透光性絶縁基板の上に、透明電極、光電変換層および裏面電極が順に積層された複数のセルが配列された薄膜太陽電池モジュールであって、隣接するセル間に、前記透明電極をセル間で分離する透明電極分離溝と、前記裏面電極をセル間で分離する裏面電極分離溝と、前記透明電極分離溝と前記裏面電極分離溝との間に一方のセルの前記裏面電極と他方のセルの前記透明電極とを電気的に接続するセル接続開口部と、を備え、前記セル接続開口部から前記透明電極分離溝までの間および前記セル接続開口部から前記裏面電極分離溝までの間に前記光電変換層が除去された光電変換層分離溝を有し、前記光電変換層分離溝の内部に絶縁性の白色反射材が形成されている薄膜太陽電池モジュール。請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュールであって、隣接するセル間に前記光電変換層を分離する分離溝が1本のみであって、前記分離溝内に前記白色反射材が形成され、前記白色反射材内に隣接するセル間を電気的に接続する開口部と前記裏面電極分離溝が形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュールであって、前記白色反射材は白色顔料を含有し、前記透光性絶縁基板側の前記白色顔料の濃度が前記裏面電極側の前記白色顔料の濃度に比べて低いことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュールであって、前記セル接続開口部から前記透明電極分離溝までの間の前記光電変換層が除去された光電変換層分離溝が、前記透明電極とともに前記光電変換層を分離する分離溝であって、該分離溝内に形成される前記白色反射材は白色顔料を有して、前記透光性絶縁基板側の前記白色顔料の濃度が前記裏面電極側の前記白色顔料の濃度に比べて低く、前記透光性絶縁基板のすぐ上に前記透明電極の厚みより厚い部分が光透過性であることを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。透明電極、光電変換層および裏面電極が順に積層された複数のセルが配列された薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、透光性絶縁基板の上に透明電極を形成する工程Aと、前記透明電極をセル間で分離する透明電極分離溝を形成する工程Bと、前記透明電極の上に光電変換層を形成する工程Cと、前記光電変換層が除去されて底部が前記透明電極に達するセル接続開口部を形成する工程Dと、前記光電変換層の上に裏面電極を形成する工程Eと、前記セル接続開口部内部で一方のセルの前記裏面電極と他方のセルの前記透明電極とを電気的に接続する工程Fと、前記裏面電極をセル間で分離する裏面電極分離溝を形成する工程Gと、を有し、前記セル接続開口部から前記透明電極分離溝までの間に前記光電変換層が除去された第1の光電変換層分離溝を形成する工程Hと、前記工程Hで形成された前記第1の光電変換層分離溝に白色顔料を含有する塗料を塗布して白色反射材を形成する工程Iと、前記セル接続開口部から前記裏面電極分離溝までの間に前記光電変換層が除去された第2の光電変換層分離溝を形成する工程Jと前記工程Jで形成された前記第2の光電変換層分離溝に白色顔料を含有する塗料を塗布して白色反射材を形成する工程Kと、を有する薄膜太陽電池モジュールの製造方法。請求項5に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、前記工程A、前記工程B、および前記工程Cの後に前記第1の前記光電変換層分離溝と前記第2の前記光電変換層分離溝とを兼ねる1本の前記光電変換層分離溝をセル間に形成することにより前記工程Hと前記工程Jとが同時に行われ、前記セル間の1本の前記光電変換層分離溝に前記白色反射材を形成して前記工程Iと前記工程Kとが同時に行われ、前記工程Iと前記工程Kとの後に、前記白色反射材の一部を除去することにより前記セル接続開口部を形成する前記工程Dが行われ、前記工程D後に前記工程Eと前記工程Fとが行われ、前記工程Gは前記白色反射材の一部とともに該白色反射材の上の前記裏面電極を除去する工程であることを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。請求項6に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、前記工程Iと前記工程Kとで形成される前記白色反射材はポリイミド樹脂を含有し、前記工程Dまたは前記工程Gにおける前記白色反射材の除去は波長400~450nmのレーザ光を照射して除去する方法によることを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。請求項5に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、前記工程Bと前記工程Hとが同時に行われて、前記透明電極分離溝と前記第1の光電変換層分離溝を兼ねた溝が形成され、該溝に前記工程Iにおいて白色顔料の含有濃度が異なる白色塗料を積層することにより、前記白色反射材の前記透光性絶縁基板側の前記白色顔料の濃度が前記裏面電極側の前記白色顔料の濃度に比べて低くしたことを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。特許文献1のような薄膜太陽電池モジュールの構造ではセル間のセル接続部分に光発電に寄与しない非発電領域が存在する。光電変換層と裏面電極とを取り除き、単位セルに分離する分離溝も非発電領域である。分離溝では透光性基板より入射した光が光電変換層へ入らずに裏面側へと通過したり、光電変換層に一度入射して吸収されなかった光が分離溝に出射した後に裏面側へと通過したりする。特許文献2では光電変換層と裏面電極とを除いた部分に反射材料を形成しているが、その部分は発電領域の光電変換層の一方の側面のみであり、光電変換層の他方の側面は裏面電極で覆われていた。発電領域の光電変換層と裏面電極とが近接するとリーク電流が増加するので他方の側面が発電領域から十分に距離を隔てて形成されていた。このため、他方の側面から裏面側に透過する光を発電領域に戻すことが難しく、光の利用効率が低かった。そこで、本発明は、薄膜太陽電池の光の利用効率を向上するとともに、その製造が容易となる薄膜太陽電池モジュールを実現することを目的とする。本発明の薄膜太陽電池モジュールは、透光性絶縁基板の上に、透明電極、光電変換層および裏面電極が順に積層された複数のセルが配列された薄膜太陽電池モジュールであって、隣接するセル間に、前記透明電極をセル間で分離する透明電極分離溝と、前記裏面電極をセル間で分離する裏面電極分離溝と、前記透明電極分離溝と前記裏面電極分離溝との間に一方のセルの前記裏面電極と他方のセルの前記透明電極とを電気的に接続するセル接続開口部と、を備え、前記セル接続開口部から前記透明電極分離溝までの間および前記セル接続開口部から前記裏面電極分離溝までの間に前記光電変換層が除去された光電変換層分離溝を有し、前記光電変換層分離溝の内部に絶縁性の白色反射材が形成されている薄膜太陽電池モジュールとした。また、本発明の薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、透明電極、光電変換層および裏面電極が順に積層された複数のセルが配列された薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、透光性絶縁基板の上に透明電極を形成する工程Aと、前記透明電極をセル間で分離する透明電極分離溝を形成する工程Bと、前記透明電極の上に光電変換層を形成する工程Cと、前記光電変換層が除去されて底部が前記透明電極に達するセル接続開口部を形成する工程Dと、前記光電変換層の上に裏面電極を形成する工程Eと、前記セル接続開口部内部で一方のセルの前記裏面電極と他方のセルの前記透明電極とを電気的に接続する工程Fと、前記裏面電極をセル間で分離する裏面電極分離溝を形成する工程Gと、を有し、前記セル接続開口部から前記透明電極分離溝までの間に前記光電変換層が除去された第1の光電変換層分離溝を形成する工程Hと、前記工程Hで形成された前記第1の光電変換層分離溝に白色顔料を含有する塗料を塗布して白色反射材を形成する工程Iと、前記セル接続開口部から前記裏面電極分離溝までの間に前記光電変換層が除去された第2の光電変換層分離溝を形成する工程Jと前記工程Jで形成された前記第2の光電変換層分離溝に白色顔料を含有する塗料を塗布して白色反射材を形成する工程Kと、を有する薄膜太陽電池モジュールの製造方法とした。本発明の薄膜太陽電池モジュールによれば、隣接するセル間を電気的に接続するセル接続開口部の両側の光電変換層に白色反射材が形成されるので、非発電領域を裏面側に通過する光を効率よく光電変換層に導くことができ、薄膜太陽電池の光の利用効率を向上することができる。また本発明の薄膜太陽電池モジュールの製造方法によれば白色顔料を含有する塗料を塗布して白色反射材を形成するので製造が容易である。以下に、本発明にかかる薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。さらに、実施の形態において同じ構成要素は同じ符号を付し、ある実施の形態において説明した構成要素については、別の実施の形態においてその詳細な説明を略すものとする。<実施の形態1.>図1は本実施の形態1の薄膜太陽電池モジュールの構成例を示す平面図である。また、図2は本実施の形態1の薄膜太陽電池モジュールの部分断面図であり、図1のA-A間の断面の一部である。図1に示すように、実施の形態1のモジュールは、透光性絶縁基板1上に複数の細長い矩形状の単位太陽電池セル10が矩形の短辺方向に配列されている。各単位太陽電池セル10以下、単位太陽電池セルを単にセルと略す。は、主として発電を行う発電領域11と、主としてセル間を電気的に接続する接続領域12とが短辺方向に所定の間隔で交互に並ぶ。セル10のそれぞれは、隣接するセル10との間の接続領域12内で電気的に直列接続される。セル10は、図2に示すように、透光性絶縁基板1の上に透明電極2、光電変換層4および裏面電極6が順に積層された構成を有する。各層と反対側の面である透光性絶縁基板1の表面から入射した光は、透明電極2を経て光電変換層4に入射して光電変換される。光電変換層4で発生した電力は透明電極2と裏面電極6とから取り出される。図2の光電変換層4は第1の光電変換層4aと、第1の光電変換層4aと光電変換の波長依存性の異なる第2の光電変換層4bとが積層されたタンデム型の構造である。第1の光電変換層4aと第2の光電変換層4bとの間に透光性でかつ導電性の中間層4mを有する。光電変換層4はタンデム型でなく単層の構造でも、さらに多層の構造であっても良い。接続領域12は隣り合うセル間で共有する部分である。接続領域12において、透明電極2、光電変換層4および裏面電極6は、それぞれにセルの矩形の長辺方向に連続する溝が形成されて隣接するセル間で分離されている。透明電極2にはセル間で分離する透明電極分離溝31が形成され、その上の光電変換層4にはセル接続溝32と裏面電極分離溝33とが形成されている。セル接続溝32は連続する開口部としたが、不連続な開口部としてもよい。裏面電極分離溝33はセル間の裏面電極6とともにセル間の光電変換層4を分離する連続した溝である。なお、セル間で光電変換層4を分離する溝と裏面電極6を分離する溝の位置は互いにずれていても良い。隣接する一方のセルの裏面電極6と他方のセルの透明電極2とはセル接続溝32を介して電気的に直列接続される。セル接続溝32は透明電極分離溝31と裏面電極分離溝33とに挟まれた領域に形成される。本実施の形態1では、セル接続溝32内に裏面電極6が形成されて、セル接続溝32の底部の透明電極2に直接に裏面電極6が接する構造とした。この直列接続は裏面電極6のかわりに別の電気接続材料を介してもかまわない。透明電極分離溝31から裏面電極分離溝33までの接続領域12の間は、主にセル間を接続する機能を有する接続領域12であって、光電変換への寄与が小さい非発電領域である。この非発電領域を減少して光電変換効率を向上するため、これらの溝間は溝の形成されない発電領域11に比べてなるべく狭くする。たとえば透光性絶縁基板1の主面に垂直な方向からみた場合、透明電極分離溝31と裏面電極分離溝33とを近接して平行に配置して、その狭い間にセル接続溝32が位置する構造とする。他方のセル10の透明電極2は光電変換層4の下部から少なくとも接続溝32の底部まで延在する。従ってセル間の光電変換層4を分離する裏面電極分離溝33はその底部が透明電極2に達するように形成されても、透明電極2を完全に分断してしまわないように形成される。基板をその主面から垂直方向からみると、接続領域12はセルを構成する導電層が分離されるとともに、一方のセルの裏面電極6と他方のセルの透明電極2とが互いに発電領域11から延びて、重なりあった部分で電気的に接続された構造となっている。本実施の形態1では、電気的な接続に利用される開口部のセル接続溝32の一方のセル側に光電変換層4が除去された第1の光電変換層分離溝34以下、第1分離溝と略す。と、他方のセル側に光電変換層が除去された第2の光電変換層分離溝以下、第2分離溝と略す。として裏面電極分離溝33がある。つまり、セル接続溝32から透明電極分離溝31までの間に光電変換層4が除去された第1分離溝34があり、セル接続溝32から裏面電極分離溝33までの間に光電変換層が除去された第2分離溝としての裏面電極分離溝33がある。これらの2つの光電変換層分離溝の内部に電気絶縁性の第1の白色反射材16と第2の白色反射材15とが形成されている。第1分離溝34は透明電極分離溝31とセル接続溝32との間にある。この溝は透明電極分離溝31とほぼ平行にセル10の長手方向に沿って形成されている。この溝は、レーザスクライブ法などで光電変換層4を削除した溝であり、そのセル間の光電変換層4を分離するとともにその底部は透明電極2となっている。隣接する一方のセル10の裏面電極6は第1分離溝34の第1の白色反射材16の上をわたってセル接続溝32内で他方のセル10の透明電極2に接続されている。また、第2分離溝である裏面電極分離溝33もレーザスクライブ法などで光電変換層4を削除してセル10の長手方向に沿って形成された溝であり、その底部は透明電極2となっている。図は白色反射材15が裏面電極分離溝33内と裏面電極6の上とを含んでセル10の裏面全体を覆うように形成された場合を示すが、材料の使用量削減のために裏面電極6の上をほとんど覆わずに裏面電極分離溝33内のみ、または溝内とその近傍のみなどのように局所的に形成されていてもよい。第1分離溝34内に形成される第1の白色反射材16と裏面電極分離溝33内に形成される第2の白色反射材15とは同じ材料とするのが好ましいが、反射率等の特性が異なるものを使用しても良い。これらの第1および第2の白色反射材16、15として、白色の絶縁性微粒子と透明な絶縁性樹脂とを混合した物を使用することができる。その場合、白色の絶縁性微粒子は裏面電極分離溝33の深さよりも小さい粒径のものを使用するとよい。白色の絶縁性微粒子の材料としてたとえば白色顔料として知られる、酸化チタンや酸化亜鉛、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム粉末などを使用することができる。特に可視光領域において高い反射率を持った白色を呈する顔料を用いると良い。また、これらの粒径は0.1~2ミクロンであるとよい。これらの範囲から、裏面電極分離溝33の深さよりも小さな適当なものを選択するとさらに良く、裏面電極分離溝33の深さが1~数ミクロンである場合には、平均粒径を0.2~0.5ミクロンとするとよい。このような微小な粒径はレーザ回折/散乱式の粒子径分布測定装置で測定できる。透明な絶縁性樹脂としてアクリル系樹脂、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂、フッ素系樹脂を使用することができる。この樹脂成分は結合剤であり、白色の絶縁性微粒子どうしを固定するとともにこれらを下地に固定する。白色反射材16、15として、各種の白色顔料を主成分に可視光線領域から赤外線領域において高反射率を有する白色塗料を用いることができる。特に太陽光の地表におけるエネルギーが高い400~600nmの波長域で高い反射が得られるように、顔料は白色のみとして、白色以外の着色顔料を含まないことが望ましい。白色塗料として、例えば、酸化チタンなどの白色顔料粒子を10~40質量、透明樹脂を10~30質量、有機溶剤を30~80質量、その他の添加剤をあわせて100質量としたものを用いて白色反射材15を形成することができる。白色塗膜を構成する樹脂100質量部に対して白色顔料粒子が20~200質量部含有するようにしてもよい。白色反射材15が形成される裏面電極分離溝33や、以下で述べる他の白色反射材が形成される溝は幅が10ミクロンなどと小さい場合があるが、そのように狭い場合でも、顔料の質量比率を高めて、10ミクロンの厚みで塗膜とした場合に400~600nmの波長域で反射率が60以上、望ましくは70以上となる材料を反射材に使用するとよい。このような第1および第2の白色反射材16、15は白色の顔料粒子が透明な樹脂中に分散する。樹脂と顔料粒子とは屈折率が異なって、それらの微小な界面がランダムな方向に多数存在して反射面となるのでので、白色反射材に入射した光は乱反射される。つまり第1および第2の白色反射材16、15は光の乱反射材料である。透明電極2は、例えば、ZnO、ITOIndiumTinOxide、SnO2などの透明導電性酸化膜、あるいはZnOにアルミニウムやガリウムなどの金属材料を添加した膜などによって構成される。光電変換層4は、PN接合またはPIN接合を有し、薄膜太陽電池の光の入射側の面図2では下側の面に入射する入射光によって発電を行う薄膜半導体層が1層または複数層積層されて構成される。薄膜半導体層としては、例えば、水素化アモルファスシリコン、微結晶シリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、微結晶シリコンゲルマニウム、アモルファス炭化シリコン、微結晶炭化シリコンなどを用いることができる。また、複数の薄膜半導体層を積層して光電変換層4を構成する場合には、薄膜半導体層間に、ITOやZnOなどの透明導電性膜、あるいは不純物をドーピングして導電性を向上させた酸化シリコンや窒化シリコンなどのシリコン化合物膜を中間層4mとして挿入してもよい。裏面電極6は、半導体層に接する面側から透明導電膜と金属膜の順に積層された構造とすることが望ましい。半導体層と金属膜との間に透明導電膜を挿入することによって、金属膜成分が半導体層中に拡散して太陽電池のセル特性を低下させる現象を抑制することができる。また透明導電膜を挿入することで、太陽電池の効率の効率向上に有効な光閉じ込め効果を増進させる作用を持たせることができる。透明導電膜材料には上述のSnO2、ITO、ZnOなどを用いることができる。金属膜材料には導電率が高く、且つ光反射率の高い材料で構成されるのが望ましい。例えば、銀や金、アルミニウム、クロム、チタン、ニッケルなどの金属膜材料を用いることができる。以上のように、本実施の形態1の薄膜太陽電池モジュールは、セル接続開口部であるセル接続溝32の両側に光電変換層が除去された光電変換層分離溝34および裏面電極分離溝33を有し、これらの内部に絶縁性の第1および第2の白色反射材16、15が形成されている。発電領域11の一方の端で第2の白色反射材15が光電変換層4の側面に接するだけでなく、セル接続溝32よりも発電領域11に近い領域に第1分離溝34が設けられ、その内部で光電変換層4の側面に第1の白色反射材16が接しているので発電領域11に入射した光を有効に利用出来る。また、光電変換層分離溝34と裏面電極分離溝33はいずれも底部が透明電極2であり、第1および第2の白色反射材16、15が底部の透明電極2に形成されている。白色反射材16、15が乱反射材料であるので接続領域12に直接入射した光は、その一部が白色反射材16、15の底部で乱反射されて透光性絶縁基板1の表面に浅い角度で反射される。透光性絶縁基板1の表面で再び反射されて光電変換層4側に入射するので光を有効に利用出来る。さらに白色反射材16、15とも底面の基板からの高さが光電変換層4と同じであり、光電変換層4よりも入射側に突出しないので、発電領域11に斜めから光電変換層4に入射する光を遮ることがない。また、セル接続溝32と光電変換層4とが第1分離溝34と第2分離溝である裏面電極分離溝33とによって両側が電気的に分離されるので横方向リークが防止される。リーク防止のためセル接続溝32を発電領域11から距離を開ける必要がなく、透明電極分離溝31とセル接続溝32とをより接近させることが可能となり、非発電領域である接続領域12の幅を狭くできる。また、光電変換層4の側面が絶縁性の材料で覆われていることにより、この溝に導電性のゴミが入るなどで生じるリーク電流の発生も防止できる。また、本実施の形態1では第2の白色反射材15は光電変換層4の溝だけでなく、裏面電極6の上の全面を覆うようにしたことにより、裏面電極6を機械的や化学的に保護する効果もある。以下では、本実施の形態1の薄膜太陽電池モジュールの製造方法を説明する。図3および図4は本実施の形態1の薄膜太陽電池モジュールの製造方法を説明する部分断面図である。まず図3aのように白板ガラスなどからなる透光性絶縁基板1の上に透明電極分離溝31でセル10ごとに分割された透明電極2を形成する。つまり、透明電極を形成する工程Aとその透明電極をセル間で分離する透明電極分離溝を形成する工程Bとを行う。その方法として透明電極分離溝31の部分に付着しないようにマスクを使用して透明電極2を基板上に堆積する工程Aと工程Bとを同時に行う方法や、透明電極2を透光性絶縁基板1の全面に形成して工程Aを行った後に透明電極2を加工して透明電極分離溝31を形成する工程Bを行う方法などがある。透明電極2はたとえばアルミニウムを添加したZnO膜をスパッタリング法等で形成することができる。また、透明電極分離溝31を形成する透明電極2の加工方法として、レーザスクライブ法やレジストマスクを使用したウェットエッチング法がある。透光性絶縁基板1が矩形の場合に、透明電極分離溝31は透光性絶縁基板1の辺に対して所定の間隔を有して平行に並んで形成されるとよい。次いで、図3bのように透明電極2の上に半導体材料からなる光電変換層4を形成する工程Cを行う。そしてこの光電変換層4の一部を除去して第1分離溝34を形成する工程Hを行う。第1分離溝34はその底に透明電極2が残るように加工される。第1分離溝34は、透明電極分離溝31からわずかにずれた近傍の位置に形成される。その位置は後の工程で形成されるセル接続溝32から透明電極分離溝31までの間の領域内である。工程Cの光電変換層4はCVD法によって堆積される。光電変換層4を多接合型とする場合、たとえば、第1の光電変換層4aとして水素化アモルファスシリコン薄膜の薄膜半導体層、次いで中間層4mとして不純物ドーピングを行った酸化シリコン膜、その上に第2の光電変換層4bとして微結晶シリコン薄膜の薄膜半導体層の各層を堆積する。光電変換層4は単層であっても良いし、多層の接合構造としても良い。半導体材料として化合物半導体など他の材料層としてもよい。工程Hの第1分離溝34はレーザスクライブ法を用いて形成できる。シリコンを主成分とする光電変換層4の場合、光源としてNd:YAGレーザの2次高調波を用いることにより、底部に透明電極2を露出した溝を比較的容易に形成することができる。この溝はセル10の長手方向に延在するように形成されて、この溝により光電変換層4がセル10毎に分離される。次いで、図3cのように第1分離溝34内に白色で電気絶縁性の顔料粒子を含有する白色塗料を塗布して第1の白色反射材16を形成する工程Iを行う。第1の白色反射材16は白色顔料として酸化チタンの微粒子を含有する白色塗料を裏面電極分離溝33に塗布すること形成する。塗料として、たとえば平均粒径が0.2~0.3ミクロンの二酸化チタン粒子を10~40質量、合成樹脂を10~30質量、炭化水素系、エステル系、アルコール系、ケトン系、エーテル系等の揮発性の良好な溶剤を30~80質量の白色インクを使用すると生産性が良い。工程Iの白色塗料の塗布は第1分離溝34内のみ、またはその溝を含む近傍に限定して行われるように局所的に行う。このような白色塗料の溝への局所的な塗布には、ディスペンサ、インクジェット、スクリーン印刷を用いた方法で行うことができる。なお、図では第1の白色反射材16は分離溝34を完全に埋めたように示されているが、分離溝34内の光電変換層4の側面と底面に付着していれば必ずしも溝を完全に埋める必要はない。また、第1の白色反射材16は塗布の際に分離溝34から、その近傍の裏面電極6の上に部分的にはみ出していてもよい。塗布後に熱処理などにより白色塗料に含まれる溶剤などの揮発成分を除去する。次いで、図3dのようにセル接続用の開口部としてその底部が下層の透明電極2に達するように光電変換層4を除去してセル接続溝32を形成する工程Dを行う。セル接続溝32は透明電極分離溝31と後で形成される裏面電極分離溝33とに挟まれる領域に形成され、白色反射材16の近傍であって透明電極分離溝31と反対側に形成される。このセル接続溝32も第1分離溝34と同様にレーザスクライブ法を用いることができる。次いで、図3eのように光電変換層4の上に裏面電極6を形成する工程Eを行う。裏面電極6はセル接続溝32の内面にも被覆されて、その底部の透明電極2と接する。これによりセル接続溝32の内部で隣接する一方のセル10の裏面電極6と他方のセル10の透明電極2とを電気的に接続する工程Fが工程Eとともに行われる。工程Fは必ずしも工程Eと同時に行わなくても良く、例えば導電ペーストなどを用いて別の工程で行っても良い。工程Eで用いる裏面電極6には、半導体層に接する面側から酸化物透明導電膜と金属膜の順に積層された構造の裏面電極6を形成することが望ましい。酸化物透明導電膜の材料には例えばアルミニウムが添加された酸化亜鉛が用いられ薄膜を形成する。成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いることができるが、これに限らず、CVD法や塗布法などの他の方法を用いてもよい。次に、金属膜として光の反射率が高い、例えば銀を用いた金属薄膜を成膜し、裏面電極6を形成する。成膜方法としては、例えばスパッタリング法を用いることができるが、これに限らず、電子ビームタイプ蒸着法や塗布法などの他の方法を用いてもよい。酸化物透明導電膜は、半導体層と金属膜とが直接接することで相互拡散などが生じて劣化することを防止できる。シリコンを主成分とする半導体層と銀を主成分とする金属膜との組み合わせの場合にその効果が顕著である。また、酸化物透明導電膜の厚みを光学干渉膜の厚みとすることで光電変換層4を通過した光を再び光電変換層4側に反射する反射率を高めることができる。次いで、図4fのように裏面電極6をセル間で分離する裏面電極分離溝33を形成する工程Gを行う。この裏面電極分離溝33はセル接続溝32に隣接して透明電極分離溝31と反対側の位置に形成される。この裏面電極分離溝33はセル間の裏面電極6だけでなく透明電極2の上の光電変換層4も分離する。裏面電極分離溝33が第2分離溝も兼ねているので、セル接続溝32から裏面電極分離溝33までの間に前記光電変換層が除去された第2分離溝を形成する工程Jが工程Gとともに行われる。裏面電極分離溝33はセル10の長手方向に延在して透明電極2の表面から透明電極2にまで達する溝となっている。このような溝を形成する方法として、レジストマスクを用いたエッチング法やレーザスクライブ法を使用できる。工程Gと工程Jとを別の工程で行ってもよいが、たとえば透光性絶縁基板1の表面側からレーザを照射するレーザスクライブ法によって、光電変換層4とともに裏面電極6を剥離する方法を用いると工程Gと工程Jとが同時に行えるので加工が容易である。次に、図3eのように工程Jで形成された第2分離溝である裏面電極分離溝33に、第2の白色反射材15を形成する工程Kを行う。第2の白色反射材15は第1の白色反射材16と同様に白色顔料を含有する塗料を塗布して形成する。塗布後に加熱乾燥して溶剤を蒸発させて塗膜とする。塗膜中の樹脂成分に対する白色顔料成分の質量比率がたとえば40以上などとなるような白色顔料成分の割合の高い材料が塗料として好ましい。白色顔料成分の比率を高めるとたとえば1~10ミクロン程度の薄膜であっても反射特性に優れる白色反射材16、15となる。白色顔料として種々の材料を用いることができるが光学的な屈折率が高い材料が好ましい。光学的な乱反射は微細な粒子表面が周囲と屈折率差を有することによって生じるため、塗膜内の透明樹脂に比べて屈折率差の大きい酸化チタンが優れている。なお、酸化チタンのうちアナターゼ型の粒子は反射特性に優れるが、紫外線によって樹脂を分解する作用があるので長期使用にはルチル型の物を使用することが望ましい。このような塗料の塗布はスプレーやローラによってセル10の上の全面に塗布する方法でも、ディスペンサ、インクジェット、スクリーン印刷などで裏面電極分離溝33内に塗料を充填するように局所的に塗布する方法でも良い。セル10を保護する観点ではセル10の上の全面を一様に覆うことが望ましく、使用物質を低減するという観点からは局所的に塗布するとことが望ましい。アクリル系の塗料を塗布後に100~150°Cの温度で焼付処理を行ってもよく、耐久性に優れ、長期的に劣化の少ない塗膜が得られる。塗料の塗布後に100~150°Cで加熱する工程や減圧処理工程等を行うと、溶剤成分を除去する速度が高まり、製造を早めることができる。以上の工程を経て、基本的な薄膜太陽電池モジュールが完成する。図には示さないが、この後さらに、透光性絶縁基板1の上に封止シート等の保護部材を接着剤などで接着する封止工程を経て屋外で長期使用される薄膜太陽電池モジュールとなる。以上のように、本実施の形態1の薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、透光性絶縁基板1の上に、透光性絶縁基板1の上に透明電極2を形成する工程Aと、透明電極2をセル間で分離する透明電極分離溝31を形成する工程Bと、透明電極2の上に光電変換層4を形成する工程Cと、光電変換層4が除去されて底部が透明電極2に達するセル接続開口部セル開口溝32を形成する工程Dと、光電変換層4の上に裏面電極6を形成する工程Eと、セル接続開口部セル開口溝32内部で一方のセル10の裏面電極6と他方のセル10の透明電極2とを電気的に接続する工程Fと、裏面電極2をセル間で分離する裏面電極分離溝33を形成する工程Gとを有している。本実施の形態1ではさらに、セル接続開口部セル開口溝32から透明電極分離溝31までの間に光電変換層4が除去された第1分離溝34を形成する工程Hと、工程Hで形成された前記第1分離溝に白色顔料を含有する塗料を塗布して第1の白色反射材16を形成する工程Iと、セル接続開口部セル開口溝32から裏面電極分離溝33までの間に光電変換層4が除去された第2分離溝裏面電極分離溝33を形成する工程Jと、工程Jで形成された第2分離溝裏面電極分離溝33に白色顔料を含有する塗料を塗布して第2の白色反射材15を形成する工程Kとを有している。このように、セル工程Hと工程Jとによって接続開口部の両側に光電変換層4の分離溝を設ける。これらの分離溝は発電領域11の光電変換層4の両端となり、この両端に工程Iと工程Kとによって第1および第2の白色反射材16、15を設ける。なお、各工程は不都合が生じない範囲で順序を変更したり、複数の工程を1つの工程で行ったり、1つの工程を複数の工程に分けて行ったりしてもかまわない。工程Iと工程Kとは白色の絶縁性粒子を含有する塗料を塗布して光の白色反射材を形成するので、セル接続構造部分の光を背面側に通過する光を高い反射率で光電変換層に導く高効率の薄膜太陽電池を容易に製造することができる。また、光反射率の封止シートや反射成分を有する接着剤に比べて薄い塗膜で高い光反射率を実現できるので使用物質を低減できる。裏面側に封止シート等を接着する際も接着剤に光学的な反射特性や透過特性が不要であり低価格の接着剤を選択できるため、低コスト化にも有利である。<実施の形態2.>図5は本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールの部分断面図であり、実施の形態1の図2に相当する位置の断面図である。本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールは、セル接続溝32の一方と他方との両セルの光電変換層4の側面に白色反射材がある点で実施の形態1と同様であるが、本実施の形態2ではセル接続溝32が白色反射材の内部に形成されている点で異なる。光電変換層4がセル間に1つの分離溝35を有し、その分離溝35内に形成された白色反射材内にセル接続溝32と裏面電極分離溝33とが形成されている。図6は本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールの部分斜視図である。図のX方向矩形の短辺方向には透光性絶縁基板1の上に矩形のセル10が多数配列され、セル10間に光電変換層4の分離溝35がX方向に直交するY方向矩形の長辺方向に延在する。セル間の光電変換層4を分離するために形成される溝はこの1本のみである。分離溝35内には白色反射材17が形成され、この白色反射材17内にセル接続溝32と裏面電極分離溝33とがある。セル接続溝32と裏面電極分離溝33とは光電変換層4の側面から少しずれた位置に形成される。このため、分離溝35内には光電変換層4の一方の側面に接する部分白色反射材17aと、他方の側面に接する部分白色反射材17cとが分かれて存在する。また、セル接続溝32をセル10の長手方向に連続する溝として形成した場合は、部分白色反射材17a、17c間に部分白色反射材17bができる。裏面電極6は金属膜などからなる第1裏面電極6aと裏面電極6は透明導電膜などからなる第2裏面電極6bとからなる。第2裏面電極6bは光電変換層4と第1裏面電極6aとの間に接して挟まれる。図8では部分白色反射材17a、17cはその一部が第2裏面電極6bの上にも形成される場合を示しているが、図5で示したように溝内のみに形成されていても良い。また、裏面電極6を複数層にすることは必須ではなく単層としても良い。このように本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールは、セル接続溝32から透明電極分離溝31側の光電変換層4の一部が除去されて部分白色反射材17aが挿入され、セル接続溝32から裏面電極分離溝33側の光電変換層4の一部が除去されて部分白色反射材17cが挿入されている。つまり、実施の形態1と同様にセル10の長手方向の両側に光電変換層4側面に接する白色反射材17が形成されている。部分白色反射材17aは実施の形態1の第1の白色反射材16に相当し、部分白色反射材17cは第2の白色反射材15に相当する。このため、実施の形態1と同様に光電変換効率を向上し、また、リーク電流を防止する効果がある。また、分離溝35内の白色反射材17にセル接続開口部としてのセル接続溝32とセル分離用の裏面電極分離溝33を形成したので、セル10間の光電変換層4に形成される溝が分離溝35の1本のみとなり、接続領域12の幅を狭くすることに効果がある。次に、本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールの製造方法について説明する。図7および図8は本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールの製造方法を説明する部分断面図である。まず、図7aのように透光性絶縁基板1上に透明電極分離溝31で分割された透明電極2を形成する点は実施の形態1の工程A、工程Bと同様である。次に実施の形態1の工程Cと同様に透明電極2の上に半導体からなる光電変換層4を形成する。さらに、図7bのようにこの光電変換層4の上にスパッタ法などで透明導電膜からなる第2裏面電極6bを形成したのち、光電変換層4と第2裏面電極6bとに底部が透明電極2に達する分離溝35を形成する。分離溝35は実施の形態1の工程Hと同様にレーザスクライブ法で形成することができる。この分離溝35は実施の形態1の工程Dで形成されるセル接続開口部と、工程Hで形成される第1分離溝と、工程Jで形成される第2分離溝とを兼ねた溝である。このような溝をセル間に1本形成することによって、分離溝35の形成によって工程D、工程H、工程Jの光電変換層4の除去が同時に行われる。次に図7cのようにこの分離溝35に白色で絶縁性の顔料粒子を含有する白色塗料を充填して白色反射材17を形成する。この白色反射材17は実施の形態1の工程Iで形成される第1の白色反射材16と工程Kで形成される第2の白色反射材15とを兼ねたものである。白色反射材17の形成によって工程Iと工程Kとの白色反射材の形成が同時に行われる。白色塗料の溝への局所的な塗布には、ディスペンサ、インクジェット、スクリーン印刷を用いた方法で行うことができる。なお、図では白色反射材17は分離溝35を完全に埋めたように示されているが、分離溝34内の光電変換層4の側面と底面に付着していれば必ずしも溝を完全に埋める必要はない。また、白色反射材17は塗布の際に分離溝35から、図6に示したように、その近傍に部分的にはみ出していてもよい。次に図7dのように分離溝35の白色反射材17内にセル接続溝32を形成する工程Dを行う。このセル接続溝32は透明電極分離溝31に近接する側の光電変換層4の側面からわずかに距離をあけて白色反射材17内に形成される。セル接続溝32は透明電極2に達する白色反射材17の溝である。このようなセル接続溝32に白色反射材17を形成する方法として、レジストマスクを用いて加工する方法や、レーザスクライブ法を使用することができる。レーザスクライブ法を使用する場合には、工程Iおよび工程Kで形成する白色反射材17の成分や使用するレーザの波長を適切に選ぶことが望ましい。ポリイミド樹脂を含有する白色反射材17として、透光性絶縁基板1の表面から波長400~450nmのパルスレーザを照射するレーザスクライブで形成すると、溝の加工が容易である。このようなレーザとして、たとえば基本波1342nmのNd:YVO4レーザの3次高調波波長447nmのレーザが適している。ポリイミド樹脂は可視光の波長域で透明であるが、波長が450nm以下のなると急激に吸収が増加するものが多い。そのようなポリイミド系樹脂に450nm以下の高エネルギーのレーザ光を照射すると、樹脂は分解して下地との接着力を失った上にアブレーションを生じて含有する顔料粒子とともに剥離する。このような加工はNd:YAGの3次高調波のような波長が355nmのパルスレーザを照射することでも可能であるが、波長が400nmより短くなると透明電極2内の吸収が増加するため、透明電極2が比較的厚い場合に使用が難しくなる。従って、白色反射材17内に波長400nm以上の波長で吸収が比較的大きい樹脂材料を含有させておいて、その樹脂材料が吸収する波長のレーザで加工を行うとよい。また、可視光領域で透過率が高く、近赤外領域に大きな吸収を有する樹脂を白色反射材17の成分として加え、その吸収波長の近赤外レーザでレーザ加工する方法としても良い。近赤外領域に吸収の大きな樹脂として例えば芳香族系の樹脂を用いるとよい。次いで実施の形態1の工程Eと工程Fと同様に、図8eのようにスパッタ法などを使用してセル接続溝32内面と第2裏面電極6bの上を金属膜からなる第1裏面電極6aで被覆する。さらに図8fのように、白色反射材17内に裏面電極分離溝33を形成して、セル間の第1裏面電極6aを分離する工程Gを行う。裏面電極分離溝33は透明電極分離溝31から遠い側の光電変換層4の側面からわずかに距離をあけて白色反射材17内に形成される。この裏面電極分離溝33は、工程Dの説明で述べたようなレーザスクライブ法を使用して、底部に透明電極2を残しながら、その上の白色反射材17と第1裏面電極6aとをともに除去することで形成できる。以上のようにして本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールが完成するが、さらに裏面電極分離溝33内を白色反射材で埋める処理を行っても良い。以上のように、本実施の形態2の薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、工程A、工程B、工程Cによって透明電極2の上に光電変換層4を形成した後に、セル間に底面が透明電極2を露出するようにその光電変換層4に分離溝35を1本形成する工程Hと工程Jとを同時に行う工程と、この分離溝35の底部と溝内の光電変換層4の側面とに白色の絶縁性物質を含有する白色反射材17を形成して工程Iと工程Kとを同時に行う工程と、この白色反射材17にセル接続溝32を形成する工程Dと、工程Dの後に裏面電極2を形成する工程Eと、セル接続溝32を介して隣接する一方のセルの第1裏面電極6aと他方のセルの透明電極2とを電気的に接続する工程Fと、分離溝35内の白色反射材17の一部とともにその白色反射材17の上の裏面電極6を除去して裏面電極分離溝33を形成してセル間の第1裏面電極6aを分離する工程Gと、を有する。これにより、隣接するセル間に形成される光電変換層4の溝が分離溝35の1本で良いため製造が容易となる。また、セル10の長手方向の両側に白色反射材17を形成する工程が、一回の塗布工程で実現できるため製造が容易となる。また、分離溝35に内に接続開口部であるセル接続溝32と裏面電極分離溝33を形成とを形成する際に、白色反射材17の樹脂が吸収するレーザ光を照射して加工することで、無機材料の加工よりも低エネルギーで分解するのでエネルギー密度の小さなレーザで加工でき、加工速度も高速化できる。また、分離溝35の形成前に光電変換層4の上に透明導電膜からなる第2裏面電極6bを形成しているので、光電変換層4の汚染や劣化を防止できる。<実施の形態3.>図9は本実施の形態3の薄膜太陽電池モジュールの部分断面図であり、実施の形態1の図2や実施の形態2の図5に相当する位置の断面図である。本実施の形態3の薄膜太陽電池モジュールは、実施の形態1に類似するが、透光性絶縁基板1の垂直方向で白色顔料の濃度が異なる白色反射材19を有している点で異なる。さらに本実施の形態3の薄膜太陽電池モジュールは光電変換層4の分離溝の位置が実施の形態1や2と異なり、透明電極2と光電変換層4とを同時に分離する分離溝36となっている。その分離溝36内に第1の白色反射材19が形成されている。実施の形態1の構造の透明電極分離溝31と第1分離溝34とが1つの分離溝36として連通する構造である。この分離溝36に、第1の白色反射材19が透明電極分離溝36内にほぼ平行にセル10の長手方向に沿って形成されている。第1の白色反射材19はセル接続溝32より透明電極分離溝31側にあり、実施の形態1の第1の白色反射材16に相当する。この第1の白色反射材19は、実施の形態1で述べたものと基本的には同様で、白色の絶縁性物質によって構成されているが、受光面側より白色顔料の濃度が順に漸増する複数の層で構成される。つまり、本実施の形態3では、隣接するセル間の透明電極2の分離溝36に光電変換層4の片方の側面に接する第1の白色反射材19が白色の濃度の異なる光散乱層として形成されている。次に、本実施の形態3の薄膜太陽電池モジュールの製造方法について説明する。図10a~eおよび図11f~gは本実施の形態3の薄膜太陽電池モジュールの製造方法を説明する部分断面図である。まず、図10aのように工程Aで透光性絶縁基板1上に透明電極2を形成する。実施の形態1等と違い、透明電極2をセルごとに分割する工程Bをこの時点では行わない。次に実施の形態1等と同様に透明電極2の上に薄膜半導体層からなる光電変換層4を積層する工程Cを行う。さらに、図10bのように、透明電極2と光電変換層4とを同時に、レーザスクライブ法などで削除して分離溝36を形成する。レーザスクライブ法で透明電極2と光電変換層4とを同時に加工するにはYAGレーザの基本波を使用すると良い。分離溝36は透明電極を分離する溝であり、セル10の長手方向に沿って形成されている。分離溝36の底部は透光性基板1である。分離溝36は実施の形態1の第1分離溝34と同様に光電変換層4を分離する溝でもある。つまり、透明電極2をセル間で分離する透明電極分離溝を形成する工程Bと、セル接続溝32から透明電極分離溝までの間に光電変換層が除去された第1分離溝を形成する工程Hとが同時に行われる。次に、図10cのように形成した分離溝36に白色の絶縁性物質を埋め込む工程Iを行う。透光性絶縁基板1側から裏面電極6側になるにつれて順に白色の反射率が高くなるように、用いる白色の絶縁性物質は、顔料濃度が裏面側になるに連れて漸増する複数の層とした。顔料濃度は塗膜に含まれる顔料成分の質量割合であり、塗布する白色塗料中に含まれる顔料成分の割合によって決まる。透光性絶縁基板1側の白色顔料の濃度は裏面電極6側の白色顔料の濃度に比べて低い。図は第1の白色反射材19として、顔料濃度の低い白色反射材19aと顔料濃度の高い白色反射材19bとを2層に形成した場合を示している。濃度の異なる層数は2層より多くしても良く、また、層の境界が明確でない濃度傾斜層としてもよい。顔料濃度の低い白色反射材19aの厚みは図のように透明電極2の厚みよりも厚くすることが望ましい。このような濃度の違いにより受光面側の反射率が低く、裏面側の反射率を高めることができる。白色の絶縁性物質は白色の顔料粒子が透明樹脂に分散された物であるので、光透過率の点では受光面である透光性絶縁基板1側が高く半透過性となり、裏面電極6側では低くなる。たとえば、白色反射材19aの白色塗膜を構成する樹脂100質量部に対して白色顔料粒子が1~20質量部含有するようにして、裏面側の白色反射材19bは白色顔料粒子が21~200質量部含有するようにしてもよい。最も受光側に位置する白色反射材の顔料濃度が最も裏面側に位置する白色反射材の顔料濃度の1/100~1/5以下などとしてもよい。白色塗料の溝への局所的な塗布には、ディスペンサ、インクジェット、スクリーン印刷を用いた方法で行うことができる。濃度の異なる層を複数回塗布して重ねることで、前述のような濃度傾斜を構成することができる。図では白色反射材19は分離溝36を完全に埋めたように示したが、すくなくとも分離溝36の底面と透明電極2の側面と光電変換層4の側面の一部とに付着していれば必ずしも溝を完全に埋める必要はない。また、第1の白色反射材19は塗布の際に分離溝36から、その近傍の透明電極2の上に部分的にはみ出していてもよい。このように第1の白色反射材19を、溝内部のみ、または溝と溝近傍のみに局所的に塗布を行って光電変換層4の上はほとんど覆わないようにする。次いで、その後の工程は実施の形態1と同様に、図10dのようにセル接続溝32を形成する工程Dの後、図10eのように光電変換層4の上の全面とセル接続溝32内を被覆するように金属膜を形成して裏面電極6を形成する工程Eと工程Fとを行う。その後、図11fのように裏面電極6と光電変換層4とをセル間で分離する裏面電極分離溝33を形成する工程Gと工程Jとを行う。そして、最後に図11gのように裏面電極分離溝33内に第2の白色反射材15を形成する工程Kを行う。図は第2の白色反射材15を単一の白色濃度の白色反射材とした場合であるが、第2の白色反射材15についても白色反射材19と同様に白色顔料の含有量を変えて形成してもよい。以上のように本実施の形態3はセル接続溝32の両側近傍に白色の絶縁性物質を含有する第1および第2の白色反射材19、および15が形成されている。つまり、セルの発電領域11の長手方向両側面に光の乱反射面を有しつつ、かつ、透明電極分離溝に相当する分離溝36の透明電極分離溝部分に入射した光をセル内部で散乱光として利用できる。また、第1の白色反射層19は顔料濃度の低い白色反射材19aによって、少なくとも透光性絶縁基板1のすぐ上の透明電極2の厚みより厚い部分が、光透過性とするよい。本実施の形態3では分離溝36の底部が透光性絶縁基板1に達するので第1の白色反射材19が光電変換層4よりも光入射側に突出するが、透明電極2の厚みまで光透過性とすると突出部が斜めから入射した場合も光電変換層4に入射する光を完全に遮らず、光の利用効率が高まる。光透過性として、白色反射材19aの厚みの層を通過する可視光の減衰量が1/2以下となるようにすると好ましい。本実施の形態3では白色反射材19aに光透過性と光散乱性とを合わせ持つように、少量の白色顔料を含有するようにしたが、光透過性がより重要である場合には白色顔料を含有せず完全に透明な層としても良い。白色反射材19aの厚みを透明電極2とほぼ同一として、白色反射材19aの代わりに白色顔料をほとんど有さない透明な樹脂層としてもよい。その場合、たとえば白色反射材19bに含まれるものと同じ樹脂材料を用いると良い。また、セル接続溝32の両側だけでなく、透明電極の間の溝内にも絶縁性の層ができるので、発電領域11で発生した電流がセル接続溝32内で光電変換層4の側面に形成される導電物質を介しての横リーク、および隣接する透明電極部分同士の横リークを抑制することによって起きる変換効率の劣化も防止できる。なお、上記は分離溝36に濃度の異なる第1の白色反射材19を設けたが、裏面電極分離溝33の内部の白色反射材15も濃度の異なるようにしても良い。たとえば、白色顔料の濃度が低く、接着力の高い薄い半透明層を形成した後に白色反射材15を形成して白色反射材15の接着力を高めるようにしても良い。実施の形態2についても同様に白色濃度の異なる構造としても良い。以上のいずれかの実施の形態で述べた一部の構成を、技術的な矛盾が生じなければ他の実施の形態に置き換えたり組み合わせたりしても良い。また、一部の構成要素が抜けていても、効果が得られることがある。本発明はセル間を後方に通過する光を再利用して高効率化を行うために、白色の絶縁性物質を含有する光の白色反射材を設けたが、たとえば実施の形態2のような薄膜太陽電池モジュールの構造や製法において、白色反射材のかわりに顔料を有さない透明または不透明な樹脂層を設けてもよい。その場合も製造が容易であってかつ接続領域12の狭く、リークを抑制した高効率の薄膜太陽電池モジュールとなる。