"一般式1式中、Mは金属原子を示し、R1は炭素原子数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R2及びR3は同一でも異なっていても良く、炭素原子数1~3の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示すか、または、R2及びR3が一緒になってそれらが結合する窒素原子と共に置換もしくは無置換の5員又は6員環を形成している。Zは炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基但し、その一部が環を形成していてもよいを示す。nは配位子の数を示し、金属Mの価数に等しく、1~3の整数を示す。但し、MがLiリチウム、Beベリリウム、Geゲルマニウム、Ndネオジムである場合、MがMgマグネシウムであり、R1がメチル基である場合、MがZn亜鉛であり、R1がメチル基である場合、及びMがBiビスマスであり、R1がt-ブチル基である場合を除く。また、nが2以上の場合、2つ以上の配位子は同一でも異なっていてもよい。で示されるアミドアミノアルカン金属化合物。Mが、ナトリウム、マグネシウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ランタン又はインジウムである請求項1記載のアミドアミノアルカン金属化合物。Zが、炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、または式中、Z1は炭素原子数1~3の直鎖状アルキレン基を示し、Rは炭素原子数1~6の直鎖状又は分岐状アルキル基、又は炭素原子数3~6のシクロアルキル基を示す。で示される基である請求項1記載のアミドアミノアルカン金属化合物。一般式2a又は2b式中、Mは金属原子を示し、R4及びR5は同一でも異なっていても良く、炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。で示されるモノ又はジアルキル金属化合物と、一般式3式中、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。で示されるジアミノアルカン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式1式中、M、R1、R2、R3、Z及びnは前記と同義である。で示される請求項1記載のアミドアミノアルカン金属化合物の製造方法。一般式4a式中、R4は炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Aはアルカリ金属原子を示す。で示されるアルキルアルカリ金属化合物又はアルカリ金属と、一般式3式中、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。で示されるジアミノアルカン化合物とを反応させて、一般式5式中、R1、R2、R3、A及びZは前記と同義である。で示されるアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物を得、次いで、このアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物と、一般式6式中、Mは金属原子を示し、Xはハロゲン原子を示し、nはハロゲン原子の数を示し、金属Mの価数に等しく、1~3の整数を示す。で示されるハロゲン化金属化合物とを反応させることを特徴とする、一般式1式中、M、R1、R2、R3、Z及びnは前記と同義である。で示される請求項1記載のアミドアミノアルカン金属化合物の製造方法。一般式7式中、Mは金属原子を示し、前記と同義である。で示される金属と、一般式3式中、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。で示されるジアミノアルカン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式1式中、R1、R2、R3、M、Z及びnは前記と同義である。で示される請求項1記載のアミドアミノアルカン金属化合物の製造方法。請求項1記載のアミドアミノアルカン金属化合物を供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造方法。請求項1記載のアミドアミノアルカン金属化合物を含む金属含有薄膜形成用原料。しかしながら、従来の薄膜製造用金属化合物は、蒸気圧、熱安定性、反応性等の物性が金属含有薄膜の製造において必ずしも最適ではなく、いずれも、金属含有薄膜を製造するための十分な金属化合物とは言い難かった。そのため、蒸気圧、熱安定性、反応性等のいずれの物性をも満足させる金属化合物が求められていた。本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、簡便な方法によって、成膜対象物上に金属含有薄膜を製造することができる、工業的に好適な金属化合物、より具体的にはCVD法による金属含有薄膜の製造に適した金属化合物を提供するものである。本発明の課題は、又、当該金属化合物を用いる金属含有薄膜の製造方法を提供するものである。本発明は以下の事項に関する。1.一般式1式中、Mは金属原子を示し、R1は炭素原子数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R2及びR3は同一でも異なっていても良く、炭素原子数1~3の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示すか、または、R2及びR3が一緒になってそれらが結合する窒素原子と共に置換もしくは無置換の5員又は6員環を形成している。Zは炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基但し、その一部が環を形成していてもよいを示す。nは配位子の数を示し、金属Mの価数に等しく、1~3の整数を示す。但し、MがLiリチウム、Beベリリウム、Geゲルマニウム、Ndネオジムである場合、MがMgマグネシウムであり、R1がメチル基である場合、MがZn亜鉛であり、R1がメチル基である場合、及びMがBiビスマスであり、R1がt-ブチル基である場合を除く。また、nが2以上の場合、2つ以上の配位子は同一でも異なっていてもよい。で示されるアミドアミノアルカン金属化合物。2.Mが、ナトリウム、マグネシウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ランタン又はインジウムである上記1記載のアミドアミノアルカン金属化合物。3.Zが、炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、または式中、Z1は炭素原子数1~3の直鎖状アルキレン基を示し、Rは炭素原子数1~6の直鎖状又は分岐状アルキル基、又は炭素原子数3~6のシクロアルキル基を示す。で示される基である上記1記載のアミドアミノアルカン金属化合物。4.一般式2a又は2b式中、Mは金属原子を示し、R4及びR5は同一でも異なっていても良く、炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。で示されるモノ又はジアルキル金属化合物と、一般式3式中、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。で示されるジアミノアルカン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式1式中、M、R1、R2、R3、Z及びnは前記と同義である。で示される上記1記載のアミドアミノアルカン金属化合物の製造方法。5.一般式4a式中、R4は炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Aはアルカリ金属原子を示す。で示されるアルキルアルカリ金属化合物又はアルカリ金属と、一般式3式中、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。で示されるジアミノアルカン化合物とを反応させて、一般式5式中、R1、R2、R3、A及びZは前記と同義である。で示されるアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物を得、次いで、このアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物と、一般式6式中、Mは金属原子を示し、Xはハロゲン原子を示し、nはハロゲン原子の数を示し、金属Mの価数に等しく、1~3の整数を示す。で示されるハロゲン化金属化合物とを反応させることを特徴とする、一般式1式中、M、R1、R2、R3、Z及びnは前記と同義である。で示される上記1記載のアミドアミノアルカン金属化合物の製造方法。6.一般式7式中、Mは金属原子を示し、前記と同義である。で示される金属と、一般式3式中、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。で示されるジアミノアルカン化合物とを反応させることを特徴とする、一般式1式中、R1、R2、R3、M、Z及びnは前記と同義である。で示される上記1記載のアミドアミノアルカン金属化合物の製造方法。7.上記1記載のアミドアミノアルカン金属化合物を供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造方法。8.上記1記載のアミドアミノアルカン金属化合物を含む金属含有薄膜形成用原料。本発明により、特にCVD法による金属含有薄膜の製造成膜に適した新規なビスアミドアミノアルカンマグネシウム化合物、ビスアミドアミノアルカンコバルト化合物、ビスアミドアミノアルカンマンガン化合物、ビスアミドアミノアルカン亜鉛化合物等のアミドアミノアルカン金属化合物を提供することができる。また、当該金属化合物を用いて、CVD法により、良好な成膜特性で、金属含有薄膜を製造することができる。ビスアミドアミノアルカンマグネシウム化合物、ビスアミドアミノアルカンコバルト化合物、ビスアミドアミノアルカンマンガン化合物、ビスアミドアミノアルカン亜鉛化合物等のアミドアミノアルカン金属化合物は、それぞれ、マグネシウム含有薄膜製造用材料、コバルト含有薄膜製造用材料、マンガン含有薄膜製造用材料、亜鉛含有薄膜製造用材料等の金属含有薄膜製造用材料として有用な化合物であると共に、例えば、触媒、医薬や農薬等の製造原料として有用な化合物である。本発明のアミドアミノアルカン金属化合物は、前記の一般式1で示される。その一般式1において、Mは金属原子Beベリリウム、Geゲルマニウム、Ndネオジムを除く。を示し、例えば、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、イットリウム、ランタン又はインジウムである。R1はメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素原子数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R1としては、炭素原子数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましく、炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基がより好ましい。ある実施態様においては、炭素原子数2~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基がより好ましく、炭素原子数3~5の直鎖状又は分岐状のアルキル基が更に好ましく、イソプロピル基、s-ブチル基、t-ブチル基、t-ペンチル基が特に好ましい。但し、MがMgマグネシウムの場合はR1がメチル基である場合は除く。MがZn亜鉛の場合はR1がメチル基である場合は除く。MがBiビスマスの場合はR1がt-ブチル基である場合は除く。R2及びR3は同一でも異なっていても良く、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基等の炭素原子数1~3の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示すか、または、R2及びR3が一緒になってそれらが結合する窒素原子と共に置換もしくは無置換の5員又は6員環を形成している。R2及びR3としては、炭素原子数1~2のアルキル基メチル基、エチル基が好ましく、また、R2及びR3が一緒になってそれらが結合する窒素原子と共に置換もしくは無置換の5員環、好ましくは無置換の5員環を形成していることも好ましい。R2及びR3としては、メチル基、エチル基であることが特に好ましい。又、Zは炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基但し、その一部が環を形成していてもよいを示す。Zは、その一部が環を形成している、すなわちシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基を含むものであってもよいが、好ましくはシクロアルキル基を含まない炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Zとしては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、メチルエチレン基、1,2-ジメチルエチレン基、1,1-ジメチルエチレン基、テトラエチレン基、2-メチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が好ましい。Zが直鎖状のアルキレン基の場合は、炭素原子数1~3のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数2のアルキレン基エチレン基が特に好ましい。Zが分岐状のアルキレン基の場合は、例えば、式中、Z1は炭素原子数1~3の直鎖状アルキレン基を示し、Rは炭素原子数1~6の直鎖状又は分岐状アルキル基、又は炭素原子数3~6のシクロアルキル基を示す。で示される基が好ましい。Z1は、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基等の炭素原子数1~3の直鎖状アルキレン基を示し、メチレン基であることが好ましい。Rは、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基等の炭素原子数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基;又はシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素原子数3~6のシクロアルキル基を示し、炭素原子数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることがより好ましく、炭素原子数1~3の直鎖状のアルキル基であることが更に好ましく、メチル基であることが特に好ましい。この場合の好ましい態様としては、Z1がメチレン基であり、Rが炭素原子数1~3の直鎖状のアルキル基、より好ましくはメチル基である。Zとしては、環シクロアルキル基を含まない炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数1~5の直鎖状又は分岐状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数1~5、より好ましくは炭素原子数1~3、より好ましくは炭素原子数2のアルキレン基直鎖状アルキレン基、又は炭素原子数1~3のアルキル基、より好ましくはメチル基が1つ又は2つ結合している炭素原子数2のアルキレン基分岐状アルキレン基が特に好ましい。なお、この分岐状アルキレン基において、2つのアルキル基はアルキレン基の同じ炭素原子に結合していても、異なる炭素原子に結合していてもよく、また、2つのアルキル基は同一でも異なっていてもよい。一般式1において、nは配位子の数を示し、金属Mの価数に等しく、通常1~3の整数である。nが2以上の場合、2つ以上の配位子は同一でも異なっていてもよい。なお、配位子が2種以上の混合物の場合には、複数種の錯体ができることもある。本発明の好ましい一態様としては、R1が炭素原子数2~5のアルキル基、更に好ましくは炭素原子数3~5のアルキル基、R2及びR3が炭素原子数1~2のアルキル基であり、Zが炭素原子数1~3のアルキレン基である。本発明の他の好ましい一態様としては、R1が炭素原子数1~5のアルキル基、R2及びR3が炭素原子数1~2のアルキル基であり、Zがで示される基であり、式中、Z1が炭素原子数1~3のアルキレン基であり、Rが炭素原子数1~4の直鎖状又は分岐状アルキル基である。本発明のアミドアミノアルカン金属化合物としては、例えば、以下の式1~498で示される化合物が挙げられる。なお、式中、Mは金属原子を示し、nは配位子の数を示し、金属Mの価数に等しい。o,pも各配位子の数を示し、その合計opは金属Mの価数に等しい。特に、本発明のビスアミドアミノアルカンマグネシウム化合物としては、例えば、以下の式4~18で示される化合物が挙げられる。本発明のビスアミドアミノアルカンコバルト化合物としては、例えば、以下の式6~20、1a~1uで示される化合物が挙げられる。本発明のビスアミドアミノアルカンマンガン化合物としては、例えば、以下の式6~27で示される化合物が挙げられる。本発明のアミドアミノアルカン金属化合物、特にはビスアミドアミノアルカンマグネシウム化合物、アミドアミノアルカンリチウム化合物等の合成は、以下に示すジアルキルマグネシウム化合物、アルキルリチウム化合物等のモノ又はジアルキル金属化合物2a又は2bとジアミノアルカン化合物3とを反応させて、アミドアミノアルカン金属化合物1を合成する方法以下、本発明の反応Iと称することもある。によって行うことができる。式中、R4及びR5は同一でも異なっていても良く、炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、M、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。本発明の反応Iにおいて使用するモノ又はジアルキル金属化合物は、前記の一般式2a又は2bで示される。その一般式2a及び2bにおいて、R4及びR5は同一でも異なっていても良く、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、n-デシル基等の炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。本発明の反応Iにおいて使用するモノ又はジアルキル金属化合物としては、市販品を使用することができ、又、公知の方法により金属マグネシウム等の金属単体を出発原料として製造することができ、好適にはジn-ブチルマグネシウム又はn-ブチルエチルマグネシウム等のR4及びR5がn-ブチル基又はエチル基である、一般式2a又は2bで示されるモノ又はジアルキル金属化合物等が用いられる。本発明の反応Iにおいて使用するジアミノアルカン化合物は、前記の一般式3で示される。その一般式3において、R1、R2、R3及びZは、それぞれ、式1中のR1、R2、R3及びZに対応し、前記と同義である。したがって、本発明の反応Iにおいて使用するジアミノアルカン化合物としては、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-シクロプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-イソブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-ジメチルアミノ-2-t-ペンチルアミノエタン、1-イソプロピルアミノ-3-ジメチルアミノプロパン、1-t-ブチルアミノ-3-ジメチルアミノプロパン、イソプロピルアミノジメチルアミノメタン、t-ブチルアミノジメチルアミノメタン等が好適に使用される。本発明の反応Iにおいて使用するジアミノアルカン化合物は、市販品を使用することができ、又、公知の方法等を組み合わせることにより製造することができ、例えば、モノアルキルアミンとジアルキルアミノ基を構造中に有するハロゲン化アルカンの塩酸塩や、対応するイミン化合物の還元反応等による方法が好適に採用される。前記ジアミノアルカン化合物の使用量は、モノ又はジアルキル金属化合物1モルに対して、好ましくは1.5~3.0モル、更に好ましくは1.8~2.2モルである。本発明の反応Iは、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類;ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。前記有機溶媒の使用量は、モノ又はジアルキル金属化合物1gに対して、好ましくは1~100g、更に好ましくは1~10gである。本発明の反応Iは、例えば、モノ又はジアルキル金属化合物、ジアミノアルカン化合物及び有機溶媒を混合し、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは-20~120°C、更に好ましくは0~100°Cであり、反応圧力は特に制限されない。本発明の反応Iにより目的物であるアミドアミノアルカン金属化合物が得られる。合成したアミドアミノアルカン金属化合物は、反応終了後、抽出、濾過、濃縮、蒸留、昇華、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の公知の方法によって単離精製される。なお、本発明の目的物であるアミドアミノアルカン金属化合物、及びその製造原料であるジアルキルマグネシウム化合物は、大気中の水分や酸素に対して不安定な場合が多いため、無水条件下や不活性ガス雰囲気下にて、反応操作や反応液の後処理等を行うことが望ましい。また、モノ又はジアルキル金属化合物に代えて金属を使用し、モノ又はジアルキル金属化合物を使用する場合と同様にして、金属とジアミノアルカン化合物とを反応させて本発明のアミドアミノアルカン金属化合物を得ることもできる。式中、M、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。本発明のアミドアミノアルカン金属化合物、特にはビスアミドアミノアルカンコバルト化合物、ビスアミドアミノアルカンマンガン化合物、ビスアミドアミノアルカン亜鉛化合物、ビスアミドアミノアルカン鉄化合物、ビスアミドアミノアルカンニッケル化合物、トリスアミドアミノアルカンインジウム化合物、トリスアミドアミノアルカンイットリウム化合物、トリスアミドアミノアルカンランタン化合物等の合成は、以下に示す方法、具体的には、アルキルアルカリ金属化合物4a又はアルカリ金属4bとジアミノアルカン化合物3とを反応させてアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物5を得以下、反応Aと称することもある、次いで、これにジハロゲノコバルト化合物、ジハロゲノマンガン化合物等のハロゲン化金属化合物6を反応させてアミドアミノアルカン金属化合物1を得る以下、反応Bと称することもある方法によって行うことができる。なお、反応Aと反応Bを合わせて本発明の反応IIと称することもある。式中、R4は炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Aはアルカリ金属原子を示し、Xはハロゲン原子を示し、M、R1、R2、R3及びZは前記と同義である。反応A;アミドアミノアルカンアルカリ金属化合物5の合成本発明の反応Aにおいて使用するアルキルアルカリ金属化合物は、前記の一般式4aで示される。その一般式4aにおいて、R4は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、n-デシル基等の炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Aは、リチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子等のアルカリ金属を示す。なお、これらのアルキルアルカリ金属化合物は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。前記アルキルアルカリ金属化合物としては、メチルリチウム、n-ブチルリチウムが好適に使用される。また、アルキルアルカリ金属化合物4aに代えてアルカリ金属4bを使用することもできる。本発明の反応Aにおいて使用するジアミノアルカン化合物は、前記の一般式3で示される。その一般式3において、R1、R2、R3及びZは、それぞれ、式1中のR1、R2、R3及びZに対応し、前記と同義である。したがって、本発明の反応Aにおいて使用するジアミノアルカン化合物としては、具体的には、1-エチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-イソブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン、1-ジメチルアミノ-2-t-ペンチルアミノエタン、1-イソプロピルアミノ-3-ジメチルアミノプロパン、1-t-ブチルアミノ-3-ジメチルアミノプロパン、イソプロピルアミノジメチルアミノメタン、t-ブチルアミノジメチルアミノメタン、1-メチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン、1-エチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン、1-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン、1-イソブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン、1-t-ペンチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン等が好適に使用される。本発明の反応Aにおいて使用するジアミノアルカン化合物は、市販品を使用することができ、又、公知の方法等を組み合わせることにより製造することができ、例えば、モノアルキルアミンとジアルキルアミノ基を構造中に有するハロゲン化アルカンの塩酸塩や、対応するイミン化合物の還元反応等による方法が好適に採用される。前記ジアミノアルカン化合物の使用量は、アルキルアルカリ金属化合物又はアルカリ金属1モルに対して、好ましくは1.5~3.0モル、更に好ましくは1.8~2.2モルである。本発明の反応Aは、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類;ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。前記有機溶媒の使用量は、アルキルアルカリ金属化合物又はアルカリ金属1gに対して、好ましくは1~100g、更に好ましくは1~10gである。本発明の反応Aは、例えば、ジアミノアルカン化合物及び有機溶媒を混合したものを攪拌しながら、アルキルアルカリ金属化合物又はアルカリ金属の有機溶媒溶液懸濁液であってもよいを加えて反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは-78~120°C、更に好ましくは-20~60°Cであり、反応圧力は特に制限されない。反応B;アミドアミノアルカン金属化合物1の合成本発明の反応Bにおいて使用するジハロゲノコバルト化合物、ジハロゲノマンガン化合物、ジハロゲノ亜鉛化合物、ジハロゲノ鉄化合物、ジハロゲノニッケル化合物、トリハロゲノインジウム化合物、トリハロゲノイットリウム化合物、トリハロゲノランタン化合物等のハロゲン化金属化合物は、前記の一般式6で示される。その一般式6において、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を示す。前記ハロゲン化金属化合物としては、塩化コバルトII、塩化マンガンII、塩化亜鉛II、塩化鉄II、塩化ニッケルII、塩化インジウムIII、塩化イットリウムIII、塩化ランタンIII等の金属塩化物、臭化コバルトII、臭化マンガンII、臭化亜鉛II、臭化鉄II、臭化ニッケルII、臭化インジウムIII、臭化イットリウムIII、臭化ランタンIII等の金属臭化物、ヨウ化コバルトII、ヨウ化マンガンII、ヨウ化亜鉛II、ヨウ化鉄II、ヨウ化ニッケルII、ヨウ化インジウムIII、ヨウ化イットリウムIIIヨウ化ランタンIII等の金属ヨウ化物が好適に使用される。前記ハロゲン化金属化合物の使用量は、アミドアミノアルカンアルカリ金属化合物1モルに対して、好ましくは0.25~0.75モル、更に好ましくは0.4~0.6モルである。本発明の反応Bは、有機溶媒中で行うことが望ましい。使用される有機溶媒としては反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類;ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはエーテル類、脂肪族炭化水素類、エーテル類と脂肪族炭化水素類との混合溶媒が使用される。なお、これらの有機溶媒は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。前記有機溶媒の使用量は、アミドアミノアルカンアルカリ金属化合物1gに対して、好ましくは1~100g、更に好ましくは1~10gである。本発明の反応Bは、例えば、ハロゲン化金属化合物及び有機溶媒を混合したものを攪拌しながら、反応Aで得られたアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物の有機溶媒溶液を加えて反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは-78~120°C、更に好ましくは-20~60°Cであり、反応圧力は特に制限されない。本発明の反応Bにより目的物であるアミドアミノアルカン金属化合物が得られる。合成したアミドアミノアルカン金属化合物は、反応終了後、例えば、抽出、濾過、濃縮、蒸留、昇華、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の公知の方法によって単離精製される。本発明における反応Aと反応Bを行うに際して、例えば、同じ溶媒を用いることもでき、反応Aの結果として得られるアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物5を単離精製することなく、反応Aで得られた反応液をそのまま反応Bに使用して連続的にアミドアミノアルカン金属化合物を合成することもできる。なお、目的物であるアミドアミノアルカン金属化合物、その出発原料であるアルキルアルカリ金属化合物、及び合成中間体であるアミドアミノアルカンアルカリ金属化合物は、大気中の水分や酸素に対して不安定な場合が多いため、無水条件下や不活性ガス雰囲気下にて、反応操作や反応液の後処理等を行うことが望ましい。又、出発原料や溶媒等は、使用する前に予め脱水や乾燥させておくことが望ましい。本発明のアミドアミノアルカン金属化合物を用いて、例えばCVD法により、良好な成膜特性で、金属含有薄膜を成膜することができる。成膜対象物上への金属含有薄膜の蒸着方法としては、公知のCVD法や原子層堆積法ALD法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、アミドアミノアルカン金属化合物の蒸気を、水素源例えば、水素、アンモニア等の還元性ガス、窒素源例えば、窒素、アンモニア等又は酸素源例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス;水;メタノール、エタノール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール等のアルコール類と共に、加熱した成膜対象物上に送り込んで金属含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス気化した液体も含むは不活性ガス等で希釈されていても良い。又、同様な原料供給により、プラズマCVD法で金属含有薄膜を蒸着させることも出来る。CVD法においては、薄膜形成のためにアミドアミノアルカン金属化合物を気化させる必要があるが、本発明で使用するアミドアミノアルカン金属化合物を気化させる方法としては、例えば、アミドアミノアルカン金属化合物自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、アミドアミノアルカン金属化合物を適当な溶媒例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類;グライム、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法溶液法も使用出来る。本発明のアミドアミノアルカン金属化合物を用いて金属含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは1Pa~200kPa、成膜対象物温度は、好ましくは50~900°C、更に好ましくは100~600°C、アミドアミノアルカン金属化合物を気化させる温度は、好ましくは0~250°C、更に好ましくは30~200°Cである。なお、金属含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源例えば、酸化性ガス、水蒸気又はアルコール蒸気、もしくはこれらの混合ガス、窒素源例えば、窒素ガス、アンモニアガスもしくはこれらの混合ガス又は還元性ガス例えば、水素ガス又はアンモニアガス、もしくはこれらの混合ガスの含有割合としては、好ましくは3~99容量、更に好ましくは5~98容量である。次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。参考例A1ジブチルマグネシウムの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、金属マグネシウム5.5g0.23mol及びジエチルエーテル20mlを加えた後、ブロモブタン30g21mmolをゆるやかに滴下した。次いで、ジエチルエーテル180ml及びブロモブタン25g0.18molをゆるやかに滴下し、攪拌しながら40°Cで2時間反応させ、更にジオキサン55g0.62molを加えて、攪拌しながら40°Cで2時間反応させた。反応終了後、アルゴン雰囲気にて反応液を濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。濃縮物を加熱しながら真空乾燥させて、ジブチルマグネシウム22gを得た単離収率;80。参考例A21-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、イソプロピルアミン6.0g0.10mol及び水5mlを加えた後、2-ジメチルアミノエチルクロリド塩酸塩5.0g35mmolの水溶液10mlを、液温が30~50°Cの範囲になるようにしながら、ゆるやかに滴下して2時間攪拌した。次いで、水酸化ナトリウム2.8g70mmolの水溶液10mlを氷浴下でゆるやかに滴下して、10分間反応させた。反応終了後、反応液をヘキサン25mlで2回抽出し、ヘキサン層を減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留65°C、4.0kPaして、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.4gを得た単離収率;31。参考例A31-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタンの合成参考例A2において、イソプロピルアミンをt-ブチルアミン7.3g0.10molに変更したこと以外は、参考例A2と同様に反応を行い、濃縮後、減圧蒸留60°C、2.4kPaして、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.8gを得た単離収率;36。参考例A41-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタンの合成参考例A2において、イソプロピルアミンをs-ブチルアミン7.3g0.10molに変更したこと以外は、参考例A2と同様に反応を行い、濃縮後、減圧蒸留65°C、2.0kPaして、1-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.7gを得た単離収率;34。参考例A5t-ブチル3-ジメチルアミノプロピルアミンの合成参考例A2において、2-ジメチルアミノエチルクロリド塩酸塩5.0g35mmolを3-ジメチルアミノプロピルクロリド塩酸塩5.5g35mmolに変更したこと以外は、参考例A2と同様に反応を行い、濃縮後、減圧蒸留60°C、0.80kPaして、t-ブチル3-ジメチルアミノプロピルアミン2.2gを得た単離収率;40。参考例A61-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタンの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、t-ブチルアミン16g0.22mol、2-ジメチルアミノエチルクロリド塩酸塩5.0g35mmol及び水1mlを加えた後、70°Cで10時間反応させた。反応終了後、反応液をヘキサン25mlで2回抽出し、ヘキサン層を減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留60°C、2.4kPaして、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン3.0gを得た単離収率;60。実施例A1ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物6の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積25mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例A1で得られたジブチルマグネシウム0.69g5.0mmol及びヘプタン10mlを加え、参考例A2で得られた1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.3g10mmolをゆるやかに滴下し、攪拌しながら90°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した後に、減圧下で蒸留80°C、13Paさせて、無色透明液体として、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウム1.3gを得た単離収率;92。当該化合物を25°Cに保つと数時間で白色固体となった。なお、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムは以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.994H,t,5.8Hz、2.852H,sept,6.3Hz、2.614H,t,5.8Hz、2.3512H,s、1.0112H,d,6.3Hz融点;53~55°C。実施例A2ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物7の合成実施例A1において、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンを、参考例A3で得られた1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.4g10mmolに変更したこと以外は、実施例A1と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で昇華90°C、13Paさせて、白色固体として、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウム1.2gを得た単離収率;77。なお、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムは以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;3.004H,t,5.8Hz、2.584H,t,5.8Hz、2.3412H,s、1.0818H,s融点;90~93°C実施例A3ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物8の合成実施例A1において、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンを、参考例A4で得られた1-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.4g10mmolに変更したこと以外は、実施例A1と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で蒸留90°C、13Paさせて、無色透明液体として、ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウム1.4gを得た単離収率;90。なお、ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムは以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.986H,m、2.604H,m、2.3512H,s、1.532H,m、1.162H,m、1.006H,m、0.856H,m実施例A4ビス1-エチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物4の合成実施例A1において、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンを、1-エチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン市販品12g10mmolに変えたこと以外は、実施例A1と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で蒸留110°C、13Paさせて、無色透明液体として、ビス1-エチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウム0.90gを得た単離収率;71。なお、ビス1-エチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムは以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.934H,br、2.904H,br、2.634H,br、2.1512H,br、1.006H,br実施例A5ビス1-エチルアミド-2-ジエチルアミノエタン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物11の合成実施例A1において、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンを、1-エチルアミノ-2-ジエチルアミノエタン市販品1.4g10mmolに変えたこと以外は、実施例A1と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で蒸留130°C、13Paさせて、無色透明液体として、ビス1-エチルアミド-2-ジエチルアミノエタン-N,N’マグネシウム1.0gを得た単離収率;60。なお、ビス1-エチルアミド-2-ジエチルアミノエタン-N,N’マグネシウムは以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.974H,br、2.788H,br、2.458H,br、1.106H,br、0.9612H,br実施例A6ビス1-t-ブチルアミド-3-ジメチルアミノプロパン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物13の合成実施例A1において、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンを、参考例A5で得られたt-ブチル3-ジメチルアミノプロピルアミン1.6g10mmolに変更したこと以外は、実施例A1と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で蒸留90°C、13Paさせて、無色透明液体として、ビス1-t-ブチルアミド-3-ジメチルアミノプロパン-N,N’マグネシウム1.4gを得た単離収率;76。なお、ビス1-t-ブチルアミド-3-ジメチルアミノプロパン-N,N’マグネシウムは以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;3.044H,t,5.8Hz、2.514H,t,5.8Hz、2.3912H,s、1.604H,m、1.1018H,s融点;110~114°C実施例A7蒸着実験;マグネシウム含有薄膜の製造実施例A1で得られたビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物6を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着実験には、図1に示す装置を使用した。図1に示す装置は以下のような構造となっている。恒温槽8によって一定の温度に保たれたマグネシウム原料容器気化器7にあるマグネシウム化合物は加熱されて気化し、マスフローコントローラー4を経て導入されたヘリウムガスに導搬されて原料容器7を出る。原料容器7を出たガスは、マスフローコントローラー5を経て導入されたヘリウムガスと共に反応器9に導入される。一方、反応器9には、反応ガスである酸素ガスもマスフローコントローラー6を経て導入される。反応系内圧力は、圧力計12によってモニターされ、真空ポンプ14手前のバルブの開閉により、所定圧力にコントロールされる。反応器9の中央部はヒーター11で加熱可能な構造となっている。反応器9に導入されたマグネシウム化合物は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター11で所定の温度に加熱された基板10の表面上で酸化熱分解し、基板10上にマグネシウム含有薄膜が形成される。反応器9を出たガスは、トラップ13、真空ポンプ14を経て、大気中に排気される。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。蒸着条件マグネシウム原料;ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マグネシウムマグネシウム化合物6気化温度;40°CHeキャリアー流量;100sccm酸素流量;10sccm基板材料;SiO2/Si基板温度;300°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分膜特性XPSdepth測定膜厚;50nm以上XPS分析;マグネシウム酸化膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず比較例A1蒸着実験;マグネシウム含有薄膜の製造ビスシクロペンタジエニルマグネシウムを用いて、実施例A7と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。なお、各種条件を調整して原料の供給量を実施例A7に揃えて蒸着実験を行った。蒸着条件マグネシウム原料;ビスシクロペンタジエニルマグネシウム気化温度;30°CHeキャリアー流量;10sccm希釈He流量;90sccm酸素流量;10sccm基板材料;SiO2/Si基板温度;300°C反応系内圧力;10Torr約1.33kPa蒸着時間;30分膜特性XPSdepth測定膜厚;50nm以上XPS分析;マグネシウム酸化膜炭素含有率;30炭素原子換算窒素含有率;検出されずそもそも原料に窒素原子が存在しない以上の結果から、本発明のビスアミドアミノアルカンマグネシウム化合物を用いることにより、炭素原子や窒素原子等の不純物を含まない高品質のマグネシウム含有薄膜マグネシウム酸化膜を製造することができることが判明した。参考例B11-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタン2.15g16.5mmolとヘキサン15mlを加えた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、1.65mol/lのn-ブチルリチウムへキサン溶液10ml16.5mmolをゆるやかに滴下し、攪拌しながら同温度で30分間、20°Cで2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥し、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム2.13gを得た単離収率;95。なお、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの物性値は以下の通りであった。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.952H,t,6.0Hz、2.911H,quint,6.2Hz、2.442H,t,6.0Hz、2.186H,s、0.996H,d,6.2Hz実施例B1ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトIIコバルト化合物8の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、塩化コバルトII予め乾燥させた無水物0.500g3.85mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加え、混合して2時間攪拌させた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、参考例B1と同様な方法で得られた1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.05g7.71mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下した。その後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン50mlを加えて攪拌させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留80°C、13.3Paし、濃緑色固体として、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトII1.0gを得た単離収率;80。なお、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。融点;68~69°C誘導結合プラズマICP分析によるコバルト含有量;19.2質量計算値;18.6質量参考例B21-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例A4で得られた1-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン2.59g16.5mmolとヘキサン15mlを加えた。次いで、混合液を0°Cに保ちながら1.65mol/lのnブチルリチウムのへキサン溶液10ml16.5mmolを緩やかに滴下した。滴下後、混合液を0°Cで30分間攪拌した後、撹拌しながら20°Cにて2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥させて、1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムを得た。なお、1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムは他に精製を行わず、次の反応に用いた。参考例B31-t-ペンチルアミノ-2-ジメチルアミノエタンの合成攪拌装置、温度計を備えた内容積300mlのフラスコに、2-ジメチルアミノエタンクロリド塩酸塩20.6g143mmol、t-ペンチルアミン74.0g859mmolを加えた後、8時間加熱還流をした。反応終了後、反応混合物をヘキサン100mlで2回濾過、洗浄し、ヘキサン層を減圧下で濃縮した。濃縮物を減圧蒸留120°C、11.0kPaして、1-t-ペンチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン13.5gを得た単離収率;60。実施例B2ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトコバルト化合物10の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルトII1.07g8.25mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、2時間攪拌させた。次いで、参考例B2で得られた1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムのテトラヒドロフラン溶液20mlを、液温を0°Cに保ちながら緩やかに滴下した後、撹拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン100mlを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物を減圧下で蒸留90°C、13.3Paし、濃緑色液体としてビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルト0.8gを得た単離収率27。なお、ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトは以下の物性値で示される新規な化合物であった。ICP分析によるCo含有量;16.03wt計算値;17.06wt参考例B41-t-ペンチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例B3で得られた1-t-ペンチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン2.69g16.5mmolとヘキサン15mlを加えた。次いで、混合液を0°Cに保ちながら1.65mol/lのnブチルリチウムのへキサン溶液10ml16.5mmolを緩やかに滴下した。滴下後、混合液を0°Cで30分間攪拌した後、撹拌しながら20°Cにて2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥させて、1-t-ペンチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムを得た。なお、1-t-ペンチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムは他に精製を行わず、次の反応に用いた。実施例B3ビス1-t-ペンチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトコバルト化合物12の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルトII1.07g8.25mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、2時間攪拌させた。次いで、参考例B4で得られた1-t-ペンチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムのテトラヒドロフラン溶液20mlを、液温を0°Cに保ちながら緩やかに滴下した後、撹拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン100mlを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物を減圧下で蒸留100°C、13.3Paし、濃緑色液体としてビス1-t-ペンチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルト1.45gを得た単離収率47。なお、ビス1-t-ペンチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトは以下の物性値で示される新規な化合物であった。ICP分析によるCo含有量;15.80wt計算値;15.80wt実施例B4ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトコバルト化合物9の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルトII1.07g8.25mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、2時間攪拌させた。次いで、参考例D3で得られた1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムのテトラヒドロフラン溶液20mlを、液温を0°Cに保ちながら緩やかに滴下した後、撹拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン100mlを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物を減圧下で蒸留95°C、13.3Paし、濃緑色固体としてビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルト1.2gを得た単離収率42。なお、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトは以下の物性値で示される新規な化合物であった。ICP分析によるCo含有量;16.5wt計算値;17.1wt実施例B5蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造実施例B1で得られたビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトIIコバルト化合物8を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図2に示す装置を使用した。気化器3ガラス製アンプルにあるコバルト化合物20は、ヒーター10Bで加熱されて気化し、マスフローコントローラー1Aを経て予熱器10Aで予熱後導入されたヘリウムガスに導搬され気化器3を出る。気化器3を出たガスは、マスフローコントローラー1B、ストップバルブ2を経て導入されたアンモニアガスもしくは水素ガス、酸素ガス等の反応ガスとともに反応器4に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ6の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計5によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター10Cで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたコバルト化合物は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター10Cで所定の温度に加熱された被蒸着基板21の表面上で還元もしくは酸化熱分解し、基板21上にコバルト含有薄膜が析出する。反応器4を出たガスは、トラップ7、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。なお、被蒸着基板としては、6mm×20mmサイズの矩形のものを使用した。蒸着条件コバルト原料;ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトIIコバルト化合物8気化温度;90°CHeキャリアー流量;10sccmアンモニア流量;10sccm基板材料;SiO2Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPSdepth測定膜厚;400nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず実施例B6蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造実施例B2で得られたビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトIIコバルト化合物10を用いて、実施例B5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。蒸着条件コバルト原料;ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’コバルトコバルト化合物10気化温度;80°CHeキャリアー流量;30sccmアンモニア流量;20sccm基板材料;SiO2/Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPS-depth測定膜厚;200nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず比較例B1蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造ビスN-t-ブチル-N’-エチルプロピオンアミジナトコバルト特許文献8に記載の化合物を用いて、実施例B5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。蒸着条件気化温度;90°CHeキャリアー流量;10sccmアンモニア流量;10sccm基板材料;SiO2/Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPS-depth測定膜厚;40nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;3炭素原子換算窒素含有率;7窒素原子換算以上の結果から、本発明のビスアミドアミノアルカンコバルト化合物は、短時間でコバルト含有薄膜を製造することができる高成膜レートとともに、炭素原子や窒素原子等の不純物を含まない高品質のコバルト含有薄膜を製造する原料となり得ることが判明した。参考例C11-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-イソプロピルアミノ-1-ジメチルアミノプロパン混合物の合成攪拌装置、温度計を備えた内容積300mlのフラスコに、2-ジメチルアミノプロパンクロリド塩酸塩25.0g158mmol、イソプロピルアミン56.1g949mmol及び水3mlを加えた後、攪拌しながら40~50°Cで10時間反応させた。反応終了後、反応混合物を濾過、ヘキサン200mlで洗浄し、ヘキサン層を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留105°C、13.3kPaして、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-イソプロピルアミノ-1-ジメチルアミノプロパン混合物混合比8:218.2gを得た単離収率;82。なお、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-イソプロピルアミノ-1-ジメチルアミノプロパン混合物の物性値は以下の通りであった。1H-NMRCDCl3,δppm;0.893H,s,formajorisomer,0.973H,s,forminorisomer,1.05,1.07each3H,eachd,J=6.3Hz,formajorisomer,1.05,1.10each3H,eachd,J=6.3Hz,forminorisomer,1.521H,drs,2.196H,s,forminorisomer,2.206H,s,formajorisomer,2.482H,d,J=6.8Hz,formajorisomer,2.502H,d,J=6.8Hz,forminorisomer,2.68-2.892H,m参考例C21-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム及び2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム混合物の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例C1で得られた1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-イソプロピルアミノ-1-ジメチルアミノプロパンの混合物混合比8:22.15g16.5mmol及びヘキサン15mlを加えた。次いで、混合液を0°Cに保ちながら、1.65mol/lのn-ブチルリチウムのへキサン溶液10ml16.5mmolをゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を0°Cで30分間攪拌した後、攪拌しながら20°Cにて2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥させて、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム及び2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの混合物を得た。なお、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム及び2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム混合物は、そのまま次の反応へ用いた。実施例C1ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1c、ビス2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1j及び1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1q混合物の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルトII1.07g8.25mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、2時間攪拌させた。次いで、参考例C2で得られた1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム及び2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの混合物のテトラヒドロフラン溶液20mlを、液温を0°Cに保ちながらゆるやかに滴下した後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物にヘキサン100mlを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留95°C、13.3Paさせて、暗褐色固体として、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト、ビス2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト及び1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト混合物1.9gを得た単離収率;67。なお、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト、ビス2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト及び1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト混合物は、以下の物性値で示される新規な化合物である。融点;90°C誘導結合プラズマICP分析によるコバルト含有量;16.4質量計算値;17.06質量参考例C31-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパンの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積200mlのフラスコに、参考例C1で得られた1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-イソプロピルアミノ-1-ジメチルアミノプロパンの混合物混合比8:212.0g75.9mmol、メタノール50mLを加えた後、撹拌しながら60~70°Cに加熱した。次いで、シュウ酸13.7g151.8mmol、メタノール60mLの溶液をゆるやかに滴下した後、撹拌しながら20°Cにて1時間反応させた。反応混合液を濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物に水100mL、水酸化カリウム17.0g303.6mmolを加えた。次いで、クロロホルム50mLで3回抽出した後、減圧下で濃縮し、得られた濃縮物を減圧蒸留105°C、13.3kPaして、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン7.6gを得た単離収率;76。なお、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパンの物性値は以下の通りであった。なお、純度は1H-NMRより100であった。1H-NMRCDCl3,δppm;0.893H,s,1.05,1.07each3H,eachd,J=6.3Hz,1.751H,drs,2.206H,s,2.492H,d,J=6.8Hz,2.68-2.832H,m参考例C41-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウムの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例C3で得られた1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン2.15g16.5mmol及びヘキサン15mlを加えた。次いで、混合液を0°Cに保ちながら、1.65mol/lのn-ブチルリチウムのへキサン溶液10ml16.5mmolをゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を0°Cで30分間攪拌した後、攪拌しながら20°Cにて2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥させて、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウムを得た。なお、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウムは、そのまま次の反応へ用いた。実施例C2ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1cの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルトII1.07g8.25mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、2時間攪拌させた。次いで、参考例C4で得られた1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウムのテトラヒドロフラン溶液20mlを、液温を0°Cに保ちながらゆるやかに滴下した後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物にヘキサン100mlを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留95°C、13.3Paさせて、暗褐色固体として、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト1.2gを得た単離収率;43。参考例C51-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-s-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパンの混合物の合成攪拌装置、温度計を備えた内容積300mlのフラスコに、2-ジメチルアミノプロパンクロリド塩酸塩25.0g158mmol、s-ブチルアミン69.4g949mmolを加えた後、攪拌しながら80~90°Cで10時間反応させた。反応終了後、反応混合物を濾過、ヘキサン200mlで洗浄し、ヘキサン層を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留110°C、11kPaして、1-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-s-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパンの混合物混合比8:221.7gを得た単離収率;87。なお、1-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-s-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパンの混合物の物性値は以下の通りであった。1H-NMRCDCl3,δppm;0.959H,m1.291H,m,1.501H,m,1.701H,br,2.206H,s,2.483H,m,2.731H,m参考例C61-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム混合物の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例C5で得られた1-s-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-s-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパンの混合物混合比8:22.65g16.5mmol及びヘキサン15mlを加えた。次いで、混合液を0°Cに保ちながら、1.65mol/lのn-ブチルリチウムのへキサン溶液10ml16.5mmolをゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を0°Cで30分間攪拌した後、攪拌しながら20°Cにて2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥させて、1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム混合物を得た。なお、1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム混合物は、そのまま次の反応へ用いた。実施例C3ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1e、ビス2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1l、及び1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1s混合物の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルトII1.07g8.25mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、2時間攪拌させた。次いで、参考例C6で得られた1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウムの混合物のテトラヒドロフラン溶液20mlを、液温を0°Cに保ちながらゆるやかに滴下した後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物にヘキサン100mlを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留105°C、13.3Paさせて、暗褐色液体として、ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト、ビス2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト及び1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトの混合物2.1gを得た単離収率;68。なお、ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト、ビス2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト及び1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト混合物は、以下の物性値で示される新規な化合物である。誘導結合プラズマICP分析によるコバルト含有量;15.3質量計算値;15.8質量参考例C71-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-t-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパン混合物の合成攪拌装置、温度計を備えた内容積300mlのフラスコに、2-ジメチルアミノプロパンクロリド塩酸塩25.0g158mmol、t-ブチルアミン69.4g949mmol及び水3mlを加えた後、攪拌しながら60°Cで10時間反応させた。反応終了後、反応混合物を濾過、ヘキサン200mlで洗浄し、ヘキサン層を減圧下で濃縮した。得られた濃縮物を減圧蒸留120°C、12kPaして、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-t-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパン混合物混合比8:219.2gを得た単離収率;77。なお、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-t-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパン混合物の物性値は以下の通りであった。1H-NMRCDCl3,δppm;0.893H,t,6.5Hz1.109H,s,1.401H,brs,2.186H,s,2.381H,m,2.531H,t,11.0Hz,2.483H,m,2.67-2.771H,m参考例C81-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム混合物の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、参考例C7で得られた1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノプロパン及び2-t-ブチルアミノ-1-ジメチルアミノプロパンの混合物混合比8:23.15g19.9mmol及びヘキサン15mlを加えた。次いで、混合液を0°Cに保ちながら、1.65mol/lのn-ブチルリチウムのへキサン溶液10ml16.5mmolをゆるやかに滴下した。滴下後、混合液を0°Cで30分間攪拌した後、攪拌しながら20°Cにて2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥させて、1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウムの混合物を得た。なお、1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム混合物は、そのまま次の反応へ用いた。実施例C4ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1d、ビス2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1k及び1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1r混合物の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積100mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、無水塩化コバルトII1.07g8.25mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、2時間攪拌させた。次いで、参考例C8で得られた1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウム及び2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’リチウムの混合物のテトラヒドロフラン溶液20mlを、液温を0°Cに保ちながらゆるやかに滴下した後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物にヘキサン100mlを加えて攪拌させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物を減圧下で蒸留115°C、13.3Paさせて、暗褐色固体として、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト、ビス2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト及び1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト混合物2.9gを得た単離収率;94。なお、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト、ビス2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト及び1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト混合物は、以下の物性値で示される新規な化合物である。融点;90°C誘導結合プラズマICP分析によるコバルト含有量;15.0質量計算値;15.8質量実施例C5蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造実施例C1で得られたコバルト化合物を用いて、実施例B5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りである。蒸着条件コバルト原料;実施例C1で得られたコバルト化合物ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト化合物1c、ビス2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト化合物1j及び1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-イソプロピルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト化合物1q混合物気化温度;90°CHeキャリアー流量;30sccmアンモニア流量;10sccm基板材料;SiO2/Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPS-depth測定膜厚;300nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず実施例C6蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造実施例C2で得られたコバルト化合物を用いて、実施例B5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りである。蒸着条件コバルト原料;実施例C2で得られたコバルト化合物ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト化合物1c気化温度;90°CHeキャリアー流量;30sccmアンモニア流量;10sccm基板材料;SiO2/Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPS-depth測定膜厚;300nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず実施例C7蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造実施例C3で得られたコバルト化合物を用いて、実施例B5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りである。蒸着条件コバルト原料;実施例C3で得られたコバルト化合物ビス1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト化合物1e、ビス2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト化合物1l、及び1-s-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-s-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルト化合物1s混合物気化温度;100°CHeキャリアー流量;30sccmアンモニア流量;10sccm基板材料;SiO2/Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPS-depth測定膜厚;200nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず実施例C8蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造実施例C4で得られたコバルト化合物を用いて、実施例B5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りである。蒸着条件コバルト原料;実施例C4で得られたコバルト化合物ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1d、ビス2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1k及び1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノプロパン-N,N’2-t-ブチルアミド-1-ジメチルアミノプロパン-N,N’コバルトコバルト化合物1r混合物気化温度;90°CHeキャリアー流量;30sccmアンモニア流量;30sccm基板材料;SiO2/Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPS-depth測定膜厚;300nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず比較例C1蒸着実験;コバルト含有薄膜の製造ビスN-t-ブチル-N’-エチルプロピオンアミジナトコバルト特許文献8記載の化合物を用いて、実施例B5と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りである。蒸着条件コバルト化合物;ビスN-t-ブチル-N’-エチルプロピオンアミジナトコバルト特許文献8記載の化合物気化温度;90°CHeキャリアー流量;10sccmアンモニア流量;10sccm基板材料;SiO2/Siウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;0.67kPa蒸着時間;5分膜特性SEM及びXPS-depth測定膜厚;40nmXPS分析;コバルト膜炭素含有率;3炭素原子換算窒素含有率;7窒素原子換算以上の結果から、本発明のビスアミドアミノアルカンコバルト化合物は、短時間でコバルト含有薄膜を製造することができる高い成膜レートとともに、炭素原子や窒素原子等の不純物を含まない高品質のコバルト含有薄膜を製造する原料となり得ることが判明した。参考例D11-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタン2.1g16mmolとヘキサン15mlを加えた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、1.6mol/lのn-ブチルリチウムへキサン溶液10ml16mmolをゆるやかに滴下し、攪拌しながら同温度で30分間、20°Cで2時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を真空下で乾燥し、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム2.1gを得た単離収率;94。なお、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの物性値は以下の通りであった。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.952H,t,6.0Hz、2.911H,quint,6.2Hz、2.442H,t,6.0Hz、2.186H,s、0.996H,d,6.2Hz実施例D1ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンIIマンガン化合物8の合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、塩化マンガンII予め乾燥させた無水物0.48g3.8mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加え、混合して2時間攪拌させた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、参考例D1と同様な方法で得られた1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.0g7.6mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下した。その後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン50mlを加えて攪拌させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留80°C、13.3Paし、淡褐色液体として、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンII1.0gを得た単離収率;84。なお、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。誘導結合プラズマICP分析によるマンガン含有量;17.7質量計算値;17.5質量参考例D21-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの合成参考例D1において、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンを1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン2.3g16mmolに変更したこと以外は、参考例D1と同様に反応を行い、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム2.4gを得た単離収率;96。実施例D2ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンIIマンガン化合物9の合成実施例D1において、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムのテトラヒドロフラン溶液を、1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.1g7.6mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlに変更したこと以外は、実施例D1と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で昇華90°C、13Paさせて、淡緑褐色固体として、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガン1.1gを得た単離収率;85。なお、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。融点;70~71°C誘導結合プラズマICP分析によるマンガン含有量;16.5質量計算値;16.1質量実施例D3蒸着実験;マンガン含有薄膜の製造実施例D2で得られたビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンIIマンガン化合物9を用いて、CVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。評価試験には、図2に示す装置を使用した。気化器3ガラス製アンプルにあるマンガン化合物20は、ヒーター10Bで加熱されて気化し、マスフローコントローラー1Aを経て予熱器10Aで予熱後導入されたヘリウムガスに導搬され気化器3を出る。気化器3を出たガスは、マスフローコントローラー1B、ストップバルブ2を経て導入されたアンモニアガスもしくは水素ガス、酸素ガス等の反応ガスとともに反応器4に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ6の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計5によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター10Cで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたマンガン化合物は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター10Cで所定の温度に加熱された被蒸着基板21の表面上で還元もしくは酸化熱分解し、基板21上にマンガン含有薄膜が析出する。反応器4を出たガスは、トラップ7、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。なお、被蒸着基板としては、6mm×20mmサイズの矩形のものを使用した。蒸着条件1マンガン原料;ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンIIマンガン化合物9気化温度;50°CHeキャリアー流量;60sccm水素流量;10sccm基板材料;Siウェハー基板温度;300°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分膜特性SEM及びXPSdepth測定と四探針法による抵抗率膜厚;100nmXPS分析;マンガン膜抵抗率;1.6~1.9×10-6Ωm蒸着条件2マンガン原料;ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’マンガンIIマンガン化合物9気化温度;50°CHeキャリアー流量;60sccmアンモニア流量;10sccm基板材料;SiO2ウェハー基板温度;200°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分膜特性外観観察膜外観;金属光沢のあるMn含有膜が形成された。比較例D1蒸着実験;マンガン含有薄膜の製造ビスN,N’-ジイソプロピルペンタンアミジナトマンガン非特許文献9及び10記載の化合物を用いて、実施例D3と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。蒸着条件3気化温度;70°CHeキャリアー流量;60sccm水素流量;10sccm基板材料;Siウェハー基板温度;300°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分実施例D3とほぼ同様な条件蒸着条件3では成膜できなかった。蒸着条件4気化温度;70°CHeキャリアー流量;60sccm水素流量;10sccm基板材料;Siウェハー基板温度;350°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分膜特性膜厚および四探針法による抵抗率膜厚;10nm以下抵抗率;測定不可以上の結果から、本発明のビスアミドアミノアルカンマンガン化合物は、より低温かつ短時間でマンガン含有薄膜を製造することができる高成膜レートとともに、低抵抗炭素原子等の不純物を含まないで高品質のマンガン含有薄膜を製造する原料となり得ることが判明した。実施例E1ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛IIの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、塩化亜鉛II予め乾燥させた無水物0.52g3.8mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加え、混合して2時間攪拌させた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、参考例D1と同様な方法で得られた1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.0g7.6mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下した。その後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン50mlを加えて攪拌させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留80°C、13.3Paし、無色透明液体として、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛II1.1gを得た単離収率;89。なお、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛IIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;3.014H,t,6.0Hz、2.912H,quint,6.2Hz、2.524H,t,6.0Hz、2.2712H,s、1.0312H,d,6.2Hz誘導結合プラズマICP分析による亜鉛含有量;19.8質量計算値;20.2質量実施例E2ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛IIの合成実施例E1において、1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムのテトラヒドロフラン溶液を、参考例D2と同様な方法で得られた1-t-ブチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.1g7.6mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlに変更したこと以外は、実施例E1と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で昇華90°C、13Paさせて、白色固体として、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛II1.2gを得た単離収率;90。なお、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛IIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;3.034H,t,6.0Hz、2.504H,t,6.0Hz、2.2612H,s、1.1118H,s融点;98~100°C誘導結合プラズマICP分析による亜鉛含有量;18.5質量計算値;18.6質量実施例E3蒸着実験;亜鉛含有薄膜の製造実施例E1で得られたビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛IIを用いて、実施例D3と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。蒸着条件1亜鉛原料;実施例E1で得られた亜鉛化合物ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’亜鉛II気化温度;40°CHeキャリアー流量;100sccm酸素流量;10sccm基板材料;SiO2ウェハー基板温度;300°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分膜特性XPSdepth測定膜厚;50nm以上XPS分析;亜鉛酸化膜炭素含有率;検出されず窒素含有率;検出されず比較例E1蒸着実験;亜鉛含有薄膜の製造ビスアセチルアセトナト亜鉛特許文献14記載の化合物を用いて、実施例E3と同様にCVD法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。蒸着条件及び膜特性は以下の通りであった。蒸着条件2気化温度;50°CHeキャリアー流量;30sccm酸素流量;10sccm基板材料;SiO2ウェハー基板温度;300°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分実施例E3とほぼ同様な条件蒸着条件2では成膜できなかった。蒸着条件3気化温度;50°CHeキャリアー流量;30sccm酸素流量;10sccm基板材料;SiO2ウェハー基板温度;450°C反応系内圧力;1.33kPa蒸着時間;30分膜特性XPSdepth測定膜厚;50nm以上XPS分析;亜鉛酸化膜炭素含有率;5炭素原子換算窒素含有率;検出されずそもそも原料に窒素原子が存在しない以上の結果から、本発明のビスアミドアミノアルカン亜鉛化合物を用いることにより、炭素原子や窒素原子等の不純物を含まない高品質の亜鉛含有薄膜亜鉛酸化膜を製造することができることが判明した。実施例F1ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’鉄IIの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、塩化鉄II予め乾燥させた無水物0.48g3.8mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加え、混合して2時間攪拌させた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、参考例D1と同様な方法で得られた1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.0g7.6mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下した。その後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン50mlを加えて攪拌させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留80°C、13.3Paし、褐色透明液体として、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’鉄II1.0gを得た単離収率;84。なお、ビス1-イソプロピルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’鉄IIは以下の物性値で示される新規な化合物である。誘導結合プラズマICP分析による鉄含有量;18.2質量計算値;17.8質量実施例G1ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ニッケルの合成実施例E2において、塩化亜鉛IIを塩化ニッケルII0.49g3.8mmolに変更したこと以外は、実施例E2と同様に反応を行い、濃縮後、減圧下で昇華90°C、13Paさせて、褐色固体として、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ニッケル0.80gを得た単離収率;61。なお、ビス1-t-ブチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ニッケルIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。融点;90~92°C誘導結合プラズマICP分析によるニッケル含有量;17.4質量計算値;17.0質量参考例H11-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウムの合成参考例D1において、1-イソプロピルアミノ-2-ジメチルアミノエタンを1-メチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.6g16mmolに変更したこと以外は、参考例D1と同様に反応を行い、1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.6gを得た単離収率;92。実施例H1トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’インジウムIIIの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、塩化インジウムIII予め乾燥させた無水物0.84g3.8mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加え、混合して2時間攪拌させた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、参考例H1で得られた1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’リチウム1.1g11mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下した。その後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン50mlを加えて攪拌させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留130°C、13.3Paし、淡黄色半固体ワックス状として、トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’インジウムIII1.2gを得た単離収率;75。なお、トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’インジウムIIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.956H,t,5.6Hz、2.839H,s、2.446H,t,5.6Hz、2.2618H,s誘導結合プラズマICP分析によるインジウム含有量;26.8質量計算値;27.5質量実施例I11-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ナトリウムの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、金属ナトリウム0.21g9.0mmol、1-メチルアミノ-2-ジメチルアミノエタン1.0g10mmol、イソプレン1.4g20mmol、ヘキサン25mlを20°Cで加えて、同温度で20時間攪拌した。反応終了後、反応液をアルゴン雰囲気下で濾過後、濾物をヘキサン20mlで洗浄した。濾物を真空下で乾燥し、1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ナトリウム0.9gを得た単離収率;80。なお、1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ナトリウムは以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.982H,t,6.0Hz、2.973H,s、2.422H,t,6.0Hz、2.166H,s実施例J1トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’イットリウムIIIの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、塩化イットリウムIII予め乾燥させた無水物0.74g3.8mmol及びテトラヒドロフラン10mlを加え、混合して2時間攪拌させた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、実施例I1で得られた1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ナトリウム1.4g11mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下した。その後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン50mlを加えて攪拌させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留140°C、13.3Paし、淡黄色半固体ワックス状として、トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’イットリウムIII0.60gを得た単離収率;40。なお、トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’イットリウムIIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.496H,t,6.0Hz、2.309H,s、2.266H,t,6.0Hz、2.1418H,s誘導結合プラズマICP分析によるイットリウム含有量;21.9質量計算値;22.7質量実施例K1トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ランタンIIIの合成攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積50mlのフラスコに、アルゴン雰囲気にて、ヨウ化ランタンIII予め乾燥させた無水物1.97g3.8mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加え、混合して2時間攪拌させた。次いで、液温を0°Cに保ちながら、実施例I1で得られた1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ナトリウム1.4g11mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlをゆるやかに滴下した。その後、攪拌しながら20°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、濃縮物にヘキサン50mlを加えて攪拌させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留140°C、13.3Paし、淡黄色半固体ワックス状として、トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ランタンIII0.50gを得た単離収率;30。なお、トリス1-メチルアミド-2-ジメチルアミノエタン-N,N’ランタンIIIは、以下の物性値で示される新規な化合物である。1H-NMRテトラヒドロフラン-d8,δppm;2.906H,t,6.0Hz、2.849H,s、2.706H,t,6.0Hz、2.3118H,s誘導結合プラズマICP分析によるランタン含有量;30.2質量計算値;31.4質量"