基板と、前記基板上に設けられた発光素子と、前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲む枠体と、前記枠体上に支持されるとともに前記発光素子と間を空けて設けられた、蛍光体を含有するシート状の波長変換部材とを備え、前記枠体の内壁面は、前記波長変換部材の下面に当接する支持面、前記波長変換部材の側面の下部に当接する第1内壁面、および前記波長変換部材の側面の上部と間をあけて設けられた第2内壁面を有しており、前記波長変換部材の側面の上部と前記枠体の前記第2内壁面との間には、両者を接続する接着部材が前記波長変換部材の上面よりも低い位置まで充填されていることを特徴とする発光装置。請求項1に記載の発光装置であって、前記接着部材の熱膨張率は、前記波長変換部材の熱膨張率よりも小さいことを特徴とする発光装置。請求項1または請求項2に記載の発光装置であって、前記接着部材は、前記波長変換部材の上面から前記波長変換部材の側面にかけて被着していることを特徴とする発光装置。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の発光装置であって、前記枠体の前記第2内壁面の上端の高さ位置が、前記波長変換部材の側面の上端の高さ位置よりも低い個所に位置していることを特徴とする発光装置。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の発光装置であって、前記枠体は多孔質材料から構成されて、前記枠体の内壁面には多数の気孔が設けられており、前記接着部材の一部が前記気孔内にまで設けられていることを特徴とする発光装置。発光素子の開発において、発光素子の発光する光に起因して発生する熱や波長変換時の熱が、波長変換部材にこもって波長変換部材が熱膨張を起こし、波長変換部材がその接続個所から剥離する虞がある。本発明は、波長変換部材を接続個所に対して良好に固着させ続けることが可能な発光装置を提供することを目的とする。本発明の実施形態に係る発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた発光素子と、前記基板上に設けられた、前記発光素子を取り囲む枠体と、前記枠体上に支持されるとともに前記発光素子と間を空けて設けられた、蛍光体を含有するシート状の波長変換部材とを備え、前記枠体の内壁面は、前記波長変換部材の下面に当接する支持面、前記波長変換部材の側面の下部に当接する第1内壁面、および前記波長変換部材の側面の上部と間をあけて設けられた第2内壁面を有しており、前記波長変換部材の側面の上部と前記枠体の前記第2内壁面との間には、両者を接続する接着部材が前記波長変換部材の上面よりも低い位置まで充填されていることを特徴とする。本発明によれば、波長変換部材をその接続個所に対して良好に固着させ続けることが可能な発光装置を提供することができる。以下に添付図面を参照して、本発明に係る発光装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。<発光装置の概略構成>図1は、本発明の一実施形態に係る発光装置1の概観斜視図であって、その一部を断面視している。図2は、図1に示す発光装置の断面図である。図3は、図2に示す発光装置の一部Aを拡大した拡大断面図である。図4は、発光装置の透過平面図であって、波長変換部材、接着部材および封止部材を取り除いた状態を示している。図5は、枠体4の一部を拡大した拡大断面図である。発光装置1は、基板2と、基板2上に設けられた発光素子3と、基板2上に設けられた、発光素子3を取り囲む枠体4と、枠体4上に支持されるとともに発光素子3と間を空けて設けられた波長変換部材5と、枠体4と波長変換部材5を接続する接着部材7とを備えている。なお、発光素子3は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。基板2は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。基板2は、基板2の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。配線導体は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板2となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層して、焼成することにより得られる。なお、配線導体の表面には、酸化防止のために、例えば、ニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。また、基板2の上面には、基板2上方に効率良く光を反射させるために、配線導体および鍍金層と間を空けて、例えば、アルミニウム、銀、金、銅またはプラチナ等の金属反射層を形成する。発光素子3は、基板2上に実装される。発光素子3は、基板2上に形成される配線導体の表面に被着する鍍金層上に、例えば、ろう材または半田を介して電気的に接続される。発光素子3は、透光性基体と、透光性基体上に形成される光半導体層とを有している。透光性基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。透光性基体に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば50μm以上1000μm以下である。光半導体層は、透光性基体上に形成される第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層とから構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII-V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子3では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。枠体4は、基板2と同様にセラミック材料から成り、基板2上面に積層されて、例えば樹脂等を介して接続されている。枠体4は、基板2上の発光素子3を取り囲むように設けられている。なお、平面視して、枠体4の内壁面の形状を円形とすると、発光素子3が発光する光を全方向に反射させて外部に放出することができる。また、枠体4は、基板2の上面に基板2と一体となるように、両者を同時焼成して一体化してもよい。また、枠体4は、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を所望の形状に形成して焼結された多孔質材料から構成してもよい。枠体4を多孔質材料から構成した場合は、枠体4は、発光素子3から発せられる光エネルギーによる反射率の低下や、機械的な強度劣化が抑制される。さらに、発光素子3からの光が、多孔質材料から成る枠体4の表面で拡散して反射される。よって、発光素子3から発せられる光は、波長変換部材5の一部に集中することなく、波長変換部材5に入射される。その結果、波長変換部材5は、波長変換部材5の一部が温度上昇することによる波長変換効率の低下や、波長変換部材5の一部が温度上昇することによる透過率や機械的強度の劣化が抑制される。また、枠体4で囲まれる領域は、下部から上部に向かって幅広に傾斜するとともに、枠体4の上端内側には段差4aが設けられている。なお、枠体4の傾斜する内壁面には、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層が形成されてもよい。この鍍金金属層は、発光素子3の発する光を反射させる機能を有する。また、枠体4の内壁面の傾斜角度は、基板2の上面に対して例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。また、枠体4の内壁面の表面粗さは、算術平均粗さRaが例えば、1μm以上3μm以下に設定されている。枠体4の段差4aは、波長変換部材5を支持する機能を有している。段差4aは、枠体4の上部の一部を内側に向けて切欠いたものであって、枠体4の内周面を一周するように連続して設けられており、波長変換部材5の端部を支持することができる。段差4a個所における枠体4の内壁面は、波長変換部材5の下面と当接する支持面4x、波長変換部材5の側面の下部と当接する第1内壁面4y、および波長変換部材5の側面の上部と間をあけて設けられた第2内壁面4zを有している。そして、波長変換部材5の側面の上部と枠体4の第2内壁面4zとの間には、波長変換部材5と枠体4を接続する接着部材6が波長変換部材5の上面よりも低い位置まで充填されている。段差4a個所における枠体4の内壁面は、図3に示すように、枠体4に波長変換部材5を支持した状態では、波長変換部材5の下面の端部と対向する個所が支持面4xに相当する。そして、支持面4xは、平面方向の長さが、例えば0.2mm以上2mm以下に設定されている。また、枠体4に波長変換部材5を支持した状態では、波長変換部材5の側面の下部と対向する個所が第1内壁面4yに相当する。そして、第1内壁面4yの上下方向の長さが、例えば0.2mm以上2.6mm以下に設定されている。また、枠体4に波長変換部材5を支持した状態では、波長変換部材5の側面と上部と間をあけて対向する個所と、接着部材6の溜まる箇所が第2内壁面4zに相当する。そして、第2内壁面4zは、平面方向の長さが例えば0.2mm以上2mm以下であって、上下方向の長さが例えば0.2mm以上2.6mm以下に設定されている。枠体4で囲まれる領域に、光透過性の封止部材7が充填されている。封止部材7は、発光素子3を封止するとともに、発光素子3から発せられる光が透過する機能を備えている。封止部材7は、枠体4の内方に発光素子3を収容した状態で、枠体4で囲まれる領域であって、波長変換部材5が封止部材7によって枠体4に傾いて接合されないよう、段差4aの高さ位置よりも低い位置まで充填される。なお、封止部材7は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。なお、封止部材7の熱伝導率は、例えば、0.14W/mK以上0.21W/mK以下に設定されている。枠体4を多孔質材料から構成している場合は、図5に示すように、枠体4は枠体4の表面を含めて多数の気孔bが設けられているので、封止部材7の一部が枠体4の表面から内部の気孔bに浸入して固定される。そして、封止部材7の一部が枠体4内に浸入して固着することで、アンカー効果によって、封止部材7と枠体4とが強固に接合される。封止部材7の一部が枠体4の内壁面から枠体4の内部に浸入している浸入領域S1は、枠体4の内壁面の全周にわたって連続して設けられている。浸入領域S1は、枠体4の内壁面から枠体4の内部に向かって、断面視して例えば0.5mm以上2mm以下に設定されている。浸入領域S1に浸入した封止部材7の含浸量は、例えば3mm3以上180mm3以下に設定されている。発光素子3が発した熱は、封止部材7を介して浸入領域S1にまで伝わる。そして、浸入領域S1から枠体4内に伝わり、気孔bが多数存在する枠体4内を介して枠体4の側面から外部に向かって放熱することができる。その結果、封止部材7内に熱がこもって発光素子3の電気的特性が変化するのを抑制することができ、所望する量の光を発光素子3から波長変換部材5に向かって放射することができる。波長変換部材5は、発光素子3の発する光の波長を変換する機能を有している。波長変換部材5は、発光素子3から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体8が励起されて、光を発するものである。波長変換部材5は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスからなり、その絶縁樹脂、ガラス中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。波長変換部材5として透光性ガラスが用いられる場合には、発光装置1の気密性を向上させることができる。また、蛍光体8は、波長変換部材5中に均一に分散するようにしている。なお、波長変換部材5の熱伝導率は、例えば0.1W/mK以上0.8W/mK以下に設定されている。波長変換部材5の熱膨張率は、例えば0.8×10-5/K以上8×10-5/K以下に設定されている。波長変換部材5の屈折率は、例えば、1.3以上1.6以下に設定されている。例えば、波長変換部材5の材料の組成比を調整することで、波長変換部材5の屈折率を調整することができる。波長変換部材5は、枠体4上に支持されるとともに、発光素子3と間を空けて設けられている。また、波長変換部材5の端部は、枠体4の支持面4x上に位置しており、波長変換部5の側面の下部が枠体4の第1内壁面4yによって当接するようにして取り囲まれている。また、波長変換部材5の全体の厚みは、例えば、0.3mm以上3mm以下に設定されており、且つ厚みが一定に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が0.5μm以下のものを含む。波長変換部材5の厚みを一定にすることにより、波長変換部材5内で励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材5における輝度ムラを抑制することができる。枠体4の段差4a上に、波長変換部材5の端部が接着部材6を介して固定されている。接着部材6は、波長変換部材5を枠体4に固着するものである。接着部材6は、波長変換部材5の端部上から枠体4の段差4a個所にかけて設けられている。また、接着部材6は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスが用いられる。なお、接着部材6の熱伝導率は、例えば0.1W/mK以上0.8W/mK以下に設定されている。接着部材6の熱膨張率な、例えば0.8×10-5/K以上8×10-5/K以下に設定されている。また、接着部材6の熱伝導率は、波長変換部材5の熱伝導率よりも大きく設定した場合は、波長変換部材5から枠体4に伝わる熱を接着部材6を介して伝達しやすくすることができる。波長変換部材5には、発光素子3が発する光を蛍光体8によって波長変換する際の変換損失に起因した熱が発生し、この熱によって波長変換部材5の温度が上昇する。その熱を波長変換部材5から接着部材6に吸収しやすくすることで、波長変換部材5が高温になるのを抑制することができ、波長変換部材5の熱膨張やそれに起因して生じる応力によって波長変換部材5が枠体4から剥離しようとするのを抑制することができる。また、波長変換部材5が高温になると、発光素子3の発する励起光によって励起される光の色温度が変化し、所望する色温度の光色になりにくくなるが、波長変換部材5の温度が高温になるのを抑制することで、所望する光色を取り出すことができる。そして、波長変換部材5を接続個所に対して良好に固着し続けることが可能な発光装置1を提供することができる。また、接着部材6の熱膨張率が、波長変換部材5の熱膨張率よりも小さく設定されている場合は、波長変換部材5が熱膨張を起こそうとするが、波長変換部材5の側面に熱膨張しにくい接着部材6が形成されているため、接着部材6が波長変換部材5の熱膨張を抑えるように応力を加えることができる。そして、波長変換部材5が必要以上に膨張するのを効果的に抑制することができるとともに、熱膨張に起因して生じる、接着部材6から波長変換部材5に作用する力、即ち、接着部材6から波長変換部材5に加わる応力が小さくなり、それらの応力に起因して生じる波長変換部材5の接着部材6からの剥がれを抑制できる。接着部材6は、平面視して波長変換部材5の外周に沿って連続して形成されている。そして、接着部材6は、断面視して、波長変換部材5の側面の上部から枠体4の第2内壁面4zにまで被着することで、接着部材6が被着する面積を大きくし、接着部材6を介して波長変換部材5と枠体4を強固に接続することができる。その結果、波長変換部材5と枠体4の接続強度を向上させることができ、波長変換部材5の撓みが抑制される。そして、発光素子3と波長変換部材5との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。また、接着部材6は、波長変換部材5の側面から波長変換部材5の上面にかけて設けられている。そして、接着部材6は、波長変換部材5の側面の上端を被覆している。さらに、波長変換部材5の上面に被着している接着部材6は、上方に突出して膨らむ樹脂だまりを設け、周囲よりも厚みを大きくすることで、波長変換部材5と接着部材6との熱膨張差に起因にして生じる応力が接着部材6による樹脂だまりで吸収、緩和されるとともに、波長変換部材5の上面に被着している接着部材6による樹脂だまりによって接着部材6の表面積が増加することにより、波長変換部材5から接着部材6の表面を介して発光装置1の外部に取り出される光が増加し、発光装置1の光出力を向上させることができる。また、接着部材6は、一部が枠体4の内部にまで浸入している。すなわち、枠体4は、枠体4の表面を含めて多数の気孔bが設けられているため、接着部材6の一部が枠体4内に浸入して固定される。そして、接着部材6の一部が枠体4内に浸入して固着することで、アンカー効果によって、接着部材6と枠体4とが強固に接合されている。接着部材6の一部が枠体4の段差4a個所において枠体4の内部に浸入している浸入領域S2は、枠体4の段差4aの内面の全周にわたって連続して設けられている。浸入領域S2は、枠体4の表面から枠体4の内部に向かって、断面視して例えば0.5mm以上2mm以下に設定されている。浸入領域S2に浸入した接着部材6の含浸量は、例えば3mm3以上120mm3以下に設定されている。浸入領域S2は浸入領域S1から離れて位置しており、枠体4内では封止部材7と接着部材6とは接続されずに離れて配置されている。また、枠体4は、内部に多数の気孔bが存在するため、発光素子3から枠体4内の浸入領域S1に位置する封止部材7に伝わった熱は、浸入領域S1と浸入領域S2との間に位置する枠体4内の空気が含まれた気孔bで浸入領域S1から浸入領域S2への断熱性が保持されるため、浸入領域S1から浸入領域S2に伝わりにくい。その結果、枠体4内で封止部材7に伝わった熱は、枠体4内の接着部材6に伝わりにくく、枠体4の側面から外部に向かって放熱され、接着部材6の温度が高温になるのを抑制することができる。そして、接着部材6の温度が高くなるのを抑制することによって、接着部材6から波長変換部材5に伝わる熱を低減することができ、従って、波長変換部材5が高温になるのを抑制することができる。波長変換部材5が高温になると、発光素子3の発する励起光によって励起される光の色温度が変化して、所望する色温度の光色になりにくくなるが、波長変換部材5の温度が高温になるのを抑制することで、所望する光色の光を安定して取り出すことができるとともに、波長変換部材5および接着部材6に熱が加えられることによって生じる応力を抑制でき、透過率や機械的な強度の劣化も抑制することができる。また、接着部材6から波長変換部材5に伝わる熱量を少なくすることで、波長変換部材5の波長変換効率が低下したり、波長変換部材5の透過率または機械的強度が劣化したりするのを抑制することができ、波長変換部材5の波長変換効率を長期にわたって良好に維持することができる。さらに、波長変換部材5の透過率または機械的強度を長期にわたって良好に維持することができる。接着部材6の熱伝導率は、波長変換部材5の熱伝導率よりも大きく設定してもよい。接着部材6の熱伝導率を、波長変換部材5の熱伝導率よりも大きくすることで、発光素子3から封止部材7を介して、封止部材7の上方から波長変換部材5に伝わる熱を接着部材6に伝達しやすくすることができる。波長変換部材5から接着部材6に伝わった熱は、浸入領域S2と浸入領域S1とが離れているため、接着部材6から封止部材7に伝わりにくく、枠体4の側面から外部に向かって放熱され、波長変換部材5の温度が上昇するのを抑制することができる。波長変換部材5には、発光素子3が発する光を蛍光体8によって波長変換する際の変換損失に起因した熱が発生し、この熱によって波長変換部材5の温度が上昇する。その熱を波長変換部材5から接着部材6に吸収しやすくすることで、波長変換部材5が高温になるのを抑制することができる。また、接着部材6は、波長変換部材5の側面の上部と枠体4の第2内壁面4zとの間には、波長変換部材5の上面よりも低い位置まで充填されている。波長変換部材5は、発光素子3の発光する光に起因して発生する熱や、波長変換部材5で蛍光体8によって波長変換時に発生する熱によって、波長変換部材5が熱膨張を起こすことがある。波長変換部材5の側面の上部が枠体4の第2内壁面4zと当接せずに、両者の間に空隙を設けることで、波長変換部材5の側面が斜め上方に変形しやすくすることができ、波長変換部材5に加わる熱応力を緩和することができる。その結果、波長変換部材5が熱膨張を起こし、波長変換部材5がそれの接続個所である枠体4から剥離するのを虞を低減することができ、波長変換部材5を枠体4に対して良好に固着し続けることができる。また、枠体4の第2内壁面4zの上端の高さ位置が、波長変換部材5の側面の上端の高さ位置よりも低い個所に位置している。第2内壁面4zの上端の高さ位置が、波長変換部材5の側面の上端の高さ位置よりも低く設定されているので、波長変換部材5の側面の上端から接着部材6を介して放射される光が枠体4の第2内壁面4zで遮られ難くなり、波長変換部材5から発光装置1の外部に光が取り出されやすくなるという作用効果を奏する。なお、第2内壁面4zの上端の高さ位置と、波長変換部材5の側面の上端の高さ位置との差は、例えば0.2mm以上2.6mm以下に設定されている。なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、波長変換部材5は、第2内壁面4zに対向する上端部に切欠き部が設けられてもよい。即ち、接着部材6は、段差部4aと切欠き部に接着され、波長変換部材5が枠体4に取着されることにより、接着部材6は体積が増加し、波長変換部材5と枠体4との接着部材6による接着強度が向上するとともに、発光素子3や蛍光体8からの光による、接着部材6の透過率や機械的な強度の劣化を抑制することができる。また、第2内壁面4zは、段差4aの複数の部位に個別に設けられてもよい。即ち、段差4は、第2内壁面4zが形成される部位と、形成されない部位が設けられてもよい。その結果、接着部材6は、波長変換部材5と枠体4との接着強度が維持されるとともに、波長変換部材5を枠体4に接着する際の位置ずれを抑制でき、所望の位置に発光面を発光装置1に配置することができる。<発光装置の製造方法>ここで、図1に示す発光装置1の製造方法を説明する。まず、基板2を準備する。基板2が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、基板2となるセラミックグリーンシートに配線導体となるメタライズパターンおよび必要に応じて枠体4を接合するためのメタライズパターンをそれぞれ所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層した状態で焼成することで、基板2を準備することができる。枠体4を準備する。枠体4は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を準備する。そして、枠体4の型枠内に、セラミック材料を充填して乾燥させた後に、焼成することで段差4aを有する枠体4を準備することができる。この枠体4にも、基板2を接合する面に必要に応じてメタライズパターンを形成しておく。次に、基板2上に、枠体4を、両者のメタライズパターン同士を例えば半田を介して接合することによって設ける。そして、基板2の上面であって枠体4で囲まれた領域に発光素子3を実装する。そして、基板2上の枠体4で囲まれた領域に、例えば封止部材7としてのシリコーン樹脂を充填する。このときは、枠体4内には、封止部材7が浸入していない。さらに、枠体4で囲まれる領域にシリコーン樹脂を充填して、例えば1分以上の時間を経過させることで、未硬化のシリコーン樹脂の一部を枠体4の内壁面から枠体4内の内部に向かって浸入させる。その後、例えば150°C以上の温度にシリコーン樹脂を熱して、シリコーン樹脂を硬化させることで、封止部材7を形成して発光素子3を封止する。このようにして、浸入領域S1が形成された枠体4を設けることができる。次に、波長変換部材5を準備する。波長変換部材5は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて作製することができる。また、波長変換部材5は、未硬化の波長変換部材5を型枠に充填し、硬化して取り出すことによっても得ることができる。そして、準備した波長変換部材5を枠体4の段差4a上に位置合わせして、接着部材6としてのシリコーン樹脂を介して接着する。このときは、枠体4内には、接着部材6が浸入していない。さらに、波長変換部材5を枠体4に接着部材6を介して接着した状態で、例えば1分以上の時間を経過させることで、未硬化のシリコーン樹脂を枠体4内に浸入させる。その後、例えば150°C以上であって封止部材7が破壊されない360°C以下の温度にシリコーン樹脂を熱して、シリコーン樹脂を硬化させる。このようにして、浸入領域S2が形成された枠体4を設けることができ、発光装置1を製造することができる。