成膜室にモノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて非晶質構造を有する半導体膜の作製方法であって、成膜室の圧力を2.666Pa以上133.3Pa以下にし、前記希ガスに対する前記水素の流量比を0.2以上5以下にし、前記RFパワー密度を0.0017W/cm2以上1W/cm2以下にしてプラズマを発生させることを特徴とする半導体膜の作製方法。成膜室にモノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて非晶質構造を有し、希ガス元素を1×1020/cm3以上1×1021/cm3以下で含む半導体膜の作製方法であって、成膜室の圧力を2.666Pa以上133.3Pa以下にし、前記希ガスに対する前記水素の流量比を0.2以上5以下にし、前記RFパワー密度を0.0017W/cm2以上1W/cm2以下にしてプラズマを発生させることを特徴とする半導体膜の作製方法。請求項1または2において、前記半導体膜はプラズマCVD法で形成されたことを特徴とする半導体膜の作製方法。リンはイオンドープ法PH3などをプラズマで解離して、イオンを電界で加速して半導体中に注入する方法であり、基本的にイオンの質量分離を行わない方法を指すで結晶構造を有する半導体膜に注入するが、ゲッタリングのために必要なリン濃度は1×1020cm3以上である。イオンドープ法によるリンの添加は、結晶構造を有する半導体膜の非晶質化をもたらすが、リン濃度の増加はその後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。また、高濃度のリンの添加は、ドーピングに必要な処理時間の増大をもたらし、ドーピング工程におけるスループットを低下させるので問題となっている。さらに、pチャネル型TFTのソースドレイン領域に添加したリンに対し、その導電型を反転させるために必要な硼素の濃度は1.5~3倍が必要であり、再結晶化の困難さに伴って、ソースドレイン領域の高抵抗化をもたらし問題となっている。また、基板内でゲッタリングが十分にされず、ゲッタリングにバラツキが生じると、各々のTFT特性に若干の差、即ちバラツキが生じていた。透過型の液晶表示装置の場合、画素部に配置されるTFTに電気特性のバラツキがあれば、各画素電極に印加する電圧のバラツキが生じ、そのため透過光量のバラツキも生じ、これが表示むらとなって観察者の目に映ることになる。また、OLEDを用いた発光装置にとって、TFTはアクティブマトリクス駆動方式を実現する上で、必須の素子となっている。従って、OLEDを用いた発光装置は、少なくとも、スイッチング素子として機能するTFTと、OLEDに電流を供給するTFTとが、各画素に設けられることになる。画素の回路構成、及び駆動方法によらず、OLEDと電気的に接続され、且つ、OLEDに電流を供給するTFTのオン電流Ionで画素の輝度が決定されるため、例えば、全面白表示とした場合、オン電流が一定でなければ輝度にバラツキが生じてしまうという問題がある。本発明はこのような問題を解決するための手段であり、半導体膜の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶構造を有する半導体膜を得た後、該膜中に残存する当該金属元素を効果的に除去する技術を提供することを目的とする。ゲッタリング技術は単結晶シリコンウエハーを用いる集積回路の製造技術において主要な技術として位置付けられている。ゲッタリングは半導体中に取り込まれた金属不純物が、何らかのエネルギーでゲッタリングサイトに偏析して、素子の能動領域の不純物濃度を低減させる技術として知られている。それは、エクストリンシックゲッタリングとイントリンシックゲッタリングの二つに大別されている。エクストリンシックゲッタリングは外部から歪場や化学作用を与えてゲッタリング効果をもたらすものである。高濃度のリンを単結晶シリコンウエハーの裏面から拡散させるゲッタリングはこれに当たり、前述のリンを用いたゲッタリングもエクストリンシックゲッタリングの一種と見なすことができる。一方、イントリンシックゲッタリングは単結晶シリコンウエハーの内部に生成された酸素が関与する格子欠陥の歪場を利用したものとして知られている。本発明は、このような格子欠陥、或いは格子歪みを利用したイントリンシックゲッタリングに着目したものであり、厚さ10~100nm程度の結晶構造を有する半導体膜に適用するために以下の手段を採用するものである。本発明は、半導体の結晶化を助長する金属元素を用いて絶縁表面上に結晶構造を有する第1の半導体膜を形成する工程と、該第1の半導体膜上にエッチングストッパーとなる膜バリア層を形成する工程と、該バリア層上に希ガス元を含む第2の半導体膜ゲッタリングサイトを形成する工程と、ゲッタリングサイトに金属元素をゲッタリングさせる工程と、前記第2の半導体膜を除去する工程とを有している。本発明は、上記ゲッタリングサイトを形成する工程として、プラズマCVD法を用い、原料ガスとしてモノシランと希ガス元素と水素を用いて成膜し、高濃度に希ガス元素を含み非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜とするものである。また、モノシランに代えて、ジシランやトリシランを用いてもよい。なお、プラズマCVD法はガスによる成膜室チャンバーとも呼ぶ内のクリーニングが行えるため、スパッタ法に比べてメンテナンスが少なくて済み、量産には適した成膜方法である。また、原料ガスの一つとして水素を使用しなかった場合に比べ、原料ガスの一つとして水素を用いて成膜しているため、膜中に含まれる水素濃度は低減される。また、原料ガスの一つとして水素を使用しなかった場合に比べ、原料ガスの一つとして水素を用いて成膜することによって膜中に含まれるフッ素濃度も低減される。本明細書で開示する半導体膜の作製方法に関する発明の構成は、成膜室にモノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて、希ガス元素を1×1018/cm3~1×1022/cm3で含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜を被表面上に成膜することを特徴とする非晶質構造を有する半導体膜の作製方法である。また、上記構成において、前記プラズマを発生させる際、成膜室内における圧力は、2.666Pa~133.3Pa、好ましくは、53.32Pa0.4Torr未満とすることが望ましい。また、上記構成において、希ガスに対する水素の流量比H2/希ガスを0.2~5に制御することを特徴としている。また、上記構成において、前記プラズマを発生させるRFパワー密度は、0.0017W/cm2~1W/cm2であることを特徴としている。なお、1W/cm2よりも高いRFパワーとすると膜にならず粉になってしまったり、膜に半球状の浮きが発生したりする成膜不良が発生しやすい。また、上記構成において、原料ガスとしてモノシランと希ガス元素と水素を用い、比率モノシラン:希ガスを0.1:99.9~1:9、好ましくは、1:99~5:95に制御して成膜し、高濃度に希ガス元素を含み非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成することを特徴としている。また、モノシランに代えて、ジシランやトリシランを用いてもよい。また、成膜温度は300°C~500°Cが好ましい。原料ガスとしてモノシラン流量2sccmとアルゴン流量198sccmと水素10sccmを用い、比率モノシラン:希ガスを1:99に制御して、成膜温度350°C、成膜圧力を6.665Pa0.05Torr、RFパワー50Wという成膜条件で成膜されたアモルファスシリコン膜表面付近のアルゴン/シリコン強度比をTXRFで測定してアルゴン濃度を求めた実験結果を図17に示す。また、上記構成において、前記半導体膜中のフッ素濃度は、2×1016/cm3~8×1016/cm3、好ましくは1×1015/cm3~1×1017/cm3であることを特徴としている。また、本明細書で開示する半導体装置の作製方法に関する発明の構成は、絶縁表面上に非晶質構造を有する第1の半導体膜を形成する第1工程と、前記非晶質構造を有する第1の半導体膜に金属元素を添加する第2工程と、前記第1の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第1の半導体膜を形成する第3工程と、前記結晶構造を有する第1の半導体膜の表面にバリア層を形成する第4の工程と、前記バリア層上にプラズマCVD法で希ガス元素を含む第2の半導体膜を形成する第5工程と、前記第2の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第1の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第6工程と、前記第2の半導体膜を除去する第7工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。上記構成において、前記第2の半導体膜は、成膜室にモノシランと希ガスと水素とを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させるプラズマCVD法により形成することを特徴としている。また、上記構成において、前記金属元素とはシリコンの結晶化を助長する金属元素であり、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種である。また、上記各構成において、前記希ガス元素は、He、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれた一種または複数種である。実験1ここで、プラズマCVD法を用い、原料ガスとしてモノシランとアルゴン元素と水素を用いて半導体基板上に形成されたアモルファスシリコン膜の膜中におけるアルゴン濃度のRFパワー密度依存性を調べることとした。まず、半導体基板をチャンバー内に搬送し、加熱して300°Cに維持し、チャンバー内の圧力を66.65Pa0.5Torrとなるように排気系で調節する。次いで、チャンバー内にガス導入系からSiH4ガスを流量100sccm導入するとともに高周波電源より放電周波数27.12MHz、投入RF電力20WRFパワー密度0.033W/cm2電極面積600cm2の放電を行いながらプラズマCVD法で第1アモルファスシリコン膜を形成した。なお、この第1アモルファスシリコン膜はリファレンスである。次いで、第1アモルファスシリコン膜上に膜厚200nmの第2アモルファスシリコン膜を積層形成した。第2アモルファスシリコン膜は、300°Cに維持した後、チャンバー内の圧力を26.66Pa0.2Torrとなるように排気系で調節し、チャンバー内にガス導入系からSiH4ガスを流量100sccm、アルゴンガスを流量500sccm、窒素ガスを200sccmでそれぞれ導入するとともに高周波電源より放電周波数27.12MHz、投入RF電力20WRFパワー密度0.033W/cm2の放電を行いながらプラズマCVD法で形成した。次いで、投入RF電力のみの条件を変え、第2アモルファスシリコン膜上に第3アモルファスシリコン膜RFパワー密度0.166W/cm2、第4アモルファスシリコン膜RFパワー密度0.333W/cm2、第5アモルファスシリコン膜RFパワー密度0.5W/cm2を順次積層した。こうして半導体基板上に得られた積層膜に対してSIMS分析を行い、膜中のアルゴン濃度を測定した結果を図2Aに、フッ素濃度を測定した結果を図2Bに、窒素濃度を測定した結果を図3Aに、酸素濃度を測定した結果を図3Bにそれぞれ示す。図3Aから膜中の窒素濃度は、1×1016/cm3~1×1017/cm3程度と読み取れる。また、図3Bから膜中の酸素濃度は、4×1017/cm3~3×1018/cm3程度と読み取れる。また、図示しないが、膜中の炭素濃度は、1×1016/cm3~5×1017/cm3であった。図2、図3から明かなように原料ガスに水素とアルゴンとモノシランガスを用いることで、アモルファスシリコン膜中のアルゴン濃度が、1×1020/cm3~1×1021/cm3まで増加した。従って、水素とアルゴンとモノシランガスを原料ガスとするプラズマCVD法によって、高濃度、具体的には1×1020/cm3~1×1021/cm3の濃度でアルゴンを含むアモルファスシリコン膜を形成できる。一方、原料ガスとしてモノシランとアルゴンガスのみを用いた場合では、膜中のアルゴン濃度は、1×1018/cm3前後、即ち5×1017/cm3~2×1018/cm3程度しか含ませることができなかった。また、原料ガスに水素とアルゴンとモノシランガスを用いることで、アモルファスシリコン膜中のフッ素濃度が、2×1016/cm3~8×1016/cm3まで低減した。また、RFパワー密度を増加させるにつれ、アモルファスシリコン膜中のアルゴン濃度が増加した。なお、RFパワー密度を増加させても膜中のフッ素濃度、窒素濃度、酸素濃度、及び炭素濃度はほとんど変化が見られなかった。実験2次に、プラズマCVD法を用い、チャンバー内の圧力の条件を振り、アモルファスシリコン膜の膜中におけるアルゴン濃度において、チャンバー内の圧力の依存性を調べた。まず、実験1と同じ条件でプラズマCVD法でリファレンスとなる第1アモルファスシリコン膜を半導体基板上に形成した。次いで、第1アモルファスシリコン膜上に膜厚200nmの第2アモルファスシリコン膜を積層形成した。第2アモルファスシリコン膜は、300°Cに維持した後、チャンバー内の圧力を5.332Pa0.04Torrとなるように排気系で調節し、チャンバー内にガス導入系からSiH4ガスを流量100sccm、アルゴンガスを流量100sccm、水素ガスを50sccmでそれぞれ導入するとともに高周波電源より放電周波数27.12MHz、投入RF電力20WRFパワー密度0.033W/cm2の放電を行いながらプラズマCVD法で形成した。次いで、チャンバー内の圧力とガス流量の条件を変え、第2アモルファスシリコン膜上に第3アモルファスシリコン膜圧力=4Pa0.03Torr、SiH4ガスを流量100sccm、アルゴンガスを流量50sccm、水素ガスを40sccm、第4アモルファスシリコン膜圧力2.666Pa0.02Torr、SiH4ガスを流量100sccm、アルゴンガスを流量15sccm、水素ガスを12sccmを順次積層した。こうして半導体基板上に得られた積層膜に対してSIMS分析を行い、膜中のアルゴン濃度を測定した結果を図4Aに、フッ素濃度を測定した結果を図4Bに、窒素濃度を測定した結果を図5Aに、酸素濃度を測定した結果を図5Bにそれぞれ示す。また、炭素濃度は、1×1016/cm3~5×1017/cm3であった。図4、図5から明かなように圧力を減圧、即ち高真空にさせるにつれ、アモルファスシリコン膜中のアルゴン濃度が減少した。なお、圧力を減圧させても膜中のフッ素濃度、窒素濃度、酸素濃度、及び炭素濃度はほとんど変化が見られなかった。実験3ここでは、プラズマCVD法を用い、原料ガスとしてモノシランとアルゴン元素と水素を用いて形成されたアモルファスシリコン膜の膜質について以下に述べる。原料ガスとしてモノシランとアルゴン元素と水素を用いて形成されたアモルファスシリコン膜をフーリエ変換赤外分光法FT-IR法で得られる分光スペクトルデータを図16に示した。図16では波数640/cmの所でSi-Si結合のピークと、波数2020/cmの所でピークが見られる。波数2000/cmがSi-H結合のピーク、波数2100/cmがSi-H2結合のピークとされており、図16の波数2020/cmのピークは主にSi-H結合であり僅かにSi-H2結合を有しているため現れたピークであると言える。本発明により、膜中に高濃度、具体的には1×1020/cm3~1×1021/cm3の濃度でアルゴンを含み、且つ、膜中のフッ素濃度が、1×1017/cm3以下であるアモルファスシリコン膜をプラズマCVD法によって形成できる。また、本発明により十分に結晶化を助長する金属元素が低減または除去された結晶構造を有する半導体膜を得ることができ、該半導体膜を活性層とするTFTにおいて電気特性の向上、及び、個々の素子間でのバラツキを低減することができる。特に、液晶表示装置においては、TFT特性のバラツキに起因する表示むらを低減できる。加えて、OLEDを有する半導体装置においては、画素電極に一定の電流が流れるように配置されたTFT駆動回路または画素に配置されるOLEDに電流を供給するTFTのオン電流Ionのバラツキを低減することができ、輝度のバラツキを低減できる。また、本発明により結晶化を助長する金属元素だけでなく、不純物となる他の金属元素Fe、Cuなども除去または低減することができる。本発明の実施形態について、以下に説明する。実施の形態1以下に本発明を用いた代表的なTFTの作製手順を簡略に図1を用いて示す。ここではゲッタリングサイトとして本発明の希ガス元素を含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜を用いた例を示す。図1A中、10は、絶縁表面を有する基板、11はブロッキング層となる絶縁膜、12は非晶質構造を有する半導体膜である。図1Aにおいて、基板10はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。まず、図1Aに示すように基板10上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜SiOxNy等の絶縁膜から成る下地絶縁膜11を形成する。代表的な一例は下地絶縁膜11として2層構造から成り、SiH4、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成膜される第1酸化窒化シリコン膜を50~100nm、SiH4、及びN2Oを反応ガスとして成膜される第2酸化窒化シリコン膜を100~150nmの厚さに積層形成する構造が採用される。また、下地絶縁膜11の一層として膜厚10nm以下の窒化シリコン膜SiN膜、或いは第2酸化窒化シリコン膜SiNxOy膜X≫Yを用いることが好ましい。ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、半導体膜と接する下地絶縁膜を窒化シリコン膜とすることは極めて有効である。また、第1酸化窒化シリコン膜、第2酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜とを順次積層した3層構造を用いてもよい。次いで、下地絶縁膜上に非晶質構造を有する第1の半導体膜12を形成する。第1の半導体膜12は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマCVD法や減圧CVD法、或いはスパッタ法で10~100nmの厚さに形成する。後の結晶化で良質な結晶構造を有する半導体膜を得るためには、非晶質構造を有する第1の半導体膜12の膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を5×1018cm3二次イオン質量分析法SIMSにて測定した原子濃度以下に低減させておくと良い。これらの不純物は後の結晶化を妨害する要因となり、また、結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用いることはもとより、反応室内の鏡面処理電界研磨処理やオイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応のCVD装置を用いることが望ましい。次いで、非晶質構造を有する第1の半導体膜12を結晶化させる技術としてここでは特開平878329号公報記載の技術を用いて結晶化させる。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜アモルファスシリコン膜とも呼ばれるに対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶構造を有する半導体膜を形成するものである。まず、非晶質構造を有する第1の半導体膜12の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素ここでは、ニッケルを重量換算で1~100ppm含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布してニッケル含有層13を形成する。図1B塗布によるニッケル含有層13の形成方法以外の他の手段として、スパッタ法、蒸着法、またはプラズマ処理により極薄い膜を形成する手段を用いてもよい。また、ここでは、全面に塗布する例を示したが、マスクを形成して選択的にニッケル含有層を形成してもよい。次いで、加熱処理を行い、結晶化を行う。この場合、結晶化は半導体の結晶化を助長する金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。こうして、図1Cに示す結晶構造を有する第1の半導体膜14が形成される。なお、結晶化後での第1の半導体膜14に含まれる酸素濃度は、5×1018/cm3以下とすることが望ましい。ここでは、脱水素化のための熱処理450°C、1時間の後、結晶化のための熱処理550°C~650°Cで4~24時間を行う。また、強光の照射により結晶化を行う場合は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いる。ランプ光源は、1~60秒、好ましくは30~60秒点灯させ、それを1回~10回繰り返し、半導体膜が瞬間的に600~1000°C程度にまで加熱すればよい。なお、必要であれば、強光を照射する前に非晶質構造を有する第1の半導体膜14に含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、熱処理と強光の照射とを同時に行って結晶化を行ってもよい。生産性を考慮すると、結晶化は強光の照射により結晶化を行うことが望ましい。このようにして得られる第1の半導体膜14には、金属元素ここではニッケルが残存している。それは膜中において一様に分布していないにしろ、平均的な濃度とすれば、1×1019cm3を越える濃度で残存している。勿論、このような状態でもTFTをはじめ各種半導体素子を形成することが可能であるが、以降に示す方法で当該元素を除去する。次いで、結晶化率膜の全体積における結晶成分の割合を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶構造を有する第1の半導体膜14に対してレーザー光を照射することが好ましい。レーザー光を照射した場合、表面に薄い酸化膜図示しないが形成される。このレーザー光には波長400nm以下のエキシマレーザー光や、YAGレーザーの第2高調波、第3高調波を用いる。また、連続発振のレーザYAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザを用い、基本波の第2高調波~第4高調波を適用してもよい。代表的には、NdYVO4レーザー基本波1064nmの第2高調波532nmや第3高調波355nmを適用すればよい。連続発振のレーザーを用いる場合には、出力10Wの連続発振のYVO4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にYVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。なお、照射面におけるレーザ光の形状レーザースポットは光学系からなるビーム形成手段により短径の長さが3~100μmとし、長径の長さが100μm以上である楕円形状であるとする。楕円形状に代えて、短辺の長さが3~100μmとし、長辺の長さが100μm以上である矩形形状としてもよい。前記形状を矩形状または楕円状としたのは、基板全面を効率よくレーザアニールするためである。ここで、長径または長辺の長さを100μm以上としたのは、レーザアニールに適したエネルギー密度を有するレーザ光であれば、実施者が長径または長辺の長さを適宜決定すればよいからである。このときのエネルギー密度は0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.1~10MW/cm2が必要である。そして、10~2000cm/s程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。上記結晶化後のレーザー光の照射により形成された酸化膜では、不十分であるため、さらに、オゾン含有水溶液代表的にはオゾン水で酸化膜ケミカルオキサイドと呼ばれるを形成して合計1~10nmの酸化膜からなるバリア層15を形成し、このバリア層15上に希ガス元素を含む第2の半導体膜16を形成する。図1Dなお、ここでは、結晶構造を有する第1の半導体膜14に対してレーザー光を照射した場合に形成される酸化膜もバリア層の一部と見なしている。このバリア層15は、後の工程で第2の半導体膜16のみを選択的に除去する際にエッチングストッパーとして機能する。また、オゾン含有水溶液に代えて、硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成することができる。また、他のバリア層15の形成方法としては、酸素雰囲気下の紫外線の照射でオゾンを発生させて前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して形成してもよい。また、他のバリア層15の形成方法としては、プラズマCVD法やスパッタ法や蒸着法などで1~10nm程度の酸化膜を堆積してバリア層としても良い。バリア層の形成にプラズマCVD法やスパッタ法や蒸着法などを用いる場合には、前記結晶構造を有する半導体膜の表面を洗浄し、自然酸化膜やレーザー光の照射により形成された酸化膜などを除去した後で形成することが望ましい。また、バリア層の形成にプラズマCVD法を用いる場合、原料ガスとしてシラン系ガスモノシラン、ジシラン、トリシラン等と窒素酸化物系ガスNOxで表記されるガスを用い、パルス発振させて成膜する。例えば、原料ガスとしてモノシランSiH4と亜酸化窒素N2O、或いは、TEOSガスとN2O、或いはTEOSガスとN2OとO2を用い、10nm以下、好ましくは5nm以下の酸化窒化シリコン膜を形成する。この酸化窒化シリコン膜は、オゾン含有水溶液代表的にはオゾン水で得られる酸化膜ケミカルオキサイドと呼ばれるや、酸素雰囲気下の紫外線の照射でオゾンを発生させて結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化して得られる酸化膜と比較して、結晶構造を有する第1の半導体膜との密着性が高く、後の工程第2の半導体膜の形成でピーリングが発生しない。さらに密着性を高くするために、バリア層の形成前にアルゴンプラズマ処理を行ってもよい。また、ゲッタリングさせる工程においても、上記膜厚範囲の酸化窒化シリコン膜であれば、金属元素がバリア層を通過してゲッタリングサイトに移動させることができる。また、バリア層の形成にプラズマCVD法を用いた場合、希ガス元素を含む第2の半導体膜と、バリア層を大気に触れさせることなく成膜することが可能であり、さらに同一チャンバーで連続的に成膜することも可能であるため、スループットに優れている。また、他のバリア層15の形成方法としては、クリーンオーブンを用い、200~350°C程度に加熱して薄い酸化膜を形成しても良い。なお、上記方法のいずれか一の方法、またはそれらの方法を組み合わせて形成されたバリア層15は、後のゲッタリングで第1の半導体膜中のニッケルが第2の半導体膜に移動可能な膜質または膜厚とすることが必要である。本明細書中、バリア層とは、ゲッタリング工程において金属元素が通過可能な膜質または膜厚を有し、且つ、ゲッタリングサイトとなる層の除去工程においてエッチングストッパーとなる層を指している。ここでは、希ガス元素を含む第2の半導体膜16をプラズマCVD法にて形成し、ゲッタリングサイトを形成する。希ガス元素としてはヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeから選ばれた一種または複数種を用いる。中でも安価なガスであるアルゴンArが好ましい。ここでは原料ガスとして、モノシラン、アルゴン、水素を用いることによって、アルゴンを1×1018/cm3~1×1022/cm3、好ましくは、1×1020cm3~1×1021cm3の濃度で含み、ゲッタリング効果が得られる第2の半導体膜をプラズマCVD法で成膜することができる。なお、第2の半導体膜は、膜中のフッ素濃度が2×1016/cm3~8×1016/cm3の濃度にまで低減され、水素濃度も比較的低い値となる。膜中に不活性気体である希ガス元素イオンを含有させる意味は二つある。一つはダングリングボンドを形成し半導体膜に歪みを与えることであり、他の一つは半導体膜の格子間に歪みを与えることである。半導体膜の格子間に歪みを与えるにはアルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeなどシリコンより原子半径の大きな元素を用いた時に顕著に得られる。また、膜中に希ガス元素を含有させることにより、格子歪だけでなく、不対結合手も形成させてゲッタリング作用に寄与する。次いで、加熱処理を行い、第1の半導体膜中における金属元素ニッケルの濃度を低減、あるいは除去するゲッタリングを行う。図1Eゲッタリングを行う加熱処理としては、強光を照射する処理または熱処理を行えばよい。このゲッタリングにより、図1E中の矢印の方向即ち、基板側から第2の半導体膜表面に向かう方向に金属元素が移動し、バリア層15で覆われた第1の半導体膜14に含まれる金属元素の除去、または金属元素の濃度の低減が行われる。金属元素がゲッタリングの際に移動する距離は、少なくとも第1の半導体膜の厚さ程度の距離であればよく、比較的短時間でゲッタリングを完遂することができる。ここでは、ニッケルが第1の半導体膜16に偏析しないよう全て第2の半導体膜16に移動させ、第1の半導体膜14に含まれるニッケルがほとんど存在しない、即ち膜中のニッケル濃度が1×1018/cm3以下、望ましくは1×1017/cm3以下になるように十分ゲッタリングする。なお、このゲッタリングの加熱処理の条件、或いは第2の半導体膜の膜厚によっては、第2の半導体膜が一部結晶化される場合もある。第2の半導体膜が結晶化してしまうとダングリングボンドや格子歪みや不対結合手が減少してゲッタリング効果の低減を招くことから、好ましくは、第2の半導体膜が結晶化しない加熱処理の条件、或いは第2の半導体膜の膜厚とする。いずれにせよ、第2の半導体膜、即ち希ガス元素を含有する非晶質シリコン膜は、希ガス元素を含まない非晶質シリコン膜と比べて結晶化が生じにくいため、ゲッタリングサイトとして最適である。また、このゲッタリングの加熱処理の条件によっては、ゲッタリングと同時に第1の半導体膜の結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修する、即ち結晶性の改善を行うことができる。本明細書において、ゲッタリングとは、被ゲッタリング領域ここでは第1の半導体膜にある金属元素が熱エネルギーにより放出され、拡散によりゲッタリングサイトに移動することを指している。従って、ゲッタリングは処理温度に依存し、より高温であるほど短時間でゲッタリングが進むことになる。強光を照射する処理を用いる場合は、加熱用のランプ光源を1~60秒、好ましくは30~60秒点灯させ、それを1~10回、好ましくは2~6回繰り返す。ランプ光源の発光強度は任意なものとするが、瞬間的には600~1000°C、好ましくは700~750°C程度に半導体膜が加熱されるようにする。また、熱処理で行う場合は、窒素雰囲気中で450~800°C、1~24時間、例えば550°Cにて14時間の熱処理を行えばよい。また、熱処理に加えて強光を照射してもよい。次いで、バリア層15をエッチングストッパーとして、16で示した第2の半導体膜のみを選択的に除去した後、バリア層15を除去し、第1の半導体膜16を公知のパターニング技術を用いて所望の形状の半導体層17を形成する。図1F第2の半導体膜のみを選択的にエッチングする方法としては、ClF3によるプラズマを用いないドライエッチング、或いはヒドラジンや、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド化学式CH34NOHを含む水溶液などアルカリ溶液によるウエットエッチングで行うことができる。また、第2の半導体膜を除去した後、バリア層の表面をTXRFでニッケル濃度を測定したところ、ニッケルが高濃度で検出されるため、バリア層は除去することが望ましく、フッ酸を含むエッチャントにより除去すれば良い。また、バリア層を除去した後、レジストからなるマスクを形成する前に、オゾン水で表面に薄い酸化膜を形成することが望ましい。次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄した後、ゲート絶縁膜18となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。次いで、ゲート絶縁膜18の表面を洗浄した後、ゲート電極19を形成する。次いで、半導体にn型を付与する不純物元素P、As等、ここではリンを適宜添加して、ソース領域20及びドレイン領域21を形成する。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温~300°Cの雰囲気中において、表面または裏面からYAGレーザーの第2高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。YAGレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。以降の工程は、層間絶縁膜23を形成し、水素化を行って、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、ソース電極24、ドレイン電極25を形成してTFTnチャネル型TFTを完成させる。図1Gこうして得られたTFTのチャネル形成領域22に含まれる金属元素の濃度は1×1017/cm3未満とすることができる。また、本発明は図1GのTFT構造に限定されず、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域またはソース領域との間にLDD領域を有する低濃度ドレインLDD:LightlyDopedDrain構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をLDD領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してLDD領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるGOLDGatedrainOverlappedLDD構造としてもよい。また、ここではnチャネル型TFTを用いて説明したが、n型不純物元素に代えてp型不純物元素を用いることによってpチャネル型TFTを形成することができることは言うまでもない。また、ここではトップゲート型TFTを例として説明したが、TFT構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型逆スタガ型TFTや順スタガ型TFTに適用することが可能である。実施の形態2ここではTFTの活性層として本発明の希ガス元素を含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜を用いた例を示す。まず、絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上に、本発明の希ガス元素を含み、且つ非晶質構造を有する第1の半導体膜を形成する。ここでは原料ガスとして、モノシラン、アルゴン、水素を用いることによって、アルゴンを1×1018/cm3~1×1022/cm3、好ましくは、1×1020cm3~1×1021cm3の濃度で含み、且つ、フッ素を2×1016/cm3~8×1016/cm3の濃度で含み、且つ、水素濃度が比較的低く、非晶質構造を有する第1の半導体膜をプラズマCVD法で成膜することができる。次いで、一導電型n型またはp型の不純物元素を含有する第2の半導体膜を積層する。次いで、非晶質構造を有する第1の半導体膜のうち、活性層となる部分以外の不要な部分をエッチングで除去する。次いで、全面に導電膜からなる導電膜を成膜した後に、前記導電膜と一導電型n型またはp型の不純物元素を含有する第2の半導体膜の一部を除去して、半導体膜からなるソース領域とドレイン領域を形成し、同時に導電膜からなるドレイン配線とソース配線も形成する。さらに第1の半導体膜の一部を除去して、チャネルエッチ型のボトムゲート構造のTFTを作製する。このTFTに画素電極を設ければ、液晶表示装置における画素部のTFTに使用することができる。また、本発明は、アモルファスシリコンTFTと呼ばれている上記TFTに限定されず、ポリシリコンTFTと呼ばれるTFTの活性層にも適用できる。その場合、実施の形態1に示した下地絶縁膜上に設ける非晶質構造を有する第1の半導体膜12として、本発明の希ガス元素を含み、且つ非晶質構造を有する第1の半導体膜を用いる。そして、結晶化技術固相成長法、レーザー結晶化方法、金属元素を触媒として用いた熱処理による固相成長法などにより結晶化を行って結晶構造を有する半導体を形成し、パターニングしてTFTの活性層とすればよい。本発明の非晶質構造を有する半導体膜は、膜中の水素濃度およびフッ素濃度が低減されているため、結晶化の際に有利である。ここでは原料ガスとして、モノシラン、アルゴン、水素を用いることによって、アルゴンを1×1018/cm3~1×1022/cm3、好ましくは、1×1020cm3~1×1021cm3の濃度で含み、非晶質構造を有する第1の半導体膜をプラズマCVD法で成膜することができる。例えば、レーザー結晶化を行う場合、絶縁表面を有する基板上に、本発明の希ガス元素及び窒素を含み、且つ非晶質構造を有する第1の半導体膜を成膜した後、レーザー結晶化を行う。用いるレーザー光としては、パルス発振型または連続発光型であるエキシマレーザーやYAGレーザーやYVO4レーザー、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザなどを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、パルス発振型のエキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数30Hzとし、レーザーエネルギー密度を100~400mJcm2とする。また、パルス発振型のYAGレーザーやYVO4レーザーを用いる場合にはその第2高調波または第3高調波を用いパルス発振周波数1~10kHzとし、レーザーエネルギー密度を300~600mJcm2とすると良い。そして幅100~1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率オーバーラップ率を80~98として行えばよい。また、YVO4レーザで代表される連続発振型のレーザーを用いる場合、出力10Wの連続発振のYVO4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波第2高調波~第4高調波に変換する。また、共振器の中にYVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.1~10MW/cm2が必要である。そして、0.5~2000cm/s程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。実施の形態3また、本発明の希ガス元素を含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜は、基板上に各素子を形成した後、基板とTFT等の素子とを分離する際、エッチング処理、或いはレーザー光の照射によって層内または界面において剥離現象が生じる層剥離層として用いることもできる。この剥離層は、基板上に接して設け、剥離層上に絶縁膜およびTFTを形成する。また、本発明の希ガス元素を含み、且つ非晶質構造を有する半導体膜は、従来の非晶質構造を有する半導体膜と比較して、エッチングレートが異なるため、各種エッチング工程のエッチングストッパーに用いることができる。さらに、本発明の希ガス元素を含み、且つ、非晶質構造を有する半導体膜は、実施の形態1で説明した方法とは別の方法で結晶化した半導体膜や、その他の一般的な半導体膜のゲッタリングサイトとしても用いることができる。以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。本発明の実施例を図6~図8を用いて説明する。ここでは、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のTFTnチャネル型TFT及びpチャネル型TFTを同時に作製する方法について詳細に説明する。まず、基板100上に下地絶縁膜101を形成し、結晶構造を有する第1の半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層102~106を形成する。基板100としては、ガラス基板1737を用い、下地絶縁膜101としては、プラズマCVD法で成膜温度400°C、原料ガスSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜101a組成比Si=32、O=27、N=24、H=17を50nm好ましくは10~200nm形成する。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸1/100希釈で除去する。次いでプラズマCVD法で成膜温度400°C、原料ガスSiH4、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜101b組成比Si=32、O=59、N=7、H=2を100nm好ましくは50~200nmの厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラズマCVD法で成膜温度300°C、成膜ガスSiH4で非晶質構造を有する半導体膜ここではアモルファスシリコン膜を54nmの厚さ好ましくは25~80nmで形成する。本実施例では下地膜101を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウムSi1XGeXX=0.0001~0.02合金などを用い、公知の手段スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により形成すればよい。また、プラズマCVD装置は、枚葉式の装置でもよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。次いで、非晶質構造を有する半導体膜の表面を洗浄した後、オゾン水で表面に約2nmの極薄い酸化膜を形成する。次いで、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元素ボロンまたはリンのドーピングを行う。ここでは、ジボランB2H6を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧15kV、ジボランを水素で1に希釈したガス流量30sccm、ドーズ量2×1012/cm2で非晶質シリコン膜にボロンを添加した。次いで、重量換算で10ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する。この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行う場合は、500°C~650°Cで4~24時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理500°C、1時間の後、結晶化のための熱処理550°C、4時間を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。次いで、結晶構造を有するシリコン膜表面の酸化膜を希フッ酸等で除去した後、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するための第1のレーザー光XeCl:波長308nmの照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長400nm以下のエキシマレーザ光や、YAGレーザの第2高調波、第3高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数10~1000Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて100~500mJcm2に集光し、90~95のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。ここでは、繰り返し周波数30Hz、エネルギー密度393mJcm2で第1のレーザー光の照射を大気中で行なう。なお、大気中、または酸素雰囲気中で行うため、第1のレーザー光の照射により表面に酸化膜が形成される。次いで、第1のレーザー光の照射により形成された酸化膜を希フッ酸で除去した後、第2のレーザー光の照射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を平坦化する。このレーザー光第2のレーザー光には波長400nm以下のエキシマレーザー光や、YAGレーザーの第2高調波、第3高調波を用いる。第2のレーザー光のエネルギー密度は、第1のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは30~60mJ/cm2大きくする。ここでは、繰り返し周波数30Hz、エネルギー密度453mJcm2で第2のレーザー光の照射を行ない、半導体膜表面における凹凸のP―V値PeaktoValley、高さの最大値と最小値の差分が50nm以下となる。このP-V値は、AFM原子間力顕微鏡により得られる。また、本実施例では第2のレーザー光の照射を全面に行ったが、オフ電流の低減は、画素部のTFTに特に効果があるため、少なくとも画素部のみに選択的に照射する工程としてもよい。また、本実施例では第2のレーザー光の照射を行って平坦化する例を示したが、特に行わなくともよい。次いで、オゾン水で表面を120秒処理して合計1~5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。次いで、バリア層上に上記実施の形態1に示したプラズマCVD法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚150nmで形成する。本実施例のプラズマCVD法による成膜条件は、基板温度を300°Cとし、チャンバー内の圧力を2666Pa0.2Torrとし、チャンバー内にガス導入系からSiH4ガスを流量100sccm、アルゴンガスを流量500sccm、水素ガスを200sccmでそれぞれ導入するとともに高周波電源より放電周波数27.12MHz、投入RF電力300WRFパワー密度0.5W/cm2の放電を行う。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、1×1020/cm3~1×1021/cm3である。その後、ランプアニール装置を用いて650°C、3分の熱処理を行いゲッタリングする。次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。次いで、得られた結晶構造を有するシリコン膜ポリシリコン膜とも呼ばれるの表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層102~106を形成する。半導体層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、ゲート絶縁膜107となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。本実施例では、プラズマCVD法により115nmの厚さで酸化窒化シリコン膜組成比Si=32、O=59、N=7、H=2で形成する。次いで、図6Aに示すように、ゲート絶縁膜107上に膜厚20~100nmの第1の導電膜108aと、膜厚100~400nmの第2の導電膜108bとを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜107上に膜厚50nmの窒化タンタル膜、膜厚370nmのタングステン膜を順次積層する。第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する導電性材料としてはTa、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、AgPdCu合金を用いてもよい。また、2層構造に限定されず、例えば、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500nmのアルミニウムとシリコンの合金Al-Si膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金Al-Si膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜Al-Tiを用いてもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。次に、図6Bに示すように光露光工程によりレジストからなるマスク110~115を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。第1のエッチング処理では第1及び第2のエッチング条件で行う。エッチングにはICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用いると良い。ICPエッチング法を用い、エッチング条件コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4、CCl4などを代表とする塩素系ガスまたはCF4、SF6、NF3などを代表とするフッ素系ガス、またはO2を適宜用いることができる。本実施例では、基板側試料ステージにも150WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。なお、基板側の電極面積サイズは、12.5cm×12.5cmであり、コイル型の電極面積サイズここではコイルの設けられた石英円板は、直径25cmの円板である。この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして第1の導電層の端部をテーパー形状とする。第1のエッチング条件でのWに対するエッチング速度は200.39nm/min、TaNに対するエッチング速度は80.32nm/minであり、TaNに対するWの選択比は約2.5である。また、この第1のエッチング条件によって、Wのテーパー角は、約26°となる。この後、レジストからなるマスク110~115を除去せずに第2のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30sccmとし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF1356MHz電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行った。基板側試料ステージにも20WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4とCl2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチングされる。第2のエッチング条件でのWに対するエッチング速度は58.97nm/min、TaNに対するエッチング速度は66.43nm/minである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10~20程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。上記第1のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は15~45°とすればよい。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層117~121第1の導電層117a~121aと第2の導電層117b~121bを形成する。ゲート絶縁膜となる絶縁膜107は、10~20nm程度エッチングされ、第1の形状の導電層117~121で覆われない領域が薄くなったゲート絶縁膜116となる。次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング処理を行う。図6Cここでは、エッチング用ガスにSF6とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を24/12/24sccmとし、1.3Paの圧力でコイル型の電極に700WのRF1356MHz電力を投入してプラズマを生成してエッチングを25秒行った。基板側試料ステージにも10WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第2のエッチング処理でのWに対するエッチング速度は227.3nm/min、TaNに対するエッチング速度は32.1nm/minであり、TaNに対するWの選択比は7.1であり、絶縁膜116であるSiONに対するエッチング速度は33.7nm/minであり、SiONに対するWの選択比は6.83である。このようにエッチングガス用ガスにSF6を用いた場合、絶縁膜116との選択比が高いので膜減りを抑えることができる。本実施例では絶縁膜116において約8nmしか膜減りが起きない。この第2のエッチング処理によりWのテーパー角は70°となった。この第2のエッチング処理により第2の導電層124b~129bを形成する。一方、第1の導電層は、ほとんどエッチングされず、第1の導電層124a~129aとなる。なお、第1の導電層124a~129aは、第1の導電層117a~122aとほぼ同一サイズである。実際には、第1の導電層の幅は、第2のエッチング処理前に比べて約0.3μm程度、即ち線幅全体で0.6μm程度後退する場合もあるがほとんどサイズに変化がない。また、図6Bおよび図6Cでは、第1の導電層のテーパー部の長さは同一として図示しているが、実際は、配線幅の依存性があるため、配線幅によって第1の導電層のテーパー部の長さが変化する。また、2層構造に代えて、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500nmのアルミニウムとシリコンの合金Al-Si膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順次積層した3層構造とした場合、第1のエッチング処理の第1のエッチング条件としては、BCl3とCl2とO2とを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を65/10/5sccmとし、基板側試料ステージに300WのRF13.56MHz電力を投入し、1.2Paの圧力でコイル型の電極に450WのRF13.56MHz電力を投入してプラズマを生成して117秒のエッチングを行えばよく、第1のエッチング処理の第2のエッチング条件としては、CF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10sccmとし、基板側試料ステージにも20WのRF13.56MHz電力を投入し、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF13.56MHz電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行えばよく、第2のエッチング処理としてはBCl3とCl2を用い、それぞれのガス流量比を20/60sccmとし、基板側試料ステージには100WのRF13.56MHz電力を投入し、1.2Paの圧力でコイル型の電極に600WのRF13.56MHz電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行えばよい。次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第1のドーピング処理を行って図6Dの状態を得る。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1.5×1014atomscm2とし、加速電圧を60~100keVとして行う。n型を付与する不純物元素として、典型的にはリンPまたは砒素Asを用いる。この場合、第1の導電層及び第2の導電層124~128がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第1の不純物領域130~134が形成される。第1の不純物領域130~134には1×1016~1×1017cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。ここでは、第1の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn領域とも呼ぶ。なお、本実施例ではレジストからなるマスクを除去した後、第1のドーピング処理を行ったが、レジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行ってもよい。また、図6Dでは、便宜上、第1の導電層のテーパー部の長さは同一として図示しているが、実際は、配線幅によって第1の導電層のテーパー部の長さが変化している。従って、同一基板上に配線幅の異なる配線が複数設けられている場合、ドーピングされる領域の幅もそれぞれ異なる。次いで、図7Aに示すようにレジストからなるマスク135~137を形成し第2のドーピング処理を行う。マスク135は駆動回路のpチャネル型TFTを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク136は駆動回路のnチャネル型TFTの一つを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク137は画素部のTFTを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域と保持容量となる領域とを保護するマスクである。第2のドーピング処理におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を1.5×1015atomscm2とし、加速電圧を60~100keVとしてリンPをドーピングする。ここでは、第2の導電層124b~126bをマスクとして各半導体層に不純物領域が自己整合的に形成される。勿論、マスク135~137で覆われた領域には添加されない。こうして、第2の不純物領域138~140と、第3の不純物領域142が形成される。第2の不純物領域138~140には1×1020~1×1021cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加されている。ここでは、第2の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn領域とも呼ぶ。また、第3の不純物領域は第1の導電層により第2の不純物領域よりも低濃度に形成され、1×1018~1×1019cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加されることになる。なお、第3の不純物領域は、テーパー形状である第1の導電層の部分を通過させてドーピングを行うため、テーパ-部の端部に向かって不純物濃度が増加する濃度勾配を有している。ここでは、第3の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn領域とも呼ぶ。また、マスク136、137で覆われた領域は、第2のドーピング処理で不純物元素が添加されず、第1の不純物領域144、145となる。次いで、レジストからなるマスク135~137を除去した後、新たにレジストからなるマスク146~148を形成して図7Bに示すように第3のドーピング処理を行う。駆動回路において、上記第3のドーピング処理により、pチャネル型TFTを形成する半導体層および保持容量を形成する半導体層にp型の導電型を付与する不純物元素が添加された第4の不純物領域149、150及び第5の不純物領域151、152を形成する。また、第4の不純物領域149、150には1×1020~1×1021cm3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第4の不純物領域149、150には先の工程でリンPが添加された領域n領域であるが、p型を付与する不純物元素の濃度がその1.5~3倍添加されていて導電型はp型となっている。ここでは、第4の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をp領域とも呼ぶ。また、第5の不純物領域151、152は第2の導電層125aのテーパー部と重なる領域に形成されるものであり、1×1018~1×1020cm3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加されるようにする。ここでは、第5の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をp領域とも呼ぶ。以上までの工程でそれぞれの半導体層にn型またはp型の導電型を有する不純物領域が形成される。導電層124~127はTFTのゲート電極となる。また、導電層128は画素部において保持容量を形成する一方の電極となる。さらに、導電層129は画素部においてソース配線を形成する。また、導電層124~127及び不純物領域第1の不純物領域~第5の不純物領域が形成できるのであれば特に上記工程順序に限定されず、各エッチング順序、各ドーピング順序を適宜変更してもよい。次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜図示しないを形成する。本実施例では、プラズマCVD法により膜厚50nmの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。次いで、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法RTA法、或いはYAGレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせた方法によって行う。また、本実施例では、上記活性化の前に絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。次いで、窒化シリコン膜からなる第1の層間絶縁膜153を形成して熱処理300~550°Cで1~12時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。図7Cこの工程は第1の層間絶縁膜153に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。酸化シリコン膜からなる絶縁膜図示しないの存在に関係なく半導体層を水素化することができる。ただし、本実施例では、第2の導電層としてアルミニウムを主成分とする材料を用いているので、水素化する工程において第2の導電層が耐え得る熱処理条件とすることが重要である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化プラズマにより励起された水素を用いるを行っても良い。次いで、第1の層間絶縁膜153上に有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜154を形成する。本実施例では膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形成する。次いで、ソース配線129に達するコンタクトホールと、導電層127、128に達するコンタクトホールと、各不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順次行う。本実施例では第1の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第2の層間絶縁膜をエッチングした後、絶縁膜図示しないをエッチングストッパーとして第1の層間絶縁膜をエッチングしてから絶縁膜図示しないをエッチングした。その後、Al、Ti、Mo、Wなどを用いて配線及び画素電極を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、AlまたはAgを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。こうして、ソース電極またはドレイン電極155~160、ゲート配線162、接続配線161、画素電極163が形成される。以上の様にして、nチャネル型TFT201、pチャネル型TFT202、nチャネル型TFT203を有する駆動回路206と、nチャネル型TFTからなる画素TFT204、保持容量205とを有する画素部207を同一基板上に形成することができる。図8本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。画素部207において、画素TFT204nチャネル型TFTにはチャネル形成領域167、ゲート電極を形成する導電層127の外側に形成される第1の不純物領域n領域145とソース領域として機能する第2の不純物領域n領域140を有している。また、保持容量205の一方の電極として機能する半導体層には第4の不純物領域150、第5の不純物領域152が形成されている。保持容量205は、絶縁膜ゲート絶縁膜と同一膜116を誘電体として、第2の電極128と、半導体層150、152、168とで形成されている。また、駆動回路206において、nチャネル型TFT201第1のnチャネル型TFTはチャネル形成領域164、ゲート電極を形成する導電層124の一部と絶縁膜を介して重なる第3の不純物領域n領域142とソース領域またはドレイン領域として機能する第2の不純物領域n領域138を有している。また、駆動回路206において、pチャネル型TFT202にはチャネル形成領域165、ゲート電極を形成する導電層125の一部と絶縁膜を介して重なる第5不純物領域p領域151とソース領域またはドレイン領域として機能する第4の不純物領域p領域149を有している。また、駆動回路206において、nチャネル型TFT203第2のnチャネル型TFTにはチャネル形成領域166、ゲート電極を形成する導電層126の外側に第1の不純物領域n領域144とソース領域またはドレイン領域として機能する第2の不純物領域n領域139を有している。これらのTFT201~203を適宜組み合わせてシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成し、駆動回路206を形成すればよい。例えば、CMOS回路を形成する場合には、nチャネル型TFT201とpチャネル型TFT202を相補的に接続して形成すればよい。特に、駆動電圧が高いバッファ回路には、ホットキャリア効果による劣化を防ぐ目的から、nチャネル型TFT203の構造が適している。また、信頼性が最優先とされる回路には、GOLD構造であるnチャネル型TFT201の構造が適している。また、半導体膜表面の平坦化を向上させることによって信頼性を向上させることができるので、GOLD構造のTFTにおいて、ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重なる不純物領域の面積を縮小しても十分な信頼性を得ることができる。具体的にはGOLD構造のTFTにおいてゲート電極のテーパー部となる部分サイズを小さくしても十分な信頼性を得ることができる。また、GOLD構造のTFTにおいてはゲート絶縁膜が薄くなると寄生容量が増加するが、ゲート電極第1導電層のテーパー部となる部分サイズを小さくして寄生容量を低減すれば、f特性も向上してさらなる高速動作が可能となり、且つ、十分な信頼性を有するTFTとなる。なお、画素部207の画素TFTにおいても、第2のレーザー光の照射によりオフ電流の低減、およびバラツキの低減が実現される。また、本実施例では反射型の表示装置を形成するためのアクティブマトリクス基板を作製する例を示したが、画素電極を透明導電膜で形成すると、フォトマスクは1枚増えるものの、透過型の表示装置を形成することができる。本実施例では、実施例1で作製したアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図9を用いる。まず、実施例1に従い、図8の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図8のアクティブマトリクス基板上に配向膜を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサを所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。次いで、対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタが設けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜を形成し、ラビング処理を施した。そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材で貼り合わせる。シール材にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料を注入し、封止剤図示せずによって完全に封止する。液晶材料には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてFPCを貼りつけた。こうして得られた液晶モジュールの構成を図9の上面図を用いて説明する。アクティブマトリクス基板301の中央には、画素部304が配置されている。画素部304の上側には、ソース信号線を駆動するためのソース信号線駆動回路302が配置されている。画素部304の左右には、ゲート信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路303が配置されている。本実施例に示した例では、ゲート信号線駆動回路303は画素部に対して左右対称配置としているが、これは片側のみの配置でも良く、液晶モジュールの基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考えると、図9に示した左右対称配置が望ましい。各駆動回路への信号の入力は、フレキシブルプリント基板FlexiblePrintCircuit:FPC305から行われる。FPC305は、基板301の所定の場所まで配置された配線に達するように、層間絶縁膜および樹脂膜にコンタクトホールを開口し、接続電極309を形成した後、異方性導電膜等を介して圧着される。本実施例においては、接続電極はITOを用いて形成した。駆動回路、画素部の周辺には、基板外周に沿ってシール剤307が塗布され、あらかじめアクティブマトリクス基板上に形成されたスペーサ310によって一定のギャップ基板301と対向基板306との間隔を保った状態で、対向基板306が貼り付けられる。その後、シール剤307が塗布されていない部分より液晶素子が注入され、封止剤308によって密閉される。以上の工程により、液晶モジュールが完成する。また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のICを用いてもよい。また、本実施例は、実施例1と自由に組みあわせることが可能である。実施例1では画素電極が反射性を有する金属材料で形成された反射型の表示装置の例を示したが、本実施例では画素電極を透光性を有する導電膜で形成した透過型の表示装置の例を示す。層間絶縁膜を形成する工程までは実施例1と同じであるので、ここでは省略する。実施例1に従って層間絶縁膜を形成した後、透光性を有する導電膜からなる画素電極601を形成する。透光性を有する導電膜としては、ITO酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnO、酸化亜鉛ZnO等を用いればよい。その後、層間絶縁膜600にコンタクトホールを形成する。次いで、画素電極と重なる接続電極602を形成する。この接続電極602は、コンタクトホールを通じてドレイン領域と接続されている。また、この接続電極と同時に他のTFTのソース電極またはドレイン電極も形成する。また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のICを用いてもよい。以上のようにしてアクティブマトリクス基板が形成される。このアクティブマトリクス基板を用い、実施例2に従って液晶モジュールを作製し、バックライト604、導光板605を設け、カバー606で覆えば、図10にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて貼り合わせる。また、基板と対向基板を貼り合わせる際、枠で囲んで有機樹脂を枠と基板との間に充填して接着してもよい。また、透過型であるので偏光板603は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。また、本実施例は、実施例1、または実施例2と自由に組みあわせることが可能である。本実施例では、ELElectroLuminescence素子を備えた発光表示装置を作製する例を図11に示す。図11Aは、ELモジュールを示す上面図、図11Bは図11AをA-A’で切断した断面図である。絶縁表面を有する基板900例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラスチック基板等に、画素部902、ソース側駆動回路901、及びゲート側駆動回路903を形成する。これらの画素部や駆動回路は、上記実施例に従えば得ることができる。また、918はシール材、919はDLC膜であり、画素部および駆動回路部はシール材918で覆われ、そのシール材は保護膜919で覆われている。さらに、接着材を用いてカバー材920で封止されている。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材920は基板900と同じ材質のもの、例えばガラス基板を用いることが望ましく、サンドブラスト法などにより図11に示す凹部形状深さ3~10μmに加工する。さらに加工して乾燥剤921が設置できる凹部深さ50~200μmを形成することが望ましい。また、多面取りでELモジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、CO2レーザー等を用いて端面が一致するように分断してもよい。なお、908はソース側駆動回路901及びゲート側駆動回路903に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット909からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図11Bを用いて説明する。基板900上に絶縁膜910が設けられ、絶縁膜910の上方には画素部902、ゲート側駆動回路903が形成されており、画素部902は電流制御用TFT911とそのドレインに電気的に接続された画素電極912を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路903はnチャネル型TFT913とpチャネル型TFT714とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。これらのTFT911、913、914を含むは、上記実施例1のnチャネル型TFT201、上記実施例1のpチャネル型TFT202に従って作製すればよい。なお、TFTとEL素子の間に設ける絶縁膜としては、アルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンの拡散をブロックするだけでなく、積極的にアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンを吸着する材料が好ましく、更には後のプロセス温度に耐えうる材料が適している。これらの条件に合う材料は、一例としてフッ素を多く含んだ窒化シリコン膜が挙げられる。窒化シリコン膜の膜中に含まれるフッ素濃度は、1×1019/cm3以上、好ましくは窒化シリコン膜中でのフッ素の組成比を1~5とすればよい。窒化シリコン膜中のフッ素がアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等と結合し、膜中に吸着される。また、他の例としてアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等を吸着するアンチモンSb化合物、スズSn化合物、またはインジウムIn化合物からなる微粒子を含む有機樹脂膜、例えば、五酸化アンチモン微粒子Sb2O5nH2Oを含む有機樹脂膜も挙げられる。なお、この有機樹脂膜は、平均粒径10~20nmの微粒子が含まれており、光透過性も非常に高い。この五酸化アンチモン微粒子で代表されるアンチモン化合物は、アルカリ金属イオン等の不純物イオンやアルカリ土金属イオンを吸着しやすい。画素電極912は発光素子EL素子の陽極として機能する。また、画素電極912の両端にはバンク915が形成され、画素電極912上にはEL層916および発光素子の陰極917が形成される。EL層916としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてEL層発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層を形成すれば良い。例えば、低分子系有機EL材料や高分子系有機EL材料を用いればよい。また、EL層として一重項励起により発光蛍光する発光材料シングレット化合物からなる薄膜、または三重項励起により発光リン光する発光材料トリプレット化合物からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。陰極917は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線908を経由してFPC909に電気的に接続されている。さらに、画素部902及びゲート側駆動回路903に含まれる素子は全て陰極917、シール材918、及び保護膜919で覆われている。なお、シール材918としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材918はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、シール材918を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図11に示すようにDLC膜等からなる保護膜919をシール材918の表面露呈面に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子FPCが設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、CVD装置で使用するマスキングテープ等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。以上のような構造で発光素子をシール材918及び保護膜で封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、画素電極を陰極とし、EL層と陽極を積層して図11とは逆方向に発光する構成としてもよい。図12にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。図12に示した断面構造について以下に説明する。基板1000としては、ガラス基板や石英基板の他にも、半導体基板または金属基板も使用することができる。基板1000上に絶縁膜1010が設けられ、絶縁膜1010の上方には画素部1002、ゲート側駆動回路1003が形成されており、画素部1002は電流制御用TFT1011とそのドレインに電気的に接続された画素電極1012を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路1003はnチャネル型TFT1013とpチャネル型TFT1014とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。画素電極1012は発光素子の陰極として機能する。また、画素電極1012の両端にはバンク1015が形成され、画素電極1012上にはEL層1016および発光素子の陽極1017が形成される。陽極1017は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線1008を経由してFPC1009に電気的に接続されている。さらに、画素部1002及びゲート側駆動回路1003に含まれる素子は全て陽極1017、シール材1018、及びDLC等からなる保護膜1019で覆われている。また、カバー材1021と基板1000とを接着剤で貼り合わせた。また、カバー材には凹部を設け、乾燥剤1021を設置する。なお、シール材1018としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材1018はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、図12では、画素電極を陰極とし、EL層と陽極を積層したため、発光方向は図12に示す矢印の方向となっている。本実施例では、実施例1で得られる電気特性、信頼性ともに高いTFTを用いるため、従来の素子に比べて信頼性の高い発光素子を形成することができる。また、そのような発光素子を有する発光装置を表示部として用いることにより高性能な電気器具を得ることができる。なお、本実施例は実施例1と自由に組み合わせることが可能である。本発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々なモジュールアクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ELモジュール、アクティブマトリクス型ECモジュールに用いることができる。即ち、本発明を実施することによって、それらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等などが挙げられる。それらの一例を図13~図15に示す。図13Aはパーソナルコンピュータであり、本体2001、画像入力部2002、表示部2003、キーボード2004等を含む。図13Bはビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。図13Cはモバイルコンピュータモービルコンピュータであり、本体2201、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。図13Dはゴーグル型ディスプレイであり、本体2301、表示部2302、アーム部2303等を含む。図13Eはプログラムを記録した記録媒体以下、記録媒体と呼ぶを用いるプレーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVDDigtialVersatileDisc、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。図13Fはデジタルカメラであり、本体2501、表示部2502、接眼部2503、操作スイッチ2504、受像部図示しない等を含む。図14Aはフロント型プロジェクターであり、投射装置2601、スクリーン2602等を含む。実施例3を投射装置2601の一部を構成する液晶モジュール2808に適用し、装置全体を完成させることができる。図14Bはリア型プロジェクターであり、本体2701、投射装置2702、ミラー2703、スクリーン2704等を含む。実施例3を投射装置2702の一部を構成する液晶モジュール2808に適用し、装置全体を完成させることができる。なお、図14Cは、図14A及び図14B中における投射装置2601、2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2801、ミラー2802、2804~2806、ダイクロイックミラー2803、プリズム2807、液晶モジュール2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成される。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図14C中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。また、図14Dは、図14C中における光源光学系2801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源2812、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で構成される。なお、図14Dに示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。ただし、図14に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及びELモジュールでの適用例は図示していない。図15Aは携帯電話であり、本体2901、音声出力部2902、音声入力部2903、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部CCD、イメージセンサ等2907等を含む。図15Bは携帯書籍電子書籍であり、本体3001、表示部3002、3003、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。図15Cはディスプレイであり、本体3101、支持台3102、表示部3103等を含む。ちなみに図15Cに示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば5~20インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1~4のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。