基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を含む上部反射鏡が積層されているメサ構造の発光部を有し、該発光部における出射領域は、全面が透明な誘電体で被覆され、相対的に反射率が高い部分と低い部分とを有する面発光レーザ素子において、前記メサ構造の上面における辺縁部は誘電体膜で被覆され、前記辺縁部の誘電体膜は2層からなり、下側の誘電体膜は上側の誘電体膜に覆われていることを特徴とする面発光レーザ素子。前記発光部の出射領域の誘電体膜とメサ構造の上面における辺縁部の誘電体膜とはコンタクト領域により分離され、前記コンタクト領域は、電極が形成されてコンタクト層と接触し、前記電極と前記上面における辺縁部の下側の誘電体膜とは接触していないことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。前記下側の誘電体膜は、ウエットエッチングの際のエッチングレートが前記上側の誘電体膜よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザ素子。前記下側の誘電体膜はSiO2からなり、前記上側の誘電体膜はSiNからなることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。前記上側の誘電体膜は、プラズマCVD法で形成された膜であり、50フッ化水素酸と40フッ化アンモニウム水溶液を1対10で混合したエッチング液によるエッチングレートは、50nm/min~80nm/minであることを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ素子。請求項1~5のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項1~5のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項6に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの請求項7又は8に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項9に記載の画像形成装置。基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を含む上部反射鏡が積層された積層体に発光部となるメサ構造体を形成し、該発光部に酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体、及び相対的に反射率が高い部分と低い部分とを含む出射領域を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、前記メサ構造体を形成するのに先立って、前記積層体の上面に、透明な第1の誘電体膜を形成する工程と、前記第1の誘電体膜の上面に、前記メサ構造体の外形を規定するパターン、及び前記出射領域における反射率が高い部分に対応する領域を保護するパターンを含む第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをエッチングマスクとして前記誘電体層をエッチングする工程と、前記出射領域の全体に対応する領域を保護する第2のレジストパターンを形成する工程と、前記メサ構造体を形成する工程と、前記狭窄構造体を形成する工程と、前記狭窄構造体が形成された積層体の上面に、前記第1の誘電体膜よりもウエットエッチングレートが小さい第2の誘電体膜を形成する工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法。前記第2の誘電体膜の表面改質を行う前処理工程と、前記表面改質された前記第2の誘電体膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、を含むことを特徴とする請求項11に記載の面発光レーザ素子の製造方法。前記前処理工程では、O2プラズマ処理を行うことを特徴とする請求項12に記載の面発光レーザ素子の製造方法。前記前処理工程では、HMDS処理を3分間以上行うことを特徴とする請求項12に記載の面発光レーザ素子の製造方法。発明者等が、一例として図23A及び図23Bに示されるように、レーザ光の出射面上に光学的に透明な膜以下では、モードフィルタともいうを形成し、詳細な検討を行ったところ、電流通過領域とモードフィルタの相対的な位置関係が光出射角に影響するという新しい知見を得た。ここでは、XYZ3次元直交座標系において、基板表面に垂直な方向をZ軸方向としている。そして、モードフィルタは、長方形状のモードフィルタである。また、光出射角とは、基板表面に垂直な方向ここでは、Z軸方向に対する放射光強度が最大となる方向の傾斜角をいい、基板表面に垂直な方向に対して時計回りに傾斜した方向を、反時計回りに傾斜した方向を-とする。そして、基板表面に垂直な方向からみたときの、電流通過領域の中心に対するモードフィルタの重心の位置ずれ量以下では、ずれ量と略述すると光出射角との関係が図24及び図25に示されている。図24は、モードフィルタの重心を電流通過領域の中心に対してY軸方向に沿ってずらした場合の実験結果であり、ずれの方向がY方向のときを、-Y方向のときを-としている。これによると、X軸方向に関する光出射角は、ずれ量が変化してもほぼ一定であり、その値もほぼ0degであった。一方、Y軸方向に関する光出射角は、ずれ量の大きさ絶対値が増加するにつれて、その大きさ絶対値が大きくなる傾向を示した。図25は、モードフィルタの重心を電流通過領域の中心に対してX軸方向に沿ってずらした場合の実験結果であり、ずれの方向がX方向のときを、-X方向のときを-としている。これによると、Y軸方向に関する光出射角は、ずれ量が変化してもほぼ一定であり、その値もほぼ0degであった。一方、X軸方向に関する光出射角は、ずれ量の大きさ絶対値が増加するにつれて、その大きさ絶対値が大きくなる傾向を示した。なお、画像形成装置において高精細な画像を得るためには、被走査面上の所望の位置に円形で微小な光スポットを形成することが重要である。そして、被走査面上の所望の位置に円形で微小な光スポットを形成するには、種々の実験及び理論計算から、面発光レーザ素子の光出射角の大きさ絶対値を、全ての方向に関して、0.2deg以下とする必要がある。そこで、図24及び図25を参照すると、面発光レーザ素子における上記ずれ量の大きさ絶対値を、0.1μm以下に抑える必要がある。しかしながら、特許文献1及び特許文献2に開示されている手法では、フォトリソ工程のアライメントでは、1μm程度の精度が通常であり、先に示したように0.1μm以下の精度でずれ量を制御することは困難であった。本願発明者等は、モードフィルタを正確な位置に形成するための工法を発明したが、その工法の面発光レーザ素子の製造時のp側電極のコンタクトホールを形成する工程において、後述のように空間ができるという不具合が生じた。また、面発光レーザ素子の製造時のp側電極のコンタクトホールを形成する工程では、バッファードフッ酸BHFによるウエットエッチングを行うが、例えば、コンタクト層の上に2層の誘電体層が形成され、下側の誘電体層がSiO2であり、上側の誘電体層がSiN膜のときには、エッチングレートの違いにより下側の誘電体層のサイドエッチング量が上側の誘電体層より大きくなるため、図26に示されるように、下側の誘電体層が後退して空間ができることが新たに判明した。この空間が形成されると、エッチング後のリンスを十分に行ったとしても、完全にBHFを除去することが難しく、最悪はBHFの残渣によりレーザ寿命に影響を与えることもあった。また、この空間が存在すると、次工程でのレジストワーク等で残渣が発生し、この残渣が影響を及ぼして素子抵抗の増大やp側電極の密着性の低下が懸念される。さらに、上側の誘電体層のひさし部分での電極配線のカバレージ不良による段切れや、ひさし部分の折れや欠けなども懸念される。また、上側の誘電体層がプラズマCVD法で成膜される場合、該誘電体層は水素Hを含む層となる。ところで、層中の水素含有量が少ないとBHFに対するエッチングレートが小さくなり、水素含有量が多いとBHFに対するエッチングレートが大きくなる。そこで、プラズマCVD法で成膜される上側の誘電体層は、成膜条件により水素含有量をコントロールして、エッチングに要する時間を短くすることが必要となる。コンタクトホールを形成する際のエッチング方法として、ドライエッチング法を用いることが考えられるが、ドライエッチングでは終点検知が難しく、エッチングが足りないとコンタクト不良となり、オーバーエッチングするとコンタクト層が薄くなるため素子抵抗が増大する。また、ドライエッチングでは、面の周辺でエッチングレートが大きく、面の中心でエッチングレートが小さくなる傾向があり、面内での膜厚ばらつきが発生する。この膜厚ばらつきはエッチング装置の性能に依存するが、RIE装置では面の中心部と周辺部でのコンタクト層の厚さの差は5nm~10nmとなり、面内での素子抵抗値がばらつく。本発明は、上述した発明者等の得た新規知見に基づいてなされたものであり、以下の構成を有するものである。本発明は、第1の観点からすると、基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を含む上部反射鏡が積層されているメサ構造の発光部を有し、該発光部における出射領域は、全面が透明な誘電体で被覆され、相対的に反射率が高い部分と低い部分とを有する面発光レーザ素子において、前記メサ構造の上面における辺縁部は誘電体膜で被覆され、前記辺縁部の誘電体膜は2層からなり、下側の誘電体膜は上側の誘電体膜に覆われていることを特徴とする面発光レーザ素子である。これによれば、基本横モードの光出力を低下させることなく高次横モードの発振を抑制しつつ、素子寿命を長くすることが可能である。本発明は、第2の観点からすると、本発明の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイである。これによれば、本発明の面発光レーザ素子が集積されているため、各発光部では、基本横モードの光出力を低下させることなく高次横モードの発振を抑制しつつ、素子寿命を長くすることが可能である。本発明は、第3の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザ素子を有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。これによれば、光源が本発明の面発光レーザ素子を有しているため、高い精度の光走査を行うことが可能である。本発明は、第4の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザアレイを有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。これによれば、光源が本発明の面発光レーザアレイを有しているため、高い精度の光走査を行うことが可能である。本発明は、第5の観点からすると、少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの本発明の光走査装置と、を備える画像形成装置である。これによれば、本発明の光走査装置を備えているため、結果として、高品質の画像を形成することが可能である。本発明は、第6の観点からすると、基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を含む上部反射鏡が積層された積層体に発光部となるメサ構造体を形成し、該発光部に酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体、及び相対的に反射率が高い部分と低い部分とを含む出射領域を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、前記メサ構造体を形成するのに先立って、前記積層体の上面に、透明な第1の誘電体膜を形成する工程と、前記第1の誘電体膜の上面に、前記メサ構造体の外形を規定するパターン、及び前記出射領域における反射率が高い部分に対応する領域を保護するパターンを含む第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをエッチングマスクとして前記誘電体層をエッチングする工程と、前記出射領域の全体に対応する領域を保護する第2のレジストパターンを形成する工程と、前記メサ構造体を形成する工程と、前記狭窄構造体を形成する工程と、前記狭窄構造体が形成された積層体の上面に、前記第1の誘電体膜よりもウエットエッチングレートが小さい第2の誘電体膜を形成する工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法である。これによれば、基本横モードの光出力を低下させることなく高次横モードの発振が抑制され、素子寿命の長い面発光レーザ素子を安定的に量産することが可能である。以下、本発明の一実施形態を図1~図17に基づいて説明する。図1には、一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ1000の概略構成が示されている。このレーザプリンタ1000は、光走査装置1010、感光体ドラム1030、帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034、クリーニングユニット1035、トナーカートリッジ1036、給紙コロ1037、給紙トレイ1038、レジストローラ対1039、定着ローラ1041、排紙ローラ1042、排紙トレイ1043、通信制御装置1050、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置1060などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体1044の中の所定位置に収容されている。通信制御装置1050は、ネットワークなどを介した上位装置例えばパソコンとの双方向の通信を制御する。感光体ドラム1030は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム1030の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム1030は、図1における矢印方向に回転するようになっている。帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034及びクリーニングユニット1035は、それぞれ感光体ドラム1030の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム1030の回転方向に沿って、帯電チャージャ1031→現像ローラ1032→転写チャージャ1033→除電ユニット1034→クリーニングユニット1035の順に配置されている。帯電チャージャ1031は、感光体ドラム1030の表面を均一に帯電させる。光走査装置1010は、帯電チャージャ1031で帯電された感光体ドラム1030の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム1030の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム1030の回転に伴って現像ローラ1032の方向に移動する。なお、この光走査装置1010の構成については後述する。トナーカートリッジ1036にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ1032に供給される。現像ローラ1032は、感光体ドラム1030の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ1036から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像以下では、便宜上トナー像ともいうは、感光体ドラム1030の回転に伴って転写チャージャ1033の方向に移動する。給紙トレイ1038には記録紙1040が格納されている。この給紙トレイ1038の近傍には給紙コロ1037が配置されており、該給紙コロ1037は、記録紙1040を給紙トレイ1038から1枚ずつ取り出し、レジストローラ対1039に搬送する。該レジストローラ対1039は、給紙コロ1037によって取り出された記録紙1040を一旦保持するとともに、該記録紙1040を感光体ドラム1030の回転に合わせて感光体ドラム1030と転写チャージャ1033との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ1033には、感光体ドラム1030の表面のトナーを電気的に記録紙1040に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム1030の表面のトナー像が記録紙1040に転写される。ここで転写された記録紙1040は、定着ローラ1041に送られる。定着ローラ1041では、熱と圧力とが記録紙1040に加えられ、これによってトナーが記録紙1040上に定着される。ここで定着された記録紙1040は、排紙ローラ1042を介して排紙トレイ1043に送られ、排紙トレイ1043上に順次スタックされる。除電ユニット1034は、感光体ドラム1030の表面を除電する。クリーニングユニット1035は、感光体ドラム1030の表面に残ったトナー残留トナーを除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム1030の表面は、再度帯電チャージャ1031に対向する位置に戻る。次に、前記光走査装置1010の構成について説明する。この光走査装置1010は、一例として図2に示されるように、光源14、カップリングレンズ15、開口板16、シリンドリカルレンズ17、反射ミラー18、ポリゴンミラー13、偏向器側走査レンズ11a、像面側走査レンズ11b、及び走査制御装置図示省略などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング30の所定位置に組み付けられている。なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を主走査対応方向と略述し、副走査方向に対応する方向を副走査対応方向と略述する。カップリングレンズ15は、光源14から出力された光束を略平行光とする。開口板16は、開口部を有し、カップリングレンズ15を介した光束のビーム径を規定する。シリンドリカルレンズ17は、開口板16の開口部を通過した光束を、反射ミラー18を介してポリゴンミラー13の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。光源14とポリゴンミラー13との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ15と開口板16とシリンドリカルレンズ17と反射ミラー18とから構成されている。ポリゴンミラー13は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に6面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー13は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー18からの光束を偏向する。偏向器側走査レンズ11aは、ポリゴンミラー13で偏向された光束の光路上に配置されている。像面側走査レンズ11bは、偏向器側走査レンズ11aを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ11bを介した光束が、感光体ドラム1030の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー13の回転に伴って感光体ドラム1030の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム1030上を走査する。このときの光スポットの移動方向が主走査方向である。また、感光体ドラム1030の回転方向が副走査方向である。ポリゴンミラー13と感光体ドラム1030との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ11aと像面側走査レンズ11bとから構成されている。なお、偏向器側走査レンズ11aと像面側走査レンズ11bの間の光路上、及び像面側走査レンズ11bと感光体ドラム1030の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも1つの折り返しミラーが配置されても良い。光源14は、一例として図3に示されるような面発光レーザ素子100を有している。なお、本明細書では、レーザ発振方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な面内における互いに直交する2つの方向をX軸方向及びY軸方向として説明する。図3は面発光レーザ素子100をXZ面に平行に切断したときの切断面を示す図である。この面発光レーザ素子100は、発振波長が780nm帯の面発光レーザ素子であり、基板101、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109などを有している。基板101は、表面が鏡面研磨面であり、図4Aに示されるように、鏡面研磨面主面の法線方向が、結晶方位[100]方向に対して、結晶方位[111]A方向に向かって15度θ=15度傾斜したn-GaAs単結晶基板である。すなわち、基板101はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図4Bに示されるように、結晶方位[0-11]方向がX方向、結晶方位[01-1]方向が-X方向となるように配置されている。図3に戻り、下部半導体DBR103は、バッファ層を介して基板101のZ側の面上に積層され、n-Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層と、n-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを37.5ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層図示省略が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さとその層の実際の厚さについては以下の関係がある。光学的厚さがλ/4のとき、その層の実際の厚さDは、D=λ/4n但し、nはその層の媒質の屈折率である。下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103のZ側に積層され、ノンドープのAl0.6Ga0.4Asからなる層である。活性層105は、下部スペーサ層104のZ側に積層され、3層の量子井戸層と4層の障壁層とを有している。各量子井戸層は、Al0.12Ga0.88Asからなり、各障壁層は、Al0.3Ga0.7Asからなる。上部スペーサ層106は、活性層105のZ側に積層され、ノンドープのAl0.6Ga0.4Asからなる層である。下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが1波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106のZ側に積層され、p-Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とp-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを24ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層図示省略が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。上部半導体DBR107における共振器構造体から光学的にλ/4離れた位置に、p-AlAsからなる被選択酸化層108が設けられている。なお、図3では、便宜上、被選択酸化層108は、上部半導体DBR107と共振器構造体との間に図示されている。コンタクト層109は、上部半導体DBR107のZ側に積層され、膜厚が25nmのp-GaAsからなる層である。なお、このように基板101上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上積層体ともいう。次に、面発光レーザ素子100の製造方法について説明する。1上記積層体を有機金属気相成長法MOCVD法あるいは分子線エピタキシャル成長法MBE法による結晶成長によって作成する図5A参照。ここでは、III族の原料には、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIを用い、V族の原料には、フォスフィンPH3、アルシンAsH3を用いている。また、p型ドーパントの原料には四臭化炭素CBr4、ジメチルジンクDMZnを用い、n型ドーパントの原料にはセレン化水素H2Seを用いている。2P-CVD法プラズマCVD法を用いて、P-SiO2SixOyからなる光学的に透明な誘電体層111aを形成する図5B参照。ここでは、誘電体層111の光学的厚さがλ/4となるようにした。具体的には、SiO2の屈折率が1.45、発振波長λが780nmであるため、実際の膜厚=λ/4nは135nmに設定した。3誘電体層111aの表面に、第1のレジストを塗布し、メサ構造体以下では、便宜上、メサと略述するの外形を規定するためのレジストパターン120a、出射領域における反射率が高い部分に対応する領域をマスクするためのレジストパターン120b、及び電極パッドが形成される領域をマスクするためのレジストパターン120cを形成する図5C参照。レジストパターン120aは、図6に示されるように、外形が一辺の長さL3の正方形状で、幅L4の閉じたパターンである。レジストパターン120bは、図6に示されるように、X軸方向の長さL1、Y軸方向の長さL2の長方形状のパターンである。ここでは、一例として、L1=5μm、L2=8μm、L3=20μm、L4=2μmである。また、レジストパターン120bの重心は、レジストパターン120aの重心よりY側にL10だけずれている。ここでは、レジストパターン120aとレジストパターン120bは同時に作り込まれるため、レジストパターン120aとレジストパターン120bの位置関係にずれは発生しない。ところで、基板101が傾斜基板であるため、メサの4つの側壁からメサの中心に向かう結晶方位はそれぞれ異なっている。結晶方位が違うと、選択酸化の際の酸化速度に差が生じやすくなり、その結果、酸化狭窄構造体の中心がメサの中心からずれることとなる。本実施形態での酸化速度は、[011]から[111]A方向に15度傾斜した方向>[01-1]=[0-11]>[0-1-1]から[111]A方向に15度傾斜した方向、の関係がある。すなわち、Y方向への酸化速度>-X方向への酸化速度=X方向への酸化速度>-Y方向への酸化速度、の関係がある。このとき、酸化狭窄構造体の中心は、メサの中心から-Y側に0.6μm程度ずれる。そこで、本実施形態では、酸化狭窄構造体の中心とレジストパターン120bの重心とが相対的に一致するように、上記L10の値を0.6μmとしている。なお、酸化速度と結晶方位との関係は酸化条件に依存するため、本実施形態でのずれ量やずれ方向は一例であり、これに限られるものではない。また、以下では、ここで形成された各レジストパターンを総称して、第1のレジストパターンともいう。そして、第1のレジストパターンを形成するのに用いられるレジストを第1のレジストという。この第1のレジストは、一般的なポジレジストであり、ここでは、東京応化社製のOFPR800-64cpを使用している。第1のレジストの塗布には、膜厚が約1.6μmとなるように回転数が調整されたスピンコータを用いている。そして、露光、現像、ポストベーク例えば、120°Cで2分加熱を経て第1のレジストパターンを形成している。4第1のレジストパターンにUV光紫外光を照射後、積層体を150°Cに温度設定されたホットプレートにのせて5分間の加熱を行う。これにより、第1のレジストパターンが硬化する。なお、以下では、ここでの処理を硬化処理ともいう。5バッファードフッ酸BHFを用いたウエットエッチングにより誘電体層111aをエッチングする。これにより、第1のレジストパターンでマスクされていない部分の誘電体層111aが除去される図7A参照。6第2のレジストを塗布し、レジストパターン120aによって囲まれた領域を覆う第2のレジストパターン123を形成する図7B参照。第2のレジストパターン123は、一辺の長さ18μmの正方形状のパターンである。第2のレジストは、第1のレジストと同じ種類のレジストであり、同じ条件で形成することができる。ところで、第2のレジストを塗布する前に第1のレジストパターンが硬化処理されているため、第2のレジストを塗布したときに、第1のレジストパターンが第2のレジストの溶剤によって溶けることはなく、2層のレジスト構造を作り込むことができる。7Cl2ガスを用いるECRエッチング法で、第1のレジストパターン及び第2のレジストパターン123をエッチングマスクとして積層体をエッチングし、少なくとも被選択酸化層108が側面に露出しているメサを形成する。ここでは、エッチングの底面は下部スペーサ層104の上面に位置するようにした図8A参照。8アセトン液に浸漬し、超音波洗浄によってエッチングマスクを除去する図8B参照。9積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層108中のAlアルミニウムがメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Alの酸化物108aによって囲まれた酸化されていない領域108bが残留する図8C参照。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域108bが電流通過領域である。このようにして、例えば幅4.5μmの正方形状の電流通過領域が形成される。10プラズマCVD法を用いて、P-SiNSixNyHzからなる光学的に透明な誘電体層111bを形成する図9参照。ここでは、誘電体層111bの光学的厚さがλ/4となるようにした。具体的には、SiNの屈折率nが1.89、発振波長λが780nmであるため、実際の膜厚=λ/4nは103nmに設定した。誘電体層111bは、50フッ化水素酸と40フッ化アンモニウム水溶液を1対10で混合したBHF以下では、便宜上、BHF110というに対するエッチングレートが50nm/min~80nm/minとなるように成膜条件を設定している。なお、P-SiN膜のBHFに対する通常のエッチングレートは20nm/min~30nm/minの範囲である薄膜ハンドブック:日本学術振興会、薄膜第131委員会編参照。BHF110については、森田化学工業社から110BHF、ダイキン工業社からBHF110という商品名で市販されている。また、ダイキン工業社では、界面活性剤入り商品名:BHF110Uのものも販売されており、濡れ性が良く微細なパターンでもエッチング液が入り込むことができる。誘電体層111bのエッチングレートを大きくする主な理由は、コンタクト層109のエッチングレートとの差を大きくするためである。また、誘電体111bをエッチングする際、エッチング時間をジャストエッチング時間よりも若干延長するオーバーエッチングが行われる。このオーバーエッチングは、面内でのエッチングのばらつきを低減するために行われるもので、経験的にジャストエッチング時間の10~20をオーバーエッチング時間としている。ここでは、次のようにしてジャストエッチング時間を求めている。aSiN膜を成膜する際、モニタ用のSi基板を一緒にチャンバー内に入れて成膜する。b成膜後、モニタ用Si基板の中央部を15mm×30mm程度の大きさに切り出してチップ化する。c該チップの成膜面が半分ほどBHFに浸るようピンセットで摘み、時々引き上げエッチング具合を観察する。dSiN膜が完全にエッチングされるとSiチップ表面が疎水性BHFを弾くとなるので、その時間がジャストエッチング時間となる。コンタクト層109は膜厚が25nmに設定されており、BHF110によるエッチングレートは約8nm/minである。そこで、例えば、誘電体層111bのエッチングレートが20nm/minであれば、膜厚が103nmの誘電体層111bのジャストエッチング時間は319秒、オーバーエッチング時間は63秒20オーバーとなる。このとき、コンタクト層109は最大で8nm薄くなり、膜減り量は成膜時の厚さの1/3倍にも及ぶ。一方、誘電体層111bのエッチングレートが50nm/min~80nm/minであれば、オーバーエッチング量を20とすると、エッチング時間は24秒~16秒となる。このとき、コンタクト層109の膜減り量は最大でも2.1nm~2.6nmであり、膜減り量は成膜時の厚さの1/10倍で済む。本実施形態では、誘電体層111bのエッチングレートが65nmとなるような成膜条件を選択した。具体的には、SiH4100のガス流量を5sccm、NH3100のガス流量を5sccm、N2キャリアの流量を200sccm、チャンバー内の圧力を70Pa、RFパワーを135W、基板温度を275°Cとした。この成膜条件は一例であり、成膜装置の違いなどにより異なる。なお、図10に示されるように、基板温度を変えることで、エッチングレートを自由に選択することができるが、基板温度が変化すると、図11に示されるように、屈折率nも変化するため、そのときの屈折率nを用いて、誘電体層111bの光学的厚さがλ/4となるように実際の膜厚=λ/4nを設定する必要がある。また、基板温度を下げてエッチングレートを大きくすると、誘電体層111b中に水素Hが多く含まれ、酸素O2の透過率が悪くなる懸念もあるが、高温85°C高湿度85に保持する耐久試験において、1000時間経過後でもレーザ特性に影響はなかった。そこで、50nm/min~80nm/minのエッチングレートでは、誘電体層111b中に含まれる水素Hは、悪影響を及ぼさないと判断できる。ところで、誘電体層をウエットエッチングするとサイドエッチングが発生する。そして、エッチングマスクがいわゆる抜きパターンであれば、エッチングされた部分の寸法は、フォトマスクの寸法より広がることが知られている。例えば、図12に示されるように、基板上に形成された誘電体層を、フォトレジストをエッチングマスクとしてウエットエッチングすると、サイドエッチングL3が発生し、誘電体層の開口寸法L2は、フォトマスクの開口寸法L1よりも大きくなる。開口寸法L1とL2の差は、CDロスと呼ばれており、通常のパターニング工程では該CDロスが約1μmすなわち、L3≒0.5μm発生し、それを見越してフォトマスクの開口寸法L1を小さく設計している。発明者らは、誘電体層とフォトレジストとの密着性を向上させることでCDロスが小さくなり、該密着性を向上させるためには、フォトレジストを塗布する前に誘電体層に対して、表面改質処理を前処理として行うことが有効であることを見出した。本実施形態では、上記前処理の一例として、誘電体層表面の結合基であるOH基をO2プラズマ処理によりO結合基に変質させる処理を行った。なお、予備実験によると、O2プラズマ処理の効果は、CDロスを約0.4μmとすることができた。11誘電体111bが形成された積層体を真空チャンバー内に入れた後、該真空チャンバー内の圧力を約3Paまで減圧する。12真空チャンバー内に酸素ガスを流量200sccmで導入するとともに、作動排気により真空チャンバー内の圧力を100Paに調整する。13200WのRF電力を供給し、10分間O2プラズマ処理を行った。ここでは、対向電極の寸法がφ200であるため、供給電力は約0.64W/cm2である。14p側電極113のコンタクトホールを形成するためのレジストマスク124を、フォトリソグラフィにより形成する図13参照。ここでは、フォトマスクは、上記予備実験の結果を参照し、コンタクトホールの寸法に対して0.4μmだけ小さくなるように作製されている。具体的には、コンタクトホールの開口寸法の設計値が2μmであるため、フォトマスクは、開口寸法が1.6μmとなるように設計されている。なお、本実施形態では、誘電体層111aは露出されていないため、前記空間図26参照は形成されない。そこで、エッチング液の残渣やレジスト残渣がなくなり、素子寿命の低下やp側電極113の密着性不良が抑制される。また、SiN膜によるひさしも発生しないため、折れや欠けなども発生しない。15前記BHF110により、誘電体層111bをエッチングし、p側電極113のコンタクトホールを形成する。ここでは、BHF110として、ダイキン工業社製の前記BHF110Uを用い、エッチング時間を、ジャストエッチング時間95秒オーバーエッチング時間20秒とした。16アセトン液に浸漬し、超音波洗浄によってレジストマスク124を除去する図14参照。このときの具体的な寸法が、図15A及び図15Bに示されている。発光部出射領域の誘電体領域121、122とメサ構造の上面辺縁部の誘電体領域131、132は分離され、分離された部分はコンタクト領域コンタクトホールとなり、所望の開口寸法ここでは、2μmが形成されている。17メサ上部の光出射部となる領域に一辺10μmの正方形状のレジストパターン図示せずを形成し、p側の電極材料の蒸着を行なう。p側の電極材料としてはCr/AuZn/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜が用いられる。18メサ上部の光出射部となる領域に蒸着された電極材料をリフトオフし、p側電極113を形成する図16A参照。p側電極113で囲まれた領域が出射領域である。図17に示されるように、メサ辺縁部の下側の誘電体膜111aは上側の誘電体膜111bで覆われているので電極113と接触しない構造となる。なお、電極としてはAu、AuZn、Crなどの金属で形成されている。また、発光部の出射領域の誘電体膜とメサ構造の上面における辺縁部の誘電体膜は分離され、該分離された部分は、電極が形成されて半導体層とのコンタクト領域となり、電極と辺縁部の下側の誘電体膜とは接触していない。19基板101の裏側を所定の厚さ例えば100μm程度まで研磨した後、n側電極114を形成する図16B参照。n側の電極材料としてはAuGe/Ni/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜が用いられる。20アニールによって、p側電極113とn側電極114のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。21チップ毎に切断する。そして、種々の後工程を経て、面発光レーザ素子100となる。このようにして製造された複数の面発光レーザ素子100について光出射角を計測すると、X軸方向に関する光出射角及びY軸方向に関する光出射角は、いずれも、±0.2deg以内であった。また、Z軸方向からみたときに、出射領域内の誘電体層111aと誘電体層111bとからなる2層の誘電体層モードフィルタの重心と、電流通過領域108bの中心とのずれ量は、0.1μm以下であった。X軸方向に関する光出射角及びY軸方向に関する光出射角は、いずれも、±0.2deg以内とし、さらに、2層の誘電体層モードフィルタの重心と、電流通過領域108bの中心とのずれ量は、0.1μm以下とするのは、先の3に示した形成工程により得られるものである。ところで、図16Bにおけるメサ部分のみを取り出して拡大した図が図17に示されている。出射領域125の形状は、一辺の長さが10μmの正方形である。本実施形態では、出射領域125内の周辺部は、光学的厚さがλ/4のP-SiNSixNyHzからなる光学的に透明な誘電体層111bで覆われており、出射領域125の中心部は、光学的厚さがλ/4のP-SiO2SixOyからなる光学的に透明な誘電体層111aと光学的厚さがλ/4のP-SiNSixNyHzからなる光学的に透明な誘電体層111bとからなる2層の誘電体層で覆われている。すなわち、出射領域125内の周辺部は、反射率が相対的に低い低反射率部分121であり、出射領域125の中心部は反射率が相対的に高い高反射率部分122となる。このように、面発光レーザ素子100は、出射領域内において周辺部の反射率が中心部の反射率に比べて相対的に低いため、基本横モードの光出力を低下させることなく、高次横モードの発振を抑制することができる。なお、ここでは、誘電体層111bは、保護膜パッシベーション膜としての機能を有しており、メサの側壁を保護している。以上の説明から明らかなように、上記面発光レーザ素子100の製造方法において、本発明の面発光レーザ素子の製造方法が実施されている。以上説明したように、本実施形態に係る面発光レーザ素子100によると、基板101上に、下部半導体DBR103、活性層105を含む共振器構造体、被選択酸化層108を有する上部半導体DBR107などが積層されている。そして、出射領域125は、全面がP-SiNからなる光学的に透明な誘電体で被覆され、相対的に反射率が高い高反射率部分122と相対的に反射率が低い低反射率部分121とを有している。これにより、基本横モードの光出力を低下させることなく、高次横モードの発振を抑制することができる。また、コンタクトホールを形成する際、メサの上面における辺縁部は2層の誘電体層からなり、下側の誘電体層111aは上側の誘電体層111bによって被覆されており表面に露出していないため、サイドエッチングがなく、誘電体層111aの下に空間図26参照が形成されない。このため、誘電体層111aの下にエッチング液やレジスト等が残留することがなく、p側電極113の密着性の低下や素子寿命の低下を抑制することができる。また、メサの上面は誘電体層111bとp側電極113とで被覆されているため、隙間が生じておらず、水分などにより、コンタクト層109が腐食や変質するなどの劣化がない。なお、モードフィルタを構成している誘電体層111bの端部近傍では、Z軸方向に関して、p側電極113が重なっていても良い。また、誘電体層111bのBHF110に対するエッチングレートを50nm/min~80nm/minとしているため、コンタクト層109のエッチングレートとの差が大きくなり、コンタクト層109の膜減りを小さく抑えることができる。その結果、素子抵抗が増大するのを避けることが可能となる。ところで、p側電極113から注入された電流は、コンタクト層109を垂直方向に流れて上部DBR107に注入されるものと、コンタクト層109を横方向に流れてメサ中央部に到ってから上部DBR107に注入されるものとに分かれる。そこで、仮に、図18に示されるように、p側電極113の-Z側のコンタクト層109の膜厚が薄いと、抵抗Rcが増大し、電流の横方向Z軸に直交する方向への流れが阻害され、素子抵抗が増大する。本願の実施例の工程のように、BHF110に対するエッチングレートが50nm/min~80nm/minとなるように成膜条件を設定しているため、コンタクト層109の膜減りを抑えることができ、図18のような素子抵抗が増大することを避けることができる。また、発光部の出射領域の誘電体膜とメサ構造の上面における辺縁部の誘電体膜は分離され、該分離された部分は、電極が形成されて半導体層とのコンタクト領域となり、電極と辺縁部の下側の誘電体膜とは接触していない。また、誘電体膜をパターニングするにあたり、レジスト塗布前にO2プラズマ処理もしくはHMDSベーパー処理を3分間以上行う前処理を実施している。これによれば、微細な構造を精度良く製造することが可能となる。本実施形態に係る光走査装置1010によると、光源14が面発光レーザ素子100を有している。この場合、出射角の大きさ絶対値が0.2deg以下で、単一基本横モードのレーザ光が得られるために、感光体ドラム1030表面の所望の位置に円形で微小な光スポットを容易に形成することができる。また、偏光方向が安定しているため、光スポットの歪みや光量変動などの影響を受けにくい。従って、簡単な光学系で、円形で且つ光密度の高い微小な光スポットを感光体ドラム1030上の所望の位置に結像させることができる。そこで、高い精度の光走査を行うことが可能である。また、コンタクトホール形成の前処理として、誘電体層に対して表面改質処理を行っているため、CDロスを大きく改善することができる。これにより、ウエットエッチングによるばらつきが小さくなり、製造歩留を向上させることが可能となる。本実施形態に係るレーザプリンタ1000によると、光走査装置1010を備えているため、高品質の画像を形成することが可能である。なお、上記実施形態では、誘電体層111a及び誘電体層111bの光学的厚さがλ/4の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、各誘電体層の光学的厚さがλ/4の奇数倍であれば良い。また、上記実施形態では、基板101の主面の法線方向が、結晶方位[100]方向に対して、結晶方位[111]A方向に向かって15度傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。基板101として傾斜基板を用いるときには、基板の主面の法線方向が、結晶方位<100>の一の方向に対して、結晶方位<111>の一の方向に向かって傾斜していれば良い。また、上記実施形態では、基板101が傾斜基板の場合について説明したが、これに限定されるものではない。また、上記実施形態では、コンタクトホール形成の前処理として、O2プラズマ処理を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、該前処理として、いわゆるHMDS処理を行っても良い。このHMDS処理は、ヘキサメチルジシラザンを蒸気状にして誘電体層の表面に塗布し、誘電体層の表面を親油性に変質させるものである。図19には、HMDS処理時間とCDロスとの関係が示されている。これによると、CDロスは、HMDS処理時間が3分間以上になると、ほぼ一定約0.3μmとなる。そこで、フォトマスクの開口寸法を0.3μmだけ小さく作製し、前処理として、HMDS処理を3分間以上行うことで、設計値通りの開口寸法でコンタクトホールを形成することができる。HMDS処理とフォトレジスト塗布は、コータデベロッパー装置を使用している。そして、HMDS処理では、処理対象物を80°Cに加熱した状態で、HMDS蒸気を導入する。なお、HMDS処理後、処理対象物を冷却し、フォトレジストを塗布するが、コータデベロッパー装置に、HMDS処理条件とフォトレジスト塗布条件を入力しておくことで自動的にHMDS処理とフォトレジスト塗布が完了する。このように、HMDS処理によってCDロスが大きく改善されることで、ウエットエッチングによるばらつきが小さくなり、製造歩留を向上させることができる。また、大きな工程変更を必要とせず、コータデベロッパー装置の設定値を変えるだけで良い。また、上記実施形態において、光源14は、前記面発光レーザ素子100に代えて、一例として図20に示される面発光レーザアレイ200を有しても良い。この面発光レーザアレイ200は、2次元的に配列された複数ここでは21個の発光部が同一基板上に形成されている。ここでは、図20におけるX軸方向は主走査対応方向であり、Y軸方向は副走査対応方向である。複数の発光部は、すべての発光部をY軸方向に伸びる仮想線上に正射影したときに発光部間隔が等間隔d2となるように配置されている。なお、本明細書では、発光部間隔とは2つの発光部の中心間距離をいう。また、発光部の数は21個に限定されるものではない。各発光部は、図20のA-A断面図である図21に示されるように、前述した面発光レーザ素子100と同様な構造を有している。そして、この面発光レーザアレイ200は、前述した面発光レーザ素子100と同様な方法で製造することができる。そこで、各発光部では、Z軸方向から見たときに、出射領域内の誘電体層111aと誘電体層111bとからなる2層の誘電体層の重心と、電流通過領域108bの中心とのずれ量の大きさ絶対値を0.1μm以下とすることができ、光出射角を、全ての方向に関して0.2deg以下とすることが可能である。また、各発光部で均一な偏光方向を持つ単一基本横モードのレーザ光を得ることができる。従って、円形で且つ光密度の高い微小な光スポットを21個同時に感光体ドラム1030上の所望の位置に形成することが可能となる。また、p側電極113の密着性の低下や素子寿命の低下を抑制することができる。また、面発光レーザアレイ200では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔d2であるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム1030上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。そして、例えば、上記間隔d2を2.65μm、光走査装置1010の光学系の倍率を2倍とすれば、4800dpiドット/インチの高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、副走査対応方向のピッチd1を狭くして間隔d2を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯のタイミングで容易に制御できる。また、この場合には、レーザプリンタ1000では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。また、上記実施形態において、前記面発光レーザ素子100に代えて、面発光レーザ素子100と同様にして製造され、面発光レーザ素子100と同様の発光部が1次元配列された面発光レーザアレイを用いても良い。また、上記実施形態では、発光部の発振波長が780nm帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。また、上記面発光レーザ素子100及び面発光レーザアレイ200は、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、650nm帯、850nm帯、980nm帯、1.3μm帯、1.5μm帯等の波長帯であっても良い。この場合に、活性層を構成する半導体材料は、発振波長に応じた混晶半導体材料を用いることができる。例えば、650nm帯ではAlGaInP系混晶半導体材料、980nm帯ではInGaAs系混晶半導体材料、1.3μm帯及び1.5μm帯ではGaInNAsSb系混晶半導体材料を用いることができる。また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ1000の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、レーザ光によって発色する媒体例えば、用紙に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。例えば、媒体が、CTPComputertoPlateとして知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置1010は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示/消去を可逆的に行うものである。透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、110°C以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、80°Cから110°Cの消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。また、媒体が、紫外光を当てるとCシアンに発色し、可視光のRレッドの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとMマゼンタに発色し、可視光のGグリーンの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとYイエローに発色し、可視光のBブルーの光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、RGBの光を当てる時間や強さで、YMCに発色する3種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、RGBの強力な光を当て続ければ3種類とも消色して真っ白にすることもできる。このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。また、一例として図22に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ2000であっても良い。このカラープリンタ2000は、4色ブラック、シアン、マゼンタ、イエローを重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション感光体ドラムK1、帯電装置K2、現像装置K4、クリーニングユニットK5、及び転写装置K6と、シアン用のステーション感光体ドラムC1、帯電装置C2、現像装置C4、クリーニングユニットC5、及び転写装置C6と、マゼンタ用のステーション感光体ドラムM1、帯電装置M2、現像装置M4、クリーニングユニットM5、及び転写装置M6と、イエロー用のステーション感光体ドラムY1、帯電装置Y2、現像装置Y4、クリーニングユニットY5、及び転写装置Y6と、光走査装置2010と、転写ベルト2080と、定着ユニット2030などを備えている。各感光体ドラムは、図17中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置2010により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト2080上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット2030により記録紙に画像が定着される。光走査装置2010は、前記面発光レーザ素子100と同様にして製造された面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイのいずれかを含む光源を、色毎に有している。そこで、上記光走査装置1010と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ2000は、この光走査装置2010を備えているため、上記レーザプリンタ1000と同様の効果を得ることができる。ところで、カラープリンタ2000では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置2010の各光源が前記面発光レーザアレイ200と同様な面発光レーザアレイを有していると、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。