"太陽電池の製造方法であって、単一のレーザ源からレーザビームを生成する工程と、前記レーザビームを第1のレーザビーム経路と第2のレーザビーム経路とに沿って分割する工程と、第1の走査工程において、前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、第1のパターンに従って、第1のステーションにある第1のウェハ上を走査させる工程と、前記第1のウェハを前記第1のステーションから第2のステーションへ移動させ、その後、第2のウェハを前記第1のステーションへと移動させる工程と、前記第1の走査工程の後であって、前記第1のウェハ及び前記第2のウェハを移動させた後の第2の走査工程において、前記第2のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンの鏡像である第2のパターンに従って、前記第2のステーションにある前記第1のウェハ上を走査させる工程と、前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンに従って、前記第2のウェハ上を走査させる工程と、を備え、前記第1のウェハ上の走査及び前記第2のウェハ上の走査が実質的に同時に実行される、太陽電池の製造方法。前記第1のパターン及び前記第2のパターンは、太陽電池が形成されるウェハの表面の拡散領域を露出させるコンタクトホールを形成し、前記製造方法は、前記拡散領域と電気的に接続する金属コンタクトを前記コンタクトホール内に形成する工程を更に備える、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第2の走査工程において、マスタレーザスキャナに追従する第1の複数のレーザスキャナを用いて、前記レーザビームを前記第1のウェハ上に導き、前記マスタレーザスキャナを用いて、前記レーザビームを前記第2のウェハ上に導く、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の複数のレーザスキャナ及び前記マスタレーザスキャナが、ガルバノメータレーザスキャナを含む、請求項3に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のウェハを前記2のステーションから移動させ、前記第2のウェハを前記第1のステーションから前記第2のステーションへ移動させ、第3のウェハを前記第1のステーションへ移動させる工程と、前記第2の走査工程の後であって、前記第1のウェハ、前記第2のウェハ、及び前記第3のウェハを移動させた後の第3の走査工程において、前記第2のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第2のパターンに従って、前記第2のステーションにある前記第2のウェハ上を走査させる工程と、前記第1のレーザビーム経路に沿って前記レーザビームを導き、前記第1のパターンに従って、前記第3のウェハ上を走査させる工程と、を更に備え、前記第2のウェハ上の走査及び前記第3のウェハ上の走査が実質的に同時に実行される、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のウェハを移動させる工程が、前記第1のウェハを支持するターンテーブルを回転させる工程を含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。複数のステーションと、複数のウェハを支持する位置を、前記複数のステーションのそれぞれに対して有するターンテーブルと、単一のレーザ源と、前記単一のレーザ源からの主レーザビームを第1のレーザビームと第2のレーザビームとに分割するビームスプリッタと、前記第1のレーザビームを導き、第1のパターンに従って、第1の複数のウェハ上を走査させるマスタレーザスキャナと、前記マスタレーザスキャナに制御され、前記第2のレーザビームを導き、前記第1のパターンの鏡像である第2のパターンに従って、第2の複数のウェハ上を走査させるスレーブレーザスキャナと、を備え、前記マスタレーザスキャナによる前記第1の複数のウェハ上の走査と、前記スレーブレーザスキャナによる前記第2の複数のウェハ上の走査とが実質的に同時であるウェハ処理システム。前記スレーブレーザスキャナが、ガルバノメータレーザスキャナを含む、請求項7に記載のウェハ処理システム。前記単一のレーザ源からの同一の出力レベルのレーザビームが、前記第1のパターンに従い、前記第1の複数のウェハ上を走査し、前記第2のパターンに従い、前記第2の複数のウェハ上を走査する、請求項7に記載のウェハ処理システム。前記ターンテーブル上の前記複数のウェハの位置を認識する視覚システムを、前記複数のステーションのうちのステーションに更に備える、請求項7に記載のウェハ処理システム。前記複数のステーションのうちの一つとして、前記ターンテーブル上に前記複数のウェハが載置されるステーションを更に備える、請求項7に記載のウェハ処理システム。前記第1のパターン及び前記第2のパターンが、前記単一のレーザ源からの同一の出力レベルのレーザビームでスクライブされる、請求項7に記載のウェハ処理システム。ウェハを処理する方法であって、第1のウェハを第1のステーションから第2のステーションへと回転させる工程と、第1の走査工程において、第1のレーザスキャナを用いて、単一のレーザ源から第1のレーザビーム経路に沿って分割された第1のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある前記第1のウェハ上を第1のパターンで走査させる工程と、前記第1のウェハを前記第2のステーションから第3のステーションへと回転させる工程と、第2のウェハを前記第1のステーションから前記第2のステーションへと回転させる工程と、第2の走査工程において、前記第1のレーザスキャナを用いて、前記単一のレーザ源から前記第1のレーザビーム経路に沿って分割された第2のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある前記第2のウェハ上を第2のパターンで走査させ、第2のレーザスキャナを用いて、前記単一のレーザ源から第2のレーザビーム経路に沿って分割された第3のレーザビームを導き、前記第3のステーションにある前記第1のウェハ上を前記第2のパターンで走査させる工程であって、前記第2のレーザスキャナが、前記第1のレーザスキャナに追従し、前記第2のパターンで前記第2のウェハ上を走査させるのと実質的に同時に、前記第2のパターンで前記第1のウェハ上を走査させる工程とを備える方法。前記第1のパターンが、第1の出力レベルで走査され、前記第2のパターンが、第2の出力レベルで走査される、請求項13に記載の方法。前記第1の出力レベルと前記第2の出力レベルとが異なる、請求項14に記載の方法。前記第1のパターンが、前記第2のパターンと異なる、請求項13に記載の方法。前記第1のパターンと前記第2のパターンとが対称ではない、請求項16に記載の方法。前記第1のウェハを前記第3のステーションから回転させる工程と、前記第2のウェハを前記第2のステーションから前記第3のステーションへと回転させる工程と、第3の走査工程において、前記第1のレーザスキャナを用いて前記単一のレーザ源から前記第1のレーザビーム経路に沿って分割された第4のレーザビームを導き、前記第2のステーションにある第3のウェハ上を前記第1のパターンで走査させる工程と、前記第2のレーザスキャナを用いて前記単一のレーザ源から前記第2のレーザビーム経路に沿って分割された第5のレーザビームを導き、前記第1のパターンで前記第3のウェハ上を走査させると実質的に同時に、前記第3のステーションにある前記第2のウェハ上を前記第1のパターンで走査させる工程とを更に備える請求項13に記載の方法。他のエネルギー源に対して競争力を持つために、太陽電池の製造においては、設備経費及び処理能力が重要な考慮点となる。本発明の実施形態は、システムの経費を最小限に抑えつつ高い処理能力を可能にする、太陽電池アブレーションシステムに関する。一実施形態では、太陽電池アブレーションシステムを用いて太陽電池が形成される。このアブレーションシステムは、単一のレーザ源と複数のレーザスキャナとを備える。レーザスキャナは、マスタレーザスキャナを備え、残りのレーザスキャナはこのマスタレーザスキャナに追従する。レーザ源からのレーザビームは、複数のレーザビームに分割され、レーザスキャナを用いて、対応するウェハ上を1つ以上のパターンでこれらのレーザビームの走査が行われる。レーザビームは、レーザ源からの同一のまたは異なる出力レベルを用いてウェハ上を走査させることができる。本発明のこれら及びその他の特徴は、添付の図面及び特許請求の範囲を含む本開示の全体を読むことによって、当業者には容易に理解されよう。なお、添付の図面において、異なる図面に用いた同一の符号は、同一または類似の構成要素を表す。図は正確な縮尺によらない。本開示において、装置、プロセスパラメーター、材料、プロセス工程、及び構造の例等、多くの具体的な詳細が提供されることにより、本発明の実施形態の十分な理解が可能となる。しかしながら、当業者であれば、本発明は、これらの具体的な詳細のうちの1つ以上を欠いても実施できることは理解されよう。他の例では、本発明の態様を不明瞭にすることを避けるため、周知の詳細については、図示または説明をしていない。本発明は、高処理能力で費用効率の高い太陽電池アブレーションシステムに関する。2010年6月7日出願の、ABLATIONOFFILMSTACKSINSOLARCELLFABRICATIONPROCESSESと題する、本出願と同一出願人による米国特許出願番号第12/795,526号にはまた、別の太陽電池アブレーションシステムが開示されている。図1は、本発明の一実施形態による太陽電池アブレーションシステム100を概略的に示す平面図である。図1の実施例では、太陽電池アブレーションシステム100は、ターンテーブル108、視覚システム107、複数のレーザスキャナ104、単一のレーザ源102及び制御システム112を備える。ターンテーブル108は、アブレーションシステム100のそれぞれのステーションを通して太陽電池ウェハを移動させる、ワークピース移送手段として機能する。実施形態によっては、ステーション間でワークピースを移送するために、異なる移送メカニズムが用いられる。1つの非限定的な実施例としては、直線コンベヤを用いることが可能である。図1の実施例では、アブレーションシステム100は、4つのステーション、すなわちステーション1~4を有する。同様に、ターンテーブル108は、4つの位置109を有し、それぞれの位置は、チャック110の形をとる1つ以上のワークピース支持手段を有する。チャック110は、単一の太陽電池ウェハを保持し、支持するように構成されている。図が複雑になるのを避けるため、図1には、チャック110のいくつかのみに記号を付している。チャック110は、ウェハをしっかりと固定することで、ステーション間を循環する間にウェハが動いてしまうのを防ぐ。ステーション1は、載置/除去ステーションであり、処理を待つウェハがここに載置され、また処理済みのウェハが除去される。ウェハをステーション1に載置し、またステーション1から除去するのに、自動ワークピースハンドラ、例えばピックアンドプレイスロボットを用いてもよい。または、ウェハを、手作業によってステーション1に載置し、またステーション1から除去してもよい。ステーション2は、ウェハをチャック110に固定する際にウェハの位置を決定するための、ワークピース位置認識システムを備える。図1の実施例では、ワークピース位置認識システムは、視覚システム107を含む。視覚システム107は、位置109におけるウェハ位置を測定するためのカメラ、並びに関連するプロセッサ及びソフトウェアを含み得る。視覚システム107は、所定の座標系を基準としてウェハの位置を比較し、ウェハが予定位置からずれている場合には、どれだけずれているかを測定することができる。制御システム112は、この偏差情報を用いて、対応するレーザスキャナ104がレーザビームをウェハ上に導く際の動きに調整を加えることが可能である。ステーション3及び4は、太陽電池アブレーションシステム100のウェハ処理ステーションである。ステーション3及び4において、それぞれのウェハ上の1つ以上の材料が除去され、コンタクトホールをはじめとする多様な太陽電池構造が形成される。図1の実施例において、単一のレーザ源102がレーザビームを生成し、このレーザビームが、複数のビームに分割され、分割されたレーザビームのそれぞれが、対応するレーザスキャナ104によりレーザビーム経路に沿って導かれ、ウェハ上を走査させる。レーザビームは、ビームスプリッタまたは他の光学/ミラー構成を用いて分割し得る。これらレーザビームを、対応するウェハ上に形成された材料を貫通させてスクライブを行い、コンタクトホールが形成される。レーザ源102は、市販のレーザ源、例えばSPILasers及びLumeraLaserGmbHから入手可能なものであってよい。一実施形態では、レーザスキャナ104は、例えばScanLabsofGermanyから市販されているもののような、ガルバノメータレーザスキャナを含む。制御システム112は、レーザ源102、レーザスキャナ104、視覚システム107及びターンテーブル108の駆動装置に、電気的に結合される。この制御システム112が、太陽電池アブレーションシステム100の動作を制御する。より具体的には、制御システムは、ターンテーブル108の回転、レーザビームをウェハ上に導くレーザスキャナ104の走査動作及びレーザ源102を制御する。一実施形態では、レーザスキャナ104をマスタとし、残りのレーザスキャナ104は、このマスタに追従するように構成される。制御システム112は、マスタレーザスキャナの操作を制御し、残りのレーザスキャナは、マスタの走査に追随し、レーザ構成に応じてマスタと全く同じかまたは鏡像となるスキャンを行う。一つの動作例では、制御システム112が、ターンテーブル108を駆動し、ウェハをステーション1からステーション2へと移動させる。ステーション2では、視覚システム107が、ウェハが位置109に保持された際にそのウェハ位置を測定する。視覚システム107は、位置情報を制御システム112に供給し、制御システムは、この位置情報を用いて、対応するレーザスキャナ104の動きを制御する。次に制御システム112は、ターンテーブル108を駆動し、ウェハをステーション2からステーション3へと移動させる。ここでは、レーザ源102によって生成されたレーザビームが、制御システム112によって現在読み込まれて使用されているレーザ構成101で指示されるパターン及びレーザ出力レベルに応じて、1つ以上の材料をウェハから除去する。次に制御システム112は、ターンテーブル108を駆動し、ウェハをステーション3からステーション4へ移動させる。ここでは、レーザ源102によって生成されたレーザビームが、現在読み込まれているレーザ構成101で指示されるパターン及びレーザ出力レベルに応じて、1つ以上の材料をウェハから除去する。制御システム112は、ターンテーブル108を駆動し、処理済みのウェハをステーション4からステーション1へと移動させ、ここで、使用済みのウェハは、アブレーションシステム100から除去される。太陽電池アブレーションシステム100は、製造中のウェハ上に異なる処理工程を実行するように構成することも可能であることは明らかである。すなわち、太陽電池アブレーションシステム100はまた、レーザビームをウェハ上に導いてアブレーション以外の処理工程を実行するために用いることも可能である。図2は、本発明の一実施形態に係る太陽電池アブレーションシステム100の立面図である。図2は、ステーション2の視覚システム107、ステーション3のレーザスキャナ104及びステーション4のレーザスキャナ104を示す。ステーション3の前方のステーション1は、示されていない。処理ステーションに、1以上のレーザスキャナ104が存在してもよい。ターンテーブル108は、ウェハをそれぞれの位置に支持するためのチャック110を備える。ターンテーブル方式を採用することにより、ウェハ位置認識例えば、ステーション2または自動ステーション例えば、ステーション1における冗長性を回避し、ステーション位置間における位置合わせが確実に行われるようにしている。デューティーサイクルの低いステーションが全ウェハについて用いられるが例えば、載置/除去、視覚システム、自動光学検査、デューティーサイクルの高いパターン描画ステーション例えば、ステーション3及び4のみが、システムハードウェア内で繰り返し行われる。ターンテーブルの使用率を最大にするために、それぞれのステーションにおいて複数のウェハが処理される。視覚/ハンドリングステーション数の必要処理ステーション総数に対する比率は、ステーションのデューティーサイクル及びシステムの物理的制約条件、例えば、ターンテーブル寸法、ウェハ寸法等により得る。例えば、ターンテーブルが4つのステーションに限られ、スクライブされるべきパターンが半分ずつ2つ折りであれば、視覚/ハンドリングステーションの総数は処理ステーション数の半分となる。これにより、ハンドリングシステムは簡素かつ安価となり、視覚システムに要求されるカメラの数は、少なくなる。一般に、アブレーションシステムは、所与のサイクル時間及びレーザのコストを最小にして処理能力を最大にするべく、異なる方法で構成されてもよい。図1の実施例では、太陽電池アブレーションシステム100は、いわゆる4/2/1設計を有するここで、第1の数字は、テーブルの回転動作または運動数を示し、第2の数字は、処理ステーション数であり、第3の数字は、載置/除去ステーション数を示す。図1の太陽電池アブレーションシステム100には、4つの回転運動、2つの処理ステーションステーション3及び4及び1つの載置/除去ステーションステーション1が存在する。ターンテーブルの位置はそれぞれ、1つ以上のチャックを有し得る。理解できるように、用途に応じて3/2/1、4/3/1、5/4/1等を含む他の設計も可能である。アブレーションシステムの設計は、システムの物理的形状、ターンテーブルの寸法、及び、回転可能数によって制限される。別の実施形態では、例えば、載置/除去のような非処理ステーションをウェハ位置認識ステーションと同一のステーションに組み合わせ、1つのステーションで載置を行い、別のステーションで除去を行うことによって、処理ステーションでのデューティーサイクルのわずかな減少を可能としてもよい。図1の実施形態は、光学検査ステーションを備えないが、別のステーションにこれを加えてもよい。光学検査部はまた、オフラインで別のツールに組み込んでもよい。処理能力増大のため、または、自動光学検査を含めるために、象限系以外の方式も想定され得る。例えば、72度回転するターンテーブルが、視覚システムのための1つのステーション、載置/除去のための1つのステーション、及び、それぞれ特定のパターンの1/3ずつを形成する3つの処理ステーションを備えてよい。別の実施例としては、72度回転するターンテーブルが、視覚システムのための1つのステーション、載置/除去のための1つのステーション、1つの自動光学検査ステーション、及び、それぞれ特定のパターンの1/2ずつを形成する2つの処理ステーションを備えてよい。図3~5は、本発明の一実施形態により太陽電池を製造するために処理中のウェハ105の断面を示す。図3の例では、ウェハ105は、N型シリコンウェハを含む太陽電池基板201を備える。積層誘電体膜210が層202の上に形成されるが、この層は、本実施例では多結晶シリコンを含む。積層膜210は、多層材料、図3の例では、膜211、膜212及び膜213を含む。図3に示されるように、膜211が膜212の上に、膜212が膜213の上に形成されてもよい。一実施形態では、膜211は、300~1000オングストロームの厚さに形成されたシリコン窒化物層を含み、膜212は、30~50オングストロームの厚さに形成された非晶質シリコン層を含み、膜213は、約120オングストロームの厚さに形成された二酸化シリコン層を含む。膜212はまた、用途によって多結晶シリコンまたは微結晶シリコンを含んでもよい。一実施形態では、層202は、約2000オングストロームの厚さに形成された多結晶シリコンを含む。P型拡散領域203及びN型拡散領域204が、層214に形成される。太陽電池には複数の拡散領域が存在するが、図を分かりやすくするために、図3には、導電型ごとに1つのみを示している。図3~5の太陽電池は、拡散領域203及び204が、これらの領域に電気的に結合する金属コンタクト図5参照を含めて太陽電池の裏面上、基板201の裏面上方に形成される、電極太陽電池の一例である。ウェハ105の前面は、通常の動作時に太陽に面して太陽放射を集めるが、この前面は裏面の反対側である。図3の例では、基板201の前面側の表面は、ランダムな角錐体230によってテクスチャ化されている。この前面のテクスチャ化された面上には、シリコン窒化物を含む反射防止層231が形成されている。図1のアブレーションシステム100を用いてシリコン窒化物膜211、非晶質シリコン膜212及び酸化膜213をアブレーションすることにより、これらの膜を貫通する孔ホールを形成して拡散領域203及び204を露出させる。このアブレーション処理を図4に示すが、ここでは、アブレーション工程によりコンタクトホール220が形成され、拡散領域203及び204が露出されている。これにより、図5に示されるように、コンタクトホール220内に金属コンタクト221の構造を形成することが可能となる。この金属コンタクト221により、拡散領域203及び204に外部電気回路が電気的に接続できるようになる。コンタクトホール220は、ウェハ105上にスクライブされるパターンの一部であってもよい。図6Aは、本発明の一実施形態に係るウェハ105上にスクライブされるべきパターン例301を概略的に示している。理解できるように、図6A、図6B及び本開示中のその他の図は、正確な縮尺によらない。パターン301周囲の境界線は、太陽電池アブレーションシステム100を用いてウェハ105上にパターン301がスクライブされることを概略的に示している。図6Aの実施例では、パターン301は、破線304に関して対称である。パターン301は、第1の半分302及び第2の半分303を含む。このパターン301はまた、第1の半分302が第2の半分303の鏡像であることから2つ折りパターンとも称される。パターン301は、一連のコンタクトホールを表しているが、これらのホールは必ずしも切れ目なく連続するわけでも接続されなくてよい。これは、図6Bに例示されており、そこでは、第1の半分302が、それぞれの点がコンタクトホールを表す、一連の分離した点として、描写されている。このように、鏡像パターンという言葉を、第1の半分と第2の半分が水平または垂直軸を含む中心軸に関して対称であるようなパターンを指して用いている。レーザ構成101-1が、パターン301のパターン、及び、その半分をウェハ105上にスクライブするためのレーザ出力レベル及びパルス形態を指示してもよい。太陽電池アブレーションシステム100は、レーザ構成101-1を用いて、単一のレーザ源102を使用しながら、1つのウェハ上に第1の半分302を、そして別のウェハ上に第2の半分303を、同時にスクライブするように構成することもできる。この原理を用いた動作例を、ここで図7及び8を参照して説明する。図7では、第1のウェハ105-1及び第2のウェハ105-2が、ステーション2からステーション3へと回転される。この時点では、ステーション4には、ウェハがない。単一のレーザ源102が、レーザビームをステーション3のレーザスキャナ104上に照射し、制御システム112がこのレーザビームをウェハ105-1及び105-2に導いて、ウェハ105-1及び105-2上に第1の半分302がスクライブされる。その後、図8に示すように、制御システム112が、ターンテーブル108を回転させ、ウェハ105-1及び105-2をステーション4へ移動させ、その後、第3のウェハ105-3及び第4のウェハ105-4をステーション2からステーション3へと移動させる。単一のレーザ源102によりレーザビームが照射されると、このレーザビームは、別々のビームに分割されて、ステーション3及び4双方のレーザスキャナ104へと導かれる。ステーション3及び4双方のレーザスキャナ104は、単一のマスタレーザスキャナ104に追従し得るが、このマスタレーザスキャナは、レーザスキャナ104のうちの任意の1つであってよい。残りのレーザスキャナ104は、マスタレーザスキャナに追従する。ステーション4のレーザスキャナ104は、ステーション3のレーザスキャナ104に対して鏡像状にレーザビームを動かすように構成されてもよい。これにより、単一のレーザ源102を用いながら、パターン301の2つの半分が別々のステーションで同時にスクライブでき、有利である。パターンの第1の半分が、1つのステーションにおいてレーザ源102の1回の照射で特定のウェハ上にスクライブされ、パターンの第2の半分が、別のステーションにおいてレーザ源102の第2の照射で同一のウェハ上にスクライブされる。なお図8を参照すると、ステーション3のスキャナ104がそれぞれのレーザビームを導いて、ウェハ105-3及び105-4上に第1の半分302をスクライブする。同時に、レーザ源102からの同一のレーザビーム照射から、ステーション4のスキャナ104がそれぞれのレーザビームを導いて、ウェハ105-1及び105-2上に第2の半分303をスクライブし、これらのウェハ上にパターン301を完成させる。このサイクルを再度繰り返し、ターンテーブル108の2回の回転動作によって完成パターン301がウェハ105上にスクライブされるようにしてもよい。以上に述べたことから理解できるように、本発明の実施形態によれば、従来実現されなかった利点がもたらされる。第1に、この太陽電池アブレーションシステム100によれば、設備コストを実質的に増大させることなしに比較的高い処理能力、すなわち、ウェハ処理速度を得ることができる。アブレーションシステム100は、単一のレーザ源102を用いながらも、パターニングを、レーザ源102の同一照射時に異なるステーションにおいて実行される別々の工程に分割する。パターニングがシステムサイクルにおいて最も時間の掛かる部分だと仮定して、パターン形成を複数の工程に分割することにより、所与の処理ステーションにおけるパターニング時間が、短縮される。例えば、ウェハ上に完全なパターンを形成するのに14秒掛かると仮定して、アブレーションシステム100では、パターニングを2つの異なるステーションにおける2つの工程に分割することにより、この時間を約7秒に短縮することができるオーバーヘッドを考慮して、パターニング時間の40~50の削減。一般に、アブレーションシステム100は、処理のデューティーサイクルが4秒より大きく、高精度が要求される場合に有利である。第2に、アブレーションシステム100により、設備投資を相当に節約できる。通常はレーザ源がレーザ系アブレーションシステムの費用の大きい部分を占めることを考えれば、単一のレーザ源102を用いることによって、相当な節約となる。一般に、アブレーションシステム100は、位置合わせ/校正カメラ、ハンドラー及びレーザの冗長度を抑制する。第3に、アブレーションシステム100により、システムの複雑さを軽減することが可能である。アブレーションシステム100においては、制御システム112が単一のレーザ源102及び単一のマスタレーザスキャナ104を制御する。残りのレーザスキャナ104は、マスタレーザスキャナ104に追従する。これにより、1つのステーション内の追従するレーザスキャナ104は、単純にマスタレーザスキャナ104の走査に追随すればよく、別のステーション内の追従するレーザスキャナ104は、マスタレーザスキャナ104の鏡像で走査すればよいことになる。鏡像走査は、対応するレーザスキャナ104内のミラーの配置によって達成することができる、または、完全に異なる走査動作ではなく、マスタレーザスキャナの動きに対して相補的な動きまたは他の動作とすることによって達成することができる。用途によっては、パターンの形成に、複数のレーザ出力レベルを必要となる、または、非対称の設計を必要とする場合がある。例えば、交差指型バックコンタクト太陽電池では、P型及びN型拡散領域の材料が異なるが、いずれのパターンをスクライブするかによって、別々のレーザ出力が必要となり得る。より具体的には、N型拡散領域に対向するP型拡散領域へのコンタクトホールを形成するために、異なるレーザ出力レベルが必要となり得る。レーザ出力レベルの違いは、コンタクトホールが貫通形成される材料の違いに起因し得る。この場合、出力レベルまたはウェハ上にスクライブされるべきパターンのそれぞれについて、異なるレーザ構成を用い得る。図1の太陽電池アブレーションシステム100を例にとれば、第1の工程で1つのレーザ構成例えば、構成101-1に従って1つのパターンがウェハ上にスクライブされてもよく、第2の工程で別のレーザ構成例えば、101-2に従って別のパターンがウェハ上にスクライブされてもよい、等である。それぞれのレーザ構成により、スクライブされるべきパターン及びそのパターンをスクライブするレーザ源からの出力レベルが特定され得る。図9Aは、本発明の一実施形態によりウェハ105上にスクライブされるべきパターン例311を概略的に示す。図9Aは、正確な縮尺によらない。パターン311周囲の境界線は、太陽電池アブレーションシステム100を用いてウェハ105上にパターン311がスクライブされることを概略的に示している。図9Aの実施例では、パターン311は、第1のパターン312及び第2のパターン313を含む。パターン311は、パターン312がパターン313と指を交互に合わせた形に組み合わされた、交差指型パターンとなっている。パターン312は、P型拡散領域のためのコンタクトホールを含み、パターン313は、N型拡散領域のためのコンタクトホールを含み得る。これらの部分312及び313は、異なる材料を貫通してスクライブされ得る。したがって、この実施例では、パターン312がレーザ構成101-1を用いてウェハ上にスクライブされ、パターン313がレーザ構成101-2を用いてウェハ上にスクライブされ得る。パターン311は、一連のコンタクトホールを表しているが、これらは必ずしも切れ目なく連続し接続されない。このことは、図9Bに典型的に示されており、そこではパターン312が、それぞれの点がコンタクトホールを表す一連の分離した点として、描写されている。一般に、第1のレーザ構成は、第1のパターン及び第1の出力レベルを特定してよく、第2のレーザ構成は、第2のパターン及び第2の出力レベルを特定してよく、第3のレーザ構成は、第3のパターン及び第3の出力レベルを特定してよい。具体的な例としては、第1のパターンが、レーザ源102の第1の出力レベルでウェハ上にスクライブされるパターン312であってよく、第2のパターンが、レーザ源102の第2の出力レベルでウェハ上にスクライブされるパターン313であってよい。第1のパターンは、ターンテーブルの第1の回転において、すべての処理ステーションで第1の出レベルを用いて同時にウェハ上にスクライブされてもよく、第2のパターンは、ターンテーブルの第2の回転において、すべての処理ステーションで第1の出レベルとは異なる第2の出力レベルを用いて同時にウェハ上にスクライブされてもよい。これらのパターン及び対応する出力レベルを交互に用いることにより、ターンテーブルの2回の回転動作において、完全なパターンがスクライブされる。ここで、アブレーションシステム100を用いてウェハ上にパターン311を描く動作の一例を、図10~12を用いて説明する。図10において、レーザ構成101-1に従い、レーザ源102の第1の出力レベルを用いて、パターン312がウェハ105-5及び105-6上に同時にスクライブされる。この時点では、ステーション4には、ウェハがない。図11では、ターンテーブル108が回転してウェハ105-7及び105-8をステーション3へ移動させ、その後、ウェハ105-5及び105-6をステーション3からステーション4へと移動させる。レーザ構成101-2に従い、レーザ源102の第2の出力レベルで、パターン313がウェハ105-5、105-6、105-7及び105-8上に同時にスクライブされる。この時点で、パターン312及びパターン313を含む完全なパターン311がウェハ105-5及び105-6上にスクライブされることに留意されたいステーション4参照。図12では、ターンテーブルが回転してウェハ105-9及び105-10をステーション3へ移動させ、その後、ウェハ105-7及び105-8をステーション3からステーション4へと移動させる。同一の回転運動において、処理済みのウェハ105-5及び105-6がステーション4からステーション1図示せずへと移動させられ、そこでウェハ105-5及び105-6は、除去される。レーザ構成101-1に従い、レーザ源102の第1の出力レベルで、パターン312がウェハ105-7、105-8、105-9及び105-10に同時にスクライブされる。この時点で、パターン312及びパターン313を含む完全なパターン311がウェハ105-7及び105-8上にスクライブされることに留意されたいステーション4参照。ターンテーブル108上に存在するウェハ上に交互にスクライブされる、パターン313及び312を用いたこのサイクルが繰り返される。図10~図12の実施例において、1つのレーザスキャナ104がマスタレーザスキャナ104として指定されてよい。他のすべてのレーザスキャナ104は、このマスタレーザスキャナに追従する。すなわち、所与の任意のステーションにおいて、1つのレーザスキャナ104のみが直接制御される。残りのレーザスキャナ104は、単にマスタレーザスキャナ104に追随すればよい。本実施例ではパターニング工程は相互に独立であることから、ウェハ上にスクライブされるべきパターンは、対称である必要はない。先の場合と同様に、単一のレーザ源102を用いて完全なパターンをスクライブしてもよい。このことにより、レーザ構成間の切り替えのためのオーバーヘッドによる抑制を受けるのみで、先に説明したと同様の利点が得られる。以上説明したことから理解できるように、本発明の実施形態は、ウェハからの材料除去に関与する用途に限定されるものではない。例えば、本発明の実施形態は、アニーリング、拡散及びその他のウェハ処理工程などのためにレーザビームをウェハ上を走査させる用途において、等しく有用である。高処理能力太陽電池アブレーションシステムを開示した。本発明の具体的な実施形態を提供したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであり、限定的なものでないことは理解されよう。多くの追加的実施形態が、本開示を読む当業者にとっては明らかとなろう。"