複数の開口内に銅含有材料を蒸着するための方法であって、前記蒸着された銅含有材料が100°Cより高い温度である条件の下での前記銅含有材料の物理蒸着を含む、ことを特徴とする方法。前記蒸着は、スパッタ蒸着される材料が100°Cよりも高い温度で、プラズマを使用する前記銅含有材料をスパッタリングするステップと、前記スパッタ蒸着される材料の前記温度を100°Cよりも高く維持する間、前記プラズマを焼失させるステップと、複数の空洞のピンチングオフを回避するために、前記スパッタ蒸着される材料が前記複数の空洞へと表面拡散する十分な期間を提供するステップと、のシーケンスの少なくとも一回の繰り返しを含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記温度が、約300°Cから約600°Cの範囲にある、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記温度が、約500°Cから約600°Cの範囲にある、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。希ガスが、前記物理蒸着の間にターゲットから銅含有材料をスパッタリングするために使用される、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記銅含有材料の前記物理蒸着の前に、前記複数の開口をライニングするために、前記複数の開口内に金属と窒素とを含有する組成物を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方を含む、ことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記銅含有材料の前記物理蒸着の前に、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方を含む金属含有材料で前記複数の開口をライニングするステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記銅含有材料の前記物理蒸着の前に、前記複数の開口を第一の金属でライニングするステップと、前記第一の金属を窒素源に暴露することによって前記第一の金属を窒化するステップと、をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方で構成される、ことを特徴とする請求項9に記載の方法。複数の開口内に導電性材料を提供するための方法であって、金属含有組成物で前記複数の開口をライニングするステップと、前記金属含有組生物上に銅含有材料を物理蒸着するステップであって、前記物理蒸着は、第一のコンフォーメーションを有する銅含有材料コーティングを形成するために、前記蒸着された銅の温度を、約0°Cに等しいかそれよりも低く維持する条件の下で実施される、ステップと、前記コーティングの前記銅含有材料をリフローし、それによって、前記銅含有材料の第二のコンフォーメーションを形成するために、前記銅含有材料が約180°Cから約250°Cの範囲内の温度にある条件の下で、前記銅含有材料コーティングをアニールするステップと、を含む少なくとも一回の繰り返しと、を含む、ことを特徴とする方法。前記金属含有組成物は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方で構成される、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記金属含有組成物は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した窒素で構成される、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記銅含有材料の前記第一のコンフォーメーションは、前記複数の開口内に幾つかの間隙を残し、前記銅含有材料の前記第二のコンフォーメーションは、前記複数の開口内から前記複数の間隙を除去する、ことを特徴とする請求項11に記載の方法。複数の開口内に導電性材料を提供するための方法であって、金属および窒素を含む組成物で前記複数の開口をライニングするステップと、前記ライニングされた複数の開口を銅含有材料で少なくとも部分的に充填するステップと、を含む、ことを特徴とする方法。前記複数の開口を銅含有材料で少なくとも部分的に充填する前記ステップは、前記蒸着された銅含有材料が、100°Cよりも高い温度であるような条件の下で、前記銅含有材料の物理蒸着を使用する、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記温度は、約300°Cから約600°Cの範囲内にある、ことを特徴とする請求項16に記載の方法。前記複数の開口を銅含有材料で少なくとも部分的に充填する前記ステップは、前記銅含有材料の第一のコンフォーメーションを形成するために、前記蒸着された銅含有材料の温度を約40°Cに等しいかそれよりも低い温度で維持する条件の下での前記銅含有材料の蒸着と、前記蒸着の後、前記銅含有材料をリフローして、それによって前記銅含有材料の第二のコンフォーメーションを形成するために、前記蒸着された銅含有材料の温度が約180°Cから約250°Cの範囲内である条件の下で、前記銅含有材料をアニールするステップと、を使用する、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記銅含有材料の前記第一のコンフォーメーションは、前記複数の開口内に幾つかの凹部を残し、前記銅含有材料の前記第二のコンフォーメーションは、前記複数の開口内の前記複数の凹部を除去する、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。前記ライニングされた開口を形成する前記ステップは、前記複数の開口の複数の側壁に沿った、金属および窒素を含む前記組成物の蒸着を含む、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方で構成される、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。金属および窒素を含む前記組成物の前記蒸着は、ALD、CVDおよびPVDのうちの一つ以上を使用する、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記ライニングされた開口を形成する前記ステップは、前記金属で前記複数の開口の複数の側壁をコーティングするステップと、前記金属を窒素源へと暴露することによって前記金属を窒化するステップと、を含む、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方を含む、ことを特徴とする請求項23に記載の方法。前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金された遷移金属を含む、ことを特徴とする請求項23に記載の方法。前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金されたタンタルを含む、ことを特徴とする請求項23に記載の方法。窒化する前記ステップは、NH3、NH2およびN2のうちの一つ以上への前記金属の暴露を含む、ことを特徴とする請求項23に記載の方法。電気的に絶縁性の材料へと伸長する開口と、前記開口の複数の側壁をライニングする金属窒化物ライナーと、前記金属窒化物ライナーに直接相対する前記開口内の銅含有材料と、を含む、ことを特徴とする半導体構造。前記金属窒化物ライナーの前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方を含む、ことを特徴とする請求項28に記載の構造。前記金属窒化物ライナーの前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金された遷移金属を含む、ことを特徴とする請求項28に記載の構造。前記金属窒化物ライナーは、前記電気的に絶縁性の材料に直接相対する、ことを特徴とする請求項30に記載の構造。前記金属窒化物ライナーの前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金されたタンタルを含む、ことを特徴とする請求項28に記載の構造。前記金属窒化物ライナーの前記金属は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金されたタンタルを含み、前記電気的に絶縁性の材料は、シリコン酸化物含有の電気的に絶縁性の材料を含み、前記金属窒化物ライナーは、電気的に絶縁性の材料を含む前記シリコン酸化物に直接相対する、ことを特徴とする請求項28に記載の構造。前記金属窒化物ライナーの前記金属はルテニウムで構成される、ことを特徴とする請求項28に記載の構造。前記金属窒化物ライナーの前記金属はコバルトで構成される、ことを特徴とする請求項28に記載の構造。幾つかの実施形態においては、銅が狭小な開口を充填するために使用される。銅が開口内へと流れることができるように、銅内の十分な可動性例えば、表面拡散を生み出すような条件に銅がおかれる可能性がある。具体的な実施形態においては、開口は、開口内への銅の移動を補助する毛管力を生成するほど十分に狭小である可能性がある。銅が開口内へ流れるほど十分に動的であるが、凝集を回避するほど十分に静的である結合されているように、平衡状態は、銅の可動性に関連して影響を受ける例えば、表面移動型メカニズムであるかもしれない可能性がある。幾つかの例示的な実施形態は、図5-図16を参照して記述される。図5を参照すると、半導体構造30は、ベース32およびベース上の電気的な絶縁体34を含むように示される。ベース32および電気的に絶縁性の材料34は、それぞれ、上述されたベース12および電気的絶縁体14と同一の構造を含んでもよい。幾つかの実施形態においては、ベース32は、単結晶性シリコンを含むか、本質的に単結晶性シリコンで構成されるか、または、単結晶性シリコンで構成され、半導体基板と称されてもよいし、または、半導体基板の一部と称されてもよい。半導電性基板半導体構造および半導体基板という用語は、半導電性ウェーハそれ自体または他の材料を含むアセンブリのいずれかおよび半導電性材料層それ自体または他の材料を含むアセンブリのいずれかなどのバルク半導電性材料を含むが、そのいずれにも限定はされない半導電性材料を含む任意の構造を意味する。基板という用語は、上述された半導電性基板を含むがそれに限定はされない任意の支持構造のことを称する。ベース32は均質であるものとして示されているが、ベースは、幾つかの実施形態においては、複数の層を含んでもよい。例えば、ベース32は、集積回路作製に関連する一つ以上の層を含む半導体基板に対応してもよい。このような実施形態においては、このような層は、耐火金属層、バリア層、拡散層、絶縁体層などのうちの一つ以上に対応してもよい。開口40-42は、電気的に絶縁性の材料34へと伸長する。このような開口は、開口16-18を形成するために、図1を参照して上述されたのと同一の処理を使用して形成されてもよい。バリア材料36は、開口をライニングするために開口内に任意で提供される。バリア材料は、図2のバリア材料20を参照して上述された構造のうちのいずれかを含んでもよい。ライナー38は、バリア材料36上に提供される。ライナー38は、ルテニウムとコバルトのうちの一つもしくはその双方を含む金属含有材料である。幾つかの実施形態においては、ライナーは、本質的にルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方で構成されるか、またはルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方で構成されてもよい。他の実施形態においては、ライナーは、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金にされた一つ以上の遷移金属を含んでもよいし、例えば、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金にされたタンタルを含むか、本質的に、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金にされたタンタルで構成されるか、またはルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金にされたタンタルで構成されてもよい。幾つかの実施形態においては、ライナーは、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合された窒素を含んでもよい。図6を参照すると、銅含有材料44は、構造30にわたって、かつ、開口40-42内に蒸着される。銅含有材料は、銅を含むか、本質的に銅で構成されるか、または銅で構成されてもよい。銅含有材料は、開口40-42を均一に充填するよりも小さいコンフォーメーション立体構造を有するように材料を形成する条件の下で蒸着されるように示されており、それによって、幾つかの開口具体的には、示された実施形態においては開口40および41内に間隙および/もしくは凹部を残す。幾つかの実施形態においては、銅含有材料44は、図6の処理段階における銅含有コーティングであると考えられてもよく、そのようなコーティングは、不均一に開口40-42を充填する。銅含有材料は、望ましくは、望まれない表面の粗さを避けるために、このような材料内で微小な粒子サイズ具体的には、約1/4ピッチと等しいかそれよりも小さい粒子サイズを維持する状態の下で蒸着される。例えば、銅含有材料は、約40°Cと等しいかそれよりも低い温度で、構造30および蒸着された銅含有材料の温度を維持する間に、物理蒸着されてもよい。物理蒸着は、例えば、自己イオン化プラズマの使用など、ターゲットから銅をスパッタリングするための任意の適切な技術を使用してもよい。物理蒸着は、適切な状態下で、かつ、適切な期間、実施され、構造30の上部表面にわたって、銅含有材料44の連続層を形成する。図7を参照すると、銅含有材料44は、構造30にわたって材料がリフロー再流できるような熱的条件に晒されて、それによって、銅含有材料で開口40-42を実質的に均一に充填する。銅含有材料の熱処理は、銅含有材料を約180°Cから約600°Cの範囲内幾つかの実施形態においては、約180°Cから約450°Cの範囲内であり、幾つかの実施形態においては、約350°Cから約450°Cの範囲内の温度にするアニールであってもよく、それによって銅含有材料が開口内へとリフローが可能となるように、適切な期間、その温度で銅含有材料を維持する。期間の一例は、少なくとも約1秒から約30秒と等しいかそれよりも短い期間例えば、約20秒であってもよい。リフローされた銅は、開口40-42内では、図6の第一のコンフォーメーションよりもより均一な、第二のコンフォーメーションをとると考えられうる。具体的には、図6の開口40および41内の間隙もしくは凹部は、開口を充填するために銅含有材料がリフローするにつれて、開口から駆逐される。図6および図7は、一回の蒸着/アニールシーケンスが所望の均一性まで開口40-42を充填する一実施形態を記述しているが、他の実施形態においては、所望の均一性まで、開口を充填するために、二回以上の蒸着/アニールシーケンスが存在してもよい。したがって、図6および図7の処理は、プロセスシーケンスの一度の繰り返しであると考えられ、この繰り返しは、銅含有材料を所望の厚さおよび均一性まで形成するために適切な回数繰り返されてもよい。幾つかの実施形態においては、少なくとも一度の繰り返しは、少なくとも一つの他の繰り返しと比較して、温度、時間、および/もしくは一つ以上の他の条件において、変化してもよい。二回以上蒸着/アニールシーケンスを使用する実施形態においては、基板上に銅含有材料は、約180°Cから約250°Cの範囲の温度で維持されてもよい。図5-図7の処理の利点は、開口がより狭小になるにつれて、このような処理が開口を充填するのにますます効率的になりうることである。具体的には、本処理は、開口へとリフローする銅含有材料のけん引を補助するために、狭小な開口内での毛管力を利用してもよい。したがって、半導体作製の現在のプロセスの狭小な開口を充填するために有用なことに加えて、図5-図7の方法論は、現在のプロセスよりも高いレベルの集積を有する将来のプロセスにおいて使用される、さらに狭小な開口を充填するために容易に適用される可能性がある。図8を参照すると、構造30は、開口40-42内の導電性材料36、38および44からライン50-52を形成するために、平坦化に晒される。平坦化は、例えば、化学機械研磨CMPなどの任意の適切な処理を含んでもよい。図5-図8の例示的な処理は、銅含有材料の蒸着図6および銅含有材料のアニール図7のために、別々の熱的条件を使用するが、他の実施形態においては、蒸着は、アニールを同時に達成するほど十分に熱い熱的条件下で実施されてもよい。例えば、銅含有材料の蒸着は、100°Cよりも高い温度で、蒸着された銅含有材料の温度を維持する条件下で実施されてもよい。幾つかの実施形態においては、蒸着された銅含有材料の温度は、約180°Cから約600°Cの範囲内であってもよい。具体的な実施形態においては、約300°Cから約600°Cの範囲内か、約300°Cから約450°Cの範囲内か、または、約500°Cから約600°Cの範囲内であってもよい。蒸着温度すなわち、銅が上に蒸着される基板の温度を制御することによって制御されうる、蒸着される銅の温度は、材料の凝集を誘発することなく、銅含有材料の所望のリフローを得るために、銅含有材料内の適切な表面の可動性を維持するのに適切なレベルで維持されてもよい。十分な高温の下で蒸着が実施される場合、図7の独立したアニールは省略されてもよい。その代わりに、銅含有材料は、材料が所望の均一なコンフォーメーションを形成するように、同時に蒸着かつリフローしてもよい。幾つかの実施形態においては、高温の蒸着/アニールすなわち、100°Cより高い温度における蒸着/アニールが、図5のライナー38などのライナーの上に直接銅を形成するために実施されてもよい。他の実施形態においては、銅の薄い種層が低温の条件の下で例えば、幾つかの実施形態においては、蒸着された銅が0°Cと等しいかそれよりも低い温度を有する条件でライナー上にまず形成され、その後、高温の蒸着/アニールが銅の種層上に銅を形成するために実施されてもよい。幾つかの実施形態においては、銅含有材料の蒸着は、トレンチもしくは他の空洞の実質的に均一な充填を達成するために、間欠性プラズマパルスで実施されてもよい。具体的には、銅含有材料は、蒸着された材料の適切な温度例えば、約400°Cにおいて、プラズマを使用してスパッタ蒸着され、その後、銅含有材料がトレンチ、開口もしくは他のタイプの空洞へと表面拡散できるのに十分な期間例えば、約15秒の間、蒸着された銅含有材料の適切な高温を維持する一方で、プラズマは消失するすなわち、静められる。表面拡散は、空洞の上部においてピンチングオフネッキングオフとも称されるすることなく、銅が空洞を充填することを可能にすることができる。空洞の上部におけるピンチングオフは、空洞内に間隙を形成する可能性があり、ピンチングオフの回避は、したがって、間隙形成を緩和するか、または間隙形成を妨げることもできる。スパッタ蒸着およびその後のプラズマの消失は、空洞内に銅含有材料を形成するためのプロセスの一回の繰り返しであると考えられてもよい。複数の繰り返しが、空洞を所望のレベルまで充填するために実施されてもよい。銅含有材料の高温蒸着中に生じる可能性のある問題点は、蒸着があまりにも早くもしくはあまりにも遅く生じる場合に、その材料が大きな粒子サイズを有する可能性があることである。このように大きな粒子サイズは、同時に発生する銅含有材料のリフローを妨げ、開口40-42の均一な充填どころか、銅含有材料の凝集を引き起こす可能性がある。幾つかの実施形態においては、蒸着チャンバー内の温度を約180°Cから約450°Cの範囲で維持する間、銅含有材料は、約20オングストローム/秒から約50オングストローム/秒の速度で蒸着される。蒸着は、任意の適切なプロセスを使用して実施されてもよい。例示的なプロセスは、銅含有ターゲットからの材料のスパッタリングを含む。幾つかの実施形態においては、比較的遅い速度でのスパッタリングを含む蒸着プロセスを使用することが望ましく、例示的な一プロセスは、銅含有材料をスパッタリングターゲットからスパッタリングするために、希ガス例えば、アルゴンもしくは他の不活性物質を使用する。図9は、幾つかの実施形態において使用される可能性のある物理蒸着PVD装置56の一実施例を示す。銅含有ターゲット58は、装置の反応チャンバー内に保持され、半導体基板30上に提供される。動作においては、銅含有材料60は、ターゲットからスパッタリングされ、その銅含有材料は基板30の上部表面上に蒸着される。ターゲットからの銅含有材料60のスパッタリングは、多数の技術のうちの任意の技術を使用して達成されてもよい。多数の技術は、例えば、ターゲットから材料を移動させるための自己イオン化プラズマの使用および/もしくはターゲットから材料を移動させるための不活性ガスの使用を含む。図示されていない温度制御装置が、蒸着された銅含有材料の温度制御を可能にするために反応チャンバー周囲に提供されてもよい。基板30の温度をPVDプロセス中に正確に制御可能なように、温度制御されたチャックが基板30を支持するために使用されてもよい。図5を参照して上述されたように、幾つかの実施形態は、ライナー38用の金属窒化物の使用を含む。図10-図13は、ライナー用に窒素含有材料を形成し、使用するための例示的な一実施形態を示す。図10を参照すると、半導体構造30aが、図5の処理段階と類似する処理段階において示される。本構造は、ベース32、絶縁性材料34、バリア層36およびライナー38を含む。図10のライナー38は、幾つかの実施形態においては、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方を含むか、本質的にルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方で構成されるか、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方で構成される。他の実施形態においては、図10のライナー38は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属例えば、タンタルを含むか、本質的にルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属で構成されるか、または、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属で構成される。図11を参照すると、ライナー38は、ライナーの材料を窒化するために窒素含有組成物70に晒される。窒素含有組成物70は任意の適切な組成物であり、幾つかの実施形態においては、NH3、NH2およびN2のうちの一つ以上を含んでもよい。幾つかの実施形態においては、窒素含有組成物は、別の組成物と組み合わせて使用されてもよい。例えば、NH3はO2と組み合わせて使用されてもよいし、N2はH2と組み合わせて使用されてもよい。ライナーの材料の窒化は、ライナーの幾らかもしくはその全てを、金属および窒素を含有する組成物へと変換する可能性がある。幾つかの実施形態においては、窒化されたライナーは、コバルトおよびルテニウムのうちの一つもしくはその双方と結合した窒素を含んでもよい。幾つかの実施形態においては、窒化されたライナーは、遷移金属例えば、タンタルならびにコバルトおよびルテニウムのうちの一つもしくはその双方と結合した窒素を含んでもよい。図12を参照すると、銅含有材料44は、開口40-42内に蒸着される。この蒸着は、任意の適切な方法を使用してもよく、幾つかの実施形態においては、図5-図9を参照して上述された方法のうちの一つを使用してもよい。ライナー38内の金属の窒化は、幾つかの実施形態においては、開口40-42への銅の均一なリフローを達成する上で有用である可能性がある。図13を参照すると、構造30aは、電気的に分離されたライン50-52を形成するために、平坦化に晒される。このようなラインの各々は、窒素含有材料38幾つかの実施形態においては、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した窒素で構成される可能性があり、幾つかの実施形態においては、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属と窒素とで構成される可能性があるに直接相対する銅含有材料44幾つかの実施形態においては、銅で構成される可能性があるを含む。図10-図13の窒素含有ライナーは、金属含有ライナーを窒素へと暴露することによって形成されるものとして記述されているが、他の実施形態においては、窒素含有ライナーは、ALD、CVDおよびPVDのうちの一つ以上を使用して直接蒸着されてもよい。例えば、窒素含有ライナーは、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した窒素を含むか、本質的にルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した窒素で構成されるか、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した窒素で構成され、かつ、ALD、CVDおよび/もしくはPVDによって直接蒸着されてもよい。他の実施形態においては、窒素含有ライナーは、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属と窒素を含むか、本質的にルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属と窒素で構成されるか、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属と窒素で構成され、かつ、ALD、CVDおよび/もしくはPVDによって直接蒸着されてもよい。ライナー38が、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金された一つ以上の遷移金属を含む用途においては、バリア36を省略することが望ましいことがある。具体的には、ライナー38は、銅の移動に対するバリアの機能と銅含有材料を保持するための層の機能との双方を達成することが可能である。図14-図16は、バリア36図5が省略される例示的な一実施形態を示す。図14は、図5の処理段階に類似した処理段階における半導体構造30bを示す。構造30bは、図5を参照して上述された、ベース32および絶縁性材料34を含む。開口40-42は、絶縁性材料34へと伸長する。ライナー80は、絶縁性材料34の上部表面にわたって、開口40-42内で伸長し、ライナーは、開口の側壁をライニングする。ライナー80は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金された遷移金属例えば、タンタルを含むか、本質的にルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金された遷移金属で構成されるか、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と合金された遷移金属で構成されてもよい。幾つかの実施形態においては、ライナー80は、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属例えば、タンタルを含むか、本質的にルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属で構成されるか、ルテニウムおよびコバルトのうちの一つもしくはその双方と結合した一つ以上の遷移金属で構成されてもよい。ライナー80は、電気的に絶縁性の材料34に直接相対する。幾つかの実施形態においては、電気的に絶縁性の材料34は、シリコン酸化物含有材料例えば、二酸化シリコン、BPSG、PSG、FSGなどであってもよく、ライナー80は、そのシリコン酸化物含有材料に直接相対してもよい。図15を参照すると、銅含有材料44は、開口40-42内に蒸着される。この蒸着は、任意の適切な方法を使用してもよく、幾つかの実施形態においては、図5-図9を参照して上述された方法のうちの一つを使用してもよい。図16を参照すると、構造30bは、電気的に分離されたライン90-92を形成するために平坦化に晒される。このようなラインの各々は、ライナー80に直接相対し、同様に、電気的に絶縁性の材料34に直接相対する銅含有材料44を含む。上述された実施形態は、集積回路を形成する上で使用されてもよい。このような回路は、例えば、コンピュータ、自動車、飛行機、時計、携帯電話などの電子システムで使用されてもよい。幾つかの用途においては、本明細書で記述された実施形態が、フラッシュメモリなどの集積メモリを形成するために使用されてもよい。図面において、種々の実施形態の特定の方向は、例示的な目的のためだけのものであって、実施形態は、幾つかの用途においては、示された方向に対して回転されてもよい。本明細書で提供された記述およびそれに続く請求項は、その構造が図面の特定の方向にあるか、またはその方向に対して回転されているか否かに関わらず、種々の機構間で記述された関係を有する任意の構造に関するものである。ある構成要素が、別の構成要素の上にもしくは相対して存在するものとして上記で言及されるときには、他の構成要素の上に直接存在しうるか、または、中間構成要素も存在してもよい。対照的に、ある構成要素が、別の構成要素の直上にもしくは直接相対して存在するものとして言及されるときには、中間構成要素は存在しない。ある構成要素が、別の構成要素に対して、接続されているかまたは結合されているものとして言及されるときには、他の構成要素に対して直接接続されるか、または直接結合されるか、あるいは中間構成要素が存在してもよい。対照的に、ある構成要素が、別の構成要素に対して、直接接続されているかまたは直接結合されているものとして言及されるときには、中間構成要素は存在しない。