実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムがGa/ZnGaSnの原子比で1を超え8未満の割合で含有され、且つスズがSn/ZnGaSnの原子比で0.1を超え1未満の割合で含有されることにより、ガリウムがドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。実質的に亜鉛、珪素、スズおよび酸素からなり、珪素がSi/ZnSiSnの原子比で1を超え8未満の割合で含有され、且つスズがSn/ZnSiSnの原子比で0.1を超え1未満の割合で含有されることにより、珪素がドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。実質的に亜鉛、ガリウム、インジウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムがGa/ZnGaInSnの原子比で1を超え8未満の割合で含有され、インジウムがIn/ZnGaInSnの原子比で0.1を超え1未満の割合で含有され、且つスズがSn/ZnGaInSnの原子比で0.1を超え1未満の割合で含有されることにより、ガリウム及びインジウムがドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。実質的に亜鉛、ガリウム、珪素、スズおよび酸素からなり、ガリウムがGa/ZnGaSiSnの原子比で1を超え8未満の割合で含有され、珪素がSi/ZnGaSiSnの原子比で0.1を超え1未満の割合で含有され、且つスズがSn/ZnGaSiSnの原子比で0.1を超え1未満の割合で含有されることにより、ガリウム及び珪素がドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。透明導電膜の厚さが200nm未満であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系透明導電膜。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化学的組成からなるマグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット。請求項6に記載の焼結体ターゲットを用いるマグネトロンスパッタリング法により作製した請求項1から5記載の酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる液晶ディスプレイ及びタッチパネル。請求項6に記載の焼結体ターゲットを用いるマグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器。しかし、現状のLCD製造プロセスにおけるITO透明電極形成技術をZnO系に適用した場合、ZnO系透明導電膜が解決しなければならない以下のような技術的課題問題点が存在する。問題点1:dcマグネトロンスパッタリング装置を用いて作製したZnO系透明導電膜では、膜厚が200nm程度より薄くなるに伴って、電気的特性が膜厚に大きく依存する膜厚の減少に伴って抵抗率が大幅に増加する。問題点2:dcマグネトロンスパッタリング装置を用いてZnO系透明導電膜を作製すると基板上に生じる抵抗率分布ターゲットのエロージョン領域に対向する基板上の位置で抵抗率が増加するが膜厚が200nm程度より薄くなるに伴って増大する。換言すると、アクティブマトリックス型LCDに使用する透明電極の材料を全面的にITOからZnO系に置き換えるためには、上記の問題点1及び2を解決しなければならない。このような事情に鑑み、抵抗率特性の膜厚依存性を改善する新規な酸化亜鉛系透明導電膜、並びに成膜に使用する焼結体を提供することにより、膜厚が200nm未満のITO透明電極をZnO系透明電極に置き換えることを課題とする。本発明のある態様は、酸化亜鉛系透明導電である。当該酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムがGa/ZnGaSnの原子比で1を超え8未満の割合で含有され、且つスズがSn/ZnGaSnの原子比で0.1を超え1未満の割合で含有されることにより、ガリウムがドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする。本発明により、特にLCDに好適な、約200nm未満の極めて薄い領域において、低抵抗率で且つ膜厚依存性の少ない良好な酸化亜鉛を母材とする透明導電膜及びその製造用焼結体が提供可能となる。以下に本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。参考例1平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化アルミニウム粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。次に該成形体を以下の条件で焼結した。焼結条件焼結温度:1250°C昇温速度:50°C/hr保持時間:5時間焼結雰囲気:Ar雰囲気中得られた焼結体を6インチφ×5mmtに加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングした。このターゲットを用いて、dcマグネトロンスパッタリング法により以下に示す条件で、AlおよびSn含有量の異なる透明導電膜を作製した。スパッタリング成膜条件装置:dcマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:200°C到達真空度:5×10-5Paスパッタリングガス:Arスパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:300W膜厚:100nm使用基板:無アルカリガラス日本電気ガラス製OA10ガラス得られた薄膜の抵抗率をホール効果測定装置を用いて測定した。アルミニウムが1原子を超え8原子未満かつスズがSn/ZnAlSn0.1原子を超え1原子未満の範囲で10-4Ωcm台の低抵抗率の膜を得ることができた。また、アルミニウムが3.3原子、かつスズが0.25原子の焼結体ターゲットを用いて作製したスズ共添加AZO薄膜の抵抗率の膜厚依存性について検討した。図1に作製したスズ共添加AZO薄膜の抵抗率の膜厚依存性を示す。また、図2に比較のために、スズを含有しないAZO焼結体ペレットを用い同様の成膜条件下で作製したAZO薄膜の抵抗率の膜厚依存性を示す。図1及び2から明らかなように、AZO薄膜においては、膜厚約30nm極薄膜では膜の抵抗率が1.9×10-3Ωcmに上昇しているのに対して、スズを共添加したAZO薄膜においては、膜厚約30nm極薄膜においても、9.0×10-4Ωcmを実現しており、結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。実施例1平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化ガリウム粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。実施例1と同様の条件下で焼結して作製したターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の成膜条件下で透明導電膜を作製した。ガリウムが3.0原子かつスズがSn/ZnGaSn0.25原子で膜厚30nmに作製した極めて薄い酸化亜鉛系透明導電膜において9.1×10-4Ωcmの低抵抗率の膜を得ることができた。結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。また、作製した膜の基板上での抵抗率分布は膜全体で±15未満であり、抵抗率分布の少ない膜を実現できた。実施例2平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化珪素粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。実施例1と同様の条件下で焼結して作製したターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の成膜条件下で透明導電膜を作製した。珪素が3.0原子かつスズがSn/ZnSiSn0.25原子で膜厚30nmに作製した極めて薄い酸化亜鉛系透明導電膜において9.2×10-4Ωcmの低抵抗率の膜を得ることができた。結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。また、作製した膜の基板上での抵抗率分布は膜全体で±15未満であり、抵抗率分布の少ない膜を実現できた。参考例2平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化アルミニウム粉末及び酸化ガリウム粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。実施例1と同様の条件下で焼結して作製したターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の成膜条件下で透明導電膜を作製した。アルミニウムが3.0原子、ガリウムが0.3原子かつスズがSn/ZnAlGaSnの原子比で0.25で膜厚30nmに作製した極めて薄い酸化亜鉛系透明導電膜において9.1×10-4Ωcmの低抵抗率の膜を得ることができた。結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。また、作製した膜の基板上での抵抗率分布は膜全体で±15未満であり、抵抗率分布の少ない膜を実現できた。参考例3平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化アルミニウム粉末及び酸化インジウム粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。実施例1と同様の条件下で焼結して作製したターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の成膜条件下で透明導電膜を作製した。アルミニウムが3.0原子、インジウムが0.3原子かつスズがSn/ZnAlInSnの原子比で0.25で膜厚30nmに作製した極めて薄い酸化亜鉛系透明導電膜において9.0×10-4Ωcmの低抵抗率の膜を得ることができた。結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。また、作製した膜の基板上での抵抗率分布は膜全体で±15未満であり、抵抗率分布の少ない膜を実現できた。参考例4平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化アルミニウム粉末及び酸化珪素粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。実施例1と同様の条件下で焼結して作製したターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の成膜条件下で透明導電膜を作製した。アルミニウムが3.0原子、珪素が0.3原子かつスズがSn/ZnAlSiSnの原子比で0.25で膜厚30nmに作製した極めて薄い酸化亜鉛系透明導電膜において9.0×10-4Ωcmの低抵抗率の膜を得ることができた。結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。また、作製した膜の基板上での抵抗率分布は膜全体で±15未満であり、抵抗率分布の少ない膜を実現できた。実施例3平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化ガリウム粉末及び酸化インジウム粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。実施例1と同様の条件下で焼結して作製したターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の成膜条件下で透明導電膜を作製した。ガリウムが3.0原子、インジウムが0.3原子かつスズがSn/ZnGaInSnの原子比で0.25で膜厚30nmに作製した極めて薄い酸化亜鉛系透明導電膜において9.0×10-4Ωcmの低抵抗率の膜を得ることができた。結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。また、作製した膜の基板上での抵抗率分布は膜全体で±15未満であり、抵抗率分布の少ない膜を実現できた。実施例4平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末と、平均粒径が0.2μmの酸化ガリウム粉末及び酸化珪素粉末と、平均粒径が0.5μmの酸化スズ粉末とを所定量ポットに入れ、乾式ボールミルにより48時間混合し、混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスを行い成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を行った。実施例1と同様の条件下で焼結して作製したターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタリング法により実施例1と同様の成膜条件下で透明導電膜を作製した。ガリウムが3.0原子、珪素が0.3原子かつスズがSn/ZnGaSiSnの原子比で0.25で膜厚30nmに作製した極めて薄い酸化亜鉛系透明導電膜において9.0×10-4Ωcmの低抵抗率の膜を得ることができた。結果として抵抗率の膜厚依存性を大幅に改善できた。また、作製した膜の基板上での抵抗率分布は膜全体で±15未満であり、抵抗率分布の少ない膜を実現できた。