"無発泡ポリウレタン樹脂からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記無発泡ポリウレタン樹脂は、原料成分として、Aイソシアネート成分、Bポリオール成分、及びC水酸基を1つ有する芳香族化合物及び/又はアミノ基を1つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする研磨パッド。水酸基を1つ有する芳香族化合物が、下記一般式1で表される化合物である請求項1記載の研磨パッド。R1-OCH2CHR2n-OH1式中、R1は芳香族炭化水素基であり、R2は水素又はメチル基であり、nは1~5の整数である。アミノ基を1つ有する芳香族化合物が、アニリン又はその誘導体である請求項1又は2記載の研磨パッド。水酸基を1つ有する芳香族化合物及び/又はアミノ基を1つ有する芳香族化合物の含有量は、イソシアネート成分のイソシアネート基1当量に対して、当該芳香族化合物の活性水素基水酸基及び/又はアミノ基当量が0.01~0.3となる量である請求項1~3のいずれかに記載の研磨パッド。カットレートが2~4μm/minである請求項1~4のいずれかに記載の研磨パッド。請求項1~5のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。本発明は、研磨対象物の表面にスクラッチを生じさせ難く、かつドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。また、該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す研磨パッドにより上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。本発明は、無発泡ポリウレタン樹脂からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記無発泡ポリウレタン樹脂は、原料成分として、Aイソシアネート成分、Bポリオール成分、及びC水酸基を1つ有する芳香族化合物及び/又はアミノ基を1つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする研磨パッド、に関する。本発明は、研磨層を無発泡ポリウレタン樹脂で形成することに特徴がある。それにより、研磨対象物と研磨層の接触面積が大きくなり、研磨対象物にかかる面圧が低く均一になるため被研磨面のスクラッチの発生を効果的に抑制することができる。また、従来の研磨パッドがドレッシングされにくい理由としては、研磨層の材料自体にねばりがあることが挙げられる。本発明者らは、イソシアネート成分と反応させる活性水素基含有化合物として、C水酸基を1つ有する芳香族化合物及び/又はアミノ基を1つ有する芳香族化合物を用いることにより、ポリウレタン樹脂自体のねばりを低減できることを見出した。通常、イソシアネート成分と反応させる活性水素基含有化合物としては、ジオール及びジアミンなどの活性水素基を2つ有する化合物が用いられており、ジオール又はジアミンの2つの活性水素基とイソシアネート成分の2つのイソシアネート基とが逐次反応してポリマー化することによりポリウレタン樹脂が得られる。一方、本発明で用いる芳香族化合物は、分子内に活性水素基を1つしか有していないため、ポリマー化を一部阻害することができる。それにより、ポリウレタン樹脂中に比較的低分子量のポリマーを分散させることができ、ポリウレタン樹脂の硬度を維持したままポリウレタン樹脂自体のねばりを低減させることができる。水酸基を1つ有する芳香族化合物は、下記一般式1で表される化合物であることが好ましい。R1-OCH2CHR2n-OH1式中、R1は芳香族炭化水素基であり、R2は水素又はメチル基であり、nは1~5の整数である。また、アミノ基を1つ有する芳香族化合物は、アニリン又はその誘導体であることが好ましい。水酸基を1つ有する芳香族化合物及び/又はアミノ基を1つ有する芳香族化合物の含有量は、イソシアネート成分のイソシアネート基1当量に対して、当該芳香族化合物の活性水素基水酸基及び/又はアミノ基当量が0.01~0.3となる量であることが好ましい。前記芳香族化合物の活性水素基当量が0.01未満の場合には、ポリウレタン樹脂中に分散させる低分子量のポリマーの含有量が少なくなるため、ポリウレタン樹脂自体のねばりが低減し難くなる。その結果、研磨パッドのドレッシング性が向上し難くなる。一方、0.3を超える場合には、ポリウレタン樹脂中に分散させる低分子量のポリマーの含有量が多くなりすぎるため、研磨層の表面摩耗が必要以上に大きくなって研磨パッドの寿命が短くなったり、ドレッシング後の研磨層表面の毛羽立ちがウエハ研磨時にすぐに除去されて研磨速度が小さくなる。研磨パッドのカットレートは、2~4μm/minであることが好ましい。カットレートが2μm/min未満の場合には、ドレッシング時間の短縮効果が不十分であるため、半導体ウエハの製造効率を向上させることが困難になる。一方、カットレートが4μm/minを超える場合には、研磨層の表面摩耗が必要以上に大きくなって研磨パッドの寿命が短くなったり、ドレッシング後の研磨層表面の毛羽立ちがウエハ研磨時にすぐに除去され研磨速度が小さくなる傾向にある。また本発明は、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法、に関する。本発明の研磨パッドは、研磨対象物の表面にスクラッチを生じさせ難く、かつ硬度を維持したままドレッシング性を向上させたものである。該研磨パッドを用いるとドレッシング時間を短縮できるため、半導体ウエハの製造効率を格段に向上させることができる。本発明の研磨パッドは、無発泡ポリウレタン樹脂からなる研磨層を有する。本発明の研磨パッドは、前記研磨層のみであってもよく、研磨層と他の層例えばクッション層などとの積層体であってもよい。ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができるため、研磨層の形成材料として特に好ましい材料である。前記ポリウレタン樹脂は、原料成分として、Aイソシアネート成分、Bポリオール成分高分子量ポリオール、低分子量ポリオール、及び低分子量ポリアミンなど、及びC水酸基を1つ有する芳香族化合物及び/又はアミノ基を1つ有する芳香族化合物を含む。イソシアネート成分としては、ポリウレタンの分野において公知の化合物を特に限定なく使用できる。例えば、2,4-トルエンジイソシアネート、2,6-トルエンジイソシアネート、2,2’-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリメリックMDI、カルボジイミド変性MDI例えば、商品名ミリオネートMTL、日本ポリウレタン工業製、1,5-ナフタレンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネート、p-キシリレンジイソシアネート、m-キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、2,2,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、1,6-ヘキサメチレンジイソシアネートなどの脂肪族ジイソシアネート、1,4-シクロヘキサンジイソシアネート、4,4’-ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネートなどの脂環式ジイソシアネートが挙げられる。これらは1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのうち、トルエンジイソシアネートとジシクロへキシルメタンジイソシアネートとを併用することが好ましい。前記ジイソシアネートと共に、多量化ジイソシアネートを用いてもよい。多量化ジイソシアネートとは、3つ以上のジイソシアネートが付加することにより多量化したイソシアネート変性体又はそれらの混合物である。前記イソシアネート変性体としては、例えば、1トリメチロールプロパンアダクトタイプ、2ビュレットタイプ、3イソシアヌレートタイプなどが挙げられるが、特にイソシアヌレートタイプであることが好ましい。高分子量ポリオールとしては、ポリテトラメチレンエーテルグリコールに代表されるポリエーテルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いで得られた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、及びポリヒドキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。高分子量ポリオールの数平均分子量は特に限定されるものではないが、得られるポリウレタン樹脂の弾性特性等の観点から500~5000であることが好ましい。数平均分子量が500未満であると、これを用いたポリウレタン樹脂は十分な弾性特性を有さず、脆いポリマーとなる。そのためこのポリウレタン樹脂から製造される研磨パッドは硬くなりすぎ、ウエハ表面のスクラッチの原因となる。また、摩耗しやすくなるため、パッド寿命の観点からも好ましくない。一方、数平均分子量が5000を超えると、これを用いたポリウレタン樹脂は軟らかくなりすぎるため、このポリウレタン樹脂から製造される研磨パッドは平坦化特性に劣る傾向にある。ポリオール成分として上述した高分子量ポリオールの他に、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-プロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、1,6-ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,4-ビス2-ヒドロキシエトキシベンゼン、トリメチロールプロパン、グリセリン、1,2,6-ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、テトラメチロールシクロヘキサン、メチルグルコシド、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール、スクロース、2,2,6,6-テトラキスヒドロキシメチルシクロヘキサノール、ジエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、及びトリエタノールアミン等の低分子量ポリオールを併用することができる。また、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、及びジエチレントリアミン等の低分子量ポリアミンを併用することもできる。また、モノエタノールアミン、2-2-アミノエチルアミノエタノール、及びモノプロパノールアミン等のアルコールアミンを併用することもできる。これら低分子量ポリオール、低分子量ポリアミン等は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。低分子量ポリオールや低分子量ポリアミン等の配合量は特に限定されず、製造される研磨パッド研磨層に要求される特性により適宜決定される。水酸基を1つ有する芳香族化合物は、1つの水酸基で置換された芳香族炭化水素、又は1つの水酸基を有する有機基で置換された芳香族炭化水素であれば特に制限されない。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ビフェニル、及びインデンなどが挙げられる。なお、芳香族炭化水素は、前記以外の置換基を有していてもよい。1つの水酸基を有する有機基としては、例えば、アルカノール基、及びグリコール基などが挙げられる。本発明においては、特に、下記一般式1で表される化合物を用いることが好ましい。R1-OCH2CHR2n-OH1式中、R1は芳香族炭化水素基であり、R2は水素又はメチル基であり、nは1~5の整数である。上記一般式1で表される化合物としては、例えば、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシエチレンモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシプロピレンモノフェニルエーテル、及びポリオキシプロピレンモノメチルフェニルエーテルなどが挙げられる。アミノ基を1つ有する芳香族化合物は、1つのアミノ基で置換された芳香族炭化水素、又は1つのアミノ基を有する有機基で置換された芳香族炭化水素であれば特に制限されない。芳香族炭化水素としては、前記と同様のものが挙げられる。1つのアミノ基を有する有機基としては、例えば、アミノアルキル基、アミノアルケニル基などが挙げられる。本発明においては、特に、アニリン、及びその誘導体を用いることが好ましい。アミノ基を1つ有する芳香族化合物としては、例えば、アニリン、メチルアニリントルイジン、ジメチルアニリンキシリジン、メトキシアニリンアニシジン、イソプロピルアニリンクミジン、N-メチルアニリン、及び2-フェニルエチルアミンなどが挙げられる。前記芳香族化合物の含有量は、イソシアネート成分イソシアネート末端プレポリマーの場合を含むのイソシアネート基1当量に対して、当該芳香族化合物の活性水素基水酸基及び/又はアミノ基当量が0.01~0.3となる量であることが好ましく、より好ましくは0.05~0.25となる量である。ポリウレタン樹脂をプレポリマー法により製造する場合において、プレポリマーの硬化には鎖延長剤を使用する。鎖延長剤は、少なくとも2個以上の活性水素基を有する有機化合物であり、活性水素基としては、水酸基、第1級もしくは第2級アミノ基、チオール基SH等が例示できる。具体的には、4,4’-メチレンビスo-クロロアニリンMOCA、2,6-ジクロロ-p-フェニレンジアミン、4,4’-メチレンビス2,3-ジクロロアニリン、3,5-ビスメチルチオ-2,4-トルエンジアミン、3,5-ビスメチルチオ-2,6-トルエンジアミン、3,5-ジエチルトルエン-2,4-ジアミン、3,5-ジエチルトルエン-2,6-ジアミン、トリメチレングリコール-ジ-p-アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド-ジ-p-アミノベンゾエート、4,4’-ジアミノ-3,3’,5,5’-テトラエチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジイソプロピル-5,5’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’,5,5’-テトライソプロピルジフェニルメタン、1,2-ビス2-アミノフェニルチオエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチル-5,5’-ジメチルジフェニルメタン、N,N’-ジ-sec-ブチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、m-キシリレンジアミン、N,N’-ジ-sec-ブチル-p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、及びp-キシリレンジアミン等に例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量ポリオール成分や低分子量ポリアミン成分を挙げることができる。これらは1種で用いても、2種以上を混合しても差し支えない。無発泡ポリウレタン樹脂は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。なお、必要に応じて、酸化防止剤等の安定剤、滑剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、その他の添加剤を加えてもよい。無発泡ポリウレタン樹脂の製造は、プレポリマー法、ワンショット法のどちらでも可能であるが、事前にイソシアネート成分とポリオール成分からイソシアネート末端プレポリマーを合成しておき、これに鎖延長剤を反応させるプレポリマー法が、得られるポリウレタン樹脂の物理的特性が優れており好適である。プレポリマー法の場合、前記芳香族化合物は、予めイソシアネート成分と反応させてイソシアネート末端プレポリマーの構造に組み込んでおいてもよく、あるいはイソシアネート成分とポリオール成分から合成したイソシアネート末端プレポリマーを硬化させる際に加えてもよい。また、第3級アミン系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用してもかまわない。触媒の種類、添加量は、混合工程後、所定形状の型に流し込む流動時間を考慮して選択する。無発泡ポリウレタン樹脂の製造は、各成分を計量して容器に投入し、撹拌するバッチ方式であっても、また撹拌装置に各成分を連続して供給して撹拌し、ポリウレタン原料組成物を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。無発泡ポリウレタン樹脂の硬度は、アスカーD硬度計にて、50~70度であることが好ましい。アスカーD硬度が50度未満の場合には、研磨対象物のプラナリティが低下し、一方、70度を超える場合は、プラナリティは良好であるが、研磨対象物のユニフォーミティ均一性が低下する傾向にある。本発明の研磨パッド研磨層の研磨対象物と接触する研磨表面は、スラリーを保持更新するための凹凸構造を有することが好ましい。無発泡体からなる研磨層は、スラリーを保持更新する働きが乏しいが、研磨表面に凹凸構造を形成することにより、スラリーの保持と更新を効率よく行うことができ、また研磨対象物との吸着による研磨対象物の破壊を防ぐことができる。凹凸構造は、スラリーを保持更新する形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、XY格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、及びこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、これらの凹凸構造は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。前記凹凸構造の作製方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ、硬化させることにより作製する方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスし作製する方法、フォトリソグラフィを用いて作製する方法、印刷手法を用いて作製する方法、炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光による作製方法などが挙げられる。研磨層の厚みは特に限定されるものではないが、通常0.8~4mm程度であり、1.5~2.5mmであることが好ましい。前記厚みの研磨層を作製する方法としては、無発泡ポリウレタン樹脂のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、及びコーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。本発明の研磨パッドは、前記研磨層とクッションシートとを貼り合わせたものであってもよい。前記クッションシートクッション層は、研磨層の特性を補うものである。クッションシートは、CMPにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある研磨対象物を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、研磨対象物全体の均一性をいう。研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッションシートの特性によってユニフォーミティを改善する。本発明の研磨パッドにおいては、クッションシートは研磨層より柔らかいものを用いることが好ましい。前記クッションシートとしては、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布やポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。研磨層とクッションシートとを貼り合わせる手段としては、例えば、研磨層とクッションシートとを両面テープで挟みプレスする方法が挙げられる。前記両面テープは、不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものである。クッションシートへのスラリーの浸透等を防ぐことを考慮すると、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、研磨層とクッションシートは組成が異なることもあるため、両面テープの各接着層の組成を異なるものとし、各層の接着力を適正化することも可能である。本発明の研磨パッドは、プラテンと接着する面に両面テープが設けられていてもよい。該両面テープとしては、上述と同様に基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものを用いることができる。基材としては、例えば不織布やフィルム等が挙げられる。研磨パッドの使用後のプラテンからの剥離を考慮すれば、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図1に示すように研磨パッド研磨層1を支持する研磨定盤2と、半導体ウエハ4を支持する支持台ポリシングヘッド5とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤3の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド1は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤2に装着される。研磨定盤2と支持台5とは、それぞれに支持された研磨パッド1と半導体ウエハ4が対向するように配置され、それぞれに回転軸6、7を備えている。また、支持台5側には、半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤2と支持台5とを回転させつつ半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。これにより半導体ウエハ4の表面の突出した部分が除去されて平坦状に研磨される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。以下、本発明を実施例を上げて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。[測定、評価方法]比重の測定JISZ8807-1976に準拠して行った。作製した無発泡ポリウレタン樹脂を4cm×8.5cmの短冊状厚み:任意に切り出したものを比重測定用試料とし、温度23°C±2°C、湿度50±5の環境で16時間静置した。測定には比重計ザルトリウス社製を用い、比重を測定した。硬度の測定JISK6253-1997に準拠して行った。作製した無発泡ポリウレタン樹脂を2cm×2cm厚み:任意の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度23°C±2°C、湿度50±5の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計高分子計器社製、アスカーD型硬度計を用い、1分後の硬度を測定した。カットレートの測定作製した研磨パッドを研磨装置岡本工作機械社製、SPP600Sのプラテンに貼り合わせた。ドレッサーAsahiDiamond社製、Mタイプを用い、ドレス荷重9.7lbf、ドレス圧50g/cm2、プラテン回転数35rpm、流水量200ml/min、及びドレス時間30分の条件にて研磨層の表面をドレスした。ドレス終了後、幅20mm×長さ610mmの短冊状のサンプルを切り出した。該サンプルの中心部から20mmごとに厚さを測定した片側15点、トータル30点。そして、ドレスされていない中心部との厚さの差磨耗量を各測定位置において算出し、その平均値を算出した。カットレートは下記式により算出される。本発明においては、カットレートは2μm/min以上であることが好ましく、より好ましくは2~4μm/minである。カットレートμm/min=磨耗量の平均値/0.5×60スクラッチの評価研磨装置としてSPP600S岡本工作機械社製を用い、作製した研磨パッドを用いて、スクラッチの評価を行った。8インチのシリコンウエハに熱酸化膜を1μm製膜したものを下記条件で研磨した後に、KLAテンコール社製の表面欠陥検出装置サーフスキャンSP1TBIを用いて、EEEdgeExclusion5mmにてウエハに0.19~2μmの欠陥がいくつあるかを測定した。研磨条件としては、シリカスラリーSS12キャボット社製を研磨中に流量150ml/minで添加し、研磨荷重は350g/cm2、研磨定盤回転数は35rpm、ウエハ回転数は30rpmとした。製造例1プレポリマーの合成容器にトルエンジイソシアネート2,4-体/2,6-体=80/20の混合物1229重量部、4,4’-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート272重量部、数平均分子量1018のポリテトラメチレンエーテルグリコール1901重量部、ジエチレングリコール198重量部を入れ、70°Cで4時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーANCO濃度:2.22meq/gを得た。同様に、容器にトルエンジイソシアネート2,4-体/2,6-体=80/20の混合物204重量部、数平均分子量1018のポリテトラメチレンエーテルグリコール596重量部を入れ、70°Cで4時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーBNCO濃度:1.48meq/gを得た。実施例1反応容器に前記イソシアネート末端プレポリマーA100重量部、及びエチレングリコールモノフェニルエーテル2.4重量部イソシアネート基1当量に対する水酸基の当量:0.080を加えて、遊星式撹拌脱泡装置で混合し、脱泡して混合液を得た。その後、120°Cに溶融した4,4’-メチレンビスo-クロロアニリンイハラケミカル社製、イハラキュアミンMT24.1重量部を混合液に加え、遊星式撹拌脱泡装置で混合し、脱泡してポリウレタン原料組成物を調製した。該組成物を縦横800mm、深さ2.5mmのオープンモールド注型容器に流し込み、100°Cで16時間ポストキュアを行い、無発泡ポリウレタン樹脂シートを得た。次に、バフ機アミテック社製を使用して、厚さ1.27mmになるまで該シートの表面バフ処理をし、厚み精度を整えたシートとした。このバフ処理をしたシートを直径61cmの大きさで打ち抜き、溝加工機テクノ社製を用いて表面に溝幅0.25mm、溝ピッチ1.50mm、溝深さ0.40mmの同心円状の溝加工を行い、研磨層を得た。この研磨層の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ積水化学工業社製、ダブルタックテープを貼りつけた。更に、コロナ処理をしたクッション層東レ社製、ポリエチレンフォーム、トーレペフ、厚み0.8mmの表面をバフ処理し、それを前記両面テープにラミ機を使用して貼り合わせた。さらに、クッション層の他面にラミ機を使用して両面テープを貼り合わせて研磨パッドを作製した。実施例2~8、比較例1表1に記載の配合を採用した以外は実施例1と同様の方法で研磨パッドを作製した。表1中の化合物は以下のとおりである。プレポリマーANCO濃度:2.22meq/gプレポリマーBNCO濃度:1.48meq/gN3300:多量化1,6-ヘキサメチレンジイソシアネート住化バイエルウレタン社製、スミジュールN-3300、イソシアヌレートタイプMOCA:4,4’-メチレンビスo-クロロアニリンイハラケミカル社製、イハラキュアミンMTPhG:エチレングリコールモノフェニルエーテル日本乳化剤社製PhDG:ジエチレングリコールモノフェニルエーテル日本乳化剤社製PhFG:プロピレングリコールモノフェニルエーテル日本乳化剤社製"