"リソグラフィーで用いられるレジスト組成物であって、少なくとも、酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物Aと、高エネルギー線に感応して下記一般式1で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤Bと、下記一般式2で示される高分子添加剤Cとを含むことを特徴とするレジスト組成物。R200-CF2SO3H1式中、R200はハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~23の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基もしくはアラルキル基、又はアリール基であり、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。式中、R1、R4、R7、R9はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。X1は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい置換又は非置換の炭素数1~10の直鎖状、分岐状、又は環状の、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基のいずれかを示すか、置換又は非置換の炭素数6~20の、アリール基、アラルキル基、アリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、あるいはR2とR3が式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R5、R10は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキレン基を示し、水素原子がフッ素原子で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R6は水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR5、R6及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。同様にR11も水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR10、R11及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。n、mはそれぞれ独立に、1又は2である。n=1、m=1の場合、Y1、Y2はそれぞれ独立に、単結合、又はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキレン基であり、n=2、m=2の場合、Y1、Y2は前記n=1、m=1の場合のY1、Y2として示したアルキレン基から水素原子を1つ除いた三価の連結基を示す。R8は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基であり、少なくとも1個のフッ素原子で置換されていて、エーテル結合、エステル結合、又はスルホンアミド基を有していてもよい。R12は酸不安定基を示す。R13、R14はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。j、kはそれぞれ独立に、0又は1である。M-は下記一般式3で示されるアルカンスルホン酸イオン、下記一般式4で示されるアレーンスルホン酸イオン、及び下記一般式5で示されるカルボン酸イオンのいずれかを示す。a、b-1、b-2、b-3は0<a<1.0、0≦b-1<1.0、0≦b-2<1.0、0≦b-3<1.0、0<b-1b-2b-3<1.0、0.5≦ab-1b-2b-3≦1.0を満足する数である。式中、R108、R109、R110はそれぞれ独立に、水素原子又はフッ素以外のハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R108、R109、R110の2つ以上が相互に結合して環を形成してもよい。R111-SO3-4式中、R111は炭素数1~20のアリール基を示す。該アリール基の水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよく、また、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基で一つ又は複数置換されていてもよい。R112-COO-5式中、R112はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。前記光酸発生剤Bが下記一般式6で示されるスルホン酸を発生するものであることを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。R201-CF2SO3H6式中、R201はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~23の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基もしくはアラルキル基、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよいが、パーフルオロアルキル基ではない。前記光酸発生剤Bが下記一般式7で示されるスルホン酸を発生するものであることを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。Rf-CHOCOR202-CF2SO3H7式中、Rfは水素原子又はCF3基を示す。R202は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。前記光酸発生剤Bが下記一般式8で示されるスルホン酸を発生するものであることを特徴とする請求項1に記載のレジスト組成物。R203-OOC-CF2SO3H8式中、R203は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。前記ベース樹脂としての高分子化合物Aが酸不安定基を含む構造の繰り返し単位を有し、前記組成物がポジ型レジスト組成物であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のレジスト組成物。前記ベース樹脂としての高分子化合物Aが、前記酸不安定基を含む構造の繰り返し単位の他、更にラクトン環を含む構造の繰り返し単位を有するものであることを特徴とする請求項5に記載のレジスト組成物。前記組成物がネガ型レジスト組成物であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のレジスト組成物。更に、有機溶剤、塩基性化合物、架橋剤、及び界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のレジスト組成物。基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。前記高エネルギー線を波長180~250nmの範囲のものとすることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成方法。前記高エネルギー線で露光する工程を、前記レジスト膜が形成された基板と投影レンズとの間に液体を挿入し、該液体を介して露光する液浸露光により行うことを特徴とする請求項9又は10に記載のパターン形成方法。前記液浸露光において、前記レジスト膜上に保護膜を設けることを特徴とする請求項11に記載のパターン形成方法。前記液体として水を用いることを特徴とする請求項11又は12に記載のパターン形成方法。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、リソグラフィー性能、具体的にはパターン矩形性とLWRLineWidthRoughness、及び倒れ耐性を改善させると同時に、高い後退接触角を示し、更に、保護膜を用いる液浸露光及び保護膜を用いない液浸露光の両用においてブロッブ欠陥の発生を抑えることが可能なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、リソグラフィーで用いられるレジスト組成物であって、少なくとも、酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物Aと、高エネルギー線に感応して下記一般式1で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤Bと、下記一般式2で示される高分子添加剤Cとを含むことを特徴とするレジスト組成物を提供する。R200-CF2SO3H1式中、R200はハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~23の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基もしくはアラルキル基、又はアリール基であり、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。式中、R1、R4、R7、R9はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。X1は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい置換又は非置換の炭素数1~10の直鎖状、分岐状、又は環状の、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基のいずれかを示すか、置換又は非置換の炭素数6~20の、アリール基、アラルキル基、アリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、あるいはR2とR3が式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R5、R10は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキレン基を示し、水素原子がフッ素原子で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R6は水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR5、R6及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。同様にR11も水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR10、R11及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。n、mはそれぞれ独立に、1又は2である。n=1、m=1の場合、Y1、Y2はそれぞれ独立に、単結合、又はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキレン基であり、n=2、m=2の場合、Y1、Y2は前記n=1、m=1の場合のY1、Y2として示したアルキレン基から水素原子を1つ除いた三価の連結基を示す。R8は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基であり、少なくとも1個のフッ素原子で置換されていて、エーテル結合、エステル結合、又はスルホンアミド基を有していてもよい。R12は酸不安定基を示す。R13、R14はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。j、kはそれぞれ独立に、0又は1である。M-は下記一般式3で示されるアルカンスルホン酸イオン、下記一般式4で示されるアレーンスルホン酸イオン、及び下記一般式5で示されるカルボン酸イオンのいずれかを示す。a、b-1、b-2、b-3は0<a<1.0、0≦b-1<1.0、0≦b-2<1.0、0≦b-3<1.0、0<b-1b-2b-3<1.0、0.5≦ab-1b-2b-3≦1.0を満足する数である。式中、R108、R109、R110はそれぞれ独立に、水素原子又はフッ素以外のハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R108、R109、R110の2つ以上が相互に結合して環を形成してもよい。R111-SO3-4式中、R111は炭素数1~20のアリール基を示す。該アリール基の水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよく、また、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基で一つ又は複数置換されていてもよい。R112-COO-5式中、R112はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。このようなレジスト組成物であれば、リソグラフィー性能、具体的にはパターン矩形性とLWR、及び倒れ耐性を改善させると同時に、保護膜を用いない液浸露光が可能な高い後退接触角を示し、更に、保護膜を用いる液浸露光及び保護膜を用いない液浸露光の両用においてブロッブ欠陥の発生を抑えることが可能である。この場合、前記光酸発生剤Bが下記一般式6、下記一般式7、及び下記一般式8のいずれかで示されるスルホン酸を発生することが好ましい。R201-CF2SO3H6式中、R201はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~23の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基もしくはアラルキル基、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよいが、パーフルオロアルキル基ではない。Rf-CHOCOR202-CF2SO3H7式中、Rfは水素原子又はCF3基を示す。R202は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。R203-OOC-CF2SO3H8式中、R203は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。このように、特に光酸発生剤Bが上記一般式6、上記一般式7、及び上記一般式8のいずれかで示される構造のスルホン酸を発生する場合、環境負荷を軽減できるという点で好ましく、中でも上記一般式7、上記一般式8で示される構造のスルホン酸を発生する場合、リソグラフィー性能の観点で好ましい。また、前記組成物は、ポジ型レジスト組成物であっても、ネガ型レジスト組成物であってもよい。ポジ型レジスト組成物の場合には、前記ベース樹脂としての高分子化合物Aが酸不安定基を含む構造の繰り返し単位を有するものであることが好ましく、更にラクトン環を含む構造の繰り返し単位を有することが好ましい。このようなポジ型レジスト組成物であれば、ベース樹脂としての高分子化合物Aが酸不安定基を有する繰り返し単位を有することで、露光時に酸発生剤が発生する酸により酸不安定基を脱離させて、レジスト露光部を現像液に溶解させるように変換することにより、極めて高精度なパターンを得ることができる。更に、ベース樹脂としての高分子化合物Aがラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を含むことで、基板との高い密着性を実現できる。また、前記レジスト組成物が、更に、有機溶剤、塩基性化合物、架橋剤、及び界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることが好ましい。このように、更に有機溶剤を配合することによって、例えば、レジスト組成物の基板等への塗布性を向上させることができるし、塩基性化合物を配合することによって、レジスト膜中での酸の拡散速度を抑制し、解像度を一層向上させることができるし、界面活性剤を添加することによってレジスト組成物の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。尚、ネガ型レジスト組成物の場合は架橋剤を配合することもでき、基板等への塗布後にベーク等により、レジスト膜内での架橋反応を促進し、レジストパターンの形状等をより良好なものとすることができる。また本発明は、基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、前記レジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。もちろん、露光後加熱処理を加えた後に現像してもよいし、エッチング工程、レジスト除去工程、洗浄工程等その他の各種の工程が行われてもよいことは言うまでもない。この場合、前記高エネルギー線を波長180~250nmの範囲のものとすることが好ましい。本発明のレジスト組成物を用いたパターン形成方法においては、目的の微細パターンを得る上で、波長180~250nmの範囲の高エネルギー線による露光が最適である。また、前記高エネルギー線で露光する工程を、前記レジスト膜が形成された基板と投影レンズとの間に液体を挿入し、該液体を介して露光する液浸露光により行うことができる。この場合、前記液浸露光において、前記レジスト膜上に保護膜を設けることができ、また、前記液体として水を用いることができる。本発明のレジスト組成物を用いたパターン形成方法においては、特に水を用いた液浸露光を行なった場合にもパターン形成が良好で、このような液浸露光において保護膜を設けた場合にもブロッブ欠陥を防ぐことが可能である。以上説明したように、本発明は、リソグラフィー性能、具体的にはパターン矩形性とLWR、及び倒れ耐性に優れ、かつ、保護膜を用いない液浸露光が可能な高い後退接触角を示し、更に、保護膜を用いる液浸露光及び保護膜を用いない液浸露光の両用においてブロッブ欠陥が少ないレジスト組成物を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。前述のように、従来のレジスト組成物には、パターン矩形性が損なわれる、パターン形状変化、パターン倒れ等のパターン形成不良を起こす、ブロッブと呼ばれる残渣欠陥が発生する等の問題点があった。本発明者らは、上記した問題を解決するため鋭意検討及び研究を重ねた結果、酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物Aの他に、特定の構造のスルホン酸を発生する光酸発生剤B、及び特定の構造の高分子化合物高分子添加剤Cを含むレジスト組成物が、1リソグラフィー性能が優れること、具体的にはパターンの矩形性とLWR、及び倒れ耐性が優れると同時に、2保護膜を用いない液浸露光が可能な高い後退接触角を示し、3また、保護膜を用いる液浸露光及び保護膜を用いない液浸露光の両用においてブロッブ欠陥の発生を抑制することを知見するに至り、本発明を完成させた。本発明のレジスト組成物は、リソグラフィーで用いられるレジスト組成物であって、少なくとも、酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物Aと、高エネルギー線に感応して下記一般式1で示されるα位がフッ素で置換されたアルカンスルホン酸を発生する光酸発生剤Bと、下記一般式2で示されるフルオロアルキル基とスルホニウム塩を有する高分子添加剤Cとを含み、高分子添加剤Cが有するスルホニウム塩のアニオン部分が下記一般式3、下記一般式4、及び下記一般式5のいずれかで示されるスルホン酸イオン又はカルボン酸イオンであることを特徴とするものである。R200-CF2SO3H1式中、R200はハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~23の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基もしくはアラルキル基、又はアリール基であり、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。式中、R1、R4、R7、R9はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。X1は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい置換又は非置換の炭素数1~10の直鎖状、分岐状、又は環状の、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基のいずれかを示すか、置換又は非置換の炭素数6~20の、アリール基、アラルキル基、アリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、あるいはR2とR3が式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R5、R10は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキレン基を示し、水素原子がフッ素原子で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R6は水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR5、R6及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。同様にR11も水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR10、R11及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。n、mはそれぞれ独立に、1又は2である。n=1、m=1の場合、Y1、Y2はそれぞれ独立に、単結合、又はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキレン基であり、n=2、m=2の場合、Y1、Y2は前記n=1、m=1の場合のY1、Y2として示したアルキレン基から水素原子を1つ除いた三価の連結基を示す。R8は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基であり、少なくとも1個のフッ素原子で置換されていて、エーテル結合、エステル結合、又はスルホンアミド基を有していてもよい。R12は酸不安定基を示す。R13、R14はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。j、kはそれぞれ独立に、0又は1である。M-は下記一般式3で示されるアルカンスルホン酸イオン、下記一般式4で示されるアレーンスルホン酸イオン、及び下記一般式5で示されるカルボン酸イオンのいずれかを示す。a、b-1、b-2、b-3は0<a<1.0、0≦b-1<1.0、0≦b-2<1.0、0≦b-3<1.0、0<b-1b-2b-3<1.0、0.5≦ab-1b-2b-3≦1.0を満足する数である。式中、R108、R109、R110はそれぞれ独立に、水素原子又はフッ素以外のハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R108、R109、R110の2つ以上が相互に結合して環を形成してもよい。R111-SO3-4式中、R111は炭素数1~20のアリール基を示す。該アリール基の水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよく、また、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基で一つ又は複数置換されていてもよい。R112-COO-5式中、R112はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。高分子添加剤Cが有するスルホニウム塩は、光酸発生剤Bより発生する強酸を塩交換反応によりクエンチするが、高分子添加剤Cがベース樹脂となる高分子化合物Aよりも相対的にレジスト膜表層に多く分布する傾向をもつため、特に表層の過剰な酸を効果的にクエンチし、パターン矩形性を向上させたものと考えられる。また、高分子添加剤Cは露光部で酸クエンチ能を失うため、溶解速度の露光量依存性コントラストが向上し、微細パターンのリソグラフィー性能向上、具体的には限界解像性とLWRが改善されたものと考えられる。ポリマー主鎖に光酸発生剤としてスルホニウム塩を導入する試みは古くから行なわれている例えば、特開平4-230645号公報、特開2006-171656号公報、米国特許5,130,392等参照が、これらはポジ型レジストポリマーの酸不安定基の酸分解、又はネガ型レジストポリマーと酸架橋剤の反応において、強酸触媒として機能させることを目的にしたものである。一方、本発明の高分子添加剤Cが含有する、弱酸カルボン酸やアレーンスルホン酸、α位がフッ素化されていないアルカンスルホン酸を発生する光酸発生剤基は、光酸発生剤Bより発生した強酸フッ素含有スルホン酸を捕捉するクエンチャーとしての機能発現を目的としたものである。また、液浸リソグラフィー工程において、フォトレジスト膜上層に保護膜の塗布を行う場合、保護膜材料にはアルカリ溶解性と撥水性を両立させるために、αトリフルオロメチルヒドロキシル基を有する高分子化合物をベースとし、レジスト膜を溶解させない炭素数4以上の高級アルコール、エーテル、アルカン、フッ素原子等から選ばれる溶媒に溶解しているものが好適に使われる。本発明のフルオロアルキル基とスルホニウム塩を有する高分子添加剤Cは、前記保護膜用溶媒に対する溶解性が低いため、保護膜とレジスト膜との間にインターミキシングを防止するバリヤ層を形成する。このために、現像後のレジスト膜表層に疎水性の保護膜材料が残らず、ブロッブ欠陥の発生を防ぐことができたものと考えられる。更に、本発明の高分子添加剤Cが含有するフルオロアルキル基の疎水性により、本発明のレジスト組成物は高い後退接触角を示し、保護膜を用いない液浸露光にも適用可能であるが、同時に、本発明の高分子添加剤Cが含有するスルホニウム塩より発生した弱酸のアルカリ現像液に対する溶解促進能によって現像時に表層が溶解し、疎水性の高分子添加剤Cが除去されるため、保護膜を用いる液浸露光及び保護膜を用いない液浸露光の両用においてブロッブ欠陥の発生を防ぐことができたのではないかと考えられる。以下、本発明の各成分について以下に説明する。まず、本発明のレジスト組成物が含有する酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物Aについて詳しく説明する。ポジ型レジストの提供を目的とした場合、高分子化合物Aは酸によってアルカリ溶解性が向上する特徴を有し、少なくとも酸不安定基を含む構造の繰り返し単位を有するものであることが好ましく、更にラクトン環の密着性基を含む構造の繰り返し単位を有するものであることがより好ましい。このようなポジ型レジスト組成物であれば、ベース樹脂となる高分子化合物Aが酸不安定基を有する繰り返し単位を有することで、露光時に酸発生剤が発生する酸により酸不安定基を脱離させて、レジスト露光部を現像液に溶解させるように変換することにより、極めて高精度なパターンを得ることができる。更に、ベース樹脂となる高分子化合物Aがラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を含むことで、基板との高い密着性を実現できる。また、ネガ型レジストの提供を目的とした場合、高分子化合物Aは酸によってアルカリ溶解性が低下する特徴を有し、少なくともヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有するアルカリ溶解性の繰り返し単位を含むものであることが好ましい。アルカリ溶解性を低下させる機構については特に限定されず、例えば、アルカリ溶解性の繰り返し単位が露光時に酸発生剤が発生する酸により保護されて現像液に不溶となる機構や、上記ヒドロキシル基とカルボキシル基の酸触媒脱水縮合による分子内又は分子間の架橋反応を利用した機構の他、レジスト組成物の成分として酸発生剤の他に架橋剤を含有させ、ベース樹脂と架橋剤の酸触媒架橋反応によりアルカリ溶解性を低下させるという機構等が挙げられる。レジスト用ベース樹脂となる高分子化合物Aとしては、酸によってアルカリ溶解性が変化する高分子化合物であれば何でもよく、例えば下記式R-1で示される構造を有し、GPCによるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000~100,000、好ましくは3,000~30,000であるメタアクリレート樹脂を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。上記式中、R001~R005はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。R006は、水素原子であるか、炭素数1~15の含フッ素置換基、カルボキシル基、水酸基、酸素原子のいずれか1種以上を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシシクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキシノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル、ジヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル等が例示できる。R007は、酸素原子を含んでいてもよい、炭素数3~15のラクトン環の部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には2-オキソオキソラン-3-イル、2-オキソオキソラン-4-イル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イル等を例示できる。R008は、炭素数1~20のエステル結合、エーテル結合、カルボニル基を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、水素原子の1つ以上がフッ素原子で置換されていてもよく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、メトキシエチル基、メトキシカルボニルメチル基等を例示できる。R009は、炭素数6~20のアリール基を示し、水素原子の1つ以上が水酸基、カルボキシル基、アルキル基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、炭素数1~15の含フッ素置換基で置換されていてもよく、具体的にはフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基、カルボキシフェニル基、メトキシフェニル基、tert-ブチルフェニル基、tert-ブトキシフェニル基を例示できる。R10は酸不安定基である。詳しくは後述する。a1’、b1’、c1’、d1’、e1’は0以上1未満の数であり、a1’b1’c1’d1’e1’=1を満足するものが好ましい。R010の酸不安定基としては種々用いることができるが、具体的には下記一般式L1で示されるアルコキシアルキル基、L2~L8で示される三級アルキル基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。特に好ましい酸不安定基はL2~L5で示される構造を有するものである。上記式中、破線は結合手を示す。また、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。RL04、RL05、RL06はそれぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基を示す。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基等が例示できる。RL07は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。m’’は0又は1、n’’は0,1,2,3のいずれかであり、2m’’n’’=2又は3を満足する数である。RL08は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。RL09~RL18はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~15の一価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL09~RL18は互いに結合して環を形成していてもよく例えば、RL09とRL10、RL09とRL11、RL10とRL12、RL11とRL12、RL13とRL14、RL15とRL16等、その場合には炭素数1~15の二価の炭化水素基を示し、具体的には上記一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL09~RL18は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL09とRL11、RL11とRL17、RL15とRL17等。RL19は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。RL20は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。X’はこれが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、又はノルボルナン環を形成する二価の基を表す。RL21、RL22はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状の一価炭化水素基を表し、あるいは、RL21とRL22は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、又はシクロヘキサン環を形成する二価の基を表す。pは1又は2を表す。RL23は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。Yはこれが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、又はノルボルナン環を形成する二価の基を表す。RL24、RL25はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状の一価炭化水素基を表し、あるいは、RL24とRL25は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、又はシクロヘキサン環を形成する二価の基を表す。qは1又は2を表す。RL26は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL07と同様のもの等が例示できる。Zはこれが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、又はノルボルナン環を形成する二価の基を表す。RL27、RL28はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状の一価炭化水素基を表し、あるいは、RL27とRL28は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、又はシクロヘキサン環を形成する二価の基を表す。上記一般式L1で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。上記一般式L1で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が例示できる。上記一般式L2の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、及び下記の基が例示できる。上記一般式L3の酸不安定基としては、具体的には1-メチルシクロペンチル、1-エチルシクロペンチル、1-n-プロピルシクロペンチル、1-イソプロピルシクロペンチル、1-n-ブチルシクロペンチル、1-sec-ブチルシクロペンチル、1-シクロヘキシルシクロペンチル、1-4-メトキシ-n-ブチルシクロペンチル、1-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-メチルシクロヘキシル、1-エチルシクロヘキシル、3-メチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-エチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-メチル-1-シクロヘキセン-3-イル、3-エチル-1-シクロヘキセン-3-イル等が例示できる。上記一般式L4の酸不安定基としては、下記一般式L4-1~L4-4で示される基が特に好ましい。上記一般式L4-1~L4-4中、破線は結合位置及び結合方向を示す。RL41はそれぞれ独立に、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の一価炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。上記一般式L4-1~L4-4には、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在し得るが、上記一般式L4-1~L4-4は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよく、混合物の場合にはそれらの混合物をも代表して示すものとする。例えば、上記一般式L4-3は、下記一般式L4-3-1、L4-3-2で示される基から選ばれる1種又は2種の混合物を代表して表すものとする。式中RL41は前述と同様である。また例えば、上記一般式L4-4は下記一般式L4-4-1~L4-4-4で示される基から選ばれる1種又は2種以上の混合物を代表して表すものとする。式中RL41は前述と同様である。尚、上記一般式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び上記一般式L4-4-1~L4-4-4の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される特開2000-336121号公報参照。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する三級exo-アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式L4-1-endo~L4-4-endoで示されるendo-アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50以上であることが好ましく、exo比率が80以上であることが更に好ましい。式中RL41は前述と同様である。上記一般式L4の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記一般式L5の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記一般式L6の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記一般式L7の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記一般式L8の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。尚、ネガ型レジスト材料のベース樹脂においては、上記の酸不安定基を含まないもの、即ち上記式R-1の場合においては、e1’が0のものが好適に用いられるが、これに限定されるものではない。上記式R-1において、組成比a1’で導入される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R-1において、組成比b1’で導入される繰り返し単位として具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R-1において、組成比c1’で導入される繰り返し単位として、具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R-1において、組成比d1’で導入される繰り返し単位として、具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記式R-1において、組成比e1’で導入される繰り返し単位は、酸不安定基を含む繰り返し単位であり、具体的には以下のものが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記A成分のアルカリ現像液に対する溶解速度が変化するベース樹脂としては、上記式R-1で示されるメタアクリレート樹脂以外に、以下i~ivの樹脂を挙げることができるが、これらに限定されない。iα-トリフルオロメチルアクリル酸誘導体iiノルボルネン誘導体-無水マレイン酸の共重合体iii開環メタセシス重合体の水素添加物ivビニルエーテル-無水マレイン酸-メタアクリル酸誘導体このうち、iiiの開環メタセシス重合体水素添加物の合成法は、特開2003-66612号公報の実施例に具体的な記載がある。また、具体例としては以下の繰り返し単位を有するものを挙げることができるが、これに限定されない。更に、下記一般式PAに示される感光性のスルホニウム塩を有する繰り返し単位を上記式R-1に共重合、含有させることもできる。式中、Rp1は水素原子又はメチル基、Rp2はフェニレン基、-O-Rp5-、及び-C=O-Q-Rp5-のいずれかである。Qは酸素原子又はNH、Rp5は炭素数1~6の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基もしくはアルケニレン基、又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。Rp3、Rp4は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、チオフェニル基のいずれかを表す。X-は非求核性対向イオンを表す。更に、インデン類、ノルボルナジエン類、アセナフチレン類、ビニルエーテル類を共重合することもできる。尚、上記ベース樹脂を構成する高分子化合物Aは、1種に限らず2種以上を添加することができる。複数種の高分子化合物を用いることにより、レジスト組成物の性能を調整することができる。更に本発明のレジスト組成物は、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等の高エネルギー線に感応して、下記一般式1で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤Bを含有する。R200-CF2SO3H1ここで、R200はハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~23の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基もしくはアラルキル基、又はアリール基であり、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。上記一般式1で示される具体的なスルホン酸の例としては、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トリデカフルオロヘキサンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート等のパーフルオロアルキルスルホン酸や1,1-ジフルオロ-2-ナフチル-エタンスルホン酸、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホン酸、1,1-ジフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホン酸、1,1-ジフルオロ-2-オキソ-2-5-オキソアダマンタン-1-イルオキシエタンスルホン酸、2-アダマンタン-1-イルメチル-1,1-ジフルオロ-2-オキソエタンスルホン酸、1,1-ジフルオロ-2-オキソ-2-5-オキソ-3,4-ジオキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ-2-イルオキシエタンスルホン酸、2-アダマンタン-1-カルボニルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホン酸、2-ピバロイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホン酸等のアルキルスルホン酸やアラルキルスルホン酸の水素原子の一部がフッ素置換された構造が挙げられる。中でも好ましいスルホン酸は下記一般式6で示される構造、即ちパーフルオロアルキルスルホン酸でないスルホン酸である。R201-CF2SO3H6ここで、R201はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~23の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基もしくはアラルキル基、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよいが、パーフルオロアルキル基ではない。上記一般式6で示されるスルホン酸は、上記一般式1で示されるフッ素の置換率を下げた部分フッ素置換アルカンスルホン酸であり、このようなスルホン酸を発生する酸発生剤であれば、生体濃縮性、蓄積性が非常に低く、環境負荷を軽減できるという点で好ましい。上記一般式6で示される具体的なスルホン酸の例としては、上記一般式1で示される具体的なスルホン酸として例示したアルキルスルホン酸やアラルキルスルホン酸の水素原子の一部がフッ素置換された構造の他、1,1,2,2-テトラフルオロ-2-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ-3-エン-8-イルエタンスルホン酸、2-ピバロイルオキシ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンスルホン酸、2-アダマンタン-1-カルボニルオキシ-1,1-ジフルオロエタンスルホン酸、2-5-オキソアダマンタン-1-カルボニルオキシ-1,1-ジフルオロエタンスルホン酸等が挙げられる。部分フッ素置換アルカンスルホン酸を発生する酸発生剤は、既に公開されている例もあり、例えば、特表2004-531749号公報には、α,α-ジフルオロアルケンと硫黄化合物によりα,α-ジフルオロアルキルスルホン酸塩を開発し、露光によりこのスルホン酸を発生する光酸発生剤、具体的にはジ4-tert-ブチルフェニルヨードニウム1,1-ジフルオロ-1-スルホネート-2-1-ナフチルエチレンを含有するレジスト材料や特開2004-2252号公報、特開2005-352466号公報等にも部分フッ素化アルカンスルホン酸を発生する光酸発生剤を用いたレジスト材料が公開されている。しかしながら、上記文献にて公開されている酸発生剤も、それだけでは解像性を向上させる効果が十分でなく、本発明が主張する、後に詳述する特定の高分子添加剤Cとの組み合わせが必要である。また、より好ましいスルホン酸は下記一般式7又は8で示される、エステル基を含む構造である。Rf-CHOCOR202-CF2SO3H7ここで、上記一般式7における式中、Rfは水素原子又はCF3基を示す。R202は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示し、より具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、sec-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン-2-イル基、フェニル基、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ビフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、10-アントラニル基、2-フラニル基等を示す。このR202の中で好ましく用いられるものは、tert-ブチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、フェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-ビフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等が挙げられ、より好ましくはtert-ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、4-tert-ブチルフェニル基が挙げられる。また、置換基を有するアルキル基、アリール基としては、2-カルボキシエチル基、2-メトキシカルボニルエチル基、2-シクロヘキシルオキシカルボニルエチル基、2-1-アダマンチルメチルオキシカルボニルエチル基、2-カルボキシシクロヘキシル基、2-メトキシカルボニルシクロヘキシル基、2-シクロヘキシルオキシカルボニルシクロヘキシル基、2-1-アダマンチルメチルオキシカルボニルシクロヘキシル基、2-カルボキシフェニル基、2-カルボキシナフチル基、4-オキソシクロヘキシル基、4-オキソ-1-アダマンチル基等が挙げられる。上記一般式7で示されるスルホン酸のより具体的な例を下記に示す。またこれら具体的に例示したスルホン酸の、2位に結合したトリフルオロメチル基を水素原子としたもの上記一般式7におけるRfが水素原子のものも上記例と同様に用いる事が出来る。R203-OOC-CF2SO3H8ここで、R203は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。より具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、sec-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、1-アダマンチルメチル基、1-3-ヒドロキシメチルアダマンチルメチル基、4-オキソ-1-アダマンチル基、1-ヘキサヒドロ-2-オキソ-3,5-メタノ-2H-シクロペンタ[b]フラン-6-イル基、1-3-ヒドロキシアダマンチルメチル基等が挙げられる。上記一般式8で示されるスルホン酸のより具体的な例を下記に示す。上記一般式1で示されるスルホン酸を発生する化学増幅レジスト組成物用の光酸発生剤Bとしては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、オキシムスルホネート、スルホニルオキシイミドに代表される化合物であるがこれに限定されるものではない。上記スルホニウム塩のアニオンは上述のスルホン酸アニオンであるが、カチオンを具体的に示すとトリフェニルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-ヒドロキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4―ヒドロキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジtert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジtert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジtert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル-2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、ジフェニル2-チエニルスルホニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、4-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられる。より好ましくはトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム等が挙げられる。更には、4-メタクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム等が挙げられる。これら重合可能なスルホニウムカチオンに関しては、特開平4-230645号公報、特開2005-84365号公報等を参考にすることができ、これら重合可能なスルホニウム塩は、上述した高分子化合物の構成成分のモノマーとして用いることができる。上記ヨードニウム塩のアニオンは上述のスルホン酸アニオンであるが、カチオンを具体的に示すとビス4-メチルフェニルヨードニウム、ビス4-エチルフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、ビス4-1,1-ジメチルプロピルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-アクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウム等が挙げられるが、中でもビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムが好ましく用いられる。N-スルホニルオキシイミド化合物は上述のスルホン酸がN-ヒドロキシイミドとスルホン酸エステル結合したものだが、スルホネート部を除くイミド骨格を具体的に下記に示す。また、イミド骨格は特開2003-252855号公報を参考にできる。尚、スルホネート部との結合位置を点線で示す。オキシムスルホネート化合物は、上述のスルホン酸がオキシムとスルホン酸エステル結合したものだが、より具体的なオキシムスルホネートの骨格を下記に示す。尚、スルホネート部との結合位置を点線で示す。また、これらオキシムスルホネートの骨格は、例えば特許第2906999号公報等、多数の公報に記載されている。ここで、上記一般式7で示されるスルホン酸塩及び光酸発生剤の合成は、特開2007-145797号公報、特開2009-7327号公報等を参考に行うことができる。上記一般式7で示されるスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩高いアシル基、ベンゾイル基、ナフトイル基、アントライル基等の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはArF液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。デバイス作製後のレジスト廃液処理の際にはエステル部位がアルカリ加水分解されるため、より低分子量の低蓄積性の化合物へと変換が可能であるし、燃焼による廃棄の際もフッ素置換率が低いため、燃焼性が高い。更に、本発明の上記一般式8で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤の合成方法は、特開2006-257078号公報記載のようにジフルオロスルホ酢酸ナトリウムと対応するアルコールを酸触媒により脱水縮合させるか、1,1’-カルボニルジイミダゾール存在下、対応するアルコールと反応する事によりスルホン酸ナトリウムを合成することが出来、このスルホン酸塩をスルホニウム塩、ヨードニウム塩とするには公知の方法で行う事が出来る。イミドスルホネート、オキシムスルホネートとするには上述のスルホン酸塩を公知の方法でスルホニルハライド、スルホン酸無水物とし対応するヒドロキシイミド、オキシムと反応させる事で合成することが出来る。上記一般式8で示されるスルホン酸も上記一般式7で示されるスルホン酸と同様に、分子内にエステル部位を有しているため、分子設計の幅を大きく持つことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはArF液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。デバイス作製後のレジスト廃液処理の際にはエステル部位がアルカリ加水分解されるため、より低分子量の低蓄積性の化合物へと変換が可能であるし、燃焼による廃棄の際もフッ素置換率が低いため、燃焼性が高い。本発明のレジスト組成物における光酸発生剤Bの添加量はいずれでもよいが、レジスト組成物中のベースポリマー本発明のレジスト組成物における樹脂成分である高分子化合物A及び必要に応じてその他の樹脂成分100質量部に対して0.1~20質量部、好ましくは0.1~15質量部である。光酸発生剤Bが上記の割合であれば、解像性の劣化や、現像/レジスト剥離時の異物の問題が起きる心配もない。上記光酸発生剤Bは、単独でも2種以上混合して用いることもできる。更に露光波長における透過率が低い光酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。また更に、上記の光酸発生剤Bの他に、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する別の光酸発生剤を含有してもよい。この光酸発生剤は高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもよく、従来からレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料で用いられている公知のいずれの光酸発生剤であってもよい。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。詳細については特開2009-269953号公報等に詳述されている。本発明のレジスト組成物は、上述の酸によってアルカリ溶解性が変化するベース樹脂となる高分子化合物A、及び上述の特定のスルホン酸を発生する光酸発生剤Bの他に、添加剤として下記一般式2で示される高分子化合物高分子添加剤Cを含有する。式中、R1、R4、R7、R9はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。X1は炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R2、R3はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい置換又は非置換の炭素数1~10の直鎖状、分岐状、又は環状の、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基のいずれかを示すか、置換又は非置換の炭素数6~20の、アリール基、アラルキル基、アリールオキソアルキル基のいずれかを示すか、あるいはR2とR3が式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。R5、R10は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキレン基を示し、水素原子がフッ素原子で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R6は水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR5、R6及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。同様にR11も水素原子、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、及びジフルオロメチル基のいずれかであるか、あるいはR10、R11及びこれらが結合する炭素原子とで炭素数2~12の脂環を形成してもよく、また、これらの環の中にエーテル結合やフッ素で置換されたアルキレン基又はトリフルオロメチル基を有していてもよい。n、mはそれぞれ独立に、1又は2である。n=1、m=1の場合、Y1、Y2はそれぞれ独立に、単結合、又はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキレン基であり、n=2、m=2の場合、Y1、Y2は前記n=1、m=1の場合のY1、Y2として示したアルキレン基から水素原子を1つ除いた三価の連結基を示す。R8は炭素数1~20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基であり、少なくとも1個のフッ素原子で置換されていて、エーテル結合、エステル結合、又はスルホンアミド基を有していてもよい。R12は酸不安定基を示す。R13、R14はそれぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。j、kはそれぞれ独立に、0又は1である。M-は後に詳述する。上記一般式2中の繰り返し単位aを得るための重合性モノマーは、下記一般式9で示される重合性基を有するスルホニウムカチオンと後述のアニオンM-から構成される塩である。式中、R1~R3、X1、R13、R14、j、kは前述と同様である。ここで、上記一般式9で示されるカチオンとして、具体的には下記に例示することができる。式中、R1は前述と同様である。また、対アニオンである上記一般式2中のM-は下記一般式3で示されるアルカンスルホン酸イオン、下記一般式4で示されるアレーンスルホン酸イオン、及び下記一般式5で示されるカルボン酸イオンのいずれかを示す。式中、R108、R109、R110はそれぞれ独立に、水素原子又はフッ素以外のハロゲン原子であるか、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。また、R108、R109、R110の2つ以上が相互に結合して環を形成してもよい。R111-SO3-4式中、R111は炭素数1~20のアリール基を示す。該アリール基の水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよく、また、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基で一つ又は複数置換されていてもよい。R112-COO-5式中、R112はカルボニル基、エーテル結合、エステル結合を含んでもよい炭素数1~20の直鎖状、分岐状、もしくは環状の、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基のいずれか、又はアリール基を示し、これらの基の水素原子がハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基で一つ又は複数置換されていてもよい。上記一般式3で示されるアルカンスルホン酸アニオンの具体例としては、メタンスルホネート、エタンスルホネート、プロパンスルホネート、ブタンスルホネート、ペンタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、シクロヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、10-カンファースルホネート等や下記のアニオンを例示できる。上記一般式4で示されるアレーンスルホン酸アニオンの具体例としては、ベンゼンスルホネート、4-トルエンスルホネート、2-トルエンスルホネート、任意の置換位置のキシレンスルホネート、トリメチルベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、4-メトキシベンゼンスルホネート、4-エチルベンゼンスルホネート、2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホネート、1-ナフタレンスルホネート、2-ナフタレンスルホネート、アントラキノン-1-スルホネート、アントラキノン-2-スルホネート、4-4-メチルベンゼンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、3,4-ビス4-メチルベンゼンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、6-4-メチルベンゼンスルホニルオキシナフタレン-2-スルホネート、4-フェニルオキシベンゼンスルホネート、4-ジフェニルメチルベンゼンスルホネート、2,4-ジニトロベンゼンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート等が例示される。上記一般式5で示されるカルボン酸アニオンの具体例としては、ギ酸アニオン、酢酸アニオン、プロピオン酸アニオン、酪酸アニオン、イソ酪酸アニオン、吉草酸アニオン、イソ吉草酸アニオン、ピバル酸アニオン、ヘキサン酸アニオン、オクタン酸アニオン、シクロヘキサンカルボン酸アニオン、シクロヘキシル酢酸アニオン、ラウリン酸アニオン、ミリスチン酸アニオン、パルミチン酸アニオン、ステアリン酸アニオン、フェニル酢酸アニオン、ジフェニル酢酸アニオン、フェノキシ酢酸アニオン、マンデル酸アニオン、ベンゾイルギ酸アニオン、ケイヒ酸アニオン、ジヒドロケイヒ酸アニオン、安息香酸アニオン、メチル安息香酸アニオン、サリチル酸アニオン、ナフタレンカルボン酸アニオン、アントラセンカルボン酸アニオン、アントラキノンカルボン酸アニオン、ヒドロキシ酢酸アニオン、ピバリン酸アニオン、乳酸アニオン、メトキシ酢酸アニオン、2-2-メトキシエトキシ酢酸アニオン、2-2-2-メトキシエトキシエトキシ酢酸アニオン、ジフェノール酸アニオン、モノクロロ酢酸アニオン、ジクロロ酢酸アニオン、トリクロロ酢酸アニオン、トリフルオロ酢酸アニオン、ペンタフルオロプロピオン酸アニオン、ヘプタフルオロ酪酸アニオン等が例示され、またコハク酸、酒石酸、グルタル酸、ピメリン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、シクロヘキセンジカルボン酸等のジカルボン酸のモノアニオンが例示できる。次に、上記一般式2中のb-1で示されるαトリフルオロメチルアルコール基を有する繰り返し単位を得るためのモノマーとしては、下記に例示することができる。式中、R4は前述と同様である。上記一般式2で示される繰り返し単位b-2を得るためのモノマーとしては、下記の具体例を挙げることができる。式中、R7は前述と同様である。上記一般式2で示される繰り返し単位b-3を得るためのモノマーとしては、上記一般式2中の繰り返し単位b-1で示されるトリフルオロメチルアルコールが酸不安定基R12で保護された構造の下記の具体例を挙げることができる。ここで、酸不安定基R12は種々用いることができるが、具体的にはベース樹脂の上記高分子化合物Aにおける酸不安定基R015と同様のものを挙げることができ、中でもR015の具体例L1で示されるアルコキシメチル基が特に好ましい。式中、R9は前述と同様である。本発明のレジスト組成物が含有する高分子添加剤Cは、必須成分の上記一般式2中のaで示される繰り返し単位と、b-1、b-2、及びb-3で示される繰り返し単位のうちいずれか1つ以上とから構成されるが、その他に、アルカリ溶解性を調整する目的でカルボキシル基を有する繰り返し単位cを共重合することができ、このような繰り返し単位cは、具体的には下記に例示することができる。また、高分子添加剤Cは、レジストベースポリマーとの混用性を向上させたり、レジスト表面の膜減りを抑えたりする目的のために、ラクトンの密着性基を有する繰り返し単位dや、酸不安定基を有する繰り返し単位eを共重合することができる。ラクトンの密着性基を有する繰り返し単位dや、酸不安定基を有する繰り返し単位eとしてはベース樹脂の上記高分子化合物Aに用いられるものと同様のものが例示でき、具体的には上記式R-1における組成比b1’、d1’の繰り返し単位として例示されたものを挙げることができる。本発明のレジスト組成物に含まれる、上記一般式2で示される高分子添加剤CのゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量としては、1,000~100,000、好ましくは2,000~30,000であるが、これらに限定されるものではない。分子量が1,000以上であれば液浸露光時に水に対する十分なバリヤ性能を発揮でき、フォトレジスト材料の水への溶出を十分に抑制できる。また、分子量が100,000以下であれば、該高分子化合物のアルカリ現像液への溶解速度が十分大きいため、これを含有したフォトレジスト膜を用いてパターン形成した場合に、樹脂の残渣が基板に付着するおそれが少ない。また、上記一般式2で示される高分子添加剤Cは、共重合比率や分子量、あるいは種類の異なるモノマー同士を共重合した2種類以上の高分子化合物を任意の割合で混合してレジスト組成物に配合してもよい。上記一般式2中の繰り返し単位a、b-1、b-2、b-3のモル換算の共重合比率は、0<a<1.0、0≦b-1<1.0、0≦b-2<1.0、0≦b-3<1.0、0<b-1b-2b-3<1.0、0.5≦ab-1b-2b-3≦1.0、好ましくは0<a<0.9、0≦b-1<0.9、0≦b-2<0.9、0≦b-1b-2≦0.9、0.1<b-3<0.9、0.6≦ab-1b-2b-3≦1.0である。また、上記繰り返し単位c、d、eを上記一般式2で示される繰り返し単位に共重合する場合、0≦c≦0.5、特に0≦c≦0.4、0≦d≦0.5、特に0≦d≦0.4、0≦e≦0.5、特に0≦e≦0.4とすることができ、ab-1b-2b-3cde=1である。尚、ここで、例えばab-1b-2b-3=1とは、繰り返し単位a、b-1、b-2を含む高分子化合物において、繰り返し単位a、b-1、b-2、b-3の合計量が全繰り返し単位の合計量に対して100モルであることを示し、ab-1b-2b-3<1とは、繰り返し単位a、b-1、b-2、b-3の合計量が全繰り返し単位の合計量に対して100モル未満で、a、b-1、b-2、b-3以外に他の繰り返し単位を有していることを示す。高分子添加剤Cのレジスト組成物への配合比は、レジスト組成物のベース樹脂となる高分子化合物A100質量部に対して0.01~50質量部、好ましくは0.1~10質量部がよい。配合比が0.01質量部以上であれば、フォトレジスト膜表面と水との後退接触角が十分に向上する。また、配合比が50質量部以下であれば、フォトレジスト膜のアルカリ現像液への溶解速度が小さく、形成した微細パターンの高さが十分に保たれる。本発明のレジスト組成物は、更に、有機溶剤、塩基性化合物、架橋剤及び界面活性剤のいずれか1つ以上を含有することが好ましい。本発明で使用される有機溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、レジスト組成物中のベース樹脂となる高分子化合物A100質量部に対して200~3,000質量部、特に400~2,500質量部が好適である。更に、本発明のレジスト組成物には、塩基性化合物として含窒素有機化合物を1種又は2種以上配合することができる。含窒素有機化合物としては、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適している。含窒素有機化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類、アンモニウム塩類等が好適に用いられる。具体的には特開2009-269953号公報に記載の含窒素有機化合物を例示することができる。尚、上記塩基性化合物は単独でも2種以上配合してもよい。また、塩基性化合物の配合量はベース樹脂100質量部に対して0.001~8質量部、特に0.01~5質量部が好適である。配合量が0.001質量部以上であれば配合効果が得やすく、8質量部以下であれば感度を適度に保つことができる。本発明のレジスト組成物中には、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加することができ、特開2009-269953号公報に記載のE定義成分を参照することができる。また、特開2008-122932号公報、特開2010-134012号公報、特開2010-107695号公報、特開2009-276363号公報、2009-192784号公報、2009-191151号公報、特開2009-98638号公報も参照でき、通常の界面活性剤並びにアルカリ可溶型界面活性剤を用いることができる。界面活性剤の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。上記の他に特開2007-297590号公報に記載の高分子型の界面活性剤を添加してもよく、添加量は、レジスト組成物のベース樹脂100質量部に対して0.001~20質量部、好ましくは0.01~10質量部の範囲である。本発明のレジスト組成物には、ネガ型レジスト用途等、必要に応じて慣用されている架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、分子内に2個以上のヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、エポキシ基又はビニルエーテル基を有する化合物が挙げられ、置換グリコウリル誘導体、尿素誘導体、ヘキサメトキシメチルメラミン等が好適に用いられる。例えばN,N,N’,N’-テトラメトキシメチル尿素とヘキサメチルメラミン、テトラヒドロキシメチル置換グリコールウリル類及びテトラメトキシメチルグリコールウリルのようなテトラアルコキシメチル置換グリコールウリル類、置換及び道間ビスヒドロキシメチルフェノール類、ビスフェノールA等のフェノール製化合物とエピクロロヒドリン等の縮合物が挙げられる。特に好適な架橋剤は、1,3,4,6-テトラメトキシメチルグリコールウリル等の1,3,4,6-テトラアルコキシメチルグリコールウリル又は1,3,4,6-テトラヒドロキシメチルグリコールウリル、2,6-ジヒドロキシメチルp-クレゾール、2,6-ジヒドロキシメチルフェノール、2,2’,6,6’-テトラヒドロキシメチルビスフェノール-A、及び1,4-ビス-[2-2-ヒドロキシプロピル]-ベンゼン、N,N,N’,N’-テトラメトキシメチル尿素とヘキサメトキシメチルメラミン等が挙げられる。添加量は任意であるが、レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対して好ましくは1~25質量部、より好ましくは5~20質量部である。これらは単独でも2種以上併用して添加してもよい。本発明では、上述した本発明のレジスト組成物を用いたパターン形成方法として、基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。この他、露光後加熱処理を加えた後に現像してもよいし、エッチング工程、レジスト除去工程、洗浄工程等その他の各種の工程が行われてもよいことは言うまでもない。具体的には下記の手順によるが、本発明のパターン形成方法はこれに限定されるものではない。本発明のレジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えば、集積回路製造用の基板Si,SiO2,SiN,SiON,TiN,WSi,BPSG,SOG,有機反射防止膜等、あるいはマスク回路製造用の基板Cr,CrO,CrON,MoSi等にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、遠紫外線、エキシマレーザー、X線、電子線等の高エネルギー線を露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。あるいは、パターン形成のためのマスクを介さずに電子線を直接描画する。前記高エネルギー線で露光する工程は、通常の露光法の他、本発明では特に前記レジスト膜が形成された基板と投影レンズとの間に水等の液体を挿入し、該液体を介して露光する液浸露光により行うことが可能であるImmersion法。その場合には、例えば水に不溶な保護膜を用いることも可能である。次いで、ホットプレート上で、60~150°C、1~5分間、好ましくは80~140°C、1~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。尚、本発明のレジスト組成物は、特に高エネルギー線の中でも180~250nmの遠紫外線、エキシマレーザー、X線、電子線等による微細パターニングに最適である。露光工程において上記範囲の高エネルギー線を用いれば、目的のパターンを得ることができる。上述した水に不溶な保護膜はレジスト膜からの溶出物を防ぎ、膜表面の滑水性を上げるために用いられ、大きく分けて2種類ある。1種類はレジスト膜を溶解しない有機溶剤によってアルカリ現像前に剥離が必要な有機溶剤剥離型と、もう1種類はアルカリ現像液に可溶でレジスト膜可溶部の除去と共に保護膜を除去するアルカリ可溶型である。後者は特に水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶媒に溶解させた材料が好ましい。上述した水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶媒に溶解させた材料とすることもできる。また、パターン形成方法の手段として、フォトレジスト膜形成後に、純水リンスポストソークを行うことによって膜表面からの酸発生剤等の抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンスポストソークを行ってもよい。上述したように、本発明のレジスト組成物を用いて形成したフォトレジスト膜は、保護膜に対してミキシング層を形成しづらく、現像後の親水性が高いためにブロッブと呼ばれる残渣等の欠陥の発生がない。マスクブランクス用のレジスト組成物としては、ノボラック、ヒドロキシスチレンベースの樹脂が主に用いられる。これらの樹脂のヒドロキシル基を酸不安定基で置換されたものがポジ型として、架橋剤を添加したものがネガ型として用いられる。ヒドロキシスチレンとメタアクリル誘導体、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、ヒドロキシビニルナフタレン、ヒドロキシビニルアントラセン、インデン、ヒドロキシインデン、アセナフチレン、ノルボルナジエン類を共重合したポリマーをベースとしてもよい。マスクブランクス用レジスト膜として用いる場合、SiO2、Cr、CrO、CrN、MoSi等のマスクブランクス基板上に本発明のフォトレジスト組成物を塗布し、レジスト膜を形成する。フォトレジストとブランクス基板の間にSOG膜と有機下層膜を形成し、3層構造を形成してもよい。レジスト膜を形成後、電子ビーム描画機で露光する。露光後、ポストエクスポジュアーベークPEBを行い、アルカリ現像液で10~300秒間現像を行う。以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。高分子化合物の調製レジスト組成物に添加される高分子化合物高分子添加剤として、各々のモノマーを組み合わせてイソプロピルアルコール溶媒下で共重合反応を行い、ヘキサンに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して表1に示す組成の高分子添加剤PA-1~50合成例1~50を得た。表1中に記した高分子添加剤を構成する各繰り返し単位A1~A9、B1~B25、C1~C9の構造式を下記表2に記載した。得られた高分子化合物の組成は1H-NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフにより確認した。尚、表1中のPA1~46が本発明において用いられる高分子添加剤であり、PA-47~50は比較例として合成した高分子添加剤である。レジスト組成物の調製上記の高分子添加剤の他、ベース高分子化合物、光酸発生剤、クエンチャー、界面活性剤及び有機溶剤を混合し、溶解後にそれらをテフロン登録商標製フィルター孔径0.2μmで濾過し、レジスト組成物PR-1~82を調製した。本発明のポジ型レジストPR-1~64を表3-1~3-3に、比較用のポジ型レジストPR-65~70を表4に、本発明のネガ型レジストPR-71~77を表5に、比較用のネガ型レジストPR-78~82を表6に示す。また、表3-1~表6中のベース高分子化合物Polymer-1~17の組成、分子量及び分散度を表7に示し、ベース高分子化合物を構成する繰り返し単位の構造を表8に示す。光酸発生剤の構造は表9に、クエンチャーの構造は表10に示す。尚、表3-1~表6中の溶剤は以下の通りである。PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートGBL:γ-ブチロラクトンEL:乳酸エチルまた、下記の界面活性剤A0.1質量部を表3-1~表6中に示したいずれのレジスト組成物にも添加した。界面活性剤A:3-メチル-3-2,2,2-トリフルオロエトキシメチルオキセタンテトラヒドロフラン2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール共重合物オムノバ社製下記式;式中、a、b、b’、c、c’は、他の記載に関わらず以下の数を満たす。保護膜材料の調製下記に示した組成で、ベース樹脂TC用ポリマー1、TC用ポリマー2、TC用ポリマー3、有機溶剤を混合し、溶解後にそれらをテフロン登録商標製フィルター孔径0.2μmで濾過し、保護膜材料TC-1、TC-2、TC-3を調製した。TC-1混合組成:TC用ポリマー1100質量部、有機溶剤12,600質量部、有機溶剤2260質量部TC-2混合組成:TC用ポリマー2100質量部、有機溶剤12,600質量部、有機溶剤2260質量部TC-3混合組成:TC用ポリマー3100質量部、有機溶剤12,600質量部、有機溶剤2260質量部TC用ポリマー1、TC用ポリマー2、TC用ポリマー3下記構造式参照有機溶剤1:イソアミルエーテル有機溶剤2:2-メチル-1-ブタノール[評価例1]ポジ型レジストのリソグラフィー性能評価シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜100nm膜厚基板上にレジスト組成物PR-1~70をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、90nm膜厚のレジスト膜を作製した。数種のレジスト組成物については、レジスト膜上に更に上記の保護膜材料TC-1、TC-2、TC-3を塗布し、100°Cで60秒間ベークし、膜厚50nmの保護膜を形成した。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C、NA=1.30、二重極、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて液浸露光し、任意の温度で60秒間ベークPEBを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。レジストの評価は、40nm1:1のラインスペースパターンを対象とし、電子顕微鏡にて観察、ライン寸法幅が40nmとなる露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2とした。最適露光量におけるパターン形状を比較し、以下の基準により良否を判別した。良好:パターンが矩形であり側壁の垂直性が高い。不良:パターン側壁の傾斜が大きいテーパー形状レジスト膜表層に近いほどライン寸法小、又はトップロスによるトップラウンディング形状。また、最適露光量におけるラインエッジ部のラフネスについて、寸法幅のバラツキ30点測定、3σ値を算出を求めることで数値化し、比較したLWR、nm。また、露光量を大きくすることでライン寸法を細らせた場合に、ラインが倒れずに解像する最小寸法を求め、倒れ限界nmとした。数値が小さいほど倒れ耐性が高く好ましい。評価例1の結果上記表3-1~3-3に示した本発明のレジスト組成物のPEB温度及び評価結果を下記表11-1~11-4に示す実施例-1~71。また、上記表4に示した比較レジスト組成物のPEB温度及び評価結果を下記表12に示す比較例-1~9。上記表11-1~11-4と表12との比較より、本発明のレジスト組成物はLWR、矩形性及び倒れ耐性について同時に優れることが明らかである。また、各種保護膜を適用した場合でも性能が保持されることが判る。[評価例2]ネガ型レジストのリソグラフィー性能評価シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜100nm膜厚基板上にレジスト組成物PR-71~82をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、90nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C、NA=1.30、二重極、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて液浸露光し、任意の温度で60秒間ベークPEBを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。レジストの評価は、45nm1:1のラインスペースパターンを対象とし、電子顕微鏡にて観察、ライン寸法幅が45nmとなる露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2とした。最適露光量におけるパターン形状を比較し、以下の基準により良否を判別した。良好:パターンが矩形であり側壁の垂直性が高い。不良:パターン側壁の傾斜が大きい逆テーパー形状レジスト膜表層に近いほどライン寸法大、又はレジスト膜表面難溶化よるT-トップ形状。また、最適露光量におけるラインエッジ部のラフネスについて、寸法幅のバラツキ30点測定、3σ値を算出を求めることで数値化し、比較したLWR、nm。評価例2の結果上記表5に示した本発明のレジスト組成物のPEB温度及び評価結果を下記表13に示す実施例-72~78。また、上記表6に示した比較レジスト組成物のPEB温度及び評価結果を下記表14に示す比較例-10~14。上記表13と表14の比較より、本発明のレジスト組成物はLWR及び矩形性が優れることが明らかである。[評価例3]接触角測定及び欠陥検査上記評価例1と同様の方法でシリコン基板上にレジスト膜を作成した後、接触角計DropMaster500協和界面科学株製を用いて、現像後のフォトレジスト膜上に50μLの水滴をディスペンスし、傾斜法ウエハーを一定の速度で徐々に傾け、水滴が転落し始める時の接触角を測定する動的接触角測定法にて後退接触角を測定した。また、上記評価例1と同様の方法にてレジスト膜上に更に上記保護膜TC-1を作成した後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を施したサンプルも用意した。加えて、保護膜を適用せずに、レジスト膜作成後に同様の現像処理を施したサンプルも用意した。これらの現像処理サンプルについて、接触角計DropMaster500協和界面科学株製を用いて、5μLの水滴をディスペンスし、静止法ウエハーを水平に保ったまま接触角を測定する静止接触角測定法にて現像後接触角を測定した。また、レジスト組成物を0.02ミクロンサイズの高密度ポリエチレンフィルターで精密濾過し、シリコン基板上に作製した反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aの90nm膜厚上にレジスト溶を塗布し、100°Cで60秒間ベークして膜厚90nmのレジスト膜を作成した。その上に保護膜材料TC-1を塗布し、100°Cで60秒間ベークした。次に、ArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S307E、NA0.85σ0.93、Crマスクを用いてウエハー全面を20mm角の面積でオープンフレームの露光部と未露光部を交互に露光するチェッカーフラッグ露光を行い、任意の温度で60秒ベークPEBを行い、2.38質量TMAH現像液で30秒間現像を行った。その後、チェッカーフラッグの未露光部分の欠陥個数を株東京精密製欠陥検査装置WinWin-50-1200を用いてピクセルサイズ0.125ミクロンで計測した。更に、保護膜を適用せずに、レジスト膜作成後に同様の方法にて欠陥検査を実施した。ただし、後退接触角が65度未満の場合は、液浸水が多量にウエハー上から漏れることで、露光装置が損傷する恐れがあるため、露光不可と判断した。評価例3の結果上記表3-1~3-3に示した本発明のレジスト組成物のうち、PR-3、4、29、41、50について、PEB温度及び後退接触角と、保護膜を適用した場合と適用しない場合それぞれにおける現像後接触角と上記評価法による欠陥個数について下記表15に示す実施例-79~83。また、上記表4に示した比較用のレジスト組成物のうち、PR-65、66、69について同様の方法により求めた評価結果を表16に示す比較例-15~17。上記表15と表16の比較より、本発明のレジスト組成物は保護膜を用いなくとも液浸露光可能な高い後退接触角を有すると同時に、保護膜付きと保護膜無しのいずれの工程においても現像後接触角が高くなることを防ぎ、未露光部分に発現する欠陥即ちブロッブ欠陥を抑制する効果があることが明らかである。尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例えば、上記では本発明のレジスト組成物を液浸リソグラフィーで用いる場合を中心に述べたが、液浸でない通常のリソグラフィーにおいても本発明のレジスト組成物を当然用いることができる。"