メサストライプ構造の少なくとも光導波路を有するリッジ型の半導体光デバイスにおいて、当該メサストライプ上に、光伝搬方向に少なくとも2つ以上の領域に応力低減用スリットを介して分離した電極が設けられていることを特徴とする半導体光デバイス。前記電極が、前記メサストライプに対して斜めに構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光デバイス。前記電極の各領域のサイズが、不均一に構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体光デバイス。少なくとも3つ以上の領域に分離した前記電極の各領域のサイズが、前記メサストライプ端部に近付くほど小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体光デバイス。前記電極が、前記メサストライプ上から離れた領域では1つの電極となっていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体光デバイス。前述したような半導体光デバイスでは、注入した電流をレーザ光に変換することや、入射した信号光の一部を吸収して透過光の強度を変換することにより、光デバイスとしての特性を発揮する。したがって、上記半導体光デバイスでは、電気信号による光特性の制御効率が非常に重要となっている。そのため、半導体光デバイスにおいてレーザ活性層または光吸収層の特性が光の伝搬方向にわたって一様な特性を有することが望まれる。しかしながら、半導体光デバイスの信頼性に関わる問題として、光信号の入出力部に当たるメサストライプ端部付近ではデバイス構造によってレーザ活性層または光吸収層とその周囲の層に大きな歪み応力が加わることが分かってきた特許文献1参照。さらに、レーザ活性層にかかる応力についてシミュレートしたところ、やはり従来の電極構造ではメサストライプ端部に近付くにしたがって応力負荷が大きくなっていることが分かった。このことは、半導体光デバイスの信頼性低下の他、半導体光デバイスの特性を劣化させる要因にもなる可能性がある。つまり、メサストライプ端部付近のレーザ活性層または光吸収層とその周囲の層に大きな歪み応力が加わることでレーザ活性層または光吸収層の特性の均一性が失われる可能性を示している。これは、半導体光デバイスの特性向上を図る上で解決すべき重要な問題である。この歪み応力については、半導体表面を汚れや電気的な問題から保護するための絶縁層と半導体との熱膨張係数の違い、絶縁層上に形成された電極メタル以下電極と記載と絶縁層や半導体との熱膨張係数の違い、さらに半導体、絶縁層、メタルなどの異なる材料を張り合わせたことによって生じる膜応力が原因となって起きることが分かっている。例えば図3aに示すように、熱膨張係数の大きい金属膜例:Au/14.2×106/°Caを半導体基板例:InP/4.56×106/°Cb上に構成する場合、金属膜と半導体の熱膨張係数の違いによって半導体基板が反るなどの形状変化としても観察されている。このため、半導体光デバイスの特性改善に当たってこの応力の影響を少なくすることが非常に重要である。本発明は、半導体光デバイスのレーザ活性層または光吸収層とその周囲の層にかかる応力の低減を図ることによって、レーザ活性層または光吸収層の特性ばらつきがデバイス内で抑えられるような構造を提供することを目的とする。上記課題を解決する第1の発明に係る半導体光デバイスは、メサストライプ構造の少なくとも光導波路を有するリッジ型の半導体光デバイスにおいて、当該メサストライプ上に、光伝搬方向に少なくとも2つ以上の領域に応力低減用スリットを介して分離した電極が設けられていることを特徴とする。上記課題を解決する第2の発明に係る半導体光デバイスは、上記第1の発明に記載の半導体光デバイスにおいて、前記電極が、前記メサストライプに対して斜めに構成されていることを特徴とする。上記課題を解決する第3の発明に係る半導体光デバイスは、上記第1または第2の発明に記載の半導体光デバイスにおいて、前記電極の各領域のサイズが、不均一に構成されていることを特徴とする。上記課題を解決する第4の発明に係る半導体光デバイスは、上記第3の発明に記載の半導体光デバイスにおいて、少なくとも3つ以上の領域に分離した前記電極の各領域のサイズが、前記メサストライプ端部に近付くほど小さくなるように構成されていることを特徴とする。上記課題を解決する第5の発明に係る半導体光デバイスは、上記第1乃至第4いずれか1つの発明に記載の半導体光デバイスにおいて、前記電極が、前記メサストライプ上から離れた領域では1つの電極となっていることを特徴とする。上記第1の発明によれば、レーザ活性層または光吸収層に加わる歪み応力を低減させ、レーザ活性層または光吸収層の特性ばらつきを抑えることができる。上記第2の発明によれば、レーザ活性層または光吸収層に加わる歪み応力をさらに低減させることができる。上記第3及び第4の発明によれば、さらに、歪み応力が大きいレーザ活性層または光吸収層の端部の応力を特に抑えることができる。上記第5の発明によれば、さらに、分割された各電極の領域に同じ電気信号が一箇所から供給でき、従来の半導体光デバイス同様の駆動回路の構成や簡便な駆動が可能となる。以下、本発明に係る半導体光デバイスを、実施例により図面を用いて詳細に説明する。本発明の実施例1に係る半導体光デバイスの構造を図1に示す。n-InPからなる基板21上には、SiドープまたはSnドープのn-InPからなる第一クラッド層22が積層されている。第一クラッド層22上には、ノンドープのInGaAsP系のバルクからなる第一光閉じ込め層23が積層されている。第一光閉じ込め層23上には、ノンドープのInGaAsP系のMQWからなるレーザ活性層または光吸収層24が積層されている。レーザ活性層または光吸収層24上には、ノンドープのInGaAsP系のバルクからなる第二光閉じ込め層25が積層されている。第二光閉じ込め層25上には、Znドープのp-InPからなる第二クラッド層26が積層されている。第二クラッド層26上には、p-InGaAsからなるコンタクト層27が積層されている。前記22~27の層がメサストライプ構造となるように、領域28は、例えば、メタン系のRIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチング加工により2μm程度の幅で基板表面から3μm程度の深さエッチングされ、東レ製のUR3800ポリイミド等の絶縁層で埋め込まれている。また、前記n-InPからなる基板21の下面にはn型電極30が設けられている。各デバイスは、チップ幅、チップ長さがそれぞれ300μm、200μmとなるように劈開によって切り出されており、劈開端面に無反射コーティング等が施されている。ちなみに、図1の前記コンタクト層27上に設けられたp型電極29は、メサストライプ上において応力低減用スリット29‐1を介していくつかの領域に分割してある。前述の図3aに示すような従来の半導体基板に比較し、図3bのように金属膜aをいくつかの領域に分割すると、応力が緩和されて反りが小さくなると期待される。さらに、図4に示すように、従来の電極構造ではレーザ活性層24はメサストライプ端部に近付くにしたがって応力負荷が大きくなっていくことがシミュレートにより判明したため、メサストライプ端部では電極を小さく分割することで電極の応力集中をなくす設計にしている。つまり、従来の電極構造に比較して、実施例1の半導体光デバイスでは、例えばp型電極29が応力低減用スリット29‐1を介して7つの領域に分割されており図1中では、煩雑さを避けるためp型電極29を5つの領域に分割したような表現にしてある、また、比較的応力の影響が少ないメサストライプ中央部付近ではp型電極29を大きく分割し、メサストライプ端部に近づくにしたがって電極のサイズが小さく分割されているため、電極から受ける大きな応力による影響を低減することができ、図4に示すように、最も応力の集中するメサストライプ端部におけるレーザ活性層24が受ける応力は、従来構造のデバイスが8-46MPaであったものが、本実施例では14-33MPaまで低減されている。さらに、図1のように、メサストライプ上で分割されている電極はメサストライプ上から離れた領域では一つになっている。このことにより、分割された各電極の領域に同じ電気信号が一箇所から供給でき、従来の半導体光デバイス同様の駆動回路の構成や簡便な駆動が可能となる。尚、レーザ活性層または光吸収層24に用いる材料はInGaAsP以外でも良い。また、基板21についてもInP基板に限定されるものではなく、例えばGaAsなどの他材料から成る基板でも良い。さらに、本実施例ではnタイプの基板21上に半導体デバイスを構成した例を示したが、pタイプの導電性を有した基板や半絶縁性の基板上に構成した半導体デバイスでも良い。本発明の実施例2に係る半導体光デバイスの構造を図5、図6に示す。n-InPからなる基板31上には、SiドープまたはSnドープのn-InPからなる第一クラッド層32が積層されている。第一クラッド層32上には、ノンドープのInGaAsP系のバルクからなる第一光閉じ込め層33が積層されている。第一光閉じ込め層33上には、ノンドープのInGaAsP系のMQWからなるレーザ活性層または光吸収層34が積層されている。レーザ活性層または光吸収層34上には、ノンドープのInGaAsP系のバルクからなる第二光閉じ込め層35が積層されている。第二閉じ込め層35上には、Znドープのp-InPからなる第二クラッド層36が積層されている。第二クラッド層36上には、p-InGaAsからなるコンタクト層37が積層されている。当該32~37の層がメサストライプ構造となるよう領域38は、例えば、メタン系のRIE加工により2μm程度の幅で基板表面から3μm程度の深さにエッチングされ、東レ製のUR3800ポリイミド等の絶縁層で埋め込まれている。また、前記コンタクト層37上には、p型電極39が設けられている。各デバイスは、チップ幅、チップ長さがそれぞれ300μm、200μmとなるように劈開によって切り出されており、劈開端面に無反射コーティング等を施されている。チップ設計の簡単化を図りつつ、レーザ活性層または光吸収層が電極から受ける応力を低減するため、実施例2の半導体光デバイスにおいては、メサストライプ上に構成される電極の一部を櫛形にし、応力低減用スリット39‐1が入った構成となっている。電極の一部を櫛形にしたことによって、レーザ活性層または光吸収層への電流注入が不均一にならないように、メサストライプ上の全面を覆うような薄い電極メタル以下薄膜電極と記載を構成し、当該薄膜電極の上に櫛形の電極を構成している。薄膜電極を例えば1000Å以下の厚さにしておくと応力影響は無視できる程度に小さくなる。また、櫛形の電極は、例えば分割された電極の領域を10μmの幅とし、その間の応力低減用スリット39‐1の幅を10μmとして配置されるような構成とすればよい。さらに、メサストライプに対して櫛形の電極が斜めに配置されるように構成することで、光導波路にかかる応力負荷を分散することも可能である。尚、レーザ活性層または光吸収層34に用いる材料はInGaAsP以外でも良い。また、基板31についてもInP基板に限定されるものではなく、例えばGaAsなどの他材料から成る基板でも良い。さらに、本実施例ではnタイプの基板31上に半導体デバイスを構成した例を示したが、pタイプの導電性を有した基板や半絶縁性の基板上に構成した半導体デバイスでも良い。