"半導体基体と、前記半導体基体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された接合電極と、前記絶縁層表面に形成され、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む保護層と、を備える半導体装置。前記接合電極が形成されている表面に露出する保護層が、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含んで構成されている請求項1に記載の半導体装置。前記保護層は、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含む前記絶縁層の凹部内面を被覆する被覆層と、前記被覆層上に形成された前記接合電極を構成する材料からなる導体層とから構成されている請求項1に記載の半導体装置。前記保護層が1つの前記接合電極、又は、複数の前記接合電極の周囲を囲む請求項1に記載の半導体装置。前記接合電極及び前記保護層が形成される絶縁層が、SiNからなる請求項1に記載の半導体装置。半導体基体上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面に接合電極を形成する工程と、前記絶縁層の表面に、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む位置に保護層を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。半導体基体、前記半導体基体上に形成された絶縁層、前記絶縁層の表面に形成された接合電極、及び、前記絶縁層表面に形成され、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む保護層からなる半導体装置と、前記半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備える電子機器。上述の基体の貼り合わせでは、接合電極による半導体装置の接合信頼性の向上が求められている。本技術は、接合信頼性の高い半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器を提供するものである。本技術の半導体装置は、半導体基体と、半導体基体上に形成された絶縁層と、絶縁層の表面に形成された接合電極と、絶縁層表面に形成され、絶縁層を介して接合電極の周囲を囲む保護層とを備える。また、本技術の電子機器は、上記半導体装置と、半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路とを備える。また、本技術の半導体装置の製造方法は、半導体基体上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の表面に接合電極を形成する工程と、絶縁層の表面に、絶縁層を介して接合電極の周囲を囲む位置に保護層を形成する工程とを有する。上述の半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、接合電極の周囲に保護層が形成される。この保護層は、接合面において接合電極を囲む構成となる。このため、接合電極の表面と絶縁層中の水との接触を、保護層により抑制することができる。従って、絶縁層中の水による接合電極の腐食を抑制し、接合電極の信頼性を向上させることができる。また、信頼性の高い電子機器を構成することができる。本技術によれば、接合信頼性の高い半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器を提供することができる。以下、本技術を実施するための形態例を説明するが、本技術は以下の例に限定されるものではない。なお、説明は以下の順序で行う。1.半導体装置の概要2.半導体装置の実施形態3.実施形態の半導体装置の製造方法4.半導体装置の変形例15.半導体装置の変形例1の製造方法6.半導体装置の変形例27.電子機器の実施形態1.半導体装置の概要半導体装置の接合電極の構成の概要について説明する。図1に、従来の一般的な接合電極の構成を示す。図1は接合電極を備える接合部の構成を示す断面図である。第1接合部10は、図示しない半導体基体上に形成されている。そして、第1接合部10は、第1配線層12と、第1配線層12にビア13を介して接続する第1接合電極11とを備える。第1配線層12は、層間絶縁層19内に形成されている。そして、層間絶縁層19上に中間層18を介して、層間絶縁層17が形成されている。さらに、層間絶縁層17上に中間層16を介して、層間絶縁層15を備える。第1接合電極11は、層間絶縁層15内に形成され、第1接合電極11の表面が、層間絶縁層15の表面から露出されている。この露出面は、層間絶縁層15の表面と同一面に形成されている。また、中間層16、層間絶縁層17及び中間層18を貫通するビア13により、第1配線層12と第1接合電極11とが電気的に接続されている。第1接合電極11、ビア13と層間絶縁層15,17、中間層16との間には、電極材料の絶縁層への拡散を防ぐためのバリアメタル層14を備える。また、第1配線層12と層間絶縁層19との間にバリアメタル層31を備える。第2接合部20は、上述の第1接合部10と同様に、図示しない半導体基体上に形成されている。そして、第2接合部20は、第2配線層22と、第2配線層22にビア23を介して接続する第2接合電極21とを備える。第2配線層22は、層間絶縁層29内に形成されている。そして、層間絶縁層29上に中間層28を介して、層間絶縁層27が形成されている。さらに、層間絶縁層27上に中間層26を介して、層間絶縁層25を備える。第2接合電極21は、層間絶縁層25内に形成され、第2接合電極21の表面が、層間絶縁層25の表面から露出されている。この露出面は、層間絶縁層25の表面と同一面に形成されている。また、中間層26、層間絶縁層27及び中間層28を貫通するビア23により、第2配線層22と第2接合電極21とが電気的に接続されている。第2接合電極21、ビア23と層間絶縁層25,27、中間層26との間には、電極材料の絶縁層への拡散を防ぐためのバリアメタル層24を備える。また、第2配線層22と層間絶縁層29との間にバリアメタル層32を備える。上述のように、第1接合電極11と第2接合電極21とが接合された状態で、第1接合部10と第2接合部20とが貼り合わされている。また、第1接合電極11と第2接合電極21との接合では、接合信頼性を確保するために、一方の電極の面積を大きくすることにより、接合位置がずれた場合にも、接合面積に差が発生しないように設計されている。図1に示す構成では、第2接合電極21の面積を大きくすることにより、位置ずれに対する接続信頼性を確保している。図1に示す構成では、上述のように第1接合電極11と第2接合電極21とで面積差を有する構成のため、面積が大きい方の第2接合電極21は、その表面に第1接合部10の層間絶縁層15と直接接触する接触部33を有する。この接触部33は、Cu等の金属層が層間絶縁層15と直接接触している構成となる。また、一般的に層間絶縁層15等を構成するSiO2は、吸湿しやすい性質を持つため、層内に水H2Oが含まれやすい。さらに、近年の高性能デバイスに使用されるlow-kk<2.4材料は、吸湿性がさらに大きい。このため、第2接合電極21と層間絶縁層15とが直接接する接触部33では、層間絶縁層15等に含まれる水30と第2接合電極21とが接触する。この場合、第2接合電極21を構成するCu等の金属が腐食する可能性がある。上述のように、半導体基体を金属の接合電極同士で接合する構成の半導体装置では、層間絶縁層に含まれる水による接合電極の腐食が発生する。接合電極が水分より腐食されると、電極間の抵抗上昇、導通不良等を引き起こし、半導体装置の正常な機能を妨げる原因となる。このため、接合電極により接合された半導体装置では、層間絶縁層に含まれる水による接合電極の腐食を防ぐ構成が求められている。2.半導体装置の実施形態以下、接合電極を備える半導体装置の実施形態について説明する。図2に、本実施形態の接合電極を備える半導体装置の概略構成を示す。図2Aは、本実施形態の半導体装置の接合電極領域付近の断面図である。図2Bは、図2Aに示す第1接合部40の接合面50の平面図である。なお、図2A,Bでは、接合電極の形成領域付近の概略構成のみを示し、接合電極が形成される半導体基体及び接合電極周囲に設けられる各構成部の図示を省略する。図2Aに示すように、第1接合部40と第2接合部60とが電極形成面を対向させて接合された半導体装置が形成されている。第1接合部40は、接合面50に第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43を備える。また、第2接合部60は、接合面50に、第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63を備える。そして、第1接合部40の第1接合電極41と、第2接合部60の第4接合電極61とが接合されている。また、第2接合電極42と第5接合電極62とが接合され、第3接合電極43と第6接合電極63とが接合されている。[絶縁層]第1接合部40及び第2接合部60は、複数の配線層と絶縁層が積層されて構成されている。第1接合部40の絶縁層は、接合面50側から順に、第1層間絶縁層51、第1中間層52、第2層間絶縁層53、第2中間層54、及び、第3層間絶縁層55から構成されている。また、第2接合部60の絶縁層は、接合面50側から順に、第4層間絶縁層71、第3中間層72、第5層間絶縁層73、第4中間層74、及び、第6層間絶縁層75から構成されている。[導体層:第1接合部]第1接合部40の第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43は、第1層間絶縁層51に形成されている。そして、接合面50に、第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43の表面が露出し、第1層間絶縁層51と同一面に形成されている。第1配線46、第2配線47、及び、第3配線48は、第3層間絶縁層55内に第2中間層54と接する位置に形成されている。第1接合電極41と第1配線46とは、第1中間層52、第2層間絶縁層53及び第2中間層54を貫通する第1ビア56により電気的に接続されている。同様に、第2接合電極42と第2配線47とは、第2ビア57により電気的に接続されている。第3接合電極43と第3配線48とは、第3ビア58により電気的に接続されている。また、第1接合電極41と第1層間絶縁層51との間には、第1接合電極41の絶縁層への拡散を防ぐためのバリアメタル層41Aが設けられている。そして、第2接合電極42及び第3接合電極43と第1層間絶縁層51との間にバリアメタル層42A,43Aが設けられている。また、第1配線46と第3層間絶縁層55との間にバリアメタル層46A、第2配線47と第3層間絶縁層55との間にバリアメタル層47A、第3配線48と第3層間絶縁層55との間にバリアメタル層48Aが設けられている。また、第1ビア56、第2ビア57、及び、第3ビア58と第1中間層52、第5層間絶縁層73、及び、第2中間層54との間にも、それぞれバリアメタル層56A、バリアメタル層57A、及び、バリアメタル層58Aが設けられている。第1ビア56、第2ビア57、及び、第3ビア58は、それぞれバリアメタル層56A、バリアメタル層57A、及び、バリアメタル層58Aを介して、第1配線46、第2配線47、及び、第3配線48と接続している。[導体層:第2接合部]第2接合部60の第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63は、第4層間絶縁層71に形成されている。そして、接合面50に第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63の表面が露出し、第4層間絶縁層71と同一面に形成されている。第4配線66、第5配線67、及び、第6配線68は、第6層間絶縁層75内に第4中間層74と接する位置に形成されている。第4接合電極61と第4配線66とは、第3中間層72、第5層間絶縁層73及び第4中間層74を貫通する第4ビア76により電気的に接続されている。同様に、第5接合電極62と第5配線67とは、第5ビア77により電気的に接続されている。第6接合電極63と第6配線68とは、第6ビア78により電気的に接続されている。また、第4接合電極61と第4層間絶縁層71との間には、第4接合電極61の絶縁層への拡散を防ぐためのバリアメタル層61Aが設けられている。そして、第5接合電極62及び第6接合電極63と第4層間絶縁層71との間にバリアメタル層62A,63Aが設けられている。また、第4配線66と第6層間絶縁層75との間にバリアメタル層66A、第5配線67と第6層間絶縁層75との間にバリアメタル層67A、第6配線68と第6層間絶縁層75との間にバリアメタル層68Aを備える。また、第4ビア76、第5ビア77、及び、第6ビア78と第3中間層72、第5層間絶縁層73、及び、第4中間層74との間にも、それぞれバリアメタル層76A、バリアメタル層77A、及び、バリアメタル層78Aが設けられている。第4ビア76、第5ビア77、及び、第6ビア78は、それぞれバリアメタル層76A、バリアメタル層77A、及び、バリアメタル層78Aを介して、第4配線66、第5配線67、及び、第6配線68と接続している。[材料]上述の第1配線46、第2配線47、第3配線48、第4配線66、第5配線67、及び、第6配線68は、半導体装置の配線として一般的に用いられる材料、例えばAl、Cu等から形成される。また、第1接合電極41、第2接合電極42、第3接合電極43、第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63は、半導体基体の接合が可能な導電体、例えばCuから形成される。各バリアメタル層は、半導体装置にバリアメタル層として一般的に適用される材料、例えば、Ta、Ti、Ru、TaN、TiN等から形成される。第1層間絶縁層51、第2層間絶縁層53、第3層間絶縁層55、第4層間絶縁層71、第5層間絶縁層73、及び、第6層間絶縁層75は、例えば、SiO2、並びに、フッ素含有酸化シリコンFSG、ポリアリールエーテルPAEに代表される有機シリコン系のポリマー、ハイドロゲンシルセキオサンHSQ、及び、メチルシルセスキオキサンMSQに代表される無機系材料等、比誘電率2.7程度若しくはそれ以下の低誘電率Low-k材料により構成される。図2Aに示すように、上述の第1~6層間絶縁層51,53,55,71,73,75には、絶縁層の吸湿により水H2O70が含まれやすい。第1中間層52、第2中間層54、第3中間層72、及び、第4中間層74は、配線等を構成する金属材料の拡散防止層として、半導体装置に一般的に使用される材料により構成される。また、各中間層は層間絶縁層に含まれる水70を透過しにくい高密度絶縁層である。このような、拡散防止層なる高密度絶縁層としては、例えば、スピンコート法やCVD法で成膜された比誘電率4~7のP-SiNや、これにCが含有された比誘電率4以下のSiCN等から構成する。[接合部]上述のように、第1接合電極41、第2接合電極42及び第3接合電極43と、第4接合電極61、第5接合電極62及び第6接合電極63とが接合された状態で、半導体基体同士が接合された半導体装置が構成される。また、図2Aに示すように、第1接合部40の接合電極と、第2接合部60の接合電極とは、接合信頼性を確保するために、対向する接合電極の一方の電極の面積が大きく形成されている。この構成により、接合位置がずれた場合にも、各電極の接合面積が変わらないように設計されている。図2Aに示す構成では、第2接合電極42、第4接合電極61、及び、第6接合電極63が、対向する接合電極よりも大きな面積で形成されている。このため、第2接合電極42には、第4層間絶縁層71と直接接触する接触部49が形成される。また、第4接合電極61、及び、第6接合電極63の表面には、第1層間絶縁層51と直接接触する接触部69,79が形成される。[保護層]第1接合部40は、第1接合電極41の周囲に、第1保護層44を備える。また、第2接合電極42と第3接合電極43の周囲を囲む第2保護層45を備える。第1保護層44及び第2保護層45は、図2Bに示すように、第1接合電極41の周囲を囲む一連の層から形成される。そして、図2Aに示すように、第1保護層44は、第1接合部40の接合面50から、第1層間絶縁層51を貫通し、第1中間層52に達する深さの凹部内に形成されている。第2保護層45は、第1接合部40の接合面50から、第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53を貫通し、第2中間層54に達する深さの凹部内に形成されている。また、図2Aに示すように、第2接合部60にも上述の第1保護層44と対応する位置に、第3保護層64を備える。そして、第2保護層45と対応する位置に第4保護層65を備える。第3保護層64は、第4接合電極61の周囲を囲み、第2接合部60の接合面50から、第4層間絶縁層71を貫通し、第3中間層72に達する深さの凹部内に形成されている。第4保護層65は、第5接合電極62と第6接合電極63の周囲を囲み、第2接合部60の接合面50から、第4層間絶縁層71を貫通し、第3中間層72に達する深さの凹部内に形成されている。そして、接合面50において、第1保護層44と第3保護層64とが、それぞれ接触する位置に設けられている。この構成により、第1接合電極41と第4接合電極61との接合部が、第1保護層44、第3保護層64、第1中間層52、及び、第3中間層72により囲まれる。また、接合面50において、第2保護層45と第4保護層65とが、それぞれ接触する位置に設けられている。このため、第2接合電極42と第5接合電極62との接合部、及び、第3接合電極43と第6接合電極63との接合部が第2保護層45、第4保護層65、第2中間層54、及び、第3中間層72により囲まれる。第1保護層44、第2保護層45、第3保護層64、及び、第4保護層65は、上述の各バリアメタル層と同様の材料、例えば、Ta、Ti、Ru、TaN、TiN等から形成される。[保護層:作用]上述のように、第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71等に適用されるSiO2やlow-k材料等は、吸湿しやすい性質を持つ。特に、層間絶縁層同士をプラズマ接合法を用いて接合した場合には、絶縁層の表面処理及び熱処理により、接合面に水が発生する。このため、絶縁層材料の吸湿により水H2O70が、第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71等に含まれやすい。本実施形態の半導体装置の構成では、接合電極の周囲に、第1保護層44、第2保護層45、第3保護層64、及び、第4保護層65を備える。各保護層は、バリアメタル層と同様の材料から構成されることにより、絶縁層中に含まれる水70の透過を防ぐことができる。また、第1中間層52、及び、第3中間層72が、水70を透過し難いP-SiN等の高密度絶縁層により構成される。このため、第1保護層44、第3保護層64、第1中間層52、及び、第3中間層72により、第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71に含まれている水70を遮断することができる。また、第2保護層45、第4保護層65、第2中間層54、及び、第3中間層72により第1層間絶縁層51や第4層間絶縁層71に含まれている水70を遮断することができる。上述の構成により、第1接合電極41と第4接合電極61との接合部において、第4接合電極61と第1層間絶縁層51との接触部69への水70の接触を抑制することができる。同様に、第2接合電極42と第5接合電極62との接合部において、第2接合電極42と第4層間絶縁層71との接触部49への水70の接触を抑制することができる。そして、第3接合電極43と第6接合電極63との接合部において、第6接合電極63と第1層間絶縁層51との接触部79への水70の接触を抑制することができる。なお、上述の構成では、第4接合電極61の接触部69は、第1保護層44、第3保護層64、第1中間層52、及び、第3中間層72に囲まれた領域内の第1層間絶縁層51に含まれる水70と接触する。このため、第1接合電極41と第1保護層44との距離、及び、第4接合電極61と第3保護層64との距離を、可能な限り近づける構成とすることが好ましい。例えば、配線のデザインルールにおいて可能な最近接距離とすることにより、第1保護層44及び第3保護層64等に囲まれた領域内で、絶縁層が存在可能な領域を最小化する。接合電極と保護層との最近接距離としては、最小で50nm程度とすることができ、一般的な半導体装置のデザインルールでは2μm~4μm程度とすることができる。また、第2接合電極42の接触部49や、第6接合電極63の接触部79においても、第3保護層64及び第4保護層65等の領域内の第1層間絶縁層51及び第4層間絶縁層71に含まれる水70と接触する。このため、配線のデザインルールで可能な限り第2保護層45及び第4保護層65を、第2接合電極42及び第6接合電極63に近接させることが好ましい。また、接合電極を囲む保護層は、少なくとも吸湿しやすい材料からなる絶縁層を遮るように形成される必要がある。このため、保護層は、少なくとも接合電極が設けられている層間絶縁層の表面接合面から、その上層の絶縁層中間層までの深さで形成することが好ましい。また、保護層は、接合電極が形成されている層間絶縁層よりも深い位置まで形成してもよい。例えば、第2保護層45のように、接合面50から第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53を貫通して第2中間層54と接する位置まで形成してもよい。第2保護層45の構成によれば、第2層間絶縁層53内の水を遮断することができるため、第2層間絶縁層53から、第1中間層52を透過する水70を防ぐことができる。また、接合面50において、接触する一方の保護層の幅を、他方の幅よりも大きくすることにより、半導体基体の接合位置のずれが発生した場合にも、保護層同士の接続信頼性を確保することができる。図2Aに示す本実施形態の半導体装置の構成では、第3保護層64及び第4保護層65の接合面での幅を、第1保護層44及び第2保護層45よりも大きく構成している。具体的には、第3保護層64の接合電極側内側が、第1保護層44よりも接合電極に近くなるように、また、第3保護層64の接合電極と反対側外側が、第1保護層44よりも接合電極から遠くなるように構成する。このように、第3保護層64の幅を大きくすることにより、接合位置にずれが発生した場合にも、第3保護層64の幅内で第1保護層44が接触する。また、第4保護層65の接合電極側内側が、第2保護層46よりも接合電極に近くなるように、また、第4保護層65の接合電極と反対側外側が、第2保護層46よりも接合電極から遠くなるように構成する。このように、第4保護層65の幅を大きくすることにより、接合位置にずれが発生した場合にも、第4保護層65の幅内で第2保護層45が接触する。上述の構成により、位置ずれに対する保護層の接続信頼性を確保することができる。[保護層:効果]上述の本実施形態の半導体装置の構成によれば、接合電極を囲む保護層を形成することにより、接合部の腐食の要因となる水分と接合電極との接触を最小限に抑えることができる。このため、接合電極の腐食を抑制することができ、良好な電気特性と信頼性を有した半導体装置を構成することができる。従って、半導体装置の電気特性、及び、信頼性の向上が可能となる。また、腐食による抵抗値の上昇を抑えることができ、半導体装置の処理速度の向上や、消費電力の低下が可能となる。また、接合電極を保護層で囲むことにより、電極接合部を流れる電気信号に対して外部からの混信も低減することできる。従って、半導体装置のノイズ低減が可能となる。なお、接合電極や保護層の形状は、上述の実施の形態に記載された構成に限定されない。保護層は接合電極の接合面において、接合電極と囲む一連の形状であれば、図2Bに示す円形に限られず、その他の形状としてもよい。また、接合電極の形状も、図2Bに示す円形に限られず、その他の形状とすることができる。3.半導体装置の製造方法次に、実施形態の半導体装置の製造方法の一例を説明する。なお、以下の製造方法の説明では、上述の図2A,Bに示す第1接合電極41と、第4接合電極61との接合部付近の製造方法のみを示し、その他の構成の製造方法は説明を省略する。第2接合電極42と第5接合電極62との接合部、及び、第3接合電極43と第6接合電極63との接合部等については、第1接合電極41と第4接合電極61との接合部付近の製造方法と同様に製造することができる。また、半導体基体、配線層、他の各種トランジスタ、各種素子の作製方法については説明を省略する。これらは従来公知の方法により作製することができる。また、上述の図2に示す本実施形態の半導体装置の構成と同様の構成には同じ符号を付して各構成の詳細な説明は省略する。まず、図3Aに示すように、下地デバイスに接続されたバリアメタル層46A及び第1配線46を含む第3層間絶縁層55を形成する。この第1配線46を含む第3層間絶縁層55の形成方法は、一般的な半導体装置の製造方法に適用されるダマシンプロセス例えば特開2004-63859号公報参照等を用いて形成することができる。そして、第1配線46及び第3層間絶縁層55上に、10~100nmの第2中間層54を形成する。次に、図3Bに示すように、第2中間層54上に、20~200nmのSiO2層及びSiOC層等による第2層間絶縁層53を形成する。そして、第2層間絶縁層53上に10~100nmのSiN層及びSiCN層等からなる第1中間層52を形成する。第1中間層52上に、20~200nmのSiO2層およびSiOC層からなる第1層間絶縁層51を形成する。上述の第1層間絶縁層51、第1中間層52、第2層間絶縁層53、第2中間層54、及び、第3層間絶縁層55の各層は、例えばCVD法又はスピンコート法を用いて形成する。さらに、図3Bに示すように、第1層間絶縁層51上にレジスト層101を形成する。レジスト層101は、第1配線46等の下層配線構造に接続する第1ビア56等の形成位置を開口するパターンに形成する。次に、図3Cに示すように、レジスト層101上から一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用いたドライエッチング法により、第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53をエッチングする。第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53エッチングした後、例えば酸素O2プラズマをベースとしたアッシング処理と有機アミン系の薬液処理を施す。この処理により、レジスト層101及びエッチング処理の際に生じた残留付着物を完全に除去する。次に、図3Dに示すように、50nm~1μm厚の有機樹脂をスピンコート法で塗布し、塗布装置内に有したヒーターで30~200°Cで焼成して有機材料層102を形成する。そして、有機材料層102上に、20nm~200nmのSiO2層を、CVD法もしくはスピンコート法で形成し、酸化物層103を形成する。次に、図4Eに示すように、酸化物層103上に、レジスト層104を形成する。レジスト層104は、接合部の第1接合電極41、及び、第1保護層44を形成する位置を開口するパターンに形成する。次に、図4Fに示すように、レジスト層104上から一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用いたドライエッチング法により、酸化物層103をエッチングする。そして、エッチングした酸化物層103をマスクに用いて、有機材料層102と第1層間絶縁層51を、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用いたドライエッチング法によりエッチングする。その後、例えば酸素O2プラズマをベースとしたアッシング処理と有機アミン系の薬液処理を施すことにより、酸化物層103、有機材料層102及びエッチング処理の際に生じた残留付着物を完全に除去する。また、この処理により、第1配線46上の第2中間層54を同時にエッチングし、第1配線46を露出させて図4Gに示す形状とする。次に、図4Hに示すように、バリアメタル層56A、及び、第1保護層44を形成するためのバリア材料層105を形成する。バリア材料層105は、RFスパッタリング処理により、Ar/N2雰囲気下において、Ti、Ta及びRu又はその窒化物を5~50nm形成する。次に、図5Iに示すように、電解めっき法又はスパッタリング法を用いて、バリア材料層105上にCu等からなる電極材料層106を形成する。電極材料層106は、第1層間絶縁層51、第1中間層52、第2層間絶縁層53、及び、第2中間層54に形成されている開口部を埋め込んで形成する。そして、電極材料層106の形成後、ホットプレートやシンターアニール装置を用いて、100°C~400°Cで1分~60分程度熱処理を行う。次に、図5Jに示すように、堆積したバリア材料層105、及び、電極材料層106のうち、配線パターンとして不要な部分を化学機械研磨CMP法により除去する。この工程により、第1ビア56を介して第1配線46と接続する第1接合電極41を形成する。同時にバリアメタル層41A及びバリアメタル層56Aを形成する。さらに、第1層間絶縁層51の開口部に残存するバリア材料層105により、第1保護層44を形成する。以上の工程により第1接合部40を形成する。また、上述の図3A~図5Jで述べた方法と同様の工程を繰り返し、第2接合部60を有する半導体装置を準備する。そして、上述の方法により形成した二枚の半導体基体第1接合部40及び第2接合部60の表面に、例えば蟻酸を用いたWet処理、或いは、Ar、NH3、H2等のプラズマを用いたDry処理を施す。この処理により、第1接合電極41、及び、第4接合電極61の表面の酸化膜を除去し、清浄な金属面を露出させる。そして、図5Kに示すように、二枚の半導体基体の表面同士を対向させた後、両者を接触させることにより、第1接合部40と第2接合部60の接合を行う。その際、ホットプレートやRTAといったアニール装置にて、例えば大気圧にてN2雰囲気もしくは真空中で、100°C~400°Cで5分~2時間程度熱処理を行う。さらに、上述の第1接合部40と第2接合部60の接合では、プラズマ接合法を用いて、第1層間絶縁層51と第4層間絶縁層71とを接合してもよい。例えば、第1層間絶縁層51と第4層間絶縁層71の表面に、酸素プラズマを照射し、表面を改質する。改質後、第1層間絶縁層51と第4層間絶縁層71の表面を純水で30秒間洗浄し、表面にシラノール基Si-OH基を形成する。そして、シラノール基を形成した面同士を向かい合わせて一部を押し付け、ファンデルワールス力により接合する。その後、接合界面の密着力を更に高めるため、例えば400°C/60minの熱処理を加えてシラノール基同士を脱水縮合反応させる。以上の工程により、図5Kに示す本実施形態の半導体装置を製造することができる。上述の製造方法では、バリアメタル層56Aと第1保護層44とを同時に形成することができる。また、第1保護層44を形成するための第1層間絶縁層51の凹部を、第1接合電極41を形成するための凹部と同時に形成することができる。このため、従来の半導体装置の製造方法から、保護層を形成するための工程を追加することなく、本実施形態の半導体装置を製造することができる。図5Kに示す半導体装置において、各構成の寸法の一例を示す。第1配線46又は第4配線66と接続する第1ビア56、第4ビア76の開口径は50nm~200nmである。第1接合電極41、及び、第4接合電極61の開口径は200nm~20μmである。第1接合電極41、及び、第4接合電極61の周囲に形成され、接合部を囲う第1保護層44及び第3保護層64の開口幅は10nm~20μmである。4.半導体装置の変形例1次に、本実施形態の半導体装置の変形例1について説明する。図6に変形例1の半導体装置の構成を示す。なお、図6に示す半導体装置において、上述の実施形態の半導体装置と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図6に示す変形例1の半導体装置の構成は、保護層以外の構成が上述の実施形態の半導体装置と同様である。このため、保護層以外の構成の説明は省略する。[保護層]図6Aに示すように、第1接合部40は、第1接合電極41の周囲に、第1保護層81を備える。そして、第2接合電極42と第3接合電極43の周囲を囲む第2保護層82を備える。また、第1保護層81は、図6Bに示すように、第1接合電極41の周囲を囲む一連の層から形成されている。また、第2保護層82は、第2接合電極42及び第3接合電極43の周囲を囲む一連の層から形成されている。第1保護層81は、図6Aに示すように、第1層間絶縁層51に形成された凹部の内面を被覆するバリアメタル層81Bと、このバリアメタル層81B内を埋め込んで形成された導体層81Aとからなる。そして、第1保護層81は、第1接合部40の接合面50から、第1層間絶縁層51を貫通し、第1中間層52に達する深さに形成されている。また、第2保護層82は、第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53に形成された凹部の内面を被覆するバリアメタル層82Bと、このバリアメタル層82B内を埋め込んで形成された導体層82Aとからなる。そして、第2保護層82は、第1接合部40の接合面50から、第1層間絶縁層51、第1中間層52、及び、第2層間絶縁層53を貫通し、第2中間層54に達する深さに形成されている。また、図6Aに示すように、第2接合部60にも上述の第1保護層81と対応する位置に、第3保護層64を備える。そして、第2保護層82と対応する位置に第4保護層65を備える。これら第3保護層64、及び、第4保護層65は、上述の図2に示す実施形態と同様の構成である。接合面50において、第1保護層81と第3保護層64とは、それぞれ接触する位置に設けられている。また、接合面50において、第2保護層82と第4保護層65とは、それぞれ接触する位置に設けられている。そして、この構成により、第1保護層81、第3保護層64、第1中間層52、及び、第3中間層72により囲まれた領域内に、第1接合電極41と第4接合電極61との接合部が形成される。また、第2保護層82、第4保護層65、第2中間層54、及び、第3中間層72により囲まれた領域内に、第2接合電極42と第5接合電極62との接合部、及び、第3接合電極43と第6接合電極63との接合部が形成される。第1保護層81、及び、第2保護層82のバリアメタル層81B,82Bは、上述の各バリアメタル層と同様の材料、例えば、Ta、Ti、Ru、TaN、TiN等から形成される。また、第1保護層81、及び、第2保護層82の導体層81A,82Aは、上述の接合電極と同様の材料、例えば、Cuから形成される。[保護層:効果]図6Aに示す本実施形態の半導体装置の構成では、第1保護層81及び第2保護層82の接合面での幅を、第3保護層64及び第4保護層65の幅よりも大きくすることにより、位置ずれに対する接続信頼性を確保している。第1保護層81及び第2保護層82の構成は、例えば、保護層同士の接続信頼性を確保するために、接合する一方の保護層の幅を他方の幅よりも大きくする場合に好適である。例えば、第1保護層81の開口径幅を30nm程度~20μm程度とした場合には、バリアメタル層81B,82Bによる埋め込みだけでは、絶縁層に形成した開口部を埋め込むことが難しい。このため、開口部の内面をバリアメタル層81B,82Bで被覆した後、このバリアメタル層81B,82B内を導体層81A.81Bで埋め込むことにより、接合面の幅が大きい第1保護層81及び第2保護層82を構成することができる。5.半導体装置の変形例1の製造方法次に、上述の変形例1の半導体装置の製造方法を説明する。以下の製造方法の説明では、上述の図6A,Bに示す第1接合電極41と、第4接合電極61との接合部付近の製造方法のみを示し、その他の構成の製造方法は説明を省略する。まず、上述の図3A~Dと同様の工程により、第1配線46が形成された第3層間絶縁層55上に、第2中間層54、第2層間絶縁層53、第1中間層52、第1層間絶縁層51、有機材料層102、及び、酸化物層103を形成する。第2層間絶縁層53、第1中間層52、及び、第1層間絶縁層51には、第1ビア56を形成するための開口部が形成されている。次に、図7Eに示すように、酸化物層103上に、レジスト層107を形成する。レジスト層107は、接合部の第1接合電極41、及び、第1保護層81を形成する位置を開口するパターンに形成する。次に、図7Fに示すように、レジスト層107上から一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用いたドライエッチング法により、酸化物層103をエッチングする。そして、エッチングした酸化物層103をマスクに用いて、有機材料層102と第1層間絶縁層51を、一般的なマグネトロン方式のエッチング装置を用いたドライエッチング法によりエッチングする。その後、例えば酸素O2プラズマをベースとしたアッシング処理と有機アミン系の薬液処理を施すことにより、酸化物層103、有機材料層102及びエッチング処理の際に生じた残留付着物を完全に除去する。また、この処理により、第1配線46上の第2中間層54を同時にエッチングし、第1配線46を露出させて図7Gに示す形状とする。次に、図7Hに示すように、バリアメタル層56A、及び、第1保護層81のバリアメタル層81Bを形成するためのバリア材料層108を形成する。バリア材料層108は、RFスパッタリング処理により、Ar/N2雰囲気下において、Ti、Ta及びRu又はその窒化物を5~50nm形成する。次に、図8Iに示すように、電解めっき法又はスパッタリング法を用いて、バリア材料層108上にCu等からなる電極材料層109を形成する。電極材料層109は、第1接合電極41となる開口部、及び、第1保護層81となる開口部を埋め込んで形成する。そして、電極材料層109の形成後、ホットプレートやシンターアニール装置を用いて、100°C~400°Cで1分~60分程度熱処理を行う。次に、図8Jに示すように、堆積したバリア材料層108、及び、電極材料層109のうち、配線パターンとして不要な部分を化学機械研磨CMP法により除去する。この工程により、第1ビア56を介して第1配線46と接続する第1接合電極41を形成する。同時にバリアメタル層41A及びバリアメタル層56Aを形成する。さらに、第1層間絶縁層51の開口部に残存するバリア材料層108と電極材料層109より、第1保護層81を形成する。以上の工程により第1接合部40を形成する。また、上述の図3A~図5Jで述べた方法と同様の工程を繰り返し、第2接合部60を有する半導体装置を準備する。そして、上述の方法により形成した二枚の半導体基体第1接合部40及び第2接合部60の表面に、例えば蟻酸を用いたWet処理、或いは、Ar、NH3、H2等のプラズマを用いたDry処理を施す。この処理により、第1接合電極41、及び、第4接合電極61の表面の酸化膜を除去し、清浄な金属層を露出させる。そして、図8Kに示すように、二枚の半導体基体の表面同士を対向させた後、両者を接触させることにより、第1接合部40と第2接合部60の接合を行う。その際、ホットプレートやRTAといったアニール装置にて、例えば大気圧にてN2雰囲気もしくは真空中で、100°C~400°Cで5分~2時間程度熱処理を行う。以上の工程により、図8Kに示す本実施形態の半導体装置を製造することができる。6.半導体装置の変形例2次に、本実施形態の半導体装置の変形例2について説明する。図9に変形例2の半導体装置の構成を示す。なお、図9に示す半導体装置において、上述の実施形態の半導体装置と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、図9に示す変形例2の半導体装置の構成は、層間絶縁層以外の構成が上述の実施形態の半導体装置と同様である。このため、層間絶縁層以外の構成の説明は省略する。[絶縁層]第1接合部40及び第2接合部60は、複数の配線層と絶縁層とが積層されて構成されている。第1接合部40の絶縁層は、接合面50側から順に、第1層間絶縁層83、及び、第2層間絶縁層84から構成される。また、第2接合部60の絶縁層は、接合面50側から順に、第3層間絶縁層85、及び、第4層間絶縁層86から構成されている。第1接合部40では、第2層間絶縁層84内に第1配線46、第2配線47、及び、第3配線48が形成されている。そして、第1層間絶縁層83内に、第1接合部40の第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43が形成されている。そして、接合面50に、第1接合電極41、第2接合電極42、及び、第3接合電極43の表面が露出し、第1層間絶縁層83と同一面に形成されている。また、第1層間絶縁層83内に、第1ビア56、第2ビア57、及び、第3ビア58が形成されている。さらに、第1層間絶縁層83内に、第1接合電極41の周囲を囲む第1保護層44と、第2接合電極42と第3接合電極43の周囲を囲む第2保護層45を備える。第2接合部60では、第4層間絶縁層86内に第4配線66、第5配線67、及び、第6配線68が形成されている。そして、第3層間絶縁層85内に、第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63が形成されている。そして、接合面50に第4接合電極61、第5接合電極62、及び、第6接合電極63の表面が露出し、第3層間絶縁層85と同一面に形成されている。また、第3層間絶縁層85内に、第4ビア76、第5ビア77、及び、第6ビア78が形成されている。さらに、第3層間絶縁層85内に、第4接合電極61の周囲を囲む第3保護層64と、第5接合電極62と第6接合電極63の周囲を囲む第4保護層65とを備える。第1層間絶縁層83、及び、第3層間絶縁層85は、上述の実施形態の半導体装置の中間層と同じ材料により構成する。例えば、一般的に半導体装置に配線等を構成する金属材料の拡散防止層として使用される材料により構成される。また、第1層間絶縁層83、及び、第3層間絶縁層85は層間絶縁層に含まれる水70を透過しにくい高密度絶縁層である。このような、拡散防止層なる高密度絶縁層としては、例えば、スピンコート法やCVD法で成膜された比誘電率4~7のP-SiNや、これにCが含有された比誘電率4以下のSiCN等から構成する。また、第2層間絶縁層84、及び、第4層間絶縁層86は、上述の実施形態の半導体装置の層間絶縁層と同じ材料により構成する。例えば、SiO2、並びに、フッ素含有酸化シリコンFSG、ポリアリールエーテルPAEに代表される有機シリコン系のポリマー、ハイドロゲンシルセキオサンHSQ、及び、メチルシルセスキオキサンMSQに代表される無機系材料等、比誘電率2.7程度若しくはそれ以下の低誘電率Low-k材料により構成する。上述の変形例2の半導体装置の構成によれば、接合面50となる第1層間絶縁層83、及び、第3層間絶縁層85が水を透過しにくい層である。このため、第1接合電極41と第4接合電極61との接合部において、第4接合電極61と第1層間絶縁層83との接触部69への水70の接触を抑制することができる。同様に、第2接合電極42と第5接合電極62との接合部において、第2接合電極42と第4層間絶縁層71との接触部49への水70の接触を抑制することができる。さらに、第1保護層44、第2保護層45、第3保護層64、及び、第4保護層65を備えることにより、プラズマ接合の際に接合面に発生する水や層間絶縁層内に含まれる水の電極接合部への移動を抑制することができる。このため、接合電極の腐食を抑制することができ、良好な電気特性と信頼性を有した半導体装置を構成することができる。[製造方法]図9に示す変形例2の半導体装置は、上述の実施形態の半導体装置の製造方法において、積層する層間絶縁層の材料と、層間絶縁層のエッチング条件を変更することにより製造することができる。例えば、上述の図3A及び図3Bに示す層間絶縁層と中間層とを形成する工程において、単一層の層間絶縁層を形成する。そして,エッチングする工程において、エッチング時間を制御することにより、層間絶縁層の所望の深さに凹部を形成する。このように製造工程を変更することにより、上述の実施形態の半導体装置と同様の方法で、変形例2の半導体装置を製造することができる。7.電子機器の実施形態上述の実施形態の半導体装置は、2つの半導体部材を貼り合わせて配線接合を行う任意の電子機器、例えば、固体撮像装置、半導体メモリ、半導体ロジックデバイスIC等に適用可能である。[固体撮像装置]以下、上述の実施形態における電極接合の構成を固体撮像装置に適用した例を説明する。図10に、本実施形態に係る固体撮像装置の要部の概略断面図を示す。なお、図10では、説明を簡略化するため、電極接合部、ビア及び層間絶縁膜との間に形成されるバリアメタル層の図示は省略する。本実施形態の固体撮像装置200は、光電変換部210を有する第1半導体部材201と、演算回路を構成する各種MOSMetalOxideSemiconductorトランジスタ220を有する第2半導体部材202とを備える。また、固体撮像装置200は、カラーフィルタ203と、オンチップマイクロレンズ204とを備える。本実施形態の固体撮像装置200では、第1半導体部材201と、第2半導体部材202とが接合界面で接合される。また、本実施形態では、第1半導体部材201の第2半導体部材202側とは反対側の表面上光電変換層211上に、カラーフィルタ203及びオンチップマイクロレンズ204がこの順で積層される。第1半導体部材201は、光電変換部210を有する光電変換層211と、光電変換層211のカラーフィルタ203側とは反対側に設けられた第1多層配線部212とを備える。第1多層配線部212は、複数の配線層213を積層して構成される。各配線層213は、層間絶縁膜214と、その内部に埋め込まれた第1接合部215及び第1保護層218と、自身よりカラーフィルタ203側に位置する層配線層213又は光電変換層211との電気接続を得るために設けられたビア216とを有する。また、本実施形態では、互いに隣り合う配線層213間、並びに、配線層213及び光電変換層211間には、中間層217が設けられる。一方、第2半導体部材202は、演算回路を構成する各種MOSトランジスタ220が形成されたトランジスタ部221と、トランジスタ部221の第1半導体部材201側に設けられた第2多層配線部222とを備える。第2多層配線部222は、複数の配線層223を積層して構成される。各配線層223は、層間絶縁膜224と、その内部に埋め込まれた第2接合部225及び第2保護層228と、自身よりトランジスタ部221側に位置する層配線層223又はトランジスタ部221との電気接続を得るために設けられたビア226とを有する。また、本実施形態では、互いに隣り合う配線層223間、並びに、配線層223及びトランジスタ部221間には、中間層227が設けられる。上述した構成の固体撮像装置200では、接合面を挟んで接合される第1接合部215及び第2接合部225に対して、上記第1~第3の実施形態のいずれかの第1接合部及び第2接合部の構成をそれぞれ適用する。この場合、より信頼性の高い接合面を有する固体撮像装置200が得られる。[カメラ]上述の固体撮像装置は、例えば、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、撮像機能を有する携帯電話、又は、撮像機能を備えた他の機器などの電子機器に適用することができる。以下、電子機器の一構成例として、カメラを例に挙げ説明する。図11に、静止画像又は動画を撮影することのできるビデオカメラの構成例を示す。この例のカメラ300は、固体撮像装置301と、固体撮像装置301の受光センサ部に入射光を導く光学系302と、固体撮像装置301及び光学系302間に設けられたシャッタ装置303と、固体撮像装置301を駆動する駆動回路304とを備える。さらに、カメラ300は、固体撮像装置301の出力信号を処理する信号処理回路305を備える。固体撮像装置301は、上述した本開示に係る各種実施形態及び各種変形例のCu-Cu接合手法を用いて作製される。その他の各部の構成及び機能は次の通りである。光学系光学レンズ302は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置301の撮像面不図示上に結像させる。これにより、固体撮像装置301内に、一定期間、信号電荷が蓄積される。なお、光学系302は、複数の光学レンズを含む光学レンズ群で構成してもよい。また、シャッタ装置303は、入射光の固体撮像装置301への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路304は、固体撮像装置301及びシャッタ装置303に駆動信号を供給する。そして、駆動回路304は、供給した駆動信号により、固体撮像装置301の信号処理回路305への信号出力動作、及び、シャッタ装置303のシャッタ動作を制御する。すなわち、この例では、駆動回路304から供給される駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置301から信号処理回路305への信号転送動作を行う。信号処理回路305は、固体撮像装置301から転送された信号に対して、各種の信号処理を施す。そして、各種信号処理が施された信号映像信号は、メモリなどの記憶媒体不図示に記憶される、又は、モニタ不図示に出力される。なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。1半導体基体と、前記半導体基体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された接合電極と、前記絶縁層表面に形成され、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む保護層と、を備える半導体装置。2前記接合電極が形成されている表面に露出する保護層が、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含んで構成されている1に記載の半導体装置。3前記保護層は、Ta、Ti、Ru、TaN、及び、TiNから選ばれる少なくとも1種を含む前記絶縁層の凹部内面を被覆する被覆層と、前記被覆層上に形成された前記接合電極を構成する材料からなる導体層とから構成されている1又は2に記載の半導体装置。4前記保護層が1つの前記接合電極、又は、複数の前記接合電極の周囲を囲む1から3のいずれかに請求項1に記載の半導体装置。5前記接合電極及び前記保護層が形成される絶縁層が、SiNからなる1から4のいずれかに記載の半導体装置。6半導体基体上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面に接合電極を形成する工程と、前記絶縁層の表面に、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む位置に保護層を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。71から5のいずれかに記載された半導体装置と、前記半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備える電子機器。"