"各々が一対のトランジスタからなり且つ前記トランジスタの双方の電流路の各々が互いに直列接続された2つのカレントミラー回路からなって定電流バイアス電位を生成するバイアス電源回路と、前記定電流バイアス電位に応じた定電流を生成する定電流源に各々の動作電流端子が共通接続された差動入力トランジスタ対と、前記差動入力トランジスタ対の残りの動作電流端子の各々を流れる出力電流の電流路となる能動負荷トランジスタ対と、を含む差動増幅器と、前記差動入力トランジスタ対の一方のトランジスタの前記出力電流に基づいて出力電圧を出力する出力ドライバと、を含むオペアンプであって、前記バイアス電源回路は、前記2つのカレントミラー回路の間の2つの電流路に挿入された一対の抵抗部を更に有して前記定電流バイアス電位の他に付加バイアス電位を生成し、前記差動増幅器は、前記差動入力トランジスタ対と前記能動負荷トランジスタ対との間の電流路に挿入され且つ前記付加バイアス電位によって各々がバイアスされる電圧降下用トランジスタ対を更に含むことを特徴とするオペアンプ。前記カレントミラー回路の一方は一対のPチャネル電界効果トランジスタからなり、且つ前記カレントミラー回路の他方は一対のNチャネル電界効果トランジスタからなることを特徴とする請求項1に記載のオペアンプ。前記差動入力トランジスタ対の各々はPチャネル電界効果トランジスタからなり、且つ前記能動負荷トランジスタ対の各々はNチャネル電界効果トランジスタからなり、且つ前記電圧降下用トランジスタ対の各々はPチャネル電界効果トランジスタからなることを特徴とする請求項1に記載のオペアンプ。ところで、近年、生産設備の維持費を抑制することを目的としたファブレス戦略が注目されている。すなわち、自社では工場を所有せずに設計のみを行い、自社外の工場に生産委託を行なう戦略である。かかる戦略の下では、生産プロセスは委託先に依存することとなる。一般に、生産プロセスは、低消費電力化等のために、低い電源電圧に対応したものに移行する。例えば、電源電圧3.3Vに対応した生産プロセスから電源電圧2.5Vに対応した生産プロセスに移行する。故に、委託先において、例えば電源電圧3.3V対応の生産プロセスラインを閉鎖し、電源電圧2.5V対応の生産プロセスラインしかなくなってしまうということが起こり得る。かかる状況の下では、委託元である自社が顧客から電源電圧3.3V対応のICの設計を依頼されても、委託先の工場に電源電圧3.3V対応の生産プロセスラインが無いので当該依頼に応えることができない。電源電圧2.5V対応の生産プロセスラインによって生産した製品に対して電源電圧3.3Vを供給して使用した場合にも、上記したホットキャリアに起因する問題が生ずると考えられる。上記した特許文献1及び2に記載の構成は、例えば2.5V等の低い電源電圧に対応する生産プロセスで生産された製品に対して例えば3.3V等の高い電源電圧を供給したときに生じ得る過大なホットキャリアに起因するオペアンプ特性劣化の回避を保証するものではない。本発明は上記した如き問題点に鑑みてなされたものであって、低い電源電圧に対応する生産プロセスで生産された製品に対して高い電源電圧を供給した場合にも、ホットキャリアに起因するオペアンプ特性の劣化を回避することができるオペアンプを提供することを目的とする。本発明によるオペアンプは、各々が一対のトランジスタからなり且つ前記トランジスタの双方の電流路の各々が互いに直列接続された2つのカレントミラー回路からなって定電流バイアス電位を生成するバイアス電源回路と、前記定電流バイアス電位に応じた定電流を生成する定電流源に各々の動作電流端子が共通接続された差動入力トランジスタ対と、前記差動入力トランジスタ対の残りの動作電流端子の各々を流れる出力電流の電流路となる能動負荷トランジスタ対と、を含む差動増幅器と、前記差動入力トランジスタ対の一方のトランジスタの前記出力電流に基づいて出力電圧を出力する出力ドライバと、を含むオペアンプであって、前記バイアス電源回路は、前記2つのカレントミラー回路の間の2つの電流路に挿入された一対の抵抗部を更に有して前記定電流バイアス電位の他に付加バイアス電位を生成し、前記差動増幅器は、前記差動入力トランジスタ対と前記能動負荷トランジスタ対との間の電流路に挿入され且つ前記付加バイアス電位によって各々がバイアスされる電圧降下用トランジスタ対を更に含むことを特徴とする。本発明によるオペアンプによれば、低い電源電圧に対応する生産プロセスで生産された製品に対して高い電源電圧を供給した場合にも、ホットキャリアに起因するオペアンプ特性の劣化を回避することができる。以下、本発明に係る実施例について添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図1には、本発明の実施例であるオペアンプ1の回路構成が示される。バイアス電源回路10は、付加バイアス電位VB1及び定電流バイアス電位VB2を生成し、演算相互コンダクタンス増幅器OperationalTransconductanceAmplifier。以下、差動増幅器と称する20に付加バイアス電位VB1及び定電流バイアス電位VB2を供給するとともに、出力ドライバ30に定電流バイアス電位VB2を供給する。Pチャネル電界効果トランジスタ11以下、単にトランジスタ11と称する及びPチャネル電界効果トランジスタ12以下、単にトランジスタ12と称するの各々のソースは電源電位3.3Vに接続されている。トランジスタ11のゲートとトランジスタ12のゲートとが互いに接続されている。トランジスタ12のゲートとドレインとが相互に接続されている。かかる接続により、トランジスタ11とトランジスタ12は第1のカレントミラー回路を構成している。Nチャネル電界効果トランジスタ13以下、単にトランジスタ13と称する及びNチャネル電界効果トランジスタ14以下、単にトランジスタ14と称するの各々のソースは接地電位0Vに接続されている。トランジスタ13のゲートとトランジスタ14のゲートとが互いに接続されている。トランジスタ14のゲートとドレインとが相互に接続されている。かかる接続により、トランジスタ13とトランジスタ14は第2のカレントミラー回路を構成している。トランジスタ11のドレインとトランジスタ13のドレインとは抵抗部15を介して互いに接続されている。トランジスタ12のドレインとトランジスタ14のドレインとは抵抗部16を介して互いに接続されている。抵抗部15及び抵抗部16の各々は、例えば1つの抵抗素子からなる。このように、第1のカレントミラー回路及び第2のカレントミラー回路の双方の電流路の各々が互いに直列接続され、一対の抵抗部15及び16がこれら2つの電流路に挿入されている。抵抗部15の抵抗値と抵抗部16の抵抗値とは同じでも良いし、トランジスタ11、12、13、14の特性等に応じて異なる抵抗値としても良い。トランジスタ11のドレインの電位に等しい付加バイアス電位VB1が出力される。トランジスタ14のドレインの電位に等しい定電流バイアス電位VB2が出力される。差動増幅器20は、入力端子2に供給される信号の電位とノードn4の電位との差に比例した電流ID以下、ドライブ電流IDと称するをノードn2から出力する。Pチャネル電界効果トランジスタ21以下、単にトランジスタ21と称する及びPチャネル電界効果トランジスタ22以下、単にトランジスタ22と称するの各々のソースは電源電位3.3Vに接続されている。トランジスタ21のゲートとトランジスタ22のゲートとが互いに接続されている。トランジスタ21とトランジスタ22は、Pチャネル電界効果トランジスタ23以下、単にトランジスタ23と称する及びPチャネル電界効果トランジスタ24以下、単にトランジスタ24と称するの各々のドレイン電流の電流路となる能動負荷トランジスタ対として動作する。トランジスタ23のソースは、ノードn3においてトランジスタ21のドレインに接続されている。トランジスタ24のソースは、トランジスタ22のドレインに接続されている。トランジスタ22のゲートとトランジスタ24のドレインとが互いに接続されている。トランジスタ23及びトランジスタ24の各々のゲートには、付加バイアス電位VB1が供給される。トランジスタ23及びトランジスタ24の各々は、付加バイアス電位VB1によってバイアスされてオン状態となっている。トランジスタ23のオン抵抗により、ノードn3とノードn2との間で電圧降下が生じる。同様に、トランジスタ24のオン抵抗により、トランジスタ22とトランジスタ26との間で電圧降下が生じる。かかる接続により、トランジスタ21、22、23及び24は、いわゆるカスコード化されたカレントミラー回路を構成している。Nチャネル電界効果トランジスタ25以下、単にトランジスタ25と称する及びNチャネル電界効果トランジスタ26以下、単にトランジスタ26と称するの各々のソースは、ノードn1において共通接続され、Nチャネル電界効果トランジスタ27以下、単にトランジスタ27と称するのドレインに接続されている。トランジスタ25のドレインは、ノードn2以下、出力ノードとも称するにおいてトランジスタ23のドレインに接続されている。トランジスタ26のドレインは、トランジスタ24のドレインに接続されている。トランジスタ25のゲートは、入力端子2に接続されている。トランジスタ26のゲートは、ノードn4に接続されている。トランジスタ25とトランジスタ26は、差動入力トランジスタ対である。また、トランジスタ23とトランジスタ24は、差動入力トランジスタ対25、26と能動負荷トランジスタ対21、22との間の電流路に挿入された電圧降下用トランジスタ対である。トランジスタ27のソースは、接地電位0Vに接続されている。トランジスタ27のゲートは、バイアス電源回路10のトランジスタ13のドレインに接続されている。トランジスタ27のゲートには、定電流バイアス電位VB2が供給される。トランジスタ27は、定電流バイアス電位VB2の供給を受けて定電流源として動作する。以下、トランジスタ27を定電流生成トランジスタとも称する。出力ドライバ30は、差動入力トランジスタ対の一方のトランジスタ25のドレイン電流IDに基づいて出力電圧VOを出力端子3から出力する。Pチャネル電界効果トランジスタ31以下、単にトランジスタ31と称するのソースは電源電位3.3Vに接続されている。トランジスタ31のゲートは、差動増幅器20のノードn2に接続されている。Nチャネル電界効果トランジスタ32以下、単にトランジスタ32と称するのソースは接地電位0Vに接続されている。トランジスタ32のゲートは、バイアス電源回路10のトランジスタ13のドレインに接続されている。トランジスタ32は、定電流バイアス電位VB2の供給を受けて定電流源として動作する。トランジスタ31のドレインと、トランジスタ32のドレインとはノードn4において互いに接続されている。ノードn4の電位に等しい出力電圧VOが出力端子3から出力される。オペアンプ1は、例えば電源電圧2.5Vに対応した生産プロセスによって製造されたIC回路に含まれるものである。オペアンプ1に含まれるトランジスタ11、12、13、14、21、22、25、26及び27の各々のドレイン-ソース間電圧以下、Vdsと称するが例えば2.0Vなどの所定電圧よりも小さければ、ホットキャリアが生じても例えば10年間は一定のオペアンプ特性を保つことができる。以下、当該所定電圧をホットキャリアフリー閾値電圧と称する。また、抵抗部15による電圧降下量は例えば0.8Vである。抵抗部16による電圧降下量も例えば0.8Vである。以下、トランジスタ13、14及び27の各々のゲート-ソース間電圧以下、Vgsと称するが例えば0.7Vである場合における各トランジスタのVdsについて説明する。トランジスタ13のゲートとドレインとは互いに接続されているので、トランジスタ13のVdsとVgsは等しくなる。故に、トランジスタ13のVds=Vgs=0.7Vとなる。トランジスタ11のVdsは、電源電位3.3Vから、トランジスタ13のVds=0.7Vと、抵抗部15による電圧降下分である0.8Vとを差し引いて電圧値1.8Vとなる。トランジスタ14は、トランジスタ13と共にカレントミラー回路を構成しており、両者のドレイン電流が等しいので、トランジスタ14のVds=0.7Vとなる。トランジスタ12のVdsは、電源電位3.3Vから、トランジスタ14のVds=0.7Vと、抵抗部16による電圧降下分である0.8Vとを差し引いて電圧値1.8Vとなる。トランジスタ27及びトランジスタ32の各々は、バイアス電源回路10から供給される定電流バイアス電位VB2によってオンし、各々のVdsは0.7Vとなる。トランジスタ21及びトランジスタ25の各々のVdsは、例えば0.0V~1.9Vの間で変動する。仮に、トランジスタ23が存在せず、トランジスタ21のドレインとトランジスタ25のソースとが直接接続されている場合には、ノードn2の電位は0.7V~3.3Vの間で変動するので、トランジスタ21及びトランジスタ25の各々のVdsは、0.0V~2.6Vの間で変動する。しかし、トランジスタ23が存在することにより、トランジスタ21及びトランジスタ25の各々のVdsが低下する。トランジスタ23のゲートには付加バイアス電位VB1が供給され、そのオン抵抗による電圧降下量が例えば0.7Vである場合、トランジスタ27のVdsが0.7Vであることも勘案すると、トランジスタ21及びトランジスタ25の各々のVdsは、例えば0.0V~1.9Vの間で変動する。トランジスタ22及びトランジスタ26の各々のVdsも、同様に例えば0.0V~1.9Vの間で変動する。このように、トランジスタ11、12、13、14、21、22、25、26及び27の各々のVdsは、例えば2.0Vなどのホットキャリアフリー閾値電圧よりも小さくなる。上記したように本実施例のオペアンプ1においては、バイアス電源回路10を構成する電源電位側カレントミラー回路11,12と接地電位側カレントミラー回路13、14との間に抵抗15、16を挿入している。更に、差動増幅器20を構成する能動負荷トランジスタ対21、22と差動入力トランジスタ対25、26との間に電圧降下用トランジスタ対23、24を挿入している。抵抗部15、16による電圧降下により、バイアス電源回路10を構成するトランジスタ11、12の各々のVdsは、ホットキャリアフリー閾値電圧よりも小さくなる。また、電圧降下用トランジスタ対23、24のオン抵抗による電圧降下により、差動増幅器20を構成するトランジスタ21、22の各々のVdsは、ホットキャリアフリー閾値電圧よりも小さくなる。トランジスタ11、12の各々のVdsを低下させるために挿入された抵抗部15、16によって定電流バイアス電位VB2と電位の異なる付加バイアス電位VB1が生成され、この付加バイアス電位VB1を電圧降下用トランジスタ対23、24のバイアスに活用している。上記した実施例で示したように、例えば電源電圧2.5V対応の生産プロセスにより製造されたオペアンプ1に対して例えば電源電圧3.3Vを供給した場合であっても、オペアンプ1を構成するトランジスタのVdsはホットキャリアフリー閾値電圧よりも小さくなる。また、一般に、Vdsは0.1V程度とされているが、本実施例のようにVdsを0.7Vと大きく設定することで、電圧降下量を大きくすることができる。このように、本発明のオペアンプによれば、低い電源電圧に対応する生産プロセスで生産された製品に対して高い電源電圧を供給した場合にも、ホットキャリアに起因するオペアンプ特性の劣化を回避することができる。なお、上記実施例における各電圧及び電位の値は一例であり、これに限られない。また、上記実施例は、電界効果トランジスタを用いた場合の例であるが、これに限らず、バイポーラトランジスタを用いた場合にも同様の作用効果を奏する。なお、本明細書では、電界効果トランジスタのソース端子、ドレイン端子、バイポーラトランジスタのエミッタ端子、コレクタ端子の各々を動作電流端子と称する。また、上記実施例は、抵抗部15及び16の各々が1つの抵抗素子からなる場合の例であるが、これに限らず、抵抗部15及び16の各々が例えば2つの抵抗素子からなる場合も考えられる。この場合、1つの電流路に挿入された2つの抵抗素子間の電位を付加バイアス電位VB1として取り出すこともできる。かかる構成とすることにより、例えばトランジスタの特性に合わせて付加バイアス電位VB1をより細かく設定することができる。"