"開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板を作成するステップと、表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を作成するステップと、開口部を有する基板間接続シートに、貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成するステップと、前記下側基板と前記基板間接続シートと前記上側基板とを積層し加熱加圧するステップとを備え、前記絶縁被膜層は、前記上側基板または前記下側基板の前記基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、前記基板間接続シートの開口部の面積を前記上側基板の開口部の面積より大きく形成することを特徴とする回路基板の製造方法。前記基板間接続シートの材料の厚み方向の熱膨張係数は、前記上側基板および前記下側基板を構成する材料の厚み方向の熱膨張係数より低いものを用いる請求項1に記載の回路基板の製造方法。前記上側基板の開口部の端面に絶縁被膜層を形成する請求項1に記載の回路基板の製造方法。前記上側基板と前記下側基板は貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成し、前記導通孔を介して両面表層の回路を層間接続することを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。開口部を有する基板間接続シートに貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成するステップは、キャリアフィルム上に接着層が形成されたシート材料に開口部を形成するステップと、前記シート材料の前記キャリアフィルムの反対側に離型フィルムをラミネートするステップと、前記キャリアフィルムを剥離するステップと、前記キャリアフィルムを剥離した面に他の離型フィルムを真空状態でラミネートし、前記開口部に両面の前記離型フィルムが接触した接触部を形成するステップと、穴加工し貫通孔を形成するステップと、前記貫通孔に導電性ペーストを充填するステップと、前記離型フィルムを剥離するステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。前記シート材料に前記開口部を形成するステップは、レーザー加工にて行うことを特徴とする請求項5に記載の回路基板の製造方法。前記上側基板または前記下側基板は多層の基板を用い、前記表層の回路は導電性めっきにより形成した導通孔によりコア基板としての内層基板と層間接続することを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とを備えた上側基板と、表層に回路と絶縁被膜層とを備えた下側基板とが、開口部を有し層間接続用の導通孔を備えた基板間接続シートを介して積層され、前記上側基板の開口部と前記基板間接続シートの開口部とでキャビティを構成し、前記絶縁被膜層は、前記上側基板または前記下側基板の前記基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、前記基板間接続シートの開口部の面積は前記上側基板の開口部の面積より大きく形成されていることを特徴とする回路基板。前記絶縁被膜層を構成する熱硬化性樹脂は前記基板間接続シートの前記接着層と同じ材料であることを特徴とする請求項8に記載の回路基板。しかしながら、上記のセラミック製の基板は、低温焼成セラミックスの場合でも900°C付近の高温で焼結する必要があり、これによるグリーンシートの収縮の影響により、寸法精度及び回路の精度を確保することが難しいという問題があった。さらに、キャビティ構造の形成を含めて、製造リードタイムが長く、製造コストも比較的割高になってしまうという問題があった。また、樹脂成形によりキャビティ構造を形成する多層の回路基板の場合、成形前に導通孔を形成すると、成形時の樹脂の流れを要因とする導通孔の変形により、回路間の絶縁劣化や短絡が発生する可能性がある。そこで、全層をインナービアホールIVH構造とする層間接続の技術において、プロセス上あるいは構造上の課題があった。これを解決するために、樹脂成形後に非貫通孔あるいは貫通孔を設け、導電性めっきまたは導電物質により導通孔を形成する方法も考えられたが、小径孔に対応することが困難であり、近年要求される微細な仕様を実現するのは困難であるという問題があった。また、上記のセラミック基板や樹脂成形による回路基板の膨張係数と、基板を実装搭載するマザーボード多層プリント配線板等の膨張係数とは、その値が大きく異なり、それら基板をマザーボードに実装することにおいて、種々の制約を受けることも多かった。そこで、従来においては、マザーボードとしての多層プリント配線板と実質的に同様の材料を用いた複数の回路基板をプリプレグシート等の接着層を介して積層し、キャビティ構造を備えた多層の回路基板も開発されていた。なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1、特許文献2が知られている。しかしながら、上記従来のプリプレグシートを用いた多層の回路基板においては、回路基板間の接着強度は確保できるものの、それらを加熱加圧する際に、接着層であるプリプレグシートからキャビティ内部への樹脂の流れ出しが発生し、キャビティに部品を実装する場合の不具合が発生する可能性があり、前述の樹脂成形の回路基板と同様に、樹脂の流れが生じるため、全層をIVH接続することは、構造上および製造プロセス上においても極めて困難であった。本発明の回路基板の製造方法は、開口部を有し、表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板を作成するステップと、表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を作成するステップと、開口部を有する基板間接続シートに、貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成するステップと、前記下側基板と前記基板間接続シートと前記上側基板とを積層し加熱加圧するステップとを備え、前記絶縁被膜層は、前記上側基板または前記下側基板の前記基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、前記基板間接続シートの開口部の面積を前記上側基板の開口部の面積より大きく形成することを特徴とする。また、本発明の回路基板の構成において、開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とを備えた上側基板と、表層に回路と絶縁被膜層とを備えた下側基板とが、開口部を有し層間接続用の導通孔を備えた基板間接続シートを介して積層され、前記上側基板の開口部と前記基板間接続シートの開口部とでキャビティを構成し、前記絶縁被膜層は、前記上側基板または前記下側基板の前記基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、前記基板間接続シートの開口部の面積は前記上側基板の開口部の面積より大きく形成されていることを特徴とする。上記の本発明の構成により、絶縁被膜層は、上側基板および下側基板の基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状の絶縁被膜層として点在して形成され、前記凸状の絶縁被膜層は、前記基板間接続シートの接着層に圧入されていることにより、基板間接続シートに対する投錨効果を高め樹脂の流れ出しと基板間接続シートに形成された導通孔の変形等を防止し、上側基板と下側基板との層間の接着強度をより高めることができる。また、基板間接続シートの開口部の面積を前記上側基板の開口部の面積より大きく形成することにより、基板間接続シートの樹脂の流れ出しに対するクリアランスを確保するとともに、前述の上側基板の開口部の端部に形成したソルダレジストに嵌合させ、基板間接続シートの樹脂の流れ出しを防止する効果を有する。このことから、焼成ステップや樹脂成形ステップを経ることなく、凹状のキャビティ部の形成と高い層間接続信頼性を有する全層IVH構造を有する回路基板を提供することができる。実施の形態1本実施の形態においては、初めに本発明の基本的な構造を説明し、次に本発明を構成する要素と他の事例について説明する。図1Eは、本発明による回路基板の断面図である。積層基板である下側基板2の上に、キャビティ11を有する積層基板である上側基板1が重なって構成されている。第一番目に、基本的な製造プロセスについて説明する。図1A~図1E、図2A、図2Bは本発明の実施の形態1における回路基板の製造方法を示すための回路基板の断面図である。まず、図1Aに示すように、表層に回路が形成された上側基板1と下側基板2とを作成し準備する。上側基板1と下側基板2とは、共に貫通孔23に導電性ペースト24が充填された導通孔を備え、導通孔を介して両面表層の回路が層間接続されている。次に、図1Bに示すように、貫通孔に導電性ペースト24が充填された基板間接続シート3を作成し準備する。このとき、基板間接続シート3は、絶縁樹脂が半硬化のBステージ状態である。上記の上側基板1および基板間接続シート3は、それぞれその中央部を含む領域に一定面積の開口部5、開口部6を有した構造である。接着層4を備えた基板間接続シート3は、上側基板1および下側基板2とは異なる材料で構成されている。また、基板間接続シート3は、Bステージ状態の基板材料に形成された貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を備え、基板の接着と層間の電気的接続の機能を有している。なお、上側基板1、下側基板2、基板間接続シート3の構成およびそれを準備するための製造方法の詳細については後述する。次に、図1Cに示すように、下側基板2、基板間接続シート3、上側基板1の順に積層し、加熱加圧真空熱プレスして成形硬化させて、基板間接続シート3を介して下側基板2と上側基板1とを接着し、図1Dに示すように多層の回路基板10を形成する。上側基板1の開口部5および基板間接続シート3の開口部6は、同じ位置の上下に略同等の大きさで構成され、回路基板10のキャビティ11部分となる。次に、図1Eに示すように、上側基板1と下側基板2の表面の接続電極等の一部の回路パターンを除く領域に絶縁被膜層としてのソルダレジスト7を選択的に形成し、その後露出した導体にニッケル及び金めっきを施す。すなわち、上側基板1と下側基板2の表面の一部を除く領域に絶縁被膜層を選択的に形成するステップの後、露出した前記表面に金めっき層を形成するステップを行う。なお、本事例においては、ソルダレジスト7の形成を図1Eに示すステップで行ったが、図1Aの準備ステップで形成することも可能であり、その詳細は後述する。なお、図1Cの熱プレスによる加熱加圧のステップは、開口部5,6が存在することにより、特に上側は、図2Aに示すクッション材8を介して、図2Bに示すSUS板8bで挟持して行うことが望ましい。クッション材8は、表層に離型層8aを備えたシリコンゴムやブチルゴム等が適している。上記のクッション材8は、真空熱プレス装置が昇温する過程で流動し、図2Bに示すように、開口部5,6の空洞部キャビティ11に加圧注入し、被積層物の全面を均一に加圧する。また、離型層8aとシリコンゴムやブチルゴム等との間に流動性材料を備えたクッション材を用いることも可能である。また、開口部5,6の容積とほぼ同じ体積の凸部を備えた型を用いて加熱加圧することも可能である。第二番目に、図1Aのステップにおいて準備された上側基板1の構成とプロセスについて以下に説明する。図3A~図3F、図4A~図4Cは本発明の実施の形態1における上側基板の製造方法を示すための回路基板の断面図である。まず、図3Aにおいて、21は300×250mm、厚さ約100μmのBステージ状態の基板材料としてのプリプレグシート以下プリプレグと称するであり、例えばガラス織布の基材に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材料などが用いられ、マザーボードと呼ばれるプリント配線板にも使用されるものである。離型フィルム22a、22bは、片面にSi系の離型剤を塗布した厚さ約12μmのプラスチックシートであり、例えばポリエチレンテレフタレートが用いられる。次に、図3Bに示すように、両面に離型フィルム22a、22bが接着されたプリプレグ21の所定の箇所にレーザー加工法などを利用して貫通孔23を形成する。次に、図3Cに示すように、貫通孔23に導電性ペースト24を充填する。充填方法としては、印刷機図示せずを用いて導電性ペースト24を離型フィルム22上に直接印刷することにより行う。この時、離型フィルム22は印刷マスクの役割と、プリプレグ21の表面の汚染防止の役割を果たしている。次に、図3Dに示すように、プリプレグ21の両面から離型フィルム22を剥離する。次に、図3Eに示すように、プリプレグ21を金属はく25a、25bで挟み込むように積層する。次に、図3Fに示すように、熱プレスで全面を加熱加圧し、プリプレグ21を硬化する。このとき、導電性ペースト24が圧縮されて両面の金属はく25aと金属はく25bとは電気的に接続される。次に、図4Aに示すように、銅箔等の金属はく25aと金属はく25bとを選択的にエッチングして回路パターン26が形成された2層の回路基板20を得る。そして、図4Bに示すように、中央部を含む領域に一定面積10mm×10mmの開口部5を形成する。開口部5の形成方法は、図4Aのステップにおいて中央部の金属はく25a、25bを選択的にエッチングした後、レーザー加工にて切断除去する方法や、金型により打ち抜き加工する方法、あるいはエンドミルによるルータ加工で行う方法などがある。なお、開口部5が形成された上側基板1を図1Aのステップにて準備した基板とすることも可能であるが、より望ましい形態として図4Cに示すように絶縁被膜層としてのソルダレジスト7を形成したものを上側基板1とし、これを図1Cのステップで積層する方法もある。この方法の利点は、上側基板1が平面形態である段階でソルダレジストを形成することによる製造工程上の容易性や生産性の確保のほかに、以下に説明する形態を採用することができるという点である。図4Dに、その要部を拡大した断面図を示す。図に示すように、上側基板1としての回路基板20の図面上側の接続電極等の回路パターン26を除く略全域に絶縁被膜層としての写真現像型フォトのソルダレジスト7を形成する。回路基板としての機能は少なくともソルダレジスト7を形成することで満たすことができるが、開口部5の端面にもソルダレジスト7aを形成することが望ましい。開口部5の端面へのソルダレジストの塗布は、静電塗布、ロールコーター、ディップコーター等の方法により行うことができる。さらに、基板間接続シート3に接する面図面下側には、基板間接続シート3の導通孔が形成されていない部分に直径約50~100μmの凸状のソルダレジスト7bを点在させた形態で形成する。また、開口部5の端から一定の範囲にソルダレジスト7cを形成する。ソルダレジスト7aは、端面からの吸湿を防止するとともに、基板材料の端面から発生する塵を防止する。ソルダレジスト7bは、基板間接続シート3に対する投錨効果と基板間接続シート3に形成された導通孔の変形等を防止し、ソルダレジスト7cとともに基板間接続シート3の樹脂の流れ出しを防止する。上記の説明は、上側基板1図面下側/接触面におけるものであるが、下側基板2の基板間接続シート3に接する面にも凸状ソルダレジスト7bを形成することが望ましい。ただし、下側基板2が開口部を設けない場合は、ソルダレジスト7cは不要である。このソルダレジスト7bにより、図1Cのステップにおける上側基板1、下側基板2の熱膨張の違いによる基板間接続シート3の変形に対応することが可能となり、上側基板1、下側基板2との導通接続を維持することができる。特に、織布や不織布等の芯材を含まない基板間接続シート3においては、凸状ソルダレジスト7bの存在は有効であり、導通ランド用の回路パターン径よりも小径で形成することで効果を高めることができ、凸状のソルダレジスト7bの存在により基板間接続シート3と上側基板1、下側基板2との接着強度を高めることができる。なお、図4Dにおいて、図面上側のソルダレジスト7の形成は適正露光量で行うのに対し、図面下面のソルダレジスト7bはオーバー露光条件で行うことが望ましい。これにより、凸状のソルダレジスト7bを台形状または楔状に形成することができる。従って、凸状のソルダレジスト7bが基板間接続シート3の接着層に圧入されることにより、しっかりと食い込んで動かない投錨効果をより高めることができる。また、基板間接続シート3を構成する接着層4は、低流動性であり、かつ上側基板1、下側基板2は完全に硬化されたCステージ状態の基板であるため、層間の接着強度をより高める必要がある。この場合、特に凸状のソルダレジスト7bを構成する樹脂と接着層4中の樹脂とを同系統とすることにより接着の強度に対し更に効果的である。また、通常ソルダレジストの形成ステップは、露光現像の後、加熱による本硬化あるいはポストUV硬化のステップがあるが、本実施の形態におけるソルダレジストは、露光の後現像のみに留め、基板間接続シート3と上側基板1、下側基板2との熱プレスのステップで上記の本硬化を兼ねることもできる。この場合の利点は、接着層4中の樹脂と凸状のソルダレジスト中の樹脂成分との融合密着が高まり、特に両樹脂が同系統である場合、層間の接着強度をより高めることができる。次に、下側基板2の構成と製造プロセスについて説明する。即ち、図1Aのステップにおいて準備された下側基板2の構成とプロセスについて以下に説明する。図5A~図5Dは製造方法を示すための下側基板の断面図である。まず図5Aに示すように、図3A~図3F、図4A~図4Dのステップを用いて形成した2層の回路基板20を準備する。次に、図3A~図3Dに示した製造方法を用いて作製したプリプレグ31を2枚と金属はく35を2枚とを用意する。それらを、図5Bに示すように、位置決めステージ図示せず上に金属はく35とプリプレグ31を載置して、その上に回路基板20を内層用のコア基板として積層し、さらにプリプレグ31、金属はく35を積層する。これらを仮接着して固定された積層構成物として作成する。次に図5Cに示すように、上記の積層構成物を熱プレスで全面を加熱加圧して成形硬化させて、プリプレグ31と金属はく35および回路基板20とを接着し、多層構成を形成する。この際、導電性ペースト34が圧縮されて表裏の金属はく35は導電性ペースト34により内層の回路基板10の回路パターンと電気的に接続される。そして、図5Dに示すように、金属はく35をエッチングなどで選択的に除去することで回路パターン36を形成し、4層の多層の回路基板30が完成する。なお、4層以上に多層化する場合には、4層以上の多層の回路基板を内層用のコア基板として上記ステップを繰り返せばよい。また、他の事例としては、表層に回路を有する両面あるいは多層の配線基板本発明の回路基板を含むの2枚を、貫通孔に導電性ペーストが充填された層間接続用の導通孔を備えたプリプレグとを介して多層の回路基板とする場合もある。また、表層の回路は導電性めっきにより形成された導通孔により、コア基板としての内層の回路基板10と層間接続することで多層の配線基板を構成することも可能である。コア基板としての内層基板は、導電性めっきにより形成された導通孔により表裏または層間接続されているものであってもよい。特に、貫通孔、めっきスルーホールを備えた基板を採用することにより、放熱性を高めることができる。次に、基板間接続シート3の構成とプロセスについて説明する。即ち、図1Bのステップにおいて準備された基板間接続シート3の構成とプロセスについて以下に説明する。図6A~図6Hは製造方法を示すための基板間接続シート3の断面図である。図6Aに示すように、キャリアフィルム42上に厚さ約100μmの多機能有機系の接着層41が形成された300×250mmのサイズのシート材料を準備する。なお、接着層41の厚さは、30~300μmの範囲から選定することも可能である。本発明者は、50μm、100μm、200μmを用いた場合を確認しており、部品実装後の部品の高さに応じて、本実施の形態においては、接着層41の厚さを約100μmの場合について説明する。シート材料の構成は、キャリアフィルム42としてのPETポリエチレンテレフタレート上に、接着層41としてフィラーが高い含有率で充填された熱硬化性樹脂層が形成されたものであり、具体的にはフィラーとしてのシリカやアルミナ等の無機物の粉体を55~90wtのエポキシ樹脂と混ぜたものであって、芯材としてのガラス織布等の基材は用いていない。このため、シート材料の縦横厚さ方向の熱膨張係数は、通常のガラスエポキシ積層板の熱膨張係数に比較して低く、特に本実施の形態のシート材料の厚さ方向のガラス転移温度よりも低い状態での膨張係数α1は12ppm/°Cであり、上側基板1、下側基板2の材料であるガラス布エポキシ樹脂のプリプレグシートは、厚さ方向の膨張係数α1は65ppm/°Cである。また、シート材料はフィラーが高い割合で充填されているため低流動性であり、さらに低流動性を確保するために、必要に応じてゴム系の材料を混ぜてもよい。次に、図6Bに示すように、シート材料の中央部を含む領域に一定面積の開口部6を形成する。開口部6の形成は、製造ステップにおけるハンドリングを考慮してキャリアフィルム42が存在しているときに行うのが好ましい。開口部6の形成は、金型を用いた打ち抜き加工も可能であるが、好ましくは、レーザー加工にて切断除去する。特に、本実施の形態における接着層41がエポキシ樹脂を主剤とし、シリカやアルミナ等をフィラー分として重量比55以上含む構成の場合、波長9.4~10.6μmの炭酸ガスレーザーを用いて切断除去することで、切断端面の樹脂の流動を抑制することができる。そのメカニズムは、レーザーの加工エネルギーが接着層41中のフィラーに吸収され、熱に変換されることによりエポキシを変性し、核としてのフィラーと変性した熱硬化性樹脂とにより構成される変質層が切断端面に沿って形成されるというものである。これにより、図1Dのステップにおける加熱加圧の際、基板間接続シート3の端面からの樹脂の流れ出しを防止するとともに、導通孔のビア倒れ等の変形を防ぐことができる。また、切断端面はレーザー加工熱により加工面を変質させることによって、外界からの吸湿を防止することができる。これにより高温高湿における電気絶縁性を維持するあるいは高めることができる。さらに開口部6の端面からのフィラーや樹脂成分の脱落等によりゴミの発生を防止することもできる。また、開口部6の面積は、図4Bのステップで形成した上側基板1の開口部5の面積より大であることが望ましい。開口部5が一辺Ammの正方形であれば、開口部6は一辺Aammの正方形とし、aの値はAの0.5~1.0に設定することが望ましい。例えば、開口部5が一辺10mmの正方形である場合、開口部6は50~100μmの範囲で開口部5よりも広く形成する。これにより、基板間接続シート3の樹脂の流れ出しに対するクリアランスを確保するとともに、前述の上側基板1の開口部5の端部に形成したソルダレジスト7cに嵌合させ、基板間接続シート3の樹脂の流れ出しを防止する効果を有する。次に、図6Cに示すように、シート材料のキャリアフィルム42の反対側に離型フィルム42aをラミネートする。なお、離型フィルム42aは、シート材料のキャリアフィルム42上を含む両面にラミネートすることも可能であるが、本実施の形態においては、片面にラミネートする方法を採用した。離型フィルム42aは、片面にSi系の離型剤を塗布した厚さ約12μmのプラスチックシートであり、例えばポリエチレンテレフタレートが用いられる。次に、図6Dに示すように、キャリアフィルム42を剥離する。次に、図6Eに示すように、キャリアフィルム42を剥離した面に離型フィルム42bを真空ラミネート装置を用いて真空状態でラミネートすることによって、図に示したように開口部6において、離型フィルム42a、42bが接触した接触部45を形成する。なお、真空ラミネート装置はラミネートロール図示せずを備え、これより離型フィルム42a、42bを加熱加圧しながらシート材料にラミネートすることが可能である。この際、本実施の形態においては、真空状態でラミネートするため、離型フィルムの接触部45は開口部6内に窪み、この部分はラミネートロールにて加熱加圧されることなく、真空圧のみで接触した状態を保つことができる。これにより、後述する図6Hに示すステップにおいて離型フィルム42a、42bの剥離を容易に行うことができる。さらに、開口部6に接触部45が設けられることにより、接着層41の剛性を高めることができ、後工程であるレーザー穴加工やペースト充填等のステップにおけるシート材料のハンドリングを容易に行うことができる。なお、ラミネートロールを備えた真空ラミネート装置を用いた事例を示したが、真空プレス装置を用いて離型フィルムをシート材料にラミネートすることも可能である。この場合においても、真空状態で行えば、開口部6に接触部45を設けることができる。また、上記の図6Dにおいて、キャリアフィルム42を一旦剥離したのち、図6Eのステップにおいて離型フィルム42bをラミネートするステップの意図は、真空ラミネート後の接触部45を形成するためである。前述のハンドリング性を高めることのほかに、後工程のレーザー穴加工において、レーザー加工上最も適した条件とするため、同質の材料である離型フィルム42a、42bを両面にラミネートしたものである。次に、図6Fに示すように、開口部6を除く領域にレーザー加工法などを利用して貫通孔43を形成する。次に、図6Gに示すように、貫通孔43に導電性ペースト44を充填する。充填方法としては、図3Cに示すステップと実質同様に行う。次に、図6Hに示すように、シート材料の上下から離型フィルム42a、42bを剥離し、基板間接続シート3を完成する。以上の説明では、完成した基板間接続シート3を介して上側基板1、下側基板2を積層する事例を図1に示したが、やや異なる方法を採用することもできる。図7A~図7Bは本発明の実施の形態1における接続シートの異なる製造方法を示すための回路基板の断面図である。図7Aの接続シートの断面図に示すように、裏面の離型フィルム42bのみを剥離し、離型フィルム42aが表面にラミネートされたままの状態の基板間接続シート3を準備する。次に、図7Bに示すように、離型フィルム42aを備えた面の反対面を接触面として基板間接続シート3を下側基板2上に位置決めし積層し複数の点を仮圧着する。その後真空状態でラミネートにより全面を仮圧着する。この製造方法の意図は、本実施の形態における基板間接続シート3は、低流動でかつ剛性が高いため、複数の点による仮圧着では、熱プレスのステップの際に位置ズレする可能性もあり、それを防止するために行うものである。離型フィルム42aが存在することにより、充填された導電性ペーストの状態を維持することができるとともに、開口部6端部を含む基板間接続シート3の全面を下側基板2に均一に仮圧着することができる。その後、離型フィルム42aを剥離し、基板間接続シート3上に上側基板1を積層し、図1D以降に示すステップと同様のステップを経て回路基板を完成する。また、真空ラミネートにより全面を仮圧着する方法とは別に熱プレスにて全面を均一に仮圧着することもできる。この場合、離型フィルム42aは充填された導電性ペーストの保護の他に、熱プレスの際の離型フィルムとしての役割を果たすことができる。なお、基板間接続シート3の構造は、表層に1~2μmの樹脂層を備えた構成とすることもできる。この構成は、キャリアフィルム42上に樹脂層、接着層41、樹脂層の3層構造のシート材料を準備し、図6A~図6Hと同様のステップを経て形成することも可能である。また、樹脂層を備えた離型フィルムを用い、図6C~図6Eのステップにおいて、加熱加圧により樹脂層を接着層41側に転写することにより形成することも可能である。上記の構成により、基板間接続シート3と上側基板1、下側基板2との接着強度を高めることができる。特に、樹脂層を上側基板1、下側基板2の基板材料を構成する樹脂と同系統のものにすると、さらに効果がある。また、この構成と、前述した凸状のソルダレジスト7cの構成とを組み合わせることにより、さらに効果を高めることもできる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2の回路基板の製造方法を以下に説明する。本実施例においても、基本構造は、実施の形態1と同様、積層基板である下側基板2の上に、キャビティ11を有する積層基板である上側基板1が重なって構成されている。図8A~図8Cは本発明の実施の形態2における回路基板の製造方法を示すための回路基板の断面図である。まず、図8Aに示すように、実施の形態1の図4Aのステップを経て形成した回路基板20と、図6Hのステップを経て形成した基板間接続シート3とを準備する。次に、基板間接続シート3の片面の離型フィルム42bを剥離した後、図8Bに示すように、上側基板1としての回路基板20に基板間接続シート3が積層接着された基板13を形成する。次に、図8Cに示すように、基板13の中央部を含む領域に一定面積の開口部9を、ルータ加工またはパンチングにて形成する。次に、基板13の離型フィルム42aを剥離する。その後、この基板の基板間接続シート3側が接するように、この基板を下側基板2に積層する。図面上では、上側基板1をひっくり返したような積層となる。以降のステップは、図1D以降のステップと同様に行う。本実施の形態における回路基板の製造方法は次の利点を有する。芯材を含まない基板間接続シート3をCステージ状態の上側基板1と接着することにより、製造プロセスにおけるハンドリングを容易に行うことができる。また、基板間接続シート3と上側基板1の開口部を同一ステップで形成することができるため、生産性を向上させることができる。さらに、図7の事例と同様に、離型フィルム42aを備えた基板間接続シート3を上側基板1の全面を仮圧着することができるため、熱プレスのステップの際の位置ズレを防止することができる。以上の実施の形態において説明した製造方法より得られた本発明の回路基板は、図9に示すように、全層IVH構造でかつ電子部品12を実装することができるキャビティ11を備え、さらに多層プリント配線板等のマザーボードへ実装できる構造である。特に、本発明の回路基板を構成する上側基板1と下側基板2はマザーボードと同じ基板材料を選択することが可能である。また、上側基板1と下側基板2とを接続する基板間接続シート3は、その厚み方向の熱膨張係数がこれらの基板よりも低い材料で構成されるため、反り量を抑制することができ、マザーボードとの実装の信頼性を高めることができる。また、基板間接続シート3は、低流動性の材料で構成されるため、キャビティ11内部への樹脂の流れ出し、および樹脂流動による導通孔の変形を防止し、高い層間接続信頼性を有する全層IVH構造を実現することができる。さらに、本発明の回路基板の製造方法は、焼成工程、ザグリ加工工程、あるいは樹脂成形工程を経ることなく、凹状に窪んだキャビティ11部の形成を効率的に容易に行うことができ、金型等を変更することなく、キャビティ11に実装される電子部品の高さに応じた回路基板を提供することができる。なお、本実施の形態においては、2層の回路基板20を上側基板1とし、4層の回路基板30を下側基板2として説明したが、上側基板1および下側基板2の層の数は、それに限るものではない。また、上側基板1および下側基板2は、ガラス織布基材エポキシ樹脂含浸材料が硬化されたもので説明したが、ガラス織布に限定されるものではなく、アラミド等の不織布の基材も使用できる。含浸される樹脂もエポキシ樹脂に限定されるものではなく、基板間接続シートの使用される材料の厚み方向の熱膨張係数の比較において、本発明の意図する構成を含むものであれば、回路基板の仕様に応じて様々な樹脂を選択することが可能である。また、上側基板と下側基板の面に選択的に形成される絶縁被膜層は、写真現像型のソルダレジストとしたが、ロードマップ等の部品配置図用の絶縁被膜材料を用いて形成することも可能である。その形態も写真現像型に限らず、感光性フィルムを用いることも可能である。さらに、インキ透孔穴の断面が台形形状のメタル版やスクリーン等を用いれば印刷法により凸状の絶縁被膜層を形成することも可能である。また、実施の形態において説明した、基板及び金属箔やシート等の材料を積層するステップは、位置決めステージ上に静置された材料や基板の上に、位置決め用マークまたは穴をCCDなどの認識装置で認識位置決めして積層した後、ヒーターポンチで加熱加圧して、仮接着固定される工程を適宜含むものである。説明を簡潔にするため省略した。また、開口部5を備えた状態の上側基板1と下側基板2の面方向の線熱膨張係数は、略同等とすることが望ましい。略同等とすることによって、基板間接続シート3に形成された導通孔の変形ビア倒れをさらに抑制することができる。具体的には、開口部5の面積に応じて、上側基板1または下側基板2の残銅率、層数、厚み等を設定することで、実現可能となる。さらに、接着層4として熱可塑性樹脂PPS/ポリフェニレンサルファイド、PEEK/ポリエーテルエーテルケトン、PES/ポリエーテルサルフォンや熱可塑性ポリイミド等を用いてもよい。条件として、本実施の形態で例示した基板間接続シートの接着層4と同等かそれより良い低膨張率あるいはレーザー加工性、あるいは層間接着性を備えていればよい。"