"第1導電型の半導体基板内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子を有し、該光電変換素子で生成された信号電荷を信号処理により画像信号に変換して出力する固体撮像装置であって、該第1導電型の半導体基板の第1主面側に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を該光電変換素子の外部へ転送する転送トランジスタを備え、該光電変換素子は、該第1主面とは反対側の該第1導電型の半導体基板の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第2導電型の光電変換領域と、該第2導電型の光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を該第1導電型の半導体基板の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域とを有し、該転送トランジスタのゲート電極は、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側の面の上方を覆うよう配置されている固体撮像装置。請求項1に記載の固体撮像装置において、前記光電変換素子から転送されてきた信号電荷を蓄積する第2導電型の信号電荷蓄積部と、前記第2導電型の電荷蓄積領域から該第2導電型の信号電荷蓄積部に該信号電荷を転送する第1導電型の電荷転送領域とを備え、該第2導電型の電荷蓄積領域と該第2導電型の信号電荷蓄積部とが該第1導電型の電荷転送領域を挟んで隔てて配置されている固体撮像装置。請求項2に記載の固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離以上であり、かつ、該固体撮像装置における画素の集積度から許容される最大の距離以下である固体撮像装置。請求項2に記載の固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、0.2μm~1.0μmの範囲内である固体撮像装置。請求項2から請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域の前記第1主面側に該第2導電型の電荷蓄積領域を覆うよう形成した第1導電型の表面半導体領域を備え、前記第1導電型の表面半導体領域は、前記第1導電型の電荷転送領域の不純物濃度を超える不純物濃度を有する固体撮像装置。請求項2から請求項5のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第1導電型の半導体基板内に形成された第1導電型のウェル領域を備え、前記第1導電型の表面半導体領域は、該第1導電型のウェル領域の不純物濃度以下の不純物濃度を有する固体撮像装置。請求項6に記載の固体撮像装置において、前記第1導電型の表面半導体領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第1導電型のウェル領域の前記第1主面側の面の上方が、前記転送トランジスタのゲート電極により覆われている固体撮像装置。請求項6または請求項7に記載の固体撮像装置において、前記第1導電型のウェル領域は、前記第2導電型の電荷蓄積領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第2導電型の信号電荷蓄積部を構成する領域を囲むよう形成されている固体撮像装置。第1導電型の半導体基板内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子を有し、該光電変換素子で生成された信号電荷を信号処理により画像信号に変換して出力する固体撮像装置であって、該第1導電型の半導体基板の第1主面側に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を該光電変換素子の外部へ転送する転送トランジスタを備え、該光電変換素子は、該第1主面とは反対側の該第1導電型の半導体基板の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第2導電型の光電変換領域と、該第2導電型の光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を該第1導電型の半導体基板の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域と、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側に該第2導電型の電荷蓄積領域を覆うよう形成された第1導電型の表面半導体領域とを有し、該第1導電型の表面半導体領域は、該第2導電型の電荷蓄積領域を囲むよう該第1導電型の半導体基板に形成された第1導電型のウェル領域の不純物濃度以下の不純物濃度を有する固体撮像装置。請求項9に記載の固体撮像装置において、前記光電変換素子から転送されてきた信号電荷を蓄積する第2導電型の信号電荷蓄積部と、該第2導電型の電荷蓄積領域から該第2導電型の信号電荷蓄積部に該信号電荷を転送する第1導電型の電荷転送領域とを備え、該第2導電型の電荷蓄積領域と該第2導電型の信号電荷蓄積部とが該第1導電型の電荷転送領域を挟んで隔てて配置されており、前記第1導電型の表面半導体領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第1導電型のウェル領域の前記第1主面側の面の上方が、前記転送トランジスタのゲート電極により覆われている固体撮像装置。請求項10に記載の固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離であり、かつ、該固体撮像装置における画素の集積度から許容される最大の距離以下である固体撮像装置。請求項10に記載の固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部とが0.2μm~1.0μmの間隔を隔てて配置されている固体撮像装置。請求項2から請求項5、および請求項10から請求項12のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第1導電型の電荷転送領域は、前記第2導電型の信号電荷蓄積部を囲むよう配置されている固体撮像装置。請求項2から請求項8、請求項10から請求項13のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記第2導電型の信号電荷蓄積部の信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、該第2導電型の信号電荷蓄積部に蓄積された信号電荷に応じて発生する信号電圧を増幅する増幅トランジスタとを備え、該リセットトランジスタおよび該増幅トランジスタは、複数の画素間で共有されている固体撮像装置。請求項2から請求項14のいずれかに記載の固体撮像装置を駆動する方法であって、前記光電変換素子で入射光の光電変換により信号電荷を生成して蓄積する電荷蓄積期間に、前記転送トランジスタのゲート電極と前記第1導電型の表面半導体領域との間に、前記転送トランジスタのゲート電極の電位が該第1導電型の表面半導体領域の電位に対して低くなるよう電位を印加する固体撮像装置の駆動方法。請求項15に記載の固体撮像装置の駆動方法において、前記電荷蓄積期間には、画素領域以外の周辺回路部で生成した負電圧を前記転送トランジスタのゲート電極に印加し、かつ、前記第1導電型の表面半導体領域に、該周辺回路部の接地電位を印加する固体撮像装置の駆動方法。請求項15に記載の固体撮像装置の駆動方法において、前記電荷蓄積期間には、前記転送ゲート電極に前記周辺回路部の接地電位を印加し、かつ、前記第1導電型の表面半導体領域に正の電圧を印加する固体撮像装置の駆動方法。請求項15から請求項17のいずれかに記載の固体撮像装置の駆動方法において、前記電荷蓄積期間に前記光電変換素子に蓄積された信号電荷を前記信号電荷蓄積部に転送する電荷転送期間には、前記転送ゲート電極と前記第1導電型の表面半導体領域との間に、該転送ゲート電極の電位が該第1導電型の表面半導体領域の電位に対して高くなるよう電圧を印加する固体撮像装置の駆動方法。請求項1から請求項8のいずれかに記載の固体撮像装置を製造する方法であって、前記光電変換素子を前記第1導電型の半導体基板に形成する工程と、該光電変換素子を形成した後に前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程とを含み、該光電変換素子を形成する工程は、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2導電型の電荷蓄積領域を形成する工程を含み、該転送トランジスタのゲート電極を形成する工程は、該転送トランジスタのゲート電極の構成材料を該第1主面の上方に堆積する工程と、堆積したゲート電極の構成材料を選択的にエッチングして、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側の面の上方を覆うようゲート電極を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。請求項19に記載の固体撮像装置の製造方法において、前記第2導電型の電荷蓄積領域の表面に、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第1導電型の不純物をイオン注入して第1導電型の表面半導体領域を形成する工程を含む、固体撮像装置の製造方法。請求項19に記載の固体撮像装置の製造方法において、前記転送トランジスタのゲート電極を形成した後、前記第2導電型の信号電荷蓄積部を形成する工程をさらに含む固体撮像装置の製造方法。請求項9または請求項10に記載の固体撮像装置を製造する方法であって、前記第1導電型の半導体基板に前記第1導電型のウエル領域を形成する工程と、前記光電変換素子を前記第1導電型のウエル領域に形成する工程とを含み、該光電変換素子を形成する工程は、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、該第2導電型の電荷蓄積領域の表面に、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第1導電型の不純物をイオン注入して、該第1導電型のウエル領域以下の不純物濃度を有する第1導電型の表面半導体領域を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。請求項20または請求項22に記載の固体撮像装置の製造方法において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第1導電型の表面半導体領域とを、同一のイオン注入マスクを用いた不純物のイオン注入により形成する固体撮像装置の製造方法。請求項1から請求項14のいずれかに記載の固体撮像装置を備えた電子情報機器。ところで、従来の固体撮像装置は、埋め込みフォトダイオード37の表面領域が露出した構造となっているので、ポリシリコンなどのゲート電極材料をエッチングして転送トランジスタのゲート電極を形成する際に、プラズマダメージがフォトダイオード表面に加えられ、ノイズ電荷発生要因となる。このため、従来の技術では、フォトダイオードの表面領域は、高濃度の領域表面P層45としてノイズ電荷による雑音を低減している。つまり、フォトダイオードの表面領域の不純物濃度を高めることによりホール濃度を増大させて、フォトダイオードの表面領域で熱的に発生するノイズ電荷電子がホールと結合して消滅するまでの時間寿命を短くし、ノイズ電荷による雑音を抑制している。しかしながら、従来の技術では、フォトダイオードの表面P層45は、高濃度のイオン注入により形成されるため、フォトダイオード表面にイオン注入ダメージが加わる。なお、このイオン注入によるダメージの回復のために熱処理等が行われるが、このような熱処理では、イオン注入により注入された不純物が拡散するため、完全なダメージ回復がなされるまで熱処理を行うことはできず、フォトダイオード表面側を根本的にイオン注入ダメージのない状態にはできていない。また、従来の固体撮像装置では、埋め込みフォトダイオード37を構成する表面P層45と、転送トランジスタ46のウェル領域を構成する電荷転送P-層48とが隣接するため、転送トランジスタ46のゲート電極46aと表面P層45とを重ならないように配置することで、電荷転送時に、信号電荷を蓄積する電荷蓄積N領域44から転送チャネルとしての電荷転送P-層48を介して電荷蓄積部FDとしてのN型領域47に至る電荷転送経路でのポテンシャル障壁が電荷転送の障害にならない程度にこのポテンシャル障壁の高さを設定している。このため、この表面P層45から電荷転送P-層48への遷移領域でのノイズ電荷の発生を抑制するには、この電荷転送P-層48の不純物濃度をさらに高めることが必要となるが、この場合、電荷蓄積N領域44から電荷転送P-層48を通じてN型領域47に至る電荷転送経路における電荷転送P-層48でのポテンシャル障壁が高くなり、転送特性の劣化を生じ、飽和電荷量の確保が困難になる。なお、この飽和電荷量はフォトダイオード37に蓄積可能な最大の電荷量であるが、フォトダイオードから電荷転送部FDに転送可能な最大電荷量と一致するよう設定されている。逆に飽和電荷量を確保するには、上記表面P層45から電荷転送P-層48への遷移領域での不純物濃度を低減することが必要となり、この場合、ノイズ電荷を十分抑制することが困難となる。つまり、表面P層45および電荷転送P-層48の不純物濃度の低減によりこれらの層のホール濃度が低下すると、これらの層で熱的に発生したノイズ電荷電子がホールと結合して消滅するまでの時間寿命が長くなり、ノイズ電荷による雑音が顕著なものとなる。本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、半導体基板の光電変換素子を形成すべき領域およびその周辺領域がエッチングやイオン注入によって受けるダメージを軽減することができ、これによりノイズ電荷の発生が抑制されることに起因して半導体基板における光電変換素子から電荷蓄積部への電荷転送経路での不純物濃度を低減させることができ、その結果、ノイズ電荷の抑制と飽和電荷量の確保とを両立することができる固体撮像装置およびその駆動方法、固体撮像装置の製造方法、並びに電子情報機器を得ることを目的とする。本発明に係る固体撮像装置は、第1導電型の半導体基板内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子を有し、該光電変換素子で生成された信号電荷を信号処理により画像信号に変換して出力する固体撮像装置であって、該第1導電型の半導体基板の第1主面側に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を該光電変換素子の外部へ転送する転送トランジスタを備え、該光電変換素子は、該第1主面とは反対側の該第1導電型の半導体基板の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第2導電型の光電変換領域と、該第2導電型の光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を該第1導電型の半導体基板の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域とを有し、該転送トランジスタのゲート電極は、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側の面の上方を覆うよう配置されており、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記固体撮像装置において、前記光電変換素子から転送されてきた信号電荷を蓄積する第2導電型の信号電荷蓄積部と、前記第2導電型の電荷蓄積領域から該第2導電型の信号電荷蓄積部に該信号電荷を転送する第1導電型の電荷転送領域とを備え、該第2導電型の電荷蓄積領域と該第2導電型の信号電荷蓄積部とが該第1導電型の電荷転送領域を挟んで隔てて配置されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離以上であり、かつ、該固体撮像装置における画素の集積度から許容される最大の距離以下であることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部とが0.2μm~1.0μmの間隔を隔てて配置されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域の前記第1主面側に該第2導電型の電荷蓄積領域を覆うよう形成した第1導電型の表面半導体領域を備え、前記第1導電型の表面半導体領域は、前記第1導電型の電荷転送領域の不純物濃度を超える不純物濃度を有することが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記該第1導電型の半導体基板内に形成された第1導電型のウェル領域を備え、前記第1導電型の表面半導体領域は、該第1導電型のウェル領域の不純物濃度以下の不純物濃度を有することが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第1導電型の表面半導体領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第1導電型のウェル領域の前記第1主面側の面の上方が、前記転送トランジスタのゲート電極により覆われていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第1導電型のウェル領域は、前記第2導電型の電荷蓄積領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第2導電型の信号電荷蓄積部を構成する領域を囲むよう形成されていることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置は、第1導電型の半導体基板内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子を有し、該光電変換素子で生成された信号電荷を信号処理により画像信号に変換して出力する固体撮像装置であって、該第1導電型の半導体基板の第1主面側に形成され、該光電変換素子で生成された信号電荷を該光電変換素子の外部へ転送する転送トランジスタを備え、該光電変換素子は、該第1主面とは反対側の該第1導電型の半導体基板の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第2導電型の光電変換領域と、該第2導電型の光電変換領域での光電変換により生成された信号電荷を該第1導電型の半導体基板の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域と、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側に該第2導電型の電荷蓄積領域を覆うよう形成された第1導電型の表面半導体領域とを有し、該第1導電型の表面半導体領域は、該第2導電型の電荷蓄積領域を囲むよう該第1導電型の半導体基板に形成された第1導電型のウェル領域の不純物濃度以下の不純物濃度を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記固体撮像装置において、前記光電変換素子から転送されてきた信号電荷を蓄積する第2導電型の信号電荷蓄積部と、該第2導電型の電荷蓄積領域から該第2導電型の信号電荷蓄積部に該信号電荷を転送する第1導電型の電荷転送領域とを備え、該第2導電型の電荷蓄積領域と該第2導電型の信号電荷蓄積部とが該第1導電型の電荷転送領域を挟んで隔てて配置されており、前記第2導電型の電荷蓄積領域、前記第1導電型の電荷転送領域および前記第1導電型のウェル領域の前記第1主面側の面の上方が、前記転送トランジスタのゲート電極により覆われていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部との間隔は、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離であり、かつ、該固体撮像装置における画素の集積度から許容される最大の距離以下であることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第2導電型の信号電荷蓄積部とが0.2μm~1.0μmの間隔を隔てて配置されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第1導電型の電荷転送領域は、前記第2導電型の信号電荷蓄積部を囲むよう配置されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記第2導電型の信号電荷蓄積部の信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、該第2導電型の信号電荷蓄積部に蓄積された信号電荷に応じて発生する信号電圧を増幅する増幅トランジスタとを備え、該リセットトランジスタおよび該増幅トランジスタは、複数の画素間で共有されていることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の駆動方法は、上述した本発明に係る固体撮像装置を駆動する方法であって、前記光電変換素子で入射光の光電変換により信号電荷を生成して蓄積する電荷蓄積期間に、前記転送トランジスタのゲート電極と前記第1導電型の表面半導体領域との間に、前記転送トランジスタのゲート電極の電位が該第1導電型の表面半導体領域の電位に対して低くなるよう電位を印加するものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記固体撮像装置の駆動方法において、前記電荷蓄積期間には、画素以外の周辺回路部で生成した負電圧を前記転送トランジスタのゲート電極に印加し、かつ、前記第1導電型の表面半導体領域の電位に、該周辺回路部の接地電位を印加することが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置の駆動方法において、前記電荷蓄積期間には、前記転送ゲート電極に前記周辺回路部の接地電位を印加し、かつ、前記第1導電型の表面半導体領域に正の電圧を印加することが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置の駆動方法において、前記電荷蓄積期間に前記光電変換素子に蓄積された信号電荷を前記信号電荷蓄積部に転送する電荷転送期間には、前記転送ゲート電極と前記第1導電型の表面半導体領域との間に、該転送ゲート電極の電位が該第1導電型の表面半導体領域の電位に対して高くなるよう電圧を印加することが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、上述した本発明に係る固体撮像装置を製造する方法であって、前記光電変換素子を前記第1導電型の半導体基板に形成する工程と、該光電変換素子を形成した後に前記転送トランジスタのゲート電極を形成する工程とを含み、該光電変換素子を形成する工程は、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2導電型の電荷蓄積領域を形成する工程を含み、該転送トランジスタのゲート電極を形成する工程は、該転送トランジスタのゲート電極の構成材料を該第1主面の上方に堆積する工程と、堆積したゲート電極の構成材料を選択的にエッチングして、該第2導電型の電荷蓄積領域の該第1主面側の面の上方を覆うようゲート電極を形成する工程とを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記固体撮像装置の製造方法において、前記第2導電型の電荷蓄積領域の表面に、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第1導電型の不純物をイオン注入して第1導電型の表面半導体領域を形成する工程を含むことが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置の製造方法において、前記転送トランジスタのゲート電極を形成した後、前記第2導電型の信号電荷蓄積部を形成する工程をさらに含むことが好ましい。本発明は、上述した本発明に係る固体撮像装置を製造する方法であって、前記第1導電型の半導体基板に前記第1導電型のウエル領域を形成する工程と、前記光電変換素子を前記第1導電型のウエル領域に形成する工程とを含み、該光電変換素子を形成する工程は、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第2導電型の不純物をイオン注入して、前記第2導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、該第2導電型の電荷蓄積領域の表面に、前記第1導電型の半導体基板の第1主面側から第1導電型の不純物をイオン注入して、該第1導電型のウエル領域以下の不純物濃度を有する第1導電型の表面半導体領域を形成する工程とを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記固体撮像装置の製造方法において、前記第2導電型の電荷蓄積領域と前記第1導電型の表面半導体領域とを、同一のイオン注入マスクを用いた不純物のイオン注入により形成することが好ましい。本発明に係る電子情報機器は、上述した本発明に係る固体撮像装置を備えたものであり、そのことにより上記目的が達成される。次に作用について説明する。本発明においては、転送トランジスタのゲート電極を、光電変換素子の電荷蓄積領域における半導体基板の光照射面とは反対側の面の上方を覆うよう配置しているので、光電変換素子の電荷蓄積領域が転送ゲート電極の形成プロセスでのプラズマエッチングによるダメージを受けることがなく、結晶欠陥に起因するノイズ電荷の発生を抑えることができる。このため、電荷蓄積領域の表面領域に形成するP型半導体領域の不純物濃度を低くすることができ、この電荷蓄積領域に隣接する電荷転送領域の不純物濃度を低く抑えることができる。この結果電荷転送領域でのポテンシャルレベルの変化量を大きくすることができ、電荷転送効率を高めることができる。また、信号電荷蓄積領域以外の半導体基板内の不純物領域を全て、転送ゲート電極形成前に形成するので、信号電荷蓄積領域以外の半導体基板内の不純物領域は、転送ゲート電極の形成時のプラズマエッチングのダメージを受けていない状態で形成されることとなり、良好な結晶性を確保することができ、リーク電流などの特性劣化の原因を排除することができる。このように、光照射面と異なる光電変換素子の表面側で、第1導電型の表面半導体領域から電荷転送領域への遷移領域での急激な不純物濃度の変化を無くすことにより、ノイズ電荷抑制と飽和電荷量確保を両立することができ、また、光電変換素子表面へのゲート電極エッチングによるプラズマダメージと、イオン注入による注入ダメージを無くすことができる。また、本発明においては、電荷蓄積時に転送ゲート電極に負バイアスを印加することにより、光電変換素子の表面半導体領域でホール濃度を安定に保持することができる。本発明においては、第1導電型の電荷転送領域を光電変換素子外部の第2導電型の信号電荷蓄積部を囲むように配置しているので、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域から第2導電型の信号電荷蓄積部に至る電荷転送経路は、第1導電型の電荷転送領域の周囲に位置するウエル領域から離れた位置に形成されることとなる。このため、第1導電型の電荷転送領域の周囲に位置する第1導電型のウエル領域から第1導電型の電荷転送領域における電荷転送経路への不純物拡散の影響を小さくすることができる。また、このように電荷転送経路を含む第1導電型の電荷転送領域が第2導電型の信号電荷蓄積部の周囲を囲むよう形成されていることから、第1導電型の電荷転送領域が半導体基板上で占める面積を大きくすることができ、第1導電型の電荷転送領域に隣接する第1導電型のウエル領域からの熱拡散により侵入する不純物により第1導電型の電荷転送領域の面積が縮小するのを抑えることができる。以上のように、本発明によれば、半導体基板の光電変換素子を形成すべき領域およびその周辺領域がエッチングやイオン注入によって受けるダメージを軽減することができ、これによりノイズ電荷の発生が抑制されることに起因して半導体基板における光電変換素子から電荷蓄積部への電荷転送経路での不純物濃度を低減させることができる。その結果、ノイズ電荷の抑制と飽和電荷量の確保とを両立することができる固体撮像装置およびその駆動方法、このような固体撮像装置の製造方法、並びに、このような固体撮像装置を搭載した電子情報機器を実現することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1による固体撮像装置を説明する図であり、図1aはこの固体撮像装置の全体構成を概略的に示し、図1bはこの固体撮像装置における画素を構成する回路を示す図である。この実施形態1の固体撮像装置100aは、行列状に配列した複数の画素を含む画素部151と、該画素部151における水平方向の画素列である画素行を選択する垂直走査回路153と、選択された画素行の各画素からのアナログ画素信号を信号処理によりデジタル画素信号に変換して保持するAD変換部ADCを含む信号処理回路154とを有している。この固体撮像装置100aは、信号処理回路154が各画素のデジタル画素信号を順次水平信号線155に出力するよう該信号処理回路154に走査信号を出力する水平走査回路152と、水平信号線155に出力されたデジタル画素信号を固体撮像装置100aの外部に出力する出力部157とを有している。さらにこの固体撮像装置100aは、該垂直走査回路153、該水平走査回路152および信号処理回路154にタイミング信号を供給するタイミング生成部156と、負電圧を発生する電圧発生回路158とを有している。ここで、画素部151は第1導電型の半導体基板以下、単に半導体基板という。上に構成されており、該半導体基板上の画素部151が配置された画素領域の周辺領域には、上記垂直走査回路153、水平走査回路152、信号処理回路154、タイミング生成部156および電圧発生回路158が配置されており、これらは、画素部の各画素を構成する光電変換素子で入射光の光電変換により生成された信号電荷であるアナログ画素信号をデジタル画素信号に変換して画像信号として出力する周辺回路部を構成している。なお、ここでは、電圧発生回路158は負電圧を発生するものとする。ただし、電圧発生回路158で発生する電圧は負電圧に限定されるものではない。図1に示す固体撮像装置100aの全体構成は一般的なCMOS型固体撮像装置のものと同様のものであるが、この実施形態1の固体撮像装置100aは、図9および図10に示す従来の固体撮像装置10における画素部11の構成を変更したものであり、具体的には転送ゲート電極の平面形状を変更することで、光電変換素子フォトダイオードの表面P層の不純物濃度を低減させたものである。なお、従来の固体撮像装置10は、画素を転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタおよびアドレストランジスタ選択トランジスタを含む4トランジスタ構成としたものであるが、本発明の実施形態1の固体撮像装置は、画素を転送トランジスタ、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタを含む3トランジスタ構成としている。ただし、本発明の実施形態1の固体撮像装置は、画素を3トランジスタ構成に代えて4トランジスタ構成としたものでもよいことは言うまでもない。図1aに示すように、画素部151では複数の画素Pxが行列状に配列されている。なお、ここでは説明の都合上、画素部151における紙面左から4列目の紙面上から3行目と4行目の画素を特に画素Px1およびPx2として以下に具体的な画素の構成を説明する。まず、図1bに示す画素の回路構成について説明する。画素Px1は、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子PD1と、該光電変換素子PD1で発生した信号電荷を転送信号Tx1に基づいて光電変換素子外部の信号電荷蓄積部FDに転送する転送トランジスタTt1と、信号電荷蓄積部FDの信号電荷をリセット信号Rsに基づいてリセットするリセットトランジスタRtと、該信号電荷蓄積部FDに蓄積された信号電荷に応じて発生する信号電圧を増幅して読み出し信号線Lrに出力する増幅トランジスタAtとを有している。また、画素Px2は、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子PD2と、該光電変換素子PD2で発生した信号電荷を転送信号Tx2に基づいて光電変換素子外部の信号電荷蓄積部FDに転送する転送トランジスタTt2と、信号電荷蓄積部FDの信号電荷をリセット信号Rsに基づいてリセットするリセットトランジスタRtと、該信号電荷蓄積部FDに蓄積された信号電荷に応じて発生する信号電圧を増幅して読み出し信号線Lrに出力する増幅トランジスタAtとを有している。つまり、この画素部151では、画素Pxを構成する回路は、上下に隣接して位置する2つの画素例えば図1aおよび図1bに示す画素Px1と画素Px2がリセットトランジスタRtと増幅トランジスタAtとを共有する2画素共有の構成となっている。ここで、リセットトランジスタRtは、ドレイン信号線Rdと信号電荷蓄積部FDとの間に接続され、この信号電荷蓄積部FDには増幅トランジスタAtのゲート電極が接続されている。また、信号電荷蓄積部FDと接地ノードとの間には転送トランジスタTt1と光電変換素子PD1とが直列に接続され、同様に転送トランジスタTt2と光電変換素子PD2が直列に接続されている。また光電変換素子PD1およびPD2はフォトダイオードにより構成している。次に、図2および図3を用いて本実施形態1の固体撮像装置における画素部の詳細な構造を説明する。図2は、本発明の実施形態1による固体撮像装置を説明する平面図であり、図2aは、素子分離領域に対する不純物注入領域の配置を示し、図2bは素子分離領域に対する転送トランジスタのゲート電極およびコンタクト部の配置を示している。また、図3は図2bのA-A’線における断面図であり、図2aの平面図では、図1aに示す画素部151における一点鎖線で囲んだ部分Xについて、半導体基板に現われる種々の不純物注入領域の配置を示している。本発明の実施形態1による固体撮像装置100aでは、p型シリコン基板などの第1導電型の半導体基板100に形成された画素部151を構成する各画素Px、例えば画素Px1およびPx2は、半導体基板100内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子つまり、フォトダイオードPD1およびPD2と、該半導体基板100の第1主面上に形成され、該光電変換素子PD1およびPD2で生成された信号電荷を転送するための転送トランジスタTt1およびTt2とを備えている。上記第1主面は、図3では半導体基板100の上面以下、基板表面ともいう。であり、またこの図3では画素Px1の転送トランジスタTt1とその両側に位置する光電変換素子PD1および信号電荷蓄積部108図1bではFDの構造を示している。なお、図3では、画素Px1の断面構造を示しているが、他の画素Pxもこの画素Px1と同一である。ここで、画素Px1の光電変換素子PD1は、上記第1主面とは反対側の該半導体基板100の第2主面から取り込んだ入射光を光電変換する第2導電型の光電変換領域n-型半導体領域101と、該光電変換領域101での光電変換により生成された信号電荷を該半導体基板100の第1主面側で蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域n型半導体領域102と裏面p領域110とを有し、該転送トランジスタのゲート電極以下転送ゲート電極ともいう。107は、該電荷蓄積領域102の第1主面側の面の上方を覆うよう形成されている。ここで、第2主面は、図3では半導体基板100の下面以下基板裏面ともいう。である。また、この固体撮像装置100aでは、光電変換素子PD1は、第2導電型の電荷蓄積領域102の基板表面側に該電荷蓄積領域102を覆うよう形成された第1導電型の表面半導体領域表面p領域103を有している。また画素Px1は、該光電変換素子PD1で生成された信号電荷を蓄積する第2導電型の信号電荷蓄積部電荷蓄積n領域108と、該光電変換素子外部の信号電荷蓄積部108と該光電変換素子の電荷蓄積領域102との間に配置され、該光電変換素子PD1の電荷蓄積領域102から該光電変換素子外部の信号電荷蓄積部108に該信号電荷を転送するための第1導電型の電荷転送領域電荷転送部p-領域109とを備えている。この第1導電型の電荷転送領域電荷転送部p-領域109は転送トランジスタTt1のチャネル領域を含むものである。該表面p領域103は、該電荷転送部p-領域109の不純物濃度を超える不純物濃度を有する。ここで、第2導電型の電荷蓄積領域n型半導体領域102と第2導電型の信号電荷蓄積部電荷蓄積n領域108とは、第1導電型の電荷転送領域電荷転送部p-領域109を挟んで間隔を隔てて配置されている。電荷蓄積領域102と信号電荷蓄積部108との間隔の下限値は、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離以上であればよく、また、電荷蓄積領域102と信号電荷蓄積部108との間隔の上限値は、固体撮像装置における画素の集積度から決まる許容可能な最大の距離以下であればよい。すなわち、電荷蓄積領域102と信号電荷蓄積部108との間隔が、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離以上であり、かつ、固体撮像装置における画素の集積度から決まる許容可能な最大の距離以下である限り、本発明の範囲内である。電荷蓄積領域102と信号電荷蓄積部108との間隔は、例えば、0.2μm~1.0μmの範囲内である。現状では、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離は、0.2μmであり、固体撮像装置における画素の集積度から決まる許容可能な最大の距離は、1.0μmであるからである。しかしながら、微細加工技術の進展により、上記間隔の下限値は現状の下限値より小さくなる傾向にある。従って、将来的には、上記間隔の下限値は、現状の0.2μmよりも小さい値例えば、0.1μmになるかもしれないが、いずれにしても、上述したように、電荷蓄積領域102と信号電荷蓄積部108との間隔が、短チャネル効果が実質的に生じない最小の距離以上であり、かつ、固体撮像装置における画素の集積度から決まる許容可能な最大の距離以下である限り、本発明の範囲内である。また、第2導電型の電荷蓄積領域102、第1導電型の電荷転送領域109および第2導電型の電荷蓄積領域108は、該半導体基板100に形成された第1導電型のウエル領域104により囲まれており、第2導電型の電荷蓄積領域102、第1導電型の電荷転送領域109および第2導電型の電荷蓄積領域108は、第2導電型の電荷蓄積領域108を共有する2画素毎に第1導電型のウエル領域104により電気的に分離されている。また、該表面p領域103は第1導電型のウェル領域104の不純物濃度以下の不純物濃度を有している。なお、第1導電型のウェル領域104の不純物濃度を1×1018cm-3以下とすることによりウエル領域104でのイオン注入ダメージを低減してこのウエル領域104でのノイズ電荷の発生を抑えることができる。また、上記第1導電型の表面半導体領域103は、厚さが0.1μm~0.3μmのp型半導体層により構成されており、前記光電変換素子を構成する第2導電型の電荷蓄積領域102は、その不純物濃度のピーク位置が、前記半導体基板の第1主面からの深さが0.15μm~0.40μmの位置になるよう形成されている。また、上下に隣接する光電変換素子PD1およびPD2の間には素子分離領域105が位置し、水平方向に光電変換素子の配列ピッチと同一ピッチで並ぶ第2導電型の信号電荷蓄積領域108の間にも素子分離領域105が位置している。さらに、光電変換素子が配列されている上下2列の光電変換素子の配列領域と、リセットトランジスタRtや増幅トランジスタAtの帯状拡散領域131、141との間も、素子分離領域105により電気的に分離されている。なお、この素子分離領域105は、半導体基板100に形成したトレンチ内に酸化シリコンなどの絶縁性部材を充填してなる領域である。また、この半導体基板100の裏面側には、裏面p領域110が形成されている。図2および図3を用いて、画素を構成する回路でのトランジスタの接続について説明する。なお、図2aおよび図2bでは、図面が複雑になるのを避けるため、光電変換素子PD1およびPD2の紙面左側の光電変換素子でのトランジスタ間の接続を示しているが、光電変換素子PD1およびPD2でのトランジスタ間の接続と同一である。上記帯状拡散領域131上には、2つのリセットトランジスタRt1およびRt2が形成され、リセット信号Rsが印加される2つのリセットゲート電極132がこの帯状拡散領域131と交差するようゲート絶縁膜図示せずを介して配置されている。帯状拡散領域131におけるこれら2つのリセットゲート電極132の間の共通ドレイン領域にはコンタクト部134を介して行選択のためのドレイン信号Rdが印加される。また、一方のリセットトランジスタRt1のソース領域はコンタクト部133を介して信号電荷蓄積部FD部108につながる配線112bに接続されている。他方のリセットトランジスタRt2のソース領域は、図1に示す画素部151の1行目の画素と2行目の画素に共通の信号電荷蓄積部FD部に接続されている。また、帯状拡散領域141上には、2つの増幅トランジスタAt1およびAt2が形成され、増幅ゲート電極142がこの帯状拡散領域141と交差するようゲート絶縁膜図示せずを介して配置されている。帯状拡散領域141におけるこれら2つの増幅ゲート電極142の間の共通ドレイン領域にはコンタクト部144を介して電源電圧Vdd例えば2.5Vが印加される。また、一方の増幅トランジスタAt1のソース領域はコンタクト部143を介して読み出し信号線Lrに接続されている。他方の増幅トランジスタAt2のソース領域もコンタクト部143を介して同一画素列に対応する読み出し信号線Lrに接続されている。さらに、一方の増幅トランジスタAt1のゲート電極142は、信号電荷蓄積部FD部108につながる配線112bに接続されている。他方の増幅トランジスタAt2のゲート電極142は、図1に示す画素部151の5行目の画素と6行目の画素に共通の信号電荷蓄積部FD部に接続されている。また、転送ゲート電極107はコンタクト部111aを介して配線層112aに接続され、また、信号電荷蓄積部フローティングディフュージョン部108は、コンタクト部111bを介して配線層112bに接続されている。ここで、配線層112aおよび112bは、転送ゲート電極107上に層間絶縁膜図示せずを介して形成された配線材料膜をパターニングして形成したものである。なお、以下は、本発明の固体撮像装置を構成する半導体基板および各半導体領域の不純物濃度である。フォトダイオードを構成する第2導電型の光電変換領域n-型半導体領域101の不純物濃度は1×1015cm-3~5×1016cm-3である。フォトダイオードを構成するn型電荷蓄積領域102の不純物濃度は1×1016cm-3~1×1017cm-3である。さらに、第2導電型の電荷蓄積領域n型半導体領域102の表面に形成される表面p領域103の不純物濃度は1×1016cm-3~5×1017cm-3であり、第1導電型のウェル領域pウェル領域104の不純物濃度は5×1016cm-3~1×1018cm-3である。また、第2導電型の信号電荷蓄積部であるFDフローティングディフュージョン部108の不純物濃度は1×1017cm-3~1×1020cm-3、電荷転送部p-領域109の不純物濃度は5×1015cm-3~1×1017cm-3であり、裏面p領域110の不純物濃度は1×1018cm-3~1×1019cm-3である。次に本実施形態1の固体撮像装置の動作について説明する。このような構成の本実施形態1の固体撮像装置100では、読み出し動作は図9に示す従来の固体撮像装置と同様に行われる。以下、本実施形態1による固体撮像装置での読み出し動作について図1aおよび図1bを用いて簡単に説明する。タイミング生成部156からのタイミング信号により垂直走査回路153が画素部の画素行を選択し、選択された画素行の画素信号が信号処理回路154に出力され、この信号処理回路154で、固定ノイズパターンを除去する処理が行われる。そして、タイミング生成部156からのタイミング信号により水平走査回路152が、信号処理回路154が各画素のデジタル画素信号を順次水平信号線155に出力するよう該信号処理回路154に走査信号を出力すると、水平信号線155に出力されたデジタル画素信号が出力部157から固体撮像装置100aの外部に出力される。そして、この実施形態1の固体撮像装置では、光電変換素子で入射光の光電変換により信号電荷を生成して蓄積する電荷蓄積期間に、転送ゲート電極107と第1導電型の表面半導体領域103との間に、該転送ゲート電極の電位が該第1導電型の表面半導体領域103の電位に対して低くなるよう、0.1V~1.0Vの電位を印加する。図4は、このような固体撮像装置の動作を説明する図である。例えば、この固体撮像装置100aでは、半導体基板の第1主面側に画素部の周辺に位置するよう配置された周辺回路部の1つである電圧発生回路158により、前記電荷蓄積期間には、0.1V~1.0Vの負電圧が生成されて転送ゲート電極107に印加され、かつ、前記画素部における前記第1導電型の表面半導体領域103の電位が、第1導電型のウェル領域104、第1導電型の裏面半導体領域101などを通じて該画素部151以外の周辺回路部の接地電位に固定される。図4aは、光電変換して信号電荷を蓄積する期間のポテンシャル分布を示している。信号電荷蓄積部108FD部に1V~5Vの電圧を印加するとともに、転送ゲート電極107には、接地電位より0.1V~1.0Vの範囲の負電位を与えることにより電荷蓄積領域102はその表面でのホール濃度が安定するよう電位固定され、ノイズ電荷発生が抑制される。また、電荷蓄積領域102に集まった過剰電荷は、図4aにおけるB-B’-B’’に示す経路でのポテンシャル勾配により信号電荷蓄積部FD部108に排出される。また、電荷蓄積期間に光電変換素子に蓄積された信号電荷を信号電荷蓄積部FD部108に転送する電荷転送期間には、転送ゲート電極107と第1導電型の表面半導体領域103との間に、該転送ゲート電極107の電位が該第1導電型の表面半導体領域103の電位に対して高くなるよう正の電位差が与えられる。図4bは、信号電荷を転送する期間のポテンシャル分布を示している。転送ゲート電極107及び信号電荷蓄積部108に2V~5Vの範囲の電源電圧を印加することにより、表面p領域103および電荷蓄積領域102のポテンシャルが変調され、電荷蓄積領域102に溜まった信号電荷は、図4bにおけるC-C’-C’’に示す経路でのポテンシャル勾配を辿ってFD部108に読みだされる。このように電荷蓄積期間に、転送ゲート電極107と第1導電型の表面半導体領域103との間に、該転送ゲート電極107の電位が該第1導電型の表面半導体領域103の電位に対して低くなるよう電位を印加することにより、第1導電型の表面半導体領域103での安定なホール濃度が確保され、熱的に発生したキャリア電子の寿命が短くなり、ノイズ電荷が低減される。次に本発明の実施形態1による固体撮像装置を製造する方法について説明する。図5は、本発明の実施形態1による固体撮像装置を製造する方法を説明する図であり、図5a~図5fは、この製造方法における主要工程での固体撮像装置の断面構造を示している。まず、第1導電型の半導体基板例えば、p型シリコン基板100に素子分離領域105を形成する。この素子分離領域105は、上記p型シリコン基板100の表面にトレンチを形成し、該トレンチに酸化物などの絶縁性材料を埋め込むことにより形成される。図2aでは、太い実線が素子分離領域の境界を示している。その後該p型シリコン基板100にpウエル領域104を形成し、さらにpウエル領域104にフォトダイオードの第2導電型の光電変換領域としてn-型半導体領域101を形成し、さらにこのn-型半導体領域101の表面領域に電荷転送部p-領域109を形成する。次に、イオン注入保護膜113bを形成した後、図5aに示すように開口部120aを有するレジストマスク120を用いて、リンPあるいは砒素Asなどn型不純物を選択的にイオン注入することにより、光電変換素子であるフォトダイオードを構成する第2導電型の電荷蓄積領域としてn型半導体領域102を形成する図5b。続いて、図5bに示すように、同一レジストマスク120を用いてボロンBあるいはBF2などp型不純物のイオン注入を行うことにより、第1導電型の表面半導体領域として表面p領域103を形成する。次に、上記レジストマスク120を除去した後、図5cに示すように半導体基板内に周辺回路部における半導体素子を構成する半導体領域を形成し、その後、イオン注入保護膜113bを除去し、表面にゲート絶縁膜113aを形成する。さらに、ポリシリコン等の電極材料をCVD法などにより堆積し、この電極材料をドライエッチング等、例えばプラズマエッチングの手法により異方性エッチングすることにより転送ゲート電極107を形成する図5d。このとき、転送ゲート電極107は図5dに示すように、表面p領域103の基板表面側の面の上方を覆うとともに、電荷蓄積n領域108の形成領域を除いた電荷転送部p-領域109の基板表面側の面の上方を覆っている。続けて、開口部121aを有するレジストマスク121を用いて、転送ゲート電極107の開口部にリンPあるいは砒素Asなどn型不純物のイオン注入を行うことにより、電荷読み出し領域となるフローティングディフュージョンFD領域つまり、電荷蓄積n領域108を形成する図5e。次に、層間絶縁膜図示せずを形成した後、コンタクト部111a,111bを形成し、配線層112a,112bを形成する。このとき、転送ゲート電極107や電荷蓄積n領域108上だけでなく、リセットトランジスタRtや増幅トランジスタAtのゲート電極及びソースドレイン領域上にもコンタクト部133、134、143、144を形成し、リセットトランジスタRtのソース領域と電荷蓄積n領域108との接続、及び増幅トランジスタAtのゲート電極と電荷蓄積n領域108との接続を行う。さらにこのとき周辺回路を構成するトランジスタなどの半導体素子間を配線層により接続するようにしてもよい。その後、上記p型シリコン基板100を支持基板に貼り合せる支持基板貼り合わせ工程、および該p型シリコン基板100の裏面側を研磨して該p型シリコン基板100を薄くするシリコン層薄膜化工程を経て、n-型半導体領域101の裏面側が光入射面として露出した段階で、該n-型半導体領域101の裏面に対して不純物を導入して熱処理を行う不純物導入及び熱処理工程により裏面p領域110を形成する。次に、作用効果について説明する。まず、本発明の実施形態1による固体撮像装置100aとこれと対比される従来の固体撮像装置10とでは、図3と図10との対比から分かるように、転送ゲート電極が覆う領域が異なっている。つまり、本発明の実施形態1による固体撮像装置100aでは、転送ゲート電極107は、各画素の第1導電型の電荷転送領域電荷転送部p-領域109の第1主面側の面の上方だけでなく、各画素の第2導電型の電荷蓄積領域n型電荷蓄積領域102の第1主面側の面の上方を覆うよう配置されている図3のに対し、従来の固体撮像装置10では、転送トランジスタ46のゲート電極46aは電荷転送P-層48上にのみ形成されており、転送トランジスタ46のゲート電極46aは、光電変換素子つまりフォトダイオード37を構成する電荷蓄積N領域44の基板表面側の面の上方を覆っていない図10参照。また、本発明の実施形態1による固体撮像装置100aとこれと対比される従来の固体撮像装置10とでは、図3と図10との対比から分かるように、n型電荷蓄積領域102の表面側に形成される表面p領域の不純物濃度が異なる。つまり、本発明の実施形態1による固体撮像装置100aでは、n型電荷蓄積領域102の表面側に形成される第1導電型の表面半導体領域表面p領域103の不純物濃度が、p型ウエル領域104の不純物濃度以下の不純物濃度となっており、従来の固体撮像装置10における表面P層45の不純物濃度より低くなっている。つまり、図10に示す従来構造における、光電変換素子の表面へのゲート電極エッチングによるプラズマダメージと、表面P層45形成のための高濃度イオン注入によるイオン注入ダメージを無くすことができる。これによりこのような従来構造における、埋め込みフォトダイオード構造とするための表面P層45の不純物濃度を下げて、この表面P層45から電荷転送P-層48への遷移領域での不純物濃度の急激な変化を無くすことにより、電荷転送領域での不純物濃度を低下させて、ノイズ電荷抑制と飽和電荷量確保を両立することができる。つまり、表面P層45から電荷転送P-層48への遷移領域が無くなることにより転送特性確保が容易となる。このようにフォトダイオード光電変換素子の表面が転送ゲート電極で覆われることにより、電荷蓄積時にはホール濃度が安定に保持され、ノイズ電荷による雑音への影響が抑制される。このように本実施形態1による固体撮像装置100aでは、光電変換素子PD1およびPD2の第2導電型の電荷蓄積領域n型半導体領域102の第1主面側の面の上方が転送ゲート電極107で覆われているので、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域n型半導体領域102およびその上の表面p領域103が転送ゲート電極107の形成プロセスでのプラズマエッチングによるダメージを受けることがなく、結晶欠陥に起因するノイズ電荷の発生を抑えることができる。このため、光電変換素子の電荷蓄積領域102でのノイズ電荷の発生が抑えられることとなる。従って、光電変換素子の電荷蓄積領域102の表面領域に形成する第1導電型の表面半導体領域表面p領域103の不純物濃度を低くしても、ノイズ電荷の発生量が抑えられていることからノイズ電荷による雑音が顕著になることはない。その結果、このフォトダイオードの第2導電型の電荷蓄積領域102に隣接する第1導電型の電荷転送領域109の不純物濃度を低く抑えることができる。これにより転送ゲート電極107の電位変化に対する第1導電型の電荷転送領域109でのポテンシャル変化量を大きくすることができ、電荷転送効率を高めることができる。また、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域n型半導体領域102を囲うpウェル領域第1導電型のウェル領域104の半導体表面への露出領域の上方を全て転送ゲート電極で覆っているので、pウェル領域104は、転送ゲート電極の形成プロセスでのプラズマエッチングによるダメージを受けることがなく、このpウェル領域の結晶性を良好なものとできる。このため、pウエル領域104で結晶欠陥などに起因するノイズ電荷の発生を抑制でき、さらにこれに伴うpウエル領域104の低不純物濃度化によりイオン注入ダメージを低減することができ、これによっても結晶欠陥などに起因するノイズ電荷の発生を抑制できる。また、電荷蓄積n領域FD部108以外の半導体基板内の不純物領域を全て、転送ゲート電極形成前に形成するので、FD部108以外の半導体基板内の不純物領域は、転送ゲート電極の形成時のプラズマエッチングのダメージを受けていない状態で形成されることとなり、良好な結晶性を確保することができ、リーク電流などの特性劣化の原因を排除することができる。また、電荷蓄積時に転送ゲート電極に負バイアスを印加することにより表面p領域103にホール濃度が安定に保持され、表面p領域103の低濃度化をノイズ電荷による雑音への影響を抑えつつ実現することができる。実施形態2図6は、本発明の実施形態2による固体撮像装置を説明する平面図であり、図6aは、素子分離領域に対する不純物注入領域の配置を示し、図6bは素子分離領域に対する転送トランジスタのゲート電極およびコンタクト部の配置を示している。また図7は、図6bのA-A’線における断面図を示している。この実施形態2による固体撮像装置100bは、実施形態1による固体撮像装置100aにおける第1導電型の電荷転送領域電荷転送部p-領域109および第2導電型の信号電荷蓄積部電荷蓄積n領域108の配置を変更したものである。つまり、この実施形態2の固体撮像装置100bでは、行方向に配列されている隣接する第1導電型の電荷蓄積領域102の間に第2導電型の信号電荷蓄積部電荷蓄積n領域108aを配置し、この第2導電型の信号電荷蓄積部108aと、対応する第1導電型の電荷蓄積領域102との間に、第1導電型の電荷転送領域109aを配置したものであり、第1導電型の電荷転送領域109aは第2導電型の信号電荷蓄積部108aを囲むように配置されている。その他の構成は、実施形態1の固体撮像装置と同一である。なお、この実施形態2の固体撮像装置100bにおいても、帯状拡散領域131上には、2つのリセットトランジスタRt1およびRt2が形成され、リセット信号Rsが印加される2つのリセットゲート電極132がこの帯状拡散領域131と交差するようゲート絶縁膜図示せずを介して配置されている。これら帯状拡散領域131の2つのリセットゲート電極132の間の共通ドレイン領域にはコンタクト部134を介してドレイン信号Rdが印加される。また、一方のリセットトランジスタRt1のソース領域はコンタクト部133を介して第2導電型の信号電荷蓄積部FD部108aにつながる配線112bに接続されている。他方のリセットトランジスタRt2のソース領域は、図1に示す画素部151の1行目の画素と2行目の画素に共通の第2導電型の信号電荷蓄積部FD部に接続されている。また、帯状拡散領域141上には、2つの増幅トランジスタAt1およびAt2が形成され、増幅ゲート電極142がこの帯状拡散領域141と交差するようゲート絶縁膜図示せずを介して配置されている。これら帯状拡散領域141の2つの増幅ゲート電極142の間の共通ドレイン領域にはコンタクト部144を介して電源電圧Vd例えば2.5Vが印加される。また、一方の増幅トランジスタAt1のソース領域はコンタクト部143を介して読み出し信号線Lrに接続されている。他方の増幅トランジスタAt2のソース領域もコンタクト部143を介して同一画素列に対応する読み出し信号線Lrに接続されている。さらに、一方の増幅トランジスタAt1の増幅ゲート電極142は、信号電荷蓄積部FD部108につながる配線112bに接続されている。他方の増幅トランジスタAt2のゲート電極は、図1に示す画素部151の5行目の画素と6行目の画素に共通の信号電荷蓄積部FD部に接続されている。次に、本実施形態2による固体撮像装置の作用効果について説明する。このような構成の固体撮像装置100bでは、第2導電型の信号電荷蓄積部FD部108aは転送ゲート電極117の開口117a内に配置されており、素子分離領域105と接しない。このため、平行して配置される転送ゲート電極117図6bでは上下に隣接して配置されている転送ゲート電極をより近接して配置することが可能になり、画素面積の縮小が可能となる。また、図6aに示す画素部の配置では、第2導電型の信号電荷蓄積部FD部108aと素子分離領域105に付随するpウェル領域104とを電荷転送部p-領域109aを介して配置することが可能になり、電荷転送部p-領域109の面積拡大が容易となる。つまり、実施形態1の固体撮像装置100aでは、第2導電型の信号電荷蓄積部108の左右両側にpウエル領域104が配置されているため、第1導電型の電荷転送領域109の幅は、第2導電型の信号電荷蓄積部108の幅に制約されることとなるのに対し、実施形態2の固体撮像装置100aでは、第2導電型の信号電荷蓄積部108はpウエル領域104からは離れて配置されているので、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域から第2導電型の信号電荷蓄積部108aに至る転送経路を含む電荷転送部p-領域109aを、第2導電型の信号電荷蓄積部108aの周囲を囲むよう配置することができる。このため、電荷転送部p-領域109aの面積を増大させることができ、電荷転送部p-領域109aの周囲に位置するpウエル領域104からの不純物拡散による電荷転送部p-領域109aの面積の縮小を抑えることができる。このため、さらなる転送特性の向上が可能となる。このように本実施形態2による固体撮像装置によれば、上記実施形態1の効果に加えて、平行して配置される転送ゲート電極117をより近接して配置することで画素面積の縮小が可能となり、また、電荷転送部p-領域109aの面積拡大が容易となるという効果が得られる。この結果、ノイズや残像をより抑制した高画質な画像を得ることができる固体撮像装置が実現できる。なお、上記実施形態1および2では、光電変換素子PD1およびPD2の第2導電型の電荷蓄積領域102の第1主面側の面の上方を転送ゲート電極107で覆うことにより、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域102およびその上の表面p領域103が転送ゲート電極107の形成プロセスでのプラズマエッチングによるダメージを受けるのを回避して、第1導電型の表面半導体領域表面p領域103の不純物濃度をpウエル領域104の不純物濃度以下の濃度にして、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域102の表面領域に形成する第1導電型の表面半導体領域表面p領域103の低濃度化を実現しているが、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域102の表面領域に形成する第1導電型の表面半導体領域表面p領域103の不純物濃度の低濃度化は、光電変換素子PD1およびPD2の第2導電型の電荷蓄積領域102の第1主面側の面の上方を転送ゲート電極107で覆うことにより実現するものに限定されるものではない。例えば、転送ゲート電極107の形成プロセスで用いるエッチング処理として、光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域102の表面領域に及ぼすダメージの少ないものを用いることによっても光電変換素子の第2導電型の電荷蓄積領域102の表面領域に形成する第1導電型の表面半導体領域表面p領域103の不純物濃度の低濃度化は実現される。つまり、結果として、第1導電型の表面半導体領域表面p領域103の不純物濃度がpウエル領域104の不純物濃度以下の濃度に低濃度化されたものは、どのような方法でこれを実現したものであるかにかかわらず本発明の範囲内のものである。さらに、上記実施形態1および2では、特に説明しなかったが、上記実施形態1および2の固体撮像装置の少なくともいずれかを撮像部に用いた、例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの、画像入力デバイスを有した電子情報機器について以下簡単に説明する。実施形態3図8は、本発明の実施形態3として、実施形態1あるいは2の固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。図8に示す本発明の実施形態3による電子情報機器90は、本発明の上記実施形態1および2の固体撮像装置100aおよび100bの少なくともいずれかを、被写体の撮影を行う撮像部91として備えたものであり、このような撮像部による撮影により得られた高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部92と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示手段93と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信手段94と、この画像データを印刷印字して出力プリントアウトする画像出力手段95とのうちの少なくともいずれかを有している。以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。"