"複数の磁電変換素子13,14を有するセンサチップ10と、中空内に前記センサチップ10が設けられた筒状磁石30と、を有し、被検出体の回転による前記筒状磁石30の形成する磁界の変化を前記磁電変換素子13,14によって検出することで、前記被検出体の回転状態を検出する回転検出装置であって、前記センサチップ10は、前記磁電変換素子13の形成された半導体基板11と、前記磁電変換素子14の形成された半導体基板12と、を有し、2つの前記半導体基板11,12が接合部材15を介して接合されていることを特徴とする回転検出装置。前記接合部材15は環状を成し、該接合部材15と、2つの前記半導体基板11,12それぞれの対向面11a,12aとによって構成される密閉空間内に前記磁電変換素子13,14が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の回転検出装置。前記接合部材15と前記半導体基板11,12とが直接接合されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の回転検出装置。前記接合部材15は、2つの前記半導体基板11,12の一方に設けられた突起部16と、該突起部16と前記対向面11a,12aとの間に設けられた接着剤17とを有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の回転検出装置。前記センサチップ10を搭載する搭載部材50を有し、該搭載部材50には、前記センサチップ10を配置するための凹部53が形成されていることを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の回転検出装置。2つの前記半導体基板11,12の内の一方が、前記凹部53に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の回転検出装置。2つの前記半導体基板11,12の形状が異なり、前記凹部53の輪郭線は、2つの前記半導体基板11,12の内の一方の平面形状と相似であることを特徴とする請求項6に記載の回転検出装置。前記筒状磁石30を収納する、有底筒状のキャップ40を有し、前記搭載部材50は、前記センサチップ10を搭載する舌部51と、該舌部51を支持する支持部52と、を有し、前記キャップ40の端部が前記支持部52に接合され、前記センサチップ10の搭載された舌部51が、前記キャップ40と前記支持部52とによって構成される収納空間内に配置されていることを特徴とする請求項5~7いずれか1項に記載の回転検出装置。前記搭載部材50は、ターミナル60がインサート成形された樹脂部材であり、前記センサチップ10と前記ターミナル60とが、導電部材を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項5~8いずれか1項に記載の回転検出装置。複数の前記磁電変換素子13,14によって、ハーフブリッジ回路が構成されていることを特徴とする請求項1~9いずれか1項に記載の回転検出装置。前記ハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されていることを特徴とする請求項10に記載の回転検出装置。ところで、特許文献1に示される回転検出装置の磁石は円筒磁石であり、この円筒磁石の中空内にセンサチップが配置されている。センサチップは、磁気抵抗素子とその処理回路とが集積化された1つのチップである。通常、磁気抵抗素子は、磁性体の回転による磁界の変化を検出するために、磁性体の回転方向、若しくはその接線方向に並んで配置される。そのため、センサチップの横幅、及び、センサチップを収納する円筒磁石の内径は、磁気抵抗素子の数によって決定される。上記したように、特許文献1に示される回転検出装置では、1つのセンサチップに磁気抵抗素子が集積化されている。そのため、センサチップの横幅、及び、円筒磁石の内径が長くなる虞がある。円筒磁石によって構成される磁界の密度は、円筒磁石から離れるにしたがって薄くなる。したがって、円筒磁石の内径が長くなると、円筒磁石の中心を貫く軸方向の磁界が薄くなる。この結果、磁性体の回転による磁界の変化が小さくなり、回転状態の検出感度が低下する、という不具合が生じる虞がある。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、回転状態の検出感度の低下が抑制された回転検出装置を提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、複数の磁電変換素子13,14を有するセンサチップ10と、中空内にセンサチップ10が設けられた筒状磁石30と、を有し、被検出体の回転による筒状磁石30の形成する磁界の変化を磁電変換素子13,14によって検出することで、被検出体の回転状態を検出する回転検出装置であって、センサチップ10は、磁電変換素子13の形成された半導体基板11と、磁電変換素子14の形成された半導体基板12と、を有し、2つの半導体基板11,12が接合部材15を介して接合されていることを特徴とする。このように本発明によれば、センサチップ10は、接合された2つの半導体基板11,12に磁電変換素子13,14が形成されて成る。したがって、1つの半導体基板に磁電変換素子が形成されたセンサチップと比べて、センサチップ10の横幅、及び、筒状磁石30の内径を短くすることができる。この結果、筒状磁石30の中心を貫く軸方向の磁界が薄くなることが抑制され、回転状態の検出感度の低下が抑制される。請求項2に記載のように、接合部材15は環状を成し、該接合部材15と、2つの半導体基板11,12それぞれの対向面11a,12aとによって構成される密閉空間内に磁電変換素子13,14が配置された構成が好適である。これによれば、磁電変換素子13,14が密閉空間内に保護されるので、異物などによる汚染が抑制される。また、外部雰囲気から隔離されるので、外部温度の変化による磁電変換素子13,14の特性の変化が抑制される。この結果、回転状態の検出感度の低下が抑制される。請求項3に記載のように、接合部材15と半導体基板11,12とが直接接合された構成が好ましい。これによれば、ウェハレベルの状態で、2つの半導体基板11,12を接合することができるので、ウェハからチップ状に切断された後に、切断されたチップ状の半導体基板それぞれを接合するのと比べて、接合が簡素化される。しかしながら、請求項4に記載のように、接合部材15は、2つの半導体基板11,12の一方に設けられた突起部16と、該突起部16と対向面11a,12aとの間に設けられた接着剤17とを有する構成を採用することもできる。これによれば、2つの半導体基板11,12それぞれの対向面11a,12a同士の接触が抑制されるので、接触による磁電変換素子13,14の損傷が抑制される。請求項5に記載のように、センサチップ10を搭載する搭載部材50を有し、該搭載部材50には、センサチップ10を配置するための凹部53が形成された構成が良い。これによれば、センサチップ10と搭載部材50との配置位置が定まる。請求項6に記載のように、2つの半導体基板11,12の内の一方が、凹部53に配置された構成が良い。これによれば、センサチップを構成する2つの半導体基板の全てが凹部に配置された構成と比べて、凹部53からのセンサチップ10の取り外しが容易と成る。請求項7に記載のように、2つの半導体基板11,12の形状が異なり、凹部53の輪郭線は、2つの半導体基板11,12の内の一方の平面形状と相似である構成が良い。これによれば、センサチップ10を構成する2つの半導体基板11,12の内、いずれの半導体基板を凹部53に配置すれば良いのかが明確となる。請求項8に記載のように、筒状磁石30を収納する、有底筒状のキャップ40を有し、搭載部材50は、センサチップ10を搭載する舌部51と、該舌部51を支持する支持部52と、を有し、キャップ40の端部が支持部52に接合され、センサチップ10の搭載された舌部51が、キャップ40と支持部52とによって構成される収納空間内に配置された構成が良い。これによれば、収納空間内にセンサチップ10が保護されるので、異物などによる磁電変換素子13,14の汚染、及び、外部温度変化による磁電変換素子13,14の特性の変化が抑制される。この結果、回転状態の検出感度の低下が抑制される。請求項9~11に記載のように、回転検出装置の具体的な構成としては、搭載部材50は、ターミナル60がインサート成形された樹脂部材であり、センサチップ10とターミナル60とが、導電部材を介して電気的に接続され、複数の磁電変換素子13,14によって、ハーフブリッジ回路が構成され、ハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成された構成を採用することができる。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る回転検出装置の概略構成を示す分解斜視図である。図2は、被検出体と回転検出装置との位置を示す上面図である。図3は、センサチップの概略構成を示す断面図である。図4は、支持部材の凹部を示す斜視図である。回転検出装置100は、要部として、センサチップ10と、筒状磁石30と、を有する。図1に示すように、本実施形態に係る回転検出装置100は、上記構成要素10,30の他に、キャップ40と、搭載部材50と、ターミナル60と、を有する。図2に示すように、センサチップ10は、筒状磁石30の中空内に配置され、被検出体と対向配置される。被検出体は、磁性材料からなる回転体であり、その表面に凹凸が形成されている。被検出体の回転に伴って凹凸が回転すると、その凹凸の回転に伴って、筒状磁石30の構成する磁界が変化する。すると、センサチップ10に印加される磁界も変化し、センサチップ10の出力信号も変化する。この磁界の変化被検出体の回転に依存する出力信号が、ターミナル60を介して外部素子に出力される。なお、図2では、回転検出装置100の主要な構成要素10,30のみを図示している。センサチップ10は、図3に示すように、2つの半導体基板11,12と、2つの半導体基板11,12に形成された磁電変換素子13,14と、2つの半導体基板11,12を接合する接合部材15と、を有する。第1半導体基板11における第2半導体基板12との対向面11a側に、第1磁電変換素子13が形成され、第2半導体基板12における第1半導体基板11との対向面12a側に、第2磁電変換素子14が形成されている。本実施形態では、3つの第1磁電変換素子13が第1半導体基板11に形成され、3つの第2磁電変換素子14が第2半導体基板12に形成されている。そして、3つの磁電変換素子13,14は、被検出体の回転方向の接線方向に並んでおり、センサチップ10半導体基板11,12の横幅が、3つの磁電変換素子13,14によって決定されている。磁電変換素子13,14は、磁束の印加方向によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子であり、複数の磁電変換素子13,14によって複数のハーフブリッジ回路が構成されている。そして、このハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されている。フルブリッジ回路を構成するハーフブリッジ回路の中点電圧に基づいて、被検出体の凹凸の回転を検出することで、被検出体の回転状態が検出される。接合部材15は、金属材料から成り、その平面形状が環状を成している。この接合部材15と、2つの対向面11a,12aとによって構成される密閉空間に、磁電変換素子13,14が配置されている。2つの半導体基板11,12の接合は、第1磁電変換素子13が形成された第1半導体基板11を複数有する第1ウェハと、第2磁電変換素子14が形成された第2半導体基板12を複数有する第2ウェハとを、接合部材15を介して直接接合することで成される。この接合後、接合部材15を介して接合された2枚のウェハを、センサチップ10半導体基板11,12毎に切断することで、センサチップ10が形成される。筒状磁石30は、センサチップ10を中空内に収納すると共に、センサチップ10に磁界を印加するものである。本実施形態に係る筒状磁石30は、円筒磁石であり、図2に破線で示すように、筒状磁石30の中心を貫く軸方向に、センサチップ10の中心と被検出体の中心とが並んでいる。そして、軸方向に直交する方向接線方向に、磁電変換素子13,14が並んでいる。筒状磁石30の内径は、センサチップ10の横幅接線方向に並ぶ磁電変換素子13,14によって決定される。キャップ40は、樹脂材料から成り、筒状磁石30を収納するものである。キャップ40は、有底筒状を成し、その内径が、筒状磁石30の外径よりもわずかに長くなっている。キャップ40の端部の全周が、後述する支持部材52にレーザー溶接され、キャップ40と支持部材52とによって収納空間が構成されている。搭載部材50は、センサチップ10を搭載する舌部51と、該舌部51を支持する支持部52と、を有する。搭載部材50は、ターミナル60がインサート成形された樹脂部材であり、ターミナル60の両端が支持部52から外部に露出され、その一端が舌部51に配置されている。図4に示すように、舌部51は平板状を成し、その一面に凹部53が形成されている。凹部53の輪郭線は、第2半導体基板12の平面形状と相似であり、この凹部53内に、接着剤図示略を介して第2半導体基板12が配置されている。センサチップ10の搭載された舌部51は、上記した、キャップ40と支持部52とによって構成される収納空間内に配置されている。これにより、磁電変換素子13,14は、収納空間と密閉空間とによって二重に保護されている。ターミナル60は、外部素子とセンサチップ10とを電気的に接続する機能を果たすものである。ターミナル60とセンサチップ10とは、ワイヤなどの導電部材図示略を介して電気的に接続されている。ターミナル60は、外部電源とセンサチップ10とを電気的に接続する電源ターミナルと、グランドとセンサチップ10とを電気的に接続する接地ターミナルと、外部素子とセンサチップ10との電気信号を送受信する送受信ターミナルと、を有する。次に、本実施形態に係る回転検出装置100の作用効果を説明する。上記したように、センサチップ10は、接合された2つの半導体基板11,12に磁電変換素子13,14が形成されて成る。したがって、1つの半導体基板に磁電変換素子が形成されたセンサチップと比べて、センサチップ10の横幅、及び、筒状磁石30の内径を短くすることができる。この結果、軸方向の磁界が薄くなることが抑制され、回転状態の検出感度の低下が抑制される。接合部材15と対向面11a,12aとによって構成される密閉空間内に磁電変換素子13,14が配置されている。これによれば、磁電変換素子13,14が密閉空間内に保護されるので、異物などによる汚染が抑制される。また、外部雰囲気から隔離されるので、外部温度の変化による磁電変換素子13,14の特性の変化が抑制される。この結果、回転状態の検出感度の低下が抑制される。接合部材15を介して、2つの半導体基板11,12が直接接合されている。これによれば、ウェハからチップ状に切断された後に、切断されたチップ状の半導体基板それぞれを接合するのと比べて、接合が簡素化される。舌部51に、センサチップ10を配置するための凹部53が形成されている。これによれば、センサチップ10と搭載部材50との配置位置が定まるので、磁電変換素子13,14と筒状磁石30との相対位置がずれることが抑制される。この結果、磁電変換素子13,14に印加される磁界にずれが生じることが抑制される。2つの半導体基板11,12の内、第2半導体基板12が、凹部53に配置されている。これによれば、センサチップを構成する2つの半導体基板の全てが凹部に配置された構成と比べて、凹部53からのセンサチップ10の取り外しが容易と成る。磁電変換素子13,14は、収納空間と密閉空間とによって二重に保護されている。これによれば、磁電変換素子13,14が、収納空間若しくは密閉空間のいずれか一方のみによって保護された構成と比べて、異物などによる磁電変換素子13,14の汚染、及び、外部温度変化による磁電変換素子13,14の特性の変化が抑制される。この結果、回転状態の検出感度の低下が抑制される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、接合部材15が金属材料であり、この接合部材15を介して、2つの半導体基板11,12が直接接合された例を示した。しかしながら、図5に示すように、接合部材15が、第2半導体基板12に設けられた複数の突起部16と、該突起部16と対向面11aとの間に設けられた接着剤17と、を有し、接着剤17を介して、半導体基板11,12が接着固定された構成を採用することもできる。この場合、2つの半導体基板11,12それぞれの対向面11a,12a同士の接触が抑制されるので、接触による磁電変換素子13,14の損傷が抑制される。なお、図示しないが、接合部材15が、第1半導体基板11に設けられた複数の突起部16と、該突起部16と対向面12aとの間に設けられた接着剤17と、を有する構成を採用することもできる。図5は、センサチップの変形例を示す断面図である。本実施形態では、図2及び図3に示すように、2つの半導体基板11,12の形状が同一である例を示した。しかしながら、図6に示すように、2つの半導体基板11,12の形状が異なっていても良い。図6では、第2半導体基板12が、第1半導体基板11よりも小さくなっており、第2半導体基板12が凹部53に配置される構成となっている。これによれば、センサチップ10を構成する2つの半導体基板11,12の内、いずれの半導体基板を凹部53に配置すれば良いのかが明確となる。図6は、センサチップの凹部への配置を説明するための斜視図である。本実施形態では、3つの第1磁電変換素子13が第1半導体基板11に形成され、3つの第2磁電変換素子14が第2半導体基板12に形成された例を示した。しかしながら、各半導体基板11,12に形成される磁電変換素子13,14の数としては、上記例に限定されず、1つ以上であればよい。すなわち、磁電変換素子13,14の合計数が2つ以上であれば良い。"