"所定材料の膜を形成するための原料を気化させ、気化した前記原料を輸送ガスで輸送してガス放出部から基板に放出することによって該基板上に前記所定材料の膜を成膜する成膜装置において、原料を気化させうる気化手段と、該気化手段と前記ガス放出部との間に輸送ガス及び気化した前記原料の流通経路を設けると共に、前記輸送ガスと同種のガスを前記気化手段を介さずに前記流通経路を用いて前記ガス放出部に供給する第1のガス供給手段を設け、成膜前および成膜停止時に、前記気化手段で気化させた原料を前記ガス放出部に流通させない制御と、前記第1のガス供給手段から前記輸送ガスと同種のガスを前記ガス放出部に供給する制御とを、成膜状態との遷移時に連係して行なうと共に、前記ガス放出部および前記気化手段の圧力が成膜時の圧力となるように前記輸送ガス及び前記輸送ガスと同種のガスを供給する制御を行う一方、成膜時に、前記第1のガス供給手段から前記輸送ガスと同種のガスが前記ガス放出部に流通させない制御と、前記気化手段から前記気化させた原料及び前記輸送ガスを前記ガス放出部に供給する制御とを行い、成膜前から成膜状態、及び成膜状態から成膜停止への原料及び輸送ガスの前記ガス放出部への供給を制御して、前記基板に原料の膜を成膜することを特徴とする成膜装置。請求項1に記載の成膜装置において、前記基板を保持するための基板保持部は、前記ガス放出部に対して、前記基板保持部に保持されるべき基板に対向するように設置され、前記基板保持部に保持される基板の温度を前記原料が気化する温度より低い温度に維持する手段と、前記流通経路の所定の部分および前記ガス放出部を前記原料が気化する温度を超える温度に保持する手段とをさらに含むことを特徴とする成膜装置。請求項2に記載の成膜装置において、前記第1のガス供給手段とは独立して前記ガス放出部に前記輸送ガスを供給する第2のガス供給手段を有して、成膜前および成膜停止時に前記第2のガス供給手段から前記輸送ガスを前記ガス放出部に供給するように制御することを特徴とする成膜装置。請求項3に記載の成膜装置において、成膜状態から成膜停止への遷移時に、前記第1のガス供給手段からの流通を行ったあとに前記第1のガス供給手段からの流通を停止して、前記第2のガス供給手段から前記輸送ガスを前記ガス放出部に供給するように制御することを特徴とする成膜装置。請求項1乃至4のうちの一つに記載の成膜装置において、前記気化手段は、輸送ガスが供給される第1の入り口と、他の気化手段からのガスが供給され得る第2の入り口と、気化した原料と前記輸送ガスを前記流通経路に出力する第1の出口と、ガスを回収システムへ出力する第2の出口とを有することを特徴とする成膜装置。請求項5に記載の成膜装置において、前記気化手段は、前記第1および第2の入り口と前記第1および第2の出口との間に設けられ気体の流通が可能なように前記原料を保持する原料保持部を有していることを特徴とする成膜装置。請求項1乃至6のうちの一つに記載の成膜装置において、前記気化手段を複数設け、1つの気化手段の前記原料が気化される温度に加熱され、残余の気化手段の前記原料が気化しない温度に維持されるように制御することを特徴とする成膜装置。請求項1乃至7のうちの一つに記載の成膜装置において、前記輸送ガスが不活性ガスを主成分とすることを特徴とする成膜装置。請求項1乃至8のうちの一つに記載の成膜装置において、前記輸送ガスが窒素、Xe、Kr、Ar、NeおよびHeの内の少なくとも一つを含むことを特徴とする成膜装置。請求項1乃至9のうちの一つに記載の成膜装置において、前記所定材料が有機EL素子材料であることを特徴とする成膜装置。所定材料の膜を形成するための原料を気化させ、気化した前記原料を輸送ガスで輸送してガス放出部から基板に放出することによって該基板上に前記所定材料の膜を成膜する成膜方法であって、原料を気化させうる気化手段と、該気化手段と前記ガス放出部との間に輸送ガス及び気化した前記原料の流通経路を設けると共に、前記輸送ガスと同種のガスを前記気化手段を介さずに前記流通経路を用いて前記ガス放出部に供給する第1のガス供給手段を設け、成膜前および成膜停止時に、前記気化手段で気化させた原料を前記ガス放出部に流通させない制御と、前記第1のガス供給手段から前記輸送ガスと同種のガスを前記ガス放出部に供給する制御とを、成膜状態との遷移時に連係して行なうと共に、前記ガス放出部および前記気化手段の圧力が成膜時の圧力となるように前記輸送ガス及び前記輸送ガスと同種のガスを供給する制御を行う一方、成膜時に、前記第1のガス供給手段から前記輸送ガスと同種のガスが前記ガス放出部に流通させない制御と、前記気化手段から前記気化させた原料及び前記輸送ガスを前記ガス放出部に供給する制御とを行い、成膜前から成膜状態、及び成膜状態から成膜停止への原料及び輸送ガスの前記ガス放出部への供給を制御して、前記基板に原料の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。請求項11に記載の成膜方法において、前記基板を保持するための基板保持部を、前記ガス放出部に対して、前記基板保持部に保持されるべき基板に対向するように設置すると共に、前記基板保持部に保持される基板の温度を前記原料が気化する温度より低い温度に維持する手段と、前記流通経路の所定の部分および前記ガス放出部を前記原料が気化する温度を超える温度に保持する手段と設けて、成膜前から成膜状態、及び成膜状態から成膜停止への原料及び輸送ガスの前記ガス放出部への供給を制御して、前記基板に原料の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。請求項12に記載の成膜方法において、前記第1のガス供給手段とは独立して前記ガス放出部に前記輸送ガスを供給する第2のガス供給手段を有して、成膜前および成膜停止時に前記第2のガス供給手段から前記輸送ガスを前記ガス放出部に供給するように制御することを特徴とする成膜方法。請求項13に記載の成膜方法において、成膜状態から成膜停止への遷移時に、前記第1のガス供給手段からの流通を行ったあとに前記第1のガス供給手段からの流通を停止して、前記第2のガス供給手段から前記輸送ガスを前記ガス放出部に供給するように制御することを特徴とする成膜方法。請求項11乃至14のうちの一つに記載の成膜方法において、前記気化手段として、輸送ガスが供給される第1の入り口と、他の気化手段からのガスが供給され得る第2の入り口と、気化した原料と前記輸送ガスを前記流通経路に出力する第1の出口と、ガスを回収システムへ出力する第2の出口とを有する気化手段を用い、成膜前から成膜状態、及び成膜状態から成膜停止への原料及び輸送ガスの前記ガス放出部への供給を制御して、前記基板に原料の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。請求項15に記載の成膜方法において、前記気化手段は、前記第1および第2の入り口と前記第1および第2の出口との間に設けられ気体の流通が可能なように前記原料を保持する原料保持部を含み、成膜前から成膜状態、及び成膜状態から成膜停止への原料及び輸送ガスの前記ガス放出部への供給を制御して、前記基板に原料の膜を成膜することを特徴とする成膜方法。請求項11乃至16のうちの一つに記載の成膜方法において、前記気化手段を複数備え、1つの気化手段の前記原料が気化される温度に加熱され、残余の気化手段の前記原料が気化しない温度に維持されるように制御することを特徴とする成膜方法。請求項11乃至17のうちの一つに記載の成膜方法において、前記輸送ガスとして不活性ガスを主成分とするガスを用いて成膜することを特徴とする成膜方法。請求項11乃至18のうちの一つに記載の成膜方法において、前記輸送ガスとして窒素、Xe、Kr、Ar、NeおよびHeの内の少なくとも一つを含むガスを用いて成膜することを特徴とする成膜方法。請求項11乃至19のうちの一つに記載の成膜方法において、前記所定材料は有機EL素子材料であることを特徴とする成膜方法。特許文献2で提案された成膜装置及び成膜方法では、成膜材料の特性に悪影響を与える有機汚染物質、材料分解解離物の発生を抑えることができるため、高品質の薄膜を堆積することができる。したがって、このような成膜装置及び成膜方法を有機EL装置の形成に適用した場合、輝度が高く、寿命の長い高品質の有機EL装置を得ることができる。しかし、特許文献2は、成膜すべき基板が大きい面積を有する場合には、基板の全面積にわたって膜厚等を均一に施すことが困難であった。また成膜速度を高め効率よく成膜することが困難であった。さらに、成膜開始から成膜工程に移行する場合、及び、成膜工程から成膜停止に移行する場合、有機EL原料及び輸送ガス等のガスの温度、流量、圧力を変化させることを提案しているが、工程に応じた雰囲気を迅速、且つ、スムーズに形成することについて、即ち、状態遷移を迅速に行う手段については提案していない。このため、有機EL薄膜を高速で成膜することは困難である。本発明の目的は、大面積の基板であっても均一に成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供することである。また本発明の目的は、成膜速度を高め効率よく成膜することができる成膜装置及び成膜方法を提供することである。さらに本発明の目的は、状態遷移を迅速に行うことができ、この結果、高品質の膜を高速で成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供することである。本発明の他の目的は、複数の有機EL原料を連続的に堆積できる成膜装置及び成膜方法を提供することである。本発明の更に他の目的は、複数成分からなる膜を同時的に成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供することである。本発明の他の目的は、原料ガスと輸送ガスとを基板上に吹き出す吹き出し容器と原料容器とを配管系によって接続して制御する構成を備えた成膜装置を提供することである。本発明の目的は、配管系を有する成膜装置の配管系を改善して、工程遷移を迅速に行うことができる成膜装置を提供することである。本発明の一態様によれば、所定材料の膜を形成するための原料を気化させ、気化した前記原料ガスを輸送ガスで輸送して基板上に前記所定材料の膜を堆積させる成膜方法において、成膜前及び成膜停止時のうちの少なくとも一方の時期に、気化手段内の気相圧力が成膜時と同一圧力になるように気化手段内に輸送ガスを流すことを特徴とする成膜装置、成膜方法が得られる。加えて、成膜前及び成膜停止時のうちの少なくとも一方の時期に、吹き出し容器の気相圧力が成膜時と同一圧力になるように吹き出し容器内に輸送ガスを流すことを特徴とする成膜装置、成膜方法が得られる。気化手段内を流れて気化した原料を輸送するガスは気化手段の外部に排出される。排出されたガスは、たとえば回収系に送られてもよいし、別に設けられた他の気化手段に送られてもよい。この場合、気化手段を構成する原料容器を複数設けて、非成膜時には一つの容器から他の原料容器に、原料ガスを輸送ガスで輸送する。成膜時には、吹き出し容器に輸送ガスと共に原料ガスを吹き出させる。これによって、複数の原料容器の圧力及び温度は、非成膜時及び成膜時に同一に保たれる。気化手段と吹き出し容器内のガス圧力を管理するガス圧力制御部を設け、気化した原料を含む輸送ガスを所定の流量、流速で吹き出し容器に供給する。ガス圧力制御部から送られたガスは、吹き出し容器内に複数個設けられた供給口から吹き出し容器内に吹き出る。このため、大面積の基板でも均一にかつ高速に成膜することが可能になる。本発明では、成膜時と非成膜時との間における遷移を迅速に且つスムーズに行うことにより、有機分子等の残留並びに被着を最低限に抑えることができる。これによって、高品質な膜を形成できる。また、有機EL膜を形成すれば、高品質で長寿命の有機EL膜を形成できる。図1を参照すると、本発明の一実施形態に係る成膜装置が示されおり、ここでは、有機EL膜例えば、発光層であるAlq38hydroxyquinolinealuminum:ホール輸送層であるNPD等を形成するための成膜装置が示されている。図示された成膜装置は、単一の有機EL膜を形成する装置であり、2つの有機EL原料容器I11及びII12と、ガラス等の基板図示せず上に、有機EL分子を吹き出す吹き出し容器15とを有し、2つの有機EL原料容器11、12と吹き出し容器15とは、本発明に係る配管系即ち、流通経路によって接続されている。尚、複数の有機EL膜を形成する場合には、有機EL膜の原料毎に同様な構成が設けられる。吹き出し容器15内には、有機物分子噴出装置151が配置されており、当該有機物分子噴出装置151は、複数のガス分散板ここでは、6つのガス分散板152と、基板と対向するように、セラミック、メタル等によって構成されたフィルタ153とを備えている。この関係で、吹き出し容器15はガス放出部と呼ばれても良い。有機物分子噴出装置151に対向して、ガラス基板等の基板が基板保持部図示せずにより保持され、当該基板の温度は、有機EL膜の原料が気化する温度よりも低い温度に保たれている。他方、配管系の所定部分及び吹き出し容器15は、有機EL膜の原料が気化する温度よりも高い温度に維持されている。この関係で、基板保持部、配管系、及び、吹き出し容器15には、それぞれ所定の温度に制御するための温度制御装置図示せずが設けられている。一方、2つの有機EL原料容器11、12は、有機EL材料を蒸発させる蒸発皿及びヒータを備え、図示された2つの有機EL原料容器11、12は、同一の有機EL原料が保持されて原料保持部としての機能を備えると共に、容器11、12中の有機EL材料を気化させる気化装置としての機能も備えている。図でオリフィスとして示されているのは、オリフィスとバルブとを備えたガス圧力を調整制御するためのガス圧力制御部である。更に、図示された配管系は、キセノンXe、アルゴンAr、クリプトンKr等の輸送ガスを吹き出し容器15内に導く輸送ガス用配管系と、有機EL原料容器11、12と吹き出し容器15とを接続する有機EL分子ガス用配管系とを有し、有機EL原料容器11、12にも輸送ガス導入、排気用の配管が設けられている。図示された輸送ガス用配管系は、吹き出し容器15の上下2つのガス分散板152に輸送ガスを供給するための第1の配管と、吹き出し容器15の中央に配置された4つのガス分散板152にガスを供給する第2の配管とを備えている。ここで、第1の配管はバルブV1、マスフローコントローラMFC1、及び、オリフィス2を介して2つのガス分散板152に接続されており、他方、第2の配管はバルブV2、MFC2、バルブV17、及び、オリフィス1を介して4つのガス分散板152に接続されている。他方、有機EL原料容器11の上流側には、輸送ガス導入用の配管が設けられており、当該配管は2つのバルブV3及びV5と、これら2つのバルブV3、V5間に設けられたMFC3とを備え、他方、輸送ガス排気用の配管として、バルブV6を有する配管が設けられている。また、有機EL原料容器11の下流側には、バルブV9、V16、及びV14を介してオリフィス1に接続された配管系が設けられ、更に、バルブV10及びV13を介してオリフィス1に接続された配管系が設けられている。これらのバルブ、オリフィス1、及び、MFC3によって有機EL原料容器11から吹き出し容器15に至る第1のガス供給手段を構成している。同様に、有機EL原料容器12の上流側には、輸送ガス導入用の配管が設けられており、当該配管は2つのバルブV4及びV7と、これら2つのバルブV3、V5間に設けられたMFC4とを備え、他方、輸送ガス排気用の配管として、バルブV8を有する配管が設けられている。また、有機EL原料容器12の下流側には、バルブV11、V15、及びV13を介してオリフィス1に接続された配管系が設けられ、更に、バルブV12及びV14を介してオリフィス1に接続された配管系が設けられ、これらによって、有機EL原料容器12から吹き出し容器15に至る第2のガス供給手段を構成している。図示された配管系のうち、各有機EL原料容器11、12からオリフィス1に至る配管系V9,V16,V14と、V11,V15,V13とは互いに等しい長さを有し、且つ、オリフィス1から、供給口を構成する4つのガス分散板152までの配管の長さも互いに等しい。換言すれば、有機EL分子ガスを供給する供給口を2nnは正整数個設けることにより、オリフィス1からこれら供給口に至る配管の長さを等しくすることができる。即ち、各有機EL原料容器11、12から供給口に至る配管系は互いに対称になるように配管されており、この結果、互いに等しい長さを有している。このことは、有機EL原料容器11からバルブV10,V13を介してオリフィス1に接続される配管系と、有機EL原料容器12からバルブV12,V14を介してオリフィス1に接続される配管系についても同様である。前述した配管系によって構成されるガス供給システムは、大気圧近傍の圧力に保たれており、他方、吹き出し容器15内の圧力は1~数10Torrに維持される。両者間の圧力差を維持するために、図示された例では、オリフィス1及び2が設けられている。また、輸送ガスの流量はMFC1~4によって行われ、更に、有機EL分子吹き出し容器15内のガス供給口の数は2n個設置されているため、圧力調整用オリフィス1から各ガス供給口までの配管の長さを同じにすることができる。いずれにしても、上記した配管系を備えることにより、各ガス供給口にガスを同時に同一の圧力で到達させることができる。図1に示された例では、2つ設けられた有機EL原料容器11、12のうち、原料容器11が温度T1で有機EL分子を供給しており、原料容器12は有機EL分子が絶対に気化しない温度T2に昇温して、表面吸着不純物例えば水分や有機物不純物を除去するためのクリーニングパージが行われている。この場合、有機EL原料容器11から吹き出し容器15までの配管系の温度は、有機EL分子が配管系の内壁に吸着しないように有機EL分子供給中の原料容器例えば、11の温度T1より高く保たれている。例えば、有機EL原料がAlq3の場合、温度T1は約270°Cであり、吹き出し容器15の温度は約300°Cであり、配管系の温度は270°C~300°Cに保たれ、他方、原料供給していない原料容器12の温度T2は100~220°Cに保たれている。以下、図1に示された成膜装置の動作シーケンスを図2~4をも参照して説明する。ここでは、成膜開始前、成膜時、及び、成膜停止時における動作モードをそれぞれモード1、モード2、及び、モード3として説明する。図2を参照すると、成膜開始前のモード1の状態が、バルブV1からバルブV17の開閉状態によって特徴付けられている。図2において、グレイに着色されたバルブは開状態にあり、着色されていないバルブは閉状態にあるものとする。具体的に云えば、図2に示されたモード1では、バルブV1、V2、V3、V5、V8、V10、V11、V15、及び、V17が開状態にあり、他方、バルブV4、V6、V7、V9、V12、V13、V14、及び、V16が閉状態にある。したがって、モード1においては、バルブV1からMFC1及びオリフィス2を介して、バルブV2からMFC2、バルブV17、及び、オリフィス1を介して、Xe、Kr、Ar、N2等の輸送ガスだけが吹き出し容器15に流れていて、吹き出し容器15内の圧力、及び、基板上の圧力は所定の圧力に制御されている。この場合、例えば、吹き出し容器15内の圧力は10Torr、基板上の圧力は1mTorrに制御される。モード1の状態では、バルブV3,V5,V10,V15,V11,V8が開状態にあるから、有機EL分子を供給する側の有機EL原料容器11に導入された輸送ガスはV3,MFC3,V5,V10,V15,及び、V11の経路で、有機EL原料容器12に導かれた後、バルブV8を介して排気されている。このように、成膜開始前の状態では、一方の原料容器11から他方の原料容器12に対して輸送ガスが与えられており、両原料容器11及び12の温度は同一に保たれている。図3を参照すると、成膜時におけるモードIIの状態が示されている。図3に示されているように、モードIIでは、バルブV1、V3、V4、V5、V7、V8、V10、V13が開状態になり、他方、バルブV2、V6、V9、V11、V12、V14、V15、V16、V17が閉状態になる。この結果、輸送ガスがV1,MFC1及びオリフィス2を介して、吹き出し容器15の上下の供給口に与えられると共に、原料容器11で気化した有機EL分子ガスがバルブV3,MFC3,バルブV5の経路で導入される輸送ガスによって、V10,V13,及び、オリフィス1の経路で、吹き出し容器15内に供給される。このモード2では、バルブV2、MFC2、V17、及び、オリフィス1を介して供給されていた輸送ガス流量f1は停止されている。他方、吹き出し容器15内圧力やチャンバ内圧力を一定に保つために、吹き出し容器15に有機EL分子を供給する原料容器11からの輸送ガス流量は、原則、上記流量f1に一致させておくことが望ましい。即ち、V10,V13,及び、オリフィス1の経路における輸送ガス流量は、モード1において、V2、MFC2、V17、及び、オリフィス1の経路で供給されていた輸送ガスの流量f1に等しいことが望ましい。図4を参照して、成膜停止時におけるモードIIIを説明する。モードIIの状態からモードIIIの状態に移行する場合、V13を閉、V15を開にすると共に、同時に、V2、V17を開にする。即ち、モードIIIでは、バルブV1,V2,V3,V5,V8,V10,V11,V15,V17が開状態となり、他方、バルブV4,V6,V7,V9,V12,V13,V14,V16が閉状態となり、モードIと同じ状態となる。モードIIIでは、V13が閉状態、V15が開状態になるため、有機EL分子を含む輸送ガスがモードIIにおける流量f1で原料容器11側から原料容器12に流れる。他方、バルブV2,V17が開状態となることによって、輸送ガスがモードIと同じ流量f1でオリフィス1を介して吹き出し容器15内に流れる。この輸送ガスによって、モードIIで開状態にあったバルブV13,V14から吹き出し容器15までの配管中の有機EL分子、バルブV17から吹き出し容器15までの配管中の有機EL分子は吹き出されてしまう。このため、成膜停止時の有機EL分子の切れは極めて速い。バルブV13,V15は有機EL分子を含むガスを排出する制御部として動作する。以上説明したように、本発明に係る成膜装置はモードIからIIIの動作シーケンスで動作を行う。上記した動作シーケンスは原料容器11から有機EL分子を供給する場合について説明したが、原料容器12からから有機EL分子を供給する場合、前述した動作とは全く対称的な動作が行われ、同様な処理が行われる。この場合、図1~4に示された配管系は、原料容器11と12に関して全く対称的な構造を有しているから、原料容器12から有機EL分子を供給する場合にも、原料容器11から有機EL分子を供給する場合と全く同一の動作が行われる。尚、図示された例では、非成膜状態に切り替える際、有機EL分子を含む輸送ガスを原料容器の一方原料が気化する温度になっているから他方原料が気化しない温度になっているへと流通させ、他方の原料の水分等を分離排出するために用いられたのち排出系ガス回収系等に排出されているが外部ガス回収系等へ直接排出されても良い。図5を参照して、本発明の他の実施形態に係る成膜装置を説明する。図5では、ガラス等の基板上に、順次、有機EL膜を形成して有機EL装置を製造するのに使用される成膜装置が示されており、ここでは、基板上に6層の膜を順次成膜する。この場合、730×920mmから3000×5000mmまでのサイズの基板を使用できる。図示された成膜装置は隔壁1~7によって6つの吹き出し容器を備え、基板は6つの吹き出し容器の上部を図の左から右に進行し、各吹き出し容器上において、有機EL膜が成膜される。各吹き出し容器には、図1から図4に示されたような配管系が接続されている。具体的には、吹き出し容器の進行方向の幅は100mm、隔壁ピッチは200mm、吹き出し容器-基板間距離は20mm、隔壁-基板間距離は2mm、チャンバ内圧力は1mTorr、成膜部の全体の長さは1200mmである。全ての吹き出し容器をまったく同じ構造にすると共に、同じ配管系を接続して、流すキャリア流量も同じにする。各吹き出し容器の温度は有機EL分子の個性に合わせて設定することが望ましい。また、吹き出し容器はステンレスで製作することが望ましく、吹き出し容器の吹き出し部はステンレスフィルターとし、本体に溶接施工する。尚、吹き出し容器内面全てをAl2O3処理しても良い。図6を参照して、本発明の他の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する。この実施形態では、有機EL装置を形成する3成分C材料、D材料、及び、Alq3材料とするを同時的に成膜する場合の構成が示されている。このため、図示された成膜装置はC材料容器11a、D材料容器11b、及びAlq3材料容器11cと、単一の吹き出し容器15とを備えている。材料容器11a~11cはそれぞれ複数個備えられており、材料容器11a~11cと吹き出し容器15とは、それぞれ図1~4に示された配管系図示省略によって接続されている。即ち、図6では、材料容器11aの配管系がバルブV3a,MFC3a,バルブV5a,バルブV10a,17a、及び、オリフィス1aによって特徴付けられており、同様に、材料容器11bの配管系がバルブV3b,MFC3b,バルブV5b,バルブV10b,17b、及び、オリフィス1bによって、更に、材料容器11cの配管系がバルブV3c,MFC3c,バルブV5c,バルブV10c,17c、及び、オリフィス1cによって特徴付けられている。尚、図示された例では、バルブV21、MFC5、バルブV22、及び、オリフィス3によって構成される混合促進用ガス供給用の配管系が設けられている。材料容器11a~11cの配管系は、それぞれ図1~4で説明された形式で制御されるため、成膜時も非成膜時も同じガス流量で輸送ガスが供給、排気される。ここで、混合促進用ガスの流量をf1とし、C、D、及び、Alq3からなる有機EL分子供給用ガスの流量をそれぞれf2、f3、及び、f4とすると、吹き出し容器15からのガス吹き出し量f0はf1f2f3f4であらわされる。吹き出し温度を300°Cとした場合、f0は150cc/min程度が好ましい。この場合、f1は50cc/min程度が望ましい。このため、f2f3f4は100cc/min程度となり、過度に流量の少ないものが無い様に設定することが好ましい。具体的には、100cc/min>f2,f3,f4>1cc/minの範囲が好ましい。有機EL膜の各成分の濃度は、ガス流量f2,f3,f4と材料容器11a~11cの温度T1’~T3’を制御することによって調整できる。吹き出し容器15の温度T0を300°Cとした場合、材料容器11a~11cの温度T1’~T3’は例えば、200°C、210°C、及び、270°Cであり、各材料容器11a~11cと吹き出し容器15との間の配管系の温度は、それぞれ、T0とT1’、T0とT2’、T0とT3’との間の温度に設定され、これによって、有機EL分子が配管系の表面に吸着しないようにすることができる。尚、吹き出し容器15内のガス圧力は、粘性流域で十分に原料ガスが混合されるような圧力例えば、数Torrから数10Torrの圧力になるようにフィルタを選択することが望ましい。"