基体の一面にスパッタリング法により窒化アルミニウム膜の形成方法であって、前記窒化アルミニウム膜を形成する際に、アルミニウムからなるターゲットと、不活性ガスに窒素ガスを混合させてなるプロセスガスとを、少なくとも用い、前記不活性ガスの流量に対する前記窒素ガスの流量の比率において、成膜時真空度が安定傾向から増加傾向へ移行する点をA、成膜時電圧が減少傾向から安定傾向へ移行する点をB、点Aと点Bとの間を遷移モード、と定義したとき、前記遷移モードにて成膜することを特徴とする窒化アルミニウム膜の形成方法。前記遷移モードより低い、前記不活性ガスの流量に対する前記窒素ガスの流量の比率において、成膜することを特徴とする窒化アルミニウム膜の形成方法。前記遷移モードより高い、前記不活性ガスの流量に対する前記窒素ガスの流量の比率において、成膜することを特徴とする窒化アルミニウム膜の形成方法。本発明は、以上のような点を考慮してなされたものであり、窒化アルミニウム膜を、表面が平坦であるとともに、内部が均質である状態となるように、PVD法を用いて基体の一面に形成することが可能な、窒化アルミニウム膜の形成方法を提供する。また、本発明は、窒化アルミニウム膜を、表面が平坦であるとともに、内部が複数の柱状体で構成された状態となるように、PVD法を用いて基体の一面に形成することが可能な、窒化アルミニウム膜の形成方法を提供する。また、本発明は、窒化アルミニウム膜を、表面に凸部を有する状態となるように、PVD法を用いて基体の一面に形成することが可能な、窒化アルミニウム膜の形成方法を提供する。本発明の請求項1に係る窒化アルミニウム膜の形成方法は、基体の一面にスパッタリング法により窒化アルミニウム膜の形成方法であって、前記窒化アルミニウム膜を形成する際に、アルミニウムからなるターゲットと、不活性ガスに窒素ガスを混合させてなるプロセスガスとを、少なくとも用い、前記不活性ガスの流量に対する前記窒素ガスの流量の比率において、成膜時真空度が安定傾向から増加傾向へ移行する点をA、成膜時電圧が減少傾向から安定傾向へ移行する点をB、点Aと点Bとの間を遷移モード、と定義したとき、前記遷移モードにて成膜することを特徴とする。本発明の請求項2に係る窒化アルミニウム膜の形成方法は、前記遷移モードより低い、前記不活性ガスの流量に対する前記窒素ガスの流量の比率において、成膜することを特徴とする。本発明の請求項3に係る窒化アルミニウム膜の形成方法は、前記遷移モードより高い、前記不活性ガスの流量に対する前記窒素ガスの流量の比率において、成膜することを特徴とする。本発明に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量の比率を制御することができる。そのため、窒素分子を所望の割合で含む窒化アルミニウム分子を生成し、PVD法により、これを基体の一面被処理面に堆積させて、所望の膜質の窒化アルミニウム膜を形成することができる。特に、流量の比率が遷移モードとなるように制御した場合に、表面が平坦であるとともに、内部が均質である状態とした、ハーマスクの構成材料に適した窒化アルミニウム膜を形成することができる。また、本発明に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、流量比率を、遷移モードより低くなるように制御した場合には、表面に凸部を有する状態の窒化アルミニウム膜を形成することができる。また、本発明に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、流量比率を、遷移モードより高くなるように制御した場合には、表面が平坦であるとともに、内部が複数の柱状体で構成された状態の窒化アルミニウム膜を形成することができる。以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。<第一実施形態>図1は、第一実施形態に係るデバイスの製造装置100の断面図である。製造装置100は、スパッタリング処理用のチャンバ101と、チャンバ101内に配された、被処理基板被処理体103の支持台104と、支持台104の温度を制御する手段Tと、チャンバ101内に配されたアルミニウムAlからなるターゲット102と、支持台104とターゲット102との間に電圧を印加する手段電圧印加手段Eとを備えている。また、製造装置100は、チャンバ101内を減圧するための排気手段105と、チャンバ101内における、支持台104とターゲット102との間の領域に、プラズマ雰囲気Pを発生させるために導入する、不活性ガスに窒素分子N2を混合させてなるプロセスガスの供給手段ガス供給手段106と、チャンバ101とガス供給手段106との間に配され、プロセスガスにおける窒素分子の混合比を制御する手段ガス制御手段107とを備えている。図1に示した製造装置100を用いたデバイスの製造方法について、説明する。まず、チャンバ101内は排気手段105により予め減圧しておく。そこに被処理基板103を搬入し、不活性ガスに窒素分子を混合させてなるプロセスガスの雰囲気とする。プロセスガスは、ガス供給手段106により供給され、ガス制御手段107を介して、窒素分子がプロセスガスに所望の割合で含まれるように制御した上で、チャンバ101内に導入される。なお、チャンバ101内に搬入された時点で、被処理基板の一面103aには、ハードマスクを用いて加工処理される、被処理膜不図示が形成されているものとする。そして、ターゲット102に、電圧印加手段Eを用いて電圧を印加し、プラズマ励起させたガス雰囲気Pに含まれる窒素イオンと、ターゲット102を構成するアルミニウム原子とを反応させることにより、ターゲット102の表面に、窒化アルミニウム分子AlNを生成させる。そして、生成されたAlN分子からなるAlN膜を、スパッタリング法を用いて被処理膜上に形成する。形成されるAlN膜が所望の膜質となるように制御するための成膜プロセスについて説明する。図2は、スパッタリング処理を行う際に用いる、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量比率と、成膜時の放電電圧との関係を示す二本のグラフ1、2および窒素ガスの流量比率と、チャンバ101内の圧力との関係を示す二本のグラフ3、4からなる。グラフ1、2は、それぞれ、窒素ガスの流量を大きくした場合、小さくした場合の放電圧の変化に対応する。また、グラフ3、4は、それぞれ窒素ガスの流量を大きくした場合、小さくした場合のチャンバ101内の圧力の変化に対応する。左側、右側の縦軸は、それぞれ、放電電圧、チャンバ101内の圧力を示し、横軸は窒素ガスの流量比率を示している。図2のグラフ3、4に示すように、窒素ガスの流量比率を増加させた場合に、チャンバ101内の圧力は、一端は、ほぼ一定値をとる傾向安定傾向を示すが、変曲点A点Aを境に、単調に増加する傾向増加傾向へと移行する。グラフ3、4の比較によれば、放電電圧は窒素ガスの流量に依存しない。また、図2のグラフ1、2に示すように、窒素ガスの流量比率を増加させた場合に、放電電圧は、一端は、減少傾向を示すが、変曲点点Bを境に、安定傾向へと移行する。グラフ1、2の比較によれば、放電電圧は窒素ガスの流量に依存しない。ここで、窒素ガスの流量比率が、点Aと点Bとの間にある場合の状態を、遷移モードTとして定義することができる。図3a~dは、室温にて、それぞれ、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量比率を変えた場合に形成されるAlN膜の表面を、SEM画像を用いて示したものである。図3bは、窒素ガスの流量比率が、図2を用いて定義した遷移モードTとなる場合に形成される、AlN膜の表面の形状を示したSEM画像である。図3bによれば、遷移モードTのAlN膜は、表面モフォロジーが平滑平坦な構造であるとともに、内部には欠陥が存在しない、均質な構造となっている。一方、図3aは、窒素ガスの流量比率が、遷移モードTより低い場合に形成される、AlN膜の形状を示したSEM画像である。図3aによれば、AlN膜の表面は、凸部を有する構造となっている。また、図3c、dは、窒素ガスの流量比率が、遷移モードTより高い場合に形成される、AlN膜の表面の形状を示したSEM画像である。図3c、dによれば、AlN膜の表面が平坦であるとともに、内部が複数の柱状体による構造となっている。図4a~dは、それぞれ、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量比率を変えた場合に、形成されるAlN膜の表面の凹凸を示した、AFM画像左側およびAFM画像の特定位置αにおける断面形状を示すグラフ右側である。いずれのAFM画像も、1.0[μm]四方の領域を20万倍に拡大して示したものである。図4bは、スパッタリング処理用のプロセスガスを構成する、不活性ガスアルゴンガスと窒素ガスとの流量の比率が100:15であって、遷移モードTである場合に形成される、ALN膜の表面状態を示している。図4bのグラフによれば、この場合のAlN膜の表面における、凹凸形状の変動幅は0.6[nm]以内であり、AlN膜の表面は、ほぼ平坦な形状となっている。一方、図4aは、スパッタリング処理用のプロセスガスを構成する、不活性ガスアルゴンガスと窒素ガスとの流量の比率が100:5であって、窒素ガスの流量の比率が、遷移モードTよりも低い場合に形成される、AlN膜の表面状態を示している。図4aのグラフによれば、この場合のAlN膜の表面における凹凸形状は、12[nm]以内の大きい範囲で変動しており、AlN膜の表面は、最大で12[nm]の凸部を有する形状となっている。また、図4cおよびdは、スパッタリング処理用のプロセスガスを構成する、不活性ガスアルゴンガスと窒素ガスとの流量の比率が、それぞれ100:35、100:100であって、窒素ガスの流量の比率が、遷移モードTよりも高い場合に形成される、AlN膜の表面状態を示している。図4c、dのグラフによれば、この場合のAlN膜の表面における凹凸形状は、それぞれ2.0[nm]、2.6[nm]以内の小さい範囲で変動しており、AlN膜の表面は、凹凸形状の変動がランダムに分布した状態となっている。以上説明したように、第一実施形態に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量の比率を制御することができる。そのため、窒素分子を所望の割合で含む窒化アルミニウム分子を生成し、スパッタリング法により、これを基体の一面被処理面に堆積させて、所望の膜質の窒化アルミニウム膜を形成することができる。特に、流量の比率が遷移モードTとなるように制御した場合に、図3bおよび図4bに示したような、表面が平坦であるとともに、内部が均質である状態とした、ハーマスクに適した窒化アルミニウム膜を形成することができる。また、本発明に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、流量比率を、遷移モードTより低くなるように制御した場合に、図3aおよび図4aに示したような、表面に凸部を有する状態の窒化アルミニウム膜を形成することができる。また、本発明に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、流量比率を、遷移モードTより高くなるように制御した場合に、図3c、dおよび図4c、dに示したような、表面が平坦であるとともに、内部が複数の柱状体で構成された状態の窒化アルミニウム膜を形成することができる。図5は、スパッタリング処理に用いる、アルゴンガスの流量に対する窒素ガスの流量比率と、スパッタリング処理により形成された、AlN膜の内部応力膜応力と、の関係を示す2本のグラフ1、2からなる。図5のグラフ1、2は、それぞれ、スパッタリング処理を行う際の放電パワーを大きくした場合、小さくした場合に、形成されるAlN膜の内部応力の変化に対応する。縦軸は膜応力StressTensileを示し、横軸は窒素ガスの流量比率を示している。グラフ1に示すように、放電パワーが大きい場合、窒素ガスの流量比率を高くすることにより、膜応力は単調に増加する。また、グラフ2に示すように、放電パワーが小さい場合、窒素ガスの流量比率を高くすることにより、膜応力は、流量比率が遷移モードTより低い範囲においては増加し、流量比率が遷移モードTより高い範囲においては減少する。グラフ1、2の比較によれば、スパッタリング処理を行う際の放電パワーを小さくすることにより、膜応力を減少させることができる。膜応力の減少量は、窒素ガスの流量比率が遷移モードTにある場合において、最も小さくなる。すなわち、遷移モードTにおいて、膜応力は、放電パワーの変化に対して最も安定する傾向がある。図6a~dは、350[°C]にて、それぞれ、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量比率を変えた場合に形成されるAlN膜の表面を、SEM画像を用いて示したものである。図6bは、窒素ガスの流量比率が、図2を用いて定義した遷移モードTとなる場合に形成される、AlN膜の表面の形状を示したSEM画像である。図6bによれば、遷移モードTのAlN膜は、表面モフォロジーが平滑平坦に近い構造であるとともに、内部には欠陥が少ない構造となっている。一方、図6aは、窒素ガスの流量比率が、遷移モードTより低い場合に形成される、AlN膜の形状を示したSEM画像である。図6aによれば、AlN膜の表面は、凸部を有する構造となっている。また、図6c、dは、窒素ガスの流量比率が、遷移モードTより高い場合に形成される、AlN膜の表面の形状を示したSEM画像である。図6c、dによれば、AlN膜の表面が平坦であるとともに、内部が複数の柱状体による構造となっている。図6a~dを、それぞれ図3a~dとの比較することにより、成膜処理の温度を高めた場合、表面モフォロジーは平滑でなくなり、凸部が大きく生成される傾向があることが分かる。図7a~dは、それぞれ、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量比率を変えた場合に、形成されるAlN膜の表面の凹凸を示した、AFM画像左側およびAFM画像の特定位置αにおける断面形状を示すグラフ右側である。いずれのAFM画像も、1.0[μm]四方の領域を20万倍に拡大して示したものである。図7bは、スパッタリング処理用のプロセスガスを構成する、不活性ガスアルゴンガスと窒素ガスとの流量の比率が100:15であって、遷移モードTである場合に形成される、AlN膜の表面状態を示している。図7bのグラフによれば、この場合のAlN膜の表面の正常領域における、凹凸形状の変動幅は10[nm]以内であり、AlN膜の表面は、ほぼ平坦な形状となっている。一方、図7aは、スパッタリング処理用のプロセスガスを構成する、不活性ガスアルゴンガスと窒素ガスとの流量の比率が100:5であって、窒素ガスの流量の比率が、遷移モードTよりも低い場合に形成される、AlN膜の表面状態を示している。図7aのグラフによれば、この場合のAlN膜の表面における凹凸形状は、64[nm]以内の大きい範囲で変動しており、AlN膜の表面は、最大で64[nm]の凸部を有する形状となっている。また、図7cおよびdは、スパッタリング処理用のプロセスガスを構成する、不活性ガスアルゴンガスと窒素ガスとの流量の比率が、それぞれ100:35、100:100であって、窒素ガスの流量の比率が、遷移モードTよりも高い場合に形成される、AlN膜の表面状態を示している。図7c、dのグラフによれば、この場合のAlN膜の表面における凹凸形状は、それぞれ2.5[nm]、4.4[nm]以内の小さい範囲で変動しており、AlN膜の表面は、凹凸形状の変動がランダムに分布した状態となっている。図7a~dを、それぞれ図4a~dとの比較することにより、成膜処理の温度を高めた場合、表面モフォロジーは平滑でなくなり、凸部が大きく生成される傾向があることが分かる。したがって、表面が平坦であり、かつ内部が均質な窒化アルミニウム膜を、スパッタリング処理を行って形成する場合、処理温度を低く制御することが望ましい。図8は、スパッタリング処理を行う際に用いる、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量比率と、成膜時の放電電圧との関係を示す三本のグラフ1~3および窒素ガスの流量比率と、チャンバ101内の圧力との関係を示す三本のグラフ4~6からなる。グラフ1、2、3は、スパッタリング処理を行う際の放電パワーを、それぞれ4.2[kW]、8.5[kW]、12.5[kW]とした場合の放電圧の変化に対応する。また、グラフ4、5、6は、スパッタリング処理を行う際の放電パワーを、それぞれ4.2[kW]、8.5[kW]、12.5[kW]とした場合のチャンバ101内の圧力の変化に対応する。左側、右側の縦軸は、それぞれ、放電電圧、チャンバ101内の圧力を示し、横軸は窒素ガスの流量比率を示している。図8のグラフ4~6に示すように、窒素ガスの流量比率を増加させた場合に、チャンバ101内の圧力は、一端は、ほぼ一定値をとる傾向安定傾向を示すが、点AA1、A2、A3を境に、単調に増加する傾向増加傾向へと移行する。グラフ4、5、6の比較によれば、放電パワーを大きくすることにより、点Aは高くなる傾向にある。また、図8のグラフ1~3に示すように、窒素ガスの流量比率を増加させた場合に、放電電圧は、一端は、減少傾向を示すが、点BB1、B2、B3を境に、安定傾向へと移行する。グラフ1、2、3の比較によれば、放電パワーを大きくすることにより、点Bは高くなる傾向にある。図2を用いて定義したように、窒素ガスの流量比率が、放電パワーの大きさごとに決まる、点Aと点Bとの間にある場合の状態を、遷移モードTとして定義することができる。図8のグラフによれば、遷移モードTは、スパッタリング処理を行う際の放電パワーを大きくすることにより、高い方向にシフトする傾向がある。図2~4を用いて説明したように、第一実施形態に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、不活性ガスの流量に対する窒素ガスの流量の比率を制御することができる。そのため、窒素分子を所望の割合で含む窒化アルミニウム分子を生成し、スパッタリング法により、これを基体の一面被処理面に堆積させて、所望の膜質の窒化アルミニウム膜を形成することができる。そして、図8に示したように、スパッタリング処理を行う際の放電パワーを変化させた場合においても、流量の比率が遷移モードTとなるように制御することができ、表面が平坦であるとともに、内部が均質である状態の窒化アルミニウム膜を形成することができる。また、第一実施形態に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、放電パワーを変化させた場合においても、流量比率を、遷移モードTより低くなるように制御することができ、表面に凸部を有する状態の窒化アルミニウム膜を形成することができる。また、第一実施形態に係る窒化アルミニウム膜の形成方法によれば、放電パワーを変化させた場合においても、流量比率を、遷移モードTより高くなるように制御することができ、表面が平坦であるとともに、内部が複数の柱状体で構成された状態の窒化アルミニウム膜を形成することができる。