Cu、In、Ge、およびSeを含む太陽電池用光吸収層の製造方法であって、下記第一、第二の工程によってプリカーサーを得る工程を含むことを特徴とする面内均一性に優れた化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法。第一の工程:スパッタリングによって少なくともCu-Ga合金膜と;In-Cuおよび/またはSe合金膜を順次成膜する工程、第二の工程:第一の工程で得られた膜全体の応力が200MPa未満であり、且つ真空または不活性ガス雰囲気下で60分以上加熱処理する工程前記加熱処理は150°C以下で行うものである請求項1に記載の製造方法。前記In-Cuおよび/またはSe合金膜におけるCuおよび/またはSeの含有量は、Cu:10~80原子、Se:5~30原子である請求項1または2に記載の製造方法。前記第二の工程の後にセレン化処理工程を行うものである請求項1~3のいずれかに記載の製造方法。請求項1~3のいずれかに記載の第二の工程を経て得られたプリカーサーであって、前記プリカーサーの膜表面の性状は、膜厚方向断面における前記膜表面の平坦膜相当の水平線と、前記膜表面に存在する凸部とで形成される接触角が80°未満であって、且つ前記膜の水平面における前記凸部の最小包含円の最大径が10nm以上、1.0μm未満である前記凸部が1×109個/m2以上有することを特徴とする面内均一性に優れた太陽電池用光吸収層のプリカーサー。請求項4に記載の製造方法で得られた化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層を用いた吸光素子。前述した特許文献1のように純In膜の成膜工程を包含する方法では、以下の問題を抱えている。すなわち、前述した特許文献2にも記載されているように、純In膜をスパッタリング法で形成するとIn結晶が島状に堆積して不連続層が形成されるようになり、例えばCu-Ga合金膜上に純In膜を積層すると、純Inで覆われる部分と覆われない部分が形成されるようになる。このようなInの島状堆積物の形成は、結果的に太陽電池の性能低下をもたらす。上記Inの島状堆積物の形成を防止するため、成膜時間を複数回に分割して成膜することにより成膜時の実効的な基板温度上昇を抑制し、島状堆積を改善させる方法などが検討されているが、純Inは融点が約156°Cと低融点のため、連続膜を得ることは困難である。また、Gaも約29.8°Cと非常に低融点であり、上記のようにIn結晶が島状に堆積する状況下や、純In膜にCu-Ga合金膜を積層した場合には、セレン化前のプリカーサー形成時点においてGa酸化物やCuGa酸化物などの酸化物が最表面に容易に形成されるため、セレン化後のCIGS系薄膜の膜質均一性が劣化し、再現性も劣るなどの弊害を招く。また量産性を考慮すると、純Inターゲットを用いて純In膜を成膜する場合、成膜が進むにつれ、ターゲット-基板間距離も変化して実効的なターゲット表面温度や基板温度も変動するため、純In膜自体の膜厚制御や膜質の再現性確保が困難となる。また、純Inターゲットでは、連続成膜中の変形が大きく、また高パワー成膜が困難であり、結果的に生産性の向上実現は難しいという欠点がある。更に加熱条件によってはInの粗大な凝集物が形成され、膜表面に欠陥を生じて面内均一性が劣る。一方、前述した特許文献2のように酸素添加ガス雰囲気下で純In膜を成膜する方法では、セレン化後のCIGS薄膜に酸素が残存し、膜質が低下するようになる。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、スパッタリング法によって純In膜を成膜したときにおける不連続層の生成島状In膜の形成を防止すると共に、加熱処理後の面内均一性に優れた化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、並びにプリカーサー、および当該光吸収層を用いた吸光素子を提供することにある。上記課題を解決し得た本発明に係る化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法は、Cu、In、Ge、およびSeを含む太陽電池用光吸収層の製造方法であって、下記第一、第二の工程によってプリカーサーを得る工程を含むことに要旨を有する。第一の工程:スパッタリングによって少なくともCu-Ga合金膜と;In-Cuおよび/またはSe合金膜を順次成膜する工程、第二の工程:第一の工程で得られた膜全体の応力が200MPa未満であり、且つ真空または不活性ガス雰囲気下で60分以上加熱処理する工程上記加熱処理は150°C以下で行うことも好ましい実施態様である。更に前記In-Cuおよび/またはSe合金膜におけるCuおよび/またはSeの含有量は、Cu:10~80原子、および/またはSe:5~30原子とすることも好ましい。本発明の製法では、前記第二の工程の後にセレン化処理工程を行うことが望ましい。また本発明は上記第二の工程を経て得られたプリカーサーであって、前記プリカーサーの膜表面の性状は、膜厚方向断面における前記膜表面の平坦膜相当の水平線と、前記膜表面に存在する凸部とで形成される接触角が80°未満であって、且つ前記膜の水平面における前記凸部の最小包含円の最大径が10nm以上、1.0μm未満である前記凸部が1×109個/m2以上有することが望ましい。更に本発明には、上記製造方法で得られた化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層を用いた吸光素子も含まれる。本発明によれば、スパッタリング法によって太陽電池用光吸収層を製造するに当たり、従来のように純In膜を成膜するのではなく、In-Cuおよび/またはSe合金膜を用いて製造しているため、島状In膜ではなく、連続したIn-Cuおよび/またはSe合金膜が得られる。その後、所定の条件で加熱処理プレアニールを施すことによって得られるプリカーサーには、プレアニールに起因する粗大な凝集物の形成が抑制されている。またプリカーサー膜を構成するIn-Cuおよび/またはSe合金膜とCu-Ga合金膜との間で原子の相互拡散により、セレン化処理を施しても、粗大な凝集物の形成が抑制され、同一面内での組成が均一で膜質の良好なすなわち、面内均一性に優れた光吸収層を、高い生産性で再現性良く成膜できる。したがって本発明の製法によれば、光電変換効率が高い光吸収層の提供が大いに期待される。また本発明の製法で得られた光吸収層を用いた吸光素子は光電変換効率が高く、太陽電池用途に好適である。本発明者らは、CIGS系薄膜などに代表されるCu、In、Ge、およびSeを光吸収層として用いる太陽電池用光吸収層厳密には、セレン化前のプリカーサーを作製するに当たり、純In膜をスパッタリングによって成膜するときの問題島状In膜の形成による不連続層の形成、後記する図2を参照を解決できるだけでなく、セレン化処理前の加熱処理プレアニール処理に起因するプリカーサーの膜表面に形成される粗大な凝集物、後記する図4を参照、またはセレン化処理したときの問題セレン化処理に起因する光吸収層の膜表面に形成される粗大な凝集物を解決するため、検討を重ねてきた。その結果、従来のように純In膜を成膜するのではなくIn-Cuおよび/またはSe合金膜をスパッタリング法によって成膜した後、所定の条件で加熱処理プレアニールを施せば、面内均一性に優れたプリカーサーが得られ、続いてセレン化処理を施しても面内均一性に優れた光吸収層の形成が可能となることを見出し、本発明を完成した。本発明においてプリカーサーの面内均一性とは、プリカーサーの面内均一性が光学顕微鏡にて観察倍率50倍で測定したときに、プリカーサーの膜表面面方向において確認される粗大な凝集物凝集物のサイズが円相当直径で100μm以上が好ましくは10×106個m2以下であることをいい、より好ましくは1.0×106個m2以下であることをいう。一般にセレン化前の光吸収層Cu-Ga合金膜とIn-Cuおよび/またはSe合金膜との積層体をプリカーサー前駆体というが、本発明では上記プリカーサーについて、更に加熱処理プレアニール前を加熱処理前のプリカーサー、加熱処理後を加熱処理後のプリカーサーとして区別することがある。以下、本発明について説明する。図2は、純In膜をCu-Ga合金膜上に成膜した加熱処理前のプリカーサーの膜断面状態をSEM倍率:50000倍で分析した結果を示す図SEM写真であり、連続した層ではなく島状のIn膜が形成されていることが分かる。このように膜表面に大きく粗大な島状の凹凸が形成されていると、セレン化処理を行った後もCIGS相に組成ムラが生じ、光吸収層の特性が悪くなる。これに対し、図3は、同じくSEMで分析したIn-Cu合金膜をCu-Ga合金膜上に成膜した本発明例であり、図3はCu量≒35原子を含むIn-Cu合金膜をCu-Ga合金膜上に成膜したときのプリカーサーの膜断面状態の様子を示すものである加熱処理前のプリカーサー。図3に示すように膜表面の凹凸が低減され、連続した膜が生成されることが分かる。これにより、Cu-Ga膜の露出が防止されるため、大気輸送中などにおけるGaの酸化を抑制できる。スパッタリング法によるIn-Cu合金膜の形成によって、図3に示すように連続したIn-Cu合金膜が得られる理由は詳細には不明であるが、上記合金膜の成膜時にIn-Cu合金中に含まれるCuがInの拡散を阻害するためではないかと推察される。実験の結果、同様の傾向はIn-Se合金膜、或いはIn-Cu-Se合金膜を成膜した場合も得られ、図3に示すような膜表面の凹凸が低減され、連続した膜が生成される。後記するように本発明では、所望の連続膜を形成し得、且つ、光電変換効率の高い太陽電池用光吸収層の形成が実現可能なように、In-Cuおよび/またはSe合金膜に含まれるCu量および/またはSe量を、好ましくはおおむねCu:10~80原子、Se:5~30原子の範囲内に制御しているが、Cu量および/またはSe量が上記範囲内であっても、所定の条件で加熱処理プレアニールしなければ、所望とする面内均一性に優れた光吸収層が得られない。すなわち、In-Cuおよび/またはSe合金膜を成膜して島状In領域の形成を抑制できたとしても、従来の高温条件例えば250°C以上で加熱処理を施すと、図4に示すように膜表面に突起形状の粗大な凝集物例えば円相当直径100μmサイズの黒点:倍率50倍の光学顕微鏡写真が形成されてしまい、光電変換効率を低下させる原因となることが分かった。このような凝集物が形成される詳細な原因は不明であるが、高温で加熱処理を行うと、例えばIn-Cu合金膜は、図6に示す状態図のようにIn-Cu合金相と純In相の2相となるため、熱応力によってIn-Cu合金膜にかかる圧縮応力が高まると、低融点の純In相が主体となって粗大な凝集物を形成するものと考えられる。そして、膜表面に粗大な凝集物は一旦形成されると、この加熱処理後の工程で加えられる熱履歴後も残存し、取り出し電極の形成などの後工程の際に被覆不良を起こし、変換効率など各種特性の不良を生じる原因となる。一方、図5は、図3に示すIn-Cu合金膜を成膜した後、本発明の所定の条件で加熱処理第二の工程を施した後のプリカーサーの膜表面の状態を示すものである。図5に示すようにプリカーサーの膜表面には粗大な凝集物の形成が抑制されている。また後記する実施例で示すように、所定の条件で加熱処理第二の工程を施した後に更に高温でセレン化処理を行っても粗大な凝集物が形成されることがないため、面内均一性に優れた光吸収層が得られる。もっとも、加熱処理第二の工程後のプリカーサーの膜表面の状態が、図5に示すように粗大な凝集物の形成が抑制されている状態であったとしても、後記するように第二の工程の加熱時間が短すぎると、In-Cu合金膜とCu-Ga合金膜との間で原子の相互拡散が十分に進行せず、その結果、セレン化処理などの高温の熱履歴が加えられた場合に、粗大な凝集物が多数形成され、面内均一性が悪くなることがある。したがって第二の工程での熱処理を適切に行って、相互拡散している状態とすることが望ましい。In-Cu-Se合金膜、In-Se合金膜の場合も同様の傾向が得られ、図5に示すようにプリカーサーの膜表面での粗大な凝集物の形成が抑制されるとともに、加熱処理後も粗大な凝集物が形成されることがない。また、Cuおよび/またはSe含有量によって当該In-Cuおよび/またはSe合金膜の表面性状は変化し得、Cu量および/またはSe量が多くなる程、最表面に存在する島状In領域凹凸形状は小さくなって凹凸の少ない平坦な連続膜が得られることが本発明者らの実験の結果分かった。この島状In領域はIn-Cuおよび/またはSe合金膜連続膜の上に形成されており、しかも後記するように本発明ではIn-Cuおよび/またはSe合金膜中の好ましいCu量および/またはSe量が適切に制御されているため、上記島状In領域の形成による太陽電池の性能低下の恐れはないと推察される。本発明において、第二の工程プレアニール処理後のプリカーサーの好ましい膜表面の性状は、図5に示すような面内均一性に優れた状態であるが、更に膜厚方向断面における膜表面の平坦膜相当の水平線と、膜表面に存在する凸部とで形成される接触角が80°未満であって、且つ膜水平面における凸部の最小包含円の最大径が10nm以上、10μm未満である凸部が1×109個/m2以上有することが望ましい。このように微小な凸部を多数有していれば、加熱時に膜表面にかかる圧縮応力を該凸部によって緩和できるため、セレン化処理などの高温の熱履歴が加えられた場合に発生する粗大な凝集物の抑制に効果がある。凸部の接触角が80°以上の場合、セレン化処理後にも表面の凹凸が残存することがある。好ましい接触角は70°以下、より好ましくは45°以下である。また最大径10nm以上、1.0μm未満の凸部を1×109個/m2以上としたのは、これを下回ると熱応力を十分に緩和できないことがあるからである。好ましい凸部の最大径は10nm以上、より好ましくは50nm以上であって、好ましくは1.0μm未満、より好ましくは800nm以下である。また凸部の密度は好ましくは1×109個/m2以上、より好ましくは3.0×109個/m2以上である。上述したように本発明に係る太陽電池用光吸収層の製造方法は、所望とする光吸収層Cu、In、Ge、およびSeを含む化合物半導体薄膜の光吸収層が得られるように、スパッタリングによって少なくともCu-Ga合金膜とIn-Cuおよび/またはSe合金膜とを順次成膜する第一の工程と、第一の工程で得られた膜全体の応力が200MPa未満であり、且つ真空または不活性ガス雰囲気下で60分以上加熱処理する第二の工程と、を順次含んでいればよい。以下、上記実施形態における第一、第二の各工程を詳しく説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。第一の工程第一の工程は、Cu-Ga合金膜を成膜する工程第一Aの工程とIn-Cuおよび/またはSe合金膜を成膜する工程第一Bの工程を含む。まず、基板上に形成したMoなどの裏面電極上に、スパッタリングによってCu-Ga合金膜厚さ:約0.05~1.0μmを成膜する第一Aの工程。この成膜工程は公知であり、通常用いられるCu-Ga合金膜の成膜方法を適宜採用することができる。例えば前述した特許文献1や2の方法を参照することもできる。上記工程に用いられるスパッタリングターゲット以下、ターゲットと略記する場合がある。としては代表的にはCu-Ga合金ターゲットが挙げられ、当該合金ターゲットの組成を調整することによってCu-Ga合金膜の組成を調整でき、最終的に、光電変換効率の高い組成の光吸収層を実現することができる。あるいは、純CuターゲットにGa元素をチップオンすることによってCu-Ga合金膜の組成を調整しても良い。Cu-Ga合金膜におけるGaの好ましい含有量は、所望とする光吸収層の組成や、合金スパッタリングターゲット製造の容易さなどに応じて適宜適切に設定され得るが、おおむね、Ga:10~50原子の範囲内であることが好ましい。本発明では、例えば以下のスパッタリング条件が好ましく用いられる。到達真空度:約1×105Torr以下、ガス圧:約1~5mTorr、パワー密度:約1.0~8W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温~300°C上記のようにしてCu-Ga合金膜を成膜した後、スパッタリングによってIn-Cuおよび/またはSe合金膜厚さ:約0.1~1.0μmを成膜する第一Bの工程。上記In-Cu合金膜は、In-Cu合金ターゲットを用いてスパッタリングしても良いし、あるいは、純InターゲットにCu元素の金属をチップオンすることによってスパッタリングしても良い。またIn-Cu-Se合金膜やIn-Se合金膜も同様に、In-Cu-Se合金ターゲットやIn-Se合金ターゲット、或いは純InターゲットにCu元素およびSe元素/またはSe元素の金属をチップオンすることによってスパッタリングしても良い。上記In-Cu合金膜におけるCuの含有量は10~80原子であることが好ましく、これにより、所望とする連続膜が得られる。Cu量が10原子未満では、Cu添加効果が十分に得られず、島状堆積を改善することができない。好ましいCu量の下限は15原子、より好ましくは30原子である。一方、Cu量が多くなる程、凹凸の少ない平坦なIn-Cu合金膜が成膜される傾向にあるが、光電変換効率が低下するなどして所望の特性を得られないことから、Cu量の上限を80原子とすることが望ましく、より好ましくは70原子、更に好ましくは60原子である。更にCuと共に、或いはCuに換えて5~30原子のSeを含有させることも可能である。上記所望とする連続膜を得るためにはIn-Cu-Se合金膜におけるCu含有量は5~30原子であることが好ましく、Se含有量は、Se含有量が多くなるとプリカーサーが酸化しやすくなることから、好ましくは30原子以下、より好ましくは20原子以下、更に好ましくは15原子以下である。またSe添加によって上記島状堆積の改善効果を十分に得られるように、Se含有量は好ましくは5原子以上、より好ましくは7原子以上、更に好ましくは10原子以上である。上記In-Cuおよび/またはSe合金膜の成膜に用いられるターゲットにおける残部はInおよび不可避的不純物である。本発明では、例えば以下のスパッタリング条件が好ましく用いられる。到達真空度:約1×105Torr以下、ガス圧:約1~5mTorr、パワー密度:約0.5~5W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温~300°Cまた成膜条件は適宜変更すればよく、例えば、Cu含有量が少ない場合は、スパッタリングによる成膜を複数回行えば、上記所望とする連続膜が得られる。本発明では、上記工程によってセレン化前の膜の組成を、所望となる光吸収層の組成が得られるようなものに調整することができる。厳密には、セレン化前のプリカーサーとセレン化後の光吸収層とは、セレン化時に低融点のInSeが蒸発するなどして組成が一致しないすなわち、セレン化の前後でInの量が変化するため、プリカーサーの組成は、これらの蒸発分を見込んだ見積設計となる。上記第一の工程によって所望のプリカーサーを得る場合、当該プリカーサーの構成は、基板側から順にCu-Ga合金膜と、In-Cuおよび/またはSe合金膜の積層体となる。本発明では、Cu-Ga合金膜と、In-Cuおよび/またはSe合金膜を連続して形成することが好ましい。プリカーサーの組成調整の点では、複数の積層順の組み合わせが考えられるが、本発明では、Cu-Ga合金膜と、In-Cuおよび/またはSe合金膜との間で原子の相互拡散を生じさせるため、Cu-Ga合金膜と、In-Cuおよび/またはSe合金膜を連続して形成する。これにより、Cu-Ga合金膜と、In-Cuおよび/またはSe合金膜が隣接したものが得られる。ここで隣接とは、Cu-Ga合金膜とIn-Cuおよび/またはSe合金膜とが、直接上下に積層されている態様を指す。ただし、In-Cuおよび/またはSe合金膜中のCu量やSe量が多くなると、In量などが不足するために所望となる光吸収層の組成に対応したプリカーサーの組成を確保できない場合があり、この場合は、上記第一Bの工程に引き続き、以下の工程第一Cの工程を行なうことが好ましい。この工程によって得られるプリカーサーの構成は、基板側から順にCu-Ga合金膜;In-Cuおよび/またはSe合金膜;純In膜の積層体となる。第一Cの工程第一Cの工程は、必要に応じて設けられる任意工程であり、In量の不足分を補完して所定組成のプリカーサーを得るために、スパッタリングによって純In膜を成膜する。純In膜の成膜によって上記In-Cuおよび/またはSe合金膜の上に島状In膜が形成される。この島状In膜は、連続膜In-Cuおよび/またはSe合金膜の上に形成されているため、光吸収層の性能に及ぼす悪影響光電変換効率の低下などは少ないと推察される。上記純In膜の厚さは、前述した第一の工程BにおけるIn-Cuおよび/またはSe膜中のCu量やSe量などによっても相違するが、おおむね、0.02~1.0μmの範囲内に制御することが好ましい。スパッタリング条件は、当該分野で通常用いられる純In膜のスパッタリング条件を採用することができ、例えば、以下の条件が好ましく用いられる。到達真空度:約1×105Torr以下、ガス圧:約1~5mTorr、パワー密度:約0.5~3W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温~300°C第二の工程第二の工程は、第一の工程で形成した積層膜の膜質改善を行う加熱処理工程である。具体的には膜の凝集を抑制しつつ、In-Cuおよび/またはSe合金膜とCu-Ga合金膜との間で原子の相互拡散を生じさせると共に、膜全体の応力が200MPa未満であり、且つ真空または不活性ガス雰囲気下で60分以上の加熱処理を行う。In-Cuおよび/またはSe合金膜成膜後の積層膜の膜応力が200MPa以上となる条件で加熱処理を行うと、膜表面に粗大な凝集物が生じることがあるため、膜応力が200MPa未満となる条件を採用することが望ましい。粗大な凝集物の生成を抑制する観点からは好ましくは150MPa以下、より好ましくは100MPa以下である。このような膜応力となる条件としては、加熱時間、加熱処理時の雰囲気、加熱温度、基板の種類などを適宜調整すればよい。例えば基板の種類によってプリカーサーに係る膜応力が変わるため、熱膨張係数を考慮して適宜基板の選択と加熱処理条件の設定をすればよい。ガラス系の基板を用いる場合、ガラス系基板は熱膨張係数が小さいため、熱処理温度を低く設定することが膜応力低減の観点からは望ましい。なお、本発明では後記するように各種公知の基板を用いることができる。加熱処理時の加熱時間は、加熱時間が短すぎると原子の相互拡散が十分に進行せず、セレン化処理などの高温加熱時に粗大な凝集物が形成されることがあるため、加熱時間は60分以上とし、好ましくは90分以上、より好ましくは120分以上とする。一方、加熱時間が長くなりすぎると、炉内中に含まれる微量の酸素とプリカーサーが反応し、吸収層劣化につながるため、好ましくは10時間以下、より好ましくは5時間以下とする。また加熱処理時の雰囲気を真空または不活性ガス雰囲気下としたのは、膜表面が酸化されることを防止すると共に、加熱処理とセレン化処理を連続して行う場合、生産性の観点からセレン化処理に適した雰囲気を維持することが好ましいからである。好ましい真空雰囲気は1.0×104Torr以下、より好ましくは5.0×105Torr以下の真空度である。また不活性ガス雰囲気とするためには、Arなどの不活性ガスを用いればよい。加熱処理時の加熱温度は、加熱温度が高くなると粗大な凝集物が形成されやすくなることから、好ましくは150°C以下、より好ましくは120°C以下、更に好ましくは100°C以下に制御することが望ましい。なお、粗大な凝集物を抑制する観点からは加熱温度をできるだけ低くすることが望ましいが、加熱温度が低すぎるとCu-Ga合金膜と、In-Cuおよび/またはSe合金膜との間で原子の相互拡散が十分に進行しないため、加熱処理後にセレン化等の高温加熱処理を施すと、粗大な凝集物が形成されることがある。したがって、好ましくは50°C以上、より好ましくは70°C以上、更に好ましくは90°C以上である。上記の様な条件下で加熱処理を行うことによってIn-Cuおよび/またはSe合金膜とCu-Ga合金膜の間の原子の相互拡散を促進して膜厚方向の組成均一性を高めることができると共に、粗大な凝集物の生成を抑制して膜の面内均一性が確保できる。このようにプリカーサーの面内均一性を高めておくことによって、加熱処理後にセレン化処理等の高温加熱処理を施しても、膜表面の凝集物の生成を抑制できるため、面内均一性に優れた光吸収層が得られる。以上、本発明の好適な実施形態を説明した。ここで、第一の工程の前工程基板上にMoなどの裏面電極を成膜する工程や、第二の工程後のセレン化処理工程は特に限定されず、当該技術分野で通常用いられる方法を採用することができ、前述した特許文献1や2に記載の方法を参照しても良い。例えばセレン化処理工程は、H2および/またはH2Sを用いる気相法、H2を用いない固相法、In-Se合金ターゲットを用いたスパッタリングおよびアニールによる方法に大別されるが、本発明ではいずれの方法も採用できる。また本発明では各種基板を使用できる。例えば図1に示すソーダライムガラスSLGのほか、低アルカリガラス基板例えば低Naガラス基板、ステンレスやチタンなど金属基材、絶縁処理したFe系基板など各種処理を施した基板あるいは樹脂基材なども使用可能である。上記の実施形態は本発明の好ましい一例であり、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、上記第一の工程と第二の工程を含む太陽電池用光吸収層の製造工程厳密には、セレン化処理工程前のプリカーサーの作製工程はすべて、本発明の範囲内に含まれる。例えば上記実施形態以外の改変例として、Moなどの裏面電極上にIn-Cuおよび/またはSe合金膜をスパッタリングによって成膜した後、Cu-Ga合金膜をスパッタリングによって成膜し、更にIn-Cuおよび/またはSe合金膜をスパッタリングによって成膜し、必要に応じて純In膜を成膜することによって所定組成のプリカーサーを得ることもできる改変例1。この方法によって得られるプリカーサーの構成は、Cu-Ga合金膜の前後上下にIn-Cuおよび/またはSe合金膜連続膜を設けたサンドイッチ構成である。すなわち、前述した実施形態のように一つのIn-Cuおよび/またはSe膜で所定厚さを確保するのではなく、上記改変例1のように二つのIn-Cuおよび/またはSe膜を介在させて膜厚を配分する方法を採用すれば、プリカーサー中のGa濃度プロファイルを制御でき、光吸収層の上に形成されるCdSなどのバッファー層との界面側のGa濃度が高くなりバンドギャップが広がり、結果的に光電変換効率の高い光吸収層が得られるようになる。あるいは、Moなどの裏面電極上に、まずIn-Cuおよび/またはSe合金膜をスパッタリングによって成膜した後、Cu-Ga合金膜をスパッタリングによって成膜し、必要に応じて純In膜を成膜することによって所定組成のプリカーサーを得ることもできる改変例2。この方法によって得られるプリカーサーの構成は、基板側から順に、In-Cuおよび/またはSe合金膜およびCu-Ga合金膜必要に応じて純In膜である。この方法においても、上記改変例1と同様、Mo上にIn-Cuおよび/またはSe合金膜連続膜が成膜されるため、プリカーサー中のGa濃度プロファイルを制御でき、光吸収層の上に形成されるCdSなどのバッファー層との界面側のGa濃度が高くなりバンドギャップが広がり、結果的に光電変換効率の高い光吸収層が得られるようになる。上記方法によって得られる太陽電池用光吸収層を用いた吸光素子は、光電変換効率が高く電池性能に優れている。本発明の吸光素子は入射した光を電気に換えるための素子光電変換素子であり、太陽電池用セルとして機能するものである。吸光素子は、図1に示すように裏面電極、光吸収層、バッファー層、透明電極層により構成されている。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。低Naガラス基板テクノクオーツ株製、厚さ:0.7mm上に、Cu-35原子Ga合金ターゲットを用いて表1に示す厚さのCu-Ga合金膜を成膜した第一Aの工程。スパッタリング条件は以下のとおりである。到達真空度:7×106Torr以下、ガス圧:2mTorr、パワー密度:1.9W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温次いで、上記Cu-Ga合金膜の上に、純InターゲットにCuチップをチップオンしたスパッタリングを行ない、表1に示す組成および厚さのIn-Cu合金を積層した第一Bの工程。スパッタリング条件は以下のとおりである。到達真空度:7×106Torr以下、ガス圧:2mTorr、パワー密度:0.6W/cm24インチφターゲットの面積で規格化基板温度:室温各試料の膜組成については、同型のSEM-EDX分析を用いて行った表中、膜構造参照。このようにして得られた各試料を、真空雰囲気3×105Torr以下で表1に示す温度および時間にて加熱処理プレアニール処理を行った第二の工程:表中、1回目の加熱処理条件参照。なお、昇降温速度はいずれも5.0°C/minとした。加熱処理中に膜にかかる応力はTENCOR社製薄膜ストレス測定装置F2400で測定した表中、加熱処理中の膜応力参照。加熱処理後、各試料の表面を光学顕微鏡で観察倍率50倍、視野数:2、1視野当たりのサイズ:7.2mm2し、黒点粗大な凝集物;円相当直径100μm以上の個数から凝集物の発生密度を算出し、以下の基準で評価した第二の工程:表中、粗大な凝集物の密度参照。すなわち、2.5×106個/m2以下の場合を○、2.5×106個/m2超の場合を×と評価した。得られた各試料加熱処理後のプリカーサーの膜表面状態平坦膜相当の水平線と凸部とで形成される接触角が80°未満であって、膜水平面における凸部の最小包含円の最大径が10nm以上1.0μm未満である凸部はリガク社製フィールドエミッション型走査型電子顕微鏡を用いて測定してその割合を算出した表中、膜表面の凸部の密度参照。本発明では1×109個/m2以上の場合を○、1×109個/m2未満の場合を×と評価した。加熱処理後、各試料はセレン化処理を模擬して500°Cに設定した真空雰囲気下3×105Torr以下で1時間の真空熱処理を行い2回目の加熱処理、再度各試料を光学顕微鏡で観察倍率50倍、視野数:2、1視野当たりのサイズ:7.2mm2し、加熱処理後の粗大な凝集物と同様の評価、すなわち、黒点粗大な凝集物:円相当直径100μm以上の個数から凝集物の発生密度を算出し、以下の基準で評価した。すなわち、2.5×106個/m2以下の場合を○、2.5×106個/m2超の場合を×とした2回目の加熱処理:表中、粗大な凝集物の密度参照。これらの結果を表1に併記する。表1より、In-Cu合金膜を用いると共に、上記本発明で規定する所定の条件で加熱処理1回目の加熱処理を行ったNo.3~5、9~11では、粗大な凝集物の形成が抑制されており、面内均一性に優れていた。またこれら試料は2回目の加熱処理後も粗大な凝集物の形成が抑制されており、面内均一性に優れていた。1回目の加熱処理条件プレアニール処理に相当が適切でないNo.1、2、7、8では、所定の面内均一性に優れた光吸収層が得られなかった。すなわち、No.1、2、7、8はいずれも本発明の要件を満足する膜組成を有するが、1回目の加熱温度が高く、また膜の応力も高いため、加熱処理後の膜表面に形成された凝集物の個数が多く、面内均一性が悪かった。これらNo.1、2、7、8は、2回目の加熱処理後も粗大な凝集物が多く残存しており、面内均一性が悪かった。1回目の加熱処理時間が短かったNo.6、および12では、1回目の加熱処理後は粗大な凝集物の発生は抑制されていたものの、加熱時間が短すぎたため、In-Cu合金膜とCu-Ga合金膜との間で原子の相互拡散が十分に進行しなかった。その結果、加熱処理の効果が十分に得られず、2回目の加熱処理によって膜表面に粗大な凝集物が多数形成され、面内均一性が悪かった。