cで30分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた200面の強度Iを、微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度I0に対し、I/I0≧50に規定する。これにより、屈曲性に優れた200面の配向度が高まる。I/I0<50になると、屈曲性が低下する。上記200°C30分の焼鈍は、CCL製造工程において銅箔に付与される温度履歴を模したものである。5EBSDによる方位差200°Cで30分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、銅箔表面を電解研磨後にEBSDで観察した場合に、100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20以下であることが好ましい。上記200°C30分の焼鈍は、CCL製造工程において銅箔に付与される温度履歴を模したものである。なお、すでに熱履歴を受けてCCLとなった銅箔についても、200°Cで30分間加熱してよい。一度再結晶するまで熱処理された銅箔の組織は、それ以上加熱してもほぼ変化しないため、EBSDでの観察においては、熱履歴を受けた銅箔と受けない銅箔を区別せず、200°Cで30分間加熱することとしている。EBSDで観察した場合に上記面積率が20未満であれば、銅箔表面の結晶粒同士の方位差が小さく、均一な組織の中に結晶方位の異なる結晶粒が単独で存在する割合が少なくなるので、エッチングによるくぼみディッシュダウンが低減する。なお、EBSDで観察した場合に上記面積率を20未満とするには、上記したように最終冷間圧延において、最終パス以前のパスでせん断帯の発達を抑制する、つまり最終冷間圧延の最終パス以前のパスで粗さ表面粗さRaが例えば005μm以下が比較的小さいロールを用いて圧延すればよい。6組成銅箔としては、純度99.9wt以上のタフピッチ銅、無酸素銅を用いることができ、又、要求される強度や導電性に応じて公知の銅合金を用いることができる。無酸素銅はJISH3510合金番号C1011、JISH3100合金番号C1020に規格され、タフピッチ銅はJISH3100合金番号C1100に規格されている。公知の銅合金としては、例えば、0.01~0.3wtの錫入り銅合金より好ましくは0.001~0.02wtの錫入り銅合金;0.01~0.05wtの銀入り銅合金;0.005~0.02wtのインジウム入り銅合金;0.005~0.02wtのクロム入り銅合金;錫、銀、インジウム、及びクロムの群から選ばれる一種以上を合計で0.05wt以下含む銅合金等が挙げられ、中でも、導電性に優れたものとしてCu002wtAgがよく用いられる。次に、本発明の圧延銅箔の製造方法の一例について説明する。まず、銅及び必要な合金元素、さらに不可避不純物からなる鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で所定厚みに仕上げる。ここで、上記したように、最終冷間圧延の最終パスの手前では銅箔の表面をあまり粗くせず、最終冷間圧延の最終パスで銅箔の表面を粗くすることで、最終的な銅箔の表面を粗くしつつ、せん断変形帯を少なくし、屈曲性を向上させ、ディッシュダウンが少なくなる。そして、このようなせん断変形帯が少ない表面は、G60RDG60TD<08となる。従って、最終冷間圧延の最終パスの手前では、銅箔の表面をあまり粗くしないよう、粗さ表面粗さRaが例えば005μm以下が比較的小さいロールを用いて圧延したり、最終冷間圧延における1パス加工度を大きくして圧延すればよい。一方、最終冷間圧延の最終パスでは、粗さ表面粗さRaが例えば006μm以上が比較的大きいロールを用いて圧延したり、粘度の高い圧延油を用いて圧延し、最終的に得られる銅箔表面を粗くする。なお、最終的な銅箔の表面を粗くしつつ、せん断変形帯を少なくするためには、最終冷間圧延の最終2パス、又は最終パスで、上記したように粗いロールを用いたり粘度の高い圧延油を用いて圧延することが必要であるが、調整し易いことから最終パスでの圧延条件を調整することが好ましい。一方、最終冷間圧延の最終3パス以前からロールの粗さを粗くすると、せん断変形帯が発達する。なお、最終冷間圧延の直前の焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が5~20μmになるよう、焼鈍条件下を調整するとよい。又、最終冷間圧延での圧延加工度を90以上とするとよい。表1に示す組成の元素を添加したタフピッチ銅又は無酸素銅を原料としてインゴットを鋳造し、800°C以上で厚さ10mmまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で厚み0012mmに仕上げた実施例1~9、比較例1~7。但し、実施例10については仕上げ厚みを0018mm、実施例11については仕上げ厚みを0006mmとした。最終冷間圧延での圧延加工度を992とした。なお、最終冷間圧延は10~15パスで行い、表1に示すように、最終パスの手前までのロールの表面粗さ、及び最終パスのロールの表面粗さを変えて圧延を行った。最終パスの1パス目から最終パスの手前までのロールの表面粗さはすべて同じである。なお、表1の組成の欄の002Ag添加TPCは、JISH3100合金番号C1100のタフピッチ銅TPCに0.02質量のAgを添加したこと意味する。また、表1の組成の欄の0007Sn添加OFCはJISH3100合金番号C1020の無酸素銅OFCに0.007質量のSnを添加したことを意味する。但し、実施例6のみ無酸素銅としてJISH3510合金番号C1011に規格されている無酸素銅OFCを用い、実施例4、5、7、9、10、比較例7は無酸素銅としてJISH3100合金番号C1020に規格されている無酸素銅OFCを用いた。このようにして得られた各銅箔試料について、諸特性の評価を行った。1光沢度圧延平行方向RD、及び圧延直角方向TDにそれぞれ沿って銅箔表面の光沢度G60RD、G60TDをJISZ8741に従って測定した。2立方体集合組織試料を200°Cで30分間加熱した後、圧延面のX線回折で求めた200面強度の積分値Iを求めた。この値をあらかじめ測定しておいた微粉末銅325mesh,水素気流中で300°Cで1時間加熱してから使用の200面強度の積分値I0で割り、I/I0値を計算した。3オイルピットの最大深さ平均値d接触式粗さ計小坂研究所製SE3400を用い、図3に示すようにして、銅箔表面で圧延平行方向RDに長さ175μmで、かつ圧延直角方向TDにそれぞれ50μm以上離間する3本の直線L1~L3上の最大高さHMと最小高さHSの差diをそれぞれ求めた。各直線L1~L3のdiを平均してdとした。なお、dtとした。4EBSDによる方位差2で200°Cで30分間加熱した後の試料表面を電解研磨後にEBSD後方散乱電子線回析装置、日本電子株式会社JXA8500F、加速電圧20kV、電流2e8A、測定範囲1000μm×1000μm、ステップ幅5μmで観察した。100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率を画像解析で求めた。さらに、試料表面1mm四方の観察範囲内で結晶粒径が20μmを超えるものの個数を目視で数えた。そして、この観察範囲を含む試料について、アデカテックCL8株式会社アデカ製20溶液を用いて常温で2分間エッチングを行い、エッチング後の表面を光学顕微鏡で撮影した画像を明暗二値化し、短径50μmを越える暗部をディッシュダウンとして数えた。なお、エッチング後の銅箔表面は結晶方位を反映した形状となり、100方位を持った組織は銅箔表面に平行な面となるのに対し、その他の結晶方位を持った部分は結晶方位に起因する凹凸ができる。従って、ディッシュダウンの部分は光学顕微鏡で暗く見えることになる。なお、図4は実施例1の光学顕微鏡像を示し、図5は比較例3の光学顕微鏡像を示す。又、図6は実施例1のEBSD測定結果を示し、図7は比較例1のEBSD測定結果を示す。図6、図7において、灰色や黒色の領域が100方位からの角度差が15度以上の結晶粒を示す。5表面の傷各試料の表面を目視し、圧延方向に10mm以上の長さをもつ傷が、5箇所m2以上ある場合を×とした。6屈曲性試料を200°Cで30分間加熱して再結晶させた後、図4に示す屈曲試験装置により、屈曲疲労寿命の測定を行った。この装置は、発振駆動体4に振動伝達部材3を結合した構造になっており、被試験銅箔1は、矢印で示したねじ2の部分と3の先端部の計4点で装置に固定される。振動部3が上下に駆動すると、銅箔1の中間部は、所定の曲率半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では、以下の条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求めた。なお、板厚が0.012mmである場合、試験条件は次の通りである:試験片幅:12.7mm、試験片長さ:200mm、試験片採取方向:試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採取、曲率半径r:2.5mm、振動ストローク:25mm、振動速度:1500回/分。なお、屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に、優れた屈曲性を有していると判断した。また、それぞれ板厚が0.018mm、0.006mmである場合、板厚が0.012mmの場合の屈曲試験と曲げ歪が同じとなるよう、曲率半径rをそれぞれ4mm、1.3mmに変更したが、他の試験条件は同一とした。得られた結果を表1に示す。表1から明らかなように、G60RDが100以上300以下でI/I0≧50であり、かつdtが01以下であり、G60RDG60TDが08未満である各発明例の場合、EBSDによる100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20未満となり、ディッシュダウンの個数が少なく、さらに銅箔表面に傷がなく、屈曲性にも優れていた。一方、最終冷間圧延で、最終パスの手前までのロールの表面粗さ、及び最終パスのロールの表面粗さをいずれもRa005μm以下とした比較例1、5、7の場合、銅箔表面のG60RDが300を超え、銅箔表面に傷が付いて取り扱い性に劣った。なお、比較例5の場合、最終冷間圧延での圧延加工度を96と低くしたため、I/I0<50となり、光沢度を高くしても100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20を超え、ディッシュダウンが多く発生した。最終冷間圧延で、最終パスの手前までのロールの表面粗さをRa006μm以上に粗くし、最終パスのロールの表面粗さをRa005μm以下とした比較例2の場合、上記面積率が20を超えてディッシュダウンの個数が増えた。又、銅箔表面のG60RDが300を超え、銅箔表面に傷が付いて取り扱い性に劣った。最終冷間圧延で、最終パスの手前までのロールの表面粗さ、及び最終パスのロールの表面粗さをいずれもRa006μm以上に粗くした比較例3、4、6の場合、上記面積率が20を超えてディッシュダウンの個数が増えた。なお、比較例3、4の場合、最終冷間圧延のすべてのパスのロール表面粗さを粗くしたため、材料内部でせん断変形帯が発達して銅箔表面の結晶の配向度が低下し、I/I0<50となった。一方、比較例6の場合、最終パスの手前までのロールの粗さを比較例3、4より平滑としたため、光沢度及びI/I0は比較例3、4よりも高い値となったが、やはりせん断帯の抑制が不十分となり、上記面積率が20を超えてディッシュダウンの個数が増えた。なお、最終パスの手前までのロール粗さを007μmとしたままで、せん断帯を抑制するためには、通板速度を下げるなどの方法があるが、その場合は光沢度が300を超えてしまい、表面傷判定が×になると考えられる。"