真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に露出するスパッタ面を有するターゲットと、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、前記ターゲットの前記スパッタ面からスパッタされたスパッタ粒子が付着する位置に配置された防着部材とを有し、前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板の成膜面に薄膜を成膜するスパッタ成膜装置であって、前記防着部材はAl2O3であり、前記防着部材の表面のうち前記スパッタ粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされたスパッタ成膜装置。前記防着部材は、前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲むように前記ターゲットに設置されたターゲット側防着部材を有する請求項1記載のスパッタ成膜装置。前記ターゲットを複数有し、各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、前記電源装置は隣り合う二つのターゲットの間に交流電圧を印加するように構成された請求項2記載のスパッタ成膜装置であって、隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置。前記ターゲットを複数有し、各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、前記電源装置は、各前記ターゲットと、各前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板との間に直流電圧又は交流電圧のいずれか一方を印加するように構成された請求項2記載のスパッタ成膜装置であって、隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置。前記防着部材は前記基板の前記成膜面の周囲を取り囲むように前記基板に設置されたターゲット側防着部材を有する請求項1記載のスパッタ成膜装置。前記ターゲットはSiO2である請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のスパッタ成膜装置。前記ターゲットはSiであり、前記ガス導入系はO2ガスを放出するO2ガス源を有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のスパッタ成膜装置。真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内に配置された成膜材料から成膜粒子を放出させる放出手段と、を有する成膜装置の前記成膜粒子が付着する位置に配置された防着部材であって、前記防着部材はAl2O3であり、前記防着部材の表面のうち前記成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされた防着部材。真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に導入された前記ガスを化学反応させて成膜粒子を生成する反応手段と、を有する成膜装置の前記成膜粒子が付着する位置に配置された防着部材であって、前記防着部材はAl2O3であり、前記防着部材の表面のうち前記成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされた防着部材。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、成膜処理中に付着物の薄膜が剥離しない防着部材と、その防着部材を有するスパッタ成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に露出するスパッタ面を有するターゲットと、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、前記ターゲットの前記スパッタ面からスパッタされたスパッタ粒子が付着する位置に配置された防着部材とを有し、前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板の成膜面に薄膜を成膜するスパッタ成膜装置であって、前記防着部材はAl2O3であり、前記防着部材の表面のうち前記スパッタ粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされたスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記防着部材は、前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲むように前記ターゲットに設置されたターゲット側防着部材を有するスパッタ成膜装置である。本発明は、前記ターゲットを複数有し、各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、前記電源装置は隣り合う二つのターゲットの間に交流電圧を印加するように構成されたスパッタ成膜装置であって、隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置である。本発明は、前記ターゲットを複数有し、各前記ターゲットは前記真空槽内に互いに離間して一列に並んで配置され、各前記ターゲットの前記スパッタ面は同一の平面上に位置するように揃えられ、前記電源装置は、各前記ターゲットと、各前記ターゲットの前記スパッタ面と対面する位置に配置された基板との間に直流電圧又は交流電圧のいずれか一方を印加するように構成されたスパッタ成膜装置であって、隣り合う二つの前記ターゲットのうち一方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周と、他方の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間の隙間は、前記ターゲット側防着部材で覆われたスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記防着部材は前記基板の前記成膜面の周囲を取り囲むように前記基板に設置されたターゲット側防着部材を有するスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットはSiO2であるスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットはSiであり、前記ガス導入系はO2ガスを放出するO2ガス源を有するスパッタ成膜装置である。本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内に配置された成膜材料から成膜粒子を放出させる放出手段と、を有する成膜装置の前記成膜粒子が付着する位置に配置された防着部材であって、前記防着部材はAl2O3であり、前記防着部材の表面のうち前記成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされた防着部材である。本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に導入された前記ガスを化学反応させて成膜粒子を生成する反応手段と、を有する成膜装置の前記成膜粒子が付着する位置に配置された防着部材であって、前記防着部材はAl2O3であり、前記防着部材の表面のうち前記成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされた防着部材である。なお、算術平均粗さRaはJISB0601:2001に規定されている。防着部材から付着物の薄膜が剥離しないので、基板に形成する薄膜の付着物の薄膜による汚染を防止でき、基板に形成する薄膜の品質を向上できる。付着物が絶縁性であっても、防着部材も絶縁性であるため付着物の薄膜で絶縁破壊は起こらずアーキングは発生しない。そのためアーキングによる防着部材の損傷を防止できる。またアーキング由来の不純物による基板に形成する薄膜の汚染を防止できる。本発明のスパッタ成膜装置の第一例の構造を説明する。図1はスパッタ成膜装置10の内部構成図を示し、図2は同A-A線切断断面図、図3は同B-B線切断断面図を示している。スパッタ成膜装置10は真空槽11と複数のスパッタ部201~204とを有している。各スパッタ部201~204はそれぞれ、真空槽11内に露出するスパッタ面231~234を有するターゲット211~214と、表面にターゲット211~214が配置されたバッキングプレート221~224と、磁石装置261~264とを有している。各スパッタ部201~204の構造は同じであり、符号201のスパッタ部で代表してスパッタ部の構造を説明する。ターゲット211は、表面の大きさがバッキングプレート221表面よりも小さい平板形状に形成され、ターゲット211の外周全体がバッキングプレート221の外周より内側に位置し、バッキングプレート221の周縁部の全周がターゲット211の外周から露出するようにバッキングプレート221表面に重ねて貼り合わされている。以下ではターゲット211と、ターゲット211が表面に貼り合わされたバッキングプレート221とをまとめてターゲット部と呼ぶ。磁石装置261は外周磁石27a1と、中心磁石27b1と、磁石固定板27c1とを有している。中心磁石27b1は磁石固定板27c1の表面上にここでは直線状に配置され、外周磁石27a1は磁石固定板27c1の表面上で中心磁石27b1の周縁部から所定距離をおいて環状に中心磁石27b1を取り囲んでいる。すなわち、外周磁石27a1はリング状にされ、中心磁石27b1は外周磁石27a1のリングの内側に配置されている。ここでいうリング状とは、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。また、閉じた円環又は円環を閉じたまま変形させた形状でもよい。磁石装置261はバッキングプレート221の裏面側に配置されている。磁石装置261の磁石固定板27c1は、中心磁石27b1と外周磁石27a1とが配置された表面をバッキングプレート221の裏面と対面するように向けられている。外周磁石27a1のバッキングプレート221の裏面と対向する部分と、中心磁石27b1のバッキングプレート221の裏面と対向する部分には、互いに異なる極性の磁極がそれぞれ配置されている。すなわち、磁石装置261は、スパッタ面231に磁場を発生させる向きで設置された中心磁石26b1と、中心磁石26b1の周囲に連続的な形状で設置された外周磁石26a1とを有している。中心磁石27b1と外周磁石27a1はスパッタ面231に対して互いに異なる極性の磁極を向けるように配置されている。すなわち、外周磁石27a1がターゲット211の裏面に対向している部分の磁極の極性と、中心磁石27b1がターゲット211の裏面に対向している部分の磁極の極性は互いに異なっている。磁石固定板27c1の裏面側にはXYステージである移動装置29が配置され、磁石装置261は移動装置29に取り付けられている。移動装置29には制御装置36が接続され、制御装置36から制御信号を受けると、移動装置29は磁石装置261をターゲット211の裏面に平行な方向に移動させるように構成されている。移動装置29によって磁石装置261を移動させると、磁石装置261がターゲット211の表面上に形成する磁場は、磁石装置261の移動に従ってターゲット211の表面上を移動するようになっている。スパッタ成膜装置10の全体の構造を説明すると、真空槽11の壁面には排気口と導入口とが設けられ、排気口には真空排気装置12が接続され、導入口にはガス導入系13が接続されている。真空排気装置12は排気口から真空槽11内を真空排気するように構成されている。ガス導入系13はスパッタガスを放出するスパッタガス源13aと、各スパッタ部201~204のターゲット211~214と反応する反応ガスを放出する反応ガス源13bとを有し、スパッタガスと反応ガスとの混合ガスを導入口から真空槽11内に導入できるように構成されている。各スパッタ部201~204のターゲット部は真空槽11内に、互いに離間して一列に並んで配置され、各ターゲット部のターゲット211~214の表面は同一の平面上に位置するように揃えられている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224は柱状の絶縁物14を介して真空槽11の壁面に取り付けられ、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224と真空槽11とは電気的に絶縁されている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224には電源装置37が電気的に接続されている。電源装置37は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224にここでは交流電圧を、隣り合う二つのターゲット間では半周期ずらして印加するように構成されている。隣り合う二つのターゲットに互いに逆極性の交流電圧が印加されると、隣り合う二つのターゲットのうち一方が正電位に置かれるときには他方が負電位に置かれた状態になり、隣り合うターゲット間で放電が生じるようになっている。交流電圧の周波数は、20kHz~70kHz20kHz以上70kHz以下の場合には隣り合うターゲット間での放電を安定させて維持できるので好ましく、さらに好ましくは55kHzである。本発明の電源装置37は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に交流電圧を印加する構成に限定されず、パルス状の負電圧を複数回印加するように構成してもよい。この場合には、隣り合う二つのターゲットのうち一方のターゲットに負電圧を印加し終えた後でかつ次に負電圧を印加し始める前に、他方のターゲットに負電圧を印加するように構成する。スパッタ成膜装置10は、ターゲット211~214のスパッタ面231~234からスパッタされて放出されたスパッタ粒子が付着する位置に配置された防着部材を有している。防着部材は、ターゲット211~214のスパッタ面231~234の周囲を取り囲むようにターゲット211~214に設置されたターゲット側防着部材251~254を有している。すなわち、各ターゲット211~214の外周より外側には、リング状にされたターゲット側防着部材251~254が配置されている。ここでいうリング状とは、ターゲット211~214のスパッタ面231~234の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、ターゲット211~214のスパッタ面231~234の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。ターゲット側防着部材251~254はAl2O3であり、ターゲット側防着部材251~254の表面のうちターゲット211~214のスパッタ面231~234の外周より外側に露出する面以下付着面と呼ぶの算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされている。後述する実施例で示すように、ターゲット側防着部材251~254の付着面の算術平均粗さは6μm以上10μm以下にされているものが特に好ましい。各スパッタ部201~204の構成は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明すると、図2に示すように、ターゲット側防着部材251のリングの外周はバッキングプレート221の外周より大きく、ターゲット側防着部材251のリングの内周はここではターゲット211の外周と同じかそれよりも大きくされている。ターゲット側防着部材251は、ターゲット側防着部材251のリングの中心がターゲット211の中心と重なるような相対位置で、ターゲット211が固定されたバッキングプレート221の表面上に配置され、バッキングプレート221のターゲット211の外周から露出した周縁部を覆い、ターゲット側防着部材251のリングの内周でターゲット211の外周を取り囲んでいる。ターゲット側防着部材251のリングの内周とターゲット211の外周との隙間に後述するプラズマが浸入しないように、リングの内周はなるべく小さい方が好ましい。ターゲット側防着部材251のリングの内側にはターゲット211の表面全体が露出して、ターゲット211の表面全体がスパッタされるスパッタ面を成している。符号231はスパッタ面を示している。後述するようにターゲット211のスパッタ面231がスパッタされると、スパッタ面231から放出された粒子の一部は、ターゲット側防着部材251の付着面に付着し、バッキングプレート221の表面には付着しないようになっている。本発明のターゲット側防着部材251は、ターゲット側防着部材251のリングの内周がターゲット211の外周と同じかそれより大きい場合に限定されず、ターゲット側防着部材251のリングの内周がターゲット211の外周よりも小さい場合も含まれる。この場合には、ターゲット側防着部材251を上述のようにターゲット211の表面上に配置すると、ターゲット側防着部材251はターゲット211の周縁部を覆うため、ターゲット211の表面のうちターゲット側防着部材251のリングの内側に露出した部分がスパッタされるスパッタ面231になる。すなわち、ターゲット側防着部材251は、ターゲット211の表面のうちスパッタ面231を含む面が不連続となるターゲット211端部に、スパッタ面231の周囲を取り囲むように設置されている。各スパッタ部201~204のうちの一のスパッタ部例えば符号201と、それに隣接する他のスパッタ部202との関係で言うと、隣り合う二つのターゲット211、212のうち一のターゲット211のスパッタ面231の外周と、他のターゲット212のスパッタ面232の外周との間の隙間は、ターゲット側防着部材251、252で覆われている。従って、一のターゲット211のスパッタ面231の外周と、他のターゲット212のスパッタ面232の外周との間の隙間に各スパッタ面231、232から放出されたスパッタ粒子が浸入しないようになっている。バッキングプレート221~224の外周の外側には柱状の支持部24が立設され、ターゲット側防着部材251~254は支持部24の先端に取り付けられている。支持部24が導電性の場合には、支持部24はバッキングプレート221の外周から離間されている。導電性の支持部24は真空槽11に電気的に接続されることになるが、ターゲット側防着部材251は絶縁性のため、たとえターゲット側防着部材251がバッキングプレート221に接触しているとしても、バッキングプレート221と真空槽11とは電気的に絶縁されている。なお、支持部24が導電性の場合も絶縁性の場合も、ターゲット側防着部材251~254は電気的に浮いている。スパッタ成膜装置10は基板31を保持する基板保持板32を有している。基板31は基板保持板32に保持されて、各ターゲット211~214の表面スパッタ面231~234と対面する位置に配置されるようになっている。基板保持板32の表面の大きさは基板31の表面の大きさよりも大きくされ、基板31は、基板31の外周全体が基板保持板32の外周より内側に位置し、基板保持板32の周縁部の全周が基板31の外周から露出するような相対位置で基板保持板32の表面に保持される。基板31の成膜すべき成膜面は真空槽11内に露出されている。防着部材は、ここでは基板31の成膜面の周囲を取り囲むように基板31に設置された基板側防着部材35を有している。すなわち、基板31の外周より外側には、リング状にされた基板側防着部材35が配置されている。ここでいうリング状とは、基板31の成膜面の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、基板31の成膜面の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。基板側防着部材35はAl2O3であり、基板側防着部材35の表面のうち基板31の成膜面の外周より外側に露出する面以下付着面と呼ぶの算術平均粗さは4μm以上10μm以下にされている。後述する実施例で示すように、基板側防着部材35の付着面の算術平均粗さは6μm以上10μm以下にされているものが特に好ましい。基板側防着部材35のリングの外周は基板保持板32の外周より大きく、基板側防着部材35のリングの内周は、基板31表面のうち薄膜を形成すべき成膜面の外周と同じかそれよりも大きくされている。基板側防着部材35は、基板側防着部材35のリングの中心が基板31の成膜面の中心と重なるような相対位置で、基板31を保持する基板保持板32の表面上に配置され、基板保持板32の基板31の外周から露出した周縁部を覆い、基板側防着部材35のリングの内周で基板31の成膜面の外周を取り囲んでいる。後述するように各ターゲット211~214のスパッタ面231~234がスパッタされると、各スパッタ面231~234から放出された粒子の一部は、基板31の表面と基板側防着部材35の付着面とにそれぞれ付着し、基板保持板32の表面には付着しないようになっている。以後、基板31と、基板31を保持する基板保持板32と、基板31の成膜面の外周を取り囲む基板側防着部材35とをまとめて成膜対象物30と呼ぶ。このスパッタ成膜装置10を使用して基板31の成膜面にSiO2の薄膜を形成するスパッタ成膜方法を説明する。先ず、各スパッタ部201~204の磁石装置261~264の外周磁石の外周の一部を当該スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234の外周からはみ出させる距離の最小値であるはみ出し最小値と、最大値であるはみ出し最大値とを求める測定工程を説明する。図2、図3を参照し、各スパッタ部201~204のターゲット部を真空槽11内に搬入し、絶縁物14上に配置する。ここでは各スパッタ部201~204のターゲット部のターゲット211~214にはSiを使用する。ターゲット側防着部材251~254を支持部24に固定して、各ターゲット側防着部材251~254のリングの内側に各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234を露出させる。真空排気装置12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。成膜対象物30を真空槽11内に搬入せずに、ガス導入系13から真空槽11内にスパッタガスと反応ガスとの混合ガスを導入する。ここではスパッタガスにArガスを使用し、反応ガスにO2ガスを使用して、反応ガス源O2ガス源13bから真空槽11内に導入されたO2ガスが各スパッタ部201~204のターゲット211~214表面と反応し、各ターゲット211~214の表面に絶縁性の酸化物SiO2を形成する、いわゆる酸化モードOxideModeを成すような流量で真空槽11内に混合ガスを導入する。ここではArガスを50sccm、O2ガスを150sccmの流量で導入する。真空槽11を接地電位にしておく。電源装置37から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に20kHz~70kHzの交流電圧を印加すると、隣り合うターゲット211~214の間で放電が生じ、各スパッタ部201~204のターゲット211~214上のArガスが電離され、プラズマ化する。プラズマ中のArイオンは各スパッタ部201~204の磁石装置261~264が形成する磁場に捕捉される。電源装置37から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に負電圧が印加されているとき、Arイオンは負電圧を印加されたバッキングプレート221~224上のターゲット211~214のスパッタ面231~234に衝突し、当該スパッタ面231~234に形成されたSiO2の粒子を弾き飛ばす。スパッタ中の各スパッタ部201~204の状態は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。移動装置29によって磁石装置261を移動させると、磁石装置261がターゲット211の表面上に形成する磁場は、磁場に捕捉されたプラズマと一緒に、ターゲット211の表面上を移動し、プラズマが移動する軌跡に沿ってターゲット211表面が連続的にスパッタされる。外周磁石27a1の外周全体がスパッタ面231の外周の内側に位置する移動範囲内で磁石装置261を移動させると、スパッタ面231の中央部はスパッタされて凹形状に削られる。スパッタ面231のうちスパッタされて削られた領域をエロージョン領域と呼ぶ。エロージョン領域の外周位置を視認できるようになるまでスパッタ面231を削る。次いで、真空槽11内の真空排気中のガス組成や圧力をモニタしながら、磁石装置261の移動範囲を徐々に広げて、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る量を徐々に大きくする。外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る量が大きくなるに従って、ターゲット側防着部材251上の磁場の水平成分が大きくなり、ターゲット側防着部材251がスパッタされて削られると、真空槽11内の真空排気中のガス組成が変化する。真空槽11内の真空排気中のガス組成の変化からターゲット側防着部材251のスパッタが確認されたときに、外周磁石27a1の外周のスパッタ面231の外周からのはみ出し量を測定する。後述する生産工程で、仮にターゲット側防着部材251がスパッタして削られると、ターゲット側防着部材251の粒子が基板31の表面に付着して、基板31の表面に形成する薄膜が不純物で汚染されることになるので、ここで測定したはみ出し量をはみ出し最大値として制御装置36に記憶させる。ターゲット側防着部材251の硬度がここではスパッタされないほど大きい場合には、外周磁石27a1の外周の一部が隣接するターゲット212のスパッタ面232の内側にはみ出して、隣接するターゲット212のスパッタ面232が削られると、真空槽11内の圧力が変化する。真空槽11内の圧力の変化から隣接するターゲット212のスパッタ面232のスパッタが確認されたときに、外周磁石27a1の外周の当該スパッタ面231の外周からのはみ出し量を測定する。後述する生産工程で、仮に一のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232が、隣接するスパッタ部201の磁石装置261の磁場に捕捉されたプラズマによって削られると、基板31の表面に形成される薄膜の平面性が低下するので、ここで測定したはみ出し量をはみ出し最大値として制御装置36に記憶させる。次いで図3を参照し、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224への電圧印加を停止し、ガス導入系13からの混合ガスの導入を停止してスパッタを終了する。各スパッタ部201~204のターゲット側防着部材251~254を支持部24から取り外し、各スパッタ部201~204のターゲット部を真空槽11の外側に搬出する。真空槽11の外側に搬出したターゲット部のターゲット211から、エロージョン領域の外周とスパッタ面231の外周との間の間隔を計測する。外周磁石27a1の外周からこの間隔より内側はスパッタされて削られることが分かったので、ここで計測された間隔をはみ出し最小値として制御装置36に記憶させる。次いで生産工程として、図3を参照し、各スパッタ部201~204の未使用のターゲット部を真空槽11内に搬入し、絶縁物14上に配置する。ターゲット側防着部材251~254を支持部24に固定して、各ターゲット側防着部材251~254のリングの内側に各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234を露出させる。真空排気装置12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。真空槽11内に成膜対象物30を搬入し、成膜対象物30の基板31の成膜面が各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234と対面する位置に静止させる。ガス導入系13から真空槽11内にスパッタガスと反応ガスとの混合ガスを、上述の測定工程と同じ流量で導入する。各スパッタ部201~204のターゲット211~214の表面は真空槽11内に導入された反応ガスであるO2ガスと反応してSiO2が形成される。測定工程と同様に、電源装置37から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に交流電圧を印加して、各スパッタ部201~204のターゲット211~214と基板31との間のArガスをプラズマ化し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234をスパッタする。各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234からスパッタされたSiO2の粒子の一部は、基板31の成膜面に付着し、基板31の成膜面にSiO2の薄膜が形成される。各ターゲット211~214のスパッタ面231~234からスパッタされたSiO2の粒子の一部はターゲット側防着部材251~254の付着面や基板側防着部材35の付着面に付着する。ターゲット側防着部材251~254と基板側防着部材35はいずれもAl2O3であり、ターゲット側防着部材251~254の付着面の算術平均粗さと基板側防着部材35の付着面の算術平均粗さはいずれも4μm以上10μm以下にされており、後述する実施例で示すように、スパッタ中に各防着部材251~254、35の付着面に付着した付着物の薄膜は当該付着面から剥離しない。従って、各防着部材251~254、35の付着面から剥離した付着物の薄膜が真空槽11内に飛散して、アーキングを誘発したり、基板31表面に付着して基板31の成膜面に形成する薄膜を汚染するという問題は生じない。さらに、ターゲット側防着部材251~254は絶縁性であるため、ターゲット側防着部材251~254の付着面に堆積したSiO2の付着膜では絶縁破壊は起こらず、ターゲット側防着部材251~254上でアーキングは発生しない。ターゲット側防着部材251~254上でアーキングが発生しないため、アーキングによるターゲット側防着部材251~254の損傷を防止できる。またアーキングに由来する不純物による基板31の成膜面に形成する薄膜の汚染を防止できる。スパッタ中の各スパッタ部201~204の状態は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。制御装置36はここでは、磁石装置261を、外周磁石27a1の外周全体がターゲット211のスパッタ面231の外周より内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周からはみ出る位置との間を移動させるように構成されている。すなわち、磁石装置261は、外周磁石27a1の外周全体がスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも外周側にはみ出る位置との間で移動するよう構成されている。スパッタ中に、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周からはみ出ると、磁石装置261の磁場に捕捉されたプラズマがターゲット側防着部材251に接触するが、ターゲット側防着部材25a1は絶縁性の材質で形成されているため、プラズマがターゲット側防着部材251に接触してもアーキングは発生しない。従って、ターゲット211のスパッタ面231のうち従来より広い面積をスパッタできる。本発明の制御装置36は、上記構成に限定されず、磁石装置261を、外周磁石27a1の外周全体がターゲット211のスパッタ面231の外周より内側に含まれる範囲内で移動させるように構成されている場合も含まれる。しかしながら、外周磁石27a1の外周の一部をスパッタ面231の外周の外側にはみ出させる方が、スパッタ面231のうちより広い面積をスパッタできるので好ましい。ここでは制御装置36は、外周磁石27a1の外周の一部をスパッタ面231の外周から測定工程で求めたはみ出し最小値より長い距離をはみ出させ、磁石装置261を移動させる間に、外周磁石27a1の表面をターゲット211のスパッタ面231全体の各点の真裏の点と少なくとも一度ずつ対面させ、かつ外周磁石27a1の外周をスパッタ面231の外周全周の各部分と少なくとも一度ずつ交差させるように構成されている。そのため、スパッタ面231の外周より内側全体がスパッタして削られ、スパッタ面231に再付着するSiO2はスパッタ面231に堆積しない。従来は導電性のターゲット表面に絶縁性のSiO2が堆積するために、堆積したSiO2での絶縁破壊によりターゲット上でアーキングが生じていたが、本発明ではターゲット211上にSiO2が堆積しないので、ターゲット211上でアーキングは生じない。ターゲット211上でアーキングが生じないため、アーキングによるターゲット211の損傷を防止できる。また基板31に形成する薄膜の不純物による汚染を防止できる。さらに制御装置36は、外周磁石27a1の外周をスパッタ面231の外周から、測定工程で求めたはみ出し最大値より短い距離はみ出させるように構成されている。従って、ターゲット側防着部材251がスパッタされて削られることを防止でき、また基板31に形成する薄膜の不純物による汚染を防止できる。なお、各スパッタ部201~204のうちの一のスパッタ部例えば符号201と、それに隣接する他のスパッタ部202との関係で言うと、制御装置36は、一のスパッタ部201の磁石装置261を、当該磁石装置261の外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周よりも内側に入る位置と、当該外周磁石27a1の外周の一部が当該スパッタ面231の外周と、当該ターゲット211に隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232の外周との間にはみ出る位置との間でも移動させるように構成されている。すなわち、一のスパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周と、当該スパッタ部201に隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232の外周との間を外側領域と呼ぶと、制御装置36は、当該スパッタ部201の磁石装置261を、当該磁石装置261の外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周よりも内側に入る位置と、外側領域にはみ出る位置との間でも移動させるように構成されている。言い換えると、少なくとも一つのターゲット211のスパッタ面231の裏側に設置された磁石装置261は、外周磁石27a1の外周全体が当該ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がターゲット211の防着部材251の内周よりも外側と、当該ターゲット211に隣接する他のターゲット212のスパッタ面232の周囲を取り囲む防着部材252の内周との間にはみ出る位置との間で移動するように構成されている。そのため本発明では、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234の大きさを従来と同じにし、かつ一のスパッタ部ここでは符号201のターゲット211のスパッタ面231のうちスパッタされるエロージョン領域の外周と、隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232のエロージョン領域の外周との間の幅を従来と同じにする場合には、隣り合うターゲット211~214の外周間の隙間を従来より広くできるので、使用するターゲット材の量を従来より減らすことができ、コストダウンになる。図2、3を参照し、ターゲット211~214のスパッタ面231~234のスパッタを所定の時間継続して基板31の成膜面に所定の厚みのSiO2の薄膜を形成したのち、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224への電圧印加を停止し、ガス導入系13からの混合ガスの導入を停止してスパッタを終了する。処理済みの成膜対象物30を真空槽11の外側に搬出して後工程に流す。次いで、未処理の成膜対象物30を真空槽11内に搬入し、上述の生産工程によるスパッタ成膜を繰り返す。上記説明では、スパッタ成膜装置10がスパッタ部を複数個有する場合を説明したが、本発明はスパッタ部を一つだけ有する場合も含まれる。この場合には、バッキングプレートと基板保持板とに電源装置を電気的に接続し、ターゲットと基板とに互いに逆極性の交流電位を印加して、ターゲットと基板との間で放電を発生させ、ターゲットと基板との間のスパッタガスをプラズマ化すればよい。上記説明では、各スパッタ部のターゲットと基板とをそれぞれ立てた状態で対面させたが、本発明は各スパッタ部のターゲットのスパッタ面と基板の成膜面とが互いに対面するならば上記の配置に限定されず、各スパッタ部のターゲットの上方に基板を配置して互いに対面させてもよいし、各スパッタ部のターゲットの下方に基板を配置して互いに対面させてもよい。各スパッタ部のターゲットの下方に基板を配置すると、基板にパーティクルが落下して薄膜の品質が低下するため、各スパッタ部のターゲットの上方に基板を配置するか、若しくは上述した説明のように各スパッタ部のターゲットと基板とをそれぞれ立てた状態で対面させる方が好ましい。なお、図1では磁石装置261~264の平面形状は細長形状で示されているが、本発明の磁石装置261~264の平面形状は細長形状に限定されない。上記説明では、まずO2ガスをSiのターゲット211~214表面と反応させて、ターゲット211~214の表面にSiO2を形成したのち、ターゲット211~214表面をスパッタしてSiO2の薄膜を形成したが、O2ガスをターゲット211~214表面と反応させずに、Siのターゲット211~214の表面をスパッタし、ターゲット211~214の表面から放出されたSiの粒子をO2ガスと反応させてSiO2の薄膜を形成する場合も本発明に含まれる。上記説明では、真空槽11内にO2ガスを導入しながら、SiのターゲットをスパッタしてSiO2の薄膜を形成する場合を説明したが、SiO2のターゲットをスパッタして、SiO2の薄膜を形成する場合も本発明に含まれる。さらに本発明は、Al等の金属材料のターゲットをスパッタして、金属の薄膜を形成する場合にも用いることができる。成膜にO2ガスを用いない場合には、スパッタ成膜装置10のガス導入系13からO2ガス源13bを省略してもよい。本発明の防着部材は、ターゲット211~214のスパッタ面231~234からスパッタされて放出されたスパッタ粒子が付着する位置であれば、上述のようにターゲット211~214のスパッタ面231~234の外周を取り囲む位置に配置されたターゲット側防着部材251~254や、基板31の成膜面の外周を取り囲む位置に配置された基板側防着部材35に限定されず、例えば真空槽11の内壁面に配置された防着部材を有していてもよい。符号39は真空槽11の内壁面に配置された防着部材を示している。真空槽11の内壁面の材質がAl2O3の場合には、真空槽11の内壁面上に防着部材39を取り付けずに、真空槽11の内壁面自体を4μm以上10μm以下の算術平均粗さに処理して使用してもよい。しかしながら、内壁面上に防着部材39を取り付ける方が、真空槽11のクリーニングが容易であり好ましい。本発明の防着部材はAl2O3であり、防着部材の表面のうち成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さが4μm以上10μm以下にされていれば、上記説明のようにスパッタ装置で使用される防着部材に限定されず、図2、4を参照し、真空槽11と、真空槽11内を真空排気する真空排気装置12と、真空槽11内に配置された成膜材料211、21から成膜粒子を放出させる放出手段とを有し、基板31表面に成膜材料を堆積させる成膜装置10、10aの成膜粒子が付着する位置に配置された防着部材251、35、39も本発明に含まれる。ここで放出手段とは具体的には、図2を参照し、成膜装置10がスパッタ装置の場合には、真空槽11内にガスを導入するガス導入系13と、導入されたガスを加速してターゲットに衝突させる電源装置37のことであり、図4を参照し、成膜装置10aが蒸着装置の場合には、成膜材料21を加熱する加熱装置51のことである。また、本発明の防着部材はAl2O3であり、防着部材の表面のうち成膜粒子が付着する付着面の算術平均粗さが4μm以上10μm以下にされていれば、図5、6を参照し、真空槽11と、真空槽11内を真空排気する真空排気装置12と、真空槽11内にガスを導入するガス導入系52と、真空槽11内に導入されたガスを化学反応させて成膜粒子を生成する反応手段とを有し、基板31表面に成膜材料を堆積させる成膜装置10b、10cの成膜粒子が付着する位置に配置された防着部材35、39も本発明に含まれる。ここで反応手段とは具体的には、図5を参照し、成膜装置10bがPE-CVD装置の場合には、真空槽11内に導入されたガスを放電させる電極53のことであり、図6を参照し、成膜装置10cがCat-CVD装置の場合には、真空槽11内に導入されたガスと接触してガスを分解させるフィラメント55のことである。なお、図5の符号54は電極53に電圧を印加する電源装置である。なお、本発明の防着部材は、金属母材の表面にAl2O3を被膜したものよりも、Al2O3の無垢材の方が好ましい。なぜならば、金属母材の表面にAl2O3の薄膜を被膜したものでは、プラズマの熱で加熱されると、金属がAl2O3よりも熱膨張率が大きいため、熱膨張した金属母材からAl2O3被膜が剥離する虞があるからである。ブラスト処理により付着面の算術平均粗さが2μmより小さくされたAl2O3である第一の試験用防着部材と、ブラスト処理により付着面の算術平均粗さが2μm以上3μmより小さくされたAl2O3である第二の試験用防着部材と、ブラスト処理により付着面の算術平均粗さが4μm以上6μmより小さくされたAl2O3である第三の試験用防着部材と、ブラスト処理により付着面の算術平均粗さが6μm以上10μm以下にされたAl2O3である第四の試験用防着部材とを作成した。本発明のスパッタ成膜装置10において、試験工程として、第一~第四の試験用防着部材のうちいずれか一種類を防着部材251~254、35として使用し、真空槽11内にArガスとO2ガスとの混合ガスを導入してSiのターゲット211~214をスパッタし、防着部材251~254、35の表面にSiO2の粒子を付着させた。防着部材251~254、35の付着面に付着した付着物の薄膜SiO2膜の膜厚が1000μmになるまでターゲット211~214のスパッタを継続した後、スパッタを停止して、防着部材251~254、35を真空槽11の外側に搬出し、防着部材251~254、35の付着面を写真に撮影した。この試験工程を、防着部材251~254、35として第一~第四の試験用防着部材を一種類ずつ使用して繰り返した。なお、上記スパッタ成膜装置10では、防着部材251~254、35を交換せずに10000枚の基板31を成膜すると、防着部材251~254、35の付着面には1000μmの膜厚のSiO2膜が形成されることが予め分かっている。図7は第一の試験用防着部材の試験工程後の付着面を撮影した写真である。写真上で右側エッジから広範囲にSiO2膜の付着面からの膜剥がれを確認できる。図8は第二の試験用防着部材の試験工程後の付着面を撮影した写真である。部分的にSiO2膜の付着面からの剥離を確認できる。図9は第三の試験用防着部材の試験工程後の付着面を撮影した写真である。SiO2膜の表面に起伏は確認できるが、SiO2膜の付着面からの剥離は確認できない。図10は第四の試験用防着部材の試験工程後の付着面を撮影した写真である。SiO2膜の表面に起伏は確認できず、SiO2膜の付着面からの剥離も確認できない。上記結果から、ブラスト処理により付着面の算術平均粗さを4μm以上10μm以下にされたAl2O3を防着部材に使用すれば、10000枚の基板を処理しても、防着部材の付着面から付着物は剥離しないことがわかる。また、付着面の前記算術平均粗さを6μm以上10μm以下にした場合は、よりその付着物剥離防止の効果が高いことがわかる。