金属部材と、被接合部材と、をはんだ材を用いて接合するはんだ接合構造であって、前記金属部材の表面に形成されたガラス層と、このガラス層に積層されたAg層と、このAg層に積層されたはんだ層と、を備えており、前記Ag層の平均厚さが1μm以上20μm以下とされ、前記Ag層の被覆率が前記ガラス層の表面の80以上とされていることを特徴とするはんだ接合構造。前記金属部材が、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材であることを特徴とする請求項1に記載のはんだ接合構造。絶縁層の一方の面に金属部材からなる回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の一方の面に接合された半導体素子と、を備えたパワーモジュールであって、前記回路層と前記半導体素子との接合部が請求項1又は請求項2に記載のはんだ接合構造とされていることを特徴とするパワーモジュール。絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記金属層の面側に接合された放熱板と、を備えた放熱板付パワーモジュール用基板であって、前記放熱板の接合面及び前記金属層の接合面の少なくとも一方が金属部材とされており、前記放熱板と前記金属層との接合部が請求項1又は請求項2に記載のはんだ接合構造とされていることを特徴とする放熱板付パワーモジュール用基板。絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記金属層の面側に接合された冷却器と、を備えた冷却器付パワーモジュール用基板であって、前記冷却器の接合面及び前記金属層の接合面のうち少なくとも一方が金属部材とされており、前記冷却器と前記金属層との接合部が請求項1又は請求項2に記載のはんだ接合構造とされていることを特徴とする冷却器付パワーモジュール用基板。ところで、回路層を純度が99.99以上4Nアルミニウム等の比較的変形抵抗の小さな金属材料で構成した場合、パワーサイクル及びヒートサイクルを負荷した際に、回路層の表面にうねりやシワが発生してしまうといった問題があった。回路層の表面にうねりやシワが発生すると、半導体素子との間に介在するはんだ層にクラックが生じてしまうため、パワーモジュールの信頼性が低下することになる。また、特許文献4では、焼成によって、前記回路層表面に自然発生した酸化皮膜と反応して前記回路層と導通する導電接合層を形成することはできるものの、回路層と半導体素子とのはんだ接合後に生じる回路層表面のうねりやシワに対する視点はなかった。特に、最近では、パワーモジュールの小型化薄肉化が進められるとともに、その使用環境も厳しくなってきており、半導体素子等の電子部品からの発熱量が大きくなっているため、パワーサイクル及びヒートサイクルの温度差が大きく、回路層の表面にうねりやシワが発生しやすい傾向にある。このように、金属部材と被接合部材とをはんだ接合した場合、金属部材にうねりやシワが生じると、はんだ材にクラックが生じて接合信頼性が低下することになる。この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、パワーサイクル及びヒートサイクル負荷時においても、金属部材の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、被接合部材との接合信頼性を向上させることが可能なはんだ接合構造、このはんだ接合構造を利用したパワーモジュール、放熱板付パワーモジュール用基板及び冷却器付パワーモジュール用基板を提供することを目的とする。このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のはんだ接合構造は、金属部材と、被接合部材と、をはんだ材を用いて接合するはんだ接合構造であって、前記金属部材の表面に形成されたガラス層と、このガラス層に積層されたAg層と、このAg層に積層されたはんだ層と、を備えており、前記Ag層の平均厚さが1μm以上20μm以下とされ、前記Ag層の被覆率が前記ガラス層の表面の80以上とされていることを特徴としている。金属部材の表面上にAg層が形成されている場合、金属部材の表面におけるうねりやシワの発生が抑制される。これは、Agが比較的硬い金属であることから、Ag層によって金属部材の塑性変形を抑制するためと推測される。ここで、前記Ag層の平均厚さが1μm以上20μm以下とし、前記Ag層の被覆率を前記ガラス層の表面の80以上とすることで、金属部材の表面におけるうねりやシワの発生を確実に抑制することが可能となる。ここで、Ag層の平均厚さが1μm未満の場合には、金属部材の塑性変形を十分に抑制することができないおそれがある。一方、Ag層の平均厚さが20μmを超える場合には、Ag層を容易に形成することができない。詳述すると、Agは、はんだ材の中に拡散していく性質を有することから、Ag層を厚く形成するためには、Agを必要以上に使用する必要があり、コストが大幅に増加してしまう。そこで、Ag層の平均厚さを1μm以上20μm以下に設定しているのである。また、金属部材の表面にガラス層が形成されているので、金属部材の表面に存在する酸化皮膜をこのガラス層に反応させて除去することができ、金属部材と被接合部材とをはんだ材を介して確実に接合することが可能となる。よって、金属部材の表面にNiめっき膜等を設ける必要がない。前記金属部材が、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材であることが好ましい。アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材は、比較的変形抵抗が小さく変形しやすい傾向にある。特に、純度が99.99以上の4Nアルミニウム等においては、さらに変形し易く、上述したうねりやシワが発生しやすい。そこで、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材の表面上にAg層を形成することによって、アルミニウム部材の表面にうねりやシワが発生することを抑制することができる。本発明のパワーモジュールは、絶縁層の一方の面に金属部材からなる回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の一方の面に接合された半導体素子と、を備えたパワーモジュールであって、前記回路層と前記半導体素子との接合部が上述のはんだ接合構造とされていることを特徴としている。このような構成とされた本発明のパワーモジュールにおいては、金属部材となる回路層と、被接合部材となる半導体素子とが、ガラス層、Ag層、はんだ層を介して接合されているので、Ag層によって回路層の表面のうねりやシワの発生を抑制することが可能となる。したがって、はんだ層におけるクラックの発生を抑制でき、半導体素子の接合信頼性に優れたパワーモジュールを提供することが可能となる。本発明の放熱板付パワーモジュール用基板は、絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記金属層の面側に接合された放熱板と、を備えた放熱板付パワーモジュール用基板であって、前記放熱板の接合面及び前記金属層の接合面の少なくとも一方が金属部材とされており、前記放熱板と前記金属層との接合部が上述のはんだ接合構造とされていることを特徴としている。このような構成とされた本発明の放熱板付パワーモジュール用基板においては、前記放熱板の接合面及び前記金属層の接合面のうち少なくとも一方が金属部材とされていることから、前記金属層の接合面を有する部材及び前記放熱板の接合面を有する部材の一方が上述の金属部材に該当し、他方が被接合部材に該当することになる。そして、この金属部材と、被接合部材とが、ガラス層、Ag層、はんだ層を介して接合されているので、Ag層によって金属部材の表面のうねりやシワの発生を抑制することが可能となる。したがって、パワーモジュール用基板と放熱板との接合信頼性が向上し、放熱板によって熱を効率的に放散させることが可能となる。本発明の冷却器付パワーモジュール用基板は、絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記金属層の面側に接合された冷却器と、を備えた冷却器付パワーモジュール用基板であって、前記冷却器の接合面及び前記金属層の接合面のうち少なくとも一方が金属部材とされており、前記冷却器と前記金属層との接合部が上述のはんだ接合構造とされていることを特徴としている。このような構成とされた本発明の冷却器付パワーモジュール用基板においては、前記冷却器の接合面及び前記金属層の接合面のうち少なくとも一方が金属部材とされていることから、前記金属層の接合面を有する部材及び前記冷却器の接合面を有する部材の一方が上述の金属部材に該当し、他方が被接合部材に該当することになる。そして、この金属部材と、被接合部材とが、ガラス層、Ag層、はんだ層を介して接合されているので、Ag層によって金属部材の表面のうねりやシワの発生を抑制することが可能となる。したがって、冷却器とパワーモジュール用基板との接合信頼性が向上し、冷却器によってパワーモジュール用基板を効率的に冷却することができる。本発明によれば、パワーサイクル及びヒートサイクル負荷時においても、金属部材の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、被接合部材との接合信頼性を向上させることが可能なはんだ接合構造、このはんだ接合構造を利用したパワーモジュール、放熱板付パワーモジュール用基板及び冷却器付パワーモジュール用基板を提供することができる。以下に、本発明の実施形態であるはんだ接合構造について、添付した図面を参照して説明する。図1に、本発明の第1の実施形態であるパワーモジュール1及び放熱板付パワーモジュール用基板20を示す。このパワーモジュール1は、回路層12及び金属層13が配設されたパワーモジュール用基板10と、回路層12の一方の面図1において上面に搭載された半導体素子3と、金属層13の他方の面図1において下面に接合された放熱板21と、この放熱板21の他方の面側に積層された冷却器31と、を備えている。パワーモジュール用基板10は、絶縁層を構成するセラミックス基板11と、このセラミックス基板11の一方の面図1において上面に配設された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面図1において下面に配設された金属層13とを備えている。セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN窒化アルミで構成されている。また、セラミックス基板11の厚さは、0.2~1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。回路層12は、セラミックス基板11の一方の面に、導電性を有する金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層12は、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板11に接合されることにより形成されている。金属層13は、セラミックス基板11の他方の面に、金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、金属層13は、回路層12と同様に、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。放熱板21は、前述のパワーモジュール用基板10からの熱を面方向に拡げるものであり、本実施形態では、熱伝導性に優れた銅板とされている。冷却器31は、図1に示すように、冷却媒体例えば冷却水を流通するための流路32を備えている。冷却器31は、熱伝導性が良好な材質で構成されることが望ましく、本実施形態においては、A6063アルミニウム合金で構成されている。なお、放熱板21と冷却器31とは、図1に示すように、固定ネジ22によって締結されている。そして、図2に示すように、4Nアルミニウムからなる金属層13と銅からなる放熱板21との間の第1接合部40においては、金属層13の他方の面図2において下面に形成された第1ガラス層41と、この第1ガラス層41の他方の面に積層された第1Ag層42と、この第1Ag層42の他方の面に積層された第1はんだ層43と、を備えている。また、図3に示すように、4Nアルミニウムからなる回路層12と半導体素子3との間の第2接合部50においては、回路層12の一方の面図3において上面に形成された第2ガラス層51と、この第2ガラス層51の一方の面に積層された第2Ag層52と、この第2Ag層52の一方の面に積層された第2はんだ層53と、を備えている。ここで、第1はんだ層43及び第2はんだ層53は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材いわゆる鉛フリーはんだ材で構成されている。また、第1はんだ層43及び第2はんだ層53の厚さthは、20μm≦th≦600μmの範囲内に設定されている。第1ガラス層41及び第2ガラス層51は、その厚さtgが0.05μm≦tg≦10μmの範囲内に設定されている。ここで、半導体素子3が搭載される回路層12の一方の面に形成された第2ガラス層51においては、その内部に粒径が数ナノメートル程度の微細な導電性粒子が分散されている。この導電性粒子は、Ag又はAlの少なくとも一方を含有する結晶性粒子とされている。なお、第2ガラス層51内の導電性粒子は、例えば透過型電子顕微鏡TEMを用いることで観察されるものである。そして、第1Ag層42は、第1ガラス層41の表面の80以上を被覆するように形成されている。さらに、第2Ag層52は、第2ガラス層51の表面の80以上を被覆するように形成されている。また、第1Ag層42及び第2Ag層52は、その平均厚さtaが1μm≦ta≦20μmの範囲内に設定されている。好ましくは、1.5μm≦ta≦10μmの範囲内とされている。ここで、第1接合部40及び第2接合部50は、金属層13及び回路層12の表面に以下に説明するAgペーストを塗布焼成してAg焼成層を形成し、このAg焼成層の表面にはんだ材を介して放熱板21及び半導体素子3を接合することによって形成されるものである。次に、本実施形態において使用されるAgペーストについて説明する。このAgペーストは、Ag粉末と、ZnOを含有するガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、分散剤と、を含有しており、Ag粉末とガラス粉末とからなる粉末成分の含有量が、Agペースト全体の60質量以上90質量以下とされており、残部が樹脂、溶剤、分散剤とされている。なお、本実施形態では、Ag粉末とガラス粉末とからなる粉末成分の含有量は、Agペースト全体の85質量とされている。また、このAgペーストは、その粘度が10Pas以上500Pas以下、より好ましくは50Pas以上300Pas以下に調整されている。Ag粉末は、その粒径が0.05μm以上1.0μm以下とされており、本実施形態では、平均粒径0.8μmのものを使用した。ガラス粉末は、主成分としてBi2O3、ZnO、B2O3を含むものとされており、そのガラス転移温度が300°C以上450°C以下、軟化温度が600°C以下、結晶化温度が450°C以上とされている。また、Ag粉末の重量Aとガラス粉末の重量Gとの重量比A/Gは、80/20から99/1の範囲内に調整されており、本実施形態では、A/G=80/5とした。溶剤は、沸点が200°C以上のものが適しており、本実施形態では、ジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いている。樹脂は、Agペーストの粘度を調整するものであり、500°C以上で分解されるものが適している。本実施形態では、エチルセルロースを用いている。また、本実施形態では、ジカルボン酸系の分散剤を添加している。なお、分散剤を添加することなくAgペーストを構成してもよい。ここで、本実施形態において用いられるガラス粉末のガラス組成は、Bi2O3:68質量以上93質量以下、ZnO:1質量以上20質量以下、B2O3:1質量以上11質量以下、SiO2:5質量以下、Al2O3:5質量以下、Fe2O3:5質量以下、CuO:5質量以下、CeO2:5質量以下、ZrO2:5質量以下、アルカリ金属酸化物:2質量以下、アルカリ土類金属酸化物:7質量以下、とされている。すなわち、Bi2O3、ZnO、B2O3を必須成分とし、これに、SiO2、Al2O3、Fe2O3、CuO、CeO2、ZrO2、Li2O、Na2O、K2O等のアルカリ金属酸化物、MgO、CaO、BaO、SrO等のアルカリ土類金属酸化物が、必要に応じて適宜添加されたものである。このようなZnOを含有するガラス粉末は、次のようにして製造される。原料として、上述の各種酸化物、炭酸塩もしくはアンモニウム塩を用いる。この原料を、白金坩堝、アルミナ坩堝または石英坩堝等に装入して、溶解炉にて溶融する。溶融条件に特に制限はないが、原料が全て液相で均一に混合されるように、900°C以上1300°C以下、30分以上120分以下の範囲内とすることが好ましい。得られた溶融物を、カーボン、スチール、銅板、双ロール、水等に投下して急冷することにより、均一なガラス塊を製出する。このガラス塊を、ボールミル、ジェットミル等で粉砕し、粗大粒子を分級することにより、上述のガラス粉末が得られる。ここで、本実施形態では、ガラス粉末の中心粒径d50を0.1μm以上5.0μm以下の範囲内としている。次に、Agペーストの製造方法について、図4に示すフロー図を参照して説明する。まず、前述したAg粉末とガラス粉末とを混合して混合粉末を生成する粉末混合工程S1。また、溶剤と樹脂とを混合して有機混合物を生成する有機物混合工程S2。そして、混合粉末と有機混合物と分散剤とをミキサーによって予備混合する予備混合工程S3。次に、予備混合物をロールミル機を用いて練り込みながら混合する混錬工程S4。得られた混錬をペーストろ過機によってろ過するろ過工程S5。このようにして、上述のAgペーストが製出されることになる。次に、本実施形態であるパワーモジュールの製造方法について、図5のフロー図を用いて説明する。まず、回路層12となるアルミニウム板及び金属層13となるアルミニウム板を準備し、これらのアルミニウム板を、セラミックス基板11の一方の面及び他方の面にそれぞれろう材を介して積層し、加圧加熱後冷却することによって、前記アルミニウム板とセラミックス基板11とを接合する回路層及び金属層接合工程S11。なお、このろう付けの温度は、640°C~650°Cに設定されている。次に、金属層13の他方の面に、前述のAgペーストを塗布する第1Agペースト塗布工程S12。なお、Agペーストを塗布する際には、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、感光性プロセス等の種々の手段を採用することができる。金属層13の他方の面にAgペーストを塗布した状態で、加熱炉内に装入してAgペーストの焼成を行う第1焼成工程S13。これにより、第1Ag焼成層図示なしが形成される。なお、このときの焼成温度は、350°C~645°Cに設定されている。そして、第1Ag焼成層の表面にはんだ材を介して放熱板21を積層し、還元炉内においてはんだ接合する放熱板接合工程S14。なお、はんだ接合は、Agのはんだ食われを抑制するため、はんだ付け温度を300°C以下で行い、保持時間を8分以内とした。これにより、金属層13と放熱板21との間に、第1ガラス層41、第1Ag層42、第1はんだ層43を有する第1接合部40が形成され、本実施形態である放熱板付パワーモジュール用基板20が製出される。次に、放熱板21の他方の面側に冷却器31を積層し、固定ネジ22によって固定する冷却器積層工程S15。そして、回路層12の一方の面に、前述のAgペーストを塗布する第2Agペースト塗布工程S16。なお、Agペーストを塗布する際には、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、感光性プロセス等の種々の手段を採用することができる。本実施形態では、スクリーン印刷法によってAgペーストをパターン状に形成した。回路層12の一方の面にAgペーストを塗布した状態で、加熱炉内に装入してAgペーストの焼成を行う第2焼成工程S17。これにより、第2Ag焼成層図示なしが形成される。なお、このときの焼成温度は、350°C~645°Cに設定されている。そして、第2Ag焼成層の表面に、はんだ材を介して半導体素子3を載置し、還元炉内においてはんだ接合する半導体素子接合工程S18。なお、はんだ接合は、Agのはんだ食われを抑制するため、はんだ付け温度を300°C以下で行い、保持時間を8分以内とした。これにより、回路層12と半導体素子3との間に、第2ガラス層51、第2Ag層52、第2はんだ層53を有する第2接合部50が形成され、本実施形態であるパワーモジュール1が製出される。以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール1においては、金属層13と放熱板21との間に、第1ガラス層41、第1Ag層42、第1はんだ層43を有する第1接合部40が形成されており、第1Ag層42が第1ガラス層41の表面の80以上を被覆するように形成され、第1Ag層42の平均厚さtaが1μm≦ta≦20μmの範囲内に設定されているので、パワーサイクル及びヒートサイクルが負荷された場合であっても、4Nアルミニウムからなる金属層13の表面にうねりやシワが発生することが抑制される。よって、放熱板21と金属層13との接合信頼性が向上し、放熱板21によって熱を効率的に放散させることが可能となる。また、回路層12と半導体素子3との間に、第2ガラス層51、第2Ag層52、第2はんだ層53を有する第2接合部50が形成されており、第2Ag層52が第2ガラス層51の表面の80以上を被覆するように形成され、第2Ag層52の平均厚さtaが1μm≦ta≦20μmの範囲内に設定されているので、パワーサイクル及びヒートサイクルが負荷された場合であっても、4Nアルミニウムからなる回路層12の表面にうねりやシワが発生することが抑制される。よって、半導体素子3の接合信頼性に優れたパワーモジュール1を提供することが可能となる。また、金属層13の他方の面に第1ガラス層41が形成され、回路層12の一方の面に第2ガラス層51が形成されているので、これら第1ガラス層41及び第2ガラス層51によって、金属層13及び回路層12の表面に存在する酸化皮膜を除去することができ、金属層13と放熱板21、回路層12と半導体素子3とをはんだ材を介して確実に接合することが可能となる。よって、金属層13及び回路層12の表面にNiめっき膜を設ける必要がない。さらに、本実施形態においては、半導体素子3が搭載される回路層12の一方の面に形成された第2ガラス層51には、その内部に粒径が数ナノメートル程度の微細な導電性粒子が分散されているので、第2ガラス層51において導電性が確保されることになり、回路層12と半導体素子3とを電気的に接続することができる。次に、本発明の第2の実施形態であるパワーモジュール101及び冷却器付パワーモジュール用基板130について、図6、図7を参照して説明する。このパワーモジュール101は、回路層112及び金属層113が配設されたパワーモジュール用基板110と、回路層112の一方の面図6において上面に搭載された半導体素子103と、パワーモジュール用基板110の他方の面側に積層された冷却器131と、を備えている。パワーモジュール用基板110は、絶縁層を構成するセラミックス基板111と、このセラミックス基板111の一方の面図6において上面に配設された回路層112と、セラミックス基板111の他方の面図6において下面に配設された金属層113と、金属層113の他方の面側に配設された緩衝層115と、を備えている。セラミックス基板111は、回路層112と金属層113との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN窒化アルミで構成されている。回路層112及び金属層113は、セラミックス基板111に導電性を有する金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層112及び金属層113は、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板111に接合されることにより形成されている。緩衝層115は、アルミニウム又はアルミニウム合金若しくはアルミニウムを含む複合材例えばAlSiC等で構成されている。冷却器131は、図6に示すように、冷却媒体例えば冷却水を流通するための流路132を備えている。冷却器131は、熱伝導性が良好な材質で構成されることが望ましく、本実施形態においては、A6063アルミニウム合金で構成されている。そして、図7に示すように、A6063アルミニウム合金で構成される冷却器131と緩衝層115との間の第1接合部140においては、冷却器131の一方の面に形成された第1ガラス層141と、この第1ガラス層141に積層された第1Ag層142と、この第1Ag層142に積層された第1はんだ層143と、を備えている。ここで、第1Ag層142が第1ガラス層141の表面の80以上を被覆するように形成されており、第1Ag層142の平均厚さtaが1μm≦ta≦20μmの範囲内に設定されている。また、4Nアルミニウムからなる回路層112と半導体素子103との間の第2接合部150においては、回路層112の一方の面に形成された第2ガラス層と、この第2ガラス層に積層された第2Ag層と、この第2Ag層に積層された第2はんだ層と、を備えている。以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール101及び冷却器付パワーモジュール用基板130においては、アルミニウム合金からなる冷却器131とパワーモジュール用基板110の緩衝層115との間に、第1ガラス層141、第1Ag層142、第1はんだ層143を有する第1接合部140が形成されており、第1Ag層142が第1ガラス層141の表面の80以上を被覆するように形成され、第1Ag層142の厚さtaが1μm≦ta≦20μmの範囲内に設定されているので、パワーサイクル及びヒートサイクルが負荷された場合であっても、アルミニウム合金からなる冷却器131の表面にうねりやシワが発生することが抑制される。よって、冷却器131とパワーモジュール用基板110との接合信頼性が向上し、冷却器131によってパワーモジュール用基板110を効率的に冷却することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、パワーモジュールに用いられるはんだ接合構造を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、金属部材と被接合部材とをはんだ接合するものであれば、用途に限定はない。また、本実施形態では、回路層及び金属層を構成する金属板を純度99.99の純アルミニウムの圧延板として説明したが、これに限定されることはなく、純度99のアルミニウム2Nアルミニウム、又はA6063、A3003などのアルミニウム合金であってもよい。さらには、アルミニウム又はアルミニウム合金ではなく、銅又は銅合金等の他の金属で構成されていてもよい。また、本実施形態では、放熱板及び冷却器を、アルミニウム又はアルミニウム合金、あるいは、銅又は銅合金で構成されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、他の金属材料で構成されたものであってもよい。さらに、絶縁層としてAlNからなるセラミックス基板を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Si3N4やAl2O3等からなるセラミックス基板を用いても良いし、絶縁樹脂によって絶縁層を構成してもよい。また、Agペーストの原料、配合量については、実施形態に記載されたものに限定されることはなく、他のガラス粉末、樹脂、溶剤、分散剤を用いてもよい。軟化温度がアルミ二ウムの融点以下、より好ましくは600°C以下とされていればよい。また、樹脂としては、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を用いてもよい。さらに、溶剤としては、α―テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート等を用いても良い。以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。純度99.99以上のアルミニウム板からなる回路層上に、表1に示す組成のAgペーストを用いて、表1に示す焼成後の厚みを有するAgペースト焼成層を形成し、この焼成層の上に表1に示すはんだ材、はんだ付け接合条件によって半導体素子を接合した。なお、セラミックス基板は、AlNで構成され、27mm×17mm、厚さ0.6mmのものを使用した。また、回路層及び金属層は、4Nアルミニウムで構成され、25mm×15mm、厚さ0.6mmのものを使用した。半導体素子は、IGBT素子とし、13mm×10mm、厚さ0.25mmのものを使用した。Ag層の平均膜厚及び被覆率得られた試験片をダイヤモンドソーで切断し、樹脂埋めして研磨を行った後、EPMAJEOLJXA-8530Fによる元素マッピングを行った。同一試験片から平行に切断された3断面の全長を観察した。Ag層の被覆率は、3断面での[Ag層の被覆長さ/断面の全長]の平均値とした。Ag層の平均膜厚は、3断面の元素マッピング画像を二値化処理したうえでAg層の面積を求め、[Ag層の面積/断面の全長]から算出した。パワーサイクル熱抵抗上昇率初期温度60°Cで、温度差△T=80°Cとなるようにオンオフを繰り返すオンオフをそれぞれ5秒ずつ。この条件で100000サイクル後の素子表面-セラミックス間の熱抵抗を測定し、初期からの上昇率を熱抵抗上昇率とした。Ag層の平均膜厚の厚さが1μm以上20μm以下とされ、Ag層の被覆率が80以上とされた試料1-5においては、パワーサイクルの熱抵抗上昇率が低く、回路層及び金属層とセラミックス基板との接合信頼性が高い。これは、回路層及び金属層の表面にうねりやシワが発生することが抑制されているためと推測される。一方、Ag層の平均膜厚が1μm未満とされた試料8-10においては、パワーサイクルの熱抵抗上昇率が高く、回路層及び金属層とセラミックス基板との接合信頼性に劣ることが確認される。また、Ag層の被覆率が80未満とされた試料6及び7においても、パワーサイクルの熱抵抗上昇率が高く、回路層及び金属層とセラミックス基板との接合信頼性が劣ることが確認される。