電磁放射またはイオン流を検出する反射型の電子増倍装置1であって、入射電子の流れを受け、二次電子の流れを放出する少なくとも1つの活性構造体2を備え、前記活性構造体2は、平均サイズが100nm未満のダイヤモンド粒子から形成された薄いナノダイヤモンド層4が設けられた基板3を含み、前記活性構造体2は、複数のマイクロチャネル12の各々が、前記入射電子の流れのための入力開口13Aから前記二次電子の流れのための出力開口13Bまで前記基板3を横切って延びるマイクロチャネルウェハ2であり、前記ナノダイヤモンド層4は、前記複数のマイクロチャネル12の各々の内面14上を、対応する前記入力開口13Aから延びていることを特徴とする、電子増倍装置1。前記ナノダイヤモンド層4は、前記複数のマイクロチャネル12の平均直径の1~30倍の長さにわたって延びていることを特徴とする、請求項1に記載の電子増倍装置1。前記ナノダイヤモンド層4は、前記複数のマイクロチャネル12の各々の前記内面14を、対応する前記出力開口13Bから前記複数のマイクロチャネル12の平均直径の1~10倍の長さの箇所まで延びていることを特徴とする、請求項1または2に記載の電子増倍装置1。前記ナノダイヤモンド層4は、前記複数のマイクロチャネル12の各々の前記内面14の全長にわたって、対応する前記出力開口13Bまで延びていることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の電子増倍装置1。前記ナノダイヤモンド層4の前記ダイヤモンド粒子の平均サイズは、1~10nmであることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の電子増倍装置1。前記ナノダイヤモンド層4の平均厚さは、50nm未満であることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の電子増倍装置1。前記ナノダイヤモンド層4は、前記基板3に接しており、前記基板3は、導電性であり、所定の電位とされていることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の電子増倍装置1。前記ナノダイヤモンド層4は、導電材料からなるサブ層5上にあり、前記サブ層5は、前記基板3に接しており、前記基板3は、電気的に絶縁されていることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の電子増倍装置1。前記サブ層5は、Al2O3とZnO、またはMgOとZnOからなることを特徴とする、請求項8に記載の電子増倍装置1。前記マイクロチャネルウェハ2の前記基板3は、鉛ガラスからなることを特徴とする、請求項7に記載の電子増倍装置1。前記マイクロチャネルウェハ2の前記基板3は鉛ガラスからなり、その酸化鉛濃度は略ゼロであることを特徴とする、請求項8または9に記載の電子増倍装置1。電磁放射またはイオン流の検出システムであって、電磁放射またはイオン流を受け、一次電子の流れを放出する入力装置と、前記一次電子の流れを受け、二次電子の流れを放出する、請求項1から11のいずれか一項に記載の反射型電子増倍装置1と、前記二次電子の流れを受け、出力信号を送信する出力装置とを備えることを特徴とする、検出システム。前記ナノダイヤモンド層4は、前記一次電子の流れを受けるように配置されていることを特徴とする、請求項12に記載の検出システム。前記検出システムは、光電子増倍管、画像増強管、またはイオン流の検出管であることを特徴とする、請求項12または13に記載の検出システム。電磁放射またはイオン流を検出する反射型電子増倍装置1の製法であって、前記電子増倍装置1は、入射電子の流れを受け、二次電子の流れを放出する少なくとも1つの活性構造体2、2iを備え、前記活性構造体2、2iは基板3を含み、前記製法は、前記基板3上に単一のナノダイヤモンド層4を形成する工程を含み、前記工程は、超音波浴槽内において、平均サイズが100nm未満のダイヤモンド粒子を含むコロイド溶液に、前記基板3を少なくとも部分的に所定時間接触させるものであることを特徴とする、製法。前記ダイヤモンド粒子の平均サイズは10nm以下であり、前記工程に先立って、ジルコニウムベースの積層要素により前記ダイヤモンド粒子を積層する工程が行なわれることを特徴とする、請求項15に記載の製法。前記ダイヤモンド粒子は、デトネーションにより予め得られていることを特徴とする、請求項16に記載の製法。本発明の主な目的は、SN比のための総利得または立ち上がり時間を、低下を伴うことなく、あるいは改善されたものとして高い値で有する反射型の電子増倍装置を提供することにある。上記の目的を達成するために、本発明が対象とするものの1つは、入射電子の流れを受け、二次電子の流れを放出する少なくとも1つの活性構造体を備え、電磁放射またはイオン流を検出する反射型の電子増倍装置である。本発明によれば、前記活性構造体は、平均サイズが100nm以下のダイヤモンド粒子から形成された薄いナノダイヤモンド層が設けられた基板を含む。反射型の電子増倍装置という表現は、入射電子の流れを受け、二次電子の流れを放出する単一の面を有する活性構造体を備える装置を意味する。よってこの種の装置は、透過型の電子増倍装置と区別される。透過型の装置が備える活性構造体は、入射電子の流れを受ける第1の面と、二次電子の流れを放出する第2の面とを有している。そして活性構造体は、薄いナノダイヤモンド層を含む。ダイヤモンドは、高い二次電子放出率を有する材料である。この薄い層は、ダイヤモンド粒子から形成される。よってこの層は、粒状、粒子状、または離散的と呼ばれ、物理的に連続な媒体を形成しているダイヤモンド層とは区別される。本発明に係る電子増倍装置は、高い総利得を有する。少なくとも1つの増倍ステップがナノダイヤモンド層によりなされるためである。またSN比が改善され、あるいは立ち上がり時間が変化しない。装置内における増倍ステップの数を増加させる必要がないためである。ナノダイヤモンド層のダイヤモンド粒子の平均サイズは、好ましくは1~10nmであり、より好ましくは5nm程度である。ナノダイヤモンド層の厚さは、ダイヤモンド粒子の平均サイズとほぼ等しい厚さとしてもよい。ナノダイヤモンド層の厚さは、ダイヤモンド粒子の平均サイズよりも大きい平均厚さとしてもよい。すなわち、複数のナノダイヤモンド層からなるようにしてもよい。単一の層という表現は、その平均厚さがダイヤモンド粒子の平均サイズにほぼ等しい層を意味する。ナノダイヤモンド層の平均厚さは1~100nmであり、好ましくは5~75nmである。例えば、20nmまたは50nm程度とされる。ナノダイヤモンド層の平均厚さは、約50nm未満であることが好ましい。ナノダイヤモンド層は基板に接触している。基板は導電性であり、所定の電位とされている。あるいは、ナノダイヤモンド層は、導電材料からなるサブ層上にあってもよい。この場合、サブ層は基板に接しており、基板は電気的に絶縁されている。前記サブ層は、Al2O3とZnO、MgOとZnO、または高い導電率をもたらす他の材料の組合せからなるようにしてもよい。本発明の一実施形態によれば、活性構造体は、複数のマイクロチャネルの各々が、入射電子の流れのための入力開口から二次電子の流れのための出力開口まで基板を横切って延びるマイクロチャネルウェハである。この場合、ナノダイヤモンド層は、複数のマイクロチャネルの各々の内面上を、対応する入力開口を延びている。ナノダイヤモンド層は、複数のマイクロチャネルの平均直径の1~30倍の長さにわたって延びていることが好ましい。ナノダイヤモンド層は、複数のマイクロチャネルの各々の内面を、対応する出力開口から複数のマイクロチャネルの平均直径の1~10倍の長さの箇所まで延びているようにしてもよい。あるいは、ナノダイヤモンド層は、複数のマイクロチャネルの各々の内面の全長にわたって、対応する出力開口まで延びているようにしてもよい。マイクロチャネルウェハの基板は、鉛ガラスからなるようにしてもよい。一変型例によれば、マイクロチャネルウェハの基板はガラスからなり、その酸化鉛濃度は略ゼロとされうる。本発明の別の実施形態によれば、増倍装置は、複数の活性構造体を備える。この場合、各活性構造体はダイノードである。複数の活性構造体は、入射電子の流れを相次いで増倍するように配置される。少なくとも1つのダイノードは、基板を含む。基板の一方の面上の少なくとも一部には、ナノダイヤモンド層が延びている。本発明は、電磁放射またはイオン流の検出システムも対象とする。当該システムは、電磁放射またはイオン流を受け、一次電子の流れを放出する入力装置と、前記一次電子の流れを受け、二次電子の流れを放出する、上記した特徴のいずれかを有する反射型電子増倍装置と、前記二次電子の流れを受け、出力信号を送信する出力装置とを備える。ナノダイヤモンド層は、一次電子の流れを受けるように配置されることが好ましい。検出システムは、光電子増倍管、画像増強管、またはイオン流の検出管でありうる。本発明は、上記した特徴のいずれかを有する電子増倍装置の製法も対象とする。当該製法は、基板上にナノダイヤモンド層を形成する工程を含む。当該工程は、超音波浴槽内において、平均サイズが100nm以下のダイヤモンド粒子を含むコロイド溶液に、前記基板を少なくとも部分的に所定時間接触させるものである。ダイヤモンド粒子の平均サイズは、好ましくは10nm以下である。この場合、前記工程に先立って、ジルコニウムベースの積層要素によりダイヤモンド粒子を積層する工程が行なわれる。ダイヤモンド粒子は、デトネーションにより予め得られていることが好ましい。本発明に係るその他の利点や特徴は、以下の詳細な説明において、限定を伴うことなく明らかになる。本発明の実施形態の例について、限定を伴うことなく、添付の図面を参照しつつ以下説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係る電子増倍装置1を部分的かつ模式的に示す。電子増倍装置1は、マイクロチャネルウェハGMC2を備える。この増倍装置1は、電磁放射線またはイオン流の検出システムに用いられうる。すなわち、ここでは増倍装置1が画像増強管内に配置される例を示すが、光電子増倍管やイオン検出管内にも配置されうる。なお以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。以下の説明を通じて、円柱座標における正規直交座標R、Zが用いられる。ここでRは管の径方向であり、Zは管の軸方向である。またZ方向は、電子の一般的な伝播方向とほぼ同等である。また以下の説明で用いられる用語上流と下流は、R、Z座標におけるZ方向に沿う向きについて理解されるべきである。画像増強管は、Z軸に沿う略円柱状または管状の形状を有しうる。しかしながら、管の形状は、略正方形状、矩形状、六角形状、あるいはその他任意の形状の断面を有するものであってよい。管は、Z方向に沿って3つの主要要素を含む。すなわち、入力装置図示せず、電子増倍装置1、および出力装置図示せずである。管は、管本体図示せずも含んでいる。管本体の機能は、上記3つの要素を機械的に保持し、入力装置および出力装置とともに封止空間を区画し、複数の電極が設けられるようにすることにある。当該電極には電力が供給されて様々な電界を発生させる。これら3つの要素は、ほぼZ方向に沿って整列されている。画像増強管の場合、入力装置は光電陰極を含む。光電陰極は、外部環境より到来する入射光子を受け、光電子に変換する。変換された光電子は、観測された環境の画像に対応するパターンを有する。電子増倍装置1は、光電子を増幅する。増幅された光電子は、出力装置により光信号に変換される。光信号は、リンスクリーン、CMOSセンサ、またはCCDセンサにより増強される。撮像アプリケーションを伴わない場合は、単に再び陽極により増強されてもよい。本発明によれば、電子増倍装置1は、活性構造体2を含む。活性構造体2は、入射電子の流れを受け、二次電子と称される電子の流れを放出するように構成されている。活性構造体2は、基板3を含んでいる。基板3上には薄いナノダイヤモンド層4が設けられている。ナノダイヤモンド層4は、複数のダイヤモンド粒子から形成される。ダイヤモンド粒子の平均サイズは100nm以下であり、好ましくは10nm以下である。本発明の第1の実施形態においては、活性構造体2は、マイクロチャネルウェハGMCである。GMCは、基板3から形成される。基板3は、マイクロチャネル12のネットワークを含んでいる。マイクロチャネル12は、入力装置に対向する上流面11Aから出力装置に対向する下流面11Bまで、基板3を横切るように延びる。よって各マイクロチャネル12は、入力開口13Aと出力開口13Bを有する。光電子の流れのための入力開口13Aは、GMC2の上流面11Aに位置する。二次電子の流れのための出力開口13Bは、下流面11Bに位置する。ナノダイヤモンド層4は、各マイクロチャネル12の内面14上を、入力開口13Aから出力開口13Bの方向へほぼ連続的に延びる。ナノダイヤモンド層4の長さは、マイクロチャネル12の平均直径の1~30倍とされる。好ましくは、平均直径の5~10倍とされる。ナノダイヤモンド層4は、電子増倍の少なくとも第1のステップを実行するように、各マイクロチャネル12内に設けられる。本実施形態においては、ナノダイヤモンド層4は、各マイクロチャネル12の内面14に直接接触している。ナノダイヤモンド層4よりZ方向について下流側においては、各マイクロチャネル12の内面14は、ナノダイヤモンド層により覆われていない。よって各マイクロチャネル12は、第1の上流領域15Aと第2の下流領域15Bを有する。第1の上流領域15Aにおいては、各マイクロチャネル12の内面14は、ナノダイヤモンド層4に覆われている。第2の下流領域15Bは、Z方向について第1の上流領域15Aに続いており、ナノダイヤモンド層を有していない。ナノダイヤモンド層4は、水素、セシウムや酸化セシウムにより処理され、電子親和力が低減されている。よって二次放出により生成される電子は、ナノダイヤモンド層4から自然に抽出されうる。基板3は、鉛ガラス鉛は低減済みのものからなることが好ましい。よって基板3は、マイクロチャネル12の内面14上において、十分な導電性とともに最適化された局所二次電子放出率を有する。十分な導電性は、放出のための電子が供給されることを可能とする。また各マイクロチャネル12の内面14は、単一の電圧源図示せずと電気的に接続されている。電圧源は、電子の貯蔵部を形成している。貯蔵部の電子は、第一にナノダイヤモンド層4のためのものであり、第二にマイクロチャネル12の内面14における第2の下流領域15Bのためのものである。GMC2におけるマイクロチャネル12の内面14は、鉛ガラスからなり、第1の上流領域15Aにおいてナノダイヤモンド層4へ電子を供給する電気的機能を有する。当該領域においては、ナノダイヤモンド層4によって二次電子が放出される。また第2の下流領域15Bにおいて内面14は、放出されるための電子を供給する機能に加え、二次電子を放出する機能を有する。増倍装置1は、2つの分極された電極図示せずを含む。その一方はGMC2の上流面11Aに配置され、他方は下流面11Bに配置される。これら2つの電極は、電圧源図示せずと接続され、GMC2の内部に電界を発生できるようにしている。電界は二次電子を出力開口13Bの方向へ加速するためのものである。電子の貯蔵部を形成する電圧源は、電界を発生する電圧源と同じであってもよい。よって使用する2つの分極された電極のうち、GMC2の下流面11Bに配置されるものは、各マイクロチャネル12の内面14と電圧源を電気的に接続しうる。上述のように、本発明の第1の実施形態に係るGMC2は、主に酸化ケイ素SiO2と酸化鉛PbOからなる。マイクロチャネル12の平均直径は、例えば2~100μm程度であり、長さと直径の比は、例えば40~100程度である。ナノダイヤモンド層4は、ダイヤモンド粒子から形成される。ダイヤモンド粒子の平均サイズは100nm以下であり、好ましくは1~50nmであり、より好ましくは6nm程度である。ナノダイヤモンド層4は、粒子状、粒状、あるいは離散的と表現される。すなわちナノダイヤモンド層4は、媒体の連続性に係る意味において、物理的に連続ではない。ナノダイヤモンド層4の平均厚さは、ダイヤモンド粒子の平均サイズ程度である。よってナノダイヤモンド層4は、明らかに単一の層である。ナノダイヤモンド層4の平均厚さは、おおよそ1~100nmであり、好ましくは、6nm程度である。ナノダイヤモンド層4は、マイクロチャネル12の内面14に沿って延びている。その長さは、マイクロチャネル12の平均直径の30倍程度、好ましくは、平均直径の5~10倍程度である。例えば、50~100μmとされる。分極電極はニッケルクロムからなり、GMC2の上流面11Aと下流面11B上を延びるものであってよい。その他の材料、例えば、ITOも用いられうる。GMC2のナノダイヤモンド層4の製法について、以下詳細に説明する。説明にあたっては、非特許文献2および非特許文献3を参照する。まずダイヤモンド粉末が製造される。ダイヤモンド粉末は、ダイヤモンド粒子からなる。粒子の平均サイズは、100nm以下であり、好ましくは1~10nmであり、より好ましくは、6nm程度である。ここでは公知のデトネーション法が用いられる。しかしながら、デトネーション衝撃波の冷却サイクルの間、ダイヤモンド粒子のクラスタが形成される。クラスタの平均サイズは明らかに100nmを上回るため、平均粒子サイズの分布を非均一にする。デノテーションにより得られた粉末のサイズ分布を均一にするために、粉末はジルコニウムビードを用いてミル粉砕される手順の詳細は、非特許文献2を参照。このミル粉砕工程により得られた混合物が、次いで積極的な酸処理によってフィルタリングおよび浄化される。当該工程により、寸法分布が均一なナノダイヤモンド粒子の安定した懸濁液が得られるようになる。ナノダイヤモンド粒子の平均サイズは6nm程度であり、寸法分布は約5~10nmである。次いでGMC2は、超音波浴槽において、上流面11Aの側から所定時間例えば30分コロイド溶液に浸漬される。コロイド溶液は、上記のナノダイヤモンド粒子を含む水またはエタノールの溶液である。これによりナノダイヤモンド粒子がマイクロチャネル12の内面14上に堆積し、ナノダイヤモンド層4が形成される。超音波浴の持続時間により、各入力開口13Aからマイクロチャネル12に沿うナノダイヤモンド層4の広がり長さが制御されうる。このようにして得られたGMC2は、次いで純粋な脱イオン水中ですすがれて、窒素中で送風乾燥される。こうしてGMC2を含む電子増倍装置1が得られる。GMC2の活性構造体は、ナノダイヤモンド層4を有している。光電子の流れがマイクロチャネル12に進入すると、光電子はナノダイヤモンド層4に衝突する。これによりナノダイヤモンド層4は、初期利得δ1をもって二次電子の流れを放出する。放出された二次電子の流れは、第2の下流領域15Bにおけるマイクロチャネル12の内面14に衝突する前に、ナノダイヤモンド層4に数回衝突する。あるいは第2の下流領域15Bにおけるマイクロチャネル12の内面14に直接衝突する。少なくとも初回はナノダイヤモンド層4によりもたらされるn回の増倍ステップの後、二次電子の流れは、出力開口13Bを通じて各マイクロチャネル12から脱出し、画像増強管のリンスクリーンに向かう。よって本発明の第1の実施形態に係る電子増倍装置1は、幾つかの利点を有する。ダイヤモンドは、鉛ガラスよりも著しく高い二次電子放出効率を有することで知られている。増倍の少なくとも最初のステップはナノダイヤモンド層4によりなされるため、電子増倍装置1は、非常に高い総利得を有する。最初の増倍ステップにおける初期利得δ1は、5~60超である例えば、5、10、20、30、40、50、60程度、あるいはさらに大のに対し、鉛ガラスの場合は3~5程度である。また式2によれば、ノイズ因子が低下され、SN比が増大する。したがって本発明の第1の実施形態に係る電子増倍装置1は、マイクロチャネル12の長さを増大させる必要なしに、高い総利得を有する。また従来の鉛ガラスGMCよりも改善されたSN比を有する。ナノダイヤモンド層4は、上述のように入力開口13Aから短い距離だけ延びるのではなく、出力開口13Bのところまでマイクロチャネル12の全長にわたって延びる構成としてもよい。この場合、マイクロチャネル12に入射した電子に対する増倍の全ステップがナノダイヤモンド層4によりなされる。したがって増倍装置1の総利得は非常に高くなり、SN比が増大される。画像増強管の場合、空間分解能を低下させないために、ナノダイヤモンド層4は、マイクロチャネル12の全長にわたって延びることが好ましいが、出力開口13Bからマイクロチャネル12の平均直径の1~10倍の距離の箇所で途切れるようにされる。この場合、出力開口13Bから当該箇所までのマイクロチャネル12の内面14上には、電子捕集層17図3に示すが設けられてもよい。電子捕集層17は、導電性を有し、かつ二次電子放出率が明らかにゼロである材料からなる。電子捕集層17に衝突する入射電子は吸収され、二次電子は放出されない。よってこの領域は捕集領域と称される。よって増倍装置1の空間分解能は変化しない。図3は、上記した本発明の第1の実施形態に係る第1の変型例を示す。図2に示したものと同一の参照番号は、同一または類似の要素を示している。本変形例は、第2の下流領域15Bにおけるマイクロチャネル12の内面14が、酸化アルミニウム薄膜16により覆われている点において先の実施形態と異なる。酸化アルミニウムは、高い二次電子放出率を有する材料である。酸化アルミニウム薄膜16は、5nm程度の厚さを有し、マイクロチャネル12に沿って延びる構成とされうる。この場合、出力開口13Bからマイクロチャネル12の平均直径の1~10倍の距離の箇所で途切れるようにされる。上述のように、出力開口13Bから当該箇所までのマイクロチャネル12の内面14上には、電子捕集層17が設けられてもよい。電子捕集層17は、導電性を有し、かつ二次電子放出率が明らかにゼロである材料からなる。よって、とりわけ画像増強管の場合において、増倍装置の空間分解能は変化しない。これに対して光電子増倍器やイオン流検出器の場合、酸化アルミニウム薄膜16は、マイクロチャネル12の出力開口13Bまで延びてもよい。この場合、マイクロチャネル12の内面14は、ナノダイヤモンド層4と酸化アルミニウム薄膜16を電気的に接続する役割を担う。またナノダイヤモンド層4と電圧源を電気的に接続する役割を担う。放出される電子をこれらの層に供給するためである。マイクロチャネル12の内面14は、もはや二次電子を放出する役割を担わない。ナノダイヤモンド層4と酸化アルミニウム薄膜16が当該機能を果たすためである。酸化アルミニウム薄膜16は、ナノダイヤモンド層4の形成前に、ALD原子層堆積法として知られる技術により、マイクロチャネル12の全長にわたって内面14上に設けられうる。次いでマイクロチャネル12の入力部が、ニッケルクロムまたは酸化インジウムスズにより電気めっきされうる。電気めっきは、入力開口13Aからマイクロチャネル12の平均直径の2~5倍の長さにわたって行なわれる。最後に、ナノダイヤモンド層4が当該導電層上に設けられる。ナノダイヤモンド層4は、本発明の第1の実施形態を参照して説明した技術により形成されうる。図4は、上記した本発明の第1の実施形態に係る第1の変型例を示す。図3に示したものと同一の参照番号は、同一または類似の要素を示している。本変形例は、GMC2の基板3がガラスSiO2からなり、鉛ガラスのみからなるのではない点において、上記の第1の変形例と異なる。よって酸化鉛PbO濃度は、明らかにゼロである。したがってマイクロチャネル12の内面14は、ナノダイヤモンド層4および酸化アルミニウム層16を電圧源と電気的に接続可能にする電気的特性をもはや有しない。よって導電材料からなるサブ層5が、ナノダイヤモンド層4とマイクロチャネル12の内面14の間、および酸化アルミニウム層16とマイクロチャネル12の内面14の間に設けられている。すなわちサブ層5は、ナノダイヤモンド層4および酸化アルミニウム層16を電圧源と電気的に接続する。放出される電子をこれらの層に供給するためである。このサブ層5は、酸化アルミニウムおよび酸化亜鉛一般にAZOと称される材料から形成されうる。サブ層5は、ALD原子層堆積法として知られている技術により積層されうる。サブ層5の厚さは、5~30nm程度とされうる。そして、ナノダイヤモンド層4が、本発明の第1の実施形態を参照して説明した技術により形成されうる。基板3は、鉛ガラスではなく、ガラスからなる。よって鉛を低減する工程が必要なくなり、GMCの製法を簡略にする。また水素原子が存在しないため、GMCの寿命が長くなる。水素原子は、鉛低減工程においてマイクロチャネル12の内面14に吸収され、後に放出されることによりGMCや光電陰極を劣化させやすい。図5は、本発明の第2の実施形態を部分的かつ模式的に示す。なお図2に示したものと同一の参照番号は、同一または類似の要素を示す。本実施形態においては、増倍装置1は、ダイノード2-iの組立体を含む。各ダイノード2-iは、増倍装置1の活性構造体2を構成する。この種の電子増倍装置1は、一般に光電子増倍器やイオン流検出器内に配置される。光電子増倍器において電子増倍装置1は、光電陰極を含む入力装置と、出力装置を形成する陽極との間に配置されるのが一般的である。図5に示すダイノード2-iの組立体は、リニアフォーカス型の構成である。しかしながら、他の構成とされてもよい。例えば、ベネチアンブラインド型、ボックス型、円形ケージ型、メッシュ型、またはフォイル型が挙げられる。各ダイノード2-iは、基板3を備える。基板3の一方の面は、二次放出層により覆われている。少なくとも1つのダイノード2-1好ましくは、電子の移動方向における最初のダイノードは、一方の面がナノダイヤモンド層4で覆われた基板3を備える。ナノダイヤモンド層4は、本発明の第1の実施形態およびその変形例を参照して示したものである。全てのダイノード2-iがナノダイヤモンド層4を含むことが好ましい。ナノダイヤモンド層4を含まないダイノード2-iは、電子親和力を低減するためにセシウムにより処理された金属酸化物層を含みうる。金属酸化物の例としては、BeO、Al2O3、またはMgOが挙げられる。あるいは、当該ダイノード2-iは、適当な半導体材料層を含みうる。半導体材料の例としては、SbK2Cs、またはSbRbCsが挙げられる。基板3が、例えばセラミックのような誘電材料からなる場合、導電材料からなるサブ層5が、基板3の表面とナノダイヤモンド層4の間に設けられる。サブ層5は、電圧源図示せずと電気的に接続されている。これによりダイノード2-iの分極を可能にするとともに、放出される電子をナノダイヤモンド層4に供給可能とする。サブ層5は、既存の真空蒸着技術により積層されうる。真空蒸着技術の例としては、ALD、スパッタリング、またはエヴァポレーションが挙げられる。よって電子増倍装置1は、とりわけ高い総利得を有する。少なくとも1つのダイノード好ましくは最初のダイノードがナノダイヤモンド層4を有するためである。また式3によれば、立ち上がり時間RTが変化せず、よって増倍装置の時間的特性も変化しない。したがって本発明の第2の実施形態に係る電子増倍装置1は、ダイノード2-iの数を増やす必要なしに、高い総利得を有する。また従来のダイノードの組立体と比較して、立ち上がり時間が変化しない。また利得を等しくした場合は、必要なダイノードの数が低減されうるとともに、立ち上がり時間がかなり低減されうる。ダイヤモンド層4は、本発明の第1の実施形態を参照して説明した方法と同一または類似の方法で形成積層されうる。本発明は上記の例に限定されるものではなく、当業者により様々な変更が当然になされうる。電子増倍装置は、例えばチャネルトロンのような、あらゆるタイプの光電子増倍器に用いられうる。この種の光電子増倍器は、光電陰極と出力陽極の間に、単一チャネル型の電子増倍装置を備える。当該チャネルの内面が二次放出特性を有する。本発明に係るチャネルトロンは、その少なくとも一部が好ましくは入力開口から上記の実施形態を参照して説明したナノダイヤモンド層で覆われたチャネル内面を有する。ここでナノダイヤモンド層は、本発明の第1の実施形態を参照して説明した方法と同一または類似の方法で形成積層されうる。したがって、本発明に係るチャネルトロンは、本発明の第1の実施形態を参照して説明したものと同一または類似の利点を有する。