半導体層の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面に開口を有するレジストを形成する工程と、前記レジストと架橋反応するパターンシュリンク剤を前記レジストに付着させ、前記レジストの内周に硬化層を形成する工程と、前記レジスト及び前記硬化層をマスクとして前記絶縁膜をエッチングする工程と、前記硬化層を除去する工程と、前記半導体層、前記絶縁膜、及び前記レジストの表面に金属層を形成する工程と、リフトオフ法により前記レジスト及び前記レジストの表面の前記金属層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記レジストは感光により酸へ変化する材料で形成され、前記硬化層を形成する工程の前に前記レジストを感光させ、前記架橋反応は前記酸を触媒とし前記パターンシュリンク剤を加熱処理することによって起こり、前記硬化層の除去は強アルカリ薬液で行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記絶縁膜は異なる2種以上の膜が積層したものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記絶縁膜は選択エッチング可能な2種以上の膜が積層したものであり、前記金属層を形成する工程の前に、前記2種以上の膜の内の少なくとも1つの膜を他の膜よりも開口幅が広くなるように選択エッチングする工程と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。フィールドプレート形成のためには、絶縁膜に開口を形成して、当該開口及び絶縁膜の表面に金属層を形成する。絶縁膜上の金属層であるフィールドプレートは開口中心に対して所定の位置に形成されることが望ましい。ところが、金属膜用露光処理のばらつきによって、開口中心に対するフィールドプレート構造の位置がばらつくことがあった。そのため、半導体装置の特性がばらつくことがあった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、フィールドプレート構造を絶縁膜の開口中心に対してばらつきなく形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体層の表面に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の表面に開口を有するレジストを形成する工程と、該レジストと架橋反応するパターンシュリンク剤を該レジストに付着させ、該レジストの内周に硬化層を形成する工程と、該レジスト及び該硬化層をマスクとして該絶縁膜をエッチングする工程と、該硬化層を除去する工程と、該半導体層、該絶縁膜、及び該レジストの表面に金属層を形成する工程と、リフトオフ法により該レジスト及び該レジストの表面の該金属層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、金属膜用露光処理を行うことなくフィールドプレート構造を絶縁膜の開口中心に対してばらつきなく形成できる。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法は図1に沿って説明する。まず、半導体層の表面に絶縁膜を形成するステップ10。ステップ10は図2を参照して説明する。図2は半導体層32の表面に絶縁膜34を形成したことを示す図である。半導体層32は基板30の表面に形成する。基板30はSiCで形成し、半導体層32はGaN/AlGaNで形成する。そして、半導体層32の表面にSiNで絶縁膜34を形成する。次いで、絶縁膜34の表面にレジストを形成するステップ12。ステップ12は図3を参照して説明する。図3は絶縁膜34の表面にレジスト36を形成したことを示す図である。レジスト36は感光により酸性へと変化する材料を含んでいる。次いで、レジスト36に開口を形成するステップ14。ステップ14は図4を参照して説明する。図4はレジストに開口を形成したことを示す図である。ステップ14では、レジストのうち本工程後に開口すべき部分に露光し、現像処理を施して開口を有するレジスト36a以後レジスト36aというを形成する。レジストの感光部分は現像処理によって除去されるが、レジスト36aの内周部には有限の酸成分が残存している。次いで、RELACSResolutionEnhancedLithographyAsistedbyChemicalShrink処理により硬化層を形成するステップ16。ステップ16は図5を参照して説明する。図5はRELACS処理により硬化層38a及び38bを形成したことを示す図である。硬化層38a及び38bは、レジスト36aの酸成分を触媒として架橋反応するパターンシュリンク剤をレジスト36aに付着させることにより形成する。架橋反応は加熱処理により生じる。レジスト36aの内周に硬化層38a及び38bが形成されたことにより、開口幅絶縁膜34が露出する幅は、レジスト36aの開口幅よりも硬化層38a及び38bの分だけシュリンクする。次いで、絶縁膜34をエッチングするステップ18。ステップ18は図6を参照して説明する。図6は絶縁膜をエッチングしたことを示す図である。絶縁膜は、レジスト36a、並びに硬化層38a及び38bをマスクとしてエッチングする。このエッチングはフッ素ラジカルによるドライエッチング、フッ酸系ウェットエッチング、もしくは両者を併用したエッチングで行う。このエッチングにより開口を有する絶縁膜34aを形成する。次いで、硬化層を除去するステップ20。ステップ20は図7を参照して説明する。図7は硬化層を除去したことを示す図である。硬化層は強アルカリ薬液により除去する。硬化層を除去したことにより硬化層の下に位置していた開口を有する絶縁膜34aの一部が表面に露出するようになる。次いで、金属層を形成するステップ22。ステップ22は図8を参照して説明する。図8は金属層40を形成したことを示す図である。金属層40は半導体層32、開口を有する絶縁膜34a、及びレジスト36aの表面に形成する。次いで、リフトオフ法によりフィールドプレート構造を備えるゲート電極を形成するステップ24。ステップ24は図9を参照して説明する。図9はリフトオフ法によりフィールドプレート構造を備えるゲート電極40aを形成したことを示す図である。レジスト36a及びその表面の金属層をリフトオフ法で除去し、半導体層32と開口を有する絶縁膜34aの表面に金属層を残す。残った金属層がフィールドプレート構造を備えるゲート電極40aとなる。なお、フィールドプレート構造は開口を有する絶縁膜34aの表面に残った金属層である。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法は上述の工程を備える。本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法によれば、硬化層38a及び38bを形成して開口幅をシュリンクさせた状態で絶縁膜をエッチングし、硬化層38a及び38bを除去して開口幅を広げた状態でフィールドプレート構造を備えるゲート電極40aを形成する。従って金属膜用露光処理の必要が無くなり、フィールドプレート構造を絶縁膜の開口中心に対してばらつきなく形成できる。また、金属膜用露光処理を要しないので工程を簡素化できる。図10は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法の変形例を示す図である。この図に示すように、絶縁膜を、開口を有する絶縁膜34a、及びSiOxで形成された絶縁膜33の積層構造としてもよい。このように2種以上の膜を積層させて絶縁膜を形成してもよい。実施の形態2.図11は本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。このフローチャートのうち、図1と同じ符号が付けられた工程は上述の通りであるため説明を省略する。まず半導体層の表面に第1絶縁膜及び第2絶縁膜を形成するステップ10a。ステップ10aは図12を参照して説明する。図12は半導体層32の表面に第1絶縁膜50を形成し、第1絶縁膜50の表面に第2絶縁膜52を形成したことを示す図である。第1絶縁膜50はSiNで形成され、第2絶縁膜52はSiOxで形成する。続いて、ステップ12、14及び16を終えると、レジスト54と硬化層56a及び56bをマスクとして第1絶縁膜50及び第2絶縁膜52をエッチングするステップ18a。ステップ18aは図13を参照して説明する。図13はエッチングにより開口を有する第1絶縁膜50a以後第1絶縁膜50aというと開口を有する第2絶縁膜52a以後第2絶縁膜52aというを形成したことを示す図である。次いで、第2絶縁膜52aを選択エッチングするステップ19。ステップ19は図14を参照して説明する。図14は第2絶縁膜52aを選択エッチングしたことを示す図である。第2絶縁膜52aは、フッ素ラジカルによるドライエッチング、フッ酸系ウェットエッチング、もしくは両者を併用してエッチングする。このエッチングにより第2絶縁膜52bの開口幅は、第1絶縁膜50aの開口幅よりも広くなる。なお、第2絶縁膜52bの開口幅はレジスト54の開口幅よりは狭くする。続いてステップ20、22、及び24を処理して多段形状のフィールドプレート構造を備えるゲート電極を形成する。図15は、多段形状のフィールドプレート構造を備えるゲート電極60を示す図である。フィールドプレート構造は第1絶縁膜50aに乗る部分と第2絶縁膜52bに乗る部分を有することにより多段形状となっている。このようにフィールドプレート構造を多段形状とすると、半導体装置の耐圧を高めることができる。このように、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法によれば、第2絶縁膜52を第1絶縁膜50に対し選択エッチング可能な材料にする事により、多段形状のフィールドプレート構造を備えるゲート電極60を形成することができる。また、第2絶縁膜52aを選択エッチングするときに第1絶縁膜50aはエッチングしないので、ゲート開口部のサイドエッチを抑えることができる。本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法は、複数種の膜を絶縁膜として用いてフィールドプレート構造を多段形状とすることを特徴とする。従って、絶縁膜の種類は選択エッチングできれば2種以上であってもよい。また、硬化層を除去してから選択エッチングを行ってもよいし、選択エッチングを複数回行って絶縁膜の開口幅を調整してもよい。