透光性絶縁基板上に、透明導電材料からなる第1電極層と、非晶質シリコン膜を含み光電変換を行う第1発電層と、第2電極層とをこの順で有し、前記第1電極層が第1分離溝によって島化されて隣接するセル間に跨るように配置され、前記第1発電層と前記第2電極層とのそれぞれが第2分離溝によって島化されてセル分離された複数の太陽電池セルが配設されるとともに、前記第2分離溝を介して隣接する前記太陽電池セル同士が電気的に直列接続された薄膜太陽電池であって、前記非晶質シリコン膜に接して設けられ、膜中の水素濃度が前記非晶質シリコン膜よりも高く、100°C以下の温度で水素脱離が生じる水素含有絶縁膜を備えること、を特徴とする薄膜太陽電池。前記水素含有絶縁膜が、少なくとも前記第2分離溝内における前記非晶質シリコン膜の側壁を覆って配置されること、を特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記水素含有絶縁膜が、前記第1分離溝内に配置されること、を特徴とする請求項1または2に記載の薄膜太陽電池。前記第1発電層と前記第2電極層との間に前記第1発電層と異なるバンドギャップを有する第2発電層を1層以上さらに備えること、を特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の薄膜太陽電池。隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続するように、透光性絶縁基板上に透明導電性材料膜からなる第1電極層と非晶質シリコン膜を含み光電変換を行う第1発電層と第2電極層とをこの順で積層形成する第1工程と、前記第2電極層の表面から前記第1電極層まで達する第1分離溝を形成して複数の薄膜太陽電池セルにセル分離する第2工程と、を含み、前記第1工程中または前記第2工程の後において、膜中の水素濃度が前記非晶質シリコン膜よりも高く、100°C以下の温度で水素脱離が生じる水素含有絶縁膜を前記非晶質シリコン膜に接するように形成すること、を特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記第2工程の後に、少なくとも前記第1分離溝内における前記非晶質シリコン膜の側壁を覆って前記水素含有絶縁膜が形成されること、を特徴とする請求項5に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1工程は、前記透光性絶縁基板上に透明導電性材料膜を形成し、前記透明導電性材料膜に第2分離溝を形成してパターニングすることにより、隣接するセル間に跨るように島化された前記第1電極層を形成する工程と、前記第2分離溝内に前記水素含有絶縁膜を配置する工程と、前記第2分離溝内に配置された前記水素含有絶縁膜上および前記第1電極層上に前記第1発電層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項5または6に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1工程では、前記第1発電層と前記第2電極層との間に前記第1発電層と異なるバンドギャップを有する第2発電層を1層以上さらに形成すること、を特徴とする請求項5~7のいずれか1つに記載の薄膜太陽電池の製造方法。しかしながら、上記特許文献1に記載された積層型薄膜太陽電池おいては、高温では発電効率が低下する、という問題がある。したがって、積層型薄膜太陽電池の温度を過度に上げることなく水素を拡散させる必要がある。一方、より低温で多量の水素が拡散する非晶質Si層は、低温で動き易い水素、すなわち遊離水素やSi-H2結合の水素を有するため、発電効率が低い、光劣化が起こり易い、などの問題がある。すなわち、光劣化回復を効率的に行うための低温拡散水素を多く含む非晶質Si層は、発電効率が悪く、劣化し易い、という問題がある。また、上記特許文献2に記載された非単結晶シリコン系薄膜太陽電池において、貴金属、卑金属、酸化膜には一定量以上の水素が含有されていない場合や、また薄膜太陽電池設置後の太陽光による熱エネルギーでは含有水素が熱脱離しない場合がある。このため、アニールを行うことによって耐湿性保護膜中の水素がSiダングリングボンドをターミネートすることによる光劣化回復効果は期待できない。また、積層型薄膜太陽電池においては、通常レーザスクライブなどで裏面金属層にパターンニングを行う。この際、側面に貴金属や卑金属の耐湿性保護膜を成膜すると、前面透明電極と裏面電極間に導通がある状態となる。このため、貴金属や卑金属の耐湿性保護膜を裏面金属層のみに成膜する必要がある。しかし、このような構成の薄膜太陽電池の作製は、プロセス上困難である、という問題がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光劣化によって生じる発電層の発電効率低下を防止可能な光電変換効率に優れた薄膜太陽電池およびその製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる薄膜太陽電池は、透光性絶縁基板上に、透明導電材料からなる第1電極層と、非晶質シリコン膜を含み光電変換を行う第1発電層と、第2電極層とをこの順で有し、前記第1電極層が第1分離溝によって島化されて隣接するセル間に跨るように配置され、前記第1発電層と前記第2電極層とのそれぞれが第2分離溝によって島化されてセル分離された複数の太陽電池セルが配設されるとともに、前記第2分離溝を介して隣接する前記太陽電池セル同士が電気的に直列接続された薄膜太陽電池であって、前記非晶質シリコン膜に接して設けられ、膜中の水素濃度が前記非晶質シリコン膜よりも高く、100°C以下の温度で水素脱離が生じる水素含有絶縁膜を備えること、を特徴とする薄膜太陽電池。本発明によれば、光劣化に起因した発電層の発電効率の低下を自然回復することにより光劣化に起因した発電効率の低下が防止された光電変換効率に優れた薄膜太陽電池が得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる薄膜太陽電池およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。実施の形態1.図1-1は、本発明の実施の形態1にかかる薄膜太陽電池である積層型薄膜太陽電池モジュール以下、モジュールと呼ぶ100の概略構成を示す平面図である。図1-2は、モジュール100の概略構成を示す要部断面図であり、図1-1の線分A-A’における要部断面図である。図1-1および図1-2に示すように、実施の形態1にかかるモジュール100は、透光性絶縁基板1上に形成された短冊状矩形状の積層型薄膜太陽電池セル以下、セルと呼ぶ場合があるC1を複数備え、これらのセルC1が電気的に直列に接続された構造を有する。セルC1は、図1-2に示すように透光性絶縁基板1上に、第1電極層となる前面透明電極層2、非晶質シリコンSiからなる第1発電層3以下、非晶質Si発電層3と呼ぶ、第2発電層4、第3発電層5、裏面透明電極層6、第2電極層となる裏面反射電極層7、水素含有絶縁膜9が順次積層された構造を有する。透光性絶縁基板1上に形成された前面透明電極層2には、透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向に延在するとともに透光性絶縁基板1に達するストライプ状の第1の溝8aが形成されている。この第1の溝8aの部分に非晶質Si発電層3が埋め込まれることで、前面透明電極層2が隣接するセルC1に跨るようにセル毎に分離されて形成されている。また、前面透明電極層2上に形成された非晶質Si発電層3、第2発電層4および第3発電層5には、第1の溝8aと異なる箇所において透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向に延在するとともに前面透明電極層2に達するストライプ状の第2の溝接続溝8bが形成されている。この第2の溝接続溝8bの部分に裏面透明電極層6および裏面反射電極層7が埋め込まれることで、裏面透明電極層6および裏面反射電極層7が前面透明電極層2に接続される。そして、該前面透明電極層2が隣接するセルC1に跨っているため、隣り合う2つのセルC1の一方の裏面反射電極層7と他方の前面透明電極層2とが電気的に接続されている。また、裏面反射電極層7、裏面透明電極層6、第3発電層5、第2発電層4および非晶質Si発電層3には、第1の溝8aおよび第2の溝接続溝8bとは異なる箇所で、前面透明電極層2に達するストライプ状の第3の溝分離溝8cが形成されて、各セルC1が分離されている。このように、セルC1の前面透明電極層2が、隣接するセルC1の裏面反射電極層7と接続することによって、隣接するセルC1が電気的に直列接続している。前面透明電極層2は、例えば酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム錫ITO:IndiumTinOxide、酸化スズSnO2などの透明導電性酸化膜や、これらの透明導電性酸化膜にアルミニウムAlを添加した膜などの透光性の膜によって構成される。また、前面透明電極層2は、ドーパントとしてアルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、ホウ素B、イットリウムY、シリコンSi、ジルコニウムZr、チタンTiから選択した少なくとも1種類以上の元素を用いたZnO膜、ITO膜、SnO2膜、またはこれらを積層して形成した透明導電膜であってもよく、光透過性を有している透明導電膜であればよい。また、前面透明電極層2は、表面に凹凸が形成された表面テクスチャ構造を有する図示せず。このテクスチャ構造は、入射した太陽光を散乱させ、発電層での光利用効率を高める機能を有する。非晶質Si発電層3は、PN接合またはPIN接合を有し、入射する光により発電を行う非晶質Si層が1層以上積層されて構成される。非晶質Si発電層3は、例えば前面透明電極層2側から第1導電型非晶質Si層であるp型の非晶質Si層、真性非晶質Si層、第2導電型非晶質Si層であるn型の非晶質Si層が積層された積層膜とされる。非晶質Si発電層3の非晶質Siには、例えばアモルファスシリコンa-Si、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、水素化アモルファス炭化シリコンa-SiC:Hなどが挙げられる。第2発電層4および第3発電層5は、微結晶シリコン系薄膜からなる発電層であり、PN接合またはPIN接合を有し、入射する光により発電を行う微結晶シリコン系薄膜層が1層以上積層されて構成される。第2発電層4および第3発電層5は、それぞれ非晶質Si発電層3側から第1導電型微結晶Si層であるp型の微結晶Si層、真性微結晶Si層、第2導電型微結晶Si層であるn型の微結晶Si層が積層された積層膜とされる。なお、第2発電層4および第3発電層5は、これに限定されるものでなはい。また、非晶質Si発電層3と第2発電層4と第3発電層5とは、バンドギャップの異なる材料により形成される。裏面透明電極層6は、第3発電層5と裏面反射電極層7との密着力向上のためと第3発電層5のシリコンへの金属拡散を防止するために、第3発電層5と裏面反射電極層7との間に設けられ、例えば酸化亜鉛ZnO、酸化インジウムスズITO、酸化スズSnO2等の透明導電膜により構成される。裏面反射電極層7は、例えばアルミニウムAl、銀Ag、金Au、銅Cu、白金PtおよびクロムCrのうち少なくとも一つの材料からなる。また、これらの材料からなる層が積層されてもよい。また、非晶質Si発電層3を切断した第3の溝分離溝8cを埋めるように水素含有絶縁膜9がセルC1全体を覆って形成視されている。これにより、第3の溝分離溝8cを埋めた水素含有絶縁膜9は、第3の溝分離溝8cにおいて非晶質Si発電層3の側壁に接する。水素含有絶縁膜9の材料は、膜中水素濃度が非晶質Si発電層3よりも高い膜である、使用中に太陽光によるセルC1の温度上昇を利用して水素含有絶縁膜9中の水素を非晶質Si発電層3に拡散させるために太陽光で昇温可能な100°C程度以下の温度で水素脱離が起こる膜である、との条件を満たせば特に限定されない。このような水素含有絶縁膜9としては、例えばSiN膜、SiON膜、SiO膜などを用いることができる。非晶質Si発電層3の水素濃度は成膜条件によって異なるので、使用する非晶質Si発電層3の膜質によって必要とされる水素濃度は異なる。例えば、水素濃度が1×1021atoms/cm3程度の非晶質Siを非晶質Si発電層3として用いる場合は、膜中水素濃度が1×1022atoms/cm3以上の水素含有絶縁膜9を用いればよい。図2は、昇温脱離分析により測定したSiN膜の水素放出スペクトル11の一例を示す特性図である。図2に示すSiN膜からなる水素含有絶縁膜9の水素濃度は、水素放出スペクトル11の積分値から算出でき、約2×1022atoms/cm3である。図3は、図2における100°C付近の水素放出スペクトル11を拡大して示す特性図である。図3によれば水素放出開始温度12より約90°Cで水素放出の開始が確認される。なお、所望の水素濃度を得るために、水素含有絶縁膜9成膜後に水素注入を行い、所定の値に水素濃度を調節した膜を用いてもよい。ここで、このような実施の形態1にかかるモジュール100の動作の概略について説明する。透光性絶縁基板1の裏面セルC1が形成されていない方の面から太陽光が入射すると、非晶質Si発電層3、第2発電層4、第3発電層5で自由キャリアが生成され、電流が発生する。各セルC1で発生した電流は前面透明電極層2と裏面反射電極層7とを介して隣接するセルC1に流れ込み、モジュール100全体の発電電流を生成する。つぎに、上記のように構成された実施の形態1にかかるモジュール100の製造方法について説明する。図4-1~図4-4は、実施の形態1にかかるモジュール100の製造工程の一例を説明するための断面図であり、図1-2に対応する断面図である。図5は、実施の形態1にかかるモジュール100の製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。まず、透光性絶縁基板1を用意し、基板を洗浄するステップS100。ここでは、透光性絶縁基板1として平板状の白板ガラスを用いる。この透光性絶縁基板1の一面上に前面透明電極層2として例えばZnO膜をスパッタリング法により成膜するステップS110。また、透明導電膜を構成する材料として、ZnO膜の他にITO、SnO2などの透明導電性酸化膜や、導電率向上のためにこれらの透明導電性酸化膜にAlなどの金属を添加した膜を用いることができる。また、成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。その後、希塩酸で前面透明電極層2の表面をエッチングして粗面化し、前面透明電極層2の表面に小さな凹凸を形成してテクスチャ構造を形成するステップS120。ただし、SnO2、ZnO等の前面透明電極層2をCVD法により形成した場合には自己組織的に透明導電膜の表面に凹凸が形成されるため、希塩酸を用いたエッチングによる凹凸の形成は必要ない。次に、前面透明電極層2の一部を透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向のストライプ状に切断除去して、短冊状にパターニングし、複数の前面透明電極層2に分離する。前面透明電極層2のパターニングは、レーザスクライブ法により、透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向に延在して透光性絶縁基板1に達するストライプ状の第1の溝8aを形成することで行う図4-1、ステップS130。なお、このように透光性絶縁基板1上に基板面内で互いに分離された複数の前面透明電極層2を得るには、写真製版などで形成したレジストマスクを用いてエッチングする方法や、メタルマスクを用いた蒸着法などの方法でも可能である。次に、第1の溝8aを含む前面透明電極層2上に非晶質Si発電層3、第2発電層4、第3発電層5をプラズマCVD法により順次成膜するステップS140。次に、このようにして積層形成された非晶質Si発電層3、第2発電層4、第3発電層5に、前面透明電極層2と同様にレーザスクライブによってパターニングを施す図4-2、ステップS150。すなわち、非晶質Si発電層3、第2発電層4、第3発電層5の一部を透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向のストライプ状に切断除去して、非晶質Si発電層3、第2発電層4、第3発電層5を短冊状にパターニングし、分離する。非晶質Si発電層3、第2発電層4、第3発電層5のパターニングは、レーザスクライブ法により、第1の溝8aと異なる箇所に、透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向に延在して前面透明電極層2に達するストライプ状の第2の溝接続溝8bを形成することで行う。第2の溝接続溝8bの形成後、第2の溝接続溝8b内に付着している飛散物を高圧水洗浄、メガソニック洗浄、あるいはブラシ洗浄により除去する。次に、第3発電層5上および第2の溝接続溝8b内に裏面透明電極層6として例えば酸化スズSnO2膜を真空蒸着により成膜するステップS160。このとき、第2の溝接続溝8b内を裏面透明電極層6が被覆していれば、第2の溝接続溝8b内のすべてを裏面透明電極層6で満たす必要はない。また、裏面透明電極層6の成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。つぎに、裏面透明電極層6上に裏面反射電極層7として例えば銀Agをスパッタリング法により成膜するステップS170。このとき、第2の溝接続溝8b内の裏面透明電極層6を裏面反射電極層7が被覆していれば、第2の溝接続溝8b内のすべてを裏面反射電極層7で満たす必要はない。また、裏面反射電極層7の成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。つぎに、裏面反射電極層7、裏面透明電極層6、第3発電層5、第2発電層4および非晶質Si発電層3の一部を透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向のストライプ状に切断除去して短冊状にパターニングして複数のセルC1に分離する。パターニングは、レーザスクライブ法により、第1の溝8aおよび第2の溝接続溝8bとは異なる箇所に、透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向に延在して前面透明電極層2に達するストライプ状の第3の溝分離溝8cを形成することで行う図4-3、ステップS180。つぎに、裏面反射電極層7上、第2の溝接続溝8b内および第3の溝分離溝8c内に水素含有絶縁膜9として例えばSiN膜をスパッタリング法により成膜する図4-4、ステップS190。これにより、水素含有絶縁膜9が第3の溝分離溝8c内において非晶質Si発電層3の側壁10と接する。以上により、図1-1および図1-2に示すようなセルC1を有する実施の形態1にかかるモジュール100が完成する。なお、この後は、所定の配線およびラミネートが行われてステップS200、製品化される。以上のような実施の形態1にかかるモジュール100においては、電気エネルギーに変換されなかった太陽光によってモジュール100が加熱されることにより、水素含有絶縁膜9中の水素が非晶質Si発電層3の側壁10を通して非晶質Si発電層3中に拡散する。すなわち、太陽光によって水素含有絶縁膜9の温度が水素放出開始温度12以上に上昇することにより、水素含有絶縁膜9からの水素脱離が生じる。そして、第3の溝分離溝8c内において水素含有絶縁膜9から脱離した水素は、第3の溝分離溝8c内において水素含有絶縁膜9が接する非晶質Si発電層3の側壁10を介して非晶質Si発電層3内に拡散する。これにより、モジュール100では、第3の溝分離溝8c内における非晶質Si発電層3の側壁10を介して非晶質Si発電層3に水素を取り込むことが可能となる。そして、水素含有絶縁膜9から非晶質Si発電層3に取り込まれた水素が、非晶質Si発電層3の光劣化によって生成したSiダングリングボンドをターミネートすることにより、光劣化で低下した発電効率を自然回復させる、という効果を有する。すなわち、非晶質Si発電層3に初期的に含有される水素の濃度や水素拡散温度に依存することなく、光劣化によって生成したSiダングリングボンドの水素ターミネートを実現できる。そして、Siダングリングボンドを水素でターミネートすることにより、キャリアトラップが減少し、光劣化により低下した発電効率を回復させることができる。また、実施の形態1にかかるモジュール100においては、100°C以下で水素を放出する水素含有絶縁膜9を用いる。このため、太陽光により積層型薄膜太陽電池の温度が自然に上昇する現象を利用して水素含有絶縁膜9中の水素を非晶質Si発電層3に拡散させることができる。これにより、断熱材などで光電変換層を覆うことなく、太陽光による積層型薄膜太陽電池の温度上昇によってSiダングリングボンドの水素ターミネートを効率的に実現し、温度上昇による発電効率の低下を最低限に抑えて、光劣化により低下した発電効率を自然回復させることができる。したがって、実施の形態1によれば、光劣化に起因した非晶質Si発電層3の発電効率の低下を自然回復することにより、光劣化に起因した発電効率の低下が防止され、高い光電変換効率が得られる高品質の積層型薄膜太陽電池が実現されている。なお、第2の溝接続溝8bや第3の溝分離溝8cのような深い形状の溝にスパッタリング法などにより水素含有絶縁膜9を成膜する際には、例えば図6に示す空洞13のような隙間が生成することがある。図6は、実施の形態1にかかる他のモジュールを構成するセルC1’の短手方向における断面構造を説明する要部断面図である。しかし、水素含有絶縁膜9が第3の溝分離溝8c内において非晶質Si発電層3の側壁10を覆っていれば問題ない。したがって、図6に示すように第2の溝接続溝8bや第3の溝分離溝8cが水素含有絶縁膜9で完全に埋まっていない構成でも構わない。また、上記においては、発電層を3層積層した積層型薄膜太陽電池を例に挙げたが、発電層の積層数は2層以上であれば何層でもよい。また、上記においては積層型の薄膜太陽電池であるモジュール100について説明したが、本発明はこれに限定されず、発電層に非晶質Siを用いた薄膜太陽電池であれば、シングルセル型の薄膜太陽電池でも同様に適用可能である。実施の形態2.図7は、本発明の実施の形態2にかかるモジュールの概略構成を示す要部断面図である。実施の形態2にかかるモジュールは、水素含有絶縁膜9の形状が異なること以外は、実施の形態1にかかるモジュール100と同じ構成を有する。実施の形態1にかかるモジュール100においては、水素含有絶縁膜9は第3の溝分離溝8cが完全に埋まるように成膜されている。しかしながら、水素含有絶縁膜9は、図7に示すように第3の溝分離溝8c内の全てを埋めずに、第3の溝分離溝8cや裏面反射電極層7を覆うように成膜してもよい。このように構成された実施の形態2にかかるモジュールにおいては、第3の溝分離溝8c内の全てを水素含有絶縁膜9で覆う必要がないため成膜の負荷が減少し、製造時間の削減および低コスト化を図ることができる。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3にかかるモジュールの概略構成を示す要部断面図である。実施の形態3にかかるモジュールは、水素含有絶縁膜9の形成位置が異なること以外は、実施の形態1にかかるモジュール100と同じ構成を有する。実施の形態1にかかるモジュール100においては、水素含有絶縁膜9は第3の溝分離溝8c内に成膜することで、水素含有絶縁膜9中の水素を非晶質Si発電層3の側壁10を介して非晶質Si発電層3に拡散させる構造としている。しかしながら、水素含有絶縁膜9は、図8に示すように第1の溝8a内を埋めるように形成されてもよい。このような構成においても、水素含有絶縁膜9と非晶質Si発電層3とを接触させることができる。つぎに、このように構成された実施の形態3にかかるモジュールの製造方法について図9を参照して説明する。図9は、実施の形態3にかかるモジュール100の製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。なお、図9においては、図5に示したフローチャートと同じ工程については、同じフロー番号を付してある。まず、実施の形態1の場合と同様にしてステップS100~ステップS130を実施する。すなわち、レーザスクライブ法により、透光性絶縁基板1の短手方向と略平行な方向に延在して透光性絶縁基板1に達するストライプ状の第1の溝8aを形成することで前面透明電極層2のパターニングを行う。次に、前面透明電極層2上および第1の溝8a内に水素含有絶縁膜9として例えばSiN膜をスパッタリング法により成膜するステップS131。次に、水素含有絶縁膜9上にレジストを塗布し、露光し、現像することにより、レジストのパターンを形成するステップS132。ここで、レジストのパターンは、第1の溝8a上の領域に形成する。そして、このレジストのパターンをエッチングマスクとして水素含有絶縁膜9のエッチングを行い、不要な水素含有絶縁膜9を除去するステップS133。その後、レジストのパターンを除去するステップS134。これにより、水素含有絶縁膜9は、第1の溝8a内を埋めた状態で残存する。つぎに、実施の形態1の場合と同様にして、前面透明電極層2上および水素含有絶縁膜9上に非晶質Si発電層3、第2発電層4、第3発電層5をプラズマCVD法により順次成膜するステップS140。なお、ここでは第1の溝8a内は水素含有絶縁膜9で埋められているので、第1の溝8a内に非晶質Si発電層3は形成されない。そして、第1の溝8a内に埋められた水素含有絶縁膜9と非晶質Si発電層3とが接触する。その後、実施の形態1の場合と同様にしてステップS150~ステップS180を実施することにより、図8に示すような構成を有する実施の形態3にかかるモジュールが完成する。なお、この後は、所定の配線およびラミネートが行われてステップS200、製品化される。このような実施の形態3にかかるモジュールにおいては、電気エネルギーに変換されなかった太陽光によってモジュールが加熱されることにより、第1の溝8a内に設けられた水素含有絶縁膜9中の水素が非晶質Si発電層の底部14を介して非晶質Si発電層3中に拡散する。これにより、非晶質Si発電層の底部14を介して非晶質Si発電層3に水素を取り込むことが可能となる。そして、水素含有絶縁膜9から非晶質Si発電層3に取り込まれた水素が、非晶質Si発電層3の光劣化によって生成したSiダングリングボンドをターミネートすることにより、光劣化で低下した発電効率を自然回復させる、という効果を有する。すなわち、非晶質Si発電層3に初期的に含有される水素の濃度や水素拡散温度に依存することなく、光劣化によって生成したSiダングリングボンドの水素ターミネートを実現できる。そして、Siダングリングボンドを水素でターミネートすることにより、キャリアトラップが減少し、光劣化により低下した発電効率を回復させることができる。したがって、実施の形態3によれば、光劣化に起因した非晶質Si発電層3の発電効率の低下を自然回復することにより、光劣化に起因した発電効率の低下が防止され、高い光電変換効率が得られる高品質の積層型薄膜太陽電池が実現されている。なお、実施の形態2にかかるモジュールの構成と実施の形態3にかかるモジュールの構成とを組み合わせてもよい。