"基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有し、前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。前記磁石の配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、請求項1に記載の薄膜形成装置。基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有し、前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する第1の磁石と、前記電極板の外側に、前記第1の磁石と並行するように設けられ、前記成膜空間に向く端部の極性が前記第1の磁石の前記極性と異なる第2の磁石と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。前記磁石のそれぞれの配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、請求項2に記載の薄膜形成装置。基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有し、前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を一組として、複数の組が平面上に並列し、前記磁石の前記極性は、隣接する組の磁石の極性とお互いに異なる、ことを特徴とする薄膜形成装置。前記複数の組それぞれにおける前記磁石の配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、請求項5に記載の薄膜形成装置。前記ガス導入部は、前記ガスの他に前記薄膜を形成する原料成分を含む原料ガスを導入し、前記ガスを、基板に堆積する前記原料成分を反応させる反応ガスとして導入することにより、原子層単位で前記薄膜を形成する、請求項1~6のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。しかし、上記プラズマ生成装置を、ALD法を用いる薄膜形成装置に用いた場合、従来のCVD装置等に比べて成膜空間内の圧力が高く、しかも、基板に原料ガスの成分を吸着させるために流す原料ガスの消費を抑制するために成膜空間が狭く構成されているので、成膜空間内に原料を流してプラズマを生成しようとするとき、高周波アンテナ導体近傍ではなく、部分的に狭くなった局所的な凹状の空間で異常放電が発生し、この部分でプラズマが支配的かつ安定的に発生する場合がある。このため、必ずしも成膜空間内の成膜しようとする基板の上部でプラズマが発生せず、効率のよい薄膜の形成ができない場合がある。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、安定して基板上部でプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供することを目的とする。本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置である。当該装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。前記磁石の配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、ことが好ましい。さらに、本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置である。当該装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する第1の磁石と、前記電極板の外側に、前記第1の磁石と並行するように設けられ、前記成膜空間に向く端部の極性が前記第1の磁石の前記極性と異なる第2の磁石と、を備える。その際、前記磁石のそれぞれの配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、ことが好ましい。さらに、本発明の別の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置である。当該装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を一組として、複数の組が平面上に並列し、前記磁石の前記極性は、隣接する組の磁石の極性とお互いに異なる。その際、前記複数の組それぞれにおける前記磁石の配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、ことが好ましい。なお、前記薄膜形成装置は、前記ガス導入部が、前記ガスの他に前記薄膜を形成する原料成分を含む原料ガスを導入し、前記ガスを、基板に堆積する前記原料成分を反応させる反応ガスとして導入することにより、原子層単位で前記薄膜を形成する装置であることが好ましい。上述の薄膜形成装置では、従来に比べて安定して基板上部でプラズマを生成させることができる。以下、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態である薄膜形成装置10の構成を示す概略図である。図1に示す薄膜形成装置10は、生成されるプラズマを用いて、基板に薄膜を形成するALD薄膜形成装置である。薄膜形成装置10は、電極板を流れる電流によって生成される磁界により、プラズマを生成する方式である。この方式は、モノポールアンテナ等のアンテナ素子等の共振により発生する高電圧によりプラズマを生成する方式と異なる。このため、プラズマを生成する素子が共振するように供給する電力の周波数を調整する必要がない。薄膜形成装置以下、薄膜としてAl2O3の薄膜を形成する例を用いて、薄膜形成装置10について説明する。薄膜形成装置10は、給電ユニット12と、成膜容器14と、ガス導入部16と、ガス排気部18と、を有する。給電ユニット12は、高周波電源22と、高周波ケーブル24と、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、プラズマ電極部30と、を有する。高周波電源22は、例えば、10~1000Wで数10MHzの高周波電力をプラズマ電極部30の電極板30a図2a,b参照に給電する。マッチングボックス26は、高周波ケーブル24を通して提供される電力がプラズマ電極部30の電極板30aに効率よく供給されるように、インピーダンスを整合する。マッチングボックス26は、キャパシタおよびインダクタ等の素子を設けた公知の整合回路を備える。マッチングボックス26から延びる伝送線28は、例えば、一定の幅を備える銅板状の伝送線路であり、電極板30aへ数十アンペアの電流を流すことができる。伝送線29は、電極板30aから延び接地されている。プラズマ電極部30は、後述する隔壁32上に固定された電極板30a図2a,b参照を備え、この電極板30aの一方の面31e図2b参照は成膜容器14内の成膜空間に向いて隔壁32の面に対して平行に配置されている。プラズマ電極部30の電極板30aでは、伝送線28が接続されている端面と伝送線29が接続されている端面との間で電流が流れる。プラズマ電極部30の構成は後述する。成膜容器14は、内部空間38を容器内に有し、内部空間38は、隔壁32により上部空間と下部の成膜空間40に区分けされている。成膜容器14は、例えば、アルミニウム等の材質で形成されて内部空間38を1~100Paの減圧状態にできるように、密閉されている。成膜容器14の上部空間には、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、プラズマ電極部30と、を有する。隔壁32の上部空間に面する側には、隔壁32上にプラズマ電極部30が固定されている。プラズマ電極部30の周囲には、周囲の隔壁32と絶縁するための絶縁部材34が設けられている。一方、隔壁32の成膜空間40に面する側には、誘電体36が設けられている。誘電体36には、例えば石英板が用いられる。誘電体36を設けるのは、プラズマによる電極板30aや後述する磁石の腐食を防ぎ、かつ効率よくプラズマへエネルギを供給させるためである。成膜容器14の成膜空間40には、ヒータ42と、サセプタ44と、昇降機構46と、が設けられている。ヒータ42は、サセプタ44に載置する基板20を所定の温度、例えば250°C程度に加熱する。サセプタ44は、基板20を載置する載置台を有する。昇降機構46は、ガラス基板20を載置したサセプタ44をヒータ42ともに、成膜空間40内を自在に昇降する。成膜プロセス段階では、プラズマ電極部30に近接するように、基板20を所定の位置にセットする。ガス導入部16は、成膜容器14の成膜空間40内に、薄膜形成に用いる原料ガスおよび反応ガスを導入する。ガス導入部16は、原料ガス供給部50と反応ガス供給部51と、を有する。原料ガス供給部50は、例えば、トリメチルアルミニウムを気化してガスとして成膜容器14に供給する。反応ガス供給部51は、酸素ガスを反応ガスとして成膜容器14に供給する。ガス排気部18は、成膜空間40内の側壁から延びる排気管と、ターボ分子ポンプ52と、ドライポンプ54と、を有する。ドライポンプ54は、成膜空間40内を粗引きし、ターボ分子ポンプ52は、成膜空間40内の圧力を所定の圧力に維持する。ターボ分子ポンプ52とドライポンプ54とは、排気管で接続されている。プラズマ電極板部図2aは、給電ユニット12に用いられるプラズマ電極部30の一例の上面図である。図2bは、給電ユニット12に用いられるプラズマ電極部30の一例の断面図である。プラズマ電極部30は、成膜空間40内のサセプタ44の上部に設けられ、反応ガスを用いてプラズマを生成させる。プラズマ電極部30は、矩形形状のプラズマ生成用電極板以降、電極板という30aと、磁石30bを備える。電極板30aの成膜空間40に向く第1の主面31eの電極板30aの幅方向図2a,b中の横方向中央部分には、電流が電極板30aを流れる方向、すなわちX方向に沿って一定の溝深さを有する凹状の溝31fが設けられ、凹状の溝部31fを充填するように磁石30bが設けられている。磁石30bの端部は、電極板30aの第1の主面31eと面一になっている。この磁石30bの成膜空間40に向く端部は同じN極を有する。すなわち、磁石30bの成膜空間40に向く端部はX方向に沿ってN極をなし、その反対側の端部はS極となっている。このような磁石30bに1つの棒磁石が用いられてもよいし、複数の磁石が溝部31fに一様に配列されて磁石30bを形成してもよい。一方、電極板30は、例えば、銅、アルミニウム等が用いられる。電極板30aでは、図2aに示すように、給電線28と接続された一方の端面31aから給電線29に接続された他方の端面31bに向けて、すなわちX方向に高周波電流が流れる。電極板30aの一方の主面31eは成膜空間40に向いている。給電線29は、図1に示すように接地されている。なお、電極板30aの中央部分に溝31fを設けることで、中央部分に電流が流れにくくなるが、電流は、中央部分より側面側に偏って流れやすいため、中央部分に溝31fが設けられてもプラズマPの生成に大きな影響を受けない。一方、図2bに示すように磁石30bにより、成膜空間40内の電極板30aの下側の空間に磁界が形成され、この空間では電極板30aに電力が供給されたときプラズマPが発生しやすい。したがって、従来のように、部分的に狭くなった局所的な凹状の空間で異常放電が発生することは少なく、万が一、上記部分的に狭くなった局所的な凹状の空間で異常放電が発生しても、この部分でプラズマが維持されない。すなわち、電極板30aの下側の空間でプラズマが安定して発生するように、磁石30bは電極板30aの幅方向に横切る磁界を形成する。なお、電極板30aを流れる電流の表層は、電極板30aの電気抵抗率、流れる電流の周波数、および、電極板30aの透磁率に依存して定まる。例えば、銅あるいはアルミニウムを電極板30aの材質として用い、電流の周波数を数10MHzとする場合、表層の深さはおよそ0.1mm程度である。したがって、第1の主面31eと第1の主面31eと対向する第2の面の表層に流れる電流を考慮して、電極板30aの厚さは、0.2mmより厚いことが好ましい。しかし、磁石30bを溝31fに設けるためには、電極板30aの厚さは、数mm~10数mmであることが好ましい。図3は、図2aに示すプラズマ電極部30の他の一例を示す。図3に示すプラズマ電極部30は、図2aに示す形態と同様に、電極板30aと、一対の磁石30bを備える。しかし、磁石30bは、電流の流れる上流側に設けられている。すなわち、磁石30bの配置位置の中心が、電流の流れる方向、すなわちX方向の電極板30aの中心に対して、X方向の上流側にオフセットしている。図3に示すプラズマ電極部30は、これ以外、図2aに示すプラズマ電極部30と同じであるので、これらの説明は省略する。このように、図3に示すプラズマ電極部30の磁石30bの配置位置をオフセットするのは、発生するプラズマの密度を均一にするためである。図4a,bは、電極板と生成されるプラズマの電子密度の関係を説明する図である。図4aに示すように磁石30bを配置せず、溝31fもない矩形形状の電極板60を電極板30aの代わりに用いたとき、成膜空間40内で生成されるプラズマの電子密度は、図4bに示すような値となる。このとき、電極板60の端面60aに1kWの高周波電力13.56~60MHzが付与され、端面60bが接地されている。すなわち、図4bに示すように、接地側端面60bの側では電子密度が高く、給電側端面60aの側では電子密度が低い。この理由については、明確ではないが、接地側では電流により生成された磁場に基づいて生成されるプラズマ電流に由来するプラズマが支配的であるのに対し、給電側では高電圧によって生成されるプラズマ電圧に由来するプラズマが支配的であることに起因すると考えられる。高電圧の給電側では、電子はその電界により加熱されるため、十分なエネルギを受け取ることができず、高密度なプラズマが生成されにくいと考えられるからである。したがって、電極板30aでは、給電側でプラズマ密度が低くなるため、給電側において磁石30b,30cを設けて電極板30aが作り出す電界を横切る磁界を形成する。これにより、給電側において、プラズマ密度を高めることができる。したがって、図3に示すように磁石30bの配置位置をX方向の上流側、すなわちX方向の上流側にオフセットすることで、プラズマの密度をX方向において均一に近づけることができる。図5a,bは、図2aに示すプラズマ電極部30のさらに他の一例を示す。図5a,bに示すプラズマ電極部30は、2つの電極板30a1,30a2を有し、電極板30a1,30a2の幅方向の両側及び電極板30a1,30a2で挟まれた間隙に、磁石30c,30d,30eが配置されている。磁石30c,30d,30eのそれぞれの成膜空間40に向く端部の極性は、同じ極性となっている。すなわち、電極板30a1,30a2は、お互いの側面が対向するように平面上に配列され、さらに、磁石30c,30d,30eは、配列した電極板30a1,30a2の間および電極板30a1,30a2の両側の側面の外側に上記平面上に配置される。なお、電極板30a1,30a2のそれぞれは、図5bに示すように、図2bに示す電極板30aと同様に、中央部分にX方向に沿って延びる溝を有し、この溝に磁石30b1,30b2が設けられている。磁石30b1,30b2の成膜空間40に向く端部は、X方向に沿って同じ極性を有し、この端部は、電極板30a1,30a2の成膜空間40に向く第1の主面と面一になっている。このような磁石30c,30b1,30d,30b2,30eの成膜空間40に向く端部の極性が、隣接する磁石の端部における極性と異なっている。すなわち、磁石30c,30b1,30d,30b2,30eの成膜空間40に向く端部の極性は、順にN極、S極、N極、S極、N極となっている。このようにプラズマ電極部30を構成することで、図5bに示すように、電極板30a1,30a2の下部の空間で磁界が形成され、この磁界の近傍でプラズマPが安定して生成する。したがって、成膜空間40内の基板20の近傍では、別々のプラズマPによって生成された反応ガスのラジカルが一体化して電極板30a1,30a2の幅方向において略均一になり、基板20に堆積した原料ガスの原料成分を均一に反応させることができる。したがって、薄膜は均一に形成され得る。図5a,bに示すプラズマ電極部30の磁石30c,30b1,30d,30b2,30eのX方向電流の流れる方向における配置位置の中心を、電極板30a1,30a2のX方向における中心に対してX方向上流側にオフセットしてもよい。このように磁石30c,30b1,30d,30b2,30eの中心をオフセットすることで、図3に示す形態と同様の理由により、発生するプラズマの密度をX方向において略均一に近づけることができる。図6a,bは、図2aに示すプラズマ電極部30のさらに他の一例を示す。図6a,bに示すプラズマ電極部30は、2つの電極板30a1,30a2を有する。図6a,bに示すプラズマ電極部30は、図5a,bに示すプラズマ電極部30と異なり、電極板30a1,30a2の幅方向の両側及び電極板30a1,30a2で挟まれた間隙に、磁石30c,30d,30eは配置されていない。電極板30a1,30a2のそれぞれは、図6bに示すように、図2bに示す電極板30aと同様に、中央部分にX方向に沿って延びる溝を有し、この溝に磁石30b1,30b2が設けられている。磁石30b1,30b2の成膜空間40に向く端部は、X方向に沿って同じ極性を有するが、磁石30b1,30b2の極性は、お互いに異なっている。磁石30b1,30b2の上記端部は、電極板30a1,30a2の成膜空間40に向く第1の主面と面一になっている。磁石30b1,30b2の成膜空間40に向く端部の極性は、N極、S極となっている。このようにプラズマ電極部30を構成することで、図6bに示すように、電極板30a1,30a2の下部には磁界が形成され、この磁界の近傍の空間でプラズマPが安定して生成する。したがって、成膜空間40内の基板20の近傍では、電極板30a1,30a2の幅方向において反応ガスのラジカルが略均一になり、基板20に堆積した原料ガスの原料成分を均一に反応させることができる。したがって、薄膜は均一に形成され得る。図6a,bに示すプラズマ電極部30の磁石30b1,30b2のX方向電流の流れる方向における配置位置の中心を、電極板30a1,30a2のX方向における中心に対してX方向上流側にオフセットしてもよい。このように磁石30b1,30b2の中心をオフセットすることで、図3に示す形態と同様の理由により、発生するプラズマの密度をX方向において略均一に近づけることができる。このような薄膜形成装置10は、ALD装置として有効に用いることができる。ALD装置として薄膜形成装置10を用いる場合、原料ガス供給部50から原料ガスをパルス状に短時間供給して原料ガスを基板20に吸着させる。このとき、原料ガスの原料成分が原子層単位で基板20に吸着される。このような吸着の処理では、原料ガスの化学的性質に依拠して基板20上に原子単位で原料成分が層状に堆積する。薄膜形成装置10は、原料ガスを十分に成膜空間40から排気した後、反応ガス供給部51から反応ガスを成膜空間に供給する。このとき、薄膜形成装置10は、プラズマ電極部30に高周波電力を供給して成膜空間40内にプラズマを生成させる。成膜空間40内には、電流が流れる電極板を、電極板の幅方向に横切るように磁石による磁界が形成されているので、プラズマを電極板直下の磁界近傍に集中して発生させることができる。このため、成膜空間40内の別の部分で異常放電が発生しにくい。この部分で異常放電によるプラズマが発生しても、電極板直下の磁界近傍に集中してプラズマが発生し易く、しかもプラズマの密度が高いので、異常放電によるプラズマは維持されにくく、成膜空間40内の電極板直下の部分にプラズマが安定して生成される。特に、ALDに用いる薄膜形成装置において、供給される原料ガスに対して薄膜の形成の際に基板に吸着する原料ガスは極めて少なく、排気する原料ガスがほとんどである。このため、原料ガスの無駄な消費を抑えるために成膜空間40の高さは低く構成されている。しかも、反応ガスを供給するとき従来のCVDの場合に比べて圧力が高く維持される。このため、成膜空間40内では、意図しない場所で異常放電によるプラズマが発生し、基板20の上部でプラズマは発生しない場合がある。しかし、図5a,bに示す形態、あるいは図6a,bに示す形態のように、電極板を幅方向に横切る磁界を形成することにより、高さの低い成膜空間40内で、基板40の上部で安定してプラズマを生成させることができる。以上、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明したが、本発明の薄膜形成装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。例えば、上記実施形態では、電極板が1つまたは2つであるが、3つ以上の電極板により、プラズマ電極部が構成されてもよい。"