"a次式1の化合物、b熱酸発生剤、及びc少なくとも一種のポリマーを含む反射防止コーティング組成物。[式中、U1及びU2は独立してC1-C10アルキレン基であり;Vは、C1-C10アルキレン、アリーレン及び芳香族アルキレンから選択され;Wは、H、C1-C10アルキル、アリール、アルキルアリール及びV-OHから選択され;Yは、H、W、及びU3COOWから選択され、ここでU3は独立してC1-C10アルキレン基であり、そしてmは1~10である]ポリマーがクロスリンカーポリマーである、請求項1の反射防止コーティング組成物。ポリマーが架橋可能なポリマーである、請求項1の反射防止コーティング組成物。クロスリンカーを更に含む、請求項1の反射防止コーティング組成物。クロスリンカーが、架橋剤またはクロスリンカーポリマーから選択される、請求項4の反射防止コーティング組成物。熱酸発生剤が、ヨードニウム塩類、トシレート類、ベンゼンスルホン酸塩類の誘導体、及びナフタレンスルホン酸塩類の誘導体から選択される、請求項1~5のいずれか一つの反射防止コーティング組成物。任意に存在するクロスリンカーが、メラミン類、メチロール類、グリコールウリル類、ポリマー性グリコールウリル類、ヒドロキシアルキルアミド類、エポキシ及びエポキシアミン樹脂、ブロックドイソシアネート類及びジビニルモノマーから選択される、請求項1の反射防止コーティング組成物。該組成物の屈折率値が193nmにおいて1.9またはそれ以上に最適化される、請求項1~7のいずれか一つの反射防止コーティング組成物。該組成物の屈折率値が193nmにおいて約1.9~約2.0の範囲に最適化される、請求項8の反射防止コーティング組成物。該組成物の屈折率値が、193nmにおいておおよそ1.91、1.92、1.93、1.94、1.95、1.96または1.97に最適化される、請求項9の反射防止コーティング組成物。k値が約0.2~約0.7の範囲である、請求項1~10のいずれか一つの反射防止コーティング組成物。a請求項1~11のいずれか一つの反射防止コーティング組成物で基材をコーティング及びベークし、b反射防止コーティングの上にフォトレジストフィルムの層をコーティング及びベークし、cフォトレジストを露光装置で像様露光し;dフォトレジスト中に画像を現像し;及びe任意に、露光段階の後に基材をベークする、ことを含む、フォトレジストに画像を形成する方法。フォトレジストを13nm~250nmの波長で像様露光する、請求項12の方法。フォトレジストを193nmの波長で像様露光する、請求項13の方法。反射防止コーティングを90°Cを超える温度でベークする、請求項12~14のいずれか一つの方法。合成例123gのビス2-カルボキシエチルイソシアヌレート及び16.7gの無水エチレングリコールを500mlのフラスコ中に入れた。150gの4MHClジオキサン溶液を窒素雰囲気下に加えた。この混合物を攪拌し、そして温度を約1時間で50、60、70、80度に徐々に高めた。還流下に24時間、96~97°Cで反応させた。反応溶液を室温まで冷却しそして濾過した。フード中で数日間、空気中に曝した後に、溶剤を蒸発させた。約40°Cで真空中で乾燥した後、約25gの固形生成物が得られた。合成例2ディーン-スタークトラップを備えたフラスコ中に、600gのビス2-カルボキシエチルイソシアヌレート、306.7gのエチレングリコール及び8.0gのパラ-トルエンスルホン酸一水和物を窒素雰囲気下に加えた。温度を120°Cに高めそして1時間維持し、次いで一時間140°Cに、次いで1時間150°Cに、そして最後に1時間160°Cに高めた。温度を150°Cに高めた後、窒素フラッシングを止め及び真空ラインを接続して、水の発生が止むまで150~160°Cで水を除去した。冷却後、生成物をGPC分析用に採取した。この生成物は、1630g/molの平均MWを有する。合成例323gのビス2-カルボキシエチルイソシアヌレート及び16gの無水エチレングリコールを500mlのフラスコ中に入れた。150gの4MHClジオキサン溶液を窒素雰囲気下に加えた。この混合物を攪拌し、そして温度を約1時間で50、60、70、80度に徐々に高めた。還流下に24時間、96~97°Cで反応させた。反応溶液を室温まで冷却しそして濾過した。溶剤をロータリーエバポレーションで蒸発、乾固した。酢酸イソブチル中で再結晶化することによって生成物を得た。固形物を濾過した集めた。約40°Cで真空下に乾燥後、12gの白色の粉末状生成物が得られた。この生成物は550g/molの平均MWを有する。合成例450gのビス2-カルボキシエチルイソシアヌレートを500mlのフラスコ中に入れた。400gの4MHClメタノール溶液を窒素雰囲気下に加えた。透明な溶液が得られるまで、この混合物を攪拌し及び30分間、55°Cに温度を徐々に高めた。還流下に1時間、65°Cで反応させた。反応溶液を室温まで冷却しそして濾過した。白色の固形物を濾過して集めた。約40°Cで真空中で乾燥した後、45gのビス2-カルボキシエチルイソシアヌレートのジメチルエステルが得られ、これをプロトンNMRスペクトロスコピーで特徴付けした。合成例515gの合成例4からの材料及び7gの無水エチレングリコールを250mlのフラスコ中に入れた。90gの4MHClジオキサン溶液を窒素雰囲気下に加えた。この混合物を攪拌し、そして温度を約1時間で50、60、70、80度に徐々に高めた。24時間、90°Cで反応させた。反応溶液を室温まで冷却しそして濾過した。溶剤をロータリーエバポレーションで蒸発、乾固した。THF/t-ブチルメチルエーテル中で再結晶化して生成物を得た。固形物を濾過して集めた。約40°Cで真空中で乾燥した後、6gの白色の粉末状生成物が得られた。この生成物は500g/molの平均MWを有する。合成例629gのトリス2-カルボキシエチルイソシアヌレート及び20.8gの無水エチレングリコールを500mlのフラスコ中に入れた。150gの4MHClジオキサン溶液を窒素雰囲気下に加えた。この混合物を攪拌し、そして温度を約1時間で50、60、70、80度に徐々に高めた。還流下に24時間、80~90°Cで反応させた。反応溶液を室温まで冷却しそして濾過した。溶剤をロータリーエバポレーションで除去した。約40°Cで真空下に乾燥した後、油状の生成物が得られた。合成例7110gのテトラメトキシメチルグリコールウリル及び61gのトリス2-ヒドロキシエチルシアヌル酸を350gのジオキサン中に加えた。温度を92~94°Cに高めて、透明な溶液が得られた。0.7gのPTSAを加え、そして還流下に6時間反応させた。室温まで冷却した後、0.5gのトリエチルアミンを加えた。この溶液を5°Cの酢酸n-ブチル中で析出させた。ポリマーを濾過しそして真空下に乾燥した。得られたポリマーは、約2200g/molの重量平均分子量を有していた。合成例8600gのテトラメトキシメチルグリコールウリル、96gのスチレングリコール及び1200gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを、温度計、機械的攪拌機及び冷水凝縮器を備えた2Lジャケット付きフラスコ中に仕込み、そして85°Cに加熱した。触媒量のパラ-トルエンスルホン酸一水和物を加えた後、反応をこの温度で5時間維持した。この反応溶液を次いで室温まで冷却しそして濾過した。濾液を攪拌しながら蒸留水中に少しずつ注ぎ入れてポリマーを析出させた。ポリマーを濾過し、十分に水洗し、そして減圧炉中で乾燥した。250gのポリマーが得られた。得られたポリマーは約17,345g/molの重量平均分子量及び2.7の多分散性を有していた。合成例910gのブタンテトラカルボン酸二無水物、7gのスチレングリコール、0.5gのベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、及び35gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを、凝縮器、温度コントローラー及び機械的攪拌機を備えたフラスコ中に仕込んだ。窒素雰囲気下にかつ攪拌しながら、この混合物を110°Cに加熱した。約1~2時間後に透明な溶液が得られた。温度を3時間110°Cに維持した。冷却して、60gのPGMEA及び36gのプロピレンオキシドを上記の溶液と混合した。反応を48時間50°Cで維持した。反応溶液を室温に冷却し、そして高速ブレンダー中で多量の水中にゆっくりと注ぎ入れた。ポリマーを集め、そして十分水洗した。最後に、ポリマーを減圧炉中で乾燥した。約20,000g/molの平均分子量MWを有する16gのポリマーが得られた。調合及びコーティング例10.7gの合成例7からのポリマー及び0.3gの合成例1からの生成物を30gのメチルα-ヒドロキシイソブチレート溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.1g、PGMEA/PGME70/30中10のノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアミン塩0.05gの混合物を、前記ポリマー溶液に加えた。この混合物を次いで孔径0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を次いで40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、コーティングされたウェハをホットプレートで1分間、200°Cで加熱した。反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。193nmでの最適化された屈折率nは1.97であり、吸光パラメータkは0.27であった。調合及びコーティング例20.7gの合成例7からのポリマー及び0.3gの合成例3からの生成物を30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、PGMEA/PGME70/30中10のノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、及びPGMEA/PGME70/30中10のp-トルエンスルホン酸トリエチルアミン塩0.06gの混合物を前記ポリマー溶液に加えた。この混合物を次いで孔径0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を次いで40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、コーティングされたウェハをホットプレートで1分間、200°Cで加熱した。反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。193nmでの最適化された屈折率nは1.97であり、吸光パラメータkは0.27であった。調合及びコーティング例30.7gの合成例7からのポリマー及び0.3gの合成例5からの生成物を30gのメチルα-ヒドロキシイソブチレート溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、PGMEA/PGME70/30中10のノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、及びPGMEA/PGME70/30中10のp-トルエンスルホン酸トリエチルアミン塩0.06gの混合物を前記ポリマー溶液に加えた。この混合物を次いで孔径0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を次いで40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、コーティングされたウェハをホットプレートで1分間、200°Cで加熱した。反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。193nmでの最適化された屈折率nは1.97であり、吸光パラメータkは0.27であった。調合及びコーティング例40.7gの合成例7からのポリマー、0.2gの合成例3からの生成物、及び0.1gの合成例9からのポリマーを30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量の溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、PGMEA/PGME70/30中10のノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、及びPGMEA/PGME70/30中10のp-トルエンスルホン酸トリエチルアミン塩0.06gの混合物を前記ポリマー溶液に加えた。この混合物を次いで孔径0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を次いで40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、コーティングされたウェハをホットプレートで1分間、200°Cで加熱した。反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。193nmでの最適化された屈折率nは1.94であり、吸光パラメータkは0.29であった。調合及びコーティング例50.3gの合成例7からのポリマー、0.5gの合成例8からの生成物及び0.2gの合成例3からの生成物を30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、PGMEA/PGME70/30中10のノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、及びPGMEA/PGME70/30中10のp-トルエンスルホン酸トリエチルアミン塩0.06gの混合物を前記ポリマー溶液に加えた。この混合物を次いで孔径0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を次いで40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、コーティングされたウェハをホットプレートで1分間、200°Cで加熱した。反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。193nmでの最適化された屈折率nは1.94であり、吸光パラメータkは0.30であった。調合及びコーティング例60.8gの合成例7からのポリマー及び0.2gの合成例3からの生成物を30gのPGMEA/PGME70/30溶剤中に溶解して3.3重量溶液を調製した。PGMEA/PGME70/30中10のドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g、PGMEA/PGME70/30中10のノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアミン塩0.03g及びPGMEA/PGME70/30中10のp-トルエンスルホン酸トリエチルアミン塩0.06gの混合物を前記ポリマー溶液に加えた。この混合物を次いで孔径0.2μmのマイクロフィルターに通して濾過した。この溶液を次いで40秒間、ケイ素ウェハ上にスピンコートした。次いで、コーティングされたウェハをホットプレートで1分間、200°Cで加熱した。反射防止コーティングを分光エリプソメータで分析した。193nmでの最適化された屈折率nは1.96nmであり、吸光パラメータkは0.27であった。リソグラフィ性能例1前記調合及びコーティング例1からの反射防止コーティング調合物の性能を、AZ登録商標2110PフォトレジストAZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJの製品を用いて評価した。ケイ素ウェハをAZ登録商標EB18B底面反射防止コーティング組成物AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJでコーティングしそして220°Cで60秒間ベークして50nm厚のフィルムを形成した。次いで、希釈後の調合及びコーティング例1の25nm厚フィルムをコーティングし、そして205°Cで60秒間ベークした。次いで、190nm厚AZ登録商標2110Pフォトレジスト溶液をコーティングしそして100°Cで60秒間ベークした。次いで、ウェハを、PSMマスクで0.9シグマのダイポールY照明下に、0.85NAのNikonNSR-306D193nmスキャナを用いて像様露光した。露光されたウェハを110°Cで60秒間ベークし、そしてAZ登録商標300MIF現像剤AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJから入手可能中で30秒間現像した。清浄したウェハを次いで走査電子顕微鏡下に検査した。感光速度photospeed40mJ/cm2の80nmL/S1:1でのラインアンドスペースパターンは、定在波、フッティング及びスカミングを示さなかった。このことは、該底面反射コーティングの有効性を示している。リソグラフィ性能例2調合及びコーティング例2からの反射防止コーティング調合物の性能を、AZ登録商標2110PフォトレジストAZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJの製品を用いて評価した。ケイ素ウェハをAZ登録商標EB18B底面反射防止コーティング組成物AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJでコーティングしそして220°Cで60秒間ベークして50nm厚のフィルムを形成した。次いで、希釈後の調合及びコーティング例2の25nm厚フィルムをコーティングし、そして205°Cで60秒間ベークした。次いで、190nm厚AZ登録商標2110Pフォトレジスト溶液をコーティングしそして100°Cで60秒間ベークした。次いで、ウェハを、PSMマスクで0.9シグマのダイポールY照明下に、0.85NAのNikonNSR-306D193nmスキャナを用いて像様露光した。露光されたウェハを110°Cで60秒間ベークし、そしてAZ登録商標300MIF現像剤AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJから入手可能中で30秒間現像した。清浄したウェハを次いで走査電子顕微鏡下に検査した。感光速度40mJ/cm2の80nmL/S1:1でのラインアンドスペースパターンは、定在波、フッティング及びスカミングを示さなかった。このことは、該底面反射コーティングの有効性を示している。リソグラフィ性能例3調合及びコーティング例4からの反射防止コーティング調合物の性能を、AZ登録商標2110PフォトレジストAZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJの製品を用いて評価した。ケイ素ウェハをAZ登録商標EB18B底面反射防止コーティング組成物AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJでコーティングしそして220°Cで60秒間ベークして50nm厚のフィルムを形成した。次いで、希釈後の調合及びコーティング例4の26nm厚フィルムをコーティングし、そして205°Cで60秒間ベークした。次いで、190nm厚AZ登録商標2110Pフォトレジスト溶液をコーティングしそして100°Cで60秒間ベークした。次いで、ウェハを、PSMマスクで0.9シグマのダイポールY照明下に、0.85NAのNikonNSR-306D193nmスキャナを用いて像様露光した。露光されたウェハを110°Cで60秒間ベークし、そしてAZ登録商標300MIF現像剤AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJから入手可能中で30秒間現像した。清浄したウェハを次いで走査電子顕微鏡下に検査した。感光速度40mJ/cm2の80nmL/S1:1でのラインアンドスペースパターンは定在波、フッティング及びスカミングを示さなかった。このことは該底面反射防止コーティングの有効性を示している。リソグラフィ性能例4調合及びコーティング例5からの反射防止コーティング調合物の性能を、AZ登録商標2110PフォトレジストAZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJの製品を用いて評価した。ケイ素ウェハをAZ登録商標EB18B底面反射防止コーティング組成物AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJでコーティングしそして220°Cで60秒間ベークして50nm厚のフィルムを形成した。次いで、希釈後の調合及びコーティング例5の26nm厚フィルムをコーティングし、そして205°Cで60秒間ベークした。次いで、190nm厚AZ登録商標2110Pフォトレジスト溶液をコーティングしそして100°Cで60秒間ベークした。次いで、ウェハを、PSMマスクで0.9シグマのダイポールY照明下に、0.85NAのNikonNSR-306D193nmスキャナを用いて像様露光した。露光されたウェハを110°Cで60秒間ベークし、そしてAZ登録商標300MIF現像剤AZElectronicMaterialsUSACorp.,Somerville,NJから入手可能中で30秒間現像した。清浄したウェハを次いで走査電子顕微鏡下に検査した。感光速度40mJ/cm2の80nmL/S1:1でのラインアンドスペースパターンは定在波、フッティング及びスカミングを示さなかった。このことは該底面反射防止コーティングの有効性を示している。リソグラフィ性能例5調合及びコーティング例4で45nm1:1L/Sライン/スペースの性能を、偏光させた1.2NA、ダイポール40Y及びシグマ0.979/0.824の照明条件を用いて193nm液浸リソグラフィにより評価した。断面SEM画像は、感光速度35mJ/cm2の45nm1:1L/Sパターンについて、良好な反射性制御及び良好なフォトレジストコンパチビリティを実証した。ここに開示される発明の変形は、本発明の趣旨を外れることなく為し得ることは当業者には当然理解されるものである。従って、本発明は、ここに開示される特定の態様によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。"