接合リーク電流により半導体基板を評価する方法であって、評価する半導体基板に、複数のPN接合と、該複数のPN接合同士を分離する分離酸化膜と、該分離酸化膜の下に位置するチャネルストップ層とを形成してから、前記複数のPN接合における接合リーク電流を測定して評価を行うことを特徴とする半導体基板の評価方法。前記複数のPN接合の各々の面積を0.5~4mm2とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の評価方法。前記複数のPN接合と、分離酸化膜と、チャネルストップ層を形成するとき、前記半導体基板の表面に酸化膜を形成し、該形成した酸化膜の一部を除去することにより、複数の開口部を形成し、残された酸化膜を分離酸化膜とし、該形成した複数の開口部および分離酸化膜上から前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントをイオン注入し、前記複数の開口部の各々にウェル領域を形成するとともに、前記分離酸化膜下にチャネルストップ層を形成し、前記各々のウェル領域内に、該ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散して拡散層を形成して、前記複数のPN接合を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体基板の評価方法。前記ウェル領域において、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度を1×1017atoms/cm3以下とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体基板の評価方法。前記ウェル領域において、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度を1×1016~1×1017atoms/cm3とし、深さを2μm以下とし、前記拡散層において、前記ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントの濃度を1×1018~5×1020atoms/cm3とし、深さを1μm以下とし、前記チャネルストップ層において、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度を1×1016~1×1017atoms/cm3とし、深さを0.5μm以下とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体基板の評価方法。接合リーク電流により評価するための評価用半導体基板であって、複数のPN接合と、該複数のPN接合同士を分離する分離酸化膜と、該分離酸化膜の下に位置するチャネルストップ層とが形成されたものであることを特徴とする評価用半導体基板。前記複数のPN接合は、各々の面積が0.5~4mm2のものであることを特徴とする請求項6に記載の評価用半導体基板。前記PN接合は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントがイオン注入されたウェル領域と、該ウェル領域内に形成され、該ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントが拡散された拡散層からなるものであることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の評価用半導体基板。前記ウェル領域は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度が1×1017atoms/cm3以下のものであることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の評価用半導体基板。前記ウェル領域は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度が1×1016~1×1017atoms/cm3であり、深さが2μm以下であり、前記拡散層は、前記ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントの濃度が1×1018~5×1020atoms/cm3であり、深さが1μm以下であり、前記チャネルストップ層は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度が1×1016~1×1017atoms/cm3であり、深さが0.5μm以下のものであることを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか一項に記載の評価用半導体基板。本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、例えばCCD、CMOSセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハに関して、接合リーク電流特性を高精度で評価することが可能な半導体基板の評価方法および評価用半導体基板を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、接合リーク電流により半導体基板を評価する方法であって、評価する半導体基板に、複数のPN接合と、該複数のPN接合同士を分離する分離酸化膜と、該分離酸化膜の下に位置するチャネルストップ層とを形成してから、前記複数のPN接合における接合リーク電流を測定して評価を行うことを特徴とする半導体基板の評価方法を提供する。このような半導体基板の評価方法であれば、実際の固体撮像素子等の製造において用いられるチャネルストップ層によって、接合リーク電流の評価においても、分離酸化膜や表面界面準位などの影響で、PN接合が形成されるウェル領域等の周辺の寄生空乏容量が発生するのを防止することができる。したがって、高精度に接合リーク電流を評価することができ、半導体基板の評価をより精度良く行うことができる。また、複数のPN接合を形成して接合リーク電流の測定評価を行うので、接合リーク電流の面内分布を把握することができ、接合リーク電流の発生原因について詳細な検討が可能になる。このとき、前記複数のPN接合の各々の面積を0.5~4mm2とすることができる。本発明における接合リーク電流測定では、例えばPN接合上に形成した電極等にプローブニードルを接触させて電圧を印加することで行う。この際、PN接合の面積を4mm2以下とすることにより、シート抵抗の影響により電極面内に均一な電界印加が出来なくなるのを防ぐことができる。また、実際のデバイスではミクロン単位の製品があり原理的にはそのサイズのPN接合の作製は可能だが、半導体基板の評価の観点ではそれほど小さくする必要はなく0.5mm2を最小にすることができる。なお、測定器の精度の問題で、これ以上小さい面積とするとプローブが接触できなくて欠陥感度が十分得られなくなるのを防ぐためでもある。また、前記複数のPN接合と、分離酸化膜と、チャネルストップ層を形成するとき、前記半導体基板の表面に酸化膜を形成し、該形成した酸化膜の一部を除去することにより、複数の開口部を形成し、残された酸化膜を分離酸化膜とし、該形成した複数の開口部および分離酸化膜上から前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントをイオン注入し、前記複数の開口部の各々にウェル領域を形成するとともに、前記分離酸化膜下にチャネルストップ層を形成し、前記各々のウェル領域内に、該ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散して拡散層を形成して、前記複数のPN接合を形成することができる。このようにすれば、特にはチャネルストップ層を簡単に形成することが可能となる。また、ウェル領域の形成によって接合リーク電流を増加させることができ、高精度で評価を行うことができる。また、前記ウェル領域において、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度を1×1017atoms/cm3以下とすることができる。特にボロンをイオン注入してウェル領域を形成する場合は、高濃度になりすぎると、イオン注入により転位が形成されウェル領域中に欠陥が形成されてしまう。本発明者が見出した上記範囲であれば、転位の発生がなく安定した測定が可能である。また、前記ウェル領域において、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度を1×1016~1×1017atoms/cm3とし、深さを2μm以下とし、前記拡散層において、前記ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントの濃度を1×1018~5×1020atoms/cm3とし、深さを1μm以下とし、前記チャネルストップ層において、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度を1×1016~1×1017atoms/cm3とし、深さを0.5μm以下とすることができる。まず、ウェル領域については、濃度を1×1016atoms/cm3以上とすることで、ウェル領域としての効果をもたせることができこれより低いと、半導体基板と同程度の不純物濃度となる、1×1017atoms/cm3以下とすることで、イオン注入時に欠陥が導入されるのを防ぐことができる。また、深さについては、2μm以下とすることで、それよりも深くまで形成するためにイオン注入の加速電圧が高くなり欠陥が導入されるのを防ぐことができる。拡散層については、PN接合形成のため、濃度はウェル領域よりも高くする。例えばイオン注入やリンガラス拡散で得られる最高濃度を上限5×1020atoms/cm3とし、下限1×1018atoms/cm3はPN接合を形成するためウェル領域の一桁上の濃度とすることができる。深さはウェル領域の範囲内、例えば1μm以下とすることができる。チャネルストップ層については、濃度としてはウェル領域と同じである方が形成しやすくかつ周辺でのキャリア勾配が生じない。また深さは深い必要はなく、イオン注入で制御可能な上記範囲とすることができる。また、本発明は、接合リーク電流により評価するための評価用半導体基板であって、複数のPN接合と、該複数のPN接合同士を分離する分離酸化膜と、該分離酸化膜の下に位置するチャネルストップ層とが形成されたものであることを特徴とする評価用半導体基板を提供する。このような評価用半導体基板であれば、チャネルストップ層によって、接合リーク電流の評価においてもPN接合が形成されるウェル領域等の周辺の寄生空乏容量が発生するのを防止することができ、接合リーク電流を高精度に評価し、さらには半導体基板を高精度に評価することができる。また、複数のPN接合を形成して接合リーク電流の測定評価を行うことが可能であり、接合リーク電流の面内分布を把握することができ、接合リーク電流の発生原因について詳細な検討が可能になる。このとき、前記複数のPN接合は、各々の面積が0.5~4mm2のものとすることができる。このように4mm2以下のものであれば、接合リーク電流測定において、PN接合上に形成した電極等にプローブを接触して電圧を印加するにあたって、シート抵抗の影響により電極面内に均一な電界印加が出来なくなるのを防ぐことができる。また、半導体基板の評価の観点では0.5mm2以上あれば足りるし、プローブの接触等の点からもそれ以上とするのが好ましい。また、前記PN接合は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントがイオン注入されたウェル領域と、該ウェル領域内に形成され、該ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントが拡散された拡散層からなるものとすることができる。このようなものであれば、ウェル領域によって接合リーク電流を増加させることができ、高精度で評価を行うことができる。また、前記ウェル領域は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度が1×1017atoms/cm3以下のものとすることができる。特にボロンをイオン注入してウェル領域を形成する場合は、高濃度になりすぎると、イオン注入により転位が形成されウェル領域中に欠陥が形成されてしまうが、上記範囲であれば、転位の発生がなく安定した測定が可能になる。また、前記ウェル領域は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度が1×1016~1×1017atoms/cm3であり、深さが2μm以下であり、前記拡散層は、前記ウェル領域の導電型とは異なる導電型のドーパントの濃度が1×1018~5×1020atoms/cm3であり、深さが1μm以下であり、前記チャネルストップ層は、前記半導体基板の導電型と同じ導電型のドーパントの濃度が1×1016~1×1017atoms/cm3であり、深さが0.5μm以下のものとすることができる。ウェル領域については、濃度を1×1016atoms/cm3以上とすることで、ウェル領域としての効果をもたせることができ、1×1017atoms/cm3以下とすることで、イオン注入時に欠陥が導入されるのを防ぐことができる。また、深さについては、2μm以下とすることで、イオン注入の加速電圧が高いことが原因で欠陥が導入されるのを防ぐことができる。拡散層については、例えばイオン注入やリンガラス拡散で得られる最高濃度を上限5×1020atoms/cm3とし、下限1×1018atoms/cm3はPN接合を形成するためウェル領域の一桁上の濃度とすることができる。深さはウェル領域の範囲内、例えば1μm以下とすることができる。チャネルストップ層については、濃度としてはウェル領域と同じである方が形成しやすくかつ周辺でのキャリア勾配が生じない。また深さは深い必要はなく、イオン注入で制御可能な上記範囲とすることができる。以上のように、本発明の半導体基板の評価方法や評価用半導体基板によれば、チャネルストップ層によってPN接合が形成されるウェル領域等の周辺の寄生空乏容量が発生するのを防止でき、従来よりも高精度に、接合リーク電流を測定し、半導体基板の評価を行うことができる。上述したように、特許文献2には接合リーク電流の測定に関して記載されているものの、ウェル領域中にPN接合を形成することのみが記載されているが、測定レベルの精度の面において不十分だった。特許文献2では、実際の固体撮像素子の製造において用いられる、ウェル領域の周辺の寄生空乏容量の発生を防止するためのチャネルストップ層の形成については記載されておらず、小さい面積のPN接合の評価用素子で測定しているだけであり、ウェル領域の周辺の寄生空乏容量まで考慮されていない。しかし、固体撮像素子の白キズや暗電流の問題を改善するためにはpAレベルで接合リーク電流を評価する必要があり、接合リーク電流の評価においてもウェル周辺の寄生空乏容量の発生を防止する必要があると考えられる。本発明者は、以上のことを考慮、検討した結果、微小な接合リーク電流の測定において、特許文献2に記載の構造にさらに、チャネルストップ層の形成を組み合わせることにより、接合リーク電流の検出精度を向上させることができることを見出し、本発明を完成させた。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、本発明の評価用半導体基板について説明する。図1は、本発明の評価用半導体基板の一例の概略を示している。図1に示すように、本発明の評価用半導体基板1においては、評価対象の半導体基板1’内に、半導体基板1’と同じ導電型のドーパントがイオン注入されたウェル領域2が形成されている。また、該ウェル領域2の周辺にも、半導体基板1’と同じ導電型のドーパントがイオン注入されたチャネルストップ層3が形成されている。そして、ウェル領域2の中には、ウェル領域2の導電型とは異なる導電型のドーパントが拡散された拡散層4が形成されており、ウェル領域内でPN接合5が形成されている。なお、ここでは半導体基板1’、ウェル領域2、チャネルストップ層3はP型のドーパントボロン等がドープされており、一方で拡散層4はN型のドーパントリン等がドープされている。ただし、当然この態様に限定されず、逆の態様とすることも可能である。また、上記のようなウェル領域2および拡散層4が半導体基板1’の面内に複数形成されており、PN接合5が複数形成されている。そして、半導体基板1’の表面には分離酸化膜6が形成されており、各PN接合同士を分離している。上記チャネルストップ層3は分離酸化膜6の直下に位置している。ここで、各領域層のドーパント濃度や深さ等について一例を挙げて説明するが、当然これに限定されず、その都度適切な数値に設定することが可能である。目的やコスト等に応じて適宜決定することができる。まず、ウェル領域2においては、ドーパント濃度は、ドーパントを例えばイオン注入して形成されたものである場合、高濃度のためにイオン注入により転位が形成されてウェル領域中に欠陥が形成されるのを防ぐため、1×1017atoms/cm3以下にすることができる。特にドーパントがボロンの場合に、上記のような欠陥の形成の傾向があるため注意すると良い。そして、特には、ドーパント濃度を1×1016atoms/cm3以上とすることで、ウェル領域としての効果をもたせることができる。これより低いと、半導体基板1’と同程度のドーパント濃度となってしまうからである。また、深さについては、2μm以下とすることで、イオン注入の加速電圧が高いのが原因で欠陥が導入されるのを防ぐことができる。なお、浅すぎると評価できる空乏層幅が小さくなり、半導体基板1’の評価として感度が低下してしまうので注意が必要である。また、拡散層4においては、例えばイオン注入やリンガラス拡散で得られる最高濃度を上限5×1020atoms/cm3とし、下限1×1018atoms/cm3はPN接合を形成するためウェル領域の一桁上の濃度とすることができる。深さに関しては、当然ウェル内に形成するため、例えば1μm以下とすることができる。次に、チャネルストップ層3については、ドーパント濃度としてはウェル領域2と同じである方が形成しやすくかつ周辺でのキャリア勾配が生じない。したがって、1×1016~1×1017atoms/cm3とすることができる。また深さは深い必要はなく、イオン注入で制御可能な0.5μm以下とすることができる。次に、分離酸化膜6について述べる。この分離酸化膜6の形成方法や厚さ等も特に限定されず、その都度決定することができる。例えば、熱酸化膜でもCVD膜でも良い。なお、厚さに関しては、特にはチャネルストップ層3が分離酸化膜上からイオン注入で形成されたものの場合、例えば100~500nmの範囲のものとすることができる。このような範囲のものであれば、イオン注入の際に、一部のドーパントを適切に通過させて分離酸化膜6の直下にチャネルストップ層3を形成させることができるからである。また、PN接合5に関して、個別の面積なお、ここでは、分離酸化膜6で囲われた部分開口部7の面積をいうを0.5~4mm2とすることができる。接合リーク電流の測定では、プローブを拡散層4に点接触させて電圧を印加することになるが、PN接合の面積を4mm2以下とすることで、シート抵抗の影響により均一な電界印加が出来なくなるのを防ぐことができる。さらには、半導体基板の評価の観点では0.5mm2以上あれば足りるし、プローブの接触等の点からも0.5mm2以上とするのが好ましい。また、PN接合5が複数形成されていれば、半導体基板1’の接合リーク電流の面内分布を所望のように測定することができるが、その具体的な数は特に限定されない。PN接合5の面積や、目的のデータ量、測定の手間、コスト等も併せて考慮して形成する数を適宜決定することができる。さらには、必要に応じて、複数のPN接合5上に、フォトリソグラフィでアルミニウムや多結晶シリコン等からなる電極8がさらに形成されている。接合リーク電流の測定は、該電極8にプローブを接触させて電圧を印加して行うことが可能である。次に、本発明の半導体基板の評価方法について説明する。図2に本発明の半導体基板の評価方法のフローの一例を示す。なお、本発明は図2のフローに限定されず、複数のPN接合と、該PN接合を分離する分離酸化膜と、該分離酸化膜の下に位置するチャネルストップ層とを形成してからPN接合における接合リーク電流を測定して評価すれば良く、各々の具体的な工程については適宜決定することができる。後述するように、図2のフローであれば、特にはチャネルストップ層を簡便に形成することができる。工程1酸化膜の形成まず、用意した評価対象の半導体基板1’にマスクとなる酸化膜9を形成する。この酸化膜9は熱酸化により形成してもCVDにより形成しても良いが、以下の点に注意する。後の工程において、ウェル領域2の形成のためにイオン注入を行うが、このときのイオンがわずかに酸化膜9を通過するような厚さとすることができる。この厚さは、元素や、加速電圧等に依存するため、工程、設備に適した値を探る必要がある。イオン注入時のマスクとして適切に機能するように、また、パターンが薄くなって実際の測定時にパターン認識が不可能とならないように、例えば100nm以上とすることができる。さらに、例えば500nmより厚いと、イオン注入のイオンを完全にマスクしてしまい酸化膜9の直下にチャネルストップ層3が形成されにくい。当然、酸化膜厚さは特に限定されないが、実用的な範囲としては上記の100~500nm程度の範囲とすることができる。工程2窓開け処理開口部および分離酸化膜の形成このように、工程1で形成した酸化膜9にフォトリソグラフィーを行い、酸化膜9の一部をドライエッチングないしはウエットエッチングにより窓明け処理を行う。上述したように、このとき窓明けした部分開口部7の面積がPN接合の面積に相当することになる。したがって開口部7の形成にあたっては、上述したように、各々、例えば0.5~4mm2とすることができる。接合リーク電流の面内分布を求められるように、複数の開口部7を形成するが、具体的な形成数は特に限定されず、その都度決定することができる。なお、開口部7以外の部分で残った酸化膜9が分離酸化膜6に相当する。工程3イオン注入処理ウェル領域およびチャネルストップ層の形成次に、この状態で、開口部7および分離酸化膜6の上から、イオン注入処理を行う。このイオン注入処理によって、半導体基板1’の導電型と同じ導電型のドーパントを注入し、開口部7の箇所にウェル領域2を形成する。このとき、同時に分離酸化膜6の直下にチャネルストップ層3を形成する。このような方法であれば、特には、ウェル領域2のみならずチャネルストップ層3も同時に形成することができるので簡便である。上述したように、例えば、ウェル領域2のドーパント濃度として1×1016~1×1017atoms/cm3とし、深さを2μm以下とすることができる。また、チャネルストップ層3においてはドーパントの濃度を1×1016~1×1017atoms/cm3とし、深さを0.5μm以下とすることができる。なお、特には、このときのイオン注入処理の条件ドーズ量や加速電圧等は、分離酸化膜6の厚さを考慮した上で、分離酸化膜6の直下に所望の深さ厚さのチャネルストップ層3が形成できるように注意する必要がある。予め実験等を行っておき、酸化膜厚、イオン注入処理の条件の適切な組合せを調査しておくとよい。このあと回復熱処理を行う。工程4拡散層およびPN接合の形成このあと、PN接合形成のため、ウェル領域2の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散させ、拡散層4を形成する。このときの拡散はイオン注入処理でも、固体拡散処理でも良い。また、イオン注入処理を使った場合は、ウェル領域2の形成時における回復熱処理とを兼ねることができる。以上のようにしてPN接合を形成することができ、評価用半導体基板1を得ることができる。上述したように、例えば、拡散層4において、ウェル領域2の導電型とは異なる導電型のドーパントの濃度を1×1018~5×1020atoms/cm3とし、深さを1μm以下とすることができる。工程5接合リーク電流の測定および半導体基板の評価上記のようにして得た評価用半導体基板1に、必要に応じて、複数のPN接合上にフォトリソグラフィでアルミニウムや多結晶シリコン等からなる電極8を各々さらに形成し、該電極8にプローブを接触させて電圧を印加し、接合リーク電流の測定を行う。本発明ではウェル領域2の周辺、すなわち、分離酸化膜6の直下にチャネルストップ層3を形成しているため、ウェル領域2の周辺に寄生空乏容量が発生するのを防ぐことができ、接合リーク電流の検出精度を向上することができる。そして、このようにして得られた精度の高い接合リーク電流特性を用い、半導体基板を精度高く評価を行うことが可能である。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例本発明の半導体基板の評価方法を実施した。抵抗率10Ωcm、ボロンドープ濃度が1×1015atoms/cm3、直径200mmのシリコンウェーハを材料として用意した。そして、まずこれをPyro雰囲気で1000°C、90分の熱処理を施し、200nmの酸化膜を形成した。この後、レジストを塗布してフォトリソグラフィを行う。今回はネガレジストを選択した。なお、面積が4mm2の酸化膜の開口部をウェーハ面内に複数得られるようにマスクを工夫した。このレジスト付きウェーハを、バッファードHF溶液にて酸化膜のエッチングを行い、硫酸過酸化水素混合液にてレジストを除去後、RCA洗浄を実施した。この開口部が形成されたウェーハに、加速電圧55KeV、ドーズ量2×1012atoms/cm2でボロンをイオン注入して、ウェル領域およびチャネルストップ層を形成し、1000°C、窒素雰囲気下で回復アニールを行った。その後、リンガラスを塗布拡散し、リンを表面より拡散することでウェル領域内に拡散層を形成して、PN接合を形成した。この条件で、ウェル領域はボロンの濃度が1×1017atoms/cm3、深さ1μmとなり、チャネルストップ層は酸化膜直下の濃度が1×1017atoms/cm3、深さ0.5μmとなり、拡散層は濃度が1×1019atoms/cm3、深さ0.4μmとなった。そして、開口部に多結晶シリコンからなる電極を形成し、プローブを当てて電圧を印加して接合リーク電流の測定を行った。このときの空乏層の状態を図3に示す。また、本構造の接合リーク電流の測定結果の一例を図4に示す。図4に示すように、1×10-11~1×10-12A程度の接合リーク電流の検出、すなわち、ピコアンペアレベルの検出が可能となっていることが分かる。このようなレベルで測定可能であれば、温度特性などの取得も容易である。このようにして、ウェーハ面内に形成された複数のPN接合を用い、接合リーク電流のウェーハ面内の分布を得ることができた。なお、ウェル領域のボロンの濃度が1×1018atoms/cm3となるようにイオン注入時のドーズ量1×1013atoms/cm2にする以外は上記と同様にして接合リーク電流を測定した。その結果、上記のボロンの濃度が1×1017atoms/cm3のときよりも、接合リーク電流の値が一桁程度増加し、1×10-10~1×10-11A程度となった。これはイオン注入時に導入された欠陥によるものであると推測される。比較例1本発明の半導体基板の評価方法とは異なり、ウェル領域およびチャネルストップ層を形成することなく接合リーク電流の測定を行って半導体基板の評価を行った。開口部が形成されたウェーハを実施例1と同様にして用意し、リンガラスを塗布拡散し、リンを表面より拡散することでウェーハ内に拡散層を形成して、PN接合を形成した。拡散層は濃度が1×1019atoms/cm3、深さ0.4μmとなった。そして、開口部に多結晶シリコンからなる電極を形成し、プローブを当てて電圧を印加して接合リーク電流の測定を行った。このときの空乏層の状態を図5に示す。実施例と異なり、空乏層がウェル領域の周辺にも発生してしまっている。また、接合リーク電流の測定結果の一例を図4に併せて示す。図4に示すように、1×10-3~1×10-5A程度の接合リーク電流が検出された。すなわち、マイクロアンペアレベルの接合リーク電流すら検出できず、このようなレベルでは、感度の点で不十分でありウェーハ解析には不適切である。比較例2本発明の半導体基板の評価方法とは異なり、チャネルストップ層を形成することなく接合リーク電流の測定を行って半導体基板の評価を行った。実施例1で用意したものと同様のシリコンウェーハをPyro雰囲気で1000°C、300分の熱処理を施し、800nmの酸化膜を形成した。この後、レジストを塗布してフォトリソグラフィを行う。今回はネガレジストを選択した。なお、面積が4mm2の酸化膜の開口部をウェーハ面内に複数得られるようにマスクを工夫した。このレジスト付きウェーハを、バッファードHF溶液にて酸化膜のエッチングを行い、硫酸過酸化水素混合液にてレジストを除去後、RCA洗浄を実施した。この開口部が形成されたウェーハに、加速電圧55KeV、ドーズ量2×1012atoms/cm2でボロンをイオン注入して、ウェル領域を形成した。この加速電圧では、800nmの酸化膜をボロンは通過できず、ウェル領域の周辺にチャネルストップ層は形成されなかった。そして1000°C、窒素雰囲気下で回復アニールを行った。その後、リンガラスを塗布拡散し、リンを表面より拡散することでウェル領域内に拡散層を形成して、PN接合を形成した。この条件で、ウェル領域はボロンの濃度が1×1017atoms/cm3、深さ1μmとなり、拡散層は濃度が1×1019atoms/cm3、深さ0.4μmとなった。そして、開口部に多結晶シリコンからなる電極を形成し、プローブを当てて電圧を印加して接合リーク電流の測定を行った。このときの空乏層の状態を図6に示す。この場合においても、実施例と異なり、空乏層がウェル領域の周辺にも発生してしまっている。また、接合リーク電流の測定結果の一例を図4に併せて示す。図4に示すように、1×10-8~1×10-9A程度の接合リーク電流の検出、すなわち、サブピコアンペアレベルの検出しかできていない。比較例1に比べると改善されているが、チャンネルストップ層が形成されていないことから、ウェル領域周辺に空乏層が発生してしまい、実施例のような極めて高い接合リーク電流の検出精度は得られないことが分かる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。