"シリコン基板を浸漬して、当該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、下記一般式1で表わされる化合物Aと水酸化アルカリBとを含有することを特徴とするエッチング液。式1中、Xはスルホン酸基またはそのアルカリ塩、R1及びR2は、それぞれ、同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基何れも炭素数が1又は2であるの群から選択される1種である。但し、R1及びR2はの合計炭素数は0~2個である。化合物Aが少なくとも4位に置換基を有する化合物である請求項1に記載のエッチング液。化合物Aの濃度が0.01~30重量である請求項1又は2に記載のエッチング液。水酸化アルカリBが水酸化ナトリウム及び/又は水酸化カリウムである請求項1~3の何れかに記載のエッチング液。水酸化アルカリBの濃度が0.1~50重量である請求項1~4の何れかに記載のエッチング液。さらに珪酸塩化合物Cを含有する請求項1~5の何れかに記載のエッチング液。珪酸塩化合物Cがナトリウム又はカリウムの珪酸塩である請求項6に記載のエッチング液。珪酸塩化合物Cの濃度がSi換算濃度として10重量以下である請求項6又は7に記載のエッチング液。請求項1~8の何れかに記載のエッチング液にシリコン基板を浸漬して、当該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させる工程を含むことを特徴とするシリコン基板の表面加工方法。ピラミッド状の凹凸の平均サイズが2.0~4.0μmである請求項9に記載の表面加工方法。脂肪族カルボン酸を使用する方法では、原料コストが高く、廃液処理の際に中和すると脂肪族カルボン酸が遊離し、別途油水分離工程が必要となると共に特有の悪臭が生じるという問題がある。また、廃液処理にコストがかかり、製造コストの上昇にもつながるといった問題がある。また、無機塩を使用する方法では、重金属や塩類の不純物濃度を必要なレベルに抑制するに高価なNa2CO3を使用する必要がある。また、系内の塩濃度が高くなり、シリコンのエッチングの際に副生する珪酸塩の溶解量が減少するため、テクスチャーエッチング液を頻繁に交換しなければならない。また、ベンゼン環を含む鎖状構造の化合物は、単純な鎖状構造の化合物に対して、エッチングの抑制効果が強いため、添加剤濃度を少なくする必要がある。しかしながら、添加剤濃度が少なすぎると、エッチング液中の濃度管理が難しく、再現性良く微細なテクスチャー構造を有するシリコン基板を製造することが困難となる。以上のように、従来のエッチング液では、シリコン基板状に微細なテクスチャー構造を再現性良く形成することができ、かつ、廃液処理や作業環境の面を含めて工業的に満足できる性能を有するエッチング液は未だ見出されていないのが実情である。かかる状況下、本発明の目的は、IPA等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なテクスチャー構造を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供することである。本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、エッチング抑制剤として特定の化合物を使用することにより上記の目的を容易に達成し得るとの知見を得、本発明に至った。すなわち、本発明の第1の要旨は、シリコン基板を浸漬して、当該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、下記一般式1で表わされる化合物Aと水酸化アルカリBとを含有することを特徴とするエッチング液に存する。式1中、Xはスルホン酸基またはそのアルカリ塩、R1及びR2は、それぞれ、同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基何れも炭素数が1又は2であるの群から選択される1種である。但し、R1及びR2はの合計炭素数は0~2個である。そして、本発明の第2の要旨は、上記のエッチング液にシリコン基板を浸漬して、当該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させる工程を含むことを特徴とするシリコン基板の表面加工方法に存する。本発明のエッチング液を使用すると、シリコン基板の表面に、太陽電池用の光閉じ込め及び効率的なセル形成に適した平均サイズが2.0~4.0μmの微細なテクスチャー構造を再現性よく形成することができる。以下、本発明につき詳細に説明する。先ず、本発明のエッチング液について説明する。本発明のエッチング液にシリコン基板を浸漬して、当該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、下記一般式1で表わされる化合物Aと水酸化アルカリBとを含有する。式1中、Xはスルホン酸基またはそのアルカリ塩、R1及びR2は、それぞれ、同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基何れも炭素数が1又は2であるの群から選択される1種である。但し、R1及びR2はの合計炭素数は0~2個である。本発明において、シリコン基板とは、単結晶シリコン基板および多結晶シリコン基板を含むが、本発明のエッチング液は、単結晶シリコン基板、特に100面を表面に有する単結晶シリコン基板のエッチングに適する。前記一般式1で表わされる化合物Aは、従来のエッチング抑制剤であるIPAと同等以上のエッチング抑制効果を示し、かつ、後述するように適用可能な濃度範囲が広いという利点がある。そのため、本発明のエッチング液を使用することによって、シリコン基板の表面にピラミッド状の凹凸の大きさ、形状を好適な範囲に制御することができる。また、太陽電池の高効率化の手段として、テクスチャー工程に関連する項目は光閉じ込め量の向上低反射率及びセル化におけるSi基板と電極間抵抗の低減などであるが、本発明のエッチング液を使用することによって、平均サイズで2.0~4.0μmの微細なピラミッド状の凹凸形成が可能となり、これらの項目が改善されて太陽電池の高効率化に寄与できることも特徴である。一般式1におけるR1及びR2としては水素原子またはアルキル基が好ましく、また、少なくとも4位に置換を有する化合物が好ましい。化合物Aの具体例としては、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、p-トルエンスルホン酸ナトリウム、4-エチルベンゼンスルホン酸ナトリウム、2,4-ジメチルベンゼン酸スルホン酸ナトリウム、4スチレンスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。なお、化合物Aのアルカリ塩におけるアルカリ成分としては、第1族元素、第2族元素が使用でき、この中でも、特に水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムは、入手が容易でコスト面でも優れるため好適である。化合物Aの濃度は、シリコン基板の表面に微細なテクスチャー構造を形成することができ、工業的に有効なエッチング速度の範囲で選択され、通常0.01~30重量であり、好ましくは0.1~20重量であり、更に好ましくは1~15重量である。上記範囲であると、当該基板の表面を異方エッチングし、当該基板の表面に微細なテクスチャー構造を形成することができる。化合物Aの濃度が、0.01重量未満の場合には、エッチングの抑制効果が不十分になるおそれがあり、また、濃度が低すぎ、エッチング液中の濃度管理が難しく再現性良く微細なテクスチャー構造を有するシリコン基板を製造することが困難となる。一方、30重量より大きい場合には、薬剤コストが増加するとともに水洗回数、廃液処理コストが増すため好ましくない。水酸化アルカリBとしては、第1族元素の水酸化物、第2族元素の水酸化物が使用できる。例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化ベリリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウ、水酸化バリウム、水酸化アンモニウム等が挙げられ、これらを単独であるいは2種以上を混合して用いることができる。この中でも、特に、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムは、入手が容易でコスト面でも優れるため好適である。また、これらの水酸化アルカリは任意の割合で混合して使用してもよい。本発明のエッチング液において、エッチング液中の水酸化アルカリBの濃度は、通常0.1~50重量、好ましくは0.5重量~10重量である。この範囲であれば、エッチングが好適に進行し、シリコン基板の表面に微細な凹凸構造を形成することができる。アルカリ濃度が0.1重量未満では、エッチング速度が十分でない場合があり、50重量より大きいと、水酸化アルカリが析出する場合がある。本発明のエッチング液には、化合物A及び水酸化アルカリB以外に珪酸塩化合物Cを含有させることもできる。珪酸塩化合物Cとして具体的には、オルト珪酸リチウムLi4SiO4nH2O、メタ珪酸リチウムLi2SiO3nH2O、ピロ珪酸リチウムLi6Si2O7nH2O、メタ二珪酸リチウムLi2Si2O5nH2O、メタ三珪酸リチウムLi4Si3O8nH2O、オルト珪酸ナトリウムNa4SiO4nH2O、メタ珪酸ナトリウムNa2SiO3nH2O、ピロ珪酸ナトリウムNa6Si2O7nH2O、メタ二珪酸ナトリウムNa2Si2O5nH2O、メタ三珪酸ナトリウムNa4Si3O8nH2O、オルト珪酸カリウムK4SiO4nH2O、メタ珪酸カリウムK2SiO3nH2O、ピロ珪酸カリウムK6Si2O7nH2O、メタ二珪酸カリウムK2Si2O5nH2O、メタ三珪酸カリウムK4Si3O8nH2Oが挙げられる。珪酸塩化合物Cにはシリコンの溶解を抑制する作用があるため、本発明のエッチング液に珪酸塩化合物Cを含有させることにより、化合物Aのエッチング抑制作用を補助することができ、テクスチャー構造の形成に適したエッチング速度の制御がより適切に行うことが可能となる。珪酸塩化合物Cとしては、上記の化合物の他、シリコン基板を水酸化アルカリB水溶液によりエッチングして得られた生成物、水酸化アルカリBとシリコンもしくは二酸化珪素との反応生成物などであってもよい。珪酸塩化合物Cの濃度が高すぎると、エッチング速度が著しく低下すること及び液粘度の上昇、更には珪酸塩化合物Cの析出が起こりやすく、当該基板を正常にエッチングすることができなくなり、太陽電池用基板としての使用が困難となる。このため、エッチング液中の珪酸塩濃度は、Si換算濃度で10重量以下の範囲が好適である。ここで、Si換算濃度とは、珪酸塩に含まれるシリコンSi原子換算での濃度を意味する。なお、珪酸塩化合物Cはシリコン基板のエッチングの副生成物としても生成するため、繰り返しのエッチング操作によりエッチング液中の珪酸塩化合物Cの濃度が、Si換算濃度で10重量を超える場合には、他の成分を補充して希釈するか、溶液を交換することが好ましい。なお、本発明のエッチング液には、他の成分として、本発明の目的、効果を損なわない範囲で、化合物A、水酸化アルカリB及び珪酸塩化合物C以外の成分を含んでもよい。このような成分としては、緩衝剤、pH調整剤、粘度調整剤、表面張力調整剤などが挙げられる。本発明のエッチング液は、常法によって、上記化合物A及び水酸化アルカリB、並びに必要に応じて珪酸塩化合物Cを溶媒である水に溶解することで得ることができる。なお、エッチング液を製造する温度は、通常0°C~100°C、好ましくは20°C~40°Cであり、一般的には室温である。なお、本発明のエッチング液の溶媒としての水は、不純物を除去した水が好ましく、通常はイオン交換水または蒸留水が好適に用いられる。具体的には、25°Cで測定した電気伝導度が1mS/cm以下特に100μS/cm以下のイオン交換水または蒸留水が好適である。次に、本発明に係るシリコン基板の表面加工方法について説明する。シリコン基板は、いかなる製法で形成された単結晶および多結晶シリコン基板を使用しても良いが、単結晶シリコン基板が好ましく、特に表面の面方位が100である単結晶シリコン基板が好ましい。これは上述のようにアルカリ水溶液によるシリコン基板のエッチングは異方性エッチングであるため、表面の面方位が100のシリコン基板は、微細なテクスチャー構造を形成し低反射率のものが得られ、セル化した時のエネルギー変換効率が高くなるためである。エッチング方法は、特に限定されないものであり、所定の温度に加熱保持した本発明のエッチング液を用いて、シリコン基板を所定の時間、浸漬等することにより、シリコン基板の表面に微細な凹凸構造を形成することができる。エッチング液の使用温度は、特に限定されないが、通常0~100°Cであり、エッチング効率の観点から、好ましくは80~100°Cである。エッチング時間も特に限定されないが、通常1~120分、好ましくは10~40分である。本発明に係るシリコン基板の表面加工方法により、シリコン基板表面にピラミッド状の凹凸構造を有するシリコン基板を得ることができる。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施例に限定されるものではない。実施例1~13、比較例1及び参考例1:<テクスチャーエッチング液の作製>各諸例で使用したエッチング液は、室温で水に溶解した水酸化アルカリBに表1に示す化合物Aを添加して、完全に溶解するまで攪拌し、同表に示すそれぞれのエッチング温度まで加熱することで作製した。珪酸塩化合物Cは、シリコン基板を水酸化アルカリBに浸漬して副生する珪酸塩化合物CがSi換算濃度で所定濃度になるまでエッチングを繰り返し実施することにより作製した。<シリコン基板のエッチング>単結晶シリコンインゴットを切断加工して作製した50×50mm、厚さ約180μmの実用サイズの単結晶シリコン基板表面結晶面:100面を使用し、表1に示す組成のエッチング液に浸漬して、表1に示す条件でテクスチャーエッチングを行った。但し、実施例3については、テクスチャーエッチングに先立ちマクロエッチングを行った。すなわち、シリコン基板を80°Cに加温された25重量の水酸化ナトリウム溶液に約15分間浸漬し、シリコン基板表面の付着物及び加工変性層を除去した。その後に水洗を行ってテクスチャーエッチングに供した。また、実施例13では単結晶シリコンインゴットを切断加工して作成した156×156mm、厚さ180μmの単結晶シリコン基板表面結晶面:100面を使用した。表中のエッチング条件に示したエッチング量はμmは、テクスチャーエッチング前後のシリコン基板の重量を測定し、その重量差から求めた基板片面あたりのエッチング厚みであり、エッチングレートμm/minとは、前記エッチング量をエッチング時間で除したエッチング速度を表す。<テクスチャーエッチングの評価>以下の方法により、エッチング時のエッチング液の発泡性およびエッチング後のシリコン基板の評価を行った。1テクスチャーエッチング時のエッチング液の発泡性の有無:目視観察により、シリコン基板の表面から発生した水素ガスによる気泡がエッチング液の界面で消失せずに泡となりエッチング槽から溢れ出た場合を発泡性有り、シリコン基板の表面から発生した水素ガスによる気泡がエッチング液の界面で消失して泡とならなかった場合を発泡性無しとして評価した。2シリコン基板の外観評価:目視により、以下の基準に沿って評価した。○:基板全面が一様にエッチングされている。△:わずかな斑点又はムラが存在するが、基板全面としてエッチング均一性は高い。×:斑点又は、ムラが確認される。3テクスチャー平均サイズ:テクスチャー平均サイズとは、単位面積あたりのピラミッド個数から算術的に得たピラミッドの平均辺長を意味する。具体的には次の方法で算出する。すなわち、先ず、テクスチャー処理済み基板の任意の90×120μmの領域を拡大観察し、当該領域に存在するピラミッドの頂点個数を計数する。次に、前述の計数領域の面積をピラミッド頂点個数で除し、その平方から得られるピラミッドの平均辺長をテクスチャー平均サイズとする。計算式以下に示す。[数1]テクスチャー平均サイズ=√A/NAμm2:測定領域90×120μmの面積N個:測定領域90×120μm内のピラミッドの頂点個数4光反射率:紫外可視近赤外分光光度計株式会社島津製作所製、UV-3150を使用し、測定波長600nmにおける表面反射率測定した。5電子顕微鏡観察:走査型電子顕微鏡日本電子株式会社製、JSM-6510を使用して行った。テクスチャーエッチングの評価結果を表2及び図1~15に示す。実施例1~13のエッチング液を使用してエッチングを行ったシリコン基板の外観の均一性は、従来のIPAを使用したエッチング液参考例1と同等以上であった。さらに、電子顕微鏡観察によって、これらのシリコン基板の表面に平均サイズ2.0~4.0μmの微細なテクスチャー構造が形成されているのが確認された。また、反射率もそれぞれ太陽電池として使用でき得る十分な値であった。一方、化合物Aとして、4-オクチルベンゼンスルホン酸ナトリウムを使用した比較例1のエッチング液は、エッチング時に発泡性があり、しかも、エッチング速度は非常に遅く、エッチング後の基板外観は白色のムラが強く発生していた。"