半導体チップと接続させる接続部を有する基材を備えたリード部品であって、前記基材上の前記接続部を含む所定領域に、Zn接合材、Al接合材を前記基材側より順次積層し圧延されてクラッド接合されてなるはんだ材を有し、さらに前記Al接合材の表面が、Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Ptのうちの1種又は2種以上からなる金属薄膜で覆われていることを特徴とするリード部品。前記Zn接合材は、Zn-Al系接合材からなる請求項1に記載のリード部品。前記基材と前記はんだ材との間に、Ti、Pt、Pd、Niのうちの1種からなる金属層、又はこれらのいずれかを含む合金層が形成されている請求項1または2に記載のリード部品。前記接続部が、前記半導体チップとの接続面側に凸型となるよう形成されている請求項1~3のいずれかに記載のリード部品。請求項1~4のいずれかに記載のリード部品と、該リード部品の接続部を含む所定領域に接続される半導体チップとを備えた半導体パッケージ。前記半導体チップが、表面にエミッタ電極とゲート電極とを有し、裏面にコレクタ電極を有するパワー半導体チップであり、前記エミッタ電極、前記ゲート電極、前記コレクタ電極のうちの少なくとも一つの電極が前記リード部品の前記所定領域に接続されている請求項5に記載の半導体パッケージ。半導体チップと接続させる接続部を有する基材を備えたリード部品の製造方法であって、前記基材上に、Zn接合材、Al接合材、およびAu、Ag、Cu、Ni、Pd、Ptのうちの1種又は2種以上からなる金属薄膜材を、前記基材側より順次積層してはんだ部を形成する工程と、前記はんだ部を前記基材とともに圧延してクラッド接合する工程と、を含むことを特徴とするリード部品の製造方法。前記クラッド接合したはんだ部のうち、前記基材上の前記接続部を含む所定領域以外の領域のはんだ部をエッチング除去して、前記半導体チップと接続させる前記接続部を形成する工程をさらに含む請求項7に記載のリード部品の製造方法。半導体チップのリードフレームとの接続では、はんだ材をリードフレーム上に個別に供給して半導体チップを載せ、リフローすることで接続を得る。しかし、はんだ材を所定の位置にセットするのに手間がかかる場合がある。また、せっかくセットしたはんだ材がリフロー中にずれる場合もある。特に、下面にコレクタ電極、上面にエミッタ電極を有するパワー半導体チップにあっては、コレクタ側のリードフレーム上に、はんだ材、コレクタ電極を下に向けた半導体チップを順次載せる。次に半導体チップ上面にあるエミッタ電極上に、はんだ材、エミッタ側のリードフレームを順次載せ、荷重をかけてリフローする工程では、各部材の位置合わせが非常に煩雑であり、高コストの原因となる。また、はんだ材自身の接続も課題となる。Zn-Al系はんだにおける課題は、フラックスレスで行われる半導体チップのダイボンディングに適用できるように、はんだ箔表面の酸化を抑止したり、接続性を確保したりできる接続構造とすることである。特許文献1は、上述したようにペースト状のはんだに関するものであり、完全に無洗浄で行う接続には汎用的には適用できない可能性がある。特許文献2は、はんだ表面の酸化抑止が困難と予想される。また特許文献3では、Alの酸化は回避できるが、Znの酸化が問題となる可能性がある。これら2つの従来技術では、はんだ材の酸化による濡れの劣化を考慮した対策が必要と思われる。また、特許文献4は、はんだ材の酸化を抑止できるが、高コストになる可能性がある。上述したように従来技術のリード部品は、半導体チップとの接続が困難であり、接続性も悪く、高価であった。本発明の目的は、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れ、しかも安価なリード部品、及びその製造方法、並びに半導体パッケージを提供することにある。本発明は上記目的を達成するために創案されたものである。本発明の一実施の形態によれば、半導体チップと接続させる接続部を有する基材を備えたリード部品であって、前記基材上の前記接続部を含む所定領域に、Zn接合材、Al接合材を前記基材側より順次積層し圧延されてクラッド接合されてなるはんだ材を有し、さらに前記Al接合材の表面が、Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Ptのうちの1種又は2種以上からなる金属薄膜で覆われていることを特徴とするリード部品が提供される。この場合、前記Zn接合材は、Zn-Al系接合材からなっていてもよい。また、前記基材と前記はんだ材との間に、Ti、Pt、Pd、Niのうちの1種からなる金属層、又はこれらのいずれかを含む合金層が形成されていることが好ましい。また、前記接続部が、前記半導体チップとの接続面側に凸型となるよう形成されていることが好ましい。また、本発明の他の実施の形態によれば、上述したリード部品と、このリード部品の接続部を含む所定領域に接続される半導体チップとを備えた半導体パッケージが提供される。この場合、前記半導体チップが、表面にエミッタ電極とゲート電極とを有し、裏面にコレクタ電極を有するパワー半導体チップであり、前記エミッタ電極、前記ゲート電極、前記コレクタ電極のうちの少なくとも一つの電極が前記リード部品の前記所定領域に接続されていることが好ましい。また、本発明の他の実施の形態によれば、半導体チップと接続させる接続部を有する基材を備えたリード部品の製造方法であって、前記基材上に、Zn接合材、Al接合材、金属薄膜を前記基材側より順次積層してはんだ部を形成する工程と、前記はんだ部を前記基材上とともに圧延してクラッド接合する工程と、を含むリード部品の製造方法が提供される。この場合、前記クラッド接合したはんだ部のうち、前記基材上の前記接続部を含む所定領域以外の領域のはんだ部をエッチング除去して、前記半導体チップと接続させる前記接続部を形成する工程をさらに含むことが好ましい。また、本発明の他の実施の形態によれば、半導体チップと接続させる接続部を有する基材を備えたリード部品の製造方法であって、前記基材上の前記接続部を含む所定領域に、Zn接合材、Al接合材、金属薄膜を基材側より順次積層してはんだ部を形成する工程と、前記はんだ部を前記基材上の前記接続部を含む所定領域に圧延して埋め込んで、前記半導体チップと接続させる前記接続部を形成する工程とを含むリード部品の製造方法が提供される。本発明によれば、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れ、安価なリード部品、及びその製造方法、並びに半導体パッケージを提供できる。本発明の実施の形態について述べる。実施の形態の概要本実施形態に係るリード部品について概要を説明する。本実施の形態のリード部品は、半導体チップと接続させる接続部を有する基材を備えたリード部品であって、前記基材上の前記接続部を含む所定領域に、Zn接合材、Al接合材を前記基材側より順次積層し圧延されてクラッド接合されてなるはんだ材を有し、さらに前記Al接合材の表面が、Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Ptのうちの1種又は2種以上からなる例えば複合した金属薄膜で覆われているものである。前記リード部品は、半導体パッケージの内部配線として使われる薄板の金属のことで、外部の配線との橋渡しの役目を果たす部品である。このようなリード部品には、1プリント基板へ電極を挿入してフローはんだ付けにより実装するリードフレームのみならず、2表面実装用の電極を有するリードフレーム、3並びにリードフレーム上にダイボンドされた半導体チップ上面の電極とリードフレームの電極とを電気的に接続するリード状のリードフレームなどが含まれる。半導体チップは、パワー半導体などのディスクリート半導体、フォトカプラー、LEDなどの光半導体以外に、ICやLSIなどの集積回路にも使われる。基材上の接続部とは、半導体チップと接続されるはんだ部分をいい、接続部を含む所定領域とは、はんだ部が形成されて接続部となりうる領域をいう。リード部品の基材上の接続部を含む所定領域については、所定領域の全てが半導体チップと接続させる接続部になることも、あるいは所定領域の一部のみが接続部になることもある。Al接合材の表面を金属薄膜で覆うには、めっきによってもクラッド接合によってもよい。なお、前記Zn接合材は、Zn-Al系合金からなるZn接合材からなっていてもよい。リード部品は、その基材上の接続部を含む所定領域にはんだ材がクラッド接合されているので、このリード部品を用いると、はんだ材を基材上の所定位置に個別に供給する場合と比べて、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れる。また、基材上の接続部を含む所定領域にはんだ材が圧延されるため、これらが引き伸ばされ、新生な界面が形成されて良好なクラッド接合が得られる。また、Al接合材の表面が金属薄膜で覆われているので、はんだ材としてのAl接合材の酸化を抑止できる。また、ZnとAlは共晶溶解により液体となり、金属薄膜もこの液体に溶解して、半導体チップに濡れ広がるので、半導体チップとリード部品とを容易に接続することができる。したがって、半導体チップとの接続性を高めることができる。また、Al接合材の表面が、Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Ptのうちの1種又は2種以上からなる金属薄膜で覆われているので、Al接合材の表面の酸化を抑制できる。この場合、Zn-Al系はんだの表面の酸化をAuめっきやAgめっき層の形成により抑止しようとする場合とは異なり、金属薄膜を覆うのはAl接合材であるので、Zn-Al系はんだの表面をAuめっきやAgめっき層で覆う場合に比べて、ZnとAuやAgとが拡散する速度を遅くすることができるため、金属薄膜で覆われた状態を長期にわたり維持することができる。これにより、接続時に酸化物を巻き込む虞を低減できる。さらに半導体チップを接続するはんだ材にZn-Al系はんだ材を用いるので鉛フリー化を実現できる。以下、このリード部品について図を用いて説明する。なお、半導体チップはパワー半導体チップを例として述べる。図1から図11は、エミッタ、コレクタ、ゲートのそれぞれのリードを、プリント基板の穴に挿入して、フローはんだ接続を得るための挿入実装型のリード部品を示す。また、図12は、図1から図11に示すリード部品を用いて半導体チップを実装したものである。この半導体チップ周りを樹脂モールドすることで、半導体パッケージを製造することができる。半導体パッケージは、その一つの側面からリードが出ている挿入実装型のパッケージである。また、放熱器に付けるタブヘッダを持ち、積極的に放熱できるパッケージでもある。これに対して、図13および図14は、プリント基板上に表面実装するためのリードをフォーミングした表面実装型のリード部品リードフレームである。また、図15は、図13と図14に示すリード部品を用いて半導体チップ周りを樹脂モールドして半導体パッケージ化したものである。半導体パッケージは、その二つの側面からガルウイング状L字状のリードが出ている表面実装用の半導体パッケージである。A.挿入実装型の実施の形態第1の実施の形態リード部品リード部品には、主として、半導体チップのエミッタ電極と接続するためのエミッタ側のリード部品と、半導体チップのコレクタ電極と接続するためのコレクタ側のリード部品とがある。なお、ゲート電極と接続するためのゲート側のリード部品もあり得る。エミッタ側のリード部品図1は、第1の実施の形態に係るパワー半導体チップ12のエミッタ電極12aを接続するためのエミッタ側のリード部品11を示す。図1の右側のA側部分インナの接続部が、コレクタ側リード部品のヘッダ21上にダイボンドされたパワー半導体チップ12上面のエミッタ電極12aに接続される。B側部分アウタの接続部が、コレクタ側リード部品のエミッタリード10の電極に接続される。これらの接続のために、リード部品11は、A側部分インナよりもB側部分アウタを押し下げるダウンセット加工がされている。エミッタ側のリード部品11は、リード部品の基材以下、リードフレーム基材ともいう4を有する。このリードフレーム基材4上の接続部を含む所定領域に、Zn接合材、Al接合材がリードフレーム基材4側より順次積層され、圧延されてクラッド接合されている。このクラッド接合は、図示例では、リードフレーム基材4の上面にZn層1を形成するZn接合材、Al層2を形成するAl接合材が埋入圧接され、表面が平坦なインレイクラッド接合となっている。また、図示例では、所定領域の全部が接続部になっている。このインレイクラッド接合により、リードフレーム基材4上の表面に、はんだ材5として、Zn接合材からなるZn層1と、Al接合材からなるAl層2とが形成されている。このAl層2の表面は、さらに金属薄膜3で覆われている。上述したZn層1、Al層2、金属薄膜3からはんだ部22が構成される。この金属薄膜3には、Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Ptのいずれか、またはこれらからなる金属薄膜を用いることができる。金属薄膜3はコストを考慮すると、CuあるいはNiが良く、その中でも比較的低い温度で水素還元が可能なCuが好適である。以降、金属薄膜3はCuを例として述べる。AlとZnは382°C以上に加熱することで共晶溶解を起こすため、リードフレーム基材4の表面に形成されるAl層2とZn層1は接続することができる。Zn-Al系合金では、Al濃度が16.9以下で、382°CでのZn-Al共晶溶解を起こすので、Zn層1とAl層2の平均組成は、Al濃度16.9以下とする構成がよく、その中でもZn-6massAlが共晶であり、この組成を狙って各層の厚さを決定するのが好適である。金属薄膜3のCuは、Zn-Alの共晶溶解した液体中に溶解して、はんだ成分の一部となる。リードフレーム基材4については、CuおよびCu合金、低熱膨張なインバー合金、42アロイ、インコネル合金、コバール合金、ステンレス、Ni基合金など、用途に合せて選択することができる。一般的には熱伝導率や電気伝導度を考慮して、Cuが用いられることが多いので、リードフレーム基材をCuとして説明する。リード部品の製造方法図1のような形態のリード部品を製造するには、まず、リードフレーム基材4のCu、はんだ材5のZn、Al、金属薄膜3のCuの圧延率を考慮して、これらについて所定の板厚、板幅を有する条材からなる素材をそれぞれ準備する。リードフレーム基材4のCu素材上の接続部を含む所定領域に、Zn素材、Al素材、Cu素材を順次積層して圧延を行う。圧延によって各金属素材は引き伸ばされ、新生な界面が形成されて良好なクラッド接合を得ることができる。その後、条材であるクラッド材を所定の幅、所定の長さに切断し、ダウンセット加工して図1のような形に成形する。図1の実施の形態では、リードフレーム基材4の幅W0に対して、インナ側Aに位置するZn層1、Al層2、金属薄膜3の幅W1、およびアウタ側Bに位置するZn層1、Al層2、金属薄膜3の幅W2が狭くなっている。これはそれぞれの素材の幅を所定の幅としておき、それらを接続部を含む所定領域に重ね合わせた状態で圧延することで作製可能である。例えば、リードフレーム基材4のCu素材上の所定領域に、所定幅のZn接合材、Al接合材、金属薄膜3のCu材を圧延して埋め込むことにより、表面を平坦面としたインレイクラッド材を作製することができる。このようにして、リードフレーム基材4の表面にはんだ部22が露出したリード部品11を製造することができる。もっとも、パワー半導体チップ12をリード部品11に接続するときに、短絡等の心配がなければ、全ての素材の幅をそろえて、リードフレーム基材4のインナ側Aとアウタ側との連結部分を含む全面に、はんだ材5及び金属薄膜3がクラッド接合される状態であっても構わない。はんだ材を積層する理由図1のように、リードフレーム基材4の上にZn層1、Al層2、金属薄膜3という順序で積層する理由を述べる。リード部品11のインナA側において、パワー半導体チップ12を接合する時には、金属薄膜3をパワー半導体チップ12のエミッタ電極12aに押し付けた状態で加熱して、はんだ部22を溶融させて行う。この時の雰囲気は、通常、酸素濃度を低減させた窒素雰囲気か、あるいはそれに水素を数加えたガスを用いる。水素を加えるのは、金属薄膜3のCuや、パワー半導体チップ12のエミッタ電極部を還元して、濡れ性を向上させるためであるが、いずれも表面が清浄でその必要が無い場合には、水素を添加する必要は無い。ここでは、金属薄膜3の表面が若干酸化している状態を想定し、水素添加雰囲気として述べる。リード部品11の全体が加熱されると、水素による還元作用が生じ、200°C程度からCu表面の酸化物の還元が起こり始める。またこの加熱により、Cu、Al、Znの界面で、それぞれの金属が拡散を始める。Znはこれらの金属の中では拡散しやすい元素である。このため、例えばZn表面をCuの金属薄膜3で覆っても、比較的短時間でCu表面までZnが拡散する。この時、雰囲気にはわずかではあるが酸素が混入している場合が多く、この酸素によりZnが酸化する可能性がある。このZn酸化膜は水素でも還元するのは難しく、Zn酸化膜がはんだ部の表面全体を覆ってしまうと、濡れを阻害する可能性がある。したがって、Znが表面に現れるのを抑制する必要がある。このような目的から、CuとZnの拡散よりも、ZnとAlの拡散が遅いので、Zn層1上にAl層2を配置し、そのAl表面を金属薄膜3で覆う構造としている。Al層2の層厚は、均一で緻密な膜であれば1μm程度でもZnの拡散を抑制する効果が得られるが、概ね3μm以上で抑制効果が高まり、7μm程度で安定した抑制効果が得られるようになる。なおCu/Alの拡散の影響も考えられるが、この拡散は比較的遅く、Alが拡散してCu表面に露出してくる心配は少ない。はんだ部の好適な構成の一例図1におけるはんだ部22の好適な構成の一例としては、インナA側において、Zn層厚45μm、Al層厚8μm、Cu金属薄膜厚1μmである。このような厚さとすることで、概ねZn-6massAlの共晶組成が得られ、AlによるZnの拡散抑制効果も得られ、またCuによるZnやAlの酸化防止効果が得られる。前述のようにCu自体は若干の酸化を生じる場合があるが、接合時の雰囲気を調整し、加熱することで還元することができるので接合性を阻害しない。このような状態で382°C以上に加熱されると、ZnとAlの共晶溶解により溶解し金属薄膜3のCuもZn-Al液体に溶解し、この液体がパワー半導体チップ12のエミッタ電極12aに濡れ広がることで接続が得られる。アウタB側についても同様に、リードフレームヘの接続が得られる。以下に第1の実施の形態の変形例第1~第7の変形例について述べる。なお、これらの変形例において、第1の実施の形態と同一乃至同様な構成については、同じ符号を付して説明は省略する。第1の変形例図2はエミッタ側のリード部品11の第1の実施の形態の第1の変形例を示す。第1の実施の形態と異なる点は、Zn層1に替えてZn-Al系合金からなるZn接合材でZn層6を形成し、これをリードフレーム基材4にクラッドしている点である。その表面にAl層2と金属薄膜3を積層してリードフレーム基材4にクラッドする点は第一の実施の形態と同じである。Zn-Al系合金からなるZn接合材で形成したZn層6とAl層2の平均組成はZn-6massAlなどになるように設計すればよい。このようにすることで、第一の実施例と同様な接続性が得られる。第2の変形例図3は、エミッタ側のリード部品11の第1の実施形態の第2の変形例を示す。第1の実施の形態と異なる点は、Zn層1とリードフレーム基材4との間に、Ni層7を配置した点である。リードフレーム基材4には、前述のように各種の金属を用いることができるが、Cuを用いた場合、はんだ成分のZnとリードフレーム基材4のCuとが反応して金属間化合物を多く生成する場合も考えられる。そのような場合には、図3のように、Ni層7を下地とすることで、はんだ5とリードフレーム基材4との反応を抑制することができる。この下地層はNiに限定されるものではなく、一般的にはんだへの溶解が遅くバリアメタルとして用いられるPt、Pd、Tiなども適用することができる。Niを代表例として説明している。第3の変形例図4はエミッタ側のリード部品11の第1の実施の形態の第3の変形例を示す。第2の変形例に加えて異なる点は、Ni層7がはんだ部22以外のリードフレーム基材4の表面にも形成されている状態を示している。このようにすることで、はんだ部22の成分とリードフレーム基材4との反応を確実に抑制することができる。図4のような構成を実現するには、次のような工程によって可能となる。リードフレーム基材4に同じ幅でNi板をクラッドするか、Niめっきを施す。このNiがNi層7になる。このNi層7の上から、Zn層1、Al層2、金属薄膜3をクラッド圧延する。第4~第7の変形例図5~図8は、エミッタ側のリード部品11の第1の実施の形態の第4~第7の変形例を示す。これらが第3の変形例に加えて異なる点は、接続性を高めるために、はんだ部22の接続部を凸型に加工した点である。以下、具体的に説明する。図5の第4の変形例は、リード部品11のインナ、アウタの所定領域の裏面を押し上げて表面を浮かし、はんだ部22が凸型になるようにしている。凸型の頂部がフラットに形成され、凸型の頂部を有するはんだ部22のフラットな頂部が半導体チップにしっかりと押し付けられる構造である。リード部品をこのような構造に加工するには、条材をプレス加工により成形してリードフレームを製造する場合には、プレスの金型を図のような形になるように設計すればよく、はんだ部22を容易に凸型にすることができる。図6の第5の変形例は、図5の凸型の頂部を有するはんだ部22において、フラットな頂部を半導体チップとの接続方向に対して突出するような、さらに山形に形成した構造である。半導体チップに押し付けられた凸型はんだ部の頂部の山形の中央付近からはんだが濡れ広がるので、ボイドの巻き込みが少ない構造である。図7の第6の変形例と図8の第7の変形例とは、プレス加工の際に、はんだ部22の反対側のリードフレーム基材4の裏面は平坦部としておき、主にはんだ部22の外周部を押しつぶすことで凸型を形成する構造であり、図5と図6にそれぞれ対応したものである。このように、はんだ部22と反対側のリードフレーム基材4の裏面を平坦にしておくことで、図5や図6の構造に比べて、樹脂モールドした際の樹脂の厚さが薄くなり、放熱性を高めることができる。第2の実施の形態コレクタ側のリード部品これまでは、パワー半導体チップのエミッタ電極を接続するためのエミッタ側のリード部品について述べたが、つぎにパワー半導体チップのコレクタ電極と接続するためのコレクタ側のリード部品について述べる。なお、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同一乃至同様な構成については、同じ符号を付して説明は省略する。図9は挿入実装型リードフレームにおけるコレクタ電極と接続するためのコレクタ側のリード部品を有するリードフレーム20を示す。リード部品はヘッダ21とコレクタリード9、ゲートリード8、エミッタリード10とから構成される。リードフレーム20の形態は、エミッタリード10、コレクタリード9、ゲートリード8のそれぞれを、プリント基板図示略の穴に挿入して、フローはんだ接続を得るためのものである。リードフレーム20はパワー半導体チップ一つ分を示す。図9aに示すように、リードフレーム20はヘッダ21と3本のリード8、9、10とから構成される。コレクタリード9がヘッダ21と一体になっている。中央に位置するコレクタリード9の両側に、コレクタリード9と並列にゲートリード8とエミッタリード10とが、コレクタリード9から切り離されて設けられている。ヘッダ21には取付用孔24と半導体チップ搭載部23とが設けられる。半導体チップ搭載部23にはんだ部22が形成されている。はんだ部22にパワー半導体チップのコレクタ電極が接続される。この接続はダイボンディングである。はんだ部22の構成や凸型構造については、これまでに述べたエミッタ電極を接続するためのリード部品11の実施の形態と類似している。このためヘッダ21におけるC-C’での断面構造は、図9中にbからeの形でまとめて示した。はんだ部22をフラット型にした構造はbの1種類を図示し、凸型にした構造についてはc~eの3種類を図示した。はんだ部22の構成は、b~eにおいて共通しており、はんだ材5の上に金属薄膜3が積層され、はんだ材5とリードフレーム基材4との間にNi層7が配置されている。このNi層7は、はんだ部22以外のリードフレーム基材44の表面にも形成されており、リードフレーム基材4の表面片面が全てNi層7で覆われた構造である。はんだ材5は、図1に示すZn層1とAl層2の積層、あるいは図2に示すZn-Al系合金からなるZn層6とAl層2の積層のどちらの形態でも構わない。リードフレーム基材4の表面は、ここでは全てNi層7で覆われた構造で示したが、用途によってはNi層7が無い構造でも構わない。凸型構造を図示した図9cははんだ部22の頂部が、半導体チップが搭載される方向に突出するように山形に形成された凸型をして、リードフレーム基材4の裏面が凹型をしている。図9dははんだ部22の頂部がフラットな台形状凸型をして、リードフレーム基材4の裏面が台形状凹型をしている。図9eは、頂部がフラットな台形状凸型をして、リードフレーム基材4の裏面がフラットになっている。図10は、図9のコレクタ側のリード部品を有するリードフレームを用いた形態であるリードフレーム30を示す。いわゆるTO-220と呼ばれるリードフレームをイメージして描いたものである。ここでは、パワー半導体チップ三つ分のリードフレームを図示しているが、実際にはもっと多くのパワー半導体素子分の数を持つ横方向に長いものが用いられることが多い。リードフレーム30の各ヘッダ21は支持片32で連結支持されている。リードフレーム30の各リード8、9、10はダイバー34及び外枠36で連結支持されている。リードフレーム30の表面の半導体チップの搭載部23に、クラッド圧延したはんだ部22が形成されている。このはんだ部22にパワー半導体チップ12がダイボンディングして搭載される。第3の実施の形態図11に、本発明の第2の実施の形態に係るリード部品を有するリードフレームにパワー半導体チップを搭載した上面図を示す。パワー半導体チップ12は、下面にコレクタ電極が、上面にエミッタ電極及びゲート電極13がそれぞれ形成されている。図11に示すように、リードフレーム30のはんだ部22の上にパワー半導体チップ12がダイボンドされ、その下面のコレクタ電極12bがコレクタリード9とつながれる。パワー半導体チップ12の上面に設けたエミッタ電極には、図1~図8で述べたようなエミッタ側のリード部品11のインナA側が接続される。エミッタ側リード部品のアウタB側はエミッタリード10に接続される。これによりエミッタ電極はエミッタリード10とつながれる。リードフレーム30は、この後、図12に示すように、パワー半導体チップ一つ分に分割されて、ゲート電極13がボンディングワイヤ15でゲートリード8とつながれる。このような構造でリードフレーム30にパワー半導体チップ12を実装し、パワー半導体チップ12の周りを樹脂モールドすることで、コレクタ電極側からだけでなく、エミッタ電極側からもリードフレーム30によって積極的に放熱できる半導体パッケージを製造することができる。B.表面実装型の実施の形態第4~第6の実施の形態コレクタ側のリード部品図13および図14は、表面実装型リードフレームにおけるコレクタ側のリード部品を示す第4、第5の実施の形態の例を示す。上述した図12のリード部品の形態は、エミッタ、コレクタ、ゲートのそれぞれのリードを、プリント基板の穴に挿入して、フローはんだ接続を得るためのリードフレームである。これに対して、図13および図14は、プリント基板上に表面実装するためのリードをフォーミングしたリード部品リードフレームである。また、図15は、図13と図14を用いて半導体チップ周りを樹脂モールドしてパッケージ化した第6の実施の形態の半導体パッケージを示すものであり、半導体パッケージの二つの側面からガルウイング状L字状のリードが出ている表面実装用のパッケージである。以下、これらについて説明する。なお、第4~第6の実施の形態において、第1の実施の形態と同一乃至同様な構成については、同じ符号を付して説明は省略する。第4の実施の形態図13に表面実装型のコレクタ側のリード部品を示す。コレクタ側のリード部品は、リードフレーム基材4を有する。リードフレーム基材4は、ヘッダ21と、これに一体形成された複数本のコレクタリード9とを有する。複数本になっている理由は電流容量を大きく取るためである。複数本のコレクタリード9は、長さXのヘッダ21の長さ方向の一側から同じピンピッチで同じ方向に出ている。ここではコレクタリード9の本数は4本の例を示す。コレクタリード9は、表面実装するために、コレクタリード9を押し下げるダウンセット加工がされている。ヘッダ21の半導体チップを実装するはんだ部22の構成と凸型構造はこれまでに述べた挿入実装型のヘッダと類似している。このため図13aのD-D’線での断面構造は、図9b~eと同様に、これらとそれぞれ対応するように、図13b~eにまとめて図示した。第5の実施の形態エミッタ側のリード部品図14に表面実装型のエミッタ側のリード部品を示す。エミッタ側のリード部品は、基本的には図13に示すコレクタ側のリード部品と類似している。図14a1、a2のE-E’線での断面構造は、図9b~eと同様に、これらとそれぞれ対応するように、図14b~eにまとめて図示した。エミッタリード10も、電流容量を大きく取るため複数本形成されている。エミッタ側のリード部品が、コレクタ側のリード部品と異なる点は3つある。1つは、コレクタリードに代えてエミッタリード10とゲートリード8がヘッダ21に形成されている点である。2つは、リードではなくヘッダ21がダウンセット加工がされている点である。3つめは、ゲートリード8の構造がエミッタリード10と異なっている点である。ゲートリード8の構造は、図14a1、a2に2例を示した。同図中において、エミッタ側のリード部品のG領域はゲート電極との接続部を示し、F領域はエミッタ電極との接続部を示す。図14a1は、ゲートリード8にも、エミッタ側のリード部品のクラッドされたはんだ部22aと同様に、クラッドされたはんだ部22bを有する構造である。クラッドされたはんだ部22bに半導体チップのゲート電極を接続するだけで、ゲート電極をゲートリード8に接続できる。図14a2はゲートリード8にクラッドされたはんだ部が無い構造である。この構造では、ゲートリードと連接する一部残したゲートヘッド22cと半導体チップのゲート電極とをボンディングワイヤにより接続して、ゲート電極をゲートリード8に接続する。第6の実施の形態図15は、図13および図14のリードフレームを用いてパワー半導体チップ12を接続し、モールド樹脂17でパッケージ化した半導体パッケージ40を複数例示したものである。この半導体パッケージ40は、半導体パッケージの二つの側面からガルウイング状L字状のリードフレーム基材4から構成されたリードが出ている。半導体パッケージ40の一つの側面から出るエミッタリード10は、半導体パッケージ40の他の側面から出るコレクタリード9よりもダウンセット加工の押し下げ距離を大きくして、両アウタが同一実装面上に揃うようにしてある。ここで、半導体パッケージ40は、パワー半導体チップ12と、リードフレームと、モールド樹脂17とから主に構成される。パワー半導体チップ12に形成されたチップ電極は図示していないが、パワー半導体チップ12の上方側がエミッタ電極及びゲート電極で、下方側がコレクタ電極となる。ゲート電極の接続については、図14で述べたように、はんだ接続でもワイヤーボンディングでも構わない。エミッタ電極とコレクタ電極とは、いずれもはんだ16で接続されている。このはんだ16は、クラッドで形成されたはんだ部が溶解して、半導体チップの電極に濡れ広がり、その後冷却によって凝固されたものである。以下、それぞれの半導体パッケージについて説明する。図15aに示す半導体パッケージ40は、エミッタ側及びコレクタ側のリードフレームのNi層7が、モールド樹脂17の外まで形成されているものである。図15bに示す半導体パッケージは、Ni層7が無い構造である。この場合は、リードフレーム基材4には、CuよりもNiを多く含む42アロイなどを用いた方が、はんだ16とリードフレーム基材4の反応を抑制できるので好適である。図15cに示す半導体パッケージは、コレクタ側のみリードフレーム基材4にクラッドしたはんだ材で接続する。コレクタ側のリードフレーム基材4のNi層7は、モールド樹脂17の中だけ形成されている。エミッタ側はパワー半導体チップ12に設けたバンプ18を用いてリードフレーム基材4のNi層7と接続した構造である。したがって、エミッタ側用のリードフレームは、図14で示したようなクラッド材が積層されたはんだ材を使用していない。バンプ18は、例えば、AuやAlワイヤーボンディングのスタッドバンプ、別途供給したはんだバンプなどが好適である。実施の形態の効果本実施の形態によれば、以下に挙げる一つ又はそれ以上の効果を有する。1本実施の形態によれば、リード部品が、その基材上の接続部を含む所定領域にはんだ材がクラッド接合されていることで、このリード部品を用いると、はんだ材を基材上の所定位置に個別に供給する場合と比べて、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れ、安価なリード部品を提供できる。また、基材上の接続部にはんだ材が圧延されることで、これらが引き伸ばされ、新生な界面が形成されて良好なクラッド接合が得られる。また、Al接合材の表面が金属薄膜で覆われていることで、はんだ材の酸化を抑止できる。また、ZnとAlは共晶溶解により液体となり、金属薄膜もこの液体に溶解して、半導体チップに濡れ広がるので、半導体チップとリード部品とを容易に接続することができる。したがって、半導体チップとの接続性を高めることができる。また、金属薄膜で覆うのは、リード部品の基材に接合したはんだ材であるので、リード部品よりも長尺なはんだ箔にAuまたはAg層をめっき処理する場合に比して安価である。また、従来、高鉛はんだが使用されてきたパワー半導体チップのダイボンディングなどに、Zn-Al系はんだ材を適用することができるため、鉛フリー化を実現できる。2本実施の形態のように、はんだ材の基材側をZnからなるZn接合材ではなく、Zn-Al系合金からなるZn接合材にすることで、半導体チップとリード部品とを上述したはんだ材の基材側をZnからなるZn接合材としたものと同様に、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れたリード部品を提供できる。3本実施の形態のように、はんだ材とリード部品の基材との間に、Ti、Pt、Pd、Niのいずれかの金属層、あるいはこれらのいずれかを含む合金層が形成されていることにより、はんだ材とリード部品の基材との反応を抑制して、金属間化合物が多く生成されるのを防止できる。したがって、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れたリード部品を提供できる。4本実施の形態のように、接続部は、はんだ材が半導体チップの接続面側に凸型となるよう形成されていることにより、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れたリード部品を提供できる。5本実施の形態のように、上述したうちのいずれかのリード部品が半導体チップに接続されていることにより、安価な半導体パッケージを提供できる。6半導体チップがパワー半導体チップであり、そのエミッタ電極、ゲート電極、コレクタ電極のうちの少なくとも一つの電極が前記リード部品の前記所定領域に接続されていることにより、安価なパワー半導体パッケージを提供できる。この場合において、パワー半導体チップのコレクタ側電極に加えて、エミッタ側電極に上記リード部品を接続することにより、パワー半導体チップのエミッタ側電極からも積極的な放熱が可能となり、チップサイズを小さくすることができる。その結果、ウェハからのチップの取れ数が増大して、パワー半導体の低価格化に更に貢献することができる。7本実施の形態のように、リード部品の基材の半導体チップ接続予定領域に、はんだ材を圧延し埋め込んではんだ部を形成することで、はんだ材位置合わせを必要とするリフローと比べて、はんだ材位置合わせなどの手間を省くことができ、はんだ部の形成が容易となる。したがって、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れたリード部品を容易に製造することができる。エッチング除去による接続部の形成上述した実施の形態は、はんだ部をリード部品の基材上の一部に圧延してクラッド接合し、クラッド接合したはんだ部をそのまま半導体チップと接続させる接続部とするものであった。しかし、はんだ部をリード部品の基材上の片面全面に圧延してクラッド接合し、クラッド接合したはんだ部のうち、リード部品の基材上の接続部を含む所定領域以外の領域のはんだ部をエッチング除去して、半導体チップと接続させる接続部を形成するリード部品の製造することも可能である。この場合にも、リード部品の基材の片面にはんだ材を圧接して接着することで、半導体チップの実装を無洗浄で行うアセンブリ側でのはんだ材位置合わせなどの手間を省き、はんだの酸化を抑止でき、安価とすることができる。また、圧接して接着されたはんだ材の半導体チップ接続予定領域を残すようエッチングして、半導体チップ接続予定領域にはんだ部を形成することで、はんだ材位置合わせを必要とするリフローと比べて、はんだ部の形成が容易となる。したがって、半導体チップと簡単に接続でき、接続性に優れたリード部品を容易に製造することができる。モジュール化されたパワー半導体製品への適用また、上述した実施の形態は、主に個別に樹脂モールドされたパワー半導体パッケージに関するものであるが、いわゆるモジュール化されたパワー半導体製品に対しても適用することができる。例えば、大電力を扱うインバータモジュールでは、セラミック上にCuを貼り付けた基板に、パワー半導体チップを接続し、セラミック基板を別のフレームに固定し、全体をゲル状の樹脂で封止した構造などが用いられる。このようなモジュールでは、例えばこれまでに述べてきたようなコレクタ側のCu電極には、はんだ材をクラッド圧延したものを適用するのは難しい。その理由は、一般的にはCuとセラミックの接合は、更に高融点のろう材でろう付けされており、はんだ層をクラッドでCu上に形成しておいても、ろう付け時にはんだ層が溶解してしまうためである。しかし、エミッタ側については、図1から図8で述べたようなリードフレームを適用することができる。このようなリードフレームを適用することのメリットは、信頼性が向上することである。従来、エミッタ電極の接続には、ワイヤーボンディングが用いられてきた。しかし、発熱量の大きなインバータモジュールでは、繰り返しの温度変化によって、ワイヤーの伸び縮みなども影響し、徐々に結線部が疲労して、最終的には大電流による断線が起こる懸念があった。図1から図8のようなリードフレームを適用することで、上記に述べた問題を解決することができる。また、上述した実施の形態では、はんだ部を基材中に埋め込むインレイクラッド材で構成した、金属基板の片面または両面の一部にはんだ部を圧接して、凸状に接着したトップレイクラッド材とすることも可能である。本発明の実施例について述べる。フロー用、リフロー用のリードフレームのいずれであっても、基本的には同じプロセスとなる。本実施例では、リードフレーム基材としては、Niめっきを施したCu、あるいはNiを多く含む42アロイ、あるいはインバー合金のいずれかを用いる。クラッド圧延によりリードフレーム基材上にZn接合材、Al接合材、金属薄膜のCu材を供給するので、クラッド圧延での加工度を考慮して、初期材の厚さを決定する。加工度を80、すなわち初期材の1/5の厚さにすることを前提として説明する。Niめっきを施したCuをリードフレーム基材として用いる場合、Cu層厚は5mm程度、Ni層めっき厚は、比較的厚い方が望ましく、5~10μm程度が好適である。リードフレーム基材にインバー合金か42アロイを用いる場合は、Niめっきは不要であり、基材の厚さは同様に5mm程度が好適である。はんだ材となるZn素材は0.23mm、Al素材は40μm、Cu素材は5μmなどの素材を用いる。これらの素材をリードフレーム基材に所定の位置になるように調整して、加工度80でクラッド圧延を実施する。これにより、全体の厚さは1/5になり、はんだ部以外のリードフレーム基材の厚さが1mm程度である。リードフレーム基材にCuを用いた場合には、Niめっき層がクラッド圧延後に1~2μm程度になる。クラッド工程では、事前に素材表面の清浄化処理を行うことで、界面での密着性を高めることができる。この処理の際に、極端に薄い材では材が切れたりする懸念もある。例えば5μmのCu材などはその懸念がある。このような場合には、予め、Cu50μm、A1400μmなどの素材を準備しておき、これを加工度90、すなわち1/10の厚さまでクラッド圧延することで、厚さ45μmのCu/Alクラッド箔を作製し、これをZnおよびリードフレーム基材用の素材とクラッド圧延することで解決できる。クラッド圧延後のはんだ部は、Znが45μm、Alが8μm、Cuが1μmとなる。この構成は、概ねZn-6Al-3Cuの組成になる。半導体チップの接合は、水素を4程度含む窒素雰囲気中で加熱して実施する。382°Cに到達する前に、はんだ表面のCu層が還元されて、酸化膜の存在しない状態が作られる。その後、382°Cに到達すると、Zn/Al界面から、共晶溶解反応が起こり、はんだの液体中に表面のCuの薄膜が溶解し、はんだ液体が、半導体チップの電極に濡れ広がることで接続が得られる。このはんだは、再び382°C以上に加熱すれば溶解するが、それ以下の温度では溶解しないので、従来の高Pbはんだ融点約300°C等に比べて、高耐熱性が得られる。以上に述べた実施例が、本発明において最適な実施例と思われる理由を以下に述べる。リードフレーム基材にはNiめっきを施したCu、あるいはNiを多く含むインバー合金、あるいは42アロイを用いている。Cuを用いる場合は、熱伝導、電気伝導が良好なので、放熱性を重視したパッケージに用いる。インバー合金、42アロイは熱膨張率が小さく、半導体チップに近い熱膨張率を有するので、接合後の残留応力が小さくなる。したがって、大型のチップなどに適用する場合に好適である。Cuをリードフレーム基材に用いた場合には、表面にNiめっきを施している。これは、Zn-AlはんだがCuと反応して、脆弱なCu-Zn化合物などを多く形成すると、低強度で破損する懸念が生じるためである。なお、この化合物生成量は、接合時、およびその後の半導体使用時の温度、時間の影響を強く受ける。したがって、必ず化合物成長が問題になる、というわけでは無い。Ni層を形成した場合は、はんだ中の主にAlと反応してNi-Al化合物を形成するが、この化合物は成長が遅いので、界面の劣化を引き起こしにくい。42アロイやインバーを用いた場合も同様である。リードフレーム基材にCuを用いた場合に、Niをめっきにより供給した理由は、例えばCuにクラッドでNiを供給する場合に比べて素材の厚さを考慮すると取り扱いが容易と考えられるためである。例えば、10μmのNi層が表面に形成された、厚さ5mmのCu材をクラッドで作るには、加工度を80と考えると、元の素材は、Ni50μm、Cu25mmとなる。このような素材をクラッドできる設備があれば問題は無いが、設備によってはある程度、素材の厚さの範囲が限定されるので、実施例では、めっきでNi層を形成する場合を述べた。各層の厚さで、Zn層が45μm、Al層が8μm、Cu層が1μmとなり、概ねZn-6Al-3Cuの組成になるはんだを形成したのは、まずこの程度の厚さのはんだが、現状のパワー半導体チップのダイボンドに多く用いられているからである。組成は、既に述べたようにZn-Ai共晶近傍を狙っており、溶解性に優れているためである。Cuは表面の酸化抑制のために存在しており、極端に厚い必要は無く、Alが拡散を抑制するので、1μm程度の厚さで充分である。上記実施の形態、変形例、及び図示例の中で説明した特徴の組合せの全てが本発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らず、このほかにも、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。