第1導電形の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ前記第1の半導体層の第1導電形不純物の濃度よりも低い第1導電形不純物の濃度を有する第1導電形の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側の表面に設けられた第2導電形の第3の半導体層と、前記第3の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側の選択的に設けられ前記第3の半導体層の第2導電形不純物の濃度よりも高い第2導電形不純物の濃度を有する第2導電形の第4の半導体層と、前記第1の半導体層に電気的に接続された第1の主電極と、前記第4の半導体層に電気的に接続された第2の主電極と、を備え、前記第3の半導体層は、前記第4の半導体層の前記第1の半導体層側の底面と隣接し、前記第2の半導体層とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする電力用半導体装置。前記キャリアライフタイム低減領域は、前記第3の半導体層のうち前記キャリアライフタイム低減領域を除く部分より結晶欠陥密度が高いことを特徴とする請求項1記載の電力用半導体装置。前記キャリアライフタイム低減領域は、水素原子又はヘリウム原子を含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の電力用半導体装置。前記キャリアライフタイム低減領域は、白金、金、及び銀のうちのいずれか1つを含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の電力用半導体装置。前記第3の半導体層の正味の第2導電形不純物濃度は、前記第2の半導体層の正味の第1導電形不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。逆方向の定格電圧が前記第1の半導体層と前記第4の半導体層の間に印加されたときに、前記第3の半導体層と前記第2の半導体層との接合部から前記第3の半導体層に向かって延びる空乏層が前記キャリアライフタイム低減領域に到達しないように、前記第3の半導体層の前記正味の第2不純物濃度が設定されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。前記第3の半導体層は、前記第2の半導体層の前記表面に選択的に形成されており、前記第4の半導体層は、前記第3の半導体層の前記表面に選択的に形成されており、前記第4の半導体層の外周に隣接し、前記第4の半導体層の前記第1の半導体層とは反対側の表面から前記第3の半導体層中に延伸し、前記第4の半導体層の外周を囲んだ環状構造の絶縁膜をさらに備えたことを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。前記絶縁膜は、前記第4の半導体層の前記表面から前記第3の半導体層の前記キャリアライフタイム低減領域中に延伸していることを特徴とする請求項7記載の電力用半導体装置。前記第4の半導体層の前記表面を含む平面において、前記第3の半導体層と前記第4の半導体層との間に前記絶縁膜が配置されることを特徴とする請求項7又は8に記載の電力用半導体装置。前記絶縁膜、前記第3の半導体層、及び前記第1の半導体層の表面上に形成された層間絶縁膜をさらに備えたことを特徴とする請求項7~9のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。逆回復特性に優れ、順方向電圧が低く、逆方向リーク電流が小さい電力用半導体装置を提供する。本発明の実施形態の電力用半導体装置は、第1導電形の第1の半導体層と、第1導電形の第2の半導体層と、第2導電形の第3の半導体層と、第2導電形の第4の半導体層と、第1の主電極と、第2の主電極と、を備える。第2の半導体層は、第1の半導体層の上に設けられ、第1の半導体層の第1導電形不純物の濃度よりも低い第1導電形不純物の濃度を有する。第3の半導体層は、第2の半導体層の第1の半導体層とは反対側の表面に選択的に設けられる。第4の半導体層は、第3の半導体層の第1の半導体層とは反対側の表面に選択的に設けられ、第3の半導体層の第2導電形不純物の濃度よりも高い第2導電形不純物の濃度を有する。第1の主電極は、第1の半導体層に電気的に接続され、第2の主電極は、第4の半導体層に電気的に接続される。第3の半導体層は、第4の半導体層の第1の半導体層側の底面と隣接し、第2の半導体層とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする。以下、本発明の実施形態について図を参照しながら説明する。実施形態中の説明で使用する図は、説明を容易にするための模式的なものであり、図中の各要素の形状、寸法、大小関係などは、実際の実施においては必ずしも図に示されたとおりとは限らず、本発明の効果が得られる範囲内で適宜変更可能である。半導体材料はシリコンを一例に説明する。第1導電形及び第2導電形は、それぞれ、n形及びp形の場合で説明する。n-形、n形、及びn形が用いられる場合は、その不純物濃度に、n-<n<nの関係があるものとする。p-形、p形、及びp形に関しても同様である。各実施形態は、電力用半導体装置として、ダイオードを例に説明するが、これらの実施形態は、ダイオード構造を内蔵するMOSFET、IGBT、その他の絶縁ゲート形半導体装置に関しても同様に適用することが可能である。第1の実施の形態図1から図3を用いて、本発明の第1の実施形態に係る電力用半導体装置について説明する。図1は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置の、ダイオード構造が形成され電流が流れる素子領域における要部断面図を示す。図2は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置の深さ方向の正孔濃度プロファイルを示す。図3は、第1の実施形態に係る電力用半導体装置の電圧-電流特性を示す。第1の実施形態に係る電力用半導体装置は、FRDを例に説明する。半導体層は、シリコンを例に説明する。なお、例えばp形不純物濃度という場合は、半導体層中に含まれる実際のp形不純物の濃度を意味し、正味のp形不純物濃度という場合は、半導体層中に含まれるn形不純物との補償後の濃度を意味するものとする。n形不純物濃度と正味のn形不純物濃度に関しても同様である。図1に示したように、第1の実施形態に係る電力用半導体装置であるFRD100は、n形第1導電形半導体層第1の半導体層1と、n-形半導体層第2の半導体層2と、p-形第2導電形半導体層第3の半導体層3と、p形半導体層第4の半導体層4と、カソード電極第1の主電極5と、アノード第2の主電極6と、を備える。n-形半導体層2は、n形半導体層1の上に設けられ、n形半導体層1のn形不純物の濃度よりも低い濃度のn形不純物を有する。n-形半導体層2は、例えばn形半導体層1の上にエピタキシャル成長により形成されることができる。p-形半導体層3は、n-形半導体層の表面に選択的に設けられる。p-形半導体層3は、例えばn-形半導体層2の表面にp形不純物例えば硼素のイオン注入を実施した後に、熱処理を実施してp形不純物を拡散させることにより、形成可能である。FRD100は、n-形半導体層2内に素子領域と素子領域を外側で囲む終端領域とを有し、終端領域の外周端に、半導体チップを切り出したダイシングラインを有する。図1は、ダイオードが形成されて積層方向に電流が流れる素子領域の一部を示している。この素子領域の外側には、積層方向に電流が流れない終端領域図示せずが形成される。p-形半導体層3は、p形の不純物を有し、n-形半導体層2のn形不純物により補償された結果p形半導体となる。その補償後の正味のp形不純物の濃度は、n-形半導体層2の正味のn形不純物の濃度よりも高くなるように、p-形半導体層3のp形不純物の濃度がp形不純物のイオン注入により設定される。p形半導体層4は、p-形半導体層3の表面に設けられる。p形半導体層4も、上記同様にp形不純物のイオン注入及び熱処理を実施することで形成される。p形半導体層4は、p-形半導体層3のp形不純物濃度よりも高いp形不純物濃度を有するように、p形不純物がイオン注入される。ここで、p-形半導体層3は、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域7を有する。キャリアライフタイム低減領域7は、p形半導体層4のn形半導体層1側の底面と隣接し、n-形半導体層2とは離間して設けられる。このキャリアライフタイムが短くなる処理とは、例えば、プロトンやヘリウムイオンを半導体層中に打ち込むことにより、その半導体層中に欠陥を発生させる処理である。半導体層中に発生した欠陥により、半導体層は禁制帯内に再結合準位伝導帯と価電子帯との間に形成された準位を有するようになる。このような再結合準位は、伝導帯の電子と価電子帯の正孔との再結合を促進するために、キャリア電子及び正孔のライフタイムが短くなる。従って、キャリアライフタイム低減領域7では、上記処理がされる前のp-形半導体層3中のキャリアライフタイムに比べて、キャリアライフタイムが短くなる。言い換えると、キャリアライフタイム低減領域7は、p-形半導体層3のうちキャリアライフタイム低減領域7を除いた部分よりも、高い結晶欠陥密度を有するので、短いキャリアライフタイムを有する。プロトンやヘリウムイオンの打ち込み量により、結晶欠陥の密度を調節することで、キャリアライフタイムの時間を調節することができる。欠陥密度が高いほど、キャリアライフタイムは短くなる。結晶欠陥を発生させる手段は、プロトンやヘリウムイオンの打ち込み以外にも、例えば、白金、金、又は銀などの重金属を半導体層中に注入することで代替え可能である。または、電子照射により結晶内に欠陥を発生させることも可能である。カソード電極5が、n形半導体層1に電気的に接続される。アノード電極6が、p形半導体層4に電気的に接続される。カソード電極5及びアノード電極6は、導電性の高い金属材料であればよく、例えば、アルミニウムや銅などが用いられる。次に本実施形態に係るFRD100の動作について説明する。FRD100は、アノード電極6にカソード電極5に対して正の電圧を印加順バイアスすると、正孔がアノード電極6からp形半導体層4、p-形半導体層3、n-形半導体層2を経てカソード電極5へ供給される。カソード電極5から、電子がn形半導体層1、n-形半導体層2、p-形半導体層3、p形半導体層4を経てアノード電極へ供給される。この結果、n-形半導体層2及びp-形半導体層3中に電子と正孔が蓄積されて低抵抗状態オン状態となり、電流がアノード電極6からカソード電極5へ流れる。図2に、オン状態におけるFRD100における、p形半導体層4のp形不純物濃度4P、p-形半導体層3のp形不純物濃度3P、及びn-形半導体層2のn形不純物濃度2Nのそれぞれの深さ方向プロファイルを破線で示す。この不純物濃度における正孔濃度の深さ方向プロファイルのシミュレーション結果が、同図に示される。なお、比較例として、本実施形態に係るFRD100において、キャリアライフタイム低減領域が存在しないFRDを考える。比較例のFRDの正孔濃度の深さ方向プロファイルのシミュレーション結果も図2に示した。FRD100のp形不純物濃度は、p形半導体層4の表面において最も高く、p形半導体層4からp-形半導体層3の界面で急峻に減少し、p-形半導体層3中ではp-形半導体層3とn-形半導体層2の界面に向かって再び減少して測定限界値にまで達する。n-形半導体層2中のn形不純物濃度は、深さ方向にほぼ一定の濃度で分布しており、p-形半導体層3のp形不純物の濃度よりも低い値を有する。FRD100の正孔の濃度プロファイルは、p形半導体層4中ではp形不純物の濃度とほぼ同じ濃度を有し、p形半導体層4と同じ深さ方向の濃度プロファイルを有する。p-形半導体層3とn-形半導体層2とにおいては、FRD100の正孔の濃度プロファイルは、深さ方向に一定の濃度を有し、p-形半導体層3中のp形不純物濃度よりも高い濃度を有する。比較例のFRDの正孔の深さ方向の濃度プロファイルも、図2に示したとおり、本実施形態に係るFRDの正孔濃度プロファイルと同様な深さ方向プロファイルである。しかしながら、本実施形態に係るFRD100の正孔濃度プロファイルの方が、比較例のFRDよりもp-形半導体層3とn-形半導体層2とにおける正孔濃度が低い。これは、本実施形態に係るFRD100は、p-形半導体層3中に、p形半導体層4のn形半導体層1側の底面と隣接するキャリアライフタイム低減領域7を備えていることにより、オン状態において、p形半導体層4からp-形半導体層3へ供給される正孔が、キャリアライフタイム低減領域7で消滅するためである。キャリアライフタイム低減領域7で消滅する正孔の量は、キャリアライフタイム低減領域7のキャリアライフタイムが短いほど多く、キャリアライフタイム低減領域7内に前述の処理により発生させた結晶欠陥密度が高いほど、キャリアライフタイムは短くなる。上述のように、本実施形態に係るFRD100は、図2に示したとおりオン状態におけるp-形半導体層3及びn-形半導体層2の中の正孔濃度が低いために、図3に順方向の電圧-電流特性VF-IF特性を示したように、動作電圧が比較例に比べて高い。しかしながら、このことにより、本実施形態のFRD100は、比較例に比べて逆回復時の逆方向電流を決める正孔の濃度が低くなるので、逆回復特性が向上する。また、本実施形態に係るFRD100は、比較例よりも動作電圧が高いが、p形半導体層4がp-形半導体層とアノード電極9との間に設けられているために、アノード電極9とのオーミックコンタクトはもともと低いので、上記電圧上昇は許容範囲である。キャリアライフタイム低減領域7は、p-形半導体層3の上端部に設けられているので、逆方向バイアス時オフ状態にp-形半導体層3とn-形半導体層2との接合部からp-形半導体層3中に広がる空乏層がキャリアライフタイム低減領域7に到達しないようにすることができる。本実施形態に係るFRD100の逆方向電圧の定格電圧を印加したときに、空乏層がキャリアライフタイム低減領域7に達しないように、p-形半導体層3のp形不純物濃度又は正味のp形不純物濃度、及び厚さを設定すればよい。逆バイアス時に空乏層がキャリアライフタイム低減領域7に達すると、キャリアライフタイム低減領域7中の結晶欠陥による再結合準位を介したリーク電流が流れる。空乏層がキャリアライフタイム低減領域7に到達しないようにすることにより、FRD100の逆方向時のリーク電流が抑制される。以上説明したように、本実施形態に係るFRD100は、p-形半導体層3中に、p形半導体層4のn形半導体層1側の底面と隣接するキャリアライフタイム低減領域7を備えていることにより、逆回復特性に優れ、順方向電圧が低く、逆方向電流が小さい。第2の実施の形態第2の実施の形態に係る電力用半導体装置を図4を用いて説明する。図4は、第2の実施形態に係る電力用半導体装置の要部断面図である。なお、第1の実施の形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法との相異点について主に説明する。本実施形態に係る電力用半導体装置は、第1の実施形態に係るFRD100と同様の構造を有し、終端領域において以下の特徴を有する。図4に示したように、本実施形態に係るFRD200は、終端領域と素子領域との境界から素子領域内のn-形半導体層2の表面にp-形半導体層3を備える。p-形半導体層3の表面には、選択的にp形半導体層4が形成されており、p形半導体層4の外周部は、p-形半導体層3の外周部から内側に離間して形成される。p形半導体層4は、素子領域内に形成され終端領域には形成されない。終端領域のn-形半導体層2の表面からn形半導体層1に向かってn-形半導体層2中に延伸する複数のp-形ガードリング層8が設けられている。p-形ガードリング層8は、p-形半導体層3を囲む環状構造を有する。p-形ガードリング層8のp形不純物濃度及びn-形半導体層2の表面からn形半導体層1への深さは、本実施形態では、p-形半導体層3とほぼ同じように形成されているが、これらは、FRD200の終端領域の耐圧の設計に応じて適切に選択されればよい。キャリアライフタイム低減領域7は、素子領域内だけでなく、終端領域まで延伸し、終端領域の端部に達するように形成される。n-形半導体層2及びp-形半導体層のキャリアライフタイム低減領域7が延伸した領域は、他の領域に比べてキャリアライフタイムが短くなっている。絶縁膜9が、p形半導体層4の外周に隣接し、p形半導体層4の表面p形半導体層のn形半導体層1とは反対側の表面からp-形半導体層中に延伸し、p形半導体層4の外周を囲んだ環状構造を有するように形成される。絶縁膜9は、本実施形態では、p-形半導体層3中のキャリアライフタイム低減領域7内に達しているが、キャリアライフタイム低減領域7を超えてさらに深く形成されていても良い。ただし、絶縁膜9は深く設けられるほど、先端部において電界集中を起こすため、キャリアライフタイム低減領域7を超えない深さまで延伸することが望ましい。絶縁膜9は、絶縁体であればよく、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等が用いられるが、ポリイミドなども用いることも可能である。層間絶縁膜10が、上記絶縁膜9から終端領域の端部まで、絶縁膜9、p-形半導体層3、n-形半導体層2、及びp-形ガードリング層8の表面を覆うように形成される。層間絶縁膜10は、p-形半導体層3、n-形半導体層2、及びp-形ガードリング層8を終端領域において外部から絶縁する。層間絶縁膜10は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はこれらの積層構造とすることが可能である。アノード電極6が、p形半導体層4のn形半導体層1とは反対側の表面に電気的に接続するよう形成される。アノード電極6は、素子領域と終端領域との境界から終端領域の外側に向かって層間絶縁膜10上を延伸するフィールドプレート6Aを有する。フィールドプレート6Aは、p-形半導体層3とp-形ガードリング層8との間まで延伸する。カソード電極5が、n形半導体層1に電気的に接続するように形成される。本実施形態に係るFRD200では、素子領域は、第1の実施形態と同じ構造を備えるので、第1の実施形態に係るFRD100と同じ効果を有する。さらに本実施形態に係るFRD200では、絶縁膜9が存在することにより、オン状態において、正孔が、アノード電極9からp形半導体層4、p-形半導体層3、及びn-形半導体層2のそれぞれの表面を水平方向に流れて終端領域に供給されることが抑制される。これにより、逆回復時に、終端領域において、n-形半導体層2の層間絶縁膜10の直下にオン状態で蓄積された正孔が少なくなる。さらに、終端領域からn-形半導体層2、p-形半導体層3、及びp形半導体層4の表面を水平方向に流れてアノード電極9に達する経路が、絶縁膜9により遮断される。これらにより、終端領域から素子領域へ流れる逆回復電流が低減されるため、FRD200の逆方向特性が改善される。第3の実施の形態第3の実施の形態に係る電力用半導体装置を図5を用いて説明する。図5は、第3の実施形態に係る電力用半導体装置の要部断面図である。なお、第2の実施の形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法との相異点について主に説明する。本実施形態に係るFRD300は、第2の実施形態に係るFRD200と同様の構造を有する。図5に示したように、本実施形態に係るFRD300は、キャリアライフタイム低減領域7が、終端領域の外周端部まで延伸しておらず、p-形半導体層3内に留まっている点で第2の実施形態に係るFRD200と相異する。FRD300では、終端領域において、アノード電極6から、p形半導体層4、p-形半導体層3、及びn-形半導体層2の表面に沿って水平方向に供給された正孔は、n-形半導体層を積層方向に流れてカソード電極5へ供給される。このとき、第2の実施形態に係るFRD200と違い、終端領域にはキャリアライフタイム低減領域7が存在しないので、アノード電極6から終端領域に向かって水平方向に供給された上記正孔は、消滅することなくn-形半導体層2中に供給される。このため、本実施形態に係るFRD300は、第2の実施形態に係るFRD200と比べて、終端領域のn-形半導体層2中の正孔が過剰に存在する。このため、本実施形態に係るFRD300では第2実施形態に係るFRD200よりも、絶縁膜9の上記効果がさらに発揮される。これ以外は、本実施形態に係るFRD300は、第1の実施形態に係るFRD100と同様の素子領域の構造を有するので、第1の実施形態と同様の効果を有する。以上、逆回復特性は、移動度が大きい正孔の振る舞いできまるため、正孔濃度を中心に説明してきた。正孔ほど効果が得られないが、電子においても同様なことがいえるので、上記実施例において、さらに、n-形半導体層2中のn形半導体層1と隣接する領域に、キャリアライフタイム低減領域7を設けることも可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。