前面基板と背面基板とを封着する工程と、前記前面基板と前記背面基板との間に形成された内部空間に第1の放電ガスを導入し、前記内部空間の圧力が外圧よりも高い状態で、前記内部空間で放電を発生させるエージング工程と、前記第1の放電ガスを排気した後に、前記内部空間に第2の放電ガスを導入する工程とを含む、プラズマディスプレイパネルの製造方法。前記前面基板および前記背面基板のうち少なくとも一方に複数の隔壁を備え、前記エージング工程において、前記前面基板および前記背面基板の少なくとも一方を変形させ、前記前面基板および前記背面基板の少なくとも一方と、前記複数の隔壁のそれぞれとの間に間隙を設けた状態で、放電を発生させる、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記エージング工程において、前記内部空間の圧力と外圧との差が、20Torr以上200Torr以下に調整される、請求項1または2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記エージング工程において、前記圧力が大気圧よりも高い、請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記エージング工程において、前記外圧が大気圧よりも低い、請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記第2の放電ガスを導入する工程の後、前記内部空間を封止する工程をさらに含み、前記封止する工程後の前記内部空間の圧力が外圧よりも小さい、請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記第1の放電ガスおよび前記第2の放電ガスが、それぞれキセノンガスを含み、前記第1の放電ガスに含まれるキセノンガスの濃度が、前記第2の放電ガスに含まれるキセノンガスの濃度よりも小さい、請求項1から6のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記第1の放電ガスに含まれるキセノンガスの濃度が、体積比1以上5未満である、請求項7に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記前面基板および前記背面基板のうち少なくとも一方に保護層を備え、前記第1の放電ガスの前記保護層に対するスパッタリングレートが、前記第2放電ガスの前記保護層に対するスパッタリングレートよりも高い、請求項1から8のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記第1の放電ガスが、ネオンガス、アルゴンガスおよびクリプトンガスの少なくとも1種を含み、請求項1から9のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記前面基板と背面基板とを封着する工程において、非酸化性雰囲気で封着する、請求項1から10のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記前面基板および前記背面基板のうち少なくとも一方に格子状に配置された複数の隔壁を備え、前記複数の隔壁のうち行方向に延びる隔壁の、前記前面基板または前記背面基板からの高さが、前記複数の隔壁のうち列方向に延びる隔壁の、前記前面基板または前記背面基板からの高さと等しい、請求項1から11のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記前面基板および前記背面基板のうち少なくとも一方に保護層を備え、前記保護層が酸化セリウムと、11.8mol以上49.4mol以下のストロンチウムとを含有する結晶性膜から構成されている、請求項1から12のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。前記プラズマディスプレイパネルは、水平画素数が3500以上、かつ垂直画素数が1500以上である、請求項1から13のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。残像または発光ムラを低減するという観点から、エージング工程の際に、PDP全体に渡って均一なエージングを行なうことが望まれている。しかしながら、従来のPDPの製造方法は、所望の均一なエージングを実現することが困難であるという課題を有していた。したがって、本発明は、高い均一性でエージングを行なうPDPの製造方法を提供することを目的とする。本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板と背面基板とを封着する工程と、前面基板と背面基板との間に形成された内部空間に第1の放電ガスを導入し、内部空間の圧力が外圧よりも高い状態で、内部空間で放電を発生させるエージング工程と、第1の放電ガスを排気した後に、内部空間に第2の放電ガスを導入する工程とを含む。本発明は、PDPの内部空間の圧力が外圧よりも高い状態でエージングを行なうことにより、各放電セルに対して高い均一性のエージングを行なえるPDPの製造方法を提供する。これにより、良好な画像表示特性を有するPDPが実現される。以下、本発明の実施の形態に係るPDPの例について、図面を参照して説明する。ただし、これは例示に過ぎず、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではない。[本実施の形態に係るPDPの構成]図1は、本実施の形態に係るPDPの構成の一例を説明するための模式的な分解斜視図である。なお、図1は、PDP100の構成の一部を示しているに過ぎない。PDP100は、前面基板1と、背面基板2とを備える。前面基板1と背面基板2は互いに対向している。以下、内面は、背面基板2に対向する前面基板1の面、または前面基板1に対向する背面基板2の面を意味する。他方、外面は、背面基板2に対向していない前面基板1の面、または前面基板1に対向していない背面基板2の面を意味する。また、内部空間13は、前面基板1と背面基板2とが封着された際に、前面基板1と背面基板2との間に形成される空間を意味する。具体的には、内部空間13は、図3に示されるように、前面基板1と背面基板2とPDP100の周縁に形成される封着部12とによって囲まれる領域を意味する。他方、外部空間は、前面基板1および背面基板2の外面側の空間を意味する。PDP100は、前面基板1の内面側に、第1の行電極4aおよび第2の行電極4bから構成される行電極対4と、行電極対4を被覆する誘電体層5と、誘電体層5を被覆する保護層6とを備える。第1の行電極4aおよび第2の行電極4bは、それぞれ透明電極3aとバス電極3bとを具備する。透明電極3aは、例えば酸化インジウムスズITOから構成される。バス電極3bは、例えば銀Agなどから構成される。誘電体層5は、例えば低融点ガラスなどから構成される。保護層6は、例えば酸化マグネシウムMgOから構成される。PDP100は、背面基板2の内面側に、列電極8と、列電極8を被覆する列電極保護層7と、列電極8および列電極保護層7上に設けられた複数の隔壁9と、少なくとも列電極保護層7上に設けられた蛍光体層10とを備える。複数の隔壁9は、前面基板1と背面基板2との間に形成される内部空間13を仕切り、複数の放電セル11を画定する。複数の隔壁9は、格子状、ミアンダ状、またはストライプ状などの形状で配置される。放電セル11は、その内部に放電空間を有する。各放電セル11内の放電空間は、PDP100の内部空間13を構成する。列電極8は、放電空間を隔てて、行電極対4と立体交差する方向に延びている。各放電セル11に、赤色用、緑色用、および青色用の蛍光材料のうちいずれか1つを含有する蛍光体層10が設けられている。すなわち、複数の放電セル11は、赤色用の放電セル11、緑色用の放電セル11、または青色用の放電セル11から構成される。各放電セル11の放電空間内に、放電ガスが封入されている。放電ガスは、例えば、体積比5以上15以下のキセノンXeガスと、ネオンNeガスとを含む混合ガスである。放電空間内で放電が発生すると、放電ガスに含まれるXeガスが、真空紫外線波長147nm程度を放出する。真空紫外線は、放電セル11内の蛍光体層10中の蛍光材料を励起する。励起された蛍光材料は、赤色、緑色、または青色の可視光を放出する。このようにしてPDP100は、カラー表示を行う。なお、上記説明では、図1に示されるように、前面基板1上に配置された構成と、背面基板2上に配置された構成とについて別々に説明した。しかし、各構成の配置はこれに限定されない。背面基板2上の配置されるものとして説明された構成が、前面基板1上に配置されていてもよく、その逆であってもよい。例えば、複数の隔壁9の一部または全部が、前面基板1上に形成されていてもよい。要するに、前面基板1と背面基板2とが封着された構造体において、各構成が前面基板1と背面基板2との間に介在していればよい。[本実施の形態に係るPDPの製造方法]図2は、本実施の形態に係るPDPの製造方法を説明するための工程フローチャートである。以下、図2を参照しながら、本実施の形態に係るPDPの製造方法の一例について、工程毎に説明する。前面基板1を作製する工程前面基板1を作製する工程S1について説明する。本工程S1は、例えば、前面基板1上に行電極対4を形成する工程と、行電極対4を被覆する誘電体層5を形成する工程と、誘電体層5を被覆する保護層6を形成する工程とを含む。さらに、行電極対4を形成する工程は、透明電極3aを形成する工程と、バス電極3bを形成する工程を含む。行電極対4を形成する工程で、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。誘電体層5を形成する工程で、例えばスクリーン印刷法が用いられる。背面基板2を作製する工程背面基板2を作製する工程S2について説明する。本工程S2は、例えば、背面基板2上に列電極8を形成する工程と、列電極8を被覆する列電極保護層7を形成する工程と、列電極保護層7上に複数の隔壁9を形成する工程と、複数の隔壁9間に蛍光体層10を形成する工程とを含む。列電極8を形成する工程で、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。列電極保護層7を形成する工程で、例えば、スクリーン印刷法が用いられる。複数の隔壁9を形成する工程で、例えば、サンドブラスト法が用いられる。蛍光体層10を形成する工程で、例えば、蛍光体ペーストを塗布し、焼成する方法が用いられる。以下の工程は、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施の形態に係るPDPの製造装置の構成の一例を説明するための模式図である。製造装置200は、排気装置20と、第1の放電ガス導入装置21と、第2の放電ガス導入装置22と、駆動回路23とを備える。製造装置200には、PDP100が設置される。以下、PDP100は、説明の便宜上、前面基板1と背面基板2とを封着した構造体を意味する。すなわち、この定義を満たすものは、例えば放電ガスがまだ導入されていなくても、PDP100と呼ばれる。PDP100は、前面基板1と背面基板2と封着部12内とによって囲まれる領域に、内部空間13を有する。なお、図3において、内部空間13中の種々の構成は簡便のため省略されている。PDP100は、後述するように、排気管14と接続されている。排気管14は、排気用の接続冶具16aによって、排気用の配管17aの一端と接続されている。排気用の配管17aの他端は、排気用のバルブ18aを介して排気装置20に接続されている。PDP100は、後述するように、導入管15と接続されている。導入管15は、ガス導入用の接続冶具16bによって、ガス導入用の配管17bの一端に接続されている。ガス導入用の配管17bの他端は、二股に分かれている。二股に分かれた配管17bの一方は、第1の放電ガス導入用のバルブ18bを介して第1の放電ガス導入装置21に接続されている。二股に分かれた配管17bの他方は、第2の放電ガス導入用のバルブ18cを介して第2の放電ガス導入装置22に接続されている。第1の放電ガス導入装置21に接続される配管17bに、加熱器19が設けられている。加熱器19は第1の放電ガス導入装置21から導入される第1の放電ガスを加熱する。第1の放電ガス導入装置21は、PDP100の内部空間13の圧力を調整するためのポンプ図示せずを有する。PDP100の行電極対4図示せずは、駆動回路23と電気的に接続されている。駆動回路23は、行電極対4に電圧を印加できる。電圧が印加された行電極対4は、PDP100の内部空間13で放電を発生させる。なお、図3は、本実施形態に係るPDPの製造方法の一例を説明するための図である。したがって、製造装置200は、図3以外の構成であってもよい。例えば、1本の管が、排気管14および導入管15の双方の機能を果たす構成として共用されていてもよい。また、1つの放電ガス導入装置が、第1の放電ガス導入装置21および第2の放電ガス導入装置22の双方の機能を果たす構成として共用されていてもよい。前面基板1と背面基板2とを封着する工程前面基板1と背面基板2とを封着する工程S3について説明する。本工程S3は、例えば、背面基板2上の周縁部に封着材12aを塗布する工程と、前面基板1と背面基板2とを重ね合わせる工程と、封着材12aを加熱する工程とを含む。封着材12aは、例えばガラスフリットと有機溶剤とを含有するペーストである。前面基板1と背面基板2とを重ね合わせる工程では、行電極対4と列電極8とが放電空間を隔てて立体交差するように、両基板が重ね合わされる。封着材12aを加熱する工程では、パネル用ヒーター図示せずが、PDP100を加熱する。パネル用ヒーターの設定温度は、封着材12aに含まれるガラスフリットの温度が軟化点以上の温度例えば、420°C以上500°C以下となるように、調節される。加熱によって、封着材12aのうち、有機溶剤は揮発し、ガラスフリットは軟化または流動化する。この状態は、所定時間例えば、1時間程度維持される。その後、パネル用ヒーターの設定温度は、ガラスフリットの温度がガラスフリットの軟化点未満の温度例えば、300°C以上420°C未満となるように、調節される。これにより、軟化したガラスフリットが硬化および緻密化し、封着部12となる。なお、本工程S3は、望ましくは、非酸化性雰囲気下で行なう。非酸化性ガスは、二酸化炭素などの気体の発生を抑制する。これにより、保護層6の状態が良好に保たれる。良好な状態の保護層6はPDP100の動作電圧を低減させる。本工程S3と並行して、または個別に、背面基板2に排気管14および導入管15を連結する工程が行なわれてもよい。連結箇所に、例えば上記の封着材12aと同様の材料が用いられる。この工程により、排気管14の内部がPDP100の内部空間13と連通し、導入管15の内部がPDP100の内部空間13と連通する。なお、以上の工程S1~S3で形成されるものとして説明した構成は、少なくとも本工程S3後に、前記前面基板1と前記背面基板2との間に介在していればよい。したがって、上記で説明した工程S1~工程S3に係る各工程は、適宜入れ替え可能である。例えば、工程S1が複数の隔壁9を形成する工程を含んでもよい。あるいは、工程S2が、封着部12の一部を形成する工程を含んでいてもよい。真空ベーキング工程前面基板1と背面基板2とを封着する工程S3の後に、適宜、真空ベーキング工程が行なわれてもよい。真空ベーキング工程とは、PDP100を加熱しながら、真空排気する工程である。まず、パネル用ヒーターが、PDP100を加熱する。パネル用ヒーターの設定温度は、前工程S3で封着したガラスフリットが軟化しない程度の温度例えば、300°C程度となるように、調節される。この加熱により、PDP100の内部空間13中の構造物の表面に吸着している不純物が脱離する。構造物とは、保護層6、隔壁9、蛍光体層10などである。不純物とは、水分、炭化水素、酸素、有機物などである。加えて、第1のガス導入用のバルブ18bおよび第2のガス導入用のバルブ18cが閉じており、かつ排気用のバルブ18aが開いている状態で、PDP100の内部空間13のガスが、排気装置20へと排気される。これにより、脱離した不純物がPDP100の外へ排出される。本工程により、保護層6から不純物が除去される。不純物の付着が少ない保護層6は、PDP100の動作電圧を低減させる。なお、本工程が行なわれない場合、PDP100の製造工程は簡略化される。製造工程の簡略化は、製造設備のコストを削減する。他方、本工程が行なわれる場合、PDP100の内部空間13に吸着している不純物がより確実に除去される。前面基板1と背面基板2とを封着する工程S3および真空ベーキング工程は、一連の工程として行なわれてもよい。まず、パネル用ヒーターがPDP100を加熱する。次に、ガラスフリット温度がガラスフリットの軟化点以上となったところで、排気装置20が、PDP100の内部空間13のガスを真空排気し始める。このとき、軟化したガラスフリットが真空排気によって流れないように、パネル用ヒーターの設定温度および排気装置20の排気速度が調整される。そして、所定時間経過後に、ガラスフリットの温度がガラスフリットの軟化点未満となるように、パネル用ヒーターの設定温度が調整される。その後、引き続き真空ベーキング工程が行なわれ、不純物が内部空間13から排出される。第1の放電ガスを導入してエージングを行なう工程第1の放電ガスを導入してエージングを行なう工程S4について説明する。本工程は、第1の放電ガスを導入する工程と、内部空間13で放電を発生させるエージング工程と、第1の放電ガスを排気する工程とを含む。これらの工程は、順次、または一部を並行して行われる。第1の放電ガスを導入する工程では、第1のガス導入用のバルブ18bが開いている状態で、第1の放電ガスが、第1の放電ガス導入装置21からPDP100の内部空間13へ導入される。第1の放電ガスは、望ましくは、第1の放電ガスの保護層6に対するスパッタリングレートが、第2の放電ガスの保護層6に対するスパッタリングレートよりも高くなるように、選択される。第2の放電ガスがXeガスを含有する混合ガスである場合、第1の放電ガスは、望ましくは、第2の放電ガスよりもXeガスの分圧が低い混合ガスである。第1の放電ガスは、より望ましくは、体積比1以上5未満のXeガスを含む混合ガスである。Xeガスの分圧が低い混合ガスは、エージング工程における駆動電圧の低減を可能にする。低い駆動電圧でエージング工程が行なわれた場合、PDP100の内部空間13中の構造物に対する負担が低減される。また、第1の放電ガスは、望ましくは、ネオンNeガス、アルゴンArガスおよびクリプトンKrガスのうち少なくとも1種を含む。例えば、第2の放電ガスに比べてXeガスの分圧を低くした分、第2の放電ガスに比べてArガスの分圧を高く調製された混合ガスが、第1の放電ガスとして選択される。これらのガス種は、エージング工程において、PDP100の内部空間13中の構造物の表面に吸着している不純物を効率的にスパッタリングする。効率的なスパッタリングは、エージング時間の短縮化を可能にする。望ましくは、第1の放電ガスが、加熱器19によって加熱される。加熱された第1の放電ガスは、PDP100の内部空間13中の構造物を温める。温められた構造物に吸着している不純物は、エージング工程において、効率的に構造物から脱離する。エージング工程では、PDP100の内部空間13中の構造物に対して、所定時間エージング活性化が行なわれる。駆動回路23が、PDP100の行電極対4に、駆動電圧を印加する。引加された駆動電圧が、PDP100の内部空間13で放電を引き起こす。放電により、PDP100の内部空間13中の構造物がエージングされる。エージング工程において、第1の放電ガスのうち放電によってイオン化されたガスは、内部空間13中の保護層6などの構造物に吸着している不純物をスパッタする。スパッタリングによって、構造物から不純物が脱離する。本工程によって保護層6に付着する不純物が低減された場合、PDP100の動作電圧が低減される。なお、エージング工程は、内部空間13を密閉された状態で行なわれてもよい。あるいは、後述するように、内部空間13に第1の放電ガスが連続的に流れた状態で行なわれてもよい。エージング工程は、PDP100が陽圧の状態で行なわれる。陽圧の状態とは、PDP100の内圧が外圧よりも高い状態を意味する。内圧は、内部空間13の圧力を意味する。外圧は、外部空間の圧力を意味する。内圧と外圧の差が、前面基板1および背面基板2の少なくとも一方を変形させる。この変形により、前面基板1および背面基板2の少なくとも一方と、複数の隔壁9のそれぞれとの間に間隙が設けられる。この間隙を介して、内部空間13に導入された第1の放電ガスが、PDP100の内部空間13中の複数の放電セル11に渡って均一に充填される。均一に充填された第1の放電ガスは、均一性の高いエージングを実現する。均一性の高いは、PDP100全体に渡る複数の放電セル11において、エージング時の条件のばらつきが少ない状態を意味する。均一性の高いエージングが行なわれたPDP100は、良好な画像表示特性を示す。なお、均一性の高さは、エージングを行なう時間によっても影響を受ける。エージングの時間は、所望の均一なエージングが達成されるように設定される。所望のは、PDP100の設計や製造条件などによって異なることを意味する。いくつかの例については後述する。いずれにせよ、本実施の形態に係るPDPの製造方法は、従来の方法に比べて、同じエージング時間において均一性がより高い、もしくは同一の均一性を達成するために要する時間がより短い、または、より短い時間で均一性がより高いエージングを実現する。内圧と外圧の差を設けるために、望ましくは、内圧を大気圧よりも高くする。例えば、第1の放電ガスを導入する工程の際に、内部空間13中の第1の放電ガスの圧力が大気圧以上となるように調整される。あるいは、内圧と外圧の差を設けるために、望ましくは、外圧を大気圧よりも低くする。例えば、減圧容器図示なしの中にPDP100が配置された状態で、減圧容器内の圧力が大気圧以下となるように調整される。なお、均一性の高いエージングを行なう観点から、望ましくは、内圧と外圧の差は、20Torr以上200Torr以下に調整される。エージング工程を行なった後、第1の放電ガスを排気する工程が行なわれる。本工程では、第1のガス導入用のバルブ18bが閉じており、かつ排気用のバルブ18aが開いている状態で、第1の放電ガスが、PDP100の内部空間13から排気装置20へ排気される。排気される第1の放電ガスは、エージング工程で脱離された不純物を含んでいる。第1のガスを排気する工程の後、再度真空ベーキング工程が行なわれてもよい。これにより、スパッタリングによって脱離した後に再付着した不純物が、より確実に排気される。なお、第1の放電ガスを導入する工程、エージング工程、および第2の放電ガスを導入する工程は、一部を並行して一連の工程として行なわれてもよい。まず、排気用のバルブ18aおよび第1のガス導入用のバルブ18bが開いている状態で、第1の放電ガスが、第1の放電ガス導入装置21からPDP100の内部空間13を経て排気装置20へと、流される。このとき、排気用のバルブ18aの開度、第1のガス導入用のバルブ18bの開度、排気装置20の排気速度、および第1の放電ガス導入装置21内のポンプの圧力は、PDP100の内圧が外圧よりも高くなるように、調整される。すなわち、第1の放電ガスは、PDP100の内圧が高い状態で、内部空間13を連続的に流れている。この状態で、所定時間エージング工程が行なわれる。その後、第1のガス導入用のバルブ18bが閉められ、内部空間13に残余している第1の放電ガスが排気される。第2のガスを導入する工程第2の放電ガスを導入する工程S5について説明する。本工程S5では、第2のガス導入用のバルブ18bが閉じている状態で、第2の放電ガスが、第2の放電ガス導入装置22からPDP100の内部空間13へ導入される。第2の放電ガスは、望ましくは、PDP100が常温まで冷却された後に、導入される。第2の導電ガスは、例えば、Xeガスを含有する混合ガスである。第2の放電ガスは、前工程で排気された第1の放電ガスから不純物を除去したガスが再利用されたものでもよい。ガスの再利用は、製造コストの削減を可能にする。第2の放電ガスは、より望ましくは、体積比5以上20以下のXeガスを含む混合ガスである。これは、変換効率を向上させるとともに、動作電圧の上昇を抑制するためである。例えば、第2の放電ガスは、前工程で排気された第1の放電ガスから不純物を除去したガスに、さらにXeガスを混合したものでもよい。なお、本実施の形態に係るPDPの製造方法は、エージング工程と、第2の放電ガスを導入する工程S5とを別工程としている。すなわち、エージング工程で汚染された第1の放電ガスとは別に、新たに第2の放電ガスが導入される。したがって、汚染された放電ガスが画像表示特性に与える悪影響が抑制される。また、第1の放電ガスとしてエージングを効率的に行なうためのガス種が、第2の放電ガスとして発光効率が高いガス種が、それぞれ独立して選択され得る。第1の放電ガスおよび前記第2の放電ガスが、それぞれXeガスを含む場合、望ましくは、第2の放電ガスに含まれるキセノンガスの濃度が、第1の放電ガスに含まれるキセノンガスの濃度よりも高い。ここで、濃度とは、内部空間13中のガスに対する体積比体積パーセントを意味する。キセノンガスの濃度が低い第1の放電ガスはエージング工程において効率的に不純物をスパッタリングし、キセノンガスの濃度が高い第2の放電ガスはPDP100の発光効率を高める。第2の放電ガスを導入する工程S5の後、内部空間13を封止する工程が行なわれる。具体的には、本工程で、排気管14および導入管15が封止される。封止する工程後の第2の放電ガスの内圧と外圧との差は、望ましくは、エージング工程中の第1の放電ガスの内圧と外圧との差よりも小さい。これにより、封止する工程後の前面基板1および背面基板2の変形が抑制される。封止する工程後の第2の放電ガスの内圧は、より望ましくは、外圧よりも小さい。PDP100に働く外圧が、前面基板1および背面基板2の密着性を向上させる。これにより、画質が向上し、駆動時に発生するノイズ雑音の発生が抑制される。具体的には、周期的な動作電圧によって引き起こされる、前面基板1と背面基板2間の振動が抑制される。なお、本実施の形態に係るPDPの製造方法は、エージング工程と、第2の放電ガスを導入する工程S5とを別工程としている。そのため、エージング工程において高い均一性でエージングを行なうための内圧が、封止する工程において完成時のPDP100に適した内圧が、それぞれ独立して選択され得る。なお、封止する工程の後で、再度エージング工程が行なわれてもよい。この工程によって、PDP100の放電特性および発光特性がさらに安定化する。以上の工程により、PDP100が製造される。[本実施の形態に係るPDPの製造方法の適用例]適用例1図1は、格子状に配置された複数の隔壁9のうち、行方向行電極対4に平行な方向に延びる隔壁9の高さが、列方向列電極8に平行な方向に延びる隔壁9の高さよりも低い例について示している。しかしながら、本実施の形態に係るPDPの製造方法は、行方向に延びる隔壁9の高さが、列方向に延びる隔壁9の高さと等しいPDP100に対しても適用され得る。ここで、隔壁9の高さは、前面基板または背面基板からの高さを意味する。複数の隔壁9の高さが等しいPDP100は、放電セル11の密閉性が高いため、隣接する放電セル11間での放電漏れクロストークを低減し、放電効率を向上させる。従来のPDPの製造方法において、高さの等しい格子状に配置された複数の隔壁9いわゆる、ボックスリブを有するPDP100は、他の隔壁9の形状に比べて、エージング工程に長い時間を要するという問題を有していた。これは、ボックスリブが、他の隔壁9の形状に比べて、密閉性が高く、放電セル11間を流れる放電ガスの流路を制限するためである。なお、他の隔壁9の形状とは、例えば、行方向の隔壁9の高さおよび列方向の隔壁9の高さのいずれか一方が低い格子状、またはストライプ状などである。本実施の形態に係るPDPの製造方法は、陽圧の状態でエージングが行なわれることにより、当該課題を解決する。陽圧の状態では、前面基板1および背面基板2の少なくとも一方と各隔壁9との間に間隙が生じる。この間隙が、各隔壁9に設けられた流路に加えて、新たな流路として働く。そして、この新たな流路は、隔壁9の形状に依存しない。したがって、本実施の形態に係るPDPの製造方法は、高い密閉性の放電セル11を有するPDP100に対しても、従来の製造方法に比べて短時間で均一性の高いエージングを可能にする。適用例2本実施の形態に係るPDPの製造方法は、画素数の多いPDP100に対しても適用され得る。ここで、画素数の多いPDP100は、水平画素数が3500以上、かつ垂直画素数が1500以上であるPDP100を意味する。画素数の多いPDP100は、いわゆる4K2K4000×2000、または8K4K8000×4000などと呼ばれるPDPを含む。画素数の多いPDP100は、PDP100を大画面化する設計思想、または放電セル11の面積を微細化する設計思想などの下で、製造される。しかし、従来のPDPの製造方法は、画素数の増大に伴って、一定の関係でエージング工程に要する時間が長くなるという課題を有していた。また、微細化された放電セル11に対してエージングを行なう場合、各放電セル11の放電空間が小さくなるために、均一なエージングを行なうことが極めて困難であった。本実施の形態に係るPDPの製造方法は、陽圧の状態でエージングが行なわれることにより、これらの課題を解決する。陽圧の状態において、前面基板1および背面基板2の少なくとも一方と各隔壁9との間に間隙が生じる。この間隙が放電ガスの新たな流路として機能する。そのため、従来の方法に比べて、エージング時間が短縮される。さらに、この間隙は放電セル11のサイズに依存することなく確保される。そのため、微細化された放電セル11に対しても均一に放電ガスが充填される。したがって、本実施の形態に係るPDPの製造方法は、大画面または高精細のPDP100に対しても、従来の製造方法に比べて短時間で均一性の高いエージングを可能にする。適用例3本実施の形態に係るPDPの製造方法は、保護層6に種々の材料を用いたPDP100に対しても適用され得る。特に、効率的なエージング工程が、不純物の付着による保護層6の劣化を抑制する。保護層6は、主成分である酸化セリウムCeO2と、11.8mol以上49.4mol以下のストロンチウムSrとを含有する結晶性膜から構成されてもよい。この結晶性膜は、全体として、CeO2の微結晶構造および結晶構造の少なくともいずれかを有する。この結晶性膜は、高い二次電子放出特性と電荷保持特性を有する。しかしながら、この結晶性膜は、表面に付着した不純物特に、炭化水素などによって2次電子放出特性が劣化するという問題を有していた。本実施の形態に係るPDPの製造方法は、エージング工程で結晶性膜上の不純物を効率的に除去することにより、当該課題を解決する。加えて、第1の放電ガスを排出する工程によって、結晶性膜への不純物の再付着が抑制される。その結果、結晶性膜の本来の特性が発揮され、PDP100の動作電圧が低減される。さらに、CeO2を含む保護層6は、MgOを含む保護層6に比べて、エージング工程に要する時間が長くなるという課題を有していた。この課題に対して、11.8mol以上49.4mol以下のストロンチウムSrは、CeO2を含む保護層6のエージング時間の長時間化を抑制する。それに加えて、本実施の形態に係るPDPの製造方法は、さらなるエージング時間の短縮を実現する。図4は、本実施の形態に係るPDPの製造方法の実施例および参考例の実験データを示す図である。サンプル1、2は、42インチのPDPであり、サンプル3、4は50インチのPDPである。サンプル1は画素ピッチが225μmであり、サンプル2は160μmであり、サンプル3および4は、95μmである。サンプル1~3は、第1の放電ガスが導入された後、陽圧の状態でエージング工程が行なわれた。本実施例における陽圧の状態は、PDPの外部との圧力差が01atm程度である。サンプル4は、第1の放電ガスを導入した後、内圧が外圧より低い状態でエージング工程を行なった。サンプル1~4のエージング時間は、それぞれ1.5h、2.0h、3.0h、3.5hとした。エージング工程は、各サンプルに駆動電圧を印加し、画面の発光のちらつきが目視で見られなくなるまで行なった。したがって、エージング時間は、エージング工程を始めてから、画面の発光のちらつきがなくなるまでの時間である。その後、第1の放電ガスを排気し、第2の放電ガスを導入し、PDPを封止した。以上の工程により作製されたサンプル1~4に対して、駆動電圧を0.5h印加した。その後、目視にて画像表示の均一性について評価した。図4に示されるとおり、陽圧の状態でエージング工程が行なわれたサンプル1~3は、均一性の高い画像表示特性を示した。サンプル1~3を比較すると、画素ピッチが小さくなるにつれて、エージング時間が大きくなることが分かる。これは、画素ピッチが小さくなるにつれて放電セルの数が増加し、多くの放電セルを有するPDPは、均一に点灯させるまでに長時間を要するためである。図4に示されるとおり、内圧が外圧より低い状態でエージングが行なわれたサンプル4は、長時間エージングが行なわれたにも関わらず、均一性の高い画像表示特性が得られなかった。サンプル3、4を比較すると、同一の画素ピッチのPDPであっても、エージング工程が陽圧の状態で行なった方が、均一性の高い画像表示特性を作製できることが分かる。以上の測定により、本実施の形態に係るPDPの製造方法によって作製されたPDPが良好な画像表示特性を有することが示された。