"可視光に対し透明な基板と、金属からなり前記基板上に一方向に延びた帯状薄膜が一定間隔に設けられてなる反射層と、前記反射層上に形成された誘電体層と、無機微粒子が線状に配列されてなる無機微粒子層と、を備え、前記無機微粒子層は、前記帯状薄膜に対応する位置において、前記誘電体上の前記帯状薄膜の頂部の両側面部に形成され、前記無機微粒子が線状に配列された方向と同じ方向を長手方向とするワイヤグリッド構造を有する、偏光素子。前記無機微粒子層上に、前記誘電体層及び前記無機微粒子層の積層構造を1又は複数有する、請求項1に記載の偏光素子。前記無機微粒子は、バンドギャップエネルギーが3.1eV以下の半導体材料からなる、請求項1又は2のいずれかに記載の偏光素子。前記無機微粒子層の膜厚は200nm以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の偏光素子。前記基板と前記反射層との間に、反射防止層を有する、請求項1~4のいずれか1項に記載の偏光素子。前記基板上に凹凸部が形成され、前記凹凸部のピッチは0.05~0.8μmであり、前記凹凸部のライン幅をピッチで除算した値は0.1~0.9であり、前記凹凸部の凹部深さは0.01~0.2μmであり、前記凹凸部の凸部長さは0.05μmより小さく、前記凹凸部の上部ライン幅を底部ライン幅で除算した値は1.0以上である、請求項1~5のいずれか1項に記載の偏光素子。前記偏光素子の最表面に、使用帯域の光に対して透明な偏光子保護層が形成されている、請求項1~6のいずれか1項に記載の偏光素子。前記偏光素子保護層は、SiO2により形成される、請求項7に記載の偏光素子。前記無機微粒子は、Al,Ag,Cu,Au,Mo,Cr,Ti,W,Ni,Fe,Si,Ge,Te,Snの単体又はこれらを含む材料からなる請求項1~8のいずれか1項に記載の偏光素子。前記基板は、ガラス、サファイア、又は水晶で形成され、前記基板上にピッチ0.5μm以下、ライン幅0.25μm以下、深さ1nm以上の凹凸部が形成される、請求項1~9のいずれかに記載の偏光素子。前記無機微粒子層の透過軸方向屈折率が吸収軸方向屈折率より小さく、且つ、透過軸方向消衰係数が吸収軸方向消衰係数より小さい、請求項1~10のいずれかに記載の偏光素子。前記無機微粒子は、Si,Ge,Te,若しくはZnO、又はFeSi2,MgSi2,NiSi2,BaSi2,CrSi2,若しくはCoSi2からなる、請求項1~11のいずれかに記載の偏光素子。光源と、液晶パネルと、入射側偏光板と、出射側偏光板と、を備え、前記入射側偏光板又は前記出射側偏光板のいずれかは、可視光に対し透明な基板と、金属からなり前記基板上に一方向に延びた帯状薄膜が一定間隔に設けられてなる反射層と、前記反射層上に形成された誘電体層と、無機微粒子が線状に配列されてなる無機微粒子層を有し、前記無機微粒子層は、前記帯状薄膜に対応する位置において、前記誘電体層上の前記帯状薄膜の頂部の両側面部に形成され、前記無機微粒子が線状に配列された方向と同じ方向を長手方向とするワイヤグリッド構造を有する偏光素子である、透過型液晶プロジェクター。前記出射側偏光板が、前記基板よりも前記無機微粒子層が前記液晶パネル側に配置される偏光素子である、請求項13に記載の透過型液晶プロジェクター。前記入射側偏光板が、前記基板よりも前記無機微粒子層が前記液晶パネル側に配置される偏光素子である、請求項13に記載の透過型液晶プロジェクター。前記反射層は金属層である、請求項13~15のいずれかに記載の透過型液晶プロジェクター。前記無機微粒子は、バンドギャップエネルギーが3.1eV以下の半導体材料からなる、請求項13~16のいずれかに記載の透過型液晶プロジェクター。前記無機微粒子層の膜厚は200nm以下である、請求項13~17のいずれかに記載の透過型液晶プロジェクター。本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、可視光域で所望の消光比をもち、強い光に対する耐光特性のある偏光板及び該偏光板を用いた液晶プロジェクターを提供することを目的とする。本発明によれば、可視光に対し透明な基板と、金属からなり上記基板上に一方向に延びた帯状薄膜が一定間隔に設けられてなる反射層と、上記反射層上に形成された誘電体層と、無機微粒子が線状に配列されてなる無機微粒子層と、を有し、上記無機微粒子層は、上記帯状薄膜に対応する位置において、上記誘電体上の上記帯状薄膜の頂部の両側面部に形成され、上記無機微粒子が線状に配列された方向と同じ方向を長手方向とするワイヤグリッド構造を有する、偏光素子が提供される。また本発明によれば、光源と、液晶パネルと、入射側偏光板と、出射側偏光板とを有し、上記入射側偏光板又は上記出射側偏光板のいずれかは、可視光に対し透明な基板と、金属からなり上記基板上に一方向に延びた帯状薄膜が一定間隔に設けられてなる反射層と、上記反射層上に形成された誘電体層と、無機微粒子が線状に配列されてなる無機微粒子層を有し、上記無機微粒子層は、上記帯状薄膜に対応する位置において、上記誘電体層上の上記帯状薄膜の頂部の両側面部に形成され、上記無機微粒子が線状に配列された方向と同じ方向を長手方向とするワイヤグリッド構造を有する偏光素子である、透過型液晶プロジェクターが提供される。本発明の偏光素子によれば、可視光域で所望の消光比を持ちつつ、従来の偏光素子よりも耐久性の高いものを提供することができる。また本発明の液晶プロジェクターによれば、強い光に対して優れた耐光特性をもつ偏光素子を備えるので、信頼性の高い液晶プロジェクターを実現することができる。本発明に係る偏光素子は、可視光に対し透明な基板と、無機微粒子が該基板上で一方向に連なって配列されてなる線状の無機微粒子層とを備え、該無機微粒子層が前記基板上に一定間隔に並べられて一次元格子状のワイヤグリッド構造となる偏光素子であって、前記無機微粒子は、該無機微粒子の配列方向の径が長く、配列方向と直交する方向の径が短い形状異方性を有することを特徴とするものである。また、前記無機微粒子層の光学定数として、前記無機微粒子の配列方向の光学定数が該無機微粒子の配列方向と直交する方向の光学定数よりも大であることを特徴とする。詳しくは、前記無機微粒子の配列方向の屈折率が該無機微粒子の配列方向と直交する方向の屈折率よりも大であり、前記無機微粒子の配列方向の消耗係数が該無機微粒子の配列方向と直交する方向の消耗係数よりも大であることを特徴とするものである。以下に、本発明に係る偏光素子の第1の実施の形態における構成について説明する。なお、本発明を図面に示した実施形態をもって説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、実施の態様に応じて適宜変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。本実施の形態では、偏光素子は、可視光に対し透明な材料からなり前記基板の主面と平行な一方向に延びた凸部が該基板上に一定間隔に設けられてなり、前記無機微粒子層は該凸部の頂部または少なくとも一方の側壁部に形成されてなるものである。図1に、本発明に係る偏光素子の第1の実施の形態における構成例を示す。図1aは偏光素子10の断面図、図1bは偏光素子10の平面図である。図1に示すように、偏光素子10は、可視光に対し透明な基板11の表面に設けられた凸部14aの一側面部に無機微粒子層15を選択的に形成することにより、該無機微粒子層15を基板11上で一定間隔に並べられたワイヤグリッド構造としたものである。ここで、基板11は、使用帯域の光本実施形態では可視光域に対して透明で屈折率が1.1~2.2の材料、例えば、ガラス、サファイア、水晶などで構成されている。本実施形態では、ガラス、特に、石英屈折率1.46やソーダ石灰ガラス屈折率1.51が用いられることが好ましい。ガラス材料の成分組成は特に制限されず、例えば光学ガラスとして広く流通しているケイ酸塩ガラスなどの安価なガラス材料を用いることができ、製造コストの低減を図ることができる。なお、基板11の構成材料として、熱伝導性の高い水晶やサファイア基板を用いることにより、発熱量の多いプロジェクターの光学エンジン用偏光素子として有利に用いることができる。凹凸部14は、基板11の主面と平行な一方向吸収軸Y方向に延びるように基板11の主面上に形成された断面形状が矩形の凸部14aが、基板11の吸収軸Y方向と直交する方向透過軸X方向に可視光域の波長よりも小さいピッチで周期的に形成されてなるものである。また凹凸部14は、無機微粒子層15を形成するために設けられるものであり、凹凸部14の加工サイズやパターン形状によって無機微粒子層15のワイヤグリッド構造が決定され、偏光素子10の所期の偏光特性を得るために重要である。すなわち、凹凸部14の加工サイズ、パターン形状は、目的とする偏光特性消光比や対象とする可視光波長領域に応じて適宜設定される。具体的には、図2において、凹凸部14の溝のX方向のピッチは0.5μm以下、凹凸部14のライン幅凸部14aの形成幅は0.25μm以下、凹凸部14の形成深さは1nm以上である。なお、凹凸部14のピッチ、ライン幅/ピッチ、凹部深さ凸部高さ、凸部長さ、上部ライン幅/底部ライン幅は、それぞれ以下の範囲とするのが好ましい。0.05μm<ピッチ<0.8μm、0.1<ライン幅/ピッチ<0.9、0.01μm<凹部深さ<0.2μm、0.05μm<凸部長さ、1.0≦上部ライン幅/底部ライン幅凹凸部14は、基板11に直接形成してもよいし、別途形成してもよい。凹凸部14の形成方法としては、研磨シートによるラッピングによる形成方法、半導体デバイス作製で用いられるようなフォトレジストを基板に塗布してマスクを使った露光によりパターンを作製した後、そのパターンを形成したフォトレジストをマスクとして基板をエッチングする方法、凹凸部14の形状寸法に対応して形成された金型を用いて、基板上に金型形状を転写する方法ナノインプリント法などがあり、適宜採用すればよい。なお、凹凸部14の凸部の形状は四角形や台形などの矩形状、あるいは鋸歯形状、三角形状に形成することができる。図3aは凹凸部14の凸部14aが断面矩形状で、その一側面部に無機微粒子層15を形成した例を示している。また、図3bは凹凸部16の凸部16aが断面鋸歯形状で、その垂直方向に立設した一側面部に無機微粒子層15を形成した例を示している。凸状部の断面を鋸歯状に形成することで、凸状部の頂部への膜の付着を回避することができる。また、図3cは凹凸部17の凸部17aが断面三角形状で、その一側面に無機微粒子層15を形成した例を示している。このような凸部14aの頂部または少なくとも一方の側壁部に無機微粒子層15を形成することにより、形状異方性を有する無機微粒子層15を所望の微細形状で基板11表面に縞状に分布させることができ、無機微粒子の孤立化を実現することができる。また、あらかじめ機械的に形成した凹凸部14の上に無機微粒子層15を形成するようにしているので、凹凸部14を安定して形成できるとともに、その上に形成される無機微粒子層15の形状制御を容易に行うことができる。無機微粒子層15は、凸部14aの頂部または少なくとも一方の側壁部に無機微粒子を付着させることにより、基板11の主面と平行な一方向吸収軸Y方向に該無機微粒子が線状に配列されてなるものである。無機微粒子が線状に配列されてなるとは、無機微粒子が相互につながった連続した帯状の膜、無機微粒子が適度な大きさにまとまってそれぞれ独立した島状となり、その島が一方向に並んだ不連続な膜のいずれの状態でもよく、粒界が形成されていればよい。また、一定間隔で規則的に設けられた複数の凸部14aそれぞれに無機微粒子層15が形成されることにより、無機微粒子層15の形成パターンが縞状一次元格子状となりワイヤグリッド構造を呈する。本発明では、無機微粒子は、該無機微粒子の配列方向の径が長く、配列方向と直交する方向の径が短い形状異方性を有する。また、無機微粒子は使用帯域の波長以下のサイズであって、個々の粒子が完全に孤立化していることが望ましい。また本発明では無機微粒子層15の光学定数として、吸収軸Y方向前記無機微粒子の配列方向の光学定数が透過軸X方向該無機微粒子の配列方向と直交する方向の光学定数よりも大であることが肝要である。詳しくは、無機微粒子層15の吸収軸Y方向の屈折率が透過軸X方向の屈折率よりも大であり、吸収軸Y方向の消耗係数が透過軸X方向の消耗係数よりも大であることを特徴とする。この特性を得るためには、無機微粒子層15を、斜めスパッタ法により成膜する。本発明の無機微粒子層15を形成するための斜めスパッタ成膜の様子を図4に示す。なお、ここではイオンビームスパッタの例を示しているが、これに限定されるものではなく、スパッタリング法であればいずれの方式のものでもよい。図4において、1は基板11を支持するステージ、2はターゲット、3はビームソースイオン源、4は制御板である。ステージ1は、ターゲット2の法線方向に対して所定角度θ傾斜しており、基板11は凹凸部14の凸部14aの長手方向がターゲット2からの無機微粒子の入射方向に対して直交する向きに配置されている。角度θは、例えば0°から15°である。ビームソース3から引き出されたイオンは、ターゲット2へ照射される。イオンビームの照射によりターゲット2から叩き出された無機微粒子は、基板11の表面に斜め方向から入射して付着する。このとき、基板11上に一定間隔例えば50mmで平板状の制御板4を配置すれば基板11表面への入射粒子の方向を制御し、凸部14aの側壁部にのみ粒子を堆積させることができる。このときの無機微粒子層15の膜厚は、200nm以下であることが好ましい。以上のように、スパッタリング法により成膜時に基板11をターゲット2に対して傾斜させて無機微粒子の入射方向を制限することにより、凸部14aの頂部または一側面部に選択的に形成されて配列方向の径が長く、配列方向と直交する方向の径が短い形状異方性を有する無機微粒子が線状に配列されてなり、吸収軸Y方向の光学定数が透過軸X方向の光学定数よりも大となる無機微粒子層15を得ることができる。ここで、無機微粒子層15に用いられる材料無機微粒子を構成する材料としては、偏光素子10として使用帯域に応じて適切な材料が選択される必要がある。すなわち、金属材料や半導体材料がこれを満たす材料であり、具体的には金属材料として、AlAgCuAuMoCrTiWNiFeSiGeTeSn単体もしくはこれらを含む合金が挙げられる。また半導体材料としては、Si,Ge,Te,ZnOが挙げられる。さらに、FeSi2特にβ-FeSi2,MgSi2,NiSi2,BaSi2,CrSi2,CoSi2などのシリサイド系材料が適している。また無機微粒子層15に用いられる材料が半導体材料の場合、その吸収作用には半導体のバンドギャップエネルギーが関与している。なぜなら、このエネルギー以下の光を吸収するからである。従って半導体材料を可視光の偏光素子とする場合にはバンドギャップエネルギーは使用帯域以下になっている事が必要である。例えば、可視光使用を考えた場合には波長400nm以上での吸収、すなわちバンドギャップとしては3.1eV以下の材料を使用する必要がある。バンドギャップエネルギーは非特許文献4に記載されているように、微粒子のサイズにも依存し、特に数nmになると急激に上昇する傾向があるので、このようなサイズ効果も考慮して材料とその厚みを決定する必要がある。このような観点からバルク状態でのバンドギャップエネルギーが小さい半導体材料が好ましく、例えば、Geはバルク状態でのバンドギャップエネルギーが0.67eVと小さいので、可視光用偏光素子としては望ましい材料である。以上の構成とすることにより、偏光素子10は、可視光域で所望の消光比を持ちつつ、従来の偏光素子よりも耐久性の高いものとなる。また、必要に応じて、基板表面、裏面に反射防止膜をコートすることで、空気と基板の界面での反射を防止し、透過軸透過率を向上させることができる。反射防止膜としては、一般的に用いられるMgF2などの低屈折率膜や、低屈折率膜と高屈折率膜で構成される多層膜などで構わない。また、図1に示す構成とした後、その表面にSiO2などの使用帯域で透明な物質を保護膜として偏光特性に影響を与えない範囲の膜厚でコートすることは、耐湿性の向上など信頼性向上に有効である。但し、無機微粒子の光学的特性は周囲の屈折率によっても影響を受けるため、保護膜の形成により偏光特性の変化が生じる場合がある。また入射光に対する反射率は保護膜の光学厚さ屈折率×保護膜の膜厚によっても変化するので、保護膜材料とその膜厚は、これらを考慮して選択されるべきである。材料としては屈折率が2以下、消衰係数が零に近い物質が望ましい。このような物質としてSiO2、Al2O3などがある。これらは一般的な真空成膜法化学気相成長法、スパッタ法、蒸着法などや、これらが液体中に分散された状態のゾルを、スピンコート法、ディッピング法などで成膜可能である。さらに非特許文献5に記載されているような自己組織化膜も使用可能である。耐湿性向上の目的では撥水性の自己組織化膜が好ましい。Perfluorodecyltrichlorosilane、Octadecanetrichlorosilaneなどがその一例である。撥水性を有するので防汚対策の面からも有効である。これから、薬品メーカー、例えば米国Gelest社より購入可能でありディッピングにより成膜できる。また、気相成長によっても成膜可能で、米国AppliedMicrostructures社より専用装置も販売されている。なお、このようなシラン系の自己組織化膜の場合には、密着性を向上する目的で、偏光素子上に密着層としてSiO2を上記方法でコートした後に自己組織化膜を堆積させてもよい。次に、本発明に係る偏光素子の第2の実施の形態における構成について説明する。本実施の形態では、金属からなり前記基板の主面と平行な一方向に延びた帯状薄膜が該基板上に一定間隔に設けられてなる反射層と、前記反射層上に形成された誘電体層とを備え、前記無機微粒子層は前記帯状薄膜に対応する位置であって前記誘電体層上に形成されてなることを特徴とするものである。図5は、本発明に係る偏光素子の第2の実施の形態における構成例を示す概略図である。図5aは偏光素子20の断面図、図5bは偏光素子20の平面図である。図5に示すように、可視光に対し透明な基板21の表面に設けられた反射層22を構成する薄膜22aと誘電体層23の積層構造の上に無機微粒子層25を選択的に形成することにより、該無機微粒子層25を基板21上で一定間隔に並べられたワイヤグリッド構造としたものである。ここで、基板21は、第1の実施の形態における基板11と同じ材料から構成されるものである。反射層22は、金属からなり基板21の主面と平行な一方向吸収軸Y方向に帯状に延びた薄膜22aが基板21上に配列されてなるものである。反射層22の構成材料には、種々の材料を用いることができ、例えばAl,Ag,Cu,Mo,Cr,Ti,Ni,W,Fe,Si,Ge,Teなどの金属あるいは半導体材料を用いることができる。なお、金属材料以外にも、例えば着色等により表面の反射率が高く形成された金属以外の無機膜や樹脂膜で構成されていてもよい。薄膜22aは、可視光域の波長よりも小さいピッチで基板21の表面に配列され、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いた上記金属膜のパターン加工によって形成されるもの金属格子である。反射層22は、ワイヤグリッド型偏光子としての機能を有し、基板21の表面に入射した光のうち、ワイヤグリッドの長手方向に平行な方向Y軸方向に電界成分をもつ偏光波TE波S波を減衰させ、ワイヤグリッドの長手方向と直交する方向X軸方向に電界成分をもつ偏光波TM波P波を透過させる。なお、反射層22薄膜22aのピッチ、ライン幅/ピッチ、薄膜高さ厚さ、格子深さ、薄膜長さ格子長さは、それぞれ以下の範囲とするのが好ましい。0.05μm<ピッチ<0.8μm0.1<ライン幅/ピッチ<0.90.01μm<薄膜高さ<1μm0.05μm<薄膜長さ誘電体層23は、基板21の表面にスパッタ法、気相成長法、蒸着法などの一般的な真空成膜法あるいはゾルゲル法例えばスピンコート法によりゾルをコートし熱硬化によりゲル化させる方法により成膜されたSiO2などの可視光に対して透明な光学材料で形成されている。誘電体層23は、無機微粒子層25の下地層を形成するとともに、後述するように、無機微粒子層25で反射した偏光に対して、無機微粒子層25を透過し反射層22で反射した当該偏光の位相が半波長ずれる膜厚で形成されている。具体的には1~500nmの範囲で適宜設定するとよい。当該偏光の位相を調整し干渉効果を高める目的で形成され、半波長ずれる膜厚が望ましいが、無機微粒子層が吸収効果を有するので反射した光を吸収する事ができ、膜厚が最適化されていなくてもコントラストの向上は実現でき、実用上は、所望の偏光特性と実際の作製工程の兼ね合いで決定してかまわない。実用上の膜厚範囲は1~500nmである。誘電体層23を構成する材料は、SiO2、Al2O3、MgF2などの一般的な材料を用いることができる。これらは、スパッタ、気相成長法、蒸着法などの一般的な真空成膜法やゾル状の物質を基板上にコートし熱硬化させることで薄膜化が可能である。また、誘電体層23の屈折率は1より大、2.5以下とすることが好ましい。無機微粒子層25の光学特性は、周囲の屈折率によっても影響を受けるため、誘電層材料により偏光素子特性を制御する事も可能である。無機微粒子層25は、薄膜22aに対応する位置であって誘電体層23上に無機微粒子を付着させることにより、基板21の主面と平行な一方向吸収軸Y方向に該無機微粒子が線状に配列されてなるものである。また、一定間隔で規則的に設けられた複数の薄膜22aそれぞれの上に無機微粒子層25が形成されることにより、無機微粒子層25の形成パターンが縞状となりワイヤグリッド構造を呈する。図5では、無機微粒子層25は、薄膜22aの長手方向Y軸方向に平行に長軸方向を有するとともに長手方向に直交する方向X軸方向に短軸方向を有する長楕円形状の島状の無機微粒子25aがY軸方向に配列された構成となっている。また、無機微粒子25aは使用帯域の波長以下のサイズであって、個々の粒子が完全に孤立化していることが望ましい。本発明では無機微粒子層25の光学定数として、吸収軸Y方向前記無機微粒子の配列方向の光学定数が透過軸X方向該無機微粒子の配列方向と直交する方向の光学定数よりも大であることを特徴とする。詳しくは、無機微粒子層25の吸収軸Y方向の屈折率が透過軸X方向の屈折率よりも大であり、吸収軸Y方向の消耗係数が透過軸X方向の消耗係数よりも大であることを特徴とする。この特性を得るためには、無機微粒子層25を、斜めスパッタ法により成膜する。その詳細は第1の実施の形態で示した方法と同じである。また、無機微粒子層25に用いる材料も第1の実施の形態における無機微粒子層15で用いる材料と同じである。以上のように構成される本実施形態の偏光素子20は、基板21の表面側、即ち、帯状の薄膜22a、誘電体層23及び無機微粒子層25の形成面側が光入射面とされる。そして、偏光素子20は、光の透過、反射、干渉、光学異方性による偏光波の選択的光吸収の4つの作用を利用することで、反射層22のワイヤグリッド長手方向に平行な電界成分Y軸方向をもつ偏光波TE波S波を減衰させるとともに、ワイヤグリッド長手方向に垂直な電界成分X軸方向をもつ偏光波TM波P波を透過させる。すなわち、図6aに示すように、TE波は、形状異方性を有する無機微粒子25aからなる無機微粒子層25の光学異方性による偏光波の選択的光吸収作用によって減衰される。薄膜22aはワイヤグリッドとして機能し、図6bに示すように、無機微粒子層25及び誘電体層23を透過したTE波を反射する。このとき、無機微粒子層25を透過し薄膜22aで反射したTE波の位相が半波長ずれるように誘電体層23を構成することによって、薄膜22aで反射したTE波は無機微粒子層25で反射したTE波と干渉により打ち消し合って減衰される。以上のようにしてTE波の選択的減衰を行うことができる。前記のように半波長ずれる膜厚が望ましいが、無機微粒子層が吸収効果を有するので、誘電層の膜厚が最適化されていなくてもコントラストの向上は実現でき、実用上は、所望の偏光特性と実際の作製工程における経済的効率から決定されてかまわない。また、出射側で低反射が必要な場合には、逆に反射層側から光を入射すればよい。この場合も無機微粒子層の選択的吸収効果により、前記と同等の透過コントラストが得られる。後記のように、透過コントラストの大きさは反射層厚に依存するからである。これを実際の使用について当てはめると、例えば後述する本発明の液晶プロジェクターの光学エンジン部分図13において、液晶パネルへの望ましくない反射光を避ける目的で入射偏光板10Aに本発明の偏光板を使用する場合には、本偏光板の膜面図6の無機微粒子層25側を液晶パネル側に向くように配置する。そうする事により、望ましくない反射光は、光源側に戻る事となる。出射偏光板10Bもしくは10Cとして本発明の偏光板を使用する場合にも同様に本偏光板の膜面図6の無機微粒子層25側を液晶パネル側に向けるとよい。入射偏光板と出射偏光板に使用する場合とでは本偏光板への光の入射方向が逆になるが、前記のようにどちら側から光を入射させても同等の透過コントラストが得られるので実用上問題ない。偏光素子20は、例えば以下のようにして製造することができる。即ち、基板21に金属膜及び誘電膜を積層し、フォトリソグラフィなどにより金属膜及び誘電膜の格子パターンを形成した後、斜めスパッタ成膜法により無機微粒子層25を形成する。斜めスパッタ成膜時の入射角度を調節することで、帯状薄膜22a及び誘電体層23からなる凸部の頂点付近に集中的に微粒子を堆積させることが可能となる。上記以外にも、透明基板上に透明材料を一次元格子状に形成し、この格子の凸部上に金属層、誘電体層及び無機微粒子層を順次斜め成膜により積層する方法も適用可能である。更には、基板上に金属膜、誘電膜、微粒子膜を順次積層した後、これらを一括して一次元格子状にエッチングする方法を用いてもよい。更に、図7に示すように、基板21上に反射層22を一次元格子状に形成した後、誘電体層23を基板21の表面全域に形成する。これにより、誘電体層23は、反射層22の帯状薄膜22aの直上で凸部、帯状薄膜22a間で凹部となる凹凸形状を有する。その後、斜めスパッタ成膜法により、誘電体層23の凸部の頂部の側面部に無機微粒子層25を形成することで、図5の例と同様な作用効果を有する偏光素子を作製することができる。無機微粒子層25の形成領域は図示する誘電体層23の頂部の一側面部に限らず、両側面部であってもよい。なお、本発明の偏光素子として、図5において誘電体層23を省略した構成の偏光素子としてもよい。すなわち、可視光に対し透明な基板21の表面に設けられた反射層22を構成する薄膜22aの上に無機微粒子層25を選択的に形成することにより、該無機微粒子層25を基板21上で一定間隔に並べられたワイヤグリッド構造とする。この構成でも、可視光域で所望の消光比コントラスト:透過軸透過率吸収軸透過率を持たせることが可能である。つぎに、液晶プロジェクターにおける出射面迷光対策ゴースト対策として、偏光素子20の裏面側に選択的光吸収層を設けた例を説明する。図8はその偏光素子20Aの概略構成を示す側断面図である。なお、図において上述の偏光素子20と同一構成部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。本実施形態の偏光素子20Aは、基板21の表面一方の面に、一次元格子状の反射層22が形成されており、この反射層22の上に誘電体層23及び無機微粒子層25が順次形成されている。そして、基板21の裏面他方の面には、誘電材料からなる凹凸部26と、この凹凸部26の凸部の頂部又は少なくとも一側面部に形成された第2の無機微粒子層27とからなる光学異方性による偏光波の選択的光吸収層28が設けられている。この光学異方性による偏光波の選択的光吸収層28が設けられていない偏光素子20においては、基板21の裏面側が反射層22による鏡面を呈するため、偏光素子を透過し当該偏光素子の次段に配置されたレンズ等の他の光学素子で反射して戻った光は、上記鏡面で再び反射されることになる。このような迷光は、液晶プロジェクターにおいてゴースト等の画質の劣化を引き起こす。本実施形態では、基板21の裏面側に上記構成の光学異方性による偏光波の選択的光吸収層28を設けることにより、上記迷光を吸収し反射層22における反射を防止する。光学異方性による偏光波の選択的光吸収層28を構成する凹凸部26は、誘電体層23と同様な材料からなるとともに、反射層22の帯状薄膜22aが延びる方向と同一方向に延びるように形成された一次元格子状に形成されている。第2の無機微粒子層27は、凹凸部26の凸部の頂部又は側面部に無機微粒子が線状に配列されて形成されており、基板21表面側の無機微粒子層25と同様な材料で構成されることにより、基板21裏面からの入射光の選択的光吸収効果を出現させる。凹凸部26の形成方法としては、誘電体層23の形成方法と同様にスパッタ法やゾルゲル法等によって形成される。凹凸形状の付与は、フォトリソグラフィ技術を用いたパターン加工やナノインプリント法によるプレス形成が好適である。第2の無機微粒子層27の形成方法としては、基板21表面側の無機微粒子層25の形成方法と同様な斜め成膜が好適である。第2の無機微粒子層27は、凹凸部26の凸部の頂部又は一側面部あるいは両側面部に形成される。あるいは、偏光素子20Aの別の作製方法として、図1に示す偏光素子10と図5に示す偏光素子20とを用いて、お互いの基板11,21の裏面同士を透明接着剤により貼り合わせて偏光素子20Aとしてもよい。この場合、無機微粒子層15、25の無機微粒子の配列方向が揃うようにするとよい。つぎに、液晶プロジェクターにおける別のゴースト対策として、基板21と反射層22との間に反射防止層を設けた例を説明する。図9はその偏光素子20Bの概略構成を示す側断面図である。なお、図において上述の偏光素子20と同一構成部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。本実施形態の偏光素子20Bは、上述の偏光素子20Aと同様な目的で構成されている。即ち、本実施形態の偏光素子20Bは、基板21と反射層22との間に、反射防止層29が形成されている。このように一次元格子状の反射層22の直下に反射防止層29を設けることにより、基板21の裏面からの入射光の反射を防止するようにしている。反射防止層29は、例えばカーボンブラック膜等の黒色層が好適である。これにより、基板21裏面からの入射光を効率よく吸収することができる。また、カーボンのほか、酸素欠損したシリコン酸化物層や、反射層22よりも反射率の低い低反射材料層が適用可能である。あるいは無機微粒子層25と同様のものを反射防止層29としてもよい。なお、図示の例では、反射層22と反射防止層29との間で干渉効果を得る事により反射率軽減を図る事を目的として誘電体層2aが設けられている。この誘電体層2a及び反射防止層29の格子形状への加工は、例えば反射層22のパターン加工で同時に行うことができる。さらに、液晶プロジェクターにおけるまた別のゴースト対策として、つぎの方法がある。すなわち基板21について、その表面をラビング処理して、該表面にその後形成される無機微粒子層25の無機微粒子25aの配列方向に対応するように微細なすじが一方向に揃った状態の凹凸からなるテクスチャー構造を形成し、ついで、該ラビング処理後の表面に無機微粒子25aの配列方向に対応するように前述した斜めスパッタ法により形状異方性を有する無機微粒子からなる薄膜反射防止層を形成するとよい。前記テクスチャー構造により無機微粒子の長軸方向がすじの長手方向となるように無機微粒子の配列性が向上して薄膜の偏光特性が改善され、ゴースト対策効果を高めることができる。同時に偏光素子としての透過コントラスト特性の増大も期待できる。本発明の第2の実施の形態のバリエーションとして、前記無機微粒子層25上に、前述した誘電体層23/無機微粒子層25の積層構造を1または複数積み重ねた多層構造としてもよい。図10にその構成例を示す。図10において、偏光素子30は、基板21上に反射層22を構成する帯状薄膜22a、誘電体層23、無機微粒子層25がこの順番で積層されており、該無機微粒子層25上に誘電体層23/無機微粒子層25の積層構造26aがさらに積み重ねられたワイヤグリッド構造となっている。また、この積層構造26aの上にさらに積層構造26aを積み重ねていってもよい。これにより、各層間の干渉効果を高めて所望の波長での透過軸方向コントラストを増大させると同時に、透過型液晶表示装置において好ましくない偏光素子からの反射成分を広範囲に渡り低下させることができ、図5の構成の偏光素子20よりも薄い膜厚で高コントラスト、低反射を実現することができる。本発明の偏光素子30の製作方法としては例えばつぎの3つの方法がある。すなわち、第一の方法としては、基板21に反射層材料金属格子材料、誘電体膜を積層し、ナノインプリントやフォトリソグラフィなどの手法により一次元格子パターンを形成あるいはエッチングした後、斜めスパッタ成膜法により微粒子を成膜するものである。これによれば斜めスパッタ成膜時の入射角度を調節することで、凸部となった誘電体層23の頂点付近に集中的に無機微粒子を堆積させることが可能である。また第二の方法としては、透明基板上に透明材料を用いて一次元格子形状の凹凸部を形成し、反射層材料、誘電体層材料、無機微粒子材料を順次積層数分斜め成膜により積層するものである。また第三の方法としては、反射層の薄膜金属格子膜の上に誘電体膜/無機微粒子薄膜の積層構造を積層数分だけ順次積層した後にエッチングするものである。なお無機微粒子材料は完全な島状になっている必要はなく、粒界が形成されていればよい。また誘電体層23と無機微粒子層25はスパッタ成膜及びエッチングによる形成方法と斜めスパッタ成膜による形成方法とを組み合わせて製作してもよい。なお、上記の製造プロセスを実行する上で基板材料の種類に限定は無いが、発熱量の多いプロジェクターに応用する場合には、熱伝導性の高い水晶やサファイア基板が適している。ところで、これまで述べた構造の偏光素子30のままでは、光の出射面反射層22が金属でできているために戻り光がある場合には反射率が高くなってしまう。そこで、本実施の形態においても前述した出射面迷光対策をとるとよい。図11、図12に本実施の形態における出射面迷光対策例を示す。図11は、図8の構成を本実施の形態に適用した例である。偏光素子30Aは、偏光素子30において、基板21の反射層22形成面とは反対面裏面に誘電材料からなる凹凸部26と、この凹凸部26の凸部の頂部又は少なくとも一側面部に形成された第2の無機微粒子層27とからなる光学異方性による偏光波の選択的光吸収層28が設けられてなるものである。図12は、図9の構成を本実施の形態に適用した例である。偏光素子30Bは、偏光素子30において、一次元格子状の反射層22の直下に反射防止層29が設けられ、さらに反射層22と反射防止層29との間で干渉効果を得る目的で誘電体層2aが設けられている。なお、図12において反射層22下の誘電体層2aは無くてもよく、単に反射層22の下に反射防止層29が形成されていてもよい。また、反射防止層29が無機微粒子層25と同じものである場合はコントラストの向上にも寄与するものとなるが、単に戻り光の反射防止をする目的であれば反射層22の下に反射防止層29として該反射層22よりも反射率が低い層低反射層を設けるとよい。低反射材料としては反射層22よりも反射率が低ければ効果があり、カーボンや酸素欠損SiOxなどの酸化膜を使用したり、あるいは金属または半導体微粒子などを用いたりすることも可能である。反射層22の下に反射防止層29及び誘電体層2aを付加する場合、あるいは反射防止層29を反射層22直下に作製する場合、これらの膜を反射層用の膜の成膜前に成膜し反射層22形成のためのエッチングの際に同時にエッチングすると、反射層22の帯状薄膜22a直下にのみこれらの層を形成できるので透過特性に影響を与えないことが可能である。また、第2の実施形態においても必要に応じて、基板表面、裏面に反射防止膜をコートすることで、空気と基板の界面での反射を防止し、透過軸透過率を向上させることができる。反射防止膜としては、一般的に用いられるMgF2などの低屈折率膜や、低屈折率膜と高屈折率膜で構成される多層膜などで構わない。なお、図5あるいは図7に示す構成とした後、その表面にSiO2などの使用帯域で透明な物質を保護膜として偏光特性に影響を与えない範囲の膜厚でコートすることは、耐湿性の向上など信頼性向上に有効である。但し、無機微粒子の光学的特性は周囲の屈折率によっても影響を受けるため、保護膜の形成により偏光特性の変化が生じる場合がある。また入射光に対する反射率は保護膜の光学厚さ屈折率×保護膜の膜厚によっても変化するので、保護膜材料とその膜厚は、これらを考慮して選択されるべきである。材料としては屈折率が2以下、消衰係数が零に近い物質が望ましい。このような物質としてSiO2、Al2O3などがある。これらは一般的な真空成膜法化学気相成長法、スパッタ法、蒸着法などや、これらが液体中に分散された状態のゾルを、スピンコート法、ディッピング法などで成膜可能である。さらに非特許文献5に記載されているような自己組織化膜も使用可能である。耐湿性向上の目的では撥水性の自己組織化膜が好ましい。Perfluorodecyltrichlorosilane、Octadecanetrichlorosilaneなどがその一例である。撥水性を有するので防汚対策の面からも有効である。これから、薬品メーカー、例えば米国Gelest社より購入可能でありディッピングにより成膜できる。また、気相成長によっても成膜可能で、米国AppliedMicrostructures社より専用装置も販売されている。なお、このようなシラン系の自己組織化膜の場合には、密着性を向上する目的で、偏光素子上に密着層としてSiO2を上記方法でコートした後に自己組織化膜を堆積させてもよい。つぎに、本発明に係る液晶プロジェクターについて説明する。本発明の液晶プロジェクターは、光源となるランプと、液晶パネルと、前述した本発明の偏光素子10,20,20A,20B,30,30A,30Bのいずれかとを備えるものである。図13に、本発明に係る液晶プロジェクターの光学エンジン部分の構成例を示す。液晶プロジェクター100の光学エンジン部分は、赤色光LRに対する入射側偏光素子10A、液晶パネル50、出射プリ偏光素子10B、出射メイン偏光素子10Cと、緑色光LGに対する入射側偏光素子10A、液晶パネル50、出射プリ偏光素子10B、出射メイン偏光素子10Cと、青色光LBに対する入射側偏光素子10A、液晶パネル50、出射プリ偏光素子10B、出射メイン偏光素子10Cと、それぞれの出射メイン偏光素子10Cから出てくる光を合成し投射レンズに出射するクロスダイクロプリズム60とを備えている。ここで、本発明の偏光素子10,20,30は、入射側偏光素子10A、出射プリ偏光素子10B、出射メイン偏光素子10Cそれぞれに適用されている。本発明の液晶プロジェクター100では、光源ランプ不図示から出射される光をダイクロイックミラー不図示により赤色光LR、緑色光LG、青色光LBに分離し、それぞれの光に対応する入射側偏光素子10Aに入射させ、ついでそれぞれの入射側偏光素子10Aで偏光された光LR、LG、LBは液晶パネル50にて空間変調されて出射され、出射プリ偏光素子10B、出射メイン偏光素子10Cを通過した後、クロスダイクロプリズム60にて合成されて投射レンズ不図示から投射される構成となっている。光源ランプは高出力のものであっても、強い光に対して優れた耐光特性をもつ本発明の偏光素子10,20,30を用いているため、信頼性の高い液晶プロジェクターを実現することができる。なお、本発明の偏光素子は、前記液晶プロジェクターへの適用に限定されるわけではなく、使用環境として熱を受ける偏光素子として好適である。例えば、自動車のカーナビやインパネの液晶ディスプレイの偏光素子として適用することができる。以下に、本発明に係る偏光素子における偏光特性を検証した結果を示す。実施例1まず、図4の斜めスパッタ成膜によって形成した無機微粒子層の光学特性について検証を行った。図14にこのような斜めイオンビームスパッタによる光学異方性増強効果の実験結果を示す。図14Aに示すように、イオンビームスパッタ法によりガラス基板41の表面に対して10°方向で、基板41を静止状態でGeスパッタ粒子を入射、堆積させてGe粒子膜44を作製した。図14Bは、作製したGe粒子膜44の光学定数屈折率、消衰定数の測定結果を示している。測定は分光エリプソメーターにより行った。この時の膜厚は10nmである。この実験では光学異方性が生じたことにより、面内で光学定数すなわち屈折率n及び消衰定数kに違いがあった。なお、比較のために、図15Aに示すように基板41の垂直方向から基板41を回転させながらGeスパッタ粒子を成膜したところ、得られたGe粒子膜44の光学定数として、図15Bに示すように屈折率n及び消衰定数kの光学異方性は生じておらず、各光学定数は文献値に近い値であった。また、ターゲット2の組成をGeからSiに変え、前記Geスパッタ成膜の場合と同じ条件でガラス基板41上にSi粒子膜を形成し、その光学定数の測定を行った。その結果を図16に示す。Siの場合も、ガラス基板41の表面に対して10°方向で斜めスパッタ成膜した場合図16Aには、光学異方性が生じたことにより、面内で光学定数すなわち屈折率n及び消衰定数kに違いが認められた。また、基板41の垂直方向から基板41を回転させながらスパッタ成膜した場合図16Bには屈折率n及び消衰定数kの光学異方性は生じていなかった。つぎに、図14Aの条件にてガラス基板41上に膜厚20nmのGe粒子膜44が形成されている場合の偏光透過率をシミュレーション計算により求めた。その結果を図17に示す。ここでは、X軸方向に平行に電場が振動している光にはX軸方向の光学定数を用い、Y軸方向に電場が振動している光にはY軸方向の光学定数を用いて偏光透過率の計算を行っている。その結果によると、光学異方性特性を持つことにより偏光方向で透過率が異なるようになっている。すなわち、このような光学異方性を有する膜を偏光素子の材料として用いることで、偏光素子の特性向上が期待できる。実施例2つぎに、無機微粒子層の光学異方性の有無が偏光素子に与える影響を調べた。具体的には、図1及び図5の偏光素子の構成を前提として、波長厳密結合波解析によりその偏光特性を求めた。ここでは、図18に示すように、ガラス基板41上にワイヤグリッド構造のGeからなる無機微粒子層45を有する構成として、無機微粒子層45の各寸法を、ピッチ:150nm、ライン幅Ge格子方向幅37.5nmとし、無機微粒子層45が光学異方性有りの場合図14Aの方法の厚みを100nm、光学異方性無しの場合図15Aの方法の厚みを10nmとして計算を行った。その結果を図19に示す。図19では、プロジェクター等の光学エンジン用途で重要な可視域550nm以下すなわち、緑、青色域で光学異方性が無いバルクと記載の点線で示すデータは光学異方性有り斜めと記載の実線で示すデータと比べ、膜厚が薄いにもかかわらず吸収軸透過率が高くまた反射率も高い。これに対して、光学異方性有りの方は吸収軸透過率が低く反射率も低い。よって吸収型として好ましい特性となっている。膜厚に関して、この計算では光学異方性無しは10nmとしている。これを厚くすれば吸収軸透過率は減少するが、同時に反射率も高くなってしまう。よって光学異方性を有する場合のような偏光素子として好ましい特性は膜厚操作によって得ることはできない。実施例3図19は、無機微粒子層が単層の場合の実施例であったが、このようなことは図10に示した無機微粒子層が多層構造の偏光素子についても同様なことがいえる。ここでは、多層構造の偏光素子においてGeからなる無機微粒子層を図14Aで示した方法により光学異方性有りとした場合の偏光特性と図15Aで示した方法により光学異方性無しとした場合の偏光特性を波長厳密結合波解析で計算した。また、ここで用いた多層構造は、基板側からGe/反射層;Al/誘電体層;SiO2/無機微粒子層;Ge表面側の多層構造かっこ内は各層の膜厚とし、無機微粒子層の各寸法を、ピッチ:150nm、ライン幅Ge格子方向幅37.5nmとした。なお、偏光素子出射面への戻り光の再反射による迷光の影響を抑えるために、反射層より基板側にGe層を設けている。計算の結果を図20に示す。単層の場合図19と同様に光学異方性が無い場合等方と記載の点線で示すデータには、可視域550nm以下で光学異方性が有る場合異方と記載の実線で示すデータよりも吸収軸の反射率が高く透過軸の透過率が低いという結果となる。よって吸収型偏光素子としては好ましくない。以上のように光学異方性が偏光素子の偏光特性に与える効果は大きい。実施例4以上のように光学異方性を有する無機微粒子層を偏光素子に用いる事で偏光特性の向上が可能となる。そして、好ましくは無機微粒子層の光学定数が透過軸方向光学定数<吸収軸方向光学定数、すなわち透過軸方向屈折率<吸収軸方向屈折率及び透過軸方向消衰係数<吸収軸方向消衰係数の関係を満足していることが肝要である。これを示す実施例を図21、図22に示す。図21は、図5の構造の偏光素子のうち、無機微粒子層25としてAgを斜めスパッタ成膜法により形成した場合のAg膜無機微粒子層25の光学定数を示すものである。この場合もGeのように光学異方性を有することがわかる。しかしながら、波長550nm付近でX,Y方向の屈折率の大小が反転、波長440nm付近でX,Y方向の消衰係数が反転している。図22は、図17と同様にして、図21に示すAg膜無機微粒子層25の光学定数によりAg膜厚が20nmの場合の偏光透過率を計算した結果である。低波長域になるに従い偏光透過率が低下していき、波長450nm付近で、x、y方向透過率の大小が反転している。これは図21の光学定数の反転によるものであり、偏光素子に応用する場合にはこのような反転特性を持つ事は偏光透過率の低下を意味するので好ましくない。また、吸収軸では消衰係数大なら吸収率大であり、また透過軸では空気層から入射した光が減衰や反射されずに透過することが望ましい、すなわち屈折率が小さい方が望ましい空気の屈折率=1のため。よって、望ましい無機微粒子層の光学定数としては使用帯域で光学定数の反転が無く、かつ透過軸方向光学定数<吸収軸方向光学定数、すなわち、透過軸方向屈折率<吸収軸方向屈折率及び透過軸方向消衰係数<吸収軸方向消衰係数の関係を満足していることである。実施例5つぎに、本発明の偏光素子における光学異方性発現と無機微粒子との関係について調査を行った。1平板上の無機微粒子層まず、単結晶Si基板の表面にSiO2を10nm成膜した表面が平滑な基板を用いて、実施例1と同じ条件斜めスパッタ成膜、基板面に対して垂直方向からスパッタ成膜でGe粒子膜を形成し、AFM原子間力顕微鏡により該Ge微粒子膜におけるGe微粒子の形状を観察した。その結果を図23に示す。図23aに示す、斜めスパッタ成膜サンプルでは個々の微粒子が明確に観察され、該微粒子にはGe入射方向に対して垂直方向に径が長く、Ge入射方向に径が短い形状異方性が生じていた。これに対して、図23bに示す、基板面に対して垂直方向からスパッタ成膜したサンプルでは、同じ倍率では粒子サイズが非常に小さく非常に平坦な膜表面になっているために微粒子形状が観察できなかった。2偏光素子10つぎに、図3cに示す構成の偏光素子のサンプルを作製した。ここでは、まず水晶基板に塗布したポリマー層MicroResistTechnology社製mrI8010Eを一次格子パターンピッチ150nm、ライン/スペース比=0.7、深さ150nmのモールドで熱式ナノインプリント法によりプレス成形してモールドパターンをポリマー層に転写し、ついで該ポリマー層をレジストマスクとしてCF4ガスArガスにより水晶基板をエッチングして、一方向に延びた凸部17aが一定間隔に設けられた基板11とした。ついで、図4のイオンビームスパッタ装置により、常温の基板11に基板傾斜角θ=5°として実施例1の斜めスパッタ成膜を行ってGeからなる膜厚30nmの無機微粒子層15を形成した後、SiO2からなる膜厚15nmの偏光素子保護層を気相成長法により成膜してサンプルとした。なお、基板11の裏面側には反射防止膜としてSiO2/Ta2O5の多層膜をスパッタリングにより形成した。得られた偏光素子サンプルの偏光特性を調査した。その結果、図24に示すように、吸収軸の透過率が透過軸の透過率よりも低い光学異方性を示した。この偏光素子サンプルについて、断面よりTEMによる元素分布を分析したところ、図25の元素分布マッピングに示すように、Siが主成分の基板の凸部17aそれぞれの頂部から側壁にかけてGeからなる無機粒子層15が形成されていることがわかった。この結果に基づき、当該偏光素子サンプルにおける無機微粒子層15を詳細に観察した。その結果を図26に示す。図26aは、断面から観察したときのスケッチであり、図25の元素分布結果を加味したものである。また、図26bは上から観察したときのスケッチである。図26bに示すように、一次格子状の凸部17aそれぞれの頂部から側壁部にかけて凸部17aの長手方向に沿う態様で、無機微粒子層15が形成されており、また無機微粒子層15は形状異方性を有する無機微粒子15aが連なって配列して構成された線あるいは帯として観察された。また無機微粒子15aは個々の粒子が明確に観察され、該無機微粒子の長軸方向が配列方向となり、短軸方向が配列方向と直交する方向となっている状態が観察された。また、図25のGe部分について電子線回折像を調べたところ、図27に示すように、明確な輝線が認められないことから、無機微粒子層15を構成するGe微粒子15aの結晶構造はアモルファスであることが分かった。アモルファスであるということは、成膜されたGe微粒子は結晶学的な方位を持っていないということである。なお一般に、低温成膜されたGe膜の構造はアモルファス状態になりやすいことが知られているDUBEYMMCLANEGFJONESKALAREAURTECKARTDWHANWYROBERTSCDUNKELJWESTLCMatResSocSympProcVol340411416。3偏光素子20つぎに、図5に示す構成の偏光素子のサンプルを作製した。ここでは、ガラスコーニング1737製の基板21上に、反射層22としてピッチ150nm、格子深さ200nmのアルミニウム格子を作製し、その上に誘電体層23としてSiO2を30nmを形成し、ついで本実施例の偏光素子10と同じ条件で斜めスパッタ成膜を行って無機微粒子層25としてGe微粒子層を30nm積層し、最表層に保護膜として膜厚30nmのSiO2を形成して、図5に示す偏光素子サンプルを作製した。図28に、その偏光素子サンプルの偏光特性を示す。吸収軸の透過率がほぼゼロとなり、また反射率も低い値になっている。また、図29に、この場合の透過率の比をコントラストとして示すが、透過コントラストが550nm域を中心とする緑域では3000以上、450nm付近の青域を含む可視光全域では1500以上となっており、偏光素子として良好な特性を示していた。この偏光素子サンプルについて、断面より観察したところ、図30aのスケッチに示すように、基板21上に設けられた一次格子状の反射層22及び誘電体層23それぞれの頂部から側壁にかけてGeからなる無機粒子層25が形成されていることがわかった。また、図30b及び図31に、この偏光素子サンプルを上から観察した結果を示す。図30bはスケッチであり、図31はその基となるSEM像である。一次格子状の誘電体層23それぞれの頂部から側壁部にかけて誘電体層23の長手方向に沿う態様で、無機微粒子層25が形成されており、また無機微粒子層25は形状異方性を有する無機微粒子25aが連なって配列して構成された線あるいは帯として観察された。また無機微粒子25aは、該無機微粒子の長軸方向が配列方向となり、短軸方向が配列方向と直交する方向となっている状態が観察された。以上の結果から、本発明の偏光素子における無機微粒子は斜めスパッタ成膜により形状異方性を有し、かつ該無機微粒子が一次元格子状に配列された際にその長軸方向が一次元格子の格子方向に揃えられた状態で形成されている。またアモルファスの状態にある。本発明ではこれらのことが光学異方性の発現に影響していると考えられる。なお、斜め蒸着によって形状異方性をもつ微粒子が成膜されるが、この形状異方性を示すことはステアリング効果と呼ばれているJikeunSeoSMKwonHYKimandJSKimPhysRevB67121402。なお、斜めスパッタ成膜では、図32に示すように、膜厚無機微粒子の成長方向の厚さとともに成膜粒子の形状が変化し、光学異方性に影響する。すなわち、無機微粒子の膜厚bが粒子の長径aよりも小さい場合図32A、基板面上の2方向X,Y方向で光学異方性を持ち、粒子長径aの方向が吸収軸となる。これに対して、無機微粒子の膜厚bが粒子の長径aよりも大きい場合図32B、無機微粒子の厚み方向と面内の軸方向で光学異方性を持ち、粒子膜厚bの方向が吸収軸となることから、図32Aと図32Bとでは光学異方性の方向が実質的に逆転することになる。本発明の偏光素子10,20では、格子方向を吸収軸として使用するので、膜厚が厚いと偏光特性が低下する事を意味する。よって、図32Aのように粒子長径a>粒子膜厚bの関係となる領域で使用する事が望ましい。ところで、光学異方性をもたない薄膜例えばゲルマニウム薄膜を無機微粒子層25の代わりに誘電層23上に形成しても、その膜厚を最適化することにより吸収軸方向の反射率の抑制は可能である。しかしこの場合には、抑制は干渉効果が支配的なために、波長帯域が狭く、透過軸方向の吸収があるために透過軸透過率が減少するという問題がある。さらに干渉効果は膜厚に敏感なので、所望の特性を得るためには、厳密な誘電体層23の膜厚、ゲルマニウム薄膜の膜厚の制御が必要である。これに対し本発明では、光学異方性をもったゲルマニウム微粒子を用いるので、設計範囲が広く、製造も容易である。そこで、波長厳密結合波解析RCWA法により、偏光素子20における無機微粒子層25が薄膜である場合と微粒子である場合とによる光学特性の違いをシミュレーションした。ここでは、反射層22について膜厚アルミ厚:200nm,格子ピッチ:150nm,アルミ幅:45nmとし、誘電体層23について膜厚SiO2:30nmとして、Ge薄膜とGe微粒子の膜厚に対する波長450nmにおける吸収軸反射率、透過軸透過率、透過コントラストの依存性を計算した。またGe薄膜の光学定数は、図15Bの値を使い、Ge微粒子の光学定数は、格子に成膜された場合の異方性増大を考慮するため、図33に示すモデルにて、入射光の波長よりも十分に小さい微粒子が誘電体層中に軸方向をそろえて分布していると仮定して計算で求めた。さらに誘電体層23中のGeの体積率は0.4、アスペクト比は20として計算した。その結果を図34に示す。図34aが吸収軸反射率、図34bが透過軸透過率、図34cが透過コントラストの結果である。Ge微粒子の場合の方がGe薄膜の場合よりも、コントラストが同程度で、さらに透過率が高く、かつ反射率を軽減できる膜厚範囲が広いことがわかる。実施例6つぎに、無機微粒子のアスペクト比と偏光素子におけるコントラストとの関係を調べた。1平板上への斜めスパッタ成膜まず図4のイオンビームスパッタ装置を用いて、基板傾斜角θ=20,10°と変化させて、平坦なSi基板上に膜厚30nmのGe微粒子層を形成し、得られたサンプルをSEMで観察し、SEM像中の任意のGe微粒子40個を抽出し、そのサイズ長径長軸長さ、短径短軸長さを測定してアスペクト比を求めた。図35に、その結果をアスペクト比のヒストグラムとして示す。ヒストグラムの分布として、図35a基板傾斜角θ=20°よりも図35b基板傾斜角θ=10°の方がよりアスペクト比が大きくなるほうに分布がシフトする傾向が見られた。また、このときのGe微粒子の長軸長さの平均値は、基板傾斜角θ=20°のときが30nm、基板傾斜角θ=10°のときが63nmであり、アスペクト比の平均値は、基板傾斜角θ=20°のときが3.2、基板傾斜角θ=10°のときが4.0であった。また図4のイオンビームスパッタ装置を用いて、基板傾斜角θ=20,10°と変化させて、平坦なガラス基板コーニング1737上に膜厚10nmのGe微粒子層を形成したサンプルについて透過率を測定し、波長550nmにおける透過率の比をコントラストとして求めた。なお、x方向、y方向は図14Aの関係としている。その結果を表1に示す。基板傾斜角θを小さくするとGe微粒子のアスペクト比が大きくなるとともにコントラストが大きくなる傾向が見られた。2偏光素子10実施例5の偏光素子10について、無機微粒子層15形成時の斜めスパッタ成膜条件のうち基板傾斜角θ=10,20°の2水準とし、それ以外は実施例5の偏光素子10と同じ条件で偏光素子サンプルを作製した。本サンプルについて透過軸、吸収軸の透過率を測定し、波長550nmにおける透過率の比をコントラストとして求めた。その結果を図36及び表2に示す。本発明の偏光素子においても基板傾斜角θを小さくするとコントラストが大きくなる傾向が見られた。以上のように、斜めスパッタ成膜により基板面内に形状異方性をもつ無機微粒子を成膜することができるが、無機微粒子の長径と短径との比であるアスペクト比は無機微粒子の入射角度図4でいう基板傾斜角θに依存し、その角度が小さい方がアスペクト比が大きくなる。また、アスペクト比が大きくなると同時に透過コントラストも大きくなる。このように斜めスパッタ成膜によるステアリング効果を利用することで、良好な特性を有する偏光素子を実現することができる。実施例7成膜方法ドライプロセスの種類を変えて、Alからなる反射層22を一次元格子状ピッチ150nmに設けた基板上にGe微粒子層を斜め成膜した。ここでは、つぎの3種類のドライプロセスを用いた。a電子ビーム蒸着図37aGeを装着した蒸発源の法線方向に対して10度傾けた基板を該蒸発源から80cm離してセットし、成膜速度0.3nm/secの電子ビーム蒸着を行った。bマグネトロンスパッタ図37bGeターゲットの法線方向に10度傾けた基板を該ターゲットから40cm離してセットし、成膜速度0.1nm/secのマグネトロンスパッタ成膜を行った。cイオンビームスパッタ図37c本発明で例示した図4に示すスパッタ成膜方法である。ここでは、基板をθ=45度でセットし、Geターゲットから15cm離して、成膜速度0.2nm/secでイオンビームスパッタ成膜を行った。なお、基板は実施例5の偏光素子10の場合と同じ基板11を用い、図14Aと同様にGe入射方向が格子長手方向x方向に直交する方向y方向となるようにセットした。また、Ge微粒子層の膜厚はいずれも10nmとした。得られたサンプルについて、透過率を測定した。その結果を図38に示す。3つのサンプルのうち、イオンビームスパッタによる成膜法が透過率も高く、x方向、y方向の透過率の差が大きいことから、本発明の偏光素子の成膜方法として最も好ましいことが分かる。実施例8本発明に係る偏光素子のうち、図5に示す構成の偏光素子20において、反射層22の高さ膜厚を変えることでその透過コントラストを容易に制御することができる。その一例として図39に、Alからなる一次格子状の反射層22としてピッチ150nm、アルミ幅37.5nmの場合の反射層膜厚アルミ高さと透過コントラストの波長厳密結合波解析RCWAによる計算結果を示す。また図5に示す構成の偏光素子20において、誘電体層23の高さ膜厚を変えることでその光学特性を容易に制御することができる。ここでは、ガラスコーニング1737製の基板21上に、Alからなる一次格子状の反射層22としてその膜厚アルミ高さを200nm、そのピッチを150nm、格子幅を50nmとし、RFスパッタ成膜によるSiO2からなる誘電体層23としてその膜厚を0,19,37,56,74nmと変化させ、Ge微粒子からなる無機微粒子層25としてその膜厚を30nmとして、本発明の偏光素子20のサンプルを作製し、得られたサンプルの波長450,550,650nmにおける誘電層膜厚と透過軸透過率、コントラスト、吸収軸反射率の関係を求めた。その結果を表3に示す。得られた結果より、例えば吸収軸反射率を軽減したい場合には誘電体層23の膜厚を19~37nmの範囲とすればよい。また、反射の影響が少ない用途に用いる場合には誘電体層13の膜厚を0として使用することも可能である。これは、製作工程の減少を意味し、生産性の向上につながる。また、波長450~650nmで高いコントラストを実現しており、使用波長範囲が広いプロジェクター用途に適している。一方、透過率に関しては、波長450nmでは70以上、波長550,650nmでは80以上の高い透過率を示している。格子のピッチをより狭める事で透過率のさらなる向上も可能である。また、コントラストに関しては、金属格子の高さにより調整することが可能である。より高いコントラストが必要な場合はアルミ格子を高くすればよく、下げたい場合は低くすればよい。つぎに、図40に、実施例5の偏光素子20と同じ構造で、アルミ高さを30nmにした場合の偏光特性を示す。この場合、反射層の膜厚が薄いアルミ高さが低いので、コントラストは青域で3程度になっているが、図28と同様に反射率はGe微粒子の効果で2以下に抑えられている。このような性能を有する偏光素子の場合、Ge微粒子は、図31のSEM像に示されるように、反射層誘電体層からなる凸部の側壁に堆積し、異方性光学吸収素子として良好な形状をしている。このことは、図1,図3に示す偏光素子10についても同様に言える。本発明の偏光素子では、格子形状図2における凸部14aや図5における反射層22/誘電体層23の形状や高さ、一次格子のピッチなどとステアリング効果無機微粒子のサイズ、アスペクト比、配列性などとを組み合わせることで、吸収型偏光素子として好適な微粒子形状を実現することができる。実施例9図5に示す偏光素子20において、出射面迷光対策ゴースト対策として、基板21についてその表面を後に形成される無機微粒子25aの配列方向に対応するように細かいスジが一方向に揃った状態であるテクスチャー構造となるようにラビング処理し、該ラビング処理後の表面に無機微粒子25aの配列方向に対応するように形状異方性を有する無機微粒子からなる薄膜反射防止層29となる薄膜以下、反射防止膜を形成するとよい。具体的には、研磨テープなどの研磨材により機械的にテクスチャー構造を基板21の表面に形成し、その後無機微粒子からなる反射防止膜を斜めスパッタ成膜法により形成することで、格子上に成膜される無機微粒子層25と同様にステアリング効果による形状異方性を有する無機微粒子とすることができるので、無機微粒子の偏光効果が高まり、結果としてゴースト抑制効果を高めることが可能となる。以下、具体的に実施した例を説明する。ここでは、研磨材として日本ミクロコーティング製D20000を用いて効果の検証を行った。基板にはコーニング1737ガラスを用い、D2000で表面を一方向に擦る事によってテクスチャーを形成した。図41に、AFM原子間力顕微鏡によりテクスチャー形成後の基板表面を測定した結果を示す。横軸は基板上の位置、縦軸は表面の凹凸高さである。基板表面の凹凸の平均ピッチは160nmであった。また、テクスチャー形成前後での基板の透過率を調べたところ、図42に示すように、テクスチャー形成前後研磨前後で透過率が変化していないことがわかった。すなわち本方法により、基板の透過特性を悪化させずにかつ簡単にナノレベルの精密加工をすることが可能である。つぎに、前記テクスチャー形成後の基板に、図4のイオンビームスパッタ装置により、基板傾斜角θ=5°として斜めスパッタ成膜を行ってGe微粒子からなる膜厚10nmの反射防止膜を形成したが、このときGe入射方向と基板との関係を、図14Aにおいてy方向がテクスチャー長手方向となるように基板を配置してスパッタ成膜した。得られたサンプルについて、AFM原子間力顕微鏡により該反射防止膜におけるGe微粒子の形状を観察したところ、図43に示すように、テクスチャーに沿ってGe微粒子が整列している状態が観察された。図44に、このサンプルの透過特性を示す。比較として、基板をラビング処理していない1737ガラス基板を用い、それ以外は同一条件で反射防止膜を形成したサンプルについても透過特性を調べた。図44では本実施例サンプルをテクスチャー基板、比較サンプルを基板ままと表記している。その結果、両者ともにステアリング効果により偏光特性が見られるが、テクスチャーを形成した方が、x方向の透過率がより高く、y方向の透過率との差が大きく、良好な偏光特性を示していた。本発明では、本実施例サンプルテクスチャー構造を有する基板上に反射防止膜を形成したものを用いて、その上に図5における偏光素子20の層構造を形成するが、反射層22あるいは誘電体層23をパターン加工すると同時に前記反射防止膜も格子状に加工して反射防止層29とする。これにより、ゴースト対策効果を高めることができると同時に偏光素子としての透過コントラスト特性の増大も期待できる。実施例10上記実施例ではほとんどの場合にGeを例に偏光素子の実施例を示してきたが、他の材料でも形状異方性を有する無機微粒子を形成することができる。したがって、材料を選択することで、目的の波長の偏光素子とすることが可能である。図45,図46は、それぞれSi、Snを用いて膜厚30nmの無機微粒子として、図3cの偏光素子10の構成で製作した場合の偏光特性である。なお、裏面の反射防止膜は形成していない。これらの材料の場合には反射率はGeより若干高いが、青域での透過軸偏光特性が高くなっており、目的によっては偏光素子としての使用が可能である。"