周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路を有し、前記電子通過路を介して電子を透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記透過型ターゲットは、照射された電子の一部を反射し、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面と前記透過型ターゲットとは、前記透過型ターゲットに直接電子が照射されることにより発生するX線と、前記副X線発生面に前記透過型ターゲットで反射された電子が照射されることにより発生するX線とが重畳されて外部に取出し可能となるように配置され、前記電子通過路形成部材の材料の原子番号が、前記透過型ターゲットの材料の原子番号よりも大きいことを特徴とする透過型X線発生装置。前記透過型ターゲットの材料がW又はW-Re合金であって、前記電子通過路形成部材の材料が、Ir、Pt、Auの何れかであることを特徴とする請求項1に記載の透過型X線発生装置。前記透過型ターゲットの材料がMo又はRhであって、前記電子通過路形成部材の材料が、Hf、Ta、Wの何れかであることを特徴とする請求項1に記載の透過型X線発生装置。前記透過型ターゲットの材料がランタノイドからなり、前記電子通過路形成部材の材料が、Hf、Ta、Wの何れかであることを特徴とする請求項1に記載の透過型X線発生装置。前記副X線発生面が、前記透過型ターゲットの電子が照射される側の上方を覆うように張り出していることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の透過型X線発生装置。前記透過型ターゲットは、支持基板の中央領域に設けられており、前記支持基板の透過型ターゲットで覆われていない周縁領域の少なくとも一部が、前記副X線発生面から発生するX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の透過型X線発生装置。少なくとも、前記透過型ターゲットで覆われていない支持基板の周縁領域の一部に、前記透過型ターゲットに接続された導電層が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の透過型X線発生装置。従来の透過型X線発生装置では、透過型ターゲットに電子が衝突する際には反射電子が発生するが、大部分の反射電子はX線の発生に寄与しない。そのため、入力電力に対するX線発生効率が十分ではなかった。そこで、本発明は、透過型ターゲットで反射した電子を有効利用することによりX線発生効率を向上させることができる透過型X線発生装置の提供を目的とする。上記課題を解決するために、本発明のX線発生装置は、周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路を有し、前記電子通過路を介して電子を透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記透過型ターゲットは、照射された電子の一部を反射し、前記電子通過路内に電子の照射によりX線を生じる副X線発生面を有し、前記副X線発生面と前記透過型ターゲットとは、前記透過型ターゲットに直接電子が照射されることにより発生するX線と、前記副X線発生面に前記透過型ターゲットで反射された電子が照射されることにより発生するX線とが重畳されて外部に取出し可能となるように配置され、前記電子通過路形成部材の材料の原子番号が、前記透過型ターゲットの材料の原子番号よりも大きいことを特徴とする。本発明によれば、透過型ターゲットで発生するX線に加えて、透過型ターゲットで発生した反射電子により発生するX線も、効率良く外部に取り出す構成をとる。これにより、X線発生効率を向上させることができる。以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。尚、本発明の透過型X線発生装置は、中性子線等の他の放射線を発生させる装置にも適用できる。第1の実施形態図1は本実施形態の透過型X線発生装置に用いられる透過型X線発生管の一例を示す模式図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、図1の透過型X線発生管10を、後述のように、X線取り出し窓を有する外囲器内に収納している。真空容器9は、透過型X線発生管10の内部を真空に保つためのもので、ガラスやセラミクス材料等が用いられる。真空容器9内の真空度は104~108Pa程度である。真空容器9は開口部を有しており、その開口部には電子通過路4を形成するための電子通過路形成部材3が接合されている。この電子通過路形成部材3の端面にターゲット部17が接合されることにより真空容器9が密閉される。また、真空容器9には不図示の排気管を設けても良い。排気管を設けた場合、例えば排気管を通じて真空容器9内を真空に排気した後、排気管の一部を封止することで真空容器9の内部を真空にすることができる。真空容器9の内部には真空度を保つために、不図示のゲッターを配置しても良い。電子放出源6は、真空容器9の内部に、ターゲット部17の構成部材である透過型ターゲット1以下、単にターゲット1という。に対向して配置されている。ターゲット1と電子放出源6の間には、電子通過路形成部材3が配置され、周囲を電子通過路形成部材3で囲むことにより両端が開口した電子通過路4が形成されている。電子放出源6にはタングステンフィラメントや、含浸型カソードのような熱陰極、又はカーボンナノチューブ等の冷陰極を用いることができる。電子放出源6より放出された電子線11は、電子通過路形成部材3により形成された電子通過路4の一端から入射して電子通過路4内を通過し、電子通過路4の他端側に設けられたターゲット1に照射される。ターゲット1に電子線11が照射されることにより、X線13が発生し、発生したX線は真空容器9の外部に取出される。透過型X線発生管10には、本実施形態のように引出し電極7と集束電極8を設けることができる。この場合、引出し電極7によって形成される電界によって電子放出源6から電子が放出され、放出された電子は集束電極8で収束され、ターゲット1に入射する。このとき、電子放出源6とターゲット1との間に印加される電圧Vaは、X線の使用用途によって異なるものの、概ね40kV~150kV程度である。図2は図1の透過型X線発生管におけるターゲット部17の模式図であり、図2aは断面図、図2bは図1において電子放出源6側から見たときの平面図である。このターゲット部17は、ターゲット1、X線透過窓を兼ねる支持基板2で構成される。ターゲット1は、支持基板2の電子放出源側の面に配置される。図2bの平面図におけるターゲット1の形状は円形であるが、角形でも良い。図3は図1の透過型X線発生管におけるアノード16の断面図である。このアノード16は、ターゲット部17ターゲット1、支持基板2、電子通過路4を有する電子通過路形成部材3、遮蔽部材18で構成される。尚、遮蔽部材18は本発明における必須要件ではない。ターゲット1は、電子通過路形成部材3と電気的に導通している。電子通過路形成部材3には副X線発生面5が形成されており、図3では電子通過路4の内壁面が、副X線発生面5となっている。副X線発生面5は、電子通過路4の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路4の内壁面に電子通過路形成部材3とは別部材で形成されていても良い。遮蔽部材18とターゲット部17との接合及びターゲット部17と電子通過路形成部材3との接合は、ロウ附けや、機械的な加圧、ねじ締め等により行うことができる。上記構成において、電子放出源6から放出された電子線11は、加速され、電子通過路4を介してターゲット1に衝突することでX線14が発生し、この時発生したX線14は、支持基板2を透過して透過型X線発生管10の外部に放出される。また、ターゲット1に電子が衝突した際には、X線14が発生するとともに、反射電子12も発生する。ターゲット1は、一般的に、原子番号の大きい金属で構成されるため、電子の反射率は20~60と比較的大きい。ターゲット1で発生した反射電子12は、副X線発生面5に衝突することでX線15を発生し、この時発生したX線15以下、副X線という。は、支持基板2を透過して透過型X線発生管10の外部に放出される。即ち、副X線発生面5に反射電子12が照射されることで生じる副X線の少なくとも一部が、ターゲット1に直接電子が照射されることで生じるX線14に重畳されて、支持基板2を透過して透過型X線発生管10の外部に放出される。ターゲット1の材料は、通常、原子番号26以上の金属材料を用いることができる。より好適には、熱伝導率が大きく、比熱が大きいものほど良い。また、ターゲット1の膜厚は、発生したX線が透過する厚さでなければならず、加速電圧によって電子線侵入深さすなわちX線の発生領域が異なるため最適な値は異なるが、1μm~15μmである。支持基板2はダイヤモンド等を用いることができ、その厚みは、0.5mm~5mmが適当である。遮蔽部材18は、両端が開口してX線を通過させるX線通過路を有し、一端の端面にターゲット部17が接合されている。この遮蔽部材18は、前方ターゲット1から電子放出源6とは反対の方向へ向かって放出されたX線のうち、必要とされるX線を開口から取り出し、不要なX線を遮蔽する機能を有する。遮蔽部材18に用いることができる材質は、40kV~150kVで発生するX線を遮蔽できるものであれば良く、X線の吸収率が高く、かつ熱伝導率の高いものが好ましい。好適には、ターゲット1にタングステンを用いた場合、遮蔽部材18にはタングステン、タンタル等、又はこれらの合金材料を用いることができる。ターゲット1にモリブデンを用いた場合、遮蔽部材18にはタングステン、タンタルの他、モリブデン、ジルコニウム、ニオブ等を用いることができる。遮蔽部材18の開口の形状は、円形であっても角形であっても良い。遮蔽部材18の開口の大きさは、少なくとも必要なX線が取り出せる大きさが必要である。開口の形状が円形の場合には直径0.1mm~3mmが好ましく、開口の形状が角形の場合には1辺が0.1mm~3mmが好ましい。これは、0.1mm以下では実質的に撮像時のX線量が少なくなり使用しにくく、3mm以上では実質的に遮蔽部材18への放熱効果が得られにくいからである。また、遮蔽部材18の開口は、前方に向かって徐々に広がっていることが望ましい。すなわち、遮蔽部材18のターゲット側開口端から、遮蔽部材18のターゲット1とは反対側の開口端に向かって徐々に広がっていることが望ましい。これは、ターゲット側開口端が狭いとターゲット1で発生した熱がより速やかに遮蔽部材18に伝わって放熱でき、ターゲット1とは反対側の開口端が広いと撮像時のX線の照射領域を広くすることができるからである。遮蔽部材18の厚さaは、発生したX線を実質的に問題ない範囲まで減少させる遮蔽効果を有する厚さであれば良い。この厚さは、発生するX線のエネルギーによって異なる。例えば、X線のエネルギーが30keV~150keVの場合、遮蔽効果の大きいタングステンでも、少なくとも1mm~3mmは必要である。X線を遮蔽する観点からはこれ以上の厚さであれば問題ないが、熱容量、コスト、重量の観点からは3mm~10mmがより好ましい。電子通過路形成部材3は、副X線発生面5として機能する以外に、後方ターゲット1から電子放出源側に向かう方向へ向かって放出されるX線を遮蔽する機能を有する。但し、電子通過路4を通過して電子放出源側に放出されるX線は遮蔽できないため、別途遮蔽手段を設けても良い。ターゲット1で反射した反射電子12により発生する副X線を効率的に発生させるためには、ターゲット1の材料と電子通過路形成部材3の材料との組み合わせが重要である。ターゲット1に衝突した電子の一部は、入射した時のエネルギーの一部を失い、反射電子12となって、副X線発生面5に衝突する。ターゲット1に直接衝突する電子には所望の電圧が印加されているが、反射電子12はエネルギーの一部を失って、ターゲット1への入射電圧以下の電圧になっている。X線の発生は、電圧、電流、電子線が照射される材料によって影響を受けるため、反射電子12によるX線の発生効率を高めるためには、電子通過路形成部材3の材料は、ターゲット1の材料よりも原子番号の大きい元素で構成されている方が良い。ターゲット1の材料と電子通過路形成部材3の材料を、以下の組み合わせとすることで、よりX線発生効率が高い透過型X線発生装置を作製することができる。ターゲット1の材料が、タングステンW又は、タングテンWとレニウムReの合金W-Re合金の場合には、電子通過路形成部材3の材料は、イリジウムIr、白金Pt、金Auから選択される。電子通過路形成部材3の材料としては、できるだけ高融点で、酸化性の低い材料が望ましいからである。ターゲット1の材料が、モリブデンMo又はロジウムRh、ランタノイドの場合には、電子通過路形成部材3の材料は、ハフニウムHf、タンタルTa、タングステンWから選択される。電子通過路形成部材3の材料としては、高融点、低酸化性の材料が望ましいことに加え、以下の理由から、これらの材料が選択される。Mo又はRhのターゲットはマンモグラフィー用途として用いられ、主にMoの特性X線17.5keV、19.6keVが用いられる。この特性X線を効率良く得るためには電子への約50kVの加速電圧印加が必要である。一方、反射電子12の多くは、その印加電圧がターゲット1への入射電子の印加電圧の60~80程度であると考えられるため、30kV~40kVの加速電圧で、電子通過路形成部材3に衝突すると考えられる。この電圧で発生するX線のエネルギーは、15keV~20keV程度になり、Moの特性X線とほぼ同レベルのエネルギーのX線を発生し、必要なエネルギー領域のX線を多く得ることができるからである。本実施形態では、図3のように、電子通過路形成部材3と副X線発生面5は一体的に構成されているが、電子通過路4の内壁面に電子通過路形成部材3とは異なる材料の副X線発生面5が形成されていても良い。例えば、ターゲット1の材料をMoとし、副X線発生面5の材料をWとし、電子通過路形成部材3の材料を銅Cuとすることができる。このとき、副X線発生面5の厚みは、電子線の侵入深さ以上であることが好ましく、1μm~100μmが好ましい。副X線発生面5が形成される領域の好ましい範囲について説明する。ここでは、図3における、電子通過路形成部材3の開口の大きさ電子通過路4の直径2Rと電子通過路4の距離Z副X線発生面5のターゲット1からの形成距離の好ましい範囲について述べる。距離Zの好ましい範囲は、ターゲット1で発生した反射電子の周辺部への到達密度分布を考慮して設定することができる。この到達密度分布によれば、ターゲット1で反射した反射電子の到達点は、ターゲット1からの距離Zが2R以下の電子通過路内の周辺部表面に多く存在し、全体の80程度が存在する。また、距離Zが4R以下では全体の95程度が存在する。さらに、距離Zが20Rになると、反射電子の到達密度は、ほぼゼロに集束する。従って、電子通過路形成部材3の開口の大きさを2Rとした時に、距離Zが少なくとも2R以下、好ましくは4R以下の領域に副X線発生面5が形成されていることが望ましい。よって、電子通過路形成部材3の開口の大きさ2Rと電子通過路の距離Zは2R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。さらに、好ましくは、4R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。本実施形態では、距離Zは電子通過路形成部材3の厚さbに等しい。一方、電子通過路形成部材3の開口の大きさは、少なくとも電子線11がこの開口の中に入る大きさが必要である。その大きさは、電子放出源6の種類や集束電極8の種類により電子線11の集束状態が異なるため一意的には決まらないが、開口の形状が円形の場合は、その直径は、0.5mm~5.0mmであることが好ましい。また、電子通過路形成部材3の厚さbは、X線の遮蔽効果を得るためには1mm以上は必要であることから、1mm~25mmが好適である。電子通過路形成部材3の開口の形状は、円形以外に正多角形とすることもできる。これは、電子線11の断面の形状が、円形または四角形であることが多く、ターゲット1の電子線照射領域から電子通過路形成部材3までの距離をできるだけ等しくするためである。以上、本実施形態によれば、ターゲット1で発生するX線14に加えて、ターゲット1で発生した反射電子12により発生する副X線も、効率良く取り出す構成とすることにより、X線発生効率を向上させることが可能となる。第2の実施形態図4は図1の透過型X線発生管に用いられるアノード16の一例を示す断面図である。このアノード16は、ターゲット部17ターゲット1、X線透過窓を兼ねる支持基板2、電子通過路4を有する電子通過路形成部材3で構成される。本実施形態の透過型X線発生装置は、図1の透過型X線発生管10を備えている。本実施形態では、図4のアノード16を図1の透過型X線発生管に適用したこと、遮蔽部材18を用いないこと以外は、第1の実施形態と同様とすることができる。ターゲット部17と電子通過路形成部材3は不図示のロウ材によりロウ付けされ、真空容器9の内部が真空維持されている。図4を用いて本実施形態に適用したアノード16の構成及び、本実施形態におけるX線の発生メカニズムについて説明する。図4のアノード16では、電子通過路4の断面積が、ターゲット1に向かって連続的に拡大している。また、電子通過路4の断面積が拡大した領域の内壁面は、副X線発生面5となっている。尚、電子通過路4の断面積が拡大した領域の内壁面の少なくとも一部が副X線発生面5となっていれば良い。次に、本実施形態における電子通過路4の好ましい形状について説明する。副X線発生面5とターゲット1とのなす角度θの好ましい範囲について述べる。副X線発生面5で発生する副X線は全方向に放射されるため、θ>90°では、発生した副X線の多くが副X線発生面5内を通過中に吸収され、外部にはわずかしか放出されない。θ=90°では、発生した副X線の半分程度が副X線発生面5内で吸収される。θ<90°では、発生した副X線の多く少なくとも半分程度以上が副X線発生面5内で吸収されずに外部に放出される。よって、θ<90°、即ち電子通過路4のターゲット側の端部における断面積が、透過型ターゲットとは反対側に比して拡大した形状とすることで、発生した副X線が副X線発生面5内で吸収される割合を低減し、副X線の取り出し量を増大できる。また、X線強度の出射角度依存を考慮して、角度θの好ましい範囲を設定することもできる。一般に10kV~200kVに加速された電子は、入射角度に強く依存することなく、副X線発生面5の数μm程度内部に侵入するため、副X線も副X線発生面5表面から数μm程度内側で多く発生する。発生する副X線は様々な角度に放出されるが、副X線の出射角度φ副X線発生面5からの角度が小さい場合、副X線発生面5内部を通過する距離が長くなる。そのため、例えばφ<5°では、φが小さくなるに従って、X線強度が急激に小さくなる。従って、X線強度の出射角度依存性を考慮して出射角度の下限をφ0とした場合、角度θの好ましい範囲は、前述の好ましい範囲と合わせると、θ<90-φ0となる。φ0を5°とすると、θ<85°となる。また、ターゲットで反射された電子を内壁面に効率良く衝突させるための限界値を考慮すると、θの下限は10°<θとなる。よって、角度θの好ましい範囲は10°<θ<85°である。第1の実施形態と同様に、本実施形態においても、電子通過路形成部材3のターゲット側の端部における開口の大きさ2Rと副X線発生面5のターゲット1からの形成距離Zは2R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。さらに、好ましくは、4R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。尚、図4では、副X線発生面5は電子通過路4の断面積が拡大した領域の内壁全面に形成されているが、副X線発生面5は必ずしも電子通過路4の断面積が拡大した領域の内壁全面に形成されていなくても良い。少なくとも上記好ましい距離Zの範囲を含む領域に形成されていれば良い。また、本実施形態において、電子通過路内に設けられた副X線発生面5に、反射電子12を衝突させて副X線を発生させ、副X線を透過型X線発生管10の外部に取り出す構成とするためには、副X線発生面5とターゲット1を次のように配置すれば良い。例えば、副X線発生面5を、ターゲット1の電子が照射される側の上方を覆うように張り出して配置すれば良い。他にも、ターゲット1に直接電子が照射されることにより発生するX線と副X線とが重畳されて外部に取出し可能となるように、副X線発生面5とターゲット1を配置すれば良い。この配置の場合、ターゲット1としては、照射された電子の20~60を反射する材料を用いることができる。これらの配置の場合でも、副X線発生面5は、電子通過路4の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路4内に電子通過路形成部材3とは別部材で形成されていても良い。副X線発生面5の形態を、副X線発生面5に反射電子が照射されることで生じたX線であって、ターゲット1の電子が照射される領域を透過するX線量を増大させる形態としても良い。本実施形態で用いられるターゲット1、支持基板2、電子通過路形成部材3の材料や形状は第1の実施形態と同じである。ターゲット1の材料が、タングステンW又は、タングテンWとレニウムReの合金の場合には、電子通過路形成部材3の材料は、イリジウムIr、白金Pt、金Auから選択される。ターゲット1の材料が、モリブデンMo又はロジウムRh、ランタノイドの場合には、電子通過路形成部材3の材料は、ハフニウムHf、タンタルTa、タングステンWから選択される。第1の実施形態と同様に、本実施形態においても、電子通過路4の内壁面に電子通過路形成部材3とは異なる材料の副X線発生面5が形成されていても良い。このとき、副X線発生面5は、上記組み合わせに挙げた材料が用いられる。電子通過路形成部材3の材料は、副X線発生面5で発生した熱をすばやく放熱できるよう熱伝導率の高いもの、例えばタングステン、タンタル、モリブデン、銅、銀、金、ニッケル等を用いることができる。以上、本実施形態によれば、ターゲット1で発生するX線14に加えて、ターゲット1で発生した反射電子12により発生する副X線も、効率良く取り出す構成とすることにより、X線発生効率を向上させることが可能となる。図5は図1の透過型X線発生管に用いられるアノード16の一例を示す断面図であり、図4のアノード16の変形例である。この変形例では、電子通過路形成部材3により形成される電子通過路4の形状が、本実施形態の上記例と異なっており、電子通過路4の形状以外で共通する部分については、本実施形態の上記例と同様とすることができる。電子通過路4は、ターゲット1に垂直な方向における断面形状が、透過型ターゲット1側を下側とした時に上凸状の円弧形状を有している。本実施形態において、図5のアノード16を図1の透過型X線発生管に適用した場合でも上記と同様の効果が得られる。第3の実施形態図6aは、図1の透過型X線発生管に用いられるアノード16の一例を示す断面図である。図6bは図6aのターゲット部17を電子が入射される側から見たときの平面図である。このアノード16は、ターゲット部17X線透過窓を兼ねる支持基板2、導電層19、ターゲット1、電子通過路4を有する電子通過路形成部材3で構成される。本実施形態の透過型X線発生装置は、図1の透過型X線発生管10を備えている。本実施形態では、支持基板2上の中央領域にターゲット1を設けること、導電層19を用いることを特徴としており、図6aのアノード16を図1の透過型X線発生管に適用したこと、導電層19を用いたこと以外は、第1の実施形態と同様とすることができる。本実施形態におけるターゲット部17は、支持基板上に導電層19を設け、導電層19上の中央領域にターゲット1を設けた構成をとる。図6において、d1はターゲット1の径、d2は電子通過路4の内径である。ターゲット部17と電子通過路形成部材3は不図示のロウ材によりロウ付けされ、真空容器9の内部が真空維持されている。図6bにおける破線より外側の領域の導電層19は、ターゲット部17と電子通過路形成部材3を一体化すると、電子通過路形成部材3によって覆われる。電子通過路形成部材3には副X線発生面5が形成されており、図6aでは電子通過路4の内壁面が、副X線発生面5となっている。副X線発生面5は、電子通過路4の内壁面の一部として形成されていても良いし、電子通過路4の内壁面に電子通過路形成部材3とは別部材で形成されていても良い。電子通過路形成部材3は、両端が開口した電子通過路4を有し、電子通過路4の一端電子放出源6側の端部の開口部から電子が入射し、電子通過路4の他端側電子放出源6と反対側に設けられたターゲット1に電子が照射されてX線が発生する。電子通過路4は、ターゲット1よりも電子放出源6側では、電子線11をターゲット1の電子線照射領域X線発生領域に導くための通過路になっている。電子通過路4は、電子放出源6側から見たときの形状が円形でも良いし、四角形や楕円形等適宜、選択することができる。また、電子通過路形成部材3は、ターゲット1に衝突した電子が反射した後、副X線発生面5に衝突し、副X線を発生させる機能も有している。副X線発生面5に反射電子12が照射されることで生じる副X線の少なくとも一部が、ターゲット1に直接電子が照射されることで生じるX線14に重畳されて、支持基板2を透過して透過型X線発生管10の外部に放出される。支持基板2は、ダイヤモンド、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化アルミ、窒化アルミ、グラファイト、ベリリウム等を用いることができる。より好ましくは、X線の透過率がアルミニウムよりも小さく熱伝導率がタングステンよりも大きい、ダイヤモンドが望ましい。支持基板2の厚さは、材料によって異なるが、0.3mm~2mmが好ましい。導電層19は、電子線11がターゲット1に照射され、電子によるターゲット部17のチャージアップを防ぐ目的で設けられるため、導電性を有するものであれば良く、多くの金属材料又は炭化物、酸化物等を用いることができる。支持基板2への導電層19の成膜は、スパッタ、蒸着によって行われる。支持基板2がグラファイトやベリリウムのような導電体、又は絶縁体に添加物によって導電性を付与できる材料であれば、導電層19は不要である。しかし、通常、市販されているダイヤモンドのような絶縁体では、導電性がないため、導電層19を設ける必要がある。また、導電層19を設けることにより、導電層19を介してターゲット1に電圧を供給することもできる。導電層19がターゲット部17のチャージアップを防ぐことのみを目的とするのであれば、導電性を有していれば、材料の種類や厚さに何ら制限はない。しかし、本実施形態では、導電層19には、副X線発生面5で発生する副X線を外部に取り出すための機能を持たせることを目的としているため、後述のように、材料の種類や厚さについても影響を受ける。本実施形態で用いられるターゲット1及び電子通過路形成部材3の材料や形状は第1の実施形態と同じである。ターゲット1の材料が、タングステンW又は、タングテンWとレニウムReの合金の場合には、電子通過路形成部材3の材料は、イリジウムIr、白金Pt、金Auから選択される。ターゲット1の材料が、モリブデンMo又はロジウムRh、ランタノイドの場合には、電子通過路形成部材3の材料は、ハフニウムHf、タンタルTa、タングステンWから選択される。第1の実施形態と同様に、本実施形態においても、電子通過路形成部材3の表面に電子通過路形成部材3とは異なる材料の副X線発生面5が形成されていても良い。また、第1の実施形態と同様に、本実施形態においても、電子通過路形成部材3の開口の大きさ2R電子通過路4の内径d2と副X線発生面5のターゲット1からの形成距離Zは2R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。さらに、好ましくは、4R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。電子放出源6から発生した電子線11は、電子通過路形成部材3により形成された電子通過路4を介してターゲット1に衝突し、ターゲット1からX線が発生する。X線の一部はターゲット1の自己吸収により減衰し、更にX線透過窓を兼ねる支持基板2によっても減衰するが、これらの減衰の程度は少なく、実質上、許容される。ターゲット1の径d1は、電子線11の断面の径にほぼ等しいことが望ましい。一方、ターゲット1に衝突した電子のうち、一部の電子は反射され、反射電子となって副X線発生面5に衝突し、副X線発生面5から副X線を発生する。副X線がターゲット部17を透過するとき、導電層19、支持基板2の2層を透過するものと、ターゲット1、導電層19、支持基板2の3層を透過するものがある。ターゲット1は、電子を衝突させてX線を効率良く発生させる材料や厚さでなければならないので、使用条件に応じて最適化されていなければならない。一方、導電層19は、電子が衝突してX線を発生させることがほとんどないため、本来の機能である導電性と、X線透過性を考慮すれば良い。但し、副X線のエネルギーは、ターゲット1から放出されるX線のエネルギーに比べて小さいため、導電層19がターゲット1と同じ材質、同じ厚さであると、X線の吸収が大きくなり、充分に副X線を取り出すことができない場合がある。導電層19に用いるX線透過性の良い材料としては、軽元素が望ましく、例えばアルミ、チタン、窒化ケイ素、シリコン、グラファイト等を用いることができる。ターゲット1に比して質量の軽いこれらの元素を用いた場合の導電層19の厚さは、0.1nm~1μmが好ましい。導電層19の材料は、ターゲット1の材料と同じでも良い。導電層19の材料がターゲット1の材料と同じ場合、導電層19の厚さは、X線を透過させるために実質的に支障のない薄さであれば良い。ターゲット1として通常用いられる原子番号26以上の金属材料であっても、その厚さが薄ければ、X線の透過率が高いため、導電層19として用いることができる。例えばタングステンを用いた場合には、0.1nm~0.2μmであれば、X線を僅かに遮る程度であり、軽元素の場合と同様に用いることができる。また、本実施形態では、支持基板2上に導電層19、導電層19上にターゲット1を設けているが、この順でなくても良く、ターゲット1上に導電層19を設けることもできる。導電層19上にターゲット1を設けた場合には、ターゲット1で覆われた領域における導電層19の厚さを0.1nm~0.1μmとするのが好ましい。この範囲の厚さにすることでX線放射時の良好な線形性と出力安定性を確保できるからである。尚、導電層19の厚さは、ターゲット1で覆われた領域以外では上記範囲でなくても良い。また、導電層19とターゲット1とが同じ材料の場合には、ターゲット1で覆われた領域における導電層19の厚さは上記範囲でなくても良い。ターゲット1上に導電層19を設けた場合には、ターゲット1を覆う領域の導電層19の厚さを0.1nm~0.1μmとするのが好ましい。この範囲の厚さにすることで電子が導電層19に直接衝突することにより発生するX線量が許容範囲以下になるからである。尚、導電層19の厚さは、ターゲット1を覆う領域以外では電子が導電層19に直接衝突しないため上記範囲でなくても良い。また、導電層19とターゲット1が同じ材料の場合には、ターゲット1を覆う領域の導電層19の厚さは上記範囲でなくても良い。このように、本実施形態によれば、電子通過路4の内壁面で副X線を発生させることができ、ターゲット1で覆われていない支持基板2の周縁領域を、導電層19で覆っている。このため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が高くなる。よって、ターゲット1で発生するX線に加えて、ターゲット1で発生した反射電子12により発生する副X線も、効率良く取り出すことができる。これにより、X線発生効率を向上させることが可能となる。図7は、図6のターゲット部17の変形例であり、図7aは断面図、図7bは電子が入射される側から見たときの平面図である。この変形例では、導電層19の形状が異なること以外は、本実施形態の上記例と同様とすることができる。支持基板2上の中央領域に導電層19を設け、支持基板2上の中央領域以外の領域の一部にも中央領域から周縁に延びる導電層19を設けている。また、支持基板2の中央領域に位置する導電層19上にターゲット1を設けている。ターゲット1で覆われていない支持基板2上の周縁領域において、導電層19はこの周縁領域の一部に設けられており、この周縁領域のその他の部分は、支持基板2の露出面になっている。導電層19はターゲット1に接続されている。本実施形態において、図7のターゲット部17を図1の透過型X線発生管に適用した場合には、ターゲット1で覆われていない支持基板2の周縁領域の一部を、導電層19で覆っている。このため、本実施形態の上記例よりも、この周縁領域において副X線の透過性が高くなる。尚、本実施形態において、電子通過路4の形状を図4、図5のようにしても良い。上記第1~第3の実施形態における透過型X線発生装置の構成を詳細に説明する。図8は本発明の透過型X線発生装置の一例を示す構成図である。透過型X線発生装置24は、外囲器20の内部に、透過型X線発生管10を収納している。外囲器20には、X線取出し窓21が備えられており、透過型X線発生管10より放出されたX線は、X線取出し窓21を透過して、透過型X線発生装置24外部に放出される。外囲器20の内部に透過型X線発生管10を収納した余空間には絶縁性媒体23が充填されていても良い。絶縁性媒体23としては、例えば絶縁媒体及び透過型X線発生管10の冷却媒体としての役割を有する電気絶縁油を用いるのが好ましい。電気絶縁油としては、鉱油、シリコーン油等が好適に用いられる。その他に使用可能な絶縁性媒体23としては、フッ素系電気絶縁液体等が挙げられる。また、外囲器20の内部には、図8のように不図示の回路基板及び絶縁トランス等から構成される電圧制御部22を設けても良い。電圧制御部22を設けた場合、例えば透過型X線発生管10に、電圧制御部22から電圧信号が印加されX線の発生を制御することができる。以上、上記第1~第3の実施形態によれば、透過型ターゲット1で発生するX線14に加えて、透過型ターゲット1で発生した反射電子12により発生する副X線も取り出せるため、X線発生効率を向上させた透過型X線発生装置を実現できる。