基板の上に形成され、ガリウムナイトライドで構成されるバッファ層と前記バッファ層の上に形成され、インジウムアルミニウムナイトライドで構成された第1のバリアサブレイヤーと、第1のバリアサブレイヤーの上に形成され、アルミニウムガリウムナイトライドで構成された第2のバリアサブレイヤーと、含む、バリア層と、第2のバリアサブレイヤーの上に形成されたソース端子、ゲート端子およびドレイン端子と、を含む高電子移動度トランジスタ。第2のバリアサブレイヤーが約175Åの厚さである請求項1に記載のHEMT。第1のバリアサブレイヤーが約25Åの厚さである請求項1に記載のHEMT。バッファ層の上において、バッファ層と第1のバリアサブレイヤーとの間に形成され、アルミニウムナイトライドで構成された成長層をさらに含む請求項1に記載のHEMT。成長層は約10Åの厚さ未満である請求項4に記載のHEMT。第1のバリアサブレイヤーがバッファ層の格子構造と一致する格子構造を持つ請求項1に記載のHEMT。第2のバリアサブレイヤーがAlxGa1xNxは約02を含む請求項1に記載のHEMT。第1のバリアサブレイヤーがInyAl1yNyは約018を含む請求項1に記載のHEMT。第2のバリアサブレイヤーがAlxGa1xNxは約02を含み、第1のバリアサブレイヤーが約25Åの厚さであり、InyAl1yNyは約018を含む請求項1に記載のHEMT。第1のバリアサブレイヤーがInyAl1yNyは約014と021との間を含み、第2のバリアサブレイヤーがAlxGa1xNxは約015と022との間を含む請求項1に記載のHEMT。第1のバリアサブレイヤーが約15-30Åの厚さを有し、第2のバリアサブレイヤーが約150-200Åの厚さを有する請求項1に記載のHEMT。第1のバリアサブレイヤーが約15-30Åの厚さを有し、かつ、InyAl1yNyは約014と021の間を含み、第2のバリアサブレイヤーは、約150-200Åの厚さを有し、かつ、AlxGa1xNxは約015と022の間を含む請求項1に記載のHEMT。ソース端子とドレイン端子との間の距離が約2μmである請求項1に記載のHEMT。ゲート端子がソース端子とゲート端子との中間点からソース端子の方へ約0.25μmずれている請求項1に記載のHEMT。半導体基板の上にバッファ層を形成する工程と、バッファ層の上に、インジウムアルミニウムナイトライドで構成される第1のバリアサブレイヤーを形成する工程と、第1のバリアサブレイヤーの上に、アルミニウムガリウムナイトライドで構成される第2のバリアサブレイヤーを形成する工程と、第2のバリアサブレイヤーの上に、ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を形成する工程と、を含む、半導体基板上に半導体装置を製造する方法。第2のバリアサブレイヤーを形成する工程は、第2のバリアサブレイヤーを約150-200Åの厚さに形成する工程を含む請求項15に記載の方法。第1のバリアサブレイヤーを形成する工程は、第1のバリアサブレイヤーを約15-30Åの厚さに形成する工程を含む請求項15に記載の方法。バッファ層の上に成長層を形成する工程と、成長層の上に第1のバリアサブレイヤーを形成する工程と、をさらに含み、成長層がアルミニウムナイトライドを含む請求項15に記載の方法。成長層を形成する工程は、成長層を約10Å未満の厚さに形成する工程を含む請求項18に記載の方法。第1のサブレイヤーおよび第2のサブレイヤーを形成する工程は、第1のバリアサブレイヤーをInyAl1yNyは014から021で形成し、第2のバリアサブレイヤーをAlxGa1xNxは015から022で形成する工程を含む、請求項18に記載の方法。例示的な実施の形態の種々の態様が当業者が他の当業者に対して仕事の内容を伝えるために共通に使用する用語を用いて説明される。しかし、代替えとなる実施の形態が説明された態様のいくつかのみで実施されえることが当業者にとって明らかである。説明の目的のため、特定の装置および構成が例示的な実施の形態を十分に理解するために説明される。しかし、代替えの実施の形態が特定の細部なしで実施されうることが当業者に理解される。他の例では、例示的な実施の形態を不明瞭にしないために、周知の特徴が省略または簡略化される。さらに、本発明の理解に最も役立つように、種々の実施例が複数の個別の実施例として順に説明される。しかし、説明の順番は、これらの実施例が必ずしも順序に依存しないことを意図していると解されるべきである。特に、これらの実施例は、説明の順番にしたがって実施される必要はない。種々の実施の形態という用語は、繰り返し用いられる。この用語は、一般に、同じ実施の形態を意味しないが、同じ実施の形態を意味しうる。含む、持つ、有するという用語は、文脈が特に指示しない限り、同義である。種々の実施の形態に関連して用いられる用語の趣旨を明確にするため、A/BおよびAおよび/またはBという用語はA、BまたはAおよびBを意味し、A、Bおよび/またはCという用語は、A、B、C、AおよびB、AおよびC、BおよびC、またはA、BおよびCを意味する。と接続したcoupledwithという用語および派生する用語が使用される。接続したcoupledは、以下の1以上を意味する。接続したcoupledは、2以上の要素が直接的に物理的または電気的に接触していることを意味する。しかし、接続したcoupledは、互いに協力または相互作用した状態で、2以上の要素が互いに間接的に接触すること、ならびに、互いに接続したというべき要素の間で1以上の他の要素が接続または接触していることを意味する。種々の実施の形態において、第2の層の上に形成された第1の層という用語は、第1の層が第2の層の上に形成され、少なくとも第1の層の一部が直に接触たとえば、物理的および/または電気的に接触または、間接的に接触たとえば、第1の層と第2の層との間に1以上の他の層を有することしていてもよいことを意味する。図1は、本開示の種々の実施の形態による半導体装置100の断面図を模式的に示す。半導体装置100は、たとえば、高電子移動度トランジスタである。半導体装置100以下、装置100と呼ぶことがあるは、装置100を支持する基板104の上に形成されうる。基板104は、たとえば、シリコンカーバイド、サファイヤなどを含みうる。記載された実施の形態の材料のいくつかが括弧の中に図示されている。他の実施の形態では、特に説明された、および/または図面に記載された材料以外の材料が適切な変更の下、使用されうることに注意されたい。装置100は、基板104の上に形成されたバッファ層108を含む。バッファ層108は、たとえば、ガリウムナイトライドを含む。バッファ層108は基板104と装置100の他の要素との間に適切な格子構造遷移を提供し、基板104と装置100の他の要素との間のバッファまたは絶縁層として機能する。バッファ層108は、たとえば、1-2μmである。また、装置100は、第1のバリアサブレイヤー114および第2のバリアサブレイヤー116を有するバッファ層112を含む。第1のバリアサブレイヤー114は、バッファ層108の上に形成され、たとえばインジウムアルミニウムナイトライドで構成されうる。第1のバリアサブレイヤー114は、約25Åの厚さであるが、種々の他の実施の形態では、第1のバリアサブレイヤー114は、他の厚さ、たとえば約15-30Åの厚さであってよい。第1のバリアサブレイヤー114の組成は、バッファ層108の組成を補完してもよい。たとえば、ある実施の形態では、第1のバリアサブレイヤー114の組成は、InyAl1yNyは約0.18であってよい。このインジウム濃度により、バッファ層108の格子構造と合致する格子構造を有する第1のバリアサブレイヤー114が提供される。このような合致により、相対的にストレスが低くなり、装置100の動作信頼性を向上させうる。一方、インジウム濃度18からずれると、格子構造の不一致が増加し、特定の実施の形態において所望の動作特性が提供されうる。たとえば、インジウム濃度を14に減少させると、電荷電流の増加を引き起こすが、装置100におけるストレスを増加させうる。逆に、インジウム濃度を21に増加させると、たとえば、電荷の減少を引き起こし、装置100における全ストレスを減少させうる。種々の実施の形態において、yは0.14~0.21でありうる。第2のバリアサブレイヤー116は、第1のバリアサブレイヤー114の上に形成されうる。第2のバリアサブレイヤー116は、たとえば、アルミニウムガリウムナイトライドで構成される。ある実施の形態において、第2のバリアサブレイヤー116の組成は、AlxGa1xNxは約0.2でありうる。種々の実施の形態において、xは、0.15~0.22であってよい。第2のバリアサブレイヤー116は、ドナー供給層として機能するようにドープされうる。種々の実施の形態において、第2のバリアサブレイヤー116は、約175Åの厚さでありうるが、種々の他の実施の形態では、第2のバリアサブレイヤー116は、他の厚さ、たとえば、約150-200Åの厚さであってよい。種々の実施の形態において、バッファ層108は、バッファ層112のバンドギャップより狭いバンドギャップを有してよい。サブレイヤーのバンドギャップは、互いに異なってよく、たとえば、第1のバリアサブレイヤー114は、第2のバリアサブレイヤー116のバンドギャップより広いバンドギャップを有してよいが、両者はともにバッファ層108のバンドギャップより広いことに注意されたい。装置100の種々の層のバンドギャップの違いにより、装置100において、一般に、第1のバリアサブレイヤー114とバッファ層108のインターフェースにあるヘテロジャンクションが生成される。動作中に、2次元電子ガスがヘテロジャンクションに形成され、電子が実質的に2次元平面においてバッファ層108を通って流れるようになる。図示したようにサブレイヤーを提供することにより、所望の動作および信頼性特性が得られる。たとえば、格子構造の合致特性を提供することに加えて、第1のバリアサブレイヤー114は、所望の電気的特性、たとえば、電荷および電流を増やしてシートキャリア密度を増加させるワイドバンドギャップを提供しうる。第1のバリアサブレイヤー114によって引き起こされるシートキャリア密度の増加により、第2のバリアサブレイヤー116においてアルミニウムのパーセントが低いことが補われる。さらに、上述した厚さおよび組成を有する第2のバリアサブレイヤー116は、十分に高い降伏電圧を維持するために機能しうる。このように、装置100は、低ストレスで、アルミニウムが低濃度のサブレイヤーである第2のバリアサブレイヤー116とともに、マッチし、バンドギャップが広く、InGaNサブレイヤーである第1のバリアサブレイヤー114を用いることにより、高電流密度、高降伏電圧および低ストレスに関連する高信頼性を得る。また、装置100は、ソース端子120、ゲート端子124およびドレイン端子128を含む。端子は、絶縁層132によって分離されてもよい。絶縁カバー136は、絶縁層132、ゲート端子124および隣接する構造140の上に設けられてよい。絶縁層132および/または絶縁カバー136は、シリコンナイトライドで構成されうる。ある実施の形態では、ソース端子120とドレイン端子128との距離は、約2μmであり、ゲート端子124は、ソース端子120とゲート端子124との中間点として定義される中心からソース端子120の方へ約0.25μmずれてよい。図2は、本発明の種々の実施の形態に係る半導体装置200の断面図を模式的に示す。半導体装置200以下、装置200と呼ぶことがあるは、たとえば、装置100に類似するHEMT装置であってよい。装置200の構成は、上述した装置100の構成と同様であってよい。しかし、装置200は、バッファ層208の上に位置する成長層210を含む。成長層は、アルミニウムナイトライドで構成される。成長層210は、約10Åの厚さ未満であり、第1のバリアサブレイヤー214の結晶形成を容易にする。図3は、本発明の種々の実施の形態に係る半導体装置たとえば、装置100または200を製造する方法300を示す。方法300は、304において、半導体基板たとえば、基板104または204の上にバッファ層たとえば、バッファ層108または208を形成する工程を含む。種々の実施の形態において、バッファ層はGaNで構成され、基板はSiCで構成されうる。方法300は、さらに、308において、バッファ層の上に成長層たとえば、成長層210を形成する構成を含む。成長層はAlNで構成され、約10Åの厚さ未満でありうる。方法300は、さらに、312において、成長層の上にまたは、図1のように成長層が用いられていない場合には、バッファ層の上に、バッファ層たとえば、バッファ層112または212の第1のバリアサブレイヤーたとえば、第1のバリアサブレイヤー114または214を形成する工程を含む。種々の実施の形態において、第1のバリアサブレイヤーは、InAlNで構成され、約15-30Åの厚さでありうる。方法300は、さらに、316において、第1のバリアサブレイヤーの上にバッファ層の第2のバリアサブレイヤーたとえば、第2のバリアサブレイヤー116または216を形成する工程を含む。種々の実施の形態において、第2のバリアサブレイヤーは、AlGaNで構成され、約150-200Åの厚さでありうる。方法300は、さらに、320において、第2のバリアサブレイヤーの上にソース端子たとえば、ソース端子120または220およびドレイン端子たとえば、ドレイン端子128または228を形成する工程を含む。ソース端子およびドレイン端子は、約2μm程度、互いに離れていてよい。方法300は、さらに、324において、第2のバリアサブレイヤー、ソース端子およびドレイン端子の上に絶縁層たとえば、絶縁層132または232を形成する工程を含む。方法300は、さらに、328において、ゲート端子たとえば、ゲート端子124または224を形成し、絶縁層を介して第2のバリアサブレイヤーに接続させる工程を含む。ゲート端子は、まず、絶縁層を通るビアのエッチングを行い、次に、当該ビアを通るゲート端子を堆積することで形成されうる。ゲート端子は、ソース端子に対して中心が約0.25μmずれてよい。方法300は、332において、ゲート端子を絶縁カバーたとえば、絶縁カバー136または236で絶縁する工程を含んでもよい。種々の実施の形態において、方法300の工程は、図3に示す順序とは異なる順序で実行されうる。上述した装置100および200の種々の特性により、これらの装置は、たとえば、マイクロ波およびミリ波周波数で動作する低ノイズ増幅器を含む種々の用途で使用されうる。これらの装置は、別個のトランジスタとして高出力、高周波トランジスタとして、および/または、宇宙、軍事および商業用途に用いられるマイクロ波集積回路などの集積回路、混合信号電子機器、ミキサー、ダイレクトデジタルシンセサイザ、パワーデジタル-アナログ変換器などに用いられうる。本発明は、上述した例示的な実施の形態により説明されているが、本発明の範囲が逸脱することなく、同じ目的を得るように計算された幅広い種類の代替品および/または等価な実施物が上述した特定の実施の形態の代用となりうることが当業者に予期されるであろう。当業者は、本発明の技術が幅広い種類の実施の形態において実施されうることを容易に予期する。意図された説明は、制限的ではなく、例示的であるとみなすべきである。