"半導体チップの表面電極にワイヤがボンディングされた半導体装置の製造方法において、前記ワイヤを前記表面電極にボンディングした後、前記ワイヤと前記表面電極を200°C以上、300°C以下の高温に保持する工程と、1°C/min以下の冷却速度で前記ワイヤを徐冷する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記冷却速度が0.5°C/min以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記ワイヤの素材が、0.03質量以下のNi元素が添加されたアルミニウムもしくは純アルミニウムであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記表面電極の素材が、微量のSi元素が添加されたアルミニウムであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。しかし、上記のワイヤボンディングによる荷重、超音波による加工の後、接合部60aのワイヤ60の組織は加工ひずみにより結晶粒が微細化して接合部60aの硬度が高くなる。その粒サイズはワイヤボンディングによる接合部60aの上部母材ワイヤ60において、例えばサブμm~数μm程度と微細になっている。この粒サイズが微細になっている接合部60aを熱時効処理することで、粒サイズを粗大化して、パワーサイクル耐量を向上させることができる。しかし、この熱時効処理で高温保持された後、ワイヤ60がボンディングされた半導体チップ55を室温まで冷却すると、冷却条件によっては、半導体チップ55の表面電極57とワイヤ60との接合部60aに熱ひずみが導入されて、ワイヤ60母材の結晶粒が再度微細化し硬度が高くなる。接合部60aの硬度が高くなると、接合部60aのパワーサイクル耐量が低下する。その結果、パワーモジュールである半導体装置200の信頼性が低下する。また、前記の特許文献1~4には、ワイヤボンディングした後、熱時効処理を行い、その後の冷却において、冷却速度を小さくすることで、熱ひずみの導入を抑制し、半導体チップの表面電極とワイヤの接合部の信頼性を高めることについては記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、熱時効処理温度からの冷却速度を適正にすることで、半導体チップの表面電極とワイヤの接合部の信頼性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することである。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、半導体チップの表面電極にワイヤがボンディングされた半導体装置の製造方法において、前記ワイヤを前記表面電極にボンディングした後、前記ワイヤと前記表面電極を200°C以上、300°C以下の高温に保持する工程熱時効処理工程と、1°C/min以下の冷却速度で前記ワイヤを冷却する工程徐冷工程と、を含む半導体装置の製造方法とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記冷却速度が、0.5°C/min以下であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1または2に記載の発明において、前記ワイヤの素材が、0.03質量以下のNi元素が添加されたアルミニウムもしくは純アルミニウムであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、請求項1~3のいずれか一項に記載の発明において、前記表面電極の素材が、微量のSi元素が添加されたアルミニウムであるとよい。この発明によれば、Ni添加のアルミニウムワイヤを半導体チップのAl-Si電極膜にボンディングした後、300°C以下の高温で熱時効処理し、その後、1°C/min以下の冷却速度で徐冷することにより、ボンディング時の加工ひずみを除去し、熱時効処理後の冷却時に導入される熱ひずみを抑制することができる。加工ひずみが除去され、熱ひずみの導入が防止されることで、パワーサイクル試験の故障寿命を延ばすことができて、目標の3万回以上の故障サイクル数を達成することができて、高い信頼性を有する半導体装置を提供することができる。実施の形態を以下の実施例で説明する。<実施例>図1~図6は、この発明の一実施例の半導体装置の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。この半導体装置は、例えば、IGBTチップとダイオードが逆並列接続されたパワーモジュールなどである。まず、図1に示すように、放熱ベース1上に接合材2で固着した導電パターン付き絶縁基板3の導電パターン4aに半導体チップ5の裏面電極6を接合材8で固着する。また、導電パターン4bに外部導出端子9が固着している。この放熱ベース板1、導電パターン付き絶縁基板3、半導体チップ5および外部導出端子9からなる構成物をユニット100aと称し、このユニット100aはパワーモジュール100の主要構成を成している。尚、左側の半導体チップ5Aは、例えばIGBTチップであり、符号の7はエミッタ電極を示す。右側の半導体チップ5Bは、例えばpnダイオードチップであり、符号の7はアノード電極を示す。また、半導体チップ5はSiC半導体基板で製作されたMOSFETやショットキーダイオードの場合もある。接合材2,8としては、後述の熱時効処理温度に耐えるように高温半田などである。つぎに、図2に示すように、このユニット100aを構成する半導体チップ5の表面電極7にワイヤ10を図11に示す従来の超音波ボンディング装置300を用いてボンディングで接合する。このワイヤ10が表面電極7に接続されたユニットをユニット100bとする。表面電極7は、例えば1質量程度の微量のSi元素が添加されたアルミニウム膜通称Al-Siと称せられるでその厚さは例えば5μm程度である。Siの添加量は0.5質量~3質量の範囲が好ましい。0.5質量未満では、ワイヤ10のAl原子がシリコン基板上の絶縁膜を貫通してシリコン基板に拡散されるので好ましくない。また、3質量超では、表面電極7を形成するアルミニウム膜の結晶粒が大きくなり硬度も高くなり、ボンディングされる接合部10a下のシリコン基板にクラックが入りやすくなるので好ましくない。また、ワイヤ10は0.03質量以下のNi添加のアルミニウムワイヤが好ましい。Niの添加量が0.03質量超では硬度が高くなり、ボンディング時に導入される加工ひずみ量が多くなり好ましくない。尚、半導体チップ5Aのゲートパッド7aと接続するゲートワイヤは図が煩雑になるので図示しない。つぎに、図3に示すように、ワイヤ10を表面電極7にボンディングで接合した後、ユニット100bを恒温槽などの加熱炉11に入れ、一定時間ワイヤ10の熱時効処理を行う。このときの熱時効処理条件は、例えばN2雰囲気12で、加熱温度接合部10aの温度は200°Cで、加熱時間は1時間とする。この熱時効処理により、ボンディング時の加工ひずみによる応力が緩和され、ボンディング直後に微細化された結晶粒が粗大化する。この結晶粒の粗大化は熱時効処理温度、熱時効処理時間等に依存する。ここでは個々の結晶粒の最低粒径が10μm以上で平均粒径が15~100μm程度となるように熱時効処理を行う。このようにワイヤ母材の結晶粒を粗大化することによって、表面電極7とワイヤ10の界面付近接合部10aにおいて、ワイヤ10の硬度が低下し表面電極7とワイヤ10の固着強度が増大し熱疲労が起こり難くなる。つぎに、図4に示すように、熱時効処理の後に、ユニット100bを加熱炉11内で100°Cになるまで徐冷する。図8bに示すように、そのときの冷却速度温度勾配は、0.5°C/minより緩やかな速度で徐冷炉冷する。ここで、0.5°C/minより緩やかな速度で徐冷するためには、例えば、加熱炉11の熱源を停止したり、加熱力熱源のパワーを弱めたりして、炉内の熱が炉外に逃げていく量と、炉内に供給される量を調整しながら所定の速度で炉温を下降させればよい。また、加熱炉の保温性が高く、加熱炉11内の100°Cに到達するまでの時間が長くなる場合冷却速度が0.5°C/minより大幅に緩やかな場合には、熱源を停止するだけでなく、温度が所定速度で下降するように、微量の外気を導入するなどして加熱炉11内の温度を下げればよい。つぎに、図8bに示すように、加熱炉11の温度が100°C以下になった時点でユニット100bを加熱炉11から取り出して、点線の矢印11aで示すようにユニット100bを急冷する。100°C以下では熱ひずみの導入が抑えられるので急冷できる。ここで、急冷とは、加熱炉11内の温度を急速0.5°C/minより急な速度勾配に低下させることをいう。例えば、加熱炉11を外気に開放して、室温の大気を導入することで加熱炉11内の温度を下げることができる。また急冷することで、加熱炉11からユニット100bを取り出すまでの処理時間を短縮できて生産性が向上し、製造コストを低減することができる。つぎに、図6に示すように、ユニット100b上にケース13を被せて、ケース13内に保護材として例えばゲル14を充填し、外部導出端子9をケース13上から露出させてパワーモジュールである半導体装置100が出来上がる。この半導体装置100が、本発明の製造方法を用いて製作される半導体装置である。Ni添加のアルミニウムで形成されたワイヤ10をアルミシリコンAl-Si膜で形成された表面電極7に超音波ボンディングし、その後、熱時効処理温度を300°C以下で200°C以上とし、冷却速度を1°C/min以下とすることで、ワイヤ10と表面電極7の接合部10aへの熱ひずみの導入が防止される。その結果、パワーサイクル試験で故障サイクル数故障にいたるまでのサイクル数を3万回以上とすることができる。この故障サイクル数3万回は一つの目標として定めた回数である。前記の熱時効処理温度が300°C超とすると、半導体チップ5を導電パターン付き絶縁基板3に固着する例えば高温半田などの接合材8や導電パターン付き絶縁基板3を放熱ベース板1に固着する例えば高温半田などの接合材2が軟化または溶融するため好ましくない。また、200°C未満では、ボンディング時の加工ひずみが熱時効処理で十分除去されないため好ましくない。その結果、熱時効処理温度は200°C~300°Cの範囲がよい。さらに好ましくは200°C~250°Cがよい。また、熱時効処理後の冷却において、冷却速度が1°C/min超の冷却では熱ひずみが導入されて、硬度が高くなり、パワーサイクル試験で目標とする3万回以上の故障サイクル数を達成できない。そのため、1°C/min以下とし、さらに好ましくは、0.5°C/min以下がよい。この徐冷は炉冷で行なってもよい。前記の熱時効処理の過程において、加熱保持後の冷却速度により接合部10aには再び半導体チップ5とワイヤ10との線膨張係数の差に起因する応力熱ひずみが発生する。そのため、前記したように冷却速度を制御する必要がある。図7は、ワイヤ単体熱処理なしの硬度を基準100として、接合部10aの硬度変化を示す図である。これは、ボンディングした後の熱時効処理の有無と冷却速度によるワイヤ10と表面電極7の接合部10aの硬度変化を示す図である。図8は、ユニット100bの冷却曲線を示す図であり、同図aは冷却速度を300°C/minにした場合の図、同図bは冷却速度を0.5°C/minにした場合の図である。同図aは、熱時効処理後加熱保持後にユニット100bを加熱炉11外にて強制的に冷却した。同図bは熱時効処理後、ユニット100bを加熱炉11内で冷却した。図7より、熱時効処理温度を200°Cとした場合、ボンディング後のワイヤ10と表面電極7およびワイヤ10と導電パターン4bの接合部10aは、加工ひずみの導入により硬度がワイヤ単体に比べて約20変化率100→121高くなる。これを熱時効処理することで硬度の低下が見られ、冷却速度を0.5°C/minにすると、ボンディングしないワイヤ単体の硬度とほぼ同等で硬度変化は殆どない変化率100→104になる。また、この冷却速度を1°C/min超になると熱ひずみが発生し硬度が高くなるので、冷却速度は1°C/min以下とする。また、冷却速度が300°C/minでは熱ひずみが発生するため、ワイヤ単体に比べて硬度が14変化率100→114高くなる。また、熱時効処理温度を250°Cとした場合、冷却速度を0.5°C/minとすると、ボンディングしないワイヤ単体の硬度とほぼ同等変化率100→98になる。さらに、図示しないが、熱時効処理温度を300°Cに上昇させた場合もボンディングしないワイヤ単体の硬度とほぼ同等になる。但し、300°C超に熱時効処理温度を上昇させると前記したように接合材2,8が軟化するため好ましくない。図9は、パワーサイクル試験による検証実験結果を示す図である。パワーサイクル試験条件は、最低接合部温度Tjmin=25°C、最高接合部温度Tjmax=175°C、オン期間=1sec、オフ期間=9secである。熱時効処理を行っていない従来サンプルの故障サイクル数を基準100とし、熱時効処理後に炉冷冷却速度が0.5°C/minと急冷300°C/minしたサンプルの故障サイクル数の変化率故障変化率を示す。熱時効処理温度を200°Cとした場合、冷却速度を0.5°C/minにすると、従来サンプルの故障変化率に対して46高くなり故障変化率100→146、故障サイクル数が目標の3万回を達成できる。また、図示しないが、冷却速度を1°C/minにした場合も故障サイクル数が目標の3万回を達成できる。また、冷却速度が300°C/minでは故障変化率が15故障変化率100→115高くなり、故障サイクル数は目標の3万回を達成できない。また、熱時効処理温度を250°Cとした場合、冷却速度を0.5°C/minにすると、従来サンプルの故障変化率に対して43高くなり故障変化率100→143、故障サイクル数は目標の3万回は達成できる。また。熱時効処理温度が200°Cと250°Cで故障変化率は146と143でほぼ同等である。この検証結果より熱時効処理と徐冷により故障までのサイクル数故障サイクル数が伸びており、パワーサイクル耐量の向上に繋がっていることが確認された。また、冷却速度が1°C/minにした場合、目標の故障サイクル数を達成できることが確認された。さらに、冷却速度0.5°C/minによりパワーサイクル耐量の一層の向上が確認された。尚、前記の検証実験では微量のNi添加のアルミワイヤを用いたが、添加物のない純アルミワイヤでも同様の結果を得ることが出来た。以上のことをまとめると、ワイヤ母材として微量のNi添加のアルミニウムワイヤを用い、表面電極7として微量のSi添加のアルミニウム膜を用いた場合に、熱時効処理温度が200°C~300°C、冷却速度が1°C/min以下とすることで、故障サイクル数が目標の3万回を達成できる。"