レーザビーム生成システムと、前記レーザビーム生成システムから出力される少なくとも1つのレーザビームの光強度および出力タイミングの少なくともいずれか一方を制御するレーザ制御システムと、前記レーザビーム生成システムから出力される前記少なくとも1つのレーザビームを内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、を備える極端紫外光生成装置。前記ターゲット物質は、ドロップレットの形状で前記所定の領域に供給される、請求項1記載の極端紫外光生成装置。前記レーザビーム生成システムは、第1のレーザ装置を含み、前記第1のレーザ装置は、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に照射される第1のプリパルスレーザビームを出力する、請求項1記載の極端紫外光生成装置。前記第1のレーザ装置はYAGレーザ装置を含む、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第1のレーザ装置はファイバレーザ装置含む、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第1のレーザ装置はチタンサファイアレーザ装置を含む、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザビームの光路上には、偏光子が設けられ、前記偏光子を透過した前記第1のプリパルスレーザビームの偏光状態は、前記第1のプリパルスレーザビームに含まれる互いに垂直な第1および第2の偏光成分の光強度をそれぞれI1およびI2として、式R=|I1-I2|/|I1I2|×100で定義される値Rの最大値が0以上30未満となるような偏光状態に変更される、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記偏光子を透過した第1のプリパルスレーザビームの偏光状態は、円偏光に変更される、請求項7記載の極端紫外光生成装置。前記偏光子を透過した第1のプリパルスレーザビームの偏光状態は、ラジアル偏光に変更される、請求項7記載の極端紫外光生成装置。前記偏光子を透過した第1のプリパルスレーザビームの偏光状態は、前記第1のプリパルスレーザビームのビーム軸に対して軸対称性を有する偏光状態に変更される、請求項7記載の極端紫外光生成装置。前記レーザビーム生成システムは、第2のレーザ装置をさらに含み、前記第2のレーザ装置は、前記第1のプリパルスビームが照射された前記ターゲット物質に照射される第1のメインパルスレーザビームを出力する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第2のレーザ装置はCO2レーザ装置を含む、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザビームの波長は前記第1のメインパルスレーザビームの波長よりも短い、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記レーザ制御システムは、前記第1のメインパルスレーザビームの出力タイミングを、前記第1のプリパルスレーザビームが前記ターゲット物質に照射される時点から0.3~3μSの範囲内のタイミングに制御する、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザビームが照射された前記ターゲット物質の形状は、円盤状および皿状のいずれかである、請求項14記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザビームが照射された前記ターゲット物質の形状は、前記第1のプリパルスレーザビームの進行方向における長さが、前記第1のプリパルスレーザビームの進行方向に垂直な方向における長さよりも短い形状である、請求項15記載の極端紫外光生成装置。前記第1のメインパルスレーザビームは、前記第1のプリパルスレーザビームと略同一方向から前記ターゲット物質を照射する、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のメインパルスレーザビームの、該第1のメインパルスレーザビームが前記ターゲット物質に照射される時点でのビーム断面の面積は、前記ターゲット物質の前記第1のメインパルスレーザビームの進行方向に垂直な面における断面の最大面積以上である、請求項17記載の極端紫外光生成装置。前記ターゲット物質は、ドロップレットの形状で前記所定の領域に供給され、前記ドロップレットの直径は12μm以上、40μm以下であり、前記レーザ制御システムは、前記第1のプリパルスレーザビームの光強度を6.4×109W/cm2以上、3.2×1010W/cm2以下に制御し、前記レーザ制御システムは、前記第1のメインパルスレーザビームの出力タイミングを、前記第1のプリパルスレーザビームが前記ドロップレットに照射される時点から0.5μS~2μSの範囲内のタイミングに制御する、請求項11記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザビームが照射された前記ターゲット物質の形状は、前記第1のプリパルスレーザビームのビーム軸に対して略軸対称であり、且つ実質的に環状である、請求項19記載の極端紫外光生成装置。前記レーザビーム生成システムは、第3のレーザ装置をさらに含み、前記第3のレーザ装置は、前記第1のプリパルスビームが照射された前記ターゲット物質に照射される第2のプリパルスレーザビームおよび前記第2のプリパルスレーザビームが照射された前記ターゲット物質に照射される第2のメインパルスレーザビームを出力する、請求項3記載の極端紫外光生成装置。前記第3のレーザ装置はCO2レーザ装置を含む、請求項21記載の極端紫外光生成装置。前記第1のプリパルスレーザビームの波長は、前記第2のプリパルスレーザビームの波長よりも短い、請求項21記載の極端紫外光生成装置。前記第2のプリパルスレーザビームおよび前記第2のメインパルスレーザビームは、前記第1のプリパルスレーザビームと略同一方向から前記ターゲット物質を照射する、請求項21記載の極端紫外光生成装置。前記第2のメインパルスレーザビームの、該第2のメインパルスレーザビームが前記ターゲット物質に照射される時点でのビーム断面の面積は、前記ターゲット物質の前記第2のメインパルスレーザビームの進行方向に垂直な面における断面の最大面積以上である、請求項24記載の極端紫外光生成装置。レーザビーム生成システム、レーザ制御システム、チャンバおよびターゲット供給部を備える極端紫外光生成装置において、極端紫外光を生成する方法であって、前記チャンバ内にターゲット物質をドロップレットの形状で供給することと、前記ドロップレットに前記レーザビーム生成システムから出力されるプリパルスレーザビームを照射することと、前記ドロップレットに前記プリパルスレーザビームが照射された時点から所定時間経過後、前記プリパルスレーザビームが照射された前記ドロップレットに、前記レーザビーム生成システムから出力されるメインパルスレーザビームを照射することと、を含む、方法。前記所定時間は0.5μS~3μSの範囲内である、請求項26記載の方法。