"a表面に表面パッドと裏面に裏面パッドとを備え、かつ前記表面パッドと前記裏面パッドとが電気的に接続された配線基板の前記表面上に半導体チップを搭載し、かつ前記裏面パッドに半田ボールを搭載することにより、半導体装置を組み立てる工程と、b前記半導体装置をソケットに挿入し、前記表面パッドと前記半田ボールとに、前記ソケット内に設けられたコンタクトピンを接触させる工程と、c前記コンタクトピンを介して、前記配線基板の導通テストを行う工程と、を有し、前記ソケットは、前記半導体装置を載置可能な可動台座と、前記可動台座の下方に配置されたベース部と、前記導通テスト時に前記半導体装置の上方に配置される蓋部とを有し、前記蓋部は、前記表面パッドに接触する第1コンタクトピンと位置決めピンとを有し、前記ベース部は、前記半田ボールに接触する第2コンタクトピンと、前記位置決めピンと係合する位置決め部材とを有し、前記可動台座は、前記位置決め部材と嵌合し、かつ前記位置決め部材の案内により前記コンタクトピンの延在方向に沿って可動自在に設けられ、前記c工程の前記導通テストは、前記位置決め部材により前記可動台座が前記コンタクトピンの配列方向に対して位置決めされた状態で、前記第1コンタクトピンを前記表面パッドに接触させ、かつ前記第2コンタクトピンを、前記ベース部を貫通させて前記半田ボールに接触させて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記c工程の前記導通テストは、前記可動台座上で前記半導体装置を前記配列方向に対して片寄せした状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記片寄せでは、前記半田ボールを前記可動台座に設けられた凹部の内周壁に突き当てることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記片寄せは、前記配線基板の側面を押して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記c工程の前記導通テストでは、前記表面パッドと前記裏面パッド間の配線抵抗を測定することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、前記配線抵抗の測定は、全ての前記半田ボールに対して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記c工程の後、前記導通テストによって選別された良品に対して製品特性検査を行う工程をさらに有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記可動台座の前記コンタクトピンの配列方向に対する位置決めは、前記可動台座に設けられた貫通孔に前記位置決め部材が嵌合されることによって行われ、前記可動台座は前記位置決め部材と摺動することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記可動台座は、弾性部材を介して前記ベース部に取り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記a工程は、a1前記表面パッドと前記裏面パッドを備えた前記配線基板を準備する工程と、a2前記表面パッドと電気的に接続されたチップ接続用パッドに前記半導体チップを搭載し、電気的に接続する工程と、a3前記裏面パッドに前記半田ボールを搭載し、高温リフローすることにより前記裏面パッドと前記半田ボールとを電気的に接続する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10に記載の半導体装置の製造方法において、前記a2工程では、前記半導体チップの電極パッドの表面に設けられた突起電極と、前記チップ接続用パッドとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項11に記載の半導体装置の製造方法において、前記突起電極と前記チップ接続用パッドとの接続は、前記半導体チップを加熱して予め前記チップ接続用パッドに設けられた半田を溶融させることで行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体集積回路等が組み込まれた半導体装置では、この半導体装置が搭載される電子機器の小型化に加えて高性能化も著しく進んでおり、したがって、半導体装置においても小型化と高性能化の両者を実現する半導体装置が求められている。小型化と高性能化を実現する半導体装置の一例として、積層型の半導体パッケージであるPOPPackageOnPackageが知られている。POPは、下段パッケージの上に上段パッケージが搭載されて成る構造であるため、一般的に下段上段パッケージとも基板タイプの半導体パッケージとなる。下段パッケージと上段パッケージは、相互の配線基板の間に半田ボール等のボール電極が配置され、このボール電極を介して上下段パッケージが電気的に接続される。したがって、下段パッケージの配線基板の上面表面における半導体チップの周囲には、上段パッケージと接続するための電極である複数のプリスタックランドが設けられており、一方、下面裏面にはPOPの外部端子となる半田ボール接続用の複数の裏面ランドが設けられている。この複数の裏面ランドは、BGABallGridArray等と同様に、例えば、格子状に配置されている。上述のようにPOPの下段パッケージの配線基板は、その表面に複数のプリスタックランドを有しており、一方、裏面には複数の裏面ランド以降、BGAランドともいうを有している。また、POPの組み立てでは、上段下段それぞれのパッケージを別々に組み立て、別々に検査を行った後、それぞれ良品のパッケージを積層してPOPを完成させており、これによって、歩留の向上を図っている。したがって、下段パッケージの組み立てでは、外部端子となる半田ボール搭載のためのリフロー工程等の加熱工程を複数経て下段パッケージ完成に至る。ところが、組み立て時の種々の加熱工程の影響による熱履歴で、基板内の配線やビアの一部が高抵抗化半断線したり、断線したりする場合がある。これらの不良は、組み立て後の下段パッケージをソケットに装着して行う電気的検査において、BGAランド-半導体チップ間については、半田ボール外部端子にコンタクトピンを接触することで断線不良を検出可能であるが、プリスタックランド-半導体チップ間については、半田ボール側からコンタクトピンを接触させて検出することは不可能である。そのため、プリスタックランドにもコンタクトピンを接触させることにより、プリスタックランド-半導体チップ間の断線不良についても検出している。以上のようにPOPの電気的検査では、裏面側の半田ボールと表面側のプリスタックランドの両者にコンタクトピンを同時に接触させなければならないため、両者の位置合わせを高精度に行うことが重要である。仮に、半田ボール裏面側とプリスタックランド表面側の位置がずれると、検査が正しく行うことができない。さらに、コンタクトピンによって、配線基板のソルダレジストを損傷させたり、最悪の場合、配線を損傷させたりすることにも繋がる。本発明者は、ソケットを用いたPOPの電気的検査について検討を行い、以下のような課題を見出した。ここで、図24は、本発明者が比較検討を行った第1比較例のソケットの構造を示す部分断面図、図25は、本発明者が比較検討を行った第2比較例のソケットの構造を示す部分断面図である。図24に示す第1比較例のソケット50は、ベース部51と蓋部53から成り、それぞれコンタクトピン54,57が設けられているとともに、位置決めピン58とその嵌合部59とによってベース部51と蓋部53とが位置決めされる構造となっている。また、ソケット50では、ベース部51の下段パッケージ52を載置する凹部56には全ピンを対象として複数のコンタクトピン54が剣山のように突出した状態となっており、検査時には、これらのコンタクトピン54に対して上方から下段パッケージ52を自重落下させて凹部56に載置する。そのため、コンタクトピン54の位置に対して半田ボール55の位置が僅かにずれていると、コンタクトピン54が半田ボール55に接触せずに配線基板60に直接接触し、その結果、配線基板60のソルダレジストが損傷するという不具合が起こる。さらに、下段パッケージ52を自重落下させた際の半田ボール55のコンタクトピン54への接触時の衝撃で半田ボール55が損傷するという不具合も起こる。そこで、前述の不具合の対策として考案したものが図25に示す第2比較例のソケット61である。ソケット61は、ソケット50と同様にベース部51と蓋部53から成り、それぞれコンタクトピン54,57が設けられているとともに、位置決めピン58とその嵌合部59とによってベース部51と蓋部53とが位置決めされる構造となっている。さらに、ソケット61には、そのベース部51に、検査時に下段パッケージ52を載置する台座62が設けられている。台座62のパッケージ載置面には、下段パッケージ52の半田ボール55が収まる溝部が全ての半田ボール55に対応して半田ボール55と1対1の関係で設けられており、各溝部にこの溝部の下方側からコンタクトピン54の先端部が突出可能なように各コンタクトピン54が配置されている。すなわち、台座62は、ベース部51に弾性部材63を介して支持されており、検査時に台座62に下段パッケージ52を載置した後、ソケット61の蓋部53を閉めると、蓋部53によって上方から下段パッケージ52が押圧され、これといっしょに台座62も押し下げられてコンタクトピン54が溝部内に突出して半田ボール55に接触するという構造になっている。各半田ボール55を各溝部に収容した際にはコンタクトピン54は溝部内にまだ突出していないため、この時点で半田ボール55がコンタクトピン54に接触することはなく、半田ボール55が損傷することを低減できる。さらに、溝部に半田ボール55を収めた後にコンタクトピン54が半田ボール55に接触するため、コンタクトピン54が位置ずれによって配線基板60のソルダレジストに突き当たることも阻止することができ、ソルダレジストが損傷することも防げる。しかしながら、ソケット61の台座62は、複数のコンタクトピン54の配列方向に対して位置決めが行われていないため、表面側のコンタクトピン57の位置とプリスタックランド60aの位置がずれていると、コンタクトピン57がプリスタックランド60aに接触せずに配線基板60のソルダレジストに接触し、その結果、ソルダレジストが損傷するという課題が発生する。あるいは、コンタクトピン57がプリスタックランド60aに接触しないため、電気的検査が正しく行われないという課題も発生する。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の電気的検査の信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。また、本発明の他の目的は、半導体装置の電気的検査における半導体装置とコンタクトピンの位置合わせ精度を高めることができる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、a表面に表面パッドと裏面に裏面パッドとを備え、かつ前記表面パッドと前記裏面パッドとが電気的に接続された配線基板の前記表面上に半導体チップを搭載し、かつ前記裏面パッドに半田ボールを搭載することにより半導体装置を組み立てる工程と、b前記半導体装置をソケットに挿入し、前記表面パッドと前記半田ボールとに、前記ソケット内に設けられたコンタクトピンを接触させる工程と、c前記コンタクトピンを介して、前記配線基板の導通テストを行う工程と、を有し、前記ソケットは、前記半導体装置を載置可能な可動台座と、前記可動台座の下方に配置されたベース部と、前記導通テスト時に前記半導体装置の上方に配置される蓋部とを有し、前記蓋部は、前記表面パッドに接触する第1コンタクトピンと位置決めピンとを有し、前記ベース部は、前記半田ボールに接触する第2コンタクトピンと、前記位置決めピンと係合する位置決め部材とを有し、前記可動台座は、前記位置決め部材と嵌合し、かつ前記位置決め部材の案内により前記コンタクトピンの延在方向に沿って可動自在に設けられ、前記c工程の前記導通テストは、前記位置決め部材により前記可動台座が前記コンタクトピンの配列方向に対して位置決めされた状態で、前記第1コンタクトピンを前記表面パッドに接触させ、かつ前記第2コンタクトピンを、前記ベース部を貫通させて前記半田ボールに接触させて行うものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。半導体装置の電気的検査の信頼性を向上させることができる。また、半導体装置の品質を向上させることができる。以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数など個数、数値、量、範囲などを含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。また、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、以下の実施の形態において、構成要素等について、Aからなる、Aよりなる、Aを有する、Aを含むと言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態図1は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって組み立てられるPOPの構成の一例を示す側面図、図2は図1に示すPOPの下段パッケージの構造の一例を示す断面図、図3は図2に示すA部の構造を示す拡大部分断面図、図4は図2に示す下段パッケージの構造の一例を示す平面図、図5は図2に示す下段パッケージの構造の一例を示す裏面図である。本実施の形態の半導体装置は、2つの半導体パッケージを半田ボールを介して2段に積層して成るPOPPackageOnPackageの下段側に用いられるものであり、ここでは、前記半導体装置の一例として、配線基板の裏面側に前記POPの外部端子となる複数のボール電極が設けられたBGABallGridArray型の下段パッケージ2について説明する。図1は本実施の形態のPOP1であり、下段パッケージ2上に半田ボール6を介して上段パッケージ3が積層された構造となっており、したがって、下段パッケージ2も上段パッケージ3も基板タイプの半導体パッケージである。下段パッケージ2では、半導体チップ4が配線基板5上に搭載され、半導体チップ4と配線基板5とが、図2に示すようにフリップチップ接続によって電気的に接続されており、フリップチップ接続部がアンダフィル9によって封止されている。すなわち、図3に示すように、配線基板5の上面表面5aに突起電極であるバンプ電極4dを介して半導体チップ4がフェイスダウン実装されており、半導体チップ4の主面4aに形成された電極パッド4cと、配線基板5の上面5aに形成されたチップ用ランドチップ接続用パッド5eとがバンプ電極4dを介して電気的に接続されている。また、配線基板5と半導体チップ4の間の隙間にアンダフィル9が充填されてフリップチップ接続部を保護している。一方、図1に示すように、上段パッケージ3には、その配線基板10上に半導体チップ8が搭載されており、ワイヤ接続もしくはバンプ接続等によって半導体チップ8と配線基板10とが電気的に接続されている。さらに、半導体チップ8は、封止用樹脂から成る封止体11によって樹脂封止されている。POP1では、下段パッケージ2と上段パッケージ3は、それぞれの配線基板5,10の間に半田ボール6が配置され、この半田ボール6を介して上下段パッケージが電気的に接続される構造である。したがって、下段パッケージ2の半導体チップ部分の高さを、その周囲に配置される半田ボール6の高さより低くしなければならず、その結果、下段パッケージ2では、フリップチップ接続された半導体チップ4の裏面4b上側の面を露出した構造となっている。また、図4に示すように、下段パッケージ2の配線基板5の上面5aにおける半導体チップ4の周囲、すなわち、配線基板5の上面5aの周縁部には、上段パッケージ3と接続するための電極である複数のプリスタックランド表面パッド5cが設けられており、一方、図2及び図5に示すように、下面裏面5bにはPOP1の外部端子となる半田ボール7を接続するための複数の外部端子用ランド裏面パッド5dが設けられている。また、例えば、最外周等にLGALandGridArrayランド5hが設けられていてもよい。なお、複数の外部端子用ランド5dは、BGA等と同様に、例えば、格子状に配置されている。ただし、本実施の形態の下段パッケージ2では、そのチップ下の領域には外部端子用ランド5d及び半田ボール7は設けられていない。次に、本実施の形態の半導体装置である下段パッケージ2の組み立てについて説明する。図6は図2に示す下段パッケージの組み立て手順の一例を示すフロー図、図7は図2に示す下段パッケージの組み立てにおけるテスト工程の一例を示すフロー図である。まず、図6のステップS1に示すバックグラインドを行う。すなわち、図示しない半導体ウエハの裏面を研摩して前記半導体ウエハを所望の厚さにする。その後、ステップS2に示すダイシングを行って前記半導体ウエハを個片化し、下段パッケージ用の半導体チップ4を取得する。その後、ステップS3に示すフリップチップ接続を行う。まず、図2及び図3に示すように、上面5aに複数のプリスタックランド5cやチップ用ランド5e、さらに下面5bに複数の外部端子用ランド5dを備え、かつプリスタックランド5cと外部端子用ランド5dとが後述する図11に示す内部配線5fやビア5g等を介して電気的に接続された配線基板5を準備する。その後、配線基板5上に半導体チップ4をフリップチップ接続する。すなわち、プリスタックランド5cと電気的に接続されたチップ用ランド5eと、半導体チップ4とを電気的に接続する。その際、半導体チップ4の電極パッド4cの表面に設けられた半田等から成るバンプ電極4dと、配線基板5の上面5aのチップ用ランド5eとを電気的に接続する。なお、バンプ電極4dと配線基板5のチップ用ランド5eとの接続は、半導体チップ4を加熱して予めチップ用ランド5eに設けられた半田を溶融させることで行う。この時、配線基板5にも熱応力が付与される。フリップチップ接続完了後、図6のステップS4に示すアンダフィル充填を行う。ここでは、図3に示すように、絶縁性の樹脂であるアンダフィル9を塗布して半導体チップ4と配線基板5の隙間に充填し、各バンプ電極4dの周囲、すなわちフリップチップ接続部の周りに充填してフリップチップ接続部を保護補強する。その後、図6のステップS5のボール付けを行う。ここでは、配線基板5の下面5bの外部端子用ランド5dに半田ボール7を搭載して高温リフローし、これによって図2に示すように外部端子用ランド5dに半田ボール7を接続する。したがって、ボール付け工程においても、配線基板5に熱応力が付与される。その後、図6のステップS6に示す切断を行う。すなわち、配線基板5の切断個片化を行って、各下段パッケージ2への組み立てを完了する。組み立て完了後、ステップS7に示す基板導通テストを行う。なお、図7は、半導体装置である下段パッケージ2の組み立て後のテスト工程を示すものであり、ステップS7の基板導通テストで下段パッケージ2における配線基板5の導通テストを行い、この導通テストで良品と判定された下段パッケージ2のみにステップS8に示す製品特性試験を行う。ここで、POP1を構成する下段パッケージ2におけるステップS7の基板導通テストの重要性について説明する。POP1は、前述のように下段パッケージ2上に半田ボール6を介して上段パッケージ3が積層される構造であるため、下段パッケージ2が備える配線基板5にはその上面5a側にプリスタックランド5cが設けられ、一方、下面5b側に外部端子用ランド5dが設けられており、プリスタックランド5cと外部端子用ランド5dとが、図11に示す内部配線5fやビア5g等で電気的に接続されている。しかしながら、下段パッケージ2の組み立てにおいて、前述のフリップチップ接続工程やボール付け工程での熱履歴により、配線基板5の内部配線5fやビア5gの一部が高抵抗化半断線したり、断線したりする場合がある。この時、外部端子用ランド5dと半導体チップ4の間は外部端子である半田ボール7にプローブコンタクトピンをコンタクトさせることで断線不良を検出可能であるが、外部端子用ランド5dとプリスタックランド5cの間プリスタックランド5cと半導体チップ4の間については、下面5bの半田ボール7側から検出することが不可能なので、プリスタックランド5cにもプローブをコンタクトさせることにより、外部端子用ランド5dとプリスタックランド5cの間プリスタックランド5cと半導体チップ4の間の断線不良についてもテストを行っている。このようPOP1の組み立てでは、その下段パッケージ2の組み立てで熱履歴がかかった配線基板5を導通テストすることで、不良品を見つけ出して取り除き、良品の下段パッケージ2のみを上段パッケージ3と組み合わせることでPOP1の歩留を向上できるため、基板導通テストの重要性が高い。また、前述のように重要性の高いPOP1の下段パッケージ2の組み立て後の基板導通テストにおいては、配線基板5の下面5b側の半田ボール7と上面5a側のプリスタックランド5cの両方にテスト用のプローブコンタクトピンをコンタクトさせなければならないため、両方に精度良く位置合わせを行う必要がある。次に、図7図6に示すステップS7の基板導通テストについて説明する。図8は図7に示すテスト工程で用いられるソケットの構造の一例を示す断面図、図9は図8のソケットの主要部の構造の一例を示す拡大部分断面図、図10は図8のソケットの可動台座の構造の一例を示す拡大部分平面図、図11は図8のソケットを用いた導通テスト時の等価回路の一例を示す等価回路図である。また、図12~図14はそれぞれ図8のソケットにおけるテスト時の動作の一例を示す断面図、図15は図8のソケットの主要部の構造を示す拡大部分断面図、図16は図8のソケットの主要部におけるコンタクトピンの接触位置のシミュレーションを行った際の使用値の一例を示すデータ図、図17は図16に示すシミュレーションの結果の一例を示す平面図である。さらに、図18は比較例のソケットの主要部の構造を示す拡大部分断面図、図19は図18のソケットの主要部におけるコンタクトピンの接触位置のシミュレーションを行った際の使用値を示すデータ図、図20は図1に示すPOPの組み立ての一例を示す外観図である。なお、ステップS7の基板導通テストでは、図11に示すように、下段パッケージ2の配線基板5のプリスタックランド5cと外部端子用ランド5dの間における内部配線5fやビア5gの断線の有無をテストする。その際、プリスタックランド5c-外部端子用ランド5d間の配線抵抗を測定して内部配線5fやビア5gの断線の有無をテストする。次に、ステップS7の基板導通テストで用いられる図8のソケット12の構造について説明する。本実施の形態のソケット12は、下段パッケージ2を載置可能な可動台座15と、可動台座15の下方に配置されたベース部13と、導通テスト時に下段パッケージ2の上方に配置される蓋部14とを備えている。ここで、蓋部14は、配線基板5の上面5aのプリスタックランド5cに接触可能な複数の第1コンタクトピン14aを有しており、さらにベース部13との間で位置決めを行うための位置決めピン14bが埋め込まれている。複数の第1コンタクトピン14aは、これら各ピンの先端が、被テスト物である配線基板5の上面5aに向かうように配置されている。すなわち、複数の第1コンタクトピン14aは、それぞれの延在方向が配線基板5の上面5aと交差する方向に沿うように設けられており、図4に示す配線基板5の上面5aの複数のプリスタックランド5cと1対1の対応でこれら複数のプリスタックランド5cの配列と同様の配列で設けられている。なお、位置決めピン14bも第1コンタクトピン14aと同様の方向に延在するように設けられている。一方、ベース部13は、外部端子である半田ボール7に接触可能な複数の第2コンタクトピン13aを有しており、さらに位置決めピン14bと係合する位置決め部材である位置決めピン13bが埋め込まれている。複数の第2コンタクトピン13aは、これら各ピンの先端が、被テスト物である配線基板5の下面5bに向かうように配置されている。すなわち、複数の第2コンタクトピン13aは、それぞれの延在方向が配線基板5の下面5bと交差する方向に沿うように設けられており、図5に示す配線基板5の下面5bの複数の半田ボール7と1対1の対応でこれら複数の半田ボール7の配列と同様の配列で設けられている。なお、位置決めピン13bも第2コンタクトピン13aと同様の方向に延在するように設けられている。また、ベース部13には、配線基板5や複数の第1コンタクトピン14a及び第2コンタクトピン13aが配置される中央部付近に凹部13dが形成されており、位置決めピン13bは、この凹部13dに突出するように埋め込まれている。さらに、ベース部13には、この凹部13dの周囲にベース部13を貫通して配置された複数の第3コンタクトピン13eが設けられており、これら複数の第3コンタクトピン13eは複数の第2コンタクトピン13aと同様の方向に延在するように配置されている。以上のようにベース部13に埋め込まれた位置決めピン13bと、蓋部14に埋め込まれた位置決めピン14bとは、基板導通テスト時にベース部13と蓋部14とが対向して配置された際に、位置決めピン13bと位置決めピン14bも対向して配置されるようにそれぞれに埋め込まれている。なお、ベース部13に埋め込まれた位置決めピン13bは、筒状であるとともに、その延在方向に沿った孔部13cが形成されている。したがって、基板導通テスト時には、蓋部14の位置決めピン14bをベース部13の位置決めピン13bの孔部13cに挿入することで、ベース部13と蓋部14とが位置決めされる構造となっている。さらに、この孔部13cは、その孔径が位置決めピン14bと嵌め合いすきまばめの関係となるような大きさに形成されており、位置決めピン13bに対して位置決めピン14bが高精度に位置決めされた状態で上下各ピンの延在方向に摺動可能なような関係となっている。すなわち、ベース部13の位置決めピン13bの孔部13cに、蓋部14の位置決めピン14bを上方から挿入することで、ベース部13と蓋部14とが位置決めされるとともに、蓋部14が位置決めピン13bの孔部13cによって案内されて上下方向各ピンの延在方向に摺動することが可能となる。また、本実施の形態のソケット12には、可動台座15が設けられている。可動台座15は、ベース部13の凹部13dに配置されており、位置決め部材である位置決めピン13bと嵌合するとともに、位置決めピン13bの案内により第2コンタクトピン13aの延在方向に沿って可動自在に設けられている。詳細には、可動台座15はその平面方向の中央部付近に凹状の基板装着部15aを有しており、この基板装着部15aには、下段パッケージ2の配線基板5の受け面となる基板載置面15bが形成され、基板導通テストは、基板載置面15bによって配線基板5を支持した状態で行う。また、基板装着部15aの外側には、位置決めピン13bを通す貫通孔15cが形成されており、貫通孔15cに位置決めピン13bが通されていることで、可動台座15が位置決めピン13bによって位置決めされている。すなわち、貫通孔15cは、その孔径が位置決めピン13bと嵌め合いすきまばめの関係となるような大きさに形成されており、位置決めピン13bに対して可動台座15が高精度に位置決めされた状態で上下各ピンの延在方向に摺動可能なような関係となっている。すなわち、位置決めピン13bに可動台座15の貫通孔15cを通すことで、位置決めピン13bと可動台座15が位置決めされるとともに、位置決めピン13bが埋め込まれたベース部13と可動台座15も位置決めされ、さらに可動台座15が位置決めピン13bによって案内されて上下方向各ピンの延在方向に摺動することが可能となる。なお、可動台座15は、平面形状が、例えば四角形であり、2つの対角線のうちの一方の対角線上の角部に位置決めピン13bが配置されており図10参照、したがって、この場合には可動台座15は、2つの位置決めピン13bによって位置決めされる。ただし、位置決めピン13bの設置数は、2つに限られるものではない。また、可動台座15は、その裏面側がバネ弾性部材16によって支持されている。すなわち、ベース部13の凹部13dと可動台座15との間に複数例えば、配線基板5のコーナ部付近に対応した4箇所のバネ16が設けられている。すなわち、可動台座15は、バネ16を介してベース部13に取り付けられており、これによって、可動台座15は、上方から第1コンタクトピン14aによって加圧された際に、バネ16の弾性力によって上方に押し返すように保持されている。さらに、図9に示すように、可動台座15の基板装着部15aの基板載置面15bには、下段パッケージ2の外部端子である複数の半田ボール7に1対1で対応した複数の孔であるポケット部凹部15dが形成されている。すなわち、複数のポケット部15dは、複数の半田ボール7に1対1で対応して形成されているため、図10に示すように、図5の下段パッケージ2の複数の半田ボール7の配列と同じ配列で形成されている。また、図9に示すように、可動台座15には、それぞれのポケット部15dに開口する貫通孔15eが形成されており、各貫通孔15eにそれぞれ第2コンタクトピン13aが配置されている。各貫通孔15eに配置された第2コンタクトピン13aは、上方から第1コンタクトピン14aによって配線基板5が加圧されて可動台座15が沈み込む前の段階では、それぞれポケット部15dに僅かに突出する程度の長さとなっている。そこで、各ポケット部15dの深さは半田ボール7の直径より十分に深く形成されており、下段パッケージ2の配線基板5を基板載置面15bで支持した時点上方から第1コンタクトピン14aによって加圧されていない時点では、半田ボール7が第2コンタクトピン13aに当たらない深さとなっている。なお、図9に示すように、可動台座15の基板装着部15aに下段パッケージ2を載置した際の下段パッケージ2の位置決めは、下段パッケージ2の各半田ボール7がこれらに対応する各ポケット部15dに収められることで成される。この時、配線基板5の外周部と基板装着部15aの壁部15fとのクリアランスは、半田ボール7とポケット部15dの内周壁15gとのクリアランスより大きい。すなわち、配線基板5の外周部と基板装着部15aの壁部15fとのクリアランスは、図示しないハンドラ装置の下段パッケージ2を可動台座15に装着する際の停止精度等で決まるものであり、さらに配線基板5の外周部が基板装着部15aの壁部15fに当たらないように設定されるため、半田ボール7とポケット部15dの内周壁15gとのクリアランスは、配線基板5の外周部と基板装着部15aの壁部15fとのクリアランスより小さくしておかなければならない。基板導通テストの際には、まず、ソケット12の可動台座15の基板装着部15aのポケット部15dに半田ボール7を収めて基板装着部15aに下段パッケージ2を載置し、その後、蓋部14を下降させて第1コンタクトピン14aを配線基板5の上面5aのプリスタックランド5cに接触させることで配線基板5を押圧する。この第1コンタクトピン14aによる下方への押圧動作で可動台座15が沈み込み、半田ボール7がポケット部15dに突出している第2コンタクトピン13aに接触した時点で蓋部14の下降を停止させる。この時、可動台座15はバネ16によって下方から上方に向かって押圧されているため、図8に示すように配線基板5の上面側では、プリスタックランド5cに第1コンタクトピン14aが接触し、かつ下面側では、半田ボール7に第2コンタクトピン13aが接触する状態を作り出すことができ、この状態で基板導通テストを実施する。すなわち、本実施の形態のソケット12では、図10に示すように、位置決めピン13bにより可動台座15が複数の第2コンタクトピン13aの配列方向Pに対して位置決めされた状態で、図8に示すように、下段パッケージ2の配線基板5の上面側で第1コンタクトピン14aを配線基板5のプリスタックランド5cに接触させ、かつ配線基板5の下面側で第2コンタクトピン13aを、ベース部13を貫通させて下段パッケージ2の半田ボール7に接触させて基板導通テストを行う。なお、基板導通テストでは、図11に示すように、下段パッケージ2の配線基板5のプリスタックランド5cと外部端子用ランド5d半田ボール7の間における内部配線5fやビア5gの断線の有無をテストする。また、前記基板導通テスト時には、図8に示すようにソケット12の蓋部14上に変換基板17が配置され、一方、ベース部13の下にはテストボード18が配置される。この時、それぞれ複数の第1コンタクトピン14aは変換基板17と電気的に接続し、かつ複数の第2コンタクトピン13aはテストボード18と電気的に接続し、さらに複数の第3コンタクトピン13eは変換基板17とテストボード18の両方に電気的に接続する。これにより、図8に示すような電気的な信号19の流れを形成し、テストボード18を介して図11に示すテスタ21により、基板導通テストを行う。次に、本実施の形態の基板導通テスト時のソケット12の動作の詳細について説明する。まず、図2に示すような上面5aに複数のプリスタックランド5cが形成され、下面5bに複数の外部端子用ランド5dが形成されているとともに、プリスタックランド5cと外部端子用ランド5dとが図11に示す内部配線5fやビア5g等で電気的に接続された配線基板5の上面上に半導体チップ4が搭載され、かつ外部端子用ランド5dに外部端子である複数の半田ボール7が接続されて成る下段パッケージ半導体装置2を準備する。すなわち、図6のステップS6に示す切断を行って組み立てられた下段パッケージ2を準備する。その後、図示しないハンドラによって下段パッケージ2を保持して搬送し、図12に示すように、ソケット12のベース部13の可動台座15の基板装着部15aに下段パッケージ2を装着挿入する。その際、図9に示すように各半田ボール7を可動台座15の基板装着部15aに設けられたポケット部15dに収めることで下段パッケージ2は位置決めされる。これにより、下段パッケージ2は、可動台座15の基板装着部15aの基板載置面15bで支持される。なお、本実施の形態のソケット12では、可動台座15に設けられた2つの貫通孔15cのそれぞれに位置決めピン13bが嵌合されることで、可動台座15が第2コンタクトピン13aの配列方向に対して位置決めされており、かつ下段パッケージ2の各半田ボール7が可動台座15の各ポケット部15dに収まったことで、下段パッケージ2は、図10に示す第2コンタクトピン13aの配列方向Pに対して位置決めされた状態となる。その後、図12に示すように、ベース部13の可動台座15の上方に蓋部14を配置し、位置決めピン13bの孔部13cと位置決めピン14bの位置を合わせた後、蓋部14を降下L部させ、図13に示すように位置決めピン13bの孔部13cに、その上方から位置決めピン14bを挿入して位置決めピン13bと位置決めピン14bとを嵌合する。これにより、ベース部13と蓋部14とが位置決めされる。すなわち、蓋部14の複数の第1コンタクトピン14aが配線基板5の複数のプリスタックランド5cに接触可能なように、図10に示す配列方向Pに位置決めされ、一方、ベース部13の複数の第2コンタクトピン13aも配線基板5の複数の半田ボール7に接触可能なように、配列方向Pに位置決めされた状態となる。その後、さらに蓋部14を降下させて配線基板5のプリスタックランド5cに第1コンタクトピン14aを接触させ、かつ配線基板5の下面5b側の半田ボール7に第2コンタクトピン13aを接触させる。この時、可動台座15がその下側のベース部13との間で複数のバネ16によって支持されており、かつ位置決めピン13bに対して摺動自在に設けられていることで、第1コンタクトピン14aのプリスタックランド5cへの接触により配線基板5が上方から押圧されると、可動台座15が下方に沈み込む。可動台座15が沈んだことで、半田ボール7がポケット部15dに突出している第2コンタクトピン13aに接触した時点で蓋部14の下降を停止させる。なお、可動台座15はバネ16によって下方から上方に向かって押圧されているため、図14に示すように配線基板5の上面側では、プリスタックランド5cに第1コンタクトピン14aが接触し、一方、下面側では、半田ボール7に第2コンタクトピン13aが接触した状態となる。以上のように、配線基板5の上面5aのプリスタックランド5cに第1コンタクトピン14aを接触させ、下面5bの半田ボール7に第2コンタクトピン13aを接触させた状態で基板導通テストを実施する。すなわち、第1コンタクトピン14a及び第2コンタクトピン13aを介して、配線基板5の導通テストを行う。基板導通テスト時には、図8に示すようにソケット12の蓋部14上に変換基板17を配置し、一方、ベース部13の下にはテストボード18を配置する。この時、それぞれ複数の第1コンタクトピン14aは変換基板17と電気的に接続し、かつ複数の第2コンタクトピン13aはテストボード18と電気的に接続しており、さらに複数の第3コンタクトピン13eは変換基板17とテストボード18の両方に電気的に接続している。これにより、図8に示すような電気的な信号19の流れを形成し、テストボード18を介して図11に示すテスタ21により、基板導通テストを行う。なお、基板導通テストでは、図11に示すように配線基板5のプリスタックランド5cと外部端子用ランド5dの間における内部配線5fやビア5gの断線の有無をテストする。その際、プリスタックランド5c-外部端子用ランド5d間プリスタックランド5c-半導体チップ4間の配線抵抗を測定して内部配線5fやビア5gの断線の有無をテストする。さらに、前記配線抵抗の測定は、全ピン、すなわち全ての半田ボール7に対して行うことが望ましい。次に、本実施の形態のソケット12を用いた際の基板導通テスト時のコンタクトピンの接触位置のシミュレーション結果と、図25に示す第2比較例のソケット61を用いた際の基板導通テスト時のコンタクトピンの接触位置のシミュレーション結果について説明する。まず、図15~図17を用いて本実施の形態のソケット12を用いた場合について説明する。図15に示す本実施の形態のソケット12の主要部と、図15の各部に対応した図16に示すシミュレーション使用値とを用いて、図17に示すように、プリスタックランド5cのランド端Tを基準として第1コンタクトピン14aがプリスタックランド5cのどの当たりに接触するかをシミュレーションし、その結果について説明する。前記シミュレーションは、その結果が、図17において、ランド端Tの側となるか、または-側になるかで、側の時には、第1コンタクトピン14aとプリスタックランド5cが接触することを表し、-側の時には、第1コンタクトピン14aとプリスタックランド5cが接触しないことを表す。また、図16に示す各シミュレーション使用値は、それぞれ設計公差の最悪の場合を用いている。まず、本実施の形態のソケット12の場合のシミュレーションの計算式は、接触位置Qのランド端Tからの距離Xが、X=a/2-d-bce-fm-ng-h/2で表される。この計算式に図16に示す各部のシミュレーション使用値を入れて計算すると、接触位置Qの距離Xは、X=0.002となり、図17のQ点の位置となる。すなわち、プリスタックランド5cのランド端Tから内側側に距離0.002入った箇所に第1コンタクトピン14aが接触することになり、第1コンタクトピン14aとプリスタックランド5cは確実にコンタクトするという結果が得られた。次に、図17~図19を用いて第2比較例のソケット61を用いた場合について説明する。図18に示す第2比較例のソケット61の主要部と、図18の各部に対応した図19に示すシミュレーション使用値とを用いて、図17に示すように、プリスタックランド60aのランド端Tを基準としてコンタクトピン57がプリスタックランド60aのどの当たりに接触するかをシミュレーションし、その結果について説明する。なお、図19においても、各シミュレーション使用値は、それぞれ設計公差の最悪の場合を用いている。第2比較例のソケット61の場合のシミュレーションの計算式は、接触位置Rのランド端Tからの距離Yが、Y=a/2-d-bce-fj-kig-h/2で表される。この計算式に図19に示す各部のシミュレーション使用値を入れて計算すると、接触位置Rの距離Yは、Y=-0.083となり、図17のR点の位置となる。すなわち、プリスタックランド60aのランド端Tから外側-側に距離0.083外れた箇所にコンタクトピン57が接触することになり、コンタクトピン57とプリスタックランド60aはコンタクトしないという結果が得られた。以上のシミュレーション結果により、本実施の形態のソケット12を用いることにより、基板導通テスト時に、第1コンタクトピン14aがプリスタックランド5cから外れた位置に接触することは無くなり、第1コンタクトピン14aとプリスタックランド5cとが確実に接触するという結果が得られた。その後、本実施の形態のソケット12を用いた基板導通テストにより、良品と判定された下段パッケージ2のみについて図7のステップS8に示す製品特性試験を行う。すなわち、テスト工程において、まず、配線基板5の導通テストを行い、この導通テストによって選別された良品の下段パッケージ2に対して製品特性試験検査を行う。なお、前記製品特性試験は、例えば、DCテスト、アナログテスト、ACテスト及びファンクションテスト等である。その後、前記製品特性試験で合格した下段パッケージ2を製品として出荷し、出荷先で、図20に示すように、上段パッケージ3と接続して図1に示すPOP1を組み立てる。もしくは前記製品特性試験で合格した下段パッケージ2を上段パッケージ3と接続して図1に示すPOP1を組み立て、このPOP1を出荷してもよい。本実施の形態の半導体装置下段パッケージ2の製造方法によれば、ソケット12のベース部13に設けられた位置決めピン13bにより可動台座15が第2コンタクトピン13aの配列方向Pに対して位置決めされた状態で、第1コンタクトピン14aをプリスタックランド5cに接触させ、かつ第2コンタクトピン13aを半田ボール7に接触させて基板導通テストを行うことで、第1コンタクトピン14a側と第2コンタクトピン13a側とを精度良く位置合わせして電気的検査基板導通テストを行うことができる。すなわち、ソケット12のベース部13に取り付けられた位置決めピン13bと可動台座15とが嵌合し、かつソケット12の蓋部14に取り付けられた位置決めピン14bとベース部13の位置決めピン13bとが係合嵌合することで、可動台座15が第2コンタクトピン13aの配列方向Pに対して位置決めされるため、可動台座15とベース部13の位置ずれや、位置決めピン13bの下段パッケージ2に対する位置度を考慮する必要がなくなった上、下段パッケージ2と、第1コンタクトピン14a及び第2コンタクトピン13aの位置合わせ精度を高めることができ、さらにこの状態で下段パッケージ2の電気的検査である導通テストを行うことができる。これにより、電気的検査を正常に行うことができ、電気的検査の信頼性を向上させることができる。また、第1コンタクトピン14a側と第2コンタクトピン13a側とを精度良く位置合わせして基板導通テストを行うことで、第1コンタクトピン14a及び第2コンタクトピン13aが配線基板5のソルダレジストに接触することを低減することができ、配線基板5が損傷することを低減できる。その結果、下段パッケージ2やPOP1の品質を向上させることができる。また、下段パッケージ2やPOP1の品質を向上させることができるため、下段パッケージ2やPOP1の歩留を向上させることができる。また、POP1の下段パッケージ2の組み立てでは、前述のようにフリップチップ接続工程やボール付け工程における熱履歴により、配線基板5の内部配線5fやビア5gの一部が高抵抗化半断線したり、断線したりする場合がある。このような下段パッケージ2の組み立てにおいては、熱履歴がかかった配線基板5を導通テストすることで、不良品を見つけ出して取り除き、良品の下段パッケージ2のみを上段パッケージ3と組み合わせることでPOP1の歩留を向上できるため、基板導通テストの重要性が高い。したがって、本実施の形態のソケット12を用いて下段パッケージ2の基板導通テストを行うことで、配線基板5の上面5a側のプリスタックランド5cと下面5b側の半田ボール7に確実にコンタクトピンを接触して基板導通テストを行うことができ、これにより、配線基板5の上面5a側と下面5b側が確実に電気的に接続していることを確認した上でPOP1を組み立てることができる。その結果、POP1の歩留を向上させることができるとともに、POP1の組み立てにおける基板導通テストの重要性の高さの観点からも本実施の形態のソケット12を用いることは非常に有効である。次に、本実施の形態の変形例について説明する。図21は本実施の形態の変形例のソケットにおけるテスト時の動作を示す断面図、図22は図21に示すソケットの片寄せ動作を示す拡大部分断面図、図23は図21に示すソケットの片寄せ動作を示す拡大部分断面図である。図21~図23は本実施の形態のソケット12に設けられた片寄せ機構20を動作させるものであり、下段パッケージ2の可動台座15に対する位置決め精度を高めるものである。まず、ソケット12に設けられた片寄せ機構20の構造とその動作について説明する。図21に示す可動台座15の基板装着部15aの端部に、図22に示すように、下段パッケージ2の配線基板5の側面5iを基板載置面15bに沿ってスライドして押圧する第1ブロック20aと、この第1ブロック20aに対して基板載置面15bに沿った弾性力を付与する第1バネ20bと、第1ブロック20aの配線基板方向へのスライド移動を阻止するストッパーである第2ブロック20cと、第2ブロック20cを上方に対してスライド移動させる弾性力を付与する第2バネ20dが設けられている。したがって、下段パッケージ2の配線基板5を片寄せさせる際には、図22に示すように上方から荷重Vをストッパーである第2ブロック20cに付与し、第2ブロック20cを下方にスライド移動させることで第1ブロック20aが解放され、これにより、第1ブロック20aは第1バネ20bの弾性力によってスライドし、図23に示すように配線基板5の側面5iを荷重Wで押圧する。側面5iが押された配線基板5はスライドするが、このスライド動作によって複数の半田ボール7のうちの何れかがポケット部15dの内周壁15gに突き当たって配線基板5のスライド動作は停止する。これにより、配線基板5が片寄せ状態となり、この片寄せ状態で基板導通テストが行われる。すなわち、基板導通テストを、可動台座15上で下段パッケージ2を図10に示すコンタクトピンの配列方向Pに対して片寄せした状態で行う。なお、基板導通テスト終了後、第2ブロック20cへの図22の荷重Vの付与を停止することで、第2ブロック20cは解放され、第2バネ20dによって上方にスライドする。この第2ブロック20cの上方へのスライドにより、第1ブロック20aは配線基板5から離れる方向に戻され配線基板5への第1ブロック20aの押圧も停止する。これにより、配線基板5への押圧も無くなるため、配線基板5も解放される。基板導通テスト時には、図21の片寄せ動作に示すように、下段パッケージ2の可動台座15への装着後、蓋部14の下降Lを行う前に、まず、前述の片寄せ動作を行って配線基板5の位置決めを行う。そして、片寄せ動作終了後に、図21のコンタクトに示すように蓋部14を下降させて第1コンタクトピン14aを配線基板5のプリスタックランド5cに接触させるとともに、第2コンタクトピン13aを配線基板5の半田ボール7に接触させ、この状態で基板導通テストを行う。ここで、図15~図17を用いて、片寄せを行って基板導通テストを行う際の第1コンタクトピン14aの接触位置のシミュレーションについて説明する。片寄せを行う場合のシミュレーションの計算式は、図17の接触位置Sのランド端Tからの距離Zが、Z=a/2-d-b/2ce-fm-ng-h/2で表される。この計算式に片寄せを行わない場合と同様に、図16に示す各部のシミュレーション使用値を入れて計算すると、接触位置Sの距離Zは、Z=0.019となり、図17のS点の位置となる。すなわち、プリスタックランド5cのランド端Tから内側側に距離0.019入った箇所に第1コンタクトピン14aが接触することになり、第1コンタクトピン14aとプリスタックランド5cは、片寄せを行わない場合よりもさらに内側で確実にコンタクトできるという結果が得られた。このように片寄せ機構20を用いて、下段パッケージ2を可動台座15上で片寄せした状態で基板導通テストを行うことにより、半田ボール7のポケット部15d内におけるクリアランスを無くすことができ、基板導通テストにおける第1コンタクトピン14a及び第2コンタクトピン13aと配線基板5との位置合わせ精度をさらに向上させることができる。以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、前記実施の形態では半導体装置がBGA型の下段パッケージ2の場合について説明したが、前記半導体装置は、LGA型の下段パッケージ2であってもよい。この場合、ソケット12において配線基板5の下面5b側に配置される第2コンタクトピン13aは、配線基板5の下面5bのLGAランド5h図5参照に接触させ、この状態で基板導通テストを行う。"