"蛍光体に組成式CapSrqMmAaBbOtNn:Zr式中Mはマグネシウム、バリウム、ベリリウム及び亜鉛から選択され、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択され、Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選択され、Zはユーロピウム及びセリウムから選択され、0<p<1、0<q<1、0≦m<1、0≦t≦03、000001≦r≦01、a=1、08≦b≦12、27≦n≦31であるを有する組成物を含有し、且つ以下の測定方法、すなわち導電度200μScm以下の蛍光体を取り、蛍光体対純水が1対100の重量比率となるように純水を加えて混合溶液を調製し、80°Cにて40時間加熱してから混合溶液を室温まで冷却し、該混合溶液の水相のストロンチウム溶出含量を測定し正規化することにより測定される正規化ストロンチウム溶出含量が1~20ppmの範囲にあることを特徴とする蛍光体。正規化ストロンチウム溶出含量が3~17ppmであることを特徴とする請求項1記載の蛍光体。005≦p≦09、01≦q≦095であることを特徴とする請求項1又は2記載の蛍光体。Mがマグネシウム及び亜鉛から選択され、Aがアルミニウム及びガリウムから選択され、そしてBが珪素及びゲルマニウムから選択されることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の蛍光体。455nmの光源からの光を使用して蛍光体を照射する時に、蛍光体が励起されて発する発光主波長が600~680nmであって、その発光色調のCIE1931色度座標xyが、045≦x≦072、02≦y≦05であることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の蛍光体。455nmの光源からの光を使用して蛍光体を照射する時に、該蛍光体の発光色調のCIE1931色度座標xyが06≦x≦07、03≦y≦04であることを特徴とする請求項5記載の蛍光体。半導体発光素子及び該半導体発光素子から発する光を受け励起された後に、転換してから励起光と異なる光を発する蛍光体を含み、該蛍光体が請求項1~6のいずれかに記載の蛍光体であることを特徴とする発光装置。半導体発光素子から発する光波長が300~550nmであることを特徴とする請求項7記載の発光装置。上述のことに鑑みて、本発明の目的は、高輝度の蛍光体材料を提供すると共に、その蛍光体材料を使用し半導体発光素子を組み合わせて構成する高輝度の発光装置を提供することにある。本発明者は上記課題を解決するために鋭意研究し、特に新しい赤色蛍光体に着目して研究した結果、CapSrqAlSiN3:Eu蛍光体において、原料の窒化ストロンチウムが窒化される程度が発光輝度に著しい影響を与えることを見出した。また本研究では、窒化ストロンチウムを合成する時の条件が、合成された蛍光体における正規化ストロンチウム溶出含量後述に影響し、正規化ストロンチウム溶出含量はCapSrqAlSiN3:Eu蛍光体の発光輝度に著しく影響することを見出した。従って本発明の主旨は、蛍光体中における正規化ストロンチウム溶出含量を特定の範囲に制御することによって、高輝度の発光性質を有する蛍光体を得ることにあり、また該蛍光体と半導体発光素子を組み合わせて発光装置を形成することにある。本発明の目的は、組成式CapSrqMmAaBbOtNn:Zr式中Mはマグネシウム、バリウム、ベリリウム及び亜鉛から選択され、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択され、Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選択され、Zはユーロピウム及びセリウムから選択され、0<p<1、0<q<1、0≦m<1、0≦t≦03、000001≦r≦01、a=1、08≦b≦12、27≦n≦31であるを有する組成物を含み、該蛍光体中において、以下の測定方法で測定される正規化ストロンチウム溶出含量が1~20ppmとなる蛍光体を提供することである。測定方法は、導電度200μScm以下の蛍光体を取り、蛍光体対純水が1対100の重量比率になるように純水を加えて混合溶液を調製した後、容器を密閉し、80°Cにて40時間加熱してから混合溶液を室温まで冷却し、該混合溶液の水相を取り、そこに溶出したストロンチウムの含量を測定し、正規化するというものである。本発明はまた以下の蛍光体を提供する。正規化ストロンチウム溶出含量が3~17ppmである、上記蛍光体。好ましくは005≦p≦09,01≦q≦095である、上記蛍光体。上記蛍光体において、好ましくはMはマグネシウム及び亜鉛から選択され、Aはアルミニウム及びガリウムから選択され、Bは珪素及びゲルマニウムから選択される。上記の蛍光体は好ましくは、455nmの光源からの光を使用して照射する時に、蛍光体の発光波長が600~680nmであり、その発光色調のCIE1931色度座標が045≦x≦072、02≦y≦05である。より好ましくは、上記の蛍光体は455nmの光源からの光を使用して照射する時に、蛍光体の発光色調のCIE色度座標が06≦x≦07、03≦y≦04である。本発明はまた、発光装置を提供する。その発光装置は、半導体発光素子及び上述の蛍光体を含み、その蛍光体は半導体発光素子からの光に励起され、且つこれを転換してその励起光と異なる光を発する。上記の発光装置は、半導体発光素子が300~550nmの波長の光を発することができる。本発明は、蛍光体における正規化ストロンチウム溶出含量を特定の範囲に制御することによって、高輝度の蛍光体を得るものである。また、該蛍光体と半導体発光素子を組み合わせて高輝度の発光装置を提供することができる。本発明の技術内容、特徴及び効能などについて、以下に詳細に述べる。本発明は、提供する蛍光体に組成式CapSrqMmAaBbOtNn:Zr式中Mはマグネシウム、バリウム、ベリリウム及び亜鉛から選択され、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択され、Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選択され、Zはユーロピウム及びセリウムから選択され、0<p<1、0<q<1、0≦m<1、0≦t≦03、000001≦r≦01、a=1、08≦b≦12、27≦n≦31であるを有する組成物を含み、この蛍光体は、以下の測定方法で測定される正規化ストロンチウム溶出含量が1~20ppmである。即ち導電度200μScm以下の蛍光体を取り、蛍光体対純水が1対100の重量比率になるように純水を加えて混合溶液を調製した後、容器を密閉し、80°Cにて40時間加熱してから混合溶液を室温までに冷却し、そして該混合溶液の水相を取り、そこにおける正規化ストロンチウム溶出含量を測定する。上記の蛍光体において、Mはマグネシウム、バリウム、ベリリウム及び亜鉛から選択され、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択される。例えばAは単独のアルミニウム元素成分であっても良いし、またアルミニウム、ガリウムなどからなる元素成分の混合物でも良い。Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選択されるものであって、例えばBは単独の珪素元素成分であっても良いし、また珪素、ゲルマニウムなどからなる元素成分の混合物でも良い。Z元素はユーロピウム及びセリウムから選択される。Caはカルシウム元素、Srはストロンチウム元素、Oは酸素元素、Nは窒素元素である。組成式CapSrqMmAaBbOtNn:Zrにおいて、0<p<1、0<q<1、0≦m<1であり、mは好ましくは0≦m<1、より好ましくは0≦m≦01、最も好ましくは0≦m≦005である。a=1である。より好ましくは、Aがアルミニウムである時に発光輝度がより良好である。bは好ましくは08≦b≦12、より好ましくは09≦b≦11である。最も好ましくは、Bが珪素で且つb値が1である時、発光輝度がより良好である。tは好ましくは0≦t≦03、より好ましくは0≦t≦01である。nは好ましくは27≦n≦31、より好ましくは28≦n≦31である。m、a、b、tが前述の本発明の範囲内にある時、発光輝度が良好である。rは好ましくは000001≦r≦01である。より好ましくは、Z元素がユーロピウムであると、発光輝度がより良好である。r値が000001未満であると、発光中心のEuの量が十分でなく発光輝度が低くなる。一方、r値が01を越えるとEu原子間にて相互干渉が起きて濃度消光現象を引き起こし、輝度が低くなる。r値が0002~003である時にその発光輝度がより良好であり、より好ましい。また、本発明の蛍光体は組成物中に同時にカルシウム、ストロンチウム元素を含み、0<p<1、0<q<1であるが、好ましくはp値は002~095、q値は005~098であって、更に好ましくは、p005~09、q01~095である。カルシウム、ストロンチウム元素の相対関係として、好ましくは0<<1、01~10である。特に本発明の蛍光体において正規化ストロンチウム溶出含量が1~20ppmの範囲にある時、蛍光体の発光輝度は明らかに上昇する。正規化ストロンチウム溶出含量を測定する時、導電度200μScm以下の蛍光体を使用して、以下の導電度測定方法で測定を行う。すなわちその蛍光体の導電度測定方法によれば、純水と蛍光体を用いて蛍光体含量が1重量となる測定用の蛍光体混合溶液を調製する。混合溶液は80°Cの水浴にて30分間攪拌してから室温となるまで静置冷却し、上層の透明溶液を取って導電度を測定をする。測定された導電度値が200μScm未満であると、該蛍光体は即ち導電度200μScm未満の蛍光体である。一方、測定された値が200μScmを超えている場合には、蛍光体を酸洗浄して200μScm以下となるまで処理を行う。この処理を要求するのは、導電性成分を付加して本発明所定の正規化ストロンチウム溶出含量を逃れようとする試みを排除する趣旨である。蛍光体の酸洗浄による処理方法は次の通りである。すなわち05重量の硝酸溶液と蛍光体を混合して、蛍光体含量が1重量の蛍光体酸洗浄混合液を調製し、室温にて超音波振動を30分間行ってから濾過し、濾過された蛍光体に100倍の純水を加え、80°Cの水浴にて30分間密閉攪拌洗浄してから再びろ過する。このような純水による洗浄、ろ過の工程を四回繰り返して、最後にろ過して得られた蛍光体について、前述の導電度測定方法を用いてその導電度値が測定される。導電度200μScm以下の蛍光体と純水が1対100の重量比率で調製された混合溶液は、加熱過程中に水分が蒸発しないように容器を密閉する。加熱装置はオーブンである。80°Cにて40時間加熱した後、蛍光体と水の混合溶液を室温まで冷却する。正規化ストロンチウム溶出含量とは、上述した工程の後に混合溶液の水相を測定して得られたストロンチウム含量の値を、組成式CapSrqMmAaBbOtNn:Zr中のq値で除したものである。455nmの光源からの光を使用して本発明の蛍光体を照射する時、該蛍光体が励起を受けて発する発光主波長は600~680nmであり、その発光色調のCIE1931色度座標xyは045≦x≦072、02≦y≦05である。発光主波長は発光強度最大の波長を指す。本発明の一つの実施形態において、0<p<1、0<q<1、0≦m≦005、0≦t≦03、000001≦r≦01、pqmr=1、a1、b、nであり、この蛍光体の正規化ストロンチウム溶出含量は1~20ppmである。発光輝度の面から考えると、蛍光体の組成はCapSrqMmAaBbOtNn:Zrであって且つ単相としても存在できる。しかし合成過程における助溶剤の添加、原料中の不純物、処理過程での汚染、原料揮発などの要因の影響を受けて、同時にその他の結晶相または非結晶相が存在する可能性があるが、発光輝度に影響しないのであれば、本発明の主旨には反しない。本発明の蛍光体の実施例の組成分析の結果から計算された各元素のm、a、b、t、n値は、使用した原料配合比率から計算されたm、a、b、t、n値とはやや差がある。この現象は、焼成における少量の原料の分解または蒸発、または分析誤差によるものと考えられる。特にt値における差は、例えば開始段階においてすでに原料に含まれていた酸素、表面に付着した酸素、原料の計量時に混合した酸素や焼成時の原料表面の酸化より混入した酸素、或いは焼成後に蛍光体表面に吸着された水分または酸素などによってもたらされるものと考えられる。また、窒素ガス及び/またはアンモニアガスを含有する環境下で焼成を行う時には、原料中の酸素は離脱して窒素に置換されうるため、t、nの測定に若干の差を生じるものと考えられる。本発明の蛍光体を製造する時に、ストロンチウム元素の原料としてはその窒化物を使用するのが好ましい。窒化物の製造方法の一例として、所望の2価金属を選んで高純度窒素の雰囲気下で焼成を行う。焼成時の雰囲気として用いられる高純度の窒素ガスは、好ましくは純度9999以上である。一方、窒素ガスの流速は高流速の状態に保つ必要があり、例えば好ましくは70~90リットル/分、より好ましくは80~90リットル/分である。高すぎるかまたは低すぎる窒素ガスの流速では本発明の特定範囲内にある正規化ストロンチウム溶出含量を有する蛍光体を合成するための適切な窒化ストロンチウムを合成することができない。焼成温度は好ましくは600°C~1000°Cの間、より好ましくは700~900°Cの間である。焼成温度が600°C未満であるかまたは1000°Cを超える場合は、いずれも所望の窒化ストロンチウムが得られない。焼成時間は好ましくは3~24時間、より好ましくは5~24時間である。焼成時間は長すぎても短すぎても所望の適当な窒化物が得られない。また焼成の昇温速度は特別に制御する必要があり、即ち該金属の融点より150°C程度低い時には昇温速度は比較的緩やかに、例えば5°C分の昇温速度が好ましく、より好ましくは3°C分である。金属の窒化反応を進める時にその金属の融点付近での昇温速度が速すぎると、金属表面が速やかに融解するのに伴って窒化反応が起こりやすくなり、その結果所望の適当な窒化ストロンチウムが得られないからである。焼成の容器はBN坩堝、窒化珪素坩堝が好ましく、中でもBN坩堝が最も好ましい。ストロンチウムの窒化反応式は下式の通りである。3SrN2→Sr3N2本発明の蛍光体を製造する時に、A元素、B元素の原料としは、それぞれの窒化物、酸化物等、あらゆる形式の化合物を使用できる。例えば、A元素の窒化物/酸化物、またはA元素、B元素の窒化物の混合使用ができる。ここでの酸化物は、酸素と化合した化合物に限らず、その他の例えば炭酸塩、しゅう酸塩なども焼成中に分解するので、実質的に酸化物を構成する該元素成分と酸素を含む化合物も上述の酸化物の範囲にある。窒化物も、該元素と窒素を有する化合物を指す。本発明の蛍光体の原料は、各種の異なる形式からなる前駆物質であっても良い。便宜上、窒化物原料を例にとって説明すると、A元素、B元素の各窒化物原料は市販品から調達できるが、純度が高ければ都合が良いので、3N以上の原料が好ましい。各原料粒子の粒径は、反応促進の観点から考えると微粒子が好ましいが、原料の粒径、形状の相異などに応じて、蛍光体の粒径、形状も変動しうる。従って、最終的に望ましい蛍光体の所望の粒径を得るために、それに近似する粒径の窒化物原料を用意するのが良い。Eu元素の原料は市販の酸化物、窒化物原料または金属であって良く、純度は高いほど良くて、より好ましくは3N以上、特に好ましくは4N以上の原料である。原料の混合方式は、乾式法又は湿式法の何れでも良い。例えば、乾式ボールミル式または液体を加えた湿式ボールミル式など、さまざまな実施形態であって良く、単一の方式に限られない。Ca3N2やSr3N2を計量したり混合したりする場合、これらの化合物は酸化されやすいため不活性な環境下でグローブボックスにて操作するのが適切である。また、各原料の窒化物は水分の影響を受けやすいため、不活性ガスとしては十分に水分を除去されたガスが望ましい。混合装置はボールミル機または研磨鉢などの通常の装置で良い。蛍光体を製造する時は所定の比率で計量し、各原料を混合して坩堝に入れ、その坩堝を高温炉に入れて焼成する。焼成に使用する炉としては、焼成温度が高温であることから、金属抵抗または石墨抵抗の加熱方式が好ましい。焼成の方式は、常圧焼成法または気圧焼成法などの、外部から機械的に加圧を施行しない焼成方式が好ましい。坩堝は不純物を含まない高純度材質のものが好ましく、例えばAl2O3坩堝、Si3N4坩堝、AlN坩堝、サイアロン坩堝、BN坩堝などの不活性環境下で使用可能な坩堝である。中でも最も好ましいのはBN坩堝であり、これは坩堝に由来する不純物の混入を防ぐことにおいて有効である。焼成の雰囲気は非酸化性気体であって、例えば窒素、水素、アンモニア、アルゴンなど、またはこれらの気体の任意な組み合わせでも良い。蛍光体の焼成温度は1200°C以上2200°C以下で、より好ましくは1400°C以上2000°C以下で、昇温速度は3~15°C/分である。比較的低温下で焼成すると比較的微細な粒径の蛍光体が得られ、比較的高温下で焼成すると比較的大きい粒径の蛍光体が得られる。焼成時間は原料の種類によって異なるが、一般的に反応時間は1~10時間が好ましい。焼成時の不活性環境下の圧力は好ましくは05MPa以下である。焼成完了後、室温まで冷却し、ボールミルまたは工業用粉砕機などで粉砕し、続けてろ過、乾燥、仕分けなどの工程を経て本発明の蛍光体が得られる。高輝度の蛍光体を得るためには、蛍光体を焼成する時に添加される助溶剤、原料中の不純物、処理過程の汚染などの要因による影響を最小限に抑えることを通じて、蛍光体組成中の不純物含量を最小限に抑制する。特にフッ素、ホウ素、塩素、炭素などが大量に存在すると、発光が抑制される。したがって、比較的高純度の原料を選択し、合成工程による汚染を抑えて、上記の各元素成分の含量をそれぞれ1000ppm以下に抑えることが望ましい。本発明の蛍光体は、粉体状として使用する時に、平均粒径として20μm以下が好ましい。その理由は、蛍光体粉体の発光は主にその粒子の表面から発するものであり、その平均粒径を指すが20μm以下であれば、蛍光体粉体の重量単位ごとに所定の表面積が確保されて輝度の低下を防止できるからである。また、蛍光体粉体を発光素子上に塗布する場合は、該粉体の密度が高められ、それによっても輝度の低下を防止できる。更に、本発明者らの検討によれば、蛍光体粉体の発光効率の観点から考えれば、平均粒径は1μm以上が好ましい。上記をまとめると、本発明の蛍光体粉体の平均粒径は好ましくは1μm以上且つ20μm以下で、特に30μm以上且つ15μm以下の粒径がより好ましい。ここでの平均粒径は、BeckmanCoulter社製のMultisizer3を用いてコールター法に基づいて測定された値を指す。本発明の蛍光体は、蛍光表示管、電気放出ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、陰極線管、発光ダイオードなどに適用される。特に、本発明の蛍光体に455nmの光源からの光を照射する時に、蛍光体の発光主波長は600nm~680nm、発光色調のCIE1931色度座標は045≦x≦072、02≦y≦05であって、且つ発光輝度が高い。したがって、本発明の蛍光体は特に発光ダイオードに適用されうる。本発明の発光装置は半導体発光素子及び本発明の蛍光体を含む。半導体発光素子は300~550nmの波長を発するものが好ましく、特に330~420nmの紫外光半導体発光素子または420~500nmの青色半導体発光素子がより好ましい。このような半導体発光素子は、硫化亜鉛または窒化ガリウムなどの各種半導体であっても良いが、発光効率を考えると窒化ガリウム半導体が好ましい。窒化ガリウム発光素子では、有機金属気相化学成長法またはハイドライド気相成長法などの方法を通じて基板上に窒化物半導体が形成されるが、InαAlβGa1αβNからなる半導体発光素子が最も好ましい。半導体構造はMIS接合、PIN接合、PN接合などの均質構造、ヘテロ接合構造または二重ヘテロ接合構造の何れでも良い。また、半導体層の材料または混晶度によってその発光波長が制御される。本発明の発光装置において、本発明の蛍光体は単独で使用しても良いし、別の発光特性を有する蛍光体と一緒に使用しても良い、それによって所望の色の発光装置を構成することができる。例えば、330~420nmの紫外光半導体発光素子の場合、これによって励起されて420nm以上且つ500nm以下の波長を発する青色蛍光体、500nm以上且つ570nm以下の波長を発する緑色蛍光体、及び本発明の蛍光体を組み合わせて使用することができる。上記の青色蛍光体としては、例えばBaMgAl10O17:Euが挙げられ、緑色蛍光体としてはβサイアロン蛍光体が挙げられる。この構成により、半導体発光素子から発する紫外線が蛍光体を照射する時に、赤、緑、青の3色が発光され、それを混合して白色の発光装置を形成することができる。また、420~500nmの青色半導体発光素子を使用し、それによって励起されて550nm以上且つ600nm以下の波長を発する黄色蛍光体、及び本発明の蛍光体からなる組み合わせを使用することができる。上記の黄色蛍光体としては、例えば35O12:Ceが挙げられる。この構成により、半導体発光素子から発する青色光が蛍光体を照射すると、赤、黄の2色が発光され、それらは半導体発光素子自身からの青色と混合されて、白色または電球色を帯びた色の照明器具を形成することができる。また、420~500nmの青色半導体発光素子を使用し、それによって励起されて500nm以上且つ570nm以下の波長を発する緑色蛍光体、及び本発明の蛍光体からなる組み合わせを使用することができる。上記の緑色蛍光体としては、例えばβサイアロン蛍光体が挙げられる。この構成により、半導体発光素子から発する青色光が蛍光体を照射すると、赤、緑の2色が発光され、それらは半導体発光素子自身からの青色と混合されて、白色の照明器具を形成することができる。以下、本発明の実施例について説明を行うが、本発明はこれに限定されるものではない。最初に測定方法及び原料の由来について説明する。1蛍光体輝度及び色度座標:蛍光体はTOPCON輝度計SR3Aを用いて、455nmの波長を照射して測定する。輝度値の測定誤差は±03以内である。2蛍光体発光の主波長:JobinYVONのFluoroMax3で測定する。発光の主波長とは、455nmの光を使用して蛍光体を励起したときの、蛍光体の最大発光強度の波長を指す。3蛍光体組成元素の分析:機器:JobinYVONのULTIMA2型感応カップリングプラズマ原子放射スペクトルグラフィーを用いて測定する。サンプルの前処理:01gのサンプルを正確に量り取って白金の坩堝に入れ、Na2CO31gを加えて均一に混合した後、1200°Cの高温炉にて溶融させる。溶融物は冷却後、酸溶液として例えば25mlのHClを加えて溶解し、透明になるまで加熱する。冷却後に100mlのPFA定量瓶に放置し、純水で標準線まで定量する。機器:Horibaの型番EMGA620Wの窒素酸素分析器。測量:蛍光体20mgを錫カプセル内に入れて坩堝に放置して、測定を行う。4ストロンチウム溶出含量の測定:機器:JobinYVONのULTIMA2型感応カップリングプラズマ原子放射スペクトルグラフィーを用いて測定する。前処理:導電度200μScm以下の蛍光体を取り、蛍光体対純水が1対100の重量比率となるように純水を加えて混合溶液を調製し、その混合溶液を80°Cにて40時間加熱した後、室温までに冷却してから045nm細孔径のフィルターでろ過し、得られた水相溶液の測定を、ICPを用いて直接行う。5導電度測定機器:SuntexのSC1706蛍光体のD50平均粒径分析:BeckmanCoulterMultisizer3を用いて測定を行う。D50とは、粒径が該値以下の粒子の累積体積が、粒子全体積の50を占めることを示す。実施例1準備された所望の金属ストロンチウムを純窒素ガス雰囲気にて焼成した。反応条件は、窒素流速85リットル分、室温から中間温度までの昇温速度10°C分、中間温度620°Cから900°Cまでの昇温速度3°C分とした。900°Cの恒温で24時間焼成を行った後、10°C分の速度で室温まで冷却して、窒化ストロンチウム化合物を得た。上記の合成により得られたSr3N2を07923モル、市販のCa3N22Nを023モル、AlNを1モル、Si3N4を13モル、Eu2O3を00082モルの比率でそれぞれの原料粉体を量り取って、窒素雰囲気下でグローブボックス内において研磨鉢を使用して混合した。原料混合粉体における各元素のモル比率を表2に示す。上記の原料混合粉体を窒化ホウ素坩堝に入れて高温炉に入れ、炉内雰囲気は高純度窒素ガスの環境として、気体流量は80リットル分、10°C分の昇温速度で1800°Cまで上げた。1800°Cにて12時間保持して焼成を行い、その後10°C分の速度で室温まで温度を下げ、続けて粉砕、ボールミル、ろ過、乾燥、仕分けなどの工程を経て、本発明の蛍光体を得た。平均粒径の分析結果は83μmであった。窒酸分析およびICP分析の結果、それぞれCa:475重量、Sr:3379重量、Al:1620重量、Si:1690重量、N:2402重量、O:156重量、Eu:073重量であった。従って、1モルのAlを基準とした時、実際の組成式はCa01974Sr06423Al1Si10022N28562O01624:Eu00080であって、即ち、CapSrqMmAaBbOtNn:Eur式中、それぞれp=01974、q=06423、m=0、t=01624、r=00080、a=1、b=10022、n=28562となった。導電度200μScm以下の蛍光体01gを取り、蛍光体対純水が1対100の重量比率となるように純水を加えて混合してからそのガラス容器を密閉し、その混合溶液を80°Cにて40時間加熱した後、室温まで冷却し、測定された該混合溶液の水相中のストロンチウム溶出含量は10ppmであり、これをqで除した正規化ストロンチウム溶出含量は100642316ppmであった。また、455nmの光線によって励起された該蛍光体の測定された発光の主波長は616nm、CIE1931色度座標はx0634、y0364、発光輝度は165であった。本発明における実施例と比較例の発光輝度は、以下に述べる比較例7の蛍光体の発光輝度を100としたときの相対的な発光輝度である。実施例2~4、比較例1~3窒化ストロンチウムの合成条件は、表1に従って進行するようにし、原料混合粉体中の各元素のモル比率を表2に示すように調整した。それ以外の工程は実施例1と同様に行った。得られた蛍光体の物性について測定した結果を表3に示す。表3から理解されるように、窒化ストロンチウムの焼成条件を調整して、正規化ストロンチウム溶出含量を1~20ppmの範囲内とした時、より良い輝度値が得られている。実施例5~8、比較例4~6窒化ストロンチウムの合成条件は、表1に従って進行するようにし、原料混合粉体中の各元素のモル比率を表2に示すように調整した。それ以外の工程は実施例1と同様に行った。得られた蛍光体の物性について測定した結果を表3に示す。これらの実施例及び比較例の結果から、上記と同様の結論が得られた。即ち、正規化ストロンチウム溶出含量を1~20ppmの範囲内とした時、より良い輝度値が得られる。実施例9~11、比較例7~8窒化ストロンチウムの合成条件は、表1に従って進行するようにし、原料混合粉体中の各元素のモル比率は表2に示すように調整し、またYとしてはY2O3を、GeとしてはGeO2を、ZnとしてはZnOをそれぞれ使用した。それ以外は実施例1と同様に行った。得られた蛍光体の物性についての測定結果を表3に示す。これらの実施例及び比較例の結果から、上記と同様の結論が得られた。即ち、正規化ストロンチウム溶出含量を1~20ppmの範囲内とした時、より良い輝度値が得られる。本発明の蛍光体の輝度値は、輝度測定器を用いて測定される。図1に示すように、この輝度測定装置は黒色の箱体11、サンプル槽12、光源13、光導入管14、反射鏡15及び輝度計16からなる。サンプル槽12を箱体11の中に置き、光源13をサンプル槽12と垂直で且つその上の約5センチの所に設置し、光導入管14の直径は約2センチで且つ光源13と45°の角度なるように設置し、反射鏡15は光導入管14の中にサンプル槽12から約8センチ離して配置し、そして輝度計16は反射鏡15との距離が約40センチとなるよう配置する。サンプル槽12中の蛍光体が光源13に照射され、蛍光体から発した蛍光は光導入管14及び反射鏡15の作用により水平に輝度計16に導かれ、輝度値の測定が行われる。本発明の前述の各実施例及び比較例における蛍光体の輝度測定についてより詳しくは、測定用のサンプル13gを量り取ってサンプル槽12に入れ、槽の中に均一となるように押さえて平坦化した。続けて該サンプル槽12を箱体11内に配置し、発光波長455nmの光源13からの光を使用して垂直にサンプルを照射し、輝度計16はfield1°探測方式を用いて、光源照射された蛍光体が発する蛍光の蛍光輝度を測定した。ここで、蛍光体の発光スペクトルの主波長は、発光強度最大の波長を指す。そして、前述の本発明の各実施例の蛍光体サンプルと半導体発光素子を封じて、本発明の発光装置が得られる。図2は、本発明の発光装置の一つの実施例として、半導体発光素子21、蛍光層22及び封装層23を含む発光装置を示す。ここで半導体発光素子21は、導電可能で且つ凹型の受載台212を有する基台211、凹型受載面212を載置して且つ基台211と電気的に接続された発光ダイオード晶粒213を備え、連結線214は該発光ダイオード晶粒213と電気的に接続し、導線215は連結線214と電気的に接続する。基台211と導線215は外部からの電気エネルギーを誘導して発光ダイオード晶粒213に提供し、発光ダイオード晶粒213は受けた電気エネルギーを光エネルギーに転換して外へ発する。本実施例は、市販の発光波長455nm、InGaNの青色ダイオード晶粒213を導電銀粉ペーストを用いて基台211の受載台212に接着し、続いて発光ダイオード晶粒213の頂点から該発光ダイオード晶粒213と電気的に接続する連結線214及び導線215が延伸されている。上記の蛍光層22は、発光ダイオード晶粒213を被覆する。蛍光層22に含まれる蛍光体221は発光ダイオード晶粒213から発する光を受け励起された後、転換して励起光波長と異なる光を発する。本実施例において蛍光層22は、蛍光体221を35重量含有するシリコーン樹脂を発光ダイオード晶粒213の外表面に塗布した後、乾燥、硬化を経て形成される。封装層23は、半導体発光素子21の部分の基台211、連結線214、一部の導線215及び蛍光層22を被覆する。上記をまとめると、本発明は蛍光体構造における各元素の比率、並びに蛍光体中の正規化ストロンチウム溶出含量を1~20ppmの範囲に制御することによって、発光の主波長を600~680nmとする高輝度の蛍光体を得る。そして該蛍光体に半導体発光素子を搭載すると、高輝度の発光装置が得られる。上記述べたものは、本発明の比較的良好な実施例を記述したものであって、それをもって本発明の実施範囲が限定されるものではない。本発明の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の内容に基づいて行われるあらゆる簡単な、同じ効果を奏する変更及び修飾は、すべて本発明の範囲内にある。"