"基板の一面に順に積層された第一電極および光透過性導電材からなる第二電極と、該第一電極および第二電極の間に形成された有機発光層と、を有する発光デバイスであって、少なくとも前記第一電極を所定の領域毎に複数に区画するバンクを備え、該バンクは光反射性を有する材料から構成され、前記有機発光層で発光した光が前記第二電極を介して外部に出射することを特徴とする発光デバイス。前記第一電極は遮光性を有する材料から構成されることを特徴とする請求項1記載の発光デバイス。前記バンクは白色材料から構成されることを特徴とする請求項1または2記載の発光デバイス。前記バンクは光反射性に加えて更に光拡散性を有する材料から構成されることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の発光デバイス。前記バンクは樹脂中に微細な光反射性粒子を分散させてなることを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の発光デバイス。前記光反射性粒子は、粒径が200nm~5μmであることを特徴とする請求項5記載の発光デバイス。前記第二電極に重ねて更に対向基板を形成したことを特徴とする請求項1ないし6いずれか1項記載の発光デバイス。前記対向基板と前記第二電極との間には、前記対向基板よりも屈折率の低い低屈折率層が更に形成されていることを特徴とする請求項7記載の発光デバイス。前記対向基板には、前記バンクと対面する光反射性の対向バンクが更に形成されていることを特徴とする請求項7または8記載の発光デバイス。請求項1ないし9いずれか1項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする表示装置。請求項1ないし9いずれか1項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする照明装置。しかしながら、上述した特許文献1~4に開示された発明では、光取出し効率を向上させることができるとされているものの、光取出し効率の向上効果が限定的であるという課題があった。即ち、有機発光層や電極を介して面方向に沿って光が伝播し、外部へ出射される光が減少することへの対策が全くなされていなかった。例えば、有機発光層の典型的な屈折率が1.8程度、絶縁層バンクの典型的な屈折率が1.5~1.8程度、透明電極層であるITOの典型的な屈折率が2.1~2.2程度であるため、低屈折率層屈折率1.0~1.3程度との屈折率差のために、低屈折率層との界面で全反射されてしまう成分が多い。この全反射された成分は、有機発光層、絶縁層、透明電極層などを介して面方向に沿って伝播し、外部に出射されることなく損失する。透明電極層を有機発光層の画素領域ごとに区画する絶縁層バンクは、従来、ポリメチルメタクリレート、ポリイミドなどの高分子材料やSiO2等の無機材料から構成されており、色調は透明か黒色であった。このため、面方向に沿って広がった光は、絶縁層バンクが黒色の場合は、この絶縁層に吸収されて損失する。また、絶縁層バンクが透明光透過性の場合は、この絶縁層を介して隣接する有機発光層や透明電極層に向けて光が伝播して損失する。また、特許文献5及び6には、発光部分の側面に反射膜を形成することにより光取出し効率を向上させる技術が開示されており、さらに、特許文献6には反射膜として金属粉、金属粒子もしくは白色顔料を含む樹脂からなることが開示されているが、構造上、プロセス上の課題があった。特許文献5の技術においては、側面の反射膜が導電性であるため、反射膜状にさらに絶縁層を設ける必要があり、プロセスが複雑になる欠点があった。しかも、反射膜が形成されている部分が、基板に対して斜めになっている隔壁側面であるため、生産時のプロセス制御性が困難であるばかりでなく、パターン形成のための露光位置合わせマージンなどを考えると、画素開口部が小さくなるという課題があった。画素開口部が小さくなると、ディスプレイとしての所望の輝度を得るために、画素開口部での発光輝度を上げる必要があった。特許文献6の技術においては、蛍光体層の側面に反射膜を形成する技術、反射膜として金属粉、金属粒子もしくは白色顔料を含む樹脂からなる技術が開示されているが、この技術を有機EL発光部分に適用することについてはなんら開示も示唆もされていない。また、この技術を有機EL発光部に適用し、有機発光部の側面に反射膜を形成しようとすると構造上、プロセス上の課題が生じる。まず、有機ELの発光部分に用いられる有機材料は水分、酸素、溶剤などに対して極めて弱く、この有機EL発光部分の側面に反射膜を形成することはプロセス上極めて困難である。また、この技術は有機ELの各画素ごとに発光層が分離形成されている場合はともかく、発光層が画素ごとに分離させず全面形成された構造には適用できないという課題もある。さらに、有機EL発光部からの光導波による光損失を考えるときには、電極など発光部分以外からの導波も考えなければならないが、特許文献6には、それらについてはなんら開示も示唆もされていない。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、有機発光層から発した光を外部に向けて効率よく出射させ、高輝度に発光可能な発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は次のような発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供した。すなわち、本発明の発光デバイスは、基板の一面に順に積層された第一電極および光透過性導電材からなる第二電極と、該第一電極および第二電極の間に形成された有機発光層と、を有する発光デバイスであって、少なくとも前記第一電極を所定の領域毎に複数に区画するバンクを備え、該バンクは光反射性を有する材料から構成され、前記有機発光層で発光した光が前記第二電極を介して外部に出射することを特徴とする。前記第一電極は遮光性を有する材料から構成されることを特徴とする。また、前記バンクは白色材料から構成されることを特徴とする。また、前記バンクは光反射性に加えて更に光拡散性を有する材料から構成されることを特徴とする。前記バンクは樹脂中に微細な光反射性粒子を分散させてなることを特徴とする。また、前記光反射性粒子は、粒径が200nm~5μmであることを特徴とする。前記第二電極に重ねて更に対向基板を形成したことを特徴とする。また、前記対向基板と前記第二電極との間には、前記対向基板よりも屈折率の低い低屈折率層が更に形成されていることを特徴とする。前記対向基板には、前記バンクと対面する光反射性の対向バンクが更に形成されていることを特徴とする。本発明の表示装置は、前記各項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする。本発明の照明装置は、前記各項記載の発光デバイスに対して、該発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置したことを特徴とする。本発明によれば、高発光効率高輝度の発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明に係る発光デバイス、表示装置、及び電子機器の一実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。発光デバイス:第一実施形態図1は第一実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス10は、基板11と、この基板11の一面11aに順に積層された第一電極下部電極12、および光透過性の第二電極上部電極13と、この第一電極12および第二電極13の間に形成された有機発光層14と、を有する。また、基板11の一面11aには、第一電極12を所定の領域毎に複数に区画するバンク絶縁層15が形成されている。このようなバンク15は、例えば有機発光層14の1画素に相当する領域に対応して、第一電極12を複数に区画して、区画された第一電極12どうしを互いに電気的に絶縁する。作製プロセスとしては、例えば、基板11上に第一電極下部電極12を形成し、その後バンク15を形成し、さらに有機発光層14、第二電極上部電極13を形成するプロセスなどを用いることができる。有機ELに用いられる材料は水分、酸素などに極めて弱いため、有機発光層14の形成前、すなわち、第一電極下部電極12及びバンク15を形成した後に、十分な脱水工程ベーク工程、真空乾燥工程などを行うことが好ましい。基板11は、光透過性または光不透過性遮光性であり、例えば、ガラス、樹脂、金属板などから構成される。第一電極下部電極12は、遮光性である場合と光透過性である場合とがある。光透過性である場合は、透明電極であればよく、例えば、ITOIndiumtinoxideや、ZnOZincoxideなどが用いられる。また、遮光性である場合には、例えば金属膜で形成すればよい。第一電極下部電極12が遮光性である場合には、発光した光は第二電極上部電極13側から取り出されることになり、いわゆるトップエミッション型有機ELとなる。また、第一電極下部電極12が光透過性である場合には、発光した光は第一電極下部電極12及び第二電極上部電極13の両面から取り出されることになり、いわゆる両面発光型有機ELとなる。このような第一電極12の厚さは例えば、100nm程度である。なお、第一電極12は、通常はアノードであるが、カソードとすることも可能であり、その場合には低仕事関数の材料を用いる。また、配線抵抗を下げる目的等で補助配線を併設してもいい。補助配線は、例えばAl,Ag,Ta,Ti,Niなどの金属材料で形成することができる。第一電極下部電極12は、バンク絶縁層15によって、所定の領域毎に複数に区画されている。本発明の発光デバイスを表示装置有機ELディスプレイとして用いる場合には、第一電極下部電極12は、1画素に相当する領域毎に区画されていればよい。第二電極上部電極13は、光透過性の透明電極から構成され、これによって、有機発光層14で発光した光が第二電極上部電極13を経て外部に出射される、いわゆるトップエミッション型の発光デバイスとなる。第二電極13は、通常はカソードを成し、LiF/ITO,MgAg/IZOなどを用いることができる。なお、第二電極上部電極13をアノードとすることも可能であり、その場合には、仕事関数の高い材料、例えば、ITOなどが好ましく用いられる。これら以外にも、第一電極12及び第二電極13を形成する電極材料として、各種の公知の電極材料を用いることができる。アノードである場合には、有機発光層14への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以上の金Au、白金Pt、ニッケルNi等の金属、及び、インジウムInと錫Snからなる酸化物ITO、錫Snの酸化物SnO2インジウムInと亜鉛Znからなる酸化物IZO等が透明電極材料として挙げられる。また、カソードを形成する電極材料としては、有機発光層14への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以下のリチウムLi、カルシウムCa、セリウムCe、バリウムBa、アルミニウムAl等の金属、又は、これらの金属を含有するMg:Ag合金、Li:Al合金等の合金が挙げられる。第一電極12及び第二電極13は上記の材料を用いてEB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本発明はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、50nm以上が好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。有機発光層有機EL発光体14は、第一電極12と第二電極13との間に印加された電圧によって、所定の波長帯の光を発する。有機発光層有機EL発光体14は、単層でもよいが、通常は複数層からなり、例えば、α-NPDとAlq3の積層膜などを用いることができる。また、アノードである第一電極下部電極12と、カソードである第二電極上部電極13との間に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などからなる複層の有機発光層を形成することも行われている。これらの層以外に、MoO3層、C60層、フラーレン含有層、量子ドット含有層などさまざまな層を併用することも盛んに検討されており、いずれも本発明を適用できることは言うまでもない。量子ドット含有層を用いた発光素子は、QLEDQuantumdotlightemittingdiodeと呼ばれている。また、発光領域を積層するいわゆるタンデム構造を用いることもできる。第一電極12と第二電極13との間に配置される層の膜厚は、通常、各層が数10nm程度である。もちろん、本発明の技術は、本発明の構成をとるものであれば、現在まだ発明されていない発光素子、一般に認知されていない発光素子などにも適用可能であることはいうまでもない。有機発光層14の層構造としての具体的として、下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。1有機発光層2正孔輸送層/有機発光層3有機発光層/電子輸送層4正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層5正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層6正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層7正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層8正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層9正孔注入層/正孔輸送層/電子防止層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層ここで、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層及び電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。有機発光層14は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。有機発光材料としては、有機発光層用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いる事が好ましい。ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機発光層用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、p-クォーターフェニル、3,5,35テトラtブチルセクシフェニル、3,5,35テトラtブチルp-クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2‘]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic、ビス4’6‘-ジフルオロフェニルポリジナトテトラキス1-ピラゾイルボレートイリジウムIIIFIr6等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機EL用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、4,4‘-ビスカルバゾールビフェニル、9,9-ジ4-ジカルバゾール-ベンジルフルオレンCPF、3,6-ビストリフェニルシリルカルバゾールmCP、PCF等のカルバゾール誘導体、4-ジフェニルフォスフォイル-N,NジフェニルアニリンHM-A1等のアニリン誘導体、1,3-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンmDPFB、1,4-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンpDPFB等のフルオレン誘導体等が挙げられる。電荷注入輸送層は、電荷正孔、電子の電極からの注入と発光層への輸送注入をより効率よく行う目的で、電荷注入層正孔注入層、電子注入層と電荷輸送層正孔輸送層、電子輸送層に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散された構成であってもよい。電荷注入輸送材料としては、有機発光層用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料及び電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。正孔注入正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物、無機p型半導体材料、ポルフィリン化合物、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-ベンジジンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンNPD等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子材料等が挙げられる。また、アノードからの正孔の注入輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層として用いる材料としては、正孔輸送層に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道HOMOのエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層としては、正孔注入層に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が、高い材料を用いることが好ましい。また、より正孔の注入輸送性を向上させるため、前記正孔注入輸送材料にアクセプターをドープする事が好ましい。アクセプターとしては、有機発光層用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。アクセプター材料としては、Au、Pt、W,Ir、POCl3、AsF6、Cl、Br、I、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の無機材料、TCNQ7,7,8,8,-テトラシアノキノジメタン、TCNQF4テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、TCNEテトラシアノエチレン、HCNBヘキサシアノブタジエン、DDQジシクロジシアノベンゾキノン等のシアノ基を有する化合物、TNFトリニトロフルオレノン、DNFジニトロフルオレノン等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。この内、TCNQ、TCNQF4、TCNE、HCNB、DDQ等のシアノ基を有する化合物がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。電子注入電子輸送材料としては、例えば、n型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料;ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物、酸化リチウムLi2O等の酸化物等が挙げられる。電子のカソードからの注入輸送をより効率よく行う点で、電子注入層として用いる材料としては、電子輸送層に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道LUMOのエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層として用いる材料としては、電子注入層に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。また、より電子の注入輸送性を向上させるため、前記電子注入輸送材料にドナーをドープする事が好ましい。ドナーとしては、有機発光層用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Al、Ag、Cu、In等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類N,N,N’,N’-テトラフェニルベンジジン、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジン、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジン等、トリフェニルアミン類トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン等、トリフェニルジアミン類N,N’-ジ-4-メチル-フェニル-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミン等の芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい、TTFテトラチアフルバレン類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。この内特に、芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層等の有機発光層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機発光層形成用の塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウエットプロセスにより有機発光層を形成する場合には、有機発光層形成用の塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。上記の有機発光層14を構成する各層の膜厚は、通常1~1000nm程度であるが、10~200nmが好ましい。膜厚が10nm未満であると、本来必要とされる物性電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性が得なれない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が200nmを超えると有機発光層の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる懸念がある。第一電極下部電極12を所定の領域例えば画素毎に複数に区画するバンク絶縁層15は、少なくとも光反射性を有する材料から構成される。光反射性を有する材料としては、色調が白色の材料を用いることが好ましい。更に、光反射性に加えて光拡散性を有する材料を用いることも好ましい。単に光反射性のみの場合には、バンク側面の基板に対する角度やバンクの形状によって、取り出される光のプロファイルが大きく変わるため、所望の光プロファイルを得るためには、バンク側面の基板に対する角度やバンクの形状を適切なものに制御する必要も出てくる。これに対し、バンクが光反射性に加えて、白色性、光散乱性を有していると、バンクで反射する光の方向が広がるため、取り出される光のプロファイルは、バンク側面の基板に対する角度やバンクの形状にそれほど依存せず、自然な発光プロファイルが得られやすい。一例として、バンク絶縁層15を、例えば、特開2007-322546号公報,特開2008-211036号公報,特開2011-66267号公報など開示されている高反射率の白色ソルダーレジストを利用して形成することができる。あるいは、ポリイミド系やアクリル系などの感光性樹脂にTiO2などの粒子を分散させて、光反射性、光散乱性、白色性などの機能を付与することも有効な手法である。バンク絶縁層15は、光透過性または光不透過性の基板11の一面11a上に、所定のパターンで形成される。バンク15を所定の形状にパターン化するためには、光感光性樹脂に酸化チタン粒子などを添加したものをフォトリソグラフィーを用いてパターン化する方法、樹脂に酸化チタン粒子などを添加したものを全面形成し、その上にフォトレジストをパターン形成して、酸化チタン粒子を添加した樹脂層を所定のパターンにエッチングする方法など、半導体製造工程や液晶パネル製造工程などで用いられる公知の製造工程を適用することができる。バンク15の膜厚は、例えば1μm~5μmが概ね適切な範囲ではあるが、目的に合わせて適宜膜厚を選定してもよい。例えば、100nm~数10μmの高さのバンクも使用可能であり、いずれの場合であっても本発明の効果を得ることができる。バンク15によって有機発光層14から発した光を反射する前に、全反射を繰り返してそのたびごとに光がロスするのは好ましくないので、互いに隣接するバンク15どうしの間隔開口径はあまり大きくないほうがよい。隣接するバンク15どうしの間隔は、50mm,20mm,10mm,5mm,1mm,500μm,100μm,50μm,20μmなどである。バンク15に光散乱性を持たせる場合には、バンク15を構成する樹脂中に微細な光反射性粒子を分散させることが好ましい。光反射性粒子は、粒径が200nm~5μmであることが好ましい。これによって、バンク15は光反射性を持つとともに、光の反射方向をランダムにする光散乱性も持つことができる。バンク15は、また、第一電極下部電極12のエッジ部分でのリークを防ぐ役割も果たす。即ち、第一電極12に有機発光層14を形成した場合、第一電極12の端面で有機発光層14の膜厚が薄くなる。このため第一電極12と第二電極13との間でショートが起こりやすくなる。バンク15をこうした領域に配置することによって、ショートを防止することができる。この場合、バンク15は、一般的にエッジカバー、ないし絶縁層などと称される構成物となる。バンク15は、また、インクジェットなどウェットプロセスによって有機発光層14を形成する場合に、基板11のある画素領域に塗布された液体が、隣接する画素領域に流れることを防止する。こうした機能をより高めるために、バンク15に更に撥液性を付与する処理を施すことも好ましい。以上のような構成の発光デバイスの作用について説明する。図1に示すように、発光デバイス10の第一電極下部電極12と第二電極上部電極13との間に、所定の電圧値の電圧が印加されると、有機発光層14中に注入された電子と正孔との再結合によって生じた励起子エキシトンによって、有機発光層14が発光する。有機発光層14で発光した光励起光のうち、透明な第二電極上部電極13に向かう方向に出射された光F1は、第二電極13を透過して外部に出射される。また、有機発光層14で発光した光励起光のうち、光不透過性の第一電極下部電極12に向かう方向に出射された光F2は、第一電極13の表面で反射され、再び有機発光層14を透過し、透明な第二電極13を透過して外部に出射される。一方、有機発光層14で発光した光励起光のうち、面広がり方向積層方向に直角な方向に向けて出射された光F3は、バンク15に入射する。バンク15に入射した光は、バンク15が光反射性を有する材料から構成されているため、入射した光を反射、および好ましくは拡散させる。そして、バンク15で反射された光F3も、第二電極13を透過して外部に出射される。このように、本実施形態の発光デバイス10によれば、バンク15に光反射性があるため、バンク15に向かって出射された光F3が、バンク15で吸収されてしまったり、バンク15内を導波して損失することがない。そして、バンク15に向かって出射された光F3をバンク15で反射させて第二電極13を経て外部に出射させることによって、光取出し効率を格段に向上させることが可能になる。即ち、従来の発光デバイスは、有機発光層の屈折率や散乱性、あるいは形状の制御によって光取出し効率を上げるという発想に対して、本発明においては、有機発光層において発光した光を、バンク15で囲われた領域内に閉じ込め、バンク15の方向に伝播させないことにある。こうした構成によって、光の出射を光を取り出したい方向にだけ限定でき、光をロスすることなく効率よく取り出せる。これによって、従来知られている発光デバイスと比較して、光取出し効率を格段に向上させることができる。なお、バンク15は、光反射性は必須であるが、更に加えて正反射ではなく、乱反射性、散乱性を有する材料から構成することがより好ましい。正反射よりも、乱反射、散乱の方が、バンク15に入射した光がランダムな方向に反射されるため、光の取り出し効率をより一層高められる。また、バンク15を配置する位置は、理想的には、所定の形状にパターン化された第一電極下部電極12の周辺すべてをバンク15で覆うことが好ましい。しかし、その一部のみをバンク15覆っても、光取出し効率の向上効果は得られる。ただし、第一電極下部電極12の周辺長さに対して、例えば、1の長さに対してのみ光反射性のバンクを配置しただけでは、残り99の長さの部分からは光が面広がり方向に導波して損失することになり、光取出し効率の向上効果は限定的である。有機発光層14で発光した光が面広がり方向に導波して逃げてゆくか、あるいは光反射性のバンク15によって反射されて、基板11側から取り出されるかは、第一電極12の周辺長さに対して、バンク15が配置されている長さの割合が相関している。例えば、光反射性のバンクを用いない場合の光取出し効率が25と仮定すると、損失分は75となる。第一電極12の周辺長さに対して、バンク15が配置されている長さの割合が10であれば、概算で約7.5の光が取り出される可能性があり、トータルの光取出し効率は32.5となり、光反射性のバンク15を形成しない場合の取り出し効率25に対して、約30の効率向上となる。しかし、第一電極12の周辺長さに対して、バンク15が配置されている長さの割合が1であれば、最大でも0.75しか光取出しは向上せず、トータルの光取出し効率は25.75にしかならない。これは、光反射性のバンク15を設けない場合の光取出し効率25に対して、僅か3の改善でしかなく、得られる効果はあまりに小さい。この様な観点から、第一電極下部電極12の周辺長さに対して、バンク15が配置されている長さの割合は、理想的には100であるが、概ね5以上あれば、相応の光取り出し効率の向上効果は得られることになる。第一電極12の周辺長さに対して、バンク15が配置されている長さの割合が5の場合、光反射性のバンク15によって取り出される光は最大3.7575×5であり、トータル27.75となる。これは光反射性のバンク15を設けない場合の光取出し効率25に対して、15の向上であり、意味のある改善といえる。ただし、実質的には、他の構成部での光損失や、基板11内での導波によるロスなどがあるため、好ましくは、第一電極12の周辺長さに対して、光反射性のバンク15が配置されている長さの割合が50以上が好ましく、特に100にすることが好ましい。第一電極12の周辺長さに対して、バンク15が配置されている長さの割合をどれくらいにするかは、例えば、バンク15をパターン化する際の形状で決めることができる。一般的なケースで考えれば、第一電極12の周辺をすべてバンク15で覆うことはなんら困難ではなく、第二電極13と第一電極12との間のリークの抑制、およびウェットプロセスで形成する場合の隣接画素への流れ込み防止という観点も考えると、第一電極下部電極12の周辺をすべて光反射性バンク15で覆うことが好ましい。また、発光デバイス10は、信頼性確保のため、適切な方法で周囲を封止するのが好ましい。封止の方法は、公知の方法などを用いることができる。例えば、缶封止と乾燥剤を用いる方法、キャップガラスと乾燥剤を用いる方法、ガラスフリット封止、透湿性を抑えた膜とガラスとで張り合わせる方法などが挙げられる。発光デバイス:第二実施形態図2は第二実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス20は、光透過性または光不透過性の基板21と、この基板21の一面21aに順に積層された第一電極下部電極22、および透明な第二電極上部電極23と、この第一電極22および第二電極23の間に形成された有機発光層24と、を有する。また、基板21の一面21aには、第一電極22を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層25が形成されている。そして、この実施形態においては、有機発光層24を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第一実施形態においては、有機発光層14はバンク15を乗り越えて一連の層として形成されていたが図1参照、第二実施形態においては、有機発光層24はバンク25の上部第二電極側で区切られて複数に分割されている。これによって、有機発光層24を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。発光デバイス:第三実施形態図3は第三実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス30は、光透過性または光不透過性の基板31と、この基板31の一面31aに順に積層された第一電極下部電極32、および透明な第二電極上部電極33と、この第一電極32および第二電極33の間に形成された有機発光層34と、を有する。また、基板31の一面31aには、第一電極32、および有機発光層34とを所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層35が形成されている。この実施形態においては、有機発光層34はバンク35によって、例えば画素毎に区画されている。即ち、第一実施形態においては、有機発光層14はバンク15を乗り越えて一連の層として形成されていたが図1参照、第三実施形態においては、有機発光層24はバンク35で複数に区画されている。これによって、有機発光層24を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、かつ、有機発光層24の側断面厚み方向の断面から出射された光も光反射性のバンク35によって反射させることができ、光取出し効率を更に一層向上させることができる。なお、これら第二実施形態や第三実施形態において、有機発光層24,34の形成領域を所定の範囲内に限定して形成する方法としては、例えば、マスク蒸着法、インクジェット法、印刷などによるウェット法を用いた塗わけ、LITILaserInducedThermalimaging、LIPSlaserInducedPatternwiseSublimationなどのレーザーを用いる手法、フォトブリーチ法などの方法を適宜用いればよい。発光デバイス:第四実施形態図4は第四実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス40は、光透過性または光不透過性の基板41と、この基板41の一面41aに順に積層された第一電極下部電極42、および透明な第二電極上部電極43と、この第一電極42および第二電極43の間に形成された有機発光層44と、を有する。また、基板41の一面41aには、第一電極42を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層45が形成されている。そして、第二電極上部電極43を覆うように低屈折率層46が形成されている。低屈折率層46は、例えば、第二電極上部電極43の屈折率よりも低く、空気外気の屈折率よりも高い範囲の屈折率をもつ材料から形成される。低屈折率層46は、例えば、第二電極43から低屈折率材層46に向けて入射する入射光の臨界角が、低屈折率材層46から外部に出射する出射光の臨界角よりも小さくなるような屈折率を持つことが好ましい。低屈折率層46は、例えば、第二電極上部電極43の屈折率よりも低く、空気外気の屈折率よりも高い範囲の屈折率をもつ材料から形成される。低屈折率層の屈折率は基板の屈折率より低いことが好ましく、理想的には空気の屈折率と同じ1.0がもっとも好ましい。このような低屈折率層46を形成することによって、光取出し効率を更に向上させることができる。即ち、空気外気の屈折率を1.0、第二電極上部電極43の屈折率を1.5と仮定した時に、低屈折率層46を設けない場合は、有機発光層から出た光は基板から空気外気界面までは直進するが、第二電極上部電極と空気外気との界面における屈折率差のため、法線からの角度が42°より大きな光は全反射してしまう。これに対して、図4のように、例えば屈折率が1.2の低屈折率層46を設けた場合、低屈折率層46と空気外気との界面においては、法線からの角度53°より大きな光は全反射しまうが、反射された光は光反射性のバンク45などで反射されて外部に取り出される可能性が高まる。図4に示す実施形態においても、低屈折率層46と空気外気との界面においては、法線からの角度が42°~53°の光は全反射取り出せないが、有機発光層44から出る光の角度で言えば、42°~53°の光だけが取り出せないだけであり、低屈折率層46を形成したことによる光取り出し効率の向上効果は大きい。なお、光反射性のバンクを設けずに、低屈折率層46を形成しただけでは、第二電極43と低屈折率層46との界面で跳ね返った光が正反射を繰り返して面広がり方向に逃げてゆくことになり、光取出し効率はそれほど向上しない。ゆえに、光反射性のバンク45と低屈折率層46を組み合わせて用いることによって、光取出し効率の大幅な向上効果を得ることができる。発光デバイス:第五実施形態図5は第五実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス50は、光透過性または光不透過性の基板51と、この基板51の一面51aに順に積層された第一電極下部電極52、および透明な第二電極上部電極53と、この第一電極52および第二電極53の間に形成された有機発光層54と、を有する。また、基板51の一面51aには、第一電極52を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層55が形成されている。そして、第二電極上部電極53に重ねて低屈折率層56が形成されている。この実施形態においては、低屈折率層56は例えば、画素毎に区画されている。即ち、第四実施形態においては、低屈折率層46は、第二電極上部電極43全体を覆うように一連の層として形成されていたが図4参照、第五実施形態においては、低屈折率層56は複数に区画されている。これによって、低屈折率層56から面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に一層向上させることができる。発光デバイス:第六実施形態図6は第六実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス60は、光透過性または光不透過性の基板61と、この基板61の一面61aに順に積層された第一電極下部電極62、および透明な第二電極上部電極63と、この第一電極62および第二電極63の間に形成された有機発光層64と、を有する。また、基板61の一面61aには、第一電極62を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層65が形成されている。更に、第二電極上部電極63に重ねて、接合層66を介して対向基板封止基板67が形成されている。有機発光層64は水分や酸素に弱く、一般的には封止を行うことが必要である。封止構造は様々なものが知られているが、例えば、第二電極上部電極に重ねて直接に封止膜を形成する構造がある。この場合、封止膜としては、SiO2などの無機膜、ポリイミド樹脂などによる有機膜、無機-有機ハイブリッド膜、無機-有機交互積層膜などを用いることができる。しかし、最近では本実施形態のように、接合層66を介して対向基板封止基板67を形成することが主流となりつつある。対向基板封止基板67は光透過性である必要があり、例えば、ガラス、フィルムなど硬質な透明基板を適用することができる。接合層66は、光透過性の固体層、例えば無機膜と樹脂膜との積層体であればよい。また、接合層66は、空気層、ドライ窒素層などの気体層、あるいは、減圧気体層、真空層などであることも好ましい。接合層66を気体層とする場合には、対向基板封止基板67と第二電極上部電極63との間に例えばスペーサ部材などを挟んで所定の間隔を保持するようにして、エッジ部分で封止すればよい。このような実施形態においては、第二電極上部電極63に重ねて更に対向基板封止基板67が形成されているため、水分や酸素に弱い有機発光層64を、外気空気に含まれる湿気や酸素から保護し、有機発光層64の劣化を防止することができる。発光デバイス:第七実施形態図7は第七実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス70は、光透過性または光不透過性の基板71と、この基板71の一面71aに順に積層された第一電極下部電極72、および透明な第二電極上部電極73と、この第一電極72および第二電極73の間に形成された有機発光層74と、を有する。また、基板71の一面71aには、第一電極72および有機発光層74を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層75が形成されている。更に、第二電極上部電極73に重ねて、接合層76を介して対向基板封止基板77が形成されている。また、接合層76と第二電極上部電極73との間には、低屈折率層78が形成されている。低屈折率層78は、例えば、対向基板封止基板77の屈折率よりも低い屈折率をもつ材料から形成される。これによって、光取出し効率を更に向上させることができる。即ち、空気外気の屈折率を1.0、対向基板封止基板77を1.5と仮定した時に、低屈折率層78を設けない場合は、有機発光層から出た光は基板から空気外気界面までは直進するが、対向基板封止基板と空気外気との界面における屈折率差のため、法線からの角度が42°より大きな光は全反射してしまう。これに対して、図7のように、例えば屈折率が1.2の低屈折率層78を設けた場合、対向基板封止基板77と空気外気との界面においては、法線からの角度53°より大きな光は全反射しまうが、反射された光は光反射性のバンク75などで反射されて外部に取り出される可能性が高まる。図7に示す実施形態においても、対向基板封止基板77と空気外気との界面においては、法線からの角度が42°~53°の光は全反射取り出せないが、有機発光層74から出る光の角度で言えば、42°~53°の光だけが取り出せないだけであり、低屈折率層78を形成したことによる光取り出し効率の向上効果は大きい。発光デバイス:第八実施形態図8は第八実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス80は、光透過性または光不透過性の基板81と、この基板81の一面81aに順に積層された第一電極下部電極82、および透明な第二電極上部電極83と、この第一電極82および第二電極83の間に形成された有機発光層84と、を有する。また、基板81の一面81aには、第一電極82および有機発光層84を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層85が形成されている。更に、第二電極上部電極83に重ねて、接合層86を介して対向基板封止基板87が形成されている。また、接合層86と第二電極上部電極83との間には、低屈折率層88が形成されている。低屈折率層88は、例えば、対向基板封止基板87の屈折率よりも低い屈折率をもつ材料から形成される。この実施形態においては、低屈折率層88は例えば、画素毎に区画されている。即ち、第七実施形態においては、低屈折率層78は、第二電極上部電極73全体を覆うように一連の層として形成されていたが図7参照、第八実施形態においては、低屈折率層88は複数に区画されている。これによって、低屈折率層88から面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に一層向上させることができる。発光デバイス:第九実施形態図9は第九実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス90は、光透過性または光不透過性の基板91と、この基板91の一面91aに順に積層された第一電極下部電極92、および透明な第二電極上部電極93と、この第一電極92および第二電極93の間に形成された有機発光層94と、を有する。また、基板91の一面91aには、第一電極92および有機発光層94を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層95が形成されている。更に、第二電極上部電極93に重ねて、接合層96を介して対向基板封止基板97が形成されている。また、接合層96と対向基板封止基板97との間には、低屈折率層98が形成されている。低屈折率層98は、例えば、対向基板封止基板97の屈折率よりも低い屈折率をもつ材料から形成される。これによって、接合層96と対向基板封止基板97との間の屈折率差を低屈折率層98によって緩和し、光取出し効率を更に向上させることができる。発光デバイス:第十実施形態図10は第十実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス100は、光透過性または光不透過性の基板101と、この基板101の一面101aに順に積層された第一電極下部電極102、および透明な第二電極上部電極103と、この第一電極102および第二電極103の間に形成された有機発光層104と、を有する。また、基板101の一面101aには、第一電極102および有機発光層104を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層105が形成されている。更に、第二電極上部電極103に重ねて、接合層106を介して対向基板封止基板107が形成されている。また、接合層106と対向基板封止基板107との間には、低屈折率層108が形成されている。低屈折率層108は、例えば、対向基板封止基板107の屈折率よりも低い屈折率をもつ材料から形成される。また、この実施形態においては、低屈折率層108は例えば、画素毎に区画されている。即ち、第九実施形態においては、低屈折率層98は、第二電極上部電極93全体を覆うように一連の層として形成されていたが図9参照、第十実施形態においては、低屈折率層108は複数に区画されている。これによって、低屈折率層108から面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に一層向上させることができる。発光デバイス:第十一実施形態図11は第十一実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス110は、光透過性または光不透過性の基板111と、この基板111の一面111aに順に積層された第一電極下部電極112、および透明な第二電極上部電極113と、この第一電極112および第二電極113の間に形成された有機発光層114と、を有する。また、基板111の一面111aには、第一電極112および有機発光層114を所定の領域毎に複数に区画する光反射性の第一バンクバンク115aが形成されている。更に、第二電極上部電極113に重ねて、接合層116を介して対向基板封止基板117が形成されている。また、接合層116と対向基板封止基板117との間には、光反射性の第二バンク対向バンク115bおよび低屈折率層118が形成されている。第一バンクバンク115aおよび第二バンク対向バンク115bは、第二電極上部電極113を介して互いに対向する位置に形成されている。また、低屈折率層118は、第二バンク対向バンク115bどうしの間で、例えば画素毎に形成されている。このような第十一実施形態においては、互いに対向する位置に、光反射性の第一バンクバンク115aおよび第二バンク対向バンク115bを形成することによって、有機発光層114での面広がり方向への光の伝播を防止すると共に、第二バンク115bによって、接合層116および対向基板封止基板117付近でも面広がり方向への光の伝播を防止でき、より一層、光取出し効率を向上させることができる。発光デバイス:第十二実施形態図12は第十二実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。発光デバイス120は、光透過性または光不透過性の基板121と、この基板121の一面121aに順に積層された第一電極下部電極122、および透明な第二電極上部電極123と、この第一電極122および第二電極123の間に形成された有機発光層124と、を有する。また、基板121の一面121aには、第一電極122および有機発光層124を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層125が形成されている。更に、バンク絶縁層125と基板121の一面121aとの間、即ちバンク絶縁層125の内部には、ブラックマトリクス層129が形成されている。このブラックマトリクス層129は、外光の反射を防止し、例えば明るい屋外などの環境下にあっても、発光デバイス120のコントラストを向上させ、より一層視認性を高めることができる。バンクの形状例バンクの形状はさまざまな形状にすることができる。図13は、バンクの形状例を示した断面図である。図13aでは、基板131に形成された第一電極下部電極132を区画するバンク133は、上部が狭まった台形となるように形成されている。図13bでは、基板131に形成された第一電極下部電極132を区画するバンク134は、上部が広がった台形となるように形成されている。図13cでは、基板131に形成された第一電極下部電極132を区画するバンク135は、上部が半円形ないし半楕円形となるように形成されている。図13dでは、基板131に形成された第一電極下部電極132を区画するバンク136は、上部が半円形で、かつ頂部が平坦面となるように形成されている。図13eでは、基板131に形成された第一電極下部電極132を区画するバンク137は、上部が三角形となるように形成されている。これらバンクの形状のうち、図13a、図13c、図13d、図13のように、一方に広がっている形状が、光がより出射されやすいという効果がある。こうした効果は、発光プロファイルにも影響を与えるので、表示装置に適用した場合の広視野角化に寄与する。この広視野角という視点では、図13に示すバンク137の形状がもっとも好ましいが、一方、バンクに重ねて成膜する層がエッジ部分で切れてしまうことを抑制するためには、図13c、図13dのようにバンク135,136が丸みを帯びた形状が好ましい。一方、パッシブ駆動有機EL表示装置でよく用いられる手法であるが、図13bのような逆テーパー形状のバンク134を形成し、これによって、第二電極上部電極を全面形成したときに、バンク134のエッジ部分で段切れを生じさせ、第二電極上部電極をストライプ状に形成することも可能である。更に、図13bのバンク134の構造は、プライベート使用を主たる目的とした有機EL表示装置において、視野角を狭くしてプライバシーフィルタの役割を果たすことにも有効である。バンクの構造例上述した各実施形態では、バンク自体を白色樹脂など光反射性の樹脂で形成した例を示したが、バンクの構造はこれに限定されない。図14は、バンクに光反射性を付与するための構造例を示す断面図である。図14aでは、基板141に形成された第一電極下部電極142を区画するバンク143は、透明な絶縁性樹脂層143aと、光反射性の金属層143bとから構成される。図14bでは、基板141に形成された第一電極下部電極142を区画するバンク144は反射性金属から構成されている。そして、このバンク144は、第一電極下部電極142どうしの間に、第一電極142とは離間して配置されている。これによって、隣接する第一電極下部電極142どうしの絶縁性を確保する。図14cでは、基板141に形成された第一電極下部電極142を区画するバンク145は反射性金属体145aと、これを覆う透明な絶縁樹脂層145bとから構成されている。この形態では、反射性金属体145aの上部も絶縁樹脂層145bで覆われてもかまわないが、この領域から光が伝播する可能性を考慮すると、絶縁樹脂層145bの上部の厚さを薄くなるように形成することが好ましい。更にはこの部分には樹脂を形成しない形状も好ましい。図14dでは、基板141に形成された第一電極下部電極142を区画するバンク146は反射性金属体146aと、これを覆う透明な絶縁樹脂層146bと、更に上部反射層146cとから構成されている。図14eでは、基板141に形成された第一電極下部電極142を区画するバンク147は、第一電極下部電極142の少なくとも側面を覆う反射性金属層から構成されている。図14fでは、基板141に形成された第一電極下部電極142を区画するバンク148は、絶縁樹脂体148aと、この絶縁樹脂体148aを覆う反射性金属層148bとから構成される。そして、反射性金属層148bは、その下端が第一電極下部電極142に接しないように形成することによって、互いに隣接する第一電極下部電極142どうしの絶縁性を確保している。表示装置:第十三実施形態図15は第十三実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。この実施形態では、発光デバイスをアクティブマトリクス駆動させたトップエミッション型の有機EL表示装置を示す。有機EL表示装置表示装置150は、光透過性または光不透過性の基板151、第一電極下部電極152、および光透過性の第二電極上部電極153と、この第一電極152および第二電極153の間に形成された有機発光層154と、第一電極152を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層155とからなる発光デバイス157を備えている。また、基板151と第一電極下部電極152との間には、駆動部の一例であるアクティブマトリックス駆動素子駆動部160が形成される。基板151上に、ゲート電極160a、ゲート酸化膜158が形成される。ゲート酸化膜158上には、活性層160d、ソース電極160b、ドレイン電極160cが形成され、さらに、層間絶縁膜159が形成される。層関絶縁膜159にはコンタクトホールが設けられており、ドレイン電極160cと第一電極152が電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子160は、ゲート電極160a、ゲート酸化膜158、ソース電極160b、ドレイン電極160cおよび活性層160dなどからなる。発光デバイス157の発光を制御するアクティブマトリックス駆動素子駆動部160は、スイッチング用及び駆動用として機能する。こうしたアクティブマトリックス駆動素子160は公知の材料、構造及び形成方法を用いて形成することができる。活性層160dの材料としては、例えば、非晶質シリコンアモルファスシリコン、多結晶シリコンポリシリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム-酸化ガリウム-酸化亜鉛等の酸化物半導体材料又は、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリp-フェリレンビニレン誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、TFTの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。活性層160dの形成方法としては、1プラズマ誘起化学気相成長PECVD法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、2シランSiH4ガスを用いた減圧化学気相成長LPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、3Si2H6ガスを用いたLPCVD法又はSiH4ガスを用いたPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法低温プロセス、4LPCVD法又はPECVD法によりポリシリコン層を形成し、1000°C以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、nポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法高温プロセス、5有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、6有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。ゲート絶縁膜158は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2又はポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等が挙げられる。また、TFTの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第1駆動電極及び第2駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタルTa、アルミニウムAl、銅Cu等が挙げられる。層間絶縁膜159は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN、又は、Si2N4、酸化タンタルTaO、又は、Ta2O5等の無機材料、又は、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。なお、アクティブマトリックス駆動素子160を基板151上に形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって発光デバイス157の欠陥例えば、画素電極の欠損、有機EL層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜159上に更に平坦化膜を設けてもよい。こうした平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本発明はこれらの材料及び形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造でも多層構造でもよい。また、上述した有機EL表示装置表示装置150に、更にカラーフィルタ、色変換膜などを組み合わせても良い。カラーフィルタと組み合わせる場合には、通常、発光色を白色とする。また、色変換膜と組み合わせる場合には、通常、発光色を青色とする。表示装置:第十四実施形態図16は第十四実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。有機EL表示装置表示装置170は、光透過性または光不透過性の基板171、第一電極下部電極172、第二電極上部電極173と、この第一電極172および第二電極173の間に形成された有機発光層174と、第一電極172を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク絶縁層175とを備えた発光デバイス182を有する。更に、基板171と対向基板封止基板177を対向させる。基板171と対向基板封止基板177を対向して貼り合わせる際、封止層176、低屈折率層181を配置しても良い。封止層176、低屈折率層181ともに用いない場合には、発光素子のない基板周辺部などに封止樹脂、接着樹脂などを用いて、基板171と対向基板封止基板177を対向して貼り合わせると良い。封止層176は樹脂などの固体層からなり、接着性、水分酸素透過防止性、水分酸素吸収性などを有していても良い。低屈折率層181は、例えば、対向基板封止基板177の屈折率よりも低い屈折率をもつ材料から形成され、固体層、あるいは気体層乾燥空気層、窒素層、減圧気体層、真空層などで構成されればよい。また、基板171と第一電極下部電極172との間には、駆動部の一例であるアクティブマトリックス駆動素子駆動部180が形成される。基板171上に、ゲート電極180a、ゲート酸化膜178が形成される。ゲート酸化膜178上には、活性層180d、ソース電極180b、ドレイン電極180cが形成され、さらに、層間絶縁膜179が形成される。層関絶縁膜179にはコンタクトホールが設けられており、ドレイン電極180cと第一電極172が電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子180は、ゲート電極180a、ゲート酸化膜178、ソース電極180b、ドレイン電極180cおよび活性層160dなどからなる。発光デバイス:第十五実施形態第一電極下部電極の導電性を高めるために、更に補助電極を備えた発光デバイスに、光反射性のバンクを形成することも好ましい。図17は、第十五実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。なお、図17aは発光デバイスを上から見たときの平面図、図17bは図17aのA-A’線における断面図である。この実施形態の発光デバイス200は、光透過性または光不透過性の基板201に補助配線209が形成されている。補助配線209は1本または複数本配置すればよい。補助配線209は、通常はAl,Agなど、電気抵抗値の低い金属材料を用いる。複数本の補助配線209を配置する場合には、例えば、ストライプ状、あるいは格子状に配置することができる。補助配線209は第一電極下部電極202に覆われる。第一電極下部電極202は、例えば、金属電極材料を用い、膜厚は、例えば100nm~300nm程度である。第一電極202を所定の形状に形成するためには、フォトリソグラフィーなどを用いてパターンニングする方法、あるいは、マスク蒸着などを用いることができる。隣接する第一電極下部電極202どうしの間には、光反射性のバンク205が形成されている。バンク205は、第一電極下部電極202の周囲の一部のみカバーしても、光取出し効率向上の効果は得られるが、周囲全部を囲う方がもっとも光取出し効率向上に対して効果が高く、好ましい。なお、図17においては、光反射性のバンク205の開口エリアは正方形の形状で描いているが、長方形、円形、その他の形状が可能である。バンク205の開口サイズであるが、開口径0.5mm,1mm,5mm,10mm,50mm,100mmなど、さまざまなサイズを選択することができ限定されるものではない。第一電極下部電極202の上には有機発光層204が形成されている。有機発光層204は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層の積層膜などを用いることができる。有機発光層204の上には第二電極上部電極203が形成される。第二電極上部電極203はITO,IZOなどの透明電極材料を用いればよい。更に、図17には図示されていないが、発光デバイス200を大気中の水分や酸素による腐食、変質から保護するために、対向基板などを用いて封止することが好ましい。なお、バンク205の形状が逆テーパー形状となっているなどの理由で、第二電極上部電極203の段切れなどが懸念される場合には、図18a,図18bに示すように、段差のない部分を形成することが好ましい。発光デバイスの適用例発光デバイスの適用例として、図19Aに示す携帯電話機、図19Bに示す有機ELテレビなどが挙げられる。図19Aに示す携帯電話機1000は、本体1001、表示部1002、音声入力部1003、音声出力部1004、アンテナ1005、操作スイッチ1006等を備えており、表示部1002に前記各実施形態の発光デバイスが用いられている。図19Bに示すテレビ受信装置1100は、本体キャビネット1101、表示部1102、スピーカー1103、スタンド1104等を備えており、表示部1102に前記各実施形態の発光デバイスが用いられている。これら携帯電話機や有機ELテレビにおいては、前記各実施形態の発光デバイスが用いられているため、輝度が高く表示品位に優れている。また、発光デバイスの適用例として、例えば、図20Aに示すシーリングライト照明装置に適用できる。図20Aに示すシーリングライト1400は、照明部1401、吊具1402、及び電源コード1403等を備えている。そして、照明部1401として前記各実施形態の発光デバイスが好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光デバイスをシーリングライト1400の照明部1401に適用することによって、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。また、発光デバイスの適用例として、例えば、図20Bに示す照明スタンドに適用できる。図20Bに示す照明スタンド1500は、照明部1501、スタンド1502、電源スイッチ1503、及び電源コード1504等を備えている。そして、照明部1501として前記各実施形態の発光デバイスが好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光デバイスを照明スタンド1500の照明部1501に適用することによって、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。"