ムライトの含有量が79.3~85.2質量、アルミナの含有量が14.2~19.8質量およびMnTiO3の含有量が0.6~1.1質量であるとともに、相対密度が96以上であることを特徴とするムライト質焼結体。MnとTiとのモル比Mn/Tiが0.67~1.00であるとともに、格子定数aが0.7560~0.7569nmであることを特徴とする請求項1に記載のムライト質焼結体。さらにMoを含み、AlおよびSiをAl2O3換算およびSiO2換算した合計量を100質量としたときに、前記MoをMoO3換算で0.4~2.1質量含有することを特徴とする請求項1または2に記載のムライト質焼結体。前記MoとTiとのモル比Mo/Tiが0.125~0.250であることを特徴とする請求項3に記載のムライト質焼結体。請求項1乃至4のうちいずれかに記載のムライト質焼結体を絶縁基体とすることを特徴とする配線基板。請求項5に記載の配線基板と、該配線基板の表面に設けられた表面配線層と、該表面配線層に接続され、半導体素子の電気特性を測定するための測定端子と、を備えていることを特徴とするプローブカード。上記特許文献1および2に記載のムライト質焼結体は、主結晶粒子であるムライト粒子の粒界に二酸化ケイ素を主成分とするガラス非晶質相を多く含むものであるために、耐薬品性が低いという問題があった。従って、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、特定の範囲の熱膨張係数を有するとともに、耐薬品性に優れたムライト質焼結体と、これを用いた配線基板、並びに、この配線基板を適用したプローブカードを提供することを目的とする。本発明のムライト質焼結体は、ムライトが79.3~85.2質量、アルミナが14.2~19.8質量およびMnTiO3が0.6~1.1質量であるとともに、相対密度が96以上であることを特徴とする。前記ムライト質焼結体では、MnとTiとのモル比Mn/Tiが0.67~1.00であるとともに、格子定数aが0.7560~0.7569nmであることが望ましい。前記ムライト質焼結体では、さらにMoを含み、AlおよびSiをAl2O3換算およびSiO2換算した合計量を100質量としたときに、前記MoをMoO3換算で0.4~2.1質量含有することが望ましい。前記ムライト質焼結体では、前記MoとTiとのモル比Mo/Tiが0.125~0.250であることが望ましい。本発明の配線基板は、前記のムライト質焼結体を絶縁基体とすることを特徴とする。本発明のプローブカードは、前記の配線基板と、該配線基板の表面に設けられた表面配線層と、該表面配線層に接続され、半導体素子の電気特性を測定するための測定端子と、を備えていることを特徴とする。本発明によれば、特定の範囲の熱膨張係数を有するとともに、耐薬品性に優れたムライト質焼結体と、このムライト質焼結体を絶縁基体とする配線基板ならびにプローブカードを得ることができる。以下、本発明のムライト質焼結体を配線基板に適用した一実施形態について説明する。なお、本発明のムライト質焼結体は、配線基板としてだけではなく、低熱膨張であり、耐薬品性の要求される構造部品等にも適用できることは言うまでもない。図1は、本発明のムライト質焼結体を配線基板を構成する絶縁基体に適用した一実施形態の概略断面図である。図1に示す配線基板1は、絶縁基体11と、絶縁基体11の内部に形成された低抵抗金属および高融点金属を主成分として含む複合導体からなる内部配線層12と、絶縁基体11の表面に形成された表面配線層13とを備えており、その絶縁基体11の内部における内部配線層12同士または内部配線層12と表面配線層13とを電気的に接続するビアホール導体14とを有している。絶縁基体11は複数のセラミック絶縁層11a、11b、11c、11dからなるもので、それぞれのセラミック絶縁層11a、11b、11c、11dはムライトを主成分とするセラミック焼結体により形成されている。以下、ムライトを主成分とするセラミック焼結体のことをムライト質焼結体と記す。ここで、ムライト質焼結体の主成分であるムライトは粒子状または柱状の結晶として存在している。配線基板1において、ムライトの平均粒径は特に限定されるものではないが、結晶粒径が大きくなるに従い熱伝導性が向上し、結晶粒径が小さくなるに従い強度が向上することから、高熱伝導性および高強度の両立という点から、ムライトの平均粒径は1.0~5.0μm、特に1.7~2.5μmであることが望ましい。なお、ムライトの平均粒径は配線基板1から切り出したムライト質焼結体の部分を研磨し、研磨した試料について走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上に約50個入る円を描き、円内および円周にかかったムライトの結晶粒子を選択し、次いで、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各結晶粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求める。この配線基板1を構成する絶縁基体11は、ムライトの含有量が79.3~85.2質量、アルミナの含有量が14.2~19.8質量およびMnTiO3の含有量が0.6~1.1質量であるとともに、相対密度が96以上であるムライト質焼結体により構成されている。これにより、熱膨張係数-50~150°Cが3.2×10-6/°C~3.9×10-6/°Cであり、かつ耐薬品性の高いムライト質焼結体を得ることができる。この場合、ムライト質焼結体中に含まれるMnTiO3の割合は、小数点以下2桁まで求めて四捨五入した値を含むものである。また、耐薬品性が高いとは、後述するように、ムライト質焼結体を、例えば、水酸化カリウムの水溶液中に浸漬しても浸食や腐食のほとんど無い状態のことをいう。また、本実施形態のムライト質焼結体は、緻密であり、色むらも少ないものでもある。さらに、このムライト質焼結体が上記した特定の範囲の熱膨張係数を有することにより、例えば、この配線基板1の主面に測定端子を設けて、Siウェハの表面に形成された測定パッドとの熱負荷試験時における位置ずれの程度を評価したときにおいても、配線基板1に設けられた測定端子とSiウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、電気特性の検査に好適に使用できるものとなる。この場合、熱負荷試験を行った時の配線基板1に設けられた測定端子とSiウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれは、Siウェハの表面に形成された測定パッドのピッチが40~60μmのSiウェハを評価したときの結果に基づくものである。なお、測定パッドのピッチとは測定パッドの幅と、隣接する測定パッドとの間隔とを合わせた値のことである。配線基板1を構成する絶縁基体11となるムライト質焼結体の組成は、例えば、X線回折のリートベルト解析から求められる。X線回折のリートベルト解析から求められる割合で、ムライトの含有量が79.3質量より少ない場合には、絶縁基体11の熱膨張係数が3.9×10-6/°Cよりも大きくなる。一方、X線回折のリートベルト解析から求められる割合で、ムライトの含有量が85.2質量より多い場合には、絶縁基体11の熱膨張係数が3.2×10-6/°Cよりも小さくなる。なお、X線回折のリートベルト解析から求められる割合で、ムライトの含有量が85.2質量より多い場合に、アルミナの含有量が14.2質量よりも少なくかつMnTiO3の含有量が0.6質量よりも少ない場合には、ムライト質焼結体の密度が低いものとなり、絶縁基体11の耐薬品性が低下してしまうおそれがある。一方、X線回折のリートベルト解析から求められる割合で、ムライト質焼結体中に含まれるMnTiO3が1.1質量よりも多い場合には、絶縁基体11の表面にMnTiO3に起因する色むらが発生するおそれがある。また、本実施形態の配線基板1を構成する絶縁基体11となるムライト質焼結体については、耐薬品性をさらに高めるという点で、X線回折のリートベルト解析から求める成分分析において二酸化珪素を実質的に含まないことが望ましい。なお、絶縁基体11中に二酸化ケイ素を実質的に含まないというのは、X線回折パターンにおいて、2θが10°以下の領域にて、二酸化ケイ素の主ピークの回折強度がムライトの主ピークの回折強度の0.1以下となっている状態をいう。ムライト質焼結体の焼結性は、絶縁基体11の相対密度を求めるとともに、ムライト質焼結体をレッドチェック液に浸漬させた後、水洗いし、ムライト質焼結体が赤く染色されるか否かを確認して評価する。なお、絶縁基体11の相対密度は、まず、得られた絶縁基体11を粉砕してピクノメータ法により真密度を求める。一方、アルキメデス法により嵩密度を求め、次いで、嵩密度を真密度で除して相対密度を求める。また、配線基板1を構成する絶縁基体11となるムライト質焼結体では、MnとTiとのモル比Mn/Tiが0.67~1.00であるとともに、ムライト質焼結体の格子定数aが0.7560~0.7569nmであることが望ましい。MnとTiとのモル比Mn/Tiが0.67~1.00であるとともに、格子定数aが0.7560~0.7569nmであると、このムライト質焼結体を、例えば、プローブカード用の配線基板1の絶縁基体11として適用した場合に、Siウェハの表面に形成された測定パッドのピッチが40μmのSiウェハを評価したときにおいても位置ずれが小さく、良好な電気特性を示すプローブカード用の配線基板1を得ることが可能になる。また、配線基板1では、絶縁基体11を構成しているムライト質焼結体が、ICPInductivelyCoupledPlasma分析などの元素分析を行って求められる割合で、ムライト100質量に対して、TiをTiO2換算で4~12質量含有することが望ましい。ムライト質焼結体中にTi成分を含有させると、ムライト質焼結体の色彩を緑色系にできる。ムライト質焼結体の色彩が緑色系であると、後述する薄膜法により絶縁基体11の表面に形成される表面配線層の色とのコントラストが高まるため、測定端子となるSi製のプローブピンを形成する際の位置決めが容易にできるようになり、プローブカードの製造工程の効率を高めることができる。ここで、ムライト質焼結体におけるMnおよびTiの含有量から求められるMnとTiとのモル比Mn/Tiは、絶縁基体11を溶解させてICP分析により求める。また、配線基板1では、絶縁基体11であるムライト質焼結体が、さらに、Moを含み、AlおよびSiをAl2O3換算およびSiO2換算した合計量を100質量部としたときに、MoをMoO3換算で0.4~2.1質量部含有することが望ましい。本実施形態のムライト質焼結体を、上記の割合でMoを含むものにすると、焼成時のガラス相の染み出しを抑制できるとともに、ムライト質焼結体の表面に染み出したガラス相を介して、焼成時に用いるセッター材等が異物として付着するのを防止することができる。さらに、配線基板1では、絶縁基体11を構成するムライト質焼結体におけるMoとTiとのモル比Mo/Tiが0.125~0.250であることが望ましい。これにより絶縁基体11の配線近傍が白くなるのを抑制でき、絶縁基体11と配線との色のコントラストの高い配線基板1を得ることができるとともに、配線幅のばらつきを小さくすることができる。また、この配線基板1では、絶縁基体11となるムライト質焼結体が、不可避不純物とともに、焼結性を高める助剤成分として、MgO、CaO、SrO、B2O3およびCr2O3などから選ばれる少なくとも1種が、耐薬品性、ヤング率、密度および色彩等の特性を損なわない程度含有されていても良い。この配線基板1を構成する内部配線層12は、Cuが40~60体積、Wが40~60体積となる組成を有するCuおよびWの複合導体で構成されていることが望ましい。ムライト質焼結体と同時焼成可能な内部配線層12の形成材料として、高融点金属であるタングステンWが挙げられるが、タングステンWからなる内部配線層12は電気抵抗値が高い。一方、銅Cuなどの低抵抗金属はムライト質焼結体の焼成温度よりもかなり融点が低いため、低抵抗金属である銅のみをムライト質焼結体と同時焼成することはできない。そこで、内部配線層12を銅およびタングステンの複合導体とすることで、銅単体に比べると電気抵抗値は多少あがってしまうものの、後述する1380°C~1420°Cの焼成温度でムライト質焼結体との同時焼成が可能となる。ただし、同時焼成可能といえども、銅の融点を超える温度での焼成となるため、銅の溶融を抑制して内部配線層12の形状を保つことが必要となる。そこで、内部配線層12の低抵抗化と保形性をともに保つうえで、銅が40~60体積、タングステンが40~60体積の割合にするのである。ここで、内部配線層12の銅およびタングステンの組成は、プローブカード用セラミック配線基板1から内部配線層12が形成された部位を切り出し、これを酸に溶解させた溶液をICPInductivelyCoupledPlasma分析を用いて導体材料である銅およびタングステンの含有量を質量で求める。次に、質量として求めた銅およびタングステンの量をそれぞれの密度で除して各々の体積を求め、次いで、銅およびタングステンの合計の体積を100としたときの銅およびタングステンの割合を求める。なお、表面配線層13は、内部配線層13と同様の組成であっても異なっていても良い。また、ビアホール導体14は、表面配線層13と同様の組成からなることが焼成時にビアホール導体14からの導体成分の脱落を防止するうえで望ましい。上述した本実施形態の配線基板1は、プローブカード用の配線基板1に適用したときに、熱負荷試験時において、配線基板1に設けられた測定端子プローブピンとSiウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれを抑制でき、電気特性の検査に好適に使用できる。また、ムライト質焼結体を特定の組成としたときには、耐薬品性にの優れたものになる。また、図1に示す配線基板1を構成する絶縁基体11の主面には、焼成直後においては、元々、表面配線層13の代わりにビアホール導体14に接続されたランドパターン図示せずが形成されている。このランドパターンは焼成後にこの配線基板1の内部配線層12およびビアホール導体14の電気的接続のショートまたはオープンの検査を行うために設けられたものである。そして、配線基板1の内部配線層12およびビアホール導体14の電気的接続のショートまたはオープンの検査を行った後、ランドパターンは研磨により取り除かれ、ビアホール導体14を露出させたうえで、スパッタ法または蒸着法などの薄膜法により表面配線層13が形成され、さらに、この表面配線層13の表面上に測定端子プローブピンが形成され、図2に示すプローブカード2が作製される。図2は、本発明のプローブカードの一実施形態を用いた半導体素子の評価装置の説明図である。上記した配線基板1は、例えば、図2に示すようなプローブカード2として用いることができる。図2に示すプローブカード2は、本実施形態の配線基板1の一方の主面に、内部配線層12と接続される表面配線層図示せずが形成され、この表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子21プローブピンが接続されている。また、配線基板1の他方の主面に接続端子図示せずが形成され、この接続端子が半田3を介して外部回路基板4に接合され、さらに、外部回路基板4は、テスタ5に接続されている。そして、ステージ6の上に載置されたSiウェハ7の測定パッドにプローブカード2の測定端子21を接触させて半導体素子の電気特性を測定することができる。なお、プローブカード2および外部回路基板4は、昇降装置8によって上下に駆動させることができ、プローブカード2の測定端子21をSiウェハ7の測定パッドに接触させたり離したりするようになっている。このプローブカード2の配線基板として、本実施形態の配線基板1を適用すると、まず、熱負荷試験時において、配線基板1に設けられた測定端子21とSiウェハ7の表面に形成された測定パッドとの位置ずれが無く、電気特性の検査に好適に使用できるものとなる。次に、上記の配線基板1の製造方法について説明する。まず、絶縁基体11を形成するために、ムライト粉末として、純度が99以上、平均粒径が0.5~2.5μm、X線回折から求められるムライトの格子定数aが7.58Å以上のムライト粉末を用いる。ムライト粉末の平均粒径を0.5μm以上とすることでシート成形性を良好なものとし、2.5μm以下とすることで1420°C以下の温度での焼成によっても緻密化を促進させることが可能となる。次に、ムライト粉末100質量に対して、Mn2O3粉末を2.0~3.6質量、TiO2粉末を4~12質量添加して混合粉末を調製する。この場合、添加剤として用いるMn2O3粉末は平均粒径が0.7~1.7μmおよびTiO2粉末は平均粒径が1~3μmであるものを用いるがよい。なお、Mn2O3粉末およびTiO2粉末の純度はともに99質量以上であるものがよい。これにより、シート成形性を良好なものとし、MnおよびTiの拡散を向上させ、1380°C~1420°Cの温度での焼結性を高めることができる。また、ムライト粉末100質量に対して、TiO2を4~12質量添加されることにより、ムライト質焼結体を十分に緑色化させることができる。また、MnおよびTiは、上記の酸化物粉末以外に焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等として添加しても良い。この場合においても、ムライト粉末100質量に対して、MnがMn2O3換算で2.0~3.6質量、TiがTiO2換算で4~12質量となるように混合するのがよい。また、MnとTiとの比Mn/Tiが0.67~1.00になるように組成を調整すると、TiO2がムライトの分解を抑制するように働くことから、ムライト質焼結体の粒界における二酸化ケイ素の量を低減させることができ、これにより耐薬品性試験での重量変化率の小さい配線基板1を得ることができる。また、ムライト粉末100質量に対して、MoO3粉末を0.4~2.1質量添加すると、焼成時においてムライト質焼結体からのガラス相の染み出しを抑制できるとともに、ムライト質焼結体の表面に染み出したガラス相を介して、焼成時に用いるセッター材等が異物として付着するのを防止することができる。この場合、MoO3粉末とTiO2粉末とを、モル比Mo/Tiが0.125~0.250の範囲となるように添加すると、得られた配線基板1において、絶縁基体11の配線近傍が白くなるのを抑制でき、絶縁基体11と配線との色のコントラストの高い配線基板1を得ることができるとともに、配線幅のばらつきを小さくすることができる。さらに、ムライト質焼結体の緻密化と内部配線層12を形成する複合金属との同時焼結性を高めるという理由から、ムライト粉末100質量に対して、Mg、Ca、Sr、BおよびCrの群から選ばれる1種以上の酸化物粉末MgO粉末、CaO粉末、SrO粉末、B2O3粉末、Cr2O3粉末または焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩からなる粉末を、配線基板1の熱膨張係数を変化させず、また耐薬品性を劣化させない程度の割合で添加してもよい。ところで、前述したMnとTiとのモル比Mn/Tiが0.67~1.00であり、かつ格子定数aが0.7560~0.7569nmであるムライト質焼結体は、格子定数aが0.758nm以上のムライト粉末を用いることにより得られるものであるが、その格子定数aが0.758nm以上のムライト粉末は、アルミナおよび二酸化ケイ素を含む素原料を溶融法によって得ることができる。そして、溶融法によって得られるムライト粉末は共沈法によって得られるムライト粉末に比較して安価であることから、ムライト質焼結体を絶縁基体11とする配線基板1を安価に製造することが可能となる。次に、この混合粉末に対して有機バインダ、溶媒を添加してスラリーを調整した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法によってグリーンシートを作製する。あるいは、混合粉末に有機バインダを添加し、プレス成形、圧延成形等の方法により所定の厚みのグリーンシートを作製する。なお、グリーンシートの厚みはたとえば50~300μmとすることができるが、特に限定されない。そして、適宜、このグリーンシートに対して、マイクロドリル、レーザー等により直径50~250μmの貫通孔を形成する。このようにして作製されたグリーンシートに対して、銅Cu粉末とタングステンW粉末とを前述した比率Cuが40~60体積、Wが40~60体積となるように混合して導体ペーストを調製し、この導体ペーストを各グリーンシートの貫通孔内に充填し、またスクリーン印刷、グラビア印刷などの方法により印刷塗布して配線パターンを形成する。なお、この導体ペースト中には、絶縁基体11との密着性を高めるために、上記の金属粉末以外にアルミナ粉末あるいは絶縁基体11と同一組成物の混合粉末を添加してもよく、さらにはNi等の活性金属あるいはそれらの酸化物を導体ペースト全体に対して0.05~2体積の割合で添加してもよい。その後、導体ペーストを印刷塗布したグリーンシートを位置合わせして積層圧着した後、この積層体を非酸化性雰囲気窒素雰囲気あるいは窒素と水素との混合雰囲気中で焼成する。ここで、この焼成中の最高温度は1380°C~1420°Cとするのがよい。最高温度が1380°Cより低い場合には、十分に緻密化できず、最高温度が1420°Cを超える場合には、内部配線層12の変形や細りが生じてしまう傾向がある。また、配線基板1を作製する場合、1000°Cから焼成最高温度までの昇温速度は50°Chr~150°Chr、特に、75°Chr~100°Chrにすることが望ましい。昇温速度が50°Chrよりも遅い場合には、焼成時間が長く生産性の低下につながり、昇温速度が150°Chrよりも速い場合には、焼成中の熱膨張により発生する応力により、基板にクラックが発生する原因になりやすい。またさらに、焼成時の雰囲気は、内部配線層12中のCuの拡散を抑制するという理由から、水素および窒素を含み、その露点が30°C以下、特に25°C以下の非酸化性雰囲気であることが望ましい。焼成時の露点が30°Cより高いと、焼成中に酸化物セラミックスと雰囲気中の水分とが反応し酸化膜を形成し、この酸化膜と銅とが反応してしまい、導体の低抵抗化の妨げとなるのみでなく、Cuの拡散を助長してしまうためである。なお、この雰囲気には所望によりアルゴンガス等の不活性ガスを混入してもよい。以上述べた方法により作製された配線基板1は、CuおよびWを主成分として含む内部配線層12を有し、熱膨張係数が検査対象であるSiウェハの熱膨張係数に近く、かつ耐薬品性に優れたものとなる。実施例1純度が99質量、平均粒子径が1.8μmであり、格子定数aが0.7580nm7.58Åのムライト粉末100質量に対して、純度が99以上で平均粒径が1μmのAl2O3粉末、純度が99で平均粒径が1.5μmのMn2O3粉末および純度が99で平均粒径が1.0μmのTiO2粉末を表1に示すような割合で混合し、これに成形用の有機樹脂有機バインダとしてアクリル系バインダと、有機溶媒としてトルエンを混合してスラリーを調製した後、ドクターブレード法を用いて厚み200μmのグリーンシートを作製した。次に、得られたグリーンシートを15層積層し、室温から600°Cの温度において、露点を25°Cとした窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行なった後、引き続き焼成を行った。焼成は、1380°Cにて露点を25°Cとした窒素水素混合雰囲気に、1時間保持した後ムライト質焼結体を得た。なお、表1、2の試料I-16はa軸の格子定数が0.7550nm7.55Åのムライト粉末を用いた場合、試料No.I-17はアルミナ粉末を添加した場合、試料No.18はMnTiO3粉末を添加した場合、試料No.I-19はアルミナ粉末を添加しつつ、Mn2O3粉末の添加量を低減させた場合、試料No.I-20は添加剤として二酸化ケイ素粉末を添加した場合および試料No.I-21は焼成温度を1360°Cとし、露点を25°Cとした窒素水素混合雰囲気に、1時間保持して焼成した場合である。また、ムライト質焼結体中に存在する結晶の割合は、ムライト質焼結体を粉砕し、X線回折により得られるメインピーク位置をJCPDSに照らして同定するとともに、リートベルト解析を行うことにより求めた。また、リートベルト解析を行うためのX線回折パターンから格子定数aを測定した。また、耐薬品性の指標として、ムライト質焼結体の初期の質量及び100°Cの水酸化カリウム40質量水溶液に5時間浸漬させた後のムライト質焼結体の質量を測定し、重量減少率ムライト質焼結体の初期質量-100°Cの水酸化カリウム40質量水溶液に5時間浸漬させた後のムライト質焼結体の質量/ムライト質焼結体の初期質量×100[]を算出した。また、絶縁基体の相対密度を以下のようにして求めた。まず、得られた絶縁基体11を粉砕してピクノメータ法により真密度を求めた。次に、同じ絶縁基体を今度は粉砕せずにアルキメデス法により嵩密度を求めた。次いで、嵩密度を真密度で除して相対密度を求めた。また、焼結性の指標として、ムライト質焼結体をレッドチェック液に浸漬させた後、水洗しムライト質焼結体が赤く染色されるか否かを確認し、染色されない緻密なものを○、染色が見られ緻密でないものを×とした。さらに、色ムラの指標として、双眼による目視検査によりムライト質焼結体表面に直径1mm以上の白い斑点が存在するかを確認した。確認されないものを○、されるものを×とした。また、ムライト質焼結体におけるMnおよびTiの含有量から求められるMnとTiとのモル比Mn/Ti比は、絶縁基体を溶解させてICPInductivelyCoupledPlasma分析により求めた。また、得られたグリーンシートを30層積層して作製した成形体を、上記と同様の脱脂および焼成の条件にて作製したムライト質焼結体を、平面研磨機を用いて、幅3mm、厚み2mm、長さ1mmの形状のサンプルに加工して、TMA分析熱機械分析用の試料を作製し、熱膨張係数を測定した。これらの評価は相対密度の評価を除いて試料数は1個とした。相対密度については試料数3個の平均値より求めた。また、作製されたグリーンシートに対して、Cu粉末とW粉末とをCuが45体積、Wが55体積となるように調製した導体ペーストを各グリーンシートの表面に印刷するとともに貫通孔内に充填して導体ペーストを印刷塗布したグリーンシートを作製した。次に、この導体ペーストを印刷塗布したグリーンシートを30層位置合わせして積層圧着した後、この積層体を上記と同様の脱脂および焼成の条件にて焼成してプローブカード用セラミック配線基板を作製した。基板サイズは340mm×340mm、厚みが6mmであった。次に、作製した配線基板の表面を研磨し、ランドパターンを取り除いた後、スパッタ法を用いて、配線基板の表面の全面に厚みが約2μmのチタンおよび銅の導電性薄膜を順に形成した。次に、フォトリソグラフィーによりチタンおよび銅の導電性薄膜をパターン加工して、この銅の表面にニッケルおよび金の電解めっき膜を順に形成して、配線基板の表面のビアホール導体上に表面配線層を形成した。次に、この配線基板の表面に形成した表面配線層の表面にSi製の測定端子プローブピンを接合してプローブカードを作製した。次に、ステージ上に載置したSiウェハの上面にプローブカードの測定端子であるプローブピンを接触させて90°Cの温度に加熱した状態に保持し、プローブカードの側面から実体顕微鏡を用いて、プローブピンとSiウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれを観察した。この場合、プローブカードおよびSiウェハの最外周に形成した測定端子プローブピンと測定パッドを観察したときに、測定端子プローブピンの先端が測定パッド上から横に位置ずれしている状態を位置ずれ有りとした。なお、この評価には、配線ピッチが50μmおよび40μmの2種類のSiウェハを用いた。また、内部配線層の銅およびタングステンの組成は、まず、配線基板から内部配線層が形成された部位を切り出し、これを酸に溶解させた溶液をICPInductivelyCoupledPlasma分析を用いて導体材料である銅およびタングステンの含有量を質量で求めた。次に、質量として求めた銅およびタングステンの量をそれぞれの密度で除して各々の体積を求め、次いで、銅およびタングステンの合計の体積を100としたときの銅およびタングステンの割合を求めた。なお、作製したプローブカード用配線基板に形成された内部配線層は銅が45体積、タングステンが55体積であることを確認した。これらの結果を表1、2に示す。表1、2の結果から明らかなように、試料No.I-2~4、I-7~9、I-16およびI-22のムライト質焼結体は、いずれも相対密度が97以上、絶縁基体の熱膨張係数-50~150°Cが3.2×10-6/°C~3.9×10-6/°Cであり、耐薬品性試験での重量変化率が0.12重量以下であった。また、これらのムライト質焼結体は、その表面に色むらも見られなかった。さらには、これらのムライト質焼結体を絶縁基体とし、プローブカード用の配線基板に適用した場合には、熱負荷試験時において、プローブカード用の配線基板に設けられた測定端子とSiウェハの表面に形成された配線ピッチが50μmである測定パッドとの位置ずれが無く、電気特性の検査に好適に使用できるものであった。また、これらのムライト質焼結体において、MnとTiとのモル比Mn/Tiが0.67~1.00であるとともに、格子定数aが0.7560~0.7569nmである試料No.I-3、I-4、I-8、I-9およびI-22では、配線ピッチが40μmの測定パッドを形成したSiウェハを用いた熱負荷試験においても位置ずれが無く、良好な電気特性の検査に使用できるものであった。これに対し、試料No.I-1、I-5、I-6、I-10~15およびI-17~21は、相対密度が97よりも低いか、熱膨張係数-50~150°Cが3.2×10-6/°C~3.9×10-6/°Cの範囲に無いか、または、耐薬品性試験での重量変化率が0.12質量よりも大きいものであった。実施例2次に、実施例1に用いた原料粉末とともに、純度が99質量のMoO3粉末を用いて、表3に示すような割合で混合した混合粉末を調製し、実施例1と同様の方法にてムライト質焼結体および配線基板を作製した。焼成する際のセッターとしてはアルミナ製の多孔質体を用いた。外観不良の発生率は作製したムライト質焼結体の外観検査を行って評価した。このとき試料数は39個とし、ムライト質焼結体の表面を実体顕微鏡を用いて観察し、ガラス相の染み出しおよび異物付着の有無を評価した。また、作製した配線基板について配線幅の測定パターンを9箇所切り出し、内部配線の配線幅を測定し、配線幅のばらつきを求めた。また、絶縁基体中に含まれるAl、Si、Mn、Ti、Moの含有量は、配線基板から切り出した絶縁基体を一旦、酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ICP発光分光分析にかけて定量化した。この場合、ICP分析により絶縁基体中に含まれるアルミニウムAl、珪素Si、マンガンMn、チタンTi、モリブデンMoの含有量を求め、これらの分析値のうちアルミニウムAlおよび珪素Siからムライト3Al2O32SiO2量を求め、さらにムライト量に対するMn、Ti、Moの量を酸化物換算で求めたところ表3に示す量にそれぞれ一致していた。また、内部配線層の銅およびタングステンの組成は、配線基板から内部配線層が形成された部位を切り出し、これを酸に溶解させた溶液をICP分析を用いて導体材料である銅およびタングステンの含有量を質量で求めた。次に、質量として求めた銅およびタングステンの量をそれぞれの密度で除して各々の体積を求め、次いで、銅およびタングステンの合計の体積を100としたときの銅およびタングステンの割合を求めた。なお、作製した配線基板に形成された内部配線層は銅が45体積、タングステンが55体積であることを確認した。これらの結果を表3に示す。表3の結果から明らかなように、試料No.II-1~8では、耐薬品性試験での重量変化率が0.09質量以下であり耐薬品性を満足し、絶縁基体の表面に異物の付着が無く外観不良率がゼロであった。特に、MoTi比を0.125~0.25とした試料試料No.II-2、II-4、II-5、II-6およびII-8では、配線を検査した時の配線幅のばらつきが3.7μm以下であり、絶縁基体と配線との色のコントラストが高く、配線を検査するときの数値ばらつきを小さくできた。