半導体装置の電気的特性を、前記半導体装置の等価回路を用いて、抽出するシミュレーション方法であって、前記半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、III族窒化物半導体で構成されている第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され、第1の半導体層よりも大きい禁止帯幅を有し、かつ、III族窒化物半導体で構成されている第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に、互いに離間して形成されている第1のソース電極及び第2のソース電極と、前記第2の半導体層の上に、かつ、前記第1のソース電極及び前記第2のソース電極の間に互いに離間して形成されている第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、前記第2の半導体層、前記第1のソース電極、前記第2のソース電極、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の上部を、前記第1のソース電極、前記第2のソース電極、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極のそれぞれの少なくとも一部が露出するように形成されている保護膜とを備えており、前記等価回路は、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する第1のトランジスタと、ゲート電極と、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されているソース電極と、ドレイン電極とを有する第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのゲート電極及びソース電極の間に、かつ、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されている第1のコンデンサと、前記第2のトランジスタのゲート電極及びソース電極の間に、かつ、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されており、温度に依存する抵抗値を有する第1の抵抗と、前記第2のトランジスタのゲート電極及び第1の抵抗の間に、電気的に接続されている第1のスイッチと、前記第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されている第2の抵抗と、前記第2のトランジスタのゲート電極及び第1の抵抗の間に、電気的に接続されている第2のスイッチと、前記第2のトランジスタのソース電極、前記第1のトランジスタのドレイン電極、及び前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記第2の抵抗と電気的に接続されている第2の端部とを有する第2のコンデンサと、前記第2のトランジスタのソース電極及び前記第1のトランジスタのドレイン電極と、前記第2のコンデンサの第2の端部との間に、電気的に接続されている第3のスイッチと、前記第1のトランジスタのゲート電極及び前記第2のコンデンサの第2の端部の間に、電気的に接続されている第4のスイッチと、前記第1のトランジスタのソース電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記第2のコンデンサの第1の端部と電気的に接続されている第2の端部とを有するソース寄生インダクタンスと、前記第2のコンデンサの第1の端部と前記ソース寄生インダクタンスの第2の端部との間に、電気的接続されている第5のスイッチと、前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されており、かつ、前記第2のコンデンサの第2の端部と前記第4のスイッチを介して電気的に接続されている正端子と、前記ソース寄生インダクタンスの第2の端部と電気的に接続されている負端子とを有するパルス電源と、前記第2のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記ソース寄生インダクタンスと電気的に接続されている第2の端部とを有するドレイン寄生インダクタンスとを含み、前記2のコンデンサに、前記第1のトランジスタの閾値電圧より小さい第1の電圧が充電されている状態で、前記パルス電源により前記第1のトランジスタのゲート電極とソース電極との間に第1の電圧を印加し、かつ、前記第1のスイッチ15をオフにし、第1のスイッチ15をオフにし、第2のスイッチ16をオンにし、第3のスイッチ17をオンにし、第4のスイッチ24をオフにし、第5のスイッチ25をオフにする第1のステップと、前記パルス電源により前記パルス電源により前記第1のトランジスタのゲート電極とソース電極との間に、前記第1のトランジスタの閾値電圧以上の第2の電圧を印加し、第1のスイッチ15をオンにし、第2のスイッチ16をオフにし、第3のスイッチ17をオフにし、第4のスイッチ24をオンにし、第5のスイッチ25をオンにする第2のステップとを含み、前記2のステップにおいて、前記第1の抵抗の温度に依存する抵抗値を用いて、前記第2のトランジスタのドレイン電極から前記第2のトランジスタのソース電極に流れる電流の時間変化を算出する、シミュレーション方法。半導体装置の電気的特性を、前記半導体装置の等価回路を用いて、抽出するシミュレーション装置であって、前記半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、III族窒化物半導体で構成されている第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され、第1の半導体層よりも大きい禁止帯幅を有し、かつ、III族窒化物半導体で構成されている第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に、互いに離間して形成されている第1のソース電極及び第2のソース電極と、前記第2の半導体層の上に、かつ、前記第1のソース電極及び前記第2のソース電極の間に互いに離間して形成されている第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、前記第2の半導体層、前記第1のソース電極、前記第2のソース電極、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の上部を、前記第1のソース電極、前記第2のソース電極、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極のそれぞれの少なくとも一部が露出するように形成されている保護膜とを備えており、前記等価回路は、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する第1のトランジスタと、ゲート電極と、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されているソース電極と、ドレイン電極とを有する第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのゲート電極及びソース電極の間に、かつ、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されている第1のコンデンサと、前記第2のトランジスタのゲート電極及びソース電極の間に、かつ、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されており、温度に依存する抵抗値を有する第1の抵抗と、前記第2のトランジスタのゲート電極及び第1の抵抗の間に、電気的に接続されている第1のスイッチと、前記第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されている第2の抵抗と、前記第2のトランジスタのゲート電極及び第1の抵抗の間に、電気的に接続されている第2のスイッチと、前記第2のトランジスタのソース電極、前記第1のトランジスタのドレイン電極、及び前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記第2の抵抗と電気的に接続されている第2の端部とを有する第2のコンデンサと、前記第2のトランジスタのソース電極及び前記第1のトランジスタのドレイン電極と、前記第2のコンデンサの第2の端部との間に、電気的に接続されている第3のスイッチと、前記第1のトランジスタのゲート電極及び前記第2のコンデンサの第2の端部の間に、電気的に接続されている第4のスイッチと、前記第1のトランジスタのソース電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記第2のコンデンサの第1の端部と電気的に接続されている第2の端部とを有するソース寄生インダクタンスと、前記第2のコンデンサの第1の端部と前記ソース寄生インダクタンスの第2の端部との間に、電気的接続されている第5のスイッチと、前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されており、かつ、前記第2のコンデンサの第2の端部と前記第4のスイッチを介して電気的に接続されている正端子と、前記ソース寄生インダクタンスの第2の端部と電気的に接続されている負端子とを有するパルス電源と、前記第2のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記ソース寄生インダクタンスと電気的に接続されている第2の端部とを有するドレイン寄生インダクタンスとを含み、前記2のコンデンサに、前記第1のトランジスタの閾値電圧より小さい第1の電圧値の入力を受け付ける入力部と、前記2のコンデンサに、前記第1の電圧が充電されている状態で、前記パルス電源により前記第1のトランジスタのゲート電極とソース電極との間に第1の電圧を印加し、かつ、前記第1のスイッチ15をオフにし、第1のスイッチ15をオフにし、第2のスイッチ16をオンにし、第3のスイッチ17をオンにし、第4のスイッチ24をオフにし、第5のスイッチ25をオフにする第1のステップと、前記パルス電源により前記パルス電源により前記第1のトランジスタのゲート電極とソース電極との間に、前記第1のトランジスタの閾値電圧以上の第2の電圧を印加し、第1のスイッチ15をオンにし、第2のスイッチ16をオフにし、第3のスイッチ17をオフにし、第4のスイッチ24をオンにし、第5のスイッチ25をオンにする第2のステップを実行する制御部と、前記2のステップにおいて、前記第2のトランジスタのドレイン電極から前記第2のトランジスタのソース電極に流れる電流の時間変化を演算する演算部と、を備えたシミュレーション装置。図6に、特許文献1に示すシミュレーション方法を示す。図6に示すシミュレーション方法は、ある周波数、ある駆動電圧、ある動作温度での電流コラプス現象が生じた場合での半導体装置の電流特性を再現するモデルパラメータを、それぞれの条件で1つ1つ求める。しかし、電流コラプス現象が半導体装置の電流特性に及ぼす影響は、条件の変化と共に動的に変化し、同一の回路上で同一の動作をさせる場合でも、その影響は動的に変化する可能性がある。すなわち、1つの条件における電流コラプス現象の影響を考慮したパラメータを抽出しても、動的に変化する状況に対応しきれない。そこで、本発明は、半導体装置における電流コラプス現象の電流特性への影響を再現できるシミュレーション方法を提供する。本発明は、半導体装置の電気的特性を、前記半導体装置の等価回路を用いて、抽出するシミュレーション方法であって、前記半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され、III族窒化物半導体で構成されている第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成され、第1の半導体層よりも大きい禁止帯幅を有し、かつ、III族窒化物半導体で構成されている第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に、互いに離間して形成されている第1のソース電極及び第2のソース電極と、前記第2の半導体層の上に、かつ、前記第1のソース電極と前記第2のソース電極との間に互いに離間して形成されている第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、前記第2の半導体層、前記第1のソース電極、前記第2のソース電極、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極の上部を、前記第1のソース電極、前記第2のソース電極、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極のそれぞれの少なくとも一部が露出するように形成されている保護膜とを備えており、前記等価回路は、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する第1のトランジスタと、ゲート電極と、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されているソース電極と、ドレイン電極とを有する第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのゲート電極とソース電極の間に、かつ、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されている第1のコンデンサと、前記第2のトランジスタのゲート電極とソース電極の間に、かつ、前記第1のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されており、温度に依存する抵抗値を有する第1の抵抗と、前記第2のトランジスタのゲート電極と第1の抵抗との間に、電気的に接続されている第1のスイッチと、前記第2のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されている第2の抵抗と、前記第2のトランジスタのゲート電極と第1の抵抗との間に、電気的に接続されている第2のスイッチと、前記第2のトランジスタのソース電極、前記第1のトランジスタのドレイン電極、及び前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記第2の抵抗と電気的に接続されている第2の端部とを有する第2のコンデンサと、前記第2のトランジスタのソース電極及び前記第1のトランジスタのドレイン電極と、前記第2のコンデンサの第2の端部との間に、電気的に接続されている第3のスイッチと、前記第1のトランジスタのゲート電極と前記第2のコンデンサの第2の端部との間に、電気的に接続されている第4のスイッチと、前記第1のトランジスタのソース電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記第2のコンデンサの第1の端部と電気的に接続されている第2の端部とを有するソース寄生インダクタンスと、前記第2のコンデンサの第1の端部と前記ソース寄生インダクタンスの第2の端部との間に、電気的接続されている第5のスイッチと、前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されており、かつ、前記第2のコンデンサの第2の端部と前記第4のスイッチを介して電気的に接続されている正端子と、前記ソース寄生インダクタンスの第2の端部と電気的に接続されている負端子とを有するパルス電源と、前記第2のトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されている第1の端部と、前記ソース寄生インダクタンスと電気的に接続されている第2の端部とを有するドレイン寄生インダクタンスとを含み、前記2のコンデンサに、前記第1のトランジスタの閾値電圧より小さい第1の電圧が充電されている状態で、前記パルス電源により前記第1のトランジスタのゲート電極とソース電極との間に第1の電圧を印加し、かつ、前記第1のスイッチ15をオフにし、第1のスイッチ15をオフにし、第2のスイッチ16をオンにし、第3のスイッチ17をオンにし、第4のスイッチ24をオフにし、第5のスイッチ25をオフにする第1のステップと、前記パルス電源により前記パルス電源により前記第1のトランジスタのゲート電極とソース電極との間に、前記第1のトランジスタの閾値電圧以上の第2の電圧を印加し、第1のスイッチ15をオンにし、第2のスイッチ16をオフにし、第3のスイッチ17をオフにし、第4のスイッチ24をオンにし、第5のスイッチ25をオンにする第2のステップとを含み、前記2のステップにおいて、前記第1の抵抗の温度に依存する抵抗値を用いて、前記第2のトランジスタのドレイン電極から前記第2のトランジスタのソース電極に流れる電流の時間変化を算出する。本発明のシミュレーション方法等によれば、半導体装置における電流コラプス現象の電流特性への影響を再現できる。第一の実施形態以下、第一の実施の形態について、図面を参照して説明する。第一の実施の形態に係る発明は、等価回路200を用いて、半導体装置100の電気的特性のシミュレーション方法である。<半導体装置の構成>図1は、半導体装置100の構成の断面図である。半導体装置100は、基板1と、第1の半導体層2と、第2の半導体層3と、コントロール層4と、ソース電極5と、ドレイン電極6と、ゲート電極7と、保護膜8とを備える。基板1の上に、第1の半導体層2が形成されている。基板1の材料は、例えば、シリコンSiである。第1の半導体層2の材料は、III族窒化物半導体である。第1の半導体層2の材料は、例えば、i-GaNである。第1の半導体層2の上に、第2の半導体層3が形成されている。第2の半導体層3の材料は、III族窒化物半導体である。第2の半導体層3の材料は、第1の半導体層2の材料と比べて、大きい禁止帯幅バンドギャップが有する。第2の半導体層3の材料は、例えば、i-AlGaNである。第2の半導体層3の上に、コントロール層4と、ソース電極5と、ドレイン電極6とが互いに離間して形成されている。ソース電極5及びドレイン電極6の材料は、例えば、金とチタンの合金である。コントロール層4の材料は、p型の導電性を有するIII族窒化物半導体である。例えば、p-AlGaNである。コントロール層4の上に、ゲート電極7が形成されている。ゲート電極7の材料は、例えば、金とチタンの合金である。第2の半導体層2及びコントロール層4の表面を覆うように、保護膜8が形成されている。ソース電極5、ドレイン電極6、及びゲート電極7のそれぞれは、少なくとも一部の表面は、保護膜8に覆われていない。<等価回路の構成>図2に、半導体装置100の電気的特性のシミュレーションに用いる等価回路200を示す。等価回路200は、第1のトランジスタ9と、第2のトランジスタ10と、第1のコンデンサ11と、第1の抵抗12と、第2のコンデンサ13と、第2の抵抗14と、ソース寄生インダクタンス18と、ドレイン寄生インダクタンス19と、第1のスイッチ15と、第2のスイッチ16、第3のスイッチ17と、第4のスイッチ24と、第5のスイッチ25とを備える。なお、パルス電源23と、ドレイン負荷26と、直流電源27とは、等価回路200に含まれないが、等価回路200を用いたシミュレーションに必要なため、便宜上記載している。つまり、半導体装置100を表す回路は、等価回路200である。ただし、等価回路200と、パルス電源23と、ドレイン負荷26と、直流電源27を含む回路を、半導体装置100の電気的特性をシミュレーションに用いる等価回路と表記することもある。本願発明者らは、等価回路200において、電流コラプス現象の原因のトラップに相当する積分回路を、第2のトランジスタ10に相当する仮想トランジスタのゲート電極101とソース電極102の間に構成することによって、電流コラプス現象をシミュレーションすることができる知見を見出した。積分回路は、第1のコンデンサ11、第2のコンデンサ13、第1の抵抗12、第2の抵抗14、第1のスイッチ15、第2のスイッチ16、及び第3のスイッチ17を意味する。<第1のトランジスタ9>第1のトランジスタ9は、ゲート電極91と、ソース電極92と、ドレイン電極93とを有する。第2のトランジスタ10は、ゲート電極101と、ソース電極102と、ドレイン電極103とを有する。第1のトランジスタ9のドレイン電極93と、第2のトランジスタ10のソース電極102とは電気的に接続されている。第1のトランジスタ9は、ノーマリーオフトランジスタである。ノーマリーオフトランジスタは、印加される電圧が0の時は導通しない。第2のトランジスタ10は、ノーマリーオントランジスタである。ノーマリーオントランジスタは、印加される電圧が0の時に導通する。<第2のトランジスタ10>第2のトランジスタ10は、第1のトランジスタ9とは異なるパラメータを有する。具体的には、第1のトランジスタ9におけるゲート電極91の閾値電圧は正である。第2のトランジスタ10におけるゲート電極101の閾値電圧は負である。第1のトランジスタ9のゲート電極91とソース電極92との間の容量値は、ゲート電極91とソース電極92との電位差に依存する0よりも大きな有限値である。第1のトランジスタ9のゲート電極91とドレイン電極93との間の容量値は、ゲート電極91とドレイン電極93との電位差に依存する0よりも大きな有限値である。第1のトランジスタ9のソース電極92とドレイン電極93との間の容量値は、ソース電極92とドレイン電極93との電位差に依存する0よりも大きな有限値である。第2のトランジスタ10のゲート電極101とソース電極102との間の容量値、ゲート電極101とドレイン電極103との間の容量値、およびソース電極102とドレイン電極103との間の容量値は、常に0である。また、第2のトランジスタ10のトランスコンダクタンスは、第1のトランジスタ9のトランスコンダクタンスより十分小さい。トランスコンダクタンスとは、ドレイン電極からソース電極に流れる電流をゲート電圧で微分した値である。ここで、十分小さいとは、例えば、100分の1以下を意味する。<第1のコンデンサ11及び第2のコンデンサ13>第2のトランジスタ10のゲート電極101とソース電極102との間に、第1のコンデンサ11と、第1の抵抗12と、第2の抵抗14及び第2のコンデンサ13とが並列に接続されている。<第1の抵抗12、第2の抵抗14、及び各スイッチ>第2の抵抗14の第1の端部141は、第2のコンデンサ13の第2の端部132と接続されている。第2の抵抗14の第2の端部142とゲート電極101との間に、第2のスイッチ16が接続されている。第2スイッチ16のオン及びオフにより、第2の抵抗14の第2の端部142とゲート電極101との間の電気的接続を制御できる。第2のコンデンサ13の第1の端部131とソース電極102との間に、第3のスイッチ17が接続されている。第3スイッチ17のオン及びオフにより、第2のコンデンサ13の第1の端部131とソース電極102との間の電気的接続を制御できる。ゲート電極101と第1の抵抗12との間に、第1のスイッチ15が接続されている。第1のスイッチ15のオン及びオフにより、第1の抵抗12とゲート電極101との間の電気的接続を制御できる。ゲート電極101と第2の抵抗14との間に、第2のスイッチ16が接続されている。第2のスイッチ16のオン及びオフにより、第2の抵抗14とゲート電極101とのオン及びオフを制御できる。ソース電極102と第2のコンデンサ13との間に、第3のスイッチ17が接続されている。第3のスイッチ17のオン及びオフにより、第2のコンデンサ13とソース電極102との間の電気的接続を制御できる。ゲート電極20と第2のコンデンサ13の第1の端部131との間に、第4のスイッチ24が接続されている。第4のスイッチ24のオン及びオフにより、第2のコンデンサ13の第1の端部131とゲート電極20との間の電気的接続を制御できる。ソース電極21と第2のコンデンサ13の第2の端部132との間に、第5のスイッチ25が接続されている。第5のスイッチ25のオン及びオフにより、第2のコンデンサ13の第2の端部132とソース電極21との間の電気的接続を制御できる。<ソース寄生インダクタンス18>ソース寄生インダクタンス18は、図1に示す半導体装置100において、ゲート電圧の急激な上昇時や下降時に見られる、ドレイン電極からソース電極に流れる電流の時間変化の遅延に影響を与える特性を意味する。ソース寄生インダクタンス18は、例えば、半導体装置100のソース電極5及び半導体装置100を梱包しているパッケージと、半導体装置100のソース電極5及びパッケージを電気的に接続しているワイヤとのインダクタンスの和を表している。ソース寄生インダクタンス18の第1の端部181は、第1のトランジスタ9のソース電極92と電気的に接続している。ソース寄生インダクタンス18の第2の端部182はソース電極21と電気的に接続している。<ドレイン寄生インダクタンス19>ドレイン寄生インダクタンス19は、図1に示す実際の半導体装置100において、ソース寄生インダクタンス18と同様に、ゲート電圧の急激な上昇時や下降時に見られる、ドレイン電極からソース電極に流れる電流の時間変化の遅延に影響を与える特性を意味する。ドレイン寄生インダクタンス19は、例えば、半導体装置100のドレイン電極6及び半導体装置100を梱包しているパッケージと、半導体装置100のドレイン電極6及びパッケージを電気的に接続しているワイヤのインダクタンスの和を表している。ドレイン寄生インダクタンス19の第1の端部191は第2のトランジスタ10のドレイン電極103と電気的に接続している。また、第2の端部192はドレイン電極22と電気的に接続している。<ソース電極21、ドレイン電極22、直流電源27>ソース電極21は、グラウンドに電気的に接続されている。ドレイン電極22は、ドレイン負荷26の第1の端部261と電気的に接続されている。ドレイン負荷26の大の端部262は、直流電源27の正端子271と電気的に接続されている。直流電源27の負端子272は、ソース電極21に電気的に接続されている。<パルス電源23>等価回路200に含まれる各構成の電気的特性の時間変化をシミュレートするためには、ゲート電極20とソース電極21の間に、パルス電源23が必要である。以下にパルス電源23と等価回路200との接続関係について記述する。第2コンデンサ13の第1の端部131は、第4のスイッチ24を介して、パルス電源23の正端子231と電気的に接続されている。第2のコンデンサ13の第2の端部132は、第5のスイッチ25を介して、パルス電源23の負端子232と電気的に接続されている。第1の端部131と第2の端部132との電位差電圧は、パルス電源23が第1のトランジスタ9を動作させるために印加するオン電圧と等しくなるよう設定する。具体的には、等価回路200を制御するシミュレーション装置300により、第2のコンデンサ13の第1の端部131と第2の端部132とのシミュレーション開始時の電位差が、パルス電源23が第1のトランジスタ9を動作させるために印加するオン電圧と等しくなるように、数値で具体的な値を入力する。シミュレーション装置300については、後述する。パルス電源23の正端子231と第1のトランジスタ9のゲート電極91との間に、ゲート電極20は接続されている。第1のトランジスタ9のソース電極92は、ソース寄生インダクタンス18の第1の端部181と接続されている。パルス電源23の負端子232とソース寄生インダクタンス18の第2の端部182との間に、ソース電極21が接続されている。第2のトランジスタ10のドレイン電極103は、ドレイン寄生インダクタンス19の第1の端部191と接続されている。ドレイン寄生インダクタンス19の第2の端部192はドレイン電極22と接続されている。パルス電源23のオン電圧を第1のトランジスタ9の閾値電圧以上に設定し、オフ電圧を第1のトランジスタ9の閾値電圧以下に設定することにより、第1のトランジスタ9の動作のオン及びオフを制御する。<シミュレーション方法>図2に示す等価回路200を用いて、パルス電源23のオン状態とオフ状態を周期的に繰り返したときの、半導体装置100のドレイン電極6とソース電極5の間を流れる電流の時間変化のシミュレーションする方法を説明する。シミュレーション方法をパラメータ抽出方法とも表記する。ここで、パルス電源23のオン状態とは、パルス電源23が第1のトランジスタ9の閾値電圧以上の電圧を出力している状態である。パルス電源23のオフ状態とは、パルス電源23が第1のトランジスタ9の閾値電圧以下の電圧を出力している状態である。ステップS1第2のコンデンサ13に予め充電する。シミュレーション装置300による初期設定にて、充電された電圧を具体的な数字で入力する。第2のコンデンサ13に充電されている電圧の大きさは、後述するパルス電源23が第1のトランジスタ9のゲート電極91とソース電極92との間に印加する電圧と等しい。ステップS2パルス電源23により、ゲート電極91とソース電極92との間に、第1のトランジスタ9の閾値電圧より小さい電圧を印加する。パルス電源23により、ソース電極91とゲート電極92との間に電圧を印加した状態で、第1のスイッチ15をオフにし、第2のスイッチ16をオンにし、第3のスイッチ17をオンにし、第4のスイッチ24をオフにし、第5のスイッチ25をオフにする。第2のコンデンサ13の電荷が、第1のコンデンサ11に充電される。その結果、第2のトランジスタ10はオフ状態になる。ドレイン電極103およびソース電極102の間には電流は流れない。ステップS3パルス電源23により、第1のトランジスタ9のゲート電極91とソース電極92との間に、閾値以上の電圧を印加する。閾値以上の電圧を印加されることにより、第1のトランジスタ9はオン状態となる。ゲート電極91とソース電極92との間に電圧を印加した状態で、第1のスイッチ15をオンにし、第2のスイッチ16をオフにし、第3のスイッチ17をオフにし、第4のスイッチ24をオンにし、第5のスイッチ25をオンにする。第1のコンデンサ11に充電されていた電荷は、第1の抵抗12を介して、第1のコンデンサ11の容量値と第1の抵抗12の抵抗値で決まるオン時の時定数で、第1のトランジスタ9およびソース寄生インダクタンス18を介してグラウンドに放電される。第1のコンデンサ11の電荷が放電されることにより、第2のトランジスタ10のゲート電極101とソース電極102との間の電位差が小さくなる。ゲート電極101とソース電極102との間の電位差が、第2のトランジスタ10の閾値電圧の絶対値より小さくなったとき、ドレイン負荷26および直流電源27を介して第2のトランジスタ10のドレイン電極103からソース電極102に電流が流れ始める。具体的には、第1のコンデンサ11の容量値と第1の抵抗12の抵抗値で決まるオン時の時定数で時間的に変化しながら、ドレイン電極103とソース電極102との間の電流は増加する。第1の抵抗12の抵抗値を、温度に依存する値に設定することにより、電流が流れるオン時の時定数を制御することができる。電流コラプス現象は、温度に依存する現象である。よって、第1の抵抗12の温度依存性を用いて、ドレイン電極103からソース電極102に流れる電流の時定数の温度依存性を算出することができる。抵抗の温度依存性式は2種類あり、1つは線形関数による表現、もう1つは指数関数による表現である。以下にその式を示す。TC1は、一次の線形係数であり、TC2は二次の線形係数であり、TCEは指数関数の係数である。また、Tnomは基準となる温度、Rは温度がTnomの時の抵抗値である。これら2式のどちらを選択するかは、ドレイン電極103からソース電極102に流れる電流のオン時の時定数の温度依存性のシミュレーション結果が実測値によりフィットする方を選択する。ステップS4再び、パルス電源23により、ゲート電極91とソース電極92との間に、第1のトランジスタ9の閾値電圧以下の電圧を印加する。パルス電源23により、ソース電極91とゲート電極92との間に電圧を印加した状態で、第1のスイッチ15をオフにし、第2のスイッチ16をオンにし、第3のスイッチ17をオンにし、第4のスイッチ24をオフにし、第5のスイッチ25をオフにする。第2のコンデンサ13の電荷が、第1のコンデンサ11の容量値と第2の抵抗14の抵抗値で決まるオフ時の時定数で、第1のコンデンサ11に充電される。その結果、前記オフ時の時定数で、ドレイン電極103からソース電極102に流れる電流が時間的に減少しながら、第2のトランジスタ10はオフ状態になる。第2の抵抗14の抵抗値を、温度に依存する値に設定することにより、電流が流れなくなるオフ時の時定数を制御することができる。電流コラプス現象は、温度に依存する現象である。よって、第2の抵抗14の温度依存性を用いて、ドレイン電極103からソース電極102に流れる電流のオフ時の時定数の温度依存性を算出することができる。抵抗の温度依存性式はステップS3で記述したのと同様に2種類の式で表され、2式のどちらを選択するかは、ドレイン電極103からソース電極102に流れる電流のオフ時の時定数の温度依存性のシミュレーション結果が実測値によりフィットする方を選択する。ここで、この等価回路200において、各コンデンサや各抵抗の値を抽出する方法について述べる。第1のコンデンサ11の容量値C1は、任意の値とする例えば1nFとする。第2のコンデンサ13の容量値C2は、第1のコンデンサ11の容量値C1の所定の範囲より大きいことが好ましい。例えば、第2のコンデンサ13の容量値C2は、第1のコンデンサ11の容量値C1の100倍以上の値とする。なぜなら、第2のコンデンサ13に充電されていた電荷が放電する際に、第1のコンデンサ11の容量値C1と第2のコンデンサ13の容量値C2が近い値、例えば同じ値だと、第2のコンデンサ13に充電されていた電圧が半分しか第1のコンデンサ11に充電されない。数3及び数4に、具体的な式を示す。ここで、Qは第2のコンデンサ13に充電されていた電荷量の半分であり、C1は第1のコンデンサ11の容量値であり、V1は第1のコンデンサ11の電圧であり、C2は第2のコンデンサ13の容量値であり、V2は第2のコンデンサ13の電圧である。前述のように、C1=C2の場合はV1=V2となり、V1V2=第2のコンデンサ13に充電されていた電圧である。よって、V1及びV2は、第2のコンデンサ13に充電されていた電圧の半分となる。しかし、C1×100=C2の場合は、V1=100×V2となり、第2のコンデンサ13に充電されていた電圧をV1とV2とで100:1で分配することになる。そのため、第2のコンデンサ13に充電されていた電圧の101分の100が第1のコンデンサ11に充電される。C1×100=C2の100が大きければ大きいほど、第2のコンデンサ13に充電されていた電圧のうち多くの電圧が、第1のコンデンサ11に充電されることになる。第2のコンデンサ13に充電されていた多くの電圧が、第1のコンデンサ11に充電されなければ、電流コラプス現象を再現できない。各抵抗の値は、スイッチングのオン、オフ時の時定数の実測値から抽出する。スイッチングのオン時の時定数t1は、第1のコンデンサ11の容量値C1と第1の抵抗12の抵抗値R1から、以下のように求まる。同様に、スイッチングのオフ時の時定数t2は、第1のコンデンサ11の容量値C1と第2の抵抗14の抵抗値R2から、以下のように求まる。ここで時定数t1、t2とは、ドレイン電極22からソース電極21へ流れる電流がスイッチングした瞬間の値から、e自然対数の底分の1、即ち37になるまでの時間である。上記の方法で、図2に示す等価回路200を用いて、パルス電源23のオン状態とオフ状態を周期的に繰り返したときの、半導体装置100の電流コラプス現象を考慮したドレイン電極6とソース電極5の間を流れる電流の時間変化をシミュレーションすることができる。例えば、第1のコンデンサ11は所定の範囲の容量値を有し、第2のコンデンサ13は第1のコンデンサ11の容量値の100倍以上の容量値を有する。また、第2の抵抗14の値は、スイッチオン時の実測のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流の時定数を第2のコンデンサ13の容量値で割った値とする。第1の抵抗13の値は、スイッチオフ時の実測のソース電極とドレイン電極との間を流れる電流の時定数を第1のコンデンサ11の容量値で割った値とする。第1の抵抗12の値と第2の抵抗14の値は、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流のスイッチング時の時定数の温度依存性に合わせて、温度依存パラメータを設定する。<シミュレーション装置>図3に、本実施の形態のシミュレーション方法を実行するシミュレーション装置300の構成を示す。図3に示すシミュレーション装置300は、入力部28と、制御部29と、演算部30と、記憶部31と、出力部32とを備える。入力部28は、図2に示す等価回路200の第1のトランジスタ9、第2のトランジスタ10、第1のコンデンサ11、第1の抵抗12、第2のコンデンサ13、第2のコンデンサ14、ソース寄生インダクタンス18、ドレイン寄生インダクタンス19の電気的特性を算出するためのパラメータおよびシミュレーション時間を入力する。また、Sステップ1において、入力部28により、第2のコンデンサ13の充電する値を入力する。パラメータとは、例えば、トランジスタの特性を決定する閾値電圧、トランスコンダクタンス、各電極間の容量値など、及び各コンデンサの容量値、各抵抗の抵抗値や各インダクタンスのインダクタ値である。シミュレーション時間とは、シミュレーション結果を求めたい時間、例えば、回路動作を開始してから100ms後までの結果を求めたい場合は、100msがシミュレーション時間であることを意味する。入力部28は、例えば、ユーザの入力を受け付けるキーボード、又は、設定する電気的特性を算出するためのパラメータやシミュレーション時間のテキストを読み取るスキャナー等から構成される。制御部29は、入力部28に入力されたパラメータやシミュレーション時間に基づいて、後述する演算部30にシミュレーション開始時から終了時までのタイムステップごとの上記等価回路200の構成部品の各端部間を流れる電流および各端部の電圧を算出するように指令を出す。また、後述する記憶部31から前記電気的特性を算出するためのパラメータやシミュレーション開始時から終了時までのタイムステップごとの上記等価回路200の構成部品の各端部間を流れる電流および各端部の電圧を取得し、演算部30に送信する。また、演算部30が行ったシミュレーション開始時から終了時までのタイムステップごとの上記等価回路200の構成部品の各端部間を流れる電流および各端部の電圧の算出結果を記憶部31に送信する。制御部29は、例えば、CPU等で構成される。演算部30は、第1のトランジスタ9、第2のトランジスタ10、第1のコンデンサ11、第1の抵抗12、第2のコンデンサ13、第2のコンデンサ14、ソース寄生インダクタンス18およびドレイン寄生インダクタンス19の電気的特性を算出するためのパラメータからシミュレーション開始時から終了時までのタイムステップごとの上記等価回路200の構成部品の各端部間を流れる電流および各端部の電圧を算出する。演算部30は例えば、ALUで構成される。記憶部31は、第1のトランジスタ9、第2のトランジスタ10、第1のコンデンサ11、第1の抵抗12、第2のコンデンサ13、第2のコンデンサ14、ソース寄生インダクタンス18およびドレイン寄生インダクタンス19の電気的特性を算出するためのパラメータおよびシミュレーション開始時から終了時までのタイムステップごとの上記等価回路200の構成部品の各端部間を流れる電流および各端部の電圧を記憶する。記憶部31は、半導体メモリ等の1次メモリ、又はハードディスク等の2次メモリ等により構成される。出力装置32は、シミュレーション開始時から終了時までのタイムステップごとの上記等価回路200の構成部品の各端部間を流れる電流および各端部の電圧を出力する。出力装置32は、例えば、モニタ等の表示部、又はプリンタ等により構成される。シミュレーション装置300は、専用に構成しても良いし、例えばワークステーションやパーソナルコンピュータの各装置を対応させて実現しても良い。<実験結果>図4は、等価回路200を用いたシミュレーション結果を示す。図4の縦軸は、半導体装置のオン抵抗Ωmmであり、横軸は、半導体装置のゲート電極に閾値電圧以上の電圧が印加されてからの時間sである。図4は、具体的には、III族窒化物半導体からなるトランジスタのオン抵抗の時間変化から、パラメータ抽出方法で抽出した各コンデンサの容量値および各抵抗の値を用いてシミュレーションを行った結果と、半導体装置100の実測値とを示す。シミュレーション結果を実線で表し、半導体装置100の実測値を黒点で表す。本実施の形態のシミュレーション方法によるシミュレーション結果は、半導体装置100の実測値との差異が少ない。よって、本実施の形態のシミュレーション方法により、半導体装置100の電流コラプス現象をシミュレーションできることがわかった。また、図5に第1のトランジスタ9のゲート電極20に入力するパルス電源23の出力電圧の周波数を3種類変化させた時の、ドレイン電極22からソース電極21へ流れる電流の時間変化を、本実施の形態のシミュレーション方法を用いてシミュレーションした結果を示す。ここで、細線はパルス電源23の出力電圧を表し、太線は前記電流値を表す。出力電圧の周波数が高くなるほど、電流のピークが小さくなる電流コラプス現象を再現している。前述の方法で抽出した1種類のパラメータで、3種類の周波数に対応したシミュレーションを行うことができる。その他の実施の形態半導体装置の構造としては、ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極があるトランジスタである。第1の態様に係る発明に係るIII族窒化物半導体を材料に用いたトランジスタの等価回路による電流コラプス現象を有するトランジスタのソース電極とドレイン電極の間を流れる電流のシミュレーション方法は、図2に示すように、基本となる第1のトランジスタ9のドレイン側に第1のトランジスタ9とは異なるパラメータを持ち、閾値が負である第2のトランジスタ10を接続し、その第2のトランジスタ10のゲート電極11とソース電極12との間に第1のコンデンサ13と、第1の抵抗14と、直列に並んだ第2のコンデンサ15と第2の抵抗16を並列に接続し、第2のコンデンサ15は初期状態において第2のトランジスタ10のソース電極12側をプラスとして充電されており、第1のコンデンサ13と第1の抵抗14を接続する第1のスイッチ17と、第1のコンデンサ13と直列に並んだ第2のコンデンサ15と第2の抵抗16を接続する第2のスイッチ18と、第2のコンデンサ15と第2のトランジスタ10のソース電極12を接続する第3のスイッチ19を備えた等価回路を用いてシミュレーションすることを特長とする。第2の態様に係る発明に係るIII族窒化物半導体を材料に用いたトランジスタの等価回路による温度依存性を持つ電流コラプス現象を有するトランジスタのソース電極とドレイン電極の間を流れる電流のシミュレーション方法は、等価回路において、第1の抵抗14および第2の抵抗16に温度依存パラメータを付加してシミュレーションすることを特長とする。第3の態様に係る発明に係るIII族窒化物半導体を材料に用いたトランジスタの等価回路による温度依存性を持つ電流コラプス現象を有するトランジスタのソース電極とドレイン電極の間を流れる電流をシミュレーションするためのパラメータを抽出する方法は、図4に示すように、等価回路において、まず、対象のトランジスタのソース電極とドレイン電極の間を流れる電流の静特性の測定結果から、トランジスタのパラメータを抽出する。次に、実際のトランジスタのゲート電極にパルス電圧を入力し、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流が定常状態になるまでの時定数を測定する。ゲート電圧がオフからオンへ、およびオンからオフへの時定数の測定値から、それぞれ第1の抵抗14および第2の抵抗16の抵抗値を決定する。本発明の一態様によると、III族窒化物半導体を材料に用いたトランジスタのソース電極とドレイン電極の間を流れる電流のシミュレーション方法において、図3に示すようにトランジスタの特性を示すデータの一表現方式である等価回路を入力装置24から入力して記憶装置27に記憶させるステップと、トランジスタの等価回路のパラメータを入力装置24から入力して記憶装置27に記憶させるステップと、記憶装置27に記憶した等価回路とパラメータとに基づいて演算装置26で演算を行って、トランジスタのソース電極とドレイン電極の間を流れる電流をシミュレートするステップを具備するシミュレーション方法が提供される。