"III族窒化物半導体レーザ素子であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面の上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に延在し、前記半導体領域の上に設けられた電極と、を備え、前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、第2の窒化ガリウム系半導体層、及び活性層が前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記導波路軸の方向に前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記レーザ構造体は、前記導波路軸に交差する第1及び第2の割断面を含み、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、前記半導体領域はInGaN層を含み、前記第1の割断面は、前記InGaN層の端面に設けられた段差を含み、前記段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在する、III族窒化物半導体レーザ素子。前記段差の幅は、180nm以下であり、前記段差の幅は、前記導波路軸の方向に規定される、請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲である、請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記InGaN層のインジウム組成は0.10以上であり、0.50以下である、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記InGaN層の厚さは1nm以上であり、10nm以下である、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記第1の割断面の上に設けられた誘電体多層膜を更に備え、前記段差の幅は80nm以下である、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記III族窒化物半導体のc軸は、前記III族窒化物半導体のc軸及び前記導波路軸によって規定される第1平面において基準軸に直交し、前記半導体領域における光出射の端面と前記基準軸に直交する基準面との成す角度は、前記第1平面及び前記法線軸の両方に直交する第2平面において-5度以上5度以下の範囲になる、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記III族窒化物半導体のc軸は、前記III族窒化物半導体のc軸及び前記導波路軸の両方によって規定される第1平面において基準軸に直交し、前記半導体領域における光出射の端面と前記基準軸に直交する基準面との成す角度は、前記第1平面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記InGaN層は、前記支持基体と前記活性層との間に設けられる、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記活性層は、前記支持基体と前記InGaN層との間に設けられる、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記InGaN層は前記活性層のInGaN井戸層である、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲であり、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に傾斜する、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかの面から-4度以上4度以下の範囲でオフした傾斜面である、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかである、請求項1~請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記活性層は、波長480nm以上、550nm以下の光を発生するように設けられた発光領域を含む、請求項1~請求項14のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、前記半極性主面の上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、第1の電極、及び第2の電極を有する基板生産物を形成する工程と、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の前記半極性主面への投影方向と垂直な方向に前記基板生産物をスクライブする工程と、前記基板生産物への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、を備え、前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、活性層、及び第2の窒化ガリウム系半導体層が前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記第1の電極は、前記レーザ構造体の上において前記導波路軸の方向に延在し、前記レーザバーは前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、前記導波路軸は前記第1の端面から前記第2の端面への方向に向き、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器のために設けられており、前記半導体領域はInGaN層を含み、前記第1の端面は、前記InGaN層の端面に設けられた段差を含み、前記段差は、前記導波路軸及び前記法線軸に交差する方向に延在する、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲である、請求項16に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記InGaN層の厚さは1nm以上であり、10nm以下であり、前記InGaN層は、前記基板と前記活性層との間に設けられ、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第2の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第1の面へ押圧する、請求項16又は請求項17に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記InGaN層の厚さは1nm以上であり、10nm以下であり、前記InGaN層は前記基板と前記活性層との間に設けられ、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第2の面へ押圧する、請求項16又は請求項17に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記InGaN層の厚さは1nm以上であり、10nm以下であり、前記活性層は、前記基板と前記InGaN層との間に設けられ、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第2の面へ押圧する、請求項16又は請求項17に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記InGaN層は前記活性層のInGaN井戸層であり、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第2の面へ押圧する、請求項16又は請求項17に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。非特許文献1~3では、光共振器のための端面をドライエッチングRIEで形成している。これ故に、端面にドライエッチングを適用することに起因するダメージが避けられない。特許文献1では、光共振器のための端面としてへき開面を用いている。これ故に、レーザストライプをへき開方向に合わせるので、レーザストライプの向きの選択が限定される。発明者らが研究している半導体レーザでは、レーザ導波路の向きが、へき開可能な結晶軸と異なる方向に延在する。これ故に、この半導体レーザでは、光共振器のための端面としてへき開面を用いることができない。発明者らの試みによれば、光共振器のための端面としてドライエッチ面を用いることなく、へき開可能な結晶軸と異なる方向に延在するレーザ導波路を有する半導体レーザを作製できる特許文献2。上記の端面がへき開面ではないので、該端面の縁における直線性をより優れたものにすることが求められている。これによって、発振歩留まりを改善できる。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、発振歩留まりを改善可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とし、また発振歩留まりを改善可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供することを目的とする。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、a六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面の上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、b当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に延在し、前記半導体領域の上に設けられた電極とを備える。前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、第2の窒化ガリウム系半導体層、及び活性層が前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記導波路軸の方向に前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記レーザ構造体は、前記導波路軸に交差する第1及び第2の割断面を含み、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、前記半導体領域はInGaN層を含み、前記第1の割断面は、前記InGaN層の端面に設けられた段差を含み、前記段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在する。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、へき開面と異なる割断面において、半導体領域のInGaN層の端面に段差が設けられている。この段差は、割断面の作製の際に形成されたものであり、また当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在する。この段差は、割断面の延在方向が理想的な方向から大きく離れることを防ぐために役立ち、InGaN層の延在方向を案内している。この段差により、多数のIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する際に、光共振器として割断面に求められる垂直性の分布が小さくなる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記段差の幅は、180nm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、大きすぎる段差幅は、その段差に起因する反射を増大させる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面あるいはa面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記III族窒化物半導体のc軸は、前記法線軸及び前記導波路軸の両方によって規定される第1平面において基準軸に直交し、前記半導体領域における光出射の端面但し段差を除くと前記基準軸に直交する基準面との成す角度は、前記第1平面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成すことが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子は、第1平面において規定される角度に関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記III族窒化物半導体のc軸は、前記法線軸及び前記導波路軸によって規定される第1平面において基準軸に直交する。前記半導体領域における光出射の端面但し段差を除くと前記基準軸に直交する基準面との成す角度は、前記第1平面及び前記法線軸の両方に直交する第2平面において-5度以上5度以下の範囲になることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子は、半極性面の法線軸に垂直な面において規定される角度に関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記InGaN層は歪みを内包することが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、ひずみを内包するInGaN層は、段差の位置を規定するために好適である。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記InGaN層のインジウム組成は0.10以上にあることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、インジウム組成が0.10以上であるとき、InGaN層に内包されるひずみを大きくでき、段差を発生させることに好適である。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記InGaN層のインジウム組成は0.50以下であることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、インジウム組成が0.50を超えると、InGaN層の結晶性が悪化する。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記InGaN層の厚さは1nm以上であることが好適である。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、InGaN層の厚さが1nm以上であるとき、内包されるひずみを大きくでき、段差を発生させることに好適である。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記InGaN層の厚さは10nm以下であることが好適である。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、InGaN層の厚さが10nmを超えるとき、良好な結晶品質のInGaNを再現性よく形成することが容易ではなくなる可能性がある。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、前記第1の割断面の上に設けられた誘電体多層膜を更に備えることができる。前記段差の幅は80nm以下であることが好適である。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、段差の幅は80nm以下であるとき、誘電体多層膜の形状も非常に良好になる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記InGaN層は、前記支持基体と前記活性層との間に設けられることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、InGaN層の位置を活性層から離すことができる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層は、前記支持基体と前記InGaN層との間に設けられることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、InGaN層の位置を活性層から離すことができる。InGaN層の追加が、支持基体と活性層との間のエピタキシャル膜の成長における結晶品質へ影響しない。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記InGaN層は前記活性層のInGaN井戸層であることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、比較的長い波長の発光のための井戸層は段差の生成のためのInGaN層と兼用できる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に傾斜し、前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲であることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、この角度範囲の半極性面は、インジウム取り込みに優れ、InGaN層の形成に好適である。また、上記の傾斜方向は、光学異方性に関して好適な方向である。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかの面から-4度以上4度以下の範囲でオフした傾斜面であることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これら典型的な半極性面からの微傾斜面において、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の端面を提供できる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかであることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これら典型的な半極性面において、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の端面を提供できる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層は、波長480nm以上の光を発生するように設けられた発光領域を含むことができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、波長480nm以上の長波長の発光は、半極性を用いるIII族窒化物半導体レーザ素子において好適に実現できる。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層は、波長550nm以下の光を発生するように設けられた発光領域を含むことができる。本発明の別の側面は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法である。この方法は、a六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、b前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、第1の電極、及び第2の電極を有する基板生産物を形成する工程と、c前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の前記半極性主面への投影方向と垂直な方向に前記基板生産物をスクライブする工程と、d前記基板生産物への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備えることができる。前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、活性層及び第2の窒化ガリウム系半導体層が前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に前記半極性主面の前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、前記第1の電極は、前記レーザ構造体の上において前記導波路軸の方向に延在し、前記レーザバーは前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、前記導波路軸は前記第1の端面から前記第2の端面への方向に向き、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器のために設けられており、前記半導体領域はInGaN層を含み、前記第1の端面は、前記InGaN層の端面に設けられた段差を含み、前記段差は、前記導波路軸及び前記法線軸に交差する方向に延在する。この作製方法によれば、半導体領域はInGaN層を含み、第1及び第2の端面を有するレーザバーが分離により形成される。InGaN層を半導体領域内に形成すると共に、このInGaN層の端面に、分離による端面の作製の際に段差を形成する。この段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在する。この段差の延在により端面生成の方向が案内されて、多数のIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する際に、光共振器としての端面に求められる垂直性の分布範囲を小さくできる。本発明の別の側面に係る作製方法では、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であることができる。この作製方法によれば、45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面あるいはa面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。本発明の別の側面に係る作製方法では、前記InGaN層の厚さは1nm以上10nm以下の範囲にあり、前記InGaN層は前記基板と前記活性層との間に設けられ、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第2の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第1の面へ押圧することが好適である。この作製方法によれば、第2の面基板裏面をスクライブすると共に第1の面エピ面へ押圧するとき、割断の方向の案内可能な段差を上記InGaN層に形成できる。本発明の別の側面に係る作製方法では、前記InGaN層の厚さは1nm以上10nm以下の範囲にあり、前記InGaN層は前記基板と前記活性層との間に設けられ、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第2の面へ押圧することが好適である。この作製方法によれば、第1の面エピ面をスクライブすると共に第2の面基板裏面へ押圧するとき、割断の方向の案内可能な段差を上記InGaN層に形成できる。本発明の別の側面に係る作製方法では、前記InGaN層の厚さは1nm以上10nm以下の範囲にあり、前記活性層は、前記基板と前記InGaN層との間に設けられ、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第2の面へ押圧することが好適である。この作製方法によれば、第1の面エピ面をスクライブすると共に第2の面基板裏面へ押圧するとき、割断の方向の案内可能な段差をInGaN層に形成できる。本発明の別の側面に係る作製方法では、前記InGaN層は前記活性層のInGaN井戸層であり、前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第2の面へ押圧することが好適である。この作製方法によれば、第1の面エピ面をスクライブすると共に第2の面基板裏面へ押圧するとき、割断の方向の案内可能な段差をInGaN層に形成できる。本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。以上説明したように、本発明によれば、発振歩留まりを改善可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。また、本発明によれば、発振歩留まりを改善可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法が提供される。本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のIII族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、利得ガイド型の構造を有するけれども、本発明の実施の形態は、利得ガイド型の構造に限定されるものではない。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及び電極15を備える。レーザ構造体13は、支持基体17及びエピタキシャル半導体領域19半導体領域19と記すを含む。支持基体17は、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる半極性主面17aと裏面17bとを有する。半導体領域19は、支持基体17の半極性主面17a上に設けられている。電極15は、レーザ構造体13の半導体領域19上に設けられ、当該III族窒化物半導体レーザ素子11における導波路の方向を示す導波路軸導波路ベクトルWVの方向に延在する。半導体領域19は、第1のクラッド層21と、第2のクラッド層23と、活性層25とを含む。第1のクラッド層21は、第1導電型III族窒化物半導体層を含み、例えばn型AlGaN、n型InAlGaNといった窒化ガリウム系半導体層等からなる。第2のクラッド層23は、第2導電型III族窒化物半導体層を含み、例えばp型AlGaN、p型InAlGaNといった窒化ガリウム系半導体層からなる。活性層25は、第1のクラッド層21と第2のクラッド層23との間に設けられ、発光領域を含む。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25a及び障壁層25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN、InAlGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN、InAlGaN等からなる。活性層25は量子井戸構造を含むことができる。実施例では、活性層25の発振波長は例えば波長480nm以上であることができ、また550nm以下であることができるが、これに限定されるものではない。窒化ガリウム系半導体膜18の半極性面の利用により、長波長の発光を可能にするInGaN層の成長に好適である。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、半極性主面17aの法線軸NXに沿って配列されている。また、半導体領域19は、バッファ層32及びコンタクト層33を含むことができる。レーザ構造体13は導波路軸に交差する方向に延在する第1の割断面27及び第2の割断面29を含む。例えばこれらの割断面27、29は、レーザ構造体13の半導体領域19の主面19aのエッジからレーザ構造体13の支持基体17の裏面まで延在する。第1及び第2の割断面27、29はへき開面と異なる。III族窒化物半導体レーザ素子11の動作において、割断面27、29は光の反射や光の透過に関連する。第1及び第2の割断面27、29の各々には、支持基体17の端面17c及び半導体領域19の端面19cが現れている。レーザ構造体13は第1及び第2の面13a、13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。第1及び第2の割断面27、29の各々は、第1の面13aのエッジから第2の面13bのエッジまで延在する。半導体領域19はInGaN層24を含む。図1のb部及びc部は割断面29の近傍を示す側面図であり、割断面27も、割断面29と同様の構造を有することができる。半導体領域19は、InGaN層24を含むことができる。割断面29は、InGaN層24の端面24aに設けられた段差26を含む。段差26は、当該III族窒化物半導体レーザ素子11の一方の側面22aから他方の側面22bへの方向に延在する。段差26は、割断面27、29において、InGaN層24の端面24aの一部分又は全体的に形成されることができる。図1のb部に示される実施例では、InGaN層24は、第2のクラッド層23及び活性層25と絶縁膜31との間に設けられ、より具体的には第2のクラッド層23とコンタクト層33との間に設けられる。また、図1のc部に示される実施例では、InGaN層24は、活性層25及び第1のクラッド層21と支持基体17との間に設けられ、より具体的には第1のクラッド層21とバッファ層32との間に設けられる。このIII族窒化物半導体レーザ素子11では、へき開面と異なる割断面27、29において、半導体領域19のInGaN層24の端面24aに段差26が設けられている。この段差26は、割断面27、29の作製の際に形成されたものであり、また当該III族窒化物半導体レーザ素子11の一方の側面22aから他方の側面22bへの方向に延在する。この段差26は、割断面27、29の延在方向を案内するために役立つ。この段差26により、多数のIII族窒化物半導体レーザ素子11を作製する際に、光共振器として割断面27、29に求められる垂直性の分布範囲が小さくなる。段差26の幅WSは、180nm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、大きすぎる段差幅は、その段差26に起因する乱反射を増大させる。予備的な見積もりによれば、発振波長が480nmであるとき、窒化ガリウム系半導体内における実効波長屈折率2.54として見積もるは189nm程度である。また、発振波長が550nmであるとき、窒化ガリウム系半導体内における実効波長は217nm程度である。窒化ガリウム系半導体内の実効波長よりも段差26の幅が小さいとき、割断面を光は、屈折率の変化となる段差26に実効的に影響されない。発振波長の範囲が青から緑であるとき、段差26の幅は180nm以下であることが好適である。III族窒化物半導体レーザ素子11では、InGaN層24は歪みを内包することが好ましい。InGaN層24が歪みを内包することは、段差26の形成に好適であり、歪み内包InGaNの使用は、段差26の位置を規定するために好適である。InGaN層24のインジウム組成は0.10以上であることができる。このインジウム組成が0.10以上であるとき、InGaN層24に内包されるひずみを大きくでき、段差26を発生させることに好適である。また、InGaN層24のインジウム組成は0.50以下であることができる。このインジウム組成が0.50を超えると、InGaN層の結晶性が悪化する。InGaN層24の厚さDは法線軸NXの方向に規定され、1nm以上であることが好適である。このとき、InGaN層24に内包されるひずみを大きくでき、段差26の発生を低減させることができる。また、InGaN層24の厚さDは10nm以下であることが好適である。この厚さDが10nmを超えるとき、良好な結晶品質のInGaNを再現性よく形成することが容易ではなくなる可能性がある。既に説明したように、InGaN層24は支持基体17と活性層25との間に設けられるとき、InGaN層24の位置を活性層25から離すことができる。また、活性層25は、支持基体17とInGaN層24との間に設けられるとき、InGaN層24の位置を活性層25から離すことができる。InGaN層24の追加が、支持基体17上に成長される活性層25といったエピタキシャル膜の成長における結晶品質へ影響しない。更には、InGaN層24は活性層25のInGaN井戸層であることができる。このとき、比較的長い波長の発光のための井戸層は段差26の生成のためのInGaN層と兼用できる。図1を参照すると、直交座標系S及び結晶座標系CRが描かれている。法線軸NXは、直交座標系SのZ軸の方向に向く。半極性主面17aは、直交座標系SのX軸及びY軸により規定される所定の平面に平行に延在する。また、図1には、支持基体17における代表的なc面Scが描かれている。また、ベクトルVCは、支持基体17におけるc軸の方向を示す。一実施例では、支持基体17におけるc軸及び、半導体領域19におけるIII族窒化物半導体のc軸は、導波路軸の方向に法線軸NXに対して、ゼロより大きい角度ALPHAで傾斜している。一実施例では、支持基体17におけるc軸はm軸の方向に傾斜している。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ構造体13は、支持基体17のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する割断面27、29を含む。III族窒化物半導体レーザ素子11は、絶縁膜31を更に備える。絶縁膜31はレーザ構造体13の半導体領域19の表面19aを覆っており、半導体領域19は絶縁膜31と支持基体17との間に位置する。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aは、導波路ベクトルWVの示す方向に延在する。本実施例では、開口31aは、半導体領域19の表面19aと上記のm-n面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。電極15は、開口31aを介して半導体領域19の表面19a例えば第2導電型のコンタクト層33に接触を成しており、上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路は、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25を含み、また上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1の割断面27及び第2の割断面29は、導波路軸導波路ベクトルWV及び法線軸NXによって規定される基準面に交差する。本実施例では、第1の割断面27及び第2の割断面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は第1及び第2の割断面27、29を含み、第1の割断面27及び第2の割断面29の一方から他方に、レーザ導波路が延在する。レーザ構造体13は第1の面13a及び第2の面13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。第1及び第2の割断面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する。第1及び第2の割断面27、29の各々は、半導体領域19の端面19c及び支持基体17の端面17cを含む。半導体領域19の端面19cは、本実施例では、へき開面c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。III族窒化物半導体レーザ素子11では、図1に示されるように、割断面27、29の少なくともいずれか一方は、スクライブ跡20を含むことができる。本実施例では、スクライブ跡20は一方の側面22bにおいて半導体領域19の主面19a第1の面13aから支持基体17にまで到達しており、また同様のスクライブ跡20が別の側面22aに設けられることができる。別の実施例として、スクライブ跡が、側面22a、22bの少なくともいずれか一方において第2の面13bから第1の面13aへの方向に支持基体17の裏面17bから延在することができる。スクライブ跡20は、割断面の延在方向を規定する。また、このIII族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する第1及び第2の割断面27、29がm-n面に交差する。これ故に、m-n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。III族窒化物半導体レーザ素子11は、n側光ガイド層35及びp側光ガイド層37を含む。n側光ガイド層35は、第1の部分35a及び第2の部分35bを含み、n側光ガイド層35は例えばGaN、InGaN等からなる。p側光ガイド層37は、第1の部分37a及び第2の部分37bを含み、p側光ガイド層37は例えばGaN、InGaN等からなる。キャリアブロック層39は、例えば第1の部分37aと第2の部分37bとの間に設けられる。支持基体17の裏面17bには別の電極41が設けられ、電極41は例えば支持基体17の裏面17bに設けられる。図2は、III族窒化物半導体レーザ素子における活性層におけるバンド構造を示す図面である。図3は、III族窒化物半導体レーザ素子11の活性層25における発光の偏光を示す図面である。図4は、c軸及びm軸によって規定される断面を模式的に示す図面である。図2のa部を参照すると、バンド構造BANDのΓ点近傍では、伝導帯と価電子帯との間の可能な遷移は、3つある。Aバンド及びBバンドは比較的小さいエネルギ差である。伝導帯とAバンドとの遷移Eaによる発光はa軸方向に偏光しており、伝導帯とBバンドとの遷移Ebによる発光はc軸を主面に投影した方向に偏光している。レーザ発振に関して、遷移Eaのしきい値は遷移Ebのしきい値よりも小さい。図2のb部を参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11におけるLEDモードにおける光のスペクトルが示されている。LEDモードにおける光は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向の偏光成分I1と、六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向の偏光成分I2を含み、偏光成分I1は偏光成分I2よりも大きい。偏光度ρはI1-I2/I1I2によって規定される。このIII族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を用いて、LEDモードにおいて大きな発光強度のモードの光をレーザ発振させることができる。図3に示されるように、第1及び第2の割断面27、29の少なくとも一方、又はそれぞれに設けられた誘電体多層膜43a、43bを更に備えることができる。破断面27、29にも端面コートを適用できる。端面コートにより反射率を調整できる。段差26の幅WSが80nm以下であるとき、誘電体多層膜43a、43bの形状が非常に良好である。図3のb部に示されるように、活性層25からのレーザ光Lは六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している。このIII族窒化物半導体レーザ素子11において、低しきい値電流を実現できるバンド遷移は偏光性を有する。レーザ共振器のための第1及び第2の割断面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。しかしながら、第1及び第2の割断面27、29は共振器のためのミラーとしての平坦性、垂直性を有する。これ故に、第1及び第2の割断面27、29とこれらの割断面27、29間に延在するレーザ導波路とを用いて、図3のb部に示されるように、c軸を主面に投影した方向に偏光する遷移Ebの発光よりも強い遷移Eaの発光により低しきい値のレーザ発振が可能になる。III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1及び第2の割断面27、29の各々には、支持基体17の端面17c及び半導体領域19の端面19cが現れており、端面17c及び端面19cは誘電体多層膜43aで覆われている。図3に示されるように、第1平面S1は、法線軸及び導波路ベクトルWV図3においてX軸の方向に向くによって規定される平面である。c軸が導波路軸の方向に傾斜するとき、法線軸に替えて支持基体17のIII族窒化物半導体のc軸を第1平面S1の規定に求めることができる。III族窒化物半導体のc軸は、第1平面S1においてある基準軸RAXに直交する。この基準軸RAXは、例えばc軸がm軸の方向に傾斜するとき、m軸に等価である。この基準軸RAXに直交する基準面上記の例ではm面と半導体領域19における光出射の端面例えば、活性層25における端面25cとの成す角度は、BETAとして参照する。例えば、上記のc軸がm軸の方向に傾斜するとき、角度BETAは、端面19c及び活性層25における端面25cの法線ベクトルNAとIII族窒化物半導体のm軸ベクトルMAとの成す角度によって規定されるものに一致する。角度BETAは、第1平面S1において規定される成分BETA1と、第1平面S1及び法線軸NXの両方に直交する第2平面S2において規定される成分BETA2とによって規定される。成分BETA1は、第1平面S1においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲であることが好ましい。この角度範囲は、図4において、代表的なm面SMと参照面FAとの成す角度として示されている。代表的なm面SMが、理解を容易にするために、図4において、レーザ構造体の内側から外側にわたって描かれている。参照面FAは、活性層25の端面25cに沿って延在する。このIII族窒化物半導体レーザ素子11は、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAに関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。また、成分BETA2は第2平面S2において-5度以上5度以下の範囲であることが好ましい。ここで、BETA2=BETA12BETA22である。このとき、III族窒化物半導体レーザ素子11の割断面27、29は、半極性面17aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度に関して上記の垂直性を満たす。再び図1を参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは400μm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために好適である。III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは50μm以上100μm以下であることが更に好ましい。このIII族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために更に好適である。また、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりを向上させることができる。III族窒化物半導体レーザ素子11では、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度ALPHAは45度以上であることが好ましく、また80度以下であることが好ましい。また、角度ALPHAは100度以上であることが好ましく、また135度以下であることが好ましい。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。III族窒化物半導体レーザ素子11では、更に好ましくは、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度ALPHAは63度以上であることが好ましく、また80度以下であることが好ましい。また、角度ALPHAは100度以上であることが好ましく、また117度以下であることが好ましい。この角度範囲では、活性層におけるピエゾ分極が小さくできる。また、活性層の成長におけるIn取り込みが良いので、活性層におけるIn組成の可変範囲が広い。これ故に、長波長の発光を得るために好適である。また、In取り込みが良いので、InGaN層24の形成に好適である。半極性主面17aは、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかであることができる。更に、これらの面から-4度以上4度以下の範囲で微傾斜した面も半極性の主面として好適である。これら典型的な半極性面17aにおいて、当該III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の第1及び第2の割断面27、29を提供できる。また、これらの典型的な面方位にわたる角度の範囲において、十分な平坦性及び垂直性を示す端面が得られる。支持基体17は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な割断面27、29を得ることができる。図5は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。図6のa部を参照すると、基板51が示されている。工程S101では、III族窒化物半導体レーザ素子の作製のための基板51を準備する。基板51の六方晶系III族窒化物半導体のc軸ベクトルVCは、六方晶系III族窒化物半導体のm軸方向ベクトルVMに法線軸NXに対して有限な角度ALPHAで傾斜している。これ故に、基板51は、六方晶系III族窒化物半導体からなる半極性主面51aを有する。工程S102では、基板生産物SPを形成する。図6のa部では、基板生産物SPはほぼ円板形の部材として描かれているけれども、基板生産物SPの形状はこれに限定されるものではない。基板生産物SPを得るために、まず、工程S103では、レーザ構造体55を形成する。レーザ構造体55は、半導体領域53及びIII族窒化物基板51を含んでおり、工程S103では、半導体領域53は半極性主面51a上に形成される。半導体領域53を形成するために、半極性主面51a上に、第1導電型の窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61を順に成長する。窒化ガリウム系半導体領域57は例えばn型クラッド層を含み、窒化ガリウム系半導体領域61は例えばp型クラッド層を含むことができる。発光層59は窒化ガリウム系半導体領域57と窒化ガリウム系半導体領域61との間に設けられ、また活性層、光ガイド層及び電子ブロック層等を含むことができる。第1導電型の窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61は、半極性主面51aの法線軸NXに沿って配列されている。これらの半導体層はエピタキシャル成長される。半導体領域53上は、絶縁膜54で覆われている。絶縁膜54は例えばシリコン酸化物からなる。絶縁膜54の開口54aを有する。開口54aは例えばストライプ形状を成す。半導体領域53は、図6のa部に示されるように、レーザバーの端面に段差を形成する位置を規定するInGaN層52を含む。一実施例では、半導体領域53は、InGaN層52が基板51と発光層59との間に設けられるように形成されることができる。このとき、InGaN層52の位置を発光層59から離すことができる。別の実施例では、半導体領域53は、発光層59が基板51とInGaN層52との間に設けられるように形成されることができる。このとき、InGaN層52の位置を発光層59から離すことができる。InGaN層52の追加が、基板51上に成長される発光層59といったエピタキシャル膜の成長における結晶品質へ影響しない。更なる別の実施例では、半導体領域53は、InGaN層52が発光層59のInGaN井戸層であることができる。このとき、比較的長い波長の発光のための井戸層は段差26の生成のためのInGaN層と兼用できる。必要な場合には、InGaN層52は第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61内に位置することでき、及び/又は窒化ガリウム系半導体領域57内に位置することできる。工程S104では、レーザ構造体55上に、導波路軸の方向に延在するアノード電極58aとカソード電極58bとが形成される。また、基板51の裏面に電極を形成する前に、結晶成長に用いた基板の裏面を研磨して、所望の厚さDSUBの基板生産物SPを形成する。電極の形成では、例えばアノード電極58aが半導体領域53上に形成されると共に、カソード電極58bがIII族窒化物基板51の裏面研磨面51b上に形成される。アノード電極58aはX軸方向に延在し、カソード電極58bは裏面51bのほぼ全面を覆っている。これらの工程により、基板生産物SPが形成される。基板生産物SPは、第1の面63aと、これに反対側に位置する第2の面63bとを含む。半導体領域53は第1の面63aとIII族窒化物基板51との間に位置する。工程S105では、図6のb部に示されるように、基板生産物SPの第1の面63aをスクライブする。このスクライブは、半極性主面への六方晶系III族窒化物半導体のc軸の投影方向に行われる。また、このスクライブは、レーザスクライバー10aを用いて行われる。スクライブによりスクライブ溝65aが形成される。スクライブ線65aは、導波路軸に交差する方向及び基板51の主面の法線方向によって規定される平面に沿って延在する。図6のb部では、5つのスクライブ溝が既に形成されており、レーザビームLBを用いてスクライブ溝65bの形成が進められている。スクライブ溝65aの長さは、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa-n面に沿っており、a-n面と第1の面63aとの交差線AISの長さよりも短く、交差線AISの一部分にレーザビームLBの照射が行われる。レーザビームLBの照射により、特定の方向に延在し半導体領域に到達する溝が第1の面63aに形成される。スクライブ溝65aは例えば基板生産物SPの一エッジに形成されることができる。スクライブ溝65aは支持基体のへき開方向に延在する。工程S106では、図6のc部に示されるように、基板生産物SPの第2の面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。押圧は、例えばブレード69といったブレイキング装置を用いて行われる。ブレード69は、一方向に延在するエッジ69aと、エッジ69aを規定する少なくとも2つのブレード面69b、69cを含む。第2の面63bに交差する方向からブレイキング装置のエッジを基板生産物SP1に押し当てる。交差方向は好ましくは第2の面63bにほぼ垂直方向である。これによって、基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。押し当てにより、第1及び第2の端面67a、67bを有するレーザバーLB1が形成され、これらの端面67a、67bは少なくとも発光層の一部は半導体レーザの共振ミラーに適用可能な程度の垂直性及び平坦性を有する。この方法によれば、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に基板生産物SPの第1の面63aをスクライブした後に、基板生産物SPの第2の面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。これ故に、m-n面に交差するように、レーザバーLB1に第1及び第2の端面67a、67bが形成される。この端面形成によれば、第1及び第2の端面67a、67bに当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性が提供される。また、この方法では、形成されたレーザ導波路は、六方晶系III族窒化物のc軸の傾斜の方向に延在している。ドライエッチング面を用いずに、このレーザ導波路を提供できる共振器ミラー端面を形成している。この方法によれば、基板生産物SP1のブレイクにより、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1が形成される。工程S107では、押圧による分離を繰り返して、多数のレーザバーを作製する。この割断は、レーザバーLB1の分離線BREAKに比べて短いスクライブ溝65aを用いて引き起こされる。次いで、割断によるレーザバーの形成方法を説明する。InGaN層52の位置に形成される段差はInGaNのIn組成や厚さに係る条件や、スクライブの条件によって制御できる。製法方法は例えば以下のものを採用できる。図7において、実際の割断線48及び理想的な割断線46が示されている。図7のa部に示されるように、半導体領域53においてInGaN層52aが発光層59内の井戸層と基板51との間にあるInGaN層52aが井戸層より基板に近く位置する基板生産物では、スクライブを第2の面63b基板51の裏側に行うと共に、ブレード65の押し当てを第1の面63aエピ面に行うことができる。InGaN層52aの位置に対応して、割断面において井戸層と基板51との間のエリアに段差54aが形成される。発明者らの注意深い観察によれば、井戸層が、大きなインジウム組成のInGaN層を含むとき、この井戸層にも段差が形成されるけれども、井戸層における段差の幅は、InGaN層52aを含まない場合より小さい。また、この形態では、スクライブを第1の面63aエピ面に行うと共に、ブレード65の押し当てを第2の面63b基板51の裏側に行うことができる。このときにも、InGaN層52aの位置に対応して、割断面において井戸層と基板51との間のエリアに段差54aが形成される。別の作製方法では、図7のb部に示されるように、半導体領域53において発光層59の井戸層が、InGaN層52bと基板51との間にあるInGaN層52b井戸層より上に位置する基板生産物では、スクライブを第1の面63aエピ面に行うと共に、ブレード65の押し当てを第2の面63b基板51の裏側に行うことができる。InGaN層52bの位置に対応して、割断面において井戸層と基板51との間のエリアに段差54bが形成される。さらに別の作製方法では、図7のc部に示されるように、半導体領域53において発光層59の井戸層がInGaN層52cを含むInGaN層52cが井戸層に位置する基板生産物では、スクライブを第1の面63aエピ面に行うと共に、ブレード65の押し当てを第2の面63b基板51の裏側に行うことができる。InGaN層52cの位置に段差54cが形成される。段差54cが180nm以下であれば、導波する光への影響は小さい。また、段差54cが80nm以下であれば端面コートの異常が低減されなお好ましい。この形態では、InGaN井戸層のIn組成や厚さは、レーザ発振の狙い波長で決まるので、段差54cの形成はスクライブの条件によって制御することが良い。形成されたレーザバーLB1は、上記の分離により形成された第1及び第2の端面67a、67bを有し、端面67a、67bの各々は、第1の面63aから第2の面63bにまで延在する。これ故に、端面67a、67bは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、XZ面に交差する。このXZ面は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に対応する。これらの作製方法によれば、半導体領域53はInGaN層52a~52cを含み、分離によりレーザバーLB0、LB1が形成される。InGaN層52a~52cを半導体領域53内に形成すると共に、このInGaN層52a~52cの端面67a、67bに、分離による端面作製の際に段差54a~54cを形成する。この段差54a~54cは、レーザバーの端面67a、67bの一部分又は全体にわたって形成され、またレーザバーの端面67a、67bの一方の側面から他方の側面への方向に延在する。この段差54a~54cの延在により端面生成の方向が案内されて、多数のIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する際に、光共振器としての端面67a、67bに求められる垂直性の分布を小さくできる。工程S108では、レーザバーLB1の端面67a、67bに誘電体多層膜を形成して、レーザバー生産物を形成する。工程S109では、このレーザバー生産物を個々の半導体レーザのチップに分離する。本実施の形態に係る製造方法では、角度ALPHAは、45度以上80度以下及び100度以上135度以下の範囲であることができる。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。更に好ましくは、角度ALPHAは、63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲であることができる。この角度範囲では、活性層におけるピエゾ分極が小さくできる。また、活性層の成長におけるIn取り込みが良いので、活性層におけるIn組成の可変範囲が広い。これ故に、長波長の発光を得るために好適である。また、In取り込みが良いので、InGaN層24の形成に好適である。半極性主面51aは、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかであることができる。更に、これらの面から-4度以上4度以下の範囲で微傾斜した面も前記主面として好適である。これら典型的な半極性面において、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性でレーザ共振器のための端面を提供できる。また、基板51は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、レーザ共振器として利用可能な端面を得ることができる。基板51は好ましくはGaNからなる。基板生産物SPを形成する工程S104において、結晶成長に使用された半導体基板は、基板厚が400μm以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、第2の面63bが研磨により形成された加工面であることができる。この基板厚では、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性を有する端面67a、67bを歩留まりよく形成できる。第2の面63bが研磨により形成された研磨面であり、研磨されて基板厚が100μm以下であれば更に好ましい。また、基板生産物SPを比較的容易に取り扱うためには、基板厚が50μm以上であることが好ましい。本実施の形態に係るレーザ端面の製造方法では、レーザバーLB1においても、図3を参照しながら説明された角度BETAが規定される。レーザバーLB1では、角度BETAの成分BETA1は、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面図3を参照した説明における第1平面S1に対応する面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲であることが好ましい。レーザバーLB1の端面67a、67bは、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。また、角度BETAの成分BETA2は、第2平面図3に示された第2平面S2に対応する面において-5度以上5度以下の範囲であることが好ましい。このとき、レーザバーLB1の端面67a、67bは、半極性面51aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。端面67a、67bは、半極性面51a上にエピタキシャルに成長された複数の窒化ガリウム系半導体層への押圧によるブレイクによって形成される。半極性面51a上へのエピタキシャル膜であるが故に、端面67a、67bの半導体領域53の端面は、これまで共振器ミラーとして用いられてきたc面、m面、又はa面といった低面指数のへき開面ではない。しかしながら、半極性面51a上へのエピタキシャル膜の積層のブレイクにおいて、端面67a、67bは、共振器ミラーとして適用可能な平坦性及び垂直性を有する。実施例1以下の通り、半極性面GaN基板を準備し、割断面の垂直性を観察した。基板には、HVPE法で厚く成長した0001GaNインゴットからm軸方向に75度の角度で切り出した{20-21}面GaN基板を用いた。GaN基板の主面は鏡面仕上げであり、裏面は研削仕上げされた梨地状態であった。基板の厚さは370μmであった。基板主面にエピ層を成長し、裏面研磨によって厚みを80μmにした。エピ面にレーザスクライバーを用いて、c軸を基板主面に投影した方向に垂直にスクライブ溝を形成した後、基板裏面から押圧して基板を割断した。得られた割断面の垂直性を観察するため、走査型電子顕微鏡を用いてa面方向から基板を観察した。図8のa部は、割断面をa面方向から観察した走査型電子顕微鏡像であり、右側の端面が割断面である。割断面は半極性主面に対して平坦性及び垂直性を有すると共に、段差が形成されていることがわかる。この端面を有するレーザの共振器としての有用性を調べるために、以下の実施例のようにレーザーダイオードを有機金属気相成長法により成長した。原料にはトリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、トリメチルインジウムTMIn、アンモニアNH3、シランSiH4、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いた。GaN基板を準備した。このGaN基板については、HVPE法で厚く成長した0001GaNインゴットからm軸方向に0度から90度の範囲の角度でウェハスライス装置を用いて切り出し、m軸方向へのc軸の傾斜角度ALPHAが、0度から90度の範囲の所望のオフ角を有するGaN基板を作製した。例えば、75度の角度で切り出したとき、{20-21}面GaN基板が得られ、図8のb部に示される六方晶系の結晶格子において参照符号71aによって示されている。図8のc部はレーザストライプを<11-20>方向に設けた形態を示しており、半極性面71aと共にレーザ共振器のための端面81c、81dが示される。端面81c、81dは半極性面71aにほぼ直交しており、a面から構成される。実施例2図9のa部に示されるレーザダイオードDEV1を作製する。発振波長520nm帯のLD構造を作製するために、m75度オフに相当する20-21面GaN基板を準備する。アンモニア及び水素を含む雰囲気、摂氏1050度の基板温度、10分の期間の条件で、GaN基板に保持して、前処理サーマルクリーニングを行う。この後に、GaN基板上に摂氏1050度の基板温度でn型GaN層を成長する。基板温度を摂氏840度に下げた後に、GaN基板上にn型InAlGaNIn組成0,02、Al組成0.09クラッド層を成長する。クラッド層の厚さは1.5μmである。クラッド層上にInGaN光ガイド層In組成:0.03を成長する。光ガイド層上に、多重量子井戸発光層を成長する。InGaN井戸層の厚さは3nmであり、In組成は0.30である。GaN障壁層の厚さは15nmである。井戸層の成長温度は摂氏740度であり、障壁層の成長温度は摂氏840度である。多重量子井戸発光層上に、摂氏840度の基板温度で、InGaN光ガイド層In組成:0.03を成長する。この後、基板温度を摂氏1000度に上昇させて、p型AlGaN電子ブロック層Al組成0.12を成長する。基板温度を摂氏840度に下げた後に、p型InAlGaNIn組成0.02、Al組成0.09クラッド層を成長し、この上にp型GaNコンタクト層を成長して、エピタキシャル半導体領域が改選する。SiO2といった絶縁膜を成膜した後に、この絶縁膜に幅10μmのストライプ窓をウェットエッチングにより形成する。ストライプ窓の方向により規定される導波路の方向はc軸のオフ方向に規定する。Ni/Auからなるp側電極と、Ti/Auから成るパッド電極とを蒸着により形成する。基板の裏面を研磨した後に、Ti/Alから成るn側電極とTi/Auから成るパッド電極を蒸着により形成する。800μmの間隔で分離を行って端面割断面を形成する。端面にSiO2/TiO2からなる誘電体多層膜を形成する。これらの工程によりゲインガイド型レーザが作製される。端面の形成は以下のように行う。エピタキシャル半導体領域の表面エピ面にレーザスクライバーでスクライブ溝を形成した後に、ブレーカーで基板の裏面からブレードを押し当てる。比較のために、InGaN井戸層のIn組成が0.07である波長400nm帯のレーザダイオードを20-21面GaN基板上に作製する。このInGaN井戸層の成長温度は摂氏840度である。実施例2の条件で作製されたレーザダイオードの端面には、走査型電子顕微鏡SEMにより観察で、InGaN井戸層の端面の位置に段差が観測される。透過型電子顕微鏡TEMの観察によれば、段差の幅は15nm~60nm程度である。光学顕微鏡を用いて、チップ表面を観察したとき、図9のb部に示される角度ずれVARは0度~1.5度以下の範囲内である。比較例の条件で作製されたレーザダイオードの端面には、走査型電子顕微鏡SEMにより観察で、段差が観測されない。図9のb部に示される角度ずれは分布しており、0度~1.5度以内の角度にある比率は、総数の約10であり、この値は実施例よりも悪い。実施例の条件で作製されたレーザダイオードでは、井戸層のインジウム組成が高く、これ故にInGaN井戸層にひずみが大きい。高い歪みのInGaNを起点に段差が形成され、割れが進行する方向に関してスクライブラインからずれが抑制されたものと考えられる。実施例3図10に示されるレーザダイオードDEV2を作製する。実施例2のp型クラッド層とp型コンタクト層の間に位置するようにp型InGaN層In組成0.20を形成する。このp型InGaN層の厚さは5nmである。p型InGaN層の成長温度は摂氏860度である。端面の形成のために、エピ面にレーザスクライバーでスクライブ溝を形成した後に、ブレーカーで基板裏面からブレードを押し当てた。実施例3の条件で作製されたレーザダイオードの端面には、走査型電子顕微鏡SEMによる観察で、p型InGaN層の端面の位置に段差が観測される。また、発光層の近傍にも段差が観測された。透過型電子顕微鏡TEMの観察によれば、発光層近傍の段差の幅0nm~30nm程度である。実施例2のおける値よりも低減される傾向にある。これは、端面形成の際の割れがエピ表面から進行するので、p型InGaN層で生じた段差によって、発光層近傍が割れる際の形状が理想的な割れの向きに近づいているためと考えられる。実施例2及び実施例3の条件で作製されたレーザダイオードにパルス幅500nsec及びduty0.1のでパルス通電を行うと、両者のしきい値電流は共に800mA前後であり、初期特性に有意差は認められない。これは、段差の幅が半導体領域内波長よりも十分小さいので、光の増幅に及ぼす悪影響は小さいためと考えられる。また、実施例3の条件で作製されたレーザダイオードに関しては、p型InGaN層の配置位置がp型クラッド層よりも外側にあるので、導波路における電界分布に及ぼす悪影響も小さいと考えられる。実施例2及び実施例3の条件で作製されたレーザダイオードに長期の通電試験を行うと、実施例3の条件で作製されたレーザダイオードが優れている。実施例3は複数の段差が形成されているので、端面コートに対する負担が小さいと考えられる。実施例4図11に示されるレーザダイオードDEV3を作製する。実施例2のp型クラッド層とn型GaN層の間に位置するように、n型InGaN層In組成0.20を形成する。このn型InGaN層の厚さは5nmである。n型InGaN層の成長温度は摂氏860度である。端面の形成のために、エピ面にレーザスクライバーでスクライブ溝を形成した後に、ブレーカーで基板裏面からブレードを押し当てた方式1。また、基板裏面にレーザスクライバーでスクライブ溝を形成した後に、ブレーカーで基板裏面にブレードを押し当てた方式2。これらの方式の条件で作製されたレーザダイオードの端面には、走査型電子顕微鏡SEMによる観察で、n型InGaN層の端面の位置に段差が観測される。また、発光層の近傍にも段差が観測される。方式1の作製における段差の幅は、方式2の作製における段差の幅より大きい。方式2で作製された端面においては、発光層における段差が小さい傾向にある。これは、方式2では、n型InGaN層よりも発光層が後に割れるためと考えられる。いずれの方式でも、発光層における段差はn型InGaN層がない場合に比べて小さい。方式2の条件で作製されたレーザダイオードのレーザ特性は、実施例3の条件で作製されたレーザダイオードのレーザ特性とほぼ同等である。図12及び図13を参照しながら、本実施の形態を説明する。図12のa部は、基板生産物を模式的に示す図面であり、図12のb部は、基板生産物における側面を示す図面である。図12に示されるように、半導体領域55が、上記説明のようなInGaN層52を含む。InGaN層52が歪みを内包するので、端面の形成の際に、形成される端面に段差54が形成される。この段差によって、実際の破断線とAISラインとのずれの拡大が低減され、発振歩留まりが向上する。図13のa部は、基板生産物を模式的に示す図面であり、図13のb部は、基板生産物における側面を示す図面である。図13に示されるように、半導体領域56が、半導体領域55のようなInGaN層52を含まない。ブレード69が当たる面では、割れFRCの開始箇所がブレード69で規定されるので、比較的まっすぐに割れが進行する。一方、スクライブ溝65aが形成される面では、割れがAISラインからずれる。一旦ずれると割れの進行とともにずれが拡大していき、次のスクライブ溝65a付近でAISラインに戻る。半極性GaNには光学異方性があり、c軸を主面に投影した方向に導波路を形成することにより大きな光学利得が実現される。この構造では、光共振器のための端面がへき開面ではない。これ故に、端面の導波路に対する垂直性を得ることがへき開面に比べて難しい。上記の実施例を含めた様々な実験によって、角度ALPHAは、45度以上80度以下及び100度以上135度以下の範囲であることが好ましい。発振チップ歩留を向上させるためには、c軸の傾斜をm軸の方向に規定する角度ALPHAは、63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲であることができる。典型的な半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかであることができる。更に、これらの半極性面からの微傾斜面であることができる。例えば、半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかの面から、m面方向に-4度以上4度以下の範囲でオフした微傾斜面であることができる。成長面に対し比較的垂直な割断面が得られる理由は、この電荷的に中性な原子配列が周期的に現れることで、割断面の生成が比較的安定となっていることが考えられる可能性がある。好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。"