"光学素子であって、基材と、前記基材の一部分上に設けられた少なくとも1つの発光ダイオードLEDと、ここで、当該LEDは、表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板と、前記表面領域上に形成されたガリウムおよび窒素含有バッファー層と、活性領域を含む接合領域と、ここで、当該活性領域は、約405~約430nmの波長の電磁波を放射するように構成される、前記接合領域に接続された第1の電気接点領域および第2の電気接点領域と、ここで、当該第1の電気接点領域および第2の電気接点領域は、前記活性領域からの電磁波の放射を可能にする電流を供給する、を有し、蛍光体材料の混合物と、ここで、当該混合物は、第1の蛍光体材料、第2の蛍光体材料および第3の蛍光体材料をバインダー材料に含んでなり、当該混合物は、前記LEDの近傍に配置され、前記電磁波と相互作用して、前記約405~約430nmの波長の電磁波を約440~約650nmの波長の電磁波に実質的に変換するように構成される、を備える、素子。前記ガリウムおよび窒素含有基板は、非極性または半極性配向によって特徴付けられる、請求項1に記載の素子。前記ガリウムおよび窒素含有基板は、バルクGaN基板である、請求項1に記載の素子。前記LEDは、少なくとも100A/cm2の電流密度で駆動される、請求項1に記載の素子。前記LEDのワット当たりのルーメン効率は、少なくとも50である、請求項1に記載の素子。複数のLEDがアレイ状に配置される、請求項1に記載の素子。前記アレイは、異なる発光波長のLEDを有する、請求項6に記載の素子。前記第1の蛍光体材料は、青色蛍光体を含む、請求項1に記載の素子。前記第1の蛍光体材料は、内部量子効率が少なくとも70である青色蛍光体を含む、請求項1に記載の素子。前記第1の蛍光体材料は、吸光率が1~40cm-1である青色蛍光体を含む、請求項1に記載の素子。前記第1の蛍光体材料は、ピーク発光波長が440nm~480nmであり、かつスペクトルFWHMが少なくとも10nmである青色蛍光体を含む、請求項1に記載の素子。前記第1の蛍光体材料は青色蛍光体を含み、当該青色蛍光体の内部量子効率は少なくとも70であり、吸光率は1~40cm-1であり、ピーク発光波長は440nm~480nmであり、スペクトルFWHMは10nmを超える、請求項1に記載の素子。前記第1の蛍光体材料は、下記からなる群より選択される青色蛍光体を含む:BaMgAl10O17:Eu2、Sr2P2O7:Eu2、Sr6P5BO20:Eu2、SrCa2B5O9Cl:Eu2、SR5CLPO43:Eu2、Ca2P2O7:Eu2、ZnS:Ag,Cl、Sr10PO46Cl2:E、LaAlSi6-zAlzN10-zOz:Ce3、a-Sialon:Ce3、Y,La-Si-O-N:Ce3、および、Gd1-xSr2xAlO5-xFx:Ce3[x=0..6]請求項1に記載の素子。前記蛍光体材料の混合物は、プランク曲線duv<.01上またはその近傍において放射するように調製され、平均演色は少なくとも75である、請求項1に記載の素子。前記活性領域は、少なくとも100A/cm2の電流密度で注入されるように構成され、少なくとも100°Cの接合温度において約70以上の内部量子効率を維持するように構成される、請求項1に記載の素子。前記活性領域は、少なくとも100A/cm2の電流密度でかつ少なくとも85°Cの温度において、約405~430nmの電磁波を少なくとも70の内部量子効率で放射するように構成され、前記活性領域からの電磁波の放射は、405nm未満の波長および440nmを超える波長の電磁波を実質的に含まない、請求項1に記載の素子。前記蛍光体の組成は、前記素子の水平方向または垂直方向に沿って異なる、請求項1に記載の素子。光学素子であって、基材の一部分上に設けられた少なくとも1つの発光ダイオードLEDと、ここで当該LEDは、表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板と、前記表面領域上に形成されたガリウムおよび窒素含有バッファー層と、活性領域を含む接合領域と、ここで、当該活性領域は、約405~約430nmの電磁波を放射する、前記接合領域に接続された第1の電気接点領域および第2の電気接点領域と、ここで、当該第1の電気接点領域および第2の電気接点領域は、前記活性領域が電磁波を発生させるための電流を供給する、を有し、前記LEDの近傍に配置された色変換材料と、を備え、前記活性領域は、少なくとも圧電場が減少している間は、前記約405~430nmの電磁波を放射するように構成され、これにより、前記活性領域からの出力が少なくとも100Amps/cm2となり、かつ、内部量子効率が少なくとも約70に維持され、温度が約85°C~約150°Cに維持される、さらに、前記電磁波は、405nm未満の波長、および440nmを超える波長を実質的に含まない、素子。前記ガリウムおよび窒素含有基板はバルクGaNであり、当該バルクGaNは、半極性配向、非極性配向および極性配向からなる群より選択される、請求項18に記載の素子。前記ガリウムおよび窒素含有基板は、転位密度が1E7cm-2未満である点で特徴付けられる、請求項18に記載の素子。第1の色変換材料および第2の色変換材料を含み、当該第1の色変換材料および第2の色変換材料は、それぞれ異なる波長に関連する、請求項18に記載の素子。本発明は、照明システムと、複数の蛍光体を用いたLEDポンプ光とに関する。紫色波長および/または紫外線波長において発光するLEDを用いて、異なる色を発光する蛍光体材料をポンプする。好適には、通常動作条件下におけるポンプLEDのピーク発光波長は、約405~430nmである。前述したように、従来のLED光源は不適切であることが多い。例えば、高CRI白色LED光を生成するために、440~470nmの範囲で発光するLED素子一般的にポンプLEDと呼ばれるを用いるのが、最も一般的なアプローチの1つである。このLED素子は、2つの蛍光体、すなわち、黄色/緑色蛍光体および赤色蛍光体を励起する。いくつかの黄色/緑色蛍光体例えば、Ce:YAGが高量子効率を示すため、このアプローチは便利である。残念なことに、このアプローチには制約が多い。すなわち、YAG蛍光体は約460nmの狭いスペクトル領域においてしか効率的に励起できないため、利用可能なポンプLEDの波長範囲が制限される。内部量子効率IQEの高いLED素子はこのような波長において低電流密度において作製可能ではあるものの、そのIQEは、電流密度を高めると急速に低下する。これは、以下の2つの影響に起因する:a大きな圧電場に起因して、キャリアの重複が低減し、その結果キャリア寿命が延びて、IQE曲線がより低い電流密度へとシフトする;およびb約445nmで発光する肉厚な活性領域に関連する問題これは、歪みに関連して肉厚InGaN層の成長の限界と、多量子井戸システム中に分散するキャリアによる問題との双方に起因する。図1は、異なる波長で発光するLEDの効率挙動を示す。短波長LED415-430nmは、長波長LED445nm以上と比較して、キャリア密度が高くなっても効率を維持する。図1は、以下の文献に基づいている:InfluenceofpolarizationfieldsoncarierlifetimeandrecombinationratesinInGaN-basedlight-emittingdiodesA.Davidら、Appl.Phys.Lett.97、0335012010。この文献には、より長波長のLEDにおける分極場の増加について記載がある。また、Carrierdistributionin0001InGaN/GaNmultiplequatumwelllight-emittingdiodesA.Davidら、Appl.Phys.Lett.92、0535022008では、450nmポンプLED中の量子井戸間でのキャリア分散が困難であることが記載されている。ポンプLEDからの青色光は、白色スペクトルに寄与する。そのため、所定のCCTを達成するためには、蛍光体によって透過される青色光の量を細かく制御する必要がある。ポンプLEDの波長のばらつきも、蛍光体組成/ローディングにおいて考慮に入れる必要がある。波長差を考慮することは、白色LED製造において困難な作業になり得る。440nmポンプLEDの最新の結果について、文献Whitelightemittingdiodeswithsuper-highluminousefficacyY.Narukawa、J.Phys.D43、3540022010に記載がある。室温でかつ電流密度約100A/cm2において、外部量子効率が65であることが報告されている。室温と100°Cの接合温度との間における抽出効率が約90でありかつ性能低下が約10であると仮定すると、この効率は、100A/cm2かつ100°Cの条件では、約65のIQEに相当する。別の従来のアプローチでは、発光ピークが395~405nmのポンプLEDを用いて、3つまたは4つの蛍光体からなるシステムをポンプする。このアプローチは、400nmポンプLEDが典型的には445nmポンプLEDよりもより高い電流密度においてより高い性能を保持するため、有利である。これは、圧電場がより低くまた活性領域が肉厚であることに起因すると考えられる。最終スペクトル内のエミッタ波長の存在または不在の利用によって最終スペクトルへの色または輝度への影響を最小化したLEDエミッタを用いた場合、駆動電流および温度に対する性能が極めて安定する。素子の動作範囲例えば405nmエミッタのスペクトル重量に合わせて色安定蛍光体材料を適切に選択すると、450nmエミッタのわずか1.5となる。420nmエミッタのスペクトル重量も、450nmエミッタのスペクトル重量のわずか10である。色安定性および蛍光体により被覆された最終LEDのフラックスが、従来の青色ポンプ素子と比較して大幅に増加し、最終スペクトルのうち20が、450nmのエミッタによって構成される。最終スペクトルにおける特定量のエミッタ光漏れを標的化する必要が無くなることにより、製造環境における色収率も向上する。約405nm~430nmのポンプ素子の製造における蛍光体蒸着プロセスでは、大量の色再現性を犠牲にせずに、より大きいプロセスのばらつきを許容できる。そのため、製造プロセスを、再現性のロス無くより高いスループットで行うことが可能となる。3つ以上の色成分チップ放射および少なくとも2つの蛍光体を用いることにより、2成分表色系の場合よりも、蛍光体変換LED素子における色域の調整が、より大幅にできる。広範囲の色調整および演色評価項目の増大が可能になる。2色成分白色LEDの場合、プランク曲線において1つしか断面が無くバランスのとれた白色スペクトルを達成するための1点のみ、一方、3色以上の表色系の場合、プランク曲線に沿って無限の調整が可能となる。しかし、このアプローチには、以下のような各種制約がある:1.ポンプ波長と蛍光体波長との間のストークス損失が大きくなるため、蛍光体の下方変換プロセスにおいてエネルギー損失も大きくなる。ポンプLEDのバンドギャップが比較的大きくなって400nmとなった場合、動作電圧も高くなる。400nmポンプLEDの活性領域へのキャリアの閉じ込めの低下に起因して、キャリアが逃げやすくなり、その結果高温での性能が低下する。ほとんどの材料で、445nmよりも400nmにおける吸収の方が大幅に高いシリコン、いくつかの基材例えば、GaNまたはSiC、およびAuボンドワイヤによって構成されるLEDにおいて一般的に用いられる高反射率金属例えば、AlおよびAgがこれに該当する。その結果、光抽出効率が低下する。2.380~430nmの励起光と共に用いられる蛍光体については、顕著な進展はみられていない。そのため、利用可能な蛍光体材料の性能レベルは、LED製造業者によって材料例えば、Y3Al5O12:Ce3YAG-黄色およびCaAlSiN:Eu2赤色として用いられている、450nmポンプLEDの最新の蛍光体の性能よりも劣っている。これらの材料は、時間と労力をかけて改良された。3.最新蛍光体材料のこのような性能のオフセットに起因して、利用可能な蛍光体のうち、一部のみしか高性能LED素子に用いることができない。主要な例として、チップが発光する全波長の使用に適していない青色蛍光体がある。2つの青色発光蛍光体の吸光特性を図2に示す。縦線は、これら2つの蛍光体吸光曲線において405nmおよび420nmのエミッタの位置を示す。これら2つの材料の吸光度は405nmにおいて類似しているものの、420nmにおいては明らかに異なっている。このように、第1の蛍光体の吸光度の低下に起因して、より長波長のエミッタに関して素子の性能に大きな影響が出る。この性能変化を図3に示す。本発明は、高性能の白色LED光源を提供する。特に、本発明は、高CRI白色LEDに対する新規なアプローチを提供する。例えば、白色LED光源は、ポンプLEDと、3つ以上の蛍光体例えば、青色、緑色および赤色システムとを含む。前記ポンプLEDのピーク発光は、約405nm~430nmの範囲である。実質的に白色のスペクトルが、前記蛍光体の発光によって生成される。本発明の1つの利点として、中程度の歪みおよび圧電場に起因して、約405nm~430nmのポンプLEDが、400nmポンプLEDと同様の高キャリア密度で極めて高いIQEを示す点である。一方、活性領域内のキャリア閉じ込めが大幅に向上するため、高温における性能も低下しない。400nmLEDと比較してバンドギャップも低いため、順電圧も低くなる。そのため、約405nm~430nmの範囲が、ポンプLEDの性能の観点からみて最適である。電流密度100A/cm2および接合温度100°CにおけるこのようなLEDの高IQE性能は、70を超え、さらには90を超え得る。これは、上記従来技術において説明したような440nmで発光する最新のLEDの約65に匹敵する。また、ほとんどの材料の光吸収が400nmよりも約405nm~430nmで大幅に低く、これにより光抽出効率が大幅に向上する。また、上述したように、白色光生成のために3つ以上の蛍光体を用いると、色調節およびプロセスの安定性において有利になる。約405nm~430nmにおいて強い吸収を得ることができる青色蛍光体が利用可能であり、これを用いれば高量子効率が得られる。この波長範囲で強い吸光を示す青色発光蛍光体の例を以下にいくつか挙げる:BaMgAl10O17:Eu2、Sr10PO46Cl2:E、LaAlSi6-zAlzN10-zOz:Ce3、a-Sialon:Ce3、Y,La-Si-O-N:Ce3、Gd1-xSr2xAlO5-xFx:Ce3。400nmポンプLEDと比較して、ストークス損失も軽減する。図4は、本発明の実施形態を示す。同図に示す光学素子では、ピーク発光約405nm~430nmのLEDが、青色蛍光体、赤色蛍光体および緑色蛍光体にポンプを行う。図4に示すように、ポンプLED源は、基板または支持部材上に配置される。例えば、ポンプLED源は、約405nm~430nnの波長で発光する。ポンプLED源は、このLED源からの放射光を吸収する蛍光体材料の混合物中に配置される。蛍光体材料は、ポンプLEDによって励起され、青色光、緑色光および赤色光を発光する。好適な実施形態において、前記蛍光体混合物は、蛍光体からの放射の組み合わせによって白色光を放つように、調整される。前記蛍光体材料混合物は、実質的に透明な封入材内に配置される。この封入材は、ポンプLED源および蛍光体の発光光の両方を実質的に透過する。用途に応じて、前記封入材は、多様な種類の材料を含み得る。好適な実施形態において、前記封入材は、光抽出効率を向上させるように構成される。例えば、前記封入材の材料は、ポリマー種を含み得る。好適な実施形態において、前記ポンプLED源は、約405nm~430nmの波長において発光し、混合された3つの蛍光体例えば、青色蛍光体、緑色蛍光体、および赤色蛍光体をポンプする。この蛍光体混合物は、ポンプLED源からの光の大部分を、より長波長の光へと変換する。もちろん、蛍光体混合物は、さらなる蛍光体を含んでもよい。例えば、CRI上昇のために、アンバー蛍光体を付加してもよい。多様な実施形態において、前記LEDからの放射光の波長は、温度変化に起因して変化する。例えば、室温では、ポンプLEDは、約398nmの波長の光を放射する。温度が約120°Cまで上昇すると、ポンプLEDは、約405nmの波長の光を放射する。典型的には、波長シフトの原因は、主に高電流および/または高温である。例えば、動作温度が23°C増加する毎に、ポンプLEDからの放射波長も1nm増加する。本発明の多様な実施形態において用いられる封入材および蛍光体材料は、このような波長のシフトを補償することができる。図5は、450nm左および420nm右で発光する多量子井戸MQWLED中に分散したキャリアを示す。450nmの発光スキームでは、エネルギー障壁が大きくなり、その結果、前記量子井戸間での正孔の拡散が阻害され得る。図示のように、電子は少なからずより均等に分散するが、正孔はそのようには分散しない。これとは対照的に、420nmの発光スキームでは、前記エネルギー障壁はより低く、そのため正孔分布も向上し、その結果、活性領域の有効体積も増加する。よって、本発明の実施形態により、より最適化されたキャリア分散が達成される。より詳細には、450nmポンプLEDと比較して、キャリアが閉じ込められることが低減され、その結果、MQWシステム中のキャリア分散が向上する。よって、図5に示すように、活性領域を肉厚にできるため例えば、活性領域の厚さが10nmまたは50nmを超える、この活性領域にキャリアを効率的に注入することが可能になる。図6は、本発明の一実施形態を示す。5個のポンプLEDがアレイ状に配置されている。この実行様態において、これらのLEDは、約405nm~430nmの波長で発光する。これらのLEDは、色変換用に作られた蛍光体混合物内に配置される。前述したように、蛍光体混合物は、前記ポンプLEDからの発光光を効率よく吸収する蛍光体材料を含む。例えば、蛍光体混合物は、以下の材料のうち1つ以上を含む:BaMgAl10O17:Eu2、Sr10PO46Cl2:E、LaAlSi6-zAlzN10-zOz:Ce3、a-Sialon:Ce3、Y,La-Si-O-N:Ce3、Gd1-xSr2xAlO5-xFx:Ce3。蛍光体混合物は、ポンプLEDからの光を他の色例えば、赤色、緑色および/または青色の光に変換するように調製される。異なる色の光が組み合わされると、好適には実質的に白色光が生成される。蛍光体材料の混合物は、封入材内に配置される。この封入材は、ポンプLEDおよび蛍光体の発光光の両方に対して実質的に透過性である。好適な実施形態では、封入材は、光抽出効率を向上させるように特に構成され、ポリマー種から形成される。図7は、本発明の一実施形態を示す。ポンプLEDはアレイ状に配列される。一画素内で、異なる蛍光体組成物がそれぞれ異なる場所に配置される。そして、互いに離間した個々の空間的領域で、赤色光、緑色光および青色光への変換を別個に行う。図7に示すように、5個のLEDがアレイ状に配置され、このアレイが蛍光体材料をポンプするように構成されている。各単色蛍光体材料が、LEDの発光光をそれぞれ吸収し、この蛍光体材料が関係する色を再発光する。各蛍光体材料が関係する色は異なる。蛍光体材料は、LED上に、画素化された様態で配置される。この画素化パターンは、異なる複数の発光光を生成し、この発光光がミックスして、実質的に白色の光が生成される。好適な実施形態において、各LEDは、実質的に同じ色例えば、波長が約405nm~430nmの光を発光し、これらLEDからの発光光が、異なる空間位置に配置された各単一色蛍光体材料をポンプする。その結果、各色蛍光体材料から、色の付いた光が発光される。例えば、図7に示す蛍光体材料からは、それぞれ赤色光、緑色光および青色光が発せられる。図7に示す構成では、必要な色および使用されるLEDの種類に基づいて、ポンプLEDおよび/または蛍光体の種類を、アレイに沿って変えることができる。図8に示す本発明の一実施形態では、ポンプLEDがアレイ状に配置され、2つのLED発光波長が用いられる。短波長LED約405nm~430nmが赤色蛍光体および緑色蛍光体をポンプし、より長波長のLED440nm~460nmが青色光を発光する。図8に示すように、5個のLED素子が、基板またはサブマウント上に配置され、LEDアレイを形成する。より詳細には、真ん中のLED素子が、青色光例えば、波長約440nm~460nmを発光し、他のLED素子が、実質的に紫色例えば、約405nm~430nmの波長範囲の光を放つ。この紫色LED素子は、色付き蛍光体材料内に配置され、蛍光体材料をポンプする。蛍光体材料がポンプされると、色の付いた光例えば、赤色光を発光する。同様に、緑色蛍光体材料が実質的に紫色光を吸収すると、緑色光を発光する。青色LED素子は蛍光体材料内に配置されておらず、その結果青色LED素子から発生した青色光は直接放射される。用途に応じて、いくつかのポンプLEDと、蛍光体材料をポンプするように構成されていない青色LEDまたは赤色LEDとを共に用いて、LEDをアレイジオメトリ状に配置することができる。図8に示すようなLED配置により、光吸収を低減させることが可能となることが理解される。例えば、約405nm~430nmのダイ内部での吸光が基板吸光の低下に起因して、400nmのダイ内部吸光よりも低減する。これは、より長波長のポンプLEDを利用するさらなる利点となる。蛍光体材料およびLED素子を異なる配置構成とすることにより、異なる色の光を得ることができる。好適な実施形態では、これらのLED素子を、非極性基板または半極性基板上に成長させる。特定の実施形態において、LED素子を低転位密度基板<1x107転位/cm2上に成長させることで、高電流密度および高温での動作における信頼性を確保できる。波長変換材料は、セラミックまたは半導体粒子蛍光体、セラミックまたは半導体プレート蛍光体、有機または無機のダウンコンバータ、アップコンバータ反ストーク、ナノ粒子、および波長変換を可能にする他の材料であり得る。いくつかの例を下記に示す。Srn,Ca1-n10PO46B2O3:Eu2ここで0≦n≦1Ba,Sr,Ca5PO43Cl,F,Br,OH:Eu2,Mn2Ba,Sr,CaBPO5:Eu2,Mn2Sr2Si3O82SrCl2:Eu2Ca,Sr,Ba3MgSi2O8:Eu2,Mn2BaAl8O13:Eu22SrO0.84P2O50.16B2O3:Eu2Ba,Sr,CaMgAl10O17:Eu2,Mn2K2SiF6:Mn4Ba,Sr,CaAl2O4:Eu2Y,Gd,Lu,Sc,LaBO3:Ce3,Tb3Ba,Sr,Ca2Mg,ZnSi2O7:Eu2Mg,Ca,Sr,Ba,Zn2Si1-xO4-2x:Eu2ここで0≦x≦0.2Sr,Ca,BaAl,Ga2S4:Eu2Ca,Sr8Mg,ZnSiO44Cl2:Eu2,Mn2Na2Gd2B2O7:Ce3,Tb3Sr,Ca,Ba,Mg,Zn2P2O7:Eu2,Mn2Gd,Y,Lu,La2O3:Eu3,Bi3Gd,Y,Lu,La2O2S:Eu3,Bi3Gd,Y,Lu,LaVO4:Eu3,Bi3Ca,SrS:Eu2,Ce3Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu3Sc,Al,Ga5-nO12-3/2n:Ce3ここで0≦n≦0.5ZnS:Cu,Cl-Y,Lu,Th3Al5O12:Ce3ZnS:Cu,Al3ZnS:Ag,Al3ZnS:Ag,Cl-Ca,SrGa2S4:Eu2SrY2S4:Eu2CaLa2S4:Ce3Ba,Sr,CaMgP2O7:Eu2,Mn2Y,Lu2WO6:Eu3,Mo6CaWO4Y,Gd,La2O2S:Eu3Y,Gd,La2O3:Eu3Ba,Sr,CanSinNn:Eu2ここで2n4=3nCa3SiO4Cl2:Eu2Y,Lu,Gd2-nCanSi4N6nC1-n:Ce3ここで0≦n≦0.5Lu,Ca,Li,Mg,Yalpha-SiAlONEu2および/またはCe3でドープCa,Sr,BaSiO2N2:Eu2,Ce3Sr,CaAlSiN3:Eu2CaAlSiON3:Eu2Sr10PO46Cl2:Eu2BaSiO12N2:Eu2SrSi2O,Cl2N2:Eu2Ba,SrSi2O,Cl2N2:Eu2LiM2O8:Eu3M=WまたはMo上記リストにおいて、蛍光体が2つ以上のドーパントイオンすなわち、上記蛍光体中のコロンに続くイオンを含む場合、蛍光体はこれらのドーパントイオンのうち必ずしも全部ではなく少なくとも1つを材料中に含むことを意味することが理解される。すなわち、当業者であれば理解するように、このような表記は、蛍光体が、化学式中のドーパントとしてのイオンのうちいずれかまたは全てを含み得ることを示す。特定の実施形態では、量子ドット蛍光体が、色変換目的のために用いられる。量子ドット材料は、半導体の一種であり、希土類でドープされた酸化物ナノ結晶である。そのサイズおよび化学的性質により、発光特性が決定される。半導体量子ドットの典型的な材料を挙げると、周知のZnxCd1-xSe[x=0..1]、Znx,Cd1-xSe[x=0..1]、AlAsxP1-x[x=0..1]、Znx,Cd1-xTe[x=0..1]、TiAsxP1-x[x=0..1]、InAsxP1-x[x=0..1]、AlxGa1-xSb[x=0..1]、Hgx,Cd1-xTe[x=0..1]の閃亜鉛鉱半導体結晶構造がある。希土類ドープ酸化物ナノ結晶の公開例を以下に挙げる:Y2O3:Sm3、Y,Gd2O3:Eu3、Y2O3:Bi、Y2O3:Tb、Gd2SiO5:Ce、Y2SiO5:Ce、Lu2SiO5:Ce、Y3Al5O12:Ce。しかし、他の単純な酸化物またはオルトケイ酸塩も含まれ得る。特定の実施形態において、本発明は、照明用途に利用することが可能な2蛍光体紫色ポンプ白色LEDを提供する。特定の実施形態において、シアン蛍光体およびオレンジ蛍光体を紫色ポンプLEDチップと共に用いる。例えば、約400~440nmの波長で発光する紫色チップが提供される。この構成では、2つの蛍光体からの発光が、白色光の色度および色質を実質的に決定する。例えば、色は主に2つの蛍光体の混合比によって決定され、ポンプ光漏れは典型的には最小であり、肉眼で感知されることはほとんど無い。このアプローチは、蛍光体の複雑度およびコスト低下という利点と、2蛍光体システムによる簡単な色調節という利点の組み合わせが得られる。さらに、大量製造における色度分散の厳密制御を維持するために青色光の光漏れを厳密に制御することが不可欠である青色光ポンプシステムの場合とは対照的に、紫色ポンプは肉眼で感知しにくいため、紫色を標的化すると、製造での収率を高めることが可能になる。図9は、2蛍光体紫色ポンプ白色LEDの発光スペクトルを示す。本実施例では、Intematix社製のシアン蛍光体G1758商標およびオレンジ蛍光体O6040商標を組み合わせて、約420nmで発光するLEDによってポンプする。他の種類のシアン蛍光体およびオレンジ蛍光体も利用可能であることが理解される。このような構成において、他の蛍光体の組み合わせおよび別のポンプ発光波長の選択が可能である。図9において、5の絶対光漏れレベルに対して、紫色ポンプLEDからの光漏れは±20の範囲内である。3つの場合全てにおいて、CCTがおよそ2700Kであるとき、演色性CRIは約83である。前記3つのスペクトル間における色度変動は極めて小さく、プランクからのuおよびvの逸脱合計は0.004未満である。ルーメン有効性は、約301~305lm/Woptである。利点の1つとして、この構成では長波長ポンプチップこの場合は420nmを用いているため、より短波長のポンプLEDと比較して、光抽出効率およびパッケージ効率が増加し、順電圧およびストークス損失が低下する点がある。また、この構成では、青色蛍光体を使わないため、効率損失の要因の一つが無くなり、蛍光体ローディングが全体的に低減し、またコストおよび複雑性も低減している。上記において特定の実施形態を詳述してきたが、多様な改変、代替的構造および均等例が可能である。よって、上記の記載および例示は、添付の特許請求の範囲によって規定された本発明の範囲を制限するものとしてとらえるべきではない。"