非磁性体から形成される円柱状のベース部材と、そのベース部材の外周面に形成した磁気抵抗薄膜と、を備えた磁気センサ。前記ベース部材は、ガラスファイバーまたは光ファイバーで形成されることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。前記磁気抵抗薄膜の軸方向に所定の距離をおいて導体膜を形成したことを特徴とする請求項1または2に記載の磁気センサ。磁気抵抗薄膜材料のキュリー温度が150°C以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の磁気センサ。被測定導線を貫通させる環状磁気コアにギャップを設け、このギャップに請求項1~4のいずれかに記載の磁気センサを配置したことを特徴とする電流センサ。ホール素子を用いた磁気センサは、上述したように樹脂モールドされているためホール素子の表面に厚い保護被膜が形成されている。よって、係る保護被膜を含めたセンサ部の厚さは、300μm以上となる。そのため、非常に狭い磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価が困難となる。特に製品の小型化に伴い、評価対象物のさらなる小型化が進み、上記の問題は顕著になってくる。さらにホール素子は、温度特性耐熱温度にも問題がある。すなわち、高温タイプのInAs素子でも耐熱温度は125°Cとなっているため、使用環境耐熱環境が制限される。電流センサの場合は、環状磁気コアのギャップ内にホール素子からなる磁気センサを配置する構成を採ることから、ホール素子が保護被膜のため厚くなり、その結果磁気コアのギャップを大きくする必要がある。従って、評価磁界感度が劣る問題がある。また、ホール素子を磁界方向に鉛直に精度良く配置できないことから、電流値評価の誤差が生じる問題がある。小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価、微小狭小な空間での計測等が行えるとともに、耐熱環境の良好な磁気センサを開発したいという課題がある。検出精度が高く耐熱環境の良好な電流センサを開発することも副次的課題としてある。上述した課題を解決するため、本発明の磁気センサは、1非磁性体から形成される円柱状のベース部材と、そのベース部材の外周面に形成した磁気抵抗薄膜と、を備えて構成した。ホール素子のように樹脂モールドした保護被膜が不要となるので、小型薄型な全体形状となり、小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価、微小狭小な空間での計測等が行える。磁気抵抗効果膜を平坦平面な薄膜形状にした場合、膜に垂直方向と面内方向で磁気抵抗効果に大きな差があり、印加磁界方向による磁気抵抗変化が大きいため、設置姿勢向きも高精度に制御する必要があり汎用の磁気センサとして機能しない。これに対し、本発明では、円柱形状のベース部材の周囲に磁気抵抗薄膜を形成することで、円筒状パイプ状の磁気抵抗薄膜となり、外部より印加される磁界に対して2次元的に対象な磁界感度を有する磁気センサとなる。その結果、非常に狭い磁極間の磁界評価や評価対象近傍領域の磁界評価の際、磁気センサの配置において、2次元的に対象な構造を有するため、ホール素子のように外部磁界方向に対して鉛直に精度良く配置する必要が無く、設置をラフに行いつつ高精度な検出が行えるので作業性が良好となる。2前記ベース部材は、ガラスファイバーまたは光ファイバーで形成されるようにするとよい。ガラスファイバーは、円柱形状の周囲に磁気抵抗薄膜を形成するためのベース材として細くかつ容易に入手可能な材料であるので好ましい。光ファイバーは、真円に近く細くて入手可能な円柱形状材料であるので好ましい。3前記磁気抵抗薄膜の軸方向に所定の距離をおいて導体膜を形成するとよい。この導体膜は、センサ抵抗評価用の導体端子部となる。導体膜間にセンス電流を流すことで、このセンス電流ベクトルと外部磁界による円柱周囲の確気抵抗薄膜の磁化ベクトルとの成す角度に応じて、磁気抵抗薄膜の抵抗変化が生じ、端子間の電圧変化として検出可能となる。もちろん、導体膜が無くても磁気抵抗薄膜にセンス電流を流すことで磁気センサとして作用するが、導体膜を設けることで外部回路との接続が容易となる。4磁気抵抗薄膜材料のキュリー温度が150°C以上とするとよい。磁気抵抗薄膜のキュリー温度を150°C以上にすることで、ホール素子では評価不可能な高温領域の磁界評価が可能となる。5本発明の電流センサは、被測定導線を貫通させる環状磁気コアにギャップを設け、このギャップに1~4のいずれかに記載の磁気センサを配置した。1~4に記載の磁気センサは、円柱のベース部材の周囲に磁気抵抗薄膜を形成した形状となるため、非常に細いファイバー状のセンサとなる。よって、環状磁気コアのギャップを狭くすることができ、磁界感度の高い評価が可能となる。また、2次元的に対象の構造のため、ギャップ空間への配置に精度がいらない。本発明の磁気センサを用いれば、評価対象物に対して本磁気センサを近接配置することで、評価対象近傍領域の磁界を再現性良く評価可能となる効果を有する。また、電流センサも高精度の検出ができる。図1は、本発明に係る磁気センサの好適な一実施形態を示している。磁気センサ10は、外径125μmの光ファイバークラッドからなる円柱状のベース部材11の外周面に磁気抵抗薄膜12を被膜すると共に、その磁気抵抗効果膜12の軸方向両端に導体膜13を成膜して形成される。ベース部材11は、上述したように光ファイバークラッドを用いたため、真円に近いとともに直径も細い円柱形状材料となる。磁気抵抗効果膜12は、Ni80Fe20パーマロイ薄膜を用いた。円柱状のベース部材11の外周囲に全周に渡り磁気抵抗効果膜12を成膜することで、磁気抵抗効果膜は、薄膜構造のまま軸対称な円筒状パイプ状となる。これにより、反磁界係数の角度依存の影響が可及的に抑制でき、磁気センサの設置時の計測対象物との相対位置関係が比較的ラフに設定できる。また、磁気抵抗効果膜12の両端に成膜した導体膜13は、電極部を構成する。よって、その一対の電極部導体膜13を介して磁気センサ10から出力される検出信号を取り出すことができる。係る構成の磁気センサ10は、例えば以下のようにして製造する。ベース部材11となる光ファイバーをアセトンとIPAにより有機洗浄を行った後、耐熱テープにてベース部材11を基板に固定する。ベース部材11を基板に固定した状態で、スパッタ法によりTi下地にNi80Fe20パーマロイ薄膜を成膜する。膜厚は、例えば、ベタ膜条件で0.1μmとする。成膜後、ベース部材11を裏返し、同様に磁気紙抗薄膜を成膜する。これにより、ベース部材11の外周囲の全周に渡り磁気抵抗効果膜12が成膜される。次に、アルミ箔にて磁気抵抗効果膜12が成膜されたベース部材11の一部を覆う。このとき、少なくとも磁気抵抗効果膜12の軸方向中間部位がアルミ箔で覆われるとともに、両端が露出する設定とする。この状態でスパッタ法によりTi下地膜の上にCu膜と最上部にAu膜を成膜する。成膜後、ベース部材11を裏返し、同様の処理を実行する。これにより、スパッタ処理中に露出していた磁気抵抗効果膜12の両端にその外周囲の全周に渡り導体膜13が成膜される。その後、真空熱処理炉にて300°Cで1時間熱処理を施す。次に、本発明の効果を実証するため下記の実験を行った。すなわち、製作した磁気センサ端子間に一定のセンス電流を流し、外部より磁界強度を変化させることで磁気抵抗薄膜の抵抗変化を端子間の電圧変化として検出した。同様の評価を、磁気センサを回転させて3回行った。すなわち、図2におけるθをパラメータとして変化させ、繰り返し実験を行った。図3は、実験結果を示している。横軸が外部より与えた磁界強度であり、縦軸がそのときの端子間に出力された電圧である。系列1~3は、異なる角度θについてのものである。図から明らかなように、系列1~3は全て同様の系統を示しており、軸周りでの角度に対する感度依存性がないきわめて少ないことが確認できる。上述した実施形態では、端子部となる導電膜13は、磁気抵抗効果膜12の両端に配置したが、本発明はこれに限ることはなく、導体膜13の外側にさらに磁気抵抗効果膜12が突出したレイアウトをとることもできる。また、上述した実施形態では、磁気抵抗効果膜12は、軸方向につながった状態としているが、軸方向の途中で磁気抵抗効果膜を設けない領域を形成することで、軸方向に複数の磁気抵抗効果膜の領域が形成されるので、検出領域を複数設定することができる。また、磁気抵抗効果膜12は、円周方向で全周に渡り全面に成膜したが、一部設けない領域を設けても良い。磁気抵抗効果膜は、Ni80Fe20パーマロイ薄膜を用いて形成したが、材質は他ものでももちろん良い。また、磁気抵抗薄膜の材料のキュリー温度は、150°C以上のものとするとよい。ベース部材11は、光ファイバークラッドを用いたが、ガラスファイバーその他の材料で構成することができる。図4は、本発明に係る電流センサの好適な一実施形態を示している。本実施形態では、環状磁気コア20にギャップ21を設け、そのギャップ21内に磁気センサ10を配置した構成を採る。環状磁気コア20は、フェライトで構成する。磁気センサ10は、上述したものである。計測時には、環状磁気コア20の中央の空間内に被測定導線25を挿入配置する。図では、環状磁気コア20の軸方向と磁気センサ10の軸を平行に配置しているが、両者を直交させるなど、配置方向は任意である。本実施形態の電流センサは、小型高精度でかつ耐熱性に優れたものとなる。よって、屋外の蓄電デバイスや電気自動車の電流制御検出用途に多く利用することができる。