"絶縁層を介して3層以上の多層に配設された配線層と、前記配線層の内部の配線層に実装されたチップインダクタと、前記チップインダクタと相対向する配線層の前記チップインダクタと対向する領域に配設された電磁波ノイズ吸収層と、を具えることを特徴とする、チップインダクタ内蔵配線基板。前記電磁波ノイズ吸収層は、前記チップインダクタを構成する磁性体層中の導線を含む面と平行となるように配設されたことを特徴とする、請求項1に記載のチップインダクタ内蔵配線基板。前記電磁波ノイズ吸収層は、前記チップインダクタ内部のコイルを構成する内部導体で画定される内部空間と対向するように配設されたことを特徴とする、請求項1又は2に記載のチップインダクタ内蔵配線基板。前記電磁波ノイズ吸収層は、樹脂中に磁性体粒子が分散して形成されたことを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載のチップインダクタ内蔵配線基板。前記磁性体粒子は、フェライト、カーボニル鉄、モリブデンパーマロイ及びセンダストからなる群より選ばれる少なくとも一種からなることを特徴とする、請求項4に記載のチップインダクタ内蔵配線基板。前記樹脂は、エポキシ樹脂及びポリイミドの少なくとも一方であることを特徴とする、請求項4又は5に記載のチップインダクタ内蔵配線基板。前記電磁波ノイズ吸収層と前記電磁波ノイズ吸収層が配設された配線層との間に導電層を具えることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一に記載のチップインダクタ内蔵配線基板。前記導電層は導電性ペーストからなることを特徴とする、請求項7に記載のチップインダクタ内蔵配線基板。本発明は、チップインダクタ内蔵配線基板において、チップインダクタの漏れ磁束に起因したノイズとしての高周波電流の配線層への影響を低減し、配線基板に実装された他の回路部品や電子部品に対する電位変動や電源供給の変動及びノイズの重畳を抑制して、これら回路部品及び電子部品の動作を良好に保持することを目的とする。上記目的を達成すべく、本発明は、絶縁層を介して3層以上の多層に配設された配線層と、前記配線層の内部の配線層に実装されたチップインダクタと、前記チップインダクタと相対向する配線層の前記チップインダクタと対向する領域に配設された電磁波ノイズ吸収層と、を具えることを特徴とする、チップインダクタ内蔵配線基板に関する。磁性体層中に埋設されたコイルを構成する内部導体と、磁性体層の、内部導体を含む面と交差する位置において配設され、内部導体の一端及び他端が電気的に接続された一対の電極とを有する従来構成のチップインダクタにおいては、チップインダクタのコイルに電流を流し、当該チップインダクタを駆動させた場合、コイルに電流が流れることによってコイルの中心、すなわちコイルを構成する内部導体を含む面と垂直な方向に磁場が形成されるようになる。チップインダクタを構成する磁性体層の厚さが小さいような場合は、上記磁場が磁性体層、すなわちチップインダクタから外部に漏洩し、いわゆる漏れ磁束を形成するようになる。本発明においては、上述のような構成のチップインダクタを配線基板に内蔵した場合においても、当該チップインダクタを実装する配線層と異なる、チップインダクタと相対向する配線層上に、チップインダクタと対向するようにして電磁波ノイズ吸収層を配設するようにしている。したがって、上述のように、チップインダクタから外部に漏れ磁束が生じた場合においても、当該漏れ磁束は電磁波ノイズ吸収層において吸収され熱エネルギーに変換されるようになる。したがって、内蔵したチップインダクタから漏れ磁束が生じた場合においても、当該漏れ磁束に起因して生じる高周波電流が、グランド層、電源層あるいは信号層として機能する配線層にノイズとして重畳されてしまい、配線基板上あるいは配線基板内に実装された他の回路部品等、例えば半導体デバイスの電位が変動し、あるいは安定した電源供給を行うことができず、さらには信号にノイズが重畳されてしまうため回路部品等が良好に機能しなくなってしまうという問題を回避することができる。本発明の一例においては、前記電磁波ノイズ吸収層と前記電磁波ノイズ吸収層が配設された配線層との間に導電層を形成することができる。この場合、導電層は上述のようにして生成した漏れ磁束に対するシールド層として機能するので上記漏れ磁束を遮蔽し、上述のように漏れ磁束に起因した高周波電流が配線層にノイズとして重畳されるのをより効果的に抑制することができる。なお、本発明における電磁波ノイズ吸収層は、上述したように、磁場を吸収して熱エネルギーに変換することにより、漏れ磁束に起因した高周波電流の発生を抑制し、当該高周波電流の配線層への重畳を抑制するものであり、導電層は、単に磁場を遮蔽内方に反射することにより、当該磁場に起因した高周波電流の配線層への重畳を防止するものである。以上、本発明によれば、チップインダクタ内蔵配線基板において、チップインダクタの漏れ磁束に起因したノイズとしての高周波電流の配線層への影響を低減し、配線基板に実装された他の回路部品や電子部品に対する電位変動や電源供給の変動及びノイズの重畳を抑制して、これら回路部品及び電子部品の動作を良好に保持することができる。以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。図1は、本実施形態のチップインダクタの概略構成を示す断面図であり、図2は、図1に示すチップインダクタの上平面図である。また、図3は、本実施形態のチップインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。図1及び図2に示すように、本実施形態のチップインダクタ10は、非導電性の磁性体層11と、この磁性体層11中に埋設されたコイル12とを含んでいる。コイル12は、垂直方向に延在する導体軸125に対して4つのL字型の内部導体121,122,123、及び124が上から順次に積層された構成を呈している。なお、隣接する内部導体間には、磁性体層11の一部が介在し、これら内部導体間を互いに電気的に絶縁している。なお、内部導体121、122,123及び124は、L字型として構成する代わりに、導体軸125を基点とする円形状あるいは矩形状の巻回構造をとることもできる。また、磁性体層11の、内部導体121を含む面S1,内部導体122を含む面S2,内部導体123を含む面S3及び内部導体124を含む面S4が交差する位置、すなわち、磁性体層11の側面には一対の電極13,13が配設され、これら電極13,13に対して最上層に位置する内部導体121の端部及び最下層に位置する内部導体124の端部が電気的に接続されて、導体軸125を介して内部導体121,122,123及び124に通電できるように構成されている。したがって、コイル12が通電されて、チップインダクタ10がその機能を奏することができるように構成されている。磁性体層11は、例えば大気中で安定なフェライトやマグネタイトなどから構成することができる。コイル12、すなわち内部導体121,122,123及び124は、電気良導体である金、銀、銅、アルミニウムなどから構成することができる。電極13も電気良導体である金、銀、銅、アルミニウムなどから構成することができる。なお、図1及び図2に示すチップインダクタ10は、従来と同様に、電気絶縁性の複数の磁性層とコイル12の複数の内部導体121,122,123及び124とを、これら内部導体の端部が導体軸125において互いに接続するように交互に印刷またはラミネートによって積層し、焼成一体化して磁性体層11とした後、この磁性体層11の側面に導電ペーストを塗布焼き付けて電極13,13を形成することにより製造することができる。本実施形態のチップインダクタ内蔵配線基板20は、第1の配線層21、第2の配線層22及び第3の配線層23を有し、これらの間にそれぞれ第1の絶縁層31及び第2の絶縁層32が配設されている。また、第1の絶縁層31中には、第2の配線層22と電気的に接続するようにしてチップインダクタ10が埋設されている。チップインダクタ10は、はんだ10Aによって第2の配線層22と電気的及び機械的に接続されている。また、第1の配線層21及び第2の配線層22間には、第1の絶縁層31の一部で電気的に絶縁されるようにして、第4の配線層24及び第5の配線層25が設けられている。さらに、第1の配線層21の外方上方には、第3の絶縁層32を介して第6の配線層26が配設されている。なお、第3の配線層23及び第6の配線層26は、レジスト層51及び52を介して部分的に外部に露出するように構成されている。第1の配線層21及び第5の配線層25は第1の層間接続体41によって電気的に接続されており、第2の配線層22及び第3の配線層23は第2の層間接続体42によって電気的に接続されており、第2の配線層22及び第4の配線層24は第3の層間接続体43によって電気的に接続されている。また、第4の配線層24及び第5の配線層25は第4の層間接続体44によって電気的に接続されており、第1の配線層21及び第6の配線層26は第5の層間接続体45によって電気的に接続されている。したがって、本実施形態の配線基板20は、いわゆる多層配線基板を構成する。本実施形態において、第1の配線層21から第6の配線層26は、必要に応じて所定のパターニングが施されることによる配線パターンとして構成されてもよいし、ベタのパターンとして構成されていてもよい。また、本実施形態では、第1の配線層21及び第3の配線層23の、チップインダクタ10と対向する領域において電磁波ノイズ吸収層61,61が形成されている。したがって、内蔵したチップインダクタ10から漏れ磁束が生じた場合においても、当該漏れ磁束は電磁波ノイズ吸収層61,61によって吸収され、熱エネルギーに変換されるようになる。この結果、チップインダクタ10からの漏れ磁束に起因した高周波電流がノイズとして第1の配線層21及び第3の配線層23に重畳されてしまうのを防止することができる。このため、第1の配線層21及び第3の配線層23が、例えばグランド層、電源層あるいは信号層として機能する場合において、これら配線層に上記高周波電流がノイズとして重畳されてしまうのを抑制することができる。したがって、配線基板上あるいは配線基板内に実装された他の回路部品等、例えば半導体デバイスの電位が変動し、あるいは安定した電源供給を行うことができず、さらには信号にノイズが重畳されてしまうため回路部品等が良好に機能しなくなってしまうという問題を回避することができる。なお、本実施形態では、チップインダクタ10と対向する2つの配線層である第1の配線層21及び第3の配線層23の双方に電磁波ノイズ吸収層61,61を設けるようにしたが、必要に応じていずれか一方のみに設けてもよい。電磁波ノイズ吸収層61,61は、上述のような機能を奏すれば如何なる材料から構成してもよいが、その機能をより効果的に発揮するためには、樹脂中に磁性体粒子が分散して形成されたものであることが好ましい。この場合、上記磁性体粒子は、フェライト、カーボニル鉄、モリブデンパーマロイ及びセンダストからなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。また、電磁波ノイズ吸収層61,61を構成する樹脂は、チップインダクタ10などの発熱によって軟化しないようないわゆる熱硬化性樹脂であることが好ましいが、このような熱硬化性樹脂の中でもエポキシ樹脂及びポリイミドの少なくとも一方であることが好ましい。これは、チップインダクタを実装する配線基板の絶縁層が主としてエポキシ樹脂やポリイミドから構成されるため、別途、電磁波ノイズ吸収層61を構成する樹脂を準備する必要がなくなり、チップインダクタ内蔵配線基板20の製造コストを低減することができるためである。なお、上述した材料の他に、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂及びPET樹脂なども挙げることができるが、電磁波ノイズ吸収層61としての機能をより効果的に奏するには、上述したような樹脂中に磁性体粒子が分散して形成されたものであることが好ましい。電磁波ノイズ吸収層61,61は、チップインダクタ10内部のコイル12を構成する内部導体121,122,123,124を含む面S1,S2,S3,S4と平行になるように形成することが好ましい。漏れ磁束の原因となる磁場は、チップインダクタ10内のコイル12の中心、すなわちコイル12を構成する内部導体121,122,123,124を含む面S1,S2,S3,S4に垂直に発生するので、当該面と平行に電磁波ノイズ吸収層61,61を配設することによって、漏れ磁束を電磁波ノイズ吸収層61,61でより効果的に閉じ込めることができる。一般に、内部導体121,122,123,124を含む面S1,S2,S3,S4は、チップインダクタ10の上面及び下面と平行であり、配線基板20の第1の配線層21から第6の配線層26も互いに平行であるので、上記条件は、チップインダクタ10を第2の配線層22上において、均一かつ正確に実装し、電磁波ノイズ吸収層61,61を第1の配線層21及び第3の配線層23上で一様に形成することにより自ずから満たされるものである。また、電磁波ノイズ吸収層61,61は、チップインダクタ10内部のコイル12を構成する内部導体121,122,123,124で画定される内部空間S図2参照と対向するようにして配設することが好ましい。漏れ磁束の原因となる磁場は、チップインダクタ10内のコイル12の中心、すなわちコイル12を構成する内部導体121,122,123,124で画定される内部空間Sで発生するので、この内部空間Sと対向するようにして電磁波ノイズ吸収層61,61を配設することにより、漏れ磁束をより効果的に閉じ込めることができる。図4は、図1及び図2に示すチップインダクタ10の変形例である。図1及び図2に示すチップインダクタ10では、4つのL字型の内部導体121,122,123及び124を順次に積層させてコイル12を形成したが、図4に示すように、単一層のメアンダ状パターンのコイル12’としたチップインダクタ10’を用いても図3に示すようなチップインダクタ内蔵配線基板20を作製することができる。この場合も、チップインダクタ10’と対向する第1の配線層21及び第3の配線層23上において、好ましくはチップインダクタ10’内部のコイル12’を含む面と平行になるように形成し、さらに好ましくは、チップインダクタ10’内部のコイル12’で画定される内部空間S’図4参照と対向するようにして配設する。これによって、チップインダクタ10’からの漏れ磁束に起因した高周波電流がノイズとして第1の配線層21及び第3の配線層23に重畳されてしまうのを防止することができる。このため、第1の配線層21及び第3の配線層23が、例えばグランド層、電源層あるいは信号層として機能する場合において、これら配線層に上記高周波電流がノイズとして重畳されてしまうのを抑制することができる。したがって、配線基板に実装された他の回路部品等の電位が変動し、あるいは安定した電源供給を行うことができず、さらには信号にノイズが重畳されてしまうため回路部品等が良好に機能しなくなってしまうという問題を回避することができる。第2の実施形態図5は、本実施形態のチップインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、図1~図4に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同一の符号を用いている。図5に示すように、本実施形態のチップインダクタ内蔵配線基板70は、図3に示すチップインダクタ内蔵配線基板20の、第1の配線層21と電磁波ノイズ吸収層61との間に導電層71が配設されており、第3の配線層23と電磁波ノイズ吸収層61との間に導電層71が配設されている。なお、これら導電層71,71は、第1の配線層21及び第3の配線層23の該当領域に導電性ペーストを塗布焼付けすることによって形成する。したがって、第1の配線層21及び第3の配線層23の、チップインダクタ10と対向する領域において電磁波ノイズ吸収層61,61が形成されていることによって、内蔵したチップインダクタ10から漏れ磁束が生じた場合においても、当該漏れ磁束は電磁波ノイズ吸収層61,61によって吸収され、熱エネルギーに変換されるようになる。また、導電層71,71は生成した漏れ磁束に対するシールド層として機能する。この結果、チップインダクタ10からの漏れ磁束に起因した高周波電流がノイズとして第1の配線層21及び第3の配線層23に重畳されてしまうのをより効果的に防止することができる。このため、第1の配線層21及び第3の配線層23が、例えばグランド層、電源層あるいは信号層として機能する場合において、これら配線層に上記高周波電流がノイズとして重畳されてしまうのを抑制することができる。したがって、配線基板に実装された他の回路部品等の電位が変動し、あるいは安定した電源供給を行うことができず、さらには信号にノイズが重畳されてしまうため回路部品等が良好に機能しなくなってしまうという問題を回避することができる。また、導電層71,71は、銀、銅、タングステン及びモリブデンなどの金属から構成することができる。したがって、上述した導電性ペーストは、このような金属からなる粒子をバインダー中に分散させることによって形成することができる。なお、本実施形態においても、図1及び図2に示すチップインダクタ10の代わりに、図4に示すチップインダクタ10’を用いることもできる。その他の構成及び特徴については、第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、配線基板20を配線層の数が6個の多層配線基板として構成しているが、配線層の数は必要に応じて任意の数とすることができる。"