III-V族化合物半導体からなる、n側窓層、n型エミッタ層、p型ベース層、p側窓層を積層したpn接合部を少なくとも1つ備えた光電変換部と、前記光電変換部のn側窓層側に形成したn型GaAs層および表面電極と、前記光電変換部のp側窓層側に形成したp側コンタクト層および裏面電極からなる集光型発電素子において、Zn層は少なくともZnO透明導電層とn型GaAs層およびZnO透明導電層と表面電極に挟まれた構造であり、前記表面電極から電流を取り出す表面電極配線部が前記光電変換部の側面に絶縁層を介して形成されることで同一平面内にn型と裏面電極が備えられ、前記Zn層が厚み1~5nmであることを特徴とする集光型発電素子。前記III-V族化合物半導体のn型エミッタ層およびp型ベース層が、InGaAs、GaAs、InGaPのいずれかで、n側窓層およびp型窓層およびn側コンタクト層およびp側コンタクト層が、InGaP、InAlP、InAlGaPのいずれかであることを特徴とする請求項1記載の集光型発電素子。前記請求項1または2記載の集光型発電素子の製造方法であって、前記表面電極とn型GaAs層上に厚さ1~5nmであるZn層およびZnO透明導電層を順次積層する工程と、前記光電変換部の側面に絶縁層を積層し、その上に表面電極配線部を形成することで同一平面内にn型と裏面電極を形成することを特徴とする集光型太陽電池の製造方法。前記請求項1または2記載の集光型発電素子の製造方法であって、前記n型GaAsのドーパントが、SiもしくはTeのいずれかで、n型エミッタ層およびp型ベース層が、InGaAs、GaAs、InGaPのいずれかで、n側窓層およびp型窓層およびn側コンタクト層およびp側コンタクト層が、InGaP、InAlP、InAlGaPのいずれかで、前記犠牲層がAlAsもしくはInGaPのいずれかであることを特徴とする集光型発電素子の製造方法。しかしながら、III-V族化合物半導体により構成された光電変換部のn側コンタクト層にn型GaAsを用いた場合、グリッド電極にZnOからなる透明導電層以下ZnO透明導電層を用いるとn型GaAsとZnO透明導電層およびn型バス電極とZnO透明導電層間の界面抵抗が大きくなることから、直列抵抗が高くなり変換効率の低下を招くという課題がある非特許文献1。特に集光型太陽電池においては、直列抵抗が大きくなることにより集光時の変換効率の低下が大きくなる。本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ZnO透明導電層を用いても高い変換効率を有する集光型太陽電池を提供することを目的とする。前記従来の課題を解決するために、本発明の集光型太陽電池は、III-V族化合物半導体からなる、n側窓層、n型エミッタ層、p型ベース層、p側窓層を積層したpn接合部を少なくとも1つ備え、n側窓層上にはn側コンタクト層としてn型GaAs層、p側窓層上にはp側コンタクト層を形成した光電変換部と表面電極、および裏面電極を具備し、表面電極はグリッド電極、n型バス電極およびn型バス電極接続部により構成され、前記n型バス電極接続部は前記光電変換部の側面に絶縁層を介して裏面まで延伸形成されたストレートレリーフ構造を有し、前記グリッド電極はn型GaAs層上に積層され、裏面電極はp側コンタクト層上と裏面電極が積層され、前記グリッド電極はZn層とZnO透明導電層を順次積層することで、前記Zn層は少なくともZnO透明導電層とn型GaAs層およびZnOからなる透明導電層とn型バス電極に挟まれた構造であり、前記Zn層が厚み1~5nmであることを特徴としている。本発明の集光型太陽電池によれば、Zn層は少なくともZnO透明導電層とn型GaAs層およびZnO透明導電層とn型バス電極間に挟まれ、Zn層が1~5nmと極薄であるために透過率を損なうことなく優れたオーミックコンタクトを有し、かつストレートレリーフ構造を用いて同一平面内に表面電極と裏面電極を備えることで接続箇所の高い信頼性と配線との接続の簡便性を有する集光型太陽電池を実現できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態本発明の実施の形態に係る集光型太陽電池について説明する。ここでは、集光型太陽電池の発電素子として、単接合型の発電素子を例に挙げる。図1は、実施の形態における太陽電池の断面構成図を、図2は発電素子の断面構成図、図3は光電変換部の断面構成図を示している。図1は、本実施の形態の太陽電池を示す。集光レンズ101と発電素子102、反射防止膜103、放熱板104、絶縁層105、スペーサ106、配線部107を具備する。放熱板104の表面上には絶縁層105、配線部107、発電素子102が順次積層され、さらに集光レンズ101と放熱板104の間にはスペーサ106を具備する。発電素子102と配線部107は電気的に直列に接続されている。図2に本実施の形態の発電素子102を示す。発電素子102は表面電極117、光電変換部112、絶縁層113、裏面電極118を具備する。このとき表面電極117は、ZnO透明導電層108とZn層109を積層したグリッド電極116、n型バス電極110、n型バス電極溶接部111110で構成され、裏面電極118は、裏面電極114、p型バス電極溶接部115で構成される。このとき、表面電極117、光電変換部112、裏面電極118、配線部107は、電気的に直列に接続されている。また、表面電極117と裏面電極118は同一平面内に具備する。図3は光電変換部112を示す。光電変換部112は、n型コンタクト層として形成したn型GaAs層119、n側窓層120、n型エミッタ層121、p型ベース層122、p側窓層123、p側コンタクト層124を積層している。積層方向はZ方向である。Z方向に沿ってn側窓層120、n型エミッタ層121、p型ベース層122、p側窓層123の順で積層されたpn接合を少なくとも1つ以上有している。集光レンズ101に照射された光は、発電素子102のZnO透明導電層108、Zn層109、n型GaAs層119、n側窓層120をこの順で透過し、n型エミッタ層121およびp型ベース層122において光電変換される。光電変換により生成されたキャリアは、n型GaAs層119と表面電極117およびp側コンタクト層124と裏面電極118により配線部107へ電流として取り出される。本実施の形態では、Z方向に沿ってZnO透明導電層108とn型GaAs層119およびZnO透明導電層108とn型バス電極110の間にZn層109が挟まれていることが好ましい。Zn層109の厚みは1~5nmが好ましい。n型GaAs、Zn層109とZnO透明導電層108およびn型バス電極110、Zn層109とZnO透明導電層108はこの順で電気的に直列に接続されている。そこで、透過率の低減なしにZnO透明導電層108とn型GaAs層119およびZnO透明導電層108とn型バス電極110間のオーミックコンタクトを同時に実現することで、変換効率に優れた集光型太陽電池を実現できる。本実施の形態の集光レンズ101の表側の面には、光が照射され、n側窓層120に光が集束する。集光レンズ101は、およそ2mm~10mmの直径、1mm~5ミmmの厚み、およそ1.1~2.0の屈折率を有し、材料は高い透過率を有するガラス材料や樹脂材料が好ましい。また、集光レンズ101の形状は、複数の集光レンズをアレイ状に並べたものか、複数の集光レンズが形成された集光レンズシートが好ましい。本実施の形態のn型GaAs層119は、ノンドープGaAsがキャリアを供給する層となるためのドーパントを有している。ドーパントはSiやTeが好ましい。本実施の形態のn側窓層120は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりもバンドギャップが大きなn型半導体であり、材料はn型インジウムガリウムリン以下、InGaP、n型インジウムアルミリン以下、InAlP、n型インジウムアルミガリウムリン以下、InAlGaPが好ましい。本実施の形態のn型エミッタ層121は、p型ベース層116とpn接合を形成するIII-V族の化合物であり、材料はn型のインジウムガリウムヒ素以下、InGaAs、n型GaAs、n型InGaPが好ましい。本実施の形態のp型ベース層122は、n型エミッタ層121とpn接合を形成するIII-V族の化合物であり、材料はp型InGaAs、p型GaAs、p型InGaPが好ましい。本実施の形態のp側窓層123は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりもバンドギャップが大きなp型半導体であり、材料はp型InGaP、p型InAlGaP、p型InAlPが好ましい。本実施の形態のp側コンタクト層122は、p側窓層123との界面及び裏面電極114との界面において、オーミック接続できる材料であり、材料はp型GaAsが好ましい。本実施の形態の絶縁膜112は、電気的に絶縁することが可能な薄膜であり、材料は、ノンドープのInGaP、二酸化シリコン、窒化シリコンが好ましい。本実施の形態の反射防止膜103は、入射光の反射を抑制できる薄膜であり、材料は酸化チタンやフッ化マグネシウムが好ましい。本実施の形態の放熱板104は、発電素子102を放熱できる基板であり、材料はアルミ板や銅板が好ましい。本実施の形態の絶縁層105は、電気的に絶縁することが可能な薄膜であり、材料はエポキシ樹脂が好ましい。本実施の形態のスペーサ106は、発電素子102と集光レンズ101の間隔を一定に保持できる機械的強度を有し、さらに集光レンズ101と放熱板104の接着層としての役割を併せ持っていることが好ましい。スペーサ106の材料例は、ガラスやエポキシ樹脂が好ましい。以下、図4~図11を参照しながら本実施形態の太陽電池を製造する方法を説明する。まず、図4に示すように、GaAs基板201として、ノンドープGaAs基板を用意する。GaAs基板201の表面に、犠性層202、n型GaAs層119、n側窓層120、n型エミッタ層121、p型ベース層122、p側窓層123、p側コンタクト層124を順次、分子線エピタキシー法または有機金属化学気相成長法以下、MOCVDのような一般的な半導体成長法により成長させる。犠性層202は、GaAsと近い格子定数を有する。犠性層202は、GaAsに対して選択エッチングされるための層である。犠性層202の材料例は、アルミニウムヒ素AlAsやInGaPである。次に、図5に示すように、p側コンタクト層124上に第一のマスク203を形成する。第一のマスク203を用いて、p側コンタクト層124、p側窓層123、p型ベース層122、n型エミッタ層121、n側窓層120、n型GaAs層119を順次エッチングする。第一のマスク203は、フォトリソグラフィにより作製する。具体的には、p側コンタクト層124上にレジストを塗布と熱硬化を行い、露光用のマスクにより必要箇所を遮光した後、一定時間露光を行い、続いて現像を行うことで必要箇所にレジスト膜を形成することができる。p側コンタクト層124、p側窓層123、p型ベース層122、n型エミッタ層121、n側窓層120、n型GaAs層119のエッチング方法は、p型ベース層122をp型GaAs、n型エミッタ層121をn型GaAsとした場合、ドライエッチングの例はBCl3とSF6の混合ガスを用いたプラズマエッチング、ウェットエッチッグの例は燐酸と過酸化水素水の混合溶液である。図6に示すように、第一のマスク203を除去し、n型バス電極110と裏面電極114および絶縁膜112を形成する。第一のマスク203を除去する手法の例は、剥離液に一定時間含浸させることである。n型バス電極110と裏面電極114の形成方法は、金属膜を均一に形成できる方法であれば特に限定されず、n型バス電極110と裏面電極114を形成する手法の例は、スパッタ法や電子ビーム蒸着法である。絶縁膜112の形成方法は、絶縁物の薄膜を光電変換部112の側面と上面、犠性層202上に均一に形成できる方法であれば特に限定されない。絶縁膜112を形成する手法の例は化学気相成長法である。n型バス電極110と裏面電極114上の絶縁膜112の除去方法は、フォトリソグラフィによりn型バス電極110と裏面電極114上に開口部を設けたレジスト膜作製し、ドライエッチングにより絶縁膜を除去した。マスクの除去方法は剥離液に一定時間含浸させた。次に、図7に示すように、第二のマスク204を形成し、n型バス電極溶接部111110とp型バス電極溶接部115を形成する。第二のマスク204は、フォトリソグラフィにより作製することができる。n型バス電極溶接部111とp型バス電極溶接部115の形成方法は、金属膜を均一に形成できる方法であれば特に限定されない。n型バス電極溶接部111とp型バス電極溶接部115の形成方法の例はスパッタ法や電子ビーム蒸着法である。図8に示すように、発電素子102の裏面電極114側を支持基体205に固定する。GaAs基板201および犠性層202をエッチングにより除去する。支持基板205は、GaAs基板201と同程度の大きさであり、かつ平行な面を持つ基板であれば、特に限定されない。支持基板205の例は、シリコン基板やガラス基板である。必要に応じて、支持基板205と発電素子102の間にはワックスや粘着シーが挟まれ得る。GaAs基板201および犠性層202の除去方法の例は、ドライエッチングやウェットエッチングである。このとき、GaAs基板201を犠性層202との選択比の高いエッチング方法で、かつ犠性層202を発電素子102との選択性が高いエッチング方法で順次除去することにより、発電素子102にダメージを与えることなく、GaAs基板201と犠性層202を除去できる。エッチング方法の例は、犠性層202をAlAsとした場合には、GaAs基板201はクエン酸と過酸化水素水の混合溶液で、AlAsからなる犠性層202をフッ化水素酸である。図9に示すように、n型バス電極110とn型GaAs層119上にZn層109とZnO透明導電層108を順次形成する。Zn層109の形成方法はZnの薄膜を少なくともn型GaAs層119とn型バス電極110上に均一に形成できる方法であれば特に限定されない。Zn層109の形成方法の例は、スパッタ法やパルスレーザ堆積法以下、PLDである。ZnO透明導電層108の形成方法は、均一に形成でき、電気伝導性と高い透過率を実現できる方法であれば特に限定されない。ZnO透明導電層108の形成方法の例は、PLDである。次に、図10に示すように、支持基板205を除去する。このようにして、発電素子102が得られた。支持基板205の除去方法は、固定方法に応じた洗浄方法を適宜選択できる。支持基板205の除去方法の例は、ワックスを用いた場合、アセトンとイソプロピルアルコールによる洗浄である。次に、図11に示すように、発電素子102のZnO透明導電層108上に反射防止膜103を形成した。反射防止膜103の形成方法は、ZnO透明導電層105上に均一に形成できる方法であれば特に限定されない。反射防止膜103の形成方法の例は電子ビーム蒸着法である。次に、放熱板104上に絶縁層105を形成後、配線部107用のマスクを形成する。絶縁層105は、絶縁層が平坦に形成できる方法であれば、特に限定されない。絶縁層105の形成方法の例は、エポキシ樹脂を用いる場合、塗布法である。配線部107用のマスクは、フォトリソグラフィにより作製することができる。次に、配線部107を形成後、配線部107用のマスクを除去する。配線部107は、金属層を平坦に形成できる方法を適宜選択できる。配線部107の形成方法の例は、スパッタ蒸着法、電子ビーム蒸着法である。配線線部のマスクの除去方法は、剥離液に一定時間含浸させることである。必要に応じて配線部107と発電素子102の間に銀ペースト挟むことで、配線部107と発電素子を電気的に接続し、同時に発電素子102を固定し得る。次に、絶縁層105上にスペーサ106を配置し、集光レンズ101と発電素子102を備えた放熱板104と組合せることにより、本実施の形態の太陽電池を実現することができる。スペーサ106は、集光レンズ101と発電素子102の間隔が一定にできる方法を適宜選択できる。スペーサ106の形成方法の例は、エポキシ樹脂を用いる場合には、絶縁層105上に塗布後、集光レンズ101と絶縁層105の間隔が一定になるように集光レンズ101を貼り付けることである。以上において本発明は、上述した各実施の形態に限らず、種々変更可能であるのは勿論である。実施例1実施例1では、図1に示される発電素子102を、図4~図11に示される方法によって作成した。表1は、実施例1で用いた発電素子の半導体層の組成および膜厚みを示す表である。また、本実施例1におけるZn層109の厚みは1nmとした。集光レンズ101は、4mm四方であり、厚みは2mmとした。集光レンズ101は、400μm四方の焦点スポットを有していた。実施例1による太陽電池は、以下のように作製された。まず、図4に示されるように、ノンドープのGaAs基板2014インチウエハー、厚み450μm上に、表1に示す層、犠性層202、n型GaAs層119、n側窓層120、n型エミッタ層121、p型ベース層122、p側窓層123、p側コンタクト層124を、MOCVD法を用いて順次成長させた。次に、図5に示されるように、p側コンタクト層122上に、フォトリソグラフィにより一辺500μm四方を有する正方形のレジスト膜を形成した。このレジスト膜を第一マスク203として用いて、BCl3とSF6の混合ガスを用いたICPプラズマエッチングにより、p側コンタクト層124、p側窓層123、p型ベース層122、n型エミッタ層121、n側窓層120、n型GaAs層119を除去した。このようにして、500μm四方のパターンを形成した。次に図6に示されるように、エッチング後、剥離液を用いて第一のマスク203を除去した。除去後、犠性層202とp側コンタクト層122上にフォトリソグラフィにより必要箇所にレジスト膜を形成した。n型バス電極110外径:600μm四方、内径:550μm四方と裏面電極114200μm四方は、電子ビーム蒸着法を用いて、厚みを50nmとしたチタン膜と、厚みを250nmとした金膜を順次積層して形成した。次に、プラズマCVD法を用いて、厚みを300nmとしてSiN膜の絶縁層113を形成した。続いて、フォトリソグラフィによりn型バス電極110と裏面電極103に開口部を有するレジスト膜を絶縁層113上に積層し、ドライエッチングにより開口部のSiN層を除去した。さらにSiN層を除去後、剥離液を用いてレジスト膜を除去した。次に、図7に示されるように、絶縁層113上に、第二のマスク204をフォトリソグラフィにより形成した。第二のマスク204形成後、電子ビーム蒸着法を用いて、厚みを50nmとしたチタン膜と、厚みを250nmとした金膜を順次積層して、n型バス電極溶接部111とp型バス電極溶接部115を形成した。次に、図8に示されるように、n型バス電極溶接部111とp型バス電極溶接部115を形成後、第二のマスク204を剥離液を用いて除去した。除去後、発電素子102の裏面電極118が形成されている面に、固定用のワックスをスピンコーターにより塗布し、乾燥後、ガラス製の支持基板205に固定した。発電素子102を固定後、GaAs基板201を、クエン酸と過酸化水素水を混合した溶液を用いて除去した。続いて、AlAsからなる犠性層202を、バファードフッ酸を用いて除去した。次に、図9に示されるように、GaAs基板201および犠性層202を除去後、PLDにより、厚みを1nmとしたZn層109をn型バス電極110とn型GaAs層119上に積層した。次に、ZnO透明導電層108は、PLDにおいてGaを2wtドープしたターゲットを使用して、連続してつながった厚さ300nmのZnO膜をZn層109と絶縁層113上に積層することで形成した。次に、電子ビーム蒸着法を用いて、MgF2をZnO透明電極107層上に積層し、反射防止膜103の厚さを140nmとして形成した。反射防止膜103を形成後、イソプロピルアルコールを用いてワックスを溶かし、発電素子102を取り外した。このようにして、発電素子102を得た。次に、塗布により、エポキシ樹脂を厚さを100μmとしてアルミ板4mm四方上に形成し、絶縁層105を形成した。続いてフォトリソグラフィにより必要箇所にレジスト膜を積層し、配線部107のマスクを形成した。スパッタ法により厚さを40μmとした銅膜を積層後、マスクを剥離液に含浸させることで除去し、配線部107を形成した。図11に示されるように、集光レンズ101の焦点位置の中心が、発電素子102の中心と一致するよう、得られた発電素子102を銀ペーストを用いて、絶縁層105上に形成された配線部107上に固定した。このとき、表面電極接続部101とp型バス電極溶接部115をそれぞれ配線部107と電気的に接続した。次に、発電素子102を固定した放熱板104上に、エポキシ樹脂のスペーサ106を塗布し、集光レンズ101と発電素子102の間を1mmに固定した。このようにして、実施例1による太陽電池を得た。上記のように作製した実施例1の太陽電池に、ソーラシュミレータAM1.5Gを用いて変換効率を求め、変換効率22.3が得られた。実施例2Zn層の厚みを5nmとした以外は実施例1と同様に発電素子を作製した。実施例1と同様の太陽電池に、ソーラシュミレータAM1.5Gを用いて変換効率を求め、Zn層の厚みが5nmでは変換効率22.8が得られた。比較例1図12に示すように、Zn層109を形成しなかった以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例1の太陽電池にソーラシュミレータAM1.5Gを用いて変換効率を求め、変換効率は19.1が得られた。比較例1の太陽電池は従来の太陽電池と同じ構造である。従って、Zn層を用いた実施例1の太陽電池は、従来の太陽電池に対して、16以上高い変換効率が得られることが分かった。比較例2Zn層109の厚みを10nmとした以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例2の太陽電池にソーラシュミレータAM1.5Gを用いて変換効率を求め、変換効率18.9が得られた。比較例2の太陽電池は、実施例1の太陽電池のZn層109の厚み違いである。Zn層109が5nmより厚くなると、透過率が低下し、変換効率が減少することが確認できた。以上、これらの結果から、本発明の実施の形態の太陽電池において、厚み1~5nmを有するZn層109をZnO透明導電層108とn型GaAs層119およびZnO透明電極107とn型バス電極110間に挟むことで、高い変換効率を実現できることが確認できた。