"発光層と透明導電性層と電子注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該電子注入層が該発光層に近い側から第一電子注入層、第二電子注入層の二層構成を有し、かつ、該第一電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップに対して、第二電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップが狭いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記第一電子注入層がアルミニウム若しくはその合金から構成され、前記第二電子注入層がチタン、インジウム、錫、亜鉛若しくはその合金から選ばれる少なくとも1種で構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層と前記透明導電性層との間に透明保護層を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記透明保護層の膜厚が50nm以上、200nm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記透明保護層が下記一般式1で表される化合物を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Xは、-NR-、-O-、-S-または-SiRR′-を表し、E1~E8は、-CR1=または-N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。はY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。Y3及びY4は、各々5員または6員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n2は1~4の整数を表す。前記透明保護層が下記一般式2で表される化合物を有することを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。Y6~Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方は、N原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。前記透明保護層が下記一般式3で表される化合物を有することを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66、E71~E88は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。但し、E71~E79の少なくとも1つ及びE80~E88の少なくとも1つは-N=を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。前記透明導電性層上に補助電極を有することを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。トップエミッション型であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。両面エミッション型であることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光効率と駆動電圧が改良された有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を提供することにある。本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。1.発光層と透明導電性層と電子注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該電子注入層が該発光層に近い側から第一電子注入層、第二電子注入層の二層構成を有し、かつ、該第一電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップに対して、第二電子注入層を構成する金属の窒化物のバンドギャップが狭いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。2.前記第一電子注入層がアルミニウム若しくはその合金から構成され、前記第二電子注入層がチタン、インジウム、錫、亜鉛若しくはその合金から選ばれる少なくとも1種で構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。3.前記発光層と前記透明導電性層との間に透明保護層を有していることを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。4.前記透明保護層の膜厚が50nm以上、200nm以下であることを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。5.前記透明保護層が下記一般式1で表される化合物を有することを特徴とする前記1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Xは、-NR-、-O-、-S-または-SiRR′-を表し、E1~E8は、-CR1=または-N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。はY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。Y3及びY4は、各々5員または6員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n2は1~4の整数を表す。6.前記透明保護層が下記一般式2で表される化合物を有することを特徴とする前記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。Y6~Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方は、N原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。7.前記透明保護層が下記一般式3で表される化合物を有することを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式中、Y5は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基を表す。E51~E66、E71~E88は、各々-CR3=または-N=を表し、R3は水素原子または置換基を表す。但し、E71~E79の少なくとも1つ及びE80~E88の少なくとも1つは-N=を表す。n3及びn4は0~4の整数を表すが、n3n4は2以上の整数である。8.前記透明導電性層上に補助電極を有することを特徴とする前記1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。9.トップエミッション型であることを特徴とする前記1~8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。10.両面エミッション型であることを特徴とする前記1~9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。11.前記1~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。本発明によれば、発光効率と駆動電圧が改良された有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置を提供することができる。以下本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。本発明の電子注入層は、発光層に近い側から第一電子注入層を有し、該第一注入層の隣接層に第二電子注入層を有する二層構成であり、第二電子注入層を構成する金属は、その第二電子注入層を構成する金属が窒化された場合の窒化物のバンドギャップが第一電子注入層を構成する金属が窒化された場合の窒化物のバンドギャップより狭くなる金属であることを特徴とする。本発明の電子注入層を用いることで、製造時や保存時の電子注入層の金属の窒化または酸化による電圧上昇を防ぐことができる。製造時の電子注入層の金属の窒化の例としては、蒸着工程からスパッタ工程間またはスパッタ工程から補助電極形成工程間で窒素雰囲気のグローブボックスを介す場合での電子注入層の金属の窒化が挙げられる。この場合、本発明の電子注入層の発光層から遠い側の第二電子注入層が窒化されても、第二電子注入層の窒化物のバンドギャップが狭いため、駆動電圧の大幅上昇の要因とならず、かつ、窒化された場合の第二電子注入層は第一電子注入層の窒化防止層としても機能するため、第一電子注入層の窒化が抑制され、電子注入性を維持されるため、駆動電圧が上昇しない特徴を有している。以下、本発明の電子注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。《有機EL素子》まず、面発光体の一例である本発明の有機EL素子の実施形態を詳細に説明するが、以下に記載する内容は、本発明の実施態様の代表例であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に限定されない。はじめに、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示す。i陽極/発光層/電子輸送層/第一電子注入層/第二電子注入層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第一電子注入層/第二電子注入層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/第一電子注入層/第二電子注入層/陰極iv陽極/発光層/電子輸送層/第一電子注入層/第二電子注入層/透明保護層/陰極v陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第一電子注入層/第二電子注入層/透明保護層/陰極vi陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/第一電子注入層/第二電子注入層/透明保護層/陰極本発明の有機EL素子は陰極が透明であって、透明導電性層であることを特徴とし、陽極はアプリケーションによって透明、不透明のどちらも選択することができる。本発明の有機EL素子は陽極~陰極の順番に成膜するトップエミッション型の構成を取ることが好ましい。発光層は、少なくとも発光色の異なる2種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。《電子注入層》本発明の電子注入層は発光層に近い側から第一電子注入層、第二電子注入層の二層構成から成り、第一電子注入層の窒素物のバンドギャップに対して、第二電子注入層の窒素物のバンドギャップが狭くなっていることを特徴とする。第二電子注入層の窒化物のバンドギャップは2.0~3.0eVの範囲にあることが好ましい。バンドギャップが狭過ぎると第二電子注入層が窒化されたときの着色が目立つ傾向になり、また逆にバンドギャップが広過ぎると第二電子注入層が窒化されたときに駆動電圧が上昇する傾向になる。バンドギャップの測定方法としてはフォトルミネッセンス法、電子スピン共鳴法などが挙げられる。本発明の第一電子注入層と第二電子注入層を構成する材料は本発明の条件を満足する限りは特に限定はないが、本発明の第一電子注入層と第二電子注入層を構成する材料の好ましい組み合わせとしては、第一電子注入層がアルミ、第二電子注入層がチタン、インジウム、錫、亜鉛若しくはその合金から構成となっていることである。本発明の電子注入層は、蒸着工程からスパッタ工程、スパッタ工程から補助電極形成工程などの異なる工程間での電子注入層の劣化に対して特に有効である。例えば、蒸着工程からスパッタ工程間またはスパッタ工程から補助電極形成工程間で窒素雰囲気のグローブボックスを介す場合、従来の電子注入層では電子注入層を形成する材料の窒化によって駆動電圧が上昇する課題を有していたが、本発明の電子注入層は第二電子注入層が窒化されても、第二電子注入層の窒化物のバンドギャップが狭いため、駆動電圧の上昇が起こらない。また、窒化された第二電子注入層は第一電子注入層の窒化防止層としても機能するため、第一電子注入層の窒化が抑制され、やはり駆動電圧の上昇が起こらない特徴を有している。《透明保護層》本発明の透明保護層とは、実質的に透明であり、かつ透明保護層の後工程での発光層へのプロセスダメージを抑制する層であることを特徴とする。本発明で言う実質的に透明とは可視光透過率が50以上のことを指す。本発明の有機EL素子は、透明導電性層と発光層との間に透明保護層を有していることが好ましい。透明導電性層と発光層との間に透明保護層を有していると透明保護層以降のプロセスでの発光層の劣化が抑制されるだけでなく、本発明に係る電子注入層の劣化がさらに抑制される。本発明の透明保護層は必要に応じてパターニングされていても良い。透明保護層をパターニングすることで透明導電性層と電子注入層が電気的に接触した構成となるため、透明導電性層から輸送された電子が透明保護層を通らずに電子注入層に輸送されるため、低い電圧で発光させることが可能となる。本発明の透明保護層は500μm以上5,000μm以下の間隔でパターニングされていることが好ましい。パターニングの形状に特に制限がないが、例えば、ライン状のパターニングや格子状のパターニング形態を取ることができる。本発明の透明保護層のパターニング方法としては、シャドーマスク方法、レーザー熱転写法、レーザー蒸着法、レーザーアブレーション法、インクジェット法、印刷法等が挙げられる。本発明の透明保護層のパターニング方法として好ましい形態は、蒸着によるシャドーマスク法である。本発明の透明保護層の膜厚は50nm以上、200nm以下であることが好ましい。膜厚が薄過ぎると、透明導電性層の成膜工程での発光層の劣化が課題となり、膜厚が厚過ぎると光取り出し効率の低下が課題となる。本発明の透明保護層を形成する材料は本発明の条件を満足する材料であれば特に制限はないが、例えばトリス8-キノリノラトアルミニウム等の金属錯体、酸化モリブデン、酸化バナジウム等の金属酸化物を用いることができる。本発明の透明保護層を形成する材料として特に好ましい材料は前記一般式1、一般式2もしくは一般式3で表される化合物である。《補助電極》本発明の有機EL素子は、透明導電性層上に抵抗を下げる目的で補助電極を設けることができる。補助電極を形成する材料としては、金、白金、銀、銅、アルミ等の抵抗が低い金属が好ましい。補助電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。本発明の補助電極の線幅は透明導電性層の開口率の観点から50μm以下であることが好ましく、補助電極の厚さは導電性の観点から、1μ以上であることが好ましい。本発明の補助電極は透明保護層がパターニングされている場合は、透明保護層のパターニングされていない領域上に形成することが好ましい。本発明で言う、透明保護層のパターニングされていない領域とは透明保護層がない領域上のことを指す。《一般式1で表される化合物》一般式1において、Y2で表される2価の連結基としては、2価の連結基としては、アルキレン基例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、2,2,4-トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基例えば、1,6-シクロヘキサンジイル基等、シクロペンチレン基例えば、1,5-シクロペンタンジイル基など等、アルケニレン基例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、1-メチルビニレン基、1-メチルプロペニレン基、2-メチルプロペニレン基、1-メチルペンテニレン基、3-メチルペンテニレン基、1-エチルビニレン基、1-エチルプロペニレン基、1-エチルブテニレン基、3-エチルブテニレン基等、アルキニレン基例えば、エチニレン基、1-プロピニレン基、1-ブチニレン基、1-ペンチニレン基、1-ヘキシニレン基、2-ブチニレン基、2-ペンチニレン基、1-メチルエチニレン基、3-メチル-1-プロピニレン基、3-メチル-1-ブチニレン基等、アリーレン基例えば、o-フェニレン基、p-フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基例えば、[1,1′-ビフェニル]-4,4′-ジイル基、3,3′-ビフェニルジイル基、3,6-ビフェニルジイル基等、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等、ヘテロアリーレン基例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等ここで、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはN、O及びSから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環ナフトチオフェン環等が挙げられる。一般式1において、Y3及びY4で各々表される5員または6員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる5員または6員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。更に、Y3及びY4で各々表される5員または6員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。一般式1において、Y3で表される基としては、上記6員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、更に好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。一般式1において、Y4で表される基としては、上記6員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、更に好ましくは、窒素原子を環構成原子と含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Y4がピリジン環から導出される基であることである。一般式1において、Xは-NR-、-O-、-S-または-SiRR′-を表し、E1~E8は-CR1=または-N=を表し、R、R′及びR1は水素原子、置換基またはY1との連結部位を表す。Y2は単なる結合手または2価の連結基を表す。一般式1において、R、R′及びR1で表される置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、芳香族炭化水素基芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基、芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基、ピペリジル基ピペリジニル基ともいう、2,2,6,6-テトラメチルピペリジニル基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等、リン酸エステル基例えば、ジヘキシルホスホリル基等、亜リン酸エステル基例えばジフェニルホスフィニル基等、ホスホノ基等が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。《一般式2で表される化合物》本発明では、上記一般式1で表される化合物の中でも、上記一般式2で表される化合物が好ましい。以下、一般式2で表される化合物について説明する。一般式2において、Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式1において、Y1で表される2価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。一般式2において、E51~E66で各々表される-CR3=のR3で表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。一般式2において、E51~E66で各々表される基としては、E51~E58のうちの6つ以上及びE59~E66のうちの6つ以上が、各々-CR3=で表されることが好ましい。一般式2において、Y6~Y9は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o-テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。更に、前記芳香族炭化水素環は、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式2において、Y6~Y9は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す等が挙げられる。更に、前記芳香族炭化水素環は、一般式1において、Y1で表される置換基を有してもよい。一般式2において、Y6またはY7の少なくとも一方、及びY8またはY9の少なくとも一方で表されるN原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるN原子を含む芳香族複素環としては、例えば、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す等が挙げられる。一般式2において、Y7、Y9で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。また、一般式2において、Y6及びY8で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。更に、本発明に係る一般式2で表される化合物の中でも更に好ましい態様について説明する。《一般式3で表される化合物》本発明では、上記一般式2で表される化合物の中でも、更に上記一般式3で表される化合物が好ましい。以下、一般式2で表される化合物について説明する。一般式3において、Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式1において、Y1で表される2価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。Y5で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる2価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、該3環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。一般式3において、E51~E66、E71~E78で各々表される-CR3=のR3で表される置換基は、一般式1において、Y1で表される置換基と同義である。一般式3において、E51~E58のうちの6つ以上及びE59~E66のうちの6つ以上が、各々-CR3=で表されることが好ましい。一般式3において、E75~E79の少なくとも1つ及びE84~E88の少なくとも1つが-N=を表すことが好ましい。更には、一般式3において、E75~E79のいずれか1つ及びE84~E88のいずれか1つが-N=を表すことが好ましい。また、一般式3において、E71~E74及びE80~E83が、各々-CR3=で表されることが好ましい態様として挙げられる。更に、一般式2または一般式3で表される化合物において、E53が-CR3=で表され、且つ、R3が連結部位を表すことが好ましく、更に、E61も同時に-CR3=で表され、且つ、R3が連結部位を表すことが好ましい。更に、E75及びE84が-N=で表されることが好ましく、E71~E74及びE80~E83が、各々-CR3=で表されることが好ましい。以下、本発明に係る一般式1、2または3で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、公知の合成法により合成された。透明導電性層:電極本発明に係る有機EL素子における透明導電性層としては、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性光透過性材料が好ましく用いられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で光透過性の導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。本発明においては、透明導電性層は陰極として用いられることが好ましい。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。本発明における透明導電性層の成膜方法としては成膜速度を高める関連から、スパッタリング法が特に好ましい。陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。発光層発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。また、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。発光層の膜厚の総和は1~100nmの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから1nm以上、30nm以下である。なお、発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。個々の発光層の膜厚としては、1~50nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは1~20nmの範囲に調整することである。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により製膜して形成することができる。各発光層は複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料発光ドーパント化合物ともいうを含有し、発光材料より発光させることが好ましい。ホスト化合物有機EL素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温25°Cにおける燐光発光の燐光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。更に好ましくは燐光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が50以上であることが好ましい。ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物蒸着重合性発光ホストでもいい。公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Tgガラス転移温度化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点Tgとは、DSCDifferentialScanningColorimetry:示差走査熱量法を用いて、JIS-K-7121に準拠した方法により求められる値である。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等が挙げられる。発光材料次に、発光材料について説明する。発光材料としては、蛍光性化合物、燐光発光材料燐光性化合物、燐光発光性化合物等ともいうを用いることができる。燐光発光材料とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温25°Cにて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25°Cにおいて0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は0.1以上である。上記燐光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率0.01以上が達成されればよい。燐光発光材料の発光の原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光材料に移動させることで燐光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型であり、もう一つは燐光発光材料がキャリアトラップとなり、燐光発光材料上でキャリアの再結合が起こり燐光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光材料の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。燐光発光材料は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。有機EL素子には、蛍光発光体を用いることもできる。蛍光発光体蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。また、従来公知のドーパントも本発明に用いることができ、例えば、国際公開第00/70655号明細書、特開2002-280178号公報、同2001-181616号公報、同2002-280179号公報、同2001-181617号公報、同2002-280180号公報、同2001-247859号公報、同2002-299060号公報、同2001-313178号公報、同2002-302671号公報、同2001-345183号公報、同2002-324679号公報、国際公開第02/15645号明細書、特開2002-332291号公報、同2002-50484号公報、同2002-332292号公報、同2002-83684号公報、特表2002-540572号公報、特開2002-117978号公報、同2002-338588号公報、同2002-170684号公報、同2002-352960号公報、国際公開第01/93642号明細書、特開2002-50483号公報、同2002-100476号公報、同2002-173674号公報、同2002-359082号公報、同2002-175884号公報、同2002-363552号公報、同2002-184582号公報、同2003-7469号公報、特表2002-525808号公報、特開2003-7471号公報、特表2002-525833号公報、特開2003-31366号公報、同2002-226495号公報、同2002-234894号公報、同2002-235076号公報、同2002-241751号公報、同2001-319779号公報、同2001-319780号公報、同2002-62824号公報、同2002-100474号公報、同2002-203679号公報、同2002-343572号公報、同2002-203678号公報等が挙げられる。本発明においては、少なくとも一つの発光層に2種以上の発光材料を含有していてもよく、発光層における発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。中間層各発光層間に非発光性の中間層非ドープ領域等ともいうを設ける場合について説明する。非発光性の中間層とは、複数の発光層を有する場合、その発光層間に設けられる層である。非発光性の中間層の膜厚としては1~20nmの範囲にあるのが好ましく、更には3~10nmの範囲にあることが隣接発光層間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、且つ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないということから好ましい。この非発光性の中間層に用いられる材料としては、発光層のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する2つの発光層の少なくとも一方の発光層のホスト材料と同一であることが好ましい。非発光性の中間層は非発光層、各発光層と共通の化合物例えば、ホスト化合物等を含有していてもよく、各々共通ホスト材料ここで、共通ホスト材料が用いられるとは、燐光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等を示す。を含有することにより、発光層-非発光層間の層間の注入障壁が低減され、電圧電流を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。更に、非ドープ発光層に各発光層に含まれるホスト化合物と同一の物理的特性または同一の分子構造を有するホスト材料を用いることにより、従来の有機EL素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。また、一方では、正孔や電子の注入バランスを最適に調整するためには、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。注入層:電子注入層、正孔注入層注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、および陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明に係わる電子注入層は金属層とアルカリ金属ハライド層との積層構成か酸化物層と金属層とアルカリ金属ハライド層との積層構成が好ましく、金属酸化物にアルカリ金属がドープされていても良い。金属酸化物にドープするアルカリ金属の量は1~10質量が好ましい。上記電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は1nm~10μmの範囲が好ましい。阻止層:正孔阻止層、電子阻止層阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、および有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは3~100nmであり、更に好ましくは5~30nmである。正孔輸送層正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。電子輸送層電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。従来、単層の電子輸送層、および複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq3、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、およびこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。対向電極:陽極または陰極対向電極としては、前述の透明導電性を構成する材料を用いても良いし、金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いることもできる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。対向電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、対向電極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50nm~200nmの範囲で選ばれる。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において部あるいはの表示を用いるが、特に断りがない限り質量部あるいは質量を表す。実施例1《トップエミッション型有機EL素子の作製》有機EL素子1-1~1-19は発光面積が5cm×5cmとなるように作製した。有機EL素子1-1の作製陽極の形成透明な基板1の上に厚さ100nmとなる条件でアルミニウムをスパッタ法で成膜、パターニングして、アルミニウム層から成る陽極を形成した。次いで、アルミニウム層を設けた基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。正孔注入層~電子輸送層の形成このアルミニウム層を設けた基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、タンタル製抵抗加熱ボードにα-NPD、H1、Ir-1、BAlq、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。更に、タングステン製抵抗加熱ボードにリチウム、バリウム、アルミニウムを入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。まず、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒でアルミニウム層上に膜厚20nmの正孔注入/正孔輸送層を設けた。更に、H1の入った前記加熱ボードとIr-1の入ったボードをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるH1と発光ドーパントであるIr-1の蒸着速度が100:6になるように調節し、膜厚30nmの発光層を設けた。次いで、BAlqの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボードを通電して加熱し蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚20nmの電子輸送層を設けた。電子注入層の形成次に、電子輸送層まで成膜した素子を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、アルミニウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚2nmのアルミニウム層から成る電子注入層を設けた。透明導電性層陰極の形成次に、電子注入層まで成膜した素子を一旦グローブボックスに移し、次に予めITOターゲットを装着した市販の平行平板スパッタリング装置に移し、スパッタリング装置のチャンバー内を5×10-3Paまで減圧した後、窒素ガスと酸素ガスを流しながら、DC出力500Wで放電し、成膜速度10nm/秒で膜厚100nmのITO導電層の透明導電性層陰極を形成した。素子の封止最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化封止して、トップエミッション型有機EL素子1-1を得た。有機EL素子1-2の作製陽極~電子輸送層の形成陽極~電子輸送層までは有機EL素子1-1と同様にして成膜した。電子注入層の形成次に、電子輸送層まで成膜した素子を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、アルミニウムとリチウムの質量比が1:1になるようにアルミニウムの入った前記加熱ボードとリチウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚2nmのアルミニウム:リチウム層から成る電子注入層を設けた。陰極の形成有機EL素子1-1と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子1-1と同様な方法で硬化封止して、トップエミッション型有機EL素子1-2を得た。有機EL素子1-3の作製陽極~電子輸送層の形成陽極~電子輸送層までは有機EL素子1-1と同様にして成膜した。電子注入層の形成次に、電子輸送層まで成膜した素子を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、バリウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚2nmのバリウム層から成る第一電子注入層を設けた。さらに、アルミニウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚10nmのアルミニウム層から成る第二電子注入層を設けた。陰極の形成有機EL素子1-1と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子1-1と同様な方法で硬化封止して、トップエミッション型有機EL素子1-3を得た。有機EL素子1-4~1-6の作製電子注入層の材料を表1に示す材料に変更した以外は有機EL素子1-3と同様にして、トップエミッション型有機EL素子1-4~1-6を得た。有機EL素子1-7の作製陽極~電子注入層の形成陽極~電子注入層までは有機EL素子1-6と同様にして成膜した。透明保護層の形成電子注入層まで成膜した素子を真空のまま第1真空槽に戻し、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、Alq3の入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚30nmの透明保護層を設けた。陰極の形成有機EL素子1-1と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子1-1と同様な方法で硬化封止して、トップエミッション型有機EL素子1-7を得た。有機EL素子1-8~1-12の作製透明保護層の膜厚を表1に示す膜厚に変更した以外は有機EL素子1-7と同様にして、トップエミッション型有機EL素子1-8~1-12を得た。有機EL素子1-13~1-15の作製透明保護層の材料を表1に示す材料に変更した以外は有機EL素子1-11と同様にして、トップエミッション型有機EL素子1-13~1-15を得た。有機EL素子1-16~1-18の作製第二電子注入層の材料を表1に示す材料に変更した以外は有機EL素子1-15と同様にして、トップエミッション型有機EL素子1-16~1-18を得た。有機EL素子1-19の作製陽極~陰極の形成陽極~陰極までは有機EL素子1-15と同様にして成膜した。補助電極の作製陰極上に、シャドーマスクを用いてスパッタ法で線幅50μm、厚み1μm、ピッチ1,000μmの間隔でライン状の銀パターンから成る補助電極を作製した。素子の封止有機EL素子1-1と同様な方法で硬化封止して、トップエミッション型有機EL素子1-19を得た。《有機EL素子の評価》上記作製した各有機EL素子について、下記の方法に従って発光効率及び発光寿命の評価を行った。発光効率の測定上記作製した各有機EL素子に対し、2.5mA/cm2定電流を流したときの外部取り出し量子効率を測定した。なお、測定には分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。得られた外部取り出し量子効率の測定結果を基に、有機EL素子1-1の外部取り出し量子効率を100としたときの相対値を求め、これを発光効率の尺度とした。尚、外部量子効率の相対値が大きいほど発光効率が高く、好ましい結果であることを表す。電圧の評価上記で作製した各有機EL素子に対し、正面輝度が1000cd/m2となるときの電圧を各素子の電圧とした。尚、電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。以上により得られた結果を、表1に示す。表1に記載の結果より明らかな様に、本発明の金属パターン形成方法で形成した補助電極を有する有機EL素子は、比較例に対し、発光効率及び駆動電圧に優れていることが分かる。実施例2《両面エミッション型有機EL素子の作製》有機EL素子2-1~2-7は発光面積が5cm×5cmとなるように作製した。有機EL素子2-1の作製陽極の形成透明な基板1の上に厚さ100nmとなる条件でITOをスパッタ法で成膜、パターニングして、ITO層から成る陽極を形成した。次いで、ITO層を設けた基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。正孔注入層~電子輸送層の形成このITO層を設けた基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、タンタル製抵抗加熱ボードにα-NPD、H1、Ir-1、BAlq、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。更に、タングステン製抵抗加熱ボードにリチウム、バリウム、アルミニウムを入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。まず、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒でITO層上に膜厚20nmの正孔注入/正孔輸送層を設けた。更に、H1の入った前記加熱ボードとIr-1の入ったボードをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるH1と発光ドーパントであるIr-1の蒸着速度が100:6になるように調節し、膜厚30nmの発光層を設けた。次いで、BAlqの入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボードを通電して加熱し蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚20nmの電子輸送層を設けた。電子注入層の形成次に、電子輸送層まで成膜した素子を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、アルミニウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚2nmのアルミニウム層から成る電子注入層を設けた。透明導電性層陰極の形成次に、電子注入層まで成膜した素子を一旦グローブボックスに移し、次に予めITOターゲットを装着した市販の平行平板スパッタリング装置に移し、スパッタリング装置のチャンバー内を5×10-3Paまで減圧した後、窒素ガスと酸素ガスを流しながら、DC出力500Wで放電し、成膜速度10nm/秒で膜厚100nmのITO導電層の透明導電性層陰極を形成した。素子の封止最後に、上記で得られた素子をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用い、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子2-1を得た。有機EL素子2-2の作製陽極~電子輸送層の形成陽極~電子輸送層までは有機EL素子2-1と同様にして成膜した。電子注入層の形成次に、電子輸送層まで成膜した素子を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、アルミニウムとリチウムの質量比が1:1になるようにアルミニウムの入った前記加熱ボードとリチウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚2nmのアルミニウム:リチウム層から成る電子注入層を設けた。陰極の形成有機EL素子2-1と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子2-1と同様な方法で硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子2-2を得た。有機EL素子2-3の作製陽極~電子輸送層の形成陽極~電子輸送層までは有機EL素子2-1と同様にして成膜した。電子注入層の形成次に、電子輸送層まで成膜した素子を真空のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、バリウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚2nmのバリウム層から成る第一電子注入層を設けた。さらに、アルミニウムの入った前記加熱ボードに通電して、蒸着速度0.1~0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚10nmのアルミニウム層から成る第二電子注入層を設けた。陰極の形成有機EL素子2-1と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子2-1と同様な方法で硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子2-3を得た。有機EL素子2-4の作製電子注入層の材料を表2に示す材料に変更した以外は有機EL素子2-3と同様にして、両面エミッション型有機EL素子2-4を得た。有機EL素子2-5の作製陽極~電子注入層の形成陽極~電子注入層までは有機EL素子2-4と同様にして成膜した。透明保護層の形成電子注入層まで成膜した素子を真空のまま第1真空槽に戻し、第1真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、Alq3の入った前記加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒~0.2nm/秒で膜厚30nmの透明保護層を設けた。陰極の形成有機EL素子2-1と同様にして陰極を成膜した。素子の封止有機EL素子2-1と同様な方法で硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子2-5を得た。有機EL素子2-6の作製透明保護層の材料を表2に示す材料に変更した以外は有機EL素子2-5と同様にして、両面エミッション型有機EL素子2-6を得た。有機EL素子2-7の作製陽極~陰極の形成陽極~陰極までは有機EL素子2-6と同様にして成膜した。補助電極の作製陰極上に、シャドーマスクを用いてスパッタ法で線幅50μm、厚み1μm、ピッチ1,000μmの間隔でライン状の銀パターンから成る補助電極を作製した。素子の封止有機EL素子2-1と同様な方法で硬化封止して、両面エミッション型有機EL素子2-7を得た。《有機EL素子の評価》上記作製した各有機EL素子について、下記の方法に従って発光効率及び発光寿命の評価を行った。発光効率の測定上記作製した各有機EL素子に対し、2.5mA/cm2定電流を流したときの外部取り出し量子効率を測定した。なお、測定には分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。得られた外部取り出し量子効率の測定結果を基に、有機EL素子2-1の外部取り出し量子効率を100としたときの相対値を求め、これを発光効率の尺度とした。尚、外部量子効率の相対値が大きいほど発光効率が高く、好ましい結果であることを表す。なお、外部取り出し量子効率は陽極側と陰極側の両側の光量の和から算出した。電圧の評価上記で作製した各有機EL素子に対し、陽極側と陰極側の両側の正面輝度の和が1000cd/m2となるときの電圧を各素子の電圧とした。尚、電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。以上により得られた結果を、表2に示す。表2に記載の結果より明らかな様に、本発明の金属パターン形成方法で形成した補助電極を有する有機EL素子は、比較例に対し、発光効率及び駆動電圧に優れていることが分かる。"