一面に多角形状の第1金属パターン、他面には多角形状の第2金属パターンがお互い交互に形成されるダミー領域を含む半導体パッケージ基板。前記第1金属パターンおよび前記第2金属パターンは格子状をすることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージ基板。前記第1金属パターンと前記第2金属パターンは、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージ基板。前記第1金属パターンと前記第2金属パターンが形成される以外の領域に正方形の空間が形成され、前記正方形の一辺の長さと前記第1金属パターンまたは第2金属パターンの形成厚さは1:1.5~2の比率であることを特徴とする、請求項2に記載の半導体パッケージ基板。前記第1金属パターンと前記第2金属パターンは銅で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージ基板。そこで、本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、半導体パッケージ基板にダミー領域を形成し、ダミー領域の両面に第1金属パターンおよび第2金属パターンを形成して半導体パッケージ基板の反りを防止するための、ダミー領域を含む半導体パッケージ基板を提供することにある。上記目的を解決するために、本発明は、一面に多角形状の第1金属パターン、他面には多角形状の第2金属パターンがお互い交互に形成されるダミー領域を含む、半導体パッケージ基板を提供する。ここで、前記第1金属パターンおよび前記第2金属パターンは格子状をすることを特徴とする。また、前記第1金属パターンと前記第2金属パターンは、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されることを特徴とする。また、前記第1金属パターンと前記第2金属パターンが形成される以外の領域に正方形の空間が設けられ、前記正方形の一辺の長さと前記第1金属パターンまたは第2金属パターンの形成厚さは1:1.5~2の比率であることを特徴とする。また、前記第1金属パターンと前記第2金属パターンは銅で形成されることを特徴とする。本発明によれば、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第1金属パターンと第2金属パターンとを交互に形成することにより、半導体パッケージ基板の反りを防止するとともに生産性を向上させるという効果がある。また、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第1金属パターンと第2金属パターンとを交互に形成して基板の反りを防止することにより、半導体パッケージ基板の信頼性を向上させるという効果がある。また、半導体パッケージ基板のダミー領域の両面に第1金属パターンと第2金属パターンを形成して両面の熱膨張係数のバランスを取ることにより、半導体パッケージ基板の反り現象を防止するとともに半導体パッケージ基板の信頼性を向上させるという効果がある。また、半導体パッケージ基板のダミー領域に第1金属パターンと第2金属パターンを形成することにより、半導体パッケージ基板の自体形態を変更することなく生産の信頼性を向上させることができるという効果がある。本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的で辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。本明細書において、第1、第2などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるもので、構成要素を限定するものではない。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例に係るプリント基板の製造方法を詳細に説明する。図2は本発明に係る半導体パッケージ基板のダミー領域10の両面に第1金属パターン11と第2金属パターン12が形成されたことを示す図である。本発明に係る半導体パッケージ基板は、一面に多角形の第1金属パターン11、他面には多角形の第2金属パターン12がお互い交互に形成されるダミー領域10を含む。ダミー領域10は、半導体素子実装領域に半導体素子が実装された後、マザーボードなどにパッケージ領域が実装される前に除去される部分であって、パッケージ基板を取り囲むように形成されている。基板のダミー領域10の両面には第1金属パターン11と第2金属パターン12が形成できる。ダミー領域10の一面に第1金属パターン11、ダミー領域10の他面には第2金属パターン12がお互い交互に形成できる。よって、第1金属パターン11と第2金属パターン12は、相互一致せず、各パターンが交差するように形成される。図2に示すように、第1金属パターン11と第2金属パターン12の横、縦の直線が同一間隔で障子の桟のように直角に交差していく格子模様を形成することができる。第1金属パターン11と第2金属パターン12はお互い交互に形成されるので、ダミー領域10の一面の第1金属パターン11とダミー領域10の他面の第2金属パターン12とがお互い直角に交差されて形成できる。図2に示すように第1金属パターン11と第2金属パターン12が格子模様に形成される場合には、第1金属パターン11と第2金属パターン12とが交差されることにより発生する、第1金属パターン11と第2金属パターン12が通り過ぎない四角形の空間が形成されることもある。第1金属パターン11と第2金属パターン12が通り過ぎない四角形は、正方形に形成されることが好ましく、図2に示すようにその辺の長さaとbが同一であってもよい。ところが、このような四角形は、必ず正方形に限定されるのではなく、長方形またはその他の四角形を取ってもよい。ダミー領域10に形成される第1金属パターン11と第2金属パターン12の形成厚さはそれぞれAとBであってもよい図2参照。第1金属パターン11と第2金属パターン12の形成厚さAとBは互いに同一であることが好ましい。但し、第1金属パターン11と第2金属パターン12は、必ずしも横、縦の直線が同一の厚さに形成されることに限定されず、様々な厚さにお互い対応するように形成されてもよい。第1金属パターン11と第2金属パターン12の形成厚さAとBが同一であり、第1金属パターン11と第2金属パターン12が通り過ぎない空間に形成される四角形のaとbが同一であるとき、aまたはbの長さとAまたはBの厚さとの比は1:1~1.5であることが好ましく、必ずこれに限定されるのではない。ダミー領域10に形成される第1金属パターン11と第2金属パターン12は、前述したような格子模様に形成できるが、これに限定されず、例えば、三角形、六角形、ドット形またはブロック形に形成されてもよい。このような形状に第1金属パターン11と第2金属パターン12が形成される場合にも、お互い交互に形成されて半導体パッケージの反りを防止することができる。第1金属パターン11と第2金属パターン12は銅で形成できるが、必ずしもこれに限定されるのではなく、半導体パッケージ基板の製作によるメッキ引き込み線の役割を果たせる金属材質であればいずれの金属材質で形成されてもよい。図3は本発明の実施例に係る半導体パッケージ基板の反り改善の度合いを示すグラフである。図3の2つのグラフは、基板のダミー領域に従来のような銅パターンを形成する場合グラフaと、本発明の実施例によってダミーパターンを形成した場合グラフbに半導体パッケージ基板の反りの度合いを示すグラフである。特に、本発明の実施例のうち、A値とB値が同一であり且つa値とb値が同一である場合図2参照にAまたはBとaまたはbとの長さ比を2:1にして実験したグラフを示す。図3のX軸に示した値は反りの度合いを示す値であって、その値が0のとき、反りが発生しなくなる。X軸値が0より大きい場合にはU状に反り、X軸値が0より小さい場合には逆U字状に反る。すなわち、X軸の負数方向のLSL管理下限値は逆U字状に基板の反りが発生する値を意味し、X軸の正数方向のUSL管理上限値はU状に基板の反りが発生する値を意味する。図3のaにおいて棒状グラフで表示されたデータは、X軸値の-0.5~-0.1の間に密集しており、bにおいて棒状グラフで表示されたデータはX軸値の-0.3~-0.1の間に密集している。よって、グラフbでは、グラフaのそれよりX軸値の密集度が0にさらに近接しており、基板の反りが減ることが分かる。このような基板の反りの比較を示すために、データの中央値の密集性を示すCPK値を用いる。グラフaではCPK値が1.86であるが、グラフbではCPK値が2.21である。これは本発明のダミーパターンの形成により既存に比べて約19の半導体パッケージ基板の反り発生が改善されることを示唆する。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもの過ぎず、本発明によるダミー領域10を含む半導体パッケージ基板はこれに限定されないのは言うまでもない。本発明の技術的思想内において、当該分野における通常の知識を有する者によって多様な変形及び改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかになるであろう。