磁性膜を有する被処理基板をエッチング処理室でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、塩素を含有する第一のガス以外のガスを用いて前記磁性膜をプラズマエッチングし、前記磁性膜がプラズマエッチングされた被処理基板を前記エッチング処理室から搬出した後、前記エッチング処理室をプラズマクリーニングし、前記プラズマクリーニングは、塩素を含有する第二のガスを用いてプラズマクリーニングする第一のプラズマクリーニングと、前記第一のプラズマクリーニング後に水素を含有するガスを用いてプラズマクリーニングする第二のプラズマクリーニングとを具備することを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記プラズマクリーニングは、前記第一のプラズマクリーニング前に酸素ガスを用いてプラズマクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記第二のガスは、塩素ガスまたは三塩素ホウ素ガスあるいは塩素ガスと三塩化ホウ素ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記水素を含有するガスは、メタノールガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記磁性膜は、少なくとも、鉄、コバルト、ニッケルの一つを含有する膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。ファラデーシールドを具備する誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて磁性膜を有する被処理基板をエッチング処理室でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、塩素を含有する第一のガス以外のガスを用いて前記磁性膜をプラズマエッチングし、前記磁性膜がプラズマエッチングされた被処理基板を前記エッチング処理室から搬出した後、前記エッチング処理室をプラズマクリーニングし、前記プラズマクリーニングは、塩素を含有する第二のガスを用いてプラズマクリーニングする第一のプラズマクリーニングと、前記第一のプラズマクリーニング後に水素を含有するガスを用いてプラズマクリーニングする第二のプラズマクリーニングとを具備し、前記第二のプラズマクリーニングは、前記第一のプラズマクリーニング時に前記ファラデーシールドに印加した電圧より低い電圧を前記ファラデーシールドに印加しながらプラズマクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。塩素を含有する第一のガスを含まない処理ガスにより磁性膜材料の被処理基板をエッチングする第一の工程と、被処理基板を搬出する第二の工程と、エッチング処理室内に塩素を含有する第二のガスによるプラズマを生成する第三の工程と、エッチング処理室内に水素を含有するガスによるプラズマを生成する第四の工程とを有し、前記第一の工程から前記第四の工程までの各工程を順次行う、または、前記第一の工程と前記第二の工程とを繰り返した後、前記第三の工程と前記第四の工程とを行うことを特徴とする磁性膜材料のエッチング処理方法。しかしながら、特許文献1に開示されたプラズマクリーニング方法では、クリーニング処理後にエッチング処理室内に塩素が残留するため、引き続き磁性膜をエッチングすると、エッチング処理室内に残留した塩素成分が被エッチング材料である磁性膜に打ち込まれ、磁気特性を劣化させてしまう問題が生じる。また、エッチング処理室内に残留していた塩素が磁性膜を有するウエハに滞留した状態で、エッチング処理後に大気に晒すと、磁性膜を有するウエハ表面では磁性膜を有するウエハに滞留した塩素と大気中の水分が反応して塩酸が生成され、磁性膜を有するウエハ表面が腐食してしまう問題が生じる。また、特許文献2に開示されたプラズマクリーニング方法では、クリーニングガスにフッ素Fを含んでいるため、エッチング処理室内壁の母材であるアルミニウムAlまたは、エッチング処理室内壁の保護膜であるアルミアルマイトとフッ素Fが反応して揮発性が低いフッ化アルミニウムが生成され、これらがエッチング処理室内に堆積し、このフッ化アルミニウムの堆積による異物が発生する問題が生じる。このため、本発明は、磁性膜をプラズマエッチングし、磁性膜を有するウエハの腐食を抑制するとともに磁性膜がプラズマエッチングされたエッチング処理室内の堆積物を効率的に除去できるプラズマクリーニングを行うプラズマ処理方法を提供することを目的とする。本発明は、磁性膜を有する被処理基板をエッチング処理室でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、塩素を含有する第一のガス以外のガスを用いて前記磁性膜をプラズマエッチングし、前記磁性膜がプラズマエッチングされた被処理基板を前記エッチング処理室から搬出した後、前記エッチング処理室をプラズマクリーニングし、前記プラズマクリーニングは、塩素を含有する第二のガスを用いてプラズマクリーニングする第一のプラズマクリーニングと、前記第一のプラズマクリーニング後に水素を含有するガスを用いてプラズマクリーニングする第二のプラズマクリーニングとを具備することを特徴とする。また、本発明は、ファラデーシールドを具備する誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて磁性膜を有する被処理基板をエッチング処理室でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、塩素を含有する第一のガス以外のガスを用いて前記磁性膜をプラズマエッチングし、前記磁性膜がプラズマエッチングされた被処理基板を前記エッチング処理室から搬出した後、前記エッチング処理室をプラズマクリーニングし、前記プラズマクリーニングは、塩素を含有する第二のガスを用いてプラズマクリーニングする第一のプラズマクリーニングと、前記第一のプラズマクリーニング後に水素を含有するガスを用いてプラズマクリーニングする第二のプラズマクリーニングとを具備し、前記第二のプラズマクリーニングは、前記第一のプラズマクリーニング時に前記ファラデーシールドに印加した電圧より低い電圧を前記ファラデーシールドに印加しながらプラズマクリーニングすることを特徴とする。また、本発明は、塩素を含有する第一のガスを含まない処理ガスにより磁性膜材料の被処理基板をエッチングする第一の工程と、被処理基板を搬出する第二の工程と、エッチング処理室内に塩素を含有する第二のガスによるプラズマを生成する第三の工程と、エッチング処理室内に水素を含有するガスによるプラズマを生成する第四の工程とを有し、前記第一の工程から前記第四の工程までの各工程を順次行う、または、前記第一の工程と前記第二の工程とを繰り返した後、前記第三の工程と前記第四の工程とを行うことを特徴とする磁性膜材料のエッチング処理方法である。本発明の上記の構成により、磁性膜をプラズマエッチングすることができ、磁性膜を有するウエハの腐食を抑制するとともに磁性膜がプラズマエッチングされたエッチング処理室内の堆積物を効率的に除去できるプラズマクリーニングを行うことができる。本発明は、プラズマエッチング装置を用いて磁性膜を塩素を含有するガス以外を用いてプラズマエッチングし、磁性膜のプラズマエッチングが完了したウエハをエッチング処理室から搬出した後、上記エッチング処理室内をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法であり、本発明を構成するプラズマクリーニングは、塩素ガスを用いたプラズマにより磁性膜を含んだ堆積物を除去する工程と、水素を含有するガスを用いたプラズマにより上記エッチング処理室に残留している塩素を除去する工程とを有する。以下に、本発明の各実施形態について説明する。[実施例1]最初に、本発明を適用するプラズマエッチング装置について図1を用いて説明する。エッチング処理室は、プラズマ生成部を形成する石英SiO2もしくはセラミックAl2O3の非導電性材料からなる放電部2と、被処理基板であるウエハ12が載置され、高周波バイアス電力が供給される電極6が配置されたプラズマ処理部3とから構成される。また、プラズマ処理部3は、接地されており、電極6は、絶縁材を介してプラズマ処理部3に配置されている。放電部2の外側には、第一の誘導アンテナ1aと第二の誘導アンテナ1bとからなる誘導アンテナ1と、誘導アンテナ1と放電部2との間に配置され、容量結合アンテナであるファラデーシールド9と、整合器4を介してプラズマを生成するための高周波電力を誘導アンテナ1に供給する第一の高周波電源10とが設けられている。本プラズマエッチング装置は、ファラデーシールド9に整合器4を介して第一の高周波電源10より高周波電圧を印加することによって、放電部2への反応生成物の付着抑制ならびに除去が可能である。エッチング処理室内部には、ガス供給装置5から処理ガスが供給される一方で、排気装置8によって所定の圧力に減圧排気される。ガス供給装置5によりエッチング処理室内部に処理ガスを供給し、該処理ガスを誘導アンテナ1により発生した誘導磁場の作用によりエッチング処理室内にプラズマ7を生成する。また、プラズマ7中のイオンをウエハ12に引き込むため、電極6に第二の高周波電源11により高周波バイアス電圧を印加する。次に、本発明に使用したウエハ12の膜の構造を図2に示す。シリコン基板13上にニッケル鉄NiFeである磁性膜14が成膜されている。また、磁性膜14の上にマスクとしてタンタルTa膜15がパターン形成されている。なお、磁性膜として本実施例では、ニッケル鉄NiFeを用いたが、これに限定されるものではなく、鉄Fe、コバルト鉄CoFe、ニッケル鉄コバルトNiFeCo等でも良い。すなわち、少なくとも、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNiの1つを含有する材料であれば良い。また、本実施例では、マスクとして、タンタルTaを用いたが、本発明はタンタルTaに限定されず、タンタルTa以外のハードマスク、レジストマスクまたは、レジストマスクとハードマスクが積層されたマスクでも良い。次に、本発明のプラズマ処理方法を図3に示すプラズマ処理フローを用いて説明する。最初に、図2に示すようなウエハ12を搬送装置図示せずによりエッチング処理室内の電極6に載置するS1。次に、ウエハ12の磁性膜14をタンタルTa膜15をマスクとして、表1のようにCOガスのガス流量を60ml/min、処理圧力を03Pa、プラズマ生成用高周波電力を1200W、電極6に供給する高周波バイアス電力を500W、ファラデーシールド9に印加する高周波電圧以下FSVと称するを100Vとするプラズマエッチング条件にてプラズマエッチングを行うS2。ここで、本実施例では、磁性膜14のエッチング用のガスをCOガスとしたが、COガスとNH3ガスとの混合ガス、CO2ガス、CH3OHガス、C2H5OHガス、C3H7OHガス、CH3COCH3ガスでも良い。つまり、本発明としては、塩素を含有するガス以外のガスであれば良い。次に、磁性膜14のプラズマエッチングが完了したウエハ12を搬送装置図示せずによりエッチング処理室から搬出し、ダミーウエハをエッチング処理室内の電極6に載置するS3。但し、本発明では、磁性膜14のプラズマエッチングが完了したウエハ12をエッチング処理室から搬出することは必須であるが、ダミーウエハをエッチング処理室内に搬入することは、必ずしも必須というわけではない。次に、表2のようにCl2ガスのガス流量を100ml/min、処理圧力を10Pa、プラズマ生成用高周波電力を1800W、電極6に供給する高周波バイアス電力を100W、FSVを600Vとする第一のプラズマクリーニング条件にてエッチング処理室内に堆積したニッケル、鉄を含む堆積物をプラズマクリーニングするS4。第一のプラズマクリーニングにより、エッチング処理室内に堆積したニッケル、鉄、タンタルを含む堆積物を除去できる理由は以下の通りである。磁性膜14のプラズマエッチング中は、被エッチング材料である磁性膜14のニッケルNi、鉄FeがCOガスの励起活性種と反応することにより、蒸気圧の高い金属カルボニルのNixやFexが生成される。また、高いイオン入射エネルギーによってニッケルNi、鉄Feとマスク材料のタンタルTaも単体で弾き飛ばされる。このため、図4に示すようにセラミックAl2O3製の放電部2の内壁及び、その周辺には、ニッケル、鉄、タンタルを含む堆積物が付着する。この付着した堆積物が多くなると、エッチング処理室の内壁から剥がれ落ちて異物となる。また、放電部2の内壁に堆積物が多く付着するとプラズマ状態に変化をもたらし、エッチング速度や均一性、エッチング形状等のエッチング性能に経時的な変化を引き起こしてしまう。そのため、安定したエッチング性能を得るためには、この堆積物を除去する必要がある。この堆積物を除去するために、塩素ガスを用いたプラズマにより、エッチング処理室内をプラズマクリーニングすると、図5に示すようにエッチング処理室の内壁に付着したニッケルNi、鉄Fe、タンタルTaを含む堆積物は、塩素Cl2ラジカルと反応して塩化物となり、除去される。また、上記の堆積物は、被エッチング材料である磁性膜14から構成されているため、第一のプラズマクリーニングとしては、磁性膜14のプラズマエッチングに使用した一酸化炭素COガスによるプラズマを用いてもエッチング処理室内の堆積物除去は可能である。しかし、塩素含有ガス以外のガスによる磁性材料のプラズマエッチングの速度は非常に遅いため、短時間での効率的な反応生成物の除去は困難である。例えば、塩素ガスと一酸化炭素ガスでの磁性膜のプラズマエッチング速度を比較すると、表3に示すように一酸化炭素ガスは塩素ガスに比べて磁性膜のプラズマエッチング速度がかなり遅い。この特性は、以下の理由による。鉄またはニッケルの塩化物FeClx、NiClxの蒸気圧は非常に高く揮発し易い。一方、金属カルボニルの蒸気圧は高く揮発し易いが、炭素系のエッチング阻害物が同時に生成されるため、磁性膜のエッチング速度が遅くなる。このような理由から、本発明の第一のプラズマクリーニングとして、塩素ガスを用いたプラズマを用いることとした。また、本実施例での第一のプラズマクリーニング用のガスとして、塩素Cl2ガスを用いたが、三塩化ホウ素BCl3ガス、塩素Cl2ガスと三塩化ホウ素BCl3ガスとの混合ガスでも本実施例と同様な効果を得ることができる。つまり、第一のプラズマクリーニング用のガスとしては、塩素を含有するガスを用いれば良い。次に、第一のプラズマクリーニングが完了した後、次のウエハ12の磁性膜14を第一のプラズマクリーング後のエッチング処理室でプラズマエッチングすると、例えば放電部2の材料に含まれるアルミニウムAlと第一のプラズマクリーニング後にエッチング処理室内に残留した塩素が反応して生成されたアルミニウムの塩化物AlxClxまたは、エッチング処理室内に残留した微量の塩素がエッチング処理室の内壁に付着しているため、塩素成分が被エッチング材料である磁性膜に打ち込まれ、ウエハ12から製造される半導体素子の磁気特性を劣化させてしまう。また、磁性膜14のプラズマエッチングが完了したウエハ12上に上記の塩素成分が残留した状態で大気に晒すと、上記ウエハ12表面に大気中の水分と残留塩素成分が反応して塩酸が生成されて上記ウエハ12が腐食してしまう。このため、本発明では、第一のプラズマクリーニング完了後に、第一のプラズマクリーニングによるエッチング処理室内に残留した塩素を除去するために、表4のようにCH3OHガスのガス流量を100ml/min、処理圧力を10Pa、プラズマ生成用高周波電力を1800W、電極6に供給する高周波バイアス電力を100W、FSVを100Vとする第二のプラズマクリーニング条件にてエッチング処理室内をプラズマクリーニングするS5。第二のプラズマクリーニングを第一のプラズマクリーニングが実施されたエッチング処理室に実施すると、図6に示すようにメタノールCH3OHガスプラズマから発生した水素成分と第一のプラズマクリーニングが実施されたエッチング処理室の内部に残留する塩素とを反応させて揮発し易い塩化水素HClを生成させることにより第一のプラズマクリーニングが実施されたエッチング処理室の内部に残留した塩素成分を除去することができる。また、第二のプラズマクリーニングでのFSVは、第一のプラズマクリーニング時のFSVより低いため、放電部2の内壁だけでなく、より広範囲にプラズマを形成することができる。このため、エッチング処理室内全域に残留した塩素成分の除去が可能となる。また、本実施例では、第二のプラズマクリーニング用のガスとして、メタノールCH3OHを使用したが、水素H2、メタンCH4、エタンC2H6、プロパンC3H8、ブタンC4H10、エタノールC2H5OH、プロパノールC3H7OH、アセトンCH3COCH3、アンモニアNH3、水H2Oでも同様な効果を得ることができる。言い換えると、第二のプラズマクリーニング用ガスとしては、水素を含有するガスを用いれば良い。次に、第二のプラズマクリーニング後は、電極6に載置されたダミーウエハを搬送装置図示せずによりエッチング処理室から搬出し、次のウエハ12を搬送装置図示せずによりエッチング処理室内の電極6に載置するS6。次に、電極6に載置されたウエハ12の磁性膜を表1に示す条件にてプラズマエッチングするS2。以後、所定枚数のウエハ12の磁性膜14のプラズマエッチングが完了するまで、上述したフローを繰り返す。以上、上述した本実施例により、塩素を含有するガス以外のガスを用いた磁性膜のプラズマエッチングにおいて、磁性膜のプラズマエッチングが行われたウエハから製造される半導体素子の磁気特性を劣化させることなく、磁性膜のプラズマエッチングにより発生した反応生成物に起因したエッチング処理室内壁の堆積物を効率的に除去できるとともに磁性膜のプラズマエッチングが完了したウエハの腐食を防止できる。また、異物の発生を抑制し、プラズマエッチング性能の経時変化を抑制できる。[実施例2]実施例1で説明した本発明のプラズマ処理方法では、磁性膜のプラズマエッチング中に炭素系の堆積物が多く発生すると、S4ステップの第一のプラズマクリーニングの負担が大きくなり、第一のプラズマクリーニングの処理時間が増加してしまう。これは、第一のプラズマクリーニング用のガスとして、塩素を含有するガスを用いているため、炭素系の堆積物の除去速度はあまり速くない。このため、本実施例では、実施例1と同様の効果を得ることができ、さらに磁性膜のプラズマエッチング後のエッチング処理室内に堆積した炭素系の堆積物が多い場合でも、第一のプラズマクリーニングの処理時間を増加させることなく、炭素系の堆積物を効率的に除去できるプラズマ処理方法について説明する。本実施例の本発明は、図7に示す通り、S3のステップ後に行われる第三のプラズマクリーニングをエッチング処理室に行うS7だけ実施例1とは異なる。また、図7に示すS1からS6の各ステップは、実施例1でのS1からS6の各ステップと同様の処理を行うため、本実施例ではS1からS6の各ステップの説明を省略する。また、本実施例のプラズマ処理において用いるプラズマエッチング装置とウエハ12は、実施例1と同様であるため、説明を省略する。本発明のプラズマ処理方法は、S1からS3までの各ステップを実施した後、磁性膜14のプラズマエッチングの際にエッチング処理室に堆積した炭素系の堆積物を除去するために、表5のようにO2ガスのガス流量を100ml/min、処理圧力を10Pa、プラズマ生成用高周波電力を1800W、電極6に供給する高周波バイアス電力を100W、FSVを600Vとする第三のプラズマクリーニング条件にてエッチング処理室内をプラズマクリーニングするS7。エッチング処理室に第三のプラズマクリーニングを実施すると、図8に示すように、酸素O2ガスプラズマから発生した酸素ラジカルが炭素系の堆積物と反応し、一酸化炭素COや二酸化炭素CO2などの揮発しやすい化合物を生成させることによって、炭素系の堆積物を除去することができる。次に、第三のプラズマクリーニングを実施した後は、S4からS6の各ステップを行う。そして、所定枚数のウエハ12の磁性膜14のプラズマエッチングが完了するまで、S2、S3、S7、S4、S5、S6の順番で各ステップを繰り返す。以上、上述した本実施例により、実施例1と同様の効果を得ることができるだけでなく、さらに磁性膜のプラズマエッチング後のエッチング処理室内に堆積した炭素系の堆積物が多い場合でも、第一のプラズマクリーニングの処理時間を増加させることなく、炭素系の堆積物を効率的に除去できる。実施例1及び実施例2では、プラズマエッチング装置としては、誘導結合型プラズマエッチング装置の例で説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、マイクロ波プラズマエッチング装置、容量結合型プラズマエッチング装置、ヘリコン型プラズマエッチング装置等でも適用できる。