少なくともシリコン原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボ内を加熱するための加熱手段とを有する単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法により前記ルツボ内に固形炭素ドープ剤を入れて、炭素をドープしたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程と、前記ルツボ内でシリコン原料を溶融して前記原料融液とするとともに、前記ルツボ内に前記加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料溶融工程と、前記原料融液から炭素ドープさせた前記シリコン単結晶を引上げ、育成する引上げ工程と、を含むことを特徴とする炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。前記加熱処理工程を、水蒸気の濃度が1以下であるガス雰囲気下及び0.5気圧以下の減圧雰囲気下の少なくともいずれか一方の条件で行うことを特徴とする請求項1に記載の炭素ドープ単結晶の製造方法。前記加熱処理工程において、前記ガス雰囲気をアルゴンガス雰囲気または窒素ガス雰囲気とし、100°C以上3500°C以下で前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させることを特徴とする請求項2に記載の炭素ドープ単結晶の製造方法。前記加熱処理工程において、前記ガス雰囲気を酸素ガス雰囲気とし、100°C以上700°C以下で前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させることを特徴とする請求項2に記載の炭素ドープ単結晶の製造方法。前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱手段を、ヒーター加熱、レーザー加熱、ランプ加熱及びマイクロ波加熱のいずれかとすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の炭素ドープ単結晶の製造方法。前記加熱処理された後の固形炭素ドープ剤の灰分値を10ppma以下とすることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の炭素ドープ単結晶の製造方法。前記加熱処理工程と前記原料溶融工程との間に前記加熱処理された固形炭素ドープ剤を保管する保管工程を有し、1炭素のみで成型した容器内、2湿度40以下の雰囲気下、3不活性ガス雰囲気下、及び4真空中の、前記1~4の少なくとも一つ以上の条件下で保管することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の炭素ドープ単結晶の製造方法。前記ルツボ上方にドープ剤保持具を用意し、該ドープ剤保持具に前記固形炭素ドープ剤を配置して、前記加熱処理工程を前記原料溶融工程と並行して行うことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。前記加熱処理工程を、前記原料溶融工程前に前記ルツボ内を加熱するための加熱手段で行うことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。前記加熱処理工程を、前記原料溶融工程前に前記単結晶製造装置の外で行ってから、前記加熱処理された固形炭素ドープ剤と前記シリコン原料を前記ルツボ内に入れ、前記原料溶融工程を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。すなわち、特許文献5及び特許文献6の方法は、粉末や粒状の炭素そのものを直接ドープする方法である。このようなドープ剤として用いられる黒鉛やアモルファス炭素などの炭素材は、一般に多孔質であり、水分を初めとする不純物を取り込みやすいという問題がある。例えば、固形の炭素ドープ剤を湿気の多い雰囲気に故意に放置すると、重量比で0.2程度の水分をはじめとする不純物を容易に含んでしまい、重量増加することが発明者らにより確認された。一般に、固形の炭素ドープ剤作製時には不純物を除去するために高純度化処理を行っているが、特に湿気は相当の注意を払っても完全に遮断することが難しく、簡単に水分等の不純物が取り込まれてしまう。これら水分等の不純物を含んだ炭素ドープ剤を用いると、シリコン単結晶育成時に単結晶化が阻害され有転位化してしまうという問題があることがわかってきた。万が一大量の水分や不純物を取り込んだ状態のドープ剤を用いた場合には、秤量して適量入れたとしても、実際には見かけ上の重量が重くなっているため、引き上げられた結晶中の炭素濃度が計算値より低くなってしまうという可能性がある。本発明の目的は、炭素がドープされたシリコン単結晶の育成時において、原料融液内に水分等の不純物が取り込まれてしまうことを抑止し、有転位化を防止して、容易にかつ低コストで、高精度で炭素がドープされた高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造する方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明では、少なくともシリコン原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボ内を加熱するための加熱手段とを有する単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法により前記ルツボ内に固形炭素ドープ剤を入れて、炭素をドープしたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程と、前記ルツボ内でシリコン原料を溶融して前記原料融液とするとともに、前記ルツボ内に前記加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料溶融工程と、前記原料融液から炭素ドープさせた前記シリコン単結晶を引上げ、育成する引上げ工程と、を含むことを特徴とする炭素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。このように、ルツボ内に入れる前に固形炭素ドープ剤を加熱する加熱処理工程を行うことによって、シリコン単結晶の育成時において、固形炭素ドープ剤に取り込まれていた水分等の不純物を取り除くことができる。これによって原料融液内に取り込まれてしまうことを抑止し、有転位化を防止して容易に且つ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造することができる。また、このようにして加熱処理された固形炭素ドープ剤は、取り込まれた不純物の量が非常に少ないため、固形炭素ドープ剤中に含まれる純粋な炭素重量を正確に秤量することができる。これによって、製造する単結晶中に取り込まれる炭素の濃度を確実に且つ正確に目的の濃度とすることができる。またこのとき、前記加熱処理工程を、水蒸気の濃度が1以下であるガス雰囲気下及び0.5気圧以下の減圧雰囲気下の少なくともいずれか一方の条件で行うことが好ましい。このような雰囲気下で加熱処理工程を行うことによって、固形炭素ドープ剤に取り込まれていた水分等の不純物をより確実に取り除くことができ、これによって製造する単結晶の有転位化を抑止することができる。またこのとき、前記加熱処理工程において、前記ガス雰囲気をアルゴンガス雰囲気または窒素ガス雰囲気とし、100°C以上3500°C以下で前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させることができる。また、前記加熱処理工程において、前記ガス雰囲気を酸素ガス雰囲気とし、100°C以上700°C以下で前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させることができる。このような加熱処理工程を行うことによって、状況に応じて雰囲気ガスを選択できるため、様々な製造条件に対応させることができる。また、雰囲気ガスとして酸素ガスを用いた場合であっても、高温にし過ぎて炭素が二酸化炭素等に変化してしまうこともないため、より安定して固形炭素ドープ剤を純化させることができる。またこのとき、前記固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱手段を、ヒーター加熱、レーザー加熱、ランプ加熱及びマイクロ波加熱のいずれかとすることができる。このように、加熱処理工程における加熱手段も種々選択することができ、単結晶の製造条件に制限されることなく適用することができる。またこのとき、前記加熱処理された後の固形炭素ドープ剤の灰分値を10ppma以下とすることが好ましい。このような固形炭素ドープ剤であれば、取り込まれた不純物量が非常に少量であるため、これによって製造される炭素ドープシリコン単結晶の有転位化を低減できるとともに、単結晶内に取り込まれる不純物量も、より効果的に低減させることができる。またこのとき、前記加熱処理工程と前記原料溶融工程との間に前記加熱処理された固形炭素ドープ剤を保管する保管工程を有し、1炭素のみで成型した容器内、2湿度40以下の雰囲気下、3不活性ガス雰囲気下、及び4真空中の、前記1~4の少なくとも一つ以上の条件下で保管することができる。このように保管することによって、保管中に固形炭素ドープ剤に水分等の不純物が取り込まれてしまうことを抑止することができ、長期間高品質の固形炭素ドープ剤を保管しておくことができる。またこのとき、前記ルツボ上方にドープ剤保持具を用意し、該ドープ剤保持具に前記固形炭素ドープ剤を配置して、前記加熱処理工程を前記原料溶融工程と並行して行うことができる。また、前記加熱処理工程を、前記原料溶融工程前に前記ルツボ内を加熱するための加熱手段で行うことができる。さらに、前記加熱処理工程を、前記原料溶融工程前に前記単結晶製造装置の外で行ってから、前記加熱処理した固形炭素ドープ剤と前記シリコン原料を前記ルツボ内に入れ、前記原料溶融工程を行うことができる。このように、本発明において加熱処理工程を行う場所やタイミングは限定されないため、都合により様々な手段を選択して加熱処理工程を行うことができる。また加熱処理工程を原料溶融工程と並行して行ったり、ルツボ内で行えば、加熱処理工程から原料溶融工程までをスムーズに短時間で行うことができる。さらにドープ剤保持具で加熱処理された固形炭素ドープ剤を、そのままルツボ内で溶融されたシリコン原料の中に入れれば、時間的、エネルギー的により効率的である。以上説明したように、本発明によれば、シリコン単結晶の育成時において、水分等の不純物が原料融液内に取り込まれて、単結晶の有転位化が生じてしまうことを抑止し、容易に且つ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造することができる。また、製造装置内における加熱手段や雰囲気ガス、加熱処理された固形炭素ドープ剤の保管方法等を状況に応じて都合の良い方法を選択することができる。さらに、このようにして加熱処理された固形炭素ドープ剤は、取り込まれた不純物の量が非常に少ないため、固形炭素ドープ剤中に含まれる純粋な炭素重量を正確に秤量することができ、製造する単結晶中に取り込まれる炭素の濃度を確実に且つ正確に目的の濃度とすることができる。以下に本発明の実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。図4に、本発明の炭素ドープシリコン単結晶の製造方法を実施するためのCZ法によるシリコン単結晶の製造装置の概略断面図の一例を示す。図4に示されるシリコン単結晶製造装置20は、メインチャンバー1aと、メインチャンバー1a上部に連設されたプルチャンバー1bを有し、メインチャンバー1a内には、溶融された原料融液3を収容するための石英ルツボ5aとその石英ルツボ5aを支持する黒鉛ルツボ5bが設けられている。そして、これらルツボ5を囲繞するように加熱ヒーター7が配置されている。加熱ヒーター7の外側には、加熱ヒーター7からの熱がチャンバー1に直接輻射されるのを防止するために、断熱部材8がその周囲を取り囲むように設けられている。また、メインチャンバー1a内にはガス整流筒11が設けられている。さらにガス整流筒11の外側下端に原料融液3の融液面と対向するように遮熱部材12を設けて、融液面からの輻射をカットするとともに融液面を保温するようにしている。本発明においては、上記のような単結晶製造装置20を用いて、固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程、ルツボ5内でシリコン原料を溶融して原料融液3とするとともに、ルツボ5内に加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料融液工程、及び原料融液3に種結晶4を浸漬し、引上げ軸6によって種結晶4の下方に、炭素ドープさせたシリコン単結晶2を引上げ、育成する引上げ工程を行って、炭素ドープシリコン単結晶を製造する。尚、原料溶融工程において加熱処理された固形炭素ドープ剤をルツボ5内に入れるタイミングとしては特に限定はされない。例えば図2に示すように、加熱ヒーター7による加熱を開始する前にシリコン原料14とともに固形炭素ドープ剤15を入れても良いし、シリコン原料14が溶融して原料融液3となった後に入れても良い。また、固形炭素ドープ剤15の形状については特に限定されず、例えば粒状、粉状、繊維状、またその他形状であっても良い。このとき、固形炭素ドープ剤の加熱処理工程として、水蒸気の濃度が1以下であるガス雰囲気下及び0.5気圧以下の減圧雰囲気下の少なくともいずれか一方の条件で固形の炭素ドープ剤を、加熱手段として、例えば単結晶製造装置20の加熱ヒーター7で1分以上加熱して純化させることができる。上記条件において、例えばガス雰囲気下とする場合、ガス導入口9より雰囲気ガスを導入し、ガス排出口10より排気しながらチャンバー1内を所定のガス雰囲気下とする。もちろん、固形炭素ドープ剤の加熱処理工程は、上記のように単結晶製造装置を用いず、別途行っても良い。このとき、前記加熱処理工程のガス雰囲気及び加熱温度は、アルゴンガス雰囲気または窒素ガス雰囲気で100°C以上3500°C以下とするか、酸素ガス雰囲気で100°C以上700°C以下とすることもできる。このようなガス雰囲気及び加熱温度であれば、十分に本発明の効果を得ることが出来るため好ましい。特に酸素ガス雰囲気を選択した場合、このような温度範囲で加熱して純化させれば、水分以外の不純物も除去され易い上に、炭素が二酸化炭素等に変化してしまうことも無いため好ましい。また、固形炭素ドープ剤15を加熱し、純化させるための加熱手段としては、単結晶製造装置20内の加熱ヒーター7のみならず、例えば単結晶製造装置外の別の装置を用いて、レーザー加熱、ランプ加熱、マイクロ波加熱等で1秒以上加熱することによって、純化させることもできる。以上のように加熱処理工程として固形炭素ドープ剤15を加熱して純化させることにより、灰分値が10ppma以下となるような高純度の固形炭素ドープ剤15を準備することができる。このように、本発明においては、加熱処理工程において固形炭素ドープ剤15を加熱して純化させ、水分等の不純物をほとんど含まない炭素ドープ剤を用いて炭素ドープを行うため、原料融液に炭素以外の不純物が混入せず、育成単結晶の有転位化等の問題の発生を極力抑制できるとともに、製造された炭素ドープシリコン単結晶にはほとんど不純物が取り込まれず、高純度のものとすることができる。また、このようにして加熱処理された固形炭素ドープ剤15は、取り込まれた不純物の量が非常に少ないため、固形炭素ドープ剤15中に含まれる純粋な炭素重量を正確に秤量することができる。これによって、製造するシリコン単結晶2中に取り込まれる炭素の濃度を確実に且つ正確に目的の濃度とすることができる。また、加熱処理工程と原料溶融工程との間に、加熱処理された固形炭素ドープ剤15を保管する保管工程を設けることもできる。このような保管工程としては、例えば1炭素のみで成型した容器内、2湿度40以下の雰囲気下、3不活性ガス雰囲気下、及び4真空中の、前記1~4の少なくとも1つ以上の条件下とすることができる。このような条件下で保管すれば、一度加熱処理された固形炭素ドープ剤15が、再び水分等の不純物を取りこんでしまうことを効果的に抑止できる。また保管工程を有することで、必要な時に必要なだけ使用することができ、単結晶の製造上利便性が高い。尚、ここで言う炭素のみで成型した容器とは、例えば純度99以上となるような高純度炭素で成型した容器のことであり、また真空中とは、例えば0.1Pa以下の高真空中のことである。これらのような条件下であれば、固形の炭素ドープ剤に不純物が取り込まれることをより効果的に抑止できるため好ましい。また、不活性ガス雰囲気下とは、例えば窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等のガス雰囲気下のことである。また図3に示すように、単結晶製造装置20内において、ルツボ5の上方にドープ剤保持具13を予め用意し、そこに固形炭素ドープ剤15を配置して、加熱ヒーター7によって固形炭素ドープ剤15及びルツボ5内に充填されたシリコン原料14を同時に加熱することにより、前記加熱処理工程と原料溶融工程を並行して行うことができる。このように加熱処理工程と原料溶融工程を同時に進行させれば、加熱ヒーター7による熱を有効に利用することができ、エネルギー的にも時間的にもより効率的である。さらに、上記方法によって加熱処理された固形炭素ドープ剤15を落下させることによってそのままルツボ5内に入れれば、水分等の不純物が再び固形炭素ドープ剤15中に取り込まれてしまうこともより効果的に抑止できるため好ましい。ここで、特にMCZ法を用いて炭素ドープシリコン単結晶を製造した場合、原料融液3のメルトフローが磁場によって抑制されている。このため、水分等の不純物がシリコン単結晶2を引き上げているルツボ5の中心部近くに集まってしまい、製造されたシリコン単結晶2に有転位化が起こりやすい。このため、本発明が特に有効である。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1図4に示した単結晶製造装置に直径800mmのルツボを装備して、シリコン多結晶原料と、固形炭素ドープ剤として、モールド成型材を粒径1-3mmの粒状に砕いた灰分値1ppmaの炭素粒を用意し、図2に示したように共にルツボ内に充填した。このとき炭素粒は、常温常圧でポリ容器に入れて約6ヶ月保管してあったものを、水蒸気の濃度が0.5であるアルゴンガス雰囲気下で加熱ヒーターにより1000°C、5時間加熱して純化させてから使用し、製造されるシリコン単結晶中の直胴0cmにおける炭素濃度が0.80ppmaとなるような量とした。そして、これらシリコン多結晶原料及び炭素粒を加熱ヒーターにより、中心磁場強度3000ガウスが印加されたルツボ内で一緒に溶融して原料融液にし、該原料融液からCZ法を用いて直径306mmの炭素ドープシリコン単結晶を引上げ、育成した。その結果、途中で有転位化することなく長さ120cmの単結晶を得ることができた。実施例2実施例1で加熱し、純化させた炭素粒を純度99以上の炭素剤で成型した容器に入れ、湿度35に管理された室内に3ヶ月保管した。この炭素粒をカールフィッシャー法によって水分測定した結果、150°C、30分350°C、40分の加熱により発生した水分量は、炭素粒の総重量に対する重量比で8ppmであった。このとき、固形炭素ドープ剤としてこの炭素粒を用いた点以外は実施例1と同様の条件で炭素ドープシリコン単結晶の育成を試みた。その結果、コーン部で有転位化が発生した。そこで、コーン部を再度溶融して再び単結晶化を試みたところ、有転位化することなく長さ120cmの単結晶を得ることができた。すなわち、有転位化が発生したのは1回のみであった。実施例3図3に示したように、スプーン状であって、鉛直方向に回転可能であるドープ剤保持具を直径800mmのルツボ上方に具備した単結晶製造装置を用いて、シリコン原料が充填されたルツボ内ではなく、ドープ剤保持具内に固形炭素ドープ剤として、モールド成型材を粒径1-3mmの粒状に砕いた灰分値1ppmaの炭素粒を入れた。このときの炭素粒は、常温常圧でポリ容器に入れて約6ヶ月保管してあったものであって、加熱による純化を行っていないものを用いた。このような状態でアルゴンガスを製造装置のチャンバー上部から流し、シリコン原料の溶融を行った。このとき、原料を溶融している途中に固形炭素ドープ剤の入ったドープ剤保持具をチャンバー内に突き出し、約500°Cの雰囲気に約3時間放置した後、シリコン原料が完全に溶融する少し前に、ドープ剤保持具を回転させて炭素粒をルツボの中に入れ、完全に溶融し原料溶融とした後に中心磁場強度3000ガウスをルツボ内に印加し、直径306mmの炭素ドープシリコン単結晶の育成を行った。その結果、実施例1よりも省電力で固形炭素ドープ剤を純化することができ、途中で有転位化することなく長さ120cmのシリコン単結晶を得ることができた。比較例1固形炭素ドープ剤として、ルツボに入れる前に加熱処理させなかった炭素粒を用いたこと以外は実施例1と同様に直径306mmの炭素ドープシリコン単結晶の育成を行った。このとき、カールフィッシャー法にて炭素粒の水分測定をした結果、150°C、30分350°C、40分の加熱により発生した水分量は、炭素粒の総重量に対する重量比で28ppmであった。その結果、直胴部の下端より15cmの部分で有転位化が発生してしまった。そこで単結晶の育成を中止し、途中まで引上げた単結晶を再溶融し、有転位化が発生しなくなるまで単結晶の育成を試みた。最終的に7回有転位化が発生した後、8回目で有転位化することなく長さ120cmの単結晶を得ることができた。比較例2固形炭素ドープ剤として、常温常圧でポリ容器に入れて1年保管してあった炭素粒を、ルツボに入れる前に加熱処理させずに用いたこと以外は実施例1と同様に直径306mmの炭素ドープシリコン単結晶の育成を行った。このとき、カールフィッシャー法にて炭素粒の水分測定をした結果、150°C、30分350°C、40分の加熱により発生した水分量は、炭素粒の総重量に対する重量比で77ppmであった。その結果、コーン部及び直胴部で有転位化が発生してしまった。そこで単結晶の育成を中止し、途中まで引上げた単結晶を再溶融し、有転位化が発生しなくなるまで単結晶の育成を試みた。最終的に18回有転位化が発生した後、19回目で長さ120cmの単結晶を得ることができた。比較例3固形炭素ドープ剤として、保管中に故意にポリ容器内を加湿状態とし、さらにルツボに入れる前に加熱処理させなかった炭素粒を用いたこと以外は実施例1と同様に直径306mmの炭素ドープシリコン単結晶の育成を行った。このとき、カールフィッシャー法にて炭素粒の水分測定をした結果、150°C、30分350°C、40分の加熱により発生した水分量は、炭素粒の総重量に対する重量比で2000ppmであった。その結果、コーン部及び直胴部で有転位化が多発した。そこで単結晶の育成を中止し、途中まで引上げた単結晶を再溶融し、有転位化が発生しなくなるまで単結晶の育成を試みた。しかし、最終的に単結晶を得ることができなかった。このとき、実施例1~3及び比較例1~3の結果から、用いられた炭素粒中に含まれる炭素以外の物質の重量比と、シリコン単結晶の成長中に発生した有転位化の回数との関係をグラフにしたものを図1に示す。図1からわかるように、不純物である、固形炭素ドープ剤中に含まれる炭素以外の物質の重量比が大きいほど、単結晶育成時における有転位化が発生しやすいことがわかる。実施例においては、本発明の製造方法により炭素粒に含まれる水分等の不純物を加熱処理させることによって除いてあるため、比較例と比べ有転位化の発生回数が少なくなっている。また実施例2のように、不活性ガス雰囲気下であって、高純度炭素により成型された容器内等、湿度が低く保たれた環境で保管することにより、固形炭素ドープ剤内に水分等の不純物が取り込まれてしまうことを抑止しつつ、長期間保管することができる。さらに実施例3のように、単結晶製造装置内で固形炭素ドープ剤の加熱処理と、原料融液にするためのシリコン原料の溶融を同時に並行して行えば、シリコン単結晶育成時における有転位化の発生を効果的に抑止しつつ、時間的、エネルギー的に、より効率的に炭素ドープシリコン単結晶の製造を行うことができる。なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。上述の実施の形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様の効果を奏するものはいかなるものであっても、本発明の技術的範囲に包含されることは無論である。例えば、上記実施例において粒状の炭素ドープ剤について記載したが、粉状や繊維状の炭素ドープ剤などその他の形状であっても全て有効であり、実施例に記載した範囲にとどまるものではない。