"下部クラッドパターン及びコアパターンを有する光導波路を、基板の表面の一部に積層形成する光導波路の製造方法であって、前記基板の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層をパターン化して下部クラッドパターンとする第1の工程と、前記下部クラッドパターン上及び前記基板上にコア層形成用樹脂を積層してコア層を形成した後、前記コア層をパターン化して前記下部クラッドパターン上のみにコアパターンを形成する第2の工程とを順に有する光導波路の製造方法。前記第2の工程において、前記下部クラッドパターン上及び前記基板上に前記コア層形成用樹脂を積層した後に、該コア層形成用樹脂を平坦化して前記コア層を形成することにより、前記下部クラッドパターンと該下部クラッドパターン上に形成されたコア層の合計厚みと、前記基板上に形成されたコア層の厚みとを一定にする請求項1に記載の光導波路の製造方法。前記コア層形成用樹脂がコア層形成用樹脂フィルムよりなり、このコア層形成用樹脂フィルムの厚みが、前記コアパターンの厚みよりも厚く、前記下部クラッドパターンの厚みと前記コアパターンの厚みの合計の厚み以下である請求項1又は2に記載の光導波路の製造方法。前記下部クラッドパターンは直方体形状であり、前記コアパターンは前記下部クラッドパターンの1対の側面と平行に延在しており、前記下部クラッドパターンは、前記コアパターンの延在方向と直交方向の幅が40mm以下であり、前記コアパターンは、前記下部クラッドパターンの表面のうち、前記下部クラッドパターンの1対の側面よりも前記幅方向に0.1μm以上内側に位置している請求項3に記載の光導波路の製造方法。前記下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンが3本以上である請求項1~4のいずれかに記載の光導波路の製造方法。前記第1の工程において、前記下部クラッド層を除去した面積が、前記下部クラッドパターンの面積よりも大きい請求項1~5のいずれかに記載の光導波路の製造方法。前記第2の工程の後に、前記コアパターン、前記下部クラッドパターン及び前記基板の上面側から上部クラッド層形成用樹脂を積層して上部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記上部クラッド層をパターン化して、前記下部クラッドパターン上及び前記コアパターン上に上部コアパターンを形成する第3の工程を有する請求項1~6に記載の光導波路の製造方法。前記上部クラッド層形成用樹脂が上部クラッド層形成用樹脂フィルムよりなり、前記上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みが、前記下部クラッドパターンの厚みと該下部クラッドパターン上に形成したコアパターンの厚みの合計厚み以上であることを特徴とする請求項7に記載の光導波路の製造方法。前記第3の工程において、上部クラッド層形成用樹脂を積層した後に、該上部クラッド層形成用樹脂を平坦化して前記上部クラッド層を形成することにより、前記下部クラッドパターンと該下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンと該コアパターン上に形成された前記上部クラッド層の合計厚みと、前記基板上に形成された上部クラッド層の厚みとを一定にする請求項7又は8に記載の光導波路の製造方法。請求項1~9のいずれかの方法によって形成された光導波路。電気配線板と、前記電気配線板の表面の一部に形成された光導波路とを有する光電気複合基板の製造方法であって、前記基板として電気配線板を用い、この電気配線板の表面の一部に、請求項1~10に記載の光導波路の製造方法によって光導波路を製造する光電気複合基板の製造方法。前記電気配線板が、前記光導波路を形成する側の面に電気配線パターンを有する請求項11に記載の光電気複合基板の製造方法。請求項11又は12の方法によって製造された光電気複合基板。本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、基板の一部分に位置合わせ精度よく光導波路を形成でき、基板の一部分に光導波路を形成するため基板のそりが少なく、基板のうち光導波路を形成していない部分に素子実装を行うことが可能な光導波路の製造方法、光電気複合基板の製造方法、かかる製造方法によって製造される光導波路及び光電気複合基板を提供することを目的とする。本発明は、以下の1~13を提供するものである。1下部クラッドパターン及びコアパターンを有する光導波路を、基板の表面の一部に積層形成する光導波路の製造方法であって、前記基板の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層をパターン化して下部クラッドパターンとする第1の工程と、前記下部クラッドパターン上及び前記基板上にコア層形成用樹脂を積層してコア層を形成した後、前記コア層をパターン化して前記下部クラッドパターン上のみにコアパターンを形成する第2の工程とを順に有する光導波路の製造方法。2前記第2の工程において、前記下部クラッドパターン上及び前記基板上に前記コア層形成用樹脂を積層した後に、該コア層形成用樹脂を平坦化して前記コア層を形成することにより、前記下部クラッドパターンと該下部クラッドパターン上に形成されたコア層の合計厚みと、前記基板上に形成されたコア層の厚みとを一定にする1に記載の光導波路の製造方法。3前記コア層形成用樹脂がコア層形成用樹脂フィルムよりなり、このコア層形成用樹脂フィルムの厚みが、前記コアパターンの厚みよりも厚く、前記下部クラッドパターンの厚みと前記コアパターンの厚みの合計の厚み以下である請求項1又は2に記載の光導波路の製造方法。4前記下部クラッドパターンは直方体形状であり、前記コアパターンは前記下部クラッドパターンの1対の側面と平行に延在しており、前記下部クラッドパターンは、前記コアパターンの延在方向と直交方向の幅が40mm以下であり、前記コアパターンは、前記下部クラッドパターンの表面のうち、前記下部クラッドパターンの1対の側面よりも前記幅方向に0.1μm以上内側に位置している3に記載の光導波路の製造方法。5前記下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンが3本以上である1~4のいずれかに記載の光導波路の製造方法。6前記第1の工程において、前記下部クラッド層を除去した面積が、前記下部クラッドパターンの面積よりも大きい1~5のいずれかに記載の光導波路の製造方法。7前記第2の工程の後に、前記コアパターン、前記下部クラッドパターン及び前記基板の上面側から上部クラッド層形成用樹脂を積層して上部クラッド層を形成した後、前記基板の表面の一部が露出するように前記上部クラッド層をパターン化して、前記下部クラッドパターン上及び前記コアパターン上に上部コアパターンを形成する第3の工程を有する1~6に記載の光導波路の製造方法。8前記上部クラッド層形成用樹脂が上部クラッド層形成用樹脂フィルムよりなり、前記上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みが、前記下部クラッドパターンの厚みと該下部クラッドパターン上に形成したコアパターンの厚みの合計厚み以上であることを特徴とする7に記載の光導波路の製造方法。9前記第3の工程において、上部クラッド層形成用樹脂を積層した後に、該上部クラッド層形成用樹脂を平坦化して前記上部クラッド層を形成することにより、前記下部クラッドパターンと該下部クラッドパターン上に形成された前記コアパターンと該コアパターン上に形成された前記上部クラッド層の合計厚みと、前記基板上に形成された上部クラッド層の厚みとを一定にする7又は8に記載の光導波路の製造方法。101~9のいずれかの方法によって形成された光導波路。11電気配線板と、前記電気配線板の表面の一部に形成された光導波路とを有する光電気複合基板の製造方法であって、前記基板として電気配線板を用い、この電気配線板の表面の一部に、1~10に記載の光導波路の製造方法によって光導波路を製造する光電気複合基板の製造方法。12前記電気配線板が、前記光導波路を形成する側の面に電気配線パターンを有する11に記載の光電気複合基板の製造方法。1311又は12の方法によって製造された光電気複合基板。本発明によると、基板の一部分に位置合わせ精度よく光導波路を形成でき、基板の一部分に光導波路を形成するため基板のそりが少なく、基板のうち光導波路を形成していない部分に素子実装を行うことが可能な光導波路の製造方法、光電気複合基板の製造方法、かかる製造方法によって製造される光導波路及び光電気複合基板を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は実施の形態に係る光導波路及び光電気複合基板の製造方法を説明する断面図であり、図2は図1fの平面図である。なお、本実施の形態において、クラッド層形成用樹脂又はコア層形成用樹脂と表記した場合は、積層する前の樹脂や樹脂フィルムを指し、クラッド層又はコア層と表記した場合は、基板上にクラッド層形成用樹脂又はコア層形成用樹脂を積層した後の状態を指し、クラッドパターン又はコアパターンと表記した場合は、クラッド層又はコア層の一部分を除去し、パターン化された後の状態を指すこととする。詳細は後述するが、本実施の形態に係る光導波路の製造方法は、下部クラッドパターン201及びコアパターン301を有する光導波路5を、基板1の表面の一部に積層形成する光導波路5の製造方法であって、前記基板1の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層2を形成した後、前記基板1の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層2をパターン化して下部クラッドパターン201とする第1の工程と図1c~d、前記下部クラッドパターン201上及び前記基板1上にコア層形成用樹脂を積層してコア層3を形成した後、前記コア層3をパターン化して前記下部クラッドパターン201上のみにコアパターン301を形成する第2の工程図1e~fとを順に有するものである。以下に、これら第1の工程及び第2の工程と、これらの工程の前に基板表面に電気配線パターンを形成して電気配線板とする工程電気配線板の製造工程と、第2の工程の後に上部クラッドパターンを製造する工程上部クラッドパターン製造工程とを詳細に説明する。<電気配線板の製造工程図1a~b>本実施の形態では、基板1として、基板本体101の上面及び下面に電気配線パターン103を形成してなる電気配線板を用いる。この基板電気配線板1の製造方法には特に限定はなく、例えば、基板本体101の上面及び下面の全面に金属層102を有する積層材料を用意し図1a、この金属層102をエッチング等によってパターン化して金属配線パターン103を製造することにより、基板電気配線板1を製造することができる図1b。基板本体101の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルムなどが挙げられる。基板本体101として柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドを用いることで、フレキシブルなものとしてもよい。基板1の厚さは、板の反りや寸法安定性により、適宜変えてよいが、好ましくは0.1~10.0mmである。光路変換された光信号が基板1を透過する場合には、光信号の波長に対して透明な基板1を用いると良い。本実施の形態では、基板本体101の上面に、短辺方向に延在する金属配線パターン103が、基板の長辺方向に間隔をおいて複数本4本設けられている図2参照。なお、基板本体101の下面にも、同様に複数本4本の金属配線パターン103が設けられている。電気配線パターン103の厚さは好ましくは3~18μmである。電気配線パターン103の厚さがこの範囲の下限値以上であると、電気配線パターン103の形成が容易であると共に電気抵抗が小さくなる。電気配線パターン103の厚さがこの範囲の上限値以下であると、この電気配線パターン103上への後述する下部クラッド層2、コア層3及び上部クラッド層4の形成が容易となる。<第1の工程図1c~d>本工程では、前記基板1の上面に下部クラッド層形成用樹脂を積層して下部クラッド層2を形成した後図1c、基板1の表面の一部が露出するように前記下部クラッド層2をパターン化して下部クラッドパターン201とする図1d。下部クラッド層の形成方法図1cこの下部クラッド層2の形成方法は特に限定されず、例えば、下部クラッド層形成用樹脂を基板1の上面に塗布してもよく、また、下部クラッド層形成用樹脂よりなるフィルムを基板1の上面にラミネートしてもよい。塗布による場合には、その方法は限定されず、例えば、後述の樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。また、ラミネートに用いる下部クラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、この樹脂組成物を溶媒に溶解したものを支持体フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。下部クラッド層形成用樹脂フィルムは、支持フィルム上に形成しておき、この支持フィルムから剥離して使用すると良い。支持フィルムの種類としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドが好適に挙げられる。支持体フィルムの厚さは、5~200μmであることが好ましい。5μm以上であると、支持体フィルムとしての強度が得やすいという利点があり、200μm以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、支持体フィルムの厚さは10~100μmの範囲であることがより好ましく、15~50μmであることが特に好ましい。なお、後述するコア層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムも、上記と同様の支持フィルム上に形成すると良い。下部クラッドパターンの形成方法図1dまた、下部クラッド層2から下部クラッドパターン201を形成する方法は特に限定されず、例えば、下部クラッド層2をエッチングによって形成すればよく、感光性の下部クラッド層2を用いる場合には、露光及び現像することによって下部クラッドパターン201を形成できる。本実施の形態では、上記電気配線パターン103の全体が露出するように、この下部クラッドパターン201を形成する。この下部クラッドパターン201は、基板本体101の長辺方向に延在する直方体形状であり、その両端が基板本体101の1対の短辺にまで延在している。この下部クラッドパターン201は、上記電気配線パターン103から離隔した位置に形成するのが好ましい。この下部クラッドパターン201の延在方向と直交方向すなわち、後述するコアパターンの延在方向と直交方向の幅Lは、好ましくは40mm以下である。この幅Lが40mm以下であると、基板1の表面のうち下部クラッドパターン201が形成される部分の面積が小さくなり、基板1のそりが低減される。また、この幅Lが40mm以下であると、後述するようにこの下部クラッドパターン201上にコア層形成用樹脂フィルムを積層してコア層3を形成するときに、下部クラッドパターン201をコア層形成用樹脂フィルムに容易に食い込ませることができ、これにより、コア層3の上面を容易に平坦化することができるすなわち、下部クラッドパターン201とその上のコア層3の合計厚さと、基板本体101上に形成されたコア層3の厚みとを容易に一定にすることができる。また、この幅Lはコアパターン幅より左右に0.1μm以上広い幅であることが好ましい。この幅Lがコアパターン幅より左右に0.1μm以上広い幅であると、下部クラッドパターン201上に後述するコアパターン301を容易に形成することができる。これらの観点からは、この幅Lはより好ましくは5μm~3.5mmであり、更に好ましくは5μm~1.0mmである。この下部クラッドパターン201の面積は、基板1の面積の1/2以下であることが好ましい。コアパターンが複数ある場合には、上記の範囲内で、1つの下部クラッドパターン上にコアパターンを複数形成しても良い。これにより、基板1のそりを良好に低減することができる。この下部クラッドパターン201の面積は基板1の面積のより好ましくは1/3以下であり、更に好ましくは1/4以下である。下部クラッドパターンの厚さは、5~500μmの範囲が好ましい。5μm以上であると、光の閉じ込めに必要なクラッド厚さが確保でき、500μm以下であると、膜厚を均一に制御することが容易である。以上の観点から、下部クラッドパターンの厚さは、さらに10~100μmの範囲であることがより好ましい。樹脂組成物上記の下部クラッド層形成用樹脂としては、コアパターン301より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。より好適にはクラッド層形成用樹脂が、Aベースポリマー、B光重合性化合物及びC光重合開始剤を含有する樹脂組成物により構成されることが好ましい。ここで用いるAベースポリマーはクラッド層を形成し、該クラッド層の強度を確保するためのものであり、該目的を達成し得るものであれば特に限定されず、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、メタアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルアミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン等、あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。これらのベースポリマーは1種単独でも、また2種以上を混合して用いてもよい。上記で例示したベースポリマーのうち、耐熱性が高いとの観点から、主鎖に芳香族骨格を有することが好ましく、特にフェノキシ樹脂が好ましい。また、3次元架橋し、耐熱性を向上できるとの観点からは、エポキシ樹脂、特に室温で固形のエポキシ樹脂が好ましい。さらに、後に詳述するB光重合性化合物との相溶性が、クラッド層形成用樹脂の透明性を確保するために重要であるが、この点からは上記フェノキシ樹脂及びメタアクリル樹脂が好ましい。なお、ここでメタアクリル樹脂とは、アクリル樹脂及びメタクリル樹脂を意味するものである。フェノキシ樹脂の中でも、ビスフェノールA、ビスフェノールA型エポキシ化合物又はそれらの誘導体、及びビスフェノールF、ビスフェノールF型エポキシ化合物又はそれらの誘導体を共重合成分の構成単位として含むものは、耐熱性、密着性及び溶解性に優れるため好ましい。ビスフェノールA又はビスフェノールA型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールA、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。また、ビスフェノールF又はビスフェノールF型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールF、テトラブロモビスフェノールF型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂の具体例としては、東都化成株製フェノトートYP-70商品名が挙げられる。室温で固形のエポキシ樹脂としては、例えば、東都化学株製エポトートYD-7020、エポトートYD-7019、エポトートYD-7017いずれも商品名、ジャパンエポキシレジン株製エピコート1010、エピコート1009、エピコート1008いずれも商品名などのビスフェノールA型エポキシ樹脂が挙げられる。次に、B光重合性化合物としては、紫外線等の光の照射によって重合するものであれば特に限定されず、分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物や分子内に2つ以上のエポキシ基を有する化合物などが挙げられる。分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物としては、メタアクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルピリジン、ビニルフェノール等が挙げられるが、これらの中で、透明性と耐熱性の観点から、メタアクリレートが好ましい。メタアクリレートとしては、1官能性のもの、2官能性のもの、3官能性以上の多官能性のもののいずれをも用いることができる。なお、ここでメタアクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートを意味するものである。分子内に2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能芳香族グリシジルエーテル、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能脂肪族グリシジルエーテル、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能脂環式グリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル等の2官能芳香族グリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等の2官能脂環式グリシジルエステル、N,N-ジグリシジルアニリン等の2官能又は多官能芳香族グリシジルアミン、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート等の2官能脂環式エポキシ樹脂、2官能複素環式エポキシ樹脂、多官能複素環式エポキシ樹脂、2官能又は多官能ケイ素含有エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのB光重合性化合物は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。次にC成分の光重合開始剤としては、特に制限はなく、例えばB成分にエポキシ化合物を用いる場合の開始剤として、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリルセレノニウム塩、ジアルキルフェナジルスルホニウム塩、ジアルキル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム塩、スルホン酸エステルなどが挙げられる。また、B成分に分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合の開始剤としては、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン、2-エチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、2-メルカプトベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール類、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィンオキサイド等のフォスフィンオキサイド類、9-フェニルアクリジン等のアクリジン誘導体、N-フェニルグリシン、N-フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物などが挙げられる。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。なお、コア層及びクラッド層の透明性を向上させる観点からは、上記化合物のうち、芳香族ケトン及びフォスフィンオキサイド類が好ましい。これらのC光重合開始剤は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。Aベースポリマーの配合量は、A成分及びB成分の総量に対して、5~80質量とすることが好ましい。また、B光重合性化合物の配合量は、A及びB成分の総量に対して、95~20質量とすることが好ましい。このA成分及びB成分の配合量として、A成分が5質量以上であり、B成分が95質量以下であると、樹脂組成物を容易にフィルム化することができる。一方、A成分が80質量以下あり、B成分が20質量以上であると、Aベースポリマーを絡み込んで硬化させることが容易にでき、光導波路を形成する際に、パターン形成性が向上し、かつ光硬化反応が十分に進行する。以上の観点から、このA成分及びB成分の配合量として、A成分10~85質量、B成分90~15質量がより好ましく、A成分20~70質量、B成分80~30質量がさらに好ましい。C光重合開始剤の配合量は、A成分及びB成分の総量100質量部に対して、0.1~10質量部とすることが好ましい。この配合量が0.1質量部以上であると、光感度が十分であり、一方10質量部以下であると、露光時に感光性樹脂組成物の表層での吸収が増大することがなく、内部の光硬化が十分となる。さらに、光導波路として使用する際には、重合開始剤自身の光吸収の影響により光伝搬損失が増大することもなく好適である。以上の観点から、C光重合開始剤の配合量は、0.2~5質量部とすることがより好ましい。また、このほかに必要に応じて、クラッド層形成用樹脂中には、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤などのいわゆる添加剤を本発明の効果に悪影響を与えない割合で添加してもよい。<第2の工程図1e~f>本工程では、前記下部クラッドパターン201上及び前記基板1上にコア層形成用樹脂を積層してコア層3を形成した後図1e、このコア層3をパターン化して、前記下部クラッドパターン201上のみにコアパターン301を形成する図1f。コア層の形成方法図1eこのコア層3の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂を基板1及び下部クラッドパターン201の上面に塗布してもよく、また、コア層形成用樹脂よりなるフィルムを基板1及び下部クラッドパターン201の上面にラミネートしてもよい。塗布による場合には、その方法は限定されず、例えば、樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。また、ラミネートに用いるコア層形成用樹脂フィルムは、例えば、樹脂組成物を溶媒に溶解したものを支持体フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。コア層の平坦化方法なお、本工程において、前記下部クラッドパターン201上及び前記基板1上にコア層形成用樹脂を積層した後に、該コア層形成用樹脂を平坦化してコア層3を形成することにより、前記下部クラッドパターン201と該下部クラッドパターン201上に形成されたコア層3の合計厚みと、前記基板1上に形成されたコア層3の厚みとを一定にすることが好ましい。上記のコア層3を平坦化する方法としては特に限定はないが、例えば、コア層の基板1と反対面側から剛性のある板で加圧積層する方法が好適に挙げられる。加圧する方法としては、加圧プレスや、真空ラミネータを用いると良い。剛性のある板としては、SUS板、Al板等の各種金属板や、銅張り積層板、ガラス板、シリコン基板などを用いると良い。平坦化の目安としては、基板1上のコア層3の厚みと、基板1上に形成した下部クラッドパターン201及び該下部クラッドパターン201上のコア層3との合計厚みの差が、15μm以下を一定とみなす。こうすることにより、コア層3の厚みの制御が容易となり、コアパターン3を形成しやすくなるとともに、下部クラッドパターン201上に形成する所望のコアパターン3の厚みを得やすくなる。コア層形成用フィルムの厚さコア層3をコア層形成用樹脂フィルムを用いて形成する場合にあっては、コア層形成用樹脂フィルムの厚さは、コアパターン301の厚みよりも厚く、下部クラッドパターン201の厚みとコアパターン301の厚みの合計の厚み以下であることが好ましい。このようにコア層形成用樹脂フィルムの厚さがコアパターン301の厚み以上であると、上記のコア層の平坦化方法によりコア層3の上面を平坦化したときに、図1eのように、下部クラッドパターン201をコア層3で埋没させることができ、コア層3の上面全面の高さを容易に同一にすることができる。また、コア層形成用樹脂フィルムの厚さが、下部クラッドパターン201の厚みとコアパターン301の厚みの合計の厚み以下であると、コア層形成用フィルムのうちコア層3とならずに廃棄される量が低減される。理論上は、コア層形成用樹脂フィルムを無駄なく使用するためには、コア層形成用樹脂フィルムの体積がコア層3の体積と同一となるように、このコア層形成用樹脂フィルムの厚みを決定すればよい。また、このコア層3の体積は以下の式で算出することができる。コア層3の体積=基板1上面からコア層3上面までの高さ×基板1の面積-下部クラッドパターン201の体積-電気配線パターン103の総体積-その他基板1上に配置された凸部の総体積その他基板1上に配置された凹部の総体積=コア層3の厚さ×基板1の面積-下部クラッドパターン201の総面積×厚さ-電気配線パターン103の総面積×厚さ-その他基板1上に配置された凸部の総体積その他基板1上に配置された凹部の総体積よって、コア層形成用樹脂フィルムの理論上の最適厚みdcは、以下の式で算出することができる。dc=コア層3の体積/基板1の面積={コア層3の厚さ×基板1の面積-下部クラッドパターン201の総面積×厚さ-電気配線パターン103の総面積×厚さ-その他基板1上に配置された凸部の総体積その他基板1上に配置された凹部の総体積}/基板1の面積しかし、実際には上記の式に限定されず、上記の式によって算出されたコア層形成用樹脂フィルムの厚みdc-15μm~上記の式によって算出されたコア層形成用樹脂フィルムの厚みdc5μmの範囲で適宜調整したコア層形成用樹脂を用いると、所望のコアパターン301の厚みを容易に得ることができる。また、下部クラッド層2が除去された基板面積が、下部クラッドパターン201の面積よりも大きいと、コア層形成用樹脂の厚みが所望するコアパターン301の厚みと同一の厚みの樹脂を用いると、所望するコアパターン301の厚みを得ることが極めて困難となる。その理由は、コア層形成用樹脂が、下部クラッド層2が除去された部分へ流動し、下部クラッドパターン201上のコア層形成用樹脂の厚みが、使用するコア層形成用樹脂の厚みよりも薄く形成されてしまうためである。よって、この場合には特に、上記のとおり、コア層形成用樹脂フィルムの厚さが、コアパターン301の厚みよりも厚く、下部クラッドパターン201の厚みとコアパターン301の厚みの合計の厚み以下であることが好ましい。コアパターンの形成方法図1f本発明においては、コアパターン301の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートによりコア層3を形成し、エッチングによりコアパターン301を形成すれば良い。コア層3に用いるコア層形成用樹脂は、上部クラッド層2及び後述する上部クラッド層4より高屈折率であるように設計される。コア層形成用樹脂は限定されず、前記下部クラッド層2と同様の樹脂組成物が挙げられる。コアパターンの形状本実施の形態では、下部クラッドパターン201上に、複数本3本のコアパターン301が形成されている。これらのコアパターン301は、基板本体101の長辺方向に延在する直方体形状であり、その両端が基板本体101の1対の短辺にまで延在している。これらのコアパターン301は、下部クラッドパターン201の短手方向基板1の短辺方向に間隔をおいて平行に配置されている。コアパターン301は、下部クラッドパターン201の表面のうち、この下部クラッドパターンの1対の側面基板1の短辺方向に対向する1対の長側面よりも図1dの幅L方向に0.1μm以上内側に位置していることが好ましい。すなわち、図1fにおいて、下部クラッドパターン201の左側面と左端側のコアパターン301の左側面との距離aが0.1μm以上であり、かつ下部クラッドパターン201の右側面と右端側のコアパターン301の右側面との距離bが0.1μm以上であることが好ましい。これにより、後述する1hのように、左端側のコアパターン301の左側及び右端側のコアパターン301の右側に、上部クラッドパターン401を良好に形成することができ、左右両側のコアパターン301の光損失が低減される。また、仮に下部クラッドパターン201の図1fにおける上面のうち左右両側面近傍に欠損部が生じていたとしても、欠損部よりも内側にコアパターン301を形成することができ、コアパターン301の寸法精度の低下が防止される。これらの距離a,bは、より好ましくは5μm以上であり、更に好ましくは20μm以上である。各コアパターン301同士の間にも、上記距離a,bと同様に0.1μm以上の間隙があいていることが好ましい。これにより、後述する図1hのとおり、隣接するコアパターン同士の間に上部クラッドパターン401を良好に形成することができ、コアパターン301の光損失が低減される。各コアパターン301同士の間隙は、より好ましくは50μm以上であり、更に好ましくは75μm以上である。コアパターンの厚さ下部クラッドパターン201上に存在するコアパターン301の厚さすなわち、下部クラッドパターン201の上面からコアパターン301の上面までの距離については特に限定されず、通常は10~100μmとなるように調整される。該コアパターン301の厚さが10μm以上であると、コア形成用樹脂フィルムの膜厚が制御しやすいと共に、光導波路形成後の、発光素子からの光信号との結合や、光ファイバから導入される光信号との位置合わせトレランスが拡大でき、結合が効率的に行えるという利点がある。該コアパターン301の厚さが100μm以下であると、コア形成用樹脂フィルムの膜厚が制御しやすいと共に、光導波路形成後の、受光素子からの光信号との結合や、光ファイバへ導入される光信号との位置合わせトレランスが拡大でき、結合が効率的に行えるという利点がある。以上の観点から、コアパターン301の厚さは30~70μmの範囲であることが好ましい。<第3の工程図1g~h>本工程では、前記第2の工程の後に、前記コアパターン301、前記下部クラッドパターン201及び前記基板1の上面側から上部クラッド層形成用樹脂を積層して上部クラッド層4を形成した後図1g、前記基板1の表面の一部が露出するように前記上部クラッド層4をパターン化して、前記下部クラッドパターン201上及び前記コアパターン301上に上部クラッドパターン401を形成する図1h。上部クラッド層の形成方法図1g上部クラッド層の形成方法には特に限定はなく、例えば、上部クラッド層形成用樹脂を基板1、下部クラッドパターン201及びコアパターン301の上面に塗布してもよく、また、これらの上面にラミネートしてもよい。これら塗布及びラミネートの方法は限定されず、上述の下部クラッド層2の場合と同様にして塗布及びラミネートすれば良い。上部クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物としては、コアパターン301より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、上述の下部クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物と同様の熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。この上部クラッド形成用樹脂に用いる樹脂組成物は、上述の下部クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物と比べて、含有成分が同一であっても異なっていてもよく、屈折率が同一であっても異なっていてもよい。上部クラッド層の平坦化方法なお、本工程において、上部クラッド層形成用樹脂を積層した後に、該上部クラッド層形成用樹脂を平坦化して上部クラッド層4を形成することにより、前記下部クラッドパターン201と該下部クラッドパターン201上に形成された前記コアパターン301と該コアパターン301上に形成された上部クラッド層4の合計厚みと、前記基板1上に形成された上部クラッド層4厚みとを一定にすることが好ましい。上部クラッド層4を平坦化する方法として特に限定はないが、上記のコア層3の平坦化方法と同様の方法が挙げられる。平坦化の目安としては、基板1上の上部クラッド層4の厚みと、基板1上に形成した下部クラッドパターン201及び該下部クラッドパターン201上のコアパターン301及び該コアパターン301上に積層された上部クラッド層4との合計厚みの差が、15μm以下を一定とみなす。こうすることにより、上部クラッド層4の厚みの制御が容易となり、上部クラッドパターン401を形成しやすくなるとともに、コアパターン301上に形成する所望の上部クラッドパターン401の厚みを得やすくなる。上部クラッド層形成用フィルムの厚さ上部クラッド層4を上部クラッド層形成用樹脂フィルムを用いて形成する場合にあっては、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さは、下部クラッドパターン201とコアパターン301の合計厚みよりも厚いことが好ましく、また、下部クラッドパターン201の厚みとコアパターン301の厚みと上部クラッドパターン401の合計厚み以下であることが好ましい。このように上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さが、下部クラッドパターン201とコアパターン301の合計厚みよりも厚いと、上記の上部クラッド層の平坦化方法により上部クラッド層4の上面を平坦化したときに、図1gのように、下部クラッドパターン201及びコアパターン301を上部クラッド層4で埋没させることができ、上部クラッド層4の上面全面の高さを容易に同一にすることができる。また、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さが、下部クラッドパターン201の厚みとコアパターン301の厚みと上部クラッドパターン401の合計厚み以下であると、上部クラッド層形成用フィルムのうち上部クラッド層4とならずに廃棄される量が低減される。理論上は、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを無駄なく使用するためには、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの体積が上部クラッド層4の体積と同一となるように、この上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みを決定すればよい。また、この上部クラッド層4の体積は以下の式で算出することができる。上部クラッド層4の体積=基板1上面から上部クラッド層4上面までの高さ×基板1の面積-コアパターン301の体積-下部クラッドパターン201の体積-電気配線パターン103の総体積-その他基板1上に配置された凸部の総体積その他基板1上に配置された凹部の総体積=上部クラッド層4の厚さ×基板1の面積-コアパターン301の総面積×厚さ-下部クラッドパターン201の総面積×厚さ-電気配線パターン103の総面積×厚さ-その他基板1上に配置された凸部の総体積その他基板1上に配置された凹部の総体積よって、上部クラッド層形成用樹脂フィルムの理論上の最適厚みduは、以下の式で算出することができる。du=上部クラッド層4の体積/基板1の面積={上部クラッド層4の厚さ×基板1の面積-コアパターン301の総面積×厚さ-下部クラッドパターン201の総面積×厚さ-電気配線パターン103の総面積×厚さ-その他基板1上に配置された凸部の総体積その他基板1上に配置された凹部の総体積}/基板1の面積しかし、実際には上記の式に限定されず、上記の式によって算出された上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みdu-15μm~上記の式によって算出された上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚みdu5μmの範囲で適宜調整した上部クラッド層形成用樹脂を用いると、所望の上部クラッドパターン401の厚みを容易に得ることができる。上記方法により、基板1の表面の一部に、光導波路を製造することができる。また、本実施の形態では、基板1として、基板本体101の表面に電気配線パターン103を形成したものを用いているため、この基板1とこの基板1上の光導波路とにより、光電気複合基板が構成される。図1hのとおり、基板1の表面の一部のみに光導波路5を形成することにより、基板1の表面の残部を露出させることができ、電気配線パターン103が露出した光電気複合基板が得られる。<その他の実施の形態>上記実施の形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、本実施の形態では、コアパターン301は3本であったが、1本又は2本であってもよく、4本以上であってもよい。以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。なお、実施例及び比較例において、光導波路の作製に用いられる各種フィルム及び基板は、以下の方法により作製した。[クラッド層形成用樹脂フィルムの作製]1Aベースポリマー;メタアクリルポリマーA-1の作製撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート46質量部及び乳酸メチル23質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を65°Cに上昇させ、メチルメタクリレート47質量部、ブチルアクリレート33質量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート16質量部、メタクリル酸14質量部、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル3質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート46質量部、及び乳酸メチル23質量部の混合物を3時間かけて滴下後、65°Cで3時間撹拌し、さらに95°Cで1時間撹拌を続けて、メタアクリルポリマーA-1溶液固形分45質量を得た。2重量平均分子量の測定A-1の重量平均分子量標準ポリスチレン換算をGPC東ソー株製SD-8022、DP-8020、及びRI-8020を用いて測定した結果、3.9×104であった。なお、カラムは日立化成工業株製GelpackGL-A150-S及びGelpackGL-A160-Sを使用した。3酸価の測定A-1の酸価を測定した結果、79mgKOH/gであった。なお、酸価はA-1溶液を中和するのに要した0.1mol/L水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。4クラッド層形成用樹脂ワニスの調合Aベースポリマーとして、前記A-1溶液固形分45質量84質量部固形分38質量部、B光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタンメタアクリレート新中村化学工業株製U-200AX33質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタンメタアクリレート新中村化学工業株製UA-420015質量部、C熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液固形分75質量住化バイエルウレタン株製スミジュールBL317520質量部、D光重合開始剤として、1-[4-2-ヒドロキシエトキシフェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オンチバジャパン株製イルガキュア29591質量部、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキシドチバジャパン株製イルガキュア8191質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート23質量部を攪拌しながら混合した。孔径2μmのポリフロンフィルタアドバンテック東洋株製PF020を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。5クラッド層形成用樹脂ワニスのフィルム化上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスを、PETフィルム東洋紡績株製コスモシャインA4100、厚み50μmの非処理面上に、前記塗工機を用いて塗布し、100°Cで20分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理PETフィルム帝人デュポンフィルム株製ピューレックスA31、厚み25μmを貼付け、各種厚みのクラッド層形成用樹脂フィルムを得た。[コア層形成用樹脂フィルムの作製]Aベースポリマーとして、フェノキシ樹脂商品名:フェノトートYP-70、東都化成株式会社製26質量部、B光重合性化合物として、9,9-ビス[4-2-アクリロイルオキシエトキシフェニル]フルオレン商品名:A-BPEF、新中村化学工業株式会社製36質量部、及びビスフェノールA型エポキシアクリレート商品名:EA-1020、新中村化学工業株式会社製36質量部、C光重合開始剤として、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィンオキサイド商品名:イルガキュア819、チバスペシャリティケミカルズ社製1質量部、及び1-[4-2-ヒドロキシエトキシフェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン商品名:イルガキュア2959、チバスペシャリティケミカルズ社製1質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を用いたこと以外は上記クラッド層形成用樹脂ワニスの製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスBを調合した。上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスBを、PETフィルム商品名:コスモシャインA1517、東洋紡績株式会社製、厚さ:16μmの非処理面上に、前記塗工機を用いて塗布し、100°Cで20分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理PETフィルム帝人デュポンフィルム株製ピューレックスA31、厚み25μmを貼付け、各種厚みのコア層形成用樹脂フィルムを得た。[基板の作製]1サブトラクティブ法による電気配線形成金属層102として100mm角の両面銅箔付きのポリイミドフィルム101ポリイミド;ユーピレックスVT宇部日東化成製、縦100mm×横100mm×厚み25μm、銅箔;NA-DFF三井金属鉱業社製、厚み;9μm図1a参照の銅箔面に感光性ドライフィルムレジスト商品名:フォテック、日立化成工業株式会製、厚さ:25μmをロールラミネータ日立化成テクノプラント株式会社製、HLM-1500を用い圧力0.4MPa、温度110°C、ラミネート速度0.4m/minの条件で貼り、次いで紫外線露光機株式会社オーク製作所製、EXM-1172にて感光性ドライフィルムレジスト側から幅150μm×1mmのネガ型フォトマスクを介し、紫外線波長365nmを120mJ/cm2照射し、未露光部分の感光性ドライフィルムレジストを35°Cの0.1~5重量炭酸ナトリウムの希薄溶液で除去した。その後、塩化第二鉄溶液を用いて、感光性ドライフィルムレジストが除去されむき出しになった部分の銅箔をエッチングにより除去し、35°Cの1~10重量水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光部分の感光性ドライフィルムレジストを除去し、Lライン幅/S間隙幅=150/300μmの直線の電気配線パターン103を形成した。2Ni/Auめっきの形成その後、フレキシブル配線板を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄し、無電解Niめっき用増感剤商品名:SA-100、日立化成工業株式会社製に25°Cで5分間浸漬後水洗し、83°Cの無電解Niめっき液奥野製薬社製、ICPニコロンGM-SD溶液、pH4.6に8分間浸漬して3μmのNi被膜を形成し、その後、純水にて洗浄を実施した。次に、置換金めっき液100mL;HGS-500及び1.5g;シアン化金カリウム/Lで建浴商品名:HGS-500、日立化成工業株式会社製、に85°Cで8分間浸漬し、Ni被膜上に0.06μmの置換金被膜を形成した。これにより、電気配線103部分が、Ni及びAuのめっきに被覆された基板1としての両面電気配線付きのフレキシブル配線板を得た図1b参照;Cu、Ni、Auを電気配線パターン103として図示。[実施例1~6及び比較例1]実施例1~6及び比較例1では、上記のとおりにして作製したクラッド層形成用樹脂シート、コア層形成用樹脂シート及び基板を用い、以下の第1の工程~第3の工程を実施して、図1hに示す光電気複合基板を作製した。なお、これら実施例及び比較例では、コアパターン301の厚さが50μm、該コアパターン301上面に形成される上部クラッドパターン401の厚さが15μmであり、これらコアパターン301及び上部クラッドパターン401の厚さが場所によらず一定である光電気複合基板を作製することを目標とした。実施例11第1の工程上記で得られた15μm厚の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ100mm×100mmに裁断し、保護フィルムを剥離して、基板1面の片側に平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ株式会社名機製作所製、MVLP-500を用い、下部クラッド層樹脂面側の熱板に厚さ2mmのSUS板を取り付け、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度100°C、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、下部クラッド層2を形成した図1c参照。次に、電気配線パターン103から2mm離れた位置に、該電気配線パターン103と垂直で幅400μm×80mmのネガ型フォトマスクを介し、上記の紫外線露光機にて支持フィルム側から紫外線波長365nmを250mJ/cm2照射し、次いで支持フィルムを剥離し、現像液1炭酸カリウム水溶液を用いて、下部クラッド層2をエッチングし、下部クラッドパターン201を形成した。続いて、水洗浄し、下部クラッドパターン201面側から、上記露光機を用いて紫外線波長365nmを4J/cm2照射し、その後、170°Cで1時間加熱乾燥及び硬化して、厚さが15μmであり、幅Lが400μmである下部クラッドパターン201を形成した図1d。2第2の工程次に、上記の下部クラッドパターン201形成面側から上記の65μmのコア層形成用樹脂フィルムを上記の真空ラミネータを用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度100°C、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、コア層3を形成した図1e参照。このとき、真空ラミネータのコア層形成用樹脂面側の熱板に厚さ2mmのSUS板を取り付け、コア層形成用樹脂の積層と同時に平坦化を行った。下部クラッドパターン201及び該下部クラッドパターン201上に積層されたコア層3の合計厚みと、基材1上に形成されたコア層3の厚み差を測定したところ、1μmであった。次に、コア層3側から50μm×50mm3本の開口部を有したネガ型フォトマスクを介し、開口部が下部クラッドパターン201上になるように位置合わせをして、上記紫外線露光機にて紫外線波長365nmを700mJ/cm2照射し、次いで80°Cで5分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/N,N-ジメチルアセトアミド=8/2、質量比を用いて、コア層3をエッチングし、コアパターン301とした。続いて、洗浄液イソプロパノールを用いて洗浄し、100°Cで10分間加熱乾燥した図1f、図2参照。<コアパターン301の位置の詳細説明>図1fにおける距離a,bがそれぞれ50μmとなり、中央のコアパターン301が下部コアパターン201の幅L方向における中央となるように、3本のコアパターン301を形成した。3第3の工程次いで、保護フィルムを剥離した79μm厚の上部クラッド層形成用樹脂フィルムをコアパターン301形成面側から上記の真空加圧式ラミネータ株式会社名機製作所製、MVLP-500を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度110°C、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。このとき、真空ラミネータの上部クラッド層形成用樹脂面側の熱板に厚さ2mmのSUS板を取り付け、上部クラッド層形成用樹脂の積層と同時に平坦化を行った。さらに、下部クラッドパターン201形成の際に使用したネガ型フォトマスクを使用して紫外線波長365nmを150mJ/cm2照射後、支持フィルムを剥離し、現像液1炭酸カリウム水溶液を用いて上部クラッド層4をエッチングし、上部クラッドパターン401を形成した。続いて、水洗浄し、上部クラッドパターン401面側から、上記露光機を用いて紫外線波長365nmを4J/cm2照射し、その後、170°Cで1時間加熱乾燥及び硬化し、電気配線板1上の一部分に光導波路5が形成された光電気複合基板6を作製した図1h参照。表1に、使用した下部クラッド層形成用樹脂シート、コア層形成用樹脂シート、及び上部クラッド層形成用樹脂シートの厚さを示す。また、表1に、下部クラッドパターンの幅L、距離a、及び距離bの値を示す。4評価作製した光電気複合基板6を平坦面に静置し、平坦面から基板1の浮き反り量を測定したところ0.1μmであった。3本のコアパターン301の厚さと、コアパターン301の上面に形成された上部コアパターン401の厚さとを測定した。また、3本のコアパターン301のうち最大厚さのものと最小厚さのものの厚み差Δを算出し、この厚み差Δが光素子との結合効率が大きく異なってしまう20μm以上を×、10μm~20μm以下を△、10μm以下を○、5μm以下を◎と判定した。これらの値及び判定結果を表1に示す。また、3本のコアパターン301上に形成された上部クラッド層のうち最大厚さのものと最小厚さのものの厚み差Δを算出し、この厚み差Δが20μm以上を×、10μm~20μm以下を△、10μm以下を○、5μm以下を◎と判定した。実施例2~6各種フィルムの寸法、上記幅L、距離a、及び距離bを表1のとおりとしたこと以外は実施例1と同様にして光電気複合基板6を作製し、次いで実施例1と同様の評価を行った。その結果を表1に示す。比較例1比較例1では、第1の工程において、下部クラッド層2を形成した後、現像を行わなかった。すなわち比較例1では、下部クラッド層2そのものを下部クラッドパターン201とした。したがって比較例1では、基板1の表面の全体に下部クラッドパターン201が形成され、下部クラッドパターン201の上記幅Lは100mmである。この点と、各種フィルムの寸法、距離a、及び距離bを表1のとおりとしたこと以外は実施例1と同様にして光電気複合基板を作製した。得られた光電気複合基板は、電気配線パターン103が完全に下部クラッド層2に埋没していた。得られた光電気複合基板は、電気配線パターン103が完全に下部クラッド層2に埋没していた。作製した光電気複合基板6を平坦面に静置し、平坦面から基板1の浮き反り量を測定したところ20mmであった。"