"厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板とのいずれか一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され揺動可能な可動部とを備え、前記可動部は、板状の可動部本体と、前記可動部本体における前記電磁石装置側に位置し前記電磁石装置とともに磁気回路を構成するアーマチュアと、前記可動部本体に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部本体および前記アーマチュアが磁性材料により形成されてなることを特徴とするMEMSリレー。前記可動部は、前記可動部本体と前記アーマチュアとが一体で形成されてなることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記可動部は、前記フレーム部と別体であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のMEMSリレー。ところで、特許文献1に開示されたマイクロリレーでは、磁性体69bと、シリコン基板をエッチングして形成した磁性体保持部74とを接合する際に、磁性体69bと磁性体保持部74との熱膨張率の差に起因して、磁性体69bや磁性体保持部74に反りが生じることがあった。このため、上述のマイクロリレーでは、可動接点71が固定接点66から離れているときの可動接点71と固定接点66との距離や、可動接点71が固定接点66に接触しているときの接触圧などが、ばらついて、動作特性や寿命がばらついてしまう懸念がある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、磁性材料により形成されたアーマチュアを有する可動部の反りを抑制することが可能なMEMSリレーを提供することにある。本発明のMEMSリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板とのいずれか一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され揺動可能な可動部とを備え、前記可動部は、板状の可動部本体と、前記可動部本体における前記電磁石装置側に位置し前記電磁石装置とともに磁気回路を構成するアーマチュアと、前記可動部本体に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部本体および前記アーマチュアが磁性材料により形成されてなることを特徴とする。このMEMSリレーにおいて、前記可動部は、前記可動部本体と前記アーマチュアとが一体で形成されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記可動部は、前記フレーム部と別体であることが好ましい。本発明のMEMSリレーにおいては、磁性材料により形成されたアーマチュアを有する可動部の反りを抑制することが可能となる。実施形態1以下、本実施形態のMEMSリレーについて、図1~図4を参照しながら説明する。本実施形態のMEMSリレーは、板状例えば、矩形板状のベース基板1と、ベース基板1の厚み方向の一表面側図1では、上面側に対向配置された板状例えば、矩形板状のカバー基板3と、ベース基板1に設けられた収納部16に収納された電磁石装置4と、ベース基板1とカバー基板3との間に配置された可動部形成体2とを有する。このMEMSリレーは、可動部形成体2のベース基板1側に位置した板状例えば、矩形板状の磁性材料からなるアーマチュア24を電磁石装置4にて動かすことにより、ベース基板1の上記一表面側に設けられた固定接点14,14と可動部形成体2に設けられた可動接点27図2参照とが接離する電磁駆動式のリレーである。なお、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1およびカバー基板3の外形サイズを、可動部形成体2の外形サイズと同じサイズに設定してある。以下、上述のMEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板により形成されている。また、ベース基板1を形成するガラス基板の材料としては、硼珪酸ガラスを採用すればよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。ここにおいて、ベース基板1は、ガラス基板により形成しているが、これに限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板などにより形成してもよい。高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送に用いる場合、抵抗率がより高いほうが好ましく、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。要するに、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高いほうが好ましい。また、ベース基板1は、ガラス基板の材料として、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。また、ベース基板1は、上記一表面側において長手方向の両端部の各々に一対の信号線13,13が形成されている。各一対の信号線13,13は、ベース基板1の短手方向に沿って配置されている。また、各信号線13は、金属層例えば、Au層などにより構成されている。各信号線13の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osや、これらの合金などを採用することができる。また、ベース基板1は、各信号線13の一端部に固定接点14が設けられている。固定接点14の材料としては、例えば、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点14は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点14は、単層構造であるが、多層構造でもよい。また、固定接点14の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。また、ベース基板1は、各信号線13の他端部に、ベース基板1の厚み方向に貫設された貫通孔配線15が設けられている。なお、信号線13と貫通孔配線15とは、電気的に接続されている。また、ベース基板1の厚み方向に、貫通孔12図4参照が貫設されている。この貫通孔12は、ベース基板1の上記一表面から他表面図1では、下面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここにおいて、貫通孔配線15は、貫通孔12の内面に沿って形成されベース基板1の上記一表面側において貫通孔12を閉塞している。また、ベース基板1は、上述のように電磁石装置4を収納する収納部16が設けられている。ここで、ベース基板1の中央部には、厚み方向に貫通し電磁石装置4が挿入される開口部17が形成されている。開口部17は、ベース基板1の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。したがって、ベース基板1は、可動部形成体2側とは反対側から電磁石装置4を挿入し易く、且つ、ベース基板1の上記一表面における開口部17の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、開口部17および上述の貫通孔12は、例えば、サンドブラスト法、エッチング法などにより形成すればよい。また、ベース基板1の上記一表面側には、開口部17を閉塞する薄膜状の蓋体部18が接合されている。要するに、ベース基板1は、開口部17の内周面と蓋体部18とで囲まれた空間により収納部16を構成している。なお、蓋体部18の材料としては、Siを採用している。また、蓋体部18の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部18の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。電磁石装置4は、U字状のヨーク40と、このヨーク40に巻回された2つのコイル42,42とを有する。ヨーク40は、両コイル42,42が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部40aと、このコイル巻回部40aの長手方向の両端部の各々からコイル巻回部40aの厚み方向に延設された側片40b,40bとを有している。また、ヨーク40は、コイル42,42への励磁電流に応じて一対の側片40b,40bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク40は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などを利用して加工することによって形成されており、両側片40b,40bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置4は、2つのコイル42,42に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、この電磁力によって、アーマチュア24の長手方向の両端部のうちの一端部を吸引する吸引力、および、両端部のうちの他端部を反発する反発力を発生させることができる。また、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの間でコイル巻回部40aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石41を有する。したがって、電磁石装置4では、永久磁石41とヨーク40の側片40b,40bとによって、コイル巻回部40aの長手方向への各コイル42,42の移動が規制される。永久磁石41は、厚み方向の両面磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク40のコイル巻回部40aに当接し、他方の磁極面がヨーク40の両側片40b,40bの各先端面と同一平面上に位置するように形成されている。ここにおいて、上述の電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部18に当接する形で収納部16に収納されている。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、電磁石装置4における永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40b,40bの各先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置4とアーマチュア24との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置4は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板43を有する。このプリント基板43は、絶縁性基板により形成されており、一表面側図4では、上面側における長手方向の両端部の各々に導体パターン43b,43bが形成されている。各導体パターン43b,43bは、円形状に形成された部位が外部接続用電極43ba,43baを構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部43bb,43bbを構成している。ここにおいて、各コイル接続部43bb,43bbには、各コイル42,42の端末が各別に接続されている。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、各外部接続用電極43ba,43ba間に電源を接続してコイル42,42に励磁電流を通電したとき、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面が互いに異なる磁極となる。可動部形成体2は、ベース基板1とカバー基板3との間に介在する枠状例えば、矩形枠状のフレーム部21と、フレーム部21の内側に配置され揺動可能な可動部23とを有する。可動部23は、4つの連結部22を介してフレーム部21に揺動自在に支持されている。また、可動部23は、ベース基板1の上記一表面に当接する2つの支点突起23c,23c図2参照を有する。なお、フレーム部21および各支点突起23cは、磁性材料により形成されている。また、フレーム部21は、ベース基板1およびカバー基板3と固着されている。可動部23は、板状例えば、矩形板状の可動部本体20と、可動部本体20における一表面側電磁石装置4側に位置し電磁石装置4とともに磁気回路を構成するアーマチュア24と、可動部本体20に支持されアーマチュア24の揺動に伴って一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられた接点保持部28とを有する。ここで、可動部23は、磁性材料により形成されている。可動部23を構成する磁性材料としては、例えば、鉄-コバルト合金からなる磁性材料を採用すればよい。なお、可動部23は、磁性材料として、鉄-コバルト合金からなる磁性材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性材料を採用してもよい。アーマチュア24は、可動部本体20よりもやや小さな板状例えば、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア24は、可動部本体20の電磁石装置4側と接着部材などにより固着されている。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、可動部本体20とアーマチュア24とを同じ材料により形成しているので、可動部本体20とアーマチュア24との熱膨張率が同じとなり、可動部本体20とアーマチュア24とを異なる材料により形成した場合に比べて、可動部23の反りを抑制することが可能となる。また、可動部形成体2は、可動部本体20の厚み寸法をフレーム部21の厚み寸法よりも小さく設定し、アーマチュア24の厚み寸法を可動部形成体2とベース基板1とを固着した状態においてアーマチュア24とベース基板1との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、可動部形成体2は、フレーム部21の厚み寸法を、可動部本体20とカバー基板3との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーでは、フレーム部21の厚さ寸法を200μm、可動部本体20の厚さ寸法を50μm、アーマチュア24の厚さ寸法を100μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。各連結部22は、磁性材料により形成されてなり、可動部本体20の短手方向の両側縁側の各々において可動部本体20の長手方向に離間して2箇所ずつに形成されている。また、各連結部22は、一端部が可動部本体20に連結され、他端部がフレーム部21の内周面に連結されている。また、各連結部22は、弾性を有してなり、平面視形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これによって、可動部形成体2の可動部23は、可動部本体20が揺動する際に、各連結部22に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各連結部22が破損するのを抑制することが可能となる。また、可動部23は、可動部本体20の短手方向の両側縁の中央部の各々から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。一方、フレーム部21は、このフレーム部21の内周面において可動部本体20の各第1突片23aの各々に対応する各部位から、矩形状の第2突片21aが1つずつ延設されている。つまり、可動部23とフレーム部21とは、1対1で対応する第1突片23aと第2突片21aとの、互いの先端面同士が対向している。ここにおいて、可動部本体20から延設された各第1突片23aの各々の先端面には、凸部23bが形成されている。一方、フレーム部21から延設された各第2突片21aの各々の先端面には、凸部23bが入り込む凹部21bが形成されている。したがって、可動部23は、凸部23bが凹部21bの内周面に当接することにより、フレーム部21の厚み方向に直交する面内における可動部本体20の移動が規制される。なお、可動部本体20の同一側縁側にある2つの連結部22,22は、同一側縁から延設されている第1突片23aの両側に配置されている。また、可動部23は、可動部本体20の各第1突片23aにおけるベース基板1との対向面に、上述の支点突起23cが突設されている。これらの支点突起23c,23cは、可動部本体20がこの可動部本体20に一体化されているアーマチュア24とともに揺動回動する際の支点として機能する。要するに、可動部23は、可動部本体20の短手方向において離間して配置された一対の支点突起23c,23cがベース基板1の上記一表面に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。また、可動部23は、可動部本体20の四隅からこの可動部本体20の短手方向の外方に向かって矩形状の第3突片23dが延設されている。各第3突片23dにおけるベース基板1との対向面には、可動部本体20の揺動範囲を規制するストッパ部23e図2参照が形成されている。これらのストッパ部23eは、ベース基板1の上記一表面と接触することにより、可動部本体20の変位量を制限する。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、アーマチュア24と蓋体部18とが接触することを回避することが可能となり、アーマチュア24や蓋体部18が破損するのを防止することが可能となる。また、可動部23は、可動部本体20の長手方向の両側に接点保持部28,28が配置されている。各接点保持部28は、弾性を有する一対のばね部以下、接圧ばね部と称する26,26を介して可動部本体20に支持されている。各接点保持部28には、ベース基板1の上記一表面側において対向する一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられている。各可動接点27は、固定接点14と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、各可動接点27は、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。また、各可動接点27は、単層構造であるが、多層構造でもよく、例えば、Ti膜とAu膜との積層膜でもよい。また、各可動接点27の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。また、各接点保持部28の厚さ寸法は、フレーム部21の厚さ寸法よりも小さく且つ可動部本体20の厚さ寸法よりも小さく設定してある。また、各接点保持部28の厚み方向において接点保持部28と可動接点27とを重ね合わせた厚さ寸法も、上述の条件を満たす寸法に設定してある。また、各接点保持部28は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部本体20の長手方向に一致するように配置されている。各接圧ばね部26は、一端部が可動部本体20の長手方向に沿った側縁に連結され、他端部が接点保持部28の短手方向に沿った側縁に連結されている。また、各接圧ばね部26の上記一端部と上記他端部との間の中間部の一部を、可動部本体20の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各接圧ばね部26の長さ寸法は、同じ寸法としてある。したがって、本実施形態のMEMSリレーでは、各接圧ばね部26の長さ寸法を適当な寸法として各接圧ばね部26のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。また、可動部形成体2は、ベース基板1およびカバー基板3に接合されている。これによって、可動部形成体2では、各可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に対向し、これら一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となる。ここで、説明を簡単にするために、図1において右側に位置する一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、一対の第1固定接点14a,14aに対応する可動接点27を第1可動接点27a図2参照、図1において左側に位置する一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、一対の第2固定接点14b,14bに対応する可動接点27を第2可動接点27b図2参照と称することもある。すなわち、本実施形態のMEMSリレーでは、アーマチュア24の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。カバー基板3は、ガラス基板により形成しているが、これに限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板、LTCC基板などにより形成してもよい。また、カバー基板3は、可動部形成体2との対向面に可動部本体20の揺動空間を確保する凹所3aが形成されている。ところで、本実施形態のMEMSリレーでは、2つの可動接点27,27と、各可動接点27の各々に対応する一対の固定接点14,14とが設けられているが、可動接点27とこれに対応する固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよいし、可動接点27とこれに対応する固定接点14,14との組も2組に限らず、例えば、1組でもよい。次に、本実施形態のMEMSリレーの動作について説明する。本実施形態のMEMSリレーは、コイル42,42への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア24の長手方向の上記一端部がヨーク40の一方の側片40bに吸引される。したがって、このMEMSリレーは、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27aがこれに対応する一対の固定接点14a,14aに接触し、且つ、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27bがこれに対応する一対の固定接点14b,14bから離れた状態となる図3参照。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41から発生する磁束により、アーマチュア24の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27aとこれに対応する一対の固定接点14a,14aとが接触した状態が保持される。また、本実施形態のMEMSリレーは、コイル42,42への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア24の長手方向の上記他端部がヨーク40の他方の側片40bに吸引される。したがって、このMEMSリレーは、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27bがこれに対応する一対の固定接点14b,14bに接触し、且つ、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27aがこれに対応する一対の固定接点14a,14aから離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41から発生する磁束により、アーマチュア24の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27bとこれに対応する一対の固定接点14b,14bとが接触した状態が保持される。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーでは、アーマチュア24を動かす電磁石装置4として、永久磁石41を備えた有極型の電磁石装置を用いて、ラッチング型のリレーマイクロリレーを構成している。ただし、上述のMEMSリレーは、電磁石装置4として永久磁石41を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。以上説明した本実施形態のMEMSリレーでは、磁性材料により形成されたアーマチュア24を有する可動部23をアーマチュア24と同じ材料により形成しているので、可動部23の反りを抑制することが可能となる。実施形態2以下、本実施形態のMEMSリレーについて、図5を参照しながら説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態1と同じであり、図5に示すように、可動部本体20とアーマチュア24とが一体で形成される点などが実施形態1と相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。各支点突起23c,23cは、可動部本体20と一体で形成されている。したがって、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部本体20とアーマチュア24とを別体で形成する場合に比べて、可動部23の反りをさらに抑制することが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部本体20とアーマチュア24とを一体で形成しているので、可動部本体20とアーマチュア24とを別体で形成する場合に比べて、製造時の工程数などを低減することが可能となり、低コスト化を図ることが可能となる。実施形態3以下、本実施形態のMEMSリレーについて、図6および図7を参照しながら説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態2と略同じであり、図6に示すように、カバー基板3に設けられた収納部36に電磁石装置4が収納される点、可動部形成体2の可動部本体20におけるカバー基板3側にアーマチュア24が位置している点などが実施形態2と相違する。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。カバー基板3は、上述のように電磁石装置4を収納する収納部36が設けられている。ここで、カバー基板3の中央部には、厚み方向に貫通し電磁石装置4が挿入される開口部37が形成されている。開口部37は、カバー基板3の一表面図6では、下面側から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。したがって、カバー基板3は、可動部形成体2側とは反対側から電磁石装置4を挿入し易く、且つ、カバー基板3の上記一表面における開口部37の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、開口部37は、例えば、サンドブラスト法、エッチング法などによって形成すればよい。また、カバー基板3の上記一表面側には、開口部37を閉塞する薄膜状の蓋体部38が接合されている。要するに、カバー基板3は、開口部37の内周面と蓋体部38とで囲まれた空間により収納部36を構成している。なお、蓋体部38の材料としては、Siを採用している。また、蓋体部38の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部38の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。したがって、本実施形態のMEMSリレーでは、カバー基板3に電磁石装置4が収納される収納部36を形成しているので、実施形態2のようにベース基板1に電磁石装置4が収納される収納部16を形成する場合に比べて、電磁石装置4と信号線13との距離を長くすることができ、電磁石装置4が発生する磁束の影響により伝送損失が生じるのを抑制することが可能となる。また、上述のMEMSリレーでは、カバー基板3に収納部36を形成しているので、ベース基板1に収納部16を形成する場合に比べて、ベース基板1の厚さ寸法を小さくすることが可能となる。電磁石装置4は、絶縁性樹脂からなる断面U字状の端子保持部44の両側片44b,44bの各々からコイル端子45,45が突出した端子ブロック46を有する。また、端子保持部44の中央片44aは、ヨーク40のコイル巻回部40aと直交するようにコイル巻回部40aにおける永久磁石41とは反対側に配置されている。また、端子ブロック46の各コイル端子45には、各コイル42の端末が接続されている。ここにおいて、上述の電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部38に当接する形で収納部36に収納されている。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、電磁石装置4における永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40b,40bの各先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置4とアーマチュア24との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。ところで、カバー基板3の上記他表面側には、各コイル端子45の各々が電気的に接続される金属膜からなる配線パターン導体パターン34,34が形成されている。また、電磁石装置4は、カバー基板3における一対の配線パターン34,34の各々の一端部に、一対のコイル端子45,45が半田付けなどによって各別に接合されている。一方、一対の配線パターン34,34の各々の他端部は、カバー基板3、可動部形成体2およびベース基板1の各々の厚み方向に貫設された貫通孔配線315,215,115を介してベース基板1の一表面側図7では、下面側に設けられた駆動用の外部接続電極19,19と電気的に接続されている。可動部形成体2では、可動部本体20の長手方向への可動部本体20の移動を規制する4つの移動規制部21cがフレーム部21から内方へ突設されている。また、可動部23は、可動部本体20の長手方向の両端部の各々からこの長手方向に沿って接点保持部58が設けられている。また、可動部23は、各第1突片23aにおけるカバー基板3との対向面に、支点突起23cが突設されている。要するに、支点突起23cは、第1突片23aとカバー基板3との間に介在しており、可動部本体20が支点突起23cを介してカバー基板3に支持されている。また、可動部23の連結部22は、実施形態2と形状が相違するだけで、機能的には実施形態2と同様の機能を有するものである。以上説明した本実施形態のMEMSリレーでも、磁性材料により形成されたアーマチュア24を有する可動部23をアーマチュア24と同じ材料により形成しているので、可動部23の反りを抑制することが可能となる。実施形態4以下、本実施形態のMEMSリレーについて、図8を参照しながら説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態2と同じであり、図8に示すように、可動部23がフレーム部21と別体である点などが実施形態2と相違する。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。フレーム部21は、例えば、シリコン基板などにより形成されている。なお、本実施形態のMEMSリレーは、フレーム部21をシリコン基板により形成しているが、これに限らず、例えば、磁性体基板、ガラス基板などにより形成してもよい。また、本実施形態のMEMSリレーでは、フレーム部21をベース基板1およびカバー基板3に固着しているが、これに限らず、例えば、フレーム部21とカバー基板3とを一体に形成し、フレーム部21をベース基板1に固着するようにしてもよい。可動部23は、ベース基板1の厚み方向に直交する方向への移動がフレーム部21により規制されるとともに、ベース基板1の収納部16に収納された電磁石装置4の電磁力によりベース基板1の厚み方向への移動が規制される。要するに、本実施形態のMEMSリレーでも、可動部23がフレーム部21の内側に配置されるとともに、揺動可能となっている。したがって、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部23とフレーム部21とを別体で構成することにより、フレーム部21を形成する材料を適宜選択することが可能となり、フレーム部21とベース基板1およびカバー基板3との固着方法の自由度を高めることが可能となる。"