"主面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主面上において前記主面に沿った第1の方向に並んで設けられ、シングルモードのレーザ光を出射する第1及び第2の半導体レーザ構造とを備え、前記第1及び第2の半導体レーザ構造の各々が、前記第1の方向と交差し前記主面に沿った第2の方向に延びる光導波路構造と、該第2の方向における前記光導波路構造の両端に形成された一対の共振端面と、前記光導波路構造に電流を供給する為の電極とを有しており、前記第1及び第2の半導体レーザ構造の前記電極が互いに短絡されており、前記第1及び第2の半導体レーザ構造の各々から出射される前記レーザ光が互いに重なってマルチモードのレーザ光となることを特徴とする、半導体レーザ素子。前記第1の半導体レーザ構造の前記光導波路構造と、前記第2の半導体レーザ構造の前記光導波路構造との間の距離が2μm以上であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザ素子。前記第1の半導体レーザ構造の前記共振端面と、前記第2の半導体レーザ構造の前記共振端面との間の距離が100μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体レーザ素子。前記第1及び第2の半導体レーザ構造の発振波長が360nm以上830nm以下であることを特徴とする、請求項1~3の何れか一項に記載の半導体レーザ素子。前記第1の半導体レーザ構造の閾値電流の値が、前記第2の半導体レーザ構造の閾値電流の値と比較して±10の範囲内にあることを特徴とする、請求項1~4の何れか一項に記載の半導体レーザ素子。前記半導体基板、並びに前記第1及び第2の半導体レーザ構造を構成する各半導体層が窒化ガリウム系半導体から成ることを特徴とする、請求項1~5の何れか一項に記載の半導体レーザ素子。前記第1及び第2の半導体レーザ構造の発振波長が480nm以上540nm以下であることを特徴とする、請求項6に記載の半導体レーザ素子。前記第1及び第2の半導体レーザ構造の発振波長が510nm以上540nm以下であることを特徴とする、請求項7に記載の半導体レーザ素子。前記半導体基板の前記主面が、前記窒化ガリウム系半導体のc軸と直交する平面に対してm軸方向に傾斜していることを特徴とする、請求項6~8の何れか一項に記載の半導体レーザ素子。前記主面の前記m軸方向への傾斜角度が63°以上80°未満であることを特徴とする、請求項9に記載の半導体レーザ素子。一般的に、半導体レーザ素子として、シングルモードのレーザ発振を行うものとマルチモードのレーザ発振を行うものとが存在する。この相違は、主に光導波路の断面寸法によって決定される。シングルモードのレーザ発振を行う半導体レーザ素子では、コヒーレントな状態で光が発振することから、電流-光出力特性におけるキンクを抑えることができるが、拡散したレーザ光が互いに干渉し、スペックルノイズが生じ易いという問題がある。逆に、マルチモードのレーザ発振を行う半導体レーザ素子では、出射されるレーザ光がインコヒーレントであるため拡散光同士の干渉が生じにくくスペックルノイズが抑えられるが、電流-光出力特性においてキンクが生じ易いという問題がある。シングルモードの半導体レーザ素子、及びマルチモードの半導体レーザ素子は、上記のような特性をそれぞれ有するため、種々の用途において使い分けられている。例えば、光ディスク読み取り用の半導体レーザ素子としては、電流-光出力特性におけるキンクを回避する為に、シングルモードのレーザ発振を行うものが用いられる。一方、例えばディスプレイ用途の半導体レーザ素子としては、画面上におけるスペックルノイズを抑える為に、マルチモードのレーザ光を出力するものが使用される。しかしながら、たとえディスプレイ用途であっても、電流-光出力特性におけるキンクは抑えられることが望まれる。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、スペックルノイズ及び電流-光出力特性におけるキンクの双方を効果的に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明による半導体レーザ素子は、主面を有する半導体基板と、半導体基板の主面上において主面に沿った第1の方向に並んで設けられ、シングルモードのレーザ光を出射する第1及び第2の半導体レーザ構造とを備え、第1及び第2の半導体レーザ構造の各々が、第1の方向と交差し主面に沿った第2の方向に延びる光導波路構造と、該第2の方向における光導波路構造の両端に形成された一対の共振端面と、光導波路構造に電流を供給する為の電極とを有しており、第1及び第2の半導体レーザ構造の電極が互いに短絡されており、第1及び第2の半導体レーザ構造の各々から出射されるレーザ光が互いに重なってマルチモードのレーザ光となることを特徴とする。この半導体レーザ素子では、共通の半導体基板上に、シングルモードのレーザ光を出射する第1及び第2の半導体レーザ構造が設けられている。これらの半導体レーザ構造ではコヒーレントな状態で光が発振することから、電流-光出力特性におけるキンクを抑えることができる。また、この半導体レーザ素子では、第1及び第2の半導体レーザ構造の光導波路構造に電流を供給する為の電極が互いに短絡されているので、この電極を介して電流が供給されると、第1及び第2の半導体レーザ構造において同時にレーザ発振が生じ、共振端面から出射される。そして、第1及び第2の半導体レーザ構造から同時に出射されたレーザ光は互いに重なり合う。これらのレーザ光の位相は互いに異なっている場合が殆どであるため、重畳したレーザ光はインコヒーレントなマルチモード光として半導体レーザ素子の外部へ提供される。したがって、この出射光が拡散しても干渉は生じにくいので、スペックルノイズが抑えられる。以上のように、この半導体レーザ素子によれば、スペックルノイズ及び電流-光出力特性におけるキンクの双方を効果的に抑制することが可能となる。また、半導体レーザ素子では、第1の半導体レーザ構造の光導波路構造と、第2の半導体レーザ構造の光導波路構造との間の距離が2μm以上であることが好ましい。これにより、第1及び第2の半導体レーザ構造の各導波路における発振光が互いに干渉することを抑制できる。また、半導体レーザ素子では、第1の半導体レーザ構造の共振端面と、第2の半導体レーザ構造の共振端面との間の距離が100μm以下であることを特徴としてもよい。これにより、第1及び第2の半導体レーザ構造それぞれから出射されるレーザ光を、単一のレンズを用いて容易に集光することができる。また、半導体レーザ素子は、第1及び第2の半導体レーザ構造の発振波長が360nm以上830nm以下であることを特徴としてもよい。このように、第1及び第2の半導体レーザ構造から出力されるレーザ光の波長が可視光の波長範囲に含まれることによって、例えばディスプレイといった視覚用途においてスペックルノイズ及び電流-光出力特性におけるキンクの双方を効果的に抑制することができる。また、半導体レーザ素子は、第1の半導体レーザ構造の閾値電流の値が、第2の半導体レーザ構造の閾値電流の値と比較して±10の範囲内にあることを特徴としてもよい。このように、第1及び第2の半導体レーザ構造の閾値電流の大きさが互いに近いことによって、双方の電流-光出力特性におけるキンクをより効果的に抑えることができる。また、半導体レーザ素子は、半導体基板、並びに第1及び第2の半導体レーザ構造を構成する各半導体層が窒化ガリウム系半導体から成ることを特徴としてもよい。この場合、第1及び第2の半導体レーザ構造の発振波長は、480nm以上540nm以下であることが好ましく、510nm以上540nm以下であることが尚好ましい。これにより、スペックルノイズ及びキンクの双方が効果的に抑制された緑色のレーザ光を提供することができる。また、半導体基板、並びに第1及び第2の半導体レーザ構造を構成する各半導体層が窒化ガリウム系半導体から成る場合、半導体基板の主面は、窒化ガリウム系半導体のc軸と直交する平面に対してm軸方向に傾斜しているとよい。これにより、第1及び第2の半導体レーザ構造における結晶構造の歪みによる圧電分極によって生じるピエゾ電界を抑制して、閾値電流を低減することができる。この場合、主面のm軸方向への傾斜角度は、63°以上80°未満であることが好ましい。本発明による半導体レーザ素子によれば、スペックルノイズ及び電流-光出力特性におけるキンクの双方を効果的に抑制することができる。以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体レーザ素子の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。第1実施形態図1は、本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子1Aの構造を示す正面図である。また、図2は、図1に示された半導体レーザ素子のII-II線に沿った断面を示す図である。図1には、半導体レーザ素子1Aの光導波方向図中の紙面に垂直な方向A2に垂直な断面が示されている。また、図2には、半導体レーザ素子1Aの光導波方向A2に沿った断面が示されている。なお、図1及び図2には、方向A2と直交する方向A1が併せて示されている。図1に示されるように、本実施形態の半導体レーザ素子1Aは、半導体基板10と、半導体基板10上に設けられた第1及び第2の半導体レーザ構造20A,20Bとを備えている。半導体基板10は、例えば、GaN基板等の窒化ガリウム系半導体基板や、GaAs基板等のガリウム砒素系半導体基板である。半導体基板10は、互いに対向する主面10aと裏面10bとを有している。半導体基板10が窒化ガリウム系半導体基板である場合、半導体基板10の主面10aは、例えば、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する平面から窒化ガリウム系半導体のm軸方向に傾斜した半極性主面である。主面10aのm軸方向への傾斜角度は、動作電圧の増加を抑制しつつ閾値電流を更に低減する観点から、63°以上80°未満が好ましく、70°以上80°未満がより好ましく、71°以上79°以下が更に好ましい。半導体レーザ構造20A及び20Bは、半導体基板10の主面10a上において、主面10aに沿った方向A1に並んで設けられている。半導体レーザ構造20A及び20Bは、シングルモードのレーザ光を互いに同一の方向A2へ出射するための構造をそれぞれ有している。具体的には、半導体レーザ構造20A及び20Bそれぞれは、主面10a上に設けられた活性層31を含む半導体積層30と、半導体積層30に形成され方向A2に延びる光導波路構造21と、方向A2における光導波路構造21の両端に形成された一対の共振端面22a,22b図2を参照と、光導波路構造21に電流を供給する為の電極23とを有している。なお、本実施形態の半導体レーザ構造20A及び20Bは、光導波路構造としていわゆるリッジ構造を有している。光導波路構造はこれに限られるものではなく、埋込みメサ形状等の他の構造が採用されてもよい。光導波路構造21の光導波方向A2と交差する断面における寸法は、該光導波路構造21においてシングルモードのレーザ発振が行われるように設定される。すなわち、本実施形態において、レーザ発振がシングルモードか否かは、光導波路構造21のリッジの幅、およびリッジの下端と活性層31との距離D1によって決定される。シングルモードのレーザ発振を行うために、半導体レーザ構造20A及び20Bのリッジの幅Wは、1.8μm未満であることが好ましい。また、好適なレーザ発振を行うために、リッジの幅Wは1.0μm以上であることが好ましい。電極23は、光導波路構造21上に設けられており、例えばp型電極として光導波路構造21の半導体層とオーミック接触を成す。半導体レーザ構造20A及び20Bの各電極23は共通の金属膜24によって覆われており、これらの電極23はこの金属膜24を介して互いに電気的に短絡している。また、半導体基板10の裏面10b上には、別の電極25が設けられている。電極25は、例えばn型電極として半導体基板10とオーミック接触を成す。本実施形態では、金属膜24と電極25との間に駆動電圧が印加されると、この駆動電圧に応じた等しい大きさの電流が、半導体レーザ構造20A及び20Bの各電極23を介して各光導波路構造21へ供給される。なお、半導体レーザ構造20A及び20Bの各光導波路構造21の側面は、誘電体膜26によって覆われている。誘電体膜26は、例えばSiO2、SiN、若しくはSiONといった絶縁性シリコン化合物から成る。誘電体膜26は、半導体レーザ構造20A及び20Bの各光導波路構造21上に開口を有しており、上述した電極23はこの開口を介して光導波路構造21の半導体層と接触している。半導体レーザ構造20A及び20Bは、同一の材料および構造によって構成されることが好ましく、これらのフォトルミネッセンス波長、発振波長、及びレーザ発振の為の閾値電圧はそれぞれ互いに等しいか、出来るだけ近いことが好ましい。特に、閾値電圧は、例えば半導体レーザ構造20Bの閾値電流の値が、半導体レーザ構造20Aの閾値電流の値と比較して±10の範囲内にあるとよい。半導体レーザ構造20A及び20Bの発振波長は、例えば360nm以上830nm以下といった可視光の波長域に含まれる。より好ましくは、半導体レーザ構造20A及び20Bの発振波長は例えば480nm以上540nm以下といった緑色波長域に含まれ、一例では510nm以上540nm以下といった波長域に含まれる。或いは、半導体レーザ構造20A及び20Bの発振波長は、400nm以上480nm以下といった青色波長域に含まれてもよく、595nm以上800nm以下といった赤色波長域特に、610nm以上750nm以下に含まれてもよい。本実施形態の半導体レーザ素子1Aでは、半導体レーザ構造20A及び20Bから出射される2本のシングルモードのレーザ光が互いに重ね合わされることによって、マルチモードのレーザ光が生成される。このため、半導体レーザ構造20A及び20Bの各々から出射されるレーザ光が互いに重なるように、半導体レーザ構造20A及び20Bの共振端面22a同士若しくは22b同士の間隔が設定されている必要がある。具体的には、半導体レーザ構造20Aの共振端面22a若しくは22bと、半導体レーザ構造20Bの共振端面22a若しくは22bとの間の距離D2は、100μm以下であることが好ましく、更に好適には50μm以下であるとよい。なお、ここでいう距離D2とは、半導体レーザ構造20Aの共振端面22a若しくは22b付近におけるリッジの側面のうち、半導体レーザ構造20Bに最も近い部分典型的には、リッジの最も半導体基板10に近い根元部分の半導体レーザ構造20B側の側端と、半導体レーザ構造20Bの共振端面22a若しくは22b付近におけるリッジの側面のうち、半導体レーザ構造20Aに最も近い部分典型的には、リッジの最も半導体基板10に近い根元部分の半導体レーザ構造20A側の側端との間の距離をいう。また、本実施形態の半導体レーザ素子1Aでは、半導体レーザ構造20A及び20Bがそれぞれ独立したシングルモードのレーザ光を出射する必要がある。このため、半導体レーザ構造20A及び20Bの各々において独立したレーザ発振が行われるように、半導体レーザ構造20A及び20Bの光導波路構造21同士の間隔が設定されている必要がある。具体的には、半導体レーザ構造20Aの光導波路構造21と、半導体レーザ構造20Bの光導波路構造21との間の距離D3は、2μm以上であることが好ましく、更に好適には10μm以上であるとよい。なお、ここでいう距離D3とは、半導体レーザ構造20Aのリッジの側面のうち、半導体レーザ構造20Bに最も近い部分典型的には、リッジの最も半導体基板10に近い根元部分の半導体レーザ構造20B側の側端と、半導体レーザ構造20Bのリッジの側面のうち、半導体レーザ構造20Aに最も近い部分典型的には、リッジの最も半導体基板10に近い根元部分の半導体レーザ構造20A側の側端との間の距離をいう。なお、本実施形態では、半導体レーザ構造20A及び20Bは互いに同一の方向A2に延びており、互いに略平行であるため、上述した距離D2及びD3は互いに等しい。したがって、距離D2の下限値は2μm以上となり、距離D3の上限値は100μm以下となる。ここで、半導体レーザ構造20A及び20Bを構成する半導体積層30の構成の一例について、図3を参照しながら説明する。なお、半導体基板10が窒化ガリウム系半導体からなる場合、半導体積層30もまた、窒化ガリウム系半導体からなる。また、半導体基板10がガリウム砒素系半導体からなる場合、半導体積層30もまた、ガリウム砒素系半導体からなる。以下の例では、半導体積層30の各半導体層が窒化ガリウム系半導体からなる場合について説明する。図3に示されるように、半導体積層30は、半導体領域32、活性層31及び半導体領域33を、半導体基板10の主面10a上に、主面10aの法線方向にエピタキシャル成長させて形成される。なお、半導体基板10の主面10a上にエピタキシャル成長する半導体領域半導体領域32、活性層31、半導体領域33の各半導体層の成長面は、主面10aの結晶方位を引き継ぐ傾向がある。半導体領域32は、一又は複数の窒化ガリウム系半導体層から構成されている。半導体領域32は、例えば、バッファ層32a、下部クラッド層32b、下部光ガイド層32c及び下部光ガイド層32dを有している。バッファ層32aは、半導体基板10の主面10a上に配置されており、例えば、Si等をn型ドーパントとして含有するn型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。バッファ層32aのn型ドーパント濃度は、例えば3×1018/cm3である。バッファ層32aの膜厚は、例えば1.1μmである。下部クラッド層32bは、バッファ層32a上に配置されており、例えば、Si等をn型ドーパントとして含有するn型窒化ガリウム系半導体層In0.03Al0.14Ga0.83N層等である。下部クラッド層32bのn型ドーパント濃度は、例えば1×1018~5×1018/cm3である。下部クラッド層32bの膜厚は、例えば1.2μmである。下部光ガイド層32cは、下部クラッド層32b上に配置されており、例えば、Si等をn型ドーパントとして含有するn型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。下部光ガイド層32cのn型ドーパント濃度は、例えば1×1018~3×1018/cm3である。下部光ガイド層32cの膜厚は、例えば0.250μmである。下部光ガイド層32dは、バッファ層32a、下部クラッド層32b及び下部光ガイド層32cを介して半導体基板10上に配置されている。下部光ガイド層32dは、Si等をn型ドーパントとして含有するn型InxGa1-xN半導体層In0.025Ga0.975N半導体層等である。下部光ガイド層32dの膜厚は、例えば0.115μmである。下部光ガイド層32dのn型ドーパント濃度は、1×1017~3×1018/cm3が好ましく、2×1017~1×1018/cm3がより好ましい。活性層31は、下部光ガイド層32d上に配置されている。活性層31は、例えば単一量子井戸構造SQW構造や多重量子井戸構造MQW構造を有している。活性層31は、例えば480nm以上540nm以下といった緑色光、一例では510nm以上540nm以下といった緑色光を発生可能な量子井戸構造を有している。或いは、活性層31は、400nm以上480nm以下といった青色光を発生可能な量子井戸構造を有してもよい。活性層31における井戸層の数は、例えば3以下であり、2以下であってもよい。本実施形態では、活性層31は、単一の井戸層から構成されている。活性層31は、例えばIn0.30Ga0.70N等の窒化ガリウム系半導体層であり、例えばノンドープである。活性層31を構成する井戸層の膜厚は、例えば3nmである。半導体領域33は、一又は複数の窒化ガリウム系半導体層から構成されている。半導体領域33は、例えば、上部光ガイド層33a、電子ブロック層33b、上部光ガイド層33c、上部光ガイド層33d、上部クラッド層33e及びコンタクト層33fを有している。上部光ガイド層33aは、活性層31上に配置されている。上部光ガイド層33aは、例えばノンドープのIny1Ga1-y1N半導体層In0.025Ga0.975N半導体層等である。上部光ガイド層33aの膜厚は、例えば0.075μmである。電子ブロック層33bは、上部光ガイド層33a上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。電子ブロック層33bのp型ドーパント濃度は、例えば1×1019/cm3である。電子ブロック層33bの膜厚は、例えば20nmである。上部光ガイド層33cは、電子ブロック層33b上に配置されている。上部光ガイド層33cは、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型Iny2Ga1-y2N半導体層In0.025Ga0.975N半導体層等である。上部光ガイド層33cの膜厚は、例えば0.050μmである。上部光ガイド層33cのp型ドーパント濃度は、1×1018~1×1019/cm3が好ましく、2×1018~7×1018/cm3がより好ましい。上部光ガイド層33dは、上部光ガイド層33c上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。上部光ガイド層33dのp型ドーパント濃度は、例えば2×1018~2×1019/cm3である。上部光ガイド層33dの膜厚は、例えば0.250μmである。上部クラッド層33eは、上部光ガイド層33d上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層In0.03Al0.14Ga0.83N層等である。上部クラッド層33eのp型ドーパント濃度は、例えば5×1018~3×1019/cm3である。上部クラッド層33eの膜厚は、例えば0.40μmである。コンタクト層33fは、上部クラッド層33e上に配置されており、例えば、Mg等をp型ドーパントとして含有するp型窒化ガリウム系半導体層GaN層等である。コンタクト層33fのp型ドーパント濃度は、例えば3×1019/cm3である。コンタクト層33fの膜厚は、例えば0.050μmである。以上の構成を備える半導体レーザ素子1Aによって得られる効果について説明する。本実施形態の半導体レーザ素子1Aでは、共通の半導体基板10上に、シングルモードのレーザ光を出射する半導体レーザ構造20A及び20Bが設けられている。これらの半導体レーザ構造20A,20Bではコヒーレントな状態でレーザ光が発振することから、電流-光出力特性におけるキンクを抑えることができる。また、この半導体レーザ素子1Aでは、半導体レーザ構造20A,20Bの光導波路構造21に電流を供給する為の電極23が互いに短絡されているので、この電極23を介して電流が供給されると、半導体レーザ構造20A,20Bにおいて同時にレーザ発振が生じ、レーザ光が共振端面22a若しくは22bから出射される。そして、半導体レーザ構造20A,20Bから同時に出射されたレーザ光は互いに重なり合う。これらのレーザ光の位相は互いに異なっている場合が殆どであるため、重畳したレーザ光はインコヒーレントなマルチモード光として半導体レーザ素子1Aの外部へ提供される。したがって、この出射光が拡散しても干渉は生じにくいので、スペックルノイズが抑えられる。以上のように、本実施形態の半導体レーザ素子1Aによれば、スペックルノイズ及び電流-光出力特性におけるキンクの双方を効果的に抑制することが可能となる。また、本実施形態の半導体レーザ素子1Aによれば、半導体レーザ構造20A及び20Bから出射されるレーザ光のファーフィールドパターンFFPが互いに重なるので、一般的なマルチモードのレーザ光と比較してレンズによる集光が容易になる。更に、一般的なマルチモードの半導体レーザ素子と比較して、光導波路の幅を狭くすることができるので、レーザ発振の閾値を低くすることができる。したがって、消費電力を小さくすることができ、発熱を少なくすることができる。また、本実施形態のように、半導体レーザ素子1Aでは、半導体レーザ構造20Aの光導波路構造21と、半導体レーザ構造20Bの光導波路構造21との間の距離D3は2μm以上であることが好ましい。これにより、半導体レーザ構造20A及び20Bの各光導波路構造21における発振光が互いに干渉することを抑制できるので、双方においてシングルモードのレーザ発振を好適に実現できる。また、本実施形態のように、半導体レーザ素子1Aでは、半導体レーザ構造20Aの共振端面22a若しくは22bと、半導体レーザ構造20Bの共振端面22a若しくは22bとの間の距離D2は100μm以下であることが好ましい。これにより、半導体レーザ構造20A及び20Bそれぞれから出射されるレーザ光を、単一のレンズを用いて容易に集光することができる。なお、半導体基板10の主面10aが半極性面である場合、半導体レーザ構造20A,20Bの各光導波路構造21の距離が大きいと、共振端面22a22bのずれ角の差が大きくなり、半導体レーザ構造20A,20Bの閾値電流の大きさが大きく異なってしまうおそれがある。このような観点から、上述した距離D2は50μm以下であることがより好ましい。また、本実施形態のように、半導体レーザ素子1Aでは、半導体レーザ構造20A及び20Bの発振波長が360nm以上830nm以下であることができる。このように、半導体レーザ構造20A及び20Bから出力されるレーザ光の波長が可視光の波長範囲に含まれることによって、例えばディスプレイといった視覚用途においてスペックルノイズ及び電流-光出力特性におけるキンクの双方を効果的に抑制することができる。また、本実施形態のように、半導体レーザ素子1Aでは、半導体レーザ構造20Aの閾値電流の値が、半導体レーザ構造20Bの閾値電流の値と比較して±10の範囲内にあることが好ましい。このように、半導体レーザ構造20A及び20Bの閾値電流の大きさが互いに近いことによって、双方の電流-光出力特性におけるキンクをより効果的に抑えることができる。また、本実施形態のように、半導体レーザ素子1Aでは、半導体基板10、並びに半導体レーザ構造20A及び20Bを構成する各半導体層が窒化ガリウム系半導体から成ることができる。この場合、半導体レーザ構造20A,20Bの発振波長は、480nm以上540nm以下であることが好ましく、510nm以上540nm以下であることが尚好ましい。これにより、スペックルノイズ及びキンクの双方が効果的に抑制された緑色のレーザ光を提供することができる。また、本実施形態のように、半導体基板10、並びに半導体レーザ構造20A,20Bを構成する各半導体層が窒化ガリウム系半導体から成る場合、半導体基板10の主面10aは、窒化ガリウム系半導体のc軸と直交する平面に対してm軸方向に傾斜しているとよい。これにより、半導体レーザ構造20A及び20Bにおける結晶構造の歪みによる圧電分極によって生じるピエゾ電界を抑制して、閾値電流を低減することができる。第2実施形態図4は、本発明の第2実施形態として、第1実施形態に係る半導体レーザ素子1Aを備える光モジュール1Bの構成を示す断面図である。図4に示されるように、この光モジュール1Bは、半導体レーザ素子1Aに加えて、円板状のステム40と、ステム40を貫通する複数のリードピン41と、フォトダイオード等の受光素子42と、レンズ付きキャップ43とを備えている。半導体レーザ素子1Aは、ステム40の主面40a上に配置されている。本実施形態では、ステム40の主面40aの中央付近にポール44が隆起しており、そのポール44の側面にサブマウント45が取り付けられている。そして、半導体レーザ素子1Aは、このサブマウント45上に実装されており、主面40aの法線方向にレーザ光L1を出射する。なお、このレーザ光L1は、第1実施形態において説明した第1及び第2の半導体レーザ構造20A,20Bのそれぞれから出射されたシングルモードのレーザ光が重なり合って生成されたマルチモードのレーザ光である。受光素子42は、ステム40の主面40a上に配置されている。本実施形態では、主面40a上にサブマウント46が配置されており、受光素子42は、このサブマウント46上に実装されている。受光素子42は、半導体レーザ素子1Aに対して主面40aの法線方向の反対側に位置しており、半導体レーザ素子1Aから出射される背面光L2を受光する。レンズ付きキャップ43は、円筒状の側壁43aと、該円筒の一端を塞ぐ天板43bとを有する。天板43bの中央部分には開口が形成されており、該開口にはレンズ47が嵌め込まれている。レンズ付きキャップ43は、ステム40の主面40a上に配置され、半導体レーザ素子1A及び受光素子42を覆う。半導体レーザ素子1Aから出射されるレーザ光L1は、レンズ47を通って光モジュール1Bの外部へ出力される。本実施形態の光モジュール1Bによれば、第1実施形態に係る半導体レーザ素子1Aを備えることにより、スペックルノイズ及び電流-光出力特性におけるキンクの双方を効果的に抑制することが可能となる。"