"測定電流が流れる一次導体と、前記測定電流から誘導される磁束を検出する磁場変換素子を有し且つ平面視方形のICチップと、前記ICチップが載置されるアイランド部、リード端子および前記一次導体が一体に形成されたリードフレームと、を備える電流センサであって、前記一次導体は、前記アイランド部からは電気的に絶縁されるとともに、平面視において、前記ICチップの一つの角とその左右の二辺とにその外側から沿った形状であるコーナー部を少なくとも一つ有し、前記磁場変換素子は、前記ICチップにおける前記コーナー部の内側に位置する角部に配置されていることを特徴とする電流センサ。前記磁場変換素子を複数備えることを特徴とする請求項1記載の電流センサ。前記複数の磁場変換素子は、前記ICチップの前記角部に仮想的に描かれる面取り曲線上に沿って配置されることを特徴とする請求項1記載の電流センサ。前記仮想的に描かれる前記面取り曲線は、前記測定電流により前記一次導体に誘導される磁束が形成する等磁束密度線に沿った曲線であることを特徴とする請求項3記載の電流センサ。前記アイランド部は、前記一次導体よりも垂直方向位置が低くなるようにダウンプレス処理がなされていることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載の電流センサ。前記磁場変換素子はシリコンホール素子であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の電流センサ。測定電流が流れる一次導体と、前記測定電流から誘導される磁束を検出する磁場変換素子を有し且つ平面視方形のICチップと、を備えた電流センサの製造方法であって、前記ICチップと同等形状のアイランド本体を有するアイランド部と当該アイランド部と電気的に分離された一次導体とリード端子とが形成され、且つ前記一次導体は、平面視において前記アイランド本体の一つの角とその左右の二辺とにその外側から沿った形状であるコーナー部を少なくとも一つ有してなるリードフレームの前記アイランド本体に、前記ICチップを載置する工程と、前記アイランド本体に載置された前記ICチップと前記リード端子とを電気的に接続する工程と、前記アイランド部および前記ICチップと前記一次導体と前記リード端子とを一体にモールド成形してパッケージ化する工程と、を備えることを特徴とする電流センサの製造方法。前記磁場変換素子を複数備えることを特徴とする請求項7記載の電流センサの製造方法。前記複数の磁場変換素子は、前記ICチップの前記角部に仮想的に描かれる面取り曲線上に沿って配置されることを特徴とする請求項8記載の電流センサの製造方法。前記仮想的に描かれる前記面取り曲線は、前記測定電流により前記一次導体に誘導される磁束が形成する等磁束密度線に沿った曲線であることを特徴とする請求項9記載の電流センサの製造方法。しかしながら、上述の特許文献2、特許文献3のように、U字状一次導体の中心点付近の真上にくるようにホール素子を設ける方法にあっては、感度最大且つ位置ズレによる感度変動を最小とするには、磁束が最も集中した中心点にホール素子を一個配置するのが最も適した形態である。また、U字形状を複数箇所形成するとしても、パッケージへの実装上、せいぜい2箇所程度であり、多くのU字形状を持つことは難しい。また、上述の特許文献2および特許文献3では、感度向上を図るためには、U字状一次導体の磁場中心位置に当たるU字形状の中心点付近真上にホール素子を配置する際に、ホール素子をU字状一次導体に近接して配置することで、観測される誘導磁束密度を上げて磁場感度、すなわち電流感度を高めようとしている。そのために、ICチップを裏返して、ホール素子が一次導体に近接するように、FlipChipボンディングにより、チップを取り付ける処理が必要となっている。そのために、一次導体とホール素子を含むICチップとの間に絶縁層を配置し、かつチップ電気端子とパッケージリード端子とをバンプ接続することになり、その際には、絶縁層厚みとバンプ厚みとを調整しつつ、絶縁箇所とバンプ接続箇所とが等しい面位置になるように高さ位置を合わせる事で、バンプ接続工程での安定化を図っている。このように、感度向上のためではあるものの前述のような水平位置をあわせた高さバランスのとれた状態でのバンプ接続処理が必要であって、製造上の手間や製作精度とコストとのバランスがよくなかった。また、上述の特許文献1のように、LOC技術を用いて一次導体端縁部の真下近傍に磁場変換素子を配置することにより感度向上を図るようにした場合においては、通常のICパッケージング加工だけでなく、絶縁層の形成過程が必須である。このように、いずれの方法においても、感度向上を図ることはできるものの、製造の簡便さという観点では十分ではなく、簡易な方法で感度向上を図ることの可能な方法が望まれていた。本発明は、上記従来の未解決の問題に着目してなされたものであり、製造上の手間コストの削減を図るとともに、感度向上を図ることの可能な電流センサおよび電流センサの製造方法を提供することを目的としている。本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、有限形状、有限寸法を持つ一次導体近傍の磁場分布が一次導体と同程度レベルの寸法領域付近では、それほど数値的にも著しい変化をしないことに着目してなされたものである。一次導体と磁場変換素子とが同一平面内、または、一次導体の厚み程度の段差範囲での略同一平面内の位置関係の下で、一次導体で磁場変換素子を含むICチップを取り囲むように配置し、且つ、一次導体のコーナー部周辺に磁場変換素子を一つ以上配置し、且つ、このような位置関係で磁場変換素子が配置される一次導体のコーナー部を一カ所以上配置することで、十分な磁気感度を得られることを見出した。すなわち、本発明の請求項1にかかる電流センサは、測定電流が流れる一次導体と、前記測定電流から誘導される磁束を検出する磁場変換素子を有し且つ平面視方形のICチップと、前記ICチップが載置されるアイランド部、リード端子および前記一次導体が一体に形成されたリードフレームと、を備える電流センサであって、前記一次導体は、前記アイランド部からは電気的に絶縁されるとともに、平面視において、前記ICチップの一つの角とその左右の二辺とにその外側から沿った形状であるコーナー部を少なくとも一つ有し、前記磁場変換素子は、前記ICチップにおける前記コーナー部の内側に位置する角部に配置されていることを特徴とする。請求項2にかかる電流センサは、前記磁場変換素子を複数備えることを特徴とする。請求項3にかかる電流センサは、前記複数の磁場変換素子は、前記ICチップの前記角部に仮想的に描かれる面取り曲線上に沿って配置されることを特徴とする。請求項4にかかる電流センサは、前記仮想的に描かれる前記面取り曲線は、前記測定電流により前記一次導体に誘導される磁束が形成する等磁束密度線に沿った曲線であることを特徴とする。請求項5にかかる電流センサは、前記アイランド部は、前記一次導体よりも垂直方向位置が低くなるようにダウンプレス処理がなされていることを特徴とする。請求項6にかかる電流センサは、前記磁場変換素子はシリコンホール素子であることを特徴とする。請求項7にかかる電流センサの製造方法は、測定電流が流れる一次導体と、前記測定電流から誘導される磁束を検出する磁場変換素子を有し且つ平面視方形のICチップと、を備えた電流センサの製造方法であって、前記ICチップと同等形状のアイランド本体を有するアイランド部と当該アイランド部と電気的に分離された一次導体とリード端子とが形成され、且つ前記一次導体は、平面視において前記アイランド本体の一つの角とその左右の二辺とにその外側から沿った形状であるコーナー部を少なくとも一つ有してなるリードフレームの前記アイランド本体に、前記ICチップを載置する工程と、前記アイランド本体に載置された前記ICチップと前記リード端子とを電気的に接続する工程と、前記アイランド部および前記ICチップと前記一次導体と前記リード端子とを一体にモールド成形してパッケージ化する工程と、を備えることを特徴とする。請求項8にかかる電流センサの製造方法は、前記磁場変換素子を複数備えることを特徴とする。請求項9にかかる電流センサの製造方法は、前記複数の磁場変換素子は、前記ICチップの前記角部に仮想的に描かれる面取り曲線上に沿って配置されることを特徴とする。請求項10にかかる電流センサの製造方法は、前記仮想的に描かれる前記面取り曲線は、前記測定電流により前記一次導体に誘導される磁束が形成する等磁束密度線に沿った曲線であることを特徴とする。本発明によれば、測定電流から誘導される磁束を検出する磁場変換素子を有し且つ平面視方形のICチップが載置されるアイランド部と、リード端子と、一次導体とを、一つのリードフレームから形成し、さらに一次導体を、アイランド部からは電気的に分離されるとともに、平面視において、ICチップの一つの角とその左右の二辺とにその外側から沿った形状であるコーナー部を少なくとも一つ有するように形成し、磁場変換素子を、ICチップにおける前記コーナー部の内側に位置する角部に配置したため、フリップチップ技術やバンプ接続などを必要とすることなく、通常のパッケージング技術を用いて電流センサを作製することができると共に磁気感度も確保することができる。したがって、製造上の手間やコスト削減を図ることができるとともに、感度向上を図ることができる。以下、本発明の一実施形態を説明する。なお、スリットやディンプルなどは、図示を省略している。図1は、本発明の電流センサに適用されるリードフレームの一例を示したものである。複数の電流センサを形成するようにしたリードフレーム1の一部を示す一例であり、1つの電流センサについて後述のICチップを搭載していない状態を示したものである。また、図2は、図1のリードフレーム1上にICチップを搭載して電流センサ10を形成した状態を示す。図1および図2に示すように、本願発明における電流センサ10は、磁場変換素子を含み且つ平面視方形のICチップ11と、当該ICチップ11を載置するアイランド部12と、測定電流が流れる一次導体13と、ICチップ11の各端子がPAD44aや44bを経て接続され、外部からの信号を入出力するためのセンサリード端子14とから構成され、これらが一体にモールド成形されてパッケージ5内に収納されている。このパッケージ5は、SOPSmallOutlinePackageやSSOPShrinkSOPなどの小型ICパッケージで形成される。図1に示すように、アイランド部12と一次導体13とセンサリード端子14とは、同一のリードフレーム1から形成され、アイランド部12を一次導体13とセンサリード端子14とで取り囲むように配置される。図1および図2に示すように、アイランド部12は略アルファベットのT字形状を有し、ICチップ11と略同一の平面視方形のアイランド本体21と端子部22とから構成され、端子部22はアイランド本体21の一辺に一端が垂直に接続され、端子部22の他端は2つに分かれてリード端子を形成している。一次導体13は、略カタカナのコの字状のコの字部31と端子部32および33とから形成され、端子部32および端子部33は左右対称の形状を有し且つアイランド部12を挟んで左右対称の位置に配置される。前記コの字部31は、前記平面視方形のアイランド本体21の、前記端子部22が接合された辺を除く3辺に沿うように略カタカナのコの字状に形成され、且つ前記アイランド本体21とコの字部31の略直線状の3つの部分との間は一定の空隙距離m1をもって形成される。端子部32は略長方形に形成され、長辺の一方が前記コの字部31の一端と接合される。このとき、端子部32は、長辺の一方が前記コの字部31と接続されるが、前記長辺の端部よりもやや内側の位置で接合される。さらに、端子部32は、当該端子部32の長辺の一部が、前記アイランド本体21の前記端子部22と接合された辺の一部に沿うように且つ前記一定の空隙距離m1をもって配置され、さらに、前記端子部22の長辺と端子部32の短辺との間に、一定の空隙距離m2をもって配置される。端子部32のコの字部31と接続される側とは逆側の長辺にリード端子形成用のリード端子形成用孔34が長手方向に沿って複数形成されている。そして、リード端子形成用孔34の部分までモールド成形されてパッケージ5が形成され、パッケージ5外のリード端子形成用孔34部分が端子部32のリード端子を形成している。端子部33は、前述のように端子部32と左右対称の形状を有し、左右対称の位置に配置される。その結果、一次導体13は、図2に示すように、アイランド部12のアイランド本体21の3辺をコの字部31で囲み、且つ、残りの一辺を、端子部32と33とで取り囲むように配置される。さらに、このとき、コの字部31とアイランド本体21との間、および端子部32および33とアイランド本体21との間は一定の空隙距離m1をもって配置され、且つ、端子部22と端子部32および33との間は一定の空隙距離m2をもって配置されるため、アイランド部12と一次導体13とは物理的且つ電気的に分離されている。なお、前記アイランド部12と一次導体13との間には、前記モールド成形によりモールド樹脂が入り込んでもよい。センサリード端子14は、コの字部31を取り囲むように複数配置される。例えば、図2では、センサリード端子14の一端は、コの字部31を取り囲むように配置され、センサリード端子14の他端は、パッケージ5の、端子部32、33のリード端子が形成された側とは逆側の長辺の長手方向に沿って配置され、且つパッケージ5からはみ出すように形成されている。そして、アイランド部12のアイランド本体21にICチップ11を載置した状態で、支持部5a、センサリード端子14、端子部22、32、33の端部を多少残してモールド成形することによって、パッケージ5の長辺の一方に、センサリード端子14が複数形成され、他方に一次導体13用のリード端子およびアイランド部12用のリード端子が形成されることになる。なお、アイランド部12用のリード端子は、パッケージ5内に収納され、パッケージ5内部で接続が行われることもある。また、ICチップ11と一次導体13のコの字部31との位置関係は、図3aに示すように、コの字部31に対して、ICチップ11は、アイランド本体21の厚み相当だけ上方に位置し、且つ、コの字部31の略カタカナのコの字を形成する略直線状の対向する2辺間の中央に、それぞれ一定の空隙距離m1をもって配置されることになる。なお、図3aおよび後述のbは、図2のA-A′断面を模式的に示したものである。図3aでは、ICチップ11と一次導体13のコの字部31とが同一平面に位置するように配置した場合について説明したがこれに限るものではなく、図3bに示すように、磁気感度としては向上する方向に働くダウンプレス処理がアイランド本体21に対してなされていてもよい。このとき、ICチップ11に含まれる磁場変換素子の垂直方向位置が一次導体13のコの字部31の厚み方向中央にあたる導体中心の垂直方向位置と同等となるようにダウンプレスすれば、一次導体13に誘導された誘導磁束をより効率よく検出することができる。図3bは、ICチップ11の上表面付近に磁場変換素子がある場合に、最大磁束密度強度を得るべく、コの字部31の厚み方向の中心に磁場変換素子が位置するように、磁場変換素子の高さ位置を揃えた状態を示す。前記ICチップ11は、例えば、図4に示すように、磁場変換素子41a、41bと、加算器42a、42bと、信号処理器43と、PAD44a、44bと、を備えて構成される。磁場変換素子41a、41bは例えばシリコンホール素子などの磁場検出可能な同一のセンサで形成され、磁場変換素子41a、41bは、例えばそれぞれ3つずつ設けられている。加算器42aは磁場変換素子41a用の加算器であって、3つの磁場変換素子41aの検出信号を加算し、加算結果を信号処理器43に出力する。加算器42bは磁場変換素子41b用の加算器であって、3つの磁場変換素子41bの検出信号を加算し、加算結果を信号処理器43に出力する。信号処理器43は、加算器42aおよび42bからの加算結果を合計し、これを増幅する。また、その他必要な所定の信号処理を行なう。PAD44a、44bは、例えばそれぞれ3つずつ設けられている。なお、PAD44a、44bは、図示しない内部配線で信号処理器43と接続されている。図2に示すように、平面視方形のICチップ11の一方の長辺を挟む角部を11a、11bとしたとき、ICチップ11は、角部11a、11bが、略カタカナのコの字状のコの字部31の2つのコーナー部31a、31bと対向するように、アイランド本体21に載置される。そして、図2に示すように、磁場変換素子41a、41bは、ICチップ11の角部11a、11bに設けられる。具体的には、磁場変換素子41a、41bは、角部11a、11b部分に仮想的に描かれる面取り曲線上に沿って配置される。つまり、前述のように、ICチップ11は、角部11a、11bが、コの字部31のコーナー部31a、31bと対向するようにアイランド本体21に載置されるため、磁場変換素子41a、41bは、コの字部31のコーナー部31a、31bと対向するように、面取り曲線上に沿って配置される。なお、図2では、例えば、角部11a、11bの全面にわたって、磁場変換素子41a、41bを面取り曲線上に沿って配置している必ずしも、角部11a、11bの全面にわたって磁場変換素子41a、41bを設ける必要はなく、面取り曲線上に配置されていれば、局所的に配置されていてもよい。。また、図2では、例えばPAD44a、44bは、ICチップ11の各短辺に沿って配置され、それぞれ磁場変換素子41a、41bから離れた端子部32、33寄りの位置に配置されている必ずしも、端子部32、33寄りの位置に配置されていなくてもよい。。また、図2では、例えば、前記信号処理器43は、ICチップ11の長辺に沿って左右方向には中央部寄りに、短辺に沿って上下方向には中央よりもやや下側のPAD44a、44bに近い位置付近に配置されている必ずしも、この位置に配置されていなくても良い。。また、図2では、例えば、加算器42aは各磁場変換素子41aと信号処理器43との間の信号処理器43に近い箇所に配置され、加算器42bは各磁場変換素子41bと信号処理器43との間の信号処理器43に近い箇所に配置されている必ずしも、この位置に配置されていなくても良い。。以上の構成とすることによって、一次導体13に流れる測定電流に応じて、コーナー部31a、31bに生じる誘導磁束が、ICチップ11を構成する磁場変換素子41a、41bにより検出される。そして、これら磁場変換素子41a、41bで検出された誘導磁束に応じた信号が加算器42a、42bで加算され、信号処理器43で増幅等の必要な信号処理がなされて、測定電流に応じた大きさのセンサ出力として、図示しない内部配線を介してPAD44a、44bに伝達され、そこからボンディングワイヤ45、センサリード端子14を介して外部に出力されるようになっている。次に、上記電流センサ10の製造方法を、図5を伴って説明する。なお、図5は、リードフレーム1の一部分を取り出して一個の電流センサに対応する箇所を記載したものである。まず、図5aに示すように、電流センサ10に対応する領域に、アイランド部12と一次導体13とセンサリード端子14と、支持部5aとを同一の板材から打ち出してリードフレーム1を形成する。次に、図5bに示すように、アイランド部12にICチップ11を載置する。更に、図5cに示すように、ICチップ11のPAD44a、44bと、センサリード端子14と、をボンディングワイヤ45で接続する。最後に、ICチップ11、アイランド部12、一次導体13およびセンサリード端子14を一体にモールド成形してパッケージ5を成形する。これにより、電流センサ10が形成される。そして、リードフレーム1に形成された電流センサ10を、リードフレーム1から切断して、リード端子を成形することによって、図5dに示すように、SOP、SSOPなどの小型ICパッケージにパッケージ化された電流センサを得ることができる。ここで、上述のように、図2に示される一次導体13は、リードフレーム平面内でICチップ11に沿ってこれを囲むように配置されている。そのため、一次導体13はコーナー部31a、31bを有し、ICチップ11において磁場変換素子41a、41bは、コーナー部31a、31bと対向し且つ仮想的に描かれるICチップ11の角部11a、11bに対する面取り曲線上に配置されている。ここで、図2に示すように、例えば、一次導体13のコーナー部31a、31bがアルファベットのL字状に折れ曲がっている場合、コーナー部31a、31b周辺の等磁束密度線は、後述の図8に示すように円弧状に分布する。したがって、ICチップ11において、円弧状の等磁束密度線に沿って、図2に示すように、例えば、磁場変換素子41を複数個配置した構成とし、複数の磁場変換素子41の検出信号の出力を加算器42にて合計し、合計した結果をセンサ出力とすることによって感度向上を図ることができる。また、図5に示すように、電流センサ10の製造工程においては、アイランド部12のアイランド本体21にICチップ11を載置し、ICチップ11のPAD44a、44bとセンサリード端子14とをボンディングワイヤ45で接続してモールド成形するだけでよい。つまり、ICチップ11をフリップチップボンディグ処理や、バンプ接続する必要はなく、また絶縁膜などを設ける必要もない。また、所望の磁場感度すなわち、電流感度を得るために、磁場変換素子41を必要に応じて複数個設けるだけで実現できる。このため、製造上の手間やコスト削減を図りつつ、電流センサ10の感度向上を図ることができる。上述のように、図2を用いて、磁場変換素子41を角部11a、11bに、面取り曲線に沿って1列に配置する場合について説明した。複数の磁場変換素子41を等磁束密度線に沿って配置することは、信号レベルが同レベル、ノイズレベルが同程度、さらにSN比が同レベルとなる、磁場変換素子出力を複数加算した信号をセンサ出力として得ることになるため、総合した感度もSN比の劣化が無く少なく、且つ、高い磁気感度を得る事ができ効果的である。なお、磁場変換素子41を等磁束密度線に沿って1列に並べる場合以外にも、等磁束密度線を斜めに横切るように複数の磁場変換素子を並べることも可能でありまた、等磁束密度線を垂直に横切るように並べることも可能である。また、磁場変換素子を1列に並べる場合に限らず数列平行に並べたり、面状に並べたりすることも可能である。また、複数の磁場変換素子41を密集させて配置してもよく、また、疎に配置することも可能である。さらに磁場変換素子41を、仮想的な面取り曲線或いは等磁束密度線上に、局所的に配置しても良く、また、全面にわたって配置することも可能である。等磁束密度線上にホール素子を複数並べたとき、ある片端側のホール素子では磁束密度が増加し、それとは反対の端側のホール素子では磁束密度が低下する場合には、複数の磁場変換素子出力を加算して得たセンサ出力は、トータルでは変動が相殺される方向に働くので、製造上の組み立てバラつきによる感度変化にも一層強くなる方向に働く。なお、上記実施の形態においては、図2および図4に示すように、複数の磁場変換素子41を含んでICチップ11を構成した場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、図6aに示すように、一個の磁場変換素子41を、ICチップ11の左右何れか一方の角部11aまたは11bのみに設けることも可能であり、この場合には、信号加算器42を通す必然性はなく、磁場変換素子41の検出信号をそのまま信号処理器43に出力することも可能である。また、ICチップ11の左右の角部11a、11bに1つずつ磁場変換素子41を設けることも可能である。さらに、図6bに示すように、複数の磁場変換素子41を、ICチップ11の左右の角部11a、11bそれぞれに設け、1つの加算器42により複数の磁場変換素子41の検出信号を加算し、加算結果を信号処理器43で増幅及びそのほかの信号処理をするように構成することも可能である。さらに、加算器42を信号処理器43に含めることも可能であり、これらも本願の発明の範囲内である。また、図1、2、5に示したように、上記実施の形態においては、一次導体13を、略カタカナのコの字形状のコの字部31を備える構成とした場合について説明したがこれに限るものではない。例えば、一次導体13を、ICチップ11の角部11aと11bとのうちの何れか一方のみに沿うように、アルファベットのL字状に形成することも可能である。この場合には、この1つのコーナー部の仮想的な面取り曲線上、または等磁束密度線上に、磁場変換素子41が配置されるように、ICチップ11における、角部11aまたは11bに対する磁場変換素子41の位置をレイアウトし、且つ、ICチップ11と一次導体13との位置関係を決定すればよい。これまでの説明では、一次導体13が、平面視において、ICチップ11と同等形状のアイランド本体21の一つの角とその左右の二辺とにその外側から沿った形状であるコーナー部を少なくとも一つ有してなる場合について説明した。上述のように、一次導体13のコーナー部において等磁束密度線が形成されるため、要は一次導体13が等磁束密度線を形成するコーナー部を1つ以上備えていればよい。そして、このコーナー部と対向して磁場変換素子41が位置するように、一次導体13とICチップ11との位置関係、およびICチップ11における磁場変換素子41の位置を決定すればよい。また、一次導体13のコーナー部31aおよび31bの角度は、必ずしも略90°である必要はなく、等磁束密度線が形成され、且つ所望の磁気感度すなわち電流感度を得ることのできる数の磁場変換素子41をこのコーナー部に配置することができれば、どのような角度であってもよい。また、一次導体13の形状も、L次形状やコの字形状といった、特定形状に限定されるものではない。以上から分かるように、本願の構成による電流センサは、感度バラツキ抑制効果を図りながら、一層の感度向上とSN比の改善を図ることができる。なお、図2では、パッケージ5の長辺とICチップ11の長辺とが或いは、パッケージ5の短辺とICチップ11の短辺とが対応するように、パッケージ5内にICチップ11を配置しており、パッケージ5内のICチップ11が占める面積占有率が比較的高い構成になっている。この配置に限定するものではなく、一層の感度向上を図るために、パッケージ5の長辺とICチップ11の短辺とが或いは、パッケージ5の短辺とICチップ11の長辺とが対応するように、配置してもよい。つまり、図2において、ICチップ11が90度回転して配置した構成としてもよい。このようにすることによって、ICチップ11に沿うように配置される一次導体13のコの字部31の幅をより狭くすることができるため、その分磁束密度の向上を図ることができ、すなわち、感度向上を図ることができる。また、磁場変換素子41を、サイズ30μm角、配線込みで40μm角程度の領域が占められるホール素子と仮定し、ICチップ11のチップサイズを2.7×1.4mmと仮定する。図2に示すように角部11a、11b周辺を避けるようにICチップ11にPAD44を配置し、角部11a、11bを形成するICチップ11の2辺からそれぞれ内側に200μmの位置を通るように角部11a、11bに円弧状に磁場変換素子41a、41bを配置し、かつ角部11a、11bの角度90度の範囲全面に配置したと仮定する。この場合、角部11a、11bのそれぞれには、物理的に、1列に配置する場合で14~15個前後相当の磁場変換素子41a、41bを配置するスペースがあり、数位置に関する自由度が高い。また、図2に示す電流センサ10において、磁場変換素子41は、次のような範囲式を満足する位置に配置することができる。範囲式:一次導体アスペクト比A/D:4≧A/D≧0垂直離間距離Emm:1≧E≧-1水平離間距離Cmm:2≧C≧A/2なお、式中のA、C、D、Eは、磁場変換素子41の素子配置位置および後述の観測点の位置を特定するためのパラメータである。前記パラメータの位置基準となる座標原点Pは以下のように設定される。すなわち、図1に示すように、コの字部31を形成する3辺のうち、向かい合う部分を対向部31αおよび31β、これら対向部31αと対向部31βとに挟まれる部分を中間部31γとする。そして、中間部31γの幅方向中心位置である導体幅中心と対向部31βの導体幅中心との交点を通り且つコーナー部31bの厚み方向に沿った直線上の、コーナー部31bの厚み方向中心となる位置を、前記パラメータの位置基準となる座標原点Pとする。中間部31γの導体幅中心に沿った方向をX軸方向、対向部31βの導体幅中心に沿った方向をY軸方向、コの字部31の厚み方向をZ軸方向とする。このように設定したXYZ座標系において、図7aに示す図2のA-A′断面の概略図に示すように、座標原点Pから、前記磁場変換素子41または観測点までのX軸方向の離間距離を水平離間距離Cmmとする。座標原点Pから、前記磁場変換素子41または観測点までのZ軸方向の離間距離を垂直離間距離Emmとする。コの字部31の導体幅をAmm、コの字部31の厚みをDmmとする。ここで、後述の実施例1、実施例2では、共に、コの字部31のICチップ側端縁とICチップ11の一次導体側端縁間の空隙距離m1を0100mmとし、ICチップ11の角部11a、11bを形成する2つの辺からICチップ11内側に、0.3mmずつ入った箇所に等磁束密度線上の感磁面中心の一つがある場合を想定している。つまり、一次導体13から0.4mmずつ内側に入った箇所に前記感磁面中心がある場合を想定している。一方、前記空隙距離m1を0200mmとし、ICチップ11の角部11a、11bを形成する2つの辺からICチップ内側に、02mmずつ入った箇所に等磁束密度線上の感磁面中心の一つがある場合も、一次導体13から0.4mmずつ内側に入った箇所に前記感磁面中心が存在することになる。したがって、空隙距離m1に応じて感磁面中心の位置を決定する必要がある。また、図7aに示す観測点2後述の実施例2の観測点2は、例えば以下のような範囲式として表す事ができる。範囲式:コの字部31の導体幅Amm:0.780≧A≧0.390導体厚みDmm:D=0.230一次導体13のアスペクト比A/D:0.780/0.230=3.4≧A/D≧0.390/0.230=1.6垂直離間距離E=D/2E′mm:0.230/20.300=0.42≧E≧-0.42E′は、座標原点Pとコの字部31の上表面との垂直方向の離間距離水平離間距離C=C′m1A/2mm:0.30.10.780/2=0.79≧C≧A/2=0.390/2=0.19また、図7aに示す観測点3後述の実施例2の観測点3は、例えば以下のような範囲式として表す事ができる。範囲式:コの字部31の導体幅Amm:0.780≧A≧0.390導体厚みDmm:D=0.230一次導体アスペクト比A/D:0.780/0.230=3.4≧A/D≧0.390/0.230=1.6垂直離間距離E=D/2E′mm:0.230/20.300=0.42≧E≧-0.42水平離間距離C=C′m1A/2mm:約0.850.30.10.780/2=1.6≧C≧A/2=0.390/2=0.19なお、後述の実施例2の図9a、b、図10a、bは上記範囲を満足するものである。したがって、前記図2に示す電流センサ10における、磁場変換素子41の配置位置は、前記範囲式を満足する位置に設定することができる。ただし、これに限定するものではない。以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。静磁場解析の解析精度に関しては、別途、電流センサの一次導体に電流を流した時の測定と、磁場変換素子としてのホール素子の感磁面に垂直に入るように電流センサに平行磁場を印加した時の測定とを行い、これらの測定結果から、電流感度と磁気感度との関係を求めた。その結果、ラフな3Dモデリングによる静磁場解析から得られた誘導磁束密度の値は、測定から求めた1Aあたりの磁束密度と約10以上の差異があったが、サンプル形状の寸法が異なってもその差異は同程度であった。数値シミュレーションによる電流による誘導磁束密度の算出には相応の確からしさが得られていることが確認された。実施例1リードフレーム1の厚みを0230mmとする。図2に示したように、一次導体13は、平面視で一次導体13のコーナー部31a、31bが左右にある、略カタカナのコの字形状とする。一次導体13のコの字部31とアイランド本体21とが空隙距離m1=01mmを挟んで配置されている。つまり、一次導体13のコの字部31のICチップ側端縁とICチップの一次導体13の側端縁間の空隙距離m1を0.100mmとする。アイランド本体21上に載置するICチップ11の形状を、横幅約2.3×縦幅約14×厚み020mm角の平面視方形とする。一次導体13のコの字部31の電流経路となる導体幅Aは0390mmであり、また、一次導体13の厚みDはリードフレームと同じ0.230mmである。図7aに示すように、ICチップ11を構成する磁場変換素子41としてのホール素子の配置を想定して、ホール素子の感磁面中心を磁束密度の観測点とし、観測点における磁束密度を、積分要素法に基づく磁場シミュレーションにて求めた。図7aでは、磁場変換素子の配置の一例として観測点2なる位置に重ねて描いている図中では、一例としてICチップ11の上表面に観測点2を描いている。ICチップ11の端縁からICチップ11の内側に向かって、ICチップ11の角部を形成する二辺両方から内側に入った距離C′=03mmなる箇所を等磁束密度線上にある感磁面中心の一つとする。すなわち、ICチップ11の端縁からチップ内側に入った磁束密度観測点ホール素子の感磁面中心までの距離C′を0300mmとする。本例では、観測点2がそこに位置する。観測点1は、X軸方向には座標原点Pを通る線上に位置しているC=0。また観測点1は、Z軸方向には座標原点Pから一次導体厚みDの半分を介して、一次導体13の上表面からさらに上方に離間距離E′=0070mmなる距離だけ離れた位置にあるE=D/2E′=0.230/20.070。観測点2は、座標原点Pを通るX軸方向位置にある観測点1からみて、X軸方向に、導体幅Aの半分0390/2m1=0.100ICチップ11の端縁から内側にC′=0.3mmだけ入った位置にある。Z軸方向には座標原点P一次導体13の厚み中心から、一次導体厚みDの半分を介して、一次導体13の上表面からさらに上方に離間距離E′=0070mmなる距離だけ離れた位置にある。観測点2のX軸方向の位置、すなわち、座標原点Pからの水平離間距離Cmmは、以下で表される。C=C′m1A/2=0.3000.1000.390/2=0.595観測点2のZ軸方向の位置、すなわち座標原点Pからの垂直離間距離Emmは、以下で表される。E=E′D/2=0.0700230/2=0185観測点3は、観測点1および観測点2を結ぶ線の延長上にあり、かつ本例におけるICチップ11の長辺の1/2の位置に対応するX軸方向の位置図7aにおける一次導体13のX軸方向の中心に位置する。そして、観測点3は座標原点Pを通るZ軸方向の位置にある観測点1からみて、X軸方向に、導体幅Aの半分0390/2m1=0.100ICチップ11の長辺幅横幅の半分約2.3/2=約1.4mmだけ離れ、かつ、Z軸方向には、座標原点Pから一次導体厚みDの半分を介して、一次導体13の上表面からさらに上方に離間距離E′=0070mmなる距離だけ離れた位置を表す。観測点3のX軸方向の位置座標原点Pからの水平離間距離Cmmは、以下で表される。C=C′m1A/2=約2.3/2mm0.1000.390/2=約1.4mm観測点3のZ軸方向の位置座標原点Pからの垂直離間距離Emmは、以下で表される。E=E′D/2=0.0700230/2=0185このように観測点を設定した電流センサ10について、積分要素法にて、一次導体13に1Aを通電して静磁場解析を行い、ICチップ11の角部11a、11bの周辺や、一次導体13のコーナー部31a、31bの周辺を含むようにして磁束密度をプロットしたのが図7bである。図7bは、図7aにおいて、X軸―Z軸平面において005mm間隔で、3軸合力の磁束密度の強さと磁束の向きをベクトルの長さと向きで表した概略図である。図7aに示す一次導体13の断面において、右側のコの字部31Rから電流が入り、他方の左側のコの字部31から出て行く図2において端子部33から計測電流が入り、端子部32から出て行く構成とした。図7bにおいて、一次導体13のコーナー部31a、31bに挟まれたX軸方向の空間領域と、その周辺のZ軸方向及び-Z軸方向の空間領域例えば、観測点2、観測点3では、磁束の向きはほぼZ軸方向に沿っていることがわかる。図8は、図7aにおいてX軸―Y軸平面において005mm間隔で、Z軸方向の磁束密度強度を、0.0001T間隔の等高線で表した一例を示す。図8中の観測点1、観測点2、観測点3は、図7aで設定した観測点1~3と同一の観測点であって、観測点1、観測点2および観測点3を通る線分はX軸と平行となる。また、図8中の観測点4、観測点2、観測点5を通る線分はY軸と平行となる。すなわち前記観測点4のX軸方向位置は、観測点2のX軸方向位置と同一である。また、観測点4のY軸方向位置は図8に示すように、導体幅方向の中心位置であって、Z軸方向は、離間距離E′=0.070mmとなる位置である。観測点5は観測点4と観測点2とを結ぶ線分の-Y軸方向の延長上にあり、X軸方向位置は、座標原点Pから、{導体幅Aの半分0.390/2}{m1=0.100mm}{ICチップ11の短辺長縦幅の半分14/2mm}=0.995mmである。また、Z軸方向位置は離間距離E′=0.070mmとなる位置である。観測点2は、ICチップ11の1つの角部11bを形成する二辺端縁の両方からC=03mmずつ内側に入った感磁面中心の一点である。本実施例では、観測点2での誘導磁束密度は、通電電流1Aに対して、約05mT前後であった。観測点2を含む05~0.6mTの範囲なる等磁束密度線が、角部11bに対して円弧上に分布しているのが分かる。観測点2付近においては、X軸―Y軸平面において、約0.15~約0.2mm間隔幅で、Z軸方向の磁束密度が0.1mT間隔で変化している。磁場変換素子41を複数個配置することで感度は向上し、特に、磁場変換素子41bを等磁束密度線上に配置することで、同一の信号レベルと同一のノイズレベルとを持つ均一なSN比である磁場変換素子出力を加算する事ができる。よって、磁気感度、すなわち電流感度を最も効率的に向上させることができる。つまり、等磁束密度線上に2個配置すれば、約05mT前後の磁束密度から得られる時の感度の2倍となり、4個設ければ、感度も4倍となる。角部11bに加えて、さらに、角部11aでも磁場変換素子41aを同様に配することで、更に、2倍の感度を得ることができる。以上の構成は、例えば、サイズ82×53×21mmなるIC用SSOP24ピンパッケージに格納できる。アイランド本体21上に載置するICチップ11のサイズが少し広がった、横幅約2.7×縦幅約14×厚み020mm角の平面視方形のものでも、十分にパッケージに収めることができる。一次導体13の抵抗値は、一例として、約19mΩ程度である。本願による電流センサ10は、製造上の簡素化による効果を上げながら、安価で実用的な電流センサとして供され得る事を示している。比較例1比較例として背景技術で説明したように、感度向上を図るために、ICチップを裏返してFlipChipボンディングを行い、一次導体に近接するようにチップを取り付けた構成なる電流センサを想定した。その構成は、特許文献3国際公開第2006/130393の図12にあるように、電流316が全て、U字状の電流導体部304aを通過するパターンに相当する。U字状一次導体の磁場中心位置に当たる、U字形状の中心付近真下にホール効果素子308を配置したとして、感磁面中心での磁束密度を積分要素法による静磁場解析にて求めた。磁場解析に際して、一次導体形状は三角形状に裾野が広がっているのではなく素直な長方形状とした。磁場解析条件は以下の通りとした。リードフレーム1の厚みは0230mmとした。一次導体は、上記特許文献3の図12の導体304a、302に相当する電流往復路が単純な長方形状で、曲がっている箇所はアルファベットの綺麗なU字形状であり、そのU字部の内半径を0135mm、導体幅を043mmとし、一次導体に測定電流1Aを流した。磁場変換素子を含むICチップの形状を横幅約2.3×縦幅約14×厚み0070mm角の平面視方形とし、ICチップ表面付近にある磁場変換素子を、厚み007mmなる絶縁膜を介して、一次導体のU字形状の中心点付近直上に配置した。感磁面中心にあたる観測位置での磁束密度は、約1mT程度の値であった。比較例1における方式で、感度バラつきを配慮しながら最大感度を得るためにU字形状の磁束集中箇所にホール素子を一個配置し、且つ、U字形状を1箇所とした場合、測定電流1Aに対して、約1mT程度の誘導磁束密度なる磁場感度が得られ、それに対応した電流感度が得られる。実施例2基本構成は、実施例1と同じである。リードフレーム1の厚み、すなわち、図7aにおけるコの字部31の厚みDを0230mmとする。座標原点Pとコの字部31の上表面との垂直方向の離間距離E′を0.070mmとする。コの字部31の導体幅Aを0.390mm、空隙距離m1を0100mmとする。ICチップ11の端縁からICチップ内側に向かって、ICチップ11の角部を形成する2辺の端縁から内側に入った距離C′を03mmとし、そこに磁束密度観測点または磁場変換素子41としてのホール素子の感磁面中心の一つを置く。一次導体に測定電流1Aを通電した。ICチップ11は、横幅約2.3×縦幅約14×厚み020mmなる平面視方形とする。なお、XYZ座標系および座標原点Pは実施例1と同様に設定した。実施例1と異なり、本実施例2では、図7aの導体幅Aと離間距離E′をパラメータとして変化させ、水平離間距離Cと垂直離間距離Eとの組み合わせにより決定される位置にある観測点または磁場変換素子の感磁面の中心点を通るZ軸方向の磁束密度を静磁場シミュレーションで求めた。観測点1~観測点5では、垂直方向Z軸方向には離間距離E′の値だけ、よって、相応してトータルの垂直離間距離Eが、実施例1と異なっており、各観測点において離間距離E′を変化させた。すなわちコの字部31の導体厚みDは0.230で固定し、感磁面中心と一次導体上表面間の垂直方向の離間距離E′を0.070、0.200、0.300と変化させた。垂直離間距離Emmは、次式で表すことができる。E=E′D/2=E′0230/2観測点1~観測点5では、水平方向X軸方向またはY軸方向にはパラメータA導体幅の値だけ、よって、相応してトータルの水平方向の離間距離Cが、実施例1と異なっており、各観測点においてパラメータAを変化させた。ICチップ11の端縁からICチップ内側に向かって、ICチップ11の角部を形成する2辺の端縁から内側に入った距離Cは03mmのままとし、空隙距離m1も0.1mmのままとした。コの字部31の導体幅Aを0.390,0.510,0.780と変化させた。水平離間距離Cmmは、次式で表すことができる。C=C′m1A/2=0.3000.100A/2図9aは、X軸―Z軸平面において、観測点1、観測点2、観測点3に沿って、Z軸方向の磁束密度強度をプロットした磁場シミュレーション結果の一例である。図8の観測点1すなわち、図9aにおける表記上の横軸X軸の原点-観測点2-観測点3に沿ってすなわち、図7aのパラメータCをX軸方向に0.05mm間隔で移動させて、Z軸方向にすなわち、ホール素子感磁面中心点を垂直に貫く磁束密度を調べたものである。図7a、図7b、図8と同様に、XYZ座標系を設定し原点座標Pも同様に設定した。図9aでは、ICチップ11内側に向かう方向がマイナス符号となる。図9bは、Y軸―Z軸平面において、観測点4、観測点2、観測点5に沿って、Z軸方向の磁束密度強度をプロットした磁場シミュレーション結果の一例であるパラメータA、E′は図9aと同様に変化させた。。図8の観測点4すなわち、図9bにおける表記上の横軸Y軸の原点-観測点2-観測点5に沿って、Z軸方向にすなわち、ホール素子感磁面中心点を垂直に貫く磁束密度を調べたものである。図9からわかるように、コの字部31の導体幅Aを0390とし、離間距離E′をパラメータとして、0070、02000300と変化させたとしても、0.5mTからその値前後レベルの誘導磁束密度が得られることがわかる。次に、コの字部31の導体幅Aを0.390、0.510、0.780と変化させ、垂直方向の離間距離E′を0.070で固定して、静磁場解析を行なった。図10aは、X軸―Z軸平面において、観測点1、観測点2、観測点3に沿って、Z軸方向の磁束密度強度をプロットした磁場シミュレーション結果である。図10bは、Y軸―Z軸平面において、観測点4、観測点2、観測点5に沿って、Z軸方向の磁束密度強度をプロットした磁場シミュレーション結果であるなお、パラメータA、E′は図10aと同様に変化させた。。なお、図10bにおいても、図10aと同様にして、空間に誘導される磁束密度の水平方向観測範囲を、空間間隔005mmにて321回分、合計として、空間範囲005×32=16mmにわたって計算した。導体幅Aを変化させて計算しても磁束密度を観測する空間範囲は一定とした。そのため、導体幅A中心を原点として水平方向X軸やY軸方向にプロットする際に、導体幅Aが増加する分だけ、原点から同じ磁束密度観測点までの距離は増加する。図10bでは、導体幅Aを増加させる度に、プロットの範囲がX軸やY軸のマイナス側にずれていくのはこのためである。導体幅Aが0.390から2倍の0.780mmに広がっても、観測点1側、または、観測点4側の一次導体に近い領域から、観測点2を経て、観測点3ないし観測点5にかけて、数10レベル程度以下の感度低下であった。本例の検討範囲では、観測点2で0.5mT前後程度の誘導磁束密度を得られることが確認できた。したがって、図2の平面視した一次導体形状において、一次導体13のコーナー部31a、31b周辺以外の導体部分の幅を、局所的に2倍に広げても、磁気感度を1/10程度も低下させる事なく、一次導体13の電気抵抗を抑制し、また、放熱効果を促進させる事が可能である。図11は、一次導体13のコーナー部31a、31b周辺以外の導体部分の幅を、局所的に広げた電流センサの模式図の一例である。実施例3実施例1で用いた電流センサ10において、アイランド部12すなわちアイランド本体21を図3bに示すようにダウンプレスし、ICチップ11の上表面に設定した観測点2、3および5を、一次導体13のコの字部31の厚み中心と同じ垂直方向の高さに揃えた場合について、実施例1と同一条件で、観測点2、3および5での磁束密度を求めた。その結果、観測点2におけるZ軸方向の磁束密度は約0.61mTであった。観測点3におけるZ軸方向の磁束密度は約0.49mTであった。観測点5におけるZ軸方向の磁束密度は約0.49mTであった。アイランド部12をダウンプレスしない実施例1の場合の、観測点2でのZ軸方向の磁束密度は、前述のように約0.5mT前後であったのに対し、アイランド部12をダウンプレスした場合には、約0.61mTとなっており、観測点2の磁束密度の値の変化をみても分かるように、アイランド部12をダウンプレスしない実施例1と較べて、アイランド部12をダウンプレスした実施例3は磁束密度が向上しており、ダウンプレスが信号強度向上に役立つ事が分かる。"