"複数のリードフレームと、該リードフレームに電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された電子部品と、上記リードフレームの少なくとも一部と上記スイッチング素子と上記電子部品とを封止する封止部材とを備え、上記電子部品は、上記リードフレームの主面に実装されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、上記電子部品は一対の接続端子を備え、該一対の接続端子のうち一方の接続端子と、上記スイッチング素子とが、同一の上記リードフレーム上に配置されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1または請求項2に記載の半導体モジュールにおいて、上記電子部品は一対の接続端子を備え、上記電子部品は2個の上記リードフレーム間に接続され、上記一対の接続端子は、それぞれ別の上記リードフレームの上記主面上に配置されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1または請求項2に記載の半導体モジュールにおいて、上記リードフレームから離間した中継用リードフレームを備え、上記電子部品は一対の接続端子を有し、該一対の接続端子のうち一方の接続端子は上記中継用リードフレームの主面上に配置され、他方の上記接続端子は上記リードフレームの主面上に配置されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項4に記載の半導体モジュールにおいて、複数の上記電子部品が上記中継用リードフレームを介して直列接続されており、互いに離間して配置された2つの上記リードフレームの間を、上記複数の電子部品と上記中継用リードフレームとによって電気的に接続するよう構成されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、上記電子部品は、上記スイッチング素子に並列接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるサージを吸収するスナバコンデンサまたは、上記スイッチング素子と接地端子との間に接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるコモンモードノイズを吸収するラインバイパスコンデンサであることを特徴とする半導体モジュール。請求項6に記載の半導体モジュールにおいて、上記スナバコンデンサまたは上記ラインバイパスコンデンサはチップコンデンサであり、該チップコンデンサの接続端子が上記リードフレームの主面にはんだ付けまたは溶接または導電性接着剤により接着されていることを特徴とする半導体モジュール。請求項6または請求項7に記載の半導体モジュールにおいて、直列接続した2個の上記スイッチング素子と、個々の該スイッチング素子に並列接続された上記スナバコンデンサとを1単位のスイッチング素子群とした場合に、1単位の又は複数単位の上記スイッチング素子群を一体化して封止したことを特徴とする半導体モジュール。請求項8に記載の半導体モジュールにおいて、複数単位の上記スイッチング素子群を互いに並列接続して一体化したことを特徴とする半導体モジュール。請求項9に記載の半導体モジュールにおいて、2単位の上記スイッチング素子群を有し、上記リードフレームの上記主面の法線方向から見たときに、4個の上記スイッチング素子は、四角形の頂点に相当する位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする半導体モジュール。しかしながら、従来の半導体モジュール900は、スイッチング素子95がオンオフ動作する際にサージ電圧が発生するため、このサージ電圧に耐えられるよう、高耐圧用のスイッチング素子95を用いる必要があった。そのため、電力変換装置90の製造コストが高くなる等の問題が生じていた。また、スイッチング素子にスナバコンデンサを並列接続することにより、スイッチング素子の動作時に発生するサージを吸収できることが知られている。しかしながら、従来の半導体モジュールは、スナバコンデンサをワイヤボンディングしているため、ワイヤに大きな寄生インダクタンスLが付いてしまい、サージV=-Ldi/dtが高くなってしまう問題がある。そのため、スナバコンデンサの効果を充分に発揮できない問題がある。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、スイッチング素子のオンオフ動作時に生じるサージを低減できる半導体モジュールを提供しようとするものである。本発明は、複数のリードフレームと、該リードフレームに電気的に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された電子部品と、上記リードフレームの少なくとも一部と上記スイッチング素子と上記電子部品とを封止する封止部材とを備え、上記電子部品は、上記リードフレームの主面に実装されていることを特徴とする半導体モジュールにある請求項1。上記半導体モジュールは、スイッチング素子と電気的に接続された電子部品が、リードフレームの主面に実装されているため、電子部品とリードフレームとの接続部におけるインダクタンスを小さくすることができる。仮に電子部品をワイヤボンディングで接続したとすると、ワイヤに寄生インダクタンスが付きやすくなるが、本例ではワイヤを用いず、電子部品をリードフレームの主面に直接、実装しているため、インダクタンスLを小さくすることができる。これにより、スイッチング素子の動作時に生じるサージV=-Ldi/dtを小さくすることができる。以上のごとく、本発明によれば、スイッチング素子の動作時に生じるサージを低減できる半導体モジュールを提供することができる。上記半導体モジュールにおける好ましい実施の形態につき説明する。上記半導体モジュールにおいて、上記電子部品は一対の接続端子を備え、該一対の接続端子のうち一方の接続端子と、上記スイッチング素子とが、同一の上記リードフレーム上に配置されていることが好ましい請求項2。このようにすると、スイッチング素子と電子部品とが同一のリードフレーム上に配置されているため、これらを別々のリードフレーム上に配置してワイヤ等で接続した場合と比べて、スイッチング素子と電子部品との間のインダクタンスを低減できる。そのため、スイッチング素子の動作時に生じるサージを、より低減することができる。また、上記電子部品は一対の接続端子を備え、上記電子部品は2個の上記リードフレーム間に接続され、上記一対の接続端子は、それぞれ別の上記リードフレームの上記主面上に配置されていることが好ましい請求項3。この場合には、2個のリードフレームのうち、一方のリードフレームの主面上に、電子部品の一方の接続端子が配置されているため、これら一方のリードフレームと電子部品との間のインダクタンスを低減できる。また、他方のリードフレームの主面上に、電子部品の他方の接続端子が配置されているため、これら他方のリードフレームと電子部品との間のインダクタンスも低減できる。これにより、2個のリードフレームの間のインダクタンスを低減することができ、スイッチング素子の動作時に生じるサージを、より低減することが可能になる。また、上記リードフレームから離間した中継用リードフレームを備え、上記電子部品は一対の接続端子を有し、該一対の接続端子のうち一方の接続端子は上記中継用リードフレームの主面上に配置され、他方の上記接続端子は上記リードフレームの主面上に配置されていることが好ましい請求項4。この場合には、中継用リードフレームの主面上に電子部品の一方の接続端子が配置されているため、これら中継用リードフレームと電子部品との間のインダクタンスを低減できる。また、リードフレームの主面上に電子部品の他方の接続端子が配置されているため、これらリードフレームと電子部品との間のインダクタンスを低減できる。これにより、リードフレームと中継用リードフレームとの間のインダクタンスを低減することができ、スイッチング素子の動作時に生じるサージを、より低減することが可能になる。また、複数の上記電子部品が上記中継用リードフレームを介して直列接続されており、互いに離間して配置された2つの上記リードフレームの間を、上記複数の電子部品と上記中継用リードフレームとによって電気的に接続するよう構成されていることが好ましい請求項5。このように、複数の電子部品を直列接続しておけば、電子部品としてコンデンサや抵抗を用いた場合、これらの電子部品のうち一個の電子部品がショート故障した場合でも、他の電子部品が故障しない限り、正常な動作を維持することが可能になる。そのため、半導体モジュールの信頼性を高めることが可能になる。また、上記構成によれば、複数の電子部品と中継用リードフレームとによって、2個のリードフレームの間を、ワイヤやリード線を用いることなく接続することが可能になる。そのため、2個のリードフレームの間のインダクタンスを低減でき、スイッチング素子の動作時に生じるサージをより低減しやすくなる。また、上記電子部品は、上記スイッチング素子に並列接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるサージを吸収するスナバコンデンサまたは、上記スイッチング素子と接地端子との間に接続され上記スイッチング素子のスイッチング動作時に生じるコモンモードノイズを吸収するラインバイパスコンデンサであることが好ましい請求項6。電子部品として上記スナバコンデンサを設けた場合は、スイッチング素子がオンオフ動作した際にサージが発生しても、スナバコンデンサによってサージを吸収することができる。そのため、耐圧の低いスイッチング素子を使用することができ、電力変換装置の製造コストを下げることが可能になる。また、リードフレームの主面上にスナバコンデンサを実装することにより、これらリードフレームとスナバコンデンサとの間のインピーダンスを低減できるため、スイッチング素子を高速スイッチング動作した時に、スナバコンデンサに電流が流れ込みやすくなる。そのため、ソフトスイッチングを容易に行うことができ、スイッチング素子のスイッチング損失を低減することが可能になる。電子部品として上記ラインバイパスコンデンサを設けた場合は、半導体モジュールの浮遊容量を介して接地端子から外部に漏洩するコモンモードノイズを低減することができる。また、ラインバイパスコンデンサを半導体モジュール内に組み込むことにより、これらを別部品にした場合と比較して、半導体モジュールの電子回路をコンパクト化することが可能になる。そのため、半導体モジュールの生産性を向上することができる。また、ノイズ発生源であるスイッチング素子の近傍にコモンモードノイズを吸収するコンデンサを設置することで、コモンモードノイズ電流が流れるループ面積を低減することができ、電磁波の放射を低減することができる。また、上記スナバコンデンサまたは上記ラインバイパスコンデンサはチップコンデンサであり、該チップコンデンサの接続端子が上記リードフレームの主面にはんだ付けまたは溶接または導電性接着材により接着されていることが好ましい請求項7。このようにすると、スナバコンデンサとリードフレームの接続部のインダクタンスを更に低減できる。すなわち、仮に、スナバコンデンサとしてリード線を有するコンデンサを用いたとすると、リード線に大きな寄生インダクタンスLが付きやすくなる。そのため、サージV=-Ldi/dtが大きくなったり、スイッチング損失が大きくなったりしやすい。しかしながら、スナバコンデンサやラインバイパスコンデンサとしてチップコンデンサを用い、かつはんだ接続等することにより、リード線を用いることなく、スナバコンデンサ等をリードフレームに接続することが可能になる。これにより、スナバコンデンサ等とリードフレームとの間に大きな寄生インダクタンスが付きにくくなり、スイッチング素子の動作時に生じるサージおよびスイッチング損失を容易に低減することができる。また、直列接続した2個の上記スイッチング素子と、個々の該スイッチング素子に並列接続された上記スナバコンデンサとを1単位のスイッチング素子群とした場合に、1単位の又は複数単位の上記スイッチング素子群を一体化して封止することが好ましい請求項8。この場合には、上記スイッチング素子群を1単位又は複数単位まとめて1体化するため、スイッチング素子を1個ずつ封止した場合と比較して、集約化することで容易に電子回路を構成することができる。そのため、電子回路をコンパクト化でき、生産性を向上させることができる。また、複数単位の上記スイッチング素子群を互いに並列接続して一体化することが好ましい請求項9。このようにすると、半導体モジュールを用いて、更に容易に電子回路を構成することができる。すなわち、例えば2個のスイッチング素子群を並列接続して一体化した場合には、半導体モジュールをDC-DCコンバータとして使用できる。また、3個のスイッチング素子群を並列接続して一体化した場合には、半導体モジュールをインバータとして使用できる。また、2単位の上記スイッチング素子群を有し、上記リードフレームの上記主面の法線方向から見たときに、4個の上記スイッチング素子は、四角形の頂点に相当する位置にそれぞれ配置されていることが好ましい請求項10。このようにすると、4個のスイッチング素子を互いに近くに配置することができ、これら4個のスイッチング素子の間に生じるインダクタンスをより低減しやすくなる。また、4個のスイッチング素子を一直線上に配置した場合と比べて、半導体モジュールをコンパクト化でき、小型化しやすい。実施例1本発明の実施例にかかる半導体モジュールにつき、図1~図6を用いて説明する。図1に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、複数のリードフレーム2と、スイッチング素子TrTr1~Tr4と、電子部品7と、封止部材3とを備える。スイッチング素子Trは、リードフレーム2に電気的に接続されている。また、電子部品7は、スイッチング素子Trに電気的に接続されている。封止部材3は、リードフレーム2の一部とスイッチング素子Tr1~Tr4と電子部品7とを封止している。そして図1、図2に示すごとく、電子部品7は、リードフレーム2の主面200に実装されている。図1に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、5個のリードフレーム2a~2eを備える。第1~第4リードフレーム2a~2dには、それぞれ1個のスイッチング素子Trが接続されている。スイッチング素子Tr1~Tr4は、NチャネルMOS-FETである図5、図6参照。スイッチング素子Tr1~Tr4の、ドレイン電極Dが形成されている面70図3参照は、リードフレーム2の主面200にはんだ付けされている。また、スイッチング素子Tr1~Tr4のソース電極Sは、ワイヤ10によって他のリードフレーム2にボンディングされている。本例では、電子部品7として、スナバコンデンサC1~C5と、ラインバイパスコンデンサC6,C7とを実装している。スナバコンデンサC1~C5は、スイッチング素子Trに並列接続されており図5参照、スイッチング素子Trのスイッチング動作時に生じるサージを吸収する。また、ラインバイパスコンデンサC6,C7は、スイッチング素子Trと接地端子4との間に接続され図5参照、スイッチング素子Trのスイッチング動作時に生じるコモンモードノイズを吸収する。図2に示すごとく、本例では、2個のリードフレーム2a,2bの間に第1スナバコンデンサC1電子部品7が接続されている。第1スナバコンデンサC1はチップコンデンサである。チップコンデンサは、直方体を呈する本体部14と、該本体部14の側面に設けられた一対の接続端子13a,13bとを有する。これら一対の接続端子13a,13bのうち、一方の接続端子13aは第1リードフレーム2a上に接続されており、他方の接続端子13bは第2リードフレーム2b上に接続されている。本例では、接続端子13とリードフレーム2とは、はんだ15によって接続されているが、これらを溶接してもよい。また、導電性接着剤によって接着してもよい。なお、他のスナバコンデンサC2~C4も、第1スナバコンデンサC1と同様の構成となっている。また、図1に示すごとく、第1スナバコンデンサC1電子部品7の一方の接続端子13aと、第1スイッチング素子Tr1とは、同一のリードフレーム2a上に配置されている。他のスナバコンデンサC2~C4も同様の構成になっている。すなわち、第2スナバコンデンサC2の一方の接続端子13eと第2スイッチング素子Tr2とは、同一のリードフレーム2b上に配置されている。第3スナバコンデンサC3の一方の接続端子13gと第3スイッチング素子Tr3とは、同一のリードフレーム2c上に配置されている。また、第4スナバコンデンサC4の一方の接続端子13iと第4スイッチング素子Tr4とは、同一のリードフレーム2d上に配置されている。図2に示すごとく、本例の半導体モジュール1は接地端子4を備える。この接地端子4とリードフレーム2との間には、絶縁部材5が介在している。接地端子4は、スイッチング素子Tr1~Tr4の放熱板を兼ねている。接地端子4の一部は封止部材3から露出している。接地端子4は、半導体モジュール1を収納する金属製の収納ケース11の内面に接触している。また、収納ケース11は、車両のボディ図示しないに接続している。このように、金属製の収納ケース11を介して、接地端子4を車両のボディに電気的に接続するようになっている。図1に示すごとく、本例では、スイッチング素子Tr1~Tr4と接地端子4との間にラインバイパスコンデンサC6,C7電子部品7が設けられている。ラインバイパスコンデンサC6,C7は、図4に示すごとく、リードフレーム2上に実装されている。本例では、ラインバイパスコンデンサC6としてチップコンデンサを用いている。図4に示すごとく、接地端子4には、半導体モジュール1の内側に向かって突出した突部40が形成されている。リードフレーム2の主面200と、突部40の主面400とは略面一である。そして、突部40とリードフレーム2aとの間にラインバイパスコンデンサC61が取り付けられている。ラインバイパスコンデンサC61は2個の接続端子13c,13dを備える。一方の接続端子13cは第1リードフレーム2aの主面200に、はんだ15によって接続されている。また、他方の接続端子13dは突部40の主面400にはんだ付けされている。図1に示される他のラインバイパスコンデンサC71,C62,C72も同様の構成となっている。次に、図5を用いて、本例の半導体モジュール1の回路図の説明をする。上述したように本例では、スイッチング素子Tr1~Tr4として、NチャネルMOSトランジスタを用いている。スナバコンデンサC1~C4は、個々のスイッチング素子Tr~Tr4のソースS-ドレインD間に接続されている。本例の半導体モジュール1は、2個の正極端子P1,P2を有する。半導体モジュール1は、2個の正極端子P1,P2を短絡した状態で使用する。正極端子P1,P2は、直流電源図示しないの正電極に接続され、負極端子Nは、直流電源の負電極に接続される。また、正極端子P1と負極端子Nの間および正極端子P2と負極端子Nの間にも、それぞれスナバコンデンサC5が接続されている。このスナバコンデンサC5も、図1に示す他のスナバコンデンサC1~C4と同様の構成となっている。スイッチング素子Trのゲート端子Gは、制御回路基板図示しないに接続されている。この制御回路基板によって、スイッチング素子Trの動作を制御している。本例の半導体モジュール1は、例えばDC-DCコンバータに用いられる。図5の等価回路を図6に示す。同図に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、直列接続した2個のスイッチング素子Trと、個々のスイッチング素子Trに並列接続されたスナバコンデンサCとからなる1単位のスイッチング素子群6を、2単位並列接続して、一体化したものである。本例の作用効果について説明する。本例では図1、図2に示すごとく、スイッチング素子Trに電気的に接続された電子部品7が、リードフレーム2の主面200に実装されているため、電子部品7とリードフレーム2との接続部15におけるインダクタンスを小さくすることができる。仮に電子部品7をワイヤボンディングで接続したとすると、ワイヤに寄生インダクタンスが付きやすくなるが、本例ではワイヤを用いず、電子部品7をリードフレーム2の主面200に直接、実装しているため、インダクタンスLを小さくすることができる。これにより、スイッチング素子Trの動作時に生じるサージV=-Ldi/dtを小さくすることができる。また、本例では、電子部品7スナバコンデンサC1の一対の接続端子13a,13bのうち、一方の接続端子13aとスイッチング素子Tr1とが、同一のリードフレーム2a上に配置されている。他の電子部品7スナバコンデンサC2~C5、ラインバイパスコンデンサC61,C62も同様の構造になっている。このようにすると、スイッチング素子Trと電子部品7とが同一のリードフレーム2上に配置されているため、これらを別々のリードフレーム2上に配置してワイヤ等で接続した場合と比べて、スイッチング素子Trと電子部品7との間のインダクタンスを低減できる。そのため、スイッチング素子Trの動作時に生じるサージを、より低減することができる。また、本例では、図1、図2に示すごとく、電子部品7スナバコンデンサC1は2個のリードフレーム2a,2bの間に接続されている。電子部品7スナバコンデンサC1の一方の接続端子13aは一方のリードフレーム2a上に配置され、他方の接地端子13bは他方のリードフレーム2b上に配置されている。このようにすると、2個のリードフレーム2a,2bのうち、一方のリードフレーム2aの主面200上に、電子部品7スナバコンデンサC1の一方の接続端子13aが配置されているため、これらリードフレーム2aと電子部品7との間のインダクタンスを低減できる。また、他方のリードフレーム2bの主面200上に、電子部品7スナバコンデンサC1の他方の接続端子13bが配置されているため、これらリードフレーム2bと電子部品7との間のインダクタンスも低減できる。これにより、2個のリードフレーム2a,2bの間のインダクタンスを低減することができ、スイッチング素子Trの動作時に生じるサージを、より低減することが可能になる。なお、他の電子部品7スナバコンデンサC2~C5も同様の構成になっており、同様の効果を有する。また、本例では、電子部品7として、スナバコンデンサC1~C5および、ラインバイパスコンデンサC6,C7を実装している。電子部品7としてスナバコンデンサC1~C5を設けた場合は、スイッチング素子Trがオンオフ動作した際にサージが発生しても、スナバコンデンサC1~C5によってサージを吸収することができる。そのため、耐圧の低いスイッチング素子Trを使用することができ、電力変換装置の製造コストを下げることが可能になる。また、リードフレーム2の主面200上にスナバコンデンサC1~C5を実装することにより、これらリードフレーム2とスナバコンデンサC1~C5との間のインピーダンスを小さくすることができるため、スイッチング素子を高速スイッチング動作したときに、スナバコンデンサC1~C5に電流が流れ込みやすくなる。そのため、ソフトスイッチングを容易に行うことができ、スイッチング素子Trのスイッチング損失を低減することが可能になる。また、電子部品7としてラインバイパスコンデンサC6,C7を設けた場合は、半導体モジュール1の浮遊容量を介して接地端子から外部に漏洩するコモンモードノイズを低減することができる。また、ラインバイパスコンデンサC6,C7を半導体モジュール1内に組み込むことにより、これらを別部品にした場合と比較して、半導体モジュール1の電子回路をコンパクト化することが可能になる。そのため、半導体モジュール1の生産性を向上することができる。また、ノイズ発生源であるスイッチング素子Trの近傍にコモンモードノイズを吸収するコンデンサC6,C7を設置することで、コモンモードノイズ電流が流れるループ面積を低減することができ、電磁波の放射を低減することができる。図2~図4に示すごとく、スナバコンデンサC1~C5及びラインバイパスコンデンサC6,C7はチップコンデンサである。そして、チップコンデンサの接続端子13がリードフレーム2の主面200にはんだ付けされている。このようにすると、スナバコンデンサC1~C5とリードフレーム2の接続部のインダクタンスを更に低減できる。すなわち、仮に、スナバコンデンサC1~C5としてリード線を有するコンデンサを用いたとすると、リード線に大きな寄生インダクタンスLが付きやすくなる。そのため、サージV=-Ldi/dtが大きくなったり、スイッチング損失が大きくなったりしやすい。しかしながら、上記コンデンサC1~C7としてチップコンデンサを用い、かつはんだ接続することにより、リード線を用いることなく、コンデンサC1~C7をリードフレーム2に接続することが可能になる。これにより、コンデンサC1~C7とリードフレーム2との間に大きな寄生インダクタンスが付きにくくなり、スイッチング素子Trの動作時に生じるサージおよびスイッチング損失を容易に低減することができる。なお、チップコンデンサの接続端子13とリードフレーム2の主面200とを、溶接または導電性接着材により接着しても同様の効果を有する。また、図6に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、2単位のスイッチング素子群6を一体化して構成されている。この場合には、複数個のスイッチング素子群6をまとめて1体化するため、スイッチング素子Trを1個ずつ封止した場合と比較して、少ない半導体モジュール1にて容易に電子回路を構成することができる。そのため、電子回路をコンパクト化でき、生産性を向上させることができる。また、図6に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、複数単位のスイッチング素子群6を互いに並列接続して一体化して構成されている。このようにすると、半導体モジュール1を用いて、更に容易に電子回路を構成することができる。すなわち、例えば図6に示すごとく、2個のスイッチング素子群6を並列接続して一体化した場合には、半導体モジュール1をDC-DCコンバータとして使用できる。なお、3個以上のスイッチング素子群6を並列接続して一体化することもできる。3個のスイッチング素子群6を並列接続した場合には、半導体モジュール1をインバータとして使用することができる。以上のごとく、本例によれば、スイッチング素子Tr1~Tr4の動作時に生じるサージを低減できる半導体モジュール1を提供することができる。実施例2本例は、1つの半導体モジュール1に内蔵するスイッチング素子群6の数を変更した例である。図7に示すごとく、本例では、1個のスイッチング素子群6のみを封止してモジュール化している。このようにすると、1個のスイッチング素子群6のみを必要とする電子回路に好適に使用できる。すなわち、本例の半導体モジュール1は、複数個のスイッチング素子群6を一体化した場合と比較して、1個のスイッチング素子群6しか含まれていないため、電子回路の製造コストを安くすることができる。その他、実施例1と同様の構成および作用効果を有する。実施例3本例は、ラインバイパスコンデンサC6,C7と接地端子4との接続方法を変更した例である。図8に示すごとく、本例における接地端子4は突部40図4参照が形成されておらず、平板状になっている。また、接地端子4の主面400に金属ブロック41を載置し、はんだ付けまたは溶接してある。リードフレーム2の主面200と金属ブロック41の主面410とは略面一である。そして、リードフレーム2と金属ブロック41との間を跨ぐようにスナバコンデンサC6,C7を載置し、はんだ付け又は溶接している。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、接地端子4に突部40図4参照を形成する必要がなく、平板状の接地端子4を使用することができる。そのため、接地端子4の加工工程を簡素化でき、半導体モジュール1の製造コストを下げることができる。その他、実施例1と同様の作用効果を備える。実施例4本例は、ラインバイパスコンデンサC6,C7と接地端子4との接続方法を変更した例である。図9に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、締結用リードフレーム2f,2gを備える。この締結用リードフレーム2f、2gにボルト12を挿入し、収納ケース11に螺合することにより、半導体モジュール1を収納ケース11に固定している。また、第1リードフレーム2aと締結用リードフレーム2gとの間にラインバイパスコンデンサC6が配置され、はんだ付けまたは溶接されている。他のラインバイパスコンデンサC7も同様の構成となっている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、締結用リードフレーム2f、2gを用いて、ラインバイパスコンデンサC6,C7を接地端子4に電気的に接続することができる。そのため、接地端子4に突部40図4参照を形成したり、金属ブロック41図8参照を配置したりする必要がなく、半導体モジュール1の製造コストをさらに低減できる。その他、実施例1と同様の作用効果を備える。実施例5本例は、ラインバイパスコンデンサC6と接地端子4との接続方法を変更した例である。図10に示すごとく、本例では、2個のリードフレーム2h,2iの間にラインバイパスコンデンサC6を配置し、はんだ付けまたは溶接している。そして、リードフレーム2hと接地端子4とを、ワイヤ10を使ってボンディングしている。また、別のラインバイパスコンデンサC7図1参照も同様の構成となっている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、スイッチング素子Tr1~Tr4をワイヤボンディングする際の工程を利用して、ラインバイパスコンデンサC6,C7を接地端子4に接続することができる。そのため、半導体モジュール1の製造コストを更に下げることができる。その他、実施例1と同様の作用効果を備える。実施例6本例は、スイッチング素子Trの配置位置を変更した例である。本例は図11に示すごとく、実施例1と同様に、4個のスイッチング素子Tr1~Tr4を備える。そして、リードフレーム2の主面200の法線方向紙面に垂直な方向から見たときに、4個のスイッチング素子Tr1~Tr4は、四角形の頂点に相当する位置にそれぞれ配置されている。本例における半導体モジュール1の電子回路は、図5と同一である。半導体モジュール1は、実施例1と同様に、複数のリードフレーム2と、4個のスイッチング素子Trと、電子部品7スナバコンデンサC1~C5、ラインバイパスコンデンサC6,C7とを備える。スイッチング素子Tr1~Tr4は、リードフレーム2a~2dにそれぞれ搭載されている。第1スイッチング素子Tr1を搭載した第1リードフレーム2aは、第1の正極端子P1となっており、第3スイッチング素子Tr3を搭載した第3リードフレーム2cは、第2の正極端子P2となっている。また、第2スイッチング素子Tr2を搭載した第2リードフレーム2bは第1の出力端子OUT1となっており、第4スイッチング素子Tr4を搭載した第4リードフレーム2dは第2の出力端子OUT2となっている。また、半導体モジュール1は、信号入力用のリードフレーム2j~2rを備える。リードフレーム2j,2k,2m,2nは、各スイッチング素子Trのソース電極S1~S4に、信号用ワイヤ19によって接続されている。リードフレーム2o,2p,2q,2rは、各スイッチング素子Trのゲート電極G1~G4に、信号用ワイヤ19によって接続されている。また、半導体モジュール1は、一対の接地用リードフレーム2s,2tと、負極端子Nとして用いるための第5リードフレーム2eとを備える。第5リードフレーム2eは、第1リードフレーム2aと第3リードフレーム2cとの間に介在している。また、第5リードフレーム2eは、第2リードフレーム2bと第4リードフレーム2dとの間にも介在している。第1接地用リードフレーム2sは、第1リードフレーム2aと第5リードフレーム2eとの間に介在している。第2接地用リードフレーム2tは、第3リードフレーム2cと第5リードフレーム2eとの間に介在している。複数のリードフレーム2のうち、第1リードフレーム2aと、第3リードフレーム2cと、第5リードフレーム2eと、接地用リードフレーム2s,2tと、信号入力用のリードフレーム2j,2m,2o,2qは、封止部材3からそれぞれ同一方向に突出している。また、複数のリードフレーム2のうち、第2リードフレーム2bと、第4リードフレーム2dと、信号入力用のリードフレーム2k,2p,2r,2nは、第1リードフレーム2aの突出方向とは反対方向に突出している。図11に示すごとく、第1リードフレーム2aと第2リードフレーム2bとの間に、第1スナバコンデンサC1が設けられている。また、第3リードフレーム2cと第4リードフレーム2dとの間に、第3スナバコンデンサC3が設けられている。さらに、第1リードフレーム2a~第4リードフレーム2dと、第5リードフレーム5eとの間に、スナバコンデンサC2,C4,C51,C52が設けられている。また、第1リードフレーム2aと第1接地用リードフレーム2sとの間には第1ラインバイパスコンデンサC61が設けられ、第5リードフレーム2eと第1接地用リードフレーム2sとの間には第3ラインバイパスコンデンサC71が設けられている。さらに、第5リードフレーム2eと第2接地用リードフレーム2tとの間には第4ラインバイパスコンデンサC72が設けられ、第3リードフレーム2cと第2接地用リードフレーム2tとの間には第2ラインバイパスコンデンサC62が設けられている。その他、実施例1と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、4個のスイッチング素子Tr1~Tr4を、四角形の頂点に相当する位置に、それぞれ設けた。このようにすると、4個のスイッチング素子Trを互いに近くに配置することができ、これら4個のスイッチング素子Tr1~Tr4の間に生じるインダクタンスをより低減しやすくなる。また、4個のスイッチング素子Tr1~Tr4を一直線上に配置した場合図1参照と比べて、半導体モジュール1をコンパクト化でき、小型化しやすい。また、本例では、第1リードフレーム2aと、第2リードフレーム2bと、第5リードフレーム2eとを互いに近くに配置することができるため、これらのリードフレーム2a,2b,2e間を接続するスナバコンデンサC1,C2,C51を互いに近い位置に設けることができる。このようにすると、ノイズ電流I1から放射される電磁波の量を低減することができる。すなわち、スイッチング素子Tr1,Tr2がオンオフ動作すると、これらのスイッチング素子Tr1,Tr2の周囲に存在する寄生インダクタンスが原因となって、ノイズ電流I1が発生することがある。このノイズ電流I1は、スナバコンデンサC1,C2,C51を通る経路内を流れる。本例のように、スナバコンデンサC1,C2,C51を互いに近い位置に設けることにより、ノイズ電流I1が流れる面積ループ面積を小さくすることができ、ノイズ電流I1から放射される電磁波の放射量を低減することが可能になる。同様に、本例では第3リードフレーム2cと、第4リードフレーム2dと、第5リードフレーム2eとを互いに近くに配置することができるため、これらのリードフレーム2c、2d、2e間を接続するスナバコンデンサC3,C4,C52を互いに近い位置に設けることができる。スイッチング素子Tr3,Tr4がオンオフ動作すると、ノイズ電流I2が発生し、スナバコンデンサC3,C4,C52を通る経路内をノイズ電流I2が流れる。本例では、スナバコンデンサC3,C4,C52を互いに接近配置できるため、ノイズ電流I2が流れる面積ループ面積を小さくすることができる。そのため、ノイズ電流I2から放射される電磁波の放射量を低減することが可能になる。その他、実施例1と同様の作用効果を備える。実施例7本例は、スナバコンデンサおよびラインバイパスコンデンサの数を変更した例である。図12に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、スナバコンデンサC51,C52およびラインバイパスコンデンサC61,C62,C71,C72をそれぞれ2個備える。半導体モジュール1には、リードフレーム2から離隔した複数の中継用リードフレーム8が形成されており、この中継用リードフレーム8を使って、2個のラインバイパスコンデンサC61等を直列に接続している。中継用リードフレーム8は、リードフレーム2を構成する金属板と同一の金属板から構成されている。本例の半導体モジュール1は、第1中継用リードフレーム81~第6中継用リードフレーム86の、合計6個の中継用リードフレーム8を備える。第1中継用リードフレーム81は、第1接地用リードフレーム2sと第1リードフレーム2aとの間に設けられている。第2中継用リードフレーム82は、第1接地用リードフレーム2sと第5リードフレーム2eとの間に設けられている。第3中継用リードフレーム83は、第2接地用リードフレーム2tと第5リードフレーム2eとの間に設けられている。第4中継用リードフレーム84は、第2接地用リードフレーム2tと第3リードフレーム2cとの間に設けられている。第5中継用リードフレーム85は、第1リードフレーム2aと第5リードフレーム2eとの間に設けられている。第6中継用リードフレーム86は、第3リードフレーム2cと第5リードフレーム2eとの間に設けられている。本例では、第1中継用リードフレーム81を使って、2個の第1ラインバイパスコンデンサC61を直列に接続している。そして、2個の第1ラインバイパスコンデンサC61と第1中継用リードフレーム81とによって、第1リードフレーム2aと第1接地用リードフレーム2sとの間を電気的に接続している。他のラインバイパスコンデンサC62,C71,C72及び、スナバコンデンサC51,C52も同様の構造になっている。2個の第1ラインバイパスコンデンサC61のうち、一方の第1ラインバイパスコンデンサC611は、第1リードフレーム2aと第1中継用リードフレーム81との間に接続されている。第1ラインバイパスコンデンサC611の一対の接続用端子13m,13nのうち、一方の接続用端子13mは第1中継用リードフレーム81の主面上に配置され、他方の接続用端子13nは第1リードフレーム2aの主面200上に配置されている。他方の第1ラインバイパスコンデンサC612も同様の構造になっている。また、他のラインバイパスコンデンサC62,C71,C72、スナバコンデンサC51,C52も同様の構造になっている。その他、実施例6と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、第1中継用リードフレーム81の主面上に、電子部品7ラインバイパスコンデンサC611の一方の接続端子13mが配置されているため、これら第1中継用リードフレーム81とラインバイパスコンデンサC611との間のインダクタンスを低減できる。また、第1リードフレーム2aの主面200上に、電子部品7ラインバイパスコンデンサC611の他方の接続端子13nが配置されているため、これら第1リードフレーム2aとラインバイパスコンデンサC611との間のインダクタンスを低減できる。そのため、第1リードフレーム2aと第1中継用リードフレーム81との間のインダクタンスを低減することができる。また、他の電子部品7ラインバイパスコンデンサC612,C62,C71,C72、スナバコンデンサC51,C52も同様の構造となっており、同様の作用効果を有する。また、本例では、複数のラインバイパスコンデンサC611,C612が第1中継用リードフレーム81を介して直列接続されている。そして、互いに離間して配置された2つのリードフレーム2a,2sの間を、複数のラインバイパスコンデンサC611,C612と第1中継用リードフレームとによって電気的に接続している。このように、複数のラインバイパスコンデンサC611,C612を直列接続しておけば、これらのラインバイパスコンデンサC611,C612のうち一個のラインバイパスコンデンサがショート故障した場合でも、他のラインバイパスコンデンサが故障しない限り、正常な動作を維持することが可能になる。そのため、半導体モジュール1の信頼性を高めることが可能になる。また、本例では、複数のラインバイパスコンデンサC611,C612と第1中継用リードフレーム81とによって、2個のリードフレーム2a,2sの間を、ワイヤやリード線を用いることなく接続することが可能になる。そのため、2個のリードフレーム2a,2s間のインダクタンスを低減できる。なお、他の電子部品7ラインバイパスコンデンサC62,C71,C72、スナバコンデンサC51,C52も同様の構造となっており、同様の作用効果を有する。その他、実施例6と同様の作用効果を備える。実施例8本例は、リードフレーム2の形状を変更した例である。図13に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、第1リードフレーム2aと第3リードフレーム2cとを一体化した共通リードフレーム2coを備える。この共通リードフレーム2coにより、実施例6,7では2個存在していた正極端子P1,P2図12、図13参照を、一個の正極端子Pに集約している。また、第2リードフレーム2bは、第2スイッチング素子Tr2を搭載する搭載部250と、端子部251と、これら搭載部250と端子部251との間を繋ぐ接続部252とを備える。端子部251は、半導体モジュール1の第1の出力端子OUT1になっている。接続部252は、共通リードフレーム2coと第4リードフレーム2dとの間に介在している。そして、共通リードフレーム2coと第4リードフレーム2dとの間に、接続部252を跨ぐように、第3スナバコンデンサC3が設けられている。また、本例の半導体モジュール1は、第1中継用リードフレーム81~第3中継用リードフレーム83の、3個の中継用リードフレーム8を備える。第1中継用リードフレーム81は、第1接地用リードフレーム2sと共通リードフレーム2coとの間に介在している。第2中継用リードフレーム82は、共通リードフレーム2coと第5リードフレーム2eとの間に介在している。第3中継用リードフレーム83は、第5リードフレーム2eと第2接地用リードフレーム2tとの間に介在している。本例では、第1ラインバイパスコンデンサC61と、第1中継用リードフレーム81と、第2ラインバイパスコンデンサC62とによって、第1接地用リードフレーム2sと共通リードフレーム2coとの間を接続している。他のラインバイパスコンデンサC71,C72及びスナバコンデンサC51,C52も同様の構造になっている。また、本例の中継用リードフレーム81,82,83は、図14に示すごとく、導電性接着剤によって形成されている。その他、実施例6と同様の構成を備える。本例の作用効果について説明する。本例では、共通リードフレーム2coと第4リードフレーム2dとの間に、接続部252を跨ぐように、第3スナバコンデンサC3が設けられている。このようにすると、共通リードフレーム2coと第4リードフレーム2dとの間に上記接続部252を介在させつつ、これらのリードフレーム2co,2dの間に第3スナバコンデンサC3を設けることが可能になる。リードフレーム2co,2dの間に接続部252が介在した構造を採用すると、第2リードフレーム2bの搭載部250を、端子部251から離れた位置に設けることができ、半導体モジュール1の設計自由度を上げることが可能になる。また、第3スナバコンデンサC3を設けることにより、第3スイッチング素子Tr3がオンオフ動作した時に生じるサージを、第3スナバコンデンサC3によって吸収することができる。また、本例では、中継用リードフレーム81,82,83を、導電性接着剤を使って形成した。このようにすると、ラインバイパスコンデンサC61,C62を接地端子4に接続するために、突部40図4参照を形成する必要がなくなり、製造コストの低い平板状の接地端子4を使用することが可能になる。そのため、半導体モジュール1の製造コストを低減することができる。その他、実施例6と同様の作用効果を備える。"