第1のp層と、第1のn層と、前記第1のp層と前記第1のn層の間に設けられる第1のi層と、第2のp層と、第2のn層と、前記第2のp層と前記第2のn層の間に設けられる第2のi層と、前記第1のn層と前記第2のp層の間に設けられる第1の絶縁層と、前記第1のp層とは異なるp層を介して前記第1のp層と接続され、前記第2のp層とは異なるp層を介して前記第2のp層と接続される第1の貫通電極と、前記第1のn層とは異なるn層を介して前記第1のn層と接続され、前記第2のn層とは異なるn層を介して前記第2のn層と接続される第2の貫通電極と、を有し、前記第1のi層の膜厚は、前記第1のp層の膜厚及び前記第1のn層の膜厚よりも厚く、前記第2のi層の膜厚は、前記第2のp層の膜厚及び前記第2のn層の膜厚よりも厚いことを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1のp層とは異なるp層は、第3のp層であり、前記第2のp層とは異なるp層は、第4のp層であり、前記第1のn層とは異なるn層は、第3のn層であり、前記第2のn層とは異なるn層は、第4のn層であり、前記第3のp層と前記第4のp層の間、及び、前記第3のn層と前記第4のn層の間に、前記第1の絶縁層が設けられることを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1のp層とは異なるp層と、前記第2のp層とは異なるp層は、同一のp層であり、前記第1のn層とは異なるn層と、前記第2のn層とは異なるn層は、同一のn層であることを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1の貫通電極と前記第2の貫通電極は、フェルミ準位が互いに異なることを特徴する太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1のp層と前記第2のp層は、バンドギャップが互いに異なり、前記第1のi層と前記第2のi層は、バンドギャップが互いに異なり、前記第1のn層と前記第2のn層は、バンドギャップが互いに異なることを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1のp層と前記第1のi層の間に設けられる第2の絶縁層と、前記第1のi層と前記第1のn層の間に設けられる第3の絶縁層と、前記第2のp層と前記第2のi層の間に設けられる第4の絶縁層と、前記第2のi層と前記第2のn層の間に設けられる第5の絶縁層とをさらに有することを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1の絶縁層と前記第2のp層の間に設けられる第1の導電膜をさらに有し、前記第1の導電膜は、前記第2のp層、前記第2のi層及び前記第2のn層が吸収する波長の光に対する吸収率が、前記第2のp層、前記第2のi層、及び前記第2のn層よりも低いことを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1の貫通電極又は前記第2の貫通電極と接続される太陽電池セルをさらに有し、前記太陽電池セルは、単一のpn接合又は単一のpin接合を有することを特徴とする太陽電池。第1のp層と、第1のn層と、前記第1のp層と前記第1のn層の間に設けられる第1のi層と、第2のp層と、第2のn層と、前記第2のp層と前記第2のn層の間に設けられる第2のi層と、前記第1のn層と前記第2のp層の間に設けられる第1の絶縁層と、前記第1のp層、前記第1のn層、前記第1のi層、前記第2のp層、前記第2のn層、前記第2のi層、及び前記第1の絶縁層を貫通する第1の貫通電極と、前記第1のp層、前記第1のn層、前記第1のi層、前記第2のp層、前記第2のn層、前記第2のi層、及び前記第1の絶縁層を貫通し、前記第1の貫通電極とはフェルミ準位が異なる第2の貫通電極と、を有し、前記第1のi層の膜厚は、前記第1のp層の膜厚及び前記第1のn層の膜厚よりも厚く、前記第2のi層の膜厚は、前記第2のp層の膜厚及び前記第2のn層の膜厚よりも厚いことを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記第1の貫通電極は、第3のp層を介して前記第1のp層と接続され、第4のp層を介して前記第2のp層と接続され、前記第2の貫通電極は、第3のn層を介して前記第1のn層と接続され、第4のn層を介して前記第2のn層と接続され、前記第3のp層と前記第4のp層の間、及び、前記第3のn層と前記第4のn層の間に、前記第1の絶縁層が設けられることを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記第1の貫通電極は、第3のp層を介して前記第1のp層及び前記第2のp層と接続され、前記第2の貫通電極は、第3のn層を介して前記第1のn層及び前記第2のn層と接続されることを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記第1のp層と前記第2のp層は、バンドギャップが互いに異なり、前記第1のi層と前記第2のi層は、バンドギャップが互いに異なり、前記第1のn層と前記第2のn層は、バンドギャップが互いに異なることを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記第1のp層と前記第1のi層の間に設けられる第2の絶縁層と、前記第1のi層と前記第1のn層の間に設けられる第3の絶縁層と、前記第2のp層と前記第2のi層の間に設けられる第4の絶縁層と、前記第2のi層と前記第2のn層の間に設けられる第5の絶縁層とをさらに有することを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記第1の絶縁層と前記第2のp層の間に設けられる第1の導電膜をさらに有し、前記第1の導電膜は、前記第2のp層、前記第2のi層及び前記第2のn層が吸収する波長の光に対する吸収率が、前記第2のp層、前記第2のi層、及び前記第2のn層よりも低いことを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記第1の貫通電極又は前記第2の貫通電極と接続される太陽電池セルをさらに有し、前記太陽電池セルは、単一のpn接合又は単一のpin接合を有することを特徴とする太陽電池。太陽電池セルにおける光吸収と電流損失低減とを両立させる技術の候補として、交互積層されたpn接合の並列接続により太陽電池セルを構成する手法が、特許文献1で提案されている。この手法の利点は、各々のp層およびn層の膜厚を薄くしても、積層数を増やすことで十分な光吸収を確保できるという点にある。しかしながら、特許文献1に記載された手法では、光吸収を担う層がp層およびn層に設定されており、発生する少数キャリアの寿命が必然的に短くなるという問題があった。p層とn層との間にi層を挿入する方式の記載もあるが、その目的は界面の質の向上であり、光吸収を担うのに十分な膜厚は確保されていない。本発明の目的は、上述のような、光吸収層における少数キャリア寿命が短いという問題を解決することで、電流損失の低減を実現することである。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち代表的なものを簡単に説明すれば、次のとおりである。第1に、太陽電池であって、第1のp層と、第1のn層と、第1のp層と第1のn層の間に設けられる第1のi層と、第2のp層と、第2のn層と、第2のp層と第2のn層の間に設けられる第2のi層と、第1のn層と第2のp層の間に設けられる第1の絶縁層と、第1のp層とは異なるp層を介して第1のp層と接続され、第2のp層とは異なるp層を介して第2のp層と接続される第1の貫通電極と、第1のn層とは異なるn層を介して第1のn層と接続され、第2のn層とは異なるn層を介して第2のn層と接続される第2の貫通電極と、を有し、第1のi層の膜厚は、第1のp層の膜厚及び第1のn層の膜厚よりも厚く、第2のi層の膜厚は、第2のp層の膜厚及び第2のn層の膜厚よりも厚いことを特徴とする。第2に、太陽電池であって、第1のp層と、第1のn層と、第1のp層と第1のn層の間に設けられる第1のi層と、第2のp層と、第2のn層と、第2のp層と第2のn層の間に設けられる第2のi層と、第1のn層と第2のp層の間に設けられる第1の絶縁層と、第1のp層、第1のn層、第1のi層、第2のp層、第2のn層、第2のi層、及び第1の絶縁層を貫通する第1の貫通電極と、第1のp層、第1のn層、第1のi層、第2のp層、第2のn層、第2のi層、及び第1の絶縁層を貫通し、第1の貫通電極とはフェルミ準位が異なる第2の貫通電極と、を有し、第1のi層の膜厚は、第1のp層の膜厚及び第1のn層の膜厚よりも厚く、第2のi層の膜厚は、第2のp層の膜厚及び第2のn層の膜厚よりも厚いことを特徴とする。本発明によると、太陽電池セルにおける光吸収と電流損失低減とを両立させることができる。実施例1図1は、本発明の実施例1に係る太陽電池セル構造の断面図の概略である。通常の太陽電池セルは、単一のpn接合あるいは単一のpin接合のみを有するが、一方、本発明の太陽電池セルは、複数のpin接合31が積層された構造を有する。ここで、本発明の太陽電池セルの特徴として、pin接合31のうちi層1の膜厚は、後述する効果を得るために、p層11やn層21の膜厚よりも厚くするという点を挙げておく。隣接するpin接合31の間には絶縁膜41が挿入されている。また、これらの積層されたpin接合を貫通する貫通電極が存在し、pin接合31同士は、この貫通電極によって電気的に並列接続される。貫通孔側面部には、図1に示すように、それぞれp層11、i層1、n層21を貫通して設けられる貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24が形成され、従って、i層1の周囲に鍵型のp層およびn層が形成される。この結果、i層1での光吸収により発生する電子と正孔とが、鍵型のp層およびn層の生成する内蔵電界により、互いに逆向きに移動する。すなわち、電子はi層1からn層21、さらに貫通孔側面部n層24へと移動し、一方、正孔はi層1からp層11、さらに貫通孔側面部p層14へと移動する。貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24は、それぞれ貫通電極と電気的に接続される。貫通電極は、貫通孔側面部p層14と接するか、貫通孔側面部n層24と接するかによって二種類に分けられ、ここではそれぞれp層側貫通電極51、n層側貫通電極52と呼ぶ。太陽電池セルの表面または裏面には電極が設けられ、それらが貫通電極と電気的に接続される。ここでは、p層側貫通電極51と接する電極をp層側電極53、n層側貫通電極52と接する電極をn層側電極54と、それぞれ呼ぶ。図1には、p層側電極53、n層側電極54が、ともに太陽電池セルの裏面に配置された例を示しているが、ともにセルの表面に配置してもよいし、また、一方を表面、もう一方を裏面にそれぞれ配置してもよい。セルの表面および裏面において、電極の存在しない領域は、表面絶縁膜42または裏面絶縁膜43で覆われる。なお、図1では、すべての層が平坦な膜として描かれているが、反射低減や光閉じ込めの目的のためのテクスチャ化の処理を施してもよい。また、表面絶縁膜42上に反射防止膜を追加してもよい。図2は、本発明の実施例1に係る太陽電池セル構造を裏面から見た図の概略である。p層側電極53およびn層側電極54が、それぞれ櫛形に形成され、外部の電極端子との接続部となる。図2のA-B線断面図が、図1に対応する。次に、本発明の太陽電池セルの動作機構を説明する。セルに入射した太陽光は、i層1、p層11、n層21のいずれかの層において吸収され、電子正孔対を発生させる。このとき、上述のように、i層1の膜厚が、p層11やn層21の膜厚よりも厚いという特徴の結果として、i層1で吸収される光量が、p層11やn層21で吸収される光量よりも多くなり、従って、i層1が電子正孔対の主な発生箇所となる。発生した電子と正孔は、pin接合31の内蔵電界によるドリフト運動、および拡散運動によって、それぞれn層21、p層11へと移動する。n層21に到達した電子、およびp層11に到達した正孔は、貫通孔側面部p層14と貫通孔側面部n層24が生成する内蔵電界によるドリフト運動、および拡散運動によって、それぞれn層側貫通電極52、p層側貫通電極51へと移動する。貫通電極に到達した電子と正孔は、それぞれn層側電極54およびp層側電極53へと移動し、外部に出力電流を発生させる。なお、隣接するpin接合31同士の間に挿入される絶縁膜41は、一方のpin接合31中のp層11と、隣接するpin接合31のn層21との電気的絶縁の役割を果たすのに加えて、界面パッシベーションの効果ももたらす。表面絶縁膜42および裏面絶縁膜43も、同様にパッシベーション膜として機能する。特許文献1に係る発明と本発明との最大の差異は、光吸収を主に担う層が、特許文献1に記載の太陽電池ではp層11およびn層21であるのに対し、本発明の太陽電池ではi層1であるという点にある。特許文献1にも、pn接合ではなくpin接合を用いる技術の記載があるが、その目的はpin接合界面の質の向上とされており、従って、i層は、光吸収を主に担うのに十分な膜厚を有していない。それに対して、本発明の太陽電池は、上記のように、i層1の膜厚が、p層11やn層21の膜厚よりも厚いことを特徴としており、従って、i層1が光吸収を主に担うことになる。光吸収がi層で起こるか、それともp層あるいはn層で起こるか、という違いが太陽電池特性に与える影響を説明する。p層あるいはn層が光吸収を担う場合、p層で発生する電子、およびn層で発生する正孔は、ともに少数キャリアであるため寿命が短く、その結果、それぞれがn層あるいはp層へ到達する以前に再結合する確率が高い。これに対して、i層が光吸収を担う場合は、発生する電子および正孔の寿命は、少数キャリアの寿命と比べて非常に長いため、再結合することなく、それぞれn層あるいはp層へ到達する確率が高くなる。従って、これら二方式の違いは、太陽電池セルの出力電流に影響し、i層が光吸収を担う場合のほうが、p層あるいはn層が光吸収を担う場合に比べて、大きな出力電流を得ることができる。以上で詳述した通り、本実施例に係る太陽電池は、第1のp層11と、第1のn層21と、第1のp層と第1のn層の間に設けられる第1のi層1と、第2のp層11と、第2のn層21と、第2のp層と第2のn層の間に設けられる第2のi層1と、第1のn層と第2のp層の間に設けられる第1の絶縁層41と、第1のp層とは異なるp層を介して第1のp層と接続され、第2のp層とは異なるp層を介して第2のp層と接続される第1の貫通電極51と、第1のn層とは異なるn層を介して第1のn層と接続され、第2のn層とは異なるn層を介して第2のn層と接続される第2の貫通電極52と、を有し、第1のi層の膜厚は、第1のp層の膜厚及び第1のn層の膜厚よりも厚く、第2のi層の膜厚は、第2のp層の膜厚及び第2のn層の膜厚よりも厚いことを特徴とする。係る特徴を有することにより、以下の効果を奏することができる。まず、第1の貫通電極が、第1のp層とは異なるp層を介して第1のp層と接続され、第2のp層とは異なるp層を介して第2のp層と接続されることにより、i層1の周囲に、上述した鍵型のp層を形成することが可能となる。n層についても同様に、第2の貫通電極が、第1のn層とは異なるn層を介して第1のn層と接続され、第2のn層とは異なるn層を介して第2のn層を接続されることにより、i層1の周囲に、鍵型のn層を形成することが可能となる。この結果、i層1での光吸収により発生する電子と正孔とが、鍵型のp層およびn層の生成する内蔵電界により、互いに逆向きに移動させることが可能となる。さらに、第1のi層の膜厚が第1のp層の膜厚及び第1のn層の膜厚よりも厚く、第2のi層の膜厚が第2のp層の膜厚及び第2のn層の膜厚よりも厚いことにより、p層あるいはn層が光吸収を担う場合に比べて大きな出力電流を得ることが可能となる。ここで、第1のp層とは異なるp層第2のp層とは異なるp層としては、2つの構造を想定している。具体的には、図1のように第1のp層とは異なるp層及び第2のp層とは異なるp層が、それぞれ絶縁層41を介して独立したp層14になる構造と、後述する図4のように、絶縁層41を介さないp層14として一体に形成される構造である。図1の構造と、後述する図4の構造とを比較すると、図1の構造は、第1のp層とは異なるp層と第2のp層とは異なるp層とが電気的に絶縁されているため、一方のp層に欠陥が存在する場合でも、もう一方のp層に影響が及ばないという利点がある。本願発明の技術的思想は、これら2つの構造の両方を包含するものである。図3は、本実施例1における太陽電池セルの製造方法を示す図である。以下、図3に基づいて、本発明の太陽電池セルの構成材料および製造方法を説明する。まず、基板61上に、表面絶縁膜42から裏面絶縁膜43までの膜を形成する。基板61の材料は特に限定されず、例えばSi基板、石英基板、ガラス基板などを用いることができる。図3は、基板61が透明で、p層側電極53およびn層側電極54がともにセル裏面側に配置される場合の製造方法の一例である。この場合、図3aに示すように、基板61上には、まず表面絶縁膜42が形成される。製造方法は、基板61の種類、および、電極が表面側と裏面側のどちらに配置されるかによって異なる。例えば、基板61が透明でない場合、太陽電池セルの最終的な構造において、基板61が表面側にないのが望ましい。そのためには、基板61上に裏面絶縁膜43から順に形成するか、あるいは、基板61上に表面絶縁42から順に形成し、最後に基板61を切り離すか、のいずれかの方法をとる必要がある。なお、図3bから図3fまでの図には基板61を示していない。その後、図3bに示すように、絶縁膜41を介してpin接合31が複数層積層する形で形成される。太陽電池セルのpin接合31を形成する半導体材料は、特に限定されず、例えばSi、CdTe、CuInGaSe、InP、GaAs、Geなどがあり、これらは単結晶、多結晶、微結晶、アモルファスなど種々の構造をとりうる。これら半導体層の形成は、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法により行う。絶縁膜41の材料としては、SiO2、SiN窒化シリコンなどのように、上記半導体材料の化合物を用いてもよいし、その他の絶縁体を用いてもよい。絶縁層41の形成は、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法により行うことができ、さらに、上記絶縁体が半導体材料の化合物である場合には、上記半導体層の酸化、窒化などにより行うこともできる。その後、図3cに示すように、貫通孔62を形成する。貫通孔62の形成は、レーザー、フォトリソグラフィー、エッチングなどの手法により行う。p層側電極53とn層側電極54がいずれもセル裏面側に配置される場合、貫通孔は、少なくとも裏面絶縁膜43から、表面絶縁膜42直下のpin接合31までを貫通する必要があるが、さらに表面絶縁膜42および基板61を貫通してもよい。貫通孔62の形成をレーザーにより行う場合に、基板61を貫通しないためには、表面絶縁膜42として、貫通防止のバリア性をもつ膜を用いる方法がある。例えば、表面絶縁膜42を二層構造とし、そのうち基板61と接する膜としてSiN窒化シリコン、pin接合31と接する膜としてSiO2をそれぞれ用いる方法がある。この方法では、SiO2が熱伝導度の低い膜であるため、下部の積層されたpin接合31がレーザーにより加熱されても、基板61への熱伝導が抑制される。また、pin接合31を形成する半導体材料がSiである場合、SiO2をパッシベーション膜とすることで、SiNをパッシベーション膜とする場合よりも低い界面準位密度を実現することができる。SiNは、基板61に含まれる不純物がpin接合31に拡散するのを抑制する役割を果たす。この積層構造を用いることで、基板61への貫通孔形成の防止と、良好な界面パッシベーションと、基板61中不純物の拡散防止との三点を同時に実現することができる。なお、貫通孔形成時に、ばりが発生しないように、貫通孔形成は真空引きされた空間で行うのが望ましい。その後、図3dに示すように、p層側貫通電極51、およびn層側貫通電極52を形成する。貫通電極の形成は、スパッタ法、蒸着法、CVD法などの成膜法、あるいは印刷法により行う。貫通電極材料としては、金属、あるいは、電気抵抗を低くするために高濃度に不純物添加された半導体を用いる。後述のように、貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24の形成を不純物拡散により行うために、p層側貫通電極51とn層側貫通電極52とは、それぞれアクセプター、ドナーとなる元素を含む必要がある。また、貫通電極が金属の場合、p層側貫通電極51の材料の仕事関数が、n層側貫通電極52の材料の仕事関数よりも小さな値を有することが望ましく、貫通電極が半導体の場合、p層側貫通電極51としてp型半導体を、n層側貫通電極52としてn型半導体を、それぞれ用いるのが望ましい。これにより、i層1での光吸収で発生し、その後、n層21に到達した電子、およびp層11に到達した正孔を、それぞれn層側貫通電極52、およびp層側貫通電極51へとドリフト運動させる内蔵電界を増大させることができる。その後、電極焼成の熱処理を行い、それにより同時に、あるいは続けて熱処理を加えることで、貫通電極に含まれるアクセプターおよびドナーを、pin接合31へと拡散させることにより、図3eに示すように、貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24を形成する。なお、本実施例1では、貫通電極を、貫通孔側面部p層および貫通孔側面部n層よりも先に形成しているが、貫通電極の形成前に、イオン注入、気相拡散法、固相拡散層などの不純物拡散法により、貫通孔側面部p層および貫通孔側面部n層を形成し、その後、貫通電極を形成してもよい。この場合は、貫通電極の材料にアクセプターあるいはドナーが含まれている必要はない。電極は、貫通電極の形成時に同時に形成するか、あるいは、図3fに示すように、貫通電極形成後に別途形成する。電極材料としては、電気抵抗の低い金属が望ましい。p層側電極53の材料とn層側電極54の材料とは、同種でも異種でもよい。電極の形成は、印刷法で行うのが一般的であるが、スパッタ法、蒸着法、CVD法などの成膜法により行ってもよい。電極の幅は任意であるが、太陽電池セルの表面に電極が形成される場合には、電極による遮蔽損失と、電極の電気抵抗とを考慮し、最適な電極幅を決定する必要がある。太陽電池セルの裏面に電極が形成される場合には、p層側電極53とn層側電極54とが接触して短絡する恐れのない範囲内で、可能な限り電極幅を太くすることで、電極の電気抵抗減少と、入射光のセル裏面での反射率向上とを同時に実現することができる。図2の縦方向に伸びる電極と、図2の横方向に伸びる電極とは、電極材料および電極幅が互いに異なってもよい。上記工程に加えて、各々の膜の結晶性や膜質の改善のため、あるいは隣接膜との界面の質を向上させるための熱処理、プラズマ処理などを適宜追加してもよい。実施例2図4は、本発明の実施例2に係る太陽電池セル構造の断面図の概略である。この構造の特徴は、実施例1の太陽電池セルにおいて、異なるpin接合31と接続される貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24とが、絶縁膜41で互いに電気的に絶縁されないということである。本実施例2によれば、貫通孔側面部p層14と、p層側貫通電極51およびp層側電極53との接触面積、および貫通孔側面部n層24と、n層側貫通電極52およびn層側電極54との接触面積とを、実施例1の場合に比べて、ともに増大させることができ、その結果、上記接触部の接触抵抗を低減させることができる。また、本実施例2の太陽電池セルの動作原理は実施例1と同じであり、i層1での光吸収で発生した電子と正孔とが互いに逆方向に移動することによって、出力電流が発生する。本実施例2の構造を形成するには、実施例1の構造の製造過程のうち、貫通電極形成の前に、貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24を、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法により形成すればよい。本実施例2の構造は、実施例1の構造と比較すると、実施例1の製造過程において、p層11およびn層21の一部分を、不純物拡散により、それぞれ貫通孔側面部n層24および貫通孔側面部p層14の一部分とする工程を省くことができるという利点がある。一般に、p型とn型との極性を反転させる不純物拡散を行うには、もともとの不純物濃度を上回る濃度の逆極性の不純物を拡散させる必要がある。従って、本実施例2においては、p層11と貫通孔側面部n層24との不純物濃度の大小関係、および、n層21と貫通孔側面部p層14との不純物濃度の大小関係に関する制約条件が発生しない。さらに、本実施例2では、貫通孔側面部n層24および貫通孔側面部p層14を成膜法により形成するため、実施例1と比較して、これらの膜厚を厚くすることが容易である。この結果、本実施例2の構造は、貫通孔側面部のn層24およびp層14と、pin接合中のn層21およびp層11とが形成するpn接合の高い整流性を実現することができるという利点がある。実施例3図5は、本発明の実施例3に係る太陽電池セル構造の断面図の概略である。この構造の特徴は、実施例1の太陽電池セルと比較して、貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24がなく、また、貫通電極として、フェルミ準位の異なる金属または半導体を用いている点にある。具体的には、フェルミ準位のより低い材料で貫通孔p型電極15を、フェルミ準位のより高い材料で貫通孔n型電極25を、それぞれ形成するということである。本実施例3によれば、実施例1の製造過程のうち、貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24の形成に必要な不純物拡散のための熱処理を省略することができる。これにより、pin接合31など、上記熱処理よりも先に形成される層の材料として、熱処理により電気的あるいは光学的性質が劣化する材料も用いることが可能になる。また、本実施例3の太陽電池セルの動作原理は実施例1と同じであり、貫通孔p型電極15と貫通孔n型電極25のフェルミ準位が異なるので、i層1での光吸収で発生した電子と正孔とが互いに逆方向に移動することによって、出力電流が発生する。本実施例3の構造を形成するには、実施例1の構造の製造過程のうち、貫通電極形成において、電極材料としてフェルミ準位の異なる金属または半導体を用いて、貫通孔p型電極15および貫通孔n型電極25を形成すればよい。本実施例3に係る発明は、前述の通り、貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層24を形成するための熱処理は不要になるという利点がある。実施例4図6は、本発明の実施例4に係る太陽電池セルの構造の概略である。この構造の特徴は、実施例1の太陽電池セルにおいて、積層されるpin接合31を構成する半導体材料を、単一物質にするのではなく、複数の異なるバンドギャップを有する物質にするということである。積層の順番は、バンドギャップが大きい物質ほど太陽光の入射面に近くなるように設定する。積層の数と物質種の数とが一致する必要はない。すなわち、一種類の物質からなる層が複数存在してもよい。また、実施例1でなく、実施例2および実施例3の太陽電池セルに上記変更を適用してもよい。上記のバンドギャップの条件により、本実施例4の太陽電池セルは、以下のような光吸収特性を示す。pin接合31の積層数をT、各層の構成物質のバンドギャップEgをEg1、Eg2、、EgTと表記する。上記の、積層の順番によれば、Eg1≧Eg2≧≧EgTである。光のエネルギーをELと表記すると、セル表面から1番目のpin接合32で、EL≧Eg1の条件を満たす光が吸収され、セル表面から2番目のpin接合33で、1番目のpin接合32で吸収されなかった光のうち、EL≧Eg2の条件を満たす光が吸収される。3番目以降も同様である。本実施例4によれば、太陽電池セルにおける幅広い波長域での吸収と、ホットキャリア発生の抑制と、出力電流のばらつきの低減とを、すべて同時に実現することが可能である。これを示す前に、これら三つの点を簡単に説明する。まず、太陽光は幅広い波長域の光を含んでおり、太陽電池の効率向上のためには、そうした幅広い波長域の光をできる限り吸収する技術が必要である。次にホットキャリア発生抑制であるが、上述の光吸収条件を満たす光のエネルギーのうち、ELからEgを差し引いた分は、過剰なエネルギーとして電子と正孔に付与される。こうしたキャリアは、伝導帯端あるいは価電子帯端よりも高エネルギー状態にあり、ホットキャリアと呼ばれる。太陽電池セルにおいては、ホットキャリアのもつ過剰なエネルギーは、通常、キャリアが電極に到達する以前に熱として散逸される。この熱は、電力として取り出せない無駄であるだけでなく、セルを構成する半導体材料を加熱し、その特性を悪化させる。具体的には、不純物半導体中のフェルミ準位が温度上昇で真性準位に近づく結果として、太陽電池の出力電圧は温度上昇とともに低下する。それ以外にも、温度上昇によるキャリア散乱確率の上昇など、太陽電池特性に与える温度の影響は多い。従って、太陽電池の特性向上のためには、いかにホットキャリアの発生を抑制するかということが重要である。最後に、出力電流のばらつきであるが、これは太陽電池セル単体の特性というよりも、むしろセルを直列接続したモジュールの特性において重要である。各セルの出力電流ばらつきがあると、モジュールとしての出力電流は、その最小値に揃うため、ばらつきの分だけ低減する。従って、太陽電池セルの出力電流のばらつき低減の技術は、モジュール効率の向上に必要となる。次に、本実施例4の太陽電池セル構造によって、実際に上記の課題が解決できることを説明する。この説明のために、比較対象として、以下の三例を考える。第一例は、本実施例1の太陽電池セル構造において、すべてのpin接合が、太陽光スペクトルのうち比較的長波長側に相当するバンドギャップを有する物質で構成されている場合である。第二例は、本実施例1の太陽電池セル構造において、すべてのpin接合が、太陽光スペクトルのうち比較的短波長側に相当するバンドギャップを有する物質で構成されている場合である。第三例は、いわゆるタンデム太陽電池と呼ばれる構造であって、複数のpn接合あるいはpin接合が直列接続された太陽電池セル構造である。まず第一例と、本実施例4との比較を行う。両者の差は、ホットキャリア発生抑制が、本実施例4の場合にしか実現できないという点にある。その理由は、第一例では、すべてのpin接合の構成物質のバンドギャップが比較的小さいため、太陽光に含まれる短波長成分によるホットキャリア発生が避けられないためである。次に、第二例と、本実施例4との比較を行う。両者の差は、幅広い波長域の吸収が、本実施例4の場合にしか実現できないという点にある。その理由は、第二例では、すべてのpin接合の構成物質のバンドギャップが比較的大きいため、太陽光に含まれる長波長成分を吸収することができないためである。最後に、第三例と、本実施例4との比較を行う。両者の差は、出力電流のばらつきの低減が、本実施例4の場合にしか実現できないという点にある。理由を以下に記す。まず、第三例と本実施例4に共通する点として、積層されたpn接合あるいはpin接合のうち、一部の層における光吸収が、膜厚や膜組成のずれに起因して、設計時と異なる場合に、他の層がその光吸収を補償することが可能であるという点がある。しかしながら、第三例では、複数のpn接合あるいはpin接合が直列接続されているため、個々のpn接合あるいはpin接合の出力電流のばらつきが、そのまま太陽電池セルの全出力電流のばらつきとなってしまう。従って、第三例では、光吸収のばらつきを補償したとしても、全出力電流のばらつきを補償することができない。これに対して、本実施例4では、pn接合あるいはpin接合が並列接続されているため、全出力電流は、各pin接合の出力電流の和となる。このため、光吸収のばらつきに起因して、各pin接合の出力電流のばらつきが存在しても、全出力電流のばらつきは補償される。従って、本実施例4は、上記の比較対象三例とは異なり、幅広い波長域での吸収と、ホットキャリア発生の抑制と、出力電流のばらつきの低減とを、すべて同時に実現することが可能である。本実施例4の構造を形成するには、実施例1の構造の製造過程のうち、pin接合31の形成時に、上述のようにバンドギャップの異なる層を適宜形成すればよい。バンドギャップの異なる物質としては、元素組成の異なる物質、組成は同じだが結晶状態が異なる物質、組成も結晶状態も同じだが、実施例5で述べる量子閉じ込め効果によってバンドギャップが変化している物質、などを用いることができる。実施例5図7は、本実施例5における太陽電池の構造を示す図である。この構造の特徴は、実施例3の太陽電池セルにおける光吸収層を、単一のi層1とするかわりに、i層1の上下を絶縁膜44で挟んだ三層積層構造を含むようにするということである。上記絶縁膜44の条件は、i層1中の電子と正孔の両方に対するエネルギー障壁を形成するバリア膜となることである。以後、絶縁膜44をバリア膜44と記す。例えば、i層1がSiからなる場合には、バリア膜44として、SiO2、SiN窒化シリコン、SiC炭化シリコンなどを用いることができる。このとき、i層1の膜厚を十分に薄くすることにより、その膜のバンドギャップが、バルク物質のバンドギャップと異なる値をもつ、いわゆる量子閉じ込め効果が発生するように設定することが必要である。具体的には、量子閉じ込め効果が発生する膜厚の目安は励起子の有効ボーア半径a=1/me1/mh×εh2/πe2程度とされる。ここでme、mhはそれぞれ電子および正孔の有効質量、εは誘電率、hはプランク定数、eは電気素量である。上記の式はMKSA単位系で表記されたものである。また、量子閉じ込め効果が発生する条件は、閉じ込められる膜、すなわちここではi層1、の膜厚以外にも、バリア膜44の形成するエネルギー障壁の高さおよびバリア膜44の膜厚に依存する。定量的な依存性を求めるにはシュレディンガー方程式を解く必要があるが、定性的には、バリア膜44の形成するエネルギー障壁が低くなるほど、また、バリア膜44の膜厚が減少するほど、量子閉じ込め効果は抑制され、バンドギャップはバルク物質のバンドギャップに近くなるという傾向がある。従って、所望のバンドギャップを得るためには、バリア膜44の形成するエネルギー障壁の高さおよびバリア膜44の膜厚の選択が重要である。一般に、量子閉じ込め効果によるバンドギャップのバルク物質からの変化は連続的であり、膜厚が小さくなるほど大きくなる。これを利用して、積層されるpin接合31におけるi層1の膜厚を、層ごとに異なる値とすることにより、実施例4の構造を作製することも可能である。また、本実施例5では、量子閉じ込め効果を発現する構造として、薄膜を絶縁膜で挟んだ構造、いわゆる量子井戸を例にとって説明するが、本実施例5の内容は、量子細線や量子ドットなどの、閉じ込め次元の異なる構造にも適用可能である。また、実施例3でなく、実施例1および実施例2の太陽電池セルに上記変更を適用してもよい。本実施例5の太陽電池セルの効果を明確にするために、まず従来技術の課題を述べる。上述の量子閉じ込め効果によりバンドギャップを変調した物質からなる太陽電池と、バルク物質の太陽電池とを組み合わせることによって、幅広い波長域の光を吸収可能な太陽電池が実現できると期待されている。しかしながら、量子閉じ込め効果を発現させるには、上述のように絶縁体のバリア膜44を挿入する必要があり、それが電気抵抗の増大をもたらし、結果として太陽電池の出力電流が大きく低減するという課題がある。この課題の解決には、電子や正孔が通過するバリア膜厚を薄くすることが必要だが、以下の理由により、従来はバリア膜厚低減が困難だった。まず、バリア膜44で閉じ込められるi層1の膜厚は、量子閉じ込め効果が起こる程度に薄い必要がある。そのため、これを太陽電池に応用する場合、十分な光吸収を確保するために、バリア膜44とi層1を交互に多数積層し、i層1の膜厚の合計を大きくするのが一般的である。しかしながら、バリア膜44とi層1を多数積層する結果として、電子や正孔が通過するバリア膜44の膜厚の合計も大きくなってしまい、電気抵抗は大幅に増大してしまう。従って、量子閉じ込め効果の太陽電池応用において、十分な光吸収の確保と、電気抵抗低減とを両立することは、従来は不可能であった。本実施例5によれば、上述の、十分な光吸収の確保と、電気抵抗低減とを両立することが可能である。まず、十分な光吸収の確保のために、p層11―光吸収層―n層21の単位構造を多数積層し、i層1の膜厚の合計を大きくする。ここで、実施例1ではpin接合31であった箇所が、本実施例5では、バリア膜44を含む構造になったため、より一般的に、p層11―光吸収層―n層21と表記している。重要なことは、上述の従来技術においては、バリア膜44とi層1とを交互に積層、すなわち光吸収層のみを多数積層していたのに対して、本実施例では、光吸収層をp層11およびn層21で挟んだ構造を単位構造とし、この単位構造を多数積層するという点である。この結果として、光吸収層で発生する電子と正孔は、従来技術の場合には、多数積層された光吸収層をすべて通過してはじめてp層11およびn層21に到達することができるが、本実施例5によれば、電子と正孔は、単位構造中の光吸収層のみを通過すれば、p層11およびn層21に到達することができる。従って、本実施例5によれば、電子と正孔が通過するバリア膜44の膜厚の合計は、単位構造中に含まれるバリア膜44の膜厚に等しく、その結果、太陽電池の出力電流を、従来方式に比べて大幅に増大させることができる。なお、本実施例5では、p層11―光吸収層―n層21の単位構造に含まれるi層1が一層である場合を説明したが、単位構造中のi層1の層数は任意である。積層数が少ないほど、電子と正孔が通過するバリア膜44の膜厚を低減することができるので、電流損失低減効果は大きくなる。本実施例5の構造を形成するには、実施例3の構造の製造過程のうち、吸収層の形成を、上記の三層積層膜の形成に置き換えればよい。i層1の上のバリア膜44の形成は、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法で行ってもよいし、i層1の酸化または窒化などにより行ってもよい。また、上記i層1の結晶性や膜質の改善のため、あるいは隣接膜との界面の質を向上させるための熱処理、プラズマ処理などを適宜追加してもよい。実施例6図8は、本実施例6における太陽電池の構造を示す図である。この構造の特徴は、実施例1の太陽電池セルにおいて、各pin接合31のp層11およびn層21と、隣接する絶縁膜との間に、透明導電膜55を挿入するということである。この透明導電膜55としては、上記p層11およびn層21のいずれと比べてもシート抵抗が低いことが必要であり、太陽光の波長域における透過率が高いことが望ましく、これらの条件を満たすように、透明導電膜55の膜種と膜厚を選択する必要がある。また、実施例1でなく、実施例2および実施例3の太陽電池セルに上記変更を適用してもよい。本実施例6の構造を形成するには、実施例1の構造の製造過程に、透明導電膜55の形成過程を追加すればよい。上記透明導電膜55の具体例は、In、Zn、Sn、Gaなどの元素を含む酸化物およびそれらの複合酸化物であり、これにフッ素などの添加物を加えてもよい。成膜は、スパッタ法、CVD法、塗布法、印刷法などにより行う。なお、上記透明導電膜55とp層11およびn層21との界面の質を向上させるために、それらの間にさらに別の膜を挿入してもよい。また、上記透明導電膜55の結晶性や膜質の改善のため、あるいは隣接膜との界面の質を向上させるための熱処理、プラズマ処理などを適宜追加してもよい。上記透明導電膜55の材料は、多くの場合、pin接合31を構成する半導体材料と異なる元素からなり、その場合には、貫通孔側面部p層14および貫通孔側面部n層21の形成方法として、実施例1のように不純物拡散法を用いることができない。従って、透明導電膜55中の電子と正孔とを互いに逆方向に移動させるための内蔵電界を生成するには、実施例2のように、貫通孔側面部p層14と貫通孔側面部n層24とを成膜法で形成するか、または、実施例3のように、貫通孔p型電極15と貫通孔n型電極25とを形成するか、または、実施例1において、貫通電極の金属材料の仕事関数の差のみによって内蔵電界を生成するか、のいずれかの方法をとる必要がある。本実施例6によれば、実施例1の太陽電池セルの直列抵抗成分を低減することができる。その理由は、光吸収で発生した電子および正孔が、実施例1においては、pin接合31のp層11およびn層21を面内方向に移動する必要があるのに対して、本実施例6においては、p層11およびn層21よりもシート抵抗の低い透明導電膜55中を面内に移動することができるためである。実施例7図9は、本実施例7における太陽電池の構造を示す図である。この構造は、本発明の実施例1の太陽電池セルと、従来型太陽電池セル63、すなわち、単一のpn接合あるいはpin接合のみからなるセル、とを直列接続したタンデム構造である。図9では、従来型太陽電池セル63の裏面側にp側電極が形成され、表面側にn層が形成され、そのn層と、本発明の太陽電池セルのp層側貫通電極51とが接続され、本発明の太陽電池セルのn層側貫通電極52はセル表面のn層側電極54と接続されている。これらのp層とn層とを反転した構造でもよい。また、実施例1でなく、実施例2から実施例6までのいずれの太陽電池セルを用いてもよい。従来型太陽電池63と本発明の太陽電池との接続部にトンネル接合ダイオードを形成してもよい。以下では、従来型太陽電池63の表面絶縁膜と、本発明の太陽電池の裏面絶縁膜43を同一の膜として説明するが、これらは互いに異なってもよい。本実施例7の太陽電池における、従来型太陽電池63と、本発明の太陽電池との積層の順番は、一般的なタンデム太陽電池と同様に、バンドギャップのより大きい半導体材料で構成される太陽電池を、太陽光の入射面側にするのが望ましい。また、本発明の太陽電池は、キャリア寿命が短いことが問題となる半導体材料への適用に対して特に効果があることから、本実施例7のタンデム太陽電池においても、キャリア寿命のより短い半導体材料からなる太陽電池に対して、本発明の太陽電池セル構造を適用するのが望ましい。本実施例7によれば、タンデム太陽電池の高効率化が可能となる。特に、キャリア寿命が大きく異なる半導体材料からなる太陽電池同士を組み合わせたタンデム太陽電池の場合に、高効率化の効果が大きい。この点に関し、従来技術の課題を述べる。タンデム太陽電池においては、複数の太陽電池セルが直列接続されているため、それらのセルを流れる電流値は揃わなければならない。そのため、出力電流の異なる複数のセルをタンデム化すると、それらの出力電流の最小値が全体の出力電流となる。従って、従来は、出力電流の異なるセル同士のタンデム太陽電池が、そのうち出力電流のより大きいセル単体に比べて、効率が低い場合が多かった。一方、本実施例7のタンデム太陽電池では、出力電流が小さい太陽電池セルに対して本発明の太陽電池セル構造を適用することで、出力電流を向上させることができる。その結果、タンデム太陽電池全体の出力電流を、従来のタンデム太陽電池に比べて向上させることができるため、高効率なタンデム太陽電池を実現することができる。本実施例7の構造を形成するには、従来型太陽電池63を先に形成する方法と、本発明の太陽電池を先に形成する方法とがある。まず、従来型太陽電池63を先に形成し、その後、実施例1に示した方法に従って、本発明の太陽電池を形成する方法について述べる。このとき、図9に示すように、p層側貫通電極51は、本発明の太陽電池の表面絶縁膜42の下端から、裏面絶縁膜43の下端までを貫通し、n層側貫通電極52は、本発明の太陽電池の表面絶縁膜42の上端から、裏面絶縁膜43の上端までを貫通するように設定する。p層側貫通電極51の形成方法としては、例えば、貫通孔を裏面絶縁膜43の上端まで形成し、p層側貫通電極51の材料を貫通孔内に埋め込んだ後に、p層側貫通電極51の材料の融点を超える温度での短時間焼成により、電極材料が裏面絶縁膜43を貫通する過程、いわゆるファイヤースループロセスを用いる方法がある。n層側貫通電極52の形成方法としては、例えば、実施例1で述べた、耐レーザー貫通性をもつバリア膜を、裏面絶縁膜43として用いる方法がある。本発明の太陽電池を先に形成する方法は、本発明の太陽電池を形成する基板61を透明材料にするか否かで、さらに二つの方法に分けられる。透明基板を用いる場合は、それが、最終的な太陽電池セル構造において、最表面に配置されるように、膜の形成の順番を設定する。そのとき、電極が表面に露出するように、貫通孔は基板61を完全に貫通する必要がある。一方、上記基板61として非透明材料を用いる場合には、基板61と、その上に形成される太陽電池とを切り離す工程を追加する必要がある。切り離す方法としては、例えば、SOISiliconOnInsulatorウエハの形成法の一つである、スマートカット法などが適用できる。また、本発明の太陽電池上に、従来型太陽電池63を形成する方法としては、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法により、上記従来型太陽電池63の層を形成する方法と、従来型太陽電池63を別個に作製し、それを貼り合わせる方法とがある。貼り合わせにも、上述のSOIウエハ形成法が適用可能である。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。