"触媒成長によって得られた、第1材料で作られたソリッド構造体3の表面上に存在する触媒残渣2を取り除く方法であって、以下の段階:第2材料で作られたソリッド構造体4を前記触媒残渣2から触媒成長させる段階と、前記第2材料で作られたソリッド構造体4を選択的に取り除く段階と、を含む、触媒残渣を取り除く方法。前記ソリッド構造体3,4がワイヤであり、且つ有利にナノワイヤである、請求項1に記載の触媒残渣を取り除く方法。前記触媒2が銅、金、白金及びアルミニウムを含む群から有利に選ばれた金属触媒である、請求項1又は2に記載の触媒残渣を取り除く方法。前記第1材料がシリコン、ゲルマニウム、シリコン-ゲルマニウム、シリカ、アルミナ、II-VI族半導体、ガリウムヒ素のようなIII-V族半導体を含む群から選ばれ、且つ有利にシリコンである、請求項1から3の何れか1項に記載の触媒残渣を取り除く方法。前記第2材料で作られたソリッド構造体4を、ウェットプロセス又はドライプロセスを用いたエッチングによって選択的に取り除く、請求項1から4の何れか1項に記載の触媒残渣を取り除く方法。任意の溶液が、前記第1材料を攻撃するよりも速い速度で、前記第2材料を化学的に攻撃する、請求項1から5の何れか1項に記載の触媒残渣を取り除く方法。第1材料で作られたソリッド構造体3を成長させる方法であって、以下の段階:前記第1材料で作られたソリッド構造体3を触媒2から触媒成長させる段階と、請求項1から6の何れか1項に記載の方法を用いて、前記ソリッド構造体3の表面上に存在する前記触媒残渣2を取り除く段階と、を含む、ソリッド構造体を成長させる方法。前記第1材料で作られたソリッド構造体3の触媒成長の段階の後に、エッチングによって前記触媒2を少なくとも部分的に取り除く、請求項7に記載のソリッド構造体を成長させる方法。実際に、金属触媒残渣は多くの用途に関して有害である。例えば、エレクトロニクス又は光起電力技術での使用を対象としたシリコンワイヤに対して、金又は銅のような金属の存在は、これらの金属がシリコンの禁制帯において深い電子トラップの出現を引き起こすため、素子の性能に大幅な低下をもたらす。ワイヤの表面上の金属触媒残渣を取り除く一般的な解決策は、ワイヤの成長後にウェットプロセス又はドライプロセスを用いて、金属をエッチングする段階を含む。しかし、金属のエッチングによって金属触媒残渣を取り除くことは、しばしば限られた有効性を有する。シリコンと同様に、空気酸化され易い材料を含むワイヤにとっては特に、金属エッチングはワイヤ表面上の酸化層の形成を通じて、効果がなくなり得る。それ故に、触媒成長によって成長したワイヤ状のソリッド構造体の表面上、及び特に側面上に存在する触媒残渣を取り除くための新しい技術的解決策を開発することは、明らかに必要である。本発明は、触媒成長によって成長したワイヤ又はより一般的にはソリッド構造体の表面上に存在する金属触媒残渣を取り除く方法に関係する。このような方法は、従来技術において実施されるような直接金属をエッチングする方法よりも、より効果的であると判明している。実際には、これらの残渣が触媒材料である限りにおいて、これらの残渣から第2のワイヤを成長させることが提案される。これらの第2のワイヤは、メインワイヤを損傷せずに取り除き易い特定の材料で作られなければならない。これらの第2のワイヤが取り除かれるとき、通常これらのワイヤの自由端に連れていかれた残渣は取り除かれる。具体的には、本発明は、触媒成長によって得られた、第1材料で作られたソリッド構造体の表面上に存在する触媒残渣を取り除く方法に関係し、それは以下の段階:-第2材料で作られたソリッド構造体を触媒残渣から触媒成長させる段階と、-前記第2材料で作られたソリッド構造体を選択的に取り除く段階と、を含む。本発明はそれ故に、ワイヤ及びより有利にはナノワイヤ通常500ナノメートル未満、及び100ナノメートル程度の直径の形状を有利に仮定したソリッド構造体の触媒成長に関係する。当業者に知られた方法で、この技術は基板上に堆積された触媒のパッド又は滴から任意の材料で作られたソリッド構造体を成長させる段階と、前記材料の前駆体を供給することによってそれを行う段階と、を含み、後者は気体、液体又は固体の形態であり得るコラシンスキーの文献参照。触媒は有利に金属であり、より有利には以下の群:銅、金、白金又はアルミニウムから選ばれる。また知られた方法で、その構造体は触媒の下に成長し、且つ側面上の、つまり成長軸に沿った表面上の残渣とともに、その構造体は本質的にその先端にその自由端に触媒を引き込む。触媒はエッチングによって、つまり触媒が選択的にエッチングされる化学的又は電気化学的な方法を用いて、その構造体の先端から伝統的に取り除かれる。本発明の方法は、この開示の後半でメインワイヤと呼ばれ得る、第1材料で作られたソリッド構造体の表面上に存在する任意の触媒残渣を、より一般的に且つより効果的に取り除くために使用され得る。それ故に、この開示の残りの部分で第2又は犠牲ワイヤと呼ばれ得る、第2材料で作られたソリッド構造体の触媒成長のために、メイン構造体の表面上に存在する触媒残渣を使用することが問題となる。この成長が起こるためには、以下の要素が結合されなければならない:-第1材料の成長のために使用された触媒によって成長が触媒され得る第2材料の前駆体を選ぶこと;-この前駆体を供給すること;-触媒成長に必要な条件温度、圧力を引き合わせること。繰り返しになるが、これらの第2構造体の成長は、その表面上における、及び特にその先端、つまりその自由端における触媒残渣の移動をもたらす。実際には、触媒のパッド又は滴のサイズが部分的にソリッド構造体の、及び特にワイヤのサイズ又は直径を決定する限りにおいて、メインワイヤの直径は、好ましくは犠牲ワイヤの直径よりも大きい。典型的に、メインワイヤの直径が10ナノメートルを超えるとき、犠牲ワイヤの直径は有利に1ナノメートルから10ナノメートルの間である。この触媒成長の終わりに、犠牲ワイヤはそれ故にメインワイヤ上に枝を形成する。この方法の第2段階は、前記第2材料で作られたソリッド構造体を選択的に取り除く段階を含む。実際にそれらの除去は、触媒残渣の同時除去を引き起こし、それ故に目的が果たされるのを許容する。好ましい方法で、この除去は広範囲であり、言い換えると、この段階の終わりに、第2材料及び触媒は現在ただ1つ残されたメイン構造体に存在しない。既に述べたように、第2の重要な基準はこの除去の選択性である。実際にメインのソリッド構造体を構成する第1材料の除去は、できる限り減らされなければならない。この選択的除去は、物理的アプローチによって、例えばイオン照射によって実施され得る。しかし、且つ本発明によると有利に、この除去はエッチングによって、ウェットプロセス又はドライプロセスによって起こり得る化学攻撃によって実施され得る。言い換えれば、溶液が第1材料をアタックするよりも速い速度で第2材料をアタックできるように、化学溶液並びに第1及び第2の材料を選ぶ必要がある。有利に、第1材料がアタックされる速度は第2材料がアタックされる速度の少なくとも10倍未満である。これらの条件では、メインワイヤのエッチングを制限しながら、完全に犠牲ワイヤをエッチングすることができる。本発明との関連で、メイン構造体を構成し、それ故に我々にとって関心事である第1材料は、以下の群:シリコンSi、ゲルマニウムGe、シリコン-ゲルマニウムSi-Ge、シリカSiO2、アルミナAl2O3、II-VI族半導体、ガリウムヒ素GaAsのようなIII-V族半導体から有利に選ばれ、更に有利にはシリコンである。従って且つ例として、第1材料がシリコンSiで触媒が金Auである場合、シリコン-ゲルマニウムSi-Ge、及び特にx=0.4であるSi1xGexが第2材料として選ばれ得る。そして選択的除去は、フッ化水素酸HF、硝酸HNO3及び酢酸CH3COOHの水溶液でのウェットエッチングによって実施され得る。代わりに、第1材料がガリウムヒ素GaAsで触媒が金である場合、ガリウムヒ素InAsが第2材料として選ばれ得る。そして選択的除去は、気体の塩化水素HClを用いたドライエッチングによって実施され得る。従って且つ第2側面によると、本発明はまた、第1材料で作られたソリッド構造体を成長させる方法に関係し、それは以下の段階:前記第1材料で作られたソリッド構造体を触媒から触媒成長させる段階と、上記で述べた方法を実施することによって、ソリッド構造体の表面上に存在する触媒残渣を取り除く段階と、を含む。中間段階、つまり第1材料で作られたソリッド構造体の触媒成長の段階の後、特にエッチングによって、初期の少なくとも部分的な触媒除去を実施することができる。この段階において、且つ既に他の部分で述べたように、ソリッド構造体の自由端に引き込まれた触媒を少なくとも部分的に取り除くことができる。従って、初めて且つ優れた有効性を伴って、本発明は、それらの表面上及び特に側面上に、すなわち成長軸に沿った表面上に触媒がないソリッド構造体、及び有利にワイヤ又はナノワイヤを得るために使用され得る。既に述べたように、これらのソリッド構造体は、以下の材料:シリコンSi、ゲルマニウムGe、シリコン-ゲルマニウムSi-Ge、シリカSiO2、アルミナAl2O3、II-VI族半導体、ガリウムヒ素GaAsのようなIII-V族半導体、及び有利にシリコンを用いて、有利に作られる。更に、これらのナノワイヤは有利に10ナノメートルを超える直径を有し、場合により500ナノメートルに到達し、更に有利に約100ナノメートルである。本発明の可能な実施形態及び結果として生じる利点は、添付図によって支持された、情報を与えることが目的で且つ限定されるものではない以下に続く実施例を読むことで明らかになる。[1/原理]図2に示された本発明の方法は、図1に示された従来技術の方法と同様に始まる。-段階1図1A;図2A:金属触媒のパッド2が基板1の表面上に堆積される。メインワイヤを構成する材料材料Aの前駆体を供給し、前駆体に応じて選ばれたベクトルガスを用いることによって、メインワイヤ3が基板1の表面上に触媒的に成長する。そのワイヤ3は触媒のパッド2の下に成長し、ワイヤの変化に伴ってそのパッドを取る。この触媒成長の終わりに、触媒2’は本質的にそのワイヤ3の先端にあるが、触媒残渣2’’はまたそのワイヤ3の側面にもある。-段階2図1B;図2B:最大量の触媒2’,2’’を取り除くため、それはウェットプロセス又はドライプロセスによってエッチングされる。この段階は確実に、そのワイヤ3の先端にある触媒2’が取り除かれるのを許容する。しかし金属触媒残渣2’’は、メインワイヤ3の表面上に残る。また一方、この段階は任意である。本発明の方法は、メインワイヤ3の表面上に存在する金属触媒残渣2’’を取り除くために使用され得る2つの連続する後続段階を提供する。-段階3図2C:第2の材料Bの前駆体を供給し、ベクトルガスを用いることによって、いわゆる犠牲ワイヤ4がメインワイヤ3の表面上で、金属触媒残渣2’’から触媒的に成長する。犠牲ワイヤ4は触媒2’’の下に成長し、ワイヤの変化に伴ってその触媒を取る。この触媒成長の終わりに、その触媒2’’’はメインワイヤ3上で枝を形成する犠牲ワイヤ4の先端にある。-段階4図2D:材料Bはウェットプロセス又はドライプロセスによって完全にエッチングされ、それは犠牲ワイヤ4及びその結果金属触媒残渣2’’’もが省かれるのを許容する。この方法の終わりに、通常のエッチングを通じて省くことが出来なかった、我々が関係しているワイヤの側面上に存在する金属触媒残渣は、それ故に取り除かれる。[2/例1]-段階1:シリコンナノワイヤの成長メインワイヤ3は、金の金属触媒2を用いて成長した、直径100ナノメートルのシリコンSi=材料Aのワイヤである。動作条件は以下の通り:-Si111基板上のコロイド金ナノ粒子100nm;-T=650°C;-P=10mbar;-SiH4シランH2水素の混合体;-持続時間:20mn.-段階2:金のエッチング-KIヨウ化カリウムとヨウ素I2との水溶液によって構成された、VWRProlabo社によって試料IKI2として販売される、常温の溶液;-持続時間:10mn.-段階3:シリコン-ゲルマニウムナノワイヤの成長メインワイヤ3の表面上に存在する金残渣2’’からの、シリコン-ゲルマニウムx=0.4であるSi1xGexで作られた犠牲ワイヤ4の触媒成長。動作条件は以下の通り:-T=550°C;-P=10mbar;-SiH4シランGeH4ゲルマンH2水素の混合体であり、比はGeH4流束/SiH4流束=1.5である;-持続時間:10mn.-段階4:シリコン-ゲルマニウムナノワイヤのエッチングフッ化水素酸HF、硝酸HNO3及び酢酸CH3COOHの水溶液でのウェットエッチングによる、犠牲ワイヤ4を構成するシリコン-ゲルマニウム=材料Bの選択的エッチング。動作条件:-HFフッ化水素酸、HNO3硝酸、CH3COOH酢酸の、常温の水溶液;-持続時間:10mn.[3/例2]-段階1:GaAsナノワイヤの成長メインワイヤ3は、金の金属触媒2を用いて成長した、直径100nmのガリウムヒ素GaAs=材料Aのワイヤである。動作条件:-GaAs111基板上のコロイド金ナノ粒子100nm;-T=450°C;-P=100mbar;-TMGaトリメチルガリウムAsH3アルシンの混合体;-持続時間:20mn.-段階2:金のエッチング-KIヨウ化カリウムとヨウ素I2との水溶液によって構成された、VWRProlabo社によって試料IKI2として販売される、常温の溶液;-持続時間:10mn.-段階3:InAsナノワイヤの成長メインワイヤ3の表面上に存在する金残渣2’’からの、ヒ化インジウムInAsの犠牲ワイヤ4の触媒成長。動作条件は以下の通り:-T=450°C;-P=100mbar;-TMInトリメチルインジウムAsH3アルシンの混合体;持続時間:10mn.-段階4:InAsナノワイヤのエッチング気体の塩化水素HClを用いた、300°C、10分間のドライエッチングによる、犠牲ワイヤ4を構成するヒ化インジウム=材料Bの選択的エッチング。"