半導体発光素子が実装される実装面を有し、金属体が取り付けられる実装用基板であって、前記実装面に配置され、前記半導体発光素子に電気的に接続される導電部材と、前記金属体が取り付けられる取付部と、前記導電部材と前記取付部との間に設けられた放電抑制部であって、前記実装用基板の表面に対して傾いた面を有することで、前記導電部材と前記取付部との間における沿面距離を、前記放電抑制部がない場合よりも増加させる放電抑制部とを備える実装用基板。前記放電抑制部は、前記実装用基板の表面から突出状に設けられ、絶縁材料で構成される壁部である請求項1記載の実装用基板。前記壁部は、前記半導体発光素子から発せられる光を透過させる透光性を有する請求項2記載の実装用基板。前記壁部は、前記導電部材と前記実装面の端縁との間に配置されており、前記実装面からの前記壁部の高さは、前記実装面からの前記半導体発光素子の高さよりも低い請求項2または3記載の実装用基板。前記壁部は、前記実装用基板の表面に付加された前記絶縁材料によって構成されている請求項2~4のいずれか1項に記載の実装用基板。前記放電抑制部は、前記実装用基板の表面から陥凹状に設けられた溝部である請求項1記載の実装用基板。前記実装面は、前記半導体発光素子が実装される領域と前記導電部材が配置された領域とを含む第一領域と、前記第一領域の外側の第二領域とで構成され、前記放電抑制部は、前記第二領域に配置されている請求項1~6のいずれか1項に記載の実装用基板。前記放電抑制部は、前記第一領域を囲むように配置されている請求項7記載の実装用基板。前記放電抑制部は、前記導電部材を囲むように配置された第一放電抑制部と、前記半導体発光素子を囲むように配置された第二放電抑制部とを含む請求項1~6のいずれか1項に記載の実装用基板。前記実装面には、2つ以上の前記半導体発光素子の実装が可能であり、前記放電抑制部は、2つの前記半導体発光素子の間を横切るように配置された横断部を含む請求項1~6のいずれか1項に記載の実装用基板。請求項1~10のいずれか1項に記載の実装用基板と、前記実装用基板に実装された半導体発光素子とを備える発光装置。請求項11に記載の発光装置と、前記発光装置が取り付けられた前記金属体とを備えるランプ。さらに、透光性を有し、前記発光装置を覆う外殻部材であって、ヘリウムを含む気体が封入された外殻部材を備える請求項12記載のランプ。しかしながら、上記従来の技術によれば、絶縁耐圧性を向上させるために金属製の基材上に多層の絶縁体膜が形成されるため、必然的に放熱性は低下することとなる。そこで、LEDモジュールの基板として、セラミック基板またはガラス基板等を採用し、かつ、当該基板の裏側に、放熱体としての役割を果たす金属体が取り付けられたLEDモジュールも存在する。この場合、基板が絶縁材料で構成されていることから、基板上の導電部材と基板との間での絶縁耐圧の問題が生じず、かつ、金属体が基板に接触していることにより一定の放熱性は確保される。しかし、この場合は、基板上の導電部材と基板の裏側に存在する金属体との間に過大な電位差が生じた場合に、絶縁物である基板の表面を伝わって電流が流れる形態の放電である沿面放電が生じる可能性がある。例えば、静電気により当該LEDモジュールにおいてこのような過大な電位差が生じる場合がある。このような沿面放電の発生を防止するためには、例えば、基板のサイズ実装面の縦幅および横幅を大きくするという対策が採用される。つまり、LEDおよび電極等の要素の周囲の領域を広げるという策である。これにより、導電部材と金属体との間の沿面距離を長くすることができ、その結果、沿面放電が抑制される。しかしながら、基板のサイズを大きくすることは、例えば、LEDランプの小型化を阻害し、また、基板の様々な種類のLEDランプへの採用可能性を低下させる要因ともなり、好ましい対策であるとは言い難い。本発明は、上記従来の課題を考慮し、沿面放電を効果的に抑制することのできる、実装用基板、発光装置およびランプを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る実装用基板は、半導体発光素子が実装される実装面を有し、金属体が取り付けられる実装用基板であって、前記実装面に配置され、前記半導体発光素子に電気的に接続される導電部材と、前記金属体が取り付けられる取付部と、前記導電部材と前記取付部との間に設けられた放電抑制部であって、前記実装用基板の表面に対して傾いた面を有することで、前記導電部材と前記取付部との間における沿面距離を、前記放電抑制部がない場合よりも増加させる放電抑制部とを備える。この構成によれば、導電部材と取付部との間に、実装用基板の表面に対して傾いた面を有する放電抑制部が配置される。その結果、導電部材と取付部との間の沿面距離は、放電抑制部がない場合よりも長くなる。これにより、導電部材と金属体との間での沿面放電は抑制される。また、金属体により放熱性は担保されるため、基板の素材としてセラミックス等の絶縁材料を用いることができる。そのため、金属を基材とする基板のように絶縁膜を形成させる必要がない。すなわち、本態様の実装用基板によれば、沿面放電の抑制と、放熱性低下の抑制とを両立させることが可能となる。このように、本態様の実装用基板によれば、沿面放電を効果的に抑制することができる。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、としてもよい。つまり、放電抑制部は、実装用基板の表面から突出した形状の壁部によって実現することができる。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記壁部は、前記半導体発光素子から発せられる光を透過させる透光性を有するとしてもよい。この構成によれば、半導体発光素子から壁部の方向に進行する光は壁部を透過し、外部に放出される。そのため、当該実装用基板を発光装置に用いることで、光の取り出し効率の高い発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記壁部は、前記導電部材と前記実装面の端縁との間に配置されており、前記実装面からの前記壁部の高さは、前記実装面からの前記半導体発光素子の高さよりも低いとしてもよい。この構成によれば、半導体発光素子から発せられる光のうちの、壁部によって遮蔽される光の量が抑制される。そのため、当該実装用基板を発光装置に用いることで、光の取り出し効率の高い発光装置を提供することができる。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記壁部は、前記実装用基板の表面に付加された前記絶縁材料によって構成されているとしてもよい。この構成によれば、壁部のない状態の実装用基板である基板本体に、後付けで壁部が設けられる。この場合、例えば、同一の大きさおよび形状の複数の基板本体を用いて、耐電圧性能の互いに異なる種類の実装用基板を効率よく生産することが可能となる。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記放電抑制部は、前記実装用基板の表面から陥凹状に設けられた溝部であるとしてもよい。つまり、放電抑制部は、実装用基板の表面から窪んだ形状の溝部によって実現することができる。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記実装面は、前記半導体発光素子が実装される領域と前記導電部材が配置された領域とを含む第一領域と、前記第一領域の外側の第二領域とで構成され、前記放電抑制部は、前記第二領域に配置されているとしてもよい。この構成によれば、当該実装用基板に半導体発光素子を実装し、かつ、金属体を取り付けた場合に、例えば、導電部材および半導体発光素子等の構成要素の配置領域である第一領域から、金属体までの間の沿面距離が増加される。そのため、例えば、第一領域に配置された複数の構成要素と、金属体との間での沿面放電が抑制される。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記放電抑制部は、前記第一領域を囲むように配置されているとしてもよい。この構成によれば、第一領域に配置された導電部材および半導体発光素子等の構成要素から見て様々な方向に放電抑制部が配置される。そのため、これら構成要素と金属体との間での沿面放電に対する抑制効果がより向上する。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記放電抑制部は、前記導電部材を囲むように配置された第一放電抑制部と、前記半導体発光素子を囲むように配置された第二放電抑制部とを含むとしてもよい。この構成によれば、導電部材および半導体発光素子のそれぞれが個別に放電抑制部により囲まれる。これにより、導電部材と金属体との間での沿面放電に対する抑制効果がより向上する。また、例えば、半導体発光素子が複数実装されている場合は、これら半導体発光素子の間における沿面放電も抑制される。また、本発明の一態様に係る実装用基板において、前記実装面には、2つ以上の前記半導体発光素子の実装が可能であり、前記放電抑制部は、2つの前記半導体発光素子の間を横切るように配置された横断部を含むとしてもよい。この構成によれば、2つの半導体発光素子の間の位置に横断部が設けられる。これにより、導電部材と金属体との間の沿面放電が抑制され、かつ、当該2つの半導体発光素子の間での沿面放電も抑制される。また、本発明の一態様に係る発光装置は、上記いずれかの態様に係る実装用基板と、前記実装用基板に実装された半導体発光素子とを備える。この構成によれば、沿面放電を効果的に抑制することのできる発光装置が実現される。また、本発明の一態様に係るランプは、上記の発光装置と、前記発光装置が取り付けられた前記金属体とを備える。この構成によれば、沿面放電を効果的に抑制することのできるランプが実現される。また、本発明の一態様に係るランプはさらに、透光性を有し、前記発光装置を覆う外殻部材であって、ヘリウムを含む気体が封入された外殻部材を備えるとしてもよい。この構成によれば、発光装置で発生する熱のランプ外方への放熱性を向上させることができる。本発明によれば、沿面放電を効果的に抑制することのできる実装用基板、発光装置およびランプを実現することができる。以下に、本発明の実施形態に係る、実装用基板、発光装置およびランプについて、図面を参照しながら説明する。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。また、以下で説明する実施の形態1および2のそれぞれでは、本発明の好ましい一具体例が示されている。各実施の形態で示される数値、形状、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、請求の範囲によって限定される。よって、以下の各実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素は、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成する要素として説明される。実施の形態1まず、本発明の実施の形態1における発光装置の概略構成について、図1~図4を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における発光装置1の外観斜視図であり、図2は、実施の形態1における発光装置1の上面図であり、図3は、図2におけるA-A断面の概要を示す断面図である。図1および図2に示すように、本発明の実施の形態1における発光装置1は、所定の照明光を放射するLEDモジュールであって、基板10と、基板10に実装されたLED20とを備える。基板10は、半導体発光素子が実装される実装面を有し、金属体が取り付けられる実装用基板の一例である。基板10は、本実施の形態ではアルミナからなるセラミック基板である。基板10は、電極15と、取付部11と、放電抑制部12とを備える。なお、図1~図4では、放電抑制部12の一態様である壁部12aを備える基板10が図示されている。LED20は、半導体発光素子の一例であり、本実施の形態では、表面実装SMD:SurfaceMountDevice型のLEDである。SMD型のLED20は、キャビティ凹部を有する樹脂製のパッケージと、キャビティ内に実装されたLEDチップと、LEDチップを封止するようにキャビティ内に封入された蛍光体含有樹脂とで構成されている。このLEDチップとしては、例えば青色光を発光する青色発光LEDチップ以下、青色LEDチップという。が用いられる。例えばInGaN系の材料によって構成された、中心波長が440nm~470nmの窒化ガリウム系の半導体発光素子が用いられる。また、LEDチップを封止する蛍光体含有樹脂としては、LED20から白色光を得るために、YAGイットリウムアルミニウムガーネット系の黄色蛍光体粒子をシリコーン樹脂に分散させた蛍光体含有樹脂が用いられる。つまり、黄色蛍光体粒子は青色LEDチップの青色光によって励起されて黄色光を放出するため、LED20からは、励起された黄色光と青色LEDチップの青色光とによって白色光が放出される。なお、複数のLED20は、基板10の実装面上にパターン形成された配線18によって2つの電極15と電気的に接続されており、電極15を介して各LED20に電力が供給される。なお、図1および図2において、配線18のパターンは点線で示されている。また、図1および図2に示される配線18のパターンは一例であり、LED20のそれぞれに必要な電力が供給できるのであれば、どのような配線18のパターンが採用されてもよい。取付部11には、図1に示すように、金属体105が取り付けられる。本実施の形態では、基板10の下部が金属体105の凹部105aに埋め込まれるようにして発光装置1が金属体105に取り付けられる。そのため、基板10の下部の、凹部105aに埋め込まれる部分が取付部11として扱われる。なお、取付部11の位置および形状は特定の位置および形状に限定されない。例えば上面が平面である金属体105の当該上面と、基板10の裏面実装面と反対側の面とが接合される場合、基板10の当該裏面が取付部11として扱われる。また、金属体105は、発光装置1をランプに取り付けるための部材として機能するとともに、発光装置1の放熱を効率よく行う放熱体としても機能する。発光装置1を備えるランプについては実施の形態2で説明する。壁部12aは、LED20と電気的に接続される導電部材電極15、配線18、および、配線18とLED20とを接続する端子図示せずなどと、取付部11との間に位置し、基板10の表面から突出状に設けられている。なお、本実施の形態における壁部12aは、図3に示すように、基板10の表面から垂直略垂直を含む、以下同じに延びる壁面を有している。つまり、壁部12aは、基板10の表面に対して90度略90度を含む、以下同じ傾いた面を有している。また、基板10の表面とは基板10の実装面およびその裏側の面のみならず、実装面と裏側の面との間に存在する4つの側面も含む。本実施の形態では、壁部12aは、実装面において、電極15等の導電部材と複数のLED20とを含む第一領域13aの外側の第二領域13bに配置されている。より具体的には、壁部12aは、第一領域13aを囲むように3重に配置されている。なお、図2において、第一領域13aと第二領域13bとの境界は一点鎖線で表されている。また、壁部12aは、絶縁材料で構成されている。本実施の形態では、壁部12aは、セラミックスを含むガラスで構成されており、LED20から発せられた光を透過させる透光性を有している。また、図3に示すように、実装面からの壁部12aの高さは、実装面からのLED20の高さよりも低い。具体的には、壁部12aの高さは、例えば30μm~50μm程度であり、LED20の実装面からの高さは、例えば520μm程度である。このような特徴を有する壁部12aは、例えばガラス等を含む無機材料を実装面にスクリーン印刷することによりパターン形成される。つまり、本実施の形態において、壁部12aは基板10の本体とは別部材であり、基板10の本体に後付けで形成されている。このように、本実施の形態の発光装置1が備える基板10は、LED20および電極15等の発光機能を担う要素に加え、基板10の表面から突出状に設けられた壁部12aを備えている。これにより、電極15等の導電部材と金属体105との間での沿面放電を抑制することができる。図4は、実施の形態1の発光装置1における壁部12aと沿面距離の増加量との関係を示す概念図である。図4に示すように、例えば電極15と、図4において基板10の左側の端縁までの距離がLaであり、当該端縁から取付部11までの距離がLbである場合を想定する。この場合、壁部12aが存在しなければ、電極15から取付部11までの沿面距離はLaLbである。つまり、発光装置1に金属体105が取り付けられたとした場合の、電極15から金属体105までの沿面距離はLaLbとなる。一方、壁部12aの高さがhであり、かつ、壁部12aがn重nは1以上の整数に設けられている場合、電極15から取付部11までの沿面距離Lcは以下の式1で表される。Lc=LaLb2nh式1つまり、発光装置1に金属体105が取り付けられたとした場合の、当該金属体105と、電極15等の導電部材との間の沿面距離を、基板10に壁部12aを設けることで、壁部12aがない場合よりも、2nhだけ増加させることができる。つまり、本実施の形態のように、n=3の場合は、沿面距離が6hだけ増加する。例えば、図3において、LaLbが2mmであり、h=30μmである場合を想定する。この場合、3重の壁部12aによる沿面距離の増加量は180μm=0.18mmであり、LaLbに対して9に相当する距離を増加させることができる。このように、壁部12aの存在によって沿面距離を増加させることで、沿面放電を抑制することができる。壁部12aによる沿面放電に対する抑制効果を耐電圧試験の結果例を挙げて説明する。図5Aは、実施の形態1における壁部12aによる沿面放電に対する抑制効果を確認するための耐電圧試験の概要を示す図である。図5Aに示すように、発光装置1および金属体105を内包する電球形のランプを用意し、ランプの外部ケースをアルミ箔で包む。なお、当該外部ケースは導電性を有し、かつ、金属体105と接触している。また、口金部において中心電極と周囲の電極とを電線で短絡させ、当該電線と当該アルミ箔との間に所定の電圧を印加する。これにより、金属体105と、電極15等の導電部材との間に当該所定の電圧が印加される。このような耐電圧試験を1分間継続し、当該試験中に0.5mA以上の漏れ電流がない場合に試験合格とする。また、同様の試験を、壁部12aの数、および、基板10の材料等の条件を変えて行った結果、図5Bに示す値が得られた。図5Bは、図5Aに示される耐電圧試験の結果例を示す図である。図5Bに示すように、実施の形態1と同様に、壁部12aを3重に設け、アルミナを材料とする基板10の場合、耐電圧値は4.4kVであった。つまり、基板10上の導電部材と金属体105との電位差が4.4kVになった時点で初めて0.5mA以上の電流が計測されたことを意味する。また、基板10の材料を同じくアルミナとし、壁部12aを2重に設けた場合の耐電圧値は3.8kVであった。一方、基板10の材料を同じくアルミナとし、壁部12aを備えない場合の耐電圧値は2.0kVであり、基板10の材料を導電性材料であるアルミニウム絶縁被覆ありとし、壁部12aを備えない場合の耐電圧値1.1kVである。このように、基板10に壁部12aを備えた場合、少なくとも、基板10に壁部12aを備えない場合よりも沿面放電が抑制されることがわかる。また、少なくとも、壁部12aの数を増やすことで沿面放電に対する抑制効果が向上することもわかる。なお、本試験では壁部12aの数を増やすことで沿面距離を増加させており、これにより、沿面放電に対する抑制効果を向上させている。しかし、上記式1に示すように、n重の壁部12aによる沿面距離の増加量は2nhであるため、壁部12aの数を変えずに、壁部12aの高さhを大きくすることで、沿面距離を増加させてもよい。また、本実施の形態の放電抑制部12は、壁部12aとは異なる態様で基板10に設けられることもできる。例えば、基板10の表面から陥凹状に設けられた溝部が、放電抑制部12として基板10に備えられてもよい。図6は、実施の形態1の発光装置1における溝部12bと沿面距離の増加量との関係を示す概念図である。図6において、溝部12bが存在しなければ、電極15から取付部11までの沿面距離はLaLbである。つまり、発光装置1に金属体105が取り付けられたとした場合の、電極15から金属体105までの沿面距離はLaLbとなる。一方、図6に示すように、溝部12bを形成する内面が基板10の表面に対して90度傾いており当該内面のZ軸方向の長さつまr、溝部12bの深さがh ́であり、かつ、溝部12bがn重nは1以上の整数に設けられている場合を想定する。この場合、電極15から取付部11までの沿面距離Lcは以下の式2で表される。Lc=LaLb2nh ́式2つまり、発光装置1に金属体105が取り付けられたとした場合の、当該金属体105と、電極15等の導電部材との間の沿面距離を、基板10に溝部12bを設けることで、溝部12bがない場合よりも、2nh ́だけ増加させることができる。例えば、図2に示す壁部12aと同じように、電極15等の導電部材の周囲に、3重の溝部12bを配置した場合を想定する。この場合、図6において、LaLbが2mmであり、h=30μmであれば、3重の溝部12bによる沿面距離の増加量は180μm=0.18mmである。つまり、LaLbに対して9に相当する距離が増加される。このように、基板10に、溝部12bを設けることにより、上述の壁部12aを設けた場合と同じく、沿面放電の抑制効果を得ることができる。なお、放電抑制部12本実施の形態における壁部12aおよび溝部12bの配置パターンは、特定のパターンに限定されない。例えば、本実施の形態における壁部12aは、図2に示すように、電極15およびLED20の周囲を隙間なく囲うように、かつ、3重に設けられている。しかし、このような放電抑制部12の配置パターンは一例であり、基板10においては、他にも様々な放電抑制部12の配置パターンを採用可能である。また、いずれの場合においても、沿面放電に対する抑制効果は発揮される。以下、図7~図11Bを用いて、放電抑制部12の配置パターンの他の例について説明する。つまり、図7~図11Bのそれぞれは、壁部12aおよび溝部12bのそれぞれに適用可能な配置パターンの例である。図7は、実施の形態1における放電抑制部12の他の配置パターンの第1の例を示す図である。なお、図7~図11Bのそれぞれにおいて、放電抑制部12の配置パターンが明確に視認されるように、放電抑制部12は、ドットが付された領域で表されている。図7に示すように、基板10に1つだけ放電抑制部12が設けられていてもよい。つまり、放電抑制部12は、電極15等の導電部材と取付部11との間に複数存在する必要はなく、電極15等の導電部材と取付部11との間に少なくとも1つの放電抑制部12が設けられていればよい。この場合であっても、上述のように壁部12aの高さ、または、溝部12bの深さを大きくすることで、沿面距離を増加させることができるため、要求される耐電圧性を満たす基板10を作製することが可能である。図8は、実施の形態1における放電抑制部12の他の配置パターンの第2の例を示す図である。図8に示すように、基板10は、それぞれに独立した複数の放電抑制部12を備えてもよい。例えば、電極15および複数のLED20を放電抑制部12によって一括して囲む場合、図8に示すように独立した複数の放電抑制部12によって電極15および複数のLED20を囲んでもよい。言い換えると、分割された複数の部分によって構成される放電抑制部12によって電極15および複数のLED20を囲んでもよい。さらに、図8に示すように、放電抑制部12が重なる数を、場所ごとに異ならせてもよい。例えば、放電抑制部12がないとした場合に、取付部11までの沿面距離が最も短い導電部材である電極15と、取付部11との間のみ2重に放電抑制部12を設け、それ以外の箇所は、1つの放電抑制部12を設けてもよい。このように、沿面放電が発生し易いと考えられる箇所には、複数の放電抑制部12を設け、それ以外の箇所には、より少ない放電抑制部12を備えてもよい。なお、例えば、沿面放電が発生し難いと考えられる箇所には放電抑制部12を備えなくてもよい。このように、放電抑制部12の配置パターンを、沿面放電が発生し易い箇所か否かに応じて決定することで、沿面放電が抑制されるとともに、結果的に無駄となるような放電抑制部12の形成が防止される。図9は、実施の形態1における放電抑制部12の他の配置パターンの第3の例を示す図である。図9に示すように、基板10は、第一領域13aを囲むように配置された4つの放電抑制部12に加え、複数のLED20のうちの少なくとも2つのLED20の間を横切るように配置された放電抑制部12を備えてもよい。なお、2つのLED20の間を横切るように配置された放電抑制部12は、横断部の一例である。こうすることで、電極15と金属体105との間の沿面放電が抑制され、かつ、当該2つのLED20の間での沿面放電も抑制される。図10は、実施の形態1における放電抑制部12の他の配置パターンの第4の例を示す図である。図10に示すように、基板10は、電極15のそれぞれを囲むように配置された放電抑制部12と、LED20のそれぞれを囲むように配置された放電抑制部12とを備えてもよい。なお、電極15のそれぞれを囲むように配置された放電抑制部12は第一放電抑制部の一例であり、LED20のそれぞれを囲むように配置された放電抑制部12は第二放電抑制部の一例である。このように、電極15およびLED20を個別の放電抑制部12で囲むことにより、電極15と金属体105との間での沿面放電に対する抑制効果がより向上する。また、複数のLED20の間における沿面放電も抑制される。以上、図7~図10では、放電抑制部12の各種の配置パターンであって、上面視において直線で構成される各種の配置パターンを示した。しかし、放電抑制部12の配置パターンは、上面視における一部または全部が曲線で構成されていてもよい。図11Aは、実施の形態1における放電抑制部12の他の配置パターンの第5の例を示す図である。例えば、図11Aに示すように、放電抑制部12は、上面視において円形になるように、基板10に配置されてもよい。この場合あっても、電極15等の導電部材と金属体105との間の沿面距離は増加するため、沿面放電に対する抑制効果が向上する。また、このように、放電抑制部12の配置パターンの少なくとも一部に曲線を取り入れることで、例えば、基板10に配置された電極15等の要素の位置に応じた、放電抑制部12の配置パターンの柔軟な設計が可能となる。図11Bは、実施の形態1における放電抑制部12の他の配置パターンの第6の例を示す図である。例えば、発光装置1を金属体105等の他の部材に取り付けるために、基板10に取付孔50が設けられる場合を想定する。この場合、例えば取付孔50に最も近い導電部材と、金属体105との沿面距離は、取付孔50がない場合よりも短くなる。しかしながら、この場合、図11Bに示すように、放電抑制部12を、当該導電部材と取付孔50との間に設けることで、取付孔50が存在することによる沿面放電に対する抑制効果の低下を防止することができる。また、図11Aに示すように、基板10の角の部分を避けるように、放電抑制部12を配置することで、図11Bに示すように、基板10の角の部分に、取付孔50等の他の要素の設置が可能である、ということもできる。なお、図7~図11Bのそれぞれに示される、放電抑制部12の各種の配置パターンは、壁部12aおよび溝部12bのいずれであっても適用可能である。さらに、壁部12aと溝部12bとが混合されて、基板10に配置されてもよい。図12Aは、壁部12aと溝部12bとが配置された基板10の断面の一例を示す図である。図12Aに示すように、壁部12aと溝部12bとが混合されて基板10に配置された場合であっても、壁部12aおよび溝部12bそれぞれによる、沿面距離の増加の効果に影響はない。つまり、基板10に、壁部12aおよび溝部12bを設けることで、基板10における沿面放電に対する抑制効果は向上する。また、例えば、溝部12bが形成された複数の基板10のそれぞれに、必要な数だけ壁部12aを形成することで、耐電圧性能の互いに異なる複数種類の基板10を効率よく生産することが可能である。また、壁部12aおよび溝部12bのそれぞれは、本実施の形態では、例えば図4および図6で示すように、全体として、基板10の表面に対して垂直に形成されている。つまり、本実施の形態では、放電抑制部12は、基板10の表面に対して90度傾いた面を有している。しかしながら、放電抑制部12は、基板10の表面に対して90度傾いた面を有していなくてもよい。図12Bは、壁部12aおよび溝部12bのそれぞれの断面形状の各種の例を示す図である。より具体的には、図12Bは、基板10の表面に対して斜め90度以外の角度の面を有することで沿面距離を増加させる壁部12aおよび溝部12bの複数の例を示す図である。図12Bのaおよびbに示すように、壁部12aの断面形状は、台形であってもよく、曲線のみで構成されていてもよい。つまり、壁部12aの断面形状は、矩形以外の形状であってもよい。また、図12Bのcに示すように、壁部12aは、全体として、基板10の表面に対して垂直ではなく斜めに傾いて配置されてもよい。また、溝部12bについても同様に、図12Bのdおよびeに示すように、断面形状が、台形であってもよく、曲線のみで構成されてもよい。また、図12Bのfに示すように、溝部12bが、基板10の表面から斜め方向に削られるようにして設けられてもよい。なお、壁部12aおよび溝部12bの、長手方向図12BにおけるY軸方向に垂直な断面形状は、図12Bに示される各種の形状に限定されず、T字状など、他の形状であってもよい。すなわち、放電抑制部12は、基板10の表面に対して傾いた面を有していれよい。この場合、当該面と基板10の表面との角度に関らず、放電抑制部12は、放電抑制部12を挟んで存在する導電部材と金属体105との間の沿面距離を、放電抑制部12がない場合よりも増加させることが可能である。このように、放電抑制部12壁部12aおよび溝部12bの断面形状としては、様々な形状が採用しうる。また、放電抑制部12は、上面視において長尺状である必要はない。放電抑制部12は、例えば、基板10から突出した半球状の構造物であってもよい。また、放電抑制部12は、基板を貫通しない穴であってもよい。いずれの場合であっても、当該放電抑制部12を介した沿面距離は、当該放電抑制部12がない場合よりも増加する。以上説明したように、本実施の形態における発光装置1は、電極15等の導電部材と取付部11との間の位置に、基板10の表面に対して傾いた面を有する放電抑制部12を備える。これにより、当該導電部材と、取付部11に取り付けられた金属体105との間の沿面距離を増加させることができる。その結果、当該導電部材と金属体105との間での沿面放電が抑制される。また、金属体105により放熱性は担保されるため、基板10の素材としてセラミックス等の絶縁材料を用いた場合であっても、温度上昇によるLED20の発光効率の低下を抑制することができる。また、基板10の素材としてセラミックス等の絶縁材料を用いた場合、金属を基材とする基板のように絶縁膜を形成させる必要がない。すなわち、基板10は、沿面放電の抑制と、放熱性低下の抑制とを両立させることができる。また、壁部12aは、基板10の本体に対して後付けで設けることができる。従って、例えば、同一の大きさおよび形状の基板10の本体を複数作製しておき、壁部12aの高さおよび配置パターンを様々に変えながら基板10に壁部12aを形成することができる。また、溝部12bも同様に、基板10の本体に対して後付けで設けることができる。これにより、耐電圧性能の互いに異なる複数種類の基板10を効率よく生産することが可能である。なお、本実施の形態では、LED20は、SMD型のLEDであり、パッケージとLEDチップと、LEDチップを封止する蛍光体含有樹脂とで構成されているとした。しかし、LED20はLEDチップそのものであってもよい。つまり、発光装置1は、COB型ChipOnBoardの発光モジュールであってもよい。すなわち、発光装置1が光源として採用する半導体発光素子は、特定の形態に限定されず、基板10の実装面に実装可能な半導体発光素子であればよい。例えば、LED20として青色光を発するベアチップを用い、透光性のダイアタッチ材ダイボンド材によって基板10上にダイボンディングしてもよい。また、この場合、上述のように、YAG系の黄色蛍光体粒子をシリコーン樹脂に分散させた蛍光体含有樹脂で各LED20を封止することで、それぞれのLED20から蛍光体含有樹脂を介して白色光を放出させることができる。また、本実施の形態では、壁部12aは、セラミックスを含むガラスで構成されているとした。しかし、壁部12aは絶縁材料で構成されていればよく、例えば、樹脂により壁部12aが構成されてもよい。また、壁部12aは透光性を有するとしたが、例えば、発光装置1から側方に向かって放出される光が重要視されない場合は、壁部12aは透光性を有しなくてもよい。また、壁部12aは、基板10の本体に対して後付けで設けられていなくてもよく、例えば樹脂の射出成形により、壁部12aと基板10の本体とが一体成形されてもよい。また基板10は、アルミナからなるセラミック基板以外の種類の基板であってもよい。基板10は、例えば、ガラスまたは樹脂などのセラミックス以外の絶縁材料から構成される基板であってもよい。また、発光装置1が備えるLED20の個数および配置位置も特定の個数および配置位置には限定されない。また、基板10の形状およびサイズも、特定の形状およびサイズに限定されない。つまり、基板10における放電抑制部12による沿面放電に対する抑制効果は、LED20の個数および配置位置、ならびに、基板10の形状およびサイズに依存せずに発揮される。例えば、基板10の表面の一部を構成する側面に放電抑制部12が設けられてもよい。例えば図3において、基板10の左側の側面であって取付部11以外の位置に当該側面から突出状に壁部12aを設けてもよい。また、同位置に、当該側面から陥凹状に溝部12bを設けてよい。当該位置に放電抑制部12が存在する場合であっても、実装面上の導電部材と金属体105との間の沿面距離を増加させることができ、結果として、当該導電部材と金属体105との間での沿面放電は抑制される。また、基板10に取り付けられる金属体105は、放熱体としての機能を有しなくてもよい。例えば、発光装置1における温度上昇がLED20の発光効率に影響を与えない場合は、金属体105は、例えば、発光装置1を保持するための部材としての機能のみを有し、放熱体としての機能を有しなくてもよい。実施の形態1の変形例実施の形態1の変形例として、長尺形状の発光装置について説明する。図13Aは、実施の形態1の変形例における発光装置2の上面図であり、図13Bは、図13AにおけるB-B断面を示す断面図である。図13Aおよび図13Bに示す発光装置2は、例えば、直管形LEDランプに光源として組み込まれる発光モジュールの一例である。発光装置2は、長尺状の基板10aと、直線上に並べられた複数のLED20とを備える。また、基板10aの両端部にはそれぞれ電極15が配置されており、各LED20は図示しない配線により双方の電極15と電気的に接続されている。基板10aは、実装用基板の別の一例であり、例えばアルミナからなるセラミック基板である。また、基板10aは、実施の形態1における基板10と同様に、金属体が取り付けられる取付部11aを有する。基板10aはさらに、壁部12aを備える。壁部12aは、電極15等の導電部材と、取付部11aとの間に位置し、基板10aの表面から突出状に設けられている。具体的には、基板10aにおける壁部12aは、実装面に配置され、かつ、複数のLED20および電極15等の導電部材を囲むように配置されている。このように、長尺状の基板10aであっても、電極15等である導電部材と、取付部11aとの間に壁部12aを配置することで、導電部材と、取付部11aに取り付けられた金属体との間の沿面距離を増加させることができる。その結果、当該導電部材と当該金属体との間での沿面放電を抑制することができる。また、基板10aに、壁部12aに換えてまたは加えて溝部12bを配置した場合であっても、基板10aにおける沿面放電は抑制される。また、基板10aにおける壁部12aおよび溝部12bの配置パターンは図13Aに示すパターンに限られず、様々な配置パターンを採用可能である。例えば、図2、および図7~図11Bに示される配置パターンのいずれかが採用されてもよい。実施の形態2以下、実施の形態1における発光装置1のランプへの適用例について、実施の形態2に基づいて説明する。具体的には、実施の形態1における発光装置1を、電球形ランプに適用した例について、図14~図16を用いて説明する。図14は、本発明の実施の形態2におけるランプ100の外観図であり、図15は、図14におけるC-C断面を示す断面図であり、図16は、実施の形態2におけるランプ100の分解斜視図である。このランプ100は、電球形LEDランプであって、グローブ101と、口金102と、グローブ101および口金102の間に配置される外部ケース103とによってランプ外囲器が構成されている。グローブ101は、外殻部材の一例であり、発光装置1から放出される光をランプ外部に放射するための球状の透光性カバーである。発光装置1は、このグローブ101によって覆われている。また、グローブ101は、発光装置1から放出される光を拡散させるために、すりガラス処理等の光拡散処理が施されている。このグローブ101の開口側は絞った形状となっており、グローブ101の開口端部は金属体105の上面に当接して配置される。なお、金属体105は、ランプ100において、光源である発光装置1を取り付けるための部材としての機能に加え、発光装置1の放熱を促す機能も有する。グローブ101は、耐熱性を有するシリコーン系接着剤によって外部ケース103に固着される。なお、グローブ101の形状は球状のものに限らず、半球、回転楕円体または偏球体であっても構わない。また、本実施の形態において、グローブ101の材質はガラス材としたが、グローブ101の材質はガラス材に限らず、合成樹脂等でグローブ101を成形しても構わない。口金102は、二接点によって交流電力を受電するための受電部である。口金102で受電した電力はリード線図示せずを介して回路基板172の電力入力部に入力される。また、口金102は、金属製の有底筒体であって、その底部に、絶縁材で囲まれた中心電極を有する。本実施の形態において、口金102はE型である。外部ケース103は、内部ケース106を収納する筒体であって、発光装置1と、金属体105を介して熱的に結合されている。この外部ケース103は、構造的には、上下方向に2つの開口を有する金属製の筒型放熱体の筐体であって、グローブ101側の開口を構成する第一開口端部103aと、口金102側の開口を構成する第二開口端部103bとを有する。本実施の形態では、外部ケース103はアルミニウム合金材料で構成されている。また、外部ケース103の表面はアルマイト処理が施されており、熱放射率を向上させている。外部ケース103の第二開口端部103bは、絶縁リング180と接している。発光装置1は、実施の形態1で説明したように、基板10と、複数のLED20と、壁部12aとを備える発光モジュールである。また、それぞれのLED20は、例えば、SMD型のLEDであり、青色LEDチップと、黄色蛍光体粒子を含む蛍光体含有樹脂とにより、白色光を放出する。発光装置1には、回路基板172に形成された電力出力部から延出されるリード線に接続される2つのコネクタ173a、173bが設けられている。これら2つのコネクタ173a、173bから発光装置1に直流電力が供給されることにより、LED20が発光する。金属体105は、発光装置1を配置するための金属基板からなるホルダモジュールプレートであり、例えばアルミダイキャストによって円盤状に成形されている。この金属体105は、発光装置1から発生する熱を外部ケース103に伝達させる放熱体としての機能を有する。金属体105は、外部ケース103の第一開口端部103aに装着され発光装置1の光源と外部ケース103とは熱的に接続されており、金属体105の側部は外部ケース103の上方内面に当接している。すなわち、金属体105は外部ケース103の第一開口端部103a側に嵌め込まれている。また、金属体105には、発光装置1を配置するための凹部105aが形成されている。本実施の形態において、凹部105aは、発光装置1の基板10と同形状の矩形状に形成されている。凹部105aに配置された発光装置1は、止め金具104によって挟持される。なお、光源の配置された金属体105と外部ケース103とは別部材ではなく一体物でもよい。内部ケース106は、回路素子群171を有する点灯回路107を収納する樹脂製の筒体であって、外部ケース103と略同形の逆円錐台形の円筒体である第一ケース部161と、口金102と略同形の円筒体である第二ケース部162とからなる。この内部ケース106は、回路素子群171が金属製の外部ケース103と接触することを防止する電気的な絶縁ケースとして機能するとともに、回路素子群171から発生した熱を口金102に伝達して放熱させる熱伝達媒体としても機能する。内部ケース106は、第一ケース部161と第二ケース部162とが一体的に射出成形される。なお、内部ケース106の材料としては、例えば、粒径が1~10μmのアルミナを15~40含有してなる、熱伝導率が1.5W/mKのポリブチレンテレフタレートPBTが用いられる。内部ケース106の第一ケース部161は、発光装置1側第二ケース部162とは反対側に向けて開口している第一開口部161aを有している。内部ケース106の第二ケース部162は、口金102側第一ケース部161側とは反対側に向けて開口している第二開口部162aを有する。第二ケース部162の外周面は口金102の内周面と接触するように構成されている。本実施の形態では、第二ケース部162の外周面には口金102と螺合するための螺合部162bが形成されており、螺合部162bによって第二ケース部162は口金102に接触している。これにより、回路素子群171から発生した熱が内部ケース106から口金102に伝達され、外部に放熱される。第一ケース部161の金属体105側の第一開口部161aには、樹脂キャップ163が取り付けられている。内部ケース106の金属体105側は、樹脂キャップ163によって封止されている。樹脂キャップ163は、略円板形状であり、内面側の外周端部には、内部ケース106の厚み方向に突出する環状の突出部163aが形成されている。突出部163aの内周面には、回路基板172を係止するための複数個の係止爪図示せずが形成されている。突出部163aは、内部ケース106の第一ケース部161の第一開口部161aの端部に嵌め込むことができるように構成されている。この樹脂キャップ163は、内部ケース106と同じ材料を用いて成形することができる。また、樹脂キャップ163には、発光装置1に給電するリード線を通すための貫通孔163bが形成されている。点灯回路107は、発光装置1のLED20を発光させるための回路電源回路を構成する回路素子群171と、回路素子群171の各回路素子が実装される回路基板172とを有する。回路素子群171は、口金102で受電された電力から、光源発光装置1を発光させるための電力を生成するための複数の回路素子で構成されている。回路素子群171は、口金102で受電された交流電力を直流電力に変換し、コネクタ173a、173bを介して発光装置1のLED20に直流電力を供給する。この回路素子群171には、電解コンデンサ縦型コンデンサである第一容量素子171aと、セラミックコンデンサ横型コンデンサである第二容量素子171bと、抵抗素子171cと、コイルからなる電圧変換素子171dと、IPDインテリジェントパワーデバイスの集積回路である半導体素子171eとが含まれる。回路基板172は、円盤状のプリント基板であり、一方の面に回路素子群171が実装されている。この回路基板172は、上述のとおり、樹脂キャップ163の係止爪によって樹脂キャップ163に保持される。絶縁リング180は、口金102の開口端部と外部ケース103の第二開口端部103bとによって挟持される環状構造物であって、口金102と外部ケース103とを電気的に絶縁する樹脂からなる。以上のように構成された本実施の形態におけるランプ100では、発光装置1から発生した熱が金属体105および外部ケース103を介して外界に放出される。これにより、温度上昇によるLED20の発光効率の低下が抑制される。また、実施の形態1で説明したように、発光装置1の基板10には、壁部12aが設けられており、これにより、基板10の実装面上の電極15等の導電部材と、金属体105との間での沿面放電が抑制される。なお、実施の形態2におけるランプ100は、実施の形態1における発光装置1を備える電球形ランプの一例であり、図14~図16のそれぞれに示す構造以外の構造が採用されてもよい。また、実施の形態1の変形例で説明したように、例えば、長尺形状の発光装置2を直管形ランプに備えてもよい。また、例えば、発光装置2の全体形状を、環形ランプにおける環形状に合わせて湾曲状に形成することで、当該発光装置2を当該環形ランプに無理なく設置することが可能である。さらに、ランプに光源として採用される発光装置1または2における、壁部12aの高さおよび配置パターンは特定の高さおよび配置パターンに限定されない。例えば、当該ランプに求められる耐電圧性に応じて、壁部12aの適切な高さおよび配置パターンを決定すればよい。また、ランプに光源として採用される発光装置1または2が備える放電抑制部12として、壁部12aに換えてまたは加えて溝部12bが採用されてもよい。このように、発光装置1および2は、特定の種類のランプに限定されず、様々な種類のランプに光源として用いられることができる。また、発光装置1または2を光源として採用するランプにおいて、グローブまたは直管ガラス等である外殻部材に、例えば、ヘリウムが封入されていてもよい。ここで、ヘリウムは気体の中でも熱伝導率が比較的に高いことから、発光装置1または2LED20で発生した熱は、外殻部材内におけるヘリウムを含む気体中に、効率良く伝導及び輻射する。そして、例えばガラスで形成された外殻部材の熱伝導率はヘリウムの熱伝導率よりも高いことから、発光装置1または2LED20で発生した熱は、ヘリウムを含む気体を介して当該気体と接する外殻部材に効率良く伝導する。その結果、発光装置1または2LED20で発生した熱は、外殻部材から当該ランプの外部に放熱される。ここで、ヘリウムは大気よりも平均自由行程が大きいため、発光装置1または2の雰囲気ガスとしてヘリウムが混合された場合、雰囲気ガスが大気のみである場合と比較すると、発光装置1または2を備えるランプにおける、絶縁についての耐電圧値が小さくなる。具体的には、発光装置1または2を備えるランプにおける、絶縁についての耐電圧値をVとし、雰囲気ガスの平均自由行程をμとし、基板1010aにおける導電部材と金属体105との間の沿面距離をLとした場合、以下の式3が成立する。V∝L/μ式3このように、耐電圧値Vは、雰囲気ガスの平均自由行程μの逆数に比例する。従って、放電抑制部12により沿面距離Lを増加させることに加え、雰囲気ガスの平均自由行程μを小さくすることで、耐電圧性をさらに向上させることができる。そのため、上述のように雰囲気ガスとしてヘリウムが混合された場合、耐電圧性の改善を図るために、発光装置1または2の雰囲気ガスとして、ヘリウムよりも平均自由行程の小さな気体を混合することが考えられる。例えば窒素は、ヘリウムと比較すると、同温同圧において平均自由行程が小さい。そこで、発光装置1または2を備えるランプの外殻部材に、ヘリウムと窒素とを含む気体を封入する。これにより、当該ランプにおいて、ヘリウムによる放熱効果の向上とともに、窒素による耐電圧性の改善が図られる。以上、本発明の発光装置およびランプについて、実施の形態1および2に基づいて説明した。しかしながら、本発明は、これらの説明内容に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を上記実施の形態1および2のいずれかに施したもの、あるいは、上記説明された複数の構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、発光装置1および2では、LED20として青色LEDチップが採用され、かつ、青色光から白色光への波長変換材として黄色蛍光体粒子が採用されている。しかし、LED20と蛍光体粒子の組み合わせは、この組み合わせに限定されない。例えば、発光装置1および2は、青色光を放出する青色LEDチップと、青色光により励起されて緑色光を放出する緑色蛍光体粒子および赤色光を放出する赤色蛍光体粒子とによって白色光を放出してもよい。また例えば、発光装置1および2は、青色光よりも短波長である紫外光を放出する紫外LEDチップと、主に紫外光により励起されて青色光、赤色光および緑色光を放出する青色蛍光体粒子、緑色蛍光体粒子および赤色蛍光体粒子とによって白色光を放出してもよい。また、発光装置1および2が備える半導体発光素子としてLEDを例示した。しかし、発光装置1および2が備える半導体発光素子は、半導体レーザまたは有機ELElectroLuminescenceであってもよい。