基板の上に形成された、第1導電型層、活性層及び前方端面と後方端面との間にストライプ状に延びるリッジ部を有する第2導電型層を含む半導体層積層体と、前記半導体層積層体の上に形成され、前記リッジ部の上面を露出する開口部を有する誘電体層と、前記基板における前記半導体層積層体と反対側の面に形成された第1電極と、前記誘電体層の上に形成され、前記開口部において前記リッジ部の上面と接する第2電極とを備え、前記第2電極により前記リッジ部に加わる圧縮応力は、前記前方端面を含む第1領域において、前記第1領域を除く第2領域よりも大きく、前記第1領域の長さは、共振器長の2分の1よりも短いことを特徴とする半導体レーザ装置。前記第2電極は、前記開口部において前記リッジ部の上面と接するコンタクト電極と、前記コンタクト電極の上に形成された配線電極とを有し、前記配線電極は、前記第1領域に形成された部分の厚さが、前記第2領域に形成された部分よりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記配線電極は、第1の層及び該第1の層の上に形成された第2の層を有し、前記第2の層は、前記第1領域に形成された部分の厚さが前記第2領域に形成された部分よりも厚いことを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。前記リッジ部の直上において前記配線電極と接続されたボンディングワイヤをさらに備え、前記ボンディングワイヤは、前記第2領域において前記配線電極と接続されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体レーザ装置。前記第2電極は、前記開口部において前記リッジ部の上面と接するコンタクト電極と、前記コンタクト電極の上に形成された配線電極とを有し、前記配線電極は、第1の層及び該第1の層の上に形成された第2の層を有し、前記第2の層は、前記第1領域及び第2領域において前記リッジ部の両側方の上に形成されたストライプ状の側壁部と、前記第1領域において前記側壁部同士の上に跨る天井部とを有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記リッジ部と前記側壁部との間の間隔は、0.5μm以上且つ5μm以下であることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ装置。前記リッジ部の直上において前記配線電極と接続されたボンディングワイヤをさらに備え、前記ボンディングワイヤは、前記第1領域において前記天井部と接続されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ装置。一の面にサブマウント電極を有するサブマウントをさらに備え、前記第1電極は前記サブマウント電極と接合されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。しかしながら、リッジ部側方の平坦部におけるp型クラッド層の厚さを厚くしたり、リッジ部の幅を狭くして、ΔNを低減して水平方向の光閉じ込めを弱めると、水平FFPが狭くなるという問題がある。また、リッジ部の幅を狭くすると、リッジ部に流れる電流密度が増加するため、半導体レーザ装置の発熱が大きくなり、温度特性を悪化させるという問題がある。逆に、リッジ部側方の平坦部におけるp型クラッド層の厚さを薄くしたり、リッジ部の幅を広くして水平FFPを広くしようとすると、キンクレベルが低下し、FFPの単峰性を確保できなくなるという問題が生じる。仮に、キンクレベルとFFP特性とを共に満足するp型クラッド層の厚さ及びリッジ部の幅を見出したとしても、素子を作製する際のプロセスマージンが小さくなり、歩留まりが大きく低下するおそれがある。このように、リッジ部側方の平坦部におけるp型クラッド層の厚さ及びリッジ部の幅等の調整では、高いキンクレベルと広い水平FFPとを共に満足する半導体レーザ装置を実現することは実質的に不可能である。本発明は、前記の問題を解決し、p型クラッド層の厚さ及びリッジ部の幅等の調整によらず、高出力特性とFFP特性とを同時に満足し、安定した高出力動作が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにすることを目的としている。前記の目的を達成するため、本発明は半導体レーザ装置を、光を出射する前方端面側の領域において、リッジ部に大きな圧縮応力を加える構成とする。具体的に、本発明に係る半導体レーザ装置は、基板の上に形成された、第1導電型層、活性層及び前方端面と後方端面との間にストライプ状に延びるリッジ部を有する第2導電型層を含む半導体層積層体と、半導体層積層体の上に形成され、リッジ部の上面を露出する開口部を有する誘電体層と、基板における半導体層積層体と反対側の面に形成された第1電極と、誘電体層の上に形成され、開口部においてリッジ部の上面と接する第2電極とを備え、第2電極によりリッジ部に加わる圧縮応力は、前方端面を含む第1領域において、第1領域を除く第2領域よりも大きく、第1領域の長さは共振器長の2分の1よりも短い。本発明の半導体レーザ装置は、第2電極によりリッジ部に加わる圧縮応力が、前方端面を含む第1領域において、第1領域を除く第2領域よりも大きい。従って、光が出射される前方端面の近傍においてリッジ部における実効屈折率と、リッジ部の外側における実効屈折率との差である実効屈折率差が大きくなる。従って、水平FFPを広くすることができる。また、第1領域におけるリッジ部が延びる方向の長さは、第2領域におけるリッジ部が延びる方向の長さよりも短いため、共振器全体としては実効屈折率差が大きく変動しないため、キンクレベルの大きな低下が生じない。その結果、高いキンクレベルを確保しつつ広い水平FFPを実現できる。本発明の半導体レーザ装置において、第2電極は、開口部においてリッジ部の上面と接するコンタクト電極と、コンタクト電極の上に形成された配線電極とを有し、配線電極は、第1領域に形成された部分の厚さが、第2領域に形成された部分よりも厚い構成としてもよい。この場合において、配線電極は、第1の層及び該第1の層の上に形成された第2の層を有し、第2の層は、第1領域に形成された部分の厚さが第2領域に形成された部分よりも厚くしてもよい。本発明の半導体レーザ装置は、リッジ部の直上において配線電極と接続されたボンディングワイヤをさらに備え、ボンディングワイヤは、第2領域において配線電極と接続されていてもよい。本発明の半導体レーザ装置において、第2電極は、開口部においてリッジ部の上面と接するコンタクト電極と、コンタクト電極の上に形成された配線電極とを有し、配線電極は、第1の層及び該第1の層の上に形成された第2の層を有し、第2の層は、第1領域及び第2領域においてリッジ部の両側方の上に形成されたストライプ状の側壁部と、第1領域において側壁部同士の上に跨る天井部とを有していてもよい。この場合において、リッジ部と側壁部との間の間隔は、0.5μm以上且つ5μm以下とすればよい。また、リッジ部の直上において配線電極と接続されたボンディングワイヤをさらに備え、ボンディングワイヤは、第1領域において天井部と接続されていてもよい。本発明の半導体レーザ装置は、一の面にサブマウント電極を有するサブマウントをさらに備え、第1電極はサブマウント電極と接合されていてもよい。本発明に係る半導体レーザ装置によれば、高出力特性とFFP特性とを同時に満足し、安定した高出力動作が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できる。本明細書において、窒化物半導体とは、III族元素である、インジウムIn、アルミニウムAl及びガリウムGaとV族元素である窒素Nとの化合物である。前方端面とは共振器の2つの端面のうちレーザ光出力が大きい方の端面であり、後方端面とはレーザ高出力が前方端面よりも小さい端面である。第1の実施形態図1に示すように第1の実施形態に係る半導体レーザ装置は、基板111の上に形成されたn型層121、活性層122及びp型層123とを有する半導体層積層体112を有している。基板111は例えばGaN基板である。n型層121はそれぞれn型のAlxGa1xN但し0≦x≦1からなるn型クラッド層131及びn型ガイド層132を含む。活性層122はそれぞれInyGa1yN但し0≦y≦1からなるウェル層及びバリア層を含む量子井戸活性層である。p型層123はそれぞれp型のAlxGa1xN但し0≦x≦1からなる電子ブロック層134、p型クラッド層135及びp型コンタクト層136を含む。各層のAl組成比xは、共振器が構成できるように適宜選択すればよい。p型コンタクト層136は、GaNとすることが好ましい。量子井戸活性層のIn組成yは発光波長に応じて適宜選択すればよい。p型クラッド層135は、一部が除去され、リッジ部123Aが形成されている。図1aに示すように、リッジ部123Aは、共振器の前方端面141と後方端面142との間にストライプ状に形成されている。本実施形態の半導体レーザ装置においては、共振器の前方端面141と後方端面142との間隔共振器長を800μmとし、共振器のリッジ部123Aと交差する方向の幅共振器幅を100μmとし、リッジ部123Aの幅リッジ幅は1.4μmとしている。また、リッジ部123Aは共振器幅方向の中央部に形成されている。リッジ部123Aの幅は、発振閾値電流付近において単一横モード発振条件を満たす幅であればよい。リッジ部123Aは、反応性イオンエッチング等を用いて形成すればよい。リッジ部123Aの両側方には、リッジ部123Aと間隔をおいて、p型クラッド層135及びp型コンタクト層136が残存している領域が設けられている。p型クラッド層135及びp型コンタクト層136を残存させた領域は、共振器をサブマウント等に実装する際の衝撃緩和層として機能し、実装の際に共振器にダメージを生じにくくすることができる。p型層123の上には、電流狭窄と光閉じ込めを行うための誘電体層113が形成されている。誘電体層113は、リッジ部123Aの上においてp型コンタクト層136を露出する開口部を有している。誘電体層113は、光閉じ込めを行うために、p型クラッド層135よりも屈折率が小さい材料が用いられる。具体的には酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN、酸化タンタルTa2O5又は酸化ジルコニウムZrO2等を用いればよい。本実施形態においては、誘電体層113としてSiO2を用いた例について説明する。誘電体層113はフォトリソグラフィー等を用いて形成すればよい。半導体層積層体112の上には、p側電極115が形成されている。p側電極115はリッジ部123Aの上に形成され、p型コンタクト層136とオーミック接合したコンタクト電極151と、コンタクト電極151及び誘電体層113を覆うように形成された配線電極152とを含む。基板111の半導体層積層体112と反対側の面裏面にはn側電極116が形成されている。コンタクト電極151は例えば、厚さが50nmのパラジウムPd層と厚さが40nmの白金Pt層との積層膜とすればよい。配線電極152は例えば、チタンTi層、白金Pt層及び金Au層の積層膜とすればよい。配線電極152の厚さは、図1に示すように、前方端面を含む第1領域101と、共振器の中央部を含む第2領域102とで異なっている。第1領域101及び第2領域102において、Ti膜及びPt膜はそれぞれ20nm及び50nmとなっている。一方、Au層は第1領域101においては4μmであり、第2領域102においては2μmとなっている。配線電極152にはボンディングワイヤ118が接続されている。図1において、ボンディングワイヤ118は、共振器の中央部に接続されている。従って、ボンディングワイヤ118は第2領域102においてリッジ部123Aの直上に接続されている。n側電極116は、サブマウント161に設けられたサブマウント電極162とはんだ層163を介在させて接続されている。以下に、本実施形態の半導体レーザ装置によりキンクレベルを高くすると共に水平FFPを広くすることができる理由について説明する。前方端面141には反射率が低いコーティング膜が形成されており、後方端面142には反射率が高いコーティング膜が形成されている。このため、活性層122において生成された光は、前方端面141から主に出射され、前方端面における発熱量は大きくなる。本実施形態においては、前方端面141を含む第1領域101において、配線電極152のAu層の厚さが第2領域102よりも厚くなっている。このため、第1領域101は、第2領域102よりも熱容量が大きく、放熱性も高い。従って、発熱量が大きい第1領域101においても十分な放熱性を確保することができ、発熱による光導波路中における高次横モードの発生が抑制されるため、高いキンクレベルを実現することが可能となる。一方、以下のような理由により、第1領域101において配線電極152の膜厚を厚くすることにより、水平FFPを広くすることもできる。図2a及びbは、リッジ部201Aを有するGaN層201の上にAu層202を堆積した場合に生じる応力を計算により求めた結果を示している。図2a及びbにおいて色が濃い部分ほど応力が大きいことを示している。図2aはAu層202の厚さが厚い場合であり、図2bはAu層202の厚さが薄い場合である。図2に示すように、GaN層201とAu層202との熱膨張係数の違いによる応力及びAu層202自体の固有の内部応力等により、GaN層201に形成されたリッジ部201Aの基部に圧縮応力が発生する。リッジ部201Aに圧縮応力が加わると、GaN結晶の格子定数が小さくなり、屈折率が小さくなる。従って、リッジ部201Aにおける実効屈折率と、リッジ部201Aの側方における実効屈折率との差である実効屈折率差ΔNが大きくなり、水平FFPが広がる。図2に示すように、リッジ部201Aに加わる圧縮応力の大きさは、Au層202が厚い方が大きい。例えば、Au層202の厚さが2μmの場合よりも4μmの場合の方がリッジ部201に加わる圧縮応力が大きくなる。従って、Au層の厚さが厚い方が水平FFPを広げる効果も大きくなる。リッジ部に圧縮応力を効果的に加えるためには、配線電極とリッジ部との間に空隙が存在していないことが好ましい。図3は、Au層202をリッジ部201と間隔をおいて形成した場合について生じる応力を計算により求めた結果を示している。図3に示すように、Au層202とリッジ部201との間に空隙210が存在している場合には、リッジ部201に圧縮応力が加わらず、水平FFPを広げることができない。図4a及びbは、それぞれ本実施形態の半導体レーザ装置における水平FFPを計算により求めた結果であり、aは第1領域101における水平FFPを示し、bは第2領域102における水平FFPを示している。図4に示すように第1領域101における水平FFPは約7.5°となり、第2領域102における水平FFPは約6.8°となった。このように、配線電極152の膜厚を厚くすることにより、実効屈折率差ΔNを大きくし、半導体層内により効果的に光を閉じ込めることができ、その結果水平FFPを広くすることが可能となる。実効屈折率差ΔNを大きくすることにより水平FFPを広くすることができるが、実効屈折率差ΔNを大きくすることはキンクレベルを低下させる要因となる。しかし、本実施形態の半導体発光装置は、前方端面141を含む第1領域101においてのみ配線電極152の膜厚を厚くし、第2領域102においては配線電極152の膜厚を第1領域101よりも薄くしている。このため、共振器全体としてみた場合に、実効屈折率差ΔNの大きな上昇が生じず、キンクレベルが大きく低下することはない。図5は、本実施形態の半導体レーザ装置における第1領域101の長さL1と水平FFPとの関係を計算により求めた結果を示している。図5に示すように、第1領域101が設けられていない場合の水平FFPは約6.8°であり、L1が大きくなると水平FFPは変動し、250μm程度において、第1領域101の定常状態である約7.5°に収束する。L1が100μm以下の場合には水平FFPは大きく振動しており、L1が40μm程度において水平FFPは最大値を示し、約8.1°となっている。第1領域101の長さL1の変化に応じて水平FFPが振動する現象は、第1領域の基本横モード光以下、基本横モード光1と呼ぶと第2領域の基本横モード光以下、基本横モード光2と呼ぶとの形状が異なるために、モード不整合が発生することによる。後方端面142側から第2領域102における基本横モード光2が第1領域101との境界部に伝播してくると、第1領域101における基本横モード光1とのモード不整合により境界部で干渉が発生する。その後、基本横モード光2は、基本横モード光1にモードが収束するように振動しながら第1領域101内を進み、前方端面141に到達する。第1領域101と第2領域102との境界部に近い領域では基本横モード光1と基本モード光2とのモード不整合が大きいために、基本モード光は激しく振動しながら伝播する。従って、第1領域101の長さL1が短く、第1領域101と第2領域102との境界部と前方端面141との間隔が狭い場合には、基本横モード光2から基本横モード光1にモード変換される過程のモード不整合成分が放射モードとして放射される。配線電極152の膜厚が厚い第1領域101の長さL1を調整し、基本横モード光1と基本横モード光2との干渉を積極的に利用することにより、水平FFPを第2領域102における水平FFPより広げることが可能となる。図6はL1を0μm、20μm、40μm、60μm、80μm及び100μmとして試作した半導体レーザ装置のそれぞれについて光出力を5mWとした際の水平FFPを測定した結果を示している。但し、共振器長、共振器幅及びリッジ幅はそれぞれ、800μm、100μm及び1.4μmとした。また、表1には数値をまとめて示している。なお、水平FFPは、L1の値ごとに30個の半導体レーザ装置について測定し、その平均値を求めた。図6において実線で示した試作した半導体レーザ装置におけるL1の変化に伴う水平FFPの変化は、破線で示した計算結果と傾向が良く一致している。図6及び表1に示すように、L1の値が0μmであり第1領域101を設けていない場合には、水平FFPは7.4°となり、最も狭くなった。また、L1の変化とともに水平FFPは変動し、L1が40μmの場合に、水平FFPが8.3°となり最も広くなった。このように、第1領域101の長さL1を調整することにより、第1領域101を設けていない場合よりも水平FFPを最大で約0.9°広くできた。図7は、L1が40μmのは半導体レーザ装置における電流-光出力特性を示している。図7に示すように、L1が40μmの半導体レーザ装置のキンクレベルは500mW以上であり、高い出力でもキンクが発生しない良好な特性が実現できている。図8は、L1が40μmの半導体レーザ装置における水平FFP及び垂直FFPの特性を測定した結果を示している。図8に示すように、光出力が5mWの場合における水平FFPは8.3°となり、垂直FFPは18.2°である。従って、高いキンクレベルを保持しながら要望されるFFP特性を実現できている。図9は、L1が40μmの半導体レーザ装置における長期信頼性試験の結果を示している。図9は、85°Cの温度においてパルス光出力を450mWとした場合の電流変化を示している。図9に示すように、1000時間においても大きな電流変化が生じておらず、突然レーザ素子が破壊に至り電流値が大きくなる現象も認められていない。このように、良好な長期信頼性が実現できている。本実施形態においては、配線電極152のAu層の膜厚を第1領域101において4μmとし、第2領域において2μmとした。しかし、これに限らず必要なキンクレベル及び水平FFPを実現できればどのような厚さとしてもよい。但し、ワイヤボンディングの際にリッジ部にダメージが生じることを抑えるためには、第2領域においてAu層の膜厚を2μm以上とすることが好ましい。ボンディングワイヤ118の一般的な直径は50±5μm程度であり、ワイヤボンディングの位置精度は±10μm程度である。また、半導体レーザ装置を形成する際におけるマスク合わせ精度等のプロセスばらつきは±5μm程度であり、劈開位置ずれ等のばらつきは±10μm程度である。このため、直径が50μmのボンディングワイヤ118のボンディング位置は±30μm程度ばらつく。従って、共振器幅が100μmの場合には、ボンディングワイヤ118はリッジ部123Aの直上に配置される。ボンディングワイヤ118をボンディングした際の沈み込み量は1.5μm程度であることが実験により確認されている。このため、ボンディングによるリッジ部123Aへのダメージの発生を抑えるためには、配線電極の膜厚をボンディングによる沈み込み量よりも大きくすることが必要であり、2μm以上とすることが好ましい。なお、本実施形態において、配線電極152のAu層の膜厚を厚くすることにより、リッジ部123Aに圧縮応力を加える構成としたが、リッジ部123Aに加わる圧縮応力の大きさはp側電極115全体の厚さに依存する。従って、Au層に代えて配線電極152のTi層又はPt層を厚くしてもよい。また、コンタクト電極151のPd層又はPt層を厚くしてもよい。さらに、複数の層について第1領域101において第2領域102よりも膜厚を厚くしてもよい。また、本実施形態においては、p側電極115の厚さを第1領域101の全体において、第2領域102よりも厚くする例を示した。しかし、リッジ部123Aに圧縮応力を加えられればよい。このため、第1領域101におけるリッジ部123Aの近傍においてのみp側電極115の厚さを第2領域102よりも厚くし、共振器の側面の近傍においては第1領域101と第2領域102におけるp側電極115の厚さを同じにしてもよい。具体的には、リッジ部123Aの端部から5μm程度の範囲について、第1領域101において第2領域102よりも配線電極152の膜厚を厚くすればよい。なお、配線電極152に代えてコンタクト電極151の厚さを厚くしてもよい。配線電極152の構成を、Ti層、Pt層及びAu層の積層膜とする例を示したが、Au、クロムCr、Pt、Pd、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、すずSn、カドミウムCd、マグネシウムMg及び鉛Pb等から適宜選択した材料により形成すればよい。特に、Zn、Sn、Cd、Mg及びPb等は、GaNに対して熱膨張係数が大きいため圧縮応力が生じやすく、水平FFPを広くすることが容易となる。また、Cr、Pt、Ni、Au、Cu及びZn等はめっき法により容易に形成できるため、生産性を向上させることができるという利点を有している。また、コンタクト電極151の材質についても配線電極152と同様に適宜変更してかまわない。めっき法により形成した膜は、EB蒸着法及びスパッタ蒸着法等により形成した膜と比べて粗い膜となるため、膜厚が同じ場合、EB蒸着法及びスパッタ蒸着法等により形成した膜よりもリッジ部123Aに加えられる応力が小さくなる。しかし、めっき法は、電子ビームEB蒸着法及びスパッタ蒸着法等と比べて厚い膜を短時間で形成することができるという利点を有している。めっき法により成膜を行う場合、図10に示すように配線電極152を第1の層154と第2の層155との積層体としてもよい。この場合、第1の層154は、厚さが20nm、50nm及び70nmのTi層、Pt層及びAu層の積層体とし、第2の層155は、めっき法により形成した、第1領域101における厚さが5μmで、第2領域102における厚さが3μmのAu層とすればよい。第1の層154の厚さが十分に厚く、ワイヤボンディングが可能であれば、第2領域102には第2の層155を形成せず、第1領域101にのみ第2の層155を形成してもよい。EB蒸着法及びスパッタ蒸着法等の場合、成膜レートが遅いため、2μm以上の厚い膜を堆積しようとすると成膜時間が長くなり、生産性が低下する。しかし、配線電極152のうち、厚い第2の層155はめっき法により形成することができるので生産性を向上させることができる。なお、第1の層154は膜厚が薄いためEB蒸着法及びスパッタ蒸着法等により形成すればよいが、めっき法等により形成してもよい。第1の層154及び第2の層155の材質等は、適宜変更してかまわない。例えば、第2の層155をAu層に代えて、Cr、Pt、Ni、Cu又はZn等のめっき法により容易に形成できる材料により形成してもよい。また、Sn、Cd、Mg又はPb等を用いることも可能である。第2の実施形態第1の実施形態においては、リッジ部123Aの上に形成するp側電極115の厚さを変えることにより、リッジ部123Aに加わる圧縮応力を第1領域101において第2領域102よりも大きくする構成を示した。しかし、図11に示すような構成としても、リッジ部123Aに加わる圧縮応力を第1領域101において第2領域102よりも大きくすることができる。第2の実施形態の半導体レーザ装置は、第1の実施形態の半導体レーザ装置と配線電極152の構成が異なっている。以下においては、異なっている部分のみを説明する。図11に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置は、配線電極152が第1の層154と第2の層156とを有している。第1の層154は、厚さが20nm、50nm及び70nmのTi層、Pt層及びAu層の積層体であり、第1領域101及び第2領域102において同じ構成となっている。第2の層156は、厚さが約5μmのAuからなる層であり、第1領域101及び第2領域102において、リッジ部123Aの両側方の上にリッジ部123Aと並行してストライプ状に延びる側壁部156Aを有している。また、第1領域101において、2つの側壁部156A同士に跨る天井部156Bとを有し、第2領域102には天井部156Bは形成されていない。従って、第2の層156は、第1領域101においてリッジ部123Aの直上に空洞部156aを有し、第2領域102において第1の層154を露出するストライプ状の開口部156bを有している。図12a及びbはそれぞれ、リッジ部201Aを有するGaN層201の上にAu層202が形成されている場合に、リッジ部201Aに加わる応力を計算によりも止めた結果を示している。図12aはAu層202が、リッジ部201と間隔をおいて形成された側壁部と側壁部同士に跨る天井部とを有している場合を示し、図12bはAu層202が、側壁部のみからなる場合を示している。図12bに示すように、リッジ部201の両側方に、リッジ部201Aと間隔をおいて側壁部が形成され、側壁部同士が接続されず開口部212が形成されている場合には、Au層202からリッジ部201Aに加わる応力は、ほぼ完全に存在しない。一方、図12aに示すように、リッジ部201Aの両側方に形成された側壁部同士が天井部により接続され、空洞部211が形成されている場合には、Au層202からリッジ部201Aに圧縮応力が加わる。このように、図11に示す構造においては、側壁部156A同士を接続する天井部156Bが形成されている第1領域101において、天井部156Bが形成されていない第2領域102よりも大きな圧縮応力が、リッジ部123Aに加わる。従って、第1領域101においてリッジ部123Aとリッジ部123Aの外側との実効屈折率差ΔNが大きくなり、水平FFPを広くすることができる。その結果、第1の実施形態と同様に前方端面141から出射されるレーザ光の水平FFPを広くすることが可能となる。また、第2領域102においてリッジ部123Aには大きな圧縮応力が加わらないため、キンクレベルの低下を抑えることができる。第2領域102において、リッジ部123Aに応力を加えないようにするためには、側壁部156Aとリッジ部123Aとの間隔D1を大きくすることが好ましい。一方、第1領域101において、リッジ部123Aに圧縮応力を加えるためには、側壁部156Aとリッジ部123Aとの間隔D1をできるだけ小さくすることが好ましい。具体的には、側壁部156Aとリッジ部123Aとの間隔D1は0.5μm以上且つ5μm以下とすればよい。側壁部156Aとリッジ部123Aとの間隔D1を0.5μmよりも小さくしようとすると、位置合わせ等が困難となり、製造が困難となる。一方、側壁部156Aとリッジ部123Aとの間隔D1を5μmよりも大きくすると、光分布に影響を与える範囲を超えてしまうため、水平FFPを広げることができなくなる。第1領域101における、第1の層154の上面と天井部156Bの下面との間隔D2は、2μm以上とすることが好ましい。本実施形態の半導体レーザ装置の場合、ボンディングワイヤ118の直径及び位置合わせの精度等を考えると、第2領域102にボンディングワイヤ118を接続することは困難である。従って、第1領域101において、ボンディング時におけるリッジ部123Aへのダメージをできるだけ小さくする必要がある。第1の層154の上面と天井部156Bの下面との間隔D2を2μm以上とすることにより、ダイスボンドコレット又はワイヤボンドキャピラリ等による衝撃が直接リッジ部123Aに加わることを防ぎ、リッジ部123Aへのダメージを低減することができる。天井部156Bの厚さは、リッジ部123Aに圧縮応力を加えることができ且つボンディングの際の衝撃に耐える厚さであればよい。天井部156Bは、側壁部156Aと一体に形成されていてもよい。また、側壁部156Aを形成した後天井部156Bを形成してもよい。この場合には、側壁部156Aと天井部156Bとは異なる材料により形成されていてもよい。第2の層156は、Au層に代えて、Cr、Pt、Ni、Cu又はZn等のめっき法により容易に形成できる材料により形成してもよい。また、Sn、Cd、Mg又はPb等を用いることも可能である。第1の層154は、第1の実施形態と同様にその構成を任意に変更してかまわない。本実施形態において、第2領域102にストライプ状の開口部156bを有する第2の層156が形成されている構成としたが、第1領域101にのみ第2の層156を形成し、第2領域102には第2の層156を形成しない構成としてもよい。第1の実施形態及び第2の実施形態において、第1領域101の長さL1が100μm以下の場合について、水平FFPを広くできることを示したが、第1領域101の長さL1が100μm以上の長さであってもよい。電極に用いる材料及び電極の膜厚等によりリッジ部123Aに加わる応力の大きさは変化する。従って、第1領域101の長さL1の値はこれらのパラメータ及び必要とする水平FFPに応じて設定すればよい。また、第1領域101の長さL1の値は、共振器長も考慮して決定すればよい。但し、キンクレベルの低下を抑えるためには、第1領域101の長さL1は前方端面141と後方端面142との間の長さ共振器長の2分の1よりも短い、つまり第2領域102の長さよりも短いことが好ましい。