チャンバと、高真空ポンプと、高真空ポンプの排気側に排気管を介して接続されてこの高真空ポンプを補助排気するフォアポンプとを備えた真空処理装置に、ヘリウムガスを検知する質量分析管とこの質量分析管内を真空引きする真空ポンプとを有するリークディテクタを、接続管を介して接続し、トレーサガスとしてヘリウムガスを用い、このヘリウムガスを真空処理装置外側から吹き付け、真空処理装置の漏洩箇所からチャンバ内へと引き込まれたヘリウムガスを質量分析管と導いて検知することで、真空処理装置の漏洩検知を行う漏洩検知方法において、リークディテクタからの接続管を、排気管のうち高真空ポンプの排気側からこの排気管の全長の10以内の範囲内に接続することを特徴とする漏洩検知方法。前記接続管の排気管への接続位置は、この排気管内の実行排気速度が実質的に最小となる位置であることを特徴とする請求項1記載の漏洩検知方法。チャンバと、高真空ポンプと、高真空ポンプの排気側に排気管を介して接続されてこの高真空ポンプを補助排気するフォアポンプとを有し、前記排気管のうち高真空ポンプの排気側からこの排気管の全長の10以内の範囲内に、リークディテクタに通じる接続管が接続可能なポートを備えることを特徴とする真空処理装置。本発明は、以上の点に鑑み、短時間でかつ正確に漏洩検知ができる作業効率の良い漏洩検知方法を提供することをその第1の課題とするものである。また、リークディテクタを用いて短時間でかつ正確に漏洩検知できるように構成された真空処理装置を提供することを第2の課題とするものである。上記第1の課題を解決するために、本発明の漏洩検知方法は、チャンバと、高真空ポンプと、高真空ポンプの排気側に排気管を介して接続されてこの高真空ポンプを補助排気するフォアポンプとを備えた真空処理装置に、ヘリウムガスを検知する質量分析管とこの質量分析管内を真空引きする真空ポンプとを有するリークディテクタを、接続管を介して接続し、トレーサガスとしてヘリウムガスを用い、このヘリウムガスを真空処理装置外側から吹き付け、真空処理装置の漏洩箇所からチャンバ内へと吸い込まれたヘリウムガスを質量分析管と導いて検知することで、真空処理装置の漏洩検知を行う漏洩検知方法において、リークディテクタからの接続管を、排気管のうち高真空ポンプの排気側からこの排気管の全長の10以内の範囲内に接続することを特徴とする。本発明によれば、漏洩検知のために、チャンバを真空引きし、真空処理装置の外側からトレーサガスたるヘリウムガスを局所的に吹き付けていき、リークが存すると、このヘリウムガスがチャンバ内に吸い込まれて直ちに高真空ポンプへと導かれる。ここで、真空ポンプの実行排気速度は配管のコンダクタンスに依存するため、上記真空処理装置の真空排気系では、通常、コンダクタンスに対して、十分な排気速度が得られるように真空ポンプが選定されている。そして、高真空ポンプとフォアポンプとの間の排気管においてフォアポンプの実効排気速度は、このフォアポンプからの距離が長くなるのに従い、小さくなる。そこで、本発明では、リークディテクタからの接続管を、排気管のうち高真空ポンプの排気側からこの排気管の全長の10以内の範囲内に接続しているため、その接続位置でのフォアポンプの実効排気速度は小さい。これにより、フォアポンプの実効排気速度に対するリークディテクタの排気速度が大きくなって排気管内から接続管内へと導かれるヘリウムガスの量が多くなる。この場合、本発明を大型の真空処理装置の漏洩検知に適用しても、漏洩箇所からチャンバ内に吸い込まれたヘリウムガスが、高真空ポンプを経て接続管を通ってリークディテクタの質量分析管にヘリウムガスが到達するのに然程時間はかからない。したがって、誤検知を招来することなく、正確に漏洩箇所を特定できる。しかも、真空処理装置の近くにリークディテクタを配置することができるため、一人の作業者にて漏洩検知の作業を行うことも可能であり、作業性がよい。また、本発明において、真空処理装置は、真空計、スパッタリングカソードや開閉バルブなど、チャンバ内で実施される処理に応じてこのチャンバに取り付けられる各種の構成部品を含む概念である。また、接続管の長さは、短時間で応答性よくヘリウムガスを検知できるように1m以下とすることが望ましい。本発明においては、前記接続管の排気管への接続位置は、この排気管内の実行排気速度が実質的に最小となる位置、即ち、排気管のうち高真空ポンプの排気側直下であることが好ましい。また、上記第2の課題を解決するために、本発明の真空処理装置は、チャンバと、高真空ポンプと、高真空ポンプの排気側に排気管を介して接続されてこの高真空ポンプを補助排気するフォアポンプとを有し、前記排気管のうち高真空ポンプの排気側からこの排気管の全長の10以内の範囲内に、リークディテクタに通じる接続管が接続可能なポートを備えることを特徴とする。以下、図面を参照して、本発明の実施形態の真空処理装置及びこの真空処理装置に対して本発明の実施形態の漏洩検知方法を適用して漏洩検知を行う場合について説明する。図1及び図2を参照して、1は、本発明の実施形態の真空処理装置である。真空処理装置1は、例えば、大面積の基板に対して成膜処理を行い得るものであり、処理室を画成するチャンバ11を備える。チャンバ11には、円形開口たる排気口12が複数設けられ本実施形態では3個、これら排気口12を臨むようにチャンバ11にはターボ分子ポンプ高真空ポンプ2が設けられている。ターボ分子ポンプ2の排気側には排気管3が接続されている。排気管3は集合排気管4に接続され、この集合排気管4が一台のドライポンプフォアポンプ5に接続され、ターボ分子ポンプ2を補助排気するようになっている。この場合、排気管3及び集合排気管4が本発明にいう排気管を構成する。また、真空処理装置1に設けたターボ分子ポンプ2の排気側直下に位置して排気管3には、フランジ付の漏洩検知用のポート31が形成されている。漏洩検知用のポート31の形成位置は、これに限定されるものではなく、高真空ポンプ2の排気側から、排気管3及び集合排気管4を含めた全長の10以内の範囲内にあればよい。なお、本実施形態では、高真空ポンプとしてターボ分子ポンプ2を例としているが、チャンバ11内を高真空まで真空引きできる拡散ポンプ等、溜込式の高真空ポンプ以外であれば特に限定されるものではない。フォアポンプ5についても、高真空ポンプを補助排気し得るものであれば特に限定されるものではなく、ブースターポンプ等を使用できる。また、本実施形態では、高真空ポンプ2を複数台、フォアポンプ5を1台としているが、その台数に関しても限定されるものではない。さらに、特に詳細に図示して説明しないが、チャンバ11には、真空計G、バルブ、ガス導入手段、スパッタリングカソードや開閉扉など、チャンバ内で実施される処理に応じて各種の構成部品が設けられている。真空処理装置1に対する漏洩検知の際に用いられるリークディテクタ6は、図2に示すように、筐体6aを有し、この筐体6aには磁場偏向型の質量分析管61が内蔵されている。質量分析管61は、特に図示して説明しないが、フィラメントとグリッドを有して内部のガス成分をイオン化するイオンソースと、ヘリウムイオンを捕集するイオンコレクタと、イオンソースにて生成された正イオンのうちヘリウムイオンのみをイオンコレクタへと導くマグネットとを備える。そして、イオンコレクタに付設された電流検出回路Aにて、このイオンコレクタを流れるイオン電流が検出される。質量分析管61には主管路62が接続され、この主管路62には、高真空排気手段たる複合分子ポンプ63と、その背圧側でフォアバルブ64を介在させて接続された補助真空排気手段たるロータリーポンプ65とが設けられている。複合分子ポンプ63としては、ポンプケーシングにターボ分子ポンプとドラッグポンプとを内蔵したもので構成でき、また、補助真空排気手段としては、上記限定されるものではなく、メンブレンポンプ等であってもよい。筐体6aには、接続管7の一端が接続可能なフランジ付の接続ポート6bが突設されている。接続ポート6bには排気通路66が接続され、この排気通路66は2箇所で分岐され、分岐した第1及び第2の気体導入管路66a、66bが、第1及び第2の各開閉弁67a、67bを介して、複合分子ポンプ63の圧縮比の異なる位置にそれぞれ接続されている。また、排気通路66は、ピラニ真空計等の真空計68と他の開閉弁69を介してロータリーポンプ65とに接続されている。真空計68は、各開閉弁67a、67b、69の開閉やフォアバルブ64の開閉を制御するために利用される。なお、特に図示して説明しないが、排気通路66には、リークディテクタの起動時に校正を行うための標準リークやベントバルブが接続されている。これらの各部品の作動等の制御は、コンピュータやシーケンサ等を備えた制御手段Cによって統括制御される。この場合、制御手段Cには、イオン電流からリーク値を算出するためのプログラムやリークテスト時のリークディテクタ6の制御プログラム作動シーケンス等が予め記憶されたROM等の記憶手段Mが付設されている。また、リーク値や排気通路66内の圧力を表示できるようにディスプレイDが設けられている。そして、上記構成のリークディテクタ6の接続ポート6bに接続管7の一端が接続され、その他端が漏洩検知用のポート31に接続される。接続管7は、短時間で応答性よくヘリウムガスを検知できるように1m以下とすることが望ましい。以下に、上記真空処理装置1に対する本実施形態の漏洩検知方法を説明する。先ず、上記リークディテクタ6の接続ポート6bに接続管7の一端を接続し、その他端を、図示省略のバルブを介して漏洩検知用のポート31に接続する。次に、各ターボ分子ポンプ2及びドライポンプ5を起動してチャンバ11を真空引きすると同時に、上記バルブを閉じた状態で制御手段Cからリークディテクタ6の起動指示を入力する。これにより、フォアバルブ64が開弁されると共に、複合分子ポンプ63とロータリーポンプ65とが起動する。このとき、その他の弁は閉弁状態であり、所定圧力に達すると先ず校正が行われ、その後、リークディテクタ6がリークテスト可能な状態となる。そして、リークディテクタ6をリークテスト状態排気通路66を真空引きした状態にし、接続管7の圧力をターボ分子ポンプ2の排気側直下に接続できる圧力まで減圧する。その後、上記バルブを開けて、真空処理装置1の外側からスプレーガン等によってヘリウムガスを吹き付けていく。このとき、真空処理装置1にリークが存すると、その漏洩箇所からヘリウムガスがチャンバ11内に吸い込まれ、ターボ分子ポンプ2へと引き込まれる。ここで、本実施形態においては、接続管7がターボ分子ポンプ2の排気側直下に接続しているため、その接続位置におけるフォアポンプ5の実行排気速度が最小となり、フォアポンプ5の実効排気速度に対するリークディテクタ6の排気速度が大きくなって排気管3内から接続管7内へと導かれるヘリウムガスの量が多くなる。このとき、接続管7内へと導かれたヘリウムガスが複合分子ポンプ63を逆拡散して質量分析管61へと導かれる。そして、イオンソースにて生成されたヘリウムイオンをイオンコレクタに捕集してこのイオンコレクタを流れるイオン電流値が電流検出回路Aで検出され、このイオン電流値が制御手段Cに出力される。制御手段Cによってリーク値が算出され、そのリーク値がディスプレイに表示される。これにより、ヘリウムガスの真空処理装置1への吹き付け箇所と、検出されたリーク値とから漏洩を生じている箇所が特定できる。以上説明したように、本発明の実施形態によれば、リークディテクタ6に漏洩検知に十分なヘリウムガスが可及的速やかに導かれる、つまり、ヘリウムガスが質量分析管61に到達するのに然程時間はかからないため、真空処理装置1の構成に関係なく、誤検知を招来することなく、正確に漏洩箇所を特定できる。しかも、真空処理装置1の近くにリークディテクタを配置することができるため、一人の作業者にて漏洩検知の作業を行うことも可能であり、作業性もよい。また、本実施形態の真空処理装置1は、ターボ分子ポンプ2の排気側直下に漏洩検知用のポート31を備えるため、リークディテクタ6による短時間かつ正確な漏洩検知を行うのに適したものとなる。次に、本発明の効果を確認するため、上記構成の真空処理装置1において真空計Gの取付箇所にて微小なリークをつくり、このリーク箇所に一定量のヘリウムガスを吹き付け、リークディテクタ6によりそのときのヘリウムガスのリーク量を測定する実験を行った。この場合、実験に用いた真空処理装置1は、チャンバ容積が12m3であり、ターボ分子ポンプ2として3m3/sの能力を有するものを3台、ドライポンプとしてlm3/sの能力を有するものを1台とした。また、排気管3の集合排気管4を含めた長さは、20mであり、接続管7の長さは1mであった発明実験。また、比較実験として、リークディテクタ6から上記と同一長さの接続管7をチャンバ11の側壁に設けたテストポートに接続した場合と比較実験1、ドライポンプ5と排気管4との接続箇所に接続管7の一端を接続した場合比較実験2とについてもリーク量を測定することとした。図3は、ヘリウムガスの吹き付け開始からの経過時間とリーク量との関係を示すグラフである。なお、比較実験1においてはリークディテクタ6にてリーク検知できないことが確認された。これによれば、発明実験では、比較実験2の場合と比べて、リーク箇所へのヘリウムガスの吹き付け直後からリークディテクタ6にてヘリウムが検出され、検出されるリーク量も多く、しかも、リーク量が安定するまでの時間も短いことが判る。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記に限定されるものではない。上記実施形態では、リークディテクタ6に導かれるヘリウムが最大となり得るように、接続管7をターボ分子ポンプ2の排気側直下に接続しているが、高真空ポンプ2の排気側から、排気管3及び集合排気管4を含めた全長の10以内の範囲内に接続管7が接続されていればよい。また、上記実施形態では、複数個の高真空ポンプ2を備えた大型の真空処理装置1を例に説明しているが、漏洩検知する対象物は上記に限定されるものではない。本発明の漏洩検知方法は、真空チャンバの容積やその真空排気系の構成に関係なく適用できる。