"基板を研磨する装置であって、ベースに結合された回転可能なプラテンと、前記ベースに結合されたコンディショナデバイスであって、第1モータによって前記ベースに回転可能に結合されているシャフトと、アームによって前記シャフトに結合されている回転可能なコンディショナヘッドとを備え、前記コンディショナヘッドは、前記コンディショナヘッドの回転を制御する第2モータに結合されている、コンディショナデバイスと、前記ベースに関する前記シャフトの回転力メトリックと、前記コンディショナヘッドの回転力メトリックとを感知するように動作可能な1つ又は複数の測定デバイスとを備える、装置。前記1つ又は複数の測定デバイスは、前記第1モータに結合された第1センサを備える、請求項1に記載の装置。前記1つ又は複数の測定デバイスは、前記第2モータに結合された第2センサを備える、請求項2に記載の装置。前記1つ又は複数の測定デバイスは、電流センサ、圧力センサ、及びトルクセンサから成るグループから選択されたセンサを備える、請求項3に記載の装置。前記1つ又は複数の測定デバイスは、第1トルクセンサ及び第2トルクセンサを備える、請求項1に記載の装置。前記コンディショナデバイスに結合され、前記コンディショナヘッドに加えられるダウンフォースのメトリックを感知する第3センサをさらに備える、請求項5に記載の装置。前記プラテンの回転を制御するモータに結合された第4センサをさらに備える、請求項5に記載の装置。基板を研磨する装置であって、ベースに結合された回転可能なプラテンと、前記ベースに結合されたコンディショナデバイスであって、第1モータによって前記ベースに回転可能に結合されているシャフトと、アームによって前記シャフトに結合されている回転可能なコンディショナヘッドとを備え、前記コンディショナヘッドは、前記コンディショナヘッドの回転を制御する第2モータに結合されている、コンディショナデバイスと、前記第1モータに結合され、前記ベースに関する前記シャフトの回転力メトリックを感知するように動作可能な第1センサと、前記第2モータに結合され、前記コンディショナヘッドの回転力メトリックを感知するように動作可能な第2センサとを備える、装置。前記第1センサ又は前記第2センサは、電流センサ、圧力センサ、及びトルクセンサから成るグループから選択される、請求項8に記載の装置。前記第1センサ及び前記第2センサはトルクセンサである、請求項8に記載の装置。前記コンディショナデバイスに結合され、前記コンディショナヘッドに加えられるダウンフォースのメトリックを感知する第3センサをさらに備える、請求項8に記載の装置。前記プラテンの回転を制御するモータに結合された第4センサをさらに備える、請求項11に記載の装置。基板を研磨する方法であって、基板なしの研磨前プロセスを行う工程であって、前記研磨前プロセスは、コンディショナディスクを研磨ステーションに配置された研磨パッドの研磨表面に押し付ける工程を含み、前記研磨前プロセスは、前記コンディショナディスクを前記研磨パッドに関して動かすために必要な回転力値を監視している間、前記コンディショナディスクを前記研磨パッドに関して前記研磨表面を横切る掃引パターンで動かす工程を備える、工程と、前記コンディショナディスクと前記研磨表面との間の相互作用を示すメトリックを、前記回転力値から決定する工程と、前記メトリックに応じて研磨方策を調節し、前記調節された研磨方策を使用して1つ又は複数の基板を研磨する工程とを備える、方法。前記メトリックが、測定されたトルク値を備える、請求項13に記載の方法。前記研磨する工程が、前記1つ又は複数の基板を研磨する間に前記回転力値を監視する工程と、前記監視されたトルク値をターゲットトルク値と比較する工程とを備える、請求項14に記載の方法。前記調整ディスクのダウンフォースを、前記測定されたトルク値と前記ターゲットトルク値と間の差に応じて調節する工程をさらに備える、請求項15に記載の方法。理解を容易にするために、可能であれば、図面に共通する同一の要素を指定するために同一の参照番号が使用されている。ある実施形態の要素及び特徴が、さらなる列挙なしで、他の実施形態に有益に組み込まれてもよいことが意図されている。ここに記載された実施形態は、化学機械研磨CMPシステムで研磨パッドの研磨表面を調整し、基板での材料除去レートを高め、スループットを増加させる装置及び方法に関する。CMPプロセスでは、研磨パッドの表面をリフレッシュするために、研磨パッドの周期的な調整が必要である。しかしながら、パッド調整と、研磨プロセス中の基板からの摩擦との組み合わせは、研磨パッドを、研磨パッドを交換する必要がある段階まで摩耗させる傾向がある。同様に、コンディショナディスクを交換する必要があるように、コンディショナディスクの摩耗性は時間が経つにつれて減少する。新しい研磨パッド及び/又は新しいコンディショナディスクなど新しい消耗品が研磨システムに導入される場合、研磨パッド及びコンディショナディスク間の相互作用は未知である。例えば、研磨パッド特性は、製造者ごと及び研磨パッドごとにばらつく可能性がある。同様に、コンディショナディスクのダイヤモンド砥粒サイズ及び形態などコンディショナディスクの特性は、ディスクごとにばらつく可能性がある。本発明の実施形態は、研磨パッドや、研磨パッドを調整又はリフレッシュするコンディショナディスク、及びこれらの組み合わせなど消耗品の性能を対象としている。本発明者等は、新しい消耗品の相互作用又は性能は、新しい消耗品の設置時にインサイチュで決定することができることを発見した。消耗品間の相互作用を1つ又は複数の研磨前プロセス内で監視し、性能メトリックを提供することができ、この性能メトリックは、研磨方策で、又は自動化研磨プロセス方策の処理パラメータを制御する閉ループ制御システムで利用することができる。さらに、消耗品の除去レート及び/又は有効期間を向上させるために、性能メトリックを後続の研磨プロセス中に絶えず監視することができる。図1は、化学機械研磨CMPプロセス又は電気化学機械研磨ECMPプロセスなど研磨プロセスを行うように構成された研磨ステーション100の一実施形態の部分的な断面図である。研磨ステーション100は、独立型ユニットであってもよく、又はより大きい処理システムの一部であってもよい。研磨ステーション100を利用するように適合させることができるより大きい処理システムの例は、他の研磨システムの中でも、カリフォルニア州サンタクララに位置するAppliedMaterials,Inc.から利用可能な、REFLEXION登録商標、REFLEXION登録商標LK、REFLEXION登録商標LKECMP商標、REFLEXIONGT商標、及びMIRRAMESA登録商標研磨システムを含む。研磨ステーション100は、ベース110上に回転可能に支持されているプラテン105を含む。プラテン105は、プラテン105を回転軸Aの周りで回転させるのに適合したアクチュエータ又はドライバモータ115に動作的に結合されている。一実施形態では、研磨パッド120の研磨材料122は、CMPプロセスで代表的に利用されるポリマー系パッド材料など市販のパッド材料である。ポリマー材料は、ポリウレタン、ポリカーボネート、フルオロポリマー、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、ポリフェニレンスルフィドPPS、又はこれらの組み合わせであってもよい。研磨材料122は、連続気泡又は独立気泡ポリマー、エラストマー、フェルト、含浸フェルト、プラスチック、及び、処理の化学的性質と調和する同様の材料をさらに備えることができる。別の実施形態では、研磨材料122は、多孔性コーティングで含浸化されたフェルト材料である。他の実施形態では、研磨材料122は、少なくとも部分的に導電性である材料を含む。研磨パッド120は、消耗品と考えられ、プラテン105に取り外し可能に結合し、研磨パッド120の交換を容易にすることができる。プラテン105は、基板が研磨材料122と接触しているときに研磨パッド120が基板135の表面を平坦化又は研磨するように、処理中に研磨パッド120を回転させるために利用される。プラテン回転センサなど第1測定デバイス138を利用し、プラテン105及び研磨パッド120を回転させるために必要な力を示すメトリックを得ることができる。第1測定デバイス138は、ドライバモータ115に、又は、ドライバモータ115の出力シャフトに結合された、トルク又は他の回転力センサであってもよい。キャリアヘッド130が、研磨パッド120の研磨表面125の上に配置される。キャリアヘッド130は、基板135を保持し、処理中、基板135を研磨パッド120の研磨表面125の方へZ軸に沿って制御可能に押す。一実施形態では、キャリアヘッド130は、基板135の裏側の1つ又は複数のゾーンに圧力又は力を加え、基板135を研磨表面125の方へ押すのに適合した1つ又は複数の加圧可能な嚢図示せずを含む。キャリアヘッド130は、キャリアヘッド130を支持し、研磨パッド120に関するキャリアヘッド130の運動を容易にする支持体部材140に取り付けられている。支持体部材140は、キャリアヘッド130を研磨パッド120の上に吊り下げるように、ベース110に結合する又は研磨ステーション100に取り付けることができる。一実施形態では、支持体部材140は、研磨パッド120の上で研磨ステーション100に、又は研磨ステーション100に隣接して取り付けられている円形トラックである。キャリアヘッド130は、少なくとも回転軸Bの周りのキャリアヘッド130の回転運動を提供するドライバシステム145に結合されている。さらに、ドライバシステム145は、キャリアヘッド130を、支持体部材140に沿って研磨パッド120に関して横方向X及び/又はY軸に動かすように構成されてもよい。一実施形態では、ドライバシステム145は、キャリアヘッド130を、横方向運動に加えて、研磨パッド120に関して垂直Z軸に動かす。例えば、ドライバシステム145は、研磨パッド120に対する基板135の回転及び/又は横方向運動を提供するのに加えて、基板135を研磨パッド120の方へ動かすために利用することができる。キャリアヘッド130の横方向運動は、線形、あるいは円弧又は掃引移動であってもよい。第2測定デバイス148をキャリアヘッド130に結合することができる。第2測定デバイス148は、基板135を研磨パッド120に対して回転させるために必要な力のメトリックを得るために利用される、キャリアヘッド130のための回転センサであってもよい。第2測定デバイス148は、ドライバシステム145に、又は、ドライバシステム145の出力シャフトに結合された、トルク又は他の回転力センサであってもよい。コンディショナデバイス150及び流体アプリケータ155は、研磨パッド120の研磨表面125の上方に位置して示されている。流体アプリケータ155は、研磨流体を研磨パッド120の一部に届けるのに適合した1つ又は複数のノズル160を含む。流体アプリケータ155は、ベース110に回転可能に結合されている。一実施形態では、流体アプリケータ155は、回転軸Cの周りを回転するのに適合し、研磨表面125の方に向けられた研磨流体を供給する。研磨流体は、化学溶液、水、研磨コンパウンド、洗浄溶液、又はこれらの組み合わせであってもよい。コンディショナデバイス150は、一般に、コンディショナヘッド151と、回転可能なシャフト152と、回転可能なシャフト152から研磨パッド120の上に延び、コンディショナヘッド151を支持するように構成されたアーム153とを含む。コンディショナヘッド151は、研磨パッド120の研磨表面125と接触しているように選択的に位置付けられて研磨表面125を調整するコンディショナディスク154を保持している。コンディショナディスク154は、消耗品と考えられ、コンディショナヘッド151に取り外し可能に結合し、コンディショナディスク154の交換を容易にすることができる。回転可能なシャフト152は、研磨ステーション100のベース110を経て配置されている。回転可能なシャフト152は、ベース110に関して回転軸Dの周りを回転することができる。回転可能なシャフト152の回転は、アーム153がコンディショナヘッド151をベース110及び研磨パッド120に関して回転させるように、ベース110と回転可能なシャフト152との間のベアリング156によって容易にすることができる。一実施形態では、アクチュエータ又はモータ157が、回転可能なシャフト152に結合され、回転可能なシャフト152を回転させ、アーム153及びコンディショナヘッド151を、研磨パッド120の研磨表面125を横切る掃引移動で押す。コンディショナデバイス150は、さらに、回転可能なシャフト152の回転を監視するために利用される第3測定デバイス158を含む。一実施形態では、第3測定デバイス158は、コンディショナディスク154を、研磨パッド120の研磨表面125を横切る掃引移動で移動させるために必要な回転力又はトルクを検出するのに適合した、回転可能なシャフト152及び/又はアーム153と共に利用される回転センサである。一実施形態では、第3測定装置158は、モータ157に、又はモータ157の出力シャフトに結合されたトルク又は他の回転力センサであってもよい。他の実施形態では、第3測定装置158は、モータ157に結合された電流センサ又は圧力センサであってもよい。電流センサは、コンディショナディスク154と研磨パッド120の研磨表面125との間の摩擦力が変化するにつれてモータ157によって引き出される電流の変化を検出することができる。圧力センサは、コンディショナディスク154と研磨パッド120の研磨表面125との間の摩擦力が変化するにつれて、モータ157を発動させるために利用される圧力の変化を検出する、モータ157とのインターフェースであってもよい。依然として他の実施形態では、第3測定デバイス158は、研磨パッド120の研磨表面125を横切ってコンディショナディスク154を動かすために必要な力を示すメトリックを提供するのに適した任意の他のセンサであってもよい。コンディショナヘッド151は、コンディショナディスク154を、コンディショナディスク154を直交方向に通るように配置された回転軸Eの周りに回転させる。アクチュエータ又はモータ161は、コンディショナディスク154を、アーム153及び/又は研磨パッド120の研磨表面125に関して回転させるために利用される。一実施形態では、モータ161は、アーム153の遠位端でハウジング162内に配置される。コンディショナディスク154は、研磨パッド120の材料を調整するのに適した材料から制作される。コンディショナディスク154は、ポリマー材料から形成された剛毛を有するブラシであってもよく、又は、研磨材粒子を備える研磨材表面を含んでもよい。一実施形態では、コンディショナディスク154は、ベース基板に付着したダイヤモンド又は他の比較的硬い粒子など研磨剤粒子を含有する表面を備えている。コンディショナデバイス150は、さらに、コンディショナディスク154が研磨パッド120と接触しているときにコンディショナディスク154を回転軸Eの周りに回転させるために必要な回転力又はトルクを感知する第4測定デバイス163を含む。一実施形態では、第4測定デバイス163は、コンディショナ151によって経験されるトルクを感知するトルクセンサであってもよい。ある態様では、第4測定デバイス163は、ハウジング162内に配置されている。一実施形態では、第4測定デバイス163は、モータ161に、又は、モータ161とコンディショナディスク154との間に結合された出力シャフトに結合された電流センサであってもよい。電流センサは、コンディショナディスク154と研磨パッド120の研磨表面125との間の摩擦力が変化するにつれてモータ161によって引き出される電流の変化を検出することができる。別の実施形態では、第4測定デバイス163は、モータとコンディショナヘッドとの間のドライバトレーン内に位置し、コンディショナディスク154と研磨パッド120の研磨表面125との間の摩擦によって生じるドライバトレーン上の力を測定する、トルクセンサ、たわみセンサ、又はひずみゲージであってもよい。調整デバイス150は、コンディショナディスク154を研磨パッド120の研磨表面125に押し付けるために利用されるダウンフォースアクチュエータ164も含む。ダウンフォースアクチュエータ164は、研磨パッド120の研磨表面125に対してコンディショナディスク154によって加えられる力を選択的に制御するように構成されている。一実施形態では、ダウンフォースアクチュエータ164は、アーム153とシャフト152との間に、又は他の好適な場所に配置することができる。他の実施形態図示せずでは、アーム153は、回転可能なシャフト152に静的に結合されており、ダウンフォースアクチュエータ164は、アーム153の遠位端とコンディショナヘッド151との間に配置され、研磨パッド120の研磨表面125に対してコンディショナディスク154によって加えられる力を制御する。第5測定デバイス165が、ダウンフォースアクチュエータ164に結合されており、研磨パッド120の研磨表面125に対するコンディショナディスク154のダウンフォースを示すメトリックを検出するために利用することができる。一実施形態では、第5測定デバイス165は、線内配向で、又は、回転可能なシャフト152に関するダウンフォースアクチュエータ164の応力又はひずみを検出するために利用される他の好適な場所に、あるいは他の取り付け場所に、ダウンフォースアクチュエータ164と共に位置づけられる、又はダウンフォースアクチュエータ164に結合することができるダウンフォースセンサである。測定デバイス138、148、158、163及び165と同様に、ドライバシステム145、ダウンフォースアクチュエータ164、モータ115、157及び161の各々は、コントローラに結合されている。一般に、コントローラは、1つ又は複数の部品と、研磨ステーション100で行われるプロセスとを制御するために使用される。一実施形態では、コントローラは知覚データを使用し、処理中に基板135から除去される材料のレートを制御する。コントローラは、制御信号を、ドライバシステム145と、ダウンフォースアクチュエータ164と、モータ115、157及び161とに送信し、測定デバイス138、148、158、163及び165によって検出された力に対応する信号を受信する。コントローラは、一般に、研磨ステーション100の制御及び自動化を容易にするように構成されており、代表的には、中央処理ユニットCPU、メモリ及び支持回路又はI/Oを含む。CPUは、種々のシステム機能、基板運動、研磨プロセス、プロセスタイミング及び支持ハードウェア例えば、センサ、ロボット、モータ、タイミングデバイス等を制御する工業設定で使用され、プロセス例えば、化学濃度、処理変数、プロセス時間、I/O信号等を監視する、任意の形式のコンピュータプロセッサの1つであってもよい。メモリは、CPUに接続されており、ランダムアクセスメモリRAM、読み出し専用メモリROM、フロッピーディスク登録商標、ハードディスク、又はローカル又は遠隔の任意の他の形式のデジタルストレージなど、容易に入手可能なメモリの1つ又は複数であってもよい。ソフトウェア命令及びデータは、符号化し、CPUに命令するためのメモリに格納することができる。プロセッサを従来の方法で支持する支持回路もCPUに接続されている。支持回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力/出力回路網、サブシステム、その他を含むことができる。コントローラによって読み取り可能なプログラム、又はコンピュータ命令は、どのタスクを基板上で行うことができるかを決定する。好適には、プログラムは、研磨ステーション100で基板の運動、支持、及び/又は位置付けの監視、遂行及び制御に関係するタスクを行うコードを含む、コントローラによって読み取り可能なソフトウェアである。一実施形態では、コントローラは、ロボットデバイスを制御し、研磨ステーション100の戦略的運動、スケジューリング、及び運転を制御し、プロセスを反復可能にし、待ち時間の問題を解決し、基板の過度の又は不足した処理を防ぐために使用される。図2は、図1の研磨ステーション100の略平面図である。基板135がキャリアヘッド130内に保持されているときの研磨パッド120上の基板135の研磨掃引パターン205の実施形態のため、キャリアヘッド130図1は図示されていない。キャリアヘッドは、基板135を回転する研磨パッド120に関して回転させている間、基板135を、研磨表面125を横切って線形に又は円弧に動かし、基板135から材料を除去させる。コンディショナディスク154を有する調整デバイス150も、研磨パッド120上の調整掃引パターン210の一実施形態を例示するために図示されている。コンディショナディスク154は、研磨表面125を横切って掃引され、研磨表面125を調整及び/又はリフレッシュし、基板135からの材料の除去レートの向上を容易にする。動作中、図2に例示されているように、研磨流体アプリケータ155によって研磨流体215が研磨パッド120の研磨表面125に届けられる。一実施形態では、プラテン105は、約93毎分回転数RPMなど、約85RPMから約100RPMの回転速度で回転する。キャリアヘッド130図示せずは、基板135を研磨パッド120の研磨表面125に押し付ける。一実施形態では、キャリアヘッド130は、プラテン105に関して、約87RPMなど、約80RPMから約95RPMの回転速度で回転される。キャリアヘッド130内の1つ又は複数の加圧可能な嚢は、基板135の裏側に圧力を加え、基板135を研磨パッド120の方へ押すことができる。一実施形態では、平均圧力は、約4.5重量ポンド毎平方インチpsiなど、約3.5psiから約5.5psiである。研磨流体215が存在する回転する研磨パッド120の研磨表面125と接触することにより、基板から過剰の金属、誘電体及び/又はバリア材料が除去され、研磨パッド120と接触している基板135の表面が平坦化される。基板135上で研磨プロセスを行う前、最中及び/又は後、研磨パッド120は調整されて、隆起が再生され、研磨副産物及びパッドくずが除去され、研磨表面125がリフレッシュされる。調整中、コンディショナヘッド151は、コンディショナディスク154を研磨パッド120に予め規定されたダウンフォースで押し付ける。ダウンフォースアクチュエータ164によって加えられるダウンフォースは、約1重量ポンドlb-fから約10lb-fであってもよい。コンディショナディスク154は、調整掃引パターン210で研磨パッド120を横切って前後に掃引する間、研磨パッド120の研磨表面125に関して回転する。一実施形態では、コンディショナディスク154は、約95RPMなど、約85RPMから約105RPMの回転速度で回転される。別の実施形態では、調整掃引パターン210は、約1.7インチから約14.7インチなど約1.5インチから約15インチの範囲を備えている。別の実施形態では、掃引レートは、毎分約19掃引など、毎分約15掃引から毎分約22掃引である。新しい未使用研磨パッド120及び/又は新しい未使用コンディショナディスク154など新しい消耗品が研磨ステーション100に導入された場合、研磨パッド120とコンディショナディスク154との間の相互作用は、最初は未知である。例えば、研磨パッド特性は、製造者ごと及び研磨パッドごとにばらつく。同様に、コンディショナディスクのダイヤモンド砥粒サイズ及び形態は、ディスクごとにばらつく。これは、研磨パッド120の研磨表面125中の結晶性特徴の向き及び侵入深さに悪影響を及ぼし、研磨パッド120の摩耗レートに有意な違いをもたらす可能性がある。いくつかの実例では、コンディショナディスクの結晶性特徴の断片のみが、調整プロセスで能動的に関与し、継続的な使用で有意な摩耗を経験する。コンディショナディスクの摩耗は、コンディショナディスクの有効期間を減少させるのと同時に、研磨パッドの調整不足によって調整プロセスに悪影響を及ぼす。調整不足は、研磨表面125の目つぶれと除去レートの減少とをもたらす可能性があり、これはスループットを低下させる。コンディショナディスク及び研磨パッドなど消耗品の増加した摩耗レートは、早すぎる交換をもたらし、これは、所有コスト及びツール休止時間を増加させる。消耗品のばらつきを改善する1つの解決法は、消耗品の厳しい仕様及び品質制御を要求することである。しかしながら、増加した品質制御は、消耗品のコストを上昇させる可能性があり、これは所有コストを増加させる。本発明者等は、新しい消耗品の性能を決定することは、1つ又は複数の新しい消耗品の設置時にインサイチュで決定することができることを発見した。消耗品間の相互作用を1つ又は複数の研磨前プロセス内で監視し、研磨方策で、又は自動化研磨プロセス方策の処理パラメータを制御する閉ループ制御システムで利用することができる性能メトリックを提供することができる。図3は、図1及び2の研磨ステーション100によって利用することができる方法300の一実施形態を表すフローチャートである。方法300は、研磨ステーション100での研磨プロセス方策で利用される研磨パラメータを決定するために利用することができる。例えば、研磨ステーション100での消耗品間の相互作用は、研磨前に決定することができ、研磨前データを使用し、方法300を利用して研磨方策を調節することができる。ステップ310では、研磨前プロセスが、研磨ステーション100など研磨ステーションを利用して基板なしで行われる。ステップ320では、コンディショナディスク154が、研磨パッド120の研磨表面125の方へ押される。一実施形態では、研磨材表面は、ダウンフォースアクチュエータ164を使用して約1lb-fから約10lb-fのダウンフォースで研磨表面125の方へ押される。一実施形態では、ダウンフォース値は、約9lb-fのダウンフォースで一定である。一態様では、コンディショナディスク154は研磨材表面を含んでおり、この研磨材表面は、研磨パッド120の研磨表面125と接触し、これをすり減らすように構成された、剛毛、ダイヤモンド、又は他の研磨材粒子であってもよい。ステップ330では、コンディショナディスク154を運動させるために必要な回転力値が監視されている間、コンディショナディスク154は研磨パッド120に関して動かされる。一実施形態では、研磨パッド120に関する運動は、コンディショナディスク154の回転、回転するコンディショナディスク154に関する研磨パッド120の回転、研磨表面125を横切る調整掃引パターン210でのコンディショナディスク154を動かすこと、又は、これらの組み合わせを含む。一実施形態では、コンディショナディスク154の研磨材表面が研磨パッド120の研磨表面125に押し付けられている間、研磨パッド120が回転されている間コンディショナディスク154は回転される。研磨パッド120が第2回転速度で回転されている間、コンディショナディスク154は第1回転速度で回転されてもよい。一実施形態では、コンディショナディスク154の第1回転速度は、約90RPMから約100RPMであってもよく、研磨パッド120の第2回転速度は、プラテン105をその上の研磨パッドで回転させることによって与えられる約90RPMから約96RPMであってもよい。コンディショナディスク154を運動させるのに必要な回転力値は、研磨パッド120に関するコンディショナディスク154の運動中に監視される。一実施形態では、コンディショナディスク154を回転させるのに必要なトルクは、モータ161とコンディショナディスク154との間に結合された第4測定デバイス163によって監視することができる。別の実施形態では、コンディショナディスク154を調整掃引パターン210で運動させるために必要なトルクは、第3測定デバイス158によって監視される。このように、回転力値は、第4測定デバイス163、第3測定デバイス158、又はこれらの組み合わせによって提供することができる。ステップ340では、コンディショナディスク154と研磨表面125との間の相互作用、例えば摩擦力を示すメトリックが、回転力値から決定される。一実施形態では、メトリックは、第3測定デバイス158によって感知されるような、コンディショナディスク154を調整掃引パターン210で運動させるために必要な摩擦の測定されたトルク値である。別の実施形態では、メトリックは、第4測定デバイス163によって感知されるような、コンディショナディスク154を研磨パッド120の研磨表面125に関して回転させるために必要な摩擦の測定されたトルク値である。ステップ350では、研磨方策がメトリックに応じて調節される。例えば、メトリックは、上のステップ330で決定された測定されたトルク値であり、コンディショナディスク154の攻撃性を示す測定されたトルク値など、コンディショナディスク154と研磨パッド120の研磨表面125との間の相互作用の指標である。研磨方策は、閉ループ制御システムによって制御することができ、この閉ループ制御システムは、拡張された研磨の実行すなわち、自動化された制御プロセスを利用する複数の基板の研磨中に、1つ又は複数の研磨パラメータすなわち、コンディショナディスク154及び/又はキャリアヘッド130の回転速度、コンディショナディスク154及び/又はキャリアヘッド130に加えられるダウンフォース、コンディショナディスク154及び/又はキャリアヘッド130の掃引範囲等を自動的に調節することができる。閉ループ制御システムは、拡張された研磨の実行中に研磨パラメータを最適化し、複数の基板の研磨中の材料除去レートを最適化するために利用される。ステップ360では、1つ又は複数の基板が、調節された研磨方策を使用して研磨される。一実施形態では、1つ又は複数の基板は、閉ループ制御システムによって制御される調節された研磨方策にしたがって研磨される複数の基板を備えることができる。一実施形態では、コンディショナディスク154及び/又は研磨パッド120は、新しい又は未使用であり、研磨材特性、及び/又は、コンディショナディスク154と研磨表面125との間の相互作用は未知である。例えば、一実施形態では、研磨パッド120は、新しい又は未使用であり、コンディショナディスク154は、以前の研磨パッドに以前に使用されている可能性がある。しかしながら、新しい研磨パッド120とコンディショナディスク154との間の相互作用は未知であり、方法300の実施形態は、新しい研磨パッド120をサービスのために準備するためのパッドならしプロセスを含むことができる。別の実施形態では、コンディショナディスク154は、新しい又は未使用であり、方法300の実施形態は、新しいコンディショナディスク154の、既存の研磨パッド120との相互作用を決定するために単独で利用することができる。別の実施形態では、コンディショナディスク154及び研磨パッド120の両方が新しい又は未使用であり、コンディショナディスク154と研磨表面125との間の相互作用は未知である。このように、方法300の実施形態は、新しいコンディショナディスク154及び新しい研磨パッド120の相互作用を決定するために利用することができる。一実施形態では、パッドならし後、認定プロセスがテスト基板に行われる。テスト基板は、ある期間中、研磨パッド120の研磨表面125に押し付けられ、材料除去レートが計測学プロセスによって決定される。認定プロセス中に決定された材料除去レートを、上のステップ330で取得された回転力データと共に利用し、拡張された研磨の実行前に閉ループ制御システムに提供することができる。一態様では、研磨プロセス又は調整プロセスが行われるにつれて、研磨パッド120の研磨表面125を横切ってコンディショナディスク154を運動させるために必要な力又はトルクは、経時的に変動する可能性がある。力又はトルクの変動は、結果として、コンディショナディスク154及び研磨パッド120の一方又は両方が摩耗するにつれて、及び/又は、プロセス条件が変化するにつれて、コンディショナディスク154と研磨パッド120との間の抵抗摩擦力の変化を生じる可能性がある。調整パラメータが経時的に変化しないと、コンディショナディスク154が摩耗するにつれて、トルク値はおそらくコンディショナディスク154の有効期間に渡って減少し、その効果的な削減レートは徐々に減ずる。別の態様では、コンディショナディスク154と研磨パッド120との間の摩擦力は、抵抗力を発生し、この抵抗力は、研磨及び/又は調整プロセス中にコンディショナディスク154及び/又は研磨パッド120の少なくとも1つを回転させるために必要な力の変化を監視することによって検出することができる。別の態様では、基板135と研磨パッド120との間の摩擦力は、研磨プロセス中に監視することができる抵抗力を発生する。これらの力は、研磨プロセス中、上述した測定デバイス138、148、158,163及び165の1つ又は複数によって監視することができ、データを閉ループ制御システムに提供し、複数の基板135からの材料の最適な除去レートを維持するために、研磨方策及び/又は調整方策を実時間で調節することができる。図4は、図1及び2の研磨ステーション100によって利用することができる方法400の別の実施形態を表すフローチャートである。410では、研磨ステーション100など研磨ステーションで研磨前プロセスが行われる。420では、コンディショナディスク154が、研磨パッド120の研磨表面125の方へ押される。430では、コンディショナディスク154を運動させるために必要な回転力値が監視されている間、コンディショナディスク154が研磨パッド120に関して動かされる。一実施形態では、研磨パッド120に関する運動は、コンディショナディスク154の回転、研磨パッド120のコンディショナディスク154に関する回転、研磨表面125を横切る調整掃引パターン120でのコンディショナディスク154の運動、又はこれらの組み合わせを含む。一実施形態では、ステップ410、420及び430の1つ又は組み合わせが、基板なしで行われる。別の実施形態では、基板がキャリアヘッド130に保持され、研磨パッド120の研磨表面125に押し付けられている間、ステップ410、420及び430の1つ又は組み合わせが行われる。例えば、基板を認定手続で研磨し、ステップ410、420及び/又は430中の除去レートを決定することができる。440では、回転力値に基づく第1トルクメトリックが決定される。一実施形態では、第1トルクメトリックは、第3測定デバイス158によって感知されるような、コンディショナディスク154を調整掃引パターン210で運動させるために必要な摩擦の測定されたトルク値である。別の実施形態では、第1トルクメトリックは、第4測定デバイス163によって感知されるような、コンディショナディスク154を研磨パッド120の研磨表面125に関して回転させるために必要な摩擦の測定されたトルク値である。450では、1つ又は複数の基板が、研磨方策にしたがって閉ループ制御システムを利用して研磨される。研磨方策は、440で取得された第1トルクメトリックデータを利用して調節されてもよい。460では、コンディショナディスク154を研磨表面125に関して回転させるために必要な回転力値が監視されている間、研磨パッド120の研磨表面125は、研磨ステップ450の前、最中、又は後に調整される。一実施形態では、メトリックは、第3測定デバイス158によって感知されるような、コンディショナディスク154を調整掃引パターン210で運動させるために必要な摩擦の測定されたトルク値である。別の実施形態では、メトリックは、第4測定デバイス163によって感知されるような、研磨パッド120の研磨表面125に関してコンディショナディスク154を回転させるために必要な摩擦の測定されたトルク値である。ステップ470では、ステップ460で決定された回転力値に基づく第2トルクメトリックが、ステップ440で決定された第1トルクメトリックと比較される。第2トルクメトリックが第1トルクメトリックより小さければ、研磨方策を調節することができる。より低い第2トルクメトリックは、コンディショナディスク154の摩耗の指標であってもよい。ステップ480では、第2トルクメトリックがターゲットトルクメトリックと異なるならば、コンディショナディスク154に加えられるダウンフォースが調節される。例えば、第2トルクメトリックがターゲットトルクメトリックより小さければ、コンディショナディスク154に加えられるダウンフォースは増加される。一態様では、第2トルクメトリックは、測定されたトルク値であり、測定されたトルク値は、ターゲットトルクメトリックと比較される。ターゲットトルクメトリックは、上述した方法300の部分など実験及びテスト、モデル化、計算の前に、経験的データを通じて生成することができ、あるいは、コンディショナディスクの仕様の範囲内の基準曲線として提供することができる。特定の態様によれば、ターゲットトルクメトリックは、2つの異なったデータセットの解析を使用して展開させることができる。第1データセットは、摩耗の異なった段階でのコンディショナディスクを使用して行われる実験の設計を使用して導き出すことができる。掃引トルクの二乗平均RMSは、ブランケット基板除去レートと共に、すべてのダウンフォース条件に対して測定することができる。第2データセットは、閉ループコントローラを使用する、ダウンフォースが段階的に変化する場合のブランケット基板のマラソンランであってもよい。一実施形態では、コンディショナディスク154に加えられるダウンフォースは、約3lb-fで開始してもよく、約2500枚の基板を処理する過程で約11lb-fに増加してもよい。ブランケット除去レートをあまり頻繁には測定できない間、掃引トルクのRMSは、すべての基板で測定することができる。これらの2つのデータセットは結合することができ、最小二乗推定技術又は任意の他の好適なデータフィッティング技術を使用し、RMS掃引トルクTと、ダウンフォースと、ブランケット除去レートとの間のターゲットトルクメトリックを推定することができる。一実施形態では、モデルの構造は、以下のようであってもよく、ここで、a及びbは、最小二乗推定から得られる定数である。ある特定の例では、AppliedMaterials,Inc.によって製造される低ダウンフォースコンディショナアームを利用する酸化物CMPシステムに関して計算された値b及びaは、それぞれ0.228及び0.3である。定数b及びaは、他の基準のうちで、特定のパッド材料、研磨流体、研磨されている基板材料に関して選択することができる。式1は、のように書き換えることもできる。一定の除去レート=kに関して、式を以下のように減らすことができる。または、式5は、一定の除去レートを達成するためのダウンフォースの関数としてのターゲット掃引トルク値に関するターゲットトルクメトリックを例示している。このように、研磨ステーション内の消耗品の相互作用を決定する方法が提供されている。一実施形態では、方法は、コンディショナディスク154の攻撃性、及び/又は、コンディショナディスク154と新しい研磨パッド120との間の相互作用を決定する。一態様では、方法は、消耗品の有効期間に渡って一定の除去レートを保つために利用することができるデータを提供する。方法は、インサイチュ又は実行中プロセスなど、あるいは、拡張されたプロセス実行中のプロセスドリフトを実質的に排除するフィードバックルーチンなど、新しい消耗品のためのならしプロセスで利用することができる。上記は、本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及びさらなる実施形態は、その基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は、後に続く特許請求の範囲によって決定される。"