フォトマスクを乾燥させる装置であって、-少なくとも1つのフォトマスク13含む密閉チャンバ2と、-前記チャンバ2の内部の真空を設定し、維持するポンプユニット3と、-前記チャンバ2の内部に設置されたフォトマスク13の支持体12と、-前記チャンバ2の内部に設置された赤外線放射手段6と、-前記チャンバ2の内部に気体を注入するシステム10とを備えている乾燥装置において、前記赤外線放射手段は、フォトマスク13の平面に平行な平面の中に分散して配置されている複数の赤外線放射源6を備え、フォトマスク13から前記赤外線放射手段までの距離は、D=1.5×dで与えられ、Dは、前記赤外線放射源を含む平面と前記フォトマスクを含む平面との間の距離であり、dは、2つの近接する赤外線放射源6の中心点の間の距離であり、気体注入システム10は、フォトマスク13の前記平面に平行な平面の中に分散して配置されている複数の気体注入器30を備え、気体注入器30は、フォトマスク13の中心点の周りに、90度回転に対する不変性を維持していることを特徴とする乾燥装置。赤外線放射源6は、フォトマスク13の活性表面に垂直に赤外線照射を行うように設置されていることを特徴とする、請求項1に記載の乾燥装置。少なくとも3つの赤外線放射源6を備え、2つの赤外線放射源6は、それぞれ、フォトマスク13のどちらかの側に配置され、また少なくとも1つの赤外線放射源6は、フォトマスク13の中心に配置されるように並べられて配置されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の乾燥装置。前記フォトマスクの中心に対向するように設置されている気体注入開口の直径は、他の開口の直径より大きいことを特徴とする、請求項3に記載の乾燥装置。パイロメータを有し、フォトマスク13の端部における温度を測定するように設置されている温度測定手段9を備えていることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の乾燥装置。フォトマスク13を受け入れて配置する手段を備える、前記フォトマスクの支持体12を備え、前記チャンバ2の内部に支えられている、穴の開いたフレーム40を備えていることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の乾燥装置。遠隔超音波センサ8を備えていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の乾燥装置。圧力7、温度9、および距離8を測定する手段と、圧力7、温度9、および距離8を測定する前記手段から情報を受信することができ、受信した前記情報に基づいて、赤外線放射手段6と気体注入システム10、30とを作動させることができる制御および命令装置とを備えていることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の乾燥装置。請求項1~8のいずれか1項に記載の乾燥装置によってフォトマスクを乾燥させる方法であって、-大気圧における密閉チャンバ2の内部に、フォトマスク13を配置するステップと、-フォトマスク13を、最大値60°C以下の、ある決められた温度に加熱するステップと、-密閉チャンバ2が含む気体をポンプによって排気することにより、密閉チャンバ2の内部を低圧に設定するステップと、-ある決められた継続時間に亘って、密閉チャンバ2を、低圧および前記決められた温度に保持するステップと、-フォトマスク13の前記加熱を停止するステップと、-中性気体を注入することにより、チャンバ2の中を大気圧に戻すステップと、-チャンバ2からフォトマスク13を取り出す前に、フォトマスク13の温度が、30°C~35°Cの間にあることを確認するステップとを備えていることを特徴とする方法。前記フォトマスクの配置は、少なくとも3つの遠隔超音波センサ8によって確認されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。本発明の目的は、EUVフォトマスクを乾燥させる方法を提供することである。本方法は、EUV技術の中で使用し、薄膜を必要とせず、また乾燥温度が60°Cを超えてはならないとしている。本発明の別の目的は、EUVフォトマスクの全表面に亘って温度を均一にすることができる装置を提供することである。事実、温度は高い精度で制御されなければならない。この理由は、EUVフォトマスク表面の温度は、乾燥ステップの継続時間を通して、一定、かつ最大変動±5°Cの範囲で一様に保持されなければならないからである。本発明の目的は、フォトマスクを乾燥させる装置を提供することであり、この装置は、-少なくとも1つのフォトマスクを含んでいる密閉チャンバと、-前記チャンバの内部を真空に設定し、保持するポンプユニットと、-前記チャンバの内部に設置されているフォトマスクの支持体と、-前記チャンバの内部に設置されている赤外線放射手段と、-前記チャンバの中に気体を注入するためのシステムとを備えている。赤外線放射手段は、フォトマスクの平面に平行な平面の中に分散されている、複数の赤外線放射源を備えている。ここで、フォトマスクから赤外線放射手段への距離は次に示す関係式で与えられる。D=1.5×dここで、Dは、赤外線放射源を含む平面とフォトマスクを含む平面との間の距離、dは、2つの近接した赤外線放射源の中心点の間の距離である。気体注入システムは、フォトマスクの平面に平行な平面の中に分散されている複数の気体注入器を備えており、これらの気体注入器は、フォトマスクの中心点の周りに、90度回転に対する不変性を維持するようになっている。赤外線放射源は、フォトマスクの活性表面に垂直な方向に赤外線放射を行うように設置されることが望ましい。第1の実施形態においては、乾燥装置は、少なくとも3つの赤外線放射源を備えており、その中の2つの赤外線放射源は、フォトマスクのそれぞれの側に設置され、少なくとも1つの赤外線放射源は、フォトマスクの中心に設置されるように並べられている。フォトマスクの中心に対向するように設置されている気体注入開口の直径は、例えば、他の開口の直径より大きい。第2の実施形態においては、乾燥装置は、パイロメータを有し、フォトマスクの端部における温度を測定するように設置された温度測定手段を含んでいる。第3の実施形態においては、乾燥装置は、フォトマスクの支持体を備えており、この支持体は、フォトマスクを受け入れて、それを配置する手段を備えている。乾燥装置はまた、密閉チャンバの内部に支えられた穴あきフレームを備えている。第4の実施形態においては、装置は、遠隔超音波センサを備えている。第5の実施形態においては、乾燥装置は、圧力、温度、および距離を測定する手段と、圧力、温度、および距離を測定する手段からの情報を受信することができ、受信された情報に基づいて、赤外線放射手段および気体注入システムを駆動することができる制御および命令装置とを備えている。本発明の別の目的は、上記で述べた乾燥装置によってフォトマスクを乾燥させる方法を提供することである。本方法は、次に示すステップを備えている。-大気圧における密閉チャンバの中に、フォトマスクを設置するステップ。-フォトマスクを、最大値60°C以下の決められた温度に加熱するステップ。-密閉チャンバに含まれる気体をポンプによって排気することにより、密閉チャンバの内部を低い圧力に設定するステップ。-ある決められた継続時間の間、密閉チャンバを低い圧力と、決められた温度とに保持するステップ。-フォトマスクの加熱を停止するステップ。-中性気体をチャンバの内部に注入することにより、チャンバの内部を大気圧に戻すステップ。-フォトマスクをチャンバから取り出す前に、フォトマスクの温度が約30°C~35°Cであることを確認するステップ。1つの変形においては、フォトマスクの配置は、少なくとも3つの遠隔超音波センサによって確認される。言うまでもないことであるが、本発明における乾燥装置および乾燥方法は、従来技術で使用されるフォトマスクの、薄膜で被う前の乾燥にも使用することができる。本発明の他の特徴および利点は、本発明の実施形態に関する以下の記述および添付の図面から明らかになると思う。実施形態に関する記述は、非網羅的な事例として与えられていることは、言うまでもない。図1は、EUVフォトマスクの乾燥に使用する装置1を示す。装置1は、フォトマスク洗浄装置に一体化される。装置1は、密閉チャンバ2、ポンプユニット3、赤外線放射手段、圧力センサ7、遠隔超音波センサ8、少なくとも1つのパイロメータ9、気体注入システム10、およびフォトマスク支持体12を有する。密閉チャンバ2は、EUVフォトマスクを受け入れることができる。ポンプユニット3は、例えば、プライマリポンプ5、およびセカンダリポンプ4を備えている。赤外線放射手段は、チャンバ2の下部に配置された複数の赤外線放射源6を備えている。遠隔超音波センサ8は、チャンバ2の上部に配置されている。気体注入システム10は、気体注入線、およびチャンバ2の中の圧力上昇を防ぐためのブローオフバルブまたは圧力軽減バルブを備えている。EUVフォトマスクの温度は、乾燥ステップの間、フォトマスク13の端部極力中心に近いことが望ましいを見ている少なくとも1つのパイロメータ9によって制御される。制御システムを完全なものとし、またパイロメータによる監視を定期的に行うために、十分な範囲の温度に亘って較正曲線が作られる。EUVフォトマスクの平均温度は、複数の温度センサによって得られるデータから算出される。このためには、少なくとも9つのセンサが必要であり、これらにより、EUVフォトマスク表面の種々の異なる点における温度を測定することができる。遠隔超音波センサ8の数は、3であることが望ましく、チャンバの上部に配置される。遠隔超音波センサ8は、遠隔超音波センサ8とフォトマスク13の間の距離を、フォトマスク13の表面のいくつかの点で測定する。遠隔超音波センサ8は、これを使用して、EUVフォトマスクがチャンバ2の中に導入されたか否かを検出し、このマスクの寸法を求め、チャンバ2の中で正しく設置されたこと、特に、EUVフォトマスクの水平性、すなわち平衡度を確認する。赤外線放射源赤外線ランプ等6は、EUVフォトマスクを乾燥させるために使用される。本発明では、例えば、赤外線放射源6は、同じものであり、それらの数、相互の間隔、およびフォトマスク13からの距離は、図2および図3に示すように、加熱がフォトマスク13の表面の上で十分に一様になるように選択されている。赤外線放射源6は、チャンバ2の下部で、EUVフォトマスク13の活性面側に、EUVフォトマスク13の表面に平行な平面の中に配置され、これにより、赤外線放射を、垂直に直接にEUVフォトマスク13の活性面に当てている。赤外線放射源6は、少なくとも3つ必要である。赤外線放射源6の中の2つ6aは、チャンバの端部に向かって配置されており、これにより、これら2つは、フォトマスク13のどちらかの側に配置される。他の1つまたは複数の赤外線放射源6bは、チャンバの中央に配置され、この位置は、実質的に、フォトマスク13の中央に対応している。この例では、3つの赤外線放射源6は、互いに距離dだけ離れて配置され、この場合には、dは83mmである。赤外線放射源6a、6bは、フォトマスク13の表面から距離Dだけ離れている平面の中に配置されており、ここでは、D=1.5×dから、D=125mmである。この配置によって、全ての赤外線ランプ6の放射スペクトラムは、重ね合わされて、従って、フォトマスク13の表面全体に亘って均一な加熱を行うことができる。図3は、放射RW/mm2の値を、フォトマスク13の中心からの距離Lmmの関数として示したものである。フォトマスクのどちらかの側に置かれた赤外線放射源は、それぞれ、放射20および21を与える。そして、2つの赤外線放射源の間に中央に置かれた赤外線放射源は、放射22を与える。これらの放射値20、21、および22の合計は、放射23になる。図には、合計の放射23を受けるフォトマスク13の位置両端の長さ2L=150mmが示されている点線で示す。フォトマスク13の中心は、点L=0の位置にあり、従って、フォトマスク13は、L=-75からL=75までの位置を占有している。従って、フォトマスク13の表面は、放射23を受け、例えば、中心に置かれた単一の赤外線放射源6から受ける放射と比較して、放射の均一性は、実質的に改善されているということが分かる。図4は、フォトマスク13の表面の上で得られた温度分布の例を示す。フォトマスクの、実質的に平坦な構成を考慮すると、フォトマスク13の端部における温度勾配は、無視することができる。この例では、温度分布は、実質的に、フォトマスクの中央部分で鐘形状をしており、ここの温度は周辺領域と比較して相当に高くなっており、また周辺領域は、フォトマスク13の端部と比較して、相当に温度が高くなっているということが分かる。しかしながら、赤外線放射源6の、フォトマスク13に対するこの配置によって生ずる、フォトマスク表面の上の温度勾配は、許容可能である。すなわち、マスクの活性表面の上では、10°Cより小さい値である。赤外線放射手段によってフォトマスクを加熱し、ポンプユニット3によってフォトマスクを大気圧より低い圧力例えば、105ミリバール程度の圧力にすることによって、材料の中に存在する気体が表面に向かって拡散することが促進され、従って、これらの材料の真空における脱気が促進される。従って、乾燥ユニットによって、フォトマスクを劣化させることなく、体積に亘って均一な乾燥を行うことができる。図5および図6は、気体注入システム10の1つの実施形態を示す。気体注入システム10は、複数の気体注入器30例えば、窒素またはヘリウムのを備えている。気体注入器30は、チャンバ2の上部に置かれ、これにより、フォトマスク13の活性面とは反対の面に気体の流れを送ることができる。気体注入システム10は、フォトマスク13の平面に平行な平面の中に分散された複数の気体注入器30を備え、注入器30は、フォトマスク13の中心に対向する点に一致する点の周りに、90度回転に対する不変性を維持するようになっている。フォトマスク13は、両端の長さ2L=150mmの正方形である。注入器30は、フォトマスク13の中心と、フォトマスク13の側面の中央とを通って直交した軸X-X’およびY-Y’から、それぞれ、距離d1、d2、およびd3の所と、これらの軸X-X’およびY-Y’の上で距離d4の所に設置されている。現在の場合では、これらの距離は、例えば、d1=25mm、d2=62.5mm、d3=37.5mm、およびd4=50mmである。これらの距離d1、d2、d3、およびd4の軸X-X’およびY-Y’への投影は、等距離離れている。赤外線放射手段が停止されて、ポンプユニット3がチャンバ2から分離されると、フォトマスク13は、外部表面とその周囲との間の輻射および対流による熱交換によって冷却される。気体が、気体注入器30によって送り込まれると、図6に見ることができるように、強制対流によって冷却が加速される。図6は、注入された気体の循環を示している。しかしながら、気体注入器30の特定な配置を取ることによって、赤外線放射源の配置に起因する温度分布に応じて、フォトマスク13の表面を冷却することも可能である。気体注入器30のこの配置によって、使用している気体ヘリウムまたは窒素は、最初に、フォトマスク13の中心に向かって進み、そして、フォトマスク表面の上を対称形に広がり、更に、チャンバの壁に沿って上昇して行くということが分かる。従って、チャンバの中における、フォトマスクに対向した注入器の配置は、赤外線放射源の配置を補完するものであり、鐘形状の温度分布を補償している。すなわち、フォトマスクの中心を強く冷却している。従って、気体の注入は、フォトマスク表面の上に存在する温度勾配を、強調するのではなくて、フォトマスク13の活性表面の上で、温度勾配を10°Cよりも小さい値に保持しているのである。フォトマスクの中心における冷却を、更に強調するために、フォトマスクの中心に対向するように設置されている気体注入開口の直径を、他の注入開口の直径より大きくすることができる。例えば、フォトマスクの中心に対向するように設置されている気体注入開口の直径を、他の注入開口の直径の2倍にすることである。これによって、3つの赤外線放射源6に対して、例えば、17の気体注入器30を使用可能とすることができる。乾燥装置におけるフォトマスクの支持体12の1つの実施形態を、図6および図7に示す。この乾燥装置は、フォトマスク13を受け入れて配置する手段を備えている。これらの手段は、穴が開けられたフレーム40を含んでおり、フレーム40の寸法は、フレーム40が受け入れなければならないフォトマスク13の寸法に整合した寸法を有し、チャンバ2の内部で、4つの支柱41によって支えられている。従って、赤外線放射源6は、照射に対するフレーム40による障害物なく、EUVフォトマスク13の活性面に向かって照射することができる。更に、フォトマスクを受け入れて配置する手段は、穴あきフレームの形をしており、これにより、輻射および対流の熱交換によってフォトマスクの冷却が促進され、また伝導による熱転送が制限される。その結果、冷却の均一性に対する十分な制御を達成することができる。支柱41は、チャンバ2の上部とフレーム40の4つのコーナとに固定されている。フレーム40が持つ4つのピン42は、フォトマスク13を受け入れて、正確に配置する機能を有する。これらのピン42は、2つの部分から構成されている。第1の部分42aは、例えば、ステンレススチールまたはセラミックでできており、これによりフレーム40を接続することができる。また、第2の部分42bは、2つの受け入れタブで構成され、例えば金でできており、その上にフォトマスク13が置かれる。接続部分42aがセラミックでできている場合には、タブ42bは、チャンバ2の接地部に接続されて、フォトマスク13が静電気を放電できるようにしている。この理由は、フォトマスク13は、乾燥されている間に、静電的に充電されるからである。必要な場合には、乾燥装置は、複数の支持体を備えることができ、それぞれの支持体には、異なる寸法の穴あきフレームが設けられ、最も小さい寸法のフレームを頂部に設置するように配置する。さらに、制御および命令装置は、圧力、温度、および距離を測定する手段から情報を受信し、その情報から、赤外線放射手段および気体注入システムを、受信した情報に基づいて作動させるべき命令を導き出す。制御および命令装置はまた、フォトマスクの洗浄装置と、また、洗浄装置とフォトマスク乾燥装置との間を移動するロボットと、通信することができる。この洗浄方法は、乾燥ステップを備え、乾燥ステップは、次に示す操作を含んでいる。-フォトマスク13を、洗浄装置から乾燥装置1のチャンバ2まで、ロボットによって運び、ロボットは、フォトマスク13を穴あきフレーム40の上に載せる。-転送バルブを閉じる。フォトマスク13の配置は、遠隔超音波センサ8によって確認される。本明細書においては、例として、3つのセンサを考えている。超音波センサ8によって得られた測定値が一致していれば、フォトマスクの正しい水平位置が確認されたことになる。そして、測定値は、制御および命令装置の中に記憶される。加熱は、大気圧で開始される。温度の変化は、パイロメータ9によって、実時間で測定される。フォトマスクの加熱の均一性は、間欠的な加熱で達成することができる。この間欠的な加熱では、赤外線放射源6を、例えば、1秒間点灯、2秒間消灯というように、点滅を繰り返す。フォトマスク13が60°C以下の、決められた温度に到達すると、ポンプユニット3は、直ちに作動し、チャンバ2の排気を開始する。プライマリポンプ5と、それに直列に接続されたセカンダリポンプ4とを使用することにより、強力に105ミリバールまでの真空に到達させることができる。従って、このようにして得られた第2の真空によって、フォトマスク13の、より効率が高い脱着を行うことができる。フォトマスク13は、約10分の間、60°Cに近い温度に保持される。その後、赤外線放射手段は停止されて、チャンバ2のポンプユニット3は、分離される。チャンバ2内部の圧力上昇は、中性気体例えば窒素を注入することにより達成される。気体注入システムは、粒子の発生を防ぐために、複数の注入器30の形を取り、図4に見ることができる位置にある、または、ノズルで構成されていることが望ましい。気体注入システムは、フォトマスク13の上方に置かれ、複数の所から注入ができ、これにより、フォトマスク13の表面の上で、気体の流れを均一な分布にすることができる。注入された気体は、このようにして、フォトマスク13を冷却し、また圧力を上昇させる。更に、赤外線放射手段および気体注入システムのこの配置によって、フォトマスクの活性表面の上で均一な温度を実現することができる。活性表面の上における温度差は、10°C未満である。圧力が大気圧に到達すると、窒素の注入は、ヘリウムの注入に置き換えられる。ヘリウムは、冷却の点から見て、更に効率がよい。フォトマスク13の温度が、30°C~35°Cに到達すると、冷却は停止され、フォトマスク13は、チャンバ2から取り出すことができる。フォトマスク13の温度が30°C~35°Cに到達するのを待って、その後にフォトマスク13をチャンバから取り出すことにより、フォトマスク13の温度は、周囲温度に近くなり、温度の下降時に生ずる可能性がある、大気中に存在する気体の最吸着を防ぐことができる。図8は、本発明による方法によって得られた乾燥の効率を示す。クロムCr60、石英61、ルテニウムRu62、および、窒化タンタルTaN63または珪化モリブデンMoSi64によって構成されている表面の上で接触角θの測定を行った。乾燥ステップの後66に測定された接触角θは、洗浄操作の時65に測定された値と比較して、試験した全ての材料に関して、同程度、またはよい値であるということが分かる。乾燥ステップの後66に測定された接触角θは、乾燥ステップの前67に測定された接触角θと比較されなければならない。本発明がここに記述されている実施形態に限定されるものではないことは、言うまでもない。更に、当業者が着想するいずれの多くの変形も、本発明の基本的な考えから逸脱するものではない。