一面13とこの一面13の反対側の他面14とを有する基板10と、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層22cと、磁化の向きが固定されたピン磁性層22aと、を有し、前記基板10の一面13の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部22と、を備え、前記複数の磁気抵抗素子部22には前記基板10の一面13に平行な面方向において前記ピン磁性層22aの磁化の向きが異なるものが含まれており、前記複数の磁気抵抗素子部22が外部の磁場の影響を受けたときの前記複数の磁気抵抗素子部22の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する角度検出センサの製造方法であって、前記基板10を用意する工程と、前記基板10の一面13の上方に前記複数の磁気抵抗素子部22を形成する素子部形成工程と、前記基板10において前記一面13から前記他面14までを貫通する貫通孔15を形成する貫通孔形成工程と、前記基板10の一面13側と他面14側とのいずれか一方から他方に前記貫通孔15を介して電流が流れる直線状の電流供給ライン40を形成する電流経路形成工程と、前記電流供給ライン40に電流を流すことによって前記電流供給ライン40の周囲に前記電流供給ライン40を中心とした同心円状の磁界を発生させると共に、前記基板10全体を加熱して磁場中アニールを行うことにより、前記複数の磁気抵抗素子部22を構成するピン磁性層22aの磁化の向きがそれぞれ前記同心円状の磁界の接線方向に向くように着磁を行う着磁工程と、を含んでいることを特徴とする角度検出センサの製造方法。前記電流経路形成工程では、前記基板10の貫通孔15にワイヤ41を通すことにより前記電流供給ライン40を形成することを特徴とする請求項1に記載の角度検出センサの製造方法。前記電流経路形成工程では、前記基板10の貫通孔15に金属棒42を通すことにより前記電流供給ライン40を形成することを特徴とする請求項1に記載の角度検出センサの製造方法。前記貫通孔形成工程では、前記貫通孔15を形成した後、前記基板10の貫通孔15の表面に側壁酸化膜16を形成する絶縁膜形成工程を含んでいることを特徴とする請求項2また3に記載の角度検出センサの製造方法。前記貫通孔形成工程では、前記貫通孔15を形成した後、前記基板10の貫通孔15の表面に側壁酸化膜16を形成する絶縁膜形成工程を含んでおり、前記電流経路形成工程では、前記側壁酸化膜16の上に貫通電極17を形成することにより前記貫通孔15を前記貫通電極17で埋め込む電極形成工程と、前記貫通電極17のうち前記基板10の一面13側の表面に第1ワイヤ43を接合すると共に前記貫通電極17のうち前記基板10の他面14側の表面に第2ワイヤ44を接合するワイヤボンディング工程と、を含み、前記第1ワイヤ43、前記貫通電極17、および前記第2ワイヤ44によって前記電流供給ライン40を形成することを特徴とする請求項1に記載の角度検出センサの製造方法。一面13とこの一面13の反対側の他面14とを有する基板10と、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層22cと、磁化の向きが固定されたピン磁性層22aと、を有し、前記基板10の一面13の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部22と、を備え、前記複数の磁気抵抗素子部22には前記基板10の一面13に平行な面方向において前記ピン磁性層22aの磁化の向きが異なるものが含まれており、前記複数の磁気抵抗素子部22が外部の磁場の影響を受けたときの前記複数の磁気抵抗素子部22の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する角度検出センサであって、前記基板10は、前記一面13から前記他面14までを貫通する貫通孔15を有し、前記複数の磁気抵抗素子部22のピン磁性層22aの磁化の向きは、前記貫通孔15を中心とした同心円の接線方向にそれぞれ向けられていることを特徴とする角度検出センサ。前記貫通孔15の表面には側壁酸化膜16が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の角度検出センサ。前記側壁酸化膜16の上には、前記貫通孔15を埋める貫通電極17が形成されていることを特徴とする請求項7に記載の角度検出センサ。しかしながら、上記従来の技術では、1枚のウェハに同じ磁化の向きのチップを多数形成するため、同じ磁化の向きのチップの数が多くなるために、コストアップに繋がるという問題があった。また、ピン磁性層の磁化方向が互いに90°となるようにチップの向きを制御しなければならず、組み付け誤差によって回転の検出精度が低下する可能性があった。このため、1ウェハに多くの磁化方向を設ける、ピン磁性層多極化の技術が求められている。本発明は上記点に鑑み、1つの基板に設けた複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を異なる方向に着磁させることができる角度検出センサの製造方法を提供することを第1の目的とする。また、この方法を実現するための構造を備えた角度検出センサを提供することを第2の目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面13とこの一面13の反対側の他面14とを有する基板10を備えている。また、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層22cと、磁化の向きが固定されたピン磁性層22aと、を有し、基板10の一面13の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部22を備えている。そして、複数の磁気抵抗素子部22には基板10の一面13に平行な面方向においてピン磁性層22aの磁化の向きが異なるものが含まれており、複数の磁気抵抗素子部22が外部の磁場の影響を受けたときの複数の磁気抵抗素子部22の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する角度検出センサの製造方法であって、以下の点を特徴としている。まず、基板10を用意する工程を行う。次に、基板10の一面13の上方に複数の磁気抵抗素子部22を形成する素子部形成工程を行う。続いて、基板10において一面13から他面14までを貫通する貫通孔15を形成する貫通孔形成工程を行う。そして基板10の一面13側と他面14側とのいずれか一方から他方に貫通孔15を介して電流が流れる直線状の電流供給ライン40を形成する電流経路形成工程を行う。この後、電流供給ライン40に電流を流すことによって電流供給ライン40の周囲に電流供給ライン40を中心とした同心円状の磁界を発生させると共に、基板10全体を加熱して磁場中アニールを行うことにより、複数の磁気抵抗素子部22を構成するピン磁性層22aの磁化の向きがそれぞれ同心円状の磁界の接線方向に向くように着磁を行う着磁工程を行うことを特徴とする。これによると、貫通孔15の周囲に電流供給ライン40を中心とした同心円状の磁界を形成することができるので、基板10の一面13における場所に応じて磁界の向きを異ならせることができる。このため、基板10の一面13の上方に複数の磁気抵抗素子部22を形成したとしても、1回の着磁工程において各磁気抵抗素子部22のピン磁性層22aの磁化の向きをそれぞれ異なる方向に着磁させることができる。したがって、ピン磁性層22aの多極化を実現できる。請求項2に記載の発明のように、電流経路形成工程では、基板10の貫通孔15にワイヤ41を通すことにより電流供給ライン40を形成することができる。請求項3に記載の発明のように、電流経路形成工程では、基板10の貫通孔15に金属棒42を通すことにより電流供給ライン40を形成することができる。請求項4に記載の発明では、貫通孔形成工程では、貫通孔15を形成した後、基板10の貫通孔15の表面に側壁酸化膜16を形成する絶縁膜形成工程を含んでいることを特徴とする。これによると、電流供給ライン40が側壁酸化膜16に接触したとしても基板10に直接接触することがないので、電流供給ライン40と基板10とが導通してしまうことを防止することができる。請求項5に記載の発明のように、貫通孔形成工程では、貫通孔15を形成した後、基板10の貫通孔15の表面に側壁酸化膜16を形成する絶縁膜形成工程を含んでいる。また、電流経路形成工程では、側壁酸化膜16の上に貫通電極17を形成することにより貫通孔15を貫通電極17で埋め込む電極形成工程と、貫通電極17のうち基板10の一面13側の表面に第1ワイヤ43を接合すると共に貫通電極17のうち基板10の他面14側の表面に第2ワイヤ44を接合するワイヤボンディング工程と、を含み、第1ワイヤ43、貫通電極17、および第2ワイヤ44によって電流供給ライン40を形成することができる。請求項6に記載の発明では、一面13とこの一面13の反対側の他面14とを有する基板10と、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層22cと、磁化の向きが固定されたピン磁性層22aと、を有し、基板10の一面13の上方に形成された複数の磁気抵抗素子部22と、を備え、複数の磁気抵抗素子部22には基板10の一面13に平行な面方向においてピン磁性層22aの磁化の向きが異なるものが含まれており、複数の磁気抵抗素子部22が外部の磁場の影響を受けたときの複数の磁気抵抗素子部22の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する角度検出センサであって、以下の点を特徴としている。すなわち、基板10は、一面13から他面14までを貫通する貫通孔15を有している。そして、複数の磁気抵抗素子部22のピン磁性層22aの磁化の向きは、貫通孔15を中心とした同心円の接線方向にそれぞれ向けられていることを特徴とする。これによると、貫通孔15に電流供給ライン40を通すことができ、貫通孔15を中心とした同心円状の磁界が形成されるようにすることができる。これにより、基板10の一面13における場所に応じて磁界の向きが異なるので、各磁気抵抗素子部22のピン磁性層22aの磁化の向きをそれぞれ異なる方向に着磁させることができる。したがって、ピン磁性層22aの多極化を実現できる。請求項7に記載の発明のように、貫通孔15の表面には側壁酸化膜16が形成されている構造とすることができる。請求項8に記載の発明のように、側壁酸化膜16の上には、貫通孔15を埋める貫通電極17が形成されている構造とすることができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る角度検出センサは、例えば自動車用のエンジン回転数検出やハンドル回転角検出等に使用されるものである。図1aは本実施形態に係る角度検出センサの平面図であり、図1bは図1aのA-A’断面図である。図1aおよび図1bに示されるように、角度検出センサは基板10の上に2つのセンサ部20を備えている。センサ部20は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化する素子である。本実施形態に係るセンサ部20は、トンネル磁気抵抗素子TMR素子として構成されている。基板10は、図1bに示されるように、Si等で形成された半導体基板11と、この半導体基板11の上に形成された絶縁膜12と、を備えて構成されている。また、基板10は一面13とこの一面13の反対側の他面14とを有している。上記のように基板10は半導体基板11と絶縁膜12とで構成されているので、絶縁膜12の表面が基板10の一面13に対応し、半導体基板11のうち絶縁膜12が形成された面とは反対側の面が基板10の他面14に対応する。さらに、基板10は、一面13から他面14までを貫通する貫通孔15を有している。この貫通孔15は、後述する各センサ部20に対する着磁工程で用いられる孔である。そして、センサ部20は絶縁膜12の上に複数形成されている。図1aに示されるように、本実施形態では、4個のセンサ部20が貫通孔15の周囲に配置されている。確センサ部20は貫通孔15を中心とした同心円上に等間隔で配置されている。センサ部20は、絶縁膜12の上に設けられた下部電極21と、下部電極21の上に設けられた磁気抵抗素子部22と、磁気抵抗素子部22の上に設けられた上部電極23と、を備えている。図2は磁気抵抗素子部22の断面図である。この図に示されるように、磁気抵抗素子部22は、下部電極21の上にピン磁性層22a、トンネル層22b、フリー磁性層22cが順に形成されてTMR素子が構成されたものである。ピン磁性層22aはフリー磁性層22cよりも絶縁膜12側に位置すると共に磁化の向きが固定される強磁性金属層である。トンネル層22bはトンネル効果によりフリー磁性層22cからピン磁性層22aに電流を流すための絶縁層である。フリー磁性層22cは、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する強磁性金属層である。このような構成の磁気抵抗素子部22は基板10の一面13の上方に位置している。そして、基板10の一面13に平行な面方向において、各磁気抵抗素子部22のピン磁性層22aの磁化の向きがそれぞれ異なっている。具体的には、図1aにおけるセンサ部20の矢印の向きに示されるように、各磁気抵抗素子部22のピン磁性層22aの磁化の向きは、貫通孔15を中心とした同心円の接線方向にそれぞれ向けられている。このため、一つの磁気抵抗素子部22では回転角度に応じて抵抗値が例えばcos曲線の出力となり、他の一つの磁気抵抗素子部22では回転角度に応じて抵抗値が例えばsin曲線の出力となる。なお、センサ部20は、図1aに示されるように円形にレイアウトされている。このようにセンサ部20の平面レイアウトを円形としているのは、磁化の特性が良くなるためである。完全な円形ではなく、楕円でも良い。もちろん、センサ部20の平面レイアウトは円形や楕円に限らず、多角形でも良い。また、基板10の一面13においてセンサ部20の積層構造よりも外側には当該積層構造の側面に接するように絶縁膜30が形成されている。この絶縁膜30や上述の絶縁膜12として、誘電率の高い熱酸化膜、CVD酸化膜、CVD窒化膜、TEOS酸化膜等の絶縁材料が用いられている。具体例として、絶縁膜12、30はSiO2やSiN等である。下部電極21は、当該下部電極21に接続された図示しない下部電極用配線を介して絶縁膜12の上に形成された図示しない下部電極用パッドに接続されている。下部電極用配線は、絶縁膜30を貫通するように形成されている。下部電極用パッドは図示しない信号処理用のチップに接続されている。また、上部電極23は、当該上部電極23に接続された図示しない上部電極用配線を介して絶縁膜12の上に形成された図示しない上部電極用パッドに接続されている。上部電極用配線は、絶縁膜30の上に形成されている。上部電極用パッドは図示しない信号処理用のチップに接続されている。以上が、本実施形態に係る角度検出センサの全体構成である。次に、上記構成の角度検出センサの製造方法について、図3~図6を参照して説明する。なお、図3、図4、および図6aの各図は、図1aのA-A断面に相当する図であり、図5および図6bは斜視図ある。まず、図3aに示す工程では、半導体基板11の上に例えば数μmの厚さの絶縁膜12を熱酸化やCVD法等で形成する。このようにして基板10を用意する。図3bに示す工程では、下部電極21となる金属層をスパッタ等で基板10絶縁膜12の一面13に成膜する。そして、ウェット等でエッチングすることにより、下部電極21を形成する。なお、下部電極21となる金属層には、下部電極用配線の一部が残されるように、金属層のパターニングを行う。図3cに示す工程では、下部電極21の上に磁気抵抗素子部22となる各層をスパッタ等で順に成膜する。そして、ウェット等でエッチングすることにより、各下部電極21の上に一対の磁気抵抗素子部22を形成する素子部形成工程。続いて、図4aに示す工程では、リフトオフの方法により絶縁膜12の上に絶縁膜30を形成する。これにより、絶縁膜30が下部電極21や磁気抵抗素子部22の外周側の側面を覆う。なお、下部電極用配線の一部に繋がる図示しない孔部を絶縁膜30に形成する。そして、図4bに示す工程では、絶縁膜30に形成した図示しない孔部に金属材料を埋めると共に、各磁気抵抗素子部22の上に上部電極23となる金属層をスパッタ等で成膜する。また、当該金属層をウェット等でエッチングする。これにより、上部電極23と、下部電極21に接続された下部電極用配線と、上部電極23に接続された上部電極用配線と、これらの配線にそれぞれ接続された下部電極用パッドおよび上部電極用パッドを形成する。こうして、基板10上に4つのセンサ部20を形成する。図4cに示す工程では、基板10に貫通孔15を形成する貫通孔形成工程。このため、基板10を構成する半導体基板11と絶縁膜12をドライまたはウェット等でエッチングすることにより、基板10を貫通する貫通孔15を形成する。本実施形態では、基板10の一面13の中心位置に貫通孔15を形成する。この後、図5に示す工程では、基板10の一面13側と他面14側とのいずれか一方から他方に貫通孔15を介して電流が流れる直線状の電流供給ライン40を形成する電流経路形成工程。本実施形態では、基板10の貫通孔15に金属のワイヤ41を通すことにより電流供給ライン40を形成する。ここで、基板10の一面13に対して垂直に配置されるようにワイヤ41を貫通孔15に通すことが望ましい。なお、半導体基板11は導電性材料であるので、半導体基板11とワイヤ41とが接触しないようにワイヤ41を固定する。ワイヤ41の固定は絶縁性の引っかけ部材に引っかけることや、他の基板等にワイヤボンディングすることにより行う。そして、図6に示す工程では、各センサ部20のピン磁性層22aの着磁を行う着磁工程。具体的には、図6aに示されるように、貫通孔15にワイヤ41を通した基板10を恒温槽50に配置して恒温槽50内を300°C前後に加熱し、電流供給ライン40であるワイヤ41に電流Iを流す。本実施形態では、基板10の他面14側から一面13側に電流を流す。これにより、図6bに示されるように、電流供給ライン40の周囲に、アンペールの法則に従って電流供給ライン40を中心とした同心円状の磁界Hを発生させることができる。なお、同心円とは、ワイヤ41の長手方向に対して垂直な方向を径方向とする円のことを指す。このように、基板10全体を加熱して磁場中アニールを行うことにより、各磁気抵抗素子部22を構成するピン磁性層22aの磁化の向きがそれぞれ同心円状の磁界Hの接線方向に向くように着磁を行うことができる。この後、基板10を恒温槽50から取り出し、ワイヤ41を貫通孔15から引き抜くことで、1つの基板10に形成した4つのセンサ部20の各ピン磁性層22aをそれぞれ異なる方向に磁化させた角度検出センサが完成する。すなわち、一部の磁気抵抗素子部22の出力はcos曲線の抵抗値となり、他の一部の磁気抵抗素子部22の出力はsin曲線の抵抗値となる。次に、角度検出センサが外部の磁場の影響を受けたときに物理量として回転角度を検出する方法について説明する。回転角度を検出するため、下部電極用パッドおよび上部電極用パッドを介して磁気抵抗素子部22に電流を流す。そして、例えば、図示しない磁石が磁気センサ装置の上方に配置され、この磁石がハンドル操作によって回転すると、フリー磁性層22cが磁石から受ける磁界が変化する。すなわち、各磁気抵抗素子部22が外部の磁場の影響を受けたことにより、各磁気抵抗素子部22の抵抗値の変化に基づいて各磁気抵抗素子部22に流れる電流の大きさつまり抵抗値が変化する。ここで、一方の磁気抵抗素子部22が出力するcos曲線の抵抗値と、他方の磁気抵抗素子部22が出力するsin曲線の抵抗値と、をそれぞれ外部の演算用チップに取り出し、このチップでarcTan演算する。これにより、-180°から180°まで、つまり360°の回転角度に応じて一定の傾きで変化する出力が得られる。したがって、出力の大きさに対応する磁石の回転角度を得ることができる。以上説明したように、本実施形態では、各センサ部20のピン磁性層22aの磁化の向きをそれぞれ異なる方向に着磁するため、基板10に貫通孔15を設けてこの貫通孔15にワイヤ41を通して電流を流すことにより、ワイヤ41の周囲に発生させた磁界Hにより各ピン磁性層22aの着磁を行うことが特徴となっている。すなわち、電流供給ライン40を中心とした同心円状の磁界Hを貫通孔15の周囲に形成することができるので、基板10の一面13において場所の違いに応じて磁界Hの向きを異ならせることができる。したがって、基板10の一面13の上方に複数の磁気抵抗素子部22を形成したとしても、1回の着磁工程において各磁気抵抗素子部22のピン磁性層22aの磁化の向きをそれぞれ異なる方向に着磁させることができる。第2実施形態本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。第1実施形態では、1つの基板10に1つの角度検出センサを製造していた。しかしながら、チップウェハに角度検出センサとなる部分を複数形成し、まとめて着磁することもできる。図7は、本実施形態に係る着磁工程を示した図である。この図に示されるように、チップウェハ60に角度検出センサとなる部分を複数形成し、それぞれの角度検出センサに上述のように貫通孔15を形成しておく。そして、本実施形態では、図5に示す電流経路形成工程において、チップウェハ60の各貫通孔15に金属棒42をそれぞれ通すことにより、各貫通孔15に電流供給ライン40をそれぞれ形成する。この金属棒42は、チップウェハ60に形成された各貫通孔15にそれぞれ差し込まれるようになっており、例えば、剣山のようなものとして構成されている。また、本実施形態では、一方の電流供給ライン40が発生させる磁界Hと他方の電流供給ライン40が発生させる磁界Hとが逆方向にならないように、隣り合う電流供給ライン40の電流の向きが互いに逆方向に設定されている。これにより、一方に電流供給ライン40から発生した磁界Hによって着磁が行われるピン磁性層22aが、他方の電流供給ライン40から発生した逆向きの磁界Hによって影響を受けることはない。以上のように、チップウェハ60にまとめて角度検出センサを形成し、まとめて着磁を行うこともできる。なお、上記では金属棒42を用いたが、第1実施形態と同様にワイヤ41を用いても良い。第3実施形態本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分について説明する。上記第1、第2では、貫通孔15にワイヤ41または金属棒42を通していたが、本実施形態では貫通孔15に電極を埋め込み、この電極にワイヤボンディングを行うことにより電流供給ライン40を形成することが特徴となっている。この製造工程について、図8および図9を参照して説明する。なお、図8および図9において、左欄は断面図を示し、右欄は斜視図を示している。図8は、本実施形態に係る角度検出センサの製造工程の一部を示した図であり、上述の図4cに続く製造工程を示した図である。したがって、まず、図3aに示す工程から図4cに示す工程を順に行う。そして、図4cに示す工程の後、図8aに示す工程では、基板10の貫通孔15の表面に、例えば熱酸化の方法により側壁酸化膜16を形成する絶縁膜形成工程。次に、図8bに示す工程では、側壁酸化膜16の上に蒸着、スパッタ、めっき法等により貫通電極17を形成することにより貫通孔15を貫通電極17で埋め込む電極形成工程。これにより、基板10の一面13側および他面14側に貫通電極17が露出した状態となる。この後、図8cに示す工程では、基板10から露出した貫通電極17にワイヤボンディングを行うワイヤボンディング工程。具体的には、貫通電極17のうち基板10の一面13側の表面に第1ワイヤ43を接合すると共に貫通電極17のうち基板10の他面14側の表面に第2ワイヤ44を接合する。これにより、第1ワイヤ43、貫通電極17、および第2ワイヤ44によって構成された電流供給ライン40を形成する。第1ワイヤ43および第2ワイヤ44については第1実施形態と同様に他の部材に固定し、基板10の一面13に対して垂直に延びるようにそれぞれ配置する。続いて、図9に示す工程では、図6に示す工程と同様に、第1ワイヤ43、貫通電極17、および第2ワイヤ44によって構成された電流供給ライン40を形成した基板10を恒温槽50に配置して加熱し、電流供給ライン40であるワイヤ41に電流Iを流す。これにより、電流供給ライン40の周囲に電流供給ライン40を中心とした同心円状の磁界Hを発生させ、各ピン磁性層22aの着磁を行う。この後、基板10を恒温槽50から取り出し、第1ワイヤ43および第2ワイヤ44を貫通電極17から取り外す。こうして、1つの基板10に形成した4つのセンサ部20の各ピン磁性層22aをそれぞれ異なる方向に磁化させた角度検出センサが完成する。貫通電極17は基板10に残された状態となる。以上のように、基板10に貫通電極17を設けて第1ワイヤ43および第2ワイヤ44を貫通電極17に接合し、第1ワイヤ43、第2ワイヤ44、および貫通電極17によって構成された電流供給ライン40に電流Iを流すことによって磁界Hを発生させることもできる。ここで、センサ部20が設けられた基板10の一面13側のみに第1ワイヤ43を設け、基板10の他面14側には第2ワイヤ44ではなくパッドが設けられた別基板等を配置し、貫通電極17のうち基板10の他面14側をこのパッドの上に配置することも考えられる。すなわち、別基板の上に基板10を乗せて、貫通電極17には第1ワイヤ43のみ接合することが考えられる。しかし、電流供給ライン40に流れる電流Iによって発生する磁界が別基板に干渉してしまい、基板10の一面13側に影響を及ぼす可能性がある。したがって、上述のように、電流供給ライン40を基板10の一面13側と他面14側との両方に位置させることにより安定した磁界を発生させることが好ましい。他の実施形態上記各実施形態で示された角度検出センサの構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、上記各実施形態では、角度検出センサは車両に適用されるものとして説明したが、もちろん車両に限らず回転角度を検出するものとして広く利用できる。上記各実施形態では磁気抵抗素子部22をTMR素子として構成していたが、GMR素子として構成しても良い。上記各実施形態では、1つの角度検出センサに4つのセンサ部20が設けられていたが、これは一例であり、センサ部20の数は適宜設定できる。また、基板10の構成も一例であり、半導体基板11および絶縁膜12以外の構成でも良い。上記各実施形態では、絶縁膜30は基板10の一面13においてセンサ部20よりも外側に位置していたが、これは構造の一例であり、絶縁膜30は基板10の一面13においてセンサ部20よりも内側にも形成されていても良い。第1実施形態では、電流供給ライン40としてワイヤ41を用いていたが、第2実施形態で示された金属棒42を用いても良い。第1実施形態では、基板10に貫通孔15を形成し、この貫通孔15にワイヤ41を直接通していたが、第3実施形態で示された側壁酸化膜16を貫通孔15の表面に形成しても良い。これは第2実施形態で示された金属棒42を貫通孔15に通す場合についても同様である。これにより、ワイヤ41や金属棒42と基板10との絶縁を図ることができる。