波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、基板と、前記基板上部の一部に形成された犠牲膜と、前記基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜とを有し、前記基板は石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、前記犠牲膜はシリコンSiを主成分とした酸化膜SiOもしくは窒化膜SiN又は、Al膜で形成され、前記多層反射膜は前記基板上にモリブデンMoと珪素Siを材料とし、交互に複数積層した多層構造で形成され、前記吸収膜は、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料が積層され、最上層がタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物または珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料が積層されて形成された積層構造である、反射型マスクブランク。前記反射型マスクブランクは、前記多層反射膜と前記吸収膜との間に形成され、前記多層反射膜を保護する保護膜をさらに有し、前記保護膜は、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料が積層され、最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物または珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料が積層されて形成された積層構造である、請求項1に記載の反射型マスクブランク。前記反射型マスクブランクは、前記基板の多層反射膜とは反対側の面上に、導電膜をさらに有し、前記導電膜はクロムCrまたはタンタルTaのいずれかもしくはクロムCrまたはタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成される、請求項1または2に記載の反射型マスクブランク。請求項1~3の何れかに記載の反射型マスクブランクの前記吸収膜の一部に回路パターンを形成し、当該回路パターンの領域外の一部に、前記吸収膜と前記多層反射膜と前記犠牲膜とを選択的に除去した枠状の領域を設けることで形成した、反射型マスク。しかしながら、マスクパターン作製後の多層反射膜の掘り込みはSiとMoを交互に設けて一組の層としたとき、40層を加工する必要があり、上層の吸収膜を除去した後に、多層反射膜を除去することから、多層反射膜が僅か数層残留した場合は、逆に反射率を高くすることが懸念される。また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射膜以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射膜以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収膜の露光光源波長の吸収率の低下が懸念される。そこで、本発明は遮光枠の形成において、多層反射膜の掘り込みの際、遮光枠の両側それぞれをドライエッチングした後、掘り込み溝にウェットエッチング液を満たすことで多層反射膜の下層の犠牲膜を削り、その上層の多層反射膜から吸収膜までをリフトオフさせることにより、多層反射膜を残留させることなく、且つ容易に、高い遮光性を有する反射型マスクを製造する方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、基板と、基板上部の一部に形成された犠牲膜と、基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜とを有し、基板は石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、犠牲膜はシリコンSiを主成分とした酸化膜SiOもしくは窒化膜SiN又は、Al膜で形成され、多層反射膜は基板上にモリブデンMoと珪素Siを材料とし、交互に複数積層した多層構造で形成され、吸収膜は、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料が積層され、最上層がタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物または珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料が積層されて形成された積層構造である。また、反射型マスクブランクは、多層反射膜と吸収膜との間に形成され、多層反射膜を保護する保護膜をさらに有し、保護膜は、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料が積層され、最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物または珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料が積層されて形成された積層構造であることが好ましい。また、反射型マスクブランクは、基板の多層反射膜とは反対側の面上に、導電膜をさらに有し、導電膜はクロムCrまたはタンタルTaのいずれかもしくはクロムCrまたはタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成されることが好ましい。また、本発明は、上述の反射型マスクブランクの吸収膜の一部に回路パターンを形成し、当該回路パターンの領域外の一部に、吸収膜と多層反射膜と犠牲膜とを選択的に除去した枠状の領域を設けることで形成した、反射型マスクにも向けられている。本発明によれば、遮光枠の形成において、多層反射膜の掘り込みの際、遮光枠の両側それぞれをドライエッチングした後、掘り込み溝にウェットエッチング液を満たすことで多層反射膜の下層の犠牲膜を除去し、その上層の多層反射膜から吸収膜までをリフトオフさせることにより、多層反射膜を残留させることなく、且つ容易に、高い遮光性を有する反射型マスクを提供することが可能となる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。先ず、本発明のマスクブランクについて説明する。図1aは反射型マスクブランクス10の断面図であり、より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。このEUV光の波長は、例えば13.5nmである。基板11上部の一部に犠牲膜12と、基板一面上に、多層反射膜13、保護膜14、吸収膜15を形成する。吸収膜15は吸収膜単層15a図1aもしくは吸収膜積層15b図1bである。基板11の多層反射膜13とは反対面側には裏面導電膜16を形成する。犠牲膜12は遮光枠領域Aをエッチングして溝を形成した後、公知のプラズマCVDやスパッタリング法、イオンプレーティング法を用いて蒸着させることにより形成する。多層反射膜13、保護膜14、吸収膜15、裏面導電膜16は公知のスパッタリング法を用いることができる。各構成の一例として、以下を挙げることができる。これらはマスクブランクまたはマスクに所望の性能性質を与えるために公知の材料や技術を用いて適宜変更することができる。基板11は石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成することができる。この他に合成石英やシリコンや金属などを使用することができる。基板11は、低熱膨張の材料を使用することが好ましい。以下の各膜層は、上述したように公知の蒸着方法を使用して形成することができる。犠牲膜12はシリコンSiを主成分とした酸化膜SiOもしくは窒化膜SiN又は、アルミニウムAl膜で形成することができる。犠牲膜12は、基板の遮光枠領域とする任意の場所に、予め基板をNaOHやCsOH、HF、KOHなどのウェットエッチングや、フッ素系ガスを用いたガスプラズマによるドライエッチングによってエッチングしておき、そこに上記材料を用いて犠牲膜を形成することができる。犠牲膜12の膜厚が1nmよりも薄い場合においては、成膜が困難となる可能性があるため好ましくない。また、1.5μmよりも厚い場合は、リフトオフに時間を要することとなるため、スループットの観点から好ましくない。そのため、犠牲膜12の膜厚は、1nm~1.5μmとすることが好ましい。多層反射膜13は基板上にモリブデンMoと珪素Siを材料とし、交互に複数積層した多層構造で形成することができる。保護膜14は単層構造もしくは積層構造とすることができ、多層反射膜上に形成され、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成することができる。保護膜14を積層構造とする場合は、上記の単層構造の上に、最上層としてルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成することができる。また、単層構造と異なる組成の物質を用いる単層がSi窒化物であれば、最上層はSi酸化物などことで積層構造とすることができる。吸収膜15は、単層構造15aもしくは積層構造15bとなっており、保護膜上に形成され、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成することができる。裏面導電膜16は、多層反射膜13とは反対の基板面に、クロムCrまたはタンタルTaのいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成することができる。裏面導電膜16は、マスクブランクやマスクを固定するためにチャッキングを行う場合に使用することができる。その他の固定方法を用いる場合は、必ずしも裏面導電膜を形成しなくても良い。上記のようなマスクブランクとすることで、次のようにマスク形成を行なって、遮光枠を形成することができる。次に、本発明のマスクの製造方法について説明する。図2は、図1で示した反射型マスクブランクス10を用いた露光用反射型マスクである。回路パターンCの外側に吸収膜15、保護膜14及び、多層反射膜13の一部に遮光枠領域Bを形成した構造である。露光用反射型マスクの製造方法を図3~図5に示す。図3は工程を、図4に加工状態の断面図を示す。まず、図1に示したブランクスを用意し、吸収膜15に遮光枠領域Bと回路パターンCとを形成する。電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系レジスト21を塗布S1し、所定の遮光枠領域Bと回路パターンCを描画S2する。その後アルカリ溶液などで現像S3を行い、形成したレジスト21のパターンをマスクにフッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングS4を行い、不要なレジスト21のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解、ないしは有機溶剤などで溶解除去S5する。その後必要に応じて酸アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理S6と遠心力を利用したスピン乾燥S7を行う。以上で遮光枠領域Bと回路パターンCが形成された。次に、遮光枠領域Bの保護膜14と多層反射膜13の部分を形成する。上記のマスクに、紫外線または電子線に反応を示すレジスト21を塗布するS8。次に遮光枠領域Bを露光または電子線で描画するS9。S3、S4と同様に、現像S10、エッチングS11を行い、遮光枠の一部を形成する。次いで、形成された掘り込み溝に、フッ化アンモニウム水溶液、フッ酸と硝酸を混合したもの、燐酸などによるウェットエッチングS12を行うことにより犠牲膜12を除去し、その上層の多層反射膜13と保護膜14と吸収膜15とレジスト21までをリフトオフさせる。さらに、レジスト21の除去S13、洗浄S14、乾燥S15を行い遮光枠領域Bを完成する。エッチング工程S11ではまず保護膜14の除去をフッ素系ガスプラズマを用い、多層反射膜13は保護膜14と同じくフッ素系ガスプラズマもしくは塩素ガス系プラズマを交互に用いる方法を行う。以上の工程により反射型マスク100が完成する。本発明によれば、遮光枠の形成において、基板に犠牲膜を設けることにより多層反射膜を残留させることなく、且つ容易に、高い遮光性を有する反射型マスクの製造が可能となる。