脆性材料で形成された基板と、前記基板を備えたパッケージと、前記パッケージに設置された電子素子と、前記基板上に形成された外部電極と、を備える電子部品において、前記外部電極は、前記基板上に形成された下地金属層と、前記下地金属層上に形成されたはんだ付け金属層と、前記はんだ付け金属層上に形成された保護金属層とで構成され、前記はんだ付け金属層は、Ni及びCoの合金で形成されるとともに、Coの添加量が0.01重量から5重量の範囲内であることを特徴とする電子部品。前記下地金属層は、Cr、Ti、又はCr及びTiの合金のいずれかで形成されることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。前記はんだ付け金属層は、さらに前記下地金属層を構成する金属を含む合金であることを特徴とする請求項2に記載の電子部品。前記はんだ付け金属層は、さらにMo、W、Taのうちの少なくとも1種以上の金属を含む合金であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電子部品。前記はんだ付け金属層の厚さは、0.1μmから0.6μmの範囲内であることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の電子部品。前記基板は、ソーダガラスであることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電子部品。前記電子素子が水晶振動片であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電子部品。脆性材料で形成された基板と、前記基板を備えたパッケージと、前記パッケージに設置された電子素子と、前記基板上に形成された外部電極と、を備える電子部品の製造方法において、基板上に下地金属層を形成する工程と、Coの添加量が0.01重量から5重量の範囲内であり、Ni及びCoの合金であるはんだ付け金属層を前記下地金属層上にスパッタで形成する工程と、前記はんだ付け金属層上に保護金属層を形成する工程と、により外部電極を形成する工程を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。ところで、はんだ付け金属層をNiで形成した電極の場合、Niは、はんだを構成するSnやCuと金属間化合物を形成するが、この金属間化合物は脆いという課題がある。また、このとき、はんだと外部電極との界面が不規則な凸凹状の形態となり、電子部品が落下などの衝撃により破壊されやすい。また、電子部品が電子装置の回路基板より離脱する課題も生じる。特にSn含有量の多い無鉛はんだでは、金属間化合物の形成、成長が著しいため、上記の課題が生じやすい。そこで、本発明は電子部品において、外部電極の耐衝撃性を向上させることを目的とするものである。本発明に係る電子部品において、脆性材料で形成された基板と、前記基板を備えたパッケージと、前記パッケージに設置された電子素子と、前記基板上に形成された外部電極と、を備える電子部品であって、前記外部電極は、前記基板上に形成された下地金属層と、前記下地金属層上に形成されたはんだ付け金属層と、前記はんだ付け金属層上に形成された保護金属層とで構成され、前記はんだ付け金属層は、Ni及びCoの合金で形成されるとともに、Coの添加量が0.01重量から5重量の範囲内であることを特徴とする。これにより、はんだと外部電極との接合面に形成される金属間化合物をねばくすることができる。また、はんだと外部電極の接合面を平滑で緻密な構造に形成することができる。これにより、電子部品の耐衝撃性を向上することができる。また、Coの添加量が0.01重量から5重量の範囲の場合、はんだとの界面に、Niを主成分とし、Coをも含有するものとSnとの金属間化合物が生成することができる。この金属間化合物は、SnとNiあるいはSnとCoとの金属間化合物に比べて、ねばくすることができる。また、はんだと外部電極の接合面を平滑で緻密な構造に形成することができる。また、Niを主成分とし、Coを含有するものと、はんだを構成する金属との金属間化合物の界面での生成は、Niの金属間化合物の生成を抑制し、耐衝撃性の低下抑制やCr-Ni間の接合力低下抑制に効果がある。また、本発明に係る電子部品において、前記下地金属層は、Cr、Ti、又はCr及びTiの合金であることを特徴とする。これにより、はんだ、特にその主成分のSnとはんだ付け温度付近で反応あるいは溶解を生じず、かつ非金属無機材料で形成される基板1との密着性を向上することができる。また、本発明に係る電子部品において、前記はんだ付け金属層は、さらに前記下地金属層を構成する金属を含む合金であることを特徴とする。このように、はんだ付け金属層が、下地金属層を構成する金属との合金で形成することにより、下地金属層の金属のはんだ付け金属層への拡散が抑制され、下地金属層と基板との密着性の低下を低減できる。また、はんだとの反応も低減できる。また、本発明に係る電子部品において、前記はんだ付け金属層は、さらにMo、W、Taのうちの少なくとも1種以上の金属を含む合金であることを特徴とする。これにより、Ni-Co合金のはんだとの反応を低減することができる。また、熱膨張率を小さくしてガラスの熱膨張率に近づける効果が得られる。よって、Mo、W、TaはCr、Ti同様にはんだ付け温度付近、つまり約300°C以下では、SnとNiの金属間化合物を形成せず、はんだ付け金属の金属間化合物形成を抑制することができる。また、本発明に係る電子部品において、前記はんだ付け金属層の厚さは、0.1μmから0.6μmの範囲内であることを特徴とする。上記厚みにすることにより、膜応力の低減が可能となり、衝撃、応力等による外部電極4の破壊を抑制することができる。また、本発明に係る電子部品において、前記基板は、ソーダガラスであることを特徴とする。これにより、パッケージの低コスト化が可能である。また、本発明に係る電子部品において、前記電子素子が水晶振動片であることを特徴とする。また、本発明に係る電子部品の製造方法において、脆性材料で形成された基板と、前記基板を備えたパッケージと、前記パッケージに設置された電子素子と、前記基板上に形成された外部電極と、を備える電子部品の製造方法において、基板上に下地金属層を形成する工程と、Coの添加量が0.01重量から5重量の範囲内であり、Ni及びCoの合金であるはんだ付け金属層を前記下地金属層上にスパッタで形成する工程と、前記はんだ付け金属層上に保護金属層を形成する工程と、により外部電極を形成する工程を備えることを特徴とする。本発明によれば、はんだと外部電極との接合面に形成される金属間化合物をねばくすることができる。また、はんだと外部電極の接合面を平滑で緻密な構造に形成することができる。これにより、電子部品の耐衝撃性を向上することができる。以下に、本発明の第一実施形態に係る電子部品を図1から図3を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係る電子部品の外部電極の断面を示す図である。また、図2は、図1の外部電極を備えた電子部品の断面を示す図である。また、図3は、図2の電子部品を回路基板に実装した状態の断面を示す図である。また、本発明において、電子部品は表面実装型の電子部品である。本実施形態において、電子素子8は、水晶振動片であり、電子部品100は水晶振動子である。図2に示すように、電子部品100は、脆性材料で形成された基板1と、基板1を備えたパッケージと、パッケージに設置された電子素子8と、基板1上に形成された外部電極4と、を備えている。本実施形態において、基板1と蓋2とで内部に中空構造を有する電子部品のパッケージを構成している。また、基板1と蓋2とは、接合部3を介して接合されている。また、基板1は、シリコン、ガラスなどの脆性材料で構成される。基板1がシリコンの場合、MEMSと称されるエッチングを主体とする微小部品のパッケージ材料として使用される。この場合、パッケージとしてのシリコンは搭載する電子素子、機構素子等と一体化して加工が行われるため特にプロセス適合性のよいシリコンが利用される。一方、基板1がガラスの場合は、水晶振動子、SAW素子などのパッケージに安価な基板材料として使用される。また、蓋2は、セラミック、シリコン、その他無機単結晶、ガラス、金属、合金などで形成されている。基板1あるいは蓋2をガラスで形成した場合、ガラスにはフロート法で製造した薄板のソーダガラスを利用すると低コスト化が可能である。ソーダガラスは、ソーダ石灰ガラスとも呼ばれ、シリカSiO2、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウムを主原料とするガラスである。また、ソーダガラスは、溶融Sn浴上に溶融したガラスを流し込むフロート法により薄板を低コストで製造することができる。また、フロート法では平滑度の良好な薄板ソーダガラスの製造が容易である。また、このソーダガラスは研磨性が良好で0.2mmから0.5mmの厚さの平滑な薄板ガラスが比較的容易に得られる。また、ソーダガラスは熱膨張率が水晶振動子に近く、振動特性において有利である。また、基板1にガラスを使用することにより、水晶振動子の周波数の微調整をレーザーにより外部から行うことが出来る。また、電子素子8は、基板1上に内部電極6及び接続部7を介して設置されている。また、内部電極6は、貫通電極5を介して外部電極4と電気的に接続されている。なお、電子素子8は、必ずしも基板に設置する必要はなく、蓋2上に設置されていてもよい。その際、引き回し電極により外部電極4と電気的に接続する。貫通電極5は、FeNi合金、コバール合金、FeNiCr合金、ジュメット線などの金属棒15をガラスフリット16で封止した構造である。また、貫通電極5としては、AgあるいはAgPd、AgPtなどの金属又は合金と、金属又は合金を封止するガラスフリットよりなる厚膜ペーストを貫通孔に充填して焼成した厚膜電極でもよい。このガラスフリットとしては無鉛の低融点ガラス、たとえば酸化ビスマスなどの使用により作業温度を低くした無鉛低融点ガラスが使用されるが、この無鉛低融点ガラスは非常に不安定なため溶液を使用しないスパッタが好都合である。なお、特に真空封止を必要としない場合は貫通電極5には導電樹脂なども利用できる。本発明に係る電子部品100の製造方法を以下に説明する。本発明に係る電子部品100は、基板1に形成された貫通孔に貫通電極5を形成する工程を行う。次に、基板1上に内部電極6を形成する工程を行う。内部電極6はめっき、スパッタなどで形成することができる。次に、内部電極6上に電子素子8を設置する工程を行う。電子素子8は、接続部7として有機導電性接着剤を使用する、接続部7としてAu-20重量Snその他の高温はんだを使用する、接続部7としてAuバンプを使用して超音波接合を利用する、または接続部7としてバンプを用いて接続するなどにより内部電極6と接続する。その後、基板1上に蓋2を設置し、パッケージを形成する工程を行う。このとき、蓋2と基板1の電子素子8を設けた部分との間で外気と遮断された空洞部を形成する。この工程において、蓋2がガラスの場合、基板1との接合は陽極接合やガラスを直接溶融させるレーザー接合が可能である。また、蓋2と基板1との接合は、間に接合部3として低融点ガラスなどを介在させて接合させることができる。また、蓋2と基板1との接合は、接合部3としてレーザー光吸収材を介在させるレーザー接合が可能である。また、接合部3にAu-20重量Snはんだなどの高温はんだを使用することもできる。また、接合部3に有機樹脂を用いて加熱加圧接合などが可能である。また、蓋2が金属の場合はろう材を挟んでの溶接が可能である。なお、蓋2に空間を形成するための凹部を形成するには、ガラスのプレス成形を利用することができる。また、エッチングを利用して凹部を形成することもできる。また、サンドブラストを利用して凹部を形成することもできる。また、厚膜法により側壁を形成して蓋2を形成することもできる。また、蓋2の側壁としてガラスプリフォームを接合するなどの方法がある。なお、凹部は蓋2ではなく基板1に形成してもよい。次に基板1の内部電極6を形成した面と反対の面上に外部電極4を形成する工程を行う。これにより、電子部品100を形成することができる。図3に示すように、以上のように形成した電子部品100は、外部電極4とはんだ9を接合することにより、電子回路基板11上のランド10に接続される。このときはんだ9は、Pbフリーはんだを用いることができる。なお、説明した製造方法は、一例であり、これに限定されるものではない。以下に、外部電極4について図1を用いて詳細に説明する。図1において、外部電極4は、貫通電極5上に形成された下地金属層12と、下地電極12上に形成されたはんだ付け金属層13と、はんだ付け金属層13上に形成された保護金属層14とで構成される。下地金属層12は、はんだ、特にその主成分のSnとはんだ付け温度付近で反応あるいは溶解を生じず、かつ非金属無機材料で形成される基板1との密着性のよいCr、Ti、又はCr及びTiの合金で形成される。Crは水晶振動子においては水晶振動片の励起電極用に使用されるので、プロセス的に適合性があり特に好ましい。下地金属層12の厚さは、0.01μm以上0.3μm以下が好ましい。下地金属層12が、0.01μm以下の場合、はんだ付け金属との拡散等によりガラスとの密着性が低くなる可能性がある。また、下地金属層12が、0.3μm以上の場合、膜応力によりガラスとの密着性が低下する可能性がある。また、はんだ付け金属層13は、Snと金属間化合物を形成するとともに、Snへの溶解量の少ないNiを主成分とし、Coを添加した合金から選ばれる。Coの添加量は、0.01重量から5重量の範囲内である。以下本発明では、添加量ないし含有量はすべて重量とする。Coの添加量は、0.01重量より少なくても、5重量より多くても、金属間化合物において、平滑な構造でねばい特性が得られない。よって、Coの添加量が0.01重量から5重量の範囲の場合、形成される金属間化合物は、SnとNiあるいはSnとCoとの金属間化合物に比べて、ねばくすることができる。また、はんだと外部電極の接合面を平滑で緻密な構造に形成することができる。また、Niを主成分とし、Coを含有するものと、はんだ9を構成する金属との金属間化合物の界面での生成は、Niの金属間化合物の生成を抑制し、耐衝撃性の低下抑制やCr-Ni間の接合力低下の抑制が向上する。更に好ましくは、はんだ付け金属層15は、下地金属層12を構成する金属を含む合金で形成される。下地金属層12は、Cr、Ti、又はCr及びTiの合金で形成されている。すなわち、はんだ付け金属層13をNi-Co-Cr合金、Ni-Co-Ti合金で形成する。このように、はんだ付け金属層13が、下地金属層12を構成する金属との合金で形成することにより、下地金属層12の金属のはんだ付け金属層13への拡散が抑制され、下地金属層12と基板1との密着性の低下を低減できる。また、はんだとの反応も低減できる。また、はんだ付け金属層13の下地金属層12を構成する金属の含有量は、5重量から40重量の範囲が好ましい。はんだ付け金属層13の下地金属層12を構成する金属の含有量は5より少ない場合、上記の効果が得難く、40より多い場合、はんだとの接合強度が低下する。また、はんだ付け金属層13は、Mo、W及びTaのうち少なくとも1種類以上の金属を含む合金である。すなわち、はんだ付け金属層13は、Mo、W及びTaのうち少なくとも1種類以上の金属が添加されている。これにより、Ni-Co合金のはんだとの反応を低減することができる。また、熱膨張率を小さくしてガラスの熱膨張率に近づける効果が得られる。すなわち、Mo、W、TaはCr、Ti同様にはんだ付け温度付近、つまり約300°C以下では、SnとNiの金属間化合物を形成せず、はんだ付け金属の金属間化合物形成を抑制する。なお、はんだ付け金属層13は、下地金属層12を構成する金属を含まず、Mo、W及びTaのうち少なくとも1種類以上の金属のみを含む合金であってもよい。また、ソーダガラスは、熱膨張率が8~9ppm/°Cであり、Crは6.2ppm/°C、Tiは8.4ppm/°Cである。一方、Ni、Coは、熱膨張率がそれぞれ13.7ppm/°C、12.3ppm/°Cであり、ガラスや下地金属層12の金属に比べて熱膨張率が大きい。ここで、Mo、W、Taは、いずれも5ppm/°C以下の熱膨張率である。これらの金属をNiと合金化してはんだ付け金属層13を形成することで、はんだ付け金属層13の熱膨張率は、基板1、下地金属層12に近くすることができる。また、はんだ付け金属層13において、Mo、W、Taのうち少なくと1種類以上の金属を合金成分として添加することは、Ni-Co合金の磁性を低下させることができる。そのため、はんだ付け金属層13をスパッタにより形成する場合都合が良くなる。また、はんだ付け金属層13において、下地金属層を構成する金属、及びMo、W、Taのうち少なくとも一種類以上の金属の合計の添加量は、50以下とすることが好ましい。50を超える場合、はんだとの接合強度の低下を招く。また、はんだ付け金属層13において、Mo、W、Taの添加量は、それぞれ20以下、30以下、22以下とすることが好ましい。上記の範囲で、適切なはんだ接合強度を有することができる。このように、はんだ付け金属層13とはんだとの反応を低減させる効果をもつCr、Ti、Mo、W、Taを、はんだ付け金属層13に添加する場合、はんだ付け金属層13の厚さを、上記金属を添加しない場合より薄くできる。具体的には、0.1μmから0.6μmの厚さにすることができる。従って、膜応力の低減が可能となり、衝撃、応力等による外部電極4の破壊を抑制することができる。なお、このとき、はんだ付け金属層13の厚さが、0.1μmより薄い場合は下地金属にも影響を及ぼし、パッケージの基板と下地金属の接着強度が低くなりやすい。一方、はんだ付け金属層13の厚さが厚くなるに従い、はんだ付け時のはんだ付け強度は向上する。しかし、0.5μm付近でほとんど飽和し、0.6μmより厚くなると膜応力が大きく、熱応力、衝撃等で破壊しやすくなる。よって、この場合において、はんだ付け金属層13の厚さは、0.1μmから0.6μmの範囲内が好ましい。Snの含有量の多い無鉛はんだでは、SnとNiの反応により脆い金属間化合物を形成しやすい。そのため、金属間化合物の成長でその形状が界面で凸凹となりやすく、機械的性質に悪影響を与えやすい。本発明では、はんだ付け金属層13において、Ni-Co合金化、更にCrやMo、W、Taとの合金化によりその傾向が大幅に抑制される。従って、Ni-Co、例えば下地金属層12を構成するCr、および例えばWを合金化したNi-Co-Cr-W合金をはんだ付け金属層13とする。これにより、金属間化合物生成による問題、膜応力による問題、下地金属の拡散、はんだ付け電極のSnによる浸食といった問題を抑制する外部電極4を形成することが可能となる。また、酸化を防止し、はんだとの濡れを確保するために、はんだ金属層13上の保護金属層14が形成される。保護金属層14は、Snに溶解しやすく酸化しにくい、Au、Ag、Snが使用されるが、特に安定なAuが好ましい。保護金属層14の厚さは、Auの場合0.01μm以上0.5μm以下が好ましい。Auの場合、0.01μmより薄くなると保護効果が不十分となり、はんだ付け性が大きく低下してしまう。また、0.5μm以上では、はんだ溶融時の粘度が大きくなるボイド発生の原因となる。保護金属層14がSnの場合、無電解めっきなども利用できる。また、その厚さは0.1μm以上2.0μm以下が好ましい。Snの場合、厚くしてもボイドの発生等は起らない。ただし、2.0μm以上の場合、膜応力が大きくなってしまう。以下に外部電極4の製造方法を説明する。まず、基板1の内部電極を形成した面と反対の面に下地金属層12を形成する工程を行う。下地金属層12は、スパッタで形成される。次に、下地金属層12上にはんだ付け金属層13を形成する工程を行う。はんだ付け金属層13の形成はスパッタにより行われる。次に、はんだ付け金属層13上に保護金属層14を形成する工程を行う。保護金属層14は、スパッタでの形成が可能である。また、スパッタはガラスなどの非導電性物質にも金属層の形成が可能で、めっきなどのように溶液の使用もなく、ガラスなどとの反応も生じないという利点がある。また、スパッタは蒸着などに比べ密着性に優れており、融点の異なる金属の合金などでも比較的組成制御が行いやすい。スパッタでのパターン形成はフォトリソグラフィ法とマスク法があるが、特に厳しい精度が必要としない場合はマスク法が簡易である。なお、保護金属層14は、スパッタではなく無電解めっきによる形成してもよいが、スパッタが好ましい。水晶振動子においては水晶振動片の形成される励起電極としてスパッタで形成したCr、Auを使用するので外部電極としてCr、Auを用いることがプロセス的に都合がよい。なお、説明した製造方法は、一例であり、これに限定されるものではない。以上の方法で作成した本発明の電子部品は、特に、落下衝撃性はCr-Ni-Auの構造による外部電極より非常に優れていた。図4は、本発明の第三実施形態の電子部品の断面図である。なお、第一実施形態と同様の構成については説明を省略する。本実施形態は、第一実施形態と異なり、光センサのような電子素子17が基板1上の内部電極6にワイヤボンディング18により接続されている点、電子素子17の封止を蓋ではなく樹脂、ガラスなどの封止剤19により封止している点で異なる。この場合、基板に側壁を形成し樹脂あるいはガラスを充填したような表面実装パッケージ形態、あるいは基板にチップ状電子素子を搭載し、樹脂封止ないし樹脂コートしたようなパッケージ形態の表面実装電子部品にも本発明は適用できる。なお上記では電子部品100として水晶振動片を搭載した水晶振動子を例にのべたが、SAWフィルター、受発光デバイスのような半導体やICチップや加速度センサ、圧力センサその他のMEMSセンサ、光部品、高周波部品、マルチチップモジュールなどの複数のチップや要素からなる電子素子を封止した形態の表面実装パッケージをもつ電子部品、複合部品であっても同様に本発明は適用できるのは勿論である。この場合、気密封止は必ずしも真空でなくて、水分等に対する完全遮断のための封止であってもかまわない。この場合、基板に側壁を形成し樹脂あるいはガラスを充填したような表面実装パッケージ形態、あるいはベースにチップ状電子素子を搭載し、樹脂封止ないし樹脂コートしたパッケージ形態の表面実装電子部品にも本発明は適用できる。