チャンバーと、前記チャンバーの内部に備えられ、アルミナ融液を収容するルツボと、前記チャンバーの内側に備えられ、前記ルツボを加熱する抵抗加熱ヒータと、を含む抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置。前記ルツボの外部に備えられるルツボ支持台と、前記ルツボ支持台の下側に備えられる回転軸と、をさらに含み、前記回転軸は、所定の駆動手段によって前記ルツボを回転および昇降させることを特徴とする請求項1に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置。前記チャンバー内側に備えられ、前記ルツボ内のアルミナ融液に磁場を印加するカスプマグネットをさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置。前記チャンバーの内側に備えられ、前記成長するインゴットを加熱するアフターヒータをさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置。チャンバーの内部に備えられるルツボにアルミナ多結晶を装入するステップと、前記ルツボを抵抗加熱ヒータにより加熱して、前記アルミナ多結晶をアルミナ融液にするステップと、溶融したアルミナの上部に種結晶を接触させるステップと、接触された種結晶からサファイア単結晶インゴットを成長させるステップと、成長したインゴットを溶融したアルミナと分離するステップと、を含む抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法。前記ルツボの外部に備えられるルツボ支持台および前記ルツボ支持台の下側に備えられる回転軸をさらに含み、前記回転軸は、所定の駆動手段によって前記ルツボを回転および昇降させることを特徴とする請求項5に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法。前記ルツボ内のアルミナ融液に磁場を印加するカスプマグネットをさらに含むことを特徴とする請求項5または6に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法。前記カスプマグネットの上部コイルと下部コイルに印加される電流比が1:05~1:2となるように調節して、ZGPを下落させ、SRCellのローレンツ力を増加させることを特徴とする請求項7に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法。前記成長する結晶と前記ルツボを回転させて、アルミナ融液の対流パターンを制御することを特徴とする請求項5または6に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法。以下の数式1と数式2を利用して、MsMcを01~05に維持することを特徴とする請求項9に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法。数式1DSratioVolumeofSeedRotationCellVolumeofCrucibleRotationCellVsVc数式1において、DSratioは、CRcellのVolumeに対するSRcellのボリューム比である。数式2MsMcAngularMomentumofSeedRotationCellAngularMomentumofCrucibleRotationCellVsΦsmVcΦcm数式2において、MsMcは、CRcellの角運動量に対するSRcellの角運動量の比であり、Φsmは、SRcellの中心での最大角速度であり、Φcmは、CRcellの中心での最大角速度である。成長するインゴットをアフターヒータで加熱するステップをさらに含むことを特徴とする請求項5または6に記載の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法。150mm以上の直径を有することを特徴とするサファイアインゴット。150mm以上の直径および200mm以上の有効長さを有することを特徴とする請求項12に記載のサファイアインゴット。1000EAcm2のEPD密度を有することを特徴とする請求項12または13に記載のサファイアインゴット。気孔のないことを特徴とする請求項12または13に記載のサファイアインゴット。コアファセットが発生しないことを特徴とする請求項12または13に記載のサファイアインゴット。サファイアインゴットから製造された150mm以上の直径を有することを特徴とするサファイアウェハ。1000EAcm2のEPD密度を有することを特徴とする請求項17に記載のサファイアウェハ。気孔のないことを特徴とする請求項17または18に記載のサファイアウェハ。コアファセットが発生しないことを特徴とする請求項17または18に記載のサファイアウェハ。本発明は、従来の誘導加熱CZ法が持つ高温のアルミナ溶融体の対流パターンに対する制御の限界点を克服して、サファイア単結晶の品質を改善できる、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハを提供しようとする。また、本発明は、大口径化が可能で、費用を低減でき、効率性が増大する抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハを提供しようとする。本発明の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に備えられてアルミナ融液を収容するルツボと、前記チャンバーの内側に備えられて前記ルツボを加熱する抵抗加熱ヒータとを含む。また、本発明の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法は、チャンバーの内部に備えられるルツボにアルミナ多結晶を装入するステップと、前記ルツボを抵抗加熱ヒータにより加熱して、前記アルミナ多結晶をアルミナ融液にするステップと、溶融したアルミナの上部に種結晶を接合させるステップと、接合された種結晶からサファイア単結晶インゴットを成長させるステップと、成長したインゴットを溶融したアルミナと分離するステップとを含む。また、本発明のサファイア単結晶インゴットは、150mm以上の直径を有することができる。また、本発明のサファイアウェハは、150mm以上の直径を有することができる。本発明によれば、高温のアルミナ溶融体の対流パターンに対する制御の限界点を克服して、サファイア単結晶の品質を改善できる抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハを提供できる。例えば、本発明によれば、抵抗加熱方式とルツボの回転による成長界面での伝達現象によって、EPD密度を大きく減らすことができる。また、本発明によれば、部分的な自然対流の減速化および部分的な強制対流を誘導して単結晶インゴット内の気泡を減らし、気孔のない無欠陥サファイアインゴットを提供することができる。また、本発明によれば、成長界面の形状を変化させてせん断応力を減少させ、潜熱の効果を利用してコアファセットが発生しないようにする。また、本発明によれば、成長したインゴットの温度分布の制御によってインゴット内のクラックを減らすことができる。また、本発明によれば、大口径化が可能で、費用を低減でき、効率性が増大する抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。例えば、本発明によれば、既存のRFコイル誘導加熱CZ法より大口径化が容易で、150mm以上の直径を有するサファイアインゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。また、本発明は、200mm以上の有効長さと150mm以上の直径を有するサファイアインゴットを提供することができる。また、本発明によれば、サファイア単結晶で結晶学的にC軸成長技術を確保することで、他のすべての方向に結晶成長技術を確立することができ、本発明によってC軸成長技術が開発されると、他の成長方法で必要不可欠なコアリング工程なしに、グラインディングによってインゴットを生産できるので、生産性が向上するだけでなく、直径制御による50以上の高いシリンダー収率が保障され、国際的に独歩的な競争力を持つ技術を確保できる。また、本発明によれば、Irルツボを採用しないことで、材料費が大幅に減らすことができる。また、本発明によれば、断熱材の選択および工程変数の活用面で広範囲な制御幅を持つことで、研究開発の効果が増加することになる。実施例の説明において、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などが、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などの上または下に形成されると記載される場合、上と下は直接または他の構成要素を介在して形成されるものを全部含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面での各構成要素の大きさは、説明の便宜を図って誇張される場合があり、実際に適用される大きさを意味するものではない。実施例図2は、本発明の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置100の例示図である。本発明のサファイア単結晶インゴットを成長させるための製造方法としては、単結晶であるシードをアルミナ融液に浸漬した後、ゆっくり引き上げながら結晶を成長させるCZ法を採用することができる。本発明の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置100は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に備えられ、アルミナ融液を収容するルツボ120と、前記チャンバーの内側に備えられ、前記ルツボ120を加熱する抵抗加熱ヒータ130と、成長するインゴットを予熱するアフターヒータと、シードが一端に結合されている引上手段150とを含むことができる。前記チャンバーは、サファイアインゴットを成長させるための所定の工程が実行される空間を提供する。前記ルツボ120は、アルミナ融液を収容できるように前記チャンバーの内部に備えられ、タングステンまたはモリブデン等の材質でなることができるが、これに限定されるものではない。実施例で、ルツボ120の材質と形状は、150mm以上の直径に合うように設計され、これによって伝導および融液の対流と熱伝達メカニズムを制御することができる。前記ルツボ120の外部にはルツボ120を支持するルツボ支持台125が設けられる。前記ルツボ支持台125は回転軸127上に固定設置され、前記回転軸127は、駆動手段によって回転され、ルツボ120を回転および昇降運動させながら、固液界面が一定の高さを維持するようにする。前記抵抗加熱ヒータ130は、ルツボ120を加熱するようにチャンバーの内部に設けられる。前記抵抗加熱ヒータ130はルツボ120内に搭載された多結晶サファイアの塊を溶融してサファイア融液にする。前記抵抗加熱ヒータ130は、グラファイト、タングステン、モリブデン等で製造することができるが、これに限定されるものではない。前記抵抗加熱ヒータ130は、多重加熱ヒータを採用することができ、抵抗加熱ヒータ130を300mmの直径に適合するように設計することができる。前記チャンバーの内側には、抵抗加熱ヒータ130の熱が放出されないように輻射断熱材142が設置される。前記断熱材142は、抵抗加熱ヒータ130およびルツボ120において最適な熱的分布をもたらし、そのエネルギーを最大限損失なく活用可能とする材質と形状で設計される。また、本発明は、前記断熱材142の外側に熱遮蔽材144がさらに備えられ、チャンバー外側への熱の放出を遮断することができる。チャンバーの内側に設置される輻射断熱材142と熱遮蔽材144は、その材質に応じて設置順を変更することができる。また、これらはルツボを基準として側部に配置されることに限定されず、下部および上部にも位置させることができる。本発明の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置100は、シード駆動部、センサ部および制御部を含むことができる。前記シード駆動部は、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置100の動作に重要な役割をする部分として、シードローテーションおよびシードリフト動作が可能な引上手段150と制御ロジックを有することができる。前記センサ部は、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置100の運用おいて、各種電気的および機械的信号を送受信するように機能し、インゴットの重さセンシングおよびインゴット側部表面の温度センシングが可能なセンサ部および制御ロジックを具備することができる。前記制御部は、前記駆動部と前記センサ部での各種情報を基に実際の結晶成長を行う制御ロジックであり、重さと温度を連係する閉ループ方式のフィードバック制御ロジックに設計することができるが、これに限定されるものではない。本発明は、設計された装備に適合したホットゾーンを設計することで、最適な熱的分布を有するようにすることができる。例えば、本発明は、ホットゾーンを開発するためのコンピュータシミュレーションに基づいて融液の対流、熱伝達特性を予想し、HZ材料の選択に効率的に対応することができる。また、本発明は、アフターヒーティング技術を採用することができるが、これに限定されるものではない。例えば、アフターヒーティングのためにサファイアインゴットの上側に反射部を設けることができるが、これに限定されるものではない。また、本発明は、成長したインゴットからの転位除去するためのアニーリング工程を行うことができるが、これに限定されるものではない。図3は、本発明の抵抗加熱CZ法を利用した高温のアルミナ溶融体の対流パターンに対する制御および成長界面の伝達現象に対する制御方法の例示図であり、図4は、本発明の抵抗加熱CZ法を利用したサファイア単結晶インゴットの製造方法で、対流パターンを解釈する方法に対する例示図である。本発明の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法によれば、高温のアルミナ溶融体の対流パターンに対する制御の限界点を克服して、サファイア単結晶の品質を改善することができる。例えば、本発明によれば、抵抗加熱方式とルツボの回転による成長界面での伝達現象によって、EPD密度を大きく減らすことができる。具体的に、本発明は、従来の技術が持つ高温のアルミナ溶融体の対流パターン制御の限界点を克服するために、ルツボ120と単結晶インゴットを適切な比で回転させて強制対流効果を誘発し、フィールド資源とルツボ120の引上により生成した強制対流パターンを効率的に維持して溶融体内部の温度を均一に分布させると共に、成長界面の形状をフラットまたはインゴット側に膨らませ、蓄積した潜熱を成長界面を介してインゴット側に効率的に排出させることができる。これによって、本発明によれば、引上と温度勾配から発生するEPDを大きく減らすことができる。例えば、本発明によれば、EPDを1000EAcm2または1000EAcm2以下に減らすことができる。また、本発明によれば、部分的に自然対流の減速化および部分的に強制対流を誘導して、自然対流の減速化および強制対流の効果によって、単結晶インゴット内の気泡を減らし、気孔のない無欠陥サファイアインゴットを提供することができる。具体的に、実施例で、ルツボ120と成長するサファイアインゴットを反対方向に回転させながら角回転に参与する溶融体の角運動量の比を一定に維持させることができ、終局、気泡を含む高温のアルミナは、ルツボ120の壁面に沿って垂直上昇するルツボローテーションセルパターンに含まれて自由表面に移動し、この時、成長炉内の低い圧力によって気泡は揮発できる。たまに残っているマイクロ気泡は、インゴットの回転によるシードローテーションセルのポンピング効果によって、成長界面に移動できなくなる。数式1DSratioVolumeofSeedRotationCellVolumeofCrucibleRotationCellVsVc数式1において、DSratioはCRcellのVolumeに対するSRcellのボリューム比である。数式2MsMcAngularMomentumofSeedRotationCellAngularMomentumofCrucibleRotationCellVsΦsmVcΦcm数式2において、MsMcはCRcellの角運動量に対するSRcellの角運動量の比率であり、ΦsmはSRcellの中心で最大角速度であり、ΦcmはCRcellの中心で最大角速度である。本発明は、MsMc値の最適条件を導出して、部分的な自然対流の減速化および部分的な強制対流を誘導し、単結晶インゴット内の気泡を減らすことができる。また、本発明によれば、成長界面と溶融体の摩擦によるせん断応力と潜熱の排出経路変更による応力制御によって、コアファセットの発生を防ぐことができる。具体的に、本発明によれば、インゴットの回転にともなうSRcellによるポンピング効果によって、成長界面は溶融体側に膨らんだ形状からフラット形状、或いは成長結晶側に膨らんだ形状に制御され、これは成長界面及び溶融体の間の界面に作用するせん断応力と結晶面方向との角度を変化させて、コアファセット制御に有利に作用する。また、本発明によれば、成長したインゴットの温度分布の制御によってインゴット内のクラックを減らすことができる。具体的に、本発明によれば、ルツボ120を成長した結晶の密度比に合わせて上昇移動させることで、一定の固液界面の位置を維持することができ、これは抵抗加熱ヒータ130の中心と成長界面の位置の変化を最小化させることで、成長炉内のインゴットの熱分布の変化を最小化して成長する結晶に発生しうる熱応力分布差によるクラックの発生を抑制することができる。一方、インゴットの熱分布は、アフターヒータの採用で効果的に制御することができる。また、本発明によれば、サファイアインゴットの大口径化が可能で、費用を低減でき、効率性が増大する抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。例えば、本発明によれば、既存のRFコイル誘導加熱CZ法より大口径化が容易で、150mm以上の直径を有するサファイアインゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。また、本発明は、200mm以上の有効長さと150mm以上の直径を有するサファイアインゴットを提供することができる。本発明によれば、サファイア単結晶で結晶学的にC軸成長技術を確保することで、他のすべての方向に結晶成長技術を確立することができる。これは、LED用サファイア基板に要求される結晶学的方向が変化しても、即時的に対応可能な技術を確保できることになる。本発明によってC軸成長技術が開発されると、他の成長方法で必要不可欠なコアリング工程なしに、グラインディングによってインゴットを生産することで、生産性が向上するだけでなく、直径制御による50以上の高いシリンダー収率が保障されることで、国際的に独歩的な競争力を持つ技術を確保できる。前記インゴットシリンダー収率は、インゴットシリンダーの重量を棒状のインゴットの重量で割り、100を乗じた値で求めることができる。本発明によれば、双晶境界亜粒界のないサファイアインゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。また、本発明によれば、オリエンテーションがインゴットシリンダーを基準として、ターゲット±0025、フラット±01のサファイアインゴットを提供することができる。また、本発明によれば、Irルツボを採用しないことで、材料費を大幅に減らすことができる。また、本発明によれば、断熱材の選択および工程変数の活用面で広範囲な制御幅を持つことで、研究開発の効果が増加することになる。例えば、フィールド資源であるカスプマグネットと高温溶融体の挙動により発生するローレンツ力を利用して、成長界面近くの境界層およびSRcellの形状、位置などを制御することができる。例えば、本発明によれば、マグネット装備の上部コイルと下部コイルに印加する電流比を調整すると、ZGPが約40mmから約105mmに下落し、SRCellのローレンツ力が増加する。例えば、上部コイルと下部コイルに印加する電流比を1~2となるように調節して、ZGPを下落させ、SRCellのローレンツ力を増加させることができるが、これに限定されるものではない。前記カスプマグネットの上部コイルと下部コイルに印加する電流比が1~2となるようにするとは、相互同一または、いずかの一方が2倍までなることを意味する。例えば、上部コイルと下部コイルに印加する電流比を1:05~1:2となるようにするが、これに限定されるものではない。本発明によるローレンツ力の増加によって融液のポンピング量が増加すると、ルツボの底から流入する酸素が増加してサファイアインゴットの酸素濃度が増加する。本発明の抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハによれば、次のような効果がある。本発明によれば、高温のアルミナ溶融体に対する制御の限界点を克服して、サファイア単結晶の品質を改善できる抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。例えば、本発明によれば、抵抗加熱方式とルツボ回転による成長界面での伝達現象によって、EPD密度を大きく減らすことができる。また、本発明によれば、部分的な自然対流の減速化および部分的な強制対流の効果によって単結晶インゴット内の気泡を減らし、気孔のない無欠陥サファイアインゴットを提供することができる。また、本発明によれば、成長界面の摩擦によるせん断応力と潜熱排出経路の変更による応力制御によって、コアファセットが発生しなくなる。また、本発明によれば、成長したインゴットの温度分布の制御によってインゴット内のクラックを減らすことができる。また、本発明によれば、大口径化が可能で、費用を低減でき、効率性が増大する抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの成長装置、抵抗加熱サファイア単結晶インゴットの製造方法、サファイア単結晶インゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。例えば、実施例によれば、既存のRFコイル誘導加熱CZ法より大口径化が容易で、150mm以上の直径を有するサファイアインゴットおよびサファイアウェハを提供することができる。また、本発明は、200mm以上の有効長さと150mm以上の直径を有するサファイアインゴットを提供することができる。また、本発明によれば、サファイア単結晶で結晶学的にC軸成長技術を確立することで、他のすべての方向に結晶成長技術を確保することができる。例えば、本発明によってC軸成長技術が開発されると、他の成長方法で必要不可欠なコアリング工程なしに、グラインディングによってインゴットを生産できるので、生産性が向上するだけでなく、直径制御による50以上の高いシリンダー収率が保障され、国際的に独歩的な競争力を持つ技術を確保できる。また、本発明によれば、Irルツボを採用しないことで、材料費が大幅に減らすことができる。また、本発明によれば、断熱材の選択および工程変数の活用面で広範囲な制御幅を持つことで、研究開発の効果が増加することになる。一方、サファイア素材は、LED以外に通信、センサ、セキュリティー等の多様な産業分野への適用可能性が大きい潜在素材として、本発明によって生産性が高く、高品質で大口径のサファイア素材技術を確立することで、他の用途での市場開拓用の新製品開発が可能である。以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、本発明が属する分野で通常の知識を持つ者によって、他の実施例に対しても組合または変形されて実施が可能である。従って、このような組合と変形に係る内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。以上、本発明を特定の実施例を中心に説明したが、本発明はこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。