"一端が抵抗を介して接地された磁気インピーダンス効果素子と、前記磁気インピーダンス効果素子の他端から当該磁気インピーダンス効果素子に交流電流を供給する電流源と、非反転入力端子が前記磁気インピーダンス効果素子の前記他端に接続されると共に反転入力端子がコンデンサを介して前記磁気インピーダンス効果素子の前記一端に接続され、前記反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗が接続されて前記コンデンサに流れる電流を電圧に変換して出力するオペアンプを有する電流電圧変換部と、前記電流電圧変換部から出力される前記電圧を検波することにより、前記磁気インピーダンス効果素子に加わる外部印加磁界の大きさに応じて変化する検波電圧を出力する検波部とを備えている磁界検出装置。前記磁気インピーダンス効果素子のインダクタと前記コンデンサとが並列共振回路を構成し、当該並列共振回路の共振周波数が前記交流電流の周波数に規定されている請求項1記載の磁界検出装置。ところが、上記の磁界検出回路には、以下の解決すべき課題が存在している。すなわち、この磁界検出回路では、測定しようとする磁界の発生場所の近くに電圧の変動する外部導体が存在しているときには、この発生場所に配置した磁気インピーダンス効果素子である磁性体がこの外部導体と容量結合する場合があり、この場合には、変動する外部導体の電圧の影響を受けて磁性体の電圧も変動する。しかしながら、この磁界検出回路では、この外部導体との容量結合に基づいて磁性体に発生する電圧の変動については、相殺することができない。このため、この磁界検出回路には、電圧の変動する外部導体と容量結合する場所での外部印加磁界を正確に測定することができないという解決すべき課題が存在している。本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、外部導体と容量結合した状態においても外部印加磁界を正確に検出し得る磁界検出装置を提供することを主目的とする。上記目的を達成すべく請求項1記載の磁界検出装置は、一端が抵抗を介して接地された磁気インピーダンス効果素子と、前記磁気インピーダンス効果素子の他端から当該磁気インピーダンス効果素子に交流電流を供給する電流源と、非反転入力端子が前記磁気インピーダンス効果素子の前記他端に接続されると共に反転入力端子がコンデンサを介して前記磁気インピーダンス効果素子の前記一端に接続され、前記反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗が接続されて前記コンデンサに流れる電流を電圧に変換して出力するオペアンプを有する電流電圧変換部と、前記電流電圧変換部から出力される前記電圧を検波することにより、前記磁気インピーダンス効果素子に加わる外部印加磁界の大きさに応じて変化する検波電圧を出力する検波部とを備えている。請求項2記載の磁界検出装置は、請求項1記載の磁界検出装置において、前記磁気インピーダンス効果素子のインダクタと前記コンデンサとが並列共振回路を構成し、当該並列共振回路の共振周波数が前記交流電流の周波数に規定されている。請求項1記載の磁界検出装置では、一端が磁気インピーダンス効果素子に接続され、かつ他端が電流電圧変換部のオペアンプにおける反転入力端子に接続されたコンデンサを備え、電流電圧変換部が、コンデンサの両端の各電圧の差分に応じてコンデンサに流れる電流を電圧に変換して出力する。したがって、この磁界検出装置によれば、磁気インピーダンス効果素子が外部導体と容量結合して、磁気インピーダンス効果素子の電圧が外部導体の電圧の変動の影響を受けて変動したとしても、外部印加磁界の強さの変化に伴って変化する磁気インピーダンス効果出力電圧のみを検出して、外部印加磁界の大きさに応じてのみ変化する検波電圧を出力することができる。また、請求項2記載の磁界検出装置では、磁気インピーダンス効果素子のインダクタとコンデンサとが並列共振回路を構成し、このインダクタのインダクタンス値とコンデンサの静電容量値とで規定される並列共振回路の共振周波数が交流電流の周波数に規定されているため、わずかな外部印加磁界の強さの変化が、コンデンサに流れる電流の大きな変化、ひいては検波電圧の大きな変化に変換される。したがって、この磁界検出装置によれば、外部印加磁界の強さのわずかな変化を高感度で検出して、検波電圧として出力することができる。以下、磁界検出装置1の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。最初に、磁界検出装置1の構成について、図面を参照して説明する。磁界検出装置1は、図1に示すように、磁気インピーダンス効果素子2、抵抗3、電流源4、コンデンサ5、電流電圧変換部6、検波部7および増幅部8を備えている。磁気インピーダンス効果素子2は、一例として、アモルファス磁性線で構成されている。また、磁気インピーダンス効果素子2は、一端が抵抗3を介して接地され、他端に電流源4から後述の交流電流S1が供給される。なお、本例では発明の理解を容易にするため、磁気インピーダンス効果素子2の抵抗成分は無視できるものとする。このため、磁気インピーダンス効果素子2は、交流電流S1が供給されている状態において外部印加磁界の強さが変化したときには、この外部印加磁界の強さの変化に応じてインダクタンス値を変化させることで、磁気インピーダンス効果出力電圧交流電流S1の通電によって生じる周方向の磁束の時間変化に対する電圧V1のみを出力する発生させるものとする。電流源4は、数十MHz例えば、10MHz~20MHzの交流電流高周波電流S1を出力する。また、電流源4における交流電流S1が出力される出力端子図示せずは、磁気インピーダンス効果素子2の他端、および電流電圧変換部6を構成する後述のオペアンプにおける非反転入力端子に接続されている。コンデンサ5は、一端が磁気インピーダンス効果素子2の一端に接続されると共に、他端が電流電圧変換部6を構成する後述のオペアンプにおける反転入力端子に接続されている。電流電圧変換部6は、一例として、オペアンプ6aおよび帰還抵抗6bを備えている。オペアンプ6aは、反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗6bが接続されている。また、オペアンプ6aは、非反転入力端子に電流源4の出力端子が接続され、反転入力端子にコンデンサ5の他端が接続されている。また、オペアンプ6aは、出力端子が検波部7の入力端子図示せずに接続されている。この構成により、電流電圧変換部6は、コンデンサ5の一端に発生する電圧Vaと他端に発生する電圧Vbとの差分Vb-Vaに応じて、コンデンサ5に流れる電流I1を電圧Viに変換して出力する。この場合、コンデンサ5の他端に接続されているオペアンプ6aの反転入力端子は、バーチャルショート状態の非反転入力端子を介して磁気インピーダンス効果素子2の他端と同電位に規定される。これにより、磁気インピーダンス効果素子2のインダクタとコンデンサ5とは等価的に並列共振回路を構成する。また、並列共振回路は、外部印加磁界の強さがゼロのときの磁気インピーダンス効果素子2のインダクタンス値と、コンデンサ5の静電容量値とで規定される並列共振周波数が交流電流S1の周波数と一致またはその近傍となるように構成されている。検波部7は、電圧Viを検波本例では、包絡線検波して、検波電圧Vdを出力する。増幅部8は、この検波電圧Vdを増幅して出力電圧Voutとして出力する。次に、磁界検出装置1の動作について説明する。磁気インピーダンス効果素子2が外部導体11と容量結合していない状態において、電流源4から磁気インピーダンス効果素子2に対して交流電流S1が供給されているときには、磁気インピーダンス効果素子2は、外部印加磁界によって変化する磁気インピーダンス効果出力電圧V1を発生させる。この場合、コンデンサ5の一端磁気インピーダンス効果素子2の一端に接続されている端部に発生する電圧Vaを基準としたときに、磁気インピーダンス効果素子2の他端には、電圧VaV1が発生する。この電圧VaV1はオペアンプ6aの非反転入力端子に印加されるが、オペアンプ6aでは非反転入力端子と反転入力端子とはバーチャルショート状態であるため、電圧VaV1は、電圧Vbとしてコンデンサ5の他端に印加される。これにより、電流電圧変換部6は、差分Vb-Va、すなわち電圧V1=Vb-Va=VaV1-Vaに応じてコンデンサ5に流れる電流I1を電圧Viに変換して出力する。検波部7は、この電圧Viを検波して、磁気インピーダンス効果出力電圧V1にのみ応じて変化する検波電圧Vdを出力し、増幅部8は、この検波電圧Vdを増幅して出力電圧Voutとして出力する。したがって、磁界検出装置1は、磁気インピーダンス効果出力電圧V1にのみ応じて変化する出力電圧Vout、つまり、外部印加磁界によってのみ変化する出力電圧Voutを出力する。また、この磁界検出装置1では、外部印加磁界の強さがゼロのときの磁気インピーダンス効果素子2のインダクタンス値とコンデンサ5の静電容量値で規定される磁気インピーダンス効果素子2とコンデンサ5の並列共振回路の共振周波数が交流電流S1の周波数と一致またはその近傍となるように構成されている。このため、この磁界検出装置1では、わずかな外部印加磁界の強さの変化を、コンデンサ5に流れる電流I1の大きな変化として、電圧Viの大きな変化、ひいては出力電圧Voutの大きな変化として検出することが可能となっている。つまり、この磁界検出装置1では、わずかな外部印加磁界の強さの変化を高感度で検出することが可能となっている。一方、この状態において、磁気インピーダンス効果素子2が外部導体11と容量結合したときには、磁気インピーダンス効果素子2全体の電位は、外部導体11の電圧の変動の影響を受けて変動する。この場合、この外部導体11の電圧の変動に起因する磁気インピーダンス効果素子2の電位の変動分が電圧V2であるときには、この電圧V2は、コンデンサ5の一端に発生する電圧Vaに重畳すると共に、磁気インピーダンス効果素子2の他端に発生する電圧VaV1にも重畳する。また、この電圧VaV1への電圧V2の重畳により、磁気インピーダンス効果素子2の他端に接続されたオペアンプ6aの非反転入力端子とバーチャルショート状態となるオペアンプ6aの反転入力端子の電圧Vbにも電圧V2が重畳する。このようにして、電圧Va,Vbの双方に電圧V2が重畳するため、電流電圧変換部6は、差分Vb-Vaに応じてコンデンサ5に流れる電流I1を電圧Viに変換することにより、電圧V2を相殺した状態で、磁気インピーダンス効果出力電圧V1に応じてコンデンサ5に流れる電流I1を電圧Viに変換して出力する。検波部7は、この電圧Viを検波して、検波電圧Vdを出力し、増幅部8は、この検波電圧Vdを増幅して出力電圧Voutとして出力する。したがって、磁界検出装置1は、磁気インピーダンス効果素子2が外部導体11と容量結合することによって、磁気インピーダンス効果素子2の電位が電圧V2で変動している状態においても、外部印加磁界の強さの変化に伴って変化する磁気インピーダンス効果出力電圧V1を高感度で検出して、外部印加磁界によってのみ変化する出力電圧Voutを出力する。このように、この磁界検出装置1では、一端が磁気インピーダンス効果素子2に接続され、かつ他端が電流電圧変換部6のオペアンプ6aにおける反転入力端子に接続されたコンデンサ5を備え、電流電圧変換部6が、コンデンサ5の他端オペアンプ6aのバーチャルショートによって磁気インピーダンス効果素子2の他端と同電位となる端部における電圧Vbとコンデンサの一端における電圧Vaとの差分Vb-Vaに応じてコンデンサ5に流れる電流I1を電圧Viに変換して出力する。したがって、この磁界検出装置1によれば、磁気インピーダンス効果素子2が外部導体11と容量結合して、磁気インピーダンス効果素子2の電圧が外部導体11の電圧の変動の影響を受けて変動したとしても、外部印加磁界の強さの変化に伴って変化する磁気インピーダンス効果出力電圧V1のみを検出して、外部印加磁界によってのみ変化する出力電圧Voutを出力することができる。また、この磁界検出装置1では、磁気インピーダンス効果素子2のインダクタとコンデンサ5とが並列共振回路を構成し、このインダクタのインダクタンス値とコンデンサ5の静電容量値とで規定される並列共振回路の共振周波数が交流電流S1の周波数に規定されているため、わずかな外部印加磁界の強さの変化が、コンデンサ5に流れる電流I1の大きな変化、ひいては出力電圧Voutの大きな変化に変換される。したがって、この磁界検出装置1によれば、外部印加磁界の強さのわずかな変化を高感度で検出して、出力電圧Voutとして出力することができる。なお、上記の構成に限定されない。例えば、検波部7から出力される検波電圧Vdの振幅で十分な場合には、増幅部8を設けることなく、この検波電圧Vdを出力電圧として出力する構成を採用することもできる。"