"ウェットエッチングによりシリコンウェハの表面に凹凸を形成するエッチング方法であって、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有するエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とするシリコンウェハのエッチング方法。エッチング液は、1,6-ヘキサンジオールを1mmol/Lから200mmol/Lの範囲で含有していることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハのエッチング方法。アルカリは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、および水酸化テトラメチルアンモニウムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハのエッチング方法。シリコンウェハの表面に凹凸を形成するウェットエッチングに用いるエッチング液であって、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有することを特徴とするシリコンウェハのエッチング液。ウェットエッチングによりシリコンウェハの表面に凹凸を形成するエッチング装置であって、エッチング液を貯留するエッチング槽と、前記エッチング槽にアルカリを供給するアルカリ供給手段と、前記エッチング槽に1,6-ヘキサンジオールを供給する1,6-ヘキサンジオール供給手段と、前記エッチング槽に水を供給する水供給手段とを備えることを特徴とするエッチング装置。エッチング液を貯留するエッチング槽と、前記エッチング槽にアルカリを供給するアルカリ供給手段と、前記エッチング槽に1,6-ヘキサンジオールを供給する1,6-ヘキサンジオール供給手段と、前記エッチング槽に水を供給する水供給手段と、前記アルカリ、前記1,6-ヘキサンジオール、および前記水を前記エッチング槽に供給して形成されたエッチング液が所定の温度になるように制御するエッチング液加熱制御手段と、前記エッチング液に気体を含有させる気体供給手段と、前記エッチング槽からオーバーフローした前記エッチング液を貯留するオーバーフロー槽と、前記オーバーフロー槽と前記エッチング槽とを接続する配管と、前記オーバーフロー槽に貯留した前記エッチング液を前記エッチング槽に循環させるポンプとを備えることを特徴とするエッチング装置。気体供給手段は、エッチング槽とポンプとの間に設けられることを特徴とする請求項6に記載のエッチング装置。請求項1から3のいずれか1項に記載のエッチング方法を用いて加工されたことを特徴とする半導体装置。しかしながら、特許文献1では、上記のエッチングによってシリコンウェハの表面にテクスチャを形成しているものの、光の吸収効率は十分ではなく、セル化した場合の太陽光発電装置としての性能以降、変換効率と言うも低い。さらにエッチングのためのアルカリ性溶液に多量の有機物を添加しているため、これらのコストが高く、廃水処理有機物除去への負荷も著しく大きい。またこれらの有機物は危険物に分類されているものもあり、使用量や保管の制限を受けるため、太陽光発電装置のセルの大量生産には適さないものである。本発明は上記に鑑みてなされたものであり、太陽光発電装置のセルの光反射率を効率よく低減するために、アルカリ性溶液を使用した、安価で安定して高密度のテクスチャを形成するウェットエッチングの方法を提供することを目的とする。また、前記エッチング方法を実現する装置を提供すること、安全で安価なエッチング液を提供すること、前記エッチング方法を用いて加工された半導体装置を提供することを目的とする。この発明に係るシリコンウェハのエッチング方法は、ウェットエッチングによりシリコンウェハの表面に凹凸を形成するエッチング方法であって、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有するエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とするものである。なお、1,6-ヘキサンジオールは、ヘキサメチレングリコールとよばれることもあるが、本明細書では1,6-ヘキサンジオールを使用する。また、この発明に係るシリコンウェハのエッチング液は、シリコンウェハの表面に凹凸を形成するウェットエッチングに用いるエッチング液であって、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有することを特徴とするものである。さらに、この発明に係るシリコンウェハのエッチング装置は、ウェットエッチングによりシリコンウェハの表面に凹凸を形成するエッチング装置であって、エッチング液を貯留するエッチング槽と、エッチング槽にアルカリを供給するアルカリ供給手段と、エッチング槽に1,6-ヘキサンジオールを供給する1,6-ヘキサンジオール供給手段と、エッチング槽に水を供給する水供給手段とを備えることを特徴とするものである。この発明によれば、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有するエッチング液を用いてエッチングしているので、少ない添加剤で、安定してシリコンウェハ表面に良好なテクスチャを形成させることができる。また、この発明によれば、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有するエッチング液なので、安定してシリコンウェハ表面に良好なテクスチャを形成させることができる。また、この発明によれば、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有するエッチング液を用いてエッチングしているので、少ない添加剤で、安定して表面に凹凸が形成されたシリコンウェハを製造することができる。実施の形態1.本発明者は、シリコンウェハの表面光反射率を低減するために該シリコンウェハの表面にテクスチャを形成するウェットエッチング処理において、添加剤を使用したアルカリ性条件下でのウェットエッチングの阻害効果について検討した。その結果、アルカリ性溶液水にアルカリを溶解したものに下記の化学式1で示される添加剤を添加したエッチング液を用いたシリコンウェハに対するウェットエッチングにおいて、Xメチル基もしくはそれに類する基、疎水性の炭素数Cn、添加剤におけるOH基ヒドロキシ基、親水性の数n、およびこれらの数の比率Cn/nがシリコンウェハのウェットエッチングの阻害効果に大きく影響していることを突き止めた。X-OHn1シリコンウェハのケイ素Siは、エッチング液中で水酸化ナトリウムNaOH等のアルカリと反応してエッチング液中に溶出し、これによりシリコンウェハの表面にテクスチャが形成される。このエッチング反応は以下の式2で示され、その際、水素ガスが発生する。また、この反応を促進するため、ウェットエッチングは通常は高温、高濃度アルカリの条件下で実施される。Si2OH4H2O→SiOH622H2↑2エッチング液中に上記添加剤が存在すると、シリコンウェハ表面における式2のエッチング反応が阻害される。より具体的には、シリコンウェハの表面は疎水性であるため、疎水性である添加剤のXの炭素鎖部分がシリコンウェハ表面に吸着し、式2のエッチング反応を阻害する。一方、添加剤のOH基は親水性であるため、シリコンウェハの表面から離れた場所に位置する。したがって、添加剤の炭素数CnやOH基の数n、あるいはOH基の位置によって、添加剤のシリコンウェハ表面への吸着力が異なり、エッチング反応に対する阻害効果が異なる。なお、OH基以外例えばカルボキシル基COOH基等ではOH基と比較して良好なテクスチャを形成するのは難しいことを確認している。本発明者は様々な物質について検討した結果、1,6-ヘキサンジオール消防法非該当を使用することによって効率的にテクスチャを形成できることを発見した。1,6-ヘキサンジオールは、Cnが6、Cn/nが3である。1,6-ヘキサンジオールは6つの炭素が直鎖を形成しており、その両端の炭素原子に1つずつにOH基がついている。図1に、1,6-ヘキサンジオールがシリコンウェハ表面に吸着している様子を示す。なお、矢印は吸着力を示しており、矢印が太いほど吸着力が大きいことを示している以下同様。図1に示すように、1,6-ヘキサンジオールがシリコンウェハ表面に吸着するときには、炭素鎖中央付近の炭素がシリコンウェハ表面に吸着し、両端に位置する炭素には親水性のOH基が付いているためOH基に引っ張られてシリコンウェハ表面から離れる。1,6-ヘキサンジオールの直鎖炭素数は6個であり、このようなシリコンウェハ表面の吸着状態がテクスチャの形成に最も有効である。特許文献1で使用されているイソプロピルアルコール消防法第4類第三石油類該当の炭素数Cnは3で、3つの炭素が直鎖を形成しており、その中央の炭素原子に1つにOH基がついている。Cn/nは3で1,6-ヘキサンジオールと同じである。図2に、イソプロピルアルコールがシリコンウェハ表面に吸着している様子を示す。図2に示すように、イソプロピルアルコールがシリコンウェハ表面に吸着するときには、炭素鎖両端の炭素がシリコンウェハ表面に吸着し、中央に位置する炭素には親水性のOH基が付いているためOH基に引っ張られてシリコンウェハ表面からは離れる。従って、シリコンウェハへの吸着力が1,6-ヘキサンジオールと比較して非常に小さく、エッチング反応に対する阻害効果が小さく、効率的なテクスチャ形成ができない。また、イソプロピルアルコールの沸点は82°Cと低く、高温で実施されるアルカリエッチング中に気相へ移動してエッチング液中の濃度が変化するため、安定してテクスチャを形成できない。一方、1,6-ヘキサンジオールの沸点は200°C以上であり、高温のアルカリ性溶液中でも安定で、変質しない。すなわち、1,6-ヘキサンジオールとイソプロピルアルコールは、Cn/nが3で同じであるが、その効果は大きく異なる。また、特許文献1で使用されている1,5-ペンタンジオール消防法第4類第三石油類該当の炭素数Cnは5で、5つの炭素が直鎖を形成しており、その両端の炭素原子に1つずつにOH基がついている。Cn/nは2.5である。図3に、1,5-ペンタンジオールがシリコンウェハ表面に吸着している様子を示す。図3に示すように、1,5-ペンタンジオールがシリコンウェハ表面に吸着するときには、炭素鎖中央付近の炭素がシリコンウェハ表面に吸着し、両端に位置する炭素には親水性のOH基が付いているためOH基に引っ張られてシリコンウェハ表面から離れる。1,5-ペンタンジオールの直鎖炭素数は5個で1,6-ヘキサンジオールの6個より少ないため、シリコンウェハへの吸着力が1,6-ヘキサンジオールと比較して小さくなり、その結果エッチング反応に対する阻害効果が小さすぎて、効率的なテクスチャ形成ができない。さらに、1,5-ペンタンジオールよりも炭素数が少ない場合、例えば1,4-ブタンジオールや1,3-プロパンジオール等も同様である。さらに、1,6-ヘキサンジオールよりも炭素数が1つ多い1,7-ヘプタンジオール消防法第4類第三石油類該当の炭素数Cnは7つで、7つの炭素が直鎖を形成しており、その両端の炭素原子に1つずつにOH基がついている。Cn/nは3.5である。図4に、1,7-ヘプタンジオールがシリコンウェハ表面に吸着している様子を示す。図4に示すように、1,7-ヘプタンジオールがシリコンウェハ表面に吸着するときには、炭素鎖中央付近の炭素がシリコンウェハ表面に吸着し、両端に位置する炭素には親水性のOH基が付いているためOH基に引っ張られてシリコンウェハ表面から離れる。1,7-ヘプタンジオールの直鎖炭素数は7個で1,6-ヘキサンジオールの6個より多いため、シリコンウェハへの吸着力が1,6-ヘキサンジオールと比較して大きくなり、その結果エッチング反応に対する阻害効果が大きすぎて、効率的なテクスチャ形成ができない。さらに、1,7-ヘプタンジオールよりも炭素数が多い場合、例えば1,8-オクタンジオール、1,9-ノナンジオール等も同様である。図5に、1wtpH12以上の水酸化ナトリウム溶液にイソプロピルアルコール、1,5-ペンタンジオール、1,6-ヘキサンジオール、および1,7-ヘプタンジオールを50mmol/Lずつ添加して、温度を90°Cに維持して、20分間、結晶方位面100の単結晶シリコンウェハをエッチングした場合のウェハ表面の光学顕微鏡写真を示す。テクスチャは写真中の黒色の四角錐である。1,6-ヘキサンジオールではテクスチャが隙間無く高密度に形成されているため、光の加減によって黒色には写っていない。イソプロピルアルコール、1,5-ペンタンジオール、および1,7-ヘプタンジオールではテクスチャがまばらに存在したのに対し、1,6-ヘキサンジオールのテクスチャは高密度に形成されていることが確認できる。以上から、水、1,6-ヘキサンジオールを含むアルカリ性溶液を使用してシリコンウェハをエッチングすることによって、より少ない添加量で、プロセスとして安定してシリコンウェハ表面にテクスチャを良好に形成させることができる。さらに、1,6-ヘキサンジオールは消防法に該当しないため、保管量の制限等がなく、生産設備における自由度が高く、大量生産への適用にも制限がない。なお、本発明のエッチングに使用するアルカリとしては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液、炭酸ナトリウム溶液、および水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH溶液等の強塩基のいずれか少なくとも一つを使用することが好ましい。図6は、1,6-ヘキサンジオールの添加量を変化させたエッチング液でエッチングした後のシリコンウェハ単結晶、結晶方位面100の単結晶シリコンウェハ、以下同様の反射率の違いを示す図である。なお、同じ添加量で複数のシリコンウェハをエッチングし、それらの反射率の平均値を示している。ここでは、1wtpH12以上の水酸化ナトリウム溶液に、添加剤として所定量の1,6-ヘキサンジオールを添加して、エッチング液30Lを調製した。その後、このエッチング液の温度を90°Cに維持して、シリコンウェハ50枚を20分浸漬し、エッチングを実施した。このとき、エッチング液には連続して空気を供給した。そして、エッチング前後のシリコンウェハの重量およびエッチング後のシリコンウェハの反射率を測定した。図6において、横軸は、エッチング液に添加した1,6-ヘキサンジオールの量mmol/Lを対数目盛で示し、縦軸は、波長700nmの光におけるエッチング処理後のシリコンウェハの反射率を示している。図6から分かるように、反射率の観点からは、1,6-ヘキサンジオールのエッチング液の添加量は、1mmol/L以上、200mmol/L以下とするのが好ましい。反射率が低いと光吸収量が多くなり、その結果セル特性としての電流値が大きくなる。添加量が1mmol/未満の場合には、1,6-ヘキサンジオールの添加量が小さくシリコンウェハ表面に十分なテクスチャを形成できず、光吸収効果が十分得られないため好ましくない。一方、1,6-ヘキサンジオールの添加量が200mmol/Lより大きい場合には、1,6-ヘキサンジオールによるエッチング反応の抑制効果が大きく、エッチング量が不足してテクスチャの形成が不十分となり、光の反射率が増大してしまうため、好ましくない。図7は、1,6-ヘキサンジオールの添加量を変化させたエッチング液でエッチングした後のシリコンウェハ単結晶の片面エッチング速度を示す図である。エッチング前後のシリコンウェハの重量差から片面エッチング量を測定し、片面エッチング量とエッチング時間とから片面エッチング速度を求めた。なお、同じ添加量で複数のシリコンウェハをエッチングし、それらの片面エッチング速度の平均値を示している。また、図7において、横軸は、エッチング液に添加した1,6-ヘキサンジオールの添加量mmol/Lを示し、縦軸は、シリコンウェハの片面エッチング速度μm/分を示している。図7から分かるように、エッチング液への1,6-ヘキサンジオールの添加量は、エッチング液に対して1mmol/L以上、200mmol/L以下とするのが好ましい。1,6-ヘキサンジオールを添加しない場合と比較して、エッチング量およびエッチング速度を小さくしてエッチング反応を適度に抑制することによってテクスチャの形成を促進できることを確認しており、図6で示した反射率の測定結果と相関がある。図8は、1,6-ヘキサンジオールを含むエッチング液でシリコンウェハ単結晶をエッチングしたときのエッチング時間とシリコンウェハの反射率との関係を示す図である。なお、同じエッチング時間で複数のシリコンウェハをエッチングし、それらの反射率の平均値を示している。ここでは、1wtpH12以上の水酸化ナトリウム溶液に、添加剤として、50mmol/Lの1,6-ヘキサンジオールを添加して、エッチング液30Lを調製した。その後、このエッチング液の温度を90°Cに維持して、シリコンウェハ50枚の浸漬時間を変えてエッチングを実施した。このとき、エッチング液には連続して空気を供給した。そして、エッチング前後のシリコンウェハの重量およびエッチング後のシリコンウェハの反射率を測定した。この図において、横軸は、エッチング時間分を示し、縦軸は、波長700nmの光におけるエッチング処理後のシリコンウェハの反射率を示している。図8にから分かるように、エッチング時間は3分以上、40分以下とするのが好ましい。反射率が低いことは光吸収量が高いことを示しており、その結果セル特性としての電流値が大きくなる。エッチング時間が3分よりも短いとエッチング反応が十分に進まず、シリコンウェハ表面に効果的にテクスチャを形成することができない。また、エッチング時間が40分よりも長いとシリコンウェハのエッチングが過度に進行し、シリコンウェハが薄くなって割れやすくなる。さらに、テクスチャのサイズが大きくなりすぎて表面の凹凸が激しくなり反射率が低下するとともに、太陽光発電装置の製造工程で行われる反射防止膜形成や印刷工程で不具合が発生する。図9は、1,6-ヘキサンジオールを含むエッチング液でシリコンウェハ単結晶をエッチングしたときの、エッチング温度とシリコンウェハの反射率との関係を示す図である。なお、同じ温度で複数のシリコンウェハをエッチングし、それらの反射率の平均値を示している。ここでは、1wtpH12以上の水酸化ナトリウム溶液に、添加剤として、50mmol/Lの1,6-ヘキサンジオールを添加して、エッチング液30Lを調製した。その後、このエッチング液の温度を変えて、シリコンウェハ50枚を20分間浸漬し、エッチングを実施した。このとき、エッチング液には連続して空気を供給した。そして、エッチング前後のシリコンウェハの重量およびエッチング後のシリコンウェハの反射率を測定した。この図において、横軸はエッチング温度°Cを示し、縦軸は波長700nmの光におけるエッチング処理後のシリコンウェハの反射率を示している。図9から分かるように、エッチング液の温度は60°C以上、95°C以下とするのが好ましい。反射率が低いことは光吸収量が高いことを示しており、その結果セル特性としての電流値が大きくなる。エッチング温度が60°C未満の場合には、エッチング反応が進まない、または非常に遅くなりテクスチャが形成されず好ましくない。一方、エッチング温度を95°Cよりも高くすると、エッチング反応がより速く進行するが反射率はあまり変化せず95°Cで9.8、98°Cで10.0、エッチング液の水分蒸発が大きくなりすぎ、テクスチャ密度の制御が難しくなるため好ましくない。そのため、エッチング温度は60°C以上、95°C以下とするのが好ましい。図10は、1,6-ヘキサンジオールを含むエッチング液でシリコンウェハ単結晶をエッチングしたときの、エッチング液の水酸化ナトリウム濃度と片面エッチング速度との関係を示す図である。なお、同じ水酸化ナトリウム濃度で複数のシリコンウェハをエッチングし、それらの片面エッチング速度の平均値を示している。ここでは、水酸化ナトリウムの濃度を変えて、水酸化ナトリウム溶液に添加剤として、50mmol/Lの1,6-ヘキサンジオールを添加して、エッチング液30Lを調製した。その後、このエッチング液の温度を90°Cに維持して、シリコンウェハ50枚を20分間浸漬し、エッチングを実施した。このとき、エッチング液には連続して空気を供給した。そして、エッチング前後のシリコンウェハの重量およびエッチング後のシリコンウェハの反射率を測定した。図10において、横軸は水酸化ナトリウム濃度wtを対数目盛で示し、縦軸は片面エッチング速度μm/分を示している。図10から分かるように、エッチング液の水酸化ナトリウム濃度としては、エッチング液量に対して水酸化ナトリウム濃度を重量比で0.1wt以上、10wt以下いずれもpH12以上とするのが好ましい。水酸化ナトリウム濃度が重量比で0.1未満の場合には、エッチング反応が非常に遅くなり、好ましくない。また、水酸化ナトリウム濃度が重量比で10よりも大きくなると、エッチング液の粘性が高くなるとともにエッチング槽の腐食が進行しやすくなるため好ましくない。ここで、1,6-ヘキサンジオールの添加量、エッチング時間、エッチング液の温度、および水酸化ナトリウム濃度をパラメータとして評価結果を示したが、この実施の形態1による発明の効果はこれらに限定されるものではない。すなわち、1,6-ヘキサンジオールの添加量1mmol/L以上、200mmol/L以下、エッチング時間3分以上、40分以下、エッチング液の温度60°C以上、95°C以下、水酸化ナトリウム濃度0.1wt以上、10wt以下の条件において、上記効果を確認している。このようなテクスチャの形成は、シリコンウェハなどの半導体ウェハを用いて構成される太陽光発電装置や、シリコン薄膜などの半導体薄膜を有する太陽光発電装置の製造方法に適用することができる。たとえば、第1導電型の半導体ウェハの第1の主面にテクスチャを形成するテクスチャ形成工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第2導電型の拡散層を形成する拡散層形成工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する拡散層除去工程と、半導体ウェハの第1の主面上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、半導体ウェハの第1の主面および第1の主面に対向する第2の主面上に所定の形状の電極を印刷し焼成する電極形成工程とを含む太陽光発電装置の製造方法のテクスチャ形成工程で、上述した方法を用いて半導体ウェハの第1の主面をエッチングすることによって、均一なテクスチャを形成することができる。この実施の形態1による発明では、1,6-ヘキサンジオールを含むエッチング液を用いてシリコンウェハのエッチングを行うので、均一なサイズのテクスチャを所望の密度で形成することができる。その結果、シリコンウェハのエッチング後の反射率を従来に比してさらに抑えることができ、太陽光発電装置に好適なテクスチャを有するシリコンウェハを提供することができる。またこの実施の形態1では、単結晶のシリコンウェハについて示したが、多結晶のシリコンウェハについても同様の効果を確認している。実施の形態2.図11は、本発明の実施の形態2によるエッチング装置の構成図である。ウェットエッチングを行うエッチング槽1には、アルカリ供給部10と、1,6-ヘキサンジオール供給部20と、純水供給配管40と、気体供給部50とが接続されている。アルカリ供給部10は、エッチング槽1に接続されるアルカリ供給配管11を有し、このアルカリ供給配管11の端部にアルカリ貯留槽12が設けられる。また、アルカリ貯留槽12とエッチング槽1との間のアルカリ供給配管11上には、アルカリ貯留槽12からアルカリをエッチング槽1へと供給するアルカリ供給ポンプ13が設けられている。アルカリ貯留槽12は、たとえば水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液を貯留する。1,6-ヘキサンジオール供給部20は、エッチング槽1に接続される1,6-ヘキサンジオール供給配管21を有し、この1,6-ヘキサンジオール供給配管21の端部に1,6-ヘキサンジオール貯留槽22が設けられる。また、1,6-ヘキサンジオール貯留槽22とエッチング槽1との間の1,6-ヘキサンジオール供給配管21上には、1,6-ヘキサンジオール貯留槽22から1,6-ヘキサンジオールをエッチング槽1へと供給する1,6-ヘキサンジオール供給ポンプ23が設けられている。純水供給配管40は、エッチング槽1へイオン交換水、蒸留水、または純水を供給する。また、気体供給部50は、エッチング槽1の底部付近に設けられる気体放出部51と、気体放出部51に接続される気体供給配管52とを有する。気体放出部51は、エッチング処理対象物72よりも下に位置するように配置されればよい。なお、気体放出部51として、小さい気泡を供給することができる装置であることが望ましい。また、エッチング槽1には、温度制御部60が設けられている。この温度制御部60はエッチング槽1内に設けられ、エッチング槽1内のエッチング液を加熱するヒータ61と、エッチング槽1の外部に設けられるヒータ熱源62と、ヒータ熱源62とヒータ61との間を接続するヒータ配線63とを備える。また、温度制御部60は、エッチング槽1内に投入される温度測定部64と、温度測定部64で測定されたエッチング液の温度に基づいてエッチング液が所望の温度となるようにヒータ熱源62の温度制御を行う温度計付温度調整器65とを備える。なお、ヒータ熱源62と温度計付温度調整器65とは、温度調整用信号線66を介して接続されている。さらに、エッチング槽1内には、キャリア支持台71が、気体放出部51よりも上部となるように設けられている。キャリア支持台71には、シリコンウェハなどのエッチング処理対象物72を複数保持するキャリア73が載置される。たとえば、1台のキャリア73には10~100枚のシリコンウェハを保持することが可能である。キャリア支持台71上には、たとえば1~10個のキャリア73を載置することができる。また、エッチング槽1には、オーバーフロー槽81が併設されている。このオーバーフロー槽81は、エッチング槽1とエッチング液循環配管82で接続されている。また、エッチング液循環配管82上には、オーバーフロー槽81にオーバーフローしたエッチング槽1からのエッチング液を、エッチング槽1へと循環させるエッチング液循環ポンプ83が設けられている。さらに、エッチング槽1およびオーバーフロー槽81には、エッチング液を排出するドレーン84が接続されている。次に、このエッチング装置の動作について説明する。まず、エッチング槽1に純水供給配管40を介して純水を供給し、アルカリ供給部10からアルカリ性溶液を供給し、1,6-ヘキサンジオール供給部20からは1,6-ヘキサンジオールを供給する。具体的には、アルカリ供給部10では、アルカリ供給配管11を介してアルカリ供給ポンプ13によってアルカリ貯留槽12からアルカリ性溶液が供給される。また、1,6-ヘキサンジオール供給部20では、1,6-ヘキサンジオール供給配管21を介して1,6-ヘキサンジオール供給ポンプ23によって1,6-ヘキサンジオール貯留槽22から所定量の1,6-ヘキサンジオールが供給される。なお、ここでは、エッチング槽1内に満たされるエッチング液が実施の形態1で説明した濃度範囲となるように、所定量の純水、アルカリ性溶液、および1,6-ヘキサンジオールが供給される。例えば、予め、供給する純水、アルカリ性溶液、および1,6-ヘキサンジオールの供給流量を測定しておき、上記所定濃度範囲となるように供給時間を設定する方法がある。また、エッチング槽に水位計を設置し、アルカリ性溶液および1,6-ヘキサンジオールを供給した後に純水を供給し、ある水位になったら純水の供給を停止させてエッチング液量を一定に保つことも可能である。さらに、エッチング液は高温に維持されることから水分が蒸発してエッチング液量が低下するため、水位計をもとに適宜自動的に純水が供給されるようにしておくほうが望ましい。次に、気体供給配管52から気体が連続的に供給され、また、エッチング液循環ポンプ83によってオーバーフロー槽81にオーバーフローしたエッチング液がエッチング液循環配管82を介してエッチング槽1に送られて循環される。また、ヒータ61によって、エッチング槽1内のエッチング液を所定温度まで加熱する。ここで、供給される気体としては、空気、酸素、窒素、オゾン、水素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、メタン、プロパンのうち少なくとも1つを含む気体を供給することが好ましい。次に、エッチング処理対象物72としてシリコンウェハが置かれた1台または複数台のキャリア73が、ロボットアームなどの搬送機構図示していないによってエッチング槽1に投入され、所定時間浸漬して、シリコンウェハに対してウェットエッチング処理を実施する。所定時間経過後、再度ロボットアームなどによってエッチング槽1からキャリア73を引き上げる。引き上げられたキャリア73は、次工程に送られる1バッチ。その際、シリコンウェハは、予めダメージエッチング処理が実施されていることが好ましい。ダメージエッチング処理としては、所定時間シリコンウェハをアルカリ性溶液例えば、NaOH濃度として3~10wt、温度70~90°Cに浸漬例えば、ダメージエッチング時間1分から5分するなどの方法がある。しかし、ダメージエッチングは、なくても良い。次に、同様に別のシリコンウェハが置かれた1台または複数台のキャリア73がロボットアームなどによってエッチング槽1に投入されて、順次エッチング処理が実施される。所定バッチ数のウェットエッチング処理が完了すると、エッチング槽1内のエッチング液はドレーン84を介して排出される。その後、新たなエッチング液がエッチング槽1に生成され、エッチング処理が行われる。なお、バッチ数はシリコンウェハのエッチング速度や処理時間などから決定される。また、エッチング処理の時間はバッチ数毎に変えることが望ましく、バッチ数が増えるほど長くすることが望ましい。しかし、途中でアルカリ性溶液を追加する場合はこの限りではなく、追加するアルカリ性溶液の濃度と添加量を調整することにより、エッチング処理時間を一定にすることも可能である。ここで供給されるアルカリと1,6-ヘキサンジオールは液体の方が好ましいが、固体を純水などに溶解させて供給してもよいし、固体を直接エッチング槽1に所定量投入してもよい。1,6-ヘキサンジオールは常温では固体であるため、純水等に予め溶解させて液体として供給する。液体の1,6-ヘキサンジオールの濃度は10~60wt程度が好ましく、この濃度範囲であれば0°Cでも固化しない。また、手作業もしくは機械等を使用して固体の状態で1,6-ヘキサンジオールを直接エッチング槽1へ投入してもよい。また1,6-ヘキサンジオールは融点が42°Cであることから、融点以上で液体として供給することも可能である。また、エッチング反応が進むほどエッチング速度が遅くなるため、一定のバッチ数毎にアルカリを追加してもよい。エッチング液に追加投入するアルカリの濃度としては、エッチング液量に対してアルカリを重量比で0.1以上10以下とすることが好ましい。適宜アルカリを追加することによって、エッチング液のへたり=エッチング速度が低下することを抑制でき、バッチ数ごとのエッチング反応のばらつきが小さくなり、エッチング液の交換まで一様なエッチング反応を実施することが可能となる。その結果、一様なテクスチャを形成したシリコンウェハを得ることが可能となる。また、エッチング反応でエッチング液中に溶解したシリコンを、別途、乾燥、凝集沈澱などによって回収し、シリコンを除いたエッチング液に再度アルカリを添加してエッチング液を再利用することも可能である。これによって、純水および1,6-ヘキサンジオールの使用量を抑制できるだけでなく、廃水処理への負荷も低減できる。さらに、ここでは、バッチ式のエッチング処理について示したが、枚葉式でのエッチング処理も可能である。次ぎに、エッチングが終了したシリコンウェハは、純水等で洗浄し、フッ酸で中和処理し、再度純水等で洗浄した後、乾燥させる。ここで、アルカリ性溶液や1,6-ヘキサンジオールの供給については、1,6-ヘキサンジオール供給ポンプ23やアルカリ供給ポンプ13を省略し、1,6-ヘキサンジオール貯留槽22やアルカリ貯留槽12に秤量可能な機構を持たせることも可能である。例えば、ポンプを用いて外部から所定量の1,6-ヘキサンジオールやアルカリ性溶液をそれぞれ1,6-ヘキサンジオール貯留槽22やアルカリ貯留槽12に供給する。所定量は1,6-ヘキサンジオール貯留槽22やアルカリ貯留槽12の秤量機能で測定する。続いて、1,6-ヘキサンジオール貯留槽22やアルカリ貯留槽12に貯留した1,6-ヘキサンジオールアルカリ性溶液を、1,6-ヘキサンジオール貯留槽22やアルカリ貯留槽12に設定している弁を開けてそのままエッチング槽1へ落として供給する。また、エッチング液循環配管82はエッチング液循環ポンプ83を経てエッチング槽1に繋がれているが、エッチング槽1を貫通させてエッチング槽1内底部を反対側まで延ばし、エッチング槽内にあるエッチング液循環配管82に適当な間隔で複数個の穴を開けてエッチング液を循環してもよい。このように、実施の形態2によるエッチング装置によれば、エッチング槽1内で、所定量のアルカリ性溶液、1,6-ヘキサンジオールを含むエッチング液を調製し、所望の温度に保ちながら、エッチング処理対象物を反射率が10以下となるようにエッチングすることができる。またこの実施の形態2では、単結晶のシリコンウェハについて示したが、多結晶のシリコンウェハについても同様の効果を確認している。実施の形態3.図12は、本発明の実施の形態3によるエッチング装置の構成図である。図12において、図11実施の形態2の構成と同一または対応する構成には、同じ符号を付す。実施の形態3によるエッチング装置は、図11における気体放出部51が除去され、代わりに微細気泡発生部53がエッチング槽1の外部に設けられている。また、気体供給配管52は微細気泡発生部53に接続され、気体供給配管52と微細気泡発生部53が微細気泡供給部54を構成している。さらに、微細気泡発生部53は、エッチング液循環配管82上のエッチング槽1とエッチング液循環ポンプ83との間に設けられている。この微細気泡発生部53として、スリット式、多孔質板式、配列多孔板式、極細ニードル式、メンブレン式、加圧溶解式、ベンチュリ式などの気泡発生装置を用いることができる。このような構成にすることにより、オーバーフロー槽81にオーバーフローしたエッチング液をエッチング液循環ポンプ83でエッチング槽1に戻す際に、微細気泡発生部53で発生された微細気泡が含まれたエッチング液がエッチング槽1に戻されることになる。なお、気体としては空気を用いても良いし、酸素、窒素、オゾン、水素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、メタン、プロパンなどを用いても良い。また、バッチ式のウェットエッチング処理だけでなく、枚葉式でのウェットエッチング処理も可能である。この実施の形態3によるエッチング装置によっても、実施の形態2によるエッチング装置と同様の効果を得ることができる。図11に示した実施の形態2のエッチング装置を用いてシリコンウェハのエッチング処理を実施し、そのシリコンウェハを用いて太陽電池セルを製作した場合の実施例を、比較例とともに示す。実施例1の太陽電池セルは、テクスチャを形成したシリコンウェハの表面に拡散層を形成する拡散層形成工程と、シリコンウェハの端面に形成された拡散層を除去する拡散層除去工程と、シリコンウェハ主面上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、シリコンウェハの主面および主面に対向する第2の主面上に所定の形状の電極を印刷し焼成する電極形成工程とを経て製作した。実施例1と比較例1では、エッチング量は片面エッチング量のことを示している。またエッチング後は、純水洗浄、フッ酸中和、および純水洗浄を実施し、エッチング量と反射率を求めた後、このシリコンウェハを使用して太陽電池セルを試作して、セルの変換効率を測定した。表1に、実施例1の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオール、1,5-ペンタンジオール、1,7-ヘプタンジオール、およびイソプロピルアルコールを使用して、表1の実験条件に従ってエッチングを実施した。図13に各添加剤を使用したときのエッチング量、図14に各添加剤を使用したときの反射率、図15に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値を示したものである。図13に示したエッチング量から、各添加剤のシリコンウェハに対する吸着力を評価することができる。1,6-ヘキサンジオールのエッチング量と比較して、1,5-ペンタンジオール、イソプロピルアルコールのエッチング量は大きいが、1,7-ヘプタンジオールのエッチング量は小さい。これは、1,5-ペンタンジオール、イソプロピルアルコールのシリコンウェハに対する吸着力が、1,6-ヘキサンジオールのシリコンウェハに対する吸着力よりも小さいことを示している。一方、1,7-ヘプタンジオールのシリコンウェハに対する吸着力は、1,6-ヘキサンジオールのシリコンウェハに対する吸着力よりも大きいことが確認された。これは図1から図4で説明した内容に、合致している。図14および図15に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、1,5-ペンタンジオール、1,7-ヘプタンジオール、またはイソプロピルアルコールを使用した場合と比較して、最も光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが分かる。表2に、実施例2の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオールおよび1,2-ヘキサンジオールを使用して、表2の実験条件に従ってエッチングを実施した。図16に各添加剤を使用したときのエッチング量、図17に各添加剤を使用したときの反射率、図18に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図16に示したエッチング量の結果から、各添加剤のシリコンウェハに対する吸着力を評価することができる。1,6-ヘキサンジオールのエッチング量と比較して、1,2-ヘキサンジオールのエッチング量は小さかった。これは、1,2-ヘキサンジオールのシリコンウェハに対する吸着力が、1,6-ヘキサンジオールのシリコンウェハに対する吸着力よりも大きいことを示している。図17および図18に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、1,2-ヘキサンジオールを使用した場合と比較して、光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが分かる。図19に、1,2-ヘキサンジオールおよび1,6-ヘキサンジオールがシリコンウェハに付着している様子を示す。図19に示すように、1,2-ヘキサンジオールはOH基2個が炭素鎖の片面に偏って付いており、反対側のOH基の付いていない炭素鎖のシリコンウェハへの吸着力は1,6-ヘキサンジオールの吸着力よりも大きく、エッチング反応に対する阻害効果が大きい。その結果、1,2-ヘキサンジオールのエッチング量が、1,6-ヘキサンジオールのエッチング量よりも小さくなった。同様の理由で、1,2-ヘキサンジオールだけでなく1,3-ヘキサンジオールのシリコンウェハへの吸着力も、1,6-ヘキサンジオールの吸着力よりも大きくなり、エッチング量は小さくなったことを確認している図示せず。また、1,6-ヘキサンジオールと1,3-ヘキサンジオールを比較して、1,6-ヘキサンジオールのほうが光の吸収効率が高く、変換効率も高かったことを確認している図示せず。また、1,6-ヘキサンジオールの左右対照な構造がテクスチャの形成に有効であることが、確認された。すなわち、1,6-ヘキサンジオールでは、炭素鎖中央付近の炭素がシリコンウェハ表面に吸着し、その両端がシリコンウェハ表面から離れているため、吸着した中央部がエッチングされず、中央部から周辺部に向かって徐々にエッチングされるため、テクスチャが均一に形成されている。表3に、実施例3の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、および1-ヘキサノールを使用して、表3の実験条件に従ってエッチングを実施した。図20に各添加剤を使用したときのエッチング量、図21に各添加剤を使用したときの反射率、図22に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図20に示したエッチング量の結果から、各添加剤のシリコンウェハに対する吸着力を評価することができる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールのエッチング量と比較して、1,2,6-ヘキサントリオールのエッチング量は大きかったが、1-ヘキサノールのエッチング量は小さかった。すなわち、1,2,6-ヘキサントリオールのシリコンウェハに対する吸着力が、1,6-ヘキサンジオールの吸着力よりも小さいことが確認された。一方、1-ヘキサノールのシリコンウェハに対する吸着力は、1,6-ヘキサンジオールの吸着力よりも大きいことが確認された。図21および図22に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、1,2,6-ヘキサントリオールまたは1-ヘキサノールを使用した場合と比較して、最も光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが分かる。図23に、1,2,6-ヘキサントリオールおよび1,6-ヘキサンジオールがシリコンウェハに付着している様子を示す。図23に示すように、1,2,6-ヘキサントリオールはOH基3個が炭素鎖に付いており、1,6-ヘキサンジオールのOH基よりも多いため、OH基の親水性の効果が大きくなり、シリコンウェハへの吸着力は1,6-ヘキサンジオールよりも小さくなる。その結果、エッチング反応に対する阻害効果が小さくなり、エッチング量が1,6-ヘキサンジオールよりも大きくなった。図24に、1-ヘキサノールおよび1,6-ヘキサンジオールがシリコンウェハに付着している様子を示す。図23に示すように、1-ヘキサノールはOH基1個が炭素鎖に付いており、1,6-ヘキサンジオールのOH基よりも少ないため、シリコンウェハへの吸着力は1,6-ヘキサンジオールよりも大きくなる。その結果、エッチング反応に対する阻害効果が大きくなり、エッチング量が1,6-ヘキサンジオールよりも小さくなった。表4に、実施例4の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオールおよびピロカテコール1,2-ベンゼンジオール、1,2-ジヒドロキシベンゼン、ピロカテキン、o-ジヒドロキシベンゼンとも言うを使用して、表4の実験条件に従ってエッチングを実施した。図25に各添加剤を使用したときのエッチング量、図26に各添加剤を使用したときの反射率、図27に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図25に示したエッチング量の結果から、各添加剤のシリコンウェハに対する吸着力を評価することができる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールのエッチング量と比較して、ピロカテコールのエッチング量は小さかった。すなわち、ピロカテコールのシリコンウェハに対する吸着力が、1,6-ヘキサンジオールの吸着力よりも大きいことが確認された。図26および図27に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、ピロカテコールを使用した場合と比較して光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが分かる。図28に、ピロカテコールの分子構造を示す。ピロカテコールは、ベンゼン環にOH基が2個ついている。ベンゼン環の炭素は平面構造をとるため、ベンゼン環全体がシリコンウェハ表面に吸着する。従って、1,6-ヘキサンジオールと比較してシリコンウェハへの吸着力は大きく、エッチング反応に対する阻害効果が大きくなり、その結果エッチング量が1,6-ヘキサンジオールよりも小さくなった。ピロカテコールの異性体であるレゾルシノール1,3-ベンゼンジオール、1,3-ジヒドロキシベンゼン、レゾルシンとも言うとヒドロキノン1,4-ベンゼンジオール、1,4-ジヒドロキシベンゼン、p-ベンゼンジオール、p-ジヒドロキシベンゼンとも言うも、ピロカテコールと同様にエッチング量が1,6-ヘキサンジオールよりも小さくなった。レゾルシノールとヒドロキノンは、ピロカテコールと比較してシリコンウェハへの吸着力の差がほとんどないため、1,6-ヘキサンジオールを使用した場合の方が光の吸収効率が高く、変換効率も高い結果が得られている。表5に、実施例5の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオール、ペンタン二酸グルタル酸とも言う、ヘキサン二酸アジピン酸とも言う、ヘプタン二酸ピメリン酸とも言う、およびジアセトンアルコールを使用して、表5の実験条件に従ってエッチングを実施した。図29に各添加剤を使用したときのエッチング量、図30に各添加剤を使用したときの反射率、図31に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図29に示したエッチング量の結果から、各添加剤のシリコンウェハに対する吸着力を評価することができる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールのエッチング量と比較して、ペンタン二酸およびジアセトンアルコールのエッチング量は大きかったが、ヘキサン二酸およびヘプタン二酸のエッチング量は小さかった。すなわち、1,6-ヘキサンジオールのシリコンウェハに対する吸着力が、ペンタン二酸およびジアセトンアルコールの吸着力よりも大きく、ヘキサン二酸およびヘプタン二酸の吸着力よりも小さいことが確認された。図30および図31に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、ヘプタン二酸、またはジアセトンアルコールを使用した場合と比較して、最も光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが分かる。図32に、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、ヘプタン二酸、ジアセトンアルコール、および1,6-ヘキサンジオールがシリコンウェハに付着している様子を示す。図32に示すように、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、ヘプタン二酸は、いずれも、2個のカルボキシル基を一列の炭素鎖の両端に配置した構造となっている。ペンタン二酸のシリコンウェハへの吸着力は1,6-ヘキサンジオールの吸着力と比較して小さいため、エッチング量は1,6-ヘキサンジオールよりも大きくなった。一方、ヘキサン二酸およびプタン二酸のシリコンウェハへの吸着力は1,6-ヘキサンジオールの吸着力と比較して大きいため、エッチング量は1,6-ヘキサンジオールよりも小さくなった。このように、同じような分子構造でも親水基のOH基がカルボキシル基に換わることでシリコンウェハへの吸着力が異なり、その結果テクスチャの形成や太陽電池としての性能も異なった。また、ジアセトンアルコールのシリコンウェハへの吸着力は1,6-ヘキサンジオールと比較して小さいため、エッチング量は1,6-ヘキサンジオールよりも大きくなった。各種添加剤を使用したときの反射率を最小にする最適添加率の条件において、各種添加剤の評価を行った。なお、例えば1,6-ヘキサンジオールの場合、図6に示したように最適添加率には幅があるが、その中でも僅かではあるが最も反射率が低くなる添加率を最適添加率とした。表6に、実施例6の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオール、1,5-ペンタンジオール、1,7-ヘプタンジオール、およびイソプロピルアルコールを使用して、表6の実験条件に従ってエッチングを実施した。表6に示すように、1,6-ヘキサンジオールの最適添加率は特許文献1で使用されている1,5-ペンタンジオールやイソプロピルアルコールと比較して非常に少なく、低コストでエッチング処理が可能である。図33に各添加剤を使用したときのエッチング量、図34に各添加剤を使用したときの反射率、図35に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図33に示すように、各添加剤を使用したときのエッチング量は、ほぼ等しくなった。図34および図35に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、1,5-ペンタンジオール、1,7-ヘプタンジオール、またはイソプロピルアルコールを使用した場合と比較して、最も光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが確認された。以上から、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成し太陽電池セルの光吸収効率を高めるには1,6-ヘキサンジオールが最も適しており、たとえその他の物質の添加量を変えたとしても1,6-ヘキサンジオールと同じ効果は得られないことが分かる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールの構造およびシリコンウェハへの吸着状態が、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成できる要因であることが分かる。また、添加量だけでなく、温度、アルカリ濃度、時間等の条件を変えても、1,6-ヘキサンジオールの優位性は同じである。また、イソプロピルアルコールと1,6-ヘキサンジオーとを比較して、1,6-ヘキサンジオールの最適添加量は桁違いに小さい。連続処理を行う場合、イソプロピルアルコールは蒸発して濃度が減少するためエッチング処理中に随時追加する必要があり1,6-ヘキサンジオールの追加は不要、イソプロピルアルコールの使用量は1,6-ヘキサンジオールのそれと比べて大幅に増加する。表7に、実施例7の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオールおよび1,2-ヘキサンジオールを使用して、表7の実験条件に従ってエッチングを実施した。各添加剤の添加量は、それぞれの添加剤を使用したときの反射率を最小にする量としている。図36に各添加剤を使用したときのエッチング量、図37に各添加剤を使用したときの反射率、図38に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図36に示すように、各添加剤を使用したときのエッチング量は、ほぼ等しくなった。図37および図38に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、1,2-ヘキサンジオールを使用した場合と比較して光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが確認された。以上から、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成し太陽電池セルの光吸収効率を高めるには1,6-ヘキサンジオールが適しており、たとえ1,2-ヘキサンジオールの添加量を変えたとしても1,6-ヘキサンジオールと同じ効果は得られないことが分かる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールの構造およびシリコンウェハへの吸着状態が、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成できる要因であることが分かる。また添加量だけでなく、温度、アルカリ濃度、時間等の条件を変えても、1,6-ヘキサンジオールの優位性は同じである。表8に、実施例8の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、および1-ヘキサノールを使用して、表8の実験条件に従ってエッチングを実施した。各添加剤の添加量は、それぞれの添加剤を使用したときの反射率を最小にする量としている。図39に各添加剤を使用したときのエッチング量、図40に各添加剤を使用したときの反射率、図41に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図39に示すように、各添加剤を使用したときのエッチング量は、1,6-ヘキサンジオールと比較して、1,2,6-ヘキサントリオールは大きく、1-ヘキサノールは小さくなった。図40および図41に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、1,2,6-ヘキサントリオールまたは1-ヘキサノールを使用した場合と比較して最も光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが確認された。以上から、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成し太陽電池セルの光吸収効率を高めるには1,6-ヘキサンジオールが最も適しており、たとえその他の物質の添加量を変えたとしても1,6-ヘキサンジオールと同じ効果は得られないことが分かる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールの構造およびシリコンウェハへの吸着状態が、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成できる要因であることが分かる。また添加量だけでなく、温度、アルカリ濃度、時間等の条件を変えても、1,6-ヘキサンジオールの優位性は同じである。表9に、実施例9の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオールおよびピロカテコールを使用して、表9の実験条件に従ってエッチングを実施した。各添加剤の添加量は、それぞれの添加剤を使用したときの反射率を最小にする量としている。図42に各添加剤を使用したときのエッチング量、図43に各添加剤を使用したときの反射率、図44に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図42に示すように、各添加剤を使用したときのエッチング量は、ほぼ等しくなった。図43および図44に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、1,2-ヘキサンジオールを使用した場合と比較して光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが確認された。ピロカテコールの異性体であるレゾルシノール、ヒドロキノンに関しても、ピロカテコールも同様の結果であった。以上から、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成し太陽電池セルの光吸収効率を高めるには1,6-ヘキサンジオールが適しており、たとえ1,2-ヘキサンジオールの添加量を変えたとしても1,6-ヘキサンジオールと同じ効果は得られないことが分かる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールの構造およびシリコンウェハへの吸着状態が、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成できる要因であることが分かる。また添加量だけでなく、温度、アルカリ濃度、時間等の条件を変えても、1,6-ヘキサンジオールの優位性は同じである。表10に、実施例10の実験条件を示す。添加剤として、1,6-ヘキサンジオール、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、ヘプタン二酸およびジアセトンアルコールを使用して、表10の実験条件に従ってエッチングを実施した。各添加剤の添加量は、それぞれの添加剤を使用したときの反射率を最小にする量としている。図45に各添加剤を使用したときのエッチング量、図46に各添加剤を使用したときの反射率、図47に各添加剤を使用したときの変換効率を示す。なお、本結果は、いずれも各シリコンウェハの平均値をまとめたものである。図45に示すように、各添加剤を使用したときのエッチング量は、1,6-ヘキサンジオールと比較して、ペンタン二酸およびジアセトンアルコールは大きく、ヘキサン二酸およびヘプタン二酸は小さくなった。図46および図47に示す結果から、添加剤として1,6-ヘキサンジオールを使用した場合が、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、ヘプタン二酸、またはジアセトンアルコールを使用した場合と比較して最も光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが確認された。以上から、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成し太陽電池セルの光吸収効率を高めるには1,6-ヘキサンジオールが最も適しており、たとえその他の物質の添加量を変えたとしても1,6-ヘキサンジオールと同じ効果は得られないことが分かる。すなわち、1,6-ヘキサンジオールの構造およびシリコンウェハへの吸着状態が、高密度で適当なサイズのテクスチャを形成できる要因であることが分かる。また添加量だけでなく、温度、アルカリ濃度、時間等の条件を変えても、1,6-ヘキサンジオールの優位性は同じである。なお、特許文献1で使用されている上記以外の物質であるジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,4-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、グリセロール、2-エチル-1-ヘキサノールについても、上記と同じ理由で1,6-ヘキサンジオールの方がこれらの物質と比較して光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが確認された。また、1,3-ブチレングリコール、オクタンジオール、ブチルエチルプロパンジオール、2,4-ジエチルベンタンジオールのジオール類についても同様で、上記と同じ理由で1,6-ヘキサンジオールの方がこれらの物質と比較して光の吸収効率が高く、変換効率も高いことが確認された。以上の実施例と比較例では単結晶について評価したが、多結晶のシリコンウェハについても同様の効果を確認している。なお、上記に示す図面においては、理解の容易のため各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。"