基板と、前記基板上に設けられた第1の電極層と、前記第1の電極層の上に設けられた有機材料を含む有機機能層と、前記有機機能層の上に設けられた第2の電極層と、前記基板上に設けられて前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続された接続配線と、前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆する封止層と、を含み、前記接続配線は過電流により断線に至るヒューズ部を有し、前記ヒューズ部は空隙層と接していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記封止層は、前記空隙層を画定する開口部を有し、前記ヒューズの上面は前記開口部において前記封止層から露出していることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記封止層の前記開口部の側面を覆うバンクを更に有することを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記封止層は、薄膜により構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。前記封止層は、前記基板上において前記空隙層を包埋するように形成された接着層と、前記接着層の上に設けられた封止板により構成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。基板上に第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層の上に有機材料を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層の上に第2の電極層を形成する工程と、前記基板上に前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続され且つ過電流により断線に至るヒューズ部を有する接続配線を形成する工程と、前記第1および第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆するように封止層を形成する工程と、前記封止層の前記ヒューズ部の上面を覆う部分を除去する工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。前記封止層を形成する前に前記ヒューズ部を囲むバンクを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項6に記載の製造方法。基板上に第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層の上に有機材料を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層の上に第2の電極層を形成する工程と、前記基板上に前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続され且つ過電流により断線に至るヒューズ部を有する接続配線を形成する工程と、前記ヒューズ部を囲むバンクを形成する工程と、前記ヒューズ部上において前記バンクを側壁とする空隙層を形成しつつ前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆する接着層を形成する工程と、前記接着層の上に封止板を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。有機ELデバイスは、酸素や水分によって急速に劣化することから封止構造を有する。封止構造としては、封止缶の如き中空封止構造が一般的である。しかしながら、近年デバイスの薄型化やフレキシブル化の要求が高まりつつあるところ、中空封止構造ではこれらの要求に対応するのが困難である。デバイスの薄型化を可能とする封止構造としては、ガラス板等の板材で封止を行う封止構造やSiO2やSiNx等の無機材料からなる薄膜で有機EL素子全体を被覆して封止する封止構造がある。このような、デバイスの構成要素に密着する板材や薄膜で封止を行う構造を固体封止構造と称する。固体封止構造を有するデバイスにおいて、上記特許文献1に記載されているような過電流により断線を生じる電極を設けると、以下のような問題が生じることが考えられる。すなわち、過電流により電極が断線に至る際には電極材料は変形膨張を伴って溶融する。固体封止構造を有するデバイスにおいては、デバイスを構成する各層が密着して形成されるため、溶融した電極材料が飛散する空間が存在しない。従って、過電流が流れても電極が適正に断線しない、または、一旦断線に至った電極が封止層からの押圧によって再度繋がって、リークが再発するおそれがある。更に、電極が断線に至る際の衝撃や熱によって封止層が破壊され、封止性能が害されるおそれがある。本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、過電流が流れたときに断線に至る断線機能を有する配線を備えた有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、上記断線が過電流によって適切に断線に至ることができ、且つ配線の断線に伴う熱や衝撃による封止層の損傷および封止層の押圧によるリークの再発を防止することができる有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板と、前記基板上に設けられた第1の電極層と、前記第1の電極層の上に設けられた有機材料を含む有機機能層と、前記有機機能層の上に設けられた第2の電極層と、前記基板上に設けられて前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続された接続配線と、前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆する封止層と、を含み、前記接続配線は過電流により断線に至るヒューズ部を有し、前記ヒューズ部は空隙層と接していることを特徴としている。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、基板上に第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層の上に有機材料を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層の上に第2の電極層を形成する工程と、前記基板上に前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続され且つ過電流により断線に至るヒューズ部を有する接続配線を形成する工程と、前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆するように封止層を形成する工程と、前記封止層の前記ヒューズ部の上面を覆う部分を除去する工程と、を含むことを特徴としている。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、基板上に第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層の上に有機材料を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層の上に第2の電極層を形成する工程と、前記基板上に前記第1の電極層または前記第2の電極層に接続され且つ過電流により断線に至るヒューズ部を有する接続配線を形成する工程と、前記ヒューズ部を囲むバンクを形成する工程と、前記ヒューズ部上において前記バンクを側壁とする空隙層を形成しつつ前記第1の電極層、前記第2の電極層、前記有機機能層および前記接続配線を含む積層構造体を被覆する接着層を形成する工程と、前記接着層の上に封止板を形成する工程と、を含むことを特徴としている。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、基板と、基板上に設けられた第1の電極層と、第1の電極層の上に設けられた有機材料を含む有機機能層と、有機機能層の上に設けられた第2の電極層と、基板上に設けられて第1の電極層または第2の電極層に接続された接続配線と、第1および第2の電極層、有機機能層および接続配線を含む積層構造体を被覆する封止層と、を含む。接続配線は、過電流により断線に至るヒューズ部を有し、ヒューズ部上面が空隙層と接している。このような、構成によれば、ヒューズ部上に空間が確保される故、固体封止構造を有するデバイスであっても、接続配線に過電流が流れた場合にはヒューズを構成する金属が飛散、変形することができ、従って、適正に断線に至ることができる。また、空隙層が接続配線断線時の熱や衝撃を遮断するので、封止層の損傷を防ぐことができ、封止性能の維持が可能となる。また、ヒューズ部を含む接続配線と封止層との間には、空隙層が介在している故、封止層からの押圧によってヒューズ部における断線箇所が繋がってリークが再発することを防止することができる。以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。尚、以下に示す図において、実質的に同一又は等価な構成要素、部分には同一の参照符を付している。図1は、本発明の実施例に係る有機ELデバイス1の構成を示す平面図である。図2aは本発明の実施例に係る有機ELデバイス1の部分的な構成を示す拡大平面図、図2bは図2aにおける2b-2b線に沿った断面図、図2cは本発明の実施例に係るヒューズ部を拡大表示した平面図である。尚、図1においては、理解を容易にするために、絶縁膜26および封止層50を除いた構成が示されている。有機ELデバイス1は、複数の有機EL素子100の各々が画素として機能する所謂ドットマトリクス方式の表示形態を有する表示デバイスである。すなわち、基板10には、複数の給電配線22と、複数の第2電極40とが互いに交差するように配置され、これらの各交差部の近傍に有機EL素子100が配置されている。有機EL素子100の各々は、第1電極20、有機機能層30、第2電極40を積層した積層構造を有する。第2電極40は、給電配線22と直交する方向に伸長しており複数の有機EL素子に共通に用いられる。有機EL素子100の各々には、給電配線22および接続配線24を介して駆動電力が供給される。有機ELデバイス1は、有機機能層30において生成された光を基板10側から取り出す所謂ボトムエミッション型の表示デバイスである。基板10は、ガラス等の光透過性を有する材料により構成される。基板10上に設けられた第1電極20は陽極であり、厚さ100nm程度のITOIndiumTinOxideまたはIZOIndiumZincOxide等の光透過性を有する導電性金属酸化物を矩形状にパターニングすることにより形成される。また、基板10上には、有機EL素子100に駆動電力を供給するための給電配線22が第1電極20と離間して設けられている。接続配線24は、基板10上において給電配線22と第1電極20とを電気的に接続する。接続配線24は、給電配線22から有機EL素子100に注入される電流が過大となったときに断線に至る断線機能を有し、有機EL素子100への短絡電流の流入を遮断する。接続配線24は、所望の電流で断線し得るように、例えば、スズ、ビスマス、鉛などを主成分とした合金、より具体的には、錫基の合金であるはんだや、ウッドメタル、ローズ合金、ニュートン合金などの低融点金属により構成される。また、接続配線24は、線幅が他の部分よりも狭く、これによって電流耐量が他の部分よりも低くなっているヒューズ部24aを有する。すなわち、有機EL素子100が短絡し、接続配線24に過電流が流れた場合、ヒューズ部24aにおいて断線が生じるようになっている。尚、接続配線24において層厚を他の部分よりも小さくしたり、より融点の低い材料を用いることによりヒューズ部を構成することも可能である。各有機EL素子100にはヒューズ部24aを有する接続配線24が接続されているので、特定の有機EL素子に短絡が生じた場合であっても、他の有機EL素子に被害が波及しないようになっている。有機機能層30は、第1電極20上にホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層をこの順で積層することにより形成される。ホール注入層は例えば厚さ10nm程度の銅フタロシアニンCuPcにより構成され、ホール輸送層は例えば厚さ50nm程度のα-NPDNphenybenzidineにより構成され、発光層は例えば厚さ50nm程度のAlq3aluminumにより構成され、電子注入層は例えば厚さ1nm程度のフッ化リチウムLiFにより構成される。陰極である第2電極40は、例えばAl等からなり、有機機能層30を覆うように設けられる。第2電極40は、給電配線22の伸長方向に対して直交する方向に伸長している。絶縁層26は、第2電極40と、給電配線22および接続配線24との間に挿入され、これらを電気的に絶縁する。第2電極40の他の材料としては、Mg-AgやAl-Li等の比較的仕事関数の低い合金が好適である。封止層50は、SiNx、SiON、SiOx、AlOx、AlN等の無機材料からなる薄膜により構成される。封止層50は、上記した有機ELデバイス1の各構成部分を全体的に覆い、外部からの酸素や水分の侵入を防止する役割を担う。封止層50は、有機EL素子に密着するように形成される。一方、ヒューズ部24aの上面は空隙層60と接している。すなわち、封止層50は、ヒューズ部24aを回避するように設けられ、ヒューズ部24aの形成部分において開口部を有する。ヒューズ部24aの上面は、この開口部において露出している。尚、上記した例では、接続配線24は、陽極である第1電極20に接続される構成としたが、接続配線24は、陰極である第2電極40に接続されていてもよい。この場合、接続配線24と第1電極20との間に絶縁膜を形成する必要がある。図3a~eは、上記した構成を有する有機ELデバイス1の製造方法を示す平面図、図4a~eはそれぞれ、図3a~eにおける4a-4a線、4b-4b線、4c-4c線、4d-4d線、4e-4e線に沿った断面図である。ガラス等からなる光透過性を有する基板10上に例えばスパッタ法によりITOやIZO等の光透過性を有する導電性金属酸化物を100nm程度堆積させ、エッチングによりこれを矩形状にパターニングして第1電極20を形成する図3a、図4a。次に、第1電極20の場合と同様の手法により、基板10上にAl、Cu、Ag、Au等の低抵抗金属からなる給電配線22を第1電極20から離間した位置に形成する。続いて、マスク蒸着法などによりスズ、ビスマス、鉛などを主成分とした合金、より具体的には、錫基の合金であるはんだや、ウッドメタル、ローズ合金、ニュートン合金などの低融点金属からなる接続配線24を形成する。接続配線24上にヒューズ部24aを形成するべくパターニングを行う。すなわち、接続配線24は、ヒューズ部24aにおいて線幅が局所的に狭くなるようにパターニングされる図3b、図4b。次に、第1電極20、給電配線22、接続配線24の表面を覆うように絶縁膜26の材料である感光性レジスト又はポリイミドを塗布する。その後、露光、現像処理を経て、感光性レジストをパターニングする。これにより、第1電極20の表面およびヒューズ部24aの表面を露出せしめる開口部を有する絶縁膜26が形成される図3c、図4c。尚、絶縁膜26の材料や、絶縁膜26のパターニング方法は、これに限定されるものではない。例えば、絶縁膜26はSiO2などの無機材料であってもよく、公知のリフトオフ法や、公知のフォトリソグラフィ技術で形成されたレジストマスクを用いたエッチング法によりパターニングすることも可能である。次に、インクジェット法やマスク蒸着法等により、露出した第1電極20上にホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層を順次成膜して有機機能層30を形成する。ホール注入層は例えば厚さ10nm程度の銅フタロシアニンCuPcにより構成され、ホール輸送層は例えば厚さ50nm程度のα-NPDNphenylbenzidineにより構成され、発光層は例えば厚さ50nm程度のAlq3aluminumにより構成され、電子注入層は例えば厚さ1nm程度のフッ化リチウムLiFにより構成される図3c、図4c。次に、第2電極40のパターンに対応する開口部を有するマスクを用いて蒸着法等により上記各工程を経て得られた構造体の上に電極材料であるAlを所望のパターンに堆積させる。これにより、有機機能層30に接続され且つ給電配線22の伸長方向と直交する方向に伸長する第2電極40が形成される。すなわち、有機機能層30は、第1電極20と第2電極40に挟持され、第2電極40は、絶縁層26により給電配線22および接続配線24から絶縁される図3d、図4d。次に、絶縁膜26の開口部において露出しているヒューズ部24aの上面を粘着テープ等を用いてカバーしておき、等方的な成膜が可能なプラズマCVD法などにより、上記各工程を経て得られた構造体を全体的に覆うようにSiNx、SiON、SiOx、AlOx、AlN等の無機材料を堆積させて封止層50を形成する。封止層50は、有機EL素子100に密着して形成され、ヒューズ部24aを覆う粘着テープの上にも形成される。その後、粘着テープを剥離して封止層50のヒューズ部24aを覆う部分を除去する。これにより、ヒューズ部24a上に封止層50の開口部が形成され、その結果、ヒューズ部24a上に空隙層60が形成される。すなわち、ヒューズ部24aの上面は、封止層50の開口部において露出している図2e、図3e。以上の各工程を経ることにより有機ELデバイス1が完成する。本実施例に係る有機ELデバイス1によれば、ヒューズ部24aの上方には、空隙層60によって空間が形成される故、第1および第2電極間のショート等に起因して、給電配線22から接続配線24を経由して有機EL素子100に過電流が流れた場合、接続配線24を構成する金属が、変形膨張を伴って溶融蒸発することができ、従って、適正に断線に至ることができる。これにより、有機EL素子100への電流供給が遮断される。また、ヒューズ部24aの上面には、空隙層60が設けられている故、接続配線24がヒューズ部24aにおいて変形膨張しても封止層50にその影響は及ばない。このように、本実施例に係る有機ELデバイスによれば、接続配線24の断線に伴う熱や衝撃は空隙層60によって遮断されるので、封止層50は破壊されず、封止性能が維持される。また、ヒューズ部24aと封止層50は非接触である故、封止層50からの押圧によって断線箇所が繋がってリークが再発することもない。図5は、本発明の実施例2に係る有機ELデバイス2の構成を示す断面図である。有機ELデバイス2は、空隙層60の周囲を囲むバンク隔壁部70を有する点が上記した実施例1に係る有機ELデバイス1と異なる。すなわち、バンク70は、空隙層60を画定している封止層50の開口部の側面を覆っている。空隙層60を形成するべく封止層50を部分的に除去して開口部を設けると、その開口部から酸素や水分が浸入して有機ELデバイスが劣化するおそれがある。本実施例に係る有機ELデバイス2によれば、空隙層60を画定する封止層50の開口部の側面を覆うようにバンク70が設けられているので、当該開口部からの酸素や水分の浸入を防止することが可能となる。バンク70以外の他の構成部分は、上記した実施例1に係る有機ELデバイス1と同様である。有機ELデバイス2は、例えば以下のようなプロセスで製造される。基板10上に第1電極20、給電配線22、ヒューズ部24aを有する接続配線24を形成する。次に、接続配線24ヒューズ部24aを囲むようにバンク70を形成する。バンク70は、例えば感光性ポリイミド等の有機材料を成膜した後、露光現像プロセスによってパターニングすることにより形成される。バンク70は、ヒューズ部24aを含む接続配線24を囲む隔壁を形成する。バンク70は例えば第1電極20および給電配線22上に形成することができる。次に、第1電極20およびヒューズ部24a上面を露出せしめる開口部を有する絶縁膜26を形成する。次に、第1電極20上に有機機能層30を形成する。次に、有機機能層30に接続され且つ給電配線22の伸長方向と直交する方向に伸長する第2電極40を形成する。次に、ヒューズ部24aの上面を粘着テープ等を用いてカバーしておき、プラズマCVD法などにより、上記各工程を経て得られた構造体を全体的に覆うように無機材料の薄膜からなる封止層50を形成する。封止層50は、有機EL素子に密着して形成され、ヒューズ部24aを覆う粘着テープの上にも形成される。その後、粘着テープを剥離して封止層50のヒューズ部24aを覆う部分を除去してヒューズ部24a上に空隙層60を形成する。以上の各工程を経ることにより有機ELデバイス2が完成する。本実施例に係る有機ELデバイス2によれば、上記した実施例1の場合と同様、空隙層60の存在によってヒューズ部24aの上方に空間が形成される故、接続配線24は適正に断線に至ることができ、また、接続配線24の断線に伴う熱や衝撃は空隙層60によって遮断されるので、封止層50は破壊されず、封止性能が維持される。また、ヒューズ部24aと封止層50は非接触である故、封止層50からの押圧によって断線箇所が繋がってリークが再発することもない。更に、空隙層60を画定する封止層50の開口部の側面を覆うようにバンク70が設けられているので、当該開口部からの酸素や水分の浸入を防止することが可能となり、有機ELデバイスの信頼性を向上させることが可能となる。図6は、本発明の実施例3に係る有機ELデバイス3の構成を示す断面図である。有機ELデバイス3は、板状の封止板で封止を行う封止構造を有する点が薄膜で封止を行う封止構造を有する上記実施例1および2に係る有機ELデバイスと異なる。基板10上には、有機EL素子100、給電配線22およびヒューズ部24aを有する接続配線24が設けられている。基板10上には接着層52を介して例えばガラス板、プラスチック板または金属板等の板材からなる封止板54が設けられている。接着層52は、基板10の全域を覆うように設けられ、有機EL素子100を内部に埋設する。バンク70はヒューズ部24aを囲むように設けられ、ヒューズ部24a上への接着層52の侵入を阻止している。これにより、ヒューズ部24a上にバンク70を側壁とする空隙層60が形成される。すなわち、接着層52は、内部に空隙層60を包埋する部分的な中空構造を形成している。有機ELデバイス3は、例えば以下のようなプロセスで製造される。基板10上に第1電極20、給電配線22、ヒューズ部24aを有する接続配線24を形成する。次に、ヒューズ部24aを囲むようにバンク70を形成する。バンク70は、例えば感光性ポリイミド等の有機材料を成膜した後、露光現像プロセスによってパターニングすることにより形成される。バンク70は、ヒューズ部24aを含む接続配線24を囲む隔壁を形成する。バンク70は例えば第1電極20および給電配線22上に形成することができる。次に、第1電極20およびヒューズ部24a上において開口部を有する絶縁膜26を形成する。次に、第1電極20上に有機機能層30を形成する。次に、有機機能層30に接続され且つ給電配線22の伸長方向と直交する方向に伸長する第2電極40を形成する。次に、上記各工程を経た基板10上に接着層52の材料であるシート状接着剤を貼り付ける。シート状接着剤として例えば紫外線硬化型のものを使用することができる。紫外線硬化型のシート接着剤は、常温では固体シート状であり、加熱することで液化流動することができ、紫外線を照射することによって瞬時に完全硬化する。シート状接着剤は、バンク70の内側すなわち、ヒューズ部24a上に空間を形成するように基板10の表面に設けられる。すなわち、シート状接着剤はバンク70の内側に侵入することなく、ヒューズ部24aの上方を空隙を介在させた状態で覆う。これにより、接着層52の内部に部分的な中空構造が形成される。続いて、シート状接着剤の表面にガラス板、プラスチック板または金属板等の板材からなる封止板54を載置する。その後、熱処理によって接着剤を液化させた後、紫外線照射によってこれを硬化させる。以上の各工程を経ることにより有機ELデバイス3が完成する。尚、接着層52は、上記したようなシート状接着剤に限らず、液状の接着剤を用いることも可能である。例えば、スピンコート法により各工程を経た基板10上に接着層52の材料である熱硬化型または紫外線硬化型のシリコーン樹脂接着剤を塗布成膜する。尚、接着剤の成分等は特に限定されるものではない。また、接着剤に酸化バリウム粉末を含有させて接着層52に吸湿機能を持たせることとしてもよい。接着剤の粘度等を調整することにより、接着剤はバンク70の内側に侵入することなく、ヒューズ部24aの上方を覆う。すなわち、接着剤はヒューズ部24aの上方において空隙層60を形成しつつ濡れ拡がる。これにより、接着層52の内部に部分的な中空構造が形成される。尚、バンク70の内壁やヒューズ部24aを含む接続配線24の表面にフッ素系プラズマ処理等の撥液性処理を施すことにより、空隙層60の形成が容易となる。その後、接着層52上に封止板54を載置して、熱処理または紫外線照射処理などによって液状の接着剤を硬化させる。このような、板状の封止板で封止を行う封止構造を有する有機ELデバイスにおいても薄膜で封止を行う場合と同様、過電流が流れた場合、接続配線は、適正に断線に至ることができ、また、接続配線24の断線に伴う熱や衝撃は空隙層60によって遮断されるので、封止板54は破壊されず、封止性能が維持される。また、ヒューズ部24aと封止板54は非接触である故、封止板54からの押圧によって断線箇所が繋がってリークが再発することもない。上記各実施例においては、給電配線22と第2電極40とを格子状に配列し、これらの各交差部に有機EL素子100を配置する所謂ドットマトリックスの表示形態を有する表示デバイスを例に説明したが、本発明は、そのような構成に限定されるものではない。図7は、電極、配線および有機EL素子の配置が改変された有機ELデバイス4の構成を示す平面図である。有機ELデバイス4において、基板10上に形成された給電配線22の1つに、複数の接続配線24が接続されている。複数の接続配線24は、1箇所または複数個所にまとめられた状態で等間隔に並置され、それぞれ、上記各実施例と同様、ヒューズ部24aを有する。接続配線24の各々は、短冊状にパターニングされた第1電極20に接続されている。第1電極20上には、同じく短冊状の有機機能層30が設けられている。有機機能層30上には複数の有機EL素子100に共通の第2電極40が設けられている。第2電極40は、給電配線22の伸長方向と平行に伸長している。尚、第2電極40は、有機EL素子毎に分離され、第1電極20や有機機能層30と同様、短冊形状を有していてもよい。このような接続配線24を1箇所に集約したレイアウトによれば、ヒューズ部24aを1箇所にまとめることができるので、封止層のパターニングすなわち空隙層の形成が容易となる。