半導体チップ上に第1のセンサ信号用の第1の信号経路を有する第1のセンサ装置と、前記半導体チップ上に第2のセンサ信号用の、前記第1の信号経路とは異なる第2の信号経路を有する第2のセンサ装置と、を含むモノリシック集積回路センサシステムであって、前記第1の信号経路信号と前記第2の信号経路信号とを比較することによりセンサシステムセルフテストを提供する、センサシステム。前記半導体チップ上にあって、前記第1および第2の信号経路信号を受信するために前記第1および第2の信号経路に接続されたデジタルシグナルプロセッサDSPをさらに含み、前記比較は前記DSPにより実施される、請求項1に記載のセンサシステム。前記DSPは、前記第1の信号経路に関連する第1のソフトウェアブロックと前記第2の信号経路に関連する第2のソフトウェアブロック、あるいは前記第1の信号経路に関連する第1のデジタル信号処理部と前記第2の信号経路に関連する第2のデジタル信号処理部の少なくとも一方を含む、請求項2に記載のセンサシステム。前記DSPは、アナログデジタルA/D変換チャネル交差切り替え装置により前記第1および第2の信号経路に接続される、請求項2に記載のセンサシステム。比較信号を提供するために前記第2の信号経路に接続された少なくとも1つの追加センサ装置をさらに含む、請求項1に記載のセンサシステム。前記少なくとも1つの追加センサ装置は、温度センサ、応力センサ、電流センサ、電圧センサ、および磁界センサからなる群から選択される、請求項5に記載のセンサシステム。前記半導体チップ上のマルチプレクサをさらに含み、かつ前記第2のセンサ装置および前記少なくとも1つの追加センサ装置を前記第2の信号経路に接続する、請求項5に記載のセンサシステム。前記第1および第2のセンサ装置は、磁界センサを含む、請求項1に記載のセンサシステム。前記第1の信号経路は、第1のアナログデジタルA/D変換器を含み、前記第2の信号経路は、前記第1のA/D変換器とは異なる第2のA/D変換器を含む、請求項1に記載のセンサシステム。前記第1のA/D変換器は、前記第2のA/D変換器の動作原理とは異なる少なくとも1つの動作原理で動作する、請求項9に記載のセンサシステム。前記第1のセンサ装置と前記第1の信号経路とに接続された第1のバイアス回路、および前記第2のセンサ装置と前記第2の信号経路とに接続された第2のバイアス回路をさらに含む、請求項1に記載のセンサシステム。前記第1のバイアス回路から信号を受信し、前記第2のバイアス回路から信号を受信し、かつ前記信号同士を比較するように構成されたバイアス比較器をさらに含む、請求項11に記載のセンサシステム。前記第1の信号経路は、前記第2の信号経路と比較すると、速い、高精度である、雑音が少ない、異なる動作原理を有するからなる群から選択される少なくとも1つの特徴を有する、請求項1に記載のセンサシステム。安全度水準SIL規格を満たす、請求項1に記載のセンサシステム。モノリシック集積回路センサシステムにおけるセルフテストを提供する方法であって、単一半導体チップ上に、主センサを含む主信号経路を実装する工程と、前記単一半導体チップ上に、副センサと、前記主信号経路とは異なる副信号経路とを実装する工程であって、前記主信号経路と比較すると、前記副信号経路は、遅い、低精度である、雑音が多い、異なる動作原理を有するからなる群から選択される少なくとも1つの特徴を有する、工程と、前記主信号経路の信号と前記副信号経路の信号とを比較することにより前記センサシステムのセルフテストを行なう工程と、を含む方法。少なくとも1つの追加センサを前記副信号経路へ多重化する工程をさらに含む、請求項15に記載の方法。前記少なくとも1つの追加センサから少なくとも1つの補償信号を受信する工程をさらに含む、請求項16に記載の方法。前記主信号経路上に第1のアナログデジタルA/D変換技術を実装する工程と、前記副信号経路上に、前記主A/D変換技術とは異なる第2のA/D変換技術を実装する工程と、をさらに含む、請求項15に記載の方法。第1のバイアス部により前記主センサをバイアスする工程と、前記第1のバイアス部とは異なる第2のバイアス部により前記副センサをバイアスする工程と、前記主センサのバイアス電流と前記副センサのバイアス電流とを測定する工程と、をさらに含む、請求項15に記載の方法。前記主および副信号経路をデジタルシグナルプロセッサDSPに接続する工程と、前記DSPの第1のソフトウェア部分を用いて、前記主信号経路の信号を処理する工程と、前記DSPの、前記第1のソフトウェア部分とは異なる第2のソフトウェア部分を用いて、前記副信号経路の信号を処理する工程と、をさらに含む、請求項15に記載の方法。主信号経路部分と副信号経路部分を含む前記DSPの並行出力を提供する工程をさらに含む、請求項20に記載の方法。前記比較工程は、前記主信号経路の信号と前記副信号経路の信号の商または線形変換の少なくとも一方を形成することを含む、請求項15に記載の方法。システム障害を検出するために少なくとも1つの商または線形変換を評価する工程をさらに含む、請求項22に記載の方法。前記主センサまたは前記副センサの少なくとも一方の測定範囲を調整する工程をさらに含む、請求項15に記載の方法。前記主センサが前記副信号経路に接続され、前記副センサが前記主信号経路に接続されるように、前記主センサと前記副センサとを交換する工程、をさらに含む、請求項15に記載の方法。SILおよび/または他の適用可能な安全規格を満たす、確実で費用効率の高いセンサシステムが必要である。一実施形態では、モノリシック集積回路センサシステムは、半導体チップ上に第1のセンサ信号用の第1の信号経路を有する第1のセンサ装置を、そして半導体チップ上に第2のセンサ信号用の、第1の信号経路とは異なる第2の信号経路を有する第2のセンサ装置を含み、第1の信号経路信号と第2の信号経路信号とを比較することによりセンサシステムセルフテストを提供する。一実施形態では、モノリシック集積回路センサシステムにおいてセルフテストを提供する方法は、主センサを含む主信号経路を単一半導体チップ上に実装する工程と、単一半導体チップ上に副センサおよび主信号経路とは異なる副信号経路を実装する工程であって、主信号経路と比較すると、副信号経路は、遅い、低精度である、雑音が多い、異なる動作原理を有するからなる群から選択される少なくとも1つの特徴を有する、工程と、主信号経路の信号と副信号経路の信号とを比較することによりセンサシステムのセルフテストを行なう工程と、を含む。本発明は、以下の添付図面に関する本発明の様々な実施態様の詳細な説明を考慮すると、より完全に理解することができる。実施形態は、複数の信号経路を利用したセンサ自己診断のためのシステムと方法に関する。一実施形態では、センサは磁界センサであり、システムおよび/または方法は関連安全規格、またはSIL規格などの他の業界規格を満たすまたは上回るように構成される。図1に、一実施形態によるセンサシステム100の概念的ブロック図を示す。システム100は、それぞれがデジタルシグナルプロセッサDSP103と通信を行う第1のセンサ102と第2のセンサ104を含む。一実施形態では、第1のセンサ102、第2のセンサ104、およびDSP103は、単一チップ105上に実装されたモノリシック集積回路を構成し、DSP103は外部の電子制御装置ECU:electroniccontrolunit106と通信を行う。センサの1つは一次または主センサである。図1の実施形態では、センサ102は主センサであり、センサ104は副センサである。以下にさらに詳細に検討されるように、主センサ102は主信号経路を介しDSP103と通信を行い、副センサ104は主信号経路とは少なくとも部分的に異なる副信号経路を介しDSP103と通信を行う。副センサ104およびその対応する副信号経路は通常、主センサ102と比較すると、精度が低く、遅く、および/または雑音が多く、異なる動作原理を利用して動作し、および/または追加の二次的検知タスクを含む。したがって副センサ104は主センサ102より安価であり、また、システム100の費用と複雑さに影響を与える配置、チップ面積、および他の要素についての制約が少ないと考えられる。これらの二次的検知タスクとしては、温度、機械的応力、内部動作またはバイアス電圧、動作またはバイアス電流等の補償信号の測定、および/または追加の単純なターゲット測定が挙げられる。例えば、センサ102、104は一実施形態では磁界センサを含み、このようなセンサのターゲット測定は磁場となるであろう。しかしながらいくつかの実施形態では、副センサ104は、一例の実施形態では、温度センサと応力センサだけでなく主センサ102を反映する磁界センサ等の複数のセンサまたはセンサアレイを含むことができる。しかしながら一実施形態では、副センサおよび信号経路は、主センサおよび信号経路との妥当性比較に利用することができる。さらに、副センサと信号経路は、主センサと信号経路の検証だけでなく故障検出にも利用することができる。このような構成によりいくつかの利点を提供することができる。第1に、SIL互換性を実現することができる。第2に、従来の解決策と比較してサイズおよび費用優位性を実現することができ、ハードウェアをさほど追加することなくセルフテストを通常動作中に実施することができる。さらに、デジタル信号処理DSPと信号処理ソフトウェアの追加のセルフテスト特徴を実装することができる。さらに、フィールド故障と返却率も低減することができ、両者すなわち、元のチップ製造業者およびチップを実装する顧客の費用効果を改善する。図2を参照すると、図1に示した概念に基づくセンサシステム200の実施形態のブロック図が示されている。システム200は、ホール効果または巨大磁気抵抗GMR:giantmagneto-resistive等の主磁界センサ202と副磁界センサ204を含むが、センサ202、204は他の実施形態では他のタイプのセンサであってもよく、磁界センサに限定されない。センサ202はセンサ102と概念的には似ており、センサ204は図1を参照して説明されたセンサ104と概念的には似ている。システム200はまた、副または補助センサとも考えられる1つまたは複数の追加センサ208を含む。センサ208は、様々な実施形態では、温度、応力、電流、磁場または何らかの他のセンサ形式を含むことができる。一実施形態では、主センサ202はデジタル信号処理DSP部220と通信を行う。DSP部220は次に、入出力部210を介し外部のECUまたは他の制御装置例えば、図1を参照と通信を行う。一実施形態によると、センサ202、204は個別信号経路構造的に異なるアナログ信号経路、混合信号経路、ある程度はデジタル信号経路および処理、およびソフトウェア部品を含むを介しDSP部220と通信を行う。図2では、主センサ202に関連する主信号経路は太線で示され、センサ204に関連する副信号経路は単純な破線で示されている。例えば、図2の実施形態では、主信号経路は主センサ202からアナログデジタルA/D変換器212およびA/D変換チャネル交差スイッチ214へ信号を伝達することができる。副信号経路は副センサ204からマルチプレクサ216へ信号を伝達する。マルチプレクサ216はまた、追加的または補助的センサ208からのすべての信号を入力として受信する。副信号経路はMUX216から第2のA/D変換器218に続く。第2のA/D変換器218はまた交差スイッチ214にその出力を送信する。一実施形態では、主信号経路の要素と副信号経路の要素は同一ではなく、および/または異なる動作原理を利用して実装される。例えば、主信号経路内のA/D変換器212は三次のシグマデルタ変換器を含むことができ、一方、副信号経路内のA/D変換器218は一次のシグマデルタ変換器を含むことができる、あるいは1つまたは複数のA/D変換器は、シグマデルタの代わりに逐次比較レジスタSARまたはフラッシュ技術を利用することができる。換言すれば、主センサ102と比較すると低精度で、遅くおよび/または雑音が多く、異なる動作原理を利用して動作し、および/または追加の二次的な検知タスクを含む副センサ204と同様に、同じことが、A/D変換器212と比較するとA/D変換器218について言える。交差スイッチ214の出力は、主および副信号経路の両方に関連付けられ、デジタル信号処理DSP部220に送信される。DSP220は、一実施形態では、状態機械222、クランピングアルゴリズムclampingalgorithm224およびメモリマトリクス226を含む。主および副信号経路の概念と一致して、DSP220もまた、主信号経路に関連する第1のソフトウェア部分と副信号経路に関連する第2のソフトウェア部分を含む。追加的にまたは代替的に、DSP220はまた、主信号経路と副信号経路のための異なるDSP方法または技術を実装することができる。一実施形態では、DSP220はインターフェース228を介しI/O210に接続され、I/O210は外部のECU図2に示さないに接続される。これにより主および副信号経路は、多くの有益な特性を提供する2つの異なる準冗長アナログ信号経路を提供することができる。例えば、主信号経路を介したサイクル中のセンサ202からの主磁界信号の送信により高精度な計算結果を提供することができる。主信号経路自体は、少なくとも副信号経路に比し、チョッピングまたは他の技術を利用すること等により非常に高精度かつ速やかに動作する。主信号経路はまた、他のシステム部品に影響されること無く独立かつ自由に動作する。解析目的のために、副信号経路はまた、そのデータを制御装置に提供する可能性を提供する。データは正または負符号のいずれかにより処理されてよいであろう。DSP220からインターフェース228とI/O210への可能な並行出力をシステム200内に示すが、逐次送信はまた、例えば時分割多重を利用して、あるいは外部要求などの要求に応じて実施されてもよいであろう。センサ202、204と随意的にセンサ208は、それらの測定値に関し、様々な検知原理処理、技術的性能および仕様、センサ202、204自体のサイズおよび/または配置、およびバイアスを含むを利用することができる。システム200の実施形態は、2つのバンドギャップバイアス部230、232と1つのバイアス比較部234を含む。バイアス部230は主信号経路に関連付けられ、バイアス部232は副信号経路に関連付けられる。バイアス部230、232はそれぞれ、センサ102、104の異なるバイアスの選択肢を提供し、バイアス比較部234は出力信号を、考察のためにDSP220へ提供することができる。システム200の実施形態はまた、A/D変換器212、218と交差スイッチ214を介し、異なるA/D変換および/またはスイッチング概念を利用することができる。例えば、前述のように、主信号経路内のA/D変換器212は、三次のシグマデルタ変換器を含むことができ、一方、副信号経路内のA/D変換器218は一次のシグマデルタ変換器を含むことができる、あるいは1つまたは複数のA/D変換器は、シグマデルタの代わりに逐次比較レジスタSARまたはフラッシュ技術を利用することができる。様々な実施形態では、これらの異なるA/D変換および/またはスイッチング概念は、異なる故障振る舞いおよび/または故障確率を提供することができる。測定範囲もまた、クランピング効果または制限効果を検出するために、図2のA/D変換器212、218への顕著な入力notedinputsを介し、いくつかの実施形態では切り替えることができる。いくつかの実施形態はまた、それぞれの主および副信号経路を有するセンサ202、204を切り替える選択肢を提供することができる。例えば、副センサ204を主信号経路内に交換し、主センサ202も同様に副信号経路内に交換することができる。この選択肢は、例えばセンサをその経路から分離することにより、故障検出および/または特定を改善することができる。システム200の実施形態により提供される別の利点は、主および副信号経路のそれぞれの出力信号を比較し例えば商を形成することによりその結果を評価する能力である。結果を評価することにより、センサ202、204、信号経路、システム200、および/または他のいくつかの部品の性能または機能性に関係する1つまたは複数の態様を決定することができる。例えば、出力信号を比較することにより、入力信号の急激な変化を検出することができる。補償例えば、センサ208が温度センサを含む場合の温度補償を利用した実施形態では、出力信号同士を温度補償信号に応じて比較することができる。他の実施形態では、他の信号、特性、または情報を分離するために、センサ208からの情報のクランピングまたは制限を実施することができる。DSP220は主信号経路のソフトウェア1と副信号経路のソフトウェア2を利用するので、いくつかの実施形態では信号経路の出力結果同士を比較することができる。このような比較により、ソフトウェアアルゴリズム自体の検査を行うことができる。内部または外部窓比較internalorexternalwindowcomparisonsもまた、2つの信号経路またはDSP220の計算結果の妥当性検査に利用することができる。このような妥当性検査の一部として、警告を行うおよび/または故障閾値を用いることができる。したがって、いくつかの実施形態はセンサシステムにおける故障自己診断だけでなく安全規格互換性も提供することができる。故障の取り扱いは、当該の特定システムおよび/または安全規格だけでなくシステムのタイプと安全規格の厳格性により変わり得るが、いくつかの実施形態は検出された問題点についてシステム利用者に警告する機会を提供することができる。例えば、磁界センサを利用した安全性最重要視自動車電子パワーステアリングセンサ用途では、検出故障はECUに、適切な行動が取られるように運転者に重大なシステム問題について警告するようにさせる。いくつかの用途では、ECUを、エラー障害状況において安全モードまたは安全動作プロトコルに切替えるようにプログラムすることができる。さらに、いくつかの実施形態は、冗長な複数の一次センサを利用する従来の解決策より空間および費用効率が高い。例えば、いくつかの実施形態では、主/副センサおよび信号経路は、その性能に対する要求の低減という点で通常は安価な装置である副センサと共に単一の一次センサだけ2つの一次センサではなくを利用しながらチップ面積を10未満の増加で済ますことができる。安価な副センサを考慮すると、単一チップ上に2つの一次センサを利用する従来の解決策を越えた利点も実現される。システム、装置、および方法の様々な実施形態についてここでは説明してきた。これらの実施形態は一例として示しただけであり、本発明の範囲を制限するように意図するものではない。さらに、説明してきた実施形態の様々な特徴はさらに多くの実施形態を生み出すために様々なやり方で組み合わせられ得るということを理解すべきである。また、開示された実施形態と共に使用する様々な材料、寸法、形状、移植場所等について説明してきたが、開示されたもの以外のものが本発明の範囲を逸脱することなく利用されてもよい。本発明は上述したすべての個々の実施形態に示されたものより少ない特徴を含んでもよいということを当業者は認識することになる。本明細書に記載の実施形態は、本発明の様々な特徴が組み合わせられ得るやり方を網羅的に表現するように意図していない。したがって実施形態は特徴の相互排他的組み合わせではない。むしろ本発明は当業者により理解されるように異なる個々の実施形態から選択される異なる個々特徴の組み合わせを含んでもよい。上記文書の参照によるいかなる援用も、本明細書における明示的開示内容に反する主題が援用されないように制限される。上記文書の参照によるいかなる援用も、上記文書に含まれるいかなる特許請求範囲も参照により本明細書に援用されないようにさらに制限される。上記文書の参照によるいかなる援用も、上記文書に記載されるいかなる定義も本明細書に明示的に含まれない限り参照により本明細書に援用されないようにさらに制限される。本発明の特許請求の範囲を解釈する目的のために、35U.S.C.第6節、第112章の条項は特定用語手段:meansforまたは工程:stepforが請求項に記載されない限り発動されないということは明らかである。