"基体の表面にガラス層を有し、該ガラス層の上面に銅を主成分とする金属配線層が間隔をあけて設けられているとともに、隣接する前記金属配線層の間の前記ガラス層の上面に銅酸化物が存在することを特徴とする回路基板。前記銅酸化物が分散した状態で存在することを特徴とする請求項1に記載の回路基板。前記ガラス層と前記金属配線層との界面に銅酸化物が存在することを特徴とする請求項1または2に記載の回路基板。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の回路基板上に電子部品を搭載してなることを特徴とする電子装置。しかしながら、特許文献1に記載されたセラミック回路基板は放熱特性が十分ではなく、またこのような回路基板を用いた電子装置は電子部品の発熱により回路基板に不具合が生じやすく信頼性が低いという課題があった。本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、放熱特性が向上した回路基板および信頼性が向上した電子装置を提供するものである。本発明の回路基板は、基体の表面にガラス層を有し、該ガラス層の上面に銅を主成分とする金属配線層が間隔をあけて設けられているとともに、隣接する前記金属配線層の間の前記ガラス層の上面に銅酸化物が存在することを特徴とするものである。また、本発明の電子装置は、上記構成の本発明の回路基板に電子部品を搭載してなることを特徴とするものである。本発明の回路基板によれば、基体の表面にガラス層を有し、ガラス層の上面に銅を主成分とする金属配線層が間隔をあけて設けられているとともに、隣接する金属配線層の間のガラス層の上面に銅酸化物が存在することにより、放熱特性を向上することができる。また、本発明の電子装置によれば、本発明の回路基板に電子部品を搭載したことから、信頼性が向上した電子装置とすることができる。以下、本実施形態の一例について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の回路基板の一例を示す、aは平面図であり、bはaのA-A’線における断面図である。図1に示す回路基板1は、基体11の表面にガラス層12を有し、ガラス層12の上面に銅を主成分とする金属配線層13が間隔をあけて設けられているとともに、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に銅酸化物14aが存在する。なお、以降の説明において、同一の部材については同一の符号を用いて説明する。本実施形態の回路基板1は、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に銅酸化物14aが存在する。ガラスより高熱伝導率を有する銅酸化物14aがガラス層12の上面に存在するので、回路基板1に熱が加わったとしても、ガラス層12よりも高熱伝導率の銅酸化物14aが存在するので、より放熱特性が高まる。なお、銅酸化物14aは、例えば、CuOまたはCu2Oであればよい。また、銅酸化物14aがガラス層12の上面に存在することにより、ガラス層12に加わる熱伸縮などによる応力に対する強度も向上する。なお、銅酸化物14aは、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面を、X線回折法またはTEM透過型電子顕微鏡による電子回折法等により、銅酸化物のJCPDSカードを参照することによって同定することができる。また、基体11は強度や放熱性の観点からセラミックスであることが好ましい。ここで、銅酸化物14aは分散した状態で存在することが好ましい。図2は、銅酸化物14aが隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に分散した状態の一例を示すSEM写真である。図2に示すように銅酸化物14aが分散した状態で存在することで、隣接する金属配線層13間の絶縁性を高く維持することができ、短絡が生じにくい。なお、このSEM写真は、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面を倍率1000倍で拡大した写真である。また、銅酸化物14aがガラス層12の上面に占める面積割合は、20面積以上60面積以下が望ましく、この範囲ならば、金属配線層13間の絶縁性を維持し、放熱性を向上し、かつガラス層12に加わる熱伸縮などによる応力に対する強度を向上することができる。なお、銅酸化物14aがガラス層12の上面に占める面積割合以下、銅酸化物14aの面積割合ともいう。は、例えば、ガラス層12の上面に存在する物質の成分をX線回折法またはTEMによる電子回折法等により、銅酸化物のJCPDSカードを参照する同定方法を用いて分析して銅酸化物14aを特定し、倍率1000倍として5箇所測定面積は、120μm×80μmを撮影し、得られた画像を画像解析ソフト旭化成エンジニアリング株式会社製、商品名:A像くんを用いて測定面積中を占める銅酸化物14aの割合を求め、その平均値を銅酸化物14aの面積割合として求めればよい。回路基板1は、金属配線層13が銅を主成分としており、金属配線層13の副成分として、パラジウム,ニッケル,ストロンチウム,カルシウム,ジルコニウム,チタン,モリブデン,スズまたは亜鉛を含有してもよい。なお、主成分とは金属配線層13を構成する成分のうち、質量比率が最も高い成分をいう。また、金属配線層13の厚さは5μm以上80μm以下とすればよく、金属配線層13の厚さがこの範囲にあれば、放熱特性が向上し、かつ導電特性が向上する傾向がある。なお、ガラス層12は、加工性の観点からSiO2,Bi2O3,SiO2-Bi2O3系またはZnO2系のガラスからなることが望ましい。さらに、熱伝導率がより高く、また基体11に対する濡れ性がよいため、基体11とガラス層12との接合強度が高まる傾向があることから、SiO2-Bi2O3系のガラスからなることが特に好ましい。また、ガラス層12の厚さは05μm以上5μm以下とすればよく、ガラス層12の厚さがこの範囲にあれば放熱特性が高く、かつ基体11との接合強度が高まる傾向がある。また、金属配線層13は、金属配線層13の露出した表面上にめっき処理を行ってもよい。めっき処理を行うことによって、半田接合やワイヤーボンディングなどの処理を行うことができる上に、金属配線層13が酸化腐蝕することを抑制することができる。めっきの種類としては一般的なめっきであればよく、例えば、金めっき、銀めっきまたはニッケル-金めっきなどがあげられる。図3は、本実施形態の回路基板のその他の例を示す、aは平面図であり、bはaのA-A’線における断面図である。図3に示す回路基板2は、図1に示す回路基板1に加えて、ガラス層12と金属配線層13との界面に銅酸化物14bが存在している。銅酸化物14bは、ガラス層12および金属配線層13の両方ともに接合しやすいので、ガラス層12と金属配線層13との界面に銅酸化物14bが存在すると、銅酸化物14bを介して金属配線層13とガラス層12との接合強度が高まる傾向がある。本実施形態の回路基板1および2に用いられる基体11は、酸化アルミニウム質焼結体,酸化ジルコニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体であればよい。また、放熱性および加工性の観点から、基体11は、酸化アルミニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体または窒化アルミニウム質焼結体よりなることが特に好ましい。次に、本実施形態の回路基板1および2の製造方法について説明する。図1に示す回路基板の製造方法を説明する。1基体11の製造方法としては、例えば、まず、平均粒径が14~18μm程度の酸化アルミニウムAl2O3,酸化珪素SiO2および酸化マグネシウムMgOの粉末を準備し、各粉末の合計含有量が100質量となるように秤量した混合粉末を水等の溶媒とともに回転ミルに投入して、混合する。なお、これらの粉末に加えて、酸化カルシウムCaOの粉末を準備し、各粉末の合計含有量が100質量となるように秤量した混合粉末を水等の溶媒とともに回転ミルに投入して、混合したものを用いてもかまわない。次に、これにポリビニルアルコール,ポリエチレングリコール,アクリル樹脂またはブチラール樹脂等の中から少なくとも一種のバインダを、混合粉末100質量に対して4~8質量添加し、高純度のアルミナボールを用いて、さらに回転ミルで混合してスラリーを得る。さらに、このスラリーを用いて、ドクターブレード法でシートを成形するか、スラリーをスプレードライヤを用いて造粒体を作製し、ロールコンパクション法によってシートを成形する。また、作製したシートを金型による加工もしくはレーザ加工によって成形体を作製する。そして、得られた成形体を、大気酸化雰囲気の焼成炉例えば、ローラー式トンネル炉,バッチ式雰囲気炉およびプッシャー式トンネル炉を用いて、焼成温度が1400~1540°Cとなるように設定して焼成することによって基体11を作製することができる。なお、その他の公知の製造方法により、例えば、窒化珪素,窒化アルミニウムおよびムライト等のセラミックスからなる基体11を作製してもよい。また、複数の個片に分割できるように、分割溝を設けて多数個取り基板となる基体11を作製してもよい。2次に、基体11の表面にガラスフリットを添加した銅を主成分とする金属ペーストを被着させて焼成し、ガラス層12および金属配線層13’を形成する。なお、金属ペーストの被着は公知のスクリーン印刷法で行えばよい。また、金属配線層13’の厚さを調整するために、上記の工程に加えて、形成した金属配線層13’の上面に、金属ペーストを重ねてスクリーン印刷し焼成する工程を複数回行ってもよい。ここで、金属ペーストは銅を50質量以上含有すればよく、さらに80質量以上含有することが望ましく、その他の含有成分としてはパラジウム,ニッケル,ストロンチウム,カルシウム,ジルコニウム,チタン,モリブデン,スズまたは亜鉛を含有してもよい。また、金属ペーストに含有される銅粉末の平均粒径は05μm以上10μm以下とすればよい。また、金属ペーストのバインダとしては、例えば、アクリル樹脂、エチルセルロースを使用でき、溶剤としては、例えば、α-テルピネオール等が使用できる。また、金属ペーストにガラスフリットを添加することによって、金属ペースト中のガラス成分が溶融し、基体11の上面にガラス層12を形成することができる。ガラスフリットは、SiO2,Bi2O3,SiO2-Bi2O3系またはZnO2系のガラスを用いればよい。特に、基体11と接合しやすく、基体11とガラス層12との接合強度が高まる傾向があることから、SiO2-Bi2O3系のガラスフリットを用いることが好ましい。なお、バインダは金属粉末の合計量を100質量としたときに、2質量以上10質量以下添加すればよく、溶剤は金属ペーストに含有する金属粉末の合計量を100質量としたときに、5質量以上15質量以下添加すればよい。また、ガラスフリットは1質量以上20質量以下添加すればよく、この範囲ならばガラス層12の厚さを05μm以上5μm以下とすることができる。また、金属配線層13’を形成するための焼成条件は、窒素雰囲気において酸素濃度を01ppm未満とし、焼成温度850~1050°C、保持時間05~2時間とすればよい。なお、焼成した際の金属配線層13の厚さは5μm以上80μm以下とすればよい。3続いて、金属配線層13’の上面にレジスト膜を形成し、エッチングによって2で形成した金属配線層13’は分割されて、複数の金属配線層13を形成する。レジスト膜およびレジスト膜を形成する方法は公知の方法で行えばよい。なお、エッチングに用いるエッチング液は、例えば塩化第二鉄、塩化第二銅またはアルカリからなるエッチング液を用いればよい。またエッチング後は、レジスト膜は公知の方法で除去する。4さらに、銅酸化物、例えばCu2O粉末を50質量以上80質量以下、溶剤を20質量以上50質量以下に調整したペーストを用意し、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に、スプレー塗布によって被着させる。Cu2O粉末と溶剤の分量を調整することによって、銅酸化物14aがガラス層12の上面に占める面積割合を調整することができ、溶剤の量を減らすことによって、銅酸化物14aの面積割合を増やすことができる。そして、銅酸化物14aを形成するための焼成条件は、焼成温度750~850°C、保持時間05~2時間とすればよく、焼成雰囲気は、窒素雰囲気において酸素濃度を01ppm未満とすればよい。以上のように、1~4に説明した製造方法により基体11の表面にガラス層12を有し、ガラス層12の上面に銅を主成分とする金属配線層13が間隔をあけて設けられているとともに、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に銅酸化物14aが存在する回路基板1を製造することができる。図3に示す回路基板2の製造方法を以下の5および6に説明する。なお、基体11の製造方法は、上述の1と同様なので省略する。5ガラス層12,金属配線層13および銅酸化物14aおよび14bとなる金属ペーストを公知のスクリーン印刷法で基体11の上面に被着させて後述の焼成条件により焼成する。ここで、金属ペーストは、銅を50質量以上含有すればよく、さらには80質量以上含有することが望ましい。また、副成分として、パラジウム,ニッケル,ストロンチウム,カルシウム,ジルコニウム,チタン,モリブデン,スズまたは亜鉛を含有してもよい。銅粉末の平均粒径は05μm以上10μm以下とし、バインダとしては、例えば、アクリル系樹脂を使用でき、溶剤としては、例えば、α-テルピネオールが使用できる。なお、バインダは金属粉末の合計量を100質量としたときに、2質量以上10質量以下添加すればよく、溶剤は金属粉末の合計量を100質量としたときに、5質量以上15質量以下添加すればよい。さらに、ガラスフリットを金属粉末を100質量としたときに、1質量以上10質量以下添加すればよく、ガラスフリットは、例えば、SiO2,Bi2O3,SiO2-Bi2O3系またはZnO2系のガラスフリットを用いればよい。金属ペーストの焼成条件は、焼成温度850~1050°C、焼成時間05~2時間とすればよい。このように金属ペーストを焼成することで、金属ペースト中のガラス成分が溶融し、基体11の上面にガラス層12が形成される。また、ガラス層12の上面には銅を主成分とする金属配線層13が形成される。また焼成の際、焼成雰囲気を変更することによって、ガラス層12と金属配線層13との界面に銅酸化物14aおよび14bが析出して存在することができ、例えば、窒素雰囲気において酸素濃度を01ppm以上とすればよく、酸素濃度が高くなるほど銅酸化物14aおよび14bの析出量が多くなる。また、銅酸化物14aおよび14bを分散して存在させるには、酸素濃度を01ppm以上20ppm以下とすればよい。なお、焼成雰囲気が、窒素雰囲気で酸素濃度を01ppm未満では、銅酸化物はガラス層12と金属配線層13との界面に析出しにくい。なお、焼成した際の金属配線層13の厚さは5μm以上80μm以下とすればよい。6次に、金属配線層13の上面にレジスト膜を形成し、エッチングによって金属配線層13を形成する。レジスト膜およびレジスト膜を形成する方法は公知の方法で行う。ここで、エッチングは塩化第二鉄、塩化第二銅またはアルカリからなるエッチング液を用いることによって、金属配線層13のみをエッチングすることができ、ガラス層12とエッチングした金属配線層13と間に析出した銅酸化物14aを露出させることができる。また、レジスト膜は公知の技術を用いて除去する。以上のように、1,5および6に説明した製造方法により、基体11の少なくとも一方の主面上にガラス層12を有し、ガラス層12の上面に銅を主成分とする金属配線層13が間隔をあけて設けられているとともに、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に銅酸化物14aが存在し、かつガラス層12と金属配線層13との界面に銅酸化物14bが存在する回路基板2を製造することができる。なお、上述した図2に示す拡大写真は回路基板2における隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面を拡大したSEM写真である。図4は、本実施形態の電子装置の一例を示す概略断面図であり、aは図1の回路基板を用いた電子装置の断面図、bは図2の回路基板を用いた電子装置の断面図である。図4a,bに示す例の電子装置3,4は、本実施形態の回路基板1,2に電子部品15が搭載されたものである。回路基板1および2のそれぞれの金属配線層13の上にそれぞれ電極パッド16a,16bが設けられ、電極パッド16aの上に電子部品15が実装されている。そして、ボンディングワイヤ17によって電子部品15および電極パッド16bが電気的に接続される。ここで電子部品15は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT素子,インテリジェントパワーモジュールIPM素子,金属酸化膜型電界効果トランジスタMOSFET素子,発光ダイオードLED素子,フリーホイーリングダイオードFWD素子,ジャイアントトランジスタGTR素子,ショットキーバリアダイオードSBD等の半導体素子、昇華型サーマルプリンタヘッド用またはサーマルインクジェットプリンタヘッド用の発熱素子、ペルチェ素子等を用いることができる。電子装置3および4は、回路基板1または2は放熱特性が高いので、信頼性が向上した電子装置とすることができる。以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。まず、試料No.1~9を作製した。各試料において縦の長さが120mm、横の長さが120mm、厚さが045mmである、表1に記した主成分を含有する基体11を準備し、950°Cで熱処理することによって、基体11の表面に付着した有機物や残留炭素を除去した。また、基体11には、縦の長さが36mm、横の長さが36mmの個片に784個分割できるように縦横に分割溝を29本ずつ形成した。なお、アルミナを主成分とする基体11はアルミナを96質量含有し、窒化珪素を主成分とする基体11は窒化珪素を90質量含有し、窒化アルミニウムを主成分とする基体11は窒化アルミニウムを90質量含有し、ムライトを主成分とする基体11はムライトを90質量含有している。次いで、試料No.1~9においては基体11の主面に、銅粉末を85質量、アクリル樹脂および溶剤としてα-テルピネオールを合計11質量およびSiO2-Bi2O3系ガラスフリットを4質量含有する金属ペーストを、スクリーン印刷法により塗布した。そして、窒素雰囲気中において、酸素濃度を005ppmとし、焼成温度を800°C、焼成時間を1時間とすることで、厚さが1μm、縦の長さが3mmおよび横の長さが3mmのガラス層12と、厚さが70μm,縦の長さが3mmおよび横の長さが3mmの金属配線層13とを形成した。次に、隣り合う金属配線層13の隙間が120μm、かつ隣り合う金属配線層13の横の長さがそれぞれ均等になるように金属配線層13の上にエッチング用のレジスト膜を形成した。そして、塩化第二鉄溶液を用いてエッチング加工して金属配線層13を形成した。さらに、表1に記した銅酸化物14aの面積割合となるようにCu2O粉末を50質量以上80質量以下、溶剤を20質量以上50質量以下で調整したペーストを用いて、隣接する金属配線層13の間のガラス層12上にスプレー塗布し、焼成温度の最高温度を850°C、焼成時間を1時間保持し焼成した。そして、基体11の分割溝に沿って、基体11を分割して表1に示す試料No.1~9を得た。次に、試料No.10~13を作製した。試料No.1~9と同様にして、表1に示す基体11を作製し、基体11の上面に金属ペーストを被着させ、窒素雰囲気中において、表1に示す銅酸化物14aおよび14bの面積割合となるように酸素濃度を01ppm以上20ppm以下で調整し、焼成温度を950°C、焼成時間を1時間とすることで、厚さが1μm、縦の長さが3mmおよび横の長さが3mmのガラス層12と厚さが70μm,縦の長さが3mmおよび横の長さが3mmの金属配線層13とを形成した。そして、金属配線層13の上にエッチング用のレジスト膜を、隣り合う金属配線層13の隙間が120μm、かつ隣り合う金属配線層13の横の長さがそれぞれ均等になるように金属配線層13の上にエッチング用のレジスト膜を形成した。そして、塩化第二鉄溶液を用いてエッチング加工して金属配線層13を形成した。最後に、分割溝に沿って基体11を分割して表1に示す試料No.10~13を得た。次に、試料No.14~17を作製した。試料No.1~9と同様にして、表1に記した基体11を作製し、基体11に金属ペーストを被着させて、酸素濃度を005ppmとして、焼成温度を950°C、焼成時間を1時間とすることで、厚さが1μm、縦の長さが3mmおよび横の長さが3mmのガラス層12および厚さが70μm,縦の長さが3mmおよび横の長さが3mmの金属配線層13を形成した。そして、金属配線層13の上にエッチング用のレジスト膜を、隣り合う金属配線層13の隙間が120μm、かつ隣り合う金属配線層13の横の長さがそれぞれ均等になるように金属配線層13の上にエッチング用のレジスト膜を形成して、塩化第二鉄溶液を用いてエッチング加工して金属配線層13を形成した。最後に、分割溝に沿って基体11を分割して表1に示す試料No.14~17を得た。次に、試料No.1~17について銅酸化物14aおよび14bを確認するため、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面、X線回折法によって確認した後、塩化第二鉄溶液を用いて金属配線層13をエッチングし、ガラス層12と金属配線層13の界面をX線回折法によって確認した。その結果、試料No.1~9についてはCu2Oが、試料No.10~13はCu2OおよびCuOが確認されたが、試料No.14~17は銅酸化物が確認されなかった。次に、放熱特性試験用として試料No.1~17を作製し、試料No.1~17に、図4a,bに示すように,電子部品15として半導体素子を搭載して電子装置3,4を作製した後、試料No.1~17のそれぞれを用いて作製した電子装置3,4に30Aの電流を流した。電流を流してから5分間放置後にそれぞれの半導体素子の表面における温度をサーモグラフィー日本電子株式会社製、型番:JTG-7200で測定した。なお、測定距離は20cmとした。次に、ヒートサイクル試験用として試料No.1~17を各40個作製し、冷熱衝撃試験装置を用いて各試料の環境温度を、室温から-45°Cに降温して15分保持してから、昇温して125°Cで15分保持した後、室温まで降温するというサイクルを1サイクルとしたヒートサイクル試験を行った。なお、作製した各40個の試料はそれぞれ個別に、2000サイクル~4000サイクルの間で50サイクル毎にヒートサイクル試験を行った。そして、上記ヒートサイクル試験を行った各40個の試料をガラス層12と金属配線層13との接合部の断面が観察できるようにレーザにより切断し、その断面をSEMを用いて1000倍の倍率で観察してガラス層12と金属配線層13との剥離の有無について確認し、剥離が確認される最初のサイクル数を測定した。また、このときガラス層12のクラック数を数えた。次に、各試料の金属配線層13の接合強度を測定するために、試料No.1~17を各10個作製した。図5は、回路基板の金属配線層の接合強度の測定方法を示す断面図である。まず、接合強度を測定するための準備として、各試料の金属配線層13の表面に、Sn-Pb6:4半田系で全体に対してAgを2質量とした半田18を用い、フラックスは、ロジン系合成樹脂にケトンとアルコール系溶剤とを混合したもので、半田付け装置タムラ化研株式会社製、商品名:XA-100を用い、225±5°Cの温度で径が06mmのメッキ導線20銅線にSnメッキを金属配線層13に半田付けした。次に、このメッキ導線19を762mm/分の速度で引っ張り、金属配線層13が基体11から剥離するときの強度を測定して基体11に対する金属配線層13の接合強度とした。この試験装置は、ANZATECH社製のダイシェアリングテスタ型番:520Dを使用した。また、測定数は各試料数10個について測定し、その平均値を求めた。なお、メッキ導線19が金属配線層13から剥離した場合はデータから除外し、金属配線層13がガラス層12から剥離したときのデータを金属配線層13の接合強度とした。以上の測定結果を表1に示す。以上の測定結果を表1に示す。表1から、基体11の主成分がアルミナである試料No.1~6,10~13および試料No.14をそれぞれ対比すると、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に銅酸化物14aが存在する試料No.1~6および10~13以下、単に、銅酸化物14aが存在するという。は、銅酸化物14aが存在しない試料No.14に比べて、表面温度が低くなっており放熱特性が高いことがわかった。また、同様に、基体11の主成分が同一である試料No.715,No.8,16およびNo.9,17をそれぞれ対比すると、銅酸化物14aが存在する試料No.7~9が、試料No.15~17に比べて表面温度が低くなっており放熱特性が高いことがわかった。また、銅酸化物14aがガラス層12の上面に占める面積割合が大きいほど、放熱特性が高くなることがわかった。また、表1のヒートサイクル試験後のガラス層12のクラック数をみると、銅酸化物14aが存在する試料No.1~13は、銅酸化物14aが存在しない試料No.14~17に比べてガラス層12のクラック数が少なかった。また、銅酸化物14aが存在し、かつ基体11の主成分がアルミナである試料No.1~6および10~13をそれぞれ対比すると、ガラス層12と金属配線層13との界面に銅酸化物14bが存在する以下、単に、銅酸化物14bが存在するという。試料No.10~13の方が、銅酸化物14bが存在しない試料No.1~6に比べて、ヒートサイクル試験で剥離が確認される最初のサイクル数の値が大きく、繰り返し熱応力が生じても、ガラス層12と金属配線層13との接合強度が高いので、ガラス層12と金属配線層13とが剥離しにくいことがわかった。以上のことから、試料No.1~13は、隣接する金属配線層13の間のガラス層12の上面に銅酸化物14aが存在するので、回路基板1および2の放熱特性を向上することができる。さらに、試料No.1~13は銅酸化物14aがガラス層12の上面に存在することにより、ガラス層12に加わる熱伸縮などによる応力に対する強度が高いことがわかった。また、放熱特性が高い試料No.1~11に電子部品を搭載した電子装置3および4は、回路基板1または2に繰り返し熱応力が生じても放熱特性が高いので、信頼性が高い電子装置とすることができる。"