"遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された研磨液を硬質の研磨布に供給しながら、シリコンウェーハと前記研磨布とを相対的に回転させて、前記シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面に粗研磨を行い、該粗研磨後、前記シリコンウェーハの粗研磨された少なくとも表面に仕上げ研磨を施すシリコンウェーハの研磨方法。シリコンウェーハと研磨布とを相対的に回転させて、前記シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面に粗研磨を行い、該粗研磨後、前記シリコンウェーハの粗研磨された少なくとも表面に仕上げ研磨を施すシリコンウェーハの研磨方法において、前記粗研磨を、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された1段目用の研磨液を前記研磨布に供給しながら行う1段目研磨と、該1段目研磨後、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された2段目用の研磨液を前記研磨布に供給しながら行う2段目研磨とに分け、前記2段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度を、前記1段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度より高くしたシリコンウェーハの研磨方法。前記水溶性高分子は、ノニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種、または、アニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種である請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法。前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロースである請求項3に記載のシリコンウェーハの研磨方法。前記研磨液中のヒドロキシエチルセルロースの濃度は、0.1ppm~1000ppmである請求項4に記載のシリコンウェーハの研磨方法。前記アルカリ性水溶液はpH8~pH13に調整され、該アルカリ性水溶液は、アルカリ剤として塩基性アンモニウム塩、塩基性カリウム塩、塩基性ナトリウム塩のうち、何れかが添加されたアルカリ性水溶液、または炭酸アルカリ水溶液、またはアミンが添加されたアルカリ性水溶液である請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法。前記研磨布は、ポリエステル製の不織布からなるものもしくはポリウレタン製のものである請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法。前記粗研磨は、シリコンウェーハを収納するキャリアプレートと、このキャリアプレートを上下方向から挟持し、下面に前記研磨布が貼張された上定盤および上面に前記研磨布が貼張された下定盤とを備えた両面研磨装置により、前記シリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法。前記粗研磨後の前記シリコンウェーハの厚みが、前記キャリアプレートの厚みより大きくなるように研磨する請求項8に記載のシリコンウェーハの研磨方法。シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面を粗研磨する際に使用される研磨液において、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液を主剤とし、該アルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された研磨液。前記アルカリ性水溶液はpH8~pH13に調整され、アルカリ剤として塩基性アンモニウム塩、塩基性カリウム塩、塩基性ナトリウム塩のうち、何れかが添加されたアルカリ性水溶液、または炭酸アルカリ水溶液、またはアミンが添加されたアルカリ性水溶液で、前記水溶性高分子は、ノニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種、または、アニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種である請求項10に記載の研磨液。前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロースである請求項10または請求項11に記載の研磨液。前記アルカリ性水溶液中の前記ヒドロキシエチルセルロースの濃度が、0.1ppm~1000ppmの濃度範囲に調整された請求項12に記載の研磨液。ところで、近年のデバイスの微細化およびシリコンウェーハのデバイス形成領域の拡大の観点から、シリコンウェーハの最外周付近でも高い平坦度が要求され、ウェーハの最外周付近の平坦度および表面変位量に対しての関心が高まっている。これに伴い、シリコンウェーハの最外周の形状を評価するため、ウェーハ外周部のダレ量と跳ね上げ量を定量的に表したROARollOffAmountという指標が知られている。これは、例えば直径300mmのシリコンウェーハが平坦と考えられるウェーハの中心から124mm~135mm位置Referenceareaのウェーハ形状から仮想の基準平面を求め、例えば、ROA1mmにあっては、ウェーハ外縁より1mm内側の位置における基準平面からの高さとして定義される。このとき、基準平面の高さを0とし、これよりウェーハ外縁までがダレた形状であれば、その変位量は-の値ロールオフとなり、逆に跳ね上げた形状であればの値ロールアップとなる。また、ロールオフおよびロールアップの絶対値が小さいほど、最外周付近でも平坦度が高いと評価される。特許文献1のように、遊離砥粒を含まずかつ水溶性ケイ酸成分を含有するアルカリ性水溶液からなる研磨液を使用してシリコンウェーハの表面を研磨した場合、研磨処理中、研磨液はシリコンウェーハの外周から中心に向けて流れ込む。そのため、ウェーハ中心部よりも外周部に多くのエッチング作用のあるアルカリ水溶液が接触することになる。これにより、シリコンウェーハの外周縁から3mmまでの間の研磨レートが高く、遊離砥粒を含む研磨液を使用したCMPの場合と同じように、ウェーハ外周縁から3mm以下の領域でロールオフの制御が不完全であった。また、研磨処理中のアルカリ濃度変化によっては、研磨液中のケイ酸成分がゲル化してしまい、これがコロイダルシリカ中の遊離砥粒として機能し、加工ダメージの発生や加工起因の欠陥を生じるおそれがあった。また、近年、シリコンウェーハの表面側だけでなく裏面側も鏡面研磨したシリコンウェーハの提供が求められ、粗研磨工程において、遊離砥粒を含む研磨液を用いて、ウェーハ表裏面を同時に研磨する両面研磨が実施されるようになってきた。両面研磨装置としては、近年、キャリアプレート内にシリコンウェーハを収容した状態で、研磨布を貼張した上定盤および下定盤によりキャリアプレートを挟み込み、この状態でシリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する両面研磨が採用されつつある。このようなキャリアプレートを用いた両面研磨装置を使用した場合、シリコンウェーハの厚みをキャリアプレートの厚みと同等あるいはそれ以下の厚みとなるまでシリコンウェーハの表裏面を研磨すれば、キャリアプレートによって、研磨布によるウェーハ外周部の研磨そのものが抑制されるため、ロールオフの低減を図ることができる。しかしながら、キャリアプレートそのものも研磨してしまうため、キャリアプレートの交換頻度が増加し、生産コストの上昇を招く問題が懸念される。そこで、発明者は鋭意研究の結果、シリコンウェーハの表面の粗研磨において、ポリウレタンなどの硬質の研磨布を使用し、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された研磨液を供給しながらウェーハの表面を研磨すれば、高い研磨レートを維持できるとともに、添加する水溶性高分子の濃度を調整することにより、シリコンウェーハ外周部のロールオフ量を任意に制御でき、ロールオフ量を低減できることを知見し、この発明を完成させた。この発明は、シリコンウェーハの被研磨面を高い研磨レートで研磨できるとともに、ロールオフとロールアップとを含めたウェーハ外周部の平坦度の制御を図ることができるシリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液を提供することを目的としている。請求項1に記載の発明は、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された研磨液を硬質の研磨布に供給しながら、シリコンウェーハと前記研磨布とを相対的に回転させて、前記シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面に粗研磨を行い、該粗研磨後、前記シリコンウェーハの粗研磨された少なくとも表面に仕上げ研磨を施すシリコンウェーハの研磨方法である。請求項2に記載の発明は、シリコンウェーハと研磨布とを相対的に回転させて、前記シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面に粗研磨を行い、該粗研磨後、前記シリコンウェーハの粗研磨された少なくとも表面に仕上げ研磨を施すシリコンウェーハの研磨方法において、前記粗研磨を、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された1段目用の研磨液を前記研磨布に供給しながら行う1段目研磨と、該1段目研磨後、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された2段目用の研磨液を前記研磨布に供給しながら行う2段目研磨とに分け、前記2段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度を、前記1段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度より高くしたシリコンウェーハの研磨方法である。請求項3に記載の発明は、前記水溶性高分子は、ノニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種、または、アニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種である請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法である。請求項4に記載の発明は、前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロースである請求項3に記載のシリコンウェーハの研磨方法である。請求項5に記載の発明は、前記研磨液中のヒドロキシエチルセルロースの濃度は、0.1ppm~1000ppmである請求項4に記載のシリコンウェーハの研磨方法である。請求項6に記載の発明は、前記アルカリ性水溶液はpH8~pH13に調整され、該アルカリ性水溶液は、アルカリ剤として塩基性アンモニウム塩、塩基性カリウム塩、塩基性ナトリウム塩のうち、何れかが添加されたアルカリ性水溶液、または炭酸アルカリ水溶液、またはアミンが添加されたアルカリ性水溶液である請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法である。請求項7に記載の発明は、前記研磨布は、ポリエステル製の不織布からなるものもしくはポリウレタン製のものである請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法である。請求項8に記載の発明は、前記粗研磨は、シリコンウェーハを収納するキャリアプレートと、このキャリアプレートを上下方向から挟持し、下面に前記研磨布が貼張された上定盤および上面に前記研磨布が貼張された下定盤とを備えた両面研磨装置により、前記シリコンウェーハの表裏面を同時に研磨する請求項1または請求項2に記載のシリコンウェーハの研磨方法である。請求項9に記載の発明は、前記粗研磨後の前記シリコンウェーハの厚みが、前記キャリアプレートの厚みより大きくなるように研磨する請求項8に記載のシリコンウェーハの研磨方法である。請求項10に記載の発明は、シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面を粗研磨する際に使用される研磨液において、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液を主剤とし、該アルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された研磨液である。請求項11に記載の発明は、前記アルカリ性水溶液はpH8~pH13に調整され、アルカリ剤として塩基性アンモニウム塩、塩基性カリウム塩、塩基性ナトリウム塩のうち、何れかが添加されたアルカリ性水溶液、または炭酸アルカリ水溶液、またはアミンが添加されたアルカリ性水溶液で、前記水溶性高分子は、ノニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種、または、アニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種である請求項10に記載の研磨液である。請求項12に記載の発明は、前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロースである請求項10または請求項11に記載の研磨液である。請求項13に記載の発明は、前記アルカリ性水溶液中の前記ヒドロキシエチルセルロースの濃度が、0.1ppm~1000ppmの濃度範囲に調整された請求項12に記載の研磨液である。本発明のシリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液によれば、高い研磨レートを維持しながら、ウェーハ外周部のロールオフの低減、ひいてはロールオフとロールアップとを含めたウェーハ外周部の平坦度ROAの制御を図ることができる。また、加工ダメージの発生や砥粒凝集に起因したマイクロスクラッチなどの加工起因の欠陥発生も低減することができる。本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された研磨液を硬質の研磨布に供給しながら、シリコンウェーハと前記研磨布とを相対的に回転させて、前記シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面に粗研磨を行い、該粗研磨後、前記シリコンウェーハの粗研磨された少なくとも表面に仕上げ研磨を施すシリコンウェーハの研磨方法である。また、別の本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、シリコンウェーハと研磨布とを相対的に回転させて、前記シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面に粗研磨を行い、該粗研磨後、前記シリコンウェーハの粗研磨された少なくとも表面に仕上げ研磨を施すシリコンウェーハの研磨方法において、前記粗研磨を、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された1段目用の研磨液を前記研磨布に供給しながら行う1段目研磨と、該1段目研磨後、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加された2段目用の研磨液を前記研磨布に供給しながら行う2段目研磨とに分け、前記2段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度を、前記1段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度より高くしたシリコンウェーハの研磨方法である。これらの本発明のシリコンウェーハの研磨方法によれば、アルカリ性水溶液によるエッチング作用と水溶性高分子によるシリコンウェーハ外周部のエッチング抑制作用により、高い研磨レートを維持しながら、ウェーハ外周部のロールオフの低減、ひいてはロールオフとロールアップとを含めたウェーハ外周部の平坦度ROAの制御を図ることができる。また、遊離砥粒を含む研磨液を使用した従来の研磨方法では、研磨の進行に伴いウェーハ外周部のロールオフが促進されるのに対し、この発明の場合には、例えば研磨時間を長くして研磨量を増やすことで、ウェーハ外周部をロールアップ形状とすることも可能になる。そのため、例えば仕上げ研磨時のウェーハ外周部のロールオフを想定し、製品ウェーハの外周部に理想的な平坦形状を実現することもできる。なお、ロールオフが低減される理由としては、恐らく以下のような現象が起きているものと推測される。研磨処理中、研磨液の水溶性高分子はシリコンウェーハの表面に吸着されるため、ウェーハ表面は水溶性高分子により覆われた状態となる。しかしながら、被研磨面研磨される面に形成された高分子膜は研磨布によって除去され、この高分子膜が除去された被研磨面は反応が活性な親水性面であるためアルカリ性水溶液によりケミカルエッチングされる。この高分子の吸着、高分子膜の除去、アルカリエッチングの繰り返しにより研磨が進行しているものと考えられる。そして、研磨液はウェーハ外縁より中心に向けて流れ込み、ウェーハ中心部に比べてウェーハ外周部には多量の研磨液が供給されるので、ウェーハ外周部においては、研磨布によって除去される高分子膜の除去量よりも、形成される高分子膜の形成量が多くなる状態で研磨が進行する。これにより、ウェーハ外周部でのエッチング反応が抑制され、ロールオフ量が低減されるものと推測される。本発明のシリコンウェーハの研磨方法では、研磨液として遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液を使用する。ここで、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液とは、研磨液の主剤であるアルカリ性水溶液中に、例えば、コロイダルシリカ砥粒、ダイヤモンド砥粒、アルミナ砥粒などの遊離砥粒が混入されていないものをいう。これにより、シリコンウェーハの被研磨面は、主にケミカル作用により研磨されるので、従来の遊離砥粒を用いた研磨のようなメカニカル作用による加工ダメージの発生を回避することができる。しかも、遊離砥粒を使用しない研磨であるため、砥粒凝集に起因したマイクロスクラッチなどの加工起因の欠陥発生も低減することができる。アルカリ性水溶液は、pH8~pH13の範囲内に調整したものを用いる。これにより、シリコンウェーハの表面にスクラッチ、傷などの加工起因の欠陥が発生せず、研磨液の取り扱いも容易で、シリコンウェーハの高い研磨エッチングレートが得られる。アルカリ性水溶液がpH8未満では、エッチング作用が低くなりすぎてしまい、シリコンウェーハの表面にスクラッチ、傷などの加工起因の欠陥が発生し易くなる。また、強塩基水溶液のようにpH13を超えれば、研磨液の取り扱いが困難になる。アルカリ性水溶液のアルカリ剤pH調整剤としては、例えば、塩基性アンモニウム塩、塩基性カリウム塩、塩基性ナトリウム塩の何れかが添加されたアルカリ性水溶液もしくは炭酸アルカリ水溶液、あるいはアミンが添加されたアルカリ性水溶液である。その他、ヒドラジンやアミン類の水溶液を採用することができる。研磨レートを高める観点から、アンモニアを除いたアルカリ、特にアミンを用いることが望ましい。アルカリ性水溶液中のアルカリ剤の含有量は、100~1000ppmである。100ppm未満ではアルカリ剤によるシリコンウェーハの表面のエッチング力が十分でなく、所定の厚みまでシリコンウェーハを研磨するのに長時間を要してしまう。1000ppmを超えると、研磨液そのものの取り扱いが困難であり、また、過度のエッチング反応によりウェーハ表面に面荒れを生じやすくなる。また、別の本発明のように、粗研磨を、1段目用の研磨液を使用する1段目研磨と、2段目用の研磨液を使用する2段目研磨とに分け、2段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度を、1段目用の研磨液中の水溶性高分子の濃度より高くしてもよい。すなわち、粗研磨では高い生産性が要求されるため、できるだけ研磨レートを大きくした研磨条件下でシリコンウェーハを研磨する必要がある。従って、研磨開始初期から行う1段目研磨で使用する1段目用の研磨液中の水溶性高分子濃度を低くすることで、研磨レートを増大させることができる。そして、1段目研磨後、水溶性高分子濃度を高めた2段目用の研磨液を使用した2段目研磨を実施することで、ウェーハの外周部でのロールオフの発生を抑制することができる。このように、高い研磨レートで研磨量が大きくなる1段目研磨後、水溶性高分子の添加量を増やした2段目用の研磨液を使用し、シリコンウェーハの1段目研磨された研磨面を2段目研磨するので、外周部のロールオフが低減されたシリコンウェーハの研磨時間が短縮し、鏡面シリコンウェーハの生産性を高めることができる。1段目研磨に使用される研磨液中の水溶性高分子の濃度は、10ppm以下とすることが望ましく、アルカリ水溶液によるエッチング作用を損なうことなく高い研磨レートを維持したまま、シリコンウェーハを研磨することができる。2段目研磨の研磨条件は、水溶性高分子の添加量を除き、1段目研磨の研磨条件と同一でも、異なってもよい。また、水溶性高分子の種類は、1段目研磨と2段目研磨とで、同じ種類のものを用いてもよく、種類を変更してもよい。2段目研磨は、1段目研磨の直後において、1段目研磨で用いた研磨装置を連続的に使用し、その研磨布に供給される研磨液中の水溶性高分子の添加量を変更増加するだけでよい。また、1段目研磨で使用した研磨装置とは異なる他の研磨装置を使用してもよい。水溶性高分子は、アニオン系とその両性およびノニオン系の各ポリマーおよび各モノマーなどを使用する。具体的には、水溶性高分子としては、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコールを使用することが望ましい。特に、ヒドロキシエチルセルロースは、高純度のものを比較的容易に入手でき、ウェーハ表面で高分子膜を形成し易いため、アルカリによるエッチング反応を抑制する効果が高いという特性を有する。ただし、各種の水溶性高分子のうち、アルカリ性水溶液によるシリコンウェーハのエッチングを促進させるものは不適当である。水溶性高分子は、1種類だけを使用しても、複数種類を使用してもよい。また、水溶性高分子に代えて、界面活性剤または脂肪族アルコールでもよい。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルなどを採用することができる。また、脂肪族アルコールとしては、例えば、ポリビニルアルコールなどを採用することができる。研磨液中の水溶性高分子の濃度は、0.1ppm~1000ppmの濃度範囲で設定すればよく、特に100ppm以下が好ましい。水溶性高分子としてヒドロキシエチルセルロースを採用した場合も、添加量は100ppm以下が好ましい。過剰に添加すれば、シリコンウェーハの研磨レートが大きく低下し、生産性が低下してしまう。シリコンウェーハとしては、例えば単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハなどを採用することができる。また、シリコンウェーハの直径としては、例えば100mm、125mm、150mm、200mm、300mm、450mmなどが挙げられる。粗研磨を行うシリコンウェーハとして、表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面に酸化膜が存在しないシリコンウェーハを使用する。これは、通常、粗研磨工程前のシリコンウェーハの表面には5~20Å程度の自然酸化膜が存在し、この自然酸化膜を遊離砥粒を含まないアルカリ水溶液で除去することが困難となるからである。この自然酸化膜の除去にあたっては、粗研磨を行う前に、フッ酸などの薬液を用いたエッチング処理により除去する方法や、遊離砥粒を含有する研磨液を用いた研磨処理により除去する方法などを採用することができる。なお、遊離砥粒を含有する研磨液を用いた研磨処理で自然酸化膜を除去する場合は、粗研磨における研磨量を低減させるように、自然酸化膜だけでなく、ウェーハ表面を研磨するようにしてもよい。研磨布は硬質のものを使用する。これにより、シリコンウェーハの外周部でのロールオフ量の低減を図ることができる。すなわち、研磨処理はシリコンウェーハを研磨布に押し付けた状態で行われるため、仮に軟質の研磨布を使用すれば、シリコンウェーハは研磨布内に沈み込んでしまい、ウェーハ外周部において研磨布が元に戻ろうとする反力の作用が大きくなり、ロールオフが発生し易くなる。また、硬質の研磨布であれば、シリコンウェーハの被研磨面に吸着した水溶性高分子をウェーハ外周方向へ押し出して効率良く除去することができ、高い研磨レートおよびシリコンウェーハの表面粗さの品質を高めることができる。硬質の研磨布としては、ポリエステル製の不織布からなる研磨布、ポリウレタン製の研磨布などが挙げられる。特に、シリコンウェーハの研磨面の鏡面化精度に優れた発泡性ポリウレタン製の研磨布が望ましい。例えば仕上げ研磨で使用されるような軟質でシリコンウェーハの外周形状に追従し易いスエード製の研磨布を用いた場合には、ウェーハ外周部におけるエッチングが促進され、ロールオフを生じてしまう。具体的な硬質の研磨布としては、JISK6253-1997/ISO7619により規定されたショアD硬度で70~90、圧縮率が1~5、特に2~3の研磨布を採用することが望ましい。ショアD硬度で70未満では、研磨中、シリコンウェーハの外周部への研磨液の流入が抑制され、外周部における水溶性高分子の量が低減することにより、シリコンウェーハの外周縁から3mmまでの間の研磨レートが高まり、ウェーハ外周部にロールオフが発生し易くなる。また、ショアD硬度で90を超えれば、ウェーハ表面に研磨傷が発生し易くなる。粗研磨はシリコンウェーハと研磨布とを相対的に回転させることにより行われる。相対的に回転させるとは、シリコンウェーハを回転させる、研磨布を回転させる、あるいはシリコンウェーハと研磨布との両方を回転させることをいう。シリコンウェーハおよび研磨布の回転方向は任意である。例えば、両方を回転させる場合のシリコンウェーハと研磨布との回転方向は、同一でも異なってもよい。粗研磨時のシリコンウェーハの研磨レートは、0.05~1μm/分にすることが望ましい。0.05μm/分未満では研磨レートが低く、研磨に長時間を要する。また、1μm/分を超えれば、アルカリの高濃度化によりシリコンウェーハ表面の面荒れを生じやすくなる。シリコンウェーハの回転速度、研磨布の回転速度、研磨圧などは、上記した研磨レートの範囲となるように設定すればよく、例えば、シリコンウェーハ、研磨布の回転速度は、5~30rpmの範囲内で選択し、研磨圧は、50~500g/cm2の範囲内で設定すればよい。なお、粗研磨による研磨量は、所望とするシリコンウェーハ厚みを考慮して設定すればよく、概ね数百nm~10μmの範囲内で設定される。粗研磨後に行う仕上げ研磨による研磨量は、最大でも500nm以下の範囲内で設定される。シリコンウェーハの粗研磨では、枚葉式の研磨装置を使用しても、複数枚のシリコンウェーハを同時に研磨するバッチ式の研磨装置を使用してもよく、表面のみの片面研磨でも、ウェーハ表裏面を同時に研磨する両面研磨でもよい。特に、ウェーハ表裏面を同時に粗研磨するにあたっては、シリコンウェーハを収納するキャリアプレートと、このキャリアプレートを上下方向から挟む研磨布が、それぞれの対向面に貼張された上定盤および下定盤とを備えた両面研磨装置を用いて研磨することが望ましい。これにより、一度の研磨処理でウェーハ表面だけでなく、ウェーハ裏面の高平坦化までを達成することができ、低コストで高平坦度な鏡面シリコンウェーハの提供に有効となる。上定盤側の研磨布と下定盤側の研磨布とは、同一の素材からなるものでも、異なる素材からなるものでもよい。遊離砥粒を含まない研磨液を用いてシリコンウェーハの表裏面を両面研磨する際、粗研磨後のシリコンウェーハの厚みが、キャリアプレートの厚みより大きくなるように研磨することが望ましい。これにより、研磨布によるキャリアプレートの研磨が抑制され、キャリアプレートの劣化を防止することができる。しかも、研磨処理中、ウェーハやキャリアプレートの振動が抑制され、キャリアプレートからのウェーハの飛び出しを防止することができる。この両面研磨装置としては、サンギヤ遊星歯車方式のもの、または、キャリアプレートに自転をともなわない円運動をさせる無サンギヤ方式のものを採用することができる。本研磨液は、シリコンウェーハの表裏面のうち、被研磨面となる少なくとも表面を粗研磨する際に使用される研磨液において、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液を主剤とし、該アルカリ性水溶液に水溶性高分子が添加されたものである。本研磨液は遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液を主剤とするものであるため、シリコンウェーハの被研磨面は、主にケミカル作用により研磨される。その結果、従来の遊離砥粒を用いた研磨のようなメカニカル作用による加工ダメージの発生を回避することができ、砥粒凝集に起因したマイクロスクラッチなどの加工起因の欠陥発生も低減することができる。また、本研磨液は、アルカリ性水溶液はpH8~pH13に調整され、アルカリ剤として塩基性アンモニウム塩、塩基性カリウム塩、塩基性ナトリウム塩のうち、何れかが添加されたアルカリ性水溶液、または炭酸アルカリ水溶液、またはアミンが添加されたアルカリ性水溶液であり、水溶性高分子は、ノニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種、または、アニオン系のポリマーおよびモノマーのうちの1種もしくは複数種で構成することが望ましい。これにより、シリコンウェーハの表面にスクラッチ、傷などの加工起因の欠陥が発生せず、研磨液の取り扱いも容易で、シリコンウェーハの高い研磨エッチングレートが得られる。アルカリ性水溶液中のアルカリ成分の含有量は、100~1000ppmに設定することが望ましい。100ppm未満ではアルカリによるシリコンウェーハの表面のエッチング力が十分でなく、所定の厚みまでシリコンウェーハを研磨するのに長時間を要してしまう。1000ppmを超えると、研磨液そのものの取り扱いが困難であり、また、過度のエッチング反応によりウェーハ表面に面荒れを生じやすくなる。水溶性高分子としては、ヒドロキシエチルセルロースを含有させることが特に望ましい。ヒドロキシエチルセルロースは、高純度のものを比較的容易に入手でき、ウェーハ表面で高分子膜を形成し易いのでアルカリによるエッチング反応を抑制する効果が高いという特性を有する。研磨液中のヒドロキシエチルセルロースの濃度は、0.1ppm~1000ppmの濃度範囲で設定することが望ましい。研磨液中の水溶性高分子の濃度を0.1ppm未満の濃度範囲に日常管理することは極めて困難で、1000ppmを超えると、シリコンウェーハの研磨レートが大きく低下する。しかも、シリコンウェーハ外周部がロールアップし過ぎてしまい、粗研磨後に行う仕上げ研磨による研磨量を著しく増大させなければならなくなる。また、研磨液に含まれる金属イオンを除去する観点から、研磨液中にキレートchelate剤を添加することが望ましい。キレート剤の添加により、金属イオンが捕獲、錯体化され、その後、これを廃棄することで、研磨後のシリコンウェーハの金属汚染の度合いを低減することができる。キレート剤としては、金属イオンに対するキレート能力を有する物質であれば任意である。キレートとは、複数の配位座を有する配位子による金属イオンへの結合配位をいう。さらに、粗研磨されたシリコンウェーハの少なくとも表面は、仕上げ研磨が施される。その条件は特に限定されない。枚葉式の研磨装置を使用しても、複数枚のシリコンウェーハを同時に研磨するバッチ式の研磨装置を使用してもよく、表面のみの片面研磨でも、ウェーハ表裏面を同時に研磨する両面研磨でもよい。キレート剤の種類としては、例えばホスホン酸系キレート剤、アミノカルボン酸系キレート剤などを採用することができる。ただし、アルカリ性水溶液への溶解性を考慮した場合には、アミノカルボン酸系キレート剤が好ましい。さらに、重金属イオンのキレート能力を考慮した場合には、エチレンジアミン四酢酸EDTAEthyleneDiamineTetraaceticAcidまたはジエチレントリアミン五酢酸DTPADiethyleneTriaminePentaaceticAcidなどのアミノカルボン酸塩がより好ましい。その他、ニトリロ三酢酸NTAでもよい。キレート剤は0.1ppm~1000ppmの濃度範囲で添加することがよく、これにより、Cu、Zn、Fe、Cr、Ni、Alなどの金属イオンなどを捕獲することができる。以下、この発明の実施例を具体的に説明する。ここでは、表面と裏面とが研磨された両面研磨シリコンウェーハの製造方法およびその研磨液について説明する。この発明の実施例1に係るシリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液を説明する。本実施例1では、粗研磨工程を2段階に分けて行う構成とし、1次研磨工程として、ウェーハ表面に存在する自然酸化膜を除去するために、遊離砥粒を含有する研磨液を用いて研磨を行い、2次研磨工程として、シリコンウェーハの平坦化を達成するために、遊離砥粒を含有しない研磨液を用いて研磨を行った。表面および裏面が鏡面研磨された両面研磨シリコンウェーハは、以下の各工程を経て作製される。すなわち、坩堝内でボロンが所定量ドープされたシリコンの溶融液から、チョクラルスキー法により直径306mm、直胴部の長さが2500mm、比抵抗が0.01Ωcm、初期酸素濃度1.0×1018atoms/cm3の単結晶シリコンインゴットが引き上げられる。次に、1本の単結晶シリコンインゴットが、複数の結晶ブロックに切断された後、各結晶ブロックの外周研削が行われる。次いで、三角配置された3本のグルーブローラのワイヤによりシリコン単結晶から、直径300mm、厚さ775μmの多数枚のシリコンウェーハがスライスされる。その後、回転中の面取り用砥石をシリコンウェーハの外周部に押し付けて面取りし、次に両面ラッピング装置によりシリコンウェーハの両面を同時にラッピングする。次いで、エッチング槽内の酸性エッチング液に、ラッピング後のシリコンウェーハを浸漬してエッチングし、面取りおよびラッピングによるダメージを除去する。その後、シリコンウェーハの表裏面に対して、1次研磨および2次研磨が順次施される。1次研磨工程では、無サンギヤ方式の両面研磨装置10を用い、1次研磨液を使用してシリコンウェーハの表裏面を同時に1次研磨する。1次研磨液には、平均粒径70nmのコロイダルシリカ粒子遊離砥粒を5重量含むKOH水溶液0.08重量、pH10のものが使用される。これにより、シリコンウェーハの表裏面に形成された自然酸化膜を、主に遊離砥粒のメカニカル作用によって除去する。以下、図1および図2を参照して、無サンギヤ方式の両面研磨装置10を具体的に説明する。図1および図2に示すように、両面研磨装置10の上定盤120は、上方に延びた回転軸12aを介して、上側回転モータ16により水平面内で回転駆動される。また、上定盤120は軸線方向へ進退させる昇降装置18により垂直方向に昇降させられる。昇降装置18は、シリコンウェーハ11をキャリアプレート110に給排する際等に使用される。なお、上定盤120および下定盤130のシリコンウェーハ11の表裏面に対する研磨圧は300g/cm2で、上定盤120および下定盤130に組み込まれた図示しないエアバック方式等の加圧手段により行われる。下定盤130は、その出力軸17aを介して、下側回転モータ17により水平面内で回転させられる。キャリアプレート110は、厚さが750μmで、かつそのプレート110自体が自転しないように、キャリア円運動機構19によって、そのプレート110の表面と平行な面水平面内で円運動する。キャリア円運動機構19は、キャリアプレート110を外方から保持する環状のキャリアホルダ20を有している。キャリア円運動機構19とキャリアホルダ20とは、連結構造を介して連結されている。キャリアホルダ20の外周部には、90°ごとに外方へ突出した4個の軸受部20bが配設されている。各軸受部20bには、小径円板形状の偏心アーム24の上面の偏心位置に突設された偏心軸24aの先端部が回転自在に挿入されている。また、これらの4個の偏心アーム24の各下面の中心部には、回転軸24bが垂設されている。各回転軸24bは、環状の装置基体25に90°ごとに合計4個配設された軸受部25aに、それぞれ先端部を下方へ突出させた状態で回転自在に挿入されている。各回転軸24bの下方に突出した先端部には、それぞれスプロケット26が固着されている。各スプロケット26には、一連にタイミングチェーン27が水平状態で架け渡されている。これらの4個のスプロケット26とタイミングチェーン27とは、4個の偏心アーム24が同期して円運動を行うように、4本の回転軸24bを同時に回転させる。4本の回転軸24bのうち、1本の回転軸24bはさらに長尺に形成されており、その先端部がスプロケット26より下方に突出している。この部分に動力伝達用のギヤ28が固着されている。ギヤ28は、円運動用モータ29の上方へ延びる出力軸に固着された大径な駆動用のギヤ30に噛合されている。したがって、円運動用モータ29を起動すれば、その回転力は、ギヤ30,28および長尺な回転軸24bに固着されたスプロケット26を順次経てタイミングチェーン27に伝達される。このタイミングチェーン27が周転することで、他の3個のスプロケット26を介して、4個の偏心アーム24が同期して回転軸24bを中心に水平面内で回転する。これにより、各偏心軸24aに一括して連結されたキャリアホルダ20、ひいてはこのホルダ20に保持されたキャリアプレート110が、このプレート110に平行な水平面内で、自転をともなわない円運動を行う。すなわち、キャリアプレート110は上定盤120および下定盤130の軸線eから距離Lだけ偏心した状態を保って旋回する。両定盤120,130の各対向面には、ショアD硬度が80、圧縮率が2.5の発泡ウレタン樹脂製の研磨布15が貼張されている。前記距離Lは、偏心軸24aと回転軸24bとの距離と同じである。この自転を伴わない円運動により、キャリアプレート110上の全ての点は、同じ大きさ半径rの小円の軌跡を描く。これにより、キャリアプレート110に形成されたウェーハ収納部11aに収納されたシリコンウェーハ11が、両研磨定盤120,130の回転方向を反対とし、研磨定盤120,130の回転速度、研磨圧300g/cm2、研磨時間などを調整して、研磨量が片面0.5μm両面1μmとなるように、両面同時1次研磨を行う。この両面1次研磨時、両研磨布15には、0.08重量のKOH水溶液に、平均粒径が70nmのコロイダルシリカ粒子が5重量添加されたpH10の1次研磨液を、9リットル/分で供給しながら、3分間、1次研磨処理を行った。このように、1次研磨用の研磨液として、遊離砥粒を含むKOH水溶液が添加されたものを採用したので、遊離砥粒を介在させない2次研磨の前処理として、シリコンウェーハ11の表裏面に存在する各10Å程度の自然酸化膜を、主に遊離砥粒のメカニカル作用によって短時間で除去することができる。これにより、2次研磨において、後述するピベリジン水溶液を使用した鏡面研磨を高い研磨レートで行うことができる。すなわち、エッチング後、所定時間が経過してから行われる1次研磨では、一般的にウェーハ表面に自然酸化膜が存在する。この自然酸化膜を、遊離砥粒が存在しないケミカルな2次研磨だけで除去することは困難である。そこで、2次研磨の前に遊離砥粒を用いた1次研磨を施したので、自然酸化膜の除去時間を短縮し、鏡面研磨されたシリコンウェーハ11の生産性の低下を防ぐことができる。次に、シリコンウェーハ11の表裏面を、無砥粒の2次研磨液を用いて2次研磨する。具体的には、1次研磨で使用された無サンギヤ方式の両面研磨装置10を用い、遊離砥粒を含まずかつ0.08重量のピベリジン水溶液にヒドロキシエチルセルロースHEC;水溶性高分子が1×10-3重量10ppm添加されたpH10.5の2次研磨液を使用し、シリコンウェーハ11の表裏面を2次研磨鏡面研磨する。すなわち、キャリアプレート110のウェーハ収納部11aに収納されたシリコンウェーハ11が、両研磨定盤120,130の回転方向を反対とし、研磨定盤120,130の回転速度、研磨圧、研磨時間などを調整して、研磨レートが0.5μm/分、研磨量が片面5μm両面10μmとなるように、両面同時の2次研磨を行う。この2次研磨時、両研磨布15には2次研磨液が供給される。その他の研磨条件は、1次研磨の場合と同じである。なお、キャリアプレート110の厚みが750μmで、2次研磨後のシリコンウェーハ10の厚みが764μmであるため、粗研磨後もシリコンウェーハ10はキャリアプレートより厚い状態を維持している。このように、遊離砥粒を含まないピベリジン水溶液にヒドロキシエチルセルロースが添加された2次研磨液を研磨布に供給しながら、自然酸化膜が除去されたシリコンウェーハ11と研磨布15とを相対的に回転させ、シリコンウェーハ11の表裏面を片面5μmだけ研磨する。このとき、シリコンウェーハ11の表裏面には、研磨圧の作用により研磨布15が押し付けられ、シリコンウェーハ11の表面に付着する研磨液中のヒドロキシエチルセルロース膜は、研磨布15により、シリコンウェーハ11の被研磨面から持ち去られ、シリコンウェーハ11の外周部にはヒドロキシエチルセルロースが付着した状態で研磨が進行する。そのため、シリコンウェーハ11の表裏面はアルカリ性水溶液のエッチング作用と、研磨布15のヒドロキシエチルセルロースの除去作用とにより、高平坦度を維持しながら0.5μm/分という高い研磨レートで研磨される。また、このシリコンウェーハ11の表裏面は、主にケミカル作用により研磨されるので、従来の遊離砥粒を用いた研磨のようなメカニカル作用による加工ダメージの発生を回避することができる。しかも、遊離砥粒を使用しない研磨であるため、砥粒凝集に起因したマイクロスクラッチなどの加工起因の欠陥発生も低減することができる。一方、シリコンウェーハ11の外周部においては、発泡ポリウレタン製の硬質の研磨布15を使用するとともに、研磨液中にヒドロキシエチルセルロースが添加されているため、研磨中、常にシリコンウェーハ11の外周面面取り面への研磨布15の付着が抑制される。これにより、ウェーハ外周面が研磨液中のヒドロキシエチルセルロースにより被われ、これがエッチングに対するウェーハ外周面の保護膜となる。その結果、シリコンウェーハ11の外周縁から3mmまでの間の研磨レートが低下し、ウェーハ外周部のロールオフの低減、ひいてはロールオフとロールアップとを含めたウェーハ外周部の平坦度の制御を図ることができる。なお、ある程度のウェーハ外周部のロールアップが発生してもよい理由は、その後の仕上げ研磨時において、あらかじめシリコンウェーハ11の外周部のロールオフとの相殺を想定することができるためである。これに対して、例えばスェード製の軟質の研磨布を使用した場合には、シリコンウェーハ11の外周面に対して、上下配置された研磨布が接触するため、シリコンウェーハ11の外周部のロールオフが助長されることになる。また、水溶性高分子としてヒドロキシエチルセルロースを採用したので、シリコンウェーハ11の外周部において高分子膜を形成し、ピベジリン水溶液によるエッチング作用を抑制できるという効果が得られる。また、非常に高純度であり不純物汚染の低減を図ることができる。さらに、2次研磨液中のヒドロキシエチルセルロースの濃度を10ppmとしたので、シリコンウェーハ11の表裏面に加工起因の欠陥が存在せず、かつウェーハ外周部のロールオフが低減されたシリコンウェーハ11を短時間で研磨することができる。アルカリ性水溶液として、pH10.5の範囲内に調整したものを採用したので、シリコンウェーハ11の表面にスクラッチ、傷などの加工起因の欠陥が発生せず、研磨液の取り扱いも容易で、シリコンウェーハ11の高い研磨レートが得られる。また、両研磨布15の素材として発泡ポリウレタン樹脂を採用したので、シリコンウェーハ11の外周部でのロールオフ量の低減を図ることができる。その後、2次研磨されたシリコンウェーハ11の表裏面には、所定条件で仕上げ研磨が施され、さらに最終洗浄される。ここでは、各シリコンウェーハ11に対して、アルカリ溶液と酸溶液とを使用したSC1洗浄が行われる。次に、この発明の実施例2に係るシリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液を説明する。本実施例2では、本実施例で行う2次研磨工程を、更に2段階1段目研磨、2段目研磨に分けて行う構成とし、2次研磨1段目研磨では、シリコンウェーハ11の研磨レートを高めるため、研磨液中の水溶性高分子濃度を低濃度とし、3次研磨2段目研磨では、シリコンウェーハ11の外周部のロールオフ量を抑制するため、研磨液中の水溶性高分子濃度を高濃度にして研磨を行った。実施例2の発明は、2次研磨液中にヒドロキシエチルセルロースを1×10-5重量0.1ppm添加し、シリコンウェーハ11の表裏面の研磨量を片面4.5μm両面9μmとした他は実施例1の2次研磨と同じ2次研磨1段目研磨が施され、その後、シリコンウェーハ11に対して、2次研磨液に比べてヒドロキシエチルセルロースが高濃度の3次研磨液を使用し、シリコンウェーハ11の被研磨面を3次研磨2段目研磨するものである。具体的には、3次研磨で使用される3次研磨液中のヒドロキシエチルセルロースの濃度を1×10-2重量100ppm、シリコンウェーハ11の表裏面の研磨量を片面0.5μm両面1.0μmとしている。このように、ヒドロキシエチルセルロースの濃度が1×10-5重量0.1ppmの2次研磨液を使用し、シリコンウェーハ11の表裏面に、研磨量がウェーハ片面で4.5μmの2次研磨を施すので、高い研磨レートでシリコンウェーハ11の表裏面を粗研磨することができる。その後、ヒドロキシエチルセルロースの濃度を1×10-2重量100ppmまで増加した3次研磨液を使用し、シリコンウェーハ11の表裏面に、ウェーハ片面で0.5μmの3次研磨を施したので、シリコンウェーハ11の外周部のロールオフの低減、ひいてはロールオフとロールアップとを含めたウェーハ外周部の平坦度の制御を図ることができる。その結果、外周部のロールオフが低減されたシリコンウェーハ11の研磨時間が短縮し、両面鏡面シリコンウェーハ11の生産性を高めることができる。特に、3次研磨液中のヒドロキシエチルセルロースの濃度を100ppmとしたので、可及的にシリコンウェーハ11の外周部でのロールオフ量の低減を図ることができる。なお、その他の構成3次研磨の他の研磨条件を含む、作用および効果は、実施例1と同じであるので説明を省略する。次に、図3,図4のグラフおよび表1,2を参照し、この発明の実施例1の研磨液およびこれを使用したシリコンウェーハの研磨方法試験例1~5と、従来のヒドロキシエチルセルロースを含まない研磨液を用いるシリコンウェーハの研磨方法比較例1により、実際に遊離砥粒を含む1次研磨と、遊離砥粒を含まない2次研磨とを施した結果を報告する。比較例1のその他の試験条件は、試験例1~5と同様に実施例1に則る。1次研磨工程では、遊離砥粒を含む1次研磨液コロイダルシリカ5、KOH0.08重量を含むアルカリ水溶液を両研磨布に9リットル/分で供給しながら、3分間、研磨することで、シリコンウェーハの表裏面の酸化膜を除去した。次に、2次研磨工程では、遊離砥粒を含まないピベリジン0.08重量を含むアルカリ性水溶液にヒドロキシエチルセルロース以下HECを1×10-5~1×10-1重量だけ添加した2次研磨液を9リットル/cm2で供給しながら、シリコンウェーハの表裏面を2次研磨した。なお、2次研磨において、遊離砥粒を含まないアルカリ性水溶液と水溶性高分子とを含む研磨液を使用し、かつキャリアプレートによるウェーハ保持方式を採用すれば、研磨中にウェーハ保持孔内でシリコンウェーハが移動することでキャリアプレートが振動し、研磨中にシリコンウェーハがウェーハ保持孔から飛び出すおそれがある。そこで、2次研磨ではキャリアプレートの厚みよりシリコンウェーハの厚みが20μm程度厚い状態で2次研磨を終了させた。表1に2次研磨液の成分比、図3のグラフに研磨後のシリコンウェーハの外周部形状を示す。シリコンウェーハの外周部の形状測定には、KLATencor社製WaferSightを使用した。TEST001~TEST005は試験例1~5を示し、TEST006はヒドロキシエチルセルロースを含まない比較例1を示す。シリコンウェーハの外周ロールオフ形状を表現するにあたり、RollOffAmount以下ROAを採用した。測定の基準面には1次元ラインを用い、シリコンウェーハの直径方向に124mm~135mmをその基準範囲に設定した。なお、ROA表記にあたり、シリコンウェーハの外縁最外周縁から1mmROA1mm位置、2mmROA2mm位置における基準面からの距離を測定した。これらの測定値を表2に示す。図3のグラフおよび表2から明らかなように、ヒドロキシエチルセルロース濃度を1×10-5~1×10-1重量0.1~1000ppmの範囲内に調整することにより、ROA1mm表記で-110nm~390nmの範囲内に制御することができる。ヒドロキシエチルセルロースを含まない場合およびその濃度が低い場合1×10-5重量には、シリコンウェーハの外周部でロールオフが発生しているものの、ヒドロキシエチルセルロースの濃度が高くなるほど、ウェーハ外周部がロールアップしている。なお、図4のグラフから明らかなように、ヒドロキシエチルセルロースの濃度が高くなれば、研磨レートRemovalRateが低下傾向となる。これは、ヒドロキシエチルセルロースによるシリコンウェーハの表面の保護効果を示唆し、ヒドロキシエチルセルロースによってアルカリとシリコンウェーハとの反応エッチング作用が阻害されたためと考えられる。次に、図5のグラフおよび表3,4を参照し、この発明の実施例2の研磨液およびこれを使用したシリコンウェーハの研磨方法試験例6により、実際にシリコンウェーハに対してヒドロキシエチルセルロースの濃度を異ならせた2段研磨を行った結果を報告する。すなわち、所望するROAがロールアップ側の状態である場合、そのヒドロキシエチルセルロースの濃度によるが、研磨レートが低下し、生産性を大きく阻害する可能性がある。そこで、研磨中にヒドロキシエチルセルロースの濃度を任意に変化させ、シリコンウェーハの加工性とロールオフの抑制とを両立させる方法について試験した。その結果を図5のグラフに示す。図5のグラフ中、Ref02は2次研磨のみ、Ref01は3次研磨のみ、2step研磨は2次研磨後に3次研磨を施した試験例6を示す。また、1次研磨工程で使用される1次研磨液、2次研磨工程で使用される2次研磨液、3次研磨工程で使用される3次研磨液の成分比を表3に示す。なお、表3中、砥粒とはコロイダルシリカ中の遊離砥粒を示す。2次研磨工程では、2次研磨液を両研磨布に9リットル/cm2で供給しながら、シリコンウェーハの表裏面を15分間、片面4.5μmだけ研磨した。3次研磨工程では、両研磨布に9リットル/cm2で供給しながら、シリコンウェーハの表裏面を3分間、片面0.5μmだけ研磨した。その他の試験条件は、試験例1~5の場合と同じである。この試験において、シリコンウェーハの外周部のロールオフ形状をROAにより表現するにあたり、シリコンウェーハの外縁最外周縁から1mmROA1mm位置、2mmROA2mm位置における基準面からの距離を測定した。その測定値を表4に示す。表4から明らかなように、試験例6のヒドロキシエチルセルロースの濃度を異ならせた2段階研磨では、ヒドロキシエチルセルロースを1×10-2重量100ppmだけ添加した所望のローフオフ形状の場合と同等のロールオフ形状を実現できた。なお、試験例6による2次研磨と3次研磨とを加算した研磨量は9.6μmであったが、試験例6でのロールオフを1段階で実現する場合、実施例1におけるヒドロキシエチルセルロースの添加量が1×10-2重量時の研磨レートを参考に算出すれば、1段階研磨時の研磨時間は、9.6μm/0.25μm/分で38分間を必要とした。これに対して、試験例6の2段階研磨では19分間で済むことから、2段階研磨により可能な研磨短縮時間は、38分間-19分間=19分間となり、生産性を50改善することができた。このことを表5に示す。さらに、この試験によるヒドロキシエチルセルロースの添加量が1×10-2重量時の研磨量は、実施例1の図4に示す結果から、0.75μm0.25μm/分×3分間となった。"