"インジウムIn、ガリウムGa及び正三価及び/又は正四価の金属Xの酸化物を含有し、InとGaの合計に対する金属Xの配合量が100~10000ppm重量であることを特徴とする酸化物焼結体。金属Xが、Sn,Zr,Ti,Ge,Hfから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物焼結体。前記金属Xが少なくともSnを含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物焼結体。原子比Ga/GaInが、0.005~0.15であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の酸化物焼結体。バルク抵抗が10mΩcm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の酸化物焼結体。分散しているガリウムの粒径が1μm以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の酸化物焼結体。In2O3のビックスバイト構造に、ガリウムと金属Xが固溶分散していることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の酸化物焼結体。平均粒径が2μm未満のインジウム化合物粉末と、平均粒径が2μm未満のガリウム化合物粉末と、平均粒径が2μm未満の金属Xの化合物の粉末を、ガリウムとインジウムの原子比Ga/InGa=0.001~0.10、及びInとGaの合計に対する金属Xの配合量が100~10000ppmとなるように混合する工程、混合物を成形して成形体を調製する工程、及び前記成形体を1200°C~1600°Cで2~96時間焼成する工程を含むことを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の酸化物焼結体の製造方法。焼成を酸素雰囲気中又は加圧下で行うことを特徴とする請求項8に記載の酸化物焼結体の製造方法。請求項1~7のいずれかに記載の酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。請求項10に記載のスパッタリングターゲットを用いて成膜されたことを特徴とする酸化物薄膜。インジウムIn、ガリウムGa及び正三価及び/又は正四価の金属Xの酸化物を含有し、InとGaの合計に対する金属Xの配合量が100~10000ppm重量であることを特徴とする酸化物薄膜。活性層が請求項11又は12に記載の酸化物薄膜からなることを特徴とする酸化物半導体素子。本発明の酸化物焼結体は、インジウムIn、ガリウムGa及び正三価及び/又は正四価の金属Xの酸化物を含有する。また、InとGaの合計に対するXの配合量以下、X/InGaというが100~10000ppm重量である。金属Xは、好ましくはSn,Zr,Ti,Ge,Hfから選ばれる1種以上の元素である。金属Xは好ましくは少なくともSnを含有する。原子比Ga/InGaは好ましくは0.001~0.15である。Ga/InGaが0.001未満では、酸化インジウム結晶の格子定数の変化が小さくなり、ガリウムを添加する効果が現れない場合があり、0.15超では、InGaO3等が析出する場合がある。InGaO3等が析出するほど、ターゲットの電気抵抗が高くなり、生産性に優れた直流スパッタによる生産が行いにくくなる。好ましくはGa/InGa=0.005~0.15であり、より好ましくはGa/InGa=0.01~0.12であり、さらに好ましくはGa/InGa=0.03~0.10である。また、X/InGaが100ppm未満では、ターゲットの電気抵抗が高くなる。10,000ppm超においては、酸化物半導体の抵抗が制御できなくなる。本発明の酸化物焼結体は、好ましくは実質的にインジウム、ガリウム及び金属Xの酸化物のみからなる。好ましくはケイ素は含まない。本発明において実質的とは、酸化物焼結体としての効果が上記に起因すること、又は酸化物焼結体の95重量以上100重量以下好ましくは98重量以上100重量以下がインジウム、ガリウム及び金属Xの酸化物であることを意味する。上記のように本発明の酸化物焼結体は、実質的にインジウム、ガリウム及び金属Xの酸化物からなり、本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物を含んでいてもよい。また、本発明の酸化物焼結体は、好ましくはIn2O3のビックスバイト構造に、ガリウムと金属Xが固溶分散している。GaはInサイトに通常固溶分散するが、一部Ga2O3が残ることがあり、これが焼結体製造時にクラック等の原因となる。そこで微量の元素XX=Sn、Zr,Ge,Tiから選ばれる1種以上を添加することで、Ga2O3が存在しないようにすることができる。また、熱伝導性も向上するため、大型の焼結体をバッキングプレートにボンディングする際に割れにくくなる。本発明の酸化物焼結体の密度は、好ましくは6.5~7.2g/cm3である。密度が低いと、酸化物焼結体から形成するスパッタリングターゲットの表面が黒化し、異常放電を誘発し、スパッタ速度が低下する場合がある。焼結体の密度を上げるためには、原料の粒子径が10μm以下のものを使用し、原料を均質に混合すると好ましい。粒子径が大きいとインジウム化合物とガリウム化合物の反応が進まない恐れがある。均質に混合されない場合も同様に、未反応や、異常粒成長した粒子が存在し密度が上がらない恐れがある。また、本発明の酸化物焼結体は、通常酸化インジウムにGaが分散しているが、分散しているGaの集合体の直径は1μm以下であることが好ましい。ここでいう分散とは酸化インジウム結晶中にガリウムイオンが固溶している場合でもよく、酸化インジウム粒内にGa化合物粒子が細かく分散していてもよい。Gaが細かく分散することにより、安定したスパッタ放電ができる。Gaの集合体の直径はEPMA電子線マイクロアナライザにより測定できる。本発明の酸化物焼結体のバルク抵抗は、好ましくは10mΩcm以下である。Gaが完全に固溶していないで、Ga2O3等が観察される場合には、異常放電の原因になる場合がある。より好ましくは5mΩcm以下である。下限は特にないが、1mΩcm未満にする必要はない。本発明の酸化物焼結体は、正三価及び/又は正四価の金属Xを、In及びGaに対して100~10000ppm含む。正三価及び/又は正四価の金属を含むことで、焼結体の抵抗を低く抑えることが可能となる。この中でも錫が好ましく、その濃度は100ppm~5000ppmが好ましい。金属Xとインジウム金属の原子比は好ましくはX/InGa=200~5000ppmである。より好ましくはX/InGa=300~3000ppm、さらに好ましくはX/InGa=500~1000ppmである。本発明の酸化物焼結体の製造方法は、a平均粒径が2μm未満のIn化合物粉末と、平均粒径が2μm未満のGa化合物粉末と、平均粒径が2μm未満の金属Xの化合物粉末を、ガリウムとインジウムの原子比Ga/InGa=0.001~0.10、Xとインジウムガリウムとの原子比X/InGa=100~10000ppmで混合して混合物を調製する工程;b前記混合物を成形して成形体を調製する工程;及びc前記成形体を1200°C~1600°Cで2~96時間焼成する工程を含む。尚、平均粒径はJISR1619に記載の方法により測定する。原料化合物粉末を混合する工程において、用いる原料粉末のインジウム化合物、ガリウム化合物、及び金属Xの化合物は、酸化物又は焼成後に酸化物になるもの酸化物前駆体であればよい。インジウム酸化物前駆体及び金属Xの酸化物前駆体としては、インジウム又は金属Xの硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物塩化物、臭化物等、炭酸塩、有機酸塩酢酸塩、プロピオン酸塩、ナフテン酸塩等、アルコキシドメトキシド、エトキシド等、有機金属錯体アセチルアセトナート等等が挙げられる。この中でも、低温で完全に熱分解し、不純物が残存しないようにするためには、硝酸塩、有機酸塩、アルコキシド又は有機金属錯体が好ましい。尚、各金属の酸化物を用いるのが最適である。上記各原料の純度は、通常99.9質量3N以上、好ましくは99.99質量4N以上、さらに好ましくは99.995質量以上、特に好ましくは99.999質量5N以上である。各原料の純度が99.9質量3N以上であれば、金属X以外の正四価以上の金属やFe、Ni、Cu等の不純物により半導体特性が低下することもなく、信頼性を十分に保持できる。特にNa、K、Caの含有量が100ppm以下であると薄膜を作製した際に電気抵抗が経年劣化しないため好ましい。混合は、i溶液法共沈法又はii物理混合法により実施するのが好ましい。より好ましくは、コスト低減のため物理混合法である。物理混合法では、上記のインジウム化合物、ガリウム化合物及び金属Xの化合物を含む原料粉体を、ボールミル、ジェットミル、パールミル、ビーズミル等の混合器に入れ、均一に混合する。混合時間は1~200時間とするのが好ましい。1時間未満では分散する元素の均一化が不十分となるおそれがあり、200時間を超えると時間がかかりすぎ、生産性が悪くなるおそれがある。特に好ましい混合時間は10~60時間である。混合した結果、得られる原料混合粉末の平均粒子径が0.01~1.0μmになることが好ましい。粒子径が0.01μm未満では粉末が凝集しやすく、ハンドリングが悪く、また、緻密な焼結体が得られない場合がある。一方、1.0μmを超えると緻密な焼結体が得られない場合がある。本発明では、原料粉末の混合後、得られた混合物を仮焼する工程を含んでもよい。仮焼工程では、上記工程で得られた混合物が仮焼される。仮焼を行うことにより、最終的に得られるスパッタリングターゲットの密度を上げることが容易になる。仮焼工程においては、好ましくは200~1000°Cで、1~100時間、より好ましくは2~50時間の条件でa工程で得られた混合物を熱処理することが好ましい。200°C以上かつ1時間以上の熱処理条件であれば、原料化合物の熱分解が十分に行われる。熱処理条件が、1000°C以下及び100時間以下であれば、粒子が粗大化することもない。さらに、ここで得られた仮焼き後の混合物を、続く成形工程及び焼結工程の前に粉砕することが好ましい。この仮焼き後の混合物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて行うことが適当である。粉砕後に得られた仮焼き後の混合物の平均粒径は、例えば、0.01~3.0μm、好ましくは0.1~2.0μmであることが適当である。得られた仮焼き後の混合物の平均粒径が0.01μm以上であれば、十分な嵩比重を保持することができ、かつ取り扱いが容易になるので好ましい。また、仮焼き後の混合物の平均粒径が3.0μm以下であれば最終的に得られるスパッタリングターゲットの密度を上げることが容易になる。尚、原料粉末の平均粒径は、JISR1619に記載の方法によって測定することができる。混合した原料粉末の成形は公知の方法、例えば、加圧成形、冷間静水圧加圧が採用できる。加圧成形は、コールドプレスColdPress法やホットプレスHotPress法等、公知の成形方法を用いることができる。例えば、得られた混合粉を金型に充填し、コールドプレス機にて加圧成形する。加圧成形は、例えば常温25°C下、100~100000kg/cm2で行われる。原料粉末の成形体を焼成することにより酸化物焼結体を製造する。焼結温度は1200~1600°Cであり、好ましくは1250~1580°Cであり、特に好ましくは1300~1550°Cである。上記の焼結温度の範囲において、酸化インジウムにガリウムが固溶しやすく、バルク抵抗を下げることができる。また、焼結温度を1600°C以下とすることにより、GaやSnの蒸散を抑制することができる。焼結時間は2~96時間であり、好ましくは10~72時間である。焼結時間を2時間以上とすることにより、得られる酸化物焼結体の焼結密度を向上させ、表面の加工が可能とすることができる。また、焼結時間を96時間以下とすることにより、適当な時間で焼結を行うことできる。焼結は、好ましくは酸素ガス雰囲気下で行う。酸素ガス雰囲気下で焼結を行うことにより、得られる酸化物焼結体の密度を高めることができ、酸化物焼結体のスパッタリング時の異常放電を抑制することができる。酸素ガス雰囲気は、酸素濃度が、例えば10~100volの雰囲気であるとよい。ただし、非酸化性雰囲気、例えば、真空あるいは窒素雰囲気下で行ってもよい。また、焼結は大気圧下又は加圧下で行うことができる。圧力は、例えば9800~1000000Pa、好ましくは100000~500000Paである。本発明の酸化物焼結体は、上述した方法により製造することができる。本発明の酸化物焼結体はスパッタリングターゲットとして使用できる。本発明の酸化物焼結体は高い導電性を有することから、スパッタリングターゲットとした場合に成膜速度が速いDCスパッタリング法を適用することができる。本発明のスパッタリングターゲットは、上記DCスパッタリング法に加えて、RFスパッタリング法、ACスパッタリング法、パルスDCスパッタリング法等いずれのスパッタリング法も適用することができ、異常放電のないスパッタリングが可能である。酸化物薄膜は、上記の酸化物焼結体を用いて、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザー蒸着法等により作製できる。スパッタリングの方法としては、例えばRFマグネトロンスパッタ法、DCマグネトロンスパッタ法、ACマグネトロンスパッタ法、パルスDCマグネトロンスパッタ法等が挙げられる。スパッタリングガスとしてはアルゴン等の不活性ガスと、酸素、水、水素等の反応性ガスとの混合ガスを用いることができる。ここでスパッタリング時の反応性ガスの分圧は放電方式やパワーにより異なるが、おおむね0.1以上、20以下にすることが好ましい。0.1未満では、成膜直後の透明非晶質膜は、導電性を有し、酸化物半導体しての使用が困難な場合がある。一方、20超では、透明非晶質膜が絶縁体化し、酸化物半導体しての使用が困難な場合がある。好ましくは、1~10である。本発明の酸化物薄膜は上記の本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜する。また、本発明の酸化物薄膜は、インジウムIn、ガリウムGa及び正三価及び/又は正四価の金属Xの酸化物を含有し、X/InGaが100~10000ppmである。原子比Ga/InGaは、好ましくは0.005~0.08である。好ましくは、酸化物薄膜は実質的にインジウム、ガリウム及び金属Xの酸化物のみからなり、珪素を含まない。金属Xは、好ましくはSn,Zr,Ti,Ge,Hfから選ばれる1種以上である。また好ましくは、本発明の酸化物薄膜はIn2O3のビックスバイト構造を有し、ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/InGaが0.001~0.15である。ガリウムは、酸化インジウムの格子定数を小さくする効果があり、従って移動度を大きくする効果がある。また、酸素との結合力が強く、多結晶化酸化インジウム薄膜の酸素欠損量を低減する効果がある。ガリウムは、酸化インジウムと完全固溶する領域を有し、結晶化した酸化インジウムと完全に一体化し、格子定数を低下させることができる。固溶限界以上のガリウムを加えると、析出した酸化ガリウムが電子の散乱原因となったり、酸化インジウムの結晶化を阻害したりする場合がある。また、添加元素Xはターゲットの熱伝導を高める効果がある。従って、生産性に優れた大型の焼結体をボンディングする際に、クラック等の割れを防止することができる。Ga/GaInの比が0.10を超えると、ターゲットの熱伝導は極端に低下するが、Xを添加することでこれを防止できる。本発明の酸化物薄膜は通常ビックスバイト構造の単相からなり、ビックスバイト構造の格子定数は、下限は特に限定しないが、好ましくは10.01Å以上10.118Å未満である。格子定数が低いことは、結晶格子が縮小され金属間距離が小さいことを意味している。金属間距離が小さくなることより,金属の軌道上を移動する電子の動く速度が早まり、得られる薄膜トランジスタの移動度が速くなる。格子定数が大きすぎると、酸化インジウムそのものの結晶格子と等しくなり、移動度が向上しない。本発明の酸化物薄膜は好ましくは、分散しているGaの集合体の直径が1μm未満である。本発明の酸化物薄膜は酸化物半導体素子の活性層として使用できる。酸化物半導体素子としては、薄膜トランジスタ、パワートランジスタ、相変化メモリ等が挙げられる。本発明の酸化物薄膜は好ましくは薄膜トランジスタに使用できる。特にチャネル層として使用できる。酸化物薄膜はそのまま又は熱処理して使用できる。薄膜トランジスタはチャンネルエッチ型でもよい。本発明の薄膜は結晶質であり耐久性があるので、本発明の薄膜を用いた薄膜トランジスタの製造において、Al等の金属薄膜をエッチングしてソースドレイン電極、チャンネル部を形成するフォトリソ工程も可能となる。また、薄膜トランジスタはエッチストッパー型でもよい。本発明の薄膜は、エッチストッパーが半導体層からなるチャンネル部を保護することができ、且つ成膜時に半導体膜に酸素を大量に取り込ませておくことができるため、エッチストッパー層を介して外部より酸素を供給する必要がなくなる。また、成膜直後には非晶質膜であるので、Al等の金属薄膜をエッチングしてソースドレイン電極、チャンネル部を形成すると同時に、半導体層をエッチングできフォトリソ工程を短縮することも可能となる。また、薄膜トランジスタは、トップコンタクト型でもボトムコンタクト型でもよい。ただし、ボトムコンタクトの場合、ソースドレイン電極表面に付着した水分や酸化皮膜の影響で、酸化物半導体との界面に接触抵抗が生じやすい。このため、酸化物半導体スパッタ成膜前に、逆スパッタしたり、真空加熱してこれらを取り除くことで、接触抵抗を減らし、良好なトランジスタを得やすくなる。薄膜トランジスタの製造方法は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて酸化物薄膜を形成する工程、前記酸化物薄膜を酸素雰囲気中で熱処理する工程、及び前記熱処理した酸化物薄膜上に酸化物絶縁体層を形成する工程を含む。熱処理により結晶化する。薄膜トランジスタにおいて、好ましくは、熱処理した酸化物薄膜上に半導体特性の経時劣化を防ぐために、酸化物絶縁体層を形成する。好ましくは、酸素の含有量が10体積以上の成膜ガスにおいて、酸化物薄膜を形成する。成膜ガスとしては、例えばアルゴンと酸素の混合ガスやアルゴンと水蒸気の混合ガスを用いる。成膜ガス中の酸素濃度を10体積以上、あるいは水蒸気の濃度を1体積以上とすることで、後に続く結晶化を安定化することができる。特に成膜中に水蒸気を導入すると、良好なトランジスタ特性を得るために効果的である。水蒸気をプラズマ中に導入すると、酸化力の強いOHラジカルOHが発生し、酸化インジウムをたとえば次のように効率的に酸化させることができる。In2O3-x2xOH→In2O3xH2O酸化反応は酸素ガスだけでも進行するが、酸素欠損が残りやすい。酸素欠損が多いと、導電体近傍のトラップやドナーとして働き、On/Off比の低下やS値の悪化を招くことがある。また、スパッタ中にOHが基板全体に均一に行き渡るように、プラズマの広がり方も重要である。特に大型基板の場合、マグネットの揺動速度を端部で遅くすることで、均一性を確保することが可能となる。スパッタ中に導入する水の濃度は、スパッタ装置や製造条件により異なるため、単純ではないが、プラズマの広がり方、放電方式の違い、成膜速度、基板ターゲット距離などに依存する。さらに、水の替わりに水素と酸素を同時に導入してもよい。ただし、酸素が不足すると、水素プラズマによる還元効果が支配的になるため、酸素は水素に対して1:2以上の割合で導入する必要がある。この場合も、OHの濃度の制御が重要である。酸化物薄膜の結晶化工程においては、酸素の存在下又は不存在下でランプアニール装置、レーザーアニール装置、熱プラズマ装置、熱風加熱装置、接触加熱装置等を用いることができる。昇温速度は、通常40°C/分以上であり、好ましくは70°C/分以上、より好ましくは80°C/分、さらに好ましくは100°C/分以上である。加熱速度に上限は無く、レーザー加熱、熱プラズマによる加熱の場合には、瞬間的に所望の熱処理温度まで昇温可能である。冷却速度も高い方が好ましいが、基板速度が大きすぎる場合は基板が割れたり、薄膜に内部応力が残るために電気特性が下がる恐れがある。冷却速度が低すぎる場合は、アニール効果により、結晶が異常に成長する可能性があり、加熱速度と同様に冷却速度を設定することが好ましい。冷却速度は、通常、5~300°C/分、より好ましくは10~200°C/分、さらに好ましくは、20~100°C/分である。酸化物薄膜の熱処理は好ましくは250~500°C、0.5~1200分で行う。250°C未満では、結晶化が達成されない場合があり、500°C超では、基板や半導体膜にダメージを与える場合がある。また、0.5分未満では、熱処理時間が短すぎて、結晶化が達成されない場合があり、1200分では、時間がかかりすぎる場合がある。続いて、本発明を実施例により比較例と対比しながら説明する。尚、本実施例は好適な例を示すものであり、これらに本発明が制限されるものではない。従って、本発明の技術思想に基づく変形又は他の実施例は本発明に包含される。実施例1~8原料粉体として、下記の酸化物粉末を使用した。尚、平均粒径はレーザ回折式粒度分布測定装置SALD-300V島津製作所製で、比表面積はBET法で測定した。a酸化インジウム粉:比表面積6m2/g、平均粒径1.2μmb酸化ガリウム粉:比表面積6m2/g、平均粒径1.5μmc酸化錫粉:比表面積6m2/g、平均粒径1.5μmd酸化ジルコニア粉:比表面積6m2/g、平均粒径1.5μme酸化チタン粉:比表面積6m2/g、平均粒径1.5μmf酸化ゲルマニウム粉:比表面積6m2/g、平均粒径1.5μma及びbからなる原料混合粉体全体の比表面積は6.0m2/gであった。上記の粉体を、表1に示すGa/InGa比、X/InGaとなるように秤量し、湿式媒体撹拌ミルを使用して混合粉砕した。粉砕媒体として1mmφのジルコニアビーズを使用した。粉砕処理中、混合粉体の比表面積を確認しながら、比表面積を原料混合粉体の比表面積より2m2/g増加させた。粉砕後、スプレードライヤーで乾燥させて得た混合粉を金型350mmφ20mm厚に充填し、コールドプレス機にて加圧成形した。成形後、酸素を流通させながら酸素雰囲気中、表1に示す温度で20時間焼結して、焼結体を製造した。製造した焼結体の密度を、200mmφ×10mmの大きさに切り出した焼結体の重量と外形寸法より算出した。このように、仮焼工程を行うことなく、焼結体の密度が高いスパッタリングターゲット用焼結体を得ることができた。また、この焼結体のバルク抵抗導電性mΩcmを、抵抗率計三菱油化製、ロレスタを使用し四探針法により測定した。この焼結体の元素組成比原子比は、誘導プラズマ発光分析装置ICP-AESにより測定した。焼結体の原子比は原料の原子比と対応していた。結果を表1に示す。得られた焼結体についてX線回折を実施した。図1,2に実施例2,3のX線チャートを示す。チャートを分析した結果、実施例2,3の焼結体中には、In2O3のビックスバイト構造が観察された。また、Ga2O3構造はほとんど認めることができなかった。また、実施例2で作製した焼結体をEPMAで観察した結果、In2O3中にGaが固溶しており、Gaの直径は1μm以下であることを確認した。図3にEPMAの観察結果を示す。図3より、GaはIn2O3に均一固溶していることが分かる。図3の右上の像において、一部にGa2O3も観察されるが、直径は1μm以下である。また、得られた焼結体をバッキングプレートに貼り合わせ、200mmφのスパッタリングターゲットとした。貼り合わせは、ホットプレート上に銅製のバッキングプレートを設置し、0.2mmのインジウムワイヤを載せ、その上に焼結体を載せた。その後、ホットプレートを250°Cに加熱して、インジウムが融着することで、スパッタリングターゲットを得た。100nm厚みの熱酸化膜SiO2膜付きの導電性シリコン基板上と、石英ガラス基板上に、それぞれ、実施例1~8で得られたターゲットを用いて、表1に示す条件でスパッタリング法により50nmの半導体膜を成膜したas-depo。このようにして得られた薄膜のXRDX線回折を測定したところ、全て非晶質であった。次に、金属マスクを設置し、L:200μm、W:1000μmのチャンネル部を形成し、ソースドレイン電極を金を蒸着して形成した。当該素子を、空気中、300°Cに加熱した加熱炉内で1時間アニールし、チャネル部分のXRDX線回折を測定したところ全て結晶化していた。得られたトランジスタの特性を測定したところ、実施例1~8とも表1に示すとおり、良好なトランジスタ特性を示した。比較例1~3表2に示す比で原料粉末を混合し、焼結した他は、実施例1と同様に焼結体を製造し、評価した。結果を表2に示す。図4には比較例1のX線回折により得られたチャートを示す。X線回折チャートにはIn2O3のビックスバイトの他、Ga2O3構造も確認された。比較例1及び3のターゲットは、ボンディングしたところクラックが入った。これは2種類の結晶が混在することで熱伝導に劣り脆かったためと推測される。クラックの入らなかった比較例2のターゲットを用いて、実施例8と同様にしてトランジスタを作製し、評価した。その結果、比較例2の半導体は錫の添加量が多いため導電性が高く、閾値電圧が-10Vと他の半導体に比べて劣っていた。"