"半導体基板を載置するステージと、前記半導体基板の上方から前記半導体基板の周縁部を研磨する研磨部と、前記半導体基板の基準高さ位置を検出する検出部と、前記研磨部が前記基準高さ位置から所定の距離だけ前記半導体基板面側へ移動した場合に、研磨部の半導体基板面側への更なる移動が停止されるように、前記研磨部の移動を拘束するロック機構と、を備えたことを特徴とする研磨装置。前記ロック機構は、前記研磨部の移動に伴って移動する当接部材と、前記当接部材と当接して、前記研磨部の半導体基板面側への移動を拘束するストッパ部と、を有することを特徴とする請求項1記載の研磨装置。半導体基板の基準高さ位置を検出する工程と、前記基準高さ位置を用いて、研磨高さ位置の目標値を設定する工程と、研磨部を用いて、前記基準高さ位置から前記研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、前記半導体基板の周縁部を研磨する工程と、前記目標値よりも半導体基板の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部の半導体基板面側への移動を拘束する工程と、を備えたことを特徴とする研磨方法。前記半導体基板を研磨しながら研磨対象が変化した時点を前記基準高さ位置として検出することを特徴とする請求項3記載の研磨方法。前記半導体基板の表面高さ位置を前記基準高さ位置として検出することを特徴とする請求項3記載の研磨方法。本発明の実施形態は、上述した問題点を克服し、過研磨を防止することが可能な研磨装置及び研磨方法を提供することを目的とする。実施形態の研磨装置は、ステージと研磨部と検出部とロック機構とを備えた。ステージは、半導体基板を載置する。研磨部は前記半導体基板の上方から前記半導体基板の周縁部を研磨する。検出部は前記半導体基板の基準高さ位置を検出する。ロック機構は、前記研磨部が前記基準高さ位置から所定の距離だけ前記半導体基板面側へ移動した場合に、研磨部の半導体基板面側への更なる移動が停止されるように、前記研磨部の移動を拘束する。実施形態の研磨方法は、半導体基板の基準高さ位置を検出する工程と、前記基準高さ位置を用いて、研磨高さ位置の目標値を設定する工程と、研磨部を用いて、前記基準高さ位置から前記研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、前記半導体基板の周縁部を研磨する工程と、前記目標値よりも半導体基板の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部の半導体基板面側への移動を拘束する工程と、を備えたことを特徴とする。第1の実施形態図1では、第1の実施形態における研磨装置の構成が示される。図1において、周縁部研磨装置100は、ステージ101、研磨ヘッド102、研磨テープ104、ローラ106、研磨ヘッドボックス111、モータ130.131,132、電流計140,141,142、及び制御回路150を備えている。周縁部研磨装置100内の各構成の動作は、制御回路150によって制御される。研磨ヘッドボックス111内には、シリンダ112、シリンダ軸114、テーパ軸117、位置確認センサ110、可変ストッパ機構120、当接部材116、圧力制御回路134、及び電流計144が配置される。また、可変ストッパ機構120は、ストッパ部材118、スライダ121、モータ122、及び回転軸124を有している。シリンダ112内から延びるシリンダ軸114の先にはテーパ軸117が配置される。テーパ軸117は、その軸径が徐々に変化するように形成されている。図1の例は、下方に向かって徐々に細くなるように形成されている。そして、テーパ軸117は、研磨ヘッドボックス111内から外部に突き出しており、研磨ヘッドボックス111の外部においてテーパ軸117の先には研磨ヘッド102が配置される。研磨ヘッド102は、テーパ軸117側とは反対側が例えば円弧上に凸に形成され、研磨テープ104を裏面側からかかる円弧上の凸面で押圧する。研磨テープ104は、その研磨面に砥石等の研磨部材が形成され研磨対象と摺動することで研磨対象を研磨する。研磨テープ104は、図示しない送りリールを回転させる送りモータ130と図示しない巻き取りリールを回転させる巻き取りモータ131によって弛まないように引っ張られる。また、研磨テープ104は、研磨ヘッド102で押圧された位置でシリコン基板半導体基板300を研磨する。そのため、研磨テープ104は、研磨ヘッド102の位置で凸に張られるように、研磨ヘッド102よりも若干シリンダ軸114側にずれた位置の2つのローラ106を介して送りモータ130と巻き取りモータ131によって張られる。なお、送りモータ130或いは巻き取りモータ131とローラ106との間には、その他のローラ等を介して研磨テープの経路が形成されている。また、ステージ101上には研磨対象となるシリコン基板300が載置され、シリコン基板300が載置された状態で、ステージ101はモータ132によってシリコン基板300の表面中心を軸に回転する。シリコン基板300は、その裏面が、例えば、図示しない真空チャック機構によりステージ101表面に吸着されている。例えば、ステージ101の直径は、シリコン基板300の直径よりも小さく形成され、シリコン基板300の表面および裏面における周縁部がステージ101の外径よりも外側に位置するように形成される。なお、図1では、第1の実施形態の説明に必要な構成を示しているにすぎず、その他の構成が配置されていても構わないことは言うまでもない。図2に、第1の実施形態における研磨動作を説明するための動作説明図が示される。シリコン基板300表面の周縁部を研磨する際には、以下のように動作する。図2aに示すように、まず、かかる周縁部の基板中心側の端の位置において、凸面が下を向くように配置された研磨ヘッド102が上方からシリコン基板300の周縁部表面まで移動する。かかる周縁部の基板中心側の端の位置における周縁部表面が研磨開始位置になる。そして、第1の垂直移動研磨工程として、研磨ヘッド102が上方から、回転するステージ101上に載置されたシリコン基板300表面に向かって研磨テープ104を押圧することで研磨が開始される。研磨テープ104の押圧力は、圧力制御回路134によって制御されたシリンダ112によって調整される。よって、シリコン基板300表面の周縁部の研磨が進むと、一定の押圧力になるように、シリンダ112がシリンダ軸114を送り出す。その送り動作によって、テーパ軸117、研磨ヘッド102、及びその先の研磨テープ104が基板面側に移動する。このように、研磨ヘッド102及び研磨テープ104といった研磨部が、シリコン基板300の上方からシリコン基板300の周縁部を研磨する。次に、基準高さ位置検出工程として、シリコン基板300の基準高さ位置を検出する。シリコン基板300の表面に形成された膜12の研磨が進み、図2bに示すように、かかる周縁部の基板中心側の端の位置において、膜12の下層の基板10面に到達する。ここで、研磨対象が膜12から硬さの異なる基板10へと変わるため、摩擦抵抗が変化する。図3は、第1の実施形態における電流値と時間との関係の一例を示すグラフである。縦軸に電流値を示し、横軸に研磨開始からの経過時間tを示す。図3に示すように、上述した摩擦抵抗の変化は、ステージ101を回転させるモータ132のトルク変化を起こし、モータ132への入力電流値が変動する。モータ132への入力電流値は電流計142によって検出される。同様に、研磨テープ104の送りモータ130と巻き取りモータ131のトルク変化を起こし、送りモータ130、巻き取りモータ131への入力電流値が変動する。送りモータ130への入力電流値は電流計140によって検出される。巻き取りモータ131への入力電流値は電流計141によって検出される。また、押圧力を制御している圧力制御回路134への入力電流値が変動する。圧力制御回路134への入力電流値は電流計144によって検出される。制御回路150は、かかる電流値のうち、少なくとも1つを入力し、入力された少なくとも1つの電流値の電流変化をトリガとして、位置確認センサ110にシリコン基板300の基準高さ位置を検出させる。位置確認センサ110は検出部の一例である。具体的には、例えば、以下のようにして検出する。テーパ軸117の軸中心から軸方向と直交する方向に所定の距離だけ離れた位置に、位置確認センサ110を配置しておく。そして、テーパ軸117表面と位置確認センサ110との距離を測定する。例えばテーパ軸117が基板側に移動すれば、位置確認センサ110の高さ位置におけるテーパ軸117の軸径が変化する。よって、テーパ軸117表面と位置確認センサ110との距離が変化する。これにより、テーパ軸117の高さ位置を介して、研磨ヘッド102の高さ位置、ひいては研磨しているシリコン基板300の表面高さ位置を検出できる。以上のように、シリコン基板300を研磨しながら研磨対象が変化した時点を基準高さ位置として検出する。制御回路150は、かかる検出で得られた表面高さ位置を基準高さ位置として認識する。図4に、第1の実施形態における研磨動作を説明するための動作説明図が示される。図4aに示すように、周縁部の基板中心側の端の位置において、上述した基準高さ位置から所定の距離d1だけ研磨を進める。その後、図4bに示すように、基板外周側に向かって平行移動しながら研磨を進めていく。ここで、シリコン基板300の周縁部の特にべベル側の端部付近では、研磨テープ104との接触面積が小さくなるため面圧が上昇し、削り過ぎる過研磨が生じてしまう。そこで、第1の実施形態では、以下のようにかかる過研磨を防止する。まず、研磨高さ位置の目標値設定工程として、制御回路150は、検出された基準高さ位置を用いて、研磨高さ位置の目標値を設定する。シリンダ軸114には、当接部材116が固定されている。当接部材116は、例えばシリンダ軸114の軸方向と直交する方向に延びている。当接部材116は、シリンダ軸114と共に移動する。よって、研磨ヘッド102や研磨テープ104の移動と共に同じ量だけ移動する。そこで、上述した基準高さ位置と対応した当接部材116の高さ位置から研磨が進む側に距離d1だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値にストッパ部材118ストッパ部が配置されるようにストッパ部材118を移動させる。ストッパ部材118は、スライダ121に固定され、スライダ121は、モータ122により回転する回転軸124の回転に伴ってシリンダ軸方向に移動可能に配置される。そして、かかるスライダ121の移動によって、ストッパ部材118を所望の高さ位置まで移動させればよい。そして、第2の垂直移動研磨工程として、図4aに示すように、周縁部の基板中心側の端の位置において、研磨ヘッド102や研磨テープ104を用いて、基準高さ位置から所定の距離d1だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、シリコン基板300の周縁部を研磨する。そして、移動拘束工程として、研磨高さ位置の目標値よりもシリコン基板300の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部のシリコン基板300面側への移動を拘束する。具体的には、以下のように動作する。上述した基準高さ位置から所定の距離d1だけ研磨を進めると、目標値の研磨高さ位置において当接部材116がストッパ部材118に当接する。そのため、研磨ヘッド102や研磨テープ104は、それ以上、基板側に進むことができなくなる。よって、ストッパ部材118は、当接部材116と当接して、研磨ヘッド102や研磨テープ104のシリコン基板面側への移動を拘束する。以上のように、可変ストッパ機構120は、研磨ヘッド102や研磨テープ104が基準高さ位置から所定の距離d1だけシリコン基板300面側へ移動した場合に、研磨ヘッド102や研磨テープ104のシリコン基板300面側への更なる移動が停止されるように、研磨ヘッド102や研磨テープ104の移動を拘束する。可変ストッパ機構120は、ロック機構の一例である。そして、平行移動研磨工程として、研磨部の基板側への移動ここでは垂直移動が拘束された状態で、図4bに示すように、基板面と平行に研磨ヘッド102を図示しない移動機構により平行移動させながら基板外周側へと基板10とその上の膜12との研磨を一緒に進めていく。第1の実施形態では、研磨ヘッド102の基板側への移動が機械的に拘束されているので、周縁部のべベル側端部においても過研磨を防止或いは抑制できる。以上のように、第1の実施形態によれば、基板周縁部の過研磨を防止或いは抑制できる。第2の実施形態第1の実施形態では、第2の研磨対象となる基板10上に第1の研磨対象となる膜12が形成された場合について説明したが、第1の研磨対象となる膜12が形成されていないシリコン基板半導体基板の表面を研磨する場合もある。例えば、基板周縁部の表面が荒れて表面に凹凸が形成されている場合等に平坦化する。例えばトレンチキャパシタのトレンチをSiウェハの表面に形成するRIEReactiveIonEtching工程で荒れは発生する。しかし、第1の実施形態のように基準高さ位置を検出するための膜12が存在しない。そこで、第2の実施形態では、以下のようにして基準高さ位置を検出する。以下、特に説明しない点の内容は第1の実施形態と同様である。図5に、第2の実施形態における研磨装置の構成の一部が示される。図5において、基準高さ位置の検出部としてテーパ軸117及び位置確認センサ110に加えて、カンチレバー222を備えた点以外は、図1と同様である。カンチレバー222は、研磨ヘッド102の脇に配置される。図5では、シリンダ軸114の先に研磨ヘッド102が配置されているが、テーパ軸117については記載を省略している。まず、基準高さ位置検出工程として、シリコン基板302の基準高さ位置を検出する。カンチレバー222の先端をシリコン基板302の表面に近づけ、原子間力を利用してシリコン基板302の表面高さ位置を検出する。そして、制御回路150は、カンチレバー222から信号を入力し、かかるシリコン基板302の表面高さ位置を基準高さ位置として取得する。このとき、第1の実施形態とは異なり研磨ヘッド102の位置は待機状態にあるが、第1の実施形態と同様、位置確認センサ110でテーパ軸117との距離を測定することで研磨ヘッド102の高さ位置を検出すれば、この研磨ヘッド102の高さ位置とカンチレバー222で検出されたシリコン基板302の表面高さ位置との相対的な位置関係に基づき、研磨ヘッド102による研磨動作の際のシリコン基板302の基準高さ位置を認識することができる。そして、研磨高さ位置の目標値設定工程として、制御回路150は、かかる基準高さ位置を用いて、研磨高さ位置の目標値を設定する。そして、上述した基準高さ位置と対応した当接部材116の高さ位置から研磨が進む側に距離dだけ離れた位置研磨高さ位置の目標値にストッパ部材118ストッパ部が配置されるようにストッパ部材118を移動させる。そして、垂直移動研磨工程として、周縁部の基板中心側の端の位置において、研磨ヘッド102や研磨テープ104を用いて、基準高さ位置から所定の距離dだけ離れた位置研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、シリコン基板302の周縁部を研磨する。そして、移動拘束工程として、研磨高さ位置の目標値よりもシリコン基板302の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部のシリコン基板302面側への移動を拘束する。そして、平行移動研磨工程として、研磨部の基板側への移動ここでは垂直移動が拘束された状態で、基板面と平行に研磨ヘッド102を図示しない移動機構により平行移動させながら基板外周側へとシリコン基板302の研磨を進めていく。以上により、研磨高さ位置の目標値よりもシリコン基板302の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部のシリコン基板302面側への移動を拘束できる。その結果、シリコン基板302上に基準高さ位置を検出するための膜が形成されていなくても、シリコン基板302の過研磨を防止できる。第3の実施形態第1の実施形態では、基板10上の膜12から基板10へと研磨対象が変化した時点を基準高さ位置として検出し、基板10の研磨量d1を管理していたが、これに限るものではない。第3の実施形態では、基板10上に積層膜が形成されていた場合に、上層から第2番目以降の下層の膜の研磨量を管理する場合について説明する。第3の実施形態において、装置構成は、図1と同様である。また、以下、特に説明しない点の内容は第1の実施形態と同様である。図6に、第3の実施形態における研磨動作を説明するための動作説明図が示されている。第3の実施形態では、基板10上に膜12、膜14からなる積層膜が形成されたシリコン基板300の周縁部を研磨する。特に、第3の実施形態では、下層の膜12の研磨量を管理する場合について説明する。まず、図6aに示すように、かかる周縁部の基板中心側の端の位置において、凸面が下を向くように配置された研磨ヘッド102が上方からシリコン基板300の周縁部表面、すなわち積層膜の表面まで移動する。かかる周縁部の基板中心側の端の位置における周縁部の積層膜表面が研磨開始位置になる。そして、第1の垂直移動研磨工程として、周縁部の基板中心側の端の位置において、研磨ヘッド102及び研磨テープ104といった研磨部が、シリコン基板300の上方からシリコン基板300の周縁部を研磨する。次に、基準高さ位置検出工程として、シリコン基板300の基準高さ位置を検出する。シリコン基板300の表面に形成された膜14の研磨が進み、図6bに示すように、かかる周縁部の基板中心側の端の位置において、膜14の下層の膜12表面に到達する。ここで、研磨対象が膜14から硬さの異なる膜12へと変わるため、摩擦抵抗が変化する。かかる時点で、第1の実施形態と同様、制御回路150は、上述した電流値のうち、入力された少なくとも1つの電流値の電流変化をトリガとして、位置確認センサ110にシリコン基板300の基準高さ位置を検出させる。以上のように、シリコン基板300を研磨しながら研磨対象が変化した時点を基準高さ位置として検出する。制御回路150は、かかる検出で得られた高さ位置を基準高さ位置として認識する。そして、研磨高さ位置の目標値設定工程として、制御回路150は、かかる基準高さ位置を用いて、研磨高さ位置の目標値を設定する。そして、上述した基準高さ位置と対応した当接部材116の高さ位置から研磨が進む側に距離d2だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値にストッパ部材118ストッパ部が配置されるようにストッパ部材118を移動させる。そして、第2の垂直移動研磨工程として、図6cに示すように、周縁部の基板中心側の端の位置において、研磨ヘッド102や研磨テープ104を用いて、基準高さ位置から所定の距離d2だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、シリコン基板300の周縁部にある膜12を研磨する。そして、移動拘束工程として、研磨高さ位置の目標値よりも膜12の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部のシリコン基板300面側への移動ここでは垂直移動を拘束する。具体的には、以下のように動作する。上述した基準高さ位置から所定の距離d2だけ研磨を進めると、目標値の研磨高さ位置において当接部材116がストッパ部材118に当接する。そのため、研磨ヘッド102や研磨テープ104は、それ以上、基板側に進むことができなくなる。よって、ストッパ部材118は、当接部材116と当接して、研磨ヘッド102や研磨テープ104のシリコン基板面側への移動を拘束する。そして、水平移動研磨工程として、研磨部の基板側への移動が拘束された状態で、第1の実施形態と同様、基板面と平行に研磨ヘッド102を図示しない移動機構により平行移動させながら基板外周側へと膜12とその上層の膜14との研磨を一緒に進めていく。以上のように、第3の実施形態によれば、基板周縁部における積層膜の下層膜12の研磨量を管理できる。その結果、下層膜12の過研磨を防止或いは抑制できる。第4の実施形態シリコン基板の周縁部を研磨する際、研磨プロセスを複数回に分けて行う場合がある。例えば、第1回目の周縁部研磨では、目の粗い研磨テープ104を用いて荒研磨粗研磨を行い、目の粗い研磨テープ104から目の細かい研磨テープ104に変えて2回目の研磨において仕上げ研磨を行う場合等が挙げられる。かかる場合についても、2回の周縁部研磨の際の研磨量を管理できる。第4の実施形態では、第3の実施形態と同様、基板10上に積層膜が形成されている場合に、上層から第2番目以降の下層の膜の研磨量を管理する。以下、特に説明しない点の内容は第3の実施形態と同様である。図7に、第4の実施形態における研磨動作を説明するための動作説明図が示されている。第4の実施形態では、基板10上に膜12、膜14からなる積層膜が形成されたシリコン基板300の周縁部を研磨する。特に、第4の実施形態では、下層の膜12の研磨量を管理する場合について説明する。第1回目の周縁部研磨工程において、まず、第1の垂直移動研磨工程として、第3の実施形態と同様、周縁部の基板中心側の端の位置において、研磨ヘッド102及び研磨テープ104といった研磨部が、シリコン基板300の上方からシリコン基板300の周縁部を研磨する。次に、基準高さ位置検出工程として、シリコン基板300の基準高さ位置を検出する。シリコン基板300の表面に形成された膜14の研磨が進み、図7aに示すように、かかる周縁部の基板中心側の端の位置において、膜14の下層の膜12表面に到達する。ここで、研磨対象が膜14から硬さの異なる膜12へと変わるため、摩擦抵抗が変化する。かかる時点で、第1の実施形態と同様、シリコン基板300を研磨しながら研磨対象が変化した時点を基準高さ位置として検出する。制御回路150は、かかる検出で得られた高さ位置を基準高さ位置として認識する。そして、研磨高さ位置の目標値設定工程として、制御回路150は、かかる基準高さ位置を用いて、研磨高さ位置の目標値を設定する。そして、上述した基準高さ位置と対応した当接部材116の高さ位置から研磨が進む側に距離d3だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値にストッパ部材118ストッパ部が配置されるようにストッパ部材118を移動させる。そして、第2の垂直移動研磨工程として、第3の実施形態と同様、周縁部の基板中心側の端の位置において、図7aに示すように、研磨ヘッド102や研磨テープ104を用いて、基準高さ位置から所定の距離d3だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、シリコン基板300の周縁部にある膜12を研磨する。そして、移動拘束工程として、研磨高さ位置の目標値よりも膜12の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部のシリコン基板300面側への移動を拘束する。上述した基準高さ位置から所定の距離d3だけ研磨を進めると、目標値の研磨高さ位置において当接部材116がストッパ部材118に当接する。そのため、研磨ヘッド102や研磨テープ104は、それ以上、基板側に進むことができなくなる。そして、平行移動研磨工程として、基板面と平行に研磨ヘッド102を図示しない移動機構により平行移動させながら基板外周側へと膜12とその上層の膜14との研磨を一緒に進めていく。以上のようにして、第1回目の周縁部研磨工程を終了する。次に、第2回目の周縁部研磨工程において、まず、周縁部の基板中心側の端の位置において、第1回目の周縁部研磨工程での基準高さ位置から所定の距離d3だけ削り進んだ目標値の研磨高さ位置に高さ位置を合わせる。次に、研磨高さ位置の目標値設定工程として、制御回路150は、第1回目の周縁部研磨工程における目標値の研磨高さ位置を第2回目の周縁部研磨工程の基準高さ位置として用いて、第2回目の周縁部研磨工程における研磨高さ位置の目標値を設定する。そして、上述した第2回目の周縁部研磨工程の基準高さ位置と対応した当接部材116の高さ位置から研磨が進む側に距離d4だけ離れた位置第2回目の周縁部研磨工程の研磨高さ位置の目標値にストッパ部材118ストッパ部が配置されるようにストッパ部材118を移動させる。そして、垂直移動研磨工程として、図7bに示すように、周縁部の基板中心側の端の位置において、基準高さ位置から第2回目の周縁部研磨を開始する。研磨ヘッド102や研磨テープ104を用いて、第2回目の周縁部研磨工程の基準高さ位置から所定の距離d4だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、シリコン基板300の周縁部にある膜12を研磨する。そして、移動拘束工程として、研磨高さ位置の目標値よりも膜12の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部のシリコン基板300面側への移動を拘束する。そして、平行移動研磨工程として、基板面と平行に研磨ヘッド102を図示しない移動機構により平行移動させながら基板外周側へと膜12の研磨を進めていく。以上のようにして、第2回目の周縁部研磨工程を終了する。以上のように、第4の実施形態によれば、複数回に研磨プロセスを分けた場合でも、基板周縁部における積層膜の下層膜12の研磨量を管理できる。その結果、下層膜12の過研磨を防止或いは抑制できる。第5の実施形態上述した各実施形態では、シリンダ112及びシリンダ軸114等から構成されるシリンダ機構によって、押圧力を調整すると共に研磨ヘッド102を移動させていたが、これに限るものではない。図8に、第5の実施形態における研磨装置の構成の一部が示されている。図8において、研磨ヘッドボックス111内部の構成が、シリンダ112、シリンダ軸114、テーパ軸117、位置確認センサ110、可変ストッパ機構120、当接部材116、及び圧力制御回路134の代わりに、モータ312、ねじ型軸314、位置確認センサ310、及びロック機構320が配置された点、並びに、ねじ型軸314の先端に研磨ヘッド102が接続された点以外は、図1と同様である。なお、電流計142は、モータ312への入力電流値も計測する。また、以下、特に説明しない点の内容は第1の実施形態と同様である。図9に、第5の実施形態における研磨動作を説明するための動作説明図が示されている。シリコン基板300表面の周縁部を研磨する際には、以下のように動作する。図9aに示すように、まず、かかる周縁部の基板中心側の端の位置において、凸面が下を向くように配置された研磨ヘッド102が上方からシリコン基板300の周縁部表面まで移動する。かかる周縁部の基板中心側の端の位置における周縁部表面が研磨開始位置になる。その際の、研磨ヘッド102の上下移動は、モータ312によって回転させられるねじ型軸314の移動によって調整される。モータ312としては、例えば、サーボモータ等が好適である。そして、第1の垂直移動研磨工程として、図9bに示すように、研磨ヘッド102が上方から、回転するステージ101上に載置されたシリコン基板300表面に向かって研磨テープ104を押圧することで研磨が開始される。研磨テープ104の押圧力は、制御回路150が電流計142によって計測されるステージ101を回転させるモータ132の入力電流値を入力して、かかる入力電流値が実質的に一定になるようにねじ型軸314の送り量を調整する。すなわち、ステージ101を回転させるモータ132の入力電流値をフィードバックして研磨テープ104の押圧力を調整する。ここでの送り動作によって、ロック機構320、研磨ヘッド102、及びその先の研磨テープ104が基板面側に移動する。このように、研磨ヘッド102及び研磨テープ104といった研磨部が、シリコン基板300の上方からシリコン基板300の周縁部を研磨する。次に、基準高さ位置検出工程として、シリコン基板300の基準高さ位置を検出する。シリコン基板300の表面に形成された膜12の研磨が進み、図8に示すように、かかる周縁部の基板中心側の端の位置において、膜12の下層の基板10面に到達する。ここで、研磨対象が膜12から硬さの異なる基板10へと変わるため、摩擦抵抗が大きく変化する。上述した摩擦抵抗の変化は、ステージ101を回転させるモータ132への入力電流値、研磨テープ104の送りモータ130若しくは巻き取りモータ131への入力電流値、或いは、モータ312への入力電流値のうち、少なくとも1つの電流値の電流変化をトリガとして、位置確認センサ310にシリコン基板300の基準高さ位置を検出させればよい。なお、上述したように、ステージ101用のモータ132への入力電流値が一定になるようにフィードバック制御されているが、研磨対象が膜12から硬さの異なる基板10へと変わった際には、急激な電流変化が生じる。そのため、フィードバック制御にかかわらず、ステージ101用のモータ132への入力電流値によっても基準高さ位置を検出することは可能である。そして、制御回路150は、かかる検出で得られた高さ位置を基準高さ位置として認識する。ここで、位置確認センサ310は、モータ312の回転量を測定する。位置確認センサ310として、エンコーダを用いることができる。そして、制御回路150は、かかる回転量にねじ型軸314のネジピッチを乗じることで高さ位置を算出すればよい。そして、研磨高さ位置の目標値設定工程として、制御回路150は、かかる基準高さ位置を用いて、研磨高さ位置の目標値を設定する。そして、第2の垂直移動研磨工程として、図9cに示すように、周縁部の基板中心側の端の位置において、研磨ヘッド102や研磨テープ104を用いて、基準高さ位置から所定の距離d5だけ離れた位置研磨高さ位置の目標値へと向かって移動しながら、シリコン基板300の周縁部を研磨する。移動量は、位置確認センサ310によって計測される回転量にねじ型軸314のネジピッチを乗じることで調整できる。そして、移動拘束工程として、研磨高さ位置の目標値よりもシリコン基板300の研磨が進まないように、ロック機構を用いて研磨部のシリコン基板300面側への移動を拘束する。具体的には、基準高さ位置から所定の距離d5だけ進んだ時点でサーボロック等のロック機構320でモータ312の回転をロックすればよい。これにより、ねじ型軸314が送り出されないようにできる。そのため、研磨ヘッド102や研磨テープ104は、それ以上、基板側に進むことができなくなる。そして、平行移動研磨工程として、研磨部の基板側への移動が拘束された状態で、基板面と平行に研磨ヘッド102を図示しない移動機構により平行移動させながら基板外周側へと基板10とその上の膜12との研磨を一緒に進めていく。第5の実施形態では、研磨ヘッド102の基板側への移動が機械的に拘束されているので、周縁部のべベル側端部においても過研磨を防止或いは抑制できる。以上のように、第5の実施形態によれば、ねじ型軸314のネジピッチによって研磨量を管理できる。第6の実施形態上述した各実施形態では、基板の上面側における周縁部を研磨する例を説明したが、周縁部研磨装置は、これに限るものではない。以下、説明する点以外の内容は上述した各実施形態のいずれかと同様である。図10に、第6の実施形態における研磨動作を説明するための動作説明図が示されている。図10では、基板10の裏面側に膜16が形成されている場合を示している。図10に示すように、周縁部研磨装置100は、基板の裏面側を研磨してもよい。図示しない移動機構により、基板上面側から回転移動することで、基板裏面側へと研磨ヘッド102及び研磨テープ104等の研磨に必要な構成機構を移動させる。そして、上面側を研磨した場合と上下を逆にして第1の実施形態と同様に研磨動作を行えばよい。また、基板10の裏面側に膜16が形成されていない場合には、第2の実施形態と同様、基板10の裏面位置を基準高さ位置として検出すればよい。以上により、裏面側においても上面側と同じように研磨量を管理でき、外周部端を過研磨なく処理することができる。以上のように、各実施形態により、基板の周縁部を過研磨なく研磨できることで、各種製造装置内或いは装置間を搬送する際におけるシリコン基板のハンドリングを安定させることができる。また、基板表面の凹凸を平坦化でき、パーティクルを抑制できる。以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、周縁部研磨装置を、図示しない移動機構により、基板上面側から基板の側面を経由して基板裏面側へと移動させながら、基板のべベル部を研磨してもよい。また、各膜の膜厚や、形状、数などについても、半導体集積回路や各種の半導体素子において必要とされるものを適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての研磨装置、半導体製造装置、研磨方法および半導体装置の製造方法は、本発明の範囲に包含される。また、説明の簡便化のために、半導体産業で通常用いられる手法、例えば、研磨時の冷却や、研磨処理前後のクリーニング等は省略しているが、それらの手法が含まれ得ることは言うまでもない。"