"[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]下記式2で表される化合物を含む酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。Aは炭素数1~4の2価の連結基である。Qは1価のラクトン基又はスルトン基である。上記ラクトン基及びスルトン基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。式2中、Xはオニウムカチオンである。Yはフッ素原子を含有しないt1価の炭化水素基である。Zは水素原子又は1価の有機基である。tは1~3の整数である。但し、tが2以上の場合、複数のZは同一でも異なっていてもよい。上記構造単位IにおけるQが下記式q-1で表される請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式q-1中、mは0~2の整数である。R2はアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、シアノ基、-COOR4、又は-OC=OR5であり、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はハロゲン原子又はヒドロキシル基で置換されていてもよい。mが2の場合、2つのR2は同一でも異なっていてもよい。R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基である。R3はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、このアルキレン基は炭素鎖中に酸素原子又は硫黄原子を含んでいてもよい。は上記式1中のAに結合する部位を示す。上記構造単位IにおけるQが下記式q-2で表される請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式q-2中、nは0~2の整数である。R6はアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、シアノ基、-COOR8、又は-OC=OR9である。上記アルキル基の水素原子の一部又は全部はハロゲン原子又はヒドロキシル基で置換されていてもよい。nが2の場合、2つのR2は同一でも異なっていてもよい。R8及びR9はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基である。R7はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、上記アルキレン基は炭素鎖中に酸素原子又は硫黄原子を含んでいてもよい。は上記式1中のAに結合する部位を示す。上記構造単位IにおけるAが、-CH2CH2O-、又は-CH2COO-である請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。但し、はラクトン基又はスルトン基と結合する部位を示す。[A]重合体が、酸解離性基を含む構造単位IIをさらに有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。[B]酸発生体が、下記式3で表される化合物をさらに含む請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。X2はオニウムカチオンである。R10はフッ素原子又は炭素数1~4の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Z2は水素原子又は1価の有機基である。[C]フッ素原子を含有する重合体をさらに含有する請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。1請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜を露光する露光工程、及び3露光された上記レジスト膜を現像する現像工程、を有するパターン形成方法。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的はラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状、並びにコンタクトホールパターンでの狭ピッチにおけるCDUに優れ、特に線幅45nm以下の液浸プロセスに適合できる感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体以下、[A]重合体ともいう、及び[B]下記式2で表される化合物を含む酸発生体以下、[B]酸発生体ともいうを含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1は水素原子、メチル基、フッ素原子、又はトリフルオロメチル基である。Aは炭素数1~4の2価の連結基である。Qは1価のラクトン基又はスルトン基である。上記ラクトン基及びスルトン基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。式2中、Xはオニウムカチオンである。Yはフッ素原子を含有しないt1価の炭化水素基である。Zは水素原子又は1価の有機基である。tは1~3の整数である。但し、tが2以上の場合、複数のZは同一でも異なっていてもよい。当該感放射線性樹脂組成物は、上記特定構造を有する[A]重合体及び[B]酸発生体を含有することで、形成されるレジスト膜のラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状に優れ、またコンタクトホールパターンでのCDUを満足する。その理由は必ずしも明らかではないが、[A]重合体はラクトン基又はスルトン基と、重合体分子鎖に結合したエステル基との間に、上記式1中のAで表される連結基を有しているため適度なスペースが確保され、それにより重合体の剛直性が適度に低下し、現像液等に対する親和性が高まり溶解性が向上すると同時に[B]酸発生体もレジスト膜中に分散し易くなり、結果として、得られるレジスト膜の上記特性が向上すること等が考えられる。上記構造単位IにおけるQが下記式q-1で表されることが好ましい。式q-1中、mは0~2の整数である。R2はアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、シアノ基、-COOR4、又は-OC=OR5であり、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はハロゲン原子又はヒドロキシル基で置換されていてもよい。mが2の場合、2つのR2は同一でも異なっていてもよい。R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基である。R3はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、このアルキレン基は炭素鎖中に酸素原子又は硫黄原子を含んでいてもよい。は上記式1中のAに結合する部位を示す。上記Qが上記式q-1で表されるラクトン基であると、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜は、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでのCDUがさらに向上する。上記構造単位IにおけるQは下記式q-2で表されることが好ましい。式q-2中、nは0~2の整数である。R6はアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、シアノ基、-COOR8、又は-OC=OR9であり、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はハロゲン原子又はヒドロキシル基で置換されていてもよい。nが2の場合、2つのR2は同一でも異なっていてもよい。R8及びR9はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基である。R7はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、上記アルキレン基は炭素鎖中に酸素原子又は硫黄原子を含んでいてもよい。は上記式1中のAに結合する部位を示す。上記Qが上記式q-2で表されるスルトン基であると、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜は、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでのCDUがさらに向上する。上記構造単位IにおけるAが、-CH2CH2O-、又は-CH2COO-であることが好ましい。但し、は上記ラクトン基又はスルトン基と結合する部位を示す。上記Aが上記特定構造であると、[A]重合体において、ラクトン基又はスルホン基と重合体分子鎖に結合したエステル基との間に適度なスペースができる。それにより重合体の剛直性が好適に低下し、また現像液等に対する親和性がさらに高まって溶解性が向上するため、CDU等の特性がさらに向上すると考えられる。[A]重合体は、酸解離性基を含む構造単位IIをさらに有することが好ましい。このような構造単位IIを有する[A]重合体を含有する当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜は、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでのCDUがさらに向上する。[B]酸発生体が、下記式3で表される化合物をさらに含むことが好ましい。X2はオニウムカチオンである。R10はフッ素原子又は炭素数1~4の炭化水素基であり、この炭化水素基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Z2は水素原子又は1価の有機基である。[B]酸発生体が上記式3で表される化合物をさらに含むと、上記特定構造の2種類の酸発生剤を併用することになり、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜は、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでのCDUをさらに向上することができる。当該感放射線性樹脂組成物は[C]フッ素原子を含有する重合体をさらに含有することが好ましい。当該感放射線性組成物が[C]重合体を含有することで、レジスト膜の疎水性が向上し、特に液浸露光を行った場合において物質溶出抑制に優れ、また、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分に高くでき、高速でスキャン露光した場合に水滴が残らない等の効果を奏する。その結果として当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜は、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでのCDUがさらに向上する。本発明は、1当該感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜を露光する露光工程、及び3露光された上記レジスト膜を現像する現像工程、を有するパターン形成方法を含む。本発明のパターン形成方法によれば、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでのCDUがさらに向上し、リソグラフィ特性に優れる微細なレジストパターンを形成することができる。なお、本明細書にいう感放射線性樹脂組成物の放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状、コンタクトホールパターンにおける狭ピッチでのCDU等のリソグラフィ特性に優れた微細なレジストパターンを形成することができる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含有する。また、[C]フッ素原子を含有する重合体を好適に含有できる。さらに、本発明の効果を損なわない限り[D]酸拡散制御体、[E]溶媒、その他の任意成分を含有できる。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>当該感放射線性樹脂組成物が含有する[A]重合体は上記式1で表される構造単位Iを有する。構造単位Iはラクトン基又はスルトン基と、重合体分子鎖に結合したエステル基との間に上記Aで表される連結基を有しているため、[A]重合体の剛直性が適度に低下し、溶媒や現像液に対する親和性が高まり、溶解性が向上すると考えられる。また、同時に[B]酸発生体もレジスト膜中に分散し易くなり、結果として、得られるレジスト膜は、ラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでの真CDUがさらに向上すると考えられる。[A]重合体は構造単位IIをさらに有することが好ましい。また、必要に応じて構造単位III、構造単位IVを有してもよい。以下それぞれについて詳述する。[構造単位I]構造単位Iは上記式1で表される。上記式1中、R1は水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。Aは炭素数1~4の2価の連結基である。Qは1価のラクトン基又はスルトン基である。上記ラクトン基及びスルトン基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記式1中、Aで表す炭素数1~4の2価の連結基は、特に限定されるものではないが、下記式4で表される基が好ましい。-R11-R12-O-4上記式4中、R11はメチレン基又は炭素数2~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基である。R12は単結合又はカルボニル基である。但し、は式1中のQと結合する部位を示す。上記R11としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。これらのうち、メチレン基、エチレン基が好ましい。また、上記Aとしては、-CH2CH2O-、又は-CH2COO-が好ましい。上記式1中、Qで表すラクトン基とはラクトン環の水素原子の1つを除いた基をいい、さらにラクトン環とは-O-CO-で表される構造を含む単環又は多環をいう。また、スルトン基とは、スルトン環の水素原子の1つを除いた基をいい、さらにスルトン環とは環状スルホネート構造を含む環をいう。上記Qが表すラクトン基としては、例えば下記式L-1~L-6で示される基等が挙げられる。上記式L-1~L-6中、RLc1はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子である。RLc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1は0又は1である。nLc2は0~3の整数である。は上記式1中、Aに結合する部位を示す。なお、式L-1~L-6で表す基は置換基を有していてもよい。上記ラクトン基が有してもよい置換基としては、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基等が挙げられる。これらのうち、メチル基又はエチル基が好ましい。また、好ましい態様として、上記ラクトン環を含む1価の有機基がシアノ基以外の置換基で置換されているものを挙げることができる。さらに、別の好ましい態様として、上記ラクトン環を含む1価の有機基が全く置換基を有しないものが挙げられる。上記式L-1~L-6のうち、L-1で表すラクトン基が好ましく、L-1で表すラクトン基の中でも上記式q-1で表すラクトン基がより好ましい。上記式q-1中、mは0~2の整数である。R2はアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、シアノ基、-COOR4、又は-OC=OR5であり、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はハロゲン原子又はヒドロキシル基で置換されていてもよい。mが2の場合、2つのR2は同でも異なっていてもよい。R4及びR5はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基である。R3はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、このアルキレン基は炭素鎖中に酸素原子又は硫黄原子を含んでいてもよい。は上記式1中のAに結合する部位を示す。上記R2が表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記R2が表すアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。上記R2が表す-COOR4におけるR4、及び-OC=OR5におけるR5のアルキル基としては、例えば上記R2が表すアルキル基として例示したものと同じ基等を挙げることができる。上記R3が表すアルキレン基としては、例えばエチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。上記式1中、Qが表すスルトン基としては、例えば下記式S-1~S-6で表す基等が挙げられる。式S-1~S-6中、RSc1はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子である。RSc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nSc1は0又は1である。nSc2は0~3の整数である。は上記式1中、Aに結合する部位を示す。なお、式S-1~S-6で示される基は置換基を有していてもよい。上記スルトン基が有してもよい置換基としては、上記ラクトン基が有してもよい置換基として例示したものと同様の基を挙げることができる。上記式S-1~S-6のうち、S-1で表すスルトン基が好ましく、S-1で表すスルトン基の中でも上記式q-2で表すスルトン基がより好ましい。式q-2中、nは0~2の整数である。R6はアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、シアノ基、-COOR8、又は-OC=OR9であり、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はハロゲン原子又はヒドロキシル基で置換されていてもよい。nが2の場合、2つのR2は同一でも異なっていてもよい。R8及びR9はそれぞれ独立して水素原子又はアルキル基である。R7はメチレン基、炭素数2~5のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、上記アルキレン基は炭素鎖中に酸素原子又は硫黄原子を含んでいてもよい。は上記式1中のAに結合する部位を示す。上記R6が表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記R6が表すアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。上記R6が表す-COOR8におけるR8、及び-OC=OR9におけるR9のアルキル基としては、上記R2が表すアルキル基として例示したものと同様の基を挙げることができる。上記R7が表すアルキレン基としては、上記R7が表すアルキレン基として例示したものと同じものを挙げることができる。構造単位Iとしては、例えば下記式で表す構造単位等が挙げられる。上記式中、RL1及びRS1は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。これらのうち、1-1、1-2、1-5で表す構造単位が好ましい。構造単位Iの含有率として、[A]重合体を構成する全構造単位に対して5モル~70モルが好ましく、10モル~60モルがより好ましい。なお、[A]重合体は、構造単位Iを1種、又は2種以上有してもよい。[構造単位II][A]重合体は酸解離性基を含む構造単位IIをさらに有することが好ましい。構造単位IIは、下記式5で表される。上記式5中、R13は水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。Rpは酸解離性基である。Rpで示される酸解離性基としては下記式6で表される基が好ましい。上記式6中、Rp1は炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。Rp2及びRp3はそれぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。なお、Rp2及びRp3は相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記Rp1、Rp2及びRp3が表す炭素数1~4のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記Rp1、Rp2及びRp3が表す炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばアダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。Rpで示される酸解離性基としては、Rp1が炭素数1~4のアルキル基であり、Rp2及びRp3が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともにアダマンタン骨格又はシクロアルカン骨格を有する2価の基を形成することが好ましい。構造単位IIとしては、例えば下記式2-1~2-4で表す構造単位等が挙げられる。上記式2-1~2-4中、R13は上記式5と同義である。Rp1、Rp2及びRp3は上記式6と同義である。npは1~3の整数である。上記式5又は2-1~2-4が表す構造単位としては、例えば下記式が表す構造単位等が挙げられる。上記式中、R13は上記式5と同義である。構造単位IIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して20モル~60モルが好ましい。なお、[A]重合体は構造単位IIを1種、又は2種以上有してもよい。[構造単位III][A]重合体は、ラクトン基又はスルトン基を有する構造単位IIIをさらに含むことができる。[A]重合体がラクトン基又はスルトン基を有する構造単位IIIをさらに含むことで、レジスト膜と基板との密着性等、レジスト基本特性をより向上できる。また、レジスト被膜の現像液への可溶性を高めることができる。なお、構造単位IIIには、上記式1で表される構造単位は含まれないものとする。[A]重合体は、上記式1で表される構造単位Iと共に、下記式7で表される構造単位III-2を有することがより好ましい。上記式1で表される構造単位Iはラクトン環を含む有機基とエステル基との間に上記Aで表される基を有する。一方、構造単位III-2はエステル基にラクトン基が直接結合している。[A]重合体がこれらの構造単位を両方含むと、両者のラクトン骨格部分が重合体鎖の周辺に分散して配置されるため、空間確保されると共に、重合体の剛直性が適度に低下する。その結果[A]重合体と現像液との親和性が向上し、現像液に対する溶解度が高まる。また上記と同様の理由により、例えば酸発生剤等から発生する酸と酸解離性基との反応等も促進される。これらの結果として、得られるパターンの解像性が上がると考えられる。なお、[A]重合体は上記式1で表される構造単位I及び構造単位III-2を有する際は、それぞれが含有するラクトン骨格を有する基が同一構造の基であることが好ましい。そうすることで、得られるレジスト膜のラインアンドスペースパターンでのLWR及び断面形状により優れ、またコンタクトホールパターンでの真円性CDUがさらに向上する。また、合成が容易であるという利点もある。上記式7中、RLS1は水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。Wはラクトン基又はスルトン基である。上記ラクトン基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。構造単位IIIとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、RLS1は上記式7と同義である。構造単位IIIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して1モル~60モルが好ましく、5モル~40モルがより好ましい。構造単位IIIの含有割合が1モル未満であると、レジスト膜と基板との密着性等を向上できないおそれがある。一方、構造単位IIIの含有割合が60モルを超えるとパターン形成性が低下するおそれがある。なお、[A]重合体は構造単位IIIを1種、又は2種以上有していてもよい。[構造単位IV][A]重合体は、下記式で示される水酸基を含む構造単位以下、構造単位IVと称することがある等をさらに有していてもよい。構造単位IVとしては、構造単位中に水酸基を有する限り、特に限定されない。構造単位中の水酸基の数は1個でもよく、2個以上であってもよい。また、構造単位中の水酸基の位置も特に限定されない。構造単位IVとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R14は、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。構造単位IVの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して1モル~50モルが好ましく、5モル~30モルがより好ましい。なお、[A]重合体は構造単位IVを1種、又は2種以上有していてもよい。[A]重合体は、上記構造単位I~IV以外に、その他の構造単位を有することができる。例えば、カーボネート構造を有する構造単位等が挙げられる。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成できる。合成方法としては、例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法が好ましい。なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下される単量体溶液中の単量体量は、重合に用いられる単量体総量に対して30モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上が特に好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常30°C~180°Cであり、40°C~160°Cが好ましく、50°C~140°Cがさらに好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1時間~5時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~7時間が好ましく、1時間~6時間がより好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル等が挙げられる。これらの開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用できる。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば限定されない。重合溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステルラクトン系溶媒、ニトリル系溶媒及びその混合溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独又は2種以上を併用できる。重合反応により得られた樹脂は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、樹脂を回収することもできる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1,000以上100,000以下が好ましく、2,000以上50,000以下がより好ましく、3,000以上10,000以下が特に好ましい。なお、[A]重合体のMwが1,000未満であると、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向がある。一方、[B]重合体のMwが500,000を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。また、[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常、1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい。Mw/Mnをこのような範囲とすることで、フォトレジスト膜が解像性能に優れたものとなる。本明細書のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするGPCにより測定した値をいう。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、露光により酸を発生する。その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基が解離し、その結果[A]重合体が現像液に溶解性となる。当該感放射線性樹脂組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[B]酸発生剤と称することがあるでも、カチオン、アニオン又はその両方が重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[B]酸発生体は、上記式2で表される化合物を含む。上記式2中、Xはオニウムカチオンである。Yはフッ素原子を含有しないt1価の炭素水素基である。Zは水素原子又は1価の有機基である。tは1~3の整数である。但し、tが2以上の場合、複数のZは同一でも異なっていてもよい。上記式2中、Xが表すオニウムカチオンとしては、例えばスルホニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。これらのカチオンのうち、スルホニウムカチオンが好ましく、好ましい具体例としては下記式で表されるものが挙げられる。上記式2中、Yが表すt1価の炭化水素基としては、直鎖状、分岐状又は環状のt1価の脂肪族炭化水素基、t1価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記t1価の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、シクロブチレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。これらのうち、エチレン基が好ましい。上記t1価の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環等からt1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。上記式2中、Zが表す1価の有機基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等、及びアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等と、カルボキシル基、エーテル基、アミド基等と組み合わせてなる基等が挙げられる。上記式2で表される化合物におけるアニオンとしては、例えば下記式で表されるアニオン等が挙げられる。上記式で表される化合物中、下記式で表されるトリフェニルスルホニウム-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートが好ましい。[B]酸発生体は、上記式3で表される化合物をさらに含むことが好ましい。上記式3中、X2はオニウムカチオンである。R10はフッ素原子又は炭素数1~4の炭化水素基である。上記炭化水素基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Z2は水素原子又は1価の有機基である。上記式3中、X2が表すオニウムカチオンとしては、上記Xが表すオニウムカチオンとして例示したものと同等のオニウムカチオンを挙げることができる。これらのうち、スルホニウムカチオンが好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオンがより好ましい。上記式3中、R10が表す炭素数1~4の炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。上記式3中、Z2が表す1価の有機基としては、上記Zが表す1価の有機基として例示したものと同様の基を挙げることができる。上記式3で表されるスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートが好ましい。中でも、下記式で表されるトリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートがより好ましい。また、[B]酸発生体としては、上記以外の化合物を含むことができる。例えばスルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等を挙げることができる。これらのスルホンイミド化合物のうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。これらの[B]酸発生剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[B]酸発生体が酸発生剤である場合の使用量としては、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上20質量部以下、好ましくは5質量部以上18質量部以下である。また、上記式2で表される化合物としては、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上20質量部以下、好ましくは1質量部以上18質量部以下である。上記式3で表される化合物としては、[A]重合体100質量部に対して、通常、1質量部以上20質量部以下、好ましくは5質量部以上15質量部以下である。この場合、[B]酸発生剤の使用量が0.1質量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方20質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、所望のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。<[C]フッ素原子を含有する重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[C]フッ素原子を含有する重合体以下、[C]重合体ともいうをさらに含有できる。当該感放射線性組成物が[C]重合体を含有することで、レジスト膜の疎水性が向上し液浸露光を行った場合においても物質溶出抑制に優れ、また、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分に高くでき、高速でスキャン露光した場合に水滴が残らない等の効果を奏する為、当該感放射線性組成物の液浸露光用としての有用性が高まる。なお、[C]重合体には、重合体[A]は含まれないものとする。[C]重合体の態様としては、例えば主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造が挙げられる。主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばノルボルネン等の脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの、アクリル酸又はメタクリル酸の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物の側鎖をフッ素化アルキル基やその誘導体で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換し、かつ側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。なお、脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。[C]重合体は、下記式8で示されるc1構造単位及び/又は式9で示されるc2構造単位を有することが好ましく、またc1構造単位及びc2構造単位以外の他の構造単位を有してもよい。以下、各構造単位を詳述する。[c1構造単位]c1構造単位は下記式8で示される構造単位である。上記式8中、R15は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R16はフッ素原子を有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基及び脂環式炭化水素基は、水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。上記炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロペンチル基、シクロペンチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクチルメチル基等が挙げられる。c1構造単位を与える単量体としては、例えばトリフルオロメチルメタアクレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロn-プロピルメタアクリレート、パーフルオロi-プロピルメタアクリレート、パーフルオロn-ブチルメタアクリレート、パーフルオロi-ブチルメタアクリレート、パーフルオロt-ブチルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメタアクリレート、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロペンタメタアクリレート、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリレート、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート等が挙げられる。c1構造単位としては、例えば下記式8-1及び8-2で示される構造単位が挙げられる。式8-1及び8-2中、R15は上記式8と同義である。c1構造単位の含有率としては[C]重合体を構成する全構造単位に対して、10モル~70モルが好ましく、20モル~50モルがより好ましい。なお[B]重合体は、c1構造単位を1種又は2種以上有してもよい。[c2構造単位]c2構造単位は、下記式9で示される構造単位である。上記式9中、R17は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R18はk1価の連結基である。Vはフッ素原子を有する2価の連結基である。R19は水素原子又は1価の有機基である。kは1~3の整数である。但し、kが2又は3の場合、複数のV及びR19はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式9中、R18が示すk1価の連結基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基が挙げられる。また、上記k1価の連結基は置換基を有していてもよい。炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基としては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカン、イコサン、トリアコンタン等の炭化水素基からk1個の水素原子を除いた基が挙げられる。炭素数3~30の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の単環式飽和炭化水素;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタン等の多環式飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環式炭化水素基からm1個の水素原子を除いた基が挙げられる。炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ピレン、ピセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、クメン等の芳香族炭化水素基からm1個の水素原子を除いた基が挙げられる。上記式9中、Vが示すフッ素原子を有する2価の連結基としては、フッ素原子を有する炭素数1~20の2価の直鎖状炭化水素基が挙げられる。Vとしては、例えば下記式V-1~V-6で示される構造等が挙げられる。Vとしては、上記式V-1及びV-2で示される構造が好ましい。上記式9中、R19が示す有機基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基が挙げられる。上記c2構造単位としては、例えば下記式9-1及び9-2で示される構造単位等が挙げられる。上記式9-1中、R18は炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。R17、V及びR19は上記式9と同義である。式9-2中、R17、V、R19及びkは上記式9と同義である。但し、kが2又は3の場合、複数のV及びR19はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式9-1及び式9-2で示される構造単位としては、例えば下記式9-1-1、式9-1-2及び式9-2-1で示される構造単位等が挙げられる。上記式9-1-1、9-1-2及び9-2-1中、R17は上記式9と同義である。c2構造単位を与える単量体としては、例えばメタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-3-プロピルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-5-ペンチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル、メタアクリル酸2-{[5-1’,1’,1’-トリフルオロ-2’-トリフルオロメチル-2’-ヒドロキシプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル}エステル等が挙げられる。c2構造単位の含有率としては[C]重合体を構成する全構造単位に対して、20モル~80モルが好ましく、30モル~70モルがより好ましい。なお、[C]重合体は、c2構造単位を1種、又は2種以上を有してもよい。[C]重合体において、他の構造単位の含有率としては[C]重合体を構成する全構造単位に対して、通常90モル以下であり、20モル~80モルが好ましく、30モル~70モルがより好ましい。なお、[C]重合体は、他の構造単位を1種、又は2種以上を有してもよい。[C]重合体の配合量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部~20質量部が好ましく、1質量部~10質量部がより好ましく、1質量部~7.5質量部が特に好ましい。0.1質量部未満であると、[C]重合体を含有させる効果が十分ではない場合がある。一方、20質量部を超えると、レジスト表面の撥水性が高くなりすぎて現像不良が起こる場合がある。[C]重合体におけるフッ素原子の含有割合としては、[A]重合体よりも大きいことが好ましい。[C]重合体におけるフッ素原子の含有割合としては、[C]重合体全量を100質量として、通常5質量以上であり、好ましくは5質量~50質量であり、より好ましくは5質量~45質量である。なお、このフッ素原子含有割合は13C-NMRにより測定することができる。[C]重合体におけるフッ素原子含有割合が[A]重合体よりも大きいものであると、[C]重合体及び[A]重合体を含有する感放射線性樹脂組成物によって形成されたフォトレジスト膜表面の撥水性を高めることができ、液浸露光時に上層膜を別途形成する必要がなくなる。上記の効果を十分に発揮するためには、上記[C]重合体におけるフッ素原子の含有割合と、上記[C]重合体におけるフッ素原子の含有割合との差が1質量以上であることが好ましく、5質量以上であることがより好ましい。<[C]重合体の合成方法>[C]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[C]重合体のMwとしては、1,000~50,000が好ましく、2,000~20,000がより好ましく、3,000~10,000が特に好ましい。[C]重合体のMwが1,000未満の場合、十分な後退接触角を得ることができない。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。[C]重合体のMwとGPC法によるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、1~5が好ましく、1~4がより好ましい。<[D]酸拡散制御体>[D]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、未露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する。また、当該感放射線性樹脂組成物が[D]酸拡散制御体を含有することで、当該感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がより向上すると共に、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができる。さらに、プロセス安定性にも優れる。酸拡散制御体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態以下、適宜[D]酸拡散制御剤ともいうでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[D]酸拡散制御剤としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。アミン化合物としては、例えばモノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。また、[D]酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。オニウム塩化合物としては、例えば下記式10で示されるスルホニウム塩化合物、下記式11で表されるヨードニウム塩化合物が挙げられる。上記式10及び式11中、R20~R24はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。また、式10及び式11中、G-はOH-、R25-COO-又はR25-SO3-である。但し、R25はアルキル基、アリール基、アルカリール基又は下記式12で示されるアニオンである。上記式12中、R26は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基である。uは1又は2である。これらの[D]酸拡散抑制剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[D]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、10質量部未満が好ましい。合計使用量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。[[E]溶媒]当該感放射線性樹脂組成物は通常溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記の[A]重合体及び[B]酸発生体、必要に応じて加えられる[C]重合体、[D]酸拡散制御体及びその他の任意成分を溶解できれば特に限定されない。[E]溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。その他の溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒等が挙げられる。これらの溶媒のうち、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。<その他の任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、必須成分である[A]重合体及び[B]酸発生体、好適成分である[C]重合体、必要に応じて加えられる[D]酸核酸制御剤及び[E溶媒に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分として界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等を含有できる。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名でKP341信越化学工業社、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学社、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ社、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業社、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム社、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子工業社等が挙げられる。これらの界面活性剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[脂環式骨格含有化合物]脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。脂環式骨格含有化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。これらの脂環式骨格含有化合物は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[増感剤]増感剤は、[B]酸発生体の生成量を増加する作用を示すものであり、当該組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。これらの増感剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<感放射線性樹脂組成物の調製>当該組成物は、[A]重合体、[B]酸発生体、[C]重合体、[D]酸拡散制御体、[E]溶媒、及びその他の任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該感放射線性樹脂組成物は、適当な有機溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。<パターン形成方法>本発明は、1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程以下、1工程ともいう、2上記レジスト膜を露光する露光工程以下、2工程ともいう、及び3露光された上記レジスト膜を現像する工程以下、3工程ともいうを含むパターンの形成方法である。以下、各工程を詳述する。[1工程]本工程では、本発明に用いられる組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平6-12452号公報や特開昭59-93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。塗布方法としては、例えば回転塗布スピンコーティング、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト膜の膜厚としては、通常0.01μm~1μmであり、0.01μm~0.5μmが好ましい。当該組成物を塗布した後、必要に応じてプレベークPBによって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。PBの加熱条件としては、当該組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば特開平5-188598号公報等に開示されている保護膜をレジスト層上に設けることもできる。さらに、レジスト層からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば特開2005-352384号公報等に開示されている液浸用保護膜をレジスト層上に設けることもできる。なお、これらの技術は併用できる。[2工程]本工程では、1工程で形成したレジスト膜の所望の領域に特定パターンのマスク、及び必要に応じて液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソトレンチパターンを形成できる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において真円状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー光波長193nmである場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤は、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、かつレンズの下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。使用する水としては蒸留水が好ましい。露光に使用される放射線としては、[B]酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ArFエキシマレーザーやKrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。露光量等の露光条件は、当該組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。本発明のパターン形成方法においては、露光工程を複数回有してもよく複数回の露光は同じ光源を用いても、異なる光源を用いても良いが、1回目の露光にはArFエキシマレーザー光を用いることが好ましい。また、露光後にポストエクスポージャーベークPEBを行なうことが好ましい。PEBを行なうことにより、当該組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。PEBの加熱条件としては、通常30°C~200°Cであり、50°C~170°Cが好ましい。[3工程]次に露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分放射線の非照射部分を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等が挙げられる。また、このようなアルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、0.1質量以上5質量以下が好ましい。現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用できる。現像時間は、当該組成物の組成によって異なるが、好ましくは10秒~180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒~90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。このようにして得られるレジストパターンは、解像性に優れ、リソグラフィ技術を応用した微細加工に好適である。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、各種物性値の測定方法及び諸特性の評価方法を以下に示す。[重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mn]東ソー社製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を使用し、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。また、分散度Mw/Mnは、Mw及びMnの測定結果より算出した。[低分子量成分の残存割合]ジーエルサイエンス社製のInertsilODS-25μmカラム4.6mmφ×250mmを使用し、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:アクリロニトリル/0.1リン酸水溶液の分析条件で、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより測定した。なお、低分子量成分とは、モノマーを主成分とする成分をいい、より具体的には分子量1,000未満の成分、好ましくはトリマーの分子量以下の成分をいう。[13C-NMR分析]日本電子社製の商品名JNM-EX400を使用し、測定溶媒としてDMSOを使用して分析を行った。<[A]重合体の合成>[合成例1]化合物M-212.4g50モル、及び化合物M-1317.6g50モルを60gの2-ブタノンに溶解し、AIBN1.03g5モルを添加して単量体溶液を調製した。30gの2-ブタノンを入れた1000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。600gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を120gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体A-1を得た18.9g、収率63。得られた樹脂A-1のMwは6,900であり、Mw/Mnは1.50であり、低分子量成分の残存割合は0.05であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-13由来の繰り返し単位の含有比率が48.2:51.8モルの共重合体であった。本合成例1で用いた配合処方を表2に示す。また、得られた共重合体のMw、Mw/Mn、収率、および共重合体中の各単量体に由来する繰り返し単位の割合の測定結果を表3に示す。[合成例2~14]表1に示す種類の単量体を所定量配合したこと以外は、合成例1と同様の方法によって重合体A-2~A-13及びa-1を調製した。また、得られた重合体のMw、Mw/Mn、収率、および共重合体の各単量体に由来する繰り返し単位の割合の測定結果を表1に合わせて示す。なお、使用した単量体の構造は下記式で示される。<[C]重合体の合成>[合成例15]化合物M-711.2g40モル、及び化合物M-1818.8g60モルを30gの2-ブタノンに溶解し、AIBN1.44g7モルを添加して単量体溶液を調製した。30gの2-ブタノンを入れた1000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。その重合溶液をエバポレーターにて重合溶液の重量が150gになるまで減圧濃縮した。その後、760gのメタノール及び40gの水の混合液中に濃縮液を投入し、スライム状の白色固体を析出させた。デカンテーションにて液体部を取り除き、回収した固体を60度15時間で真空乾燥することにより、白色の粉末状の重合体C-1を18g得た。Mwは3,700であり、Mw/Mnは1.40であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-7由来の繰り返し単位:化合物M-18由来の繰り返し単位の含有比率が、39.5:60.5モルの共重合体であった。なお、使用した単量体の化学式は下記に示す。<感放射線性樹脂組成物の調製>感放射線性樹脂組成物の調製で使用した[B]酸発生剤、[D]酸拡散制御体及び[E]溶媒は下記の通りである。<[B]酸発生剤>B-1:4-シクロへキシルスルホニルフェニルスルホニウム1,2-ジシクロへキシルオキシカルボニルエタン-1-スルホネートB-2:トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート<[D]酸拡散制御体>D-1:N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン<[E]溶媒>E-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[実施例1]合成例1で得られた重合体A-1100質量部、合成例15で得られた重合体C-13質量部、酸発生剤B-13.6質量部、酸発生剤B-28.4質量部、酸拡散制御剤D-11質量部、及び溶剤E-11633質量部、E-2700質量部、E-330質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。この感放射線性樹脂組成物を組成物J-1とした。[実施例2~14、比較例1~3]表2に示す配合処方にしたこと以外は、実施例1と同様にして各感放射線性樹脂組成物の組成物J-2~J-14及びj-1~j-3を調製した。<コンタクトホールパターンの評価>上記実施例1~14及び比較例1~3の感放射線性樹脂組成物について、ArFエキシマレーザーを光源として、以下のようにして評価を行った。結果は下記表3に示す。[最適露光量Eopの測定]まず、下層反射防止膜ARC66、日産化学社製を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物によって、膜厚110nmの被膜を形成し、100度で60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、iNA=1.27、ratio=0.800、CrosspoleBladeangle35度の条件により、65nmHole110nmPitchのパターン形成用のマスクパターン6ハーフトーンを介して露光した。露光後、各感放射線性樹脂組成物について表7に記載の温度で60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、65nmHole110nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が直径57nmのホールを形成する露光量を最適露光量Eopとした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。[CriticalDimentionUniformityCDUの評価]上記Eopにて形成された直径57nmのホールパターンを計30個測長し、計30個の測長値の平均偏差を算出し、3倍した値をCDUとした。このCDUの値が小さいものほど真円性が良好であると評価することが出来る。<ラインスペースパターンの評価>上記実施例1~14及び比較例1~3の感放射線性樹脂組成物について、ArFエキシマレーザーを光源として、以下のようにして各種評価を行った。結果は下記表3に示す。[最適露光量Eopの測定]まず、下層反射防止膜ARC66、日産化学社製を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物によって、膜厚110nmの被膜を形成し、100度で60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、iNA=1.27、ratio=0.800、DipoleXBladeAngle35度、偏光の条件により、45nmLine90nmPitchのパターン形成用のマスクパターン6ハーフトーンを介して露光した。露光後、各感放射線性樹脂組成物について表7に記載の温度で60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、45nmLine90nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光したLineが45nmを形成する露光量を最適露光量Eopとした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。[LineWidthRoughnessLWRの評価]上記Eopにて形成された線幅45nmのLineをパターン上部から観察し、任意の10点ポイントで線幅を測定した。線幅の測定値の3シグマ値ばらつきをLWRとした。この値は小さいものほど好ましい。[断面形状の評価]上記Eopにて形成された45nmLine90nmPitchのLineパターンの断面形状を、日立ハイテクノロジーズ社製のS-4800にて観察し、T-top形状すなわち、矩形以外の形状を示していた場合を不良と評価し、矩形の形状を示していた場合を良好と評価した。表3に示すように、当該感放射線性樹脂組成物を用いることにより、コンタクトホールパターンにおいては優れたCDUが得られた。また、ラインアンドスペースパターンにおいても、LWR及び断面形状が比較例と比べて良好な結果となった。"