p型半導体層である光吸収層と、バッファ層と、窓層と、を備え、前記光吸収層、前記バッファ層及び前記窓層がこの順に設けられている光電素子において、前記光吸収層が、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、前記バッファ層が、Zn1-xMgxO膜である、光電素子。前記バッファ層におけるMgの比率が、ZnとMgとの総量を基準として10~40原子である請求項1に記載の光電素子。請求項1又は2に記載の光電素子を備える太陽電池。しかしながら、CZTS等の硫化物系化合物半導体を含む光吸収層を用いた従来の光電素子は、特に520nm以下の短波長領域の可視光の利用効率が必ずしも高くない。発電効率の更なる向上のためには、短波長領域の可視光をより効率的に利用することが有効であると考えられる。そこで、本発明は、CZTS等の硫化物系化合物半導体を含む光吸収層を用いた光電素子において、短波長領域の可視光のより効率的な利用を可能にすることを主な目的とする。本発明は、p型半導体層である光吸収層と、バッファ層と、窓層と、を備え、光吸収層、バッファ層及び窓層がこの順に設けられている光電素子に関する。本発明に係る光電素子において、光吸収層は、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層は、Zn1-xMgxO膜である。本発明者らの鋭意検討の結果、CZTS等の硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子において、バッファ層を形成する材料としてZn1-xMgxOを採用することにより、短波長領域の可視光を効率的に利用できることが明らかとなった。上記バッファ層におけるMgの比率は、ZnとMgとの総量を基準として10~40原子であることが好ましい。Mgの比率をこの範囲にすることで、光吸収層、バッファ層、及び窓層相互のコンダクションバンドオフセットCBOが十分に適正化され、その結果、発電効率が更に向上する。また本発明は、上記本発明に係る光電素子を備える太陽電池を提供する。本発明によれば、CZTS等の硫化物系化合物半導体を含む光吸収層を用いた光電素子において、短波長領域の可視光を効率的に利用することができる。従来、硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子においてバッファ層として用いられていたCdSの膜のように、Cdを用いる必要が無く、環境負荷をより小さくできる点も大きな利点である。更には、Zn1-xMgxO膜におけるMgの比率を調整すること等により、硫化物系化合物半導体を含む光吸収層と窓層とのコンダクションバンドオフセットCBOを容易に最適化できるため、発電効率のより一層の向上を図ることができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。図面の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。図1は、光電素子の一実施形態を示す斜視図である。図1に示す光電素子10は、基板12と、基板12上に設けられた下部電極14と、下部電極14上に設けられた光吸収層16と、光吸収層16上に設けられたバッファ層18と、バッファ層18上に設けられた窓層20と、窓層20上に設けられた上部電極22とを備える。光吸収層16、バッファ層18及び窓層20はこの順に積層されている。基板12は、その上に形成される各部材を支持する。基板12は、導電体であってもよいし、絶縁体であってもよい。基板12は、好ましくは、石英ガラス、ノンアルカリガラス、及び低アルカリガラスLAG、並びに、金属、半導体、酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、珪化物、炭素、又はこれらの組み合わせから選ばれる材料の板状体である。下部電極14は、電気伝導度が高く、且つ、基板12との密着性が良好な材料によって形成される。下部電極14は、例えば、Mo、In-Sn-O、In-Zn-O、ZnO:B、SnO2:F、SnO2:Sb及びTiO2:Nbから選ばれる材料から形成される。ZnO:Bの表記は、BをドープしたZnOを意味する。他も同様である。基板12としてガラス基板を用いる場合、密着性、電気伝導度、入射光の反射率及び硫化のしにくさの観点から、Moが好ましい。光吸収層16は、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体を含むp型半導体層である。硫化物系化合物半導体としてはCu2ZnSnS4CZTSが好ましい。CZTSは大きな光吸収係数を有することから、CZTSを用いると光吸収層16の厚さを極めて薄くすることができる。光吸収層16は、一般に薄膜であるが、粒子状であってもよい。光吸収層16が薄膜である場合、その厚さは0.2μm~2.0μmが好ましい。CZTSにおけるCuの比率は、化学量論組成よりも僅かに小さいことが、高い変換効率が得られることから好ましい。具体的には、Cu/ZnSnは、原子比で好ましくは0.69~0.99、より好ましくは0.8~0.9である。バッファ層18を設けることにより、光吸収層16と窓層20とが良好に接続され、発電効率が向上する。バッファ層18を構成する半導体は、Zn1-xMgxOの膜以下、場合によりZMO膜という。である。xは、0を超えて1未満の数値である。バッファ層18の厚さは、目的に応じて適宜設定可能であるが、10~150nmが好ましく、30~150nmがより好ましい。バッファ層18におけるMgの比率を変化させることにより、バッファ層のコンダクションバンドオフセットを容易に最適化することができる。具体的には、バッファ層18におけるMgの比率は、ZnとMgとの総量を基準として10~40原子が好ましい。Mgの比率が10~40原子の範囲内にあることにより、コンダクションバンドオフセットが適性化されて、発電効率のより一層の向上を図ることができる。Mgの比率が40原子を超えると結晶構造が変化して、バッファ層としての機能が損なわれ易くなる傾向がある。同様の観点から、Mgの比率はより好ましくは15~30原子である窓層20は、光電効果により発生した光電流を集電するために設けられる光透過性の層である。窓層20は、低抵抗であり、可視から近赤外領域の光の大半を透過する。窓層20の厚さは、好ましくは100~2000nmである。窓層20は、例えば、GaをドープしたZn1-xMgxO膜以下、場合によりZMO:Gaの膜という、ZnO:B、ZnO:AlAZO、In-Sn-O、In-Zn-O、SnO2:Sb、TiO2:Nb、及びZnO:GaGZOから選ばれる半導体から構成される膜である。コンダクションバンドオフセットの適正化の観点から、窓層20はGa、Al及びBから選ばれる少なくとも1種のドーピング元素をドープしたZn1-xMgxO膜xは0を超えて1未満の数値であることが好ましい。なかでも、ZMO:Gaの膜が特に好ましい。窓層20が、Ga、Al及びBから選ばれる少なくとも1種のドーピング元素によってドープされたZn1-xMgxO膜である場合、Mgの比率は、ZnとMgとの総量を基準として50原子以下が好ましく、5~40原子がより好ましい。Mgの比率が低いと十分な広さのバンドギャップが得られなくなる傾向があり、50原子を超えると結晶構造が変化して、発電効率向上の効果が低下する傾向がある。ドーピング元素の比率は、ZnとMgとの総量を基準として、0.5~12原子が好ましい。ドーピング元素の比率が0.5原子未満だと電気抵抗が高くなりすぎる傾向にあり、12原子を超えたときも電気抵抗が高くなる。上部電極22は、窓層20で集めた電流を効率よく外部に取り出すために設けられる。上部電極22は、通常、櫛形に形成される。上部電極22の材料としては、Al、Cu、Ag、及びAu等が挙げられ、Alが好ましい。上部電極22は、Al、Cu、Ag及びAuから選ばれる1種以上の金属を含む合金であってもよい。このような合金としては、具体的には、Al-Ti合金、Al-Mg合金、Al-Ni合金、Cu-Ti合金、Cu-Sn合金、Cu-Zn合金、Cu-Au合金、Ag-Ti合金、Ag-Sn合金、Ag-Zn合金、及びAg-Au合金等がある。本実施形態に係る光電素子は、例えば、基板上に、下部電極、光吸収層、バッファ層、窓層及び上部電極を順次形成する方法により製造することができる。それぞれの膜は、スパッタ法、真空蒸着法及びパルスレーザー堆積PLD法、アトミックレイヤーデポジションALD法、化学気相成長CVD法、及びケミカルバス成膜CBD法等、薄膜の形成方法として通常採用されている方法により形成することができる。光吸収層16としてのCZTS膜は、スパッタ法、真空蒸着法及びPLD法等を用いて、基板上にCu、Sn、及びZnSが所定の順序で積層された前駆体の膜を形成し、この前駆体をH2S含有雰囲気下例えば、5~20体積のH2SとN2との混合ガス雰囲気下で硫化させる方法により形成することができる。硫化時の温度は、500~600°C程度である。前駆体を作製する際に、Cu、Sn、又はZnSの厚さを変化させることにより、組成の異なる種々のCZTS膜を形成させることができる。バッファ層18としてのZMO膜は、好ましくは、ZnO、MgOを同時にターゲットとして用いたスパッタ法により形成することができる。ターゲットとして用いられるZnO及びMgOの量比を変化させることにより、ZMO膜におけるZn及びMgの比率を調整することができる。窓層20としてのZMO:Gaの膜を用いる場合、例えば、ZnO、MgO及びGa2O3を同時にターゲットとして用いたスパッタ法により形成することができる。ターゲットとして用いられるZnO、MgO及びGa2O3の量比を変化させることにより、ZMO:Gaの膜におけるZn、Mg及びGaの比率を調整することができる。上記以外の各種薄膜の成膜方法としては、例えば、有機金属等を溶解した溶液を基板12上にコーティングし、空気中で乾燥させることによって加水分解と縮重反応を起こさせて金属酸化物薄膜とし、金属酸化物薄膜を硫化水素雰囲気中で熱処理することによって光吸収層16を形成するゾル-ゲル硫化法がある。本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、基板、下部電極、光吸収層、バッファ層、窓層、及び上部電極以外の付加的な層が各層の間に設けられていてもよい。付加的な層としては、例えば、接着層、光散乱層、及び反射防止層が設けられ得る。直列又は並列に接続された複数の光電素子を備える太陽電池モジュールを構成することもできる。実施例1以下の手順に従い、図1の光電素子10と同様の構成を有する光電素子を備える評価用の太陽電池を作製した。1石英ガラスQZG基板上に、下部電極14としてのMo膜をスパッタ法によって形成した。2Mo膜上に、CZTS前駆体膜をスパッタ法によって形成した。3大気圧、20体積のH2SとN2との混合ガス雰囲気中、550~580°C、3時間の硫化処理により、上記前駆体膜からCZTS膜光吸収層16を形成させた。4ZnO及びMgOを同時にターゲットとして用いたRFマグネトロンスパッタリング背圧3.0×10-4Pa以下、Arガス圧0.2Pa、電力50Wにより、CZTS層上に、バッファ層18としてのZMO膜を形成した。蛍光X線分析法により分析したところ、ZnとMgとの総量に対するMgの比率は10原子であった。バッファ層の厚さは、80nmであった。5ZnO、MgO、及びGa2O3を同時にターゲットとして用いたRFマグネトロンスパッタリング背圧3.0×10-4Pa以下、Arガス圧0.2Pa、電力50Wにより、バッファ層18上に窓層20としてのZMO:Gaの膜を形成した。窓層の厚さは、500nmであった。6窓層20上に、行列状に配列された12個の櫛形電極Al膜をスパッタ法によって形成した。71個の櫛形電極を囲む4mm×5mmの升目の下部に位置する柱状の部分以外の部分の窓層20、バッファ層18及び光吸収層16を除去して、下部電極14を露出させた。下部電極14上に、櫛形電極、窓層20、バッファ層18及び光吸収層16から構成される12個の柱状の積層体が4行×3列の行列状に配列された。8露出した下部電極14の端部の表面に、銀ペーストを塗布した。実施例2バッファ層18におけるZnとMgとの総量に対するMgの比率を10原子から15原子に変えたこと以外は、実施例1と同様の手順で評価用の太陽電池を作製した。実施例3バッファ層18におけるZnとMgとの総量に対するMgの比率を10原子から20原子に変えたこと以外は、実施例1と同様の手順で評価用の太陽電池を作製した。実施例4バッファ層18におけるZnとMgとの総量に対するMgの比率を10原子から40原子に変えたこと以外は、実施例1と同様の手順で評価用の太陽電池を作製した。比較例1バッファ層18として、ZMO膜に代えて、CdSの膜を形成させたこと以外は、実施例と同様の手順で評価用の太陽電池を作製した。比較例2バッファ層18として、ZMO膜に代えて、ZnOの膜を形成させたこと以外は、実施例と同様の手順で評価用の太陽電池を作製した。量子効率の評価実施例3及び比較例1の太陽電池に関して、300~1000nmの波長域における量子効率を測定した。測定は、分光計器社製CEP-2000を用いて行った。図2は、量子効率と波長との関係を示すグラフである。図2のグラフの縦軸は、それぞれの太陽電池の量子効率の最大値を100として規格化した数値である。図2に示されるように、バッファ層としてZMO膜を用いた実施例3の太陽電池は、バッファ層としてCdSの膜を用いた比較例1の太陽電池よりも、520nm以下の可視光をより効率的に利用できることが確認された。電圧-電流特性の評価I-V測定擬似太陽光AM=1.5、1sunを用いて、各太陽電池のI-V測定を行った。図3は、電圧と電流との関係を示すグラフである。これら測定結果から、短絡電流密度Jsc、開放端電圧Voc、及び曲線因子FFを求め、更に発電効率ηをη=VocJscFF/単位面積当りの擬似太陽光エネルギーから算出した。得られた結果を表1に示す。実施例1~4の光電素子のJsc、Vocは、比較例2に比べて向上しており、それを反映して高い発電効率ηが発現することが確認された。