第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、前記活性層の上に形成され、複数のホールを含む第2の導電型半導体層と、前記第2の導電型半導体層の上に形成される透明電極とを含む、半導体発光素子。前記複数のホールは、前記第2の導電型半導体層の厚さ方向に形成される、請求項1に記載の半導体発光素子。前記複数のホールは、前記第2の導電型半導体層の屈折率未満の屈折率を有する光透過性材料で充填される、請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記複数のホールには、空気が充填される、請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記透明電極は、前記複数のホールを充填しないように形成される、請求項1から4の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記透明電極は、光出面に凹凸が備えられる、請求項1から5の何れか1項に記載の半導体発光素子。前記凹凸は、凸部分が前記第2の導電型半導体層に形成されたホールと対応する位置に配置されるように形成される、請求項6に記載の半導体発光素子。前記凹凸は、均一な形状及び周期を有するように配列される、請求項6または7に記載の半導体発光素子。前記凹凸は、レンチキュラーlenticular、半球、プリズム、円錐又は多角錐の形状である、請求項6から8の何れか1項に記載の半導体発光素子。成長用基板上に第2の導電型半導体層、活性層及び第1の導電型半導体層を形成する段階と、前記第1の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、前記成長用基板を前記第2の導電型半導体層から分離し当該第2の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、前記第2の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階とを含む、半導体発光素子の製造方法。前記複数のホールは、前記第2の導電型半導体層の厚さ方向に形成される、請求項10に記載の半導体発光素子の製造方法。前記複数のホールは、前記第2の導電型半導体層の屈折率未満の屈折率を有する光透過性材料で充填される、請求項10または11に記載の半導体発光素子の製造方法。前記複数のホールには、空気が充填される、請求項10または11に記載の半導体発光素子の製造方法。前記透明電極は、前記複数のホールを充填しないように形成される、請求項10から13の何れか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。前記透明電極は、傾斜蒸着obliquedepositionによって形成される、請求項10から14の何れか1項に記載の半導体発光素子の製造方法。本発明の一目的は、光抽出効率に優れるように考案された構造を有する半導体発光素子を提供することである。本発明の他の目的は、上記のような構造の半導体発光素子を効率的に製造する工程を提供することである。上述した目的を達成するために、本発明の一実施形態は、第1の導電型半導体層と、当該第1の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、当該活性層の上に形成され複数のホールを含む第2の導電型半導体層と、当該第2の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含む半導体発光素子を提供する。本発明の他の実施形態は、成長用基板上に第2の導電型半導体層、活性層及び第1の導電型半導体層を形成する段階と、当該第1の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、上記成長用基板を上記第2の導電型半導体層から分離し当該第2の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、上記第2の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。上記複数のホールは、上記第2の導電型半導体層の厚さ方向に形成されることができる。上記ホールは、上記第2の導電型半導体層の屈折率未満の屈折率を有する光透過性材料で充填されることができる。上記ホールには、空気が充填されることができる。上記透明電極は、上記ホールを充填しない範囲内で形成されることができる。上記透明電極は、光出面に凹凸が備えられることができる。この場合、上記凹凸は、上記第2の導電型半導体層に形成されたホールの上部に対応する位置に形成されることができる。また、上記凹凸は、均一な形状及び周期を有するように配列されることができる。また、上記凹凸は、レンチキュラーlenticular、半球、プリズム、円錐又は多角錐の形状であることができる。上記透明電極は、上記ホールを充填しないように形成され、好ましくは、傾斜蒸着obliquedepositionによって形成されることができる。本発明によると、第2の導電型半導体層にホールを形成することにより屈折率の差によって出光される光の経路を短縮させて当該第2の導電型半導体層内で吸収される光の量を減少させることができ、光出面に凹凸が備えられた透明電極としてn型電極を形成することにより電極によって遮断される光の量を減らして光抽出効率を向上させることができる。以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。但し、本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当業界における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一の符号で表示される要素は、同一の要素である。図2は、本発明の一実施形態による半導体発光素子を概略的に示す断面図である。図2を参照すると、本実施形態による半導体発光素子は、導電性基板104上に発光構造物が形成される。上記発光構造物は、第1の導電型半導体層103と活性層102と第2の導電型半導体層101とを備える構造で形成され、当該第2の導電型半導体層101は、複数のホール105を含む。上記複数のホール105は、上記第2の導電型半導体層101内における光路が効果的に短縮されるように、当該第2の導電型半導体層101の厚さ方向に形成されることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。これと関連し、より詳細な内容は、後述する。上記第2の導電型半導体層101の上面には、電極が形成され、好ましくは透明電極106が形成される。上記透明電極106は、ホールを充填しないように形成され、好ましくは凹凸を含むことができる。さらなる構成として、上記透明電極106の上に、ワイヤボンディング等に用いられるためのボンディングパッド図示せずが備えられることができる。本実施形態において、上記第1及び第2の導電型半導体層103、101は、それぞれp型及びn型半導体層となり、窒化物半導体からなることができる。したがって、本実施形態において、第1及び第2の導電型は、それぞれp型及びn型として理解されることができるが、これに限定されるものではない。上記第1及び第2の導電型半導体層103、101は、AlxInyGa1-x-yN組成式ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1であるを有し、例えば、GaN、AlGaN、InGaN等の物質がこれに該当される。上記第1及び第2の導電型半導体層103、101の間に形成される活性層102は、電子と正孔との再結合によって所定のエネルギーを有する光を放出し、量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層された多重量子井戸MQW構造、例えば、InGaN/GaN構造を有することができる。本実施形態による半導体発光素子では、上記導電性基板104の上に反射金属層図示せずが形成されることができる。上記反射金属層は、上記活性層102から放出された光を半導体発光素子の上部、即ち、上記第2の導電型半導体層101の方向に反射する機能を行うことができ、さらには、上記第1の導電型半導体層103とのオーミックコンタクトを形成することが好ましい。このような機能を考慮すると、上記反射金属層は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au等の物質を含むことができる。この場合、上記反射金属層は、2層以上の構造として採用されて反射効率を向上させることができ、具体例としては、Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Zn/Al、Pd/Ag、Pd/Al、Ir/Ag、Ir/Au、Pt/Ag、Pt/Al、Ni/Ag/Pt等が挙げられる。上記反射金属層に接合される導電性基板は、後述するように、レーザーリフトオフ等の工程において上記発光構造物を支持する支持体の役割を行い、Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se、GaAsの少なくともいずれか一つを含む物質、例えば、Si基板にAlがドープされた物質からなることができる。この場合、選択される物質に応じて、上記導電性基板は、メッキ又はボンディング接合等の方法で形成されることができる。本実施形態では、上記導電性基板104は、上記第1の導電型半導体層103と電気的に連結され、これにより、当該導電性基板104を介して当該第1の導電型半導体層103に電気信号が印加されることができる。さらに、上記反射金属層と上記導電性基板との間には、接着層が含まれることができ、当該接着層は、当該導電性基板と当該反射金属層との接着力を向上させることにより当該導電性基板が当該反射金属層から分離されることを防止することができる。さらに、上記接着層と上記反射金属層との間には、拡散防止層が含まれることができ、当該拡散防止層は、当該接着層又は導電性基板から当該反射金属層へ金属元素が拡散されることを防止して当該反射金属層の反射度を向上させることができる。本発明において、上記第2の導電型半導体層101は、複数のホール105を含む。上記ホール105は、上記第2の導電型半導体層101と上記透明電極106との界面から一定の深さで形成される。上記ホール105の深さは、上記第2の導電型半導体層101と上記透明電極106との界面から当該第2の導電型半導体層101の厚さの50以上であることが好ましく、より好ましくは70以上、さらに好ましくは95以上である。上記ホール105は、活性層に接触しない範囲内で当該活性層に近く形成されることが好ましい。上記ホール105の断面の形状は、円柱、多角柱であることができるが、これに限定されるものではない。上記第2の導電型半導体層101に上記のようなホール105が形成される場合、当該ホール105の屈折率は、空気に相応する1であり、例えば、約2.4の屈折率GaNの場合を有する当該第2の導電型半導体層101よりも低いため、図3に示されるように光路を効果的に短縮させ当該第2の導電型半導体層101による光吸収を最小化することができる。具体的には、上記活性層102から放出された光のうち上記ホール105へ臨界角より大きい入射角で入射された光は、当該ホール105によって光損失なしに全反射されて、上記第2の導電型半導体層101の上部に誘導される。したがって、上記ホール105を備えないことから上記光が上記第2の導電型半導体層101の側面に向かう場合と比較して、光路をさらに短縮させることができる。これは、上記第2の導電型半導体層101の側面に到達した光が反射されて再び当該第2の導電型半導体層101の内部に進行することがあるためである。なお、上記活性層102から放出された光のうち上記ホール105へ臨界角より小さい入射角で入射された光は、当該ホール105と当該第2の導電型半導体層101との界面で経路が変わって当該第2の導電型半導体層101の上部に誘導される。したがって、この場合もまた、上記ホール105を備えないことから上記光が上記第2の導電型半導体層101の側面に向かう場合と比較して、光路をさらに短縮させることができる。その結果、上記第2の導電型半導体層で吸収される光の量を減少させて光抽出効率を改善することができる。上記ホールは、SiO2のように、上記第2の導電型半導体層の屈折率未満の屈折率を有する光透過性材料で充填されることもできる。即ち、上記ホールは、屈折率が1を超え且つ上記第2の導電型半導体層の屈折率より小さい屈折率を有する適切な光透過性材料で充填されることができ、当該第2の導電型半導体層と当該ホールとの屈折率差が大きいほど光路が短くなるため、光抽出が効果的に行われることができる。上記第2の導電型半導体層101の上面には、電流の供給のためのn型電極が形成される。これにより、導電性基板と電極を介して半導体発光素子に電流を供給して光を放出することができる。上記n型電極は、Ti、Cr、Al、Cu及びAuからなる群から選択される物質からなる単一層又は複数層で形成されることができる。また、本発明は、多様な実施形態において、上記第2の導電型半導体層101及び上記n型電極との間に形成されたバッファー層をさらに含むことができる。さらに、本発明では、上記第2の導電型半導体層101の上に透明電極106を形成することで、電極によって反射又は遮断される光の量を減少させることができる。上記透明電極106は、電流を容易に拡散させると共に光を容易に透過させる物質からなることができる。例えば、上記透明電極106は、インジウム-スズ系酸化物ITO、インジウム酸化物IO、スズ系酸化物SnO2、亜鉛系酸化物ZnO及びインジウム-亜鉛系酸化物IZOからなる群から選択される酸化物からなる少なくとも一つの層で形成されることが好ましい。上記透明電極106は、ホールを充填しないように形成される。さらに、本発明では、上記透明電極106の光出面が凹凸を含み、当該凹凸の形状及び周期を均一にすることにより、均一な光放出性能が得られるため、当該凹凸は、当該透明電極106の光出面に規則的に配置されることが好ましい。上記凹凸は、レンチキュラーlenticular、半球、プリズム、円錐又は多角錐の形状であることができるが、これに限定されるものではない。上記凹凸は、図2に示されるように、第2の導電型半導体層に形成されたホールの上部に対応する位置に形成されることが光抽出効率上好ましい。即ち、図2に示されるように、ホール間の間隔が広くなる場合図2b、これに合わせて透明電極の光出面上に形成される凹凸も広い間隔で形成されることが好ましい。以下では、上記のような構造を有する半導体発光素子を製造する工程について説明する。図4から図7は、本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別の断面図である。まず、図4に示されるように、MOCVD、MBE、HVPE等の半導体層成長工程を用いて半導体成長用基板100上に第2の導電型半導体層101、活性層102及び第1の導電型半導体層103を順次成長させて発光構造物を形成する。上記半導体成長用基板100としては、サファイア、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等の物質からなる基板を用いることができる。この場合、サファイアは、六角-ひし形Hexa-RhomboR3cの対称性を有する結晶体であって、c軸及びa軸方向の格子定数がそれぞれ13.001Å及び4.758Åであり、C0001面、A1120面、R1102面等を有する。特に、上記C面は、窒化物薄膜の成長が比較的容易であり高温で安定するため、窒化物成長用基板として主に用いられる。その後、図5に示されるように、第1の導電型半導体層103上に導電性基板104を形成する。上記導電性基板104は、メッキ工程、スパッタリング工程、蒸着工程等で形成されるか又は予め製造された導電性基板104を導電性接合層図示せずによって接合させることで形成されることができる。上記第1の導電型半導体層103と上記導電性基板104との間には、反射金属層が形成されることができる。上記反射金属層は、光反射機能及び第1の導電型半導体層とのオーミックコンタクト機能を考慮してAg、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au等の物質を含むように形成され、当該技術分野における公知のスパッタリング工程や蒸着工程等が適宜用いられることができる。次に、上記第2の導電型半導体層101が露出されるように上記半導体成長用基板100を除去する。この場合、上記半導体成長用基板100は、レーザーリフトオフ工程や化学的リフトオフ工程等で除去されることができる。次いで、図6に示されるように、第2の導電性半導体層101の一部をエッチングしてホールを形成する。この場合、上記ホールが形成される領域以外の領域にマスクを形成することができる。上記ホールの形成のためのエッチング工程としては、湿式エッチング又は乾式エッチング等の当該技術分野における公知の多様な方法、例えば、ICP-RIE工程等を用いることができる。上記ホール105は、上記第2の導電型半導体層101と上記透明電極106との界面から上記活性層102に近く形成されることが好ましいが、当該活性層102には接触しないように形成する。また、上記ホール105は、SiO2のように、第2の導電型半導体層の屈折率未満の屈折率を有する光透過性材料で充填されることができる。この際、上記第2の導電型半導体層と上記ホールとの屈折率差が大きいほど光路が短くなるため、光抽出が効果的に行われることができる。このような点を考慮して、上記ホールに別途に透明物質を充填することなく、上記ホールをエアギャップairgap状態、即ち、空気で充填された状態に維持することもできる。次いで、上記第2の導電型半導体層101上に透明電極106を形成する。上記透明電極106としては、例えば、インジウム-スズ系酸化物ITO、インジウム酸化物IO、スズ系酸化物SnO2、亜鉛系酸化物ZnO、インジウム-亜鉛系酸化物IZO等の物質を用い、これを蒸着する方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、イオンビーム補助電子ビーム蒸着法等の当該技術分野における周知の方法を用いることができるが、上記第2の導電型半導体層に形成されたホールを維持しなければならない。このため、方向性のある蒸着法を用いて蒸着入射角を小さくする場合、上記ホールを効果的に維持すると共に上記ホールを透明電極で充填しないように形成することができ、好ましくは傾斜蒸着obliquedepositionを用いることができる。さらに、上記本発明の透明電極106の光出面は、凹凸を含み、当該凹凸の形状及び配置を均一にすることにより、均一な性能が得られるため、当該凹凸は、当該透明電極106の光出面に規則的に配置されることが好ましい。上記凹凸は、レンチキュラーlenticular、半球、プリズム、円錐又は多角錐の形状に形成されることができるが、これに限定されるものではない。上記凹凸は、上記第2の導電型半導体層に形成されたホールの上部に対応する位置に形成されることが光抽出効率上好ましい。即ち、ホール間の間隔が広くなる場合、これに合わせて透明電極の光出面上に形成される凹凸も広い間隔で形成されることが好ましい。なお、図面には、凸部分がホールの上部に位置する形態のみが図示されているが、ホールと凹凸との位置関係はこれに限定されない。ホールの上部に凹部分が位置してもよく、ホールの周期と凹凸の周期とが一致していればよい。本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属する。