"インバータ主スイッチ素子と、前記インバータ主スイッチ素子に並列接続した還流用ダイオードとをそれぞれ備えた上アーム及び下アームを一対以上有するインバータ装置であって、前記還流用ダイオードに直列接続され、前記還流用ダイオードに流す電流を制御する駆動回路を備え、前記駆動回路は、2次側巻線が前記還流用ダイオードに直列に接続されるトランスと、前記トランスの1次側巻線への直流供給を行う直流電源と、前記トランスの1次側巻線への電流供給を制御するトランス駆動用スイッチ素子とを有し、前記直流電源は、上アーム及び下アームの全ての対に共通に1つだけ備えることを特徴とするインバータ装置。前記インバータ主スイッチ素子はMOSFETであり、前記還流用ダイオードは前記インバータ主スイッチ素子の寄生ダイオードよりも逆回復時間が短いダイオードであることを特徴とする請求項1記載のインバータ装置。前記還流用ダイオードのカソードは、前記寄生ダイオードのカソードに接続されていることを特徴とする請求項2記載のインバータ装置。前記上アームの前記還流用ダイオードのアノードは、前記寄生ダイオードのアノードに接続され、前記下アームの前記還流用ダイオードのカソードは、前記寄生ダイオードのカソードに接続されていることを特徴とする請求項2記載のインバータ装置。前記還流用ダイオードはワイドギャップ半導体素子によって形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のインバータ装置。前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaN系材料又はダイヤモンドであることを特徴とする請求項5記載のインバータ装置。前記インバータ主スイッチ素子と前記還流用ダイオードとが単一の半導体モジュールで実装されていることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のインバータ装置。基板の一方の実装面に、前記トランスを除く前記駆動回路を内蔵したハイブリッドICを実装し、前記基板の他方の実装面に前記半導体モジュールを実装するとともに、前記ハイブリッドICの表面には前記トランスが実装され、前記半導体モジュールの表面には前記半導体モジュールの放熱用にヒートシンクが実装され、前記ヒートシンクの通風方向と前記ハイブリッドICの長手方向とが略並行になるように、前記ハイブリッドICと前記半導体モジュールを前記基板に実装したことを特徴とする請求項7に記載のインバータ装置。請求項1~8のいずれかに記載のインバータ装置により、室外ユニットに内蔵された圧縮機のモータ若しくは送風用ファンのモータが駆動されることを特徴とする空気調和機。特許文献1に記載のインバータ装置が有する逆電圧印加回路はスイッチング素子に逆並列に接続したダイオードに逆電圧を印加するものであるが、この逆電圧を発生させるための駆動電源をインバータ主回路の上アーム各相に個別に設ける必要があった。この為、DC/DC電源回路が大型になり、コストも高くなるという問題点があった。また、特許文献2に記載のインバータ装置は、インバータ主回路にMOSFETとIGBTの両方の素子を併用している為、エアコンの暖房中間能力運転のような低回転運転時や,冷蔵庫のような消費電流が小さい用途には、IGBTよりも導通損が少ないMOSFETのメリットを十分活用することができず、省エネ効果が十分期待できないという問題点があった。この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の第1の目的は、逆電圧印加回路に用いる駆動電源を個別に設けることなく安価なDC/DC電源回路で、低損失なインバータ装置を得るものである。また、本発明の第2の目的は、空気調和機搭載に好適な省エネ効果が高いインバータ装置を得ることである。本発明のインバータ装置は、インバータ主スイッチ素子と、前記インバータ主スイッチ素子に並列接続した還流用ダイオードとをそれぞれ備えた上アーム及び下アームを一対以上有するインバータ装置であって、前記還流用ダイオードに直列接続され、前記還流用ダイオードに流す電流を制御する駆動回路を備え、前記駆動回路は、2次側巻線が前記還流用ダイオードに直列に接続されるトランスと、前記トランスの1次側巻線への直流供給を行う直流電源と、前記トランスの1次側巻線への電流供給を制御するトランス駆動用スイッチ素子とを有し、前記直流電源は、上アーム及び下アームの全ての対に共通に1つだけ備えることを特徴とするものである。本発明のインバータ装置は、MOSFETであるインバータ主スイッチ素子に内蔵された寄生ダイオードに流れる逆回復電流を抑制することができるのでインバータ装置の損失を低減できるとともに、駆動回路の直流電源を共通化できるのでコスト低減が実現できるという効果を有する。実施の形態1実施の形態1におけるインバータ装置について、図に基づいて構成及び動作を説明する。図1に本実施の形態のインバータ装置を含むシステム構成を示す。本システムは、コンバータ装置とインバータ装置で構成されるので、最初にコンバータ装置の構成から説明する。コンバータ装置1は、まず交流電源2からの電力信号をリアクトル3、ダイオードブリッジで構成した整流回路4、及び平滑コンデンサ5a,5bにより直流電圧に変換する。スイッチ素子6はトランジスタ等の半導体スイッチング素子であり、交流電源2の1つ信号線と2つの平滑コンデンサ5a,5bの相互接続点の間に接続され、全波整流と倍電圧整流の整流動作のモード切り替えを行う。リアクトル3は交流直流変換時の力率を改善するためのものである。また、リアクトル3と交流電源2の一方の出力側の間にダイオードブリッジ7とスイッチ素子8例えばIGBT素子で構成された電源短絡回路を設けている。この電源短絡回路はPAM方式コンバータ動作PAM:PulseAmplitudeModulation:パルス振幅変調に用いられるものである。ここで説明したコンバータ装置の構成は周知のものであるので詳細動作の説明は省略する。なお、コンバータ装置の構成はこれに限るものではなく、その他の公知技術の方式構成を用いたもの例えば特開2011-115007号公報であってもかまわない。次に、本システムのインバータ装置の構成を説明する。インバータ装置は、インバータ主回路9、インバータ制御部10、及びインバータ装置の母線電流検出用の抵抗11で構成され、平滑コンデンサ5a,5bの両端間に発生する直流電圧を3相交流電圧に変換して、モータ12を駆動する。インバータ制御部10は、抵抗11に流れるインバータ装置の母線電流を検出し、図示していない運転指令信号に基づいて、インバータ主回路9を制御する。インバータ主回路9はU,V,W各相対応で上アームと下アームの対を一対ずつ備えた3相U,V,W構成である。なお、各相の回路は同一構成であるので、まとめて説明する。まず、上アームの回路構成から説明する。上アーム回路には、インバータ主スイッチ素子であるMOSFETで構成したスイッチ素子13があり、スイッチ素子13の還流用ダイオードであるダイオード14とこのダイオード14に流す電流を制御する駆動回路15とを直列接続したものをスイッチ素子13に並列接続した構成を有する。ダイオード14は、MOSFETであるスイッチ素子13の寄生容量によるダイオード寄生ダイオード:図示していない。の逆回復時間よりも短い逆回復時間を有するダイオードを用いる。駆動回路15は2次側巻線が還流用ダイオードであるダイオード14に直列に接続されるトランス19と、トランス19の1次側巻線への直流供給を行う直流電源22と、トランス19の1次側巻線への電流供給を制御するトランス駆動用スイッチ素子であるスイッチ素子21と、後述するバイパス経路用のダイオード20で構成される。スイッチ素子21にはトランジスタなどの半導体スイッチング素子を用いる。下アームの回路も基本的に上アームの回路と同一構成であり、ダイオード17と駆動回路18を直列接続したものを、インバータ主スイッチ素子であるMOSFETで構成したスイッチ素子16に並列接続した構成である。ここで、スイッチ素子16、ダイオード17、駆動回路18は上アームのスイッチ素子13、ダイオード14、駆動回路15にそれぞれ対応する。直流電源22は各相、各アーム計6個の駆動回路15毎に個別に設けても良いが、ここでは上アーム及び下アームの全ての対に共通に1つだけ電源を設け、各相の駆動回路15はこの電源を共用する構成とする。この場合、直流電源22のグランド端子GNDはインバータ主回路のGND端子と共通とすることができる。ダイオード20はトランス19の一次側巻線に蓄えられたエネルギーを直流電源22に回生させ、巻線に発生した磁束をリセットする為のバイパス経路を形成する。インバータ制御部10はインバータ主回路9に含まれる上アームのスイッチ素子13、及び各駆動回路15内のスイッチ素子21のオン/オフ制御と、下アームの対応するスイッチ素子、駆動回路内のスイッチ素子のオン/オフ制御とを行うことにより、所望の交流電圧をモータ12に与える。次にインバータ主回路9の動作について、図2~6を用いて説明する。図2は図1におけるインバータ主回路9の1相分の上アームと下アームの回路を抜粋して示したものである。図1で示したものと同一部分には、同一符号を付すとともに、動作説明の都合上スイッチ素子13が内蔵する寄生ダイオード23と、スイッチ素子16が内蔵する寄生ダイオード24とを明示してある。図2は、上アームのスイッチ素子13、下アームのスイッチ素子16のいずれともインバータ制御部10の制御によりオフ状態にあり、回生モードで回生電流がモータ12側からインバータ主回路9側へ流れている状態を示している。また、上アームの駆動回路15のスイッチ素子21もインバータ制御部10の制御によりオフ状態に設定されているとする。この為、回生電流は上アームのスイッチ素子13の寄生ダイオード23を経由して平滑コンデンサ5aの正側へ流れている。次に、回生電流がこのように流れている時に、上アームの駆動回路15のスイッチ素子21をオフからオンに切替える。そうすると、トランス19の1次側巻線に直流電源22による電流が流れる為、トランス19の2次側巻線に電圧が誘起する。この為、寄生ダイオード23に逆バイアスが印加され、寄生ダイオード23に流れていた回生電流をトランス19の2次側巻線とダイオード14の経路に転流させることができる。図3はスイッチ素子21のオン後、転流動作の途中状態を示し、回生電流が寄生ダイオード23とトランス19側に分流している状態を示している。そして転流が完了すると、回生電流はトランス19の2次側巻線とダイオード14の経路にのみ流れるようになる図4。次に、転流が完了したタイミングで下アームのスイッチ素子16をオン状態にする。そうすると、モータ12側からの回生電流は下アームのスイッチ素子16に流れるとともに、スイッチ素子16のオン直後の短い時間の間だけダイオード14に逆回復電流が流れる図5。ダイオード14の逆回復動作が完了すると、下アームのスイッチ素子16にはモータ12側からの電流のみが流れるようになる図6。逆回復動作完了後、スイッチ素子21をオン状態からオフ状態に切替えると、トランス19の一次側巻線に蓄えられたエネルギーがダイオード20を経由して直流電源22に回生するので、トランス19の磁気飽和を防止することができる。以上説明したように、実施の形態1では、インバータ主回路9のスイッチ素子13のオンオフ状態をインバータ制御部10の制御により切替える際に、MOSFETで構成したスイッチ素子13に内蔵されている寄生ダイオード23に流れる逆回復電流を抑制することができる。一方、転流側のダイオード14,17は寄生ダイオード23よりも逆回復時間が短いダイオードを使用している為ダイオードにおける損失を低減でき、インバータ装置の総損失を低減することができる。また、駆動回路15でトランス19を介して電圧を印加するようにしたことにより、トランス19の1次側の直流電源22を3相全体の共用の電源回路で構成することができるので、電源回路を安価なDC/DC電源回路で構成することができる。また、トランス1次側の直流電源22をすべて共用電源で構成することにより、直流電源22のGNDとインバータ主回路9のGNDを共通にすることができる。この為、インバータ制御部10からの制御信号は絶縁回路を介することなく駆動回路15に伝えることができるので、回路規模を低減できる。さらに、ダイオード14には、良好な逆回復特性を有する炭化珪素、窒化ガリウムGaN系材料又はダイヤモンドによるワイドバンドギャップ半導体を用いることにより、さらにインバータ装置の総損失を低減することができ、省エネ効果が高いインバータ装置を得ることができる。なお、以上の説明では、駆動回路15を上アーム及び下アームのスイッチ素子対応で個別に設けるようにしたが、下アームについては駆動回路15を1つだけにして、U,V,W相で兼用することも可能である。また、以上の説明ではダイオード14,17を寄生ダイオード23,24のカソード側に接続した構成を示したが、ダイオード14,17を寄生ダイオード23,24のアノード側に接続するようにしても同様な回路動作となり、同様な効果を得ることができるのは言うまでもない。特に、上アームのダイオード14を寄生ダイオード23のアノード側に接続するようにした場合、上アームのトランス19を各相対応に設けることはせずに、1つのトランスで兼用することが可能である。これにより上アームの駆動回路15は1つだけ設ければよくなるので、基板スペースの省スペース化、コスト低減が実現できる。実施の形態2図7は、実施の形態1で説明したインバータ装置の一部を内蔵した半導体モジュールの内部回路を示した図である。半導体モジュール25は、トランスファーモールド型のパワー半導体モジュールであって、インバータ主回路9の上アームのスイッチ素子13a,13b,13c、下アームのスイッチ素子16a,16b,16cと、還流用ダイオードであるダイオード14a,14b,14c,17a,17b,17cを各スイッチ素子13a,13b,13c,16a,16b,16cに対応して内蔵している。また、これら上アームのスイッチ素子13a,13b,13cのゲート信号駆動を行う制御IC26a,26b,26cと、下アームのスイッチ素子16a,16b,16cのゲート信号駆動を行う制御IC27を内蔵している。上アームのダイオード14のカソードは上アームの寄生ダイオード23のカソードに接続され、下アームのダイオード17のカソードは下アームの寄生ダイオード24のカソードに接続される。半導体モジュール25の入力端子IN1~IN6には、インバータ制御部10からの制御信号が接続される。接続端子Pはインバータ主回路9の正側直流母線に接続され、接続端子NU,NV,NWはいずれもインバータ主回路9の負側直流母線に接続される。接続端子U,V,Wはモータ12のU,V,W相端子にそれぞれ接続される。接続端子A1~A6には、各スイッチ素子13a,13b,13c,21a,21b,21c対応の駆動回路15のトランス2次側端子の正側が接続される。駆動回路15のトランス2次側端子の負側は、上アームの駆動回路15については各相対応でU,V,W端子に接続され、下アームの駆動回路15については各相対応でNU,NV,NW端子に接続される。実施の形態2では、インバータ装置の一部を単一の半導体モジュールに内蔵させたことにより、素子間の配線インダクタンスを大幅に低減でき、回路を安定して動作させることができる。また、転流用のダイオードも半導体モジュールに内蔵することにより、他のスイッチ素子と一括して同一のヒートシンクで放熱することが可能になるので、部品の実装面積をトータルで減らすことができ、基板の省スペース化を実現することができる。実施の形態3図8は、実施の形態1で説明したインバータ装置の一部を内蔵した半導体モジュールの他の構成例を示した図である。なお、図7に示した構成要素と同一もしくは対応する構成要素については符号を同一とし、実施の形態2との相違点を中心に説明する。実施の形態3の半導体モジュール28では、上アームのダイオード14a,14b,14cが寄生ダイオード23a,23b,23cのアノード側にそれぞれ接続されている。そして、ダイオード14a,14b,14cのカソードを共通に接続して、接続端子A1として半導体モジュール23の外部端子としている。一方、下アームのダイオード17a,17b,17cは寄生ダイオード24a,24b,24cのカソード側にそれぞれ接続し、ダイオード17a,17b,17cのアノードを共通接続して、接続端子A2として半導体モジュール28の外部端子としている。半導体モジュール28の接続端子Pと接続端子A1を介して、半導体モジュール28外部に上アーム用の駆動回路15を1つ接続し、接続端子A2と接続端子NWを介して、下アーム用の駆動回路18を1つ接続することにより、インバータ主回路9を構成することができる。この為、インバータ主回路9には駆動回路を各アーム対応に1つずつ設ければよいので、部品の実装面積をトータルで減らすことができ、基板の省スペース化を実現することができる。実施の形態4実施の形態1~3で説明したインバータ装置の基板への実装形態例を図9のa正面図とb側面図に基づいて説明する。ハイブリッドIC29はトランス19を除く駆動回路15と、同様にトランス部分を除いた駆動回路18を内蔵している。トランス30は、駆動回路15,18内のトランスに対応する。トランス30はハイブリッドIC29のIC表面に実装されている。パワーモジュール31は実施の形態2,3で説明した半導体モジュール25もしくは半導体モジュール28であって、インバータ主回路9に含まれる6個のスイッチ素子13a,13b,13c,16a,16b,16cと6個のダイオード14a,14b,14c,17a,17b,17c、及びスイッチ素子13a,13b,13c,16a,16b,16cを制御する制御IC26a,26b,26c,27を内蔵している。パワーモジュール31の表面には放熱用のヒートシンク32がネジ33で固定されている。ハイブリッドIC29とパワーモジュール31はプリント基板34に実装されるが、ハイブリッドIC29はプリント基板34の一方の実装面に実装され、パワーモジュール31はハイブリッドIC29が実装された面とは反対側の基板実装面に実装されている。また、ヒートシンク32に対する通風方向とハイブリッドIC29の長手方向とが略平行になるように実装する。このような実装形態をとることにより、パワーモジュール31を放熱するために送る風の一部をハイブリッドIC29の長手方向へ分流することができ、トランス30から発生するわずかな熱も放熱することができる。この為、トランス30に対して別に放熱部品を用意する必要がなく、1つの風源でインバータ装置全体を効率よく放熱することができる。実施の形態5図10は、実施の形態1~4のいずれかに記載のインバータ装置を備える空気調和機の室外ユニット内部の構成例を示す図である。図10において、室外ユニット35は、室内ユニットの送風用ファン36、インバータ装置37、及び冷媒を圧縮する圧縮機38を備え、図示していない室内ユニット等とともに空気調和機を構成する。インバータ装置37は、実施の形態1~実施の形態4で説明したインバータ装置であり、室外ユニット35内の上部に取り付けられ、圧縮機38内のモータや送風用ファン36用のモータ等を制御する。なお、図10では、概観の概念を示しているため、配線等を図示していないが、インバータ装置37は、圧縮機38や送風ファン36等と配線等により接続されている。インバータ装置37の構成および動作は、実施の形態1~実施の形態4で説明したインバータ装置と同様である。この為、逆回復時間が短い転流用のダイオードを用いたことによる損失低減効果が得られるとともに、インバータ装置内の主スイッチ素子を上アーム、下アームともMOSFETで構成したことにより、空気調和機の暖房中間能力運転のような低回転運転負荷電流が小さいの場合に、MOSFETの導通損の少ない利点を利用することができ、より省エネ効果が空気調和機を得ることができる。以上より、本実施の形態によれば、実施の形態1~実施の形態4のインバータ装置を空気調和機に適用するようにしたので、低損失で、かつ発生する熱を効率よく放熱し、大容量化した場合のサイズやコスト増を抑え、より安価で信頼性の高い空気調和機を得ることができる。"