"一般式1{LiyNa1-xKx1-y}aNb1-z-wTazSbwO3によって表される第1のペロブスカイト型酸化物、Ba、Sr、Ca、La、Ce、Nd、Sm、Dy、Ho及びYbからなる群より選択される一種類以上の選択元素の化合物、並びにMnの化合物を含んでなる第1成分、一般式2{BatKpNa1-p1-t}ZrtNb1-tO3によって表される第2のペロブスカイト型酸化物である第2成分、並びにZnを主成分として含む第3成分、を含んでなる組成物を焼成することによって得られる圧電/電歪焼結体であって、前記圧電/電歪焼結体における前記第3成分の含有量が、前記圧電/電歪焼結体においてZn由来の異相を生じない範囲にあり、かつ前記圧電/電歪焼結体の組成において、前記一般式1において、a、x、y、z及びwが、それぞれ、1<a≦1.1、0.30≦x≦0.70、0.02≦y≦0.10、0≦z≦0.5及び0.01≦w≦0.1を満たし、前記一般式2において、p及びtが、それぞれ、0≦p≦1及び0<t≦0.5を満たす、圧電/電歪焼結体。請求項1に記載の圧電/電歪焼結体であって、焼成後の前記圧電/電歪焼結体における前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率が10mol以上、80mol未満である、圧電/電歪焼結体。請求項1又は2に記載の圧電/電歪焼結体であって、焼成後の前記圧電/電歪焼結体における前記第3成分の含有量が、Zn原子換算で、0.01mol以上、3.00mol未満である、圧電/電歪焼結体。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧電/電歪焼結体であって、焼成後の前記圧電/電歪焼結体における前記第1成分中の前記第1のペロブスカイト型酸化物100モル部に対する前記Mnの化合物のMn原子換算の含有量が5モル部以下である、圧電/電歪焼結体。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の圧電/電歪焼結体、及び少なくとも一対の電極を含んでなる圧電/電歪素子。本発明の目的は、前述の問題を解決するためになされたもので、実用的なキュリー温度具体的には、200°C以上を維持しつつ、低電界印加時のみならず、高電界印加時にも高い電界誘起歪率を呈する非鉛系の圧電/電歪焼結体を提供することである。本発明のもう1つの目的は、かかる圧電/電歪焼結体を含んでなる圧電/電歪素子を提供することである。上記目的は、一般式1{LiyNa1-xKx1-y}aNb1-z-wTazSbwO3によって表される第1のペロブスカイト型酸化物、Ba、Sr、Ca、La、Ce、Nd、Sm、Dy、Ho及びYbからなる群より選択される一種類以上の選択元素の化合物、並びにMnの化合物を含んでなる第1成分、一般式2{BatKpNa1-p1-t}ZrtNb1-tO3によって表される第2のペロブスカイト型酸化物である第2成分、並びにZnを主成分として含む第3成分、を含んでなる組成物を焼成することによって得られる圧電/電歪焼結体であって、前記圧電/電歪焼結体における前記第3成分の含有量が、前記圧電/電歪焼結体においてZn由来の異相を生じない範囲にあり、かつ前記圧電/電歪焼結体の組成において、前記一般式1において、a、x、y、z及びwが、それぞれ、1<a≦1.1、0.30≦x≦0.70、0.02≦y≦0.10、0≦z≦0.5及び0.01≦w≦0.1を満たし、前記一般式2において、p及びtが、それぞれ、0≦p≦1及び0<t≦0.5を満たす、圧電/電歪焼結体によって達成される。また、上記もう1つの目的は、本発明に係る圧電/電歪焼結体、及び少なくとも一対の電極を含んでなる圧電/電歪素子によって達成される。本発明によれば、実用的なキュリー温度を維持しつつ、低電界印加時のみならず、高電界印加時にも高い電界誘起歪率を呈する非鉛系の圧電/電歪焼結体、及びかかる圧電/電歪焼結体を含んでなる圧電/電歪素子が提供される。1.本発明に係る圧電/電歪焼結体の構成本発明は、特定の組成を有する正方晶成分、特定の組成を有する菱面体晶成分、及び亜鉛を主成分として含む第3成分、焼成後の組成が特定の条件を満たすように配合して得られる圧電/電歪磁器組成物を調製すると、これを焼成して得られる圧電/電歪焼結体において正方晶/菱面体晶のMPBが形成され、これにより、非鉛系の圧電/電歪焼結体においても、低い焼成温度、高電界高歪率、及び高いキュリー温度Tcを兼備しつつ、PZT系の圧電/電歪焼結体を凌駕する圧電特性を達成することが出来ることを見出したことに基づいてなされたものである。より具体的には、前述の如く、本発明に係る圧電/電歪焼結体は、一般式1{LiyNa1-xKx1-y}aNb1-z-wTazSbwO3によって表される第1のペロブスカイト型酸化物、Ba、Sr、Ca、La、Ce、Nd、Sm、Dy、Ho及びYbからなる群より選択される一種類以上の選択元素の化合物、並びにMnの化合物を含んでなる第1成分、一般式2{BatKpNa1-p1-t}ZrtNb1-tO3によって表される第2のペロブスカイト型酸化物である第2成分、並びにZnを主成分として含む第3成分、を含んでなる組成物を焼成することによって得られる圧電/電歪焼結体であって、前記圧電/電歪焼結体における前記第3成分の含有量が、前記圧電/電歪焼結体においてZn由来の異相を生じない範囲にあり、かつ前記圧電/電歪焼結体の組成において、前記一般式1において、a、x、y、z及びwが、それぞれ、1<a≦1.1、0.30≦x≦0.70、0.02≦y≦0.10、0≦z≦0.5及び0.01≦w≦0.1を満たし、前記一般式2において、p及びtが、それぞれ、0≦p≦1及び0<t≦0.5を満たす、圧電/電歪焼結体である。2.第1成分上記の如く、焼成によって本発明に係る圧電/電歪焼結体を得ることができる前記組成物の前記第1成分は、前記第1のペロブスカイト型酸化物、前記選択元素の化合物、及びマンガンMnの化合物を含んでなる。先ず、前記第1のペロブスカイト型酸化物は、前記一般式1によって表される組成を有するペロブスカイト型酸化物であり、後に詳細に説明する。次に、前記選択元素の化合物は、バリウムBa、ストロンチウムSr、カルシウムCa、ランタンLa、セリウムCe、ネオジムNd、サマリウムSm、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo及びイッテルビウムYbからなる群より選択される一種類以上の元素本明細書中において選択元素と称するの化合物である。尚、前記第1成分において、前記第1のペロブスカイト型酸化物100モル部に対する前記選択元素の化合物の原子換算の含有量は、0.01モル部以上、0.5モル部以下であることが望ましい。選択元素の化合物の含有量がこの範囲を下回ると、高電界印加時の電界誘起歪が小さくなる傾向があるので望ましくない。逆に、選択元素の化合物の含有量がこの範囲を上回ると、結晶相が正方晶から斜方晶へ変化し、高電界印加時の電界誘起歪が小さくなる傾向があるので望ましくない。また、前記選択元素は、前記第1のペロブスカイト型酸化物に酸化物として固溶していることが望ましい。即ち、前記選択元素は、母相である前記第1のペロブスカイト型酸化物の結晶格子に取り込まれ、母相を構成する元素として焼結体の内部に存在していることが望ましい。ただし、前記選択元素を含有する異相が焼結体の内部に僅かに存在していてもよい。更に、前記Mnの化合物に由来するMnは、前記第一のペロブスカイト型酸化物に酸化物として固溶している事が望ましいが、粒界部や異相、又は、後述する第2のペロブスカイト型酸化物に酸化物として固溶していても良い。尚、焼成後の前記圧電/電歪焼結体における前記第1成分において、前記第1のペロブスカイト型酸化物100モル部に対する前記Mnの化合物のMn原子換算の含有量は、5モル部以下であることが望ましい。Mnの化合物の含有量がこの範囲を上回ると、誘電損失が増加し、高電界印加時の電界誘起歪が小さくなる傾向があるので望ましくない。より好ましくは、前記第1のペロブスカイト型酸化物100モル部に対する前記Mnの化合物のMn原子換算の含有量は、3モル部以下であることが望ましい。また、前記Mnの化合物の含有量は極微量でも足りる。例えば、前記第1のペロブスカイト型酸化物100モル部に対してMn原子換算で0.001モル部のMnの化合物を含有させたに過ぎない場合でも、焼結体の分極処理が容易になり、Sbによる置換との相乗効果により、高電界印加時の電界誘起歪が大きくなる。3.第2成分一方、上記の如く、焼成によって本発明に係る圧電/電歪焼結体を得ることができる前記組成物の前記第2成分は、前記一般式2によって表される組成を有する前記第2のペロブスカイト型酸化物であり、後に詳細に説明する。4.第3成分更に、焼成によって本発明に係る圧電/電歪焼結体を得ることができる前記組成物の前記第3成分は、上記の如く、亜鉛Znを主成分として含んでなる。5.第1及び第2のペロブスカイト型酸化物の比率尚、前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率は、前記組成物の焼成が可能な範囲にあることが必要である。具体的には、前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の組成に応じて当該比率を適宜調整して、最適焼成温度が上がる等の現象によって前記組成物を焼成して所望の焼結体を得ることが困難になる事態を避ける必要がある。本発明の1つの実施態様において、前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率は、焼成後の前記圧電/電歪焼結体の組成として、10mol以上、80mol未満であることが望ましい。上記比率が10mol未満の場合、正方晶/菱面体晶の混晶状態を生じさせることが困難となり、所望の圧電/電歪特性を達成することが困難となるので望ましくない。逆に、上記比率が80mol以上の場合、最適焼成温度が上がる等の現象によって前記組成物を焼成して所望の焼結体を得ることが困難になるので望ましくない。より好ましくは、上記比率は20mol以上、70mol未満であることが望ましい。6.第3成分の含有量また、前記圧電/電歪焼結体におけるZnを主成分として含む前記第3成分の含有量は、前記圧電/電歪焼結体においてZn由来の異相を生じない範囲にあることが必要である。前記圧電/電歪焼結体においてZn由来の異相が生じると、誘電損失の悪化、圧電/電歪特性の悪化等の問題が発生する。従って、前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の組成や前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率に応じて、前記圧電/電歪焼結体における前記第3成分の含有量を適宜調整して、前記圧電/電歪焼結体においてZn由来の異相を生じない範囲にあることが必要である。本発明のもう1つの実施態様において、焼成後の前記圧電/電歪焼結体における前記第3成分の含有量は、Zn原子換算で、0.01mol以上、3.00mol未満であることが望ましい。上記含有量が0.01mol未満の場合、高電界印加時の歪率が不十分となるので望ましくない。逆に、上記含有量が3.00mol以上の場合、焼成後の前記圧電/電歪焼結体においてZn由来の異相が生じ、誘電損失の悪化、圧電/電歪特性の悪化等の問題が発生するので望ましくない。より好ましくは、上記含有量は、Zn原子換算で、0.01mol以上、1.00mol未満であることが望ましい。7.第1のペロブスカイト型酸化物の組成ところで、前記一般式1即ち{LiyNa1-xKx1-y}aNb1-z-wTazSbwO3によって表される前記第1のペロブスカイト型酸化物は、焼成後の前記圧電/電歪焼結体の組成として、a、x、y、z及びwが、それぞれ、1<a≦1.1、0.30≦x≦0.70、0.02≦y≦0.10、0≦z≦0.5及び0.01≦w≦0.1を満たす必要がある。前記aは、前記第1成分由来の正方晶におけるBサイトに対するAサイトの化学量論比に対応するパラメータであり、本発明に係る圧電/電歪焼結体においては、1<a≦1.1を満足するように当該パラメータを厳密に管理することにより、所望の圧電/電歪特性が達成される。具体的には、a≦1の範囲においては、焼結体が十分に緻密化する焼成温度が高くなり、アルカリ成分の蒸発が起こり易くなるため、その結果として焼結体の組成が変動し易くなるので望ましくない。また、製造コスト削減、省エネルギーの観点からも、焼成温度の上昇は望ましくない。逆に、1.1<aの範囲においては、結果として得られる焼結体の誘電損失が増大し、高電界印加時の電界誘起歪を大きくすることができなくなるので望ましくない。より好ましくは、1.00<a≦1.05の範囲にあることが望ましい。次に、前記xは、前記第1成分由来の正方晶におけるAサイトのLiリチウムではない金属元素具体的には、カリウムK及びナトリウムNa中のKの存在比率モル比率を表し、前記yは、前記第1成分由来の正方晶におけるAサイトのリチウムLiではない金属元素K及びNaに対するLiの存在比率モル比率を表すパラメータである。本発明に係る圧電/電歪焼結体においては、0.30≦x≦0.70及び0.02≦y≦0.10を満足するように当該パラメータを厳密に管理することにより、所望の圧電/電歪特性が達成される。具体的には、x<0.30の範囲においては、結果として得られる焼結体の高電界印加時の電界誘起歪が急激に小さくなるので望ましくない。逆に、0.70<xの範囲においては、焼結体が十分に緻密化する焼成温度が高くなり、その結果として焼結体の組成が変動し易くなる、製造時のコストやエネルギー消費が増大する等の問題が発生するので望ましくない。一方、y<0.02の範囲においては、焼結体が十分に緻密化する焼成温度が高くなり、前述のような問題が発生するので望ましくない。逆に、0.10<yの範囲においては、結果として得られる焼結体に含まれる異相が多くなり、焼結体の絶縁性が低下するので望ましくない。より好ましくは、0.04≦y≦0.08の範囲にあることが望ましい。また、前記zは、前記第1成分由来の正方晶におけるBサイトの総金属元素中のTaタンタルの存在比率モル比率を表し、前記wは、前記第1成分由来の正方晶におけるBサイトの総金属元素中のアンチモンSbの存在比率モル比率を表すパラメータである。本発明に係る圧電/電歪焼結体においては、0≦z≦0.5及び0.01≦w≦0.1を満足するように当該パラメータを厳密に管理することにより、所望の圧電/電歪特性が達成される。具体的には、0.5<zの範囲においては、焼結体が十分に緻密化する焼成温度が高くなるので望ましくない。より好ましくは、0≦z≦0.3の範囲にあることが望ましい。一方、0.1<wの範囲においては、正方晶-斜方晶相転移温度以下では相転移温度というTOTが室温から遠ざかり、高電界印加時の電界誘起歪が小さくなるので望ましくない。より好ましくは、0.02≦w≦0.08の範囲にあることが望ましい。因みに、相転移温度TOTは、50°C以下であることが望ましく、10°C以下であることが更に望ましい。8.第2のペロブスカイト型酸化物の組成一方、前記一般式2即ち{BatKpNa1-p1-t}ZrtNb1-tO3によって表される前記第2のペロブスカイト型酸化物は、焼成後の前記圧電/電歪焼結体の組成として、p及びtが、それぞれ、0≦p≦1及び0<t≦0.5を満たす必要がある。前記pは、前記第2成分由来の菱面体晶におけるAサイトのBaではない金属元素具体的には、K及びNa中のKの存在比率モル比率を表し、前記tは、前記第2成分由来の菱面体晶におけるAサイトの総金属元素中のバリウムBaの存在比率モル比率及びBサイトの総金属元素具体的には、ジルコニウムZr及びニオブNb中のZrの存在比率モル比率を表すパラメータである。本発明に係る圧電/電歪焼結体においては、0≦p≦1及び0<t≦0.5を満足するように当該パラメータを厳密に管理することにより、所望の圧電/電歪特性が達成される。具体的には、前記第2成分由来の菱面体晶におけるAサイトのBaではない金属元素はK及びNaのいずれか一方であってもよいし、又はこれらの両方であってもよく、後者の場合、KとNaとの存在比率モル比率は特に限定されない。一方、0.5<tの範囲においては、第2成分が室温で立方晶になるので望ましくない。より好ましくは、0<t≦0.4の範囲にあることが望ましい。9.本発明に係る圧電/電歪焼結体の製造方法本発明に係る圧電/電歪焼結体は、圧電/電歪焼結体の製法として当業者に周知の一般的な方法によって製造することができる。即ち、以下に記載する製造方法は、本発明に係る圧電/電歪焼結体の製造方法の一例であって、本発明の技術範囲は以下の製造方法に何ら限定されるものではない。1原料粉末の製造先ず、本発明に係る圧電/電歪焼結体を製造するための圧電/電歪磁器組成物の原料粉末が以下のように調製される。それぞれのペロブスカイト型酸化物の構成元素Li,Na,K,Nb,Ta,Sb等を含む素原料を、構成元素の所定のモル比を満たすように秤量し、混合する。混合方法は、特に制限されないが、乳鉢混合、ボールミル、ポットミル、ビーズミル、ハンマーミル、ジェットミル等が用いられる。ペロブスカイト型酸化物の構成元素の素原料としては、酸化物又は仮焼過程において酸化物となる炭酸塩、酒石酸塩等の化合物が用いられる。混合時に素原料に分散媒例えば、有機溶剤を加えてもよい。分散媒としては、エタノール、トルエン、アセトン等の有機溶剤が用いられる。混合時に溶媒を加えなかった場合は、混合により、そのまま混合原料粉末が得られるが、混合時に溶媒を加えた場合は、得られた混合スラリーから蒸発乾燥や濾過等により分散媒が除去され、乾燥した混合原料が得られる。上記乾燥した混合原料は、400~1300°Cで仮焼され、ペロブスカイト型酸化物の粉末が合成される。仮焼は、1回だけ行ってもよいし、2回以上行ってもよい。2回以上の仮焼を行う場合は、各仮焼の条件は同じであってもよいし異なっていてもよい。仮焼のときの雰囲気は、大気雰囲気であってもよいし、酸素雰囲気であってもよい。仮焼の際の昇温速度及び降温速度は20~2000°C/時であることが望ましく、仮焼温度を保持する時間は30秒~20時間であることが望ましい。混合原料の粉末は、一般的に用いられる1段階の仮焼スケジュール台形型の温度プロファイルで仮焼することができる。例えば、[1]20~2000°C/時の昇温速度で室温から第1の仮焼温度の800~1000°Cまで昇温し第1の仮焼温度を保持する第1の段階;の終了後直ぐに20~2000°C/時の降温速度で室温まで降温する1段階の仮焼スケジュールにより混合原料の粉末が仮焼される。また、混合原料の粉末は、多段階の仮焼スケジュールで仮焼されてもよい。例えば、[1]室温から第1の仮焼温度の400~800°Cまで昇温し第1の仮焼温度を保持する第1の段階;及び[2]第1の仮焼温度から第2の仮焼温度の800~1000°Cまで昇温し第2の仮焼温度を保持する第2の段階;の終了後に室温まで降温する2段階の仮焼スケジュールにより混合原料の粉末が仮焼される。あるいは、[1]室温から第1の仮焼温度の900~1300°Cまで500°C/時以上の昇温速度で昇温し第1の仮焼温度を保持する第1の段階;及び[2]第1の仮焼温度から第2の仮焼温度の600~1000°Cまで200°C/時以上の降温速度で降温し第2の仮焼温度を保持する第2の段階;の終了後に室温まで降温する2段階の仮焼スケジュールにより混合原料の粉末が仮焼される。更に、混合原料の粉末は、上記の2通りの2段階の仮焼スケジュールを組み合わせた3段階の仮焼スケジュールにより仮焼されてもよい。合成されたペロブスカイト型酸化物の粉末に対して粉砕、分級等を行って、ペロブスカイト型酸化物の粉末の粒子径を所望の大きさに調整してもよい。粉砕が行われる場合は、乳鉢粉砕、ポットミル、ビーズミル、ハンマーミル、ジェットミル、メッシュ又はスクリーンに押し当てる方法等の粉砕方法が用いられる。また、固相反応法ではなくアルコキシド法や共沈法により、ペロブスカイト型酸化物の粉末を合成してもよい。尚、前記第1のペロブスカイト型酸化物正方晶及び前記第2のペロブスカイト型酸化物菱面体晶のそれぞれの固溶体を個別に合成した後に、これらを所定の比率で混合して焼成してもよい。更に、それぞれのペロブスカイト型酸化物について、予めBサイト元素同士の固溶体例えば、複数のBサイト元素の複合酸化物等を合成した後、Aサイト元素と混合、仮焼しペロブスカイト型酸化物の粉末を合成してもよい。ペロブスカイト型酸化物の粉末の平均粒子径は、0.07~3μmであることが望ましく、0.1~1μmであることが更に望ましい。また、ペロブスカイト型酸化物の粉末の粒子径の調整のために、ペロブスカイト型酸化物の粉末を400~850°Cで熱処理してもよい。微細な粒子ほど他の粒子と一体化しやすいので、この熱処理を行うと、粒子径が均一なペロブスカイト型酸化物の粉末が得られ、粒径が均一な焼結体が得られる。前記第1成分において、前記第1のペロブスカイト型酸化物の粉末には、選択元素の化合物及びMnの化合物の素原料の粉末が添加される。また、発明に係る圧電/電歪焼結体を製造するための圧電/電歪磁器組成物は、前記第1成分及び前記第2成分前記第2のペロブスカイト型酸化物に加えて、Znを主成分として含む第3成分をも含んでなる。選択元素の化合物、Mnの化合物、及び第3成分の素原料の粉末の添加は、例えば、上述の如く合成されたペロブスカイト型酸化物の粉末並びに選択元素の化合物、Mnの化合物、及び第3成分の素原料の粉末を、構成元素の所定のモル比を満たすように秤量し、混合することによって行うことができる。混合方法は、特に制限されないが、乳鉢混合、ボールミル、ポットミル、ビーズミル、ハンマーミル、ジェットミル等が用いられる。混合時に素原料に分散媒を加えてもよい。分散媒としては、例えば、エタノール、トルエン、アセトン等の有機溶剤が用いられる。混合時に溶媒を加えなかった場合は、混合により、そのまま混合原料粉末が得られるが、混合時に溶媒を加えた場合は、得られた混合スラリーから蒸発乾燥や濾過等により分散媒が除去され、乾燥した混合原料が得られる。選択元素の化合物及びMnの化合物の素原料としては、酸化物又は焼成過程において酸化物となる炭酸塩、酒石酸塩等の化合物が用いられる。Mnの素原料としては、Mnの原子価が4価の二酸化マンガンMnO2や2価の炭酸マンガンMnCO3が主に用いられる。尚、選択元素の化合物、Mnの化合物、及び第3成分以降、これらをマイナー成分と総称する場合があるの素原料の粉末の添加は、以下に説明する焼成工程の前の適当なタイミング例えば、ペロブスカイト型酸化物の粉末の仮焼後において行われ得る。圧電/電歪磁器組成物の焼結体の製造本発明に係る圧電/電歪磁器組成物の焼結体の製造にあたっては、前述のペロブスカイト型酸化物の粉末及び上記マイナー成分の粉末等を、構成元素の所定のモル比を満たすように秤量し、混合する。混合方法は、特に制限されないが、乳鉢混合、ボールミル、ポットミル、ビーズミル、ハンマーミル、ジェットミル等が用いられる。混合時に、これらの粉末に分散媒を加えてもよい。分散媒としては、例えば、エタノール、トルエン、アセトン等の有機溶剤が用いられる。混合時に溶媒を加えなかった場合は、混合により、そのまま混合原料粉末が得られるが、混合時に溶媒を加えた場合は、得られた混合スラリーから蒸発乾燥や濾過等により分散媒が除去され、乾燥した混合原料が得られる。得られた混合原料以降、当該原料をコンポジット原料粉末と称する場合があるは、先ず、プレス成形、テープ成形、鋳込み成形等により原料粉末が成形され、焼成される。得られた原料粉末の成形体の焼成温度は、600~1300°Cであることが望ましい。焼成のときの雰囲気は、大気雰囲気であってもよいし、酸素雰囲気であってもよい。また、コンポジット原料粉末が含有する元素と同一の元素からなる雰囲気調整用の粉末をコンポジット原料粉末の周辺に置いた状態で焼成を行ってもよい。焼成のときの昇温速度及び降温速度は20~2000°C/時であることが望ましく、焼成温度を維持する時間は30秒~10時間であることが望ましい。コンポジット原料粉末に微量の焼結助剤を含有させることも望ましい。焼結助剤は、Liを含む酸化物であることが望ましく、Li2O、Li2O2、LiNbO3、Li3NbO4、LiTaO3、Li3TaO4、LiSbO3、Li3SbO4、LiNb,Ta,SbO3、及びLi3Nb,Ta,SbO4からなる群より選択される1種以上であることが更に望ましい。コンポジット原料粉末に焼結助剤を含有させると、圧電/電歪磁器組成物の焼結体の焼結密度が向上する。コンポジット原料粉末の成形体は、一般的に用いられる焼成スケジュールで焼成される。例えば、[1]20~2000°C/時の昇温速度で室温から第1の焼成温度の950~1300°Cまで昇温し第1の焼成温度を保持する第1の段階;の終了後すぐに20~2000°C/時の降温速度で室温まで降温する1段階の焼成スケジュール台形型の温度プロファイルにより焼成される。あるいは、コンポジット原料粉末の成形体は、以下に示す多段階の焼成スケジュールにより焼成される。例えば、[1]室温から第1の焼成温度の600~950°Cまで昇温し第1の焼成温度を保持する第1の段階;及び[2]第1の焼成温度から第2の焼成温度の950~1300°Cまで昇温し第2の焼成温度を保持する第2の段階;の終了後に室温まで降温する2段階の焼成スケジュールによりコンポジット原料粉末の成形体が焼成される。あるいは、コンポジット原料粉末の成形体は、[1]室温から第1の焼成温度の1000~1300°Cまで500°C/時以上の昇温速度で昇温し第1の焼成温度を保持する第1の段階;及び[2]第1の焼成温度から第2の焼成温度の600~1000°Cまで200°C/時以上の降温速度で降温し第2の焼成温度を保持する第2の段階;の終了後に室温まで降温する2段階の焼成スケジュールにより焼成される。コンポジット原料粉末の成形体は、上記の2通りの2段階の焼成スケジュールを組み合わせた3段階の焼成スケジュールで焼成されてもよい。かかる多段階の焼成スケジュールでは、圧電/電歪磁器組成物の焼結体が十分に緻密化し、圧電/電歪磁器組成物の焼結体の相対密度も90~95になり95~98に達する場合もある。圧電/電歪素子の製造上述のようにして得られた焼結体の表面には、スクリーン印刷、抵抗加熱蒸着、スパッタリング等により少なくとも一対の電極が形成され、本発明に係る圧電/電歪素子が得られる。即ち、本発明に係る圧電/電歪素子は、本発明に係る前述の圧電/電歪焼結体及び少なくとも一対の電極を含んでなる圧電/電歪素子である。また、原料粉末の成形体と電極とを一体的に焼成してもよく、焼結体の内部に電極を形成してもよい。更に、焼結体に対して研磨、切断等の加工を行ってもよい。電極が形成された焼結体には、望ましくは、分極処理及びエージング処理が順次行われる。エージング処理は省略される場合もある。分極処理を行う場合、電極が形成された焼結体がシリコンオイル等の絶縁油に浸漬され、電極に電圧が印加される。このとき、焼結体を50~150°Cに加熱する高温分極処理を行うことが望ましい。高温分極処理を行うときには、焼結体に2~10kV/mmの電界が印加される。エージング処理を行う場合、電極が開放された状態で焼結体が大気中で、キュリー温度Tc以下の100~300°Cに加熱される。上記のように製造された、本発明に係る圧電/電歪素子は、所謂アクチュエータとして使用することができる。かかるアクチュエータは、例えばインクジェットプリンタにおけるインクジェットヘッドに用いることができる。また、前記圧電/電歪素子は、例えばセンサとしても使用することができる。そこで、本発明に係る第2~5の実施形態として、単層型、積層型、多層型、及びオフセット型の圧電/電歪アクチュエータの構成及び製造方法につき、図面を参照しながら、それぞれ以下に説明する。第2実施形態第2実施形態は、前述の圧電/電歪磁器組成物を用いた単層型の圧電/電歪アクチュエータ1に関する。圧電/電歪アクチュエータ1の概略図1は、第2実施形態の圧電/電歪アクチュエータ1の模式図である。図1は、圧電/電歪アクチュエータ1の断面図である。図1に示されているように、圧電/電歪アクチュエータ1は、基体11の上面に、電極膜121、圧電/電歪体膜122及び電極膜123をこの順序で積層した構造を有する。圧電/電歪体膜122の両主面上の電極膜121,123は、圧電/電歪体膜122を挟んで対向する。電極膜121、圧電/電歪体膜122及び電極膜123を積層した積層体12は基体11に固着される。固着とは、有機接着剤や無機接着剤を用いることなく、基体11と積層体12との界面における固相反応により、積層体12を基体11に接合することをいう。なお、基体と積層体の最下層の圧電/電歪体膜との界面における固相反応により積層体を基体に接合してもよい。圧電/電歪アクチュエータ1では、電極膜121,123に電圧が印加されると、印加された電圧に応じて圧電/電歪体122が電界と垂直な方向に伸縮し、その結果として屈曲変位を生じる。圧電/電歪体膜122圧電/電歪体膜122は、第1実施形態の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である。圧電/電歪膜122の膜厚は、0.5~50μmであることが望ましく、0.8~40μmであることがさらに望ましく、1~30μmであることが特に望ましい。圧電/電歪膜122の膜厚がこの範囲を下回ると、緻密化が不十分になる傾向があるからである。また、圧電/電歪膜122の膜厚がこの範囲を上回ると、焼結時の収縮応力が大きくなるため、基体11の板厚を厚くする必要が生じ、圧電/電歪アクチュエータ1の小型化が困難になるからである。電極膜121,123電極膜121,123の材質は、白金、パラジウム、ロジウム、金若しくは銀等の金属又はこれらの合金である。中でも、焼成時の耐熱性が高い点で白金又は白金を主成分とする合金が好ましい。また、焼成温度によっては、銀-パラジウム等の合金も好適に用いられる。電極膜121,123の膜厚は、15μm以下であることが望ましく、5μm以下であることがさらに望ましい。電極膜121,123の膜厚がこの範囲を上回ると、電極膜121,123が緩和層として機能し、屈曲変位が小さくなる傾向があるからである。また、電極膜121,123がその役割を適切に果たすためには、電極膜121,123の膜厚は、0.05μm以上であることが望ましい。電極膜121,123は、圧電/電歪体膜122の屈曲変位に実質的に寄与する領域を覆うように形成されることが望ましい。例えば、圧電/電歪体膜122の中央部分を含み、圧電/電歪体膜122の両主面の80以上の領域を覆うように形成されることが望ましい。基体11基体11の材質は、セラミックスであるが、その種類に制限はない。もっとも、耐熱性、化学的安定性及び絶縁性の観点から、安定された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及びガラスからなる群より選択される少なくとも1種類を含むセラミックスであることが望ましい。中でも、機械的強度及び靭性の観点から安定化された酸化ジルコニウムがさらに望ましい。安定化された酸化ジルコニウムとは、安定化剤の添加によって結晶の相転移を抑制した酸化ジルコニウムをいい、安定化酸化ジルコニウムの他、部分安定化酸化ジルコニムを包含する。安定化された酸化ジルコニウムとしては、例えば、1~30molの酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化イットリニウム、酸化イッテルビウム若しくは酸化セリウム又は希土類金属の酸化物を安定化剤として含有させた酸化ジルコニウムがあげられる。中でも、機械的強度が特に高い点で、酸化イットリニウムを安定化剤として含有させた酸化ジルコニウムが望ましい。酸化イットリニウムの含有量は、1.5~6molであることが望ましく、2~4molであることがさらに望ましい。また、酸化イットリニウムに加えて、0.1~5molの酸化アルミニウムを含有させることもさらに望ましい。安定化された酸化ジルコニウムの結晶相は、立方晶と単斜晶との混合晶、正方晶と単斜晶との混合晶又は立方晶と正方晶と単斜晶との混合晶等であってもよいが、主たる結晶相が正方晶と立方晶との混合晶又は正方晶となっていることが、機械的強度、靭性及び耐久性の観点から好ましい。基体11の板厚は均一になっている。基体11の板厚は、1~1000μmであることが望ましく、1.5~500μmであることがさらに望ましく、2~200μmであることが特に望ましい。基体11の板厚がこの範囲を下回ると、圧電/電歪アクチュエータ1の機械的強度が低下する傾向にあるからである。また、基体11の板厚がこの範囲を上回ると、基体11の剛性が高くなり、電圧を印加した場合の圧電/電歪体膜122の伸縮による屈曲変位が小さくなる傾向があるからである。基体11の表面形状積層体が固着される面の形状は、特に制限されず、三角形、四角形長方形や正方形、楕円形又は円形とすることができ、三角形及び四角形については角丸めを行ってもよい。これらの基本形を組み合わせた複合形としてもよい。圧電/電歪アクチュエータ1の製造圧電/電歪アクチュエータ1の製造にあたっては、基体11の上に電極膜121が形成される。電極膜121は、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVDPhysicalVaporDeposition、イオンプレーティング、CVDChemicalVaporDeposition、メッキ、エアロゾルデポジション、スクリーン印刷、スプレー、ディッピング等の方法で形成される。中でも、基体11及び圧電/電歪体膜122との接合性の観点から、スパッタリング法又はスクリーン印刷法が望ましい。形成された電極膜121は、熱処理により、基体11及び圧電/電歪体膜122と固着される。熱処理の温度は、電極膜121の材質や形成方法に応じて異なるが、概ね500~1400°Cである。続いて、電極膜121の上に圧電/電歪体膜122が形成される。圧電/電歪体膜122は、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVDPhysicalVaporDeposition、イオンプレーティング、CVDChemicalVaporDeposition、メッキ、ゾルゲル、エアロゾルデポジション、スクリーン印刷、スプレー、ディッピング等の方法で形成される。中でも、平面形状や膜厚の精度が高く、圧電/電歪体膜を連続して形成することができる点で、スクリーン印刷法が望ましい。さらに続いて、圧電/電歪体膜122の上に電極膜123が形成される。電極膜123は、電極膜121と同様に形成される。電極膜123を形成した後に、積層体12が形成された基体11が一体的に焼成される。この焼成により、圧電/電歪体膜122の焼結が進行するとともに、電極膜121,123が熱処理される。圧電/電歪体膜122の焼成温度は、800~1250°Cが望ましく、900~1200°Cがさらに望ましい。圧電/電歪体膜122の焼成の温度がこの範囲を下回ると、圧電/電歪体膜122の緻密化が不十分になり、基体11と電極膜121との固着や電極膜121,123と圧電/電歪体膜122との固着が不完全になる傾向があるからである。また、圧電/電歪体膜122の焼成の温度がこの範囲を上回ると、圧電/電歪体膜122の圧電/電歪特性が低下する傾向にあるからである。また、焼成時の最高温度の保持時間は、1分~10時間が望ましく、5分~4時間がさらに望ましい。この範囲を下回ると、圧電/電歪体膜122の緻密化が不十分になる傾向があるからである。また、この範囲を上回ると、圧電/電歪体膜122の圧電/電歪特性が低下する傾向にあるからである。なお、電極膜121,123の熱処理を焼成とともに行うことが生産性の観点から好ましいが、このことは、電極膜121,123を形成するごとに熱処理を行うことを妨げない。ただし、電極膜123の熱処理の前に圧電/電歪体膜122の焼成を行っている場合は、圧電/電歪体膜122の焼成温度より低い温度で電極膜123を熱処理する。焼成の終了後、圧電/電歪アクチュエータに対して、分極処理及びエージング処理が行われる。圧電/電歪アクチュエータ1は、積層セラミック電子部品の製造において常用されているグリーンシート積層法によっても製造される。グリーンシート積層法においては、原料粉末にバインダ、可塑剤、分散剤及び分散媒が加えられ、セラミックス、バインダ、可塑剤及び分散媒がボールミル等で混合される。得られたスラリーはドクターブレード法等でシート形状に成形され、成形体が得られる。続いて、スクリーン印刷法等で成形体の両主面に電極ペーストの膜が印刷される。ここで用いる電極ペーストは、上述の金属又は合金の粉末に、溶媒、ビヒクル及びガラスフリット等を加えたものである。さらに続いて、電極ペーストの膜が両主面に印刷された成形体と基体とが圧着される。しかる後に、積層体が形成された基体が一体的に焼成され、焼成が終わった後に適当な条件下で分極処理及びエージング処理が行われる。第3実施形態第3実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪磁器組成物を用いた多層型の圧電/電歪アクチュエータ2に関する。図2は、第3実施形態の圧電/電歪アクチュエータ2の模式図である。図2は、圧電/電歪アクチュエータ2の断面図である。図2に示すように、圧電/電歪アクチュエータ2は、基体21の上面に、電極膜221、圧電/電歪体膜222、電極膜223、圧電/電歪体膜224及び電極膜225をこの順序で積層した構造を有する。圧電/電歪体膜222の両主面上の電極膜221,223は、圧電/電歪体膜222を挟んで対向し、圧電/電歪体膜224の両主面上の電極膜223,225は、圧電/電歪体膜224を挟んで対向する。電極膜221、圧電/電歪体膜222、電極膜223、圧電/電歪体膜224及び電極膜225を積層した積層体22は基体21に固着される。なお、図2には、圧電/電歪体膜が2層である場合が図示されているが、圧電/電歪体膜が3層以上となってもよい。圧電/電歪アクチュエータ2の基体21の板厚は積層体22が接合される中央部215が周縁部216よりも薄肉化されている。これにより、基体21の機械的強度を保ちつつ、屈曲変位を大きくすることができる。基体21を第2実施形態の圧電/電歪アクチュエータ1に用いてもよい。圧電/電歪アクチュエータ2も、形成すべき圧電/電歪膜及び電極膜の数が増える点を除いては、単層型の圧電/電歪アクチュエータ1と同様に製造される。第4実施形態第4実施形態は、前述の圧電/電歪磁器組成物を用いた多層型の圧電/電歪アクチュエータ3に関する。図3は、第4実施形態の圧電/電歪アクチュエータ3の模式図である。図3は、圧電/電歪アクチュエータ3の断面図である。図3に示すように、圧電/電歪アクチュエータ3は、第3実施形態の基体21と同様の構造を有する単位構造が繰り返される基体31を備える。基体31の単位構造の各々の上には、第3実施形態の積層体22と同様の構造を有する積層体32が固着される。圧電/電歪アクチュエータ3も、形成すべき積層体の数並びに圧電/電歪膜及び電極膜の数が増える点を除いては、単層型の圧電/電歪アクチュエータ1と同様に製造される。第5実施形態第5実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪磁器組成物を用いた圧電/電歪アクチュエータ4に関する。図4~図6は、第5実施形態の圧電/電歪アクチュエータ4の模式図である。図4は、圧電/電歪アクチュエータ4の斜視図、図5は、圧電/電歪アクチュエータ4の縦断面図、図6は、圧電/電歪アクチュエータ4の横断面図である。図4~図6に示すように、圧電/電歪アクチュエータ4は、圧電/電歪体膜402と内部電極膜404とを軸Aの方向に交互に積層し、圧電/電歪体膜402と内部電極膜404とを積層した積層体410の端面412,414に外部電極膜416,418を形成した構造を有する。圧電/電歪アクチュエータ4の一部を軸Aの方向に分解した状態を示す図7の分解斜視図に示すように、内部電極膜404には、端面412に達しているが端面414には達していない第1の内部電極膜406と、端面414に達しているが端面412には達していない第2の内部電極膜408とがある。第1の内部電極膜406と第2の内部電極膜408とは交互に設けられる。第1の内部電極膜406は、端面412において外部電極膜416と接し、外部電極膜416と電気的に接続される。第2の内部電極膜408は、端面414において外部電極膜418と接し、外部電極膜418と電気的に接続される。したがって、外部電極膜416を駆動信号源のプラス側に接続し、外部電極膜418を駆動信号源のマイナス側に接続すると、圧電/電歪体膜402を挟んで対向する第1の内部電極膜406と第2の内部電極膜408とに駆動信号が印加され、圧電/電歪体膜402の厚さ方向に電界が印加される。この結果、圧電/電歪体膜402は厚さ方向に伸縮し、積層体410は全体として図4において破線で示す形状に変形する。圧電/電歪アクチュエータ4は、既に説明した圧電/電歪アクチュエータ1~3と異なり、積層体410が固着される基体を有さない。また、圧電/電歪アクチュエータ4は、パターンが異なる第1の内部電極膜406と第2の内部電極膜408とを交互に設けることから、オフセット型の圧電/電歪アクチュエータとも呼ばれる。圧電/電歪体膜402は、第1実施形態の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である。圧電/電歪体膜402の膜厚は、5~500μmであることが好ましい。この範囲を下回ると、後述のグリーンシートの製造が困難になるからである。また、この範囲を上回ると、圧電/電歪体膜402に十分な電界を印加することが困難になるからである。内部電極膜404及び外部電極膜416,418の材質は、白金、パラジウム、ロジウム、金若しくは銀等の金属又はこれらの合金である。内部電極膜404の材質は、これらの中でも、焼成時の耐熱性が高く圧電/電歪体膜402との共焼結が容易な点で白金又は白金を主成分とする合金であることが好ましい。ただし、焼成温度によっては、銀-パラジウム等の合金も好適に用いられる。内部電極膜402の膜厚は、10μm以下であることが望ましい。この範囲を上回ると、内部電極膜402が緩和層として機能し、変位が小さくなる傾向があるからである。また、内部電極膜402がその役割を適切に果たすためには、膜厚は、0.1μm以上であることが望ましい。なお、図4~図6には、圧電/電歪体膜402が10層である場合が図示されているが、圧電/電歪体膜402が9層以下又は11層以上であってもよい。圧電/電歪アクチュエータ4の製造にあたっては、第1実施形態の圧電/電歪磁器組成物の原料粉末にバインダ、可塑剤、分散剤及び分散媒が加えられ、これらがボールミル等で混合される。得られたスラリーは、ドクターブレード法等でシート形状に成形され、グリーンシートが得られる。続いて、パンチやダイを使用してグリーンシートが打ち抜き加工され、グリーンシートに位置合わせ用の孔等が形成される。さらに続いて、グリーンシートの表面にスクリーン印刷等により電極ペーストが塗布され、電極ペーストのパターンが形成されたグリーンシートが得られる。電極ペーストのパターンには、焼成後に第1の内部電極膜406となる第1の電極ペーストのパターンと焼成後に第2の内部電極膜408となる第2の電極ペーストのパターンとの2種類がある。もちろん、電極ペーストのパターンを1種類だけとして、グリーンシートの向きをひとつおきに180°回転させることにより、焼成後に内部電極膜406,408が得られるようにしてもよい。次に、第1の電極ペーストのパターンが形成されたグリーンシートと第2の電極ペーストのパターンが形成されたグリーンシートが交互に重ね合わされるとともに、電極ペーストが塗布されていないグリーンシートが最上部にさらに重ね合わされ後に、重ね合わされたグリーンシートが厚さ方向に加圧され圧着される。このとき、グリーンシートに形成された位置合わせ用の孔の位置が揃うようにする。また、重ね合わせたグリーンシートの圧着にあたっては、圧着に使用する金型を加熱しておくことにより、加熱しながらグリーンシートを圧着するようにすることも望ましい。このようにして得られたグリーンシートの圧着体は焼成され、得られた焼結体はダイシングソー等で加工され、積層体410が得られる。そして、焼き付け、蒸着、スパッタリング等により積層体410の端面412,414に外部電極膜416,418が形成され、分極処理及びエージング処理が行われることにより、圧電/電歪アクチュエータ4が得られる。上記第2~5の実施形態は、あくまでも例示に過ぎず、本発明を制限することを意図するものではない。即ち、本発明の範囲を超えない範疇で、上記第2~5の実施形態以外の種々の変形が想定される。10.評価方法後に説明する実施例において行われる、本発明に係る実験例および比較例の圧電/電歪特性の評価方法につき、以下に説明する。1圧電定数圧電定数d31pm/Vは、圧電/電歪素子の周波数-インピーダンス特性及び静電容量をインピーダンスアナライザで測定するとともに、圧電/電歪素子の寸法をマイクロメータで測定し、長辺方向伸び振動の基本波の共振周波数及び反共振周波数、静電容量並びに寸法から算出することにより得た。2歪率高電界印加時の歪率S4000ppmは、両主面の金電極に4kV/mmの電圧を印加したときの長辺方向の電界誘起歪を接着剤で電極に貼り付けた歪ゲージで測定することにより得た。3キュリー温度キュリー点測定装置東京工業株製、LCZメーターを用い、周波数1kHz、昇温速度5°C/分の条件で、室温から500°Cまでの誘電率を測定し、誘電率が最も高くなった温度をキュリー温度Tcとした。以下に記載する実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明の技術的範囲は、これらの例に限定されるものではない。本実施例においては、本発明に係る圧電/電歪焼結体において所望の圧電/電歪特性を得るための、前記第3成分由来のZnの好適な含有量について確認、検証する。評価用の圧電/電歪素子の製造評価用の圧電/電歪素子の製造にあたり、先ず、炭酸リチウムLi2CO3、酒石酸水素ナトリウム一水和物C4H5O6NaH2O、酒石酸水素カリウムC4H5O6K、酸化ニオブNb2O5、酸化タンタルTa2O5、酸化アンチモンSb2O3、二酸化マンガンMnO2、前記選択元素の源としての炭酸ストロンチウムSrCO3、炭酸バリウムBaCO3、酸化ジルコニウムZrO2、酸化亜鉛ZnO等の素原料の粉末を、焼成後の酸化物において所定の組成となるように秤量した。具体的には、本実施例においては、焼成後の酸化物圧電/電歪焼結体における前述の第1及び第2のペロブスカイト型酸化物の組成に関する各パラメータにつき、a=1.010、x=0.36、y=0.07、z=0.082、w=0.040、p=0.50、及びt=0.10で固定となるようにし、また、焼成後の酸化物における前記第1成分中の前記第1のペロブスカイト型酸化物100モル部に対し、Mnの原子換算の含有量は0.02モル部で固定とし、Srの原子換算の含有量は0.10モル部で固定とした。更に、焼成後の酸化物圧電/電歪焼結体における前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率は20molで固定となるようにした。尚、前記Znを主成分として含む第3成分本実施例ではZnOについては、表1に示すように、焼成後の酸化物における含有量が、Zn原子換算で、0.00mol比較例1、0.01mol、0.10mol、0.50mol、1.00mol、及び2.50mol実験例1~5、並びに3.00mol比較例2となるように調整した。続いて、秤量した素原料但し、第1成分中のMnO2及びSrCO3、並びにZnを主成分として含む第3成分本実施例ではZnOを除くの粉末に、分散媒としてアルコールを加え、ボールミルを使用して16時間にわたって混合した。さらに続いて、得られた混合原料を乾燥し、950°Cで5時間仮焼してボールミルで粉砕することを2回繰り返した。この過程において、1回目の仮焼後にSrCO3を、2回目の仮焼後にMnO2及びZnOを追加した。以上のようにして、本発明に係る圧電/電歪焼結体を得るための組成物の粉末を得た。得られた粉末を粗粉砕した後、500メッシュのふるいに通して粒度調整を行った。上記のようにして得られた原料粉末を、2×108Paの圧力で直径18mm、板厚5mmの円板形状にプレス成形した。そして、得られた成形体をアルミナ容器内に収納し、1150°Cで3時間焼成して、焼結体を得た。続いて、上記焼結体を長辺12mm×短辺3mm×厚み1mmの矩形形状に加工し、600~900°Cで熱処理を行った。その後、矩形試料の両主面にスパッタリングにより金電極を形成した。そして、これらの試料を70~100°Cのシリコンオイル中に浸漬し、両主面の金電極に5kV/mmの電圧を15分間印加して厚さ方向に分極処理を行った。圧電/電歪特性上記のようにして調製された評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31pm/V及び高電界印加時の歪率S4000ppmを測定した。それらの測定結果を以下の表1に示す。表1に示されているように、Znが全く添加されていない比較例1においては高電界印加時の歪率S4000が不十分である。これに対し、Zn添加量が0.01~2.50molである実験例1~5においては、圧電定数d31及び高電界印加時の歪率S4000がいずれも向上した。特に、比較例1を対象標準とした場合の高電界印加時の歪率S4000の向上率が顕著である。しかしながら、Zn添加量が3.00molである比較例2においては、Znが全く添加されていない比較例1と比較しても、圧電定数d31及び高電界印加時の歪率S4000がいずれも大幅に低下した。これは、焼成後の酸化物において、Zn由来の異相が生じたことに起因するものと考えられる。尚、キュリー温度については、本実施例にかかる実験例及び比較例のいずれにおいても、実用的な温度具体的には、200°C以上が達成されていた。以上の結果から、本発明に係る圧電/電歪結晶体において所望の圧電/電歪特性を得るための、前記第3成分由来のZnの好適な含有量は、0.01~2.50molであると結論付けられる。本実施例においては、本発明に係る圧電/電歪焼結体において所望の圧電/電歪特性を得るための、前記第1のペロブスカイト型酸化物と前記第2のペロブスカイト型酸化物との好適な比率について確認、検証する。評価用の圧電/電歪素子の製造焼成後の酸化物圧電/電歪焼結体において、前記Znを主成分として含む第3成分本実施例ではZnOの含有量をZn原子換算で0.50molで固定とし、かつ、前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率αを、0.0比較例3、0.1、0.3、0.5、及び0.75実験例6~9、並びに0.8比較例4となるように調整したことを除き、前述の実施例1と同様にして、本実施例において使用される評価用の圧電/電歪素子を調製した。圧電/電歪特性上記のようにして調製された評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31pm/V及び高電界印加時の歪率S4000ppmを測定した。それらの測定結果を以下の表2に示す。表2に示されているように、前記第2のペロブスカイト型酸化物菱面体晶が焼結体中に全く含まれていない比較例3においては、圧電定数d31が著しく小さく、また上記実施例1において確認された好適な量のZnが添加されているにもかかわらず、高電界印加時の歪率S4000の改善効果が不十分である。これに対し、前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率αが0.1mol以上、0.8mol未満の範囲にある実験例6~9においては、所望のレベル以上の圧電定数d31を達成しつつ、高電界印加時の歪率S4000が更に向上された。しかしながら、上記比率αが0.8である比較例4においては、焼結体の密度が不十分等の現象が発生し、これらの比較例に対応する前記組成物を焼成して所望の焼結体を得ることが出来ず、これらの組成における圧電/電歪特性を評価することは出来なかった。更に、比較例4においては、実用的なキュリー温度具体的には、200°C以上を達成することができなかった。以上の結果から、本発明に係る圧電/電歪結晶体において所望の圧電/電歪特性を得るための、前記第1のペロブスカイト型酸化物及び前記第2のペロブスカイト型酸化物の総和に対する前記第2のペロブスカイト型酸化物の比率αは、0.1mol以上、0.8mol未満の範囲にあると判断される。前述のように、特定の組成を有する正方晶成分、特定の組成を有する菱面体晶成分、及び酸化亜鉛を、焼成後の組成が特定の条件を満たすように配合して得られる圧電/電歪磁器組成物を調製し、これを焼成して得られる、本発明に係る圧電/電歪焼結体は、非鉛系の圧電/電歪焼結体であるにもかかわらず、低い焼成温度、高電界高歪率、及び高いキュリー温度Tcを兼備しつつ、PZT系の圧電/電歪焼結体を凌駕する圧電特性を達成することが出来る。尚、上記の説明は、すべての局面において例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。"