"処理真空チャンバを有するスパッタリング装置であって、前記処理真空チャンバ内にカソード電極が設けられ、前記カソード電極上にスパッタリングターゲット材料が設けられ、前記処理真空チャンバ内に基板が搬送され、前記基板が垂直方向に立てられた状態で前記カソード電極が前記基板面と平行に走査されることで、前記スパッタリングターゲット材料が前記基板に成膜されるスパッタリング装置。請求項1において、前記カソード電極の長手方向は前記処理真空チャンバの垂直方向に配置され、前記カソード電極が水平方向に走査されることで、前記スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。請求項1において、前記カソード電極の長手方向は前記処理真空チャンバの水平方向に配置され、前記カソード電極が垂直方向に走査されることで、前記スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記カソード電極は、平行平板方式またはロータリー方式であるスパッタリング装置。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記カソード電極は、DC電源またはRF電源に接続されているスパッタリング装置。請求項1乃至5のいずれかにおいて、前記基板の寸法は、1300mm×1500mm以上であるスパッタリング装置。請求項1乃至6のいずれかにおいて、前記スパッタリング装置はパターニング用メタルを有し、前記パターニング用メタルは、前記基板上に成膜される前記スパッタリングターゲット材料をパターニングし、前記パターニング用メタルは、前記処理真空チャンバと同電位に接続されるスパッタリング装置。請求項7において、前記処理真空チャンバ内に前記基板は二枚設けられ、前記二枚の基板の内の一方の基板が前記パターニング用メタルとアライメントされている間に、前記二枚の基板の内の他方の基板が垂直に立てられ、前記スパッタリングターゲット材料が前記他方の基板に成膜されるスパッタリング装置。請求項8において、長手方向が前記処理真空チャンバの垂直方向に配置された前記カソード電極が前記二つの基板の前を交互に水平方向に走査されることで、前記スパッタリングターゲット材料が前記二つの基板に成膜されるスパッタリング装置。請求項8において、長手方向が前記処理真空チャンバの水平方向に配置された前記カソード電極が垂直方向に走査されることで、前記スパッタリングターゲット材料が前記二つの基板に成膜されることを特徴とするスパッタリング装置。請求項1乃至10のいずれかのスパッタリング装置と、前記スパッタリング装置のカソード電極をライン状蒸着源に置き換えた蒸着装置と、前記スパッタリング装置および前記蒸着装置を連結する搬送チャンバと、前記スパッタリング装置内の基板および前記蒸着装置内の基板を搬入および搬出する搬送ロボットと、を有し、前記搬送ロボットは、前記蒸着装置内でライン状蒸着源によって蒸着材料が成膜された基板を前記蒸着装置から搬出し、前記スパッタリング装置に搬入し、前記スパッタリング装置内で、前記蒸着材料が成膜された基板に前記スパッタリングターゲット材料が成膜される成膜装置。請求項11において、前記スパッタリング装置内の基板上に形成された前記蒸着材料および前記スパッタリングターゲット材料は、有機ELの上部電極となる成膜装置。請求項11または12において、前記蒸着材料および前記スパッタリングターゲット材料はAlである成膜装置。処理真空チャンバを有するスパッタリング装置の成膜方法であって、前記処理真空チャンバ内にカソード電極が設けられ、前記カソード電極上にスパッタリングターゲット材料が設けられ、前記処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、前記カソード電極は矩形であり、前記基板が垂直に立てられた状態で前記カソード電極が前記基板面と平行に走査されて、前記スパッタリングターゲット材料が前記基板に成膜されるスパッタリング装置の成膜方法。請求項14のスパッタリング装置を用いた成膜装置の成膜方法であって、前記スパッタリング装置のカソード電極をライン状蒸着源に置き換えた蒸着装置と、前記スパッタリング装置および前記蒸着装置を連結する搬送チャンバと、前記スパッタリング装置内の基板および前記蒸着装置内の基板を搬入および搬出する搬送ロボットと、を有し、前記搬送ロボットは、前記蒸着装置内でライン状蒸着源によって蒸着材料が成膜された基板を前記蒸着装置から搬出し、前記スパッタリング装置に搬入し、前記スパッタリング装置内で、前記蒸着材料が成膜された基板に前記スパッタリングターゲット材料が成膜される成膜装置の成膜方法。AC放電方式は複数のターゲットを隣接して複数並べ、隣接する2つのターゲットを対としてその間を交互にカソード電位,アノード電位とすることで、交互にスパッタリングを行う方式である。基板が大型化してもターゲットの隣接する位置にアノード電位を確保することができるため、比較的均一な放電分布を得ることができ、膜厚分布が改善する。しかしながら、ターゲット対とターゲット対の間では放電しないため、ターゲット対毎に周期的な膜厚分布が原理的に発生する。また複数のターゲットを用いるため複数のカソード電極が必要となり、さらにターゲット対毎にAC電源が必要なため、1枚のターゲットを用いるDC放電やRF放電に比べターゲットコストや電源、装置コストが増大する課題がある。本発明は、上面搬送と、基板を略垂直に立てるクラスタ型のスパッタリング装置において、簡易な方法で膜厚分布を改善し、また、装置コストやターゲット等のランニングコストを低減することを第一の目的とする、また、上面搬送し、基板を垂直に立ててライン状の蒸着源で成膜するクラスタ型の蒸着装置と整合性よく連結できるスパッタリング装置を提供し、蒸着膜の薄いバッファ層上に厚いスパッタリング膜を成膜することで、有機層へのダメージを防止し、低抵抗の上部電極膜を形成できる有機デバイス製造装置を実現する方法を提供することを第二の目的とする。上記課題を解決するための本発明の特徴は以下の通りである。1処理真空チャンバを有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。2上記1において、カソード電極の長手方向は処理真空チャンバの垂直方向に配置され、カソード電極が水平方向に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。3上記1において、カソード電極の長手方向は処理真空チャンバの水平方向に配置され、カソード電極が垂直方向に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。4上記1乃至3のいずれかにおいて、カソード電極は、平行平板方式であるスパッタリング装置。5上記1乃至4のいずれかにおいて、カソード電極は、DC電源またはRF電源に接続されているスパッタリング装置。6上記1乃至5のいずれかにおいて、基板の寸法は、1300mm×1500mm以上であるスパッタリング装置。7上記1乃至6のいずれかにおいて、スパッタリング装置はパターニング用メタルを有し、パターニング用メタルは、基板上に成膜されるスパッタリングターゲット材料をパターニングし、パターニング用メタルは、処理真空チャンバと同電位に接続されるスパッタリング装置。8上記7において、処理真空チャンバ内に基板は二枚設けられ、二枚の基板の内の一方の基板がパターニング用メタルとアライメントされている間に、二枚の基板の内の他方の基板が垂直に立てられ、スパッタリングターゲット材料が他方の基板に成膜されるスパッタリング装置。9上記8において、長手方向が処理真空チャンバの垂直方向に配置されたカソード電極が二つの基板の前を交互に水平方向に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が二つの基板に成膜されるスパッタリング装置。10上記8において、長手方向が処理真空チャンバの水平方向に配置されたカソード電極が垂直方向に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が二つの基板に成膜されることを特徴とするスパッタリング装置。11上記1乃至10のいずれかのスパッタリング装置と、スパッタリング装置のカソード電極をライン状蒸着源に置き換えた蒸着装置と、スパッタリング装置および蒸着装置を連結する搬送チャンバと、スパッタリング装置内の基板および蒸着装置内の基板を搬入および搬出する搬送ロボットと、を有し、搬送ロボットは、蒸着装置内でライン状蒸着源によって蒸着材料が成膜された基板を蒸着装置から搬出し、スパッタリング装置に搬入し、スパッタリング装置内で、蒸着材料が成膜された基板にスパッタリングターゲット材料が成膜される成膜装置。12上記11において、スパッタリング装置内の基板上に形成された蒸着材料およびスパッタリングターゲット材料は、有機ELの上部電極となる成膜装置。13上記11または12において蒸着材料およびスパッタリングターゲット材料はAlである成膜装置。14処理真空チャンバを有するスパッタリング装置の成膜方法であって、処理真空チャンバ内にカソード電極が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されて、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置の成膜方法。15上記14のスパッタリング装置を用いた成膜装置の成膜方法であって、スパッタリング装置のカソード電極をライン状蒸着源に置き換えた蒸着装置と、スパッタリング装置および蒸着装置を連結する搬送チャンバと、スパッタリング装置内の基板および蒸着装置内の基板を搬入および搬出する搬送ロボットと、を有し、搬送ロボットは、前記蒸着装置内でライン状蒸着源によって蒸着材料が成膜された基板を前記蒸着装置から搬出し、スパッタリング装置に搬入し、スパッタリング装置内で、蒸着源が成膜された基板にスパッタリングターゲット材料が成膜される成膜装置の成膜方法。本発明によれば、上面搬送と、基板を垂直に立てて成膜するスパッタリング装置において、基板が大形化しても膜厚分布がよいスパッタリング装置を実現することができる。上記した以外の課題,構成及び効果は以下の実施形態の説明により明らかにされる。以下、図面等を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の説明は本発明の内容の具体例を示すものであり、本発明がこれらの説明に限定されるものではなく、本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。また、本発明を説明するための全図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する場合がある。<スパッタリング装置の実施形態一>図1は、本発明の一実施形態のスパッタリング装置の構造を模式的に示す概略図である。図1のように、処理真空チャンバ10の水平方向および処理真空チャンバ10の垂直方向を規定する。図1におけるスパッタリング装置は概略、処理真空チャンバ10,搬送チャンバ図示せずとの間に真空を維持するためにゲート弁20,基板受け渡し部30,基板を略垂直に立てるための駆動部40,パターニング用メタル50,カソード電極60,カソード電極60の上に設置されたスパッタリングターゲット材料図示せずで構成される。カソード電極60は、略垂直に立てられた基板と正対し、カソード電極60の長手方向が処理真空チャンバ10内の垂直方向に配置されている。カソード電極60の長手方向が立てられた基板の高さ方向の辺より長く、基板の高さ方向の辺と略垂直なもう一方の辺より短い略矩形状で左右に走査可能な平行平板方式である。カソード電極60の短辺側を走査方向の基板長より短くすることで、カソード電極60全体が基板全面を走査できるようにする。この際、走査速度を一定に保つことで、高い膜厚均一性を得ることが可能である。カソード電極60の長手方向についても、カソード電極背面の永久磁石63図2の均一配置や、必要によりカソード電極60の前のシールド電極62図2に補正板を取り付けることにより、高い膜厚均一性を得ることが可能である。カソード電極60として矩形カソードを用いる平行平板方式以外に、円筒カソードを用いるロータリー式でもよい。ターゲットコストを低くすること、成膜速度を速くできること、電極を厚く形成できることを考慮して平行平板方式が望ましい。カソード電極60の形状は、基板と対向する領域が少なくとも矩形、または円筒であればよく、端面などを含め厳密な矩形や円筒である必要はない。カソード電極60の端部が湾曲していても良いし、テーパー形状となっていても良い。カソード電極60の断面形状が長方形,台形となっていてもよい。図1では、カソード電極60の走査方向が1軸水平方向の往復運動のみとなるので、カソード電極60の駆動機構が単純になる。まず、ゲート弁20が開けられ、処理真空チャンバ10に連結された搬送チャンバ図示せずの搬送ロボットにより上面搬送にて基板が基板受け渡し部30に搬入される。搬送ロボットは、櫛歯状ハンドを上下二段に2本有し、例えば上は搬入用、下は搬出用とし、一つの動作で搬入出処理を同時に行うことができる。なお、本発明の成膜方式は上面搬送以外に下面搬送でも垂直搬送でも適用可能であるが、前記したように上面搬送により、下面搬送で生じる基板の大型化に伴うタワミを抑制できる。次に、搬入された基板を駆動部40により、略垂直に立てたのち、パターニング用メタル50とのアライメントを行う。パターニング用メタル50として、メタルマスクやメタルフレームが挙げられる。メタルマスクは、画素単位の微小開口パターンに用いられ、厚さ01mm程度の薄い金属シート状である。メタルフレームは、パネル単位の格子状の金属枠であり、厚さ数mm程度の金属構造物である。パターニング用メタル50は、成膜する膜を画素毎、またはパネル毎に分割パターニングするために用いられると同時に、処理真空チャンバ10と同電位に設置され、スパッタリングの際のアノード電位としても機能する。パターニング用メタル50と処理真空チャンバ10とを必ずしも同電位にする必要はなく、意図的にパターニング用メタル50に電位をかけてもよい。パターニング用メタル50と処理真空チャンバ10とを同電位にすることにより、安定で均一な分布の放電が得られ、膜厚均一性が向上する。次に、カソード電極60を処理真空チャンバ10内で基板面と平行に走査し、基板全面に上部電極膜を成膜する。成膜は基板面の前を少なくとも1回、望ましくは往復で2回カソード電極60を走査することにより行うが、3回以上走査して行うことも可能である。本実施例の構成により、上部電極膜の厚みを数nm~数μmまで幅広く成膜できる。有機EL用の上部電極膜であれば、スパッタリングにより成膜された上部電極膜の厚みは100nm~300nmとなる。上部電極膜の最大膜厚と最小膜厚との差が上部電極膜の平均膜厚の2以内となる上部電極膜が容易に得られる。基板受け渡し部30は1箇所でもよいが、本実施例では処理真空チャンバ10内に2箇所設けた。これにより、1枚の基板をアライメントしている間にもう1枚をスパッタリング成膜することが可能であり、生産性が向上する。つまり、1つの成膜チャンバでアライメントと成膜を交互に行うことにより、生産性を向上することができる。この場合、カソード電極60は2枚の基板の中央をホームポジションとし、左右に往復走査して成膜することで無駄な走査をすることなく効率的な成膜が可能である。図2はカソード電極60の概略図である。カソード電極60は、シールド電極62およびマグネトロン放電のための背面の永久磁石63で構成される。スパッタリングターゲット材料61はカソード電極60上で矩形状あるいは、四隅をR加工した略矩形状のものを用いる。カソード電極60は長手方向が基板の高さ方向の辺より長く、基板の高さ方向と略垂直なもう一方の辺より短い。スパッタリングターゲット材料61はカソード電極60上で1枚の構成が望ましいが、分割ターゲットを用いても構わない。スパッタリングターゲット材料61としては、アルミニウム,アルミニウム合金,銀,銀合金,マグネシウム合金などの金属、ITO,IZO,AZOなどの透明電極、SiO2やSi3N4などの酸化物、窒化物,IGZOなどの酸化物半導体などが挙げられる。スパッタリングターゲット材料61の周りは処理真空チャンバ10と同電位に設置されたシールド電極62で囲まれる。カソード電極60の背面には磁場でプラズマを閉じ込めるための永久磁石63が配される。永久磁石63は固定でもよいが、エロージョン部を均一化し、スパッタリングターゲット材料61の利用効率を向上できるように揺動式としてもよい。カソード電極60の電源線および冷却水はカソード電極60を真空中で走査できるように、フレキシブル配管64などを介して供給される。あるいは、カソード電極60の電源線および冷却水を内蔵したロボットアームにカソード電極60を取り付け、ロボットアームとカソード電極60の間を、固定配管を介して接続してもよい。カソード電極60はDCまたはRF電源に接続されている図示せず。カソード電極60をDC電源に接続することにより、低コスト、高レートの成膜が可能となる。カソード電極60をRF電源に接続することにより、金属だけでなく絶縁膜も成膜できる。このように、最低で1台のDC電源やRF電源を用い、インライン型のスパッタリング装置で用いられる安価な略矩形状スパッタリングターゲット材料61と略矩形状カソード電極60を用いることで、装置コストやランニングコストを抑えることができる。<スパッタリング装置の実施形態2>図3は、本発明の別な一実施形態のスパッタリング装置の構造を模式的に示す概略図である。図1におけるスパッタリング装置と概略同じであるが、略垂直に立てられた基板と正対し、長手方向が立てられた基板の幅より長く、それと略垂直なもう一方の辺より短い略矩形状で上下に走査可能な平行平板方式のカソード電極60と、カソード電極60の上に設置されたスパッタリングターゲット材料図示せずで構成される。この場合、カソード電極60はスパッタリング装置の左右の基板の前に交互に移動した後、基板面と平行に上下方向に走査し、成膜を行う。第55~第6世代以上の基板に対応した処理真空チャンバ10のサイズは非常に大きいので、図3のようにカソード電極60の長手方向が処理真空チャンバ10内の水平方向に配置されていれば、スパッタリングターゲット交換のメンテナンスの際、カソード電極60を処理真空チャンバ10の下まで下ろしてカソード電極60上のスパッタリングターゲット材料61を取替える作業がしやすくなる。<スパッタリング装置と蒸着装置のクラスタ化の実施形態>図4は、本発明の一実施例の蒸着装置を模式的に示す概略図である。基本的なチャンバの構造は、図1に示したスパッタリング装置と同じであるが、カソード電極60の代わりに、複数の蒸着源を一列に並べたリニア蒸着源70に置き換えている点が異なる。リニア蒸着源70は略矩形状であり、リニア蒸着源70の長手方向は立てられた基板の高さ方向の辺より長く、基板の高さ方向と略垂直なもう一方の辺より短い。蒸着源には、PBNやアルミナなどのセラミック坩堝などを抵抗加熱または誘導加熱したものなどを用いることができる。リニア蒸着源70を処理真空チャンバ10内で基板面と平行または垂直に走査し、基板全面に上部電極膜蒸着材料を成膜する。有機EL用の上部電極であれば、蒸着により成膜された上部電極膜の膜厚は10nm~20nmとなる。蒸着により成膜された上部電極膜の膜厚は、スパッタリングにより成膜された上部電極膜の膜厚より小さくなる。電源線や冷却水もスパッタリング装置と同様のフレキシブル配管図示せずや、カソード電極60の電源線および冷却水を内蔵したロボットアームと固定配管を介して接続することにより蒸着源に供給することができる。これにより、スパッタリング装置と蒸着装置を同一の処理真空チャンバ10を用いて作成することが可能であり、整合性よく連結することができる。図3のスパッタリング装置のチャンバ構造で、カソード電極60を複数の蒸着源を一列に並べたリニア蒸着源70に置き換えた蒸着装置としてもよい。略矩形状カソード電極60をライン状リニア蒸着源70に置き換えることで、同じクラスタ型の処理真空チャンバ10の設計で、蒸着装置とスパッタリング装置を製造することができる。<有機デバイス製造装置の実施形態>図5は、本発明の一実施例のスパッタリング装置と蒸着装置をクラスタ化して連結した有機デバイス製造装置の模式図である。本実施形態では有機EL用の装置の例を示す。有機ELデバイス製造装置は、基板カセット130から基板を搬入するロード室80、基板上に有機層およびバッファ層、上部電極を成膜する蒸着装置またはスパッタリング装置の処理真空チャンバ10、ロード室80あるいは次工程封止工程との間の設置された受け渡し室90とそれらの間のゲート弁20、基板を真空中から取り出すアンロード室100,受け渡し室90,アンロード室100内にある搬送ロボット110から構成される。処理真空チャンバ10内には基板受け渡し部30、基板を略垂直に立てるための駆動部図示せず、パターニング用メタル50図示せず、略矩形状のリニア蒸着源70またはカソード電極60で構成される。ロード室80およびアンロード室100は、真空を維持するためにゲート弁20と搬送チャンバ120より基板を受取り、旋回して受け渡し室90に基板を搬入する搬送ロボット110からなる。搬送チャンバ120はスパッタリング装置,蒸着装置などを連結する。搬送チャンバ120を介して処理真空チャンバ10をクラスタ化して連結することで、有機EL等の有機デバイスに適した蒸着膜とスパッタリング膜を積層した上部電極を成膜できる。各受け渡し室90は前後にゲート弁20を有し、当該ゲート弁20の開閉を制御し真空を維持しながらロード室80から処理真空チャンバ10の各クラスタへ基板を受け渡し、最後にアンロード室100から基板を取り出す。本実施例の有機EL製造装置では計10個の処理真空チャンバ10を連結し、下部電極,ホール注入層,ホール輸送層,赤,緑,青の発光層,電子輸送層,電子注入層,バッファ層、および上部電極を成膜することが可能である。図4における蒸着装置によりAlの上部電極膜を成膜してから、図1や図3におけるスパッタリング装置によりAlの上部電極膜を成膜して、積層された上部電極を形成することにより、大面積,高速の蒸着が困難なAlを用いた上部電極を第55~第6世代以上の大型基板へ適用でき、スパッタリングが有機層に与えるダメージを軽減できる。"