"被測定物である半導体モジュールに対して高電圧を印加する高電圧電源と、この高電圧電源の電圧および周波数を制御する高電圧制御部とからなる高電圧発生部、上記半導体モジュールの温度を測定する測定手段、およびこの測定手段の出力データに基づき、高電圧を印加した際の半導体モジュールの温度変化から部分放電欠陥の有無を判定する解析装置を備えたことを特徴とする半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置。被測定物である複数個の半導体モジュールを検査ステージに配置して同時に高電圧を印加し、解析装置により上記複数個の半導体モジュールのそれぞれにおける部分放電欠陥の有無を判定するようにしたことを特徴とする請求項1記載の半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置。被測定物である半導体モジュールと部分放電欠陥のない参照品に対して高電圧を印加する高電圧電源と、この高電圧電源の電圧および周波数を制御する高電圧制御部とからなる高電圧発生部、上記半導体モジュールの温度を測定する測定手段、およびこの測定手段の出力データに基づき、高電圧を印加した際の半導体モジュールおよび参照品の温度変化を比較し、上記半導体モジュールの部分放電欠陥の有無を判定する解析装置を備えたことを特徴とする半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置。被測定物である複数個の半導体モジュールと部分放電欠陥のない参照品を検査ステージに配置して同時に高電圧を印加し、解析装置により上記複数の半導体モジュールの温度と参照品の温度変化とを比較し、上記複数個の半導体モジュールのそれぞれにおける部分放電欠陥の有無を判定するようにしたことを特徴とする請求項3記載の半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置。大きさと周波数が制御された高電圧を被測定物である半導体モジュールに印加する工程と、上記半導体モジュールの温度を測定する工程と、この測定された温度データの変化に基づいて上記半導体モジュールにおける部分放電の有無を判定する工程とを備えたことを特徴とする半導体モジュールの絶縁欠陥検査方法。被測定物である半導体モジュールを複数個検査ステージに配置して同時に高電圧を印加し、解析装置により上記複数個の半導体モジュールのそれぞれにおける部分放電欠陥の有無を判定するようにしたことを特徴とする請求項5に記載の半導体モジュールの絶縁欠陥検査方法。被測定物である半導体モジュールと部分放電欠陥のない参照品とに大きさと周波数が制御された高電圧を印加する工程と、上記半導体モジュールおよび上記参照品の温度を測定する工程と、これらの測定された温度データの差分をとり、その変化に基づいて上記半導体モジュールにおける部分放電の有無を判定する工程とを備えたことを特徴とする半導体モジュールの絶縁欠陥検査方法。被測定物である複数個の半導体モジュールと部分放電欠陥のない参照品とに高電圧を同時に印加し、両者の温度変化の差分により上記複数個の半導体モジュールのそれぞれにおける部分放電の有無を判定するようにしたことを特徴とする請求項7に記載の半導体モジュールの絶縁欠陥検査方法。しかしながら、絶縁破壊には至っていないボイドなどによる部分放電欠陥の場合、リーク電流と比較して微少な放電電荷が生じるのみであることから、発熱が小さく検出することができない。この発明は、このような問題を解決するためなされたもので、絶縁破壊には至っていない部分放電欠陥を検査する半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置及び検査方法を提供するものである。この発明に係る半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置は、被測定物である半導体モジュールに対して高電圧を印加する高電圧電源と、この高電圧電源の電圧および周波数を制御する高電圧制御部とからなる高電圧発生部、上記半導体モジュールの温度を測定する測定手段、およびこの測定手段の出力データに基づき、高電圧を印加した際の半導体モジュールの温度変化から部分放電欠陥の有無を判定する解析装置を備えたことを特徴とするものである。また、この発明に係る被測定物の部分放電欠陥検査方法は、大きさと周波数が制御された高電圧を被測定物である半導体モジュールに印加する工程と、半導体モジュールの温度を測定する工程と、この測定された温度データの変化に基づいて半導体モジュールにおける部分放電の有無を判定する工程とを備えたことを特徴とするものである。この発明によれば、被測定物に印加する高電圧の大きさと周波数を制御し、部分放電発生回数を増やすことによって、一回の放電による発熱が少ない部分放電についても、温度変化を大きくして検出することができる。したがって、放電電荷を検出する部分放電測定器を使用する場合に必要な周囲の環境ノイズ対策をしなくても、簡単に検査装置を構築することが可能となる。実施の形態1.以下、この発明の実施形態1に係る半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置および検査方法について図に基づいて説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置の構成を示す図である。図において、絶縁欠陥検査装置は、被測定物である半導体モジュール10が設置される検査ステージ1と、検査ステージ1に設置された半導体モジュール10に高電圧を印加する高電圧発生部2と、検査ステージ1に対向して配置され、半導体モジュール10の表面温度を測定するサーモカメラ3と、このサーモカメラ3の出力に基づき、半導体モジュール10の温度変化を解析して部分放電欠陥の有無を検出する解析装置4などを備えて構成されている。ここで、高電圧発生部2は、高電圧を発生する高電圧電源2aと,この高電圧電源2aが発生する電圧と周波数を制御する電圧制御部2bとを備えている。また、サーモカメラ13は、温度識別装置の一例であり、他の種類の温度識別装置を用いてもよく、被測定物との接触部の耐久性が問題とならず、ハンドリングが容易な非接触型の温度識別装置を用いることが望ましい。このような構成のもとで、検査ステージ1の上に半導体モジュール10を設置するとともに、電圧制御部2bで大きさと周波数が制御された電圧を高電圧電源2aによって発生させ、半導体モジュール10に印加する。一方、サーモカメラ2によって半導体モジュール10の表面温度を測定し、この温度データを解析装置4に供給する。ここで、半導体モジュール10に部分放電欠陥がない場合は、発熱しないため、温度データは変化しないが、半導体モジュール10に部分放電欠陥がある場合、この部分放電によって半導体モジュール10の表面温度が上がることになり、解析装置4によって温度データの変化が検出されることになる。ところで、この印加電圧と部分放電の関係は、図2に示すように印加電圧を大きくすると、部分放電の発生回数を増やすことができる。また、50Hzあるいは60Hzの商用周波よりも大きな最高100kHzの高周波電圧を印加することにより、図3に示すように単位時間あたりの電圧印加回数を増やし、部分放電の発生回数を増加させることもできる。さらに、印加電圧の大きさと周波数の両方を制御することにより、部分放電の発生回数を増やすこともできる。したがって、部分放電の発生回数を増加することで発熱を大きくすることができ、これにより、半導体モジュール10に部分放電がある場合の温度変化を検出することができるようになる。図4は実施の形態1における検査方法のフローチャートを示すもので、まず、高電圧電源2aにより半導体モジュール10に高電圧を印加しステップS1、サーモカメラ2により半導体モジュール10の温度変化を測定するステップS2。このサーモカメラ2の測定結果に基づいて、解析装置4は、半導体モジュール10の温度上昇を検出したとき、部分放電欠陥と判定し、温度上昇がないときは部分放電欠陥なしと判定するステップS3。ここで、図5に部分放電欠陥がある場合の半導体モジュール10の温度上昇の一例を示しており、解析装置4により部分放電欠陥と判定する半導体モジュール10の温度の閾値と閾値に達するまでの経過時間を予め設定しておくことも可能であり、利用者が設定するものであってもよい。また、半導体モジュール10に印加する高電圧の大きさと周波数は、部分放電欠陥があった場合に半導体モジュール10に温度変化が生じるように、予め設定しておくものでもよいし、利用者が設定するものであってもよい。実施の形態2.図6は、この発明の実施の形態2に係る半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置の構成を示す図である。上記実施の形態1では、一つの半導体モジュール10に対して高電圧を印加するように構成したが、実施の形態2では、複数の半導体モジュール10に同時に高電圧を印加するように構成している。なお、その他の構成に関しては、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。図7は、実施の形態2における検査方法のフローチャートを示すもので、検査ステージ1上に複数の半導体モジュール10を配置して高電圧発生部2により複数の半導体モジュール10に高電圧を印加しステップS11、サーモカメラ2により複数の半導体モジュール10の表面温度を同時に測定するステップS12。このサーモカメラ2の測定結果に基づいて、解析装置4は、複数の半導体モジュール10の個々についての温度変化を把握し、温度上昇を検出したとき、部分放電欠陥があると判定し、温度上昇がないとき、部分放電欠陥がないと判定するステップS13。したがって、実施の形態2によれば、同時に複数の半導体モジュール10について、個々の温度変化を測定することにより、複数の半導体モジュール10に対して部分放電欠陥があるかないかを検査し、その中から欠陥品を特定することができるため、作業性に富んだ半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置を得ることが可能となる。なお、解析装置4により部分放電欠陥と判定する半導体モジュール10の温度の閾値と閾値に達する経過時間、半導体モジュール10に印加する高電圧の大きさと周波数は、実施の形態1と同様に、予め設定されているものでもよいし、利用者が設定するものでもよい。実施の形態3.図8は、この発明の実施の形態3に係る半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置の構成を示す図である。上記の実施の形態では、被測定物である一つあるいは複数の半導体モジュール10に高電圧を印加するように構成したが、実施の形態3では、予め部分放電欠陥のない半導体モジュール20を参照品として検査ステージ1に設置して置き、被測定物10と参照品20に対しても同時に高電圧を印加するように構成している。なお、その他の構成に関しては、実施の形態1および2と同様であるので、説明を省略する。図9は、実施の形態3における検査工程を示すもので、検査ステージ1上に被測定物である半導体モジュール10と、部分放電欠陥のない半導体モジュール以下、参照品と称す20を配置して高電圧発生部2により両方の半導体モジュール10および参照品20に高電圧を印加しステップS21、サーモカメラ2により半導体モジュール10と参照品20の温度を同時に測定するステップS22。そして、解析装置4は、温度上昇を検出したとき部分放電欠陥があると判定するが、検査ステージ1上の半導体モジュール10と参照品20の配置場所と、サーモカメラ2の測定結果から半導体モジュール10と参照品20の温度変化を把握し、それらの差分を取ることにより、周囲の温度変化による影響を取り除くことが可能となり、判定の精度を向上させることができるステップS23。図10はこれらの測定結果を示すもので、aは部分放電欠陥がある半導体モジュール10の温度変化を、bは部分放電欠陥のない参照品20の温度変化を、cはこれらの温度変化の差分を示している。ここで、解析装置4が部分放電欠陥ありと判定する半導体モジュール10の温度の閾値と閾値に達する経過時間は、予め設定されているものでもよく、利用者が設定するものであってもよい。また、半導体モジュール10に印加する高電圧の大きさと周波数は、部分放電欠陥があった場合に半導体モジュール10の温度変化が生じるように、予め設定されているものでもよいし、利用者が設定するものであってもよい。このような実施の形態3によれば、半導体モジュール10と参照品20について温度を測定し、これらの差分をとることにより、周囲の温度変化に影響されることなく、半導体モジュール10に対して部分放電欠陥があるかないかを検査することができる。なお、実施の形態3では、一つの半導体モジュール10と部分放電欠陥のない参照品20に高電圧を印加するように構成したが、実施の形態2と同様に、複数の半導体モジュール10と部分放電欠陥のない一つの参照品20とを並べて温度測定するように構成してもよい。この場合、解析装置4は、検査ステージ1上の複数の半導体モジュール10と参照品20の配置場所およびサーモカメラ2の測定結果から、参照品20の温度に対する複数の半導体モジュール10のそれぞれの温度の差分を取ることによって、周囲の温度変化による影響を取り除くことができ、判定の精度を向上させるとともに検査効率を向上させることが可能となる。以上のように、この発明によれば、部分放電欠陥を有する半導体モジュールを検出することが可能となり、それに対する対応策を講じることで、パワーモジュール等半導体モジュールの絶縁信頼性を向上させることができる。ここでいうパワーモジュールとは、SiまたはSiCチップ等全てのチップを搭載したシリコーンゲル封止の高電圧機種、エポキシ樹脂のトランスファー成型によるモールド型モジュール等全ての半導体モジュールに適用することが可能である。なお、本発明は、以上の実施の形態に限定されるものでなく、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。"