熱処理機構上の被検査体を所定の温度に調節した状態で、当該被検査体にプローブを接触させて被検査体の電気的特性の検査を行うプローブ装置に対し、前記熱処理機構の温度を校正するための温度校正装置であって、前記熱処理機構上に載置される基板と、前記基板上に設けられ、温度変化に応じて抵抗値が変化する複数の測温抵抗体と、前記プローブを介して測定される前記測温抵抗体の抵抗値に基づいて、前記基板の温度を計測する制御部と、を有することを特徴とする、温度校正装置。前記制御部は、前記計測された基板の温度に基づいて前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項1に記載の温度校正装置。複数の前記測温抵抗体でホイートストンブリッジ回路を形成し、前記制御部は、前記ホイートストンブリッジ回路が平衡状態となるように、前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項2に記載の温度校正装置。前記制御部は、前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が所定の値になるように、前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項3に記載の温度校正装置。前記ホイートストンブリッジ回路は複数形成され、前記制御部は、複数の前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が等しくなるように、前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項3又は4に記載の温度校正装置。前記制御部は、前記基板の所定の領域毎に、当該基板の温度を計測して前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項2~5のいずれかに記載の温度校正装置。前記制御部は、前記基板全体の温度を計測して、前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項2~5のいずれかに記載の温度校正装置。前記熱処理機構は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度調節可能であることを特徴とする、請求項2~7のいずれかに記載の温度校正装置。前記基板上に設けられ、前記測温抵抗体と電気的に接続され、且つ前記基板の温度計測時に前記プローブが接触する複数のコンタクトパッドを有し、前記測温抵抗体の抵抗値は、前記コンタクトパッドと前記プローブを介して測定されることを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の温度校正装置。前記コンタクトパッドは、前記被検査体の電気的特性の検査時に前記プローブが当該被検査体に接触する位置に配置されていることを特徴とする、請求項9に記載の温度校正装置。前記コンタクトパッドは、前記プローブが接触することによって前記測温抵抗体が温度変化の影響を受けない位置に配置されていることを特徴とする、請求項9に記載の温度校正装置。熱処理機構上の被検査体を所定の温度に調節した状態で、当該被検査体にプローブを接触させて被検査体の電気的特性の検査を行うプローブ装置に対し、温度校正装置を用いて前記熱処理機構の温度を校正する温度校正方法であって、前記熱処理機構上に載置される基板と、前記基板上に設けられ、温度変化に応じて抵抗値が変化する複数の測温抵抗体と、から構成される前記温度校正装置を用いて、前記プローブを介して前記測温抵抗体の抵抗値を測定する第1の工程と、前記測定された測温抵抗体の抵抗値に基づいて前記基板の温度を計測する第2の工程と、を行うことを特徴とする、温度校正方法。前記計測された基板の温度に基づいて、前記熱処理機構の温度を調節する第3の工程を有することを特徴とする、請求項12に記載の温度校正方法。複数の前記測温抵抗体でホイートストンブリッジ回路を形成し、前記第3の工程において、前記ホイートストンブリッジ回路が平衡状態となるように、前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項13に記載の温度校正方法。前記第3の工程において、前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が所定の値になるように、前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項14に記載の温度校正方法。前記ホイートストンブリッジ回路は複数形成され、前記第3の工程において、複数の前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が等しくなるように、前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項14又は15に記載の温度校正方法。前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程は、前記基板の所定の領域毎に行われることを特徴とする、請求項13~16のいずれかに記載の温度校正方法。前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程は、前記基板全体で一括して行われることを特徴とする、請求項13~16のいずれかに記載の温度校正方法。前記熱処理機構は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度調節可能であり、前記第3の工程において、前記領域毎に前記熱処理機構の温度を調節することを特徴とする、請求項13~18のいずれかに記載の温度校正方法。前記温度校正装置は、前記基板上に設けられ、前記測温抵抗体と電気的に接続され、且つ前記基板の温度計測時に前記プローブが接触する複数のコンタクトパッドを有し、前記第1の工程において、前記熱処理機構上に載置された基板上のコンタクトパッドに前記プローブを接触させ、当該コンタクトパッドとプローブを介して前記測温抵抗体の抵抗値を測定することを特徴とする、請求項11~19のいずれかに記載の温度校正方法。前記コンタクトパッドは、前記被検査体の電気的特性の検査時に前記プローブが当該被検査体に接触する位置に配置されていることを特徴とする、請求項20に記載の温度校正方法。前記コンタクトパッドは、前記プローブが接触することによって前記測温抵抗体が温度変化の影響を受けない位置に配置されていることを特徴とする、請求項20に記載の温度校正方法。ところで、近年、デバイスのパターンの微細化が進んでいるため、電極パッドが微細化し、また電極パッドの間隔が狭くなっている。さらにウェハ自体も大型化しているため、ウェハ上に形成される電極パッドの数が非常に増加している。これに伴い、プローブカードにも非常に多数の特性測定用プローブを設ける必要がある。このような状況の下では、プローブカードに余剰スペースが小さいため、上述した特許文献1のようにプローブカードにさらに温度測定用プローブを設けるのは、現実には困難な場合がある。また、上述した特許文献1の方法を用いた場合、デバイスの電気的特性の検査と温度測定を同時に行うので、当該検査時間が長くなる場合がある。すなわち、温度測定の結果に基づいて載置台の温度調節を行い、当該温度調節された載置台上でデバイスの検査を行う場合、載置台の温度調節を行う時間だけ、デバイスの電気的特性の検査を行う時間が長くなってしまう。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、熱処理機構上の被検査体を所定の温度に調節した状態で、当該被検査体にプローブを接触させて被検査体の電気的特性の検査を行うプローブ装置において、前記熱処理機構の温度を適切に校正することを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、熱処理機構上の被検査体を所定の温度に調節した状態で、当該被検査体にプローブを接触させて被検査体の電気的特性の検査を行うプローブ装置に対し、前記熱処理機構の温度を校正するための温度校正装置であって、前記熱処理機構上に載置される基板と、前記基板上に設けられ、温度変化に応じて抵抗値が変化する複数の測温抵抗体と、前記プローブを介して測定される前記測温抵抗体の抵抗値に基づいて、前記基板の温度を計測する制御部と、を有することを特徴としている。なお、前記制御部は、前記計測された基板の温度に基づいて前記熱処理機構の温度を調節してもよい。本発明によれば、先ず、熱処理機構上に載置された基板上のコンタクトパッドにプローブを接触させ、当該コンタクトパッドとプローブを介して測温抵抗体の抵抗値を測定する。次に、測定された測温抵抗体の抵抗値に基づいて、基板の温度を計測する。そして、計測された基板の温度に基づいて、熱処理機構の温度を調節できる。このように、本発明によれば、熱処理機構上の基板の温度を適切に計測して、熱処理機構の温度をフィードバック制御することができる。そして、フィードバック制御された熱処理機構によって被検査体の温度を適切に調節できるので、当該被検査体の電気的特性の検査も適切に行うことができる。また、かかる場合、電気的特性が検査される被検査体とは別の基板を用いて熱処理機構の温度を調節するので、被検査体の検査と熱処理機構の温度調節を別工程で行うことができる。したがって、被検査体の検査時間を従来よりも短縮することができる。しかも、従来のように既存のプローブ装置の構成を変更することなく、すなわち、既存のプローブを用いて基板の温度を計測できる。このため、従来のようにプローブ装置にさらに別のプローブを設ける必要がなく、例えば近年のデバイスパターンの微細化にも本発明は対応できる。複数の前記測温抵抗体でホイートストンブリッジ回路を形成し、前記制御部は、前記ホイートストンブリッジ回路が平衡状態となるように、前記熱処理機構の温度を調節してもよい。なお、ホイートストンブリッジ回路が平衡状態になるとは、当該ホイートストンブリッジ回路の中点間の電位差がゼロになる状態をいい、すなわちホイートストンブリッジ回路のオフセット電圧がゼロになる状態をいう。前記制御部は、前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が所定の値になるように、前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記ホイートストンブリッジ回路は複数形成され、前記制御部は、複数の前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が等しくなるように、前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記制御部は、前記基板の所定の領域毎に、当該基板の温度を計測して前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記制御部は、前記基板全体の温度を計測して、前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記熱処理機構は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度調節可能であってもよい。前記温度校正装置は、前記基板上に設けられ、前記測温抵抗体と電気的に接続され、且つ前記基板の温度計測時に前記プローブが接触する複数のコンタクトパッドを有し、前記測温抵抗体の抵抗値は、前記コンタクトパッドと前記プローブを介して測定されてもよい。前記コンタクトパッドは、前記被検査体の電気的特性の検査時に前記プローブが当該被検査体に接触する位置に配置されていてもよい。前記コンタクトパッドは、前記プローブが接触することによって前記測温抵抗体が温度変化の影響を受けない位置に配置されていてもよい。別な観点による本発明は、熱処理機構上の被検査体を所定の温度に調節した状態で、当該被検査体にプローブを接触させて被検査体の電気的特性の検査を行うプローブ装置に対し、温度校正装置を用いて前記熱処理機構の温度を校正する温度校正方法であって、前記熱処理機構上に載置される基板と、前記基板上に設けられ、温度変化に応じて抵抗値が変化する複数の測温抵抗体と、から構成される前記温度校正装置を用いて、前記プローブを介して前記測温抵抗体の抵抗値を測定する第1の工程と、前記測定された測温抵抗体の抵抗値に基づいて前記基板の温度を計測する第2の工程と、を行うことを特徴としている。前記温度校正方法は、前記計測された基板の温度に基づいて、前記熱処理機構の温度を調節する第3の工程を有していてもよい。複数の前記測温抵抗体でホイートストンブリッジ回路を形成し、前記第3の工程において、前記ホイートストンブリッジ回路が平衡状態となるように、前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記第3の工程において、前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が所定の値になるように、前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記ホイートストンブリッジ回路は複数形成され、前記第3の工程において、複数の前記ホイートストンブリッジ回路における電流値が等しくなるように、前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程は、前記基板の所定の領域毎に行われてもよい。前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程は、前記基板全体で一括して行われてもよい。前記熱処理機構は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度調節可能であり、前記第3の工程において、前記領域毎に前記熱処理機構の温度を調節してもよい。前記温度校正装置は、前記基板上に設けられ、前記測温抵抗体と電気的に接続され、且つ前記基板の温度計測時に前記プローブが接触する複数のコンタクトパッドを有し、前記第1の工程において、前記熱処理機構上に載置された基板上のコンタクトパッドに前記プローブを接触させ、当該コンタクトパッドとプローブを介して前記測温抵抗体の抵抗値を測定してもよい。前記コンタクトパッドは、前記被検査体の電気的特性の検査時に前記プローブが当該被検査体に接触する位置に配置されていてもよい。前記コンタクトパッドは、前記プローブが接触することによって前記測温抵抗体が温度変化の影響を受けない位置に配置されていてもよい。本発明によれば、被検査体の電気的特性の検査を行うプローブ装置において、熱処理機構の温度を適切に校正することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる温度校正装置1と、当該温度校正装置1が適用されるプローブ装置2の構成の概略を示す説明図である。温度校正装置1は、プローブ装置2に対して後述する熱処理機構としての載置台21の温度の調節を行い、当該載置台21上に載置される温度検査治具10を有している。また、プローブ装置2は、載置台21上の被検査体としてのウェハWを所定の温度に調節した状態で、当該ウェハW上のデバイスの電気的特性の検査を行う。プローブ装置2は、例えばプローブカード20と、温度検査治具10又はウェハWを吸着保持する載置台21と、載置台21を移動させる移動機構22と、テスタ23などを備えている。プローブカード20は、例えば複数のプローブ30と、当該プローブ30を下面で支持するプローブ支持板31と、プローブ支持板31の上面側に取り付けられたプリント配線基板32を備えている。複数のプローブ30は、温度検査治具10の後述するコンタクトパッド72に対応対向して配置されている。プローブ30は、種々の形状を取り得るが、本実施の形態では、例えばプローブ支持板31に片持ち支持されたカンチレバー形状を有している。また、プローブ30には、例えばニッケル、Ni-Co合金やNi-Mn合金等の合金、W、Pd、BeCu合金、Au合金などが用いられる。さらに、プローブ30は、それらの基材の表面に、貴金属めっき材、或いはそれらの貴金属めっき材の合金、その他の金属めっき材がめっきされていてもよい。プローブ支持板31は、例えば方形の板状に形成されている。また、プローブ支持板31は、低熱膨張材料、例えばセラミックスにより形成されている。プリント配線基板32は、テスタ23に電気的に接続されている。プリント配線基板32の内部には、テスタ23からの検査用の電気信号が流れる配線が形成され、プリント配線基板32の下面には、その配線の複数の端子33が形成されている。載置台21は、水平な上面を有する略円盤状に形成されている。載置台21の上面には、温度検査治具10又はウェハWを吸着するための吸引口図示せずが設けられている。この吸引口からの吸引によって、温度検査治具10又はウェハWが吸着保持される。載置台21は、図2に示すように複数、例えば4つの熱処理領域R1、R2、R3、R4に区画されている。載置台21は、例えば平面視において4等分に区画されている。すなわち、熱処理領域R1、R2、R3、R4は、それぞれ中心角が90度の扇形状を有している。載置台21の各熱処理領域R1~R4には、電気供給により発熱するヒータ40が個別に内蔵され、各熱処理領域R1~R4毎に加熱できる。各熱処理領域R1~R4のヒータ40の発熱量は、後述する制御部100により調節されている。制御部100は、ヒータ40の発熱量を調節して、各熱処理領域R1~R4の温度を所定の温度に制御できる。移動機構22は、例えば載置台21を鉛直方向に昇降させるシリンダなどの昇降駆動部50と、昇降駆動部50を水平方向の直交する2方向X方向とY方向に移動させる水平駆動部51を備えている。これにより、載置台21に保持された温度検査治具10又はウェハWを三次元移動させ、当該温度検査治具10のコンタクトパッド72又はウェハW上の各電極パッド図示せずに対して、上方にある特定のプローブ30を接触させることができる。次に、温度校正装置1の構成について説明する。温度校正装置1は、図1に示したように載置台21上に載置される温度検査治具10を有している。温度検査治具10は、図3に示すように基板としての被処理ウェハ70を有している。被処理ウェハ70は、ウェハWと同一材料、例えばシリコンで構成され、ウェハWと同一の平面形状を有している。なお、正確な温度を測定する為、被処理ウェハ70は実際のウェハWと同一であることが望ましいが、これに限られず、形状、材質等が異なっていても構わない。被処理ウェハ70上には、複数、例えば4つの測温抵抗体71、複数、例えば8つのコンタクトパッド72、及び測温抵抗体71とコンタクトパッド72を電気的に接続する配線73が形成されている。これら測温抵抗体71、コンタクトパッド72、配線73は、例えば被処理ウェハ70にフォトリソグラフィー処理を行うことによって一括して形成される。なお、被処理ウェハ70が導体である場合には、これらの素子が形成される前に、表面に十分な絶縁加工を行えばよい。測温抵抗体71は、温度変化に対して抵抗値が変化する抵抗体であり、例えばRTDResistanceTemperatureDetectorやサーミスタなどが用いられる。測温抵抗体71は、被処理ウェハ70の温度の測定点に配置されている。なお、測温抵抗体71の配置や数は、本実施の形態に限定されず任意に設定することができる。コンタクトパッド72には、図4に示すように載置台21の温度調節時にプローブ30が接触する。コンタクトパッド72には、導電性を有する材料、例えばアルミニウムが用いられる。図3に示すようにコンタクトパッド72は、一の測温抵抗体71に対して2つ設けられている。すなわち、測温抵抗体71の抵抗値はいわゆる2線接続式で測定される。そして、一のコンタクトパッド72は正極として機能し、他のコンタクトパッド72は負極として機能する。なお、配線73には、コンタクトパッド72と同様に、例えばアルミニウムが用いられる。また、温度校正装置1は、図1に示すようにプローブ装置2の外部に設けられた制御部100を有している。制御部100は、例えばコンピュータであって、例えばプロセッサ、メモリ、アンプ、スイッチなどを備えた計測回路を有している。この計測回路によって、制御部100は、測温抵抗体71の抵抗値等を計測することができる。また、制御部100は、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、例えば測温抵抗体71の抵抗値に基づいて、載置台21の温度ヒータ40の発熱量を調節するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部100にインストールされたものであってもよい。また、プローブ装置2自体が、載置台21の温度を調節する温度調節機構を有している場合は、制御部100は、計測した温度に基づいて、温度調節機構を制御するものであってもよい。プローブ装置2の有する機能に応じて、適宜対応すればよい。次に、以上のように構成された温度校正装置1を用いて、プローブ装置2の載置台21の温度を調節する方法について説明する。先ず、温度検査治具10が、プローブ装置2に搬入され、載置台21上に吸着保持される。このとき、載置台21の各熱処理領域R1~R4は、制御部100によって予め定められた初期温度に調節されている。そして、載置台21上に載置された温度検査治具10の被処理ウェハ70に加熱処理を行い、当該被処理ウェハ70の温度調節が行われる。その後、移動機構22によって載置台21が水平方向に移動して、温度検査治具10の位置が調整される。続いて、載置台21が上昇して、温度検査治具10のコンタクトパッド72にプローブカード20の各プローブ30が接触する。このとき、プローブ30は、被処理ウェハ70のすべてのコンタクトパッド72に接触する。そして、コンタクトパッド72からプローブ30を介して制御部100に、すべての測温抵抗体71の抵抗値の測定結果が出力される。次に、制御部100において、測定された測温抵抗体71の抵抗値に基づいて、被処理ウェハ70の温度を計測する。本実施の形態では、被処理ウェハ70の温度が一括して測定される。このとき、被処理ウェハ70の温度の面内分布は、プローブ装置2が有するマッピング機能によって可視化されていてもよい。そして、計測された被処理ウェハ70の温度に基づいて、当該被処理ウェハ70の温度が所定の温度になるように、載置台21の温度を調節する。このとき、制御部100は、載置台21の温度を熱処理領域R1~R4毎に調節する。以上のように載置台21の温度が調節されると、温度検査治具10がプローブ装置2から搬出される。こうして、載置台21の温度が調節される。なお、1回の温度調節ですべての測温抵抗体71の抵抗値被処理ウェハ70の温度を所定の値にできない場合は、複数回の温度調節を行う。すなわち、被処理ウェハ70の加熱処理、測温抵抗体71の抵抗値の測定、及び載置台21の温度調節が繰り返し行われ、被処理ウェハ70が所定の温度で均一に加熱処理される。以上の実施の形態によれば、載置台21上に載置された被処理ウェハ70上のコンタクトパッド72にプローブ30を接触させることで、測温抵抗体71の抵抗値を測定し、さらに被処理ウェハ70の温度を計測できる。そして、計測された被処理ウェハ70の温度に基づいて、載置台21の温度を調節することができる。このように、本実施の形態によれば、載置台21上の被処理ウェハ70の温度を適切に計測して、載置台21の温度をフィードバック制御することができる。そして、フィードバック制御された載置台21によってウェハWの温度を適切に調節できるので、当該ウェハWのデバイスの電気的特性の検査も適切に行うことができる。また、かかる場合、電気的特性が検査されるウェハWとは別の被処理ウェハ70を用いて載置台21の温度を調節するので、ウェハWの検査と載置台21の温度調節を別工程で行うことができる。したがって、ウェハWの検査時間を短縮することができる。また、既存のプローブ装置2の構成を変更することなく、すなわち、既存のプローブ30を用いて被処理ウェハ70の温度を計測できる。このため、プローブカード20にさらに別のプローブを設ける必要がなく、例えば近年のデバイスパターンの微細化にも本実施の形態は対応できる。また、被処理ウェハ70上の測温抵抗体71の抵抗値を一括して測定し、当該被処理ウェハ70全体の温度を計測している。したがって、載置台21の温度を効率よく調節することができる。さらに、載置台21は複数の熱処理領域R1~R4に区画され、各熱処理領域R1~R4に個別にヒータ40が内蔵されている。このため、各熱処理領域R1~R4毎に温度を調節することができ、載置台21の温度調節をより厳密に行うことができる。なお、以上の実施の形態では、測温抵抗体71の抵抗値を測定するに際し、コンタクトパッド72にプローブ30を接触させていたが、測温抵抗体71に直接プローブ30を接触させてもよい。以上の実施の形態では、被処理ウェハ70上の測温抵抗体71の抵抗値を一括して測定していたが、被処理ウェハ70の所定の領域毎に測温抵抗体71の抵抗値を測定してもよい。すなわち、プローブ装置2において、載置台21上のウェハWをプローブカード20に対して移動させ、熱処理領域R1~R4に測定する。かかる場合、プローブ装置2の機能を活かしつつ、測温抵抗体71の抵抗値を適切に計測することができる。以上の実施の形態では、一の測温抵抗体71に対して2つのコンタクトパッド72を接続し、いわゆる2線接続式で測温抵抗体71の抵抗値を測定していたが、2線接続式に代えて4線接続式を用いてもよい。かかる場合、一の測温抵抗体71に対して4つのコンタクトパッド72が接続される。そして、4線接続式を用いた場合、測温抵抗体71の抵抗値をより正確に測定することができる。以上の実施の形態の温度検査治具10において、図5に示すように被処理ウェハ70上には、複数のホイートストンブリッジ回路110が形成されていてもよい。本実施の形態では、複数のホイートストンブリッジ回路110は、被処理ウェハ70のほぼ全面に亘って千鳥状に配置されている。各ホイートストンブリッジ回路110は、図5及び図6に示すように上述した4つの測温抵抗体71と4つのコンタクトパッド72とが配線73で電気的に接続された構成を有している。図6に示すように4つのコンタクトパッド72はホイートストンブリッジ回路110における頂点部に配置されている。そして、直列する2つの測温抵抗体71、71の両端部に設けられた一対のコンタクトパッド72a、72aは、ホイートストンブリッジ回路110に電圧を印加するために用いられる。また、直列する2つの測温抵抗体71、71の中間点に設けられた一対のコンタクトパッド72b、72bは、当該コンタクトパッド72b、72b間の電圧を測定するために用いられる。すなわち、コンタクトパッド72b、72bは、ホイートストンブリッジ回路110におけるオフセット電圧を測定するために用いられる。なお、図6中の矢印は、ホイートストンブリッジ回路110に電圧を印加した際の電流を示している。かかる場合、加熱処理された被処理ウェハ70に対して、当該被処理ウェハ70上のコンタクトパッド72a、72aにプローブ30を介して所定の電圧が印加される。続いて、コンタクトパッド72b、72bからプローブ30を介して制御部100に、測定結果の信号が出力される。こうして制御部100では、ホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧コンタクトパッド72b、72b間の電圧が測定される。そして、制御部100では、複数のホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧がゼロになるように、載置台21の温度の調節が行われる。すなわち、制御部100は、複数のホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧がゼロになるように、載置台21の温度を熱処理領域R1~R4毎に調節する。なお、ホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧がゼロになるとは、当該ホイートストンブリッジ回路110における4つの測温抵抗体71の抵抗値が等しくなるということである。すなわち、ホイートストンブリッジ回路110が設けられた被処理ウェハ70の温度が均一になるということである。したがって、すべてのホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧がゼロになると、被処理ウェハ70全体で温度が均一になる。本実施の形態によれば、被処理ウェハ70上に形成されたホイートストンブリッジ回路110が平衡状態となるように、すなわち、ホイートストンブリッジ回路110におけるオフセット電圧がゼロになるように、載置台21の温度が調節される。かかる場合、オフセット電圧がゼロになるので、ホイートストンブリッジ回路110における4つの測温抵抗体71の抵抗値、すなわちこれら測温抵抗体71で計測される被処理ウェハ70の温度が等しくなる。しかも、被処理ウェハ70上のすべてのホイートストンブリッジ回路110におけるオフセット電圧がゼロになるので、これらのホイートストンブリッジ回路110における被処理ウェハ70の温度が等しくなる。したがって、本実施の形態によれば、被処理ウェハ70を水平面内で均一に加熱処理するように、載置台21の温度を適切に調節することができる。換言すれば、本実施の形態は、載置台21の温度調節に際し、被処理ウェハ70の温度の面内均一性が確保できればよく、絶対的な温度調節が不要な場合に特に有用である。また、ヒータ40の設定出力は、本来、信用するに値するものであるが、時間の経過に伴って、出力値のばらつく個体が出てくることは実際の現場ではよくあることである。このような場合は、面内の均一性が確保された時点で、温度調節が十分になされたとみなすことができる。また、ホイートストンブリッジ回路110は4つの測温抵抗体71を備えているため、従来の方法を用いると、4箇所の温度が計測される。そうすると、これら4つのパラメータを用いて載置台21の温度が調節されることになる。これに対して、本実施の形態によれば、載置台12の温度を調節するために用いるパラメータは、ホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧の1つのみである。このように本実施の形態によればパラメータ数が少ないため、簡易な制御で載置台21の温度を調節することができる。したがって、載置台21のヒータ40にかかる負荷を小さくできると共に、載置台21の温度調節を短時間で行うことができる。さらに、上記実施の形態では、1つの測温抵抗体71に対して2つのコンタクトパッド722本の配線73が設けられている。これに対して、ホイートストンブリッジ回路110では、4つの測温抵抗体71に対して4つのコンタクトパッド724本の配線73が設けられている。したがって、本実施の形態のようにホイートストンブリッジ回路110を用いた場合、コンタクトパッド72の数や配線73の本数を減少させることができる。以上の実施の形態では、載置台21の温度調節を行うパラメータとして、ホイートストンブリッジ回路110におけるオフセット電圧が用いられていたが、このオフセット電圧に加えて、ホイートストンブリッジ回路110における電流値を用いてもよい。かかる場合、プローブ装置2において、載置台21上に載置された温度検査治具10に加熱処理を行った後、当該温度検査治具10におけるホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧に加えて、当該ホイートストンブリッジ回路110の電流値が測定される。そして、制御部100では、すべてのホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧がゼロになると共に、ホイートストンブリッジ71の電流値が所定の値になり、且つすべてのホイートストンブリッジ回路110における電流値が等しくなるように、載置台21の温度が調節される。本実施の形態によれば、被処理ウェハ70上のすべてのホイートストンブリッジ回路110における測温抵抗体71の抵抗値を等しく所定の値にすることができる。したがって、被処理ウェハ70を所定の温度で均一に熱処理するように、載置台21の温度を調節することができる。かかる場合でも、載置台21の温度を調節するためのパラメータは、ホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧と電流値の2つであるため、従来よりも簡易な制御で載置台21の温度を調節することができる。なお、以上の実施の形態において、制御部100には、例えばホイートストンブリッジ回路110における電流値と被処理ウェハ70の温度との関係を示すテーブル図示せずが記録されていてもよい。かかる場合、制御部100では、測定されたホイートストンブリッジ回路110の電流値に基づき、上記テーブルを用いて、被処理ウェハ70の温度が計測される。これにより、加熱処理後の被処理ウェハ70の絶対温度を把握することができる。以上の実施の形態では、被処理ウェハ70上において、複数のホイートストンブリッジ回路110は千鳥状に配置されていたが、当該複数のホイートストンブリッジ回路110の配置はこれに限定されない。例えば図7に示すように被処理ウェハ70上において、複数のホイートストンブリッジ回路110は格子状に配置されていてもよい。また、例えば図8に示すように複数のホイートストンブリッジ回路110が連続して配置され、図9に示すように被処理ウェハ70上において、これら複数のホイートストンブリッジ回路110が蛇行して配置されていてもよい。いずれの場合においても、ホイートストンブリッジ回路110のオフセット電圧、あるいはオフセット電圧及び電流値に基づいて、被処理ウェハ70を均一に加熱処理するように、載置台21の温度を調節することができる。以上の実施の形態では、被処理ウェハ70上に複数のホイートストンブリッジ回路110が設けられていていたが、例えば図10に示すようにこれらホイートストンブリッジ回路110を一体にした回路120を形成してもよい。回路120は、複数の測温抵抗体71と複数のコンタクトパッド72が格子状に配置された構成を有している。すなわち、回路120において、複数の測温抵抗体71は並列に配置されている。かかる場合、回路120の頂点部における一対のコンタクトパッド72a、72aは、回路120に電圧を印加するために用いられる。かかる場合、加熱処理後の被処理ウェハ70に対して、当該被処理ウェハ70上のコンタクトパッド72a、72aにプローブ30を介して所定の電圧が印加される。続いて、他のコンタクトパッド72からプローブ30を介して制御部100に、測定結果の信号が出力される。こうして制御部100では、各測温抵抗体71の抵抗値を測定することができ、当該測定された抵抗値に基づいて載置台21の温度を調節することができる。また、上記実施の形態のように1つの測温抵抗体71に対して2つのコンタクトパッド722本の配線73が設けられている場合に比べて、コンタクトパッド72の数や配線73の本数を減少させることができる。なお、以上の実施の形態では、回路120には複数の測温抵抗体71が並列に配置されていたが、直列に配置してもよい。かかる場合でも、載置台21の温度を調節できると共に、コンタクトパッド72の数や配線73の本数を減少させることができる。以上の実施の形態では、コンタクトパッド72はプローブ30が接触するのに必要十分な大きさで形成されていたが、コンタクトパッド72に代えて、図11に示すように被処理ウェハ70上には汎用性のある大きさのコンタクトパッド130が設けられていてもよい。コンタクトパッド130は、一の測温抵抗体71に対して2つ接続されている。すなわち、測温抵抗体71の抵抗値はいわゆる2線接続式で測定される。そして、一のコンタクトパッド130は正極として機能し、他のコンタクトパッド130は負極として機能する。例えばコンタクトパッド130は、ウェハW上のデバイスの電気的特性の検査時にプローブ30が実際に接触する位置に設けられている。このプローブ30が接触する位置は、例えば測温抵抗体71から水平方向に2mm離間した位置であり、この配置は実際のデバイスにおける電気的可動部とパッドとの位置関係と同一である。かかる場合、実際のウェハWの検査環境と同様の環境で、被処理ウェハ70の温度を計測することができるので、載置台21の温度調節をより実際に近い状態で行うことができる。また、例えばコンタクトパッド130は、当該コンタクトパッド130にプローブ30が接触することによって、測温抵抗体71が温度変化の影響を受けない位置に設けられている。このプローブ30が接触する位置は、被処理ウェハ70の材料や加熱処理温度等に応じて設定される。例えば被処理ウェハ70には径300mmのシリコンが用いられ、当該被処理ウェハ70の加熱処理温度が150°Cの場合、測温抵抗体71が温度変化の影響を受けないようにプローブ30が接触する位置は、測温抵抗体71から水平方向に20mm離間した位置である。このため、コンタクトパッド130は、少なくとも測温抵抗体71から20mm以上の範囲で拡がっている。かかる場合、コンタクトパッド130にプローブ30が接触した際に、測温抵抗体71が温度変化の影響を受けない、すなわち被処理ウェハ70の温度が低下しない。したがって、被処理ウェハ70の温度を正確に計測することができる。以上のように、本実施の形態によれば、コンタクトパッド130が汎用性のある大きさで形成されているので、種々の条件に対応して被処理ウェハ70の温度を適切に計測することができる。なお、コンタクトパッド130の形状や配置は、図11に示した例に限定されず、任意に変更できる、以上の実施の形態では、載置台21は、4つの熱処理領域R1~R4に区画されていたが、その数は任意に選択できる。また、載置台21の熱処理領域R1~R4の形状も任意に選択できる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。