"基材と、上記基材に形成された配線パターンと、上記基材に各々配置され、且つ、上記基材の厚さ方向と直交する第1方向に互いに離間する受光素子および発光素子と、上記受光素子を覆う第1透光樹脂と、上記発光素子を覆う第2透光樹脂と、上記第1透光樹脂および上記第2透光樹脂を覆う遮光樹脂と、を備え、上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在し、且つ、上記厚さ方向視において上記受光素子と上記発光素子との間に位置する第1光遮断部を含み、上記第1光遮断部は、上記第1方向視において上記発光素子を横切る、光学装置。上記第1光遮断部は、互いに離間する第1部位および第2部位を含み、上記遮光樹脂は、上記第1部位と上記第2部位とに挟まれ且つ上記基材に接する接合部を含む、請求項1に記載の光学装置。上記接合部は、上記基材の厚さ方向および上記第1方向に直交する第2方向において上記発光素子と重なる、請求項2に記載の光学装置。上記第1部位および上記第2部位は、それぞれ、上記基材の厚さ方向および上記第1方向に直交する第2方向に沿って延びる帯状である、請求項2に記載の光学装置。上記第1光遮断部は、上記厚さ方向視において、上記接合部を挟んで互いに離間する2つの連結部を含み、上記各連結部は、上記第1部位および第2部位のいずれにもつながる、請求項4に記載の光学装置。上記配線パターンは、上記発光素子がボンディングされた発光素子用パッドを含む、請求項1ないし5のいずれかに記載の光学装置。上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第2光遮断部を含み、上記第2光遮断部は、上記第1方向において上記発光素子用パッドに重なる、請求項6に記載の光学装置。上記第2光遮断部は、上記第2透光樹脂に覆われた部位を有する、請求項7に記載の光学装置。上記第2光遮断部は、上記第1光遮断部につながる、請求項7に記載の光学装置。上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第3光遮断部を含み、上記第3光遮断部は、上記第1方向において上記発光素子用パッドに重なり、上記発光素子用パッドは、上記第1方向視において、上記第2光遮断部および上記第3光遮断部の間に位置する、請求項7ないし9のいずれかに記載の光学装置。上記第3光遮断部は、上記第2透光樹脂に覆われた部位を有する、請求項10に記載の光学装置。上記第3光遮断部は、上記第1光遮断部につながる、請求項10に記載の光学装置。上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドを含み、上記第3光遮断部は、上記ワイヤボンディングパッドに導通している、請求項10ないし12のいずれかに記載の光学装置。上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドと、上記発光素子用パッドおよび上記第1光遮断部につながる連絡部と、を含む、請求項10ないし12のいずれかに記載の光学装置。上記発光素子は、カソード電極とアノード電極とを含み、上記第1光遮断部は、上記カソード電極に導通している、請求項1ないし14のいずれかに記載の光学装置。上記第1光遮断部は、グランド電極である、請求項13ないし15のいずれかに記載の光学装置。上記配線パターンは、上記受光素子が配置された受光素子用パッドと、上記受光素子用パッドおよび上記第1光遮断部につながる接続部と、を含む、請求項1ないし16のいずれかに記載の光学装置。上記第1光遮断部は、上記第2透光樹脂に覆われた部位を有する、請求項1ないし17のいずれかに記載の光学装置。上記配線パターンは、上記第1光遮断部が形成された側とは反対側にて上記基材に形成された実装端子部を含む、請求項1ないし18のいずれかに記載の光学装置。上記実装端子部に導通し且つ上記基材を貫通するスルーホール電極を更に備える、請求項19に記載の光学装置。本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、誤検知を招きにくい光学装置を提供することをその主たる課題とする。本発明の第1の側面によると、基材と、上記基材に形成された配線パターンと、上記基材に各々配置され、且つ、上記基材の厚さ方向と直交する第1方向に互いに離間する受光素子および発光素子と、上記受光素子を覆う第1透光樹脂と、上記発光素子を覆う第2透光樹脂と、上記第1透光樹脂および上記第2透光樹脂を覆う遮光樹脂と、を備え、上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在し、且つ、上記厚さ方向視において上記受光素子と上記発光素子との間に位置する第1光遮断部を含み、上記第1光遮断部は、上記第1方向視において上記発光素子を横切る、光学装置が提供される。上記第1光遮断部は、互いに離間する第1部位および第2部位を含み、上記遮光樹脂は、上記第1部位と上記第2部位とに挟まれ且つ上記基材に接する接合部を含む。上記接合部は、上記基材の厚さ方向および上記第1方向に直交する第2方向において上記発光素子と重なる。上記第1部位および上記第2部位は、それぞれ、上記基材の厚さ方向および上記第1方向に直交する第2方向に沿って延びる帯状である。上記第1光遮断部は、上記厚さ方向視において、上記接合部を挟んで互いに離間する2つの連結部を含み、上記各連結部は、上記第1部位および第2部位のいずれにもつながる。上記配線パターンは、上記発光素子がボンディングされた発光素子用パッドを含む。上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第2光遮断部を含み、上記第2光遮断部は、上記第1方向において上記発光素子用パッドに重なる。上記第2光遮断部は、上記第2透光樹脂に覆われた部位を有する。上記第2光遮断部は、上記第1光遮断部につながる。上記配線パターンは、上記遮光樹脂と上記基材との間に介在する第3光遮断部を含み、上記第3光遮断部は、上記第1方向において上記発光素子用パッドに重なり、上記発光素子用パッドは、上記第1方向視において、上記第2光遮断部および上記第3光遮断部の間に位置する。上記第3光遮断部は、上記第2透光樹脂に覆われた部位を有する。上記第3光遮断部は、上記第1光遮断部につながる。上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドを含み、上記第3光遮断部は、上記ワイヤボンディングパッドに導通している。上記発光素子にボンディングされたワイヤを更に備え、上記配線パターンは、上記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッドと、上記発光素子用パッドおよび上記第1光遮断部につながる連絡部と、を含む。上記発光素子は、カソード電極とアノード電極とを含み、上記第1光遮断部は、上記カソード電極に導通している。上記第1光遮断部は、グランド電極である。上記配線パターンは、上記受光素子が配置された受光素子用パッドと、上記受光素子用パッドおよび上記第1光遮断部につながる接続部と、を含む。上記第1光遮断部は、上記第2透光樹脂に覆われた部位を有する。上記配線パターンは、上記第1光遮断部が形成された側とは反対側にて上記基材に形成された実装端子部を含む。上記実装端子部に導通し且つ上記基材を貫通するスルーホール電極を更に備える。本発明の第2の側面によると、基材と、上記基材に配置された受光素子と、上記受光素子を覆う第1透光樹脂と、上記第1透光樹脂を覆い且つ第1開口部が形成された遮光樹脂と、を備え、上記第1透光樹脂は、上記第1開口部から露出する光入射面を有し、上記遮光樹脂は、第1凹凸面を有し、上記第1凹凸面は、上記第1開口部の深さ方向のうち上記受光素子から上記光入射面に向かう方向を向き、且つ、上記第1開口部よりも上記第1開口部の深さ方向に対し直交する第1方向側に位置する、光学装置が提供される。好ましくは、上記遮光樹脂には、上記第1凹凸面において、一方向に沿って各々が延びる複数の溝が形成されている。好ましくは、上記第1凹凸面は、上記複数の溝のいずれか一つの溝を各々が規定し、且つ、当該一つの溝の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面および第2溝面を有し、上記第2溝面は、上記第1溝面よりも上記第1開口部から遠い側に位置する。好ましくは、上記第1溝面は、上記第1方向に対し第1角度で傾斜し、上記第2溝面は上記第1方向に対し上記第1角度より小さい第2角度で傾斜する。好ましくは、上記第1角度は、50°~70°である。好ましくは、上記各溝は、上記深さ方向と上記第1方向とに直交する第2方向に沿って延びる。好ましくは、上記各溝は、上記第1開口部の開口中心を中心とする周方向に沿って延びる。好ましくは、上記各溝は、上記第1方向に沿って延び、上記第1凹凸面は、上記複数の溝のいずれか一つの溝を各々が規定し、且つ、当該一つの溝の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面および第2溝面を有し、上記第1溝面は、上記深さ方向と上記第1方向とに直交する第2方向に対し第1角度で傾斜し、上記第2溝面は、上記第1開口部の開口中心を通って上記第1方向に沿って延びる仮想直線から、上記第1溝面よりも遠い側に位置し、且つ、上記第2方向に対し上記第1角度より小さい第2角度で傾斜する。好ましくは、上記遮光樹脂は、上記第1開口部の深さ方向のうち上記受光素子から上記光入射面に向かう方向を向く第2凹凸面を含み、上記第1開口部は、上記第1凹凸面と、上記第2凹凸面との間に位置する。好ましくは、上記第1溝面および上記第2溝面はいずれも、平坦である。本発明の第3の側面によると、基材と、上記基材に配置された受光素子と、上記受光素子を覆う第1透光樹脂と、上記第1透光樹脂を覆い且つ第1開口部が形成された遮光樹脂と、を備え、上記第1透光樹脂は、上記第1開口部から露出する光入射面を有し、上記受光素子は、半導体基板と、上記半導体基板に設けられた赤外光検出部と、上記半導体基板に設けられた可視光検出部と、を含む、光学装置が提供される。好ましくは、上記光入射面は、上記第1開口部の深さ方向視において、上記赤外光検出部に重なる部位を有する。好ましくは、上記受光素子は、上記赤外光検出部を覆い且つ赤外光を透過させる積層光学膜を含む。好ましくは、上記可視光検出部は、上記第1開口部の深さ方向視において上記赤外光検出部を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域内に位置する部位を有する。好ましくは、上記可視光検出部は、全体にわたって、上記第1開口部の深さ方向視において上記赤外光検出部を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域の外部に位置する。好ましくは、上記受光素子は、上記可視光検出部の出力と上記赤外光検出部の出力とに対して演算を行う機能素子部を含む。好ましくは、上記受光素子は、上記赤外光検出部と上記機能素子部とを覆い且つ上記赤外光を透過させる積層光学膜を含む。好ましくは、上記基材に配置された発光素子を更に備え、上記第1開口部の深さ方向視において、上記赤外光検出部は、上記可視光検出部よりも上記発光素子から遠い側に位置する。本発明の第4の側面によると、基材と、上記基材に配置された受光素子と、上記受光素子を覆う第1透光樹脂と、上記第1透光樹脂を覆い且つ第1開口部が形成された遮光樹脂と、を備え、上記第1透光樹脂は、上記第1開口部から露出する光入射面を有し、上記遮光樹脂は、上記第1開口部を規定する第1内周壁を有し、上記第1内周壁は、上記第1開口部から露出する上記第1透光樹脂におけるいずれの部位よりも、上記第1開口部の深さ方向のうち上記受光素子から上記光入射面に向かう方向側に位置する第1端縁を有する、光学装置が提供される。好ましくは、上記第1内周壁は、上記第1開口部の深さ方向奥側になるほど上記第1開口部の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。好ましくは、上記第1内周壁は、上記第1開口部の深さ方向に直交する第1方向に互いに対向する第1部分および第2部分を含み、上記第1開口部の深さ方向に対する上記第1部分の傾斜角は、上記第1開口部の深さ方向に対する上記第2部分の傾斜角よりも大きい。好ましくは、上記第1開口部の深さ方向に対する上記第1部分の傾斜角は、15°以上である。好ましくは、上記第1透光樹脂は、上記第1開口部に収容された第1凸部を含み、上記第1凸部は、上記光入射面を構成している。好ましくは、上記第1凸部は、上記第1内周壁との間に隙間を設けて配置されている。好ましくは、上記光入射面は平坦である。好ましくは、上記基材に配置された発光素子と、上記発光素子を覆う第2透光樹脂と、を更に備え、上記遮光樹脂は、上記第1透光樹脂と上記第2透光樹脂との間に介在し、且つ、上記第2透光樹脂を覆い、上記遮光樹脂には、第2開口部が形成され、上記第2透光樹脂は、上記第2開口部から露出する光出射面を有する。好ましくは、上記遮光樹脂は、上記第2開口部を規定する第2内周壁を有し、上記第2内周壁は、上記第2開口部から露出する上記第2透光樹脂におけるいずれの部位よりも、上記第2開口部の深さ方向のうち上記発光素子から上記光出射面に向かう方向に位置する第2端縁を有する。好ましくは、上記第2内周壁は、上記第2開口部の深さ方向奥側になるほど上記第2開口部の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。好ましくは、上記第2透光樹脂は、上記第2開口部に収容された第2凸部を含み、上記第2凸部は、上記光出射面を構成している。好ましくは、上記第2透光樹脂は、上記第2凸部が構成する第1切り欠き面と、上記第2凸部が構成し、且つ、上記第1切り欠き面よりも上記受光素子より遠い側に位置する第2切り欠き面と、を有する。好ましくは、上記第1切り欠き面は、上記第2内周壁に対向しており、上記第2切り欠き面は、上記遮光樹脂から上記受光素子の配置された側と反対側に露出している。好ましくは、上記第1切り欠き面は、上記第2内周壁との間に隙間を設けて配置されている。好ましくは、上記光出射面は、凸面状である。本発明の第5の側面によると、本発明の第1ないし第4のいずれかの側面によって提供される光学装置と、上記光出射面に対向している透光カバーと、を備える、電子機器が提供される。本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。<第1実施形態>図1~図25を用いて、第1実施形態について説明する。図22に示す電子機器801は、光学装置101と、液晶表示部802と、透光カバー803と、を備える。電子機器801は、たとえばタッチパネル方式の携帯電話機である。液晶表示部802は、電子機器801の諸機能を発揮させるためのアイコンを表示する。透光カバー803は、たとえばアクリル製である。透光カバー803は、赤外光および可視光を透過させる。透光カバー803は、液晶表示部802と光学装置101とに対向している。光学装置101は透光カバー803との間に間隔dを設けて配置される。間隔dは、たとえば0.25~1mm程度である。図1は、図22に示す光学装置101の斜視図である。図2は、図1のII-II線に沿う断面図である。図3は、図1のIII-III線に沿う断面図である。図4は、図1のIV-IV線に沿う断面図である。図5は、図1に示す光学装置の平面図である。図6は、図5のVI-VI線に沿う断面図である。図7は、図5のVII-VII線に沿う断面図である。これらの図に示す光学装置101は、近接センサであり、基材1と、発光素子2と、受光素子3と、透光樹脂4,5と、遮光樹脂6と、ワイヤ78,79図2参照、図3、図4、図6、図7等では省略と、配線パターン8図2参照、図3、図4、図6、図7等では省略と、を備える。基材1はたとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。基材1は搭載面10および背面11を有する。搭載面10および背面11は互いに反対側を向く。搭載面10および背面11はいずれも、方向xを長辺の延びる方向とし、方向yを短辺の延びる方向とする面である。基材1の厚さ方向は、方向zに一致する。搭載面10および背面11には配線パターン8が形成されている。配線パターン8については後述する。発光素子2はLEDチップである。発光素子2は赤外光を発する。発光素子2は基材1の搭載面10に配置されている。発光素子2は、ワイヤ78を介して搭載面10に形成された配線パターン8と導通している。発光素子2は、xy平面視方向z視において0.35mm×0.35mmの矩形状である。発光素子2は、カソード電極21およびアノード電極22を含む。本実施形態において、アノード電極22が配線パターン8にボンディングされている。一方、カソード電極21にはワイヤ78がボンディングされている。受光素子3は、受光した赤外光を、当該赤外光の量に応じた電気信号に変換する。受光素子3は、ワイヤ79を介して搭載面10に形成された配線パターン8と導通している。受光素子3は、xy平面視において1.6mm×1.8mmの矩形状である。本実施形態において受光素子3は、更に、受光した可視光を、当該可視光の量に応じた電気信号に変換する。図8は、図1に示す光学装置101における受光素子3の平面図である。同図に示すように、受光素子3は、半導体基板30と、可視光検出部31と、赤外光検出部32と、機能素子部33と、積層光学膜34と、を含む。半導体基板30は、たとえばシリコン基板である。半導体基板30には、可視光検出部31と、赤外光検出部32と、機能素子部33と、が設けられている。可視光検出部31および赤外光検出部32は、半導体基板30のxy平面視における中央に位置する。図8に示すように、受光素子3において、可視光検出部31は、xy平面視において赤外光検出部32を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域S11内に位置する部位を有する。すなわち、赤外光検出部32はxy平面視においてL字状を呈し、可視光検出部31が赤外光検出部32に食い込む最小矩形領域S11内であって赤外光検出部32の外側領域に食い込むように配置されている。機能素子部33は、可視光検出部31および赤外光検出部32の周囲に位置する。半導体基板30上には配線層図示略が多層形成されている。半導体基板30の配線層のうち、赤外光検出部32および機能素子33に重なる部分は、積層光学膜34により覆われている。積層光学膜34の可視光検出部31に重なる部分には開口が設けられており、半導体基板30の配線層のうち可視光検出部31に重なる部分は、積層光学膜34に覆われることなく、積層光学膜34から露出している。可視光検出部31および半導体基板30は、複数のフォトダイオードPDA1,PDA2,PDA3,PDB1,PDB2,PDB3を構成している。フォトダイオードPDA1,PDA2,PDA3は、それぞれ、半導体基板30の厚さ方向における半導体基板30の表面から所定の深さ位置に、pn接合面受光面を設けることにより形成されている。フォトダイオードPDA1,PDA2,PDA3は、それぞれ、受光した可視光および赤外光の量に相当する光電流を、光電変換により出力する。一方、フォトダイオードPDB1,PDB2,PDB3は、それぞれ、半導体基板30の厚さ方向において、半導体基板30の表面から所定の深さ位置に、pn接合面受光面を設けることにより形成されている。フォトダイオードPDB1,PDB2,PDB3の形成される、半導体基板30の表面からの深さ位置は、フォトダイオードPDA1,PDA2,PDA3の形成される、半導体基板30の表面からの深さ位置よりも深い。一般に、フォトダイオードの分光感度特性は、pn接合面受光面の半導体基板表面からの深さに依存することが知られている。pn接合面受光面の位置が半導体基板表面から深いほど、分光感度特性のピークは長波長側にシフトする。そのため、フォトダイオードPDB1,PDB2,PDB3は、フォトダイオードPDA1,PDA2,PDA3よりも、分光感度特性が長波長側にシフトしている。よって、フォトダイオードPDB1,PDB2,PDB3は、受光した赤外光の量のみに相当する光電流を、光電変換により出力する。フォトダイオードPDB1,PDB2,PDB3のxy平面視における面積はそれぞれ、フォトダイオードPDA1,PDA2,PDA3の各々のxy平面視における面積よりも小さい。図9aは図8に示す受光素子3の可視光検出部31を模式的に示す等価回路図である。図9aに示すように、一対のフォトダイオードPDA1,PDB1は、第1受光ユニット311を構成している。第1受光ユニット311のフォトダイオードPDA1,PDB1は、電源電位Vccと接地電位との間に直列に接続されている。第1受光ユニット311においては、フォトダイオードPDA1,PDB1間から電流I1が出力される。電流I1は、フォトダイオードPDA1からの可視光成分および赤外光成分を含む光電流から、フォトダイオードPDB1からの赤外光成分を含む光電流を差し引いたものとなる。すなわち、第1受光ユニット311は、フォトダイオードPDA1,PDB1の各々の受光量の差分に相当する電流I1を出力する。同様に、一対のフォトダイオードPDA2,PDB2は、第2受光ユニット312を構成している。第2受光ユニット312のフォトダイオードPDA2,PDB2は、電源電位Vccと接地電位との間に直列に接続されている。そして、第2受光ユニット312は、フォトダイオードPDA2,PDB2の各々の受光量の差分に相当する電流I2を出力する。同様に、一対のフォトダイオードPDA3,PDB3は、第3受光ユニット313を構成している。第3受光ユニット313のフォトダイオードPDA3,PDB3は、電源電位Vccと接地電位との間に直列に接続されている。そして、第3受光ユニット313は、フォトダイオードPDA3,PDB3の各々の受光量の差分に相当する電流I3を出力する。図8に示すように、第1受光ユニット311におけるフォトダイオードPDA1に対するフォトダイオードPDB1の受光面の面積比と、第2受光ユニット312におけるフォトダイオードPDA2に対するフォトダイオードPDB2の受光面の面積比と、第3受光ユニット313におけるフォトダイオードPDA3に対するフォトダイオードPDB3の受光面の面積比と、は互いに異なる。詳述はしないが、受光面の面積比を異ならせているのは、可視光検出部31に入射する光の光源の種類によらずに、一定の照度に対して、一定の出力を得るためである。すなわち、本実施形態では、光源が、赤外光成分を多く含む光を発生させるハロゲンランプであっても、更に多くの赤外光成分を含む光を発生させる白熱灯であっても、赤外光成分をあまり含まない光を照射する蛍光灯であっても、一定の照度に対して一定の出力を得ることができる。半導体基板30および赤外光検出部32は、フォトダイオードPDCを構成している。フォトダイオードPDCは、それぞれ、半導体基板30の厚さ方向において半導体基板30の表面から所定の深さ位置に、pn接合面受光面を設けることにより形成されている。フォトダイオードPDCの形成される、半導体基板30の表面からの深さ位置は、フォトダイオードPDB1,PDB2,PDB3の形成される、半導体基板30の表面からの深さ位置と同程度である。そのため、フォトダイオードPDCは、受光した赤外光の量のみに相当する光電流を、光電変換により出力する。フォトダイオードPDCのxy平面視における面積は、可視光検出部31のxy平面視における全面積よりも、大きい。図9bは、図8に示す受光素子3の赤外光検出部32を模式的に示す等価回路図である。同図に示すように、フォトダイオードPDCは、電源電位Vccに接続されている。フォトダイオードPDCは、受光した赤外光の量に相当する光電流Icを出力する。機能素子部33は、可視光検出部31の出力と赤外光検出部32の出力とに対して演算を行う。機能素子部33には、アナログ回路およびデジタル回路が形成されている。機能素子部33は、第1受光ユニット311からの電流I1と、第2受光ユニット312からの電流I2と、第3受光ユニット313からの電流I3と、フォトダイオードPDCからの光電流Icとが入力される。機能素子部33は、光電流Icに基づき、フォトダイオードPDCが受光した赤外光の量を、デジタル値として算出する。フォトダイオードPDCが受光した赤外光の量があらかじめ設定されたしきい値を超えると、近接する物体があることを示す近接信号を外部に出力する。機能素子部33は、電流I1~I3に基づき、可視光検出部31が受光した可視光の量を、デジタル値として算出する。機能素子部33は、可視光検出部31が受光した可視光の量に相当する照度を示す照度信号を外部に出力する。積層光学膜34は、赤外光の波長領域の光のみを透過させる樹脂よりなる。上述のように積層光学膜34は、赤外光検出部32および機能素子部33を覆っている。そのため、赤外光検出部32および機能素子部33は、可視光を受けることなく赤外光のみを受ける。一方、積層光学膜34は可視光検出部31を覆っていない。そのため、可視光検出部31は可視光を確実に受ける。図1~図3、図5~図7に示す透光樹脂4は、第1透光樹脂であり、受光素子3および搭載面10を覆っている。透光樹脂4は、透明であり、可視光から赤外光までの波長域の光を透過させる。透光樹脂4は、たとえばエポキシ樹脂よりなる。透光樹脂4は、平坦面43と凸部40とを有する。平坦面43は、平坦であり、方向zに垂直な平面に沿う。平坦面43はリング状である。平坦面43は方向z1側に臨む。凸部40は、第1凸部であり、平坦面43から方向z1側に膨らむ形状である。凸部40のxy平面視における外郭形状は、たとえば直径が1mmの円形状である。凸部40は、xy平面視において平坦面43に囲まれている。凸部40は光入射面41を有する。光入射面41は方向z1側に臨む。本実施形態において光入射面41は、平坦であり、方向zに垂直な平面に沿う。本実施形態と異なり、光入射面41が方向z1側に膨らむ凸面であってもよい。光入射面41はxy平面視において受光素子3に重なる。より具体的にはxy平面視において、光入射面41は、図8に示した、受光素子3における赤外光検出部32と可視光受光部31とに重なる。光入射面41は、xy平面視において赤外光検出部32と重なっていることは、方向z2に進む光を赤外光検出部32に確実に至らせる上で好ましい。一方、本実施形態と異なり、xy平面視において、光入射面41が可視光検出部31に重なっておらず、平坦面43が可視光検出部31に重なっていてもよい。図1、図2、図4、図5に示す透光樹脂5は、第2透光樹脂であり、発光素子2および搭載面10を覆っている。透光樹脂5は、透明であり、可視光から赤外光までの波長域の光を透過させる。透光樹脂5は、たとえばエポキシ樹脂よりなる。透光樹脂5は、平坦面53と凸部50とを有する。平坦面53は、平坦であり、方向zに垂直な平面に沿う。平坦面53は方向z1側に臨む。凸部50は、第2凸部であり、平坦面53から方向z1側に膨らむ形状である。凸部50は、xy平面視において平坦面53に囲まれている。凸部50は、光出射面51と一対の切り欠き面52A,52Bとを有する。光出射面51は方向z1側に臨む。光出射面51は、方向z1側に膨らむ凸面である。光出射面51が方向z1側に膨らむ凸面であるのは、発光素子2からの光をより多く方向z1側に進ませるためである。光出射面51はxy平面視において発光素子2に重なる。光出射面51は、方向yの各端に、xy平面視において円弧状の外縁を有する。外縁どうしの距離である光出射面51の最大径は、たとえば、0.44mmである。各切り欠き面52A,52Bは、平坦であり、yz平面に沿う。切り欠き面52Aは方向x2を向き、切り欠き面52Bは方向x1を向く。切り欠き面52A,52Bはそれぞれ、方向xの一端において光出射面51に繋がっている。図5に示すように、切り欠き面52Aと受光素子3との距離は、切り欠き面52Bと受光素子3との距離よりも小さい。すなわち、切り欠き面52Bは、切り欠き面52Aよりも受光素子3から遠い側に位置する。図2に示すように、遮光樹脂6は、透光樹脂4,5および搭載面10を覆っている。遮光樹脂6は、可視光および赤外光のいずれをも透過させない。遮光樹脂6は、たとえばエポキシ樹脂よりなる。遮光樹脂6は、透光樹脂4と透光樹脂5との間に介在している。遮光樹脂6は、透光樹脂4と透光樹脂5との間において、搭載面10の方向yの全体にわたって、搭載面10に直接接している。これにより、発光素子2から放たれた赤外光が、光学装置101内を通過し受光素子3に直接入射することが防止される。図1および図5に示すように、遮光樹脂6は、第1面6Aと、一対の第2面6B,6Cと、一対の第3面6D,6Eとを有する。第1面6Aは、方向z1側を向く。第1面6Aは、方向xに沿う長辺がたとえば5mm、方向yに沿う短辺がたとえば2.5mmである。図1、図2に示すように、第1面6Aは、面601第2凹凸面と、面602と、面603第1凹凸面と、面604とを有する。本実施形態においては、面601~604の断面形状は互いに同一である。以下、詳述する。図1、図2に示すように、面601は、第1面6Aのうち、後述の第1開口部61よりも方向x2側に位置する部位である。面601において、遮光樹脂6には複数の溝641が形成されている図5では図示略。各溝641は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝641は、方向yに沿って延びている。面601は、複数の溝641のいずれか一つの溝641を各々が規定し、且つ、当該一つの溝641の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面651aおよび第2溝面651bを有する。各溝641において、第1溝面651aは方向x2側に位置し、第2溝面651bは方向x1側に位置する。すなわち、各溝641において、第1溝面651aは、第2溝面651bよりも第1開口部61から遠い側に位置する。第1溝面651aおよび第2溝面651bはいずれも、方向yに沿って延び且つ平坦である。第1溝面651aは、方向x1側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第1溝面651aは、方向xに対し第1角度θ11で傾斜している。一方、第2溝面651bは、方向x2側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第2溝面651bは方向xに対し第2角度θ12で傾斜している。好ましくは、第1角度θ11,第2角度θ12はそれぞれ、50°~70°である。本実施形態においては、第1角度θ11および第2角度θ12は互いに同一である。図1、図2に示すように、面602は、第1面6Aのうち、方向xにおいて後述の第1開口部61に重なる部位である。面602において、遮光樹脂6には複数の溝642が形成されている図5では図示略。各溝642は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝642は、方向yに沿って延びている。面602は、複数の溝642のいずれか一つの溝642を規定し、且つ、当該一つの溝642の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面652aおよび第2溝面652bを有する。各溝642において、第1溝面652aは方向x2側に位置し、第2溝面652bは方向x1側に位置する。第1溝面652aおよび第2溝面652bはいずれも、方向yに沿って延び且つ平坦である。第1溝面652aは方向x1側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第1溝面652aは、方向xに対し第1角度θ21で傾斜している。一方、第2溝面652bは、方向x2側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第2溝面652bは方向xに対し第2角度θ22で傾斜している。好ましくは、第1角度θ21,第2角度θ22はそれぞれ、50°~70°である。本実施形態においては、第1角度θ21および第2角度θ22は互いに同一である。図1、図2に示すように、面603は、第1面6Aのうち、後述の第1開口部61よりも方向x1側に位置する部位である。更に、面603は、後述の第2開口部62よりも方向x2側に位置する部位である。すなわち、面603は、第1開口部61と第2開口部62との間に位置する。面603において、遮光樹脂6には複数の溝643が形成されている図5では図示略。各溝643は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝643は、方向yに沿って延びている。面603は、複数の溝643のいずれか一つの溝643を規定し、且つ、当該一つの溝643の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面653aおよび第2溝面653bを有する。各溝643において、第1溝面653aは方向x2側に位置し、第2溝面653bは方向x1側に位置する。すなわち、各溝643において、第2溝面653bは、第1溝面653aよりも第1開口部61から遠い側に位置する。第1溝面653aおよび第2溝面653bはいずれも、方向yに沿って延び且つ平坦である。第1溝面653aは、方向x1側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第1溝面653aは、方向xに対し第1角度θ31で傾斜している。一方、第2溝面653bは、方向x2側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第2溝面653bは方向xに対し第2角度θ32で傾斜している。好ましくは、第1角度θ31,第2角度θ32はそれぞれ、50°~70°である。本実施形態においては、第1角度θ31および第2角度θ32は互いに同一である。図1、図2に示すように、面604は、第1面6Aのうち、方向xにおいて後述の第2開口部62に重なる部位である。面604において、遮光樹脂6には複数の溝644が形成されている図5では図示略。各溝644は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝644は、方向yに沿って延びている。面604は、複数の溝644のいずれか一つの溝644を規定し、且つ、当該一つの溝644の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面654aおよび第2溝面654bを有する。各溝644において、第1溝面654aは方向x2側に位置し、第2溝面654bは方向x1側に位置する。第1溝面654aおよび第2溝面654bはいずれも、方向yに沿って延び且つ平坦である。第1溝面654aは、方向x1側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第1溝面654aは、方向xに対し第1角度θ41で傾斜している。一方、第2溝面654bは、方向x2側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第2溝面654bは方向xに対し第2角度θ42で傾斜している。好ましくは、第1角度θ41,第2角度θ42はそれぞれ、50°~70°である。本実施形態においては、第1角度θ41および第2角度θ42は互いに同一である。本実施形態とは異なり、面601~604が上述のような凹凸形状でなく、面601~604のいずれもが平坦な面であってもよい。また、第1面6Aのうち、面603のみが上述のような凹凸形状であって、面603以外の面601,602,604が平坦な面であってもよい。第2面6Bは方向x1側を向き、第2面6Cは方向x2側を向く。第2面6Bからは透光樹脂5が露出している。第2面6Bと面一の露出面5bが透光樹脂5に形成されている。第3面6Dは方向y2側を向き、第3面6Eは方向y1側を向く。第1面6Aを除き、一対の第2面6B,6Cおよび一対の第3面6D,6Eはいずれも、平坦な面である。図1および図2に示すように、遮光樹脂6には、第1開口部61と第2開口部62とが形成されている。第1開口部61および第2開口部62はいずれも、第1面6Aから凹んでいる。第1開口部61の深さ方向および第2開口部62の深さ方向は、いずれも、方向zに一致する。第1開口部61および第2開口部62の深さ寸法は、たとえば、0.42mmである。第1開口部61の最大内径は、たとえば1.3mmである。第2開口部62の方向yに沿う最大内径は、たとえば0.59mmである。第1開口部61からは透光樹脂4が露出している。より具体的には、第1開口部61から、透光樹脂4における光入射面41と平坦面43とが露出している。第1開口部61は透光樹脂4の凸部40を収容している。図5に示すように、第1開口部61を規定する内周壁610を遮光樹脂6は有する。内周壁610は、xy平面視において略円形である。内周壁610との間に、凸部40が隙間を設けて配置されている。内周壁610は、第1開口部61の深さ方向奥側方向z2側になるほど、第1開口部61の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。内周壁610は、方向xにおいて発光素子2から遠くなるほど方向zに対する傾斜角が大きくなっている。より具体的には、図6、図7に示すように、内周壁610は、部分610A,610B,610Cを有する。部分610Aは、部分610B,610Cよりも発光素子2に対して近い。一方、部分610Cは、部分610A,610Bよりも発光素子2に対して遠い。部分610A,610Cは方向xに互いに対向している。そして、部分610Bは、方向xにおいて、部分610A,610C間に位置する。部分610Aは第2部分であり、方向zに対する部分610Aの傾斜角φ11は、ほぼ0°である。部分610Aと部分610Bとの間の部分は、部分610Aから部分610Bにいくにつれて方向zに対する傾斜角が徐々に大きくなる。部分610Bの方向zに対する傾斜角φ12は、傾斜角φ11より大きい。傾斜角φ12は、たとえば、7.5°である。部分610Bと部分610Cとの間の部分は、部分610Bから部分610Cにいくにつれて方向zに対する傾斜角が徐々に大きくなる。部分610Cは第1部分であり、方向zに対する部分610Cの傾斜角φ13は、傾斜角φ11,φ12のいずれよりも大きい。傾斜角φ13は、たとえば15°である。傾斜角φ13は、第1開口部61の深さ寸法や内径などに応じて15°以上としてもよい。図1~図3に示すように、内周壁610は、第1端縁たる端縁611を有する。端縁611は円形状である。端縁611において内周壁610と第1面6Aとがつながる。端縁611は、第1開口部61から露出する透光樹脂4におけるいずれの部位よりも、第1開口部61の深さ方向方向zのうち受光素子3から光入射面41に向かう方向方向z1側に位置する。第2開口部62からは透光樹脂5が露出している。より具体的には、第2開口部62から、透光樹脂5における光出射面51と平坦面53とが露出している。第2開口部62は、透光樹脂5の凸部50を収容している。図5に示すように、第2開口部62を規定する内周壁620を、遮光樹脂6は有する。内周壁620との間に、凸部50が隙間を設けて配置されている。内周壁620は、第2開口部62の深さ方向奥側方向z2側になるほど第2開口部62の開口中心側へと近づく傾斜状の面である。内周壁620の深さ方向に対する傾斜角は、全周にわたり概ね一様な角度である。内周壁620は、部分620A,620Bを有する。部分610Aは、xy平面視円弧状を呈し、光出射面51の最外縁に沿っている。部分620Bは、平坦であり、切り欠き面52Aに対向している。内周壁620は、方向xにおいて受光素子3から遠い側に壁面を形成されずに開放されている。これにより、方向x1に向けて切り欠き面52Bが遮光樹脂6から露出している。図1に示すように、内周壁620は、第2端縁たる端縁621を有する。端縁621の一部は円弧状である。端縁621において内周壁620と第1面6Aとがつながる。端縁621は、第2開口部62から露出する透光樹脂5におけるいずれの部位よりも、第2開口部62の深さ方向方向zのうち発光素子2から光出射面51に向かう方向方向z1側に位置する。図10は、図5から透光樹脂4,5および遮光樹脂6を省略して示す平面図である。同図では、遮光樹脂4,5を想像線で示している。図11は、光学装置101の底面図である。図2、図10、図11に示す配線パターン8は、受光素子用パッド811と、発光素子用パッド812と、複数のワイヤボンディングパッド821と、複数のスルーホール周辺部822と、第1光遮断部83と、第2光遮断部841と、第3光遮断部842と、接続部851と、連絡配線861と、実装端子部88と、を含む。受光素子用パッド811と、発光素子用パッド812と、ワイヤボンディングパッド821と、スルーホール周辺部822と、第1光遮断部83と、第2光遮断部841と、第3光遮断部842と、接続部851と、連絡配線861とは、基材1の搭載面10に形成されている。一方、実装端子部88は、基材1の背面11に形成されている。すなわち、実装端子部88は、第1光遮断部83が形成された側とは反対側にて基材1に形成されている。配線パターン8は、たとえば電解メッキにより形成される。配線パターン8には、樹脂よりなるレジスト層図示略が形成されている場合もある。図10に示す受光素子用パッド811には発光素子3がボンディングされている。発光素子用パッド812には発光素子2がボンディングされている。発光素子用パッド812の面積は、平面視において受光素子用パッド811の面積よりも小さい。各ワイヤボンディングパッド821には、ワイヤ78もしくはワイヤ79がボンディングされている。各ワイヤボンディングパッド821は平面視において略矩形状である。各スルーホール周辺部822は、ワイヤボンディングパッド821につながる。各スルーホール周辺部822は、平面視において略円形状の部分を有する。図12は、図10のXII-XII線に沿う部分拡大断面図である。図10、図12に示す第1光遮断部83は、遮光樹脂6と基材1との間に介在する。図10に示すように、第1光遮断部83は、xy平面視において受光素子2と発光素子3との間に位置する。第1光遮断部83は方向x視において発光素子2を横切る。すなわち、第1光遮断部83の方向y1側の端部は、発光素子2よりも方向y1側に位置し、且つ、第1光遮断部83の方向y2側の端部は、発光素子2よりも方向y2側に位置する。本実施形態では第1光遮断部83は方向yに沿って延びる形状であるが、第1光遮断部83はxy平面視において発光素子用パッド812側に開口する湾曲形状であってもよい。第1光遮断部83には、開口部839が形成されている。本実施形態において開口部839は方向yに延びる形状である。開口部839には、遮光樹脂6の一部が形成されている。遮光樹脂6のうち開口部839に形成された部位は、基材1に接している。遮光樹脂6のうち開口部839に形成された部位は接合部609である。すなわち、遮光樹脂6は、基材1に接合された接合部609を含むといえる。図10では、接合部609にハッチングを付している。第1光遮断部83は、第1部位831と、第2部位832と、連結部833,834と、を有する。第1部位831および第2部位832は互いに離間している。本実施形態においては、第1部位831および第2部位832は、xy平面視において方向xに互いに離間している。第1部位831および第2部位832はいずれも、方向yに沿って帯状に延びる。第1部位831および第2部位832は接合部609を挟んでいる。図12に示すように、第1部位831すなわち第1光遮断部83は、透光樹脂5に覆われた部位を有していてもよい。本実施形態と異なり、第1光遮断部83が透光樹脂5に覆われていなくてもよい。連結部833,834は、接合部609を挟んで互いに離間している。各連結部833,834は、第1部位831と第2部位832とにつながる。第1部位831と、第2部位832と、連結部833,834とが、開口部839を構成している。図13は、図10のXIII-XIII線に沿う部分拡大断面図である。図10、図13に示す第2光遮断部841は、遮光樹脂6と基材1との間に介在する。本実施形態においては、第2光遮断部841は方向xに沿って延びる帯状である。第2光遮断部841は、方向xにおいて発光素子用パッド812に重なる。第2光遮断部841は、発光素子用パッド812の方向y2側に位置する。図13に示すように、第2光遮断部841は透光樹脂5に覆われた部位を有していてもよい。本実施形態と異なり、第2光遮断部841が透光樹脂5に覆われていなくてもよい。好ましくは、第2光遮断部841は第1光遮断部83につながる。図10、図13に示す第3光遮断部842は、遮光樹脂6と基材1との間に介在する。本実施形態においては、第3光遮断部842は方向xに沿って延びる帯状である。第3光遮断部842は、方向xにおいて発光素子用パッド812に重なる。第3光遮断部842は、発光素子用パッド812の方向y2側に位置する。そのため、第3光遮断部842と第2光遮断部841との間に、発光素子用パッド812が位置する。図13に示すように、第3光遮断部842は透光樹脂5に覆われた部位を有していてもよい。本実施形態と異なり、第3光遮断部842が透光樹脂5に覆われていなくてもよい。好ましくは、第3光遮断部842は第1光遮断部83につながる。本実施形態においては、第3光遮断部842は、ワイヤ78がボンディングされたワイヤボンディングパッド821に導通している。そのため、第3光遮断部842につながる第1光遮断部83は、ワイヤ78がボンディングされたワイヤボンディングパッド821に導通している。上述のように、ワイヤ78は発光素子2のカソード電極21にボンディングされている。そのため、第3光遮断部842および第1光遮断部83はいずれも、発光素子2のカソード電極21に導通している。第1光遮断部83は、発光素子2を含む回路におけるグランド電極であってもよい。図10に示すように、接続部851は、受光素子用パッド811と第1光遮断部83とにつながる。連絡配線861は、受光素子3にボンディングされたワイヤ79がボンディングされたワイヤボンディングパッド821と、スルーホール周辺部822とにつながる。連絡配線861は、第1光遮断部83から絶縁されており、且つ、方向xにおいて第1光遮断部83を横切る。図11に示すように、各実装端子部88は、xy平面視において矩形状である。各実装端子部88は、基材1を貫通するスルーホール電極89図2にて一つ示す、その他の図では省略を経由して、スルーホール周辺部822、受光素子用パッド811、もしくは、発光素子用パッド812等に導通している。次に、光学装置101の製造方法について簡単に説明する。図14は、光学装置101の製造方法における一工程を示す平面図である。まず、図14に示すように、基材1を用意する。基材1には配線パターン8が形成されている。次に、同図に示すように、発光素子2および受光素子3を基材1に配置する。次に、ワイヤ78を発光素子2と配線パターン8とに、ワイヤ79を受光素子3と配線パターン8とに、それぞれボンディングする。図15は、図14に続く一工程を示す平面図である。図16は、図15のXVI-XVI線に沿う部分拡大断面図である。図17は、図15のXVII-XVII線に沿う部分拡大断面図である。次に、透光樹脂4,5を形成するためのモールド工程を行う。当該モールド工程を一次モールド樹脂成型工程と称する。一次モールド樹脂成型工程では、まず、図16、図17に示すように、金型701を基材1に押し付ける。金型701は、基材1の搭載面10に対向する平坦面702を有する。図15では、基材1のうち平坦面702と重なる領域にハッチングを付している。金型701を基材1に押し付ける際、平坦面702を、第1光遮断部83に当接させる。このとき図16に示すように、第1光遮断部83に形成された開口部839は平坦面702に塞がれる。同様に、図17に示すように、金型701を基材1に押し付ける際、平坦面702を第2光遮断部841と第3光遮断部842とに当接させる。図18は、図15に続く一工程を示す平面図である。図19は、図18のXIX-XIX線に沿う部分拡大断面図である。図20は、図18のXX-XX線に沿う部分拡大断面図である。次に、図19、図20に示すように、基材1と金型701とに囲まれた空間に樹脂材を注入した後に硬化させる。これにより、受光素子3を覆う透光樹脂4と、発光素子2を覆う透光樹脂5とが形成される。図19に示すように、基材1と金型701とに囲まれた空間に樹脂材を注入する際、開口部839は平坦面702に塞がれているため、当該樹脂材は開口部839に充填されない。そのため、開口部839内には透光樹脂が形成されない。なお、図18にて、基材1のうち透光樹脂4,5が形成されている領域にハッチングを付して示している。次に、透光樹脂4,5と基材1とを覆う遮光樹脂6を、モールド工程を経ることにより形成する。当該モールド工程を二次モールド樹脂成型工程と称する。二次モールド樹脂成型工程を終えると、図12,図13にて示したように、第1光遮断部83と第2光遮断部841と第3光遮断部842とを覆う遮光樹脂6が形成される。また、図19に示したように開口部839内には透光樹脂5が形成されていないため、図12に示すように遮光樹脂6は開口部839内にも形成される。これにより、遮光樹脂6に、基材1と接合する接合部609が形成される。また、図21に示すように、二次モールド樹脂成型工程においては金型7が用いられる。金型7は、第1開口部61の形状に応じた筒状部分70および第2開口部62の形状に応じた筒状部分70を有する。図21には、第1開口部61に対応する筒状部分70のみを示している。筒状部分70は、凸部40の周囲もしくは凸部50の周囲に配置され、樹脂硬化後に遮光樹脂6から取り外される。その結果、凸部40に筒状部分70が接することなく開口部61の内周壁610が形成される。これにより、光入射面41には遮光樹脂6を構成する樹脂が付着することが防止される。同様に、凸部50に筒状部分70が接することなく第2開口部62の内周壁620が形成される。これにより、光出射面51には、遮光樹脂6を構成する樹脂が付着することが防止される。なお、筒状部分70を遮光樹脂6から取り外しやすくするため、上述のように、内周壁610が、第1開口部61の深さ方向奥側方向z2側になるほど第1開口部61の開口中心側へと近づく傾斜状の面となっている。内周壁620に関しても同様である。次に、電子機器801の使用方法について説明する。図22、図23に示すように、発光素子2から放たれた赤外光L11は、光出射面51を通って透光カバー803の方へと進む。更に赤外光L11は、透光カバー803を透過する。同図に示すように透光カバー803に近接している物体891がある場合、透光カバー803を透過した赤外光L11は、物体891にて反射し、再び透光カバー803に向かって進む。そして、物体891にて反射した赤外光L11は、透光カバー803および光入射面41を通り、受光素子3の赤外光検出部32に受光される。このとき、受光素子3の機能素子部33が、透光カバー803に近接する物体891が存在することを示す上述の近接信号を外部に出力する。発光素子2が赤外光L11を放っているときに機能素子部33が近接信号を外部に出力することは、光学装置101が、透光カバー803に近接する物体891を検知したことを意味する。一方、透光カバー803に近接している物体が無い場合、発光素子2から放たれ透光カバー803を透過した赤外光L11は、方向z1にそのまま進む。そのため、発光素子2から放たれた赤外光L11は、受光素子3の赤外光検出部32に受光されない。このとき、受光素子3の機能素子部33は、上述の近接信号を外部に出力しない。発光素子2が赤外光L11を放っているときに機能素子部33が近接信号を出力しないことは、光学装置101が、透光カバー803に近接する物体891を検知していないことを意味する。以上のように、光学装置101は、透光カバー803に近接している物体891の有無を検知する。図22では赤外光L11の進む方向が方向zに沿っているように記載されていないが、実際には、光出射面51を通り物体891にて反射し受光素子3に受光される赤外光L11の進む方向は、ほぼ方向zに沿う。次に、本実施形態の作用効果について説明する。図10、図12に示したように、光学装置101においては、配線パターン8は、第1光遮断部83を含む。第1遮断部83は、遮光樹脂6と基材1との間に介在し、且つ、xy平面視において発光素子2と受光素子3との間に位置する。第1光遮断部83は、方向yにおいて発光素子2を横切る。このような構成によると、発光素子2および受光素子3の間において、遮光樹脂6と基材1とに挟まれた隙間を通って透光樹脂5から透光樹脂4に至る光の経路が、第1光遮断部83に遮られる。そのため、発光素子2および受光素子3の間において、遮光樹脂6と基材1と挟まれた隙間を通って発光素子2からの光が透光樹脂5から透光樹脂4に至ることを防止できる。これにより、発光素子2からの光が、遮光樹脂6と基板1とに挟まれた隙間を通って受光素子3に受光されることを防止できる。したがって、物体891が透光カバー803に近接していないにもかかわらず物体891が近接していると判断される誤検知を、招きにくくすることができる。図10、図12に示したように、光学装置101においては、第1光遮断部83は、互いに離間する第1部位831および第2部位832を含む。遮光樹脂6は、第1部位831と第2部位832とに挟まれ且つ基材1に接する接合部609を含む。このような構成において、遮光樹脂6の一部である接合部609を構成する材料と、基材1を構成する材料との接合力は、遮光樹脂6を構成する材料と配線パターン8を構成する材料との接合力より大きい場合が多い。また、配線パターン8にレジスト層図示略が積層されている場合であっても、接合部609を構成する材料と基材1を構成する材料との接合力は、接合部609を構成する材料と当該レジスト層を構成する材料との接合力より大きい場合が多い。そのため、遮光樹脂6が基材1に接する接合部609を含む構成は、遮光樹脂6を基材1に対しより確実に接合するのに適する。したがって、光学装置101は、遮光樹脂6が基材1から脱離することを防止するのに適する。図10、図13に示したように、光学装置101においては、配線パターン8は、遮光樹脂6と基材1との間に介在する第2光遮断部841を含む。第2光遮断部841は、方向xにおいて発光素子用パッド812に重なる。このような構成によると、透光樹脂5内にて発光素子用パッド812の方向y2側に発光素子2からの光が向かったとしても、遮光樹脂6と基材1とに挟まれた隙間における当該光の通過は、第2光遮断部841に遮られる。そのため、透光樹脂5内にて発光素子用パッド812の方向y2側に発光素子2からの光が向かったとしても、遮光樹脂6と基材1とに挟まれた隙間を通って発光素子2からの光が透光樹脂5から透光樹脂4に至ることを防止できる。そのため、発光素子2からの光が、遮光樹脂6と基材1とに挟まれた隙間を通って受光素子3に受光されることを防止できる。そのため、物体891が透光カバー803に近接していないにもかかわらず物体891が近接していると判断される誤検知を、更に招きにくくすることができる。光学装置101においては、第2光遮断部841は、第1光遮断部83につながる。このような構成によると、第2光遮断部841と第1光遮断部83との隙間を無くすことができる。そうすると、第2光遮断部841と第1光遮断部83との間にて、遮光樹脂6と基材1とに挟まれた隙間を通って、発光素子2からの光が透光樹脂5から透光樹脂4に至ることを防止できる。これにより、発光素子2からの光が、遮光樹脂6と基材1とに挟まれた隙間を通って受光素子3に受光されることを防止できる。そのため、上述の誤検知を、更に招きにくくすることができる。図10、図13に示したように、光学装置101においては、配線パターン8は、遮光樹脂6と基材1との間に介在する第3光遮断部842を含む。第3光遮断部842は、方向xにおいて発光素子用パッド812に重なる。発光素子用パッド812は、方向yにおいて、第2光遮断部841および第3光遮断部842の間に位置する。このような構成によると、第2光遮断部841に関して述べたのと同様の理由により、誤検知を更に招きにくくすることができる。光学装置101においては、第3光遮断部842は、第1光遮断部83につながる。このような構成によると、第2光遮断部841に関して述べたのと同様の理由により、誤検知を更に招きにくくすることができる。光学装置101においては、比較的xy平面視における面積が大きくなりがちな第1光遮断部83は、アンテナとして機能し得る。第1光遮断部83がアンテナとして機能すると、たとえば発光素子2を含む回路に不具合が生じる可能性がある。そのため、第1光遮断部83はグランド電極であることが好ましい。第1光遮断部83がグランド電極であると、第1光遮断部83がアンテナとして機能したとしても、第1光遮断部83の電位は一定であるため、発光素子2を含む回路に不具合が生じにくい。光学装置101において、光出射面51を出た赤外光L11には、透光カバー803に対する入射角が大きくなる光も存在する。図22、図23に示すように、赤外光L11のうち、透光カバー803に対する入射角が大きい光は、透光カバー803を透過せずに透光カバー803の内面で反射し、ノイズ光L12となる。ノイズ光L12の一部は、方向zに対し比較的大きな角をなして、第1面6Aや第1開口部61に向かう。光学装置101において、内周壁610の端縁611は、第1開口部61から露出する透光樹脂4におけるいずれの部位よりも、第1開口部61の深さ方向方向zのうち受光素子3から光入射面41に向かう方向方向z1側に位置する。そのため、遮光樹脂6は、方向zに対し比較的大きな角をなして進むノイズ光L12の一部を、光入射面41に至る前に遮ることができる。これにより、光入射面41を通って受光素子3に達するノイズ光L12の量を低減することができる。受光素子3に達するノイズ光L12の量を低減できると、物体891が透光カバー103に近接していないにもかかわらず物体891が近接していると判断される誤検知を、招きにくくすることができる。光学装置101においては、内周壁610は、第1開口部61の深さ方向方向zに直交する方向方向xに互いに対向する部分610A,610Cを含む。第1開口部61の深さ方向方向zに対する部分610Cの傾斜角φ13は、第1開口部61の深さ方向方向zに対する部分610Aの傾斜角φ11よりも大きい。図23に示すように、第1開口部61の内部にノイズ光L12の一部が進入する。第1開口部61内に進入したノイズ光L12の一部は、部分610Cにて反射する。傾斜角φ13は傾斜角φ11よりも大きいため、部分610Cにて反射するノイズ光L12は、光出射面41から逸れて部分610Aの方へと進む。これにより、部分610Cにて反射したのちに光出射面41に入射するノイズ光L12の量を低減することができる。したがって、受光素子3に達するノイズ光L12の量を低減でき、誤検知を更に招きにくくすることができる。図25は、シミュレーションにより、内周壁610の部分610Cの傾斜角φ13に対し、受光素子3により受光されるノイズ光L12の量を表したグラフである。同図では、傾斜角φ13を0°とした場合の受光素子3の出力レベルを基準値として100としている。同図によれば、傾斜角φ13が15°以上であれば、ノイズ光L12の量が下限レベルまで低減されることが理解される。光学装置101においては、光入射面41は、平坦である。このような構成によると、光入射面41が凸状である場合に比べ、部分610Cにて反射したのちに光出射面41に入射するノイズ光L12の量を低減することができる。光学装置101においては、内周壁620の端縁621は、第2開口部62から露出する透光樹脂5におけるいずれの部位よりも、第2開口部62の深さ方向方向zのうち発光素子3から光出射面51に向かう方向方向z1側に位置する。このような構成によると、光出射面51から透光カバー803に対して大きい入射角となる方向に進む光は、内周壁620により遮られやすい。そのため、受光素子3に受光されるノイズ光L12の量を低減することができ、誤検知を更に招きにくくすることができる。光学装置101においては、切り欠き面52Bは、方向x1に向けて遮光樹脂6から露出している。このような構成では、切り欠き面52Bからも赤外光L11が出射する。そして、切り欠き面52Bから出射した赤外光L11は、内周壁620に当たることなく方向x1に向かってそのまま進む。これによっても、受光素子3に受光されるノイズ光L12の量を低減することができ、誤検知を更に招きにくくすることができる。光学装置101においては、遮光樹脂6は面603を有する。面603は、凹凸面であり、方向z1を向き、且つ、第1開口部61よりも方向x1側に位置する。凹凸面である面603は、ノイズ光L12を、面603にて反射したのちに第1開口部61に向かわせない構成とするのに適する。そのため、第1開口部61に向けて進むノイズ光L12を低減することができる。特に、光学装置101においては、面603において一方向に沿って各々が延びる複数の溝643が遮光樹脂6に形成されている。そして、面603は、複数の溝643のいずれか一つの溝643を規定し、且つ、当該一つの溝643の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面653aおよび第2溝面653bを有する。各溝643において、第2溝面653bは、第1溝面653aよりも第1開口部61から遠い側に位置する。このような構成によると、ノイズ光L12の一部を第1溝面653aにて反射させ、第1開口部61の位置する側とは反対側に向かわせることができる。したがって、第1開口部61に向けて進むノイズ光L12を低減することができる。本実施形態と異なり、面603に微細凹凸形状を形成することにより、面603を凹凸面としてもよい。図24は、シミュレーションにより、光学装置101と透光カバー803との間隔dに対し、傾斜角θ31に応じて受光素子3により受光されるノイズ光L12の量を表したグラフである。同図においては、傾斜角θ31を0とした場合における受光素子3の出力レベルを光ノイズの基準値として1としている。同図によれば、傾斜角θ31を50°,60°,70°とした場合、間隔dが0.25~1mmの範囲内で変化しても、受光素子3により受光されるノイズ光L12の量が効果的に低減されるのが理解される。光学装置101においては、受光素子3は、半導体基板30と、可視光検出部31と、赤外光検出部32とを含む。可視光検出部31および赤外光検出部32はいずれも一つの半導体基板30に設けられている。このような構成によると、可視光検出機能および赤外光検出機能を有する1チップの受光素子3を提供できる。よって、可視光検出機能および赤外光検出機能をそれぞれ個別のチップで実現する場合に比して、受光素子3の小型化を図ることができる。受光素子3の小型化は、光学装置101の小型化を図るのに適する。可視光検出機能および赤外光検出機能を有する1チップの受光素子3を備える構成においては、可視光検出部31に至る光および赤外光検出部32に至る光のいずれもが、光入射面41を通過することになる。そのため、可視光検出部31に至る光が通るための光入射面とは別に、赤外光検出部32に至る光が通るための光入射面を設ける必要がない。このことも、光学装置101の小型化を図るのに適する。光学装置101においては、受光素子3は、赤外光検出部32を覆い且つ赤外光を透過させる積層光学膜34を含む。このような構成によると、受光素子3を透光樹脂4でモールドするときに、可視光検出部31と赤外光検出部32とで個別の樹脂モールド工程を必要としない。しかも、積層光学膜34は、半導体基板30上に薄膜を形成する半導体プロセスによって形成できる。したがって、積層光学膜34を形成するプロセスの追加は容易であり、半導体製造設備を利用できるので、生産コストを圧縮できる。次に、図26を用いて、第1実施形態の変形例について説明する。下記の変形例では光学装置101に関して説明した構成と同一または類似の構成については、上記の符号と同一の符号を付し、その説明を省略する。同図は、第1実施形態にかかる光学装置の変形例を示す平面図である。本変形例にかかる光学装置は、配線パターン8が第3光遮断部842を含まずに第3光遮断部843を含む点、連絡部852を含む点、および、カソード電極21は発光素子用パッド812にボンディングされアノード電極22にはワイヤ78がボンディングされている点、において上述の光学装置101と異なるが、その他の点は同様である。本変形例では、光学装置101における第3光遮断部842と異なり、第3光遮断部843は、ワイヤ78がボンディングされたワイヤボンディングパッド821に導通していない。具体的には以下のとおりである。第3光遮断部843は、遮光樹脂6と基材1との間に介在する。本変形例においては、第3光遮断部843は方向xに沿って延びる帯状である。第3光遮断部843は、方向xにおいて発光素子用パッド812に重なる。第3光遮断部843は、発光素子用パッド812の方向y2側に位置する。そのため、第3光遮断部843と第2光遮断部841との間に、発光素子用パッド812が位置する。第3光遮断部842と同様に、第3光遮断部843は透光樹脂5に覆われた部位を有していてもよいし、第3光遮断部843が透光樹脂5に覆われていなくてもよい。好ましくは、第3光遮断部843は第1光遮断部83につながる。連絡部852は、発光素子用パッド812および第1光遮断部83につながる。本変形例では、連絡部852は方向xに沿って延びる帯状であるが、連絡部852の形状はこの限りでない。連絡部852は、発光素子用パッド812および第1光遮断部83の間に位置し、且つ、透光樹脂5に覆われている。上述のように、カソード電極21は発光素子用パッド812にボンディングされている。そのため、連絡部852および第1光遮断部83はいずれも、発光素子2のカソード電極21に導通している。本変形例においても、第1光遮断部83は、発光素子2を含む回路におけるグランド電極であってもよい。このような構成によっても、光学装置101の利点と同様の利点を得ることができる。なお、上述の配線パターン8にかかる構成を、下記の第2実施形態~第6実施形態にかかる光学装置において採用しても良い。次に、第2実施形態~第9実施形態について説明する。下記の実施形態では、第1実施形態にて説明した構成と同一または類似の構成については、第1実施形態で付した符号と同一の符号を付し、その説明を省略する。<第2実施形態>図27は、第2実施形態にかかる光学装置の断面図である。同図に示す光学装置102においては、溝641~644の断面形状が矩形状である点において、上記の光学装置101と異なる。溝641~644の断面形状が異なる点を除き、光学装置102の各構成は、光学装置101の各構成と同様であるから、説明を省略する。このような構成によっても、第1実施形態と同様に、ノイズ光L12の一部を第1溝面653aにて反射させ、第1開口部61の位置する側とは反対側に向かわせることができる。したがって、第1開口部61に向けて進むノイズ光L12を低減することができる。<第3実施形態>図28は、第3実施形態にかかる光学装置の断面図である。同図に示す光学装置103は、上記の光学装置101と比べ、溝641~644の断面形状が異なる。光学装置103の面601において、溝面651aの方向xに対する傾斜角である第1角度θ11は、溝面651bの方向xに対する傾斜角である第2角度θ12より小さい。光学装置103の面603において、溝面653aの方向xに対する傾斜角である第1角度θ31は、溝面653bの方向xに対する傾斜角である第2角度θ32より大きい。傾斜角θ21と傾斜角θ22は互いに同一である。同様に、傾斜角θ41と傾斜角42は互いに同一である。このような構成によると、面603においては、第1角度θ31は第2角度θ32より大きい。そのため、第1溝面653aにて反射し第2溝面653bに当たるノイズ光L12の量を低減させ、第1溝面653aにて反射した光を、第1開口部61の位置する側と反対側に確実に向かわせることができる。当該構成は、第1開口部61に向けて進むノイズ光L12を低減するのに適する。また、面601において、第1角度θ11は第2角度θ12より小さい。このような構成によると、面603と透光カバー803との間から、面601と透光カバー803との間に進んできたノイズ光L12を、第1溝面651aにて反射させることにより、方向x2側に向かわせることができる。当該構成は、第1開口部61に進むノイズ光L12を低減するのに適する。<第4実施形態>図29は、第4実施形態にかかる光学装置の平面図である。図30は、図29のXXX-XXX線に沿う断面図である。同図に示す光学装置104では、第1面6Aのうち面601~603において、遮光樹脂6に複数の溝646が形成されている。各溝646は、一方向に沿って延びている。本実施形態において各溝646は、第1開口部61の開口中心を中心とする周方向に沿って延びている。面601~603は、複数の溝646のいずれか一つの溝646を各々が規定し、且つ、当該一つの溝646の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面656aおよび第2溝面656bを有する。面603のうち方向yの中央に形成された各溝646において、第1溝面656aは方向x2側に位置し、第2溝面656bは方向x1側に位置する。すなわち、面603のうち方向yの中央に形成された各溝646において、第2溝面656bは、第1溝面656aよりも第1開口部61から遠い側に位置する。以下、面603のうち方向yの中央に形成された第1溝面656a、第2溝面656bについて言及する。第1溝面656aは、方向x1側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第1溝面656aは、方向xに対し第1角度θ61で傾斜している。一方、第2溝面656bは、方向x2側になるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第2溝面656bは方向xに対し第2角度θ62で傾斜している。好ましくは、第1角度θ61,第2角度θ62はそれぞれ、50°~70°である。本実施形態においては、第1角度θ61および第2角度θ62は互いに同一である。第3実施形態のように、第1角度θ61が第2角度θ62より大きくてもよい。このような構成によっても、ノイズ光L12の一部を第1溝面656aにて反射させ、第1開口部61の位置する側とは反対側に向かわせることができる。したがって、第1開口部61に向けて進むノイズ光L12を低減することができる。<第5実施形態>図31は、第5実施形態にかかる光学装置の平面図である。図32は、図31のXXXII-XXXII線に沿う断面図である。同図に示す光学装置105では、第1面6Aのうち面603において、遮光樹脂6に複数の溝647が形成されている。各溝647は、一方向に沿って延びている。なお、図31において、溝647が形成されている領域については、便宜上ハッチングにより示している。本実施形態において各溝647は、方向xに沿って延びている。面603は、複数の溝647のいずれか一つの溝647を各々が規定し、且つ、当該一つの溝647の底を挟んで互いに反対側に位置する第1溝面657aおよび第2溝面657bを有する。各溝647において、第2溝面657bは、第1開口部610の開口中心を通って方向xに沿って延びる仮想直線L15から、第1溝面657aよりも遠い側に位置する。第1溝面657aは、方向yにおいて仮想直線L15から遠ざかるほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第1溝面657aは、方向yに対し第1角度θ71で傾斜している。一方、第2溝面657bは、方向yにおいて仮想直線L15に近づくほど方向z2側に向かうような斜面になっている。第2溝面657bは方向yに対し第2角度θ72で傾斜している。好ましくは、第1角度θ71,第2角度θ72はそれぞれ、50°~70°である。本実施形態においては、第1角度θ71は、第2角度θ72よりも大きい。このような構成によると、第1溝面657aにて反射したノイズ光L12は、xy平面視において、仮想直線L15から離間するように進む。これにより、第1開口部61に進むノイズ光L12の量を低減することができる。<第6実施形態>図33は、第6実施形態にかかる光学装置の斜視図である。図34は、図33のXXXIV-XXXIV線に沿う断面図である。同図に示す光学装置106では、透光樹脂5が遮光樹脂6から方向x1に露出していない点において、上記の光学装置101と異なる。そして、遮光樹脂6の第1面6Aは、第2開口部62よりも方向x1側に位置する面605を有する。本実施形態では、面605には、複数の溝645が形成されている。本実施形態と異なり、面605は、溝が形成されておらず、平坦な面であってもよい。このような構成であっても、光学装置101とほぼ同様の利点を享受することができる。<第7実施形態>図35は、第7実施形態にかかる光学装置における受光素子の平面図である。同図では、受光素子3において、可視光検出部31は、全体にわたって、xy平面視において赤外光検出部32を囲む矩形領域のうち、最も面積の小さい最小矩形領域S11の外部に位置する。また、xy平面視において、赤外光検出部32は、可視光検出部31よりも発光素子2から遠い側に位置する。このような構成によっても、上述の光学装置101と同様の利点を得ることができる。<第8実施形態>図36は、第8実施形態にかかる光学装置の断面図である。同図に示す光学装置108では、受光素子3が可視光検出部を有さないフォトダイオードである点において、上記の光学装置101と異なる。光学装置108は、基材1と、発光素子2と、受光素子3と、照度センサ素子3’と、透光樹脂4,5,999と、遮光樹脂6と、を備える。基材1,発光素子2,透光樹脂4,5、および遮光樹脂6の各構成は、光学装置101における構成とほぼ同様であるから、説明を省略する。照度センサ素子3’は、光学装置101における受光素子3の可視光検出部31と同様の機能を有する。透光樹脂999は、照度センサ素子3’を覆い、遮光樹脂6から露出している。透光樹脂999における遮光樹脂6から露出している部位から、可視光が照度センサ素子3’に入射する。このような構成であっても、第1開口部61に向かって進むノイズ光L12の低減を図ることができる。<第9実施形態>図37は、第9実施形態にかかる電子機器の断面図である。同図に示す電子機器808は、光学装置109が発光素子2と透光樹脂5とを備えていない点において、上記の電子機器801と異なる。その他の点においては上記の光学装置101と同様であるから、説明を省略する。光学装置109は、たとえば、光学装置109とは別体の、発光素子2を備える発光装置301とともに用いられることにより、近接センサとして機能する。このような構成であっても、第1開口部61に向かって進むノイズ光L12の低減を図ることができる。本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。"