電力変換装置本体部と、前記電力変換装置本体部に電気的に接続される配線基板とを備え、前記電力変換装置本体部は、電力変換用半導体素子と、前記電力変換装置本体部の上面において前記配線基板との電気的接続をとるとともに、前記配線基板との間で電流が流入および流出する第1配線基板接続部および第2配線基板接続部を有する配線基板接続部とを含み、前記配線基板から前記第1配線基板接続部または前記第2配線基板接続部の一方を介して前記電力変換用半導体素子に電流が流入した後に前記第1配線基板接続部または前記第2配線基板接続部の他方を介して前記配線基板側へ電流が流出するように電流が流れる場合に、前記電力変換用半導体素子を通過する前後で電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように、前記電力変換用半導体素子に対する前記第1配線基板接続部および前記第2配線基板接続部の配置位置が設定されている、電力変換装置。前記電力変換用半導体素子を通過する前後の2つの電流経路間の距離は、前記2つの電流経路に流れる略逆方向の電流同士で磁束の変化の打ち消しが可能な距離に設定されている、請求項1に記載の電力変換装置。前記電力変換用半導体素子を通過する前後の2つの電流経路が互いに対向するように、前記電力変換用半導体素子に対する前記第1配線基板接続部および前記第2配線基板接続部の配置位置が設定されている、請求項1または2に記載の電力変換装置。前記電力変換用半導体素子は、正側半導体素子を含み、前記電力変換装置本体部は、前記配線基板との電気的接続をとるための正側端子および入出力端子をさらに含み、前記第1配線基板接続部および前記第2配線基板接続部は、それぞれ、正側端子接続部および入出力端子接続部を含み、前記配線基板から前記正側端子接続部または前記入出力端子接続部の一方を介して前記正側半導体素子に電流が流入した後に前記正側端子接続部または前記入出力端子接続部の他方を介して前記配線基板側へ電流が流出するように電流が流れる場合に、前記正側半導体素子を通過する前後で電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように、前記正側半導体素子に対する前記正側端子接続部および前記入出力端子接続部の配置位置が設定されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の電力変換装置。前記正側端子接続部および前記入出力端子接続部は、前記電力変換装置本体部の上面側から見て前記正側半導体素子から同じ方向側に離間した位置に並んで配置されており、前記正側端子接続部または前記入出力端子接続部の一方から前記正側半導体素子に向かって流れる電流と、前記正側半導体素子から前記正側端子接続部または前記入出力端子接続部の他方に向かって流れる電流とで電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように構成されている、請求項4に記載の電力変換装置。前記配線基板の内部には、前記入出力端子接続部に電気的に接続される入出力配線が設けられており、前記入出力端子接続部は、前記電力変換装置本体部の内部に配置された前記正側半導体素子の上方に配置されるとともに、前記電力変換装置本体部の上面において前記正側端子接続部と並んで配置されており、前記入出力配線は、前記正側端子接続部と前記入出力端子接続部とが並んでいる方向と略平行に延びるように設けられており、前記電力変換装置本体部の内部において前記正側端子接続部と前記正側半導体素子との間を流れる電流と、前記配線基板の内部において前記入出力配線を介して流れる電流とで電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように構成されている、請求項4に記載の電力変換装置。前記電力変換用半導体素子は、負側半導体素子を含み、前記電力変換装置本体部は、前記配線基板との電気的接続をとるための負側端子および入出力端子をさらに含み、前記第1配線基板接続部および前記第2配線基板接続部は、それぞれ、負側端子接続部および入出力端子接続部を含み、前記配線基板から前記負側配線基板接続部または前記入出力端子接続部の一方を介して前記負側半導体素子に電流が流入した後に前記負側配線基板接続部または前記入出力端子接続部の他方を介して前記配線基板側へ電流が流出するように電流が流れる場合に、前記負側半導体素子を通過する前後で電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように、前記負側半導体素子に対する前記負側端子接続部および前記入出力端子接続部の配置位置が設定されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の電力変換装置。前記負側端子接続部および前記入出力端子接続部は、前記電力変換装置本体部の上面側から見て前記負側半導体素子から同じ方向側に離間した位置に並んで配置されており、前記負側端子接続部または前記入出力端子接続部の一方から前記負側半導体素子に向かって流れる電流と、前記負側半導体素子から前記負側端子接続部または前記入出力端子接続部の他方に向かって流れる電流とで電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように構成されている、請求項7に記載の電力変換装置。前記配線基板の内部には、前記負側端子接続部に電気的に接続される負側配線と、前記入出力端子接続部に電気的に接続される入出力配線とが設けられており、前記負側配線と前記入出力配線とは、前記配線基板の内部において互いに略平行に延びるように設けられており、前記配線基板の内部において前記入出力配線を介して流れる電流と、前記配線基板の内部において前記負側配線を介して流れる電流とで電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように構成されている、請求項7に記載の電力変換装置。前記電力変換装置本体部は、前記配線基板との電気的接続をとるための正側端子、負側端子および入出力端子をさらに含み、前記配線基板接続部は、正側端子接続部、負側端子接続部および入出力端子接続部を含み、前記電力変換装置本体部を覆う樹脂からなる封止材をさらに備え、前記封止材は、前記封止材の上面において、前記正側端子接続部、前記負側端子接続部および前記入出力端子接続部を露出させるように構成されており、前記正側端子接続部、負側端子接続部および入出力端子接続部の前記封止材の上面から露出された露出面は、互いに略同じ高さを有する、請求項1~9のいずれか1項に記載の電力変換装置。前記電力変換用半導体素子は、電圧駆動型トランジスタ素子を含み、前記配線基板から前記第1配線基板接続部を介して前記電圧駆動型トランジスタ素子に電流が流入した後に前記第2配線基板接続部を介して前記配線基板側へ電流が流出するように電流が流れる場合に、前記電圧駆動型トランジスタ素子を通過する前後で電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように、前記電圧駆動型トランジスタ素子に対する前記第1配線基板接続部および前記第2配線基板接続部の配置位置が設定されている、請求項1~10のいずれか1項に記載の電力変換装置。前記電力変換用半導体素子は、前記電圧駆動型トランジスタ素子に並列接続される還流ダイオード素子をさらに含み、前記配線基板から前記第2配線基板接続部を介して前記還流ダイオード素子に電流が流入した後に前記第1配線基板接続部を介して前記配線基板側へ電流が流出するように電流が流れる場合に、前記還流ダイオード素子を通過する前後で電流の流れる方向が略逆方向になるとともに、略逆方向の電流が流れることにより磁束の変化の打ち消しが可能なように、前記還流ダイオード素子に対する前記第1配線基板接続部および前記第2配線基板接続部の配置位置が設定されている、請求項11に記載の電力変換装置。しかしながら、上記特許文献1に記載の半導体装置では、リードフレームがモールド樹脂の側面からはみ出しているので、その側面からはみ出したリードフレームに対して外部との電気的接続をとるための配線基板を取り付けにくいという問題点がある。また、一般に、上記のような従来の電力変換装置では、装置全体の配線インダクタンスを小さくすることが望まれている。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、配線基板の取り付けを容易にしながら、装置全体の配線インダクタンスを小さくすることが可能な電力変換装置を提供することである。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。第1実施形態まず、図1~図9を参照して、本発明の第1実施形態によるパワーモジュール100の構成について説明する。なお、パワーモジュール100は、本発明の電力変換装置の一例である。図1に示すように、本発明の第1実施形態によるパワーモジュール100は、3つのパワーモジュール本体部100a、100bおよび100cと、配線基板200とにより構成されている。なお、パワーモジュール本体部100a、100bおよび100cは、それぞれ、本発明の電力変換装置本体部の一例である。パワーモジュール100は、モータなどに接続される3相インバータ回路を構成している。このパワーモジュール100を構成するパワーモジュール本体部100a、100bおよび100cのそれぞれの矢印X1方向側の部分は、3相インバータ回路の上側アームP側として機能する。また、パワーモジュール本体部100a、100bおよび100cのそれぞれの矢印X2方向側の部分は、3相インバータ回路の下側アームN側として機能する。なお、パワーモジュール本体部100a、100bおよび100cは、それぞれ、U相、V相、W相の電力変換を行うものとする。また、パワーモジュール本体部100a、100bおよび100cは、それぞれ、略同様の構成を有しているので、以下では、主としてパワーモジュール本体部100aについて説明する。図2に示すように、配線基板200の内部には、導電性の金属板からなるP相ブスバ200a、U相ブスバ200bおよびN相ブスバ200cが設けられている。また、図1に示すように、これらのP相ブスバ200a、U相ブスバ200bおよびN相ブスバ200cの一部は、パワーモジュール本体部100aの後述するP側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aに対応するように配線基板200の下面矢印Z2方向側の面から露出している。なお、U相ブスバ200bおよびN相ブスバ200cは、それぞれ、本発明の入出力配線および負側配線の一例である。また、P側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aは、それぞれ、本発明の正側端子接続部、入出力端子接続部および負側端子接続部の一例である。なお、配線基板200の内部には、パワーモジュール本体部100bおよび100cの後述するV相端子接続部およびW相端子接続部に対応するように、V相ブスバおよびW層ブスバが設けられている。パワーモジュール本体部100aは、パワーモジュール本体部100aの上面矢印Z1方向側の面において配線基板200に電気的に接続されるように構成されている。具体的には、図1~図3に示すように、パワーモジュール本体部100aの後述するP側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12a細かい点状の網掛け部参照と、配線基板200のP相ブスバ200a、U相ブスバ200bおよびN相ブスバ200cの配線基板200の下面矢印Z2方向側の面から露出した部分とがバンプ電極300を介して接合されるように構成されている。また、図3に示すように、パワーモジュール本体部100aと配線基板200とは、所定の距離空間を隔てて配置されるように構成されている。この空間には、たとえば、熱伝導性を有する樹脂などが充填される。これにより、パワーモジュール100の放熱性を高めながら、パワーモジュール本体部100a、パワーモジュール本体部100bおよびパワーモジュール本体部100cと、配線基板200とを固定することが可能になる。また、樹脂により、パワーモジュール本体部100aと配線基板200とを接続するP相ブスバ200a、N相ブスバ200c、U相ブスバ200bが腐食するのを抑制することが可能になる。なお、この樹脂は、熱伝導性を有するコンパウンドでも代用可能である。次に、本発明の第1実施形態によるパワーモジュール本体部100aの詳細な構成について説明する。図1~図5に示すように、パワーモジュール本体部100aには、金属板1と、絶縁板2と、P側基板3およびN側基板4と、2つのP側半導体素子5と、2つのN側半導体素子6と、4つの柱状電極7と、2つのP側制御端子8と、2つのN側制御端子9と、P側端子10と、U相端子11と、N側端子12とが設けられている。金属板1、P側基板3およびN側基板4は、銅などの金属からなる。また、絶縁板2は、セラミックなどの絶縁物からなる。このパワーモジュール本体部100aでは、金属板1、絶縁板2およびP側基板3により、P側の絶縁回路基板が構成され、金属板1、絶縁板2およびN側基板4により、N側の絶縁回路基板が構成されている。なお、P側半導体素子5は、本発明の電力変換用半導体素子の一例であるとともに、正側半導体素子の一例である。また、N側半導体素子6は、本発明の電力変換用半導体素子の一例であるとともに、負側半導体素子の一例である。また、P側端子10、U相端子11およびN側端子12は、それぞれ、本発明の正側端子、入出力端子および負側端子の一例である。2つのP側半導体素子5は、1つのP側トランジスタ素子5aと、1つのP側ダイオード素子5bとにより構成されている。このP側トランジスタ素子5aは、たとえば、MOSFET電界効果型トランジスタである。また、P側ダイオード素子5bは、たとえば、SBDショットキーバリアダイオードである。なお、P側ダイオード素子5bは、還流ダイオードとしての機能を有する。図6に示すように、P側トランジスタ素子5aと、P側ダイオード素子5bとは、電気的に並列に接続されている。具体的には、P側ダイオード素子5bのカソード電極は、P側トランジスタ素子5aのドレイン電極に電気的に接続されている。また、P側ダイオード素子5aのアノード電極は、P側トランジスタ素子5aのソース電極に電気的に接続されている。なお、P側トランジスタ素子5aは、本発明の電圧駆動型トランジスタ素子の一例である。また、P側ダイオード素子5bは、本発明の還流ダイオード素子の一例である。P側トランジスタ素子5aのドレイン電極およびP側ダイオード素子5bのカソード電極は、P側基板3に電気的に接続されている。図5に示すように、P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bの下面矢印Z2方向側の面は、半田からなる接合材13を介してP側基板3の上面矢印Z1方向側の面に接合されている。なお、P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bは、P側基板3の表面においてY方向に所定の間隔を隔てて並んで配置されている。また、P側トランジスタ素子5aは、P側ダイオード素子5bよりも矢印Y1方向側に配置されている。同様に、2つのN側半導体素子6は、1つのN側トランジスタ素子6aと、1つのN側ダイオード素子6bとにより構成されている。このN側ダイオード素子5bは、還流ダイオードとしての機能を有する。図6に示すように、N側トランジスタ素子6aと、N側ダイオード素子6bとは、電気的に並列に接続されている。具体的には、N側ダイオード素子6bのカソード電極は、N側トランジスタ素子6aのドレイン電極に電気的に接続されている。また、N側ダイオード素子6bのアノード電極は、N側トランジスタ素子6aのソース電極に電気的に接続されている。なお、N側トランジスタ素子6aは、本発明の電圧駆動型トランジスタ素子の一例である。また、N側ダイオード素子6bは、本発明の還流ダイオード素子の一例である。図5に示すように、N側トランジスタ素子6aおよびN側ダイオード素子6bは、N側基板4の上面矢印Z1方向側の面においてY方向に並んで配置されている。また、N側トランジスタ素子6aは、N側ダイオード素子6bよりも矢印Y1方向側に配置されている。なお、P側トランジスタ素子5aおよびN側トランジスタ素子6aと、P側ダイオード素子5bおよびN側ダイオード素子6bとは、それぞれ、X方向に並んで配置されている。また、P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bは、N側トランジスタ素子6aおよびN側ダイオード素子6bよりも矢印X1方向側に配置されている。2つのP側制御端子8は、それぞれ、P側トランジスタ素子5aの上面矢印Z1方向側の面に設けられたゲート電極およびソース電極に対してワイヤボンディングによりワイヤ8aを介して接続されている。同様に、2つのN側制御端子9は、それぞれ、N側トランジスタ素子6aの上面に設けられたゲート電極およびソース電極に対してワイヤボンディングによりワイヤ9aを介して接続されている。これら2つのP側制御端子8および2つのN側制御端子9は、パワーモジュール本体部100aの後述する樹脂材14の矢印Y1方向側の側面から矢印Y1方向側に突出している。P側端子10は、接合材13を介してP側基板3の上面矢印Z1方向側の面に接合されるように構成されている。また、P側端子10は、P側基板3を介してP側トランジスタ素子5aのドレイン電極およびP側ダイオード素子5bのカソード電極に電気的に接続されるように構成されている。なお、P側端子10は、Z方向に延びる柱状に形成されている。U相端子11は、U相端子部11aと、P側-N側接続用電極部11bとにより構成されている。図5に示すように、U相端子部11aは、X方向およびY方向に延びる平板状に形成されている。また、P側-N側接続用電極部11bは、Y方向およびZ方向に延びる柱状に形成されている。U相端子部11aは、P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bのそれぞれの上面矢印Z1方向側の面に接合材13を介して接合された2つの柱状電極7の上面に接合されるように構成されている。また、U相端子部11aは、2つの柱状電極7を介して、P側トランジスタ素子5aのソース電極およびP側ダイオード素子5bのアノード電極に対して電気的に接続されるように構成されている。なお、柱状電極7は、Z方向に延びる柱状に形成されている。P側-N側接続用電極部11bは、接合材13を介してN側基板4の上面矢印Z1方向側の面に接合されるように構成されている。このP側-N側接続用電極部11bは、U相端子部11aに接続されるP側半導体素子5P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bと、N側基板4に接続されるN側半導体素子6N側トランジスタ素子6aおよびN側ダイオード素子6bとを電気的に接続するために設けられている。具体的には、P側トランジスタ素子5aのソース電極およびP側ダイオード素子5bのアノード電極と、N側トランジスタ素子6aのドレイン電極およびN側ダイオード素子6bのカソード電極とがP側-N側接続用電極部11bにより電気的に接続される。N側端子12は、X方向およびY方向に延びる平板状に形成されている。また、N側端子12は、N側トランジスタ素子6aおよびN側ダイオード素子6bのそれぞれの上面矢印Z1方向側の面に接合材13を介して接合された2つの柱状電極7の上面に接合されるように構成されている。また、N側端子12は、2つの柱状電極7を介してN側トランジスタ素子6aのソース電極およびN側ダイオード素子6bのアノード電極に対して電気的に接続されるように構成されている。ここで、第1実施形態では、P側端子10、U相端子11およびN側端子12の上面矢印Z1方向側の面には、それぞれ、P側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12a図1~図5および図7~図9の細かい点状の網掛け部参照が設けられている。これらのP側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aは、配線基板200との電気的接続をとるために設けられている。また、これらのP側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aは、パワーモジュール本体部100aと配線基板200との間で流入および流出する電流の流入口および流出口として機能する。なお、P側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aは、本発明の第1配線基板接続部および第2配線基板接続部の一例であるとともに、配線基板接続部の一例である。なお、上記したP側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aに対応するように、パワーモジュール本体部100bにはP側端子接続部、V相端子接続部およびN側端子接続部が設けられ、パワーモジュール本体部100cにはP側端子接続部、W相端子接続部およびN側端子接続部が設けられている。第1実施形態では、図6~図9に示すように、配線基板200からP側端子10のP側端子接続部10aを介してパワーモジュール本体部100aに流入した電流は、P側基板3を経由してP側トランジスタ素子5aを通過した後に、P側トランジスタ素子5a上の柱状電極7を経由してU相端子11のU相端子接続部11cを介して配線基板200側に流出する。また、配線基板200からU相端子接続部11cを介してP側ダイオード素子5bに流入した電流は、P側ダイオード素子5bを通過した後にP側端子接続部10aを介して配線基板200側に流出する。また、配線基板200からU相端子11のU相端子接続部11cを介してN側基板4を経由してN側トランジスタ素子6aに流入した電流は、N側トランジスタ素子6aを通過した後にN側トランジスタ素子6a上の柱状電極7を経由してN側端子12のN側端子接続部12aを介して配線基板200側に流出する。また、配線基板200からN側端子接続部12aを介してN側ダイオード素子6bに流入した電流は、N側ダイオード素子6bを通過した後にU相端子接続部11cを介して配線基板200側に流出する。図7に示すように、P側端子接続部10aおよびU相端子接続部11cは、パワーモジュール本体部100aの上面側矢印Z1方向側から見てP側半導体素子5P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bから同じ方向側矢印Y2方向側に離間した位置にX方向に並んで配置されている。これにより、図7および図8に示すように、P側端子接続部10aからP側トランジスタ素子5aに向かって流れる電流矢印A1参照と、P側トランジスタ素子5aからU相端子接続部11cに向かって流れる電流矢印A2参照とで電流の流れる方向が略逆方向になる。また、U相端子接続部11cからP側ダイオード素子5bに向かって流れる電流矢印B1参照と、P側ダイオード素子5bからP側端子接続部10aに向かって流れる電流矢印B2参照とで電流の流れる方向が略逆方向になる。そして、これら略逆方向の電流によりそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化が互いに相殺される。すなわち、第1実施形態では、パワーモジュール本体部100aの上側アームP側において流れる電流がP側半導体素子5を通過する前後で電流の流れる方向が略逆方向になるように、P側半導体素子5に対するP側端子接続部10aおよびU相端子接続部11cの配置位置が設定されている。なお、第1実施形態では、P側半導体素子5を通過する前後の2つの電流経路間の距離が、その2つの電流経路に流れる略逆方向の電流同士で磁束の変化の打ち消しが可能な距離に設定されている。また、第1実施形態では、P側端子接続部10aからP側トランジスタ素子5aに向かって流れる電流矢印A1参照と、P側トランジスタ素子5aからU相端子接続部11cに向かって流れる電流矢印A2参照とで電流経路が互いに対向している。また、U相端子接続部11cからP側ダイオード素子5bに向かって流れる電流矢印B1参照と、P側ダイオード素子5bからP側端子接続部10aに向かって流れる電流矢印B2参照とで電流経路が互いに対向している。すなわち、第1実施形態では、パワーモジュール本体部100aの上側アームP側においてP側半導体素子5P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bを通過する前後の2つの電流経路が互いに対向するように、P側半導体素子5に対するP側端子接続部10aおよびU相端子接続部11cの配置位置が設定されている。図7に示すように、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aは、パワーモジュール本体部100aの上面側矢印Z1方向側から見てN側半導体素子6N側トランジスタ素子6aおよびN側ダイオード素子6bから同じ方向側矢印Y2方向側に離間した位置にX方向に所定の間隔を隔てて並んで配置されている。これにより、図7および図9に示すように、U相端子接続部11cからN側トランジスタ素子6aに向かって流れる電流矢印C1参照と、N側トランジスタ素子6aからN側端子接続部12aに向かって流れる電流矢印C2参照とで電流の流れる方向が略逆方向になる。また、N側端子接続部12aからN側ダイオード素子6bに向かって流れる電流矢印D1参照と、N側ダイオード素子6bからU相端子接続部11cに向かって流れる電流矢印D2参照とで電流の流れる方向が略逆方向になる。そして、これら略逆方向の電流によりそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化が互いに相殺される。すなわち、第1実施形態では、パワーモジュール本体部100aの下側アームN側において流れる電流がN側半導体素子6を通過する前後で電流の流れる方向が略逆方向になるように、N側半導体素子6に対するU相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aの配置位置が設定されている。なお、第1実施形態では、N側半導体素子6を通過する前後の2つの電流経路間の距離が、その2つの電流経路に流れる略逆方向の電流同士で磁束の変化の打ち消しが可能な距離に設定されている。また、第1実施形態では、図7および図9に示すように、U相端子接続部11cからN側トランジスタ素子6aに向かって流れる電流の経路矢印C1参照と、N側トランジスタ素子6aからN側端子接続部12aに向かって流れる電流の経路矢印C2参照とが互いに対向している。また、N側端子接続部12aからN側ダイオード素子6bに向かって流れる電流の経路矢印D1参照と、N側ダイオード素子6bからU相端子接続部11cに向かって流れる電流の経路矢印D2参照とが互いに対向している。すなわち、第1実施形態では、パワーモジュール本体部100aの下側アームN側においてN側半導体素子6N側トランジスタ素子6aおよびN側ダイオード素子6bを通過する前後の2つの電流経路が互いに対向するように、N側半導体素子6N側トランジスタ素子6aおよびN側ダイオード素子6bに対するU相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aの配置位置が設定されている。なお、図1~図4および図7~図9に示すように、パワーモジュール本体部100aには、絶縁板2と、P側基板3およびN側基板4と、2つのP側半導体素子5と、2つのN側半導体素子6と、柱状電極7と、P側端子10と、U相端子11と、N側端子12とを覆うように、シリコンゲルなどからなる絶縁性の樹脂材14が設けられている。樹脂材14は、パワーモジュール本体部100aの外形面を形成するように設けられている。この樹脂材14の上面矢印Z1方向側の面からは、P側端子10、U相端子11およびN側端子12が露出している。また、これらのP側端子10、U相端子11およびN側端子12の樹脂材14の上面から露出された露出面は、互いに略同じ高さを有している。なお、樹脂材14は、本発明の封止材の一例である。第1実施形態では、上記のように、パワーモジュール本体部100aに、P側半導体素子5およびN側半導体素子6と、パワーモジュール本体部100aの上面矢印Z1方向側の面において配線基板200との電気的接続をとるとともに、配線基板200との間で電流が流入および流出するP側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aを設ける。これにより、配線基板200をパワーモジュール本体部100aの上面に対して取り付けることができるので、配線基板200の取り付けを容易に行うことができる。また、第1実施形態では、配線基板200からP側端子接続部10aまたはU相端子接続部11cU相端子接続部11cまたはN側端子接続部12aの一方を介してP側半導体素子5N側半導体素子6に電流が流入した後にP側端子接続部10aまたはU相端子接続部11cU相端子接続部11cまたはN側端子接続部12aの他方を介して配線基板200側へ電流が流出するように電流が流れる場合に、P側半導体素子5N側半導体素子6を通過する前後で電流の流れる方向を略逆方向にするとともに、略逆方向の電流を流すことにより磁束の変化の打ち消しを可能にするように、P側半導体素子5N側半導体素子6に対するP側端子接続部10aおよびU相端子接続部11cU相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aの配置位置を設定する。これにより、P側半導体素子5N側半導体素子6を通過する前後の電流によってそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化を、パワーモジュール100の内部において相殺することができるとともに、たとえばワイヤを用いてパワーモジュール100の内部の配線を行う場合に比べて、パワーモジュール100の内部における電流経路全体の長さを短くすることができるので、その分、装置全体の配線インダクタンスを小さくすることができる。また、第1実施形態では、上記のように、P側半導体素子5N側半導体素子6を通過する前後の2つの電流経路間の距離を、その2つの電流経路に流れる略逆方向の電流同士で磁束の変化の打ち消しが可能な距離に設定する。これにより、P側半導体素子5N側半導体素子6を通過する前後の電流によってそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化を確実に相殺することができるので、装置全体の配線インダクタンスを確実に小さくすることができる。また、第1実施形態では、上記のように、P側半導体素子5N側半導体素子6を通過する前後の2つの電流経路を互いに対向させるように、P側半導体素子5N側半導体素子6に対するP側端子接続部10aおよびU相端子接続部11cU相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aの配置位置を設定する。これにより、P側半導体素子5N側半導体素子6を通過する前後の2つの電流経路を対向させることができるので、P側半導体素子5N側半導体素子6を通過する前後の電流によりそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化をより確実に相殺することができる。その結果、装置全体の配線インダクタンスをより確実に小さくすることができる。また、第1実施形態では、上記のように、P側端子接続部10aおよびU相端子接続部11cを、パワーモジュール本体部100aの上面側矢印Z1方向側から見てP側半導体素子5から同じ方向側矢印Y2方向側に離間した位置にX方向に並べて配置する。また、P側端子接続部10aまたはU相端子接続部11cの一方からP側半導体素子5に向かって流れる電流矢印A1または矢印B1参照と、P側半導体素子5からP側端子接続部10aまたはU相端子接続部11cの他方に向かって流れる電流矢印A2または矢印B2参照とで電流の流れる方向を略逆方向にするとともに、略逆方向の電流を流すことにより磁束の変化の打ち消しを可能にするように構成する。これにより、P側半導体素子5を通過する前後の電流によってそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化を、パワーモジュール本体部100aのP側半導体素子5が配置された側矢印X1方向側の内部において容易に相殺することができる。また、第1実施形態では、上記のように、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aを、パワーモジュール本体部100aの上面側矢印Z1方向側から見てN側半導体素子6から同じ方向側矢印Y2方向側に離間した位置にX方向に並べて配置する。また、U相端子接続部11cまたはN側端子接続部12aの一方からN側半導体素子6に向かって流れる電流矢印C1または矢印D1参照と、N側半導体素子6からU相端子接続部11cまたはN側端子接続部12aの他方に向かって流れる電流矢印C2または矢印D2参照とで電流の流れる方向を略逆方向にするとともに、略逆方向の電流を流すことにより磁束の変化の打ち消しを可能にするように構成する。これにより、N側半導体素子6を通過する前後の電流によってそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化を、パワーモジュール本体部100aのN側半導体素子6が配置された側矢印Y1方向側の内部において容易に相殺することができる。また、第1実施形態では、上記のように、パワーモジュール本体部100aを覆う樹脂からなる樹脂材14を設ける。また、樹脂材14を、樹脂材14の上面矢印Z1方向側の面において、P側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aを露出させるように構成する。また、P側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aの樹脂材14の上面から露出された露出面を、互いに略同じ高さを有するように構成する。これにより、P側端子接続部10a、U相端子接続部11cおよびN側端子接続部12aの樹脂材14の上面から露出された露出面が面一になるので、パワーモジュール本体部100aの上面が平坦になる。その結果、パワーモジュール本体部100aの上面に対する配線基板200の取り付けをより容易に行うことができる。第2実施形態次に、図10~図14を参照して、本発明の第2実施形態によるパワーモジュール101について説明する。この第2実施形態では、パワーモジュール100を流れる電流により発生する磁束の変化がパワーモジュール本体部100aの内部において相殺される上記第1実施形態と異なり、パワーモジュール101を流れる電流により発生する磁束の変化がパワーモジュール本体部101aと配線基板201とを含めたパワーモジュール101全体の内部において相殺される例について説明する。図10に示すように、本発明の第2実施形態によるパワーモジュール101は、3つのパワーモジュール本体部101a、101bおよび101cと、配線基板201とにより構成されている。これらのパワーモジュール本体部101a、101bおよび101cは、それぞれ、略同様の構成を有しているので、以下では、主としてパワーモジュール本体部101aについて説明する。なお、パワーモジュール101は、本発明の電力変換装置の一例である。また、パワーモジュール本体部101a、101bおよび101cは、それぞれ、本発明の電力変換装置本体部の一例である。パワーモジュール本体部101aは、パワーモジュール本体部101aの上面矢印Z1方向側の面において配線基板201に電気的に接続されるように構成されている。具体的には、パワーモジュール本体部101aのP側端子接続部10b、U相端子接続部11dおよびN側端子接続部12b図10および図12~図14の細かい点状の網掛け部参照が、配線基板201のP相ブスバ201a、U相ブスバ201bおよびN相ブスバ201cの配線基板201の下面矢印Z2方向側の面から露出した部分に接合されるように構成されている。なお、U相ブスバ201bおよびN相ブスバ201cは、それぞれ、本発明の入出力配線および負側配線の一例である。また、P側端子接続部10b、U相端子接続部11dおよびN側端子接続部12bは、それぞれ、本発明の正側端子接続部、入出力端子接続部および負側端子接続部の一例である。なお、上記したP側端子接続部10b、U相端子接続部11dおよびN側端子接続部12bに対応するように、パワーモジュール本体部101bにはP側端子接続部、V相端子接続部およびN側端子接続部が設けられ、パワーモジュール本体部101cにはP側端子接続部、W相端子接続部およびN側端子接続部が設けられている。また、配線基板201の内部には、パワーモジュール本体部101bおよび101cのV相端子接続部およびW相端子接続部に対応するように、V相ブスバおよびW層ブスバが設けられている。また、パワーモジュール本体部101aのP側端子接続部10b、U相端子接続部11dおよびN側端子接続部12bは、パワーモジュール本体部101aと配線基板201との間で流入および流出する電流の流入口および流出口として機能する。なお、P側端子接続部10b、U相端子接続部11dおよびN側端子接続部12bは、本発明の第1配線基板接続部および第2配線基板接続部の一例であるとともに、配線基板接続部の一例である。第2実施形態では、図11~図14に示すように、配線基板201のP相ブスバ201aを介してパワーモジュール本体部101aのP側端子10のP側端子接続部10bからP側トランジスタ素子5aに流入した電流は、P側トランジスタ素子5aを通過した後にU相端子11のU相端子接続部11dから配線基板201のU相ブスバ201bを介して流出する。また、配線基板201のU相ブスバ201bを介してパワーモジュール本体部101aのU相端子11のU相端子接続部11dからP側ダイオード素子5bに流入した電流は、P側ダイオード素子5bを通過した後にP側端子10のP側端子接続部10bから配線基板201のP相ブスバ201aを介して流出する。また、配線基板201のU相ブスバ201bを介してパワーモジュール本体部101aのU相端子11のU相端子接続部11dからN側トランジスタ素子6aに流入した電流は、N側トランジスタ素子6aを通過した後にN側端子12のN側端子接続部12bから配線基板201のN相ブスバ201cを介して流出する。また、配線基板201のN相ブスバ201cを介してパワーモジュール本体部101aのN側端子12のN側端子接続部12bからN側ダイオード素子6bに流入した電流は、N側ダイオード素子6bを通過した後にU相端子11のU相端子接続部11dから配線基板201のU相ブスバ201bを介して流出する。ここで、第2実施形態では、図12および図13に示すように、U相端子接続部11dは、パワーモジュール本体部101aの内部に設けられたP側半導体素子5P側トランジスタ素子5aおよびP側ダイオード素子5bの上方矢印Z1方向側に配置されている。このU相端子接続部11dは、パワーモジュール本体部101aの上面矢印Z1方向側の面において、P側端子接続部10bに対してY方向に所定の間隔を隔てて並んで配置されている。なお、U相端子接続部11dは、P側端子接続部10bよりも矢印Y1方向側に配置されている。一方、図13に示すように、配線基板201のU相ブスバ201bは、配線基板201の内部においてP側端子接続部10bとU相端子接続部11dとが並んでいる方向Y方向と略並行に延びるように設けられている。これにより、パワーモジュール本体部101aの内部においてP側端子接続部10bとP側半導体素子5との間を流れる電流矢印E1および矢印F2参照と、配線基板201のU相ブスバ201bを介して流れる電流矢印E2および矢印F1参照とで電流の流れる方向が略逆方向になる。そして、これら略逆方向の電流によりそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化がパワーモジュール本体部101aと配線基板201とを含めたパワーモジュール101全体の内部において相殺される。また、第2実施形態では、図12および図14に示すように、N側端子接続部12bは、パワーモジュール本体部101aの内部に設けられたN側半導体素子6の上方矢印Z1方向側に配置されている。このN側端子接続部12bは、パワーモジュール本体部101aの上面矢印Z1方向側の面において、U相端子接続部11dに対してX方向に所定の間隔を隔てて並んで配置されている。なお、N側端子接続部12bは、U相端子接続部11dよりも矢印X2方向側に配置されている。一方、図14に示すように、配線基板201のN相ブスバ201cと、配線基板201のU相ブスバ201bとは、配線基板201の内部において互いに略平行にY方向に延びるように設けられている。これにより、配線基板201の内部においてU相ブスバ201bを介して流れる電流矢印G1および矢印H2参照と、配線基板201の内部においてN相ブスバ201cを介して流れる電流矢印G2および矢印H1参照とで電流の流れる方向が略逆方向になる。そして、これら略逆方向の電流によりそれぞれの電流経路に発生する磁束の変化が配線基板201の内部において相殺される。なお、第2実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。第2実施形態では、上記のように、配線基板201の内部に、U相端子接続部11dに電気的に接続されるU相ブスバ201bを設ける。また、U相端子接続部11dを、パワーモジュール本体部101aの内部に配置されたP側半導体素子5の上方矢印Z1方向側に配置するとともに、パワーモジュール本体部101aの上面矢印Z1方向側の面においてP側端子接続部10bと並んで配置する。また、U相ブスバ201bを、P側端子接続部10bとU相端子接続部11dとが並んでいる方向Y方向と略平行に延びるように設ける。また、パワーモジュール本体部101aの内部においてP側端子接続部10bとP側半導体素子5との間を流れる電流矢印E1および矢印F2参照と、配線基板201の内部においてU相ブスバ201bを介して流れる電流矢印E2および矢印F1参照とで電流の流れる方向を略逆方向にするとともに、略逆方向の電流を流すことにより磁束の変化の打ち消しを可能にするように構成する。これにより、パワーモジュール本体部101aの内部においてP側端子接続部10bとP側半導体素子5との間を流れる電流により発生する磁束の変化と、配線基板201の内部においてU相ブスバ201bを介して流れる電流により発生する磁束の変化とを相殺することができる。その結果、パワーモジュール本体部101aのみならず配線基板201をも用いてパワーモジュール101全体の配線インダクタンスを小さくすることができる。また、第2実施形態では、上記のように、配線基板201の内部に、U相端子接続部11dに電気的に接続されるU相ブスバ201bと、N側端子接続部12bに電気的に接続されるN相ブスバ201cとを設ける。また、U相ブスバ201bとN相ブスバ201cとを、配線基板201の内部において互いに略平行に延びるように設ける。また、配線基板201の内部においてU相ブスバ201bを介して流れる電流矢印G1および矢印H2参照と、配線基板201の内部においてN相ブスバ201cを介して流れる電流矢印G2および矢印H1参照とで電流の流れる方向を略逆方向にするとともに、略逆方向の電流を流すことにより磁束の変化の打ち消しを可能にするように構成する。これにより、配線基板201の内部においてU相ブスバ201bを介して流れる電流により発生する磁束の変化と、配線基板201の内部においてN相ブスバ201cを介して流れる電流により発生する磁束の変化とを相殺することができる。その結果、パワーモジュール101のうちの配線基板201を用いてパワーモジュール101全体の配線インダクタンスを小さくすることができる。なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。たとえば、上記第1および第2実施形態では、本発明の電力変換用半導体素子としてMOSFET電界効果型トランジスタおよびSBDショットキーバリアダイオードを用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、電力変換用半導体素子であれば、MOSFETおよびSBD以外の半導体素子を用いてもよい。また、上記第1および第2実施形態では、本発明の電圧駆動型トランジスタとしてMOSFETを用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、電圧駆動型トランジスタであれば、IGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタなどのその他のトランジスタを用いてもよい。また、上記第1および第2実施形態では、還流ダイオードとして、SBDを用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、還流ダイオードであれば、FRDファーストリカバリーダイオードなどのその他のダイオードを用いてもよい。また、上記第1および第2実施形態では、パワーモジュール本体部のP側およびN側のそれぞれに、MOSFETとSBDとを1セットずつ配置する例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、パワーモジュール本体部のP側およびN側のそれぞれに、MOSFETとSBDとを複数セットずつ配置してもよい。また、上記第1および第2実施形態では、パワーモジュール本体部と配線基板とをバンプ電極により接合する例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、パワーモジュール本体部と配線基板とを半田やAgナノペーストなどにより接合してもよい。