結晶シリコン表面にマスクパターンを形成するステップ、エッチングにより、111面を主体とするテーパー部を持つ段差構造を形成するステップ、陽極酸化法でナノ結晶シリコン層を形成するステップを有することを特徴とするナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法。請求項1記載の作製方法において、更にナノ結晶シリコン/結晶シリコン境界を渡って金属、半導体、絶縁体などの薄膜を形成するステップを有するナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法。請求項1又は2記載の作製方法において、段差形成のためのパターンマスクと陽極酸化を部分的に行うパターンマスクを異なったパターンで形成するステップを有するナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法。請求項1~3いずれかに記載の作製方法で形成された素子構造。本発明では、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部を持つシリコン結晶基板上や、マスクパターンなどの表面構造を有するナノ結晶シリコンを含む結晶シリコン基板上に、真空蒸着法、スパッタ法、分子線エピタキシー法などの手法により膜厚10μm以下の薄膜電極を形成する際、薄膜電極などのクラック、段差の発生による断線などの影響を回避し、素子の製造歩留まりおよび信頼性の向上を実現するための素子構造と方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、結晶シリコン表面にマスクパターンを形成するステップ、エッチングにより、111面を主体とするテーパー部を持つ段差構造を形成するステップ、陽極酸化法でナノ結晶シリコン層を形成するステップを有することを特徴とするナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法、更に、ナノ結晶シリコン/結晶シリコン境界を渡って金属、半導体、絶縁体などの薄膜を形成するステップを有するナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法、必要により段差形成のためのパターンマスクと陽極酸化を部分的に行うパターンマスクを異なったパターンで形成するステップを有するナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法、及びこれらの作製方法で形成された素子構造を提供する。図1bに上記課題を解決する手段を説明する図を示す。ナノ結晶シリコンを含むシリコン基板上に薄膜を形成する場合、ナノ結晶シリコン/結晶シリコンの境界領域を、垂直溝構造ではなく、テーパー構造にすることで、薄膜電極を介したなめらかな電気的接触および導通を実現する。その際、テーパー構造の深さは10nmから1mm基板厚さと同等程度の範囲で、またテーパー構造の基板垂直方向に対する角度は、5°から85°の範囲で適用可能である。通常のシリコン基板表面にテーパー構造を形成する手法としては、水酸化カリウム水溶液などを用いるウエットエッチング、塩素ガスなどを用いる気相のドライエッチング、あるいはその双方の組み合わせにより実現可能である。一般的にテーパー構造にすることで、薄膜電極を介したなめらかな薄膜形成を実現し、電極形成の場合は電気的接触および良好かつ安定な導通を実現することは本分野の専門家であれば自然なことである。しかしながら、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部の場合は、その境界部のテーパー構造によって、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部の構造が大きく異なることを見出した。すなわち、バルク結晶シリコンの10面に陽極酸化法によりナノ結晶シリコン層を形成すると、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部の構造に乱れが発生し、クラックや切断が発生しやすい。一方、化学的異方性エッチングなどで、テーパー面を111面として陽極酸化法によりナノ結晶シリコン層を形成すると、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部の構造に乱れが発生せず、その部分を渡って薄膜を形成すると、クラックや切断がほとんど発生しないことを見出した。図2はその事実を示すナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部の断面の顕微鏡写真である。マスク部204は薄いので観察されていないが窒化シリコンマスクが被着されており、まず、異方性化学エッチング法により、非マスク部205をエッチングし、段差を形成する。その場合、同時に111面のテーパー部203が形成される。その後、陽極酸化法によりナノ結晶シリコン層202を形成する。その結果、境界部でのナノ結晶シリコンの端面形状は自然な円の一部と似た形となり、表面構造も段差部分やテーパー部で元の表面構造を保ったクリアな構造が保持されていることを見出した。また、テーパー構造とすることにより、方向性のある成膜方法での方向性を緩和することができるようになった。その結果、この段差部分を渡って薄膜、例えば金属電極用薄膜を歩留良くスムーズに形成出来ることが明らかとなった。この事実の発見により、単にテーパーを形成するだけでなく、特定の結晶面111をテーパー面に選定することで、クラックや切断がほとんど発生しない薄膜形成が可能となることを発案した。そのため、素子の断面でのテーパー形成、およびその効果の有効な角度範囲は、素子の断面構造での角度に最適な値があるのではなく、テーパー面の方位が111面である場合が最も優れており、この面方位から外れるに従ってクラックや切断などの発生の可能性が増加する。用途によって異なるが、111面を主体とする111面±20度程度の範囲内であれば切断などの発生防止に顕著な差異が見られた。望ましくは±5度程度以下とするのが望ましい。本発明により、ナノ結晶シリコン領域を含む素子、特に、陽極酸化法によりナノ結晶シリコン領域を形成する場合に、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部を渡って薄膜、例えば電極を形成する場合など、高歩留で信頼性の高い薄膜が得られ、その結果、薄膜の厚さを薄くしたり、微細化することが出来、高性能な素子設計製造を可能にした。本発明では素子製作を行うため、結晶シリコン表面にナノ結晶シリコン領域を部分的に形成するマスク材料薄膜の形成、この薄膜にフォトリソグラフィーなどの技術を用いたパターンの形成、引き続き行う111面を選択的に含むテーパー領域の形成、さらに、マスクパターンを利用した陽極酸化法によるナノ結晶シリコン形成、その上に金属、半導体、絶縁物などの薄膜形成とそのパターニングなどの一連のプロセスを経て実施される。マスクとしてPECVD装置を用いて窒化シリコンSiNを形成して用いる。111面を選択的に含むテーパー領域の形成には、通常の化学的異方性エッチング法を用いる。マスクのパターニングには通常のフォトリソグラフィー装置を用いる。ナノシリコン層を作成する設備として、陽極酸化装置を用いる。以下の実施例では4インチ径のシリコン基板を用い、陽極酸化後の連続的な洗浄乾燥が可能な専用カセット付きで、液供給ポンプ、コンプレッサー、エアードライヤーなど関連機器を装備している。また、陽極酸化法により形成したナノシリコン層の評価を行う設備として、表面を観察する光学顕微鏡、ナノシリコン層表面に薄膜電極を形成するパターン形成設備を用いた。陽極酸化に当たっては、電流の密度、通電時間を選定することで、ナノ結晶シリコン層の構造、電気的熱的光学的物性を選択し、必要な厚さを制御して所望の素子を実現する。以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。熱音響変換素子への適用本発明の第一の実施例について図3を用いて説明する。P型で100結晶面を持ち、比抵抗1-10Ωcmのシリコン基板301上に、PECVD装置を用いてSiNマスク305を成膜し、フォトリソグラフィーおよびその後の現像プロセスにより、ナノ結晶シリコンを形成する基板上の領域を限定するためのパターンを形成した。このパターンを用いて、70°Cの水酸化カリウム20水溶液での5分間のウエットエッチング法により、図2に示したようなテーパー部を有する段差構造を形成した。次に陽極酸化を選択的に行うパターン部分のみシリコン表面を露出させた。各パターンユニットのサイズは、5mm角程度である。このSiNマスク付きシリコン基板を、陽極酸化治具にセットし、55HF:エタノール=1:1の割合で調合した溶液150mL中に浸して陽極酸化を行った。陽極酸化の電流密度は100mA/cm2、陽極酸化時間は25分である。陽極酸化後、シリコン基板を超臨界乾燥装置に入れ、約50分間の乾燥の後に装置から取り出した。その後スパッタ装置を用いて、陽極酸化を施したシリコン基板上に、熱音響素子のヒータ電極としてIrイリジウム薄膜303を50nm程度堆積し、その上にパッド電極として金Au薄膜304を300nm程度堆積した。その後、ウエハ上に形成された数十個の素子を、レーザダイシングにより分離し、8mm角サイズの素子を作製した。その8mm角の素子を、エポキシ樹脂を用いてT08上にマウントし、最後にT08のピンと素子のパッド電極間を、金電線のワイヤボンディングにより接続した。その素子に、NF社製パルス密度変調装置で変換されたアナログ入力信号を入力し、出力音圧を1/4インチ径マイクで計測し、FFTアナライザにより音響特性の周波数解析を行った。その結果、図4に示す通り、本発明素子401テーパ構造有りで熱音響効率を高める設計をした素子では1.5Wの入力403に対し、従来素子テーパ構造無しで形成し、厚い電極膜を有する素子での7W402に相当する音圧を観測した。この結果、ナノシリコン形成プロセス以前にシリコン基板にテーパー構造を作製することで、その後の電極プロセスの信頼性が向上し、熱音響素子の電力効率が約5倍に向上することが分かった。上記実施例は熱音響変換素子への適用について実施した場合ついて述べたが、本発明は、結晶シリコン表面にナノ結晶シリコン領域を部分的に持つ素子構造、特に陽極酸化法によりナノ結晶シリコン領域を形成する場合に同様に適用することが出来る。