"磁気ベアリングの電気抵抗の値を調整する方法であって、パルス幅変調PWMされた電圧により前記磁気ベアリングの少なくとも1つの電磁石を駆動制御するステップであって、前記パルス幅変調された電圧の時間的経過が、少なくとも1つの第1段階j=1、特に充電段階と、少なくとも1つの第2段階j=2、特に放電段階を有している、ステップと、前記第1段階j=1と前記第2段階j=2における第1及び第2インダクタンス値を求めるために、前記電磁石の電流i及び電圧uを測定し評価するステップと、前記第1段階j=1に対する第1インダクタンス値と前記第2段階j=2に対する第2インダクタンス値を推定する、特に最小二乗推定するステップであって、前記インダクタンス値を推定する際に前記磁気ベアリングの、特に前記磁気ベアリングの電磁石の、電気抵抗Rnを考慮するステップと、インダクタンス誤差を求めるステップと、前記インダクタンス誤差をゼロへと制御することにより前記電気抵抗を調整するステップとを有することを特徴とする方法。前記抵抗の調整手段はローパスフィルタとI制御器とから成る、請求項1に記載の方法。前記インダクタンス誤差をローパスフィルタリングによりフィルタリングする、請求項1又は2に記載の方法。前記インダクタンス誤差をI制御器によりゼロへと制御する、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。磁気ベアリングに支承された物体の、前記磁気ベアリングに対する、特に前記磁気ベアリングの電磁石に対する、位置をセンサレスに測定する方法であって、パルス幅変調PWMされた電圧により前記磁気ベアリングの少なくとも1つの電磁石を駆動制御するステップであって、前記パルス幅変調された電圧の時間的経過が、少なくとも1つの第1段階j=1、特に充電段階と、少なくとも1つの第2段階j=2、特に放電段階を有している、ステップと、前記第1段階j=1と前記第2段階j=2における第1及び第2インダクタンス値を求めるために、前記電磁石の電流i及び電圧uを測定し評価するステップと、前記第1段階j=1に対する第1インダクタンス値と前記第2段階j=2に対する第2インダクタンス値を推定する、特に最小二乗推定するステップであって、前記インダクタンス値を推定する際に前記磁気ベアリングの、特に前記磁気ベアリングの電磁石の、電気抵抗Rnを考慮するステップと、前記物体の前記磁気ベアリングに対する位置を、前記推定されたインダクタンス値に基づいて計算するステップとを有することを特徴とする方法。前記電気抵抗Rnを請求項1又は2記載の方法により求める、請求項5に記載の方法。前記物体の位置を計算するために、前記推定されたインダクタンス値を平均したインダクタンスを使用する、請求項5又は6に記載の方法。前記物体の速度を前記推定されたインダクタンス値から計算する、請求項5から7のいずれか1項に記載の方法。前記第1段階j=1においてはN1個の測定点で、前記第2段階j=2においてはN2個の測定点で、電流kj=0,...,Nj-1を測定する、請求項5から8のいずれか1項に記載の方法。前記第1段階j=1と前記第2段階j=2とに対して、それぞれNj個の測定点で測定された電流値kj=0,...,Nj-1から電流平均値を形成する、請求項9に記載の方法。前記第1段階j=1と前記第2段階j=2とに対して、特に最小二乗法により、それぞれ電流初期状態と電流終端状態とを求め、当該状態から前記第1段階j=1及び前記第2段階j=2の電流レベル差を求め、前記電流レベル差Δijを前記インダクタンス値の推定に入れる、請求項9又は10に記載の方法。前記電流初期状態と前記電流終端状態とから求めた電流レベル差と、前記測定点の個数N1,N2と、前記第1段階j=1及び前記第2段階j=2の電流平均値と、前記第1段階j=1及び前記第2段階j=2の推定されたインダクタンス値の差を用いて、前記インダクタンスの平均値を計算し、該平均値から前記物体の位置及び/又は速度を計算する、請求項10又は11に記載の方法。"