インバータメインと、上記インバータメインと電気的に接続したインバータサブと、上記インバータサブと電気的に接続したフィルタリアクトルとを有し、上記インバータサブが、3つのインバータサブユニットと、上記3つのインバータサブユニットを一緒に搭載するヒートシンクと、上記ヒートシンクの周囲を囲んで設置された枠体と、天井部と上記天井部の両端から同方向で且つ略垂直に延在する2つの壁部と上記天井部の下方で両方の上記壁部と接合している棚部とでなり、且つ上記壁部における上記天井部と反対側の端部が上記枠体と接合している覆体とを有し、上記3つのインバータサブユニットが、上記壁部の面に対して垂直な方向に並んで配置されており、上記インバータサブユニットを形成する2つの半導体素子ブロックが、上記壁部の面と平行な方向に並んで上記ヒートシンクに載置されており、上記インバータサブユニットを形成するコンデンサ基板が、その板面を、上記2つの半導体素子ブロックが並んだ方向と略平行で、上記ヒートシンクの面に対して略垂直にして、上記2つの半導体素子ブロックの横の上記ヒートシンクの面に設置されており、上記インバータサブユニットを形成する2つのゲート基板が、積み重ねられた積層体の状態で、上記棚部に設置されており、上記覆体が、3つの上記インバータサブユニットを形成する、上記半導体素子ブロックと上記コンデンサ基板と上記ゲート基板との全てを覆っており、且つ上記2つの半導体素子ブロックの整列方向の面が開口しているインバータ装置を備えた電力変換装置。上記インバータサブユニットの一方の半導体素子ブロックにおける覆体の開口側に端子を有し、上記インバータサブユニットの他方の半導体素子ブロックにおける上記覆体の開口側にコネクタを有するインバータ装置を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。上記端子にフィルタリアクトルからの導体を接続し、上記コネクタにインバータメインに設けられたコネクタを接続したインバータ装置を備えたことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。特許文献1に記載のインバータ装置では、各インバータユニットを形成する半導体素子群が、1つのヒートシンクに設置されている。しかし、インバータユニットには、半導体素子群のみならず、コンデンサやスイッチング素子を制御するための基板等の部品も含まれており、これらを考慮すると、3相の交流出力に対応した3つのインバータユニットを、1つのヒートシンクに搭載しても、インバータ装置の小型化、すなわち、インバータ装置を備えた電力変換装置の小型化は図れないとの問題があった。本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、3相分まとめて1つのヒートシンクに搭載されたインバータユニットが、半導体素子群とコンデンサや制御基板等の部品とで構成されていても、インバータ装置を小型化でき、全体の小型化が可能な電力変換装置を得ることである。本発明に係わる電力変換装置は、インバータメインと、インバータメインと電気的に接続したインバータサブと、インバータサブと電気的に接続したフィルタリアクトルとを有し、インバータサブが、3つのインバータサブユニットと、3つのインバータサブユニットを一緒に搭載するヒートシンクと、ヒートシンクの周囲を囲んで設置された枠体と、天井部と天井部の両端から同方向で且つ略垂直に延在する2つの壁部と天井部の下方で両方の壁部と接合している棚部とでなり、且つ壁部における天井部と反対側の端部が枠体と接合している覆体とを有し、3つのインバータサブユニットが、壁部の面に対して垂直な方向に並んで配置されており、インバータサブユニットを形成する2つの半導体素子ブロックが、壁部の面と平行な方向に並んでヒートシンクに載置されており、インバータサブユニットを形成するコンデンサ基板が、その板面を、2つの半導体素子ブロックが並んだ方向と略平行で、ヒートシンクの面に対して略垂直にして、2つの半導体素子ブロックの横のヒートシンクの面に設置されており、インバータサブユニットを形成する2つのゲート基板が、積み重ねられた積層体の状態で、棚部に設置されており、覆体が、3つのインバータサブユニットを形成する、半導体素子ブロックとコンデンサ基板とゲート基板との全てを覆っており、且つ2つの半導体素子ブロックの整列方向の面が開口しているインバータ装置を備えたものである。本発明に係わる電力変換装置は、インバータメインと、インバータメインと電気的に接続したインバータサブと、インバータサブと電気的に接続したフィルタリアクトルとを有し、インバータサブが、3つのインバータサブユニットと、3つのインバータサブユニットを一緒に搭載するヒートシンクと、ヒートシンクの周囲を囲んで設置された枠体と、天井部と天井部の両端から同方向で且つ略垂直に延在する2つの壁部と天井部の下方で両方の壁部と接合している棚部とでなり、且つ壁部における天井部と反対側の端部が枠体と接合している覆体とを有し、3つのインバータサブユニットが、壁部の面に対して垂直な方向に並んで配置されており、インバータサブユニットを形成する2つの半導体素子ブロックが、壁部の面と平行な方向に並んでヒートシンクに載置されており、インバータサブユニットを形成するコンデンサ基板が、その板面を、2つの半導体素子ブロックが並んだ方向と略平行で、ヒートシンクの面に対して略垂直にして、2つの半導体素子ブロックの横のヒートシンクの面に設置されており、インバータサブユニットを形成する2つのゲート基板が、積み重ねられた積層体の状態で、棚部に設置されており、覆体が、3つのインバータサブユニットを形成する、半導体素子ブロックとコンデンサ基板とゲート基板との全てを覆っており、且つ2つの半導体素子ブロックの整列方向の面が開口しているインバータ装置を備えたものあり、電力変換装置の小型化を可能にする。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係わる電力変換装置を構成するインバータ装置の回路図である。図1に示すように、本実施の形態の電力変換装置におけるインバータ装置は、インバータメイン1と、インバータメイン1と導体で電気的に接続されたインバータサブ2とを備えており、インバータメイン1は1つのユニットで構成されており、インバータサブ2は、3つのインバータサブユニット3で構成されている。また、各インバータサブユニット3は、フィルタリアクトル4とも導体で電気的に接続されている。また、1つのインバータサブユニット3は、2つの半導体素子ブロック5と各半導体素子ブロック5に接続されたコンデンサとを備えている。そして、各半導体素子ブロック5は、4つのトランジスタと各トランジスタに逆並列に接続されたダイオードとでなる4つの半導体素子対で形成されている。この他の2つのインバータサブユニット3も同様である。図2は、図1に示した回路構成のインバータ装置における従来のインバータサブに用いられるインバータサブユニットを示す、正面模式図aと、A-A断面模式図bと、B-B断面模式図cとである。従来のインバータサブは、各インバータサブユニットが別々になっており、図2は、その内の1つのインバータサブユニット23を示している。図2に示すように、従来のインバータサブユニット23は、フィンを有するヒートシンク20に、単独で搭載されている。残りの2つのインバータサブユニットの各々も、ヒートシンク20に、単独で搭載されている。また、従来の1つのインバータサブユニット23は、2つの半導体素子ブロック5とコンデンサ基板6と枠体27と覆体28とゲート基板9とを備えている。枠体27は、板状であり、ヒートシンク20の周囲を囲んで設置されている。覆体28は、天井部28aと天井部28aの両端から、同方向で、且つ略垂直に延在する2つの壁部28bとを有し、2つの壁部28bにおける天井部28aと反対側の端部が、枠体27と接合している。ゲート基板9は、覆体28の、天井部28aの外表面と1つの壁部28bの外表面の各々に、設置されている。2つの半導体素子ブロック5は、覆体28の壁部28bの面に対して略垂直な方向に並んで、ヒートシンク20に載置されている。コンデンサ基板6は、矩形状の板状体であり、板面が、2つの半導体素子ブロック5が並んだ方向と略平行で、ヒートシンク20の面に対して略垂直になるように、ヒートシンク20における2つの半導体素子ブロック5の後方に設置されている。すなわち、コンデンサ基板6は、その幅方向を覆体28の壁部28bの面に対して垂直な方向とし、ヒートシンク20の面から突出するようにして、ヒートシンク20の面に設置されている。また、コンデンサ基板6は、コンデンサが搭載されるので、厚さが厚くなっている。また、覆体28は、2つの半導体素子ブロック5とコンデンサ基板6とを覆っている。他の2つのインバータサブユニットも同様である。図1に示す回路構成のインバータにおける、従来のインバータサブユニットは、上記のような構造であるので、3つのインバータサブユニットを1つのヒートシンクに、何ら工夫することなしに搭載しても、図2に示すように、覆体28の壁部28b間にあるコンデンサ基板6の幅が広いとともに、覆体28の壁部28bの外側にゲート基板9が設置されているので、ヒートシンクを小さくすることができず、インバータサブを小型化することができない。すなわち、インバータ装置およびこのインバータ装置を用いた電力変換装置を小型化することができない。図3は、本発明の実施の形態1に係わる電力変換装置を構成するインバータ装置のインバータサブを示す、正面模式図aと、C-C断面模式図bと、D-D断面模式図cとである。図3に示すインバータサブは、図1の回路図に示したインバータサブ2である。図3に示すように、本実施の形態のインバータサブ2は、3つのインバータサブユニット3を、フィンを有する1つのヒートシンク10に搭載して形成されている。インバータサブユニット3は、2つの半導体素子ブロック5と1つのコンデンサ基板6と2つのゲート基板9を備えている。すなわち、インバータサブ2は、3つのインバータサブユニット3に対応した、6つの半導体素子ブロック5と3つのコンデンサ基板6と6つのゲート基板9、および、枠体7と覆体8とを備えている。枠体7は、板状であり、ヒートシンク10の周囲を囲んで設置されている。覆体8は、天井部8aと天井部8aの両端から、同方向で、且つ略垂直に延在する2つの壁部8bと、天井部8aの下方で両方の壁部8bと接合している棚部8cとを有し、2つの壁部8bにおける天井部8aと反対側の端部が、枠体7と接合している。ゲート基板9は、1つのインバータサブユニットに用いられる2つが積み重ねられた積層体となっており、3つのインバータサブユニット3に対応した3組のゲート基板積層体9aが、壁部間の方向に並んで棚部8cに設置されている。各インバータサブユニット3は、壁部8bの面に対して垂直な方向に並んで配置されている。各インバータサブユニット3における2つの半導体素子ブロック5は、覆体8の壁部8bの面と平行な方向に並んで、ヒートシンク10に載置されている。各コンデンサ基板6は、矩形状の板状体であり、板面が、各インバータサブユニット3の2つの半導体素子ブロック5が並んだ方向と略平行で、ヒートシンク10の面に対して略垂直方向になるようにして、対応するインバータサブユニット3における2つの半導体素子ブロック5の横図3aでは右横のヒートシンク10の面に設置されている。すなわち、各コンデンサ基板6は、その幅方向を、覆体8の壁部8bの面と略平行な方向とし、ヒートシンク10の面から突出するようにして、ヒートシンク10の面に設置されている。また、各コンデンサ基板6は、コンデンサが搭載されるので、厚さが厚くなっている。また、覆体8は、3つのインバータサブユニット3を形成する、6つの半導体素子ブロック5と3つのコンデンサ基板6と6つのゲート基板とを覆っており、2つの半導体素子ブロック5の整列方向の面が開口している。本実施の形態のインバータ装置のインバータサブ2は、各々のインバータサブユニット3を形成する2つの半導体素子ブロック5が、覆体8の壁部8bの面と平行な方向に並んでおり、各コンデンサ基板6が、2つの半導体素子ブロック5と並ぶとともに、その幅方向が覆体8の壁部8bの面と略平行な方向となっており、3組のゲート基板積層体9aが、覆体8の棚部8cに設置されているので、3つのインバータサブユニットを1つの小さいヒートシンクに搭載でき、インバータサブの小型化を可能にするので、インバータ装置およびこのインバータ装置を用いた電力変換装置を小型化できる。実施の形態2.図4は、本発明の実施の形態2に係わる電力変換装置を構成するインバータ装置のブロック図である。図4に示すように、本実施の形態のインバータ装置のインバータサブ32は、各インバータサブユニットにおける2つの半導体素子ブロックの、各一方の半導体素子ブロック5に端子11を設け、各他方の半導体素子ブロック5にコネクタ13を設けた以外、実施の形態1のインバータサブ2と同様である。本実施の形態のインバータサブ32も、実施の形態1のインバータサブ2と同様に、インバータサブ32の覆体は、各インバータサブユニットを形成する2つの半導体素子ブロック5の整列方向には壁部がなく、開口している。そこで、図4に示すように、端子11は、2つの半導体素子ブロック5の一方の半導体素子ブロック5における覆体の開口側に設けられており、コネクタ13は、2つの半導体素子ブロック5の他方の半導体素子ブロック5における覆体の開口側に設けられている。本実施の形態では、インバータサブ32が上記のような構造になっているので、図4に示すように、インバータサブ32の端子11の各々を、フィルタリアクトル4からの導体12との接続に用いると、導体12を短くでき、導体12の発熱を減らすことが可能となり、電力変換装置を構成するインバータ装置の効率を向上することができる。また、インバータサブ32のコネクタ13の各々を、インバータメイン31のコネクタ14との接続に用いると、インバータサブ32とインバータメイン31とを接続する導体を無くすことができ、導体の発熱を減らすことが可能となり、電力変換装置を構成するインバータ装置の効率を向上することができる。