"半導体材料にドープするための方法であって、前記半導体材料から成る原料4を収容するるつぼ1を用意するステップと、前記半導体材料により形成される閉じられた犠牲受容体5内に、ドーパント材料6を配置するステップと、前記るつぼ1内に前記受容体5を挿入するステップと、前記るつぼ1の内容物を溶融するステップと、を備えることを特徴とする方法。閉じられた前記犠牲受容体5が密閉されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記るつぼ1が減圧で動作する筐体7内に配置されることを特徴とする請求項1および請求項2のいずれか一項に記載の方法。閉じられた前記犠牲受容体5が半導体材料から成る前記原料4の底部から1/3に配置されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の方法。更なる犠牲受容体5a,5bの使用を含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の方法。前記犠牲受容体5aと前記更なる犠牲受容体5bとが異なる溶融温度を有することを特徴とする請求項5に記載の方法。実施が容易で、経済的であるとともに、取り込まれるドーパントの量をうまく統制できる、半導体材料にドープするための方法を提供する要求が存在することが確認される。本発明に係る方法は、それが、前記半導体材料から成る原料を収容するるつぼを用意するステップと、閉じられた犠牲受容体内にドーパント材料を配置するステップであって、犠牲受容体が前記半導体材料により形成されるステップと、るつぼの内容物を溶融するステップと、を備えるという事実によって特徴付けられる。他の利点および特徴は、非限定的な例示目的で与えられて添付図面に表わされる本発明の特定の実施形態の以下の説明から更に明確に分かる図1に示されるように、るつぼ1は、底部2と側壁3とを備える。るつぼ1は、半導体材料から成る原料4により満たされる。半導体材料は、例えば、シリコン、シリコン-ゲルマニウム合金、SiC、GaAsまたはCdTeなどのIII-V族またはII-VIの二元化合物、あるいは、AlGaAsまたはHgCdTeなどのIII-V族またはII-VI族の三元化合物である。対象の技術分野に応じて、半導体材料から成る原料4は、明確な電気的に活性の不純物準位を備える。これらの不純物準位は、選択された用途に適合する固体半導体材料をもたらすように規定される。マイクロエレクトロニクスタイプの用途においては、半導体材料から成る原料4が非常に弱くドープされる。光起電力タイプの用途においては、半導体材料から成る原料4がより多くのドーパント不純物を含み得る。原料4中における不純物の分布は、溶融前においては自由である。原料4は、より強くドープされた半導体材料のブロックに隣接して、非常に弱くドープされた半導体材料を含み得る。また、原料4は、るつぼ1の内側のドーパント材料の1つ以上のブロックを含み得る。結果的に、結晶材料中に所要のドーパント濃度を得るため、原料4は、存在する半導体材料の量、存在するドーパントの量、および、取り込まれるべき不純物の量を測定するために分析される。このステップは、充填物の溶融前にいつでも行なうことができる。1つ以上のドーパント材料6を収容する閉じられた犠牲受容体5が、るつぼ1の内側の半導体材料から成る原料4中に配置される。特定の実施形態では、複数の閉じられた犠牲受容体5が原料4中に配置される。受容体を任意の態様で分布させることができ、あるいは、溶融の開始時点から非常に良好な均一性を得るように受容体の分布を選択できる。原料中に存在する更なる犠牲受容体は、犠牲受容体と同じドーパントまたはドーパント混合物を収容できる。他の実施形態では、更なる犠牲受容体が、犠牲受容体とは異なるドーパントを収容する。同じドーパントまたは異なるドーパントを収容する幾つかの受容体5a,5bの使用は、溶融された充填物の均一性を高める。また、これにより、異なる溶融温度を有する受容体5a,5bも使用でき、その結果、ドーパントを原料中に徐々に取り込むことができ、あるいは、2つの異なるドーパントの同時取り込みが回避される。このとき、互いに異なる溶融温度を有する犠牲受容体5を使用するのが有益である。受容体5は、それが結晶半導体材料を与える液体状態で原料4の一部を形成するように溶融されるため、犠牲的である。犠牲受容体5は、原料4の一部を形成する材料によって形成される。閉じられた受容体5を構成する材料は、溶融されるべき半導体材料であることが好ましい。この半導体材料はドープしてもしなくてもよい。しかしながら、閉じられた受容体5を、他の材料によって、例えば、取り込まれるべきドーピング不純物によって形成することもできる。好ましい実施形態において、犠牲受容体5は、溶融されるべき原料4の主成分の溶融温度に近いあるいは等しい溶融温度を有する材料から形成される。このようにすると、犠牲受容体5は、原料4から生じる十分な量の溶融材料によって取り囲まれるおよび/または覆われる前に劣化されない。優先的な態様では、十分な量の溶融材料が存在するときにドーパント材料6の解放が行なわれるように犠牲受容体5の寸法を選択することもできる。受容体の寸法はドーパントの粒度分布によって決まる。優先的な態様では、受容体5の体積は数立方ミリメートル~数立方センチメートルである。しかしながら、幾つかの受容体5と協働することが好ましくなる場合であっても、更に大きな寸法を使用できる。1つ以上のドーパントを収容する閉じられた受容体5と共に半導体材料から成る原料4がるつぼ1内に配置されたら、原料4が溶融される。犠牲受容体5も溶融され、それにより、受容体5内に配置されるドーパント6を解放する。このようにすると、ドーパント不純物6がるつぼ1内の溶融浴液中に取り込まれる。るつぼ1の内容物全体が溶融されて結晶半導体材料を形成するために使用される。少なくとも1つのドーパント不純物6を収容する閉じられた犠牲受容体5の使用は特に有益である。ドーパント不純物6は純粋体または合金の状態となることができる。犠牲受容体5が原料4の残りの部分の溶融温度と同一のあるいは略同一の溶融温度を有する場合には、ドーパント材料6が溶融した原料4中に直接に取り込まれる。これは、るつぼ1の温度勾配が起こるとき、例えば、原料を構成する半導体材料の溶融温度よりも低い溶融温度を有するドーパントが取り込まれるようになっているときのドーパント材料の蒸発の問題を大幅に減らす。この実施形態は、犠牲受容体5を密閉状態にすることによって改善され得る。耐密性のある受容体の使用は、るつぼ1が減圧および更には真空状態の筐体7内に配置されるときに更に一層有益である。例示目的のため、この実施形態は、作動圧力が大気圧~10-5mbarの場合に特に有益である。低圧での作業は、高い飽和蒸気圧を有するドーパント6、例えばガリウムまたはリンを取り込むことが求められるときには困難でありあるいは不可能でさえある。この場合、減圧で、一般的には先に規定された圧力範囲内で、原料4の温度を高めて、寄生不純物を排除することができ、また、その後、更に高い圧力で溶融を行なって、原料4中に意図的に取り込まれるドーパント不純物6の蒸発を防止することができる。ドーパント不純物6が溶融浴液中に直接に配置されるため、半導体材料中へのドーパント不純物の取り込みがより良く制御される。これにより、損失が低減されるため、最終材料中に存在するドーパント量の精度が更に高まるとともに、溶融浴液内のドーパントの均一性、したがって、結晶材料の均一性が更に高まる。また、ドーパント不純物6が溶融ステップの前にるつぼ1内に取り込まれるため、溶融方法の過程でドーパント不純物を取り込む必要がもはやなく、そのため、不純物が例えばスティックによって取り込まれるときの汚染のリスクが排除される。また、これにより、原料4の溶融を行なうために使用できる器具が簡素化される。ドーパント6を収容する犠牲受容体5は、固体材料をるつぼ内に取り込んで、この固体材料を溶融し、該材料を凝固させる多数の技術で使用することができる。半導体材料の従来のドーパント、例えば、ホウ素、リン、ガリウム、インジウム、および、ゲルマニウムを犠牲受容体5内に組み込むことができる。有利な態様では、原料の残りの部分と比べて低い溶融温度および/または溶融方法と不適合な平衡蒸気圧を有するドーパントが受容体5内に封入される。犠牲受容体5は、任意の適した技術によって、例えば、原料4を構成する半導体材料のブロックをタップ加工することによって、あるいは、他の機械加工技術によって製造される。犠牲受容体5は、純粋な材料、合金、または、ドープされた材料によって形成することができる。犠牲受容体5内に収容されるドーパント6は、受容体の材料とは異なる材料である。優先的な態様では、ドーパント6が純粋な材料あるいはほぼ純粋な材料である。好ましい実施形態において、犠牲受容体5は、底部2、側壁3、および、充填物の上端と接触されずに原料4の内側に配置される。より優先的な態様において、犠牲受容体5は、溶融されるべき原料4の上端から1/3と底部から1/3との間に配置される。これにより、原料4と比べて遅い犠牲受容体5の溶融を得ることができる。また、受容体があまりにも簡単に浮かないように、受容体を底部から1/3に配置させることもできる。別の実施形態では、1または複数の犠牲受容体が溶融ステップ後に原料中に配置される。このようにすると、充填物の溶融後にドーパントが取り込まれる。異なる実施形態の場合と同様に、受容体は、寄生反応を防止するために、互いに異なるドーパントまたはドーパント混合物を取り込むことができる。受容体は、溶融状態へと変わる前に原料の中心にドーパントをより良く取り込むことができるようにする。蒸発によって失われるドーパントの量が減少される限りにおいて、非常に低く且つ非常にうまく統制できる付加的なドーパント濃度を伴う結晶半導体材料を得ることができる。"