少なくとも1つの情報を媒体材料に光学的に記録することによる可逆的な記録媒体として、その記録媒体が、局所領域9において分子M、M’の第1の集合状態EC1を取ることのできる基本分子Mを含む媒体材料の少なくとも1つの層を含んでいて;分子M、M’の第1の集合状態EC1にある分子M、M’は、読み出し用電磁波10によって励起されると、分子M、M’のこの第1の集合状態EC1に特徴的な第1の第2高調波信号SH1を発生させることができ;分子M、M’の第1の集合状態EC1にある基本分子Mは、書き込み用電磁波によって励起されると、少なくとも一部が変換された分子M’に変換されて分子M、M’の第2の集合状態EC2に移行することができ;分子M、M’の第2の集合状態EC2にある分子M、M’は、読み出し用電磁波10によって励起されると、分子M、M’のこの第2の集合状態EC2に特徴的な第2の第2高調波信号SH2を発生させることができる記録媒体において、前記基本分子Mが、のタイプのクマリン骨格に基づく分子構造ただしR1は、クマリン骨格がポリマーマトリックスにグラフトされる部位に対応するを持つことを特徴とする記録媒体。前記基本分子Mが、のタイプのクマリン骨格ただしR2は置換基に対応するに基づく分子構造を有する、請求項1に記載の記録媒体。前記置換基R2がメチル基である、請求項2に記載の記録媒体。前記置換基R2が水素原子である、請求項2に記載の記録媒体。前記ポリマーマトリックスが、の形態のメタクリレート誘導体であるただし、k、n、mは正の数である、請求項1~4のいずれか1項に記載の記録媒体。請求項5に記載の記録媒体において、RはメチルCH3またはブチルn-C4H9であり;kは、0、2、6のいずれかであり;n/mは1/1~1/5である、記録媒体。前記基本分子Mを光誘起二量化によって変換された分子M’に変換できる、請求項1~6のいずれか1項に記載の記録媒体。前記基本分子Mが、局所領域9において、分子M、M’のn通りの集合状態のうちの分子M、M’の1つの集合状態を取ることができただしnは2以上の整数である;分子M、M’の残るn-1通りの各集合状態にある分子M、M’は、読み出し用電磁波10によって励起されると、分子のその集合状態に特徴的な第n-1の第2高調波信号SHn1を発生させることができる、請求項1~7のいずれか1項に記載の記録媒体。分子M、M’のn通りの集合状態のそれぞれが、基本分子Mと変換された分子M’の特徴的な割合を特徴とする、請求項8に記載の記録媒体。少なくとも1つの情報を媒体材料の1つの層に光学的に記録することにより記録媒体に可逆的に記録するため、局所領域9において基本分子Mを分子M、M’の第1の集合状態EC1にするステップただし、局所領域9において分子M、M’のこの第1の集合状態EC1にある分子M、M’は、読み出し用電磁波10によって励起されると、分子M、M’のこの第1の集合状態EC1に特徴的な第1の第2高調波信号SH1を発生させることができると;前記局所領域9の少なくとも1つの書き込み領域に書き込み用電磁波を選択的に当てることで、分子M、M’の前記第1の集合状態EC1にある分子M、M’の少なくとも一部を変換された分子M’に変換し、そのことによって分子M、M’のこの第1の集合状態EC1にある分子M、M’を分子M、M’の第2の集合状態EC2にするステップただし、分子M、M’のこの第2の集合状態EC2にある分子M、M’は、分子M、M’のこの第2の集合状態EC2に特徴的な第2の第2高調波信号SH2を発生させることができるからなるステップを含む方法において、前記基本分子Mが、のタイプのクマリン骨格に基づく分子構造ただしR1は、クマリン骨格がポリマーマトリックスにグラフトされる部位に対応するを持つことを特徴とする方法。前記基本分子Mが、のタイプのクマリン骨格ただしR2は置換基に対応するに基づく分子構造を有する、請求項10に記載の記録方法。前記置換基R2がメチル基CH3である、請求項11に記載の記録方法。前記置換基R2が水素原子Hである、請求項11に記載の記録方法。前記ポリマーマトリックスが、の形態のメタクリレート誘導体であるただし、k、n、mは正の数である、請求項10~13のいずれか1項に記載の記録方法。請求項14に記載の記録方法において、RはメチルCH3またはブチルn-C4H9であり;kは、0、2、6のいずれかであり;n/mは1/1~1/5である、記録方法。前記書き込み用電磁波の波長が300nmよりも長く、前記基本分子Mの光誘起二量化を起こさせる、請求項15に記載の記録方法。請求項10または16に記載の記録方法において、前記基本分子Mが、局所領域9において、分子M、M’のn通りの集合状態ECnのうちの分子Mの1つの集合状態にありただしnは2以上の整数である、この方法が、書き込み領域に複数の特定の書き込み用電磁波を選択的に当てることからなり、特定の各書き込み用電磁波は、分子M、M’の第1の集合状態EC1にある前記基本分子Mを変換された分子M’にして、分子M、M’の第1の集合状態EC1にある各書き込み領域をその書き込み領域の中で分子M、M’のn通りの集合状態のうちの1つにし;その結果として、分子Mの残るn-1通りの各集合状態ECn1にある分子M、M’は、読み出し用電磁波10によって励起されると、分子Mのその集合状態ECn1に特徴的な第n-1の第2高調波信号SHn1を発生させることができる方法。少なくとも1つの消去領域に消去用電磁波を選択的に当てることからなるステップを含んでいて、その消去用電磁波が、変換された分子M’の少なくとも一部を基本分子Mに変換する、請求項10~17のいずれか1項に記載の記録方法。変換された分子M’に消去用電磁波を全体的に当てることからなるステップを含んでいて、その消去用電磁波が、前記変換された分子M’を基本分子Mに変換する、請求項10~17のいずれか1項に記載の記録方法。前記消去用電磁波がUV光である、請求項19に記載の記録方法。そこで本発明の第1の目的は、媒体材料へのデータの可逆的な記録を簡単化できる記録媒体と記録方法を実現することである。より詳細には、本発明の1つの目的は、媒体材料上のデータを消去するのに常に強い電場を使用しなくてもすむようにすることである。本発明の別の目的は、従来の線形的測定技術では検出できないようにデータを記録できる記録媒体と記録方法を実現することである。より詳細には、本発明の1つの目的は、材料の非線形な物理的特性を変化させることにより、その材料の線形な物理的特性に巨視的な影響を与えることなくデータの記録を実現することである。本発明の別の目的は、記録媒体と、読み出しおよび書き込みの方法および装置として、第2高調波信号の検出によって得られる非線形応答を変化させるため分子の2つ以上の局所的集合状態を識別できるものを実現することである。より詳細には、肉眼では検出不能だが所定の光学的方法で解読できる複数の色調からなる画像を記録する媒体と方法を実現できると興味深いであろう。その目的で本発明は、少なくとも1つの情報を媒体材料に光学的に記録することによる可逆的な記録媒体に関するものであり、その記録媒体は、局所領域9において分子M、M’の第1の集合状態EC1を取ることのできる基本分子Mを含む媒体材料の少なくとも1層を含んでいて;分子M、M’の第1の集合状態EC1にある分子M、M’は、読み出し用電磁波10によって励起されると、分子M、M’のこの第1の集合状態EC1に特徴的な第1の第2高調波信号SH1を発生させることができ;分子M、M’の第1の集合状態EC1にある基本分子Mは、書き込み用電磁波によって励起されると、少なくとも一部が変換された分子M’に変換されて分子M、M’の第2の集合状態EC2に移行することができ;分子M、M’の第2の集合状態EC2にある分子M、M’は、読み出し用電磁波10によって励起されると、分子M、M’のこの第2の集合状態EC2に特徴的な第2の第2高調波信号SH2を発生させることができる。本発明によれば、基本分子は、のタイプのクマリン骨格に基づく分子構造ただしR1は、クマリン骨格がポリマーマトリックスにグラフトされる部位に対応するを持つ。この分子構造が有利であるのは、基本分子クマリン単位と変換された分子読み出し用電磁波の作用によって得られる環状二量体が、互いに状態の非常に異なる電磁特性を有するからである。さらに、この分子変換は可逆性が優れているという事実から、別の利点が得られる。というのも、環状二量体は、狭いスペクトル帯の中でUVを照射するだけで開いて最初のクマリン単位を改変できるからである。その一方で、この分子構造が有利なのは、読み出し段階で光子の再吸収を回避できるからでもある。これは、多数回の読み出しによる偶発的な環状二量体の発生がないことを意味する。それは特に、市販のレーザーダイオードをすでに利用できる赤色スペクトルと赤外スペクトルの領域で起こる。さらに、これら分子の吸収スペクトルは他の分子例えばアゾベンゼン分子よりも可視光から明らかに離れているため、光によってデータが偶発的に消えるリスクが小さくなり、したがって時間を経たときのフィルムの安定性が増大する。一実施態様によれば、基本分子は、のタイプのクマリン骨格ただしR2は置換基に対応するに基づく分子構造を有する一実施態様によれば、置換基R2は、メチル基または水素原子である。一実施態様によれば、ポリマーマトリックスは、の形態のメタクリレート誘導体であるただし、k、n、mは正の数である。一実施態様によれば、RはメチルCH3またはブチルn-C4H9であり、kは、0、2、6のいずれかであり、n/mは1/1~1/5である。一実施態様によれば、基本分子は、光誘起二量化によって変換された分子に変換できる。一実施態様によれば、基本分子は、局所領域9において、分子のn通りの集合状態のうちの分子の1つの集合状態を取ることができただしnは2以上の整数である;分子の残るn-1通りの各集合状態にある分子は、読み出し用電磁波によって励起されると、分子M、M’のその集合状態に特徴的な第n-1の第2高調波信号を発生させることができる。このような実施態様が有利なのは、分子の異なる集合状態に合わせて非線形応答を変化させることができるからである。そのため本発明の記録媒体により、2値情報を記録できるだけでなく、3ビットや4ビットの情報も記録でき、より一般に情報を複数ビットの形態で記録できる。例えば肉眼や従来の線形イメージング手段では見えず、上に言及したような読み出し手段からしか読み取れない媒体に画像を記録することができる。別の一実施態様によれば、分子M、M’のn通りの集合状態のそれぞれは、基本分子Mと変換された分子M’の特徴的な割合を特徴とする。別の1つの特徴によれば、本発明は、少なくとも1つの情報を媒体材料の1つの層に光学的に記録することにより記録媒体に可逆的に記録するため、局所領域において基本分子を分子の第1の集合状態にするステップただし、局所領域において分子のこの第1の集合状態にある分子は、読み出し用電磁波によって励起されると、分子のこの第1の集合状態に特徴的な第1の第2高調波信号を発生させることができると;局所領域の少なくとも1つの書き込み領域に書き込み用電磁波を選択的に当てることで、分子の第1の集合状態にある分子の少なくとも一部を変換された分子に変換し、そのことによって分子のこの第1の集合状態にある分子を分子の第2の集合状態にするステップただし、分子のこの第2の集合状態にある分子は、分子のこの第2の集合状態に特徴的な第2の第2高調波信号を発生させることができるからなるステップを含む方法に関する。本発明によれば、基本分子は、のタイプのクマリン骨格に基づく分子構造ただしR1は、クマリン骨格がポリマーマトリックスにグラフトされる部位に対応するを持つ。一実施態様によれば、基本分子は、のタイプのクマリン骨格ただしR2は置換基に対応するに基づく分子構造を有する。一実施態様によれば、置換基R2は、メチル基CH3または水素原子Hである。一実施態様によれば、ポリマーマトリックスは、の形態のメタクリレート誘導体であるただし、k、n、mは正の数である。一実施態様によれば、RはメチルCH3またはブチルn-C4H9であり、kは、0、2、6のいずれかであり、n/mは1/1~1/5である。一実施態様によれば、書き込み用電磁波の波長が300nmよりも長く、基本分子の光誘起二量化を起こさせる。一実施態様によれば、基本分子は、局所領域において、分子のn通りの集合状態のうちの分子の1つの集合状態にありただしnは2以上の整数である、本発明の方法は、書き込み領域に複数の特定の書き込み用電磁波を選択的に当てることからなり、特定の各書き込み用電磁波は、分子の第1の集合状態にある基本分子を変換された分子にして、分子の第1の集合状態にある各書き込み領域をその書き込み領域の中で分子のn通りの集合状態のうちの1つにし;その結果として、分子の残るn-1通りの各集合状態にある分子は、読み出し用電磁波によって励起されると、分子Mのその集合状態に特徴的な第n-1の第2高調波信号を発生させることができる。一実施態様によれば、記録方法は、少なくとも1つの消去領域に消去用電磁波を選択的に当てることからなるステップを含んでいて、その消去用電磁波が、変換された分子の少なくとも一部を基本分子に変換する。一実施態様によれば、記録方法は、変換された分子に消去用電磁波を全体的に当てることからなるステップを含んでいて、その消去用電磁波が、変換された分子を基本分子に変換する。一実施態様によれば、消去用電磁波はUV光である。図面を参照して本発明のいくつかの実施態様をこれから説明する。例えば一実施態様によれば、読み出し電磁光によって励起されるとき基本分子Mの第1の集合状態EC1は、最大である第1の第2高調波信号SH1を発生させる、大量の基本分子Mと少量の変換された分子M’からなる第2の集合状態EC2は、第1の第2高調波信号SH1と比べて弱い第2の第2高調波信号SH2を発生させる、少量の基本分子Mと大量の変換された分子M’からなる第3の集合状態EC3は、第2の第2高調波信号SH2と比べて弱い第3の第2高調波信号SH3を発生させる、分子Miの第nの集合状態ECnは、ゼロである第nの第2高調波信号SHnを発生させる。別の一実施態様によれば、分子は、読み出し用電磁波によって励起されるときに第1の第2高調波信号SH1を発生させる基本分子Mの第1の集合状態EC1になるか、読み出し用電磁波によって励起されるときに第2の第2高調波信号SH2を発生させる変換された分子M’の第2の集合状態EC2になる。そのため測定されたそれぞれの第2高調波信号の特性例えばこれら第2高調波信号の強度を分析することで、そこから対象とする領域の分子Mi’の集合状態を導出することができる。図1は、ある体積内の基本分子Mの集合状態に起因する第2高調波の発生現象を示している。図1の上部には、ある体積内でランダムな方向を向いた基本分子Mに波長λの光ビームが当たるとき、第2高調波は発生しないことが示されている。したがって透過する光ビーム3は、入射光と同じ波長λを持つ。図1の下部には、集団で優先方向を向いている基本分子Mが波長λに光ビームが当たると、波長λの第1の光ビーム3Aと、半分の波長λ/2すなわち2倍の周波数の第2の光ビーム3Bが出る。波長が半分すなわち2倍の周波数のこの光ビームの出現は、集団で優先方向を向いている分子による第2高調波の発生に特徴的である。公知のように、局所体積内でランダムな方向を向いた基本分子Mは、この第2高調波信号を発生させることはできない。ここで図2により、本発明で用いる2光子吸収現象を説明する。媒体8を、その媒体8の分子の吸収波長に対応するレーザービーム7Aで励起するとき、1個の光子を吸収することによる励起は、細長い領域5に局在する。なぜなら1光子吸収現象は線形現象だからである。逆に2個の光子の吸収に適した波長のレーザービーム7Bで媒体8を励起することにより、1個の光子の吸収による励起は、ほどんど広がりのない領域6に局在する。なぜなら2個光子吸収現象は二次現象だからである。したがって媒体の分子の2光子吸収によって媒体の励起領域を非常によく特定することが可能である。図3A、図3B、図3Cに、レーザーによって励起された蛍光分子の2光子吸収に関し、対物レンズの開口数が0.3の場合の蛍光発生領域のサイズを体積素の形態で示してある。図3Aは、発光領域に対応する体積素が楕円形であることを示している。図3Bから、発光強度の輪郭は、励起用光ビームに垂直な平面内で体積素の短軸に沿って1.25ミクロンの特徴的な長さを持つことがわかる。さらに図3Cから、発光強度の輪郭は、励起用光ビームに垂直な平面内で体積素の長軸に沿って約10ミクロンの特徴的な長さを持つことがわかる。図4A、図4B、図4Cは、対物レンズの開口数が0.6の場合の同じデータを示している。今度は、図4Bでは、発光強度の輪郭は、励起用光ビームに垂直な平面内で体積素の短軸に沿って0.6ミクロンの特徴的な波長を有する。図4Cでは、発光強度の輪郭は、励起用光ビームの方向で体積素の長軸に沿って約2.4ミクロンの特徴的な長さを持つことがわかる。2光子吸収のこの特性は公知であり、YRShen、非線形光学の原理、Wiley社、ニューヨーク、1984年に詳細に記載されている。本発明では、2光子吸収と第2高調波の発生という2つの物理的現象が二次現象であるという事実をうまく利用している。そのためこれら現象の空間的分解能を優れたものにすることができる。図5は、本発明の範囲で基本分子Mを集団で優先方向に配向させる方法を示している。本発明に従い、媒体8中で基本分子Mの集団を優先方向に向ける。媒体8は、プッシュプルと呼ばれる電荷移動基本分子Mによって機能化されたポリマーマトリックスからなる。これらの基本分子Mは、永久双極子モーメントと強い二次過分極を有する。好ましいことに、本発明で用いる電荷移動基本分子Mは、照射状態によって非常に異なった電子特性を示す。媒体8の基本分子Mは、ポリマーマトリックスによって構成された鎖にグラフトされたクマリン骨格置換されているか、置換されていないクマリン骨格に基づく分子構造を備えている。その基本分子Mは、下に示すような形態である。ただしR1は、クマリン骨格がポリマーマトリックスにグラフトされる部位に対応する。使用するクマリン骨格は、特に、以下の形態のメタクリレート誘導体:に結合させることができる。ただし、RはメチルCH3またはブチルn-C4H9であり;kは、0、2、6のいずれかであり;n/mは1/1~1/5であり;置換基R2はメチル基または水素原子である。しかしkとn/mの値は、本発明による媒体と記録方法を実現するにあたって容易に変更できると考えられることに注意されたい。本発明の記録媒体と方法の実現に用いる基本分子Mは、以下に示す例:の中から選択した分子構造を持つこともできる。あるいは本発明の方法の実現に用いるポリマー媒体は、ポリメタクリレートの分子構造とは異なる分子構造を持つことも可能であろう。基本分子Mは、大きな永久双極子モーメントを有するため、電場によって配向させることができる。基本分子Mは、アクリレート基を用いて機能化することもできる。アクリレート基を用いると、電荷移動光互変性物質をポリマーマトリックスにグラフトすることで、光架橋または光重合によって固定された配向状態をより安定にすることが可能になる。使用するポリマーは、ガラス転移温度Tgが高いこと、すなわち周囲温度よりも高いことが好ましい。基本分子Mは、配向方向を持つ電場E0の効果により、Tgよりも低い温度に加熱された媒体8内で優先的な方向を向く。電場E0は、電極またはコロナ効果によって印加され、数kV/mmの強度を持つ。1つのバリエーションとして、電荷移動分子は、別のやり方で配向させることもできよう。基本分子Mが優先方向を向くと、媒体8を熱によってまたはTg未満に冷却することによって硬化させ、電荷移動基本分子Mの向きを媒体8内で優先方向に恒久的に固定する。書き込み方法のこの段階で、媒体8のすべての基本分子Mはこの優先方向を向いているため、分子Mの第1の集合状態EC1を規定している。光メモリが複数の層を含んでいる場合には、すべての層の分子がこの優先方向に沿った方向を向いている。図6は、本発明の書き込み方法に従って変化した分子の局所的状態を示している。本発明の第1の実施態様によれば、基本分子Mがすべて優先方向を向いて第1の集合状態EC1になった媒体8に、ビット0が上記のようにして書き込まれる。基本分子Mは、この第1の集合状態EC1ではビット1を表わす。ビット0の書き込みは、微小体積を形成する書き込み領域9に集束させた書き込み用レーザービーム図示せずの助けを借りて実現される。使用するレーザーは、例えば、微視的サイズの体積内で2光子吸収を発生させることのできるフェムト秒のパルス式レーザーである。書き込み用レーザービームを書き込み領域9に集束させ、上記のような2光子吸収を発生させる。そのため書き込み領域9は非常に局在していて、図3A~図3Cまたは図4A~図4Cを参照して説明したようなサイズ典型的には1ミクロンの立方体よりも小さいサイズを持つことができる。集束させた書き込み用レーザービームの効果と2光子吸収により、微小体積9内で、第1の集合状態EC1にあった基本分子Mの一部が変換された分子M’の第2の集合状態EC2に移行する。この効果は、クマリンとその誘導体で光によって誘起される[22]環二量化反応によって発生する。その反応図を図7に示す。上記の書き込み用レーザービームによって発生す作用と同様の300nmを超える波長の光の作用によってクマリン骨格の環化が起こって環二量体が生じることで、基本分子Mの第1の集合状態EC1から変換された分子M’の第2の集合状態EC2に移行する。この反応は多くの点で有利である。第1に、クマリン骨格とその環化による生成物は、特に電荷の非局在化に関して非常に異なる電子的特性を示す。第2に、ポリマー鎖にグラフトされたクマリン骨格の環二量化によってポリマーが架橋し、その結果として、材料において、変換された分子M’の第2の集合状態EC2を特徴づける大きな構造変化が起こる。それに加え、この分子変化の大きな利点は、方法の可逆性にある。なぜなら波長が約254nmのUV光照射によって環二量化の生成物が開き、クマリン骨格を変化させることができるからである。変換された分子M’の第2の集合状態EC2から基本分子Mの第1の集合状態EC1への移行がこのようにして容易になる。図8には、基本分子Mが第1の集合状態EC1にある領域と、変換された分子M’が第2の集合状態EC2にある領域を含む媒体8の3つの層6A、6B、6Cを示してある。3つの層を有するメモリのこの構成は、すでに説明したように、3つの層6A、6B、6Cのすべての分子を集団であらかじめ優先方向に配向させ、次いで2光子吸収による書き込み領域9内での基本分子Mの選択的光二量化によって得られる。したがって層6A、6B、6Cは、異なる局所領域を有する。これら領域の第1の部分は、局所領域内での優先的な局所的配向に対応する第1の集合状態EC1の基本分子Mを含んでおり、これら領域の第2の部分は、光二量化が起こる書き込み領域9の微小体積に対応する第2の集合状態EC2の変換された分子M’を含んでいる。層6A、6B、6Cは、典型的には互いに数ミクロン離れている。図9は、本発明による情報書き込み方法が電荷移動分子に及ぼす効果を示している。ステップ20では、例えば架橋可能な材料8または重合可能な材料8の中に基本分子M電荷移動分子が好ましいを供給する。ステップ30では、これら基本分子Mを例えば電場E0の効果によって材料8全体の中で配向させる。次に基本分子Mを例えば材料の硬化によって基本分子Mの第1の集合状態EC1に固定する。基本分子Mは、この第1の集合状態EC1では、読み出し用電磁波によって励起されると特徴的な第1の第2高調波信号SH1を発生させることができる。ステップ40では、2光子吸収の効果によって書き込み用ビームを書き込み領域9に集束させる。ステップ50では、基本分子Mが書き込み用ビームの効果のもとで反応し、変換された分子M’を形成する。すると書き込み領域9内で第1の集合状態EC1から第2の集合状態EC2に移行する。この事実から、この書き込み領域において、変換された分子M’は、第1の集合状態EC1を持つ基本分子Mによって発生した第1の第2高調波信号SH1よりも弱い第2の第2高調波信号SH2を発生させる。当業者には、書き込むビット0または1に応じて光ビームの位置を制御するための手段が知られていることに注意されたい。ビット0を書き込むとき、この場合には局所的にビームを当てる必要があり、ビット1の書き込みには、ビームを出す必要がない。したがって0と1へのコード化は、書き込み用レーザービームの発生と非発生の系列にほぼ対応する。読み出しステップでは、読み出し用ビームが出ると第1の集合状態EC1にある基本分子Mに関して第1の第2高調波信号SH1が発生するが、第2の集合状態EC2にある変換された分子M’に関する第2高調波は発生しないか、弱い第2の第2高調波信号が発生する。図10~図14は、前に説明したような書き込み方法に合致したディスクに書き込まれた情報の読み出し方法を示している。図10には、基本分子Mが第1の集合状態EC1にある領域と、変換された分子M’が第2の集合状態EC2にある領域を備える本発明のメモリが示されている。これらの領域は、位置x1にある波長λの読み出し用レーザービーム10によって順番に読まれていく。そのとき、入射ビームが読み出し領域9を通過して透過してきたビームを検出する。書き込み用ビームの波長λは700nmに等しくできることに注意されたい。したがって2光子吸収の効果によってλ/2350nmの光子は基本分子Mによって吸収され、そのエネルギーが二量化に利用される。逆に、読み出し用ビーム10は、400nmの第2高調波信号が発生するよう、800nmにすることが望ましい。これは、400nmのどの光子もクマリンの基本分子Mによって再吸収されないという点で有利である。なぜならクマリンは、360nmよりも大きな波長では完全に透明だからである。したがって多数回の読み出しで変換された分子M’が偶発的に発生することはない。本発明によれば、基本分子Mから発生する可能性のある第2高調波信号を検出する。すでに説明したように、第2高調波の発生現象と2光子吸収現象が両方とも二次効果であるという事実から、変換された分子M’の第2の集合状態EC2に対応する書き込み領域を読み出し領域9程度のサイズにすることができる。読み出し領域と書き込み領域のこの小さなサイズは、読み出し用レーザービーム10の方向で有効であるのと同様に読み出し用レーザービーム10に垂直な平面でも有効であるため、互いに近い複数の層6A、6B、6Cに対する読み出しと書き込みが可能になる。したがって読み出しのピッチと書き込みのピッチが同程度のサイズになるため、書き込み可能かつ読み出し可能なメモリを提供することができる。図10には、読み出し用ビーム10を集束させる読み出し領域9内の基本分子Mが第1の集合状態EC1であることが示されている。したがって第1の第2高調波信号が領域9内の基本分子Mから発生する。したがって波長2/λの透過ビーム11Aが検出される。このような信号の検出は、例えばビット1のコード化に対応する。それを、例えば図10では値が1の矩形で示してある。もちろん当業者には、第2高調波信号を検出する手段が知られている。同様に、当業者には、第2高調波信号が検出されたこと、または検出されないことを2値情報に変換する電子的手段も知られている。図11には、ビーム10が前進して層6A、6B、6Cの全データを順番に読み取っていく様子が示されている。そのため読み出し用レーザービーム10は、図10と図11の間に位置x1から位置x2に移動した。読み出し用レーザービーム10は、公知の機械的手段によって例えば読み取る方向に移動させることができる。層6A、6B、6Cを備える光メモリは、公知の機械的手段により、固定されたレーザーに対して移動させることもできる。図11では、読み出し用レーザービーム10を集束させる新しい読み出し領域9内の変換された分子M’が、その新しい領域9で第2の集合状態EC2になっている。いかなる第2高調波信号も、すなわち第1の集合状態EC1にある固定された基本分子Mから発生する第1の第2高調波信号SH1と比べて弱いいかなる第2の第2高調波信号SH2も、この領域9の変換された分子M’からは発生しない。したがって透過ビーム11Bは、波長λ/2の成分をまったく含まないか、波長λ/2のこの成分は弱くなっている。これは、例えばビット0に対応する。それを図11では、値が0の線で示してある。図12には、読み出し用レーザービーム10がメモリ上で位置x3に対応する新しい読み出し領域9にずれた様子が示されている。今度は、基本分子Mは、読み出し領域において第1の集合状態EC1にある。したがって第1の第2高調波信号SH1がこの領域9の基本分子Mから発生する。したがって波長λ/2の透過ビーム11Aが検出される。これは、例えばビット1に対応する。それを図12では、値が1の矩形で示してある。したがって本発明によるメモリの層6A、6B、6Cの全体をすでに説明したようにして読み出すことができる。特に図13には、分子Mを含む任意の材料層に読み出し用レーザービーム10を集束させうることが示されている。読み出し用レーザービームは軸に沿って位置xmにあり、高さ位置はzmである。図13では、ビームは層6Cの読み出し領域9に向けて集束されていて、その領域では、変換された分子M’が第2の集合状態EC2になっている。前と同様、いかなる第2高調波信号も、すなわち第1の集合状態EC1にある固定された基本分子Mから発生する第1の第2高調波信号SH1と比べて弱いいかなる第2の第2高調波信号SH2も、透過ビーム11Bの中には検出されない。したがってビット0が読まれる。それを、第3の層に対応する値0の線で示してある。すでに説明したような記録媒体は、1つまたは複数の層を含むディスクの形にすることができる。するとすでに説明したようにして異なる層に書き込みがなされる。ディスクに含まれる層の数は、本発明では、書き込み領域9の近くに書き込み用ビームを保持する必要性による制限を受けるだけである。特に書き込み用対物レンズの焦点距離が約500ミクロンでは、厚さ数ミクロンのいくつかの層を持つメモリを提供することができる。したがって、このようにして得られた記録媒体により、ミクロンサイズの体積に複数のビットを書き込むことができる。すでに説明した記録媒体は、再書き込みも可能であることに注意されたい。なぜなら、UV光が一般に光メモリに照射されると、またはUV光が、第2の集合状態EC2にある変換された分子M’に集束されると、変換された分子M’は第1の集合状態EC1に戻るため、記録された情報は消去されるからである。そのため本発明の光メモリへの情報の消去と再書き込みが極めて簡単になる。したがって、分子を優先方向に沿って全体的に配向させ、書き込むデータに応じて配向を局所的に乱す連続ステップを含む本発明の書き込み方法を適用すると、本発明のメモリに再度書き込むことが可能である。図14は、本発明の別の一実施態様を示している。ここでは、記録媒体に2値情報、4値情報などを記録することができる。確かに、これまでの実施態様では分子の識別可能な2つの集合状態にしか言及していない。しかし本発明の一実施態様によれば、書き込み段階は、局所領域に読み出し用ビーム10を当てるとき、発生する応答が変化するようなものにできる。この実施態様によれば、前と同様、ステップ20において電荷移動基本分子Mを材料8に供給する。ステップ30では、これらの基本分子Mを材料8全体の中で例えば電場E0の効果によって配向させる。次に、例えば材料の硬化によって基本分子Mを第1の集合状態EC1に固定する。基本分子Mは、この第1の集合状態EC1では、読み出し用電磁波によって励起されると特徴的な第1の第2高調波信号SH1を発生させることができる。ステップ40では、2光子吸収の効果によって書き込み用ビームを書き込み領域9に集束させる。ステップ50では、すべての基本分子Mを優先方向に配向させて第1の集合状態EC1その状態では、基本分子Mはビット1を表わすにした後、書き込み用レーザービームを書き込み領域9に集束させて実現するビットの書き込みにより、ビット2、3からnまでをコードすることができる。したがって読み出し段階で受け取る非線形応答を変化させることができる。より詳細には、基本分子Mの一部だけが変換された分子M’になる。そのため分子の第2の集合状態EC2は、基本分子Mと変換された分子M’の両方で形成され、その結果として、この局所領域の基本分子Mと変換された分子M’に読み出し用ビームが照射されたとき、第1の集合状態EC1である基本分子Mによって発生する第1の第2高調波信号SH1と比べて弱い第2の第2高調波信号SH2を発生させることができる。そうするためには、あらかじめ選択した書き込み領域9に書き込み用レーザービームを集束させる強度と時間を変化させ、それぞれの書き込み領域内で光二量化した基本分子Mが変換された分子M’になる割合を変化させる。次に、新しい書き込みステップのとき、第2の集合状態EC2にある領域の基本分子Mの一部を変換して変換された分子M’にすることにより、局所領域を分子の第3の集合状態EC3にする。したがってこの書き込み領域では、変換された分子M’の数に対する基本分子Mの割合は低下するため、分子のこの集合状態は、第2の集合状態EC2である分子によって発生する第2の第2高調波信号SH2と比べて弱い第3の第2高調波信号SH3を発生させる。強度の各レベル、または一定強度での各曝露時間には、誘起された二量化の割合が対応し、したがってこの局所領域で発生する可能性のある第2高調波信号に依存する基本分子Mの割合が対応する。この段階が較正されるとこの原理は常に同様に機能し、特徴的なそれぞれの第2高調波信号に分子の所定の集合状態ECnが対応する。これらの書き込みステップを複数回繰り返すことで、n個の異なる第2高調波信号を発生させることのできる分子のn通りの集合状態ECnを生成させることができる。例えば読み出し用ビーム10を材料8に集束させるとき、分子のn通りの集合状態のそれぞれが、対象とする書き込み領域9で実現された記録に特徴的な第nの第2高調波信号を発生させる。このようにして、本発明の記録媒体により、2値情報だけでなく、3ビット、4ビットの情報も記録することができる。あるいはより一般に、複数ビットの形態で情報を記録することができる。この実施態様は、特に画像の記録において有利である。そのため肉眼では見えず、従来の線形イメージング手段にも見えず、すでに説明した読み出し装置からしか読み取ることのできない媒体に画像を記録することが可能になる。図14は、画像のこのような記録方法を実現する方法を示している。図15aは、優先方向を向いた第1の集合状態EC1にされた本発明の基本分子Mからなる材料8を示している。この図15aからわかるように、この材料を、まず最初に、すでに説明したような読み出し段階にした。そのとき波長が800nmでパワーが5mWの読み出し用ビーム10を照射すると、400nmの波長では一様な第2高調波信号に対応する白い画像が出現した。次に、波長が695nmでパワーが26mWの書き込み用レーザービームをもとにして、すでに説明したような書き込み段階に移った。曝露時間は、対象とする書き込み領域に応じて1ミリ秒~1000ミリ秒である。次に、同様の実験条件で、すでに説明したような読み出し段階を新たに実施した。この第2の読み出し段階により、図15bに示した画像が得られた。本発明が上記の実施例に限定されることはなく、逆に、本発明は、これらの情報に基づいて当業者が実施できるあらゆる実施態様にも適用されることを強調する必要がある。特に、この明細書では、すでに説明したようなクマリン骨格を有する基本分子Mに言及しているが、同様の特性を有する異なる分子をもとにして本発明と同様の機構を利用することができよう。特に、本発明の記録媒体と記録方法は、所定の波長の光源の作用による可逆的な光二量化の特性を持っていて第2高調波を発生させることのできる他のタイプの分子で実現することもできよう。