"光透過性基板の表面側に複数のLED素子本体がパターン形成されるとともに、裏面側に反射膜が分割予定ライン上も含めて形成されているマザー基板に対し、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することによってLED素子本体ごとに分割するための分割起点を形成する工程を含むLEDチップの製造方法であって、前記反射膜として前記LED素子本体が発する発光光の波長範囲を反射し、かつ、分割予定ラインに照射するレーザビームの波長光を透過する性質を有する反射膜を裏面側に形成し、前記レーザビームを裏面側から反射膜を透過させて基板裏面に直接照射するようにして基板をレーザ加工することを特徴とするLEDチップの製造方法。光透過性基板がサファイア基板である請求項1に記載のLEDチップの製造方法。前記反射膜は400nm~700nmの可視光領域の反射率が90以上であり、900nm以上の赤外領域の透過率が50以上である請求項1または請求項2に記載のLEDチップの製造方法。前記反射膜は誘電体多層膜で形成される請求項3に記載のLEDチップの製造方法。レーザビームとしてNd:YAGレーザによる1064nmのパルスレーザを照射する請求項1~請求項4のいずれかに記載のLEDチップの製造方法。パルスレーザとして、パルス幅が10-10秒よりも短い超短パルスレーザを、分割予定ラインに沿って離散的に照射する請求項5に記載のLEDチップの製造方法。LED製造におけるチップ分割工程には、レーザアブレーション加工、多光子吸収によるレーザ加工、超短パルスレーザによる新しいレーザ加工BI法が適用されることを説明した。しかしながら、裏面側に反射膜が形成されているマザー基板を分割してLEDチップを切り出す場合に、上述したようなレーザ加工によって分割を行おうとすると、裏面側の反射膜の存在により、反射膜によってレーザ光が反射または吸収されることが加工上の支障になる。レーザ照射による分割方法の一つとして、レーザ照射を、裏面側からではなく、LED素子本体が形成された表面側から照射することが可能であるが、照射したレーザビームの発光がLED素子本体にも影響を及ぼし、LED素子自体の発光効率を低下させてしまう問題が生じるので、レーザ照射は裏面側から行うことが発光効率を維持させる観点から望ましい。また、これまでのLEDの製造工程では、材料コストという実用的な観点からは反射膜にAl膜が使用され、材料コストよりも発光光の取り出し効率を重視する観点からは、Al膜よりも発光波長に対する反射特性が優れたAu膜や誘電体多層膜などの材料の使用が検討されているが、チップ分割工程の観点からは反射膜としてどのような膜が好ましいかは何も考慮されていなかった。そのため、裏面側にAl膜等の反射膜が形成されている構造のマザー基板を、裏面側からレーザ照射して分割起点を形成する場合には、先に、分割予定ラインに沿って反射膜を帯状に除去剥離してマザー基板を露出させておき、続いて、マザー基板の裏面側からレーザ光を露出部分に向けて照射するようにしていた。その場合、分割予定ラインに沿って、フォトリソグラフィによるパターニングで剥離するか、あるいは、反射膜を除去するための照射条件後述する分割起点形成のためのレーザ照射とは異なるで反射膜除去用のレーザアブレーションを行うかが必要であり、いずれにしても、分割予定ラインに沿って格子状に反射膜を除去剥離する工程が余分に必要となって、加工工数が増える要因となっていた。そこで、本発明は裏面に反射膜が形成されているマザー基板を、裏面側からレーザ照射することにより分割起点を形成する場合に、予め、別途に分割予定ラインに沿って反射膜を除去しておく必要のないLEDの製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するためになされた本発明のLEDチップの製造方法は、光透過性基板の表面側に複数のLED素子本体がパターン形成されるとともに、裏面側に反射膜が分割予定ライン上も含めて形成されているマザー基板に対し、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することによってLED素子本体ごとに分割するための分割起点を形成する工程を含むLEDチップの製造方法であって、以下の構成を備える。すなわち、反射膜としてLED素子本体が発する発光光の波長範囲好ましくは、さらに蛍光材料からの蛍光光の波長範囲を反射し、かつ、分割予定ラインに照射するレーザビームの波長光を透過する性質を有する反射膜を裏面側に形成し、レーザビームを裏面側から反射膜を透過させて基板裏面に直接照射するようにして基板をレーザ加工するものである。ここで、光透過性基板はサファイア基板であってもよい。また、反射膜は400nm~700nmの可視光領域の反射率が90以上であり、900nm以上の赤外領域の透過率が50以上であってもよい。具体的には、反射膜は誘電体多層膜で形成されていてもよい。また、レーザビームとしてNd:YAGレーザによる1064nmのパルスレーザを照射すればよい。さらには、パルスレーザとして、パルス幅が10-10秒よりも短い超短パルスレーザを、分割予定ラインに沿って離散的に照射して分割起点を形成するようにしてもよい。ここで、離散的に照射とは、新しいレーザ加工方法BI法での照射を、距離を隔てて離散的に行うことにより、微小な溶融痕穴径が1μm程度の小穴が間隔を隔てて形成されるが、隣接する溶融痕の間に形成される微小クラックどうしがつながるような間隔での照射をいう。すなわち、溶融痕と微小クラックとが連続するように形成されることで、クラックが進展するように誘導するようにした加工を行う。このように、溶解痕を分割予定ラインに沿ってミシン目のごとく離散的に形成することにより、隣接する溶解痕の間が微小クラックで連なった分離容易化領域が形成されるようになり、この領域に沿って基板が分割可能になる。本発明のLEDチップの製造方法によれば、LED素子の発光光を透過する透過性基板の裏面側に形成する反射膜が有する光学特性として、LED素子本体および蛍光材料の波長領域を反射することができるとともに、分割予定ラインに照射するレーザビームの波長光を透過する性質を有するようにすることで、分割予定ラインに沿ってレーザ照射を行うときに、裏面側から照射すれば反射膜を透過してレーザビームが基板に直接照射されるようになる。すなわち、これまでは反射膜を予め除去することで、基板にレーザビームが照射されるようにしていたが、裏面側に反射膜を設けたまま、レーザ照射を行ってもレーザビームが基板裏面に到達するようになり、実質的に反射膜がないときと同様のレーザ加工が可能になる。これにより、裏面反射膜を備えたLEDチップの製造において、分割予定ラインに沿って反射膜を除去する工程が不要になり、加工工数を減らすことができる。以下、III族窒化物系半導体を用いたLEDチップを例にして、本発明のLEDチップの製造工程を、順次、図面に基づいて詳細に説明する。本発明にかかるLEDチップの製造方法は、主として素子形成工程と、チップ分割工程との2つの工程からなる。素子形成工程素子形成工程では、マザー基板の表面側第一主面側に多数のLED素子本体をパターン形成するとともに、裏面側第二主面側に反射膜を形成する。図1はマザー基板の表面側にLED素子本体を形成した状態を示す図であり、図1aは上面図表面側の平面図、図1bは正面図である。マザー基板1は、ウェハ形状のサファイア基板からなり、表面1a第一主面上には、正方格子を形成するように縦横に規則的に並んだ多数のLED素子本体2がパターン形成してある。個々のLED素子本体2は、図6で示した素子構造を有しており、周知の半導体製造プロセスによって形成されている。また、隣接する素子本体2の間には、LED素子本体ごとに分割するときの分割予定ラインになる間隙が設けられている。マザー基板1として用いるサファイアは、LED素子本体2が発光する波長領域350nm~800nmに対し光透過性を有する材料である。なお、LED素子本体2の発光波長領域に対して光透過性を有する材料であればサファイア基板以外を基板として用いてもよい。LED素子本体2が白色発光ダイオードではなく、単色光発光ダイオードの場合は、可視光領域全体ではなく該当する単色光の発光波長に対して光透過性を有していればよい。図2は、LED素子本体2が形成されたマザー基板1の裏面側に反射膜を形成した状態を示す図であり、図2aは下面図裏面側の平面図、図2bは正面図である。マザー基板1の裏面側1bには全面に反射膜3が形成してある。反射膜3には、LED素子本体2の発光光を選択的に反射するとともに、分割予定ラインに照射するレーザビームの波長光を透過する性質の材料が使用される。レーザビームには、通常、900nm以上の波長光である赤外レーザYAGレーザ、YVOレーザなどを使用するので、900nm以上の赤外波長領域を透過する反射材が使用される。具体的には、例えば400nm~700nmの波長領域を90以上の反射率で反射し、Nd:YAGレーザの波長光1064nmを50以上の透過率で透過する反射膜を使用することが好ましい。図3は、反射膜3として理想的な反射スペクトルを示す図である。このような特性に近い反射膜は、誘電多層膜によって形成することができる。チップ分割工程次に、LED素子本体2および反射膜3が形成されたマザー基板を、個々のLEDチップに分割する。図4は、レーザ照射により、マザー基板を個々のLEDチップに分割するときの加工状態を示す図である。レーザ4としてNd:YAGパルスレーザを用いて、波長1064nm、パルス幅20ピコ秒、パルスエネルギー0.1μJ~50μJ、繰り返し周波数10KHz~200KHz、分割予定ライン方向への走査速度50mm/秒~3000mm/秒の条件で、裏面1b側から超短レーザビームを照射する。なお、走査速度は、繰り返し周波数との兼ね合いで、前回の照射位置の間隔照射ピッチが3μm~20μmになるようにする。そして、レーザ4に内蔵されたレンズ光学系不図示で、深さ方向の焦点位置を、基板裏面側1bよりもわずかに基板内側に入った位置A分割起点に集光するように焦点を調整する。このようにしてレーザを照射すると、レーザビームLは反射膜3を透過して、マザー基板1の焦点位置まで直接到達して作用するようになり、マザー基板1を移動させながら加工することで、3μm~20μmの間隔で離散的に小穴が形成され、隣接する穴と穴との間には微小クラックが形成されるようになり、これらによって分割起点となる加工ラインスクライブラインが形成される。すべての格子状の分割予定ラインすべてに沿って同じ処理を繰り返して、LED素子本体ごとに分割するための分割起点を形成する。図5は、分割起点が形成されたマザー基板1に対して、ブレイク処理を行う状態を示す図である。分割起点Aが形成された位置に対向する表面側の位置P1にブレイクバー5を当てるとともに、裏面側で分割起点Aから左右両側に離隔した位置P2,P3に支持バー6a,6bを当て、3点支持状態で曲げモーメントを与えることにより、分割予定ラインに沿ったブレイクを行う。そして同様のブレイク処理をすべての分割起点に沿って実行することで、LEDチップごとに分割することができる。したがって、本発明によれば、反射膜3を形成した後に、反射膜3を分割予定ラインに沿って剥離することなく、いきなり、マザー基板自体をレーザ加工することができるようになる。上記実施形態では、超短パルスレーザの照射によるチップ分割を実行したが、従来からのアブレーション加工、あるいは多光子吸収による加工を適用してもよい。これらの場合でも、裏面側に形成した反射膜を分割予定ラインに沿って剥離することなく、いきなりレーザ加工することができる。"