リンを500質量ppm以上50000質量ppm以下含み、残部が銅および不可避不純物を含む、合金ワイヤ。前記合金ワイヤがねじられた状態で塑性変形している、請求項1に記載の合金ワイヤ。前記リンを5000質量ppm以上50000質量ppm以下含む、請求項1または2に記載の合金ワイヤ。前記銅を99.999質量以上含む、請求項1~3のいずれかに記載の合金ワイヤ。半導体チップと、リード端子と、前記半導体チップと前記リード端子とを電気的に接続するように前記半導体チップおよび前記リード端子の各々に接続された請求項1~4のいずれかに記載の合金ワイヤとを備えた、半導体装置。しかしながら、特開2007-294581号公報に記載された方法では、ワイヤにひびを入れる動作が追加されているため、ボンディング時のタクトタイムが長くなる。このため量産性が乏しいという問題がある。特開2009-135168号公報に記載された方法では、キャピラリの位置を移動させる動作が追加されているためボンディング時のタクトタイムが長くなる。このため量産性が乏しいという問題がある。また、特開2010-171235号公報および特開2003-133364号公報に記載された銅ワイヤは、第1ボンド性の改善を目的としたものであって、第2ボンド後の引きちぎり性の改善を目的とした組成の最適化はなされていない。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、第2ボンド後のワイヤ引きちぎり性を改善し、その後の第1ボンド前のボール形成時の偏芯およびボール寸法の変動を抑制することによって、安定的なボンディング性を有する合金ワイヤおよびそれを備えた半導体装置を提供することである。本発明の合金ワイヤは、リンを500質量ppm以上50000質量ppm以下含み、残部が銅および不可避不純物を含んでいる。本発明の合金ワイヤによれば、リンが500質量ppm以上50000質量ppm以下含まれているため、合金ワイヤが脆くなることによって合金ワイヤの引きちぎり性を改善することができる。これにより、その後のボール形成時の偏芯およびボール寸法の変動を抑制することができる。また、リンの脱酸効果により銅の酸化が抑制されることによっても、ボール形成時の偏芯およびボール寸法の変動を抑制することができる。したがって、安定的にボンディングすることができる。以下、本発明の一実施の形態について図に基づいて説明する。最初に、本発明の一実施の形態の合金ワイヤを備えた半導体装置の構成について説明する。図1を参照して、本発明の一実施の形態の半導体装置は、半導体チップ1と、リード端子2と、基板3と、モールド材4と、合金ワイヤ10とを主に有している。半導体チップ1は、たとえばマイコンおよびパワートランジスタなどである。半導体チップ1とリード端子とは合金ワイヤ10によって電気的に接続されている。合金ワイヤ10は半導体チップ1およびリード端子2の各々に接続されている。半導体チップ1は基板3上に搭載されている。半導体チップ1、リード端子2、基板3および合金ワイヤ10はモールド材4で封止されている。図1および図2を参照して、合金ワイヤは、リンを500質量ppm以上50000質量ppm以下含み、残部が銅および不可避不純物を含んでいる。合金ワイヤ10はねじられた状態で塑性変形していることが好ましい。合金ワイヤ10はねじり応力によって塑性変形している。また、合金ワイヤ10は、リンを5000質量ppm以上50000質量ppm以下含んでいることが好ましい。さらに、合金ワイヤ10は銅を99.999質量以上含んでいてもよい。次に、本発明の一実施の形態の合金ワイヤの製造方法について説明する。銅にリンが所定量添加された原料が真空溶解炉で溶融された後インゴットに鋳造される。このインゴットが溝ロール圧延された後、アニール処理および防錆処理等が施される。これにより、合金ワイヤ10が製造される。合金ワイヤ10がねじられた状態で塑性変形している場合には、合金ワイヤ10に所定のねじりが加えられる。ねじり装置を用いて適度なねじり塑性変形が合金ワイヤ10に加えられる。次に、本発明の一実施の形態の合金ワイヤを備えた半導体装置の製造方法について説明する。図3を参照して、まず、半導体チップ1が基板3に搭載される。続いて、合金ワイヤ10が半導体チップ1およびリード端子2にボンディングされる。合金ワイヤ10は、第1ボンド点5で半導体チップ1とキャピラリ7によって第1ボンドされ、第2ボンド点6でリード端子2にキャピラリ7によって第2ボンドされる。この後、半導体チップ1、リード端子2、基板3および合金ワイヤ10がモールド材4で封止される。これにより、図1に示す半導体装置が製造される。次に、本発明の一実施の形態の合金ワイヤを用いたボンディングについて説明する。図4を参照して、合金ワイヤ10が第2ボンド点6でリード端子2に第2ボンドされると、合金ワイヤ10を切るため、キャピラリ7が合金ワイヤ10に押し付けられる。続いて、図5を参照して、合金ワイヤ10を挿通した状態でキャピラリ7が上昇し、クランプ8が閉じられる。クランプ8が閉じられた状態で合金ワイヤ10を引っ張ることよって合金ワイヤ10が引きちぎられる。本発明の一実施の形態の合金ワイヤ10は容易に引きちぎられるため、合金ワイヤ10のワイヤテール11が傾斜したり、曲がったりすることが抑制される。その後、図6を参照して、合金ワイヤ10の先端の側方に配置された放電電極9によって引きちぎられたワイヤテール11に向けて放電が行われる。これにより、図7を参照して、合金ワイヤ10の先端にボール12が形成される。本発明の一実施の形態の合金ワイヤ10では合金ワイヤ10のワイヤテール11が傾斜したり、曲がったりすることが抑制されるため、ボール12形成時の偏芯およびボール12寸法の変動を抑制することができる。そして、図8を参照して、そのボール12によって第1ボンド点5で第1ボンドが行われる。本発明の一実施の形態の合金ワイヤ10ではボール12形成時の偏芯およびボール12寸法の変動を抑制することができるため、安定的にボンディングすることができる。以降、上記動作が繰り返し行われる。次に、本発明の一実施の形態の作用効果について比較例と対比して説明する。図9を参照して、比較例の合金ワイヤ10は、リンが0質量ppm以上400質量ppm以下含まれている点で本発明の一実施の形態の合金ワイヤ10と異なっている。比較例の合金ワイヤ10では、合金ワイヤ10を引っ張ることよって合金ワイヤ10が引きちぎられると合金ワイヤ10のワイヤテール11が大きく傾斜するとともに曲がる。その後、図10を参照して、合金ワイヤ10の先端の側方に配置された放電電極9によって引きちぎられたワイヤテール11に向けて放電が行われる。これにより、図11を参照して、合金ワイヤ10の先端にボール12が形成される。比較例の合金ワイヤ10では合金ワイヤ10のワイヤテール11が大きく傾斜するとともに曲がっているためボール12が偏芯する。またボール12寸法の変動も大きくなる。そのため、図12を参照して、そのボール12によって第1ボンド点5で第1ボンドが行われると、ワイヤボンディングの位置精度が低下する。またワイヤボンディング強度にばらつきが生じる。これにより、信頼性が大きく低下する。本発明の一実施の形態の合金ワイヤによれば、リンが500質量ppm以上50000質量ppm以下含まれているため、合金ワイヤ10が脆くなることによって合金ワイヤ10の引きちぎり性を改善することができる。これにより、その後のボール12形成時の偏芯およびボール12寸法の変動を抑制することができる。また、リンの脱酸効果により銅の酸化が抑制されることによっても、ボール12形成時の偏芯およびボール12寸法の変動を抑制することができる。したがって、安定的にボンディングすることができる。また、本発明の一実施の形態の合金ワイヤによれば、合金ワイヤがねじられた状態で塑性変形しているため、リン化合物と銅との粒界に歪みが生じる。このため、合金ワイヤ10をさらに容易に引きちぎることができる。これにより、合金ワイヤ10の引きちぎり性をさらに改善することができる。また、本発明の一実施の形態の合金ワイヤによれば、リンが5000質量ppm以上50000質量ppm以下含まれているためボール12形成時の偏芯およびボール12寸法の変動をさらに確実に抑制することができる。また、本発明の一実施の形態の合金ワイヤによれば、銅が99.999質量以上含まれているため、生産コストを含めた生産性を向上しつつ、安定的にボンディングすることができる。また、本発明の一実施の形態の半導体装置によれば、半導体チップとリード端子とを電気的に接続するように半導体チップおよびリード端子の各々に合金ワイヤ10が接続されている。このため、合金ワイヤ10が安定的にボンディングされた半導体装置を得ることができる。これにより、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。以下、本発明の実施例について説明する。表1を参照して、本発明の実施例および比較例の合金ワイヤを準備した。99.999質量以上の高純度銅金属を原料として、リンを所定量添加し、表1に示すような組成のφ30μmの銅合金ワイヤをそれぞれ準備した。ワイヤ加工は、まず所定量の原料を真空溶解炉で溶解した後インゴットに鋳造した。このインゴットに溝ロール圧延をした後、アニール処理、防錆処理等を施して銅合金ワイヤを作製した。さらに、実施例11~16では合金ワイヤに所定のねじりを加えた。ねじり装置を用いてねじり応力を加えることで適度なねじり塑性変形を加えた。ねじり回数はワイヤ径、ワイヤの材料によって異なるが、リンを5000質量ppm添加し、φ30μmの合金ワイヤに、2m毎に40回ほどのねじりを加えて、合金ワイヤをねじり塑性変形させた。なお、ねじり回数については、ワイヤが塑性変形していればよく、上記回数に限定するものではない。次に、図13を参照して、基板20にボール形成φ60μmと、第2ボンドのみを繰り返し行うようなサンプルを各銅合金ワイヤについて400個作製した。具体的には、合金ワイヤ10の先端に放電を行い、ボール12を形成した。クランプ8図4を開けて、合金ワイヤ10を所定の長さ出して、キャピラリ7図4を移動し、基板20の所定の位置に第2ボンドを行った。第2ボンドが終わると、合金ワイヤ10を切るため、キャピラリ7を合金ワイヤ10に押し付けた。続けて、キャピラリ7を上昇させ、クランプ8を閉じることで、合金ワイヤ10を引きちぎった。その後、合金ワイヤ10の先端に放電を行う動作を繰り返し行った。ボール形成雰囲気は窒素Nなどの不活性ガスと水素H1の混合ガスとした。水素Hは爆発の危険があるため、少ないほうが良いが、一方で、酸素Oと反応して、ボールの酸化をより防ぐことができる還元作用。ただし、上記ガスを吹き付けていても、酸素を完全に除去することはできず、一部は残存している。ガスの吹き付け量は、任意であるが、吹き付け量を多くしすぎると、ボール形成時のアークを消してしまい、ボール形成が困難である。また吹き付け量を少なくしすぎると、ガスの不活性、還元効果が薄れる。ガスの吹き付け量は、たとえば0.4~0.6L/分である。次にボール表面観察を実施し、ボールが良好な形状でない割合=不良率[]を算出した。結果を表1に示す。なお、ボール形状不良とは、たとえば、ボールが真球にならずに、槍状のもの、楕円球のもの、芯の位置がずれているもの偏芯、表面に酸化が見られたもの変色、クレータが見られたもの、ボール表面が滑らかではなく、一部にしわが見られたものを言う。なお槍状、楕円状のボールの表面を見ると、酸化膜と見られるような変色部分が表面に多く見られた。ボール表面観察の結果、比較例1~5および実施例1~16に示すようにリンを添加することで、リンを添加しない場合と比べてボール形成不良率が低下した。これは、リンを添加することで、リンが酸素と化合してボール表面の酸化を防止しているため、良好なボール形成がされたと考えられる。なおリンは酸化リンとして気化するため、ボール表面には残存しない。また、銅内にリンを添加していくと、純銅に比べて、脆くなるため、引きちぎりが容易で、安定し、ワイヤテールが傾斜したり、曲がったりせず、ボール形成が良好になると考えられる。ボール形成不良率はリンの添加量が500質量ppm以上50000質量ppm以下の間で良好な結果となった。そして、リンの添加量が5000質量ppm以上50000質量ppm以下の範囲でさらに良好な結果となった。リンの添加量が500質量ppmより少ないと、ボール形成不良率が高く、得られる効果は小さかった。また、リンを50000質量ppmより多く添加すると、脆くなりすぎてしまい、合金ワイヤ10の製造時の溝ロール圧延時に、一部ワイヤに亀裂が発生するものが見られた。このため、リンの添加量としては歩留まりを考慮すると50000質量ppm以下が好ましいことがわかった。さらに合金ワイヤにねじりを加えることで、ボール形成不良率を0にすることができた。ねじりを加えることで、合金ワイヤ内のリン化合物と銅との粒界に歪みが生じ、容易に合金ワイヤが引きちぎられたため、ワイヤテールの変形が抑制されたと考えられる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。