基板上に、ライン部およびスペース部を有するラインアンドスペース構造を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造の前記スペース部に溶融した金属を埋め込んで固化させることで埋め込み金属部を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造の前記ライン部および前記埋め込み金属部の上に保護層を形成する工程と、を有し、前記金属は、融点が650°C以下であり、400~700nmの波長における固化後の平均消衰係数が5.0より大きいことを特徴とするワイヤーグリッド偏光板の製造方法。基板上に、ライン部およびスペース部を有するラインアンドスペース構造を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造の前記スペース部に溶融した金属を埋め込んで固化させることで埋め込み金属部を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造の前記ライン部および前記埋め込み金属部の上に保護層を形成する工程と、を有し、前記金属は、融点が650°C以下であり、400~700nmの波長における固化後の平均消衰係数が4.5より大きく、平均屈折率が1未満であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光板の製造方法。前記金属が、純Inまたは、Al、Mg、In、Sn、Zn、Ag、Geの内2種類以上の合金であることを特徴とする請求項1または2に記載のワイヤーグリッド偏光板の製造方法。前記ラインアンドスペース構造の前記ライン部の屈折率n、前記基板の屈折率nsとしたとき、1<n<nsであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のワイヤーグリッド偏光板の製造方法。前記ラインアンドスペース構造は、ゾルゲル材料をナノインプリント法で成形して得られることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のワイヤーグリッド偏光板の製造方法。前記保護層は、ゾルゲル材料を塗布し、硬化させて得られることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項に記載のワイヤーグリッド偏光板の製造方法。基板上に形成されたライン部およびスペース部を有するラインアンドスペース構造と、前記ラインアンドスペース構造の前記スペース部に金属を埋め込んで形成された埋め込み金属部と、前記ラインアンドスペース構造の前記ライン部および前記埋め込み金属部の上に形成された保護層と、を有し、前記金属は、融点が650°C以下であり、400~700nmの波長における固化後の平均消衰係数が5.0より大きいことを特徴とするワイヤーグリッド偏光板。基板上に形成されたライン部およびスペース部を有するラインアンドスペース構造と、前記ラインアンドスペース構造の前記スペース部に金属を埋め込んで形成された埋め込み金属部と、前記ラインアンドスペース構造の前記ライン部および前記埋め込み金属部の上に形成された保護層と、を有し、前記金属は、融点が650°C以下であり、400~700nmの波長における固化後の平均消衰係数が4.5より大きく、平均屈折率が1未満であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光板。特許文献1に開示された方法は、基板上に線状に溝を形成し、溝に金属を埋め込み、溝よりはみ出した金属を除去するダマシンプロセスを用いる。ダマシンプロセスを用いることで、工程数の削減を実現し、埋め込み構造とすることで、金属の高アスペクト比構造を得ようとするものである。さらに、高アスペクト比の構造とすることで消光性能が優れ、素子の挿入損失が小さい安価なワイヤーグリッド偏光板を提供しようとするものである。ところが、ダマシンプロセスを用いる方法でも、基板の溝を形成するためにフォトリソグラフィー法やドライエッチング法を用いなければならない。また、金属を埋め込むためには真空成膜法を用いなければならない。そのため、製造された素子は高価なものとなってしまう。さらに、ワイヤーグリッド偏光板を埋め込み構造とした場合は、スペース部が空気の構造に比べて、ワイヤー部が同じアスペクト比の時に消光比が劣化するという問題点がある。本発明は、高価な製造装置を必要とせず、可視域で用いられる消光比の高いワイヤーグリッド偏光板を安価に製造できるワイヤーグリッド偏光板の製造方法およびワイヤーグリッド偏光板を提供することを目的とするものである。本発明のワイヤーグリッド偏光板の製造方法は、基板上に、ライン部およびスペース部を有するラインアンドスペース構造を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造の前記スペース部に溶融した金属を埋め込んで固化させることで埋め込み金属部を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造の前記ライン部および前記埋め込み金属部の上に保護層を形成する工程と、を有し、前記金属は、融点が650°C以下であり、400~700nmの波長における固化後の平均消衰係数が5.0より大きいことを特徴とする。高価なプロセスや装置を用いることなくワイヤーグリッド偏光板の製造が可能であり、しかも製造される埋め込み型ワイヤーグリッド偏光板は、消光比と透過率が高く、光学特性に優れる。本発明の一実施形態によるワイヤーグリッド偏光板の製造方法は、透明な基板上に微細なラインアンドスペース構造を形成し、そのスペース部に溶融した金属を埋め込んで固化させ、その上に保護層を形成する。スペース部に埋め込む金属は、融点が650°C以下であり、400~700nmの波長における固化後の金属の平均消衰係数が5.0より大きい金属材料、あるいは、平均消衰係数が4.5より大きくて平均屈折率が1未満の金属材料を選択する。なお、金属の光学定数はn-ikで表され、nは屈折率、kは消衰係数を示す。また、光の入射平面をワイヤーグリッドと垂直な法線を含む面と定義して、S偏光はワイヤーグリッドに平行な振動成分の光、P偏光はワイヤーグリッドに垂直な振動成分の光と定義する。ワイヤーグリッド偏光板が90°回転した時はS偏光とP偏光の挙動が入れ替わる。金属の融点が650°C以下であるため、基板や波長以下の微細なラインアンドスペース構造を破壊することなく、溶融した金属をスペース部に直接埋め込むことが可能となり、安価な製造方法であるリフロー法などが適用できる。従って、高価な真空成膜法や、フォトリソグラフィー法、ドライエッチング法を用いることなく、ワイヤーグリッド偏光板を低コストで製造することができる。さらに、スペース部に埋め込まれる金属の可視域における平均消衰係数が5.0より大きいか、または、平均消衰係数が4.5より大きくて平均屈折率が1未満であるものを選択することで、消光比および透過率の高いワイヤーグリッド偏光板を実現できる。このような融点と光学定数が両立される金属材料を選択する。ラインアンドスペース構造のライン上部に残留した金属は、ライン上部が露出するまで取り除く。ライン上部に金属が残留した状態では、所望の消光比と透過率を実現することは困難である。取り除く方法としては、ラッピングや研摩等、従来知られている方法を用いることが可能である。具体的には、上記の金属材料は、純Inまたは、Al、Mg、In、Sn、Zn、Ag、Geの内2種類以上の合金である。Al、AgおよびMgは、融点が650°Cよりも高いものの、可視域で低いnと高いkを有している。ワイヤーグリッド偏光板を構成する上で、理想的な値としてはkが大きいほど有利な特性が得られる。また、kが4.5よりも大きく5.0以下のとき、nが小さいほど、有利な特性が得られる。それに対して、In、Sn、Znは低い融点を有している。このような金属を用いて合金を形成することで融点と光学定数を両立することが可能となる。単体の融点は650°Cよりも高い金属であるAlとMgは、Alに対してMgが約37.4重量となるように共晶を形成した場合、約451.5°Cまで融点降下することが知られている。このように、共晶組成で融点降下を実現すると共に、光学定数を所望の範囲に調整することも可能となる。AlとGeも同様に、共晶組成で融点降下を実現する事が可能で、Al90原子とGe10原子の組成比で混合した合金の融点は約590°Cに低下される。また、この時の光学定数は可視域の平均消衰係数kが6.15と大きい値を実現する事が可能となる。さらに、Mg、In、Snを含む合金は、溶融された金属の表面張力が低く、これらの金属で合金を形成した場合、微細なスペース部に埋め込むことが容易となる。特にMgの効果が高い。なお、純Inは本発明の製造方法に適用できる唯一の純金属である。また、ラインアンドスペース構造のライン部の屈折率n、基板の屈折率nsとしたとき、1<n<nsであるとよい。ラインアンドスペース構造のスペース部を前記金属で埋め込み偏光板を製造したとき、ライン部は屈折率の値は1が望ましい。しかしながら、屈折率が1の状態は真空または気体でしか存在せず、金属を埋め込むためのスペースを形成することはできない。また、ライン部の屈折率が低屈折率化することで、消光比の高いワイヤーグリッド偏光板の製造が可能となる。ライン部の屈折率nが基板の屈折率nsを超えた場合は、P偏光の透過率低下とS偏光の漏れ光が増大して消光比が悪くなってしまう。波長以下の微細なラインアンドスペース構造は、シロキ酸を主成分とするゾルゲル材料をナノインプリント法で成形する。ゾルゲル材料は一般にゲル化する時、ある種の添加溶媒が活性剤の機能を果たして、数ナノメートルから十数ナノメートル程度の微粒子化を促進する。このような構造を維持したまま硬化した場合、ポーラス構造となり、微細な中空構造を保持することで低屈折率なライン構造が製造可能となる。ポーラス構造を維持したまま硬化させるキュア温度としては、150°C、望ましくは200°C以上から高くても650°Cが限界となる。この温度を超えた場合、屈折率が高くなることや、使用波長における光の吸収が発生する等の問題が発生する可能性がある。また、ゾルゲル材料を硬化させる条件としては、150°Cを下回る場合、得られた膜の硬度低下や屈折率上昇、耐溶剤性不良等、様々な弊害を生じることとなる。なお、この温度はゾルゲル材料ごとに異なるため、使用材料に応じて定める必要がある。また、この下限温度は埋め込み金属の融点以下でなければならない。このようなゾルゲル材料とナノインプリント法を用いることで、真空成膜法や、フォトリソグラフィー法、ドライエッチング法を用いることなく波長以下の微細なラインアンドスペース構造を製造することが可能となる。保護層は、シロキ酸を主成分とするゾルゲル材料を塗布後、熱硬化させる。これは、低屈折率ライン部と同様の作用で、低屈折率を得るものである。このようなゾルゲル材料を用いることで、真空成膜法を用いることなくワイヤーグリッド偏光板の製造が可能となる。ワイヤーグリッド偏光板における金属の理想的な光学定数は、消衰係数kが大きい材料がよい。消衰係数kの可視域平均値平均消衰係数が5.0より大きい場合は、屈折率nは一般的な金属が有するどのような数値であろうと、P偏光透過率が高く消光比の優れたワイヤーグリッド偏光板を構成することが可能である。一方、消衰係数kの可視域平均値が4.5以下の場合、S偏光透過率が大きく発生することにより、消光比を向上することは困難となる。また、消衰係数kが5.0以下で、4.5より大きい場合、屈折率nの可視域平均値平均屈折率が1未満のとき、P偏光透過率が高く消光比の優れたワイヤーグリッド偏光板を構成することができる。特に、このような光学定数を有する合金でワイヤーグリッド偏光板を構成した場合、S偏光の反射率が高くなる。従って、反射光を利用する偏光ビームスプリッタとしても利用可能となる。なお、可視域においてkの平均値が最大の材料はAlで、その値は6.65である。そのため、これらの合金系ではそのkの値を超えることは困難である。可視域で機能するワイヤーグリッド偏光板の金属としてはAlが最も優れたP偏光の透過率と消光比を実現することが可能である。ところが、Alの融点は660°Cと高く本発明の構成へは適用できない。そこで、光学定数がAlに比較して実用範囲内で劣化することなく融点を下げる金属組成の合金を用いる。なお、ラインアンドスペース構造のピッチPは、50nm≦P≦200nmで、かつ、スペース幅をSとしたとき、0.2≦S/P≦0.4であることが望ましい。ここで示した範囲において好適な偏光特性を有するワイヤーグリッド偏光板となる。ピッチの上限値は、可視光を垂直入射で使用するワイヤーグリッド偏光板において、回折が発生しない最大ピッチである。これ以下のピッチでは回折が発生しないため好適に用いることが可能となる。溶融金属の埋め込みにおいてスペースが狭い場合、金属を入れることが困難となる。ここで、スペース幅の最小値である10nmはその限界となる値である。また、S/Pの値が0.4の値を超えるとP偏光の透過率が大きく低下するためワイヤーグリッド偏光板としては好ましくない。埋め込まれる金属の光学定数によっては、この範囲外でもワイヤーグリッド偏光板として、好適なP偏光透過率と消光比を実現可能であるため、この範囲に限定するものではない。また、ラインアンドスペース構造のスペース部の深さをD1としたとき、90nm≦D1≦250nmであることが望ましい。このような、深さのスペース部に金属を流し込むことによって、高アスペクト構造が実現されるため、消光比が高いワイヤーグリッド偏光板となる。この深さが浅い場合、P偏光の透過率は高くなるものの、S偏光の漏れ光も多くなり、逆に、深い場合、S偏光の漏れ光は少なくなるものの、P偏光の透過率は低くなってしまう。このような細く深い高アスペクト比のスペース部に対して埋め込み性が良く、P偏光の透過率を高く維持したまま、高い消光比を実現できる金属として前記合金系は有効である。なお、合金の光学定数によってはこの範囲外でもワイヤーグリッド偏光板として、好適なP偏光透過率と消光比を実現可能であるため、この範囲に限定するものではない。また、保護層の屈折率をn2、膜厚をD2、使用中心波長λとしたとき、1.2≦n2≦1.4、0.2λ≦n2D2≦0.3λであることが望ましい。このような範囲で、可視光波長領域で有効な反射防止効果を発現することで、透過率の高いワイヤーグリッド偏光板となる。金属製のワイヤーグリッド偏光板は、金属の光学定数が長波長側で理想状態に近づくため、長波長側がP偏光の透過率が良く、消光比も高いものとなる。それに対して、この保護膜の膜厚と屈折率の範囲では、可視域の使用中心波長でP偏光の透過率が最大になるように調整が可能となる。保護層は、酸化されやすい合金系の埋め込まれた金属に対して酸化防止膜としても作用する。図1aにおいて、□35mmのガラス基板ショット社製B-270白板ガラスを洗浄後乾燥して基板1を準備した。ガラス転移点は521°Cである。図1bにおいて、基板上にゾルゲル材料ラサ工業社製ゾルゲル膜材料VRS-PRC35N-1Kをスピンコーターで1000rpm30秒間保持してゾルゲル膜2を形成した。図1cにおいて、ゾルゲル膜2を形成した基板1をホットプレート上に置き、ニッケル製の□30mm全面にラインアンドスペース構造を有する型3を膜面に押し付けて、ホットプレートを200°Cまで昇温して5分間放置後、室温まで冷却した。ニッケル製の型3はライン幅31nm、スペース幅109nm、スペース深さ240nmの矩形形状を有している。図1dにおいて、型3を外して500°Cで30分間キュアを施した後、ライン部4およびスペース部5の繰り返しであるラインアンドスペース構造を有するラインアンドスペース転写基板を得た。得られたラインアンドスペース構造のライン幅は98nm、スペース幅は42nm、スペース深さは216nmであった。型3とのスケールの差異はゾルゲル材料が熱硬化収縮したために発生している。そのため、型3との離型性は良好である。また、残膜部6は、30nmであった。同様にゾルゲル膜を塗布した別基板で500°C30分キュア後の膜の屈折率を測定した結果、1.27であった。図1eにおいて、dで得られたラインアンドスペース転写基板をArパージグローブボックス内に設置したホットプレート上に配置した。その際、ラインアンドスペース転写基板とホットプレートは厚さ2mmで□32mmの銅板スペーサを介して真空吸着保持されている。そのラインアンドスペース構造上に1gの金属塊を配置した。金属塊の組成は、Alが65.0原子、Mgが35.0原子で、融点は451.5°Cの合金である。ホットプレートを加熱し500°Cで保持した。ここで、あらかじめBN膜を成膜した後平面加工を施した石英基板を同様に500°Cに加熱して準備しておく。そして、ラインアンドスペース転写基板上の溶融された金属を、準備しておいた石英基板を押し付けて、ライン方向と平行に10往復させてスペース部への金属の埋め込みを実施した。その後、室温まで冷却を行い、上部に余分な金属層7が残留し、ライン部4の間のスペース部5に埋め込み金属部8が形成された構造を得た。なお、埋め込んだ合金と同様の物を石英基板にリフローで成膜した後、裏面から市販の計器J.A.Woollam社製エリプソメーターで光学定数を測定した。その結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.335≦n≦1.194、nの平均値平均屈折率は0.700、3.84≦k≦6.58、kの平均値平均消衰係数は5.28であった。kの平均値は5よりも大きいため本発明の条件範囲である。図1fにおいて、得られた基板をラッピング材住友3M社製ラッピングシート4000でラッピングを施して、ライン構造の頂部9を露出させた。図1gにおいて、fで得られた基板に対してbで使用したゾルゲル材料をスピンコーターで5000rpm30秒間保持した後、350°Cで5分キュアして、ライン部4および埋め込み金属部8の上に保護層10を形成した。図1dと同様に別基板で350°C5分キュア後の屈折率を測定した結果、1.25、膜厚70nmであった。図2は、得られたワイヤーグリッド偏光板の断面を示すもので、基板1と、残膜部6と、ライン部4と、埋め込み金属部8と、保護層10と、を備える。このワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図3に示す。分光透過率は市販の分光光度計日立製作所社製U4000自記記録分光光度計で測定を行った。実線で示す曲線はP偏光の透過率、点線で示す曲線はS偏光の透過率を示す。可視域の平均透過率はP偏光91.8、S偏光0.06、可視域の平均消光比は32.9dbと、偏光特性の優れたワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。特に、P偏光平均透過率が90以上で、消光比が30db以上を有する良いワイヤーグリッド偏光板であった。このように、高価なフォトリソグラフィー法や、ドライエッチング法、真空成膜法等を用いないで、高品質で安価なワイヤーグリッド偏光板を製造することができた。図1aにおいて、基板1は、ガラス基板L-PHL1光学ガラスを使用した。このガラス基板のガラス転移は347°Cである。図1bにおいて、基板上にゾルゲル材料ラサ工業社製ゾルゲル膜材料VRS-PRC35N-1Kをスピンコーターで1500rpm30秒間保持してゾルゲル膜2を成膜した。図1cにおいて用いたニッケル製の型3はライン幅46nm、スペース幅94nm、スペース深さ200nmの物を使用した。図1dにおいて、型3を外して300°Cで30分間キュアを施した後、ライン部4およびスペース部5の繰り返し構造を有するラインアンドスペース転写基板を得た。得られたラインアンドスペース構造のライン幅は85nm、スペース幅は55nm、スペース深さは180nmであった。また、残膜部6は10nmであった。ゾルゲル膜を塗布した別基板で300°C30分キュア後の膜の屈折率を測定した結果、1.25であった。図1eにおいて純Inの埋め込み金属部8を形成した。In塊は、156°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が250°Cでスペース部5への金属の埋め込みを実施した。なお、埋め込んだ純Inの光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.479≦n≦1.01、nの平均値は0.764、3.89≦k≦5.83、kの平均値は4.90、であった。また、図1gにおいて、スピンコーター条件を5000rpm30秒間として150°Cで5分キュアして、保護層10を形成した。ここで得られた保護層の屈折率を測定した結果、1.44であった。また、膜厚は70nmであった。それ以外の工程は実施例1と同様に実施した。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図4に示す。可視域の平均透過率はP偏光89.2、S偏光0.19、可視域の平均消光比は27.0dbのワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。実施例1における基板1を石英基板とした。図1cにおいて用いたニッケル製の型3はライン幅31nm、スペース幅109nm、スペース深さ222nmの物を使用した。図1dにおいて、型3を外して窒素雰囲気中650°Cで30分間キュアを施した後、ライン部4およびスペース部5の繰り返し構造を有するラインアンドスペース転写基板を得た。得られたラインアンドスペース構造のライン幅は94nm、スペース幅は46nm、スペース深さは200nmであった。また、残膜部6は25nmであった。また、ゾルゲル膜を塗布した別基板で650°C30分キュア後の膜の屈折率を測定した結果、1.31であった。図1eにおいてAl11原子In89原子の埋め込み金属部8を形成した。金属塊は、635°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が700°Cでスペース部5への金属の埋め込みを実施した。埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.473≦n≦1.07、nの平均値は0.780、3.90≦k≦5.91、kの平均値は4.95であった。それ以外の工程は実施例1と同様に実施した。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図5に示す。可視域の平均透過率はP偏光89.9、S偏光0.16、可視域の平均消光比は27.8dbのワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。実施例3において、基板1は白板を使用した。図1eにおいてAl11.3原子Zn88.7原子の埋め込み金属部8を形成した。金属塊は、382°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が450°Cでスペース部への金属の埋め込みを実施した。埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.558≦n≦4.21、nの平均値は2.06、4.40≦k≦5.90、kの平均値は5.31であった。この金属は、nは1以上の値を有するが、kが5よりも大きいため、良い偏光特性を発現できる。それ以外の工程は実施例3と同様に実施した。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図6に示す。可視域の平均透過率はP偏光88.7、S偏光0.03、可視域の平均消光比は34.3dbのワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。特に、消光比が30db以上を有する良いワイヤーグリッド偏光板であった。図1eにおいてAl32.0原子Zn68.0原子の埋め込み金属部8を形成した。金属塊は、450°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が550°Cでスペース部への金属の埋め込みを実施した。埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.526≦n≦3.59、nの平均値は1.79、4.31≦k≦6.00、kの平均値は5.34であった。それ以外の工程は実施例4と同様に実施した。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図7に示す。可視域の平均透過率はP偏光89.0、S偏光0.04、可視域の平均消光比は34.1dbのワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。特に、消光比が30db以上を有する良いワイヤーグリッド偏光板であった。実施例4において、基板1に基板材S-BSL7を使用した。図1eにおいてMg87.3原子Zn12.7原子の埋め込み金属部8を形成した。金属塊は、480°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が550°Cでスペース部への金属の埋め込みを実施した。埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.187≦n≦0.605、nの平均値は0.363、3.56≦k≦6.55、kの平均値は5.04であった。それ以外の工程は実施例4と同様に実施した。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図8に示す。可視域の平均透過率はP偏光91.8、S偏光0.30、可視域の平均消光比は27.5dbのワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。特に、P偏光平均透過率が90以上を有する良いワイヤーグリッド偏光板であった。図1eにおいてMg90.0原子Al9.0原子Zn1.0原子の埋め込み金属部8を形成した。金属塊は、600°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が650°Cでスペース部への金属の埋め込みを実施した。埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.202≦n≦0.634、nの平均値は0.385、3.58≦k≦6.57、kの平均値は5.07であった。それ以外の工程は実施例3と同様に実施した。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図9に示す。可視域の平均透過率はP偏光91.8、S偏光0.26、可視域の平均消光比は27.9dbのワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。特に、P偏光平均透過率が90以上を有する良いワイヤーグリッド偏光板であった。実施例6と同様の方法で、図1eにおいてAl50.0原子Ag15.0原子Sn35.0原子の埋め込み金属部8を形成した。金属塊は、450°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が550°Cでスペース部5への金属の埋め込みを実施した。なお、埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.589≦n≦1.53、nの平均値は0.995、3.51≦k≦6.13、kの平均値は4.91であった。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図10に示す。可視域の平均透過率はP偏光88.7、S偏光0.26、可視域の平均消光比は26.9dbのワイヤーグリッド偏光板を得ることができた。比較例1実施例1と同様の方法で、図1eにおいて純Alの埋め込み金属部を形成した。ラインアンドスペース構造上に1gのAl塊を配置した後、ホットプレートを昇温した。ホットプレート指示温度が560°Cでガラス基板が軟化を始めガラス吸着溝に沿って表面の変形が目視で観察された。そのためAlを溶融すること無く製造工程を中止した。比較例2実施例7と同様の方法で、図1eにおいてAg41.0原子Sn59.0原子の埋め込み金属部を形成した。金属塊は、450°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が550°Cでスペース部への金属の埋め込みを実施した。なお、埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.664≦n≦1.27、nの平均値は0.929、2.83≦k≦5.50、kの平均値は4.23であった。それ以外の工程は同様に実施した。本比較例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図11に示す。可視域の平均透過率はP偏光85.6、S偏光2.86、可視域の平均消光比は17.8dbのワイヤーグリッド偏光板となった。P偏光の平均透過率が低く、S偏光の透過漏れ光が多い、消光比が悪いワイヤーグリッド偏光板となった。比較例3実施例1と同様の方法で、図1cにおいて用いたニッケル製の型3はライン幅31nm、スペース幅109nm、スペース深さ222nmの物を使用した。図1dにおいて、型3を外して窒素雰囲気中650°Cで30分間キュアを施した後、ライン部4およびスペース部5の繰り返し構造を有するラインアンドスペース転写基板を得た。得られたラインアンドスペース構造のライン幅は94nm、スペース幅は46nm、スペース深さは200nmであった。また、残膜部6は25nmであった。また、ゾルゲル膜を塗布した別基板で650°C30分キュア後の膜の屈折率を測定した結果、1.31であった。図1eにおいてAl16原子Sn84原子の埋め込み金属部を形成した。金属塊は、443°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が550°Cでスペース部への金属の埋め込みを実施した。なお、埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.912≦n≦1.98、nの平均値は1.39、3.54≦k≦6.24、kの平均値は4.96であった。それ以外の工程は同様に実施した。本実施例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図12に示す。可視域の平均透過率はP偏光87.3、S偏光0.19、可視域の平均消光比は28.3dbのワイヤーグリッド偏光板となった。特に短波長側でP偏光透過率の低下がみられる。比較例4実施例2と同様の方法で、図1eにおいてZn16.0原子Sn84.0原子の埋め込み金属部を形成した。金属塊は、198°Cで溶融を開始した。ホットプレート温度が300°Cでスペース部への金属の埋め込みを実施した。埋め込んだ金属の光学定数を実施例1と同様に測定した結果、波長400~700nmにおけるnとkはそれぞれ、0.912≦n≦1.97、nの平均値は1.39、3.54≦k≦6.24、kの平均値は4.96であった。それ以外の工程は同様に実施した。本比較例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図13に示す。可視域の平均透過率はP偏光86.0、S偏光0.16、可視域の平均消光比は28.5dbのワイヤーグリッド偏光板となった。特に短波長側でP偏光透過率の低下がみられる。比較例5実施例1と同様の方法で、図1bにおいて、基板上にゾルゲル材料ラサ工業社製ゾルゲル膜材料VR-153-1Kをスピンコーターで1000rpm30秒間保持してゾルゲル膜を成膜した。この材料の屈折率は1.55であった。本比較例で得られたワイヤーグリッド偏光板の分光透過率特性を図14に示す。可視域の平均透過率はP偏光86.4、S偏光0.17、可視域の平均消光比は29.4dbのワイヤーグリッド偏光板となった。偏光板としては使用可能な特性であるが、実施例1と比較して、P偏光透過率、S偏光の漏れ光量、消光比全て悪い値となった。