"ウエハータイプ発光装置において、基板と、該基板上に形成される一つ或いは複数の発光半導体と、該発光半導体の上方に配置される一つ或いは複数のフレームと、該一つ或いは複数のフレームにより局限された該発光半導体上に加えられる一つ或いは多層の波長変換層と、を包含し、そのうち該ウエハータイプ発光装置は切断されて複数の分離された個別の発光ユニットとされることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該フレームは延伸されて、該発光半導体の側辺部分を被覆することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該発光ユニットは200nmから500nmのピーク値波長範囲を具えた光を発射できることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層は精密配送法、精密プリンティング法、精密インジェクション法、及びスクリーン印刷法のうち少なくとも一種類の方法で加えられることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層は一種類或いは多種類の有機化学品と混合された蛍光体顆粒を包含することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項5記載のウエハータイプ発光装置において、該蛍光体顆粒の、該有機化学品に対する重量比は、0.6~8であることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項5記載のウエハータイプ発光装置において、該有機化学品は、シリコーン樹脂及び/又はエポキシ樹脂とされることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層は、ガラスと混合された蛍光体顆粒を包含することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項8記載のウエハータイプ発光装置において、該蛍光体顆粒の、該ガラスに対する重量比は、0.6~8であることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項8記載のウエハータイプ発光装置において、該ガラスと混合された波長変換層は、精密配送法、精密プリンティング法、精密インジェクション法、及びスクリーン印刷法のうち少なくとも一種類の方法で加えられることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項10記載のウエハータイプ発光装置において、該ガラスと混合された波長変換層は、100°Cから500°Cの温度下で加えられることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層は凸面、凹面、平面或いは角錐の形状を具えたことを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該フレームは透明材料で形成されることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項13記載のウエハータイプ発光装置において、該透明材料は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ガラス、石英、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、SU-8ホトレジスト、BCBホトレジスト、或いはパリレン樹脂とされることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該フレームは、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学気相生長、熱蒸着、及び電子ビーム蒸着の少なくとも一種類の方法で形成されることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該フレームは、単一金属層或いは多重金属層とされることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該フレームは、0.1μmから200μmの厚さを有することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層は、1μmから200μmの厚さを有することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層の上に配置された光拡散層をさらに包含することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該基板は不透光とされることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項20記載のウエハータイプ発光装置において、該基板は金属、セラミック、或いは半導体とされることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項21記載のウエハータイプ発光装置において、該基板と該発光半導体の間に位置する反射層をさらに包含することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層と隣接する該発光半導体の表面が粗化されたことを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層に対して熱処理を行うことを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項24記載のウエハータイプ発光装置において、該熱処理の温度は60°Cから300°Cの間とされることを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該発光半導体は、該基板上に形成されたp型半導体層と、該p型半導体層上に配置された活性層と、該活性層の上に配置されたn型半導体層と、を包含することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項1記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層は該フレームの一部分を被覆することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。請求項2記載のウエハータイプ発光装置において、該波長変換層は該発光半導体の側辺部分を被覆することを特徴とする、ウエハータイプ発光装置。しかし、蛍光層の塗布量は精密に制御し難いため、経常的に蛍光層の厚さが厚すぎたり薄すぎたりし、並びにこれにより、発光ダイオードの製造歩留りが低下し、製造コストを浪費する。これにより、製造歩留りをアップし並びに製造コストをダウンするため、一種の、精密塗布の波長変換層を具えた発光装置が必要とされている。本発明は一種のウエハータイプ発光装置に係り、それは、基板、該基板上に形成された一つ或いは複数の発光半導体、該発光半導体の上方に配置された一つ或いは複数のフレーム、該一つ或いは複数のフレームにより局限された該発光半導体上に加えられた一つ或いは多層の波長変換層を包含し、そのうち、該ウエハータイプ発光装置は切断されて複数の分離された個別の発光ユニットとされる。本発明のその他の実施態様及び優れた点は、以下に、本発明の原理を例示する例の添付図面を結合しての詳細な説明によりさらに明白となる。本発明中、ウエハー形式を以て、バルクbulk発光装置を製造し、その後、さらにこのようなバルク発光装置を切断して複数の分離した個別発光ユニットとなす。以下の本発明の各種実施例中にあって、いずれもこのような特徴を有している。図8は本発明の実施例の、フレームを具えた発光装置を、ウエハーレベル製作を実行する時の電子顕微鏡映像である。ウエハーレベルの発光装置の製作完成の後、切断プロセスにより、フレームを具えた複数の分離した個別発光ユニットを獲得する。本発明に記載のフレームは蛍光体混合液を充填する時のオーバーフロー防護壁とされ、蛍光体混合液を充填した後に、フレームにより局限し、その他の、蛍光体混合液の充填を希望しない領域にオーバーフローさせず、並びにフレーム内の蛍光体の変換、出光後に、白色光発光の効果を獲得でき、相関色温度CCT,correlatedcolortemperatureの分布均一性を促進し、相関色温度の発生歩留りをアップし、及び、蛍光体顆粒の使用量を減らす。以下に詳細に本発明の各種実施例を説明する。説明に便利であるように、個別の分離された発光ユニットにより、全体のウエハータイプ発光装置の構造を記述する。たとえば、図1は本発明の一つの実施例のウエハータイプ発光装置より切断、分離された個別の発光ユニット100の概略断面図である。図1に示されるように、発光ユニット100は、基板106、該基板106上に形成された発光半導体103、該発光半導体103の上方に配置されたフレーム102、及び、該フレーム102により局限された発光半導体103上に加えられる波長変換層101を包含する。すなわち、この実施例のウエハータイプ発光装置は、基板106、該基板106上に形成された発光半導体103、該発光半導体103の上方に配置されたフレーム102、及び、フレーム102により局限された発光半導体103上に加えられる波長変換層101を包含する。その後、その後、このウエハータイプ発光装置が切断されて、複数の分離した個別の発光ユニット100が形成される。以下の各実施例中において、ウエハータイプ発光装置と発光ユニットの間の関係について、再び詳しくは説明しない。発光ユニット100の発光半導体103上にはソルダーパッド105が設置される。このほか、波長変換層101に隣接する発光半導体103の表面は、粗化され得て、それにより、出光効率が増加される。さらに、波長変換層101に対して熱処理を行なってもよく、熱処理の温度は、摂氏60度から300度の間とされ得る。波長変換層101は、以下のうち、少なくとも一種類の方法により加えられる。すなわち、精密配送法、精密プリンティング法、精密インジェクション法、及びスクリーン印刷法である。波長変換層101は、一種類或いは多種類の有機化学品たとえばシリコーン樹脂及び又はエポキシ樹脂と混合した蛍光体顆粒を包含し得る。このほか、蛍光体顆粒と有機化学品を混合する時に、トルエン、ヘプタン、n-ヘキサン、イソプロピルアルコール等の希釈剤を加入してもよい。或いは、波長変換層101は、ガラスと混合した蛍光体顆粒を包含してもよい。このほか、たとえば、蛍光体顆粒の有機化学品或いはガラスに対する重量比は、約0.6~8とされ、すなわち、重量計で、蛍光体顆粒の量:有機化学品或いはガラスの量は、0.6:1~8:1とされる。上述のガラスと混合された波長変換層は、約100°Cから約500°Cの範囲の温度下で加えられる。波長変換層は、たとえば、これに限定されるわけではないが、凸面、凹面、平面、或いは角錐の形状を有し得て、図1に示される波長変換層101は、凸面形状とされる。波長変換層101は、約1μmから約200μmの厚さとされ、好ましくは、約10μmから約100μmとされる。発光ユニット100は、約200nmから約500nmのピーク波長範囲を有する光を発射できる。フレーム102は、透明材料で形成され、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ガラス、石英、アクリル樹脂たとえば、ポリメチルメタクリレートPMMA,polymethylmethacrylate等、ポリカーボネートPC樹脂、SU-8ホトレジスト、BCBホトレジスト、或いはパリレンparylene樹脂で形成される。或いは、フレーム102は、また、単一金属層或いは多重金属層とされ得る。フレーム102は、以下のうちの少なくとも一種類の方法により配置され得る。すなわち、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学気相生長、熱蒸着、及び電子ビーム蒸着。フレーム102は、約0.1μmから約200μmの厚さを有し得て、好ましくは、約2μmから約100μmとされる。基板106は、たとえば、金属、セラミック、或いは半導体の不透光の基板とされ得る。図1に示される発光ユニット100は、垂直式発光装置とされる。光拡散層図示せずを波長変換層101の上に配置してもよい。図示されるように、本発明の各種の実施例中、フレームは、発光半導体の上方に配置可能であるほか、さらに延伸して発光半導体の側辺部分を被覆してもよい。フレームを延伸して発光半導体の側辺部分を被覆させる時、波長変換層は、発光半導体の側辺部分を被覆してもしなくてもよい。たとえば、図1中、波長変換層は、発光半導体の側辺部分を被覆しない。図2では、波長変換層は発光半導体の側辺部分を被覆する。図2は、本発明のある実施例のウエハータイプ発光装置より切断、分離された個別の発光ユニット300の概略断面図である。図2に示される発光ユニット300は、基板306、該基板306上に形成された発光半導体303、該発光半導体303の上方に配置されたフレーム302、及び、該フレーム302により局限された発光半導体303上に加えられる波長変換層301を包含する。発光ユニット300の発光半導体303上には第1ソルダーパッド305aそれはn型半導体層303a上に設置される及び第2ソルダーパッド305bそれはp型半導体層303c上に設置されるが設置される。発光半導体303は、基板306上に形成されたp型半導体層303c、p型半導体層303c上に配置された活性層303b、及び、活性層303b上に配置されたn型半導体層303aを包含する。本発明のその他の実施例中の発光半導体は、図2に示される発光半導体303と同じ或いは類似の構造を有し得る。このほか、反射層307を該基板306と発光半導体303の間に設置してもよく、具体的には、反射層307は基板306とp型半導体層303cの間に位置するものとされる。反射層307はまた、本発明のその他の実施例において適用可能である。図2中には示されていないが、波長変換層301に隣接する発光半導体303の表面は粗化可能であり、具体的に、n型半導体層303aの表面は粗化可能である。このほか、本発明の実施例中、波長変換層はフレームの一部分を被覆して、フレームが局限する範囲よりオーバーフローしない。たとえば、図2において、波長変換層301は図面右側に位置するフレーム302の一部分を被覆するが、フレーム302よりオーバーフローしない。図3は、本発明のある実施例のウエハータイプ発光装置を切断し分離してなる個別の発光ユニット1100の概略断面図である。図3に示されるように、発光ユニット1100は、基板1106、発光半導体1103、フレーム1102、及び波長変換層1101を包含する。そのうち、波長変換層1101は凹面の形状を有し、発光ユニット1100の発光半導体1103上にソルダーパッド1105が設置される。図4は、本発明のある実施例のウエハータイプ発光装置を切断し分離してなる個別の発光ユニット1200の概略断面図である。図4に示されるように、発光ユニット1200は、基板1206、発光半導体1203、第1フレーム1202a、第2フレーム1202b、第1波長変換層1201a、及び、第2波長変換層1201bを包含する。第1フレーム1202aは第2フレーム1202bにより包囲され、第1フレーム1202aにより局限された発光半導体1203の領域上に、第1波長変換層1201aが加えられ、第2フレーム1202bにより局限された発光半導体1203の領域上に、第2波長変換層1201bが加えられる。これにより、第2フレーム1202b内に位置する第2波長変換層1201bは、第1フレーム1202a内に位置する第1波長変換層1201aを被覆でき、すなわち、多層重畳波長変換層を形成できる。発光ユニット1200の発光半導体1203上にソルダーパッド1205が設置される。図5は、本発明のある実施例のウエハータイプ発光装置を切断し分離してなる個別の発光ユニット1300の概略断面図である。図5に示されるように、発光ユニット1300は、基板1306、発光半導体1303、フレーム1302、第1波長変換層1301a、及び、第2波長変換層1301bを包含する。図5の実施例は図4の実施例に類似するが、図5の第1波長変換層1301aと第2波長変換層1301bは同一フレームすなわち、フレーム1302内に加えられる。第2波長変換層1301bは、第1波長変換層1301a上を被覆し、すなわち、多層重畳波長変換層を形成する。発光ユニット1300の発光半導体1303上にはソルダーパッド1305が設置される。図6は、本発明のある実施例のウエハータイプ発光装置を切断し分離してなる個別の発光ユニット1400の概略断面図である。図6に示されるように、発光ユニット1400は、基板1406、発光半導体1403、フレーム1402、第1波長変換層1401a、及び、第2波長変換層1401bを包含する。発光半導体1403の上方に配置されたフレーム1402は、発光半導体1403を二つの領域に分割し、並びにそれぞれこの二つの領域内に、第1波長変換層1401a、第2波長変換層1401bが加えられ、発光半導体1403上に、多層並列波長変換層が形成される。発光ユニット1400の発光半導体1403上にはソルダーパッド1405が設置される。図7は、本発明のある実施例のウエハータイプ発光装置を切断し分離してなる個別の発光ユニット1500の概略断面図である。図7に示されるように、発光ユニット1500は、基板1506、該基板1506上に形成された第1発光半導体1503a、該基板1506上に形成された第2発光半導体1503b、該1発光半導体1503aの上方に配置された第1フレーム1502a、該第2発光半導体1503bの上方に配置された第2フレーム1502b、第1フレーム1502aに局限された第1発光半導体1503a上に加えられた第1波長変換層1501a、第2フレーム1502bに局限された第2発光半導体1503b上に加えられた第2波長変換層1501bを包含する。第1ソルダーパッド1505aが発光ユニット1500の第1発光半導体1503a上に設置される。第2ソルダーパッド1505bが発光ユニット1500の第2発光半導体1503b上に設置される。図7の実施例中、第1波長変換層1501a及び第2波長変換層1501bはそれぞれ第1フレーム1502a及び第2フレーム1502b内に加えられる。しかし、また、図6の実施例を図7の実施例に応用してもよく、具体的には、図7の第1発光半導体1503a及び第2発光半導体1503bの上方に、それぞれ図6のフレームを設置し、それぞれ第1発光半導体1503a及び第2発光半導体1503b上に、多層並列波長変換層を形成してもよい。或いは、図4或いは図5の実施例を図7の実施例に応用し、それぞれ、第1発光半導体1503a及び第2発光半導体1503b上に、多層重畳波長変換層を形成してもよい。しかし、図7の実施例はまた、図3に示される凹面波長変換層を包含し得る。本発明の実施例中、第1波長変換層と第2波長変換層は、同じ或いは異なる波長変換層とされ得る。以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。"