シリコン原料を精製してシリコン塊を得る工程と、前記シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程と、前記シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程での測定結果に基づき、前記シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程とを備えた太陽電池用シリコン材料の製造方法。前記シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程において、前記シリコン塊の導電型が予め設定された導電型と同一であり且つ前記シリコン塊の比抵抗値が予め設定された基準値の範囲内である場合には、前記シリコン塊を得る工程を継続して行い、前記シリコン塊の導電型が予め設定された導電型とは異なる場合および前記シリコン塊の比抵抗値が前記基準値の範囲外となる場合のうちの少なくとも一方の場合に該当するときには、前記シリコン塊を得る工程を行なわない請求項1に記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法。前記シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程において前記シリコン塊を得る工程を継続して行なわないと判断したときには、前記シリコン塊を不良品として工程から排除する請求項1または2に記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法。前記基準値は、0.5Ωcmよりも大きく5Ωcm以下である請求項2または3に記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法。前記シリコン塊を得る工程と、前記シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程と、前記シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程とを繰り返し行なう請求項1~4のいずれかに記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法。前記シリコン塊を得る工程は、ルツボを用いて行なわれ、前記シリコン塊を得る工程と、前記シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程と、前記シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程とを含む一連の工程を少なくとも1回行なった後に、前記ルツボにシリコン原料を補充する工程を行ない、前記ルツボにシリコン原料を補充する工程を行なった後に、前記一連の工程を少なくとも一回行なう請求項1~5のいずれかに記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法。前記シリコン原料におけるホウ素濃度は、0.5質量ppm以下であり、前記シリコン原料におけるリン濃度は、0.5質量ppm以下である請求項1~6のいずれかに記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法。前記シリコン塊を得る工程は、前記シリコン原料が溶融されたシリコン融液中に冷却用基体を挿入することにより前記冷却用基体の表面に前記シリコン塊を析出させるというものである請求項1~7のいずれかに記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法。請求項1~8のいずれかに記載の太陽電池用シリコン材料の製造方法を実施するための太陽電池用シリコン材料の製造システムであって、前記シリコン原料を精製して前記シリコン塊を得る精製部と、前記シリコン塊の導電型および比抵抗のうちの少なくとも一方を測定する測定部と、前記測定部の測定結果に基づき、前記精製部での前記シリコン原料の精製の続行または停止を判断する判断部とを備える太陽電池用シリコン材料の製造システム。偏析凝固の原理を利用したシリコンの精製においては、不純物が濃縮されたシリコン融液残湯がルツボ内に残ることになる。残湯における不純物の濃度が高くなると精製後のシリコンにおける不純物の濃度も高くなるが、この残湯に新たなMG―Siを補充してシリコンの精製を継続するか否かの判断は可能である。詳細には、シリコンの精製においては、平衡偏析係数koまたは以下の式1で表される実効偏析係数keから、シリコン融液における不純物の濃度と、精製後のシリコンにおける不純物の濃度との関係を予測可能であるke=ko/{ko1-koe-Rδ/D}式1ここで、式1において、Rはシリコン凝固界面での移動速度であり、δはシリコン融液中における不純物濃縮層の厚さであり、Dはシリコン融液における不純物の拡散係数である。また、残湯における不純物の濃度と精製後のシリコンにおける不純物の濃度との関係も予測可能である。さらに、ICPInductivelycoupledplasma発光分析法等を用いて、精製後のシリコンにおける不純物の濃度を測定することができる。この測定値は精製後のシリコン塊の良否判定に用いることができる。また、上述のように、シリコン融液における不純物の濃度と精製後のシリコンにおける不純物の濃度との関係が予測可能であるので、予測値と測定値とを比較することで工程の異常の有無を調査することができる。ICP発光分析法等を用いて精製後のシリコンにおける不純物の濃度を測定するという方法には、多種の不純物の濃度をppmオーダーまたはサブppmオーダーまで精度良く測定できるという利点がある。しかし、この方法を行うにあたっては、酸溶解または蒸発乾固などといった測定試料の調製処理が必要であるので、測定結果を得るまでに数日を要する又は費用が高くつくなどの不利益が発生する。そのため、所定量の精製後のシリコンを複数回に分けて得る場合には、最後に精製されたシリコンに対してのみICP発光分析法等を用いて不純物の濃度を測定することが合理的であると考えられる。しかし、最後に精製されたシリコンに対してのみ不純物の濃度を測定すると、予測不能な状況に陥ったときに、精製プロセスの異常の検出または精製後のシリコンの品質異常の検出に長時間および高コストを要することがあり、場合よっては精製プロセスの異常または精製後のシリコンの品質異常を検出できない。ここで、予測不能な状況の具体例としては、たとえば、シリコン精製装置にトラブルが発生した結果、シリコン精製装置の部品であるルツボなどの一部がシリコン融液に混入すること、またはMG-Siが予想された量よりも非常に多くの量の不純物を含んでいることなどが挙げられる。予測不能な状況に陥ると、MG-Si中の不純物およびMG-Siの融液中の不純物の少なくとも一方が当該不純物の偏析係数から想定される挙動とは全く異なる挙動を起こすことがあり、その結果、高濃度の不純物がシリコンに混入されることがある。また、偏析凝固の原理を利用して得られた複数個のシリコン塊状に対してキャスティングを行なってシリコンインゴットを得る場合がある。このとき、上記複数個のシリコン塊状のうちの1つのシリコン塊状が高濃度の不純物を含んでいれば、得られたシリコンインゴットにおける不純物の濃度が高くなるため、得られたシリコンインゴットを太陽電池用シリコンインゴットとして使用することが難しくなる。さらに、ルツボに供給されるMG-Si全てについて不純物の濃度を測定することは難しく、一般的にはルツボに供給されるMG-Siのうちの一部を抜き取って不純物の濃度を測定する。そのため、MG-Siに高濃度の不純物が含まれていても高濃度の不純物が含まれているMG-Siの部分を抜き取って不純物の濃度を測定しなければ、MG-Siに高濃度の不純物が含まれていることに気づかず、その結果、精製後のシリコンにおける不純物の濃度が予想よりも高くなることがある。また、MG-Siに高濃度の不純物が含まれていることに気づかなければ、ICP発光分析法等を用いて精製後のシリコンにおける不純物の濃度の測定結果が得られるまでの間、高濃度の不純物を含むシリコンを回収し続けることとなり、場合によっては精製後のシリコンにおける不純物の濃度が予想よりも高いことに気づかずにそのシリコンを太陽電池用材料として使用することになる。以上説明したように、精製後のシリコン全てに対して不純物の濃度を測定しなければ、太陽電池用シリコン材料の純度低下を招くことがある。一方、精製後のシリコンの品質を確認するための詳細な分析には数日を要するため、精製後のシリコン全てに対して詳細な分析を行なうと高純度なシリコンの生産性の低下を招く。つまり、精製後のシリコンの全てに対して不純物の濃度を測定することが理想であるが、時間および費用などの面から精製後のシリコンの全てに対して不純物の濃度を測定することは難しい。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、予測不能な状況に陥ったときであっても適切な対応を迅速にとることが可能であり、長時間化および高コスト化を招くことなく高純度なシリコン塊を製造可能な太陽電池用シリコン材料の製造方法および太陽電池用シリコン材料の製造システムを提供することである。本発明に係る太陽電池用シリコン材料の製造方法は、シリコン原料を精製してシリコン塊を得る工程と、シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程と、シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程での測定結果に基づきシリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程とを備える。シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程において、シリコン塊の導電型が予め設定された導電型と同一であり且つシリコン塊の比抵抗値が予め設定された基準値の範囲内である場合にはシリコン塊を得る工程を継続して行い、シリコン塊の導電型が予め設定された導電型とは異なる場合およびシリコン塊の比抵抗値が基準値の範囲外となる場合のうちの少なくとも一方の場合に該当するときにはシリコン塊を得る工程を行なわないことが好ましい。シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程においてシリコン塊を得る工程を継続して行なわないと判断したときには、シリコン塊を不良品として工程から排除することが好ましい。基準値は、0.5Ωcmよりも大きく5Ωcm以下であることが好ましい。シリコン塊を得る工程と、シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程と、シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程とを繰り返し行なうことが好ましい。シリコン塊を得る工程は、ルツボを用いて行なわれることが好ましい。シリコン塊を得る工程と、シリコン塊の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する工程と、シリコン塊を得る工程を継続して行なうか否かを判断する工程とを含む一連の工程を少なくとも1回行なった後に、ルツボにシリコン原料を補充する工程を行ない、その後に、一連の工程を少なくとも一回行なうことが好ましい。シリコン原料におけるホウ素濃度は0.5質量ppm以下であることが好ましく、シリコン原料におけるリン濃度は0.5質量ppm以下であることが好ましい。シリコン塊を得る工程は、シリコン原料が溶融されたシリコン融液中に冷却用基体を挿入することにより冷却用基体の表面にシリコン塊を析出させるというものであることが好ましい。本発明に係る太陽電池用シリコン材料の製造システムは、本発明に係る太陽電池用シリコン材料の製造方法を実施するためのものであって、シリコン原料を精製してシリコン塊を得る精製部と、シリコン塊の導電型および比抵抗のうちの少なくとも一方を測定する測定部と、測定部の測定結果に基づき精製部でのシリコン原料の精製の続行または停止を判断する判断部とを備える。本発明に係る太陽電池用シリコン材料の製造方法では、予測不能な状況に陥ったときであっても適切な対応を迅速にとることが可能であり、また長時間化および高コスト化を招くことなく高純度なシリコンを得ることができる。以下、本発明の太陽電池用シリコン材料の製造方法および太陽電池用シリコン材料の製造システムについて図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。<太陽電池用シリコン材料の製造方法>図1は、本発明の太陽電池用シリコン材料の製造方法の一例を示すフロー図である。図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法は、精製工程S100と測定工程S200と判断工程S300とを備え、好ましくは補充工程S400を備える。<精製工程>精製工程S100は、シリコン原料を精製してシリコン塊を得る。シリコン原料の精製方法は特に限定されないが、図5に示すシリコン精製装置を用いることが好ましい。図5は、本発明において使用可能なシリコン精製装置の一例を示す断面図である。具体的には、精製工程S100では、加熱装置3によりルツボ1内でシリコン融液5の溶融状態を維持させつつ、シリコン融液5内に浸漬された冷却用基体7を当該シリコン融液5内で回転させることが好ましい。これにより、凝固偏析の原理に従ってシリコン塊51が冷却用基体7の表面に析出するため、シリコン塊51はシリコン融液5よりも高純度となる。ここで、図5に示すシリコン精製装置の構成部材を順に示すと、ルツボ1は、シリコン融液5を保持可能に形成されていることが好ましく、その形状および大きさは、図5などに記載の形状および大きさに限定されない。ルツボ1の材料は、特に限定されないが、シリコンの融点たとえば1412°C以上の温度で安定な材料であることが好ましく、黒鉛、シリカ、石英、炭化ケイ素、アルミナ、またはムライトなどが好適であり、黒鉛、シリカ、石英、または炭化ケイ素などがより好適である。ルツボ1が黒鉛、シリカ、石英、または炭化ケイ素などからなれば、ルツボ1からシリコン融液5への不純物の混入を抑制できる。ルツボ1の材料として黒鉛を選択した場合には、冷間等圧成形法CIP:ColdIsostaticPressingで製造されたカーボンを採用することが好ましい。加熱装置3は、ルツボ1およびルツボ1内に保持されたシリコン融液5の少なくとも一方を加熱するための装置であり、ルツボ1の外側に設けられていることが好ましい。加熱装置3は、シリコン融液5の溶融状態が維持されるようにルツボ1およびシリコン融液5の少なくとも一方を加熱できるのであれば特に限定されず、誘導加熱を利用した加熱装置であっても良いし、抵抗加熱を利用した加熱装置であっても良い。加熱装置3は、たとえばカーボンからなる加熱体を使用した抵抗加熱によりルツボ1およびシリコン融液5の少なくとも一方を加熱できる装置であることが好ましい。シリコン融液5は、ルツボ1内でシリコン原料を溶融することにより得られたものであっても良し、ルツボ1とは異なる装置内でシリコン原料を溶融することにより得られたものであっても良い。シリコン原料は、脱ホウ素処理および脱リン処理が施されたシリコンであることが好ましい。一般に、スラグを用いて金属シリコンからホウ素を除去するという公知の脱ホウ素処理では、収率が低い、またはスラグからのNa等の金属汚染が発生するなどの不具合が生じることがある。また、シリコン融液を高真空雰囲気に保つことにより金属シリコンからリンを除去するという公知の脱リン処理では、黒鉛製のルツボからのカーボン汚染が発生するなどの不具合が生じることがある。しかし、シリコン原料として脱ホウ素処理および脱リン処理が施されたシリコンを用いれば、シリコン塊51に対して脱ホウ素処理および脱リン処理を行なう必要がないため、シリコン塊51に対して上記不具合が発生することを防止できる。よって、収率の低下を招くことなく高純度なシリコンを得ることができる。脱ホウ素処理および脱リン処理が施されたシリコンをシリコン原料として用いる場合、シリコン原料におけるホウ素濃度は0.5質量ppm以下であることが好ましく、シリコン原料におけるリン濃度は0.5質量ppm以下であることが好ましい。このようなシリコン原料を精製すれば、高純度なシリコンを得ることができる。シリコン原料は、多結晶シリコンインゴットから角柱状のシリコンブロックを切り出した際に発生するシリコン端材であっても良い。冷却用基体7は、シリコン塊51を表面に析出させるための部材であり、シリコン融液5内に挿入され且つシリコン融液5内で回転される。冷却用基体7は、冷却用基体7の表面をシリコンの融点温度よりも低い温度に保持可能に構成されていることが好ましく、たとえば冷媒液体であっても良いし気体であっても良いが冷却用基体7の内部に設けられたノズルから冷却用基体7の内面へ向かって噴出可能に構成されていても良いし、冷媒が冷却用基体7の内部を循環可能に構成されていても良い。このように冷却用基体7の表面温度がシリコン融液5の温度よりも低いため、シリコン融液5は冷却用基体7の表面で抜熱されて冷却用基体7の表面に析出する。このとき、凝固偏析の原理に従ってシリコン塊51が冷却用基体7の表面に析出するため、シリコン塊51はシリコン融液5よりも高純度となる。冷却用基体7の材料は特に限定されないが、たとえば黒鉛であることが好ましい。また、冷却用基体7は、設定された回転数で回転可能に構成されていることが好ましく、たとえば冷却用基体7の回転数を制御するモータなどが冷却用基体7に接続されていることが好ましい。<測定工程>測定工程S200では、精製工程S100で得られたシリコン塊51の導電型および比抵抗値の少なくとも一方を測定する。シリコン塊51の導電型および比抵抗値の測定方法は特に限定されない。たとえば、熱起電力法などによりシリコン塊51の導電型を測定することができる。また、四端子法または二端子法などによってシリコン塊51の比抵抗値を測定することができる。なお、測定工程S200では、シリコン塊51の導電型および比抵抗値のいずれか一方を測定しても良いが、シリコン塊51の導電型および比抵抗値の両方を測定することが好ましい。シリコン塊51の導電型および比抵抗値の両方を測定すれば、判断工程S300での判断材料が多くなるので、判断工程S300での判断精度が高くなる。よって、純度に優れないシリコン塊を太陽電池用シリコン材料として使用することを防止できる。<判断工程>判断工程S300では、測定工程S200での測定結果に基づき、ルツボ1内に残ったシリコン融液5を精製してシリコン塊51を得るという工程を新たに行なうか否かを判断する。図2は、判断工程S300の一例を示すフロー図である。判断工程S300では、まず、ステップS301において、測定工程S200で測定されたシリコン塊51の導電型が予め設定された導電型と同一であるか否かを判断する。測定工程S200で測定されたシリコン塊51の導電型が予め設定された導電型と異なると判断すればNo、ステップS304へ進んで、ルツボ1内に残ったシリコン融液5を精製してシリコン塊51を新たに得るという工程を行なわないと判断する。たとえば、n型シリコン材料を製造する予定であったにも関わらず、測定工程S200においてシリコン塊51の導電型がp型であるという結果が得られた場合には、ルツボ1内に残ったシリコン融液5を用いてシリコン塊51を得るという工程を行なうことは不可能であると判断する。判断に使用されたシリコン塊51は不良品として工程から排除されることが好ましい。一方、測定工程S200で測定されたシリコン塊51の導電型が予め設定された導電型と同一であると判断すればYes、ステップS302へ進む。たとえば、n型シリコン材料を製造する予定であり、且つ測定工程S200においてシリコン塊51の導電型がn型であるという結果が得られた場合には、ステップS302へ進む。ステップS302において、測定工程S200で測定されたシリコン塊51の比抵抗値が予め設定された基準値の範囲内であるか否かを判断する。測定工程S200で測定されたシリコン塊51の比抵抗値が予め設定された基準値の範囲外であると判断したときにはNo、ステップS304へ進んで、ルツボ1内に残ったシリコン融液5を精製してシリコン塊51を新たに得るという工程を行なわないと判断する。判断に使用されたシリコン塊51は不良品として工程から排除されることが好ましい。一方、測定工程S200で測定されたシリコン塊51の比抵抗値が予め設定された基準値の範囲内であると判断したときにはYes、ステップS303へ進んで、ルツボ1内に残ったシリコン融液5を精製してシリコン塊51を新たに得るという工程を行なうことができると判断する。そして、判断に使用されたシリコン塊51を良品として回収してから精製工程S100へ戻って精製工程S100、測定工程S200および判断工程S300を再度行なうことが好ましい。判断工程S300においてルツボ1内に残ったシリコン融液5を精製してシリコン塊51を新たに得るという工程を行なうことができないという判断がなされない限り、精製工程S100、測定工程S200および判断工程S300を繰り返し行なうことができる。これにより、予測不能な状況に陥ったときであっても適切な対応を迅速にとることが可能であり、また長時間化および高コスト化を招くことなく高純度なシリコン塊を製造することができる。基準値は特に限定されないが、たとえば、0.5Ωcmよりも大きく5Ωcm以下であることが好ましく、より好ましくは0.8Ωcm以上2Ωcm以下である。このように、基準値は、範囲を持っている。そのため、ステップS302では、測定工程S200で測定されたシリコン塊51の比抵抗値の集合が基準値の集合の部分集合と見なせるか否かを判断していると考えることができるため、図2におけるステップS302では部分集合を示す記号⊆を用いている。図3は、ホウ素濃度B濃度およびリン濃度P濃度とシリコン塊の比抵抗値との関係を示すグラフである。図3に示すように、シリコン塊の導電型および比抵抗値は、ホウ素またはアルミニウム等のp型ドーパントの微小な濃度変化に対して鋭敏に変化し、リンまたはアンチモン等のn型ドーパントの微小な濃度変化に対して鋭敏に変化する。たとえば、シリコン塊におけるホウ素濃度が一定であるとき、シリコン塊におけるリン濃度が高くなるにつれてシリコン塊の比抵抗値は大きくなる。よって、シリコン塊の比抵抗値が5.Ωcmよりも大きければ、シリコン塊におけるリン濃度が高いと予想できる。一方、シリコン塊におけるリン濃度が一定であるとき、シリコン塊におけるホウ素濃度が高くなるにつれてシリコン塊の比抵抗値は小さくなる。よって、シリコン塊の比抵抗値が0.5Ωcm以下であれば、シリコン塊におけるホウ素濃度が高いと予想できる。したがって、p型ドーパントが不純物として多量に存在するシリコン塊の比抵抗値も、n型ドーパントが不純物として多量に存在するシリコン塊の比抵抗値も、基準値の範囲外となる。これにより、図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法ではシリコン塊51の導電型に依らず高純度なシリコン塊51を得ることができるので、太陽電池用p型シリコン材料の製造にも太陽電利用n型シリコン材料の製造にも図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法を使用できる。たとえば、シリコン精製装置の窓材にパイレックス登録商標ガラスが使用されていることが多いが、このパイレックス登録商標ガラスはホウ酸を多く含んでいる。そのため、パイレックス登録商標ガラスがシリコン融液中に混入すると、そのシリコン融液中にホウ酸が混入することとなり、そのシリコン融液から製造されたシリコン塊の導電型はp型側へシフトし、そのシリコン塊の比抵抗値は基準値の範囲よりもp型側へシフトする。そのため、ステップS301およびステップS302の少なくとも一方のステップにおいてNoと判断されて、ステップS304へ進むこととなる。よって、パイレックス登録商標ガラスが混入されたシリコン融液を用いたシリコン塊の製造を阻止できる。また、シリコン精製装置の炉材として使用される耐火パッチング材にリン酸が成分として含まれている場合がある。リン酸が成分として含まれた耐火パッチング材がシリコン融液5に混入すると、そのシリコン融液5中にリンが混入することとなり、そのシリコン融液から製造されたシリコン塊の導電型はn型側へシフトし、そのシリコン塊の比抵抗値は基準値の範囲よりもn型側へシフトする。そのため、ステップS301およびステップS302の少なくとも一方のステップにおいてNoと判断されて、ステップS304へ進むこととなる。よって、リンが多く含まれた耐火パッチング材が混入されたシリコン融液を用いたシリコン塊の製造を阻止できる。以上説明したように、図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法では、ルツボ1内に残存するシリコン融液5を用いて新たなシリコン塊51を得ることができるか否かの判断を従来よりも簡易に行なうことができるので、短時間且つ低コストでシリコン塊51を得ることができる。よって、予測不能な状況に陥ったときであっても適切な対応を迅速にとることが可能であり、長時間化および高コスト化を招くことなく高純度なシリコン塊を製造することができる。なお、判断工程S300では、測定工程S200で測定されたシリコン塊51の比抵抗値が予め設定された基準値の範囲内であるか否かを判断するステップS302を行ってから、測定工程S200で測定されたシリコン塊51の導電型が予め設定された導電型と同一であるか否かを判断するステップS301を行なっても良い。<補充工程>補充工程S400では、判断工程S300においてルツボ1内に残ったシリコン融液5を精製してシリコン塊51を新たに得るという工程を行なうことができるという判断がなされ、精製工程S100を継続できない程度にルツボ1内におけるシリコン融液5の量が減少した場合に、ルツボ1内にシリコン原料およびシリコン融液5の少なくとも一方を補充する。これにより、シリコン塊51を効率良く得ることができる。このようにして得られたシリコン塊51を用いてシリコンインゴットを得ることができる。具体的には、複数のシリコン塊51に対してキャスティングを行なってシリコンインゴットを得るが、キャスティングされる複数のシリコン塊51はいずれも判断工程S300において導電型が予め設定された導電型であり且つ比抵抗値が予め設定された基準値の範囲内であると判断されている。そのため、複数のシリコン塊51のうちの一部のシリコン塊が純度に優れないためにシリコンインゴットの純度が低下することを防止でき、よって、高純度なシリコンインゴットが得られる。なお、図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法では、精製工程S100、測定工程S200および判断工程S300を繰り返し行なうことが好ましい。これにより、太陽電池用シリコン材料の量産が可能となる。また、精製工程S100、測定工程S200および判断工程S300を繰り返し行なってから、必要に応じて補充工程S400を行ない、その後、精製工程S100へ戻って、精製工程S100、測定工程S200および判断工程S300を繰り返し行なっても良い。精製工程S100、測定工程S200および判断工程S300を繰り返し行なう場合であっても、精製工程S100で析出されたシリコン塊51のすべてに対して測定工程S200および判断工程S300が行なわれる。よって、予測不能な状況に陥ったときであっても適切な対応を迅速にとることが可能であり、長時間化および高コスト化を招くことなく高純度なシリコン塊を製造することができる。<太陽電池用シリコン材料の製造システム>図4は、本発明の太陽電池用シリコン材料の製造システムの一例を示すブロック図である。図4に示す太陽電池用シリコン材料の製造システムは、精製部11と測定部13と判断部15とを備え、好ましくは図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法を実施可能に構成されていることである。精製部11は、シリコン原料を精製可能に構成されており、図1に示す精製工程S100を実施可能に構成されていることが好ましく、たとえば図5に示す精製装置で構成されていることが好ましい。測定部13は、精製部11で析出されたシリコン塊の導電型および比抵抗値のうちの少なくとも一方を測定可能に構成されており、好ましくは図1に示す測定工程S200を実施可能に構成されていることである。判断部15は、測定部13の測定結果に基づき精製部11でのシリコン原料の精製の続行または停止を判断し、好ましくは図1に示す判断工程S300を実施可能に構成されていることであり、より好ましくは図2に示すステップS301~S304を実施可能に構成されていることである。具体的には、判断部15は、測定部13から入力されたシリコン塊の導電型と予め設定された導電型とが同一であるか否かを判断するように構成されているとともに、測定部13から入力されたシリコン塊の比抵抗値が基準値の範囲内であるか否かを判断するように構成されていることが好ましい。判断部15は、測定部13から入力されたシリコン塊の導電型が予め設定された導電型に一致していない場合および測定部13から入力されたシリコン塊の比抵抗値が基準値の範囲外である場合のうちの少なくとも一方の場合に該当すると判断したときには、精製部11でのシリコン原料の精製を続行させることは難しいと判断して精製部11でのシリコン原料の精製を停止させる。得られたシリコン塊は不良品として工程から排除されることが好ましい。一方、判断部15は、測定部13から入力されたシリコン塊の導電型が予め設定された導電型に一致し、且つ測定部13から入力されたシリコン塊の比抵抗値が基準値の範囲内であると判断したときには、精製部11でのシリコン原料の精製を続行させることが可能であると判断する。そして、得られたシリコン塊を良品として回収してから精製部11でのシリコン原料の精製を続行させることが好ましい。以上説明したように、図4に示す太陽電池用シリコン材料の製造システムは、図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法を実施するので、図1に示す太陽電池用シリコン材料の製造方法が奏する効果と同一の効果を奏する。なお、本発明の太陽電池用シリコン材料の製造システムは図4に示す構成に限定されない。たとえば、本発明の太陽電池用シリコン材料の製造システムは、精製部11でのシリコン原料の精製を続行させることが出来ない程度にルツボ内におけるシリコン融液の量が減少したときにはシリコン原料またはシリコン融液を補充するように精製部11へ指示する補充指示部をさらに備えていても良い。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1>実施例1では、図5に示すシリコン精製装置を用いて太陽電池用p型シリコン材料を製造した。MG―Siに対して、スラグを用いたホウ素除去処理および真空溶融法によるリン除去処理を行なった。これにより、シリコン原料を得た。抜き取り検査によりシリコン原料に含まれる不純物の濃度を測定したところ、ホウ素の濃度が0.2質量ppmであり、リンの濃度が0.4質量ppmであった。シリコン原料をルツボ1内に供給し、加熱装置3によりルツボ1およびシリコン原料を加熱した。これにより、シリコン融液5が得られた。シリコン融液5が得られてからも加熱装置3を稼動させた状態で、冷却用基体7をシリコン融液5内に浸漬させ、冷却用基体7をシリコン融液5内で回転させた。これにより、シリコン塊51が冷却用基体7の表面に析出した。冷却用基体7の表面に析出したシリコン塊51の一部を採取した。採取されたシリコン塊51の比抵抗値を四端子法によって測定し、採取されたシリコン塊51の導電型を熱起電力法により測定した。測定されたシリコン塊51の導電型が予め設定された導電型本実施例ではp型に一致しているか否かを判断した。測定されたシリコン塊51の比抵抗値が基準値の範囲内本実施例では0.5Ωcmよりも大きく5Ωcm以下であるか否かを判断した。そして、シリコン塊51の析出、シリコン塊51の導電型および比抵抗値の測定、およびシリコン塊51の導電型および比抵抗値に対する判断を1サイクルとして、繰り返し行なった。その結果を表1に示す。表1に示すように、1~5回目のサイクルで得られたシリコン塊表1に示すシリコン塊1番~5番では、導電型はp型であり、比抵抗値は0.5Ωcmよりも大きく5Ωcm以下であった。よって、シリコン塊1番~5番は、太陽電池用p型シリコン材料として使用可能であると判断した。しかし、6回目のサイクルで得られたシリコン塊表1に示すシリコン塊6番では、比抵抗値が基準値の範囲を下回っており、導電型はn型であると判断した。ICP発光分析法を用いてシリコン塊6番における不純物の濃度を測定したところ、通常の3倍程度の高濃度なリンが検出された。リンの出所を調査したところ、炉材に使用されていたパッチング材がルツボ1内に脱落していたことが分かった。このように、本実施例では、シリコン塊51が析出されるたびに、析出されたシリコン塊51の導電型および比抵抗値を測定し、測定結果に基づいてシリコン原料の精製を続行可能な否かを判断した。そのため、炉材に使用されていたパッチング材がルツボ1内に脱落するという予測不能な状況に陥ったが適切な対応を迅速にとることができ、よって、高純度なシリコン塊51のみを回収することができた。<実施例2>実施例2では、シリコン原料の調製方法が異なることを除いては上記実施例1と同様の方法にしたがって、太陽電池用p型シリコン材料を製造した。具体的には、本実施例では、シリコン原料として、多結晶シリコンインゴットから角柱状のブロックを切り出した際に発生するシリコン端材を用いた。抜き取り検査によりシリコン端材に含まれる不純物の濃度を測定したところ、ホウ素の濃度が0.3質量ppmであり、リンの濃度が0.5質量ppmであった。上記実施例1と同様の方法にしたがって、シリコン塊51の析出、シリコン塊51の導電型および比抵抗値の測定、およびシリコン塊51の導電型および比抵抗値に対する判断を繰り返し行なった。その結果を表2に示す。表2に示すように、第1のシリコン端材を用いて太陽電池用p型シリコン材料を製造したところ、1~15回目のサイクルで得られたシリコン塊シリコン塊1番~15番では、導電型はp型であり、比抵抗値は0.5Ωcmよりも大きく5Ωcm以下であった。なお、表2には、シリコン塊1番、5番、10番および15番のみの結果を示しているが、シリコン塊1番~15番において導電型がp型であり比抵抗値が0.5Ωcmよりも大きく5Ωcm以下であることを確認している。よって、シリコン塊1番~15番は、太陽電池用p型シリコン材料として使用可能であると判断した。しかし、第2のシリコン端材を用いて太陽電池用p型シリコン材料を製造したところ、1回目のサイクルで得られたシリコン塊表2に示すシリコン塊16番では、導電型はp型であったが、比抵抗値は基準値の範囲を下回った。ICP発光分析法を用いてシリコン塊16番における不純物の濃度を測定したところ、通常の4倍程度の高濃度なホウ素が検出された。ホウ素の出所を調査したところ、第1および第2のシリコン端材以外のシリコン端材の一部から高濃度のホウ素が検出されたため、第2のシリコン端材に高濃度なホウ素が含まれていたと考えられる。このように、本実施例においても、シリコン塊51が析出されるたびに、析出されたシリコン塊51の導電型および比抵抗値を測定し、測定結果に基づいてシリコン原料の精製を続行可能な否かを判断した。そのため、シリコン原料の一部分に高濃度なホウ素が含まれていたという予測不能な状況に陥ったが適切な対応を迅速にとることができ、よって、高純度なシリコン塊51のみを回収することができた。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。