"基板と、ウェットプロセスを含む方法で形成された有機発光層を有する有機積層体と一対の電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、該有機発光層の塗布液が塗布された後、乾燥工程で該基板に降伏応力未満の応力が掛かる様に、張力を掛けながら加熱することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記乾燥工程が恒率乾燥工程と減率乾燥工程を有し、該恒率乾燥工程では張力を掛けず、減率乾燥工程で前記基板に降伏応力未満の応力が掛かる様に、張力を掛けることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記張力を2軸方向で掛けることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記張力が0.01N/m~50N/mであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記応力が0.33~165kPaであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記有機発光層の膜密度Aと、該有機発光層と同じ組成の材料を蒸着して作製される層の膜密度Bとが下記式を満足することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。-0.02g/cm3≦B-A≦0.15g/cm3前記有機発光層の膜密度Aと、該有機発光層と同じ組成の材料を蒸着して作製される層の膜密度Bとが下記式を満足することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。-0.02g/cm3≦B-A≦0.06g/cm3前記基板が、フレキシブル性を有する材料を含有することを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は従来生産性は高いが性能が劣るウェットプロセスを含むエレクトロルミネッセンスの製造方法において、高発光効率、低駆動電圧であり、且つ連続駆動時の電圧上昇が少ない有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法を提供することにある。本発明の上記目的は下記の構成により達成される。1.基板と、ウェットプロセスを含む方法で形成された有機発光層を有する有機積層体と一対の電極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、該有機発光層の塗布液が塗布された後、乾燥工程で該基板に降伏応力未満の応力が掛かる様に、張力を掛けながら加熱することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。2.前記乾燥工程が恒率乾燥工程と減率乾燥工程を有し、該恒率乾燥工程では張力を掛けず、減率乾燥工程で前記基板に降伏応力未満の応力が掛かる様に、張力を掛けることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。ウェットプロセスで作製された有機発光層は、外部取り出し量子効率が低く、駆動電圧や連続駆動時の電圧上昇が高い原因として、ウェットプロセスで作製した膜は、層間の混合や膜のモルフォロジー変化等があり、ドライプロセスで作製したものと膜の状態が異なっているために、キャリアの移動阻害があると考えられている。また、膜内残留溶媒の存在で残留溶媒が駆動時にキャリアの移動を阻害するトラップ成分として働くため、電圧上昇が起こりやすい傾向にあると考えられている。また、キャリアがトラップされることで層内がキャリア過多の状態になるため劣化が促進され、キャリアトラップが増大し、連続駆動時の電圧が上昇しやすい傾向にある可能性がある。張力を掛けて加熱することにより、張力を開放したときの膜密度が上昇することにより、キャリアのトラップが減少すると考えている。また、恒率乾燥では張力を掛けず、減率乾燥で張力を掛けることにより、有機発光層を構成する材料の構造が揺らぎ、有機発光層中に残留する溶媒が蒸発しやすくなり、残留溶媒が減少すると考えられる。3.前記張力を2軸方向で掛けることを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。4.前記張力が0.01N/m~50N/mであることを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。5.前記応力が0.33~165kPaであることを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。6.前記有機発光層の膜密度Aと、該有機発光層と同じ組成の材料を蒸着して作製される層の膜密度Bとが下記式を満足することを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。-0.02g/cm3≦B-A≦0.15g/cm37.前記有機発光層の膜密度Aと、該有機発光層と同じ組成の材料を蒸着して作製される層の膜密度Bとが下記式を満足することを特徴とする前記1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。-0.02g/cm3≦B-A≦0.06g/cm38.前記基板が、フレキシブル性を有する材料を含有することを特徴とする前記1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。基板がフレキシブル性を有する材料を含有すれば、基板に張力を掛けて加熱した後に、張力を開放したときの膜密度の上昇が大きく、キャリアのトラップの減少幅が大きいと考えられる。また、張力を掛けたときの変形が大きいことから、塗布された層の揺らぎが増大して溶剤の蒸発が容易になると考えられる。本発明により、高い発光効率、低い駆動電圧に加え、連続駆動時の電圧上昇が少ない有機EL素子を、高い生産性と共に提供することができる。以下、本発明の有機EL素子の各構成要素の詳細について順次説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明においては、基板上に有機発光層を有する有機EL素子の製造方法において、少なくとも有機発光層をウェットプロセスを含む方法で作製し、有機発光層の乾燥工程で、基板に張力を掛けながら加熱することを特徴とする。このような製造方法により形成された有機発光層を有する有機ELは、膜密度を高めることで、正孔とエレクトロンの再結合の機会の減少を抑制できると考えられる。あるいは、膜のモルフォロジーをより真空蒸着法で作製したものに近似させていると予想される。《ウェットプロセス》更には均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、ダイコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。ウェットプロセスを用いる場合は、塗布後に溶媒を出来る限り除去することが好ましく、乾燥工程を通すことができる。乾燥方法としては、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥などが好ましく用いられる。特に樹脂などのフレキシブルな基板を使う場合には、加熱温度が高すぎると基板にダメージを与えるため、減圧を併用することが好ましい。《乾燥工程》前記乾燥工程は乾燥工程初期の恒率乾燥工程と後期の減率乾燥工程に分けられる。恒率乾燥工程では塗布層の表面に溶媒が十分存在し、乾燥条件が一定であれば表面は一定の温度を保つ。乾燥が進んで、表面の溶媒が少なくなると表面の温度が上がり始め、減率乾燥工程に入る。《加熱》前記有機発光層は塗布後に張力を掛けながら加熱される過程を通る。加熱の温度としては、80°C以上160°C以下が好ましく、フレキシブル性を有する樹脂基板を用いる場合は140°C以下が好ましく、80°C以上、100°C以下が更に好ましい。《張力》前記有機発光層の塗布液が塗布された後、基板に張力を掛ける。好ましくは、有機発光層の構造の揺らぎを起こして溶媒の除去を促進し、また、膜密度を向上するために、張力は、恒率乾燥過程では掛けず、減率乾燥過程で掛ける。該張力は基板に降伏応力未満の応力が掛かる様に掛けることが可能であり、塑性変形する領域まで張力を掛けると基板が延伸され、有機発光層が破壊されることがある。また、該張力は2軸方向で掛けることが好ましい。2軸方向で張力を掛けるとは、基板が正方形または長方形の場合、その4辺を引っ張って張力を掛けることである。従って、掛けられる張力の大きさと時間は、前記加熱の温度および基板の材質により決定される。張力を掛ける基板はフレキシブル性を有することが好ましい。張力としては、基板や塗布膜面が破断しない限り特に制限はないが、0.01N/m以上50N/m以下が好ましく、1N/m以上30N/m以下が更に好ましい。また、張力を掛けたときに基板に掛かる応力は、発光層を塗布する前の基板に対して、張力を掛けるときの温度で、0.3kPa以上150kPa以下であることが好ましい。降伏応力の測定方法引っ張り試験機のサンプル部分に保温装置を付けて測定する。引っ張り試験器:テンシロン万能材料試験機RTG-1250株式会社エーアンドデイ製引っ張り速度:10mm/分張力が50N/m以下であれば、ピンホールが生じにくく、ピンホールによる短絡も少なく、歩留まりも良い。また、張力が0.01N/m以上であれば、膜密度が向上し、外部取り出し効率が向上し、駆動電圧が低下する。張力が1N/m以上であれば、更に膜密度が向上し、外部取り出し効率の向上および駆動電圧の低下が見られる。これら外部取り出し効率の向上および駆動電圧の低下は、張力を掛けて加熱することにより、有機発光層の配向が生じ、膜密度が向上することにより、生じたものと考えられる。また、2軸方向で張力を掛けることにより、1軸方向で張力を掛けるより、更に膜密度が向上すると考えられる。乾燥工程において、樹脂基板のウェッブの搬送方向に張力を掛ける場合は、上流の搬送ローラーの周速度に対して、下流の搬送ローラーの周速度を早くする方法がある。また、幅方向に張力を掛ける場合は、テンターの左右把持手段によって樹脂基板の両端を把持し、張力を掛ける方法が好ましい。《膜密度》一般的にウェットプロセスで作製した有機発光層の膜密度は同じ化合物を蒸着により形成した有機発光層のまく密度より低い。同じ組成の材料を蒸着して形成した有機発光層の膜密度との差が-0.2~0.15g/m3であることが好ましく、0.2~0.06g/m3であることが更に好ましい。尚、本発明に関する膜密度は、X線反射率測定法により求めることができる。極低角度、例えば0.2~2度の範囲の反射率を測定し、得られた反射率曲線をフレネルの式より求められる多層膜試料の反射率の式にフィッティングすることにより求められる。フィッティングの方法については、L.G.Parratt.Phis.Rev.,953591954年を参考にすることができる。《有機EL素子の層構成》次に、本発明の有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。i陽極/有機発光層/電子輸送層/陰極ii陽極/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極iii陽極/正孔輸送層/有機発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/有機発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極v陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/有機発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極この内、陽極と陰極を除いた各層を総称して有機積層体とも言う。以下に各層について説明する。《有機発光層》有機発光層とは、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は有機発光層の層内であっても有機発光層と隣接層との界面であってもよいが、層間での励起子の失活等が考えられることから有機発光層の層内であることが好ましい。有機発光層の膜厚は特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2~200nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは5~100nmの範囲に調整される。以下に有機発光層に含まれるホスト化合物発光ホストとも言うと発光ドーパントについて説明する。《ホスト化合物》本発明に用いられるホスト化合物について説明する。ここで、本発明においてホスト化合物とは、有機発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20以上であり、且つ室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物である。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。本発明において、ホスト化合物としては特に制限はないが一般式aで表される化合物が好ましい。式中、XはNR′、O、S、CR′R′′またはSiR′R′′を表す。R′、R′′は各々水素原子または置換基を表す。Arは芳香環を形成するのに必要な原子群を表す。nは0~8の整数を表す。一般式aにおけるXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、芳香族炭化水素環基芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等、芳香族複素環基例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。中でも、XとしてはNR′またはOが好ましく、またR′としては、芳香族炭化水素基芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基、または芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が特に好ましい。上記の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は、各々一般式aのXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。一般式aにおいて、Arにより表される芳香環としては、芳香族炭化水素環または芳香族複素環が挙げられる。また、該芳香環は単環でもよく、縮合環でもよく、更に未置換でも、一般式aのXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。一般式aにおいて、Arにより表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o-テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は更に、一般式aで表される部分構造のXにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。一般式aで表される部分構造において、Arにより表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す等が挙げられる。これらの環は、更に一般式aにおいて、R′、R′′で各々表される置換基を有してもよい。上記の中でも、一般式aにおいて、Arにより表される芳香環として、好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ベンゼン環であり、更に好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ベンゼン環であり、より好ましくは置換基を有するベンゼン環であり、特に好ましくはカルバゾリル基を有するベンゼン環が挙げられる。また、一般式aにおいて、Arにより表される芳香環としては、各々3環以上の縮合環が好ましい一態様であり、3環以上が縮合した芳香族炭化水素縮合環としては、具体的には、ナフタセン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ヘキサセン環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、ベンゾアズレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、アセナフテン環、アセナフチレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ベンゾコロネン環、ヘキサベンゾコロネン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ペリレン環、ナフトペリレン環、ペンタベンゾペリレン環、ベンゾペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、コロネン環、ナフトコロネン環、オバレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。なお、これらの環は、更に上記の置換基を有していてもよい。また、3環以上が縮合した芳香族複素環としては、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環ナフトチオフェン環等が挙げられる。なお、これらの環は更に置換基を有していてもよい。また、一般式aにおいて、nは0~8の整数を表すが、0~2であることが好ましく、特にXがO、Sである場合には1~2であることが好ましい。以下に、一般式aで表されるホスト化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物重合性発光ホストでもよいが、高分子材料を用いた場合、化合物が溶媒を取り込んで膨潤やゲル化等、溶媒が抜けにくいと思われる現象が起こりやすいので、これを防ぐために分子量は高くない方が好ましく、具体的には塗布時での分子量が1,500以下の材料を用いることが好ましく、塗布時の分子量1,000以下の材料を用いることが更に好ましい。併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。《発光ドーパント》本発明に係る発光ドーパントについて説明する。本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント、リン光ドーパントを用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、有機EL素子の有機発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパントとしては、上記のホスト化合物を含有すると同時にリン光ドーパントを含有することが好ましい。リン光ドーパントは、有機EL素子の有機発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で8~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704~1711に記載の方法等により合成できる。《注入層:電子注入層、正孔注入層》注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と有機発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と有機発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、有機発光層に隣接して設けられていることが好ましい。正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の有機発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある有機発光層が、全有機発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い有機発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量以上が、前記最短波有機発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO最高被占分子軌道レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば、下記に示すような方法により求めることができる。1米国Gaussian製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98Gaussian98、RevisionA.11.4,M.J.Frisch,etal,Gaussian,Inc.,PittsburghPA,2002.を用い、キーワードとしてB3LYP/6-31Gを用いて構造最適化を行うことにより算出した値eV単位換算値の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。2イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器製の低エネルギー電子分光装置ModelAC-1を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3~100nmであり、更に好ましくは5~30nmである。《正孔輸送層》正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。《電子輸送層》電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は有機発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、陰極より注入された電子を有機発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、有機発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をゲスト材料としてドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。《陽極》有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。《陰極》陰極としては仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。《基板》本発明の有機EL素子に用いることのできる基板以下、支持基板とも言うとしては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートCAP、セルロースアセテートフタレートTAC、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホンPES、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートンJSR製あるいはアペル三井化学製といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過度が0.01g/m2/日atm以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には酸素透過度10-3g/m2/日以下、水蒸気透過度10-5g/m2/日以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。《封止》本発明の有機EL素子の封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、有機EL素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/m2/24h以下、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが、1×10-3g/m2/24h以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型二液混合を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80°Cまでに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。また、有機層を挟み基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等、硫酸塩例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等、金属ハロゲン化物例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等、過塩素酸類例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。《有機EL素子の作製方法》本発明の有機EL素子の作製方法は、陽極と陰極に挟まれた有機積層体の内、少なくとも有機発光層をウェットプロセスで成膜する。好ましくは有機発光層を含め4層以上をウェットプロセスで成膜することである。有機積層体全てをウェットプロセスで形成することは、生産性の観点から特に好ましい。本発明で言うウェットプロセスとは、層を形成する際に層形成材料を溶液の形態で供給し、層形成を行うものである。本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。まず、適当な基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等の有機化合物薄膜有機層を形成させる。これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセススピンコート法、ダイコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法等がある。本発明の有機EL素子を作製する際に、材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ペンタノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、アニソール等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒や、あるいは水を用いることができる。これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、有機発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を、陰極を-の極性として電圧2~40V程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。《保護膜、保護板》有機層を挟み基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《光取り出し》有機EL素子は空気よりも屈折率の高い屈折率が1.7~2.1程度層の内部で発光し、有機発光層で発生した光の内15から20程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面透明基板と空気との界面に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし有機発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし有機発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法米国特許第4,774,435号明細書、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法特開昭63-314795号公報、有機EL素子の側面等に反射面を形成する方法特開平1-220394号公報、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法特開昭62-172691号公報、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法特開2001-202827号公報、基板、透明電極層や有機発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法特開平11-283751号公報等がある。本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や有機発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた有機EL素子を得ることができる。透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、有機発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることができない光をいずれかの層間、もしくは媒質中透明基板内や透明電極内に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは有機発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がそれほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては、前述の通りいずれかの層間もしくは媒質中透明基板内や透明電極内でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。《集光シート》本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム製輝度上昇フィルムBEF等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基板に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、株きもと製拡散フィルムライトアップ等を用いることができる。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置家庭用照明、車内照明、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と有機発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。本発明の有機EL素子の有機発光層には、発光ホスト化合物とゲスト材料としての発光ドーパントの少なくとも一種を含有することが好ましい。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、以下に実施例で使用する化合物の構造を示す。実施例1《有機EL素子101の作製》陽極として、100mm×100mm×0.3mmのPETフィルム東レ株式会社製、ルミラー上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をノルマルプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を膜厚が40nmになるように、スピンコート条件を調整して製膜した。塗布後130°Cにて1時間乾燥し、正孔注入層を設けた。次いで、基板を真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、化合物HT-1を蒸着法により正孔輸送層を製膜した。膜厚は27nmとした。次に、同じく真空蒸着装置内で、同様の真空度を保ち、ホスト化合物として例示化合物a-1、青色発光ドーパント化合物Dopant-1とを共蒸着した。合計で43nmとなるようにし、Dopant-1はホストa-1に対し、22.3体積となるようにした。次いで、同じく真空蒸着装置内で、同様の真空度を保ち、化合物ET-1を32nmの厚さに製膜し、電子輸送層とした。その後に電子注入層としてLiFを蒸着法により1nmで成膜し、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子101を作製した。最後に凹状に加工したガラスの封止部材を、シアノアクリレート系接着剤により有機EL素子を作成したガラス基板に貼り付けることで封止した。《有機EL素子102の作製》有機EL素子101の作製同様、ITOを製膜した透明樹脂基板上にPEDOT/PSSを塗布した。次いで、基板を真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、化合物HT-1を蒸着法により正孔輸送層を製膜した。膜厚は27nmとした。次いで、グローブボックス中で発光ホスト化合物であるa-1100mgと青色発光ドーパント化合物であるDopant-119mgとをエチルベンゼン10mlに溶解させた溶液を用いて、スピンコート法にて乾燥後の膜厚が43nmとなる条件で製膜し、室温にて窒素下で溶媒を揮発させ、青色発光層とした。次いで、基板を真空蒸着装置に取付け、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、素子101同様化合物ET-1を32nmの厚さに製膜し、電子輸送層とした。その後に電子注入層としてLiFを蒸着法により1nmで成膜し、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子102を作製した。最後に凹状に加工したガラスの封止部材を、シアノアクリレート系接着剤により有機EL素子を作成したガラス基板に貼り付けることで封止した。《有機EL素子103、104の作製》有機EL素子102の作製において、発光層の塗布後の窒素下の溶媒揮発工程において、室温から2分かけて75°Cまで乾燥温度を上昇させた後、該塗布した層の表面温度を測定しながら、表面温度を75°Cに保持した状態で、テンターにより基板の対向する4辺に1.2N/mの張力をかけながら30分間保った。表面温度の測定結果より、この30分の間に恒率乾燥と減率乾燥が完了していることを確認した。なお、1.2N/mの張力を掛けたときの該基板に掛かる応力は4.0kPaである。その後、張力を掛けるのを中止し、その後30分かけて温度を下降させ、室温に戻す工程を加えて作製し、表1に示したものに変更した以外は素子102と同様にして、素子103、を作製した。素子103において、乾燥温度を90°Cとし、表面温度を90°Cに保持した状態で、該張力を5.0N/mとした以外は同様にして、素子104を作成した。なお、5.0N/mの張力を掛けたときの該基板に掛かる応力は16.6kPaである。降伏応力の測定有機EL素子102の作製において、正孔輸送層まで製膜した基板を下記引っ張り試験機を用いて、引っ張り試験した結果、90°Cの降伏応力は200kPaであった。テンシロン万能材料試験機RTG-1250引っ張り試験機、株式会社エーアンドデイ製サンプル部分を90°Cに保温引っ張り速度:10mm/分同様に、75°Cの降伏応力を測定した結果、4MPaであった。《有機EL素子の評価》作製した有機EL素子について、下記のようにして外部取り出し量子効率、駆動電圧、及び連続駆動時の電圧上昇の評価を行った。外部取り出し量子効率作製した有機EL素子に対し、2.5mA/cm2定電流を印加したときの外部取り出し量子効率を測定した。外部取り出し量子効率は以下の式により算出される。外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100なお、測定には分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。有機EL素子101~104の外部取り出し量子効率は、有機EL素子101比較例の測定値を100とした相対値で表1に示した。有機EL素子201~304の外部取り出し効率は、有機EL素子201を100とした相対値で表2と表3に示した。駆動電圧有機EL素子を室温約23°C~25°C、2.5mA/cm2の定電流条件下により駆動したときの電圧を各々測定し、測定結果を下記に示すように、有機EL素子101比較例を100として各々相対値で示した。連続駆動時の電圧上昇作製した有機EL素子に対し、正面輝度2000cd/m2となるような電流を与え、正面輝度が初期の半減値1000cd/m2になるまで連続駆動し、駆動終了時から駆動前の電圧の差を連続駆動時の電圧上昇として求めた。A:連続駆動時の電圧上昇が0.5V未満B:連続駆動時の電圧上昇が0.5V以上1.0V未満C:連続駆動時の電圧上昇が1.0V以上2.0V未満D:連続駆動時の電圧上昇が2.0V以上表1に示す通り、ウェットプロセスを含む方法で有機層を積層する場合、塗布製膜後の溶媒揮発乾燥工程において加熱し、かつ降伏応力未満の応力が掛かる様に、張力をかけることで、外部取り出し効率、駆動電圧、連続駆動時の電圧上昇が抑制されて各々が蒸着で作製された素子に近似した性能となり、かつウェットプロセスであればロールtoロール方式での製造が採用可能であり、高い生産性で安価に作製できる。実施例2《有機EL素子201~204の作製》有機EL素子101の作製において、発光色を白に変えるために、発光ホスト及びドーパントを表2に示す化合物に変更し、膜厚を表2に示すものに変更した以外は同様にして、有機EL素子201を作製した。また、有機EL素子102~104において、有機EL素子201と同様の発光ホスト及びドーパントに変更し、製膜乾燥後の膜厚を表2に示すものに変更する以外は同様に、素子202~204の作製を行った。尚、有機発光層の化合物の使用量は、例示化合物a-6:Dopant-1:Ir-1:Ir-4=75:24.2:0.3:0.4の質量比とした。《有機EL素子201~204の評価》作製した素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表2に示す。有機発光層の化合物を変えて発光色を白色にした素子においても、有機発光層をウェットプロセスで製膜する場合、実施例1と同様、塗布製膜後の溶媒揮発乾燥工程において加熱し、加熱中に降伏応力未満の応力が掛かる様に、張力をかけることで、外部取り出し効率、駆動電圧、連続駆動時の電圧上昇が抑制されて各々が蒸着で作製された素子に近似した性能となり、かつ高い生産性で安価に作製できることがわかる。実施例3《有機EL素子303~304、402の作製》有機EL素子203~204において、表3に示すとおり、有機発光層の塗布後の乾燥時において、恒率乾燥中は張力をかけず、減率乾燥に入ってから基板の4辺に、素子303には2.8N/m、素子304には44N/mの張力を印加した他は同様にして、有機EL素子303~304を作製した。なお、2.8N/mの張力を掛けたときの該基板に掛かる応力は9.3kPaであり、44N/mの張力を掛けたときの該基板に掛かる応力は145kPaであ。また、素子203の作製において、減率乾燥中に1500N/mの張力を掛け一軸延伸し、2cm延伸させた他は同様にして有機EL素子402を作製した。有機EL素子402を顕微鏡で観察したところ、発光層の塗布膜に亀裂が生じ、評価不可能であった。なお、1500N/mの張力を掛けたときの該基板に掛かる応力は5MPaである。《有機EL素子303~304の評価》作製した素子について、実施例1と同様の評価を行った。結果を表3に示す。表3より、恒率乾燥中は張力を掛けず、減率乾燥中に張力をかけた素子303、304は、素子203、204より更に優れていることがわかる。実施例4素子201~204、303、304の有機発光層の膜密度を測定した。測定方法は以下のように行った。膜密度は、発光層まで製膜した試料についてX線反射率測定法により求めた。X線発生源は銅をターゲットとし、50kV-300mAで作動させ、多層膜ミラーとGe111チャンネルカットモノクロメーターにて単色化したX線を使用した。測定は、ソフトウェア-ATX-CrystalGuideVer.6.5.3.4を用い半割、アライメント調整後、2θ/ω=0~1度を0.002度/stepで0.05度/minで走査した。上記の測定条件で反射率曲線を測定した後、株式会社リガク製GXRRVer.2.1.0解析ソフトウェアを用いて測定し、素子201の膜の密度から素子202~204、303、304の膜の密度を差し引いた値を膜密度差として求めた。結果を表4に示す。表4より、蒸着で作成した有機EL素子201の有機発光層の膜密度に対し、有機発光層の塗布溶媒の揮発乾燥工程において非加熱、張力印加なしの素子202の有機発光層膜密度はかなり低いのに対し、加熱、張力印加の素子203、204の素子は膜密度の差が小さく、特に減率乾燥過程でのみ張力をかけた、素子303、304は更に膜密度の差が小さく、蒸着膜と同等になっていることがわかる。"