"単一モード光導波路により構成された入力ポートと、前記入力ポートが接続された入力側面と、当該入力側面と対向する出力側面とを有する多モード光導波路と、単一モード光導波路により構成され、前記出力側面に接続された出力ポートと、前記多モード光導波路の前記出力側面の近隣に設けられた吸収層とを備え、前記入力ポート及び/または前記出力ポートが複数本設けられ、前記多モード光導波路の前記出力側面は、当該出力側面の端側から中央側に向かって凸状に、前記多モード光導波路の光軸の垂直方向に対し傾斜している面を含む、光デバイス。請求項1に記載の光デバイスであって、前記吸収層の前記多モード光導波路側と逆側の面が、前記垂直方向に対し傾斜している、光デバイス。請求項1または請求項2に記載の光デバイスであって、前記吸収層は、前記多モード光導波路の前記出力側面と隣接して設けられている、光デバイス。請求項3に記載の光デバイスであって、前記多モード光導波路の前記傾斜面と前記垂直方向とがなす角は、10度以上55度以下である、光デバイス。請求項1または請求項2に記載の光デバイスであって、前記吸収層は、前記多モード光導波路の前記出力側面と離れて設けられ、前記吸収層の前記多モード光導波路側の面が、前記多モード光導波路に向かないように前記垂直方向に対し傾斜している、光デバイス。特許文献1に開示の技術によれば、MMIの出力側面に到達した光のうち、その面を透過して外部に放射される迷光については吸収層により除去することが可能となっている。しかしながら、MMIの出力側面に到達した光のうち、MMIの出力側面において内部に反射される光は依然として多いものとなっている。その結果、MMIの出力側面にて反射した光が、LD入力ポートへの戻り光となる場合があり、この場合には、LDの動作が不安定になるという問題があった。そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、入力ポートへの戻り光を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。本発明に係る光デバイスは、単一モード光導波路により構成された入力ポートと、前記入力ポートが接続された入力側面と、当該入力側面と対向する出力側面とを有する多モード光導波路と、単一モード光導波路により構成され、前記出力側面に接続された出力ポートと、前記多モード光導波路の前記出力側面の近隣に設けられた吸収層とを備える。前記入力ポート及び/または前記出力ポートが複数本設けられている。前記多モード光導波路の前記出力側面は、当該出力側面の端側から中央側に向かって凸状に、前記多モード光導波路の光軸の垂直方向に対し傾斜している面を含む。本発明によれば、出力側面に含まれる面が光軸の垂直方向に対して傾斜しており、それらがなす角が0度より大きくなっている。したがって、出力側面における光の反射率を低減することができ、入力ポートへの戻り光を抑制することができる。よって、LDなど入力ポートに設けられた光素子の動作を安定化することができる。また、出力側面の近隣に吸収層が設けられていることから、出力側面から放射される光による特性劣化への影響を抑制することができる。<実施の形態1>図1は、本発明の実施の形態1に係る光デバイスである光導波路型デバイスの構成を示す平面図である。図1に示すように光導波路型デバイス1は、単一モード光導波路により構成された入力ポート2と、互いに対向する入力側面3及び出力側面4を有する多モード光導波路5と、単一モード光導波路により構成された出力ポート6と、吸収層7とを備えている。入力ポート2及び/または出力ポート6は複数本設けられている。入力ポート2は、それより幅が広い入力側面3と接続され、出力ポート6は、それより幅が広い出力側面4と接続されている。図1に示す例では、9本の入力ポート2と、1本の出力ポート6とが設けられ、これらが多モード光導波路5に接続されることにより、9×1MMIが構成されている。吸収層7は、多モード光導波路5の出力側面4の近隣に設けられており、後述するように出力側面4から放射される光を吸収する。本実施の形態では、吸収層7は、多モード光導波路5の出力側面4と隣接して設けられている。つまり、多モード光導波路5の出力側面4と、吸収層7の多モード光導波路5側の面7a以下吸収層入射面7aと記すとが接触して設けられている。また、本実施の形態では、吸収層7の多モード光導波路5側と逆側の面7b以下吸収層反射面7bと記すは、多モード光導波路5の光軸5aと直交している。さて、図1に示すように、多モード光導波路5の出力側面4は、出力側面4の端側から中央側に向かって凸状に、多モード光導波路5の光軸5aの垂直方向5b以下光軸垂直方向5bと記すに対し傾斜している2つの傾斜面4a,4bを含んでいる。つまり、傾斜面4a,4bと、多モード光導波路5の光軸垂直方向5bがなす角をθtとすると、θt>0度となっている。図2及び図3は、本実施の形態に係る光導波路型デバイス1の断面図である。図2は、図1に示される切断線A-A’における断面図であり、図3は、図1に示される切断線B-B’における断面図である。図2及び図3に示されるように、本実施の形態に係る光導波路型デバイス1は、埋め込み構造で形成されている。具体的には、光導波路型デバイス1は、表面に台座が設けられたInP基板11と、台座上に形成されたInGaAsPのバルクからなる多モード光導波路5と、多モード光導波路5上に形成されたInPからなる上部クラッド層12と、台座、多モード光導波路5及び上部クラッド層12を囲むInP層13と、上部クラッド層12及びInP層13上に形成されたInP層14とを備えている。そして、台座、多モード光導波路5、上部クラッド層12及びInP層13の間には、InGaAsPの量子井戸構造からなる吸収層7が選択的に設けられている。次に、上記MMIの基本動作について説明する。MMIは、どの入力ポート2から光が入力された場合でも、その光を出力ポート6から出力する機能を有する。したがって、例えば、それぞれが異なる波長の光を発する複数のLDここでは図示せずを、複数の入力ポート2にそれぞれ接続しておき、所望の波長の光のLDのみを発光させることで、所望の波長の光を出力ポート6から出力することが可能となっている。つまり、上記MMIによれば、選択的にLDに発光させることで、広帯域の波長可変光源を実現することが可能となっている。なお、各LDに温度調整機構などを付与して、各LDの波長の微調整機能を有するように構成すれば、光の波長の補完が可能となり、隙間なく広帯域をカバーする波長可変光源を実現することができる。さて、上述したように、いずれかの入力ポート2から入力された光は、多モード光導波路5を伝搬した後、出力ポート6に結合する。ここで、例えば、入力ポート2が12本である場合には、原理的に1/12の光のみ結合し、残りの11/12の光は出力ポート6には結合されずに、出力側面4から放射される。この出力側面4から放射された光迷光は、損失となるだけでなく、外部素子などによって反射されて、多モード光導波路5に再結合した場合には、素子の特性を劣化する原因となりえる。そこで、上記特許文献1に開示の技術においては、MMIの出力側面に接して吸収層を配置することで、出力側面から放射される光を吸収し、特性劣化を抑制している。しかし、MMIの出力側面と吸収層との間の境界面が、光軸垂直方向と平行つまりθt=0度であることから、入力ポートからの光のうち、比較的多くの光が出力側面にて反射される。その結果、出力側面にて反射された光がLDへの戻り光となり、LDの動作が不安定になるなどの問題が生じてしまう。そこで、上述したように、本実施の形態では、出力側面4は、光軸垂直方向5bと平行ではなく、光軸垂直方向5bに対して傾斜するθt>0度である傾斜面4a,4bを含んでいる。これにより、入力ポート2への戻り光を抑制することが可能となっている。このことについて、以下に説明する。図4は、出力側面4傾斜面4a,4bと光軸垂直方向5bとがなす角θtに対する反射率を計算した結果である。MMIの屈折率はn=3.4InGaAsPのバルク、吸収層7の屈折率はn=3.5InGaAsPの量子井戸構造とした。計算結果が示すように、上記特許文献1のように角θtが0度である場合と比べて、角θtが、10度以上55以下程度の間では反射率が低減され、40度以上50度以下程度の間では反射率が特に低減されていることが分かる。そして、角θtが45度である場合には反射率はほとんどゼロとなっている。ここで、反射率が低くなると、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光が抑制され、LDの動作が安定化するということになる。その一方で、反射率が低くなると、多モード光導波路5の出力側面4からの放射光迷光は多少増えることになるが、その放射光迷光は吸収層7により吸収されるので、それによる特性劣化は抑制されている。また、図1に示すような、角θtが45度程度に設定された構成によれば、仮に、出力側面4において反射光が生じたとしても、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光となるためには、同図1の破線矢印に示されるように出力側面4にて複数回例えば2回反射することが必要となる。したがって、出力側面4での反射光が、入力ポート2LDに戻りにくくなることから、この観点からも、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光をより抑えることができる。特に、入力ポート2からの光は、実際には、5度~10度程度の広がり角を有しており、広がり角が大きい外側部分では光強度が小さく、広がり角の小さい中央で光強度が最も大きいといった光強度分布を成している。したがって、中央の光強度の成分に起因する入力ポート2への戻り光を小さくしたい場合には、入力ポート2への戻り光を確実に抑制する効果が得られる、角θtが45度程度に設定された構成とすることが望ましい。図5~図8は、本実施の形態に係る光導波路型デバイス1の製造過程における図である。次に、図5~図8を用いて、光導波路型デバイス1の製造方法について説明する。まず、図5に示すように、InP基板11上にMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法などを用いて、吸収層7となるInGaAsP/InGaAsPの量子井戸構造を有する活性層16を形成した後、その上にInPからなる上部クラッド層12の一部を形成する。その後、フォトリソグラフィー技術を用いて、図6に示すように、吸収層7が形成される領域に酸化シリコンなどのマスク17を形成し、それ以外の領域をウェットエッチングもしくはドライエッチングにより除去する。その後、選択成長法によってMMI入力ポート2、多モード光導波路5及び出力ポート6となるInGaAsPバルクのコア層と、InPからなる上部クラッド層12となる層とを順に積層する。それから、図7に示すように、MMIを形成すべき領域に酸化シリコンなどのマスク18をさらに形成し、マスク17,18が形成されていない領域をエッチングで除去する。図8は、そのときに形成される構成のうち、図7に示される切断線C-C’における構成の断面図である。ただし、図8においては、マスク17,18の図示は省略している。その後、選択成長法によって、MMI、吸収層7及び上部クラッド層12を囲むInP層13を成長させる。その状態から、マスク17,18を全てフッ酸等で除去し、その後、最上層であるInP層14を形成する。以上により、図1~図3に示される本実施の形態に係る光導波路型デバイス1が形成される。以上で説明したように本実施の形態に係る光導波路型デバイス1では、傾斜面4a,4bと光軸垂直方向5bとがなす角θtが0度より大きくなっている。したがって、出力側面4における光の反射率を低減することができ、入力ポート2への戻り光を抑制することができる。よって、LDの動作を安定化することができる。また、出力側面4の近隣に吸収層7が設けられていることから、出力側面4から放射される光による特性劣化への影響を抑制することができる。また、本実施の形態によれば、吸収層7は、多モード光導波路5の出力側面4に隣接して設けられている。したがって、出力側面4から放射される光を、拡散する前に吸収することができる。また、光導波路型デバイス1のサイズを小型化することも期待できる。また、吸収層7が出力側面4に隣接して設けられている場合において、上述の角θtが10度以上55度以下である場合には、図4に示したように、出力側面4における光の反射率をより低減することができることから、LDの動作を確実に安定化することができる。なお、以上においては、図1に示したように、吸収層7が、傾斜面4a,4b近傍にのみ形成されていたが、これに限ったものではない。例えば、図9に示すように、吸収層7が、出力ポート6に沿って長尺化された構成であってもよい。このような構成にすれば、吸収層7に入射された迷光が、吸収層7内を伝搬する距離が長くなることから、当該迷光を、吸収層7において十分に減衰させることができ、吸収層7内において確実に吸収させることができる。なお、図9に示す構成と異なり、吸収層7は出力ポート6に接して設けられてもよいが、出力ポート6を伝搬する光を減衰させないようにするため、図9に示すように吸収層7及び出力ポート6の間に間隙を設け、当該間隙にInP層例えばInP層13を形成することが望ましい。<実施の形態2>図10~12は、本発明の実施の形態2に係る光導波路型デバイス1の構成を示す平面図である。本実施の形態では、平面視における吸収層7の形状が実施の形態1と異なっている。そこで、本実施の形態に係る光導波路型デバイス1において、実施の形態1で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付して説明を省略する。上述した実施の形態1に係る光導波路型デバイス1の構成では、MMIの出力側面4から放射された光は、吸収層7で吸収される。しかし、図1に示されるように、吸収層反射面7bが光軸垂直方向5bと平行である構成において、仮に、強い強度の光が、MMIの出力側面4から吸収層7吸収層入射面7aに入射された場合には、当該光が、吸収層反射面7bにおいて入射角反射角が0度で入射反射されて、入力ポート2LDへの戻り光となる可能性がある。これを解決するための構成として、図9に示したように吸収層7を長尺化する構成も考えられるが、レイアウトの関係でスペースに余裕がない場合にはその構成を採用できないと考えられる。そこで、図10に示す光導波路型デバイス1では、吸収層反射面7bが、光軸垂直方向5bに対して傾斜されている。このような構成によれば、吸収層反射面7bで反射された光が、入力ポート2側に向かうのを抑制することができることから、スペースに余裕がない場合であっても、吸収層7に入射された光を、吸収層7内において確実に吸収することができる。なお、スペースに余裕がある場合には、図11に示すように、図10に示した構成において、吸収層7を出力ポート6に沿って長尺化した構成にしてもよい。このような構成によれば、吸収層7に入射された光を、吸収層7内においてより確実に吸収することができる。なお、この構成において、吸収層7は出力ポート6に接して設けられてもよいが、出力ポート6を伝搬する光を減衰させないようにするため、図11に示すように吸収層7及び出力ポート6の間に間隙を設け、当該間隙にInP層例えばInP層13を形成することが望ましい。また、図12に示す構成では、これまでの構成とは異なり、吸収層7は、多モード光導波路5の出力側面4と離れて設けられている。そして、吸収層入射面7aが、多モード光導波路5に向かないように光軸垂直方向5bに対し傾斜している。このような構成によれば、出力側面4から放射された迷光が、吸収層入射面7aにおいて多モード光導波路5に戻らないようにここでは光軸垂直方向5bに向けて反射される割合を増やすことができ、その一方で、吸収層入射面7aから吸収層7内に透過される割合を減らすことができる。したがって、吸収層7から入力ポート2への戻り光を抑制することができることから、LDの動作を安定化することができる。図13は、図12に示す構成において、出力側面4傾斜面4a,4bと光軸垂直方向5bとがなす角θtに対する反射率を計算した結果である。MMIの屈折率はn=3.4InGaAsPのバルク、MMI外側の媒質の屈折率はn=3.17InPとした。計算結果が示すように、上記特許文献1のように角θtが0度である場合と比べて、角θtが40~45度程度である場合には反射率はほとんどゼロとなっている。また、実施の形態1でも説明したように、角θtが45度程度に設定された構成によれば、仮に、出力側面4において反射光が生じたとしても、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光となるためには出力側面4にて複数回例えば2回反射することが必要となる。したがって、出力側面4での反射光が、入力ポート2LDに戻りにくくなることから、この観点からも、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光をより抑えることができる。なお、図12に示すように、吸収層7は出力ポート6に接して設けられてもよい。しかし、出力ポート6を伝搬する光を減衰させないようにするため、吸収層7及び出力ポート6の間に間隙を設け、当該間隙にInP層例えばInP層13を形成することが望ましい。また、図12に示す構成において、吸収層7内を伝搬する光が完全に吸収されるために、吸収層7が出力ポート6に沿って長尺化されてもよい。また、図12に示す構成において、吸収層反射面7bが、光軸垂直方向5bに対して傾斜されて設けられていてもよい。これらの場合であっても、入力ポート2への戻り光を抑制することができることから、LDの動作を安定化することができる。<実施の形態3>図14及び図15は、本発明の実施の形態2に係る光導波路型デバイス1の構成を示す平面図である。なお、本実施の形態に係る光導波路型デバイス1において、実施の形態1で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付して説明を省略する。図14に示される光導波路型デバイス1では、1本の入力ポート2と、2本の出力ポート6とが設けられており、1×2のMMIが構成されている。このMMIでは、1本の入力ポート2から入射された光は2分岐されて、原理的にはほとんど損失を受けることなく、2本の出力ポート6から出力される。しかし、作成誤差などが原因で、出力側面4から放射される成分が多少存在する。ここで、本実施の形態では、吸収層7が出力側面4に隣接して設けられていることから、出力側面4から放射される光を吸収することが可能となっている。なお、図14に示される1×2のMMIでは、出力側面4から放射される光の割合は、2本の出力ポート6の間において高くなると考えられる。また、出力側面4からの放射光は、素子の長手方向とほぼ平行に進むため、他のMMIや、素子とファイバとの結合部分などで再結合する可能性が比較的高い。図14では、素子の特性に最も悪影響を及ぼすと考えられる、2本の出力ポート6の間に向かう光を矢印で示している。ここで、図14に示されるように、上述の角θtを45度に設定された構成では、2本の出力ポート6の間に向かう光は、出力側面4においてほぼ45度に近い入射角反射角で入射反射され、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光となるためには出力側面4にて複数回例えば2回反射することが必要となる。したがって、出力側面4での反射光が、入力ポート2LDに戻りにくくなることから、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光をより抑えることができる。なお、図14に示す構成では、吸収層7が出力ポート6に隣接して設けられているが、出力ポート6を伝搬する光を減衰させないようにするため、吸収層7及び出力ポート6の間に間隙を設け、当該間隙にInP層例えばInP層13を形成することが望ましい。図15に示される光導波路型デバイス1では、2本の入力ポート2と、1本の出力ポート6とが設けられており、2×1のMMIが構成されている。このMMIでは、2本の入力ポート2から入射された光の位相が同相であれば、その光は出力ポート6から出力される。しかし、2本の入力ポート2から入射された光の位相が例えばπずれている場合には消光され、理想的には、出力ポート6から光は出力されない。なお、実際には、光の位相が同相である状態、及び、πずれている状態のいずれであっても、作成誤差などが原因で、出力側面4から放射される成分が多少存在する。ここで、本実施の形態では、吸収層7が出力側面4に隣接して設けられていることから、出力側面4から放射される光を吸収することが可能となっている。また、図15に示されるように、上述の角θtを45度に設定された構成では、実施の形態1で図1を用いて説明した構成と同様に、出力側面4での反射光が、入力ポート2LDに戻りにくくなることから、入力ポート2への戻り光LDへの戻り光をより抑えることができる。<実施の形態4>図16は、本発明の実施の形態4に係る光導波路型デバイスの構成を示す平面図である。図16に示されるように、本実施の形態に係る光導波路型デバイスは、それぞれが異なる波長の光を発する9本のLD31と、実施の形態1の光導波路型デバイス1と同様の構成を有する9×1MMI41と、MZMach-Zehnder型変調器51とを備えている。そして、MZ型変調器51は、変調電極52と、図14に示す構成と同様の構成を有する1×2MMI53、及び、図15に示す構成と同様の構成を有する2×1MMI54とを備えている。9本のLD31は、9×1MMI41の9本の入力ポート2とそれぞれ接続され、9×1MMI41の1本の出力ポート6は、1×2MMI53の1本の入力ポート2と接続されている。そして、1×2MMI53の2本の出力ポート6の一方は、2×1MMI54の2本の入力ポート2の一方と接続され、1×2MMI53の2本の出力ポート6の他方は、2×1MMI54の2本の入力ポート2の他方と、変調電極52を介して接続されている。以上の構成において、所望の1本のLD31を発光させると、所望の波長の光が9×1MMI41の出力ポート6から出力される。このとき、原理的に1/9の光は9×1MMI41の出力ポート6から出力されるが、残りの8/9の光は出力ポート6に結合できずに、9×1MMI41の出力側面から放射される。しかし、本実施の形態では、吸収層7が当該出力側面に隣接して設けられていることから、そこから放射される光が吸収される。したがって、当該光が、その後段のMZ型変調器51の変調信号に及ぼす悪影響を抑制することができる。また、9×1MMI41の出力側面は光軸垂直方向5bに対して45度で傾斜しているため、実施の形態1などで説明したように、LD31側への戻り光を非常に小さくすることができ、LD31の特性を安定化することができる。次に、9×1MMI41の後段に位置するMZ型変調器51の構成要素について説明する。9×1MMI41の出力ポート6と接続された1×2MMI53では、1本の入力ポート2から入射された光は2分岐されて、原理的にはほとんど損失を受けることなく、2本の出力ポート6から出力される。しかし、作成誤差などが原因で、1×2MMI53の出力側面から放射される成分が多少存在する。ここで、本実施の形態では、吸収層7が当該出力側面に隣接して設けられていることから、そこから放射される光が吸収される。したがって、その光が後段の素子に及ぼす悪影響を抑制することができる。また、1×2MMI53の出力側面は光軸垂直方向5bに対して45度で傾斜しているため、実施の形態1などで説明したように、LD31側への戻り光を非常に小さくすることができ、LD31の特性を安定化することができる。1×2MMI53と2×1MMI54との中間のアーム部には、上述の変調電極52が設けられている。この変調電極52に電圧を印加することで、変調電極52が設けられたアーム部光導波路の屈折率が変化し、光の位相が変化する。その結果、印加電圧の大きさにより、MZ型変調器51の光出力についてON/OFFの切り替えが可能となる。例えば、2本のアームを透過する光の位相が同じ場合には光は出力され、当該位相がπずれている場合には当該光は打ち消し合うため出力されなくなる。よって、電圧信号を印加する信号電圧印加手段55を用いて、変調電極52に電気のRZReturntoZero信号を印加することで、光のRZ信号が得られることになる。なお、実際には、アームを透過する光の位相が同相である状態、及び、πすれている状態のいずれであっても、作成誤差などが原因で、2×1MMI54の出力側面から放射される光が多少存在する。仮に、この放射光が、信号光が通過しているファイバの結合部分などから混入した場合には、変調信号の消光比劣化などの問題が生じる。それに対し、本実施の形態では、吸収層7が当該出力側面に隣接して設けられていることから、出力側面から放射される光を吸収することが可能となっていることから、このような問題が生じるのを抑制することができる。また、2×1MMI54の出力側面は光軸垂直方向5bに対して45度で傾斜しているため、実施の形態1などで説明したように、LD31側への戻り光を非常に小さくすることができ、LD31の特性を安定化することができる。図17~図21は、それぞれ図16に示される切断線A-A’,B-B’,C-C’,D-D’,E-E’における断面図を示している。図17に示されるように、LD31は、InP基板11と、その上に順に形成されたInGaAsPの量子井戸構造からなる層22、上部クラッド層12、InP層14と、上部クラッド層12内に設けられた回折格子21とを備えている。そして、層22の側面には、層22と9×1MMI41の入力ポート2とを接続するInGaAsPのバルクからなる光導波路23が設けられている。図18及び図19に示される構成は、図2及び図3に示される構成とほぼ同じであり、図20及び図21に示される構成は、埋め込み構造とハイメサ構造との違いを除けば、図2及び図3に示される構成とほぼ同じである。なお、ここでは、9×1MMI41は埋め込み構造図18及び図19で形成され、1×2MMI54はハイメサ構造図20及び図21で形成されているが、これに限ったものではなく、これら全て埋め込み構造で形成してもよい。次に、本実施の形態に係る光導波路型デバイスの作成方法について説明する。まず、InP基板11上にMOCVD法などを用いて、LD31及び吸収層7となるInGaAsP/InGaAsPの量子井戸構造を有する活性層16を形成した後、その上にInPからなる上部クラッド層12の一部を形成する。この際、波長選択性を得ることでDFBレーザを構成するため、LD31を構成する量子井戸構造の領域上には、図17に示すように回折格子21を形成する。その後、フォトリソグラフィー技術を用いて、図22に示すように、LD31及び吸収層7が形成される領域に酸化シリコンなどのマスク26を形成し、それ以外の領域をウェットエッチングもしくはドライエッチングにより除去する。その後、選択成長法によってMMI入力ポート2、多モード光導波路5及び出力ポート6となるInGaAsPバルクのコア層と、InPからなる上部クラッド層12となる層とを順に積層する。それから、図23に示すように、MMI41,53,54と、LD31及びMMI41を結合するための光導波路と、MMI41及びMMI53を結合するための光導波路と、MMI53及びMMI54を結合するための光導波路を形成すべき領域に酸化シリコンなどのマスク27をさらに形成する。そして、マスク26,27が形成されていない領域をエッチングで除去する。その後、選択成長法によって、LD31、MMI41,53,54、上述の光導波路、吸収層7及び上部クラッド層12を囲むInP層13を成長させる。その状態から、マスク26,27を全てフッ酸等で除去し、その後、最上層であるInP層14を形成する。以上により、図16~図21に示される本実施の形態に係る光導波路型デバイスが形成される。なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。"