導波路幅が周期的に変化する部分を有するシリコン光導波路と、前記部分の両側に、前記シリコン光導波路と平行かつ周期的に設けられた複数のサブ光導波路とを備えることを特徴とする回折格子型光結合器。前記シリコン光導波路と前記複数のサブ光導波路とにより、第1回折格子が構成され、前記シリコン光導波路の、導波路幅が周期的に変化する前記部分により、第2回折格子が構成され、前記シリコン光導波路を伝播する光が、前記第1回折格子により第1励起光として励起された後、該第1励起光が第2励起光として励起されて、該第2励起光が外部へ出力され、外部から入力される光は、前記第2回折格子により前記第2励起光として励起された後、該第2励起光が前記第1励起光として励起されて、該第1励起光が前記シリコン光導波路を伝播することを特徴とする請求項1に記載の回折格子型光結合器。前記シリコン光導波路の導波路幅が周期的に変化する部分の一方の端に第1光導波路ループが接続され、他端に第2光導波路ループが接続され、該第1光導波路ループと該第2光導波路ループは、光導波路ループ結合部で結合され、該光導波路ループ結合部には、入出力用シリコン光導波路が接続されており、外部から取り込まれる光は、前記回折格子部分の前記第1回折格子によって前記第1励起光として励起され、該第1励起光が前記回折格子部分の前記第2回折格子によって前記第2励起光として励起されることによって、該第2励起光が前記シリコン光導波路、前記第1光導波路ループ及び前記第2光導波路ループを伝播して、前記光導波路ループ結合部で合波されて前記入出力用シリコン光導波路へ取り込まれ、外部へ出力される光は、前記入出力用シリコン光導波路を伝播し、前記光導波路ループ結合部で分岐されて前記第1光導波路ループ及び前記第2光導波路ループを伝播して、前記回折格子部分の前記第2回折格子によって前記第2励起光として励起され、該第2励起光が前記回折格子部分の前記第1回折格子によって前記第1励起光として励起され、該第1励起光が前記シリコン光導波路を伝播することにより、前記回折格子部分を介して、外部との光の入出力を可能とすることを特徴とする請求項2に記載の回折格子型光結合器。前記サブ光導波路の幅は全て等しく、該サブ光導波路の幅は前記シリコン光導波路幅とは異なっていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の回折格子型光結合器。前記シリコン光導波路幅と、少なくとも該シリコン光導波路に隣接して配置される前記サブ光導波路の幅とが相異なることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の回折格子型光結合器。導波路幅が周期的に変化する部分を有する複数のサブ光導波路が平行かつ周期的に並べられていることを特徴とする回折格子型光結合器。前記複数のサブ光導波路が平行かつ周期的に並べられることにより第1回折格子が形成され、前記複数のサブ光導波路の導波路幅が周期的に変化していることにより第2回折格子が形成され、前記第1回折格子と前記第2回折格子とで回折格子部分が構成され、該回折格子部分がシリコン光導波路の途中に組み込んで構成されており、前記シリコン光導波路を伝播する光が、前記第1回折格子により第1励起光として励起された後、該第1励起光が第2励起光として励起されて、該第2励起光が外部へ出力され、外部から入力される光は、前記第2回折格子により前記第2励起光として励起された後、該第2励起光が前記第1励起光として励起されて、該第1励起光がシリコン光導波路を伝播することを特徴とする請求項6に記載の回折格子型光結合器。前記複数のサブ光導波路が当該複数のサブ光導波路の両端に設けられた第1サブ光導波路結合部及び第2サブ光導波路結合部によって結合され、前記第1サブ光導波路結合部に第1光導波路ループが接続され、前記第2サブ光導波路結合部に第2光導波路ループが接続されることによって、前記回折格子部分がシリコン光導波路の途中に組み込まれており、該第1光導波路ループと該第2光導波路ループは、光導波路ループ結合部で結合され、該光導波路ループ結合部には、入出力用シリコン光導波路が接続され、外部から取り込まれる光は、前記回折格子部分の前記第1回折格子によって前記第1励起光として励起され、該第1励起光が前記回折格子部分の前記第2回折格子によって前記第2励起光として励起されることによって、該第2励起光が前記シリコン光導波路、前記第1光導波路ループ及び前記第2光導波路ループを伝播して、前記光導波路ループ結合部で合波されて前記入出力用シリコン光導波路へ取り込まれ、外部へ出力される光は、前記入出力用シリコン光導波路を伝播し、前記光導波路ループ結合部で分岐されて前記第1光導波路ループ及び前記第2光導波路ループを伝播して、前記回折格子部分の前記第2回折格子によって前記第2励起光として励起され、該第2励起光が前記回折格子部分の前記第1回折格子によって前記第1励起光として励起され、該第1励起光が前記シリコン光導波路を伝播することにより、前記回折格子部分を介して、外部との光の入出力を可能とすることを特徴とする請求項7に記載の回折格子型光結合器。近年、光デバイスはその構成が複雑かつ精密化されており、製造工程において高いコストが発生する状況となっている。そこで、低コストで上述のような光デバイスが製造される技術が求められている。上述のシリコン細線型光導波路により形成される光デバイスも、外部からこの光デバイスに光を入出力させるための光結合器を含めて、製造工程が少ない簡便な方法を以って低コストで形成されることが要請される。上述の特許文献8~10に開示された回折格子を利用する光結合器の構成は、シリコン光導波路が形成されている層とは異なる層に、光結合機能部分である回折格子が形成されている。しかしながら、このようにシリコン光導波路と回折格子が異なる層に形成するには、少なくとも、シリコン光導波路を形成する工程と回折格子を形成する工程とを別々に実行することが必要となる。このため製造工程が多くなり、簡便に形成することができない。この発明の発明者は、鋭意研究した結果、光結合機能部分の形状を工夫することで、シリコン光導波路と、光結合機能部分となる回折格子部とを同一の層に形成し、しかも高効率な光結合が可能な回折格子型光結合器を実現できることを確信した。すなわち、シリコン光導波路の一部を含んで回折格子部を形成し、あるいは回折格子部をシリコン光導波路の途中に組み込んで、この回折格子部を介して外部との光の入出力を可能とする光結合器の構成を見出した。シリコン光導波路と回折格子が同一の層に形成される構成とし、シリコン光導波路の形成と回折格子の形成とを一括して実行できれば工程の数を減らすことができ、低コストで簡便に光結合器を形成することが可能となる。すなわち、この発明は、低コストで簡便に形成することが可能であり、しかも結合効率が実用に供するに十分な大きさを有する回折格子型光結合器を提供することを目的とする。この発明の要旨によれば、上述の目的を達成するため、回折格子型光結合器は、以下の特徴を具えている。この発明の第1の回折格子型光結合器は、導波路幅が周期的に変化する部分を有するシリコン光導波路と、導波路幅が周期的に変化する部分の両側に、シリコン光導波路と平行かつ周期的に設けられた複数のサブ光導波路とを備えている。そして、シリコン光導波路と複数のサブ光導波路とにより第1回折格子が構成され、シリコン光導波路の導波路幅が周期的に変化する部分により第2回折格子が構成される。シリコン光導波路を伝播する光は、第1回折格子により第1励起光として励起された後、第1励起光が第2励起光として励起されて、第2励起光が外部へ出力される。一方、外部から入力される光は、第2回折格子により第2励起光として励起された後、第2励起光が第1励起光として励起されて、第1励起光がシリコン光導波路を伝播する。この発明の第2の回折格子型光結合器は、導波路幅が周期的に変化する部分を有する複数のサブ光導波路が平行かつ周期的に並べられている。そして、複数のサブ光導波路が平行かつ周期的に並べられることにより第1回折格子が形成され、複数のサブ光導波路の導波路幅が周期的に変化していることにより第2回折格子が形成される。第1回折格子と第2回折格子とで回折格子部が構成され、この回折格子部がシリコン光導波路の途中に組み込んで構成されている。シリコン光導波路を伝播する光は、第1回折格子により第1励起光として励起された後、第1励起光が第2励起光として励起されて、第2励起光が外部へ出力される。一方、外部から入力される光は、第2回折格子により第2励起光として励起された後、第2励起光が第1励起光として励起されて、第1励起光がシリコン光導波路を伝播する。この発明の第1及び第2の回折格子型光結合器によれば、いずれも第1及び第2回折格子と外部から入力される光あるいは外部へ出力される光を導波するシリコン光導波路とは同一の層に形成された構成とされているので、シリコン光導波路の形成と回折格子の形成を一括して実行することが可能となる。したがって、製造工程の数を減らすことができ、低コストで簡便に形成できる回折格子型光結合器を提供することが可能となる。また、回折格子部が第1回折格子と第2回折格子とで構成されていることにより、外部から入力される光の伝播方向と回折格子部に接続されているシリコン光導波路の伝播方向とが直交する方向であっても、高効率な光結合が可能な回折格子型光結合器が実現される。以下、図を参照して、この発明の実施形態につき説明する。なお、各図は、この実施形態に係る一構成例を示すものであり、この発明の実施形態が理解できる程度に各構成要素の配置関係等を概略的に示しているに過ぎず、この発明を図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、特定の構成素材及び設計条件等を用いることがあるが、これら構成素材及び設計条件等は好適例の一つに過ぎず、したがって、何らこれらに限定されない。また、各図において同様の構成要素については、同一の番号を付して示し、その重複する説明を省略することもある。<第1の回折格子型光結合器>図1及び~図4を参照して、この発明の実施形態の第1の回折格子型光結合器の構成について説明する。図1は、第1の回折格子型光結合器の構造を示す概略的斜視図である。また、図1は、回折格子部の導波路パターンを拡大して示す概略的平面図である。図1及びに示すように、第1の回折格子型光結合器は、次のように構成されている。シリコン基板10上に、光導波路パターン構造体12が積層されている。光導波路パターン構造体12は、Siを素材とする光導波路パターンとこの光導波路パターンをコアとして取り囲むSiO2クラッド層からなる。ここで、第1の回折格子型光結合器を構成する光導波路パターンにつき説明する。光導波路パターンには、入出力用シリコン光導波路22、回折格子部14を構成するシリコン光導波路26、第1光導波路ループ16、第2光導波路ループ18、及び光導波路ループ結合部20が含まれている。シリコンをコアとして、このコアを酸化シリコン材で囲んで構成される構造体であるので、混乱が生じない範囲で、総称してシリコン光導波路ということもある。シリコン光導波路26の一部分30図1に矩形の破線で囲って示してあるの両側に複数のサブ光導波路24を並列に並べて、第1回折格子28が形成されている。サブ光導波路24の導波方向に対して垂直の方向の屈折率分布が周期的に変化する構造となり、回折格子としての機能が発現する。この領域が第1回折格子28となっている図1に矩形の破線で囲って示してある。シリコン光導波路26の一部分30には、光ファイバ34を伝播して外部から入力される光あるいは光ファイバ34を伝播するように外部へ出力される光が導波される。シリコン光導波路26の一部分30の導波路幅は周期的に変化している。シリコン光導波路26の一部分30の導波路幅を周期的に変化させると、このシリコン光導波路26の一部分30の等価屈折率が該シリコン光導波路26の導波方向に周期的に変化する構造となり、回折格子としての機能が発現する。この領域図1に矩形の破線で囲って示してあるが第2回折格子32となっている。回折格子部14は、第1回折格子28と第2回折格子32とによって構成されている。第1回折格子28と第2回折格子32は、互いに屈折率分布の周期が形成される方向が直交しているので、第1回折格子28で励起される第1励起光の伝播方向と第2回折格子32で励起される第2励起光の伝播方向とは直交する。このことによって、回折格子部14に外部から入力される光あるいはこの回折格子部14から外部に出力される光の伝播方向と、この回折格子部で結合されるシリコン光導波路26を導波する光の伝播方向とが直交する関係にあっても高い結合効率が実現される。第1回折格子28の構成部分となっているシリコン光導波路26の一方の端に示すように、第1励起光は、Q1及びQ2と示す方向に伝播する導波光として生成される。すなわち第1励起光は、回折格子部14の屈折率分布の周期が形成されている方向に伝播する。第1励起光が回折格子部14の第2回折格子32によって第2励起光として励起されP1及びP2と示す方向に伝播する導波光として生成される。すなわち第2励起光は、第2回折格子32の屈折率分布の周期が形成されている方向に伝播する。そして、第2励起光は、シリコン光導波路26、第1光導波路ループ16及び第2光導波路ループ18を伝播して、光導波路ループ結合部20で合波されて入出力用シリコン光導波路22へ取り込まれる。シリコン光導波路26の一部分30を伝播する光の電場成分の、方向性光結合器の作用でシリコン光導波路26の両側に設けられているサブ光導波路24に洩れ出る量を少なくするため、サブ光導波路24の幅D2とシリコン光導波路26の幅D1とは相異なる値に設定してある。すなわち、光ファイバ34から回折格子部14に入力される入力光が、シリコン光導波路26に集中して導波されるように、サブ光導波路24の幅とシリコン光導波路26の幅とは相異なる値に設定してある。これは、幅の異なる回折格子構成要素が1つ存在すると、その幅の異なる回折格子構成要素ここでは、シリコン光導波路26の一部分30に光が集中するというフォトニック結晶理論に基づいている。一方、外部へ出力される光は、入出力用シリコン光導波路22を伝播し、光導波路ループ結合部20で分岐されて第1光導波路ループ16及び第2光導波路ループ18を伝播して、回折格子部14の第2回折格子18によって第2励起光として励起される。そして、第2励起光が回折格子部14の第1回折格子16によって第1励起光として励起されることにより回折格子部14から外部に向けて出力される。すなわち、第1の回折格子型光結合器によれば、外部から入力される光あるいは外部へ出力される光が、第1回折格子28によって第1励起光として励起され、第1励起光が第2回折格子32によって第2励起光として励起される。そして、第2励起光あるいは外部から入力される光あるいは外部へ出力される光がシリコン光導波路26を伝播する構成とされていることによって、回折格子部14を介して、外部との光の入出力が可能となっている。このような光導波路パターン構造体12は、例えば、SOI基板を入手して、以下の工程によって形成できる。SOI基板は、広く市販品として入手可能であり、シリコン基板に酸化シリコン層、及びこの酸化シリコン層上に光導波路の厚みの寸法に等しい厚みのシリコン層が形成されている。SOI基板の酸化シリコン層上に形成されているシリコン層に対して、ドライエッチング等の手法によって、第1の回折格子型光結合器を構成する光導波路パターンだけを残してエッチングして取り除く。それに続き、エッチング処理で残された光導波路パターンを導波構造のコアとして取り囲むSiO2クラッドを化学気相成長法等によって形成する。SiO2クラッドは、少なくとも光導波路パターンとして残されたシリコン層の厚みと同程度の厚みに形成すればよく、必ずしも光導波路パターンが完全に覆われる厚みまで厚く形成する必要はない。また、SiO2クラッドは必ずしも必要でない。こうして、回折格子部14、第1光導波路ループ16、第2光導波路ループ18、光導波路ループ結合部20、及び入出力用シリコン光導波路22が同一の層シリコン基板10上に形成された光導波路パターン構造体12に形態として形成される。すなわち、回折格子部14、第1光導波路ループ16、第2光導波路ループ18、光導波路ループ結合部20、及び入出力用シリコン光導波路22は、光導波路パターン構造体12として一括形成される。図2を参照して、第1の回折格子型光結合器による外部から入力される光あるいは外部へ出力される光に対する結合効率についての計算シミュレーションを行った結果について説明する。図2の横軸は波長をμm単位で目盛って示してあり、縦軸は第1の回折格子型光結合器の回折格子部14へ入力される入力光の強度を任意スケールで示してある。曲線aは、光ファイバ34から入力されて光結合されて第1光導波路ループ16に入力される光の強度を示している。曲線bは、回折格子部14から上方に向けて反射される回折格子部14等の光導波路パターンが形成されている層から反射される光の強度を示している。また、曲線cは、回折格子部14から下方に向けて透過される回折格子部14等の導波路パターンが形成されている層及びシリコン基板10に向けて透過される光の強度を示している。図2に示す結合効率に関する計算シミュレーションは、3次元FDTD法によって行った。計算に用いた条件は以下のとおりである。回折格子部14、第1光導波路ループ16、第2光導波路ループ18、光導波路ループ結合部20等の光導波路パターンを導波構造のコアとして取り囲むSiO2クラッド層の屈折率を146とした。光導波路パターンを構成するSiの屈折率を347、光導波路パターンを構成するSi層の厚さを260nmに設定した。回折格子部14に入射させる光束をガウス関数で与えられる強度分布を有する直径5μmの平行光束であると仮定した。第1回折格子28の回折格子周期は900nm、回折格子部14に含まれるシリコン光導波路26の幅は450nm、サブ光導波路24の幅は500nm、第2回折格子32の回折格子周期は900nm、第2回折格子32の導波路幅の変調度導波路幅が周期的に変化している部分のシリコン光導波路26の一部分30の最大幅と最小幅の差:dは23nmにそれぞれ設定した。すなわち、図1及びに示す第1の回折格子型光結合器は、D1≠D2となるように設定されている。回折格子部14に入射させる光束の波長が152μmである場合に、第1光導波路ループ16に入力される光強度が最大となっている。この場合、第2光導波路ループ18にも同じ大きさの光が入力されるので、回折格子部14に入射された光の80程度が光導波路ループ結合部20を介して入出力用シリコン光導波路22に入力されると結論される。すなわち、回折格子部14に入射された光の80程度がこの第1の回折格子型光結合器によって取り込まれると結論される。図1及びに示す第1の回折格子型光結合器は、サブ光導波路24の幅D2とシリコン光導波路26の幅D1とは相異なる値に設定してある。これは、上述したように、光ファイバ34から回折格子部14に入力される入力光がシリコン光導波路26に集中して導波されるように意図して設定されたものである。図1及びに示す第1の回折格子型光結合器では、サブ光導波路24の幅をD2にすべて等しく設定されている。ここで、サブ光導波路24の幅をD2に統一することなく、シリコン光導波路26に隣接するサブ光導波路241だけをシリコン光導波路26の幅D1とは相異なる値に設定するが、これ以外のサブ光導波路242の幅をシリコン光導波路26の幅D1と等しく設定した場合に第1の回折格子型光結合器の光結合特性にどの程度の影響が及ぶかについて確認するために、以下検討を行う。図3に示すように、サブ光導波路24の内シリコン光導波路26に隣接するサブ光導波路241を除き、それ以外のサブ光導波路242の幅D1をシリコン光導波路26の幅と等しく450nmに設定してある。サブ光導波路242は図3において左右2箇所しか示していないが、実際にはシリコン光導波路26に隣接して対称に左右に複数箇所設置されている。図3に示すようにサブ光導波路241及びサブ光導波路242の幅を設定した第1の回折格子型光結合器の結合効率についての計算シミュレーションを行った結果について説明する。図4に示す曲線a~cは、図2と同様に、曲線aは第1光導波路ループ16に入力される光の強度を示し、曲線bは回折格子部14から上方に向けて反射される光の強度を示し、曲線cは回折格子部14から下方に向けて透過される光の強度を示している。サブ光導波路24の内シリコン光導波路26に隣接するサブ光導波路241を除き、それ以外のサブ光導波路242の幅D1をシリコン光導波路26の幅と等しくすれば、図4に示すように回折格子部14に入射させる光束の波長が152μmであるとき、第1光導波路ループ16に入力される光強度が最大となっている。しかしながら、曲線bに示すように、図2と比較して回折格子部14から上方に向けて反射される光成分が大きくなっている。このことから、少なくともシリコン光導波路26に隣接するサブ光導波路241だけをシリコン光導波路26の幅D1とは相異なる値に設定すれば、所望の光結合特性は得られるが、サブ光導波路24の幅をD2にすべて等しく設定することによって、より一層優れた特性が得られることが分かる。なお、シリコン光導波路26の幅D1とサブ光導波路24の幅をD2は、図1及び図3では、D1<D2と設定されているが、D1>D2と設定してもよい。<第2の回折格子型光結合器>図5、及び図6を参照して、この発明の実施形態の第2の回折格子型光結合器の構成について説明する。図5は、第1の回折格子型光結合器の構造を示す概略的斜視図である。また、図5は、回折格子部の導波路パターンを拡大して示す概略的平面図である。第2の回折格子型光結合器も、上述の第1の回折格子型光結合器同様の手法で形成できる。ここで、第2の回折格子型光結合器を構成する光導波路パターンにつき説明する。複数のサブ光導波路44を並列に並べることによって第1回折格子38が構成され、サブ光導波路44のそれぞれには第2回折格子52が形成されている。すなわち、複数のサブ光導波路44が配置されている領域は、サブ光導波路44の伝播方向に対して垂直の方向の屈折率分布が周期的に変化する構造となり、回折格子としての機能が発現する。この領域が第1回折格子38となっている。一方、サブ光導波路44には第2回折格子52が形成されている。第2回折格子52は、サブ光導波路44の導波路幅を周期的に変化させることによって形成されている。サブ光導波路44の導波路幅を周期的に変化させると、このサブ光導波路44の等価屈折率が周期的に変化する構造となり、回折格子としての機能が発現する。第1回折格子38と第2回折格子52とによって回折格子部40が構成されている。複数のサブ光導波路44がこのサブ光導波路44の両端に設けられた第1サブ光導波路結合部46及び第2サブ光導波路結合部48によって結合されており、第1サブ光導波路結合部46に第1光導波路ループ16が接続され、第2サブ光導波路結合部48に第2光導波路ループ18が接続されている。第1光導波路ループ16と第2光導波路ループ18は、光導波路ループ結合部20で結合され、光導波路ループ結合部20には、入出力用シリコン光導波路22が接続されている。外部から取り込まれる光は、回折格子部40の第1回折格子38によって第1励起光として励起され、第1励起光は、図5に示すように、Q1及びQ2と示す方向に伝播する導波光として生成される。第1励起光が回折格子部40の第2回折格子52によって第2励起光として励起され、P1P11~P14及びP2P21~P24と示す方向に伝播する導波光として生成されることによって、第1光導波路ループ16及び第2光導波路ループ18を伝播して、光導波路ループ結合部20で合波されて入出力用シリコン光導波路22へ取り込まれる。一方、外部へ出力される光は、入出力用シリコン光導波路22を伝播し、光導波路ループ結合部20で分岐されて第1光導波路ループ16及び第2光導波路ループ18を伝播して、第1サブ光導波路結合部46及び第2サブ光導波路結合部48を介して回折格子部40に入力される。そして、回折格子部40の第2回折格子52によって第2励起光として励起される。さらにこの第2励起光が回折格子部40の第1回折格子38によって第1励起光として励起されることにより回折格子部40から外部に向けて出力される。すなわち、第2の回折格子型光結合器によれば、外部から入力される光あるいは外部へ出力される光が、第1回折格子38によって第1励起光として励起され、第1励起光あるいは外部から入力される光あるいは外部へ出力される光が第2回折格子52によって第2励起光として励起される。そして、第2励起光あるいは外部から入力される光あるいは外部へ出力される光がシリコン光導波路であるサブ光導波路44等を伝播する構成とされることによって、回折格子部40を介して、外部との光の入出力を可能としている。第2の回折格子型光結合器においても第1の回折格子型光結合器と同様に、第1回折格子38で励起される第1励起光の伝播方向と第2回折格子52で励起される第2励起光の伝播方向とは直交する。このことによって、回折格子部40に外部から入力される光あるいはこの回折格子部40から外部に出力される光の伝播方向と、この回折格子部40で結合されるサブ光導波路44を導波する光の伝播方向とが直交する関係にあっても高い結合効率が実現される。図6を参照して、第2の回折格子型光結合器による外部から入力される光あるいは外部へ出力される光に対する結合効率についての計算シミュレーションを行った結果について説明する。図6の横軸は波長をμm単位で目盛って示してあり、縦軸は光強度を第2の回折格子型光結合器の回折格子部40への入力光の強度を任意スケールで示してある。曲線aは、光ファイバ34から入力されて光結合されて第1光導波路ループ16に入力される光の強度を示している。曲線bは、回折格子部40から上方に向けて反射される回折格子部40等の導波路パターンが形成されている層から反射される光の強度を示している。また、曲線cは、回折格子部40から下方に向けて透過される回折格子部40等の導波路パターンが形成されている層及びシリコン基板10に向けて透過される光の強度を示している。図6に示す結合効率に関する計算シミュレーションも、図2及び図4に示した計算シミュレーションである3次元FDTD法によって行った。計算に用いた条件は以下のとおりである。回折格子部40、第1光導波路ループ16、第2光導波路ループ18、光導波路ループ結合部20等の光導波路パターンを導波構造のコアとして取り囲むSiO2クラッド層の屈折率を146とした。光導波路パターンを構成するSiの屈折率を347、光導波路パターンを構成するSi層の厚さを260nmに設定した。回折格子部40に入射させる光束をガウス関数で与えられる強度分布を有する直径5μmの平行光束であると仮定した。第1回折格子38の回折格子周期は900nm、回折格子部40に含まれる第1回折格子38のサブ光導波路44の幅は450nm、第2回折格子52の回折格子周期は900nm、第2回折格子52の導波路幅の変調度導波路幅が周期的に変化している部分のサブ光導波路44の最大幅と最小幅の差:dは23nmにそれぞれ設定した。図6に示すように、回折格子部40に入射させる光束の波長が15μm近傍で、第1光導波路ループ16に入力される光が最大となっている。この場合、第1光導波路ループ18にも同じ大きさの光が入力されるので、上述した第1の回折格子型光結合器と同様に、回折格子部40に入力された光の80程度が光導波路ループ結合部20を介して入出力用シリコン光導波路22に入力されると結論される。すなわち、回折格子部40に入力された光の80程度がこの第2の回折格子型光結合器によって取り込まれると結論される。