"有機樹脂100質量部と無機質充填剤50~1000質量部とを含有してなり、上記無機質充填剤の10~100質量が希土類元素酸化物であることを特徴とする樹脂組成物。有機樹脂が、ポリフタルアミド、エポキシ樹脂、又はシリコーン樹脂である請求項1記載の樹脂組成物。有機樹脂の5~100質量がシリコーン樹脂である請求項1記載の樹脂組成物。希土類元素が、イットリウム、ネオジム、インジウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム及びジスプロシウムから選ばれるものである請求項1乃至3のいずれか1項記載の樹脂組成物。希土類元素酸化物が、平均粒径0.5~60μmの粉末である請求項1乃至4のいずれか1項記載の樹脂組成物。希土類元素酸化物以外の無機質充填剤として、ケイ素、マグネシウム、チタン、亜鉛及びアルミニウムから選ばれる元素の酸化物を含む請求項1乃至5のいずれか1項記載の樹脂組成物。発光半導体素子のリフレクター形成用である請求項1乃至6のいずれか1項記載の樹脂組成物。請求項1乃至6のいずれか1項記載の樹脂組成物の硬化物からなる発光半導体素子用リフレクター。リフレクターが、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとの間を充満する状態に形成された平面状である請求項8記載のリフレクター。リフレクターが、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリード上、又は該リード及び発光半導体素子電極を実装するダイパッド上に設けられて、内部に発光半導体素子を収容可能なリング壁体状に形成された凹形状である請求項8記載のリフレクター。上記リング壁体と連続して上記リード間又はリードとダイパッドとの間を充満した状態に形成された請求項10記載のリフレクター。発光半導体素子と、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードと、請求項8乃至11のいずれか1項に記載の発光半導体素子用リフレクターとを備え、上記発光半導体素子を透明樹脂又は蛍光体含有透明樹脂で封止してなる発光半導体装置。発光半導体素子の発光波長が500nm以下である請求項12記載の発光半導体装置。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、白色性、耐熱性、耐湿性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変が少なく、300~500nm、特に400~500nmの波長範囲において反射率が80以上で、硬化時の反り量が少ない硬化物を与え、発光半導体素子用リフレクターを形成するのに有効な樹脂組成物、当該樹脂を用いた発光半導体素子用リフレクター、更にこのリフレクターを用いた発光半導体装置を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、発光半導体素子用リフレクターの形成に用いる無機質充填剤として希土類元素酸化物を用いることが有効で、光反射率、輝度の低下も少ないことを知見したものである。従って、本発明は、下記の樹脂組成物、発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置を提供する。請求項1:有機樹脂100質量部と無機質充填剤50~1000質量部とを含有してなり、上記無機質充填剤の10~100質量が希土類元素酸化物であることを特徴とする樹脂組成物。請求項2:有機樹脂が、ポリフタルアミド、エポキシ樹脂、又はシリコーン樹脂である請求項1記載の樹脂組成物。請求項3:有機樹脂の5~100質量がシリコーン樹脂である請求項1記載の樹脂組成物。請求項4:希土類元素が、イットリウム、ネオジム、インジウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム及びジスプロシウムから選ばれるものである請求項1乃至3のいずれか1項記載の樹脂組成物。請求項5:希土類元素酸化物が、平均粒径0.5~60μmの粉末である請求項1乃至4のいずれか1項記載の樹脂組成物。請求項6:希土類元素酸化物以外の無機質充填剤として、ケイ素、マグネシウム、チタン、亜鉛及びアルミニウムから選ばれる元素の酸化物を含む請求項1乃至5のいずれか1項記載の樹脂組成物。請求項7:発光半導体素子のリフレクター形成用である請求項1乃至6のいずれか1項記載の樹脂組成物。請求項8:請求項1乃至6のいずれか1項記載の樹脂組成物の硬化物からなる発光半導体素子用リフレクター。請求項9:リフレクターが、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとの間を充満する状態に形成された平面状である請求項8記載のリフレクター。請求項10:リフレクターが、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリード上、又は該リード及び発光半導体素子電極を実装するダイパッド上に設けられて、内部に発光半導体素子を収容可能なリング壁体状に形成された凹形状である請求項8記載のリフレクター。請求項11:上記リング壁体と連続して上記リード間又はリードとダイパッドとの間を充満した状態に形成された請求項10記載のリフレクター。請求項12:発光半導体素子と、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードと、請求項8乃至11のいずれか1項に記載の発光半導体素子用リフレクターとを備え、上記発光半導体素子を透明樹脂又は蛍光体含有透明樹脂で封止してなる発光半導体装置。請求項13:発光半導体素子の発光波長が500nm以下である請求項12記載の発光半導体装置。本発明の樹脂組成物を用いることにより、光反射率が高く、輝度の低下も少ない発光半導体素子用リフレクター及び発光半導体装置を提供できる。本発明の樹脂組成物は、有機樹脂と無機質充填剤を必須成分とする。本発明に使用する有機樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれも使用することができる。これらの樹脂の中でも熱可塑性樹脂としては、従来からよく使用されているポリフタルアミドPPAが代表的なものである。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、更にはシリコーン樹脂と有機樹脂の混成樹脂等が例示される。エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのエポキシ樹脂を用いる場合、硬化剤として酸無水物、各種フェノール樹脂、各種アミン化合物等を使用して硬化することが好ましい。中でも、エポキシ樹脂としてトリグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン誘導体エポキシ樹脂を用い、硬化剤として酸無水物を用いると共に、リン系硬化促進剤等の硬化促進剤を配合した熱硬化性樹脂組成物が、耐熱性や耐光性が優れていることから特に望ましいものである。この場合、上記硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂100質量部に対し、酸無水物の場合は20~400質量部、フェノール樹脂の場合は10~300質量部、アミン化合物の場合は5~200質量部とすることが好ましい。また、硬化促進剤はエポキシ樹脂100質量部に対し0.1~5質量部とすることが好ましい。シリコーン樹脂としては、縮合型や付加型の熱硬化性シリコーン樹脂を代表的なものとして例示することができる。縮合型の熱硬化性シリコーン樹脂としては、R1aSiOR2bOHcO21式中、R1は同一又は異種の炭素数1~20の有機基、R2は同一又は異種の炭素数1~4の有機基を示し、0.8≦a≦1.5、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦abc<2を満たす数である。で示されるようなシリコーン樹脂が挙げられ、これに縮合触媒を配合したシリコーン樹脂組成物が好ましい。ここで、R1の有機基としては、炭素数1~20、好ましくは1~15、特に1~10の1価炭化水素基が挙げられ、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等を例示することができる。また、R2の炭素数1~4の有機基としては、アルキル基、アルケニル基、アシル基等を例示することができる。なお、上記縮合触媒としては、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、n-ヘキシルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロウンデセンDBU、ジシアンジアミド等の塩基性化合物類;テトライソプロピルチタネート、テトラブチルチタネート、チタンアセチルアセトナート、アルミニウムトリイソブトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラブチレート、コバルトオクチレート、コバルトアセチルアセトナート、鉄アセチルアセトナート、スズアセチルアセトナート、ジブチルスズオクチレート、ジブチルスズラウレート、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p-tert-ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド等の含金属化合物類、アルミニウムトリスアセチルアセトネート、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノアセチルアセトネート、ジイソプロポキシビスエチルアセトアセテートチタン、ジイソプロポキシビスエチルアセトアセテートチタン等の有機チタンキレート化合物等が挙げられる。この中で特に、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p-tert-ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシドが好ましい。中でも安息香酸亜鉛、有機チタンキレート化合物等を挙げることができ、上記シリコーン樹脂100質量部に対し0.01~10質量部、好ましくは0.1~6質量部の配合量とすることができる。該範囲内では、硬化性が良好であり、組成物の貯蔵安定性もよい。付加型の熱硬化性シリコーン樹脂としては、ビニル基等のアルケニル基を一分子中に2個以上有するオルガノポリシロキサンと、SiH基を一分子中に2個以上、好ましくは3個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンの組合せを用いることができ、これに白金触媒を添加したシリコーン樹脂組成物が用いられる。なお、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサン100質量部に対し10~1000質量部とすることができ、また、白金触媒の配合量は、該オルガノポリシロキサンに対し1~500ppmとすることが好ましい。混成樹脂としてはトリグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン誘導体エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との組合せが好ましく、これに上述した酸無水物、硬化促進剤を配合した熱硬化性エポキシ-シリコーン樹脂組成物が、硬化性に優れ、耐熱性、耐光性に優れると共に、良好な強度を有することから望ましい。なお、この場合のシリコーン樹脂は、上記式1のシリコーン樹脂を用いることが好ましい。上記エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との割合は、質量比として10:90~90:10であることが好ましい。酸無水物、硬化促進剤の配合量は上述した通りである。更に、本発明は成形性や良好な硬化物物性を得るために、予めエポキシ樹脂及び/又は一分子中に少なくとも1個のエポキシ基を有するシリコーン樹脂と酸無水物を、あるいは一分子中に少なくとも1個のエポキシ基を有するシリコーン樹脂と酸無水物を予め予備反応させ、重合度を高めたものを使用することもできる。特に、500nm以下の光を発光する高輝度の発光素子を搭載するリフレクターにはシリコーン樹脂やシリコーン樹脂とエポキシ樹脂等の混成樹脂を使用することが好ましい。エポキシ樹脂単独や熱可塑性のポリフタルアミド等を使用すると発光時の発熱や短波長の光により樹脂が分解し、変色することで光反射率が低下し、光の取り出し効率が低下する場合がある。このため、耐熱性や耐光性が最も優れているシリコーン樹脂が望ましいものである。シリコーン樹脂の中でもメチル基含有量の多いシリコーン樹脂がよい。例えば、式1において、R1がメチル基のものが好適に用いられる。次に、無機質充填剤としては、希土類元素酸化物を必須成分として含有する。ここで、希土類元素とは、元素周期律表第III族に属する原子番号57番から71番のランタノイド15元素ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムに同じ第III族の21番のスカンジウムと39番のイットリウムを加えた17元素の総称である。これらの中では、イットリウム、ネオジム、インジウム、ランタン、セリウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウムの酸化物が好ましい。本発明では上記した希土類元素の酸化物を樹脂組成物に配合し、使用することで500nm以下の光を効率よく反射することができるものである。中でも、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化ジスプロシウム、酸化インジウム等が入手のしやすさから望ましいものである。希土類元素酸化物の粒径は特に限定されるものではないが、光の反射効率を上げるためには組成物に均一に分散していることが必要であること、更に成形性、流動性からみて、平均粒径は0.5~60μm、特には0.5~50μmが好ましい。更に好ましくは0.5~5μmである。少ない添加量で高い反射率を得るためには希土類元素酸化物の粒度が細かく、比表面積の大きいものが望ましい。なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値D50又はメジアン径として求めることができる。希土類元素酸化物の配合量は、配合使用する無機質充填剤全体の10~100質量、好ましくは20~90質量、より好ましくは30~80質量であり、また樹脂成分100質量部に対し、10~900質量部、特に50~500質量部が好ましい。10質量部未満では、十分な反射率を得ることができないおそれがあり、900質量部を超えると、増粘によりリフレクター成形時に未充填不良やリードフレームとの接着が低下する。より望ましくは50~400質量部である。無機質充填剤として上記希土類元素酸化物以外に他の無機質充填剤を併用する場合、かかる他の無機質充填剤としては、通常樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、溶融球状シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機質充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、平均粒径は通常4~40μm、特には7~35μmが好ましい。これらの中では、ケイ素、マグネシウム、チタン、亜鉛及びアルミニウムから選ばれる元素の酸化物が好ましい。特に、溶融シリカ、溶融球状シリカが成形性、流動性等の点で好適に用いられる。また、リフレクターの強度、靭性を高めるために下記のようなものを配合することもできる。例えば、ガラス繊維やホウケイ酸ガラス、ロックウールのような非晶質繊維、アルミナ繊維のような多結晶繊維、チタン酸カリウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ガラス、ホウ酸アルミニウムのような単結晶繊維、更には硫酸マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等が挙げられ、どのタイプでも構わない。白色のリフレクターを得るためには、上述した白色の希土類元素酸化物を単独で使用してもよいが、場合によっては下記のような白色顔料を無機質充填剤として併用してもよい。この場合、併用する白色顔料としては二酸化チタンを用いることが好ましく、この二酸化チタンの単位格子はルチル型、アナタース型、ブルカイト型のどれでも構わないが、ルチル型が好ましく使用される。また、白色顔料として用いる二酸化チタンの平均粒径や形状も限定されないが、平均粒径は通常0.05~5.0μmである。上記二酸化チタンは、樹脂や無機質充填剤との相溶性、分散性を高めるため、AlやSi等の含水酸化物等で予め表面処理することができる。更に、白色顔料白色着色剤として、二酸化チタン以外にチタン酸カリウム、酸化ジルコン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等を単独で又は二酸化チタンと併用して使用することもできる。上記無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。このようなカップリング剤としては、例えば、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N-βアミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン等を用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。上記他の無機質充填剤の配合量は、全無機質充填剤量から希土類元素酸化物量を除いた残部量であり、全無機質充填剤の0~90質量、好ましくは10~80質量、より好ましくは20~70質量である。この場合、白色顔料としての二酸化チタンを全無機質充填剤の1~30質量、特に5~30質量を含有することが好ましく、また溶融シリカ、溶融球状シリカを5~79質量、特に10~65質量含有することが好ましい。上記無機質充填剤の配合量は、有機樹脂100質量部に対し50~1000質量部、好ましくは100~900質量部、特に好ましくは200~850質量部である。無機質充填剤配合量が少なすぎると、リフレクターの光反射率が低下し、発光半導体装置が十分な輝度を発揮できない場合がある。一方、無機質充填剤配合量が多すぎると、樹脂組成物の溶融粘度が増大により流動性が悪化し、リフレクターを成形する際に未充填等の不具合が発生する場合がある。本発明の樹脂組成物には、必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々のシリコーンパウダー、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル,グリセリン酸エステル,ステアリン酸亜鉛,ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤等の添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。本発明の樹脂組成物を用いてリフレクターを成形する最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法や圧縮成形法が挙げられる。なお、本発明の樹脂組成物の成形温度は130~185°Cで30~180秒行うことが望ましい。後硬化は150~185°Cで1~8時間行ってもよい。本発明の上記成分を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物を硬化させた硬化物の360~800nmでの光反射率は、初期値で80以上であることが好ましい。より望ましくは400nmで90以上の反射率である。本発明の樹脂組成物は、発光半導体素子のリフレクターの形成に好適に用いられる。この場合、この樹脂組成物を適宜なリフレクター形状に成形、硬化する。ここで、リフレクターとしては、発光半導体素子の発光をリフレクトし得るものであればいずれのものでもよく、発光半導体装置の態様に応じてその形状等を選定し得る。例えば、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとの間の空隙部を充満する状態に形成された平面状であるリフレクター、あるいは発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリード上、又は該リード及び発光半導体素子電極を実装するダイパッド上に設けられて、内部に発光半導体素子を収容可能なリング壁体状に形成された凹形状であるリフレクターが挙げられ、後者の場合、上記リング壁体と連続して上記リード間又はリードとダイパッドとの間を充満した状態に形成されていてもよい。従って、本発明は、発光半導体素子と、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードと、本発明の樹脂組成物の硬化物からなる発光半導体素子用リフレクターとを備え、上記発光半導体素子を透明樹脂又は蛍光体含有透明樹脂で封止してなる発光半導体装置をも提供する。図1は、本発明の発光半導体素子用リフレクター及びこれを用いた発光半導体装置の一例を示したもので、図中1はリフレクター、2はリードフレーム、3は発光半導体素子、4はダイボンド材、5は金線、6は発光半導体素子3を封止する透明封止樹脂であり、このリフレクターは、発光半導体素子を実装するダイパッドと、発光半導体素子電極と外部電極とを接続するリードとを有する金属リードフレームの上記ダイパッドとリードとの間の空隙部分に充満、介在された部分、及び上記ダイパッド及びリード上に内部に発光半導体素子及び金線を収容し得るリング壁体状部分が一体に成形された凹形状のものである。図2は、上記ダイパッドとリードとの間の空隙部分を充満、介在された平面状のリフレクターを示すものであり、参照符号は図1の場合と同様である。リフレクターの製造する場合、個別化されて形成するようにしてもよく、また金属フレーム上に100~300個程度のリフレクターをマトリックス状に配列した状態で成形するようにしてもよい。図3は、個別化して成形したリフレクターを示すもので、その製造法の一例を具体的に示すと、成形後リードカットやリード曲げを行い、リードフレームから切断する。切断されたリフレクターに発光半導体素子3をシリコーンダイボンド材4例えばLPS632D信越化学工業株製を用いて固定し、150°Cで1時間加熱することで発光素子をダイパッド状に固着させ、その後、金線5で素子とリード先端を電気的に接続する。更に、透明なシリコーン樹脂例えばLPSVVV信越化学工業株製や蛍光体等を配合したシリコーン樹脂等をポッティングによりリフレクターの凹部に流し込み、120°Cで1時間、更に150°Cで2時間加熱硬化させることで封止する。図4は、上記凹形状のリフレクターをマトリックス状に配列したもの、図5は上記平面状のリフレクターをマトリックス状に配列したものを示す。図4,5中、実線Lはリフレクター基板10の切断線を示す。また、マトリックス状に配列したリフレクター基板の場合は、リフレクター基板を切断する前に、発光素子をそれぞれのリフレクターの凹部に存在するダイパッド上に発光素子を前記したシリコーンダイボンド材を用いて固定し、150°Cで1時間加熱することで発光素子を固着させ、その後、金線で素子とリード先端を電気的に接続する。更に、透明なシリコーン樹脂6例えばLPS380信越化学工業株製やLPS380に蛍光体等を配合したものをポッティングによりリフレクターの凹部に流し込み、120°Cで1時間、更に150°Cで2時間加熱硬化させることで封止する。透明なシリコーン樹脂の封止はポッティングによる方法、あるいはトランスファー成形や圧縮成形等の封止方法でレンズ形状等を同時に形成することもできる。その後、ダイシング、レーザー加工、ウォータージェット加工等でマトリックス状に配列した成形基板を切断し、リフレクターを個片、単体化する。なお、上述した例では、金線で素子とリード先端を電気的に接続したが、接続方式はこれに限定されず、Auバンプ等のバンプを用いて素子とリードとを接続するようにしてもよい。本発明のリフレクターは、特に短波長、好ましくは発光波長が500nm以下、より好ましくは300~500nm、特に好ましくは400~500nmの発光半導体素子、青色や紫外LED用リフレクターとして望ましい。また、半導体電子機器装置等の封止剤として、更には集光型太陽電池の素子を収納するプレモールド型パッケージ用としても有効に利用できる。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。実施例及び比較例で使用した原料を以下に示す。シリコーン樹脂[合成例1]メチルトリクロロシラン100質量部、トルエン200質量部を1Lのフラスコに入れ、氷冷下で水8質量部、メチルアルコ-ル60質量部の混合液を液中滴下した。内温は-5~0°Cで5~20時間かけて滴下し、その後、加熱して還流温度で20分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水12質量部を30°C以下、30分間で滴下し、20分間撹拌した。更に水25質量部を滴下後、40~45°Cで60分間撹拌した。その後、水200質量部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後、共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式2で示される無色透明の固体融点76°C36.0質量部の白色熱硬化性シリコーン樹脂A-1を得た。CH310SiOCH3006OH011O1422[合成例2]メチルトリクロロシラン50質量部、フェニルトリクロルシラン70.6質量部、トルエン200質量部を1Lのフラスコに入れ、氷冷下で水8質量部、メチルアルコ-ル60質量部の混合液を液中滴下した。内温は-5~0°Cで5~20時間かけて滴下し、その後、加熱して還流温度で20分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水12質量部を30°C以下、30分間で滴下し、20分間撹拌した。更に水25質量部を滴下後、40~45°Cで60分間撹拌した。その後、水200質量部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後、共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式3で示される無色透明の固体融点82°C45.0質量部の白色熱硬化性シリコーン樹脂A-2を得た。CH305C6H505SiOCH3005OH013O1413エポキシ樹脂トリアジン誘導体エポキシ樹脂トリス2,3-エポキシプロピルイソシアヌレートTEPIC-S:日産化学工業株製商品名、エポキシ当量100硬化剤酸無水物メチルヘキサヒドロ無水フタル酸リカシッドMH:新日本理化株製商品名[合成例3]Bステージ化エポキシ樹脂トリス2,3-エポキシプロピルイソシアヌレートTEPIC-S:日産化学工業株製商品名45質量部、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸リカシッドMH:新日本理化株製商品名55質量部、亜リン酸トリフェニル3質量部を反応釜に入れ、80°Cで10時間反応させた。反応後、プレポリマーを取り出し、冷却することでBステージ化エポキシ樹脂A-3を固形化した。酸化防止剤リン系酸化防止剤:亜リン酸トリフェニル和光純薬株製硬化触媒エポキシ樹脂用硬化触媒リン系硬化触媒:メチル-トリブチルホスホニウム-ジメチルホスフェイトPX-4MP:日本化学株製商品名シリコーン樹脂用硬化触媒:安息香酸亜鉛無機質充填剤溶融球状シリカ株龍森製商品名、平均粒径15μm球状アルミナ株アドマテックス製商品名、平均粒径20μm二酸化チタン:ルチル型R-45M:堺化学工業株製商品名、平均粒径0.28μm希土類元素酸化物酸化イットリウムA信越化学工業株製、平均粒径10μm酸化イットリウムB信越化学工業株製、平均粒径5μm酸化ランタン信越化学工業株製、平均粒径13μm酸化セリウム信越化学工業株製、平均粒径15μm酸化ガドリニウム信越化学工業株製、平均粒径12μmその他添加剤離型剤:ステアリン酸カルシウムシランカップリング剤:3-メルカプトプロピルトリメトキシシランKBM-803:信越化学工業株製[実施例1~8、比較例1~3]表1に示す割合で各種成分を配合し、均一に混合した後、熱二本ロールで混練することで白色のエポキシ樹脂組成物を得た。得られたそれぞれの組成物を用い、下記に記された測定方法により各種物性を測定した結果を記載する。これらの組成物につき、以下の諸特性を測定した。結果を表2に示す。《スパイラルフロー値》EMMI規格に準じた金型を使用して、175°C、6.9N/mm2、成形時間2分の条件で測定した。《ゲル化時間》175°Cの熱板上にてゲル化するまでの時間を測定した。《溶融粘度》高化式フローテスターを用い、10kgfの加圧下、直径1mmのノズルを用い、温度175°Cで粘度を測定した。《光反射率》175°C、6.9N/mm2、成形時間2分の条件で直径50×3mmの円盤を成形した円盤を用い、エスデイジー株式会社製X-rite8200を使用して、波長360nmから740nm範囲で測定した。《紫外線照射後の光反射率性》175°C、6.9N/mm2、成形時間2分の条件で直径50×3mmの円盤を成形した円盤を120°Cの温度雰囲気下で24時間、405nmの紫外線を照射した後、光反射率を測定した。《発光強度試験》150°Cの雰囲気下で、実施例8で作製した発光装置に電流100mAを流し、試験の開始時と100時間後に大塚電子製LP-3400により発光強度を測定し、輝度の低下を調べた。[実施例9]実施例1~8及び比較例1~3で製造した熱硬化性樹脂組成物により、全面銀メッキした銅リードフレームを用い、図4のマトリックスタイプの凹型リフレクター、及び図3の個片型リフレクターを下記の成形条件で成形した。成形条件は下記の通り。成形温度:170°C、成形圧力:6.9N/mm2、成形時間:3分更にポストキュアを170°Cで2時間行った。成形したパッケージはリードと樹脂の密着性も良好であった。次に、上記したプレモールドパッケージの評価に半導体発光素子であるLED素子として、主発光ピークが357nmのLED素子を用いた。このLED素子を成形したリフレクター開口部内の所定底辺にシリコーンダイボンド材品名:LPS632D、信越化学株製で搭載、固定し、金線でリード部と素子電極を電気的に接続した。その後、シリコーン封止剤LPS380:信越化学工業株製をLED素子が配置された凹部開口部内にそれぞれ注入し、120°Cで1時間、更に150°Cで1時間硬化させ、封止した。これらマトリックスタイプと個片型リフレクターを用いて組み立てた発光半導体装置をそれぞれ5個ずつ用い、25°C,80相対湿度の雰囲気中に48時間放置した後、260°Cのリフロー炉に3回通した。その後、パッケージ表面や素子表面と封止樹脂との接着不良を調べた。本発明の組成物で成形したパッケージを用いたものは全く剥離不良は生じなかった。更に、発光強度試験としてそれぞれの発光半導体装置を5個用い、150°Cの雰囲気下で電流100mAを流し、試験の開始時と100時間後に発光強度を測定し、輝度の低下を調べた。輝度の低下は比較例1の樹脂組成物で作製したリフレクターを用いた発光半導体装置の試験開始時初期値の輝度を1.0として、それぞれの輝度を相対値で示した。"