GaN基板の上にn型層、発光層およびp型層を含む複数のエピタキシャル層が積層され、該p型層は該複数のエピタキシャル層の最上層であり、該発光層は該n型層と該p型層との間に挟まれている窒化物系LEDにおいて、該GaN基板がストライプコア基板であり、該p型層が、該GaN基板のストライプコアの直上に位置する高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該p型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該p型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されていることを特徴とする、窒化物系発光ダイオード素子。上記透光性オーミック電極層が透明導電性酸化物で形成されている、請求項1に記載の窒化物系発光ダイオード素子。上述のように、ストライプコア基板であるGaN基板上に形成したエピタキシャル層中には、基板のストライプコアに対応してエピタキシャル層中に高欠陥密度部が形成される。本発明の主たる目的は、この高欠陥密度部の表面を有効利用した窒化物系LEDを提供することである。一実施形態において、次の構成を有する窒化物系LEDが提供される:GaN基板の上にn型層、発光層およびp型層を含む複数のエピタキシャル層が積層され、該p型層は該複数のエピタキシャル層の最上層であり、該発光層は該n型層と該p型層との間に挟まれている窒化物系LEDであって、該GaN基板はストライプコア基板であり、該p型層は、該GaN基板のストライプコアの直上に位置する高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該p型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該p型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。好ましくは、上記透光性オーミック電極層は透明導電性酸化物で形成される。本発明実施形態に係る上記の窒化物系LEDでは、p型層の高欠陥密度部の表面上の領域をボンディングパッドの形成に利用している。ボンディングパッドの直下には活性領域が存在しないので、活性領域で発生する光がボンディングパッドにより吸収されることが防止され、発光効率が改善される。以下では、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、説明を簡略化するために、同じ構成要素には同じ符号を付している。実施形態1本発明の実施形態1に係る窒化物系LED101の構造を図1に示す。図1aは平面図、図1bは図1aのX-X線の位置における断面図である。窒化物系LED101は、GaN基板11の上に、窒化物半導体からなるn型層12、発光層13およびp型層14が積層された構造を有している。各層は、MOVPE法のような気相成長法を用いて形成されたエピタキシャル層である。最上部に位置するエピタキシャル層はp型層14である。GaN基板11はストライプコア基板であり、欠陥集合領域であるストライプコアAと、転位密度の低い単結晶領域Bとを有している。図2に示すように、ストライプコアAは、GaN基板11を平面視したときに直線状を呈する欠陥集合領域であり、40~200μmの幅を有している。p型層14はGaN基板11のストライプコアAの直上に高欠陥密度部Cを有している。p型層14のその他の部分は、高欠陥密度部Cよりも欠陥密度の低い低欠陥密度部Dである。p型層14の表面には透光性オーミック電極層15が、高欠陥密度部C上から低欠陥密度部D上にわたって形成されている。その透光性オーミック電極層15上の一部にボンディングパッド16が形成されている。電流拡散を促進するために、ボンディングパッド16には細長い帯状の電流拡散部16aが付加されている。透光性オーミック電極層15とp型層14の高欠陥密度部Cとの間には電流ブロック層17が設けられており、ボンディングパッド16はこの電流ブロック層17の上方に配置されている。p型層14と発光層13が一部除去された部分に露出するn型層12の表面には、n側電極18が形成されている。電流ブロック層17は、p型キャリアがエピタキシャル層中の欠陥密度の高い部分に注入されて失活するのを防止する目的で設けられている。ボンディングパッド16は、電流ブロック層17の上方に配置されている。導電性の低いp型層14の内部では、p型キャリアが横方向厚さ方向に直交する方向に殆ど拡散しないので、発光層13へのp型キャリアの注入が起こるのは、透光性オーミック電極層15からp型層14にp型キャリアが注入される領域の直下のみである。つまり、p型層14と透光性オーミック電極層15が接している部分の直下の領域のみである。窒化物系LED101では、ボンディングパッド16が電流ブロック層17の上方に形成されているので、ボンディングパッドの直下では発光層13へのp型キャリア注入が起こらない。つまり、ボンディングパッドの直下では発光が生じない。ボンディングパッドの直下で生じる光の多くの部分はボンディングパッドに吸収されて失われることから、このような光の発生を防止すれば、発光効率が改善される。窒化物系LED101を回路基板やリードフレームのような支持体上に実装する場合には、GaN基板11側を支持体に向けるジャンクションアップ実装と、エピタキシャル層側を支持体に向けるジャンクションダウン実装フリップチップ実装の、いずれの実装形式を採用してもよい。ジャンクションアップ実装の場合には、ボンディングワイヤと呼ばれる電流供給用のワイヤがボンディングパッド16に接合される。ジャンクションダウン実装の場合には、外部の電極端子とボンディングパッド16とが、ハンダ例えば、AuSnハンダ、導電性ペースト例えば、Agペーストを用いて接合される。実施形態2本発明の実施形態2に係る窒化物系LED102の構造を図3に示す。図3aは平面図、図3bは図3aのX-X線の位置における断面図である。前述の実施形態1に係る窒化物系LEDでは、部分的に露出したn型層12の表面にn側電極18が形成されているのに対し、窒化物系LED102では、n側電極18がGaN基板11の裏面に形成されている。この窒化物系LED102を実装する場合には、通常、ジャンクションアップ実装が採用される。実施形態3本発明の実施形態3に係る窒化物系LED103の構造を図4および図5に示す。図4は平面図、図5aは図4のX1-X1線の位置における断面図、図5bは図4のX2-X2線の位置における断面図である。窒化物系LED103はジャンクションダウン実装したときの姿勢が安定となるよう、透光性オーミック電極15上に4個のボンディングパッド16を設けている。また、ジャンクションダウン実装したときに、GaN基板11の裏面から光が十分に取り出されるように、該裏面上の一部のみにn側電極18が設けられている。窒化物系LED103では、4個のボンディングパッド16がいずれもp型層14の高欠陥密度領域C上に、電流ブロック層17を介して配置された構成が得られるように、GaN基板11を区画して用いている。すなわち、図6に示すように、平面視したときに、ストライプコアAが両端に配置され、中央部に単結晶領域Bが配置されるように、GaN基板11を区画して用いている。好適な実施形態次に、上述の各実施形態に係る窒化物系LEDにおいて採用し得る、各部の好適な構成について説明する。GaN基板11の上にエピタキシャル成長されるn型層12、発光層13およびp型層14のそれぞれは、半導体結晶の組成や不純物濃度が厚さ方向に一定である必要はなく、例えば、多層構造を有していてもよい。また、GaN基板11とn型層12の間、n型層12と発光層13の間、発光層13とp型層14の間には、公知技術を参照して、様々な機能を有する窒化物半導体層を挿入することができる。例えば、欠陥低減層、歪緩和層、キャリアブロック層などである。透光性オーミック電極層15は、好ましくは、透明導電性酸化物を含む透光性薄膜である。透明導電性酸化物としては透過率の高いものを用いることが望ましく、具体的には、ITO、IZOインジウム亜鉛酸化物などの酸化インジウムベースのTCO、AZOアルミニウム亜鉛酸化物、GZOガリウム亜鉛酸化物などの酸化亜鉛ベースのTCO、FTOフッ素ドープ酸化錫などの酸化錫ベースのTCOが例示される。透明導電性酸化物は窒化物半導体より低い屈折率を有することから、透光性オーミック電極層15を透明導電性酸化物で形成すると、p型層14と透光性オーミック電極層15との界面は良質な反射面となる。ボンディングパッド16は、最下部に、発光層13で生じる光に対する反射率の高い金属で形成された高反射層を有することが望ましい。窒化物系LEDの典型的な発光波長は360~500nmであることから、高反射層に用いる好ましい金属としては、Al、Ag、Rhなどが例示される。Ti、Nd、Si、Cu、Mg、Mn、Crなどの元素が添加されたAlや、Cu、Au、Pd、Nd、Si、Ir、Ni、W、Zn、Ga、Ti、Mg、Y、In、Snなどの元素が添加されたAgも、高反射層の材料として好ましく使用できる。透光性オーミック電極層16を透光性の高い透明導電性酸化物膜としたとき、高反射層の効果は特に顕著となる。ボンディングパッド16は、また、Au層のような、酸化し難い表面層を有することが望ましい。n側電極18は、n型層12またはGaN基板11と接する部分を、Al、Ti、W、Ni、CrもしくはVの単体、または、これらから選ばれる1種以上の金属を含む合金で形成することが好ましい。中でも、Alは特に好ましい材料である。Alは、Ti、Nd、Si、Cu、Mg、Mn、Crなどの添加元素を含んでいてもよい。また、n側電極18は、n型層12またはGaN基板11と接する部分に透明導電性酸化物膜、すなわち、酸化インジウム、ITO、IZO、酸化亜鉛、AZO、GZO、酸化錫、FTOなどからなる透光性薄膜を有していてもよい。また、n側電極18は、Au層のような、酸化し難い表面層を有することが望ましい。電流ブロック層17は、絶縁性の無機材料で形成することができる。具体的な材料としては、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、スピネル、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムのような金属酸化物、あるいは、PSG、BPSG、スピンオングラスのようなガラスが例示される。電流ブロック層17は、好ましくは、p型層14よりも低い屈折率を有する、透光性薄膜である。GaN基板11の厚さは、エピタキシャル層の形成に使用する時点では400μm以上であることが望ましいが、エピタキシャル層の形成後には、裏面にグラインディング加工、ラッピング加工、ポリッシング加工などを施すことによって、100μm以下にまで減じ得る。光取出し効率を改善するためには、GaN基板11の裏面を粗面texturedsurfaceとすることが有効である。GaN基板11の裏面は、KOHを用いたウェットエッチングあるいはPECによって粗化できる他、エッチングマスクを用いたドライエッチング加工によって粗化することもできる。エッチングマスクはフォトリソグラフィ技法やレーザ干渉露光法を用いて所定の形状にパターニングされたものであってもよい。また、エッチングマスクは、メタル薄膜を加熱したときに自発的に生じるボールアップ現象や、非相容性のポリマーを混合したときに自発的に生じるミクロ相分離現象を利用して形成される、ナノマスクであってもよい。粗化されたGaN基板11の裏面に電極を形成する必要がある場合、この電極は透明導電性酸化物で形成する。この電極をメタルで形成すると、強い光吸収体となるので好ましくない。本発明は、本明細書に記載された実施形態に限定されない。