予め、カーボン原料または単結晶炭化珪素基板の片面に、所定の厚みのシリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成工程と、前記カーボン原料と前記単結晶炭化珪素基板との間に前記シリコン薄膜が配置されて下記式を満足するように、坩堝内に、下から順に、シリコン基板、支持台、単結晶炭化珪素基板を積層して配置すると共に、坩堝蓋の内側に、坩堝蓋側から順に、カーボン原料支持台、カーボン原料を接合して配置する材料配置工程と、前記坩堝蓋をかぶせた前記坩堝をシリコンの融点温度以上に加熱して、前記シリコン基板および前記シリコン薄膜を融解させると共に、前記坩堝蓋を前記坩堝の内壁高さまで下降させるシリコン融解工程と、前記坩堝をさらに単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度以上に加熱して、前記シリコン薄膜の融解により形成されたシリコン融液の表面張力により前記カーボン原料に懸垂、保持された前記単結晶炭化珪素基板上に、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成させる単結晶炭化珪素エピタキシャル膜形成工程とを備えていることを特徴とする単結晶炭化珪素基板の製造方法。しかし、上記した従来のMSE法を用いて単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成した場合、スペーサ20が多結晶炭化珪素やカーボンにより形成されていることにより、単結晶炭化珪素基板11とスペーサ20、あるいはカーボン原料12とスペーサ20とが固着するため、この固着部分を切断等により除去しなければならないという問題があった。また、単結晶炭化珪素基板11には重石19により荷重がかけられているため、加熱時、熱歪が発生して単結晶炭化珪素基板11に反りを生じさせ、前記固着部分付近に大きな応力が発生することにより、形成される単結晶炭化珪素エピタキシャル膜に新たな転位が生じて、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の特性に悪影響を及ぼすという問題があった。そこで、本発明は、上記の問題点に鑑み、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成におけるスペーサによる固着の発生を防止すると共に、熱歪や新たな転位の発生を充分に抑制して、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成することができる単結晶炭化珪素基板の製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、上記課題の解決につき鋭意検討する中で、シリコン融液の表面張力に着目し、以下に示す方法により上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、請求項1に記載の発明は、予め、カーボン原料または単結晶炭化珪素基板の片面に、所定の厚みのシリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成工程と、前記カーボン原料と前記単結晶炭化珪素基板との間に前記シリコン薄膜が配置されて下記式を満足するように、坩堝内に、下から順に、シリコン基板、支持台、単結晶炭化珪素基板を積層して配置すると共に、坩堝蓋の内側に、坩堝蓋側から順に、カーボン原料支持台、カーボン原料を接合して配置する材料配置工程と、前記坩堝蓋をかぶせた前記坩堝をシリコンの融点温度以上に加熱して、前記シリコン基板および前記シリコン薄膜を融解させると共に、前記坩堝蓋を前記坩堝の内壁高さまで下降させるシリコン融解工程と、前記坩堝をさらに単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度以上に加熱して、前記シリコン薄膜の融解により形成されたシリコン融液の表面張力により前記カーボン原料に懸垂、保持された前記単結晶炭化珪素基板上に、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成させる単結晶炭化珪素エピタキシャル膜形成工程とを備えていることを特徴とする単結晶炭化珪素基板の製造方法である。本発明によれば、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成における固着の発生を防止すると共に、熱歪や新たな転位の発生を充分に抑制して、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成することができる。以下、実施の形態に基づき、図面を用いて本発明を具体的に説明する。本発明者は、従来のMSE法における固着や熱歪の発生が、スペーサの使用や重石の荷重の影響によるものであることに鑑み、スペーサを用いず、重石の荷重が影響しない単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成方法として、単結晶炭化珪素基板をシリコン融液の表面張力により保持した状態で単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成を行うことを考えた。以下、具体的に説明する。1.シリコン薄膜形成工程最初に、シリコン薄膜形成工程について説明する。本工程は、単結晶炭化珪素基板またはカーボン原料の片面に、シリコン薄膜を予め、形成する工程であり、具体的には、真空中でシリコンを蒸着する方法や、シリコンターゲット上でプラズマを発生させて、ターゲット原料であるシリコンを対面の基板に付着させるスパッタ蒸着法などを用いて形成することができる。形成されたシリコン薄膜は、後述するように、加熱により溶融してシリコン融液を形成する。2.材料配置工程次に、材料配置工程について説明する。図1は、本発明による単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成を説明する模式図であって、シリコンを融解させる前の状態を模式的に示している。図1において、14は坩堝、15は坩堝蓋であり、内部で温度差がほとんど発生しないように、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成ができる範囲で小さな容積に作製されている。坩堝14内壁高さ:l1には、下から順に、シリコン基板18厚み:t18、カーボン製の支持台16高さ:l3、および単結晶炭化珪素基板11厚み:t11が積層されている。一方、坩堝蓋15には、坩堝蓋15側から順に、カーボン原料支持台17高さ:l2およびカーボン原料12厚み:t12が接合されている。そして、上記シリコン薄膜形成工程において形成されたシリコン薄膜13厚み:t13は、単結晶炭化珪素基板11とカーボン原料12との間に位置するように配置される。このとき、各材料の厚みや高さと、坩堝内壁の高さとの間には、下式に示す関係を満足している。即ち、坩堝内壁の高さl1は、支持台16の高さl3、シリコン薄膜13の厚みt13、単結晶炭化珪素基板11の厚みt11、カーボン原料支持台17の高さl2、およびカーボン原料12の厚みt12のトータル厚みl2l3t11t12t13より大きな値に、また、前記合計厚みにシリコン基板18の厚みt18を加えた厚みl2l3t11t12t13t18より小さな値になるように設定されている。3.シリコン融解工程次に、シリコン融解工程について説明する。まず、坩堝蓋15を坩堝14にかぶせる。このとき、前記したように、坩堝14の内壁の高さl1は、支持台16、シリコン基板18、シリコン薄膜13、単結晶炭化珪素基板11、カーボン原料支持台17、およびカーボン原料12のトータル厚みl2l3t11t12t13t18より小さな値に設定されているため、坩堝蓋15は坩堝14の内壁の上端から離れた状態となり、各部材は密着された状態になっている。このため、坩堝蓋15をかぶせた状態では、坩堝蓋15および坩堝蓋15に接合されたカーボン原料支持台17、カーボン原料12が、従来のMSE法における重石と同様に機能して、搬送時や坩堝の設置時の傾きなどにより発生する各部材の配置のズレを充分に抑制することができる。ここで、従来のMSE法の材料の配置において、単結晶炭化珪素基板上にシリコン原料を配置する替わりに、所定の厚み、例えば、100μmの蒸着シリコン膜を利用する方法も考えられるが、この方法の場合、搬送時や坩堝の設置時の傾きなどにより配置にズレが生じることがある。しかし、本実施の形態によれば、上記のように、坩堝蓋を含めて狭い容積にも拘わらず、比較的重い重石として働くため、これらのズレの発生を抑制することができる。次に、この坩堝蓋15をかぶせた状態のまま、坩堝全体をMSE装置内に入れて加熱する。坩堝内の温度がシリコンの融点約1410°Cを越えると、シリコン薄膜13及びシリコン基板18が融解する。このとき、前記したように、坩堝の容積は単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成ができる範囲で小さく作製されているため、製作坩堝内部で温度差がほとんど発生せず、シリコン薄膜13とシリコン基板18の双方がほぼ同時に融解する。融解したシリコン薄膜13は、単結晶炭化珪素基板11とカーボン原料12との間に、シリコン融液層を形成する。一方、シリコン基板18が融解すると、支持台16が自重で下降していき、それに併せて坩堝蓋15が下降する。しかし、前記したように、坩堝14の内壁の高さl1は、支持台16、シリコン薄膜13、単結晶炭化珪素基板11、カーボン原料支持台17およびカーボン原料12のトータル厚みl2l3t11t12t13より大きい値に設定されて、坩堝蓋15が坩堝14の内壁高さ以上には下降しないようにされているため、坩堝14の内壁高さまで下降した坩堝蓋15と坩堝14により、坩堝内部が密閉状態とされる。さらに、そのまま加熱を続けると、シリコン基板18がさらに融解していき、支持台16が下降する。しかし、坩堝蓋15は坩堝14の内壁によって保持されてもはや下降しないため、坩堝14に積層された支持台16と坩堝蓋15にカーボン原料支持台17を介して接合されたカーボン原料12との間に隙間が生じ、この隙間が徐々に広がっていく。このとき、単結晶炭化珪素基板11は、支持台16と共には下降せず、単結晶炭化珪素基板11とカーボン原料12との間形成されたシリコン融液層の表面張力により、カーボン原料12に懸垂された状態で保持される。これは、シリコン融液層の表面張力が大きく、単結晶炭化珪素基板11に掛かる重力に比べて遙かに大きな力で単結晶炭化珪素基板11を保持する持ち上げることができるからである。具体的には、シリコン融液の表面張力は約760mN/mであり、例えば、厚み350μm、直径3インチの単結晶炭化珪素基板11をシリコン融液の表面張力が保持する持ち上げる力fは、f=4πrγγ:シリコン融液の表面張力、r:単結晶炭化珪素基板の半径から約0.36Nと計算される。一方、この単結晶炭化珪素基板11に掛かる重力は、単結晶炭化珪素基板11の密度を3.22g/cm3と見込めば、約0.05Nと計算される。この結果より、単結晶炭化珪素基板11を保持する持ち上げる力fは、単結晶炭化珪素基板11に掛かる重力の7倍以上であり、単結晶炭化珪素基板11がシリコン融液層によりカーボン原料12に懸垂された状態で充分に保持されることが分かる。また、シリコン融液の表面張力により、単結晶炭化珪素基板11とカーボン原料12とは正対した位置に配置されるため、搬送時や坩堝の設置時の傾きなどにより単結晶炭化珪素基板とカーボン原料との間に若干のズレが生じていても、自動的に正対した位置に補正される。4.単結晶炭化珪素エピタキシャル膜形成工程次に、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜形成工程について説明する。上記したシリコン融解工程に引き続いて、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度である1600°Cから2000°Cまで昇温して、所定時間この温度に保持することにより、カーボン原料12に懸垂、保持された単結晶炭化珪素基板11上に単結晶炭化珪素エピタキシャル膜が形成され、成長する。温度保持時間を適宜調整することにより、所望する厚みの単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成することができる。このように、本実施の形態によれば、スペーサを用いることなく単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成することができるため、従来のMSE法と異なり、固着が発生することがない。また、このとき、カーボン原料12は単結晶炭化珪素基板11を懸垂、保持しているが、下降することができない坩堝蓋15に接合されているため、カーボン原料12には荷重がかからず、上記したスペーサを用いないことと相俟って、熱歪による反りの発生が抑制される。このため、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の形成に際して、大きな応力が発生することがなく、形成される単結晶炭化珪素エピタキシャル膜に新たな転位が生じることが充分に抑制される。この結果、単結晶炭化珪素基板11上に、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成することができる。なお、形成される単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の厚みに影響するシリコン薄膜13の厚みは、前記した真空蒸着法などを用いることにより、従来のMSE法におけるスペーサの間隔、即ち、10~100μm程度の厚みに、容易に制御することができる。5.各材料について最後に本発明において使用される各材料について説明するが、これらの材料は、従来のMSE法において使用されている材料と同様の材料であり、コストの上昇を抑制することができる。即ち、単結晶炭化珪素基板11としては、例えば、従来から公知の方法により作製された単結晶炭化珪素インゴットから切断した後の基板などを用いることができる。また、市販の単結晶炭化珪素基板を用いてもよい。そして、カーボン原料12としては、シリコン融液中にカーボンを供給できるものであれば特に限定されず、例えば、単結晶炭化珪素基板、多結晶炭化珪素基板、炭素基板、ポーラス炭化珪素基板、焼結炭化珪素基板、非晶質炭化珪素基板等を用いることができる。また、坩堝14および坩堝蓋15としては、カーボン等の高温耐性のある材料を用いて作製されたものが用いられる。以上、実施の形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。