"少なくとも1つの電源と電気的に導通している複数の半導体接合を含む半導体装置の機能を決定するための方法であり、前記半導体接合は複数の相互接続された機能セルにグループ化されており、また前記装置は前記複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかと電気的に導通している外部アクセス可能な複数の接点を含む、前記方法であって:前記半導体装置の表面を照射すること;照射に応答する前記複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのレイアウトを決定すること;前記決定されたレイアウト内で、前記複数の半導体接合の少なくとも幾つかに関するグルーピングを同定すること、ここで各グルーピングは複数の予め決定された機能セルのうちのそれぞれの機能セルを表す;前記複数の外部アクセス可能な接点のうち少なくとも1つへの刺激を変化させること;及び前記変化した刺激に応答して前記複数の相互接続された機能セルの1つ以上の接続を推測することを含む方法。請求項1に記載の方法であって、照射する動作が:前記半導体装置の表面の比較的小さい部位を照射すること;及び前記半導体装置の表面の少なくとも一部にわたって照射される部位をスキャンすることを含む該方法。請求項2に記載の方法であって、半導体の表面の比較的小さい部位を照射する前記動作がレーザー照射を用いて照射することを含む該方法。請求項2に記載の方法であって、半導体の表面の比較的小さい部位を照射する前記動作が電子ビームを用いて照射することを含む該方法。請求項2に記載の方法であって、レイアウトを決定することが:スキャン中に少なくとも1つの前記電源の少なくとも1つの電流及び電圧の変化を検出し;及び照射される前記半導体表面の比較的小さな部位を前記複数の半導体接合のうち各1つに関連づけることを含む該方法。請求項5に記載の方法であって、複数の半導体接合と関連づけられた比較的小さい前記表面部位の平面画像を生成することを更に含み、前記画像は、半導体装置表面から見た前記複数の半導体接合のうちの少なくとも幾つかの前記決定された代表的レイアウトを表す、該方法。請求項1に記載の方法であって、前記半導体装置の支持層を薄くし、前記薄くした支持層の露出表面を照射することを更に含む該方法。請求項1に記載の方法であって、前記予め決定されたそれぞれの機能セルを同定することが、予め決定された機能セルのライブラリーと、複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかの前記各グルーピングを比較することを含む該方法。請求項1に記載の方法であって、前記相互接続された複数の機能セルのうちどれが、前記刺激の変化に応答して状態が変化するかを同定することを更に含む該方法。請求項9に記載の方法であって、前記相互接続された複数の機能セルのサブセットの同定された状態変化に基づいて、前記相互接続された複数の機能セルのうち、少なくとも前記サブセットが実際にどのように相互接続されているかを決定することを更に含む該方法。情報キャリアにおいて具体的に実現されたコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータプログラム製品は、半導体装置試験機に対して以下の動作を行わせるように操作可能な指示を含む製品:複数の半導体接合に相互接続された電源の電流及び電圧のうち少なくとも1つにおける変化に応答する半導体装置の複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのレイアウトを決定すること、ここで前記変化は半導体装置の表面の照射に応答する;前記決定されたレイアウト内で、前記複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのグルーピングを同定すること、ここで各グルーピングは複数の予め決定された機能セルのうちそれぞれの機能セルを表す;前記半導体装置の複数の外部アクセス可能な接点のうち少なくとも1つ、及び1以上の予め決定された機能セルと電気的に導通している外部アクセス可能な複数の接点のうち幾つかに対する刺激を変化させること、;及び前記変化した刺激に応答する相互接続された複数の機能セルのうち1以上の接続性について推測すること。請求項11に記載のコンピュータプログラム製品であって、前記レイアウトの決定が以下を含む製品:半導体装置表面の比較的小さい部位を照射するために調整された放射線源によって前記半導体装置の表面をスキャンしている間に、少なくとも1つの電源の前記電圧及び電流の少なくとも1つの変化を検出すること;及び前記変化の検出された際に、前記スキャンされたそれぞれの比較的小さい表面部位を、前記複数の半導体接合のそれぞれ1つと関連付けること。請求項12に記載のコンピュータプログラム製品であって、前記比較的小さい表面部位の平面画像を生成するために操作可能な指示を更に含み、前記画像は、前記半導体装置表面から見た複数の半導体接合の少なくとも幾つかの前記決定された代表的レイアウトを示す、該製品。請求項11に記載のコンピュータプログラム製品であって、それぞれ前記予め決定された機能セルの同定が、前記複数の半導体接合の少なくとも幾つかの各グループと、予め決定された機能セルのライブラリーとを比較することを更に含む、該製品。請求項11に記載のコンピュータプログラム製品であって、前記刺激の変化に応答して前記複数の相互接続された機能セルうちどれが状態変化するかを同定するための操作可能な指示を更に含む、該製品。請求項15に記載のコンピュータプログラム製品であって、前記複数の相互接続された機能セルのうち少なくともサブセットが、前記複数の相互接続された機能セルのサブセットの同定された状態変化に基づいて実際にどのように相互接続されているかを決定するための操作可能な指示を更に含む、該製品。半導体装置の機能性を決定するための装置であって、以下を含む該装置:前記半導体装置表面を照射するための手段、ここで前記半導体装置は少なくとも1つの電源と電気的に導通した複数の半導体接合を含み、前記半導体接合は複数の相互接続された機能セルにグループ化され、そして前記半導体装置は、前記複数の半導体接合の少なくとも幾つかと電気的に導通した複数の外部アクセス可能な接点も含む;前記照射に応答する複数の半導体接合の少なくとも幾つかのレイアウトを決定するための手段;前記決定されたレイアウトの中で、前記複数の半導体接合の少なくとも幾つかのグルーピングを同定するための手段、ここで各グルーピングは、複数の予め決定された機能セルのそれぞれ機能セルを表す;前記外部アクセス可能な複数の接点の少なくとも1つに対する刺激を変化させるための手段;及び前記変化した刺激に応答して前記相互接続された複数の機能セルの1以上の接続性を推測するための手段。完全な回路抽出を行うためには、全てのトランジスター、キャパシター、ダイオード及び他の構成部品、全ての相互接続層、並びに全ての接点及びバイアスを記録することが必要となる。このことは手動で行うこともでき、又はオートメーションを用いて行うこともできる。完全な回路抽出は、全てのトランジスター、全ての接点/レベル間バイアス、及び全ての各レベルでの相互接続を記録し、そして、それらを設計エンジニアが読める回路図に纏めることを意味する。通常回路ブロックは、一度に抽出され、その後要すれば完全な回路図が利用可能になるよう、相互参照される。残念ながら、前記のようなアプローチはコスト的に複雑で破壊的である。本明細書では、外部放射線に対して応答する接合を分析することを通して機能を推測することによる、集積回路の非破壊的なリバースエンジニアリングのためのシステム及び技術の実施について記述する。特に、半導体装置は前記方法を完了する間及びその後でも操作性を維持する。一つの態様において、本明細書で記述する少なくとも1つの実施形態は、以下の方法をサポートする。少なくとも1つの電源と電気的に導通した複数の半導体接合部を含む半導体装置の機能を決定において使用するための方法であって、前記半導体接合は複数の相互接続されたセルにグループ化されており、また前記装置は複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかと電気的に導通した複数の外部アクセス可能な接点を含む。前記方法は以下を含む:半導体装置の表面を照射すること;照射に応答する複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのレイアウトを決定すること;決定されたレイアウト内で、複数の半導体接合の少なくとも幾つかのグルーピングを同定し、各ブルーピングはそれぞれの機能セルを表すこと;複数の外部アクセス可能な接点のうち少なくとも1つへの刺激を変化させること;及び前記変化した刺激に応答して複数の相互接続された機能セルの1つ以上の接続を推測すること。別の態様において、本明細書中に記述する少なくとも1つの実施形態は、半導体の機能を決定する際に使用するための情報キャリアにおいて具体的に実現されたコンピュータプログラム製品に関する。前記コンピュータプログラム製品は、半導体装置試験機に対して以下の動作を行わせるように操作可能な指示を含む:複数の半導体接合に相互接続された電源の電流及び電圧のうち少なくとも1つにおける変化に応答する半導体装置の複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのレイアウトを決定すること。特に前記変化は半導体装置の表面の照射に応答する。前記指示は、決定されたレイアウト内で、複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのグルーピングを更に同定する。各グルーピングは複数の予め決定された機能セルのうちそれぞれの機能セルを表す。半導体装置の複数の外部アクセス可能な接点のうち少なくとも1つに対する刺激を変化させる。外部アクセス可能な複数の接点のうち少なくとも幾つかが、1以上の予め決定された機能セルと電気的に導通している。前記指示は、変化した刺激に応答して相互接続された複数の機能セルのうち1以上の接続性について更に推測する。更に別の態様において、本明細書中に記述する少なくとも1つの実施形態は、半導体装置の機能について決定において使用するためのシステムをサポートする。前記システムは、半導体装置の表面を照射するための手段を含む。前記半導体装置は、それ自身、少なくとも1つの電源と電気的に導通している幾つかの半導体接合、及び複数の半導体接合の少なくとも幾つかと電気的に導通した複数の外部接続可能な接点を含む。前記半導体接合は、幾つかの相互接続された機能セルにグループ化される。また、前記システムは照射に応答する複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのレイアウトを決定するための手段を含む。また、予め決められたレイアウト内で、複数の半導体接合の少なくとも幾つかのグルーピングを同定するための手段も提供する。一般的に、半導体接合の各グルーピングは、予め決定された複数の機能セルのそれぞれの機能セルを表す。更に前記システムは、外部接続可能な複数の接点の少なくとも1つに対する刺激を変化させる手段を含み、そして、前記変化した刺激に応答して相互接続した複数の機能セルのうち1以上の接続性を推測するための手段を含む。添付された図面に示されるように、本発明の上記及び他の物体、特徴並びに利点は、以下本発明の好ましい実施形態のより詳細な記述から明らかになるであろう。ここで異なる図全体を通して同一の文字は同一の部品を表す。図面は必ずしも縮尺製図されるわけではなく、代わりに本発明の原理を示す際に強調される。本明細書では、外部放射線に応答する接合を分析することを通して機能を推測することによって集積回路の非破壊的なリバースエンジニアリングのためのシステム及び技術の実施を記述する。半導体の接合内の電子ホールペアを誘導することができる外部線源によって、電気的に無傷の半導体装置は照射される。適切にバイアスされた接合内で刺激された前記電子ホールペアは、観察可能な電流を引き起こす内部の電場によって駆動される。前記電流は、装置と相互接続された電源の電流又は電圧の変動を通して観察される。照射される部位は所与の装置中で予想される最も小さい個々の接合を識別するのに充分に小さいことが好ましい。放射線源には、電子線誘起電流法EBICと呼ばれる技術の中で接合電流を誘起する能力のある電子線が含まれる。同様に放射線源には、光学ビーム誘起電流OBICと呼ばれる技術の中で接合電流を誘起する能力のある光学的例えばレーザーソース等の電磁放射が含まれる。電源電流の前記変化を通した接合の検出を半導体装置上の位置例えばX-Y座標と関連づけることができるように、照射部位は、半導体装置の表面に関連して移動することができる。少なくとも幾つかの実施形態において、前記移動は、装置表面の少なくとも1つの部位のラスタライズ化したスキャンニングを含む。幾つかの実施形態において、検出された接合の位置は、半導体装置のトランジスターレベルのレイアウトを示す画像を生成するために使用することができる。少なくとも幾つかの半導体装置のクラスが、スタンダード機能セルを用いて開発されているため、前記セルの同定は、スタンダードセルライブラリに従った接合レイアウトから推測することができる。図1は、半導体装置100の例の簡略化した回路図を示す。前記装置100は、支持層104上に配置された1以上の装置及び/又は相互接続層102を含む。例えば、シリコン装置において、支持層は、約150ミクロンの厚さであるシリコン層であることができる。多数の半導体接合106、即ちp-nは装置100にわたって配置される。接合106は、金属-酸化膜-半導体MOSトランジスタ等の電界効果トランジスタのゲート等のトランジスター装置の接合であることができる。少なくとも幾つかの接合106は、機能セル108中に構築される。前記グルーピングと共に、多数の前記機能セル108が、支持層104にわたって配置することができる。図示したように、機能セル108即ち前記セルの接合は、1以上の電源端子110に相互接続されている。また、外部アクセス可能な接点112の例示的な配置も示す。前記接点は、例えば、装置の試験を促すために設計者によって含められる装置100及び/又は内部のテストポイントの入力/出力ピンを表すことができる。前記外部アクセス可能な接点112の特定のルーティング、前記電源相互接続、及びゲートからゲートへのルーティングは、1以上の装置及び/又は相互接続層102中で定義される導電性のワイヤートレース及びバイアスの組合せを通して達成される。本明細書中で提供される実施例は、デジタルCMOSテクノロージーを図示している。前記実施例は決して本明細書中に記述された技術の応用を前記テクノロージーに制限することを意味するのではない。同様の技術を、適切な例えば、スタンダードセルライブラリを有する任意の半導体技術に応用することができ、該セルに関して前記技術例えばEBIC及びOBICによって得られた画像が、セルへの入力のバイアス条件に基づく変化を反映させる。任意の前記半導体技術を用いて、セルの関連ライブラリーの各機能セルのレイアウトの違いがEBIC/OBIC技術によって区別可能であることが好ましい。本明細書中で使用する語句スタンダードセル又は機能セルは、一群のトランジスターを含み、ブール論理機能例えばAND、OR、XOR、XNOR、インバーター又はストレージ機能例えば、フリップフロップ又はラッチを提供する相互接続構造を含む。通常はもっと複雑なセルが使用されるが2ビット全加算器、又はマックスD入力フリップフロップmuxedD-inputflip-flop、最も単純なセルは、素子NAND、NOR、及びXORのブール機能を直接的に表現した物である。セルのブールロジック機能はその論理学的な観点で呼ばれている。機能的なふるまいは、真理値表若しくは組合せの論理に関するブール論理式、又は順序回路に関する状態遷移表の形態でとらえることができる。本明細書中で使用する語句、スタンダードセルライブラリー又は機能セルライブラリーは、AND、OR、反転、フリップフロップ、ラッチ、及びバッファ等の低レベルの論理機能の集合を含む。これらのセルは通常固定された高さ、様々な幅のフルカスタムセルとして具現化されている。これらのライブラリーに関するキーとなる態様は、これらは固定された高さを持つことにあり、それによって列をなして配置することが可能となり自動化したデジタルレイアウトの加工を容易にしている。また前記特徴は接合の適切なグルーピングの決定を促し、従って関連する機能セル108の境界の決定を促す。2入力NAND又はNOR機能は、任意のブール機能セットを形成するのに充分である。しかし、近年のASIC設計においては、セルのかなりの大きさのライブラリー複数可を用いて、スタンダードセル方法論が実践されている。前記ライブラリーは、同一の論理機能を多数実装することを含み、分野とスピードが異なる。装置の特定の接合のバイアスは、少なくともある程度は、装置の外部接続可能な接点に与えられた外部の刺激に依存するであろう。前記刺激は論理レベルを表す電圧レベルを含むことができる例えば、5Vが論理学的な1に関するものであり、そして0Vが論理学的な0に関するものである。多重入力の中の入力値の前記配列は、テストベクトルと呼ぶことができる。異なるテストベクトルを、以下より詳細に記述するように異なる時間で適用することができる。本明細書中で記述する技術によって半導体装置の機能セルを同定した後、外部の刺激に応答して前記セルの相互接続性を推測することが可能となる。即ち、テストベクトルを前記装置に適用して、接合はスキャンされて、どの接合がテストベクトルに応答して適切にバイアスされるかを決定する。結果は、同定されたスタンダードセルの論理ビューと比較することができる。刺激は、例えば連続して異なるテストベクトルを適用することによって変更することができ、入力及び出力が1又は0の状態である。接合は再度スキャンされ、変化した刺激に応答してバイアスの変化を検出する。例えば、選択的にテストベクトル刺激を選ぶことによって、1以上の外部アクセス可能な接点と電気的に導通している第一のレベルの機能セルを決定することが可能になる。前記相互接続性を推測して、ネットリストを開発し、機能セルの装置の相互接続を追跡することができる。本明細書中で使用する語句トランジスターネットリストは、相互接続及び外部環境への端子ポートのスタンダードセルトランジスターの節を記述したもののトランジスターレベルの設計を含む。互いに1以上の装置のゲートを相互接続した電子回路の記述、幾つかの例では外部アクセス可能な接点、テストポイント等と相互接続した電子回路の記述についてネットは参照する。本明細書中で使用する語句レイアウトビューは、スタンダードセルを物理的に表現したものを含み該セルは基底層に配置され、トランジスター装置の異なる構造に対応する、そして相互接続ラインを含むトランジスターフォーメーションの端子と結合する。本明細書中で使用する用語ネットリストは、トランジスタの条件に関係なく、一般的に論理ビューレベルでの、ASIC設計のスタンダードセルの表現物を含み、スタンダードセルライブラリーゲート及びゲート間のポート接続性の例から構成される。認識すべき重要な点として、半導体装置の機能性は装置が機能している間成し遂げられる。即ち、装置が適切に電源供給され、例えば装置の入力接点においてテストベクトルの形態で外部刺激を与えられる。本明細書中で記述するスキャンニング方法は、前記装置のトランジスター接合又はゲートが意図したとおりに外部の刺激に反応するように通常の意味で機能的な装置に依存する。相互接続即ちワイヤー、バイアス、及び/又は装置を含む前記装置の任意の層が除去されると、本明細書中で記述するように依存される通常の機能性が可能となる可能性はほとんど無い。図2は、半導体装置試験システム200の1種の例の回路図を図示している。前記システム200は、半導体装置100の表面に向かって放射線ビームを発生させる放射線源204を含む。少なくとも幾つかの実施形態において、放射線ビームは、ビームダイレクティング装置208によって、前記装置に向かうか、そうでなければ向けられる。前記ビームダイレクティング装置208は、ビーム206及び装置100に関する相対的な位置複数可に従って放射線ビームを反射させるように適合した設置可能な反射装置を含むことができる。或いは/更には、1以上の放射線源204及び分析される半導体装置は、互いに設置することができる。例えば、放射線源204は、該放射線源204自身を舵取りするために設計されたジンバル中に設置することができる。同様に、前記システム200は、分析される装置100を支えるチャック207を含むことができる。前記チャックは設置可能で、例えば分析される装置100のx-y変移を提供する。前記システム200は、1以上の放射線源204、ビームダイレクティング装置208及びチャック207と導通している放射線源コントローラ210を含む。高密度VLSI半導体装置は、極端に小さい内部特性を持ち、例えば幾つかの例ではサブミクロンである。前記のようなスケールでは特別な配慮が必要となる。例えば、50nmトランジスターゲートの長さは光学顕微鏡の解像度を超える。従って、単にトランジスターを見るだけのために電子顕微鏡がしばしば必要となる。TEM透過型電子顕微鏡は、装置の構造の高解像度画像を提供するためにサンプル全体を観察する;SCM走査型静電容量顕微鏡は、シリコンチップ中の実際に機能しているトランジスター、抵抗などを構成する正ドーピング及び負ドーピングを見る手段である。走査型電子顕微鏡SEM等の電子ビームが半導体サンプルにぶつかると、ビーム相互作用するボリューム内で電子ホールペアが発生する。もし、サンプルがp-n接合又はショットキー接合を含む場合、接合の電場内又はその付近で発生した電子ホールペアは分離する。電場は電子をn側に、ホールをp側に移動させる。p側及びn側は、ピコ電流計又は電流増幅器を通ってそれぞれ電源又はグランドに接続され、そして分離した電子及びホールは回路を流れ、電子線誘起電流EBICを生じる。チップのサイズ、及び進んだ特性のサイズに必要な高倍率には、EBICソース及び装置の正確な設置が必要となる。例えば、自動化されたステッパーを有するシステムは放射線源と結合する。2次元例えばx-yステッパーを使用することができる。平面図イメージングによって、機能的又はスタンダードセルの回路を含む図3B参照トランジスターT1のゲート、及びリセットトランジスターT2のゲート、及びソースフォロワートランジスターT3のゲートを示す制限されたプロセス情報が与えられる。CMOS装置等、幾つかの装置においてn型及びp型のMOSトランジスターを通常操作する電気的状態は、特別に設計したシステムを用いて決定することができる。前記システム等には、例えば、標準的な金属顕微鏡及び市場で入手可能であるガルバノメータミラースキャナーを用いた、半導体装置上のラスタパターン中でスキャン可能なHe-Neレーザースポットを含む。前記スキャンニングビームは、約2ミクロンのボリュームで、半径が5ミクロン未満の深さでホール電子ペアを生成する。どちらの大きさもレーザー波長に依存する。逆バイアスをかけたウェル又はドレイン接合のおおよその拡散長内で発生するキャリアは、電源装置電流内で集合して、変化として表れる。装置100は、少なくとも1つの電源108に相互接続され、装置100の機能セル108図1の接合106図1に電力を供給する。メータ装置209を配置して、装置100によって引かれる1以上の電流I又は電圧Vをモニターする。例えば電流計例えばピコ電流計を、装置と電源の間のインラインに接続して、装置100によって引かれる電流の微細な変化を検出する。中央処理装置212は、供給時に放射線源コントローラ210、ピコ電流計209、及び設置可能なチャック207のうち1以上と導通している。少なくとも幾つかの実施形態において、中央処理装置212は、本明細書で記述した機能を実施するために調整されたエンコードされた指示で設計されたメモリを含むか、又はそうでない場合には該メモリにアクセスする。例えば、中央処理装置212は、ソフトウェアコードで設計して、分析される装置100の表面にわたって放射線206をスキャンして、装置電流のあらゆる変化を記録し、前記各電流変化に関連付けられた装置100の表面に関するスキャンしたビーム206のx-y位置を記録し、又はそうではない場合には関連づける。少なくとも幾つかの実施形態において、システム200は、1以上の電気的にアクセス可能な接点112図1への選択可能な入力例えばテストベクトルを提供するために設計された試験刺激器214を含む。幾つかの実施形態において、前記試験刺激器214は、中央処理装置212によって制御可能である。或いは/更には、前記試験刺激器214は、好ましい連続テストベクトルを分析される装置100に適用するために予めプログラムすることができる別の装置を表すことができる。市場で入手可能である試験サポートシステムは、テストベクトルの生成を促すために使用することができる。CADENCE登録商標ENCOUNTER登録商標CONFORMAL登録商標等価判定装置が、カルフォルニア州サンノゼのカデンスデザインシステムインクから商業的に入手可能ではあるが、ENCOUNTERシステムの一部として利用可能な形式的検証ツールである。形式的証明エンジンは、カウンターケース即ち、テストベクトルを、網羅的な刺激よりはむしろ数学的方法を用いて作成する。幾つかの方法で形式的証明エンジンの周辺に構築される他のツールを同様のアプローチで使用することもできる。また、既に定義されたネット等の内部の利用可能性を活用して前記分析において前記ツールを適用することも可能である。CONFORMALシステムは、テストベクトルを生成するシステムでなくともよいが、それと同様に使用することができる。形式的証明エンジンはテストベクトルとして使用可能なカウンタターケースを作成する。また、システムはスタンダードセルのデータベース216を含む。前記データベース216は、ローカルに保存されてもよく、別のシステムからアクセス可能であっても良い。少なくとも幾つかの実施例において、データベース216はインターネット等のネットワークを介してアクセス可能である。また、前記システムは、操作者が半導体装置100の分析結果をセットアップし、モニターし、及び後処理するための相互作用するコンソールを提供するユーザーインターフェース220を含む。機能的な分析には機能的な操作中のシステムモニタリングを含む。必要な場所であればどこでも、半導体装置にはプローブが備わっている。幾つかの例で、マイクロプロービングはオンチップシグナルをモニターするために使用することができる。テストケースを開発しなければならず、その機能モードの中でシステムを稼動させるために刺激が作成される。シグナル発生器、論理アナライザー、及びオシロスコープを用いることができ、システムを稼動させ、結果を収集する。そして信号及び全体のシステムが分析される。無論、任意の前記装置は非破壊的な態様で実装すべきである。図3A及び図3Bは、2入力NAND機能セル300のCMOS実装のための半導体装置レイアウト図の例のそれぞれの平面図を図示している。図3Aは重なった下位層が見えるように透明に表した半導体装置の全ての層を図示している。外側の長方形の破線は、2入力NAND機能セル300をくくる領域301を定義する。前記平面図において、機能セル300の内部構成部品又は素子は、セル境界301内に含まれている。前記装置は典型的には、1以上の電源図示しないからの電圧及び/又は電流を分配するためのパワーグリッドを形成する1以上の金属層を含む。例示的な実施例において、層306は金属電源層例えば、Vddであり;一方で層308は、半導体装置の回路素子に関する電気的なグランドリファレンスとなることができる別のパワーグリッド例えばVssを形成する金属層である。金属層306及び308は、2つの層306及び308が接触していない、さもなければ電源と短絡していない限りは、半導体装置の同一の物理的な層の上にあっても良く、又は異なる層の上にあってもよい。層306及び層308のいずれか又は両方が、回路例えばワイヤー相互接続と共に同一又は異なる層の上にあってもよい。入力トランジスタ装置302は半導体材料内で定義され、トランジスタ、ダイオード等の形成とともに、適切に設置された導電性の端子を含む。2入力CMOSNANDセルの特定の例において、セル300は2つのPMOSトランジスター302a、302b概して302、及び2つのNMOSトランジスター304a、304b概して304を含む。図3Bは接合をより分かりやすく図示するために幾つかの層を除去した同じ半導体装置レイアウトの平面図を示す。装置は、第一のポリシリコンゲート303aへ相互接続された第一の入力In0、及び第二のポリシリコンゲート303bへ相互接続された第二の入力In1を含む。各ゲート303a及び303bは、PMOSトランジスタ302に関してはN型拡散層305上に広がっており、NMOSトランジスタ304に関してはP型拡散層上307に広がっている。即ち2つの各PMOSトランジスタ装置302図3Aは、ポリシリコンゲート303a、303b及びN型拡散層305のそれぞれ一つと重なることによって形成される各接合310a及び310bを含む。同様に2つの各NMOSトランジスタ装置304図3Aは、ポリシリコンゲート303a、303b及びP型拡散層307のそれぞれ一つと重なることによって形成される各接合312a及び312bを含む。接合310a、310b、312a、312bの暗色化した部位は、それぞれのトランジスタゲートの領域を表す。図3A又は図3Bに示されるセルレイアウトの詳細は、必ずしも本明細書中に記述するEBIC/OBIC技術によって観測可能なものであるとは限らない。しかし、前記技術によって、所与の機能セルのトランジスターのどれがONになってどれがOFFになっているかを決定することが可能となる。幾つかの例において前記技術で得られる画像は、アクティブなトランジスタのほかに他の詳細部分を含むことができる。例えば、分離したウェルの境界における接合も観測可能であってもよい。図4A~図4Dは、異なる刺激条件下で図3A及び図3Bに図示された機能セル300に関するそれぞれの接合レイアウト画像を示す。前記画像は、装置が稼動している間、本明細書中に記述した放射線源を用いた半導体装置のスキャンによって得ることができる。適切なバイアスの下での接合で、放射線によって誘起された電子ホールペアが測定可能な電流を引き起こす電場を生み出す。従って、適切にバイアスされた接合が同定され、装置の表面での位置と関連付けることができる。充分な数の前記同定された表面位置を用いて、適切にバイアスされた接合の画像を形成することができる。例えば、幾つかの実施形態において、各スキャンされた位置はピクセルに対応することができる。前記ピクセルは一般的には、放射線の領域ごとに定義される例えば、あるレベルの放射線が含まれる表面領域又はスポット。異なるピクセルがスキャンされ、それらが適切にバイアスされた接合に対応しているかどうかの決定がなされれば、装置の接合レイアウトの写真を形成することができる。例示的な実施例において、暗色化した又は影付きの長方形は、1以上の前記ピクセルを同定した結果から生じる。示したように、解像度はその大きさごとに幾つかの接合を識別するのに充分である。この例において、PMOS接合は第一の長さL1及び幅Wを有しており、一方でNMOS接合は異なる即ちより短い長さL2を有する。破線の長方形は、例の機能セル300の接合310a、310b、312a、312bの物理的な位置を表している。電気を通すためにバイアスされた接合例えばONは、影付きになっている。従って、図4Aを参照すると、PMOSトランジスター302図3Aの接合310a、310bの両方が論理的にLOWレベル例えば、0,0に対応してバイアスされる。PMOSトランジスタ302の接合310a、310bが電気を流し、NMOSトランジスタ304の接合312a、312bが電気を流さないように、所与のセルに関して2つの入力がLOWである。出力YとVddの間で、導電性の接合310a、310bを通して、導電性のパスが確立され、出力がHIGHになる例えば、論理的に1。セルの同定は、そこに基礎をなす技術等の特定の半導体装置、並びに関連するライブラリー等の設計及び/又は製造の他の態様に依存する。接合部位によって決定される正確に同一のサインを2つの機能セルが有することなく、機能セルを同定することができる。従って、接合サイズ、数、特定の機能セルのレイアウトに対する位置、及び方向のような1以上の特性は特定のセルの識別性を確立するために用いることができる。例示的な実施例において、明らかに4つの接合のうち少なくとも2つが適切にバイアスされ例えば論理的に0、暗色化された図示された領域につながる電源の電圧及び/又は電流における変化の検出を生む。従って、データベースの他の機能セルメンバー依存して、可能性のある入力設計の任意の1つの下で、1回の観察即ち機能セルのスキャンから、2入力NAND機能として機能セル300を同定することが可能かもしれない。前記同定の際に、既知の又はそうでない場合には予め決定された機能セルに関連付けることによって、他の接合の位置、サイズ等を推測することが可能である。そして、破線部によって適切にバイアスされていないゲートを同定することが可能となる。特に図4Bは1つのインプットがLOWでもう1つのインプットがHIGHである2入力NAND機能セル300を表している。前記刺激の下例示的な装置300に関しては、第一のPMOSトランジスター302aの接合310aがバイアスされて導電性になり、論理0に対応し例えばON、及び第二のPMOSトランジスター302bの他の接合310bはバイアスされて非導電性になり論理1に対応する例えばOFF。更に、第二のNMOSトランジスター304bの接合312bがONである一方で、第一のNMOSトランジスター304aの接合312aはOFFである。導電性のパスは、HIGHの出力をもたらす例えば論理1導電性の接合310aを通して出力Y及びVddの間で確立されるであろう。本明細書で記述するEBIC/OBIC技術の下での状態では眼に見えないので、他のトランジスター接合はバイアスされて論理的にHIGHのレベルに対応することを推測することができる。入力が0、1として同定できるように、一旦セル300の接合レイアウトが機能的装置例えば2入力NANDと一致すると、前記推測は自明なものとなるであろう。前記入力条件の下、機能セル例えばNANDの知見を用いて、出力Yは論理1であると決定することができる。異なる刺激、そしてこの例においてはすべての可能な入力刺激設計の下、同一の機能セル300の観察から、機能的な真理値表を設計することができる。従って、図4Cは0、1入力に関する観察可能な接合設計を図示している。再び、出力Yは論理1である。同様に、図4Dは1、1入力に関する観察可能な接合設計を図示している。前記刺激の下、PMOSトランジスタ302a、302bの接合310a、310bの何れも導電性ではないのに対して、NMOSトランジスタ304a、304bの両方の接合312a、312bは導電性である。従って、出力YはVss例えばグランドに対してLOWとなり、論理的には0を表す。結果となる真理値表は以下表1の通りである。少なくとも幾つかの実施形態において、セルの全ての接合即ちゲートが機能して即ち導電性になる、少なくとも一度刺激される間、本明細書中に記述する技術によって観察可能となることを確実にするために、全ての可能な入力が機能セルに提供される。図4A~4Dの図は、2入力NANDセルのための前記アプローチを表す。刺激を終えたときに、全てのゲートの位置が特定のセルに関して分かるようにするため、同一の関連付け例えばファイル及び/又は画像において導電性が記録され及び保存されるときに各ゲートの位置が決定される。図3Bの装置の黒領域即ち長方形は、前記分析の結果を表すことができる。結果的となるパターン、この例においては4つの長方形は、パターンマッチングによって、スタンダードセルライブラリーの特定のセル例えば、2入力NANDに関連づけることができる。前記パターン発生及びマッチングは、所与の半導体装置の全ての前記セルに関して繰り返すことができる。大体の例において、セルタイプを決定するために全ての接合をONにするやり方で全てのトランジスターを機能化させなければならないことに依存する必要が無い程度に、通常は充分に機能セルはユニークである。セルライブラリーの機能セルに対する前記パターン認識は、全ての接合のサブセットに依存して行われる。もし、多重の可能なマッチ間で識別するためにより詳細なパターンが必要であると決定した場合には、信頼できるマッチが行われるまで、追加の入力刺激を与えてより多くのトランジスターを機能化させ、より多くの接合をONにすることができる。ネットリストを推測するのに必要な分析時間を減らすために全ての接合よりも少ない数を同定することでパターンマッチングを成し遂げることが好ましい。図5は、未知の半導体装置の機能を決定するためのプロセス400の特定の実施形態の例示的な操作を詳述したフローチャートを示す。半導体装置の表面は410のところで照射される。放射線源は、同定するために最も小さい接合を識別するのに充分な小さい領域を照射する。放射線源は、レーザー等によって供給される、電磁放射線であってもよい。或いは/更には、放射線は電子ビーム源からであってもよい。少なくとも幾つかの実施形態において、装置に含まれる多数の接合が個々に独立して照射されるように、照射された領域はスキャンされ、さもなければ装置表面に関して再配置される。少なくとも幾つかの実施形態において、スキャンニングと再配置は、実質的に全ての装置の接合が、個別に照射されることを可能にするのに充分である。複数の半導体接合の少なくとも幾つかのレイアウトは、照射に反応して420の所で決定される。装置を照射している間に同定された接合に関して、接合の設計は装置中の又は装置上のそれぞれの位置に関連して同定される。設計情報には、接合位置例えば装置表面に沿ってのXY位置、接合サイズ例えば長さ、幅、面積、及び方向例えば水平、垂直のうち1以上を含むことができる。複数の半導体接合のうち少なくとも幾つかのグルーピングは、430で決定されたレイアウト内で同定される。各グルーピングは予め決定された幾つかの機能セルのそれぞれの機能セルを表している。従って、照射プロセス中に検出されるそれらの物理的な接合のレイアウトを決定すると、前記接合のグルーピングを、予め決定されている機能セルの接合設計及び/又は接合機能と比較することが可能となる。例えば、半導体装置製造装置は、機能セル装置のライブラリを提供する等、前記グルーピングのライブラリーに接合のグルーピングの接合設計を関連付けるために使用可能である。半導体製造工場ではスタンダードセルライブラリーを製造する。特定のレイアウトデータは必ずしも前記ライブラリ中に提供されるとは限らないかもしれないが、他の手段によって得ることが可能であることができる。例えば、前記製造工場が要求時に前記データを提供することができる。或いは/更には、前記レイアウト情報は他の独立したアプローチによって確認することができる。例えば、所与のスタンダードセルライブラリーの異なる各機能セルの少なくとも1つは、高度顕微鏡の下で例えば走査型電子顕微鏡によって、同定及び観察することができる。各セルの物理的な前記観察によって、基礎となるレイアウトに関する洞察が得られる。そして、前記アプローチによって決定されるレイアウトをそれぞれの機能セルと関連付けることができる。複数のレイアウトが単一のスタンダードセルと関連づけることができると考えられる。もしそうであるならば、前記プロセスはライブラリーが完成するまで異なるレイアウトに関して繰り返される。一旦可能性のあるグルーピングが同定されると、候補の機能セルと関連づけることができる。もし同一の接合の設計を用いて複数の候補の機能セルを同定できることが決定されると、ゲートの論理的な機能に従って特定の機能セルを同定することができる。例えば図4A~図4D及び表1の様々な接合設計を参照されたい。前記決定には、異なる入力刺激の下で多重スキャンを行う必要がある。機能セルの同定終了の際には、おそらくは半導体装置内の位置や方向と共に、特定の機能セルが知られる。論理的な視点のために、接合設計のグルーピングをそれぞれの論理的な機能に置き換えることによって画像を準備することができる。一般的に機能セルはこの時点では相互接続してないであろう。機能セルの相互接続が、異なる刺激条件下での繰り返される接合の同定を通して推測することができる。装置が機能している間、本明細書で記述したように接合の同定を完遂できることが識別のために重要である。即ち、装置は電力の下、外部接続可能な接点で適用される適切な刺激を用いて稼動する。前記刺激はテストベクトルということもできる例えば、外部アクセス可能な接点例えばシグナル接点の適切な幾つかに与えられる電気入力値に相当する1及び0の列。多数の外部アクセス可能な接点の少なくとも1つに対する刺激が440で変化する。前記変化にはテストベクトル中の1以上のデジットの変化を含む。前記変化は決定された一連のテストベクトル刺激に関して連続的に成し遂げられる。相互接続された複数の機能セルの1以上の接続性は、以下更に記述するように、変化した刺激に応答して、450で推測される。図6は未知の半導体装置の機能を決定することに関して、プロセスの特定の実施形態の例示的な操作について詳述したより詳細なフローチャートを図示する。505で半導体装置の表面の小さな部位を照射する。例えば、レーザーや電子線が半導体装置の支持表面即ち背面に向けられる。少なくとも幾つかの実施形態において、支持層の一部は、研削及びエッチングのうち1以上を含む薄化加工によって除去される例えば、投与した放射線から電子ホールの発生を促進するために、150ミクロンから約50ミクロンまで薄くする。510では、半導体装置の接合に電力を供給する電源の電流を、照射している間モニターする。前記モニタリングは、例えばピコ電流計206図2を用いて、達成できる。電流の変化が検出されないときには、装置のスキャンが完了しているかどうかを525で決定する。もし、そうでない場合には、525で、照射源は別の異なる小部位に向けられる。前記方法は、半導体装置のスキャンが完全に行われるまで継続する例えば、実質的に半導体装置の全体のアクティブな表面をスキャンした後。もし電流変化を検出した場合、515で、照射部位は接合と関連づけられる。例えば、X-Y平面を定義する装置の表面部位上で、接合の位置が特定のX-Y座標即ちx1、y1と関連付けられる。前記接合の位置を追跡するレイアウト例えば表及び/又はグラフィック画像は、520で小部位x1、y1での接合を説明するために更新される。525でスキャンが完全に行われたという決定がなされると例えば実質的に半導体装置の全体のアクティブな表面がスキャンされると、前記プロセスは継続して530で機能セルの同定を行う。前記機能セルの同定は、上記図5に関連して定義したようにして達成される。例えば、接合はグループ化されて、同じライブラリーにおいて予め定義された可能な機能セルと比較することができる。分析される半導体装置の実質的に全ての機能セルを決定すると、530で半導体装置に対する刺激が変化する。再度、半導体装置の機能的操作の下、校正された設計及び最終的には機能的な装置を表す校正されたレイアウトを生み出す接合の検出が行われることが好ましい。刺激を変化させた後、540で、半導体装置の小さな表面部位を照射する。幾つかの実施形態では、505での照射に関連して記述されたようにして、照射を進める例えば、半導体装置の実質的に全ての機能的表面を照射する。或いは/更には、少なくとも幾つかの予め同定された接合、又は機能セルの決定から推測される接合例えば、各同定又は推測された接合におけるピクセル等の1つの小さい表面部位に対応する表面のサブセットに関して、表面照射が行われる。スキャン領域における前記縮小は、スキャン時間の縮小において価値がある。前記縮小されたスキャンは、接合のバイアスを決定するのに充分である。前記放射接合に対する変化は545で決定される。例えば適切なバイアスを表す予め同定された接合は、例えば0から1への変化といった535での変化した刺激を投与した後で再スキャンした際に連続して検出可能ではない可能性がある。同様に、機能セルの同定から推測することができる予め検出されていない接合は、再スキャンによって検出可能になる可能性がある。前記状態変化に従って、機能セルの接続に関する推測を行うことができる。機能セルの相互接続を記録するネットリストは、550で、必要に応じ、入力刺激及び接合の状態の変化の分析に反応して更新される。ネットリストが560で決定されるように充分に完成するまで、同様の態様で前記方法が継続される。前記完成は、予め決定された論理レベル例えば第三レベルの相互接続を決定する等、適切な測定によって決定することができる。或いは/更には、完成を決定するための別の測定によって、全ての機能セルよりも小さい、全ての又は幾つかの予め決定された値に関する相互接続を推測することができる。もしネットリストが充分に完成していないときには、刺激を変化させて、前記方法を必要に応じて繰り返す。図7A~7Eは、異なる刺激条件の下、例示的な機能セルに関してそれぞれの接合レイアウト画像を図示している。図7Aは、本明細書で記述した方法で検出するために適切にバイアスされた6つの接合の設計を図示している。前記接合は、半導体表面の一部をスキャンして得られた結果を表している。より詳細には、6つの接合は、図に示すように3つの異なる機能セル:I0;I1;及びI2のそれぞれに関連付けられた2つの接合でグループ化されている。大きな破線の長方形は、各機能セルそれぞれをくくる半導体装置の領域を表す。特定の例において、同定された接合の設計は、各機能セルが、2入力NAND装置であることを示している。図8Aは、相互接続を示すことなく図示された、ネットがまだ完成していない3つの機能セルの論理図を示している。導電性又は非導電性の接合の設計は、装置の入力ピンA、B、C、及びDそれぞれに与えられる、入力刺激テストベクトル0000に関して、観察される例えば図1を参照。機能セルI0及びI1の接合の設計では、両者が入力0、0で稼動することを示しているため、図7Aで観察及び図示された接合の設計からすれば、更なる分析しなければ確実な程度にまで推測するには早すぎるものの、全ての4つの入力が1以上の入力ピンによって稼動する可能性がある。第三の機能セルI2の入力は、入力ピンによって稼動することは不可能である。なぜなら、それぞれの接合のバイアスによって決定されるように入力が1であるためである。従って、図8Aに図示した部分的なネットリストでは、最初の2つのセルを第三のセルの左、論理セルの入力ピンのより近くに配置している。相互接続を推測する努力において、入力刺激を変更する。前記アプローチの1つとして、ウォーキングワンwalkingoneと呼ばれる。前記アプローチを用いて、入力の1つは1に駆動され、即ち残りの入力は0のまま入力Aは1に駆動されてテストベクトルは1000となる。図7Bは続いて起こるスキャンによって得られる同6つの接合の設計を示す。導電性及び非導電性接合の設計の観察から決定できるように、とりわけ第一セルI0の1つの入力即ちIn0が状態を0から1へ変更する。他の2つのセルI1及びI2の残りの入力は変更しないままにする。また、第一セルI0の出力yが1から0へ状態を変化させ、入力1、0に関する2入力NANDの論理真理表と一致することが、推測できる。従って、第一セルI0の第一入力In0は、入力ピンAに接続されていることが推測できる。図8Bは入力ピンAからセルI0の入力In0までひかれた推測された相互接続をとらえている。ウォーキングワンアプローチでの更に続く入力ベクトルは0100で表される。従って、論理的な1は入力ピンAから入力ピンBへ移動する。再度、同6つの接合の設計が、続いて行われるスキャンによって得られ、その結果は図7Cに示される。とりわけ、導電性及び非導電性の接合の設計の観察から決定されるように、第一の入力In0が0に戻る間に、第一のセルI0の第二の入力即ちIn1は、状態を0から1へ変化させる。他の2つのセルI1及びI2の他の入力は変更しないままにする。入力0、1に関する2入力NANDに関して正しくあるように、出力yは0のままであることが推測される。従って、第一セルI0の第二の入力In1は入力ピンBに接続されていると推測することができる。図8Cは、入力ピンBからセルI0の入力ピンIn1までひかれた推測された相互接続をとらえている。前記ウォーキングワンアプローチは、入力ピンCでは1、他の全てのピンは0の入力テストベクトル0010で継続する。図7Dは、前記入力刺激の下、観察される接合設計を図示する。導電性及び非導電性接合の設計の観察からすると、第二のセルI1の第一入力In0は1へ遷移して、入力1、0に関する2入力NANDセルに関して予想されるように、出力1から0への対応する変化につながることが決定される。従って、第二のセルI1の第一の入力In0は入力ピンCへ接続していることが推測できる。図8Dは、入力ピンCからセルI1の入力In0までひかれた推測された相互接続をとらえている。同様に、入力テストベクトル0001に関して、図7Eに図示された観察される接合は、図8Eに図示されるように第二ゲートI1の第二入力In1は入力ピンDに接続されているという推測につながる入力0、1を示している。第一のセルと第二のセルI0、I1は間に機能セルが介在することなく入力ピンと接続しているため、第一レベルの論理セルと呼ぶ。第二レベルの論理セルに関する入力は、第一レベルのセルの出力によって駆動することができる。接続性を推測して、入力ピンの第一レベルのセルへの接続性をとらえるための適切な回路図及び/又はネットリストを開発すると、ウォーキングワンを用いたように追加のテストベクトルを構築して、アプローチを第二レベルまで拡張することが可能とあり、第二レベルの装置のネットリストの決定まで拡張可能となる。より一般的には、後に続く論理レベルは、より低いレベルの論理セルの出力によって駆動することができる。論理レベルの深さは数百万のトランジスタの可能性にも関わらず、無限に広がるものではない。レベルの数は一般的に回路のタイミング要求に応じて決定される。必ずしも外部のアクセス可能な接点に直接接続されているとは限らない内側のレベル例えば第二層、第三層に取り組むために、機能装置試験でよく確立された技術を用いて、前記ネット上の論理値を制御することが可能である。例えば、全ての相互接続がネットの全ての駆動ゲートを通して後方にあることが知られている内側層のネット上の論理値を制御するために形式的な方法を用いることができる。前記形式的な方法を用いて、外部の入力がネットの論理値を制御するために構築され、それによって、全ての可能な入力を用いた内側層の駆動される機能セルを刺激することができる。例えば、CADENCE登録商標CONFORMAL登録商標システム等のブール論理等価チェッカーで、任意のネットが定数0及び定数1と比較することができる。そして前記システムは、ネットを表すテストベクトルが比較される定数以外の値となりえる、逆の場合をもたらす。任意のコントローラ例えばソフトウェアの実装は、テストベクトルを作成するブール論理等価チェッカーに見出される等の形式的な証明エンジンを含むべきである。少なくとも幾つかの実施形態において、コントローラ例えばコンピュータプログラムを稼動させて、所与の装置複数可の存在するゲートを特定するやり方でネットを刺激するのに必要なテストベクトルの数を最小化することができる。単純なアプローチは、ネットごとに2つのベクトルを提案することである。しかし、図7A~7Eの例において、4つのネット即ちA、B、C、Dがあり、たった5つのテストベクトル単純なアプローチで予想される4×2=8未満であることが明らかである。また、減少したベクトルセットの幾つかを、さらに続くレベルでの相互接続を推測するために使用することができる。例示的な実施例において、第二層の装置への相互接続を決定するのにたった2つの追加ベクトルしか必要とせず、12のテストベクトル82×2の代わりに、全体で7つのテストベクトルですむ。同様のアプローチが他のネット及び他の装置へも拡張できる。ラッチ例えばフリップフロップに関して、入力ベクトルは上述したように設定することができ、特定のラッチの特性に従ってラッチされる。他の装置に関して、加算器、半加算器等は組合せ回路であり、さもなくば本明細書中に記載した技術で同定可能なより低いレベルの機能セルのネットによって定義される。用語未知のは、分析される半導体装置に関連して本明細書中で使用されるが、装置の設計及び/又は製造に携わる幾つかの又は全ての態様は実際に知られている可能性もある。例えば、前記方法が製造を確認するために行われるシナリオにおいては、未知のとは半導体装置の実際の実装に関する先験的知識が欠けていることを示す。たとえ機能セルの特定の設計及びそれらの相互接続に関する前記見識が予め知られていないとしても、装置技術及び/又は探索するためのスタンダードセルの適切なライブラリー等少なくとも幾つかの詳細は既知であるか、そうでなくとも発見可能である。中央処理装置212及び放射線源コントローラ210等、本明細書で記述する1以上の様々なモジュールは、任意の形態の処理構成部品を表す又は含むことができ、前記構成部品には汎用目的のコンピュータ、専用マイクロプロセッサ、又は電子的な情報を処理することができる他の処理装置が含まれる。処理装置の例には、デジタルシグナルプロセッサDSP、特定用途用集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA、及び他の適切な特定目的又は汎用目的処理装置が含まれる。本明細書で記述する例にはモジュールの特定の実施形態に関するものではあるが、各モジュールは、各処理構成部品又は更に一般的には任意の適切な数の処理装置を含むことができる。任意のモジュールには、例えば関連した処理値及び/又は指示を保存するメモリ例えばメモリ218が含まれる。任意の前記メモリには、データを保存するのに適した揮発性の又は不揮発性の構成部品の集合体又は配置を含まれる。例えば、任意の前記メモリには、ランダムアクセスメモリRAM装置、リードオンリーメモリROM装置、磁気保存装置、光学的保存装置、又は任意の他の適切なデータ保存装置が含まれる。特定の実施形態において、前記任意のメモリは、コンピューターの指示及び/又は論理をエンコードするためのコンピュータ読み取り可能保存媒体を、一部意味することができる。前記実施形態において、様々なモジュールの所望の機能の幾つか又は全ては例えばジッターエラー測定モジュール、タイミングエラー検出モジュール、及びエラー訂正モジュール、前述した媒体上にエンコードされる指示を実行する処理装置図示しないによって提供することができる。一般的に、各モジュール、例えばユーザーインターフェース220、中央処理装置212、放射線源コントローラー210、及び試験発生器214は、所望の機能を供するために適切なハードウェア及び/又はソフトウェアの任意の適切な組合せを表すことができる。更には、任意の2以上のモジュールには、ありふれた素子を表したり、又は含むことができる。上述したシステム及び方法は、コンピューターハードウェア、ファームウェア及び/又はソフトウェアおけるデジタル電子回路で実施することができる。前記実施は、コンピュータープログラム製品即ち、情報キャリア中に具体的に実施されるコンピュータープログラムであることができる。例えば前記実施は、データ処理装置によって実行するために又はその操作をコントロールするために、機械読み取り可能保存媒体中及び/又は伝播シグナル中であることができる。例えば、前記実施はプログラム制御可能な処理装置、コンピュータ及び/又はマルチコンピュータであることができる。コンピュータプログラムは任意のプログラム言語の形式であることがよく、コンパイル言語及び/又はインタプリタ言語も含む。そして、コンピュータプログラムは任意の形式で配置することができ、スタンドアロンプログラムやサブルーチン、コンポーネントelement及び/又はコンピューティング環境での使用に適した他のユニットを含む。コンピュータプログラムは一つのコンピュータ上で実行するために配置することができ、又はあるサイトの多数のコンピュータ上で実行するために配置することができる。入力データを操作し出力を発生させることによる本発明の機能を実行するためのコンピュータプログラムを実行する1以上のプログラム制御可能な処理装置によって、方法のステップを実行することができる。また、方法のステップは特定目的の論理回路によって実行することができ、装置は前記特定目的の論理回路によって実装されることができる。例えば、回路はFPGAフィールドプログラマブルゲートアレイ及び/又はASIC特定用途用集積回路であることができる。モジュール、サブルーチン、及びソフトウェアエージェントは、その機能を実装するためのコンピュータプログラムの一部、処理装置の一部、特別回路の一部、ソフトウェアの一部、及び/又はハードウェアの一部を意味することができる。例示的な意味で、コンピュータプログラムの実行に適した処理装置は、汎用目的及び特定目的の両マイクロプロセッサ、及び任意の種類のデジタルコンピュータの任意の1以上の処理装置を含む。一般的に、処理装置は指示及びデータをリードオンリメモリ若しくはランダムアクセスメモリ又はその両方から受け取る。コンピュータの本質的な要素は指示を実行するための処理装置、並びに指示及びデータを保存するための1以上のメモリ装置である。一般的にコンピュータは、データを保存するための1以上のマスストレージデバイス例えば磁気、光磁気ディスク、又は光学ディスクを含むことができ、又は機能的に連結して前記デバイスからデータを受け取り、及び/若しくは前記デバイスへデータを転送することができる。また、データ伝送及び指示は通信ネットワークを介して発生することができる。コンピュータプログラムの指示及びデータを実施するための適切な情報キャリアは、全て不揮発性メモリの形式を含み、例示的な意味で半導体メモリ装置を含む。例えば、前記情報キャリアはEPROM、EEPROM、フラッシュメモリ装置、磁気ディスク、内蔵型ハードディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、及び又はDVD-ROMディスクであることができる。前記処理装置及びメモリは、特定目的の論理回路に補足されることができ、及び/又は前記論理回路に組み込まれることができる。ユーザーとの相互作用を提供するために、上述した技術は、例えばユーザーインターフェース220の一部としてディスプレイ装置を有するコンピューティング装置上で実施されても良い。前記ディスプレイ装置は、例えば、ブラウン管CRT、及び/又は液晶ディスプレイLCDモニター、及び/又は発光ダイオードLEDモニターであっても良い。ユーザーとの相互作用は、例えばユーザーに情報を表示することであってもよいし、ユーザーがコンピューティングデバイスに入力を提供するキーボード及びポインティングデバイス例えばマウス又はトラックボールであってもよい例えばユーザーインタフェース要素との相互作用。他の種類の装置は、ユーザーとの相互作用を提供するために使用することができる。他の装置は、例えば、任意のセンサーフィードバック例えば視覚的なフィードバック、聴覚的なフィードバック、又は触覚的なフィードバック形態でユーザーに提供されるフィードバックであることができる。ユーザーからの入力は例えば、任意の形式で受け取ることができ、音響上の、スピーチの及び/又は触覚の入力を含む。上述した技術は、バックエンド構成部品を含む流通したコンピューティングシステム内で実施することができる。例えば、バックエンド構成部品は、データサーバー、ミドルウェア構成部品、及び/又はアプリケーションサーバーであることができる。上述した技術は、フロントエンド構成部品を含む分散コンピューティングシステム内で実施することができる。例えば、フロントエンド構成部品は、グラフィカルユーザーインターフェースを有するクライアントコンピューティング装置、ユーザーが例示的な実装と相互作用することができるウェブブラウザ、及び又は装置を伝送するための他のグラフィカルユーザーインタフェースであることができる。システムの構成部品は、任意の形態、又はデジタルデータ通信例えば通信ネットワークの媒体で相互接続することができる。通信ネットワークの例として、ローカルエリアネットワークLAN、ワイドエリアネットワークWAN、インターネット、有線ネットワーク、及び/又は無線ネットワークを含む。システムはクライアント及びサーバを含むことができる。クライアント及びサーバーは一般的には互いに離れており、典型的には通信ネットワークを介して相互作用をする。クライアント及びサーバの関係は、それぞれのコンピューティングデバイス上で実行され、互いにクライアントサーバーの関係を有するコンピュータプログラムの効力で発生する。通信ネットワークには、パケットベースのネットワークが含まれ、例えばインターネット、キャリアインターネットプロトコルIPネットワーク例えばローカルエリアネットワークLAN、ワイドエリアネットワークWAN、キャンパスエリアネットワーク、メトロポリタンエリアネットワークMAN、ホームエリアネットワークHAN、プライベートIPネットワーク、IPプライベートブランチエクスチェンジIPBX、無線ネットワーク例えば、無線アクセスネットワークRAN、802.11ネットワーク、802.16ネットワーク、ゲネラルパケット無線サービスGPRSネットワーク、ハイパーLAN及び/又は他のパケットベースネットワークが含まれる。回路ベースのネットワークには例えば、公衆電話交換回線ネットワークPSTN、構内交換機PBX、無線ネットワーク例えば、RAN、BLUETOOTH登録商標、符号分割多重接続CDMAネットワーク、時間分割多重接続TDMAネットワーク、モバイル通信用グローバルシステムGSMネットワーク、及び/又は他の回路ベースネットワークを含むことができる。例えば、コンピューティング装置には、コンピュータ、ブラウザ装置を搭載したコンピュータ、電話、IP電話、モバイル装置例えば、携帯電話、個人用情報端末PDA装置、ラップトップコンピューター、電子メール装置、及び/又は他の通信装置を含むことができる。ブラウザ装置には、例えば、WWWブラウザ例えば、マイクロソフト社から入手可能なマイクロソフト登録商標のインターネットエクスプローラ登録商標、モジラ社から入手可能なMozilla登録商標Firefox登録商標を搭載したコンピュータ例えばデスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータを含む。携帯コンピューティング装置には例えばブラックベリー登録商標が含まれる。含むcomprise、include及び/又は複数形はオープンエンドであり、リストされた部分を含み、且つリストされていない追加部分を含むことができる。及び/又はは、オープンエンドであり、1以上のリストされた部分と前記リストされた部分の組合せを含む。当業者は、本発明が本発明の思想又はその本質的特性から離れることなく他の特定の形態で実施できることを理解するであろう。従って、上記実施形態は全ての点において、本明細書中で記述した本発明を限定するというよりは例示的なものとして考慮すべきものである。よって、本発明の範囲は、上記記述よりは、添付した特許請求の範囲によって表される。そして、前記特許請求の範囲の意味及び均等物の範囲に入る全ての変更は、本発明に含まれることを企図する。"