"以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:aダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記ダイパッドの隣に配置された複数の第1リードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記吊りリードを支持する複数の第2リードとを有するリードフレームを準備する工程;b前記a工程の後、表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記裏面が前記ダイパッドの上面と対向するように、前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程;c前記b工程の後、前記複数のボンディングパッドと前記複数の第1リードを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程;d前記c工程の後、前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを、凹部を有する第1金型と、前記第1金型と対向する第2金型の間に配置し、前記複数の吊りリードのそれぞれの一部、前記複数の第1リードのそれぞれの一部、および前記複数の第2リードのそれぞれの一部を前記第1金型と前記第2金型でクランプし、前記凹部内に樹脂を供給することで、前記ダイパッドの前記上面とは反対側の下面、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記一部、前記複数の第1リードのそれぞれの前記一部、および前記複数の第2リードのそれぞれの前記一部が露出するように、前記半導体チップ、前記複数のワイヤを樹脂で封止して封止体を形成する工程;ここで、前記封止体の平面形状は、四角形からなり、前記複数の吊りリードは、平面視において、前記ダイパッドから前記封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記ダイパッドと連結する一端部と、前記一端部とは反対側の他端部と、前記一端部と前記他端部の中間に位置する中間部とを有し、前記複数の第2リードの何れかは、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記中間部よりも前記ダイパッド側、あるいは、前記中間部に連結している。請求項1において、前記複数の第1リードから成る第1リード群における各第1リードの長さは、前記複数の第2リードから成る第2リード群における各第2リードの長さよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2において、前記第1リード群における前記複数の第1リードの長さが種々異なっており、前記第1リード群において最も吊りリード側に位置する第1リードの長さは、前記第2リード群における各第2リードの長さよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記第2リード群の各第2リードに前記ワイヤが接続されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記第2リード群の前記複数の第2リードのいずれかに前記ワイヤが接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記吊りリードは、前記封止体の前記角部まで延在しており、前記吊りリードの一部は、前記封止体の下面から露出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記吊りリードは、前記封止体の前記角部まで延在しており、前記吊りリードの一部は、前記封止体の下面から露出し、さらに前記露出する部分の幅は、前記吊りリードの前記露出する部分以外の部分の幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記吊りリードは、前記封止体の前記角部において分岐していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記複数の第1リードそれぞれの前記封止体の下面から露出する外部端子部は千鳥配置であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記複数の第1リードおよび前記複数の第2リードそれぞれのアウタ部は前記封止体の側面から突出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記複数の吊りリード、前記複数の第1リードおよび前記複数の第2リードは、それぞれ第1厚み部分と前記第1厚み部分より薄い第2厚み部分とを有し、前記d工程で、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記第1厚み部分、前記複数の第1リードのそれぞれの前記第1厚み部分、および前記複数の第2リードのそれぞれの前記第1厚み部分を前記第1金型と前記第2金型でクランプした状態で、前記凹部内に前記樹脂を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:aダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記ダイパッドの隣に配置された複数の第1リードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記吊りリードを支持する複数の第2リードとを有するリードフレームを準備する工程;b前記a工程の後、表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記裏面が前記ダイパッドの上面と対向するように、前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程;c前記b工程の後、前記半導体チップが搭載された前記リードフレームをステージ上に配置し、前記複数の吊りリードのそれぞれの一部、前記複数の第1リードのそれぞれの一部、および前記複数の第2リードのそれぞれの一部を治具と前記ステージでクランプし、前記複数のボンディングパッドと前記複数の第1リードを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程;d前記c工程の後、前記ダイパッドの前記上面とは反対側の下面、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記一部、前記複数の第1リードのそれぞれの前記一部、および前記複数の第2リードのそれぞれの前記一部が露出するように、前記半導体チップ、前記複数のワイヤを樹脂で封止して封止体を形成する工程;ここで、前記封止体の平面形状は、四角形からなり、前記複数の吊りリードは、平面視において、前記ダイパッドから前記封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記ダイパッドと連結する一端部と、前記一端部とは反対側の他端部と、前記一端部と前記他端部の中間に位置する中間部とを有し、前記複数の第2リードの何れかは、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記中間部よりも前記ダイパッド側、あるいは、前記中間部に連結している。請求項12において、前記複数の第1リードから成る第1リード群における各第1リードの長さは、前記複数の第2リードから成る第2リード群における各第2リードの長さよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12において、前記吊りリードは、前記封止体の前記角部まで延在しており、前記吊りリードの一部は、前記封止体の下面から露出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12において、前記複数の吊りリード、前記複数の第1リードおよび前記複数の第2リードは、それぞれ第1厚み部分と前記第1厚み部分より薄い第2厚み部分とを有し、前記c工程で、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記第1厚み部分、前記複数の第1リードのそれぞれの前記第1厚み部分、および前記複数の第2リードのそれぞれの前記第1厚み部分を前記治具と前記ステージでクランプした状態で、前記複数のボンディングパッドと前記複数の第1リードを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記ダイパッドの隣に配置された複数の第1リードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記吊りリードを支持する複数の第2リードと、表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記ダイパッドの上面と対向するように前記ダイパッドの前記上面に搭載された半導体チップと、前記複数のボンディングパッドと前記複数の第1リードを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、を含み、前記ダイパッドの前記上面とは反対側の下面、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記一部、前記複数の第1リードのそれぞれの前記一部、および前記複数の第2リードのそれぞれの前記一部は前記封止体から露出し、前記封止体の平面形状は、四角形からなり、前記複数の吊りリードは、平面視において、前記ダイパッドから前記封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記ダイパッドと連結する一端部と、前記一端部とは反対側の他端部と、前記一端部と前記他端部の中間に位置する中間部を有し、前記複数の第2リードの何れかは、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記中間部よりも前記ダイパッド側、あるいは、前記中間部に連結していることを特徴とする半導体装置。QFN型の半導体装置は、外部端子となる複数のリードが、平面視において、半導体装置の周縁部に配置されている。そのため、半導体装置内に搭載される半導体チップとリードとをワイヤを介して電気的に接続し、かつ、半導体チップが搭載されるチップ搭載部ダイパッドの外形サイズに対して半導体チップの外形サイズが極端に小さい場合は、半導体チップの外形サイズによって、このワイヤの長さが長くなる。そこで、本願発明者は、ワイヤ長を低減するために、チップ搭載部ダイパッドの外形サイズを低減し、各リードの長さを長くするリードの先端部を半導体チップに近づけることを検討した。しかしながら、リードの長さを長くするダイパッドの外形サイズを小さくすると、半導体チップが搭載されるチップ搭載部ダイパッドを支持する吊りリードの長さも長くなる。ここで、近年では、半導体装置の高機能化に伴い、半導体チップの発熱量も増加する傾向にある。そのため、半導体装置の放熱性を向上熱抵抗を低減することも要求されている。そこで、本願発明者は、半導体装置の放熱性を向上するために、チップ搭載部を封止体から露出する構造についても検討しているが、上記のように、吊りリードの長さが長くなると、熱の影響で吊りリードが膨張特に、吊りリードの延在方向に沿って膨張した際、吊りリードが撓むことがわかった。なお、吊りリードが撓んでしまうと、半導体装置の製造工程において、様々な問題を引き起こす恐れがある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、吊りリードの撓みを抑制することができる技術を提供することにある。また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、aダイパッドと複数の吊りリードと複数の第1リードと複数の第2リードとを有するリードフレームを準備する工程、b半導体チップを、裏面がダイパッドの上面と対向するようにダイパッドに搭載する工程、c複数のボンディングパッドと複数の第1リードを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、d半導体チップが搭載されたリードフレームの複数の吊りリードの一部、複数の第1リードの一部、および複数の第2リードの一部を第1金型と第2金型でクランプし、金型の凹部内に樹脂を供給することで、ダイパッドの下面、複数の吊りリードの一部、複数の第1リードの一部、および複数の第2リードの一部が露出するように封止体を形成する工程を有する。さらに、複数の吊りリードは、平面視において、ダイパッドから封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、複数の吊りリードのそれぞれは、ダイパッドと連結する一端部と、一端部とは反対側の他端部と、一端部と他端部の中間に位置する中間部とを有し、複数の第2リードの何れかは、複数の吊りリードのそれぞれの中間部よりもダイパッド側、あるいは、中間部に連結している。また、代表的な他の実施の形態による半導体装置の製造方法は、aダイパッドと複数の吊りリードと複数の第1リードと複数の第2リードとを有するリードフレームを準備する工程、b半導体チップを、裏面がダイパッドの上面と対向するようにダイパッドに搭載する工程、c複数の吊りリードの一部、複数の第1リードの一部、および複数の第2リードの一部を治具とステージでクランプし、複数のボンディングパッドと複数の第1リードを複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程、dダイパッドの下面、複数の吊りリードの一部、複数の第1リードの一部、および複数の第2リードの一部が露出するように封止体を形成する工程を有する。さらに、複数の吊りリードは、平面視において、ダイパッドから封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、複数の吊りリードのそれぞれは、ダイパッドと連結する一端部と、一端部とは反対側の他端部と、一端部と他端部の中間に位置する中間部とを有し、複数の第2リードの何れかは、複数の吊りリードのそれぞれの中間部よりもダイパッド側、あるいは、中間部に連結している。また、代表的な実施の形態による半導体装置は、ダイパッドと、複数の吊りリードと、ダイパッドの隣に配置された複数の第1リードと、吊りリードを支持する複数の第2リードと、表面に複数のボンディングパッドが形成され、かつ裏面がダイパッドの上面と対向するようにダイパッドの上面に搭載された半導体チップと、複数のボンディングパッドと複数の第1リードを電気的に接続する複数のワイヤと、半導体チップおよび複数のワイヤを封止する封止体と、を含むものである。さらに、ダイパッドの下面、複数の吊りリードの一部、複数の第1リードの一部および複数の第2リードの一部は封止体から露出し、封止体の平面形状は四角形からなり、複数の吊りリードは、平面視においてダイパッドから封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、複数の吊りリードのそれぞれは、ダイパッドと連結する一端部と、他端部と、一端部と他端部の中間に位置する中間部を有し、複数の第2リードの何れかは、複数の吊りリードのそれぞれの中間部よりもダイパッド側、あるいは中間部に連結している。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。半導体装置の組み立てにおいて吊りリードの撓みを抑制することができる。また、半導体装置の信頼性を向上させることができる。以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数など個数、数値、量、範囲などを含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。また、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、以下の実施の形態において、構成要素等について、Aからなる、Aよりなる、Aを有する、Aを含むと言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態図1は本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図2は図1の半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図3は図2のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図4は図2のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図5は図1の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図6は図5のA部の構造を示す拡大部分平面図である。まず、本実施の形態の半導体装置の構造について説明する。図1~図6に示す本実施の形態の半導体装置は、外部端子となる複数のリードが、平面視において、前記半導体装置の裏面側の周縁部に配置されているものであり、ここでは、半導体チップ等を樹脂で封止する樹脂封止型のQFN5を一例として取り上げて説明する。前記QFN5の詳細構成について説明すると、図2に示す平面形状が略四角形の板状のチップ搭載部であるダイパッド2dタブともいうと、ダイパッド2dを支持するダイパッド2dと連結する複数の吊りリード2cと、ダイパッド2dから離間し、かつダイパッド2dの隣に配置された第1リードである複数のリード2aと、ダイパッド2dから離間し、かつ吊りリード2cを支持する吊りリード2cと連結する第2リードである複数のリード2bとを有している。すなわち、図5に示すように、半導体チップ1が搭載された略四角形のダイパッド2dの4つの角部に吊りリード2cが連結されており、したがって、QFN5では、ダイパッド2dはその対角線上に配置された4本の吊りリード2cによって角部で支持されている。各リードは、4つの吊りリード2cによって区切られた領域、すなわち隣り合った2本の吊りリード2cの間の領域に、半導体チップ1の4つの辺に対応してそれぞれ1列に並んで配置されている。したがって、隣り合った2本の吊りリード2cの間の領域には、複数のリード第1リード2aからなるリード群第1リード群2gと、複数のリード第2リード2bからなるリード群第2リード群2hとが配置されている。なお、リード群第2リード群2hを構成する複数のリード2bのそれぞれは吊りリード2cに連結しており、リード群第1リード群2gを構成する複数のリード2aよりも吊りリード2cの近傍に配置されている。一方、リード群第1リード群2gを構成する複数のリード2aは、ある吊りリード2c図5における例えば左下の吊りリード2c側に配置されたリード群2hと、この吊りリード2cの隣の吊りリード2c図5における例えば右下の吊りリード2c側に配置されたリード群2hに挟まれた領域に半導体チップ1の辺に対応して配置されている。また、本実施の形態では、図5に示すように、リード群第2リード群2hにおけるリード間ピッチ互いに隣り合うリード2bの距離が、リード群第1リード群2gにおけるリード間ピッチ互いに隣り合うリード2aの距離よりも小さいが、これに限定されるものではなく、リード群第2リード群2hにおけるリード間ピッチは、リード群第1リード群2gにおけるリード間ピッチと同じでもよい。また、半導体チップ1は、表面1aと、表面1aとは反対側の裏面1bと、前記表面1aに形成された複数のボンディングパッド1cとを有しており、内部には半導体集積回路が形成されている。表面1aに形成された複数のボンディングパッド1cは、四角形の表面1aの4つの辺それぞれに沿って表面1aの周縁部に並んで配置されている。また、図3及び図4に示すように、半導体チップ1は、その裏面1bがダイパッド2dのチップ搭載面である上面2eと対向するように、この上面2eに接着材であるダイボンド材6を介して搭載されており、図5に示すように、複数のボンディングパッド1cと、これらにそれぞれ対応する複数のリード2aとが、複数のワイヤ3を介してそれぞれ電気的に接続されている。また、QFN5は、図3及び図4に示すように、半導体チップ1、複数のワイヤ3、ダイパッド2dの一部、リード2aの一部及びリード2bの一部を封止する封止体4を有している。なお、封止体4は、封止用樹脂によって形成されており、図1及び図2に示すように、封止体4の平面形状は、四角形から成る。なお、本実施の形態のQFN5は、その組み立てのモールド工程において、図7に示すリードフレーム2の1つのデバイス領域2jごとに図17に示す樹脂成形金型のキャビティ部8aで覆って樹脂モールドを行う、所謂個片モールド方式で組み立てられたものであり、この場合、図1及び図2に示すように、封止体4の角部は面取りされた形状となるが、本実施の形態では、角部が面取りされた平面形状についても四角形と見なしている。また、図2~図4に示すように、QFN5では、ダイパッド2dの上面2eと反対側の下面2fは封止体4の下面4bに露出している。すなわち、QFN5は、ダイパッド露出型タブ露出型の半導体パッケージである。さらに、QFN5は、ペリフェラルタイプであるため、リード2a及びリード2bそれぞれの封止体4から露出する複数の外部端子部一部2iと、吊りリード2cの封止体4から露出する複数のアウタ部一部2caは、図2に示すように、封止体4の下面4bの周縁部に並んで配置されている。また、各リード2a及び各リード2aにおいて、外部端子部2iとして封止体4の下面4bに露出する箇所以外の部分封止体4内に埋め込まれる部分は、図3に示すように、ハーフエッチングされて外部端子部2iの1/2程度の厚さとなっている。同様に、吊りリード2cにおいても、アウタ部2caとして封止体4の下面4bに露出する箇所以外の部分、及びダイパッド2d以外の部分は、封止体4内に埋め込まれる部分として、図4に示すように、ハーフエッチングされてアウタ部2caやダイパッド2dの1/2程度の厚さとなっている。また、本実施の形態のQFN5では、ワイヤ長の低減化を図っている。すなわち、ワイヤ長を短くするために、ダイパッド2dの外形サイズを低減してワイヤ3を接続する各リード2aの長さを長くしている各リード2aの先端部を半導体チップ1に近づけた構造となっている。これにより、ダイパッド2dの外形サイズの低減化が図られているため、ダイパッド2dをその角部で支持している複数本実施の形態では、4本の吊りリード2cの長さは必然的に長くなっている。ここで、複数の吊りリード2cのそれぞれは、図5に示すように平面視において、ダイパッド2dのそれぞれの角部から封止体4の複数の角部に向かってそれぞれ延在している。また、複数の吊りリード2cのそれぞれは、図6に示すように、ダイパッド2dと連結する一端部2cdと、この一端部2cdとは反対側の他端部2cfと、一端部2cdと他端部2cfの中間に位置する中間部2ceとを有しており、複数のリード2bの何れか、すなわち複数のリード2bのうちの少なくとも1本は、複数の吊りリード2cのそれぞれの中間部2ceよりもダイパッド2d側、あるいは中間部2ceに連結している繋がっている。詳細には、図6において、吊りリード2cの中間部2ceをC部とし、吊りリード2cのダイパッド2dと連結する一端部2cdをD部とし、吊りリード2cの一端部2cdと反対側の他端部2cfをE部とすると、C部とD部の距離Fは、C部とE部の距離Gと等しく、さらに吊りリード2cのC部とD部の間の箇所、あるいは中間部2ceのC部に、リード群2hを成す複数のリード2bのうちの少なくとも1本が連結している。本実施の形態のQFN5では、図6に示すように吊りリード2cの中間部2ceのC部もしくはC部とD部の間の箇所に4本のリード2bが連結している繋がっている。さらに、吊りリード2cの中間部2ceのC部と他端部2cfのE部の間の箇所に他の短い4本のリード2bが連結している繋がっている。このように複数の吊りリード2cのそれぞれに複数のリード2bが繋がっており連結しており、これら複数のリード2bそれぞれは封止体4の下面4bに露出する外部端子部2iを有しているため、QFN5を実装基板に半田実装する場合には、それぞれの外部端子部2iを半田実装することができ、QFN5の実装強度を向上させることができる。その結果、QFN5の実装信頼性を高めることができる。また、QFN5では、複数のリード2aから成るリード群2gにおける各リード2aの長さは、複数のリード2bから成るリード群2hにおける各リード2bの長さよりも長い。つまり、リード群2gの各リード2aの長さは、リード群2hの各リード2bの長さより長い。具体的には、図6に示すように、封止体4の1つの辺の端部付近に配置された4本のリード2bのうち、最も中央寄りリード群2g寄りに配置された最も長いリード2bの吊りリード2cとの2つの接点をそれぞれ第1接点H及び第2接点Iとすると、このリード2bの隣に配置されたリード2aのダイパッド2d側の端部Jは、リード2bの第1接点Hと第2接点Iのうちの吊りリード2cのD部により近い第2接点Iよりも、さらにダイパッド2dの近くに位置している。すなわち、4本のリード2bのうち最も長いリード2bと比較しても複数のリード2aのそれぞれは、長さが長くなっている。したがって、各リード2aと半導体チップ1との距離が短くなるため、ワイヤ長の低減化を図ることができる。これにより、QFN5の高速化を実現することができる。また、図2及び図3に示すように、それぞれの吊りリード2cのアウタ部2caは、封止体4の角部においてその下面実装面4bから露出している。これにより、QFN5を実装基板に半田実装する場合には、複数のリード2aや複数のリード2bに加えて複数の吊りリード2cのそれぞれにおいてもアウタ部2caを半田実装することができ、QFN5の実装強度を向上させることができる。また、図4及び図6に示すように、吊りリード2cの他端部2cfE部を封止体4から露出させることでQFN5の放熱効果をさらに向上させることができる。また、複数の吊りリード2cのそれぞれに複数のリード2bが繋がっている連結していることで、半導体チップ1から発せられる熱のダイパッド2d及び吊りリード2cを介した放熱経路を増やすことができ、QFN5の放熱性を向上させる熱抵抗の低減化を図ることが可能になる。なお、QFN5では、図5及び図6に示すように、リード群2hの各リード2bにはワイヤ3が接続されていない。すなわち、QFN5では、各リード2aにはワイヤ3が電気的に接続されているが、各リード2bにはワイヤ3は接続されていない。ここで、QFN5において、各リード2a及び各リード2b、さらにはダイパッド2dや各吊りリード2cは、例えば、銅合金から成るが、銅合金以外の鉄-ニッケル合金等から成ってもよく、また、ワイヤ3は、例えば、金線等である。さらに、封止体4は、例えば、エポキシ系樹脂等の封止用樹脂によって形成されている。次に、本実施の形態のQFN半導体装置5の製造方法について説明する。図7は図1の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームのデバイス領域の構造の一例を示す拡大部分平面図と部分断面図、図8は図7のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図9は図7のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図10は図1の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す拡大部分平面図、図11は図10のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図12は図10のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。また、図13は図1の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す拡大部分平面図、図14は図13のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図15は図13のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図16は図1の半導体装置の組み立てのモールド工程における金型クランプ時の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図、図17は図16のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図18は図16のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。さらに、図19は図1の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填初期の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図、図20は図1の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填中期の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図、図21は図20のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図22は図20のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図23は図1の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填完了時の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図である。また、図24は図1の半導体装置の組み立てのメッキ工程におけるメッキ塗布後の構造の一例を示す部分断面図、図25は図1の半導体装置の組み立てのメッキ工程におけるメッキ塗布後の構造の一例を示す部分断面図である。まず、図7に示すようなデバイス領域2jが複数形成された多連で、かつ薄板状のリードフレーム2を準備する。デバイス領域2jは、1つのQFN5が形成される領域であり、1つのダイパッド2dと、このダイパッド2dを支持する複数の吊りリード2cと、ダイパッド2dから離間し、かつダイパッド2dの隣に配置された複数のリード2aと、ダイパッド2dから離間し、かつ吊りリード2cを支持する複数のリード2bと、複数の吊りリード2cやリード2a,2bを支持する枠部2kとを有しており、図7では便宜上1つのデバイス領域2jしか図示していないが、1枚のリードフレーム2には、複数のデバイス領域2jが形成されている。なお、本実施の形態のリードフレーム2では、4本の吊りリード2cのそれぞれにおいて、図6に示すように吊りリード2cの中間部2ceのC部もしくはC部とD部の間の箇所に4本のリード2bが繋がっており、さらに吊りリード2cの中間部2ceのC部と他端部2cfのE部の間の箇所には他の短い4本のリード2bが繋がっている。また、リード群2gにおける各リード2aの長さは、リード群2hにおける各リード2bの長さよりも長くなっている。さらに、各リード2a及び各リード2bにおいて、外部端子部2iとなる箇所以外の部分は、図8に示すように、ハーフエッチングされて外部端子部2iの1/2程度の厚さとなっている。同様に、吊りリード2cにおいても、アウタ部2caとなる箇所以外の部分、及びダイパッド2d以外の部分は、図9に示すように、ハーフエッチングされてアウタ部2caやダイパッド2dの1/2程度の厚さとなっている。その後、ダイボンドを行う。ダイボンド工程では、図10~図12に示すように、表面1a、表面1aに形成された複数のボンディングパッド1c、及び表面1aとは反対側の裏面1bを有する半導体チップ1を準備し、この半導体チップ1を、裏面1bがダイパッド2dの上面2eと対向するように、ダイパッド2dの上面2eに搭載する。その際、図11及び図12に示すように、ダイボンド材6を介して半導体チップ1をダイパッド2dの上面2eに搭載する。その後、ワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディング工程では、図13~図15に示すように、半導体チップ1の複数のボンディングパッド1cと複数のリード2aを、複数のワイヤ3を介してそれぞれ電気的に接続する。まず、図14に示すように、半導体チップ1が搭載されたリードフレーム2をステージ7a上に配置する。その際、ステージ7aは、例えば、230°C程度に加熱されている。その後、複数の吊りリード2cのそれぞれのアウタ部一部2ca、複数のリード2aのそれぞれの外部端子部一部2i、及び複数のリード2bのそれぞれの外部端子部一部2iを、押え用の治具7bとステージ7aとでクランプした状態でワイヤボンディングを行う。すなわち、図13に示すように、リードフレーム2に設けられたデバイス領域2jの周縁部図13のハッチングで示すK部であり、図14に示すリード2aにおける外部端子となる部分封止体の下面から露出する面を有する外部端子部厚い部分2i、及び図15に示す吊りリード2cにおけるアウタ部厚い部分2caを治具7bとステージ7aでクランプした状態でワイヤボンディングを行う。詳しく説明すると、図7、図13~図15に示すように、複数の吊りリード2c、複数のリード2a及び複数のリード2bは、それぞれ厚み部分第1厚み部分2ab,2bb,2cbと、これら厚み部分2ab,2bb,2cbより薄い厚み部分第2厚み部分2ac,2bc,2ccとをそれぞれ有しており、複数の吊りリード2cのそれぞれの厚み部分2cb、複数のリード2aのそれぞれの厚み部分2ab、及び複数のリード2bのそれぞれの厚み部分2bbを治具7bとステージ7aとでクランプした状態でワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディングでは、図14に示すように、まず、キャピラリ7cを用いて半導体チップ1のボンディングパッド1cにワイヤ3を接続し、その後、ワイヤ3をリード2aに接続して半導体チップ1のボンディングパッド1cとリード2aとをワイヤ3を介して電気的に接続する。詳細に説明すると、例えば230°Cに加熱されたステージ7a上にリードフレーム2を配置し、このリードフレーム2のデバイス領域2jの周縁部図13のハッチングで示すK部をクランプした状態でワイヤボンディングを行う。そのため、リードフレーム2も高温状態になり、リード2aおよび吊りリード2cのそれぞれは、その延在方向に沿って、かつデバイス領域2jの中央部側クランプされた部分とは反対側の部分側に向かって膨張する。このとき、リード2aの先端部クランプされている部分とは反対側の部分はダイパッド2dなどと繋がっていないため、このリード2aは撓むことなく膨張することができる。一方、吊りリード2cについては、治具7bでクランプされた部分と反対側の端部がダイパッド2dと繋がっているダイパッド2dを介して対向する位置に設けられた吊りリード2cもダイパッド2dデバイス領域2jの中央部側に向かって膨張するため、撓み易くなる。しかしながら、本実施の形態のQFN5の組み立てでは、長い吊りリード2cのダイパッド2dに近い箇所、すなわち、図6に示すように、吊りリード2cの中間部2ceのC部もしくはC部とD部の間の箇所に4本のリード2bが繋がっており、これら4本のリード2bによって吊りリード2cのダイパッド2dに近い箇所が支持されているため、膨張による吊りリード2cの撓みを抑制することができる。さらに、吊りリード2cの撓みを抑制することができるため、吊りリード2cによって支持されたダイパッド2dの厚さ方向の位置ずれを抑制することができる。その結果、ダイパッド2dに搭載されている半導体チップ1にワイヤボンディングを行う際のボンディング性を高めることができる。また、ワイヤボンディング時に、吊りリード2cに繋がる複数のリード2bにおいて、厚さの厚い外部端子部2iに相当する厚み部分2bbを治具7bによってクランプするため、複数のリード2bを確実に押さえることができ、ワイヤボンディング時の吊りリード2cのばたつきや撓みを確実に抑制できる。ワイヤボンディング終了後、樹脂モールドを行う。モールド工程では、ダイパッド2dの上面2eとは反対側の下面2f、複数の吊りリード2cのそれぞれのアウタ部一部2ca及び複数のリード2a,2bのそれぞれの外部端子部一部2iが露出するように、半導体チップ1、複数のワイヤ3を図19に示す封止用の樹脂10で封止して図1の封止体4を形成する。モールド工程では、図17及び図18に示すような一対を成す上型第1金型8と下型第2金型9を備えた樹脂成形金型を用いてモールドを行う。上型8には、封止体4を形成する凹部であるキャビティ部8aや、樹脂10をキャビティ部8aに供給する際の注入口であるゲート部8b、さらにはキャビティ部8aの空気抜き用の通路となるエアベント部8c等が形成されている。なお、エアベント部8cは、図18に示すようにキャビティ部8aに連通して少なくともゲート部8bと対向する角部に形成されていることが好ましいが、キャビティ部8aの他の2箇所の角部にも形成されていてもよい。モールドの際には、まず、図17に示すように、複数のワイヤ3が形成され、かつ半導体チップ1が搭載されたリードフレーム2を、キャビティ部8aを有する上型8と、上型8と対向する下型9の間に配置し、その後、図7、図17及び図18に示すように、複数の吊りリード2cのそれぞれの厚み部分一部2cb、複数のリード2aのそれぞれの厚み部分一部2ab、および複数のリード2bのそれぞれの厚み部分一部2bbを上型8と下型9とでクランプする。すなわち、図16に示すように、リードフレーム2に設けられた図7のデバイス領域2jの周縁部図16のハッチングで示すL部であり、図17に示すリード2aにおける外部端子となる部分外部端子部厚み部分2ab2i、及び図18に示す吊りリード2cにおけるアウタ部厚い部分2caを上型8と下型9でクランプした状態でモールドを行う。言い換えると、図7、図16~図18に示すように、複数の吊りリード2cのゲート部8b及びエアベント部8c以外の厚み部分2cb、複数のリード2aのそれぞれの厚み部分2ab、及び複数のリード2bのそれぞれの厚み部分2bbを上型8と下型9とでクランプし、この状態でキャビティ部上型8と下型9をクランプすることで形成される空間部8a内に樹脂10を供給する。なお、上型8と下型9は、例えば、170°C程度に加熱されており、上型8と下型9によってクランプされたリードフレーム2も高温状態となる。また、モールド時のリードフレーム2のクランプ箇所は、図16に示すL部であるが、ワイヤボンディング時のクランプ箇所図13のK部よりも僅かに外側の位置をクランプしている。すなわち、ワイヤボンディングとモールドでは、リード2aの同じ厚み部分2abをクランプするにしてもそのクランプ箇所が内側寄りか外側寄りかで異なっている。ワイヤボンディング時には、リード2aに対するボンディング性を高めるためになるべくリード2aのボンディング箇所に近い厚み部分2ab、つまり厚み部分2abの内側寄りをクランプしており、一方、モールド時には、QFN5の外形サイズにより厚み部分2abの外側寄りをクランプしている。したがって、クランプ箇所からデバイス領域2jの中央部に向けて延在する吊りリード2cの長さは、モールド時の方がワイヤボンディング時より長いため、リード2aおよび吊りリード2cが膨張した場合には、モールド時の方がさらに吊りリード2cが撓み易い。上記クランプ状態でキャビティ部8a内に樹脂10を供給して封止体4を形成する。樹脂10のキャビティ部8a内への供給は、図18に示すゲート部8bを介して行う。図19に示すように、キャビティ部8a内に供給された樹脂10は、流れMとなってキャビティ部8aに拡散していく。さらに、図20に示すように樹脂10は、流れNとなって拡散してキャビティ部8a内の角部まで充填し、図21及び図22に示すように半導体チップ上部や各リード上部を充填する。その後、樹脂10は、図23に示す流れPとなって図22に示すゲート部8bに対向するエアベント部8cが形成された角部を充填してキャビティ部8aへの充填を完了する。その際、キャビティ部8a内の空気をエアベント部8cを介して押し出しながらキャビティ部8a内への樹脂10の充填を完了する。本実施の形態のQFN5では、ワイヤ長の低減化が図られているため、モールド工程において樹脂10によるワイヤ流れの発生を抑制することができる。また、長い吊りリード2cのダイパッド2dに近い箇所、すなわち、図6に示すように、吊りリード2cの中間部2ceのC部もしくはC部とD部の間の箇所に4本のリード2bが繋がっており、これら4本のリード2bによって吊りリード2cのダイパッド2dに近い箇所が支持されているため、モールド工程においても膨張による吊りリード2cの撓みを抑制することができる。特に、モールド時には、各リードの厚み部分2abの外側寄りを上型8と下型9でクランプしており、クランプ箇所からデバイス領域2jの中央部に向けて延在する吊りリード2cの長さは、ワイヤボンディング時より長くなって吊りリード2cが撓み易い状態となっているが、本実施の形態では、吊りリード2cの中間部2ceよりダイパッド2dに近い位置に複数のリード2bが繋がって吊りリード2cを支持していることで、吊りリード2cが撓み易いモールド工程であっても、吊りリード2cの撓みを抑制することができる。また、吊りリード2cの撓みを抑制することができるため、ダイパッド2dの下面2fが封止体4で覆われることなく、確実に露出させることができ、QFN5の放熱性を向上させることができる。これにより、半導体チップ1の誤動作を抑制することができ、QFN5の信頼性を向上させることができる。なお、吊りリード2cに複数のリード2bを繋げることで、吊りリード2cの支持強度がさらに高くなるため、吊りリード2cが撓むことをさらに抑制することができる。また、吊りリード2cに複数のリード2bを繋げることで、デバイス領域2j内におけるリード2bの粗密領域を低減することができ、供給された樹脂10の流動性流速の安定化を図ることができる。なお、本実施の形態のモールド工程では、図17に示すように、下型9上にフィルムを配置しないで、直接、リードフレーム2を下型9上に配置してモールドを行う場合を説明したが、下型9上にフィルムを配置し、そのフィルム上にリードフレーム2を配置してモールドを行ってもよく、フィルム上にリードフレーム2を配置してモールドを行うことで、リードフレーム2の裏面側にレジンバリが形成されることを低減できる。また、フィルムを使用する場合に、フィルムは接着材接着層を有していても有していなくてもどちらでもよいが、接着材を有している場合には、リードフレーム2との密着性が高まるため、レジンバリの形成をさらに抑制することができる。一方、接着材を有していない場合には、フィルムのコストの低減化を図ることができるとともに、ワイヤボンディングにおけるボンディング性への影響を抑制できる。また、本実施の形態では、ワイヤボンディング工程とモールド工程において、リードフレーム2をクランプし、かつ熱を加えていることで、長い吊りリード2cが膨張して撓み易い状態となっており、したがって、長い吊りリード2cの中間部2ceもしくは中間部2ceからダイパッド2dに近い箇所を複数のリード2bで支持する本実施の形態の対策が非常に有効であることを説明した。ただし、熱を加えることなく単にリードフレーム2をクランプしただけの場合であっても、吊りリード2cが長い場合には吊りリード2cの撓みは発生し、ダイパッド2dの位置ずれを引き起こすことから、リードフレーム2をクランプしただけの場合においても、本実施の形態の吊りリード2cの中間部2ceもしくは中間部2ceからダイパッド2dに近い箇所を複数のリード2bで支持することは有効である。また、本実施の形態で使用するリードフレーム2は、例えば銅Cu合金から成る板材であるが、銅合金以外の鉄Fe系の合金等からなる板材であってもよい。ここで、銅の膨張係数は、鉄よりも大きいため、本実施の形態の吊りリード2cの中間部2ceもしくは中間部2ceからダイパッド2dに近い箇所を複数のリード2bで支持することは、銅合金から成るリードフレーム2を用いた場合に、より有効である。モールド完了後はメッキ工程におけるメッキ処理を行う。ここでは、図24及び図25に示すように、封止体4から露出したダイパッド2dやリード部分にメッキ膜11を形成する。すなわち、封止体4の下面4bから露出したダイパッド2dの下面2fや、リード2a及びリード2bの外部端子部2iや吊りリード2cのアウタ部2caに外装用のメッキ膜11例えば、はんだメッキ等を形成する。その後、マーク工程におけるマークの形成を行う。ここでは、封止体4の表面に、例えば、管理番号等の所定のマークをレーザー等によって形成する。マーク工程後、切断工程におけるリード切断を行い、QFN半導体装置5の組み立て完了となる。切断工程では、封止体4から露出する複数の吊りリード2c及び複数のリード2a,2bを切断して各パッケージへの個片化を行う。次に、本実施の形態の変形例について説明する。図26及び図27はそれぞれ本発明の実施の形態の変形例1,2の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図28は本発明の実施の形態の変形例3の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図及び部分裏面図、図29は本発明の実施の形態の変形例4の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図30は本発明の実施の形態の変形例5の半導体装置の構造を封止体を透過して示す拡大部分平面図、図31は図30の半導体装置の構造を示す拡大部分裏面図である。さらに、図32は本発明の実施の形態の変形例6の半導体装置の構造を封止体を透過して示す拡大部分平面図、図33は本発明の実施の形態の変形例7の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図34は本発明の実施の形態の変形例8の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。図26に示す変形例1の半導体装置は、図1のQFN5と同様の構造のQFN12であるが、QFN5との相違点は、リード群2gにおける複数のリード2aの長さが種々異なっている点であり、封止体4の1つの辺における複数のリード2aのそれぞれの長さが、複数のリード2aの配列の中央に向かうにつれて徐々に短くなっていることである。すなわち、封止体4の1つの辺における複数のリード2aのうち、最もリード2b側または吊りリード2c側に配置された両端のリード2aが、その長さが他のリード2aより長くなっている。これは、各リード2a,2bにおいてそれぞれに対応するボンディングパッド1cとの距離の均等化を図って接続される各ワイヤ3の等長化を図ることで、各ワイヤ3のインピーダンス成分のばらつきを抑えるものである。このようなQFN12において、封止体4の1つの辺における複数のリード2aのうち、最もリード2b側に配置された両端のリード2aの長さは、リード群2hにおけるリード2bの長さよりも長くなっており、ワイヤ長の低減化が図られている。なお、変形例1のQFN12においても、図6に示すQFN5の構造と同様の構造を有している。すなわち、複数の吊りリード2cのそれぞれにおいて、吊りリード2cの中間部2ceもしくは中間部2ceからダイパッド2dに近い箇所が複数のリード2bによって支持されており、これにより、複数の吊りリード2cのそれぞれの撓みを抑制することができる。QFN12によって得られるその他の効果は、QFN5と同様である。次に、図27に示す変形例2の半導体装置は、前述の変形例1のQFN12と同様の構造のQFN13であり、ワイヤ3の等長化が図られた構造の半導体装置であるが、QFN12との相違点は、複数のリード2aのうち吊りリード2c側に配置されたリード2aの先端が、複数のリード2aの配列の中央に向いた屈曲部2mを有している点である。すなわち、封止体4の1つの辺における複数のリード2aのうち、中央部よりも吊りリード2c側に配置された1つもしくは複数のリード2aに対して、その先端部をダイパッド2dに向けて屈曲させたものである。つまり、ワイヤ3の延在方向に対してリード2aの延在方向が大きい角度で交差するリード2aについて、そのリード2aの先端の屈曲方向とワイヤ3の延在方向とが揃うようにしたものであり、これにより、ワイヤ3とリード2aの接合性を向上させることができる。なお、QFN13によって得られるその他の効果は、QFN12と同様である。次に、図28に示す変形例3の半導体装置は、図1のQFN5と同様の構造のQFN14であるが、QFN5との相違点は、複数のリード2aのうち、封止体4の下面4bから露出するリード2aそれぞれの外部端子部2iが千鳥配置となっている点である。すなわち、複数のリード2aのうち、封止体4の下面4bから露出する複数の外部端子部2iを千鳥配置とすることで、QFN本体の大きさを同じとすると端子数を増やすことができ、また、端子数を同じとするとQFN本体の平面視の大きさを小型化することができる。また、各リード2aにおいて、封止体4から露出する外部端子部2i以外の部分の幅を細くしてもよく、これによって、隣り合うリード間距離を増やすことも可能である。なお、QFN14によって得られるその他の効果は、QFN5と同様である。次に、図29に示す変形例4の半導体装置は、図1のQFN5と同様の構造のQFN15であるが、QFN5との相違点は、複数のリード2a,2bにおいて、それぞれのアウタ部2aa,2baが封止体4の側面4aから突出した構造を有している点である。すなわち、複数のリード2a及び複数のリード2bのそれぞれが、封止体4の下面4b図2参照から露出しているとともに、加えてそれぞれのリード2a,2bの一部が封止体4の側面4aから突出した迫り出した構造となっている。さらに、各リード2a,2bの前記突出した部分では、隣り合ったリード間に封止体4は形成されない構造となっている。したがって、封止体4の側面4aから各リード2a,2bのアウタ部2aa,2baが突出するとともに、この突出した部分の隣り合ったリード間に封止体4が形成されないため、QFN15を実装基板等に半田実装した際に、半田フィレット半田の濡れ上がり部分が形成される面積を増やすことができ、QFN15の実装強度を高めることができる。ここで、QFN15の定義としては、複数のリード2a,2bにおいてそれぞれのアウタ部2aa,2baが封止体4の側面4aから突出していることと、各リード2a,2bの封止体4から突出した部分の隣り合ったリード間に封止体4が形成されていないことであり、その際の各リード2a,2bの封止体4の側面4aからの突出量迫り出し量Tは、少なくとも0.1mm以上あればよい。なお、理想としては、0.3mm≦T<0.5mmである。前記下限値の0.3mmは、QFNのリード実装面封止体の下面から露出する面の長さリードの延在方向に沿った辺の長さに相当しており、このリードの実装面の長さは、JEITAJapanElectronicsandInformationTechnologyIndustriesAssociation規格に基づいている。一方、前記上限値については、QFN15はQFPQuadFlatPackageよりも小型の半導体装置パッケージであることを考慮し、QFPにおけるリードの突出量アウタリードの折り曲げ部も含むの長さJEITA規格では1mmの1/20.5mm未満としたものである。なお、QFN15によって得られるその他の効果は、QFN5と同様である。次に、図30及び図31に示す変形例5の半導体装置は、図1のQFN5と同様の構造のQFN16であるが、QFN5との相違点は、吊りリード2cの一部が、図31に示すように封止体4の下面4bから露出するとともに、前記露出する部分の幅は、図30に示すように吊りリード2cの前記露出する部分以外の部分の幅よりも大きい点である。すなわち、吊りリード2cの封止体4の角部に相当する箇所一部に、吊りリード2cの露出する部分以外の部分よりも大きい幅の放熱用のフィン2nが形成されており、フィン2nは、図31に示すように、封止体4の下面4bに露出するとともに、その露出する部分の幅が露出しない部分の幅よりも幅広の形状となっている。これにより、QFN16の放熱性をさらに高めることができる。なお、QFN16によって得られるその他の効果は、QFN5と同様である。また、フィン2nは、封止体4の角部から突出した構造であってもよい。次に、図32に示す変形例6の半導体装置は、図1のQFN5と同様の構造のQFN17であるが、QFN5との相違点は、吊りリード2cにワイヤ3が電気的に接続されている点である。すなわち、図1に示すQFN5では、吊りリード2c、複数のリード2b及びダイパッド2dには、ワイヤ3を接続しない場合について説明したが、基準電位を強化する場合は、吊りリード2cや複数のリード2bさらにはダイパッド2dにワイヤ3を接続してもよいし、また、前述のように吊りリード2c、複数のリード2bもしくはダイパッド2dにワイヤ3を接続する場合には、図32のQFN17のように吊りリード2cの一部にボンディングエリア2pを形成しておいて、このボンディングエリア2pにワイヤ3を接続してもよい。なお、QFN17によって得られるその他の効果は、QFN5と同様である。次に、図33に示す変形例7の半導体装置は、図1のQFN5と同様の構造のQFN18であるが、QFN5との相違点は、各リード2aの長さが短い点である。つまり、複数のリード2aのそれぞれの長さが短いQFN構造となっている。ただし、QFN18においても、図6に示す吊りリード2c及び複数のリード2bの構造は同様の構造を有している。つまり、複数の吊りリード2cのそれぞれにおいて、吊りリード2cの中間部2ceもしくは中間部2ceからダイパッド2dに近い箇所が複数のリード2bによって支持されており、これにより、QFN18においても複数の吊りリード2cのそれぞれの撓みを抑制することができる。なお、QFN18によって得られるその他の効果は、QFN5と同様である。次に、図34に示す変形例8の半導体装置は、図1のQFN5と同様の構造のQFN19であるが、QFN5との相違点は、吊りリード2cが、封止体4の角部において分岐している点である。すなわち、複数の吊りリード2cのそれぞれが、封止体4の角部において分岐しており、封止体4の角部には露出していない構造となっている。なお、QFN19を製造するために使用するリードフレームは、複数のデバイス領域2jを有しており、モールド工程では、この複数のデバイス領域2jを1つのキャビティ部で覆った状態で樹脂をこのキャビティ部内に供給し、複数のデバイス領域2jを一括して封止している。したがって、複数の吊りリード2cのそれぞれが封止体4の角部には露出していないため、リード切断時の封止体4の角部でのパッケージクラックの発生を防止することができる。さらに、QFN19においても、図6に示す吊りリード2c及び複数のリード2bの構造は同様の構造を有している。したがって、QFN19においても複数の吊りリード2cのそれぞれの撓みを抑制することができる。なお、QFN19によって得られるその他の効果は、QFN5と同様である。以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、前記実施の形態では、各QFNの複数の吊りリード2cのそれぞれにおいて、図6に示す吊りリード2cの中間部2ceもしくは中間部2ceからダイパッド2dに近い箇所が4本のリード2bによって支持されている場合を説明したが、複数の吊りリード2cのそれぞれは、吊りリード2cの中間部2ceもしくは中間部2ceからダイパッド2dに近い箇所に、複数のリード2bのうちの少なくとも1本のリード2bが繋がって連結していればよく、この場合においても吊りリード2cの撓みを抑制することが可能である。"