第1基板と、前記第1基板と対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置される液晶分子を含む液晶層と、前記第1基板上に配置される第1電極と、前記第1電極上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置される第2電極と、前記第2基板上に配置される第3電極と、前記第2電極及び前記第3電極のうちの少なくとも一つの上に配置される配向膜と、を含み、前記第2電極は微細スリット構造を含み、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つは配向補助剤を含ことを特徴とする液晶表示装置。前記第2基板上に配置されるゲート線と、前記第2基板上に配置され、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線に接続される薄膜トランジスタと、を含み、前記薄膜トランジスタは前記第3電極と接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1電極及び前記第3電極は板状であることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記第1電極に印加される電圧を第1電圧、前記第2電極に印加される電圧を第2電圧、前記第3電極に印加される電圧を第3電圧とする時、前記第2電圧と前記第3電圧を互いに異なるようにした状態で、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つが光源からの光を照射することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。駆動中に垂直電界が前記第1電圧と前記第3電圧との差によって発生することを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。前記第2電極は、駆動中にフローティングされて、前記第1電圧と前記第3電圧が異なることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。駆動中に前記第1電圧と前記第2電圧は同じで前記第1電圧及び前記第2電圧が前記第3電圧とは異なることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。前記第1電圧、前記第2電圧、及び前記第3電圧が駆動中に互いに異なることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置前記第1電極及び前記第3電極は板状であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1電極に印加される電圧を第1電圧、前記第2電極に印加される電圧を第2電圧、前記第3電極に印加される電圧を第3電圧とする時、前記第2電圧及び前記第3電圧を互いに異なるようにした状態で、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つが光源からの光を照射することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。駆動中に垂直電界が前記第1電圧と前記第3電圧との差によって発生することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。前記第2電極は駆動中にフローティングされて、前記第1電極と前記第3電極が異なることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。前記第1電圧と前記第2電圧は駆動中に同じで前記第1電圧及び前記第2電圧が前記第3電圧とは異なることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。駆動中に前記第1電圧、前記第2電圧、及び前記第3電圧が互いに異なることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。前記絶縁膜の厚さは3.5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記絶縁膜の誘電率は1.5以上8.5以下であることを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。前記第2電極は、横幹部及び前記横幹部と交差する縦幹部を含む十字型幹部と、前記十字型幹部から延び出た複数の微細枝部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第2電極は、前記十字型幹部から互いに異なる方向に延び出た前記複数の微細枝部に対応する複数の領域を含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置。前記第2電極は、横開口部及び前記横開口部と交差する縦開口部を含む十字型開口部と、前記十字型開口部から延び出た複数の微細開口パターンと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。さらに、前記第2電極は、前記複数の微細開口パターンの間に配置される微細枝部と、前記微細枝部の一端をそれぞれ接続する周縁パターンと、を含むことを特徴とする請求項19に記載の液晶表示装置。前記配向補助剤は電気的に陰性であり、前記配向膜に含まれていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記配向膜は、主鎖main-chainと、前記主鎖に結合された側鎖side-chainとを含み、前記配向補助剤は前記側鎖に結合されていることを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置。第1基板上に第1電極を形成し、前記第1電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第2電極を形成し、前記第1基板と対向する第2基板上に第3電極を形成し、前記第2電極及び前記第3電極のうちの少なくとも一つの上に配向膜を形成し、前記第1基板と前記第2基板を合着し、前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層を形成し、前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加し、前記第2電極及び前記第3電極に異なる電圧を印加した状態で、前記液晶層に光を照射し、前記第2電極は微細スリット構造に形成され、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つは配向補助剤を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記第2基板上にゲート線を形成し、前記第2基板上に配置して、前記ゲート線と交差するデータ線を形成し、前記ゲート線及び前記データ線に接続される薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタが前記第3電極と接続することを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1電極に印加される電圧を第1電圧V1、前記第2電極に印加される電圧を第2電圧V2、前記第3電極に印加される電圧を第3電圧V3とする時、前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加することは、前記第1電圧、前記第2電圧、及び前記第3電圧が、V2-V3≧V1-V3となることを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加することは、前記第1電圧と前記第3電圧を一定に維持しながら、前記第2電圧を可変させることを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第2電圧を可変させてから前記第1電圧を上昇させることを特徴とする請求項26に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第2電極及び前記第3電極に異なる電圧を印加しながら、前記液晶層に光を照射した後、前記液晶層に電界が印加されない状態で前記液晶層に光を照射することを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1基板上に前記第1電極、前記絶縁膜、前記第2電極の形成は、前記第1基板上に第1透明電極層、絶縁物質層、第2透明電極層を順次に形成し、前記第2透明電極層上にフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて前記第2透明電極層をエッチングし、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて前記絶縁物質層をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1電極に印加される電圧を第1電圧V1、前記第2電極に印加される電圧を第2電圧V2、前記第3電極に印加される電圧を第3電圧V3とする時、前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加することは、前記第1電圧、前記第2電圧、及び前記第3電圧がV2-V3≧V1-V3を満たすことを特徴とする請求項23に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加することは、前記第1電圧及び前記第3電圧を一定に維持しながら、前記第2電圧を可変させることを特徴とする請求項30に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第2電圧を可変させてから前記第1電圧を上昇させることを特徴とする請求項31に記載の液晶表示装置の製造方法。第1電極を含む第1表示板と、前記第1表示板と対向する第2表示板とを含み、前記第2表示板は、基板と、前記基板上に配置される第2電極と、前記第2電極上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、スリットを含む第3電極と、を含み、前記第1電極は第1電圧が印加され、前記第2電極は第2電圧が印加され、前記第3電極はフローティングされて、前記第1電圧と前記第2電圧が異なることを特徴とする液晶表示装置。駆動中に垂直電界が前記第1電圧と前記第2電圧との差によって発生されることを特徴とする請求項33に記載の液晶表示装置。前記第3電極は画素領域内に配置されることを特徴とする請求項33に記載の液晶表示装置。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、水平電界成分による透過率の減少を防止する液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第1基板と、前記第1基板と対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置される液晶分子を含む液晶層と、前記第1基板上に配置される第1電極と、前記第1電極上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置される第2電極と、前記第2基板上に配置される第3電極と、前記第2電極及び前記第3電極のうちの少なくとも一つの上に配置される配向膜とを含み、前記第2電極は微細スリット構造を含み、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つは配向補助剤を含むことを特徴する。前記第2基板上に配置されるゲート線、前記第2基板上に配置され、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線に接続される薄膜トランジスタと、を含み、前記薄膜トランジスタは前記第3電極と接続されてもよい。前記第1電極及び前記第3電極は板状であってもよい。前記第1電極に印加される電圧を第1電圧、前記第2電極に印加される電圧を第2電圧、前記第3電極に印加される電圧を第3電圧とする時、前記第2電圧と前記第3電圧を互いに異なるようにした状態で、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つが光源からの光を照射してもよい。駆動中に垂直電界は前記第1電圧と前記第3電圧との差によって発生してもよい。前記第2電極はフローティングfloatingされて、下記条件1を満足する状態で駆動してもよい。V1≠V31前記第1電圧、前記第2電圧、及び前記第3電圧が、下記条件2を満足する状態で駆動してもよい。V1=V2≠V32前記第1電圧、前記第2電圧、及び前記第3電圧が、下記条件3を満足する状態で駆動してもよい。V1≠V2≠V33前記絶縁膜の厚さは3.5μm以下であってもよい。前記絶縁膜の誘電率は1.5以上8.5以下であってもよい。前記第2電極は、横幹部及び前記横幹部と交差する縦幹部を含む十字型幹部と、前記十字型幹部から延び出た複数の微細枝部とを含んでもよい。前記第2電極は、前記十字型幹部から異なる方向に延び出た前記複数の微細枝部に対応する複数の領域を含んでもよい。前記第2電極は、横開口部及び前記横開口部と交差する縦開口部を含む十字型開口部と、前記十字型開口部から延び出た複数の微細開口パターンとを含んでもよい。さらに、前記第2電極は、前記複数の微細開口パターンの間に配置される微細枝部と、前記微細枝部の一端をそれぞれ接続する周縁パターンとを含んでもよい。前記配向補助剤は電気的に陰性であり、前記配向膜に含まれてもよい。前記配向膜は、主鎖main-chainと、前記主鎖に結合された側鎖side-chainとを含み、前記配向補助剤は前記側鎖に結合されてもよい。本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第1基板上に第1電極を形成し、前記第1電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第2電極を形成し、前記第1基板と対向する第2基板上に第3電極を形成し、前記第2電極及び前記第3電極のうちの少なくとも一つの上に配向膜を形成し、前記第1基板と前記第2基板を合着し、前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層を形成し、前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加し、前記第2電極及び前記第3電極に異なる電圧を印加した状態で、前記液晶層に光を照射し、前記第2電極は微細スリット構造に形成され、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つは配向補助剤を含むことを特徴とする。前記第2基板上にゲート線を形成し、前記第2基板上に配置して、前記ゲート線と交差するデータ線を形成し、前記ゲート線及び前記データ線に接続される薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタが前記第3電極と接続してもよい。前記第1電極に印加される電圧を第1電圧V1、前記第2電極に印加される電圧を第2電圧V2、前記第3電極に印加される電圧を第3電圧V3とする時、前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加することは、前記第1電圧、前記第2電圧、及び前記第3電圧が下記条件を満足してもよい。V2-V3≧V1-V3前記第2電極と前記第3電極に異なる電圧を印加することは、前記第1電圧と前記第3電圧を一定に維持しながら、前記第2電圧を可変させてもよい。前記第2電圧を可変させてから前記第1電圧を上昇させてもよい。前記第2電極及び前記第3電極に異なる電圧を印加しながら、前記液晶層に光を照射した後に、前記液晶層に電界が印加されない状態で前記液晶層に光を照射してもよい。前記第1基板上に前記第1電極、前記絶縁膜、前記第2電極の形成は、前記第1基板上に第1透明電極層、絶縁物質層、第2透明電極層を順次に形成し、前記第2透明電極層上にフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて前記第2透明電極層をエッチングし、前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて前記絶縁物質層をエッチングしてもよい。本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置は、第1電極を含む第1表示板と、前記第1表示板と対向する第2表示板とを含み、前記第2表示板は、基板と、前記基板上に配置される第2電極と、前記第2電極上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、スリットを含む第3電極とを含み、前記第1電極は第1電圧が印加され、前記第2電極は第2電圧が印加され、前記第3電極はフローティングされて、前記第1電圧と前記第2電圧が異なることを特徴とする。駆動中に垂直電界が前記第1電圧と前記第2電圧との差によって発生されてもよい。前記第3電極は画素領域内に配置されてもよい。本発明によれば、プレチルト形成のための電界生成過程のみで微細スリット電極を用いて、実際の駆動時にはパターンのない電極を用いることによって、透過率を極大化し、かつ高速応答を実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、他の形態に具体化することが可能である。ここで紹介する実施形態は、開示された内容が十分、かつ完全になり得るように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達されるように提供するものである。図面において、層及び領域の厚さは明確にするために誇張して示した。また、層が他の層または基板上にあると言及される場合に、それは他の層または基板上に直接形成されるか、またはそれらの間に第3の層が介されてもよい。明細書の全体にわたって同一の参照番号に表示された部分は同一の構成要素を意味する。図1は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図である。図2は、図1の切断線II-II’の断面図である。図1及び図2を参照すると、本実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する下部表示板100及び上部表示板200、下部表示板100と上部表示板200との間に配置される液晶層3、及び下部表示板100及び上部表示板200の外側面に付着している一対の偏光子図示せずを含む。まず、上部表示板200について説明する。上部表示板200は、第1基板に相当する透明で絶縁性を有する上部基板210の上に遮光部材lightblockingmember220が形成されている。遮光部材220はブラックマトリックスblackmatrixともいい、後述する下部表示板100に配置される画素電極191との間の光漏れを防止する。遮光部材220は、画素電極191と対向して、画素電極191とほぼ同一の形状を有する複数の開口部図示せずを有している。しかし、遮光部材220は、ゲート線121及びデータ線171に対応する部分と、薄膜トランジスタに対応する部分とでそれぞれ形成してもよい。上部基板210の上には、複数のカラーフィルタ230が形成されている。カラーフィルタ230は遮光部材220によって囲まれた領域内に大部分が存在し、画素電極191の列に沿って縦方向に長く延びてもよい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色primarycolorのうちの一つを表示するようにしてもよい。各カラーフィルタ230は、赤色、緑色、及び青色の三原色に限定されず、シアンcyan、マゼンタmagenta、イエローyellow、ホワイト系の色のうちの一つを表示するようにしてもよい。遮光部材220とカラーフィルタ230のうちの少なくとも一つは、下部基板110の上に形成してもよい。カラーフィルタ230及び遮光部材220の上にはオーバーオート250が形成されている。オーバーオート250は絶縁物質で形成され、カラーフィルタ230の露出を防止し平坦面を有している。オーバーオート250は形成しなくてもよい。オーバーオート250の上には共通電極270が形成されている。共通電極270は画素領域でプレートplate状に形成してもよい。共通電極270をプレート状に形成する場合、割れない丸ごとのプレート状であることが好ましい。共通電極270の上に絶縁膜280が配置される。絶縁膜280は3.5μm以下の厚さに形成して、誘電率は1.5以上8.5以下である。絶縁膜280の厚さが3.5μmを超えると、電界効率が悪くなって透過率の減少及び応答特性の低下を招いてしまう。誘電率が1.5未満だと、絶縁膜の厚さが厚くなることと同様に、電界効率が悪くなり、誘電率が8.5を超えると、絶縁膜の厚さが薄くなることと同様に、共通電極270と、後述する微細スリット電極300との間が、電気的にショート状態となる可能性があるからである。絶縁膜280の上には、横幹部320、縦幹部330、及び微細枝部340を含む微細スリット電極300が配置される。微細スリット電極300は、共通電極270と電気的に接続された、またはフローティングされた状態に形成される。微細スリット電極300の詳細については後述する。次に、下部表示板100について説明する。第2基板に相当する絶縁性を有する下部基板110の上に複数のゲート線121が配置される。ゲート線121はゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線121は、上に突出したゲート電極124と、他の層またはゲート駆動部との接続のための広い端部129とを含む。ゲート駆動部図示せずが下部基板110の上に配置され、ゲート線121がゲート駆動部と接続するように延長される。ゲート線121の上には、窒化ケイ素などの絶縁物質で形成されたゲート絶縁膜140が形成されている。ゲート絶縁膜140の上には、水素化非晶質シリコンアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンポリシリコンなどで形成された複数の半導体層151が形成されている。半導体層151は主に縦方向に延び、ゲート電極124に向かって延び出た複数の突出部projection154を含む。半導体層151の突出部154の上には、複数の線状オーミックコンタクト部材161及び島型オーミックコンタクト部材165が形成されている。線状オーミックコンタクト部材161は複数の突出部163を有し、この突出部163と島型オーミックコンタクト部材165は、対をなして半導体層151の突出部154の上に配置されている。線状オーミックコンタクト部材161、島型オーミックコンタクト部材165及びゲート絶縁膜140の上には、複数のデータ線171と複数のドレイン電極175とを含むデータ導電体171、175が形成されている。データ線171はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線121と交差する。ゲート線121とデータ線171は互いにゲート絶縁膜140で絶縁されている。各データ線171はゲート電極124に向かって延びて、U字状を有する複数のソース電極173と、他の層またはデータ駆動部との接続のために面積が広い端部179とを含む。ドレイン電極175はデータ線171と分離されて、ソース電極173のU字状の中間から上部に向かって延長されている。データ導電体171、175及びその下に位置する半導体層151、154とオーミックコンタクト部材161、163、165は、一つのマスクを用いて同時に形成する。データ導電体171、175及び露出した半導体層154の上には保護膜180が配置される。保護膜180は、窒化ケイ素と酸化ケイ素などの無機絶縁物または有機絶縁物で形成され、表面が平坦であってもよい。有機絶縁物の場合、感光性photosensitivityを有し、その誘電定数dielectricconstantは約5.0以下であってもよい。また、保護膜180は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも、露出した半導体154の部分に損傷を与えないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造であってもよい。保護膜180には、データ線171の端部179を露出するコンタクトホール182、及びドレイン電極175を露出するコンタクトホール185が形成されており、保護膜180とゲート絶縁膜140には、ゲート線121の端部129を露出するコンタクトホール181が形成されている。保護膜180の上には、複数の画素電極pixelelectrode191及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。画素電極191及び接触補助部材81、82は、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で形成することが好ましい。画素電極191は、コンタクトホール185を通じてドレイン電極175と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受ける。接触補助部材81、82は、それぞれコンタクトホール181、182を通じてゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179と接続される。接触補助部材81、82は、ゲート線121の端部129及びデータ線171の端部179と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。画素電極191は、各単位画素領域を基準としてプレート状に形成してもよい。下部表示板100及び上部表示板200の内側面にはそれぞれ配向膜11、21が配置され、これらは垂直配向膜であってもよい。下部表示板100及び上部表示板200の外側面には偏光子polarizer、図示せずが配置され、二つの偏光子の偏光軸は直交し、このうちの一つの偏光軸はゲート線121に対して平行に配置されることが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子のうちの一つが省略可能である。下部表示板100及び上部表示板200の間には液晶層3が挿入されており、液晶層3は負の誘電率異方性を有する液晶分子310を含む。液晶層3の液晶分子310は、長軸が微細スリット電極300の微細枝部340の長さ方向にほぼ平行になるようにプレチルトpretiltを有している。この液晶分子310は、電界が加わらない状態で下部表示板100と上部表示板200との表面に対して垂直となるように配向されてもよい。また、液晶層3は、反応性メソゲンreactivemesogenを含む配向補助剤50をさらに含み、このような配向補助剤50によって、液晶分子310は長軸が微細スリット電極300の微細枝部340の長さ方向にほぼ平行になるようにプレチルトを有している。本発明の他の実施形態においては、液晶層3の代わりに配向膜11、21に上述した配向補助剤が含まれてもよい。この時、配向膜11、21は、主鎖及び側鎖を含み、配向補助剤は側鎖と結合され、電気的に陰性である。電気的に陰性であり、側鎖と結合される配向補助剤は下記の化学式1である。電気的に陰性であり、側鎖と結合された配向補助剤は、電気的に中性の配向補助剤に比べ、垂直電界による制御が容易である。なぜなら、電気的に中性の配向補助剤は、垂直電界によって側鎖に連結された配向補助剤が効率的に倒れないためである。次に、図3を参照して、微細スリット電極300について詳細に説明する。図3は、図1の微細スリット電極300を示す概略配置図である。図3を参照すると、微細スリット電極300の全体的な形状は四角形であり、横幹部320及び横幹部320と交差する縦幹部330からなる十字型幹部を含む。また、横幹部320と縦幹部330によって四つの副領域に分けられ、各副領域は複数の微細枝部340を含む。微細スリット電極300の微細枝部340のうちの一つは、横幹部320または縦幹部330から左側上方に斜めに延びており、他の一つの微細枝部340は、横幹部320または縦幹部330から右側上方に斜めに延びている。また、他の一つの微細枝部340は、横幹部320または縦幹部330から左側下方に延びており、残りの一つの微細枝部340は、横幹部320または縦幹部330から右側下方に斜めに延びている。隣接する二つの副領域の微細枝部340は互いに直交している。図示しないが、微細枝部340の幅は次第に広くなるようにしてもよい。図4は、図3の液晶分子における電界方向を示す概略断面図である。具体的に、図4は、図3でAと表記した部分での電界方向を示す。図4を参照すると、微細スリット電極300と画素電極191それぞれに電圧を印加すると、フリンジフィールドfringefieldが発生して液晶分子310は画素領域の外側に向かうように傾く、例えば、図4に示すD1の矢印方向に傾く。具体的に、微細スリット電極300の微細枝部340の間の非電極部には強いフリンジフィールドだけが存在して、液晶分子310を一定の方向に配列させ、微細枝部340の垂直電界によって一定の方向に傾くようになる液晶分子310間の弾性エネルギーによって、液晶分子全体の最終ドメイン方向が決定される。次に、図5乃至図6を参照して、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。図5は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置を示す配置図である。図6は、図5の微細スリット電極を示す概略配置図である。図5及び図6を参照すると、本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、図1に示す液晶表示装置の構造と類似している。以下、類似する部分に対する説明は省略し、図1に示す液晶表示装置の構造と異なる部分について説明する。図5及び図6に示した本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、図1及び図2に示した本発明の実施形態に係る液晶表示装置と微細スリット電極の構造が異なっている。図5及び図6に示した本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、横開口部420及び横開口部420と交差する縦開口部430からなる十字型開口部を含む。また、横開口部420と縦開口部430によって四つの副領域に分けられ、各副領域は複数の微細枝部440を含む。このような複数の微細枝部440の間に十字型開口部から延び出た複数の微細開口パターンが形成されている。本発明の実施形態において、微細スリット電極400は複数の微細枝部440を互いに接続する四角形状の周縁パターン450を含む。即ち、周縁パターン450は、微細枝部440の一端で微細枝部440を互いに接続している。図1及び図2に示した本発明の実施形態に係る液晶表示装置の多くの特徴は、図5及び図6に示した本発明の実施形態に係る液晶表示装置に全て適用可能である。図7は、図6の液晶分子における電界方向を示す概略断面図である。具体的に、図7は、図6でAと表記した部分での電界方向を示す。図7を参照すると、微細スリット電極400と画素電極191それぞれに電圧を印加すると、フリンジフィールドが発生して液晶分子310は画素領域の内側に向かうように傾く図6及び図7に示すD2の矢印方向。具体的に、微細スリット電極400の微細枝部440と非電極部の領域との間には強いフリンジフィールドだけが存在するため、液晶分子310を一定の方向に配列させる。画素電極191と微細枝部440による微細枝部440の垂直電界によって一定の方向に傾くようになる液晶分子310間の弾性エネルギーによって、液晶分子全体の最終ドメイン方向が決定される。次に、図1、図2、及び図8を参照して、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。図8は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す概略断面図である。図1、図2を参照すると、まず、下部第1表示板100と上部第2表示板200をそれぞれ製造する。上部表示板200は、次のような方法によって製造する。第1基板210の上に遮光部材220と複数のカラーフィルタ230を形成した後、その上にオーバーコート250を形成する。オーバーコート250の上に共通電極270を形成した後、共通電極270上に絶縁膜280を形成する。絶縁膜280の上に横幹部320、縦幹部330、及び微細枝部340を含む微細スリット電極300を形成する。次に、微細スリット電極300の上に配向膜21を形成する。下部表示板100は、次のような方法によって製造する。第2基板110の上に複数の薄膜を積層及びパターニングして、ゲート電極124を含むゲート線121、ゲート絶縁膜140、半導体層151、154、ソース電極173を含むデータ線171、ドレイン電極175、及び保護膜180を順次に形成する。保護膜180の上にITOまたはIZOなどの導電層を積層しパターニングして画素電極191を形成する。次に、画素電極191の上に配向膜11を塗布する。次に、上記のような方法によって製造された下部表示板100と上部表示板200とを合着assemblyし、その間に液晶分子310及び配向補助剤50の混合物を注入して液晶層3を形成する。一方、液晶層3は、下部表示板100または上部表示板200の上に、液晶分子310及び配向補助剤50の混合物を滴下する方式で形成することも可能である。本発明の実施形態では配向補助剤50が液晶層3に含まれているが、他の実施形態として、液晶層3の代わりに配向膜11、21に配向補助剤50が含まれるように形成してもよい。次に、図8を参照すると、画素電極191と微細スリット電極300に電圧を印加する。共通電極270に印加される電圧を第1電圧V1、微細スリット電極300に印加される電圧を第2電圧V2、画素電極191に印加される電圧を第3電圧V3とする時、第2電圧V2と第3電圧V3を互いに異なるようにしてもよいが、場合によって第2電圧V2と第3電圧V3を同じにすることもある。具体的に、第1電圧V1、第2電圧V2、及び第3電圧V3が、下記条件1を満足するように各電極191、270、300に電圧を印加する。V2-V3≧V1-V31即ち、第2電圧V2と第3電圧V3との差が、第1電圧V1と第3電圧V3との差より大きい場合、フリンジフィールドEが発生する。次に、図8に示したフリンジフィールドEが発生された状態で本発明の実施形態に係る液晶表示装置に光を照射する。これによって、液晶分子310はプレチルトを有するようになる。図9は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法において、電界生成時の電圧印加を示すグラフである。図10は、図9の電圧印加による微細スリット電極の状態を示す光学顕微鏡写真である。図9を参照すると、電界生成時、初期の一定時間は第1電圧V1と第3電圧V3を一定にすると同時に、第2電圧V2を徐々に上昇させることによって、上部基板210と下部基板110との間にフリンジフィールドによってテクスチャtextureを発生させない。このように液晶方向を制御してもよい。図11は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法において、電界生成時の電圧印加を示すグラフである。図12は、図11の電圧印加による微細スリット電極の状態を示す光学顕微鏡写真である。図11を参照すると、図9の電界生成時の電圧印加方法において、初期の一定時間以降に第1電圧V1をさらに上昇させることによって、微細スリット電極の電極幅及び電極間隔を示す部分で液晶分子のプレチルトを均一制御することができる。図11において、たとえば、第1電圧V1が上昇する時点と第2電圧V2が一定になる時点とが一致することを示したがステップ状、これは本発明の一実施形態に相当し、本発明の他の実施形態として、第1電圧V1が上昇する時点は第2電圧V2が一定になる時点より早いか、または遅いかであってもよい。図10と図12を比較すると、図11の電圧印加よる微細スリット電極が、図9の電圧印加よる微細スリット電極より微細スリット電極の非電極部で発生した黒い部分が減少したことが分かる。図13は、図8に示した液晶表示装置の駆動時に発生する電界方向を示す概略的な断面図である。本実施形態による液晶表示装置は、下記条件2、3、4のいずれか一つを満足する状態で駆動する。V1≠V3、微細スリット電極はフローティングされる2V1=V2≠V33V1≠V2≠V34本実施形態において、条件2、3、4のいずれか一つを満足する状態で、共通電極270と画素電極191との間で垂直電界Eによって液晶分子が配向される。即ち、図13に示したように、共通電極270と画素電極191との間に垂直電界Eが発生する。液晶表示装置の駆動時に大部分が垂直電界によってのみ液晶分子が配向されるようにすることで、垂直電界による透過率の減少を最小化し、かつ高速応答を実現することができる。以下、図14及び図15を参照して、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。図14は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法において、電界生成時の電界方向を示す概略断面図である。図15は、図14の駆動時に発生する電界方向を示す概略断面図である。図14及び図15を参照すると、図8及び図13の実施形態による液晶表示装置とは異なって、微細スリット電極300が画素電極191と絶縁膜280を介在して形成されている。図14を参照すると、電界生成を行う時、共通電極270と微細スリット電極300に電圧を印加する。共通電極270に印加される電圧を第1電圧V1、微細スリット電極300に印加される電圧を第2電圧V2、画素電極191に印加される電圧を第3電圧V3とする。第1電圧V1と第2電圧V2が異なる時、共通電極270と微細スリット電極300との間に電界が発生する具体的に、第1電圧V1、第2電圧V2、及び第3電圧V3が、下記条件5を満足するように各電極191、270、300に電圧を印加する。V2-V1≧V3-V15即ち、第2電圧V2と第1電圧V1との差が第3電圧V3と第1電圧V1との差より大きい場合に、フリンジフィールドEが発生する。次に、図14に示したフリンジフィールドEが発生された状態で、本発明の実施形態に係る液晶表示装置に光を照射する図14に示す矢印1。これによって、液晶分子310はプレチルトを有する。図8に示した実施形態による液晶表示装置の製造方法に関する特徴は、図14に示した実施形態に全て適用可能である。図15を参照すると、図14に示した実施形態によって製造された液晶表示装置は、下記条件6、7、8のいずれか一つを満足する状態で駆動してもよい。V1≠V3、微細スリット電極はフローティングされる6V2=V3≠V17V1≠V2≠V38本実施形態において、条件6、7、8のいずれか一つを満足する状態で、共通電極270と画素電極191との間で垂直電界Eによって液晶分子が動ける即ち回転する。即ち、図15に示したように、共通電極270と画素電極191との間に垂直電界Eが発生する。そのために、液晶表示装置の駆動時に大部分が垂直電界によってのみ液晶分子が動くことによって、水平電界による透過率の減少を最小化し、かつ高速応答を実現することができる。図16は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置において、液晶層に印加される電圧に応じた透過率を示すグラフであり、図17は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置において、時間に応じた透過率の変化を示すグラフである。図16において、液晶層に印加される電圧は共通電極に印加される電圧とデータ印加電圧との差を示す。図16及び図17は、比較例としての透過率も有する。図16及び図17の比較例は微細スリット電極とこれに対向する共通電極とを有し、微細スリット電極と共通電極にそれぞれ電圧を印加した状態で電界生成を行い、駆動時にも微細スリット電極と共通電極にそれぞれ電圧を印加する液晶表示装置を示す。しかし、本発明の実施形態は、プレチルトを形成するための電界生成の過程でのみ微細スリット電極に用いて、駆動時にはパターンのない共通電極と画素電極を用いるので、垂直電界によってのみ液晶分子が動く。したがって、図16に示すように、本実施形態では、比較例に比べて垂直電界による減少分がないため、透過率が高められる。また、比較例においては、微細枝部の辺が電界をわい曲することによって、微細枝部の辺に対して垂直方向に電界の垂直成分を作り出し、液晶分子の傾斜方向は電界の垂直成分によって決定される。したがって、液晶分子が最初は微細枝部の辺に対して垂直方向に傾こうとする第1段階。しかし、隣接する微細枝部の辺による電界の水平成分の方向が反対であり、微細枝部間の間隔が狭いため、互いに反対方向に傾こうとする液晶分子が共に微細枝部の長さ方向に平行な方向に傾くようになる第2段階。即ち、比較例においては、液晶分子が第1段階と第2段階に従って動くのに対し、本発明の実施形態では微細スリット電極によるフリンジフィールドの影響なしに、垂直電界によってのみ液晶分子が動くようになる。したがって、図17に示したように、場合によって本実施形態では比較例に比べて応答特性が良いので、高速応答を実現することができる。図18は、従来の液晶表示装置による画素領域を示す光学顕微鏡写真である。図19は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置における画素領域を示す光学顕微鏡写真である。具体的に、図18は、図16及び図17を参照して説明した比較例における画素領域を示す写真であり、図19は、図16及び図17を参照して説明した実施形態における画素領域を示す写真である。図18を参照すると、比較例においては、フリンジフィールドの水平電界成分によって微細枝部間の非電極部に対応する領域に黒い部分が発生したことを確認できる。しかし、図19を参照すると、本実施形態では垂直電界によってのみ液晶分子が動くので、水平電界による透過率の減少がなくて、微細枝部間の非電極部での黒い部分が大部分無くなった。図20乃至図25は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。具体的に、図20乃至図25は、電界生成のための微細スリット電極と、駆動のための共通電極部分の短絡ポイントshortpointを形成する方法を示す。図20を参照すると、基板210の上に共通電極270、絶縁膜280、及び透明導電層300pを形成する。共通電極270はインジウム酸化膜IndiumTinOXide;ITOで形成してもよい。透明導電層300pの上にフォトレジストPRを塗布する。図21乃至図23を参照すると、フォトレジストPRの上にスリットマスクMaskを配置させ、光照射を行う。そのために、光照射によって露出したフォトレジストPR領域を除去し、ウェットエッチング工程によって露出した透明導電層300p部分を除去する。図24を参照すると、フォトレジストPRを維持した状態でドライエッチング工程によって絶縁膜280の一部を除去する。最後に、図25を参照すると、フォトレジストPRを除去する。この時、微細スリット電極300が形成され、短絡ポイントSPが形成される。短絡ポイントSPは、共通電極270または微細スリット電極300に電圧を印加するためのパターンが形成される部分である。各段階は、一つのマスクを用いることによって製造費用と時間を節減することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。