水素化シランH-シランを得るための貯蔵物質において、前記貯蔵物質は、水素化ポリシランとして、平均で少なくとも6つのSi-Si直接結合を有する純粋化合物又は化合物混合物であり、置換基が主として水素からなり、組成において、置換基対ケイ素の原子比が少なくとも1:1であることを特徴とする水素化シランH-シランを得るための貯蔵物質。前記水素化ポリシランがaIR分子振動スペクトルにおいて、波数2300より低い領域に有意な振動バンドを有し、bラマン分子振動スペクトルにおいて、波数2000~2200の領域に有意な振動バンドを有し、c29SiNMRスペクトルにおいて、-70ppm~-130ppmの化学シフト範囲に有意な生成物シグナルを有することを特徴とする、請求項1に記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランの平均鎖長は、6より長く、100未満であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランは、無色ないし淡黄色であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランは、1未満の金属含量を有することを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランは、短鎖分岐鎖又は環化合物を実質的に含んでおらず、さらに短鎖画分における分岐点のレベルは、全体としての生成物混合物に対して2未満であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランの置換基は、水素のみからなることを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランは、主に線状長鎖を含むことを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランは、固体に対して粘着性であることを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランは、適切な不活性溶媒に可溶であることを特徴とする、請求項1から9のいずれかに記載の貯蔵物質。前記水素化ポリシランは、1atom未満のハロゲンを含むことを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載の貯蔵物質。請求項1から11のいずれかに記載の貯蔵物質から水素化シランが得られることを特徴とする、水素化シランH-シランを得る方法。第1のステップでは前記貯蔵物質を製造し、第2のステップでは前記貯蔵物質からH-シランを得ることを特徴とする、請求項12に記載の方法。a好ましくは0.1~1013hPaの圧力範囲で行う、水素化ポリシランHPSの熱分解ステップ、bn=4、5、6であり、好ましくは0.1~1013hPaの圧力範囲で行う、シクロシランSinH2nの開環重合ステップ、c好ましくは1~300バールの圧力範囲で行う、触媒的連鎖延長ステップ、d好ましくは1~1013hPaの圧力範囲で行う、活性化水素種による水素化ポリシランHPSの処理ステップ、e好ましくは1~1013hPaの圧力範囲で行う、低濃度の強塩基若しくは準化学量論量の塩基の存在下、又は弱塩基の存在下での水素化ポリシランHPSの塩基加水分解ステップ、f好ましくは1~300バールの圧力範囲で行う、水素化ポリシランHPSと化学水素化剤との混合及び熱処理ステップ、g好ましくは1~300バールの圧力範囲で行う、水素化ポリシランHPSと1つ又は複数の遷移金属との混合及び水素の添加ステップ、h好ましくは0.1~1013hPaの圧力範囲で行う、水素化ポリシランHPSとフッ化水素酸又は水含有HF又はHFガス又は液体HFとの反応ステップ、の1つ又は複数の合成ステップにより前記水素化シランを前記貯蔵物質から得ることを特徴とする、請求項12又は13に記載の方法。前記活性化水素種を水素ガスに対する交流電磁場又は放電の作用により得ることを特徴とする、請求項14に記載の方法。前記水素化シランH-シランの放出を不活性溶媒中で行うことを特徴とする、請求項14に記載の方法。前記水素化ポリシランHPSを1つ又は複数の遷移金属と混合するステップは、機械的合金化により達成されることを特徴とする、請求項14に記載の方法。前記遷移金属として、Pt、Pd、Ni及び/又はTiを用いることを特徴とする、請求項14又は17に記載の方法。1つ又は複数の遷移金属を化合物状として加えることを特徴とする、請求項14又は17に記載の方法。水素化ポリシランHPSとHFとの反応の生成物をSiF4の吸収により精製することを特徴とする、請求項14に記載の方法。0.1~1013hPaの圧力範囲を用いることを特徴とする、請求項14から20のいずれかに記載の方法。1~300バールの圧力範囲を用いることを特徴とする、請求項14から20のいずれかに記載の方法。前記HPSが分解される反応器部分を-70°C~300°C、特に-20°C~280°Cの温度に維持することを特徴とする、請求項14から22のいずれかに記載の方法。反応物の温度を-70°C~300°Cの範囲、特に-20°C~280°Cの範囲に維持することを特徴とする、請求項14から23のいずれかに記載の方法。n=1~6である一般式SinH2n2及び/又はSinH2nの水素化シランH-シランを得るための貯蔵物質としての水素化ポリシランHPSの使用であって、前記水素化ポリシランは、平均で少なくとも6つのSi-Si直接結合を有する純粋化合物又は化合物混合物として存在し、置換基は主に水素からなり、組成において、置換基対ケイ素の原子比が少なくとも1:1であることを特徴とする水素化ポリシランの使用。前記水素化ポリシランHPSは、表面が光を透過せず、内部は不活性ガスで満たされた輸送容器に保持されていることを特徴とする、請求項25に記載の使用。前記輸送容器は、抜き取り装置を装備していることを特徴とする、請求項25又は26に記載の使用。引用した方法のいずれも使用に適した収率でのH-シランの効率的な生成を示さない。従来技術はまた、必要な量で供給することができる貯蔵物質貯蔵型を欠いている。したがって、本発明は、その目的のためにH-シランの安全な貯蔵型及びこれらを回収する方法を提供することにある。水素化シランH-シランは、純粋な化合物として又は化合物混合物として存在することができ、n=1~6であるH-シランSinH2n2及び/又はSinH2nが選択的に生成するので、貯蔵物質から分解又はさらなる反応により得ることができる。この目的は、請求項1の特徴を有する貯蔵物質及び請求項12の特徴を有する方法によって本発明により達成される。貯蔵物質として用いる水素化ポリシランHPSは、その鎖長のため、自然発火性でなく、単に空気との接触で徐々に酸化される。貯蔵物質としてのその使用に際してのHPSは、固体及び/又は液体の形態である。純粋な形の固体である水素化ポリシランは、液体水素化ポリシランに完全又は部分的に溶解し得る。特に固体HPSは、取扱いの改善のために、及び/又は固体ポリシロキサン混合物の酸化感受性を低減するために、成形品、例えば、ペレット又はインゴットにさらに加工することができる。成形品の製造は、成形品をさらに凝集させ、及び/又は本明細書に示すポリシランの酸化感受性を低下させるための添加物の添加と組み合せることができる。成形品は、室温で固体のポリシラン混合物が完全又は部分的に溶融するが、まだ分解しない温度までの温度で製造することができる。成形品は、例えば、摩耗を低減し、成形品をより十分に凝集させ、及び/又は酸化に対するそれらの感受性を低下させるために、その後に機能層でオーバーコートすることもできる。有利な実施形態において、水素化ポリシランHPSは、さらなる使用の前に、表面が光を透過させず、内部が不活性ガスで満たされている輸送容器に保持されている。さらなる有利な実施形態において、この輸送容器は、HPSを定量式で抜き取り、さらなる用途先に供給することができる抜き取り装置を装着している。可能性のある貯蔵物質は、波数2400未満の領域におけるIR分子振動スペクトルにおいてそれらの重要な振動バンドを示す。ここで、測定は、JascoCorp.製のFT/IR-420分光計でKBr圧粉体として実施した。可能性のある貯蔵物質は、波数2300未満の領域、好ましくは波数2000~2200の領域におけるラマン分子振動スペクトルにおいてそれらの重要な振動バンドを示す。ここで、測定は、調節可能なレーザー励起T-サファイヤレーザー、Arイオンレーザーにより励起を用いたDilor製のXY800分光計並びに共焦点ラマン及びルミネッセンス顕微鏡、液体窒素冷却CCD検出器、室温に等しい測定温度、可視スペクトルにおける励起波長、とりわけ514.53nm及び750nmで実施した。可能性のある貯蔵物質は、-50ppm~-170ppmの範囲、好ましくは-70ppm~-130ppmの範囲の29SiNMRスペクトルの化学シフトを示す。ここで、29SiNMRスペクトルは、パルスシーケンスzg30を用い、外部標準[δ29Si=0.0]としてのテトラメチルシランTMSを基準としてBrukerDPX250型の250MHz機器に記録した。収集パラメーターは、TO=32k、AQ=1.652s、D1=10s、NS=2400、O1P=-40、SW=400である。特に適切な貯蔵物質は、請求項2の特徴により特徴づけられる。本発明の好ましいさらなる発展は、従属請求項3から11から明らかである。水素化ポリシランの平均鎖長は、好ましくは6を超え、100未満、より好ましくは10を超え、50未満、さらにより好ましくは15を超え、30未満である。水素化ポリシランは、無色ないし淡黄色であり、有利なこととして1未満の金属含量を有する。それは、好ましくは短鎖分岐鎖又は環化合物を実質的に含んでおらず、同時に短鎖画分における分岐点のレベルは、全体としての生成物混合物に対して好ましくは2未満である。特に好ましい実施形態において、水素化ポリシランの置換基は、もっぱら水素からなる。水素化ポリシランは、好ましくは主として線状長鎖を有し、固体に対して粘着性であり、適切な不活性溶媒に可溶である。それは、特に1atom未満のハロゲンを含む。本発明によるH-シランを得るための方法は、これらが上述のタイプの貯蔵物質から得られることを特徴とする。この方法は、必要に応じて又は必要なときに、安全な貯蔵型である貯蔵物質からH-シラン、特に短鎖H-シランを放出する。本発明のさらなる展開において、第1のステップにおいて貯蔵物質を製造し、第2のステップにおいてそれからH-シランを得る。好ましくは、H-シランは、請求項14に再現されている1つ又は複数の合成ステップにより貯蔵物質から得られる。個々の変法は、下記に再現される。第1の変法において、HPSの熱分解によりH-シランを得る。圧力は、この変法を増強するために、例えば、より低い蒸気圧のH-シランを得ることができるために、低くすることができる。これは、さらに貯蔵物質のH-シランへの変換を改善する役割を果たし得る。0.1~1013hPaの圧力範囲を用いることが好ましい。第2の変法において、シクロシランSinH2nの開環重合により、HPSをH-シランに変換する。ここで、nは、HPSにおいて4~10である。0.1~1013hPaの圧力範囲を用いることが好ましい。第3変法において、好ましくは1~300バールの圧力範囲で行う触媒的連鎖延長により、HPSを所望のH-シランに変換する。この場合に問題となり得ることは、例えば、遷移金属触媒による脱水素重縮合である。第4の変法において、HPSを活性化水素種で処理する。これらは、例えば、水素ガスに対する強い交番電磁場又は放電の反応により得ることができる。本発明のための活性化水素種は、励起電子状態にある水素分子、水素原子、及びまたイオン化水素分子又は水素イオンである。0.1~1013hPaの圧力範囲を用いることが好ましい。第5の変法において、HPSを、特に低濃度の強塩基、準化学量論量の塩基の存在又は弱塩基の使用によるシランの放出をもたらす条件下で塩基加水分解に供する。そのために0.1~1013hPaの圧力範囲を用いることが好ましい。水及びアルコールは、適切な加水分解試薬である。アルカリ金属水酸化物が強塩基の例であり、有機アミンが弱塩基の例である。本発明のための強塩基の低濃度は、水溶液における8~13のpHをもたらす濃度である。本発明のための塩基の準化学量論量は、以下の具体例としての反応式によりHPSをケイ酸塩に変換するのに不十分である塩基の量である。1/xH2Six2OH-H2O→3H2SiO32-第6の変法において、金属水素化物などの化学水素化剤をHPSに加え、熱処理によりSi-Si結合の水素化を引き起こさせる。遷移金属の水素化物又は水素化アルミニウムが適切な金属水素化物の例である。反応は、不活性溶媒中で行うこともできる。反応は、例えば、ジアルキルエーテル又はポリエーテルなどの配位性溶媒により促進させることができる。1~300バールの圧力範囲を用いることが好ましい。第7の変法において、HPSを1つ又は複数の適切な遷移金属と混合し、水素を加えてHPSを短鎖H-シランに分裂させる。適切な遷移金属は、好ましくはPt、Pd、Ni、Tiである。水素との反応は、不活性溶媒中で起こり得る。HPSを遷移金属と混合する好ましい方法は、HPSを添加金属と一緒に粉砕することによる機械的合金化である。遷移金属は、化合物、例えば、有機錯体、ハロゲン化物塩又は水素化物の形で加えることもできる。水素は、好ましくは1~300バールの圧力範囲で加える。第8の変法において、HPSを液体又はガス状態でHFフッ化水素酸の水溶液、水含有HF又は乾燥HFと反応させる。フッ化水素酸との反応は、例えば、以下の理想的な反応式により表すことができる。4/xH2Six2H2O→3SiH4SiO2シランの収率は、水素化物へのHの還元の回避によってポリフルオロシランを使用する場合と比較してかなり改善される。水が存在しない場合、以下の具体例としての理想的な反応式を定式化することができる。4/xH2Six4HF→3SiH4SiF4H-シラン及びフルオロシランの得られる混合物は、SiF4の選択的吸収により精製することができる。反応は、不活性溶媒の存在下においても行うことができる。得られるH-シランは、適切な乾燥方法、例えば、吸着法により水画分を取り除くことができる。0.1~1013hPaの圧力範囲を用いることが好ましい。一般的に、合成の1つ又は複数のステップにより貯蔵物質からH-シランを放出する方法において、HPSが変換される反応器部分は、-70°C~300°C、特に-20°C~280°Cの温度に維持する。反応物の温度は、-70°C~300°Cの範囲、特に-20°C~280°Cの範囲に維持する。ポリシラン及び/又はH-シランは、好ましくは半導体の製造における使用の要件を満たす。本明細書において、短鎖及び短鎖長という用語は、nが1~6である化合物に関するものである。実質的にないは、混合物中に2未満存在することを意味すると理解すべきである。主としては、言及する成分が混合物中に50より多く存在することを意味すると理解すべきである。不活性溶媒は、標準的な条件下で、水素化ポリシラン以後、ポリシランとも呼ぶと自発的に反応しない溶媒を意味すると理解すべきであり、例えば、SiCl4、ベンゼン、トルエン、パラフィン等である。貯蔵物質を得るステップを具体例としての実施形態に関してここに述べることとする。プラズマ化学法により得られた25.7gの実質的に塩素化されたポリシラン混合物を350mlのベンゼンに溶解し、180mLのジエチルエーテル中1MLiAlH4溶液に0°Cで撹拌しながら1滴ずつ加える。これに続いて、徐々に室温を加温する。全体で24時間後、固体沈殿物をろ別し、ベンゼンで洗浄する。残留物を室温で全体で400mLの無水エタノールで抽出して、リチウム塩を除去し、残留物として、3.85gの固体ポリシラン混合物を貯蔵物質として単離する。