基板の内部にピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光を照射し、前記レーザー光のパルス毎の焦点領域同士が少なくとも一部で重なるように前記レーザー光を走査し、前記焦点領域が通過した領域にエッチング耐性が低下した改質部を形成する改質工程と、前記改質部をエッチングして微細孔を形成するエッチング工程と、を含む微細孔を備えた基板の製造方法であって、下記式1で表されるパルスピッチを0.001μm以上0.08μm未満とし、前記基板の内部における前記レーザー光の光軸と前記レーザー光の焦点の走査方向とのなす角が、3~90度であることを特徴とする微細孔を備えた基板の製造方法。式1;パルスピッチμm=前記レーザー光の走査速度}/{前記レーザー光の繰り返し周波数}前記改質工程において、前記基板の内部におけるレーザー光の光軸とレーザー光の焦点の走査方向とのなす角が、50~90度であることを特徴とする請求項1に記載の微細孔を備えた基板の製造方法。前記レーザー光の1パルスのピーク強度を7TW/cm2以上とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の微細孔を備えた基板の製造方法。請求項1~3のいずれか一項の製造方法によって得られた、微細孔を備えた基板であって、前記微細孔は、前記基板の表面に第一開口部及び第二開口部を有する貫通孔であり、前記貫通孔は、第一開口部から内奥へ一定の孔径を有する基部と、内奥から第二開口部に進むにつれて孔径が先細りになる先端部とからなることを特徴とする、微細孔を備えた基板。エッチングによって微細孔が確実に形成されるためには、改質部のエッチング耐性が充分に低下している必要がある。しかし、当該改質部のエッチング耐性が充分に低下しているか否かは、通常はエッチング工程における当該改質部のエッチング速度や、エッチング工程後に形成された微細孔の形状を観察し、所望の形状となっているか否かを確認しないと分からない。仮にエッチング工程において改質部の形成が不完全であると判明した場合、再び改質工程に戻し、改質が不十分であった箇所を改質し直すことが必要となるが、そのためには多大な労力を要する。したがって、レーザー照射による改質部の形成において、当該改質部のエッチング耐性を充分に確実に低下させられるようにすることが求められている。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、エッチング耐性を充分に低下させることが可能な微細孔を備えた基板の製造方法、および該製造方法によって得られた基板の提供を課題とする。本発明の請求項1に記載の微細孔を備えた基板の製造方法は、基板の内部にピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光を照射し、前記レーザー光のパルス毎の焦点領域同士が少なくとも一部で重なるように前記レーザー光を走査し、前記焦点領域が通過した領域にエッチング耐性が低下した改質部を形成する改質工程と、前記改質部をエッチングして微細孔を形成するエッチング工程と、を含む微細孔を備えた基板の製造方法であって、下記式1で表されるパルスピッチを0.001μm以上0.08μm未満とし、前記基板の内部における前記レーザー光の光軸と前記レーザー光の焦点の走査方向とのなす角が、3~90度であることを特徴とする微細孔を備えた基板の製造方法。式1;パルスピッチμm=前記レーザー光の走査速度}/{前記レーザー光の繰り返し周波数}請求項1に記載のレーザー照射条件によれば、1パルスのレーザー照射によって得られる1つの改質部において、レーザー光が入射する側から見て手前の領域は、エッチング耐性が低く、容易にエッチングが進む第一領域となり、奥側の領域はエッチング耐性が第一領域よりも高く、第一領域よりもエッチングが進み難い第二領域となる。第二領域のエッチング耐性はレーザーの非照射領域のエッチング耐性より低いため、第二領域の方が非照射領域よりエッチングされ易い。この際、パルスピッチを特定範囲にすることにより、照射された先発のパルスの焦点領域と後発のパルスの焦点領域とが互いに少なくとも一部が重なるようにレーザー光を走査することができ、基板のエッチング耐性を充分に低下させることができる。さらに、前記なす角を3~90度とすることにより、先発のパルスで形成された第一領域と後発のパルスで形成された第一領域とが連続した、線状筒状の改質部を形成できる。つぎに、この線状の改質部を一端側からエッチングすると、他端側へ向かって、線状の改質部の長手方向に沿って、エッチングが容易に且つ確実に進行する。これは、第一領域が長手方向に沿って連続していて、エッチング液が他端側へ浸透し易いからである。また、エッチングの進行が比較的遅い第二領域のエッチングも進行する。この結果、微細孔を確実に形成することができる。本発明の請求項2に記載の微細孔を備えた基板の製造方法は、請求項1において、前記改質工程において、前記基板の内部におけるレーザー光の光軸とレーザー光の焦点の走査方向とのなす角が、50~90度であることを特徴とする。この製造方法によれば、前記第一領域を改質部の長手方向、すなわちレーザー光の焦点の走査方向に、連続的に繋げて形成できると共に、エッチング速度を向上させることができる。この結果、形成された改質部のエッチング耐性を長手方向へ連続的に充分に低下させることが出来、当該改質部をエッチングによって確実に除去できるとともに、改質部の長手方向に連続した微細孔を形成する際の信頼性を高められる。また、前記なす角が50~90度の範囲であれば、いずれの照射角度においても同等に優れたエッチング速度が得られるため、すなわち照射角度の変動によるエッチング速度への影響が小さいため、微細孔を安定して形成することができる。また、このように形成した改質部をエッチングすると、前記第一領域が前記第二領域よりも優先的に速くエッチングされる。このエッチング速度の差を利用して、エッチング処理時間を調整することによって、前記第一領域及び第二領域がエッチングされた、一定の孔径を有する基部と、前記第一領域がエッチングされているが前記第二領域のエッチングが完了しておらず、エッチングされた改質部の先端に向けて徐々に先細りとなる先端部と、を有する微細孔を形成できる。本発明の請求項3に記載の微細孔を備えた基板の製造方法は、請求項1又は2において、前記レーザー光の1パルスのピーク強度を7TW/cm2以上とすることを特徴とする。この製造方法によれば、より確実に、形成した改質部のエッチング耐性を低下させることができる。本発明の請求項4に記載の微細孔を備えた基板は、請求項1~3のいずれか一項の製造方法によって得られた、微細孔を備えた基板であって、前記微細孔は、前記基板の表面に第一開口部及び第二開口部を有する貫通孔であり、前記貫通孔は、第一開口部から内奥へ一定の孔径を有する基部と、内奥から第二開口部に進むにつれて孔径が先細りになる先端部とからなることを特徴とする。本発明の基板は、第一開口部から内奥へ一定の孔径を有する基部と、内奥から第二開口部に進むにつれて孔径が先細りになる先端部とからなる微細孔を有する。これを利用して、第一開口部から流体を流入させ、第二開口部から該流体を噴出させることにより、該流体を流入時よりも高い圧力および速度で噴出させることができる。このような微細孔を備えた基板は、例えばインクジェットプリンターのインクの吐出部等に使用できる。本発明の製造方法によれば、形成された改質部のエッチング耐性を充分に低下させることが出来、当該改質部をエッチングによって確実に除去できる。本発明の基板によれば、第一開口部から流体を流入させ、第二開口部から該流体を噴出させることにより、該流体を流入時よりも高い圧力および速度で噴出させることができる。以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。本発明の製造方法は、基板の内部にピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光を照射し、前記レーザー光のパルス毎の焦点領域同士が少なくとも一部で重なるように前記レーザー光を走査し、前記焦点領域が通過した領域にエッチング耐性が低下した改質部を形成する改質工程と、前記改質部をエッチングして微細孔を形成するエッチング工程と、を含む製法である。前記レーザー光の走査において、下記式1で表されるパルスピッチを0.001μm以上0.08μm未満とする。パルスピッチを上記範囲にすることにより、照射された先発のパルスの焦点領域と後発のパルスの焦点領域とが、互いに少なくとも一部が重なるようにレーザー光を走査することができ、基板のエッチング耐性を充分に低下させることができる。ここで、パルス毎の焦点領域同士が少なくとも一部で重なるとは、先発のパルスの焦点領域が照射した領域と、後発次発のパルスの焦点領域が照射した領域とが、互いに少なくとも一部において空間的に重なることを意味するのであって、先発のパルスと次発のパルスとが時間的に重なることを意味しない。上記範囲の下限値以上とすることにより、改質工程に要する時間を事実上実施可能な範囲とすることができる。上記下限値未満のパルスピッチであると、改質工程に要する時間が極端に長くなり、事実上実施が困難である。上記範囲の上限値以下とすることにより、改質された領域と改質されていない領域とのエッチング選択性エッチング耐性の程度を明確にすることができる。式1;パルスピッチμm={前記レーザー光の走査速度}/{前記レーザー光の繰り返し周波数}式1において、前記レーザー光の走査速度は、前記基板内部を前記レーザー光の焦点が移動する際の、該基板に対する該焦点の相対速度である。式1によれば、パルスピッチは、レーザー光の焦点の走査方向において、先発のパルスの焦点焦点領域の中心と、後発のパルスの焦点焦点領域の中心との距離を意味する。本発明において、レーザー光の焦点は、レーザー光の集光部において最も強度が強くなる点を意味する。この焦点からレーザー光のスポット径の半分までの距離に全方位的に拡がりをもつ略球形又は略円形の領域が、凡そ焦点領域に相当する。本発明においては、先発パルスの焦点領域の少なくとも一部と次発パルスの焦点領域の少なくとも一部とが重なるようにレーザー光を照射する。本発明において、前記焦点領域の直径又は前記スポット径は特に制限されないが、例えば、0.2μm~20μmが好ましく、0.3μm~15μmがより好ましく、0.3μm~10μmが更に好ましい。上記範囲の下限値以上であると、前記パルスピッチの範囲でレーザー光を走査することが容易となる。上記範囲の上限値以下であると、レーザー光の強度1パルスのピーク強度が比較的小さくても、基板のエッチング耐性を低下させることができる。前記レーザー光の走査において、前記基板の内部におけるレーザー光の光軸とレーザー光の焦点の走査方向とのなす角を、3~90度とする。前記なす角を上記範囲とすることにより、先発のパルスで形成された第一領域と後発のパルスで形成された第一領域とが連続した、線状筒状の改質部を形成できる。また、先発のパルスで形成された第二領域と後発のパルスで形成された第二領域とが連続した、前記線状の改質部の長手方向に沿った形状の改質部を形成できる。<改質工程>図1に、改質工程の概念図を示す。基板1の一方の面1a側から、レーザー光Lを照射して、基板1の内部で、焦点領域F焦点を一方の面1aと平行な方向に走査する。焦点領域Fが通過した領域に、エッチング耐性が低下した改質部2を形成できる。図中の矢印は、レーザー光Lの走査方向を表す。図1では、走査方向を一方の面1aと平行にしているが、走査方向はこれに限定されず、所望の向きとすることができる。本発明の改質工程において、使用する基板としてはガラス基板が好ましい。ガラス基板に対して上記条件でレーザー光を照射することにより、エッチング耐性が充分に低下した改質部を形成できる。前記ガラス基板としては、石英からなるガラス基板、珪酸塩を主成分とするガラス又はホウ珪酸ガラスからなるガラス基板、無アルカリガラス、バイコールガラス、マイクロシートガラス、パイレックスガラス登録商標、ソーダライムガラス、ネオセラム等の公知のガラス基板が適用できる。これらの中でも、加工性に優れる石英ガラスがより好ましい。なお、基板の形状は平板に限らず、例えば球形であってもよい。この場合、基板とは呼ばずに基材と呼ぶこともできる。ピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光のパルス幅の範囲は特に制限されず、例えば1フェムト秒以上から10ピコ秒未満とすれば良い。上記パルス時間幅のうち3ピコ秒未満、より好ましくは2ピコ秒未満であるとより効果的である。なお、本明細書及び特許請求の範囲においてピコ秒オーダー以下とは、10ピコ秒未満を意味する。前記パルス幅を有するレーザー光を照射する装置としては、例えばチタンサファイアレーザー、ファイバーレーザー等が用いられる。また、本発明の製造方法で使用するレーザー装置は、レーザー光の繰り返し周波数を調整できる機構が備わっているものが好ましい。前記パルス時間幅がピコ秒オーダー以下であることで、集光部での基材の電子温度とイオン温度とが非平衡状態で加熱される、いわゆる非熱過程での加工が進行する。そして、熱拡散長を極限まで抑えることができる。さらには多光子吸収に始まる非線形加工が支配的となるため、加工後に得られる形状はナノスケールからマイクロオーダースケールの微細孔を得ることが可能である。一方、ピコ秒オーダーを超えるパルスレーザー、例えば10ピコ秒以上のパルス時間幅を有するレーザー光を用いた場合では、基材の電子温度とイオン温度とが平衡状態となる熱的加工が支配的となってくる。熱的加工においては熱拡散長が大きく、ナノからマイクロオーダースケールの加工を行うことが困難である。このように、パルス時間幅が約1~10ピコ秒付近を境にして、全く異なる反応メカニズムとなる。本発明の改質工程では、レーザー光が基板内に焦点を結ぶように照射する。この際、レーザー光を集光するレンズを用いることができる。例えば、シリンドリカルレンズを用いれば、一度に基板の広範囲にレーザー照射できる。なお、レーザー光の焦点は一定の範囲に広がりを持つので、レーザー光の集光部と言い換えられる。この広がりを有するため、焦点が通過した近傍域に改質部を形成できる。本発明の改質工程におけるレーザー光の偏波は、直線偏波、楕円偏波、円偏波のいずれであっても良い。レーザー光の偏波とレーザー光の焦点の走査方向との関係は特に制限されないが、より高アスペクトな微細孔を形成する場合、偏波の電場方向と走査方向とを垂直にすることが好ましい。レーザー光の焦点を基板の内部で走査する方法としては、基板を固定してレーザー照射装置を動かす方法、レーザー照射装置を固定して基板を動かす方法、又は基板およびレーザー照射装置の両方を動かす方法が挙げられる。光源の駆動方式としては、例えばリニアーモーター、ピエゾアクチュエータ、ガルバノスキャナー、といった駆動方式を採用することができる。本発明において、レーザー光の走査速度とは基板内部をレーザー光の焦点が移動する際の、該基板に対する該焦点の相対速度を意味する。基板及びレーザー装置の両方を動かして、レーザー光の焦点を走査する場合、当該レーザー光の走査速度は、レーザー装置と基板との相対的な速度となる。本発明において、レーザー光のパルスピッチは、前記式1で定義される。本発明の改質工程では、前記パルスピッチμmが0.001μm以上0.08μm未満となるように、レーザー光の走査速度及びレーザー光の繰り返し周波数を調整することによって、改質部のエッチング耐性を充分に低下させることができる。前記走査速度としては、0.001mmsec~3500mmsecが好ましく、0.01mmsec~3500mmsecがより好ましく、0.01mmsec~300mmsecが更に好ましい。上記範囲であることにより、改質部のエッチング耐性を充分に低下させることができる。前記繰り返し周波数としては、1kHz~50×103kHzが好ましく、10kHz~30×103kHzがより好ましく、20kHz~30×103kHzがより好ましく30kHz~30×103kHzがより好ましく、30kHz~3×103kHzがさらに好ましい。上記範囲であることにより、改質部のエッチング耐性を充分に低下させることができる。前記パルスピッチとしては、0.001μm~0.08μmが好ましく、0.001μm~0.01μmがより好ましく、0.001μm~0.008μmが更に好ましい。上記範囲であることにより、改質部のエッチング耐性を充分に低下させることができると共に、エッチング速度を向上させることができる。パルスピッチとエッチング速度との関係を調べるための試験を行った結果を図2に示す。この試験方法は次の通りである。まず、チタンサファイアレーザーを用いて、以下の照射条件によって、図1に示した様に、石英ガラス基板1の一方の面1aに平行に延びる線状筒状の改質部2を形成した。形成した改質部2の長手方向の長さは10mmであり、改質部の径はおよそ4μmであった。《照射条件》波長=800nm、スペクトル幅=10nm、パルス時間幅=~220fs、対物レンズの開口数NA=0.5、偏波=円偏波、光軸と走査方向とのなす角θ=90度、レーザー光の1パルス当りのパルスのピーク強度=50TW/cm2、レーザースポット径=約4μm走査速度および繰り返し周波数は、所定のパルスピッチとなる様に、0.5mm/s~3mm/sおよび10~200kHzの範囲で調整した。次に、形成した改質部2の長手方向に垂直な断面を基板表面に露出させて、改質部2の一端側から他端側へ向けて、エッチャント=KOH水溶液15wt、温度=80度、エッチング時間=3時間、の条件でエッチングを行った。図2に示した結果から、パルスピッチが0.001μm以上0.08μm未満の範囲において、エッチング可能な改質部を形成できることが明らかである。本発明の製造方法において、レーザー光の1パルスのピーク強度=レーザーフルエンス/パルス時間幅は、7TW/cm2以上とすることが好ましい。7TW/cm2以上であると、改質部のエッチング耐性をより充分に低下させることができる。レーザー光のピーク強度の上限は、基板が破壊されるような極端に高い強度でない限り特に制限されず、例えば700TW/cm2とすればよい。以下であると、形成する改質部の形状を制御することがより容易となる。本発明において使用するレーザー光の波長nmは特に制限されないが、例えば300nm~2000nmが好ましく、300nm~1600nmがより好ましく、400nm~1600nmが更に好ましい。本発明において使用するレーザー光のスペクトル時間幅fsは特に制限されないが、例えば1fs以上、10ps未満が好ましく、1fs以上、3ps未満がより好ましく、1fs以上、2ps未満が更に好ましい。図3~4に、図1の改質部2の拡大した断面図を示す。図3は、図1の改質部2と同じ向きであり、改質部2の長手方向延設方向の断面を示す。図4は、改質部2を長手方向に直交する断面であり、改質部2の孔径に相当する断面である。本発明の製造方法によれば、パルスピッチを所定の範囲とすることにより、レーザー光Lが入射する側から見て、改質部2のうち、手前の領域2a第一領域2aのエッチング耐性を、奥の領域2b第二領域2bのエッチング耐性よりも低くするので、エッチング工程において、第一領域2aを優先的に除去することが出来る。この結果、第二領域2bへもエッチング液が浸透し易くなり、第一領域2a及び第二領域2bからなる改質部2の全体を除去することが容易となる。前記レーザー光の照射を行う際、前記基板の内部におけるレーザー光の光軸とレーザー光の焦点の走査方向とがなす角θを3~90度とすることが好ましい。なお、本明細書及び特許請求の範囲において、なす角θは0~90度の範囲を取りうるものとする。ここで、前記レーザーの光軸と走査方向のなす角度とは、レーザーの光軸を表す直線と走査方向が表す直線とがなす角度のうち鋭角側の角度を意味しており、レーザーの光軸を表すベクトルと走査方向が表すベクトルとのなす角両ベクトルがなす角の範囲は0~180度を意図していない。即ち前記レーザーの光軸と走査方向のなす角度が取りうる角度の定義する範囲は0から90度である。なお、レーザー光はが基板表面に対し垂直に入射せず、斜めに照射されても構わない。なす角θを3~90度の範囲とすることによって、レーザー光Lの焦点の走査方向、すなわち改質部2の長手方向延設方向に、第一領域2aを連続的に繋げて形成できる。この結果、当該改質部2をエッチングによって確実に除去できるとともに、改質部2の長手方向に連続した微細孔を形成する際の信頼性を高められる。さらに、なす角を3度未満とした場合と比べて、エッチング速度を高速化することができる。このように第一領域2aが第二領域2bよりも相対的にエッチング耐性が低くなる理由は、必ずしも明確ではないが、レーザーの集光部が光軸方向に複数形成される現象フィラメンテーションによって生じた結果であると考えられる。前記パルスピッチの範囲に設定することによって、レーザー光Lの光源に近い第一領域2aに改質部が形成され、その後フィラメンテーションによって再集光し、第二領域2bにも改質部が形成される。第一領域2aおよび第二領域2bの各々の径拡がりが大きいため、あたかも一つの改質部であるかのように形成される。この際、第二領域2bに到達する前にレーザー光Lのエネルギーの一部が吸収或いは散乱などして、レーザー光Lのエネルギーが減衰することため、第二領域2bの改質部は第一領域の改質部のエッチング耐性より低くなると考えられる。各図において、第一領域2aと第二領域2bとの間に、境界があるように描いている。しかし、実際にはこのような物理的な境界は存在せず、第一領域と第ニ領域との境界では、徐々に改質の程度が変化していくものと考えられる。これは後に形成される第二領域2bが先に形成される第一領域2aに重なるためであると考えられる。なお、ここで説明したフィラメンテーションは、1パルスのレーザー光によって、光軸方向に複数の集光部が形成される現象である。本発明において、焦点領域同士の少なくとも一部が重なるようにレーザー光を照射するとは、先発パルスの最も光源側にある焦点領域と、次発パルスの最も光源側にある焦点領域とが一部重なることを意味するのであって、1パルスが発生させたフィラメンテーションにおける複数の集光部同士が重なることを意味するものではない。図3~4において、前記基板内におけるレーザー光Lの光軸と焦点の走査方向とのなす角θは90度である。図5に、なす角θが10度である場合を示す。この場合も、形成した改質部2の長手方向に沿って、第一領域2aが連続して繋がった状態で、改質部2を形成できる。このように基板1の一方の面1aに対して斜めの角度で改質部2を形成することにより、基板1の一方の面1a及びそれに対向する基板1の他方の面に各々開口する貫通孔として微細孔を形成できる。一方、なす角θを3度未満とした場合には、レーザー光Lの光軸と走査方向とが略平行となるため、エッチング耐性がより低下した第一領域2aが、改質部2の長手方向に連続的に繋がった状態で形成することが困難となる。図6に、なす角θが0度の場合を示す。このように改質された場合であっても、エッチング処理によって改質部2を除去して微細孔を形成することは可能であるが、エッチング速度が比較的遅くなる。図6に示すように、なす角θを3度未満とした場合には、先発のパルスによって形成された第一領域2aが、後発のパルスによって消去又は上書きされて、その改質の程度が第二領域2bと同じ程度になるため、第一領域2aを改質部2の長手方向へ連続的に繋げて形成することが困難になると考えられる。参考文献;FemtosecondlasererasingandrewritingofselforganizedplanarnanocracksinfusedsilicaglassOpticsLettersVol32No19p2888なす角θとエッチング速度との関係を調べるための試験を行った結果を図7に示す。この試験方法は次の通りである。まず、石英ガラス製の基板1にチタンサファイアレーザーを照射して、下記レーザー照射条件によって、所定のなす角θでレーザー光を走査して、厚さが約500μmの基板1に対し、孔径が約5~50μmの改質部を形成した。図7に示した各プロットのなす角は、左から順に、90度、50度、22度、14度、7度、3度、0度である。レーザー照射条件パルスピッチ=0.0025μm、繰り返し周波数=200kHz、走査速度=0.5mmsec、レーザー光の1パルスのピーク強度=レーザーフルエンス/パルス時間幅=70TW/cm2、波長=800nm、スペクトル幅=10nm、パルス時間幅=220fs、対物レンズの開口数NA=0.5、偏波=円偏波、レーザースポット径=約4μmなお、本発明におけるなす角θとは、レーザー光Lの光軸と、レーザー光Lの焦点の走査方向とで定義される。ここで、レーザー光Lの焦点の走査方向とは、基板1内部における焦点の走査方向を示している。また、光軸の方向は、基板1の内部における光軸の方向を示している。レーザー光が基板表面に対し斜めに照射される場合、レーザー光は基板に入射する際に屈折するので、基板1外のレーザー光の光軸と基板1内のレーザー光の光軸は、通常異なる。例えば図5においては、θ=15度となるように改質部を形成しているが、これは基板1を光軸に対して15度の方向に移動させて形成させたり、レーザー光Lの焦点を、大気或いは真空中において15度の方向に移動するように動かして形成したものではない。ある光学系を通してレーザー光の焦点を結ぶことを考えた場合、大気中または真空中においてレーザー光の焦点を結んだときと、基板の内部においてレーザー光の焦点を結んだときとでは、両者の焦点の位置は異なる。これは、基板はその材料固有の屈折率をもち、レーザー光が入射する基板表面において入射光が屈折するためである。したがって、レーザー光の光源と基板との相対的な位置関係だけで改質部の延伸方向を知ることはできない。改質部の延伸方向を知るためには、基板の内部に形成された改質部を調べたり、改質部をエッチングした後の微細孔を調べたりする方法が挙げられる。改質部の延伸方向は、レーザー焦点の走査方向に対応する。基板に形成した微細孔の延伸方向を調べる手法としては、基板を割断したり研磨したりして微細孔の縦断面を直接的に観察可能な状態にすれば、微細孔の延伸方向を観察することができる。あるいは、微細孔の内部に溶融金属充填法やめっき法を用いて金属充填し、そして基板全体をX線観察すれば、基板を破壊することなく微細孔の延伸方向を観察することができる。したがって、本発明においては、事前に、基板にレーザー光を入射させる角度と基板内におけるレーザー光の伝播方向レーザー光の光軸方向との関係を求めておくことが好ましい。次に、形成した改質部の一端を基板の表面に露出させて、この一端から他端へ向けてエッチングを進行させた。エッチング条件としては、温度80°C、濃度15wtのKOH水溶液に当該基板を浸漬させて、1時間のエッチング処理を行った。エッチング後に、形成された微細孔の開口部から、微細孔の先端部の先端までの長さを測定して、エッチング速度を算出した。図7の結果から、本発明の製造方法において、なす角θは3~90度°が好ましく、7~90度がより好ましく14~90度がさらに好ましく、22~90度が特に好ましく、50~90度が特に好ましい。上記範囲の下限値以上とすることにより、エッチング速度を高速化することが出来、基板の製造効率を向上させられる。なかでも、50~90度の範囲であれば、それ以外の角度範囲で加工した場合よりも、エッチング速度の角度依存性が小さい照射角度が変化したとしても、エッチング速度の変化が小さいので、微細孔を安定的に加工することができる。このように、なす角θを3~90度とすることによって、改質部2の長手方向にエッチング耐性がより低下した第一領域2aを連続的に繋げて形成できるので、当該改質部2をエッチングすると、第一領域2aが、第二領域2bよりも速くエッチングされる。この結果、図8に示すように、第一領域2aが優先的にエッチングされる。図8の矢印は、エッチングによって改質部2が除去されて、基板1が浸食されていく方向、すなわちエッチャントエッチング液の進行方向を示す。エッチング処理の時間を充分に長くすることによって、第一領域2a及び第二領域2bを両方ともエッチングすれば、得られる微細孔3の孔径はほぼ一定となる。この微細孔3は、両端が基板の外部に連通した貫通孔とすることもできるし、一端のみが基板の外部に連通した非貫通孔とすることもできる。一方、エッチング処理の時間を調整し、第二領域2bが完全に除去されない段階でエッチング処理を終了することによって、形成される微細孔3の先端部を先細りの形状とすることができる。さらに基板1を切断又は研磨し、微細孔3の両端を基板1の表面に開口させることによって、微細孔3を貫通孔とすることができる。この貫通孔を備えた本発明にかかる基板10の、微細孔3の長手方向に沿った断面図の一例を図9に示す。また、図10に、基部4及び先端部5を有する微細孔を2本形成した基板の断面の写真を示す。図10の微細孔を構成する基部4の端は、基板10の表面に開口するエッチング液侵入路に接続されている。また、該微細孔を構成する先端部5の端は、基板の内部に内在し、基板表面には開口していないので、当該微細孔は非貫通孔である。この基板を切断又は研磨することによって、先端部5の端を基板表面に開口させれば、当該微細孔を貫通孔とすることができる。なお、図10の微細孔になる改質部を形成する際の、レーザー光の走査方向と光軸とがなす角θは90度である。本発明にかかる基板10において、微細孔3は、基板10の側面に第一の開口部3a及び第二の開口部3bを備える貫通孔である。微細孔3は、第一開口部3aから内奥へほぼ一定の孔径を有する基部4と、内奥から第二開口部3bに進むにつれて孔径が先細りになる先端部5とからなる。微細孔3の形状は、製造時に形成した改質部2の形状を反映したものである。第一開口部3aが第二開口部3bよりも大きく、孔径が徐々に先細りとなる先端部5の形状を利用して、第一開口部3aから流体液体又は気体を流入させ、第二開口部3bから該流体を噴出させることにより、該流体を流入時よりも高い圧力および速度で噴出させることができる。このような微細孔3を備えた基板10は、例えばインクジェットプリンターのインクの吐出部等に使用できる。本発明にかかる基板10において、微細孔3を構成する基部4の長さは特に制限されず、例えば0.1μm~5000μmとすることができる。また、基部4の孔径は特に制限されず、例えば0.5μm~100μmとすることができる。基部4の長手方向に直交する断面の形状は、円形、楕円形、矩形、多角形等種々の形状を取りうる。前記孔径は、該断面形状を円形又は楕円形に近似した場合の、直径又は長径である。本発明にかかる基板10において、微細孔3を構成する先端部5の長さは特に制限されず、例えば10μm~2000μmとすることができる。先端部5の孔径は徐々に先細りになるため一定ではない。通常、該孔径の最大値は基部4の孔径と等しく、該孔径の最小値は先端部5の先端に開口する第二開口部3bの開口径と等しくすることができる。前記最大値と最小値の比最大値/最小値は、例えば1.5~100とすることができる。先端部5の長手方向に直交する断面の形状は、円形、楕円形、矩形、多角形等種々の形状を取りうる。前記孔径は、該断面形状を円形又は楕円形に近似した場合の、直径又は長径である。本発明にかかる基板10における基部4の長さと先端部5の長さは、基板10の製造時におけるエッチング後又はエッチング前に、基板10を所定の箇所でダイシングすることによって適宜調整できる。<エッチング工程>改質部をエッチングして微細孔を形成する方法は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、公知の方法が適用できる。例えば、基板の内部に形成した改質部の一端が基板の表面に露出する状態で、当該基板をエッチング液エッチャントに浸漬することによって、改質部を基板内部から除去し、微細孔を形成できる。前記エッチング液としては、例えばフッ酸HFや水酸化カリウムKOHの水溶液が用いられる。本発明の製造方法において、形成した改質部の一端側からのみエッチングを進行させることによって、前記基部及び先端部を有する微細孔を形成できる。一方、形成した改質部の両端側からエッチングを進行させても良い。この場合、エッチング処理の時間や温度条件にもよるが、前述の第一領域及び第二領域の両方を除去することにより、ほぼ一定の孔径を有する貫通孔として微細孔を形成できる。また、形成した改質部の両端側からエッチングを進行させ、当該改質部の中央部においてのみ第二領域を残すように貫通孔を形成すれば、長手方向に沿った断面においてアーチ橋の様な貫通孔とすることができる。このように、先端部が先細りしている又は中央部が細くなっている貫通孔を用いて、その細くなった孔径よりも大きな物質を当該貫通孔の中へ流し込むことにより、貫通孔の細くなっている領域で、当該物質を捕捉トラップすることができる。このような使用方法の具体的な用途としては、例えば、細胞をトラップすることが考えられる。トラップした細胞内の現象を例えば蛍光分子等を用いた検出系によって測定したり、当該細胞を微量な蛍光色素で細胞を染色することが可能となる。さらに、トラップした細胞を強く吸引することによって、細胞内容物を取り出すことも可能であり、本発明にかかる基板を、細胞内組織の回収デバイスとしても用いることが可能となる。また、前記アーチ橋の様な貫通孔の中央部で切断するように当該基板をダイシング又は研磨することにより、2本の先細りした貫通孔を備えた基板を得ることができる。エッチング後に形成される微細孔の孔径は、エッチング液に浸漬する時間を調整することによって、調整できる。例えば、改質部2の径を0.4μm~10μmとした場合、エッチング後に形成する微細孔3の孔径を0.5μm以上とすることができる。エッチング後に形成される微細孔の孔径の形状は、円又は楕円に近似できる形状となる。本明細書で例示した微細孔の孔径は、近似される円の直径又は近似される楕円の長径である。