プラズマを生成するための装置であって、内部で前記プラズマが生成される容器と、RFドライバ信号を受信して前記プラズマを少なくとも維持するよう構成されたコイルとを備え、前記コイルは、前記容器の周囲に巻回され、複数の巻回層を有し、前記コイルは、所与の多層巻きのための前記複数の巻回層のすべての巻回層が、隣接する多層巻きの巻回の前に巻回されるように構築され、前記隣接する多層巻きは前記所与の多層巻きに隣接する装置。請求項1に記載の装置であって、前記所与の多層巻きは、前記所与の多層巻きの最下層から前記所与の多層巻きの最上層へと巻回される装置。請求項2に記載の装置であって、前記隣接する多層巻きは、前記隣接する多層巻きの最上層から前記隣接する多層巻きの最下層へと巻回される装置。請求項2に記載の装置であって、前記隣接する多層巻きは、前記隣接する多層巻きの最下層から前記隣接する多層巻きの最上層へと巻回される装置。請求項1に記載の装置であって、前記容器は、大気誘導結合プラズマトーチのプラズマ生成シリンダである装置。請求項1に記載の装置であって、前記複数の層は2層である装置。請求項1に記載の装置であって、前記複数の層は3層である装置。請求項1に記載の装置であって、前記コイルは、二重管構成および並列管構成の一方によって実装される装置。請求項8に記載の装置であって、前記コイルの第1の端部が接地に接続されており、前記第1の端部は、冷却流体を注入および排出するための端部でもある装置。請求項1に記載の装置であって、前記RFドライバ信号は、約10MHzから約100MHzの間の周波数を有する装置。プラズマを用いてプラズマ基板を処理するよう構成された大気誘導結合プラズマトーチであって、内部で前記プラズマが生成される容器であって、前記容器は、処理ガスを受け入れるための少なくとも第1の流入口および前記容器から前記プラズマを放出するための少なくとも1つの開口端を有し、さらに、冷却ガスを受け入れるための第2の流入口および前記冷却ガスを排出するための流出口を備える容器と、前記容器の周囲に巻回されたコイルであって、前記コイルは、少なくとも2つの離間された巻回層を有し、前記コイルは、所与の多層巻きのすべての巻回層が、隣接する多層巻きの巻回の前に巻回されるように構築され、前記隣接する多層巻きは前記所与の多層巻きに隣接し、前記コイルの第1の端部が接地に接続され、前記コイルの第2の端部が、前記処理中に前記プラズマを点火するよう構成されたRFドライバ信号を受信するように接続されているコイルとを備える大気誘導結合プラズマトーチ。請求項11に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記所与の多層巻きは、前記所与の多層巻きの最下層から前記所与の多層巻きの最上層へと巻回される大気誘導結合プラズマトーチ。請求項12に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記隣接する多層巻きは、前記所与の多層巻きの前記最上層から続いて、前記隣接する多層巻きの最上層から前記隣接する多層巻きの最下層へと巻回される大気誘導結合プラズマトーチ。請求項12に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記隣接する多層巻きは、前記所与の多層巻きの前記最上層から続いて、前記隣接する多層巻きの最下層から前記隣接する多層巻きの最上層へと巻回される大気誘導結合プラズマトーチ。請求項11に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記所与の多層巻きは、前記所与の多層巻きの最上層から前記所与の多層巻きの最下層へと巻回される大気誘導結合プラズマトーチ。請求項15に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記隣接する多層巻きは、前記所与の多層巻きの前記最下層から続いて、前記隣接する多層巻きの最下層から前記隣接する多層巻きの最上層へと巻回される大気誘導結合プラズマトーチ。請求項15に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記隣接する多層巻きは、前記所与の多層巻きの前記最下層から続いて、前記隣接する多層巻きの最上層から前記隣接する多層巻きの最下層へと巻回される大気誘導結合プラズマトーチ。請求項11に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記コイルは、二重管で実装される大気誘導結合プラズマトーチ。請求項11に記載の大気誘導結合プラズマトーチであって、前記ドライバRF信号は、約10MHzから約30MHzの範囲のドライバRF周波数を有する大気誘導結合プラズマトーチ。プラズマを用いてプラズマ基板を処理するよう構成された大気誘導結合プラズマトーチであって、処理ガスを受け入れるための少なくとも1つの流入口および前記プラズマを放出するための少なくとも1つの開口端を有する前記プラズマの閉じ込め手段と、前記容器の周囲に巻回されたコイルであって、前記コイルは、少なくとも2つの離間された巻回層を有し、前記コイルは、所与の多層巻きのすべての巻回層が、隣接する多層巻きの巻回の前に巻回されるように構築され、前記隣接する多層巻きは前記所与の多層巻きに隣接し、前記コイルの第1の端部が接地に接続されているコイルと、前記処理中に前記コイルの第2の端部に供給されるRFドライバ信号の生成手段とを備える大気誘導結合プラズマトーチ。以下では、添付図面に例示されたいくつかの実施形態を参照しつつ、本発明の詳細な説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および/または構造については、詳細な説明を省略した。上述したように、直列LC共振回路の一部として機能するコイルの誘導電圧は、ドライバRF周波数の関数である。ドライバRF周波数を下げると、コイルの誘導電圧を下げる効果がある。補償がなされない限り、低い誘導電圧は、大気誘導結合プラズマトーチにおいてプラズマを点火するのに不十分である場合がある。周知のように、コイルの誘導電圧は、コイルインダクタンスLの関数でもある。一般に、かかるコイルのインダクタンスを上げると、コイルの誘導電圧を上げる効果がある。コイルのインダクタンス増大させることにより、ドライバRF周波数を下げても高い誘導電圧を維持できる。あるいは、ドライバRF周波数が同じままの場合に、より高い誘導電圧を実現できる。コイルのインダクタンスを上げる1つの方法は、巻数を増やす方法である。一般に、円筒コイルのインダクタンスは、巻数の2乗に比例する。例えば、円筒コイル形状ソレノイドについて、コイルの両端を考慮しなければ、ドライバRF周波数を3分の1に減少させる例えば、40MHzから13MHzに減少させると、コイルを通した誘導電圧をほぼ同じに維持するには、巻数を1.7倍1.7はおおよそ3の平方根に等しいに増大させる補償が必要になる。しかしながら、本願の発明者は、単により多くの巻線を追加することによってコイルの巻数を増やしても他の問題が生じることを認識している。図1を参照すると、例えば、プラズマ長およびその他のプラズマ特性は、コイル長図1のCLが増大されると直接的または間接的に影響を受ける。多くの用途で、プラズマ長およびその他のプラズマ特性の変化は望ましくない。プラズマ長およびその他のプラズマ特性の変化に対応できる場合でも、例えば、大気誘導結合プラズマトーチが特定の長さまたは体積を超えることがフォームファクタ要件によって妨げられうるため、追加できる巻数には物理的な制限がある。変圧器の技術において、コイルの巻数は、多層コイルを利用することによって効果的に増大できることが周知である。変圧器に通例用いられるタイプの2層コイルにおいて、例えば、100巻数の外側コイル層を100巻数の内側コイル層に重ねることによって、コイル長を増大させることなく100を超える有効巻数のコイルを効果的に提供することができる。しかしながら、本願の発明者は、大気誘導結合プラズマトーチの用途には、変圧器コイル設計で通例生じないアーク放電のリスクがあることを認識している。上述のように、コイルの両端の間の誘導電圧は、大気条件下でプラズマを効果的に点火するために、数万ボルトに達しうる。コイルの両端が空間的に互いに近い状態で2つのコイル層が巻かれている場合、アーク放電が起こりうる。例えば、巻線が、第1のコイル層端部で石英シリンダ上の任意の点Xから始まり、石英シリンダ周囲に巻かれつつ点Yに向かって進むことによって内側コイル層を形成し、点Yで内側コイル層から外側コイル層へと移行し、石英シリンダの点Xへ戻るように巻かれてコイルの他方の端部を形成すると仮定する。この段階で、コイルの両端は点X付近にある。コイルの2つの端部の間の電圧差が、2つのコイル端部の間にある媒質通例は、空気の降伏電圧を超えると、高い電圧差と、コイルの両端の近さとによって、コイルの両端部の間でアーク放電が起きる可能性がある。本発明の実施形態は、コイルの物理的な長さを伸ばすことも、体積を過度に増大させることもなく、アーク放電による損傷を最小限に抑えつつ、大気誘導結合プラズマトーチのコイルにおけるプラズマ点火可能な電圧を維持するための方法および装置に関する。本明細書に記載するコイルは、プラズマを生成して閉じ込めるために用いられるシリンダまたは容器非円筒形の容器を備える場合もあるの周りに巻き付けられたコイルである。様々な実施形態において、新規の巻回パターンおよびそのための方法が、隣接する多層巻きの間の電圧差を最小化するために提供される。本明細書で用いられているように、多層巻きという用語は、互いに重なって巻かれると共に、最下部の巻きから最上部の巻きに向かって、または、その逆の方向で、連続的に巻かれた複数少なくとも2回の巻きを意味する。1または複数の実施形態において、新規の巻回パターンおよびそのための方法は、アーク放電を最小化するために、隣接する多層巻きの間の電圧差を数万ではなく数千ボルトに維持する。1または複数の実施形態において、新規の巻回パターンおよびそのための方法は、アーク放電を最小化するために、コイルの両端すなわち、最大の電圧差が生じるコイルの部分を、従来技術で可能なよりも物理的に遠く離す。一般に、コイルは、1つの多層巻きの巻回層すべてが次の多層巻きに進む前に完了するように巻回される。1つのバリエーションは、多層巻きの最初の巻きの最下の最も内側またはシリンダに最も近い巻回層で巻回を始めるか、もしくは、多層巻きの最初の巻きの最上の最も外側またはシリンダから最も遠い巻回層で巻回を始めるか、に関する。別のバリエーションは、多層巻きからそれに隣接する多層巻きへの移行が、同じ巻回層で起きるか例えば、多層巻きXの最上層から多層巻きX1の最上層へと移行がなされる、または、多層巻きXの最下層から多層巻きX1の最下層へと移行がなされる、もしくは、異なる巻回層で起きるか例えば、多層巻きXの最上層から多層巻きX1の最下層へと移行がなされる、または、多層巻きXの最下層から多層巻きX1の最上層へと移行がなされる、に関する。以下では、2層コイルについて記載する。ただし、本発明の装置および方法は、例えば、単に、隣接する多層巻きに移行する前に多層巻きのすべての層の巻回を実行することにより、3層、4層以上に拡張できることを理解されたい。1または複数の実施形態において、LULU下-上-下-上巻回パターンが、2層コイルにおける最初の2つの隣接する多層巻きの間で形成される。このパターンは、次の2つの多層巻き、そして、その次の2つに繰り返され、以下同様に繰り返される。LULUパターンは、最初にプラズマシリンダに近接してコイルを巻回することを含むLULUパターンのL部分である下層。これは、パターンLULUにおける最初のLである。次に、同じ多層巻きにおいて、プラズマシリンダからさらに半径方向に離れた上層に対して巻回がなされる。これは、パターンLULUにおける最初のUである。これらの2つの巻回下層の後に上層が、最初の多層巻き2層コイルでは二重巻きになるを形成する。L-Uの二重巻きの個々の巻きすなわち巻き付けの両方が、石英シリンダの端部160から同じ距離d1に位置することに注意されたい。次に、コイルは、隣接する多層巻きの下層に導かれ、再びプラズマシリンダに近接する。これは、パターンLULUにおける2つ目のLである。次に、同じ隣接する多層巻きにおいて、プラズマシリンダからさらに半径方向に離れた上層に対して巻回がなされる。これは、パターンLULUにおける2つ目のUである。これらの2つの巻回下層の後に上層が、2つ目の二重巻きを形成する。2つ目の二重巻きは、距離d1にあるL-Uペアとのクロストークを最小化するために、十分に異なる距離d2石英シリンダの端部160から測定された距離に配置される。3つ目の二重巻きおよび4つ目の二重巻きが同様に形成される。3つの層が含まれる場合、例えば、パターンは、単にL1U11U12L2U21U22になることに注意されたい。ここで、記号L1は、最初の三重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表し、記号U11は、最初の三重巻きのための中間層を表し、記号U12は、最初の三重巻きのためのシリンダから半径方向に最も離れた最上層を表す。同様に、記号L2は、2つ目の三重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表し、記号U21は、2つ目の三重巻きのための中間層を表し、記号U22は、2つ目の三重巻きのためのシリンダから半径方向に最も離れた最上層を表す。この場合、下層が最初に巻回され、次に、同じ三重巻きのために半径方向外側の中間上層が巻回される。その後、半径方向でさらに外側の最上層が、同じ三重巻きのために巻回される。そして、コイルは、次に繰り返される隣接する三重巻きの下層に導かれる。4つの層が含まれる場合、パターンは、例えば、L1U11U12U13L2U21U22U23になる。このように、任意の数の層に対応できる。また、2層コイルにおける最初の2つの隣接する多層巻きについてULULパターンを巻回することも可能であることに注意されたい。換言すると、1つの多層巻きのために上層および下層を巻回して、移行し、隣接する多層巻きのために上層および下層を巻回することが可能である。このパターンは、次の2つの多層巻き、そして、その次の2つに繰り返され、以下同様に繰り返される。3つの層については、例えば、U1L11L12U2L21L22となる。ここで、記号U1は、最初の三重巻きのための最上層を表し、記号L12は、最初の三重巻きのための中間層を表し、記号L12は、最初の三重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表す。同様に、記号U2は、2つ目の三重巻きのための最上層を表し、記号L21は、2つ目の三重巻きのための中間層を表し、記号L22は、2つ目の三重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表す。1または複数の実施形態において、LUUL下-上-上-下巻回パターンが、2層コイルにおける最初の2つの隣接する多層巻きの間で形成される。このパターンは、次の2つの多層巻き、そして、その次の2つに繰り返され、以下同様に繰り返される。LUULパターンは、最初にプラズマシリンダに近接してコイル層を巻回することを含む。これは、パターンLUULにおける最初のLである。次に、同じ多層巻きにおいて、プラズマシリンダからさらに半径方向に離れた上層に対して巻回がなされる。これは、パターンLUULにおける最初のUである。これらの2つの巻回下層の後に上層が、最初の多層巻きを形成する。次に、コイルは、隣接する多層巻きの上層に移行される。これは、パターンLUULにおける2つ目のUである。次に、同じ隣接する多層巻きにおいて、プラズマシリンダに近い下層に対して巻回なされる。これは、パターンLUULにおける2つ目のLである。これらの2つの巻回下層の後に上層が、2つ目の多層巻きを形成する。3つ目および4つ目の多層巻きが同様に形成される。3つの層が含まれる場合、例えば、パターンは、隣接する多層巻きの最初のペアについては単にL1U11U12U22U21L2になることに注意されたい。ここで、記号L1は、最初の二重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表し、記号U11は、最初の二重巻きのための中間層を表し、記号U12は、最初の二重巻きのためのシリンダから半径方向に最も離れた最上層を表す。同様に、記号L2は、2つ目の二重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表し、記号U21は、2つ目の二重巻きのための中間層を表し、記号U22は、2つ目の二重巻きのためのシリンダから半径方向に最も離れた最上層を表す。この場合、下層が最初に巻回され、次に、同じ多層巻きのために半径方向外側の中間上層が巻回される。その後、半径方向にさらに外側の最上層が、同じ多層巻きのために巻回される。次いで、コイルは、隣接する多層巻きの最上層に導かれる。次に、その隣接する多層巻きの中間上層が巻回される。次に、その隣接する多層巻きの下層が巻回される。4つの層が含まれる場合、パターンは、例えば、L1U11U12U13U23U22U21L2になる。このように、任意の数の層に対応できる。また、2層コイルにおける最初の2つの隣接する二重巻きについてULLUパターンを巻回することも可能であることに注意されたい。換言すると、1つの多層巻きのために上層および下層を巻回して、移行し、隣接する多層巻きのために下層および上層を巻回することが可能である。このパターンは、次の2つの多層巻き、そして、その次の2つに繰り返され、以下同様に繰り返される。3つの層については、例えば、U1L11L12L22L21U2となる。ここで、記号U1は、最初の三重巻きのための最上層を表し、記号L11は、最初の三重巻きのための中間層を表し、記号L12は、最初の三重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表す。同様に、記号U2は、2つ目の三重巻きのための最上層を表し、記号L21は、2つ目の三重巻きのための中間層を表し、記号L22は、2つ目の三重巻きのためのシリンダに最も近い最下層を表す。1または複数の実施形態において、巻回は、連続的な導体を用いて、一方向すなわち、時計回りまたは反時計回りをたどり、1つの多層巻きのすべての巻回層が完了するまで進む。次いで、巻回は、次の多層巻きに進み、次の多層巻きのすべての巻回層を完成させる。次に、巻回は、次の多層巻きに進み、以下同様に続く。隣接する多層巻きが追加されると、多層巻きが、シリンダの長さに沿って一方向に直線的に追加される。1または複数の実施形態において、コイルの接地端は、最外部の巻回に位置する。代替的または追加的に、1または複数の実施形態において、コイルの高電圧端は、最外部の巻回に位置する。1または複数の実施形態において、2~6mmの銅または銅合金の管が、コイル材料として用いられる。外面は、高RF周波数でより良好な導電率を得るために銀メッキされてよいRF電流の表皮効果。本発明の1または複数の実施形態において、コイルは、間に適切なスペーサ構造を備えた二重壁管を用いることによって、大きい管の内部に小さい管を配置した二重管構成である。冷却流体高純度水または同様の適切な冷却流体などが、コイルの一方の端部で一方の管内管または外管のいずれかに注入され、同じ管内でコイルの他端部に移動し、他方の管に流れてコイルの元の端部に戻る。この構成は、配管の設置および維持を単純化する。冷却流体を注入および排出するために用いられるコイル端が、接地コイル端でもある場合、冷却流体は高電圧コイル端を介して導入も排出もされないので、水道水またはその他の非高純度冷却流体を冷却に用いてもよい。接地側で冷却流体を導入または排出すれば、冷却流体の残留導電率によってプラズマトーチデバイス内の望ましくない位置にRF電流が漏れることが防止される。本発明の特長および利点は、以下の図面と説明を参照すれば、よりよく理解できる。図2A~図2Dは、ULLU巻回パターンを用いた改良2層コイルの例を示す切り欠き図である。図2Aでは、UAおよびLAが第1の多層巻きを形成し、次いで、LBおよびUBが、隣接する多層巻きを形成する。UAは、第1の多層巻きの上層外層を示す。LAは、第1の多層巻きの下層内層を示す。LBは、第2の多層巻きの下層内層を示す。UBは、第2の多層巻きの上層外層を示す。この例における配列は、UALALBUBである。コイルは、矢印252の方向に図のコイルの下側から見て時計回りに連続的に巻回され、矢印254の方向に進んで、さらなる多層巻きが追加される。図2Bは、図2AのULLU巻回パターンの続きを示しており、第2の多層巻きのペアがさらに詳細に図示されている。この図でも、UAおよびLAが第1の多層巻きを形成し、LBおよびUBが、隣接する多層巻きを形成する。図2Cは、図2Bおよび図2AのULLU巻回パターンの続きを示しており、第3の多層巻きのペアが追加されている。この図でも、UAおよびLAが第1の多層巻きを形成し、LBおよびUBが、隣接する多層巻きを形成する。UCは、第3の多層巻きの上層外層を示す。LCは、第3の多層巻きの下層内層を示す。この例における配列は、UALALBUBUCLCである。図2Dは、図2C、図2B、および、図2AのULLU巻回パターンの続きを示しており、第4の多層巻きが追加されている。この図でも、UAおよびLAが第1の多層巻きを形成し、LBおよびUBが、隣接する多層巻きを形成する。UCは、第3の多層巻きの上層外層を示す。LCは、第3の多層巻きの下層内層を示す。LDは、第4の多層巻きの下層内層を示す。UDは、第4の多層巻きの上層外層を示す。この時点で、パターンは、UALALBUBUCLCLDUDとなる。図2Dからもわかるように、コイルの2つの端部は、直線的に見てすなわち、矢印254の方向に沿ってコイルの反対端に位置するように空間的に離れている。これは、変圧器の巻線で普通に行われるように最初に下層全体を巻回した後に折り返して下層の上に巻回して上層を形成する場合には不可能である。コイルの2つの端部は、空間的な分離を最大化するために、図2Dに示すように互いに180度に位置することが好ましいただし、必須ではない。以上からわかるように、本発明の実施形態は、コイルの全高コイルソレノイドの高さを増大させることなく、巻数を効果的に増加させ、それにより、コイルのインダクタンスを増加させて、アーク放電を最小化しつつコイルの長さにわたる誘導電圧を効果的に増加させる。コイルの誘導電圧を増大させることにより、プラズマは、同じまたは低いRFドライバ周波数で、より容易に点火および/または維持されうる。代表的な実施形態および最良の形態を開示したが、特許請求の範囲に規定されているように本発明の主題および精神の範囲内で、開示された実施形態に変形および変更を施すことができる。