"ポリエステルイミド樹脂組成物の加熱硬化膜で且つ当該硬化膜の密度が1.39g/cm3以下である絶縁被膜を有する絶縁電線。前記樹脂組成物は、多価カルボン酸の無水物とジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステル以下、これらをまとめてカルボン酸類と総称する、アルコール類、並びにジアミン化合物を反応させてなるポリエステルイミドを主成分とする組成物である請求項1に記載の絶縁電線。前記カルボン酸類として分子量167以上のジカルボン酸及び/又は前記ジアミンとして分子量250以上が用いられている請求項2に記載の絶縁電線。前記カルボン酸類のカルボキシル基に対する前記アルコール類の水酸基のモル比率OH/COOHが1.2~2.7である請求項2又は3に記載の絶縁電線。前記エステル部分に対するイミド酸部分の含有率比イミド/エステルは、0.2~1.0である請求項2~4のいずれか1項に記載の絶縁電線。絶縁層に低誘電率材料を用いる方法は、コロナ放電開始電圧の向上に有効であるが、絶縁層については、絶縁性、導体に対する密着性、耐熱性、機械的強度に対する要求も充足する必要がある。また材料コストも材料選定において重要な要素である。ポリイミド樹脂は、低誘電率であり、耐熱性、機械的強度等に優れているが、高コスト材料であるため、絶縁電線の高価格化の原因となる。また、フッ素樹脂は低誘電率ではあるが、柔らかく耐熱性や機械的強度に劣り絶縁層として使用する場合には用途が限られてしまう。特許文献1に記載の絶縁材料は、誘電率、機械的特性のバランスがとれているが、ポリエーテルスルホン等の熱可塑性エンジニアリングプラスチックは熱硬化しないため、耐熱性に劣る欠点があり、用途によっては特性が不十分な場合もある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、低誘電率のポリエステルイミド系絶縁被膜を有する絶縁電線を提供することにある。本発明者らは、ポリエステルイミド系絶縁被膜について種々検討した結果、被膜の密度と誘電率との間に相関関係があることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明の絶縁電線は、ポリエステルイミド樹脂組成物の加熱硬化膜で且つ当該硬化膜の密度が1.39g/cm3以下である絶縁被膜を有する。前記樹脂組成物は、多価カルボン酸の無水物とジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステル以下、これらをまとめてカルボン酸類と総称する、アルコール類、並びにジアミン化合物を反応させてなるポリエステルイミドを主成分とする組成物であることが好ましく、前記カルボン酸類として分子量167以上のジカルボン酸及び/又は前記ジアミンとして分子量250以上が用いられていることが好ましい。また、前記カルボン酸類のカルボキシル基に対する前記アルコール類の水酸基のモル比率OH/COOHが1.2~2.7であることが好ましく、前記エステル部分に対するイミド酸部分の含有率比イミド/エステルは、0.2~1.0であることが好ましい。本発明の絶縁電線は、絶縁被膜の密度を小さくすることで低誘電率化を図ったものである。以下に本発明の実施の形態を説明するが、今回、開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。ポリエステルイミド樹脂組成物本発明の絶縁電線の絶縁被膜を形成するのに用いられるポリエステルイミド樹脂組成物は、加熱硬化物であるポリエステルイミド樹脂膜の密度が1.39g/cm3以下となるものである。はじめに、ポリエステルイミド樹脂組成物の主成分となるポリエステルイミドについて説明する。ポリエステルイミドとは、分子内にエステル結合とイミド結合を有するポリマーで、カルボン酸無水物とアミンから形成されるイミド、アルコールとカルボン酸又はそのアルキルエステルから形成されるポリエステル、そして、イミドの遊離酸基または無水基がエステル形成反応に加わることで形成される。このようなポリエステルイミドは、イミド化、エステル化、エステル交換反応が生じるような条件で合成される。本発明で使用するポリエステルイミドは、多価カルボン酸の無水物とジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステル以下、これらをまとめてカルボン酸類と総称する、アルコール類、並びにジアミン化合物を反応させてなるものである。以下、原料モノマーについて各順に説明する。1カルボン酸類カルボン酸類としては、主としてイミド化反応に関与する多価カルボン酸の無水物と、エステル化、エステル交換反応に関与するジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステルとが用いられる。1-1多価カルボン酸の無水物多価カルボン酸の無水物としては、カルボキシル基2個から1分子の水が失われて、2つのアシル基が1個の酸素原子を共有する化合物の他、フリーのカルボキシル基を1つ以上残している化合物が好ましく用いられる。従って、カルボキシル基を3つ以上有する多価カルボン酸の2つのカルボキシル基が脱水反応により酸無水物となった化合物が含まれる。3価以上の多価カルボン酸の無水物としては、トリメリット酸無水物、3,4,4’-ベンゾフェノントリカルボン酸無水物、3,4,4’-ビフェニルトリカルボン酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物OPDA、ピロメリット酸二無水物PMDA、4,4’-2,2-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物6FDA等の芳香族テトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。これらのうち、トリメリット酸無水物TMAが好ましく用いられる。これらは1種又は2種以上混合して用いることができる。1-2ジカルボン酸及び/又はそのアルキルエステルジカルボン酸としては、従来よりポリエステルイミド原料モノマーとして用いられている、テレフタル酸、イソフタル酸等の単環芳香族ジカルボン酸だけでなく、2-メチル-1,4-ベンゼンジカルボン酸等のアルキル基含有フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の多核芳香族ジカルボン酸、シクロヘキシルジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸を用いることができる。上記多核芳香族ジカルボン酸としては、1,2-ナフタレンジカルボン酸、1,3-ナフタレンジカルボン酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸、1,5-ナフタレンジカルボン酸、1,6-ナフタレンジカルボン酸、1,7-ナフタレンジカルボン酸、1,8-ナフタレンジカルボン酸、2,3-ナフタレンジカルボン酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、2,7-ナフタレンジカルボン酸等のナフタレンジカルボン酸;アントラセンジカルボン酸;フェナントレンジカルボン酸等が挙げられる。また、上記脂環族炭化水素のジカルボン酸としては、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、2,3-ジカルボキシルノルボルナン等の炭素数6以上の脂環族炭化水素のジカルボン酸などが挙げられる。上記ジカルボン酸は、アルキルエステルとして用いてもよい。ジカルボン酸のアルキルエステルは、ジカルボン酸と同様に、ポリエステルイミド樹脂の合成反応、特にエステル化反応、エステル交換反応に関与することにより、ジカルボン酸と同様に、ポリエステルイミド分子鎖に組み入れられる。以上のようなジカルボン酸、そのアルキルエステルは1種又は2種以上混合して用いることができる。一般に、高分子量のジカルボン酸を用いるほど、得られるポリエステルイミドの加熱硬化物の密度が下がる傾向にあることから、分子量167以上のジカルボン酸、具体的には、上記多核芳香族炭化水素ジカルボン酸、脂環族炭化水素のジカルボン酸などを、少なくともジカルボン酸類の50質量以上使用することが好ましい。さらに、同程度の分子量であっても、脂環族炭化水素のように嵩高い置換基を有するジカルボン酸を用いた場合には、密度が小さくなる傾向にあるので、好ましい。2ジアミンジアミンとしては、従来よりポリエステルイミド樹脂系ワニスの分野で用いられているジアミン、具体的には、4,4’-メチレンジフェニルジアミンMDA、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、1,4-ジアミノナフタレン、へキサメチレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホンの他、高分子量具体的には分子量250以上の芳香族ジアミンを用いることができる。分子量250以上のジアミン化合物としては、特に限定しないが、芳香族ジアミンが好ましく用いられる。具体的には、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンMw=292.33、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルMw=368.43、1,1-ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}シクロヘキサンMw=450.59、1,4-ビス4-アミノフェノキシナフタレンMw=342.40、1,3-ビス4-アミノフェノキシアダマンタンMw=350.45、2,2-ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}プロパンMw=410.51、2,2-ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}ヘキサフルオロプロパンMw=518.45、ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}スルホンMw=432.49、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビストリフルオロメチルジフェニルエーテルMw=336.23、ビス{4-4-アミノフェノキシフェニル}ケトンMw=396.44、1,4-ビス4-アミノフェノキシ2,3,5-トリメチルベンゼンMw=334.41、1,4-ビス4-アミノフェノキシ2,5-ジ-t-ブチルベンゼンMw=404.54、1,4-ビス{4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ}ベンゼンMw=428.33、2,2-ビス[4-{4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ}フェニル]ヘキサフルオロプロパンMw=654.45、4,4’-ジアミノ-2-トリフルオロメチルジフェニルエーテルMw=268.23、1,3-ビス4-アミノフェノキシネオペンタンMw=286.37、2,5-ビス4-アミノフェノキシビフェニルMw=368.43、9,9’-ビス4-アミノフェニルフルオレンMw=348.44などを用いることができる。以上のようなジアミン類は、1種又は2種以上組合せて用いることができる。好ましくは、ジアミン類の少なくとも30質量以上、分子量250以上のジアミンを用いることにより、低密度のポリエステルイミド加熱硬化物が得られやすい。3アルコール類アルコール類としては、例えば、エチレングリコール、ネオペンチルルグリコール、1,4-ブタンジオール、1,6-ヘキサンジオール、1,6-シクロヘキサンジメタノール等の2価アルコール;グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等の3価以上のアルコール;イソシアヌレート環を有するアルコールなどが挙げられる。イソシアヌレート環を有するアルコールとしては、トリスヒドロキシメチルイソシアヌレート、トリス2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートTHEIC、トリス3-ヒドロキシプロピルイソシアヌレート等が挙げられる。これらの多価アルコールは単独又は2種以上組み合わせて用いてもよいが、耐熱性付与の観点から、イソシアヌレート環を有するアルコールと低級アルコールとの組み合わせを用いることが好ましい。より好ましくはTHEICとエチレングリコールの組み合わせである。さらに好ましくは、エチレングリコールEGに対するTHEICのOH基モル比率THEIC/EGが0.5~4.0となる割合での組み合わせである。以上のようなポリエステルイミド原料モノマーの組合せについては、加熱硬化物の密度が1.39g/cm3以下であればよく、特に限定しないが、加熱硬化による密度変化すなわち硬化による膨張又は硬化収縮はほとんどないことから、密度1.39g/cm3以下のポリエステルイミドが得られるように組み合わせればよい。具体的には、イミド形成成分であるジアミン、エステル形成成分であるカルボン酸の夫々について、高分子量の化合物を選択することが好ましい。具体的には、カルボン酸として、分子量167以上のカルボン酸、ジアミンとして分子量250以上のジアミン化合物を用いることで、形成されるポリエステルイミド樹脂の加熱硬化膜の密度低減を図ることが容易となる。ジアミン、ジカルボン酸のいずれか一方であってもよいが、ジカルボン酸、ジアミンの双方について、高分子量の組合せを用いることで、イミド構成単位の密度を低減でき、より高い密度低減効果を得ることができる。上記ポリエステルイミド形成成分の配合組成において、カルボキシル基に対する水酸基のモル比率OH/COOH以下、この比率を水酸基過剰率と称することがあるは、1.2~2.7とすることが好ましく、より好ましくは1.2~2.0であり、さらに好ましくは1.5~1.9である。本発明者らの見地によると、OH/COOHが増大するほど、ポリエステルイミド加熱硬化膜の誘電率が高くなる傾向にあることが確認されている。このことは、分極の大きい水酸基がポリエステルイミド分子鎖末端となっている割合が高いためではないかと推測される。従って、ポリエステルイミド加熱硬化膜の誘電率の低減のためには、水酸基過剰率を小さくすることが考えられるが、水酸基過剰率が低すぎる場合、特に1以下では、反応液の固化が激しく、攪拌することが実質的に不可能であることから、焦げ付きが発生しやすいという問題がある。溶剤を用いることでこれらの問題を解決することは可能であるが、酸が過剰になると未反応の酸が残り、外観が悪化するという問題を惹起することになる。このような理由から、水酸基過剰率を1超、好ましくは上記範囲内とすることが推奨される。ここでいう水酸基量は、アルコール類に含まれる水酸基量で、配合量モルに官能基数を乗じた量として求められる。例えば、エチレングリコールは、1分子に2個のOH基を有することから2モル、THEICは1分子中に3個のOH基を有することから3モルで計算される。カルボキシル基量は、エステルを形成するカルボキシル基の量をいい、具体的には、カルボン酸類であるジカルボン酸又はそのアルキルエステルの配合量モル、及び多価カルボン酸無水物に含まれるフリーのカルボキシル基量をいう。配合量モルに官能基数を乗じた量として求められ、ジカルボン酸は2モルで計算され、カルボキシル基がエステルとなっていても、ジカルボン酸と同等に扱って計算される。また、酸無水物の場合には、フリーのカルボキシル基の量のみが酸として、上記カルボキシル基のモル比率に計算される。例えば、トリメリット酸無水物の場合、1モルとして計算される。また、上記ポリエステルイミド原料モノマーの配合組成において、得ようとするポリエステルイミドのエステル結合に対するイミド結合のモル比イミド/エステルは特に限定せず、従来のポリエステルイミドにおけるイミド/エステル比の範囲である0.2~1.0程度の範囲で配合すればよいが、好ましくは0.32~1.0である。本発明者らの見地によると、イミド/エステル比を大きくすると、誘電率も低下する傾向にあること特願2010-186880号参照から、イミド/エステル比を0.32以上~1.0とすることで、より誘電率を低くすることが可能となる。ここで、イミド量は、酸無水物とジアミンから合成されるイミド酸のモル比で、ジアミンの配合量モル数に官能基数2を乗じた量として求められる。また、エステル量は、カルボン酸量として計算される。従って、前述の水酸基過剰率で算出したカルボキシル基量と等しい。4イソシアネートポリエステルイミド原料モノマーとしては、上記カルボン酸類、ジアミン、アルコール類の他、本発明の効果を害しない範囲内であれば、ジイソシアネートを含んでもよい。ジイソシアネートとしては、例えば、ジフェニルメタン-4,4-ジイソシアネートMDI、ジフェニルメタン-3,3-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-3,4-ジイソシアネート、ジフェニルエーテル-4,4-ジイソシアネート、ベンゾフェノン-4,4-ジイソシアネート、ジフェニルスルホン-4,4-ジイソシアネート、トリレン-2,4-ジイソシアネート、トリレン-2,6-ジイソシアネート、ナフチレン-1,5-ジイソシアネート、m-キシリレンジイソシアネート、p-キシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネートを用いることができる。このようなジイソシアネートは、カルボン酸類と反応して、アミド、イミドの形成反応に関与することができる。ポリエステルイミドの製造方法は特に限定しない。例えば、1ポリエステルイミド原料モノマー例えば、カルボン酸類、ジアミン、アルコール類を一括投入してイミド化及びエステル化を同時に行う方法;2イミド酸成分カルボン酸無水物、ジアミン、及びこれらの反応物以外のポリエステル形成成分多価カルボン酸、モノカルボン酸又はこれらのアルキルエステル、及びアルコール類を予め反応させたのち、イミド酸成分を添加してイミド化する方法などが挙げられる。ポリエステルイミドの合成には、さらに触媒として、テトラブチルチタネートTBT、テトラプロピルチタネートTPT等のチタン系が用いられる。テトラプロピルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラメチルチタネート、テトラブチルチタネート、テトラヘキシルチタネート等のチタンアルコキシドが好ましく用いられる。触媒は、ポリエステルイミド原料モノマー100質量部あたり0.01~0.5質量部合成される樹脂分の0.01~0.5質量配合することが好ましい。上記製造方法のうち、合成の簡便さという点から、1の方法が好ましく用いられる。具体的には、原料モノマーを系内に投入し、加熱して、80~250°Cで反応させる。原料モノマーの反応は、クレゾール等の有機溶剤存在下で行ってもよいし、無溶剤下で行ってもよい。イミドジカルボン酸が生成されると合成系の粘度が高くなることから、系内の制御が容易という点では溶剤存在下で合成することが好ましい。一方、無溶剤でのポリエステルイミド樹脂の合成によれば、系内におけるポリエステルイミド原料モノマーが高濃度に存在することになるため、反応の高速度化、高分子量化を期待できる。なお、溶剤存在下で行う場合、溶剤希釈後、加熱し、80~250°Cで反応させればよい。反応の完了は、モノマー配合量から算出される留出水、樹脂量の計算値との一致を確認することにより知ることができる。反応完了後であっても、高分子量化したい場合などは、ゲル化しない範囲で、そのまま加熱をつづけてもよい。本発明で用いられるポリエステルイミド樹脂組成物は、以上のようにして合成されるポリエステルイミドを溶剤に溶解し、さらに必要に応じて硬化剤、その他の樹脂、添加剤を含んだものである。希釈用溶剤としては、ポリエステルイミド樹脂系ワニスに従来より用いられている公知の有機溶剤を用いることができる。具体的には、N-メチルピロリドン、クレゾール酸、m-クレゾール、p-クレゾール、フェノール、キシレノール、キシレン、セロソルブ類などのポリエステルイミド樹脂を溶解できる有機溶剤が用いられる。有機溶剤による希釈は、不揮発分固形分が、40~50質量となるようにする。硬化剤としては、チタン系硬化剤、ブロックイソシアネートなどを用いることができる。チタン系硬化剤としては、テトラプロピルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラメチルチタネート、テトラブチルチタネート、テトラヘキシルチタネート等が挙げられる。これらのチタン系硬化剤は、単独で用いてもよいし、塗料に用いられる有機溶剤と予め混合した混合液として配合してもよい。ブロックイソシアネートとしては、ジフェニルメタン-4,4-ジイソシアネートMDI、ジフェニルメタン-3,3-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-3,4-ジイソシアネート、ジフェニルエーテル-4,4-ジイソシアネート、ベンゾフェノン-4,4-ジイソシアネート、ジフェニルスルホン-4,4-ジイソシアネート、トリレン-2,4-ジイソシアネート、トリレン-2,6-ジイソシアネート、ナフチレン-1,5-ジイソシアネート、m-キシリレンジイソシアネート、p-キシリレンジイソシアネート等が例示される。これらのうち、耐熱性を付与できるイソシアヌル環を有する化合物が好ましく用いられる。具体的には、住友バイウレタン社のCTstable、BL-3175、TPLS-2759、BL-4165などを用いることができる。ポリエステルイミド樹脂以外の樹脂、例えば、フェノール樹脂、キシレン樹脂、フェノール変性キシレン樹脂等のフェノール樹脂類、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂などを、絶縁被膜に求められる特性、例えば、耐熱性、可撓性などの向上のために、樹脂成分の30質量以下、好ましくは20質量以下、より好ましくは10質量以下の範囲で、添加してもよい。この程度の添加であれば、加熱硬化膜の密度に与える影響、ひいては絶縁被膜の誘電率特性に与える影響は小さいからである。さらに必要に応じて、加熱硬化膜の密度、誘電率に影響の与えない範囲内で、顔料、染料、無機又は有機のフィラー、潤滑剤等の添加剤が添加されてもよい。絶縁電線本発明の絶縁電線は、上記のようにして調製されるポリエステルイミド樹脂組成物の加熱硬化膜を絶縁被膜として用いたものである。加熱硬化膜は、ポリエステルイミド樹脂組成物を、導体又は導体上に形成された被膜下地層上に塗布し、加熱することにより形成される。塗布、焼付けは、従来の絶縁電線の絶縁皮膜の形成と同様な方法、条件により行うことができる。通常、300~500°C程度の炉内を2~4分間、通過させることにより行うことが好ましい。塗布、焼付け処理を2回以上繰り返してもよい。加熱硬化膜の厚みは、導体を保護する観点から、1~100μmが好ましく、より好ましくは10~50μmである。加熱硬化膜が分厚くなりすぎると、絶縁電線の外径が大きくなり、ひいては絶縁電線を捲線したコイルの占積率が低下する傾向にあるからである。本発明の絶縁電線は、以上のようにして形成されるポリエステルイミド加熱硬化膜の密度が1.39g/cm3以下である。ポリエステルイミド原料のOH/COOH比、イミド/エステル比を一定にした条件下では、図1に示すように、ポリエステルイミド加熱硬化膜の密度と誘電率とがほぼ比例関係にある。現在、流通しているポリエステルイミドワニスにより形成されるポリエステルイミド加熱硬化膜の誘電率は、3.6~3.9程度である。従って、加熱硬化膜の密度を1.39g/cm3以下に調節することにより、現在上市されているポリエステルイミドワニスを用いて得られる絶縁被膜の誘電率より低減を図れることになる。なお、図1は、OH/COOH=1.6、イミド/エステル比=0.7の場合である。本発明の絶縁電線に用いられる導体としては、銅や銅合金線、アルミニウム線などの金属導体が用いられる。導体の径やその断面形状は特に限定しないが、導体径が0.4mm~3.0mmのものが一般に使用できる。ポリエステルイミド加熱硬化膜は、導体上に直接形成されていてもよいし、導体とポリエステルイミド樹脂製絶縁被膜との間に下地層が形成されていてもよい。下地層としては、たとえばポリウレタン系、ポリエステル系、ポリエステルイミド系、ポリエステルアミドイミド系、ポリアミドイミド系、ポリイミド系等、従来公知の種々の絶縁塗料の塗布、焼付けにより形成される絶縁膜が挙げられる。さらに、ポリエステルイミド加熱硬化膜の上層に上塗層を設けてもよい。特に、絶縁電線の外表面に、潤滑性を付与するための表面潤滑層を設けることにより、コイル巻や占積率を上げるための圧縮加工時に電線間の摩擦により生じる応力、ひいてはこの応力により生じる絶縁皮膜の損傷を低減できるので好ましい。上塗層を構成する樹脂としては、潤滑性を有するものであればよく、例えば、流動パラフィン、固形プラフィン等のパラフィン類、各種ワックス、ポリエチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の潤滑剤をバインダー樹脂で結着したものなどを挙げることができる。好ましくは、パラフィン又はワックスを添加することで潤滑性を付与したアミドイミド樹脂が用いられる。本発明を実施するための最良の形態を実施例により説明する。実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。測定、計算方法はじめに、本実施例で行なった測定、計算出方法について説明する。1加熱硬化膜の密度得られた各絶縁電線について、銅線を引き抜き、筒状の加熱硬化膜サンプルを取得した。この加熱硬化膜サンプルについて、メトラー製の比重測定装置を用いて、密度を測定した。なお、密度測定は、1回0.3~0.5gの試料を3点測定し、その平均値を採用した。2誘電率の測定得られた各絶縁電線について、絶縁層の誘電率を測定した。測定は図1に示すようにして行った。すなわち、絶縁電線の表面3か所に銀ペーストを塗布して作製した測定用のサンプル塗布幅は両端2か所が10mm、中央部分が100mmであるについて、導体と銀ペースト間の静電容量をLCRメータで測定し、測定した静電容量の値と硬化膜の厚みから誘電率を算出した。3水酸基過剰率OH/COOHモノマーの配合量に基づき、下記式によりOH量及びCOOH量を算出し、OH量/COOH量を算出した。OH量=エチレングリコールのモル数×2THEICのモル数×3COOH量=ジカルボン酸TPA、NDCA、又はCHDAのモル数×2TMAのモル数×14イミド/エステル比モノマーの配合量に基づき、下記式によりイミド量及びエステル量を算出し、イミド/エステル比を算出した。イミド量=ジアミン化合物のモル数×2エステル量=ジカルボン酸TPA、NDCA、又はCHDAのモル数×2TMAのモル数×1ポリエステルイミド樹脂の合成ポリエステルイミド樹脂の原料モノマーとして、下記化合物を表1に示すように組み合わせて、さらに、触媒としてテトラプロピルチタネートTPTを1.2g配合して、80°Cまで昇温した後、80°Cから1時間かけて180°Cまで昇温し、さらに180°Cから4時間かけて235°Cまで昇温し、さらに235°Cで3時間保持した。いずれも3時間保持の間に反応が完了し、3時間未満で反応完了した場合でも、その後、加熱を続けた。なお、反応の完了は、カルボン酸と水酸基とのエステル化反応、ジアミンとカルボン酸無水物とのイミド化反応の過程で水が生成することに基づき、配合モノマー量から計算される理論水量と上記ポリエステルイミド樹脂の合成で生成した水量とが一致したことにより確認した。aカルボン酸類無水トリメリット酸TMAテレフタル酸TPAナフタレンジカルボン酸NDCAシクロヘキサンジカルボン酸CHDAbアルコール類エチレングリコールEGトリス2-ヒドロキシエチルシアヌレートTHEICcジアミン類4,4’-メチレンジフェニルジアミンMDA4,4’-ジアミノジフェニルエーテルDPE9,9’-ビス4-アミノフェニルフルオレンBAPF1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンAPB2,2-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP配合モノマーにおけるTHEIC/EGOH基モル比率、水酸基過剰率OH/COOH、合成されるポリエステルイミドのイミド結合とエステル結合の含有モル比率イミド/エステル、合成されたポリエステルイミド量を、表1に併せて示す。ポリエステルイミド樹脂組成物の調製上記で合成したポリエステルイミドを、SCX-1ネオケミカル株式会社の商品名で、フェノールとクレゾールの混合溶剤である及びスワゾール1000丸善石油株式会社の商品名で、ソルベントナフサであるを、SCX-1/スワゾール=80/20の割合で混合した溶液を添加して、ポリエステルイミド濃度50質量となるように希釈した。このポリエステルイミド溶液に、硬化剤として、TPTテトラプロピルチタネートをクレゾールで溶解したTPT/クレゾール溶液TPT濃度6360g添加した後、120°Cで2時間混合した。ポリエステルイミド樹脂組成物No.1-9を調製した。また、No.8の樹脂組成物に、フェノール樹脂130gを添加混合して、樹脂組成物No.10を調製した。絶縁電線の作製及び誘電率の測定評価上記で調製したポリエステルイミド樹脂組成物No.1-10を、銅線直径1.0mmに塗布し、炉温450°Cで焼きつけて、厚み35μmのポリエステルイミド加熱硬化膜で絶縁被覆された絶縁電線を作成した。作製した絶縁電線No.1-10について、上記測定方法に基づいて、密度、誘電率を測定した。測定結果と併せて表1に示す。ポリエステルイミド加熱硬化膜No.1は従来例である。得られたポリエステルイミド加熱硬化膜の密度と誘電率との関係を示すと、図1のようになった。図1中、白丸は、加熱硬化膜No.10を示している。図1から、ポリエステルイミド加熱硬化膜の密度と誘電率とは相関関係があり、密度が小さくなるほど、誘電率が低くなることがわかる。そして、ポリエステルイミド加熱硬化膜の密度が1.39g/cm3を超えると、誘電率は3.60以上であり、密度を1.39g/cm3以下とすることにより、誘電率を3.60以下にできることがわかる。No.1-4の比較から、原料モノマーとして使用するジアミンの重量平均分子量が大きいほど、形成される加熱硬化膜の密度が小さくなる傾向にあることがわかる。またNo.6,7の比較から、原料モノマーの分子量だけでなく、嵩高いシクロヘキシル基を有するジカルボン酸を用いることによっても、得られる加熱硬化膜の密度が小さくなる傾向にあることがわかる。さらにNo.8とNo.10の比較から、樹脂成分の10質量以下程度であれば、ポリエステルイミド以外の樹脂を含有する場合であっても、得られる加熱硬化膜の密度に対する影響は小さいことがわかる。"