第1波長に強度ピークを有する光を出射する発光素子と、上記第1波長と上記第1波長とは異なる第2波長とに感度ピークを有すると共に、上記発光素子から出射された光の被検出物体からの反射光を含む光を受光して受光量を表す受光信号を出力する受光素子と、上記受光素子の感度ピークを、上記第1波長と上記第2波長とに切り換える切換スイッチと、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第1受光量判定回路と、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第2受光量判定回路と、上記第1受光量判定回路からの判定信号と上記第2受光量判定回路からの判定信号とに基づいて、上記被検出物体を検出したか否かを判定して、検出結果を表す検出信号を出力する検出判定回路とを備え、上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であると判定した場合に、上記被検出物体を検出したと判定するように構成されていることを特徴とする物体検出センサ。請求項1に記載の物体検出センサにおいて、上記検出判定回路は、一旦上記被検出物体を検出したと判定した後は、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2受光量判定回路の第2判定閾値以下である状態を維持している場合には、上記第1受光量判定回路による判定結果に拘わらず、上記被検出物体の検出状態を保持することを特徴とする物体検出センサ。請求項1あるいは請求項2に記載の物体検出センサにおいて、上記検出判定回路は、一旦上記被検出物体を検出したと判定した後に、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値以下であると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えたと判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されていることを特徴とする物体検出センサ。請求項1から請求項3までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えていると判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されていることを特徴とする物体検出センサ。請求項1あるいは請求項2に記載の物体検出センサにおいて、上記第2受光量判定回路は、上記受光素子によって受光された光の光量が常に上記第2判定閾値以下を維持している状態で、上記検出判定回路により上記被検出物体を検出したと判定された場合には、判定閾値を、上記第2判定閾値から、上記受光素子からの上記第1受光量判定回路への受光信号が上記第1判定閾値を超える直前における上記受光素子からの当該第2受光量判定回路への受光信号の値である第3判定閾値に変更するように構成されていることを特徴とする物体検出センサ。請求項1から請求項5までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、上記受光素子は、同一領域に形成されたPN接合による2つのフォトダイオードで構成されており、上記2つのフォトダイオードのうちの一つは、第1導電型の半導体基板と、この第1導電型の半導体基板の表面に第1深さで形成された第2導電型の領域とでなるPN接合で構成される第1フォトダイオードであり、上記2つのフォトダイオードのうちの他の一つは、上記第2導電型の領域と、この第2導電型の領域の表面に上記第1深さよりも浅い第2深さで形成された第1導電型の領域とでなるPN接合で構成される第2フォトダイオードであり、上記第1フォトダイオードは上記第1波長に感度ピークを有しており、上記第2フォトダイオードは上記第2波長に感度ピークを有していることを特徴とする物体検出センサ。請求項1から請求項6までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、上記受光素子は、上記発光素子と当該受光素子との配列方向に、複数に細分化されている部分受光部よりなることを特徴とする物体検出センサ。請求項7に記載の物体検出センサにおいて、上記複数に細分化された夫々の部分受光部の受光量を時系列で比較して、上記被検出物体が近づいているか、遠ざかっているかを判定する判定手段を備えたことを特徴とする物体検出センサ。請求項7あるいは請求項8に記載の物体検出センサにおいて、上記発光素子は、レーザー発光素子であることを特徴とする物体検出センサ。請求項1から請求項9までの何れか一つに記載の物体検出センサにおいて、上記第1波長に強度ピークを有する光は、赤外光であり、上記第2波長を呈する光は、可視光であることを特徴とする物体検出センサ。請求項1から請求項10までの何れか一つに記載の物体検出センサを備えたことを特徴とする電子機器。そこで、この発明の課題は、被検出物体が近づいていないにも関わらず上記被検出物体からの反射光と同じ分光特性を有する外乱光が入射された場合でも正しく上記被検出物体の有無を検出できる物体検出センサ、および、それを備えた電子機器を提供することにある。また、この発明の課題は、一旦被検出物体を検出した後であっても、正しく上記被検出物体の有無を検出できる物体検出センサ、および、それを備えた電子機器を提供することにある。上記課題を解決するため、この発明の物体検出センサは、第1波長に強度ピークを有する光を出射する発光素子と、上記第1波長と上記第1波長とは異なる第2波長とに感度ピークを有すると共に、上記発光素子から出射された光の被検出物体からの反射光を含む光を受光して受光量を表す受光信号を出力する受光素子と、上記受光素子の感度ピークを、上記第1波長と上記第2波長とに切り換える切換スイッチと、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第1受光量判定回路と、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定して、判定結果を表す判定信号を出力する第2受光量判定回路と、上記第1受光量判定回路からの判定信号と上記第2受光量判定回路からの判定信号とに基づいて、上記被検出物体を検出したか否かを判定して、検出結果を表す検出信号を出力する検出判定回路とを備え、上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であると判定した場合に、上記被検出物体を検出したと判定するように構成されていることを特徴としている。発光素子から出射された第1波長にピークを有する光の被検出物体での反射光を、上記第1波長に感度ピークを有する受光素子で受光し、上記受光素子での受光量が判定閾値を超えた場合に、上記被検出物体が物体検出センサに近づいたと判定する場合には、実際には上記被検出物体が上記物体検出センサに近づいていない場合であっても、第1波長の光を含む外乱光が上記受光素子に入射した場合には、誤って被検出物体が近づいたと誤判定してしまう可能性がある。上記構成によれば、第1受光量判定回路によって、感度ピークが第1波長に切り換えられた受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定し、第2受光量判定回路によって、感度ピークが第2波長に切り換えられた上記受光素子からの受光信号を受けて、上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定する。そして、上記第1受光量判定回路が、上記受光素子によって受光された被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記被検出物体が近づいて来ることによって周囲光が遮られて光量が減少するため、上記第2受光量判定回路が、上記受光素子によって受光した光の光量が第2判定閾値以下であると判定した場合に、検出判定回路によって、上記被検出物体を検出したと判定するようにしている。したがって、実際には上記被検出物体が本物体検出センサに近づいていないにも拘わらず、第1波長の光を含む外乱光が上記受光素子に入射したために、上記第1受光量判定回路によって、上記受光素子の受光量が上記第1判定閾値を超えていると判定されたとしても、上記被検出物体が本物体検出センサに近づいていないので周囲光は遮られずその光量は大きく、上記第2受光量判定回路によって、上記受光素子の受光量が上記第2判定閾値以下を超えていると判定されるので、上記検出判定回路によって、上記被検出物体を検出していないと判定される。このように、上記被検出物体からの反射光の受光量と周囲光の受光量との関係に基づいて上記被検出物体を検出したか否かを判定することによって、上記被検出物体が近づいていないにも拘わらず第1波長の光を含む外乱光が上記受光素子に入射されても、誤って上記被検出物体が近づいたと誤判定することを防止できるのである。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記検出判定回路は、一旦上記被検出物体を検出したと判定した後は、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2受光量判定回路の第2判定閾値以下である状態を維持している場合には、上記第1受光量判定回路による判定結果に拘わらず、上記被検出物体の検出状態を保持する。この実施の形態によれば、上記検出判定回路は、一旦上記被検出物体を検出したと判定した後は、上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2判定閾値以下である状態を維持している場合には、上記第1受光量判定回路による判定結果に拘わらず、上記被検出物体の検出状態を保持するようにしている。したがって、人の髪の毛などの反射率が小さい被検出物体が本物体検出センサに近づいて一旦上記被検出物体を検出したと判定された後に、さらに上記被検出物体が近づいて来る場合に、感度ピークが第2波長に切り換えられた上記受光素子に入射される周囲光は近づいて来る上記被検出物体によって遮られて上記第2判定閾値以下である。そのため、上記被検出物体が本物体検出センサに近づいているにも拘わらず上記受光素子への受光量が上記第1判定閾値以下になったとしても、上記被検出物体の検出状態が保持される。このように、一旦上記被検出物体を検出したと判定された後に、上記受光素子で受光された上記被検出物体からの反射光の光量が上記第1受光量判定回路の第1判定閾値以下になった場合に、上記被検出物体が非検出であると誤って判定されることを防止できるのである。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記検出判定回路は、一旦上記被検出物体を検出したと判定した後に、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値以下であると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えたと判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されている。この実施の形態によれば、上記被検出物体を検出したと判定された状態、あるいは、一旦上記被検出物体を検出したと判定された後にさらに上記被検出物体が近づいて上記被検出物体の検出状態が保持されている状態において、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値以下であると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えたと判定した場合には、上記検出判定回路は、上記被検出物体を検出していないと判定するようにしている。したがって、一旦上記被検出物体を検出したと判定された後において、上記被検出物体が本物体検出センサから離れた場合に、上記被検出物体を検出していないと正しく判定することができる。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記検出判定回路は、上記第1受光量判定回路が上記受光素子によって受光された上記被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値を超えていると判定した場合に、上記被検出物体を検出していないと判定するように構成されている。この実施の形態によれば、実際には上記被検出物体が本物体検出センサに近づいていないにも拘わらず、第1波長にピークを有する外乱光が上記受光素子に入射したために、上記第1受光量判定回路によって、上記受光素子の受光量が上記第1判定閾値を超えていると判定されたとしても、上記被検出物体が本物体検出センサに近づいていないので周囲光は遮られずその光量は大きく、上記第2受光量判定回路によって、上記受光素子の受光量が上記第2判定閾値以下を超えていると判定される。したがって、上記検出判定回路により、上記被検出物体を検出していないと正しく判定することができる。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記第2受光量判定回路は、上記受光素子によって受光された光の光量が常に上記第2判定閾値以下を維持している状態で、上記検出判定回路により上記被検出物体を検出したと判定された場合には、判定閾値を、上記第2判定閾値から、上記受光素子からの上記第1受光量判定回路への受光信号が上記第1判定閾値を超える直前における上記受光素子からの当該第2受光量判定回路への受光信号の値である第3判定閾値に変更するように構成されている。上記各実施の形態においては、上記検出判定回路は、一旦上記被検出物体を検出したと判定した後は、上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2判定閾値以下である状態を維持している場合には、上記第1受光量判定回路による判定結果に拘わらず、上記被検出物体の検出状態を保持するようにしている。したがって、周囲が暗い状態の場合には、一旦上記被検出物体を検出したと判定した後にも、上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2判定閾値以下である状態が維持されることになり、上記被検出物体が遠ざかって上記第1受光量判定回路1は判定閾値以下になっても、上記被検出物体の検出状態が保持されてしまう。この実施の形態によれば、上記受光素子によって受光された光の光量が常に上記第2判定閾値以下を維持している状態で、上記検出判定回路により上記被検出物体を検出したと判定された場合には、上記第2判定閾値を、上記受光素子からの上記第1受光量判定回路への受光信号が上記第1判定閾値を超える直前における上記受光素子からの当該第2受光量判定回路への受光信号の値である第3判定閾値に低めるように変更する。したがって、周囲が暗いために上記受光素子によって受光された光の光量が上記第2判定閾値以下であっても、上記第3判定閾値を超えていれば、上記検出判定回路によって、上記被検出物体を検出していないと正しく判定することができる。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記受光素子は、同一領域に形成されたPN接合による2つのフォトダイオードで構成されており、上記2つのフォトダイオードのうちの一つは、第1導電型の半導体基板と、この第1導電型の半導体基板の表面に第1深さで形成された第2導電型の領域とでなるPN接合で構成される第1フォトダイオードであり、上記2つのフォトダイオードのうちの他の一つは、上記第2導電型の領域と、この第2導電型の領域の表面に上記第1深さよりも浅い第2深さで形成された第1導電型の領域とでなるPN接合で構成される第2フォトダイオードであり、上記第1フォトダイオードは上記第1波長に感度ピークを有しており、上記第2フォトダイオードは上記第2波長に感度ピークを有している。この実施の形態によれば、同一領域内に、上記第1波長に感度ピークを有する第1フォトダイオードと、上記第2波長に感度ピークを有する第2フォトダイオードとを形成することによって、上記受光素子によって検出する光を波長によって可視光と赤外光とのごとく容易に区別することが可能になる。さらに、上記第1波長の光は赤外光であり、上記第2波長の光は可視光であることが望ましい。その場合には、上記周囲光の検出には目視可能な明るさの光で検出可能となり、上記被検知物体の検出には人間の目に見えない波長の光で検知可能となる。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記受光素子は、上記発光素子と当該受光素子との配列方向に、複数に細分化されている部分受光部よりなる。本物体検出センサに対して上記被検知物体が近くにある場合には、遠くにある場合に比して、上記被検知物体に対する上記発光素子から出射された光の入射角は大きくなり、上記被検知物体からの反射光の反射角も大きくなる。したがって、上記受光素子上に形成される受光スポットの位置は、上記発光素子から離れた位置になる。この実施の形態によれば、上記受光素子は、上記発光素子と当該受光素子との配列方向に複数に細分化された部分受光部で構成されている。したがって、上記複数に細分化された夫々の部分受光部の受光量を時系列で比較することによって、本物体検出センサに対して上記被検出物体が近づいているのか、遠ざかっているのか判別することが可能になる。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記複数に細分化された夫々の部分受光部の受光量を時系列で比較して、上記被検出物体が近づいているか、遠ざかっているかを判定する判定手段を備えている。この実施の形態によれば、判定手段によって、上記複数に細分化された夫々の部分受光部の受光量を時系列で比較することにより、本物体検出センサに対して上記被検出物体が近づいているのか、遠ざかっているのか判別することができる。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記発光素子は、レーザー発光素子である。この実施の形態によれば、上記発光素子をレーザー発光素子としているので、発光ダイオードとする場合に比して指向特性を向上させることができる。したがって、上記被検出物体が近づいているのか、遠ざかっているのかを、より精度良く判別することが可能になる。また、1実施の形態の物体検出センサでは、上記第1波長に強度ピークを有する光は、赤外光であり、上記第2波長を呈する光は、可視光である。この実施の形態によれば、上記第2波長に感度ピークが切り換えられた上記受光素子によって受光される光を可視光とすることによって、人の視感度にあった周囲光として検出することができる。さらに、上記発光素子から出射される上記第1波長に強度ピークを有する光を赤外光とすることによって、人間の目に見えない波長の光で上記被検知物体の検出を行うことができる。また、この発明の電子機器は、この発明の物体検出センサを備えたことを特徴としている。上記構成によれば、上記第1波長にピークを有する外乱光が上記受光素子に入射された場合や、一旦被検出物体を検出した後の場合であっても、正しく上記被検出物体の有無を検出できる物体検出センサを備えているので、着信時に耳等の上記被検出物体がスピーカフォンに近づいたことを高精度で検出して、液晶バックライトの消灯動作を的確に行うことができる携帯電話や、着信時に頬等の上記被検出物体が液晶タッチパネルに近づいたことを高精度で検出して、上記液晶タッチパネルをオフして上記液晶タッチパネルの誤動作を的確に防止できるスマートフォン等を、実現することが可能になる。以上より明らかなように、この発明の物体検出センサは、第1受光量判定回路で、感度ピークが第1波長に切り換えられた受光素子によって受光された被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定し、第2受光量判定回路で、感度ピークが第2波長に切り換えられた上記受光素子によって受光された光の光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定する。そして、上記第1受光量判定回路が、上記受光素子によって受光された被検出物体からの反射光の光量が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路が、上記受光素子によって受光した光の光量が第2判定閾値以下であると判定した場合に、検出判定回路によって、上記被検出物体を検出したと判定するようにしている。したがって、実際には上記被検出物体が本物体検出センサに近づいていないにも拘わらず、第1波長の光を含む外乱光が上記受光素子に入射して、上記第1受光量判定回路が、上記受光素子の受光量が上記第1判定閾値を超えていると判定したとしても、上記被検出物体が本物体検出センサに近づいていないので周囲光は遮られることがなく、上記第2受光量判定回路が、上記受光素子の受光量が上記第2判定閾値以下を超えていると判定するので、上記検出判定回路によって、上記被検出物体を検出していないと判定される。このように、上記被検出物体からの反射光の受光量と周囲光の受光量との関係に基づいて上記被検出物体を検出したか否かを判定することによって、上記被検出物体が近づいていないにも拘わらず、第1波長の光を含む外乱光が上記受光素子に入射されて上記被検出物体が近づいたと誤判定されることを防止できる。また、この発明の電子機器は、上記第1波長の光を含む外乱光が上記受光素子に入射された場合や、一旦被検出物体を検出した後の場合であっても、正しく上記被検出物体の有無を検出できる物体検出センサを備えているので、着信時に耳等の上記被検出物体がスピーカフォンに近づいたことを高精度で検出して、液晶バックライトの消灯動作を的確に行うことができる携帯電話や、着信時に頬等の上記被検出物体が液晶タッチパネルに近づいたことを高精度で検出して、上記液晶タッチパネルをオフして上記液晶タッチパネルの誤動作を的確に防止できるスマートフォン等を、実現することが可能になる。以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。第1実施の形態図1は、本実施の形態の物体検出センサにおける発光素子と受光素子との概略構成を示す。図1に示すように、本物体検出センサは、光を放射する発光素子1と光を受光する受光素子2とを備え、発光素子1と受光素子2とはベースとなる共通の基板3上に取り付けられている。そして、発光素子1および受光素子2は、夫々、透明の1次モールド樹脂45でモールドされている。1次モールド樹脂45の周囲には、遮光性のある2次モールド樹脂6が設けられている。この2次モールド樹脂6のうち発光素子1と受光素子2との間の2次モールド樹脂6は、発光素子1および受光素子2を光学的に隔てて、発光素子1から放射された光が直接受光素子2で受光されることを防止する。さらに、上記発光素子1における1次モールド樹脂5とは反対側に位置する2次モールド樹脂6は、発光素子1から出射された光が1次モールド樹脂5とは反対側に広がって迷光となることを防止する。また、受光素子2における1次モールド樹脂4とは反対側に位置する2次モールド樹脂6は、受光素子2に対して1次モールド樹脂4とは反対側から外乱光が入射するのを防止する。図2は、図1に示す発光素子1および受光素子2を含む物体検出センサ7のブロック図を示す。図2に示すように、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近接状態にある場合には、発光素子1から出射された光は被検出物体8で反射され、被検出物体8からの反射光が受光素子2によって受光される。そして、受光素子2から、受光量に応じた受光信号が出力される。ここで、本実施の形態における発光素子1は、第1波長に強度ピークを有する光を出射する。また、受光素子2は、上記第1波長と上記第1波長とは異なる第2波長とに感度ピークを有しており、切換スイッチによって上記感度ピークを切り換えることが可能になっている。また、上記物体検出センサ7は、第1受光量判定回路9第2受光量判定回路10および検出判定回路11を含んでいる。上記第1受光量判定回路9は第1判定閾値を有しており、上記第1波長に感度ピークが切り換えられた受光素子2からの受光信号を受けて、受光素子2によって受光された第1波長に強度ピークを有する反射光の光量が、上記第1判定閾値を超えているか否かを判定する。そして、判定結果を表す判定信号を出力する。また、第2受光量判定回路10は上記第1判定閾値とは異なる第2判定閾値を有しており、上記第2波長に感度ピークが切り換えられた受光素子2からの受光信号を受けて、受光素子2によって受光された光量が上記第2判定閾値以下であるか否かを判定する。そして、判定結果を表す判定信号を出力する。また、検出判定回路11は、第1受光量判定回路9からの判定信号と第2受光量判定回路10からの判定信号とに基づいて、被検出物体8を検出したか否かを判定する。そして、検出結果を表す検出信号を出力するのである。さらに、後に詳述するように、上記検出判定回路11は、一旦被検出物体8を検出したと判定すると、以後における判定の基準を変更する。また、第2受光量判定回路10は、受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号が常に第2判定閾値以下を維持している状態で被検出物体8を検出したと判定された場合に、以後における判定閾値を変更するようになっている。以下、本物体検出センサ7の動作を、周囲光および被検出物体8の状況の別に、説明する。a第1の状況図3は、上記被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて来る場合において、発光素子1の発光タイミングと、第1受光量判定回路9による判定タイミングと、第2受光量判定回路10による判定タイミングと、検出判定回路11による検出信号の出力タイミングと、を示している。また、図4は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。図3に示すように、上記発光素子1は、予め定められた一定の間隔で予め定められた所定の時間長だけ、上記第1波長に強度ピークを有する光を出射する。また、受光素子2は、発光素子1の発光タイミングと同じタイミングで、感度ピークが上記第1波長に切り換えられる一方、発光素子1の発光タイミング以外の場合には、感度ピークが上記第2波長に切り換えられる。先ず、図4に示すように上記被検出物体8が存在しない場合には、図3における期間において、発光素子1から放射された上記第1波長に強度ピークを有する光は、反射するものが無いために、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2に入射されることはない。したがって、図3に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号がない状態となる。さらに、上述したように、反射するものが無いため、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた受光素子2には周囲光が入射され、受光素子2の受光信号は大きい状態になる。したがって、図3に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第2判定閾値よりも大きい状態となる。ここで、上述したように上記第1受光量判定回路9は、受光素子2からの受光信号が上記第1判定閾値を超えているか否かを判定する。第2受光量判定回路10は、受光素子2からの受光信号が上記第2判定閾値以下であるか否かを判定する。検出判定回路11は、第1受光量判定回路9および第2受光量判定回路10からの判定信号に基づいて、第1受光量判定回路9が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路10が第2判定閾値以下であると判定した場合に、被検出物体8を検出したと判定する。図3の期間においては、上記受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さく、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第2判定閾値よりも大きい。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8は検出できなかったと判定して、レベルLの検出信号を出力する。次に、図4および図4に示すように、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近づいてくる場合には、図3の期間において、発光素子1から放射された上記第1波長に強度ピークを有する光は、被検出物体8で反射されて感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2に入射される。そして、受光素子2からの受光信号は、被検出物体8が近づくに連れて大きくなっていく。したがって、図3に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号も大きくなっていく。さらに、近づいてくる被検出物体8によって周囲からの光が遮られることによって、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた受光素子2に入射される周囲光は少なくなっていく。したがって、図3に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が小さくなっていく。図3の期間においては、上記受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さいか、あるいは、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第2判定閾値よりも大きい。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8は検出できなかったと判定して、レベルLの検出信号を出力する。次に、図4に示すように、上記被検出物体8が物体検出センサ7に対して近接状態にある場合には、図3の期間において、受光素子2からの第1受光量判定回路9への受光信号が第1判定閾値を超えると共に、受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号が第2判定閾値以下となる。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8が近接状態にあると判定し、被検出物体8を検出したことを表すレベルHの検出信号を出力するのである。以上のごとく、本実施の形態においては、発光素子1を、第1波長に強度ピークを有する光を出射するように構成し、受光素子2を、上記第1波長と第2波長とに感度ピークを切り換え可能に構成している。また、上記第1波長に感度ピークが切り換えられた受光素子2からの受光信号に基づいて、上記第1波長に強度ピークを有する反射光の受光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定する第1受光量判定回路9を備えている。また、上記第2波長に感度ピークが切り換えられた受光素子2からの受光信号に基づいて、受光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定する第2受光量判定回路10を備えている。そして、検出判定回路11によって、上記第1受光量判定回路9および第2受光量判定回路10からの判定信号に基づいて、第1受光量判定回路9が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、上記第2受光量判定回路10が第2判定閾値以下であると判定した場合に、被検出物体8を検出したと判定するようにしている。このように、本実施の形態においては、上記発光素子1から被検出物体8に向けて上記第1波長に強度ピークを有する光を出射する。一方、受光素子2は、被検出物体8からの上記第1波長に強度ピークを有する反射光と、上記第2波長に強度ピークを有する周囲光とを、波長によって区別して受光する。そして、第1受光量判定回路9第2受光量判定回路10および検出判定回路11によって、上記第1波長に強度ピークを有する反射光の光量と、上記第2波長に強度ピークを有する周囲光の光量との関係に基づいて、被検出物体8を検出する。すなわち、上記被検出物体8からの反射光を、波長によって上記周囲光と分離して、被検出物体8の検出用に用いている。したがって、被検出物体8が近づいていないにも関わらず、上記第1波長の光を含む外乱光を受光することによって被検出物体8が近づいたと誤動作するのを防止することができるのである。尚、上記特許文献3には、照度検出には可視光を利用し、物体検出には赤外光を利用することが開示されている。また、上記特許文献4には、照度センサ部では、赤外領域の光による影響を抑制し、近接センサ部では、可視光領域の光による影響を抑制することが開示されている。しかしながら、何れの文献にも、被検出物体からの反射光の受光量と周囲光の受光量との関係に基づいて被検出物体を検出したと判定することは、開示されてはいない。b第2の状況図5は、上記被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後、被検出物体8がさらに物体検出センサ7に近づく場合において、発光素子1の発光タイミングと、第1受光量判定回路9による判定タイミングと、第2受光量判定回路10による判定タイミングと、検出判定回路11による検出信号の出力タイミングとを示している。また、図6は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。図6示す上記被検出物体8が存在しない場合、図6および図6に示す被検出物体8が物体検出センサ7に近づく場合、図6に示す被検出物体8が受光素子2に対して近接状態にある場合において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号の変化、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号の変化、検出判定回路11による被検出物体8の検出結果は、図5に示すごとく、上記第1の状況において図3に示す被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて近接状態に至る場合と同様である。すなわち、図6に示すように被検出物体8が物体検出センサ7に対して近接状態にある図5の期間において、検出判定回路11は、被検出物体8が近接状態にあると判定してレベルHの検出信号を出力する。その後、図6に示すように上記被検出物体8がさらに物体検出センサ7に近づいた場合には、発光素子1から出射された上記第1波長に強度ピークを有する光は、被検出物体8で反射されるが、受光素子2に近すぎるために光学的に受光素子2に入射されることが少なくなる。そのため、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2の受光信号は小さくなり、図5に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号も小さくなる。こうして、図5の期間において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さくなる。また、図5の期間において、上記受光素子2は被検出物体8がごく近傍にあるために、周囲光の受光量は減少したままとなり、図5に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号も上記第2判定閾値よりも小さい状態を維持する。ここで、上記検出判定回路11は、一旦被検出物体8を検出したと判定すると、以後における判定の基準を変更する。すなわち、一旦被検出物体8を検出した後は、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している場合には、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値以下であっても、被検出物体8を検出したと判定するのである。この場合、上記検出判定回路11は、図5の期間において、一旦被検出物体8を検出したと判定している。したがって、図5の期間において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値以下となっても、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値よりも小さい状態を維持しているため、検出判定回路11は、被検出物体8がごく近接状態にあると判定してレベルHの検出信号を出力するのである。以上のごとく、本実施の形態においては、上記検出判定回路11を、一旦被検出物体8を検出した後は、以後における判定の基準を、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している場合には、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値以下であっても、被検出物体8を検出したと判定すると変更するようにしている。したがって、上記物体検出センサ7の前に液晶パネル等のパネルが存在しており、上記パネルからの反射光量は第1受光量判定回路9の上記第1判定閾値を下回るように設定されている場合において、図5の期間で一旦被検出物体8が検知された後に、被検出物体8がさらに近づいて来た場合には、受光素子2への被検出物体8からの反射光の光量が減少する。そして、例え、被検出物体8と上記パネルとの距離がゼロになって被検出物体8からの反射光量は殆ど無くなり、図5の期間において略上記パネルからの反射光量のみになったとしても、受光素子2の極近傍に被検出物体8が在るため周囲光が被検出物体8で遮られて、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している。その結果、検出判定回路11は判定の基準を変更して、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値以下であっても、被検出物体8を検出したとの判定を保持することになる。このように、本実施の形態によれば、近づいて来た被検出物体8と上記パネルとの距離がゼロになって受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値を下回った場合に、被検出物体8が検出されなくなるという誤動作を防止することができるのである。c第3の状況図7は、上記被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後に、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合において、発光素子1の発光タイミングと、第1受光量判定回路9による判定タイミングと、第2受光量判定回路10による判定タイミングと、検出判定回路11による検出信号の出力タイミングとを示している。また、図8は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。図8示す上記被検出物体8が存在しない場合、図8および図8に示す被検出物体8が物体検出センサ7に近づく場合、図8に示す被検出物体8が受光素子2に対して近接状態にある場合において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号の変化、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号の変化、検出判定回路11による被検出物体8の検出結果は、図7に示すごとく、上記第1の状況において図3に示す被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて近接状態に至る場合と同様である。すなわち、図8に示すように被検出物体8が物体検出センサ7に対して近接状態にある図7の期間において、検出判定回路11は、被検出物体8が近接状態にあると判定してレベルHの検出信号を出力する。その後、図8に示すように上記被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合には、発光素子1から出射された上記第1波長に強度ピークを有する光の被検出物体8による反射光は減少する。そのために、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2の受光信号は小さくなり、図7に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号も小さくなる。こうして、図7の期間において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さくなる。また、図7の期間において、上記被検出物体8が遠い位置にあるため周囲光が被検出物体8によって遮られず、受光素子2による周囲光の受光量が大きくなる。その結果、図7に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以上になる。この場合、上記検出判定回路11は、図7の期間において、一旦被検出物体8を検出したと判定している。したがって、以後における判定の基準を変更して、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している場合にば、被検出物体8を検出したと判定するようになっている。ところが、図7の期間において、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以上になっている。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8は遠い状態あるいは無い状態であると判定してレベルLの検出信号を出力するのである。以上のごとく、上記検出判定回路11が、一旦被検出物体8を検出した後に、以後における判定の基準を、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している場合には、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号が上記第1判定閾値以下であっても、被検出物体8を検出したと判定すると変更した場合であっても、検出判定回路11は、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかっていることを正しく検出することができるのである。尚、本実施の形態においては、図7の期間において被検出物体8を検出したと判定した直後の期間で、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値を超えて、被検出物体8は検出されない状態であると判定している。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、上記第2の状況の図5の期間において被検出物体8を検出した状態を保持している場合に、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値を超えた場合にも、同様に被検出物体8は検出されない状態であると判定される。d第4の状況図9は、上記被検出物体8の周囲が暗い状態において、被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合において、上記発光素子1による発光タイミングと、第1受光量判定回路9による判定タイミングと、第2受光量判定回路10による判定タイミングと、検出判定回路11による検出信号の出力タイミングとを示している。また、図10は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。先ず、図10に示すように、上記被検出物体8が存在していない場合には、図9の期間において、発光素子1から放射された上記第1波長に強度ピークを有する光は、反射するものが無いため、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2に入射されることはない。したがって、図9に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号がない状態となる。さらに、上述したように、反射するものが無いため、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた受光素子2には周囲光が入射される。ところが、周囲が暗いため、受光素子2の受光信号は小さい状態になる。したがって、図9に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第2判定閾値よりも小さい状態となる。この場合、上記受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さく、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第2判定閾値よりも小さい。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8は検出できなかったと判定して、レベルLの検出信号を出力する。次に、図10および図10に示すように、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近づいてくる場合には、図9の期間において、発光素子1から放射された上記第1波長に強度ピークを有する光は、被検出物体8で反射されて、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2に入射される。そして、受光素子2からの受光信号は、被検出物体8が近づくに連れて大きくなっていく。したがって、図9に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号も大きくなっていくが、上記第1判定閾値よりも小さい。さらに、近づいてくる被検出物体8によって周囲からの光が遮られることによって、感度ピークが上記第2波長に切り換えられた受光素子2に入射される周囲光は少なくなっていく。したがって、図9に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が小さくなっていく。この場合、上記受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さく、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第2判定閾値よりも小さい。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8は検出できなかったと判定して、レベルLの検出信号を出力する。次に、図10に示すように、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近接状態にある場合には、図9の期間において、受光素子2からの第1受光量判定回路9への受光信号が第1判定閾値を超えると共に、受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号が第2判定閾値以下である。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8が近接状態にあると判定し、被検出物体8を検出したことを表すレベルHの検出信号を出力する。その後、図10に示すように上記被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合には、発光素子1から出射された上記第1波長に強度ピークを有する光の被検出物体8による反射光は減少する。そのため、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2の受光信号は小さくなり、図9に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号も小さくなる。こうして、図9の期間において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さくなる。また、図9の期間において、上記被検出物体8が遠い位置にあるため周囲光が被検出物体8によって遮られず、受光素子2による周囲光の受光量が大きくなる。その結果、図9に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が大きくなる。しかしながら、周囲が暗いため、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第2判定閾値以下のままとなる。この場合、上記検出判定回路11は、図9の期間において、一旦被検出物体8を検出したと判定している。したがって、以後における判定の基準を変更して、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下の状態を維持している場合には、被検出物体8を検出したと判定する。その結果、図9の期間において、上記検出判定回路11は、被検出物体8は近接状態にあると判定してレベルHの検出信号を出力し続けるのである。すなわち、この期間においては、上記被検出物体8が遠い状態あるいは無い状態であるにも拘わらず、被検出物体8が近接状態にあると誤判定されることになる。そこで、本実施の形態においては、このような誤判定を防止するため、以下のように、第2受光量判定回路10における上記第2判定閾値を変更可能にするのである。ここで、第2受光量判定回路10における上記第2判定閾値の変更は、受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号が常に第2判定閾値以下の状態を維持している状態で、受光素子2からの第1受光量判定回路9への受光信号が第1判定閾値を超えて、検出判定回路11によって、被検出物体8が近接状態にあると判定された場合に行われる。以下、図9の場合と同様に、上記被検出物体8の周囲が暗い状態において、被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後に、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合を例に、上記第2判定閾値の変更について具体的に説明する。e第5の状況図11は、上記被検出物体8の周囲が暗い状態において、被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて一旦被検出物体8が検出された後、被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合において、発光素子1の発光タイミングと、第1受光量判定回路9による判定タイミングと、第2受光量判定回路10による判定タイミングと、検出判定回路11による検出信号の出力タイミングとを示している。また、図12は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示している。図12示す上記被検出物体8が存在しない場合、図12および図12に示す被検出物体8が物体検出センサ7に近づく場合、図12に示す被検出物体8が受光素子2に対して近接状態にある場合において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号の変化、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号の変化、上記検出判定回路11による被検出物体8の検出結果は、図11に示すごとく、上記第4の状況において図9に示す被検出物体8が無い状態から被検出物体8が物体検出センサ7に近づいて近接状態に至る場合と同様である。すなわち、図12に示すように、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近接状態にある図11の期間において、検出判定回路11は、被検出物体8が近接状態にあると判定してレベルHの検出信号を出力する。この時点で、上記検出判定回路11は、受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号が常に第2判定閾値以下を維持している状態で被検出物体8を検出したと判定したので、第2受光量判定回路10に対して、上記第2判定閾値を、より小さい第3判定閾値に変更させる指令信号を出力する。ここで、上記第3判定閾値は、受光素子2からの第1受光量判定回路9への受光信号が第1判定閾値を超える直前における受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号における受光信号イの値とする。以後、第2受光量判定回路10は、受光素子2によって受光された光量が上記第3判定閾値以下であるか否かを判定することになる。その後、図12に示すように上記被検出物体8が物体検出センサ7から遠ざかる場合には、発光素子1から出射された上記第1波長に強度ピークを有する光の被検出物体8による反射光は減少する。そのため、感度ピークが上記第1波長に切り換えられた受光素子2の受光信号は小さくなり、図11に示すように、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号も小さくなる。こうして、図11の期間において、受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さくなる。また、図11の期間において、上記受光素子2は被検出物体8が遠い位置にあるため、周囲光の受光量が大きくなり、図11に示すように、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が大きくなる。しかしながら、周囲が暗いため、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は小さく、上記第2判定閾値よりも小さい。しかしながら、上記第2受光量判定回路10の判定閾値は上記第2判定閾値よりも小さい第3判定閾値に変更されている。そのため、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号は上記第3判定閾値以上となる。その結果、図11の期間では、上記受光素子2から第1受光量判定回路9への受光信号は上記第1判定閾値よりも小さく、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第3判定閾値以上となっている。したがって、検出判定回路11は、被検出物体8は遠い状態あるいは無い状態であると判定してレベルLの検出信号を出力するのである。このように、本実施の形態においては、上記検出判定回路11が、受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号が常に第2判定閾値以下を維持している状態で、被検出物体8を検出したと判定した場合は、第2受光量判定回路10の上記第2判定閾値を、受光素子2からの第1受光量判定回路9への受光信号が第1判定閾値を超える直前における受光素子2からの第2受光量判定回路10への受光信号の値である第3判定閾値に変更するようにしている。したがって、図9の期間のごとく、周囲が暗いため、受光素子2から第2受光量判定回路10への受光信号が上記第2判定閾値以下となり、上記被検出物体8が遠い状態あるいは無い状態であるにも拘わらず、被検出物体8が近接状態にあると誤判定されることを防止することができるのである。尚、本実施の形態においては、上記検出判定回路11が第2受光量判定回路10に対して指令信号を出力することによって、第2受光量判定回路10の上記第2判定閾値を上記第3判定閾値に変更するようにしている。しかしながら、この発明は、これに限定されるものではなく、例えば発光素子1受光素子2第1受光量判定回路9第2受光量判定回路10および検出判定回路11の動作を制御部によって制御している場合には、この制御部からの指示によって第2受光量判定回路10の上記第2判定閾値を上記第3判定閾値に変更するようにしても差し支えない。第2実施の形態本実施の形態は、上記第1実施の形態における受光素子2の具体的構造に関する。図13は、本実施の形態における受光素子2の断面模式図を示す。上記受光素子2は、p型半導体基板15とこのp型半導体基板15の表面に形成されたn型不純物拡散領域16とでなる深い側のpn接合で構成されるフォトダイオードと、n型不純物拡散領域16とこのn型不純物拡散領域16の表面に形成されたp型不純物拡散領域17とでなる浅い側のpn接合で構成されるフォトダイオードとの2つの素子によって構成されている。以下、深い側のフォトダイオードを第1フォトダイオードPD1と称し、浅い側のフォトダイオードを第2フォトダイオードPD2と称する。ここで、上記第1フォトダイオードPD1は、上記第1実施の形態における上記第1波長に感度ピークを有しており、第2フォトダイオードPD2は、上記第1実施の形態における上記第2波長に感度ピークを有している。図14は、上記第1フォトダイオードPD1および第2フォトダイオードPD2の分光特性を示す。図14において、縦軸は相対感度を示しており、横軸は波長を示している。図14に示すように、上記第1フォトダイオードPD1の分光特性は、800nmの波長付近にピークを有している。これに対し、第2フォトダイオードPD2の分光特性は、500nm~600nmの波長付近にピークを有している。それ故に、上記第1実施の形態における上記周囲光の検出に可視光を使用し、被検出物体8の検出に赤外光を使用する場合において、上記第1第2フォトダイオードPD1PD2を有効に用いることが可能になる。例えば、図13に示すように、上記第1フォトダイオードPD1のアノードを第1受光量判定回路9に接続する一方、第2フォトダイオードPD2のアノードを第2受光量判定回路10に接続する。そして、第1フォトダイオードPD1および第2フォトダイオードPD2のカソードの共通端子18を、切換スイッチ19によって第1受光量判定回路9あるいは第2受光量判定回路10に切り換え接続するように構成する。こうすることによって、上記発光素子1が上記第1波長である赤外光を出射するのに同期して、切換スイッチ19を第1受光量判定回路9側に接続すれば、被検出物体8で反射された赤外光に基づく第1フォトダイオードPD1からの受光信号を第1受光量判定回路9に入力することができる。これに対し、発光素子1が赤外光の出射を停止している場合に、切換スイッチ19を第2受光量判定回路10側に接続すれば、上記第2波長である上記周囲光に基づく第2フォトダイオードPD2からの受光信号を第2受光量判定回路10に入力することができる。したがって、上記第1第2フォトダイオードPD1PD2による光検出によって、被検出物体8の検出機能と上記周囲光の検出機能とを実現することが可能になる。尚、本実施の形態においては、p型半導体基板15とこのp型半導体基板15の表面に形成されたn型不純物拡散領域16とで深い側の第1フォトダイオードPD1を構成する一方、n型不純物拡散領域16とこのn型不純物拡散領域16の表面に形成されたp型不純物拡散領域17とで浅い側の第2フォトダイオードPD2とを構成している。しかしながら、この発明においては、半導体基板、この半導体基板の表面に形成される第1の不純物拡散領域、この第1の不純物拡散領域の表面に形成される第2の不純物拡散領域の導電型は、上述の導電型に限定されるものではない。要は、深いpn接合で構成されるフォトダイオードと浅いpn接合で構成されるフォトダイオードとが積層されている構造であればよいのである。第3実施の形態図15は、本実施の形態における発光素子と受光素子との概略構成を示す。但し、図15は縦断面図であり、図15は平面図である。図1の場合と同様に、発光素子1と受光素子2とは同じ基板3上に取り付けられており、発光素子1および受光素子2は透明の1次モールド樹脂45でモールドされている。そして、1次モールド樹脂45の周囲には、遮光性のある2次モールド樹脂6が設けられている。図15に示すように、上記受光素子2は2つの領域2a2bとなる部分受光部に細分化されている。ここで、2つの領域2a2bへの分割線の延在方向は発光素子1と受光素子2との配列方向に略直交する方向となっており、受光素子2は発光素子1から遠い側の領域2aと発光素子1に近い側の領域2bとに細分化されている。この場合における2つの領域2a2bへの細分化は、図13における深い側の第1フォトダイオードPD1と浅い側の第2フォトダイオードPD2との両方に対して行えばよい。本実施の形態においては、上記受光素子2における2つの領域2a2bに形成される受光スポットの位置によって、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近づいてくるのか遠ざかっているのかを判別するのである。図16~図20は、上記被検出物体8が物体検出センサ7に対して遠い状態から近接状態になるまでの受光素子2の受光状態を示している。ここで、図16図17図18図19図20は、物体検出センサ7に対する被検出物体8の位置関係を示しており、図16図17図18図19図20は、受光素子2の2つの領域2a2bにおける受光スポットの形成状態を示している。先ず、図16に示すように、上記被検出物体8が無い状態では、発光素子1から放射される光は被検出物体8で反射されることがないため、図16に示すように、受光素子2には光が入射されることはない。次に、図17に示すように、上記被検出物体8が物体検出センサ7から遠い状態の場合には、発光素子1から放射された光は被検出物体8に反射され、光学的に2つの領域2a2bに細分化された受光素子2に入射される。その場合、図17に示すように、受光素子2における発光素子1に近い側の領域2bに被検出物体8からの反射光の受光スポット21が形成されるため、領域2bの受光量の方が発光素子1から遠い側の領域2aの受光量よりも大きくなる。さらに、図18に示すように、上記被検出物体8が図17に示す状態よりもさらに物体検出センサ7に近づいて来ると、発光素子1から放射されて被検出物体8で反射された光は、光学的に2つの領域2a2bに細分化された受光素子2に入射される。その場合、発光素子1からの出射光の被検出物体8への入射角が図17の場合よりも大きくなるため、被検出物体8からの反射角も図17の場合よりも大きくなる。その結果、被検出物体8からの反射光による受光スポット21の形成位置が受光素子2上において図17の場合よりも発光素子1から遠い側にずれて、図18に示すように、受光素子2における2つの領域2a2bの境界線上に受光スポット21が形成される。そのため、受光素子2における領域2aの受光量と領域2bの受光量とは、略等しくなる。さらに、図19に示すように、上記被検出物体8が図18に示す状態よりもさらに物体検出センサ7に近づいて来ると、発光素子1からの出射光の被検出物体8への入射角が図18の場合よりも大きくなるため、被検出物体8からの反射角も図18の場合よりも大きくなる。その結果、被検出物体8からの反射光による受光スポット21の形成位置が受光素子2上において図18の場合よりも発光素子1から遠い側にずれて、図19に示すように、受光素子2における発光素子1から遠い側の領域2aに被検出物体8からの反射光の受光スポット21が形成されるため、領域2aの受光量の方が発光素子1から近い側の領域2bの受光量よりも大きくなる。さらに、図20に示すように、上記被検出物体8が図19に示す状態よりもさらに物体検出センサ7に近づいて来ると、発光素子1から放射された光は被検出物体8で反射されるが、被検出物体8の位置が受光素子2に近すぎるために光学的に受光素子2に入射される反射光は少なくなって、受光素子2に受光スポット21が形成されない。以上のことより、本実施の形態においては、上記検出判定回路11あるいは上記制御部によって、受光素子2における2つの領域2a2bの受光量を時系列で比較することにより、被検出物体8が物体検出センサ7に対して遠い状態から近い状態に移行しようとしているのか、近い状態から遠い状態に移行しようとしているのかを判別することが可能になる。この場合、図13に示す受光素子2おける深い側の第1フォトダイオードPD1と浅い側の第2フォトダイオードPD2とを2つの領域2a2bへの細分化した場合には、発光素子1から遠い側に位置する深い第1フォトダイオードPD1aと、発光素子1から近い側に位置する深い第1フォトダイオードPD1bと、発光素子1から遠い側に位置する浅い第2フォトダイオードPD2aと、発光素子1から近い側に位置する浅い第2フォトダイオードPD2bとの、4つのフォトダイオードが形成される。そこで、上記4つのフォトダイオードPD1aPD1bPD2aPD2bを用いて、上記第1実施の形態のごとく、被検出物体8からの反射光と上記周囲光とを波長によって分離して被検出物体8の有無を検出する場合には、第1フォトダイオードPD1aと第1フォトダイオードPD1bとを直列あるいは並列に接続して図13の第1フォトダイオードPD1と見なす一方、第2フォトダイオードPD2aと第2フォトダイオードPD2bとを直列あるいは並列に接続して図13の第2フォトダイオードPD2と見なすのである。こうすることによって、被検出物体8からの反射光と上記周囲光とを波長によって分離して、被検出物体8の有無を精度よく検出することができる。さらに、上記4つのフォトダイオードPD1aPD1bPD2aPD2bを用いて、本第3実施の形態のごとく、被検出物体8が物体検出センサ7に対して遠い状態から近づいてくるのか近い状態から離れていくのかを判別する場合には、深い側に位置する第1フォトダイオードPD1aを発光素子1から遠い側に位置する領域2aと見なす一方、深い側に位置する第1フォトダイオードPD1bを発光素子1から近い側に位置する領域2bと見なすのである。こうすることにより、受光素子2における2つの領域2a2bの受光量を時系列で比較して、被検出物体8が物体検出センサ7に対して遠い状態から近づいてくるのか近い状態から離れていくのかを判別することができる。したがって、上記4つのフォトダイオードPD1aPD1bPD2aPD2bの接続関係を、適宜切り換えることによって、被検出物体8からの反射光と上記周囲光とを波長によって分離して被検出物体8の有無を精度よく検出する場合に、必要に応じて、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近づいてくるのか離れていくのかを判別することができるのである。尚、本実施形態においては、上記受光素子2を、領域2a2bの2つの領域に細分化しているが、3つあるいはそれ以上の領域となる部分受光部に細分化して、判別精度を向上させてもよい。さらに、発光素子1として、LEDやレーザー発光素子を用いることができる。その場合、レーザー発光素子を用いれば、被検出物体8が物体検出センサ7に対して近づいてくるのか離れていくのかをより高い精度で判別することが可能になる。また、上記各実施の形態における上記物体検出センサ7は、携帯電話やスマートフォン等の電子機器に搭載されると有効である。例えば、携帯電話に搭載された場合には、着信時にスピーカフォンが耳に近づいたことを検出して、液晶バックライトを消灯させて無駄な消費電力を抑えることができる。また、液晶タッチパネルを搭載したスマートフォンに搭載された場合には、着信時に頬等の被検出物体8が近づいたことを検知して液晶タッチパネルをオフして、上記液晶タッチパネルが頬等に触れて誤動作することを防止できる。その場合、上記各実施の形態における上記物体検出センサ7は、被検出物体8が近づいていないにも関わらず、上記第1波長の光を含む外乱光を受光して、被検出物体8が近づいたと誤動作するのを防止できる。また、一度は被検出物体8が検知された後に、さらに近づいてくる被検出物体8と液晶パネル等のパネルとの距離がゼロになって被検出物体8からの反射光量は殆ど無くなるため、被検出物体8が検出されなくなるという誤動作を防止することができる。したがって、着信時に耳や頬等の被検出物体8がスピーカフォンや液晶タッチパネルに近づいたことを高精度で検出して、液晶バックライトの消灯動作や、液晶タッチパネルのオフ動作を、的確に行うことが可能になる。