"基板上にプリメタル誘電体PMD層および金属層を形成する方法であって、前記基板を化学気相堆積CVDプロセスチャンバの中に置くステップと、前記CVDプロセスチャンバの中で前記基板の上に第1の酸化物層を形成するステップであって、前記第1の酸化物層が約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力で熱CVDプロセスを使用して形成され、前記熱CVDプロセスがオゾンおよびTEOSを含む第1のプロセスガスを使用するステップと、前記CVDプロセスチャンバの中で前記第1の酸化物層の上に第2の酸化物層を形成するステップであって、前記第2の酸化物層が約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力でプラズマ化学気相堆積PECVDプロセスを使用して形成され、前記PECVDプロセスが酸素およびTEOSを含む第2のプロセスガスを使用し、前記基板が前記第1の酸化物層および前記第2の酸化物層の形成期間に前記CVDプロセスチャンバの中に留まるステップと、前記基板を前記CVDプロセスチャンバから取り出すステップと、バリア堆積チャンバの中で前記第2の酸化物層の上にバリア層を形成するステップと、金属堆積チャンバの中で前記バリア層の上に前記金属層を形成するステップとを含む方法。前記第1の酸化物層が約1000Å以上の厚さを有し、前記第2の酸化物層が約75Å以下の厚さを有する、請求項1に記載の方法。前記基板を前記CVDプロセスチャンバから取り出すステップ後、かつ前記バリア層を形成するステップ前に、前記基板をガス抜きチャンバの中に置くステップと、前記基板を約400°C以上の温度および約12トル以下の圧力でガス抜きプロセスに曝すステップと、前記基板を前記ガス抜きチャンバから取り出すステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。前記ガス抜きプロセスが1つまたは複数のサイクルのパージを含み、各サイクルのパージが約0.5トル以下の圧力で不活性ガスの流れを有さないステップと、約8トル以上の圧力で不活性ガスの流れを有するステップとを含む、請求項3に記載の方法。基板上にプリメタル誘電体PMD層を形成する方法であって、前記基板を化学気相堆積CVDプロセスチャンバの中に置くステップと、前記CVDプロセスチャンバの中で前記基板の上に第1の酸化物層を形成するステップであって、前記第1の酸化物層が約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力で熱CVDプロセスを使用して形成されるステップと、前記CVDプロセスチャンバの中で前記第1の酸化物層の上に第2の酸化物層を形成するステップであって、前記第2の酸化物層が約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力でプラズマ化学気相堆積PECVDプロセスを使用して形成され、前記基板が前記第1の酸化物層および前記第2の酸化物層の形成期間に前記CVDプロセスチャンバの中に留まるステップと、その後に、前記基板を前記CVDプロセスチャンバから取り出すステップと、前記基板をガス抜きチャンバの中でガス抜きプロセスに曝すステップであって、前記ガス抜きプロセスが約400°C以上の温度および約12トル以下の圧力であるステップとを含む方法。前記第1の酸化物層が約1000Å以上の厚さを有し、前記第2の酸化物層が約75Å以下の厚さを有する、請求項5に記載の方法。前記ガス抜きプロセスが1つまたは複数のサイクルのパージを含み、各サイクルのパージが約0.5トル以下の圧力で不活性ガスの流れを有さないステップと、約8トル以上の圧力で不活性ガスの流れを有するステップとを含む、請求項5に記載の方法。前記熱CVDプロセスがオゾンおよびTEOSを含む第1のプロセスガスを使用する、請求項5に記載の方法。前記PECVDプロセスが酸素およびTEOSを含む第2のプロセスガスを使用する、請求項5に記載の方法。基板上にプリメタル誘電体PMD層および金属層を形成する方法であって、前記基板を化学気相堆積CVDプロセスチャンバの中に置くステップと、前記CVDプロセスチャンバの中で前記基板の上に第1の酸化物層を形成するステップであって、前記第1の酸化物層が約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力で熱CVDプロセスを使用して形成されるステップと、前記CVDプロセスチャンバの中で前記第1の酸化物層の上に第2の酸化物層を形成するステップであって、前記第2の酸化物層が約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力でプラズマ化学気相堆積PECVDプロセスを使用して形成され、前記基板が前記第1の酸化物層および前記第2の酸化物層の形成期間に前記CVDプロセスチャンバの中に留まるステップと、その後に、前記基板を前記CVDプロセスチャンバから取り出すステップと、前記基板をガス抜きチャンバの中でガス抜きプロセスに曝すステップであって、前記ガス抜きプロセスが約400°C以上の温度および約12トル以下の圧力であるステップと、その後に、バリア堆積チャンバの中で第2の誘電体層の上にバリア層を形成するステップと、その後に、金属堆積チャンバの中で前記バリア層の上に前記金属層を形成するステップとを含む方法。前記第1の酸化物層が約1000Å以上の厚さを有し、前記第2の酸化物層が約75Å以下の厚さを有する、請求項10に記載の方法。前記ガス抜きプロセスが1つまたは複数のサイクルのパージを含み、各サイクルのパージが約0.5トル以下の圧力で不活性ガスの流れを有さないステップと、約8トル以上の圧力で不活性ガスの流れを有するステップとを含む、請求項10に記載の方法。前記熱CVDプロセスがオゾンおよびTEOSを含む第1のプロセスガスを使用する、請求項10に記載の方法。前記PECVDプロセスが酸素およびTEOSを含む第2のプロセスガスを使用する、請求項10に記載の方法。本発明は、含水量が少なく、かつ/または水分親和性の低いPMD層を形成するための方法を提供する。本明細書で使用する場合、PMD層は、IMD層など第1の金属堆積の後に形成される誘電体層を含む。本発明の一実施形態は、同一のチャンバの中で、熱CVD酸化物および被覆PECVD酸化物を形成することを含む。熱CVD酸化物は、堆積されたときは含水量が少ないが、水分に対する親和性は高い。同一のチャンバの中で両方の層を堆積することにより、熱CVD層の、堆積されたままの水分の少ない状態が、層をPECVD酸化物で密封することによって、維持される。PECVD酸化物は、本質的に、熱CVD酸化物の中に水分が拡散することを防止する。PECVD酸化物は、熱CVD酸化物よりも、水分に対してはるかに親和性が低く、PECVD酸化物の中に拡散する水分は、層をガス抜きプロセスに曝すことにより、減少することができる。ガス抜きプロセスは、上昇させた温度、減少させた圧力で不活性ガスに曝すことを含み得る。本発明の実施形態にしたがって形成される水分の少ない誘電体層によって、酸化を減少させ、バリア層および金属層の接着を改善することができる。これにより、デバイス性能を改善することができる。例示的なプロセスチャンバ図1A~図1Bは、熱CVDプロセスを使用して、バイアの側壁に沿って酸化物層を形成するために使用することができる、例示的なCVD装置の断面図である。図1Aは、チャンバ壁15aおよびチャンバリッドアセンブリ15bを含む、処理チャンバ15を有するCVDシステム10の断面図を示す。CVDシステム10は、プロセスチャンバの中心に置かれ加熱されるペデスタルまたは基板支持体12上に載せる基板図示せずに、プロセスガスを分散させるためのガス分配マニホルド11を含む。処理期間に、基板例えば、半導体ウエハは、ペデスタル12の表面12a上に配置される。ペデスタルを、下のローディング位置図1Aに描写すると上の処理位置図1Aに点線14で示し、図1Bにも示すの間で、制御可能に移動することができる。堆積ガスおよびキャリアガスは、ガス分配部材または面板に開けた孔を通して、チャンバ15の中に導入される。より具体的には、堆積プロセスガスは、吸入マニホルド11図1Bに矢印40により示すを通り、従来型の孔を開けた遮蔽板42を通り、ガス分配面板内の孔を通って、チャンバの中に流れる。マニホルドに到達する前に、堆積ガスおよびキャリアガスは、ガス源7からガス供給ライン8図1Bを通して混合システム9の中に投入され、混合システム9で堆積ガスおよびキャリアガスが組み合わされ、次いでマニホルド11に送られる。CVDシステム10内で実施される堆積プロセスは、プラズマ促進プロセスであって良い。プラズマ促進プロセスにおいては、プロセスガス混合物を励起して面板とペデスタルの間の円筒形の領域内でプラズマを形成するように、RF電源44がガス分配面板とペデスタルの間に電力を印加することができる。プラズマの構成成分が反応し、ペデスタル12上に支持された基板の表面に所望の膜を堆積する。CVDシステム10は、熱堆積プロセスにも使用することができる。熱プロセスにおいては、RF電源44は使用されず、プロセスガス混合物が熱的に反応し、ペデスタル12上に支持された基板の表面に所望の膜を堆積することになる。支持ペデスタル12は、抵抗加熱され、反応のための熱エネルギーを供給することができる。チャンバの中で、反応副産物を含む堆積されない反応ガスは、真空ポンプ図示せずによってチャンバから排気される。具体的には、ガスは、反応領域を取り囲む環状のスロット形状のオリフィス16を通って、環状の排気プレナム17の中に排出される。環状のスロット16およびプレナム17は、チャンバの円筒形の側壁15aの上部壁の上部誘電体ライニング19を含むと円形のチャンバリッド20の底部との間の間隙によって画定される。スロットオリフィス16およびプレナム17の360°の円対称性および均一性は、ウエハ上に均一な膜を堆積するように、プロセスガスがウエハ上に渡る均一な流れを達成するのに役立つ。排気プレナム17から、ガスは、排気プレナム17の横方向延長部21の下を通り、下向きに延在するガス通路23を通り、真空遮断バルブ24を通過し、外部真空ポンプ図示せずに前部ライン同様に図示せずを通って接続する排気口25の中に流れる。ペデスタル12好ましくは、アルミニウム、セラミック、またはこれらの組合せを、抵抗加熱することができる。ヒータ要素への配線は、ペデスタル12のステムを通過する。典型的には、チャンバライニング、ガス吸入マニホルド面板、および様々な他のリアクタのハードウェアのうちのいずれかまたは全てが、アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、またはセラミックなどの材料から作られる。ウエハがチャンバ15の側部内の開口26を通ってロボットブレードによりチャンバの本体の中へかつチャンバの本体から移送されるとき、リフト機構およびモータ32図1Aは、ヒータペデスタルアセンブリ12およびそのウエハリフトピン12bを上昇および下降させる。モータ、バルブ、流量コントローラ、ガス供給システム、スロットルバルブ、RF電源、チャンバ、基板加熱システム、および熱交換器は、全てシステムコントローラ34図1Bによって、制御線36を介して制御される。コントローラ34は、センサからのフィードバックに依拠して、コントローラ34の制御の下、適切なモータによって動作するスロットルバルブおよびサセプタなどの移動可能な機械的アセンブリの位置を決定する。いくつかの実施形態において、システムコントローラは、ハードディスクドライブメモリ38、フロッピー登録商標ディスクドライブ、およびプロセッサ37を含む。プロセッサは、シングルボードコンピュータSBC、アナログおよびデジタル入出力ボード、インターフェースボードおよびステッパモータコントローラボードを含むことができる。システムコントローラ34がCVD装置の作動の全てを制御することができる。システムコントローラ34は、メモリ38などコンピュータ可読媒体上にコンピュータプログラムとして記憶されたシステム制御ソフトウェアを実行する。メモリ38はハードディスクドライブまたは他の種類のメモリであって良い。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、RF電力レベル、サセプタ位置、および特定のプロセスの他のパラメータを定める命令のセットを含む。他のメモリデバイス上に記憶された他のコンピュータプログラムも、コントローラ34を操作するために使用することができる。図1A~図1Bで示される例示的なCVD装置を使用して、本発明のいくつかの実施形態にしたがう水分の少ない誘電体膜を形成するために使用することができる熱CVD層およびPECVD層を形成することができる。例として、熱CVD酸化物層は、シリコン前駆体例えば、シランSiH4、テトラエチルオルソシリケートTEOS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTSなど、酸素源例えば、O2、オゾンなど、および必要に応じて不活性ガス例えば、Ar、He、および/またはN2などを含むプロセスガスを使用して形成することができる。例示的な実施形態において、熱CVDプロセスは、約1.5gmから約3.5gmの流れのTEOSおよび約11000sccmから約16000sccmの流れのオゾンを含むプロセスガスを使用する、大気圧より低い圧力のCVDSACVDプロセスである。プロセスガスは、約25000sccmから約29000sccmの流れのN2も含むことができる。熱CVDプロセス期間の温度は、他の層への損傷を防止するため、約350°Cから450°Cの範囲であり得る。これらの条件を使用して形成された熱CVD層は、堆積されたときは含水量が低いが、水分を含む環境に曝されたとき急速に水分を吸収する。熱CVD層が水分を吸収するのを防止するために、被覆PECVD層を同一のチャンバの中で形成し、したがって熱CVD層が水分を含む環境に曝されるのを防止することができる。PECVD層は水分に対して親和性が低いため、被覆PECVD層を含まない熱CVD層と比較して、熱CVD層の含水量を減少させることができる。一実施形態にしたがう被覆PECVD層を、シリコン前駆体例えば、シランSiH4、テトラエチルオルソシリケートTEOS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTSなど、酸素源例えば、O2、オゾンなど、および必要に応じて不活性ガス例えば、Ar、He、および/またはN2などを含むプロセスガスを使用して形成することができる。例示的な実施形態において、PECVDプロセスは、約0.5gmから約1.5gmの流れのTEOSおよび約7000sccmから約9000sccmの流れのO2を含むプロセスガスを使用する。プロセスガスは、約7000sccmから約11000sccmの流れのHeも含んでもよい。PECVDプロセス期間の温度は、約350°Cから約450°Cの範囲であり得る。温度は、熱CVDプロセスで使用される温度とほぼ同じであり得る。実験結果および測定値図2は、本発明の一実施形態にしたがう、PECVD酸化物層を有して形成された熱CVD酸化物層およびPECVD酸化物層を有さず形成された熱CVD酸化物層の、応力対時間のグラフである。この例において、熱CVD層およびPECVD層は、400°Cの温度で堆積された。このグラフは、熱CVD誘電体層の応力が堆積後の約300MPaから約1400分後には約100MPaに減少することを示している。応力の減少は、水分の吸収の結果である。このグラフは、被覆PECVD誘電体層を有して形成された熱CVD誘電体層の応力が、同じ期間に比較的安定なままであることも示す。これはPECVD層が熱CVD層内への水分の拡散を阻止することを示唆している。図3は、本発明の一実施形態にしたがう、PECVD酸化物層を有して形成された熱CVD酸化物層およびPECVD酸化物層を有さず形成された熱CVD酸化物層のFTIR吸収対波長のグラフである。このグラフは、被覆PECVD層を含まない熱CVD層がより大きな水吸収ピークを有することを示している。さらに、水吸収ピークは堆積直後に分析された試料よりも、堆積後48時間で分析された試料の方が大きい。このグラフは、熱CVD酸化物層の上の50ÅのPECVD酸化物層を使用すると、水吸収ピークが抑制されることも示している。被覆PECVD層を使用すると、堆積後48時間で分析された試料と堆積直後に分析された試料の間に水吸収ピークの増加がない。このことは、PECVD層が熱CVD層内への水分の拡散を阻止するだけでなく、PECVD層が熱CVD層よりも水分に対して親和性が低いことを示す。一実施形態によれば、被覆PECVD層は、熱CVD層よりも薄くてよい。例えば、特定の適用例によっては熱CVD層は、10,000Å以上もの厚さにすることもできるが、被覆PECVD層を50Å以下ほどの厚さにすることもできる。熱CVD層は、高アスペクト比を有する構造の上に形成されるとき、PECVD層よりも、より共形である。そのような応用例において、より共形でないPECVD層の厚さは最小限にすることが望ましい。熱CVD層の共形性は、堆積プロセス期間に大気圧より低い圧力を使用して、さらに改善することができる。図3に示すように、水分が熱CVD層の中に拡散することを防止するのに、50Åの厚さを有するPECVD層で十分である。図4は、本発明の一実施形態にしたがう、PECVD酸化物層を有して形成された熱CVD酸化物層およびPECVD酸化物層を有さず形成された熱CVD酸化物層の、H2O分圧対時間のグラフである。このデータは、ガス抜きチャンバに取り付けられた4極質量分析計を使用して収集した。この例において、ガス抜きプロセス期間の温度は、400°Cであり、ガス抜きプロセス期間の圧力については、不活性ガスの流れのないステップ期間の0.5トルと不活性ガスの流れを有するステップ期間の8トルとの間を繰り返した。このグラフは、被覆PECVD層を含まない熱CVD層では、H2O分圧が時間に関して指数関数的に減衰することを示している。熱CVD層では、H2O分圧が約10-11気圧の範囲に到達するのに約10分かかる。このグラフは、被覆PECVD層を有する熱CVD層では、H2O分圧が同じ範囲に到達する時間は約1分未満になることも示している。被覆PECVD層の厚さを100Åから1000Åに増やしても、ガス抜き時間に何ら影響をおよぼさなかった。このデータにより示されるように、ガス抜きプロセスをバリア層堆積の前に使用して、熱CVD/PECVD膜から水分を迅速に除去することができる。水分の少ない誘電体層を形成する例示的な方法図5は、本発明の一実施形態にしたがって、基板の上に水分の少ない誘電体層を形成する例示的な方法を示す、簡単な流れ図である。方法は、CVDプロセスチャンバの中に基板を置くこと502、約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力で、熱CVDプロセスを使用してCVDプロセスチャンバの中で基板の上に第1の酸化物層を形成すること504を含む。この方法は、約450°C以下の温度および大気圧より低い圧力で、PECVDプロセスを使用してCVDプロセスチャンバの中で第1の酸化物層の上に第2の酸化物層を形成すること506をも含む。基板は、第1の酸化物層および第2の酸化物層の形成期間に、CVDプロセスチャンバの中に留まる。この方法は、CVDプロセスチャンバから基板を取り出すこと508をも含む。一実施形態によれば、水分の少ない誘電体層を形成する方法は、堆積された熱CVD層およびPECVD層をガス抜きプロセスに曝すことも含むことができる。一実施形態において、ガス抜きプロセスは、堆積された層を、約400°C以上の温度で約12トル以下の圧力に曝すことを含む。ガス抜きプロセスは、堆積された熱CVD層およびPECVD層から水分を除去することができる。いくつかの実施形態において、ガス抜きプロセスは、1つまたは複数のサイクルのパージを含むことができる。各サイクルのパージは、約0.1トルと1トルの間の圧力で不活性ガスの流れがないステップ、および約4トルと12トルの間の圧力で不活性ガスの流れ例えば、Ar、He、および/またはN2のあるステップを含むことができる。ガス抜きプロセス全体の継続期間は、約15秒と約120秒の間であり得る。本発明の実施形態にしたがって形成される水分の少ない誘電率層は、PMD層として使用することができる。これらの応用例において、バリア層をバリア堆積チャンバの中でPECVD層の上に形成することができ、金属層を金属堆積チャンバの中でバリア層の上に堆積することができる。バリア層および金属層は、知られた技法にしたがって形成することができる。誘電体層の水分が低いことによって、バリア層および/または金属層の酸化を減少させることができる。これにより、デバイスの性能および誘電体層への接着を改善することができる。本発明は特定の実施形態に関して記載されてきたが、当業者には、本発明の範囲は、本明細書に記載の実施形態に限定されないことは明らかであろう。例えば、本発明の1つまたは複数の実施形態の特徴は、本発明の範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態の1つまたは複数の特徴と組み合わせることができることを理解されたい。また、本明細書に記載の例および実施形態は、単に説明目的のためであり、本明細書に記載の例および実施形態に照らして、様々な修正形態または変更形態が当業者には明らかとなり、様々な修正形態または変更形態は、本明細書の精神および趣旨ならびに添付の特許請求の範囲の中に含まれるべきである。"