"リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減する方法であって、前記リソグラフィプロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの特性を測定すること、および、前記リソグラフィプロセスの後続のステップをウェハ上において実行するように構成されたプロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを、前記レジストの少なくとも前記1つの測定された特性に応答して変更し、前記クリティカルな測定基準の前記ウェハ内変動を低減すること、少なくとも前記1つのパラメータを変更することが、フィードフォワード制御技法を使用することを含む方法。前記クリティカルな測定基準が、前記リソグラフィによって形成されたフィーチャのクリティカル寸法を含む請求項1に記載の方法。前記レジストの少なくとも前記1つの特性を測定することが、前記ウェハ全体にわたって様々な場所で少なくとも前記1つの特性を測定することを含む請求項1に記載の方法。前記レジストの少なくとも前記1つの特性を測定することが、前記リソグラフィプロセスのステップ間で少なくとも前記1つの特性を測定することを含む請求項1に記載の方法。前記レジストの少なくとも前記1つの特性を測定することが、前記リソグラフィプロセスのステップ中に少なくとも前記1つの特性を測定することを含む請求項1に記載の方法。前記リソグラフィプロセス中に少なくとも2枚のウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの特性を測定することをさらに含み、前記変更されたパラメータが、少なくとも前記2枚のウェハ上に配置された前記レジストの少なくとも前記1つの測定された特性の関数をさらに含む請求項1に記載の方法。少なくとも前記1つの特性が、厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含む請求項1に記載の方法。少なくとも前記1つのパラメータを変更することが、前記ウェハの第1の部分を、前記ステップ中に第1の1組のプロセス条件で加工すること、および前記ウェハの第2の部分を、前記ステップ中に第2の1組のプロセス条件で加工することを含む請求項1に記載の方法。前記プロセスモジュールが、表面準備モジュール、コーティングモジュール、ベークモジュール、露光モジュール、または現像モジュールを含む請求項1に記載の方法。使用中にリソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減するように構成されたシステムであって、前記リソグラフィプロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの特性を測定するように構成された少なくとも1つの測定装置と、使用中に前記リソグラフィプロセスの後続のステップをウェハ上において実行するように構成されたプロセスモジュールとを具備し、前記プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータが、クリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減することができるように、少なくとも前記1つの測定された特性に応答して変更することができ、前記プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを、フィードフォワード制御技法を使用して変更することができるシステム。少なくとも前記1つの測定装置および前記プロセスモジュールに結合され、使用中に前記測定装置から前記レジストの少なくとも1つの測定された特性を受け取るように構成され、使用中に前記1つの測定された特性に応答して、前記プロセスモジュールの少なくとも前記1つのパラメータを変更するように構成された制御装置コンピュータをさらに具備する請求項10に記載のシステム。前記クリティカルな測定基準が、前記リソグラフィプロセスによって形成されたフィーチャのクリティカル寸法を含む請求項14に記載のシステム。少なくとも前記1つの測定装置が、前記ウェハ全体にわたって様々な場所で前記レジストの少なくとも前記1つの特性を測定するようにさらに構成された請求項10に記載のシステム。少なくとも前記1つの測定装置が、前記リソグラフィプロセスのステップ間で前記レジストの少なくとも前記1つの特性を測定するようにさらに構成された請求項10に記載のシステム。少なくとも前記1つの測定装置が、前記リソグラフィプロセスのステップ中に前記レジストの少なくとも前記1つの特性を測定するようにさらに構成された請求項10に記載のシステム。少なくとも前記1つの特性が、厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含む請求項10に記載のシステム。前記ウェハの第1の部分を、前記ステップ中に第1の1組のプロセス条件で加工することができるように、また前記ウェハの第2の部分を、前記ステップ中に第2の1組のプロセス条件で加工することができるように、前記プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを変更することができる請求項10に記載のシステム。前記プロセスモジュールが、表面準備モジュール、コーティングモジュール、ベークモジュール、露光モジュール、または現像モジュールを含む請求項10に記載のシステム。半導体デバイスを作製する方法であって、リソグラフィプロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの特性を測定すること、前記リソグラフィプロセスの後続のステップをウェハ上において実行するように構成されたプロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを、前記レジストの少なくとも前記1つの測定された特性に応答して変更し、前記リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減すること、および、前記ウェハを加工して、前記ウェハ上に少なくとも1つの半導体デバイスの少なくとも一部分を形成することを含む方法。前記ウェハを加工することが、エッチング、イオン注入、堆積、化学的機械的研磨、またはめっきを含む請求項19に記載の方法。好ましい実施の形態の詳細な説明次いで図面に転じると、図1は、リソグラフィプロセスの性能特性を評価し、かつ制御するための方法の一実施形態を示す。たとえば、本発明を使用して、リソグラフィ工程のクリティカルな測定基準のウェハ内WIW変動を低減し、さらに最小限に抑えることができる。リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準には、それだけには限らないが、リソグラフィプロセスによって形成されたフィーチャのクリティカル寸法、およびオーバーレイを含むことができる。リソグラフィプロセス中に形成されたフィーチャのクリティカル寸法には、たとえばフィーチャの幅、高さ、側壁プロフィルを含むことができる。フィーチャの側壁プロフィルは、たとえば、ウェハの上部表面に対するフィーチャの側壁角度、フィーチャの側壁の粗さ、およびフィーチャの他の物理特性によって説明することができる。オーバーレイは、一般に、ウェハのある堆積層上におけるフィーチャ横位置に対する、ウェハの別の堆積層上におけるフィーチャの横位置のことを言う。リソグラフィプロセスは、光学リソグラフィ、電子線リソグラフィ、X線リソグラフィを含むことができる。リソグラフィクラスタツールまたはリソグラフィトラックは、1組のプロセスモジュールを含むことができる。リソグラフィクラスタツールの一例は、Yoshiokaらの米国特許第5,968,691号に示されており、これを参照により本明細書に全体が述べられているかの如く組み込む。リソグラフィクラスタツールは、露光装置に結合することができる。プロセスモジュールの第1の部分は、レジストを露光する前にリソグラフィプロセスの少なくとも1つのステップを実行するように構成することができる。プロセスモジュールの第2の部分は、レジストを露光した後でリソグラフィプロセスのプロセスステップを実行するように構成することができる。リソグラフィクラスタツールはまた、少なくとも1つのロボットウェハハンドラを含むことができる。ロボットウェハハンドラは、ウェハをモジュールからモジュールに移動させることができる。ロボットウェハハンドラはまた、ウェハをリソグラフィクラスタツールから露光装置に移動させるために使用することができる。ステップ10に示すように、ロボットウェハハンドラは、オペレータによってリソグラフィクラスタツール内に載せることができるカセットから、ウェハを拾い上げることができる。カセットは、リソグラフィプロセス中に加工することができるいくつかのウェハを容れることができる。ウェハは、ベアシリコンウェハとすることができる。別法として、リソグラフィプロセスの前にウェハを加工しておくことができる。たとえば、表面形状のフィーチャをウェハ上に形成しておくことができる。表面形状のフィーチャには、トレンチ、ビア、ラインなどを含むことができる。さらに、誘電材料など1つまたは複数の材料層を、リソグラフィプロセスの前にウェハ上に形成しておくことができる。ステップ12に示すように、ウェハは、表面準備チャンバなどプロセスモジュール内に配置することができる。表面準備チャンバは、ヘキサメチルジシラザンHMDSなど接着促進用化学薬品の層をウェハの表面上に形成するように構成することができる。HMDSは、約80°Cから約180°Cの温度で付着させることができる。したがって、表面準備プロセスの後で、ロボットウェハハンドラは、表面準備チャンバからウェハを取り出すことができ、ステップ14に示すようにウェハを冷却モジュール内に配置することができる。したがって、後続の加工に適した温度にウェハを下げることができるたとえば、約20°Cから約25°C。追加の一実施形態では、反射防止コーティングをウェハの表面上に形成することもできる。反射防止コーティングは、たとえば、スピンコーティングとそれに続く塗布後ベークプロセスによってウェハ上に形成することができる。反射防止コーティング用の塗布後ベークプロセスは、一般に約175°Cから約230°Cの温度にコーティング済みウェハを加熱することを必要とし、冷却プロセスもまた塗布後ベークプロセスの後で実行することができる。レジストは、ステップ16に示すようにウェハ上に形成することができる。たとえば、ウェハをレジスト塗布プロセスモジュール内に配置することができる。レジストは、ウェハの上部表面上に自動かけることができる。レジストは、約2000rpmから約4000rpmなど高速度でウェハを回転させることにより、ウェハ全体にわたって均一に分配することができる。回転プロセスはレジストを適切に乾燥させることができ、それにより、コーティング済みレジストに影響を及ぼすことなくウェハをレジスト塗布モジュールから取り出すことができる。ステップ18に示すように、レジストコーティング済みウェハは、塗布後ベークプロセスで加熱することができる。塗布後ベークプロセスは、約90°Cから約140°Cの温度でレジストコーティング済みウェハを加熱することを含むことができる。塗布後ベークプロセスは、余分な溶剤をレジストから取り除くために、また、表面張力など、レジストの上部表面の特性を変えるために使用することができる。塗布後ベークプロセスの後で、ステップ20に示すように、ウェハを約20°Cから約25°Cの温度で冷却することができる。本方法はまた、冷却の後で、ウェハ上に形成されたレジストの特性を測定することを含むことができる。ステップ22に示すように、たとえば、塗布後ベークステップ後の冷却の後で、ウェハを測定装置に、またはウェハ被膜測定装置内に移動させることができる。別法として、たとえば、測定装置が冷却モジュールに結合されている場合は、測定中にウェハを冷却モジュール内に残すことができる。測定装置は、光学技法を使用してレジストの少なくとも1つの特性を測定するように構成された任意のデバイスとすることができる。測定装置はまた、ウェハ上の複数の位置でレジストの少なくとも1つの特性を測定するように構成することができる。光学技法は、それだけには限らないが、スキャタロメータ法、干渉法、反射率法、分光偏光解析法、または分光反射率法を含むことができる。さらに、他の光学測定装置を使用してレジストの特性を測定することもできる。使用することができる測定装置の例は、Goldらの米国特許第4,999,014号、Goldらの第5,042,951号、Rosencwaigらの第5,412,473号、Hobbsらの第5,516,608号、Chenらの第5,581,350号、Rosencwaigらの第5,596,406号、Fantonらの第5,596,411号、Piwonka-Corleらの第5,608,526号、Nortonらの第5,747,813号、Carterらの第5,771,094号、Aspnesらの第5,798,837号、Nortonらの第5,859,424号、Aspnesらの第5,877,859号、Bareketらの第5,889,593号、Aspnesらの第5,900,939号、Piwonka-Corleらの第5,910,842号、Addiegoらの第5,917,588号、Nortonらの第5,917,594号、Aspnesらの第5,973,787号、Kulkarniらの第5,991,699号に示されており、これらを参照により本明細書に全体が述べられているかの如く組み込む。測定装置の追加の例が、RosencwaigらのPCT出願WO99/02970およびPCT出願WO99/45340に示されており、これらを参照により本明細書に全体が述べられているかの如く組み込む。測定装置は、レジストの少なくとも1つの特性を測定することができる。さらに、測定装置は、レジストのいくつかの特性を実質的に同時に測定することができる。塗布後ベークプロセスの後で測定されるレジストの特性は、それだけには限らないが、レジストの厚さ、屈折率、または消光係数を含むことができる。測定された特性は、ステップ24に示すように制御装置コンピュータ、またはウェハ内被膜制御装置に送ることができる。制御装置コンピュータは、測定装置に結合することができる。制御装置コンピュータは、測定されたレジスト特性に応答して、リソグラフィプロセスのプロセスステップのパラメータを決定することができる。たとえば、制御装置コンピュータは、外部で決定された、または数値シミュレーションされた関係を使用して、レジストに応じてプロセスステップのパラメータを決定することができる。制御装置コンピュータはまた、リソグラフィクラスタツールの少なくとも1つのプロセスモジュールに結合することができる。このような形で、制御装置コンピュータは、リソグラフィクラスタツールのプロセスモジュールのパラメータを変更するように構成することができる。したがって、制御装置コンピュータは、リソグラフィクラスタツール内に含まれるどんなプロセスモジュールの動作でも制御することができる。別法として、プロセスモジュールのパラメータは、測定装置または制御装置コンピュータからの出力に応答して、オペレータが手動で変更することができる。一実施形態では、フィードフォワード制御技法を使用して、プロセスモジュールのパラメータを変更することができる。たとえば、オペレータまたは制御装置コンピュータは、測定されたレジスト上で追加のリソグラフィプロセスステップを実行するために使用することができる、プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを決定することができる。追加のリソグラフィプロセスステップは、露光および露光後ベークを含むことができる。このような形で、レジストの特性を使用して、露光ステップまたは露光後ベークステップを実行するように構成されたプロセスモジュールのパラメータを変更することができる。たとえば、冷却プロセスの後で測定されたレジストの厚さ、屈折率、および/または消光係数を使用して、露光プロセスの露光線量または露光後ベークプロセスの温度を決定することができる。オペレータまたは制御装置コンピュータは、決定された露光線量または温度に応答して、露光プロセスモジュールまたは露光後ベークプロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータをそれぞれ変更することができる。さらに、レジストの少なくとも1つの特性はウェハ全体にわたって様々な位置で測定することができるため、様々な位置のそれぞれについて、少なくとも1つのパラメータを決定することができる。したがって、プロセスモジュールのパラメータもまた、上述のように、ウェハ上のフィールドからフィールドにかけて独立して変更することができる。たとえば、露光線量および/または露光後ベーク温度などプロセス条件は、フィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたる少なくとも1つの測定された特性の変動に応答して、後続のプロセス内でウェハ全体にわたって変わる可能性がある。このような形で、リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準は、ウェハ全体にわたって実質的に均一にすることができる。追加の一実施形態では、フィードバック制御技法を使用して、プロセスモジュールのパラメータを変更することができる。このような形で、レジストを形成するために使用された少なくとも1つのプロセスモジュールのパラメータをプロセスの前またはその間に変更して、追加のウェハ上にレジストを形成することができる。追加のウェハは、測定済みウェハと同じロット内に含まれるウェハ、または測定済みウェハと異なるロットに含まれるウェハを含むことができる。そのようなパラメータは、上述のようにレジストの少なくとも1つの測定された特性に応答して決定することができる。たとえば、レジストの特性を使用して、追加ウェハの加工の前、および/またはその間に、レジスト塗布プロセスモジュールまたは塗布後ベークプロセスモジュールのパラメータを変更することができる。ステップ26に示すように、ウェハを露光プロセスモジュールに移送することができる。露光プロセスモジュールは、それだけには限らないが、ウェハを位置合わせすること、および所定のパターンにレジストを露光することを含むことができるいくつかの動作を実行することができる。たとえば、露光プロセスモジュールは、当技術分野で周知の任意のステッパまたはスキャナを含むことができる。レジストを露光することはまた、特定の光強度、または露光線量、および特定の合焦条件にレジストをさらすことを含むことができる。多数の露光プロセスモジュールは、露光プロセスの露光線量または合焦条件を、たとえばフィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたって変更することができるように構成することができる。露光線量または合焦条件は、フィードバックまたはフィードフォワード制御技法を使用して、本明細書で述べるように決定し、かつ/または変更することができる。ステップ28に示すように、リソグラフィプロセス内の任意選択のプロセスステップは、縁部露光ステップを含むことができる。縁部露光ステップは、ウェハの外縁に近接して配置されたレジストを光源にさらして、ウェハの外縁のレジストを除去することを含むことができる。そのようなウェハの外縁のレジストを除去することにより、後続のプロセスで使用されるプロセスチャンバおよびデバイスの汚染を低減することができる。ステップ30に示すように、ウェハは、露光後ベークプロセスステップを受けることができる。露光後ベークプロセスを使用して、レジストの露光済み部分内で化学反応を起こし、それにより、レジストの各部分を後続の加工の際に除去できるようにすることができる。したがって、露光後ベークプロセスの性能は、リソグラフィプロセスの性能にとってクリティカルな可能性がある。露光後ベークプロセスは、約90°Cから約150°Cの温度にウェハを加熱することを含むことができる。ステップ32に示すように、測定装置、またはウェハ内クリティカル寸法測定装置を露光後ベークプロセスモジュールに結合することができる。このような形で、露光後ベークプロセス中にレジストの特性を測定することができる。測定装置は、光学技法を使用して、厚さ、潜像の線幅、潜像の高さ、屈折率、または消光係数など、レジストの特性を測定することができる。測定装置は、スキャタロメータ法、干渉法、反射率法、分光偏光解析法、または分光反射率法などの技法を使用するように構成することができる。測定装置の追加の例には、本明細書で述べるどんな測定装置でも含むことができる。したがって、レジストの測定された特性は、insitu制御技法を使用して露光後ベークプロセスを評価し、かつ制御するために使用することができる。たとえば、測定装置は、露光後ベークプロセス中にレジストの特性を測定することができ、露光後ベークプロセスモジュールのパラメータを、プロセス中に、測定された特性に応答して変更することができる。さらに、測定装置を使用して、露光後ベークプロセス中に様々な時点でレジストの特性を測定することができる。したがって、測定装置は、レジストの少なくとも1つの特性の変動を経時的に監視することができる。このような形で、露光後ベークプロセスの終点に特徴的なシグナチャを決定することができ、その時点でプロセスを終わりにすることができる。露光後ベークプロセス中にレジストの少なくとも1つの特性の変動を監視することはまた、ウェハ上の複数の位置でレジストの少なくとも1つの特性を測定することによって向上させることができる。測定装置は、露光後ベークプロセス中に、フィールド内の複数の位置で、またウェハ上の少なくとも2つのフィールド内の複数の位置で、レジストの特性を測定するように構成することができる。このような形で、プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを、ウェハ全体にわたって様々な位置で決定することができる。したがって、露光後ベークモジュールのパラメータは、上述のようにウェハ上のフィールドからフィールドにかけて独立して変更することができる。たとえば、露光後ベークプロセスモジュールのベークプレートの温度は、フィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたるレジストの少なくとも1つの測定特性の変動に応答して、露光後ベークプロセス中にベークプレート全体にわたって変わる可能性がある。したがって、クリティカルなパラメータのウェハ内変動を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる。図2に示すように、露光後ベークプレートの温度は、1次加熱要素50内に配置されたいくつかの離散的な2次加熱要素48を使用することによって、ベークプレート全体にわたって変えることができる。2次加熱要素48および1次加熱要素50は、抵抗性加熱要素、または当技術分野で周知の任意の他の熱源を含むことができる。2次加熱要素48は、たとえば、2次加熱要素のそれぞれに供給される電流を変えて、1次加熱要素50の温度プロフィルを変更することによって、独立して制御することができる。したがって、露光後ベークプロセス中のウェハ全体にわたる温度プロフィルを変更し、それにより、ウェハ上の個々のフィールドを実質的に同じ温度で、または個々に決定された温度で加熱できるようにすることができる。このような形で、ウェハ全体にわたってリソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準の均一性を高めることができる。再度図1を参照すると、ステップ34に示すように、露光後ベークプロセスの後でウェハを冷却する。冷却の後で、ウェハを測定装置に移動させることができる。別法として、たとえば、測定装置が冷却モジュールに結合されている場合は、測定中にウェハを冷却モジュール内に残すことができる。測定装置は、本明細書で述べる任意の測定装置として構成することができる。測定装置は、レジストの少なくとも1つの特性を測定することができる。さらに、測定装置は、レジストのいくつかの特性を実質的に同時に測定することができる。冷却プロセス中の後で測定されるレジストの特性は、それだけには限らないが、厚さ、潜像の線幅、潜像の高さ、屈折率、または消光係数を含むことができる。レジストの測定された特性は、フィードバック制御技法またはフィードフォワード制御技法を使用してリソグラフィクラスタツールのプロセスモジュールのパラメータを変更するために使用することができる。たとえば、レジストの測定された特性は、フィードバック制御技法を使用して露光線量または露光後ベーク温度を変更するために、またはフィードフォワード制御技法を使用して現像時間を変更するために使用することができる。測定装置は、冷却プロセスの後で、またはその間に、フィールド内の複数の位置で、またウェハ上の少なくとも2つのフィールド内の複数の位置で、レジストの特性を測定するように構成することができる。このような形で、リソグラフィクラスタツールのプロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを、ウェハ全体にわたって様々な位置で決定することができる。したがって、露光プロセスモジュール、露光後ベークプロセスモジュール、または現像プロセスモジュールのパラメータは、上述のようにウェハ上のフィールドからフィールドにかけて独立して変更することができる。たとえば、露光後ベークプロセスモジュールのベークプレートの温度は、フィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたるレジストの少なくとも1つの測定特性の変動に応答して、ベークプレート全体にわたって変わる可能性がある。したがって、上述のように、クリティカルなパラメータのウェハ内変動を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる。ステップ36に示すように、露光後プロセスの後で、ウェハは現像プロセスステップを受けることができる。現像プロセスステップは、レジストの一部分を除去するように構成することができる。たとえば、現像プロセスは、露光後ベークプロセスの後でウェハ上に水性現像溶液をかけること、および脱イオン水でウェハをすすぐことを含むことができる。現像プロセス後に残るレジストが、元のレジスト層内に形成されたパターンを画定することができる。形成されたパターンは、ライン、トレンチ、および/またはビアの配列を含むことができる。現像プロセスの後で、ステップ38に示すように、測定装置、またはウェハ内クリティカル寸法測定装置を使用して、それだけには限らないが、残りのレジストの厚さ、屈折率、または消光係数、フィーチャの幅、高さ、または側壁プロフィル、あるいはオーバーレイなど、レジストの特性を測定することができる。測定された特性は、ステップ46に示すように制御装置コンピュータ、またはウェハ内クリティカル測定基準制御装置に送ることができる。リソグラフィプロセス内で必要とされるプロセスモジュールのパラメータは、フィードバック制御技法を使用して、測定された特性に応答して変更することができる。たとえば、プロセスモジュールの変更されたパラメータは、レジストの測定された特性の関数とすることができる。フィードバック制御技法は、たとえば、現像プロセスの後でレジスト内に形成されたフィーチャの線幅を測定すること、および露光プロセスモジュールまたは露光後ベークプロセスモジュールのパラメータを変更することを含むことができ、これを使用して追加のウェハを作製することができる。さらに、レジスト内に形成されたフィーチャの線幅は、現像プロセスステップの後でウェハ全体にわたって様々な位置で測定することができる。このような形で、露光プロセスモジュールのパラメータは、各フィールドで露光線量や露光合焦条件など露光プロセスステップのパラメータを変更することにより、レジストの測定された特性に応答して、フィールドレベルで変更することができる。したがって、制御装置コンピュータは、レジストの測定された特性に応答して、露光線量および/または露光合焦条件の2次元アレイを露光プロセスモジュールに提供することができる。したがって、リソグラフィプロセスのウェハ内クリティカル測定基準を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる。ステップ40に示すように、レジストの特性を測定した後で、ハードベークまたは現像後ベークプロセスを実行することができる。ハードベークプロセスを使用して、汚染物質、およびどんな余分な水分でもレジストから取り除くことができる。したがって、ハードベークプロセスは、約90°Cから約130°Cの温度でウェハを加熱することを含む。ステップ42に示すように、次いでウェハの温度を、ウェハ冷却プロセスを使用することによって下げることができる。ステップ42のウェハ冷却プロセスの後で、ステップ44に示すように、レジストの少なくとも1つの特性の追加測定を本明細書で述べるように実行することができる。測定装置は、上記実施形態のいずれかに述べたように構成することができる。この測定はまた、本明細書で述べるフィードバック制御技法を使用してプロセスモジュールのパラメータを変更するために使用することができる。たとえば、レジストの少なくとも1つの測定された特性は、ステップ48に示すように制御装置コンピュータ、またはウェハ内クリティカル寸法制御装置に送ることができる。上述した測定はすべて、フィードバック、フィードフォワード、またはinsituプロセス制御技法を使用して、リソグラフィプロセスモジュールのパラメータを変更するために使用することができることを理解されたい。さらに、リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動は、上記技法の組合せを使用することによってさらに低減することができる。本方法はまた、ウェハ上に反射防止コーティングを形成した後で、反射防止コーティングの少なくとも1つの特性を測定することなど、リソグラフィプロセスの追加のポイントでの測定を含むことができる。反射防止コーティングの特性は、本明細書で述べるフィードバック制御技法、フィードフォワード制御技法、またはinsitu制御技法を使用してプロセスモジュールのパラメータを変更するために使用することができる。追加の一実施形態では、リソグラフィプロセスを評価し、かつ制御するように構成されたシステムが、少なくとも1つの測定装置、および少なくとも1つのプロセスモジュールを含むことができる。本システムは、リソグラフィ工程の少なくとも1つのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減し、さらに最小限に抑えるように構成することができる。リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準には、それだけには限らないが、上述のようにリソグラフィプロセスによって形成されたフィーチャのクリティカル寸法、およびオーバーレイを含む。測定装置は、リソグラフィプロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの特性を測定するように構成することができる。図1に示すように、たとえば、測定装置は、ウェハ内被膜測定装置22、ウェハ内クリティカル寸法制御装置32、ウェハ内クリティカル寸法測定装置38、および/またはウェハ内クリティカル寸法測定装置44を含むことができる。そのような測定装置は、本明細書で述べるように構成することができる。さらに、本システムは、本明細書で述べるように追加の測定装置を含むことができる。測定装置は、上述したどんなプロセスステップ中でも、または上述したどんなプロセスステップの後でもレジストの特性を測定するように構成することができる。したがって、一実施形態では、測定装置を少なくとも1つのプロセスモジュールに結合し、それにより、測定装置がレジストのinsitu測定を実行できるようにすることができる。別法では、測定装置をリソグラフィクラスタツール内に配置し、それにより、測定装置が2つのプロセスステップ中でレジストの測定を実行できるようにすることができる。このような形で、本明細書で述べる方法は、従来のリソグラフィプロセス制御方法よりターンアラウンド時間を速くすることができる。本明細書で述べるように、少なくともその1つの測定された特性は、厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、フィーチャの側壁プロフィル、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。少なくともその1つの測定装置はまた、ウェハ全体にわたって様々な場所でレジストの少なくともその1つの特性を測定するように構成することができる。たとえば、レジストの厚さは、ウェハ全体にわたって様々な位置またはフィールドで測定することができる。さらに、レジストの特性は、ウェハのフィールド内の様々な位置で、またはウェハのいくつかのフィールド内の様々な位置で測定することができる。プロセスモジュールは、リソグラフィプロセスのステップを実行するように構成することができる。図1に示すように、たとえば、そのようなプロセスモジュールは、それだけには限らないが、表面準備チャンバ12、レジスト塗布プロセスモジュール16、塗布後ベークプロセスモジュール18、露光プロセスモジュール26、露光後ベークプロセスモジュール30、現像プロセスモジュール36、ハードベークプロセスモジュール40を含むことができる。プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータは、少なくともその1つの測定された特性に応答して変更し、リソグラフィプロセスのウェハ内クリティカル測定基準を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができるようにすることができる。たとえば、プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータは、フィードバック制御技法、フィードフォワード制御技法、insitu制御技法、またはそれらの任意の組合せを使用して変更することができる。さらに、プロセスモジュールの少なくともその1つのパラメータは、ウェハの第1の部分を、リソグラフィプロセスのステップ中に第1の1組のプロセス条件で加工することができるように、かつウェハの第2の部分を、そのステップ中に第2の1組のプロセス条件で加工することができるように変更することができる。たとえば、ウェハの各部分はウェハのフィールドとすることができる。このような形で、ウェハの各フィールドは、それだけには限らないが、露光線量および合焦条件および露光後ベーク温度など、様々なプロセス条件を受けることができる。したがって、ウェハの各フィールドが、ウェハ上に形成されたレジストの測定された特性に応じて変わる可能性のあるプロセス条件を受けることができるため、リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を実質的に低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる。本システムはまた、少なくとも1つの測定装置に、また少なくとも1つのプロセスモジュールに結合された制御装置コンピュータを含む。図1に示すように、たとえば、制御装置コンピュータは、ウェハ内被膜制御装置24内、およびウェハ内クリティカル寸法測定装置48を含むことができる。制御装置コンピュータは、当技術分野で周知のどんな制御装置デバイスでも含むことができる。制御装置コンピュータは、測定装置からレジストの少なくとも1つの測定された特性を受け取るように構成することができる。さらに、制御装置コンピュータは、レジストの測定された特性に応答して、プロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを決定するように構成することができる。たとえば、制御装置コンピュータは、外部で決定された、または数値シミュレーションされた、特性とパラメータ間の関係を使用して、特性に応答してパラメータを決定するように構成することができる。制御装置コンピュータはさらに、決定されたパラメータに応答してパラメータを変更することができるようにプロセスモジュールを制御するように構成することができる。したがって、プロセスステップの変更されたパラメータは、レジストの少なくとも1つの測定された特性の関数となる可能性がある。制御装置コンピュータはまた、測定装置を制御してレジストの物理特性を測定するように構成することができる。追加の一実施形態では、本システムは、レジストの少なくとも1つの特性の変動を監視するように構成することができる。たとえば、測定装置は、リソグラフィプロセスのステップ中に、実質的に連続して、または所定の時間間隔でレジストの特性を測定するように構成することができる。したがって、システムに結合された制御装置コンピュータは、測定装置から測定された特性を受け取ることができ、リソグラフィプロセスのプロセスステップの持続時間にわたって特性の変動を監視することができる。リソグラフィプロセスのステップ中にレジストの少なくとも1つの特性の変動を分析することにより、制御装置コンピュータはまた、露光後ベークプロセスなどプロセスステップを表すシグナチャを生成することができる。シグナチャは、露光後ベークプロセスの終点に特徴的とすることができる少なくとも1つの特異性を含むことができる。プロセスステップのための適切な終点は、露光後ベークプロセス中に形成されたレジスト内の潜像の線幅または厚さとすることができる。潜像の線幅または厚さは、リソグラフィプロセスによって作製される半導体デバイスのフィーチャに応じてより大きく、またはより小さくすることができる。制御装置コンピュータがシグナチャの特異性を検出した後、制御装置コンピュータは、露光後ベークプロセスモジュールに結合されている機器のパラメータのレベルを変えることによって露光後ベークプロセスを止めることができる。一実施形態では、半導体デバイスを作製するための方法が、パターンをレチクルからレジストに転写することができるリソグラフィプロセスを含むことができる。たとえば、レジストの一部分をリソグラフィプロセスを使用して除去し、それにより、ウェハまたは下にある層の領域を、イオン注入プロセスなど後続のプロセスにさらすことができるようにすることができる。所定の領域は、たとえばソース/ドレイン接合など、半導体デバイスのフィーチャを形成するウェハまたは下にある層の領域とすることができる。半導体デバイスを作製することはまた、リソグラフィプロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの測定された特性を測定することによって、リソグラフィプロセスを評価し、かつ制御することを含むことができる。さらに、レジストの少なくとも1つの特性を測定することは、リソグラフィプロセス中にレジストの少なくとも1つの特性のウェハ内変動を測定することを含むことができる。レジストの物理特性は、リソグラフィプロセスのプロセスステップによって変更することができる。半導体デバイスを作製するための方法はまた、リソグラフィプロセスのステップを実行するように構成することができるプロセスモジュールの少なくとも1つのパラメータを決定し、かつ/または変更することを含むことができる。変更されたパラメータは、レジストの少なくとも1つの測定された特性に応答して決定し、リソグラフィプロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減することができる。たとえば、変更されたパラメータは、レジストの物理特性と、リソグラフィプロセスのプロセスステップのパラメータとの間の関係を説明する関数を使用して決定することができる。変更されたパラメータはまた、ウェハのフィールド内またはいくつかのフィールド内の様々な位置で独立して決定することができる。このような形で、本方法によって作製される半導体デバイスはより高い性能ビン分布を有することができ、それにより、歩留まりだけでなく高マージンの製品歩留まりをも改善する。さらに、半導体デバイスを作製するための方法は、ウェハを加工して、ウェハ上に少なくとも1つの半導体デバイスの少なくとも一部分を形成することを含むことができる。たとえば、ウェハを加工することは、エッチング、イオン注入、堆積、化学的機械的研磨、めっき、および/または当技術分野で周知の任意の他の半導体作製プロセスなど、少なくとも1つの半導体作製プロセスを含むことができる。1組のデータを収集し、かつ分析することができ、それを使用して、ウェハ上に形成されたレジストの測定された特性に応答してプロセスモジュールのパラメータを決定することができる。本明細書で述べるプロセス制御方法はまた、リソグラフィプロセスを用いて形成することができる半導体デバイスの電気測定と共に、本明細書で述べる光学測定を使用することによって、リソグラフィプロセスをさらに最適化するために使用することができる。光学測定と電気測定の組合せは、リソグラフィプロセスについて多数の特性データを提供することができる。このような形で、特性データを使用して、リソグラフィの機構を理解し、欠陥の原因を正確に示し、様々なプロセスモジュールのパラメータ、またはプロセス条件に正確な調整を加えることができる。さらに、そのようなプロセス制御戦略は、新しいリソグラフィツールを適したものとし、またはその性能を特徴付けるために使用することができる。プロセス制御方法はまた、いくつかの同様なリソグラフィツールの性能を比較するために使用することができる。そのような比較は、たとえば、いくつかのツールを平行して使用して1つのデバイスまたは製品を製造することができる製造環境内で使用することができる。さらに、このプロセス制御戦略は、リソグラフィプロセスを定義する開発段階において適切なレジストおよび厚さを決定するために使用することができる。一実施形態では、変更することができるプロセスモジュールのパラメータとレジストの特性との間で定量関係を創出することができる。たとえば、プロセスモジュールのパラメータの変形を使用していくつかのウェハを加工することができる。プロセスモジュールおよび追加のプロセスモジュールの他のパラメータはすべて一定のままとすることができ、変更されたパラメータとレジストの特性との間の相互関係を創出することができる。このような形で、プロセスモジュールについてのプロセスパラメータのそれぞれとレジストの測定された特性との間の定量関係を説明するアルゴリズムを決定することができる。創出されたアルゴリズムは、製品ウェハの加工中に使用して、プロセスおよびプロセスモジュールについて設計公差内でプロセスが動作しているかどうか判定することができる。さらに、アルゴリズムを創出し、かつ使用して、現行のプロセスをさらに最適化し、新しいプロセスモジュールを特徴付け、または次世代デバイスを作製するためのプロセスを開発することができる。さらに、このアルゴリズムは、測定装置またはプロセスモジュール用の制御装置内に一体化することができる。制御装置は、スキャタロメータ、干渉計、反射率計、分光エリプソメータ、または分光反射率計など、測定装置の動作を制御するためのソフトウェアを動作させるように構成されたコンピュータシステムとすることができる。コンピュータシステムは、デバイスを動作させ、収集されたデータに関する計算を実行するためのコンピュータプログラムを格納したメモリ媒体を含むことができる。メモリ媒体という用語は、たとえばクリティカル寸法-ROMまたはフロッピディスクなど取付け媒体、DRAM、SRAM、EDORAM、RambusRAMなどコンピュータシステムメモリ、または、たとえばハードドライブもしくは光学記憶装置などの磁気媒体など不揮発性メモリを含むものとする。メモリ媒体は、他のタイプのメモリも同様に、またはそれらの組合せを含むことができる。さらに、メモリ媒体は、プログラムが実行される第1のコンピュータ内に位置することができ、またはネットワークを介して第1のコンピュータに接続する第2の異なるコンピュータ内に位置することができる。後者の場合には、第2のコンピュータが、実行するために第1のコンピュータにプログラム命令を提供する。コンピュータシステムはまた、パーソナルコンピュータシステム、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワーク機器、インターネット機器、パーソナルデジタルアシスタントPDA、テレビジョンシステム、または他のデバイスを含む様々な形態をとることができる。一般に、コンピュータシステムという用語は、メモリ媒体から命令を実行するプロセッサを有するどんなデバイスでも包含すると広く定義することができる。メモリ媒体は、測定装置および/またはプロセスモジュールのオペレーション用ソフトウェアプログラムも記憶することが好ましい。ソフトウェアプログラムは、とりわけ手続きベースの技法、コンポーネントベースの技法、および/またはオブジェクト指向型技法を含む様々な方法のいずれかで実施することができる。たとえば、ソフトウェアプログラムは、望むならActiveXコントロール、Cオブジェクト、JavaBeans、MicrosoftFoundationClassesMFC、または他の技法もしくは方法を使用して実施することができる。メモリ媒体からのコードおよびデータを実行するホストCPUなどCPUは、上述した方法によるソフトウェアプログラムを作成し、かつ実行するための手段を含む。様々な実施形態は、前述の説明に従って実施された命令および/またはデータをキャリヤ媒体上で受け取ること、または記憶することをさらに含む。適切なキャリヤ媒体は、たとえばディスクまたはクリティカル寸法-ROMなどの磁気媒体または光学媒体などメモリ媒体または記憶媒体、ならびにネットワークおよび/または無線リンクなど通信媒体を介して搬送される電気信号、電磁信号、またはデジタル信号など信号を含む。次いで、測定装置用ソフトウェアを使用して、後続のリソグラフィプロセスの加工条件を監視し、かつ予測することができる。リソグラフィプロセスのプロセスステップのために事前定義されたアルゴリズムを、測定装置とインターフェースするソフトウェアパッケージ内に組み込むことができることが好ましい。このような形で、ソフトウェアは、測定装置によって測定することができるデータを受け取るように構成することができる。ソフトウェアはまた、適切な計算を実行して、データをレジストの特性に変換するように構成することができる。さらに、ソフトウェアはまた、製品ウェハ上に形成されたレジストの特性を、リソグラフィプロセスのための基準ウェハ上に形成されたレジストの特性に比較するように構成することができる。このような形で、ソフトウェアは、特性の変動を、プロセス条件内で生じることのできる変動に変換するように構成することができる。さらに、適切なアルゴリズムを組み込むことにより、ソフトウェアはまた、レジストの特性を、露光ステップの特徴または露光後ベークステップの特徴を含むリソグラフィプロセスのプロセス条件に関して意味をもったデータに変換するように構成することができる。上述したフィールドレベル分析を使用してリソグラフィプロセスを評価し、かつ制御するための方法は、現行のプロセス制御方法に優る劇的な改善を実現することができる。クリティカルな測定基準、またはクリティカル寸法のウェハ内変動を測定することにより、クリティカル寸法分布のより厳重な制御を実現することができる。したがって、製造歩留まりを改善することに加えて、上述した方法はまた、製造されたデバイスの分布性能をより高い性能レベルに、製造プロセスによって近づけることを可能にすることができる。したがって、リソグラフィプロセスを評価し、かつ制御するためのそのような方法を使用することによって、高マージンの製品歩留まりを改善することもできる。さらに、リソグラフィプロセスの追加の変動もまた最小限に抑えることができる。たとえば、プロセスが2つの異なる露光後ベークユニットを使用して、1ロットのウェハを加工することができる。2つのベークユニットを使用して同じプロセスを実行し、全体の加工時間を減らすために2枚のウェハを同時に処理できるようにすることができる。したがって、上記の方法を使用して、各ベークユニットを別々に評価し、かつ制御することができる。したがって、全体のプロセスの広がりを減少させることもできる。本発明に従って集められたデータは、どんな適切な手段によってでも分析し、編成し、かつ表示することができる。たとえば、データは、半径の連続関数、半径範囲によるビン、ステッパ領域によるビン、xy位置またはグリッドなどxy位置の範囲による、最も近いダイによる、および/または他の適切な方法としてウェハ全体にわたってグループ化することができよう。データの変動は、平均値からの標準偏差、値の範囲、および/または任意の他の適切な統計方法によってレポートすることができる。ウェハ内変動の程度範囲、標準偏差などは、ウェハ、ロットおよび/またはプロセス条件に応じて分析することができる。たとえば、測定されたクリティカル寸法のウェハ内標準偏差は、ロット間、ウェハ間などの変動について分析することができる。ウェハ内変動の程度はまた、現像時間、フォトリソグラフィの露光条件、レジスト厚、露光後ベーク時間および/または温度、露光前ベーク時間および/または温度など、1つまたは複数のプロセス条件の変動に応じてグループ化し、レポートし、かつ/または分析することができる。ウェハ内変動の程度はまた、あるいはそれに代えて、そのような加工条件の1つまたは複数のウェハ内変動に応じてグループ化し、レポートし、かつ/または分析することができる。本発明に従って集められたデータは、プロセス条件をよりよく制御するためだけでなく、望ましい場合には、insitu終点検出および/またはプロセス制御技法においてよりよく制御するために使用することができる。たとえば、本発明に従って集められたデータは、米国特許第5,689,614号および/または公開欧州特許出願EP1066925A2これらを参照により本明細書に全体が述べられているかの如く組み込むに述べられているものなど装置と共に使用し、基板の局所加熱に対する制御、または閉ループ制御アルゴリズムを改善することができる。ウェハ内変動データをそのようなツールにフィードフォワードまたはフィードバックして、局所ウェハの加熱または研磨を制御する際に使用されるアルゴリズムを最適化し、またはさらにツール設計を最適化することができよう。そのような局所プロセス制御の他の例では、ウェハ内変動データを使用して、公開PCT特許出願WO99/41434、またはWO99/25004および/または公開欧州特許出願1065567A2これらを参照により本明細書に全体が述べられているかの如く組み込むの1つまたは複数に述べられているものなどプロセスまたはツールを制御し、または最適化することができよう。この場合も、たとえばスタンドアロンおよび/または一体化された測定ツールから得たウェハ内変動データを使用して、そのようなツールまたはプロセス内で、アルゴリズム、プロセスパラメータ、および一体化されたプロセス制御装置および方法をよりよく制御し、かつ/または最適化することができよう。金属の厚さとそのウェハ内変動に関するデータは、米国特許第5,619,548号および/または公開PCT出願WO01/09566これらを参照により本明細書に全体が述べられているかの如く組み込むに開示されているものなどX線反射率ツールから、うず電流測定により、または電子線誘導X線分析により、または任意の他の適切な方法により導出することができよう。この説明に鑑みて、当業者には、本発明の様々な形態の他の修正および代替実施形態が明らかであろう。たとえば、リソグラフィプロセス制御のための方法およびシステムが提供される。したがって、この説明は、例示として解釈するにすぎないものとし、本発明を実施する一般的な形を当業者に教示するためのものである。本明細書に示され、また述べられている本発明の形態は、現在の好ましい実施形態と解釈するべきであることを理解されたい。本明細書に示され、また述べられているものの代わりに要素および材料を使用することができ、各部およびプロセスは逆転させることができ、本発明の一定の特徴は独立して使用することができ、すべてこの本発明の説明の恩恵を得た後で当業者には明らかになろう。以下の特許請求の範囲に述べた本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本明細書で述べた要素に変更を加えることが可能である。"