光導波路を備える光回路基板と、導体層を含み前記光回路基板に積層された電気配線基板と、を備える光電気複合基板であって、前記電気配線基板が、前記光回路基板よりも延出して形成された延出部を備えるとともに、前記延出部に導通部が設けられていることを特徴とする光電気複合基板。前記導通部が、前記導体層と前記電気配線基板の光回路基板側の面とを電気接続する請求項1に記載の光電気複合基板。前記延出部が、前記光導波路の延在方向に対する少なくとも側方に形成されている請求項1または2に記載の光電気複合基板。前記延出部が、前記光回路基板の全周に形成されている請求項3に記載の光電気複合基板。前記光導波路に光路変換ミラーが設けられており、前記電気配線基板は前記光路変換ミラーを含む局所領域について前記導体層が除去されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の光電気複合基板。前記電気配線基板の表面のうち前記延出部を除く前記光回路基板の上部に、前記光路変換ミラーの位置を示す表示部が形成されている請求項5に記載の光電気複合基板。前記電気配線基板がフレキシブル配線基板である請求項1から6のいずれか一項に記載の光電気複合基板。前記導体層はパターニングされてパッド部が形成されているとともに、前記パッド部と前記電気配線基板の光回路基板側の面とを電気接続するスルーホールが前記導通部として設けられている請求項1から7のいずれか一項に記載の光電気複合基板。前記導体層と電気接続された異方性導電フィルムが、前記電気配線基板の光回路基板側の面のうち少なくとも前記延出部に被着されている請求項1から8のいずれか一項に記載の光電気複合基板。光導波路を備える光回路基板と、パッド部がパターニングされた導体層を含み前記光回路基板に積層された電気配線基板と、を備える光電気複合基板と、光素子または電気素子が搭載される電気回路基板と、有し、前記電気配線基板は、前記光回路基板よりも延出して形成された延出部を備え、前記延出部に前記導体層と前記電気回路基板とを接続する導通部が設けられ、前記光電気複合基板が前記電気回路基板の表面に局所的に装着されて前記光電気複合基板と前記電気回路基板とが電気的に接続されているとともに、前記パッド部が前記光素子または前記電気素子の搭載領域の少なくとも一部を構成していることを特徴とする回路基板装置。前記電気配線基板がフレキシブル配線基板であり、前記延出部が前記光回路基板の延在方向の側縁を覆うように折り曲げられて前記電気回路基板と接続されている請求項10に記載の回路基板装置。前記搭載領域が、前記パッド部と前記電気回路基板とに亘って構成されている請求項10または11に記載の回路基板装置。光導波路を備える光回路基板と、パッド部がパターニングされた導体層を含み前記光回路基板に積層された電気配線基板と、を備える光電気複合基板と、光素子または電気素子が搭載された電気回路基板と、を有し、前記電気配線基板は、前記光回路基板よりも延出して形成された延出部を備え、前記延出部に前記導体層と前記電気回路基板とを接続する導通部が設けられ、前記光電気複合基板が前記電気回路基板の表面に局所的に装着されて前記光電気複合基板と前記電気回路基板とが電気的に接続されているとともに、前記パッド部に前記光素子または前記電気素子が搭載されていることを特徴とする光電気複合デバイス。前記電気配線基板がフレキシブル配線基板であり、前記延出部が前記光回路基板の延在方向の側縁を覆うように折り曲げられて前記電気回路基板と接続され、前記光素子または前記電気素子が、前記側縁をまたいで搭載されていることを特徴とする請求項13に記載の光電気複合デバイス。しかしながら、特許文献2に例示されるこれまでの光電気複合基板を電気回路基板に表面実装した場合、光導波路を避けて電気素子を実装する必要があるため、電気素子の実装効率が低下するという問題が生じる。本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、電気回路基板の所望位置に光導波路を設置することができるとともに、電気素子の実装効率を高めることのできる光電気複合基板、回路基板装置および光電気複合デバイスを提供する。上記目的は、下記1~14の本発明により達成される。1光導波路を備える光回路基板と、導体層を含み前記光回路基板に積層された電気配線基板と、を備える光電気複合基板であって、前記電気配線基板が、前記光回路基板よりも延出して形成された延出部を備えるとともに、前記延出部に導通部が設けられていることを特徴とする光電気複合基板。2前記導通部が、前記導体層と前記電気配線基板の光回路基板側の面とを電気接続する上記1に記載の光電気複合基板。3前記延出部が、前記光導波路の延在方向に対する少なくとも側方に形成されている上記1または2に記載の光電気複合基板。4前記延出部が、前記光回路基板の全周に形成されている上記3に記載の光電気複合基板。5前記光導波路に光路変換ミラーが設けられており、前記電気配線基板は前記光路変換ミラーを含む局所領域について前記導体層が除去されていることを特徴とする上記1から4のいずれか一項に記載の光電気複合基板。6前記電気配線基板の表面のうち前記延出部を除く前記光回路基板の上部に、前記光路変換ミラーの位置を示す表示部が形成されている上記5に記載の光電気複合基板。7前記電気配線基板がフレキシブル配線基板である上記1から6のいずれか一項に記載の光電気複合基板。8前記導体層はパターニングされてパッド部が形成されているとともに、前記パッド部と前記電気配線基板の光回路基板側の面とを電気接続するスルーホールが前記導通部として設けられている上記1から7のいずれか一項に記載の光電気複合基板。9前記導体層と電気接続された異方性導電フィルムが、前記電気配線基板の光回路基板側の面のうち少なくとも前記延出部に被着されている上記1から8のいずれか一項に記載の光電気複合基板。10光導波路を備える光回路基板と、パッド部がパターニングされた導体層を含み前記光回路基板に積層された電気配線基板と、を備える光電気複合基板と、光素子または電気素子が搭載される電気回路基板と、有し、前記電気配線基板は、前記光回路基板よりも延出して形成された延出部を備え、前記延出部に前記導体層と前記電気回路基板とを接続する導通部が設けられ、前記光電気複合基板が前記電気回路基板の表面に局所的に装着されて前記光電気複合基板と前記電気回路基板とが電気的に接続されているとともに、前記パッド部が前記光素子または前記電気素子の搭載領域の少なくとも一部を構成していることを特徴とする回路基板装置。11前記電気配線基板がフレキシブル配線基板であり、前記延出部が前記光回路基板の延在方向の側縁を覆うように折り曲げられて前記電気回路基板と接続されている上記10に記載の回路基板装置。12前記搭載領域が、前記パッド部と前記電気回路基板とに亘って構成されている上記10または11に記載の回路基板装置。13光導波路を備える光回路基板と、パッド部がパターニングされた導体層を含み前記光回路基板に積層された電気配線基板と、を備える光電気複合基板と、光素子または電気素子が搭載された電気回路基板と、を有し、前記電気配線基板は、前記光回路基板よりも延出して形成された延出部を備え、前記延出部に前記導体層と前記電気回路基板とを接続する導通部が設けられ、前記光電気複合基板が前記電気回路基板の表面に局所的に装着されて前記光電気複合基板と前記電気回路基板とが電気的に接続されているとともに、前記パッド部に前記光素子または前記電気素子が搭載されていることを特徴とする光電気複合デバイス。14前記電気配線基板がフレキシブル配線基板であり、前記延出部が前記光回路基板の延在方向の側縁を覆うように折り曲げられて前記電気回路基板と接続され、前記光素子または前記電気素子が、前記側縁をまたいで搭載されていることを特徴とする上記13に記載の光電気複合デバイス。上記発明によれば、延出部を用いて光電気複合基板を電気回路基板に装着して固定することができるため、電気回路基板の表面の任意位置に光導波路を設置することができる。このとき、光電気複合基板のパッド部に光素子または電気素子を搭載することができるため、光導波路によって電気回路基板に素子搭載領域のデッドスペースが生じることがない。なお、デッドスペースとは、光電気複合基板最表面に電気配線を形成することができない領域で、電気配線がないため素子を搭載しても素子と電気配線の電気的接続ができず、実質素子を搭載できない領域をいう。なお、本発明の各種の構成要素は、個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等を許容する。本発明によれば、電気回路基板の所望位置に光導波路を設置することができるとともに、電気素子の実装効率を高めることができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明はこれらの例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。なお、本実施形態では上下方向を規定して説明するが、これは構成要素の相対関係を説明するために便宜的に規定するものであり、本実施形態にかかる製品の製造時や使用時の方向を限定するものではない。<第一実施形態>図1Aは本発明の第一実施形態にかかる光電気複合基板10の斜視図である。図1Bは図1AのB-B線断面図であり、図1Cは図1AのC-C線断面図である。図2は本実施形態にかかる回路基板装置16の斜視図である。図3は本実施形態にかかる光電気複合デバイス14の斜視図である。はじめに、本実施形態の光電気複合基板10、回路基板装置16および光電気複合デバイス14の概要について説明する。光電気複合基板10は、図1に示すように、光導波路42を備える光回路基板40と、導体層72を含み光回路基板40に積層された電気配線基板70と、を備える。本実施形態の光電気複合基板10は、電気配線基板70が、光回路基板40よりも延出して形成された延出部74を備えるとともに、延出部74には、導体層72と光電気複合基板10の裏面側とを接続する導通部50が設けられている。なお、導通部50は電気配線基板70の延在方向の中間部Mに含まれていることが好ましい。かかる構成によれば、延出部74を用いて光電気複合基板10を電気回路基板30に装着して固定した場合にも、光電気複合基板10の導体層72に光素子110または電気素子120図3では電気素子121~124を搭載することができる。よって、電気回路基板30にこの光電気複合基板10を装着した場合に、電気回路基板30に素子搭載領域34図2のデッドスペースが生じることがなく、実装効率の高い光電気複合デバイス14を実現することができる。光電気複合基板10と電気回路基板30とをあわせて回路基板装置16と総称する。すなわち、本実施形態の回路基板装置16は、図2に示すように、上記の光電気複合基板10と、光素子110または電気素子120が搭載される電気回路基板30と、を含む。本実施形態の回路基板装置16は、光電気複合基板10が電気回路基板30の表面に局所的に装着されて光電気複合基板10の裏面と電気回路基板30とが電気的に接続され、光電気複合基板10の導体層72がパターニングされてなるパッド部76が、光素子110または電気素子120の搭載領域素子搭載領域34の少なくとも一部を構成している。さらに、回路基板装置16に光素子110または電気素子120を搭載したものを光電気複合デバイス14と総称する。すなわち、本実施形態の光電気複合デバイス14は、図3に示すように、上記の光電気複合基板10と、電気回路基板30と、光素子110または電気素子120と、を含む。本実施形態の光電気複合デバイス14は、光電気複合基板10が電気回路基板30の表面に局所的に装着されて光電気複合基板10の裏面と電気回路基板30とが電気的に接続され、光電気複合基板10の導体層72がパターニングされてなるパッド部76に光素子110または電気素子120が搭載されていることを特徴とする。図3に示すように、本実施形態の光電気複合デバイス14においては、光電気複合基板10の表面に電気素子120電気素子121が搭載されている。また、複数の光電気複合基板10にまたがって電気素子120電気素子122が搭載されている。また、複数本の光電気複合基板10同士の交差部の上部にも電気素子120電気素子123が搭載されている。さらに、光電気複合基板10と電気回路基板30とに亘って、電気素子120電気素子124が搭載されている。次に、本実施形態の光電気複合基板10、回路基板装置16および光電気複合デバイス14について詳細に説明する。図1に戻り、電気配線基板70は、導電性の導体層72と、その下面の略全面に被着された透明の粘着層73とを含む。電気配線基板70が導体層72を含むとは、電気配線基板70の表面または内部に導電性の層が、全面に、または部分的にパターニングされて形成されていることを意味する。導体層72は、導電性材料、たとえばCu、Ni、Al、Au、Ptなどの金属材料からなる。導体層72は、シート状の金属材料を粘着層73の上面の全面に被着したものでもよく、または所望の形状にパターン形成されたパッド部76を備えていてもよい。パッド部76は、延出部74の内部に形成されてもよく、または導波路対向部78と延出部74とに亘って形成されていてもよい。さらに、電気配線基板70の幅方向図1Cにおける左右方向の全体に亘って形成されていてもよい。本実施形態の延出部74は、光導波路42の延在方向図1Aにおける左右方向に対する少なくとも側方に形成されている。本実施形態では、光回路基板40を中心として光導波路42の延在方向の両側方に延出部74が延出して形成されている。ただし、本実施形態に代えて、延出部74を光回路基板40に対して種々の方向に延在させてよく、光回路基板の全周に形成してもよい図8Cを参照。延出部74は、光回路基板40よりも幅方向の外側に庇状に突出した部分領域をいう。本実施形態では、延出部74を用いて光回路基板40を電気回路基板30に固定するとともに、延出部74にて電気配線基板70と電気回路基板30とを電気的に接続する。さらに、延出部74にパッド部76を設けて光素子110や電気素子120を実装する。電気配線基板70の下面に接合される光回路基板40は、その一部または全部に光導波路42が形成された基板である。光導波路42は、線状のコア部42aと、コア部42aの周囲を囲む鞘状のクラッド部42bとを有している。説明のため、コア部42aの断面に関してはハッチングを省略している。コア部42aとクラッド部42bとは、互いに光の屈折率が異なる。光回路基板40は、コア部42aの端部または中間部に入射された光を、コア部42aとクラッド部42bとの界面で全反射させながら伝搬する光学部材である。コア部42aを複数本設けて、互いにクラッド部42bで隔離してもよい。光導波路42の厚さは、15~200μmが好ましく、30~100μmがより好ましい。本実施形態において光導波路42、コア部42aおよびクラッド部42bの長さ方向とは図1Bの左右方向をいい、これらの厚み方向は同図の上下方向、幅方向は図1Cの左右方向をいう。本実施形態の光電気複合基板10は帯状をなし、その長手方向と光導波路42の延在方向とは一致している。ただし、本実施形態に代えて、多数のコア部42aを備える光導波路42の場合、光導波路42の長手方向がコア部42aの並び方向となる場合がある図8Eを参照。コア部42aの幅寸法は1~200μmが好ましく、5~100μmがより好ましく、10~60μmがさらに好ましい。コア部42aの厚み寸法は、5~100μmが好ましく、25~80μmがより好ましい。一方、クラッド部42bの厚みは3~50μmが好ましく、5~30μmがより好ましい。コア部42aとクラッド部42bの各構成材料は、屈折率差が生じる材料であれば特に限定されない。具体的には、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、また、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料を選択して用いることができる。光導波路42には、端部または中間部に光路変換部44が設けられている。光路変換部44は、光回路基板40の平面内を進行する光と、光回路基板40に対して交差方向代表的には面直方向に進行する光とが相互に変換される領域である。光路変換部44には、反射面が傾斜した光路変換ミラー46が配置されることが一般的である。光路変換ミラー46は、光導波路42の光路変換部44の内部に形成されて、傾斜した反射面における屈折率がコア部42aと異なる。本実施形態の光路変換ミラー46は、光導波路42にレーザ加工または研削加工等を施すことにより形成することができる。なお、光路変換ミラー46の反射面ミラー面には、必要に応じて反射膜を成膜してもよい。反射膜としては、Au、Ag、Al等の金属膜が用いられる。本実施形態の光電気複合基板10においては、光導波路42に光路変換ミラー46が設けられており、電気配線基板70は光路変換ミラー46を含む局所領域について導体層72が除去されている。これにより、光電気複合基板10の長手方向の両側の端部Eには開口部32が形成されていて、光回路基板40の光路変換ミラー46が光学的に観察可能である。ここで、光電気複合基板10の長手方向とは、図1に示すように直線状同図の左右方向である場合のほか、図2に示すように曲線状でもよい。かかる構成によれば、電気配線基板70をパターニングして光素子110の駆動回路とするとともに、電気配線基板70のうち光路変換ミラー46の上部にあたる位置に光素子110を搭載することが可能である。これにより、光電気複合基板10のうち電気配線基板70の導波路対向部78を光素子110の搭載領域として活用することができる。また、電気配線基板70の上面にあたる導体層72にパッド部76が形成されていることにより、電気配線基板70と電気回路基板30とに亘って光素子110および電気素子120を搭載することができる。光素子110としては、面発光レーザーVCSELなどの発光素子や、フォトダイオードPD、APDなどの受光素子等が例示される。電気素子120としては、光素子110の駆動素子のほか、LSIやICなどの半導体装置、抵抗器、コンデンサ、インダクタなど各種を用いることができる。駆動素子は、一例として、トランスインピーダンスアンプTIAやリミッティングアンプLAなどの増幅器と制御用のドライバICとを組み合わせてなる。電気配線基板70の表面のうち延出部74を除く光回路基板40の上部導波路対向部78には、光路変換ミラー46の位置を示す表示部アライメントマーク80が形成されている。これにより、表示部アライメントマーク80を指標として、導体層72が除去された開口部32から臨む光路変換ミラー46と、電気配線基板70に搭載される光素子110とのアライメント調整をすることができる。電気配線基板70は、ガラスエポキシ基板などの硬質材料を基材とするリジッド基板でもよく、またはポリイミドやポリエステルなどの可撓性フィルムを基材とするフレキシブル基板でもよい。このうち、本実施形態の電気配線基板70は、フレキシブル配線基板である。フレキシブル配線板の具体的な構成と特性は、基板厚みは0.005mm~0.3mmが好ましく、0.01mm~0.3mmはより好ましい。銅箔厚みは0.1μm~50μmが好ましく、0.5μm~30μmはより好ましい。誘電率は1.1~4.5が好ましく、1.5~4.0はより好ましい。誘電正接は0.0001~0.04が好ましく、0.0005~0.03はより好ましい。また電気配線板は導体層が絶縁層の両面に形成された両面板でもよい。その場合、導波路側の導体層は電気回路がパターニングされていてもよい。また回路形成の有無にかかわらず、両面の導体層の導通をとるスルーホールが設けられていてもよい。これにより、電気配線基板70における延出部74を光導波路42の延在方向に沿って、光回路基板40の側縁41を覆うように折り曲げることが可能である。このため、光回路基板40を電気回路基板30の表面に載置した状態で、すなわち光回路基板40が電気回路基板30の表面に突出した状態でも、延出部74を用いて光電気複合基板10を電気回路基板30に装着することができる。本実施形態においては、導波路対向部78に対して幅方向の一方側のみに延出部74を設けてもよく、または図1に示すように両側に延出部74をそれぞれ形成してもよい。また、延出部74は、図示のように電気配線基板70の長手方向の全体に帯状に形成してもよく、または長手方向の複数箇所に間欠的に形成してもよい図8Aを参照。図1Aに示すように、本実施形態の導体層72はパターニングされてパッド部76が形成されているとともに、パッド部76と光電気複合基板10の裏面とを電気接続するスルーホール52が導通部50として設けられている。これにより、電気回路基板30のパターンと光電気複合基板10のスルーホール52とを合わせることでパッド部76が電気回路基板30の配線と接続される。本実施形態では、複数のパッド部76のそれぞれに対してスルーホール52が形成されている。パッド部76に搭載された光素子110または電気素子120は、スルーホール52を通じて電気回路基板30の配線層36図4を参照に接続される。本実施形態において、導体層72と光電気複合基板10の裏面とを接続する導通部50が設けられる中間部Mとは、電気配線基板70の両側の端部Eを除く領域であり、電気配線基板70の長手方向の中央を含む所定の広がりをもつ長さ領域である。図4Aは本実施形態にかかる回路基板装置16の中間部Mに関する横断面図であり、図4Bは光電気複合デバイス14の断面図である。光電気複合基板10の電気配線基板70はフレキシブル配線基板であり、延出部74は光回路基板40の延在方向の側縁41を覆うように折り曲げられて電気回路基板30と接続されている。電気回路基板30は配線層36を含むリジッド基板である。電気回路基板30には、粘着層73が被着される表面から少なくとも配線層36まで至る凹穴37が形成されている。凹穴37とスルーホール52とは互いに連通している。これにより、光素子110や電気素子120を配線層36にスルーホール実装することが可能である。図4Bに示すように、光素子110の複数のハンダ実装部113は、複数のパッド部76に個別に接合されている。光素子110は、受発光部111を通じて光回路基板40のコア部42aとの間で光信号の授受を行う。導体層72は、受発光部111の直下において開口が形成されており、光路変換ミラー46図4には図示せずで反射した光が受発光部111に向かって導体層72を通過する。この開口には樹脂充填部54が充填されている。樹脂充填部54は、たとえば、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂またはノルボルネン系樹脂を用いることができる。樹脂充填部54は光透過性透明性を有する。樹脂充填部54は、コア部42aから受発光部111に至る光路の全体に亘って充填されている。これにより、本実施形態の光電気複合デバイス14においては、光回路基板40の上部に光素子110を搭載することができるため、光電気複合基板10における素子の高い実装効率が実現される。なお本実施形態については種々の変形を許容する。図5は、本実施形態の第一変形例にかかる回路基板装置16の断面図である。本変形例の回路基板装置16は、電気配線基板70の導体層72と電気接続された異方性導電フィルムAnisotropicConductiveFilm90が電気配線基板70の少なくとも延出部74の裏面に被着されていることを特徴とする。すなわち、本実施形態の回路基板装置16は、導通部50として、電気回路基板30の配線層36と電気配線基板70の導体層72とを接合する異方性導電フィルム90を備えている。電気回路基板30の配線層36は、電気回路基板30の表面に露出してパターニングされている。本変形例は、異方性導電フィルム90が延出部74の裏面に被着されていることにより、延出部74を電気回路基板30に圧接することで、電気配線基板70の裏面と電気回路基板30のパターンとが電気接続される。異方性導電フィルムは、導体フィラーが絶縁性樹脂内に分散された薄層であり、加圧された局所領域のみが面直方向に導通する。このため、光回路基板40の側縁41に沿って折り返された延出部74を、配線層36のパターンに押圧することで、導体層72はこのパターンに対して電気的に接続される。本変形例によれば、導通部50としてスルーホール52を形成する必要がなく、より簡便に、かつ高い設計自由度で光電気複合基板10の導体層72を光素子110や電気素子120の素子搭載領域34図2として用いることができる。ただし、本変形例の光電気複合基板10は、異方性導電フィルム90を用いるとともに、電気配線基板70および異方性導電フィルム90を貫通するスルーホール52をさらに形成することを排除するものではない。図6は、本実施形態の第二変形例にかかる光電気複合デバイス14の断面図である。本変形例の光電気複合デバイス14では、光素子110または電気素子120の搭載領域素子搭載領域34が、電気配線基板70のパッド部76と電気回路基板30とに亘って構成されている。すなわち、本実施形態の光電気複合デバイス14は、光電気複合基板10の電気配線基板70がフレキシブル配線基板であり、延出部74が光回路基板40の延在方向の側縁41を覆うように折り曲げられて電気回路基板30と接続され、光素子110または電気素子120が、光回路基板40の側縁41をまたいで搭載されている。これにより、電気回路基板30と光電気複合基板10との区別なく所望の位置に光素子110または電気素子120の搭載領域素子搭載領域34を設定することができ、素子の配置自由度の高い回路基板装置16が実現されているといえる。本変形例では、電気素子120のハンダ実装部113、114が互いに高さが異なる。一方のハンダ実装部113は電気回路基板30の表面に露出した配線層36に実装されており、他方のハンダ実装部114は電気配線基板70の導波路対向部78における導体層72に実装されている。このため、ハンダ実装部114はハンダ実装部113よりも電気回路基板30から高い位置にあるため、ハンダ実装部113と114の径を相違させて電気素子120を電気回路基板30に対して水平に搭載している。<第二実施形態>図7Aは本実施形態にかかる回路基板装置16の断面図であり、図7Bはその変形例にかかる回路基板装置16の断面図である。電気回路基板30の配線層36はそれぞれ図示を省略している。本実施形態の回路基板装置16は、光回路基板40を嵌め込み可能な凹部38が電気回路基板30に形成されていることを特徴とする。これにより、電気配線基板70の延出部74を折り曲げることなく、導波路対向部78と延出部74を電気回路基板30の表面に密着させることができる。凹部38の幅寸法図7の左右方向の寸法は光回路基板40の幅寸法よりも大きく、凹部38の深さ寸法は光回路基板40の厚み寸法と同等またはそれ以上である。図7Aに示す回路基板装置16は、第一実施形態と同様に、導通部50としてスルーホール52を備えている。一方、図7Bに示す回路基板装置16は、導通部50として異方性導電フィルム90を備えている点で第二実施形態と相違する。図7Aまたは図7Bに示すように、本実施形態の回路基板装置16によれば、光回路基板40の側縁41の近傍においても電気配線基板70に段差が生じないため、光素子110や電気素子120の素子搭載領域34を電気配線基板70の全面に亘って平面に確保することができる。また、電気配線基板70の厚みは微小であるため、導体層72の表面と電気回路基板30の表面との段差も僅かである。このため、電気回路基板30と光電気複合基板10とにまたがるように素子搭載領域34を確保することができ、または光電気複合基板10を跨いで素子搭載領域34を確保することもできる。これにより、図3に示したように、電気回路基板30の略全面に亘って、光電気複合基板10による光導波路42と、光素子110や電気素子120とを互いに重ね合って実装することが可能である。図8Aから図8Eは第三から第七実施形態にかかる光電気複合基板10を光回路基板40の側から見た下面図である。図8Aに示す第三実施形態の光電気複合基板10は、光回路基板40の両側方にそれぞれヒレ状に延在して突出した複数の延出部74が、光電気複合基板10の長手方向同図の左右方向に亘って間欠的に配置されている。光回路基板40の長手方向の両端には光路変換ミラー46が設けられている。電気配線基板70は、多数のヒレ状の延出部74を個別に折り曲げて電気回路基板30図3等を参照に接合される。これにより、電気回路基板30に搭載される光素子110や電気素子120と延出部74が干渉することなく光電気複合基板10を電気回路基板30に実装することができる。図8Bに示す第四実施形態の光電気複合基板10は、光回路基板40の長手方向の両端に延出部74が設けられている。このように、本発明の光電気複合基板10においては、延出部74が延出する方向は光回路基板40の長手方向の側方に限られない。本実施形態の場合、光路変換ミラー46の上方に搭載される光素子110の素子搭載領域34として電気配線基板70の延出部74を用いることができる。これにより、光路変換ミラー46を光回路基板40の長手方向の端部またはそのきわめて近傍に配置したとしても、前記光路変換ミラー46と光を授受する光素子110の素子搭載領域34が不足することがない。図8Cに示す第五実施形態の光電気複合基板10は、延出部74が、光回路基板40の側方を含む全周に形成されている。すなわち、本実施形態の延出部74は、矩形状帯状の光回路基板40の四辺よりそれぞれ突出して設けられている。さらに本実施形態の光電気複合基板10は、光回路基板40から突出した四隅が連結されて周回状の延出部74が形成されている。これにより、光回路基板40の縦横比によらず、光電気複合基板10を全周に亘って電気回路基板30に安定して取り付けることができる。図8Dに示す第六実施形態の光電気複合基板10は、多数のコア部42aが横並びに配設されて、光導波路42コア部42aの個々の長さよりも光回路基板40の幅の方が大きいことを特徴とする。光電気複合基板10の長手方向はコア部42aの並び方向と一致している。本実施形態では、光電気複合基板10の長手方向に沿って、延出部74が光導波路42の延在方向に突出して延出している。図8Eに示す第七実施形態の光電気複合基板10は、細幅の帯状に予め作製された延出部74を、光回路基板40の主面に対して、たとえば接着剤などで貼り付けて一体化していることを特徴とする。すなわち、本実施形態の電気配線基板70は、第一から第六実施形態のように単一の部材で構成してもよく、または本実施形態のように複数の部材で構成してもよい。本実施形態では、光導波路42の延在方向に沿って両側に、すなわち光回路基板40の対向する長辺に沿ってそれぞれ、帯状の延出部74を、その幅寸法の略半分を光回路基板40から突出させて接合している。このように、光回路基板40からはみ出すようにして延出部74を接着して一体化することにより、光回路基板40に対して任意の位置に延出部74を設けて素子搭載領域34とすることができる図2を参照。なお、本実施形態の場合、光路変換ミラー46の上部を避けて延出部74を貼り付けることで、開口部32図1Aを参照を設ける必要がない。以上説明したように、本発明の光電気複合基板10および光電気複合デバイス14は、任意形状の光導波路42に対して所望の位置および形状で延出部74を形成することが可能である。