"W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体及びSiCからなる相を備えることを特徴とするWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス。SiC:5~30mol、W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体中のMoC:5~25mol、残余W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体中のWCからなる相を備えていることを特徴とする請求項1記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス。Cr3C2、VC、TaC、ZrC、NbCの中から選択した1種以上を合計で5mol以下を含有することを特徴とする請求項1又は2記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス。ヤング率E:590GPa以上、ビッカース硬度Hv:20GPa以上を備えていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス。WC粉末とSiC粉末とMo2C粉末とC粉末からなる混合粉末であって、焼結中にMo2CとCの反応によってMoCが生成するようにMo2CとCを等モル比に混合した混合粉末を予備成型し、この予備成型体を加熱焼結し、焼結中に反応を起こさせることによって、W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体相と5~30molのSiC相を備えた焼結体を得ることを特徴とするWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス焼結体の製造方法。上記混合粉末に、Cr3C2、VC、TaC、ZrC、NbCの中から選択した1種以上を合計で5mol以下を添加することを特徴とする請求項5記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス焼結体の製造方法。本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、WCの持つ特性すなわち、高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるWC基W-Mo-SiC系複合セラミックス及びその製造方法を提供することにある。以上から、次の発明を提供するものである。1W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体及びSiCからなる相を備えることを特徴とするWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス。2SiC:5~30mol、W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体中のMoC:5~25mol、残余W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体中のWCからなる相を備えていることを特徴とする上記1記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス。3Cr3C2、VC、TaC、ZrC、NbCの中から選択した1種以上を合計で5mol以下を含有することを特徴とする上記1又は2記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス。4ヤング率E:590GPa以上、ビッカース硬度Hv:20GPa以上を備えていることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックスを提供する。また、本願は、次の発明を提供する。5WC粉末とSiC粉末とMo2C粉末とC粉末からなる混合粉末であって、焼結中にMo2CとCの反応によってMoCが生成するようにMo2CとCを等モル比に混合した混合粉末を予備成型し、この予備成型体を加熱焼結し、焼結中に反応を起こさせることによって、W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体相と5~30molのSiC相を備えた焼結体を得ることを特徴とするWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス焼結体の製造方法。6上記混合粉末に、Cr3C2、VC、TaC、ZrC、NbCの中から選択した1種以上を合計で5mol以下添加することを特徴とする上記5記載のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス焼結体の製造方法。以上から、本願発明は、SiCをCoの代替とし、SiCによりW1-xMoxC固溶体の生成を促進することによってWCが本来持つ性質を低下させずにWC量を削減するもので、同時に、予備的なW1-xMoxC固溶体粉末を合成するという工程の省略によって製造過程を省エネルギー化するという優れた効果を有する。本発明の高ヤング率、高硬度の特性を有するWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックスは、W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体及びSiCからなる相を有する。さらに、この相は、SiC:5~30mol、W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体中のMoC:5~25mol、残余W1-xMoxCx=0.05~0.25固溶体中のWCからなる相からなる。前記固溶体W1-xMoxCにおけるxの、より好ましい範囲は、x=0.05~0.2である。本発明の高ヤング率、高硬度の特性を有するWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックスは、さらにCr3C2、VC、TaC、ZrC、NbCの中から選択した1種以上を合計で5mol以下を含有させることができる。本発明のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックスは、ヤング率E:590GPa以上、ビッカース硬度Hv:20GPa以上を有する。本発明のWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス焼結体の製造に際しては、WC粉末とSiC粉末とMo2C粉末とC粉末からなる混合粉末を使用すると共に、焼結中にMo2CとCの反応によってMoCが生成するようにMo2CとCを等モル比に混合する。そして、これらの混合粉末を予備成型した後、加熱焼結する。この焼結中にW1-xMoxC固溶体を生じる反応を効果的に起こさせることによって、x=0.05~0.25固溶体相と5~30molのSiC相を備えた焼結体を得る。また、上記粉末に、Cr3C2、VC、TaC、ZrC、NbCの中から選択した1種以上を合計で5mol以下添加することにより、これらを含有するWC基W-Mo-Si-C系複合セラミックス焼結体を製造することができる。次に、実施例及び比較例に基づいて本発明を説明する。なお、本実施例は下記の試験等に基づいて、より好適な実施の一例を提示するものであり、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。したがって、本発明の技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て本発明に含まれる。高温で1-xWCx/2Mo2Cx/2C→W1-xMoxCx=0.05~0.25式1の反応を生じさせると、理想的に反応が進めば、W1-xMoxC固溶体が合成される。比較例1まず、表1に示す比較例1について説明する。この比較例1は、SiCを添加しない場合で、WC粉末とMo2CとCを等モル比にしたMo2C粉末とC粉末を混合し、1700°Cで通電加圧焼結したときに得られたセラミックスの生成物の分析結果である。理想通りに反応が進めばx=0.05~0.3のW1-xMoxC固溶体が合成されるが、Mo2Cが残留し、完全な固溶体は得られなかった。1800°Cに温度を上げても、Mo2Cが残留し、完全な固溶体は得られなかった。このように,SiCを添加しない場合,式1の反応が完全に進行することはなかった実施例1表2の試料No.1-No.4に示す実施例1は、SiCを添加した場合で、WC粉末とMo2CとCを等モル比にしたMo2C粉末とC粉末とSiC粉末を混合し、比較例1より100°C低い1600°Cで通電加圧焼結したときに得られたセラミックスの生成物および機械的性質の結果である。x=0.2でSiCを5~20mol変化させて焼結すると、式1の反応が完全に起こり、いずれもMo2Cが残留せずに、W1-xMoxC固溶体が生成して緻密化しており、ヤング率は620GPa以上、硬さは23GPa以上であった。比較例2表2の試料No.5に比較例2を示すが、x=0.3でSiCを5~20mol変化させて焼結すると、体積率で3.6volの少量のMo2Cが残留した。このことからx=0.3では、表2に示すようにヤング率及びビッカース硬さが低下する結果となり、本願発明の目的を達成することができなかった。実施例2表3の試料No.6-No.11に示す実施例2は、SiCを添加した場合で、WC粉末とMo2CとCを等モル比にしたMo2C粉末とC粉末とSiC粉末を混合し、1700°Cで通電加圧焼結したときに得られたセラミックスの生成物および機械的性質の結果である。x=0.05~0.2、SiC含有量が5~30molでは、いずれも、Mo2Cが残留せずに、W1-xMoxC固溶体が生成して緻密化しており、ヤング率は590GPa以上、硬さは20GPa以上であった。比較例3表3の試料No.12に比較例3示す。この比較例3はx=0.4としたものであるが、Mo2Cが残留し、完全な固溶体化は起こらなかった。そして、表3に示すようにヤング率及びビッカース硬さが低下する結果となり、本願発明の目的を達成することができなかった。これは、上記比較例2と同様の結果であった。"