被加工物である多角柱状部材を把持する把持手段と、前記被加工物の断面寸法の計測、前記把持手段の被加工物を把持する位置の芯出しをするための中心位置の計測、および研削手段と研磨手段の切込み量がゼロの位置である基点の位置の計測をする計測手段と、前記加工物の平面部および角部をその断面寸法および断面形状が公差内となるように研削加工する研削手段と、前記研削加工を終了した被加工物の平面部および角部を研磨加工しその表層に存在するマイクロクラックを除去する研磨手段と、前記把持手段に把持された被加工物の平面部および角部を計測、研削、研磨をするために前記被加工物を把持した把持手段を前記計測手段、研削手段、研磨手段に移送させる移送手段と、加工開始前に入力された初期設定項目および前記計測手段の計測信号を基に演算処理し前記各手段に作動信号を出力する制御手段と、を備えたことを特徴とする多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記研削手段を、砥粒を溶融固定して形成された砥粒部の表面が前記被加工物の加工面に接触して回転するようにした回転盤Aと該回転盤Aに回転駆動源の回転を伝達する回転軸Aとから成る砥石とし、前記研磨手段を、砥粒を溶融固定したブラシ毛材の毛先部が被加工物の加工面に接触して回転するように植設された回転盤Bと該回転盤Bに回転駆動源の回転を伝達する回転軸Bとから成る研磨ブラシとすることを特徴とする請求項1記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記研削手段の砥石を、その砥粒部に溶融固定される砥粒の粒度を1種類または2種類以上とし、前記研磨手段の研磨ブラシを、そのブラシ毛材に溶融固定される砥粒の粒度を2種類以上としたことを特徴とする請求項2記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記研磨手段の研磨ブラシを、そのブラシ毛材に溶融固定される砥粒の粒度を2種類以上とし、該砥粒の粒度が粗いブラシ毛材を回転盤Bの回転中心に近い内輪部に植設するとともに、前記砥粒の粒度が細かいブラシ毛材を回転盤Bの回転中心より遠い外輪部に植設するようにしたことを特徴とする請求項2記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記研削手段を砥粒の粒度がF90~F220JISR6001:1998および240~500JISR6001:1998からなる砥石とし、前記研磨手段は、砥粒の粒度が240~500JISR6001:1998からなる粗研磨用の研磨ブラシと、砥粒の粒度が800~1200JISR6001:1998からなる精研磨用の研磨ブラシを備えたことを特徴とする請求項3または請求項4記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記計測手段が、基準ブロックと、計測具Aと、計測具Bとからなり、該基準ブロックは、両側に形成され、既知の間隔を有する基準面を備え、基準ブロックの柱軸方向が加工する被加工物の柱軸方向に平行になるように把持手段のクランプ軸の一方に一体形的に設けられており、計測具Aは、該基準ブロックの対向する基準面の位置、および被加工物の平面部の位置または対向する角部の位置を該被加工物の柱軸方向と直交する両側方向から水平方向に計測することによって被加工物の外形寸法を計測し、計測具Bは、前記被加工物の上面側平面部または上面側角部の垂直方向の高さ位置を計測することを特徴とする請求項5記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記制御手段は、前記基準ブロックの両側の基準面に研削手段の先端および研磨手段の先端を夫々接触させて該研削手段の先端および研磨手段の先端の基点切込み量ゼロの位置を演算処理する機能と、前記計測具Aにより前記基準ブロックの両側の基準面と被加工物の両側の2平面部または2角部の位置を計測して被加工物の断面寸法を演算処理する機能と、前記被加工物を把持手段の基台に載置してその両側を押圧具により位置決めをした状態で前記計測具Aおよび計測具Bにより前記被加工物の側面位置を同時計測して被加工物の両端面を把持する前記クランプ軸の軸心位置を前記被加工物の柱軸と一致させる芯出しの演算処理をする機能と、加工開始前に入力した前記初期設定項目と前記計測手段が出力する計測信号により演算処理して前記研削研磨加工装置の各手段に作動信号を出力する機能、を備えたことを特徴とする請求項6記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記被加工物の断面が四角形であって、前記の研削研磨加工をする四角柱状の被加工物の断面寸法とその公差を一辺125mm±0.5mm呼称:5インチ、一辺156mm±0.5mm呼称:6インチ、一辺210mm±0.5mm呼称:8インチのいずれかとし、該四角柱状の被加工物の2平面部が互い交わる角部の直角度を断面形状の公差として90度±0.1度に設定したことを特徴とする請求項7記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記把持手段は、被加工物をその柱軸が水平となるように載置して垂直方向に上下動可能とした基台と、該基台を挟んだ両側に前記被加工物の柱軸と直交する方向に進退動させて被加工物の両側を押圧して前記基台の中心に被加工物の柱軸を位置決めをする押圧具と、軸芯を前記被加工物の柱軸と同じ方向に配置し、該被加工物の柱軸方向両端側に配置したクランプ軸であって、当該クランプ軸の一方を前進させて前記基台の中心に位置決めされた被加工物の両端面を把持するようにしたクランプ軸と、該クランプ軸をその軸芯を中心にして間欠回転または連続回転をするようにした回転機構と、を備えることを特徴とする請求項8記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。前記被加工物が四角柱状のシリコンブロックであることを特徴とする請求項1に記載の多角柱状部材の研削研磨加工装置。被加工物である多角柱状部材を把持する把持手段と、前記被加工物の断面寸法の計測、前記把持手段の被加工物を把持する位置の芯出し、ならびに研削手段と研磨手段の切込み量をゼロとした基点の位置を計測する際に使用する計測手段と、前記被加工物の平面部および角部を研削加工する研削手段と、前記被加工物の平面部および角部を研磨加工する研磨手段と、前記把持手段に把持された被加工物を前記計測手段、研削手段、研磨手段が配置された位置に移送させる移送手段と、加工開始前に入力された初期設定項目および前記計測手段によって計測された計測値を基に演算処理し前記各手段に作動信号を出力する制御手段と、を備えた多角柱状部材の研削研磨加工装置において、前記研削手段により前記被加工物を研削加工したのち、前記研磨手段により前記被加工物の研磨加工をするようにしたことを特徴とする多角柱状部材の研削研磨加工方法。前記被加工物の断面が四角形であって、前記研削手段に使用する砥石の砥粒の粒度をF90~F220JISR6001:1998および240~500JISR6001:1998とし、前記研磨手段の粗研磨用の研磨ブラシに使用する砥粒の粒度を240~500JISR6001:1998とし、前記研磨手段の精研磨用の研磨ブラシに使用する砥粒の粒度を800~1200JISR6001:1998とし、研削研磨加工をする四角柱状の被加工物の断面寸法とその公差を一辺125mm±0.5mm呼称:5インチ、一辺156mm±0.5mm呼称:6インチ、一辺210mm±0.5mm呼称:8インチのいずれかとし、該四角柱状の被加工物の2平面部が互い交わる角部の直角度を断面形状の公差として90度±0.1度にしたことを特徴とする請求項11記載の多角柱状部材の研削研磨加工方法。前記研削手段における削り代を20μm~700μmとし、研削手段において被加工物の表面粗さをRy2.0~10.0μmJISB0601:1994となるように研削加工したのち、研磨手段における削り代を75μm以上とし、研磨手段において被加工物の表面粗さをRy1.1μmJISB0601:1994以下となるように研磨加工することを特徴とする請求項11または請求項12記載の多角柱状部材の研削研磨加工方法。前記被加工物が四角柱状のシリコンブロックであることを特徴とする請求項11記載の多角柱状部材の研削研磨加工方法。前記被加工物が多結晶シリコンブロックであって、該多結晶シリコンブロックの加工工程を平面部の研削加工、角部の研削加工、平面部の研磨加工の順に行うようにしたことを特徴とする請求項13記載の多角柱状部材の研削研磨加工方法。前記被加工物が単結晶シリコンブロックであって、該単結晶シリコンブロックの加工工程を平面部の研削加工、角部の研削加工、角部の研磨加工、平面部の研磨加工の順に行うようにしたことを特徴とする請求項13記載の多角柱状部材の研削研磨加工方法。本発明に係る多角柱状部材の研削研磨装置の構成とその操作手順について四角柱状のシリコンブロックの加工を例に、図を用いて説明する。本発明のシリコンブロックの研削研磨装置は、図1に示すように、四角柱状のシリコンブロックWを把持する把持手段1と、前記シリコンブロックWの断面寸法の計測、前記把持手段1のシリコンブロックWを把持する位置の芯出し、ならびに研削手段3と研磨手段4の切込み量をゼロとする基点の位置を算出するために必要な計測手段2と、前記シリコンブロックWの平面部Fおよび角部Cを研削加工し、一辺125mm呼称:5インチ、一辺156mm呼称:6インチ、一辺210mm呼称:8インチのいずれかの断面寸法に研削する研削手段3と、前記研削加工を終了したシリコンブロックWの平面部Fおよび角部Cを研磨加工しその表層に存在するマイクロクラックを除去する研磨手段4と、前記把持手段1に把持されたシリコンブロックWの平面部Fおよび角部Cを計測、研削、研磨をするために前記シリコンブロックWを把持した把持手段1を前記計測手段2、研削手段3、研磨手段4が配置された位置に移送させる移送手段5と、加工開始前に入力された初期設定項目および前記計測手段2の計測信号を基に演算処理して前記各手段に作動信号を出力する制御手段6とから構成されている。加工開始前に、基準ブロック15の両側に形成された基準面の間隔寸法既知と、加工するシリコンブロックWの種類多結晶または単結晶と、該シリコンブロックWの研削研磨加工後の断面寸法ならびにその公差と、単結晶シリコンブロックWの角部Cを加工する時の回転機構14の回転速度と、研削手段3ならびに研磨手段4の外形寸法、砥粒の粒度、回転速度と、移送手段5による研削研磨加工中のシリコンブロックWの移送速度、とから成る前記初期設定項目を制御手段6に入力する。前記制御手段6に入力する研削研磨加工中のシリコンブロックWの移送速度は、研削加工または研磨加工痕が残らない範囲に設定する必要があって、多結晶シリコンブロックWの平面部Fと角部C、ならびに単結晶シリコンブロックWの平面部Fを加工するときは10~40mm/秒に設定し、単結晶シリコンブロックWの角部Cを加工するときは10mm/秒以下に設定する。適切な移送速度を設定するためには、研削研磨加工の砥粒の粒度、切込み量、回転速度の設定条件を考慮する必要があり、例えば、砥粒の粒度が粗ければ移送速度を前記範囲の遅い領域に設定し、砥粒の粒度が細かければ移送速度を前記範囲の速い領域に設定する必要がある。前記制御手段6に設けた加工開始スイッチをONすることにより、加工するシリコンブロックWが搬入用コンベアイより図示しない移載装置を介して図2に示す把持手段1の基台11上に設置される。その後、該シリコンブロックWの両側より図1および図3に示す押圧具12が夫々前進し、クランプ軸線13と両側に配置された研削手段3と研磨手段4の中央図1に記載したY方向の中央を結ぶ線上に位置決めさ。この状態においてクランプ軸13の一方がX方向であって、シリコンブロックW側に向かって前進し、該クランプ軸13によってシリコンブロックWが把持される。前記把持手段1が、移送手段5により研削手段3と研磨手段4が配置された位置に移送して、該把持手段1に載置された基準ブロック15の両側の基準面に研削手段3の砥粒部32の先端を接触させると共に、研磨手段4の粗研磨用および精研磨用のブラシ毛材42の先端を各々接触させる。これによって、該研削手段3の砥粒部32と、研磨手段4の粗研磨用および精研磨用のブラシ毛材42の切込み量をゼロとする基点の位置が制御手段6に記憶される。切り込み量とは、シリコンブロックWの表面被加工面をゼロ基点とし、研削手段3の砥粒部32および研磨手段4のブラシ毛材42先端の、該基点から柱軸方向への移動量を示す。すなわち、研削手段3および研磨手段4による切り込み量によってシリコンブロックWの削り代が決定される。以上、シリコンブロックWの種類が多結晶、単結晶に共通する操作手順であり、以下に多結晶シリコンブロックWを研削研磨加工する場合の操作手順について説明する。次に、前記把持手段1が計測手段2が配置された位置に移送され、図4に示すように、多結晶シリコンブロックWの両側の互い対向する1対の平面部Fを計測具A21により計測し、1対の平面部FのY方向の位置が制御手段6に記憶され、該多結晶シリコンブロックWのY方向の厚さ寸法が演算される。その厚さ実寸法と、前もって入力設定された研削研磨加工後の断面寸法に基づき、図5および図6に示す回転盤A31に砥粒部32が形成された砥石から成る研削手段3の切込み量が自動設定される。前記把持手段1が移送手段5により研削手段3が配置された位置に移送されて、1対の平面部Fが研削手段3により研削加工される。研削加工後、計測具A21によって断面寸法が前記加工寸法の公差内であることを確認した後、回転機構14により把持手段1のクランプ軸13を90度間欠回転し、前記1対の平面部Fの研削加工と同様に残りの1対の平面部Fが研削加工され、4平面部Fの研削加工を終了する。次に、前記把持手段1が再び計測手段2が配置された位置に移送され、回転機構14によりクランプ軸13が45度、間欠回転することにより、該クランプ軸13に把持されている多結晶シリコンブロックWの互い対向する1対の角部Cが水平方向に向き合うようになる。この状態で、計測具A21により1対の角部Cの両面位置を計測し、1対の角部Cの間隔実寸法が演算されるとともに、研削手段3の切込み量が自動設定される。前記把持手段1が移送手段5により再び研削手段3が配置された位置に移送され、1対の角部Cが研削加工され、計測具A21によって断面寸法が前記加工寸法の公差内であることを確認する。その後、回転機構14により把持手段1のクランプ軸13を90度間欠回転させて、前記1対の角部Cの研削加工と同様に残りの1対の角部Cを研削加工して、該多結晶シリコンブロックWの断面寸法を前記加工寸法の公差内に研削加工するようになっている。研削加工を終了した多結晶シリコンブロックWは、次に示す操作手順に従って、研磨手段4による研磨加工が行われる。この研磨加工によって、4平面部Fの表層のマイクロクラックを除去するとともに、断面寸法が前記加工寸法の公差内になるように加工される。該研磨手段4には、砥粒の粒度が異なる粗研磨加工用ブラシ毛材42と精研磨加工用ブラシ毛材42から成る研磨ブラシが使用される。このブラシ毛材42を図7および図8に示す。ここで、研磨加工する平面部Fの断面寸法の計測方法と、粗研磨加工用および精研磨加工用の研磨ブラシの切込み量の設定方法と、粗研磨加工および精研磨加工の研磨加工の操作手順は、前記研削加工の操作手順と同様である。なお、多結晶シリコンブロックWの研磨加工においては、前述したように、4平面部Fのみの研磨加工で終了し、角部Cの研磨加工は行われない。研削加工と研磨加工を終了した該多結晶シリコンブロックWは、移送手段5により把持手段1と共に、元の位置に戻され、クランプ軸13と押圧具12による把持状態が解除され。その後、図示しない移載装置により、加工済の多結晶シリコンブロックWは図1に示す搬出用コンベアロに移載され搬出されることとなる。以上、多結晶シリコンブロックWの研削研磨加工の操作手順を説明した。次に、単結晶シリコンブロックWの場合の研削研磨加工の操作手順について説明する。前記段落0058に記載の制御手段6の加工開始スイッチをONさせれば、研削研磨加工する単結晶シリコンブロックWが、把持手段1の基台11上に設置され、その両側を押圧具12により把持されるとともにクランプ軸13により両端面が把持されることとなる。該単結晶シリコンブロックWは、角部Cの形状がシリコンインゴットの一部を残して形成された円弧状であるから、角部Cの研削研磨加工時には、該単結晶シリコンブロックWを連続回転させなければならない。従って、単結晶シリコンブロックWを把持するクランプ軸13の軸芯がシリコンブロックWの柱軸と一致するように位置決め芯出しする必要がある。計測手段2は、図4に示すようにY方向の計測具A21とZ方向の計測具B22の双方により、単結晶シリコンブロックWの各側面の位置を計測することができるようになっている。そして、その計測結果により単結晶シリコンブロックWの芯出しをすることができ、クランプ軸13の軸芯とシリコンブロックWの柱軸とが一致するようにして、前記クランプ軸13はシリコンブロックWを把持するようになっている。次に、前記把持手段1が計測手段2が配置された位置に移送され、計測具A21により図4に示すように、単結晶シリコンブロックWの両側の互い対向する1対の平面部FのY方向の厚さ寸法が演算される。研削手段3の切込み量が自動設定された後、1対の平面部Fが研削加工される。その後、加工する単結晶シリコンブロックWを把持した前記把持手段1は、残りの1対の平面部Fを計測すると共に、計測手段2と研削手段3が配置された位置の間を単結晶シリコンブロックWは往復動して前記1対の平面部Fと同様に残りの1対の平面部Fも研削加工され、4平面部Fの研削加工を終了する。この間の加工順序は、前記多結晶のシリコンブロックWと同様である。次に、前記把持手段1が再び計測手段2が配置された位置に移送され、回転機構14によりクランプ軸13が45度の間欠回転をして、単結晶シリコンブロックWの互い対向する一対の角部Cが水平方向に向き合うように配置される。そして、該角部Cの両側を計測具A21により計測し、1対の角部C間の間隔寸法を演算することによって、研削手段3の切込み量が自動設定される。前記把持手段1が移送手段5により再び研削手段3が配置された位置に移送された後、前もって入力設定された回転機構14の回転速度によりクランプ軸13が連続回転されて、単結晶シリコンブロックWの角部Cの研削加工が開始される。角部Cの研削加工が終了したら、同様に、前もって入力設定された回転機構14の回転速度により把持手段1のクランプ軸13が連続回転されて、4角部Cの粗研磨加工と精研磨加工が順次行われる。該角部Cの研磨加工を終了したら、前記回転機構14によりクランプ軸13を回転し、研磨加工する単結晶シリコンブロックWの互い対向する1対の平面部Fが水平方向に対向するように配置され、研磨加工が行われる。その後、回転機構14によりクランプ軸13を90度回転することにより、残りの1対の平面部Fが同様に研磨加工されて、全ての研磨工程が終了する。全ての研削研磨加工が終了した前記単結晶シリコンブロックWを載置した把持手段1は元の位置に戻り、クランプ軸13と押圧具12の把持状態を解除した後、把持手段1の基台11上より、単結晶シリコンブロックWは図示しない移載装置を介して図1に示す搬出用コンベアロに移載され搬出される。次に、本発明にかかる装置および方法により、研削研磨加工を行ったシリコンブロックWをワイヤソーでスライス加工してシリコンウエハを形成したときに、該シリコンウエハの割れ欠け等による不良品の発生率を低減することができた実施例について述べる。なお、ここで使用されたシリコンブロックWは、四角柱状に切断された多結晶シリコンブロックWおよび単結晶シリコンブロックWであって、これらのシリコンブロックWの4平面部Fと4角部Cを本発明の研削手段3により研削することにより、断面寸法を公差内に収まるように研削加工したのち、研磨手段4により単結晶シリコンブロックWの表層を研磨することによりマイクロクラックを除去している。本実施例1において加工するシリコンブロックWは、図9に示すように、1個のシリコンインゴットから切り出したものである。シリコンインゴットからの切り出しに当たっては、固定砥粒方式とした新ワイヤソーを用い、4平面部Fと直角形状の4角部Cで構成された四角柱状の多結晶シリコンブロックWを、5列×5列=計25本切断している。実施例1に使用したシリコンブロックWは、図9および図10に示されるシリコンインゴットの4つの角部から切り出されたシリコンブロックAであり、このシリコンブロックAでは2つの平面部に膨らみが形成されている。加工開始前に制御手段6に入力した初期設定項目の内容を表1および表2に示す。前記表1に示す初期設定項目の内、基準ブロック15の基準面の間隔寸法100mmを、レーザー法による計測具A21によって予め計測し、その計測結果を制御手段6に記憶させた。次に、前記の多結晶シリコンブロックAは、呼称:6インチの断面が一辺156mm長さが500mmであって、図4に示すように多結晶シリコンブロックAWの断面の互い対向する1対の平面部を高さ方向3箇所×長手方向3箇所計9箇所と、残りの一対の平面部の9箇所の合計18箇所を、前記計測具A21を用いて計測した。その結果、多結晶シリコンブロックAの断面の一辺の寸法は、156.9~157.6mm平均:157.1mmであり、表面粗さは、Ry21~27μm平均:24μmであった。なお、長さは499.6mmであった。研削手段3には、図5および図6に示すカップ型の砥石を採用し、研削研磨加工する多結晶シリコンブロックAWの測定した平均断面寸法が、呼称:6インチの一辺156mmに対し1.1mmとなっている。従って、片側=0.55mmを研削手段3によって削る必要がある。研削手段3の砥粒部32を形成する砥粒の粒度は、表3より粗めの砥粒を選択してF100JISR6001:1998の粒度に相当するダイヤモンド砥粒を選択した。また、該砥粒部32の幅を8mm、外形寸法をφ250mm、切込み量を0.7mmとし、回転速度を2700min-1研削加工の基準周速度30~40m/秒に相当するとした。該研削手段3が配置された位置に前記多結晶シリコンブロックAWを20mm/秒の速度で通過させて1対の平面部Fを研削したのち、回転機構14によりクランプ軸13を90度回転させて残りの1対の平面部を前記と同様に研削し、4平面部Fの研削加工を終了した。前記の4平面部Fの研削加工を終了後に、該多結晶シリコンブロックAWを把持しているクランプ軸13を回転機構14により45度回転させて一対の2角部C水平方向に対向させを両側の研削手段3に対向する位置とした。角部Cの研削手段3の砥粒の粒度と多結晶シリコンブロックAWの移送速度は、前記平面部Fの研削時と同条件にして研削したところ、平面部Fと角部Cとの接合箇所にチッピングと称する割れが発見されたので、前記研削手段3の砥粒の粒度を500JISR6001:1998に細かくした砥石に変更し、多結晶シリコンブロックAWの移送速度は30mm/秒に変更して研削した結果、研削量は少なくなったが前記のようなチッピングの発生は無く角部Cの面取り部を形成することができた。従って、残りの1対の角部Cの研削も、研削手段3の砥粒の粒度を500とし、前記回転機構14によりクランプ軸13を90度回転させて前記と同様に研削し4角部Cの研削加工を終了した。その結果、平面部Fが互いに対向する2対の平面部Fの合計18箇所の間隔寸法が156.1~156.6mm平均:156.2mm、2対の平面部Fの研削加工量=計測値/2で算出した結果が390~480μm平均:430μm、表面粗さがRy5~8μm平均:7μmであった。前記研削加工後研磨加工前の多結晶シリコンブロックAWを切断してマイクロクラックの有無を確認した結果、表面より深さが70~90μmの位置に存在していた。また、該多結晶シリコンブロックAWをシリコンウエハ相当品にスライス加工したときの割れ欠け等の発生率を参考として確認するために、該多結晶シリコンブロックAWをワイヤソーを用いて厚さ200μmにスライス加工した結果、その割れ欠け等の発生率は3.8であった。次の研磨手段における粗研磨工程と精研磨工程には、図7および図8に示すようなカップ型の研磨ブラシを採用し、そのブラシ毛材42は、取付け基部を金属管で束ねて回転盤B41に着脱自在に装着し、磨耗した場合に交換可能なセグメントブラシを用いた。前記粗研磨用の研磨ブラシには、そのブラシ毛材42に溶融固定する砥粒の粒度を表4に示す240JISR6001:1998のダイヤモンド砥粒を使用した。研磨ブラシの外形寸法をφ210mm、切込み量を0.5mmとし、回転速度を研磨加工の基準周速度10~20m/秒より換算して1300min-1とし、研磨する多結晶シリコンブロックAWの移送速度を20mm/秒として粗研磨加工を行った。粗研磨加工を終了した結果、平面部Fが互いに対向する2対の平面部Fの合計18箇所の間隔寸法を計測した結果、156.0~156.4mm平均:156.1mm、研削加工量は75~78μm平均:77μm、表面粗さはRy2.9~4.0μm平均:3.4μmであった。前記精研磨用の研磨ブラシには、そのブラシ毛材42に溶融固定する砥粒の粒度を表4に示す800のダイヤモンド砥粒を使用した。研磨ブラシの外形寸法をφ270mm、切込み量を0.8mm、回転速度を研磨加工の基準周速度10~20m/秒より換算して1300min-1とし、研磨する多結晶シリコンブロックAWを移送手段5により前記精研磨用の研磨ブラシの間を20mm/秒の移送速度で通過させて4平面部Fを研磨加工して全ての加工を終了した。精研磨加工を終了した結果、平面部Fが互いに対向する2対の平面部Fの合計18箇所の間隔寸法は、155.9~156.4mm平均:156.1mm、研削加工量は16~19μm平均:18μm、表面粗さはRy0.9~1.1μm平均:1.0μmであった。以上、説明した実施例1の多結晶シリコンブロックAWの研削加工と、粗研磨加工および精研磨加工を施した加工結果をまとめると、次の表5に示すとおりである。また、前記研削加工と研磨加工を全て終了した多結晶シリコンブロックAWをワイヤソーでスライス加工してシリコンウエハにし、該シリコンウエハの割れ欠け等による不良品の発生率を調べた。前記のように、研削加工後の該多結晶シリコンブロックAWをスライス加工してシリコンウエハにした時の割れ欠け等による不良品の発生率が3~4であったが、表5に示すように、粗研磨加工と精研磨加工をしてその研磨代を合計85μmにし、その表面粗さをRy平均:1.0μmにしたことにより、その発生率を1.2に低減することができた。本実施例2において加工するシリコンブロックWは、引き上げ法により製造された円柱状の単結晶シリコンインゴットを切断形成した単結晶シリコンブロックWある。前記単結晶シリコンインゴットの上下端部を切断除去して、長さ図11では、紙面に垂直方向を299.0~301.0mmの範囲呼称:300mmに切断した後、図11に示すように固定治具へ5列×5列=計25本を垂直に固定した。前記25本の単結晶シリコンインゴットを、前記実施例1で用いた固定砥粒方式の新ワイヤソーを用いて、各単結晶シリコンインゴットの胴体の外周部分を切断除去した。このとき、外周の一部が幅約25mmの円弧状の4角部Cとなるように加工した。各々が略直角となるようにした4平面部Fを同時に切断形成して単結晶シリコンブロックWとし、切断形成された25本の前記単結晶シリコンブロック中から無作為に1本を抜き取って研削、研磨加工用のサンプルとした。その外形寸法は、断面が一辺125mm呼称:5インチ×長さ300mmである。本実施例2に使用した単結晶シリコンブロックWの形状は、4平面部Fと円弧形状の4角部Cで構成される四角柱状であり、その断面の外形寸法の計測を前記実施例1と同様に実施した。すなわち、互い対向する2対の平面部Fの間隔を合計18箇所計測した結果、平面部Fの間隔寸法は、125.4~126.5mm平均:126.1mmであり、長さは300.8mm、表面粗さは、Ry22~28μm平均:25μmであった。研削研磨手段の仕様については、研削手段に用いるカップ型砥石の砥粒の粒度を表3より選択設定したF180に変更した以外は、前記実施例1と同一とした表2参照のこと。研削手段の砥粒の粒度をF180に変更した理由は、研削研磨加工する単結晶シリコンブロックWの平均断面寸法が呼称:5インチの一辺125mmであるのに対し、実測寸法が0.7mmであって、片側=0.35mmの削り代であるから、前記実施例1で用いた表3に示されるF100より細かい粒度のF180JISR6001:1998としたものである。研削加工では、準備した単結晶シリコンブロックWをクランプ軸13で把持し、1対の平面部Fが水平方向両側に対向した状態にして前記一対の研削手段3の間を通過させて、前記実施例1の多結晶シリコンブロックWと同様に2対の平面部Fの研削を終了した。次に、前もって入力設定した表1に示す回転機構14の運転条件に基き、クランプ軸13を軸芯回りに105min-1の回転速度で連続回転させながら、一対の砥石から成る研削手段3の間を2mm/秒の低速度で単結晶シリコンブロックWを通過させて2対の角部Cの研削加工を終了した。その結果、平面部Fが互いに対向する2対の平面部Fの合計18箇所の間隔寸法は、124.9~125.8mm平均:125.4mm、4平面部の削り代は283~354μm平均:316μmであり、4平面部Fと4角部Cの表面粗さはRy4~6μm平均:5μmであった。次の研磨加工は、回転機構14により研磨加工をする単結晶シリコンブロックWを前記と同様に連続回転させながら、粗研磨用の研磨ブラシと精研磨用の研磨ブラシから成る研磨手段4の間を、移送手段5により単結晶シリコンブロックWを2mm/秒の低速度で通過させて4角部Cの研磨加工を終了させた。その後、該単結晶シリコンブロックWの2対の平面部Fの研磨加工を前記実施例1と同様に、研磨手段4の間を移送手段5により20mm/秒の移送速度で通過させて2対の平面部Fの研磨加工を終了し全ての加工を終了した。前記研磨加工において、粗研磨加工を終了した時点の平面部Fが互いに対向する2対の平面部Fの間隔を前記と同様に合計18箇所を計測した結果は124.8~125.6mm平均:125.3mm、研磨加工量は69~75μm平均:73μm、表面粗さはRy2.8~3.8μm平均:3.3μmであった。また、精研磨加工を終了した時点の平面部が互いに対向する2対の平面部Fの間隔を合計18箇所計測した結果は124.7~125.5mm平均:125.2mm、研磨加工量は17~25μm平均:20μm、表面粗さはRy0.8~1.0μm平均:0.9μmであった。以上説明した実施例2の単結晶シリコンブロックWの研削加工と、粗研磨加工および精研磨加工を終了した後の断面外形寸法と表面粗さをまとめると、次の表6に示す結果となった。また、前記研削加工と研磨加工を全て終了した単結晶シリコンブロックWをワイヤソーでスライス加工してシリコンウエハにし、該シリコンウエハの割れ欠け等による不良品の発生率を調べた結果、前記実施例1の多結晶シリコンブロックWと同様に、研削加工後の粗研磨加工と精研磨加工によりその研磨加工量を合計135μmにし、表面粗さをRy平均:0.9μmにしたことにより、その発生率を1.0に低減することができた。本発明は、シリコンブロックの研削研磨に関する発明について説明したが、シリコンブロックに限定されるものではなく、例えばガラス石材セラミックスフェライト等、硬脆材料全般についても好適に用いることができるものである。