発熱する素子を収めた半導体モジュールがグリスを挟んで複数の固定箇所にて電子機器の筐体に固定されているとともに、筐体と熱膨張率の異なる板部材が筐体の壁を挟んで半導体モジュールと対向するように筐体に固定されており、固定箇所は発熱する素子を囲むように設けられており、半導体モジュールに対向する筐体面に、グリスが入り込む閉環状の溝が、固定箇所で囲まれた領域の中心を囲むように形成されていることを特徴とする素子の放熱構造。閉環状の溝が少なくとも二重に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の放熱構造。少なくとも二重に形成されている溝の間隔が溝幅よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の放熱構造。半導体モジュールと筐体と板部材の積層方向からみて、溝は、発熱する素子と重なるように形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の放熱構造。溝の深さが、筐体の厚みの1/5以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の放熱構造。筐体はアルミダイカスト製であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の放熱構造。板部材は鉄製であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の冷却構造。本明細書は、筐体と半導体モジュールの間に塗布されたグリスの不均一を解消するためにさらに改良した技術を提供する。特に、筐体における半導体モジュール固定面とは反対側の面に、筐体とは熱膨張率が異なる板部材が固定され、熱膨張率の違いにより筐体が変形し元へ戻るような場合であっても、筐体と半導体モジュールとの間に、グリス欠損領域が生じないようにする技術を提供する。本明細書が開示する冷却構造は、発熱する素子を収めた半導体モジュールと、その半導体モジュールを収める電子機器の筐体と、筐体に固定される板部材で構成される。半導体モジュールは、グリスを挟んで複数の固定箇所にて筐体に固定されている。板部材は、筐体と熱膨張率が異なるものであり、筐体の壁を挟んで半導体モジュールと対向するように筐体に固定されている。なお、半導体モジュールは、発熱素子あるいは多数の素子を含む半導体チップをモールドしたパッケージであってよいし、発熱素子あるいは半導体チップと冷却器を一体化したユニットであってもよい。板部材は、筐体を補強する鉄板であったり、筐体を別の装置に取り付けるためのブラケットであってもよい。筐体は、典型的には、アルミダイカストで作られ、板部材は鉄製のアンダーカバー下部遮蔽板である。本明細書が開示する冷却構造は、さらに、半導体モジュールの固定箇所が発熱する素子を囲むように設けられており、半導体モジュールに対向する筐体面に、グリスが入り込む閉環状の溝が、固定箇所で囲まれた領域の中心を囲むように形成されている。上記の冷却構造では、相互に固定されている筐体と板部材の熱膨張率が異なるので、それらの温度が上昇すると筐体が変形する。上記のように閉じた環状の溝を備えることで、筐体が変形し、筐体と半導体モジュールの間の隙間が不均一となっても、閉環状の溝にグリスが溜まる。そして、筐体の変形が元に戻ると溝のグリスが隙間に戻り、グリス欠損領域が発生することを防ぐ。上記した冷却構造においては、閉環状の溝が少なくとも二重に形成されているとよい。そのような構成は、筐体が変形した際に、固定部材で囲まれた領域の中心から外側に向けてグリスが拡散することを防止する。また、溝が二重に形成されている場合、溝の間隔が溝幅よりも大きいことが好ましい。筐体はアルミダイカストで製造されることがあるが、射出成形の際、溝と溝の間の筐体部分を形成するためのキャビティにおける湯流れが悪くなることを避けるためである。グリスによる半導体モジュールから筐体への伝熱効果を保持するために、溝は、半導体モジュールと筐体と板部材の積層方向からみて発熱素子と重なるように形成されていることが好ましい。発熱素子の直下でグリスが欠損することを防止するためである。また、溝の深さは、筐体の厚みの1/5以下であることが好ましい。筐体の強度を損ねることを防止するためである。本明細書が開示する技術の詳細、及び、さらなる改良は、発明の実施の形態で説明する。図面を参照して実施例の冷却構造を説明する。実施例の冷却構造2が対象とする装置は、電気自動車のインバータ3である。図1にインバータ3の筐体5の底部の平面図を示す。筐体5の底部上面に、2つの半導体モジュール20、30が固定されている。筐体5は箱状であるが、以下では半導体モジュール20、30が固定さえる筐体底部について説明し、筐体全体については説明を省略する。半導体モジュール20は、その内部にIGBTなどの複数個の半導体素子を樹脂でモールドした半導体チップ21a、21b、及び21cを内蔵している。半導体モジュール30は、その内部にIGBT等の複数個の半導体素子を樹脂でモールドした半導体チップ31を内蔵している。なお、図1では、半導体モジュールに内蔵さあれた半導体チップはグレーで示してある。さらに、図1では、半導体素子の配線は図示を省略している。半導体モジュール20、30に収められたIGBTなどの半導体素子は、バッテリの電力をモータ駆動に適した交流電力に変換するためのコンバータ回路やインバータ回路におけるスイッチング回路を構成する素子である。半導体モジュール20、30に収められた素子には大電流が流れるため発熱量が大きい。インバータ3では、そのような発熱量の大きい素子を集積し、集中的に冷却する。半導体モジュール20は、4本のボルト22で筐体5の底部に固定される。筐体5の底部表面であって半導体モジュール20と対向する領域には三重の溝8が形成されている。半導体モジュール30は、4本のボルト32で筐体5の底部に固定される。筐体5の底部表面であって半導体モジュール30と対向する領域には、三重の溝9が形成されている。溝の全体的な形状は、図1の平面図でみて溝が半導体チップと重なる部分が多くなるように定められている。半導体モジュール20と筐体5の底部との間には熱伝導率の高いグリスが塗布されている。半導体モジュール30と筐体5の底部との間にもグリスが塗布されている。グリスは、半導体モジュールから筐体5へと半導体素子の熱を良く拡散させるために塗られている。グリスは溝8と溝9にも溜まる。溝8と溝9については後に詳しく説明する。なお、半導体モジュール20の下方には溝が三重に形成されているが、それらの溝を総称する場合は溝8と称し、個別に示す場合は、後述するように、内側から溝8a、溝8b、及び、溝8cと称する。溝9についても同様であり、三重の溝のそれぞれを個別に示す場合は内側から溝9a、溝9b、及び、溝9cと称する。インバータ3の底部外側インバータ3の下面には、アンダーカバー4が取り付けられている。インバータ3は車両のエンジンコンパートメントに固定されるが、アンダーカバー4は、路面から跳ね上がってくる小石などからインバータ3を保護することを一つの目的として取り付けられている。アンダーカバー4は、下からボルト6でインバータ3に固定される。筐体5はアルミダイキャストで製造され、アンダーカバー4は鉄製である。筐体5とアンダーカバー4はボルト6によって相互に固定されており、筐体5とアンダーカバー4は熱膨張率が異なるため、温度が上昇すると、熱膨張率の差によって筐体5が変形する。筐体5が変形し、底部表面が湾曲すると、底部表面と半導体モジュール20、30との間の隙間が不均一となり、隙間の狭い領域から広い領域へとグリスが押し出される。しかし、温度が下がり、変形が元に戻ったとき、溝8、溝9内に溜まったグリスが筐体表面に出てくるので、底部表面と半導体モジュール20、30との間にグリス欠損領域が生じ難い。次に、溝8、溝9について詳しく説明する。図2に、半導体モジュール20と30を外した状態のインバータ3の底部の平面図を示す。図3に、図1のIII-III線に沿った断面図を示す。なお、図3における符号Gはグリスを示している。前述したように、半導体モジュール20は、4本のボルト22でインバータ3の筐体5に固定される。筐体5の底部には、ボルトを通すための固定孔7aが4箇所に設けられている。固定孔7aは、半導体チップ21a、21b、及び21c半導体素子を囲むように配置されている図1も参照されたい。三重の溝8は、4箇所の固定孔7aで囲まれた領域の中心Caを囲むように形成されている。半導体モジュール30の側でも同様であり、三重の溝9は、4箇所の固定孔7bで囲まれた領域の中心Cbを囲むように形成されている。三重の溝8のそれぞれは、閉じたリング状閉環状であり、相互にほぼ平行である。詳しく説明すると、最内側の溝8aは、中心Caを囲む閉じた環状に形成されており、その外側に位置する溝8bは、溝8aを囲むように閉じた環状に形成されており、最外側の溝8cは、溝8bを囲むように閉じた環状に形成されている。三重の溝9についても同様である。図3によく示されているように、半導体モジュール30と筐体5の底部とアンダーカバー4は積層状態にあり、溝9は、積層方向からみたときに半導体モジュール30内の半導体チップ31半導体素子と重なるように設けられている図1も参照されたい。また、図3に良く示されているように、筐体5の底部と半導体モジュール30の間にはグリスGが塗布されており、閉環状の三重の溝9にもグリスGが入り込む。筐体5の底部が変形し半導体モジュール30との間の隙間が不均一となったのち、隙間が元の状態に戻ったときには溝9内のグリスが筐体5と半導体モジュール30の間に供給され、グリス欠損領域ができることが防止される。特に、溝9は半導体モジュール30の概ね中心を囲むように閉環状に設けられているので、隙間が狭くなった領域のグリスは、隙間が広くなった領域に移動し、隙間が均一化するとともにグリスも元の位置に戻ることができる。そのようにして閉環状の溝9は、グリス欠損領域の発生防止に貢献する。図4に溝9bと9c付近の拡大断面図を示す。図4ではグリスは図示を省略している。図4によく示されているように、溝の断面形状は概ねU字型に形成されており、グリスが流れ易くなっている。また、溝9の幅W1は、隣接する溝9b、9cの間隔Lよりも小さい。これは、筐体5はアルミダイカストで製造されるが、射出成形の際、溝と溝の間の筐体部分を形成するためのキャビティにおける湯流れが悪くなることを避けるためである。また、溝の深さD1は、筐体5の厚みH1の1/5以下である。溝の深さを深くしないことで、筐体5の強度低下を抑制している。溝8についても同様である。実施例の技術に関する留意点を述べる。アンダーカバー4が板部材の一例に相当する。筐体5の底部が筐体の壁の一例に相当する。ボルト固定孔7a、7bが、固定箇所の一例に相当する。実施例では、三重の溝8、溝9を説明したが、溝は、三重以外、例えば二重や四重であってもかまわない。溝は一重でもよいが、二重以上であることが好ましい。溝と溝の間のグリスは、溝を超えては移動し難いので、二重以上の溝は、半導体モジュールと筐体表面との隙間の変形に対してグリスが散逸し難くなる。実施例では、半導体モジュール20、30を筐体5の底部に固定する例を示したが、半導体モジュール20、30を固定する場所は、筐体の側面や上面であってもよい。実施例ではインバータにおける冷却構造2を説明したが、本明細書が開示する技術はインバータ以外の電子機器に適用することもできる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。