"InP系化合物半導体を含む第1の半導体領域と、InP系化合物半導体を含み前記第1の半導体領域上に設けられた第2の半導体領域とを有する基板生産物の前記第2の半導体領域上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスクを用いて前記第1及び第2の半導体領域に対してエッチングを行うことにより、前記所定方向に延びており前記第1及び第2の半導体領域を含むストライプメサ構造を形成するエッチング工程と、前記ストライプメサ構造の側面上、及び前記ストライプメサ構造を除く前記第1の半導体領域上にわたって絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記ストライプメサ構造の頂部上及び前記側面上、並びに前記ストライプメサ構造を除く前記第1の半導体領域上にわたって、リフトオフ法により電極を形成する電極形成工程とを備え、前記エッチング工程が、前記エッチングマスクを用いて前記第2の半導体領域に対してドライエッチングを行う第1のエッチング工程と、前記エッチングマスクを用いて前記第2の半導体領域の側面および前記第1の半導体領域の表面に対してウェットエッチングを行う第2のエッチング工程とを含み、前記マスク形成工程において、前記エッチング工程の前記ウェットエッチングにより形成される前記第1及び第2の半導体領域の側面が順メサ形状となるように前記所定方向を設定することを特徴とする、光半導体デバイスの製造方法。前記第2の半導体領域が、InPクラッド層と、該InPクラッド層上に設けられたInGaAsキャップ層とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の光半導体デバイスの製造方法。前記第2の半導体領域が、前記InPクラッド層と前記InGaAsキャップ層との間に設けられたInGaAsP層を更に含むことを特徴とする、請求項2に記載の光半導体デバイスの製造方法。前記第1の半導体領域がAlInAs層を含んでおり、前記第1のエッチング工程の際に、前記AlInAs層において前記ドライエッチングを停止することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の光半導体デバイスの製造方法。前記第1の半導体領域が、交互に積層されたInGaAs層および前記AlInAs層から成る超格子積層構造を有することを特徴とする、請求項4に記載の光半導体デバイスの製造方法。光半導体デバイスには、特許文献1に記載された量子カスケードレーザ素子のように、ストライプメサ構造の頂部上から側面上を経てストライプメサ構造外の領域上に至る電極を備えるものがある。このような電極は、例えばリフトオフ法によって好適に形成される。リフトオフ法では、当該電極の形成領域を除く領域上に堆積した金属を容易に剥離できるようにする為に、金属を蒸着する際、蒸着源からの金属粒子の移動方向が基板面に対して略垂直となるように蒸着源および基板が設置されることが望ましい。このようなリフトオフ法では、ストライプメサ構造の側面の傾斜が大きい例えば基板面に対して垂直などほど、金属のつきまわり性が低下し、断線や放熱性能の低下につながる。しかし、ストライプメサ構造の側面の傾斜が小さい緩いほど、ストライプメサ構造の横幅が広くなってしまい、ストライプメサ構造に注入される電流を効果的に絞り込む狭窄することが難しくなる。このように、電極のための金属のつきまわり性を確保することと、ストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄することとは、ストライプメサ構造の側面の傾斜の点で互いに相反する。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、電極形成時の金属のつきまわり性を確保でき、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明による光半導体デバイスの製造方法は、1InP系化合物半導体を含む第1の半導体領域と、InP系化合物半導体を含み第1の半導体領域上に設けられた第2の半導体領域とを有する基板生産物の第2の半導体領域上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、2エッチングマスクを用いて第1及び第2の半導体領域に対してエッチングを行うことにより、所定方向に延びており第1及び第2の半導体領域を含むストライプメサ構造を形成するエッチング工程と、3ストライプメサ構造の側面上、及びストライプメサ構造を除く第1の半導体領域上にわたって絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、4ストライプメサ構造の頂部上及び側面上、並びにストライプメサ構造を除く第1の半導体領域上にわたって、リフトオフ法により電極を形成する電極形成工程とを備え、エッチング工程が、2aエッチングマスクを用いて第2の半導体領域に対してドライエッチングを行う第1のエッチング工程と、2bエッチングマスクを用いて第2の半導体領域の側面および第1の半導体領域の表面に対してウェットエッチングを行う第2のエッチング工程とを含み、マスク形成工程において、エッチング工程のウェットエッチングにより形成される第1及び第2の半導体領域の側面が順メサ形状となるように上記所定方向を設定することを特徴とする。先述したように、リフトオフ法によって電極を形成する際、ストライプメサ構造の側面の傾斜が大きいほど、電極用の金属のつきまわり性が低下し、断線や放熱性能の低下につながる。しかしながら、電極用の金属のつきまわり性が低い箇所は主にストライプメサ構造の下部付近の側面上であり、ストライプメサ構造の上部付近の側面上には、傾斜が大きくても電極用の金属が十分に堆積する。一方、ストライプメサ構造の側面の平均傾斜が大きいほど、ストライプメサ構造の横幅を狭くすることができ、注入電流を効果的に絞り込む狭窄することができる。上述した本発明による光半導体デバイスの製造方法では、エッチング工程が2つの工程第1及び第2のエッチング工程を含んでいる。第1のエッチング工程では、第2の半導体領域に対するドライエッチングによって、ストライプメサ構造の側面の途中まで形成する。そして、その後の第2のエッチング工程では、第1の半導体領域に対するウェットエッチングによって、ストライプメサ構造の残りの側面を形成する。その結果、第1の半導体領域の側面は、ウェットエッチングのみによって形成されるので、例えば30°といった小さい傾斜角で形成される。一方、第2の半導体領域の側面は、第1のエッチング工程のドライエッチングによってほぼ垂直90°に形成されたのち、第2のエッチング工程のウェットエッチングによって横方向にエッチングサイドエッチングされ、例えば60°といった大きな傾斜角で形成される。このように、上述した光半導体デバイスの製造方法では、ストライプメサ構造の下部における側面の傾斜が小さくなるので、電極用の金属のつきまわり性を確保することができる。また、ストライプメサ構造の上部における側面の傾斜が大きくなるので、ストライプメサ構造の側面の平均傾斜が大きくなる。したがって、ストライプメサ構造の横幅を狭くすることができ、注入電流を効果的に絞り込む狭窄することができる。また、上述した光半導体デバイスの製造方法では、第2の半導体領域が、InPクラッド層と該InPクラッド層上に設けられたInGaAsキャップ層とを含んでもよい。ウェットエッチングの際、InGaAsに対するサイドエッチングの速度を、InPに対するサイドエッチングの速度よりも遅くすることは容易である。したがって、第2の半導体領域がこのような構成を有することによって、第2の半導体領域に対するサイドエッチングの程度すなわちストライプメサ構造上部の側面傾斜角を容易に制御することができる。また、上述した光半導体デバイスの製造方法では、第2の半導体領域が、InPクラッド層とInGaAsキャップ層との間に設けられたInGaAsP層を更に含んでもよい。上述したように、第2の半導体領域に対するサイドエッチングの程度は、InGaAsキャップ層によって好適に制御可能である。しかし、このInGaAsキャップ層が電極とのオーミックコンタクトの為に設けられる場合、その厚さには制限があるので、第2の半導体領域に対するサイドエッチングの程度を十分に制御できない場合がある。このような場合、上述したように、第2の半導体領域がInGaAsP層をInPクラッド層とInGaAsキャップ層との間に更に含むとよい。これにより、第2の半導体領域に対するサイドエッチングの程度ストライプメサ構造上部の側面傾斜角を容易に制御することができる。また、上述した光半導体デバイスの製造方法では、第1の半導体領域がAlInAs層を含んでおり、第1のエッチング工程の際に、AlInAs層においてドライエッチングを停止してもよい。これにより、第1の半導体領域に限定したドライエッチングを好適に行うことができる。また、この場合、第1の半導体領域は、交互に積層されたInGaAs層およびAlInAs層から成る超格子積層構造を有してもよい。本発明による光半導体デバイスの製造方法によれば、電極形成時の金属のつきまわり性を確保でき、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄することができる。以下、添付図面を参照しながら本発明による光半導体デバイスの製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。第1の実施の形態本発明の第1実施形態に係る光半導体デバイスの製造方法として、量子カスケードレーザ素子の製造方法を説明する。図1~図4は、本実施形態に係る量子カスケードレーザ素子の製造方法の各工程を示す図であり、それぞれ光導波方向に垂直な断面を示している。本実施形態の製造方法では、まず、図1aに示されるように、基板生産物10Aを用意する。この基板生産物10Aは、第1の半導体領域20と、第1の半導体領域20上に設けられた第2の半導体領域30とを有する。第1及び第2の半導体領域20,30は、それぞれInP系化合物半導体を含んで構成されている。具体的な例を説明すると、第1の半導体領域20は、InP基板21と、InP基板21上にエピタキシャル成長したコア層22とを含んでいる。InP基板21は、InP結晶の100面を含む主面21aと、裏面21bとを有する。InP基板21には、所定の導電型例えばn型のドーパント例えばSnが添加されている。コア層22は、交互に積層されたInGaAs層発光層およびAlInAs層注入層から成る超格子積層構造を有する。この超格子積層構造は、例えばInGaAs層及びAlInAs層を合わせて数百層含んでおり、1.5μm~2μmといった厚さを有する。InGaAs層の発光波長としては、サブバンド間遷移によって例えば2μm~4μmといった長い波長が実現される。第1の半導体領域20は、後に説明するドライエッチングの際にエッチング停止層として機能するAlInAs層を含んでいることが好ましく、一実施例では、コア層22のAlInAs層がこのエッチング停止層の役割を担う。また、第2の半導体領域30は、InPクラッド層31と、InGaAsキャップ層32とを含んでいる。InPクラッド層31の厚さは、例えば3μmである。InGaAsキャップ層32は、InPクラッド層31上に設けられており、その厚さは例えば100nmである。InPクラッド層31及びInGaAsキャップ層32には、所定の導電型のドーパント例えばSiが添加されている。なお、上述した第1及び第2の半導体領域20,30は、例えば分子線エピタキシー法MBE;MolecularBeamEpitaxy若しくは有機金属気相成長法MOCVD;MetalOrganicChemicalVaporDepositionによって好適にエピタキシャル成長できる。続いて、図1bに示されるように、第2の半導体領域30上本実施形態ではInGaAsキャップ層32上に、ストライプ状のエッチングマスクM1を形成するマスク形成工程。エッチングマスクM1は、光導波方向に沿った所定方向に延びており、この所定方向とは、後述するエッチング工程のウェットエッチングの際に、第1及び第2の半導体領域20,30の側面が順メサ形状となるような方向である。一実施例では、所定方向とは、第2の半導体領域30を構成するInP系化合物半導体の<011>方向と交差する方向より好ましくは、<011>方向と直交する方向である。エッチングマスクM1は、例えばSiNといったシリコン化合物をプラズマCVDにより300nm以上の厚さに成膜し、そのシリコン化合物膜上に、通常のフォトリソグラフィ技術を用いてストライプ状のレジストパターンを作成し、そのレジストパターンをシリコン化合物膜に転写することによって好適に形成される。なお、従来の製造方法では、エッチングマスクを100nm程度の厚さに形成するが、本実施形態のエッチングマスクM1の厚さはこれより厚く、300nm以上である。これは、次工程のドライエッチングでの膜減りを考慮したものである。続いて、図2aに示されるように、エッチングマスクM1を用いて、第2の半導体領域30に対してドライエッチングを行う第1のエッチング工程。この工程では、例えば誘導結合プラズマ型反応性イオンエッチングICP-RIEによって、InGaAsキャップ層32とInPクラッド層31とを好適にエッチングすることができる。なお、エッチングガスとしては、メタン及び水素の混合ガスが好適である。或いは、HCl、SiCl4、HI等をエッチングガスとして用いてもよい。この工程によって、InP基板21の主面21aに対して略垂直な第2の半導体領域30の側面33が形成される。また、このドライエッチングは、コア層22のAlInAs層によって好適に停止される。続いて、エッチングマスクM1を用いて、第2の半導体領域30の側面64、および第1の半導体領域20の表面23に対してウェットエッチングを行う第2のエッチング工程。この工程では、エッチャントとして、液温0度のメタノールに容積比約1のBrを混合した溶液、若しくは、HBr、H2O2、H2O及びHClの混合液混合比は、例えばHBr:H2O2:H2O:HCl=20:2:20:20が好適に使用される。この工程によって、図2bに示されるように、所定方向エッチングマスクM1の延伸方向に延びるストライプメサ構造40が形成される。なお、本実施形態では、第1の半導体領域20のコア層22からInP基板21に達するエッチングを行い、InP基板21を或る程度エッチングしたところで該ウェットエッチングを停止する。したがって、ストライプメサ構造40には、コア層22に加えてInP基板21の一部が含まれる。このように、本実施形態では、第1のエッチング工程において第2の半導体領域30に対するドライエッチングを行い、その後の第2のエッチング工程において、第1及び第2の半導体領域20,30に対するウェットエッチングを行う。その結果、図2bに示される第1の半導体領域20の側面24は、ウェットエッチングのみによって形成されるので、主面21aに沿った基準面Pに対する傾斜角α1が例えば30°程度と小さくなる。一方、第2の半導体領域30の側面34は、第1のエッチング工程のドライエッチングによってほぼ垂直90°に形成されたのち図2aを参照、第2のエッチング工程のウェットエッチングによって横方向にエッチングサイドエッチングされるので、主面21aに沿った基準面Pに対する傾斜角α2が例えば60°程度と大きくなる。上述した第2のエッチング工程ののち、エッチングマスクM1を除去する。エッチングマスクM1は、例えばフッ酸溶液によって好適に除去される。続いて、図3aに示されるように、絶縁膜42を形成する絶縁膜形成工程。この工程では、ストライプメサ構造40の側面第1の半導体領域20の側面24及び第2の半導体領域30の側面34上、並びにストライプメサ構造40を除く第1の半導体領域20上にわたって絶縁膜保護膜42を形成する。絶縁膜42は、例えばプラズマCVDによってSiN又はSiONといったシリコン化合物を成膜することによって好適に形成される。絶縁膜42の厚さは、例えば300nmである。なお、絶縁膜42は、後に形成される電極とのコンタクトの為に、ストライプメサ構造40の頂部41に開口を有している。この開口は、ストライプメサ構造40の頂部41上に開口を有するレジストマスクをシリコン化合物膜上に形成したのち、このレジストマスクを用いてシリコン化合物膜をフッ酸溶液によりエッチングすることによって好適に形成される。続いて、図3bに示されるように、電極50を形成する電極形成工程。この工程では、電極50を、ストライプメサ構造40の頂部41上に形成するとともに、ストライプメサ構造40の側面第1の半導体領域20の側面24及び第2の半導体領域30の側面34上、並びにストライプメサ構造40を除く第1の半導体領域20上にわたって絶縁膜42上に形成する。このように、ストライプメサ構造40を覆うように電極50を形成することによって、高い電流密度で発振する量子カスケードレーザ素子の放熱性を高め、素子の温度特性を改善することができる。この電極形成工程において形成される電極50は、例えばTi/Au/Auから成る積層構造を有する。電極50は、例えば電極形成領域に開口を有するレジストマスクを形成したのち、電極用の金属を蒸着により堆積し、レジストマスクを除去することによってレジストマスク上の金属を同時に除去する、いわゆるリフトオフ法によって好適に形成される。このようなリフトオフを容易にするため、この工程では、蒸着源Sからの金属粒子が基板生産物10Aの主面に対して垂直に入射するように、蒸着源Sおよび基板生産物10Aが設置される。なお、電極50の厚さは例えば500nmである。続いて、InP基板21の裏面21bを研磨することにより、InP基板21の厚さを減じる。研磨後のInP基板21の厚さは、例えば100μmである。その後、図4に示されるように、電極52を裏面21b上に形成する。電極52は、例えばAuGeNi/Auといった積層構造を有しており、例えば蒸着によって好適に形成される。なお、電極52の厚さは例えば1μmである。以上の工程を経た基板生産物10Aを劈開してチップ状に切断することによって、光半導体デバイスとしての量子カスケードレーザ素子が完成する。ここで、本実施形態に係る量子カスケードレーザ素子の製造方法の効果について、従来の製造方法が有する課題とともに説明する。本実施形態では、ストライプメサ構造40の延伸方向が、第1及び第2の半導体領域20,30の側面が順メサ形状となるような方向に設定されている。ここで、図5及び図6は、ストライプメサ構造STの延伸方向と、ストライプメサ構造STの側面形状との関係を示す図である。例えば図5aに示されるように、ストライプメサ構造STの延伸方向が基板生産物10Aの<011>方向と直交する方向、つまり<0-11>方向に沿って設定された場合、図5bに示されるように、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造STの側面SSは順メサ形状となる。一方、図6aに示されるように、ストライプメサ構造STの延伸方向が基板生産物10Aの<011>方向に沿っている場合、図6bに示されるように、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造STの側面SSの少なくとも一部が逆メサ形状となる。ストライプメサ構造の側面がこのような逆メサ形状を有すると、絶縁膜や電極を形成する際にその逆メサ部分が庇となり、絶縁膜材料や電極材料が堆積しない箇所が生じてしまう。したがって、ストライプメサ構造を形成する際には、図5aのような方向にストライプメサ構造を形成することにより、ストライプメサ構造の側面を順メサ形状とすることが好ましい。しかしながら、このような順メサ形状においては、側面の傾斜角が例えば30°といった小さな角度になるため、図7aに示されるように、ストライプメサ構造STに含まれるコア層22の横幅W1が広くなってしまう。例えば、ストライプメサ構造STの高さH1が6μmである場合、ストライプメサ構造STの頂部の横幅に対し、ストライプメサ構造STの下部の横幅は20μmほど広くなる。これに対し、例えば量子カスケードレーザ素子においては、注入電流値の上限は2A程度であり、この電流値を超えると素子が壊れるおそれがある。また、量子カスケードレーザ素子が発振する為には、コア層22において1~2kA/cm2といった高い電流密度が必要となる。したがって、ストライプメサ構造STのコア層22付近の横幅は5μm以上20μm以下であることが好ましい。ここで、ウェットエッチングではなくドライエッチングによってストライプメサ構造を形成すると、図7bに示されるように、ストライプメサ構造STの側面SSは基板21の主面21aに対して略垂直となる。この場合、コア層22の横幅W1を十分に狭くすることが可能となるが、次の問題が新たに生じる。すなわち、図7bに示されるように、ストライプメサ構造STの垂直な側面SSに電極用の金属Meを蒸着すると、ストライプメサ構造STの下部の側面SSには金属Meが付きにくい。特に、ストライプメサ構造STの高さが5μm以上になると、ストライプメサ構造STの下部の側面SSには金属が殆ど付着しない。したがって、電極の断線や、放熱性能の低下につながる。また、絶縁膜Paも同様にストライプメサ構造STの下部の側面SSに付きにくくなるので、ストライプメサ構造STと電極金属Meとの絶縁不良といった問題が生じるおそれがある。これらの問題点に対し、本実施形態の製造方法では、ストライプメサ構造40を形成するためのエッチング工程が、2つの工程ドライエッチングを行う第1のエッチング工程、及びウェットエッチングを行う第2のエッチング工程を含んでいる。その結果、図2bに示されたように、第1の半導体領域20の側面は例えば30°といった小さい傾斜角で形成され、第2の半導体領域30の側面は例えば60°といった大きな傾斜角で形成される。このように、本実施形態の製造方法では、電極形成時や絶縁膜形成時に金属や絶縁材料のつきまわり性が低くなる傾向があるストライプメサ構造40の下部において、側面の傾斜を緩くすることができる。したがって、電極50を形成する際図3bを参照に、金属のつきまわり性を確保して、当該部分に金属を十分に堆積させることができる。したがって、コア層22の側面を十分な金属膜によって覆うことができるので、当該量子カスケードレーザ素子の放熱性を良好にすることができる。故に、量子カスケードレーザ素子の温度特性を改善することができる。また、絶縁膜42を形成する際図3aを参照に、絶縁材料のつきまわり性を確保して、絶縁不良を防ぐことができる。また、本実施形態の製造方法では、ストライプメサ構造40の上部において側面の傾斜を緩くすることにより、ストライプメサ構造40側面の平均傾斜を比較的大きくすることができる。すなわち、ストライプメサ構造40の横幅光導波方向と直交する方向の幅を狭くすることができ、特にコア層22の横幅を狭くすることができるので、電極50から注入される電流を効果的に絞り込む狭窄することができる。例えば、ストライプメサ構造40の高さが6μmである場合、ストライプメサ構造40の頂部の横幅に対し、ストライプメサ構造40の下部の横幅の拡がりを僅か7μmにまで抑えることができる。したがって、量子カスケードレーザ素子のコア層22の横幅を20μm以下に抑えることができ、素子の破壊を回避しつつ高い電流密度でもって好適に発振させることができる。また、本実施形態のように、第2の半導体領域30は、InPクラッド層31及びInGaAsキャップ層32を含んでもよい。ウェットエッチングの際、InGaAsに対するサイドエッチングの速度を、InPに対するサイドエッチングの速度よりも遅くすることは容易である。したがって、第2の半導体領域30がこのような構成を有することによって、第2の半導体領域30に対するサイドエッチングの程度すなわちストライプメサ構造40上部の側面傾斜角α1を容易に制御することができる。また、本実施形態のように、第1のエッチング工程の際に、第1の半導体領域20のAlInAs層においてドライエッチングを停止してもよい。これにより、第1の半導体領域20に限定したドライエッチングを好適に行うことができる。第2の実施の形態続いて、本発明の第2実施形態に係る光半導体デバイスの製造方法として、第1実施形態とは異なる構成を備える量子カスケードレーザ素子の製造方法を説明する。図8~図11は、本実施形態に係る量子カスケードレーザ素子の製造方法の各工程を示す図であり、それぞれ光導波方向に垂直な断面を示している。本実施形態の製造方法では、まず、図8aに示されるように、基板生産物10Bを用意する。この基板生産物10Bは、第1の半導体領域20と、第1の半導体領域20上に設けられた第2の半導体領域60とを有する。第1及び第2の半導体領域20,60は、それぞれInP系化合物半導体を含んで構成されている。なお、第1の半導体領域20の構成は第1実施形態と同様である。第2の半導体領域60は、InPクラッド層61と、InGaAsP層62と、InGaAsキャップ層63とを含んでいる。InPクラッド層61及びInGaAsキャップ層63の構成は、第1実施形態と同様である。InGaAsP層62は、InPクラッド層61とInGaAsキャップ層63との間に設けられている。InGaAsP層62の厚さは、例えば100nmである。InGaAsP層62には、所定の導電型のドーパント例えばSiが添加されている。なお、InGaAsP層62は、例えばMBEやMOCVDによって好適にエピタキシャル成長できる。続いて、図8bに示されるように、第2の半導体領域60上本実施形態ではInGaAsキャップ層63上に、ストライプ状のエッチングマスクM1を形成するマスク形成工程。このエッチングマスクM1の構成や形状延伸方向など及び形成方法は、第1実施形態と同様である。続いて、図9aに示されるように、エッチングマスクM1を用いて、第2の半導体領域60に対してドライエッチングを行う第1のエッチング工程。この工程では、例えばICP-RIEによって、InGaAsキャップ層63、InGaAsP層62、及びInPクラッド層61を好適にエッチングすることができる。なお、エッチングガスとしては、メタン及び水素の混合ガスが好適である。或いは、HCl、SiCl4、HI等をエッチングガスとして用いてもよい。この工程によって、InP基板21の主面21aに対して略垂直な第2の半導体領域60の側面64が形成される。また、このドライエッチングは、コア層22のAlInAs層によって好適に停止される。続いて、エッチングマスクM1を用いて、第2の半導体領域60の側面64、および第1の半導体領域20の表面23に対してウェットエッチングを行う第2のエッチング工程。この工程の詳細は、第1実施形態と同様である。この工程によって、図9bに示されるように、所定方向エッチングマスクM1の延伸方向に延びるストライプメサ構造70が形成される。この第2のエッチング工程ののち、エッチングマスクM1を除去する。続いて、第1実施形態と同様の方法によって、絶縁膜42を形成し絶縁膜形成工程、図10a、更に、電極50を形成する電極形成工程、図10b。続いて、InP基板21の裏面21bを研磨した後、図11に示されるように、電極52を裏面21b上に形成する。以上の工程を経た基板生産物10Bを劈開してチップ状に切断することによって、光半導体デバイスとしての量子カスケードレーザ素子が完成する。本実施形態では、第1実施形態と同様に、ストライプメサ構造70を形成するためのエッチング工程が、2つの工程ドライエッチングを行う第1のエッチング工程、及びウェットエッチングを行う第2のエッチング工程を含んでいる。その結果、図9bに示されたように、第1の半導体領域20の側面は例えば30°といった小さい傾斜角で形成され、第2の半導体領域60の側面は例えば60°といった大きな傾斜角で形成される。したがって、電極50を形成する際図10bを参照に、金属のつきまわり性を確保して、コア層22の側面を十分な金属膜によって覆うことができるので、当該量子カスケードレーザ素子の放熱性を良好にすることができる。また、絶縁膜42を形成する際図10aを参照に、絶縁材料のつきまわり性を確保して、絶縁不良を防ぐことができる。また、本実施形態の製造方法では、ストライプメサ構造70の上部において側面の傾斜を緩くすることにより、ストライプメサ構造70側面の全体的な傾斜を比較的大きくすることができる。すなわち、ストライプメサ構造70の横幅光導波方向と直交する方向の幅を狭くすることができ、特にコア層22の横幅を狭くすることができるので、電極50から注入される電流を効果的に絞り込む狭窄することができる。また、本実施形態では、第2の半導体領域60が、InPクラッド層61とInGaAsキャップ層63との間に設けられたInGaAsP層62を有している。第1実施形態において述べたように、第2の半導体領域60に対するサイドエッチングの程度は、InGaAsキャップ層63によって好適に制御可能である。しかし、このInGaAsキャップ層63が電極50とのオーミックコンタクトの為に設けられる場合、その厚さには制限があるので、第2の半導体領域60に対するサイドエッチングの程度を十分に制御できない場合がある。このような場合、本実施形態のように、InGaAsP層62がInPクラッド層61とInGaAsキャップ層63との間に設けられるとよい。これにより、第2の半導体領域60に対するサイドエッチングの程度ストライプメサ構造70上部の側面傾斜角を容易に制御することができる。本発明による光半導体デバイスの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記各実施形態では量子カスケードレーザ素子に本発明を適用したが、本発明は、ストライプメサ構造と、ストライプメサ構造を覆う電極とを備える様々な光半導体デバイスに適用可能である。"