少なくとも1つのレーザビーム生成装置と共に用いられるチャンバ装置であって、前記少なくとも1つのレーザビーム生成装置から出力される少なくとも1つのレーザビームを内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記少なくとも1つのレーザビームを前記所定の領域で集光させるレーザ集光光学系と、前記少なくとも1つのレーザビームの前記所定の領域におけるビーム断面の光強度分布を補正する光学素子と、を備えるチャンバ装置。前記光学素子は、前記少なくとも1つのレーザビームの前記前記所定の領域における前記ビーム断面の前記光強度分布が、前記ビーム断面の所定の領域において所定の均一性を有するように、前記光強度分布を補正する、請求項1記載のチャンバ装置。前記所定の領域の面積は、前記チャンバ内の前記所定の領域における前記ターゲット物質の、前記少なくとも1つのレーザビームの進行方向に垂直な断面における最大面積を超える大きさである、請求項2記載のチャンバ装置。前記レーザビームの進行方向に垂直な方向における前記所定の領域の寸法の最小値は、前記チャンバ内の前記所定の領域における前記ターゲット物質の、前記垂直な方向における寸法の最大値に、前記所定の領域における前記ターゲット物質の位置のばらつきの範囲を加えた値以上の大きさである、請求項2記載のチャンバ装置。前記所定の領域において、最も低い光強度と最も高い光強度との差が、前記最も低い光強度と前記最も高い光強度との和の20以下となる、請求項2記載のチャンバ装置。前記チャンバ内に供給されるターゲット物質はドロップレットである、請求項1記載のチャンバ装置。前記ターゲット物質は金属を含む、請求項1記載のチャンバ装置。前記少なくとも1つのレーザビームは前記チャンバ内に供給される前記ターゲット物質を照射するプリパルスレーザビームと、前記プリパルスレーザビームに照射されたターゲット物質を照射するメインパルスレーザビームと、を含み、前記光学素子は、前記プリパルスレーザビームの前記光強度分布を補正する、請求項1記載のチャンバ装置。前記メインパルスレーザビームの前記所定の領域におけるビーム断面の面積は、前記プリパルスレーザビームに照射された前記ターゲット物質の、前記メインパルスレーザビームの進行方向に垂直な断面における最大面積を超える大きさである、請求項8記載のチャンバ装置。前記メインパルスレーザビームの前記所定の領域におけるビーム断面の寸法の最小値は、前記プリパルスレーザビームに照射された前記ターゲット物質の、前記メインパルスレーザビームの進行方向に垂直な方向における寸法の最大値に、前記プリパルスレーザビームに照射された前記ターゲット物質の位置のばらつきの範囲を加えた値以上の大きさである、請求項8記載のチャンバ装置。前記少なくとも1つのレーザビームは前記チャンバ内に供給される前記ターゲット物質を照射するプリパルスレーザビームと、前記プリパルスレーザビームに照射されたターゲット物質を照射するメインパルスレーザビームと、を含み、前記プリパルスレーザビームと前記メインパルスレーザビームとは、略同一方向から前記チャンバ内に入射する、請求項1記載のチャンバ装置。少なくとも1つのレーザビーム生成装置と、前記少なくとも1つのレーザビーム生成装置から出力される少なくとも1つのレーザビームを内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記少なくとも1つのレーザビームを前記所定の領域で集光させるレーザ集光光学系と、前記少なくとも1つのレーザビームの集光位置におけるビーム断面の光強度分布を補正する光学素子と、前記レーザビーム生成装置における前記少なくとも1つのレーザビームの出力タイミングを制御するレーザ制御部と、を備える、極端紫外光生成装置。前記少なくとも1つのレーザビームは前記チャンバ内に供給される前記ターゲット物質を照射するプリパルスレーザビームと、前記プリパルスレーザビームに照射されたターゲット物質を照射するメインパルスレーザビームと、を含み、前記プリパルスレーザビームの光強度は、6.4×109W/cm2以上、3.2×1010W/cm2以下であり、前記レーザ制御部は、前記プリパルスレーザビームが前記ターゲット物質に照射された時点から、0.5~2μSの範囲内のタイミングで、前記メインパルスレーザビームが前記プリパルスレーザビームが照射された前記ターゲット物質に照射されるように、前記メインパルスレーザビームの前記出力タイミングを制御する、請求項12記載の極端紫外光生成装置。