"基板と、上面、該上面の裏面に相当する下面および側面を有し、前記基板上に設けられた複数の電極と、該電極上に設けられた光吸収層とを備え、複数の前記電極は、前記側面同士が対向するように並んで設けられているとともに、対向する前記側面同士の間隙が前記光吸収層の一部で埋まっており、前記電極の対向する前記側面同士は、前記上面側における間隔が前記下面側における間隔よりも狭くなっている、光電変換装置。隣り合う前記電極において対向するそれぞれの前記側面は、前記下面側から前記上面側にかけて相手側に近づくように傾斜している、請求項1に記載の光電変換装置。前記電極は、前記上面の前記間隙側の部位に、上方に向かって突出する突出部を有している、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記突出部は、ガラスを含有している、請求項3に記載の光電変換装置。前記電極の前記上面および前記側面は、曲面を介して連続している、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。特許文献1で開示された光電変換装置では、隣り合う下部電極同士の間隔が上部電極側から基板側に向かって狭くなっている。そのため、このような光電変換装置では、外力等によって基板に反りが生じた場合、下部電極間に位置する半導体膜が基板から剥離する可能性があった。そこで、上述したような半導体膜の剥離が生じにくく、信頼性の高い光電変換装置が望まれている。本発明の一の実施形態に係る光電変換装置は、基板と、上面、該上面の裏面に相当する下面および側面を有し、前記基板上に設けられた複数の電極と、該電極上に設けられた光吸収層とを備えている。本実施形態において、複数の前記電極は、前記側面同士が対向するように並んで設けられているとともに、対向する前記側面同士の間隙が前記光吸収層の一部で埋まっている。そして、本実施形態において、前記電極の対向する前記側面同士は、前記上面側における間隔が前記下面側における間隔よりも狭くなっている。本発明の一の実施形態に係る光電変換装置によれば、電極の下面側における電極の側面同士の間隔よりも電極の上面側の部位の間隔を狭くすることによって、対向する電極の側面同士の間隙に埋まっている光吸収層が剥離しにくくなる。これにより、本実施形態では、光吸収層の基板からの剥離が低減されるため、光電変換装置の信頼性が向上する。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図1から図4には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の概略構成><光電変換装置の概略構成>光電変換装置20は、図1または図2に示すように、基板1と、該基板1の一主面上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。隣り合う光電変換セル10は分離溝部P3によって分離されている。すなわち、光電変換装置20では、所定の配列方向本実施形態ではX方向に沿って、分離溝部P3を介して複数の光電変換セル10が基板1の一主面上に配列されている。図1では、図示の都合上、分離溝部P1が上面透視されており、点線で示されている。また、図1では、3つの光電変換セル10の一部のみが示されている。但し、光電変換装置20には、図面の左右方向に、多数例えば、8個の光電変換セル10が平面的に二次元的に配列されていても良い。そして、例えば、光電変換装置20のX軸方向の両端部に、発電による電圧および電流を得るための電極が設けられ得る。なお、光電変換装置20には、例えば、多数の光電変換セル10がマトリックス状に配置されていても良い。また、例えば、各光電変換セル10の上面の形状が概ね長方形であり、光電変換装置20の上面の形状が概ね正方形である態様が採用され得る。なお、各光電変換セル10の上面の形状は概ね長方形である必要はなく、その他の形状であっても良い。また、光電変換装置20の上面の形状は概ね正方形である必要はなく、その他の形状であっても良い。但し、光電変換装置20では、多数の光電変換セル10が高密度に平面的に配置されていれば、変換効率が向上する。変換効率は、光電変換装置20において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示す。例えば、変換効率は、光電変換装置20から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置20に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出され得る。<光電変換セルの基本的な構成>各光電変換セル10は、電極以下、下部電極2とする、光電変換層3および上部電極45を備えている。また、各光電変換セル10には、分離溝部P1および分離溝部P2が設けられている。そして、光電変換装置20では、上部電極45が設けられた側の主面が受光面となっている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、および金属等が挙げられる。ここでは、基板1が、1mm以上で且つ3mm以下程度の厚さを有する青板ガラスソーダライムガラスであるものとする。下部電極2は、基板1のZ側の一主面の上に設けられた導電層である。下部電極2は、図2に示すように、上面2a、該上面2aの裏面に相当する下面2bおよび側面2cを有している。下部電極2に含まれる主な材料には、例えば、モリブデン、アルミニウム、チタン、タンタル、および金等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極2の厚さは、例えば、0.2μm以上で且つ1μm以下程度である。下部電極2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成され得る。光電変換層3は、下部電極2の上に設けられており、順に積層された光吸収層31とバッファ層32とを有している。光吸収層31およびバッファ層32は、主に半導体を含む層であるため、光電変換層3は、主に半導体を含む層半導体層とも言うである。光吸収層31は、下部電極2のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられており、第1導電型ここではp型の導電型を有する半導体を主に含む。光吸収層31の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度である。また、光吸収層31は、例えば、I-III-VI族化合物半導体を主として含む。これにより、光吸収層31の薄層化が可能となり、少ない材料で安価に変換効率が高められ得る。I-III-VI族化合物半導体は、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。ここで、I-III-VI族化合物としては、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2二セレン化銅インジウム、CISとも言う、CuIn,GaSe2二セレン化銅インジウムガリウム、CIGSとも言う、およびCuIn,GaSe,S2二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、CIGSSとも言う等の材料が採用され得る。ここでは、光吸収層31が、CIGSを主に含むものとする。なお、光吸収層31は、例えば、二セレンイオウ化銅インジウムガリウムを主に含む薄膜を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体の薄膜であっても良い。また、光吸収層31は、例えば、II-VI族化合物半導体を主に含んでいても良い。II-VI族化合物半導体は、II-VI族化合物を主に含む半導体である。II-VI族化合物は、II-B族12族元素ともいうとVI-B族元素とを主に含む化合物である。但し、光吸収層31が、I-III-VI化合物半導体を主に含んでいれば、光電変換層3における光電変換の効率光電変換効率とも言うが高められ得る。また、光吸収層31は、例えば、銅Cu、亜鉛Zn、錫Snおよび硫黄Sを含む、CZTS系のものであってもよい。このようなCZTS系化合物半導体は、例えば、Cu2ZnSnS4が挙げられる。CZTS系化合物半導体は、IIIIVI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。光吸収層31は、スパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成され得る。また、光吸収層31は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層31に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極2の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。この塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスが用いられることで、光電変換装置20の製造にかかるコストが低減され得る。バッファ層32は、光吸収層31のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられており、光吸収層31の第1導電型とは異なる第2導電型ここではn型の導電型を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。また、光吸収層31の導電型がn型であり、バッファ層32の導電型がp型であっても良い。ここでは、光吸収層31とバッファ層32との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル10では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層31とバッファ層32とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、硫化カドミウムCdS、硫化インジウムIn2S3、硫化亜鉛ZnS、酸化亜鉛ZnO、セレン化インジウムIn2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が採用され得る。そして、バッファ層32が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が抑制され得る。なお、バッファ層32は、例えば、ケミカルバスデポジションCBD法等によって形成され得る。また、バッファ層32は、光吸収層31の一主面の法線方向に厚さを有する。この厚さは、例えば、10~200nm以下に設定される。バッファ層32の厚さが100~200nm以下であれば、バッファ層32の上に透光性導電層4がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層32においてダメージが生じ難くなる。上部電極45は、バッファ層32のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている。この上部電極45は、透光性導電層4とグリッド電極部5とを備えている。透光性導電層4は、バッファ層32の一主面の上に設けられており、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。この透光性導電層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極取出電極とも言うとなる。透光性導電層4は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。透光性導電層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電層とが含まれても良い。透光性導電層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、酸化亜鉛ZnO、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウムITO、および酸化錫SnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウムおよびフッ素のうちの何れか1つの元素等が含まれたものであれば良い。透光性導電層4は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。透光性導電層4の厚さは、例えば、0.05~3μm以下であれば良い。ここで、透光性導電層4が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層32および透光性導電層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が抑制され得る。また、透光性導電層4の厚さが0.05~0.5μm以下であれば、透光性導電層4における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、透光性導電層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、透光性導電層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。グリッド電極部5は、透光性導電層4のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている線状の電極部線状電極部とも言うである。グリッド電極部5は、複数の集電部5aと連結部5bと垂下部5cとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間しており、各集電部5aがX軸方向に延在している。連結部5bは、Y軸方向に設けられており、各集電部5aが接続されている。垂下部5cは、連結部5bの下部に接続され、分離溝部P2を通って隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極2に接続する。集電部5aは、光電変換層3において発生して透光性導電層4において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電部5aが設けられることで、透光性導電層4における導電性が補われるため、透光性導電層4の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、透光性導電層4における光透過性の向上とが両立し得る。なお、グリッド電極部5が、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換装置20における変換効率が向上し得る。また、グリッド電極部5に含まれる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル等であっても良い。透光性導電層4および複数の集電部5aによって集電された電荷は、連結部5bと垂下部5cとを通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。これにより、光電変換装置20においては、隣り合う光電変換セル10が電気的に直列に接続されている。具体的には、一方の光電変換セル10の上部電極45の集電部5aと電気的に接続された垂下部5cと、他方の光電変換セル10の下部電極2とが電気的に接続されることで直列に接続されている。また、集電部5aの幅が50~400μm以下であれば、隣接する光電変換セル10の間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層31への光の入射量の低下が抑制され得る。1つの光電変換セル10に設けられる複数の集電部5aの間隔は、例えば、2.5mm程度であれば良い。<分離溝部の配置とその役割>分離溝部P1は、Y軸方向に直線状に延在している。この分離溝部P1が1以上設けられることで、複数の下部電極2がX軸方向に並ぶようになる。このとき、複数の下部電極2は、間隙となる分離溝部P1を介して側面2c同士が対向するように並んでいる。なお、図2では、3つの下部電極2下部電極2A、下部電極2Bおよび下部電極2Cが示されている。分離溝部P1には、直上に設けられた光吸収層31の一部である延在部分が埋入している。これにより、隣り合う一方の光電変換セル10の下部電極2と、他方の光電変換セル10の下部電極2との間が、電気的に分離されている。そして、本実施形態において、下部電極2の上面2a側における間隔S1は、下部電極2の下面2b側における間隔S2よりも狭くなっている。換言すれば、光電変換装置を図2のように断面視して、上部電極45側Z方向側における分離溝部P1の幅が、基板1側ーZ方向側における分離溝部P1の幅よりも小さくなっている。これにより、対向する下部電極2の側面2c同士の間隙分離溝部P1に埋まっている光吸収層31が剥離しにくくなる。それゆえ、本実施形態では、光吸収層の基板からの剥離が低減されるため、光電変換装置の信頼性が向上する。分離溝部P1の幅は、例えば、グリッド電極部5の幅と同程度の50~400μm以下程度であれば良い。このとき、上面2a側の間隔S1は、下面2a側の間隔S2よりも0.01~0.5μm程度小さければよい。これにより、光吸収層31の一部を分離溝部P1に入り込ませつつ、下部電極2の側面2cで光吸収層31の基板1からの剥離をより低減できる。このように、上面2a側の間隔S1および下面2a側の間隔S2の大きさを変える場合は、例えば、隣り合う下部電極2において対向する側面2cの断面形状を変えればよい。具体的には、図2に示すように、下部電極2を断面視して、上面2aと側面2cとの成す角度を変えればよい。例えば、図2の下部電極2Aと下部電極2Bにおいて、下部電極2Aの上記角度は直角であり、下部電極2Bの上記角度は鋭角である。これにより、下部電極2Bの側面2cと基板1の表面との間に埋まった光吸収層31の一部が下部電極2Bの側面2cで保持される。それゆえ、光吸収層31が下部電極2で保持されるようになるため、基板1からの剥離が低減される。また、隣り合う下部電極2において対向するそれぞれの側面2cは、下部電極2の下面2b側から下部電極2の上面2a側にかけて相手側に近づくように傾斜するようにしてもよい。例えば、図2において、下部電極2Bの側面2cは、下部電極2Bの下面2b側から下部電極2Bの上面2a側にかけて下部電極2C側に近づくように傾斜している。一方で、下部電極2Cの側面2cは、下部電極2Cの下面2b側から下部電極2Cの上面2a側にかけて下部電極2B側に近づくように傾斜している。これにより、下部電極2Bの側面2cおよび下部電極2Cの側面2cの両方で分離溝部P1に埋まった吸収層31を保持することができるため、より光吸収層31の剥離が低減される。なお、側面2cの傾斜角度、すなわち、下部電極2を断面視して上面2aと側面2cの成す角度は、例えば、1~60度であればよい。分離溝部P2は、透光性導電層4の一主面から下部電極2の上面に至るまで設けられており、Y軸方向に直線状に延在している。このため、分離溝部P2は、光電変換層3と透光性導電層4とが積層された積層部をX軸方向に分離している。すなわち、分離溝部P2は、光電変換層3を基板1の一主面に垂直な方向に貫通するように設けられる。分離溝部P3は、光電変換セル10の上面から下部電極2の上面に至るまで設けられており、Y軸方向に延在している。分離溝部P3の幅は、例えば、40~1000μm以下程度であれば良い。受光面の上方ここではZ側から光電変換装置20を平面透視した場合、分離溝部P1と分離溝部P3との間に分離溝部P2が設けられている。換言すれば、X方向に、分離溝部P1と分離溝部P2と分離溝部P3とがこの順に設けられている。また、各光電変換セル10では、下部電極2の上から分離溝部P1を越えて、隣の下部電極2の上に至るまで光電変換層3が設けられている。ここで、隣の下部電極2は、隣の光電変換セル10から延伸している下部電極2である。そして、受光面の上方ここではZ側から光電変換装置20を平面透視した場合、光電変換装置20には、分離溝部P1および分離溝部P2を包含して、分離溝部P1と分離溝部P2とに挟まれた領域接続用領域とも言うと、分離溝部P2と分離溝部P3とに挟まれた領域と、残余の領域とがある。そして、この残余の領域が、発電に寄与する領域発電寄与領域とも言うとなる。<光電変換装置の製造プロセス>ここで、上記構成を有する光電変換装置20の製造プロセスの一例について説明する。以下では、I-III-VI族化合物半導体を主に含む光吸収層31が塗布法あるいは印刷法が用いられて形成され、さらにバッファ層32が形成される場合を例として説明する。<下部電極2の形成>まず、洗浄された基板1の一主面の略全面に、スパッタリング法が用いられて、Mo等を主に含む下部電極2が形成される。このとき、スパッタリング法による圧力は、3~4Paである。また、下部電極2の厚みは、0.2~0.3μmである。<分離溝部P1の形成>次に、下部電極2の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、直線状の分離溝部P1が形成される。分離溝部P1は、例えば、YAGレーザーが走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。具体的には、まず、分離溝部P1の形成対象位置となる下部電極2の表面に焦点を合わせてYAGレーザーを照射して、上下方向Z方向に略平行な側面を有する溝部を形成する。次いで、YAGレーザーの焦点を基板1側における溝部内に調整した後、YAGレーザーを照射する。これにより、溝部の基板1側の側面にレーザー光による熱が集中するため、下面2b側における下部電極2の側面2cが除去される。その結果、間隔S1よりも間隔S2が大きい分離溝部P1を形成できる。また、分離溝部P1は、エッチングでも形成できる。具体的に、まず、分離溝部P1の形成対象位置を除く部位にマスクを設ける。次いで、CF4、SF6等を含むガスでもってドライエッチングをする。このとき、下部電極2を上下方向に貫通する溝が形成された後、さらにエッチングを継続すれば、下面2b側の下部電極2がエッチングされるようになる。これにより、間隔S1よりも間隔S2が大きい分離溝部P1を形成できる。<光電変換層3の形成>次に、下部電極2の上に、光吸収層31とバッファ層32とが順次に形成されることで、光電変換層3が形成される。ここで、光吸収層31は、所定の溶液が、下部電極2の表面に塗布された後に、乾燥および熱処理が順に施されることで形成され得る。所定の溶液は、例えば、カルコゲン元素含有有機化合物と塩基性有機溶剤とを含む溶媒混合溶媒とも言うに、I-B族金属とIII-B族金属とが直接溶かされることで作製され得る。所定の溶液では、例えば、I-B族金属とIII-B族金属との合計濃度が10wt以上となり得る。所定の溶液を塗布する方法としては、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーおよびダイコータ等の種々の手法が採用され得る。なお、カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物である。カルコゲン元素は、VI-B族元素のうちの硫黄、セレン、テルルである。カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニドおよびジセレニド等が採用され得る。ここでは、例えば、光吸収層31の一形成方法として、主に下記工程~が順に行われる形成方法が採用され得る。ベンゼンセレノールが、ピリジンに対し100molとなるように溶解させられて混合溶媒が作製される。この混合溶媒に、地金の銅、地金のインジウム、地金のガリウム、および地金のセレンが直接溶解させられて溶液が作製される。この溶液が、下部電極2の表面にブレード法によって塗布された後に、乾燥されて皮膜が形成され、この皮膜に対して水素ガスの雰囲気下で熱処理が施される。なお、金属が混合溶媒に直接溶解させられる処理は、単体金属または合金の地金が、直接、混合溶媒に混入され、溶解させられる処理のことである。乾燥は、例えば、還元雰囲気下で行われれば良い。乾燥温度は、例えば、50~300°C以下であれば良い。熱処理が還元雰囲気で行われれば、皮膜の酸化が低減されて良好なI-III-VI族化合物半導体が得られる。還元雰囲気は、例えば、窒素雰囲気、水素雰囲気および水素と窒素またはアルゴンの混合気体の雰囲気のうち何れかであれば良い。熱処理温度は、例えば、400~600°C以下であれば良い。バッファ層32は、ケミカルバスデポジション法CBD法によって形成される。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31の形成までが行われた基板1が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。<透光性導電層4の形成>次に、光電変換層3の上に透光性導電層4が形成される。透光性導電層4は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成され得る。例えば、バッファ層32の上に、アルミニウムが添加された酸化亜鉛を主に含む透明な透光性導電層4が形成される。<分離溝部P2の形成>次に、透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極2の上面に至る領域に、分離溝部P2が形成される。分離溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングによって形成され得る。なお、分離溝部P2は、分離溝部P1と同様に、レーザー光によって形成されても良い。<グリッド電極部5の形成>次に、分離溝部P2が形成された透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から分離溝部P2の内部にかけてグリッド電極部5が形成される。グリッド電極部5は、例えば、銀等の金属粉が樹脂製のバインダー等に分散させられた金属ペーストが集電部5aおよび連結部5bを有するように印刷され、印刷後の金属ペーストが乾燥によって固化されることで形成され得る。このとき、分離溝部P2にも金属ペーストが入り込み、乾燥によって固化されることでグリッド電極部5の垂下部5cが形成される。ここで言う固化には、金属ペーストに含まれるバインダーが熱可塑性樹脂である場合における熔融後の固化と、バインダーが熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合における硬化による固化とが含まれる。金属ペーストとしては、銀の含有率が85~98wt以下であり、樹脂成分の含有率が2~15wt以下であるものが採用され得る。例えば、金属ペーストにおける銀の含有率が88~92wt以下であれば、印刷に適した粘性と良好な導電性とが得られる。<分離溝部P3の形成>グリッド電極部5が形成された後、透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極2の上面に至る領域に、分離溝部P3が形成される。これにより、図1および図2で示された光電変換装置20が得られる。分離溝部P3は、分離溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングによって形成され得る。このとき、グリッド電極部5の端部が若干削られても良い。<変形例>次に、本発明の他の実施形態について説明する。下部電極2は、図3に示すように、下部電極2の上面2aの分離溝部P1間隙側の部位に、上方Z方向に向かって突出する突出部6を有していてもよい。これにより、分離溝部P1に入射し得る光の一部を突出部6において反射させやすくなるため、光吸収層31に再入射させることができる。それゆえ、光電変換効率が高まる。この突出部6の大きさは、例えば、Z方向の大きさ高さが0.1~1μm、X方向の大きさ幅が0.2~3μmであればよい。この突出部6は、図3に示すように、頂面が曲面状であってもよい。これにより、上述した光の反射効果をより高めつつ、突出部6の角部に集中し得る応力を緩和することができる。また、突出部6は、下部電極2Aおよび下部電極2Bの一方側ーX方向側の側面2c近傍のように、下部電極2と一体的に形成されていてもよい。このような突出部6は、例えば、該突出部6の形成対象位置となる下部電極2上にマスクを設けた後、硝酸等でエッチングを行なうことで得られる。この方法であれば、マスクを設けた部位以外の下部電極2の表面がエッチングで部分的に除去されるため、マスクを設けた部位に突出部6が設けられることとなる。一方で、突出部6は、下部電極2Cおよび下部電極2Bの他方側X方向側の側面2c近傍のように、下部電極2と別の部材で形成されていてもよい。このような突出部6は、例えば、ガラスを含有していてもよい。これにより、下部電極2がモリブデンで構成されている場合、下部電極2よりも突出部6の剛性を弱めることができるため、突出部6に応力が集中しても下部電極2と一体構造の場合に比べて応力を緩和しやすい。このような突出部6は、例えば、突出部6の形成対象位置となる下部電極2上にガラス材料を塗布法またはスパッタリング法で設けた後、熱処理して硬化させることで得られる。上記ガラス材料としては、例えば、ソーダライムガラスまたは石英ガラス等が挙げられる。また、図4に示すように、下部電極2の上面2aおよび側面2cは、曲面2dを介して連続していてもよい。これにより、上面2aと側面2cとの境界部に集中する応力を緩和することができる。そのゆえ、上記境界部の近傍で生じ得るクラック等の発生を低減できるため、光電変換装置20の信頼性が向上する。このような曲面2dを有する下部電極2は、例えば、レーザー等で分離溝部P1の形成した後に、該分離溝部P1の近傍を硝酸等でエッチングすればよい。また、この曲面2dの曲率半径は、0.1~2μmであればよい。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。"