"酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第一の基材成分Aと露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分Cとを含有する第一のレジスト組成物を、支持体上に塗布して第一のレジスト膜を形成する工程1と、前記第一のレジスト膜を露光する工程2と、前記工程2の後にベークを行い、前記第一のレジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分Cから発生した塩基と、前記第一のレジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記第一のレジスト膜の未露光部において、前記第一のレジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分Aのアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程3と、前記第一のレジスト膜をアルカリ現像し、前記第一のレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程4と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第二の基材成分Aと露光により酸を発生する酸発生剤成分B’とを前記ネガ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤S’に溶解してなる第二のレジスト組成物を、前記ネガ型レジストパターンが形成された前記支持体上に塗布して第二のレジスト膜を形成する工程5と、前記第二のレジスト膜を露光する工程6と、前記第二のレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程7とを含むレジストパターン形成方法。前記有機溶剤S’が、アルコール系有機溶剤又は水酸基を有さないエーテル系有機溶剤である、請求項1記載のレジストパターン形成方法。前記第一のレジスト組成物が、酸性化合物成分G又は加熱若しくは露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有する、請求項1又は2記載のレジストパターン形成方法。前記第一の基材成分Aが、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する高分子化合物を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。前記第二の基材成分Aが、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する高分子化合物を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。特許文献4などに記載された、1回目及び2回目のパターニングをいずれもポジ型現像プロセスにより行うダブルパターニングプロセスは、1回目のパターニングで第一のラインアンドスペースのレジストパターンを形成し、2回目のパターニングでもラインアンドスペースのレジストパターンを形成する、ラインパターンの重ね合わせ、に特に有用な方法である。しかしながら、パターンの微細化が進むのに伴い、特に露光部の膜厚方向で光学強度の弱い領域が生じやすくなっている。このため、レジスト膜の露光部がアルカリ現像液に溶解除去されるポジ型現像プロセスでは、露光部でアルカリ現像液に対する溶け残りが生じることで、レジストパターンの解像性が低下しやすく、また、ラインとラインとが近接した狭い寸法のスペースパターンを形成することが難しくなってきている。パターンの微細化又は狭い寸法のスペースパターンの形成には、光学強度の弱い領域が選択的に溶解除去されるレジストパターンネガ型レジストパターン形成方法が光学的に有利である。そこで、1回目のパターニングでネガ型レジストパターンを形成し、2回目のパターニングをポジ型現像プロセスにより行うダブルパターニングプロセスが考えられる。主流であるポジ型現像プロセスで用いられる化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型パターンを形成する方法としては、有機溶剤を含有する現像液有機系現像液と組み合わせたネガ型現像プロセスが知られているたとえば非特許文献4参照。しかしながら、有機系現像液を用いる当該ネガ型現像プロセスは、環境面、装置コスト面で、アルカリ現像液と組み合わせたポジ型現像プロセスに比べて劣る。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、1回目のパターニングでアルカリ現像によりネガ型レジストパターンを形成し、2回目のパターニングをポジ型現像プロセスにより行う、新規なレジストパターン形成方法を提供すること、を課題とする。本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物により形成されたレジスト膜の、露光部が残膜し、未露光部がアルカリ現像液で溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成する方法を発明した特願2011-106577。そして、この方法を、ダブルパターニングプロセスにおける1回目のパターニングに採用し、ポジ型現像プロセスと組み合わせることによって本発明を完成させた。すなわち、本発明のレジストパターン形成方法は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第一の基材成分Aと露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分Cとを含有する第一のレジスト組成物を、支持体上に塗布して第一のレジスト膜を形成する工程1と、前記第一のレジスト膜を露光する工程2と、前記工程2の後にベークを行い、前記第一のレジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分Cから発生した塩基と、前記第一のレジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記第一のレジスト膜の未露光部において、前記第一のレジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分Aのアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程3と、前記第一のレジスト膜をアルカリ現像し、前記第一のレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程4と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第二の基材成分Aと露光により酸を発生する酸発生剤成分B’とを前記ネガ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤S’に溶解してなる第二のレジスト組成物を、前記ネガ型レジストパターンが形成された前記支持体上に塗布して第二のレジスト膜を形成する工程5と、前記第二のレジスト膜を露光する工程6と、前記第二のレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程7とを含むことを特徴とする。本明細書および本特許請求の範囲において、脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ヒドロキシアルキル基は、アルキル基の水素原子の一部または全部が水酸基で置換された基である。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。沸点は、特に断りのない限り、圧力1atmのもとでの沸点を意味する。本発明によれば、1回目のパターニングでアルカリ現像によりネガ型レジストパターンを形成し、2回目のパターニングをポジ型現像プロセスにより行う、新規なレジストパターン形成方法を提供できる。≪レジストパターン形成方法≫本発明のレジストパターン形成方法は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第一の基材成分Aと露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分Cとを含有する第一のレジスト組成物を、支持体上に塗布して第一のレジスト膜を形成する工程1と、前記第一のレジスト膜を露光する工程2と、前記工程2の後にベークを行い、前記第一のレジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分Cから発生した塩基と、前記第一のレジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記第一のレジスト膜の未露光部において、前記第一のレジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分Aのアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程3と、前記第一のレジスト膜をアルカリ現像し、前記第一のレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程4と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第二の基材成分Aと露光により酸を発生する酸発生剤成分B’とを前記ネガ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤S’に溶解してなる第二のレジスト組成物を、前記ネガ型レジストパターンが形成された前記支持体上に塗布して第二のレジスト膜を形成する工程5と、前記第二のレジスト膜を露光する工程6と、前記第二のレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程7とを含む。本発明のレジストパターン形成方法として、具体的には、1回目のパターニングを、工程1~工程4を有する方法により行い、2回目のパターニングを、工程5~工程7を有する方法により行うダブルパターニングプロセスが挙げられる。<1回目のパターニング>本発明のレジストパターン形成方法においては、1回目のパターニングとして工程1~工程4を有する方法により、第一のレジスト組成物を用いて支持体上にネガ型レジストパターンを形成する。このネガ型レジストパターンは、レジスト膜の未露光部がアルカリ現像液により溶解除去されて、露光部がパターンとして残るレジストパターンであり、該ネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物ということがある。つまり、第一のレジスト組成物はネガ型レジスト組成物である。工程3におけるレジスト膜に予め供給された酸とは、該レジスト膜を形成するレジスト組成物に予め配合された酸供給成分に由来する酸、及び工程3でのベーク前に該レジスト膜に接触させた酸供給成分に由来する酸を包含する。酸供給成分以下これをZ成分ともいう。は、酸性化合物成分以下これをG成分ともいう。又は酸発生剤成分以下これをB成分ともいう。等が好適なものとして挙げられる。酸性化合物は、その成分自体が酸性を有する化合物、すなわちプロトン供与体として作用する化合物を意味する。酸発生剤としては、加熱により酸を発生する熱酸発生剤、露光により酸を発生する光酸発生剤等が挙げられる。Z成分としては、いずれか1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。たとえば酸性化合物と酸発生剤とを併用してもよく、熱酸発生剤と光酸発生剤とを併用してもよい。Z成分の具体例については後で詳しく説明する。以下、1回目のパターニングとして、工程1~工程4を有する方法第一の実施形態、第二の実施形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。第一の実施形態図1は、1回目のパターニングである、工程1~工程4を有する方法の一実施形態例を示す。本実施形態では、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第一の基材成分A成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分C成分と、酸供給成分Z成分として酸性化合物成分G成分とを含有する第一のレジスト組成物1が用いられている。まず、図1aに示すように、当該第一のレジスト組成物1を、支持体1上に塗布して第一のレジスト膜2を形成する工程1;図1a。次に、前記で形成された第一のレジスト膜2を、図1bに示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光する。これにより、第一のレジスト膜2のうち、露光された領域露光部では、露光によりC成分から塩基が発生する工程2;図1b。露光の後、ベークポストエクスポージャーベークPEBを行う。このベークにより、第一のレジスト膜2のうち、未露光部2bでは、第一のレジスト膜2に供給された酸第一のレジスト組成物1に配合されたG成分の作用によって、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。一方、露光部2aでは、露光によりC成分から発生した塩基と、第一のレジスト膜2に供給された酸G成分との中和反応が進行するため、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量がわずかである。これにより、露光部2aと未露光部2bとの間にアルカリ現像液に対する溶解速度の差溶解コントラストが生じる工程3;図1c。その後、アルカリ現像液による現像を行う。これにより、第一のレジスト膜2の露光部2aが残留し、未露光部2bがアルカリ現像液に溶解除去され、その結果、図1dに示すように、支持体1上に、離間配置された複数のレジストパターンから構成されるネガ型レジストパターンが形成される工程4;図1d。[工程1]本実施形態では、A成分とC成分とG成分とを含有する第一のレジスト組成物1を、支持体1上に塗布して第一のレジスト膜2を形成する。支持体1としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体1としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよく、有機系の膜が設けられたものが好ましい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCや多層レジスト法における下層膜が挙げられる。特に、有機膜が設けられていると、基板上に、高アスペクト比のパターンを容易に形成でき、半導体の製造等において有用である。ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜下層膜と、少なくとも一層のレジスト膜とを設け、上層のレジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。多層レジスト法には、基本的に、上層のレジスト膜と下層膜との二層構造とする方法と、これらのレジスト膜と下層膜との間に一層以上の中間層金属薄膜等を設けた三層以上の多層構造とする方法と、に分けられる。多層レジスト法によれば、下層膜により所要の厚みを確保することにより、レジスト膜を薄膜化し、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。無機系の膜は、たとえばシリコン系材料などの無機系の反射防止膜組成物を基板上に塗工し、焼成等することにより形成できる。有機系の膜は、たとえば、当該膜を構成する樹脂成分等を有機溶剤に溶解した有機膜形成用材料を、基板上にスピンナー等で塗布し、好ましくは200~300°C、好ましくは30~300秒間、より好ましくは60~180秒間の加熱条件でベーク処理することにより形成できる。このとき用いられる有機膜形成用材料は、レジスト膜のような、光や電子線に対する感受性を必ずしも必要とするものではなく、該感受性を有するものであってもよく、有さないものであってもよい。具体的には、半導体素子や液晶表示素子の製造において一般的に用いられているレジストや樹脂を用いることができる。また、レジストパターンを用いて有機膜をエッチングすることにより、レジストパターンを有機膜へ転写し、有機膜パターンを形成できるように、有機膜形成用材料は、エッチング、特にドライエッチング可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。中でも、酸素プラズマエッチング等のエッチングが可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。このような有機膜形成用材料としては、従来、有機BARCなどの有機膜を形成するために用いられている材料であってよい。例えば、ブリューワサイエンス社製のARCシリーズ、ロームアンドハース社製のARシリーズ、東京応化工業社製のSWKシリーズなどが挙げられる。本実施形態において、第一のレジスト組成物1に含まれるG成分は、後述の工程3において、ベークPEBにより酸として作用する。そして、この酸G成分が、第一のレジスト膜2の露光部2aでは、露光によりC成分から発生した塩基と中和し、未露光部2bでは、A成分に作用して、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる。かかる第一のレジスト組成物1については後で詳しく説明する。第一のレジスト組成物1を、支持体1上に塗布して第一のレジスト膜2を形成する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法により形成できる。たとえば第一のレジスト組成物1を、スピンコーターを用いたスピンコート法、バーコーターを用いたバーコート法等の従来公知の方法を用いて支持体1上に塗布し、クーリングプレート上等での常温での乾燥、又はプレベークPABを行い、第一のレジスト膜2を形成できる。本発明において、プレベークとは、レジスト組成物を、支持体上に塗布した後から露光するまでの間に行う、ホットプレート等による70°C以上の加熱処理をいう。プレベーク処理を行う場合、温度条件は80~150°Cが好ましく、80~100°Cがより好ましい。ベーク処理の時間は40~120秒間が好ましく、より好ましくは60~90秒間である。プレベークを行うことにより、レジスト膜厚が厚膜に設定される場合でも有機溶剤を揮発させやすい。レジスト組成物の乾燥を常温で行い、プレベークを行わないことにより、レジストパターン形成の工程数を削減することができ、且つ、得られるレジストパターンの解像性を高めることができる。プレベークの有無については、用いるレジスト組成物の材料や、形成するパターンのターゲットから、上記利点等を鑑みて、適宜決定すればよい。工程1で形成される第一のレジスト膜2の膜厚は、好ましくは50~500nm、より好ましくは50~450nmである。この範囲内とすることにより、レジストパターンを高解像度で形成できる、エッチングに対する充分な耐性が得られる等の効果がある。また、プレベークを行わない場合であれば、工程1で形成される第一のレジスト膜2の膜厚は、300nm以下であることが好ましく、より好ましくは200nm以下であり、特に好ましくは50~150nm以下である。第一のレジスト膜2の膜厚が好ましい上限値以下であれば、プレベークを行わずに、常温下でスピンコート等による塗布方法によって、有機溶剤が残存しにくく乾燥しやすくなり、第一のレジスト膜2の膜厚均一性支持体1の面内均一性が高まる。このプレベークを行わない場合における効果は、薄膜のレジスト膜になるほど顕著に得られる。[工程2]本実施形態では、前記工程1で形成された第一のレジスト膜2を、フォトマスク3を介して選択的に露光する。これにより、露光部2aでは、露光によりC成分から塩基が発生する。露光量は、露光部2aに存在する酸を中和するのに必要な量の塩基をC成分から発生し得る程度であればよい。露光に用いる波長は、特に限定されず、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。微細なレジストパターンを形成しやすいことから、ArFエキシマレーザー、EUV、又はEBが好ましく、ArFエキシマレーザーが特に好ましい。フォトマスク3としては、特に限定されず、公知のものを利用でき、たとえば、遮光部の透過率が0のバイナリーマスクBinary-Maskや、遮光部の透過率が6のハーフトーン型位相シフトマスクHT-Maskを用いることができる。なお、ハーフトーン型位相シフトマスクにより選択的に未露光部を形成してもよい。バイナリーマスクは、一般的には石英ガラス基板上に、遮光部としてクロム膜、酸化クロム膜等が形成されたものが用いられる。位相シフトマスクは、光の位相を変化させる部分シフタが設けられたフォトマスクである。そのため、位相シフトマスクを用いることにより、未露光部への光の入射を抑制でき、未露光部と露光部との間の対アルカリ現像液溶解コントラストが向上する。位相シフトマスクとしては、ハーフトーン型位相シフトマスクの他に、レベンソン型位相シフトマスク等も挙げられる。これらの位相シフトマスクはそれぞれ市販のものが利用できる。ハーフトーン型位相シフトマスクとして、具体的には、一般的には石英ガラス基板上に、透過率が数~10程度一般的には6の遮光部シフタ膜としてMoSiモリブデンシリサイド膜、クロム膜、酸化クロム膜、酸窒化シリコン膜等が形成されたものが挙げられる。なお、本実施形態では、フォトマスク3を介して露光を行っているが、本発明はこれに限定されず、フォトマスクを介さない露光、たとえばEB等の描画により選択的露光を行ってもよい。第一のレジスト膜2の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光により行ってもよく、液浸媒体を介しての露光液浸露光により行ってもよい。なかでも、本工程2は、より高解像性のレジストパターンを形成できることから、液浸媒体を介して露光する工程であることが好ましい。液浸露光では、上述したように、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズと支持体1上の第一のレジスト膜2との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たした状態で露光を行う。より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られた第一のレジスト膜2と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で、所望のフォトマスク3を介して露光浸漬露光することによって実施できる。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ、当該浸漬露光によって露光される第一のレジスト膜2の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつ、第一のレジスト膜2の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体を、簡便な方法で除去できることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物として具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。[工程3]本実施形態では、前記工程2の後にベークポストエクスポージャーベークPEBを行う。ベークは、温度条件が好ましくは50~200°C程度、より好ましくは80~150°C程度、さらに好ましくは90~130°C程度;ベーク時間が好ましくは10~300秒間、より好ましくは40~120秒間、さらに好ましくは60~90秒間で行うことが好ましい。このように、第一のレジスト膜2に対して露光後にベークを行うと、第一のレジスト膜2全体で、第一のレジスト組成物1に配合されたG成分が酸として作用し、未露光部2bでは、この酸G成分の作用により、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。一方、露光部2aでは、露光によりC成分から発生した塩基と、前記酸G成分との中和反応が進行するため、A成分に作用し得る酸が減少することで、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないか、変化してもその変化量がわずかとなる。これにより、露光部2aと未露光部2bとのアルカリ現像液に対する溶解速度に差溶解コントラストが生じる。なお、本工程3におけるベークは、必ずしも、前記中和反応の開始を制御するものではない。[工程4]本実施形態では、前記工程3の後、アルカリ現像を行うことにより、第一のレジスト膜2の未露光部2bが溶解除去され、露光部2aが残膜してネガ型レジストパターンが形成される。アルカリ現像液として具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類;エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一級アミン類;ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二級アミン類;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩;ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類などのアルカリ性水溶液を使用することができる。なかでも、アルカリ現像液としては、第一級アミン類、第二級アミン類、第三級アミン類および第四級アンモニウム塩から成る群より選ばれる少なくとも1種類を含むアルカリ性水溶液が好ましく、これらの中でもテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHの水溶液を用いることが特に好ましい。さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加したものを使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度現像液中の無機アルカリ、第四級アンモニウム塩又はアミン化合物の濃度、現像液の全質量を基準としては、通常0.01~20質量である。アルカリ現像処理は、公知の方法により実施できる。上記アルカリ現像の後、純水等によるリンス処理を行ってもよい。また、上記アルカリ現像の後、さらに、ベークポストベークを行ってもよい。ポストベークはアルカリ現像やリンス処理後の水分を除去する目的で行われるため通常100°C程度の条件で行われ、ベーク時間は、好ましくは30~90秒間である。上述した第一の実施形態においては、Z成分としてG成分を含有する第一のレジスト組成物1が用いられているが、G成分の代わりに、又はG成分と共に、酸発生剤成分B成分;熱酸発生剤、光酸発生剤などを含有するレジスト組成物を第一のレジスト組成物として用いてもよい。また、上記PEB等のベーク処理を施したときに酸の濃度が高まることから、G成分及びB成分の少なくとも一種以上と共に酸増殖剤成分H成分を併用してもよい。当該B成分としては、加熱により酸を発生するもの熱酸発生剤、露光により酸を発生するもの光酸発生剤の一方、又は両方を用いることができる。B成分として熱酸発生剤を含有する第一のレジスト組成物を用いた場合、上記工程3でのベークPEBにより、第一のレジスト膜2全体で、熱酸発生剤から酸が発生する。そして、第一のレジスト膜2の未露光部2bでは、このベークPEBにより熱酸発生剤から発生した酸の作用によってA成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。一方、第一のレジスト膜2の露光部2aでは、このベークPEBにより熱酸発生剤から発生した酸と、上記工程2での露光によりC成分から発生した塩基との中和反応が進行し、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないか、変化してもその変化量がわずかとなる。これにより、露光部2aと未露光部2bとのアルカリ現像液に対する溶解速度に差溶解コントラストが生じる。熱酸発生剤を含有するレジスト組成物を用いる場合、前記プレベークを行わないことが好ましい。プレベークを行わないことで、該レジスト組成物を支持体上に塗布した後から露光するまでの間、熱酸発生剤に由来する酸がA成分に作用することなく、レジスト膜2の露光部2aと未露光部2bとのコントラストが向上し、解像性の高いネガ型レジストパターンが形成されやすくなる。また、フォトマスク、A成分、C成分等の種類を適宜選択することにより、B成分として光酸発生剤を用いることもできる。たとえば、相対的に拡散長の長い光酸発生剤と、相対的に拡散長の短い光塩基発生剤とを含有するレジスト組成物を用い、フォトマスクとして、透過性を有するフォトマスクハーフトーン型位相シフトマスク等を用いた実施形態が挙げられる。酸や塩基の拡散長は、酸については光酸発生剤におけるアニオン部の骨格や極性等で、塩基については、C成分における光分解後の塩基の分子量や骨格等で制御できる。かかる実施形態では、上記工程2での露光により、露光部2aでは、C成分から塩基と、光酸発生剤から酸とが発生する。そして、未露光部2bでは、上記工程3でのベークにより、露光部2aで発生して未露光部2bまで拡散した酸の作用によってA成分の保護基等が解離脱保護反応が進行してA成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。一方、露光部2aでは、工程2で発生した塩基と酸との中和反応が進行し、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないか、変化してもその変化量がわずかとなる。これにより、露光部2aと未露光部2bとのアルカリ現像液に対する溶解速度に差溶解コントラストが生じる。第二の実施形態図2は、1回目のパターニングである、工程1~工程4を有する方法の他の実施形態例を示す。この実施形態では、A成分とC成分とを含有する第一のレジスト組成物2、およびG成分を含有する有機膜形成用組成物が用いられている。まず、図2aに示すように、支持体1上に、当該第一のレジスト組成物2を塗布して第一のレジスト膜2’を形成する工程1;図2a。次に、第一のレジスト膜2’を、図2bに示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光する。これにより、第一のレジスト膜2’のうち、露光された領域露光部では、露光によりC成分から塩基が発生する工程2;図2b。露光の後、第一のレジスト膜2’上に、前記有機膜形成用組成物を塗布する工程0;図2c。次いで、ベークPEBを行う。これにより、有機膜4が形成されると共に、有機膜4に含まれているG成分が有機膜4から第一のレジスト膜2’へ拡散することにより、第一のレジスト膜2’に酸G成分が供給される。そして、第一のレジスト膜2’のうち、露光部2’cでは、露光によりC成分から発生した塩基と、有機膜4から供給された酸G成分とが中和する。このため、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量がわずかである。一方、未露光部2’dでは、有機膜4から供給された酸の作用により、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。これにより、露光部2’cと未露光部2’dとの間にアルカリ現像液に対する溶解速度の差溶解コントラストが生じる工程3;図2d。その後、アルカリ現像液による現像を行う。これにより、第一のレジスト膜2’の露光部2’cが残留し、未露光部2’dがアルカリ現像液に溶解除去され、その結果、図2eに示すように、支持体1上に、離間配置された複数のレジストパターン2’cから構成されるレジストパターンが形成される工程4;図2e。[工程1、工程2]本実施形態における工程1、工程2は、上述した第一の実施形態における工程1、工程2とそれぞれ同様の操作を行うことにより実施できる。ただし、本実施形態において用いられる第一のレジスト組成物2は、Z成分を含有していてもよく含有していなくてもよい。かかる第一のレジスト組成物2については後で詳しく説明する。[工程0]本実施形態では、工程2の後で、第一のレジスト膜2’上に、スピンナーを用いる等の従来公知の方法を用いて、G成分を含有する有機膜形成用組成物を塗布する。このように、後述の工程3よりも前段側で、第一のレジスト膜2’に有機膜形成用組成物を塗布し、G成分を接触させておくことにより、工程3でのベークによって第一のレジスト膜2’に酸G成分を供給することができる。有機膜形成用組成物の塗布条件は、形成しようとする有機膜4の厚さ膜厚に応じて設定される。有機膜4の厚さは、有機膜形成用組成物に配合されるG成分の種類、または液浸露光等のプロセス条件等によって適宜設定すればよく、好ましくは10~300nm、より好ましくは20~200nm、さらに好ましくは30~150nmである。この範囲内とすることにより、充分な量の酸をレジスト膜2’へ供給でき、高解像性のレジスパターンが形成されやすくなる。該有機膜形成用組成物の具体例については後で詳しく説明する。[工程3]本実施形態では、前記工程0の後に、ベークポストエクスポージャーベークPEBを行う。本実施形態における工程3は、上述した第一の実施形態における工程3と同様の操作を行うことにより実施できる。PEBを行うと、第一のレジスト膜2’上に有機膜4が形成されると共に、有機膜4に含まれるG成分が有機膜4から第一のレジスト膜2’へ拡散することにより、第一のレジスト膜2’に酸G成分が供給される。そして、第一のレジスト膜2’のうち、未露光部2’dでは、有機膜4から供給された酸G成分の作用により、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。一方、露光部2’cでは、露光によりC成分から発生した塩基と、有機膜4から供給された酸G成分との中和反応が進行し、A成分に作用し得る酸が減少することで、A成分のアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないか、変化してもその変化量がわずかとなる。これにより、露光部2’cと未露光部2’dとの間にアルカリ現像液に対する溶解速度の差溶解コントラストが生じる。有機膜形成用組成物が、Z成分としてG成分に加えて、光酸発生剤成分を含有し、工程2の前に工程0を行った場合は、工程2での露光により該光酸発生剤成分から酸が発生する。この酸は、前記G成分と同様、工程3で第一のレジスト膜2’に供給され、露光部では、C成分から発生した塩基により中和されるか、またはPEBにより露光部2’cから未露光部2’dまで拡散してA成分に作用し、該A成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる。第一のレジスト組成物が、Z成分としてG成分に加えて、熱酸発生剤成分を含有する場合は、本工程でのPEBにより該熱酸発生剤成分から酸が発生する。この酸は、前記G成分と同様、工程3で第一のレジスト膜2’に供給され、露光部では、C成分から発生した塩基により中和されるか、またはPEBにより露光部2’cから未露光部2’dまで拡散してA成分に作用し、該A成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる。このように溶解コントラストが生じることで、後の工程4でアルカリ現像した際に、高解像のネガ型レジストパターンが形成される。なお、本工程3におけるベークは、必ずしも、前記中和反応の開始を制御するものではない。[工程4]本実施形態では、前記工程3の後、アルカリ現像を行うことにより、第一のレジスト膜2’の未露光部2’dが溶解除去され、露光部2’cが残膜してネガ型レジストパターンが形成される。アルカリ現像液は、上述したものと同様のものを用いることができる。アルカリ現像は、好適には例えば濃度0.1~10質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いて、公知の方法により実施できる。上記アルカリ現像の後、純水等によるリンス処理を行ってもよい。また、上記アルカリ現像の後、さらに、ベークポストベークを行ってもよい。ポストベークはアルカリ現像やリンス処理後の水分を除去する目的で行われるため通常100°C程度の条件で行われ、ベーク時間は、好ましくは30~90秒間である。第一のレジスト膜2’上に形成された有機膜4は、有機膜4を形成する材料アルカリ可溶性樹脂などを選択して、工程4でのアルカリ現像処理により溶解除去することが好ましい。これ以外に、工程3と工程4との間で、有機膜4の除去を公知の方法により行うこともできる。上述した第二の実施形態においては、G成分を含有する有機膜形成用組成物が用いられているが、G成分の代わりに、又はG成分と共に、B成分光酸発生剤、熱酸発生剤を含有する有機膜形成用組成物を用いてもよい。熱酸発生剤、光酸発生剤は、いずれか一方を用いてもよく両方を併用してもよい。ただし、B成分として光酸発生剤成分を用いる場合は、工程0を、工程1と工程2との間に行う。これにより、工程2の露光時に、光酸発生剤成分から酸が発生し、該酸が工程3でのベークによって第一のレジスト膜2’に供給される。また、1回目のパターニングである、工程1~工程4を有する方法としては、上述した第一及び第二の実施形態以外であってもよく、たとえば、第一の実施形態における工程2と工程3との間に、Z成分を含有する有機膜形成用組成物を、レジスト膜上に塗布して有機膜を形成する工程0を含んでいてもよい。露光の後、レジスト膜上に前記有機膜形成用組成物を塗布し、次いで、ベークPEBを行うことにより、レジスト膜上に有機膜が形成されると共に、該有機膜に含まれるZ成分に由来する酸が、該有機膜からレジスト膜へ拡散し、該レジスト膜に酸がさらに供給される。その後、アルカリ現像液による現像を行うことにより、高コントラストのネガ型レジストパターンが形成される。なお、Z成分として光酸発生剤を用いる場合は、前記工程0を、工程1と工程2との間に設ければよい。また、前記有機膜形成用組成物を用いる代わりに、酸性の活性リンスをレジスト膜に塗布する操作を行うだけの実施形態でもよい。酸性の活性リンスとしては、後述のG2成分を含む水溶液等を用いればよい。<2回目のパターニング>本発明のレジストパターン形成方法においては、2回目のパターニングとして工程5~工程7を有する方法により、1回目のパターニングによりネガ型レジストパターンが形成された支持体上に、第二のレジスト組成物を用いて第二のレジスト膜を形成し、露光し、アルカリ現像して目的とするレジストパターンを形成する。この第二のレジスト膜は、レジスト膜の露光部がアルカリ現像液により溶解除去され、未露光部がパターンとして残る。つまり、第二のレジスト組成物はポジ型レジスト組成物である。[工程5]工程5では、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第二の基材成分Aと露光により酸を発生する酸発生剤成分B’とを、1回目のパターニングにより形成されたネガ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤S’に溶解してなる第二のレジスト組成物を、該ネガ型レジストパターンが形成された前記支持体上に塗布して第二のレジスト膜を形成する。第二のレジスト膜の形成は、前述した工程1第一のレジスト膜の形成と同様の方法によって行うことができる。かかる第二のレジスト組成物については後で詳しく説明する。[工程6、工程7]工程6では、前記工程5で形成された第二のレジスト膜を露光する。工程7では、前記第二のレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する。これら工程の一例として、第二のレジスト膜を、例えばArF露光装置などによりArFエキシマレーザー光などを所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80~150°Cの温度条件下、ベークPEBを40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次いで、これをアルカリ現像液、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いてアルカリ現像し、好ましくは純水を用いて水リンスを行い、乾燥を行う。また、場合によっては、上記アルカリ現像後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。露光、ベークPEB、アルカリ現像については、前述した工程2~4と同様の方法によって行うことができる。このようにして、1回目のパターニングでネガ型レジストパターンを形成し、2回目のパターニングをポジ型現像プロセスにより行うことでレジストパターンを得ることができる。かかる2回目のパターニングにおいて、第二のレジスト膜に対し、1回目のパターニングにより形成されたネガ型レジストパターンの位置とは異なる位置を選択的に露光し、現像することにより、該ネガ型レジストパターンと、第二のレジスト膜に新たに形成されたレジストパターンと、からなるレジストパターンが形成される。ここで、本発明においては、該ネガ型レジストパターンと完全に一致する重なり合う場合以外はすべてネガ型レジストパターンの位置とは異なる位置であり、全く重複していない場合、および一部重複している場合を含むものとする。最終的にラインアンドスペースのレジストパターンを形成する場合は、ネガ型レジストパターンを形成した位置と、工程6で選択的に露光する位置と、が全く重複しないことが好ましい。これにより、1回目のパターニングにより形成されたネガ型レジストパターンよりも、パターン間の間隔ピッチが狭い狭ピッチのレジストパターンを形成できる。ネガ型レジストパターンを形成した位置とは異なる位置の選択的露光は、たとえば、1回目のパターニングで用いたマスクパターンと異なるマスクパターンのフォトマスクを用いる方法等により行うことができる。たとえばラインアンドスペースのレジストパターンを形成する場合を例に挙げると、1回目のパターニングで、複数のラインが一定のピッチで配置されたラインアンドスペースのマスクパターンのフォトマスクを用いてラインアンドスペースの疎パターンを形成した後、2回目のパターニングで、フォトマスクのマスクパターンを変更して、1回目のパターニングで形成したラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成することにより、最初に形成したラインアンドスペースのピッチの約1/2のピッチで、ラインアンドスペースのレジストパターンが最終的に形成される。すなわち、最初に形成した疎パターンよりも狭ピッチの密なレジストパターンが形成される。ここで、疎パターンとは、ラインアンドスペースのレジストパターンにおいて、ライン幅:スペース幅=1:2以上にスペース幅が広いラインアンドスペースパターンを意味するものとする。具体的には、たとえばライン幅100nm、ライン幅:スペース幅=1:3のラインアンドスペースパターン疎パターンを形成した後、フォトマスクを、ラインの方向に対して垂直方向に200nm平行移動させ、ライン幅100nm、ライン幅:スペース幅=1:3のラインアンドスペースパターンを形成することにより、ライン幅100nm、ライン幅:スペース幅=1:1のラインアンドスペースパターン密なパターンを形成することができる。また、1回目のパターニングで用いたフォトマスクを回転移動させたり、1回目のパターニングで用いたフォトマスクとは異なるマスクパターンたとえば、1回目のパターニングにおいてスペースアンドラインのマスクパターン、2回目のパターニングにおいてホールのマスクパターン等のフォトマスクを用いたりすること等により、微細な、および/または、多様な形状のレジストパターンを形成することができる。たとえば、1回目のパターニングで得られたスペースアンドラインのネガ型レジストパターン第一のSLパターンに対して交差した位置関係で露光しアルカリ現像する、いわゆるクロスラインパターニングを行う、ことにより、ホール状又は格子状のレジストパターンを形成することもできる。クロスラインパターニングを行う場合、スペースアンドラインの各レジストパターンにおける、ライン幅:スペース幅の比率や、各パターンの交差角度は、最終的に得られるホール状又は格子状のレジストパターンの形状に合うように適宜制御すればよい。たとえば、交差する角度は、目的のパターンに応じて、直交させたり、斜めに90°未満で交差させたりすればよい。なお、クロスラインパターニングから、ホール状もしくは格子状のパターンが形成されるのは、プロセス上の要因の他、2回目のパターニングの際に露光により発生する酸の拡散方向の不均一性例えば、第一のSLパターンの存在する方向では、存在しない方向に比べて酸拡散が制御され得る等に因るため、と考えられる。以上説明したように、本発明のレジストパターン形成方法においては、1回目のパターニングでアルカリ現像によりネガ型レジストパターンを形成し、2回目のパターニングをポジ型現像プロセスにより行う。1回目のパターニングでは、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光し、ベークポストエクスポージャーベークPEBを行う。このとき、前記レジスト膜の露光部では、該レジスト膜に予め供給された酸が、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と反応して中和され、一方、前記レジスト膜の未露光部では、前記酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、PEB後のレジスト膜をアルカリ現像すると、前記レジスト膜の露光部が残膜し、未露光部が溶解除去されてネガ型パターンが形成される。該ネガ型パターン形成においては、露光部の膜厚方向などの光学強度の弱い領域が選択的に溶解除去されることから、1回目のパターニングの際、ポジ型現像プロセスにおいて露光部が溶け残るというような問題が起こりにくく、微細なパターンを高解像度でかつ良好な形状で形成しやすく、また、狭い寸法のスペースパターンを容易に形成することができる。従来、1回目及び2回目のパターニングをいずれもポジ型現像プロセスにより行うダブルパターニングプロセスにおいては、2回目のパターニングによって1回目のパターニングで形成されたレジストパターンが消失しないようにするため、第一のレジスト組成物に、第二のレジスト組成物に配合する基材成分よりも、酸の作用によって解離しにくい保護基を有する基材成分を配合する必要があった。これに対し、本発明を採用したダブルパターニングプロセスでは、1回目のパターニングの際、露光部の酸が塩基と中和しているため、2回目のパターニングの際、1回目のパターニングで形成されたネガ型レジストパターン露光部では酸が失活しているため、該ネガ型レジストパターンに酸が作用するという問題が生じにくい。これにより、第一のレジスト組成物及び第二のレジスト組成物にそれぞれ配合する基材成分における保護基の、酸の作用による解離性を制御する必要がなく、本発明においては第一のレジスト組成物に配合する基材成分の選択自由度が高い。また、1回目及び2回目のパターニングをいずれもポジ型現像プロセスにより行うダブルパターニングプロセスでは、露光後のベークPEB時間を長くすると、酸発生剤成分等に由来する酸の影響で基材成分の保護基が解離する等によりパターン形状が悪化するおそれがあった。これに対し、本発明を採用したダブルパターニングプロセスにおいては、1回目のパターニングで形成されたネガ型レジストパターン露光部では酸が失活しているため、PEBによる基材成分の保護基の解離は進行しにくく、PEB時間の影響が小さい。さらに、本発明のレジストパターン形成方法によれば、該レジストパターンの高密度化も可能であり、たとえばホール間の距離が30~50nm程度であるような、個々のホールが近接したコンタクトホールパターンを良好な形状で形成できる。加えて、本発明のレジストパターン形成方法は、既存の露光装置や既存の設備等を用いて実施できる。第一のレジスト組成物第一のレジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する第一の基材成分A以下A成分ともいう。と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分C以下C成分ともいう。とを含有する。本発明のレジストパターン形成方法においては、前記第一のレジスト組成物が、酸性化合物成分G又は加熱若しくは露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有することが好ましい。前述した1回目のパターニングの第一の実施形態における、第一のレジスト組成物1には、A成分とC成分とG成分とが配合されている。また、前述した1回目のパターニングの第二の実施形態における、第一のレジスト組成物2には、A成分とC成分とが配合されている。第一の基材成分;A成分本発明におけるA成分は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である。基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、低分子化合物という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。本明細書および特許請求の範囲において樹脂という場合、分子量が1000以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。かかるA成分は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する高分子化合物以下これを高分子化合物A11又はA11成分という。を含むものが好ましい。A11成分は、前記構成単位a1に加えて、さらに、-SO2-含有環式基又はラクトン含有環式基を含む構成単位a2を有するものが好ましい。また、A11成分は、前記構成単位a1に加えて、又は、構成単位a1と構成単位a2とに加えて、さらに、極性基を含む構成単位a3を有するものが好ましい。[構成単位a1]構成単位a1は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。酸分解性基は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基以下OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、A11成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合に溶解性が増大する。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る。式i-4中、Mは前記同様であり、Z-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物d1-3を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物d1-3の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。D2成分についてD2成分としては、前記B成分に対して相対的に塩基性となる化合物であり、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記B’成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであり、且つ、D1成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基又はヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン、環式アミン、その他の脂肪族アミン等が挙げられる。前記アルキルアミンが有するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2~20であることがより好ましく、2~8であることがさらに好ましい。該アルキル基が環状である場合シクロアルキル基である場合、その炭素数は、3~30であることが好ましく、3~20がより好ましく、3~15がさらに好ましく、炭素数4~12であることが特に好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記アルキルアルコールアミンが有するヒドロキシアルキル基におけるアルキル基としては、前記アルキルアミンが有するアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記アルキルアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミンが挙げられる。前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられる。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。D2成分はいずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D2成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。D’成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。第二のレジスト組成物がD’成分を含有する場合、D’成分の含有量D1成分とD2成分との総量は、A成分100質量部に対して、0.1~15質量部であることが好ましく、0.3~12質量部であることがより好ましく、0.5~12質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、ラフネス等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。フッ素添加剤;F’成分第二のレジスト組成物においては、レジスト膜に撥水性を付与するため、フッ素添加剤F’成分を配合してもよい。このF’成分としては、第一のレジスト組成物についての説明の中で挙げたF成分と同様のものを用いることができる。なかでも、F’成分としては、前記式f1-1で表される構成単位と前記構成単位a1との共重合体が好ましい。F’成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。第二のレジスト組成物がF’成分を含有する場合、F’成分の含有量は、A成分100質量部に対して、0.5~10質量部の割合で用いられる。有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物;E成分第二のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でもホスホン酸が特に好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。第二のレジスト組成物がE成分を含有する場合、E成分は、通常、A成分100質量部に対して、0.01~5質量部の範囲で用いられる。第二のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。有機膜形成用組成物本発明のレジストパターン形成方法においては、前記第二の実施形態に示すように、レジスト膜に酸を供給するために、酸供給成分酸性化合物成分、酸発生剤成分を含有する有機膜形成用組成物を用いることができる。有機膜形成用組成物には、酸供給成分に加えて、他の成分、たとえば樹脂、有機溶剤などを含有させることができる。有機膜形成用組成物における酸供給成分としては、前記レジスト組成物の説明で挙げたZ成分と同様のものが挙げられる。酸供給成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。有機膜形成用組成物が酸供給成分と樹脂と有機溶剤とを含有する場合、酸供給成分の含有量は、樹脂100質量部に対して0.1~60質量部であることが好ましい。酸供給成分が酸性化合物成分である場合は、樹脂100質量部に対して0.1~50質量部がより好ましく、1~20質量部がさらに好ましい。酸供給成分が酸発生剤成分である場合は、樹脂100質量部に対して1~60質量部がより好ましく、1~50質量部がさらに好ましい。酸供給成分の含有量が下限値以上であると、レジスト膜に充分な量の酸が供給され、未露光部にてアルカリ現像液に対する溶解性が増大しやすくなり、解像性がより向上する。他方、酸供給成分の含有量が上限値以下であることにより、感度が良好となる。また各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となる。[樹脂]樹脂は、有機膜を形成し得るものであれば特に限定されず、公知の樹脂が利用できる。なかでも前記工程4において、アルカリ現像によりレジストパターン形成と同時に、形成された有機膜の除去が可能となることから、アルカリ可溶性樹脂を用いることが好ましい。アルカリ可溶性樹脂としては、アルカリ可溶性基を有する樹脂であればよく、従来公知のノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。アルカリ可溶性基として具体的には、フェノール性水酸基、カルボキシ基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基、又はこれらのいずれかの基を有する基等が例示される。アルカリ可溶性樹脂の一例として、ポリシクロオレフィンから誘導される構成単位以下この構成単位を構成単位a’1という。を有する重合体Aを用いることが好ましい。構成単位a’1としては、下記一般式a’1-0で表される基本骨格を有する構成単位が好ましい。[式中、aは0又は1である。]式a’1-0中、aは、0又は1であり、工業上入手が容易であることを考慮すると、0であることが好ましい。なお、本明細書において、一般式a’1-0で表される基本骨格を有する構成単位は、一般式a’1-0で表される構成単位すなわちビシクロ[2.2.1]-2-ヘプテンノルボルネンから誘導される構成単位、又はテトラシクロ[4.4.0.12.5.1.7.10]-3-ドデセンから誘導される構成単位であってもよく、また、その環骨格上に置換基を有するものであってもよい。すなわち、一般式a’1-0で表される基本骨格を有する構成単位には、その環骨格ビシクロ[2.2.1]-2-ヘプタンまたはテトラシクロ[4.4.0.12.5.1.7.10]-3-ドデカンを構成する炭素原子に結合した水素原子の一部または全部が、水素原子以外の原子または置換基で置換された構成単位も含まれるものとする。構成単位a’1としては、特に、下記の一般式a’1-1で表される構成単位が例示できる。式a’1-1中、aは、いずれも上記式a’1-0におけるaと同じである。cは1~5の整数であり、1~3の整数が好ましく、1が最も好ましい。bは1~5の整数であり、1~3の整数が好ましく、1が最も好ましい。構成単位a’1は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。重合体A中の構成単位a’1の割合は、重合体Aを構成する全構成単位の合計に対して1モル以上が好ましく、1~50モルが好ましく、1~45モルがより好ましく、5~35モルがさらに好ましい。構成単位a’1の割合が前記範囲であると、所定のアルカリ溶解性がより得られやすくなる。構成単位a’1を誘導するモノマーは、たとえば、米国特許第6420503号公報に開示されている手法により合成できる。また、重合体Aは、構成単位a’1に加えて、置換基としてフッ素化アルキル基を有するポリシクロオレフィンから誘導される構成単位以下この構成単位を構成単位a’2という。、具体的には、下記一般式a’2-1で表される構成単位を有していてもよい。[式中、R27はフッ素化アルキル基であり;aは0又は1である。]前記式a’2-1中、aは、0又は1であり、工業上入手が容易であることを考慮すると、0であることが好ましい。前記式a’2-1中、R27はフッ素化アルキル基であり、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基である。直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、炭素数1~8のアルキル基がより好ましく、炭素数1~5のアルキル基がさらに好ましい。かかるアルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、プロピル基が特に好ましい。前記環状のアルキル基としては、炭素数4~12であることが好ましく、炭素数5~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。上記のなかでも、R27のフッ素化アルキル基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の水素原子の1つが、パーフルオロアルキル基で置換された基パーフルオロアルキル基にアルキレン基が結合した基が好ましく挙げられ、-CH2f-CF3、-CH2f-C2F5[f=1~3]がより好ましく、-CH2-CF3、-CH2-C2F5が特に好ましい。フッ素化アルキル基としては、特に、フッ素化率フッ素化アルキル基中の、水素原子とフッ素原子との合計の数に対するフッ素原子の数の割合が、30~90のものが好ましく、50~80がより好ましい。フッ素化率が30以上であると、液浸露光条件での有機膜表面の疎水性向上効果に優れる。また、フッ素化率が90以下であると、現像特性が向上する。なお、前記式a’2-1で表される構成単位においては、主鎖を構成する環構造の環上に置換基を有していてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基が挙げられる。前記構成単位a’2を重合体Aに含有させる際には、重合体Aを構成する全構成単位の合計に対して、構成単位a’2を5~75モル含有させることが好ましく、10~70モル含有させることがより好ましく、15~60モル含有させることがさらに好ましい。上記範囲とすることで、有機膜表面の疎水性が向上し、アルカリ現像液に対する溶解速度の制御性に優れる。前記式a’2-1で表される構成単位を誘導するモノマーは、たとえば、特開2000-235263号公報に開示されている手法[メタアクリル酸のフッ素化アルキルエステルと、シクロペンタジエンまたはジシクロペンタジエンとを、公知の反応であるDiels-Alder反応により反応させる方法]により合成できる。重合体Aは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。本発明において、重合体Aとしては、特に下記の様な構成単位の組み合わせを有するものが好ましい。[式中、b、cは、それぞれ上記と同様である。R27’は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。]cは1~3の整数が好ましく、1が最も好ましい。bは1~3の整数が好ましく、1が最も好ましい。R27’は、-CH2-CF3、-CH2-C2F5であることが特に好ましい。重合体Aの質量平均分子量MwゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではなく、1000~50000が好ましく、1500~30000がより好ましく、2000~20000が最も好ましい。この範囲内であると、有機膜を形成する樹脂成分として用いるのに充分な有機溶剤への溶解性があり、アルカリ現像特性が良好であるとともに、成膜性も良好である。また、重合体Aの分散度Mw/Mnは、特に限定されず、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.0~2.5が最も好ましい。重合体Aは、たとえば、各構成単位を誘導するモノマーを、アゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。また、主鎖環状型構成単位を有する場合、重合体Aは、たとえば特開2006-291177号公報に記載の方法により合成できる。[有機溶剤]有機膜形成用組成物に配合される有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよい。たとえば従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。かかる有機溶剤としては、たとえば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。有機膜形成用組成物に配合される有機溶剤として、アルコール系有機溶剤、フッ素系有機溶剤、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤なども用いることができる。これらの有機溶剤は、上述したレジスト組成物により形成されたレジスト膜を溶解しにくいため、有機膜形成用組成物の有機溶剤として好ましく用いられる。以下にあげる有機溶剤は、いずれか1種を単独で用いてもよく、2種以上混合して用いてもよい。塗布性、樹脂成分などの材料の溶解性の点から、アルコール系有機溶剤が好ましい。ここで、アルコール系有機溶剤とは、脂肪族炭化水素の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された化合物であって、常温、常圧下で液体である化合物である。前記脂肪族炭化水素を構成する主鎖の構造は、鎖状構造であってもよく、環状構造であってもよく、該鎖状構造中に環状構造を有していてもよく、また、該鎖状構造中にエーテル結合を含むものであってもよい。フッ素系有機溶剤とは、フッ素原子を含む化合物であって、常温、常圧下で液体である化合物である。水酸基を有さないエーテル系有機溶剤とは、その構造中にエーテル結合C-O-Cを有し、水酸基を有さず、かつ常温常圧下で液体である化合物である。該水酸基を有さないエーテル系有機溶剤は、さらに、水酸基に加えてカルボニル基も有さないことが好ましい。アルコール系有機溶剤としては、1価アルコール、2価アルコール、2価アルコールの誘導体等が好ましい。1価アルコールとしては、炭素数にもよるが、1級または2級の1価アルコールが好ましく、中でも1級の1価アルコールが最も好ましい。ここで1価アルコールとは、炭素および水素のみから構成される炭化水素化合物の水素原子の1つが水酸基で置換された化合物を意味し、2価以上の多価アルコールの誘導体は含まれない。該炭化水素化合物は、鎖状構造のものであってもよく、環状構造を有するものであってもよい。2価アルコールとは、前記炭化水素化合物の水素原子の2つが水酸基で置換された化合物を意味し、3価以上の多価アルコールの誘導体は含まれない。2価アルコールの誘導体としては、2価アルコールの水酸基の1つが置換基アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基等で置換された化合物が挙げられる。アルコール系有機溶剤の沸点は80~160°Cであることが好ましく、90~150°Cであることがさらに好ましく、100~135°Cであることが塗布性、保存時の組成の安定性、および加熱温度の観点から最も好ましい。かかるアルコール系有機溶剤として具体的には、鎖状構造のものとして、プロピレングリコールPG;1-ブトキシ-2-プロパノールBP、n-ヘキサノール、2-ヘプタノール、3-ヘプタノール、1-ヘプタノール、5-メチル-1-ヘキサノール、6-メチル-2-ヘプタノール、1-オクタノール、2-オクタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、2-エチル-1-ヘキサノール、2-2-ブトキシエトキシエタノール、n-ペンチルアルコール、s-ペンチルアルコール、t-ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、イソブタノールイソブチルアルコール又は2-メチル-1-プロパノールとも称する。、イソプロピルアルコール、2-エチルブタノール、ネオペンチルアルコール、n-ブタノール、s-ブタノール、t-ブタノール、1-プロパノール、2-メチル-1-ブタノール、2-メチル-2-ブタノール、4-メチル-2-ペンタノール等が挙げられる。また、環状構造を有するものとして、シクロペンタンメタノール、1-シクロペンチルエタノール、シクロヘキサノール、シクロヘキサンメタノールCM、シクロヘキサンエタノール、1,2,3,6-テトラヒドロベンジルアルコール、exo-ノルボルネオール、2-メチルシクロヘキサノール、シクロヘプタノール、3,5-ジメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。アルコール系有機溶剤のなかでは、鎖状構造の1価アルコールまたは2価アルコールの誘導体が好ましく、1-ブトキシ-2-プロパノールBP;イソブタノール2-メチル-1-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール、n-ブタノールがより好ましく、イソブタノール2-メチル-1-プロパノール、1-ブトキシ-2-プロパノールBPが特に好ましい。フッ素系有機溶剤としては、パーフルオロ-2-ブチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。水酸基を有さないエーテル系有機溶剤としては、下記一般式s-1で表される化合物が好適なものとして挙げられる。R40-O-R41...s-1[式中、R40、R41はそれぞれ独立して1価の炭化水素基であり、R40とR41とが結合して環を形成していてもよい。-O-はエーテル結合を示す。]前記式中、R40、R41の炭化水素基としては、たとえばアルキル基、アリール基等が挙げられ、アルキル基が好ましい。なかでも、R40、R41のいずれもアルキル基であることが好ましく、R40とR41とが同じアルキル基であることがより好ましい。R40、R41の各アルキル基としては、特に制限はなく、たとえば炭素数1~20の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。該アルキル基は、その水素原子の一部または全部がハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。該アルキル基としては、レジスト膜上への塗布性が良好なこと等から、炭素数1~15であることが好ましく、炭素数1~10であることがより好ましい。具体的には、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基等が挙げられ、n-ブチル基、イソペンチル基が特に好ましい。前記アルキル基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。R40、R41の各アリール基としては、特に制限はなく、たとえば炭素数6~12のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。該アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ベンジル基、ナフチル基等が挙げられる。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。また、上記式においては、R40とR41とが結合して環を形成していてもよい。R40およびR41は、それぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基好ましくは炭素数1~10のアルキレン基であって、R40とR41とが結合して環を形成する。また、アルキレン基の炭素原子は、酸素原子で置換されていてもよい。かかるエーテル系有機溶剤の具体例としては、たとえば1,8-シネオール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。水酸基を有さないエーテル系有機溶剤の沸点常圧下は、30~300°Cであることが好ましく、100~200°Cであることがより好ましく、140~180°Cであることがさらに好ましい。該温度範囲の下限値以上であることにより、塗布時のスピンコート中、蒸発しにくくなって塗布ムラが抑制され、塗布性が向上する。一方、上限値以下であることにより、ベークによって当該有機溶剤が有機膜中から充分に除かれ、有機膜の形成性が向上する。また、該温度範囲であると、保存時の組成の安定性がより向上する。また、加熱温度の観点からも好ましい。水酸基を有さないエーテル系有機溶剤の具体例としては、たとえば1,8-シネオール沸点176°C、ジブチルエーテル沸点142°C、ジイソペンチルエーテル沸点171°C、ジオキサン沸点101°C、アニソール沸点155°C、エチルベンジルエーテル沸点189°C、ジフェニルエーテル沸点259°C、ジベンジルエーテル沸点297°C、フェネトール沸点170°C、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン沸点66°C、エチルプロピルエーテル沸点63°C、ジイソプロピルエーテル沸点69°C、ジヘキシルエーテル沸点226°C、ジプロピルエーテル沸点91°C等が挙げられる。水酸基を有さないエーテル系有機溶剤としては、環状または鎖状のエーテル系有機溶剤であることが好ましく、なかでも1,8-シネオール、ジブチルエーテルおよびジイソペンチルエーテルからなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。有機膜形成用組成物に配合される有機溶剤の使用量は、特に限定されず、レジスト膜上に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定すればよい。たとえば酸又は酸発生剤成分と、樹脂と、有機溶剤とを含有する有機膜形成用組成物を用いる場合、有機溶剤の含有量は、樹脂濃度が0.2~10質量となる量であることが好ましく、1~5質量となる量であることがより好ましい。有機膜形成用組成物には、さらに、所望により、界面活性剤、増感剤、架橋剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、着色剤、可塑剤、消泡剤等を適宜配合することができる。界面活性剤としては、非イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、含フッ素界面活性剤等が挙げられる。界面活性剤を用いる場合、その含有量は、樹脂100質量部に対して0.01~0.5質量部であることが好ましく、より好ましくは0.02~0.1質量部である。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。<レジスト組成物の調製>表1、2に示す各成分を混合して溶解することにより、第一のレジスト組成物を調製した。表1、2中、[]内の数値は配合量質量部であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。各共重合体の質量平均分子量Mw及び分子量分散度Mw/Mnは、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の値である。各共重合体の共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求めた。13C-NMRの内部標準はテトラメチルシランTMSである。A-1:下記化学式A-1で表される共重合体。Mw6900、Mw/Mn1.65。該化学式中、各構成単位の右下の数値は、その構成単位の割合モル比を示す以下同じ。A-2:下記化学式A-2で表される共重合体。Mw8100、Mw/Mn1.81。C-1:下記化学式C-1で表される化合物。G-1:下記化学式G-1で表される化合物。F-1:下記化学式F-1で表される重合体。Mw24000,Mw/Mn1.38。B-1:4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート。D-1:トリ-n-ペンチルアミン。E-1:サリチル酸。S-1:PGMEA/PGME=6/4質量比の混合溶剤。なお、PGMEAはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、PGMEはプロピレングリコールモノメチルエーテルをそれぞれ意味する。表3に示す各成分を混合して溶解することにより第二のレジスト組成物を調製した。表3中、[]内の数値は配合量質量部であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。A-3:下記化学式A-3で表される共重合体。Mw4700、Mw/Mn1.62。A-4:下記化学式A-4で表される共重合体。Mw7900、Mw/Mn1.78。B-2:下記化学式B-2で表される化合物。B-3:下記化学式B-3で表される化合物。D-2:トリフェニルスルホニウムd-カンファー-10-スルホネート。F-2:下記化学式F-2で表される共重合体。Mw23000,Mw/Mn1.5。E-1:サリチル酸。S-2:DB/PGMEA=85/15質量比の混合溶剤。なお、DBは1-ブトキシ-2-プロパノール、PGMEAはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートをそれぞれ意味する。<ダブルパターニングプロセスによるレジストパターンの形成1>実施例1~2前記の第一のレジスト組成物と第二のレジスト組成物とを下記のように組み合わせて用い、以下に示すレジストパターン形成方法ダブルパターニングプロセスによりレジストパターン形成を行った。実施例1:第一のレジスト組成物aと第二のレジスト組成物a実施例2:第一のレジスト組成物bと第二のレジスト組成物a工程1有機系反射防止膜組成物ARC29A商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて8インチのシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で、205°Cにて60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。次に、第一のレジスト組成物を該有機系反射防止膜上にスピンコートして、膜厚100nmの第一のレジスト膜を形成した。工程2次に、前記で形成された第一のレジスト膜にプレベークPABを行わず、クーリングプレート上で、23°Cにて60秒間静置した後、該レジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60、2/3Annularにより、スペース幅130nm、ピッチ330nmのSLパターンをターゲットとするフォトマスク6ハーフトーンを介して、ArFエキシマレーザー193nmを照射した。工程3次に、60秒間のベーク露光後加熱,PEB処理を行った。その際、ベークの温度条件を、実施例1では110°C、実施例2では90°C、にそれぞれ設定してPEB処理を行った。工程4次いで、23°Cにて、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3商品名、東京応化工業社製で30秒間のアルカリ現像を行った。その後、140°Cで60秒間のベークポストベーク処理を行った。かかる1回目のパターニング工程1~4の結果、実施例1~2のいずれの例においても、それぞれ、スペース幅130nm、ピッチ330nmのSLパターン1が形成した。工程5続いて、第二のレジスト組成物を、前記SLパターン1が形成された前記有機系反射防止膜上にスピンコートし、ホットプレート上で、100°Cにて60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚80nmの第二のレジスト膜を形成した。工程6次に、該第二のレジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60、2/3Annularにより、フォトマスク6ハーフトーンを介して、ArFエキシマレーザー193nmを照射した。このとき、該フォトマスクのSLパターンの向きを、前記SLパターン1に対して直交させ、第二のレジスト膜に形成される潜像を、スペース幅210nm、ピッチ360nmのSLパターン2とした。工程7次いで、90°Cにて60秒間のPEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で30秒間のアルカリ現像を行った。その後、100°Cで60秒間のベークポストベーク処理を行った。かかる2回目のパターニング工程5~7の結果、実施例1及び実施例2のレジストパターン形成方法によれば、SLパターン1と交差するようにSLパターン2が良好に形成され、重ね合わせのパターン狭い寸法のスペースパターンを形成できること、が確認できた。図3は、実施例1及び実施例2のダブルパターニングプロセスにより形成される重ね合わせのパターンを示す概略平面図である。図3中、Y軸方向の第二のレジスト組成物により形成されるSLパターン20は、SLパターン10が存在していないと仮定した場合に形成されるパターン潜像部を示す。具体的には、図3に示すように、第一のレジスト組成物によりSLパターン110をX軸方向と略平行に形成した後、SLパターン110が形成された支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、SLパターン110と直行するSLパターン220をY軸方向と略平行に形成するように、該第二のレジスト膜を露光し、アルカリ現像することにより、重ね合わせのパターンを最終的に形成することができた。<ダブルパターニングプロセスによるレジストパターンの形成2>比較例1~2前記の第一のレジスト組成物と第二のレジスト組成物とを下記のように組み合わせて用い、以下に示すレジストパターン形成方法ダブルパターニングプロセスによりレジストパターン形成を行い、1回目のパターニングで形成されたレジストパターンへの影響を確認した。比較例1:第一のレジスト組成物cと第二のレジスト組成物a比較例2:第一のレジスト組成物dと第二のレジスト組成物a工程1有機系反射防止膜組成物ARC29A商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて8インチのシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で、205°Cにて60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。次に、第一のレジスト組成物を該有機系反射防止膜上にスピンコートし、ホットプレート上で、110°Cにて60秒間の条件でベークプレベーク,PAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚100nmの第一のレジスト膜を形成した。工程2次に、前記で形成された第一のレジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60、2/3Annularにより、スペース幅130nm、ピッチ330nmのSLパターンをターゲットとするフォトマスク6ハーフトーンを介して、ArFエキシマレーザー193nmを照射した。工程3次に、60秒間のベーク露光後加熱,PEB処理を行った。その際、ベークの温度条件を、比較例1では110°C、比較例2では90°C、にそれぞれ設定してPEB処理を行った。工程4次いで、23°Cにて、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3商品名、東京応化工業社製で30秒間のアルカリ現像を行った。その後、140°Cで60秒間のベークポストベーク処理を行った。かかる1回目のパターニング工程1~4の結果、比較例1~2のいずれの例においても、それぞれ、スペース幅130nm、ピッチ330nmのSLパターン3が形成した。工程5続いて、第二のレジスト組成物を、前記SLパターン3が形成された前記有機系反射防止膜上にスピンコートし、ホットプレート上で、100°Cにて60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚80nmの第二のレジスト膜を形成した。工程6次に、該第二のレジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60、2/3Annularにより、フォトマスクを介さず、ArFエキシマレーザー193nmを全面照射した。工程7次いで、90°Cにて60秒間のPEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で30秒間のアルカリ現像を行った。その後、100°Cで60秒間のベークポストベーク処理を行った。かかる2回目のパターニング工程5~7の結果、比較例2のレジストパターン形成方法では、2回目のパターニングにより、1回目のパターニングにより形成されたSLパターン3が消失していることが確認された。これは、第一のレジスト組成物で用いた共重合体中の保護基が、第二のレジスト組成物で用いた共重合体中の保護基と同程度に、酸の作用によって解離しやすいためである。一方、比較例1のレジストパターン形成方法においては、1回目のパターニングにより形成されたSLパターン3が残存していた。しかし、比較例1のレジストパターン形成方法は、1回目及び2回目のパターニングのいずれもポジ型現像プロセスであるため、特に狭い寸法のスペースパターンを形成することが難しい方法である。"