"構造のパターンを印刷する方法において、a表面に記録層が設けられている基板を準備するステップと、b構造の周期的なパターン及び構造の準周期的なパターンの内の少なくとも一つを備えたマスクを準備するステップと、c前記基板を前記マスクに対して実質的に平行に、且つ、第1の所望の値を有する初期離隔距離で配置するステップと、d前記マスクを透過した光フィールドが前記記録層を露光するような強度を有している、実質的に単色で実質的に視準された光でもって前記マスクを照射する照射システムを準備するステップと、e露光時間にわたり前記マスクを照射し、その一方で第2の所望の値分、且つ、離隔距離の変化の割合で離隔距離を変化させるステップであって、前記離隔距離の変化の割合及び光の前記強度の内の少なくとも一方を前記離隔距離の変化にわたり変更し、それにより前記離隔距離の変化と共に変更される離隔距離の増分的な変化毎のエネルギ密度で前記マスクを照射するステップとを備えており、前記記録層に印刷される前記パターンは、前記初期離隔距離の前記第1の所望の値からの偏差に対して、及び、前記離隔距離における変化の前記第2の所望の値からの偏差に対して低い感度を有していることを特徴とする、方法。前記離隔距離の増分的な変化毎のエネルギ密度を、前記離隔距離の変化にわたり少なくとも50変更する、請求項1に記載の方法。前記透過した光フィールドは、タルボ距離分隔てられている自己イメージ面を形成し、前記離隔距離の変化は前記タルボ距離よりも大きい、請求項1に記載の方法。前記透過した光フィールドはタルボ距離分隔てられている自己イメージ面を形成し、前記離隔距離の変化にわたる前記離隔距離の増分的な変化毎のエネルギ密度の変動は、前記タルボ距離の半分よりも大きい半値全幅を有する、請求項1に記載の方法。前記離隔距離の変化にわたる前記離隔距離の増分的な変化毎のエネルギ密度の変動は、切り捨てガウス分布、切り捨て正弦分布及び三角分布の内の一つに実質的に対応する、請求項1に記載の方法。前記離隔距離を連続的に変化させ、前記離隔距離の変化の割合は前記マスク又は前記基板の変位の速度を表す、請求項1に記載の方法。前記離隔距離をステップ距離及びステップ頻度を有する連続的なステップで変化させ、前記離隔距離の変化の割合が変更される場合には、前記ステップ距離及び前記ステップ頻度の内の少なくとも一つを前記離隔距離の変化にわたり変更する、請求項1に記載の方法。前記光の強度を前記離隔距離の変化にわたり連続的に変更する、請求項1に記載の方法。前記離隔距離の変化の割合は実質的に一定であり、前記光の瞬時強度を、前記離隔距離の増分的な変化毎に上限値と下限値の間で複数回変更し、前記離隔距離の各増分的な変化の間の強度は時間平均値に対応する、請求項1に記載の方法。前記離隔距離を、前記離隔距離の変化にわたり、前記照射の間に複数回変更し、前記離隔距離の変化の割合及び光の前記強度の内の少なくとも一つを前記離隔距離の各変化の間に変更する、請求項1に記載の方法。構造のパターンを印刷する装置において、a表面に記録層が設けられている基板と、b構造の周期的なパターン及び構造の準周期的なパターンの内の少なくとも一つを備えたマスクと、c前記基板を前記マスクに実質的に平行に、且つ、第1の所望の値を有している初期離隔距離で配置する手段と、d前記マスクを透過した光フィールドが前記記録層を露光するような強度を有している、実質的に単色で実質的に視準された光でもって露光時間にわたり前記マスクを照射する照射システムと、e第2の所望の値分、且つ、離隔距離の変化の割合で前記離隔距離を変化させる手段と、f前記離隔距離の変化と共に実質的に漸次的に段階的に変更される、離隔距離の増分的な変化毎のエネルギ密度で前記マスクが照射されるような前記マスクの照射中に、前記離隔距離の変化の割合及び光の前記強度の内の少なくとも一方を変更する手段とを含み、前記記録層に印刷される前記パターンは、前記初期離隔距離の前記第1の所望の値からの偏差に対して、及び、前記離隔距離における変化の前記第2の所望の値からの偏差に対して低い感度を有していることを特徴とする、装置。前記変更手段は、可変の速度で前記離隔距離を変更するか、又は、前記離隔距離の変化と共に変更されるステップ間の期間を有する連続的なステップで前記離隔距離を変更するアクチュエータを含む、請求項11に記載の装置。前記照射システムは出力を有する出力ビームを放射する光源を含み、前記変更手段は前記出力ビームの出力を変化させる、請求項11に記載の装置。前記照射システムは、前記マスクを照射する光の強度を変化させる可変の減衰器を含む、請求項11に記載の装置。前記マスクにおける構造の周期的なパターン及び準周期的なパターンの内の少なくとも一つは、透明な基板上の不透明な材料の層及び位相シフト材料の層の内の少なくとも一方に形成されている、請求項11に記載の装置。前記構造の周期的なパターン及び前記構造の準周期的なパターンの内の少なくとも一方は少なくとも一つの方向において周期的である、請求項11に記載の装置。前記マスクは複数の周期的なサブパターンを備えており、前記複数の周期的なサブパターンの内の少なくとも一つは第1の周期を有し、前記複数の周期的なサブパターンの内の少なくとも一つは異なる第2の周期を有する、請求項11に記載の装置。前記マスクにおける前記周期的なパターンは第1の方向に配向されている格子ベクトルを有し、前記マスクは、異なる第2の方向に配向されている格子ベクトルを有する、少なくとも一つの付加的な周期的なパターンを備えている、請求項11に記載の装置。前記照射システムは光のビームを形成し、且つ、前記マスクにわたり前記ビームをスキャンするためのスキャンシステムを含む、請求項11に記載の装置。コンピュータシミュレーションを付加的に使用し、前記離隔距離の変化にわたる前記離隔距離の増分的な変化毎のエネルギ密度の所要変動を求める、請求項1に記載の方法。以下では、本発明の第1の実施例が示されている図1を参照する。アルゴンイオンレーザ1は、363.8nmの波長及び~2mmの直径を有しており、また、単一横モードつまりガウス強度プロフィールを有する及び多縦モードにある、実質的に単色光のビーム2を放射する。光は平面偏波されており、偏波ベクトルは図の平面に対して直交している。そのようなレーザは、例えば、NewportCorporation特に、BeamLoklasersの製品又はCoherentInc特にInnovaSabrelasersの製品によって市販されている。電子的に操作されるシャッタ3を通過した後に、ビーム2の直径は一組のレンズを備えているビーム拡大器4によって拡大され、従って、ビーム変換器6を用いて結果として生じたビームの強度プロフィールを、ガウス分布から、ビームの中心部分にわたり実質的に一様な分布により簡単に変更することができる。適切なビーム変換器は市販されており、例えば、MoltechGmbH特に、piShaperproductの製品によって市販されている。ビーム変換器6の出力ビームは第2のビーム拡大器8を通過する。この第2のビーム拡大器8は平行ビーム、即ち視準されたビームを形成し、その中心の一様な部分は印刷されるべきパターンのサイズよりも大きい直径を有している。ビームはミラー10によってマスク12に向かって反射され、それにより平行ビーム11が直角入射し、マスク12におけるパターン13が実質的に一様に照射される。マスクの下側の表面には、不透明な複数のラインと透明な複数のスペースとから成る、800nmの周期を有する1次元の周期的なパターン13即ち、線形回折格子が設けられている。パターン13は、標準的な電子ビームマスク作成技術を使用して、厚い例えば0.25溶融シリカ基板上のクロムの層に作成されている。図面においては、マスクパターン13において5個のラインとスペースしか示されていないが、何桁も多い数のラインが設けられており、またマスクパターン13が典型的にはセンチメートルの寸法を有していると解される。マスク12は支持フレーム図示せずに固く固定されている。マスク12の下にはウェハ14があり、このウェハ14の上側の表面には、標準的なi線感応性フォトレジスト15の~1μmの厚さの層がスピンコーティングされている。ウェハ14は真空チャック16に実装されている。真空チャック16は機械的な位置決めシステム17に取り付けられており、この位置決めシステム17は、マスク12におけるパターン13に実質的に平行に、且つパターン13の近傍にウェハ14を位置決めするよう構成されている複数のアクチュエータと協働する。それらのアクチュエータは制御システム18によって変位される。またそれらのアクチュエータは有利には三つの圧電トランスデューサPZTを有しており、各圧電トランスデューサは、ヒステリシス及びドリフトによって惹起される変位エラーを最小限にするために、それらの各変位の閉ループ制御を実現する統合型歪みゲージ又は容量性センサを有しており、また有利には、例えば100μmのような長い移動距離を有している。例えば、ウェハ14の異なる面上に設けられている既知で同じ厚さの基準スペーサを使用して、ウェハ14はマスク12に対して平行に、且つ、マスク12の近傍に調整される。ウェハ14とマスク12の離隔距離は一般的に、最初に20μmの値にセットされる。変位タルボリソグラフィに関しては、このパラメータは十分小さくあるべきであるがクリティカルではなく、それにより、完璧ではない局所的な視準に起因する照射ビームにおける角度範囲が、印刷されるパターンの分解能を許容できないほどに劣化させることはない。最も有利には、露光中の横方向のあらゆる変位成分が印刷されているパターンの周期に関して小さくなるまでに、露光操作の間に必要とされるウェハ14の縦方向の変位をそのウェハ14の表面に対して正確に直行させるために、位置決めシステム17がガイド装置又は標準的な精密位置決めシステムの分野における当業者には十分に既知であるような同等のメカニズムと協働すべきである。付加的に、制御システム18によって、露光操作中にも必要とされるような所定のプロフィールに応じた変位中に変更される速度でもってウェハ14を縦方向に変位させることができる。ウェハ14とマスク12との間の平行性及び離隔距離を整えるための操作は、マスク12に関するウェハ14の粗い分解能の縦方向の変位を生じさせるための手動の手段又は自動的な手段例えばステッピングモータを機械的な位置決めシステム17に付加的に統合することによって簡略化することができる。363.8nmの波長の視準されたビーム11を用いて800nmの周期の回折格子パターン13を照射することにより0次及び1次の回折次数が生じ、この回折次数は、透過した光フィールドにおける一連の自己イメージ面の形成に干渉する。離隔距離S01は、S01=λ/cosθ0-cosθ1式3によって得られる。但し、θ0及びθ1は0次及び1次のそれぞれの回折角度である。式3により、S01≒3.3μmである。しかしながら、1次及び2次のビームの回折角度が大きいことに起因してそれぞれ~27°及び~66°、2次の回折次数はそれらの平面における0次及び1次のビームとは正確に同相ではなく、従って、マスクパターン13の自己イメージは正確には形成されず、更には、明確なタルボ面に正確に位置していない。その結果、従来技術による変位タルボリソグラフィを使用して、マスクパターン13がこの照射波長で露光されると、ウェハ14上にパターンを一様に印刷することは非常に困難になる。マスク12とウェハ14の離隔距離の変化に対する、印刷されたパターンの線幅の感度を露光プロセスのコンピュータシミュレーションによって評価することができる。そのようなコンピュータシミュレーションは有利には、周期的なマイクロ構造及び一様な媒体を通過する電磁波の伝播を計算するための標準的な理論手法、例えば、有限差分時間領域法FTDT;finitedifferencetimedomain又は厳密結合波解析RCWA;rigorouscoupledwaveanalysisを使用して実行される。市販のソフトウェア又はフリーソフトウェア、例えばGSolverRCWAの場合、GratingSolverDevelopmentCo製又はMEEPFTDTの場合、MassachusettsInstituteofTechnology製を使用することができる。363.8nmの波長を有するビーム11が直角入射することにより照射された、この実施の形態において使用されるマスクパターン13を透過した回折光フィールドがシミュレートされており、その結果が図2に示されている。図2は、回折格子パターン13の一周期の幅にわたる、マスク12から8μmの距離まで延ばされた光フィールドの一部を示す。自己イメージ面における2次のビームの相対位相が変化することから、強度分布は距離が長くなるに連れ正確には周期的ではなくなるにもかかわらず、マスク12におけるパターン13の~3.3μmの自己イメージの規則的な間隔が形成されていることが図から見て取れる。DTL法をこの図示されている回折格子パターン13に適用することの効果は、連続する自己イメージ面の離隔距離の整数倍に対応する距離の範囲にわたる光フィールドを積算ないし積分することによって求めることができる。マスク12から20μmの初期距離にあるウェハ14と、2倍のタルボ距離の範囲にわたり即ち6.6μmにわたり積算された光フィールドとを用いて、フォトレジスト15を露光する時間平均強度分布は明るいラインの周期的なパターンであり、その周期は1次元のマスクパターンにDTLを適用した際に一般的に得られるように、マスクにおけるパターンの周期の半分である。ラインに対して直交する方向におけるこの分布にわたる強度の変化が図3に示されている。図3は、マスクパターン13の一周期に対応する距離にわたる変化を示す。マスク12及びウェハ14が正確に平坦又は平行でない場合であっても、パターンをマスク12からウェハ14に一様に再現性があるように印刷するために、積算分布におけるピークの強度がウェハ14とマスク12の局所的な初期離隔距離に対して敏感ではないこと、又は、ウェハの実際の変位の所望の値からの偏差に対して敏感であることが必要である。ピーク強度の初期離隔距離への依存性及びピーク強度の変位距離への依存性をコンピュータシミュレーションによって評価することができる。ここで考察する照射パターンに関するその種の評価の結果が図4に示されている。図4は、ウェハ14の種々の変位距離に関する露光の間にウェハ14とマスク12の平均離隔距離との関係においてプロットされた強度ピークの絶対値を示す。図4から見て取れるように、変位距離が6.6μm即ちタルボ距離の2倍である場合、平均離隔距離の変動と共に、ピーク強度は~7まで大きく変動し、これに対し、6.7μm及び6.8μmの変位距離では、強度の変動はそれぞれ4.5及び4である。積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位への、積算強度又は時間平均強度の依存性を求めることによって、変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を更に評価することができる。図5においては、積算強度は、変位が~4μmのときに最大値に達し、変位距離が更に延びるに連れ大きく変動し続け±13まで、最終的には、>30μmの変位を有する合理的に安定した値に達したことを確認できる結果が示されている。これらの結果は、ライン幅の高い一様性及び高い再現性が印刷パターンにわたり、またウェハ毎に要求される場合には、DTL技術をここで考察するパターンに適用することの困難さ及び制限を実証している。本発明のこの実施の形態においては、タルボ平面間の強度分布の範囲がフォトレジスト層15において均等に記録されるように、ウェハ14が露光中に一定速度でマスク12に相対的に変位されるのではなく、その代わりに、変位増分毎の照射線量ここで変位増分は全体の変位に対して小さいEGが切り捨てガウス分布に従いウェハ14とマスク12の離隔距離dと共に変更されるように変位の速度が変位中に変調される:EGd=E0exp{-d-d02/2σ2}但し|d-d0|<tσ式4ここでE0は定数であり、exp{}は指数関数であり、d0は変位中の平均離隔距離であり、σはガウス分布の標準偏差であり、tはガウス関数の切り捨てパラメータであり、|x|はxの絶対値を表す。図1の装置を使用して、離隔距離の変化と共に変化する増分線量のこのプロフィールを、アクチュエータが露光中に式4によって表されるエネルギ密度変化に関して逆に変化する速度vGでウェハ14をマスク12に向かって移動させるか、又は、マスク12から離れる方向に移動させるように制御システム18をプログラミングすることによって達成することができる:vGd=kexp{d-d02/2σ2}但し|d-d0|≦tσ式5ここでkは定数である。時間に依存する各アクチュエータの要求される位置を表す関数を式5から直接算術的に導出することができる。所望の露光結果を得るために、t≒2であることが推奨され、その場合、EGdは離隔距離の範囲の末端におけるその最大値の~13に低下するが、用途の要求に依存して他の値を使用することもできる。更には、σが実質的にタルボ面の離隔距離の半分に対応するように選択されることが推奨されるが、この値を用途の特定の要求に応じて調整することもできる。t=2且つσ=T/2の場合Tはタルボ面の離隔距離である、EGdを表す、結果として生じた曲線が図6に示されているガウスによって示唆されている。上記の式4によって定義された露光中に、フォトレジスト15がマスク12を透過した光フィールドにのみ露光されるようにするために、有利には、シャッタ3の開閉が制御システム18によって実施され、露光の開始及び終了はアクチュエータの移動と同期されている。定数kは単なる倍率であり、フォトレジスト15の層を照射する総照射線量がフォトレジスト15に所望の構造をその現像に応じて形成するために、照射ビームの強度と組み合わされて選択されるべきである。照射線量は有利には、異なる線量を用いた複数のウェハの印刷及び印刷結果の評価によって実験的に最適化されている。式5によって表される可変の速度での露光中のウェハ14の変位が、フォトレジスト15を露光する時間平均強度分布に及ぼす作用、特に、ウェハ14とマスク12の平均離隔距離に対する分布のピーク強度の依存性、及び、所望の値からの実際の変位の偏差に対するピーク強度の依存性に及ぼす作用をコンピュータシミュレーションによって評価することができる。σ=1.65μm,1.675μm及び1.7μm、またt=2を使用し、それによりウェハの変位距離がそれぞれ6.6μm,6.7μm及び6.8μmである場合の、15μm~25μmの平均離隔距離に関する照射パターンについてのそのようなシミュレーションの結果が図7に示されている。これによって、平均離隔距離の変化によるピーク強度の変動は、変位の三つの値に関してそれぞれ~2.5,~2及び~1.5であると推定することができ、つまり、従来技術によるDTL露光に関して先行して求められた対応する値よりも遥かに低く、また実験によって証明された。変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を、積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位に対する積算強度の依存性を求めることによって更に評価することができる。図8には、露光中の平均強度がタルボ距離の約2倍に対応する距離即ち6.6μmにおいて最大値に達し、距離が更に延びるに連れ<±1.5の振幅で発振することが見て取れる結果が示されている。それらの残余変動を、必要に応じて、切り捨てガウス分布のパラメータを調整することによって更に低減することができる。それらの結果から、切り捨てガウス分布に応じた離隔距離の変化と共に変動する変位増分毎の露光密度でのマスクの露光によって、従来技術によるDTLを使用して得られるものよりも高い一様性及び再現性でもって印刷されるパターンを実現できることが証明された。印刷されるパターンの一様性及び再現性の顕著な改善は、この実施の形態の同一の装置ではあるが、変位増分毎の照射線量ESが、切り捨て正弦関数に応じて、ウェハ14とマスク12の離隔距離dの変化と共に変動するように露光中のアクチュエータの変位速度を変調させるようプログラミングされている制御システム18を有する装置によって達成される:ESd=E0COS2{Πd-d0/2L}但し|d-d0|≦tL式6ここでd0は露光中の平均離隔距離であり、2Lは正弦波状の変動の周期であり、また、tは正弦分布の切り捨てを規定し、従って、露光中のウェハ14の完全な変位を求める。離隔距離の変化による増分線量の変動のこのプロフィールを次式に従いウェハの変位速度vSを変調することによって得ることができる:vSd=ksec2{Πd-d0/2L}但し|d-d0|≦tL式7ここで、kは定数である。アクチュエータの要求される変位の最高速度を制限するために、照射パターンに関しては、Lがタルボ距離Tに対応するように選択されるべきであり、且つ、tが1付近であるが1未満、例えば0.9であることが推奨される。L=T且つt=1の場合の、ESdを表す曲線の形状が図6に示されている正弦によって示唆されている。それらの値を用いた場合、ウェハ14の離隔距離の拡大又は縮小による、変位増分毎の照射線量の結果として生じる変動は上述の切り捨てガウス分布に近似する。制御システム18は有利には、フォトレジストが変位の要求される距離の間にマスクを透過した光フィールドのみに露光されるように、アクチュエータの変位中に自動的にシャッタ3を開閉すべきである。また倍率kは、フォトレジスト15を照射する総照射線量がその現像に応じてフォトレジスト15に所望の構造を形成するために、照射ビームの強度と組み合わされて選択されるべきである。照射線量は有利には、異なる線量を用いた複数のウェハの印刷及び印刷された結果の評価によって実験的に最適化されている。コンピュータシミュレーションは、フォトレジスト15を露光する積算分布又は時間平均分布におけるピーク強度の、ウェハ14とマスク12の平均離隔距離の変動に対する感度、また、最適値からのウェハ14の変位距離の偏差に対する感度を求めるために同様に実行される。L=3.3μm,3.35μm及び3.4μm、且つt=1の場合、ウェハの変位距離はそれぞれ6.6μm,6.7μm及び6.8μmであり、関連するマスクパターンについての結果はそれぞれ図9に示されている。これによって、ピーク強度の変動は、変位の三つの値に関してそれぞれ~0.03,~0.6及び~1であると推定することができ、つまり、従来技術によるDTL露光に関して先行して求められた対応する値よりも遥かに低い。変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を、積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位に対する積算強度の依存性を求めることによって更に評価することができる。図10には、変位がタルボ距離の約2倍即ち6.6μmであるときに積算強度が最大値に達し、また距離が更に延びるに連れ<±1の振幅で変動することが見て取れる結果が示されている。それらの結果から、正弦分布に応じた離隔距離の変化と共に変動する変位増分毎の露光密度でのマスクの露光によって、従来技術によるDTLを使用して得られるものよりも遥かに高い一様性及び再現性でもって印刷すべき1次元のパターンが実現されることが証明された。印刷されるパターンの一様性及び再現性の同様の改善は、変位増分毎の照射線量ETが、切り捨て三角形関数に応じて、離隔距離dの変化と共に変動するように露光中のアクチュエータの変位の速度が変調されることによって実現される:ETd=E0L-|d-d0|但し|d-d0|≦tL式8ここでd0は平均離隔距離であり、2Lは切り捨てられていない三角形関数の幅であり、また、tは三角形関数の切り捨てを規定し、従って、露光中のウェハ14の変位距離を求める。離隔距離の変化による増分線量の変動のこのプロフィールを次式に従いウェハの変位速度vTを変調することによって得ることができる:vTd=k/L|d-d0|但し|d-d0|≦tL式9ここで、kは定数である。アクチュエータの要求される変位の最高速度を制限するために、照射パターンに関しては、Lがタルボ距離Tに対応するように選択されるべきであり、且つ、tが1付近であるが1未満、例えば0.9であることが推奨される。L=T且つt=1の場合の、ESdを表す曲線の形状が図6に示されている三角によって示唆されている。それらの値を用いた場合、離隔距離の拡大又は縮小による、変位増分毎の露光密度の結果として生じる変動はやはり前述の切り捨てガウス分布に近似する。制御システム18は有利には、フォトレジスト15が変位の要求される範囲の間にマスク12を透過した光フィールドのみに露光されるように、アクチュエータの変位中に自動的にシャッタ3を開閉すべきである。また倍率kは、フォトレジスト15を照射する総照射線量がその現像に応じてフォトレジスト15に所望の構造を形成するために、照射ビームの強度と組み合わされて選択されるべきである。照射線量は有利には、異なる線量を用いた複数のウェハの印刷及び印刷された結果の評価によって実験的に最適化されている。コンピュータシミュレーションは、フォトレジスト15を露光する、結果として生じた積算分布又は時間平均分布におけるピーク強度の、ウェハ14とマスク12の平均離隔距離の変動に対する感度、また、所望の値からのウェハ14の変位距離の偏差に対する感度を求めるために同様に実行される。L=3.3μm,3.35μm及び3.4μm、且つt=1の場合、ウェハの変位はそれぞれ6.6μm,6.7μm及び6.8μmであり、関連するパターンに関して生じた結果はそれぞれ図11に示されている。これによって、平均離隔距離の変化によるピーク強度の変動は、変位の三つの値に関してそれぞれ~1であると推定することができ、つまり、従来技術によるDTL露光に関して先行して求められた対応する値よりも遥かに低い。変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を、積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位に対する積算強度又は時間平均強度の依存性を求めることによって更に評価することができる。図12には、変位がタルボ距離の約2倍即ち6.6μmであるときに平均強度が最大値に達し、また、距離が更に延びるに連れ<±1の振幅で発振することが見て取れる結果が示されている。それらの結果から、切り捨て三角分布に応じた離隔距離の変化と共に変動する変位増分毎の露光密度でのマスクの露光によって、従来技術によるDTLを使用して達成されるものよりも遥かに高い一様性及び再現性でもって印刷すべき1次元のパターンが実現されることが証明された。図6からは、この実施の形態において説明した離隔距離の変化による、増分エネルギ密度の切り捨てガウス状の変動、切り捨て正弦状の変動及び切り捨て三角状の変動が類似することが見て取れる。つまり、各ケースにおいて、プロフィールの全幅がタルボ距離の約2倍であり、また、プロフィールの半値全幅FWHM:fullwidthathalfmaximumは近似的にタルボ距離である。全てのケースにおいて、増分エネルギ密度は実質的に漸次的に変位距離にわたり変化し、また、離隔距離の初期値及び終了値における最小値は最大値の>80である。従って、印刷されるパターンの一様性及び再現性の同様の改善を、図示されているものと類似する特性、例えば適切な台形状の分布を有している増分線量変動のプロフィールを使用して達成することができる。更には、論理的な結果及び実験的な結果は、印刷されるパターンのより高い一様性及び再現性が、関連する周期的なパターンについてのタルボ距離に関して図6に示唆した値からの全幅及びFWHMを増分することによって得られる。しかしながら、露光中のマスク12に関するウェハ14のより大きい変位は、印刷分解能を低下させないためにその面に関する変位の直交性におけるより高い精度を要求し、またより大きい移動範囲を有する一つ又は複数のアクチュエータを要求し、必ずしも所望のものである必要はない。一般的に、印刷結果の非常に良好な一様性及び再現性を得るために、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎の露光エネルギ密度の変化を表す曲線のFWHMはタルボ距離の少なくとも0.8倍であるが、それよりも小さい、タルボ距離の半分にまで低下した値を、それよりも低い一様性及び再現性の結果を伴って択一的に使用することができ、また、分布の全幅は有利にはタルボ距離の2倍の少なくとも0.8倍であるべきであるが、同様にそれよりも小さい、タルボ距離にまで低下した値を比較的要求の低い用途に応じるために使用することもできる。図6に示されている全ての曲線のケースのように変位増分毎のエネルギ密度の最大値が生じる離隔距離に関して、離隔距離の変化による増分毎のエネルギ密度の変動を表す曲線は対称的であるか、又は少なくとも実質的に対称的であることが有利であるが、必ずしも必要ではない。従って有利には、変位増分毎のエネルギ密度の最大値が生じる離隔距離は、離隔距離の初期値と最終値との間の中間点にあるか、又は少なくとも実質的に中間点にある。更に最も有利には、マスク12とウェハ14の離隔距離の初期値及び最終値における変位増分毎のエネルギ密度の値は、離隔距離の範囲にわたる変位増分毎のエネルギ密度の最大値よりも少なくとも80少ない。しかしながら、変位距離にわたる変位増分毎のエネルギ密度の同様の変動も使用することができるが、従来技術によるDTL露光を使用して印刷されたパターンの一様性及び再現性よりも依然として遥かに優れているにもかかわらず印刷結果の一様性及び再現性は低くなる。上述の実施の形態においては、マスク12に関するウェハ14の変位の速度の変動は、ウェハ14の変位の速度を変更することによって達成されるが、本発明の別の実施の形態においては、同一の効果及び結果をマスク12の変位の速度を同様に変化させることによって達成することができる。このケースにおいては、一つ又は複数のアクチュエータ及び関連する制御システムと協働する適切な機械的なシステムが、露光中の可変の速度でマスク12を縦方向に変位させるべきである。範囲の縁部における増分露光密度がその範囲の中心における増分露光密度に関して小さいように、変位距離にわたり変動する離隔距離の変位増分毎のエネルギ強度でマスクを露光することによって、例えばシャッタの開放と閉鎖によって定義される露光の開始と終了との間及び変位の開始と終了との間で要求される同期精度を低減できるという付加的な利点が提供される。これに対して、従来技術によるDTLを使用すると、スキャン範囲の二つの端部における変位増分毎のエネルギ密度は中心における変位増分毎のエネルギ密度と同じになるので、それにより印刷されたパターンは露光機構と変位機構との間での同期エラーに対してより一層敏感になる。上述の実施の形態においては、露光中のマスクに関するウェハの変位は要求される範囲にわたり速度の要求される変動でもって単一方向において実行されるが、本発明の別の実施の形態においては、択一的に、範囲にわたるウェハの複数の変位を露光中に実行することができ、その場合、各変位は上述の教示に応じるものであり、また有利には変位の方向は連続的な変位間で反転される。露光中の変位の同一の動きの反復は、ウェハに印刷されるパターンを同一にすることが証明された。露光中のスキャン範囲にわたる変位の反復を使用することによって、照射システムによって定義される露光の総時間とウェハが変位している総時間との間の同期エラーに対する印刷されるパターンの感度は更に低減され、従って有利である。第1の実施の形態において使用されるものと同じ装置を使用するか、又は同等の装置を使用する本発明の別の実施の形態においては、ウェハは露光中の実質的に同一の最終距離だけマスクに関して変位されるが、段階的な動きを使用して変位され、その段階的な動きにおいてはウェハが連続的なステップで、且つ、ステップ間の遅延時間を変化させながら変位される。変位の最終距離に関して小さいステップサイズが選択されることによって、また、離隔距離の変化による増分照射線量の要求される変動に応じて変更されるように遅延時間を選択することによって、ウェハを露光する積算強度分布が、第1の実施の形態によって生成された積算強度分布に近似し、印刷結果は実質的に同一になると理解される。ここで図13を参照する。この図13には、本発明の第2の実施の形態が示されており、アルゴンイオンレーザ21は波長363.8nm、直径~2mmを有し、単一横モードつまりガウス強度プロフィールを有する及び多縦モードにある、実質的に単色光のビーム22を放射する。光は平面偏光されている。電子的に操作されるシャッタ23を通過した後に、ビーム22は電動式の可変の減衰器24に入射し、この減衰器24は制御システム46に接続されている。制御システム46は送信ビームの強度を露光動作中に連続的に変化させるか、段階的にほぼ連続的に即ち、例えば16レベルにディジタル化される変化させる。電動式の可変の減衰器は、MetroluxOptischeMesstechnikGmbH特にVariableDielectricLaserBeamAttenuatorsの製品及びDelMarPhotonicsInc特にDiffractiveVariableAttenuatorsの製品のような企業から市販されている。可変の減衰器24からの送信ビームは続いて四分の一波長板26に入射し、この四分の一波長板26は円偏波ビームを形成する。このビームの直径は一組のレンズを備えているビーム拡大器28によって拡大され、従って、結果として生じたビームの強度プロフィールを、ビーム変換器30を用いることにより、ガウス分布から、ビームの中心部にわたり実質的に一様な分布へとより簡単に変換することができる。適切なビーム変換器は、例えば、MoltechGmbH特にpiShaperの製品から市販されている。ビーム変換器30の出力ビームは第2のビーム拡大器32を通過する。このビーム拡大器32は視準されたビームを形成し、そのビームの中心の一様な部分は印刷されるべきパターンのサイズよりも大きい直径を有している。このビームはミラー34によってマスク38へと反射され、それによりマスク38におけるパターン39は直角入射で視準されたビーム35によって一様に照射される。マスクの下側の表面には、不透明な層にホール39の2次元の周期的なパターンがあり、これは520nmの最隣接距離を有する六角形の格子に配置されている。図面にはマスクパターン13に五つのホールしか示されていないが、何桁も多い数のホールが存在しており、また、マスクパターン13が典型的にはセンチメートルの寸法を有していると解される。パターン39は、標準的な電子ビームマスク作成技術を用いて、厚い溶融シリカ基板上のクロムの層に形成されている。マスク38は支持フレーム図示せずに固く固定されている。マスク38の下にはウェハ40があり、このウェハ40は、標準的なi線感応フォトレジスト41の~1μmの厚さの層がスピンコーティングされている。ウェハ40は真空チャック42に実装されている。真空チャック42は機械的な位置決めシステム44に取り付けられており、この位置決めシステム44は、マスク38におけるパターン39に実質的に平行に、且つパターン39の近傍にウェハ40を位置決めするための複数のアクチュエータと協働する。それらのアクチュエータは有利には三つの圧電トランスデューサPZTを有しており、各圧電トランスデューサは、ヒステリシス及びドリフトによって惹起される変位エラーを最小限にするために、それらの各変位の閉ループ制御を実現する統合型歪みゲージ又は容量性センサを有しており、また有利には、例えば50μmのような長い移動範囲を有している。アクチュエータのための関連する制御システム46は個別の変位を実現するか、又は一定速度での並行した変位を実現する。アクチュエータはウェハ40を直交平面において傾斜させることができる。例えば、ウェハ40の異なる側に挿入される既知で等しい厚さの基準スペーサを使用して、ウェハ40はマスク38に平行に、且つマスク38の近傍に調整される。ウェハ40とマスク38との間の初期離隔距離を一般的には20μmの値にセットすることができる。363.8nmの波長の光を用いたマスク38における構造39の六角形のパターンの照射は、一つの0次の非回折ビームと六つの1次の回折次数から成る透過した光フィールドを発生させ、これは~0.88μmのタルボ距離によって隔てられた自己イメージの形成に影響を及ぼす。2次又はそれよりも高次の回折次数は存在しないので、透過した光フィールドはマスクに対して直行する方向において正確に周期的であるパターンの縁部は無視する。照射ビーム35は円偏光されるので、直交平面における偏光の成分は等しく、それによって回折次数の対称分布及び自己イメージにおける対称構造が実現される。連続的なタルボ面の離隔距離の整数倍に対応する距離分、ウェハ40が光フィールドを通過して縦方向に変位されることによって、従来技術のDTLを使用してマスク38からフォトレジストが塗布されたウェハ40に記録される時間平均強度分布をコンピュータシミュレーションによって求めることができる。結果は図14に図示されており、この図14は、マスク38におけるパターン39と等しい最隣接距離を有している強度ピークの六角形のアレイの単位セルを示す。マスク38を通過した後の光フィールドはマスクに対して直行する方向において正確に周期的であるので、この分布におけるピークの強度は、DTL露光中のウェハ40とマスク38の平均離隔距離に依存しない。他方において、例えば機械的なヒステリシスに起因して変位距離が正確にはタルボ面間の離隔距離の整数倍ではない場合、分布のピーク強度は平均離隔距離に対してもはや敏感ではない。この依存性は、1.75μm,1.85μm及び1.95μmそれぞれの変位距離に関するコンピュータシミュレーションによって評価されており、その結果は図15に示されている。この結果から、変位がタルボ距離の2倍から~0.01μmである場合には、平均離隔距離の変化によるピーク強度の変動は<1であるが、2倍のタルボ距離から0.09μm及び0.19μmだけの変位に関しては、ピーク強度は平均離隔距離の変動によりそれぞれ~9及び~16変動し、これは幾つかの用途にとっては許容できないほど大きいものである。変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を、積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位に対する積算強度の依存性を求めることによって更に評価することができる。図16には、変位が~1.25μmであるときに積算強度は最大値に達し、また、変位距離が更に延びるに連れ大きく変動し続ける~±14だけことが見て取れる結果が示されている。本発明のこの第2の実施の形態においては、ウェハ40は従来技術のDTLのやり方に応じて露光中に一定の速度でマスク38に関して縦方向に変位される。しかしながら、従来技術とは異なり、照射ビーム35の強度はタルボ面間の横方向の強度分布の平均を記録するために露光中に一定ではなく、その代わりに、ウェハ40とマスク38との間の離隔距離の変位増分毎の照射のエネルギ密度が離隔距離の範囲にわたり変化するように変更される。ウェハ40を変位させている間のビーム35の強度は制御システム46によって制御され、この制御システム46は可変の減衰器24の透過率を、離隔距離の範囲にわたる離隔距離の変位増分毎のエネルギ密度の所望の変動を表すプリプログラミングされた関数に応じて調整する。制御システム46は有利には、フォトレジスト41が露光されないことを保証するために、露光の開始及び終了それぞれにおいてシャッタ23を開放及び閉鎖する。有利には、前述の関数は、式4によって表されるような切り捨てガウス分布に実質的に対応する。第1の実施形態の場合と同様に、この関数の標準偏差に割り当てられた値σは透過した光フィールドにおいてタルボ平面Tの離隔距離の半分であり、また、露光中のウェハ40の最大変位はタルボ距離の2倍即ちt=2にセットされることが推奨されるが、関連する用途の特定の要求に依存して他の値も使用することができる。σ=T/2且つt=2の場合、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎の照射線量の変動は図6においてガウス曲線によって表されている。マスク38とウェハ40との間の離隔距離の変位増分毎のエネルギ密度のガウス分布でウェハ40を露光した場合、積算時間平均分布におけるピーク強度の、露光中の平均離隔距離の変動に対する感度及び所望の値からのウェハの変位距離の偏差に対する感度をコンピュータシミュレーションによって評価することができる。σ=0.4375μm,0.4625μm及び0.4875μm、且つ、t=2の場合、ウェハの変位はそれぞれ1.75μm,1.85μm及び1.95μmであり、関連するパターンに関して生じた結果はそれぞれ図17に示されている。これによって、平均離隔距離の変化によるピーク強度の変動は、変位の三つの値に関してそれぞれ~2、~0.6及び~0.9であると推定することができ、従って、従来技術によるDTL露光に関して先行して求められた対応する値よりも遥かに低い。変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を、積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位に対する積算強度の依存性を求めることによって更に評価することができる。図18には、変位距離がタルボ距離の約2倍即ち1.8μmであるときに平均強度が最大値に達し、また、距離が更に延びるに連れ<±1.5の振幅で変動することが見て取れる結果が示されている。それらの残余変動を、必要に応じて、切り捨てガウス分布のパラメータを調整することによって更に低減することができる。それらの結果から、切り捨てガウス分布に応じた離隔距離の変化により変動する変位増分毎の露光密度でのマスクの露光によって、従来技術によるDTLを使用して達成することができるものよりも遥かに高い一様性及び再現性でもって印刷されるパターンを実現できることが証明された。この実施の形態の装置を用いて、露光中の照射ビームの強度変化の別のプロフィールを択一的に使用することができ、またそれにより同様の有益な結果が得られる。例えば、切り捨て正弦プロフィールを使用することができ、それにより、変位距離にわたるウェハ40の変位増分毎の結果として生じる露光エネルギ密度の変動は、第1の実施の形態に関する式6によって表されるような切り捨て正弦分布を有している。その実施の形態に関しては、露光中のウェハ40の変位距離は透過した光フィールドにおけるタルボ面の離隔距離の2倍に相当することが推奨される。L=T且つt=1の場合、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎の照射線量の結果として生じる変動は図6において正弦曲線によって表されている。コンピュータシミュレーションは、ウェハ40を露光する、結果として生じた積算時間平均分布におけるピーク強度の、ウェハ40とマスク38の平均離隔距離の変動に対する感度、また、所望の値からのウェハ40の変位距離の偏差に対する感度を求めるために同様に実行される。式6においてL=0.875μm,0.925μm及び0.975μm、且つ、t=1の場合、ウェハの変位距離はそれぞれ1.75μm,1.85μm及び1.95μmであり、関連するマスクパターンに関して生じた結果はそれぞれ図19に示されている。これによって、平均離隔距離の変化によるピーク強度の変動は、変位の三つの値に関してそれぞれ~0.3,~2.5及び~4であると推定することができ、従って、従来技術によるDTL露光に関して先行して求められた対応する値よりも遥かに低い。変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を、積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位に対する積分強度の依存性を求めることによって更に評価することができる。図20には、変位がタルボ距離の約2倍即ち1.8μmであるときに平均強度が最大値に達し、また、距離が更に延びるに連れ<±1.5の振幅で変動することが見て取れる結果が示されている。それらの結果から、正弦分布に応じた離隔距離の変化により変動する変位増分毎の露光密度でのマスクの露光によって、従来技術によるDTLを使用して達成することができるものよりも遥かに高い一様性及び再現性でもって印刷されるパターンを実現できることが証明された。使用することができる強度変動の別のプロフィールは、三角変動であり、それにより、変位距離にわたるウェハ40の変位増分毎の結果として生じる露光エネルギ密度は、第1の実施の形態に関する式8によって表されるような三角分布を有している。その実施の形態に関しては、露光中のウェハ40の最大変位は透過した光フィールドにおけるタルボ面の離隔距離の2倍に相当することが推奨される。L=T且つt=1の場合、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎の照射線量の結果として生じる変動は図6において三角曲線によって表されている。コンピュータシミュレーションは、ウェハ40を露光する、結果として生じた積算時間平均分布におけるピーク強度の、ウェハ40とマスク38の平均離隔距離の変動に対する感度、また、所望の値からのウェハ40の変位距離の偏差に対する感度を評価するために同様に実行される。式8においてL=0.875μm,0.925μm及び0.975μm、且つ、t=1の場合、ウェハの変位距離はそれぞれ1.75μm,1.85μm及び1.95μmであり、関連するマスクパターンに関して生じた結果は図21に示されている。これによって、平均離隔距離の変化によるピーク強度の変動は、変位の三つの値に関してそれぞれ~0.3,~0.6及び~1.7であると推定され、従って、従来技術によるDTL露光に関して先行して求められた対応する値よりも実質的に低い。変位の絶対値に対する印刷されたパターンの感度を、積算分布における強度ピークに対応する横方向の位置を有している点における変位に対する積算強度の依存性を求めることによって更に評価することができる。図22には、変位がタルボ距離の約2倍即ち1.8μmであるときに強度が最大値に達し、また、距離が更に延びるに連れ<±1.5の振幅で変動することが見て取れる結果が示されている。それらの結果から、三角分布に応じた離隔距離の変化により変動する変位増分毎の露光密度でのマスクの露光によって、従来技術によるDTLを使用して得られるものよりも実質的に高い一様性及び再現性でもって印刷されるパターンを実現できることが証明された。図6からは、この実施の形態において説明した離隔距離の変化による、増分エネルギ密度の切り捨てガウス状の変動、切り捨て正弦状の変動及び切り捨て三角状の変動が類似することが見て取れる。つまり、各ケースにおいて、プロフィールの全幅がタルボ距離の約2倍であり、また、プロフィールの半値全幅FWHM:fullwidthathalfmaximumは近似的にタルボ距離である。全てのケースにおいて、増分エネルギ密度は実質的に漸次的に変位距離にわたり変化し、また、離隔距離の初期値及び終了値における最小値は最大値の>80である。従って、印刷されたパターンの一様性及び再現性の同様の改善を、図示されているものと類似する特性、例えば適切な台形状の分布を有している増分線量変動のプロフィールを使用して達成することができる。更には、論理的な結果及び実験的な結果は、印刷されるパターンのより高い均一性及び再現性が、関連する周期的なパターンについてのタルボ距離に関して図6に示唆した値からの全幅及びFWHMを増分することによって得られる。しかしながら、露光中のマスク38に関するウェハ40のより大きい変位は、印刷分解能を低下させないためにその面に関するウェハの変位の直交性におけるより高い精度を要求し、またより大きい移動範囲を有する一つ又は複数のアクチュエータを要求し、必ずしも所望のものである必要はない。一般的に、印刷結果の非常に良好な一様性及び再現性を得るために、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎の露光エネルギ密度の変化を表す曲線のFWHMはタルボ距離の少なくとも0.8倍であるが、それよりも小さい、タルボ距離の半分にまで低下した値を、それよりも低い一様性及び再現性の結果を伴って択一的に使用することができ、また、分布の全幅は有利にはタルボ距離の2倍の少なくとも0.8倍であるべきであるが、同様にそれよりも小さい、タルボ距離にまで低下した値を比較的要求の低い用途に応じるために使用することができる。図6に示されている全ての曲線のケースのように変位増分毎のエネルギ密度の最大値が生じる離隔距離に関して、離隔距離の変化による増分毎のエネルギ密度の変動を表すプロフィールが対称的であるか、又は少なくとも実質的に対称的であることが有利である。従って有利には、変位増分毎のエネルギ密度の最大値が生じる離隔距離は、離隔距離の初期値と最終値との間において中間点にあるか、又は少なくとも実質的に中間点にある。また最も有利には、マスク38とウェハ40の離隔距離の初期値及び最終値における変位増分毎のエネルギ密度の値は、離隔距離の範囲にわたる変位増分毎のエネルギ密度の最大値よりも少なくとも80少ない。しかしながら、変位距離にわたる変位増分毎のエネルギ密度の同様の変動も使用することができるが、従来技術によるDTL露光を使用して印刷されたパターンの一様性及び再現性よりも依然として遥かに優れているにもかかわらず印刷結果の一様性及び再現性は低くなる。本発明の別の実施の形態においては、ウェハとマスクの離隔距離が、図6に示されている距離の2倍即ち、タルボ距離の~4倍変化され、また変位中に変位増分毎のエネルギ密度は、図6に示されている同一の切り捨てガウス/切り捨て正弦波/三角形プロフィールに応じて即ち、タルボ距離の~2倍の全幅でもって変化されるが、比較的長い変位距離にわたる露光中に2回、連続的に変化される。つまり、同一の印刷パターンの二度の露光ではあるが、2回の露光間に離隔距離が変更される印刷パターンの二度の露光に実質的に対応する。この露光ストラテジを3回又はそれ以上の回数の逐次的な露光に拡張できることは自明である。チャープ回折格子のようにマスクが準周期的なパターンを含む場合、つまり、パターン領域にわたり緩慢に周期が変化するパターンの場合、パターンの露光に使用される変位増分毎の露光エネルギ密度の変動は有利には、パターンにおける最大周期を基礎とするべきである。異なる軸に沿って異なる周期を有している成分を持つ二次元の周期的なパターン非対称パターンと称する、例えば、直交方向において異なる周期を持つ矩形格子に配置されている複数のホールのアレイに関しては、マスクを透過した光フィールドは一般的に規則的な自己イメージ面を形成せず、従って一般的には、規則的なタルボ距離を定義することができない一方のパターン成分に関するタルボ距離が他方のパターン成分に関するタルボ距離の倍数である場合には例外が発生する。一般的に、自己イメージ面が存在せず、且つ周期的なパターンが縦方向にない場合であっても、DTL技術の用途は2次元の周期的なパターンを形成することができる。しかしながら、回折パターンの非周期的な変動に起因して、一般的には、DTL範囲を使用することなく定常分布を達成することは困難である。このDTL範囲は、必要とされる周期が個別に存在する場合には、その周期にとって必要とされるものよりも遥かに大きい。それらのケースに関しては、離隔距離が変化している間に使用されるエネルギ密度変動のプロフィールを、関連する特定のマスクパターンに関する異なる露光条件の下でウェハに形成される積算強度分布のコンピュータシミュレーションによって求めることが推奨される。一般的に、周期的なパターン、準周期的なパターン又は非対称的なパターンに関しては、変位距離にわたり実質的に段階的に変化し、有利には少なくとも50変化する変位増分毎の露光エネルギ密度を使用することによって、記録層に印刷されるパターンは、従来技術によるDTLを使用して印刷されたパターンに比べて、所望の値からの距離の偏差に対して、また離隔距離の初期値に対して遥かに低い感度を有している。上記において説明した第1の実施例においては、ウェハ40の変位の可変の速度を使用して1次元の周期的なパターンが露光されており、これに対し、第2の実施例においては、照射の可変の強度を使用して2次元のパターンが露光されるが、勿論、使用される露光ストラテジはアレイのタイプに依存しないと解される。つまり、変位の可変の速度のスキームを2次元のパターンにも同様に良好に適用することができ、また、可変の強度スキームを1次元のパターンにも同様に良好に適用することができる。第2の実施の形態においてはマスク38に関するウェハ40の変位がウェハ40を変位させることによって達成されているが、本発明の別の実施の形態においては、択一的に、露光中にマスク38を縦方向に変位させることによって同一の効果及び印刷結果を達成できると解される。このために、マスク38を変位させるための一つ又は複数のアクチュエータ及び関連する制御システムと協働する適切な機械的なシステムが装置に組み込まれるべきである。本発明の別の実施の形態においては、同一又は等価の装置が第2の実施の形態において使用されるが、可変の減衰器24は使用されない。ウェハ40はマスク38に相対的に一定速度で変位するので、照射システムはむしろ、サブ露光周波数を有している一連のサブ露光でマスク38をビームに晒す。このサブ露光では、ビームの瞬時強度が各サブ露光に対して等しいが、サブ露光毎の露光時間は、効果的な強度即ち、複数のパルスの少なくとも一つの周期を含む単位時間にわたり測定された時間平均値を生成するために連続的に変更される即ち、パルス式の露光のデューティサイクルが変更される。そのような効果的な強度は、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎のエネルギ密度の所要変動を生じさせるために、離隔距離の変化により変動する。サブ露光の周波数は所望の効果を生じさせるためにマスクの変位の速度に関して十分に高くあるべきである。そのようにすることによって、フォトレジストが塗布されたウェハを照射する完全な露光にわたり時間平均された強度分布は第2の実施の形態において生成される強度分布に近似し、またそのようにして印刷された結果は実質的に等しい。各サブ露光の開始時間及び終了時間を第2の実施の形態のシャッタ23及び制御システム46によって規定することができる。関連する実施の形態においては、その代わりに、ビームを遮断するシャッタの一部が部分透過性材料であるように選択され、それによりビームの強度はシャッタが閉鎖されたときに0には低下しないが、比較的低い値に低下し、またシャッタが開放されたときには比較的高い値を有している。離隔距離の変位増分毎のエネルギ密度の所要変動が変位距離にわたり実質的に得られるように別の露光パラメータを選択することによって、フォトレジストにおいて実質的に同一の時間平均強度分布を得ることができるシャッタが完全に不透明であり、且つ、比較的低い値が0と見なせる場合には、前述の実施の形態が得られることは明らかである。別の関連する実施の形態においては、各サブ露光に対して同一の露光時間を使用し、また、その代わりに一連のサブ露光にわたりビームの強度を変化させ、それにより、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎のエネルギ密度の所要変動を生じさせることによって、実質的に同一の印刷結果を達成することができる。それらの変動は、光の強度がi単位時間当りの露光エネルギに関して規定されている場合に但し時間単位はサブ露光の周期として規定されている、それらが第2の実施の形態の装置によって生じさせられるような離隔距離の変化による強度の同一の変動を生じさせる点において第2の実施の形態と同等である。別の関連する実施の形態においては、変位距離にわたる離隔距離の変位増分毎のエネルギ密度の所要変動を得るために、パルスレーザが照射光源として使用され、また、複数のパルスに対応する単位時間にわたり測定されたビームの強度が、パルスの周波数を変更することによってまたパルス毎に実質的に一定のエネルギを使用することによって変更される。第1の実施例及び第2の実施例において使用されるレーザ光源は363.8nmの特定の波長で動作し、連続波CWビームを放射するアルゴンレーザであるが、本発明の別の実施の形態においては、異なる波長でビームを放射する代替的なレーザ光源、例えば固体レーザ、レーザダイオード及びエキシマレーザを使用することができる。有利には、出力ビームはUV波長を有しており、それにより慣例のUV感応性フォトレジストを使用することができるが、電磁スペクトルの別の部分にある波長を有しているビームも択一的に使用することができる。レーザは光をパルス状に供給することもでき、有利には、固体ダイオードポンピング式レーザでは一般的であるように、CWよりもむしろ高い周波数例えば≧kHzを有する光を供給することができる。別の実施の形態においては、更に、実質的に単色光のビームを生成するための別のタイプの光源、例えば所要スペクトル成分を分離するためのフィルタと良好に視準されたビームを形成するための適切な光学素子とが組み合わされたアークランプ例えば水銀ランプを使用することができる。第1の実施例及び第2の実施例は、ガウスプロフィールを有する出力レーザビームから実質的に一様な強度を有するビームを形成するための屈折ビーム変換器を使用するが、本発明の別の実施の形態においては、マスクの実質的に一様な照射を達成するために別の手段を使用することができる。例えば、レーザビームがガウス強度プロフィールを有している場合には、レーザビームを拡張し、続けてマスクを横切るラスタパターンでスキャンすることができ、それにより、時間平均されたエネルギ密度はパターンにわたり一様にされる。そのようなスキャンストラテジを使用する場合、各変化の間に変位増分毎のエネルギ密度が変化している間に変位距離にわたりマスクとウェハの離隔距離を反復的に変更する必要があり、また離隔距離の変化の頻度を、マスクパターンの各部分が実質的に同様に露光されるように、ラスタパターンにおけるスキャンラインの頻度に関して高くする必要がある。第2の実施の形態における照射ビームの強度の変動はレーザの後段のビーム経路内に導入されている可変減衰器によって生じるが、本発明の別の実施の形態においては、ビームの強度の変動を他の手段によって、例えば、レーザ光源からの出力ビームのパワーが変更されるようにレーザ光源の駆動電流を変調することによって達成することができる。本発明の別の実施の形態においては、特定の照射波長を使用する技術を用いて印刷することができるパターンの最小周期を低減するために、水のような浸漬液を基板とマスクの間の隙間に含めることができる。上記において説明した複数の実施の形態は本発明の有利な実施の形態とみなされるが、勿論、本発明の範囲から逸脱することなく形状又は細部の種々の修正及び変更を容易に実施できると解される。従って、本発明は上記において説明した正確な形状及び図示した正確な形状に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲に含まれるあらゆる修正をカバーするように構成されるものである。"