ピクセルにデータ電圧を供給するデータライン、前記ピクセルにスキャンパルスを供給するゲートライン、互いに交差されその交差部に相互容量が形成されたTxライン及びRxラインを含む表示パネルと、ディスプレイ期間の間に前記データラインにアナログビデオデータ電圧を供給しタッチセンサ駆動期の間に前記データラインの電圧を特定直流電圧で同一に維持させるディスプレイデータ駆動回路と、前記ディスプレイ期間の間に前記アナログビデオデータ電圧に同期するスキャンパルスを前記ゲートラインに順次供給するディスプレイスキャン駆動回路と、前記タッチセンサ駆動期間の間に前記Txラインに駆動パルスを順次供給するタッチセンサ駆動回路と、前記タッチセンサ駆動期間の間に前記Rxラインを経由し前記相互容量からタッチ信号を受信するタッチセンサ読み出し回路とを含むことを特徴とするタッチセンサ内蔵型表示装置。前記特定直流電圧は基底電圧GNDや基底電圧GNDに近い直流電圧であることを特徴とする、請求項1記載のタッチセンサ内蔵型表示装置。前記スキャンパルスはゲートハイ電圧とゲートロー電圧の間でスイングし、前記ディスプレイスキャン駆動回路は前記タッチセンサ駆動期間の間に前記ゲートラインの電圧を前記ゲートロー電圧に維持させることを特徴とする、請求項1記載のタッチセンサ内蔵型表示装置。前記ディスプレイスキャン駆動回路の出力端は前記ゲートラインと接続されたプルダウントランジスタを含み、前記プルダウントランジスタそれぞれのソース-ドレーンの間の抵抗は10KΩ~150KΩの間の値であることを特徴とする、請求項1記載のタッチセンサ内蔵型表示装置。前記ディスプレイスキャン駆動回路の出力端は前記ゲートラインと接続されたプルダウントランジスタを含み、前記プルダウントランジスタそれぞれのソース-ドレーンの間の抵抗は0より大きく2KΩ以下であることを特徴とする、請求項1記載のタッチセンサ内蔵型表示装置。ピクセルにデータ電圧を供給するデータライン、前記ピクセルにスキャンパルスを供給するゲートライン、互いに交差されその交差部に相互容量が形成されたTxライン及びRxラインを含む表示パネルを備えるタッチセンサ内蔵型表示装置の駆動方法において、ディスプレイ期間の間に前記データラインにアナログビデオデータ電圧を供給する段階と、前記ディスプレイ期間、前記アナログビデオデータ電圧に同期するスキャンパルスを前記ゲートラインに順次供給する段階と、タッチセンサ駆動期間の間、前記データラインの電圧を特定直流電圧で同一に維持させる段階と、前記タッチセンサ駆動期間の間に前記Txラインに駆動パルスを順次供給する段階と、前記タッチセンサ駆動期間の間、前記Rxラインを経由し前記相互容量からタッチ信号をタッチセンサ読み出し回路に受信する段階とを含むことを特徴とするタッチセンサ内蔵型表示装置の駆動方法。前記特定直流電圧は基底電圧GNDや基底電圧GNDに近い直流電圧であることを特徴とする、請求項6記載のタッチセンサ内蔵型表示装置の駆動方法。前記タッチセンサ駆動期間の間、F前記ゲートラインの電圧をゲートロー電圧で維持させる段階をさらに含み、前記スキャンパルスはゲートハイ電圧と前記ゲートロー電圧の間でスイングすることを特徴とする、請求項6記載のタッチセンサ内蔵型表示装置の駆動方法。前記スキャンパルスを出力するディスプレイスキャン駆動回路の出力端は前記ゲートラインと接続されたプルダウントランジスタを含み、前記プルダウントランジスタそれぞれのソース-ドレーンの間の抵抗は10KΩ~150KΩの間の値であることを特徴とする、請求項6記載のタッチセンサ内蔵型表示装置の駆動方法。前記ディスプレイスキャン駆動回路の出力端は前記ゲートラインと接続されたプルダウントランジスタを含み、前記プルダウントランジスタそれぞれのソース-ドレーンの間の抵抗は0より大きく2KΩ以下であることを特徴とする、請求項6記載のタッチセンサ内蔵型表示装置の駆動方法。本発明の目的とするところは、表示パネルのピクセルに接続された信号配線からタッチセンサに印加されるノイズを最小化することができるタッチセンサ内蔵型表示装置とその駆動方法を提供することにある。前記課題を解決するために、本発明のタッチセンサ内蔵型表示装置は、ピクセルにデータ電圧を供給するデータライン、前記ピクセルにスキャンパルスを供給するゲートライン、互いに交差されその交差部に相互容量が形成されたTxライン及びRxラインを含む表示パネルとディスプレイ期間の間に前記データラインにアナログビデオデータ電圧を供給しタッチセンサ駆動期間の間に前記データラインの電圧を特定直流電圧に同一に維持させるディスプレイデータ駆動回路と前記ディスプレイ期間の間前記アナログビデオデータ電圧に同期するスキャンパルスを前記ゲートラインに順次供給するディスプレイスキャン駆動回路と、前記タッチセンサ駆動期間の間前記Txラインに駆動パルスを順次供給するタッチセンサ駆動回路と、前記タッチセンサ駆動期間の間前記Rxラインを経由し前記相互容量からタッチ信号を受信するタッチセンサ読み出し回路を含む。前記特定直流電圧は基底電圧GNDや基底電圧GNDに近い直流電圧である。前記ディスプレイスキャン駆動回路は前記タッチセンサ駆動期間の間に前記ゲートラインの電圧をゲートロー電圧で維持させる。前記タッチセンサ内蔵型表示装置の駆動方法は、ディスプレイ期間の間に前記データラインにアナログビデオデータ電圧を供給する段階と、前記ディスプレイ期間、前記アナログビデオデータ電圧に同期するスキャンパルスを前記ゲートラインに順次供給する段階と、タッチセンサ駆動期間の間に前記データラインの電圧を特定直流電圧で同一に維持させる段階と、前記タッチセンサ駆動期間の間、前記Txラインに駆動パルスを順次供給する段階と、前記タッチセンサ駆動期間の間に前記Rxラインを経由し前記相互容量からタッチ信号をタッチセンサ読み出し回路に受信する段階とを含む。以上説明したように、本発明は、タッチセンサの駆動期間の間、データラインに特定直流電圧を供給しタッチセンサの出力に悪影響を与えるノイズ成分の信号をデータラインを通じ放電させる。その結果、本発明は、表示パネルのピクセルに接続された信号配線からタッチセンサに印加されるノイズを最小化することができる。さらに、本発明は、非晶質シリコンAmorpousSi基盤の表示パネルにおいてベゼル領域の増加なしにタッチセンサに悪影響を与えるノイズを最小化することができる。以下、添付された図面を参照して、本発明に係る望ましい実施の形態を詳しく説明する。明細書全体にかけて同一である参照番号は実質的に同一である構成要素を意味する。本発明のタッチセンサ内蔵型表示装置は、液晶表示素子LiquidCrystalDisplay、LCD、電界放出表示素子FieldEmissionDisplay、FED、プラズマディスプレイパネルPlasmaDisplayPanel、PDP、有機発光ダイオード表示装置OrganicLightEmittingDisplay、OLED、電気泳動表示素子Electrophoresis、EPDなどの平板表示素子と、その平板表示素子の表示パネル内にインセルタイプで内蔵したタッチセンサに具現することができる。以下の実施の形態において、平板表示素子の一つの例として、液晶表示素子を説明するが、本発明のディスプレイ装置は、液晶表示素子に限定されないということに注意しなければならない。図2及び図3を参照すれば、本発明の実施の形態に係るタッチセンサ内蔵型表示装置は、表示パネル100、ディスプレイデータ駆動回路202、ディスプレイスキャン駆動回路204、タッチセンサ駆動回路302、タッチセンサ読み出し回路Touchsensorreadoutcircuit、304、タッチコントローラTouchcontroller、306、タイミングコントローラTimingcontroller、104などを含む。表示パネル100は、二枚のガラス基板の間に液晶層が形成される。表示パネル100の下部基板には、複数のデータラインD1~Dm、mは正の整数、データラインD1~Dmと交差される複数のゲートラインG1~Gn、nは正の整数、データラインD1~DmとゲートラインG1~Gnの交差部に形成される複数のTFTThinFilmTransistor、図6のTFT、液晶セル図6のClcにデータ電圧を充電させるための複数の画素電極11、画素電極11に接続され液晶セルの電圧を維持させるためのキャパシタストレージキャパシタStorageCapacitor、図6のCst、タッチセンサなどを含む。タッチセンサは、図4乃至図6のように、ゲートラインG1~Gnと並んでいるTxラインT1~Tj、jはnより小さな正の整数、TxラインT1~Tjと交差しデータラインD1~Dmと並んでいるRxラインR1~Ri、iはmより小さな正の整数、及びTxラインT1~TjとRxラインR1~Riの交差部に形成された相互容量mutualcapacitance、Cmなどを含む。TxラインT1~TjとRxラインR1~Riは、共通電極12に接続され、ディスプレイ期間の間、共通電極12に共通電圧Vcomを供給する。タッチセンサ駆動期間の間、TxラインT1~Tjにはタッチセンサを駆動するための駆動パルスが供給され、RxラインR1~Riにはタッチ基準電圧Vrefが供給される。表示パネル100のピクセルは、データラインD1~DmとゲートラインG1~Gnにより定義されたピクセル領域に形成され、マトリックス状に配置される。ピクセルそれぞれの液晶セルは、画素電極11に印加されるデータ電圧と共通電極12に印加される共通電圧Vcomの電圧差によって印加される電界により駆動されて入射光の透過量を調節する。TFTは、ゲートラインG1~Gnからのゲートパルスに応答してターンオンされ、データラインD1~Dmからの電圧を液晶セルの画素電極11に供給する。表示パネル100の上部ガラス基板には、ブラックマットリックス、カラーフィルタなどを含むことができる。一方、表示パネル100の下部ガラス基板は、COTColorfilterOnTFT構造で具現することができる。この場合に、ブラックマットリックスとカラーフィルタは、表示パネル100の下部ガラス基板に形成される。共通電極12は、TNTwistedNematicモードとVAVerticalAlignmentモードのような垂直電界駆動方式で上部ガラス基板に形成され、IPSInPlaneSwitchingモードとFFSFringeFieldSwitchingモードのような水平電界駆動方式で画素電極11と共に下部ガラス基板上に形成される。共通電極12に供給される共通電圧Vcomは7V~8V間の直流電圧で有り得る。共通電極12はTxラインT1~TjとRxラインR1~Riの内、一つ以上に接続され、そのTxラインT1~TjとRxラインR1~Riを通じて共通電圧Vcomの供給を受ける。表示パネル100の上部ガラス基板と下部ガラス基板それぞれには偏光板が附着し液晶と接する内面に液晶のプレチルト角を設定するための配向膜が形成される。表示パネル100の上部ガラス基板と下部ガラス基板の間には液晶セルのセルギャップCellgapを維持するためのカラムスペーサが形成される。ディスプレイデータ駆動回路202は複数のソースドライブICIntegratedCircuitを含む。ソースドライブICは、あらかじめ設定されたディスプレイ期間の間にアナログビデオデータ電圧を出力し、タッチセンサ駆動期間の間に特定直流電圧を出力する。ここで、特定直流電圧は、タッチセンサ駆動期間の間、タッチセンサの相互容量Cmに充電された電圧の変動を最小化することができる電圧である。特定直流電圧は、基底電圧GNDまたはそれと近接した直流電圧で有り得る。ソースドライブICはタイミングコントローラ104から入力されるデジタルビデオデータRGBをラッチする。そして、ソースドライブICはデジタルビデオデータRGBをアナログ正極性負極性ガンマ補償電圧に変換してアナログビデオデータ電圧を出力する。アナログビデオデータ電圧はデータラインD1~Dmに供給される。ディスプレイスキャン駆動回路204は一つ以上のスキャンドライブICを含む。スキャンドライブICは、ディスプレイ期間の間にタイミングコントローラ104の制御の下にアナログビデオデータ電圧に同期するスキャンパルスまたはゲートパルスをゲートラインG1~Gnに順次供給して、アナログビデオデータ電圧が記入される表示パネルのラインを選択する。スキャンパルスはゲートハイ電圧VGHとゲートロー電圧VGLの間でスイングするパルスとして発生する。ディスプレイスキャン駆動回路204は、タッチセンサ駆動期間の間にスキャンパルスを発生しないでゲートロー電圧VGLをゲートラインG1~Gnに持続的に供給する。したがって、ゲートラインG1~Gnは、ディスプレイ期間の間ゲートパルスをピクセルのTFTに供給して、表示パネル100でデータが記入されるラインを順次選択し、タッチセンサ駆動期間の間ゲートロー電圧VGLを維持する。ゲートハイ電圧VGHはおおよそ18V~20V間の電圧であり得、ゲートロー電圧VGLはおおよそ0V~-15V間の電圧で有り得る。タッチセンサ駆動回路302は、ディスプレイ期間の間にTxラインT1~Tjに共通電圧Vcomを供給し、タッチセンサ駆動期間の間にTxラインT1~Tjに駆動パルスを順次印加してタッチセンサをスキャニングする。タッチセンサ読み出し回路304は、ディスプレイ期間の間、RxラインR1~Riに共通電圧Vcomを供給し、タッチセンサ駆動期間の間、RxラインR1~Riにタッチ基準電圧Vrefを供給する。タッチ基準電圧Vcomは0Vより高く3V以下の直流電圧に設定される。タッチセンサ読み出し回路304は、RxラインR1~Riを通じて入力されるタッチセンサのアナログ出力相互容量の電圧を増幅しHIDフォーマットのデジタルデータに変換してタッチコントローラ306に送る。タッチコントローラ306は、タッチセンサ読み出し回路304から入力されたデジタルデータをあらかじめ設定されたタッチ認識アルゴリズムで分析して座標値を算出する。タッチコントローラ306から出力されたタッチ位置の座標値データは外部のホストシステムに伝送する。ホストシステムはタッチ位置の座標値が指示する応用プログラムを実行する。タイミングコントローラ104は、外部のホストシステムから入力される垂直同期信号Vsync、水平同期信号Hsync、データイネーブル信号DataEnable、DE、メインクロックMCLKなどのタイミング信号の入力を受け、ディスプレイデータ駆動回路202とディスプレイスキャン駆動回路204の動作タイミングを制御するためのタイミング制御信号を発生する。ディスプレイスキャン駆動回路204のタイミング制御信号は、ゲートスタートパルスGateStartPulseGSP、ゲートシフトクロックGateShiftClock、GSC、ゲート出力イネーブル信号GateOutputEnable、GOE、シフト方向制御信号DIRなどを含む。ディスプレイデータ駆動回路202のタイミング制御信号は、ソースサンプリングクロックSourceSamplingClock、SSC、極性制御信号Polarity、POL、及びソース出力イネーブル信号SourceOutputEnable、SOEなどを含む。タイミングコントローラ104は、タッチセンサ駆動回路302とタッチセンサ読み出し回路304の動作タイミングを制御するためのタイミング制御信号Ctx、Crxを発生する。タイミングコントローラ104は、タイミング制御信号を制御し1フレーム期間をディスプレイ期間とタッチセンサ駆動期間に時分割する。例えば、1フレーム期間が1/60秒16.67msecであれば、タイミングコントローラ104は、おおよそ11msecをディスプレイ期間として設定し、そのディスプレイ期間の間、ディスプレイデータ駆動回路202とディスプレイスキャン駆動回路204の出力をイネーブルさせてビデオデータをピクセルに表示する。そして、タイミングコントローラ104は、5.67msecをタッチセンサ駆動期間として設定し、そのタッチセンサ駆動期間の間にタッチセンサ駆動回路302とタッチセンサ読み出し回路304を駆動してタッチスクリーンのタッチ位置を検出する。ディスプレイ期間とタッチセンサ駆動期間は、表示パネル100の種類にしたがってパネル特性を考慮し適切に調節される。図3は図2に示された表示パネル100に内蔵したピクセルアレイとタッチセンサの一部を示す平面図である。図3において、TxラインT1~Tjは透明導電ブロックパターンT11~T23とリンクパターンL11~L22を含む。透明導電ブロックパターンT11~T23それぞれの大きさはピクセルそれぞれの大きさより大きくパターニングされる。透明導電ブロックパターンT11~T23それぞれは絶縁層を間に置いてピクセルと重畳され、ITOIndiumTinOxideのような透明導電物質でパターニングされる。リンクパターンL11~L22はRxラインR1、R2を横切って横方向または水平方向で隣合う透明導電ブロックパターンT11~T23を電気的に連結する。リンクパターンL11~L22は絶縁層を間に置いてRxラインR1、R2と重畳される。リンクパターンL11~L22は電気伝導率が高い金属アルミニウムAl、アルミニウムネオジムAlNd、モリブデンMo、クロムCr、銅Cu、銀Agなどの金属でパターニングされるか、透明導電物質でパターニングされる。図3において、第1TxラインはリンクパターンL11、L12を経由し横方向に沿って接続された複数の透明導電ブロックパターンT11~T13を含む。第2TxラインはリンクパターンL21、L22を経由し横方向に沿って接続された複数の透明導電ブロックパターンT21~T23を含む。RxラインR1、R2は横方向に隣合う透明導電ブロックパターンT11~T23の間で縦方向または垂直方向に沿って長くパターニングされる。RxラインR1、R2はITOのような透明導電物質で形成される。RxラインR1、R2それぞれは図示しない複数のピクセルと重畳される。図3において、D1~D3...はデータラインであり、G1~G3...はゲートラインを示す。図4は表示パネル100のピクセルに接続された信号配線とカップリングされない理想的なタッチセンサを示す等価回路図である。図5は表示パネル100のピクセルに接続された信号配線とカップリングされたタッチセンサを示す等価回路図である。図6は表示パネル100のピクセルに接続された信号配線を通じタッチセンサに流入されるノイズ成分を示す回路図である。図4乃至図6において、CtはTxラインに接続された寄生容量、CrはRxラインに接続された寄生容量、CgrはゲートラインGxとRxラインの間の寄生容量、RtはTxラインの抵抗、RrはRxラインの抵抗をそれぞれ意味する。静電容量方式のタッチセンサがピクセルに接続された信号配線とカップリングされない理想的な条件図4で、TxラインとRxラインの交差部に形成された相互容量Cm電圧のタッチ前後の変化量がノイズなしに検出される。これに比べて、図5のようにピクセルに接続されたゲートラインGxと静電容量方式のタッチセンサがカップリングされれば、Txライン、ゲートラインGx、ゲートラインGxとRxラインの間の寄生容量Cgrを通じノイズ成分の電流が流れるようになり、その電流がRxラインを通じ出力されるタッチ信号に混入される。タッチ信号は相互容量Cmから出力される電圧である。このノイズ成分にしたがって、タッチ前後に相互容量Cm電圧変化量が小さくなるのでタッチ可否が区分しにくくなりタッチ感度が低くなる。ノイズ成分がゲートラインGxと接続された抵抗Ronを通じ放電すればタッチ信号に混入されるノイズ成分を小さくできる。したがって、ゲートラインGxに接続された抵抗Ronを減らせばタッチ信号に混入されたノイズ成分を減らすことができる。図6において、図面符号40はディスプレイスキャン駆動回路204の出力部を示す。ディスプレイスキャン駆動回路204の出力部40はゲートハイ電圧VGHをゲートラインGxに供給するプルアップPullupトランジスタTupと、ゲートロー電圧VGLをゲートラインGxに供給するプルダウンPulldownトランジスタTdnを含む。タッチセンサの駆動期間の間、ゲートラインGxに接続された抵抗Ronは、図6のように、ディスプレイスキャン駆動回路204の出力部40に形成されたプルダウンPulldownトランジスタTdnのソース-ドレーン間の抵抗を含む。したがって、ゲートラインGxに接続された抵抗Ronを減らすためにはプルダウントランジスタTdnの大きさを大きくしなければならない。表示パネル100の下部ガラス基板にGIPGateinpanelでディスプレイスキャン駆動回路204が直接実装される。この場合、ピクセルアレイのTFTとディスプレイスキャン駆動回路204のトランジスタが非晶質シリコンAmorpousSi、a-Si上に形成されることができる。非晶質シリコン基盤のトランジスタの抵抗RonはLTPSLowTemperaturePolySilicon基板の表示パネルに形成されたトランジスタの抵抗に比べて格段に高い。したがって、非晶質シリコン基盤のトランジスタの抵抗Ronを充分に小さくするためにはトランジスタの大きさが非常に大きくなる。ディスプレイスキャン駆動回路204のプルダウントランジスタTdnの大きさを大きくすれば非表示領域であるベゼルbezel領域が大きくなるので表示パネル100をナローベゼルNarrowbezelパネルで具現しにくい。図7は本発明の実施の形態に係るタッチセンサ内蔵型表示装置の駆動信号を示す波形図である。図7を参照すれば、本発明の実施の形態に係るタッチセンサ内蔵型表示装置は、1フレーム期間をディスプレイ期間P1とタッチセンサ駆動期間P2で時分割してタッチセンサが内蔵した表示パネル100を駆動する。ディスプレイ期間P1間、データラインD1~D4には正極性負極性アナログビデオデータ電圧Vdが供給され、ゲートラインG1~G3にはデータ電圧と同期するゲートパルスが供給される。TxラインT1~TjとRxラインR1~Riにはディスプレイ期間P1間共通電極12に供給される共通電圧Vcomが供給される。タッチセンサ駆動期間P2間、データラインD1~D4には特定直流電圧、例えば、基底電圧GNDが供給され、ゲートラインG1~G3にはゲートロー電圧VGLが供給される。TxラインT1~Tjにはタッチセンサ駆動期間P2間駆動パルスVdrvが順次供給される。RxラインR1~Riにはタッチセンサ駆動期間P2間タッチ基準電圧Vrefが供給される。タッチセンサ駆動期間P2間、図7のようにすべてのデータラインD1~D4に同一である特定直流電圧を供給すれば、図8のようにピクセルに接続された信号配線を通じタッチ信号に混入されるノイズ成分を最小化することができる。一方、従来のタッチセンサ内蔵型表示装置は、ディスプレイデータ駆動回路202のソースドライブICが最後の正極性負極性データ電圧をタッチセンサ駆動期間T2間維持した後次フレーム期間のディスプレイ期間P1に新しい正極性負極性データ電圧を出力した。例えば、従来のタッチセンサ内蔵型表示装置において、第1データラインD1はディスプレイ期間P1の最後のデータ電圧である負極性データ電圧をタッチセンサ駆動期間の間維持し、第2データラインD2はディスプレイ期間P1の最後のデータ電圧である正極性データ電圧をタッチセンサ駆動期間P2の間維持した。図7において、タッチセンサ駆動期間の間にTxラインT1~Tjに供給される駆動パルスの電圧は2V~18V間の電圧であり、タッチセンサ駆動回路302のIC駆動特性にしたがって変わる。タッチセンサ駆動期間の間、RxラインR1~Riに供給されるタッチ基準電圧Vrefが印加される。図4及び図7を参照すれば、本発明はTxラインT1~Tjに駆動パルスを印加しRxラインR1~Riの電荷Chargh変化に基づいてタッチ可否を検出する。RxラインR1~Riに一定なタッチ基準電圧Vrefが印加されれば、TxラインT1~Tjのパルシングpulsingにより相互容量Cmの電荷量が変わって相互容量Cmの電荷量変動に比例してRxラインR1~Riの電荷量が振れるようになる。RxラインR1~Riの電荷振れが再びタッチ基準電圧Vrefとして変わるのが、この過程でRxラインR1~Riの変化を感知することができる。タッチにより相互容量Cmの電荷量が変わるようになれば、微細な波形の変化が生ずるようになり、これを積分すれば電荷の変化として示される。ここで、RxラインR1~Riにタッチ基準電圧Vrefが印加された状態ならば、TxラインT1~Tjに駆動パルスが印加される前にはRxラインR1~Rjはタッチ基準電圧Vrefにより電荷を充電している。TxラインT1~TjのパルシングでTxラインT1~Tjの電圧がスイングすれば、RxラインR1~Riの電荷量も変わるようになる。TxラインT1~Tjの電位がまたタッチ基準電圧Vrefに安定化されれば、RxラインR1~Riの電荷も駆動パルスが印加される前の状態に復元される。すると、RxラインR1~Riの電荷量変化は相互容量Cmの変化にしたがって誘発された電荷量変化分検出される。このように、タッチセンシング期間の間にRxラインR1~Riに一定な直流電圧に設定されたタッチ基準電圧Vrefが印加されれば、RxラインR1~Riに接続された寄生容量の電荷変動にほとんど影響を受けることなく相互容量Cmの変化が検出される。図8において、CdtはデータラインとTxラインの間の寄生容量、Cgd、Cgd1、Cgd2はゲートラインGxとデータラインの間の寄生容量、CgtはゲートラインGxとTxラインの間の寄生容量、Cgr1Cgr2はゲートラインとRxラインの間の寄生容量、Cdr1、Cdr2はデータラインとRxラインの間の寄生容量をそれぞれ意味する。図面符号61はタッチセンサ読み出し回路304に内蔵した増幅回路である。増幅回路61は演算増幅器operationamplifier、OPampと、キャパシタCopを含む。演算増幅器の非反転入力端子にはRxラインを通じタッチ信号が入力され、演算増幅器の反転入力端子には基準電圧Vrxが供給される。基準電圧Vrxはタッチ基準電圧Vrefに設定される。キャパシタCopは演算増幅器の非反転入力端子と演算増幅器の出力端子の間に接続されタッチ信号を累積して貯蔵する。タッチが発生されたタッチセンサの相互容量Cmは寄生容量Cdt、Cgd、Cgt、Cgr1、Cgd1、Cdr1を通じピクセルに接続された信号配線と接続される。タッチセンサ駆動期間T2の間、データラインに基底電圧GNDやそれと近い特定直流電圧が供給されゲートラインGxにゲートロー電圧VGLが供給されるので寄生容量Cdt、Cgd、Cgt、Cgr1、Cgd1、Cdr1の変動がない。特に、データラインに基底電圧GNDやそれと近い特定直流電圧が供給されるからピクセルに接続されたデータラインとゲートラインを通じ流れるノイズ成分の信号がRxラインに流れないでデータラインを通じ放電する。したがって、相互容量Cmから出力されRxラインを経由しタッチセンサ読み出し回路304に伝達するタッチ信号にノイズ成分がほとんど混入されないので、タッチ信号でタッチ前後の変化を大きくでき、タッチ感度とタッチ認識率を高めることができる。本発明の他の実施の形態として、タッチセンサ駆動期間の間T2データラインに特定直流電圧を供給し、ゲートラインに接続されたディスプレイスキャン駆動回路204のプルダウントランジスタ抵抗Ronを小さく設計する。一例として、非晶質シリコン基盤の表示パネル100上にGIP形態でスキャン駆動回路204が直接形成される場合に、スキャン駆動回路204のプルダウントランジスタ抵抗Ronは10KΩ~150KΩ位に設計される。この場合に、ベゼル領域が大きくなることがあるがタッチ信号に混入されるノイズ成分の信号がデータラインとゲートラインを通じ効果的に放電される。他の例として、スキャン駆動回路204をTABTapeAutomatedBondingIC状に製作して表示パネル100の基板上に接着する場合にスキャン駆動回路204のプルダウントランジスタ抵抗Ronは0より大きく2KΩ以下に設計される。図9は図4のようなRxラインの電流変化を示す実験結果の図である。図10はLTPS基盤の表示パネルにおけるタッチ前後のRxラインの電流変化を示す実験結果図である。図10はLTPS基盤の表示パネルに内蔵したタッチセンサにおけるタッチ前後の電流変化を示す実験結果図である。LTPS基盤の表示パネルに形成されたスキャン駆動回路204のプルダウントランジスタ抵抗Ronは非晶質シリコン基盤の表示パネル100に形成されたスキャン駆動回路204のプルダウントランジスタ抵抗Ronの1/10水準である。図10の実験結果で分かるように、LTPS基盤の表示パネルにおいてRxラインで測定された電流は70μA~80μA以上に測定されて消費電力を上昇させる。タッチセンサ読み出し回路304のICは一般的に消費電力を考慮しRxラインR1~Riに10μA以内の電流を供給することができ、10μA以内の電流変化を感知することができる。本発明のようにタッチセンサ駆動期間の間にデータラインに特定直流電圧を供給すればLTPS基盤の表示パネルにおいてRxラインを通じ流れる電流を10μA以内に低めることができる。図11は本発明の実施の形態に係るタッチセンサ内蔵型表示装置のタッチセンサでタッチ前後のRxラインの電流変化を示す図である。図11で分かるように、タッチセンサ駆動期間T2の間にデータラインの電圧が特定直流電圧で維持されれば、たとえLTPS基盤の表示パネル100に比べてスキャン駆動回路204のプルダウントランジスタ抵抗Ronが相対的に高いとしてもタッチセンサでタッチ前後にタッチ信号の差が現われるのでタッチセンサの出力がピクセルに接続された信号配線の影響をほとんど受けないということが確認された。本発明は非晶質シリコン基盤またはLTPS基盤の表示パネル100を有する表示装置に適用されることができる。