第一導電型のSiC基板と、前記SiC基板の第一主面に形成され、前記SiC基板よりも不純物濃度の低い第一導電型でSiCのドリフト層と、前記ドリフト層に形成された第二導電型でSiCの第一の半導体領域と、前記第一の半導体領域の表層側に形成され、前記第一の半導体領域よりも不純物濃度が高濃度である第二導電型でSiCの第二の半導体領域と、前記ドリフト層の表面に形成され前記第一の半導体領域とショットキー接続し、前記第二の半導体領域とオーミック接続するショットキー電極と、前記ショットキー電極の表面に形成されたアノード電極と、前記アノード電極の表面で、前記第一の半導体領域の直上に形成され、上面から見て前記第一の半導体領域の領域を含むように前記第一の半導体領域よりも広い面積に形成されたワイアボンドのファーストボンドと、前記SiC基板の前記第一主面に対向する第二主面に形成されたカソード電極とを備えたことを特徴とする電力用半導体装置。第一の半導体領域の不純物濃度は1×1017個/cm3以上、1×1018個/cm3以下であり、前記第二の半導体領域の不純物濃度は1×1020個/cm3以上、5×1020個/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。第二の半導体領域の厚さは、0.05~0.1μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置。一つのショットキー電極の下に、複数の第一の半導体領域を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置。複数の第一の半導体領域は、ショットキー電極の外部から中央部に向かうほど密に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の電力用半導体装置。SiCスイッチング素子をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。しかしながら、SiCを用いたMOSFET半導体装置のように高圧、大電流で動作し、高速スイッチングが可能な半導体装置とともに使用されるSiCのJBSダイオードにおいては、サージ電流が大きくなり、過熱の度合いが増大する場合があった。そのため、JBSダイオードのp領域から電極ショットキー電極までの抵抗は、従来知られているより低く、できる限り低くする必要がある。JBSダイオードのp領域の抵抗を下げるためには、p領域にイオン注入する不純物濃度を多くすればする程良いが、一方で、p領域にあまり多くの不純物をイオン注入すると、イオン注入により結晶欠陥が増大し、リーク電流が増加する問題が発生する場合があった。この発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、JBSダイオードのp領域から電極までの抵抗が小さく、リーク電流の小さなJBSダイオードである電力用半導体装置を得ることを目的とする。この発明に係る電力用半導体装置は、第一導電型のSiC基板と、前記SiC基板の第一主面に形成され、前記SiC基板よりも不純物濃度の低い第一導電型でSiCのドリフト層と、前記ドリフト層に形成された第二導電型でSiCの第一の半導体領域と、前記第一の半導体領域の表層側に形成され、前記第一の半導体領域よりも不純物濃度が高濃度である第二導電型でSiCの第二の半導体領域と、前記ドリフト層の表面に形成され前記第一の半導体領域とショットキー接続し、前記第二の半導体領域とオーミック接続するショットキー電極と、前記ショットキー電極の表面に形成されたアノード電極と、前記アノード電極の表面で、前記第一の半導体領域の直上に形成され、上面から見て前記第一の半導体領域の領域を含むように前記第一の半導体領域よりも広い面積に形成されたワイアボンドのファーストボンドと、前記SiC基板の前記第一主面に対向する第二主面に形成されたカソード電極とを備えたものである。この発明によれば、サージ電流による素子破壊が抑制され、かつ、ダイオードに逆バイアスが加えられた場合のリーク電流の少ない電力用半導体装置を得ることができる。実施の形態1.以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置であるショットキーダイオードを示す断面図である。第1の実施の形態に係るショットキーダイオード100では、炭化珪素SiCのN-型のエピタキシャル層1第一導電型の半導体領域、ドリフト層の下にN型のSiC基板2カソード領域が設けられている。SiC基板2は、第1主面2aの面方位が、<0001>シリコン面から4°または8°オフした、4Hのポリタイプを有する低抵抗炭化珪素基板である。エピタキシャル層1の不純物濃度は、SiC基板2の不純物濃度よりも低い。SiC基板2の第2主面2bにはシリサイドからなるカソード電極3ドレイン電極が形成され、電気的に接続できるようになっている。ここで、エピタキシャル層1の不純物濃度は、2×1014個/cm3以上、2×1016個/cm3以下などであればよい。N-型のエピタキシャル層1の上部にTiのショットキー電極4が形成され、更に上部にはアノード電極5が形成されている。アノード電極5Al電極はワイアボンド6により他の電極図示されていないに接続される。ワイアボンド6のファーストボンド71stボンドは、ワイアボンド6の形成工程で発生する。ファーストボンド7直下のショットキー電極4の下のエピタキシャル層1の内部には、第二導電型のp領域8第一の半導体領域が形成され、p領域8の上部、表層側には第二導電型の、より不純物が高濃度なp領域9第二の半導体領域が形成されている。p領域9とショットキー電極4はオーミック接触しており、エピタキシャル層1とショットキー電極4はショットキー接続している。また、ショットキー電極4の周囲のエピタキシャル層1の表層部には、第二導電型の終端構造10が形成されている。終端構造10の不純物濃度は、1×1016個/cm3以上、1×1018個/cm3以下などであればよい。p領域8及びp領域9は、Alイオンを注入することで形成される。Alイオンの他に、Bなどの不純物を注入しても同様の効果を実現できる。p領域8の望ましい不純物濃度は1×1017個/cm3以上、1×1018個/cm3以下である。p領域9の望ましい不純物濃度は1×1020個/cm3以上、5×1020個/cm3以下である。図2は、本発明の実施の形態1に係るショットキーダイオード100を示す上面図を示している。図2において、p領域8及びp領域9は、ファーストボンド7およびアノード電極5、ショットキー電極4の下部にあるが、位置関係を明確にするために、透視して見た図としている。ここで、ファーストボンド7は、上面から見てp領域8が形成されている領域を含むように、p領域8よりも広い面積に形成されている。p領域8は、破線で示している。また、終端構造10は、アノード電極5、ショットキー電極4の周囲に形成されている。ここで、p領域8の深さは、0.3~2μm程度であればよく、また、p領域9の深さは、0.05~0.1μm程度であればよい。p領域8の深さは、エピタキシャル層1の厚さより小さいものとする。つづいて、本実施の形態の電力半導体装置であるJBSダイオード100について、図3~図5を用いて説明する。図3~図5は、本実施の形態の電力半導体装置の製造工程を説明するための断面模式図である。まず、4Hのポリタイプを有する第一導電型の低抵抗SiC基板2の第1主面2a上に第一導電型のエピタキシャル層1をエピタキシャル成長する。次に、図3に示すように、エピタキシャル層1に、第二導電型のAlなどの不純物をイオン注入とその後に活性化アニールを行うことにより、p領域8、p領域9、終端構造10を形成する。つづいて、図4に示すように、SiC基板2の第2主面2bに接して、カソード電極3をスパッタ法などにより形成する。次に、図5に示すように、SiC基板2の第1主面2a上にショットキー電極4およびAl電極を第1主面2a側から順にスパッタ法などにより形成する。最後に、ファーストボンド7がp領域8、p領域9の直上になるようにワイアボンド6を形成し、図1に示す電力用半導体であるJBSダイオードを形成する。ここで、Alイオンを注入する場合、p領域8のイオン注入時の加速エネルギーは、200~900KeVなどであればよく、p領域9のイオン注入時の加速エネルギーは、40~300KeVなどであればよい。また、Bイオンを注入する場合は、p領域8のイオン注入時の加速エネルギーは、40~200KeVなどであればよい。次に本実施の形態にかかる構造を有するJBSダイオード100の動作について説明する。まず、通常動作時について説明する。通常の動作時に流れる電流は、サージ電流に対して桁違いに小さい。このためダイオード両端電圧はバイポーラ動作が始まる電圧よりも小さな値となる。このときの電流はショットキー界面ショットキー電極4とエピタキシャル層1の間の界面を介する電流となり、通常のショットキーダイオードとして機能する。実施の形態1のダイオードがショットキーダイオードとして動作し、順方向バイアス電圧が印加されている場合、順方向電流は、p領域8がない領域ショットキー界面を流れ、ショットキー電極4に流入する。また、p領域8が設けられている、平面図の中央部分には電流が流れないため、オン電流が流れることによる発熱が中央部で発生せず、温度分布は、中央部で低いドーナツ状になる。さらに、熱がファーストボンド7を経由して放熱され、中央部の温度上昇は限りなく小さな値となる。次にサージ電流が流れた場合について説明する。サージ電流が流れる場合、当初はショットキー界面に電流が流れる。電流の増加と共にダイオード両端電圧アノード電極5、カソード電極3間電圧は増加し、やがてpnダイオードが動作する電圧を超え、p領域8を経由して、pnダイオード部分にも電流が流れるようになる。ショットキーダイオードは中央部に形成されたp領域8およびp領域9とエピタキシャル層1によるバイポーラ動作を行うことになる。このときの電流値によりp領域8およびp領域9の温度は時間と共に上昇するが、上部に形成されているファーストボンド7が熱容量の大きなヒートシンクとして作用するので、p領域8およびp領域9の温度上昇は抑制されることになる。本発明の構造によれば、サージ電流の流れる近傍にワイアボンド6のファーストボンド7が形成されており、ファーストボンド7の大きさは、アノード電極5とp領域9との接触面積0.5mm×1mmの大きさとほぼ等しい。すなわち熱容量の大きなヒートシンクがp領域9の直上に存在することになる。また、p領域9とショットキー電極4とがオーミック接続されている。このため、サージ電流が流れた場合にもジュール熱の発生が少なく、また、発生したジュール熱が直上のヒートシンクの放熱効果により放出されるので、発熱による素子のp領域8、p領域9の温度上昇が抑制され、素子が素子破壊されることを抑制できる。また、このようにサージ電流による温度上昇が抑制されるために、サージ耐量が改善する。さらに、付随的な効果として通常動作時の素子温度の上昇を抑制することが可能となり、より大電流域での素子動作を可能とすることができる。さらに、p領域9の不純物濃度を高くして、p領域8の不純物濃度を所定の値以下のしているため、イオン注入法でp領域8、p領域9を形成した場合に、p領域9近傍の欠陥が増加することを抑制でき、逆方向バイアスを印加した場合に、リーク電流が増加することを抑制できる。なお、本実施の形態では、1個のp領域としていたが、図7に示されるように複数個の分割されたp領域8がワイアボンドの1stボンド7の直下に形成されたとしても同様の効果を奏する。また、本実施の形態では、p領域8の水平方向の大きさはワイアボンドのファーストボンド7より小さくなる場合について説明したが、p領域の水平方向の大きさがファーストボンド7の概略同じサイズであるか、ないしは若干大きめのサイズであっても同様の効果を奏する。また、本実施の形態においては、ワイアボンド6の材料の例としてAlのワイアボンド6を用いて説明したが、ワイアボンド6の材料はこれに限るものではなく、Cuなどでもよく、また、別の手段半田接続、リボンボンドなどを用いて電気的な接続を実現しても本発明の効果に影響を及ぼすことはない。さらに、本発明においては、p領域8は一様な濃度分布を有するものとして説明したが、p領域8の濃度の深度方向の分布ないしは水平方向の分布は、一様である必要はない。例えばp領域8の表面から深さ方向に、その濃度が徐々に濃くなっていき最深部近傍で最大値を取る分布を有している場合でも同様の効果を実現することが出来る。また、p領域8の中央部から水平方向に向かって不純物濃度が増加する分布であっても減少する分布であっても更には極値を持つ分布であっても以下に説明するのと同様の効果を実現することができる。また、終端構造10は、素子の周辺部分に耐圧を改善するために通常形成されるが、本願の効果に影響を及ぼすものではない。なお、p領域9とショットキー電極4とがオーミック接続されているが、この間のオーミック接触を実現するには、p領域9の不純物濃度としては、不純物濃度は1×1020個/cm3以上、5×1020個/cm3以下程度の濃度が必要となる。また、図6にその断面図を示すように、p領域9の上に、p領域9との接触抵抗をより低くさせるためのオーミック電極11を別に設けてもよい。また、本実施の形態のSiCJBSダイオードは、SiCMOSFETなどのSiCスイッチング素子と組み合わせて用いた場合に、高速駆動を容易にする点で、より効果を奏する。実施の形態2.実施の形態2は、実施の形態1で示したショットキーダイオード構造の変形である。実施の形態2によれば、図7に示されるように2つの領域でp型の半導体層が形成されている。p領域8、p領域9が形成される位置は、ショットキーダイオードが実際の電力変換機に用いる場合にワイアボンドなどにより接続されるアノード電極5のフロント面の直下になるように設計されている。本実施の形態における動作は、実施の形態1と同様であるので、繰り返し説明しないが。また、本実施の形態によればp領域8、p領域9は2箇所形成されていることになるが、図8に示すように、より多数個のp領域が形成されると共にその直上にワイアボンドのファーストボンド7が形成されれば、同様の効果を奏する。このように、実施の形態1においては、ファーストボンド7の直下にp領域8が一箇所形成されていたが、実施の形態1の変形例として示されるように複数個のp領域から構成されていたとしても同様の効果を実現できる。また、複数のファーストボンド7のそれぞれにp領域8、p領域9を形成しているため、温度上昇をより抑制できる。また、実施の形態1の電力用半導体装置と同様に、逆方向バイアスを印加した場合に、リーク電流が増加することを抑制できる。実施の形態3.実施の形態3を図9に基づいて説明する。実施の形態3は実施の形態1で示したショットキーダイオード構造の変形例を示している。基本的なサージ電流耐量の改善と通常動作時の低抵抗化の両立を実現する発明である。本実施の形態によれば、p領域8はダイオードのフロント面全面に渡って形成されている。実施の形態3に係わるp領域8、p領域9は、図9にその断面図を示すように、一様に分布しているのではなく、局所的にドットの密度の高いところと低いところを形成している点にある。ワイアボンド6のファーストボンド7はp領域8、p領域9の密度の高い部位に形成されている。p領域8、p領域9のドットの径は、1~20μm程度、望ましくは、3~10μm程度であればよい。本実施の形態の電力用半導体装置においても、p領域8、p領域9をドット状に多数形成し、ドットの密度の高いところに対応してファーストボンド7が形成されているため、温度上昇を抑制できる。また、実施の形態1の電力用半導体装置と同様に、逆方向バイアスを印加した場合に、リーク電流が増加することを抑制できる。なお、本実施の形態ではp領域8はドット形状に形成されていたが、短いストライプ形状に形成されたとしても同様の効果を実現することができる。