マニピュレータと、前記マニピュレータに接続された筒状の軸受けと、前記軸受けに結合された中央部と、前記中央部に結合された先端部とを有するプローブ装置であって、前記先端部が前記中央部に対し、非固定状態となりうることを特徴とするプローブ装置。前記軸受けに対し、前記中央部が軸回りに回転可能に結合されたことを特徴とする請求項1記載のプローブ装置。前記非固定状態への遷移に圧電素子による制御構造を用いたことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のプローブ装置。前記請求項1乃至前記請求項3のいずれか一項に記載したプローブ装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線照射装置。上記荷電粒子線を照射して帯電を打ち消す方法では、一次荷電粒子の加速電圧、照射電流量、試料の材質、または、その設置方法によって帯電の度合いが異なるため、過不足なく試料の帯電を打ち消す荷電粒子線の照射条件を見出すことは非常に困難である。また、上記特許文献1に係る帯電防止方法では、観察毎に最適な荷電粒子照射条件を設定する必要がないため帯電防止を容易に行うことが可能である。しかしながら、一般にFIB加工では、作製した断面を観察する際はFIB装置内で加工断面の法線とイオンビームの入射軸が鋭角となるように試料台を傾斜させる必要がある。一方、針状プローブは金属または半導体から構成されているため、プローブを試料表面に接触させたまま試料台を傾斜させると、その先端が試料台の回転軸中心からずれている場合には試料台回転中にプローブが折れたり、曲がったりする可能性がある。上記特許文献1では、この試料台を傾斜させる前にプローブをいったん試料表面から離し、試料台傾斜後に再び試料表面に接触させることでプローブが折れたり、曲がったりすることを防止している。微小領域での試料摘出方法として、上記特許文献2に記載のマイクロサンプリング法がよく知られている。このマイクロサンプリング法による試料摘出には針状のプローブが用いられる。帯電防止と共にマイクロサンプリング法による試料摘出を行う場合がある。しかしながら、このように帯電防止を行うと共に、微小な断面加工を繰り返して、その都度断面観察を実施したい場合には、試料台の傾斜毎にプローブの離脱と接触を繰り返さなければならず、操作が煩雑となると共に時間もかかる。さらにプローブの接触または離脱の操作毎に試料表面とプローブとの位置確認のため、試料表面の二次荷電粒子像を観察する必要がある。これにより試料表面にはイオンビーム照射による試料汚染や損傷の増大を招き、試料最表面の状態を観察したい場合には致命的な問題となる。本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、帯電防止を行うと共に、微小な断面加工を繰り返して、その都度断面観察する場合において、試料台傾斜時に煩雑な操作をすることなく、マイクロサンプリング法による試料摘出に前記帯電防止法を用いたプローブ装置を使用する方法と、この機能を備えた荷電粒子線照射装置を提供するためのものである。この発明に係るプローブ装置は、マニピュレータと、前記マニピュレータに接続された筒状の軸受けと、前記軸受けに結合された中央部と、前記中央部に結合された先端部とを有するプローブ装置であって、前記先端部が前記中央部に対し、非固定状態となりうることを特徴とするものである。本発明によれば、荷電粒子線照射装置において、プローブを用いた除電及び微小資料の抽出を同一装置内で行う場合に、プローブの先端位置が自由に動かせるため、試料台の回転時または加工時に、プローブが折れたり曲がったりすることなく帯電防止が可能である。また、プローブを試料表面に接触させたままの状態で試料台の回転が可能であるため、プローブの離脱及び接触を繰り返す必要がなく、煩雑な作業及びその作業時間を低減することができる。実施の形態1.次に、この発明の実施の形態1を図に基づいて説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似する部分には、同一又は類似の符号を用いている。但し、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を参酌した上で判断すべきであり、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が実際の場合と異なる場合もありうる。図1は、本発明の実施の形態1に係るFIB装置の試料室内を示す概略図である。図を用いてFIB装置の試料室内の機能について説明する。ここで試料室内は真空である。図において、FIB光学系1は集束イオンビームの発生とその制御を行う。試料台2は試料の加工位置をFIB光学系1の直下に移動させるためにXYZ軸方向に可動する。また、試料台2はFIB加工後の断面観察やマイクロサンプリングによる試料摘出を実施するために、イオンビームの照射方向に対して傾斜させ角度を持たせることができる。試料3の表面は、半導体ウェハー、集積回路等の加工及び観察対象の面であり帯電防止の対象でもある。また、試料3の表面はFIB光学系1により照射された荷電粒子4が試料表面に蓄積され正に帯電する。電粒子ガス銃5はフェナントレン等の炭素源を供給するためのものであり、イオンビームアシストによる炭素デポジション膜の形成に関わる。プローブ6を用いて帯電防止またはマイクロサンプリングを実施する。プローブ6は導電性材料からなり、グランドアース7に接地されているため、試料表面に接触させることで電子8を供給し、帯電した電荷を中和することができる。プローブ6はその全体位置をマニピュレータ図示は省略で操作可能であり、また、プローブ6の先端位置を固定することも、動作可能とし自由度を持たせることもできる。試料台2及びプローブ6等の操作は、試料室外からコンピュータ等により制御する。図2は、本発明の実施の形態1に係るプローブの先端の機能を示す概略図である。図において、プローブ6は全体位置を操作するマニピュレータに接続された筒状の軸受け201と、軸受け201に結合され、軸回りに回転可能な軸つきの中央部203と、軸受け201と中央部203とを回転可能に結合する第一可動部202と、中央部203に設けられ先端部205を試料台2に平行な面内で動作可能な第二可動部204を有する。図3は第一可動部202の構造を示す断面図である。図はプローブ6の径方向の断面を示す。軸受け201には圧電素子206が設けられている。ここでは、十字方向に4箇所206a、206b、206c、及び、206d設けられているが、特に4箇所に限ったものではない。2箇所であっても、6箇所であっても、または、8箇所であってもよく。それ以上であっても構わない。圧電素子206は所定電圧を印加することで膨張または収縮を制御可能な性質を有するもので、例えば、圧電セラミックスの応用製品である圧電アクチュエータなどを用いることができるFDK株式会社技術資料圧電セラミックスBZ-TEJ001-021117貢参照。図3aは、第一可動部202が回転可能な状態を示す断面図である。圧電素子206に電圧を印加するかまたは印加しないかにより収縮させることで第一可動部202は自由度を持ち、回転軸207の周りで回転することができる。図において、圧電素子206と回転軸207との間は図示の関係上相当な距離を有しているが、実際には圧電素子206と回転軸207の摩擦力が回転力に対し小さくなりさえすれば回転することができるため、かすかに離れる程度でも、または接していてもかまわない。また、図3bは、第一可動部202が固定された状態を示す断面図である。圧電素子206に電圧を印加するかまたは印加しないかにより膨張させることで第一可動部202を固定することができる。図4は第二可動部204の構造を示す断面図である。図はプローブ6の長手方向の断面を示す。図4aは第二可動部204が固定されていない可動状態非固定状態を示す断面図である。圧電素子209に電圧を印加するかまたは印加しないかにより収縮させることで、圧電素子209と先端部205との間に隙間ができ、第二可動部204は自由度を持ち動作することができる。図において、圧電素子209と先端部205との間は図示の関係上相当な距離を有しているが、実際には圧電素子209と先端部205との間に隙間ができさえすれば動作することができる。なお、隙間が大きくなればなるほど自由度は増すが、かすかに離れる程度でも、先端部205の支点208の位置等により所定の値に設定することが可能である。ここでは、圧電素子209は断面方向に2箇所209a及び209b設けられているが、特に2箇所に限ったものではない。4箇所であっても、6箇所であっても、または、8箇所であってもよく。それ以上であっても構わない。また、図4bは、第二可動部204が固定された状態を示す断面図である。圧電素子209に電圧を印加するかまたは印加しないかにより膨張させることで第二可動部204を圧電素子209aと圧電素子209bとで両側から押さえつけ固定することができる。なお、ここでは支点208を軸で構成し一平面内での回転運動のみできる構成を示しているが、支点208を点で構成することにより一平面内に限らず動作可能なことはいうまでもない。ここで、支点208を点で構成する構造としては、一例としては、図5に示すようなはめ込み構造210が考えうる。しかし、この構造に限られたものではない。なお、図5はプローブ6の可動状態非固定状態を示した図であるが、固定状態については上記図4bの支点部分をはめ込み構造210とすることで容易に想像可能なためここでは省略する。また、このような構造でプローブ6を固定するためには、図3bで示したのと同様に4点で固定することにより、より確実に固定することができる。図6は、試料台2を傾斜させない状態の試料3とプローブ6との先端部205の位置関係を示す模式図である。試料3の表面加工または観察を行う際、試料台2に機械的な微動が発生した場合でも先端部205に自由度を持たせておくことで、先端部205が試料台2の微動に追随し移動するため、先端部205に無理な力がかかり変形することなく試料3の表面の帯電を防止することができる。図7は、試料台2を図6の状態から傾斜させた場合の試料3とプローブ6との先端部205の位置関係を示す模式図である。このとき第一可動部202及び第二可動部204により、中央部203及び先端部205に自由度を持たせることで、プローブ6の接触位置が試料台2の傾斜の回転軸中心からずれている場合にプローブ6の先端にかかる力の方向へ添って先端部205が移動するため、プローブ6の先端が折れる若しくは曲がってしまうことを防止することができる。そのため試料3を傾斜させるに際して、試料台2を傾斜させる度にプローブ6の先端と試料3の表面とを切り離す必要がなくなるため、試料台2を傾斜させる度毎にプローブ6と試料3とを分離させ、また接着させる回数を大幅に低減することができる。試料3の断面を微小量ずつ加工し、その都度観察を行う場合には作業効率、試料3の表面の損傷の程度に大きな差が現れる。図8は試料3から、微小試料211を摘出する際のプローブ6の状態を示す模式図である。図において、先端部205と微小試料211は炭素デポジション膜212により接着されている。このとき、第一可動部202及び第二可動部204が固定されることにより、先端部205は固定されている。これによりプローブ6の先端が固定され、サブミクロン単位の位置制御精度が要求されるマイクロサンプリングが実施可能となる。以上から明らかなとおり、本発明に係るプローブ装置は、加工中は先端部の損傷なく試料の表面の帯電を防止する機能を持ち、微小試料を摘出する際には、その機能を有するもので、一連の作業の中で両機能をそれぞれの機能に応じた適切な状態で使い分けることができ、効率よく作業が行えるものである。実施の形態2.上記実施の形態1では、プローブの先端の可動機構を圧電素子により実現していたが、この実施の形態2に示すようにバネを用いても同様の機能が得られる。図9は、この実施の形態に係るプローブの先端部分を示す断面図である。マニピュレータ図示は省略で操作可能な支持部31と、この支持部31と先端部33との間に接続されたバネ部32と、支持部31に固定され、バネ部32を覆う中空部34と、支持部31に設けられた押さえ部35から構成されている。aに示すように、押さえ部35をマニピュレータからの操作により引っ込めることで、先端部33はバネ部32によってのみ支持される状態となり、先端部33は動作可能となる。一方、bに示すように、押さえ部35をマニピュレータからの操作により突き出すことで、先端部33の底部36が中空部34の止め部37に押さえつけられ、先端部33が固定される。前記押さえ部35は棒状で支持部31からせり出す機構を想定しているが、先に述べた圧電素子を用いて構成してもよい。なお、上記実施の形態に係るプローブ装置及びそれを用いた荷電粒子線照射装置では、コンピュータプログラムにより、可動状態非固定状態と固定状態とを装置の稼動状態に合わせて予め設定しておくことで制御可能である。また、プローブの先端が自由度を持つが固定はできない場合は、プローブの先端と摘出試料とが振動するため、サブミクロン単位での試料位置制御が求められるマイクロサンプリングを実施することは不可能であるが、本発明に係るプローブ装置及びそれを用いた荷電粒子線照射装置では、先端が可動状態と固定状態とで制御可能であるため、マイクロサンプリングを適切に実施することができる。また、試料表面への一次荷電粒子線照射時間を大幅に短縮することができるため、観察部位やその周囲の汚染や損傷を最小限に留めた帯電防止を実施することができる。