"半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、前記光導波路の全長にわたって前記光導波路に沿って設けられる回折格子と、前記回折格子に設けられる位相シフトとを備え、前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、前記位相シフトに隣接する位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くなるように構成されており、前記位相シフトが、1箇所に設けられており、位相シフト量が1/4波長であることを特徴とする、半導体レーザ。前記位相シフトが、中央に設けられていることを特徴とする、請求項1記載の半導体レーザ。前記両端部の近傍領域に設けられている前記回折格子の周期が、前記位相シフトの近傍領域に設けられている前記回折格子の周期よりも0.025~0.100の範囲で長いことを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体レーザ。前記両端部の近傍領域に設けられている前記光導波路の等価屈折率が、前記位相シフトの近傍領域に設けられている前記光導波路の等価屈折率よりも0.025~0.100の範囲で大きいことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体レーザ。前記両端部の近傍領域に設けられている前記光導波路の幅が、前記位相シフトの近傍領域に設けられている前記光導波路の幅よりも0.05~0.25μmの範囲で広いことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体レーザ。前記両端部の一方の端部の近傍領域の長さが、全体の長さの1/8~3/8の範囲内の長さであることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体レーザ。前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、前記両端部の近傍領域のブラッグ波長が、前記両端部の近傍領域内で前記両端部へ向けて連続的に長くなるように構成されていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体レーザ。前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、中央から一方の端部までの片側の領域においてブラッグ波長を変化させた領域の長さのレーザ長に対する割合と、前記ブラッグ波長を変化させた領域におけるブラッグ波長の変化率の平均値との積が、0.003125~0.037500の範囲内であることを特徴とする、請求項7記載の半導体レーザ。前記光導波路が、電流注入によって利得を発生しうる利得導波路部と、電流注入又は電圧印加によって発振波長を制御しうる波長制御導波路部とを光軸方向に交互に備えることを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体レーザ。請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体レーザと、前記半導体レーザが形成されている半導体基板上に設けられ、前記半導体レーザと光学的に結合された光機能素子とを備えることを特徴とする半導体光集積素子。しかしながら、上述の特許文献1において提案されている方法では、理想的な位相シフトと比較して、しきい値が高くなってしまう。また、共振器中央付近の等価屈折率を小さくする領域で位相が反転するように、作製条件の最適化を図る必要があり、その条件の設定及び作製は容易ではない。また、上述の特許文献2において提案されている方法では、結合係数を共振器内部で変化させるため、回折格子の深さやラインアンドスペースの比率を共振器内で変化させるなどの複雑な工程を必要とする。また、結合係数を下げた部分を有するため、しきい値が高くなってしまう。本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるようにした、半導体レーザ及び半導体光集積素子を提供することを目的とする。このため、本発明の半導体レーザは、半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、光導波路の全長にわたって光導波路に沿って設けられる回折格子と、回折格子に設けられる位相シフトとを備え、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、位相シフトに隣接する位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くなるように構成されており、位相シフトが、1箇所に設けられており、位相シフト量が1/4波長であることを特徴としている。本発明の半導体光集積素子は、上記半導体レーザと、半導体レーザが形成されている半導体基板上に設けられ、半導体レーザと光学的に結合された光機能素子とを備えることを特徴としている。したがって、本発明の半導体レーザ及び半導体光集積素子によれば、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる半導体レーザ及び半導体光集積素子について説明する。[第1実施形態]まず、本発明の第1実施形態にかかる半導体レーザについて、図1~図6を参照しながら説明する。本実施形態にかかる半導体レーザ半導体デバイスは、例えば図1に示すように、半導体基板ここではn型InP基板100上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路光導波路構造;例えばGaInAsPの多重量子井戸構造からなる導波路コア層を備える200と、光導波路200の全長にわたって光導波路200に沿って設けられる回折格子光導波路200に摂動を与える連続の回折格子構造300とを備える。また、光導波路200の上部には電極500を有し、半導体基板100の下部には電極400を有する。ここで、回折格子300は、中央共振器中央の位置に1つの位相シフトここではλ/4位相シフト310が設けられている。つまり、回折格子300は、中央の1箇所に位相シフト310を有し、その位相シフト量は1/4波長である。つまり、本半導体レーザは、位相シフト310を有する分布帰還レーザ位相シフトDFBレーザである。そして、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、回折格子300が設けられている領域の両端部素子の両端部;共振器の両端部の近傍領域端部から所望の長さを有する領域のブラッグ波長が、位相シフト310の近傍領域位相シフト310に隣接する領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成されている。本実施形態では、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、ブラッグ波長が、段階的に変化するように構成されている。具体的には、図2に示すように、両端部の近傍領域に設けられている回折格子300の周期Λ2が、位相シフト310の近傍領域に設けられている回折格子300の周期Λ1よりも0.05長くなっている。なお、位相シフト310の近傍領域に設けられている回折格子300の周期Λ1は、所望のブラッグ波長ここでは1550nmに応じて設定される。これにより、図3Aに示すように、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長両端部の近傍領域の光導波路200及び回折格子300の構成によって決まるが、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長位相シフト310の近傍領域の光導波路及び回折格子の構成によって決まるよりも0.05長くなる。ここでは、レーザ全体の長さ素子長;共振器長は600μmであり、両端部の近傍領域の長さここでは回折格子300の周期がΛ2の領域の長さ;回折格子300の周期が長い領域はいずれも端部から100μmである。ここで、図4は、上述のように構成される半導体レーザにおいて、注入電流値を7mA,10mA,20mA,40mA,60mA,80mA,100mAというように増大させていった場合の各発振スペクトル図4中、上側のものほど注入電流値が大きいを示している。図4に示すように、所望の光出力が得られるように、注入電流値を大きくしていって、光強度が大きくなった場合も、多モードで発振することなく、安定した単一波長発振単一モード発振が得られることがわかる。なお、この場合、しきい値は通常の位相シフトDFBレーザと変わらず、低しきい値動作を実現できる。したがって、本実施形態にかかる半導体レーザによれば、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるという利点がある。つまり、本半導体レーザによれば、位相シフト付近に光強度光電界強度の集中が発生し[図12B参照]、位相シフトの近傍領域のブラッグ波長が長波長化しても[図12D参照]、図3Aに示すように、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で両端部の近傍領域のブラッグ波長が長波長側にオフセットされているため、図3Bに示すように、ブラッグ波長が共振器内部の全長にわたって一定に近い状態となり、安定した単一波長動作が得られる。また、このようにブラッグ波長がほぼ均一化した状態においてしきい値は最小に近くなるため、低しきい値動作が得られる。なお、本実施形態では、上述のように、素子長を600μmとし、回折格子300の周期が長い領域両端部の近傍領域の長さを100μmとしているが、これに限られるものではなく、これらの長さが異なっていても、また、これらの長さの比が異なっていても、同様の効果が得られる。ここで、図5Bは、λ/4位相シフト310を中央に設けた場合であって、レーザ長回折格子300が設けられている領域の全長をLとし、片側のブラッグ波長を変化させる領域回折格子300の周期が長い領域の長さをL′とした場合[図5A参照]のブラッグ波長の変化率と高次モード抑圧比サイドモード抑圧比dBとの関係を示している。なお、高次モード抑圧比とは、単一波長性を表すものであり、基本モードの光強度光電界強度に対して、高次モードサイドモードの光強度がどれだけ抑圧されたかを示すものである。また、図6は、ブラッグ波長の変化率とキャリア密度しきい値電流を表すしきい値キャリア密度cm3との関係を示している。なお、ここでは、レーザ電流値注入電流値は60mA,100mAとしている。例えば、図5B,図6に示すように、両端部の近傍領域回折格子300の周期が長い領域;ブラッグ波長を変化させる領域の長さが、いずれも、全体の長さレーザ長の1/8~3/8の範囲内の長さになっていれば即ち、一方の端部の近傍領域の長さが、全体の長さの1/8~3/8の範囲内の長さになっていれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる。つまり、片側のブラッグ波長を変化させる領域の長さL′のレーザ長Lに対する割合L′/Lが1/8~3/8の範囲内であれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる。なお、ここでは、片側のブラッグ波長を変化させる領域の長さL′のレーザ長Lに対する割合L′/Lが、1/8の場合、1/4の場合、3/8の場合をそれぞれ示している。また、本実施形態では、上述のように、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで回折格子300の周期を0.05変化させて、ブラッグ波長を0.05変化させているが、これに限られるものではなく、例えば図5B,図6で示すように、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすればブラッグ波長の変化率が0.025~0.100の範囲であれば、サイドモード抑圧比が所望の値例えば40dB以上になり、単一波長安定動作性に優れ、しきい値も低い半導体レーザを実現できる。つまり、両端部の近傍領域に設けられている回折格子300の周期Λ2が、位相シフト310の近傍領域に設けられている回折格子300の周期Λ1よりも0.025~0.100の範囲で長くなるように構成すれば、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすることができ、これにより、サイドモード抑圧比が所望の値例えば40dB以上になり、単一波長安定動作性に優れ、しきい値も低い半導体レーザを実現できる。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態にかかる半導体レーザについて、図7,図8を参照しながら説明する。本実施形態にかかる半導体レーザ半導体デバイスは、上述の第1実施形態のものが両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで回折格子300の周期を段階的に変化させているのに対し、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで光導波路200の幅を段階的に変化させている点が異なる。なお、本実施形態において、上述の第1実施形態図1参照と同一のものには同一の符号を用いる。つまり、本半導体レーザは、図7に示すように、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の幅d2が、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の幅d1よりも広くなっている。具体的には、図7に示すように、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の幅導波路幅d2は1.7μmであり、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の幅d1は1.6μmであり、導波路幅d2が、導波路幅d1と比較して0.1μm広くなっている。ここで、レーザ全体の長さ素子長は600μmであり、両端部の近傍領域の長さここでは光導波路200の幅がd2の領域の長さ;光導波路200の幅が広い領域はいずれも端部から100μmである。このように、導波路幅d2が導波路幅d1よりも0.1μm広くなっていると、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率は、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率よりも0.05大きくなる等価的に大きくなる。つまり、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部素子の両端部;共振器の両端部の近傍領域端部から所望の長さを有する領域のブラッグ波長が、位相シフト310の近傍領域位相シフト310に隣接する領域のブラッグ波長よりも0.05長くなる等価的に長くなる。このように構成される半導体レーザでは、上述の第1実施形態の場合図4参照と同様に、所望の光出力が得られるように、注入電流値を大きくしていって、光強度が大きくなった場合も、多モードで発振することなく、安定した単一波長発振単一モード発振が得られる。なお、この場合、しきい値は通常の位相シフトDFBレーザと変わらず、低しきい値動作を実現できる。なお、その他の構成などの詳細は、上述の第1実施形態のものと同じであるため、ここでは説明を省略する。したがって、本実施形態にかかる半導体レーザによれば、上述の第1実施形態のものと同様に、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるという利点がある。なお、本実施形態では、上述のように、素子長を600μmとし、光導波路200の幅が広い領域両端部の近傍領域の長さを100μmとしているが、これに限られるものではなく、これらの長さが異なっていても、また、これらの長さの比が異なっていても、同様の効果が得られる。例えば、両端部の近傍領域光導波路200の幅が広い領域;ブラッグ波長を変化させる領域の長さが、いずれも、全体の長さレーザ長の1/8~3/8の範囲内の長さになっていれば即ち、一方の端部の近傍領域の長さが、全体の長さの1/8~3/8の範囲内の長さになっていれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。また、本実施形態では、上述のように、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで光導波路200の幅を0.1μm変化させて、ブラッグ波長を0.05変化させているが、これに限られるものではなく、上述の第1実施形態の場合と同様に、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすればブラッグ波長の変化率が0.025~0.100の範囲であれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。ここで、図8は、ブラッグ波長の変化率と光導波路200の幅導波路幅;メサ幅μmとの関係を示している。図8に示すように、幅1.6μmの光導波路を基準として、導波路幅を0.05~0.25μmの範囲で変化させた場合、ブラッグ波長の変化率は0.025~0.100の範囲となる。このため、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで光導波路200の幅を0.05~0.25μmの範囲で変化させれば、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすることができ、これにより、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。つまり、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の幅が、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の幅よりも0.05~0.25μmの範囲で広くなるように構成すれば、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率が、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率よりも0.025~0.100の範囲で大きくなる。この結果、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすることができ、これにより、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。[第3実施形態]次に、本発明の第3実施形態にかかる半導体レーザについて、図9を参照しながら説明する。本実施形態にかかる半導体レーザ半導体デバイスは、上述の第1実施形態及び第2実施形態のものに対し、レーザの発振波長を変化させることができる波長可変レーザである点が異なる。つまり、本半導体レーザは、図9に示すように、光導波路200が、電流注入によって利得を発生しうる利得導波路部例えばGaInAsPの多重量子井戸構造からなる導波路コア層を備える210と、電流注入によって屈折率が変化してレーザの発振波長を制御しうる波長制御導波路部透明導波路部;例えばGaInAsPなどの電流注入によって屈折率が変化する半導体材料からなるによって導波路コア層を備える220とを光軸方向に交互に備える。つまり、光導波路200は、利得導波路部210と波長制御導波路部220とが周期的に配列されたものとして構成される。なお、ここでは、光導波路200の両端部は利得導波路部210になっている。また、図9では、上述の第1実施形態図1参照と同一のものには同一の符号を付している。ここでは、波長制御導波路部220は、電流注入によって屈折率が変化するように、例えばGaInAsPなどの電流注入によって屈折率が変化する半導体材料を用いて構成されている。また、利得導波路部210の上部には、図9に示すように、利得導波路部210に電流を注入するための電極510が設けられている。また、波長制御導波路部220の上部には、図9に示すように、波長制御導波路部220に電流を注入するための電極520が設けられている。なお、半導体基板100の下部には電極400が設けられている。なお、本実施形態では、波長制御導波路部220は、電流注入によって屈折率が変化するように構成されているが、これに限られるものではなく、例えば、波長制御導波路部220は、逆バイアス電圧を印加することによって電圧印加によって屈折率が変化するように、逆バイアス電圧を印加することによって電圧印加によって屈折率が変化する半導体材料を用いて構成しても良い。この場合、屈折率の変化量が小さいため、波長変化量は小さくなるが、発振波長を高速で変化させることができる。また、本実施形態では、上述の第2実施形態の場合と同様に図7参照、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の幅d2が、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の幅d1よりも広くなっている。具体的には、上述の第2実施形態の場合と同様に図7参照、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の幅導波路幅d2は1.7μmであり、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の幅d1は1.6μmであり、導波路幅d2が、導波路幅d1と比較して0.1μm広くなっている。ここで、レーザ全体の長さ素子長は600μmであり、両端部の近傍領域の長さここでは光導波路200の幅がd2の領域の長さ;光導波路200の幅が広い領域はいずれも端部から100μmである。このように、導波路幅d2が導波路幅d1よりも0.1μm広くなっていると、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率は、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率よりも0.05大きくなる等価的に大きくなる。つまり、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部素子の両端部;共振器の両端部の近傍領域端部から所望の長さを有する領域のブラッグ波長が、位相シフト310の近傍領域位相シフト310に隣接する領域のブラッグ波長よりも0.05長くなる等価的に長くなる。このように構成される半導体レーザでは、上述の第1実施形態の場合図4参照と同様に、所望の光出力が得られるように、注入電流値を大きくしていって、光強度が大きくなった場合も、多モードで発振することなく、安定した単一波長発振単一モード発振が得られる。なお、この場合、しきい値は通常の位相シフトDFBレーザと変わらず、低しきい値動作を実現できる。なお、その他の構成などの詳細は、上述の第1実施形態及び第2実施形態のものと同じであるため、ここでは説明を省略する。したがって、本実施形態にかかる半導体レーザによれば、上述の第1実施形態のものと同様に、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるという利点がある。なお、本実施形態では、上述のように、素子長を600μmとし、光導波路200の幅が広い領域両端部の近傍領域の長さを100μmとしているが、これに限られるものではなく、これらの長さが異なっていても、また、これらの長さの比が異なっていても、同様の効果が得られる。例えば、両端部の近傍領域光導波路200の幅が広い領域;ブラッグ波長を変化させる領域の長さが、いずれも、全体の長さレーザ長の1/8~3/8の範囲内の長さになっていれば即ち、一方の端部の近傍領域の長さが、全体の長さの1/8~3/8の範囲内の長さになっていれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。また、本実施形態では、上述のように、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで光導波路200の幅を0.1μm変化させて、ブラッグ波長を0.05変化させているが、これに限られるものではなく、上述の第1実施形態の場合と同様に、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすればブラッグ波長の変化率が0.025~0.100の範囲であれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。上述の第2実施形態において図8を参照しながら説明したように、幅1.6μmの光導波路を基準として、導波路幅を0.05~0.25μmの範囲で変化させた場合、ブラッグ波長の変化率は0.025~0.100の範囲となる。このため、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで光導波路200の幅を0.05~0.25μmの範囲で変化させれば、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすることができ、これにより、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。つまり、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の幅が、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の幅よりも0.05~0.25μmの範囲で広くなるように構成すれば、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率が、位相シフト310の近傍領域に設けられている光導波路200の等価屈折率よりも0.025~0.100の範囲で大きくなる。この結果、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフト310の近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすることができ、これにより、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できる[図5B,図6参照]。[その他]なお、上述の各実施形態では、半導体基板100をn型InP基板としているが、これに限られるものではなく、例えばp型InP基板や半絶縁性InP基板SI-InP基板を用いても良いし、例えばGaAs,GaNなどの他の半導体基板を用いても良い。但し、InP基板を用いることで光通信に使用する波長帯の光を発生する半導体レーザが得られ、n型基板を用いることで、電気的特性に優れ、かつ、作製が容易な半導体レーザが得られる。また、上述の各実施形態では、回折格子300の中央に1つのλ/4位相シフト310を設けているが、これに限られるものではなく、例えば、回折格子の内部の少なくとも1箇所に位相シフトを設ければ良い。つまり、位相シフト量が1/4波長のλ/4位相シフトを1箇所に設けているが、これに限られるものではなく、例えば、位相シフト量が1/8波長のλ/8位相シフト,位相シフト量が3/8波長の3λ/8位相シフトなどを用いても良いし、位相シフトを複数箇所に設けても良い。但し、位相シフト量が1/4波長のλ/4位相シフトを用いることで、波長安定性やしきい値などの特性が最も良くなる。また、位相シフトは必ずしも中央に設けなくても良く、例えば、共振器長の10程度の長さを限度に中央の位置から左右に移動させても良い。この場合、単一波長安定性は若干劣化するものの、より大きな光出力が得られるようになる。このような場合も、上述の各実施形態の場合と同様に、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部素子の両端部;共振器の両端部の近傍領域端部から所望の長さを有する領域のブラッグ波長が、位相シフト310の近傍領域位相シフト310に隣接する領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成すれば良い。なお、このような構成の半導体レーザであるかは、両端部の近傍領域及び位相シフトの近傍領域の各領域における透過、反射スペクトルを観測することによって判別することができる。例えば、位相シフトを2箇所に設ける場合素子長をLとした場合、端部からL/4の位置にそれぞれ設ける場合、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、回折格子が設けられている領域の両端部素子の両端部;共振器の両端部の近傍領域、並びに、中央部及びその近傍領域のブラッグ波長が、位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成すれば良い。また、上述の各実施形態では、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで、回折格子300の周期や光導波路200の幅を変えて、ブラッグ波長を変えるようにしているが、これに限られるものではなく、例えば、両端部の近傍領域と位相シフトの近傍領域とで、光導波路の厚さや組成などを変えて即ち、光導波路の等価屈折率を変えて、ブラッグ波長を変えるようにしても良く、この場合も同様の効果が得られる。また、上述の各実施形態では、光導波路200に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域と位相シフト310の近傍領域とで、ブラッグ波長が段階的に変化するように構成しているが、これに限られるものではなく、例えば図10に示すように、ブラッグ波長が、位相シフトの近傍から両端部素子端部へ向けて、連続的に変化するように即ち、徐々に長くなるように構成しても良く、この場合も同様の効果が得られる[図5B,図6参照]。例えば、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、中央から一方の端部までの片側の領域においてブラッグ波長を変化させた領域の長さのレーザ長全体の長さ;共振器長;素子長に対する割合と、ブラッグ波長を変化させた領域におけるブラッグ波長の変化率の平均値との積が、0.003125~0.037500の範囲内になるように構成すれば良い。ここでは、上述の各実施形態において説明したように、両端部の近傍領域の長さを、いずれも、レーザ長の1/8~3/8の範囲内の長さとし、両端部の近傍領域のブラッグ波長を、位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くすれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できることがわかっているため、0.025×1/8~0.100×3/8の範囲内、即ち、0.003125~0.037500の範囲内であれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できるとして、上記数値範囲を決めている。なお、ここでは、両端部の近傍領域の長さに基づいて数値範囲を決めているため、両端部の近傍領域においてブラッグ波長を連続的に変化させる場合を想定しているように見えるが、このような場合に限られず、レーザの全長にわたって即ち、中央から一方の端部までの片側の領域の全長にわたってブラッグ波長を連続的に変化させる場合にも、中央から一方の端部までの片側の領域においてブラッグ波長を変化させた領域の長さのレーザ長に対する割合と、ブラッグ波長を変化させた領域におけるブラッグ波長の変化率の平均値との積が、0.003125~0.037500の範囲内になるように構成すれば、単一波長安定動作性に優れ、低しきい値な半導体レーザを実現できることになる。また、上述の各実施形態では、単体の半導体レーザを例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば図11に示すように、上述の各実施形態の半導体レーザ600と、他の光機能素子例えば光変調器や光増幅器700とを集積して半導体光集積素子を構成することもでき、この場合も同様の効果が得られる。つまり、半導体光集積素子を、上述の各実施形態の半導体レーザが形成されている半導体基板上に同一の半導体基板上に、半導体レーザと光学的に結合された少なくとも1つの光機能素子を備えるものとして構成することもでき、この場合も同様の効果が得られる。また、本発明は、上述した各実施形態及びその変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。付記1半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、位相シフトを有し、前記光導波路の全長にわたって前記光導波路に沿って設けられる回折格子とを備え、前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、前記位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成されていることを特徴とする、半導体レーザ。付記2前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、ブラッグ波長が、段階的に変化するように構成されていることを特徴とする、付記1記載の半導体レーザ。付記3前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、前記両端部の近傍領域のブラッグ波長が、前記位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも0.025~0.100の範囲で長くなるように構成されていることを特徴とする、付記1又は2記載の半導体レーザ。付記4前記両端部の近傍領域に設けられている前記回折格子の周期が、前記位相シフトの近傍領域に設けられている前記回折格子の周期よりも0.025~0.100の範囲で長いことを特徴とする、付記1~3のいずれか1項に記載の半導体レーザ。付記5前記両端部の近傍領域に設けられている前記光導波路の等価屈折率が、前記位相シフトの近傍領域に設けられている前記光導波路の等価屈折率よりも0.025~0.100の範囲で大きいことを特徴とする、付記1~3のいずれか1項に記載の半導体レーザ。付記6前記両端部の近傍領域に設けられている前記光導波路の幅が、前記位相シフトの近傍領域に設けられている前記光導波路の幅よりも0.05~0.25μmの範囲で広いことを特徴とする、付記1~5のいずれか1項に記載の半導体レーザ。付記7前記両端部の一方の端部の近傍領域の長さが、全体の長さの1/8~3/8の範囲内の長さであることを特徴とする、付記1~6のいずれか1項に記載の半導体レーザ。付記8前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、ブラッグ波長が、前記位相シフトの近傍から両端部へ向けて連続的に変化するように構成されていることを特徴とする、付記1記載の半導体レーザ。付記9前記光導波路に電流注入を行なっていない状態で、中央から一方の端部までの片側の領域においてブラッグ波長を変化させた領域の長さのレーザ長に対する割合と、前記ブラッグ波長を変化させた領域におけるブラッグ波長の変化率の平均値との積が、0.003125~0.037500の範囲内であることを特徴とする、付記8記載の半導体レーザ。付記10前記半導体基板が、InP基板であることを特徴とする、付記1~9のいずれか1項に記載の半導体レーザ。付記11前記位相シフトが、1箇所に設けられており、位相シフト量が1/4波長であることを特徴とする、付記1~10のいずれか1項に記載の半導体レーザ。付記12前記位相シフトが、中央に設けられていることを特徴とする、付記11記載の半導体レーザ。付記13前記光導波路が、電流注入によって利得を発生しうる利得導波路部と、電流注入又は電圧印加によって発振波長を制御しうる波長制御導波路部とを光軸方向に交互に備えることを特徴とする、付記1~12のいずれか1項に記載の半導体レーザ。付記14前記波長制御導波路部が、電流注入によって屈折率が変化するように構成されていることを特徴とする、付記13記載の半導体レーザ。付記15前記波長制御導波路部が、逆バイアス電圧を印加することによって屈折率が変化するように構成されていることを特徴とする、付記13記載の半導体レーザ。付記16付記1~15のいずれか1項に記載の半導体レーザと、前記半導体レーザが形成されている半導体基板上に設けられ、前記半導体レーザと光学的に結合された光機能素子とを備えることを特徴とする半導体光集積素子。"