"試料をx軸方向、y軸方向、z軸方向及びz軸周りに移動させるステージと、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し試料表面にスリット状のビームスポットを生成する照明光学系と、試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有し上記ビームスポットからの光を検出する斜方検出系と、試料の表面の法線に沿った光軸を有し上記ビームスポットからの光を検出する上方検出系と、上記斜方検出系と上記上方検出系の出力を入力し試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する信号処理系と、を有し、上記検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度であることを特徴とする欠陥検査装置。請求項1記載の欠陥検査装置において、上記照明光学系は、上記斜方検出系と対向する方向から検査用照明光を試料表面に照射する第1の照明ビームスポット結像部と、該第1の照明ビームスポット結像部による検査用照明光の方向に対して所定の角度だけずれた方向から検査用照明光を照射する第2の照明ビームスポット結像部と、該第2の照明ビームスポット結像部による検査用照明光の方向に対して所定の角度だけずれた方向から検査用照明光を照射する第3の照明ビームスポット結像部とを有し、上記第1、第2および第3の照明ビームスポット結像部の少なくとも1つを用いて上記ビームスポットを生成することを特徴とする欠陥検査装置。請求項1記載の欠陥検査装置において、上記第2および第3の照明ビームスポット結像部による検査用照明光の方向は、上記第1の照明ビームスポット結像部による検査用照明光の方向に対して45度の角度だけずれた方向であることを特徴とする欠陥検査装置。請求項1記載の欠陥検査装置において、上記照明光学系の光軸の傾斜角度と上記斜方検出系の光軸の傾斜角度は、試料の表面の透明薄膜上の欠陥の検出精度に基づいて調整可能であることを特徴とする欠陥検査装置。請求項1記載の欠陥検査装置において、上記上方検出系及び上記斜方検出系は、試料上に存在する回路パターンの繰り返しパターンからの回折光を遮光する空間フィルタを有し、該空間フィルタの繰り返し遮光パターンの寸法及び形状を自動的に設定できることを特徴とする欠陥検査装置。近年、半導体の集積化により多層ウェハが増加傾向にある。多層ウェハは、基板の上に透明薄膜例えば酸化膜を形成し、その上に回路パターンを形成する工程の繰り返しによりが作られる。そこで、ウェハ上の欠陥検査では、透明薄膜の表面の微小異物やスクラッチ等の欠陥を検出するニーズが高まっている。従来の欠陥検査装置では、検出光学系は、その光軸が検査対象の基板に対して垂直になるように、配置されている。検査対象の基板に検査用照明光を照射すると、透明薄膜に透過した検査用照明光は透明薄膜下面を反射する。この反射光が、透明薄膜の上面に存在する異物等からの散乱光に重畳して検出されると、目的の異物等からの散乱光を正確に測定することができない。更に、透明薄膜の膜厚が変動すると、透明薄膜下面からの反射光の明るさが変動し、この明るさの変動が異物の信号の変化として捕らえることがあり、異物を誤検出することになる。本発明の目的は、表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる欠陥検査装置を提供することにある。本発明の欠陥検査装置によると、照明光学系は、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し、試料表面にスリット状のビームスポットを生成する。試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有する斜方検出系と試料の表面の法線に沿った光軸を有する上方検出系によって、ビームスポットからの光を検出する。斜方検出系と上方検出系の出力によって、試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する。検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度である。本発明によると、表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる。先ず、図1を参照して、本発明による欠陥検査装置の検査の対象である試料について説明する。図1aに示す半導体ウェハ1aは、所定の間隔で2次元に配列したメモリLSIからなるチップ1aaを有する。チップ1aaは、主として、メモリセル領域1ab、デコーダやコントロール回路等からなる周辺回路領域1ac、及び、その他の領域1ad、を有する。メモリセル領域1abは、2次元に規則的に配列した、即ち、繰り返しのメモリセルパターンを有する。周辺回路領域1acは、2次元的に規則的に配列されていない非繰り返しパターンを有する。図1bに示す半導体ウェハ1b、所定の間隔で2次元に配列したマイコン等のLSIからなるチップ1baを有する。チップ1baは、主として、レジスタ群領域1bb、メモリ部領域1bc、CPUコア部領域1bd、及び、入出力部領域1beを有する。なお、図1bは、メモリ部領域1bcとCPUコア部領域1bdと入出力部領域1beの配列を概念的に示したものである。レジスタ群領域1bbおよびメモリ部領域1bcは、2次元に規則的に配列した、即ち、繰り返しのパターンを有する。CPUコア部領域1bdおよび入出力部領域1beは、非繰り返しパターンを有する。このように、本発明による欠陥検査装置の被検査対象物1は、図1に示した半導体ウェハのように、規則的に配列されたチップを有するが、チップ内においては、最小線幅が領域毎に異なり、しかも繰り返しパターン及び非繰り返しパターンを含み、様々な形態が考えられる。本願の発明者は、透明薄膜に透過した検査用照明光の挙動を検討し、透明薄膜下面における反射光の低減策を考察した。先ず、検査用照明光の入射角について検討した。図2aに示すように、試料は、ケイ素基板上に酸化ケイ素の透明薄膜が形成されたものである。透明薄膜の下面、即ち、ケイ素基板上に回路パターンが形成されている。入射光が透明薄膜上面の法線となす角を入射角θ1、透明薄膜を通って外部に出射する光が透明薄膜上面の法線となす角を、出射角屈折角θ2とする。透明薄膜に入射した光が透明薄膜下面で反射し、さらに透明薄膜上面を透過して外部へ出射する光の強度を入射角θ1毎に計算した。図2bはP偏光とS偏光についての計算結果を示す。横軸は入射角θ1、縦軸は入射光強度Iinに対する出射光強度Ioutの比Iout/Iinである。透明薄膜に略垂直に光を入射した場合、即ち、入射角が0°に近い場合、入射光強度Iinに対する出射光強度Ioutの比は、Iout/Iin0.35であった。入射角が90°に近い場合、即ち、透明薄膜に対して約5°で入射した場合、入射光Iinに対する出射光Ioutの比は、Iout/Iin0.05以下になる。P偏光とS偏光を比較すると、入射角が80°~90°付近では、P偏光の透過光強度はS偏光の透過光強度の約2倍である。次に、透明薄膜下面で発生した散乱光が透明薄膜上面を透過して、空気中に出射する場合の出射角屈折角について検討した。図3aは入射角θ1と出射角屈折角θ2の関係を示す。入射角θ1が0°~約42°の場合、入射角の変化に対する出射角θ2の変化は比例の関係になっているが、入射角θ1が40°を超えると、出射角θ2は急激に増加し、入射角θ1が42.8°のとき、透明薄膜下面を反射した光は、透明薄膜上面にて全反射する。即ち、入射角θ1が42.8°より大きいと、透明薄膜下面の反射光は透明薄膜を抜けて空気中に出射することはできない。入射角θ1が42°から全反射角42.8°までの約1°の範囲において、出射角θ2は約80°から約90°までの約10°の範囲を変化する。即ち、入射角の変化幅が約1°であっても、出射角は約10°に渡って広がる。図3bは、入射角θ1が42.8°のとき、透明薄膜下面を反射した光が透明薄膜上面にて全反射した場合を示す。透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜下面の法線となす角を全反射角θ3とする。透明薄膜下面に到達した光は、透明薄膜下面にて反射すると同時に散乱する。こうして生成された散乱光は検出器によって背景光として検出される。散乱光が透明薄膜下面の法線となす角を散乱角θs1、散乱角θs2とする。全反射角θ3より大きい散乱角θs2を有する散乱光は、透明薄膜上面にて全反射する。全反射角θ3より小さい散乱角θs1を有する散乱光は透明薄膜上面を抜けて空気中に出射し、背景光となる。従って、背景光は全散乱光の略半分となる。こうして、入射角θ1が略42.8°に等しいとき、散乱光に起因する背景光を略半減することができる。従って、透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角θ1より僅かに小さい角度の入射角にて、検査用照明光を照射することによって、透明薄膜の下面からの散乱光に起因した背景光の光量を低減させることができる。近年、半導体の集積化によりパターンが微細化され、それに伴い、欠陥検査装置の検出器が検出する検出信号が小さくなっている。従って、図4aに示すように、背景光が存在すると、表面の欠陥が正確に検出できない。図4bに示すように、透明薄膜の下面に形成されたパターンからの散乱光は、入射照明光の入射平面にそった散乱分布が支配的であり、それ以外の方向への散乱強度は弱い。本発明によると、試料表面に対して僅かに傾斜した光軸を有する照明光学系を設け、試料上の透明薄膜に対して僅かに傾斜した検出用照射光を照射する。更に、試料表面に対して僅かに傾斜した光軸を有する斜方検出系を設け、試料上の透明薄膜に対して僅かに傾斜した出射光を検出する。それにより、斜方検出系によって検出する透明薄膜下面からの散乱光の検出量を低減することができる。照明光学系の光軸及び斜方検出系の光軸の傾斜角は調整可能である。照明光学系の光軸及び斜方検出系の光軸の傾斜角度は、試料の表面の透明薄膜上の欠陥の検出精度に基づいて調整することができる。更に、照明光学系からの検出用照射光は、S偏光、P偏光、円偏光、無偏光のいずれかが可能であり、検出精度に基づいて変化させることができる。透明薄膜下面からの散乱光の検出量を低減することができるから、透明薄膜の膜厚変動に起因する背景光の明るさの変動の影響を防止することができる。そのため、検出系における検出感度が向上し、同時に虚報の検出率の低減が可能となる。次に、図5を参照して、本発明による欠陥検査装置の構成を説明する。欠陥検査装置は、ウェハ等の試料をxyz方向及びz軸周りに移動させるステージ部300と、試料上に検査用照明光を照射する照明光学系100と、試料からの反射光を検出する上方検出光学系200と、試料からの反射光を検出する傾斜検出光学系500と、演算処理、信号処理等を行う制御系400とを有する。ステージ部300は、xステージ301、yステージ302、zステージ303、回転ステージ304およびステージコントローラ305を有する。照明光学系100は、レーザ光源101、凹レンズ102および凸レンズ103より構成されるビームエキスパンダ、光学フィルタ群104およびミラー105で構成されるビーム整形部、3つのビームスポット結像部110、120、130を有する。ビームスポット結像部110は、光学分岐要素またはミラー106、円錐曲面を持つ照明レンズ107、およびミラー108、109を有する。光学フィルタ群104は、NDフィルタおよび波長板を含む。レーザ光源101として、高出力のYAGレーザの第3高調波THG、波長355nmを用いるのがよいが、必ずしも355nmである必要はない。また、レーザ光源101として、YAG/THGである必要もない。すなわち、レーザ光源101として、Arレーザ、窒素レーザ、He-Cdレーザ、エキシマレーザ等他の光源であっても良い。上方検出光学系200は、検出レンズ201、空間フィルタ202、結像レンズ203、ズームレンズ群204、1次元検出器イメージセンサ205、空間フィルタ制御207、及び、ズームレンズ制御208を有する。傾斜検出光学系500は、1次元検出器イメージセンサ501、対物レンズ502、空間フィルタ503、及び結像レンズ504を有する。1次元検出器205はTDITimeDelayIntegration:遅延積算センサであってよい。制御系400は、演算処理部401、信号処理部402、出力部403、及び、入力部404を有する。演算処理部401はCPU等を有し、モータ等の駆動、座標、センサを制御する。信号処理部402は、A/D変換部、遅延させることができるデータメモリ、チップ間の信号の差をとる差分処理回路、チップ間の差信号を一時記憶するメモリ、パターン閾値を設定する閾値算出処理部、比較回路等を有する。出力部403は、異物等の欠陥検出結果を記憶すると共に欠陥検出結果を出力又は表示する。入力部404は、ユーザにより命令及びデータを入力する。図5の左下に座標系を示す。平面上にxy軸をとり、垂直上方にz軸をとる。上方検出光学系200の光軸はz軸に沿って配置され、傾斜検出光学系500の光軸は、xz平面上に配置されている。図6を参照して、照明光学系100の3つのビームスポット結像部110、120、130について説明する。図6は、試料1であるウェハを上から見た図である。第1のビームスポット結像部110を経由してx軸方向の検査用照明光11が照射され、第2のビームスポット結像部120を経由してy軸に対して-45度傾斜した方向の検査用照明光12が照射され、第3のビームスポット結像部130を経由してy軸に対して45度傾斜した方向の検査用照明光13が照射される。第1のビームスポット結像部110の反対側に、斜方検出系500が配置されている。これらの検査用照明光11、12、13は、試料1の表面に対して所定の角度αにて傾斜して照射される。特に、検査用照明光12、13の仰角αを小さくすることによって、透明薄膜下面からの散乱光の検出量を低減することができる。これらの検査用照明光11、12、13によって、試料1上に細長いビームスポット3が形成される。ビームスポット3は、y軸方向に沿って延びている。ビームスポット3のy軸方向の長さは、上方検出光学系200の1次元検出器205の受光エリア4より大きい。照明光学系100に、3つのビームスポット結像部110、120、130を設けた理由について説明する。検査用照明光12、13をxy平面上に投影した像がx軸となす角をそれぞれφ1、φ2とすると、本例では、φ1=φ2=45度である。それによって、基板1上の非繰り返しパターンからの0次の回折光が検出系200の対物レンズ201に入射することが回避されるが、その理由については、特許3566589号に詳細に記載されており、ここではその説明は省略する。基板1上の非繰り返しパターンは、主として、平行及び直角に形成された直線状パターンからなる。これらの直線状パターンは、x軸又はy軸方向に延びている。基板1上のパターンは、突出して形成されているため、隣接する直線状パターンの間には凹部が形成される。従って、x軸及びy軸に対して45度傾斜した方向から照射した検査用照明光12、13は、突出した回路パターンによって遮られ、直線状パターンの間の凹部を照射することができない。そこで、x軸方向に沿った検査用照明光11を生成するビームスポット結像部110を設けた。こうして検査用照明光11によって、直線状パターンの間の凹部を照射することができるため、そこに存在する異物等の欠陥を検出することができる。直線状パターンの方向により、試料を90度回転させて検査するか、検査用照明光11を、y軸方向に沿って照射してよい。尚、検査用照明光11のように、x軸方向に沿って照射し、直線状パターンの間の凹部を照射する場合には、検出器が0次の回折光を検出しないように0次の回折光を遮光する必要がある。そのために、空間フィルタ202が設けられる。図7及び図8を参照して、細長いビームスポット3を形成する方法を説明する。図7には、照明光学系100のうち、レーザ光源101、凹レンズ102、凸レンズ103、及び、照明レンズ104のみを示し、他の構成要素105、106、107、108、109は省略している。照明レンズ104は、円錐曲面を持つシリンドリカルレンズであり、図7aに示すように、長手方向に沿って、直線的に焦点距離が変化し、図7bに示すように、平面凸レンズの断面を有する。図8に示すように、試料1に対して傾斜して入射する照明光に対しても、y方向に絞り込み、x方向にコリメートされたスリット状のビームスポット3を生成することができる。試料1の表面に対する照明光の角度をα1、試料1上に投射された検査用照明光11の像がx軸となす角をφ1とする。このような照明レンズ104を用いることにより、x方向に平行光を有し、かつφ1=45度付近の照明を実現することができる。円錐曲面を有する照明レンズ104の製造方法等については、特許3566589にて記載されているので、ここではその説明を省略する。図9を参照して照明光学系100の3つのビームスポット結像部110、120、130の構造の例を説明する。レーザ光源101から出射したレーザビームは、ハーフミラー等の第1の分岐光学要素141によって2つの光路に分岐する。一方はミラー142、143を反射し第1のビームスポット結像部110を構成する凹レンズ144に入射する。こうして、第1のビームスポット結像部110からの照明光11が生成される。他方はハーフミラー等の第2の分岐光学要素145によって2つの光路に分岐する。一方は、ミラー146を反射し、第2のビームスポット結像部120を構成する凹レンズ147に入射する。こうして、第2のビームスポット結像部120からの照明光12が生成される。他方は第3のビームスポット結像部130を構成する凹レンズ148に入射する。こうして、第3のビームスポット結像部130からの照明光13が生成される。第1の分岐光学要素141を退出させるかまたは素通りの光学要素141aに切り換えることによって第1のビームスポット結像部110からの照明光11は生成されない。即ち、第2のビームスポット結像部120からの照明光12と第3のビームスポット結像部130からの照明光13のみが生成される。第1の分岐光学要素141を退出させるかまたは素通りの光学要素141aに切り換え、更に、第2の分岐光学要素145をミラー145aに切り換えることによって、第3のビームスポット結像部130からの照明光13のみが生成される。第1の分岐光学要素141を退出させるかまたは素通りの光学要素141aに切り換え、更に、第2の分岐光学要素145を退出させるかまたは素通りの光学要素に切り換えることによって、第2のビームスポット結像部120からの照明光12のみが生成される。第1の分岐光学要素141を配置し、第2の分岐光学要素145をミラー145aに切り換ることによって、第1のビームスポット結像部110からの照明光11と第3のビームスポット結像部130からの照明光13のみが生成される。第1の分岐光学要素141を配置し、第2の分岐光学要素145を退出させるかまたは素通りの光学要素に切り換ることによって、第1のビームスポット結像部110からの照明光11と第2のビームスポット結像部120からの照明光12のみが生成される。こうして、本例では、3つのビームスポット結像部110、120、130からの照明光10、11、12のうち任意の照明光を生成することができる。上方検出光学系200について説明する。試料1上に検査用照明光が照射され、スリット状のビームスポット3が生成されると、散乱光を含む反射光が出射される。この出射光は、透明薄膜上面、下面、基板上の回路パターン、異物等の欠陥から出射される。この出射光は、上方検出光学系200の検出レンズ201、空間フィルタ202、結像レンズ203を経由し、検出器205によって受光され、そこで光電変換される。レーザ光源101からのビーム光束の照度パワーは、NDフィルタ104またはレーザパワーを制御することにより変化させることができるため、検出器205の出力のダイナミックレンジを変えることができる。次に空間フィルタ202について説明する。検査用照明光を試料上の繰り返しパターンに照射すると回折光縞回折干渉光縞が生成される。回折光縞が検出器205によって受光されると誤差信号が生成され、異物等の欠陥を検出することができない。空間フィルタ202は、繰り返しパターンからの回折光によるフーリエ変換像を遮光するために、対物レンズ201の空間周波数領域、即ちフーリエ変換の結像位置射出瞳に相当する。に配置される。図1及び図2を参照して説明したように、一般に、ウェハに形成されたチップには、繰り返しパターンと非繰り返しパターンとパターンなしとが混在し、繰り返しパターンの線幅は回路パターン毎に異なる。通常、頻度が多い繰り返しパターンからの回折光を消去するように空間フィルタ202の遮光パターンが設定される。空間フィルタ202として、特開平5-218163号公報および特開平6-258239号公報に記載されているように、遮光パターンを変更できる構造のものある。また、空間フィルタ202として、互いに異なる複数の遮光パターンを用意しておいてもよい。いずれの場合にも、回路パターンに応じて遮光パターンを変更又は切り換えることにより、回折光を遮断することができる。上述のように、検査用照明光11をx軸方向に沿って照射し、直線状パターンの間の凹部を照射する場合には、空間フィルタ202によって0次の回折光を遮光する必要がある。このような空間フィルタ202は、0次の回折光ばかりでなく、高次の回折光を遮断するように構成されてよい。次に、検出しようとする異物等の欠陥サイズに応じて検出感度を調整する方法について説明する。TDIセンサ等の1次元検出器イメージセンサ205の試料1上の画素サイズを小さくすると、スループットは落ちるが、より微小な異物等の欠陥を検出することができる。1次元検出器イメージセンサ205の画素について試料1上での像のサイズが可変となるように、3種類の検出光学系200を用意する。例えば、0.1μm以下程度の異物等の欠陥を検出する場合には、試料1上の画素サイズを小さくする検出光学系200に切り換える。このような構成を実現する方法として、レンズ群204を切り換える。例えば、試料1から、TDIセンサ等の1次元検出器205までの光路長が変化しないように、レンズの構成を設計しておくと良い。もちろん、このような設計が難しい場合、レンズの切り換えに併せて、センサまでの距離を変えられるような機構を用いても良い。また、センサ自体の画素サイズを変えたものを切り換えても良い。次に、図10を参照して、斜方検出系500について説明する。斜方検出系500の光軸は、試料表面に対して所定の傾斜角βだけ傾斜している。図2及び図3を参照して説明したように、透明薄膜の下面からの散乱光の検出量を低減するためには、斜方検出系500の光軸を、出射角が約80°から約90°までの範囲の出射光を検出するように配置する必要がある。試料に形成されたスリット状ビームスポットからの光は、対物レンズ502、空間フィルタ503、及び結像レンズ504を経由して、1次元検出器イメージセンサ501によって検出される。本例では、スリット状ビームスポットの像を検出するため1次元検出器イメージセンサが用いられる。空間フィルタ503は、上方検出光学系200の空間フィルタ202と同様に、試料上の繰り返しパターンからの回折光縞回折干渉光縞を遮断する。ここで、異物等の欠陥の検出方法の概要を説明する。ステップS101にて、制御系は上方検出光学系200の1次元検出器イメージセンサ205からの信号を入力し、それを高速並列画像処理する。ステップS103にて、検査画像を取り出す。ステップS104にて、ステップS102の遅延処理を経由して、検査画像に対する隣接画像を取り出す。ステップS105にて、検査画像と隣接画像の位置合わせ画像処理を行い、ステップS106にて、検査画像と隣接画像を比較する。ステップS107にて、比較結果から欠陥を判定する。同様に、ステップS201にて、斜方検出系500の1次元検出器イメージセンサ501からの信号を入力し、それを高速並列画像処理するステップS202からS207は、ステップS102からS107までと同様である。最後にステップS108にて、上方検出光学系200によって検出された欠陥と斜方検出系500によって検出された欠陥を合成して欠陥マップを作成する。図11は、1次元検出器イメージセンサ501としてTDIを用いた例を示す。斜方検出系500は焦点深度が浅いためNA0.3以下、TDIを用いることにより、自動焦点制御系のばらつきによる結像位置ずれを救済することができる。次に、斜方検出系500において、空間フィルタ503によって、繰り返しパターンから生じる回折光を遮断する方法を説明する。繰り返しパターンからの0次回折光の軌跡は、試料の法線方向から見ると、X軸及びy軸に平行は直線群となる。即ち、碁盤目状になり、直交する線の交点に0次回折光の極大値が現れる。図12aは、対物レンズ502の開口502aから見た0次回折光の軌跡を示す。0次回折光の軌跡は、互いに平行な直線群と曲線群からなり、交点522に0次回折光の極大値が現れる。図12bに示すように、空間フィルタ503の遮光部503aは、直線群を遮断するように、設けられている。こうして、空間フィルタ503に設けた互いに平行は帯状の遮光部503aによって、繰り返しパターンからの0次回折光が遮断される。繰り返しパターンのピッチが変化すると、0次回折光の軌跡のピッチも変化する。このような場合には、空間フィルタ503における直線状遮光部のピッチa、bと位相を変化させればよい。以上説明したように、繰り返しパターンについては、空間フィルタ502によって、0次回折光を遮断することができる。次に、斜方検出系500において、空間フィルタ503によって、非繰り返しパターンから生じる回折光を遮断する方法を説明する。非繰り返しパターンであっても、主としてxおよびy方向を向いた直線パターンから形成されている。検査用照明光12、13は、x軸及びy軸に対して45度傾斜した方向から照射される。検査用照明光12、13によって生成された0次回折光はx軸方向に沿って配置された斜方検出系500によって検出されない。しかしながら、検査用照明光11は、x軸方向から照射される。従って、対物レンズ502の開口には、0次回折光が入射される。従って、この場合には、空間フィルタ503によって0次回折光を遮断する。次に、図13を参照して、パターンがない酸化膜等の絶縁膜上に存在する異物等の欠陥を検査する方法を説明する。図13には、酸化膜等の透明膜での光の散乱の状況を示す。基板33上の酸化膜32の表面に十分小さい照明波長の数分の1の微粒子異物34が存在する。微粒子異物34からの光の波面が球面状に射出する。すなわち光の波面は、酸化膜側に伝播すると同時に検出器側に伝播する。光の波面は、酸化膜32と下地33との界面で反射する。この反射光と検出器側に射出した光が干渉し、射出方向に強弱が生じる。この結果、たとえば、3つの方向36、37、38によって、検出出力が異なることになる。酸化膜の厚さ、屈折率に応じて、この強度分布が変化する。そのため、同一方向から反射光を検出しても、検出位置が異なると、検出光の強度が変化し、感度が変わることになる。しかしながら、斜方検出系500を用いると、下地散乱光の検出量がきわめて小さいため、散乱光の影響を消去することができる。本例の斜方検出系500は、酸化膜等の絶縁膜32上の異物等の欠陥を検出することができる。次に、本発明による欠陥検査装置によって複数の条件にて検査を行う場合を説明する。この検査は、例えばダイナミックレンジを稼ぐために行う。照明光のパワーが大きいとき、標準であるとき、及び、小さいとき、の3つの条件を設定する。これらの3つの条件は、例えば、エリア優先、標準、感度優先に対応する。これらの3つの条件下にて、試料であるウェハの表面を検査し、それらの結果を統合して検査結果マップ検査結果マップとは、被検査対象基板1内において異物等の欠陥が検出された位置座標に欠陥のマークをプロットとした図面。を生成する。マップの代わりに、異物の座標リスト、あるいは異物の検出信号レベル等を示すリストやマップを生成してもよい。また、ダイナミックレンジを稼ぐためだけではなく、より微細な傷や異物等の欠陥を検出することを目的としてもよい。条件としては、例えばステージ301,302の走行時間、照明光学系100による照明方向α1、φ1ゼロも含む、φ2ゼロも含む、波長板104の有無等がある。また、x軸に、上方検出系200による検出信号レベルを、y軸に、斜方別の照明系による検出信号レベルをプロットする。これにより、予め設定した直線y=axによって、これらのプロットの位置を2つの領域に分類することができる。そして、この分類結果は、異物の特徴を示すことになる。ここで、境界線が直線y=axであるとして説明したが、必ずしも、直線である必要はなく、任意の曲線、あるいは複数の任意の直線もしくは曲線でもよい。また、これらの距離を求める空間は、複数の次元を持たせても良い。さらに、これらの複数の検査は、検出器205、501により、同時に検査されるものであっても良い。次に、以上説明した本発明に係る欠陥検査装置を用いた半導体等の製造ラインおよびその製造方法について説明する。本発明に係る欠陥検査装置を用いた半導体等の製造ラインは、製造工程、検査装置、プローブ検査工程、データ解析システムにより構成される。製造工程、特に、歩留まりへの影響の大きい歩留まりを左右する工程は、本発明による欠陥検査装置等の検査装置により常時監視される。また、この監視により、工程間の異常が検出された際は、この間の工程が、検査装置により監視され、異常を作り込む工程、あるいは装置を同定する。ところで、所望の工程だけの異物あるいは最表面に付着した異物等の欠陥を、高い識別精度で検査できるためには、この工程のプロセス処理を実施する前とプロセス処理を実施した後とにおいて、本発明に係る異物検査装置による異物等の欠陥検査を実施し、プロセス処理後の欠陥検査結果とプロセス処理前の欠陥検査結果との論理差を求めると良い。ところが、この論理差によって、当プロセス処理工程で発生した異物等の欠陥のみを、必ずしも検出することができない。これは、以下のような理由による。例えば、成膜等により異物等の欠陥の表面に膜が形成され、その結果異物等の欠陥サイズが大きくなり、検査感度が向上し、成膜前から存在していた欠陥が、成膜後には検査されることになるためである。即ち、実は、以前から付いていたはずの欠陥がその成膜工程前では検査されずに該成膜工程後に発見され、該成膜工程で発生したように間違えて判断されることになる。しかしながら、本発明では下地欠陥の散乱光を低減できるため、間違った判断をなくすことができる。以上説明したように、本発明によれば、照明の効率が向上でき、空間フィルタ、照明の照射角の最適化によりLSIパターン等表面の異物の検出感度を満足しつつ、基板内のパターンからの回折光を低減でき、さらに、透明薄膜の厚み変動に起因して発生する回折光の薄膜干渉による光量増減の影響も回避できるために、表面異物の検出と背景光との分離のために設けた検出しきい値を低く設定ができる。そのため、0.1μm程度の極微小の表面異物についても検出することができて、高感度な検出ができると共に虚報の検出を防止する効果を奏する。また、本発明によれば、基板表面の異物からの散乱光と内部のパターンからの散乱光の分離が可能であることより、ウェハの生産工程毎に検査を実施することにより、どの工程で発生した異物であるかの区分ができるため、欠陥の発生源の特定を迅速にできる効果を奏する。また、本発明によれば、従来の上方検出光学系の検出器に加えて、斜方検出光学系の検出器の出力が1回の検査によって同時に検出出力を得ることができるため、従来2倍の情報量を得ることができる。そのため、スループットを半分に向上させる効果を奏する。また、本発明によれば、検出器の増加に伴い、異物からの散乱光検出する場合、従来とは異なる散乱方向からも検出ができるため、情報量が2倍に増加するだけでなく、情報の価値も2倍に増加するために従来よりも正確な異物のサイズ、形状が判定できる効果を奏する。以上、本発明の例を説明したが、本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に容易に理解されよう。"