第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、前記発光構造物の光放出面の少なくとも一部領域に形成され、蛍光体粒子又は量子点を含む透光性材料からなり、内部にボイドを有する波長変換層とを含む、半導体発光素子。前記波長変換層の内部に形成されたボイドは、球、円柱及び多面体の少なくとも一つの形状からなる、請求項1に記載の半導体発光素子。前記波長変換層の内部に形成されたボイドは、複数が相互に離隔されて規則的に配列されることで一定のパターンを形成する、請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記パターンは、一方向に相互に離隔されて配置された複数の直方体状のボイドと、他方向に相互に離隔されて配置された複数の長方形のボイドと、を含み、格子パターンを形成する、請求項3に記載の半導体発光素子。前記一方向に配置されたボイドと前記他方向に配置されたボイドとは、異なる面に配置される、請求項4に記載の半導体発光素子。前記ボイドの少なくとも一部が外部に露出される、請求項1から5の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記ボイドのうち少なくとも一部は、その内部が前記波長変換層と相違する屈折率を有する物質で充填される、請求項1から6の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記ボイドを充填する物質は、SiO2、TiO2及びAl2O3の少なくとも一つを含む、請求項7に記載の半導体発光素子。前記波長変換層の内部に形成されたボイドは、複数であり、不規則的なパターンを形成する、請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記波長変換層は、前記発光構造物の上面及び側面の少なくとも一つに形成される、請求項1から9の何れか1項に記載の半導体発光素子。一面に形成された溝を含む基板と、前記基板のうち前記溝が形成されていない他面に形成され、第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、前記基板の溝に形成され、蛍光体粒子又は量子点を含む透光性材料からなる波長変換層とを含む、半導体発光素子。前記波長変換層は、内部にボイドが形成される、請求項11に記載の半導体発光素子。前記波長変換層の内部に形成されたボイドは、球、円柱及び多面体の少なくとも一つの形状からなる、請求項12に記載の半導体発光素子。前記ボイドの少なくとも一部が外部に露出される、請求項12または13に記載の半導体発光素子。前記ボイドのうち少なくとも一部は、その内部が前記波長変換層と相違する屈折率を有する物質で充填される、請求項12から14の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記ボイドを充填する物質は、SiO2、TiO2及びAl2O3の少なくとも一つを含む、請求項15に記載の半導体発光素子。前記波長変換層の内部に形成されたボイドは、複数であり、不規則的なパターンを形成する、請求項12から16の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記基板に形成された溝は、3次元形状のパターンを含む、請求項11から17の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記3次元形状のパターンは、円柱状又は多角柱状からなる、請求項18に記載の半導体発光素子。前記基板に形成された溝は、複数が相互に離隔されて形成される、請求項11から19の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記溝は、内部に形成された凹凸構造をさらに含む、請求項11から20の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記溝の内部に形成された凹凸構造は、複数の円柱状又は多角柱状からなる、請求項21に記載の半導体発光素子。前記発光構造物は、前記基板上に第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層が順次積層されて形成され、前記第2の導電型半導体層、活性層及び第1の導電型半導体層の一部がエッチングされて露出された第1の導電型半導体層上に形成された第1の導電型電極と、前記第2の導電型半導体層上に形成された第2の導電型電極とをさらに含む、請求項11から22の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記基板は、サファイア基板である、請求項11から23の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記基板の溝に形成された波長変換層は、前記基板と同一の平面をなす、請求項11から24の何れか1項に記載の半導体発光素子。本発明は、外部光抽出効率が向上した半導体発光素子を提供する。本発明の一側面は、第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、当該発光構造物の光放出面の少なくとも一部領域に形成され蛍光体粒子又は量子点を含む透光性材料からなり内部にボイドを有する波長変換層とを含む半導体発光素子を提供する。本発明の一実施形態において、上記波長変換層の内部に形成されたボイドは、球、円柱及び多面体の少なくとも一つの形状からなることができる。本発明の一実施形態において、上記波長変換層の内部に形成されたボイドは、複数が相互に離隔されて規則的に配列されることで一定のパターンを形成することができる。この場合、上記パターンは、一方向に相互に離隔されて配置された複数の直方体状のボイドと、他方向に相互に離隔されて配置された複数の長方形のボイドとを含み、格子パターンを形成することができる。この場合、上記一方向に配置されたボイドと上記他方向に配置されたボイドとは、異なる面に配置されることができる。本発明の一実施形態において、上記ボイドの少なくとも一部は、外部に露出されることができる。本発明の一実施形態において、上記ボイドのうち少なくとも一部は、その内部が上記波長変換層と相違する屈折率を有する物質で充填されることができる。この場合、上記ボイドを充填する物質は、SiO2、TiO2及びAl2O3の少なくとも一つを含むことができる。本発明の一実施形態において、上記波長変換層の内部に形成されたボイドは、複数であり、不規則的なパターンを形成することができる。本発明の一実施形態において、上記波長変換層は、上記発光構造物の上面及び側面の少なくとも一つに形成されることができる。本発明の他の側面は、一面に形成された溝を含む基板と、当該基板のうち当該溝が形成されていない他面に形成され第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、上記基板の溝に形成され蛍光体粒子又は量子点を含む透光性材料からなる波長変換層とを含む半導体発光素子を提供する。本発明の他の実施形態において、上記波長変換層は、内部にボイドが形成されることができる。この場合、上記波長変換層の内部に形成されたボイドは、球、円柱及び多面体の少なくとも一つの形状からなることができる。本発明の他の実施形態において、上記ボイドの少なくとも一部が外部に露出されることができる。本発明の他の実施形態において、上記ボイドのうち少なくとも一部は、その内部が上記波長変換層と相違する屈折率を有する物質で充填されることができる。この場合、上記ボイドを充填する物質は、SiO2、TiO2及びAl2O3の少なくとも一つを含むことができる。本発明の他の実施形態において、上記波長変換層の内部に形成されたボイドは、複数であり、不規則的なパターンを形成することができる。本発明の他の実施形態において、上記基板に形成された溝は、3次元形状のパターンを含むことができる。この場合、上記3次元形状のパターンは、円柱状又は多角柱状からなることができる。本発明の他の実施形態において、上記基板に形成された溝は、複数が相互に離隔されて形成されることができる。本発明の他の実施形態において、上記溝は、内部に形成された凹凸構造をさらに含むことができる。この場合、上記溝の内部に形成された凹凸構造は、複数の円柱状又は多角柱状からなることができる。本発明の他の実施形態において、上記発光構造物は、上記基板上に第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層が順次積層されて形成され、上記第2の導電型半導体層、活性層及び第1の導電型半導体層の一部がエッチングされて露出された第1の導電型半導体層上に形成された第1の導電型電極と、上記第2の導電型半導体層上に形成された第2の導電型電極とをさらに含むことができる。本発明の他の実施形態において、上記基板は、サファイア基板であることができる。本発明の他の実施形態において、上記基板の溝に形成された波長変換層は、上記基板と共面をなすことができる。本発明は、波長変換層の有効面積を増加させ、発光構造物から放出された光の外部光抽出効率を向上させることができる。さらに、本発明は、狭い光指向角が求められる場合により適しており、色ムラが減少し、パッケージの小型化に有利な半導体発光素子を提供することができる。以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳述する。しかしながら、本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一の符号で表示される要素は、同一の要素である。図1は、本発明の第1の実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。図1を参照すると、本実施形態による半導体発光素子100は、基板110上に形成され、第1の導電型半導体層121と活性層122と第2の導電型半導体層123とを含む発光構造物120と、当該発光構造物120の光放出面の少なくとも一部領域に形成され、蛍光体粒子を含む透光性材料からなり、内部にボイド130aを有する波長変換層130とを含む。上記発光構造物120の上面に形成された波長変換層130は、パッケージの内部で樹脂と共にLEDチップを封止する形態で塗布される場合とは異なり、発光構造物120の光放出面に均一な厚さを有するように塗布されて光の均一度を確保することができる。また、上記波長変換層130の内部にボイド130aを含むことによって波長変換層130の有効面積を増加させ、発光構造物120から放出された光が波長変換層130の内部に形成されたボイド130aによって屈折又は散乱されることによって外部光抽出効率を向上させることができる。本明細書上のボイドvoidは、ある層の内部に空間を有する形態を意味するものであって、層の内部に形成された空間が外部に露出されないように外部と完全に遮断された形態のみならず、層の内部に形成された空間が伸びてその一部が外部に露出される形態も含む。本実施形態において、第1及び第2の導電型半導体層121、123は、n型又はp型半導体層となり、窒化物半導体からなることができる。したがって、これに制限されるものではないが、本実施形態による第1及び第2の導電型はそれぞれn型及びp型を意味するものとして理解されることができる。第1及び第2の導電型半導体層121、123は、AlxInyGa1-x-yN組成式ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1である。を有し、例えば、GaN、AlGaN、InGaN等の物質がこれに該当されることができる。第1及び第2の導電型半導体層121、123の間に形成される活性層122は、電子と正孔との再結合によって所定のエネルギーを有する光を放出し、量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層された多重量子井戸MQW構造からなることができる。多重量子井戸構造の場合、例えば、InGaN/GaN構造を用いることができる。上記発光構造物120の一面に形成された上記基板110は、半導体成長用基板であるか又はレーザーリフトオフ等の工程で上記発光構造物120を支持する導電性基板であることができる。本実施形態による上記基板110は、第1の導電型半導体層121、活性層122及び第2の導電型半導体層123が順次積層されるための半導体成長用基板であることができるが、これに制限されるものではない。この場合、サファイア、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等の物質からなる成長用基板を用いることができる。サファイアは、六角-菱型Hexa-RhomboR3cの対称性を有する結晶体であって、c軸及びa軸方向の格子定数がそれぞれ13.001Å及び4.758Åであり、C0001面、A1120面、R1102面等を有する。この場合、上記C面は、窒化物薄膜の成長が比較的容易であり、高温で安定するため窒化物成長用基板として主に用いられる。上記発光構造物120の光放出面の一部に形成された波長変換層130は、上記発光構造物120の活性層122から放出された光の波長を変換させる波長変換用蛍光体粒子を含むことができる。上記蛍光体は、黄色yellow、赤色red及び緑色greenのいずれか一つに波長を変換させる蛍光体からなることができ、当該蛍光体の種類は、上記発光構造物120の活性層122から放出される波長によって決定されることができる。具体的には、上記波長変換層130は、YAG系、TAG系、Silicate系、Sulfide系又はNitride系のいずれか一つの蛍光物質を含むことができる。例えば、青色発光LEDチップに黄色に波長変換させる蛍光体を適用する場合、白色発光半導体発光素子を得ることができる。また、上記波長変換層130は、量子点QuantumDotを含むことができる。量子点は、約1~10nmの直径を有する半導体物質のナノ結晶nanocrystalであって、量子制限Quantumconfinement効果を示す物質である。量子点は、発光構造物120から放出される光の波長を変換して波長変換光、即ち、蛍光を発生させる。量子点としては、例えば、Si系ナノ結晶、II-VI族系化合物半導体ナノ結晶、III-V族系化合物半導体ナノ結晶、IV-VI族系化合物半導体ナノ結晶等があり、本実施形態ではこれらをそれぞれ単独で用いるか又はこれらの混合物を用いることができる。量子点物質をより詳細に説明すると、II-VI族系化合物半導体ナノ結晶は、例えば、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HggZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及びHgZnSTeからなる群から選択されたいずれかであることができる。III-V族系化合物半導体ナノ結晶は、例えば、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs及びInAlPAsからなる群から選択されたいずれかであることができる。IV-VI族系化合物半導体ナノ結晶は、例えば、SbTeであることができる。量子点は、有機溶媒又は高分子樹脂等の分散媒質に自然に配位された形態で分散されることができ、上記波長変換層130の分散媒質としては、量子点の波長変換性能に影響を与えず、且つ光によって変質されたり光を反射させたりせず、且つ光吸収を引き起こさないようにする透明な媒質であれば、いずれも用いることができる。例えば、有機溶媒は、トルエンtoluene、クロロホルムchloroform及びエタノールethanolの少なくとも一つを含み、高分子樹脂は、エポキシepoxy、シリコンsilicone、ポリスチレンpolysthylene及びアクリレートacrylateの少なくとも一つを含むことができる。一方、量子点の発光は、励起状態の電子が伝導帯から価電子帯へ遷移しながら発生されるが、同一の物質の場合にも粒子のサイズに応じて波長が変わる特性を示す。量子点のサイズが小さくなるほど、短い波長の光を発光するため、量子点のサイズを調節して所望の波長領域の光を得ることができる。この場合、量子点のサイズは、ナノ結晶の成長条件を適宜変更することで調節が可能である。本実施形態において、上記波長変換層130は、発光構造物120の光放出面の少なくとも一部に形成されることができる。図1を参照すると、上記波長変換層130は、発光構造物120の第2の導電型半導体層123の上面にのみ形成されているが、本実施形態とは異なり、光放出面である発光構造物120の上面及び側面を覆うように形成されることができ、必要に応じて、上記基板110の裏面に形成されることもできる。一般的な波長変換層を利用した発光ダイオードは、パッケージからなる構造に製作され、パッケージの内部に実装された発光ダイオードをシリコン、エポキシ等の樹脂からなる充填材内に蛍光体粉末を混合したものを用いてモールディングする。この場合、発光ダイオードから放射された一部の光は樹脂を透過し、それ以外の光は充填材に含まれた蛍光体と衝突して蛍光体を励起excitationして波長変換された光を放射し、最終的に、発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードから放射された光と波長変換された光とが混合された光を放出する。しかしながら、このような構造には、光がパッケージの外部表面に到達する上で生じる経路差によって均一な光を具現できないという短所があり、充填材内に混合された蛍光体の分布のばらつきによって色の再現性が低下することがある。しかしながら、本実施形態によると、発光構造物120の光放出面上に波長変換層130が形成されることで、発光素子100からパッケージ外部までの経路差による光のばらつきの問題を解決することができる。また、図1に示されるように、上記波長変換層130内に複数のボイド130aが配列されたパターンを備えることによって波長変換層150の有効面積を増加させ、発光構造物120から放出されて波長変換層130に到達した光が散乱又は屈折されることによって波長変換層130の内部で吸収及び消滅される光の比率を減少させて外部光抽出効率を向上させることができる。また、パッケージ本体に塗布される充填材内に蛍光体を含むのではなく、チップの光放出面にのみ蛍光体を含む波長変換層を形成することができるため、狭い光指向角が求められる場合により適した発光素子を提供し、パッケージの小型化に有利であり、光源の色ムラを減少させる効果を得ることができる。上記ボイド130aを有する波長変換層130は、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition、ALDAtomicLayerDeposition、RF-sputter、e-beamevaporator、thermalevaporator等の方法を利用して形成されるが、フォトエッチング工程を利用して感光膜をパターニングした後、熱処理工程を利用して形成されることができ、ナノインプリンティング工程又はe-beam工程等を利用することもできる。これに反し、ナノサイズの球sphere又は殻shellの形態を有するフィラー粒子と蛍光体粒子とを透光性材料内に混合した後、発光構造物120の上面に塗布し、熱処理することで、図1に示された形態のボイド130aを含む波長変換層130を形成することができる。また、ボイドの形態に応じて、多様なエッチング工程、例えば、HF、HNO等のエッチング溶液を利用した湿式エッチング又はRIEReaciveIonEtching方法、ICP-RIEInductiveCoupledPlasmaRIE方法等を利用した乾式エッチングが適用されることができる。この際、上記波長変換層130の内部に形成されるボイド130aは、周期的又は非周期的なパターンを有するように形成されることができる。上記波長変換層130の内部に形成されるボイド130aの一部は、外部に露出される形態に形成されることができ、具体的には、上記波長変換層130の上面及び側面に上記ボイド130aが露出されて凹凸パターンを形成することができる。また、上記ボイド130aの内部は、上記波長変換層130と相違する屈折率を有する物質、例えば、SiO2、TiO2及びAl2O3の少なくとも一つを含む物質で充填されて外部光抽出効率を向上させることができる。図2は、本発明の第1の実施形態による半導体発光素子の変形形態を概略的に示す斜視図である。本実施形態によると、図1に示された半導体発光素子とは異なり、上記発光構造物120の光放出面に形成された波長変換層131の内部には、格子状のボイド130aを有するパターンが形成される。本実施形態によると、上記波長変換層131内に直方体状の複数のボイド130a、130bが相互に離隔されて形成され、その方向を異ならせて積層される格子パターンが形成されることができる。本実施形態では、前述したMOCVD方法等を利用して波長変換層131を積層した後、その上面に感光膜パターンを形成し、露光工程とエッチング工程を繰り返して行うことによって、図2に示された格子パターンを形成することができる。この場合、上記波長変換層131内に形成されるボイド130a、130bの単位をナノサイズに形成することで、発光構造物120の活性層122から放出された光を偏光させる機能を行うことができる。本実施形態による上記基板110は、図1に示された実施形態とは異なり、導電性基板であることができる。具体的には、成長用基板図示せずに順次積層される第1の導電型半導体層121と活性層122と第2の導電型半導体層122とを含む発光構造物120の上面に形成されて、レーザーリフトオフ等の工程で当該発光構造物120を支持する支持体の役割を行うことができる。上記導電性基板110は、Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se及びGaAsの一つ以上を含む物質、例えば、SiにAlがドーピングされた形態の物質からなり、選択された物質に応じて、メッキ又はボンディング接合等の方法で形成されることができる。本実施形態による導電性基板110は、第2の導電型半導体層123と電気的に連結され、これにより、導電性基板110を介して第2の導電型半導体層123に電気的信号が印加されることができる。また、図2に示されるように、上記波長変換層131の一部が除去されて露出された第1の導電型半導体層121上に、当該第1の導電型半導体層121に電気的信号を印加するための第1の導電型電極121aが形成されることができる。図3は、本発明の第1の実施形態による半導体発光素子の他の変形形態を概略的に示す斜視図である。図3を参照すると、本実施形態による半導体発光素子102は、第1の導電型半導体層121と活性層122と第2の導電型半導体層123とを含む発光構造物120と、当該発光構造物120の光放出面の少なくとも一部に形成され、内部にボイド130aを有する波長変換層132を含むことができる。上記波長変換層132の内部に形成されるボイド130aは、円柱状からなり、複数のボイド130aが波長変換層132内に離隔されて形成されることによって、外部光抽出効率を高めることができる。但し、本実施形態による上記複数のボイド130aは、円柱状で一定間隔の周期的パターンを有する形態に形成されているが、これに制限されず、多角柱を含む多様な形態で周期的又は非周期的なパターンを有するように形成されることができる。本実施形態では、上記波長変換層132の一部がエッチングされて露出された第2導電型半導体層123の上面に当該第2の導電型半導体層123に電気的信号を印加するための第2の導電型電極123aが形成され、上記波長変換層130、第2の導電型半導体層123、活性層122及び第1の導電型半導体層121の一部がエッチングされて露出された第1の導電型半導体層121の上面に第1の導電型電極121aを形成することができる。本実施形態の場合、上記第1及び第2の導電型電極121a、123aを介して上記発光構造物120に電気的信号を印加することができ、これに制限されるものではないが、上記基板110としては、絶縁性の成長用基板、例えば、サファイア基板を用いることができる。図4は、本発明の図1の第1の実施形態による半導体発光素子がパッケージ内に実装された形態を示す断面図である。図4を参照すると、基板110と、当該基板110上に形成された発光構造物120と、当該発光構造物120の光放出面に形成され内部にボイドを有するパターンが形成された波長変換層130とを含む半導体発光素子100は、凹部を有するパッケージ本体150の内部に実装されることができる。具体的に示されてはいないが、上記発光構造物120は、順次積層された第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層からなり、当該第2の導電型半導体層の上面には第2の導電型半導体層に電気的信号を印加するための第2の導電型電極123aが形成されることができる。この際、上記基板110は、導電性基板であることができ、上記発光構造物120の第1の導電型半導体層121に電気的信号を印加するための第1の導電型電極として用いられることができる。上記導電性基板110と第2の導電型電極123aは、第1及び第2のリードフレーム140a、140bと電気的に連結されて外部から電気的信号の印加を受けることができる。本実施形態において、上記第1の導電型半導体層と連結された導電性基板110は、第1のリードフレーム140aと接触することによって直接連結され、上記第2の導電型半導体層上に形成された第2の導電型電極123aは、導電性ワイヤを介して第2のリードフレーム140bと電気的に連結されることができる。図4に示されるように、上記パッケージ本体150は、上記発光構造物の活性層から放出された光を上部へ誘導するための反射構造を含み、当該パッケージ本体150内に形成された凹部には上記半導体発光素子を外部から保護するための透光性樹脂160をさらに含むことができる。図5は、本発明の第2の実施形態による半導体発光素子200を概略的に示す斜視図であり、図6は、図5の半導体発光素子200をA-A線に沿って切断した概略断面図である。図5及び図6を参照すると、本実施形態による半導体発光素子200は、一面に形成された溝210aを含む基板210と、上記溝210が形成されていない基板210の他面に形成され第1の導電型半導体層221と活性層222と第2の導電型半導体層223とを含む発光構造物220と、上記基板210の溝210aに形成された波長変換層230とを含む。本実施形態によると、上記基板210に形成された溝210aの内部に蛍光体粒子を含み、透光性材料からなる波長変換層230を形成することによって波長変換層230の厚さ及び位置を容易に調節することができ、これにより、光の均一度が向上し色ムラを減少させる効果を得ることができ、基板210に形成された溝210aの内部に波長変換層230を形成することによって半導体発光素子200の小型化が可能になる。即ち、波長変換層230は、図5に示されるように、上記基板210の溝210aの深さと同一の深さを有するように形成されることができ、これにより、上記基板210の溝210a形成面と共面coplanarをなすことができる。前述したように、本実施形態による第1及び第2の導電型半導体層221、223は、n型又はp型半導体層となり、窒化物半導体からなることができる。第1及び第2の導電型半導体層221、223の間に形成される活性層222は、電子と正孔との再結合によって所定のエネルギーを有する光を放出し、量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層された多重量子井戸MQW構造からなることができる。また、上記発光構造物220の一面に形成された上記基板210は、半導体成長用基板であるか又はレーザーリフトオフ等の工程で上記発光構造物220を支持する導電性基板であることができる。本実施形態による上記基板210は、第1の導電型半導体層221、活性層222及び第2の導電型半導体層223が順次積層されるための半導体成長用基板であることができるが、これに制限されるものではない。この場合、サファイア、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等の物質からなる成長用基板を用いることができる。上記基板210に形成された溝210aの内部に形成された波長変換層230は、上記発光構造物220の活性層222から放出された光の波長を変換させる波長変換用蛍光体粒子又は量子点を含むことができる。前述したように、上記蛍光体は、黄色yellow、赤色red及び緑色greenのいずれか一つに波長を変換させる蛍光体又は量子点からなり、当該蛍光体及び量子点の種類は上記発光構造物220の活性層222から放出される波長によって決定されることができる。上記基板210に形成された溝210aは、当該基板210の上面に感光膜を塗布し、溝が形成されるべき位置をマスキングした後、露光と現像を経て当該基板210の一部をエッチングし、感光膜を除去する工程を経ることで形成されることができる。具体的に、上記感光膜は、光の照射によって感光部分が現像液に溶解されないネガティブ型か又は溶解されるポジティブ型等の性質を有するものであって、感光液を構成する成分一般的に、有機高分子が有機溶剤中に溶解されたものである。上記感光膜に光を照射してパターンを形成し、当該パターンに対応する領域に溝を形成することができる。エッチング工程としては、CF4、SF6等のフッ素Fluorine系列、Cl2、BCl3等の塩素Chlorine系列、アルゴンAr等のエッチングガスを利用した乾式エッチング工程を利用するか又はKOH等の溶液を利用した湿式エッチング工程を利用して、基板210の内部に溝210aを形成することができる。本実施形態では、波長変換層230が発光構造物220の上面に直接形成されることなく、基板210に形成された溝210aの内部に形成されるため、その厚さ及び位置を容易に制御することができ、これにより、より均一で色ムラの少ない光を得ることができる。また、上記基板210の内部に波長変換層230を形成することによって、蛍光体粒子を含む樹脂を塗布するためのパッケージ本体を必要としないため、パッケージの小型化が可能になる。図7は、本発明の第2の実施形態による半導体発光素子の変形形態を概略的に示す斜視図であり、図8は、図7の半導体発光素子201をA-A線に沿って切断した概略断面図である。図7及び図8を参照すると、本実施形態による半導体発光素子201は、一面に形成された溝211aを含む基板210と、上記溝211aが形成されていない基板210の他面に形成され第1の導電型半導体層221と活性層222と第2の導電型半導体層223とを含む発光構造物220と、上記基板210の溝211aに形成され蛍光体粒子を含む透光性材料からなる波長変換層231とを含む。本実施形態による上記基板210は、図5に示された実施形態とは異なり、相互に離隔されて形成された複数の溝211aを含み、当該溝211aの各内部には波長変換層231が形成されることができる。上記基板210と当該基板210の溝211aの内部に形成された波長変換層231との屈折率の差によって、当該基板210に凹凸が形成されたことと類似する効果を得ることができ、これにより、上記溝211aと波長変換層231との界面での光抽出効率を向上させることができる。さらに、基板210の内部に波長変換層231を形成するため、半導体発光素子221の小型化が可能になる。図7には上記基板210に形成された溝211aが周期的パターンを有する円柱状のものとして示されているが、図9に示されるように、上記溝212aは四角柱状を有し、当該溝212aのサイズ、形状及び深さ等は必要に応じて多様に変形されることができる。図10は、本発明の第2の実施形態による半導体発光素子のさらに他の変形形態を概略的に示す斜視図である。図10を参照すると、図7に示された実施形態とは異なり、上記基板210は、四角形の溝213aの内部に形成された3次元パターンをさらに含むことができる。上記3次元パターンは、上記基板210の一面に溝213aを形成する工程において、溝213aが形成されるべき領域内にパターンを形成し、当該パターンが形成された領域を除外した領域を除去することで形成されることができる。具体的には、図9に示されたような上記円柱状のパターンを形成するために、上記溝の内部に円状の感光膜パターンを形成した後、当該パターンが形成された領域を除外した領域をエッチングすることによって、内部に3次元パターンを含む溝213aを形成することができる。この場合、上記基板210の溝213aの内部に凹凸が形成されたような構造を有する。上記溝213aの内部に蛍光体を含む波長変換層233が形成される場合、上記発光構造物220の活性層222から放出された光が上記基板210に形成された溝213aの内部に形成された波長変換層233で波長変換されると共に、上記基板210に形成された凹凸の表面で散乱又は屈折されることで、外部光抽出効率を増加させることができる。図11は、本発明の第2の実施形態による半導体発光素子のさらに他の変形形態を概略的に示す斜視図である。図11を参照すると、本実施形態による半導体発光素子は、一面に形成された溝214aを含む基板210と、上記溝214aが形成されていない基板210の他面に形成され第1の導電型半導体層221と活性層222と第2の導電型半導体層223とを含む発光構造物220と、上記基板210の溝に形成された波長変換層234とを含み、当該波長変換層234の内部にはボイド230aを有するパターンが形成されることができる。本実施形態によると、上記波長変換層234の内部にボイド230aを有するパターンを備えることによって当該波長変換層234の有効面積を増加させ、発光構造物220から放出されて波長変換層234に到達した光が散乱又は屈折されることによって当該波長変換層234の内部で吸収及び消滅する光の比率が減少して外部光抽出効率を向上させることができる。上記波長変換層234の内部に形成されるボイド230aの一部は、外部に露出される形態に形成され、具体的には、上記波長変換層234の上面及び側面に上記ボイド230aが露出されて凹凸パターンを形成することができる。また、上記ボイド230aの内部は、上記波長変換層234と相違する屈折率を有する物質、例えば、SiO2、TiO2及びAl2O3の少なくとも一つを含む物質で充填されて外部光抽出効率を向上させることができる。図12は、本発明の図5の第2の実施形態による半導体発光素子がリードフレームに実装された形態を概略的に示す断面図である。図12を参照すると、本実施形態による半導体発光素子は、一面に形成された溝210aを含む基板210と、上記溝210aが形成されていない他面に形成され第1の導電型半導体層221と活性層222と第2の導電型半導体層223とを含む発光構造物220と、上記基板210の溝210aに形成された波長変換層230とを含む。上記第2の導電型半導体層223上には、第2の導電型半導体層223に電気的信号を印加するための第2の導電型電極223aが形成され、上記第2の導電型半導体層223、活性層222及び第1の導電型半導体層221の一部をエッチングして露出された第1の導電型半導体層221上には、第1の導電型電極221aが形成されることができる。上記第1及び第2の導電型電極221a、223aのそれぞれは、電気的に分離された一対のリードフレーム240b、240aのそれぞれと連結されて、外部から電気的信号の供給を受けることができる。本実施形態によると、上記発光構造物220の活性層222から放出された光の一部は、上記基板210の溝210aに形成され蛍光体粒子を含む透光性材料からなる波長変換層230を介して波長変換されて放出され、上記活性層222からリードフレーム240a、240bへ放出された光の一部は、当該リードフレーム240a、240bで反射されて上部へ誘導されることができる。但し、本実施形態による半導体発光素子の実装形態は、図12に示された形態に制限されず、必要に応じて、多様な形態に実装されることができることは言うまでもない。本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲内に属する。