"基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、1層以上の中密度層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。前記低密度層、中密度層及び高密度層が、同一の元素を含有していることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。基材側から前記低密度層、中密度層、高密度層及び中密度層を1つのユニットとした時、該ユニットが2回以上繰り返して積層されていることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記低密度層、中密度層または高密度層における密度分布が、厚さ方向で傾斜構造を有していることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記低密度層、中密度層及び高密度層が、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素及び酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記高密度層が酸化珪素を含有し、最大密度領域における密度が2.1g/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記低密度層が酸化珪素を含有し、最小密度領域における密度が2.0g/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記高密度層が酸化窒化珪素を含有し、最大密度領域における密度が2.2g/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記低密度層が酸化窒化珪素を含有し、最小密度領域における密度が2.0g/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記高密度層が窒化珪素を含有し、最大密度領域における密度が2.2g/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記低密度層が窒化珪素を含有し、最小密度領域における密度が2.0g/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記高密度層が酸化アルミニウムを含有し、最大密度領域における密度が3.5g/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。前記低密度層が酸化アルミニウムを含有し、最小密度領域における密度が3.0g/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載の透明ガスバリア性フィルム。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、かつ良好な透明性、ガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムを提供することにある。本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。1基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、1層以上の中密度層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。2前記低密度層、中密度層及び高密度層が、同一の元素を含有していることを特徴とする前記1記載の透明ガスバリア性フィルム。3基材側から前記低密度層、中密度層、高密度層及び中密度層を1つのユニットとした時、該ユニットが2回以上繰り返して積層されていることを特徴とする前記1または2に記載の透明ガスバリア性フィルム。4前記低密度層、中密度層または高密度層における密度分布が、厚さ方向で傾斜構造を有していることを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。5前記低密度層、中密度層及び高密度層が、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素及び酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする前記1~4のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。6前記高密度層が酸化珪素を含有し、最大密度領域における密度が2.1g/cm3以上であることを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。7前記低密度層が酸化珪素を含有し、最小密度領域における密度が2.0g/cm3以下であることを特徴とする前記1~6のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。8前記高密度層が酸化窒化珪素を含有し、最大密度領域における密度が2.2g/cm3以上であることを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。9前記低密度層が酸化窒化珪素を含有し、最小密度領域における密度が2.0g/cm3以下であることを特徴とする前記1~6のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。10前記高密度層が窒化珪素を含有し、最大密度領域における密度が2.2g/cm3以上であることを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。11前記低密度層が窒化珪素を含有し、最小密度領域における密度が2.0g/cm3以下であることを特徴とする前記1~6のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。12前記高密度層が酸化アルミニウムを含有し、最大密度領域における密度が3.5g/cm3以上であることを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。13前記低密度層が酸化アルミニウムを含有し、最小密度領域における密度が3.0g/cm3以下であることを特徴とする前記1~6のいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。本発明によれば、過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、かつ良好な透明性、ガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムを提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、1層以上の中密度層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルムにより、過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、かつ良好な透明性、ガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムを実現できることを見出し、本発明に至った次第である。更に、上記で規定する構成に加えて、低密度層、中密度層及び高密度層に同一の元素を含有せしめること、基材側から低密度層、中密度層、高密度層及び中密度層を1つのユニットとした時、該ユニットが2回以上繰り返して積層した構成をとること、低密度層、中密度層または高密度層における密度分布を、厚さ方向で連続に密度が変化する傾斜構造を有していること、低密度層、中密度層及び高密度層が、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素及び酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも1種を含有すること、高密度層あるいは低密度層に酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素または酸化アルミニウムを用いて、その層の最大密度あるいは最小密度を特定の条件とすることにより、本発明の上記目的効果がより一層発揮されることを見出したものである。本発明の前記1~13に係る透明ガスバリア性フィルムは、下記に記載の好ましい態様を採ることにより、同様の効果を得ることができる。A基材上に少なくとも高炭素含有層及び低炭素含有層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該高炭素含有層と該低炭素含有層との間に、1層以上の中炭素含有層を有することを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。B前記低炭素含有層、中炭素含有層及び高炭素含有層が、同一の元素を含有していることを特徴とする前記Aに記載の透明ガスバリア性フィルム。C基材側から前記高炭素含有層、中炭素含有層、低炭素含有層及び中炭素含有層を1つのユニットとした時、該ユニットが2回以上繰り返して積層されていることを特徴とする前記AまたはBに記載の透明ガスバリア性フィルム。D前記低炭素含有層、中炭素含有層または高炭素含有層における炭素含有量分布が、厚さ方向で含有量勾配を有していることを特徴とするA~Cのいずれか1項に記載の透明ガスバリア性フィルム。E前記炭素含有量勾配を構成する化合物が酸化珪素であり、最小炭素含有率が1.0以下であることを特徴とする前記Dに記載の透明ガスバリア性フィルム。F前記炭素含有量勾配を構成する化合物が酸化珪素であり、最大炭素含有率が20.0以上であることを特徴とする前記Dに記載の透明ガスバリア性フィルム。G前記炭素含有量勾配を構成する化合物が窒化珪素であり、最小炭素含有率が1.0以下であることを特徴とする前記Dに記載の透明ガスバリア性フィルム。H前記炭素含有量勾配を構成する化合物が窒化珪素であり、最大炭素含有率が20.0以上であることを特徴とする前記Dに記載の透明ガスバリア性フィルム。I前記炭素含有量勾配を構成する化合物が酸化アルミニウムであり、最小炭素含有率が1.0以下であることを特徴とする前記Dに記載の透明ガスバリア性フィルム。J前記炭素含有量勾配を構成する化合物が酸化アルミニウムであり、最大炭素含有率が20.0以上であることを特徴とする前記Dに記載の透明ガスバリア性フィルム。以下、本発明の詳細について説明する。本発明の透明ガスバリア性フィルムにおいては、基材上に少なくとも低密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低密度層と該高密度層との間に、1層以上の中密度層を有することを特徴とする。本発明でいう中密度層とは、最も平均密度が低い低密度層の平均密度をd1、最も平均密度が高い高密度層の平均密度をd2とした時、下記式1で規定する条件を満たす平均密度d3である層を中密度層と定義する。式1d13d2/4≧d3≧3d1d2/4本発明で規定する各構成層の密度は、公知の分析手段を用いて求めることができるが、本発明においては、X線反射率法により求めた値を用いている。X線反射率法の概要は、X線回折ハンドブック151ページ理学電機株式会社編2000年国際文献印刷社や化学工業1999年1月No.22を参照して行うことができる。本発明に有用な測定方法の具体例を以下に示す。測定装置としては、マックサイエンス社製MXP21を用いて行う。X線源のターゲットには銅を用い、42kV、500mAで作動させる。インシデントモノクロメータには多層膜パラボラミラーを用いる。入射スリットは0.05mm×5mm、受光スリットは0.03mm×20mmを用いる。2θ/θスキャン方式で0から5°をステップ幅0.005°、1ステップ10秒のFT法にて測定を行う。得られた反射率曲線に対し、マックサイエンス社製ReflectivityAnalysisProgramVer.1を用いてカーブフィティングを行い、実測値とフッティングカーブの残差平方和が最小になるように各パラメータを求める。各パラメータから積層膜の厚さ及び密度を求めることができる。本発明における積層膜の膜厚評価も上記X線反射率測定より求めることができる。本発明の透明ガスバリア性フィルムにおいては、基材側から低密度層、中密度層、高密度層及び中密度層の順に積層された構成を1つのユニットとした時、該ユニットが2回以上、すなわち8層以上積層されていることが好ましく、より好ましくは積層されるユニット数としては2~4である。また、本発明の透明ガスバリア性フィルムにおいては、低密度層、中密度層または高密度層における密度分布が、厚さ方向で傾斜構造を有していることが好ましい。図1は、本発明の透明ガスバリアフィルムの層構成とその密度プロファイルの一例を示す模式図である。本発明の透明ガスバリアフィルム1は、基材2上に密度の異なる層を積層した構成をとる。本発明においては、低密度層3と高密度層5との間に本発明に係る中密度層4を設けたことを特徴とし、更に高密度層上にも中密度層4を設け、これらの低密度層、中密度層、高密度層及び中密度層からなる構成を1ユニットとし、図1においては2ユニット分を積層した例を示してある。この時、各密度層内における密度分布は均一とし、隣接する層間での密度変化が階段状となるような構成をとる。なお、図1においては、中密度層4を1層として示したが、必要に応じて2層以上の構成を採っても良い。図2は、本発明の透明ガスバリアフィルムの層構成とその密度プロファイルの他の一例を示す模式図である。層構成としては、上記次1で示した構成と同じ2ユニットからの構成であるが、低密度層、中密度層または高密度層における密度分布を、厚さ方向で傾斜構造を有している。図2のa、bに示す密度分布プロファイルでは、基材2に接する低密度層3-1における密度分布は、基材に接する面の密度を最小値とし、厚さ方向で密度が増加する傾斜傾斜をとり、その上に積層される中密度層4-1も同様に傾斜を持たせ連続的な密度変化パターンとする。この時、中密度層4-1は2層以上の構成を採ってもよい。次いで、中密度層4-1上に積層する高密度層5-1の層内密度パターンは、図2のaにおいては、層内で密度の極大値を示す凸型の密度分布の例を示しており、また、図2のbにおいては、図1に記載の高密度層5と同様に層内で均一の密度分布を有する例を示してある。次いで、高密度層5-1上に中密度層4-2を厚さ方向で密度が低下する傾斜-傾斜をとり、連続的な密度変化パターンとする。中密度層4-2上には、更に低密度層3-2を積層するが、この時の低密度層3-2の密度分布パターンは、図2のaで示すように、層内で密度の極小値を示す凹型の密度分布の例であっても、あるいは図2のbに示すように、図1に記載の低密度層3と同様に層内で均一の密度分布を有する例であってもよい。本発明の透明ガスバリア性フィルムにおいて、図1、図2に示すように各層間での密度を所望の条件に制御する方法としては、特に制限はないが、後述する本発明で好ましく用いられる大気圧プラズマ法を用いた成膜においては、ロール回転電極に対し、固定電極群に傾斜を持たせて電極間の間隙を変化させる方法、あるいは供給する膜形成原料の種類及び供給量、あるいはプラズマ放電時の出力条件を適宜選択することにより得ることができる。また、図2に示すように層内で連続的に密度変化を行う場合にも、大気圧プラズマ法を適用することが好ましく、製膜時に膜形成原料の供給量、あるいはプラズマ放電時の出力条件を連続的に制御することにより得ることができる。また、図2のaに記載の様に層間で密度が連続的に変化している場合、本発明においては、各層間の境界面とは、密度分布パターンの傾きが変化する領域と定義する。本発明の透明ガスバリア性フィルムにおいて、上記説明した密度の異なる低密度層、中密度層、高密度層から構成されることを特徴とするが、基材上に少なくとも低炭素含有層及び高炭素含有層から構成されるガスバリア層を有する透明ガスバリア性フィルムにおいて、該低炭素含有層と該高炭素含有層との間に、1層以上の中炭素含有層を有する透明ガスバリア性フィルムを、好ましい態様として挙げることができる。本発明でいう中炭素含有層とは、最も炭素含有量が高い高炭素含有層の平均炭素含有をn1、最も炭素含有量が低い低炭素含有層の平均炭素含有量をn2とした時、下記式2で規定する条件を満たす平均炭素含有量n3である層を中炭素含有層と定義する。式2n13n2/4≦n3≦3n1n2/4本発明で規定する各構成層の炭素含有量は、公知の分析手段を用いて求めることができる。本発明において炭素含有率を示す原子数濃度とは、下記のXPS法によって算出されるもので、以下に定義される。原子数濃度atomicconcentration=炭素原子の個数/全原子の個数×100XPS表面分析装置は、本発明では、VGサイエンティフィックス社製ESCALAB-200Rを用いた。具体的には、X線アノードにはMgを用い、出力600W加速電圧15kV、エミッション電流40mAで測定した。エネルギー分解能は、清浄なAg3d5/2ピークの半値幅で規定したとき、1.5eV~1.7eVとなるように設定した。測定としては、先ず、結合エネルギ0eV~1100eVの範囲を、データ取り込み間隔1.0eVで測定し、いかなる元素が検出されるかを求めた。次に、検出された、エッチングイオン種を除く全ての元素について、データの取り込み間隔を0.2eVとして、その最大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンをおこない、各元素のスペクトルを測定した。得られたスペクトルは、測定装置、あるいは、コンピュータの違いによる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするために、VAMAS-SCA-JAPAN製のCOMMONDATAPROCESSINGSYSTEMVer.2.3以降が好ましい上に転送した後、同ソフトで処理をおこない、各分析ターゲットの元素炭素、酸素、ケイ素、チタン等の含有率の値を原子数濃度atomicconcentration:atとして求めた。定量処理をおこなう前に、各元素についてCountScaleのキャリブレーションをおこない、5ポイントのスムージング処理をおこなった。定量処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度cpseVを用いた。バックグラウンド処理には、Shirleyによる方法を用いた。また、Shirley法については、D.A.Shirley,Phys.Rev.,B5,47091972を参考にすることができる。本発明の透明ガスバリア性フィルムにおける各炭素含有層間での炭素含有量プロファイルとしては、前記図1、図2で示したのと同様のパターンを適用することができる。但し、図1、図2における低密度層は、高炭素含有層と相関を持ち、また高密度層は低炭素含有層と相関を持つため、密度パターンと炭素含有量パターンとは、正反対のプロファイルを持つこととなる。本発明の透明ガスバリア性フィルムにおいて、各層間での炭素含有量を所望の条件に制御する方法としては、特に制限はないが、後述する本発明で好ましく用いられる大気圧プラズマ法を用いた成膜においては、ロール回転電極に対し、固定電極群に傾斜を持たせて電極間の間隙を変化させる方法、あるいは供給する膜形成原料の種類及び供給量、あるいはプラズマ放電時の出力条件を適宜選択することにより得ることができる。次いで、本発明の透明ガスバリア性フィルムの構成要素に次いで説明する。《ガスバリア層》はじめに、本発明に係る低密度層、中密度層及び高密度層から構成されるガスバリア層について説明する。本発明に係るガスバリア層とは、酸素及び水蒸気の透過を阻止する層であれば、その組成等は特に限定されるものではない。本発明のガスバリア層を構成する材料として具体的には、無機酸化物が好ましく、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化窒化珪素、窒化珪素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ等を挙げることができる。また、本発明におけるガスバリア層の厚さは、用いられる材料の種類、構成により最適条件が異なり、適宜選択されるが、5~2000nmの範囲内であることが好ましい。ガスバリア層の厚さが、上記の範囲より薄い場合には、均一な膜が得られず、ガスに対するバリア性を得ることが困難であるからである。また、ガスバリア層の厚さが上記の範囲より厚い場合には、ガスバリア性フィルムにフレキシビリティを保持させることが困難であり、成膜後に折り曲げ、引っ張り等の外的要因により、ガスバリア性フィルムに亀裂が生じる等のおそれがあるからである。本発明に係るガスバリア層は、後述する原材料をスプレー法、スピンコート法、スパッタリング法、イオンアシスト法、後述するプラズマCVD法、後述する大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマCVD法等を適用して形成することができる。しかしながら、スプレー法やスピンコート法等の湿式法では、分子レベルnmレベルの平滑性を得ることが難しく、また溶剤を使用するため、後述する基材が有機材料であることから、使用可能な基材または溶剤が限定されるという欠点がある。そこで、本発明においては、プラズマCVD法等で形成されたものであることが好ましく、特に大気圧プラズマCVD法は、減圧チャンバー等が不要で、高速製膜ができ生産性の高い製膜方法である点から好ましい。上記ガスバリア層を大気圧プラズマCVD法で形成することにより、均一かつ表面の平滑性を有する膜を比較的容易に形成することが可能となるからである。プラズマCVD法、大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマCVD法であるが、特に好ましくは、大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマCVD法を用いて形成される。尚、プラズマCVD法の層形成条件の詳細については、後述する。プラズマCVD法、大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマCVD法により得られるガスバリア層は、原材料原料ともいうである有機金属化合物、分解ガス、分解温度、投入電力などの条件を選ぶことで、金属炭化物、金属窒化物、金属酸化物、金属硫化物、金属ハロゲン化物、またこれらの混合物金属酸窒化物、金属酸化ハロゲン化物、金属窒化炭化物なども作り分けることができるため好ましい。例えば、珪素化合物を原料化合物として用い、分解ガスに酸素を用いれば、珪素酸化物が生成する。また、亜鉛化合物を原料化合物として用い、分解ガスに二硫化炭素を用いれば、硫化亜鉛が生成する。これはプラズマ空間内では非常に活性な荷電粒子活性ラジカルが高密度で存在するため、プラズマ空間内では多段階の化学反応が非常に高速に促進され、プラズマ空間内に存在する元素は熱力学的に安定な化合物へと非常な短時間で変換されるためである。このような無機物の原料としては、典型または遷移金属元素を有していれば、常温常圧下で気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合にはそのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、バブリング、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用する。又、溶媒によって希釈して使用してもよく、溶媒は、メタノール,エタノール,n-ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用出来る。尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子状、原子状に分解されるため、影響は殆ど無視することができる。このような有機金属化合物としては、ケイ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn-ブトキシシラン、テトラt-ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビスジメチルアミノジメチルシラン、ビスジメチルアミノメチルビニルシラン、ビスエチルアミノジメチルシラン、N,O-ビストリメチルシリルアセトアミド、ビストリメチルシリルカルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリスジメチルアミノシラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビストリメチルシリルアセチレン、1,4-ビストリメチルシリル-1,3-ブタジイン、ジ-t-ブチルシラン、1,3-ジシラブタン、ビストリメチルシリルメタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、1-トリメチルシリル-1-プロピン、トリストリメチルシリルメタン、トリストリメチルシリルシラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Mシリケート51等が挙げられる。チタン化合物としては、例えば、チタンメトキシド、チタンエトキシド、チタンイソプロポキシド、チタンテトライソポロポキシド、チタンn-ブトキシド、チタンジイソプロポキシドビス-2,4-ペンタンジオネート、チタンジイソプロポキシドビス-2,4-エチルアセトアセテート、チタンジ-n-ブトキシドビス-2,4-ペンタンジオネート、チタンアセチルアセトネート、ブチルチタネートダイマー等が挙げられる。ジルコニウム化合物としては、ジルコニウムn-プロポキシド、ジルコニウムn-ブトキシド、ジルコニウムt-ブトキシド、ジルコニウムトリ-n-ブトキシドアセチルアセトネート、ジルコニウムジ-n-ブトキシドビスアセチルアセトネート、ジルコニウムアセチルアセトネート、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムヘキサフルオロペンタンジオネート等が挙げられる。アルミニウム化合物としては、アルミニウムエトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムn-ブトキシド、アルミニウムs-ブトキシド、アルミニウムt-ブトキシド、アルミニウムアセチルアセトナート、トリエチルジアルミニウムトリ-s-ブトキシド等が挙げられる。硼素化合物としては、ジボラン、テトラボラン、フッ化硼素、塩化硼素、臭化硼素、ボラン-ジエチルエーテル錯体、ボラン-THF錯体、ボラン-ジメチルスルフィド錯体、三フッ化硼素ジエチルエーテル錯体、トリエチルボラン、トリメトキシボラン、トリエトキシボラン、トリイソプロポキシボラン、ボラゾール、トリメチルボラゾール、トリエチルボラゾール、トリイソプロピルボラゾール、等が挙げられる。錫化合物としては、テトラエチル錫、テトラメチル錫、二酢酸ジ-n-ブチル錫、テトラブチル錫、テトラオクチル錫、テトラエトキシ錫、メチルトリエトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、トリイソプロピルエトキシ錫、ジエチル錫、ジメチル錫、ジイソプロピル錫、ジブチル錫、ジエトキシ錫、ジメトキシ錫、ジイソプロポキシ錫、ジブトキシ錫、錫ジブチラート、錫ジアセトアセトナート、エチル錫アセトアセトナート、エトキシ錫アセトアセトナート、ジメチル錫ジアセトアセトナート等、錫水素化合物等、ハロゲン化錫としては、二塩化錫、四塩化錫等が挙げられる。また、その他の有機金属化合物としては、例えば、アンチモンエトキシド、ヒ素トリエトキシド、バリウム2,2,6,6-テトラメチルヘプタンジオネート、ベリリウムアセチルアセトナート、ビスマスヘキサフルオロペンタンジオネート、ジメチルカドミウム、カルシウム2,2,6,6-テトラメチルヘプタンジオネート、クロムトリフルオロペンタンジオネート、コバルトアセチルアセトナート、銅ヘキサフルオロペンタンジオネート、マグネシウムヘキサフルオロペンタンジオネート-ジメチルエーテル錯体、ガリウムエトキシド、テトラエトキシゲルマン、テトラメトキシゲルマン、ハフニウムt-ブドキシド、ハフニウムエトキシド、インジウムアセチルアセトナート、インジウム2,6-ジメチルアミノヘプタンジオネート、フェロセン、ランタンイソプロポキシド、酢酸鉛、テトラエチル鉛、ネオジウムアセチルアセトナート、白金ヘキサフルオロペンタンジオネート、トリメチルシクロペンタジエニル白金、ロジウムジカルボニルアセチルアセトナート、ストロンチウム2,2,6,6-テトラメチルヘプタンジオネート、タンタルメトキシド、タンタルトリフルオロエトキシド、テルルエトキシド、タングステンエトキシド、バナジウムトリイソプロポキシドオキシド、マグネシウムヘキサフルオロアセチルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナート、ジエチル亜鉛、などが挙げられる。また、これらの金属を含む原料ガスを分解して無機化合物を得るための分解ガスとしては、水素ガス、メタンガス、アセチレンガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、酸素ガス、水蒸気、フッ素ガス、フッ化水素、トリフルオロアルコール、トリフルオロトルエン、硫化水素、二酸化硫黄、二硫化炭素、塩素ガスなどが挙げられる。金属元素を含む原料ガスと、分解ガスを適宜選択することで、各種の金属炭化物、金属窒化物、金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫化物を得ることができる。また、これらの金属を含む原料ガスを分解して無機化合物を得るための分解ガスとしては、水素ガス、メタンガス、アセチレンガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、酸素ガス、水蒸気、フッ素ガス、フッ化水素、トリフルオロアルコール、トリフルオロトルエン、硫化水素、二酸化硫黄、二硫化炭素、塩素ガス、などが挙げられる。金属元素を含む原料ガスと、分解ガスを適宜選択することで、各種の金属炭化物、金属窒化物、金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属硫化物を得ることができる。これらの反応性ガスに対して、主にプラズマ状態になりやすい放電ガスを混合し、プラズマ放電発生装置にガスを送りこむ。このような放電ガスとしては、窒素ガスおよび/または周期表の第18属原子、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも特に、窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。上記放電ガスと反応性ガスを混合し、混合ガスとしてプラズマ放電発生装置プラズマ発生装置に供給することで膜形成を行う。放電ガスと反応性ガスの割合は、得ようとする膜の性質によって異なるが、混合ガス全体に対し、放電ガスの割合を50以上として反応性ガスを供給する。本発明に係るガスバリア層においては、ガスバリア層が含有する無機化合物が、SiOx、SiNyまたはSiOxNyx=1~2、y=0.1~1であることが好ましく、特に水分の透過性、光線透過性及び後述する大気圧プラズマCVD適性の観点から、SiOxであることが好ましい。本発明に係る無機化合物は、例えば、上記有機珪素化合物に、更に酸素ガスや窒素ガスを所定割合で組み合わせて、O原子とN原子の少なくともいずれかと、Si原子とを含む膜を得ることができる。なお、SiO2は透明性が高いもののガスバリア性が少し低めで水分をやや通すことから、N原子を含んだ方がより好ましい。すなわち、酸素原子と窒素原子の数の比をx:yとした場合に、x/xyは0.95以下、さらに0.80以下であればより一層好ましい。よって、本発明に係るガスバリア層においては、光線透過率Tが、80以上であることが好ましい。なお、N原子の割合が多いと光透過性が低下し、x=0であるSiNではやや黄色みを呈する。そこで、具体的な酸素原子と窒素原子の割合は用途に応じて決めればよい。例えば、表示装置において発光素子に対して発光面側に膜を形成する場合のような、光透過性を要する用途であれば、x/xyが0.4以上、0.95であれば、光透過性と防水性のバランスをとることができるので好ましい。また、表示装置の発光素子の後面に設けられる映り込み防止膜のように光を吸収あるいは遮光した方が好ましい用途であればx/xyは0以上0.4未満であることが好ましい。よって、本発明に係るガスバリア層は、透明であることが好ましい。上記ガスバリア層が透明であることにより、ガスバリア性フィルムを透明なものとすることが可能となり、有機EL素子の透明基板等の用途にも使用することが可能となるからである。《基材》本発明の透明ガスバリア性フィルムで用いられる基材は、上述したバリア性を有するガスバリア層を保持することができる有機材料で形成された膜であれば特に限定されるものではない。具体的には、エチレン、ポリプロピレン、ブテン等の単独重合体または共重合体または共重合体等のポリオレフィンPO樹脂、環状ポリオレフィン等の非晶質ポリオレフィン樹脂APO、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレン2,6-ナフタレートPEN等のポリエステル系樹脂、ナイロン6、ナイロン12、共重合ナイロン等のポリアミド系PA樹脂、ポリビニルアルコールPVA樹脂、エチレン-ビニルアルコール共重合体EVOH等のポリビニルアルコール系樹脂、ポリイミドPI樹脂、ポリエーテルイミドPEI樹脂、ポリサルホンPS樹脂、ポリエーテルサルホンPES樹脂、ポリエーテルエーテルケトンPEEK樹脂、ポリカーボネートPC樹脂、ポリビニルブチラートPVB樹脂、ポリアリレートPAR樹脂、エチレン-四フッ化エチレン共重合体ETFE、三フッ化塩化エチレンPFA、四フッ化エチレン-パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体FEP、フッ化ビニリデンPVDF、フッ化ビニルPVF、パーフルオロエチレン-パーフロロプロピレン-パーフロロビニルエーテル-共重合体EPA等のフッ素系樹脂等を用いることができる。また、上記に挙げた樹脂以外にも、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物によりなる樹脂組成物や、上記アクリルレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物よりなる樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート等のオリゴマーを多官能アクリレートモノマーに溶解せしめた樹脂組成物等の光硬化性樹脂およびこれらの混合物等を用いることも可能である。さらに、これらの樹脂の1または2種以上をラミネート、コーティング等の手段によって積層させたものを基材フィルムとして用いることも可能である。これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することも出来る。中でもゼオネックスやゼオノア日本ゼオン株製、非晶質シクロポリオレフィン樹脂フィルムのARTONジェイエスアール株製、ポリカーボネートフィルムのピュアエース帝人株製、セルローストリアセテートフィルムのコニカタックKC4UX、KC8UXコニカミノルタオプト株製などの市販品を好ましく使用することが出来る。また、基材は透明であることが好ましい。基材が透明であり、基材上に形成する層も透明であることにより、透明なガスバリア性フィルムとすることが可能となるため、有機EL素子等の透明基板とすることも可能となるからである。また、上記に挙げた樹脂等を用いた本発明の基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。本発明に係る基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやTダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の基材を製造することができる。また、未延伸の基材を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸などの公知の方法により、基材の流れ縦軸方向、または基材の流れ方向と直角横軸方向に延伸することにより延伸基材を製造することができる。この場合の延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向および横軸方向にそれぞれ2~10倍が好ましい。また、本発明に係る基材においては、蒸着膜を形成する前にコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を行ってもよい。さらに、本発明に係る基材表面には、蒸着膜との密着性の向上を目的としてアンカーコート剤層を形成してもよい。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、およびアルキルチタネート等を、1または2種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、0.1~5g/m2乾燥状態程度が好ましい。基材は、ロール状に巻き上げられた長尺品が便利である。基材の厚さは、得られるガスバリア性フィルムの用途によって異なるので一概には規定できないが、ガスバリア性フィルムを包装用途とする場合には、特に制限を受けるものではなく、包装材料としての適性から、3~400μm、中でも6~30μmの範囲内とすることが好ましい。また、本発明に用いられる基材は、フィルム形状のものの膜厚としては10~200μmが好ましく、より好ましくは50~100μmである。本発明のガスバリア性フィルムの水蒸気透過度としては、有機ELディスプレイや高精彩カラー液晶ディスプレイ等の高度の水蒸気バリア性を必要とする用途に用いる場合、JISK7129B法に従って測定した水蒸気透過度が、1.0g/m2/day以下であることが好ましく、さらに有機ELディスプレイ用途の場合、極わずかであっても、成長するダークスポットが発生し、ディスプレイの表示寿命が極端に短くなる場合があるため、水蒸気透過度が、0.1g/m2/day未満であることが好ましい。《プラズマCVD法》次いで、本発明の透明ガスバリア性フィルムの製造方法としては、本発明に係る低密度層、中密度層及び高密度層の形成に好適に用いることのできるプラズマCVD法及び大気圧プラズマCVD法について、更に詳細に説明する。本発明に係るプラズマCVD法について説明する。プラズマCVD法は、プラズマ助成式化学的気相成長法、PECVD法とも称され、各種の無機物を、立体的な形状でも被覆性密着性良く、且つ、基材温度をあまり高くすることなしに製膜することができる手法である。通常のCVD法化学的気相成長法では、揮発昇華した有機金属化合物が高温の基材表面に付着し、熱により分解反応が起き、熱的に安定な無機物の薄膜が生成されるというものである。このような通常のCVD法熱CVD法とも称するでは、通常500°C以上の基板温度が必要であるため、プラスチック基材への製膜には使用することができない。一方、プラズマCVD法は、基材近傍の空間に電界を印加し、プラズマ状態となった気体が存在する空間プラズマ空間を発生させ、揮発昇華した有機金属化合物がこのプラズマ空間に導入されて分解反応が起きた後に基材上に吹きつけられることにより、無機物の薄膜を形成するというものである。プラズマ空間内では、数の高い割合の気体がイオンと電子に電離しており、ガスの温度は低く保たれるものの、電子温度は非常な高温のため、この高温の電子、あるいは低温ではあるがイオンラジカルなどの励起状態のガスと接するために無機膜の原料である有機金属化合物は低温でも分解することができる。したがって、無機物を製膜する基材についても低温化することができ、プラスチック基材上へも十分製膜することが可能な製膜方法である。しかしながら、プラズマCVD法においては、ガスに電界を印加して電離させ、プラズマ状態とする必要があるため、通常は、0.101kPa~10.1kPa程度の減圧空間で製膜していたため、大面積のフィルムを製膜する際には設備が大きく操作が複雑であり、生産性の課題を抱えている方法である。これに対し、大気圧近傍でのプラズマCVD法では、真空下のプラズマCVD法に比べ、減圧にする必要がなく生産性が高いだけでなく、プラズマ密度が高密度であるために製膜速度が速く、更にはCVD法の通常の条件に比較して、大気圧下という高圧力条件では、ガスの平均自由工程が非常に短いため、極めて平坦な膜が得られ、そのような平坦な膜は、光学特性、ガスバリア性共に良好である。以上のことから、本発明においては、大気圧プラズマCVD法を適用することが、真空下のプラズマCVD法よりも好ましい。以下、大気圧或いは大気圧近傍でのプラズマCVD法を用いたガスバリア層を形成する装置について詳述する。本発明の透明ガスバリア性フィルムの製造方法において、低密度層、中密度層及び高密度層の形成に使用されるプラズマ製膜装置の一例について、図3~図6に基づいて説明する。図中、符号Fは基材の一例としての長尺フィルムである。図3は、本発明に有用なジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示した概略図である。ジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置は、プラズマ放電処理装置、二つの電源を有する電界印加手段の他に、図3では図示してない後述の図4に図示してあるが、ガス供給手段、電極温度調節手段を有している装置である。プラズマ放電処理装置10は、第1電極11と第2電極12から構成されている対向電極を有しており、該対向電極間に、第1電極11からは第1電源21からの周波数ω1、電界強度V1、電流I1の第1の高周波電界が印加され、また第2電極12からは第2電源22からの周波数ω2、電界強度V2、電流I2の第2の高周波電界が印加されるようになっている。第1電源21は第2電源22より高い高周波電界強度V1>V2を印加出来、また第1電源21の第1の周波数ω1は第2電源22の第2の周波数ω2より低い周波数を印加出来る。第1電極11と第1電源21との間には、第1フィルタ23が設置されており、第1電源21から第1電極11への電流を通過しやすくし、第2電源22からの電流をアースして、第2電源22から第1電源21への電流が通過しにくくなるように設計されている。また、第2電極12と第2電源22との間には、第2フィルタ24が設置されており、第2電源22から第2電極への電流を通過しやすくし、第1電源21からの電流をアースして、第1電源21から第2電源への電流を通過しにくくするように設計されている。第1電極11と第2電極12との対向電極間放電空間13に、後述の図4に図示してあるようなガス供給手段からガスGを導入し、第1電極11と第2電極12から高周波電界を印加して放電を発生させ、ガスGをプラズマ状態にしながら対向電極の下側紙面下側にジェット状に吹き出させて、対向電極下面と基材Fとで作る処理空間をプラズマ状態のガスG°で満たし、図示してない基材の元巻きアンワインダーから巻きほぐされて搬送して来るか、あるいは前工程から搬送して来る基材Fの上に、処理位置14付近で薄膜を形成させる。薄膜形成中、後述の図4に図示してあるような電極温度調節手段から媒体が配管を通って電極を加熱または冷却する。プラズマ放電処理の際の基材の温度によっては、得られる薄膜の物性や組成等は変化することがあり、これに対して適宜制御することが望ましい。温度調節の媒体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましく用いられる。プラズマ放電処理の際、幅手方向あるいは長手方向での基材の温度ムラが出来るだけ生じないように電極の内部の温度を均等に調節することが望まれる。ジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置を複数基接して直列に並べて同時に同じプラズマ状態のガスを放電させることが出来るので、何回も処理され高速で処理することも出来る。また各装置が異なったプラズマ状態のガスをジェット噴射すれば、異なった層の積層薄膜を形成することも出来る。図4は、本発明に有用な対向電極間で基材を処理する方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。本発明に係る大気圧プラズマ放電処理装置は、少なくとも、プラズマ放電処理装置30、二つの電源を有する電界印加手段40、ガス供給手段50、電極温度調節手段60を有している装置である。図4は、ロール回転電極第1電極35と角筒型固定電極群第2電極36との対向電極間放電空間32で、基材Fをプラズマ放電処理して薄膜を形成するものである。図4においては、1対の角筒型固定電極群第2電極36とロール回転電極第1電極35とで、1つの電界を形成し、この1ユニットで、例えば、低密度層の形成を行う。図4においては、この様な構成からなるユニットを、計5カ所備えた構成例を示しあり、それぞれのユニットで、供給する原材料の種類、出力電圧等を任意に独立して制御することにより、本発明で規定する構成からなる積層型の透明ガスバリア層を連続して形成することができる。ロール回転電極第1電極35と角筒型固定電極群第2電極36との間の放電空間対向電極間32に、ロール回転電極第1電極35には第1電源41から周波数ω1、電界強度V1、電流I1の第1の高周波電界を、また角筒型固定電極群第2電極36にはそれぞれに対応する各第2電源42から周波数ω2、電界強度V2、電流I2の第2の高周波電界をかけるようになっている。ロール回転電極第1電極35と第1電源41との間には、第1フィルタ43が設置されており、第1フィルタ43は第1電源41から第1電極への電流を通過しやすくし、第2電源42からの電流をアースして、第2電源42から第1電源への電流を通過しにくくするように設計されている。また、角筒型固定電極群第2電極36と第2電源42との間には、それぞれ第2フィルタ44が設置されており、第2フィルタ44は、第2電源42から第2電極への電流を通過しやすくし、第1電源41からの電流をアースして、第1電源41から第2電源への電流を通過しにくくするように設計されている。なお、本発明においては、ロール回転電極35を第2電極、また角筒型固定電極群36を第1電極としてもよい。何れにしろ第1電極には第1電源が、また第2電極には第2電源が接続される。第1電源は第2電源より高い高周波電界強度V1>V2を印加することが好ましい。また、周波数はω1<ω2となる能力を有している。また、電流はI1<I2となることが好ましい。第1の高周波電界の電流I1は、好ましくは0.3mA/cm2~20mA/cm2、さらに好ましくは1.0mA/cm2~20mA/cm2である。また、第2の高周波電界の電流I2は、好ましくは10mA/cm2~100mA/cm2、さらに好ましくは20mA/cm2~100mA/cm2である。ガス供給手段50のガス発生装置51で発生させたガスGは、流量を制御して給気口よりプラズマ放電処理容器31内に導入する。基材Fを、図示されていない元巻きから巻きほぐして搬送されて来るか、または前工程から搬送されて来て、ガイドロール64を経てニップロール65で基材に同伴されて来る空気等を遮断し、ロール回転電極35に接触したまま巻き回しながら角筒型固定電極群36との間に移送し、ロール回転電極第1電極35と角筒型固定電極群第2電極36との両方から電界をかけ、対向電極間放電空間32で放電プラズマを発生させる。基材Fはロール回転電極35に接触したまま巻き回されながらプラズマ状態のガスにより薄膜を形成する。基材Fは、ニップロール66、ガイドロール67を経て、図示してない巻き取り機で巻き取るか、次工程に移送する。放電処理済みの処理排ガスG′は排気口53より排出する。薄膜形成中、ロール回転電極第1電極35及び角筒型固定電極群第2電極36を加熱または冷却するために、電極温度調節手段60で温度を調節した媒体を、送液ポンプPで配管61を経て両電極に送り、電極内側から温度を調節する。なお、68及び69はプラズマ放電処理容器31と外界とを仕切る仕切板である。図5は、図4に示したロール回転電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。図5において、ロール電極35aは導電性の金属質母材35Aとその上に誘電体35Bが被覆されたものである。プラズマ放電処理中の電極表面温度を制御するため、温度調節用の媒体水もしくはシリコンオイル等が循環できる構造となっている。図6は、角筒型電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。図6において、角筒型電極36aは、導電性の金属質母材36Aに対し、図5同様の誘電体36Bの被覆を有しており、該電極の構造は金属質のパイプになっていて、それがジャケットとなり、放電中の温度調節が行えるようになっている。なお、角筒型固定電極の数は、上記ロール電極の円周より大きな円周上に沿って複数本設置されており、該電極の放電面積はロール回転電極35に対向している全角筒型固定電極面の面積の和で表される。図6に示した角筒型電極36aは、円筒型電極でもよいが、角筒型電極は円筒型電極に比べて、放電範囲放電面積を広げる効果があるので、本発明に好ましく用いられる。図5及び図6において、ロール電極35a及び角筒型電極36aは、それぞれ導電性の金属質母材35A及び36Aの上に誘電体35B及び36Bとしてのセラミックスを溶射後、無機化合物の封孔材料を用いて封孔処理したものである。セラミックス誘電体は片肉で1mm程度被覆あればよい。溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、特に好ましく用いられる。また、誘電体層が、ライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体であってもよい。導電性の金属質母材35A及び36Aとしては、チタン金属またはチタン合金、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属等や、鉄とセラミックスとの複合材料またはアルミニウムとセラミックスとの複合材料を挙げることが出来るが、後述の理由からはチタン金属またはチタン合金が特に好ましい。対向する第1電極および第2の電極の電極間距離は、電極の一方に誘電体を設けた場合、該誘電体表面ともう一方の電極の導電性の金属質母材表面との最短距離のことを言う。双方の電極に誘電体を設けた場合、誘電体表面同士の距離の最短距離のことを言う。電極間距離は、導電性の金属質母材に設けた誘電体の厚さ、印加電界強度の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定されるが、いずれの場合も均一な放電を行う観点から0.1~20mmが好ましく、特に好ましくは0.5~2mmである。本発明に有用な導電性の金属質母材及び誘電体についての詳細については後述する。プラズマ放電処理容器31はパイレックス登録商標ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウムまたは、ステンレススティールのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行い、絶縁性をとってもよい。図3において、平行した両電極の両側面基材面近くまでを上記のような材質の物で覆うことが好ましい。本発明の大気圧プラズマ放電処理装置に設置する第1電源高周波電源としては、印加電源記号メーカー周波数製品名A1神鋼電機3kHzSPG3-4500A2神鋼電機5kHzSPG5-4500A3春日電機15kHzAGI-023A4神鋼電機50kHzSPG50-4500A5ハイデン研究所100kHzPHF-6kA6パール工業200kHzCF-2000-200kA7パール工業400kHzCF-2000-400k等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。また、第2電源高周波電源としては、印加電源記号メーカー周波数製品名B1パール工業800kHzCF-2000-800kB2パール工業2MHzCF-2000-2MB3パール工業13.56MHzCF-5000-13MB4パール工業27MHzCF-2000-27MB5パール工業150MHzCF-2000-150M等の市販のものを挙げることが出来、何れも好ましく使用出来る。なお、上記電源のうち、印はハイデン研究所インパルス高周波電源連続モードで100kHzである。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。本発明においては、このような電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を大気圧プラズマ放電処理装置に採用することが好ましい。本発明において、対向する電極間に印加する電力は、第2電極第2の高周波電界に1W/cm2以上の電力出力密度を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、エネルギーを薄膜形成ガスに与え、薄膜を形成する。第2電極に供給する電力の上限値としては、好ましくは50W/cm2、より好ましくは20W/cm2である。下限値は、好ましくは1.2W/cm2である。なお、放電面積cm2は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。また、第1電極第1の高周波電界にも、1W/cm2以上の電力出力密度を供給することにより、第2の高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは5W/cm2以上である。第1電極に供給する電力の上限値は、好ましくは50W/cm2である。ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるON/OFFを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくとも第2電極側第2の高周波電界は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。また、本発明で膜質をコントロールする際には、第2電源側の電力を制御することによっても達成できる。このような大気圧プラズマによる薄膜形成法に使用する電極は、構造的にも、性能的にも過酷な条件に耐えられるものでなければならない。このような電極としては、金属質母材上に誘電体を被覆したものであることが好ましい。本発明に使用する誘電体被覆電極においては、様々な金属質母材と誘電体との間に特性が合うものが好ましく、その一つの特性として、金属質母材と誘電体との線熱膨張係数の差が10×10-6/°C以下となる組み合わせのものである。好ましくは8×10-6/°C以下、更に好ましくは5×10-6/°C以下、更に好ましくは2×10-6/°C以下である。なお、線熱膨張係数とは、周知の材料特有の物性値である。線熱膨張係数の差が、この範囲にある導電性の金属質母材と誘電体との組み合わせとしては、1:金属質母材が純チタンまたはチタン合金で、誘電体がセラミックス溶射被膜2:金属質母材が純チタンまたはチタン合金で、誘電体がガラスライニング3:金属質母材がステンレススティールで、誘電体がセラミックス溶射被膜4:金属質母材がステンレススティールで、誘電体がガラスライニング5:金属質母材がセラミックスおよび鉄の複合材料で、誘電体がセラミックス溶射被膜6:金属質母材がセラミックスおよび鉄の複合材料で、誘電体がガラスライニング7:金属質母材がセラミックスおよびアルミの複合材料で、誘電体がセラミックス溶射皮膜8:金属質母材がセラミックスおよびアルミの複合材料で、誘電体がガラスライニング等がある。線熱膨張係数の差という観点では、上記1項または2項および5~8項が好ましく、特に1項が好ましい。本発明において、金属質母材は、上記の特性からはチタンまたはチタン合金が特に有用である。金属質母材をチタンまたはチタン合金とすることにより、誘電体を上記とすることにより、使用中の電極の劣化、特にひび割れ、剥がれ、脱落等がなく、過酷な条件での長時間の使用に耐えることが出来る。本発明に適用できる大気圧プラズマ放電処理装置としては、上記説明し以外に、例えば、特開2004-68143号公報、同2003-49272号公報、国際特許第02/48428号パンフレット等に記載されている大気圧プラズマ放電処理装置を挙げることができる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において部あるいはの表示を用いるが、特に断りがない限り質量部あるいは質量を表す。実施例1《透明ガスバリア性フィルム1の作製》基材として、厚さ100μmのポリエチレンナフタレートフィルム帝人デュポン社製フィルム、以下、PENと略記する上に、下記の大気圧プラズマ放電処理装置及び放電条件で、図1に記載のプロファイル構成層内の密度分布均一パターンで、低密度層、中密度層、高密度層、中密度層のユニットを3ユニット積層した透明ガスバリア性フィルム1を作製した。大気圧プラズマ放電処理装置図4の大気圧プラズマ放電処理装置を用い、誘電体で被覆したロール電極及び複数の角筒型電極のセットを以下のように作製した。第1電極となるロール電極は、冷却水による冷却手段を有するチタン合金T64製ジャケットロール金属質母材に対して、大気プラズマ法により高密度、高密着性のアルミナ溶射膜を被覆し、ロール径1000mmφとなるようにした。一方、第2電極の角筒型電極は、中空の角筒型のチタン合金T64に対し、上記同様の誘電体を同条件にて方肉で1mm被覆し、対向する角筒型固定電極群とした。この角筒型電極をロール回転電極のまわりに、対向電極間隙を1mmとして24本配置した。角筒型固定電極群の放電総面積は、150cm幅手方向の長さ×4cm搬送方向の長さ×24本電極の数=14400cm2であった。なお、何れもフィルタは適切なものを設置した。プラズマ放電中、第1電極ロール回転電極及び第2電極角筒型固定電極群が80°Cになるように調節保温し、ロール回転電極はドライブで回転させて薄膜形成を行った。上記24本の角筒型固定電極中、上流側より4本を下記第1層低密度層1の製膜用に、次の6本を下記第2層中密度層1の製膜用に、次の8本を第3層高密度層1の製膜用に使用し、残りの6本を第4層中密度層2の製膜用にして、各条件を設定して1パスで4層を積層した。この条件を更に2回繰り返して、透明ガスバリア性フィルム1を作製した。第1層:低密度層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの低密度層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.8体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.2体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件:第1電極側の電源のみを使用した第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2上記形成した第1層低密度層の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、1.90であった。第2層:中密度層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの中密度層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件:第1電極側の電源のみを使用した第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2上記形成した第2層中密度層の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.05であった。第3層:高密度層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの高密度層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度10W/cm2上記形成した第3層高密度層の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.20であった。第4層:中密度層2上記第2層中密度層1の同様の条件で、中密度層2を形成した。第5層~第12層上記第1層~第4層1ユニットの形成と同条件で、これを2回繰り返して、透明ガスバリア性フィルム1を作製した。《透明ガスバリア性フィルムの評価》密度分布の測定マックサイエンス社製MXP21を用い、X線反射率法で測定した密度プロファイルの結果を、図7のaに示す。炭素含有量の測定XPS表面分析装置として、VGサイエンティフィックス社製のESCALAB-200Rを用いて測定した炭素含有量プロファイルの結果を、図7のbに示す。安定性の評価密着性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム1を、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、良好な結果を得ることができた。保存性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム1を、98°Cの熱湯に48時間浸漬した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化はなく、良好な結果を得ることができた。紫外線耐性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム1を、メタルハライドランプで1500mW/cm2の紫外線を96時間照射した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化はなく、良好な結果を得ることができた。ガスバリア性の評価水蒸気透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム1及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7129Bで規定の方法に準拠して水蒸気透過率を測定した結果、いずれの試料も0.01g/m2/day以下であった。酸素透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム1及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7126Bで規定の方法に準拠して酸素透過率を測定した結果、いずれの試料も0.01ml/m2/day以下であった。実施例2《透明ガスバリア性フィルム2の作製》実施例1に記載の基材上に、実施例1で用いたのと同様の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、図2に記載の密度プロファイル構成層内の密度が傾斜分布を有するパターンで、低密度層、中密度層、高密度層、中密度層のユニットを3ユニット積層した透明ガスバリア性フィルム2を作製した。なお、密度傾斜パターンの形成は、第1電極ロール回転電極に対し、第2電極角筒型固定電極群を基準間隙1mmから傾斜させ、一対の第2電極角筒型固定電極群間での間隙を変化させて行った。24本の角筒型固定電極中、上流側より4本を下記第1層低密度層1の製膜用に、次の2本を下記第2層中密度層1の製膜用に、次の2本を下記第3層中密度層2の製膜用に、次の2本を下記第4層中密度層3の製膜用に、次の2本を第5層高密度層1の製膜用に、次の2本を第6層高密度層2の製膜用に使用し、次の2本を下記第7層中密度層4の製膜用に、次の2本を下記第8層中密度層5の製膜用に、次の2本を下記第9層中密度層6の製膜用に、残りの4本を第10層低密度層2の製膜用にして、各条件を設定して1パスで第1層~第10層を積層した。この条件を更に2回繰り返して、透明ガスバリア性フィルム2を作製した。第1層:低密度層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの低密度層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.8体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.2体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件:第1電極側の電源のみを使用した第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2電極傾斜角-2度上記形成した第1層低密度層1の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、1.90~1.99まで傾斜構造で変化していた。第2層:中密度層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約30nmの中密度層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.85体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.15体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件:第1電極側の電源のみを使用した第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2電極傾斜角-2度上記形成した第2層中密度層1の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、1.99~2.05まで傾斜構造で変化していた。第3層:中密度層2下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約30nmの中密度層2を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.85体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.15体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度5W/cm2電極傾斜角-2度上記形成した第3層中密度層2の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.05~2.10まで傾斜構造で変化していた。第4層:中密度層3下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約30nmの中密度層3を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度5W/cm2電極傾斜角-2度上記形成した第4層中密度層3の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.10~2.16まで傾斜構造で変化していた。第5層:高密度層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約45nmの高密度層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.85体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.15体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度10W/cm2電極傾斜角-2度上記形成した第5層高密度層1の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.16~2.20まで傾斜構造で変化していた。第6層:高密度層2下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約45nmの高密度層2を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.85体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.15体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度10W/cm2電極傾斜角2度上記形成した第6層高密度層2の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.20~2.16まで傾斜構造で変化していた。第7層:中密度層4下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約30nmの中密度層4を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度5W/cm2電極傾斜角2度上記形成した第7層中密度層4の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.16~2.10まで傾斜構造で変化していた。第8層:中密度層5下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約30nmの中密度層5を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.85体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.15体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度5W/cm2電極傾斜角2度上記形成した第8層中密度層5の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.10~2.05まで傾斜構造で変化していた。第9層:中密度層6下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約30nmの中密度層6を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.85体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.15体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件:第1電極側の電源のみを使用した第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2電極傾斜角2度上記形成した第9層中密度層6の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.05~1.99まで傾斜構造で変化していた。第10層:低密度層2下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約90nmの低密度層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.0体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化1.0体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件:第1電極側の電源のみを使用した第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2電極傾斜角2度上記形成した第10層低密度層2の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、1.99~1.90まで傾斜構造で変化していた。第11~第30層の形成上記第1層~第10層1ユニットの形成と同条件で、これを2回繰り返して、傾斜密度構造を有する透明ガスバリア性フィルム2を作製した。《透明ガスバリア性フィルムの評価》密度分布の測定マックサイエンス社製MXP21を用い、X線反射率法で測定した密度プロファイルの結果を、図8のaに示す。炭素含有量の測定XPS表面分析装置として、VGサイエンティフィックス社製のESCALAB-200Rを用いて測定した炭素含有量プロファイルの結果を、図8のbに示す。安定性の評価密着性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム2を、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、極めて良好な結果を得ることができた。保存性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム2を、98°Cの熱湯に48時間浸漬した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化はなく、極めて良好な結果を得ることができた。紫外線耐性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム2を、メタルハライドランプで1500mW/cm2の紫外線を96時間照射した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化はなく、良好な結果を得ることができた。ガスバリア性の評価水蒸気透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム2及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7129Bで規定の方法に準拠して水蒸気透過率を測定した結果、いずれの試料も0.01g/m2/day以下という極めて良好な結果を得ることができた。酸素透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム2及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7126Bで規定の方法に準拠して酸素透過率を測定した結果、いずれの試料も0.01ml/m2/day以下という極めて良好な結果を得ることができた。比較例1《透明ガスバリア性フィルム3の作製》実施例1に記載の基材上に、実施例1で用いたのと同様の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、全電極部での製膜条件を同一にして、均一密度組成からなる45nmのガスバリア層を1パスで6層を積層した透明ガスバリア性フィルム3を作製した。ガスバリア層下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ270nmのガスバリア層を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度10W/cm2上記形成したガスバリア層の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.18の均一組成であった。《透明ガスバリア性フィルムの評価》安定性の評価密着性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム3を、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、クラックが全面にわたり発生し、密着性は全く不良であった。保存性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム3を、98°Cの熱湯に48時間浸漬した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性が更に劣化し、極めて劣悪な品質であった。紫外線耐性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム3を、メタルハライドランプで1500mW/cm2の紫外線を96時間照射した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性が更に劣化し、極めて劣悪な品質であった。ガスバリア性の評価水蒸気透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム2及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7129Bで規定の方法に準拠して水蒸気透過率を測定した結果、ガスバリア層のない基材単独での水蒸気透過率が6.0g/m2/dayであるのに対し、いずれの試料も約5.0g/m2/dayという水蒸気遮断性に乏しい結果であった。酸素透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム2及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7126Bで規定の方法に準拠して酸素透過率を測定した結果、ガスバリア層のない基材単独での酸素透過率が約20ml/m2/dayであるのに対し、いずれの試料も約15ml/m2/dayという酸素遮断性に乏しい結果であった。比較例2《透明ガスバリア性フィルム4の作製》実施例1に記載の基材上に、実施例1で用いたのと同様の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、同一の密度組成からなる約1μmのガスバリア層を4層積層した透明ガスバリア性フィルム4を作製した。第1層:ガスバリア層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ約1μmのガスバリア層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.8体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.2体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2上記形成した第1層ガスバリア層1の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、1.90の均一組成であった。第2層~第4層の形成上記第1層ガスバリア層1と同一条件で、更に第2層~第4層を積層し、膜厚が約4μmの透明ガスバリア性フィルム4を作製した。この透明ガスバリア性フィルム4の密度は、全層において1.9であった。《透明ガスバリア性フィルムの評価》安定性の評価密着性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム4を、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、実用上許容範囲内の結果を得ることができた。保存性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム4を、98°Cの熱湯に48時間浸漬した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化はなく、実用上許容範囲内の結果を得ることができた。紫外線耐性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム4を、メタルハライドランプで1500mW/cm2の紫外線を96時間照射した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化はなく、実用上許容範囲内の結果を得ることができた。ガスバリア性の評価水蒸気透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム4及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7129Bで規定の方法に準拠して水蒸気透過率を測定した結果、ガスバリア性が全くなく、いずれの試料も約6.0g/m2/dayという極めて水蒸気遮断性に乏しい結果であった。酸素透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム4及び上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料について、JISK7126Bで規定の方法に準拠して酸素透過率を測定した結果、ガスバリア性が全くなく、いずれの試料も約20ml/m2/dayという極めて酸素遮断性に乏しい結果であった。比較例3《透明ガスバリア性フィルム5の作製》実施例1に記載の基材上に、実施例1で用いたのと同様の大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、下記の組成からなるポリマー層応力緩和層とガスバリア層を交互に2層ずつ積層した透明ガスバリア性フィルム5を作製した。第1層:ポリマー層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ100nmのポリマー層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス99.5体積薄膜形成性ガス:ポリマー1リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.5体積ポリマー1:トリプロピレングリコールジアクリレート東亞合成化学社製アロニックスM-220電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度20W/cm2第2層:ガスバリア層1下記の条件で、プラズマ放電を行って、厚さ100nmのガスバリア層1を形成した。ガス条件放電ガス:窒素ガス94.9体積薄膜形成性ガス:ヘキサメチルジシロキサン以下、HMDSOと略記リンテック社製気化器にて窒素ガスに混合して気化0.1体積添加ガス:酸素ガス5.0体積電源条件第1電極側電源種類応用電機社製高周波電源周波数80kHz出力密度10W/cm2第2電極側電源種類パール工業社製高周波電源周波数13.56MHz出力密度10W/cm2上記形成した第2層ガスバリア層1の密度は、前述のマックサイエンス社製MXP21を用いたX線反射率法で測定した結果、2.18の均一組成であった。第3層、第4層の形成上記第1層ポリマー層1、第2層ガスバリア層1と同一条件で、更に第3層ポリマー層2、第4層ガスバリア層2を積層し、厚さ400nmの透明ガスバリア性フィルム5を作製した。《透明ガスバリア性フィルムの評価》安定性の評価密着性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム5を、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、良好な結果を得ることができた。保存性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム5を、98°Cの熱湯に48時間浸漬した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化が確認された。紫外線耐性の評価上記作製した透明ガスバリア性フィルム5を、メタルハライドランプで1500mW/cm2の紫外線を96時間照射した後、JISK5400に準拠した碁盤目試験により、密着性の評価を行った結果、密着性の劣化が確認された。ガスバリア性の評価水蒸気透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム5について、JISK7129Bで規定の方法に準拠して水蒸気透過率を測定した結果、0.01g/m2/day以下という良好な結果であったが、上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料では水蒸気遮断性が劣化し、いずれも2.0~3.5g/m2/dayであった。酸素透過率の測定未処理の透明ガスバリア性フィルム5について、JISK7126Bで規定の方法に準拠して酸素透過率を測定した結果、0.01ml/m2/day以下という良好な結果であったが、上記保存性及び紫外線耐性で作製した各試料では酸素遮断性が劣化し、いずれも8.0~15ml/m2/dayであった。"