"半導体基板と、前記半導体基板に行列状に形成された複数の受光部と、前記半導体基板の前記複数の受光部の行間に列方向に延びて形成された垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部の上であって、前記複数の受光部の列間の側方に形成された複数の第1転送電極と、前記垂直電荷転送部の上であって、前記複数の第1転送電極の間にそれぞれ形成された複数の第2転送電極と、前記第1転送電極の上に行方向に延びるように、前記第1転送電極と接続して形成された第1シャント配線と、前記第2転送電極の上に行方向に延びるように、前記第2転送電極と接続して形成された第2シャント配線とを備え、前記第2シャント配線は、列方向に隣接する前記受光部の間においては、前記第1転送電極の列方向の側方に対し、絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする固体撮像装置。前記第2シャント配線は、前記第2転送電極の行方向の側方にも形成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2シャント配線は、前記第1転送電極の列方向の側方の両側に対し、絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置。前記第1転送電極は、前記複数の受光部の列間を行方向に延びるように、一体に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の固体撮像装置。しかしながら、特許文献に開示の技術を適用した場合、シャント配線904a、904bの幅W2が約0.12μm程度と微細であるため、さらに画素を微細化するにあたって、シャント配線が細線化するため、配線抵抗が増大してしまう。例えば、1.2μm程度に微細化した場合に、第1転送電極903aの幅は0.3μm程度に縮小する。このとき、シャント配線904a、904bの幅W2は例えば0.07μmであり、2本のシャント配線904a、904bの間隔W3は、例えば0.08μmである。これにより、シャント配線の抵抗は約2倍に増大してしまい、転送周波数が十分に高周波数化できない課題が発生する。また、微細化することで、加工精度の要求が厳しくなり、歩留まり低下を引き起こすという課題が発生する。本発明は、上記課題を解決し、画素を微細化した場合にも、高速転送と高歩留りを実現することができるシャント配線構造を用いた固体撮像装置を提供することを目的とする。そこで、本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板と、半導体基板に行列状に形成された複数の受光部と、半導体基板における複数の受光部の行間に列方向に延びて形成された垂直電荷転送部と、垂直電荷転送部の上であって、複数の受光部の列間の側方に形成された複数の第1転送電極と、垂直電荷転送部の上であって、複数の第1転送電極の間にそれぞれ形成された複数の第2転送電極と、第1転送電極の上に行方向に延びるように、第1転送電極と接続して形成された第1シャント配線と、第2転送電極の上に行方向に延びるように、第2転送電極と接続して形成された第2シャント配線とを備える。そして、本発明に係る固体撮像装置では、上記において、第2シャント配線が、列方向に隣接する受光部の間においては、第1転送電極の列方向の側方に対して、絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置では、第2シャント配線が、列方向に隣接する受光部の間においては、第1転送電極の列方向の側方に形成されているので、画素が微細化されても、容易に十分なシャント配線幅を確保できる。このため、本発明に係る固体撮像装置では、高速転送の実現と配線加工の歩留まり低下の抑制が可能となる。また、本発明に係る固体撮像装置では、第2シャント配線が、列方向に隣接する受光部の間においては、第1転送電極の列方向の側方に形成されているので、第2転送電極の上にだけ第2シャント配線を形成する従来技術に比べ、画素の微細化によっても、加工精度の観点からの歩留まりの低下を抑えることができる。従って、本発明に係る固体撮像装置では、画素を微細化した場合にも、高速転送と高歩留りを実現することができる。ここで、本発明に係る固体撮像装置では、例えば、次のようなバリエーション構成を採用することもできる。本発明に係る固体撮像装置では、上記構成に加え、第2シャント配線が、第2転送電極の行方向の側方にも形成されている、という構成を採用することもできる。このような構成とすれば、画素の微細化に対しても、さらに配線抵抗の低減を図ることが可能となり、固体撮像装置における信号電荷の更なる高速転送を実現することができる。また、本発明に係る固体撮像装置では、上記構成に加え、第2シャント配線が、第1転送電極の列方向の側方の両側に対し、絶縁膜を介して形成されている、という構成を採用することもできる。このような構成とすれば、画素の微細化に対しても、さらに配線抵抗の低減を図ることが可能となり、固体撮像装置における信号電荷の更なる高速転送を実現することができる。また、本発明に係る固体撮像装置では、上記構成において、第1転送電極が、複数の受光部の列間を行方向に延びるように、一体に形成されている、という構成を採用することもできる。1.構成本発明の実施の形態における固体撮像装置の構成について、図1および図2を参照しながら説明する。本実施の形態における固体撮像装置は、シャント配線構造を有するCCD型固体撮像装置である。画素サイズは1.2μmである。図1は、本実施の形態における固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図、図2aはそのY1-Y1断面図、図2bはY2-Y2断面図、図2cはX-X断面図である。図1~図2cに示すように、固体撮像装置においては、入射光を信号電荷に変換する複数の受光部が形成されている図1では、そのうちの一つを抜き出して図示。また、受光部11から信号電荷を読み出し、それを垂直方向図1に矢印で示す垂直転送方向に転送するために、転送チャネル12を含む垂直電荷転送部13が設けられている。垂直電荷転送部13は、図1に示すように複数個が、受光部11の垂直方向の列毎に設けられている。また、転送電極3a,3bにパルスを印加するために、第1シャント配線7及び第2シャント配線5が形成されている。図1~図2cには図示されていないが、垂直電荷転送部13によって転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部も設けられている。複数の受光部11は、マトリクス状に配置されている。また、図2aに示すように、受光部11は半導体基板1に設けられている。図1に示す受光部11は、開口部14を通した部分が示されている。本実施の形態では、半導体基板1はn型のシリコン基板である。転送チャネル12は、図2bに示すように、半導体基板1の表層側に形成されたn型の拡散層である。受光部11や転送チャネル12は、半導体基板1に形成されたp型のウェル内に形成されているものである。また、転送チャネル12上において、当該転送チャネル12を横切るようにして、第1転送電極3a及び第2転送電極3bが設けられている。第1、第2転送電極3a、3bは、半導体基板1の表層側の界面を覆う絶縁膜2の上に形成されている。また、垂直電荷転送部13の各々において、第1転送電極3aと第2転送電極3bとは、垂直転送方向に沿って交互に配置されている。第1、第2転送電極3a、3bの膜厚は、例えば0.15μmである。更に、第1転送電極3aは、隣接する垂直電荷転送部13に設けられている別の第1転送電極3aと水平方向図1のX方向に連結されており、一つの配線を構成している。第1転送電極3a同士を接続する部分の配線は、受光部11と重ならないように、垂直転送方向において隣接する受光部11の間を通るように形成されており、幅は例えば0.3μmである。ただし、水平方向に隣接する第1の転送電極3a同士は、第1シャント配線7によっても接続されているので、第1の転送電極3aの接続部分の配線は、必ずしも必要ではない。例えば、第1シャント配線の下地となり、且つ、第2シャント配線を形成するための側壁を備えた絶縁性の構造体でも構わない図2aの符号3aで示す部分。図1に示すように、第2転送電極3bは、それぞれが水平方向X方向に分離された状態で配置されている。なお、第1、第2転送電極3a、3bの側面及び上面には、シリコン酸化膜からなる絶縁膜4が形成されている図2a、bを参照。絶縁膜4の厚さは、例えば0.05μmである。本実施の形態における固体撮像装置は、第1シャント配線7と第2シャント配線5との2種類のシャント配線を備えている。図1および図2aなどに示すように、第2シャント配線5は、受光部11毎に、受光部11周辺の第1転送電極3a及び第2転送電極3bの側壁にサイドウォール状に形成されており、水平方向X方向に沿って格子状に配置され、第1転送電極3aの側方を通過して接続されている。シャント配線5の厚みは0.1μmであり、サイドウォールの高さは0.15μmであるので、サイドウォール形状を鑑みると、実質的な配線幅は約0.1μmとなる、第2シャント配線5は上述のように、格子状に形成されていることから、実効的な配線幅は約0.2μmとなる。第2シャント配線5は、そのサイドウォール部と第2転送電極3b上の配線部との接続部とが水平方向に0.05μmオーバーラップするように形成されており、垂直方向に0.4μmの接続部があるため、実効的な配線幅は0.2μmとなる。このため、第2シャント配線5は、サイドウォール部と合わせて、第2シャント配線5の実効的な最小配線幅は0.2μmとなる。第1シャント配線7は第1転送電極3a上に幅0.2μmで配置されている図1に示すように、第2シャント配線5は、第2転送電極3bに、コンタクトプラグ16bを介して電気的に接続されている。第1シャント配線7は、第1転送電極3aに、コンタクトプラグ16aを介して電気的に接続されている。各コンタクトプラグ16a,16bのコンタクト径は例えば0.2μmである。このように、本実施の形態における固体撮像装置は、第2シャント配線5および第1シャント配線7の配線幅を、従来例の0.07μmに対して3倍程度にでき、従来例に比べて配線抵抗を1/3以下に抑えることができる。本実施の形態における固体撮像装置は、シャント配線5の低抵抗化により、転送周波数の高周波数化転送速度の高速化が可能となる点で、従来例の固体撮像装置よりも優れている。また、従来例と異なり、シャント配線間の分離がサイドウォール形成により自己整合的に形成されるため、シャント配線間ショート不良の発生を抑制できるため、高歩留まりを実現することができる。2.製造方法次に、実施の形態1における固体撮像装置の製造方法について、図3~図12cを用いて説明する。図3~図12cは、図1~図2cに示した実施の形態における固体撮像装置の製造方法を示す図である。図3,5,7,9,11の各々は平面図、図4,6,8,10,12の各々におけるaはそのY1-Y1断面図、図4,6,8,10,12の各々におけるbはY2-Y2断面図、図4,6,8,10,12の各々におけるcはX-X断面図である。先ず、図4a、b、cに示すように、半導体基板1の表面に熱酸化法によってシリコン酸化膜からなる絶縁膜2が形成される。このときの絶縁膜2の厚みは、20nm~40nmに設定される。続いて、半導体基板1に対して種々のレジストパターンの形成とイオン注入とが行われる。これにより、受光部11、転送チャネル12が形成される。次いで、ポリシリコン膜等の導電膜が成膜され、これに対してフォトリソグラフィー法を用いたエッチングが行われて、図3および図4a、b、cに示すように、転送電極3a、3bが形成される。また、熱酸化法によって、転送電極3a、3bの上面及び側面を覆うシリコン酸化膜からなる絶縁膜4も形成される。本実施の形態では、絶縁膜2、4の形成は、熱酸化法によって行われているが、これに限定されるものではない。例えば、絶縁膜2、4は、CVD法等による成膜によって形成されても良い。次に、図5および図6a、b、cに示すように、第1転送電極3a及び第2転送電極3b上にコンタクトプラグ16a、16bが形成され、転送電極3a、3bを含む半導体基板1の上面全体を被覆する導電膜17が成膜される。具体的には、例えば、CVD法やスパッタリング法等を利用して、タングステン等の遮光性金属薄膜が成膜される。この導電膜17遮光性金属薄膜の厚みは、例えば0.1μmに設定される。また、導電膜17は、コンタクトプラグ16a、16bによって、第1転送電極3a及び第2転送電極3bと電気的に接続された状態にある。次に、図7および図8a、b、cに示すように、フォトリソグラフィー法を用いてレジスト膜をパターニングしてレジストパターン18を形成し、これをマスクに導電膜17をエッチングして、第1シャント配線7及び第2シャント配線5が形成される。ここで、図8aに示すように、第2シャント配線5は第1転送電極3aの側壁にサイドウォール状に形成されるため、第1シャント配線7と自己整合的に分離され、配線間ショートを発生させることがなく、かつ、水平方向に接続することできる。このとき、分離が十分でき、かつできるだけサイドウォールの上面が低下しないようにエッチング条件をコントロールすることで、配線抵抗の低減と配線加工の歩留まりの両立を図ることが可能となる。具体的には、図7および図8aに示すように、第1シャント配線7を形成するためのマスクは、第1転送電極3aを縮小した形状のマスクパターンとすることで、第1シャント配線7と第2シャント配線5を分離することができ、かつ、第2シャント配線5となるサイドウォール状の導電膜を残すことができる。そして、図7および図8cに示すように、第2シャント配線5を形成するためのマスクは、水平方向X方向において第2転送電極3bよりも突出した形状とする。これにより、図1および図2a、b、cに示すように、サイドウォール状の第2シャント配線5と確実に接続することができる。図7および図8a、b、cに示した工程の後、図9および図10a、b、cに示すように、シャント配線5、7、転送電極3a、3bを含む半導体基板1の上面全体を被覆するように、シリコン酸化膜からなる絶縁膜6が成膜される。更に、転送電極3a、3bを含む半導体基板1の上面全体を被覆する遮光性金属膜19が成膜される。遮光性金属膜19の厚みは、例えば60nm~120nmに設定される。材料としては、タングステンやアルミニウムなどが用いられる。次に、フォトリソグラフィー法を用いたエッチングを遮光性金属膜19行うことで、図11および図12a、b、cに示すような遮光膜20が形成される。この後、更に必要に応じて、BPSGBoronPhosphoroussilicateGlass膜といった絶縁膜や、レンズ素子等が形成される図示せず。以上のように、図3~図12cに示した工程を実施することにより、図1および図2a、b、cに示した構成部分を備える固体撮像装置が得られる。"