半導体チップと、前記半導体チップの裏面全面に設けられた、凹凸構造を有していない裏面電極と、前記裏面電極と導電ペーストにより接着されたリードフレームと、からなり、前記裏面電極と前記リードフレームとの間の寄生抵抗を減らすために、前記リードフレームの前記裏面電極側の面である上表面には凹凸構造が設けられており、前記凹凸構造の凹部の内側には前記導電ペーストが入り込み前記裏面電極と前記リードフレームとを接着し、前記リードフレームに設けられた前記凹凸構造の凸部は前記裏面電極と直接接触している半導体装置。前記凹凸構造がストライプパターンを成す請求項1記載の半導体装置。前記凹凸構造が格子パターンを成す請求項1記載の半導体装置。前記凹凸構造のパターンが、直線でない請求項1記載の半導体装置。しかしながら、半導体基板を薄くする前記バックグラインド法は、図2aに示す半導体基板の厚みDを小さくすることであるが、半導体基板の厚みDを薄くしすぎると物理的強度が低下し半導体チップ009割れてしまう。前記低抵抗ペースト剤を利用しても、図2に示すように多かれ少なかれペースト抵抗013が直列に加わるためペースト抵抗をある程度しか小さく出来ない。従って、従来の技術では低減が著しい前記オン抵抗に比較して、寄生抵抗を小さくすることが出来ないという課題が存在する。本発明は、以下の手段で前記課題を解決する。1半導体チップと、前記半導体チップの裏面全面に設けられた、凹凸構造を有していない裏面電極と、前記裏面電極と導電ペーストにより接着されたリードフレームと、からなり、前記裏面電極と前記リードフレームとの間の寄生抵抗を減らすために、前記リードフレームの前記裏面電極側の面である上表面には凹凸構造が設けられており、前記凹凸構造の凹部の内側には前記導電ペーストが入り込み前記裏面電極と前記リードフレームとを接着し、前記リードフレームに設けられた前記凹凸構造の凸部は前記裏面電極と直接接触している半導体装置とした。21記載の半導体装置において、前記凹凸構造がストライプパターンを成す半導体装置とした。31記載の半導体装置において、前記凹凸構造が格子パターンを成す半導体装置とした。41記載の半導体装置において、前記凹凸構造が非直線パターンを成す半導体装置とした。図1は本発明の第1の実施例である。ここで図1aはバックグラインドした半導体チップ002の裏面に凹凸構造001を設け、その凹凸構造001の表面に金属の裏面電極004を形成した状態であり、図1bはaの基板を、導電ペースト006を用いてリードフレーム005に接着した状態である。半導体チップ002とリードフレーム005の接触部分に凹凸構造001を設けることにより、寄生抵抗を減少させることができるだけでなく、半導体チップ009を薄くバックグラインドして基板抵抗012を減少させる従来技術より、半導体チップ002の物理的強度は向上する。また、実装時においては、半導体チップ002をリードフレーム005に導電ペースト006を用いて接着する際に、凹凸構造001が、雨天時のタイヤの溝のような効果を発揮し、図1のように導電ペースト006が凹凸構造001の凹部内に入り込み凸部はリードフレーム005と直接接触するため、凸部においては導電ペースト006の寄生抵抗を挟むことなく半導体チップ002とリードフレーム005を接触することができる。このため、裏面電極004とリードフレーム005との間に薄い導電ペースト006が挟まれている従来の方法に比べ、寄生抵抗が大幅に減少する。図1は本発明の第1の実施例である。ここで図1aはバックグラインドした半導体チップ002の裏面に凹凸構造001を設け、その凹凸構造001の表面に金電の裏面電極004を形成した状態であり、図1bはaの基板を、導電ペースト006を用いてリードフレーム005に接着した状態である。図1aのように基板裏面に凹凸構造001を設けることにより、基板表面に対し垂直方向の基板抵抗が減少するため、基板の寄生抵抗を減少させることができるだけでなく、基板裏面全体を薄くバックグラインドして基板抵抗を減少させる従来法より物理的強度は向上する。また、実装時においては、この基板をリードフレーム005に導電ペースト006を用いて接着する際に、基板裏面の凹凸構造001が、所謂、雨天時のタイヤの溝のような効果を発揮し、図1bのように導電ペースト006が凹部内に入り込み凸部はリードフレーム005と接触するため、凸部においては導電ペースト006の寄生抵抗を挟むことなくリードフレーム005と接触することができる。このため、裏面電極004とリードフレーム005との間に薄い導電ペースト006が挟まれている従来の方法に比べ、寄生抵抗が減少する。以下では図面を用いて実施例を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施例である。ここで図1aは半導体チップ002の裏面に凹凸構造001を設けた後、裏面電極膜004を形成した状態であり、図1bは図1aの半導体チップ002を、導電ペースト006を用いてリードフレーム005に接着した状態である。図3と図4は、半導体チップに切離される前の結晶方位<110>のOFオリエントフラットを有するウエハ状半導体基板を、OFを下にして、ウエハ状半導体基板の裏面から見たウエハ状半導体基板の平面図である。半導体基板の裏面に形成する凹凸構造001は、図3に示すようなストライプ型や、図4に示すような格子型が良い。半導体チップ002の物理的強度がより必要な場合は、結晶方位<110>のウエハ状半導体基板を用い、凹凸構造001を図5や図6のようにOFに対し45°傾け結晶方位<100>と平行にすることで、図3や図4に示す凹凸構造001を設けた半導体基板に形成される半導体チップ002より更に強度を向上させることができる。また、図7に示すように、凹凸構造001を波型の非直線であるパターンとし、強度を一層向上させることも可能である。ウエハ状半導体基板の裏面側に凹凸構造を設けるのではなく、図8に示すように、リードフレーム005と接触する裏面電極下表面に凹凸構造001を設けると、実施例1と同様の寄生抵抗低減の効果が得られ、ペースト抵抗013を低減させることが可能である。基板抵抗012が無視できるような場合は、図9の様に半導体チップ002と接触するリードフレーム005の上表面に凹凸構造001を設けることで寄生抵抗を低減することが出来る。本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で変形して実施できる。