LED素子搭載用リードフレームにおいて、LED素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドと離間して設けられたリード部とを備え、リードフレームには、LED素子を囲む反射樹脂形成領域が形成され、リードフレームの表面のうち反射樹脂形成領域の内側端縁周辺に、リードフレームの他の部分より低く形成されるとともに反射樹脂が入り込む反射樹脂流入部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。反射樹脂流入部は、断面凹形状の溝からなることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。溝は、ダイパッドとリード部との間に形成された隙間を除いて、環状に延びていることを特徴とする請求項2記載のリードフレーム。溝の幅は、30μm~1mmであることを特徴とする請求項2または3記載のリードフレーム。溝の断面は、溝の断面は、半円形状、三角形形状、四角形形状、蛸壺形状、四角形と半円とを合わせた形状、または四角形と半長円とを合わせた形状からなることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項記載のリードフレーム。反射樹脂流入部は、ダイパッドまたはリード部の外側向けて延びる段部からなることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。反射樹脂流入部は、ダイパッドまたはリード部の外側向けて下方に延びる傾斜面からなることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。樹脂付リードフレームにおいて、請求項1乃至7のいずれか一項記載のリードフレームと、リードフレームの反射樹脂形成領域に設けられた反射樹脂とを備え、リードフレームの反射樹脂流入部に反射樹脂が入り込んでいることを特徴とする樹脂付リードフレーム。樹脂付リードフレームの製造方法において、請求項1乃至7のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、リードフレームの反射樹脂形成領域に反射樹脂を設けることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。半導体装置の製造方法において、請求項9記載の樹脂付リードフレームの製造方法により、樹脂付リードフレームを作製する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、LED素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをLED素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。一般に、LEDパッケージにおいては、LEDパッケージの外方に出て行く光の光束や色合いが重要なパラメータとなる。しかしながら、LEDパッケージを構成する各要素の形状や大きさ等がばらつくことにより、同じ製造プロセスを経た同種のLEDパッケージであっても、そこから出る光の光束や色合いがLEDパッケージ毎にばらつくという問題が生じている。このため、所定の光束や色合いを有するLEDパッケージを用意するために、多数のLEDパッケージを作製しなければならないという問題が生じている。本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、LEDパッケージにおける光束および色合いのばらつきを低減することが可能な、リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、LED素子搭載用リードフレームにおいて、LED素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドと離間して設けられたリード部とを備え、リードフレームには、LED素子を囲む反射樹脂形成領域が形成され、リードフレームの表面のうち反射樹脂形成領域の内側端縁周辺に、リードフレームの他の部分より低く形成されるとともに反射樹脂が入り込む反射樹脂流入部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。本発明は、反射樹脂流入部は、断面凹形状の溝からなることを特徴とするリードフレームである。本発明は、溝は、ダイパッドとリード部との間に形成された隙間を除いて、環状に延びていることを特徴とするリードフレームである。本発明は、溝の幅は、30μm~1mmであることを特徴とするリードフレームである。本発明は、溝の断面は、半円形状、三角形形状、四角形形状、蛸壺形状、四角形と半円とを合わせた形状、または四角形と半長円とを合わせた形状からなることを特徴とするリードフレームである。本発明は、反射樹脂流入部は、ダイパッドまたはリード部の外側向けて延びる段部からなることを特徴とするリードフレームである。本発明は、反射樹脂流入部は、ダイパッドまたはリード部の外側向けて下方に延びる傾斜面からなることを特徴とするリードフレームである。本発明は、樹脂付リードフレームにおいて、リードフレームと、リードフレームの反射樹脂形成領域に設けられた反射樹脂とを備え、リードフレームの反射樹脂流入部に反射樹脂が入り込んでいることを特徴とする樹脂付リードフレームである。本発明は、樹脂付リードフレームの製造方法において、リードフレームを準備する工程と、リードフレームの反射樹脂形成領域に反射樹脂を設けることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。本発明は、半導体装置の製造方法において、樹脂付リードフレームの製造方法により、樹脂付リードフレームを作製する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にLED素子を搭載する工程と、LED素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをLED素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、リードフレームの表面のうち反射樹脂形成領域の内側端縁周辺に、リードフレームの他の部分より低く形成されるとともに反射樹脂が入り込む反射樹脂流入部が形成されている。これにより、反射樹脂の成形時に、反射樹脂の位置がリードフレームに対して若干ずれた場合であっても、表面側に露出するダイパッドおよびリード部の形状や面積を一定にすることができる。また、反射樹脂のテーパー形状を一定にすることもできる。このことにより、半導体装置における光の光束や色合いのばらつきを低減することができる。以下、本発明の一実施の形態について、図1乃至図13を参照して説明する。リードフレームの構成まず、図1乃至図3により、本実施の形態によるLED素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図1は、本実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図であり、図2は、本実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図であり、図3は、本実施の形態によるリードフレームを示す断面図である。図1に示すリードフレーム10は、LED素子21を搭載した半導体装置20図7および図8を作製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム10は、矩形状の外形を有する枠体13と、枠体13内に多列および多段にマトリックス状に配置された、多数のパッケージ領域14とを備えている。図2に示すように、複数のパッケージ領域14は、各々LED素子21が搭載されるダイパッド25と、ダイパッド25と離間して設けられたリード部26とを含んでいる。一つのパッケージ領域14内のダイパッド25とリード部26との間には、隙間16が形成されており、ダイシングされた後図11d、ダイパッド25とリード部26とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。なお、各パッケージ領域14は、それぞれ個々の半導体装置20に対応する領域である。図2において、各パッケージ領域14を、長方形状の二点鎖線で示している。また、図2および図3に示すように、リードフレーム10には、LED素子21図7および図8参照を囲む反射樹脂形成領域45が形成されている。この反射樹脂形成領域45は、後述するように、リードフレーム10の表面のうち、反射樹脂23を設けようとする領域に相当する。また、反射樹脂形成領域45は、それぞれ各パッケージ領域14内に位置する長円状ないしはレーストラック状の内側端縁45aを有している。換言すれば、反射樹脂形成領域45は、各内側端縁45aで囲まれた領域の外側に拡がる領域からなっている。また、ダイパッド25およびリード部26の表面のうち、反射樹脂形成領域45に含まれない領域すなわち内側端縁45aで囲まれた領域は、後述する反射樹脂23の凹部23aの底面を構成する図7および図8。なお、反射樹脂形成領域45の内側端縁45aの平面形状は、長円状ないしはレーストラック状に限られるものではなく、例えば矩形、円形、楕円形または多角形等としても良い。また、図2に示すように、各パッケージ領域14内のリード部26は、図2の上方および下方に隣接する他のパッケージ領域14内のリード部26と、それぞれリード連結部52によって連結されている。さらに、各パッケージ領域14内のダイパッド25は、図2の上方および下方に隣接する他のパッケージ領域14内のダイパッド25と、それぞれダイパッド連結部53により連結されている。さらに、各パッケージ領域14内のダイパッド25は、図2の右方に隣接する他のパッケージ領域14内のリード部26と、パッケージ領域連結部54により連結されている。さらにまた、各パッケージ領域14内のリード部26は、図2の左方に隣接する他のパッケージ領域14内のダイパッド25と、パッケージ領域連結部54により連結されている。これらリード連結部52、ダイパッド連結部53およびパッケージ領域連結部54は、裏面側からハーフエッチングされることにより、リードフレーム10の他の部分より薄肉状に形成されている。なお、最も外周に位置するパッケージ領域14内のリード部26およびダイパッド25は、リード連結部52、ダイパッド連結部53、およびパッケージ領域連結部54のうちの1つまたは複数によって、枠体13に連結されている。一方、図3の断面図に示すように、リードフレーム10は、リードフレーム本体11と、リードフレーム本体11上に形成されためっき層12とからなっている。このうちリードフレーム本体11は金属板からなっている。リードフレーム本体11を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、42合金Ni42のFe合金等を挙げることができる。このリードフレーム本体11の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、0.05mm~0.5mmとすることが好ましい。また、めっき層12は、リードフレーム本体11の表面および裏面を含む全面に設けられている。表面側のめっき層12は、LED素子21からの光を反射するための反射層として機能する。他方、裏面側のめっき層12は、はんだとの密着性を高める役割を果たす。このめっき層12は、例えば銀Agの電解めっき層からなっている。めっき層12は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には0.005μm~10μmとされることが好ましい。なお、めっき層12は、必ずしもリードフレーム本体11の表面および裏面の全体に設ける必要はなく、リードフレーム本体11の表面および裏面のうち、一部のみに設けても良い。めっき層12を構成する金属としては、上述した銀のほか、銀の合金、金やその合金、白金族、銅やその合金、アルミニウムなどを用いてもよい。また、ダイパッド25の裏面に、第1のアウターリード部27が形成され、リード部26の底面に、第2のアウターリード部28が形成されている。第1のアウターリード部27および第2のアウターリード部28は、それぞれ半導体装置20と外部の配線基板図示せずとを接続する際に用いられる。ところで本実施の形態において、図2および図3に示すように、リードフレーム10の表面のうち、反射樹脂形成領域45の内側端縁45a周辺に、リードフレーム10の他の部分例えばダイパッド25の中央部分より低くなるように形成された溝18が設けられている。この溝18は、リードフレーム10の表面から裏面方向へ凹む、凹形状の断面を有しており、後述する反射樹脂23が入り込む反射樹脂流入部を構成している。図2に示すように、溝18の平面形状は、ダイパッド25とリード部26との間に形成された隙間16を除き、環状に延びており、略長円状ないしは略レーストラック状となっている。また、溝18は、それぞれ平面長円状ないしはレーストラック状の外周縁18aおよび内周縁18bを有しており、反射樹脂形成領域45の内側端縁45aは、外周縁18aと内周縁18bとの略中央部に位置している。なお、溝18の平面形状は、長円状ないしはレーストラック状に限られるものではなく、例えば矩形、円形、楕円形または多角形等としても良い。溝18の幅は、30μm~300μmとすることが好ましく、80μm~180μmとすることが更に好ましい。溝18の幅を30μm以上とすることにより、反射樹脂23の位置ずれを十分に吸収し、表面側に露出するダイパッド25およびリード部26の形状や面積を一定にすることができる。また、溝18の幅を300μm以下とすることにより、ダイパッド25およびリード部26の面積を十分に確保し、LED素子21からの光をダイパッド25およびリード部26により十分に反射させることができる。なお、溝18の幅は、必ずしも溝18の全周において一定としなくても良く、場所によって異なる幅を有していても良い。樹脂付リードフレームの構成次に、図4および図5により、図1乃至図3に示すリードフレーム10を用いて作製された樹脂付リードフレームの一実施の形態について説明する。図4は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す部分拡大平面図であり、図5は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図である。図4および図5に示す樹脂付リードフレーム30は、LED素子21図7および図8参照を載置するために用いられるものである。このような樹脂付リードフレーム30は、リードフレーム10と、リードフレーム10の反射樹脂形成領域45に設けられた反射樹脂23とを備えている。このうちリードフレーム10は、リードフレーム本体11を有しており、このリードフレーム本体11は、複数のダイパッド25と、各ダイパッド25周囲に配置された複数のリード部26とを有している。なお、リードフレーム10の構成は、上述した図1乃至図3に示すものと同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。一方、反射樹脂23は、リードフレーム10と一体化されており、後述するようにLED素子21を取り囲む凹部23aを構成している。また、凹部23aの内側には側壁23bが形成されている。また、ダイパッド25とリード部26との間の隙間16にも、反射樹脂23が充填されている。なお、反射樹脂23の詳細は後述する。また、反射樹脂23の側壁23bの下端には、コーナー部23fが設けられている。図5に示すように、断面においてコーナー部23fにおける側壁23bとリードフレーム本体11の表面とのなす角度は鈍角となっている。このコーナー部23fは、平面から見た場合、長円状ないしはレーストラック状に延びており、上述した反射樹脂形成領域45の内側端縁45aに一致している。なお、コーナー部23fの平面形状は、例えば矩形、円形、楕円形または多角形等としても良い。図5に示すように、反射樹脂23は溝18の内部に入り込んでいる。この場合、反射樹脂23のコーナー部23fは、溝18の外周縁18aと内周縁18bとの間に位置しており、好ましくは溝18の外周縁18aと内周縁18bとの略中央部に位置している。なお、ダイパッド25およびリード部26のうち、溝18の内周縁18bによって囲まれた部分が表面に露出している。図3に示すように、溝18の断面は、略半円形状であるが、これに限られるものではない。溝18の断面は、例えば図6a-fに示すように、各種形状からなっていても良い。このうち図6aは、溝18の断面が半円より大きい円を含む蛸壺形状からなる例を示している。図6bは、溝18の断面が四角形状からなる例を示している。図6cは、溝18の断面が四角形と半円とを合わせた形状からなる例を示している。図6dは、溝18の断面が三角形状からなる例を示している。図6fは、溝18の断面が横方向に細長い四角形と横方向に延びる半長円とを合わせた形状からなる例を示している。半導体装置の構成次に、図7および図8により、図1乃至図3に示すリードフレーム10を用いて作製された半導体装置の一実施の形態について説明する。図7および図8は、それぞれ半導体装置SONタイプを示す断面図および平面図である。図7および図8に示すように、半導体装置LEDパッケージ20は、個片化されたリードフレーム10と、リードフレーム10のダイパッド25に載置されたLED素子21と、LED素子21とリードフレーム10のリード部26とを電気的に接続するボンディングワイヤ導電部22とを備えている。また、LED素子21を取り囲むように、凹部23aを有する反射樹脂23が設けられている。この反射樹脂23は、リードフレーム10と一体化されている。さらに、LED素子21とボンディングワイヤ22とは、透光性の封止樹脂24によって封止されている。この封止樹脂24は、反射樹脂23の凹部23a内に充填されている。以下、このような半導体装置20を構成する各構成部材について、順次説明する。LED素子21は、発光層として例えばGaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP、またはInGaN等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなLED素子21としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。またLED素子21は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、反射樹脂23の凹部23a内においてダイパッド25上に固定実装されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。ボンディングワイヤ22は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がLED素子21の端子部21aに接続されるとともに、その他端がリード部26上に接続されている。反射樹脂23は、例えばリードフレーム10上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を例えばトランスファ成形または射出成形することにより形成されたものである。反射樹脂23の形状は、トランスファ成形または射出成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射樹脂23の全体形状を、図7および図8に示すように直方体としても良く、あるいは円筒形または錐形等の形状とすることも可能である。また凹部23aの底面は、長円形状ないしはレーストラック形状に限らず、矩形、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部23aの側壁23bの断面形状は、図7のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。反射樹脂23の色は、白色のほか黒色であっても良い。反射樹脂23に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部23aの底面及び側壁23bにおいて、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置20全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。封止樹脂24としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置20の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、LED素子21として高輝度LEDを用いる場合、封止樹脂24が強い光にさらされるため、封止樹脂24は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。なお、リードフレーム10の構成については、図1乃至図3を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。LED素子搭載用リードフレームの製造方法次に、図1乃至図3に示すリードフレーム10の製造方法について、図9a-fを用いて説明する。なお、図9a-fは、本実施の形態によるリードフレーム10の製造方法を示す断面図であり、それぞれ図3に示す断面に対応している。まず図9aに示すように、平板状の金属基板31を準備する。この金属基板31としては、上述のように銅、銅合金、42合金Ni42のFe合金等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板31は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。次に、金属基板31の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト32a、33aを塗布し、これを乾燥する図9b。なお感光性レジスト32a、33aとしては、従来公知のものを使用することができる。続いて、この金属基板31に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部32b、33bを有するエッチング用レジスト層32、33を形成する図9c。次に、エッチング用レジスト層32、33を耐腐蝕膜として金属基板31に腐蝕液でエッチングを施す図9d。腐蝕液は、使用する金属基板31の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板31として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板31の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。このとき、エッチング用レジスト層32、33のパターン形状等を適宜調整しておくことにより、リードフレーム10の表面のうち反射樹脂形成領域45の内側端縁45a周辺に、溝18が形成される。次いで、エッチング用レジスト層32、33を剥離して除去することにより、枠体13と、複数のダイパッド25と、複数のリード部26とを含むリードフレーム本体11が得られる図9e。次に、リードフレーム本体11の表面および裏面に電解めっきを施すことにより、リードフレーム本体11上に金属例えば銀を析出させて、リードフレーム本体11の表面および裏面を含む全面にめっき層12を形成する図9f。この間、具体的には、例えば電解脱脂工程、酸洗工程、化学研磨工程、銅ストライク工程、水洗工程、中性脱脂工程、シアン洗工程、および銀めっき工程を順次経ることにより、リードフレーム本体11にめっき層12を形成する。この場合、銀めっき工程で用いられる電解めっき用のめっき液としては、例えばシアン化銀を主成分とした銀めっき液を挙げることができる。実際の工程では、各工程間で必要に応じ適宜水洗工程を加える。また、上記工程の途中でパターニング工程を介在させることにより、リードフレーム本体11の一部のみにめっき層12を形成しても良い。このようにして、図1乃至図3に示すリードフレーム10が得られる図9f。樹脂付リードフレームの製造方法次に、図4および図5に示す樹脂付リードフレーム30の製造方法について、図10a-dを用いて説明する。図10a-dは、本実施の形態による樹脂付リードフレーム30の製造方法を示す断面図である。まず上述した工程により図9a-f、リードフレーム10を作製する図10a。続いて、このリードフレーム10を、射出成形機またはトランスファ成形機図示せずの金型35内に装着する図10b。金型35内には、反射樹脂23の形状に対応する空間35aが形成されている。また、金型35は、反射樹脂23の凹部23aに対応する凸部35cを有しており、この凸部35cの周縁部35dは、溝18の略中央部すなわち反射樹脂形成領域45の内側端縁45aに位置している。次に、射出成形機またはトランスファ成形機の樹脂供給部図示せずから金型35内に熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を流し込み、その後硬化させることにより、リードフレーム10の反射樹脂形成領域45に反射樹脂23を形成する図10c。このとき、ダイパッド25とリード部26との間の隙間16にも反射樹脂23が充填される。また、反射樹脂23は、リードフレーム10の表面に形成された溝18内にも流入し、このとき金型35の周縁部35dによって、所定形状を有するコーナー部23fが形成される。次いで、反射樹脂23が形成されたリードフレーム10を金型35内から取り出す。このようにして、反射樹脂23とリードフレーム10とが一体に形成された樹脂付リードフレーム30が得られる図10d。本実施の形態において、このように、リードフレーム10と、リードフレーム10の反射樹脂形成領域45に設けられた反射樹脂23とを備えた樹脂付リードフレーム30も提供する。半導体装置の製造方法次に、図7および図8に示す半導体装置20の製造方法について、図11a-eを用いて説明する。図11a-eは、本実施の形態による半導体装置20の製造方法を示す断面図である。まず、上述した工程図10a-dより樹脂付リードフレーム30を作製し、この樹脂付リードフレーム30の各反射樹脂23内であって、リードフレーム10のダイパッド25上にLED素子21を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、LED素子21をダイパッド25上に載置して固定するダイアタッチ工程図11a。次に、LED素子21の端子部21aと、リード部26表面とを、ボンディングワイヤ22によって互いに電気的に接続するワイヤボンディング工程図11b。その後、反射樹脂23の凹部23a内に封止樹脂24を充填し、封止樹脂24によりLED素子21とボンディングワイヤ22とを封止する図11c。次に、反射樹脂23およびリードフレーム10のうち各パッケージ領域14間に位置する部分を切断することにより、反射樹脂23およびリードフレーム10をLED素子21毎に分離するダイシング工程図11d。この際、まずリードフレーム10をダイシングテープ37上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード38によって、各LED素子21間の反射樹脂23、ならびにリードフレーム10のリード連結部52、ダイパッド連結部53およびパッケージ領域連結部54を切断する。このようにして、図7および図8に示す半導体装置20を得ることができる図11e。以上説明したように本実施の形態によれば、リードフレーム10の表面のうち反射樹脂形成領域45の内側端縁45a周辺に、リードフレーム10の他の部分より低く形成されるとともに反射樹脂23が入り込む溝18反射樹脂流入部が設けられている。このことにより、反射樹脂23を成形する際図10a-d、反射樹脂23の位置がリードフレーム10に対して若干ずれた場合であっても、表面側に露出するダイパッド25およびリード部26の形状や面積を一定にすることができる。すなわち、工程の様々な条件例えばリードフレーム10の寸法や金型35内でのリードフレーム10の配置位置等がばらつくことにより、反射樹脂23とリードフレーム10との位置ずれが生じる場合がある。例えば、図12aは、反射樹脂23が所定位置反射樹脂形成領域45に正しく形成された半導体装置20を示している。これに対して、図12bは、反射樹脂23が反射樹脂形成領域45に対して横方向半導体装置20の長辺方向にずれて形成された状態を示しており、図12cは、反射樹脂23が反射樹脂形成領域45に対して縦方向半導体装置20の短辺方向にずれて配置された状態を示している。図12bおよび図12cに示すように、反射樹脂23とリードフレーム10との位置ずれが生じた場合であっても、反射樹脂23のコーナー部23fが溝18上すなわち外周縁18aと内周縁18bとの間に留まる限り、ダイパッド25およびリード部26の露出形状および寸法が変わらない。この結果、ダイパッド25およびリード部26の露出面積が一定となり、これにより半導体装置20における光の光束や色合いのばらつきを低減することが可能となる。とりわけ、LED素子21の発光強度の高い波長において、樹脂部分反射樹脂23の反射率と金属部分めっき層12の反射率とが大きく異なる場合、これら樹脂部分と金属部分との面積比を固定することにより、光束のばらつきがより低減するため有効である。また、LED素子21として、発光波長が広範囲に及ぶ白色LED素子を用いる場合、その光を反射する物質によって、光の波長に対する反射率の変化反射スペクトルが異なることが知られている。このため、樹脂部分反射樹脂23と金属部分めっき層12との面積比がばらつくと、半導体装置20全体としての光束だけでなく、発光スペクトルもばらついてしまい、色味、色温度、演色性がばらつく。したがって、樹脂部分と金属部分との面積比を一定にすることにより、発光スペクトルを安定させるという効果も得られる。具体的には、反射樹脂23として白色樹脂を用いる場合、ダイパッド25およびリード部26の表面めっき層12を構成する金属として、金やその合金、白金族、銅やその合金などを用いることが有効である。また、反射樹脂23として黒色樹脂を用いる場合、ダイパッド25およびリード部26の表面めっき層12を構成する金属として、銀やその合金、アルミニウムなどを用いることが有効である。また、本実施の形態によれば、ダイパッド25およびリード部26の露出形状および寸法を一定にしたことにより、外観検査機を用いて樹脂付リードフレーム30の外観検査を行う際、ダイパッド25およびリード部26の露出部分を用いて位置合わせをすることができるので、パターンマッチング不良を減らすことができる。さらに、本実施の形態によれば、リードフレーム10の表面に、反射樹脂23が入り込む溝18が形成されていることにより、金型35内に熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を流し込んだとき図10c、反射樹脂23を、金型35の周縁部35dの下方にも確実に流入させることができる図13a参照。これにより、コーナー部23fの形状を安定させることができ、半導体装置20における光束のばらつきを減らすことができる。一方、比較例として、リードフレーム10の表面に反射樹脂23が入り込む溝18を設けなかった場合、反射樹脂23の成形条件例えばリードフレーム10の厚み分布、リードフレーム10の凹凸の程度や濡れ性等、金型35の温度、コーナー部23fの周囲における金型35のプレス圧力、および樹脂の粘度等がばらつくことにより、コーナー部23fが様々な形状をとるおそれがある図13b-d参照。この場合、コーナー部23fの形状が安定しないことにより、半導体装置20における光束のばらつきが生じるおそれがある。リードフレームおよび樹脂付リードフレームの変形例次に、リードフレームおよび樹脂付リードフレームの各種変形例変形例1~変形例2について、図14乃至図17を参照して説明する。図14乃至図17において、図1乃至図13に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。変形例1図14および図15は、本実施の形態の一変形例変形例1を示す図である。このうち図14は、リードフレーム10Aを示す断面図図3に対応する図であり、図15は、樹脂付リードフレーム30Aを示す断面図図5に対応する図である。図14に示すリードフレーム10Aおよび図15に示す樹脂付リードフレーム30Aにおいて、図1乃至図13に示す実施の形態と異なり、リードフレーム10Aの表面のうち反射樹脂形成領域45の内側端縁45a周辺に、段部47が形成されている。段部47は、リードフレーム10Aの他の部分より低く形成されており、リードフレーム10Aに反射樹脂23を成形する際、段部47に反射樹脂23が入り込むようになっている図15参照。この段部47は、ダイパッド25またはリード部26の外側パッケージ領域連結部54側に向けて延びている。また、段部47は、平面長円状ないしはレーストラック状の端縁47aを有しており、この端縁47aは、ダイパッド25およびリード部26の上で環状に延びている。なお、反射樹脂23のコーナー部23fは、段部47の上方であって、端縁47aからわずかにパッケージ領域連結部54側にずれた部分に設けられている。この場合においても、反射樹脂23を成形する際、表面側に露出するダイパッド25およびリード部26の形状や面積を一定にすることができるとともに、反射樹脂23のコーナー部23fの形状を一定にすることができる。これにより、半導体装置20における光の光束や色合いのばらつきを低減することができる。変形例2図16および図17は、本実施の形態の一変形例変形例2を示す図である。このうち図16は、リードフレーム10Bを示す断面図図3に対応する図であり、図17は、樹脂付リードフレーム30Bを示す断面図図5に対応する図である。図16に示すリードフレーム10Bおよび図17に示す樹脂付リードフレーム30Bにおいて、図1乃至図13に示す実施の形態と異なり、リードフレーム10Bの表面のうち反射樹脂形成領域45の内側端縁45a周辺に傾斜面48が形成されている。傾斜面48は、リードフレーム10Bの他の部分より低く形成されており、リードフレーム10Bに反射樹脂23を成形する際、傾斜面48に沿って反射樹脂23が入り込むようになっている図17参照。また、傾斜面48は、ダイパッド25またはリード部26の外側パッケージ領域連結部54側に向けて下方に延びている。傾斜面48は、上端縁48aと下端縁48bとを有している。このうち上端縁48aは、平面長円形状ないしはレーストラック形状を有しており、ダイパッド25およびリード部26上で環状に延びている。一方、下端縁48bは、パッケージ領域連結部54上に位置しており、この下端縁48bにおいて、互いに隣接する傾斜面48同士が接続されている。なお、反射樹脂23のコーナー部23fは、傾斜面48の上方であって、上端縁48aからわずかにパッケージ領域連結部54側にずれた位置に設けられている。この場合においても、反射樹脂23を成形する際、表面側に露出するダイパッド25およびリード部26の形状や面積を一定にすることができるとともに、反射樹脂23のコーナー部23fの形状を一定にすることができる。これにより、半導体装置20における光の光束や色合いのばらつきを低減することができる。