"ア化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ露光した膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であって、前記現像液中のアルコール化合物Xの含有率が、現像液の全質量に対し0以上500ppm未満であることを特徴とするパターン形成方法。前記現像液が、エステル化合物A1およびケトン化合物A2から選ばれる少なくとも1種の有機溶剤を含むことを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。前記現像液が、エステル化合物A1として酢酸アルキルエステルを含むことを特徴とする、請求項2に記載のパターン形成方法。前記現像液において、エステル化合物A1が加水分解してなる構造であるアルコール化合物X1と、ケトン化合物A2が還元されてなる構造であるアルコール化合物X2との合計含有率が、現像液の全質量に対し0以上500ppm未満であることを特徴とする、請求項2又は3に記載のパターン形成方法。前記アルコール化合物X1およびX2のうち少なくとも1種が、炭素数7以下の1価アルコールである、請求項4に記載のパターン形成方法。さらに、エリンス液を用いてリンスを行う工程を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記リンス液がアルコール化合物を含む、請求項6に記載のパターン形成方法。前記化学増幅型レジスト組成物が、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法において、露光した膜の現像に用いられる化学増幅型レジスト用現像液。性能が総合的に良好なパターンを形成するために必要なレジスト組成物、現像液、リンス液等の適切な組み合わせを見出すことが極めて困難であるのが実情であり、更なる改良が求められている。本発明は、特に、異物付着欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、及びこのパターン形成方法に用いられる現像液を提供することを課題とする。本発明は、一態様において、下記構成であり、これにより本発明の上記課題が解決される。1ア化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及び、ウ露光した膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であって、前記現像液中のアルコール化合物Xの含有率が、現像液の全質量に対し0以上500ppm未満であることを特徴とするパターン形成方法。2前記現像液が、エステル化合物A1およびケトン化合物A2から選ばれる少なくとも1種の有機溶剤を含むことを特徴とする、1に記載のパターン形成方法。3前記現像液が、エステル化合物A1として酢酸アルキルエステルを含むことを特徴とする、2に記載のパターン形成方法。4前記現像液において、化合物A1が加水分解してなる構造であるアルコール化合物X1と、化合物A2が還元されてなる構造であるアルコール化合物X2との合計含有率が、現像液の全質量に対し0以上500ppm未満であることを特徴とする、2又は3に記載のパターン形成方法。5前記アルコール化合物X1およびX2のうち少なくとも1種が、炭素数7以下の1価アルコールである、4に記載のパターン形成方法。6さらに、エリンス液を用いてリンスを行う工程を含む、1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。7前記リンス液がアルコール化合物を含む、6に記載のパターン形成方法。8前記化学増幅型レジスト組成物が、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。91~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法において、露光した膜の現像に用いられる化学増幅型レジスト用現像液。本発明により、異物付着欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法を提供することができる。以下、本発明について説明する。なお、本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。また本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線等を意味する。また本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。[1]現像液本発明のパターン形成方法は、ア化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ露光した膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含み、該現像液として、アルコール化合物Xの含有率が現像液の全質量に対し0以上500ppm未満である現像液以下において、本発明の現像液ともいう。を用いて現像を行なうことを特徴とする。本発明の現像液を用いてレジスト膜を現像することにより、レジストパターン形成時の異物付着欠陥が抑制される。その理由は必ずしも明らかではないが、本発明のパターン形成方法はレジスト膜における低極性の領域を溶解するために、該現像液が高極性のアルコール化合物を含まないことで溶解残りによる異物が発生しにくくなるとともに、未露光領域のレジストが均一に溶解し、パターン表面に異物が付着しにくくなったと考えられる。ここで、異物付着欠陥について説明する。本発明における異物付着欠陥とは、現像工程においてパターン表面に付着する異物による欠陥である。異物付着欠陥の例を図1および図2に示す。これに対し、例えば図3および図4に示される欠陥はレジストパターンとの境界が不明瞭であり、これらの欠陥は現像工程の最中に異物が付着した欠陥ではない。これら欠陥は、レジスト膜中の異物やパターンの部分的な溶け残りが観察されたものと考えられ、本発明における異物付着欠陥とは区別される。本発明の現像液に含有され得るアルコール化合物Xの含有率は、現像液の全質量に対し0以上500ppm未満であり、好ましくは0以上400ppm未満であり、より好ましくは0以上300ppm未満である。アルコール化合物の含有率を500ppm未満とするためには、本発明の現像液として用いられる有機溶剤を、カラムクロマトグラフィーや蒸留精製など公知の方法を適用して精製を行い、高純度の化合物を用いればよい。本発明の現像液中のアルコール化合物Xの含有率は、公知の方法を用いて測定可能であり、例えばガスクロマトグラフィー測定によって得られた各成分の面積から算出される。本発明の現像液は、エステル化合物A1及びケトン化合物A2から選ばれる少なくとも1種の有機溶剤を含むことが好ましい。この現像液が含有し得るアルコール化合物Xとしては、例えば、エステル化合物A1が加水分解してなる構造であるアルコール化合物X1、ケトン化合物A2が還元されてなる構造であるアルコール化合物X2が挙げられる。一態様において、アルコール化合物及びX2のうち少なくとも1種が、炭素数7以下の1価アルコールである。本発明の現像液として用いられるエステル化合物A1としては、例えば、酢酸メチル、酢酸n-ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネートEEP、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、酢酸シクロヘキシル等を挙げることができる。特に、酢酸メチル、酢酸n-ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミルなどの酢酸アルキルエステルが好ましい。本発明の現像液として用いられるケトン化合物A2としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。本発明の現像液は、エステル化合物A1及びケトン化合物A2以外に他の有機溶剤を含有していてもよく、例えば、エーテル系溶剤、アミド系溶剤、炭化水素系溶剤が挙げられる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、性能を有する範囲内で、上記以外の溶剤と混合し使用してもよい。また、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。すなわち、現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましい。有機溶剤を含む現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸n-ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル等のエステル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸n-ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート等のエステル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。界面活性剤本発明の現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては、後述する、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。[2]パターン形成方法本発明のパターン形成方法は、上述したように、ア化学増幅型レジスト組成物により膜レジスト膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ露光した膜を、本発明の現像液を用いて現像する工程、を少なくとも有する。本発明のパターン形成方法は、更に、ウ現像工程の後に、エリンス液を用いてリンスを行う工程を含むことが好ましい。また、本発明のパターン形成方法は、ア製膜工程の後、且つイ露光工程の前に、オ加熱工程を含むことが好ましい。また、本発明のパターン形成方法は、イ露光工程の後、且つウ現像工程の前に、カ加熱工程を含むことが好ましい。また、本発明のパターン形成方法は、更に、キ水系アルカリ現像液を用いて現像する工程を有してもよい。レジスト膜を形成する工程本発明のパターン形成方法において形成されるレジスト膜は、後述する本発明の化学増幅型レジスト組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明において使用し得る基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び本発明の現像液を用いて現像する工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。加熱工程上述したように、製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~120°Cで行うことが好ましく、80~110°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。加熱により露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。露光工程本発明における露光装置に用いられる光源波長に制限は無いが、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nmとF2エキシマレーザー波長157nm等を適用できる。本発明のレジスト膜に対しては、活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては、空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが、好ましくは純水である。この場合、レジスト組成物に、後述する疎水性樹脂を予め添加しておいてもよいし、また、レジスト膜を形成した後に、その上に液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに求められる性能、その使用法などについては、シーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第7章に解説されている。トップコートは、波長193nmのレーザーに対する透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂HRはトップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。露光後にトップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、現像液により剥離できることが好ましい。現像工程現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、更に好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで現像液の吐出圧を変える方法などを挙げることができる。リンス工程また、本発明のパターン形成方法は、露光工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程リンス工程を含み得る。リンス工程においては、現像を行ったウェハを、後述する有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。基板の回転時間は、回転数に応じて、リンス液の基板上からの除去を達成する範囲で設定可能だが、通常10秒間から3分間である。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。以下、本発明のパターン形成方法において用いられ得るリンス液組成物およびレジスト組成物について説明する。[3]リンス液組成物有機溶剤を含む本発明の現像液による現像後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。リンス液はより好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有し、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有し、更により好ましくは、1価アルコールを含有し、特に好ましくは炭素数5以上の1価アルコールを含有する。ここで、現像後のリンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。これらの中でもとりわけ、炭素数5以上の分岐アルキルアルコールが好ましい。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量未満が好ましく、より好ましくは5質量未満、特に好ましくは3質量未満である。含水率を10質量未満にすることで、良好な現像特性を得ることができる。すなわち、リンス液に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましく、97質量以上100質量以下であることが最も好ましい。有機溶剤を含む現像液による現像後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤、樹脂A’を適当量添加して使用することもできる。含有しうる界面活性剤及び樹脂A’の種類及び添加量は、上述した現像液におけるものと同様である。[4]レジスト組成物[4-1]樹脂A本発明の化学増幅型レジスト組成物は、上記本発明のパターン形成方法によってネガ型パターンを形成するものである。すなわち、本発明の化学増幅型レジスト組成物から得られるレジスト膜において、露光部は、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対して溶解度が減少して不溶化又は難溶化し、非露光部は、有機溶剤を含む現像液に可溶であることによって、ネガ型パターンを形成するものである。樹脂Aは酸基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有しないことが好ましい。酸基としては、例えばカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基、-CCF32OHなどを挙げることができる。樹脂Aが酸基を含有する場合、樹脂Aにおける酸基を有する繰り返し単位の含有量は10モル以下が好ましく、5モル以下がより好ましい。樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を有する場合、樹脂Aにおける酸基を有する繰り返し単位の含有量は、通常、1モル以上である。該樹脂は、レジスト組成物を用いて膜を形成した時に該膜が、有機溶剤を含む現像液に対して溶解すれば、必ずしも樹脂単独で現像液に対して溶解性を持つものでなくても良く、例えば、レジスト組成物中に含まれる他成分の性質や含有量によっては該レジスト組成物を用いて形成した膜が現像液に対して溶解する場合であってもよい。樹脂Aは、一般的に、重合する部分構造を有するモノマーをラジカル重合などにより重合することで合成され、重合する部分構造を有するモノマーに由来する繰り返し単位を有する。重合する部分構造としては例えばエチレン性重合性部分構造を挙げることができる。以下、樹脂Aが有しうる各繰り返し単位について詳細に説明する。a1酸分解性基を有する繰り返し単位樹脂Aは、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂であり、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、極性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する繰り返し単位を有する。極性基を生じると、有機溶剤を含む現像液との親和性が低くなり、不溶化又は難溶化ネガ化が進行する。酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で不溶化する基であれば特に限定されないが、好ましくは、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基等の酸性基従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01、R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は、水酸基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基、より好ましくは水素原子、メチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx2とRx3とが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基又はこれらの2種以上が組み合わされてなる基等が挙げられ、総炭素数が1~12の連結基が好ましい。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx2とRx3とが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~15、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式2-1におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。樹脂Aが、酸分解性基を含む繰り返し単位を複数含んでいる場合、及び、複数の樹脂Aが異なる酸分解性基を含む繰り返し単位を有する場合の、好ましい組み合わせとしては、例えば、以下のものが挙げられる。なお、下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。また、上記で例示された繰り返し単位とは異なる態様として、以下で表されるような、酸の作用によりアルコール性ヒドロキシ基を生じる繰り返し単位も好ましい。ここで、アルコール性ヒドロキシ基とは、非フェノール性のヒドロキシ基、より具体的には、pKaが12以上且つ20以下のヒドロキシ基のことを表す。a2アルコール性水酸基を有する繰り返し単位樹脂Aは、主鎖又は側鎖の少なくともいずれか一方にアルコール性水酸基を有する繰り返し単位a2を有していても良い。このような単位を含有することにより、基板密着性の向上が期待できる。また、本発明のレジスト組成物が後述する架橋剤を含有する場合、樹脂Aは、アルコール性水酸基を有する繰り返し単位a2を有することが好ましい。アルコール性水酸基は、架橋性基として機能するため、水酸基が酸の作用によって架橋剤と反応し、該レジスト膜の有機溶剤を含む現像液に対する不溶化又は難溶化が更に促進され、ラインウィズスラフネスLWR性能が更に改善するという効果が生じるためである。本発明におけるアルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基フェノール性水酸基以外のものであれば限定されないが、本発明においては先に酸基として挙げた、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコールにおける水酸基以外のものが好ましい。架橋剤Cとの反応効率が向上する為、該水酸基は1級アルコール性水酸基水酸基が置換している炭素原子が、水酸基とは別に2つの水素原子を有する基、又は水酸基が置換している炭素原子に他の電子求引性基が結合していない2級アルコール性水酸基であることが好ましい。アルコール性水酸基は繰り返し単位a2あたり1~3個有していることが好ましく、より好ましくは1個又は2個有する。このような繰り返し単位としては、一般式2又は一般式3で表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式2中、RX及びRの少なくとも一方がアルコール性水酸基を有する構造を表す。上記一般式3中、2つのRX及びRの少なくとも1つがアルコール性水酸基を有する構造を表す。2つのRXは同一でも異なっていてもよい。アルコール性水酸基を有する構造としては、例えばヒドロキシアルキル基炭素数2~8が好ましく、炭素数2~4がより好ましい、ヒドロキシシクロアルキル基好ましくは炭素数4~14、ヒドロキシアルキル基で置換されたシクロアルキル基好ましくは総炭素数5~20、ヒドロキシアルコキシ基で置換されたアルキル基好ましくは総炭素数3~15、ヒドロキシアルコキシ基で置換されたシクロアルキル基好ましくは総炭素数5~20等が挙げられ、上述のように1級アルコールの残基が好ましく、-CH2n-OHnは1以上の整数、好ましくは2~4の整数で表される構造がより好ましい。RXは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基又は置換基を有してもよいアルキル基炭素数1~4が好ましい又は置換基を有してもよいシクロアルキル基炭素数5~12が好ましいを表す。RXのアルキル基及びシクロアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。RXのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。RXとして好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、水酸基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rは、水酸基を有してもよい炭化水素基を表す。Rの炭化水素基としては飽和炭化水素が好ましく、アルキル基炭素数1~8が好ましく、炭素数2~4がより好ましい又は単環又は多環の環状炭化水素基好ましくは炭素数3~20、例えば後述する脂環式基が挙げられる。n’は0~2の整数を表す。繰り返し単位a2は、主鎖のα位例えば式2におけるRxが置換されていても良いアクリル酸のエステルから誘導される繰り返し単位であることが好ましく、式2に対応する構造のモノマーから誘導されることがより好ましい。また、単位中に脂環式基を有することが好ましい。脂環式基としては、単環又は多環式の構造が考えられるが、エッチング耐性の観点から多環式の構造が好ましい。脂環式基として具体的には、単環式構造としては、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、多環式構造としては、ノルボルニル、イソボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロドデカニル、ヘキサシクロヘプタデカニル、アダマンチル、ジアマンチル、スピロデカニル、スピロウンデカニルなどが挙げられる。これらのうち、アダマンチル、ジアマンチル、ノルボルニル構造が好ましい。以下に繰り返し単位a2を例示するが、本発明は、これらに限定されない。具体例中、RXは水素原子又はメチル基を表す。繰り返し単位a2は、前述の繰り返し単位a1及び後述の繰り返し単位a3,a4のうち少なくとも1種がアルコール性水酸基を有した構造であってもよい。例えば、前述のa1酸分解性基を有する繰り返し単位における、酸の作用により脱離する部分が、アルコール性水酸基を有していてもよい。このような繰り返し単位を含有することにより、架橋効率を最適化できるのではないかと推測される。このような構造として具体的には、前掲の一般式AIにおいて、原子団-CRx1Rx2Rx3の部分が水酸基を有する場合、より具体的には、前掲の一般式2-1で表される繰り返し単位において、R10が水酸基、水酸基を有する直鎖又は分岐のアルキル基、又は水酸基を有するシクロアルキル基である場合、などが挙げられる。a3非極性基を有する繰り返し単位樹脂Aは、更に、非極性基を有する繰り返し単位a3を有することが好ましい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できるとともに、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。非極性基を有する繰り返し単位a3は、繰り返し単位中に極性基例えば前記酸基、水酸基、シアノ基等を含まない繰り返し単位であることが好ましく、前述の酸分解性基及び後述のラクトン構造を有さない繰り返し単位であることが好ましい。このような繰り返し単位としては、一般式4又は一般式5で表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式中、R5は水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。Raは、複数存在する場合互いに独立に水素原子、水酸基、ハロゲン原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Raのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。nは0~2の整数を表す。R5は好ましくは少なくとも一つの環状構造を有する。R5における炭化水素基としては、例えば鎖状及び分岐の炭化水素基、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。R5は、ドライエッチング耐性の観点から、好ましくは単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基を含み、更に好ましくは多環式炭化水素基を含む。R5は、好ましくは-L4-A4-R4n4で表される基を表す。L4は単結合又は2価の炭化水素基を表し、好ましくは単結合、アルキレン基好ましくは炭素数1~3又はシクロアルキレン基好ましくは炭素数5~7であり、より好ましくは単結合である。A4はn41価の炭化水素基好ましくは炭素数3~30、より好ましくは炭素数3~14、更に好ましくは炭素数6~12を表し、好ましくは単環又は多環の脂環炭化水素基を表す。n4は、0~5の整数を表し、好ましくは0~3の整数である。R4は炭化水素基を表し、好ましくはアルキル基好ましくは炭素数1~3又はシクロアルキル基好ましくは炭素数5~7を表す。鎖状及び分岐の炭化水素基としては、たとえば、炭素数3~12のアルキル基が挙げられる。単環式炭化水素基としては、たとえば、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数3~12のシクロアルケニル基、フェニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式飽和炭化水素基である。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基例えばビシクロヘキシル基、架橋環式炭化水素基が含まれる。架橋環式炭化水素基として、2環式炭化水素基、3環式炭化水素基、4環式炭化水素基などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素基には、縮合環式炭化水素基例えば、5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した基も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素基としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの基は更に置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基を挙げることができる。非極性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、水素原子、水酸基、ハロゲン原子又は置換基を有してもよい炭素数1~4のアルキル基を表す。Raのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raとして好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。a4ラクトン構造を有する繰り返し単位樹脂Aは、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有してもよい。ラクトン構造はいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14、LC1-17であり、特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式IIIで表される単位を含有することが好ましい。式III中、Aは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、0~5の整数を表し、0又は1であることが好ましい。R7は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。アルキル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基、R7におけるアルキル基は、各々置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシルオキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数3~20のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造を有する1価の有機基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトンを有する1価の有機基がより好ましい。ラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。特に好ましいラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン構造を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基を表す。本発明の効果を高めるために、2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。樹脂Aは2種以上の樹脂を混合してなる樹脂であってもよく、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で、例えば繰り返し単位a2を含む樹脂と繰り返し単位a3を含む樹脂とを混合した樹脂を用いることもできる。また、繰り返し単位a1を含む樹脂と繰り返し単位a1を含まない樹脂とを混合して用いることも好ましい。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Aは実質的に芳香族基を有さない具体的には、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは5モル以下、より好ましくは3モル以下、理想的には0モル、すなわち、芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂Aが単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Aは、後述する疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明において、各繰り返し単位の含有量は以下のとおりである。各繰り返し単位は複数種類含有してもよく、下記含有量は複数種類含有する場合は合計した量である。酸分解性基を有する繰り返し単位a1の含有量は、樹脂Aを構成する全繰り返し単位に対し、20~70molが好ましく、より好ましくは30~60molである。樹脂Aがアルコール性水酸基を有する繰り返し単位a2を含有する場合、その含有量は、樹脂Aを構成する全繰り返し単位に対して、一般的に10~80mol、好ましくは10~60molである。非極性基を有する繰り返し単位a3を含有する場合、その含有量は、樹脂Aを構成する全繰り返し単位に対して、一般的に20~80mol、好ましくは30~60molである。ラクトンを有する繰り返し単位a4を含有する場合、その含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~60molが好ましく、より好ましくは20~50mol、更に好ましくは30~50molである。なお、樹脂Aにおいて、各繰り返し単位の含有モル比は、レジストのドライエッチング耐性や現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定することができる。樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。詳細な合成方法、そして精製方法などは、丸善株式会社発行第5版実験化学講座26高分子化学の第2章高分子合成などに記載の方法を用いることができる。樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化したりすることを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~3であり、好ましくは1~2.6、更に好ましくは1~2、特に好ましくは1.4~1.7の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明のレジスト組成物において、樹脂Aの組成物全体中の配合量は、全固形分中好ましくは65~97質量、より好ましくは75~95質量である。また、本発明において、樹脂Aは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。[4-2]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B本発明のレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、酸発生剤ともいうを含有する。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。芳香族スルホン酸アニオンとしては、下記式BIで表されるアリールスルホン酸を生じるアニオンも好ましい。式BI中、Arは、芳香族環を表し、スルホン酸基及びA基以外に更に置換基を有してもよい。pは、0以上の整数を表す。Aは、炭化水素基を有する基を表す。pが2以上のとき、複数のA基は同一でも異なっていてもよい。一般式BIについて更に詳細に説明する。Arにより表される芳香族環としては、炭素数6~30の芳香族環が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。上記芳香族環がスルホン酸基及びA基以外に有し得る置換基としては、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基等を挙げることができる。また、2以上の置換基を有する場合、少なくとも二つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。Aにより表される、炭化水素基を有する基における炭化水素基としては、非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられ、該炭化水素基の炭素原子数は3以上であることが好ましい。A基としては、Arに隣接する炭素原子が3級若しくは4級の炭素原子であることが好ましい。A基における非環式炭化水素基としては、イソプロピル基、t―ブチル基、t―ペンチル基、ネオペンチル基、s-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基の有する炭素数の上限としては、好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。A基における環状脂肪族基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられ、置換基を有していてもよい。環状脂肪族基の有する炭素数の上限としては、好ましくは15以下、更に好ましくは12以下である。上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。Aとしての環状脂肪族基又は非環式炭化水素基を有する基の具体例としては、酸拡散抑制の観点から、下記構造が好ましい。pは0以上の整数を表し、その上限は化学的に可能な数であれば特に限定されない。酸の拡散抑制の観点から、pは通常0~5、好ましくは1~4、更に好ましくは2~3、最も好ましくは3を表す。A基は、酸拡散抑制の観点から、スルホン酸基の少なくとも1つのo位を置換していることが好ましく、2つのo位を置換している構造であることがより好ましい。本発明の酸発生剤Bは、一態様において、下記一般式BIIで表される酸を発生する化合物である。式中、Aは一般式BIにおけるAと同様であり、二つのAは同一でも異なってもよい。R1~R3は、各々独立に、水素原子、炭化水素基を有する基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基又はニトロ基を表す。炭化水素基を有する基の具体例としては、上記に例示した基と同様の基が挙げられる。また、好ましいスルホン酸アニオンとして、下記一般式Iで表される酸を生じるアニオンも挙げることができる。式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、及び、アルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式Iについて、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとしてフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1、R2のアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基を挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。このなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、-O―、―SO2-が好ましく、―COO-、-OCO-、―SO2-がより好ましい。Aの環状の有機基としては、特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含む等が挙げられる。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが好ましい。また、環状の有機基としては、ラクトン構造も挙げることができ、具体例としては、前述の樹脂Aが有していても一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造を挙げることができる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけるものと同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。なお、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン中の2つのアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。同様に、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン中の複数のアルキル基は、同一のものであっても異なっていてもよい。特に、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオンとしては、下記一般式A3又はA4で表されるアニオンを挙げることができる。一般式A3及びA4中、Yは少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキレン基であり、好ましくは炭素数2~4のアルキレン基である。アルキレン鎖中に酸素原子を含有していてもよい。更に好ましくは炭素数2~4のパーフロロアルキレン基であり、最も好ましくはテトラフロロエチレン基、ヘキサフロロプロピレン基、オクタフロロブチレン基である。式A4におけるRは、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。なお、アルキル基又はシクロアルキル基中のアルキレン鎖中に酸素原子を含有していてもよい。一般式A3又はA4で表されるアニオンを有する化合物としては、特開2005-221721号公報に記載されている具体例などを挙げることができる。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。一般式ZIにおけるR201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1~ZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1~ZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はフェニルチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZと同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~8個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~8の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐もしくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。アリル基としては、特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。ビニル基としては特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。化合物ZI-3のカチオン部分の具体例を以下に挙げる。化合物ZI-4は、下記一般式ZI-4により表される化合物である。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、または単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、または単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZと同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、シクロアルキレン基も含まれ、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14の単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基としては、例えば、単環もしくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環もしくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンタンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、secブトキシ、tブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンタンチルメトキシ基、アダマンタンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基およびシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基、n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基またはシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、またはアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0または1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。以下に、化合物ZI-4のカチオン部分の具体例を挙げる。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物を挙げることができる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エチニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤の内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。酸発生剤のレジスト組成物中の含有率は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。[4-3]架橋剤C本発明のレジスト組成物は、樹脂Aとともに、酸の作用により樹脂Aを架橋する化合物以下、架橋剤と称するを含有しても良い。ここでは公知の架橋剤を有効に使用することができる。この場合、樹脂Aは、前記したように、アルコール性水酸基を有する繰り返し単位a2を有することが好ましい。架橋剤Cは、樹脂Aを架橋しうる架橋性基を有している化合物であり、架橋性基としては、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、ビニルエーテル基又はエポキシ基等を挙げることができる。架橋剤Cはこのような架橋性基を2個以上有することが好ましい。架橋剤Cとしては、好ましくは、メラミン系化合物、尿素系化合物、アルキレン尿素系化合物、又はグリコールウリル系化合物の架橋剤である。好ましい架橋剤の例として、N-ヒドロキシメチル基、N-アルコキシメチル基、若しくはN-アシルオキシメチル基を有する化合物を挙げることができる。N-ヒドロキシメチル基、N-アルコキシメチル基、若しくはN-アシルオキシメチル基を有する化合物としては、下記一般式CLNM-1で表される部分構造を2個以上より好ましくは2~8個有する化合物が好ましい。一般式CLNM-1に於いて、RNM1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はオキソアルキル基を表す。一般式CLNM-1に於ける、RNM1のアルキル基は、炭素数1~6の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましい。RNM1のシクロアルキル基は、炭素数5~6のシクロアルキル基が好ましい。RNM1のオキソアルキル基は、炭素数3~6のオキソアルキル基が好ましく、例えば、β-オキソプロピル基、β-オキソブチル基、β-オキソペンチル基、β-オキソへキシル基等を挙げることができる。一般式CLNM-1で表される部分構造を2個以上有する化合物のより好ましい態様として、下記一般式CLNM-2で表されるウレア系架橋剤、下記一般式CLNM-3で表されるアルキレンウレア系架橋剤、下記一般式CLNM-4で表されるグリコールウリル系架橋剤、下記一般式CLNM-5で表されるメラミン系架橋剤が挙げられる。一般式CLNM-2に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM2は、各々独立に、水素原子、アルキル基炭素数1~6が好ましい、又はシクロアルキル基炭素数5~6が好ましいを表す。一般式CLNM-2で表されるウレア系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N-ジメトキシメチルウレア、N,N-ジエトキシメチルウレア、N,N-ジプロポキシメチルウレア、N,N-ジイソプロポキシメチルウレア、N,N-ジブトキシメチルウレア、N,N-ジt-ブトキシメチルウレア、N,N-ジシクロヘキシルオキシメチルウレア、N,N-ジシクロペンチルオキシメチルウレア、N,N-ジアダマンチルオキシメチルウレア、N,N-ジノルボルニルオキシメチルウレア等が挙げられる。一般式CLNM-3に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM3は、各々独立に、水素原子、水酸基、直鎖又は分岐のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、オキソアルキル基炭素数3~6が好ましい、アルコキシ基炭素数1~6が好ましい又はオキソアルコキシ基炭素数1~6が好ましいを表す。Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基炭素数1~3が好ましい又はカルボニル基を表す。より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、1-メチルエチレン基、ヒドロキシメチレン基、シアノメチレン基等が挙げられる。一般式CLNM-3で表されるアルキレンウレア系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N-ジメトキシメチル-4,5-ジメトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジエトキシメチル-4,5-ジエトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジプロポキシメチル-4,5-ジプロポキシメチルエチレンウレア、N,N-ジイソプロポキシメチル-4,5-ジイソプロポキシメチルエチレンウレア、N,N-ジブトキシメチル-4,5-ジブトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジt-ブトキシメチル-4,5-ジt-ブトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジシクロヘキシルオキシメチル-4,5-ジシクロヘキシルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジシクロペンチルオキシメチル-4,5-ジシクロペンチルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジアダマンチルオキシメチル-4,5-ジアダマンチルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジノルボルニルオキシメチル-4,5-ジノルボルニルオキシメチルエチレンウレア等が挙げられる。一般式CLNM-4に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM4は、各々独立に、水素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシ基を表す。RNM4のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、アルコキシ基炭素数1~6が好ましいとして、より具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。一般式CLNM-4で表されるグリコールウリル系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N,N,N-テトラメトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラエトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラプロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトライソプロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラブトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラt-ブトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラシクロヘキシルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラシクロペンチルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラアダマンチルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラノルボルニルオキシメチルグリコールウリル等が挙げられる。一般式CLNM-5に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式CLNM-5 ́で表される原子団を表す。RNM6は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式CLNM-5 ́ ́で表される原子団を表す。一般式CLNM-5 ́において、RNM1は、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。一般式CLNM-5 ́ ́において、RNM1は、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものであり、RNM5は、一般式CLNM-5に於けるRNM5と同様のものである。RNM5及びRNM6のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、アリール基炭素数6~10が好ましいとして、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。一般式CLNM-5で表されるメラミン系架橋剤としては、例えば、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサシクロヘキシルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサシクロペンチルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサアダマンチルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサノルボルニルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルベンゾグアナミン、等が挙げられる。一般式CLNM-1~CLNM-5に於ける、RNM1~RNM6で表される基は、更に置換基を有してもよい。RNM1~RNM6が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~20、シクロアルコキシ基好ましくは炭素数4~20、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~20等を挙げることができる。架橋剤Cは、分子内にベンゼン環を有するフェノール化合物であってもよい。フェノール化合物としては、分子量が1200以下、分子内にベンゼン環を3~5個含み、更にヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、そのヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基を少なくともいずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるフェノール誘導体が好ましい。このようなフェノール誘導体を用いることにより、本発明の効果をより顕著にすることができる。ベンゼン環に結合するアルコキシメチル基としては、炭素数6個以下のものが好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、i-プロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、i-ブトキシメチル基、sec-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基が好ましい。更に、2-メトキシエトキシ基及び、2-メトキシ-1-プロポキシ基の様に、アルコキシ置換されたアルコキシ基も好ましい。フェノール化合物としては分子内にベンゼン環を2個以上有するフェノール化合物であることがより好ましく、また、窒素原子を含まないフェノール化合物であることが好ましい。具体的には、樹脂Aを架橋しうる架橋性基を1分子あたり2~8個有するフェノール化合物であることが好ましく、架橋性基を3~6個有することがより好ましい。これらのフェノール誘導体の内、特に好ましいものを以下に挙げる。式中、L1~L8は架橋性基を示し、同じであっても異なっていてもよく、架橋性基としては好ましくはヒドロキシメチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基を示す。フェノール化合物は、市販されているものを用いることもでき、また公知の方法で合成することもできる。例えば、ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物上記式においてL1~L8が水素原子である化合物とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を60°C以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平6-282067号、特開平7-64285号等に記載されている方法にて合成することができる。アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を100°C以下で行うことが好ましい。具体的には、EP632003A1等に記載されている方法にて合成することができる。このようにして合成されたヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、いずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるこのようなフェノール誘導体は、単独で使用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。架橋剤Cは、分子内にエポキシ基を有するエポキシ化合物であってもよい。エポキシ化合物としては、下記一般式EP2で表される化合物が挙げられる。式EP2中、REP1~REP3は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、該アルキル基及びシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。またREP1とREP2、REP2とREP3は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。アルキル基及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては例えば、ヒドロキシル基、シアノ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルスルホン基、アルキルスルホニル基、アルキルアミノ基、アルキルアミド基、などが挙げられる。QEPは単結合若しくはnEP価の有機基を表す。REP1~REP3は、これら同士だけでなくQEPとも結合して環構造を形成していても良い。nEPは2以上の整数を表し、好ましくは2~10、更に好ましくは2~6である。但しQEPが単結合の場合、nEPは2である。QEPがnEP価の有機基の場合、鎖状若しくは環状の飽和炭化水素構造炭素数2~20が好ましい若しくは芳香環構造炭素数6~30が好ましい、又はこれらがエーテル、エステル、アミド、スルホンアミド等の構造で連結された構造などが好ましい。以下にエポキシ構造を有する化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。レジスト組成物が架橋剤を含有する場合、架橋剤のレジスト組成物中の含有率は、レジスト組成物の全固形分を基準として、3~15質量が好ましく、より好ましくは4~12質量、更に好ましくは5~10質量である。[4-4]溶剤D本発明におけるレジスト組成物は、溶剤を含有する。本発明におけるレジスト組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。これらの溶剤の具体例及び好ましい例は、特開2008-292975号公報[0244]~[0248]に記載のものと同様である。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、一般的には1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[4-5]疎水性樹脂HR本発明のレジスト組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂HRを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂HRが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。疎水性樹脂HRは前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又はケイ素原子を含んでいる。これらフッ素原子及び/又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、フッ素原子を含んだ部分構造として、フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基、又はフッ素原子を含んだアリール基を備えていることが好ましい。フッ素原子を含んだアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐鎖アルキル基である。このアルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数が1~4であることがより好ましい。このフッ素原子を含んだアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環式又は多環式のシクロアルキル基である。このフッ素原子を含んだシクロアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだアリール基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアリール基である。このアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。このフッ素原子を含んだアリール基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基及びフッ素原子を含んだアリール基の好ましい例としては、下記一般式F2~F4により表される基が挙げられる。一般式F2~F4中、R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57~R61のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R62~R64のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R65~R68のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。これらアルキル基は、炭素数が1~4であることが好ましい。以下に、フッ素原子を含んだ繰り返し単位の具体例を示す。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、ケイ素原子を含んだ部分構造として、アルキルシリル構造又は環状シロキサン構造を備えていることが好ましい。このアリキルシリル構造は、好ましくは、トリアルキルシリル基を含んだ構造である。アルキルシリル構造及び環状シロキサン構造の好ましい例としては、下記一般式CS-1~CS-3により表される基が挙げられる。一般式CS-1~CS-3中、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。このアルキル基は、炭素数が1~20であることが好ましい。このシクロアルキル基は、炭素数が3~20であることが好ましい。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル基、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、又はこれらの組合せが挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下に、一般式CS-1~CS-3により表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げる。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂は、下記x~zからなる群より選択される少なくとも1つの基を更に含んでいてもよい。x酸基yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基z酸分解性基x酸基としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホンイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、及びトリスアルキルスルホニルメチレン基が挙げられる。好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基、スルホンイミド基及びビスアルキルカルボニルメチレン基が挙げられる。好ましいフッ素化アルコール基としては、ヘキサフルオロイソプロパノール基が挙げられる。酸基を有する繰り返し単位は、例えば、アクリル酸及びメタクリル酸による繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、酸基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、酸基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。酸基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~50モルであることが好ましく、3~35モルであることがより好ましく、5~20モルであることが更に好ましい。以下に、酸基を有する繰り返し単位の具体例を示す。式中、Rxは水素原子、CH3、CF3、又は、CH2OHを表す。yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基としては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に、樹脂Aの項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~40モルであることが好ましく、3~30モルであることがより好ましく、5~15モルであることが更に好ましい。z酸分解性基としては、例えば、先にA酸分解性樹脂の項で説明したのと同様のものが挙げられる。酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~80モルであることが好ましく、10~80モルであることがより好ましく、20~60モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂は、下記一般式III’又はCII-ABにより表される繰り返し単位を含んでいてもよい。Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子等で置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、又はアリール基を有する基を表す。これら基は珪素原子を含む基、フッ素原子等で置換されていてもよい。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。Lc3により表される2価の連結基としては、例えば、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-により表される基、又はこれらの2種以上が組み合わされてなる基が挙げられ、総炭素数が1~12の連結基が好ましい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、Rc11’及びRc12’が結合している2つの炭素原子C-Cと共に脂環式構造を形成するために必要な原子団を表す。Rc32は、上記脂環式構造に対する置換基であり、その定義は一般式III’におけるRc32と同様である。pは、0~3の整数を表し、0又は1が好ましい。以下に、一般式III’又はCII-ABにより表される繰り返し単位の具体例を挙げる。具体例中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。疎水性樹脂HRが一般式III’又はCII-ABにより表される繰り返し単位を含む場合、その繰り返し単位の量は、疎水性樹脂HRを構成する全繰り返し単位に対して、1~100モルであるのが好ましく、5~95モルであるのがより好ましく、20~80モルであるのが更に好ましい。以下に、疎水性樹脂の具体例を挙げる。また、下記表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、及び分散度Mw/Mnを示す。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量を基準として、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10~100質量であることが好ましく、30~100質量であることがより好ましい。疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、ケイ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量を基準として、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、ケイ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10~100質量であることが好ましく、20~100質量であることがより好ましい。疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000であり、より好ましくは1,000~50,000であり、更に好ましくは2,000~15,000である。疎水性樹脂の分散度は、1~5であることが好ましく、1~3であることがより好ましく、1~2であることが更に好ましい。こうすると、より優れた解像度、パターン形状及びラフネス特性を達成することが可能となる。疎水性樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。疎水性樹脂の含有量は、組成物中の全固形分を基準として、0.01~10質量であることが好ましく、0.05~8質量であることがより好ましく、0.1~5質量であることが更に好ましい。疎水性樹脂としては、市販品を使用してもよく、常法に従って合成したものを使用してもよい。この樹脂の一般的な合成方法としては、例えば、先に樹脂Aについて説明したのと同様の方法が挙げられる。疎水性樹脂は、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、単量体及びオリゴマー成分の残存量が0~10質量であることが好ましく、0~5質量であることがより好ましく、0~1質量であることが更に好ましい。これにより、液中異物の量を減少させ、感度等の経時変化を低減することが可能となる。[4-6]界面活性剤F本発明のレジスト組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくてもよく、含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。本発明の組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。上記に該当する界面活性剤として、メガファックF-178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。レジスト組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を、レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、10ppm以下とすることで、疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[4-7]塩基性化合物または酸の作用により塩基性が増大する化合物H本発明のレジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物または酸の作用により塩基性が増大する化合物のうち少なくとも一種を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式A及びE中、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式A及びE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-フェニルジエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-もしくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開2007/0224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。化合物Hの分子量は、250~2000であることが好ましく、更に好ましくは400~1000である。化合物Hは、単独であるいは2種以上で用いられる。化合物Hを含有する場合、その含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、0.05~8.0質量であることが好ましく、更に好ましくは0.05~5.0質量、特に好ましくは0.05~4.0質量である。酸発生剤と化合物Hの組成物中の使用割合は、酸発生剤/化合物Hモル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの細りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/化合物Hモル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[4-8]活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物本発明のレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物以下、化合物PAともいうを含有しても良い。すなわち、化合物PAは、活性光線又は放射線の照射により化学構造の変化を伴うものであり、感光性を有するものである。化合物PAは、塩基性官能基又はアンモニウム基と、活性光線又は放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する化合物PA’であることが好ましい。すなわち、化合物PAは、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物、又は、アンモニウム基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有するアンモニウム塩化合物であることが好ましい。化合物PA又はPA’が、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する、塩基性が低下した化合物として、下記一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を挙げることができ、LWR及びDOFに関して優れた効果を高次元で両立できるという観点から、特に、一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物が好ましい。まず、一般式PA-Iで表される化合物について説明する。Q-A1-Xn-B-RPA-I一般式PA-I中、A1は、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、-SO3H、又は-CO2Hを表す。Qは、活性光線又は放射線の照射により発生される酸性官能基に相当する。Xは、-SO2-又は-CO-を表す。nは、0又は1を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NRx-を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Rは、塩基性官能基を有する1価の有機基又はアンモニウム基を有する1価の有機基を表す。A1における2価の連結基としては、好ましくは炭素数2~12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。塩基性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、一~三級アミン、含窒素複素環ピリジン、イミダゾール、ピラジンなどの構造が挙げられる。アンモニウム基の好ましい部分構造として、例えば、一~三級アンモニウム、ピリジニウム、イミダゾリニウム、ピラジニウム構造などを挙げることが出来る。なお、塩基性官能基としては、窒素原子を有する官能基が好ましく、1~3級アミノ基を有する構造、又は含窒素複素環構造がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子吸引性の官能基カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子などが直結していないことが好ましい。このような構造を含む一価の有機基基Rにおける一価の有機基としては、好ましい炭素数は4~30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができ、各基は置換基を有していても良い。Rにおける塩基性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、それぞれ、Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更に1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。置換基を有するアルキル基として、例えば、パーフロロメチル基、パーフロロエチル基、パーフロロプロピル基、パーフロロブチル基などのパーフルオロアルキル基を挙げることができる。Bが-NRx-の時、RとRxが結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。単環式構造としては、窒素原子を含む4~8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~15、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~15、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~15、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基としては1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。一般式PA-Iで表される化合物の内、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。次に、一般式PA-IIで表される化合物について説明する。Q1-X1-NH-X2-Q2PA-II一般式PA-II中、Q1及びQ2は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ2のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ2は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有してもよい。X1及びX2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。一般式PA-IIに於ける、Q1、Q2としての1価の有機基は、好ましくは炭素数1~40であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Q1、Q2におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Q1、Q2におけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Q1、Q2におけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、上記アルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。上記各基が有してもよい置換基としては、上記式PA-1における各基が有していてもよい置換基として先に例示したものと同様の基を挙げることができる。Q1、Q2の少なくともいずれかが有する塩基性官能基の好ましい部分構造としては、一般式PA-IのRが有する塩基性官能基として説明したものと同様のものが挙げられる。Q1とQ2とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Q1とQ2の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。一般式PA-IIに於いて、X1及びX2の少なくとも片方が、-SO2-であることが好ましい。次に、一般式PA-IIIで表される化合物を説明する。Q1-X1-NH-X2-A2-X3m-B-Q3PA-III一般式PA-III中、Q1及びQ3は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ3のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ3は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有していてもよい。X1、X2及びX3は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。A2は、2価の連結基を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NQx-を表す。Qxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Bが、-NQx-の時、Q3とQxが結合して環を形成してもよい。mは、0又は1を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。Q1は、一般式PA-IIに於けるQ1と同義である。Q3の有機基としては、一般式PA-IIに於けるQ1、Q2の有機基と同様のものを挙げることができる。A2における2価の連結基としては、好ましくは炭素数1~8のフッ素原子を有する2価の連結基であり、例えば炭素数1~8のフッ素原子を有するアルキレン基、フッ素原子を有するフェニレン基等が挙げられる。より好ましくはフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数2~4のパーフルオロアルキレン基が特に好ましい。Qxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は上記式PA-IにおけるRxと同様のものを挙げることができる。一般式PA-IIIに於いて、X1、X2、X3は、-SO2-であることが好ましい。化合物PAとしては、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のスルホニウム塩化合物、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のヨードニウム塩化合物が好ましく、更に好ましくは下記一般式PA1又はPA2で表される化合物である。一般式PA1において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表し、具体的には、前記酸発生剤における式ZIのR201、R202及びR203と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。前記一般式PA2中、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、具体的には、前記酸発生剤における式ZIIのR204及びR205と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。化合物PAは、活性光線又は放射線の照射により分解し、例えば、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する。一般式PA-Iで表される化合物は、塩基性官能基又はアンモニウム基とともにスルホン酸基又はカルボン酸基を有することにより、化合物PAに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物は、塩基性官能基とともに有機スルホニルイミノ基若しくは有機カルボニルイミノ基を有することにより、化合物PAに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。本発明に於いて、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下することは、活性光線又は放射線の照射により化合物PAのプロトン活性光線又は放射線の照射により発生された酸に対するアクセプター性が低下することを意味する。アクセプター性が低下するとは、塩基性官能基を有する化合物とプロトンとからプロトン付加体である非共有結合錯体が生成する平衡反応が起こる時、あるいは、アンモニウム基を有する化合物の対カチオンがプロトンに交換される平衡反応が起こる時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。このように、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAがレジスト膜に含有されていることにより、未露光部においては、化合物PAのアクセプター性が十分に発現されて、露光部等から拡散した酸と樹脂Aとの意図しない反応を抑制することができるとともに、露光部においては、化合物PAのアクセプター性が低下するので、酸と樹脂Aとの意図する反応がより確実に起こり、このような作用機構の寄与もあって、線幅バラツキLWR、フォーカス余裕度DOF及びパターン形状に優れるパターンが得られるものと推測される。なお、塩基性は、pH測定を行うことによって確認することができるし、市販のソフトウェアによって計算値を算出することも可能である。活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAの具体例としては、例えば特開2006-208781号公報、特開2006-330098号公報に記載のものを挙げることができる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-Iで表される化合物を発生する化合物PAの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物の合成は、一般式PA-Iで表される化合物又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平11-501909号公報又は特開2003-246786号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平7-333851号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する化合物PAの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的に一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物を一般式PA-IIで表される部分構造を含むアミン、アルコールにより開環させる方法により得ることができる。一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールは、アミン、アルコールを塩基性下にてR’O2C2OやR’SO22O等の無水物、R’O2CClやR’SO2Cl等の酸クロリド化合物と反応させることにより合成できるR’は、メチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基等。特に、特開2006-330098号公報の合成例などに準ずることができる。化合物PAの分子量は、500~1000であることが好ましい。本発明のレジスト組成物が化合物PAを含有する場合、その含有量は、組成物の固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量である。化合物PAは、単独であるいは2種以上で用いられる。また、化合物PAは、前述の塩基性化合物と併用してもよい。[4-9]その他の添加剤I本発明のレジスト組成物には、必要に応じて更に、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、溶解阻止剤及び溶解促進剤等を含有させることができる。本発明のレジスト組成物の全固形分濃度は、通常1.0~10質量であり、好ましくは、2.0~5.7質量、更に好ましくは2.0~5.3質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインエッジラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できるものと考えられる。固形分濃度とは、レジスト組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。合成例1樹脂P-1の合成窒素気流下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4質量比の混合溶剤40gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した溶剤1。下記繰り返し単位に対応するモノマーをそれぞれモル比40/10/40/10の割合でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルの6/4質量比の混合溶剤に溶解し、22質量のモノマー溶液400gを調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製をモノマーに対し8molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン3600ml/酢酸エチル400mlに注ぎ、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂P-1が74g得られた。得られた樹脂P-1の重量平均分子量は、10000、分散度Mw/Mnは、1.6であった。合成例2疎水性樹脂の合成モノマー4の合成下記化合物1を、国際公開第07/037213号パンフレットに記載の方法で合成した。化合物135.00gに水150.00gを加え、更に水酸化ナトリウム27.30gを加えた。加熱、還流条件で、9時間攪拌した。塩酸を加え、酸性とした後、酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、濃縮することにより化合物236.90gを得た収率93。1H-NMR400MHzinCD32CO:σppm=1.56-1.591H,1.68-1.721H,2.13-2.151H,2.13-2.472H,3.49-3.511H,3.681H,4.45-4.461H化合物220.00gにCHCl3200mlを加え、更に、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアルコール50.90g、4-ジメチルアミノピリジン30.00gを加え攪拌した。該溶液中に、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩22.00gを加え、3時間攪拌した。1NHCl500ml中に反応溶液を加え、反応を停止した。有機層を更に1NHClで洗浄し、次に水で洗浄し、有機層を濃縮することにより化合物330.00gを得た収率85。1H-NMR400MHzinCD32CO:σppm=1.621H,1.91-1.951H,2.21-2.241H,2.45-2.532H,3.61-3.631H,3.761H,4.32-4.581H,6.46-6.531H化合物315.00gにトルエン300.00gを加え、更にメタクリル酸3.70g、p-トルエンスルホン酸1水和物4.20gを加え、生成する水を共沸により取り除きながら、15時間還流した。反応液を濃縮し、濃縮物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより化合物411.70gを得た収率65。1H-NMR400MHzinCD32CO:σppm=1.76-1.791H,1.933H,2.16-2.222H,2.57-2.611H,2.76-2.811H,3.73-3.741H,4.731H,4.84-4.861H,5.69-5.701H,6.121H,6.50-6.561H疎水性樹脂6bの合成下記繰り返し単位に対応するモノマーを各々90/10の割合モル比で仕込み、PGMEAに溶解し、固形分濃度15質量の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V-601を1mol加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100°Cに加熱したPGMEA50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール5Lに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂6bを回収した。NMRから求めたポリマー組成比は90/10であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は12000、分散度1.5であった。各繰り返し単位に対応するモノマーを、所望の組成比モル比となるように使用した以外は、上記合成例1と同様にして、樹脂P-2~P-14及び疎水性樹脂1b~5bを合成した。以下、樹脂P-2~P-14及び疎水性樹脂1b~6bの構造を示す。また、上記した樹脂P-1も含めて、樹脂P-2~P-14及び疎水性樹脂1b~6bの組成比モル比、重量平均分子量、分散度を、表2に示す。酸発生剤PAG-1~PAG-13の合成各B成分に対応する化合物を用いて、下式の光酸発生剤PAG-1~PAG-13を合成した。<レジスト及びトップコート組成物の調製>下記表3に示す成分を表3に示す溶剤に溶解させ全固形分濃度3.5質量とし、それぞれを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、レジスト組成物Ar-1~Ar-26及びトップコート組成物t-1濃度:4質量を調製した。表3における略号は、次の通りである。B-1~B-7:各々下記化合物を示す。X-1~X-7、CL-1:各々下記化合物を示す。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系W-4:PF-6320OMNOVA社製フッ素系A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAA2:γ-ブチロラクトンA3:シクロヘキサノンB1:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEB2:乳酸エチルB3:2-ヘプタノンB4:プロピレンカーボネートC1:ジイソペンチルエーテル<現像液の調製および精製>窒素気流下、酢酸ブチル1000gと2-ヘプタノン1000gを混合し、10分間攪拌を行ない、0.005μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、現像液D1-Aとした。得られた現像液D1-Aにおける1-ブタノールおよび2-ヘプタノールの含有量は各々1200ppm、900ppmであった。一方、酢酸ブチルおよび2-ヘプタノンに対し、それぞれ窒素雰囲気下、1.0mmHgの沸点にて減圧蒸留を行った後に同様の操作を行い、現像液D1-Bとした。得られた現像液D1-Bにおける1-ブタノールおよび2-ヘプタノールの含有量は各々240ppm、150ppmであった。ここでアルコール含有量は、現像液組成物のガスクロマトグラフィー測定によって得られた各成分の面積から算出した。分析条件は下記の通りである。装置:株島津製作所製、ガスクロマトグラフGC‐2010カラム:HP‐530m×0.32mmID×1.00μmキャリアガス:Heメイクアップガス:He気化室温度:230°C検出器:FID1/250°Cオーブン:100°C10min。表3に示す溶剤を所望の質量比となるように使用した以外は上記操作と同様にして、現像液D2-A~D5-Bを得た。さらに、D5-A100gとD5-B1900gを混合し、10分間攪拌を行ない、0.005μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、現像液D5-Cを得た。表4に、それぞれの現像液に対するアルコール化合物X1およびX2の含有量を示す。調製したレジスト組成物を用い、下記の方法でレジストパターンを形成した。例1-A露光→ベーク→現像→リンス:略号EBDR8インチ口径のシリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚84nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-1を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスク6HTPSM、ライン/スペース=75nm/75nmを使用して、ラインパターンの線幅が75nmとなる露光量でパターン露光を行った。その後105°Cで60秒間加熱した後、表4に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、表4に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、2000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例2-A、3-A、5-A、10-A、11-A、14-A、15-A、18-A~23-A、26-A表4に記載のレジスト及び条件を採用した以外は、例1-Aの方法と同様にして、75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例4-A液浸露光→ベーク→現像→リンス略号tiEBDR12インチ口径のシリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚95nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-4を塗布し、100°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。更にその上にトップコート組成物t-1を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、レジスト膜上層に膜厚100nmのトップコート膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、6HTPSM、ライン/スペース=65nm/65nmを介して、ラインパターンの線幅が65nmとなる露光量でパターン露光を行った。液浸液としては超純水を用いた。その後105°Cで、60秒間加熱した後、表4に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、表4に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、2000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、65nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例6-A液浸露光→ベーク→現像→リンス略号iEBDR12インチ口径のシリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚95nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-6を塗布し、100°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、6HTPSM、ライン/スペース=65nm/65nmを介して、ラインパターンの線幅が65nmとなる露光量でパターン露光を行った。液浸液としては超純水を用いた。その後105°Cで、60秒間加熱した後、表4に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、表4に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、2000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、65nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例7-A~9-A、12-A、24-A、25-A表4に記載のレジスト及び条件を採用した以外は、例6-Aの方法と同様にして、65nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例13-A露光→ベーク→現像:略号EBD8インチ口径のシリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚84nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-13を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスク6HTPSM、ライン/スペース=75nm/75nmを使用して、ラインパターンの線幅が75nmとなる露光量でパターン露光を行った。その後105°Cで60秒間加熱した後、表4に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、2000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例16-A露光→ベーク→現像→回転リンス:略号EBDR28インチ口径のシリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚84nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-16を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスク6HTPSM、ライン/スペース=75nm/75nmを使用して、ラインパターンの線幅が75nmとなる露光量でパターン露光を行った。その後105°Cで60秒間加熱した後、表4に記載の現像液を30秒間パドルして現像し、500rpmの回転数でウエハを回転させながら表4に記載のリンス液をウエハ上に流して30秒間リンスした後、2000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例17-A露光→ベーク→回転現像→リンス:略号EBD2R8インチ口径のシリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚84nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物Ar-17を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、露光マスク6HTPSM、ライン/スペース=75nm/75nmを使用して、ラインパターンの線幅が75nmとなる露光量でパターン露光を行った。その後105°Cで60秒間加熱した後、500rpmの回転数でウエハを回転させながら表4に記載の現像液をウエハ上に流して30秒間現像し、表4に記載のリンス液で30秒間パドルしてリンスした後、2000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させ、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例27-A無機反射防止膜基板→露光→ベーク→現像→リンス略号I-E-B-D-R無機反射防止膜を有する基板としてSiON基板を使用した以外は、例1-Aの方法と同様にして、75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。例1-B~27-B、5-C、10-C、15-C、20-C、25-C表5に記載の現像液を使用した以外は、それぞれ例1-A~27-Aのうち各々に対応する番号の実施例に記載の方法と同様にして、ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。表5において、PBは露光前の加熱を、PEBは露光後の加熱を意味する。また、PB、PEB及びトップコートベークの欄において、例えば100°C60sは、100°C,60秒間の加熱を意味する。<評価方法>異物付着欠陥ケーエルエーテンコール社製の欠陥検査装置KLA2360商品名を用いて欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16μmに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異を抽出して、各実施例のウエハ中のパターン形成領域における欠陥を検出した。検出された欠陥をS9380IIHITACHI社製で観察し、図1および図2に示す態様の欠陥を異物付着欠陥として、現像欠陥中の異物付着欠陥の個数を測定し、各例における検査領域の面積で除することで当該欠陥の密度を求めた。結果を表6に示す。表5から、本発明の現像液を用いたパターン形成を行なうことにより、異物付着欠陥が低減されたパターンを安定的に形成できることは明らかである。"