"1つの閉回路において、互いに逆方向へ電流が流れる2本の平行電流路の電流値を測定する電流センサモジュールであって、前記平行電流路と、前記平行電流路の電流値を測定する電流測定用素子と、前記平行電流路からの漏電を検知する漏電検知用素子と、を備え、これら前記電流測定用素子と漏電検知用素子とが前記平行電流路を構成する2本の電流路に挟まれた領域に配されてなることを特徴とする電流センサモジュール。前記電流測定用素子の感磁方向と前記漏電検知用素子の感磁方向とが、互いに異なるように配置されたフラックスゲート型磁気素子であることを特徴とする請求項1に記載の電流センサモジュール。前記電流測定用素子と前記漏電検知用素子が、前記2本の平行電流路のうち各々の電流路から等距離の位置に配されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電流センサモジュール。前記電流測定用素子と前記漏電検知用素子のうち少なくとも何れか一方が、前記2本の平行電流路の軸同士を結ぶ線上に配されていることを特徴とする請求項3に記載の電流センサモジュール。前記電流測定用素子は、該電流測定用素子の感磁方向と前記平行電流路の電流によって作られる磁束の強め合う向きとが一致するよう配置されるとともに、前記漏電検知用素子は、該漏電検知用素子の感磁方向と前記平行電流路の電流によって作られる磁束が打ち消し合う向きとが一致するよう配置されることを特徴とする請求項1から請求項4に記載の電流センサモジュール。外部からの磁界を検知するための外部磁界検知用素子を備えていることを特徴とする請求項1から請求項5に記載の電流センサモジュール。特許文献1のような電流センサ電流センサモジュールは、線路に流れる電流値を測定することを目的とするのみであって、漏電しているか否かを検知する機能は備えていない。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、電流計測機能に加えて、漏電検知機能を備えた電流センサモジュールを提供することを目的とする。本発明の請求項1に係る電流センサモジュールは、1つの閉回路において、互いに逆方向へ電流が流れる2本の平行電流路の電流値を測定する電流センサモジュールであって、前記平行電流路と、前記平行電流路の電流値を測定する電流測定用素子と、前記平行電流路からの漏電を検知する漏電検知用素子と、を備え、これら前記電流測定用素子と漏電検知用素子とが前記平行電流路を構成する2本の電流路に挟まれた領域に配されてなることを特徴とする。本発明の電流センサモジュールによれば、電流値を測定できるだけでなく、漏電を検知することができるという効果を奏する。本発明の請求項2に係る電流センサモジュールは、請求項1に記載の電流センサモジュールであって、前記電流測定用素子の感磁方向と前記漏電検知用素子の感磁方向とが、互いに異なるように配置されたフラックスゲート型磁気素子であることを特徴とする。このような構成によれば、同一の素子であってもそれぞれを電流測定用および漏電検知用として利用することができる。本発明の請求項3に係る電流センサモジュールは、請求項1または2に記載の電流センサモジュールであって、前記電流測定用素子と前記漏電検知用素子が、前記2本の平行電流路のうち各々の電流路から等距離の位置に配されていることを特徴とする。このような構成によれば、2本の平行電流路の各々から発生する磁束の変化をバランス良く検知することができるため、より感度よく漏電を検知することができる。本発明の請求項4に係る電流センサモジュールは、請求項3に記載の電流センサモジュールであって、前記電流測定用素子と前記漏電検知用素子のうち少なくとも何れか一方が、前記2本の平行電流路の軸同士を結ぶ線上に配されていることを特徴とする。このような構成によれば、2本の平行電流路の各々から発生する磁束の磁束密度が、最も高くなる位置に素子を配置されるで、電流値、もしくは漏電を高感度に検知することができる。本発明の請求項5に係る電流センサモジュールは、請求項1から4のいずれかに記載の電流センサモジュールであって、前記電流測定用素子は、該電流測定用素子の感磁方向と前記平行電流路の電流によって作られる磁束の強め合う向きとが一致するよう配置されるとともに、前記漏電検知用素子は、該漏電検知用素子の感磁方向と前記平行電流路の電流によって作られる磁束が打ち消し合う向きとが一致するよう配置されることを特徴とする。このような構成によれば、互いに高い感度を維持して電流測定および漏電検知を行うことができ、しかも、同一の磁気素子の設置方向を設定するだけでこれらを実現可能とすることができる。本発明の請求項6に係る電流センサモジュールは、請求項1から5のいずれかに記載の電流センサモジュールであって、外部からの磁界を検知するための外部磁界検知用素子を備えていることを特徴とする。このような構成によれば、外部からのノイズ磁界を検知し、電流センサモジュールの出力を補正することができる。本発明の電流センサモジュールによれば、電流値を測定できるだけでなく、漏電を検知することができるという効果を奏する。以下、本発明に係る電流センサモジュールの第1実施形態を、図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態における電流センサモジュールを示す斜視図であり、図2は、図1における電流と直交する方向の配置を示すI-I矢視図であり、図3は、図1における電流センサモジュールを示す上面図であり、図において、符号20は、電流センサモジュールである。本実施形態における電流センサモジュール20は、図1~図3に示すように、1つの閉回路において、互いに逆方向へ電流が流れる2本の平行な電流路21と電流路22との電流値を測定する電流測定用素子23と、漏電を検知する漏電検知用素子24と、電流測定用外部磁界検知用素子外部磁界検知用素子25と、漏電検知用外部磁界検知用素子外部磁界検知用素子26とを備える。また、図中には示されていないが、電流センサモジュール20は、各素子の駆動電流を供給したり各素子からの出力信号を処理したりするためのASICやマイクロコンピュータチップを備えている。電流路21と電流路22とは、例えば細長い棒状の金属のバスバーなどのように、電力供給路となる電流路である。電流路21と電流路22とは、1つの閉回路において、電流の流れる長手方向I方向が平行になるようにしてx方向に離間した状態に配置され、これらの電流路21と電流路22とが配置されるI-x面内に平らな幅を有する平板とされるとともに、それぞれの端部21a、端部22aと反対側の端部21b、端部22bとが、いずれも図示しないバッテリーなどとされる電流供給側およびモータなどとされる電流消費側の端子に接続されている。電流路21に流れる電流Iと電流路22に流れる電流I-とは、互いに逆向きに流れるようになっている。本実施形態においては、端部21bと端部22bとは電気的に接続されており、図6に示すように、電流路21と電流路22とが閉回路をなし、電流Iが端部21aから端部21bに、電流I-が端部22aから端部22bに流れている。電流Iと電流I-とは大きさが同じで、流れる向きが逆となるように設定されている。本実施形態における電流測定用素子23は、図中矢印で示すように所定の検知方向感磁方向を有し、この検知方向を平行電流路21,22の電流I,I-に対して所定の向きとなるように設定することで、平行電流路21,22の電流値を測定する。具体的には、平行電流路21,22の電流I,I-によって作られる磁束の強め合う向きと、電流測定用素子23の検知方向感磁方向とが一致するよう配置される。本実施形態における電流測定用素子23は、平行電流路を構成する2本の電流路21,22に挟まれた領域に電流路21,22から等距離となるように配されるとともに、電流測定用素子23の検知方向感磁方向は、電流路21,22が延在するI方向と電流路21,22が離間するx方向とで成すI-x平面に直交するz方向となるよう配置される。本実施形態における漏電検知用素子24は、図中矢印で示すように所定の検知方向感磁方向を有し、この検知方向を平行電流路21,22の電流I,I-に対して所定の向きとなるように設定することで、平行電流路21,22の漏電を検知する。具体的には、平行電流路21,22の電流I,I-によって作られる磁束の打ち消し合う向きと、漏電検知用素子24の検知方向感磁方向とが一致するよう配置される。本実施形態における漏電検知用素子24は、平行電流路を構成する2本の電流路21,22に挟まれた領域に電流路21,22から等距離となるように配されるとともに、漏電検知用素子24の検知方向感磁方向は、電流路21,22が延在するI方向と直交する方向である電流路21,22の離間するx方向となるよう配置される。なお、平行電流路を構成する2本の電流路21,22に挟まれた領域としては、平行電流路21,22からz方向に電流測定用素子23および/または漏電検知用素子24のz方向寸法程度離間した領域も含むものとする。このように、電流測定用素子23の検知方向感磁方向と漏電検知用素子24の検知方向感磁方向とは異なる方向に設定され、本実施形態では互いに直交するように設定される。これにより、同一の素子であってもそれぞれを電流測定用および漏電検知用として利用することができる。電流測定用素子23と漏電検知用素子24とは、後述するように、同一構造のフラックスゲート型磁気素子とすることが可能である。電流測定用素子23と漏電検知用素子24のうち少なくとも何れか一方が、図2に示すように、2本の平行電流路21,22の軸同士をx方向で結ぶ線上に配されている。電流測定用素子23と漏電検知用素子24との測定値に対して、外部磁界を測定して補正をおこなうための外部磁界検知用素子として、電流測定用外部磁界検知用素子25と漏電検知用外部磁界検知用素子26とが設けられる。測定値の補正は、電流測定用素子23の測定値から電流測定用外部磁界検知用素子25での測定分を差し引く、漏電検知用素子24の測定値から漏電検知用外部磁界検知用素子26での測定分を差し引くものである。電流測定用外部磁界検知用素子25は、電流I,I-によって作られる磁束の影響を受けない場所に配置する。漏電検知用外部磁界検知用素子26は、電流I,I-によって作られる磁束の影響の少ない場所に配置する。電流測定用外部磁界検知用素子25の検知方向感磁方向は、電流測定用素子23と同じ検知方向感磁方向となるように配置されるとともに、電流測定用外部磁界検知用素子25は、電流測定用素子23と同じz-x平面に位置し、かつ、電流路21,22からz方向に離間した位置、本実施形態では、電流路22からz方向に離間した位置に配置される。漏電検知用外部磁界検知用素子26の検知方向感磁方向は、漏電検知用素子24と同じ検知方向感磁方向となるように配置されるとともに、漏電検知用外部磁界検知用素子26は、漏電検知用素子24と同じz-x平面に位置し、かつ、2本の電流路21,22の外側つまりx方向に離間した位置、本実施形態では、電流路22からx方向外側に離間した位置に配置される。本実施形態の電流センサモジュール20による電流測定および漏電検知について説明する。図4は、本実施形態の電流センサモジュール20における電流測定用素子23と磁束の関係を示す模式図であり、図5は、本実施形態の電流センサモジュール20における漏電検知用素子24と磁束の関係を示す模式図である。電流路21に被検出電流Iが流れると、電流路21の周囲に被検出電流Iに比例した被検出磁界として、図4中の左側に示す一点鎖線の円であり、矢印で向きを示す磁界Hが発生する。同様に、電流路22に被検出電流I-が流れると、電流路21の周囲に被検出電流I-に比例した被検出磁界として、図4中の右側に示す一点鎖線の円であり、矢印で向きを示す磁界H-が発生する。これら磁界Hおよび磁界H-は電流Iと電流I-とが大きさが等しく逆向きであるので、互いに略等しい強さで逆向き逆回りの磁界となるここで、本実施形態においては、図4に示すように、電流測定用素子23が電流路21,22から等距離の中間位置にz方向が検知方向感磁方向となるように配置されているために、電流測定用素子23の位置において、磁界Hと磁界H-とがz方向に強め合った磁界を測定する。同時に、電流測定用外部磁界検知用素子25は、電流路22からz方向に離間した位置にz方向が検知方向感磁方向となるように配置されているために、電流I,I-によって作られる磁界Hと磁界H-との影響を受けず、それ以外の外部磁界を測定する。これら電流測定用素子23と電流測定用外部磁界検知用素子25の測定結果を、図示しないASICやマイクロコンピュータチップ等の演算手段によって演算し、平行電流路21,22に流れる電流測定をおこなう。同時に、本実施形態においては、図5に示すように、漏電検知用素子24が電流路21,22に挟まれた領域で電流路21,22から等距離の中間位置付近にx方向が検知方向感磁方向となるように配置されているために、等しい大きさの電流I,I-が流れている場合には、漏電検知用素子24の位置において、磁界Hと磁界H-とがx方向に打ち消し合い、磁界Hおよび磁界H-からによる漏電検知用素子24の出力はゼロとなる。同時に、漏電検知用外部磁界検知用素子26は、電流路22からx方向に離間した位置にx方向が検知方向感磁方向となるように配置されているために、電流I,I-によって作られる磁界Hと磁界H-との影響を受けず、それ以外の外部磁界を測定する。これら漏電検知用素子24と漏電検知用外部磁界検知用素子26の検知結果を、図示しないASICやマイクロコンピュータチップ等の演算手段によって演算し、平行電流路21,22からの漏電を検知する。これは、図6aに示すように、漏電がない場合には、電流Iと電流I-とは同じ大きさになり、結果的に、漏電検知用素子24および漏電検知用外部磁界検知用素子26からの出力はゼロとなるが、例えば、図6bに示すように、漏電が発生し、電流Iよりも電流I-が小さくなった場合には、漏電検知用素子24における磁界Hと磁界H-とのx方向の大きさが等しくならないため磁界Hと磁界H-とが打ち消し合わないことになる。この結果、漏電検知用素子24および漏電検知用外部磁界検知用素子26からの出力がゼロとならず、漏電を検知することができる。次に、本実施形態の電流センサモジュール20において、電流測定用素子23、漏電検知用素子24、電流測定用外部磁界検知用素子25、漏電検知用外部磁界検知用素子26として用いられる、感磁方向または検知方向の設定された素子として用いられるフラックスゲート型磁気素子について説明する。図7は、本実施形態に係るフラックスゲートセンサを概略的に示す上面図である。図8は、図7におけるラインa-a’に沿って切った断面図である。図9は、本実施形態に係るフラックスゲートセンサにおける磁気コアの形状を示す上面図である。図10は、図7におけるラインb-b’に沿って切った断面図である。本実施形態のフラックスゲートセンサは、図7および図8に示すように、磁気コア3と、第一配線層4と、第一絶縁層5と、第二絶縁層6と、第二配線層7と、開口部8と、基板100とを含む。また、更に図9に示すように、磁気コア3は、端部分1と、中央部分2と、その端部分1と中央部分2との接続部分をなす遷移部分13と、を含む。第一配線層4及び第二配線層7は、端部分1に巻き回された第一のソレノイドコイル9及び中央部分2に巻き回された第二のソレノイドコイル10を構成している。図7において、符号mで示す矢印は、フラックスゲートセンサの感磁方向である。本実施形態において、端部分1に巻き回された第一のソレノイドコイル9は励磁コイルである。中央部分2に巻き回された第二のソレノイドコイル10はピックアップコイルである。本発明の第一の実施形態において、端部分1は励磁部であり、中央部分2は検出部である。本実施形態のフラックスゲートセンサは、まず、非磁性の基板100の上に、ソレノイドコイルの下側配線を形成するための第一配線層4が形成され、第一配線層4の上に、磁気コア3とソレノイドコイルを絶縁するための第一絶縁層5とが形成される。この第一絶縁層5においては、第一配線層4と、後に形成されるソレノイドコイルの上側配線となる第二配線層7とが接続される部分に、開口部8が設けられる。第一絶縁層5の上には、軟磁性体膜からなる磁気コア3が形成される。軟磁性体膜からなる磁気コア3の形状は、図9に示す通り、その中央部分2における幅が端部分1における幅よりも狭くなっており、かつ、その中央部分2の領域においても、両端から中心に向かって徐々に幅が狭くなっていることを特徴としている。更に、その形状は、その中央部分2において内側に括れたR形状を有しており、望ましくは、その曲率半径Rが、その中央部分2の長手方向の長さLの5倍~10倍の範囲である。磁気コア3の遷移部分13は直線状のテーパ形状にもできる。磁気コア3の上には、第一配線層4と第二配線層7の接続部に開口部8を設けた第二絶縁層6が形成される。第二絶縁層6の上に、第二配線層7が、第一配線層4の隣接する配線どうしをその端部にて接続するように形成され、それによりソレノイドコイルを形成している。配線は、隣接する配線と接続されるため、断面におけるソレノイドコイルのループは閉じない。第一配線層4および第二配線層7により形成された第一のソレノイドコイル9及び第二のソレノイドコイル10は、磁気コア3の両端の幅の広い端部分1と幅の狭い中央部分2において、それぞれ独立に巻き回されている。両端の幅の広い端部分1に巻き回されている第一のソレノイドコイル9は、一方の端の端部分1に巻き回されている第3のソレノイドコイルと、もう一方の端の端部分1に巻き回されている第4のソレノイドコイルとを含む。両端の端部における第3のソレノイドコイル及び第4のソレノイドコイルが直列に、かつ発生する磁界方向が同一となるように第一配線層4もしくは第二配線層7により接続されていて、それにより全体として第一のソレノイドコイル9を形成している。磁気コア3の中央部分2に巻き回された第二のソレノイドコイル10の両端には、外部と接続するための電極パッド11が形成されている。磁気コア3の両端の端部分1に巻き回された2つの直列に接続された第一のソレノイドコイル9の両端には、外部と接続するための電極パッド12が形成されている。磁気コア3の両端の端部分1にそれぞれ巻き回された第3のソレノイドコイル及び第4のソレノイドコイルは、巻き数が同じで対称であることが好ましい。なお、図7は、模式的に示されており、第一のソレノイドコイル9及び第二のソレノイドコイル10に関し、磁気コア3の下側配線の一部が省略されている。また、第一のソレノイドコイル9および第二のソレノイドコイル10の形状は、図7で示された形状に限定されない。図8は、図7におけるラインa-a’に沿って切ったフラックスゲートセンサの一例断面であり、フラックスゲートセンサにおける第一配線層4と第二配線層7の位置関係は、図8の形状に限定されない。図10は、図7におけるラインb-b’に沿って切ったフラックスゲートセンサの一例断面であり、フラックスゲートセンサの形状は、図10の形状に限定されない。磁気コア3の両端の幅の広い端部分1は、その周囲に巻き回された第一のソレノイドコイル9に通電することにより励磁される。一方、磁気コア3の幅の狭い中央部分2には誘導電圧がかかり、その誘導電圧は中央部分2の周囲に巻き回された第二のソレノイドコイル10により検出される。ASICやマイクロコンピュータチップ等より電極パッド12を介して、時間的に変化する交流電流を、磁気コア3の端部分1の第一のソレノイドコイル励磁コイル9に対して通電することにより、磁気コア3が交流励磁される。端部分1において発生した磁束は、磁気コア3の中央部分2に導かれる。これにより磁気コア3の中央部分2も交流励磁されて、中央部分2の第二のソレノイドコイル検出コイル10に略パルス状の誘導電圧が発生する。この誘導電圧は第二のソレノイドコイル10および電極パッド11を介して外部の検出回路で検出できる。ここで、第一のソレノイドコイル9に通電される交流電流は、一定周波数の三角波であることが望ましい。このとき、外部磁界が印加されると、上述した略パルス状の誘導電圧の発生するタイミングは、時間的に変化する。三角波電流における正から負に切り替わるタイミングにおいて、正の誘導電圧が出力される。また、三角波電流における負から正に切り替わるタイミングにおいて、負の誘導電圧が出力される。従って、この正負のパルス状誘導電圧の発生するタイミングをカウンタで計測することにより、外部磁界に対する応答を得ることができる。フラックスゲートセンサの構成としては、前述の構成に加えて、第二配線層7を覆う封止層が形成されていてもよい。本発明の実施形態の電流センサモジュール20は、平行電流路21,22と、平行電流路21,22の電流値を測定する電流測定用素子23と、平行電流路21,22からの漏電を検知する漏電検知用素子24と、を備え、これら電流測定用素子23と漏電検知用素子24とが平行電流路を構成する2本の電流路21,22に挟まれた領域に配されてなることにより、電流値を測定できるだけでなく、漏電を検知することができる。本発明の実施形態の電流センサモジュール20は、電流測定用素子23と漏電検知用素子24とが、互いに検出方向となる感磁方向が異なるように配置されたフラックスゲート型磁気素子であることにより、コストの高い磁気コアを使用する必要がないので製造コストを低減することが可能になるとともに、電流測定および漏電検知ともに高感度な機能を有する電流センサモジュールを実現することが可能となる。本発明の実施形態の電流センサモジュール20は、電流測定用素子23と漏電検知用素子24が、2本の平行電流路21,22から等距離の位置に配されていることにより、両方の電流I,I-から等距離なので、両電流路21,22から発生する磁束H,磁束H-の変化をバランス良く検知することができるため、より感度を高くすることができる。本発明の実施形態の電流センサモジュール20は、電流測定用素子23と漏電検知用素子24のうち少なくとも何れか一方が、2本の平行電流路21,22の軸同士を結ぶ線上に配されていることにより、磁束密度が最も高くなる位置に素子を配置するので、電流値、もしくは漏電を高感度に検知することができる。本発明の実施形態の電流センサモジュール20は、電流測定用素子23の感磁方向が、電流路21の電流Iによって作られる磁場Hと電流路22の電流I-によって作られる磁場H-との強め合う向きに一致するz方向となるよう配置されるとともに、漏電検知用素子24の感磁方向が、電流路21の電流Iによって作られる磁場Hの成分と電流路22の電流I-によって作られる磁場H-の成分とが打ち消し合うx方向に一致するよう配置されることにより、互いに高い感度を維持して電流測定および漏電検知を行うことができ、しかも、同一のフラックスゲート型磁気素子の設置方向を設定するだけでこれらを実現可能な電流センサモジュール20とすることができる。本発明の実施形態の電流センサモジュール20は、外部磁界検知用素子を備えていることにより、外部からのノイズ磁界を検知し、電流センサモジュール20の出力を補正することができる。以下、本発明に係る電流センサモジュールの第2実施形態を、図面に基づいて説明する。本実施形態において図1~図10に示す第1実施形態と異なるのはケースに関する点のみであるので、対応する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。図11は、本実施形態における電流センサモジュール30を示す斜視図であり、図12は、図11における側面図であり、図13は、図11における電流センサモジュールを示す上面図であり、図において、符号30は、電流センサモジュールである。本実施形態においては、電流測定用素子23と、漏電検知用素子24と、電流測定用外部磁界検知用素子25と、漏電検知用外部磁界検知用素子26とが、いずれも基板32に積載され、ケース31内部に配置されている。基板32にはこれらの素子からの出力を演算する演算部チップ33と、演算部33から外部に接続するためのコネクタ34が設けられる。ケース31は、電流路21,22と直交するx方向に延在する柱状とされ、z方向に突起31a,31bを有する。突起31a内部には電流測定用素子23が配置され、突起31a内部には漏電検知用外部磁界検知用素子26が配置される。突起31a,31bのx方向の間には、電流路22が位置するようになっている。本実施形態によれば、ケース31内部において、電流測定用素子23、漏電検知用素子24、電流測定用外部磁界検知用素子25、漏電検知用外部磁界検知用素子26が、いずれも相対位置が固定できるようになっているため、それぞれの素子の相対位置が変化することがない。これにより、ケース31と電流路21,22との位置が変化した場合でも、電流測定用素子23と電流測定用外部磁界検知用素子25との相対位置が変化しないため、電流センサとしての出力が変化することがない。従って正確な測定を行うことが可能となる。同時に、ケース31と電流路21,22との位置が変化した場合でも、漏電検知用素子24と漏電検知用外部磁界検知用素子26との相対位置が変化しないため、漏電検知センサとしての出力が変化することがない。従って正確な測定を行うことが可能となる。また、電流センサは動力系統の主幹に取り付け他場合には、4個のフラックスゲート磁気素子によりこのような動力系統全体を監視する機能を実現することができる。"