"プラズマCVD装置を用いて、シリコン源となる原料ガスと窒素源となる原料ガスとの混合ガスを真空環境下でプラズマ化することにより、シリコン窒化膜を形成する方法であって、前記シリコン源として、テトラメチルジシラザンを用いることを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。形成温度を300°C以下とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン窒化膜の形成方法。形成圧力を1~100Paの範囲とすることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン窒化膜の形成方法。前記テトラメチルジシラザンと前記窒素源となる原料ガスとの混合比を、流量比で1:100~1:1000の範囲とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の形成方法。前記窒素源となる原料ガスとして、窒素ガスを用いることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の形成方法。しかしながら、特許文献1に記載の方法によってシリコン窒化膜の形成を行った場合、形成温度を400°C以下に低温化すると成膜されるシリコン窒化膜の吸湿性が急激に増加し、経時変化し易いという問題があった。このように、金属配線などを伴うパターン回路の形成された基板にシリコン窒化膜を形成する場合には、成膜温度を300°C以下、更に好適には200°C以下の低温環境とすることが望ましいが、そのような温度で安定したシリコン窒化膜を形成することは困難であった。また、モノシランの代わりに有機シランとアンモニアとを用いる方法もあるが、この方法により形成される膜は炭窒化膜SiCNとなり、膜中の炭素含有量の調整を最適化できないと吸湿性が著しく高くなるという問題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プラズマCVD装置を用いてシリコン窒化膜を形成する際に、低温環境下好ましくは300°C以下の形成温度で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供することを目的とする。かかる課題を解決するため、請求項1にかかる発明は、プラズマCVD装置を用いて、シリコン源となる原料ガスと窒素源となる原料ガスとの混合ガスを真空環境下でプラズマ化することにより、シリコン窒化膜を形成する方法であって、前記シリコン源として、テトラメチルジシラザンを用いることを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法である。請求項2にかかる発明は、形成温度を300°C以下とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン窒化膜の形成方法である。請求項3にかかる発明は、形成圧力を1~100Paの範囲とすることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン窒化膜の形成方法である。請求項4にかかる発明は、前記テトラメチルジシラザンと前記窒素源となる原料ガスとの混合比を、流量比で1:100~1:1000の範囲とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の形成方法である。請求項5にかかる発明は、前記窒素源となる原料ガスとして、窒素ガスを用いることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の形成方法である。本発明のシリコン窒化膜の形成方法によれば、プラズマCVD装置を用いてシリコン窒化膜を形成する際に、300°C以下の形成温度で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することができる。さらに、成膜条件を最適化することにより、屈折率1.85以上のシリコン窒化膜を形成することができる。以下、本発明を適用した一実施形態であるシリコン窒化膜の形成方法について、このシリコン窒化膜の形成方法を実施するためのプラズマCVD装置とともに、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。本実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、プラズマCVD装置を用いて、成膜用ガスを真空環境下でプラズマ化することにより、シリコン窒化膜を形成する方法である。図1に、本実施形態のシリコン窒化膜の形成方法に用いるプラズマCVD装置の例を示す。図1に示すように、プラズマCVD装置1は、高周波電力を印加してプラズマを発生させる平行平板型などのプラズマ発生手段図示略を備え、プラズマ雰囲気中で基板上にシリコン窒化膜などの薄膜を形成するためのチャンバー2と、成膜用ガスを構成するシリコン源となるテトラメチルジシラザンを含む原料ガスをチャンバー2内に送り込む第1導入管3と、成膜用ガスを構成する窒素源となる窒素ガスN2をチャンバー2内に送り込む第2導入管4と、チャンバー2内のガスを排気する排気ポンプ5を備えた排気管6とから概略構成されている。成膜用ガスは、シリコン源となる原料ガスと窒素源となる原料ガスとの混合ガスである。ここで、本実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、シリコン源としてテトラメチルジシラザンCH32H-Si-NH-Si-CH32Hを用いることを特徴とする。これにより、300°C以下の形成温度で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することができる。窒素源となる原料ガスとしては、窒素ガスN2を例示しているが、これに限定されるものではなく、アンモニアガスNH3等の一般的な窒素源を用いることができる。窒素源として窒素ガスを用いる場合、高屈折率のシリコン窒化膜が得られやすくなるために好ましい。図1に示すプラズマCVD装置1によるシリコン窒化膜の成膜にあたっては、先ず、チャンバー2内にシリコン基板などの基板を配置する。次に、第1導入管3から質量流量計7を介して所定流量のテトラメチルジシラザンを含む原料ガスを、第2導入管4から質量流量計8を介して所定流量の窒素ガスを、それぞれチャンバー2内に導入する。次いで、所定の流量、温度及び圧力にチャンバー2内が安定化したことを確認した後、プラズマ発生手段を作動させて、プラズマCVD反応により基板上にシリコン窒化膜を形成する。なお、チャンバー2内のガスは排気ポンプ5により吸引されて排気管6から排出される。ここで、シリコン源となるテトラメチルジシラザンを含む原料ガスは、テトラメチルジシラザンが低蒸気圧の液化ガスであるため、強制気化装置によってテトラメチルジシラザン単体で供給することが望ましいが、ヘリウムガスでバブリングし、ヘリウムガスに同伴させて供給しても良い。また、チャンバー2内に導入する混合ガス成膜用ガスは、テトラメチルジシラザンを含む原料ガスと窒素源となる原料ガスとの混合比を、流量比で1:100~1:1000の範囲とすることが好ましい。上記流量比が1:100未満であると、形成される膜中の窒素濃度が低くなるために好ましくはない。一方、上記流量比が1:1000を超えると、成膜速度が著しく低下するため、好ましくはない。これに対して、上記流量比が上記範囲内であると、高い成膜速度条件を適用して経時変化のない膜を形成できるために好ましい。形成温度成膜温度は特に限定されるものではないが、シリコン源としてテトラメチルジシラザンを用いることにより低温環境下での成膜を達成することが可能である。具体的には、形成温度を300°C以下、あるいは200°C以下の条件を用いても、バリヤ性やエッチング耐性といった膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することができる。形成圧力は、1~100Paの範囲で安定化させることが好ましい。形成圧力が1Pa未満であると、放電電圧が著しく増加し、異常放電を生じ易くなるために好ましくはない。一方、形成圧力が100Paを超えると、膜中の炭素濃度が増加し、低屈折率化するため、好ましくはない。これに対して、形成圧力が上記範囲内であると、プラズマ放電の制御性を確保しつつ優れた膜特性を得られるために好ましい。プラズマ発生手段としては、例えば、並行平板型電極により構成された容量結合型プラズマ源を用い、電力密度を4~5W/cm2の範囲で印加する。また、印加電力は、13.56MHzなどの高周波帯が望ましく、これに数100kHzから2MHzの低周波を合成しても良い。なお、高周波電力の印加方法は容量結合型に限定されるものではなく、誘導結合型など、他の方式を用いることも出来る。本実施形態のシリコン窒化膜の形成方法において、成膜ガスをテトラメチルジシラザンと窒素ガスとの混合ガスとし、テトラメチルジシラザンと窒素ガスとの混合比を流量比で1:100~1:1000の範囲とするとともに、形成圧力を1~100Paの範囲となるように成膜条件を調整することにより、300°C以下の形成温度でシリコン窒化膜を形成した場合であっても、屈折率1.85以上かつエッチング耐性、ガスバリア性が高いシリコン窒化膜を形成することができる。なお、屈折率の測定には、一般的な測定装置例えば、SOPRA社製エリプソメトリー装置等を用いることができる。以上説明したように、本実施形態のシリコン窒化膜の形成方法によれば、プラズマCVD装置を用いてシリコン窒化膜を形成する際に、シリコン源としてテトラメチルジシラザンを用いることにより、300°C以下の形成温度で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することができる。さらに、成膜ガスをテトラメチルジシラザンと窒素ガスとの混合ガスとし、テトラメチルジシラザンと窒素ガスとの混合比を流量比で1:100~1:1000の範囲とするとともに、形成圧力を1~100Paの範囲となるように成膜条件を最適化することにより、300°C以下の形成温度で屈折率1.85以上のシリコン窒化膜を形成することができる。以下、具体例を示す。[試験1]アプライドマテリアルズ社製プラズマCVD装置Precision5000,DxL,電極面積:123cm2を用い、成膜ガスとしてヘキサメチルジシラザンHMDSと窒素ガスとの混合ガスを用いてシリコン窒化膜を形成した。形成条件成膜条件は、ヘキサメチルジシラザンの流量を1sccm、成膜温度を200°C、圧力を0.5Torr、電極間距離を7.6mmに固定した。そして、窒素ガスの流量を250~350sccmの範囲で、放電電力を400~600Wの範囲でそれぞれ変化させた。形成されたシリコン窒化膜の屈折率と窒素ガス流量及び放電電力との関係を図2に示す。図2に示すように、シリコン源にヘキサメチルジシラザンHMDSを用いて形成されたシリコン窒化膜は、本条件範囲において得られる最高屈折率が1.82であり、屈折率1.85以上とはならないことを確認した。また、図2に示すように、窒素ガス流量の高流量側及び低放電電力側に屈折率増加傾向が確認できるが、窒素ガス流量を増やし過ぎると圧力を低く保てなくなるために好ましくない。一方、放電電力を低くし過ぎると基板上に形成される膜の厚さが不均一になるため、好ましくない。[試験2]成膜ガスのシリコン源をヘキサメチルジシラザンHMDSからテトラメチルジシラザンTMDSに変更した以外は試験1と同じ条件でシリコン窒化膜を形成し、成膜評価を実施した。形成されたシリコン窒化膜の屈折率と窒素ガス流量及び放電電力との関係を図3に示す。図3に示すように、シリコン源としてテトラメチルジシラザンTMDSを用いて形成されたシリコン窒化膜は、本条件範囲において得られる最高屈折率が1.90であることを確認した。また、放電電力については、電力密度放電電力/電極面積が4~5W/cm2の時に屈折率が1.85以上となり、これよりも低い条件および高い条件では屈折率の低下が認められた。ところで、ヘキサメチルジシラザンHMDS及びテトラメチルジシラザンTMDSの分子構造は、以下の通りである。ヘキサメチルジシラザン:CH33-Si-NH-Si-CH33テトラメチルジシラザン:CH32H-Si-NH-Si-CH32Hまた、表1にヘキサメチルジシラザンHMDS及びテトラメチルジシラザンTMDSの分子内結合エネルギー単位:kJ/molを示す。表1に示すように、ヘキサメチルジシラザンHMDSとテトラメチルジシラザンTMDSとの間には、結合解離エネルギーに優位差は認められない。一方、分子構造については、テトラメチルジシラザンは、シリコン原子Siに結合した水素原子Hとメチル基-CH3とが隣接しており、メタンCH4としてガス化する。このため、シリコン源としてテトラメチルジシラザンTMDSを用いて形成されたシリコン窒化膜の組成は低炭素成分となり、高屈折率化しているものと考えられる。同様の効果から、高屈折率を有するシリコン窒化膜を形成する際のシリコン源としては、より低メチル化のシラザンを用いることが有利と考えられる。しかしながら、テトラメチルジシラザンよりも低メチル化のジシラザン化合物は、材料自体の安定性が低く、常温保管状態で重合反応を引き起こすため、安定した使用が出来ないという問題がある。[試験3]成膜ガスとしてテトラメチルジシラザンTMDSと窒素ガスとの混合ガスを用いた。形成条件成膜条件としては、窒素ガスの流量を300sccm、成膜温度を200°C、電極間距離を7.6mmに固定した。そして、変動因子として放電電力を400~600W、形成圧力を1~1.5Torr、テトラメチルジシラザンTMDSの流量を1~3sccmの範囲でそれぞれ変化させ、形成されたシリコン窒化膜の条件依存性を評価した。図4に測定結果を示す。図4に示すように、本条件範囲において得られる最高屈折率は1.83であり、屈折率1.85以上とはならないことを確認した。この結果より、シリコン源としてヘキサメチルジシラザンHMDSを用いた場合であっても、成膜条件を最適化しない限り高屈折率のシリコン窒化膜は形成されないことが明らかとなった。[試験4]形成温度を300°Cに変更した以外は試験3と同じ条件でシリコン窒化膜を形成し、成膜評価を実施した。形成されたシリコン窒化膜の条件依存性の評価結果を図5に示す。図5に示すように、形成温度を300°Cとして形成されたシリコン窒化膜は、本条件範囲において得られる最高屈折率が2.07であることを確認した。また、本試験で形成したシリコン窒化膜は、形成温度200°Cで形成したシリコン窒化膜試験3と比較して、全体的に高屈折率となることを確認した。[試験5]窒素源として、窒素ガスとアンモニアとを用いた場合の比較を行った。表2に、成膜条件および得られたシリコン窒化膜の屈折率を示す。なお、窒素源としてアンモニアを用いる場合、キャリアガスとして窒素ガスを用いた表2参照表2に示すように、窒素源としてアンモニアを用いる場合よりも窒素を用いた方が相対的に屈折率は高くなることが確認できた。したがって、屈折率が高いシリコン窒化膜を形成するためには、窒素源としては窒素ガスを用いることが望ましい。[試験6]シリコン源としてテトラメチルジシラザンTMDSを用いて形成されたシリコン窒化膜について、経時変化の有無を確認した。先ず、高屈折率のシリコン窒化膜の形成条件としては、テトラメチルジシラザンTMDSの流量を1sccm、窒素ガスの流量を300sccm、成膜温度を200°C、電極間距離を7.6mm、放電電力を540W、形成圧力を0.5Torrとした。これに対して、低屈折率のシリコン窒化膜の形成条件としては、テトラメチルジシラザンTMDSの流量を5sccm、窒素ガスの流量を750sccm、成膜温度を200°C、電極間距離を7.6mm、放電電力を500W、形成圧力を3Torrとした。次に、成膜されたシリコン窒化膜について、成膜直後と成膜から100時間大気中に保管した後の状態について、屈折率の測定及び赤外吸収スペクトルの測定を行った。表3に、それぞれのシリコン窒化膜の屈折率の測定結果を示す。また、図6に、高屈折率の成膜条件で形成されたシリコン窒化膜の、成膜直後及び100時間経過後の赤外線吸収スペクトルを示す。表3に示すように、高屈折率及び低屈折率となるそれぞれの成膜条件で形成されたシリコン窒化膜では、いずれも屈折率の経時変化が観測されないことがわかった。図6に示すように、高屈折率の成膜条件で形成されたシリコン窒化膜における、成膜直後及び成膜後100時間経過後の赤外線吸収スペクトルのいずれにおいても、吸湿が発生した場合に出現するSi-OHに帰属される吸収が観測されないことを確認した。したがって、本発明のシリコン窒化膜の形成方法によって形成されたシリコン窒化膜は、経時変化しない膜質であることが確認された。以上説明したように、本発明のシリコン窒化膜の形成方法によれば、屈折率が1.85以上かつ耐性、バリヤ性が高いシリコン窒化膜を形成可能であることが確認された。"