第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成される発光層と、前記発光層上に形成される第2半導体層と、一部の前記第1半導体層、一部の前記発光層、および一部の前記第2半導体層を取り除いて形成されるとともに、一部の前記第1半導体層を露出させる溝と、前記溝内に形成され、且つ露出された前記第1半導体層に電気的に接続される第1電極と、前記溝内に形成され、且つ前記第1電極を覆う絶縁層と、一部の前記第2半導体層及び一部の前記第1半導体層を覆う第2電極と、を含むことを特徴とする発光ダイオードチップ。さらに、前記絶縁層に接続する補助絶縁層を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップ。前記第2半導体層は平面密閉形状部を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップ。前記平面密閉形状部は、平面密閉形状を含むか、または複数の三角形、四角形、六角形、八角形、円形、楕円形、またはその組み合わせを含むことを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードチップ。前記第1電極は、前記第2電極と投影方向で少なくとも一部重なることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップ。上述の課題に鑑みて、本発明は、高電圧低電流で駆動でき、且つ熱源を分散できる発光ダイオードチップを提供することを目的とする。上述の目的を達成するために、本発明は、第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成される発光層と、前記発光層上に形成される第2半導体層と、一部の前記第1半導体層、一部の前記発光層、および一部の前記第2半導体層を取り除いて形成されるとともに、一部の前記第1半導体層を露出させる溝と、前記溝内に形成され、且つ露出された前記第1半導体層に電気的に接続される第1電極と、前記溝内に形成され、且つ前記第1電極を覆う絶縁層と、一部の前記第2半導体層及び一部の前記第1半導体層を覆う第2電極と、を含んで構成される。本発明の発光ダイオードチップによれば、発光ダイオードチップ内で、並列接続からなる複数の小寸法の発光ダイオード素子を用いて構成し、発光ダイオードチップに小寸法のチップの高発光効率と大寸法のチップの高効率の負荷能力を備えさせることができる。本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。図4に本発明の実施例1に基づいた発光ダイオードチップの製造方法を示す。本製造方法は、ステップS01~ステップS06を含む。図5Aに示すように、ステップS01は、基板21上に緩衝層22を形成する。基板21の材料は、例えば、サファイア、シリコン、炭化ケイ素、または合金に限らず、導熱性を有する材料も好ましい。また、緩衝層22は、単層の物質、または多層の物質からなることができるがこれらに限定されるものではない。図5Bに示すように、ステップS02は、第1半導体層23、発光層24、および第2半導体層25を順に形成する。第1半導体層23は、緩衝層22の上に形成することができる。第1半導体層23、発光層24、および第2半導体層25はまた、先ず、エピタキシャル基板上図示されていないに順に形成してから、基板21と緩衝層22上に転置することもできる。半導体製造プロセスの態様、順序はこれらに限定されるものではなく、最後に製品を完成するときに、基板21と緩衝層22をそのまま用いても良いし、また、取り除くこともできる。即ち、ステップS01は、実際の要求に基づいて選択することができる。本実施例では、第1半導体層23は、N型半導体層を例にしており、第2半導体層25は、P型半導体層を例にしている。また、本実施例では、発光層24は、例えば、バンドギャップ層、または量子井戸であるがこれに限定されるものではなく、その材料は、III-V族、またはII-VI族の元素より構成された化合物、例えば、窒化インジウムガリウムInGaN、窒化ガリウムGaN、ガリウム砒素GaAs、窒化ガリウムインジウムGaInN、窒化アルミガリウムAlGaN、セレン化亜鉛ZnSe、亜鉛ドープの窒化インジウムガリウムInGaN:Zn、アルミニウムインジウムガリウムリンAlInGaP、またはガリウムリンGaPを含む。図5Cに示すように、ステップS03は、一部の第1半導体層23、一部の発光層24、および一部の第2半導体層25を取り除き、少なくとも1つの溝C1を形成する。溝C1は、一部の第1半導体層23を露出させる。即ち、そのエッチングの深さは第1半導体層23までエッチングする深さである。本実施例では、溝C1は、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて形成される。エッチング技術としては、等方性または異方性エッチング技術を用いることができ、溝C1の断面形状は、図5Cに示す長方形以外に、図9A、9B、9Cに示すように、台形、またはお椀形も可能である。図5Dに示すように、ステップS04は、露出された第1半導体層23上に少なくとも1つの第1電極26を形成する。本実施例では、第1電極26は、N型電極であり、蒸着法を用いて溝C1内の第1半導体層23上に形成することができる。図5Eに示すように、ステップS05は、溝C1内に絶縁層27を形成する。本実施例では、絶縁層27を形成した後、電流を流したときにホールキャリアが自由表面に沿って伝送するのを防ぐために、図5Fに示すように、補助絶縁層271を形成して絶縁層27周囲の一部の第2半導体層25を覆うことも可能である。こうすることで発光効率を更に高めることができる。図5Gに示すように、ステップS06は、第2電極28を形成して一部の第2半導体層25と、一部の絶縁層27と一部の補助絶縁層271の両方、あるいは一部の絶縁層27と一部の補助絶縁層271の片方を覆い、溝C1で分離された第2半導体層25に電気接続し、発光ダイオードチップ2を形成する。本実施例では、第2電極28は、P型電極であり、蒸着法を用いて一部の第2半導体層25、一部の絶縁層27、または一部の補助絶縁層271上に形成することができる。図6A~6Jに、本実施例1の発光ダイオードチップ2の上面図を示す。注意するのは、発光ダイオードチップ2の電極構造が立体サンドイッチ層構造であることから、第1電極N型電極26は、第2電極P型電極28と投影方向基板に垂直な方向で部分的に重ねることができるが、これに限定されるものではなく、重ねないこともできる。また、第2半導体層25は、平面密閉形状部を形成し、該平面密閉形状部は、例えば、複数の三角形図6B、四角形図6A、六角形図6C、八角形図6D、円形図6E、楕円形図6Fなど、またはその組み合わせ図6G、6Hより構成された平面密閉形状を含むか、または図6Iと6Jのように、単一の密閉形状より構成される。よって、上述の製造方法に基づいて形成された発光ダイオードチップ2は、複数の互いに並列接続した発光ダイオード素子を有し、小寸法の発光ダイオード素子を用いてより大きな発光ダイオードチップを構成することで、小寸法のチップの高発光率と大寸法のチップの高効率の負荷能力を提供することができる。図7に本発明の実施例2に基づいた発光ダイオードチップの製造方法を示す。本製造方法は、ステップS11~S17を含む。図8Aに示すように、ステップS11は、基板31上に緩衝層32を形成する。基板31の材料は、例えば、サファイア、シリコン、炭化ケイ素、または合金に限らず、導熱性を有する材料も好ましい。また、緩衝層32は、単層の物質、または多層の物質からなることができるがこれに限定されるものではない。図8Bに示すように、ステップS12は、第1半導体層33、発光層34、および第2半導体層35を順に形成する。第1半導体層33は、緩衝層32の上に形成することができる。第1半導体層33、発光層34、および第2半導体層35はまた、先ず、エピタキシャル基板上図示されていないに順に形成してから、基板31と緩衝層32上に転置することもできる。つまり、半導体製造プロセスの態様、順序はこれに限定されるものではなく、最後に製品を完成するときに、基板31と緩衝層32をそのまま用いても良いし、また、取り除くこともできる。即ち、ステップS11は、実際の要求に基づいて選択することができる。本実施例では、第1半導体層33は、N型半導体層を例にしており、第2半導体層35は、P型半導体層を例にしている。また、発光層34は、例えば、バンドギャップ、または量子井戸であるがこれに限定されるものではなく、その材料は、III-V族、またはII-VI族の元素より構成された化合物、例えば、窒化インジウムガリウムInGaN、窒化ガリウムGaN、ガリウム砒素GaAs、窒化ガリウムインジウムGaInN、窒化アルミガリウムAlGaN、セレン化亜鉛ZnSe、亜鉛ドープの窒化インジウムガリウムInGaN:Zn、アルミニウムインジウムガリウムリンAlInGaP、またはガリウムリンGaPを含む。図8Cに示すように、ステップS13は、一部の第1半導体層33、一部の発光層34、および一部の第2半導体層35とを取り除き、少なくとも1つの溝C2を形成する。溝C2は、複数の発光ダイオード素子を分離する。本実施例では、溝C2は、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて形成される。エッチング技術としては、等方性または異方性エッチング技術を用いることができ、溝C2の断面形状は、長方形、台形、またはお椀形が可能である。図8Dに示すように、ステップS14は、溝C2内に絶縁層37を形成する。図8Eに示すように、ステップS15は、各発光ダイオード素子の一部の第2半導体層35と一部の発光層34を取り除き、一部の第1半導体層33を露出する。図8Fに示すように、ステップS16は、電流を流したときにホールキャリアが自由表面に沿って伝送するのを防ぐために、補助絶縁層371を形成して絶縁層37周囲の一部の第2半導体層35とそれと隣接する発光ダイオード素子の一部の第1半導体層33とを覆うことができる。よって、発光効率を更に高めることができる。図8Gに示すように、ステップS17は、各発光ダイオード素子の第2半導体層35と隣接する発光ダイオード素子の第1半導体層33とに導電層39を形成して、各発光ダイオード素子の第2半導体層35と隣接する発光ダイオード素子の第1半導体層33とを電気接続し、P型半導体層とN型半導体層を直列接続の方式で電気接続する。本実施例では、導電層39の材料は、例えば、金、銀、銅、ニッケル、コバルト、スズ、亜鉛、アルミニウム、ケイ素、クロム、または炭化ケイ素である。最後に設計の違いに基づいて、第1電極と第2電極を選択的に蒸着することができる。ここでは、第1電極は、N型電極であり、第2電極は、P型電極であるため、第1電極は、第1半導体層33上に蒸着され、第2電極は、第2半導体層35上に蒸着されて、発光ダイオードチップ3を形成する。よって、上述の製造方法に基づいて形成された発光ダイオードチップ3は、複数の互いに直列接続した発光ダイオード素子を有し、小寸法の発光ダイオード素子を用いてより大きな発光ダイオードチップを構成することで、小寸法のチップの高発光率と大寸法のチップの高効率の負荷能力を提供することができる。よって、本発明の発光ダイオードチップとその製造方法は、小面積発光の発光ダイオード素子が互いに直列接続または並列接続されることで大面積発光の発光ダイオード素子を構成することができる。また、各発光ダイオード素子が全て小寸法レベル辺の長さが例えば300umに属すことから、その電極の形状は、従来の高効率の発光ダイオード装置のような複雑な電極のパターンである必要がないため、製造プロセスがより簡単で容易である。また、本発明の発光ダイオードチップの構造は、各バンド範囲に広く用いられることができ、特に、発光バンドが300~800nmにある範囲に対して、良好な効果を有することもできる。また、小面積の単一の発光ダイオード素子の発光効率が高く、熱放散がより容易であることも光電変換の効率を高め、使用寿命をのばすことができる。以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の思想及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。