"ルイス塩基とI-B族元素とを含む第1錯体が存在する第1錯体溶液を作製する工程と、カルコゲン元素含有有機化合物とIII-B族元素とを含む第2錯体のアンモニウム塩が存在する第2錯体溶液を作製する工程と、前記第1錯体溶液および前記第2錯体溶液を混合して反応させて、前記I-B族元素、前記III-B族元素および前記カルコゲン元素含有有機化合物を含む半導体形成用化合物を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体形成用化合物の製造方法。請求項1に記載の半導体形成用化合物の製造方法によって作製した半導体形成用化合物を有機溶媒に溶解して半導体層形成用溶液を作製する工程と、該半導体層形成用溶液を用いてI-III-VI族化合物を含む半導体層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体層の製造方法。前記半導体層形成用溶液に、さらにIII-B族元素を含ませる、請求項2に記載の半導体層の製造方法。前記半導体層形成用溶液に、さらにIII-B族元素のカルコゲナイド化合物を含ませる、請求項2に記載の半導体層の製造方法。前記半導体層形成用溶液に、さらに前記第2錯体を含ませる、請求項2に記載の半導体層の製造方法。請求項2乃至5のいずれかに記載の半導体層の製造方法によって第1の半導体層を作製する工程と、該第1の半導体層に電気的に接続されるように、該第1の半導体層とは異なる導電型の第2の半導体層を作製する工程とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載された半導体形成用化合物の製法では、不純物としてNaイオン等の原料中に含まれる対イオンが、半導体形成用化合物に残存しやすい。このような不純物は、半導体形成用化合物の熱処理によって第1の半導体層の結晶化を行なう際、結晶化反応に影響を与えやすく、生成される第1の半導体層の特性がばらつきやすくなる。そのため、このような不純物を洗浄工程により、単一源前駆体から除去しておく必要があり、工程が複雑となる。本発明は、光電変換装置に用いられる半導体形成用化合物を簡易な方法で作製することを目的とする。本発明の一実施形態に係る半導体形成用化合物の製造方法は、ルイス塩基とI-B族元素とを含む第1錯体が存在する第1錯体溶液を作製する工程と、カルコゲン元素含有有機化合物とIII-B族元素とを含む第2錯体のアンモニウム塩が存在する第2錯体溶液を作製する工程と、前記第1錯体溶液および前記第2錯体溶液を混合して反応させて、前記I-B族元素、前記III-B族元素および前記カルコゲン元素含有有機化合物を含む半導体形成用化合物を形成する工程とを具備する。本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法は、上記の半導体形成用化合物の製造方法によって作製した半導体形成用化合物を有機溶媒に溶解して半導体層形成用溶液を作製する工程と、該半導体層形成用溶液を用いてI-III-VI族化合物を含む半導体層を形成する工程とを具備する。本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、上記の半導体層の製造方法によって第1の半導体層を作製する工程と、該第1の半導体層に電気的に接続されるように、該第1の半導体層とは異なる導電型の第2の半導体層を作製する工程とを具備する。本発明によれば、光電変換装置に用いられる半導体形成用化合物を簡易な方法で作製することができる。以下に本発明の実施形態に係る半導体形成用化合物の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体形成用化合物の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。光電変換装置10は、基板1と、第1の電極層2と、I-III-VI族化合物を含む半導体層である第1の半導体層3と、第2の半導体層4と、第2の電極層5とを具備している。なお、これに限定されず、第2の半導体層4がI-III-VI族化合物を含む半導体層であってもよい。第1の半導体層3と第2の半導体層4とは導電型が異なっており、これらが電気的に接続されている。これにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換体が形成される。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。なお、第1の半導体層3と第2の半導体層4との間に高抵抗のバッファ層が介在していてもよい。本実施形態では、第1の半導体層3が一方導電型の光吸収層であり、第2の半導体層4がバッファ層と他方導電型半導体層とを兼ねている例を示している。また、本実施形態における光電変換装置10は、第2の電極層5側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。図1、図2において、光電変換装置10は複数並べて形成されている。そして、光電変換装置10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。図1、図2においては、この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2が延伸されたものである。この構成により、隣接する光電変換装置10同士が直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は第1の半導体層3および第2の半導体層4を貫通するように設けられており、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた第1の半導体層3と第2の半導体層4とで光電変換が行なわれる。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体が用いられ、基板1上にスパッタリング法または蒸着法等で形成される。第1の半導体層3はI-III-VI族化合物を含んでいる。I-III-VI族化合物とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVI-B族元素16族元素ともいうとの化合物であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物と呼ばれるCIS系化合物ともいう。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいう、およびCuInSe2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、CuとInとGaとSeとを主に含んだ化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、CuとInとGaとSeとSとを主に含んだ化合物をいう。このようなI-III-VI族化合物は光電変換効率が高く、10μm以下の薄層として用いても有効な起電力を得ることができる。このような第1の半導体層3は、次のようにして作製される。先ず、第1の半導体層3を形成するための半導体形成用化合物が作製される。そして、この半導体形成用化合物が含まれる半導体層形成用溶液が作製される。そして、この半導体層形成用溶液を用いて皮膜が形成され、この皮膜が熱処理されることにより、第1の半導体層3となる。このような半導体形成用化合物の作製工程、半導体層形成用溶液の作製工程、および第1の半導体層3の作製工程を以下で詳細に説明する。<<1半導体形成用化合物の作製工程>>半導体形成用化合物は、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基とI-B族元素とIII-B族元素とを1つの錯体分子内に含んでいる。すなわち、半導体形成用化合物は、I-III-VI族化合物を構成する元素である、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素をすべて含んでおり、これらの化学反応でI-III-VI族化合物を形成し得る。よって、半導体形成用化合物を単一源前駆体と言うこともある。カルコゲン元素含有有機化合物は、カルコゲン元素カルコゲン元素とはVI-B族元素のうちのS、Se、Teをいうを有する有機化合物である。例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等がある。特に、配位力が高く金属元素と安定な錯体を形成しやすいという観点からは、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリドが用いられてもよい。ルイス塩基は、非共有電子対を有する化合物である。ルイス塩基としては、非共有電子対を有するV-B族元素15族元素ともいうを具備した官能基や非共有電子対を有するVI-B族元素を具備した官能基を有する有機化合物が用いられる。半導体形成用化合物の一例を構造式1に示す。構造式1において、Eはカルコゲン元素含有有機化合物である。また、Lはルイス塩基である。また、M’はI-B族元素である。また、M’’はIII-B族元素である。このような半導体形成用化合物は以下のようにして作製される。半導体形成用化合物の作製方法は、第1錯体溶液の作製工程と、第2錯体溶液の作製工程と、半導体形成用化合物を有する沈殿物の作製工程とを具備している。以下にそれぞれの工程を詳細に説明する。<1-1第1錯体溶液の作製工程>まず、ルイス塩基と、I-B族元素とを含む第1錯体が存在する第1錯体溶液が作製される。第1錯体溶液は、有機溶媒中でI-B族元素を含む原料とルイス塩基とを反応させることにより得られる。ルイス塩基としては、PC6H53、AsC6H53、NC6H53等のV-B族元素15族元素ともいうを含む有機化合物が用いられてもよい。また、I-B族元素を含む原料としては、CuCH3CN4PF6等の有機金属錯体が挙げられる。この有機金属錯体に用いられる有機配位子としては上記ルイス塩基よりも塩基性が弱い方がよい。また、第1錯体溶液の有機溶媒としては、アセトニトリル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール等が挙げられる。ルイス塩基をLとし、I-B族元素の有機金属錯体をM’R4-M’はI-B族元素、Rは任意の有機配位子、-は任意の陰イオンを示すとし、第1錯体を[L2M’R2]-としたときに、上記第1錯体を形成する反応は、反応式1のように表される。反応式1の具体例として、例えば、ルイス塩基LがPC6H53、I-B族元素の有機金属錯体M’Rm-がCuCH3CN4PF6の場合、第1錯体[LnM’Rm-n]-が{PC6H53}2CuCH3CN2PF6として生成する。<1-2第2錯体溶液の作製工程>カルコゲン元素含有有機化合物とIII-B族元素とを含む第2錯体のアンモニウム塩が存在する第2錯体溶液が作製される。上記第2錯体のアンモニウム塩は、カルコゲン元素含有有機化合物がIII-B族元素に配位した錯体のアンモニウム塩であり、構造式2のように表わされる。構造式2において、M’’はIII-B族元素であり、Eはカルコゲン元素含有有機化合物である。第2錯体の具体例としては、M’’がInまたはGaであり、Eがフェニルセレノールまたはジフェニルジセレニドであるものが挙げられる。このような第2錯体溶液は、アンモニアを含む溶媒に、カルコゲン元素含有有機化合物およびIII-B族元素が溶解されることによって作製される。上記溶媒としては、アンモニアおよびカルコゲン元素含有有機化合物を溶解可能な有機溶媒が用いられ、例えば、メタノールが挙げられる。III-B族元素は、金属の状態で、または有機配位子が配位した有機金属錯体の状態で、上記アンモニアおよび上記カルコゲン元素含有有機化合物が溶解した溶媒に溶解される。これにより第2錯体のアンモニウム塩が作製される。このような第2錯体のアンモニウム塩を用いた半導体形成用化合物の作製においては、不要な対イオンとしてアンモニウムイオンやIII-B族元素に配位子していた有機配位子が半導体形成用化合物に含まれる可能性があるが、アンモニウムイオンや有機配位子は容易に洗浄されやすいため、洗浄工程の簡略化が可能となる。より洗浄工程を簡略化できるという観点からは、III-B族元素は金属の状態で、上記アンモニアおよび上記カルコゲン元素含有有機化合物が溶解した溶媒に溶解されてもよい。これにより、III-B族元素に配位していた有機配位子等の混入も低減でき、洗浄工程がより容易になる。従来の特許文献1に記載された第2錯体溶液は、反応式2のような反応を経て作製されており、不純物としてNaやCl-等が混在することになる。なお、反応式2において、Eはカルコゲン元素含有有機化合物であり、NaEはカルコゲン元素含有有機化合物のナトリウム塩である。例えば、NaEとして、Naとフェニルセレノールの金属塩であるNaSeC6H5が挙げられる。また、反応式2において、M’’は第1のIII-B族元素であり、M’’Cl3はIII-B族元素の塩化物である。例えば、M’’Cl3として、InCl3やGaCl3が挙げられる。反応式2から分かるように、従来の方法では、NaやCl-等の不要な元素が第2錯体溶液に含まれているが、上記作製工程を用いた本願の第2錯体溶液では、不要元素であるNaやCl-が低減される。なお、第2錯体溶液に含まれるIII-B族元素は、一種類に限らず、複数種類が含まれていてもよい。例えば、InとGaの両方が第2錯体溶液中に含まれてもよい。そのような第2錯体溶液は、第2錯体溶液の原料として複数種のIII-B族元素の金属の混合体が用いられることによって作製される。あるいは、一種類のIII-B族元素を含む第2錯体溶液が、各III-B族元素ごとに作製され、これらが混合されることにより作製されてもよい。以上のように、第2錯体溶液は、アンモニアおよびカルコゲン元素含有有機化合物が含まれる溶媒にIII-B族元素が溶解されることによって作製されるが、これに限定されない。例えば、アンモニアおよびカルコゲン元素含有有機化合物が含まれる溶媒にIII-B族元素が溶解された後、この溶液に非極性溶媒や低極性溶媒が添加されることによって、一度、第2錯体が析出され、この第2錯体が有機溶媒に溶解されることにより、第2錯体溶液が作製されてもよい。このように第2錯体が一度析出されることにより、過剰のカルコゲン元素含有有機化合物が除去されやすくなり、後述する半導体形成用化合物が良好に作製される。この第2錯体の析出に用いられる非極性溶媒や低極性溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、四塩化炭素、ベンゼン等の非極性溶媒が用いられてもよく、または、第2錯体を溶解する有機溶媒よりも極性が低い低極性溶媒が用いられてもよい。<1-3半導体形成用化合物を有する沈殿物の作製工程>上記のようにして作製された第1錯体溶液と第2錯体溶液とが混合されることにより、第1錯体と第2錯体とが反応し、Cu等のI-B族元素、InやGa等のIII-B族元素、および、Se等のカルコゲン元素を含有する、構造式1に示すような半導体形成用化合物を含む沈殿物が生じる。構造式1の具体例としては、カルコゲン元素含有有機化合物EがフェニルセレノールC6H5Seであり、ルイス塩基LがPC6H53であり、I-B族元素M’がCuであり、III-B族元素M’’がInまたはGaであるものが挙げられる。そして、この半導体形成用化合物を含む沈殿物と沈殿物の上方の溶液とが分離され、溶液部分が排出され、乾燥されることにより、半導体形成用化合物を含む沈殿物が取り出される。第1錯体と第2錯体との反応の際に設定される温度は、例えば0~30°Cである。また、この反応の時間は、例えば1~5時間である。反応により生じた沈殿物は、NaやClなどの不純物が非常に少ないので使用した原料に含まれる微量の不純物によるものだけである、沈殿物から不純物を除去するために有機溶媒による洗浄工程が低減するか、あるいは不要になり、工程が簡略化されるとともに収率が向上する。<<2半導体層形成用溶液の作製工程>>上述した半導体形成用化合物の沈殿物が有機溶媒に溶解されることにより、半導体層形成用溶液が作製される。この半導体層形成用溶液には、半導体形成用化合物以外に、I-B族元素またはIII-B族元素を含む化合物が組成調整のために添加されてもよい。光電変換効率を高めるという観点からは、III-B族元素を含む化合物が上記半導体形成用溶液にさらに添加されることによって、第1の半導体層3に含まれるIII-B族元素のモル数がI-B族元素のモル数よりも多くなるようにされても良い。このような半導体層形成用溶液に添加されるIII-B族元素は、例えば有機配位子が配位した有機金属化合物等の種々の化合物の状態で添加されてもよい。半導体形成用化合物と良好に反応してI-III-VI族化合物を良好に生成するという観点からは、半導体層形成用溶液に添加されたIII-B族元素は、In2Se3やGa2Se3のようなIII-B族元素のカルコゲナイド化合物の状態で、あるいは、上記第2錯体の状態で半導体層形成用溶液に含まれていてもよい。III-B族元素のカルコゲナイド化合物や第2錯体は、III-B族元素とともにカルコゲン元素を含んでいるため、良好にI-III-VI族化合物を形成しやすくなる。半導体層形成用溶液に用いられる有機溶媒としては、半導体形成用化合物を溶解できるなものが用いられる。このような有機溶媒としては、例えば、トルエン、ピリジン、キシレン、アセトン等が用いられる。<<3第1の半導体層3の作製工程>>上記のようにして作製した半導体層形成用溶液が、第1の電極2を有する基板1の表面に、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーまたはダイコータなどを用いて塗布され、乾燥されることによって、皮膜が形成される。乾燥は、還元雰囲気下で行われてもよい。乾燥時の温度は、例えば、50~300°Cであってもよい。そして、上記皮膜が熱処理されて、1.0~2.5μmの厚みの第1の半導体層3が作製される。熱処理は、酸化を防止して良好な第1の半導体層3とするために、還元雰囲気で熱処理されてもよい。熱処理における還元雰囲気としては、窒素雰囲気、フォーミングガス雰囲気および水素雰囲気等であってもよい。熱処理温度は、例えば、400°C~600°Cであってもよい。上記皮膜は、カルコゲン元素含有有機化合物に含まれたカルコゲン元素を原料として反応し、カルコゲン元素を含む第1の半導体層3を形成可能であるが、半導体層形成用溶液にカルコゲン元素が別途溶解されていてもよい。また、皮膜が熱処理される際、雰囲気中にカルコゲン元素が含まれていてもよい。これにより蒸発等により不足しやすいカルコゲン元素が十分に供給され、所望の組成比の第1の半導体層3が良好に形成されやすくなる。以上のような半導体層形成用溶液を用いることにより、所望の組成比の第1の半導体層3を容易に形成することができ、この第1の半導体層3を具備する光電変換装置の光電変換効率を高めることができる。次に光電変換装置10の製造方法について説明する。光電変換装置10は、第1の半導体層3上に第1の半導体層3とは異なる導電型の第2の半導体層4が形成される。第1半導体層3および第2半導体層4は、一方がn型で他方がp型の異なる導電型を有しており、これらがpn接合している。第1半導体層3がp型であり第2半導体層4がn型であってもよく、逆の関係であってもよい。なお、第1半導体層3および第2半導体層4によるpn接合は第1半導体層3と第2半導体層4とが直接接合しているものに限らない。例えば、これらの間に第1半導体層3と同じ導電型の他の半導体層かまたは第2半導体層4と同じ導電型の他の半導体層をさらに有していてもよい。また、第1半導体層3と第2半導体層4との間に、i型の半導体層を有するpin接合であってもよい。第1半導体層3と第2半導体層4とはホモ接合であってもよく、ヘテロ接合であってもよい。ヘテロ接合である場合、第2半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられ、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で10~200nmの厚みで形成される。なお、InOH,Sとは、InとOHとSとを主に含む化合物をいう。Zn,InSe,OHは、ZnとInとSeとOHとを主に含む化合物をいう。Zn,MgOは、ZnとMgとOとを主に含む化合物をいう。第2の電極層5は、ITO、ZnO等の0.05~3.0μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、第2の電極層5は第2の半導体層4と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3で生じた電荷を取り出すためのものである。電荷を良好に取り出すという観点からは、第2の電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。第2の電極層5は第1の半導体層3の吸収効率を高めるため、第1の半導体層3の吸収光に対して光透過性を有していてもよい。光透過性を高めると同時に光電変換によって生じた電流を良好に伝送するという観点から、第2の電極層5は0.05~0.5μmの厚さであってもよい。また、第2の電極層5と第2の半導体層4との界面での光反射を低減するという観点から、第2の電極層5と第2の半導体層4の屈折率差は小さくてもよい。光電変換装置10は、複数個を並べてこれらが電気的に接続され、光電変換モジュールとなる。隣接する光電変換装置10同士を容易に直列接続するために、図1、図2に示すように、光電変換装置10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。接続導体7は、第2の電極層5を形成する際に同時形成して一体化されてもよい。これにより、工程を簡略化できるとともに第2の電極層5との電気的な接続信頼性を高めることができる。接続導体7は、第2の電極層5と第3の電極層6とを接続するとともに、隣接する光電変換装置10の各第1の半導体層3を貫通するように形成されている。このような構成により、隣接する光吸収層3でそれぞれ光電変換を良好に行い、直列接続で電流を取り出すことができる。図1、図2に示すように、第2の電極層5上に集電電極8が形成されていてもよい。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくするためのものである。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換装置10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3の光電変換により生じた電流が第2の電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換装置10に良好に導電される。よって、集電電極8が設けられていることにより、第1の半導体層3への光透過率を高めるために第2電極層5を薄くした場合でも、第1の半導体層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、光電変換効率を高めることができる。集電電極8は、第1の半導体層3への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50~400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。集電電極8は、平面視して光吸収層3の外周端部まで達するように設けられていてもよい。このような構成により、集電電極8によって光吸収層3の外周部が保護される。よって、光吸収層3の外周部での欠けが低減され、光吸収層3の外周部においても光電変換が良好に行なわれる。また、この光吸収層3の外周部で発生した電流が、外周端部まで達する集電電極8によって効率よく取り出される。その結果、光電変換装置10の光電変換効率が高くなる。本発明の一実施形態に係る半導体形成用化合物の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法について、以下のようにして評価した。<<評価用の半導体形成用化合物の作製>>本発明の半導体形成用化合物の製造方法に基づいて、評価用の半導体形成用化合物が以下のように作製された。<第1錯体溶液の作製>I-B族元素の有機金属錯体として10mmolのCuCH3CN4BF4と、ルイス塩基として30mmolのPC6H53とが、200mlのメタノールに溶解された。この溶液がマグネチックスターラーにて35°Cで3時間攪拌され、第1錯体を含有する第1錯体溶液以下、第1錯体溶液11というが作製された。<第2錯体溶液の作製>また、2Mのアンモニアのメタノール溶液25mlに、カルコゲン元素含有有機化合物として60mmolのHSeC6H5とが混合されて混合液Mが作製された。そして、この混合液Mに7mmolの金属のインジウムおよび3mmolの金属のガリウムが加えられ、90°Cで48時間撹拌されることにより、金属の全量が溶解された。これにより、第2錯体を含む第2錯体溶液以下、第2錯体溶液12というが作製された。<半導体形成用化合物を有する沈殿物の作製>次に、第1錯体溶液11に第2錯体溶液12が1分間に10mlの速度で滴下された。これにより、滴下中に白い析出物が生成することが確認された。滴下終了後、マグネチックスターラーにて室温で1時間攪拌された。その後、溶液中に析出物が沈殿していることが確認された。この沈殿物が遠心分離機にて取り出され、真空中において室温で乾燥されることにより、溶媒が取り除かれた。そして、この沈殿物の組成分析がイオンクロマトグラフィーを用いて行なわれた。不純物であるNa、ClおよびNは検出されず、検出限界の1ppm未満であることが確認された。また、得られた沈殿物の化学構造が1H、13C、および31PNMRと、質量分析によって、構造式1に示す構造の半導体形成用化合物であることが確認された。この作製された半導体形成用化合物の収率は98であることが確認された。<<比較用の半導体形成用化合物の作製>>従来技術である特許文献1に示される方法に基づいて、比較用の半導体形成用化合物が以下のように作製された。<第1錯体溶液の作製>比較用の半導体形成用化合物の作製における第1錯体溶液以下、第1錯体溶液21というが、評価用の半導体形成用化合物の作製における第1錯体溶液11と同様に作製された。<第2錯体溶液の作製>40mmolのNaOCH3と、40mmolのHSeC6H5とが、300mlのメタノールに溶解された後、この溶液に7mmolのInCl3および3mmolのGaCl3が溶解された。この溶液がマグネチックスターラーにて室温で3時間攪拌され、比較用の第2錯体溶液以下、第2錯体溶液22というが作製された。<半導体形成用化合物を有する沈殿物の作製>次に、第1錯体溶液21に第2錯体溶液22が1分間に10mlの速度で滴下された。これにより、滴下中に白い析出物が生成することが確認された。滴下終了後、マグネチックスターラーにて室温で1時間攪拌された。その後、溶液中に析出物が沈殿していることが確認された。この沈殿物が遠心分離機にて取り出され、真空中において室温で乾燥されることにより、溶媒が取り除かれた。そして、この沈殿物の組成分析がイオンクロマトグラフィーを用いて行なわれた。この比較用として作製された沈殿物では、不純物であるNaが158ppm含まれ、Clが259ppm含まれることが確認された。このような不純物を除去するため、沈殿物が50mlのメタノールに分散された後、遠心分離機にて取り出されるという洗浄操作が、不純物が検出されなくなるまで行なわれた。その結果、この洗浄操作が4回行なわれることによって、沈殿物中のNaおよびClの不純物が検出限界である1ppm未満となった。この比較用として作製された沈殿物の化学構造が1H、13C、および31PNMRと、質量分析によって解析され、構造式1に示す構造の半導体形成用化合物であることが確認された。この作製された比較用としての半導体形成用化合物の収率が90であることが確認された。以上より、比較用としての半導体形成用化合物の製造方法では、NaやCl等の不純物を含んだ状態で作製されるため、その不純物を除去するための洗浄工程が必要となり、工程が複雑になるとともに収率が低下する。これに対し、評価用としての半導体形成用化合物の製造方法では、NaやCl等の不純物がほとんどない状態で作製されるため、洗浄工程の低減、または、洗浄工程の削減が可能になるとともに、収率も向上することが分かった。実施例1で作製した、評価用としての半導体形成用化合物と、半導体形成用化合物の重量の0.15倍のNH4GaSeCH54が45質量となるようにピリジンに溶解されて、評価用としての半導体層形成用溶液が作製された。同様に、比較用としての半導体形成用化合物と、半導体形成用化合物の重量の0.15倍のNH4GaSeCH54が45質量となるようピリジンに溶解されて、比較用としての半導体層形成用溶液が作製された。これらの半導体層形成用溶液がドクターブレード法によって、ソーダライムガラス基板1のMoからなる第1電極層2上に塗布されて、皮膜が形成された。具体的には、グローブボックス内で、キャリアガスとして窒素ガスが用いられて、半導体層形成用溶液が第1電極層2上へ塗布されることによって塗布膜が形成された。そして、この塗布膜がホットプレートによって110°Cで5分間加熱され、乾燥されることにより皮膜が形成された。皮膜形成の後、水素ガス雰囲気下で皮膜が熱処理された。熱処理は、550°Cまで1時間で昇温され、550°Cで1時間保持された後、自然冷却されるという条件で行なわれた。これにより、厚み1.5μmの化合物半導体薄膜からなる第1の半導体層3が作製された。この後、酢酸カドミウムおよびチオ尿素がアンモニア水に溶解され、この溶液に上記第1の半導体層3が形成された試料が浸漬された。これにより、第1の半導体層3上に厚み0.05μmのCdSからなる第2の半導体層4が形成された。さらに、第2の半導体層4の上に、スパッタリング法にてAlドープ酸化亜鉛膜第2電極層5が形成された。最後に蒸着にてアルミ電極取出電極が形成されて、光電変換装置10が作製された。この光電変換装置10の光電変換効率が、定常光ソーラーシミュレーターを用いて測定された。ここでは、光電変換装置10の受光面に対する光の照射強度が100mW/cm2であり且つエアマスAMが1.5である条件下で光電変換効率が測定された。なお、光電変換効率は、光電変換装置10において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、ここでは、光電変換装置10から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置10に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出された。その結果、比較用としての半導体層形成用溶液を用いて作製された光電変換装置および評価用としての半導体層形成用溶液を用いて作製された光電変換装置のどちらも光電変換効率が14であり、良好な特性を有することが確認された。つまり、評価用としての半導体層形成用溶液を用いて作製された光電変換装置は、洗浄工程が少なく、製造が非常に容易であるにも関わらず、比較用の光電変換装置に劣らず同程度の十分な光電変換効率を達成できることがわかった。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。"