"可撓性導電性基板の両面で、アノード活性材料またはカソード活性材料を同時に堆積するための装置であって、1つまたは複数の処理領域を画定するモジュール式のチャンバ本体であって、前記1つまたは複数の処理領域内で、前記可撓性導電性基板が両面堆積プロセスにさらされ、前記1つまたは複数の処理領域がそれぞれ、前記可撓性導電性基板の一部分の両面に前記活性材料を同時に噴霧するために、第1の噴霧堆積領域と第2の噴霧堆積領域にさらに分割されることを特徴とするチャンバ本体と、前記可撓性導電性基板に向けて前記活性材料を噴霧するための、前記第1の噴霧堆積領域内に配設された第1のスプレーディスペンサカートリッジと、閉じた位置にあるときに前記第1のスプレーディスペンサカートリッジからの前記活性材料の流路を遮断するための、前記第1の噴霧堆積領域内に配設された第1の可動収集シャッタと、前記可撓性導電性基板に向けて前記活性材料を噴霧するための、前記第2の噴霧堆積領域内に配設された第2のスプレーディスペンサカートリッジと、閉じた位置にあるときに前記第2のスプレーディスペンサカートリッジからの前記活性材料の流路を遮断するための、前記第2の噴霧堆積領域内に配設された第2の可動収集シャッタとを備える装置。前記第1の噴霧堆積領域と前記第2の噴霧堆積領域がそれぞれ、各噴霧堆積領域からガスを排気し、各噴霧堆積領域内部の圧力を制御するために、第1の半円形ポンピングチャネルと第2の半円形ポンピングチャネルによって画定される、請求項1に記載の装置。前記第1のスプレーディスペンサカートリッジと前記第2のスプレーディスペンサカートリッジがそれぞれ、前記チャンバ本体の側壁内に着脱可能に挿入される、請求項1に記載の装置。各スプレーディスペンサカートリッジが、堆積前駆体を電場に露出して堆積前駆体を励起して前記活性材料を生成するために、電源に結合される、請求項1に記載の装置。前記電源が、RF源またはDC源である、請求項4に記載の装置。前記モジュール式のチャンバ本体が、前記1つまたは複数の処理領域を、相互汚染を防止するように2つの隔離された処理領域に分割する内壁をさらに備え、隔離された各処理領域が、前記可撓性導電性基板の両面を同時に処理するために、第1の噴霧堆積領域と、前記第1の噴霧堆積領域とは反対側の第2の噴霧堆積領域とを備える、請求項1に記載の装置。各スプレーディスペンサカートリッジが、ディスペンサ本体と、前記ディスペンサ本体に結合された、前記ディスペンサ本体に対して1つまたは複数の噴霧ノズルを位置決めするための面板と、活性化された材料を前記可撓性導電性基板に向けて送給するための1つまたは複数の噴霧ノズルとを備える、請求項1に記載の装置。各スプレーディスペンサカートリッジが、加熱された空気を前記活性化された材料に向けて送給し、前記活性化された材料からの液体の空中蒸発を可能にするための、1つまたは複数の噴霧ノズルそれぞれの両側に位置決めされた1対の補助噴霧ノズルをさらに備える、請求項7に記載の装置。前記補助ノズルがそれぞれ、各噴霧ノズルの中心を通って長手方向に延びる中心軸に対して20度~50度の間で個別に角度を付けられる、請求項8に記載の装置。前記スプレーディスペンサが、各噴霧ノズルと前記可撓性導電性基板との間の距離を増加または減少させるように可動である、請求項7に記載の装置。各スプレーディスペンサカートリッジに結合された活性材料源をさらに備え、前記活性材料源が、二酸化コバルトリチウムLiCoO2、二酸化マンガンリチウムLiMnO2、二硫化チタンTiS2、LiNixCo1-2xMnO2、LiMn2O4、鉄オリビンLiFePO4、LiFe1-xMgPO4、LiMoPO4、LiCoPO4、Li3V2PO43、LiVOPO4、LiMP2O7、LiFe1.5P2O7、LiVPO4F、LiAlPO4F、Li5VPO42F2、Li5CrPO42F2、Li2CoPO4F、Li2NiPO4F、Na5V2PO42F3、Li2FeSiO4、Li2MnSiO4、Li2VOSiO4、およびそれらの組合せの少なくとも1つから選択されるカソード活性材料源である、請求項1に記載の装置。可撓性導電性基板の両面に電気活性材料を同時に堆積するための方法であって、その上に堆積されている3次元多孔質構造を有する前記可撓性導電性基板の一部分を、第1のスプレーディスペンサカートリッジと第2のスプレーディスペンサカートリッジの間で、両面活性材料噴霧チャンバの第1の処理領域を通して並進させること、前記3次元多孔質構造を有する前記可撓性導電性基板の一部分の上に、前記可撓性導電性基板の両面で、前記第1のスプレーディスペンサカートリッジおよび前記第2のスプレーディスペンサカートリッジを使用して第1の電気活性材料を噴霧し、第1の層を形成すること、その上に堆積されている前記第1の電気活性材料を有する前記可撓性導電性基板の一部分を、第3のスプレーディスペンサカートリッジと第4のスプレーディスペンサカートリッジの間で、前記噴霧堆積チャンバの第2の処理領域を通して並進させること、および前記第3のスプレーディスペンサカートリッジと前記第4のスプレーディスペンサカートリッジを使用して、前記可撓性導電性基板の両面で、前記第1の電気活性材料の上に第2の電気活性材料を噴霧することを含み、前記第1の処理チャンバと前記第2の処理チャンバが、相互汚染を防止するために互いに隔離される方法。前記第1の電気活性材料が、第1の直径を有するカソード活性粒子を備え、前記第2の電気活性材料が、第2の直径を有するアノード活性粒子を備え、前記第2の直径が前記第1の直径よりも大きい、請求項12に記載の方法。前記可撓性導電性基板が、送りロールおよび移送ロールによって並進されるウェブベースの基板である、請求項12に記載の方法。理解しやすくするために、可能な場合には常に、複数の図面に共通の同一の要素を表すために同一の参照番号を使用している。さらに記述しないが、一実施形態の要素および/またはプロセスステップを他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられる。本発明の実施形態は、一般に、リチウムイオン電池および電池セル構成要素に関し、より詳細には、噴霧堆積技法を使用して、2層電池セルおよび2層電池セル構成要素を含むことがある構造を製造するためのシステムおよび装置に関する。噴霧堆積技法は、限定はしないが、静電噴霧技法、プラズマ溶射技法、および熱溶射またはフレーム溶射技法を含む。本明細書で述べるいくつかの実施形態は、噴霧堆積技法を使用して電気活性粉末例えば、カソード活性材料またはアノード活性材料を3次元導電性多孔質構造に組み込み、アノード活性層またはカソード活性層を集電体として働く基板例えば、アノードに関しては銅基板、カソードに関してはアルミニウム基板上に形成することによって、電池セル電極を製造することを含む。2層電池セルおよび電池セル構成要素に関して、処理される基板の両面を同時に処理して2層構造を形成することができる。本明細書で述べる実施形態を使用して形成することができるアノード構造およびカソード構造の例示的実施形態は、本願と同一の譲受人に譲渡された2010年7月19日出願のBachrachらのCOMPRRESSEDPOWDER3DBATTERYELECTRODEMANUFACTURINGという名称の米国特許出願第12/839,051号代理人整理番号APPM/014080/EES/AEP/ESONGの図1、図2A~図2D、図3、図5Aおよび図5B、ならびに対応する段落[0041]~[0066]および[0094]~[0100]に記載されている。上記の図面および段落を参照により本明細書に組み込む。いくつかの実施形態では、堆積される電気活性粉末は、ナノスケールサイズの粒子および/またはマイクロスケールサイズの粒子を含むことがある。いくつかの実施形態では、3次元導電性多孔質構造は、多孔性電気めっきプロセス、エンボスプロセス、またはナノインプリントプロセスの少なくとも1つによって形成される。いくつかの実施形態では、3次元導電性多孔質構造は、ワイヤメッシュ構造を備える。3次元導電性多孔質構造の形成は、電極の厚さを決定し、ポケットまたはウェルを提供し、ポケットまたはウェル内に、本明細書で述べるシステムおよび装置を使用して、アノード活性粉末またはカソード活性粉末を堆積することができる。本明細書で述べる実施形態を使用して堆積することができるカソード活性粉末は、限定はしないが、以下のものを含む群から選択されるカソード活性粒子を含む。二酸化コバルトリチウムLiCoO2、二酸化マンガンリチウムLiMnO2、二硫化チタンTiS2、LiNixCo1-2xMnO2、LiMn2O4、鉄オリビンLiFePO4、およびその変種例えば、LiFe1-xMgPO4、LiMoPO4、LiCoPO4、Li3V2PO43、LiVOPO4、LiMP2O7、LiFe1.5P2O7、LiVPO4F、LiAlPO4F、Li5VPO42F2、Li5CrPO42F2、Li2CoPO4F、Li2NiPO4F、Na5V2PO42F3、Li2FeSiO4、Li2MnSiO4、Li2VOSiO4、他の適格な粉末、それらの複合材、およびそれらの組合せ。本明細書で述べる実施形態を使用して堆積することができるアノード活性粉末は、限定はしないが、以下のものを含む群から選択されるアノード活性粒子を含む。黒鉛、グラフェンハードカーボン、カーボンブラック、炭素被覆シリコン、スズ粒子、銅-スズ粒子、酸化スズ、炭化ケイ素、シリコンアモルファスまたは結晶性、シリコン合金、ドープされたシリコン、チタン酸リチウム、任意の他の適切な電気活性の粉末、それらの複合材、およびそれらの組合せ。また、本明細書で述べる材料が上に形成される様々なタイプの基板の使用も企図される。本明細書で述べるいくつかの実施形態を施すことができる特定の基板は限定されないが、例えば、ウェブベースの基板、パネル、およびディスクリートシートを含む可撓性導電性基板上で実施形態を実施することが特に有益である。また、基板は、箔、膜、または薄板の形態でもよい。基板が垂直向きの基板であるいくつかの実施形態では、垂直向きの基板は、垂直面に対して角度を付けられることがある。例えば、いくつかの実施形態では、基板は、垂直面から約1度~約20度傾けることができる。基板が水平向きの基板であるいくつかの実施形態では、水平向きの基板は、水平面に対して角度を付けられることがある。例えば、いくつかの実施形態では、基板は、水平面から約1度~約20度傾けることができる。本明細書で使用するとき、用語垂直は、可撓性導電性基板の主要面または堆積表面が水平線に対して直角であることと定義される。本明細書で使用するとき、用語水平は、可撓性導電性基板の主要面または堆積表面が水平線に対して平行であることと定義される。図1は、本明細書で述べる実施形態による、両面活性材料噴霧チャンバ124を備えるインライン垂直処理システム100の一実施形態を概略的に示す。いくつかの実施形態では、処理システム100は、一直線上に配置された複数の処理チャンバ110~134を備え、各処理チャンバが、可撓性導電性基板108に対して1つの処理ステップを行うように構成される。一実施形態では、処理チャンバ110~134は、独立型のモジュール式処理チャンバであり、各モジュール式処理チャンバは、他のモジュール式処理チャンバから構造的に分離されている。したがって、独立型のモジュール式処理チャンバはそれぞれ、相互に影響なく別個に配置、配置変更、交換、または保守することができる。いくつかの実施形態では、処理チャンバ110~134は、可撓性導電性基板108の両面を処理するように構成される。いくつかの実施形態では、処理チャンバ110~134は、共通の輸送アーキテクチャを共有する。いくつかの実施形態では、共通の輸送アーキテクチャは、システム用の共通の巻取りロールおよび送りロールを有するロールツーロールシステムを備える。いくつかの実施形態では、共通の輸送アーキテクチャは、さらに、巻取りロールと送りロールの間に位置決めされた1つまたは複数の中間移送ローラを備える。いくつかの実施形態では、共通の輸送アーキテクチャは、ロールツーロールシステムであり、各チャンバが、個別の巻取りロールおよび送りロールと、巻取りロールと送りロールの間に位置決めされた1つまたは複数の任意選択の中間移送ローラとを有する。いくつかの実施形態では、共通の輸送アーキテクチャは、トラックシステムを備え、トラックシステムは、処理チャンバを通って延在し、ウェブ基板またはディスクリート基板を輸送するように構成される。一実施形態では、処理システム100は、可撓性導電性基板108の上に多孔質構造を形成するための微細構造形成チャンバ112に入れる前に、可撓性導電性基板108の少なくとも一部分に対して第1の調整プロセスを行うように構成された第1の調整モジュール110を備える。いくつかの実施形態では、第1の調整モジュール110は、可撓性導電性基板108を加熱して可撓性導電性基板108の塑性流動を増加させること、可撓性導電性基板108を洗浄すること、および可撓性導電性基板108の一部分を予め濡らす、またはリンスすることの少なくとも1つを行うように構成される。微細構造形成チャンバ112がエンボス加工用チャンバであるいくつかの実施形態では、チャンバは、可撓性導電性基板108の両面をエンボス加工するように構成することができる。本明細書で述べる実施形態と共に使用することができるエンボス加工用チャンバの一例示的実施形態は、本願と同一の譲受人に譲渡された2010年7月19日出願のBachrachらのCOMPRRESSEDPOWDER3DBATTERYELECTRODEMANUFACTURINGという名称の米国特許出願第12/839,051号代理人整理番号APPM/014080/EES/AEP/ESONGの図4Bおよび対応する段落[0087]~[0090]に記載されており、図4Bおよび対応する段落[0087]~[0090]を参照により本明細書に組み込む。いくつかの実施形態では、微細構造形成チャンバ112は、可撓性導電性基板108にポケットまたはウェルを形成するために、可撓性導電性基板108の少なくとも一部分に第1のめっきプロセス、例えば銅めっきプロセスを行うように構成されためっきチャンバである。いくつかの実施形態では、処理システム100は、さらに、第2の調整チャンバ114を備え、この調整チャンバ114は、微細構造形成チャンバ112に隣接させて位置決めすることができる。いくつかの実施形態では、第2の調整チャンバ114は、酸化物除去プロセスを行うように構成され、例えば、可撓性導電性基板108がアルミニウムを含む実施形態では、第2の調整チャンバは、酸化アルミニウム除去プロセスを行うように構成することができる。微細構造形成チャンバ112がめっきプロセスを行うように構成されたいくつかの実施形態では、第2の調整チャンバ114は、第1のめっきプロセス後に、リンス流体、例えばイオンが除去された水を用いて可撓性導電性基板108の一部分をリンスして残余めっき溶液を除去するように構成することができる。一実施形態では、処理システム100は、さらに、第2の微細構造形成チャンバ116を備え、第2の微細構造形成チャンバ116は、第2の調整チャンバ114の次に位置決めすることができる。一実施形態では、第2の微細構造形成チャンバ116は、可撓性導電性基板108の上に第2の導電性材料を堆積するために、めっきプロセス、例えばスズめっきを行うように構成される。一実施形態では、第2の微細構造形成チャンバ116は、可撓性導電性基板108の上にナノ構造を堆積するように適合される。一実施形態では、処理システム100は、さらに、リンスチャンバ118を備える。一実施形態では、リンスチャンバ118は、めっきプロセス後に、リンス流体、例えば脱イオン水を用いて可撓性導電性基板108の一部分をリンスして残余めっき溶液を除去するように構成される。一実施形態では、エアナイフを備えるチャンバ120が、リンスチャンバ118に隣接して位置決めされる。一実施形態では、処理システム100は、さらに、予熱チャンバ122を備える。一実施形態では、予熱チャンバ122は、堆積された多孔質構造から余分な水分を除去するために、可撓性導電性基板108を乾燥プロセスにさらすように構成される。一実施形態では、予熱チャンバ122は、空気乾燥プロセス、赤外線乾燥プロセス、電磁乾燥プロセス、またはマランゴニ乾燥プロセスなどの乾燥プロセスを行うように構成された熱源を含む。一実施形態では、処理システム100は、さらに、可撓性導電性基板108の両面に形成された導電性微細構造の上および/または中に、アノード活性粉末またはカソード活性粉末を同時に堆積するように構成された第1の両面スプレーコーティングチャンバを備える。一実施形態では、第1の両面活性材料噴霧チャンバ124は、可撓性導電性基板108の上に形成された導電性微細構造の上に粉末を堆積するように構成されたスプレーコーティングチャンバである。一実施形態では、処理システム100は、さらに、後乾燥チャンバ126を備え、後乾燥チャンバ126は、第1の両面活性材料噴霧チャンバ124に隣接して配設することができ、可撓性導電性基板108を乾燥プロセスにさらすように構成される。一実施形態では、後乾燥チャンバ126は、空気乾燥プロセス、赤外線乾燥プロセス、電磁乾燥プロセス、またはマランゴニ乾燥プロセスなどの乾燥プロセスを行うように構成される。一実施形態では、処理システム100は、さらに、第2の両面活性材料噴霧チャンバ128を備え、第2の両面活性材料噴霧チャンバ128は、後乾燥チャンバ126に隣接させて位置決めすることができる。一実施形態では、第2の両面活性材料噴霧チャンバ128は、両面スプレーコーティングチャンバである。一実施形態では、第2の両面活性材料噴霧チャンバ128は、可撓性導電性基板108の上にバインダなど添加材を堆積するように構成される。2段階スプレーコーティングプロセスが使用されるいくつかの実施形態では、第1の両面活性材料噴霧チャンバ124は、第1の段階中に、例えば静電噴霧プロセスを使用して可撓性導電性基板108の上に粉末を堆積するように構成することができ、第2の両面活性材料噴霧チャンバ128も、第2の段階中に、導電性基板108の上に粉末を堆積するために静電噴霧プロセスを行うように構成することができる。一実施形態では、処理システム100は、さらに、圧縮チャンバ130を備え、圧縮チャンバ130は、後乾燥チャンバ126に隣接させて位置決めすることができ、可撓性導電性基板108を圧縮プロセスにさらすように構成される。一実施形態では、圧縮チャンバ130は、堆積後の粉末を導電性微細構造内に圧縮するように構成される。一実施形態では、圧縮チャンバ130は、カレンダリングプロセスによって粉末を圧縮するように構成される。一実施形態では、処理システム100は、さらに、追加の乾燥チャンバ132を備え、追加の乾燥チャンバ132は、圧縮チャンバ130に隣接させて位置決めすることができ、可撓性導電性基板108を乾燥プロセスにさらすように構成することができる。一実施形態では、追加の乾燥チャンバ132は、空気乾燥プロセス、赤外線乾燥プロセス、電磁乾燥プロセス、またはマランゴニ乾燥プロセスなどの乾燥プロセスを行うように構成される。一実施形態では、処理システム100は、さらに、第3の活性材料堆積チャンバ134を備え、第3の活性材料堆積チャンバ134は、追加の乾燥チャンバ132に隣接させて位置決めすることができる。第3の活性材料堆積チャンバ134は、スプレーコーティングチャンバとして論じるが、前述した粉末堆積プロセスの任意のものを行うように構成することができる。一実施形態では、第3の活性材料堆積チャンバは、エレクトロスピニングプロセスを行うように構成することができる。一実施形態では、第3の活性材料堆積チャンバ134は、可撓性導電性基板の上にセパレータ層を堆積するように構成される。処理チャンバ110~134は、送りロール140と巻取りロール142を含む共通の輸送アーキテクチャによって可撓性導電性基板108の一部分を各チャンバに能率的に通すことができるように、一般に一直線に沿って配置される。一実施形態では、各処理チャンバ110~134は、1つまたは複数の任意選択の中間移送ローラを有する個別の送りロールおよび巻取りロールを有する。いくつかの実施形態では、共通の輸送アーキテクチャは、垂直処理システムを通してディスクリート基板を輸送するための直線トラックシステムを備える。一実施形態では、送りロールおよび巻取りロールは、1つまたは複数の任意選択の中間移送ローラに関連付けて基板移送中に同時に作動させることができ、可撓性導電性基板108の各部分を1つ先のチャンバに移動させる。いくつかの実施形態では、垂直処理システム100は、さらに、追加の処理チャンバを備える。追加の処理チャンバは、以下のものを含む処理チャンバの群から選択される1つまたは複数の処理チャンバを備えることができる。電気化学めっきチャンバ、無電解堆積チャンバ、化学気相堆積チャンバ、プラズマ化学気相堆積チャンバ、原子層堆積チャンバ、リンスチャンバ、アニールチャンバ、乾燥チャンバ、スプレーコーティングチャンバ、およびそれらの組合せ。また、追加のチャンバまたはより少数のチャンバをインライン処理システムに含めることができることも理解すべきである。さらに、図1に示されるプロセスフローは例示にすぎず、異なる順序で行われる他のプロセスフローを実施するために処理チャンバを再構成することができることを理解すべきである。処理チャンバ110~134、送りロール140、および巻取りロール142の動作を制御するために、垂直処理システム100にコントローラ190を結合することができる。コントローラ190は、1つまたは複数のマイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、専用ハードウェアまたは論理、およびそれらの組合せを含むことができる。図2は、本明細書で述べる実施形態による、第1の両面活性材料噴霧堆積チャンバ124を有する図1のインライン垂直処理システム100の一部分200の概略断面上面図である。垂直処理システム100の一部分200は、予熱チャンバ122と、第1の両面活性材料噴霧チャンバ124と、後乾燥チャンバ126とを備える。第1の両面活性材料噴霧チャンバ124は、モジュール式のチャンバ本体202を備え、モジュール式のチャンバ本体202は、垂直処理システム100の他の処理チャンバに取り付ける、または他の形で接続することができる。第1の両面活性材料噴霧チャンバ124は、垂直処理システム100の他のチャンバと共通の輸送アーキテクチャを共有することがある。モジュール式のチャンバ本体202は、1つまたは複数の隔離された処理領域を画定し、それらの処理領域内で、可撓性導電性基板108などの可撓性導電性基板を両面噴霧堆積プロセスにさらすことができる。モジュール式のチャンバ本体202は、蓋204を支持することができ、蓋204は、チャンバ本体202に蝶番式に取り付けることができる。チャンバ本体202は、側壁210と、処理領域を2つの別個の処理領域に分割する内壁212と、底壁214とを含む。図3は、本明細書で述べる実施形態による、第1の両面活性材料噴霧チャンバ124を有する図1の垂直処理システム100の一部分200の一実施形態の一部の概略断面上面図である。側壁210と、内壁212と、底壁214図3参照とが、2つの別個の処理領域216、218を画定する。側壁210と内壁212は、2つの矩形の処理領域216、218を画定する。内壁212は、2つの処理領域216、218の間に位置決めされて、2つの処理領域216、218を互いに隔離して、相互汚染を防止する。基板の両面を同時に処理するために、各処理領域216、218は、2つの対置する噴霧堆積領域にさらに分割される。第1の処理領域216は、第1の噴霧堆積領域220aと第2の噴霧堆積領域220bに分割され、第2の処理領域218も、第1の噴霧堆積領域220cと、第2の噴霧堆積領域220dに分割される。各噴霧堆積領域220a~dは、第1の半円形ポンピングチャネル224a~dと、反対側の第2の半円形ポンピングチャネル226a~dとによって画定され、各チャネル224a~d、226a~dは、側壁210の高さまで延在して、各噴霧堆積領域220a~dからガスを排気し、各噴霧堆積領域200a~220dの内部の圧力を制御することができる。各半円形ポンピングチャネル224a~dおよび226a~dは、内壁228a~hと外壁229a~hによって画定される。各噴霧堆積領域220a~dは、活性化された前駆体を可撓性導電性基板108に向けて送給するためのスプレーディスペンサカートリッジ230a~dと、可動収集シャッタ240a~dとを備え、可動収集シャッタ240a~dは、閉じた位置にあるときには、活性化された前駆体の経路を遮断して前駆体を収集し、開いた位置にあるときには、活性化された前駆体が可撓性導電性基板108に向かって流れることができるようにする。可動収集シャッタ240a~dは、スプレーディスペンサカートリッジ230a~dの任意の定量供給ノズルからの活性化された前駆体または他の噴霧の流れを遮断するように、スプレーディスペンサカートリッジ230a~dの長さに延在するように寸法設定することができる。スプレーディスペンサカートリッジ230a~dは、チャンバ本体202の側壁210に着脱可能に挿入することができ、プロセスフローを最低限しか妨げずに、使用済みのカートリッジまたは損壊したカートリッジの容易な取外しおよび交換を可能にする。スプレーディスペンサカートリッジ230a~dは、堆積前駆体を電場に露出して堆積前駆体を励起するために、電源310に結合させることができる。電源310は、RF源またはDC源でよい。電場をスプレーディスペンサカートリッジ230a~dに閉じ込めるために、チャンバ側壁210および/またはスプレーディスペンサカートリッジ230a~d内に電気絶縁体が配設されることがある。また、スプレーディスペンサカートリッジ320a~dは、前駆体、処理ガス、カソード活性粒子やアノード活性粒子などの処理材料、推進剤、および洗浄流体を供給するための流体供給源340に結合させることもできる。図4は、図2に示される第1の両面活性材料噴霧チャンバ124の一実施形態の断面斜視側面図である。図4に示されるように、第1の両面活性材料噴霧チャンバ124の底壁214は、溢れた前駆体および他の溢れた流体を捕集するための捕集溝410a、410bを形成するように開いていることがある。各捕集溝410aおよび410bは、対応する排出口420a、420bを有することがある。いくつかの実施形態では、各噴霧堆積領域220a~dは、各噴霧堆積領域220a~dの下に位置決めされた個別の捕集溝を有する。いくつかの実施形態では、閉じた位置にあるときの可動収集シャッタ240a~dは、溢れた前駆体を各捕集溝410a、410b内に向ける。一実施形態では、各スプレーディスペンサカートリッジ230a~dが複数の定量供給ノズルを備え、定量供給ノズルは、可撓性導電性基板408の経路を横切る方向に向けられて位置決めされ、基板がスプレーディスペンサカートリッジ230aと230bの間およびスプレーディスペンサカートリッジ230cと230dの間を進むときに基板を一様に被覆する。いくつかの実施形態では、各粉末ディスペンサカートリッジは、カートリッジ230a~dと同様に複数のノズルを有し、直線構成または任意の他の簡便な構成ですべてのノズルを有するように構成することができる。可撓性導電性基板の完全な被覆を実現するために、可撓性導電性基板408を横切るように各ディスペンサを並進させながら、活性化された前駆体を噴霧することができ、またはスプレーディスペンサカートリッジ230aと230bの間およびスプレーディスペンサカートリッジ230cと230dの間で可撓性導電性基板408を並進させることができ、またはそれら両方を行うことができる。図5は、本明細書で述べる実施形態によるスプレーディスペンサカートリッジ230の1つの例示的実施形態の斜視図である。スプレーディスペンサカートリッジ230は、ディスペンサ本体502を備え、ディスペンサ本体502は、チャンバ本体202へのスプレーディスペンサカートリッジ230の配置および取外しを容易にするためのハンドル506と、1つまたは複数の噴霧ノズル510a~eをディスペンサ本体502に対して位置決めして固定するための面板508とに結合される。図5に示されるように、複数の噴霧ノズル510a~eが面板508に結合され、各噴霧ノズル510a~eは、対応する1対の補助ノズル512a~e、514a~eを有し、補助ノズル512a~e、514a~eは、各噴霧ノズル510a~eから出る前駆体流に向けて空気を送給するために、各噴霧ノズル510a~eの両側に位置決めされる。図6は、本明細書で述べる実施形態によるスプレーディスペンサカートリッジの補助ノズルの向きの一実施形態の斜視図である。各補助ノズル512a~e、514a~eの中心軸604a、604bは、各噴霧ノズル510a~eの中心を通って長手方向に延びる中心軸610に対して角度αで傾けられることがある。一実施形態では、各補助ノズル512a~e、514a~eは、中心軸に対して5度~50度の間で個別に角度を付けることができる。別の実施形態では、各補助ノズル512a~e、514a~eは、中心軸に対して20度~30度の間で個別に角度を付けることができる。前駆体流が液体として噴霧ノズル510a~eから出るいくつかの実施形態では、補助ノズル512a~e、514a~eは、加熱された空気を液体前駆体流に送給し、液体前駆体流の空中蒸発を可能にして、可撓性導電性基板108の表面に達する前に、活性化された材料から液体の一部を分離する。ディスペンサ本体502は、スプレーディスペンサをチャンバ本体202に可動に固定することができるように寸法設定される。スプレーディスペンサ本体502は、x方向とy方向の少なくとも一方で可動にすることができ、可撓性導電性基板108の表面の様々な被覆を可能にする。スプレーディスペンサカートリッジ230a~dは、各ノズル510a~eと可撓性導電性基板108との間の距離を増加または減少させるように調節することができる。可撓性導電性基板108に対してスプレーディスペンサカートリッジ230a~dを調節することができることにより、スプレーパターンのサイズの制御が可能になる。例えば、可撓性導電性基板108と噴霧ノズル510a~eとの間の距離が増加するにつれて、スプレーパターンは、可撓性導電性基板108のより大きい表面積を被覆するように広がるが、距離が増加するにつれて、スプレーの速度は低下する。一実施形態では、可撓性導電性基板108と噴霧ノズル510a~eの先端との間の距離は、5~20センチメートルの間である。また、図5は一例示的実施形態を示すものであり、スプレーディスペンサカートリッジ230a~dは、可撓性導電性基板108の望みの領域を一様に被覆するのに十分な任意の数の噴霧ノズル510および/または補助ノズル512、514を備えることができることを理解すべきである。いくつかの実施形態では、噴霧ノズル510a~eは、スプレーディスペンサに対する噴霧ノズルの移動を可能にするアクチュエータに結合させることができる。いくつかの実施形態では、各噴霧ノズル510a~eは、独自の流量および圧力制御機構を有する。いくつかの実施形態では、各補助ノズル512、514は、独自の流量および圧力制御機構を有する。一実施形態では、活性化された粒子を可撓性導電性基板108の全体または大部分の上に堆積するために、スプレーディスペンサカートリッジ230a~dが可撓性導電性基板108に対して移動する。これは、スプレーディスペンサカートリッジ230a~d、各スプレーディスペンサカートリッジ230a~dの1つまたは複数の噴霧ノズル、および可撓性導電性基板108の少なくとも1つを移動させることによって達成することができる。一実施形態では、スプレーディスペンサカートリッジ230a~dは、アクチュエータを使用して、噴霧堆積領域を横切って移動するように構成することができる。別法として、または追加として、送りロール140および巻取りロール142、ならびに任意選択の中間移送ローラが、位置決めメカニズムを有することがあり、この位置決めメカニズムは、基板がz方向に移動できるようにして、可撓性導電性基板108の一様な被覆を可能にする。1つまたは複数のノズルはそれぞれ、液体、スラリ、または懸濁前駆体用のアトマイザを特徴として含むことがある混合チャンバ図示せずに結合させることができ、混合チャンバ内で、堆積前駆体が混合ガスと混合され、その後、噴霧堆積領域内に送られる。いくつかの実施形態では、各噴霧ノズル510a~eは、各噴霧ノズル510a~eが乾燥するのを防止するために各噴霧ノズル510a~eを洗浄して詰まりを除去するために、脱イオン水源などの洗浄液体源、および窒素ガス源などの非反応性ガス源に結合させることができる。いくつかの実施形態では、スプレーディスペンサカートリッジ230a~dから出た混合ガスは、キャリア混合ガス中で搬送される、基板上に堆積すべき活性化された粒子を含み、任意選択で燃焼生成物を含むこともある。混合ガスは、水蒸気、一酸化炭素および二酸化炭素、ならびに微量の気化した電気化学材料、例えば金属の少なくとも1つを含むことがある。一実施形態では、混合ガスは、活性化された材料を基板に送給するのを助けるために使用される非反応性キャリアガス成分、例えばアルゴンArや窒素N2を含む。活性化された粒子を含む混合ガスは、さらに、燃焼反応を誘発するための可燃性混合物を含むことがあり、燃焼反応は、熱エネルギーを解放し、活性化された材料を可撓性導電性基板108に向けてスプレーパターンで伝播させる。スプレーパターンは、可撓性導電性基板108の大部分を一様に被覆するように、ノズル形状寸法、ガス流の速度、および燃焼反応の速度の少なくとも1つによって形状設定することができる。スプレーディスペンサカートリッジ230a~dが複数の噴霧ノズルを備えるいくつかの実施形態では、ノズルは、直線構成で配設することができ、または、両側のマルチヘッドスプレーカートリッジの間を進むときに可撓性導電性基板108の表面を一様に被覆することができるようにする任意の他の簡便な構成で配設することができる。圧力およびガス流量は、活性材料噴霧チャンバ124の内部で調節され、それにより、活性化された粒子とキャリア混合ガスとを含む混合ガスが可撓性導電性基板108と接触するとき、活性化された粒子は可撓性導電性基板108上に残り、一方、ガスは可撓性導電性基板108から反射される。反射されたガスが、噴霧ノズル510a~eから出る混合ガスの経路内に逆向きに流れるのを防止するために、半円形ポンピングチャネル224a~d、226a~dを使用して排気経路が確立される。排気流路は、反射されたガスを半円形ポンピングチャネル224a~d、226a~dを通して噴霧堆積領域220a~dから排気することによって、反射されたガスを各噴霧堆積領域220a~dから除去する。半円形ポンピングチャネル224a~d、226a~dは、排気口図示せずに結合させることができ、排気口は、任意の簡便な構成を有していてよい。排気口は、チャンバ本体202の壁にある単一の開口でよく、または複数のそのような開口でよく、あるいはチャンバ本体202の円周に巡らせて設けられた半円形の排気チャネルでよい。1つの例示的実施形態では、その上に堆積された3次元多孔質構造を有する基板108など可撓性導電性基板の一部分が、側壁210にある第1の開口320を通って活性材料噴霧チャンバ124に入り、スプレーディスペンサカートリッジ230a、230bの間の第1の処理領域216を通って進み、カートリッジは、可撓性導電性基板108の両面で3次元多孔質構造の上に第1の粉末を堆積して、第1の層を形成する。次いで、基板の一部分が、送りロール140および巻取りロール142、ならびに任意選択の中間移送ローラを使用して、スプレーディスペンサカートリッジ230c、230dの間で第2の処理領域218を通して並進され、第2の処理領域218において、第1の粉末の上に第2の粉末が堆積される。次いで、第1および第2の粉末で覆われている基板の部分が、さらなる処理のために、第2の開口330を通って活性材料噴霧チャンバ124から出る。本明細書で述べる装置を使用して実施することができるプロセス、および本明細書で述べる装置を使用して形成することができる構造の例示的実施形態は、本願と同一の譲受人に譲渡された、2010年1月13日出願のWangらのGRADEDELECTRODETECHNOLOGIESFORHIGHENERGYLIIONBATTERIESという名称の米国仮特許出願第61/294,628号に記載されており、その全体をすべて参照により本明細書に組み込む。図7は、インライン処理システム700の別の実施形態の部分概略側面図である。インライン処理システム700の部分断面は、両面活性材料噴霧チャンバ124と同様の両面活性材料噴霧チャンバ724を備え、可撓性基板移送アセンブリ730は、可撓性基板ベースを移動させ、両面活性材料噴霧チャンバ724の噴霧堆積領域220a、220b内に可撓性基板の一部分を位置決めするように構成される。両面活性材料噴霧チャンバ724は、両面活性材料噴霧チャンバ124と同様であるが、ただし、可撓性導電性基板710は、両面活性材料噴霧チャンバ724内で処理を行うために水平姿勢から垂直姿勢に向け直すことができ、次いで、両面活性材料噴霧チャンバ724での処理後、水平姿勢に再び向け直すことができる。基板移送アセンブリ730は、両面活性材料噴霧チャンバ724の下に位置決めされた送りロール732と、両面活性材料噴霧チャンバ724の上に配設された巻取りロール734とを備える。送りロール732と巻取りロール734はそれぞれ、可撓性導電性基板710の一部分を保定するように構成される。可撓性基板移送アセンブリ730は、処理中に、可撓性導電性基板710の一部分を給送し、両面活性材料噴霧チャンバ724の内部で位置決めするように構成される。一実施形態では、送りロール732と巻取りロール734の少なくとも一方が、アクチュエータに結合される。送りアクチュエータおよび巻取りアクチュエータを使用して、可撓性導電性基板上でスプレープロセスを行うことができるように可撓性導電性基板を位置決めし、望ましい張力を可撓性導電性基板に加えることができる。送りアクチュエータおよび巻取りアクチュエータは、DCサーボモータ、ステッパモータ、機械的ばねおよびブレーキ、または他のデバイスでよく、それらを使用して、可撓性導電性基板710を両面活性材料噴霧チャンバ724の内部で所望の位置に位置決めして保持することができる。一実施形態では、送りロール732と巻取りロール734の少なくとも一方が加熱される。両面活性材料噴霧チャンバ724は、両面活性材料噴霧チャンバ124と同様であるが、ただし、活性材料噴霧チャンバ724は、第1の噴霧堆積領域220aと第2の噴霧堆積領域220bを有する単一の処理領域を含み、一方、両面活性材料噴霧チャンバ124は、4つの噴霧堆積領域220a、220b、220c、および220dを有する。システム700は、複数の噴霧堆積領域を有する追加の処理領域を含むことがあることを理解すべきである。図8は、インライン処理システム800の別の実施形態の部分概略側面図である。インライン処理システム800の部分断面は、両面活性材料噴霧チャンバ724および両面活性材料噴霧チャンバ124と同様の両面噴霧チャンバ824を備え、可撓性基板移送アセンブリ830は、可撓性導電性基板810を移動させ、両面噴霧チャンバ824の噴霧堆積領域220a、220b内に可撓性基板の一部分を位置決めするように構成される。両面活性材料噴霧チャンバ824は、両面噴霧チャンバ124および両面活性材料噴霧チャンバ724と同様であるが、ただし、可撓性導電性基板810は、両面噴霧チャンバ824内で処理を行うために水平姿勢になる。可撓性基板移送アセンブリ830は、移送ロール832a、832bを備える。各移送ロール832a、832bは、可撓性導電性基板810の一部分を保定するように構成される。可撓性基板アセンブリ830は、処理中に、可撓性導電性基板810の一部分を給送し、両面噴霧チャンバ824の内部で位置決めするように構成される。一実施形態では、移送ロール832a、832bの少なくとも一方が加熱される。前述したことは本発明のいくつかの実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定される。"