チョクラルスキー法によってチャンバ内で同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造方法であって、直径24インチの前記ルツボ内において前記原料融液を準備する工程と、前記原料融液から単結晶シリコンを引き上げる工程と、前記原料融液の加熱を続けながら残りの前記原料融液に多結晶原料を追加投入して融解する工程と、前記多結晶原料を追加投入して融解した前記原料融液から次の単結晶シリコンを引き上げる工程とを備え、前記多結晶原料を追加投入して融解する工程と前記次の単結晶シリコンを引き上げる工程とは1回以上繰り返され、前記単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される前記次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、磁場中で前記単結晶シリコンが育成され、前記ルツボの内壁にバリウムを含む層が形成されており、前記バリウムの添加量が2.2×1014atomscm2以上1.1×1015atomscm2以下である、単結晶シリコンの製造方法。チョクラルスキー法によってチャンバ内で同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造方法であって、直径32インチの前記ルツボ内において前記原料融液を準備する工程と、前記原料融液から単結晶シリコンを引き上げる工程と、前記原料融液の加熱を続けながら残りの前記原料融液に多結晶原料を追加投入して融解する工程と、前記多結晶原料を追加投入して融解した前記原料融液から次の単結晶シリコンを引き上げる工程とを備え、前記多結晶原料を追加投入して融解する工程と前記次の単結晶シリコンを引き上げる工程とは1回以上繰り返され、前記単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される前記次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、磁場中で前記単結晶シリコンが育成され、前記ルツボの内壁にバリウムを含む層が形成されており、前記バリウムの添加量が5.4×1013atomscm2以上2.2×1014atomscm2以下である、単結晶シリコンの製造方法。チョクラルスキー法によってチャンバ内で同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造方法であって、直径40インチの前記ルツボ内において前記原料融液を準備する工程と、前記原料融液から単結晶シリコンを引き上げる工程と、前記原料融液の加熱を続けながら残りの前記原料融液に多結晶原料を追加投入して融解する工程と、前記多結晶原料を追加投入して融解した前記原料融液から次の単結晶シリコンを引き上げる工程とを備え、前記多結晶原料を追加投入して融解する工程と前記次の単結晶シリコンを引き上げる工程とは1回以上繰り返され、前記単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される前記次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、磁場中で前記単結晶シリコンが育成され、前記ルツボの内壁にバリウムを含む層が形成されており、前記バリウムの添加量が1.1×1013atomscm2以上5.4×1013atomscm2以下である、単結晶シリコンの製造方法。前記単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される前記次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、単結晶シリコンのテール部の形成の少なくとも一部を省略して、単結晶シリコンを前記原料融液から切り離す工程を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の単結晶シリコンの製造方法。近年、同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造が行われている。この方法では、原料融液から単結晶を引き上げた後、ヒーターの電源を落とさずに残りの原料融液に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶を引き上げる。そして、この原料融液に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶を引き上げる工程を繰り返すことによって、同一のルツボを用いて複数の単結晶シリコンを引き上げる。上記のマルチプリング法によって同一のルツボで複数本のシリコン単結晶の引き上げを行う場合、操業が長時間におよぶためルツボも長時間にわたり高温にさらされる。マルチプリング法によって単結晶シリコンを製造する場合に、バリウムを含む失透促進剤が付着されたルツボを使用したとしても、単結晶シリコンを原料融液から切り離すときに転位が発生する場合があった。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法によって単結晶シリコンを育成する場合において、単結晶シリコンにおける有転位化の発生を低減することができる単結晶シリコンの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは鋭意研究の結果、単結晶シリコンの有転位化の発生はルツボの内壁表面におけるバリウムの添加量ドーズ量に影響を受けることを見出した。バリウムの添加量ドーズ量が高い場合には、単結晶シリコンの有転位化の発生率が高くなる。一方、バリウムの添加量ドーズ量が低い場合には、単結晶シリコンの有転位化の発生率が低くなるが、ある一定の添加量ドーズ量よりも低くなると、単結晶シリコンの有転位化の発生率が高くなる。バリウム添加量ドーズ量が高い場合に単結晶シリコンの有転位化の発生率が高くなる原因は以下のように考えられる。まず、ルツボの表面に付着していた失透促進剤などからバリウムがシリコン融液に溶融する。バリウムが溶融したシリコン融液から単結晶シリコンを一定の長さまで引き上げ、その後単結晶シリコンを切り離す際に、シリコン融液中に放出されたクリストバライトがテール部からシリコン融液に流れ落ちる前にシリコンが固化することで、クリストバライトが不純物としてシリコンに取り込まれる。これにより単結晶シリコンに転位が発生し、シリコンが有転位化してしまう。一方、バリウムの添加量ドーズ量が極端に低い場合、単結晶シリコンの転位の発生率が高くなる。これは、バリウムの添加量ドーズ量が少ないと、ルツボの内壁における石英の結晶化が均一にならないため、クリストラバイトがシリコン融液に放出され、それが単結晶シリコンに取り込まれてしまうことが一つの原因と考えられる。また、ルツボのサイズが大きい場合、単結晶シリコン成長中のルツボの温度が高くなる。ルツボの温度が高くなると、結晶化が促進される。そのため、シリコン融液に溶融するバリウムの量もルツボのサイズ毎に異なってくる。さらに、同じルツボのサイズでも、ルツボに磁場を印加して単結晶シリコンを引き上げる場合は、ルツボに磁場を印加しない場合と比べて、単結晶シリコン成長中のルツボの温度が高くなる。シリコン融液に磁場を印加することでシリコン融液の対流が抑えられる。そのため、シリコン融液に磁場を印加していない場合と同様に維持するために、ルツボの温度を高くする必要がある。本発明は以上の知見に基づいてなされたものであり、本発明に係る単結晶シリコンの製造方法は、チョクラルスキー法によってチャンバー内で同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造方法であって、以下の工程を有している。直径24インチのルツボ内において原料融液が準備される。原料融液から単結晶シリコンが引き上げられる。原料融液の加熱を続けながら残りの原料融液に多結晶原料が追加投入されて融解される。多結晶原料を追加投入して融解した原料融液から次の単結晶シリコンが引き上げられる。多結晶原料を追加投入して融解する工程と次の単結晶シリコンを引き上げる工程とは1回以上繰り返される。単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、磁場中で単結晶シリコンが育成される。ルツボの内壁にバリウムを含む層が形成されており、バリウムの添加量が2.2×1014atomscm2以上1.1×1015atomscm2以下である。ここでバリウムの添加量とは、ルツボの内表面の単位面積あたりのバリウムの添加量のことである。また、バリウムを含む層とは、バリウム単体の層でもよいし炭酸バリウムなどのバリウム化合物の層であってもよい。さらに、バリウムを含む層とはルツボの表面にバリウムが注入されて、バリウムがリッチになっている層であってもよい。本発明に係る単結晶シリコンの製造方法は、チョクラルスキー法によってチャンバー内で同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造方法であって、以下の工程を有している。直径32インチのルツボ内において原料融液が準備される。原料融液から単結晶シリコンが引き上げられる。原料融液の加熱を続けながら残りの原料融液に多結晶原料が追加投入されて融解される。多結晶原料を追加投入して融解した原料融液から次の単結晶シリコンが引き上げられる。多結晶原料を追加投入して融解する工程と次の単結晶シリコンを引き上げる工程とは1回以上繰り返される。単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、磁場中で単結晶シリコンが育成される。ルツボの内壁にバリウムを含む層が形成されており、バリウムの添加量が5.4×1013atomscm2以上2.2×1014atomscm2以下である。本発明に係る単結晶シリコンの製造方法は、チョクラルスキー法によってチャンバー内で同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造方法であって、以下の工程を有している。直径40インチのルツボ内において原料融液が準備される。原料融液から単結晶シリコンが引き上げられる。原料融液の加熱を続けながら残りの原料融液に多結晶原料が追加投入されて融解される。多結晶原料を追加投入して融解した原料融液から次の単結晶シリコンが引き上げられる。多結晶原料を追加投入して融解する工程と次の単結晶シリコンを引き上げる工程とは1回以上繰り返される。単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、磁場中で単結晶シリコンが育成される。ルツボの内壁にバリウムを含む層が形成されており、バリウムの添加量が1.1×1013atomscm2以上5.4×1013atomscm2以下である。上記の単結晶シリコンの製造方法において好ましくは、単結晶シリコンを引き上げる工程および1回以上繰り返される次の単結晶シリコンを引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、単結晶シリコンのテール部の形成の少なくとも一部を省略して、単結晶シリコンを原料融液から切り離す工程を含む。本発明に係る単結晶シリコンの製造方法によれば、同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法によって単結晶シリコンを育成する場合において、単結晶シリコンの有転位化の発生を低減することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明については繰り返さない。まず、本実施の形態の単結晶シリコンを製造するための製造装置について図1を用いて説明する。図1に示すように、単結晶シリコン製造装置10は、チャンバー2と、ヒーター6と、ルツボ8と、ルツボ支持軸13と、引上げワイヤ14と磁場発生用コイル18とを主に有している。チャンバー2の内壁には断熱材3が設けられている。チャンバー2の上部にはアルゴンArなどの不活性ガスを導入するための給気口4が設けられており、チャンバー2の底部にはチャンバー2内のガスを排気するための排気口5が設けられている。ルツボ8には原料となるシリコン融液7が充填される。ヒーター6はルツボ8の周辺部に設けられており、シリコン原料を融解させることでシリコン融液7を作製可能である。ルツボ支持軸13は、ルツボ8の下端部からチャンバーの底部に向かって延在しており、ルツボ支持軸駆動装置12によって回転自在に支持されている。ルツボ8は、ルツボ支持軸駆動装置12によって上下に移動可能である。引上げワイヤ14は、単結晶シリコン1を引上げるためのものであり、引上げワイヤ駆動装置15によって上下に移動可能である。ルツボ支持軸駆動装置12および引上げワイヤ駆動装置15は制御装置19によって制御される。磁場発生用コイル18に電流を流すことで、シリコン融液に磁場を印加することができる。ルツボ8にはバリウムを含む層が形成されている。バリウムを含む層は、バリウム単体であってもよいし、炭酸バリウムなどのバリウム化合物であってもよい。次に、本実施の形態の単結晶シリコンの製造方法について図1~図3を用いて説明する。図3に示すように、本実施の形態に係る単結晶シリコンの製造方法は、チョクラルスキー法によってチャンバー内で同一のルツボ中の原料融液から複数本の単結晶シリコンを引き上げるマルチプリング法による単結晶シリコンの製造方法であって、シリコン融液準備工程S1と、単結晶シリコン育成工程S2と、単結晶シリコン切り離し工程S3と、多結晶原料投入工程S4と、単結晶シリコン育成工程S5とを主に有している。シリコン融液準備工程S1では、シリコン原料をルツボ8に充填し、ヒーター6で加熱することでシリコン原料を融解する。ルツボ8のサイズは、たとえば直径が18インチ、24インチ、32インチ、40インチなどである。ルツボ8の内壁にはバリウムを含む層が形成されている。バリウムの添加量ドーズ量はルツボ8のサイズ毎に異なっている。ルツボの直径が18インチで単結晶シリコンの育成時に磁場が印加されない場合のバリウムの添加量は、1.4×1016atomscm2以上5.4×1016atomscm2以下である。ルツボの直径が24インチで単結晶シリコンの育成時に磁場が印加されない場合のバリウムの添加量は、5.4×1015atomscm2以上2.7×1016atomscm2以下である。ルツボの直径が32インチで単結晶シリコンの育成時に磁場が印加されない場合のバリウムの添加量は、1.4×1015atomscm2以上5.4×1015atomscm2以下である。また、後述するように、ルツボの直径が24インチで磁場が印加される場合のバリウムの添加量は2.2×1014atomscm2以上1.1×1015atomscm2以下である。ルツボの直径が32インチで磁場が印加される場合のバリウムの添加量は、5.4×1013atomscm2以上2.2×1014atomscm2以下である。ルツボの直径が40インチで磁場が印加される場合のバリウムの添加量は1.1×1013atomscm2以上5.4×1013atomscm2以下である。単結晶シリコン育成工程S2では、まず、シードチャック16に取付けた種結晶17を、シリコン融液7の表面に降下させて浸漬させる。その後、引上げワイヤ14を引上げワイヤ駆動装置15によって巻き取ることによって、単結晶シリコン1の引上げを行う。単結晶シリコン1がコーン部拡張部の成長を経て目標とする直径に達した後に、直胴部11を所定の長さまで成長させる。単結晶シリコン切り離し工程S3では、まず、直胴部11を所定の長さまで成長させた後、引上げワイヤ14の巻き取りを停止させる。その後、ルツボ8を降下させることによって、シリコン融液7から単結晶シリコン1を切り離す。単結晶シリコンを切り離す方法は、様々な方法があるが、歩留まり向上の観点から、テール部がなるべく短くなるように切り離すことが好ましい。テール部を短く切り離す方法として、フリースパン法テールコーンレス法とよばれる方法がある。フリースパン法によれば、単結晶シリコン1の引き上げにおいて、直胴部の長さが所定の長さに到達すると、ルツボ支持軸駆動装置によってルツボ8の上昇を開始する。図2に示すように、単結晶シリコン1の上昇速度とルツボ8の上昇速度を同じ速度にして単結晶シリコン1とルツボ8とを上昇させる。ルツボ8が所定の高さに到達したところで、ルツボ支持軸駆動装置12によるルツボ8の上昇および引上げワイヤ14の巻き取りを停止させる。その後、ルツボ支持軸駆動装置12によりルツボ8を下降させることにより、単結晶シリコン1をシリコン融液7から切り離す。上記のようにすれば、テール部の形成を最小限にして単結晶シリコン1を切り離すことができる。なお、テール部の切り離しは、フリースパン法以外の方法で行われてもよい。次に、多結晶原料投入工程S4が実施される。多結晶原料投入工程では、単結晶シリコン1がシリコン融液7から切り離された後、ルツボ8内に残っているシリコン融液7に図示しない投入口などを介して多結晶原料を追加投入して多結晶原料を融解する。多結晶原料を追加投入するときは、ルツボ8を加熱しているヒーター6の電源を落とさない。これにより、ルツボ8の加熱を継続しながら多結晶原料がルツボ8内に投入される。次に、単結晶シリコン育成工程S5が実施される。この工程では、多結晶原料を追加投入して融解した原料融液シリコン融液7から次の単結晶シリコン1が引き上げられる。直胴部11が所定の長さに到達したら、単結晶シリコン1がシリコン融液7から切り離される。単結晶シリコン切り離し工程、多結晶原料を追加投入して融解する工程および次の単結晶シリコンを引き上げる工程は1回以上繰り返される。このようにして、複数本の単結晶シリコン1の引き上げが可能となる。複数本の単結晶シリコン1を引き上げる工程のうち少なくとも1回は、磁場中で単結晶シリコンが育成される。好ましくは、複数本の単結晶シリコン1を引き上げる工程のすべての工程が磁場中で行われる。複数本の単結晶シリコン1を引き上げる工程のうち少なくとも1つの工程では、単結晶シリコン1のテール部の形成の少なくとも一部を省略して、単結晶シリコン1を原料融液シリコン融液7から切り離す工程を含んでいてもよい。テール部の形成の少なくとも一部を省略とは、テール部を途中まで形成した後に、フリースパン法によって単結晶シリコンを切り離す場合も含む。図4を参照して、フリースパン法によって単結晶シリコン1の切り離しが行われる場合の単結晶シリコン1の成長面原料融液との界面の形状変化の過程を説明する。直胴部11を育成している際の単結晶シリコン1の成長面の形状は、図4aに示すように上向きに凸の形状をしている。ルツボ8を単結晶シリコン1の引き上げ速度と同じ速度で上昇させ始めると、単結晶シリコン1の引き上げが実質的に停止するルツボ8と単結晶シリコン1の上下方向の相対運動が停止するため、単結晶シリコン1の成長面の上向きに凸の形状が、図4bに示すように徐々に緩和されていく。この実質的な停止状態が所定時間維持されると、図4cに示すように単結晶シリコン1の成長面の形状が下向きに凸の形状に変化していく。単結晶シリコン1の成長面の形状が下向きに凸の状態で、単結晶シリコン1をシリコン融液7から切り離すことにより、シリコン融液7の泡立ちを極力小さく抑えつつ切り離しが行われる図4d。これにより、単結晶シリコン1を無転位に保ちつつ、かつテールの長さを最小限に抑えながら、シリコン融液7から単結晶シリコン1を切り離すことが可能となる。フリースパン法においては、シリコン融液7が入ったルツボ8を育成中の単結晶シリコン1の引き上げ速度と同じ速度で上昇させる。これにより、単結晶シリコン1の熱履歴を大きく変化させることなく単結晶シリコン1の引き上げを実質的に停止させ、その状態でシリコン融液7から単結晶シリコン1の切り離しを行う。結果として、単結晶シリコン1の下端面すなわちシリコン融液7との界面の形状を下向きに凸の形状にして、単結晶シリコンを無転位状態のままシリコン融液7から切り離すことができる。図5を参照して、単結晶シリコン1を引き上げるときのフリースパンの成功率と18インチのルツボ8の内壁に形成されているバリウムの添加量ドーズ量との関係を説明する。図5に示すデータは無磁場で測定されたものである。縦軸はフリースパンの成功率を示しており、横軸はバリウムコーティング濃度を示している。フリースパンの成功率とは、単結晶シリコン1の引き上げを行った回数のうち、フリースパン法によって単結晶シリコン1が有転位化せずに引き上げられた回数の割合である。なお、本データの取得にあたり、マルチプリング法により5本の単結晶シリコン1の引き上げを行い、それを10回実施した。バリウムの添加は、ルツボ8の内壁に水酸化バリウム水溶液を吹き付けることで行った。図5に示すように、バリウムの添加量ドーズ量が1.4×1017atomscm2以上の場合は、フリースパンの成功率が40以下と低い値を示す。一方、バリウムの添加量ドーズ量が5.4×1016atomscm2以下の場合は、フリースパンの成功率が90程度以上と高くなる。バリウムの添加量ドーズ量が高いときにフリースパンの成功率が低くなる原因として、バリウムがシリコン融液7に溶け込むことが挙げられる。シリコン融液7に溶融したバリウムが、単結晶シリコン1を引き上げる際にシリコン中に取り込まれることでシリコンが有転位化してしまうと考えられる。図6を参照して、再溶融回数とシリコンインゴットの引き上げ本数との関係を説明する。図6のデータは無磁場で測定されたものである。縦軸は再溶融回数を示しており、横軸はインゴットの引き上げ回数を示している。白丸のデータはバリウムのコーティング濃度ドーズ量が2.7×1017atoms/cm2のデータである。白三角のデータはバリウムのコーティング濃度ドーズ量が1.4×1017atoms/cm2のデータである。白四角のデータはバリウムのコーティング濃度ドーズ量が5.4×1016atoms/cm2のデータである。黒丸のデータはバリウムのコーティング濃度ドーズ量が1.4×1016atoms/cm2のデータである。黒四角のデータはバリウムのコーティング濃度ドーズ量が5.4×1015atoms/cm2のデータである。単結晶シリコン1を引き上げ中に単結晶シリコン1が有転位化した場合に、有転位化た単結晶シリコン1を降下させてシリコン融液7に再度溶融させる。その後、単結晶シリコン1の引き上げを再度開始する。再溶融回数とは、単結晶シリコン1が有転位化したときに単結晶シリコン1をシリコン融液7に再溶融させた平均の回数である。引き上げ本数とは、マルチプリング法によって、複数本の単結晶シリコン1が引き上げられる場合に引き上げられた本数のことである。図6を参照して、バリウムの添加量ドーズ量が1.4×1016atomscm2以上である場合は、引き上げ本数が5本になっても再溶融回数はほとんど変化しない。しかしながら、バリウムの添加量ドーズ量が5.4×1015atomscm2以下になると、引き上げ本数が多くなるにしたがって再溶融回数は多くなる。再溶融回数が多くなると、操業時間が長くなるため生産性が極端に悪化する。また、ルツボ8にも長時間熱負荷がかかるため、ルツボ8が割れてしまう場合もある。それゆえ、生産性やルツボ8に対する熱負荷を考慮すると、バリウムの添加量は1.4×1016atomscm2以上であることが望ましい。図7を参照して、ルツボ8の温度とルツボ8のサイズの関係およびバリウムのドーズ量とルツボ8のサイズの関係について説明する。図7のデータは無磁場で測定されたものである。左側の縦軸はルツボ8の温度を示しており、右側の縦軸はバリウムのドーズ量を示している。横軸はルツボ8の直径を示している。サイズの大きいルツボ8を使用する場合、ルツボ8中のシリコン融液7の状態をルツボ8のサイズが小さいときの状態と同様の条件に維持するために、ルツボ8の温度を高くする必要がある。ルツボ8の温度が高くなると、ルツボ8の内壁に付着しているバリウムの結晶化が促進される。バリウムの結晶化が促進されるとシリコン融液7に溶融するバリウムの量も少なくなる。それゆえ、ルツボ8のサイズによって最適なバリウムの添加量ドーズ量は異なってくる。一般的にルツボ8の温度の変化量と最適なバリウムの添加量ドーズ量の変化率とは反比例している。たとえば、ルツボ8の温度が20°C高くなるとバリウムの添加量ドーズ量は1/10倍にする必要があり、ルツボ8の温度が50°C高くなるとバリウムの添加量ドーズ量は1/25倍にする必要がある。図7に示すように、ルツボ8の直径が18インチから32インチになると、単結晶シリコン1の引き上げのときのルツボ8の温度は、1430°C18インチから1450°C32インチにする必要がある。ルツボ8の温度が20°C高くなると、バリウムの添加量ドーズ量を1/10倍にする必要がある。ルツボ8の直径が18インチのときの最適なバリウムの添加量が1.4×1016atomscm2以上5.4×1016atomscm2以下であるので、ルツボ8の直径が32インチのときの最適なバリウムの添加量は1.4×1015atomscm2以上5.4×1015atomscm2以下となる。同様に、ルツボ8の直径が24インチの場合の、最適なバリウムの添加量は5.4×1015atomscm2以上2.7×1016atomscm2以下となる。図8を参照して、ルツボ8の温度と磁場の有無との関係およびバリウムのドーズ量と磁場の有無との関係を説明する。ルツボ8のサイズは32インチである。左側の縦軸はルツボ8の温度を示しており、右側の縦軸はバリウムのドーズ量を示している。横軸は磁場の有無を示している。図8に示すように、同じルツボ8のサイズでも、ルツボ8に磁場を印加して単結晶シリコンを引き上げる場合は、ルツボ8に磁場を印加しない場合と比べて、単結晶シリコン1成長中のルツボ8の温度を高くする必要がある。シリコン融液7に磁場を印加することでシリコン融液7の対流が抑えられる。そのため、シリコン融液7に磁場を印加していない場合と同様の条件に維持するために、ルツボ8の温度を高くする必要がある。図8に示すように、磁場がない状態でのルツボの温度は1450°Cであるが、磁場がある場合のルツボ8の温度は1500°Cとする必要がある。図7で説明したように、ルツボ8の温度が高くなると、最適なバリウムの添加量ドーズ量を小さくする必要がある。磁場を印加する場合、ルツボ8の温度が50°C上昇するので、バリウムの添加量ドーズ量を1/25倍にする必要がある。それゆえ、ルツボ8の直径が24インチであって磁場が印加されている場合の最適なバリウムの添加量は、2.2×1014atomscm2以上1.1×1015atomscm2以下である。ルツボ8の直径が32インチであって磁場が印加されている場合の最適なバリウムの添加量は、5.4×1013atomscm2以上2.2×1014atomscm2以下である。ルツボ8の直径が40インチであって磁場が印加されている場合の最適なバリウムの添加量は1.1×1013atomscm2以上5.4×1013atomscm2以下である。なお、バリウムの添加量は、ルツボ8の内表面の表面積1cm2あたりに付着または含有するバリウム元素の量を原子数単位で表したものである。次に、バリウムを含む層をルツボ8の内表面に形成する方法について説明する。まず、バリウムを含む層失透促進剤として、たとえば水酸化バリウム水溶液が準備される。次に、200~300°Cに加熱した石英製のルツボ8に水酸化バリウム水溶液が吹き付けられる。水酸化バリウム水溶液の塗布は、ルツボ8を回転させながらスプレー式に吹き付けられる。バリウムを含む層の付着量は、吹き付け時間などによって制御可能である。なお、バリウムを含む層は、ルツボ8の内表面に均一な添加量で形成されてもよいし、ルツボ8の内表面の位置によって異なった添加量で形成されてもよい。たとえば、ルツボ8の底部においてバリウムの添加量を多くし、ルツボ8の側壁部や底部においてバリウムの添加量を少なくしてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。