開口部と、前記開口部内に設けられたダイパッドと、前記開口部の周囲に設けられた傾斜部と、インナリードと、を有するパッケージと、第1の電極パッドを有し、かつ、前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、前記インナリードと前記第1の電極パッドとを接続する第1のワイヤと、を備え、前記インナリードの少なくとも一部は、前記傾斜部上に配置され、前記傾斜部上において、かつ、前記インナリード上には、第1の部材が配置され、前記第1の部材上には、前記第1のワイヤが接続されている半導体装置。前記第1の部材と前記第1のワイヤとは一体であり、前記第1の部材は、前記第1のワイヤの先端のボール形状が圧着された部材である請求項1に記載の半導体装置。前記第1のワイヤと前記第1の部材とはステッチ接続されている請求項1に記載の半導体装置。前記第1のワイヤと前記第1の電極パッドとはステッチ接続されている請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の電極パッド上に第2の部材が形成され、前記第1のワイヤは前記第2の部材上に接続されている請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第2の部材の上面は前記半導体チップの上面よりも上方に位置している請求項5に記載の半導体装置。前記パッケージは、前記半導体チップの搭載面とは反対側の面には外部端子を有し、前記パッケージは、外部端子と電気的に接続されたビアを有し、前記半導体チップは、第2の電極パッドを有し、前記第2の電極パッドと前記ビアとを接続する第2のワイヤを備え、前記第2のワイヤは前記ビアの少なくとも一部上に接続されている請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第2のワイヤの長さは前記第1のワイヤの長さよりも長い請求項7に記載の半導体装置。前記第1のワイヤと、前記第2のワイヤとは交互に配列される請求項7又は8に記載の半導体装置。前記傾斜部は前記開口部の端部から0.2mmの範囲内に形成されている請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体装置。前記パッケージは、セラミック材から構成される請求項1~10のいずれか1項に記載の半導体装置。ダイパッドと、ビアと、を有するパッケージと、第1の電極パッドを有し、かつ、前記ダイパッド上に搭載される半導体チップと、前記ビア又はビアカバーと前記第1の電極パッドを接続する第1のワイヤを備え、前記第1のワイヤは、前記ビア又はビアカバーの少なくとも一部上に設けられた部材に接続された半導体装置。前記ビアの上面は前記ダイパッドの上面と同一面上に形成されている請求項12に記載の半導体装置。しかし、特許文献1に示すように、ビア表面にワイヤを直接的に接続するためには、ビア表面を平坦にする必要がある。そのため、工程数や製造コストが増加する。また、従来の半導体装置では、セラミック回路基板に半導体チップを搭載するために、セラミック回路基板に開口部を設け、開口部内に半導体チップを格納することがある。この開口部は、打ち抜きにより作製されるため、その影響で開口の端部が傾斜することがある。この傾斜部には、インナリードを形成することはできるが、ステッチ接続によりワイヤを良好に接続することは難しい。また、ビアを形成するためには、金属ペーストをビアホールに充填するため、ビア上部、あるいは、ビア上に設けたビアカバー上部が平坦とならない。そのため、ビア上面を研磨する等の追加工程無しでは、ビア表面に安定的にワイヤをステッチ接続することが難しい。本発明は、上記課題を解決するもので、傾斜面上に形成されたインナリード上や、ビア上もしくはビアカバー上にも安定してワイヤを接続できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明の半導体装置は、開口部と、開口部内に設けられたダイパッドと、開口部の周囲に設けられた傾斜部と、インナリードと、を有するパッケージと、第1の電極パッドを有し、かつ、ダイパッド上に搭載された半導体チップと、インナリードと第1の電極パッドとを接続する第1のワイヤと、を備え、インナリードの少なくとも一部は、傾斜部上に配置され、傾斜部上において、かつ、インナリード上には、第1の部材が配置され、第1の部材上には、第1のワイヤが接続されている。また本発明の半導体装置は、ダイパッドと、ビアと、を有するパッケージと、第1の電極パッドを有し、かつ、ダイパッド上に搭載される半導体チップと、ビア又はビアカバーと第1の電極パッドを接続する第1のワイヤを備え、第1のワイヤは、ビア又はビアカバーの少なくとも一部上に設けられた部材に接続されている。また本発明の半導体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法であって、インナリードにおける傾斜部上に、部材を形成するステップと、第1の電極パッド上に第1のワイヤの一端を接続するステップと、部材上に第1のワイヤの他端をステッチ接続するステップとを有する。このような構成とすることで、ワイヤボンドが困難なエリアとされていた、傾斜部やビア上、ビアカバー上に安定に、かつ少ない接続面積でワイヤを接続できる。よって、半導体チップの電極パッドとインナリードとの接続距離を短くでき、パッケージを小型化できる。また、ビア上、あるいは、そのビア上のビアカバー上にもワイヤを接続でき、接続先の位置の自由度が高まりパッケージを小型化できる。本発明の各実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態中で説明する材料や数値は、好ましい範囲を示しているに過ぎず、これらに限定されることはない。実施の形態1本発明の実施の形態1における半導体装置及びその製造方法について説明する。まず、半導体装置の構造について説明する。図1、図2、図3は、それぞれ本実施の形態における半導体装置の断面図、平面図、底面図である。半導体装置31は、LGALandGridArray型の外部端子を有する半導体装置であり、セラミック材などの材料からなるパッケージ32、半導体チップ33、ワイヤ34、ガラスを一例とする透明部材35を有する。パッケージ32は、ランドなどの外部端子36、ダイパッド37、インナリード38、ビア45、ビアカバー44、内部配線46を有する。パッケージ32は、グリーンシートを基に形成されており、下方から外部端子36とダイパッド37を含む層、インナリード38を含む層、透明部材35を搭載する層の三つの層を有し、さらに各層において、配線をつなぐためなどの理由により、複数の層に分かれる場合がある。本実施の形態においてパッケージ32は、下方からランド層39、ダイパッド層40、中間層41、透明部材搭載層42の4層を有している。中間層41及び透明部材搭載層42は、それぞれ中央部に開口部を有しており、開口部内にダイパッド37が設けられている。ここで、中間層41の開口部は打ち抜きによって形成されている。そのため、中間層41の開口部の端部周辺に傾斜部43となっている。開口部の端部から所定の距離の範囲が傾斜部43となっている。ここで所定の距離とは、例えば0.2mm程度である。なお、この所定の距離は、半導体装置の大きさや、開口部の大きさ等により、変動するため必ずしも限定されない。ダイパッド層40において、中間層41及び透明部材搭載層42の開口部に面した上部中央の露出部分に、ダイパッド37が形成されている。すなわち、パッケージ32は、開口部と、開口部に設けられた内底面を有し、内底面にはダイパッド37が形成されている。ランド層39の下面には、格子状に複数の外部端子36が形成されている。なお、外部端子36は、半導体チップ33の直下には配置されていない構造とすることが可能である。このような構成とすることにより、半導体チップ33の直下におけるパッケージ裏面には、放熱板を設けることなどが可能である。インナリード38は矩形形状であり、少なくとも一部が傾斜部43上に形成されている。インナリード38の一方の端部は中間層41の開口部の端部に至るように設けられている。ビア45は、中間層41を貫通する貫通孔内に導電性のペーストが充填されて形成されており、層の上下を電気的に接続している。ビアカバー44は、ビア45を覆うようにビア45上面に形成されており、ビア45とインナリード38とを電気的に接続している。インナリード38とビアカバー44は、中間層41の上面に金属ペーストをスクリーン印刷、パッケージ32全体を焼成した後、表面にニッケル、金等のめっきを施すことで形成されている。インナリード38とビアカバー44は連続して形成されており、インナリード38とビアカバー44との間には明確な境界はないが、ビア45の周辺部分がビアカバー44であり、そこから離れた箇所がインナリード38である。インナリード38は、ビアカバー44、ビア45、さらにその下の他のビアカバー、内部配線46や他のビアを経由して、パッケージ32の下面に格子状に配置された複数の外部端子36に電気的に接続されている。透明部材搭載層42の開口部は、中間層41の開口部より一回り大きく形成されている。中間層41のビア45は、透明部材搭載層42の開口部の内外どちらにも設けることができる。本実施の形態では透明部材搭載層42の開口部の外、すなわち中間層41において透明部材搭載層42により隠れた位置に設けられている。半導体チップ33は、パッケージ32のダイパッド37上に搭載されている。半導体チップ33はCCDやCMOSのセンサなどの受光素子、又は発光素子などであることが好ましい。半導体チップ33の上面の外周部には信号入出力用の電極パッド47が複数設けられている。ワイヤ34は、金や銅等で形成されており、半導体チップ33の電極パッド47と、パッケージ32のインナリード38とを電気的に接続している。ワイヤ34の接続は、ボールボンディングにより行われる。ワイヤ34の半導体チップ33側の接続、すなわち電極パッド47との接続は、ワイヤの先端のボール形状が圧着されて、圧着ボールとなった部材48によって接続されている。また、ワイヤ34のパッケージ32側の接続、すなわちインナリード38との接続はインナリード38の少なくとも一部の上に形成したバンプなどの部材49の上に、半導体チップ33側のワイヤの先端のボール形状が圧着されて、圧着ボールとなった部材48から延ばしたワイヤ34をステッチ接続することでされている。なお、バンプなどの部材49は、図1においてはパッケージ32の中間層41に形成された開口部の端部に形成されているが、バンプなどの部材49の底面の半分以上がインナリード38上に載っていればよいため、さらに半導体チップ33寄りに形成することもできる。パッケージ32の透明部材搭載層42の上部には、透明部材35が封着剤50により貼り付けられている。透明部材35は、光を透過するとともに、パッケージ32の内部を保護している。次に、半導体装置の製造方法について図4及び図5を参照しながら説明する。ここでは、特にワイヤ34の接続方法について説明する。図4は、本実施の形態における半導体装置のバンプなどの部材形成後の斜視図である。図5は、本実施の形態における半導体装置のワイヤ接続後の斜視図である。まず、パッケージ32と半導体チップ33を用意する。パッケージ32は、複数のグリーンシートを元に、中央の開口部とビア45を打ち抜きで形成する。その後、ビア45にはタングステン、モリブデン等の金属ペーストを充填する。インナリード38、ビアカバー44、内部配線46や外部端子36は、タングステン、モリブデン等の金属ペーストをスクリーン印刷、焼成し、焼成後の露出した金属部上にニッケル、金を電解めっきで付けて形成される。インナリード38は、中間層41に形成された開口部の端部周辺の傾斜部43に至るように形成されている。半導体チップ33は、ウェーハ状態からダイシングにより個々にカットされたものである。パッケージ32のダイパッド37にAgペーストなどからなるダイボンド剤51を塗布し、その上に半導体チップ33を押し付けた後、加熱することで半導体チップ33をダイパッド37に接着する。ワイヤ接続の工程においては、まず、ワイヤボンド用のキャピラリ52の先端から露出しているワイヤ材料の一端であるテール53に、放電によってイニシャルボールを形成する。キャピラリ52をインナリード38上に下降させて、イニシャルボールをインナリード38上に圧着する。その状態でキャピラリ52を上下方向や水平方向に微少に動作させる。これにより、バンプなどの部材49の上部形状が整えられる。その後、キャピラリ52を上昇させてワイヤ34を引きちぎる。このようにして、図4に示すように、インナリード38上にバンプなどの部材49を形成する。次に、ワイヤ34を引きちぎってできたテール53に、再度、放電によりイニシャルボールを形成する。キャピラリ52を電極パッド47上に下降させてイニシャルボールを電極パッド47に圧着し、ワイヤの先端のボール形状が圧着されて、圧着ボールとなった部材48とする。キャピラリ52を上昇させ、部材48からワイヤ34を引き伸ばし、インナリード38と逆方向にループ形成のためのリバース動作をさせた後、キャピラリ52の中心位置をわずかにバンプなどの部材49の中心からずらして、キャピラリ52をバンプなどの部材49上に下降させてワイヤ34をバンプなどの部材49にステッチ接続する。その後、キャピラリ52を上昇させてワイヤ34を引きちぎる。このようにして、半導体チップ33の電極パッド47と、パッケージ32のインナリード38とをワイヤ34により接続する。ワイヤ34を引きちぎってできたテール53に対しては、再度、放電でイニシャルボールを形成して、以降他の電極パッド47及びインナリード38についても同様に接続する。最後に、パッケージ32の透明部材搭載層42の上面にUV硬化型の封着剤50を塗布し、その上に透明部材35を置き、UV光を照射してパッケージ32と透明部材35とを接着する。なお、バンプなどの部材49はイニシャルボールをインナリード38に圧着し、ワイヤ34を引きちぎることで形成しており、イニシャルボールを圧着した後にワイヤ34を延ばす場合と接続面に対する接続方式に違いはない。よって、本実施の形態においては、バンプなどの部材49を形成し、その上にワイヤ34をステッチ接続する方式もボール接続として説明を進める。ボール接続は、様々な状態の接続面に適用でき、接続先が傾斜していても良好にワイヤ34を接続できる。ここでワイヤ接続方式とそれぞれのワイヤ接続方式に必要な面積の関係について図6を参照しながら説明する。図6は、一般的なボール接続とステッチ接続とで必要な面積の比較説明図である。キャピラリ52において、先端部に設けられた開口部の径をチャンファ径54、先端部の径を先端径55とそれぞれ定義する。図6には、それぞれに対応した線が示されている。ワイヤの先端のボール形状が圧着されて、圧着ボールとなった部材48は、チャンファ径54と同心状に形成され、チャンファ径54より少し大きく形成される。ボール接続に必要な領域は、正方形で示すと56で示される領域となる。部材48の中心はキャピラリ52の中心と一致しており、ワイヤ34の接続方向が変化しても必要領域の大きさは変わらない。それに対して、ステッチ接続は、チャンファ径54と先端径55との間の領域で行われる。接続面であるステッチ57は、ワイヤ34の幅方向にワイヤ34の径の3倍程度、ワイヤ34の長さ方向には先端径55の外側部分も必要で、内側の矩形の領域58が必要領域となる。ただし、これはワイヤ34の方向変化を考慮しない場合の必要領域であり、ワイヤ34の方向変化を考慮すると、この領域を回転したものの複数を合成した領域となるが、それを矩形の領域58と同じ向きの矩形で表すと、矢印で示した長さを加えた外側の領域59となる。実際のパッケージ32においても、ワイヤ34の方向が設計上X軸またはY軸と一致しないことや、ダイボンドの位置や角度のばらつきによるワイヤ34の方向変化に対し、インナリード38の幅を広くすることで対応している。領域56と領域59とを比較して分かるように、ボール接続の方がステッチ接続に比べ必要とする面積が少ない。このことは、複数のワイヤ34が隣接して形成される際の、ワイヤ34間の限界距離を決めるのはステッチ接続側であることを意味する。また、ボール接続とステッチ接続は同じピッチでないことを示している。また、セラミック材のパッケージ32では、インナリード38はスクリーン印刷により作られるため外周部が平坦とならないが、ステッチ接続の場合は接続面が平坦であることが前提のため、それを見込みインナリード38の幅を広くするが、ボール接続の場合はそのような考慮は不要であり、このことからもボール接続が優れている。実施の形態で示すバンプなどの部材49上にステッチ接続する方式では、ステッチ接続はバンプなどの部材49の上部で3次元的に行われる。そのため、インナリード38上に追加で領域が必要となることはなく、必要領域はボール接続と同様の領域56である。よって、バンプなどの部材49上にステッチ接続する方式であれば、半導体チップ側とパッケージ側とを同じピッチにでき、また、そのピッチをステッチ接続と比べ小さくできる。以下に、本発明の実施の形態における半導体装置の変形例について説明する。図7を参照しながら本実施の形態における第1の変形例について説明する。図7は、半導体チップ33にワイヤ34をステッチ接続する場合のワイヤ接続後の断面正面図である。第1の変形例では、図1に示す構成とは異なり、パッケージ32側のインナリード38に部材48を接続した後、ワイヤ34を半導体チップ33側に延ばし、電極パッド47上に直接ステッチ接続している。第1の変形例では、電極パッド47の上面が半導体チップ33の上面より保護膜の厚さ分だけ低い位置にあるため、キャピラリ52と保護膜とが接触しないように電極パッド47を大きくする必要がある。図8を参照しながら本発明の実施の形態における第2の変形例について説明する。図8は、半導体チップ33の電極パッド47に設けられためっきバンプなどの部材60にワイヤ34をステッチ接続する場合のワイヤボンド後の断面図である。接続関係は第1の変形例と同じであるが、半導体チップ33の電極パッド47上にめっきバンプなどの部材60を設けている点が第1の変形例と異なる。めっきバンプなどの部材60は、ニッケル、金等で形成され、無電解めっきで形成される。めっきバンプなどの部材60を設けることでワイヤ34の接続面であるめっきバンプなどの部材60の上面が半導体チップ33の上面より上方に位置し、キャピラリ52と保護膜との接触を考慮する必要がなくなる。よって、その分、電極パッド47を小さくできる。図9を参照しながら本発明の実施の形態における第3の変形例について説明する。図9は、半導体チップ33の電極パッド47上に形成したバンプなどの部材49上にインナリード38側から延ばしたワイヤ34を接続する場合のワイヤ接続後の断面図である。第3の変形例は、図1で説明したワイヤ接続方式とは、接続関係が逆の構成である。まず、半導体チップ33の電極パッド47上にバンプなどの部材49を形成したあと、パッケージ32のインナリード38に、ワイヤの先端のボール形状が圧着された圧着ボールなどの部材48を接続、そこからワイヤ34を延ばしバンプなどの部材49上にステッチ接続している。なお、本実施の形態では、パッケージ32がセラミック材のLGA型であるとしたが、開口部を有する層の上面にインナリード38が設けられていれば、LGA型に限らず他の型、たとえば、QFN型やSON型であってもよい。また、インナリード38が形成された層はグリーンシートの1層で構成されていても、複数の層で構成されていてもよく、層の厚さも特に限定されない。また、複数のインナリード38が異なる層に設けられていてもよいし、半導体チップ33の電極パッド47とインナリード38の上面の高さは同じであっても、異なる高さであってもよい。図10に一例を示す。図10は、複数のインナリード38が異なる層に設けられており、半導体チップ33の電極パッド47とインナリード38の上面の高さが異なる半導体装置を示す断面図である。この例では、互いに開口部の大きさが異なる中間層61及び中間層62が積層されており、それぞれの層の開口部の端部周辺に設けられた傾斜部43にそれぞれワイヤ34がボール接続されている。なお、インナリード38の形状やインナリード38から外部端子36に至る経路は、種々変更可能である。また、本実施の形態で説明したインナリード38上のボール接続は、ワイヤ接続が必要な箇所の全箇所で行う必要はなく、一箇所以上で行っていればよい。すなわち、パッケージ32の傾斜部43に、ワイヤ34をボール接続にて一箇所以上接続することで半導体チップの電極パッド47とインナリード38との接続距離が最短となるとともに、ワイヤ34の両側で同じピッチの接続ができる。このワイヤ接続に必要な領域が最小となることにより、パッケージを小型化できる。実施の形態2以下に、本発明の実施の形態2について説明する。実施の形態2における半導体装置は、ボール接続の接続先がインナリード38ではなくビア45またはビアカバー44上であること以外は、実施の形態1と同様である。以下、実施の形態1と異なる点を中心に説明する。図11、図12は、それぞれ本実施の形態における半導体装置の断面図、平面図である。半導体装置31は、パッケージ32、半導体チップ33、ワイヤ34、透明部材35を有する。実施の形態1と異なり、ビア45が、パッケージ32の中間層41の上面に露出して形成されている。ビア45は、下面に形成されたビアカバー、内部配線46や別のビアを経由して、底面に格子状に配置された複数の外部端子36に電気的に接続されている。ワイヤ34は、半導体チップ33に設けられた電極パッド47とパッケージ32に設けられたビア45とを接続している。ワイヤ34の半導体チップ33側の接続は、ワイヤの先端のボール形状が圧着されて、圧着ボールとなった部材48による接続である。また、ワイヤ34のパッケージ32側の接続は、ビア45上にバンプなどの部材49を形成し、さらにその上に半導体チップ33側から延ばしたワイヤ34をステッチ接続している。次に、実施の形態2における半導体装置の製造方法について説明する。パッケージ32と半導体チップ33については実施の形態1と同様の手順で用意する。ここで、実施の形態1と異なりパッケージ32は、ビア45が中間層41の上面において露出するように形成する。ワイヤ接続の工程においては、まず、イニシャルボールをビア45上に圧着、次にキャピラリ52を微少動作させた後、ワイヤ34を引きちぎり、バンプなどの部材49を形成する。ここでは、凹凸がある小さなビア45の上面にボール接続でバンプなどの部材49を形成しているが、ボール接続は、ステッチ接続と異なり適応性が高いため、ビア45上にバンプなどの部材49を安定に形成できる。次に、再度、形成したイニシャルボールを電極パッド47に圧着してボール接続し、ループ形成動作をさせた後、バンプなどの部材49上に下降させて、ワイヤ34をバンプなどの部材49にステッチ接続する。この動作を繰り返し、他の箇所も接続する。最後に、パッケージ32の透明部材搭載層42の上面にUV硬化型の封着剤50を塗布し、その上に透明部材35を置き、UV光を照射してパッケージ32と透明部材35とを接着する。以下に、本発明の実施の形態2の変形例について説明する。図13と図14を参照しながら本実施の形態における第1の変形例について説明する。図13、図14はそれぞれ、ワイヤ34をビアカバー44上にボール接続する場合の半導体装置の断面図、平面図である。第1の変形例は、ワイヤ34をビアカバー44上にボール接続している点で図11に示す構成と異なる。パッケージ32において、ビアカバー44がビア45上に形成されており、その上にバンプなどの部材49が形成されている。そして、バンプなどの部材49の上に電極パッド47側から延ばしたワイヤ34がステッチ接続されている。ビアカバー44は、ビア45より一回り大きく形成されている。そのため、ワイヤ34をビア45上に直接接続する場合と比較して、ボール底面全体を接続に使用できより容易に接続できる。また、ビアカバー44は、ビア45上に金属ペーストをスクリーン印刷し、表面にめっきを付けたものである。そのためビアカバー44の表面は、ビア45の表面と比較して、凹凸が小さい。よって、ビア45上にワイヤ34を接続するのに比べ、ビアカバー44上にワイヤ34を接続する方が、より安定な接続を形成できる。図15を参照しながら本発明の実施の形態2における第2の変形例について説明する。図15は、ダイパッド37と同じ面に設けたビア45上にワイヤ34をボール接続する場合の半導体装置の断面図である。第2の変形例は、ワイヤ34が接続されるビア45と半導体チップ33の電極パッド47の高さ差が大きい点で図11に示す構成と異なる。本変形例では、ビア45がダイパッド37と同じ面に設けられている。この場合は、電極パッド47とビア45との間のループ形状を変える必要があることに加え、ビア45の位置が低くなるためにキャピラリ52が周囲と当たらないことに注意が必要であるが、図11に示す構成と同じ方式で接続できる。以上のように本実施の形態では、ワイヤ34をビア45上、あるいはビアカバー44上にボール接続することで、従来は接続できなかった箇所に安定してワイヤ34を接続できる。そのため、接続位置の選択の自由度が高くなり、半導体装置31をより小型化できる。また、ワイヤ34をビア45上に接続する場合は、ビアカバー44やインナリード38を設ける必要がなくなり、パッケージ作製の工程や材料を削減してコストを削減できる。また、ワイヤ34をビアカバー44上にボール接続する場合は、インナリード38を設ける必要がなくなり、材料を削減してコストを削減できる。なお本実施の形態では、図11に示すように、ビア45の径をバンプなどの部材49より小さく形成しているが、本実施の形態で用いているボール接続は接続面の凹凸に対する適応性に加え、接続面の大きさに対しての適応性も高いため問題はない。ビア45の径は、バンプなどの部材49より大きいのが最も好ましいが、バンプなどの部材49の径の半分以上の大きさであればよい。なお、本実施の形態では、パッケージ32が、セラミック材のLGA型のものであるとしたが、他の型でもよい。また、パッケージ32の元であるグリーンシートの構成や層の厚さも特に限定されない。また、半導体チップ33とワイヤ34が接続されるビア45またはビアカバー44の上面との高さ関係も特に限定されない。また、ビア45やビアカバー44の大きさや形状、また、ビア45から外部端子36に至る経路の設け方は、種々変更可能である。また、ビア45またはビアカバー44上にボール接続するとしたが、それは必ずしも全箇所で行う必要はなく、一箇所以上で行えばよい。また、実施の形態1において各変形例として、ワイヤの接続方式を変えた例を説明したが、実施の形態2にも組み合わせて適用可能である。また、実施の形態1で説明した構成と実施の形態2で説明した構成とを組み合わせることも可能である。実施の形態1と実施の形態2との第1の混在例を図16、図17を参照しながら説明する。図16、図17はそれぞれ、傾斜部43へのボール接続とビア45上へのボール接続が混在する場合の断面図、平面図である。半導体チップ33には、複数の電極パッド47が千鳥配置となるように設けられている。パッケージ32の傾斜部43には複数のインナリード38が形成されている。また、インナリード38と隣接するように、複数のビア45が形成されている。複数のインナリード38と複数のビア45は千鳥配置となるように設けられている。複数のワイヤ34は、複数の電極パッド47と複数のインナリード38とをそれぞれ接続しており、インナリード38上でボール接続されている。また、他の複数のワイヤ34は、他の複数の電極パッド47と複数のビア45とをそれぞれ接続しており、ビア45上でボール接続されている。インナリード38と接続するワイヤ34と、ビア45と接続するワイヤ34とが交互に配置されている。また、インナリードと接続するワイヤ34のワイヤ長は、ビア45と接続するワイヤ長よりも短くなるよう構成されている。このような構成とすることで、見掛けのパッドピッチを極限まで小とできる。図18、図19を参照しながら第2の混在例を説明する。図18、図19はそれぞれ、傾斜部43に設けたビアカバー44上にボール接続する場合の断面図、平面図である。第2の混在例では、ビア45は、開口部の端部周辺の傾斜部43に設けられている。ビア45上には、ビアカバー44が設けられている。ワイヤ34は電極パッド47とビアカバー44を接続している。ワイヤ34はビアカバー上にバンプなどの部材49を介してボール接続されている。ビア45の凹凸の影響とビアカバー44が傾斜部43にある影響で、ビアカバー44の表面は全体が傾斜しているのに加え、その表面が凹凸になっている。しかし、この場合でも、ボール接続は適応性が高いため、安定に接続できる。なお、ここで示した混在例は一例であり、種々の変形が可能である。