"次のステップ、i大気圧プラズマにより、第1および第2の基材のそれぞれにプラズマポリマー層を堆積するステップとii前記プラズマポリマー層を接触させるステップとを含む基材の接合方法。前記第1および第2の基材上の前記プラズマポリマー層が同じ種類である請求項1に記載の方法。次のステップ、i大気圧プラズマにより、第1の基材上にプラズマポリマー層を堆積させるステップと、ii前記プラズマポリマー層と反応することができる表面を有する第2の基材を、前記プラズマポリマー層に接触させるステップとをを含む基材の接合方法。前記第2の基材がガラス、金属またはプラスチック基材である請求項3に記載の方法。ステップiiが、前記プラズマポリマー層のプラズマポリマーのガラス転移点未満の温度で行われる請求項1~4の何れか1項に記載の方法。ステップiiで前記2つの基材が互いに押し付けられ、かつ/または真空が適用される請求項1~5の何れか1項に記載の方法。前記基材が粒子、特に金属粒子である請求項1~6の何れか1項に記載の方法。前記プラズマポリマー層以外に、前記基材を接合するためにさらに他の補助剤、特に接着剤を使用しない請求項1~7の何れか1項に記載の方法。前記プラズマポリマー層が、それらの表面に反応性部位を有する請求項1~8の何れか1項に記載の方法。前記反応性部位が、ラジカル部位、アルコール基、アミン基、カルボニル基、カルボキシル基、シラノール基、SiH基およびC=C基、並びにこれらの組み合わせから選択され、好ましくはシラノール基である請求項9に記載の方法。前記プラズマポリマー層は、それらの表面に、1ステップi後にエーテルまたはエステルに変換され、乾燥した場所に保管され、そしてステップiiの前に湿気および/または水の添加により活性化されるか、または2ステップi後に過酸化物に変換され、冷所に保管され、そしてステップiiの前に熱により活性化されるシラノール基を有する請求項1~10の何れか1項に記載の方法。前記大気圧プラズマは、プラズマノズルにより生成させる大気圧プラズマビームである請求項1~11の何れか1項に記載の方法。ステップiにおいて前記プラズマポリマー層を堆積させるために、前記プラズマポリマー層の前駆体化合物を前記大気圧プラズマビームの緩和プラズマの領域に供給する請求項12に記載の方法。前記プラズマポリマー層が、ステップiiで縮合反応を起こし、それにより前記第1および第2の基材を互いに接合させるシラノール基を含む請求項1~13の何れか1項に記載の方法。前記大気圧プラズマがプラズマノズルによって生成させる大気圧プラズマビームであり、前記プラズマノズル内のプロセスガスとして強酸化性ガスを使用する請求項1~14の何れか1項に記載の方法。前記強酸化性ガスが酸素または空気である請求項15に記載の方法。ステップiで堆積した前記プラズマポリマー層が、前記前駆体化合物と前記プロセスガスとから前記大気圧プラズマ中で生じる反応性部位を有する請求項1~16の何れか1項に記載の方法。ステップiで前記プラズマポリマー層を堆積させるために使用する前記前駆体化合物の構造が前記大気圧プラズマ中で破壊される請求項1~17の何れか1項に記載の方法。前記前駆体化合物が不飽和C-C結合を含まない請求項17または18に記載の方法。前記前駆体化合物が、テトラアルキルモノシラン、トリアルキルモノシラン、ジアルキルモノシラン、テトラアルコキシモノシラン、トリアルコキシモノシラン、ジアルコキシモノシラン、テトラアシルオキシモノシラン、ペルアルキル化シロキサンおよびシラザンから選択される請求項17~19の何れか1項に記載の方法。前記ペルアルキル化シロキサンが、ペルアルキル化ジ、トリ、および/またはテトラシロキサンであり、前記シラザンがジシラザンである請求項20に記載の方法。前記前駆体化合物中のアルキル基、アルコキシ基、およびアシル基が、それぞれ1~6個の、好ましくは1~3個の炭素原子を有する請求項20または21に記載の方法。前記前駆体化合物が、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルシラン、テトラアセトキシシラン、オクタメチルトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、トリエチルシラン、トリメチルシランおよびジエチルシランからなる群から選択される請求項17~22の何れか1項に記載の方法。プラズマポリマー層を介して互いに接合している第1および第2の基材を含む複合構造体であって、前記複合構造体が請求項1~23の何れか1項に記載の方法により得られることを特徴とする複合構造体。この目的は、本発明に従い、独立請求項1および3に特定した基材の接合方法により達成される。この方法は、第1ステップにおいて、接合する基材の少なくとも一方に、大気圧プラズマによりプラズマポリマー層を堆積することを特徴としている。したがって、請求項1は、接合する両基材にプラズマポリマー層を設けるという、この方法の変形に関するものである。基材の一方にのみプラズマポリマー層を設け、この層と反応可能な表面を有する第2の基材とを、接合のために接触させるという変形は、請求項3の主題である。本発明者らが驚きをもって見出したように、大気圧プラズマ堆積直後のプラズマポリマー層は、適切な第2の基材に単に接触させるだけで結合させる相手との間で化学反応を引き起こし、それらを互いに接合させるのに十分な高い反応性を残している。したがって、互いに化学的に反応することができるプラズマポリマー層がともに設けられている基材は適切である。あるいは、第2の基材の表面が第1の基材のプラズマポリマー層と反応することができるものならば、一方の基材のみにプラズマポリマー層を設けることも可能である。さらに、プラズマポリマー層は、例えばそれらを互いに押し付けることによって基材を接触させたときに、プラズマポリマーが移動しない程度にまでステップiの堆積直後に既に架橋している。本発明の方法の好ましい構成は、従属請求項の主題である。他の観点によれば、本発明は、第1および第2の基材を含む複合構造体に関する。この複合構造体における基材は、本発明の方法により得られるプラズマポリマー層を介して接合されている。本発明の方法の両変形とも、プラズマポリマー層を、大気圧プラズマatmosphericpressureplasmaにより基材上に堆積する。したがって、その層を構成するプラズマポリマーは、大気圧プラズマの作用により、前駆体化合物から生成される。APプラズマまたは常圧プラズマnormalpressureplasmaとしても知られる大気圧プラズマは、圧力がほぼ大気圧に一致するプラズマを意味すると理解されている。C.Tenderoらは、Atmosphericpressureplasmas:Areview,SpectrochimicaActaPartB:AtomicSpectroscopy,2005で、大気圧プラズマの概要を説明している。本発明の方法で使用することができる大気圧プラズマは、異なるタイプの励起によって発生することができる。ここでは、AC交流励起、DC直流および低周波励起、RF励起、およびマイクロ波励起が、そしてまたパルス形態のものが考えられ得る。本発明で使用する大気圧プラズマは、高周波パルス励起により発生することが好ましい。パルス周波数は、5~100kHzの範囲、好ましくは10~50kHzの範囲に及んでもよいが、特に限定はされない。取り扱いが容易であることから、本発明の方法ではプラズマノズルを使用して大気圧プラズマを発生させることが有利である。ここで、図3を参照しながら、プラズマノズルの基本構造をより詳しく説明する。プラズマノズル6は、好ましくは細長く、特にチューブ状に設計された導電性ハウジング21を有する。このハウジングは、プロセスガスが流れるノズルチャンネル22を形成する。電極23が、ノズルチャンネル内に、好ましくは同軸的に配置されている。絶縁材料からなるチューブ24、例えばセラミックチューブが、ノズルチャンネル22内に挿入されている。高周波発生器25により、電極とハウジングの間に電圧が印加される。プロセスガス20は、好ましくは導管26を通って、チャンネル内を渦状に流れるように、ノズルチャンネルに入る。プロセスガスのこの流れは、渦生成デバイス27により形成することができる。これは、穴の開いた板であってよい。窒素、酸素、水素、不活性ガス特にアルゴン、アンモニアNH3、硫化水素H2Sおよびこれらの混合物、特に、圧縮空気、窒素-水素混合物、および希ガスと水素の混合物が、プラズマノズルで使用し得るプロセスガスの例である。大気圧プラズマノズルが動作中、電気アークに似たプラズマ放電28が、中央電極23の先端から実質的にノズルチャンネル23の軸方向に、ハウジング21と同様に接地されている対向電極29にまで延びる。これにより、プラズマビーム40がノズル出口30の真下に出る。プラズマノズルの動作モードは当業者に知られており、例えば、DE-A-19532412およびDE-U-29921694に記載されている。それらによれば、プラズマノズルの動作中、フレーム状のプラズマビームが、ノズル開口部の下に発生する。本発明の方法では、原則として、任意の種類のプラズマノズルを使用することができる。好ましい実施形態では、プラズマノズルは、DE-A-19532412またはDE-U-29921684に記載されているようにして使用される。DE-A-19532412に含まれるプラズマノズルの使用、特にPlasmatreat社Germanyから商業的に入手可能な標準単一ノズルの使用が特に好ましい。本発明者らが驚きをもって見出したように、大気圧プラズマで堆積したプラズマポリマー層、特にプラズマノズルにより堆積したプラズマポリマー層、さらに特にプラズマノズルにより生成された大気圧プラズマビームにおける緩和プラズマの領域へのプラズマポリマー層の前駆体化合物の供給をステップiおける堆積を伴うプラズマポリマー層を、非常に高い反応性を残していることから、例えば接着剤などのさらなる任意の補助剤がなくとも、この種の第2のプラズマポリマー層請求項1の方法またはプラズマポリマー層と反応可能な表面を有する第2の基材請求項2の方法に接着することができる。低圧プラズマで堆積したプラズマポリマー層ではこれが不可能であることが、実験でわかっている。本発明の根拠となっているこの驚くべき発見に対する本発明者らの説明は、大気圧における層堆積速度が、低圧プラズマより最大で1000倍まで速いというものである。したがって、反応性部位siteofreactivityはプラズマポリマー層において互いに反応するための時間を明らかに殆ど有していないと推定される。プラズマにより低圧で堆積層に投入され、かつ強くテンパリングtemperingがされたときに似た反応を反応性部位に引き起こさせる明らかにより高いエネルギーが、これに加わるものと推察される。プラズマポリマー層の前駆体化合物は、プロセスガス20とともに導入することができる。その場合、プラズマ重合は活性プラズマ中で早くも起きる。活性プラズマは、一般に、電極で制限された体積内に位置するプラズマを意味すると理解される。図3の場合、活性プラズマ28はプラズマノズル6の内部に位置している。一方、本出願では時に大気圧プラズマの緩和領域とも称されている緩和プラズマ時にまたアフタグロープラズマとも呼ばれるの場合、プラズマは電極で制限された励起領域の外に位置している。図3では、緩和プラズマの領域、すなわちプラズマビームの緩和領域40は、したがって、ノズル出口30と基材1の間に位置している。本発明の方法の好ましい実施形態では、プラズマポリマー層の前駆体化合物は、ステップiにおいて緩和プラズマの領域に供給される。これは図3に示されている。前駆体化合物をプロセスガスとともに供給するのは、未だ活性プラズマ28の領域内にある前駆体化合物の予備反応、例えば予備重合が生じ得るのであまり有利ではない。図3に示すように、プラズマポリマー層の前駆体化合物は有利には、ステップiにおいて、プラズマノズル6に装着されたアダプター44に助けられ、緩和プラズマの領域40へ供給される。アダプター44は、緩和プラズマビーム40が通過するチャンネルを有する。プラズマポリマー層の前駆体化合物は、アダプターの開口部32を介して大気圧プラズマビームの緩和領域40に供給される。前駆体化合物の流れの方向を、図3中、矢印42で示す。そのようなアダプター44を使用することで、プラズマポリマー層の堆積を特に制御することができる。これは、例えば、そのようなアダプターの使用によって、大気中の酸素がプラズマビームの緩和領域40へ接近するのが防止されることによる。ガイドチャンネルの出口端46とコーティングされる基材1の表面との間隔が可能な限り狭くなるよう選択されるのもこの理由による。その結果、出口端46と基材表面の間の圧力は周りの圧力より高くなり、それにより、プラズマポリマー層3の堆積領域の周囲からの大気中酸素が制御されない形でプラズマビーム40に到達するのが防止される。図3中、符号fで示す適切な間隔は、好ましくは15mm~2mm、より好ましくは10mm~4mm、最も好ましくは約6mmである。この種のアダプターは、例えば、DE102005059706A1に記載されている。本発明で使用し得るアダプター44は、例えば、アルミニウムで作製することができる。前駆体化合物を大気圧プラズマに供給するときの形態は特に限定されない。前駆体化合物は、その種類に応じて、気体、液体または固体、粉末の形態で導入し得る。任意選択により、コーティング用前駆体化合物を輸送するために、キャリアガスを使用してもよい。HMDSO、TEOSおよびHMDSNは、例えば、蒸発器図3に示さずなどで生成した気体の形態で供給することができる。前駆体化合物を供給するために使用できるキャリアガスの例としては、窒素、アルゴンおよびヘリウムなどの不活性ガス、そのような不活性ガスと圧縮空気の混合ガス、並びにフォーミングガスおよび圧縮空気が挙げられる。プラズマビーム40内で、前駆体化合物のプラズマ重合が生じ、基材1上にプラズマポリマー層3が堆積する。図3中、矢印50で示すように、大気圧プラズマノズル6をアダプター44とともに、基材1に対して移動させる。このようにして、基材表面全体を掃引することにより、基材にプラズマポリマー層を完全に設けることができる。本発明の方法で接合させる基材は、結合される部品であってよい。そのような実施形態の1つを図1aに示す。ここでは、それぞれにプラズマポリマー層3が設けられた第1の基材1および第2の基材1’を互いに接触させる。これを矢印で示す。このプロセスで、基材は互いに接合して、プラズマポリマー層3’を介して2つの基材が接合した複合構造体10を形成する図1bを参照。プラズマポリマー層3’では、プラズマポリマー層3は互いに接合、好ましくは接着している。本発明では、接着による接合は、接合させる材料が原子間もしくは分子間力により結合holdtogetherされる接合を意味すると理解される。したがって、これらの接合は、接合手段を破壊することによってのみ接合を断つことができる、破壊不能な接合を特に含む。基材はさらに粒子、例えば金属粒子であり得る。本発明の方法のそのような実施形態の1つを図2に示すが、そこでは、多数の粒子2にプラズマポリマー層3が設けられている。プラズマポリマー層3が設けられている、特にそれで包まれているそのような粒子2は、例えば、粒子とプラズマポリマー層の前駆体化合物をともに、大気圧プラズマに供給して、粒子上にプラズマポリマー層を堆積させることにより得ることができる。この方法では、特に粒子2はプラズマポリマー層3で包まれる。粒子、特に金属粒子をプラズマポリマー層でコーティングするそうした方法の1つは、例えば、DE102005042109A1、および対応するWO2007/028798に記載されている。図2において、プラズマポリマー層を接触させると、プラズマポリマー3のマトリックス中に分散された粒子2を含む複合構造体が形成される。このとき、層を、例えばプレスで圧縮して接触させることが特に有利である。プレス装置に真空を適用すると、複合構造体中の粒子間接合を強化するのに適していることがわかった。この種の複合構造体から構造部品を形成することができる。これは、適当な形状のプレス装置により、特に簡単な方法と手段で行うことができる。電気絶縁性プラズマポリマーについては、粒子が高熱伝導性の材料からなる場合、この方法で高熱伝導性を有する電気絶縁性部品を得ることができる。例えばFe-Si合金、特にSi含有量が約6重量のものなどの軟磁性材料magneticallysoftmaterialからなる粒子を使用すると、渦電流損失を最小限まで減少させた軟磁部品magneticallysoftcomponentを製造することができる。本発明においては、接触させるとは、接合させる表面、すなわち、請求項1の方法における2つのプラズマポリマー層の表面、並びに請求項3の方法におけるプラズマポリマー層の表面および第2の基材の表面を、いわゆる自己接着autoadhesionが可能になるよう、ステップiiで互いに接触させることを意味すると理解される。したがって、基材を接合するための本発明の方法のステップiiにおいて、接合させる表面を直接接触させる、言い換えれば、それらが互いに直接接触することが好ましい。したがって、本発明の方法では、基材を接合するために、さらなる他の補助剤、特に接着剤を使用しない。本発明においては、ステップiiでプラズマポリマー層を接触させれば、反応が開始するであろう。いかなる反応が特に起こるかは、それぞれのプラズマポリマー層の化学構造、特に表面上の反応性部位の化学構造に依存する。本出願では、プラズマポリマー層の反応性部位とは、ステップiiの接触プロセスの間に、基材間の接合、特に化学反応による接合をもたらす部位を意味すると理解される。ここで考えられ得る反応としては、例えば、縮合反応、付加反応、およびフリーラジカルの再結合が挙げられる。適切な縮合反応は、シラノールsilanol基とアルコールalcoholsとの反応すなわち、シラノールシラノール、アルコールシラノール、またはアルコールアルコール、アルコールとカルボン酸carboxylicacidとの縮合反応エステルの生成を伴う、およびアミンamineとカルボン酸carboxylicacidとの縮合反応アミドの生成を伴うである。付加反応としては、SiHとC=Cなどの不飽和結合との反応ヒドロシリル化、アルコールとカルボニルcarbonyl、およびアミンamineとカルボニルの付加反応、並びに[24]環付加cycloadditionsを挙げ得る。特に好ましい実施形態においては、接合させるプラズマポリマー層はそれぞれ、表面にシラノール基を有しており、これが、ステップiiで縮合反応によりSi-O-Siブリッジを形成し、それによりプラズマポリマー層を接着し、したがってまたそれが設けられた基材を接着する。所望のプラズマポリマー層を堆積させるために、適当な前駆体化合物を利用することができる。テトラアルコキシモノシランsilanes、テトラアルキルモノシランsilanes、テトラアシロキシモノシランtetraacyloxysilanes、並びにペルアルキル化シロキサンおよびシラザンsilazanes、特にジdi、トリtriおよびテトラシロキサンtetrasiloxanesまた、環状のものおよびジシラザンdisilazanesは、本発明の方法のステップiiで縮合反応に加わることができる反応性部位としてシラノール基を主に有するプラズマポリマー層の形成に適している。揮発性が改善されそれに伴ってキャリアガスによる供給が簡単になるため、上記化合物のアルキル基およびアルコキシ基は、C1-6アルキル基およびC1-6アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基またはプロピル基、およびメトキシ基、エトキシ基またはプロポキシ基がより好ましい。これはまた、アシロキシ基にも準用される。この場合も同様に、これらはC1-6アシロキシ基であることが好ましく、アセトキシ基が特に好ましい。好ましい前駆体化合物のいくつかの具体例としては、次のものが挙げられるであろう。テトラメトキシシランtetramethoxysilane、テトラエトキシシランtetraethoxysilaneTEOS、ヘキサメチルジシロキサンhexamethyldisiloxaneHMDSO、ヘキサメチルジシラザンhexamethyldisilazaneHMDSN、テトラメチルシラン、テトラアセトキシシランtetraacetoxysilane、オクタメチルトリシロキサンoctamethyltrisiloxaneおよびオクタメチルシクロテトラシロキサンoctamethylcyclotetrasiloxane。テトラアルキルシランtetraalkylsilanes、例えばテトラメチルシランtetramethylsilaneの場合、シラノール基はプロセスガスの酸素と微量の水から生じる。さらに、Si-H結合を有するケイ素化合物ヒドロシランを使用して、有機ケイ素プラズマポリマー層を形成することができる。ここでは、トリアルキルモノシランTrialkylsilanes、トリアルコキシモノシランtrialkoxysilanes、ジアルキルモノシランdialkylsilanesおよびジアルコキシモノシランdialkoxysilanesが特に考えられ得る。これらの化合物の比較的高い揮発性のため、アルキル基およびアルコキシ基としては、C1-6アルキル基およびC1-6アルコキシ基が、この場合もまた同様に好ましく、メチル基、エチル基またはプロピル基、およびメトキシ基、エトキシ基またはプロポキシ基がより一層好ましい。次の化合物は好ましいヒドロシランの具体例である。トリエトキシシランtriethoxysilane、トリエチルシランtriethylsilane、トリメトキシシランtrimethoxysilane、トリメチルシランtrimethylsilaneおよびジエチルシランdiethylsilane。上記の例で挙げられたものなどのヒドロシランから得られたプラズマポリマー層はステップiiにおいて、ヒドロシリル化反応SiH不飽和結合、特にC=CおよびSiHとラジカル部位radicalsitesとの反応に参入し得ることが観察された。これらの反応のための不飽和結合特にC=Cおよびラジカル部位は、例えばアセチレンなどの不飽和炭化水素を使用することにより、プラズマポリマー層の前駆体化合物として得ることができる。アセチレン以外に、例えばエテン、プロペン、トルエン、キシレン、アリルアミン、および、大気中の酸素に抗して有効にカプセル化されるならば、アルカンもまた、前駆体化合物として、有機プラズマポリマー層を得るために使用することができる。好ましい実施形態においては、本発明のプラズマポリマー層は、ケイ素含有の、特に有機ケイ素silicoorganicのプラズマポリマー層である。本発明の一実施形態において、大気圧プラズマは、プラズマノズルにより発生した大気圧プラズマビームであり、強酸化性のプロセスガス、例えば酸素または空気例えば、圧縮空気が、プラズマノズル内のプロセスガスとして使用される。プラズマ中の強酸化性プロセスガスは、供給された前駆体化合物の構造を破壊し得るが、同時に、堆積したプラズマポリマー層に、それまで前駆体化合物中にはなかった反応性部位例えば、官能基が確実に含まれるようにすることができる。したがって、非反応性前駆体化合物も使用し得る。好ましくは、不飽和炭素-炭素C-C結合を有しない、特にC=C結合を有しない前駆体化合物が使用される。第1および第2の基材上のプラズマポリマー層は、同種であることが特に有利である。本出願の目的のためには、同種のは、本明細書中ではプラズマポリマー層が、同じ前駆体化合物を使用して堆積されており、したがって好ましくは同じ種類の反応性部位を有することを意味する。プラズマポリマー層が同じ種類のものである場合、例えば、両層がシラノール基の形態の反応性部位を有する場合、理論的には、例えば縮合反応などの化学反応もまた、それぞれのプラズマポリマー層で、したがってプラズマポリマー層を接触させる前にも起こり得るであろう。本発明者らが見出したように、立体障害のためにプラズマポリマーではこのような場合は殆どない。表面に存在する反応性部位は、多くの場合反応相手を見出すことができず、したがって反応は大部分が層と層の間で起こる。それぞれのプラズマポリマー層におけるそのような反応を可能な限り防止し、それにより層と層の間の反応を促進するためには、ステップiの堆積後、30分以内にステップiiを実施することが有利である。ステップiの後、直ちにステップiiを行うことが好ましい。発明者らが見出したように、本発明により堆積したプラズマポリマー層は、適切な処理と保管がなされ、そしてステップiiの前に活性化されるならば、化学反応を起こす能力を保持し、したがってそれらの第2の基材に対する接合性を持ち続ける。表面にシラノール基SiOH基を有するプラズマポリマー層の場合、例えば、次の方法を利用できる。1SiOH基をエーテルまたはエステルに変換し、その後、このように処理したコーティング済基材を乾燥した場所特に、水分のない所にに保管し、ステップiiの前に、水、例えば湿気を加えてこれらを活性化させる。エーテルへの変換は、例えばプラズマポリマー層をメタノールまたはエタノール、特にエタノールなどのアルコールで処理することにより可能である。エステルは、プラズマポリマー層を酸および/または酸無水物anhydride、例えば酢酸および/または無水酢酸で処理することにより得ることができる。プラズマポリマー層は、その後、水の添加により活性化させることができ、その後直ちに、有利には少なくとも30分以内に、ステップiiに供するべきである。2SiOH基を過酸化物に変換し、次いで、それに応じて処理されたコーティング済基材を冷所に保管し、その後、ステップiiの前に熱による活性化を行う。SiOH基を過酸化物に変換するために、任意の種類の過酸化物を使用することができる。ここでは、例えば、ジベンゾイルペルオキシドが考えられ得る。冷所での保管は、ここでは、プラズマポリマー層が設けられ、かつ過酸化物で処理された基材を、好ましくは-20~0°Cの温度で保管することを意味すると理解され、また熱による活性化は、好ましくは少なくとも50°Cの温度、特に好ましくは、使用する過酸化物に応じて80~120°Cの範囲の温度で処理することを意味すると理解される。上記1および2の方法の他、高湿条件下での保管、すなわち水の存在下、特に水蒸気内での保管により、表面にSiOH基を有するプラズマポリマー層に反応性を長時間維持することができる。ステップiiで基材を接触させるとき、基板の接合の促進にいくつかの方法が適していることがわかった。ここに挙げられる第1の方法は、基材を互いに押し付けることである。このプレス過程で加える圧力は、接合させる表面の性状、特に表面粗さに、また基材の変形挙動に依存する。例えば、コーティングしたシリコンウエハについては、少なくとも25N/cm2の圧力が特に適していることがわかった。さらに、結合させる基材間を真空に引くこともまた、基材の接合を促進する。接合させる2つの表面間のこの真空排気は、良好な表面接触を保証する。先に説明したように、真空の適用はまた、基材が粒子である場合、複合構造内の粒子間のより良好な接合をもたらすという理由から、有利である。実際には、真空は、プラズマポリマー層で包まれた粒子が互いに押し付けられ、複合構造体図2を参照を形成するプレス装置のキャビティに適用することができる。さらに、ステップiiにおける接触を高い温度で行うと、例えば、層と層との化学反応を促進するので有利であることがわかった。温度は、少なくとも80°Cとすることが有利である。ステップiiで使用し得る最高温度は、プラズマポリマー層および基材の熱安定性に依存する。不必要な熱応力を避けるために、温度はプラズマポリマーのガラス転移点TG未満であることが好ましい。例えば、DE4242059C1とは異なり、プラズマポリマーの軟化は、ステップiiでプラズマポリマーのTG未満の最高温度を使用すれば回避することができる。好ましい実施形態において、ステップiiは、80°C~TG-10°Cの範囲の温度で行われる。本発明では、プラズマポリマー層の厚さは特に限定されない。厚さは50~1000nmの範囲であることが好ましい。その結果、プレス過程がある場合、そこで加えるプレス力は特に低く選択することができる。そのような層の厚さは、接着促進層の通常値よりもかなり大きい。後者は、通常、10~20nmの範囲である。しかしながら、基材を接合するための本発明の方法はまた、例えば非常に滑らかな基材の場合、非常に薄いプラズマポリマー層例えば、僅かに5nmの厚さを有するを使用して実施しても、よい結果を得ることができる。本発明の方法の他の実施形態においては、プラズマポリマー層を大気圧プラズマ中で第1の基材上にのみ堆積させ、これと反応できる表面を有する第2の基材に接触させる。プラズマポリマー層に関して既に説明したように、第2の基材の表面は結果的にその表面に反応性部位を有する。第2の基材は、例えばガラス、金属またはプラスチック基材であり得る。適当なプラスチック基材の例としては、エチレン/ビニルアルコールコポリマーおよびエチレン/ビニルアセテートコポリマー、ポリカーボネートPC、並びにポリメチルメタクリレートPMMAから作られるものが挙げられる。本発明の意味での反応性部位をそれ自身では有しないプラスチック材料もまた、それらの表面にそのような反応性部位を生成する適当な前処理が行われるなら、本発明の方法のこの実施形態において、基材として使用し得る。この種の前処理としては、例えば、酸素の存在下における部分フッ素化、例えば、硫酸または酸洗いによる湿式化学処理、またはプラズマ活性化が挙げられる。ポリエチレンPEおよびポリプロピレンPPは、そのような前処理によって本発明の方法に適したものとすることができる、本質的に不活性なプラスチックの例である。第2の基材は、表面にOまたはOH基を、それ自体有するか、または適当な前処理後に有していることが好ましく、したがって、もし第1の基材上のプラズマポリマー層が例えばシラノール基を含んでいるならば、本発明の方法で第1の基材上のプラズマポリマー層に第2の基材を接合することができる。その場合、基材は縮合反応により互いに接合する。例えば、ガラス基材は、縮合により第1の基材のプラズマポリマー層と反応することができる末端のOまたはOH基を表面に有している。本発明者らが観察したように、大気圧プラズマ中で堆積したシラノール含有プラズマポリマー層中のOH基の割合は、同じ前駆体化合物を使用して低圧プラズマ中で堆積した対応するプラズマポリマー層におけるよりかなり高い。OH基の密度が不十分なために、低圧プラズマ中で堆積したシラノール含有プラズマポリマー層は基材の接合に不適当であることがわかった。本発明者らが見出したように、プラズマポリマー層の前駆体化合物例えば、HMDSOを大気圧プラズマビームの緩和プラズマの領域図3中、符号40へ供給する際、可能なかぎり多くの反応性部位をシラノール基の形態で有する層を製造するためには、ある種のプロセスパラメータが特に適しており、それらは、次のものである。130~100g/hの範囲の前駆体化合物例えば、HMDSOの供給速度、27~16mmの範囲の供給チャンネル32と基材との距離図3中、符号eで示す、および310~30の範囲のプロセスガスの酸素含有量。本発明の方法の特に好ましい実施形態においては、上記プロセスパラメータ1~3の全てが同時に満たされる。最後に、ステップiにおけるプラズマポリマー層の堆積中においては、10~70°Cの基材温度が有利であることがわかった。実施例1図3に模式的に示すような、アダプターが装着された大気圧プラズマノズルを使用して、互いに接着させる基材シリコンウエハに、有機ケイ素前駆体化合物に基づくプラズマポリマー層を約400nmの厚さに形成した。2L/minのN2キャリアガスを使用し、前駆体化合物として50g/hのHMDSOをアフタグロープラズマ中へ供給した。HMDSO-キャリアガスの混合物用の入口流路とノズル出口図3中、符号dで示すの距離は7mmであり、この入口流路と基材1の表面との距離図3中、符号eで示すも同じく7mmであった。プロセスガスとして29L/minの圧縮空気を使用した。基材とプラズマノズル間の相対速度は20m/minであった。層を堆積後直ちに、シリコンウエハを、圧力0.1kN/cm2と熱120°Cを加えて互いに押し付けた。2枚のウエハの間に接着による接合が得られた。この複合体の剥離応力により、シリコンウエハの破壊またはコーティング内での凝集破壊が生じる。接着上の欠陥はなかった。実施例2図3に模式的に示すような、ノズル出口にアダプターを備えた、Plasmatreat社の大気圧APプラズマシステムPFW10高周波発生器:PG5001を使用して、シリコンウエハまたはIR分析用に金をスパッタしたシリコンウエハ上にプラズマポリマー層を堆積させた。層を形成するために、プロセスガスとして圧縮空気を使用してノズル内にプラズマを発生させた。これにより、周波数17~25kHzの高電圧を印加して、アーク様放電によりプラズマを生成する。このようにして生成させたプラズマに、キャリアガスとして窒素を使用して、蒸発したヘキサメチルジシロキサンHMDSOをノズル出口で供給した。X線光電子分光法XPSにより決定したプラズマポリマー層の組成は、以下のようであった。Si:28~26原子O:51~48原子C:21~26原子テンパリング100°Cで30分間の保管の前、層は図4aに示すIRスペクトルを有した。全表面が結合させる材料で覆われていない状態でのテンパリング後、図4bで示すIRスペクトルが得られた。結合させる材料で覆わないテンパリングは、IR分析を妨げるものであろうが、この場合は、本発明の方法のステップiiで起こることをシミュレートすると考えられる。図4bと4aのIRスペクトルの比較は、2900~3600cm-1における水の割合および約950cm-1におけるSi-OH結合が、1100~1200cm-1の範囲におけるSi-O結合の反応のために減少することを示している。調製後直ちに、堆積層厚さ、約200nmを有するシリコン基材を結合させる材料同じ層が設けられていると共に、120°Cで30分間、圧力をかけた状態で保管した。次いで、同じ圧力をかけたまま室温にまで徐冷した。剥離負荷をかけると、この複合体はプラズマポリマー層内で凝集破壊を引き起こす。室温で1時間、および80°Cで30分間プレスを行ったときも同じ挙動が観察された。比較例比較の目的で、低圧プラズマ中で堆積したプラズマポリマー層を調べた。プラズマ重合に適した堆積チャンバーを堆積に使用したEP1432529B1およびDE19748240C2を参照。プロセスガスおよび有機ケイ素前駆体化合物すなわち、これらの実験ではHMDSOを供給しながら、層堆積のためのプラズマをプロセスチャンバー内で励起により発生させた。プロセスステップを整合させることにより、実施例2で得られたものと類似の層組成が得られた。XPS分析から次の組成が得られた。Si:26原子O:43原子C:31原子調製後直ちに、試料を実施例2と同様に、圧力をかけ、同じ温度120°Cで30分間保管した。プレスの前、図5aに示したIRスペクトルが得られた。テンパリング後も、スペクトルは非常にわずかな変化のみを示した図5b。低圧プラズマからの層では、コヒーレントなポリサーフェスを同じ基材材料上に生成することは不可能である。試料を冷却し、接合すべきコーティング済部品から圧力を除去すると、後者は粉々に崩れる。この試料はまた、プラズマポリマー層の表面に、結合させる2つの部品間に結合があったことを示すなんらの変化も示さない。例えば圧力および熱の影響下において、APプラズマでは可能である層反応実施例1および2を参照を、低圧プラズマの層では達成することができない。"