"記録マークが形成される少なくとも1層の記録層と、前記記録層に隣接して配置され、少なくとも集光光学系により集光されたレーザ光束が照射される間、前記集光光学系の光学性能と前記レーザ光束の波長とで定まる回折限界よりも小さい局所的な領域で光学特性が変化する超解像機能層と、前記記録層及び超解像機能層を被覆し、前記集光光学系により集光されたレーザ光束を透過させる保護層と、を含み、前記保護層の光入射面と前記記録層との間の厚みの上限が0.083mmであることを特徴とする光情報記録媒体。請求項1に記載の光情報記録媒体であって、前記超解像機能層は、当該集光されたレーザ光束が照射されたとき、前記光学特性としての屈折率が変化する非線形光吸収特性または非線形光透過特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。記録マークが形成される少なくとも1層の記録層を含む超解像積層膜と、前記超解像積層膜を被覆し、集光光学系により集光されたレーザ光束を透過させる保護層と、を含み、前記超解像積層膜では、少なくとも当該集光されたレーザ光束が照射される間、前記集光光学系の光学性能と前記レーザ光束の波長とで定まる回折限界よりも小さい局所的な領域で光学特性が変化し、前記保護層の光入射面と前記記録層との間の厚みの上限が0.083mmであることを特徴とする光情報記録媒体。請求項3に記載の光情報記録媒体であって、前記超解像積層膜は、当該集光されたレーザ光束が照射されたとき、前記光学特性としての屈折率が変化する非線形光吸収特性または非線形光透過特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、所定の光ディスクに対して下位互換性を有することを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、当該光情報記録媒体における前記保護層の光入射面と前記記録層との間の厚みをKとし、所定の光ディスクの記録層を被覆するカバー層の厚みをDとし、前記厚みKが前記カバー層の厚みDと一致すると仮定した場合の当該光情報記録媒体のチルトマージンの限界値をθ1とし、前記所定の光ディスクのチルトマージンの限界値をθ2としたとき、前記厚みKの中心値は、以下の式:Kc=D×θ1/θ2、に基づいて決定され、前記カバー層の厚みDは、略0.1mmであり、前記チルトマージンの限界値θ1は、略0.56度であり、前記チルトマージンの限界値θ2は、略0.7度であることを特徴とする光情報記録媒体。請求項6に記載の光情報記録媒体であって、前記中心値Kcが0.080mmであることを特徴とする光情報記録媒体。請求項6または7に記載の光情報記録媒体であって、前記チルトマージンの限界値θ1,θ2は、当該光情報記録媒体及び前記所定の光ディスクからそれぞれ読み出される再生信号のビットエラーレートが3×10-4以下であることを基準とした場合の値であることを特徴とすることを特徴とする光情報記録媒体。請求項6から8のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、前記所定の光ディスクに対して下位互換性を有することを特徴とする光情報記録媒体。請求項5から9のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、前記所定の光ディスクはブルーレイディスクであることを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から10のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、前記保護層の光入射面と前記記録層との間の当該厚みの下限が0.077mmであることを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から10のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、前記保護層の光入射面と前記記録層との間の当該厚みの下限が0.050mmであることを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から12のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、前記レーザ光束の波長の基準値が405nmであり、前記集光光学系の光学性能を示すパラメータの1つである開口数の基準値が0.85であることを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から13のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、前記少なくとも1層の記録層は単一の記録層からなることを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から13のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体であって、前記少なくとも1層の記録層は、複数の記録層からなり、前記保護層の光入射面と前記記録層との間の当該厚みは、前記複数の記録層のうち前記光入射面から最も離れている記録層と前記光入射面との間の厚みである、ことを特徴とする光情報記録媒体。請求項1から15のうちのいずれか1項に記載の光情報記録媒体と、前記光情報記録媒体に前記レーザ光束を集光させる前記集光光学系と、前記光情報記録媒体からの反射光を検出する受光素子と、前記光情報記録媒体からの反射光を前記受光素子に導く導光光学系と、前記受光素子の出力に信号処理を施して再生信号を生成する信号処理部と、を備えることを特徴とする駆動装置。請求項16に記載の駆動装置であって、前記光情報記録媒体を着脱自在に装着する媒体装着部をさらに備えることを特徴とする駆動装置。非特許文献1によれば、BDの保護層カバー層の厚みは、約0.1mmに規定されており、DVDの保護層の厚み約0.6mmよりも薄い。このようにした理由は、DVDなどの下位規格の光ディスクと比べて、対物レンズの高NA化とレーザ光波長の短波長化とに起因するコマ収差が増加するので、その増加分をキャンセルするためである。一般に、コマ収差は、光ディスクの保護層の厚みtとNAの3乗との積=t×NA3にほぼ比例し、且つ、レーザ光波長λに反比例する。コマ収差の主な発生原因は、実際の製品である駆動装置に光ディスクを取り付けたときの取り付け角のズレや光ディスク自身の反りなどに起因して光ヘッドの光軸が光ディスクの表面に対して傾くことディスクチルトであることが知られている。一般に、ディスクチルトによりコマ収差が発生すると、記録層における集光スポット径が増大し、集光スポットの形状が歪んでフレア光成分信号の記録や再生に寄与しない光成分が増大する。コマ収差が大きいと、符号間干渉や隣接トラック間のクロストークが発生して再生信号品質が劣化するという問題がある。超解像光ディスクにおいても、ディスクチルトに起因するコマ収差が発生するが、後述するように、現行規格のBD単層BDと多層BDを含む。と比べてディスクチルトの許容誤差量チルトマージンが狭い。それ故、現行の単層BDや多層BDに準じて製造された駆動装置を使用して超解像光ディスクに対する情報の記録や再生を行う場合にディスクチルトが発生すると、正常な記録や再生をすることができないおそれがある。このため、必ずしも、単層BDや多層BDとの下位互換性を保証することができるとは限らないという問題がある。ディスクチルトを抑制するために組み立て誤差や部品の実装誤差を低減させた駆動装置を製造することは、技術的に可能ではあるが、駆動装置の製造コストを上昇させるという問題がある。上記に鑑みて本発明の目的は、超解像機能層を有する光情報記録媒体であっても、下位互換性を保証しつつ広いチルトマージンを確保することができる光情報記録媒体及び駆動装置を提供することである。本発明の第1の態様による光情報記録媒体は、記録マークが形成される少なくとも1層の記録層と、前記記録層に隣接して配置され、少なくとも集光光学系により集光されたレーザ光束が照射される間、前記集光光学系の光学性能と前記レーザ光束の波長とで定まる回折限界よりも小さい局所的な領域で光学特性が変化する超解像機能層と、前記記録層及び超解像機能層を被覆し、前記集光光学系により集光されたレーザ光束を透過させる保護層と、を含み、前記保護層の光入射面と前記記録層との間の厚みの上限が0.083mmであることを特徴とする。本発明の第2の態様による光情報記録媒体は、記録マークが形成される少なくとも1層の記録層を含む超解像積層膜と、前記超解像積層膜を被覆し、集光光学系により集光されたレーザ光束を透過させる保護層と、を含み、前記超解像積層膜では、少なくとも当該集光されたレーザ光束が照射される間、前記集光光学系の光学性能と前記レーザ光束の波長とで定まる回折限界よりも小さい局所的な領域で光学特性が変化し、前記保護層の光入射面と前記記録層との間の厚みの上限が0.083mmであることを特徴とする。本発明の第3の態様による駆動装置は、上記第1または第2の態様による光情報記録媒体と、前記光情報記録媒体に前記レーザ光束を集光させる前記集光光学系と、前記光情報記録媒体からの反射光を検出する受光素子と、前記光情報記録媒体からの反射光を前記受光素子に導く導光光学系と、前記受光素子の出力に信号処理を施して再生信号を生成する信号処理部とを備えることを特徴とする。本発明によれば、下位互換性を保証しつつ広いチルトマージンを確保することができる。以下、本発明に係る種々の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。実施の形態1.図1A,Bは、本発明に係る実施の形態1である再生専用ReadOnly型の光情報記録媒体の一例である超解像光ディスク1の構造を概略的に示す図である。図1Aに示されるように、この超解像光ディスク1は、ポリカーボネートやガラスなどの基板10と、この基板10上に形成された記録層11と、この記録層11に隣接して形成された超解像機能層12と、これら記録層11及び超解像機能層12を被覆する保護層13とを有する。保護層13は、光ピックアップ図示せずの集光光学系25により集光されたレーザ光束26を透過させる材料からなる。保護層13は、たとえば、薄い透光性樹脂シートを透明接着層を介して貼り付けたり、スピンコート法により紫外線硬化樹脂を塗布し紫外線照射で硬化させたりすることで形成することができる。基板10の光入射側の面には、記録マークを有する記録層11が形成されている。この記録層11は、たとえば、エンボス加工により形成された記録情報を担うピット列記録マークや溝からなる微細な凹凸パターンと、この凹凸パターン上に形成されたアルミニウムなどの反射膜図示せずとで構成することができる。各ピットのサイズは、集光光学系25のNAとレーザ光束26の波長λとで定まる回折限界λ/4NAよりも小さい。超解像機能層12は、記録層11と保護層13との間に介在し、レーザ光束26の集光スポットの照射を受ける間、屈折率などの光学特性が変化する非線形光吸収特性または非線形光透過特性を有するものである。レーザ光束26の集光スポットの照射を受けた超解像機能層12には、光学特性が変化した局所的な領域すなわち光学的な開口部12aが形成される。この開口部12aで発生した局在光近接場光や局在プラズモン光などが、回折限界よりも小さいサイズの記録マークと作用して伝搬光に変換される。これにより、回折限界λ/4NAを超えた微小な記録マークを高い分解能で検出して当該記録マークから情報を再生することができる。図1Bは、超解像機能層12の構造の一例を示す図である。図1Bに示されるように、超解像機能層12は、誘電体層121、干渉層122、超解像マスク層123、干渉層124及び誘電体層125を含む。超解像マスク層123は、たとえば、Ge-Sb-Te系,Ag-In-Sb-Te系,Sb-Te系またはIn-Sb系の材料により形成することができる。あるいは、ZnOなどの金属酸化物材料により超解像マスク層123を形成してもよい。超解像マスク層123を挟み込む誘電体層121,125は、主に、超解像マスク層123の構成材料の熱拡散を防止する機能を有する。誘電体層121,125は、たとえば、ZnS-SiO2やAlNにより形成することができる。また、一方の干渉層122は、誘電体層121と超解像マスク層123との間に介在し、他方の干渉層124は、誘電体層125と超解像マスク層123との間に介在している。これら干渉層122,124は、光を多重干渉させる機能と熱拡散防止機能とを併せ持つものである。干渉層122,124は、たとえば、AlN、GeNまたはZrO2により形成することができる。上記誘電体層121,125や干渉層122,124を設けることで、超解像マスク層123の再生耐久性を向上させることが可能となる。なお、図1Bは、超解像機能層12の構造の一例を示すものであり、超解像機能層12の構造や膜数や構成材料などについては特に限定するものではない。本実施の形態では、保護層13の光入射面と記録層11との間の厚み、すなわち、記録層11を被覆するカバー層の厚みKの上限値は、0.083mm、好ましくは、BDのカバー層の厚み=0.1mmよりも0.020mmだけ薄い0.080mmである。非特許文献1に開示されるようにBDの要求仕様によれば、カバー層の厚みの許容誤差は±0.003mmであり、0.083mmの値は、好ましい0.080mmの値に許容誤差=0.003mmを加えた値である。超解像機能層12の厚みは数nm~数百nmであり、カバー層の厚みKにほとんど寄与しないため、カバー層の厚みKは保護層13の厚みとほぼ同じとなる。後述するように、カバー層の厚みKの上限値を0.083mm、より好ましくは、0.080mmとすることで、超解像機能層12を有する超解像光ディスク1であっても、BDなどの現行の光ディスクとの下位互換性を保証する広いチルトマージンを確保することができ、ディスクチルトに起因する記録再生特性の劣化を抑制することができる。なお、本実施の形態の超解像光ディスク1はBDに対して下位互換性を有するが、このBDは、単一の記録層を有する単層BDだけでなく、2層以上の記録層を有する多層BDをも含むものである。後述する実施の形態2,3でも同様である。このようなBDに使用される光学パラメータたとえば、レーザ光波長と対物レンズの開口数は共通する。以下では、下位規格として単層BDを例に挙げた説明がなされているが、多層BDの場合も、単層BDの場合と同様のことがいえる。上記した超解像光ディスク1に対する情報の記録再生は、BD用光ディスク装置駆動装置を用いて行うことができる。図2は、BD用光ディスク装置100の構成の一例を概略的に示す図である。なお、BD用光ディスク装置100の構成は、図2の構成に限定されるものではない。図2に示されるように、光ディスク装置100は、光ピックアップ光ヘッド110と、この光ピックアップ110を超解像光ディスク1のラジアル方向に移動させて位置決めする送り機構120と、光ピックアップ110及び送り機構120の動作を制御する制御回路130とを有する。光ピックアップ110は、レーザ光源111、コリメータレンズ112、ビームスプリッタ113、対物レンズ114、レンズアクチュエータ115、集光レンズ116及び受光素子117を有する。なお、図2に示した光ピックアップ110の構成は、例示であり、この構成に限定されるものではない。たとえば、光ピックアップ110は、BDに記録再生ができる青紫色波長略405nmのレーザ光源111を有しているが、これに限定されず、CDCompactDiscやDVDDigitalVersatileDiscなどの他の光ディスクに対応した波長BD用の波長とは異なる波長のレーザ光を出力する複数のレーザ光源及びこれに対応する光学系をも有していてよい。また、光ピックアップ110は、カバー層の厚み誤差に起因して発生する球面収差の補正手段として、たとえば、ビームスプリッタ113と対物レンズ114との間に配置されるコリメータレンズ図示せずと、このコリメータレンズを光軸方向に移動させるレンズ駆動部図示せずと、このレンズ駆動部の動作を制御する制御回路図示せずとを含む球面収差補正機構を有することができる。あるいは、ビームスプリッタ113と対物レンズ114との間に配置される液晶光変調素子図示せずと、この液晶光変調素子内に電界分布を形成する液晶素子駆動部図示せずと、この液晶素子駆動部の動作を制御する駆動回路図示せずとを含む球面収差補正機構を有していてもよい。液晶光変調素子は、当該液晶光変調素子を通過するレーザ光束の光路長を空間的に変調することで球面収差を補正し得る。制御回路130は、超解像光ディスク1に対する再生制御及び記録制御を行う。この制御回路130は、駆動制御部131及び信号検出部信号処理部132を含む。駆動制御部131は、コンピュータなどのホスト機器図示せずからの指令に従って、レーザ光源111、レンズアクチュエータ115、スピンドルモータ140及び送り機構120の各動作を制御する機能を有している。スピンドルモータ140は、駆動制御部131から制御を受けて、ターンテーブル媒体装着部142に着脱自在に装着された超解像光ディスク1を回転させる。レーザ光源111は、BDに記録再生できる発光中心波長405nmのレーザ光束を出射するものである。レーザ光源111からの出射光は、コリメータレンズ112を経て、ビームスプリッタ113に入射する。ビームスプリッタ113で反射したレーザ光束は、1/4波長板図示せずを介してNA=0.85の対物レンズ114に入射する。対物レンズ114は、ビームスプリッタ113から入射したレーザ光束を超解像光ディスク1に集光させる。図1に概略的に示したように超解像光ディスク1の超解像機能層12にレーザ光束が集光されると、光学的な微小開口部12aが形成され、この開口部12aで発生した局在光が記録層11と作用する。超解像光ディスク1の記録層11で反射した再生光戻り光は、対物レンズ114、1/4波長板図示せず及びビームスプリッタ113を透過し、集光レンズ116によって受光素子117の光検出面に集光される。受光素子117は再生光を検出し、その検出信号を信号検出部132に供給する。信号検出部132は、受光素子117から供給される検出信号からトラッキングエラー信号たとえば、プッシュプル法や位相差法によるトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号及び再生RF信号を生成し、これらの信号を駆動制御部131に与える。駆動制御部131は、トラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号に基づいて駆動信号をレンズアクチュエータ115に供給することにより、集光スポットを超解像光ディスク1の記録トラックに追従させるトラッキング制御と、レーザ光束を記録層11付近に集光させるフォーカス制御とを行う機能を有する。レンズアクチュエータ115は、駆動制御部131から供給された駆動信号に応じて、対物レンズ114を光軸118の方向フォーカス方向及びトラッキング方向に移動させる。また、駆動制御部131は、スピンドルモータ140の実回転数を目標回転数に一致させるスピンドル制御を実行する機能をも有する。上記光ディスク装置100は、超解像光ディスク1だけでなく、BDブルーレイディスクに対する情報の記録再生をも行うことができる。図3は、単一の記録層を有する単層光ディスクBD150の構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、光ディスク装置100は、複数の記録層を有する多層光ディスクに対する情報の記録再生を行う機能をも有している。図3に示されるように、光ディスクBD150は、厚みが約1.1mmの基板151と、この基板151に形成されたエンボスピットの凹凸パターンを有する情報記録面153とを含む。基板151の厚みが1.1mmに設定されたのは、BDの全体の厚みが機械的強度を満たすようにするためである。情報記録面153に対しては集光光学系25によってレーザ光束26が集光される。情報記録面153上には、レーザ光束26に対して所望の反射率を有する複数の金属反射膜からなる積層膜154が成膜されている。この積層膜154と情報記録面153とで記録層152が構成される。また、記録層152を被覆する透明な保護層カバー層155が形成されている。保護層155は、たとえば、ポリカーボネートなどの樹脂材料、紫外線硬化樹脂あるいはガラス系材料で構成される。BDでは、1枚の光ディスクに記録できるデータ量をDVDと比べて約5倍に高めるために、NA=0.85の対物レンズと、波長405nmのレーザ光とが採用されている。よって、光ディスク装置100の光ピックアップ110も、NA=0.85の対物レンズ114と、中心発光波長が405nmのレーザ光束を出射するレーザ光源111とを有する。保護層155の厚みは0.1mmである。保護層155の厚みを0.1mmとした理由は、上記のとおり、対物レンズの高NA化とレーザ光波長の短波長化とに起因するコマ収差の増加をキャンセルするためである。ディスクチルトに起因するコマ収差が発生すると、記録層152における集光スポット径が増大し、集光スポットの形状が歪む。このため、大きなコマ収差が発生すると、符号間干渉や隣接トラック間のクロストーク信号の洩れ込みが発生して再生信号品質が劣化する。このような再生信号品質の劣化を抑制するために、光ピックアップ110の光軸118に対する光ディスク表面のラジアル方向への傾きラジアルチルト、並びに、光軸118に対する光ディスク表面のタンジェンシャル方向への傾きタンジェンシャルチルトをそれぞれ一定の角度範囲に抑えることが必要である。一方、超解像光ディスク1の場合、ディスクチルトに起因するコマ収差が発生すると、超解像機能層12に形成される集光スポットの最大ピーク強度が低下する。集光スポットの最大ピーク強度が大幅に低下すると、超解像機能層12の中に良好な微小開口部12aが形成されず、再生分解能が劣化する。また、超解像機能層12に形成された微小開口部12aで発生する局在光の強度は、超解像機能層12に照射される集光スポットの強度に依存するので、この集光スポットの最大ピーク強度が大幅に低下すれば、再生分解能が低下することとなる。図4は、ラジアル方向における集光スポットの光強度分布を表すシミュレーション結果のグラフである。図4のグラフにおいて、縦軸は、相対光強度を示し、横軸は、集光スポットの最大ピーク強度に対応する位置R=0からのラジアル方向の距離を示している。図4に示されるように、ディスクチルトラジアルチルト量が0度の場合、すなわち、ディスクチルトが発生していない場合の最大ピーク強度は高い。これに対し、ディスクチルトラジアルチルト量が0.7度の場合は、コマ収差が発生しており、最大ピーク強度は、ディスクチルトが0度の場合の最大ピーク強度の18分=Δp減少している。これに伴い、1次フレア光成分F-1,F1のうち一方の1次フレア光成分F1が増大している。さらに、ディスクチルトが発生していない場合と比べると、ディスクチルトが0.7度の場合の集光スポット径1/e2径も大きい。コマ収差発生時の集光スポットを用いてBDブルーレイディスクから信号を再生するとき、集光スポット径の増大により再生分解能が低下し、1次フレア光成分F1の増大による符号間干渉や隣接トラックからのクロストーク信号漏れこみによって再生分解能が劣化する。これによりエラーレートが増大することとなる。一方、コマ収差発生時の集光スポットを用いて超解像光ディスクから信号を再生する場合は、符号間干渉やクロストークに加えて、微小開口部12aの劣化に起因する再生分解能の低下が生じる。微小開口部12aは、集光スポットの強度に対して非線形な光学的特性を有する超解像マスク層123に形成されるので、コマ収差が生じて集光スポットの強度の低下が起こると、良好な微小開口部12aが形成されず、結果として回折限界以下の小さな記録マークに対する再生分解能が低下することとなる。図5は、ディスクチルトラジアルチルトに対する集光スポットの最大ピーク強度の変化率を表すシミュレーション結果のグラフである。このシミュレーション結果からも、ディスクチルト量の増大に伴い、最大ピーク強度が低下し、コマ収差量が増大していくことが分かる。このような最大ピーク強度の低下は、超解像機能層12における微小開口部の劣化を招く。この微小開口部の劣化による再生性能の低下は、従来のBDでのコマ収差による再生性能の低下と比べて約1.2倍になると想定される。図6は、0.1mm厚のカバー層を有する超解像光ディスク及び単層型光ディスクBD-SL150についてのラジアルチルトに対するビットエラーレートの測定結果を示すグラフであり、図7は、タンジェンシャルチルトに対するビットエラーレートの測定結果を示すグラフである。図6のグラフでは、横軸は、-0.8度~0.8度の範囲内のラジアルチルトを均等目盛で表し、縦軸は、1.0×10-61.0E-06~1.0×10-11.0E-01の範囲内のビットエラーレートを対数目盛で表している。図7のグラフでは、横軸は、-0.8度~0.8度の範囲内のタンジェンシャルチルトを均等目盛で表し、縦軸は、1.0×10-61.0E-06~1.0×10-11.0E-01の範囲内のビットエラーレートを対数目盛で表している。なお、ここで使用されている超解像光ディスク150は、最短ピット長さを75nmとした例である。ビットエラーレートbERが3×10-4となる場合を基準とすると、図6及び図7に示されるように、BD-SLの場合であれば、タンジェンシャルチルト及びラジアルチルトに関して-0.7度~0.7度程度の許容誤差範囲±0.7度のチルトマージンが保証されている。これに対し、超解像光ディスクの場合は、図6に示されるようにラジアルチルトについては-0.6度~0.52度程度の許容誤差範囲±0.56度のチルトマージンしか保証されず、図7に示されるようにタンジェンシャルチルトについては-0.5度~0.4度程度の許容誤差範囲しか保証されない。よって、超解像光ディスクでは、良好な微小開口部の形成のためには集光スポットの最大ピーク強度というパラメータを考慮する必要がある。上記のディスクチルト特性の測定結果に基づいて、実施の形態1の超解像光ディスク1図1の記録層11を被覆するカバー層の厚みKの好適な数値範囲を導き出すことができる。以下にその方法を説明する。コマ収差量は、次の一般式1で与えられる3次のコマ収差係数W31に比例し、レーザ光波長λに反比例することが知られている。上式1において、θは、光ピックアップの光軸に対する光ディスクの傾斜角すなわちチルト量であり、nは、光ディスクの記録層を被覆するカバー層の屈折率であり、NAは、対物レンズの開口数である。屈折率nは約1.5程度、θは1°以下の小さな値となるので、n2>1>>sinθ、の関係が成立する。それ故、コマ収差係数W31の式1を次式2のように近似することができる。今、超解像光ディスクのチルトマージンの限界値をθ1とし、超解像光ディスクの記録層を被覆するカバー層の厚みをDとし、チルト量θ=θ1のときの超解像光ディスクに関するコマ収差係数をW31SRで表すものとする。また、超解像機能層を有していない通常の光ディスクのチルトマージンの限界値をθ2θ2>θ1とし、この通常の光ディスクの記録層を被覆するカバー層の厚みをDとし、チルト量θ=θ2のときの通常の光ディスクに関するコマ収差係数をW31NoSRで表すものとする。このとき、コマ収差係数W31SR,W31NoSRは、次式3A,3Bで与えられる。レーザ光波長、対物レンズの開口数及びカバー層の屈折率が一定という条件下で、超解像光ディスクのチルトマージンの限界値θ1を、通常の光ディスクのチルトマージンの限界値θ2と同じ値に拡大したときに、超解像光ディスクでのコマ収差量を変化させない条件、言い換えれば、レーザ光波長、対物レンズの開口数及びカバー層の屈折率が一定という条件下でθ1をθ2に拡大したときに超解像光ディスクに関するコマ収差係数W31SRを変化させない条件の1つは、次式3Cに示されるように、超解像光ディスクのカバー層の厚みをθ1/θ2倍にすることである。よって、図1の超解像光ディスク1の記録層11を被覆するカバー層の厚みKの中心値Kcを次式4のように設定することで、超解像光ディスク1のチルトマージンを広くしつつ超解像光ディスク1で生ずるコマ収差量を抑制することができる。よって、超解像機能層12に形成される集光スポットの最大ピーク強度の低下を抑制することが可能となる。上式4を整理すると、次式5が導出される。超解像光ディスク1のカバー層の厚みの許容誤差が±δであるとすれば、上式4から、厚みKの許容値Keは、次式6で与えられることとなる。超解像光ディスク1のカバー層の厚みKを、上式6で与えられる許容値Keの上限値=D×θ1/θ2δ以下の範囲に最適化すれば、超解像機能層12に形成される集光スポットの最大ピーク強度の低下を抑制して超解像効果の低下を抑制することができるので、少なくともBDの場合とほぼ同等の広いチルトマージンを確保することができる。超解像光ディスク1のタンジェンシャルチルト及びラジアルチルトのうちタンジェンシャルチルトに起因する符号間干渉は、信号処理により比較的除去されやすいが、ラジアルチルトに起因する隣接トラック間のクロストークを信号処理により除去することはむずかしい。それ故、ラジアルチルトのマージン特性は厳しい傾向にある。この点を考慮して、超解像光ディスク1のラジアルチルト特性がBDのラジアルチルト特性と同等となるように超解像光ディスク1のカバー層の厚みKの好適な数値範囲を求める。図6の測定結果から、BD-SLのラジアルチルトマージンは±0.7度であり、超解像光ディスク1のラジアルチルトマージンは±0.56度である。これらのマージン差は、上述したように、超解像光ディスク1の超解像機能層12に形成される微小開口部12aの劣化と、集光スポットの最大ピーク強度の低下とに起因するものである。また、カバー層の厚みは、製造時に生ずる誤差によって、あるばらつき幅に分布する。非特許文献1に開示されるBDの要求仕様によれば、カバー層の厚みの許容誤差は±0.003mmである。よって、D=0.1mm、θ1=0.56度、θ2=0.7度、δ=0.003mm、とすれば、上式6により超解像光ディスク1のカバー層の厚みKの上限値Kmaxを以下のように定めることができる。Kmax=0.080mm0.003mmまた、上記により、超解像光ディスク1については、カバー層の厚みKの中心値を0.080mmに設定することが好ましい。BDのカバー層の厚み=0.1mmと超解像光ディスク1のカバー層の厚みKとの差であるα=0.020mmという値は、BDの要求仕様によるカバー層の厚みの許容誤差=0.003mmよりもはるかに大きく、現実的な製造誤差の範囲内とは考えにくい。なお、保護層13の光入射面から記録層11までの厚みKは、コマ収差量を低減するために、許容誤差±δを考慮した厚みKの下限値=D×θ1/θ2-δよりも薄くすることが望ましいが、保護層13の表面の付着物や傷などにより再生信号の劣化が発生しやすくなることを考慮して、保護層13から記録層11までの厚みKを確保すればよい。BDの場合、カバー層の表面の付着物や傷などの影響を抑制するために、データをBDに記録する記録系では、データに対するエラー訂正符号化と、エラー訂正符号が付加されたデータを分散インターリーブするインターリーブ処理とが行われる。インターリーブ処理により、一定間隔たとえば、略280μm間隔でデータの符号語が分散されて記録されるので、バーストエラー発生時のエラー訂正が可能となる。しかしながら、カバー層の厚みが薄すぎると、データ再生時におけるエラー訂正後のエラーレートが高くなる。BDに対して下位互換性を有する超解像光ディスクの場合も同様である。図8Aは、超解像光ディスクのカバー層の厚みとシンボルエラーレートSERとの関係を概略的に例示するグラフである。また、図8Bは、超解像光ディスクのカバー層の厚みとチルトマージンとの関係を概略的に例示するグラフである。図8Aのグラフでは、縦軸は、1.0×10-51.0E-05~1.0×10-11.0E-01の範囲内のシンボルエラーレートを対数目盛で表し、横軸は、カバー層の厚み単位:mmを均等目盛で表している。また、図8Bのグラフでは、縦軸は、チルトマージン単位:度degを均等目盛で表し、横軸は、カバー層の厚み単位:mmを均等目盛で表している。図8Aに示されるように、カバー層の厚みが0.025mm=T0付近の0.020mmから0.030mmの範囲で、カバー層表面の付着物や傷などの影響により再生性能の劣化が増大する傾向にある。これは、カバー層の表面での光スポットの面積と前記付着物や傷などが占める大きさとに関係している。超解像光ディスクは、BDよりもデータの記録密度が高いので、再生信号は前記付着物や傷の影響を受けやすい。よって、カバー層の厚みを薄くし過ぎるのは好ましくない。たとえば、超解像光ディスクのデータ記録密度をBDの4倍相当に高くした場合、同じ大きさの上記付着物や傷などから影響を受けるデータ数は密度比の2乗根に比例すると想定される。よって、たとえば、光スポットの面積が2倍=41/2程度に大きくなるようにカバー層の厚みを設定することで上記付着物や傷などの影響を抑制することができる。また、BDと比べてカバー層の厚みを薄くすることは、チルトマージンの余裕を生むことになるので、システムマージン全体としては有利に働く。本実施の形態の超解像光ディスク1の場合も、保護層13の表面の付着物や傷などの影響を含めてシステム全体の性能マージンを満足させるようにカバー層の厚みKの下限を設定することが望ましい。以上の観点から、本実施の形態の超解像光ディスク1のカバー層の厚みKを0.05mm以上とすることが望ましい。この0.05mm=T1という値は、図8Aに示されるように0.025mm=T0を2倍した値である。また、上述したように光ピックアップは球面収差補正機構を搭載することができる。この球面収差補正機構の製造コストの過度な上昇を抑えつつ本実施の形態の超解像光ディスク1のBDとの下位互換性を確保する観点からも、超解像光ディスク1のカバー層の厚みKを0.05mm程度以上とすることが望ましい。一方、図8Bに示されるように、超解像光ディスクのカバー層の厚みとチルトマージンとは互いにほぼ逆比例の関係にある。本実施の形態の超解像光ディスク1のチルトマージンの限界値θvが上述のBD-SLのチルトマージンの限界値=約0.7度と一致するときは、超解像光ディスク1のカバー層の厚みKは、図8Bの厚みKの中心値Kc=0.08mmと略一致する。よって、許容誤差±δを考慮しない場合には、超解像光ディスク1のカバー層の厚みKの好適な範囲Δは、0.05mm=T1~0.08mm=Kcとなる。以上に説明したように、超解像光ディスク1のカバー層の厚みKの上限を0.083mm、より好ましくは0.080mmに設定することで、超解像光ディスク1に対する情報の記録や再生を、BD用光ディスク装置100図2を用いて行う場合であっても、広いチルトマージンを確保することができる。すなわち、超解像機能層12に形成される集光スポットの最大ピーク強度の低下を抑制して超解像効果の低下を抑制することができるので、再生分解能の劣化を抑制することができる。したがって、光ディスク装置100の製造コストを上昇させることなく、BDとの下位互換性を保証することができる超解像光ディスク1を提供することができる。実施の形態2.次に、実施の形態1の第1の変形例である実施の形態2について説明する。上記実施の形態1の超解像光ディスク1図1は、再生専用型構造を有するものであったが、これに限定されるものではない。図9A,Bは、実施の形態2の記録型の超解像光ディスク2の構造を概略的に示す図である。図9Aに示されるように、この記録型の超解像光ディスク2は、ポリカーボネートやガラスなどの基板20と、この基板20上に形成された超解像積層膜21と、超解像積層膜21を被覆する保護層22とを有する。保護層22は、光ピックアップたとえば、図2の光ピックアップ110の集光光学系25により集光されたレーザ光束26を透過させる材料からなる。保護層22は、たとえば、薄い透光性樹脂シートを透明接着層を介して貼り付けたり、スピンコート法により紫外線硬化樹脂を塗布し紫外線照射で硬化させたりすることで形成することができる。超解像積層膜21は、図9Bに例示されるように、誘電体層211、非線形材料層212、誘電体層213、記録層214及び誘電体層215が積層された構造を有する。記録層214は、たとえば、白金酸化物PtOx、銀酸化物AgOxあるいはパラジウム酸化物PdOxといった貴金属酸化物層を含む。記録層214の厚みは数nm~数百nmである。また、非線形材料層212は、たとえば、Ge-Sb-Te系,Ag-In-Sb-Te系,Sb-Te系またはIn-Sb系の材料により形成することができる。このような記録層214に強度の高い記録用のレーザ光束が集光され照射されると、記録層214は、当該レーザ光束のエネルギーを吸収して局所的に熱分解し変形する。これにより、記録層214の中に、集光光学系25のNAとレーザ光束26の波長λとで定まる回折限界λ/4NAよりも小さいサイズの記録マークバブルピット214a~214dが形成される。また、再生用のレーザ光束が集光され照射されたとき、非線形材料層212では、回折限界よりも小さい局所的な領域で光学特性が変化する超解像現象が起きて局在光が発生すると考えられる。局在光は、記録マーク214a~214dと作用することで再生光伝搬光に変換される。誘電体層211,213,215は、たとえば、記録層213や非線形材料層212の構成材料の熱拡散を防止する機能を有する。誘電体層211,213,215は、たとえば、ZnS-SiO2やAlNを用いて形成することができる。誘電体層211,213,215を設けることで、記録層213や非線形材料層212の再生耐久性を向上させることが可能となる。なお、必要に応じて、超解像積層膜21は、光を多重干渉させる干渉層を有していてもよい。あるいは、超解像積層膜21は、図9Cに例示されるように、誘電体層216、記録層217、誘電体層218、超解像マスク層219及び誘電体層220を含むものでもよい。記録層217は、たとえば、図9Bに例示されたような白金酸化物PtOxや銀酸化物AgOxで構成することができる。また、超解像マスク層219は、たとえば、Ge-Sb-Te系,Ag-In-Sb-Te系,Sb-Te系またはIn-Sb系といった相転移材料により形成することができる。誘電体層216,218,220は、たとえば、AlNやSiNなどの窒化物材料を用いて形成することができる。再生用のレーザ光束が集光され照射されたとき、超解像マスク層219では、回折限界よりも小さい局所的な領域で光学特性が変化して光学的な微小開口部が形成される。この微小開口部で発生した局在光は、記録マーク217a~217dと相互作用することで再生光伝搬光に変換される。なお、図9B,Cは、超解像積層膜21の構造の一例を示すものであり、超解像積層膜21の構造や膜数や構成材料などについては特に限定するものではない。たとえば、超解像積層膜21は、光入射側から順に、誘電体層と、白金酸化物PtOxや銀酸化物AgOxで構成された超解像マスク層と、誘電体層と、Fe、ZnまたはBiが添加されたGe-Sb-Te系といった相転移記録材料で構成された記録層と、誘電体層とが積層された構造を有していてもよい。この場合の誘電体層は、たとえば、AlNやSiNなどの窒化物材料を用いて形成することができる。本実施の形態の超解像光ディスク2では、上記実施の形態1の場合と同様に、保護層22の光入射面と記録層214または217との間の厚み、すなわち、図9Bの記録層214または図9Cの記録層217を被覆するカバー層の厚みKbの中心値Kbcを0.080mmに設定することが好ましい。また、許容誤差±δ=±0.003mmを考慮すれば、カバー層の厚みKbの好適な上限値Kbmaxは以下のように設定される。Kbmax=0.080mm0.003mmしたがって、超解像光ディスク2のカバー層の厚みKbの上限値は、0.083mm、より好ましくは、BDのカバー層の厚み=0.1mmよりも0.020mmだけ薄い0.080mmである。このようにカバー層の厚みKbを最適化することで、実施の形態1の場合と同様の効果が得られる。すなわち、記録型の超解像光ディスク2に対する情報の記録や再生を、BD用光ディスク装置たとえば、図2の光ディスク装置100を用いて行う場合でも、広いチルトマージンを確保することができる。すなわち、超解像積層膜21に形成される集光スポットの最大ピーク強度の低下を抑制して超解像効果の低下を抑制することができるので、再生分解能の劣化を抑制することができる。したがって、光ディスク装置の製造コストを上昇させることなく、BDとの下位互換性を保証することができる記録型の超解像光ディスク2を提供することができる。なお、保護層22の光入射面と記録層214または217との間の厚みKbは、コマ収差量を低減するために、できるだけ薄くすることが望ましいが、保護層22の表面の付着物や傷などにより再生信号の劣化が発生しやすくなることを考慮して、保護層22から記録層214または217までの厚みKbを確保すればよい。本実施の形態の超解像光ディスク2は、BDよりもデータの記録密度が高いので、再生信号は、カバー層22の表面の付着物や傷の影響を受けやすい。よって、カバー層の厚みKbを小さくし過ぎるのは好ましくない。また、超解像光ディスク2の保護層22の表面の付着物や傷などの影響を含めてシステム全体の性能マージンを満足させるようにカバー層の厚みKbの下限を設定することが望ましい。上記実施の形態1の超解像光ディスク1の場合と同様に図8Aのグラフを考慮すれば、本実施の形態の場合も、超解像光ディスク2のカバー層の厚みKbを0.05mm以上とすることが望ましい。また、上述したように光ピックアップは球面収差補正機構を搭載することができる。この球面収差補正機構の製造コストの過度な上昇を抑えつつ本実施の形態の超解像光ディスク2のBDとの下位互換性を確保する観点からも、超解像光ディスク2のカバー層の厚みKbを0.05mm程度以上とすることが望ましい。以上に説明したように、本実施の形態の記録型の超解像光ディスク2のカバー層の厚みKbの上限を0.083mm、より好ましくは0.080mmに設定することで、超解像光ディスク2に対する情報の記録や再生を、BD用光ディスク装置を用いて行う場合であっても、広いチルトマージンを確保することができる。実施の形態3.次に、上記実施の形態1の第2の変形例である実施の形態3について説明する。上記実施の形態1の超解像光ディスク1図1は、単一の記録層11を有するものであったが、これに限定されるものではない。図10は、実施の形態3の多層型の超解像光ディスク3の構造を概略的に示す図である。なお、実施の形態3の超解像光ディスク3は、2層の記録層31,34を有するが、これに限定されるものではなく、3層以上の記録層を有していてもよい。記録層の数を増やせば、1枚あたりの記録できるデータ容量は格段に増やすことができるので、より多くの映像データやより高画質な映像データを記録または再生することが可能となる。記録層の数は、市場のニーズとディスク製造コストなどを踏まえて決めればよい。図10に示されるように、この超解像光ディスク3は、ポリカーボネートやガラスなどの基板30と、この基板30上に形成された記録層31と、この記録層31上に形成された超解像機能層32と、これら記録層31及び超解像機能層32を被覆する中間層33と、この中間層33上に形成された記録層34と、記録層34上に形成された超解像機能層35と、これら記録層34及び超解像機能層35を被覆する保護層36とを有する。中間層33、記録層34、超解像機能層35及び保護層36は、光ピックアップの集光光学系25により集光されたレーザ光束26を透過させる材料からなる。保護層36は、たとえば、薄い透光性樹脂シートを透明接着層を介して貼り付けたり、スピンコート法により紫外線硬化樹脂を塗布し紫外線照射で硬化させたりすることで形成することができる。記録層31,34は、それぞれ、上記実施の形態1の記録層11と同様の構造を有することができる。ただし、記録層31と保護層36の光入射面との間に介在する記録層34は、レーザ光束26に対して透光性の材料で構成される。記録層34の凹凸パターンは、たとえば、紫外線硬化樹脂からなる中間層33を硬化させる前に、ディスク原盤の凹凸パターンを転写した後に中間層33を紫外線照射により硬化させることで形成することができる。また、超解像機能層32,35は、それぞれ、上記実施の形態1の超解像機能層12と同様の機能を有するものとすることができる。超解像機能層35は、集光されたレーザ光束26が照射される間、屈折率などの光学特性が局所的に変化する非線形光吸収特性または非線形光透過特性を有する。たとえば、レーザ光束26の集光スポットの照射を受けた超解像機能層35には光学的な微小開口部35aが形成される。この微小開口部35aで発生した局在光が記録層34に照射され、再生光戻り光が生成されることとなる。超解像機能層32にレーザ光束26を集光する場合にも、集光されたレーザ光束26の照射を受ける間、超解像機能層32には光学的な微小開口部図示せずが形成され、この微小開口部で発生した局在光が記録層31と作用して再生光に変換される。本実施の形態の超解像光ディスク3では、上記実施の形態1の場合と同様に、保護層36の光入射面と、この光入射面から最も離れている記録層31との間の厚み、すなわち、光入射面から最も離れている記録層31を被覆するカバー層の厚みK1の中心値K1cを0.080mmに設定することが好ましい。また、許容誤差±δ=±0.003mmを考慮すれば、カバー層の厚みK1の好適な上限値K1maxは以下のように設定される。K1max=0.080mm0.003mmしたがって、超解像光ディスク3のカバー層の厚みK1の上限値は、0.083mm、より好ましくは、BDのカバー層の厚み=0.1mmよりも0.020mmだけ薄い0.080mmである。なお、保護層36の光入射面から記録層34までの厚みK0は、コマ収差量を低減するために、できるだけ薄くすることが望ましいが、保護層36の表面の付着物や傷などにより再生信号の劣化が発生しやすくなることを考慮すれば、保護層36から記録層34までの厚みK0をある程度確保するほうがよい。厚みK0は、再生信号の劣化に伴うバーストエラー発生率などを考慮して決定されればよい。また、このようなバーストエラーに対して復号能力の高い復号法を適用することで、厚みK0を薄くすることができる。本実施の形態の超解像光ディスク3も、BDよりもデータの記録密度が高いので、再生信号は、カバー層22の表面の付着物や傷の影響を受けやすい。よって、カバー層の厚みK1を小さくし過ぎるのは好ましくない。また、超解像光ディスク3の保護層36の表面の付着物や傷などの影響を含めてシステム全体の性能マージンを満足させるようにカバー層の厚みK1の下限を設定することが望ましい。上記実施の形態1の超解像光ディスク1の場合と同様に図8Aのグラフを考慮すれば、本実施の形態の場合も、超解像光ディスク3のカバー層の厚みK1を0.05mm以上とすることが望ましい。また、上述したように光ピックアップは球面収差補正機構を搭載することができる。この球面収差補正機構の製造コストの過度な上昇を抑えつつ本実施の形態の超解像光ディスク3のBDとの下位互換性を確保する観点からも、超解像光ディスク3のカバー層の厚みK1を0.05mm程度以上とすることが望ましい。また、中間層33の厚みは、反射光の干渉を回避することができる最適な厚みにすればよい。たとえば、中間層33の厚みを0.015mm~0.025mmにすることが望ましい。以上説明したように実施の形態3の超解像光ディスク3では、光入射面から最も離れている記録層31を被覆するカバー層の厚みK1を最適化することで、実施の形態1の場合と同様の効果が得られる。すなわち、超解像光ディスク3の記録層31に対する情報の記録や再生を、BD用光ディスク装置たとえば、図2の光ディスク装置100を用いて行う場合でも、広いチルトマージンを確保することができる。すなわち、すべての超解像機能層図10では、超解像機能層32と超解像機能層35に形成される集光スポットの最大ピーク強度の低下を抑制して超解像効果の低下を抑制することができるので、再生分解能の劣化を抑制することができる。したがって、光ディスク装置100の製造コストを上昇させることなく、BDとの下位互換性を保証することができる多層型の超解像光ディスク3を提供することができる。実施の形態1~3の変形例.以上、図面を参照して本発明に係る種々の実施の形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な形態を採用することもできる。たとえば、実施の形態3の超解像光ディスク3図10は、再生専用ReadOnly型構造を有するものであったが、これに限定されるものではない。互いに離間して積層された複数の記録層を有する記録型の超解像光ディスクの場合でも、これら複数の記録層のうち光入射面から最も離れている記録層を被覆するカバー層の厚みの中心値を0.080mmとすることが好ましく、その厚みの上限値を0.083mm=0.080mm0.003mmとすることができる。また、上記実施の形態1の超解像光ディスク1の線密度方向の記録マークの長さとして、最短ピット長さが75nmの超解像光ディスクを例に挙げたが、これに限定されるものではない。本発明の解決すべき課題の1つは、超解像機能層に形成される集光スポットの最大ピーク強度の低下に起因するチルトマージンの劣化であるので、本発明は、記録マークの長さが75nmよりも短い超解像光ディスクについてもかかる課題を解決し、所期の効果を得ることができる。また、上記実施の形態3の超解像光ディスク3は、2層の記録層31,34にそれぞれ隣接する超解像機能層32,35を有しているが、別の実施の形態として、たとえば、超解像光ディスク3の光入射面に近い超解像機能層35を取り除いた超解像光ディスクの形態もあり得る。この場合も、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。"