"上面、前記上面に形成された複数の配線、前記上面に形成された複数の第1電極、前記上面とは反対側の下面、および前記下面に形成された複数の第2電極を有する配線基板と、第1表面、前記第1表面に形成された複数の第1ボンディングパッド、および前記第1表面とは反対側の第1裏面を有し、前記第1裏面が前記上面と対向するように、第1接着層を介して前記配線基板の前記上面上に搭載された第1半導体チップと、第2表面、前記第2表面に形成された複数の第2ボンディングパッド、および前記第2表面とは反対側の第2裏面を有し、前記第2裏面が前記第1表面と対向するように、第2接着層を介して前記第1半導体チップの前記第1表面上に搭載された第2半導体チップと、前記第1半導体チップおよび前記第2半導体チップを封止する封止体と、前記複数の第2電極上に形成された複数の外部端子と、を含み、前記第2接着層のうちの前記第2半導体チップと平面的に重なる部分の厚さは、前記第1接着層のうちの前記第1半導体チップと平面的に重なる部分の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記配線基板の前記上面の粗さは、前記第1半導体チップの前記第1表面の粗さよりも大きく、前記第1表面の粗さは、前記第2接着層のうちの前記第2半導体チップと平面的に重なる部分の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。請求項2において、前記第1接着層は、フィルム基板を有しており、前記第2接着層は、前記フィルム基板を有していないことを特徴とする半導体装置。請求項3において、前記第2接着層は、スピンコート法により形成されることを特徴とする半導体装置。しかし、上記フィルム状の接着部材を用いた半導体チップの多段積層構成では、以下の課題があることを本発明者は見出した。第1は、フィルム状の接着部材の厚さに関する課題である。すなわち、フィルム状の接着部材の厚さは、フィルム状の接着部材の搬送や製造上の理由から10μm程度までが限界である。更に詳細に説明すると、フィルム状の接着部材はフィルム基板の上に接着層が形成されたものであるため、フィルム基板の厚さを無視する事ができない。そのため、10μm以下に薄くすることは困難である。このため、半導体チップの多段積層構成の全体的な薄型化を阻害する、という問題がある。第2は、ダイシング方式の変革による課題である。ダイシング方式は、ダイシングブレードを高速回転させながら、ウエハの表面を押さえ付けるように切断するため、ウエハにかかる応力が非常に高い。すなわち、上記のように半導体ウエハの薄型化が進められているが、薄い半導体ウエハをブレードダイシング方式により切断すると半導体ウエハにチッピングが生じ、薄い半導体チップの抗折強度が著しく低下する問題がある。また、半導体装置の動作速度の向上の観点から半導体チップの配線層間絶縁膜として、誘電率が酸化シリコンよりも低い低誘電率膜いわゆるLow-k膜を使用する製品があるが、Low-K膜は脆いために剥がれ易いことや内部に微少な気泡を持つものがあり、ブレードダイシング方式では上手く切断できない場合がある。そこで、それらの問題を回避する新しいダイシング方式として、ステルスダイシング方式が注目されている。このステルスダイシング方式は、レーザ光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質層を形成し、その改質層を分割起点として半導体ウエハを切断するダイシング方式である。この方式によれば、厚さ30μm程度の極めて薄い半導体ウエハでも、物理的にストレスを与えずに直接切断できるので、チッピングを低減でき、半導体チップの抗折強度を低下させることがない。その上、半導体ウエハの厚さに関わらず、毎秒300mm以上の高速ダイシングが可能なので、スループットを向上させることもできる。したがって、半導体チップの薄型化にはステルスダイシング方式は必須の技術である。しかし、上記のようにウエハ裏面貼り方式を採用する場合に、ステルスダイシング方式を行うと、樹脂層はレーザを通さないために樹脂層自体を切削することができず、DAFを上手く切断することができない場合がある。このため、DAFの材料として、切断に優れた硬さ、脆さを調整した樹脂材料を選択する必要があるが、その場合、材料コストがかかる上、樹脂の切削面が均一化せず、ダイシングラインに沿って綺麗に切断することが困難である。このため、半導体装置の歩留まりおよび信頼性が低下する。切削面を均一にするためには、樹脂層を5μm程度またはそれ以下に薄くすることが有効であるが、上記のようにDAFの厚さは、10μm程度までが限界である。したがって、ステルスダイシング方式の採用が阻害され、半導体チップの薄型化が阻害される、という問題がある。そこで、本発明の目的は、チップを多段に積層した構成を有する半導体装置を薄型化することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。すなわち、本発明は、ウエハの裏面に液状の接着材を回転塗布法または印刷法により塗布し固体状の接着層を形成する工程と、前記ウエハに対してレーザダイシング処理を施す工程とを有するものである。また、本発明は、複数のチップを多段に積み重ねた構成を備え、前記複数のチップ間の接着層の厚さが、前記複数のチップの最下層のチップとこれを実装する配線基板との間の接着層の厚さよりも薄いものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。すなわち、ウエハの裏面に回転塗布法または印刷法により液状の接着材を塗布し、固体状の接着層を形成する工程と、前記ウエハに対してレーザダイシング処理を施す工程とを有することにより、多段に積み重ねたチップ間の接着層の厚さを薄くすることができるので、チップを多段に積層した構成を有する半導体装置を薄型化することができる。以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は可能な限り省略するようにしている。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1本実施の形態1の半導体装置の製造方法を図1のフロー図に沿って説明する。まず、前工程100では、厚さ方向に沿って互いに反対側となる主面と裏面とを有する半導体ウエハ以下、ウエハというを用意し、そのウエハの主面デバイス形成面に複数の半導体チップ以下、チップというを形成する。この前工程100は、ウエハプロセスまたはウエハファブリケーションとも呼ばれ、ウエハの主面にチップ素子や回路を形成し、プローブ等により電気的試験を行える状態にするまでの工程である。前工程には、成膜工程、不純物導入拡散またはイオン注入工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、メタライズ工程、洗浄工程および各工程間の検査工程等がある。図2はこの前工程100後のウエハ1Wの主面の全体平面図、図3は図2のウエハ1Wの一例の要部拡大平面図、図4は図3の領域R1の拡大平面図、図5は図4のX1-X1線の断面図を示している。ウエハ1Wは、例えば直径300mm程度の平面略円形状の半導体薄板からなり、その主面には、例えば平面四角形状の複数のチップ1Cが、その各々の周囲に切断領域分離領域CRを介して配置されている。ウエハ1Wの半導体基板以下、基板という1Sは、例えばシリコンSi単結晶からなり、その主面には素子および配線層1Lが形成されている。この段階のウエハ1Wの厚さ基板1Sの厚さと配線層1Lの厚さとの総和は、例えば775μm程度である。なお、図2の符号Nはノッチを示している。また、図4の符号CLは切断線を示している。また、切断線CLは切断領域CRの幅方向短方向のほぼ中心を通るように配置される。上記配線層1Lには、層間絶縁膜1Li、配線、ボンディングパッド外部端子;以下、パッドという1LB、テストTEG:TestElementGroup用のパッド1LBt、アライメントターゲットAmおよび表面保護膜以下、保護膜という1Lpが形成されている。層間絶縁膜1Liは、複数の層間絶縁膜1Li1,1Li2,1Li3を有している。層間絶縁膜1Li1,1Li3には、例えば酸化シリコンSiO2等のような無機系の絶縁膜が使用されている。層間絶縁膜1Li2には、半導体装置の動作速度の向上の観点から、例えば有機ポリマーまたは有機シリカガラスのような、誘電率が酸化シリコンよりも低い低誘電率膜Low-k膜が使用されている。この有機ポリマー完全有機系低誘電性層間絶縁膜としては、例えばSiLK米TheDowChemicalCo製、比誘電率=2.7、耐熱温度=490°C以上、絶縁破壊耐圧=4.0~5.0MV/VmまたはポリアリルエーテルPAE系材料のFLARE米HoneywellElectronicMaterials製、比誘電率=2.8、耐熱温度=400°C以上等がある。このPAE系材料は、基本性能が高く、機械的強度、熱的安定性および低コスト性に優れるという特徴を有している。上記有機シリカガラスSiOC系材料としては、例えばHSG-R7日立化成工業製、比誘電率=2.8、耐熱温度=650°C、BlackDiamond米AppliedMaterials,Inc製、比誘電率=3.0~2.4、耐熱温度=450°Cまたはp-MTES日立開発製、比誘電率=3.2等がある。この他のSiOC系材料としては、例えばCORAL米NovellusSystemsInc製、比誘電率=2.7~2.4、耐熱温度=500°C、Aurora2.7日本エーエスエム社製、比誘電率=2.7、耐熱温度=450°C等がある。また、他の低誘電率膜材料としては、例えばFSG等のような完全有機系のSiOF系材料、HSQhydrogensilsesquioxane系材料、MSQmethylsilsesquioxane系材料、ポーラスHSQ系材料、ポーラスMSQ材料またはポーラス有機系材料を用いることもできる。上記HSQ系材料としては、例えばOCDT-12東京応化工業製、比誘電率=3.4~2.9、耐熱温度=450°C、FOx米DowCorningCorp.製、比誘電率=2.9またはOCLT-32東京応化工業製、比誘電率=2.5、耐熱温度=450°C等がある。上記MSQ系材料としては、例えばOCDT-9東京応化工業製、比誘電率=2.7、耐熱温度=600°C、LKD-T200JSR製、比誘電率=2.7~2.5、耐熱温度=450°C、HOSP米HoneywellElectronicMaterials製、比誘電率=2.5、耐熱温度=550°C、HSG-RZ25日立化成工業製、比誘電率=2.5、耐熱温度=650°C、OCLT-31東京応化工業製、比誘電率=2.3、耐熱温度=500°CまたはLKD-T400JSR製、比誘電率=2.2~2、耐熱温度=450°C等がある。上記ポーラスHSQ系材料としては、例えばXLK米DowCorningCorp.製、比誘電率=2.5~2、OCLT-72東京応化工業製、比誘電率=2.2~1.9、耐熱温度=450°C、Nanoglass米HoneywellElectronicMaterials製、比誘電率=2.2~1.8、耐熱温度=500°C以上またはMesoELK米AirProductsandChemicalsInc、比誘電率=2以下等がある。上記ポーラスMSQ系材料としては、例えばHSG-6211X日立化成工業製、比誘電率=2.4、耐熱温度=650°C、ALCAP-S旭化成工業製、比誘電率=2.3~1.8、耐熱温度=450°C、OCLT-77東京応化工業製、比誘電率=2.2~1.9、耐熱温度=600°C、HSG-6210X日立化成工業製、比誘電率=2.1、耐熱温度=650°Cまたはsilicaaerogel神戸製鋼所製、比誘電率1.4~1.1等がある。上記ポーラス有機系材料としては、例えばPolyELK米AirProductsandChemicalsInc、比誘電率=2以下、耐熱温度=490°C等がある。上記SiOC系材料、SiOF系材料は、例えばCVD法ChemicalVaporDepositionによって形成されている。例えば上記BlackDiamondは、トリメチルシランと酸素との混合ガスを用いたCVD法等によって形成される。また、上記p-MTESは、例えばメチルトリエトキシシランとN2Oとの混合ガスを用いたCVD法等によって形成される。それ以外の上記低誘電率の絶縁材料は、例えば塗布法で形成されている。なお、図5では、説明を簡単にするため層間絶縁膜1Li2は単層で示しているが、実際は、複数の低誘電率膜が積層されている。この複数の低誘電率膜の間には、例えば炭化シリコンSiCや炭窒化シリコンSiCN等のような絶縁膜が介在されている。また、その炭化シリコンや炭窒化シリコン等のような絶縁膜と低誘電率膜との間には、例えば二酸化シリコンSiO2に代表される酸化シリコンSiOxからなるキャップ絶縁膜が介在される場合もある。このキャップ絶縁膜は、例えば化学機械研磨処理CMP;ChemicalMechanicalPolishing時における低誘電率膜の機械的強度の確保、表面保護および耐湿性の確保等のような機能を有している。このキャップ絶縁膜の厚さは、低誘電率膜よりも相対的に薄く形成されている。ただし、キャップ絶縁膜は、酸化シリコン膜に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば窒化シリコンSixNy膜、炭化シリコン膜または炭窒化シリコン膜を用いても良い。これら窒化シリコン膜、炭化シリコン膜または炭窒化シリコン膜は、例えばプラズマCVD法によって形成することができる。プラズマCVD法で形成された炭化シリコン膜としては、例えばBLOkAMAT社製、比誘電率=4.3がある。その形成に際しては、例えばトリメチルシランとヘリウムまたはN2、NH3との混合ガスを用いる。また、図5では、説明を簡単にするため層間絶縁膜1Li2中に配線を示していないが、実際には、層間絶縁膜1Li2には、上記配線が多層になって形成されている。この配線は、例えば埋込配線とされている。すなわち、この配線は、層間絶縁膜1Li2の各層に形成された配線溝内に導体膜が埋め込まれることで形成されている。配線を形成する導体膜は、主導体膜と、その外周面底面および側面を覆うように形成されたバリアメタル膜とを有している。主導体膜は、例えば銅Cuにより形成されている。バリアメタル膜は、例えば窒化チタンTiN、窒化タングステンWN、窒化タンタルTaN、タンタルTa、チタンTi、タングステンWまたはチタンタングステンTiWあるいはそれらの積層膜により形成されている。層間絶縁膜1Li3上の配線、パッド1LB,1LBtおよびアライメントターゲットAmは、例えばアルミニウム等のような金属膜により形成されている。このような最上の配線およびパッド1LB,1LBt等は、配線層1Lの最上層に形成された保護膜1Lpにより覆われている。保護膜1Lpは、例えば酸化シリコンのような無機系の絶縁膜と、その上に堆積された、例えば窒化シリコンのような無機系の絶縁膜と、さらにその上に堆積された、例えばポリイミド樹脂のような有機系の絶縁膜との積層膜により形成されている。この保護膜1Lpの一部には、開口部2が形成されており、そこからパッド1LB,1LBtの一部が露出されている。パッド1LBは、チップ1Cの外周に沿って並んで配置され、上記層間絶縁膜1Li中の配線を通じてチップ1Cの集積回路素子と電気的に接続されている。テスト用のパッド1LBtおよびアライメントターゲットAmは、チップ1Cの切断領域CRに配置されている。テスト用のパッド1LBtは、例えば平面矩形状に形成され、上記配線を通じてTEG用の素子と電気的に接続されている。アライメントターゲットAmは、例えば露光装置等のような製造装置とウエハ1Wのチップ1Cとの位置合わせの際に用いられるパターンで、例えば平面十字状に形成されている。アライメントターゲットAmは、十字状の他に、L字状やドット状に形成される場合もある。続く図1のテスト工程101では、ウエハ1Wの各チップ1Cのパッド1LBおよび切断領域CRのテスト用のパッド1LBtにプローブを当てて各種の電気的特性検査を行う。このテスト工程は、G/WGoodchipWaferチェック工程とも呼ばれ、主としてウエハ1Wに形成された各チップ1Cの良否を電気的に判定する試験工程である。続く図1の後工程102は、上記チップ1Cを封止体パッケージに収納し完成するまでの工程であり、裏面加工工程102A、チップ分割工程102Bおよび組立工程102Cを有している。以下、裏面加工工程102A、チップ分割工程102Bおよび組立工程102Cについて順に説明する。図6~図8は上記裏面加工工程102Aにおけるウエハ1Wの断面図を示している。まず、図6に示すように、ウエハ1Wの主面全面に接着層3を回転塗布スピンコート法等により均一に塗布する。続いて、図7に示すように、ウエハ1Wの主面上に接着層3を介して支持基板4を貼り付ける図1の工程102A1。この支持基板4は、この後の工程においてウエハ1Wの補強部材として機能するウエハサポートシステムWaferSupportSystemWSSである。これにより、ウエハ1Wの搬送時においては、極薄で大径のウエハ1Wを安定した状態でハンドリングできる上、ウエハ1Wを外部の衝撃から保護することもできるので、ウエハ1Wの割れや欠け等を抑制または防止できる。また、この後の各工程時においては、ウエハ1Wの反りや撓みを抑制または防止でき、極薄で大径のウエハ1Wの平坦性を向上させることができるので、各工程での処理の安定性や制御性を向上させることができる。支持基板4の材料としては、例えば透明なガラスのような硬質支持基板Hard-WSSまたはGlass-WSSが使用されている。ただし、支持基板4の他の材料として、例えばステンレスのような他の硬質支持基板Hard-WSSを用いても良い。また、支持基板4のさらに他の材料として、例えばPETPolyethyleneTerephthalateやPENPolyethyleneNaphthalate等のような絶縁支持基板をテープ基材に貼り付けたテープWSSを用いても良い。なお、支持基板4をウエハ1Wの主面に貼り付ける際には、支持基板4の剥離層4aの形成面を接着層3に押し付けることで支持基板4をウエハ1Wの主面に固定する。この剥離層4aは、支持基板4をウエハ1Wから剥離する際に剥離を容易にするための機能層である。その後、図8に示すように、ウエハ1Wの厚さを測定した後、その測定結果に基づいてウエハ1Wに対して薄型化処理を施す。ここでは、ウエハ1Wの裏面に対して研削処理および研磨処理平坦加工を順に施す図1の工程102A2,102A3。このような薄型化処理後のウエハ1Wの厚さ基板1Sの厚さと配線層1Lの厚さとの総和は、例えば100μm以下例えば90μm程度、70μm程度あるいは50μm程度とされている。ここで、ウエハ1Wの厚さが薄くなり100μm以下になってくると上記裏面研削処理によりウエハ1Wの裏面に生じた損傷やストレスが原因でチップの抗折強度が低下しチップを実装する時の圧力でチップが割れてしまう不具合が生じ易くなる。このため、裏面研削処理後の裏面研磨処理は、そのような不具合が生じないようにウエハ1Wの裏面の損傷やストレスを無くす上で重要な処理となっている。裏面研磨処理としては、研磨パッドとシリカとを用いて研磨する方法や化学機械研磨ChemicalMechanicalPolishing:CMP法の他、例えば硝酸とフッ酸とを用いたエッチング法を用いても良い。ただし、ウエハ1Wの裏面が研磨処理により平坦化されていると、不純物がウエハ1Wの裏面からウエハ1W内部デバイス形成面に向かって容易に拡散する場合がある。そのため、ウエハ1Wの裏面の凹凸損傷やストレス等を不純物捕獲用のゲッタリング層として機能させることを必要とする製品の場合には、裏面研磨処理を行わず、ウエハ1Wの裏面に凹凸損傷やストレス等を意図的に残すようにする場合もある。なお、図8の破線は、薄型化処理前の基板1Sを示している。次に、図9はチップ分割工程102Bのレーザ照射工程102B1時におけるウエハ1Wの断面図、図10は図9のウエハ1Wの要部拡大平面図を示している。まず、極薄のウエハ1Wをその主面に支持基板4を貼り付けたままの状態でレーザダイシング装置に搬送し、そのウエハ1Wの裏面を上に向けた状態で吸着ステージに載置する。続いて、ウエハ1Wの裏面から赤外線カメラ以下、IRカメラを用いて、ウエハ1Wの主面のパターンチップ1Cや切断領域CRのパターンの他、切断領域CRに配置されているパッド1LBtやアライメントターゲットAm、チップ1C内に配置されているパッド1LB等を認識する。その後、IRカメラで得られたパターン情報に基づいて切断線CLの位置合わせ位置補正を実施した後、レーザ発生部5から放射されたレーザ光エネルギービームLB1をウエハ1Wの裏面側からウエハ1Wの基板1Sの内部に集光点を合わせた状態で照射するとともに、上記パターン情報に基づいて位置合わせされた切断線CLに沿って移動させる。これにより、ウエハ1Wの切断領域CRにおける基板1Sの内部に多光子吸収による改質領域光学的損傷部または破砕層PLを形成する。この改質領域PLは、ウエハ1Wの内部が多光子吸収によって加熱され溶融されたことで形成されており、後のチップ分割工程時のウエハ1Wの切断起点領域となる。この溶融処理領域は、一旦溶融した後に再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。例えば基板1S部分では、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造および多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。レーザ光LB1は、切断領域CRに沿って連続的に照射しても良いし、断続的に照射しても良い。レーザ光LB1を連続的に照射した場合、改質領域PLは切断線CLに沿って直線状に形成される。レーザ光LB1を断続的に照射した場合、改質領域PLは破線状ドット状に形成される。上記低誘電率膜は熱伝導率が低く熱がこもり易いためレーザ光LB1の照射時の熱により変色することがあるが、レーザ光LB1を断続的に照射した場合、レーザ光LB1の照射面積を小さくでき、レーザ光LB1の照射による熱の発生を極力抑えることができるので、熱による低誘電率膜の変色を抑制または防止できる。なお、ウエハ1Wの裏面は、レーザ光LB1の入射面となっているので、レーザ光LB1の散乱を低減または防止するために平坦かつ滑面であることが好ましい。また、改質領域PLの形成において、ウエハ1Wの裏面ではレーザ光LB1がほとんど吸収されていないので、ウエハ1Wの裏面が溶融することはない。また、特に限定されるものではないが、レーザ光LB1の照射条件は、例えば以下の通りである。すなわち、レーザ光LB1の種類は、例えばLD励起固体パルスレーザ、光源は、例えば波長が1064nmのYAGレーザ、周波数は、例えば400kHz、レーザパワーは、例えば1W以下、レーザスポット径は、例えば1~2μm、レーザ光LB1の移動速度は、例えば300mm/s程度である。次に、図11~図13はチップ分割工程102Bの接着層形成工程102B2時におけるウエハ1Wの様子を示している。なお、図11はウエハ1Wの断面図を、図12および図13の左側はウエハ1Wの断面図を、右側はウエハ1Wの裏面の全体平面図をそれぞれ示している。まず、上記レーザダイシング装置から取り出したウエハ1Wをその主面に支持基板4を貼り付けたままの状態で回転塗布装置スピンコーターに搬送し、そのウエハ1Wの裏面を上に向けた状態で回転支持台に載置し真空吸着することで固定する。続いて、図11に示すように、回転塗布装置のノズル7から液状ペースト状の接着材8をウエハ1Wの裏面上の中央に滴下する。この接着材8のベース材は、例えば熱可塑性樹脂により形成されている。熱可塑性樹脂の具体例としては、例えばポリイミド樹脂がある。また、接着材8のベース材として、例えば熱硬化性樹脂を用いても良い。熱硬化性樹脂の具体例としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはシリコーン樹脂等がある。その後、図12に示すように、ウエハ1Wを高速回転させることでウエハ1Wの裏面全面に薄い接着材8の被膜を形成する回転塗布法。その後、ウエハ1Wをその主面に支持基板4を貼り付けたままの状態でヒートステージ上に搬送し、例えば100~200°C、30分程度の条件で乾燥処理を施して接着材8を固化する。接着材8のベース材料が熱硬化性樹脂の場合は、熱処理を施すことにより熱硬化性樹脂をある程度硬化させるが完全に硬化させず接着性を有する状態にとどめておく。このようにして、図13に示すように、ウエハ1Wの裏面全面に固体状の薄い接着層8aを形成する。この接着材8を固化することで得られた接着層8aは、この後の工程でウエハ1Wから得られたチップ1Cを他のチップ上に固定するためのものであり、その厚さが均一になるようにウエハ1Wの裏面全面に形成されている。接着層8aの厚さは、例えば10μmよりも薄く、例えば5μm程度あるいはそれ以下である。また、上記のように接着材8のみ回転塗布した後、固化することで接着層8aを形成するため、DAFのようにフィルム基板を必要としない分、接着層8aの厚さをDAFよりも薄く形成することが可能である。本実施の形態1では、回転塗布装置のノズル7から液状ペースト状の接着材8をウエハ1Wの裏面上の中央に滴下した後、ウエハ1Wを高速回転させることでウエハ1Wの裏面全面に薄い接着材8の被膜を形成する方法を説明したが、接着剤8の粘度が高いものを使用する場合には、予めウエハ1Wを高速回転した状態で液状ペースト状の接着材8をウエハ1Wの裏面上の中央に滴下し、その後回転数を変えてウエハ1Wの裏面全面に薄い接着材8の被膜を形成することが好ましい。本実施の形態1では、上記のように回転塗布法を用いて接着層8aを形成することにより、接着層8aの厚さを上記のように薄くすることができる。また、樹脂コーティング方式により接着層8aを形成するので、ウエハ1Wの裏面内での接着層8aの厚さの均一性を向上させることができる。また、ウエハ1Wの主面に支持基板4を貼り付けることによりウエハ1Wの平坦度が高い状態で接着剤8を回転塗布できるので、ウエハ1Wの裏面内での接着層8aの厚さの均一性を向上させることができる。上記WSSを用いない場合、ウエハ1Wの主面にテープ材のみを貼り付ける場合あるいは上記テープWSSを用いる場合は、ウエハ1Wの主面全面を上記回転支持台側に真空吸引した状態で接着材8を回転塗布することが好ましい。このようにウエハ1Wの主面全面を真空吸引することにより、極薄で大径のウエハ1Wの反りや撓みを低減または防止することができ、ウエハ1Wの平坦性を向上させることができるので、ウエハ1Wの裏面内における接着層8aの厚さの均一性を向上させることができる。また、DAFを用いた場合、ウエハ1Wのサイズや厚さ等により仕様が異なるが、本実施の形態1のような樹脂コーティング方式の場合は、樹脂材料は1種類で良く、特にウエハ1Wのサイズや厚さによらない。また、DAFに求められるような成型技術や加工技術が不要なので、コストを低減できる。また、ウエハ1WにDAFを接着する場合、ウエハ1WとDAFとの間の皺やボイドを無くし密着性を上げるために、ウエハ1Wへの加圧が必要であるが、50μm以下の薄いウエハ1Wでは、加圧によるウエハ1Wへの損傷が益々懸念される。これに対して、本実施の形態1では、接着層8aの形成において、ウエハ1Wへの加圧が不要であり、ウエハ1Wの損傷劣化を低減または防止することができる。したがって、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。次に、図14はチップ分割工程102Bのウエハマウント工程102B3後におけるウエハ1Wの断面図を示している。この工程では、図14に示すように、ウエハ1Wの主面に支持基板4を貼り付けたままの状態でウエハ1Wの裏面接着層8aの形成面を治具10のテープ10に貼り付ける。治具10のテープ10aのテープベースは、例えば柔軟性を持つプラスチック材料からなり、その主面には接着層が形成されている。ウエハ1Wはテープ10aの接着層によりしっかりと固定されている。このテープ10aとして、例えばUVテープを使用することも好ましい。UVテープは、接着層の材料として紫外線UV硬化性樹脂が使用された粘着テープであり、強力な粘着力を持ちつつ、紫外線を照射すると接着層の粘着力が急激に弱くなる性質を有している。テープ10aの主面外周にはリング10bがテープ10aの接着層により貼り付けられている。このリング10bは、テープ10aの補強部材である。この補強の観点からリング10bは、例えばステンレス等のような金属により形成することが好ましいが、金属と同程度の硬度を持つように厚さを設定したプラスチック材料により形成しても良い。次に、図15~図18はチップ分割工程102BのWSS剥離工程102B4時におけるウエハ1Wの様子を示している。なお、図15および図16はウエハ1Wの断面図を、図17はウエハ1Wの主面の全体平面図を、図18は図17のX2-X2線の断面図をそれぞれ示している。この工程では、まず、図15に示すように、レーザ発生部11から放射されたレーザ光LB2を、ウエハ1Wの主面上の接着層3に焦点を合わせた状態で透明な支持基板4を介してウエハ1Wの主面の端から端まで走査し照射する。このレーザ光LB2の条件は、例えば波長1064nmの赤外線レーザ、出力:20W、照射速度:2000mm/s、スポット径:f200μm程度である。これにより、図16に示すように、支持基板4をウエハ1Wの主面から剥離する。接着層3を、例えば紫外線硬化樹脂UVレジンにより形成しても良い。UVレジンは、強力な粘着力を持ちつつ、紫外線を照射すると硬化が促進され粘着力が急激に弱くなる性質を有している。UVレジンを使用した場合、上記レーザ光LB2は、赤外線レーザに代えて紫外線レーザを使用する。これにより、接着層3の粘着力を弱めることができるので、支持基板4を容易に剥離することができる。続いて、図17および図18に示すように、ウエハ1Wの主面上の接着層3を除去する。次に、図19および図20は分割工程102B5時におけるウエハ1Wの断面図およびウエハ1Wの裏面の全体平面図を示している。なお、図20は平面図であるが、図面を見易くするため接着層8aの形成領域にハッチングを付した。この工程では、図19に示すように、ウエハ1Wを載せた治具10を載置台12に載せた後、治具10のリング10bを固定した状態で載置台12をウエハ1Wの主面に垂直な方向矢印Aで示す方向に押し上げる。すると、テープ10aがウエハ1Wの直径方向矢印Bで示す方向に引き延ばされる結果、そのテープ10aが延びる力により、ウエハ1Wの改質領域PLを分割起点としてウエハ1Wの厚さ方向に沿って亀裂が入る。これにより、ウエハ1Wを個々のチップ第2チップ1Cに分割するステルスダイシング。また、同時にチップ1Cの分割により個々のチップ1C間において接着層8aも割れる。チップ1Cの裏面の接着層としてDAF材を用いた場合、ステルスダイシングによるチップ1Cの切断において、チップ1Cの裏面のDAF材の外周部が切断されずに延びてしまう等、チップ1Cの裏面のDAF材を上手く切断できない場合がある。これに対して、本実施の形態1では、上記のように接着層8aの厚さがDAF材に比べて極めて薄いので、ステルスダイシングによるチップ1Cの分割時に接着層8aを上手く綺麗に切断することができる。したがって、ステルスダイシングを採用できるので、チップ1Cの薄型化に対応でき、半導体装置を薄型化することができる。また、チップ1Cの外観不良を低減できるので、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。また、ダイシングブレードによりウエハ1Wを切断するブレードダイシング方式の場合、ウエハ1Wが薄くなってくると切断時にチッピングが生じ易くなりチップの抗折強度が低下するので、チップ1Cの品質を確保する観点から低速例えば毎秒60mm程度またはウエハ1Wの厚さに応じてそれ以下で処理せざるを得なくなってくる。これに対して、本実施の形態1の場合、ウエハ1Wの表面に損傷を与えず内部のみを割断するため、チップ1Cの表面に存在するチッピングを極少に抑えることができる。このため、チップ1Cの抗折強度を向上させることができる。また、例えば毎秒300mmという高速な切断処理ができるので、スループットを向上させることができる。また、上記のようにウエハ1Wの主面の切断領域CRには、ウエハ1Wの主面側からレーザ光を照射するとテスト用のパッド1LBtが邪魔になりその部分の加工改質層の形成が上手くできない場合がある。これに対して、本実施の形態1では、テスト用のパッド1LBt等のようなメタルの存在しないウエハ1Wの裏面側からレーザ光LBを照射するので、上記のような不具合を生じることなく良好に改質領域PLを形成でき、ウエハ1Wを良好に切断することができる。次に、図21は組立工程102Cのピックアップ工程102C1時におけるウエハ1Wの断面図を示している。この工程では、複数のチップ1Cを保持した治具10をピックアップ装置に搬送し載置台15上に載せる。続いて、治具10のテープ10aの裏面を真空吸引した状態で、押上ピンによりテープ10aの裏面からチップ1Cを押し上げる。この時、テープ10aとして上記UVテープを使用した場合にはテープ10aの接着層に紫外線を照射することにより接着層を硬化させ接着力を弱める。この状態でチップ1Cをピックアップ装置のコレットにより真空吸引して引き上げる。次に、図22は組立工程102Cのダイボンディング工程102C2時におけるチップ1Cおよび配線基板17の斜視図、図23は図22の工程時のチップ1Cおよび配線基板17の断面図を示している。この工程では、上記のようにしてピックアップしたチップ1Cを、図22および図23に示すように、配線基板17の主面上に実装されている他のチップ第1チップ18Cの主面上に移送する。続いて、チップ1Cの裏面の接着層8aとチップ18Cの主面とを対向させた状態でチップ1Cを下降しチップ18Cの主面上に載せる。その後、接着層8aのベース材が熱可塑性樹脂の場合は、接着層8aを加熱して軟化させ接着性を持たせた状態で、チップ1Cの裏面の接着層8aをチップ18Cの主面に軽く押し付けることにより、チップ18Cの主面上にチップ1Cを固着する。この時の加熱温度は、特に限定されないが400°C程度である。一方、接着層8aのベース材が熱硬化性樹脂の場合は、接着層8aに熱を加えて完全に硬化させて、チップ18Cの主面上にチップ1Cを固着する。このようにしてチップ18C上にチップ1Cを積み重ねる。このように本実施の形態1では、チップ1Cの薄型化のみならず、チップ1Cの裏面の接着層8aの厚さを薄くすることができるので、チップ1C,18Cの積層高さを低くすることができる。したがって、チップ1C,18Cを積層した構成を有する半導体装置を薄型化することができる。また、接着層8aが薄いので水分の吸収量も低減でき、ボイドの発生も低減できるので、半導体装置の信頼性を向上させることもできる。また、接着層8aは固体状とされているので、チップ1Cの実装時にチップ1Cの外周にはみ出してしまうこともなく、接着層8aが下側のチップ18Cのパッドを覆ってしまうような問題も生じない。また、チップ1Cが薄くても、チップ1Cの裏面の接着層8aがチップ1Cの側面を通じて主面にまき上がってしまうようなこともない。さらに、接着層8aの厚さ精度が高い上、上層のチップ1Cが傾いてしまうこともない。なお、ピックアップしたチップ1Cを搬送トレイに収容して他の製造工場例えばアセンブリファブに搬送出荷し、この工程後の組立を依頼しても良い図1の工程103A。ここで、配線基板17およびチップ18Cの構成と実装方法の一例を説明する。配線基板17は、例えば多層配線構成を有するプリント配線基板からなり、厚さ方向に沿って互いに反対側になる主面および裏面を有している。配線基板17の主面にはチップ18Cが実装されている。また、配線基板17の主面には、チップ18Cの外周を取り囲むように複数の電極17aが配置されている。また、配線基板17の裏面には、複数の電極17bが配置されている。配線基板17の主面の電極17aと裏面の電極17bとは配線基板17の内層の配線を通じて電気的に接続されている。配線基板17の電極17a,17bおよび配線は、例えば銅からなる。電極17a,17bの露出表面にはニッケルNi下地の金Auメッキが施されている。チップ18Cの構成は、上記チップ1Cとほぼ同じである。チップ18Cの基板18Sは、例えばシリコンSi単結晶からなり、その主面には素子および配線層18Lが形成されている。配線層18Lの構成は、上記チップ1Cの配線層1Lと同じであり、最上層には、パッド18LBが配置されている。チップ18Cは、その主面を上に向け、かつ、その裏面が接着層20aにより配線基板17の主面に固着された状態で配線基板17の主面上に実装されている。接着層20aは、例えばポリイミド樹脂のような熱可塑性樹脂により形成されている。接着層20aの厚さは、上記チップ1Cの裏面の接着層8aよりも厚く、例えば10μm以上である。その理由は、配線基板17の主面上に形成された配線や電極による大きな凹凸を接着層20aにより吸収させるためである。もし1段目の半導体チップ18Cを、樹脂コーティング方式により形成した接着層8aを介して実装した場合、接着層8aの厚さは5μm程度と薄いため、配線基板17の主面上に形成された凹凸を接着層8aで吸収することができない。すなわち、配線基板17の主面と接着層8aとの間に隙間が生じ、後の封止体形成工程において封止樹脂が未充填となるボイド不良の問題が生じる可能性がある。これに対して、チップ1Cの裏面の凹凸は、例えば1~2μmMAX程度であり、チップ1Cが積層されるチップ18Cの主面の凹凸は、例えば1~2μmMAX程度であり、配線基板17の主面ほどの凹凸が無いので、チップ1Cの裏面の接着層8aは薄くしても問題がない。このようなチップ18Cの実装方法は、例えば次のとおりである。まず、配線基板17を用意し、その主面のチップ実装領域にペースト状の接着材を塗布する。このペースト状の接着材は、例えばポリイミド樹脂等のような熱可塑性樹脂により形成されている。続いて、そのペースト状の接着材にチップ18Cの裏面を押し付けてチップ18Cを配線基板17の主面上に載せた後、ペースト状の接着材を乾燥させて固体状の接着層20aを形成する。これにより、チップ18Cを配線基板17に固着する。また、図58に示すように、接着層20aの材料としてDAFDieAttachFilmを使用しても良い。すなわち、1段目の半導体チップ18Cは、DAF接着層20aを介して配線基板17の主面に実装し、1断面の半導体チップの主面上に実装する2段目以降の半導体チップは、樹脂コーティング方式により形成した接着層8aを介して実装してもよい。これにより、1段目の半導体チップ18Cに使用するDAF接着層20aは固体状とされているため、半導体チップ18Cの実装時に半導体チップ18Cの外周にはみ出してしまうことがない。すなわち、配線基板の主面上に配置された電極17aに向かって接着材接着層20aがはみ出すことがないため、半導体チップ18Cと電極17aの間の距離を短くできるため、ペースト状の接着材を使用する場合に比べて半導体装置の小型化が実現できる。次に、図24は組立工程102Cのワイヤボンディング工程102C3後の半導体装置の断面図、図25は組立工程102Cの封止工程102C4後における半導体装置の断面図を示している。まず、ワイヤボンディング工程102C3では、図24に示すように、上層のチップ1Cのパッド1LBと下層のチップ18Cのパッド18LBとをボンディングワイヤ以下、ワイヤという21により接続するとともに、下層のチップ18Cのパッド18LBと配線基板17の電極17aとをワイヤ21により接続する。上層のチップ1Cのパッド1LBと配線基板17の電極17aとをワイヤ21により接続しても良い。ワイヤ21は、例えば金Auにより形成されている。続いて、封止工程102C4では、図25に示すように、チップ1C,18Cおよびワイヤ21等を、例えばトランスファモールド法を用いてエポキシ系樹脂等からなる封止体22により封止する。更に、電極17b上に外部端子としてはんだボール23を形成する。はんだボール23は、例えば鉛Pb-錫Snの鉛半田材、または、例えば錫Sn-銀Ag-銅Cu系の鉛フリー半田材から成る。以上のようにして半導体装置を製造する。実施の形態2本実施の形態2では、前記実施の形態1と同様に、図1の前工程100からレーザ照射工程102B1を経た後、チップ分割工程102Bの接着層形成工程102B2において、ウエハの裏面に印刷法により接着層を形成する。図26は上記接着層形成工程102B2時のウエハ1Wの断面図、図27は上記接着層形成工程102B2時に用いるマスク25Aの平面図を示している。なお、図27は平面図であるが、図面を見易くするためマスク25Aにハッチングを付した。まず、図26に示すように、ウエハ1Wの裏面上に、マスク25Aを位置合わせした状態で被せた後、このマスク25Aの上から液状ペースト状の接着材8をスキージ26によりウエハ1Wの裏面に沿って引き延ばす。マスク25Aにおいて、ウエハ1Wの個々のチップ1Cの対応位置には、図26および図27に示すように、個々のチップ1Cとほぼ同じ平面寸法の開口部25A1が形成されており、その各々の開口部25A1から各々のチップ1Cの裏面が露出されている。また、マスク25Aにおいて、ウエハ1Wの個々のチップ1Cの隣接間の切断領域CR改質領域PLの形成領域の対応位置には、マスクパターン25A2が形成されており、これによりチップ1Cの隣接間の切断領域CRに対応する部分が覆われている。次に、図28は液状の接着材8をスキージ26により引き延ばしマスク25Aを介してウエハ1Wの裏面に選択的に塗布している様子を示すウエハ1Wの断面図、図29は図28のウエハ1Wの裏面側の平面図を示している。なお、図29は平面図であるが、図面を見易くするため接着材8の塗布領域にハッチングを付した。また、図29では図面を見易くするためにウエハ1Wを透かして見せている。図28および図29に示すように、ウエハ1Wの裏面に沿って接着材8を引き延ばしながらスキージ26を移動させると、液状の接着材8がマスク25Aの開口部25A1内に入り込む。これにより、接着材8は、チップ1Cの裏面に付着するが、切断領域CRには付着しないようになっている。このようにしてスキージ26をウエハ1Wの端から端まで移動させる。次に、図30はマスク25Aを外した状態を示すウエハ1Wの断面図、図31は図30のウエハ1Wの裏面の平面図を示している。なお、図31は平面図であるが、図面を見易くするため接着材8接着層8bの塗布領域にハッチングを付した。ウエハ1Wの裏面に接着材8を塗布した後、マスク25Aを取り外し、前記実施の形態1と同様に、接着材8を乾燥させることにより、ウエハ1Wの裏面の各チップ1Cの領域に選択的に固体状の接着層8bを形成する。切断領域CRには接着層8bが形成されていない。次に、図32はチップ分割工程102Bのウエハマウント工程102B3時におけるウエハ1Wの断面図、図33はWSS剥離工程102B4後におけるウエハ1Wの断面図を示している。この工程では、図32に示すように、前記実施の形態1と同様に、ウエハ1Wの裏面接着層8bの形成面を治具10のテープ10に貼り付けた後、図33に示すように、前記実施の形態1と同様に、支持基板4を剥離し、続いて接着層3を除去する。次に、図34および図35は分割工程102B5時におけるウエハ1Wの断面図およびウエハ1Wの裏面の全体平面図を示している。なお、図35は平面図であるが、図面を見易くするため接着層8bの形成領域にハッチングを付した。この工程では、図34および図35に示すように、前記実施の形態1と同様にして、ウエハ1Wの改質領域PLを分割起点として、ウエハ1Wを個々のチップ第2チップ1Cに分割するステルスダイシング。この時、本実施の形態2では、分割工程102B5の前に接着層8bが既に個々のチップ1C毎に分割されており、接着層8bが切断領域CRに形成されていないので、チップ1C間の接着層8bを綺麗に分離できる。すなわち、チップ1Cの裏面の接着層8bの外周部に不具合を生じることなく、チップ1Cをステルスダイシングにより綺麗に分割することができる。したがって、ステルスダイシングを採用できるので、半導体装置を薄型化することができる。また、チップ1Cの外観不良を低減できるので、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。これ以外は前記実施の形態1と同様の効果を得ることができる。これ以降の組立工程102Cは前記実施の形態1と同じなので説明を省略する。実施の形態3前記実施の形態1,2では、チップ分割工程において、改質領域LBを形成するためのレーザ照射工程後に、ウエハ1Wの裏面に接着層を形成する場合について説明した。本実施の形態3では、チップ分割工程において、ウエハ1Wの裏面に接着層を形成した後、、改質領域LBを形成するためのレーザ照射工程を行う場合について説明する。図36は本実施の形態3の半導体装置のフロー図を示している。本実施の形態3では、前記実施の形態1と同様に、図36の前工程200、テスト工程201を経た後、後工程202の裏面加工工程202AのWSSの装着工程202A1、裏面研削工程202A2および裏面研磨工程202A3を順に行う。続いて、本実施の形態3では、チップ分割工程202Bにおいて、改質領域PLを形成するためのレーザ照射工程を行う前に、接着層形成工程202B1を行う。図37~図39はチップ分割工程202Bの接着層形成工程202B1時におけるウエハ1Wの様子を示している。なお、図37はウエハ1Wの断面図を、図38および図39の左側はウエハ1Wの断面図を、右側はウエハ1Wの裏面の全体平面図をそれぞれ示している。また、図38および図39の右側は平面図であるが、図面を見易くするために接着材8接着層8aにハッチグを付した。ここでは、図37に示すように、前記実施の形態1と同様に、回転塗布装置のノズル7から液状ペースト状の接着材8をウエハ1Wの裏面上の中央に滴下した後、図38に示すように、ウエハ1Wを高速回転させることでウエハ1Wの裏面全面に薄い接着材8の被膜を形成する回転塗布法。その後、前記実施の形態1と同様に、ウエハ1Wの裏面の接着材8に対して乾燥処理を施して接着材8を固化して、図39に示すように、ウエハ1Wの裏面全面に固体状の薄い接着層8aを形成する。これにより、前記実施の形態1と同様にウエハ1Wの裏面に薄い接着層8aを厚さが均一になるように形成することができる。次に、図40は図36のウエハマウント工程202B2時におけるウエハ1Wの断面図、図41は図36のレーザ照射工程202B3時におけるウエハ1Wの断面図、図42は図36のWSS剥離工程202B4時におけるウエハ1Wの断面図をそれぞれ示している。まず、図40に示すように、前記実施の形態1と同様に、ウエハ1Wの裏面接着層8aの形成面を治具10のテープ10aに貼り付け、ウエハ1Wを治具10に載せる。続いて、ウエハ1Wを治具10に載せたままの状態でレーザダイシング装置に搬送し、そのウエハ1Wの主面すなわち、支持基板4の上面を上に向けた状態で吸着ステージに載置する。続いて、IRカメラを用いてウエハ1Wの主面上方からウエハ1Wの主面のパターンチップ1Cや切断領域CRのパターンの他、切断領域CRに配置されているパッド1LBtやアライメントターゲットAm、チップ1C内に配置されているパッド1LB等を認識した後、それにより得られたパターン情報に基づいて切断線CLの位置合わせ位置補正を実施する。その後、図41に示すように、ウエハ1Wの主面上方に設置されたレーザ発生部5から放射されたレーザ光LB1を、透明な支持基板4を介してウエハ1Wの主面側からウエハ1Wの基板1Sの内部に集光点を合わせた状態で照射するとともに、上記パターン情報に基づいて位置合わせされた切断線CLに沿って移動させる。これにより、ウエハ1Wの切断領域CRにおける基板1Sの内部に上記改質領域PLを形成する。レーザ光LB1の走査の仕方や照射条件は前記実施の形態1で説明したのと同じである。その後、図42に示すように、レーザ発生部11から放射されたレーザ光LB2を、透明な支持基板4を介してウエハ1Wの主面の端から端まで走査し、ウエハ1Wの主面上の接着層3に照射する。これにより、接着層3の接着力を低減させて、前記実施の形態1と同様に、支持基板4をウエハ1Wから剥離する。その後、前記実施の形態1と同様に、ウエハ1Wの主面上の接着層3を除去する。これ以降の分割工程202B5、組立工程202Cピックアップ工程202C1、ダイボンディング工程202C2、ワイヤボンディング工程202C3、封止工程202C4および搬送出荷工程203Aは前記実施の形態1で説明した各工程と同じなので説明を省略する。実施の形態4本実施の形態4では、前記実施の形態3と同様に、図36の前工程200から裏面研磨工程202A3を経た後、チップ分割工程202Bの接着層形成工程202B1において、ウエハ1Wの裏面に印刷法により接着層を形成する。図43は上記接着層形成工程202B1時のウエハ1Wの断面図、図44は液状の接着材8をスキージ26により引き延ばしマスク25Aを介してウエハ1Wの裏面に選択的に塗布している様子を示すウエハ1Wの断面図、図45はマスク25Aを外した状態を示すウエハ1Wの断面図をそれぞれ示している。まず、図43に示すように、前記実施の形態2と同様に、ウエハ1Wの裏面上に、マスク25Aを位置合わせした状態で被せた後、このマスク25Aの上から液状ペースト状の接着材8をスキージ26によりウエハ1Wの裏面に沿って引き延ばす。すると、図44に示すように、前記実施の形態2と同様に、液状の接着材8がマスク25Aの開口部25A2内に入り込みウエハ1Wの裏面に付着する。このようにしてウエハ1Wの裏面に選択的に接着材8を塗布した後、図45に示すように、前記実施の形態2と同様に、マスク25Aを取り外す。その後、前記実施の形態1,2と同様に、接着材8を乾燥させることにより、ウエハ1Wの裏面のチップ1Cの領域に選択的に固体状の接着層8bを形成する。切断領域CRには接着層8bが形成されていない。次に、図46はチップ分割工程202Bのウエハマウント工程202B2時におけるウエハ1Wの断面図、図47は図36のレーザ照射工程202B3時におけるウエハ1Wの断面図をそれぞれ示している。まず、図46に示すように、前記実施の形態1~3と同様に、ウエハ1Wの裏面接着層8bの形成面を治具10のテープ10に貼り付けた後、前記実施の形態3と同様に、IRカメラを用いてウエハ1Wの主面上方からウエハ1Wの主面の上記パターンを認識する。そして、それにより得られたパターン情報に基づいて切断線CLの位置合わせ位置補正を実施する。続いて、図47に示すように、前記実施の形態3と同様に、ウエハ1Wの主面上方に設置されたレーザ発生部5から放射されたレーザ光LB1を、透明な支持基板4を介してウエハ1Wの主面側からウエハ1Wの基板1Sの内部に集光点を合わせた状態で照射するとともに、上記パターン情報に基づいて位置合わせされた切断線CLに沿って移動させる。これにより、ウエハ1Wの切断領域CRにおける基板1Sの内部に上記改質領域PLを形成する。その後、前記実施の形態3と同様に、ウエハ1Wの主面から支持基板4を剥離した後、ウエハ1Wの主面上の接着層3を除去し、前記実施の形態1~3と同様にしてウエハ1Wを個々のチップ1Cに分割する。これ以降の工程は前記実施の形態3と同じなので説明を省略する。実施の形態5本実施の形態5では、ウエハの裏面に印刷法により接着層を形成する場合の変形例について説明する。図48は本実施の形態5の接着層形成工程時に使用するマスク25Bの平面図を示している。なお、図48は平面図であるが、図面を見易くするためハッチングを付した。本実施の形態5では、マスク25Bの転写領域Dのマスクパターンが目の細かい網目状のパターンとされている。すなわち、マスク25Bの転写領域Dには、チップ1Cの平面寸法よりも小さな複数の開口部が転写領域Dの面内に上下左右方向に隣接した状態で配置されている。次に、図49は上記接着層形成工程102B2時のウエハ1Wの断面図、図50はマスク25Bを外した状態を示すウエハ1Wの断面図、図51は図50のウエハ1Wの裏面の要部拡大平面図をそれぞれ示している。なお、図51は平面図であるが、図面を見易くするために接着層8bにハッチングを付した。まず、図49に示すように、図48で示したマスク25Bを、前記実施の形態2と同様に、ウエハ1Wの裏面上に位置合わせした状態で被せた後、マスク25Bの上から液状ペースト状の接着材8をスキージ26によりウエハ1Wの裏面に沿って引き延ばし、マスク25Bの開口部25B1を通じてウエハ1Wの裏面に選択的に塗布する。この時、ウエハ1Wの裏面においてマスク25Bのマスクパターン25B2に対応する位置には接着材8は塗布されない。このようにしてウエハ1Wの裏面に選択的に接着材8を塗布した後、図50に示すように、前記実施の形態2と同様に、マスク25Bを取り外す。その後、前記実施の形態1,2と同様に、接着材8を乾燥させることにより、ウエハ1Wの裏面に固体状の複数の微細な接着層8cを選択的に形成する。ここで、図51に示すように、接着層8cの平面積は、チップ1Cの平面積よりも極端に小さい。このため、仮に接着層8cの位置が予定していた位置よりも上下左右に若干ずれたとしてもチップ1Cの領域内に配置される接着層8cの総面積には大きな違いは生じないので、チップ1Cの裏面の接着層8cの総接着力も大きく落ちてしまうこともない。また、仮に接着層8cの位置が予定していた位置よりも上下左右に若干ずれてウエハ1Wの切断領域CRに接着層8cが配置されてしまったとしも個々の接着層8cは微細で孤立しており互いに分離しているので、ウエハ1Wの切断の妨げにならない。したがって、接着層8cを形成するためのマスク25Bとウエハ1Wとの平面位置合わせ精度を緩和することができる。次に、図52はチップ分割工程102Bのウエハマウント工程102B3時におけるウエハ1Wの断面図、図53はWSS剥離工程102B4後におけるウエハ1Wの断面図、図54は分割工程102B5時におけるウエハ1Wの断面図を示している。この工程では、図52に示すように、前記実施の形態1~4と同様に、ウエハ1Wの裏面接着層8cの形成面を治具10のテープ10aに貼り付けた後、図53に示すように、前記実施の形態1~4と同様に、支持基板4を剥離し、続いて接着層3を除去する。その後、図54に示すように、前記実施の形態1~4と同様に、ウエハ1Wの改質領域PLを分割起点として、ウエハ1Wを個々のチップ1Cに分割するステルスダイシング。この時、本実施の形態5では、接着層8cはチップ1Cよりも小さく互いに分離しているので、チップ1Cを切断するときに接着層8cも綺麗に分離することができる。したがって、ステルスダイシングを採用できるので、半導体装置を薄型化することができる。また、チップ1Cの外観不良を低減できるので、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。これ以外は前記実施の形態1,2と同様の効果を得ることができる。これ以降の組立工程102Cは前記実施の形態1,2と同じなので説明を省略する。なお、本実施の形態5では、図1のフローで説明したが、本実施の形態5で説明した方法は図36のフローにも適用できる。実施の形態6図55は本実施の形態6の半導体装置の断面図を示している。本実施の形態6では、下層のチップ18Cが、その主面デバイス形成面を配線基板17の主面に向けた状態で、バンプ電極30を介して配線基板17の主面上に実装されている。チップ18Cの集積回路は、バンプ電極30を通じて配線基板17の主面上の電極に電気的に接続され、さらに配線基板17の配線に電気的に接続されている。バンプ電極30は、例えば鉛Pb-錫Sn半田により形成されている。チップ18Cと配線基板17との対向面間にはアンダーフィル31が充填されている。チップ18Cの裏面上には、チップ1Cが実装されている。チップ1Cの裏面は接着層8aを介してチップ18Cの裏面に接着されている。チップ1Cの主面の集積回路は、前記実施の形態1と同様にワイヤ21を介して配線基板17の電極17aに電気的に接続されている。なお、上記接着層8aの厚さは、チップ18Cと配線基板17との対向面間の距離よりも小さい。下層のチップ18Cの実装方法は、例えば次のとおりである。まず、チップ18Cをその主面が下を向いた状態で配線基板17のチップ実装領域に移送し、チップ18Cの主面のバンプ電極30と配線基板17の主面の電極とをペースト材を用いて仮固定する。続いて、リフロ処理熱処理することでチップ18Cのバンプ電極30と配線基板17の電極とを固着するフリップチップボンディング。その後、チップ18Cと配線基板17との対向面間にアンダーフィル31を充填する。上層のチップ1Cの実装方法は、前記実施の形態1と同じなので説明を省略する。なお、接着層8aを前記実施の形態2,4,5で説明した接着層8b,8cとしても良い。実施の形態7図56は本実施の形態7の半導体装置の断面図を示している。本実施の形態7では、チップ1C11Cの主面上に、他のチップ1C21Cがその主面を上に向けた状態で実装されている。最上層のチップ1C2の裏面は接着層8aを介してチップ1C1の主面に接着されている。チップ1C2の主面の集積回路はワイヤ21を介して配線基板17の電極17aに電気的に接続されている。チップ1C1,1C2の裏面の接着層8aは薄く形成されているので、チップ18C,1C1,1C2の多段構成を有する半導体装置を薄型にすることができる。また、最上層のチップ1C2の裏面の接着層8aの厚さは、中間層のチップ1C1の裏面の接着層8aの厚さと等しい。各チップ1C1,1C2の裏面の接着層8aの厚さを等しくすることにより、各チップ1C1,1C2の裏面の接着層8aの厚さ設計を容易にすることができる。なお、最下のチップ18Cを前記実施の形態1と同様に接着層20aにより配線基板17の主面上に接着しても良い。この場合、接着層20aの厚さは、チップ1C1,1C2の裏面の接着層8aよりも厚い。また、接着層8aを前記実施の形態2,4,5で説明した接着層8b,8cにしても良い。実施の形態8図57は本実施の形態8の半導体装置の断面図を示している。本実施の形態8の半導体装置は、1つのパッケージ内に所望の機能のシステムが構築されたSIPSystemInPackageとされている。配線基板17の主面上には、複数の薄型のチップ18,1C,37Cが積層されている。最下層のチップ18Cは、その主面のバンプ電極30を介して配線基板17の主面上に実装されている。このチップ18Cの主面には、例えばCPUCentralProcessingUnitやDSPDigitalSignalProcessor等のような論理回路が形成されている。このチップ18Cの裏面上には、接着層8aを介してチップ1Cが実装されている。このチップ1Cの主面には、例えばSRAMStaticRandomAccessMemoryやフラッシュメモリ等のようなメモリ回路が形成されている。このチップ1Cの主面のパッド1LBは、ワイヤ21を介して配線基板17の主面の電極17aと電気的に接続されている。このチップ1Cの主面上には、スペーサ35およびDAF36を介してチップ37Cが実装されている。このチップ37Cには、例えばSRAMやフラッシュメモリ等のようなメモリ回路が形成されており、チップ37Cの主面のパッドは、ワイヤ21を介して配線基板17の主面の電極17aと電気的に接続されている。このようなチップ18C,1C,37Cおよびワイヤ21は封止体22により封止されている。なお、チップ18Cを前記実施の形態1と同様に接着層20aにより配線基板17の主面上に接着しても良い。また、接着層8aを前記実施の形態2,4,5で説明した接着層8b,8cにしても良い。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体装置の製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく種々適用可能であり、例えばマイクロマシンの製造方法にも適用できる。"