表示領域の画素内に形成された表示素子部と、前記画素内に形成された、前記表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、前記第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、前記第1のフォトセンサ部には、可視光線を検出する第1のフォトダイオードが設けられ、前記第2のフォトセンサ部には、赤外線を検出する第2のフォトダイオードが設けられていることを特徴とする表示装置。請求項1において、前記第1のフォトダイオードは、非晶質シリコンをi型半導体層に用いたpin型フォトダイオードであることを特徴とする表示装置。請求項1または2において、前記第2のフォトダイオードは、結晶性シリコンをi型半導体層に用いたpin型フォトダイオードであることを特徴とする表示装置。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第2のフォトセンサ部には、赤外線を透過し、可視光線を吸収するフィルタが設けられていることを特徴とする表示装置。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記表示素子部は、液晶素子を含んで構成されていることを特徴とする表示装置。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。表示領域の画素内に形成された表示素子部と、前記画素内に形成された、前記表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、前記第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、前記表示領域に外光が入射され、前記外光に含まれる赤外線を前記第2のフォトセンサ部が検出し、前記第2のフォトセンサ部が検出した赤外線量に基づいて、前記第1のフォトセンサ部の受光感度を変更し、前記第1のフォトセンサ部で可視光線を用いた撮像を行うことを特徴とする表示装置の駆動方法。表示領域の画素内に形成された表示素子部と、前記画素内に形成された、前記表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、前記第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、前記表示領域に外光が入射され、前記外光に含まれる赤外線を前記第2のフォトセンサ部が検出し、前記第2のフォトセンサ部が検出する赤外線量に基づいて、前記第1のフォトセンサ部または前記第2のフォトセンサ部のどちらか一方を撮像に用いる手段として選択し、前記第1のフォトセンサ部を用いる場合は、可視光線を用いて撮像を行い、前記第2のフォトセンサ部を用いる場合は、前記赤外線を用いて撮像を行うことを特徴とする表示装置の駆動方法。表示領域の画素内に形成された表示素子部と、前記画素内に形成された、前記表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、前記第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、前記第2のフォトセンサ部が受光時に検出する赤外線の強度によって、前記第1のフォトセンサ部の受光感度を変更し、前記第1のフォトセンサ部で検出した光の強度を信号化し、前記信号から横軸を階調とするヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムを暗い側の階調からカウントし、予め設定されたカウント数に達したときの階調をしきい値とし、前記しきい値を境に画像を明部及び暗部に2値化し、前記暗部となった画素のアドレスから表示領域内における被検出物の位置を判断する表示装置の駆動方法。表示領域の画素内に形成された表示素子部と、前記画素内に形成された、前記表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、前記第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、前記表示領域に外光が入射され、前記外光に含まれる赤外線を前記第2のフォトセンサ部が検出し、前記第2のフォトセンサ部が検出する赤外線量に基づいて、前記第1のフォトセンサ部または前記第2のフォトセンサ部のどちらか一方を撮像に用いる手段として選択し、前記第1のフォトセンサ部を用いる場合は、可視光線を用いて撮像を行い、前記第2のフォトセンサ部を用いる場合は、前記赤外線を用いて撮像を行い、前記第1のフォトセンサ部または前記第2のフォトセンサ部で検出した光の強度を信号化し、前記信号から横軸を階調とするヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムを暗い側の階調からカウントし、予め設定されたカウント数に達したときの階調をしきい値とし、前記しきい値を境に画像を明部及び暗部に2値化し、前記暗部となった画素のアドレスから表示領域内における被検出物の位置を判断する表示装置の駆動方法。上記の様なフォトセンサを搭載する表示装置では、外光が撮像の精度に影響を与えやすい。人の生活環境を考慮した場合、薄暗い室内と晴天の屋外とでは、約10000倍以上の照度の差がある。この広い照度範囲において、フォトセンサに明暗を一様に認識させることは困難であり、フォトセンサを搭載する表示装置をタッチパネルとして用いる場合は、誤認識を起こすことがあった。また、フォトセンサを搭載する表示装置をイメージセンサとして用いる場合、広いダイナミックレンジで撮像をするには、フォトセンサが検出する光の照度に合わせてフォトセンサの感度を調整する必要がある。フォトセンサに適切な感度が与えられていない場合は、露光アンダーまたは露光オーバーとなり、鮮明に撮像を行うことができなかった。従って、開示する本発明の一態様は、上記問題点の少なくとも1つを解決するものである。本発明の一態様は、赤外線を検出できるフォトセンサを有する画素と、可視光線を検出できるフォトセンサを有する画素と、を有し、赤外線の検出によって外光強度を判断し、撮像に用いるフォトセンサの選択や、フォトセンサの感度設定を自動的に行う表示装置に関する。本明細書で開示する本発明の一態様は、表示領域の画素内に形成された表示素子部と、画素内に形成された、表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、第1のフォトセンサ部には、可視光線を検出する第1のフォトダイオードが設けられ、第2のフォトセンサ部には、赤外線を検出する第2のフォトダイオードが設けられていることを特徴とする表示装置である。第1のフォトダイオードにはシリコン半導体を用いたpin型またはpn型のフォトダイオードを用いることができる。特に、可視光線の波長領域に光吸収特性を持つ非晶質シリコン半導体をi型半導体層に用いたpin型が好ましい。第2のフォトダイオードにはシリコン半導体を用いたpin型またはpn型のフォトダイオードを用いることができる。特に、薄膜結晶性シリコンとして形成が容易で赤外線の波長領域に光吸収特性を持つ微結晶シリコン半導体をi型半導体層に用いたpin型が好ましい。このとき、フォトダイオードの受光面上に赤外線を透過し、可視光線を吸収するフィルタを設けておけば、赤外線のみを検出することができる。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、表示領域の画素内に形成された表示素子部と、画素内に形成された、表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、表示領域に外光が入射され、外光に含まれる赤外線を第2のフォトセンサ部が検出し、第2のフォトセンサ部が検出する赤外線量に基づいて、第1のフォトセンサ部または第2のフォトセンサ部のどちらか一方を撮像に用いる手段として選択し、第1のフォトセンサ部を用いる場合は、可視光線を用いて撮像を行い、第2のフォトセンサ部を用いる場合は、赤外線を用いて撮像を行うことを特徴とする表示装置の駆動方法である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、表示領域の画素内に形成された表示素子部と、画素内に形成された、表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、第2のフォトセンサ部が受光時に検出する赤外線の強度によって、第1のフォトセンサ部の受光感度を変更し、第1のフォトセンサ部で検出した光の強度を信号化し、信号から横軸を階調とするヒストグラムを作成し、ヒストグラムを暗い側の階調からカウントし、予め設定されたカウント数に達したときの階調をしきい値とし、しきい値を境に画像を明部及び暗部に2値化し、暗部となった画素のアドレスから表示領域内における被検出物の位置を判断する表示装置の駆動方法である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、表示領域の画素内に形成された表示素子部と、画素内に形成された、表示素子部に併設された第1のフォトセンサ部と、第1のフォトセンサ部が設けられていない画素内に形成された、表示素子部に併設された第2のフォトセンサ部と、を有し、表示領域に外光が入射され、外光に含まれる赤外線を第2のフォトセンサ部が検出し、第2のフォトセンサ部が検出する赤外線量に基づいて、第1のフォトセンサ部または第2のフォトセンサ部のどちらか一方を撮像に用いる手段として選択し、第1のフォトセンサ部を用いる場合は、可視光線を用いて撮像を行い、第2のフォトセンサ部を用いる場合は、赤外線を用いて撮像を行い、第1のフォトセンサ部または第2のフォトセンサ部で検出した光の強度を信号化し、信号から横軸を階調とするヒストグラムを作成し、ヒストグラムを暗い側の階調からカウントし、予め設定されたカウント数に達したときの階調をしきい値とし、しきい値を境に画像を明部及び暗部に2値化し、暗部となった画素のアドレスから表示領域内における被検出物の位置を判断する表示装置の駆動方法である。本発明の一態様により、外光の影響による誤認識を防ぐことのできるタッチパネル機能や、広いダイナミックレンジで撮像することのできる機能を持つ表示装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図面を参照して説明する。図1にその構成の一例を示す。表示装置100は、画素回路101、表示素子制御回路102及びフォトセンサ制御回路103を有する。画素回路101は、行列方向にマトリクス状に配置された複数の画素104を有する。各々の画素104には、表示素子部105、第1のフォトセンサ部106aまたは第2のフォトセンサ部106bを有する例を示してある。第1のフォトセンサ部106aは、撮像を目的とするために設けられ、第2のフォトセンサ部106bは、主に外光の強度を検知するために設けられている。ただし、第2のフォトセンサ部106bで撮像を行う場合もある。該フォトセンサ部は全ての画素に設ける必要はなく、目的に合わせて該フォトセンサ部を形成すればよい。また、画素回路101において、図1に示す様に第1のフォトセンサ部106aが多数を占める場合は一例であり、第2のフォトセンサ部106bが多数を占めても良い。図1に示す表示素子制御回路102は、表示素子部105を制御するための回路であり、ソース信号線ビデオデータ信号線などを介して表示素子部105に信号を入力する表示素子駆動回路107と、ゲート信号線走査線を介して表示素子部105に信号を入力する表示素子駆動回路108を有する。例えば、表示素子駆動回路108は、特定の行に配置された画素が有する表示素子部を選択する機能を有する。また、表示素子駆動回路107は、選択された行の画素が有する表示素子部に任意の電位を与える機能を有する。なお、表示素子駆動回路108によりゲート信号線に高電位を印加された表示素子部では、トランジスタがオンし、表示素子駆動回路107によりソース信号線に与えられる電位が供給される。フォトセンサ制御回路103は、第1のフォトセンサ部106a、及び第2のフォトセンサ部106bを制御するための回路であり、フォトセンサ出力信号線以下、出力信号線と言う及びフォトセンサ基準信号線以下基準信号線と言う等と接続されたフォトセンサ読み出し回路109と、フォトダイオードリセット信号線以下、リセット信号線と言う及びラインを選択するゲート信号線以下、選択信号線と言う等と接続されたフォトセンサ駆動回路110を有する。フォトセンサ駆動回路110は、特定の行に配置された画素が有する第1のフォトセンサ部106aまたは第2のフォトセンサ部106bに対して、後述するリセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有する。また、フォトセンサ読み出し回路109は、選択された行の画素が有する該フォトセンサ部の出力信号を取り出す機能を有する。なお、フォトセンサ読み出し回路109は、アナログ信号であるフォトセンサ部の出力をOPアンプを用いてアナログ信号のまま外部に取り出す構成や、A/D変換回路を用いてデジタル信号に変換してから外部に取り出す構成を含むことができる。なお、上記共通の回路で第1のフォトセンサ部106a及び第2のフォトセンサ部106bを駆動し、フォトセンサ部の出力信号を読み出すことができる。該フォトセンサ部のアドレスが既知であれば、読み出し時にその信号に対する処理を変更することができる。画素104の回路図について、図2を用いて説明する。画素104は、トランジスタ201、保持容量202及び液晶素子203を有する表示素子部105と、第1のフォトダイオード204a、トランジスタ205、及びトランジスタ206を有する第1のフォトセンサ部106aとを有する。なお、ここでは、第1のフォトダイオード204aを有する第1のフォトセンサ部106aについて説明するが、第2のフォトダイオード204bを有する第2のフォトセンサ部106bについても同様の構成とすることができる。表示素子部105において、トランジスタ201は、ゲートがゲート信号線207に、ソース又はドレインの一方がソース信号線210に、ソース又はドレインの他方が保持容量202の一方の電極と液晶素子203の一方の電極に、それぞれ電気的に接続されている。保持容量202の他方の電極と液晶素子203の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子203は、一対の電極の間に液晶層を含む素子である。トランジスタ201は、保持容量202への電荷の注入もしくは排出を制御する機能を有する。例えば、ゲート信号線207に高電位が印加されると、ソース信号線210の電位を保持容量202と液晶素子203に印加する。保持容量202は、液晶素子203に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有する。画像表示は、液晶素子203に電圧を印加することで偏光方向が変化する現象を利用し、液晶素子203を透過する光の明暗階調を作ることで実現される。透過型液晶表示装置の場合、液晶素子203を透過する光の光源にはバックライトを用いる。トランジスタ201は、非晶質シリコン、微結晶シリコン、または多結晶シリコンなどの半導体層を用いて形成することも可能であるが、酸化物半導体を用いて形成することが好ましい。酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めてオフ電流の低い特性を示し、電荷保持機能を高めることができる。なお、ここでは、表示素子部105が液晶素子を有する場合について説明したが、発光素子などの他の素子を有していてもよい。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子であり、具体的には発光ダイオードLEDや有機発光ダイオードOLED等が挙げられる。第1のフォトセンサ部106aにおいて、第1のフォトダイオード204aは、アノードがリセット信号線208に、カソードがトランジスタ205のゲートにゲート信号線213を介して、それぞれ電気的に接続されている。トランジスタ205は、ソース又はドレインの一方が基準信号線212に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ206のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ206は、ゲートが選択信号線209に、ソース又はドレインの他方が出力信号線211に電気的に接続されている。第1のフォトセンサ部106aにおける第1のフォトダイオード204a、及び第2のフォトセンサ部106bにおける第2のフォトダイオード204bには、シリコン半導体を用いたpin型またはpn型のフォトダイオードを用いることができる。第1のフォトダイオード204aは、表示装置にタッチパネル機能やイメージセンサ機能を付与する撮像動作を行うものであり、可視光線の波長領域に光吸収特性を持つフォトダイオードが好ましい。ここでは、該フォトダイオードに、非晶質シリコンをi型半導体層に用いたpin型フォトダイオードを用いる。また、第2のフォトダイオード204bは、後述する外光検知を主に行うものであり、形成が容易で、赤外線の波長領域に光吸収特性を持つフォトダイオードが好ましい。ここでは、該フォトダイオードに、微結晶シリコンをi型半導体層に用いたpin型フォトダイオードを用いる。このとき、フォトダイオードの受光面上に赤外線を透過し、可視光線を吸収するフィルタを設けておけば、赤外線のみを検出することができる。トランジスタ205には、第1のフォトダイオード204aが生成する電気信号を増幅する役割があるため、高い移動度特性が必要である。また、出力信号線211に不必要な電位を出力することを防ぐため、低いオフ電流特性を有することが好ましい。そのため、トランジスタ205には、シリコン半導体を用いて形成したトランジスタを使用することもできるが、極めて低いオフ電流特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを使用することがより好ましい。トランジスタ206は、トランジスタ205が増幅する信号を出力信号線211に出力するための選択トランジスタである。トランジスタ206においても出力信号線211に不必要な電位を出力することを防ぐため、低いオフ電流特性を有することが好ましい。従って上記トランジスタ205と同様、酸化物半導体を用いてトランジスタを形成することが好ましい。例えば、酸化物半導体には、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一つ、または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。次に、フォトセンサ読み出し回路109に含まれるプリチャージ回路について説明する。図2において、画素1列分のプリチャージ回路300は、トランジスタ301、保持容量302、プリチャージ信号線303から構成される。ここで、トランジスタ301にはp-ch型を用いる。なお、プリチャージ回路300の後段に、OPアンプやA/D変換回路を接続することができる。プリチャージ回路300では、画素内におけるフォトセンサ部の動作に先立ち、出力信号線211の電位を基準電位に設定する。図2の構成では、プリチャージ信号線303をLLowとし、トランジスタ301をオンすることで、出力信号線211を基準電位ここでは高電位とするに設定することができる。また、出力信号線211の電位を安定させるために、出力信号線211に保持容量302を設ける。ただし、保持容量302は、出力信号線211の寄生容量が大きい場合には設けなくても良い。なお、該基準電位は、低電位とする構成としても良い。この場合、トランジスタ301にn-ch型トランジスタを用いて、プリチャージ信号線303をHHighとすることで、出力信号線211を低電位に設定することができる。次に、本実施の形態における表示装置に設けられたフォトセンサ部の読み出し動作について、図3のタイミングチャートを用いて説明する。図3では、リセット信号線208の電位RST、選択信号線209の電位SEL、ゲート信号線213の電位GT、出力信号線211の電位OUT、プリチャージ信号線303の電位PCGを上から順に記している。なお、下記のフォトセンサ部の読み出し動作説明において、第1のフォトダイオード204aは、第2のフォトダイオード204bと言い換えることができる。時刻Aにおいて、リセット信号線208の電位RSTをHとすると、第1のフォトダイオード204aに順方向バイアスがかかり、ゲート信号線213の電位GTがリセット電位となる。このリセット電位とは、リセット信号線208の電位RSTのH電位よりも第1のフォトダイオード204aのVf分だけ低い電位である。なお、このリセット電位は、ゲート信号線213の寄生容量及びトランジスタ205のゲート部の容量が信号電荷蓄積部となって保持される。この段階がリセット動作の開始となる。また、プリチャージ信号線303の電位PCGをLとすると、出力信号線211の電位OUTはHにプリチャージされる。ただし、タイミングとしては、時刻Aに限らずトランジスタ205が導通する前であればいつでも良い。時刻Bにおいて、リセット信号線208の電位RSTをLとしてリセット動作を終了させると、第1のフォトダイオード204aに照度に応じた逆方向電流が流れ、ゲート信号線213の電位GTがリセット電位から低下し始める。この段階が累積動作の開始となる。その結果、トランジスタ205のソースとドレイン間に流れる電流が変化する。次に、プリチャージ信号線303の電位PCGをHとし、出力信号線211OUTのプリチャージを終了させる。時刻Cにおいて、選択信号線209の電位SELをHにすると、トランジスタ206がオンし、例えばグラウンド電位とした基準信号線212と、出力信号線211とが、トランジスタ205及びトランジスタ206を介して導通する。この段階が選択動作の開始となる。ここで、出力信号線211の電位OUTが低下する速さは、トランジスタ205のソースとドレイン間の電流に依存する。すなわち、第1のフォトダイオード204aに照射されている光の量に応じて変化する。なお、基準信号線212はグラウンド電位とは限らず、必要な電位を与えても良い。時刻Dにおいて、選択信号線209の電位SELをLにすると、トランジスタ206がオフし、出力信号線211の電位OUTは一定値となる。この段階で累積動作及び選択動作が終了する。ここで、出力信号線211の電位OUTは、累積動作中に第1のフォトダイオード204aに照射されている光の量に応じて変化したものである。従って、出力信号線211OUTの電位を取得することで、累積動作中に第1のフォトダイオード204aに照射されていた光の量を知ることができる。以上のリセット動作、累積動作、及び選択動作を画素マトリクスの行毎に順次繰り返すことで表示パネルに接触又は接近した被検出物の撮像を行うことができる。なお、上記動作は、第1のフォトダイオード204aのカソードがトランジスタ205のゲートに接続された場合の一例である。同様な出力信号を発生させる動作は、第1のフォトダイオード204aのアノードがトランジスタ205のゲート電極に接続した構成の場合においても可能である。先に説明した動作は、ゲート信号線213の電位GTをHに初期化し、第1のフォトダイオード204aに光を照射することによって生じる逆方向電流で放電させ、トランジスタ205を介して出力信号を決定するものである。一方、第1のフォトダイオード204aが図2の第1のフォトダイオード204aと逆に接続された場合は、ゲート信号線213の電位GTをLに初期化し、第1のフォトダイオード204aに光を照射することによって生じる逆方向電流で充電させ、トランジスタ205を介して出力信号を決定することができる。フォトセンサを搭載した表示装置は、外光の強い環境下では撮像の精度が低下する場合がある。人の生活環境を考慮した場合、薄暗い室内と晴天の屋外とでは、約10000倍以上の照度の差がある。そのため、イメージセンサ用途では、フォトセンサを搭載した表示装置の第1のフォトセンサ部106aの感度が屋外などの高照度用途に固定されている場合、フォトセンサを搭載した表示装置は、屋外での撮像には問題が無いが、屋内では露光アンダーになってしまう。逆に第1のフォトセンサ部106aの感度が低照度用途に固定されている場合は、高照度下では露光オーバーになってしまう問題がある。また、タッチパネル用途では、フォトセンサを搭載した表示装置は、高照度下または低照度下の使用において、照度の変化を第1のフォトセンサ部106aが十分に認識できず、入力操作に対して誤認識を起こすことがあった。本発明の一態様は、上記問題を解決するために、自動でフォトセンサ部の感度の切り替えができる構成となっている。本発明の一態様である表示装置は、外光に含まれる赤外線を検出することで外光の照度を把握し、撮像のための第1のフォトセンサ部106aの感度を決定するための役割を持つ第2のフォトセンサ部106bを有している。そのため、外光の照度にかかわらず、常に表示装置を安定動作させることができる。赤外線は太陽光には多く含まれているが、可視光線を発生させる手段として用いられる蛍光灯や発光ダイオードの発光にはほとんど含まれない。つまり、第2のフォトセンサ部106bで検出された赤外線量によって、表示装置の置かれている外部環境が屋内外のどちらであるかの判断を容易に行うことができる。そして、表示装置に、その照度に合わせて第1のフォトセンサ部106aの感度を変更させる機能を持たせれば上述した問題点を解決することができる。これらの具体的な動作をフローチャートに従って説明する。図4は、表示装置をイメージセンサやタッチパネルとして機能させる場合の一部の動作を説明するフローチャートである。先ず、表示装置の表示領域に外光が照射される。この時点において、第2のフォトセンサ部106bは、照射された外光に含まれる赤外線を検出し、表示装置は検出された赤外線量の規定値に対する大小を判別する。ここで、赤外線量の規定値は、表示装置の通常使用が想定される屋内環境下で、例えば白熱電球などの赤外線を含む光が照射された場合に検出される赤外線量よりも大きい値とする。検出された赤外線が規定値よりも多い場合は、表示装置は外部環境が屋外であると判断し、撮像に用いる第1のフォトセンサ部106aを低感度モードに設定する。また、逆に検出された赤外線が規定値よりも少ない場合は、表示装置は外部環境が屋内であると判断し、第1のフォトセンサ部106aを高感度モードに設定する。そして、撮像が開始される。ここで、感度の設定について、前述したフォトセンサの動作説明を用いて一例を説明する。上述した低感度モードとは、光電変換された信号の飽和を抑制する設定である。例えば、ゲート信号線213にリセット電位が供給され、照度Aの光の照射によってフォトダイオードの逆方向電流が大量に流れ、ゲート信号線213の電位が累積動作時間中に一定となり、電位aとなったとする。この様な状況においては、照度Aよりも照度の高い照度Bの光を照射してもゲート信号線213の電位は電位aで一定となり、照度Aと同様の結果となる。つまり、照度Aと照度Bの判別ができない状況である。この照度Aと照度Bをフォトセンサに判別させる例としては、累積動作時間を短くする方法がある。この時間を短くすることで、ゲート信号線213の電位は一定となるまで変化せず、照度Aおよび照度Bのそれぞれに対応した電位となり、照度Aと照度Bの判別ができるようになる。また、リセット電位を変化させ、累積動作時間内にゲート信号線213の電位が一定とならないようにする方法でも照度Aと照度Bの判別ができるようになる。もちろん、リセット電位と累積動作時間の両方を変化させても良い。一方の高感度モードとは、光電変換された信号がノイズと混合されることを抑制する設定である。累積動作時間やリセット電位を低感度とは逆の設定とすれば良い。この様にフォトセンサの読み取りの条件を変えることでフォトセンサの感度を設定することができる。また、本発明の一態様における表示装置は、図4のフローチャートとは異なる動作をさせることができる。ただし、この動作は撮像に赤外線を利用するため、イメージセンサ用途に用いることもできるが、主にタッチパネル用途として用いることが好ましい。この動作を必要とする背景は次の通りである。第1のフォトセンサ部106aに形成される非晶質シリコンを用いた第1のフォトダイオード204aの特性は、低照度から高照度までほぼ線形な出力を示す。しかしながら、直射日光下など、照度が強すぎる場合は、出力電流に対する直列抵抗の影響で傾きが小さくなり、出力が非線形となる場合がある。一方、第1のフォトセンサ部106aの出力が非線形性を示す照度領域においても、赤外線に対して適当な感度を持つ第2のフォトセンサ部106bの出力は線形性を示すことができる。すなわち、極めて照度の高い環境下では第1のフォトセンサ部106aに代わって、第2のフォトセンサ部106bが撮像機能を担うことでタッチパネルとして用いる場合の誤認識を防ぐことができる。上記の動作について、図5のフローチャートを用いて説明する。先ず、表示装置の表示領域に外光が照射される。この時点において、第2のフォトセンサ部は、照射された外光に含まれる赤外線を検出し、表示装置は検出された赤外線量の規定値Aに対する大小を判別する。ここで、赤外線量の規定値Aは、表示装置の通常使用が想定される屋内環境下で、例えば白熱電球などの赤外線を含む光が照射された場合に検出される赤外線量よりも大きい値とする。検出された赤外線量が規定値Aよりも少ない場合、表示装置は外部環境が屋内であると判断し、撮像に用いる第1のフォトセンサ部106aを高感度モードに設定する。以降の動作は、図4のフローチャートと同じである。一方、検出された赤外線量が規定値Aよりも多い場合、表示装置は更に規定値Bに対する大小の判断を行う。この規定値Bとは、第1のフォトセンサ部106aに用いられている第1のフォトダイオード204aの出力が非線形性を示し始める照度とする。この規定値Bよりも赤外線量が少ない場合、表示装置は外部環境が屋外であると判断し、第1のフォトセンサ部106aを低感度モードに設定する。以降の動作は、図4のフローチャートと同じである。そして、規定値Bよりも赤外線量が多い場合、表示装置は、第2のフォトセンサ部106bを用いて撮像を開始する。この様に、図5のフローチャートに示す動作では、赤外線を用いて撮像を行う点が図4のフローチャートの動作と大きく異なる点である。次に、赤外線を検出する第2のフォトセンサ部106bに用いる第2のフォトダイオード204bについて説明する。なお、本明細書において赤外線とは、約0.7μmから約1.2μmの波長の範囲の光のことを言う。図6にi型半導体層に非晶質シリコン、または微結晶シリコンを用いたpin型フォトダイオードの分光感度特性量子効率と一般的な赤外線透過フィルタの透過率を示す。非晶質シリコンを用いたpin型フォトダイオードは、ほぼ可視光線の範囲に感度を持つのに対し、微結晶シリコンを用いたpin型フォトダイオードは、赤外線の波長領域にも感度を有することが図6に示されている。この微結晶シリコンを用いたpin型フォトダイオードの量子効率に赤外線透過フィルタの透過率を乗じた曲線が、該フォトダイオードの赤外線に対する感度を示すものである。ただし、赤外線透過フィルタが透過しない光の損失分は考慮していない。従って、微結晶シリコンを用いた第2のフォトダイオード204bは、赤外線透過フィルタの組み合わせで赤外線を検出できることがわかる。以上により、外光の影響による誤認識を防ぐことのできるタッチパネル機能や、広いダイナミックレンジで撮像することのできるイメージセンサ機能を持つ表示装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、表示装置に搭載されたフォトセンサから出力された信号を処理し、表示装置をタッチパネルとして機能させるための方法について説明する。フォトセンサが搭載された表示装置において、指やペンなどによる表示装置表面への接触を認識するためには、指やペンなどが外光を遮ることで生じる影を撮像する必要がある。この影の撮像と表示領域内での位置の認識は次の様に行う。まず、表示領域内の目的とする位置に指またはペンが触れている状態とし、表示領域全体または表示領域の一部に対して撮像動作を行い、図7Aの画像を取得する。次に、図7Bに示すように影の濃淡を2階調で表す処理を施し、2値白黒判定を行う。そして、影黒の位置を接触位置として抽出する。以上の処理は、CPUを用いてソフトウェアで処理することも可能であるし、専用ハードウェアを用いて処理することも可能である。次に、上記2値判定の方法について説明する。指やペンにより生じる影は、外光の強度により、影の濃淡が異なる。また、接触している指先やペン先のみならず、手のひらやペンの本体などの影が含まれることもある。そのため、上記2値判定を行う際に用いるしきい値の設定が重要である。ここで、しきい値とは、明暗を区別する境のことを言う。本形態におけるしきい値の設定方法及び2値判定の方法を図8のフローチャートを用いて詳細に説明する。まず、画像信号を取得する。ここでは、一例として図7Aに示す画像の信号を取得したとする。次に、取得した画像信号から階調のヒストグラムを作成する。図7Aの画像は、指先やペン先等の影の濃い領域401、指やペン本体等の影の薄い領域403、影を生じさせていない領域405に大きく分けることができる。図7Aの画像を例えば256階調に分けてヒストグラムを作成すると、図9Aに示すようになる。ここで、このヒストグラムを構成する分布411は図7Aの領域401、分布413は領域403、分布415は領域405に対応している。このうち、検出を目的とする位置は、図7Aの領域401であり、更に精度を高めるためには、より影の濃い領域が抽出できるようにすれば良い。図7Aの領域401は、図9Aの分布411に対応するため、分布411に含まれる階調の中からしきい値を選択することで領域401を抽出することができる。更に精度良く抽出するには、図9Bに示すように、影の濃い側暗い側からカウントし、一定以上のカウント数に達した階調または極大値付近の階調をしきい値として設定すれば良い。ここで、一定以上のカウント数や極大値が検出されない場合は、次の画像を取得し、同様のステップでヒストグラムの極大値の検出作業を行う。この様にして、階調を図9Bに示すしきい値よりも暗い側の分布421としきい値よりも明るい側の分布422に2値化することができる。この2値化した状態を画像として表すと図7Bに示すようになり、図7Aの領域401の中の更に影の濃い領域431を抽出できるようになる。この表示装置が、外光が強い環境に置かれている場合、指先やペン先の下にも光が回り込み、相対的に影が明るく撮像される。このような場合には、ヒストグラム全体が明るい方にシフトするので、暗い方から階調をカウントすることで、シフト分を考慮してしきい値を決定することができる図10参照。この場合、しきい値よりも暗い側の分布441としきい値よりも明るい側の分布442に2値化することができる。また、手のひらやペンの本体などの影は、表示装置に接触している部分よりも明るく撮像される。従って、ヒストグラムの暗い方から階調をカウントすることは、指先やペン先の影に相当する部分を先に計数することになる。そのため、同じ被検出物の影でも優先的にその必要とする部分の影を検出することができる。すなわち、ヒストグラムの暗い方からのカウントは大変有効な手段である。この様に影を検出した画素のアドレスから指先やペン先など被検出物の正確な位置を判断することができ、表示装置はこの一連の動作を入力動作として認識できるようになる。つまり、タッチパネルとしての動作を表示装置に付与することができる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、本明細書に開示する表示装置の一例である液晶表示装置について説明する。図11に、液晶表示装置の断面図の一例を示す。本形態における液晶表示装置では、絶縁表面を有する基板1001上に、フォトダイオード1002、トランジスタ1003a、1003b、1003c、保持容量1004、液晶素子1005が設けられている。なお、図11中央の一点鎖線から左側にフォトセンサ、右側に表示素子のそれぞれ一部を示しており、これらの構成は、実施の形態1で説明した画素104の構成と同等である図2参照。トランジスタ1003a、1003b、1003cの構造には、代表例としてトップゲート型を図示してあるが、これに構造を限るものではなく、自己整合型やボトムゲート型などのその他の構造でも良い。フォトセンサに設けられたトランジスタ1003aのゲート電極には配線1030が接続され、該配線はフォトダイオード1002のカソードと電気的に接続されている。この配線1030は、図2に示すゲート信号線213に相当する。なお、配線1030は、保護絶縁膜1031上ではなく、絶縁膜1033上に形成されていても良い。トランジスタ1003aのソース電極またはドレイン電極の一方は、トランジスタ1003bのソース電極またはドレイン電極の一方と接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方は図示がされていない基準信号線と接続されている。また、トランジスタ1003bのソース電極またはドレイン電極の他方は、図示がされていない出力信号線と接続されている。フォトダイオード1002は、p型の導電型を付与する不純物を含むp型半導体層1041、真性半導体の特性を有するi型半導体層1042及びn型の導電型を付与する不純物を含むn型半導体層1043からなり、pin接合を積層型で形成している。代表例としては、i型半導体層1042に非晶質シリコンを用いたフォトダイオードが挙げられる。この場合、p型半導体層1041、及びn型半導体層1043にも非晶質シリコンを用いることはできるが、電気伝導度が高い微結晶シリコンを用いることが好ましい。このi型半導体層1042に非晶質シリコンを用いたフォトダイオードは、光感度が可視光線領域にあり、赤外線による誤動作を防ぐことができる。なお、このi型半導体層1042に非晶質シリコンを用いたフォトダイオードは、実施の形態1に示す可視光線を検出する第1のフォトダイオードに対応する。赤外線を検出する第2のフォトダイオードを形成するには、i型半導体層1042に結晶性シリコンを用いれば良い。実施の形態1では結晶性シリコンに微結晶シリコンを用いる例を示している。ここで、フォトダイオードのアノードであるp型半導体層1041は、信号配線1035と電気的に接続され、カソードであるn型半導体層1043は、上述の様にトランジスタ1003aのゲート電極と電気的に接続されている。なお、信号配線1035は、図2に示すリセット信号線208に相当する。なお、図示はしないが、p型半導体層1041の光入射面側には透光性を有する導電層が設けられていても良い。また、n型半導体層1043の絶縁膜1033の界面側には導電層が設けられていても良い。例えば、配線1030が延在し、n型半導体層1043を覆う様な形であっても良い。これらの導電層を設けることで、p型半導体層1041またはn型半導体層1043の抵抗による電荷の損失を低減することができる。なお、本実施の形態では、フォトダイオード1002がpinダイオードである場合を例示しているが、フォトダイオード1002はpnダイオードであっても良い。この場合は、p型半導体層及びn型半導体層に高品質の結晶シリコンを用いることが好ましい。また、フォトダイオードの構造としては、図12に示す様な横接合型であっても良い。横接合型フォトダイオードのpin接合は、まずi型半導体層を形成し、その一部にp型を付与する不純物とn型を付与する不純物とを添加することでp型半導体層1141、i型半導体層1142及びn型半導体層1143を設けることができる。トランジスタ1003cは、液晶素子の駆動を行うために表示素子に設けられている。トランジスタ1003cのソース電極またはドレイン電極の一方は画素電極1007と電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方は、図示されていないが信号配線に接続されている。保持容量1004は、トランジスタ1003a、1003b、1003cと共に形成することが可能である。保持容量1004の容量配線及び容量電極は、該トランジスタのゲート電極及びソース電極またはドレイン電極を作製する工程において形成され、保持容量1004の容量である絶縁膜は、ゲート絶縁膜を作製する工程において形成される。保持容量1004は、液晶素子1005と並列にトランジスタ1003cのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている。液晶素子1005は、画素電極1007と、液晶1008と、対向電極1009とを有する。画素電極1007は、平坦化絶縁膜1032上に形成されており、トランジスタ1003c及び、保持容量1004と電気的に接続されている。また、対向電極1009は、対向基板1013上に形成されており、画素電極1007と対向電極1009の間に、液晶1008が挟まれている。画素電極1007と、対向電極1009の間のセルギャップは、スペーサー1016を用いて制御することが出来る。図11では、フォトリソグラフィで選択的に形成された柱状のスペーサー1016を用いてセルギャップを制御しているが、球状のスペーサーを画素電極1007と対向電極1009の間に分散させることで、セルギャップを制御することも出来る。なお、図11におけるスペーサー1016の位置は一例であり、スペーサーの位置は実施者が任意に決定することができる。また、液晶1008は、基板1001と対向基板1013の間において、封止材により囲まれている。液晶1008の注入は、ディスペンサ式滴下式を用いても良いし、ディップ式汲み上げ式を用いていても良い。画素電極1007には、透光性を有する導電性材料、例えばインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物IZOIndiumZincOxide、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることが出来る。また、本実施の形態では、透過型の液晶素子1005を例に挙げているので、画素電極1007と同様に、対向電極1009にも上述した透光性を有する導電性材料を用いることが出来る。画素電極1007と液晶1008の間には配向膜1011が、対向電極1009と液晶1008の間には配向膜1012が、それぞれ設けられている。配向膜1011、配向膜1012はポリイミド、ポリビニルアルコールなどの有機樹脂を用いて形成することができ、その表面には、ラビングなどの、液晶分子を一定方向に配列させるための配向処理が施されている。ラビングは、配向膜に圧力をかけながら、ナイロンなどの布を巻いたローラーを回転させて、上記配向膜の表面を一定方向に擦ることで行うことが出来る。なお、酸化珪素などの無機材料を用い、配向処理を施すことなく、蒸着法で配向特性を有する配向膜1011、配向膜1012を直接形成することも可能である。また、液晶素子1005と重なるように、特定の波長領域の光を通すことができるカラーフィルタ1014が、対向基板1013上に形成されている。カラーフィルタ1014は、顔料を分散させたアクリル系樹脂などの有機樹脂を対向基板1013上に塗布した後、フォトリソグラフィを用いて選択的に形成することができる。また、顔料を分散させたポリイミド系樹脂を対向基板1013上に塗布した後、エッチングを用いて選択的に形成することもできる。或いは、インクジェットなどの液滴吐出法を用いることで、選択的にカラーフィルタ1014を形成することもできる。なお、カラーフィルタ1014を用いない構成とすることもできる。また、フォトダイオード1002と重なるように、光を遮蔽することが出来る遮蔽膜1015が対向基板1013上に形成されている。遮蔽膜1015を設けることで、対向基板1013を透過したバックライト光が、直接フォトダイオード1002に照射されることを防ぐことができる。また、画素間における液晶1008の配向の乱れに起因するディスクリネーションが視認されるのを防ぐことができる。遮蔽膜1015には、カーボンブラック、低次酸化チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。または、クロムを用いた膜で、遮蔽膜1015を形成することも可能である。また、基板1001の画素電極1007が形成されている面とは反対の面に、偏光板1017を設け、対向基板1013の対向電極1009が形成されている面とは反対の面に、偏光板1018を設ける。液晶素子は、TNTwistedNematic型の他、VAVerticalAlignment型、OCBOpticallyCompensatedBirefringence型、IPSIn-PlaneSwitching型等であっても良い。なお、本実施の形態では、画素電極1007と対向電極1009の間に液晶1008が挟まれている構造の液晶素子1005を例に挙げて説明したが、本発明の一態様に係る表示装置はこの構成に限定されない。IPS型のように、一対の電極が、共に基板1001側に形成されている液晶素子であっても良い。フォトダイオード1002で検出される外光は、矢印1025で示す向きで基板1001に侵入し、フォトダイオード1002に到達する。例えば、被検出物1021がある場合は、外光が遮られるため、フォトダイオード1002への外光の入射は遮られる。この様にフォトダイオードに入射される光とその影を検出することで液晶表示装置をタッチパネルとして機能させることができる。また、被検出物を基板1001に密着させ、被検出物を透過する外光をフォトダイオードで検出させることにより液晶表示装置を密着型のイメージセンサとして機能させることもできる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態3とは異なる表示装置の一例である液晶表示装置について説明する。以下に説明する事項以外は、実施の形態3の構成と同様とすることができる。例えば、トランジスタ、フォトダイオード、及び液晶素子などは同じ材料で構成したものを用いることができる。図13は、実施の形態3とは異なる表示装置の断面図の一例である。実施の形態3では、フォトセンサを作製した基板側から光が入射するのに対し、本形態では、対向基板側、すなわち液晶層を通してフォトセンサに光が入射する構成となっている。従って、対向基板1013に形成された遮蔽膜1015のフォトダイオード1002と重なる領域には、開口が必要となる。その開口部分には図示したようにカラーフィルタ1014が形成されていても良い。R赤、G緑、B青の個別のカラーフィルタを備えたフォトセンサを画素内に複数配置することでカラーセンサとすることができ、カラーイメージセンサ機能を持たせることができる。また、実施の形態1で説明した赤外線を検出するフォトダイオードを構成するには、例えば結晶性シリコンなどの赤外線に対して感度を持つ半導体層を用いる他、上述したカラーフィルタの形成位置に赤外線透過フィルタを設けることが有効である。なお、簡易的にはR赤のカラーフィルタを用いても良い。なお、実施の形態3ではフォトダイオード1002のp型半導体層1041側から光入射が行える構造としたが、本実施の形態では実施の形態3と同様の構造とした場合に、n型半導体層1043側からの光入射となる。p型半導体層側から光入射を行う理由の1つは、拡散長の短いホールを有効に取り出すこと、すなわちフォトダイオードから電流を多く取り出すことであるが、設計上の電流値が満足すればn型半導体層側から光入射を行っても良い。なお、フォトダイオード1002のp型半導体層1041とn型半導体層1043を入れ替えて形成することで、容易にp型半導体層側からの光入射を行うことができる。ただし、この場合は、トランジスタ1003aのゲート電極との接続がp型半導体層アノード側となるため、実施の形態3の構成とは動作方法が異なる。なお、各動作方法については、実施の形態1を参照されたい。また、図14の様にトランジスタ1003a及びトランジスタ1003b上にフォトダイオード1002を重ねて形成する構成としても良い。もちろん、一方のトランジスタのみに重なる構成としても良い。この場合、図示はしていないが、トランジスタ1003aのゲート電極とフォトダイオード1002のn型半導体層1043の接続を容易に行うことができ、p型半導体層1041側からの光入射も可能となる。また、広い面積にフォトダイオードを形成することができ、受光感度を向上させることができる。なお、図13及び図14の構成において、図示はしないが、フォトダイオード1002の光入射面側には透光性を有する導電層が設けられていても良い。また、フォトダイオード1002の光入射面とは反対側の面には導電層が設けられていても良い。これらの導電層を設けることで、p型半導体層1041またはn型半導体層1043の抵抗による電荷の損失を低減することができる。本実施の形態では、フォトダイオード1002の受光面とは反対側に遮蔽膜2015を設ける。遮蔽膜2015を設けることで、基板1001を透過して表示パネル内に入射したバックライトからの光が、直接フォトダイオード1002に照射されることを防ぐことができ、高精度の撮像を行うことができる。遮蔽膜2015には、カーボンブラック、低次酸化チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。または、クロムを用いた膜で、遮蔽膜2015を形成することも可能である。フォトダイオード1002で検出される外光は、矢印2025で示す向きで対向基板1013に侵入し、フォトダイオード1002に到達する。例えば、被検出物1021がある場合は、外光が遮られるため、フォトダイオード1002への外光の入射は遮られる。この様にフォトダイオードに入射される光の強弱を検出することで液晶表示装置をタッチパネルとして機能させることができる。また、被検出物を対向基板1013に密着させ、被検出物を透過する外光をフォトダイオードで検出させることにより密着型のイメージセンサとして液晶表示装置を機能させることもできる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態では、フォトセンサを有する表示パネルを用いたライティングボード黒板、ホワイトボード等の例を示す。例えば、図15の表示パネル9696の位置にフォトセンサを有する表示パネルを設ける。表示パネル9696は、フォトセンサと表示素子とを有している。ここで、表示パネル9696の表面にはマーカー等を用いて自由に書き込みができる。なお、定着剤が含まれていないマーカー等を用いれば文字の消去が容易である。また、マーカーのインクを落としやすくするため、表示パネル9696の表面は十分な平滑性を有していると良い。例えば、表示パネル9696の表面がガラス基板等であれば平滑性は十分である。また、表示パネル9696の表面に透明な合成樹脂シート等を貼り付けても良い。合成樹脂としては例えばアクリル等を用いると好ましい。この場合、合成樹脂シートの表面を平滑にしておくと好ましい。そして、表示パネル9696は、表示素子を有しているので、特定の画像を表示するとともに表示パネル9696の表面にマーカーで記載することができる。また、表示パネル9696は、フォトセンサを有しているので、プリンター等と接続しておけばマーカーで記載した文字を読み取って印刷することも可能である。さらに、表示パネル9696は、フォトセンサと表示素子を有しているので、画像を表示させた状態で表示パネル9696表面にマーカーで文字、図形等を書き込むことにより、フォトセンサで読み取ったマーカーの軌跡を画像と合成して映し出すこともできる。なお、抵抗膜方式、静電容量方式等のセンシングを用いた場合、マーカー等での書き込みと同時にしかセンシングをすることができない。一方、フォトセンサを用いた場合、マーカー等で書き込んだ後、時間が経った場合でもいつでもセンシングが可能な点で優れている。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、パネルと光源の配置について説明する。図16は、表示パネルの構造を示す斜視図の一例である。図16に示す表示パネルは、一対の基板間に液晶素子、フォトダイオード、薄膜トランジスタなどを含む画素が形成されたパネル1601と、第1の拡散板1602と、プリズムシート1603と、第2の拡散板1604と、導光板1605と、反射板1606と、複数の光源1607を有するバックライト1608と、回路基板1609とを有している。パネル1601と、第1の拡散板1602と、プリズムシート1603と、第2の拡散板1604と、導光板1605と、反射板1606とは、順に積層されている。光源1607は導光板1605の端部に設けられており、導光板1605内部に拡散された光源1607からの光は、第1の拡散板1602、プリズムシート1603及び第2の拡散板1604によって、対向基板側から均一にパネル1601に照射される。なお、本実施例では、第1の拡散板1602と第2の拡散板1604とを用いているが、拡散板の数はこれに限定されず、単数であっても3以上であっても良い。そして、拡散板は導光板1605とパネル1601の間に設けられていれば良い。よって、プリズムシート1603よりもパネル1601に近い側にのみ拡散板が設けられていても良いし、プリズムシート1603よりも導光板1605に近い側にのみ拡散板が設けられていても良い。またプリズムシート1603は、図16に示した断面が鋸歯状の形状に限定されず、導光板1605からの光をパネル1601側に集光できる形状を有していれば良い。回路基板1609には、パネル1601に入力される各種信号を生成もしくは処理する回路、パネル1601から出力される各種信号を処理する回路などが設けられている。そして図16では、回路基板1609とパネル1601とが、FPC1611FlexiblePrintedCircuitを介して接続されている。なお、上記回路は、COGChipOnGlass法を用いてパネル1601に接続されていても良いし、上記回路の一部がFPC1611にCOFChipOnFilm法を用いて接続されていても良い。図16では、光源1607の駆動を制御する制御系の回路が回路基板1609に設けられており、該制御系の回路と光源1607とがFPC1610を介して接続されている例を示している。ただし、該制御系の回路はパネル1601に形成されていても良く、この場合はパネル1601と光源1607とがFPCなどにより接続されるようにする。なお、図16は、パネル1601の端に光源1607を配置するエッジライト型の光源を例示しているが、本発明の表示パネルは光源1607がパネル1601の直下に配置される直下型であっても良い。例えば、被検出物である指1612をパネル1601の上面側から近づけると、バックライト1608からの光が、パネル1601を通過し、その一部が指1612において反射し、再びパネル1601に入射する。各色に対応する光源1607を順に点灯させ、色ごとに撮像データの取得を行うことで、被検出物である指1612のカラーの撮像データを得ることが出来る。また撮像データから位置を認識することができ、表示画像の情報と組み合わせてタッチパネルとして機能させることができる。本実施例は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。本発明の一態様に係る表示装置は、高分解能である撮像データの取得を行うことができるという特徴を有している。よって、本発明の一態様に係る表示装置を用いた電子機器は、表示装置をその構成要素に追加することにより、より高機能化することができる。例えば、本発明の一態様に係る表示装置は、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置代表的にはDVD:DigitalVersatileDisc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る表示装置を用いることができる電子機器としては、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機ATM、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図17に示す。図17Aは表示装置であり、筐体5001、表示部5002、支持台5003等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部5002に用いることができる。表示部5002に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、高分解能である撮像データの取得を行うことができ、より高機能のアプリケーションが搭載された表示装置を提供することができる。なお、表示装置には、パーソナルコンピュータ用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。図17Bは携帯情報端末であり、筐体5101、表示部5102、スイッチ5103、操作キー5104、赤外線ポート5105等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部5102に用いることができる。表示部5102に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、高分解能である撮像データの取得を行うことができ、より高機能のアプリケーションが搭載された携帯情報端末を提供することができる。図17Cは携帯型ゲーム機であり、筐体5301、筐体5302、表示部5303、表示部5304、マイクロホン5305、スピーカー5306、操作キー5307、スタイラス5308等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部5303または表示部5304に用いることができる。表示部5303または表示部5304に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、高分解能である撮像データの取得を行うことができ、より高機能のアプリケーションが搭載された携帯型ゲーム機を提供することができる。なお、図17Cに示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部5303と表示部5304とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。本実施例は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。