互いに対向する第1および第2の面を有するn型ドリフト層と、前記n型ドリフト層の前記第1の面に設けられたp型ボディ領域と、前記p型ボディ領域によって前記n型ドリフト層から隔てられるように前記p型ボディ領域の上に設けられたn型エミッタ領域とを含む炭化珪素基板と、前記n型ドリフト層と前記n型エミッタ領域とをつなぐように前記p型ボディ領域上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記n型エミッタ領域および前記p型ボディ領域の各々に接するエミッタ電極と、前記n型ドリフト層の前記第2の面に面するように前記炭化珪素基板上に直接設けられたp型Siコレクタ層とを備える、半導体装置。前記p型Siコレクタ層はポリシリコンから作られている、請求項1に記載の半導体装置。前記p型Siコレクタ層はアモルファスシリコンから作られている、請求項1に記載の半導体装置。前記炭化珪素基板は、前記n型ドリフト層によって前記p型ボディ領域から隔てられ前記p型Siコレクタ層上に直接位置するp型SiC層を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。炭化珪素から作られたn型単結晶基板上においてドナー型不純物を添加しながら炭化珪素をエピタキシャルに成長させることによって、前記n型単結晶基板およびその上に設けられたn型ドリフト層を有する炭化珪素基板を形成する工程を備え、前記n型ドリフト層は、互いに対向する第1および第2の面を有し前記第2の面は前記n型単結晶基板に面し、さらに前記n型ドリフト層の前記第1の面に位置するp型ボディ領域と、前記p型ボディ領域によって前記n型ドリフト層から隔てられるように前記p型ボディ領域の上に位置するn型エミッタ領域とを形成する工程と、前記n型ドリフト層と前記n型エミッタ領域とをつなぐように前記p型ボディ領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記n型エミッタ領域および前記p型ボディ領域の各々に接するエミッタ電極を形成する工程と、前記炭化珪素基板上にシリコンをアクセプタ型不純物を添加しながら堆積させることで、前記n型ドリフト層の前記第2の面に面するp型Siコレクタ層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。前記p型Siコレクタ層の活性化熱処理を行う工程をさらに備える、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記活性化熱処理を行う工程の後に、前記p型Siコレクタ層上にコレクタ電極を形成する工程をさらに備える、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。前記活性化熱処理を行う工程は、前記p型Siコレクタ層へレーザ光を照射する工程を含む、請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。前記p型Siコレクタ層を形成する工程の前に、前記エミッタ電極上に前記エミッタ電極の融点に比して低い融点を有するエミッタ配線を形成する工程をさらに備える、請求項5~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記n型ドリフト層を形成する工程の後に、前記n型単結晶基板の少なくとも一部を除去する工程をさらに備える、請求項5~9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記p型Siコレクタ層を形成する工程の前に、イオン注入法によって前記炭化珪素基板上へアクセプタ型不純物を注入しレーザ光を照射することにより、前記n型ドリフト層の前記第2の面に面するp型SiC層を形成する工程をさらに備え、前記p型Siコレクタ層を形成する工程は、前記p型SiC層に接する前記p型Siコレクタ層を形成することによって行われる、請求項5~10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。上記特表2010-529646号公報に記載の技術によれば、p型コレクタ層を形成するためのp型SiCエピタキシャル成長を行う必要がある。しかしながらこの技術は難易度が高い。特に、p型炭化珪素基板に比して高品質かつ大型のものを製造しやすいn型炭化珪素基板上においてp型SiCエピタキシャル成長を行うことは難易度が高い。本発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、その一の目的は、炭化珪素基板およびp型コレクタ層を有し、かつ容易に製造することができる半導体装置を提供することである。また他の目的は、炭化珪素基板およびp型コレクタ層を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供することである。半導体装置は、炭化珪素基板と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、エミッタ電極と、p型Siコレクタ層とを有する。炭化珪素基板は、互いに対向する第1および第2の面を有するn型ドリフト層と、n型ドリフト層の第1の面に設けられたp型ボディ領域と、p型ボディ領域によってn型ドリフト層から隔てられるようにp型ボディ領域の上に設けられたn型エミッタ領域とを含む。ゲート絶縁膜は、n型ドリフト層とn型エミッタ領域とをつなぐようにp型ボディ領域上に設けられている。ゲート電極はゲート絶縁膜上に設けられている。エミッタ電極はn型エミッタ領域およびp型ボディ領域の各々に接している。p型Siコレクタ層は、n型ドリフト層の第2の面に面するように炭化珪素基板上に直接設けられている。上記半導体装置によれば、エミッタ領域、ボディ領域、およびドリフト領域の各々が炭化珪素からなるので、炭化珪素の特性を利用した半導体装置が得られる。さらにコレクタ層としてSi層が用いられるので、コレクタ層の形成に際して、難易度の高いp型SiCエピタキシャル成長を必要としない。よって半導体装置をより容易に製造することができる。上記半導体装置においてp型Siコレクタ層はポリシリコンから作られていてもよい。これにより、p型Siコレクタ層がアモルファスから作られている場合に比して、p型Siコレクタ層の導電率を高くすることができる。上記半導体装置においてp型Siコレクタ層はアモルファスシリコンから作られていてもよい。これにより、p型Siコレクタ層がポリシリコンから作られている場合に比して、p型Siコレクタ層をより低い温度で形成することができる。上記半導体装置において、炭化珪素基板は、n型ドリフト層によってp型ボディ領域から隔てられp型Siコレクタ層上に直接位置するp型SiC層を含んでもよい。これにより、p型Siコレクタ層に加えてp型SiC層を、n型ドリフト層中への正孔の供給源として用いることができる。これにより、より十分な正孔をn型ドリフト層中へ供給することができる。本発明の半導体装置の製造方法は、次の工程を有する。炭化珪素から作られたn型単結晶基板上においてドナー型不純物を添加しながら炭化珪素をエピタキシャルに成長させることによって、n型単結晶基板およびその上に設けられたn型ドリフト層を有する炭化珪素基板が形成される。n型ドリフト層は、互いに対向する第1および第2の面を有するものである。また第2の面はn型単結晶基板に面するものである。n型ドリフト層の第1の面に位置するp型ボディ領域と、p型ボディ領域によってn型ドリフト層から隔てられるようにp型ボディ領域の上に位置するn型エミッタ領域とが形成される。n型ドリフト層とn型エミッタ領域とをつなぐようにp型ボディ領域上にゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成される。n型エミッタ領域およびp型ボディ領域の各々に接するエミッタ電極が形成される。炭化珪素基板上にシリコンをアクセプタ型不純物を添加しながら堆積させることで、n型ドリフト層の第2の面に面するp型Siコレクタ層が形成される。上記半導体装置によれば、エミッタ領域、ボディ領域、およびドリフト領域の各々が炭化珪素からなるので、炭化珪素の特性を利用した半導体装置が得られる。さらにコレクタ層としてSi層が用いられるので、コレクタ層の形成に際して、難易度の高いp型SiCエピタキシャル成長を必要としない。よって半導体装置をより容易に製造することができる。さらに、コレクタ層としてSi層が用いられることにより、コレクタ層の形成工程に必要な温度を低くすることができる。よってコレクタ層の形成時の加熱に起因して生じ得るダメージを抑制することができる。上記の製造方法において、p型Siコレクタ層の活性化熱処理が行われてもよい。これにより、p型Siコレクタ層における不純物をより活性化することができる。上記製造方法において、活性化熱処理が行われた後に、p型Siコレクタ層上にコレクタ電極が形成されてもよい。これによりp型Siコレクタ層との電気的接続を容易とすることができる。上記の製造方法において、活性化熱処理が行われる際に、p型Siコレクタ層へレーザ光が照射されてもよい。これにより局所的な加熱が可能となるので、コレクタ層の活性化のための加熱に起因した半導体装置へのダメージを抑制することができる。上記製造方法において、p型Siコレクタ層が形成される前に、エミッタ電極上にエミッタ電極の融点に比して低い融点を有するエミッタ配線が形成されてもよい。この場合、耐熱性の低いエミッタ配線が加熱されることにより容易に生じやすいダメージを、形成温度が比較的低いSi層がコレクタ層として用いられることにより抑制することができる。上記製造方法において、n型ドリフト層を形成する工程の後に、n型単結晶基板の少なくとも一部が除去されてもよい。これにより半導体装置を薄くすることができる。上記の製造方法において、p型Siコレクタ層が形成される前に、イオン注入法によって炭化珪素基板上へアクセプタ型不純物を注入しレーザ光を照射することにより、n型ドリフト層の第2の面に面するp型SiC層が形成されてもよい。この場合、p型SiC層に接するp型Siコレクタ層を形成することによって、p型Siコレクタ層が形成される。これにより、p型Siコレクタ層に加えてp型SiC層を、n型ドリフト層中への正孔の供給源として用いることができる。これにより、より十分な正孔をn型ドリフト層中へ供給することができる。上述したように本発明によれば、炭化珪素基板およびp型コレクタ層を有する半導体装置を容易に製造することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別面を、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、-バーを数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。実施の形態1図1に示すように、本実施の形態のIGBT91半導体装置は、炭化珪素基板30と、ゲート絶縁膜11と、ゲート電極9と、エミッタ電極42と、エミッタ配線43と、p型Siコレクタ層70と、コレクタ電極44と、層間絶縁膜10と、保護電極15とを有する。炭化珪素基板30は結晶構造が六方晶の炭化珪素または結晶型が立方晶の炭化珪素からなる。炭化珪素基板30は、n型ドリフト層32と、p型ボディ領域33と、n型エミッタ領域34とを有する。n型ドリフト層32は、互いに対向する上面S1第1の面および下面S2第2の面を有する。上面S1は好ましくは、炭化珪素基板30の結晶構造が六方晶の場合は0001面またはこれに対して4°以内の傾斜を有する面を含み、炭化珪素基板30の結晶構造が立方晶の場合は100面を含む。n型エミッタ領域34はp型ボディ領域33の上に設けられている。またn型エミッタ領域34はp型ボディ領域33によってn型ドリフト層32から隔てられている。p型ボディ領域33は、n型ドリフト層32の上面S1に設けられている。またp型ボディ領域33は、p領域33aと、p領域33bとを有する。p領域33aに比してp領域33bは、高い不純物濃度を有する。p領域33aはゲート絶縁膜11に接している。p領域33bはエミッタ電極42に接している。ゲート絶縁膜11は、n型ドリフト層32とn型エミッタ領域34とをつなぐようにp型ボディ領域33上に設けられている。ゲート絶縁膜11は、たとえば、熱酸化法によって形成された酸化珪素SiO2からなる。ゲート電極9はゲート絶縁膜11上に設けられている。エミッタ電極42は、n型エミッタ領域34と、p型ボディ領域33のp領域33bとの各々に接している。エミッタ配線43は、エミッタ電極42上に設けられており、エミッタ電極42と電気的に接続されている。エミッタ配線43は、たとえばアルミニウムからなる。p型Siコレクタ層70は、n型ドリフト層32の下面S2に面するように炭化珪素基板30上に直接設けられている。p型Siコレクタ層70はポリシリコンまたはアモルファスシリコンから作られていてもよい。コレクタ電極44はp型Siコレクタ層70上に設けられているオーミック電極である。コレクタ電極44は、たとえば、p型Siコレクタ層70に面するNi層と、Ni層上に設けられたAu層とを有する。Ni層およびAu層のそれぞれの代わりにTi層およびAl層が用いられてもよい。保護電極15はコレクタ電極44を覆っている。次にIGBT91の使用方法の概要を説明する。エミッタ配線43に対して保護電極15の電位が正となるように、エミッタ配線43および保護電極15の間に電圧が印加される。エミッタ配線43および保護電極15の間の電気的導通がゲート電極9に印加される電位によってスイッチングされる。具体的には、ゲート電極9にしきい値を超える負の電位が印加されると、p型ボディ領域33のうち、ゲート絶縁膜11を介してゲート電極9に対向する領域チャネル領域に反転層が形成される。これによりn型エミッタ領域34とn型ドリフト層32とが電気的に接続される。よってn型エミッタ領域34からn型ドリフト層32中に電子が注入され、これに対応してp型Siコレクタ層70から正孔がn型ドリフト層32中へ供給される。この結果、n型ドリフト層32に伝導度変調が生じることで、エミッタ電極42とコレクタ電極44との間の抵抗が顕著に低下する。すなわちIGBT90がオン状態となる。一方、ゲート電極9に上記のような電位が印加されていないと、チャネル領域には反転層が形成されず、n型ドリフト層32とp型ボディ領域33との間が逆バイアスの状態に維持される。よってIGBT90はオフ状態となる。次にIGBT91の製造方法について、以下に説明する。図2を参照して、炭化珪素から作られたn型単結晶基板20が準備される。好ましくはn型単結晶基板20は、炭化珪素基板30図1と同様の結晶構造を有する。また好ましくはn型単結晶基板20の主面図中、上面は、上面S1の面方位と同様の面方位を有する。次にn型単結晶基板20上にn型ドリフト層32が形成される。n型ドリフト層32は、互いに対向する上面S1および下面S2を有するものである。下面S2はn型単結晶基板20に面するものである。これによりn型単結晶基板20およびその上に設けられたn型ドリフト層32を有する炭化珪素基板30が形成される。n型ドリフト層32の形成は、n型単結晶基板20上においてドナー型不純物を添加しながら炭化珪素がエピタキシャルに成長させられることにより行われる。エピタキシャル成長は、たとえば、化学気相成長法CVD法により行われる。CVD法における成膜温度は、たとえば1400°C程度である。CVD法における原料ガスとしてはシランSiH4およびプロパンC3H8の混合ガスを用いることができる。ドナー型不純物としては、たとえば窒素NまたはリンPを用いることができる。原料ガスのキャリアガスとして、たとえば水素ガスH2を用いることができる。図3を参照して、p領域33aおよびp領域33bを有するp型ボディ領域33と、n型エミッタ領域34とがイオン注入により形成される。p型ボディ領域33は、n型ドリフト層32の上面S1に位置するように形成される。n型エミッタ領域34は、p型ボディ領域33によってn型ドリフト層32から隔てられるように、かつp型ボディ領域33の上に位置するように形成される。p型ボディ領域33を形成するためのイオン注入においては、たとえばアルミニウムAlなどが注入され得る。n型エミッタ領域34を形成するためのイオン注入においては、たとえばリンPなどが注入され得る。次に注入された不純物を活性化するための熱処理が行われる。この熱処理の温度は、1600°C超であり、好ましくは1750°C以上である。またこの熱処理の温度は、好ましくは1900°C以下である。たとえば、熱処理の温度は1750°C程度である。熱処理の時間は、たとえば30分程度である。熱処理の雰囲気は、好ましくは不活性ガス雰囲気であり、たとえばAr雰囲気である。図4を参照して、炭化珪素基板30上にゲート絶縁膜11が形成される。たとえば、炭化珪素基板30の表面が熱酸化される。図5を参照して、ゲート絶縁膜11上にゲート電極9が形成される。たとえば、まず、不純物が添加されることにより高い導電性を有するポリシリコン膜が、CVD法により成膜される。そしてこの膜のパターニングが行われる。図6を参照して、層間絶縁膜10が形成される。またp型ボディ領域33上においてn型ドリフト層32とn型エミッタ領域34とをつなぐ部分が残存するように、ゲート絶縁膜11がパターニングされる。図7を参照して、n型エミッタ領域34およびp型ボディ領域33の各々に接するオーミック電極であるエミッタ電極42が形成される。図8を参照して、エミッタ電極42上にエミッタ配線43が形成される。エミッタ配線43は、エミッタ電極42の融点に比して低い融点を有してもよく、たとえばアルミニウムからなる。さらに図9を参照して、炭化珪素基板30からn型単結晶基板20図8の少なくとも一部が除去される。本実施の形態においてはn型単結晶基板20全体が除去される。n型単結晶基板20を除去する方法としては、たとえばバックグラインド工程を用いることができる。なおn型単結晶基板20の少なくとも一部を除去する工程は、少なくともn型ドリフト層32を形成する工程の後に行われ、本実施の形態においては、エミッタ電極系、すなわちエミッタ電極42およびエミッタ配線43が形成された後に行われる。図10を参照して、炭化珪素基板30上にシリコンをアクセプタ型不純物を添加しながら堆積させることで、n型ドリフト層32の第2の面S2に面するp型Siコレクタ層70が形成される。具体的には、たとえばCVD法により、p型ポリシリコンの成膜が行われる。成膜温度は、たとえば600°C程度である。なおポリシリコンの代わりにアモルファスシリコンが成膜されてもよい。図11を参照して、p型Siコレクタ層70上に、オーミック電極であるコレクタ電極44が形成される。再び図1を参照して、コレクタ電極44を覆う保護電極15が形成される。以上によりIGBT91が得られる。なお上記の製造方法において、p型Siコレクタ層70の活性化熱処理が行われてもよい。この活性化熱処理の温度は、炭化珪素中にイオン注入によって注入された不純物を活性化させる場合に通常用いられる温度よりも低くてよい。具体的には熱処理温度は、p型Siコレクタ層70の材料、すなわちシリコンの融点未満であり、たとえば1400°C以下であり、たとえば1000°C程度である。また活性化熱処理は、レーザアニールにより行われてもよい。すなわち、活性化熱処理が行われる際に、p型Siコレクタ層70へレーザ光が照射されてもよい。また活性化熱処理は、p型Siコレクタ層70上にコレクタ電極が形成される前に行われることが好ましい。本実施の形態によれば、IGBT91図1におけるエミッタ領域、ボディ領域、およびドリフト領域の各々が炭化珪素からなるので、炭化珪素の特性を利用した半導体装置が得られる。さらにコレクタ層としてSi層が用いられるので、コレクタ層の形成に際して、難易度の高いp型SiCエピタキシャル成長を必要としない。よってIGBT91をより容易に製造することができる。またコレクタ層としてSi層が用いられることにより、コレクタ層の形成に必要な加熱温度が低くなる。よって、コレクタ層の形成時の加熱に起因したIGBT91へのダメージを抑制することができる。p型Siコレクタ層70がアモルファスシリコンから作られている場合は、p型Siコレクタ層70がポリシリコンから作られている場合に比して、p型Siコレクタ層70をより低い温度で形成することができる。よって加熱に起因したIGBT91におけるダメージをより抑制することができる。p型Siコレクタ層70がポリシリコンから作られている場合は、p型Siコレクタ層70がアモルファスから作られている場合に比して、p型Siコレクタ層70の導電率を高くすることができる。p型Siコレクタ層70の活性化熱処理が行われる場合は、p型Siコレクタ層70における不純物をより活性化することができる。p型Siコレクタ層70が形成される前に、エミッタ電極42上にエミッタ電極42の融点に比して低い融点を有するエミッタ配線43が形成される場合、耐熱性の低いエミッタ配線43が加熱されることにより容易に生じやすいダメージを、形成温度がSiC層に比して低いSi層がコレクタ層として用いられることにより抑制することができる。n型ドリフト層32を形成する工程の後に、n型単結晶基板の少なくとも一部が除去される場合、IGBT91を薄くすることができる。活性化熱処理が行われた後に、p型Siコレクタ層70上にコレクタ電極が形成される場合、p型Siコレクタ層70との電気的接続を容易とすることができる。活性化熱処理が行われる際に、p型Siコレクタ層70へレーザ光が照射される場合、局所的な加熱が可能となるので、コレクタ層の活性化のための加熱に起因したIGBT91へのダメージを抑制することができる。実施の形態2図12を参照して、本実施の形態のIGBT92半導体装置において、炭化珪素基板30vはp型SiC層31を含む。p型SiC層31は、n型ドリフト層32によってp型ボディ領域33から隔てられており、p型Siコレクタ層70上に直接位置している。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。次に本実施の形態の製造方法について説明する。まず実施の形態1の図2~図9までと同様の工程が行われる。図13および図14を参照して、次に、図中矢印で示すようなイオン注入法によって、炭化珪素基板30上へアクセプタ型不純物が注入される。次に、注入された不純物を活性化させるためにレーザアニールが行われる。すなわち炭化珪素基板30上へレーザ光が照射される。これにより、n型ドリフト層32の第2の面S2に面するp型SiC層31が形成される。言い換えると、炭化珪素基板30図9上にp型SiC層31が形成されることで、炭化珪素基板30v図14が形成される。図15を参照して、p型SiC層31に接するようにp型Siコレクタ層70が形成される。具体的な形成方法は、図10の工程とほぼ同様である。次にp型SiC層31およびp型Siコレクタ層70の活性化熱処理が行われる。活性化熱処理が行われる際に、p型SiC層31およびp型Siコレクタ層70へレーザ光が照射されてもよい。具体的な熱処理方法は、実施の形態1におけるp型Siコレクタ層70の熱処理方法とほぼ同様である。再び図12を参照して、次に、p型Siコレクタ層70上に、オーミック電極であるコレクタ電極44が形成される。次にコレクタ電極44を覆う保護電極15が形成される。以上によりIGBT92が得られる。本実施の形態によれば、p型Siコレクタ層70が形成される前に、イオン注入法によってn型ドリフト層32の下面S2上へアクセプタ型不純物を注入しレーザ光を照射することにより図13、n型ドリフト層32の下面S2上に、p型SiC層31が形成される図14。またp型SiC層31に接するp型Siコレクタ層70を形成することによって、p型Siコレクタ層70が形成される。これにより、p型Siコレクタ層70に加えてp型SiC層31を、n型ドリフト層32中への正孔の供給源として用いることができる。よって、より十分な正孔をn型ドリフト層32中へ供給することができる。なお本実施の形態においてはp型Siコレクタ層70が形成された後に活性化熱処理が行われるが、p型SiC層31が形成された後かつp型Siコレクタ層70が形成される前に活性化熱処理が行われてもよい。これにより、熱処理におけるp型Siコレクタ層70へのダメージを避けることができる。活性化熱処理の方法としては、たとえば、実施の形態1と同様の方法を用いることができる。また本明細書において、上面S1が100面を含む、ということは、上面S1が実質的に100面である場合と、上面S1を構成する結晶面が複数存在しそれらのひとつが100面である場合とのいずれをも含む概念である。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の特許請求の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。