テクスチャー化した単結晶を製造するための方法であって、単結晶の表面に金属製のパッドを被着し、次に、パッド上とパッド間の単結晶上に保護層を被着し、次に、保護層よりも速く金属をエッチングする第1の化合物で表面をエッチングし、次に、保護層よりも速く単結晶をエッチングする第2の化合物で表面をエッチングし、そして次に、単結晶よりも速く保護層をエッチングする第3の化合物で表面をエッチングすること、を含むテクスチャー化単結晶製造方法。前記金属を、Ag、Al、Au、Cr、Cu、In、Mo、Ni、Pt、Sn、Ti、Wから選ぶことを特徴とする、請求項1記載の方法。前記金属パッドを、当該金属の層を被着するのに続き、当該金属の拡散でパッドを形成することになるような温度で熱処理を行うことにより製作することを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。前記金属層の厚さが7nmより厚いことを特徴とする、請求項3記載の方法。前記金属層の厚さが40nmより薄いことを特徴とする、請求項3又は4記載の方法。前記熱処理をTf-650°Cより高い温度、特にTf-750°CからTfまでの温度で行い、Tfは当該金属の融点であることを特徴とする、請求項3~5の一つに記載の方法。当該単結晶がサファイアであることを特徴とする、請求項1~6の一つに記載の方法。前記第1の化合物及び第2の化合物が硫酸とリン酸の溶液を含むことを特徴とする、請求項7記載の方法。前記第1の化合物と第2の化合物とが同一であることを特徴とする、請求項1~8の一つに記載の方法。前記保護層がケイ素-IV化合物、例えば酸化ケイ素又は窒化ケイ素又はケイ素の酸窒化物などであることを特徴とする、請求項1~9の一つに記載の方法。前記保護層の厚さが1~350nmであることを特徴とする、請求項1~10の一つに記載の方法。前記第3の化合物がフッ化水素酸を含むことを特徴とする、請求項1~11の一つに記載の方法。実施するのが特に簡単である、単結晶をテクスチャー化するための方法が見いだされた。その単結晶は、例えばサファイア又は炭化ケイ素でよく、あるいは窒化ガリウムで作ることができる。本発明によれば、単結晶をテクスチャー化するための方法は、単結晶の表面に金属製のパッドを被着し、次に、パッド上とパッド間の単結晶上に保護層を被着し、次に、保護層よりも速く金属をエッチングする第1の化合物で表面をエッチングし、次に、保護層よりも速く単結晶をエッチングする第2の化合物で表面をエッチングし、そして次に、単結晶よりも速く保護層をエッチングする第3の化合物で表面をエッチングすること、を含む。意外にも、保護層は金属パッドと金属パッド間の単結晶表面の両方を覆うけれども、第1の化合物を使用する化学エッチングでは保護層の下のパッドを溶解すること、そして第2の化合物はパッドが使用された箇所の単結晶をエッチングすることが観測される。パッド間の単結晶の表面は、実質的にエッチングされない。第1の化合物は保護層の細孔亀裂、穴部を通過し、これらの細孔は、保護層が金属パッドの間に単結晶上に直接あるときよりも金属パッドの上にあるときに、より容易に保護層に形成される、と仮定される。従って、保護層と金属との界面は、保護層と単結晶との界面よりも脆弱であり密着性がより弱く、熱膨張率の差がより大きい、それにより金属パッド上の保護層の特性が劣ることがおそらく説明される。更にもう一つの説明は、金属パッドはそれらの側部に傾斜したあるいは更には垂直に近い端面を有し、保護層はこれらの端面でおそらくははるかに薄くてより多孔性である、ということである。このパッド端面における脆弱性が、端面を通り抜ける第1及び第2の化合物によるエッチングを促進し、そのとき第1及び第2の化合物はおそらく保護層を通り抜けてパッドが位置するところまで至るのであろう。化学エッチング剤について言う化合物との用語は、この語の最も広い可能性ある意味において用いられ、それは様々な物質を含む組成物であることができる。従って、第1の化合物を使用するエッチング後に金属パッドは消失するが、保護層は、パッドが使用された箇所の間の単結晶に付着してなおも存在し、そしてパッドが使用された箇所で中空の開いたポケット固形分がないを形成している。単結晶上のこれらのポケットのそれぞれの下にはキャビティが存在している。第2の化合物は、パッドが消失した箇所の単結晶をエッチングする。第3の化合物を使用するエッチング工程は、単結晶から保護層を除去し、所望のテクスチャー化した表面を残す。使用するそれぞれの被着又は化学エッチング工程自体は、当業者に知られている。それらを特別に割り振りすることが、本発明の核心である。金属パッドは、特にAg、Al、Au、Cr、Cu、In、Mo、Ni、Pt、Sn、Ti又はWで作ることができる。一般には、それらを形成するのに、選択した金属の層を形成する、そして次に金属の拡散でパッドを形成するような温度で熱処理を行う、という2つの工程を使用する。金属層は、任意の好適な方法で、特に言えばPVD、プラズマ被着、蒸着などで、形成することができる。一般に、金属層の厚さは3~80nm、好ましくは5~50nmである。金属層の熱処理は、拡散と存在する表面張力の作用下で金属がパッドあるいは液滴となるような温度で行われる。一般には、検討している金属の融点よりも温度を高く上げることが絶対に必要なわけではない。温度を金属の融点よりずっと低い温度に上げることで十分なことさえある。日常的な試験でこれらのパッドを形成する最低温度を容易に見いだすことが可能である。金属の理論上の融点をTfとすると、例えば温度をTf-650°C以上に上げることが可能である。Tf-750°CからTfまでの範囲が一般に十分なものである。選択した金属とそれが酸化する性向に応じて、熱処理を不活性雰囲気例えばアルゴン下で行うことが場合により好ましいことがある。従って、本発明はまた、金属パッドを製作するのに使用する方法であって、金属の層を被着し、続いて金属の拡散でパッドが形成されることになるような温度で熱処理を行う方法にも関する。金属がパッドを形成する十分に高い温度で金属の被着を行うことで、単一の工程でもってパッドを製作することは、除外されない。この場合、パッドは金属の被着中にその場で形成される。保護層は、一般に、酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素あるいはケイ素の酸窒化物などの、ケイ素-IV化合物で作られる層である。この層は一般に、CVD又はPECVDで、あるいはPVDスパッタリング、パルスレーザー被着PLDと称されるなどにより被着することができる。被着は、高温被着でよい。被着した層は1~350nmの厚さを有することができる。保護層を被着後、保護層より速く金属をエッチングする第1の化合物を使って化学エッチングを行う。好ましくは、この第1の化合物は保護層をエッチングしない。この第1の化合物は、例えば、硝酸の水溶液、特に濃硝酸68wtまでのであることができる。この硝酸でのエッチングは、15~50°Cで行うことができる。これはまた、硫酸とリン酸の水溶液でもよい。このような溶液は、例えば、50~98wtの硫酸水溶液を50~85wtのリン酸水溶液と混合して得ることができ、これらの2つの溶液の体積比は場合により10:1から1:10まで様々である。好ましくは、H2SO4:H3PO4の体積比は2:1から4:1まで様々である。硫酸とリン酸の混合物によるこのエッチングは、170°Cと溶液の沸点との間で行うことができ、後者は一般に280°Cより低い。金属をエッチング後、保護層よりも速く単結晶をエッチングする第2の化合物で単結晶をエッチングする。好ましくは、この第2の化合物は保護層をエッチングしない。選択する化合物は単結晶の性質に依存する。SiCをエッチングするのに適した化合物は、ムラカミ溶液、すなわち苛性ソーダとフェリシアン化カリウムK3FeCN6の水溶液である。ムラカミ溶液を使用するこのエッチングは、沸点で行うことができる。サファイア又はGaNをエッチングするのに適した化合物は、硫酸とリン酸の水溶液である。この溶液の特性と、これが好ましいのは、金属のエッチングについて先に説明したのと同じである。有利には、第1及び第2の化合物は同一である。これは、金属のエッチングが終わるときと単結晶のエッチングが始まるときを気にする必要なしに同じ調製品を使って金属と単結晶を同時にエッチングするのを可能にする。これは、選択した化合物が金属と単結晶の両者を保護層よりも速くエッチングする場合にのみ可能である。単結晶がサファイア又はGaNである場合、そのような二重機能の化合物は硫酸とリン酸の水溶液である。この溶液の特性と、これが好ましいのは、金属のエッチングについて先に説明したのと同じである。第1の、次いで第2の化合物これら2つは場合により同一であるでのこのエッチング後に、第3の化合物を使用する化学エッチングを行い、この第3の化合物は単結晶よりも速く保護層をエッチングする。ここでの目的は、単純に、保護層を溶解することによりそれを除去することである。このエッチングには、フッ化水素酸が理想的に適している。例えば、1のHFを含有している水溶液を室温で30分間使用することができる。基材上に種々の層を被着させる前に、それを例えばエタノール又はピランハ溶液硫酸と過酸化水素の混合物を使って、あるいは熱処理などを利用して、クリーニングする。一般に、種々の化合物を使用するエッチングの間では脱イオン水によるリンスを行う。本発明による方法は、各層を場合によりマグネトロンスパッタリングにより又は蒸着により被着することと、ウェットエッチング工程とを必要とするのみであるという点において、特に経済的である。テクスチャーのキャビティの直径を、被着金属の厚さを単純に制御することによって、50nmから100ミクロンまで制御することが可能である。これは、キャビティの直径が金属パッドのそれに実質的に対応するからである。キャビティの直径という表現は、単結晶の表面でキャビティの全周を収容することができる最小の円を意味するものと理解される。例えば、一例として、10nmの銀の層を被着させると特性寸法が100nmの表面形状が得られることになるのに対し、80nmの銀の層を被着させると大きさが2μmの表面形状が得られることになる。一般に、厚さが40nmより薄い金属層を被着させると、キャビティの90は1μmより小さい直径を持つことになる。一般には、キャビティの90が100nmより大きな直径を持つような厚さを有する金属層を被着させる。一般には、厚さが7nmより厚い金属層を被着させる。言うまでもなく、第3の化合物による単結晶のエッチングをあまりにも長く継続させると、キャビティの直径は金属パッドのそれを超えて大きくなり、保護層の下へと進む。そういうことであるから、金属膜の厚さはやはりキャビティの大きさを規定するための主要なパラメータであることになる。当業者は、第3の化合物を使用するエッチングの条件を、キャビティの直径を金属パッドのそれに実質的に等しくならせる最適なエッチング時間を見いだすために、容易に最適化することができる。本発明によるテクスチャー化した基材は、LED、電子部品又は太陽電池の製造においてGaN、AlN又はIII-N化合物すなわち陽イオンが3の正電荷を持つ金属の窒化物のエピタキシャル成長のために使用することができる。本発明により得られる単結晶のテクスチャーは、平均屈折率効果による反射防止効果を得るのに利用することができ、すなわち基材上に得られたキャビティが、入射波長に比べ小さい場合に、この波により見られる屈折率を変更する。この効果は、表面の平均屈折率を低下させることと、赤外線又は可視光線で基材とエピタキシャル層との間の屈折率整合を改善することを可能にする。更に、得られたテクスチャーは、エピタキシャル化合物のラテラルオーバーグロースELOGを誘起して、エピタキシャル結晶の品質を向上させるとともに転位の数を減らし、従って最終製品の価値を高める。本発明の反射防止効果のその他の応用が、特に軍事サファイア窓又は航空宇宙分野において、可能である。図1は、サファイアにテクスチャーを付与するための従来技術を示している。サファイア基材1の上に、シリカ層2、次いで金属層3が、続けて被着されている図1a。熱処理を使って、層3の金属を拡散と存在する表面張力の作用下でパッド4にする図1b。その後、RIEエッチングでパッド4の間のシリカを除去して、5で示される箇所のサファイアの表面を露出させる図1c。次に、H3PO4/H2SO4溶液でのエッチングで、利用できるようになった箇所5のサファイアにテクスチャーキャビティ6を作り出す図1d。次いで、HFでのエッチングでサファイアからシリカ層と残留金属層を取り除き、テクスチャー化したサファイア表面7が得られる図1e。図2は、本発明により単結晶にテクスチャーを付与するための方法を示している。単結晶10の上に金属層11が被着されている図2a。熱処理を使って、層11の金属を拡散と存在する表面張力の作用下でパッド12にする図2b。次に、シリカの保護層を被着させ、この層ははるかに多孔質亀裂、穴部、より小さい厚さであるとともに、密着性がパッド間の単結晶の表面14に対してよりもパッドの表面に対しての方が弱い図2c。その後、保護層の細孔13を通して第1の化合物でのエッチング、次いで第2の化合物でのエッチングを行い、キャビティ16を形成するため金属パッドを素早く溶解し、次いで単結晶の表面をエッチングすることができる図2d。金属パッドに対応する容積が、空のキャビティ15になっている。HFでのエッチングで単結晶からシリカを取り除き、こうして所望のテクスチャー化単結晶17が得られる図2e。図3aは、走査型電子顕微鏡を使って観測したサファイア基材の表面の銀パッドを示している。図3bは、走査型電子顕微鏡を使って観測した、本発明による方法を使用してサファイア基材の表面に作ったキャビティを示している。室温、8μbarの圧力、500Wの電源で、アルゴン下に2分間のマグネトロンスパッタリングにより、サファイア基材上に40nmの銀の層を被着させた。この銀で被覆した基材を開放空気中にて300°Cで5分間加熱して、図3aの走査型電子顕微鏡写真に示したように形成された銀のパッド又は小滴にした。次に、マグネトロンスパッタリング室温、2μbarより低い圧力、500Wの電源で、アルゴンと酸素の混合物下に、2分間弱により、サファイアとパッドになった銀の両方を覆って、20nmのシリカの膜を被着させた。次いで、こうして被覆した基材を、3:1部のH2SO4:H3PO4と7.5wtの水を含有し、沸点に至らしめた水溶液中に55分間浸漬して、240°Cの平坦温度に達しさせた。その後、銀がシリカ層を通してエッチングされ、銀の下のサファイアもやはりエッチングされていることが観測された。最後に、1HF溶液を使用して試料を室温で30分間エッチングして、基材からシリカを除去した。こうして、図3bの走査型電子顕微鏡写真が示すようにナノテクスチャー化したサファイア基材が得られた。