ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極上に設けられたチャネル部と、前記チャネル部と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極とを有する酸化物半導体装置において、前記チャネル部は、酸化物半導体層と導電層とを含み、前記ソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方は、前記酸化物半導体層を介して前記導電層に接続されていることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記ソース電極およびドレイン電極の両者は、前記酸化物半導体層を介してそれぞれ前記導電層に接続されていることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層とは、これらの積層方向の鉛直上方から見て重なり部分を有することを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記ソース電極およびドレイン電極はトップコンタクト構造を有し、前記チャネル部のうち、前記ゲート電極の積層方向の鉛直上方から見て前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する部分には、前記酸化物半導体層と前記導電層の内、前記導電層のみが設けられていることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記チャネル部を構成する前記酸化物半導体層の抵抗率は、10-2~103Ωcmであることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記チャネル部を構成する前記導電層の抵抗率は、10-3Ωcmより低いことを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記チャネル部を構成する前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛や酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化カドミウム、酸化銅、酸化ニッケルおよびこれらの複合酸化物であることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記チャネル部を構成する前記導電層は、インジウム錫複合酸化物、インジウム亜鉛複合酸化物、酸化錫、酸化亜鉛にボロン、アルミニウム、ガリウムを添加した透明導電層、および、金属、導電性有機膜であることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記チャネル部を構成する前記酸化物半導体層と前記導電層の材料の組み合わせが、インジウムやガリウムを構成元素として含まないことを特徴とする酸化物半導体装置。請求項1記載の酸化物半導体装置において、前記ソース電極およびドレイン電極のいずれか一方は、前記酸化物半導体層を介して前記導電層に接続され、他方は、導電層に直接接続されていることを特徴とする酸化物半導体装置。ゲート電極により、チャネル部を介してソース電極とドレイン電極との間に流れる電流を制御する酸化物半導体装置において、前記チャネル部は、スイッチング機能と導電機能とが分離されていることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項11記載の酸化物半導体装置において、前記チャネル部は前記酸化物半導体層と導電層とを含み、前記スイッチング機能は前記酸化物半導体層が分担し、前記導電機能は前記導電層が分担することを特徴とする酸化物半導体装置。請求項12記載の酸化物半導体装置において、スイッチング機能を分担する前記酸化物半導体層は、前記ソース電極および/あるいは前記ドレイン電極と前記導電層との間に配置されていることを特徴とする酸化物半導体装置。請求項13記載の酸化物半導体装置において、前記ソース電極およびドレイン電極の間の前記チャネル部の中央領域には、前記酸化物半導体層と前記導電層の内、前記導電層のみが設けられていることを特徴とする酸化物半導体装置。上述したように、アモルファス酸化物をベースとしたTFTにおいて、酸化物半導体薄膜に入射した光によりゲート電極に負バイアスを印加した際に入射した光により酸素空孔[V0]起因のしきい値変動という光劣化が生じる。また、酸化物層成膜時に形成される初期の酸素空孔[V0]を少なくするための高温処理は、酸化物TFTのフレキシブル基板への対応などの利点を損なう恐れがある。本発明の目的は、フレキシブル基板を用いるような場合であっても、良好な特性を有し信頼性の高い酸化物半導体装置を提供することにある。上記目的を達成するための一実施形態として、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極上に設けられたチャネル部と、前記チャネル部と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極とを有する酸化物半導体装置において、前記チャネル部は、酸化物半導体層と導電層とを含み、前記ソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方は、前記酸化物半導体層を介して前記導電層に接続されていることを特徴とする酸化物半導体装置とする。また、ゲート電極により、チャネル部を介してソース電極とドレイン電極との間に流れる電流を制御する酸化物半導体装置において、前記チャネル部は、スイッチング機能と導電機能とが分離されていることを特徴とする酸化物半導体装置とする。本発明によれば、フレキシブル基板を用いるような場合であっても、良好な特性を有し信頼性の高い酸化物半導体装置を提供することができる。上記課題を解決するため、ゲート電極からの電界が及ぶ範囲内にあり、且つ少なくともソース電極かドレイン電極に独立に接する比較的高抵抗な抵抗率10-2~103Ωcm酸化物半導体層を形成し、この比較的高抵抗な酸化物半導体層を介してゲート絶縁層に接する導電層抵抗率10-3Ωcm以下でソースドレイン電極間を接続する。ゲートバイアスによる実質的なスイッチングは上記比較的高抵抗な酸化物半導体層で行われ、ソースドレイン電極間は、導電層で接続されるため、高移動度化やオンオフ比の向上等オン特性の改善も同時に実現するチャネルの機能分離。本構成を有するTFTを機能分離型チャネル部を有するTFTと呼ぶ。さらに、トップコンタクト型TFTの場合を考えると、ソースドレイン電極に金属材料を用いると、上記スイッチングを行う積層構造の領域では、ソースドレイン電極により遮光され、光が入射する確率が低くなるため、従来装置で課題であった光劣化の大幅な改善が期待できる。また、光劣化は界面近傍のゲート絶縁層側にホールが捕獲され、しきい値変動が起こるとされていたが、本構造では、ゲート絶縁層とスイッチングを行う比較的高抵抗なアモルファス酸化物半導体層が接する領域が非常に少ないため、元々光劣化が起こりにくい構造となっている。これにより、アニール処理などの信頼性向上のための工程が必要になることもなく、光劣化など信頼性の改善が行われ、且つ、酸化物TFTの特徴である低温形成、高移動度、高オンオフ比などの特徴を維持することが可能である。以上が基本的な原理である。以下に、上記効果を発現させるための、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体装置の具体的な構造と製造工程などについて説明する。まず、支持基板1としてガラスやプラスチックフィルム等を用いる。この基板1に、ゲート電極2としてMo層などを200nm程度の膜厚で蒸着法などにより形成する。その後、フォトプロセスなどを用いてゲート電極2加工を行い、その上にゲート絶縁層3として50~100nm程度の膜厚のSiO2やAl2O3などの絶縁層材料を蒸着法やCVD法、スパッタリング法などにより成膜する。更に、ITOインジウム錫複合酸化物やAZOAlドープ酸化亜鉛、ZTO亜鉛錫複合酸化物の様な導電層4を蒸着法やスパッタリング法により5nm以下の厚さで形成する。この導電層4をエッチング技術等を用いて加工し、最終的にソースドレイン電極とのコンタクトが得られるようにする。その後、a-IGZOやa-ZTO、a-IZOなどの比較的高抵抗な酸化物半導体層5をスパッタリング法などを用いて10~30nm程度の膜厚で形成し、上記の導電層4を被覆するようにフォトプロセスとエッチング技術を用いて加工する。その後、ソースドレイン電極層6を蒸着法やスパッタリング法により形成し、フォトプロセスとエッチング技術によりソースドレイン電極6を加工する。更に、この加工されたソースドレイン電極6をマスクとして、選択加工技術などを用いて、比較的高抵抗なアモルファス酸化物半導体層5のみを除去する。図1abにはこの製造方法により形成したボトムゲートトップコンタクト構造TFTの代表的な構造例断面図、平面図を示すが、図2abcにそれぞれ示されるトップゲートボトムコンタクト構造TFT、トップゲートトップコンタクト型TFT、ボトムゲートボトムコンタクト構造TFTなどゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル部半導体層と導電層、ソースドレイン電極の位置関係が同じTFT構造であれば、同様の効果が期待できる。但し、図2aに示すトップゲートボトムコンタクト構造TFTは他の構造に比し、製造し易い。図2のトップゲートトップコンタクト構造TFTはトップで接続し易くTV用に好適である。また、図3abにそれぞれ示されるように、スイッチング処理に利用するソース電極/半導体層/導電層の積層構造、および、半導体層はソース電極、または、ドレイン電極のいずれか一方のみに形成されていても、または、図3cdにそれぞれ示されるように、スイッチング処理に利用するドレイン電極/半導体層/導電層の積層構造、および、半導体層はソース電極、または、ドレイン電極のいずれか一方のみに形成されていても本発明の効果には違いはない。但し、図3abに示したソース電極側にスイッチング機能を有する方が、図3cdに示したドレイン電極側にスイッチング機能を有する構造よりも印加電圧に対する裕度が高く実用的である。上記により、酸化物半導体TFTとして上記のTFT構造、製造技術を用いることで、従来法のように高温アニール処理などを行うことなく、酸化物半導体本来の高移動度、高オンオフ特性を維持しながら負バイアスストレス時の光劣化を抑制し、酸化物半導体TFTの信頼性向上と高オン特性の双方を両立することが可能となる。FPDに応用する場合には、従来に比較して高精細化や省電力化が実現可能となり、RFIDRadioFrequencyIDentificationなどの高周波応用については、内部クロックの改善などが実現され、より高周波帯の応用が可能となる。以下の実施例において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本願発明の第1の実施例による、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体装置をFPD用の画素制御用TFTとして応用した例を図1、図4~図11を用いて説明する。ここで、図1ab、および図4a~eはそれぞれ本実施例のチャネル部をIGZOとITOから構成した機能分離型チャネル部を有するボトムゲートトップコンタクト型酸化物半導体TFTの構造および製造工程を説明するための図、図5および図6はそれぞれ機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTおよび従来の酸化物半導体TFTの電流-電圧特性を示すグラフ、図7は機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを負バイアスストレス下で光照射した際の光劣化しきい値シフトを説明するためのグラフである。図8および図9は、それぞれ機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを用いたアクティブマトリクス型画素制御回路およびTFTアレイを説明するための上面図である。図10および図11は、それぞれチャネル部をZTO半導体層とZTO導電層で構成した希少金属フリーの機能分離型チャネル部を有するボトムゲートトップコンタクト型酸化物半導体TFTの電流-電圧特性および負バイアスストレス下で光照射した際の光劣化しきい値シフトを説明するためのグラフである。なお、同一符号は同一構成要素を示す。本実施例の機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを製造する方法は概ね以下の通りである図4a~e。まず、ガラス基板などの支持基板1上に、ゲート電極2となるMo層を蒸着法等により形成し、フォトプロセス等を用いてゲート電極2に加工する。支持基板1として、フレキシブルな樹脂基板を用いることもできる。次に、CVDプロセス等により膜厚100nm程度のSiO2ゲート絶縁層3を形成する。その後、ITOなどの透明導電層4膜厚3nmをDCマグネトロンスパッタリングにより形成する図4a。成膜条件は、室温、スパッタリングガスAr、成膜圧力0.5Pa、放電電力が50Wであった。これを市販のITOエッチング液等を用いて加工する。この透明導電層4がチャネル部の導電機能を分担する。その上に、IGZOなどの酸化物半導体層5膜厚20nmをRFスパッタリングにより形成する図4b。成膜条件は、室温、スパッタリングガスAr96、O24、成膜圧力0.5Pa、放電電力がRF13.56MHzが40Wであった。その後、フォトプロセスとエッチング技術を用いて、上記の透明導電層4を被覆するように酸化物半導体層5を加工する図4c。この酸化物半導体層5がチャネル部のスイッチング機能を分担する。更に、蒸着法によりソースドレイン電極層6となるAl電極層を成膜し図4d、フォトプロセスとエッチング技術を用いてソースドレイン電極6を形成する。このソースドレイン電極6をマスクとして用い、エッチングによりIGZO半導体層5のみを除去する。最後に表面保護のためのパッシベーション層7等を成膜し、所望の酸化物半導体TFTが完成する図4e。なお、本酸化物半導体TFTを各層の積層方向の鉛直上方から見た場合、図1bに示すように、ゲート電極2と酸化物半導体層5とは重なり部分を有する。また、ソースドレイン電極6の間のチャネル部の中央領域には導電層4と酸化物半導体層5の内、導電層4のみが設けられているソースドレイン電極側から見た場合だけでなく、ゲート電極側から見た場合も同様。酸化物半導体層5はソースドレイン電極近傍に配置することが望ましく、ソースドレイン電極6の陰に隠れてみえない状況が好適である。この構造は、ボトムゲート構造に限らず、トップゲート構造でも同様である。図5には、上記の方法で形成した機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTの電流-電圧特性を示した。従来のIGZOをチャネル層膜厚25nmに用いたTFTの同様の特性を図6に示すが、これに比較して高移動度と高いオン電流が観測されており、良好なTFT特性が得られていることが分かる。また、負バイアス印加時の光劣化の測定結果を図7に示す。測定条件は、ゲート-ソース間バイアス電位VGSが-20V、ソース-ドレイン間電位VSDが10V、光ストレス条件が、波長~460nmの青色LED光源により、光強度0.07mW/cm2、光フラックス密度1.6×1014cm-2である。単膜のIGZOをチャネル層に用いたTFT符号8で示す曲線の場合には、104secの光照射により7V以上のしきい値変動が観測されていたが、本実施例の機能分離型チャネル部を有するTFT符号9で示す曲線とすることによりしきい値変動を1V程度まで大幅に抑制できた。この機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを基本素子として、図8、図9に示すようなアクティブマトリクスTFTアレイを構成し、4k×2kの次世代液晶TVの画素スイッチとして適用したところ、良好な動作が確認できた。なお、符号10は支持基板ガラス基板、樹脂基板など、符号11はデータ線制御回路、符号12はゲート線制御回路、符号13はゲート線、符号14はデータ線、符号15は画素電極、符号16は酸化物半導体装置スイッチングTFTを示す。なお、上記説明では、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体装置スイッチングTFT16のチャネルのうち酸化物半導体層をIGZO、導電層をITOと希少金属であるインジウムやガリウムを含んだ構成としたが、これを酸化物半導体層5としてZTO、導電層4としてAZOやZTOを用いた構成とすることにより、希少金属を用いない構成とすることも可能である。例えば、チャネル部の酸化物半導体層5をZn組成が0.7のZTOとし、導電層4をZn組成が0.2のZTO導電層とし、図1に示す構成の機能分離型チャネル部を有するボトムゲートトップコンタクト型酸化物半導体TFTを作製した。電流-電圧特性およびネガティブバイアスストレス下で光照射した場合の光劣化の測定結果を、図10および図11に示す。良好な電流-電圧特性移動度73cm2/Vs、on/off比>1010と104sec後の負バイアス印加時の光劣化従来IGZOTFT符号8で示す曲線のΔVth>7Vに対し、本実施例の機能分離型チャネル部を有するTFT符号20で示す曲線は0.2Vも有効に抑制されていた。上記のZTOに関し、酸化物半導体層5については、高周波スパッタリングによる成膜時にスパッタリングガス中に4~5の高純度酸素ガスを添加して高抵抗に制御しており、導電層4については、成膜時に高純度Arのスパッタリングガス中から液体窒素トラップなどを利用して混入する水分、酸素を十分に除去した状態で低抵抗に制御することが可能である。また、酸化物半導体層5に比較して導電層4側がエッチングが困難な相対的にSn組成が高い構成となっており、市販のITOエッチング液などを利用することで選択的に酸化物半導体層のみをエッチングすることが容易という製造プロセス的利点も有している。以上本実施例によれば、ソースドレイン電極の少なくとも一方の電極を、チャネル部を構成する酸化物半導体層を介して導電層と接続することにより、フレキシブル基板を用いるような場合であっても、良好な特性を有し信頼性の高い酸化物半導体装置を提供することができる。また、FPD用の画素制御用TFTとして用いることができる。本発明の第2の実施例について、図12~図15を用いて説明する。なお、実施例1に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用することができる。本実施例では、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを有機ELディスプレイに応用した例について説明する。ここで、図12はトップエミッション型有機EL素子直下に機能分離型チャネル部を有するボトムゲートトップコンタクト型酸化物半導体TFTを形成した有機ELディスプレイの一部を示す断面図、図13は有機EL素子を駆動するための電流駆動回路を示す回路図、図14はトップエミッション型有機EL素子上に形成した機能分離型チャネル部を有するトップゲートボトムコンタクト型酸化物半導体TFTの構造を示す断面図、図15はボトムエミッション型有機EL素子上に形成した機能分離型チャネル部を有するトップゲートボトムコンタクト型酸化物半導体TFTの構造を示す断面図である。図12のトップエミッション型有機EL素子の場合、まず、ガラス基板等の支持基板30上に実施例1で示された方法により画素スイッチングである機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体装置電流駆動用TFT31を形成する。支持基板30として、フレキシブルな樹脂基板を用いることもできる。その後、パッシベーション膜を兼ねる層間絶縁層32を介して三原各色の有機EL素子アレイを形成する。有機EL素子は、アノード電極層33と赤色発光素子34、緑色発光素子35、青色発光素子36、カソード電極層透明導電層37から構成されている。符号38は各発光素子層を分離するスペーサ層、符号39は発光面となるガラス基板である。上記の酸化物半導体TFT31に実施例1で示されたチャネル部の半導体層がZTOZn組成0.7、導電層がZTOZn組成0.2の組み合わせのTFT移動度73cm2/Vs、on/off比>1010を採用した。有機ELディスプレイの場合、実際には、図13に示すように画素スイッチングTFT42と有機EL素子に電流を駆動するTFT44が必要である。なお、符号40はゲート線、符号41はデータ線、符号43は容量、符号45は有機EL素子p/n接合ダイオードを示す。液晶の画素スイッチに比較し、大電流を駆動するため後段の電流駆動用TFT44には大きなストレスが印加される。従って、この電流駆動用TFT44にはしきい値の高い安定性が求められる。また、有機EL素子からの光を受けやすい素子構造であるため、しきい値の安定性については酸化物TFTとしても過酷な環境である。上記機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを用い、青色有機EL素子に9V、0.1μAを駆動して発光させた状況で、3×107sec後の予測ΔVthが1.7Vであった。従来構造のIGZOTFTでは、同予測ΔVth>8.2Vであったため、非常に有効であることが分かる。また、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを用いることにより、副次的に移動度も改善されたため、従来構造のTFTに比較して有機ELディスプレイの消費電力を1/3程度まで低減することができた。図14、図15は、それぞれトップエミッション型有機EL素子、ボトムエミッション型有機EL素子上に形成した機能分離型チャネル部を有するトップゲートボトムコンタクト型酸化物TFTを採用した例を示す。チャネル部には、酸化物半導体層52として膜厚25nmのZTOZn組成0.7、導電層53として膜厚3nmのAZOAlドープZnOを用いた。それぞれの成膜方法は、半導体ZTO層が、スパッタガスAr95、O20.5、圧力0.5Pa、成膜温度室温、RF13.56MHzパワー70Wを成膜条件としたRFスパッタリング、AZO導電層が、スパッタガスAr、圧力0.45Pa、成膜温度室温、DCパワー50Wを成膜条件としたDCマグネトロンスパッタリングとなっている。符号50は有機EL素子p/n接合ダイオード、符号51はソース電極金属、透明導電層、符号54はゲート絶縁層、符号55はゲート電極透明導電層、符号56はパッシベーション層、符号57はゲート電極金属、符号58はドレイン電極金属を示す。上記機能分離型チャネル部を有するトップゲートボトムコンタクト型酸化物TFTでも、基本的なTFT特性や負バイアスストレス下での光劣化抑制効果もほぼ同様な結果が得られた。ドレイン電極58として透明導電層を用いることもできるが、金属を用いることにより有機EL素子50から酸化物半導体層への光を遮蔽することができる。なお、図14のトップエミッション型有機EL素子の場合、発光効率向上のため、発光領域に当たるゲート電極55は、ITOやAZO、GZOGaドープZnO、IZOインジウム亜鉛複合酸化物などの透明導電層を用いるのが望ましい。これらの構造の異なる機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを用いても、有機ELディスプレイに応用した際の効果は、同様に得られることが確認された。以上本実施例によれば、ソースドレイン電極の少なくとも一方の電極を、チャネル部を構成する酸化物半導体層を介して導電層と接続することにより、フレキシブル基板を用いるような場合であっても、良好な特性を有し信頼性の高い酸化物半導体装置を提供することができる。また、有機EL素子の画素スイッチTFTや電流駆動用TFTとして用いることができる。本発明の第3の実施例について、図16~図19を用いて説明する。なお、実施例1に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情がない限り本実施例にも適用することができる。本実施例では、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTをRFIDタグに応用した例を説明する。図16はRFIDの回路構成を示す模式図、図17は機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTから構成されるRFIDタグの概略断面図、図18abcはこのRFID回路に用いた基本論理回路を説明する回路図、図19は本発明の酸化物半導体TFTを用いて製作したRFIDタグのUHF帯無線応答動作を示すリーダ出力のグラフである。RFIDタグの場合、リーダやライタ等の外部からの電波出力を付属するアンテナ60で受信し、整流回路61により直流電源とし、これにより後段の論理回路部70を駆動し、IDに相当するメモリ領域の記録データROMデータ65を取り出し、送信回路68、アンテナ60を経て返信する仕組みとなっている。なお、符号62はレギュレータ回路、符号63はリセット回路、符号64はクロック発生回路、符号66はROM読み出し回路、符号67は符号化回路、符号69は高周波回路部を示す。酸化物半導体TFTはほとんどの場合、n型半導体特性を示すため、Si半導体におけるCMOS回路の構築は困難であり、n型単チャネルによる回路構築が必要となる。特に、論理回路部70については、回路規模も大きくなるため、一般的に用いられる飽和型論理回路を利用すると消費電力が大きくなり、リーダライタ等から入力される電源電力約300μWでは動作が困難となる欠点がある。従って、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTの特性に合わせ、例えば図18abcに示す様な論理回路を用いて構成すると消費電力を小さくすることが可能である。図18aはNOT、図18bはNOR、図18cはNANDの論理演算を行なうための基本回路である。図18aのNOTはTFTが2つであり、デバイスが小さく、消費電力が小さい。一方、図18bcのNORやNANDは特性が良く、高速動作向きである。チャネル部構成が膜厚20nmの半導体層ZTOZn組成0.7、膜厚3nmの導電層ITOであり、図3bに示される様なドレイン電極側を酸化物半導体層を介さずに導電層に接続し、その他の構成が実施例1で示したものと同様の機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを上記回路の基本素子として応用する。この酸化物半導体TFTの基本的な電流-電圧特性は、移動度95cm2/Vs、on/off比>1010、負バイアス下での光劣化は、図6、図11に示されたものと同じ測定条件下で104sec後にΔVth=0.8Vと良好な特性を示した。この酸化物半導体TFTを用いて、図16に示されるような構成のRFIDタグを構築した。図17にその模式的な断面図を示すが、機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFT84を応用した回路と高周波アンテナ層金属83が同一面上に一体形成できるため、従来のRFIDのようにアンテナ実装を行う必要がなく、アンテナ接続における信頼性が格段に向上する他、大面積やロールツウロールプロセスなどの高効率生産システムと合わせれば、低コスト化も可能という副次的な効果もある。なお、符号80は支持基板薄膜ガラス基板、樹脂基板、符号81は絶縁層、符号82はアンテナ共振容量を示す。このRFID回路エレメント長約160mmのアンテナ一体を、900MHz帯出力100mWの市販RFIDリーダを用いて無線応答スペクトルを調査した結果が図19である。リーダからの入力により、信号開始と転送速度の設定プリアンブル90が行われ、信号区切りのためのユニークワード91に続いて、IDに相当するROMデータ92の出力が行われている様子が示されている。ROMデータ92については、初期部分しか表示されていないが、ここでは128ビットの出力を確認している。また、薄膜プロセスを利用したROMの規模については、デバイス面積にも依存するが、自由に増減が可能である。機能分離型チャネル部を有する酸化物半導体TFTを応用することで、高移動度化や高オン特性も副次的効果として行われたため、従来の単膜IGZOTFT移動度13cm2/Vs、on/off比>108では、動作可能入力周波数が~25MHz、内部クロック70Hzだったものが、それぞれ~2.5GHz、4.3kHzまで改善し、上記の通りUHF帯での動作が可能になった。また、データの転送速度も二桁近く向上した。更に、負バイアスストレス下での光照射によるしきい値変動の抑制も実現され、信頼性面でも十分な値が得られた他、製造プロセスも低温化できるため、フィルム状基板への構築などフレキシブルな回路も実現することができた。なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、透明導電層が必要とされるものであれば、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。