"式Iaで表される四級アンモニウム塩を触媒として、エステルを、常圧下において-60°C~50°Cの反応温度で、塩基性水溶液または金属水酸化物の存在下で、非水溶性溶媒下に反応させることを特徴とするエステルの不斉加水分解方法。上記式Ia中、R1は、水素原子、酸素原子、低級アルキル基、または低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基を表し、R2は、低級アルキル基、低級アシル基、トリフルオロメチル基、もしくはハロゲン基で置換されていてもよいアリール基、N-オキシ-ピリジル基、または低級アルキル基を表し、R3は、水素原子、トリアルキルシリル基で置換されていてもよいアルコキシ基、またはジアルキルホスホリル基もしくはジアリルホスホリル基で置換されていてもよい低級アルコキシ基を表し、R4は、水素原子、アルケニル基、低級アルキル基で置換されていてもよいアミド基、低級アルキル基もしくはトリフルオロメチル基もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基もしくはアダマンチル基で置換されていてもよい低級アシル基、ビスフェニル基で置換されていてもよいチオアミド基、ジメチルアミノ基で置換されていてもよいホスフィンオキシド基、またはカルボキシレート基を表し、R5は、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アリールアルキニル基を表し、R1とR5は、一体となって相互に結合した環状構造であってもよく、Xは、ハロゲン基、ヒドロキシ基、フルオロリン酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン、またはハロゲン基で置換されていてもよいアルコキシドを表し、kは、1~2の整数を表す。ハロゲン基で置換されていてもよい低級アルキルアルコールまたは非イオン性界面活性剤を添加して反応させることを特徴とする請求項1に記載のエステルの不斉加水分解方法。前記エステルが、一般式IIaで表される2位置換環状ケトンから誘導したエノールエステルであり、一般式IIbで表される光学活性ケトンを生成することを特徴とする請求項1に記載のエステルの不斉加水分解方法。式IIa中、R6は、低級アルキル基、低級シクロアルキル基、またはハロゲン基もしくはトリフルオロメチル基で置換されていてもよいアリール基を表し、R7は、水素原子または低級アルキル基を表し、R8は、ハロゲン基で置換されていてもよい低級アルキル基、トリフルオロメチル基で置換されていてもよいアリール基、または低級アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基を表し、lは0~3の整数を表す。式IIb中、R6、R7、およびlは、上記式IIaで定義したものと同じであり、は不斉点を表す。前記エステルが、一般式IIIaで表されるアリールエステルであり、一般式IIIbで表される光学活性アルコールを生成することを特徴とする請求項1に記載のエステルの不斉加水分解方法。式IIIa中、R9は、低級アルキル基、ニトロ基で置換されていてもよいアリール基を表し、R10は、水素原子、ハロゲン基、またはアリール基を表し、R11は、低級アルキル基を表す。R12は、低級アルキル基、アダマンチル基で置換されていてもよい低級アシル基、低級アルキル基で置換されていてもよいホスホリル基、または低級アリール基で置換されていてもよいスルホニル基を表し、は不斉点を表し、aは、0~1の整数を表す。式IIIb中、R10、R11、R12、およびaは、上記式IIIaで定義したものと同じである。前記エステルが、一般式IVaで表されるアリールエステルであり、一般式IVbで表される光学活性アルコールを生成することを特徴とする請求項1に記載のエステルの不斉加水分解方法。式IVa中、R13は、低級アシル基を表し、R14は、低級アルキル基を表す。式IVb中、R13およびR14は、上記式IVaで定義したものと同じであり、は不斉点を表す。前記エステルが、一般式Vaで表されるラクトンであり、一般式Vbで表される光学活性ヒドロキシカルボン酸を生成することを特徴とする請求項1に記載のエステルの不斉加水分解方法。式Va中、R15は、低級アルキル基を表し、は不斉点を表し、rは、1~3の整数を表す。式Vb中、R15、、およびrは、上記式Vaで定義したものと同じである。前記エステルが、一般式VIaで表されるアズラクトンであり、一般式VIbで表される光学活性アミノ酸を生成することを特徴とする請求項1に記載のエステルの不斉加水分解方法。式VIa中、R16は、低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基を表し、R17は、低級アルキル基、または低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基を表し、sおよびtは、st=0~2を満たす0以上の整数を表し、は、不斉点を表す。式VIb中、R16、R17、s、tおよびは、上記式VIaで定義したものと同じである。しかし、従来のエステルの不斉加水分解方法は、酵素を用いてエステルを不斉加水分解させるが、酵素反応はミカエリスメンテン式MichaelisMentenkineticsに従うことから、酵素による加水分解速度は、ある基質濃度を越えると殆ど増加しなくなる。このため、酵素反応は、分子触媒に比べて体積当たりの生産効率が著しく低いという課題を有する。さらに、酵素は高価である上に、酵素反応は高希釈条件および緩衝剤の添加を要することから、生産性を下げる要因が多いという課題も有する。酵素以外の触媒を用いる例としては、超分子触媒を用いたニトロフェニルエステルの不斉加水分解反応非特許文献1参照、キラル界面活性触媒反応非特許文献2参照、およびβ-シクロデキストリン触媒反応非特許文献3参照等があるが、いずれも、基質が反応性の高いエステルに限定されることや大過剰量の触媒が必要基質に対して10~100倍の触媒濃度であることにより実用化できるレベルには至っていない。本発明者らは先に、人工触媒であるコバルト錯体を用いたエポキシドの不斉加水分解反応を達成し、非常に実用性が高い技術を実現しているが非特許文献4参照、このような人工触媒を用いたエステルの不斉加水分解方法は、未だに知られていない。本発明の目的は、上記課題を解決するために、人工触媒を用いたエステルの新規の不斉加水分解反応系を確立し、高い立体選択性を有するエステルの不斉加水分解方法を提供することにある。本発明者らは、人工触媒を用いたエステルの不斉加水分解について鋭意研究を重ねた結果、光学活性な四級アンモニウム塩を相間移動触媒として用いることにより、液―液または固―液二相系におけるエステル類の塩基加水分解が高立体選択的に進行することを見出した。かくして、本発明に従えば、上記課題を解決するものとして、下記の式Iaで表される光学活性な四級アンモニウム塩を触媒として、常圧下、-60°C~50°Cの反応温度で、塩基性水溶液または金属水酸化物の存在下、非水溶性溶媒中でエステルを反応させ、光学活性なケトンやヒドロキシカルボン酸およびアミノ酸をはじめとする種々の有用な光学活性体を製造することを特徴とするエステルの不斉加水分解方法を提供する。本発明の四級アンモニウム塩は、次の一般式Iaで表すことができる。上記式Ia中、R1は、水素原子、酸素原子、低級アルキル基、または低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基を表し、R2は、低級アルキル基、低級アシル基、トリフルオロメチル基、もしくはハロゲン基で置換されていてもよいアリール基、N-オキシ-ピリジル基、または低級アルキル基を表し、R3は、水素原子、トリアルキルシリル基で置換されていてもよいアルコキシ基、またはジアルキルホスホリル基もしくはジアリルホスホリル基で置換されていてもよい低級アルコキシ基を表し、R4は、水素原子、アルケニル基、低級アルキル基で置換されていてもよいアミド基、低級アルキル基もしくはトリフルオロメチル基もしくは低級アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基もしくはアダマンチル基で置換されていてもよい低級アシル基、ビスフェニル基で置換されていてもよいチオアミド基、ジメチルアミノ基で置換されていてもよいホスフィンオキシド基、またはカルボキシレート基を表し、R5は、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アリールアルキニル基を表し、R1とR5は、一体となって相互に結合した環状構造であってもよく、X-は、ハロゲン基、ヒドロキシ基、フルオロリン酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン、またはハロゲン基で置換されていてもよいアルコキシドを表し、kは、1~2の整数を表す。上記の四級アンモニウム塩は、天然物または合成物由来のいずれのものも使用することができるが、化学合成の容易性から天然物由来のものを使用することが好ましく、特にシンコナアルカロイド類から合成することが好ましい。シンコナアルカロイド類としては、特に制約は無く、例えば、キニーネ、キニジン、シンコニンおよびシンコニジンを使用することができる。例えば、このうちシンコニジンを使用することで、本発明に係る四級アンモニウム塩である12キノリン4イルメチル5ビニルキヌクリジン1イウムブロミドを以下反応により合成することができる反応の詳細は後述の実施例1に記載する。上記のアリール基とは、単環または多環の芳香族炭化水素から1つの水素原子が脱離した構造を表す。アリール基は、上記式Ia中、R1、R2、R4およびR5に含まれるが、その環の大きさは、特に限定されるものではない。しかしながら、嵩高いアリール基を有する四級アンモニウム塩を用いると、合成の容易性、取り扱い易さなどの観点から利点が少ない。このようなことから、該アリール基を構成する芳香環としては、一般に、5員環または6員環からなる芳香環が6つ以内、好ましくは、3つ以内からなるものが望ましい。また、上記の低級アルキル基、および低級アルコキシ基における低級とは、炭素数1~4、好ましくは、炭素数1~3を有するものを表す。これらの点からR1、R2、R4およびR5によって表される置換されていてもよいアリール基としては、好ましくは、次のものが挙げられる。R1においては、1フェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピリジル基、ビフェニル基、アンスラニル基、テルフェニル基等のアリール基;2トリル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、2,3-ジメチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基、3,6-ジメチルフェニル基、2,3,4-トリメチルフェニル基、2,3,5-トリメチルフェニル基、2,3,6-トリメチルフェニル基、2,4,5-トリメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、3,4,5-トリメチルフェニル基、2-エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、オクチルフェニル基、ブチルフェニル基、t-ブチルフェニル基、n-ブチルフェニル基、3,5-ジtert-ブチルフェニル基、2,4,6-トリtert-ブチルフェニル基、2-メチル-1-ナフチル基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1-ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、1-メチル-2-ナフチル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-ナフチル基、5-メチル-2-ナフチル基、6-メチル-2-ナフチル基、7-メチル-2-ナフチル基、8-メチル-2-ナフチル基、2-エチル-1-ナフチル基、ジtert-ブチルアントラセニル基等の低級アルキル基により置換されたアリール基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。R2においては、1フェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピリジル基、ビフェニル基、アンスラニル基、テルフェニル基、テトラフェニルフェニル基等のアリール基;2トリル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、2,3-ジメチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基、3,6-ジメチルフェニル基、2,3,4-トリメチルフェニル基、2,3,5-トリメチルフェニル基、2,3,6-トリメチルフェニル基、2,4,5-トリメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、3,4,5-トリメチルフェニル基、2-エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、オクチルフェニル基、ブチルフェニル基、t-ブチルフェニル基、n-ブチルフェニル基、3,5-ジtert-ブチルフェニル基、2,4,6-トリtert-ブチルフェニル基、2-メチル-1-ナフチル基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1-ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、1-メチル-2-ナフチル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-ナフチル基、5-メチル-2-ナフチル基、6-メチル-2-ナフチル基、7-メチル-2-ナフチル基、8-メチル-2-ナフチル基、2-エチル-1-ナフチル基、ジtert-ブチルアントラセニル基、9-メチルアントラセニル基等の低級アルキル基により置換されたアリール基等の低級アシル基により置換されたアリール基;ベンゾフェノン基等の低級アシル基により置換されたアリール基;oトリフルオロメチルフェニル基、mトリフルオロメチルフェニル基、pトリフルオロメチルフェニル基、3,5,3,5-トリフルオロメチルテルフェニル基、ジトリフルオロメチルフェニルアントラセニル基、ペンタフルオロフェニルアントラセニル基等のトリフルオロメチル基により置換されたアリール基;ブロモフェニル基、ジブロモフェニル基、トリブロモフェニル基、テトラブロモフェニル基、ペンタブロモフェニル基、ペンタフルオロフェニルアントラセニル基等のハロゲン基により置換されたアリール基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。R4において、アセチル基を置換するアリール基は、1フェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチルフェニル基等のアリール基;2トリル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、2,3-ジメチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基、3,6-ジメチルフェニル基、2,3,4-トリメチルフェニル基、2,3,5-トリメチルフェニル基、2,3,6-トリメチルフェニル基、2,4,5-トリメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、3,4,5-トリメチルフェニル基、2-エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、オクチルフェニル基、ブチルフェニル基、t-ブチルフェニル基、n-ブチルフェニル基、3,5-ジtert-ブチルフェニル基、2,4,6-トリtert-ブチルフェニル基、2-メチル-1-ナフチル基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1-ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、1-メチル-2-ナフチル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-ナフチル基、5-メチル-2-ナフチル基、6-メチル-2-ナフチル基、7-メチル-2-ナフチル基、8-メチル-2-ナフチル基、2-エチル-1-ナフチル基、ジtert-ブチルアントラセニル基等の低級アルキル基により置換されたアリール基;oトリフルオロメチルフェニル基、mトリフルオロメチルフェニル基、pトリフルオロメチルフェニル基等のトリフルオロメチル基により置換されたアリール基;oメトキシフェニル基、mメトキシフェニル基、pメトキシフェニル基、oエトキシフェニル基、mエトキシフェニル基、pエトキシフェニル基等の低級アルコキシ基により置換されたアリール基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。R5において、メチレンジオキシ基を置換するアリール基は、33ビスジフェニル11ビナフチル、22ビスジフェニル11ビナフチル等のビナフチルが挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の四級アンモニウム塩をエステルの不斉加水分解に使用する人工触媒として用いる点から好ましいR1は、tertブチル基、nブチル基、水素原子であり、特に好ましいのは、tertブチル基である。R2は、フェニル基、アントラセニル基が好ましく、特に好ましいのは、アントラセニル基である。R3は、メトキシ基、水素原子が好ましく、特に好ましいのは、水素原子である。また、R4は、pフェニルアセチル基、pトリフルオロメチルフェニルアセチル基、pメトキシフェニルアセチル基、水素原子が好ましく、特に好ましいのは、pフェニルアセチル基、水素原子である。R5は、エチル基、ビニル基、アルキニルフェニル基が好ましく、特に好ましいのは、ビニル基である。なお、本発明の四級アンモニウム塩を表す上記一般式Iにおいて、R1とR5は、一体となって相互に結合した環状構造であってもよく、そのR1とR5が一体となった炭素鎖の炭素数は、好ましくは6~12例えば、炭素数11である。本発明の四級アンモニウム塩を表す上記一般式Iにおいて、Xは、対イオンを構成する陰イオン基を表す。該陰イオン基としては、Xは、ハロゲン基、ヒドロキシ基、フルオロリン酸アニオン、テトラフルオロホウ酸アニオン、またはハロゲン基で置換されていてもよいアルコキシドなどを例示することができる。実用上好ましい陰イオン基の例としては、ハロゲン基であり、このうち特に、臭化物イオン、塩化物イオンが挙げられる。本発明の不斉加水分解方法の対象となるエステルとしては、一般的なカルボン酸エステルに限定されることなく、エノールエステル、アリールエステル、環状エステルが含まれる。環状エステルとしては、環状構造を持つ有機化合物のうち、ラクトンや窒素原子を有するアズラクトンが含まれる。反応条件反応温度としては、-60°C~50°Cの範囲で選定することができ、好ましくは、-20°C~40°Cであり、例えば、常温とすることができる。塩基性水溶液もしくは金属水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウム、リン酸カリウム、炭酸カリウム等の水溶液が挙げられるが、一般には0.5~2当量もしくは体積率50の水酸化カリウム水溶液または炭酸カリウム水溶液が好ましい。特に、エノールエステルの加水分解では、体積率50水酸化カリウム水溶液または1当量の水酸化カリウム水溶液が好ましく、アリールエステルの加水分解では、2当量の炭酸カリウム水溶液が好ましく、ラクトンの加水分解では、1.5当量の水酸化カリウム水溶液が好ましく、ラクトンの加水分解では、0.5当量の水酸化カリウム水溶液が好ましい。また、非水溶性溶媒とは、水と混ざらない水と完全に均一な溶液を形成しない性質の溶媒であることを意味し、例えば、クロロホルム、トルエン、テトラクロロエタン、ジクロロエタン、ジメチルエーテルDME、ジイソプロピルエーテル等があり、有意なエナンチオ選択性が得られる観点から、好ましくは、クロロホルムである。さらに、本反応の立体選択性を向上させる観点から、ハロゲン基で置換されていてもよい低級アルキルアルコールまたは非イオン性界面活性剤を添加することもできる。これらの例としては、例えば、エタノール、2-クロロエタノール、トリトンX-100などが挙げられるが、特に有意な効果を奏する添加剤として、特に2-クロロエタノールが好ましい。このようにして、本発明の四級アンモニウム塩を相間移動触媒として、エステル類の不斉加水分解が行われる。相間移動触媒とは、有機溶媒と水との二相系において、有機溶媒に可溶な有機化合物と水に可溶な化合物主に無機化合物との不均一系反応を可能とするものである。光学活性ケトンの製造方法前記エステルを、一般式IIaで表される2位置換環状ケトンから誘導したエノールエステルとして、一般式IIbで表される光学活性ケトンを製造することができる。反反応条件としては、例えば、本発明の四級アンモニウム塩10molを触媒として用い、水酸化カリウム水溶液50wtの存在下、クロロホルム中、常温常圧で1時間攪拌することにより目的の光学活性ケトンを製造することができる。反応温度としては、-60°C~50°Cの範囲で選定することができ、好ましくは、-40°C~30°Cであり、例えば、常温とすることができる。上記式IIa中、R6は、低級アルキル基、低級シクロアルキル基、またはハロゲン基もしくはトリフルオロメチル基で置換されていてもよいアリール基を表し、R7は、水素原子または低級アルキル基を表し、R8は、ハロゲン基で置換されていてもよい低級アルキル基、トリフルオロメチル基で置換されていてもよいアリール基、または低級アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基を表し、lは0~3の整数を表す。上記式IIb中、R6、R7、およびlは、上記式IIaで定義したものと同じであり、は不斉点を表す。R6は、メチル基、エチル基、プロピル基、nブチル基、tertブチル基等の炭素数1~6の鎖状または分枝状の飽和炭化水素基特に十分な立体選択能を発揮するために、炭素数3以上が好ましい低級アルキル基;シクロペンタン、シクロヘキサン等の炭素数5~7の低級シクロアルキル基;6クロロフェニル基、6クロロフェニル基、6クロロフェニル基等のハロゲン基で置換されたアリール基;6トリフルオロメチルフェニル基、6トリフルオロメチルフェニル基、6トリフルオロメチルフェニル基等のトリフルオロメチル基で置換されたアリール基、特にフェニル基が挙げられる。R7は、水素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1~4の低級アルキル基が挙げられる。R8は、クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基等のハロゲン基で置換されていてもよい炭素数1~4の低級アルキル基;oトリフルオロメチルフェニル基、mトリフルオロメチルフェニル基、pトリフルオロメチルフェニル基等のトリフルオロメチル基で置換されていてもよいアリール基、特にフェニル基;メトキシフェニル基、エトキシフェニル基等の炭素数1~4の低級アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基、特にフェニル基が挙げられる。また、lで示された主環は、5員環から8員環までの大きさの環を使用することができる。光学活性アルコールの製造方法1前記エステルを、一般式IIIaで表されるアリールエステルとして、一般式IIIbで表される光学活性アルコールを製造することができる。反応条件としては、例えば、本発明の四級アンモニウム塩10molを触媒として、1molLの炭酸カリウム水溶液1.5当量の存在下で、クロロホルム中、常温常圧下、1時間攪拌することにより目的の光学活性アルコールを製造することができる。反応温度としては、-60°C~50°Cの範囲で選定することができ、好ましくは、-20°C~40°Cであり、例えば、常温とすることができる。上記式IIIa中、R9は、低級アルキル基、ニトロ基で置換されていてもよいアリール基を表し、R10は、水素原子、ハロゲン基、またはアリール基を表し、R11は、低級アルキル基を表す。R12は、低級アルキル基、アダマンチル基で置換されていてもよい低級アシル基、低級アルキル基で置換されていてもよいホスホリル基、または低級アリール基で置換されていてもよいスルホニル基を表し、は不斉点を表し、aは、0~1の整数を表す。上記式IIIb中、R10、R11、R12、およびaは、上記式IIIaで定義したものと同じである。R9は、メチル基、エチル基、nブチル基、tertブチル基等の炭素数1~4の低級アルキル基;フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ニトロフェニル基、ニトロナフチル基等のニトロ基で置換されていてもよい環数1~3のアリール基が挙げられる。R10は、水素原子;塩素原子、臭素原子等のハロゲン基;フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の環数1~3のアリール基が挙げられる。R11は、エチル基、メチル基、nブチル基、tertブチル基等の炭素数1~4の低級アルキル基を表す。R12は、メチル基、エチル基、nブチル基、tertブチル基等の炭素数1~4の低級アルキル基;アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、アダマンチルアセチル基、アダマンチルピバロイル基、アダマンチルベンゾイル基等のアダマンチル基で置換されていてもよい低級アシル基特にアセチル基、ピバロイル基、チルベンゾイル基;ジメチルホスホリル、ジエチルホスホリル等の炭素数1~4の低級アルキル基で置換されていてもよいホスホリル基;スルホニル基、フェニルスルホニル基、プロピルフェニルスルホニル基、ジプロピルフェニルスルホニル基、トリプロピルフェニルスルホニル基等の低級アリール基特にフェニル基で置換されていてもよいスルホニル基が挙げられる。光学活性アルコールの製造方法2前記エステルを、一般式IVaで表されるアリールエステルとして、一般式IVbで表される光学活性アルコールを生成することができる。反応条件としては、例えば、本発明の四級アンモニウム塩10molを触媒として、1molLの炭酸カリウム水溶液1当量の存在下で、ジイソプロピルエーテル中、常温常圧で1時間攪拌することにより目的の光学活性アルコールを製造することができる。反応温度としては、-60°C~50°Cの範囲で選定することができ、好ましくは、-20°C~40°Cであり、例えば、常温とすることができる。上記式IVa中、R13は、低級アシル基を表し、R14は、低級アルキル基を表す。上記式IVb中、R13およびR14は、上記式IVaで定義したものと同じであり、は不斉点を表す。R13は、アセチル基、ピバロイル基等の低級アシル基が挙げられる。また、R14は、エチル基、メチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1~4の低級アルキル基を表す。ラクトンの製造方法前記エステルを、一般式Vaで表されるラクトンとして、一般式Vbで表される光学活性ヒドロキシカルボン酸と一般式Vaで表される光学活性ラクトンを生成することができる。反応条件としては、例えば、本発明の四級アンモニウム塩10molを触媒として、1molLの水酸化カリウム水溶液1.5当量の存在下、クロロホルム中、常圧0°Cで10分間攪拌することにより、目的の光学活性ヒドロキシカルボン酸および光学活性ラクトンを製造することができる。反応温度としては、-60°C~50°Cの範囲で選定することができ、好ましくは、-20°C~40°Cであり、例えば、0°Cとすることができる。上記式Va中、R15は、低級アルキル基を表し、は不斉点を表し、rは、1~3の整数を表す。上記式Vb中、R15、、およびrは、上記式Vaで定義したものと同じである。R15は、エチル基、メチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1~4の低級アルキル基を挙げることができる。rで表される主環は、4員環~6員環の環を使用することができる。アズラクトンの製造方法前記エステルを、一般式VIaで表されるアズラクトンとして、一般式VIbで表される光学活性アミノ酸を生成することができる。反応条件としては、例えば、本発明の四級アンモニウム塩10molを触媒として、1molLの水酸化カリウム水溶液1.5当量の存在下、クロロホルム中、常圧下、0°Cで10分間攪拌することにより目的の光学活性アミノ酸を合成することができる。反応温度としては、-60°C~50°Cの範囲で選定することができ、好ましくは、-20°C~40°Cであり、例えば、常温とすることができる。上記式VIa中、R16は、低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基を表し、R17は、低級アルキル基、または低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基を表し、sおよびtは、st=0~2を満たす0以上の整数を表し、は、不斉点を表す。上記式VIb中、R16、R17、s、tおよびは、上記式VIaで定義したものと同じである。R16は、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数1~4の低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基特にフェニル基が挙げられる。R17は、メチル基、エチル基、nブチル基、tertブチル基等の炭素数1~4の低級アルキル基;フェニル基、トリル基、キシキル基等の炭素数1~4の低級アルキル基で置換されていてもよいアリール基特にフェニル基が挙げられる。以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお分析は下記装置で実施した。1HNMR、13CNMR:JEOL製ECS400、ECS600、AL400。GC分析:アジレントGC6850シリーズIIアジレントテクノロジー社製HPLC分析:LC2000Plusシリーズ日本分光製旋光性:DIP1000のデジタル偏光計日本分光製クロマトグラフィー用シリカゲル:粒径40-100μm球体シリカゲル60NNMR分析溶剤:CDCl3、CD3OD無水溶媒:ピリジン、CH2Cl2、THF実施例1四級アンモニウム塩の製造12キノリン4イルメチル5ビニルキヌクリジン1イウムブロミドの製造以下の化学反応式に従い、表題の化合物を製造した。各反応毎の結果を以下に記載する。キノリン4イル5ビニルキヌクリジン2イルメタノールの製造シンコニジンをジエチルエーテルに懸濁し、-25°Cに冷却した後、tブチルリチウムを加え、10分間攪拌した。引き続き、反応溶液を室温まで温め、さらに1時間攪拌した。反応の進行をTLCで追跡し、原料の消失を確認した。原料消失後、反応溶液を氷冷しながら酢酸を添加して反応を停止し、続いて酢酸エチルと水を加えたのち、攪拌しながらヨウ素を加えたヨウ素は茶色の発色が持続するまで添加した。その後、混合溶液に飽和次亜硫酸ナトリウム水溶液を加えた。有機相を分離し、水相を酢酸エチルで抽出した。有機相をひとまとめにし、硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。乾燥剤をろ別した後、溶媒を減圧留去して得られた濃縮混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的のアミン704mg、192mmol、64、白色固体を得た。1HNMRδ80779077276373957156649348835334331230027025922922018016515014013CNMRδ16901483147714201304128712591239122611521144724603572434401383302281277214212キノリン4イルメチル5ビニルキヌクリジン1イウムブロマイドの製造キノリン4イル5ビニルキヌクリジン2イルメタノールをCHCl3THFに溶解し、9ブロモメチルアントラセンを加えた。引き続き反応溶液を80oCまで温めながら窒素ガスを吹き込み、溶媒を02mL程度まで留去した。その後、容器の蓋を閉め、80°Cで10分攪拌したのち、該混合物を室温まで冷却した。得られた沈殿物を少量のクロロホルムに溶解し、該溶液をジエチルエーテルに滴下した。得られた沈殿物を濾過し、ジエチルエーテルで洗浄することにより目的の四級アンモニウム塩118mg019mmol95、薄桃色粉末を得た。1HNMRδ88186881680978277076075270163658656650049246645944844039038432931327626623622421421220018716612013CNMRδ1690147514511375133413331323131601315512981297129612921279312788126912521245123912311227118011701163782686662623554519383380292260249218実施例2四級アンモニウム塩の製造1メチル2ヒドロキシメチル5ビニルキヌクリジン1イウムブロマイドの製造以下の化学反応式に従い、表題の化合物を製造した。各反応毎の結果を以下に記載する。11ブロモメチル2345テトラフェニルベンゼンの製造テトラフェニルシクロペンタジエノンのトルエン溶液に、臭化プロパルギルを加えた。反応混合物を110°Cで8時間攪拌後、室温まで冷却した。得られた白色沈殿物をヘキサンで濾過洗浄し、目的の化合物を得た。1HNMRδ76472071169268868668168167767667244013CNMRδ1422141514141409140613981396138713511315131413121303129912771276127012681267126512581256328AnalCalcdforC31H23BrC7832H488FoundC7829H48621メチル2ヒドロキシメチル5ビニルキヌクリジン1イウムブロマイドの製造上記で得られた1ブロモメチル2、3、4、5テトラフェニルベンゼンを、DMFEtOHCHCl3中のキニーネの攪拌溶液に加え、100°Cまで加熱した。2時間後、該混合物を室温に冷却したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー精製することにより、目的の四級アンモニウム塩を得た。1HNMRδ87386779780079577774873171069167164956355255949648440539538537836435535534432830429427621622419819518413112013CNMRδ1587146914451440143614331431141714081396139213861375135613161314131013104131001309130612971281128012761271126812661259125612441214120211581014684649618611554535516485483481479477475472470376263245212HRMSmzcalculatedforC51H47N2O27193632found7193641MBr実施例3その他の四級アンモニウム塩の製造従来から知られた方法により、以下の各種の四級アンモニウム塩を合成した。1HNMRδ0820951521701972082222272282362372462842933313434314424725406156236546676756867327697898008761HNMRδ0781151421451531611751751902002102212402903013053183313403753863944835095216446636707327737978058438731HNMRδ1201291641761791962162252312453043144084604924935035145275386406526747167347607748118358408741HNMRδ1531671932022062122132212782873293403583673773864124265045135715846496666788238288448858928991HNMRδ1241351972022062162702792953033423533553633713813863974044844975455646406746937127317537767868008711HNMRδ1181571691911952102122292813923363423533663773853873954214334985115615737707797807857867908038128911HNMRδ1341391551831972012132162342662793333423433543553643894004374494944995055175625756637497647737948118228921HNMRδ1331462002102112222232342802893353473483574524634774865005295325425725836367577697767847877967978028508608821HNMRδ1191401771892082152162252622713383513613723944054064124234394864965015245535676557547607618028098168901HNMRδ1261392032212222312872993502603793873914024564684754965115155655776426937477737908038238901HNMRδ0781201361421531771942012072232363393583964024034544655235396607377497607727887968048488761HNMRδ1181341511751902012362512522632762903163253674784454624935055625765896607427517697717797837928048118128258588718748868981HNMRδ1631951962052062302352442822933613703803914534644934975605735806417477667717928098278498568898971HNMRδ1041161351461701811992042242372512612832913083183453543583664344965095465576426647297357427517737787808028741HNMRδ1461581811922022092242402632733293393493823894014314404695015105325645756607377407477587617677868008741HNMRδ071093124138156169250259303310316321331335356392401434444732762実施例4不斉加水分解反応光学活性ケトンの製造2プロピルシクロヘキサノンの製造実施例1と同様の方法で製造されたN9アントラセニルメチルシンコニジニウム塩化物のクロロホルムメシチレン溶液に2クロロエタノールと50wtKOH水溶液を添加し、40°Cに冷却した。10分間攪拌した後、2プロピルシクロヘキサ1エン1イル2クロロアセテートを基質として添加した。反応混合物は40°Cで12時間攪拌した。反応後の溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的の光学活性ケトンを得た。1HNMRδ239223123122021219218615614210808713CNMRδ2137506420339317281249204143AnalCalcdforC9H16OC7709H1150FoundC7701H1150αD225335実施例5光学活性ケトンの製造44ジメチル2プロピルシクロヘキサノンの製造44ジメチル2プロピルシクロヘキサ1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、44ジメチル2プロピルシクロヘキサノンを得た。1HNMRδ24423622218015513412211910609908713CNMRδ2141468458402386316312309247203143AnalCalcdforC11H20OC7851H1198FoundC7824H1198αD259266実施例6光学活性ケトンの製造2プロピルシクロヘプタノンの製造2プロピルシクロヘプト1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、2プロピルシクロヘプタノンを得た。1HNMRδ25423418917616814814011708613CNMRδ2168523427346313297285248205142AnalCalcdforC10H18OC7787H1176FoundC7801H1183αD253497実施例7光学活性ケトンの製造2ブチルシクロヘプタノンの製造2ブチルシクロヘプト1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、2ブチルシクロヘプタノンを得た。1HNMRδ25323219017716815013811408613CNMRδ2169525427322313297295285248229141AnalCalcdforC11H20OC7851H1198FoundC7844H1196αD253497実施例8光学活性ケトンの製造2エチルシクロヘキサノンの製造2エチルシクロヘキサ1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、2エチルシクロヘキサノンを得た。1HNMRδ24019019015414412912911508613CNMRδ2136524421335281249225118AnalCalcdforC8H14OC7614H1118FoundC7630H1121αD256361実施例9光学活性ケトンの製造2シクロヘキシルシクロヘキサノンの製造11ビ1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、2シクロヘキシルシクロヘキサノンを得た。1HNMRδ23922922821821120119814513311811608013CNMRδ213856641936131629422937280266265240AnalCalcdforC12H20OC7994H1118FoundC7978H1127αD248461実施例10光学活性ケトンの製造2ベンジルシクロヘプタノンの製造2ベンジルシクロヘプト1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、2ベンジルシクロヘプタノンを得た。1HNMRδ72972272171130628627525424824019017016815413812213CNMRδ21571401129212841261537433380304294287243AnalCalcdforC14H18OC8312H897FoundC8287H888αD267541実施例11光学活性ケトンの製造イソプロピルシクロヘプタノンの製造2イソプロピルシクロヘプト1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、イソプロピルシクロヘプタノンを得た。1HNMRδ72972272171130628627525424824019017016815413812213CNMRδ21571401129212841261537433380304294287243AnalCalcdforC14H18OC8312H897FoundC8287H888αD300955実施例12光学活性ケトンの製造2シクロヘプタノンの製造2シクロヘキサ1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、上記と同様の手順で、2シクロヘプタノンを得た。この光学活性ケトンはバイヤービリガー酸化によりストレプトマイセス属streptomycesから得られる生物活性ラクトンに変換することが可能である。1HNMRδ24023223221821320420419218817917915714213113110808413CNMRδ213850942139133929728127925024922712266AnalCalcdforC12H22OC7906H1216FoundC7903H1212αD244201実施例13光学活性ケトンの製造上記実施例4において反応条件を、触媒10mol、2クロロエタノール05当量、クロロホルム:メシチレン=2:1、50wt水酸化カリウム水溶液有機溶媒の12体積量-40°Cとして、2プロピルシクロヘキサ1エン1イル2クロロアセテートを基質として用い、以下に示す本発明の複数の触媒で実施した。各触媒における収率と鏡像体過剰率の結果を示す。実施例14光学活性ケトンの製造上記実施例12において反応条件を、触媒10mol、2クロロエタノール1当量、クロロホルム:メシチレン=2:1、50wt水酸化カリウム水溶液有機溶媒の12体積量-40°C、反応時間24時間として、以下に示す複数の基質11ビ1エン1イル2クロロアセテート、2oトリフルオロベンジルシクロヘプト1エン1イル2クロロアセテート、2oクロロベンジルシクロヘプト1エン1イル2クロロアセテート、2プロピルシクロペンタ1エン1イル2クロロアセテート、2プロピルシクロオクタ1エン1イル2クロロアセテートで光学活性ケトンを製造した。各基質における収率と鏡像体過剰率の結果を示す。実施例15以下に示す本発明の複数の触媒を用い、実施例4と同様に、2プロピルシクロヘキサ1エン1イル2クロロアセテートを基質として、2プロピルシクロヘキサノンを製造した。触媒番号1~22は、触媒10mol、1.5当量の水酸化カリウム水溶液、クロロホルム下の常温で反応させた。触媒番号27~37は、触媒10mol、1当量の2-クロロエタノール水溶液、クロロホルム:50wt水酸化カリウム水溶液、40°Cで反応させた。各触媒における鏡像体過剰率の結果を示す。実施例16光学活性ケトンの製造上記実施例12において反応条件を、上記実施例14の触媒を用いて、触媒10mol、塩基1.5当量、安定剤含有のクロロホルムwako製を用いて、常温で反応させ、以下の各基質に対して実施して光学活性ケトンを得た。各基質および反応条件における光学活性ケトンの収率と鏡像体過剰率の結果を示す。なお、クロロホルムに添加されているエタノールは、本反応の立体選択性に有意な効果をもたらしていると推察される。実施例17光学活性アルコールおよびエステルの製造1上記で得られた触媒12キノリン4イルメチル5ビニルキヌクリジン1イウムブロミドと1N炭酸カリウム水溶液の混合物を、20°Cで攪拌した。20分後、rac2アセトキシ11ビナフタレン2イルピバレイトを加え、該混合物を同温度で攪拌した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーを実施し、2ヒドロキシ11ビナフタレン2イルピバレイト、2アセトキシ11ビナフタレン2イルピバレイトを生成した。HPLC分析CHIRALPAKADH、ヘキサン2プロパノール201流速10mL分、25°C回収基質tmajor79mintminor174min生成物tmajor106mintminor165min生成物αD255351回収基質αD245363回収基質:2アセトキシ11ビナフタレン2イルピバレイト1HNMRδ07617972073273774879079279679813CNMRδ207265388121912201236123712571258126112621268128012811294129513151316133413351469147016921766elementalanalysiscalcdforC27H24O4C7862H586foundC7860H586生成物2ヒドロキシ11ビナフタレン2イルピバレイト1HNMRδ80679778778175073972872672170551407813CNMRδ177915181484133713361323130813041291128412801275126712631257124612361231121911831143388265elementalanalysiscalcdforC25H22O3C8106H599foundC8111H599実施例18上記実施例17と同様の手順で、以下に示す本発明の複数の触媒で2ヒドロキシ11ビナフタレン2イルピバレイトを製造した。各触媒、ならびに各触媒における収率と鏡像体過剰率の結果を示す。上記一覧の触媒において、触媒1を用いた場合に比べて、選択性は触媒3を用いた場合は向上し、触媒8を用いた場合は低下した。このことから、選択性の観点から、電子供与性よりも電子求引性の置換基を持つ触媒のほう好ましく、特に触媒6が好ましい。実施例19上記実施例17と同様の手順で、以下に示す触媒ならびに複数の基質で光学活性アルコールを製造した。触媒、ならびに各基質における収率と鏡像体過剰率の結果を示す。実施例20光学活性アルコールの製造2光学活性アルコールの製造1と同様の手順で、以下に示す触媒で光学活性アルコールの製造を実施した。触媒、ならびに各基質における収率と鏡像体過剰率の結果を示す。実施例21光学活性ヒドロキシカルボン酸の製造光学活性アルコールの製造1と同様の手順で、以下に示す触媒で光学活性ヒドロキシカルボン酸の製造を実施した。4メチル2オキセタノンを基質とし、触媒、ならびに収率と鏡像体過剰率の結果を示す。上記の反応条件については、-20°Cから40°Cで行うことが好ましく、より好ましくは、0°C以下であり、冷却コストの観点から、特に0°Cが好ましい。また、塩基については、特に制限は無いが、例えば、1.5当量の水酸化カリウムを使用することができる。溶媒については、ジクロロメタン、12ジクロロエタン、ベンゾニトリル、クロロホルム等の一般的な溶媒を使用することができるが、取扱い易さの観点から、このうちクロロホルムが好ましい。また、反応性選択性の向上を図るために、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の種々のアルコール類を添加することもできる。実施例22光学活性Nベンゾイルアミノ酸の製造光学活性アルコールの製造1と同様の手順で、以下に示す光学活性な四級アンモニウム塩を触媒として用い、以下反応により光学活性N-ベンゾイルアミノ酸の製造を実施した。触媒、ならびに各基質における収率と鏡像体過剰率の結果を示す。なお、生成物の鏡像体過剰率は、N-ベンゾイルカルボン酸をメチルエステル化した後のHPLC分析により決定した。なお、上記のアリールエステルおよびラクトンの不斉加水分解の場合では、光学的に純粋な生成物と基質とが同時に得られている。すなわち、これらの反応によって、速度論的光学分割を行うことができる例えば、ラセミ体エステルを光学分割した場合には、光学活性なエステルおよびアルコールもしくはカルボン酸が得られる。"