"複数の機能素子が設けられた半導体ウェハの上面に第1の保護テープを貼ることと、前記第1の保護テープの上面から前記半導体ウェハを切削し、それぞれ機能素子が設けられた複数の半導体チップを得ることと、前記複数の半導体チップのそれぞれの上面に貼り付いている前記第1の保護テープ上に粘着テープを貼ることと、前記粘着テープと共に、前記第1の保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離することと、前記複数の半導体チップの上面に第2の保護テープを貼ることと、前記第2の保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離することと、を含む、半導体チップの製造方法。前記第1の保護テープ及び前記第2の保護テープの粘着層が、紫外線硬化性樹脂を含む、請求項1に記載の半導体チップの製造方法。前記第1の保護テープ及び前記第2の保護テープの粘着層が、熱硬化性樹脂を含む、請求項1に記載の半導体チップの製造方法。前記第1の保護テープ及び前記第2の保護テープの粘着層が、熱可塑性樹脂を含む、請求項1に記載の半導体チップの製造方法。前記第1の保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離することの前に、前記第1の保護テープに紫外線を照射することを更に含む、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。前記第1の保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離することの前に、前記第1の保護テープを加熱することを更に含む、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。前記第2の保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離することの前に、前記第2の保護テープに紫外線を照射することを更に含む、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。前記第2の保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離することの前に、前記第2の保護テープを加熱することを更に含む、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。前記半導体ウェハを切削する際、前記第1の保護テープを貼られた半導体ウェハに溶液を供給することを更に含み、前記第1の保護テープを前記複数の半導体チップの上面から剥離することが、前記溶液が乾く前になされる、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。ウェハの上面に第1の保護テープを貼ることと、前記第1の保護テープを貼られたウェハを切削し、複数のチップを得ることと、前記複数のチップのそれぞれの上面に貼り付いている前記第1の保護テープ上に粘着テープを貼ることと、前記粘着テープと共に、前記第1の保護テープを前記複数のチップの上面から剥離することと、前記複数のチップの上面に第2の保護テープを貼ることと、前記第2の保護テープを前記複数のチップの上面から剥離することと、を含む、ウェハのダイシング方法。前記第1の保護テープ及び前記第2の保護テープの粘着層が、紫外線硬化性樹脂を含む、請求項10に記載のウェハのダイシング方法。前記第1の保護テープ及び前記第2の保護テープの粘着層が、熱硬化性樹脂を含む、請求項10に記載のウェハのダイシング方法。前記第1の保護テープ及び前記第2の保護テープの粘着層が、熱可塑性樹脂を含む、請求項10に記載のウェハのダイシング方法。前記第1の保護テープを前記複数のチップの上面から剥離することの前に、前記第1の保護テープに紫外線を照射することを更に含む、請求項10乃至13のいずれか1項に記載のウェハのダイシング方法。前記第1の保護テープを前記複数のチップの上面から剥離することの前に、前記第1の保護テープを加熱することを更に含む、請求項10乃至13のいずれか1項に記載のウェハのダイシング方法。前記第2の保護テープを前記複数のチップの上面から剥離することの前に、前記第2の保護テープに紫外線を照射することを更に含む、請求項10乃至15のいずれか1項に記載のウェハのダイシング方法。前記第2の保護テープを前記複数のチップの上面から剥離することの前に、前記第2の保護テープを加熱することを更に含む、請求項10乃至15のいずれか1項に記載のウェハのダイシング方法。前記ウェハを切削する際、前記第1の保護テープを貼られたウェハに溶液を供給することを更に含み、前記第1の保護テープを前記複数のチップの上面から剥離することが、前記溶液が乾く前になされる、請求項10乃至17のいずれか1項に記載のウェハのダイシング方法。ダイシング中、シリコンウェハ表面に貼り付けられた保護テープも、シリコンウェハと共にダイシングされる。ダイシング後、保護テープはチップの表面から剥離される。しかし、保護テープを剥離した後も、チップの表面に、保護テープの粘着剤が残留すると、残留した粘着剤がチップの機能素子の精度を低下させる。そこで、本発明は、半導体チップを高い精度で製造可能な半導体チップの製造方法及びウェハのダイシング方法を提供することを目的の一つとする。本発明の態様によれば、a複数の機能素子が設けられた半導体ウェハの上面に第1の保護テープを貼ることと、b第1の保護テープの上面から半導体ウェハを切削し、それぞれ機能素子が設けられた複数の半導体チップを得ることと、c複数の半導体チップのそれぞれの上面に貼り付いている第1の保護テープ上に粘着テープを貼ることと、d粘着テープと共に、第1の保護テープを複数の半導体チップの上面から剥離することと、e複数の半導体チップの上面に第2の保護テープを貼ることと、f第2の保護テープを複数の半導体チップの上面から剥離することと、を含む、半導体チップの製造方法が提供される。本発明の態様によれば、aウェハの上面に第1の保護テープを貼ることと、b第1の保護テープを貼られたウェハを切削し、複数のチップを得ることと、c複数のチップのそれぞれの上面に貼り付いている第1の保護テープ上に粘着テープを貼ることと、d粘着テープと共に、第1の保護テープを複数のチップの上面から剥離することと、e複数のチップの上面に第2の保護テープを貼ることと、f第2の保護テープを複数のチップの上面から剥離することと、を含む、ウェハのダイシング方法が提供される。本発明によれば、半導体チップを高い精度で製造可能な半導体チップの製造方法及びウェハのダイシング方法を提供可能である。以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。実施の形態に係る圧力測定器5は、図1、及びII-II方向から見た断面図である図2に示すように、貫通孔21が設けられたシリコン台座2と、貫通孔21の上方に位置するダイアフラム30を有する、シリコン台座2上に固定された圧力センサチップ3と、を備える。圧力センサチップ3は、ケイ素Siからなる第1のシリコン基板31、第1のシリコン基板31上に配置された酸化ケイ素SiO2からなる酸化ケイ素膜32、及び酸化ケイ素膜32上に配置されたケイ素Siからなる第2のシリコン基板33を含むSOISilicononInsulator基板から製造される。圧力センサチップ3には、第1のシリコン基板31の底面から、第2のシリコン基板33に到達する凹部34が設けられている。凹部34は、ウェットエッチング又はドライエッチングにより形成される。圧力センサチップ3の凹部34は、シリコン台座2の貫通孔21の上方に位置する。圧力センサチップ3の凹部34上のシリコン基板33の薄膜の部分が、ダイアフラム30として機能する。100面を主面とするダイアフラム30は、上面に加わる圧力と、底面に加わる圧力と、の差圧に従って撓む。図1に示すように、上方から見て円形のダイアフラム30には、90°間隔で110方向に4つの歪み抵抗ゲージ301,302,303,304が設けられている。差圧によってダイアフラム30が撓むことにより、歪み抵抗ゲージ301,302,303,304の電気抵抗値が変化する。歪み抵抗ゲージ301,302,303,304のそれぞれの電気抵抗値は、歪み抵抗ゲージ301,302,303,304をホイートストーンブリッジに接続することにより計測可能である。したがって、歪み抵抗ゲージ301,302,303,304の電気抵抗値を計測することにより、差圧の測定が可能となる。歪み抵抗ゲージ301,302,303,304は、例えば、シリコンからなるダイアフラム30に不純物イオンを注入することにより形成される。シリコン台座2は、ケイ素Siからなる。シリコン台座2の貫通孔21の断面は、例えば円形である。シリコン台座2の貫通孔21は、ダイアフラム30の底面に流体を導入するための圧力導入孔として使用される。圧力測定器5は、シリコン台座2の底面を、ステンレス鋼等からなるパッケージに固定して使用される。ここで、パッケージに直接圧力センサチップ3を固定すると、パッケージに加わった外力が、ダイアフラム30に伝播しうる。ダイアフラム30に伝播した外力は、測定対象である差圧とは無関係にダイアフラム30を撓ませるため、正確な差圧測定の妨げとなる。これに対し、実施の形態においては、圧力センサチップ3の第1のシリコン基板31と同じ材料からなるシリコン台座2を介して、圧力センサチップ3がパッケージに固定される。そのため、パッケージに加わった外力が、ダイアフラム30に伝播することを抑制することが可能となる。次に、実施の形態に係る圧力測定器5の製造方法について説明する。a図3に示すように、複数の貫通孔21が設けられたシリコン台座基板102を用意する。上面から見たシリコン台座基板102は、例えば円形である。また、シリコン台座基板102の材料は、図2に示したシリコン台座2と同じである。複数の貫通孔21は、ウェットエッチング又はドライエッチングにより形成される。b図4に示すように、複数のダイアフラム30を備えるセンサウェハ103を用意する。上面から見たセンサウェハ103は、例えば円形である。また、センサウェハ103の材料は、図2に示した圧力センサチップ3と同じであり、SOI基板から製造される。複数のダイアフラム30のそれぞれには、図1に示した歪み抵抗ゲージ301,302,303,304が設けられている。次に、シリコン台座基板102の上面に、複数のダイアフラム30が、複数の貫通孔21をそれぞれ覆うように、センサウェハ103を接合する。c図5に示すように、基材114と、粘着剤層124と、を備える第1の保護テープ104を用意し、センサウェハ103の表面に第1の保護テープ104を貼り付ける。基材114は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン;ポリ塩化ビニル;ポリエステル等からなる延伸フィルムである。また、基材114は、紫外線UV透過性である。粘着剤層124は、UV硬化樹脂を含む。d図6に示すように、基材115と、粘着剤層125と、を備えるダイシングテープ105を用意し、シリコン台座基板102の下面をダイシングテープ105に貼り付け、シリコン台座基板102及びセンサウェハ103の複合体を、リングフレーム200にマウントする。これにより、シリコン台座基板102及びセンサウェハ103の複合体が、ダイシングテープ105上に固定される。ダイシングテープ105としては、汎用のダイシングテープが使用可能である。eシリコン台座基板102及びセンサウェハ103の複合体を、上方から、切削水等の溶液を供給しながらダイシングブレードを用いて上面に対して垂直に切断し、図7に示すように、複数の圧力測定器5を得る。ダイシング後も、複数の圧力測定器5はダイシングテープ105上に固定されており、ダイシングテープ105上で整列している。また、複数の圧力測定器5のそれぞれの上面には、第1の保護テープ104が貼り付いたままである。その後、ダイシングされた複数の第1の保護テープ104にUVを照射し、複数の圧力測定器5のそれぞれの上面に対する、第1の保護テープ104の粘着力を低下させる。f図8に示すように、基材116と、粘着剤層126と、を備える粘着テープ106を用意し、一枚の粘着テープ106を、複数の圧力測定器5上のダイシングされた総ての第1の保護テープ104上に貼り付ける。粘着テープ106としては、第1の保護テープ104の表面に強固に接着できれば、汎用の粘着テープが使用可能である。粘着テープ106は、総ての第1の保護テープ104を覆うことが可能な形状及び大きさを有することが好ましい。その後、図9に示すように、粘着テープ106を複数の圧力測定器5から引き離すことにより、粘着テープ106と強固に接着した第1の保護テープ104が、複数の圧力測定器5の上面から剥離される。この際、図10に示すように、複数の圧力測定器5の圧力センサチップ3の表面のふち等に、第1の保護テープ104の粘着剤層124から剥離した粘着剤90が残り得る。g図11に示すように、基材117と、粘着剤層127と、を備える第2の保護テープ107を用意し、複数の圧力測定器5の圧力センサチップ3の上面に一枚の第2の保護テープ107を貼り付ける。第2の保護テープ107の基材117の材料は、例えば第1の保護テープ104の材料と同じである。また、第2の保護テープ107の粘着剤層127の材料は、好ましくは、第1の保護テープ104の粘着剤層124と同じUV硬化樹脂を含む。第2の保護テープ107は、総ての圧力測定器5の表面を覆うことが可能な形状及び大きさを有することが好ましい。その後、第2の保護テープ107にUVを照射する。第2の保護テープ107の粘着剤層127と、複数の圧力測定器5の圧力センサチップ3の表面に残存していた粘着剤90と、は、共に同じUV硬化樹脂を材料とするため、UV照射により融合する。h図12に示すように、複数の圧力測定器5の上面から、第2の保護テープ107を剥離する。この際、複数の圧力測定器5の圧力センサチップ3の表面に残存していた粘着剤90は、第2の保護テープ107の粘着剤層127に事前のUV照射により融合されたため、第2の保護テープ107と共に、複数の圧力測定器5の圧力センサチップ3の表面から剥離される。その後、複数の圧力測定器5を、ダイシングテープ105から取り外し、実施の形態に係る圧力測定器5の製造方法を終了する。図10に示した複数の圧力測定器5の表面に、残存した粘着剤90は、図1に示した歪み抵抗ゲージ301,302,303,304に配線を設けることを困難にする。これに対し、実施の形態に係る圧力測定器5の製造方法によれば、圧力センサチップ3表面の糊残りを除去することが可能であるため、精度の高い圧力測定器5を製造することが可能になる。また、切削水が乾燥する前に、図8及び図9に示した第1の保護テープ104の剥離を実施することが好ましい。これにより、圧力センサチップ3に密着した第1の保護テープ104の剥離を確実に行うことが可能となる。実施例図13は、図9に示したように、第1の保護テープを半導体チップの表面から剥離した後の、半導体チップの表面の写真である。矢印に示すように、ダイシングラインに沿って、半導体チップの表面に糊残りが確認された。これに対し、図14は、図10乃至図12に示したように、図13に示した状態の半導体チップの表面に第2の保護テープを貼り付け、UV照射した後に、第2の保護テープを剥離した後の、半導体チップの表面の写真である。図13の写真で確認された糊残りが、第2の保護テープにより除去された。図15は、半導体チップの表面に第1の保護テープを貼り付けた後にダイシングを行い剥離するまでの時間と、半導体チップの表面に剥離せず残った第1の保護テープの割合との関係を示すグラフである。保護テープを半導体チップの表面に貼り付けている時間が長くなればなるほど、第1の保護テープが半導体チップに密着し、剥離が困難になることが示された。その他の実施の形態上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、実施の形態では、図5乃至図9に示す第1の保護テープ104の粘着剤層124と、図11及び図12に示す第2の保護テープ107の粘着剤層127と、が、UV硬化性樹脂を材料として含む例を示した。これに対し、第1の保護テープ104の粘着剤層124の材料と、第2の保護テープ107の粘着剤層127の材料と、を熱硬化性樹脂にしてもよい。あるいは、第1の保護テープ104の粘着剤層124の材料と、第2の保護テープ107の粘着剤層127の材料と、を熱硬可塑性樹脂にしてもよい。これらの場合、図7及び図11で説明したUV照射の代わりに、加熱が行われると、第1及び第2の保護テープ104、107の粘着力の低下と、第2の保護テープ107の粘着剤層127及び圧力センサチップ3の表面に残存していた粘着剤90の融合と、が促進される。この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。"