"複数の発光部を有する発光体を発光させるための制御方法であり、前記複数の発光部を任意の領域ごとに前記発光部の配置数が均等になるよう分割し、分割されたそれぞれの分割領域内において、それぞれの前記発光部に対し所定の周期で変化する電圧を異なる位相で印加することを特徴とする発光制御方法。前記分割領域に配置されたすべての前記発光部に印加される電圧の総和が、それぞれの前記分割領域の間で等しくなるよう制御を行う請求項1に記載の発光制御方法。前記分割領域は、前記発光部がH×H個配列される請求項1に記載の発光制御方法。Hは1よりも大きい整数。X-Yの二次元座標系において、X方向にn個、Y方向にm個配列される場合において、前記発光部の位置がXi、Yjである場合には式1で示す電圧Vが前記発光部に印加される請求項1から3のいずれか1項に記載の発光制御方法。V=A×sin{2×π×f×t-{i-1-√K×1-j}/K}1Aは発光部に印加される電圧の振幅、Kは1つの分割領域に含まれる発光部の数、nはX方向に配列された発光部の数、mはY方向に配列された発光部の数、iは1以上n以下の整数、jは1以上m以下の整数、fは発光部に印加される電圧の周波数1/T:周期、tは時間。前記発光部に印加される電圧の周波数は、100Hz以上1MHz以下である請求項1から4のいずれか1項に記載の発光制御方法。1つの前記分割領域に含まれる前記発光部の数は、4、9、16である請求項1から5のいずれか1項に記載の発光制御方法。請求項1から6のいずれか1項に記載の発光制御方法を実現することを特徴とする発光制御装置。請求項1から6のいずれか1項に記載の発光制御方法を実現することを特徴とする発光装置。前記発光体は、第1の半導体層と第2の半導体層とで構成され、前記第2の半導体層は、連続した層であり、前記第1の半導体層は、連続した絶縁物の層に、前記第2の半導体層と異なる組成で構成された複数の半導体領域が、それぞれ独立して等間隔で配置された構造を持つ半導体絶縁体複合層であり、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは接合され、さらに、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合面と異なる面は、それぞれ電極と接合されており、前記第1の半導体層の前記接合面と異なる面に設けられる前記電極は、前記複数の半導体領域に独立して通電されるようにパターニングされ、かつ、前記パターニングされた電極に、前記複数の半導体領域に対応したスイッチング素子を含む請求項8に記載の発光装置。特許文献1の技術は、複数のLED中の1個を順番に導通させ、発光させるものなので、複数のLEDを同一面に配置して面発光体として用いる場合、輝度ムラが発生するおそれがある。本発明は、複数の発光部を有する発光体を用いて面発光させる場合における輝度ムラを低減しつつ消費電力を抑制し、更に発光体の長寿命化を図ることを目的とする。本発明は、複数の発光部を有する発光体を発光させるための制御方法であり、前記複数の発光部を任意の領域ごとに前記発光部の配置数が均等になるよう分割し、分割されたそれぞれの分割領域内において、それぞれの前記発光部に対し所定の周期で変化する電圧を異なる位相で印加することを特徴とする発光制御方法である。この発光制御方法は、複数の発光部を有する発光体の発光制御に関して、任意の領域において前記発光部の配置数が均等になるよう、制御上において、複数の発光部を任意の領域に分割し、その分割された領域内に配置されたそれぞれの発光部には、所定の周期で変化する電圧を異なる位相で印加する。このような制御により、前記複数の発光部を有する発光体は、それぞれ任意の分割領域が有するそれぞれの発光部に印加される電圧の総和を、それぞれ任意に分割された分割領域の全ての領域間で等しくすることができるので、発光体全体での輝度ムラを抑制することができる。また、それぞれの発光部に印加される電圧は周期的に変化するので、この発光制御方法は、常時発光部を発光させる駆動方法と比較して、消費電力が抑制されると共に、発光部の長寿命化に寄与することができる。本発明において、前記分割領域に配置されたすべての前記発光部に印加される電圧の総和が、それぞれの前記分割領域の間で等しくなるよう制御を行うことが好ましい。すなわち、本発明において、発光体が有する複数の発光部は、任意の領域ごとに発光部の配置数が均等になるよう分割され、その領域内において発光を制御されるそれぞれの発光部に印加される電圧の総和が、それぞれ任意に分割された分割領域の全ての領域間で等しいことが好ましい。このように、任意に分割されたそれぞれの領域において、その領域が有するすべての発光部に印加される電圧の総和を等しくするので、隣接する領域間における輝度ばらつきはほとんど発生しない。その結果、発光体全体での輝度ムラを抑制することができる。本発明において、前記分割領域は、前記発光部がH×H個配列されることが好ましい。なお、Hは1よりも大きい整数である。このようにすれば、それぞれの分割された領域を正方形かつ同じ寸法とすることができるので、発光体の全面に、均等に分割領域を配置することができる。その結果、発光体全体での輝度ムラを抑制できる。本発明において、X-Yの二次元座標系において、X方向にn個、Y方向にm個配列される場合において、前記発光部の位置がXi、Yjである場合には式1で示す電圧Vが前記発光部に印加される請求項1から3のいずれか1項に記載の発光制御方法。V=A×sin{2×π×f×t-{i-1-√K×1-j}/K}1なお、Aは発光部に印加される電圧の振幅、Kは1つの分割領域に含まれる発光部の数であり、1を除く正数の自乗、nはX方向に配列された発光部の数、mはY方向に配列された発光部の数、iは1以上n以下の整数、jは1以上m以下の整数、fは発光部に印加される電圧の周波数1/T:周期、tは時間である。このような発光制御を行うことで、複数の発光部を有する発光体は、前記複数の発光部を任意の領域に分割し、その任意の領域内に配置される発光部に印加される電圧の総和が、全ての前記分割された領域間で等しくなるので、発光体全体の輝度ムラを抑制できる。また、それぞれの発光部に印加される電圧は、0から最大値の間で周期的に変化する。Asを発光部における発光閾電圧値とすると、Asは0から最大値の間に含まれ、印加される電圧がAs以下である場合発光部は消灯状態となる。このため、発光体をこの発光制御方法により発光させると、常時発光部を発光させる制御方法と比較して、消費電力を抑制し、発光体の長寿命化に寄与することができる。本発明において、前記発光部に印加される電圧の周波数は、100Hz以上1MHz以下であることが好ましい。このようにすれば、発光体から放射される発光のちらつきを低減できるとともに、消費電力及び発熱の増加も抑制できる。本発明において、1つの前記分割領域に含まれる前記発光部の数は、4、9、16であることが好ましい。すなわち、任意の領域における発光部の配置数は、4、9、16であることが好ましい。配置数が多くなりすぎると、任意の領域内において輝度ムラが生じてしまうおそれがある。また、それぞれの発光部は等間隔に配置されていることが好ましい。等間隔に配置されていることで領域内での輝度ムラを抑制できる。前記配置数および配置形態であれば、発光体全体の輝度ムラの抑制に効果的である。本発明は、前記発光制御方法を実現することを特徴とする発光制御装置である。このため、この発光制御装置は、常時発光部を発光させる駆動方法と比較して、消費電力が抑制されると共に、発光部の長寿命化に寄与することができる。本発明は、前記発光制御方法を実現することを特徴とする発光装置である。このため、この発光装置は、常時発光部を発光させる駆動方法と比較して、消費電力が抑制されると共に、発光部の長寿命化に寄与することができる。本発明において、前記発光体は、第1の半導体層と第2の半導体層とで構成され、前記第2の半導体層は、連続した層であり、前記第1の半導体層は、連続した絶縁物の層に、前記第2の半導体層と異なる組成で構成された複数の半導体領域が、それぞれ独立して等間隔で配置された構造を持つ半導体絶縁体複合層であり、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは接合され、さらに、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合面と異なる面は、それぞれ電極と接合されており、前記第1の半導体層の前記接合面と異なる面に設けられる前記電極は、前記複数の半導体領域に独立して通電されるようにパターニングされ、かつ、前記パターニングされた電極に、前記複数の半導体領域に対応したスイッチング素子を含むことが好ましい。このように、複数の発光部を有する半導体層に、連続した1つの半導体の層を設けることにより、複数の発光部で発生した光は連続した1つの層で散乱する。その結果、この発光装置は、面発光した場合の輝度ムラをさらに効果的に低減することができる。また、前記複数の発光部が等間隔で配置されることにより、発光面内における部分的な散乱光の強弱の発生を抑制できる。また、分割された領域内における発光部の発光パターンや周期などの制御は、それぞれの分割された領域において同一であるため、常に点灯位置や消灯位置は等間隔を保つことができることから、面内において明るさの補間がなされ、より輝度ムラを低減することができる。また、それぞれの発光部は独立して発光制御が可能であるため、意図的に発光面内において、輝度の高低を制御することも可能である。さらに、本発明は、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合面とは異なる面は、電極と接合しており、前記第1の半導体層と接合する電極が、前記複数の半導体領域にそれぞれ独立して通電される様パターニングされ、かつ前記パターニングされた電極下部に、前記半導体領域に対応したスイッチング素子を有している。スイッチング素子により、複数の発光部の発光を個別に制御することができる。その結果、この発光体は、輝度ムラをより低減するような順序で発光部を発光させたり、消費電力がより低減するような方法で発光部を発光させたりすることができる。また、必要に応じてそれぞれの発光部を独立して制御することで、発光面内の任意の領域において輝度の高低差を設けることも可能である。本発明は、複数の発光部を有する発光体を用いて面発光させる場合における輝度ムラを低減し、更に発光体の長寿命化を図ることができる。以下、本発明を実施するための形態実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。まず、本実施形態に係る発光制御装置の制御対象である発光体の構造を説明する。図1は、本実施形態に係る発光体の平面図である。発光体1は、複数の発光部2を有する平板状の素子である。発光体1は、複数の独立した発光部2を同一の面内で発光点発光させることにより、擬似的に面発光する発光素子である。それぞれの発光部2は、LEDである。すなわち、発光体1は、複数のLEDを同一共通の基板に作製したものである。この点で、発光体1は、部品としてのLEDを、例えば、一つの基板に複数実装し取り付けた発光体とは異なる。図1に示す発光体1は、複数の発光部2が、X-Yの二次元座標系において、格子の交点に配列格子状に配列されている。複数の発光部2の配列間隔Pは、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、連続した層の面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。この例では、X方向に隣接する発光部2の配列間隔XpとY方向に隣接する発光部2の配列間隔Ypとが等しい、すなわち、Xp=Yp=Pである。このようにすれば、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1の輝度ムラを低減できるので好ましい。このように、発光体1は、2方向この例ではX方向及びY方向において、複数の発光部2の配列間隔が等しければ、発光体1の輝度ムラ低減の効果を得ることができる。発光部2の配列は、格子状の配列に限定されるものではない。例えば、複数の発光部2は、X-Yの二次元座標系において千鳥配列されていてもよい。複数の発光部2が千鳥配列される場合でも、複数の発光部2の配列間隔は、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、連続した層の面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。このようにすれば、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1の輝度ムラを低減できるので好ましい。発光部2の直径D発光部2の形状が円形でない場合には等価直径De=4×S/C、Sは柱状部分の断面積、Cは柱状部分の周長は、10μm以上1cm以下が好ましい。発光部2の直径Dがこのような範囲であれば、発光部2としての抵抗値を抑えられ、かつ電流分布もある程度一定となるため、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。図2は、本実施形態に係る発光体の断面図である。発光体1は、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとからなる半導体層4と、基板3と、複数の発光部2と、スイッチング素子7とを含む。本実施形態において、発光体1は、各スイッチング素子7の表面に設けられる電極5Aと、第2の半導体層4Bの表面に設けられる電極5B透明電極が好ましいと、電極5Bの表面に設けられる透明の保護層6とを有する。半導体層4は、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとが接合されるとともに、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとの少なくとも一方は、連続した層であり、また、他方の半導体層は連続した絶縁体層中に前記一方の半導体層の組成とは異なる半導体組成で複数独立して配置されている。本実施形態において、第1の半導体層4Aが有する半導体領域4SはP型半導体であり、第2の半導体層4BはN型半導体である。したがって、半導体層4は、第1の半導体層4Aが有する半導体領域4Sと第2の半導体層4BとがPN接合されたものである。なお、第1の半導体層4Aが有する半導体領域4SがN型半導体であり、第2の半導体層4BがP型半導体であってもよい。上述したように、半導体層4は第1の半導体層4A及び,第2の半導体層4Bからなり、第2の半導体層4Bが連続した層である。第1の半導体層4Aは、複数の半導体領域柱状部分4Sを有している。複数の半導体領域4Sは、円柱形状又は多角柱形状等の柱状の形状となっている本実施形態では円柱形状。本実施形態では、半導体絶縁層4Iに、複数の半導体領域4Sが設けられて第1の半導体層4Aとなる。第1の半導体層4Aの柱状部分の厚み基板3の表面と直交する方向における寸法は、50nm以上5000nm以下であることが好ましい。半導体層4の厚みがこのような範囲であれば、発光部2としての抵抗値を抑えられ、かつ電流分布もある程度一定となるため、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。また、半導体層4A、半導体層4Bそれぞれの厚みは、前記半導体層4の厚みの範囲内であれば、特に限定されない。複数の発光部2は、半導体層4に形成される。より具体的には、発光部2は、第1の半導体層4Aが有する半導体領域4Sと第2の半導体層4Bとの接合部界面の近傍である。すなわち、第1の半導体層4Aが有する半導体領域4Sと第2の半導体層4BとでLEDが構成される。第1の半導体層4Aが有するそれぞれの半導体領域4Sの下部に電極5Aが設けられ、かつ電極5Aと基板3との間にスイッチング素子7が設けられる。また、第2の半導体層4Bとも接している。第2の半導体層4Bの表面にも電極5Bが設けられ、電極5Aと電極5Bとを介して複数の発光部2に電圧が印加されることで、発光部2が発光する。本実施形態では、P型半導体である第1の半導体層4Aが有する半導体領域4Sに正電圧を印加することにより、半導体領域4SからN型半導体である第2の半導体層4Bに向かって電流が流れ、両者の接合部PN接合部近傍より具体的には禁制帯の近傍で発光する。発光体1は、第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとの少なくとも一方が、連続した層であり、半導体粒子により構成される。このため、両者の接合部近傍に形成される複数の発光部2で発光した光は、連続した1つの層の半導体が含む粒子で散乱される。その結果、発光体1は、連続した1つの層の半導体により輝度ムラが抑制できる。尚、半導体層4A、半導体層4Bを構成するそれぞれの粒子サイズは5nm~200nmが好ましい。更に、光散乱の効率を考慮すると20nm~100nmがより好ましい。発光体1は、それぞれの発光部2に対応した複数のスイッチング素子7を有する。スイッチング素子7はそれぞれの発光部2に対応した位置に設けられ、かつ各々が独立して駆動するよう基板に配線される。そして各スイッチング素子7の上部には第1電極5Aが形成され、電極5Aと半導体領域4Sとが接合される。スイッチング素子7は、例えば、TFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスタであるが、これに限定されるものではなく、MIMMetalInsulatorMetal素子など、他のスイッチング素子を使用することができる。発光体1が有する第1の半導体層4Aは、複数の柱状部分に分かれている半導体領域4Sを有しており、それぞれの半導体領域4Sの下部に配置される電極5Aと基板3との間にスイッチング素子7が配置される。このような構造により、それぞれのスイッチング素子7は、それぞれの発光部2と対向している。複数のスイッチング素子7により、発光体1は、それぞれの発光部2を独立して発光させることができるので、それぞれの発光部2の発光が制御されることにより、輝度ムラをより低減することができる。発光体1は、同一の基板3に複数個の発光部2を有しているので、擬似的に面発光する。また、発光体1は、各発光部2の間、より具体的には複数の第1の半導体層4Aの間に、半導体絶縁部7を有している。LEDは、発光素子を大型化すると発熱及び電気特性の低下という問題がある。この点について、発光体1は、大型化したLEDと比較して、小さな独立したLEDの発光部2を同一の基板3に形成して、擬似的に面発光させているので、面全体が発光部となっている面発光体と比べてそれぞれの発光部2の発熱は小さく、また、発光面全体で発光部2の熱を放熱させることができる。このため、発光体1は、全体の発熱を効率的に放熱させることができる。また、発光体1は、半導体絶縁部7に、放熱性に優れた樹脂又は酸化物を用いることにより、発光部2で発生した熱は、発光体1の表面へ伝わりやすくなる。その結果、発光体1は、発光に起因する発光体1の昇温は抑制される。また、発光体1の昇温が抑制されることにより、発光体1は、電気特性の低下も抑制され、長寿命化が図られる。図3、図4は、本実施形態に係る発光体が有する発光部の配列を示す平面図である。図3の発光体1は、X-Yの二次元座標系において、複数の発光部2がX方向にn個、Y方向にm個、格子状に配列されているn、mは整数。この場合、それぞれの発光部2の位置は、X座標X1、X2、Xn-1、XnとY座標Y1、Y2、Ym-1、Ymとを用いて、X1、Y1、X2、Y2、Xn-1、Ym-1、Xn、Ymと表すことができる。図4の発光体1’は、X-Yの二次元座標系において、複数の発光部2がX方向にn個、Y方向にm個、千鳥配列されている。この場合、それぞれの発光部2の位置は、X座標X1、X2、Xn-1、XnとY座標Y1、Y2、Ym-1、Ymとを用いて、X1、Y1、X2、Y2、Xn-1、Ym-1、Xn、Ymと表すことができる点は、発光部2が格子状に配列された場合と同様である。千鳥配列において、発光部2は、Y方向に向かってジグザグに配列されるので、千鳥配列におけるX座標は、ジグザグに一列並んだ部分をそれぞれ座標X1、X2、Xn-1、Xnとする二点鎖線で区画される部分。以下においては、格子状に発光部2が配列された発光体1を例として説明する。図5は、本実施形態に係る発光制御装置及び発光体を含む発光装置の装置構成を示す概念図である。発光装置100は、複数の発光部2及びそれぞれの発光部2に対応したスイッチング素子7を含む発光体1と、発光体1を発光させる発光制御装置8とを含む。発光制御装置8は、例えば、マイクロコンピュータを有しており、スイッチング素子7に発光部2の点灯又は点滅を制御するための信号発光制御信号SLを与えて、発光部2の発光制御を行なう。図6-1から図6-4は、本実施形態に係る発光体が有する発光部とスイッチング素子との回路構成例を示す概念図である。以下においては、説明の便宜上、1つの発光部2及びスイッチング素子7のみを示すが、発光体1が有する他の発光部2及びスイッチング素子7についても同様である。図6-1に示す発光装置100は、スイッチング素子7にTFTを用いている。TFTは、FETFieldEffectTransistor:電界効果トランジスタの一種である。図6-1に示す発光装置100は、スイッチング素子7のゲートGに発光制御装置8から発光制御信号SLを与える。スイッチング素子7のドレインDは、電源9の正極と電気的に接続している。また、スイッチング素子7のソースSは、発光部2の第1の半導体層4Aと接合している電極5Aと電気的に接続している。半導体層4が有する第2の半導体層4Bと接合している電極5は、グランド10と電気的に接続している。発光制御装置8がスイッチング素子7のゲートGに発光制御信号SL具体的には電圧を印加しない状態において、発光部2は消灯している。発光制御装置8がスイッチング素子7のゲートGに発光制御信号SLを印加すると、スイッチング素子7がONになり、電源9からスイッチング素子7を通って発光部2に電流が流れて、発光部2が点灯する。発光制御装置8からの発光制御信号SLの大きさ又は与え方によって、スイッチング素子7のドレインDに印加される電圧を制御することができる。このように、発光制御装置8は、発光制御信号SLによって、発光部2の発光を制御することができる。図6-2に示す発光装置100は、スイッチング素子7にバイポーラトランジスタを用いている。図6-2に示す発光装置100は、スイッチング素子7のベースBに発光制御装置8から発光制御信号SLを与える。スイッチング素子7のコレクタCは、電源9の正極と電気的に接続している。また、スイッチング素子7のエミッタEは、発光部2の第1の半導体層4Aと接続している電極5Aと電気的に接続している。半導体層4が有する第2の半導体層4Bと接続している電極5Bは、グランド10と電気的に接続している。発光制御装置8がスイッチング素子7のベースBに発光制御信号SL具体的には電流を印加しない状態において、発光部2は消灯している。発光制御装置8がスイッチング素子7のベースBに発光制御信号SLを印加すると、スイッチング素子7がONになり、電源9からスイッチング素子7を通って発光部2に電流が流れて、発光部2が点灯する。発光制御装置8からの発光制御信号SLの大きさ又は与え方によって、発光部2の点灯と消灯とが制御される。例えば、発光制御装置8は、発光制御信号SLの電流値を変化させることにより、エミッタEの電圧が変化する。その結果、発光部2に印加される電圧が変化するので、その電圧に応じて発光部2は点灯したり消灯したりする。このように、発光制御装置8は、発光制御信号SLによって、発光部2の発光を制御することができる。図6-3に示す発光装置100は、スイッチング素子7にTFTを用いる点では図6-1に示す発光装置100と同様であるが、回路構成及び発光体1の発光部の構造が異なる。図6-3に示す発光装置100は、電極5Bと第2の半導体層4Bとが電気的に接続されている。第2の半導体層4Bは、連続した層である。第2の半導体層4Bと接合PN接合される第1の半導体層4Aは、複数の半導体領域4S円柱形状又は多角柱形状等の柱状部分に分かれており、その複数の半導体領域4Sはそれぞれ電極5Aと電気的に接続されている。第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとで、半導体層4が形成される。発光装置100は、電源9の正極が電極5Bと電気的に接続されている。発光部2の第1の半導体層4Aと電気的に接続する電極5Aは、スイッチング素子7のドレインDと電気的に接続している。発光制御装置8は、スイッチング素子7のゲートGに発光制御信号SLを与える。また、スイッチング素子7のソースSは、グランド10と電気的に接続している。発光制御装置8がスイッチング素子7のゲートGに発光制御信号SL具体的には電圧を印加しない状態において、発光部2は消灯している。発光制御装置8がスイッチング素子7のゲートGに発光制御信号SLを印加すると、スイッチング素子7がONになり、電源9から発光部2及びスイッチング素子7を通って電流が流れて、発光部2が点灯する。発光制御装置8からの発光制御信号SLの大きさ又は与え方によって、スイッチング素子7のドレインDの電圧を制御することができる。その結果、発光制御装置8は、発光部2の第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとの電位差を変更することができるので、発光制御信号SLによって、発光部2の発光を制御することができる。図6-4に示す発光装置100は、スイッチング素子7にバイポーラトランジスタを用いる。また、図6-4に示す発光装置100が有する発光体1の構造は、図6-3に示すものと同様である。発光装置100は、電源9の正極が電極5Bと電気的に接続されている。発光部2の第1の半導体層4Aと電気的に接続する電極5Aは、スイッチング素子7のコレクタCと電気的に接続している。発光制御装置8は、スイッチング素子7のベースBに発光制御信号SLを与える。また、スイッチング素子7のエミッタEは、グランド10と電気的に接続している。発光制御装置8がスイッチング素子7のベースBに発光制御信号SL具体的には電流を印加しない状態において、発光部2は消灯している。発光制御装置8がスイッチング素子7のベースBに発光制御信号SLを印加すると、スイッチング素子7がONになり、電源9から発光部2及びスイッチング素子7を通って電流が流れて、発光部2が点灯する。発光制御装置8からの発光制御信号SLの大きさ又は与え方によって、スイッチング素子7のコレクタCの電圧を制御することができる。その結果、発光制御装置8は、発光部2の第1の半導体層4Aと第2の半導体層4Bとの電位差を変更することができるので、発光制御信号SLによって、発光部2の発光を制御することができる。次に、発光制御装置8による発光体1の発光の制御発光制御について説明する。図7は、本実施形態に係る発光制御におけるそれぞれの発光部の擬似的な電圧の分布を示す模式図である。図8は、本実施形態に係る発光制御において、1つの分割領域が有するそれぞれの発光部の電圧変化を示す図である。図7に示すそれぞれの四角が、図1、図2等に示す発光部2に相当する。図7に示す1、2、nは、図3に示したX座標に付した添字であり、それぞれのX座標を識別するための数字である。また、図7に示す1、2、mは、図3に示したY座標に付した添字であり、それぞれのY座標を識別するための数字である。以下において、発光体1が有するそれぞれの発光部2の座標X1、Y1、X2、Y2、Xn、Ymは、1、1、2、2、n、mのように示す。すなわち、括弧の中における最初の数字がX座標を示し、後の数字がY座標をしめす。発光制御装置8は、発光部2の座標により、それぞれの発光部2を識別することができる。すなわち、発光部2の座標は、発光体1におけるそれぞれの発光部2の位置情報アドレスとなる。本実施形態において、発光体が有する複数の発光部は、任意の領域ごとに発光部の配置数が均等になるよう分割され、それぞれの任意に分割された分割領域20A、20B、20Cについて、所定の周期で変化する電力電圧が、それぞれの分割領域20A、20B、20Cが有するそれぞれの発光部2に対して異なる位相で印加される。すなわち、本実施形態においては、発光体1が有する複数の発光部2を、任意の分割領域20A、20B、20C等に分割する。このとき、それぞれの任意の分割領域20A、20B、20C等が有する発光部2は、いずれの領域においても同数であり、かつ配置数が均等となるよう分割されている。本実施形態では、分割されたすべての任意の分割領域20A、20B、20C等は、いずれもX方向にH個、Y方向にH個、すなわち、H×H個の発光部2を有する正方形かつ同じ寸法の領域であるHは1よりも大きい整数。より具体的には、分割された全ての任意の分割領域20A、20B、20C等は、X方向に2個、Y方向に2個、すなわち、2個×2個=4個の発光部2を有している。すなわち、1つの分割領域20A、20Bに含まれる発光部2の数K=H×H個である。このように、分割される任意の分割領域20A等を正方形かつ同じ寸法の領域とすることで、発光体1の全面に、均等に分割領域20A等を配置することができる。その結果、発光体1全体を擬似的に面発光させた場合の輝度ムラを抑制できる。この発光制御方法により、分割された任意のそれぞれの分割領域20A、20B、20C等に対して、所定の周期Tで変化する電圧が印加される。例えば、図8に示すように、Aを中心として±Aで周期的に変化する電圧Vを、位相をずらしてそれぞれの分割領域20A、20B、20C等に対して印加する。このようにすることで、分割された任意のそれぞれの分割領域に含まれる発光部に印加される電圧の総和が、分割された全ての領域において等しくなるので、発光体1を擬似的に面発光させた場合において、発光体1が発光面として認識されたときの輝度ムラを低減させることができる。図7に示す例において、分割領域20Cが有する発光部2の位置は、座標1、1、1、2、2、1、2、2となる。本実施形態において、分割領域20Cに着目した場合、それぞれの発光部2に印加される電圧印加電圧は、式2から式5に示すようになる。また、それぞれの発光部2に印加される電圧の変化は、図8に示すようになる。式2から式5に示すように、それぞれの発光部2の印加電圧Vは、電圧Aを中心とし、電圧の振幅電圧振幅Aで、周期T=1/fで変化する正弦波となる。fは、発光部2に印加される電圧の周波数である。なお、tは時間である。V1、1=A×sin{2×π×f×t}2V2、1=A×sin{2×π×f×t-1/4}3V1、2=A×sin{2×π×f×t-1/2}4V2、2=A×sin{2×π×f×t-3/4}5発光部2は、LEDであるため、ある電圧の閾値Asを超えると発光し、閾値Asを下回ると消灯する。印加電圧Vは、0から2Aまで変化し、閾値Asは0と2Aとの間に含まれる。発光制御装置8は、式2から5で示すように、それぞれの分割領域20A等が有するそれぞれの発光部2に所定の周期で変化する電圧を印加するので、分割領域20A等が有するそれぞれの発光部2は1周期Tにおいて、点灯と消灯の制御が行われる。また、印加電圧VがAs以上の場合、印加電圧の強弱により発光強度の強弱が制御される。このため、発光部2の消費電力及び発熱は、発光部2が常時発光点灯している場合と比較して小さくなるので、発光体1の消費電力及び発熱も、すべての発光部2が常時点灯している場合と比較して小さくなる。図7に示す四角に付された数字は、あるタイミングにおいて発光部2に印加される擬似的な電圧疑似印加電圧である。数値が大きいほど、発光部2に印加される電圧は高くなる。本実施形態において、複数の発光部2を有する発光体1のそれぞれの発光部2に、所定の周期で変化する電圧を異なる位相で印加することにより、任意の領域に分割された分割領域20A、20B等においては、それぞれの分割領域20A、20B等が有するすべての発光部2の印加電圧Vの総和が、それぞれの分割領域20A、20B等の間で等しくなる。本実施形態では、それぞれの分割領域20A、20B等が有するすべての発光部2における電流値の総和は、それぞれの分割領域20A、20B等の間で等しい。このため、1つの発光部2を共通に有するそれぞれの分割領域20A、20B等においては、それぞれの分割領域20A、20B等が有するすべての発光部2に与えられる電力の総和が、それぞれの分割領域20A、20B等の間で等しくなる。例えば、図7に示す例において、分割領域20Aと分割領域20Bとは、座標4、4の発光部2を共通に有している。分割領域20A、20Bにおける印加電圧Vの総和は、前記疑似印加電圧に換算すると、それぞれ1234=10=4×Aで等しくなる。したがって、分割領域20A、20Bに印加される電力の総和は等しくなる。このように、任意の領域において前記発光部の配置数が均等になるよう、分割された分割領域20A、20B等は、印加電圧Vの総和印加電力の総和がそれぞれ等しくなるので、上述のような発光制御を行うことにより、分割領域20A、20B間の輝度ムラを抑制できる。図9は、分割領域が有する発光部の数を変更した場合における擬似印加電圧の分布を示す模式図である。図10は、図9に示す例の発光制御において、1つの分割領域が有するそれぞれの発光部の電圧変化を示す図である。図11は、分割領域が有する発光部の数を変更した場合における擬似印加電圧の分布を示す模式図である。図12は、図10に示す例の発光制御において、1つの分割領域が有するそれぞれの発光部の電圧変化を示す図である。図13は、分割領域が有する発光部の数を変更した場合における擬似印加電圧の分布を示す模式図である。図9に示す例の発光体1は、H=3、すなわち、X方向に3個、Y方向に3個の計9個の発光部2が配列された分割領域21A、21B等を有するものである。図11に示す例の発光体1は、H=4、すなわち、X方向に4個、Y方向に4個の計16個の発光部2が配列された分割領域22A、22B等を有するものである。図13に示す例の発光体1は、H=5、すなわち、X方向に5個、Y方向に5個の計25個の発光部2が配列された分割領域23A、23Bを有するものである。H=3、4、5いずれの例においても、H=2の場合と同様に、図5に示す発光制御装置8は、任意の領域において前記発光部の配置数が均等になるよう、分割領域21A、21B等に分割する。そして、所定の周期で変化する電力電圧を、それぞれの分割領域21A、21B等が有するそれぞれの発光部2に対して異なる位相で印加する。その結果、それぞれの発光部2の点灯,消灯,そして点灯時の発光強度の強弱を制御できるので、発光体1が有するすべての発光部2を同時に点灯させる場合と比較して消費電力及び発熱を低減できる。また、それぞれの領域が有する全ての発光部2に印加される電圧の総和を、それぞれの領域間で等しくすることで、領域間による輝度ムラが低減でき、その結果、発光体1の輝度ムラを抑制することができる。本実施形態において、上述のような発光駆動制御により発光制御される複数の発光部を有する発光体1は、任意の領域において前記発光部の配置数が均等になるよう、分割領域21A、21B等に分割され、それぞれの分割領域21A、21B等が有するすべての発光部2に対して印加される電圧V印加電力の総和が、それぞれの分割領域21A、21Bの間で等しい。このような発光制御をすることで、発光体1において、分割領域21A、21B等の間における輝度ムラを抑制できるので、結果、発光体1全体の輝度ムラも抑制できる。発光体1は、X-Yの二次元座標系において、発光部2がX方向にn個、Y方向にm個配列され、それぞれの発光部2の位置は座標Xi、Yjで表される。そして、発光体1が有する複数の分割領域20A、20B、21A、21B、22A、22CがH×H個Hは1よりも大きい整数の発光体を有する場合、発光制御装置8は、それぞれの発光部2の印加電圧Vを、式6、式7のように制御する。Aは印加電圧の振幅電圧振幅、Kは1つの分割領域に含まれる発光部の数、nはX方向に配列された発光部の数、mはY方向に配列された発光部の数、iは1以上n以下の整数、jは1以上m以下の整数、fは発光部に印加される電圧の周波数1/T:周期、tは時間である。V=A×sin{2×π×f×t-{i-1-√K×1-j}/K}6式6の{i-1-√K×1-j}/Kが、異なる発光部2の間における印加電圧Vの位相差を示す。図10、図11に示すように、Kが大きくなるにしたがって、それぞれの発光部2同士においては、それぞれの印加電圧Vの位相差は小さくなる。また、Kが大きくなるにしたがって、発光体1の消費電力及び発熱は小さくなる。しかし、Kが大きくなると、同じ周波数においては、1つの分割領域内における輝度ムラが大きくなり、結果として発光体1全体の輝度ムラの抑制効果が低減するおそれがある。例えば、図13に示す発光体1は、H=5であるので、分割領域23は、5×5=25個の発光部2を有する。すなわち、K=25となる。図13に示す四角に付された数字は、それぞれの発光部2の疑似印加電圧であり、数値が大きいほど疑似印加電圧は大きい。分割領域23内の領域23Lは、疑似印加電圧が低い発光部2が集まっているので、分割領域23内において輝度の低い領域になる。これに対して、分割領域23内の領域23Hは、疑似印加電圧が高い発光部2が集まっているので、分割領域23内において輝度の高い領域になる。その結果、分割領域23は、中央部分の輝度が高く、その周りの輝度が低くなるので、1つの分割領域23内での輝度ムラが発生する。なお、輝度ムラの発生は、Kの大きさのみならず、周波数、発光部2の寸法又は間隔等によって変化するが、Kが大きくなるほど、1つの分割領域の輝度ムラが大きくなり、その結果、発光体1全体の輝度ムラも大きくなる傾向がある。本実施形態において、Kは4、9、16が好ましい。この範囲であれば、発光体1の輝度ムラの抑制に効果的である。上記例において、発光体1が有するそれぞれの発光部2の印加電圧の周波数fは、人間の視覚応答速度以上、LEDの応答速度以下とすることが好ましい。例えば、印加電圧の周波数fは、100Hz以上1MHz以下であることが好ましい。この範囲であれば、発光体1から放射される光のちらつきを低減できるとともに、消費電力及び発熱の増加も抑制でき、その結果、発光体の長寿命化を図ることができる。なお、印加電圧の周波数fを変更することにより、単位時間あたりにおける点灯、消灯の回数が変化する。このため、この駆動方法による制御において、印加電圧の周波数fを変更することにより、それぞれの発光部2及び発光体1の輝度を調整することもできる。上述した例においては、それぞれの発光部2に対する印加電圧Vを周期的に変化させ、かつ複数の発光部2の間で位相差を設けた。しかし、それぞれの発光部2に対する印加電圧Vを閾値Asよりも大きい一定の値とし、それぞれの発光部2に印加する電流の値を周期的に変化させ、かつ複数の発光部2の間で位相差を設けるようにしてもよい。すなわち、図5に示す発光制御装置8は、任意の領域において前記発光部の配置数が均等になるよう分割した分割領域20A、20B、20C、21A、21B等について、所定の周期で変化する電流を、それぞれの分割領域20A等が有するそれぞれの発光部2に対して、異なる位相で印加してもよい。この場合も、それぞれの発光部2に印加される電流は、時間の経過とともに0から最大値まで変化するので、それぞれの発光部2に印加させる電力も時間の経過とともに0から最大値まで変化する。このため、このような発光制御をすることにより、印加電圧Vを周期的に変化させるときと同様の効果が得られ、それぞれの発光部2の消費電力及び発熱は、それぞれの発光部2を常時点灯させる場合と比較して低減する。また、分割領域20A、20B等が有する各領域内の全ての発光部には、印加される電流の総和印加電力の総和が、任意に分割される全ての領域間でそれぞれ等しくなるので、分割領域20A、20B等の任意に分割される領域間での輝度ムラを抑制することができる。発光体の製造方法図1、図2に示す発光体1の製造方法を簡単に説明する。発光体1の半導体層4は、半導体材料粒子を有機溶液に分散させたものを印刷又は塗布することにより作製される。まず、基板3を準備する。基板3は、ガラス、樹脂基板、フィルム等様々な種類を用いることができる。次に、基板3の表面にそれぞれの半導体領域4Sに対応するよう各スイッチング素子7を形成配線する。次に、スイッチング素子7の表面に第1電極5Aを形成する。スイッチング素子7は、真空成膜、塗布又は印刷によって形成する。発光体1に柔軟性を持たせる必要がある場合、基板3は、例えば、PETPolyethyleneTerephthalate、PENPolyethyleneNaphthalate等の柔軟な樹脂のフィルム等を用いる。更に、これらの樹脂フィルムのスイッチング素子7が形成される面とは逆の面に金属膜を設けて、光学反射性を高めることもできる。それらの樹脂フィルムに形成されるスイッチング素子7にはSi等の一般的な材料や、好ましくはフラーレン又はペンタセン等の有機半導体が用いられる。発光体1に柔軟性を持たせる必要がない場合、スイッチング素子7は、Si等の一般的な材料を用いて形成される。次に、基板3及びそれぞれの第1電極5A表面に半導体領域4Sに対応する部分が除外されるように半導体絶縁層4Iを形成する。導体絶縁層4Iは、複数の半導体領域4Sに対応する部分が除外されるように基板3の表面に形成された第1電極5Aの表面に、半導体絶縁層4Iの原料を分散させた塗料を印刷又はインクジェット印刷することにより形成する。又は、半導体絶縁層4Iは、半導体絶縁層4Iの原料となる酸化物を、真空成膜等により複数の半導体領域4Sに対応する部分が除外されるように第1電極5Aの表面に成膜することにより形成される。半導体絶縁層4Iに樹脂を用いる場合には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の一般的なLED封止材に、絶縁性及び放熱性に優れた無機物質例えば、Al2O3、MgO、AlN、BN等が混合されたものを使用することができる。また半導体絶縁層4Iを樹脂以外で形成する場合には、Al2O3、MgO、AlN、BN等を真空成膜して形成することができる。これらの材料は、放熱性に優れ、かつ絶縁性を有するので、発光部2で発生した熱を発光体1の外部に効率よく伝えることができる。その結果、発光体1の昇温を抑制して、耐久性低下を抑制できるので好ましい。印刷により半導体絶縁層4Iを形成する場合、所望のパターンのスクリーン版を使用することができる。真空成膜により半導体絶縁層4Iを形成する場合、所望のパターンに加工したメタルマスクを介して、半導体領域4Sに対応する部分が除外されるように半導体絶縁層4Iを成膜し形成する。半導体絶縁層4Iが第1電極5Aの表面に形成されたら、樹脂を使用した場合のみ乾燥して硬化させる。このようにして、半導体絶縁層4Iが第1電極5Aの表面に形成される。次に、半導体領域4Sを形成する。本実施形態においては、半導体領域4Sとなる半導体の粒子を分散させた塗料を半導体絶縁層4Iの間、つまり第1電極5A表面に塗布することにより、複数の半導体領域4Sを形成する。前記塗料は、半導体領域4Sの材料、本実施形態ではP型の半導体材料粒子と、有機溶剤とを混合し、これらを分散させることにより作製される分散溶液である。この塗料を用いて、スクリーン印刷又はインクジェット印刷等により、半導体領域4Sのパターンで第1電極5Aの表面に印刷することにより、半導体領域4Sを形成する。印刷後、塗料を乾燥させて、圧縮加工を施す。このようにして第1の半導体層4Aが第1電極5Aの表面に形成される。半導体領域4Sは、透明又は半透明の半導体材料粒子の集合体である。このため、発光部2で発光した光は、半導体材料粒子を透過し散乱されることにより、発光体1の輝度ムラが低減される。次に、半導体領域4S及び半導体絶縁層4Iの表面に第2の半導体層4Bを形成する。本実施形態においては、第2の半導体層4Bの半導体粒子を分散させた塗料を半導体領域4S及び半導体絶縁層4Iの表面に塗布することにより、第1の半導体層4Aを形成する。前記塗料は、第2の半導体層4Bの材料、本実施形態ではN型の半導体材料粒子と、有機溶剤とを混合し、これらを分散させることにより、分散溶液を作製する。この分散溶液を塗料とする。この塗料を用いて、スクリーン印刷又はインクジェット印刷等により、半導体領域4S及び半導体絶縁層4Iの表面に印刷することにより、第2の半導体層4Bを形成する。印刷後、塗料を乾燥させて、圧縮加工を施すことにより、P/N又はN/P接合が形成される。本実施形態においては、第2の半導体層4B及び第1の半導体層4Aが有する半導体領域4Sは、いずれも半導体材料粒子の集合体である。このため、第2の半導体層4Bと第1の半導体層4Aが有する半導体領域4SとのP/N又はN/P接合は、半導体粒子によるP/N又はN/P接合となる。本実施形態においては、第2の半導体層4Bと第1の半導体層4Aが有する半導体領域4Sは、半導体材料粒子の集合体である。このため、発光部2で発光した光は、前記半導体材料粒子により散乱することにより、発光体1の輝度ムラが低減される。次に、第2の半導体層4Bの表面に第2電極5Bを形成する。この例において、第2電極5Bは、透明電極である。第1電極5A及び第2電極5Bは、P/N又はN/P接合部分の取出し電極となる。第2電極5Bは、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。例えば、ITO、ZnO、SnO2、TiO2等を第2電極5Bとして用いることができる。これらの材料を、例えば、第2の半導体層4Bの表面に真空成膜又は塗布することによって第2電極5Bを形成する。次に、第2電極5Bの表面に保護層6を形成して、発光体1が完成する。保護層6も、第2電極5B同様に、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。保護層6は、材料を、例えば、第2電極5Bの表面に真空成膜又は塗布することによって形成する。このような工程により、発光体1を製造することができる。本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体材料等と溶剤とを混合して得られた塗料を印刷又は塗布等することにより、半導体層及び電極等を形成して発光体を製造する。このように、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体層及び電極の材料を含む塗料を用いるので、比較的簡易なプロセスで、比較的安価に発光体を製造することができる。また、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体層等を形成する対象基板の形状又は材質に対する自由度が大きい。例えば、柔軟性のあるフィルムに半導体層等を形成したり、曲面に半導体層を形成したりすることができる。その結果、本実施形態に係る発光体の製造方法は、さまざまな形状又は仕様の、面発光する発光体を製造することができる。評価例図5に示した本実施形態の発光制御装置8を用いて発光体1を駆動制御して発光させ、性能を評価した。評価した発光体1は、図1に示すように、発光部2が格子状に配列されたものである。発光部2の直径は200μm、発光部2同士の配列間隔Pは1mm、電圧振幅Aは3V、K=4、9、16、25、発光部2に印加される電圧の周波数f=1kHzとした。なお、分割領域20は、H=2、3、4、5とし、X方向に2、3、4、5個、Y方向に2、3、4、5個の発光部2を有するものとした。表1は、輝度ムラ、消費電力及び発熱の評価結果である。これらの評価においては、Kを4、9、16、25とした。表1中において、☆は特に優れる、◎は優れる、○は標準、△はやや劣る、×は劣ることを示す。表1の結果から、Kが大きくなるほど輝度ムラが生じてしまう均一性がない。なお、輝度ムラとは、発光体1の発光面全体で見たときに輝度の均一性が有るか否かについての評価である。消費電力は、Kが大きくなるほど優れる、すなわち、少なくなる。同様に、発熱も、Kが大きくなるほど優れる、すなわち、少なくなる。これらの評価結果から、Kは4以上16以下が好ましい。なお、K=25の評価は△ではあるが、発光体1の実用上許容できる範囲である。表2には、発光部2に印加される電圧の周波数fが、発光体1から放射される光のちらつき、消費電力及び発熱に与える影響を評価した結果を示す。表2中において、☆は特に優れる、◎は優れる、○は標準、△はやや劣る、×は劣ることを示す。この評価においては、K=4とした。分割領域20は、H=2であり、X方向に2個、Y方向に2個の発光部2を有するものを用いた。常時点灯とは、発光部2に一定の直流電圧を印加したものである。表2の結果から、周波数fが大きくなるほど、発光体1から放射される光のちらつきは改善される。なお、ちらつきは、常時点灯が最も優れるちらつきが少ない。消費電力は、周波数が大きくなるほど評価が低い、すなわち、消費電力が増加する。同様に、発熱も、周波数が大きくなるほど評価が低い、すなわち、発熱が増加する。なお、消費電力、発熱は、いずれも常時点灯が最も大きくなる。周波数が大きくなるほど、発光部の点灯頻度が多くなるがゆえに、ちらつきは改善されるが、消費電力,発熱は増加してしまう。これらの結果から、発光部2に印加される電圧の周波数fは、100Hz以上1MHz以下が好ましい。"