"ダイオードを含むESD保護回路と前記ESD保護回路に導通する第1及び第2の入出力電極とが形成された半導体基板と、前記第1の入出力電極と第1の端子電極に導通する柱状の第1のポスト電極と、前記第2の入出力電極と第2の端子電極に導通する柱状の第2のポスト電極と、を備えた再配線層と、を有し、前記第1及び第2のポスト電極の中心間距離が前記第1及び第2の入出力電極の中心間距離よりも大きい、ESD保護デバイス。前記第1のポスト電極と前記第2のポスト電極との間の最短距離が前記第1及び第2の入出力電極の中心間距離よりも大きい、請求項1に記載のESD保護デバイス。前記再配線層は、内層に形成された第1及び第2の面内配線と、この第1及び第2の面内配線と前記第1及び第2の入出力電極とをそれぞれつなぐ第1及び第2の層間配線とを備え、前記第1のポスト電極は前記第1の面内配線と前記第1の端子電極との間をつなぎ、前記第2のポスト電極は前記第2の面内配線と前記第2の端子電極との間をつなぐ、請求項1又は2に記載のESD保護デバイス。前記第1及び第2のポスト電極の、中心軸に直交する面での断面積は前記入出力電極側より前記端子電極側が大きい、請求項3に記載のESD保護デバイス。前記第1及び第2のポスト電極の前記断面積は、前記入出力電極から前記端子電極に向かって連続的又は段階的に大きくなる形状を備える、請求項4に記載のESD保護デバイス。前記半導体基板の第1の側面と、この第1の側面に隣接する第3第4の側面とで構成される二つの角部の近傍の再配線層上に、第1の信号ラインに接続される第1の端子電極及び第2の信号ラインに接続される第2の端子電極をそれぞれ備え、前記半導体基板の前記第1の側面に対向する第2の側面と、この第2の側面に隣接する第3第4の側面とで構成される二つの角部の近傍の再配線層上に、電源ラインに接続される第3の端子電極及びグランドラインに接続される第4の端子電極をそれぞれ備え、前記ESD保護回路が、第1の端子電極と第3の端子電極との間、第1の端子電極と第4の端子電極との間、第2の端子電極と第3の端子電極との間、及び第2の端子電極と第4の端子電極との間にそれぞれ接続されている、請求項1乃至5の何れかに記載のESD保護デバイス。ところで、このようなESD保護デバイスを高周波回路中に設けた場合に、ダイオードの寄生容量の影響を受けるという問題があった。すなわち、ESDデバイスが信号線路に挿入されることにより、ダイオードの寄生容量の影響でインピーダンスがずれてしまい、その結果、信号のロスが生じることがある。特に高周波回路に用いられるESD保護デバイスには、接続される信号線路や保護対象である集積回路の高周波特性を低下させないため、寄生容量の小さいことが要求される。しかし、図1に示されるような従来のESD保護デバイスにおいてはダイオードの寄生容量以外に、電極間に構造上の寄生容量が生じて、ESD保護デバイス自体の容量の増加を招いてしまうことがある。本発明は、ダイオードの寄生容量による影響を軽減して回路特性の劣化を抑制したESD保護デバイスを提供することを目的としている。本発明のESD保護デバイスは、ダイオードを含むESD保護回路と前記ESD保護回路に導通する第1及び第2の入出力電極とが形成された半導体基板と、前記第1の入出力電極と第1の端子電極に導通する柱状の第1のポスト電極と、前記第2の入出力電極と第2の端子電極に導通する柱状の第2のポスト電極と、を備えた再配線層と、を有し、前記第1及び第2のポスト電極の中心間距離が前記第1及び第2の入出力電極の中心間距離よりも大きい構造とする。例えば、前記第1のポスト電極と前記第2のポスト電極との間の最短距離が前記第1及び第2の入出力電極の中心間距離よりも大きい。また、前記再配線層は、内層に形成された第1及び第2の面内配線と、この第1及び第2の面内配線と前記第1及び第2の入出力電極とをそれぞれつなぐ第1及び第2の層間配線とを備え、前記第1のポスト電極は前記第1の面内配線と前記第1の端子電極との間をつなぎ、前記第2のポスト電極は前記第2の面内配線と前記第2の端子電極との間をつなぐ構造とする。前記第1及び第2のポスト電極の、前記中心軸に直交する面での断面積は前記入出力電極側より前記端子電極側が大きいことが好ましい。例えば、前記第1及び第2のポスト電極の前記断面積は、前記入出力電極から前記端子電極に向かって連続的又は段階的に大きくなる形状を備える。また、本発明のESD保護デバイスは、例えば前記半導体基板の第1の側面と、この第1の側面に隣接する第3第4の側面とで構成される二つの角部の近傍の再配線層上に、第1の信号ラインに接続される第1の端子電極及び第2の信号ラインに接続される第2の端子電極をそれぞれ備え、前記半導体基板の前記第1の側面に対向する第2の側面と、この第2の側面に隣接する第3第4の側面とで構成される二つの角部の近傍の再配線層上に、電源ラインに接続される第3の端子電極及びグランドラインに接続される第4の端子電極をそれぞれ備え、前記ESD保護回路が、第1の端子電極と第3の端子電極との間、第1の端子電極と第4の端子電極との間、第2の端子電極と第3の端子電極との間、及び第2の端子電極と第4の端子電極との間にそれぞれ接続されている構造とする。本発明によれば、ポスト電極間の浮遊容量を最小限に抑えることができ、寄生容量が小さく高周波特性に優れたESD保護デバイスを実現できる。《第1の実施形態》第1の実施形態に係るESD保護デバイスについて、各図を参照して説明する。図2Aは第1の実施形態に係るESD保護デバイス101の主要部の断面図である。図2BはESD保護デバイス101の上面図である。また、図3はESD保護デバイス101の斜視図である。ESD保護デバイス101は、図2Aに示すように、入出力電極21A,21Bを有する半導体基板20とその表面に形成された再配線層30とを有する。図2Aでは表れていないが、ESD保護回路は半導体基板20の表層に形成されていて、入出力電極21A,21BはそのESD保護回路に接続されている。再配線層30は、層間配線24A,24B、面内配線25A,25Bおよびポスト電極27A,27Bを含んでいる。厚み方向に設けられた層間配線24A,24Bの一端は、半導体基板20の表面に設けられた入出力電極21A,21Bに接続されていて、他端は、平面方向に引き回された面内配線25A,25Bの一端に接続されている。面内配線25A,25Bの他端は、厚み方向に設けられたポスト電極27A,27Bの一端に接続されている。ESD保護デバイス101の上面側には、図2Bに示すように、2つの矩形状の端子電極28A,28Bが形成されている。すなわち、ESD保護デバイス101の上面形状は長辺寸法:L1および短辺寸法:W1を有する長方形状に形成されていて、端子電極28A,28Bも長辺寸法:W2および短辺寸法:L2を有する長方形状に形成されている。端子電極28A,28Bの短辺はESD保護デバイスの長辺に対して平行に形成されていて、端子電極28A,28Bの長辺はESD保護デバイス101の端面に対して平行に形成されている。ESD保護デバイス101は、ショットキーバリアダイオード等のダイオードを含み、入出力電極21A,21Bに接続されている。各入出力電極はアルミニウムのパッドAlパッドとして構成されている。半導体基板20のESD保護回路が形成されている面には、SiO2からなる無機絶縁層22が設けられていて、この無機絶縁層22のうちAlパッドが設けられた部分には開口部が形成されている。この開口部およびこの開口部の周辺領域には、TiおよびCuからなるUBM層が形成されていて、このUBM層が層間配線24A,24Bを構成している。UBM層の表面にはCuからなる面内配線25A,25Bが設けられている。面内配線25A,25Bは、隣接するポスト電極27A,27Bが互いに離れた方向に配置されるよう、引き回されている。面内配線25A,25Bと無機絶縁層22との間には、UBM層と無機絶縁層22との密着性を高めるための絶縁接着層23A,23Bがポリイミドによって形成されている。面内配線25A,25Bは、それぞれの第1端を第1領域、第2端を第2領域で表すと、第1領域は層間配線24A,24Bに接続される領域、第2領域はポスト電極27A,27Bに接続される領域である。各ポスト電極27A,27Bは、エポキシ系樹脂からなる有機絶縁膜26中に柱状に立てられていて、半導体基板20の主面に対して垂直方向に延設されている。第1のポスト電極27Aと第2のポスト電極27Bは、両ポスト電極の中心間の距離Aが第1の入出力電極21Aと第2の入出力電極21Bの中心間の距離Bよりも大きくなるように配置されている。このように、隣接する第1および第2の入出力電極21A-21B間の距離よりも、隣接する第1および第2のポスト電極27A-27B間の距離を大きくすることで、ポスト電極27A-27B間の浮遊容量を最小限に抑えることができ、寄生容量が小さく高周波特性に優れたESD保護デバイスを実現できる。また、平面視で、層間配線24A,24Bとポスト電極27A,27Bとが重ならないように配置することで、このESD保護デバイス101をプリント配線板のようなマザー基板に直接搭載しても、マザー基板からの熱応力や落下衝撃がESD保護デバイス101に直接的には影響を及ぼしにくくなる。このESD保護デバイス101において、第1および第2のポスト電極27A,27Bは、両ポスト電極の最大幅が第1および第2の層間配線24A,24Bの径よりも大きく、しかも、各ポスト電極27A,27B間の最短距離Cが第1および第2の入出力電極21A,21Bの中心間距離Bよりも大きくなるように配置されている。この構造により、層間配線24A,24B間に生じる浮遊容量より、ポスト電極27A,27B間に生じる浮遊容量を同等以下にすることができる。そのため、ポスト電極27A,27Bを設けることによる浮遊容量の増加は抑えられる。図2A、図2B、図3に示すように、ポスト電極27A,27Bは、面内配線25A,25B側の面積が小さく、端子電極28A,28B側の面積が大きいというように、ポスト電極の延設方向厚み方向に平行な断面形状が台形状である。この形状による効果について、図4を基に説明する。図4のaは図2Aに示したESD保護デバイス101のポスト電極の寸法と面内配線のパッドの寸法とについて示す図である。図4のbは比較例の図である。第1の実施形態に係るESD保護デバイス101では、ポスト電極27A,27Bの、半導体基板20側の幅が小さく、マザーボードに対する実装面側の幅が大きい。そのため、マザーボードとの接続信頼性を確保しつつも、面内配線25A,25Bのサイズを小さくできる。面内配線25A,25Bのサイズが小さければ、面内配線25A,25Bと半導体基板20との間特に、ポスト電極27A,27Bが接続される面内配線のパッドP27と半導体基板20との間に生成される容量が小さいので、寄生容量が小さく、高周波特性に優れたESD保護デバイスを実現できる。また、ポスト電極27A,27Bの延設方向に垂直方向の断面横断面が矩形状となるように構成されているため、ポスト電極27A,27Bの断面積を大きくとることができ、半導体基板の面積を有効活用でき、小型化しても、マザーボードとの接続信頼性が高く、さらに高周波特性に優れたESD保護デバイスを実現できる。なお、ポスト電極27A,27Bの横断面積は入出力電極21A,21B側から端子電極28A,28Bに向かって段階的に大きくなる形状であってもよい。各ポスト電極27A,27Bの端子電極28A,28B側、つまり、プリント配線板等のマザーボードへの接続面側には、NiAuやNiSn等の金属めっき膜が設けられている。ポスト電極27Aの表面に形成された金属めっき膜は、信号ライン用の端子電極28Aを構成していて、ポスト電極27Bの表面に形成された金属めっき膜はグランド端子用の端子電極28Bを構成している。各ポスト電極27A,27Bは例えばCuめっき膜からなり、Niめっき膜はCuめっき膜とAuめっき膜との間の拡散防止層またはCuめっき膜とSnめっき膜との間の拡散防止層として機能する。図5は、第1の実施形態に係るESD保護デバイス101を適用した回路図の例である。また、図6はそれをアンテナ部分に適用した回路図の例である。ESD保護デバイス101は、二つのショットキーバリアダイオードが向かい合わせに直列接続されたESD保護回路を構成している。このESD保護デバイス101は、図5に示すように、信号ラインとGNDラインの間に接続される。例えば図6の例では、ESD保護デバイス101の信号ライン用端子電極28Aを信号ラインに接続し、グランド端子用端子電極28BをGNDに接続することで、ESD保護デバイスをアンテナとRF回路の間に挿入する。これにより、アンテナから入ってきたESDの過渡電流はグランドにシャントされ、信号ラインの電圧を安全なレベルにクランプすることができる。図7AはESD保護デバイス101と実装先のプリント配線板の構成を示す図、図7Bはプリント配線板に対するESD保護デバイス101の実装状態の構成を示す図である。ESD保護デバイス101は、図7A,図7Bに示すように、プリント配線板50のパッド電極51A,51Bに、これらのパッド電極51A,51B上に設けられたはんだ52A,52Bを介して、リフローはんだ法等によって搭載、固定される。このESD保護デバイス101は、1チャンネル品として構成された例であり、1本の信号ラインに対してESD保護機能を発揮する。このように、再配線層30におけるポスト電極を断面矩形の柱状に形成することで、ポスト電極のインダクタンス成分を信号周波帯で大きくすることができ、ESD保護回路のダイオードが持つ寄生容量を見かけ上小さくすることができる。その結果、ESD保護性能を低下させることなく、高周波信号に対して寄生容量が小さく、ロスの小さな小型薄型のESD保護デバイスを実現できる。また、再配線層30の導体部分を、入出力電極21A,21Bに一端が接続された層間配線24A,24Bと、層間配線24A,24Bの他端に一端が接続された面内配線25A,25Bと、面内配線25A,25Bの他端に接続されたポスト電極27A,27Bとで構成すると、ポスト電極27A,27Bの位置自由度が高まり、これにともなって、その形状の自由度も増すので好適である。図7A,図7Bに示すように、ESD保護デバイス101はその実装面を下にしてプリント配線板50に実装される。上記の第1実施形態においては、ESD保護デバイス101の実装面側をESD保護デバイス101の上面側とした。《第2の実施形態》図8Aは第2の実施形態に係るESD保護デバイス102の主要部の断面図である。図8Bはその実装面側から見た平面図である。図8Aは、図8BにおけるX-Xラインでの断面図である。ESD保護デバイス102は、入出力電極21A,21D等を有する半導体基板20とその表面に形成された再配線層30とを有する。図8A、図8Bでは表れていないが、ESD保護回路は半導体基板20の表層に形成されていて、入出力電極21A,21D等はそのESD保護回路に接続されている。再配線層30は、層間配線24A,24D等、面内配線25A,25D等およびポスト電極27A,27D等を含んでいる。図8Aに示す断面の構造は、第1の実施形態で示したESD保護デバイス101の場合と同様である。但し、第2の実施形態では端子電極28A,28D等にはんだバンプによる端子電極29A,29D等を形成している。また、ポスト電極27A,27D等は円柱状である。この第2の実施形態では、4つの端子電極を備え2チャンネルのESD保護デバイスを構成している。図9は前記ESD保護デバイス102の回路図である。ここで端子電極29Cは電源ラインに接続される端子、端子電極29Dはグランドに接続される端子、端子電極29Aは第1の信号ラインに接続される端子、端子電極29Bは第2の信号ラインに接続される端子である。このように、第1の信号ラインと電源ラインとの間にダイオードD1が接続され、第1の信号ラインとグランドとの間にダイオードD4が接続されている。同様に、第2の信号ラインと電源ラインとの間にダイオードD2が接続され、第2の信号ラインとグランドとの間にダイオードD3が接続されている。また、電源ラインとグランドとの間にダイオードD5が接続されている。また、電源ラインに対して逆向きにダイオードD6が挿入されている。これらのダイオードのうちダイオードD1~D5は、端子電極29A,29Bから入るサージ電流をバイパスさせて、サージを電源ラインまたはグランドに落とす。前記ダイオードD5はショットキーバリアダイオード、その他のダイオードD1~D4,D6はPN接合ダイオードである。なお、ダイオードD6は端子電極29A,29Bから電源ラインへ流れようとする電流を遮断させるために設けている。なお、これらのダイオードD1~D6は必要な電流容量に応じて複数のダイオードが並列接続されて構成される。図10AはESD保護デバイス102と実装先のプリント配線板の構成を示す図、図10Bはプリント配線板に対するESD保護デバイス102の実装状態の構成を示す図である。このESD保護デバイス102は、図10A,図10Bに示すように、プリント配線板50のパッド電極51A,51D等に、リフローはんだ法等によって搭載、固定される。このESD保護デバイス102は、2チャンネル品として構成された例であり、2本の信号ラインに対してESD保護機能を発揮する。《第3の実施形態》図11は第3の実施形態に係るESD保護デバイス103の主要部の断面図である。このESD保護デバイス103においては、ポスト電極27A,27Bは、デバイスの側面に露出していて、その側面の表面に金属めっき膜による端子電極28A,28Bが形成されている。すなわち、ESD保護デバイスの底面図11に示す向きでは上方の面および側面に連続した端子電極28A,28Bが形成されている。このような構造の端子電極を備えることによって、このESD保護デバイス103をマザーボードに実装した際、はんだが端子電極28A,28Bの側面にも回り込み、はんだと端子電極28A,28Bとの間の接合面積が増大する。その結果、ESD保護デバイス103の接合強度を向上させることができ、また、その実装状態はんだ付け状態の確認が容易になる。"