Zn、Mg、Cu、Oで構成され、NaCl型結晶構造を有する組成物であって、p型導電性を示す酸化物材料。前記組成物は、ZnxMgyCuzOで表される酸化物である請求項1に記載の酸化物材料。但し、xyz=1、0<x/xy≦35、かつ、0<z/yz≦24とする。請求項1または2のいずれかに記載の酸化物材料からなるp型半導体層と、n型導電性のZnOからなるn型半導体層とを接合してなる、発光素子。しかしながらZnOへの窒素ドーピングは合成が難しく、また合成したp型材料の安定性が低いという問題点がある。また、CuAlO2やSrCu2O2はCuが1価である必要があるが、Cuは2価になりやすいために、酸化しない様に酸素を含まない雰囲気下で合成する必要があり、合成後も酸化に注意が必要である。さらにSrCu2O2はSrOを多量に含むために大気中の水分や炭酸ガスと反応しやすく、化学的に不安定であるといった問題点がある。またSb2O4-SnO2系材料は、劇物である酸化アンチモンを多く含む上に、熱的に不安定で、加熱によりこの酸化アンチモンが昇華、蒸発してしまうという問題点がある。さらに、バンドギャップが大きければ大きいほど、より短波長まで透明となり、望ましいが、前記の各材料はバンドギャップ3.3eV~3.7eV程度までであった。本発明は、以上の課題に鑑みてなされたものであって、バンドギャップが大きく、波長が380nm以上の近紫外光、或いは可視光に対して透明であって、p型導電性を示し、化学的にも熱的にも安定な酸化物材料を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の一態様である酸化物材料は、Zn、Mg、Cu、Oで構成される、NaCl型結晶構造を有する組成物であり、p型導電性を示すものとする。上記した本発明の酸化物材料によれば、バンドギャップが3.4eV程度以上と大きく、波長が380nm以上の近紫外光、或いは可視光に対して透明である。またp型導電性を示し、化学的にも熱的にも安定な酸化物材料を提供することができる。この酸化物材料をp型半導体材料に用いることで、良好な発光特性を有する発光素子を比較的容易に提供することが可能である。<発明の態様>本発明の一実施形態は、Zn、Mg、Cu、Oで構成される、NaCl型結晶構造を有する組成物であり、p型導電性を示す酸化物材料とする。ここで本発明の具体例の一つとして、前記酸化物はZnxMgyCuzOで表される酸化物であり、NaCl型結晶構造として同定され、p型導電性を示す、酸化物材料である。この材料においては、xyz=1、0<x/xy≦35、かつ、0<z/yz≦24であることが望ましい。また本発明は、前記した酸化物材料からなるp型半導体層と、n型導電性のZnOからなるn型半導体層とを接合してなる、発光素子とすることもできる。以下に、本発明の実施の形態及び実施例を説明するが、当然ながら本発明はこれらの形式に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。<本発明の酸化物材料について>本願発明者等は、各種の複合金属酸化物系を鋭意検討した結果、本発明に至ったものである。本発明の主体をなすものは、NaCl型結晶構造体として同定され、p型導電性を示す酸化物材料である。ここで同定されるとは、X線回折法によって同定されることを指す。より具体的には、前記X線回折法によって確認される回折パターンがNaCl型結晶構造を有するMgOの回折パターンと一致し、前記MgO以外の回折ピーク、例えば、ZnO、CuO、Cu2O、Cu2MgO3などで表される酸化物の回折ピークが発現しないことを示す。この酸化物の中で、CuOはノンドーピングでp型半導体であるので、CuをNaCl型結晶構造体に固溶させることにより、Cuがp型ドーパントとして作用すると考えられる。p型ドーパントであるCuOの固溶量によりキャリア濃度が変化するため、p型半導体材料としてはより多く固溶させることが望まれる。しかし一方でCuOのバンドギャップが非常に小さく、約1.4eVであるため、CuOの固溶量の増大に伴って、NaCl型結晶構造を有する固溶体のバンドギャップが減少する。よって、NaCl型結晶構造体に対するCuの固溶量を目的に応じて制御する必要がある。本発明の酸化物材料は、組成式ZnxMgyCuzOxyz=1で表わされる。ZnOとMgOは、固溶体を形成するようにする。固溶体形成のための留意点として、0<x/xy≦35、かつ、0<z/yz≦24であることが望ましい。なお、ZnOとMgOの固溶については、0<x/xy≦35の範囲を逸脱し、35<x/xyとしてZn原子比を増大させると、固溶できないZnOが発現する。また、x/xy=0、つまりZn原子比を0とした場合、zの値によらず、著しく導電性が低下する。さらに、0<x/xy≦35の範囲であっても、0<z/yz≦24を逸脱し、24<z/yzとしてCu原子比を増大させると第二相としてZnOやCu2MgO3が発現する。また、0=z/yz、つまりCu原子比を0とした場合、導電性が著しく低下する。なお、本発明の酸化物材料の組成としてはZn、Mg、Cu、Oを含めば良いが、その特性を損なわない範囲内であれば、他の成分を含むことも可能である。<発光素子の構成>図1は、上記した本発明の材料をp型半導体層に用いてなる、発光素子半導体素子1の構成を示す模式的な断面図である。発光素子1は、基板10の上面に形成された下部電極2の上に、X方向を平面方向としつつ、n型半導体層3、p型半導体層、上部電極透明電極5をZ方向に順次積層してなる。n型半導体層3、p型半導体層はpn接合されている。<酸化物材料の形態と製造方法>本発明のp型導電材料の形態としては、粉末、焼結体、あるいは粉末を成形した成形体や厚膜、薄膜など、どのようなものでも良い。しかし発光素子に用いるような場合には、焼結体か薄膜が望ましい。次に本発明のp型導電材料の製造方法としては、固相法、液相法、気相法、いずれの方法を用いることもできる。固相法は、それぞれの金属を含む原料粉末金属酸化物、金属炭酸塩等を混合し、ある程度以上の温度で熱処理して反応させる方法である。液相法は、それぞれの金属を含む溶液を作り、これより固相を沈殿させたり、あるいは基板上にこの溶液を塗布後、乾燥し、ある程度以上の温度で熱処理等を行って固相とする方法である。気相法は、蒸着、スパッタリング、CVD等の方法によって膜状の固相を得る方法である。次に本発明の導電性材料と、n型導電性を示すZnOを接合させることによって、発光素子とすることができる。ZnOは、通常、特別な処理を行わなくても、Znが過剰な状態でn型導電性を示すので、例えばZnOの単結晶を用いても、発光素子が得られる。しかし発光効率の高いZnOを用いた方が、素子の効率も高くなる。このため、ZnOとしては、Al、Ga、Inの一種類以上を少量含むものが望ましく、さらには、これらに加えて少量のPを同時に含むものが望ましい。酸化亜鉛に含まれるAl、Ga、Inの望ましい合計量は、Znに対して0.03at以上3.0at以下である。これは、これ以下ではその効果が顕著ではなく、3atより多く用いても、さらなる効率向上が認められず無駄となるためである。しかし0.03at未満でも、3atを超えても、用いないよりは効率は高い。一方、Pについて望ましい量はZnに対して0.03at以上3.0at以下である。その理由は、Al、Ga、Inと同じである。<実施例の作製と考察>以下、本発明の実施の形態を実施例により、さらに詳細に説明する。以下の実施例では、導電材料の形態として、粉末を押し固め焼結させた焼結体の場合について、またZnOとしては単結晶の場合を述べるが、本発明の効果はこれに限定されるものではなく、p型導電体材料は、組成や結晶構造が同じであれば、真空プロセスによる薄膜等でも同等の効果が得られるものである。またZnOについても、より発光効率の高い粉末や焼結体を用いることも可能である。出発原料として試薬特級以上のZnO、MgO、CuOの粉体を用意した。CuOの融点は1026°Cであり、ZnOやMgOの融点に比べて大幅に低いことから、合成は、予め、MgOとZnOの固溶体を合成した後、CuOを添加混合焼成する手順で行った。はじめに、これらのZnOとMgOの原料をZn、Mgの原子比が表1の比率となるように秤量し、ボールミルを用いて湿式混合した後、乾燥し、混合粉体を得た。これらの混合粉体を1300°Cで大気中、2時間仮焼した。得られた仮焼粉体は、X線回折法によって、生成相の同定を行った。結果を表1に示す。この結果より、ZnxMgyCuzOにおいて、x/xy=40、z=0であるNo.1の仮焼粉体で、ZnOの生成が観察されたが、x/xy≦35、z=0のNo.2~6の仮焼粉体においては、すべてNaCl型結晶構造を有するMgOの回折ピークのみが観察された。次に、No.2~6の仮焼粉体に対し、Mg、Cuの原子比が表2、3の比率になるように、前記仮焼粉体とCuO原料を秤量し、再度ボールミルを用いて湿式混合粉砕した後、乾燥して混合粉体とした。これらの混合粉体各1gを、13mmΦの金型を用いて500kg/cm2の圧力で一軸加圧成形した後、電気炉にて、大気中1000°Cで2時間焼成し、焼結体を得た。得られた焼結体は、X線回折法による生成相の同定を行った。X線回折による同定相で単一相となった試料については、熱起電力法によるp/n判定と、反射スペクトル測定よりバンドギャップを求めた表2、3。ここでバンドギャップは透過スペクトルで評価することが望ましいが、今回は試料を焼結体としたため、透過スペクトルは測定できない。反射スペクトルは透過スペクトルと等価であり、吸収が少なければ、その波長は透過するとしてバンドギャップを求めることができる。反射スペクトル測定の一部、すなわち比較例のNo.5-1と、本発明のNo.5-2を図1に示した。表中、p/n判定不能と記載しているものは、抵抗が高く、p、nいずれの導電性も示さなかったものである。表より明らかなように、Cuが固溶し、かつNaCl型結晶構造の単一相となった試料については、すべてp型導電性を示すことがわかった。一方、Cuが固溶していないNo.2-1、No.3-1、No.4-1、No.5-1と、Znを含まないNo.6-1、No.6-2はpn判定ができなかった。図1より、No.5-2は比較例のNo.5-1に比べ短波長まで吸収が増大し、バンドギャップが小さくなっているが、酸化亜鉛の禁制帯幅3.4eVよりも大きなバンドギャップを保持していることがわかる。Cuの固溶量の増大と共にバンドギャップが減少する傾向が見られたが、本発明の組成の組成範囲においては、いずれも3.4eV以上の値を示す結果となった。次に、実施例1で作製したNo.5-2の試料と、n型導電性を示す単結晶ZnOを用いて、発光素子を作製した。すなわち、ZnOの片面に透明電極ITOを形成した。次に実施例1のNo.5-2の試料の両面を研磨した後、片面にNi-Au電極を形成した。これら電極を形成したZnOとNo.5-2の試料を、それぞれの電極が外側に向くように積み重ね、圧力を加えて接触させ、素子とした。以上のように作製した素子の外側に面するITOおよびNi-Au電極に対して電圧を印加したところ、順方向に電流が流れ、整流特性が示された。また透明である単結晶ZnO側から観察したところ、380nm付近をピークとする発光が観察され、発光素子となっていることを確認した。本実施例ではp型導電体材料の形態を焼結体としたため、EL発光を単結晶ZnO側から観察したが、薄膜形態とすれば、バンドギャップの大きいp型導電体側から発光を観察することも、もちろん可能である。