"真空応用加工装置1内の計測箇所に複数設置されるマイクロ圧力センサ21、およびマイクロ圧力センサ21を制御するマイクロ圧力センサ制御部2と、計測したデータを元に総合的に監視制御する真空環境計測制御3を備え、真空応用加工装置1の計測箇所に複数個設置したマイクロ圧力センサ21からの多チャンネルによる圧力と温度の計測データと、圧力温度データベース部32に蓄積された計測データと常時比較し、その比較結果に基づき、制御バルブ15により排気流量を調整し、供給ガス流量制御器17により供給ガス流量調整を行い、真空応用加工装置内の圧力状態が適正となるように制御を行う真空環境計測制御システム。真空応用加工装置を用いた種々の薄膜形成プロセスにおいて、装置内の適正な真空の質と量は形成される薄膜の特性に大きく影響する。しかし、現状に置いては複数の真空計を装置外壁近傍にしか設置できず、それぞれの測定値を管理することによる、装置トラブルやメンテナンス、装置改造など設定変更のイベントにより発生した異常を早期に検知できるだけであった。また、装置内の適正な真空の質と量は熟練技術者のカンと経験で行っており、客観的な制御には至っていない。そのため、薄膜形成の良否判断はプロセス終了後に行うことになり生産性、製品品質、歩留まりに大きく影響を与えている。真空応用加工装置1内の計測箇所に複数設置されるマイクロ圧力センサ21、およびマイクロ圧力センサ21を制御するマイクロ圧力センサ制御部2と、計測したデータを元に総合的に監視制御する真空環境計測制御3を備え、真空応用加工装置1の計測箇所に複数個設置したマイクロ圧力センサ21からの多チャンネルによる圧力と温度の計測データと、圧力温度データベース部32に蓄積された計測データと常時比較し、その比較結果に基づき、制御バルブ15により排気流量を調整し、供給ガス流量制御器17により供給ガス流量調整を行い、真空応用加工装置内の圧力状態が適正となるように制御を行う真空環境計測制御システム。1真空応用加工装置1内の、プロセス加工前における位置的時間的変化の排気特性をリアルタイムで計測表示し、蓄積された特性データとの常時比較を行い排気特性が適正であるかの判断により真空応用加工装置異常の早期発見が可能となる。2真空応用加工装置1内の、プロセス加工中における位置的時間的変化のプラズマや活性化した原料ガスの圧力分布や温度分布などが総合的に監視可視化できる。また、圧力と温度の計測データと蓄積された計測データと常時比較し、その比較結果に基づき真空応用加工装置内の圧力状態が適正となるような制御ができる。3真空応用加工装置1内の、プロセス加工後における位置的時間的変化の圧力分布や温度分布などが総合的に監視可視化できる。本発明の真空環境計測制御システムは、真空応用加工装置内に複数設置したマイクロ圧力センサからの情報を多チャンネルでリアルタイムに取り込み、正常動作時の熟練技術者のカンと経験による制御を客観的にデータベース化しその情報と測定データとを比較しリアルタイムに制御できるシステムである。真空応用加工装置内に複数設置するマイクロ圧力センサは、高い抵抗温度係数を持つ薄膜材料を高分子フィルム上に形成し、センサ温度と周囲温度温度定点との差を精密に測定できる構造を有することにより、従来の真空センサでは不可能であった真空環境内に複数設置が出来ることと、大気圧から10-5Paまでの広い圧力範囲を単一の熱伝導センサにより計測するものである。図1で本発明の真空環境計測制御システムの全体構成を示す。本発明の真空環境計測制御システムは、真空応用加工装置1内の主要箇所に複数設置されるマイクロ圧力センサ21、およびマイクロ圧力センサ21を制御するマイクロ圧力センサ制御部2と、計測したデータを元に総合的に監視制御する真空環境計測制御部3からなる。真空応用加工装置1は一般的に、真空チャンバ11、加工対象基材12、高真空ポンプ13,低真空ポンプ14,制御バルブ15、供給ガス源16、および供給ガス流量制御器17で構成される。マイクロ圧力センサ制御部2は、真空応用加工装置に配置されたマイクロ圧力センサ21、を駆動し計測するセンサ駆動計測部22で構成される。マイクロ圧力センサ21を真空応用加工装置1の主要箇所に複数個設置する。主要箇所とは、真空チャンバ11内では、供給ガス流量調節器17の出口付近、加工対象基材12の付近、および排気口付近等であり、排気系では高真空ポンプ13の前後,低真空ポンプ14の前後,制御バルブ15の前後等である。複数個設置されたマイクロ圧力センサ21は、マイクロ圧力センサ制御部2で制御を行う。マイクロ圧力センサ制御部2には、個々のマイクロ圧力センサ21に対応したセンサ駆動計測部22で構成され、マイクロ圧力センサ21による圧力と温度の計測を行っている。真空環境計測制御部3は、リアルタイムモニタ部31、圧力温度データベース部32、比較判断部33,バルブ制御部34、流量制御部35、および異常発信部36から構成される。真空環境計測制御部3のリアルタイムモニタ部31は、マイクロ圧力センサ制御部2から送られる圧力と温度の計測データを多チャンネルで取り込み、真空応用加工装置1のプロセス状況、例えば圧力と温度の時間経過と分布を三次元的にリアルタイムに表示を行う。真空環境計測制御部3の圧力温度データベース部32は、圧力と温度の計測データを時系列的に蓄積する。真空環境計測制御部3の比較判断部33は、圧力と温度の計測データから真空応用加工装置1が何のプロセス状態か把握し、圧力温度データベース部32に蓄積された計測データと常時比較を行っている。その比較結果から、現在のプロセス状態が適正なのか、不適正なのか、あるいは異常なのか等の判断を行う。プロセス状態が不適正な場合、真空環境計測制御部3のバルブ制御部34を介して制御バルブ15の調節による排気流量調整、および流量制御部35を介して供給ガス流量制御器17の調節による供給ガス流量調整を行い、プロセス状態が適正となる制御を行う。プロセス状態が異常な場合、真空環境計測制御部3の異常発信部36にて異常であることの発信を行う。"