光照射ユニットからの放射光を略矩形状のパターン形成部を有するワークに照射させる光処理装置において、前記光照射ユニットは、ケーシングと、このケーシングの内部に配置された紫外線放射ランプと、ケーシングの一面に設けられた矩形状の光透過性窓部材とよりなり、前記光透過性窓部材と前記パターン形成部の一辺同士が平行ではないことを特徴とする光処理装置。前記光透過性窓部材と前記パターン形成部はともに正方形であって、お互いの対角線同士は45°にて交差していることを特徴とする請求項1の光処理装置。前記ランプの長手方向に伸びる中心線と、前記パターン形成部の一辺が交差していることを特徴とする請求項1の光処理装置。前記ワークはナノインプリント用テンプレートであることを特徴とする請求項1又は請求項2の光処理装置。前記紫外線放射ランプは、外部に一対の電極を有するエキシマランプであることを特徴とする請求項1又は請求項2の光処理装置。この発明が解決しようとする課題は、ナノインプリントのテンプレートの洗浄について、テンプレートを損傷させることのない新規な装置を提供することにある。ここで、本発明の課題をもう少し具体的に説明する。図8は本発明の前提となる装置未公開を示すものであって、aは装置を上面から見た構造を示し、bは装置内部の構造を示す。ケーシング10の内部には紫外線放射ランプ11以下、ランプともいうが配置されている。ケーシング10の一面には、例えば石英ガラスなどの光透過性部材が装着されて窓部材12となっている。窓部材12の直上には、例えば、ナノインプリントのテンプレートなどのワークWが図示略の保持部材で保持されている。ワークWは例えば正方形であって、窓部材12も同様に正方形で構成される。図8aに示すように、ワークWと窓部材12を重ねて眺めると、両者は一辺同士が交差することなく、すなわち、両者の対角線は互いに重なるような位置関係になっている。窓部材12からワークWに向けて放射される紫外線は、窓部材12およびワークWの中心ほど高く、周囲に向かうにつれて放射状に低くなる。図9は窓部材12における紫外線の放射照度を示し、照度の高いエリアがH、照度を中程度のエリアがM、照度が低いエリアがLで表現されている。なお、図においては、便宜上、窓部材を9個のエリアに分割して3段階でレベル分けしているが、実際にはアナログ的に低下している。中心ほど照度が高く、周辺ほど照度が低い理由について、図8bを使って説明すると、窓部材12の中心点のほぼ直下にあるランプ表面上の位置P1からの放射光L11、L12、L13は図示のように窓部材12を照射する。一方、窓部材12の周囲のほぼ直下にあるランプ表面上の位置P2や位置P3からの放射光L21、L22、L31、L32もそれぞれ図示のように窓部材12を照射する。このため窓部材12の周囲ほど、ランプ11から受ける放射光が少ないことがわかる。もちろん、ケーシング10がワークWに対して十分に大きく、すなわち、ワークWの大きさに比べて、光源ランプ11あるいは窓部材12を大きく設計すれば、このような問題は解消するかもしれない。しかし、この種の装置は小型化が常に求められるため、必要以上の大きさに設計することは現実的ではない。同様に、ケーシング10の高さも抑えなければならず、すなわち、ランプ11の放射面と窓部材12は、例えば30mmと小さいのが現実である。従って、本発明に係る光処理装置は、このような事情に鑑みて、ワークWの寸法に対して可能な限り小さな光源ランプ11と窓部材12を使いつつ、窓部材12の放射光を効果的に利用することを目的とするものである。上記課題を解決するために、この発明に係る光処理装置は、光照射ユニットからの放射光を略矩形状のパターン形成部を有するワークに照射させる装置であり、前記光照射ユニットは、ケーシングと、このケーシングの内部に配置された紫外線放射ランプと、ケーシングの一面に設けられた矩形状の光透過性窓部材とよりなり、前記光透過性窓部材と前記パターン形成部の一辺同士が平行ではないことを特徴とする。さらに、光処理装置は、前記光透過性窓部材と前記パターン形成部はともに正方形であって、お互いの対角線同士は45°にて交差していることを特徴とする。さらに、光処理装置は、前記ランプの長手方向に伸びる中心線と、前記パターン形成部の一辺が交差していることを特徴とする。さらに、光処理装置は、前記ワークはナノインプリント用テンプレートであることを特徴とする。さらに、光処理装置は、前記紫外線放射ランプが外部に一対の電極を有するエキシマランプであることを特徴とする。従って、本発明に係る光処理装置は、このような事情に鑑みて、ワークWの寸法に対して可能な限り小さな光源ランプ11と窓部材12を使いつつ、窓部材12の放射光を効果的に利用することを目的とするものである。以下、この発明の光処理装置を具体的に説明する。図1は本発明に係る光処理装置の光源ユニットを模式的に示したものであり、図2は光源ユニットの説明用断面図を示す。光源ユニット20は、例えば、ナノインプリント装置におけるテンプレートワークWの表面を光洗浄処理するために用いられるものである。光源ユニット20は略直方体のケーシング10によって全体形状が形成されている。ケーシング10の内部はランプ収容室21および電源収容室22が隔壁23を介して並ぶように形成されている。ケーシング10のランプ収容室21の壁部の一部には、例えば石英ガラスよりなる窓部材12が枠部材13によって固定されている。ランプ収容室21には紫外線放射ランプ11以下、単にランプともいうが配置されている。電源収容室22にはランプ11に電力を供給するための昇圧トランス24が配置されている。なお、ランプ11は紫外線、特に真空紫外線を放射するものが望ましく、キセノンガスを封入したエキシマランプが好適である。そして、エキシマランプの場合は高電圧を必要とすることから、通常はトランス24のみをランプの近傍に設置するとともに、インバータ回路などはランプから離隔することが望ましい。本実施例ではインバータ回路はケーシング10の外部に配置している。図3は紫外線放射ランプ11の一例であるエキシマランプを示す。エキシマランプ11は内部に放電空間が形成された全体が扁平な放電容器30を有する。放電容器30の両端には口金31が設けられている。放電容器30の外面には一対の網状電極32が例えばスクリーン印刷により形成される。放電容器30は紫外線を好適に透過する材料、例えば石英ガラスにより構成され、その内部には、誘電体バリア放電により紫外線を発光する物質、例えば、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、これら希ガスに加えて臭素、塩素、ヨウ素などのハロゲンガスが封入される。代表的な放射波長は、封入ガスとしてキセノンを使った場合は172nm、アルゴンとヨウ素を使った場合は191nm、アルゴンとフッ素を使った場合は193nmとなる。これらガスの封入圧力は例えば10~100kPaである。なお、光源ユニット10は、ナノインプリント装置のテンプレートの洗浄に使うものであるが、その装置構成については、本出願人の先願2010-16127号が参照される。次に、本発明における窓部材12とワークWの配置関係について説明する。図4、図5、図6、図7はいずれも窓部材12とワークWパターン形成部の配置関係を示す。いずれも左図は本発明の前提となる従来の配置構成を表し、右図は本発明の配置構成を示している。図4は窓部材12が正方形であり、ワークWも正方形の場合を示し、ワークWのいずれか一辺が窓部材12のいずれか一辺と平行ではなく交差する関係にある。このように配置することにより、ワークWは、窓部材12における紫外線照射量の少ない領域L領域が全体として少なくなっていることがわかる。特に、両部材がともに正方形である場合は、ワークWのいずれか一辺が、窓部材12のいずれか一辺と45°にて交差する関係にあることで最も簡易な構成として放射量の利用効率を高めることができる。図5は窓部材12が長方形でありワークWが正方形の場合を示し、図6は窓部材12が正方形でありワークWは長方形の場合を示し、図7は窓部材12が長方形でありワークWも長方形の場合を示す。いずれも場合であっても、図4の場合と同様であって、ワークWのいずれか一辺を窓部材12のいずれか一辺と平行ではなく交差する関係に配置させることで、ワークWのL領域に配置される面積が小さくなり、放射量の利用効率が高まっていることがわかる。ただ、窓部材12あるいはワークWのいずれか一方が長方形の場合は45°が最適ということにはならず、長方形の縦横比に応じて最適角度が決まる。なお、本発明では、ワークWのパターン形成部が矩形状正方形、長方形という意味であり、パターン形成部の周囲に枠がある場合などは枠も含めた形状を意味するものではない。そしてまた、本発明においては窓部材12とワークWは中心同士が重なっていることが前提となる。本発明では種々の変形例が可能である。例えば、紫外線放射ランプは1つに限定されるものではなく、複数のランプを光源ユニットの中に並べることでもよい。また、紫外線放射ランプはエキシマランプに限定されるものではなく、低圧水銀ランプや紫外線放射LEDなどを使うこともできる。