マスク保持面で反射型マスクを保持するとともに、内部に複数の空隙を有する反射型マスク用静電チャックと、前記マスク保持面の表面形状を変化させるために、前記空隙の内部の圧力を制御する圧力制御部と、を有する露光装置。請求項1に記載の露光装置において、前記圧力制御部は、前記複数の空隙の中の第1及び第2の空隙の内部圧力を個別に制御できる露光装置。請求項1または2に記載の露光装置において、前記反射型マスク用静電チャックは、前記反射型マスクの裏面の略全面と前記マスク保持面とが接した状態で、前記反射型マスクを保持する露光装置。請求項1から3のいずれか1項に記載の露光装置において、前記空隙は前記マスク保持面に対して平行に延伸し、複数の前記空隙は互いに平行である露光装置。請求項4に記載の露光装置において、前記反射型マスク用静電チャックの厚さをTとした時、前記マスク保持面から前記空隙の前記厚さ方向の中心までの距離は、T/2より小さい露光装置。請求項4または5に記載の露光装置において、前記反射型マスク用静電チャックは、前記空隙の延伸方向と露光のスキャン方向とが平行になるように配置されている露光装置。請求項1から6のいずれか1項に記載の露光装置において、前記圧力制御部は、前記空隙内に液体を流入させることで、前記空隙の内部圧力を変化させる露光装置。請求項7に記載の露光装置において、前記液体の温度は20°C以上25°C以下に制御されている露光装置。請求項1から6のいずれか1項に記載の露光装置において、前記圧力制御部は、前記空隙内に気体を流入させることで、前記空隙の内部圧力を変化させる露光装置。請求項9に記載の露光装置において、前記気体の温度は20°C以上25°C以下に制御されている露光装置。請求項1から6のいずれか1項に記載の露光装置において、前記空隙内に圧電素子が配置されており、前記圧力制御部は、前記圧電素子に電圧を加えることで、前記空隙の内部圧力を変化させる露光装置。請求項1から11のいずれか1項に記載の露光装置において、前記反射型マスク用静電チャックは、セラミックスで構成されている露光装置。請求項1から12のいずれか1項に記載の露光装置において、前記空隙内部に管状部材を有する露光装置。請求項13に記載の露光装置において、前記管状部材は、フッ素系の樹脂で構成されている露光装置。請求項1から14のいずれか1項に記載の反射型マスク用静電チャック。請求項1から14のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、感光性基板上に反射型マスクのパターン像を形成する工程を有するパターン形成方法。請求項16に記載のパターン形成方法において、前記反射型マスクを前記反射型マスク用静電チャックに保持させる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記圧力制御部により、前記空隙内の内部圧力を調整する第2の工程と、前記第2の工程の後、露光を行い、前記感光性基板上に前記反射型マスクのパターン像を形成する第3の工程と、を有するパターン形成方法。請求項17に記載のパターン形成方法において、前記第1の工程の後、かつ、前記第2の工程の前に、前記反射型マスク用静電チャックに保持された前記反射型マスクの表面平坦度を測定する測定工程を有し、前記第2の工程では、前記測定工程での測定結果に基づいて、前記空隙内の内部圧力を調整するパターン形成方法。請求項1から14のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、感光性基板上に反射型マスクのパターン像を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。請求項19に記載の半導体装置の製造方法において、前記反射型マスクを前記反射型マスク用静電チャックに保持させる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記圧力制御部により、前記空隙内の内部圧力を調整する第2の工程と、前記第2の工程の後、露光を行い、前記感光性基板上に前記反射型マスクのパターン像を形成する第3の工程と、を有する半導体装置の製造方法。請求項20に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の工程の後、かつ、前記第2の工程の前に、前記反射型マスク用静電チャックに保持された前記反射型マスクの表面平坦度を測定する測定工程を有し、前記第2の工程では、前記測定工程での測定結果に基づいて、前記空隙内の内部圧力を調整する半導体装置の製造方法。請求項19乃至21に記載の半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置。特許文献1及び非特許文献1に記載の技術の場合、マスク完成後に重ね合わせ精度の調整を行うことが出来ないため、高い重ね合わせ精度を実現することが困難だった。また、特許文献2に記載の技術のように、基板に対して局所的に強い吸引力を直接加えることで基板の歪を補正する技術の場合、マスク表面の平坦度をナノメートルオーダーで精度良く調整することは難しい。本発明によれば、マスク保持面で反射型マスクを保持するとともに、内部に複数の空隙を有する反射型マスク用静電チャックと、前記マスク保持面の表面形状を変化させるために、前記空隙の内部の圧力を制御する圧力制御部と、を有する露光装置が提供される。また、本発明によれば、上記反射型マスク用静電チャックが提供される。また、本発明によれば、上記露光装置を用いて、感光性基板上に反射型マスクのパターン像を形成する工程を有するパターン形成方法が提供される。また、本発明によれば、上記露光装置を用いて、感光性基板上に反射型マスクのパターン像を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。また、本発明によれば、上記半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置が提供される。本発明によれば、反射型マスクの表面の平坦度を高めることができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号およびハッチングを付し、適宜説明を省略する。図1に、本実施形態の露光装置の模式図を示す。図示するように、本実施形態の露光装置は、反射型マスク用静電チャック10と、複数の反射型ミラー12と、圧力制御部40と、ウエハ保持部不図示と、を有する。図示する例では、反射型マスク用静電チャック10が反射型マスク20を保持するとともに、ウエハ保持部不図示がウエハ30を保持している。図2に、反射型マスク用静電チャック10の断面模式図の一例を示す。また、図3及び4に、図2の反射型マスク用静電チャック10を図中矢印Aの方向から見た場合の断面模式図の一例を示す。反射型マスク用静電チャック10は、マスク保持面図2中、下側の面で反射型マスク20を保持する。反射型マスク用静電チャック10は、反射型マスク20の裏面の略全面とマスク保持面とが接した状態で、反射型マスク20を保持することができる。反射型マスク用静電チャック10が反射型マスクを保持する手段は特段制限されず、従来技術に準じて実現することができる。ここで、図2に示すように、反射型マスク用静電チャック10は、内部に複数の空隙11を有する。そして、空隙11は、例えば図3及び4に示すように、マスク保持面に対して平行に延伸し、複数の空隙11は互いに平行になるよう設けられる。この場合、各空隙11は、図3及び4に示すように、2つの開口部を有する。なお、当該開口の位置は特段制限されないが、例えば図3及び4に示すように、反射型マスク用静電チャック10の両側面に設けられてもよい。空隙11の大きさ、数及び間隔等は、反射型マスク用静電チャック10の設計、例えば強度、表面積、厚さ等を考慮しながら決定できる設計的事項であるが、以下で説明するように、本実施形態では、空隙11の内部圧力を変化させることで、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の表面形状を変化させる。よって、このような構成を実現できるよう設計する必要がある。また、マスク保持面の表面形状の変化の自由度が大きくなるよう設計するのが好ましい。なお、図4に示すように、空隙11の内部に管状部材13を備えてもよい。管状部材13は、例えばフッ素系の樹脂で構成することができる。そして、管状部材13の内部を液体や気体が通過可能に構成されるとともに、管状部材13の内部から液体や気体が漏れにくい構造となっている。すなわち、管状部材13は、液体や気体の出入口となる2つの開口の他には意図的に設計された開口を有さない。また、2つの開口各々には、他の部材と接続するための継手が設けられてもよい。かかる場合、管状部材13を通過させる液体や気体を効率的に回収し、再利用することができる。なお、図3及び4に示すように、反射型マスク用静電チャック10は、空隙11の延伸方向と露光のスキャン方向とが平行になるように配置される。その他、空隙11は、マスク保持面の近くに設けられるのが望ましい。例えば、反射型マスク用静電チャック10の厚さをTとした時、マスク保持面から、空隙11の厚さ方向の中心までの距離は、T/2より小さくなるようにするのが好ましい。このような反射型マスク用静電チャック10は、例えばセラミックスやガラス等で構成することができる。図1に戻り、圧力制御部40は、空隙11の内部の圧力を制御する。そして、本実施形態の反射型マスク用静電チャック10は、空隙11の内部圧力の変化に伴い、マスク保持面の表面形状が変化するよう構成されている。なお、圧力制御部40は、複数の空隙11の中の第1及び第2の空隙11の内部圧力を個別に制御することができる。第1の空隙11は、複数の空隙11の中から任意に選択される空隙11であり、第2の空隙11は、複数の空隙11の中から任意に選択される第1の空隙11とは異なる空隙11である。例えば、圧力制御部40は、すべての空隙11の内部圧力を個別に制御できてもよい。または、圧力制御部40は、複数の空隙11を複数のグループに分類し、グループごとに内部圧力を制御できてもよい。この場合、第1の空隙11と第2の空隙11は別のグループに属することとなる。圧力制御部40が空隙11の内部圧力を制御する手段は様々であるが、例えば以下のような例が考えられる。第1の例としては、圧力制御部40は、空隙11内に液体を流入させることで、空隙11の内部圧力を変化させてもよい。この時、液体の温度は20°C以上25°C以下に制御されていてもよい。液体の種類は特段制限されないが、例えば、フッ素系不活性液体例:フロリナート登録商標や、純水などが考えられる。第2の例としては、圧力制御部40は、空隙11内に気体を流入させることで、空隙11の内部圧力を変化させてもよい。この時、気体の温度は20°C以上25°C以下に制御されていてもよい。気体の種類は特段制限されないが、例えば、窒素などが考えられる。第3の例としては、空隙11内に圧電素子を配置しておき、圧力制御部40は、当該圧電素子に電圧を加えることで、空隙11の内部圧力を変化させてもよい。その他、圧力制御部40は、上記第1乃至第3の例の中のいずれか2つ以上を組み合わせて使用してもよい。反射型ミラー12、及び、ウエハ保持部は、従来技術に準じて実現することができる。ここで、図2及び5を用いて、本実施形態の露光装置及び反射型マスク用静電チャック10の作用効果について説明する。図2の状態では、反射型マスク用静電チャック10に保持されている反射型マスク20に厚みむらがあるため、EUV光を入射する側の面図中、下側の面の十分な平坦性が保たれていない。本実施形態では、このような場合、図5に示すように、空隙11内の圧力を、例えば空隙11ごとに調整し、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の表面形状を変化させる。図5では、中央付近に位置する3つの空隙11に例えば液体を流入することで、当該空隙11の内部圧力が高められている。結果、当該空隙11近傍のマスク保持面が押し出され、マスク保持面の表面形状は、図5に示すように湾曲に変形している。このマスク保持面の表面形状の変化に起因して、マスク保持面で保持されている反射型マスク20に力が加わり、結果、反射型マスク20のEUV光を入射する側の面の平坦性が改善される。なお、本実施形態では、複数の空隙11の中の第1及び第2の空隙の内部圧力を個別に制御できる。このため、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の表面形状の変化の自由度が大きくなる。また、本実施形態では、例えば、各空隙11内に流入する液体や気体の流量を個別に調整したり、また、圧電素子に加える電圧の大きさを個別に調整したりできる。このため、空隙11の圧力を例えば大、小の2つの状態で変化させる態様のみならず、その中間の圧力状態をも形成することができる。結果、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の表面形状の変化の自由度が大きくなる。また、本実施形態では、反射型マスク用静電チャック10は、反射型マスク20の裏面EUV光を入射される側の面と反対側の面の略全面と、マスク保持面とが接した状態で、反射型マスク20を保持することができる。このため、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の表面形状の変化が、効果的に反射型マスク20に影響する。結果、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の表面形状の変化に伴い、反射型マスク20の形状が効率的に変化する。また、本実施形態では、反射型マスク用静電チャック10の厚さをTとした時、マスク保持面から空隙11の厚さ方向の中心までの距離が、T/2より小さくなるよう構成することができる。このため、空隙11の内部圧力の変化に伴い、効率的に、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の表面形状を変化させることができる。また、本実施形態では、空隙11はマスク保持面に対して平行に延伸し、複数の空隙は互いに平行になるよう配置することができる。そして、反射型マスク用静電チャック10は、空隙11の延伸方向と露光のスキャン方向とが平行になるように配置される。このため、スキャン方向と垂直方向のマスクの平坦度を改善することができる。なお、スキャン方向と平行方向のマスク平坦度は、マスクをスキャンする際にマスクステージの高さを調整しながらスキャンする事で、ある程度補正可能である。また、本実施形態では、空隙11内に流入させる液体または気体の温度を20°C以上25°C以下に制御することができる。かかる場合、空隙11内を流入する液体または気体により、露光装置の温度制御が可能となるので、別途温度制御機構を備える必要がなくなり、効率的である。なお、本発明者は、本実施形態の構成によれば、空隙11の内部圧力の制御により、反射型マスク用静電チャック10のマスク保持面の高さを、100nm~200nm程度まで調整できることを確認した。かかる場合、本実施形態により当該オーダーの微調整が可能となるので、反射型マスク20に要求される平坦度を緩和することができる。結果、反射型マスク20のコストを低減することができる。また、反射型マスク20に対してパターン位置補正を行う場合も、高い位置精度は不要になる。また、反射型マスク20が完成した後に実際のプロセスウエハに対して重ね合わせ精度を調整できるため、重ね合わせ精度が向上して半導体デバイスの歩留まりが向上する。次に、本実施形態の半導体装置の製造方法、および、パターン形成方法について、図9のフローチャートを用いて説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法、および、パターン形成方法は、上記露光装置を用いて、感光性基板上に反射型マスク20のパターン像を形成する工程を有する。具体的には、図9に示すように、まず、反射型マスク20を反射型マスク用静電チャック10に保持させる第1の工程を行うS10。第1の工程の後、圧力制御部40により、空隙内の内部圧力を調整する第2の工程を行うS20。そして、第2の工程の後、露光を行い、感光性基板上に反射型マスクのパターン像を形成する第3の工程を行うS30。なお、図10のフローチャートに示すように、第1の工程S10の後、かつ、第2の工程S20の前に、反射型マスク用静電チャック10に保持された反射型マスク20の表面平坦度を測定する測定工程S15を有してもよい。かかる場合、第2の工程S20では、測定工程S15での測定結果に基づいて、反射型マスク20の表面平坦度を所望の状態となるように、空隙内の内部圧力を調整することができる。反射型マスク20の表面平坦度を測定する手段は特段制限されず、従来のあらゆる技術を適用することができる。このような本実施形態の半導体装置の製造方法、および、パターン形成方法によれば、精度の高いパターン及び、このようなパターンを形成された半導体装置を製造することができる。