絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置した第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に位置し、スリットが設けられた第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜上に配置され、前記スリットに対応した領域を間に挟んで隣り合った第1及び第2画素電極と、前記第1及び第2画素電極を被覆した第1領域と前記スリット内に位置した第2領域とを含み、前記第1及び第2画素電極に対応した位置で発光する有機物層と、前記有機物層の上方に位置した対向電極とを具備した有機EL装置。前記絶縁基板と前記第1層間絶縁膜との間に位置した第1ラインと、前記スリットの長さ方向に延び、前記第1及び第2層間絶縁膜間、又は、前記第1層間絶縁膜と前記第2領域との間に位置した第2ラインとを更に具備した請求項1に記載の有機EL装置。絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置した第1層間絶縁膜と、前記絶縁基板と前記第1層間絶縁膜との間に位置した第1ラインと、前記第1層間絶縁膜上に位置した第2ラインと、前記第1層間絶縁膜上に配置され、前記第2ラインの長さ方向に各々が延びた第1及び第2絶縁部を含み、前記第1及び第2絶縁部はそれらの間にスリットが形成されるように互いから離間した第2層間絶縁膜と、前記第1絶縁部上に位置した第1画素電極と、前記第2絶縁部上に位置した第2画素電極と、前記第1及び第2画素電極上に位置し、発光層を含んだ有機物層と、前記有機物層の上方に位置した対向電極とを具備した有機EL装置。前記有機物層は、前記スリット内に位置した領域を含み、前記第1画素電極と前記対向電極との間において第1色で発光するとともに、前記第2画素電極と前記対向電極との間において第1色とは異なる第2色で発光する請求項3に記載の有機EL装置。前記第2ラインは、前記第1絶縁部によって覆われた第1エッジ部と、前記第2絶縁部によって覆われた第2エッジ部とを含んだ請求項3に記載の有機EL装置。絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置した第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に位置し、複数のスリットが設けられた第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜上で配列した複数の画素電極であって、前記複数の画素電極の2つ以上は前記複数のスリットに対応した領域の1つを間に挟んで隣り合った複数の画素電極と、前記複数の画素電極を被覆した第1領域と前記複数のスリット内に位置した第2領域とを含み、前記複数の画素電極に対応した位置で発光する有機物層と、前記有機物層の上方に位置した対向電極とを具備した有機EL装置。絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に位置した第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に位置し、複数のスリットが設けられた第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜上で配列した複数の画素電極であって、前記複数の画素電極の一部と他の一部とは前記複数のスリットに対応した領域の1つ以上を間に挟んで隣り合った複数の画素電極と、前記複数の画素電極上に位置し、発光層を含んだ有機物層と、前記有機物層の上方に位置した対向電極とを具備した有機EL装置。前記複数のスリットはグリッドパターンを形成している請求項6又は7に記載の有機EL装置。前記複数のスリットは、前記複数の画素電極間の隙間に対応した位置で前記第2層間絶縁膜を分断した1つ以上の第1スリットと、前記第2層間絶縁膜のうち前記複数の画素電極に対応した部分を分断した1つ以上の第2スリットとを含んだ請求項6乃至8の何れか1項に記載の有機EL装置。前記有機物層は、前記複数の画素電極の上方に位置した部分と前記複数のスリット内に位置した部分とを含むように広がった発光層を備え、前記複数の画素電極の1つと前記対向電極との間において第1色で発光し、前記複数の画素電極の他の1つと前記対向電極との間において前記第1色とは異なる第2色で発光し、前記複数の画素電極の更に他の1つと前記対向電極との間において前記第1及び第2色とは異なる第3色で発光する請求項6乃至9の何れか1項に記載の有機EL装置。本発明の目的は、水分による有機EL素子の劣化を抑制可能とすることにある。実施形態の有機EL装置は、絶縁基板と、第1及び第2層間絶縁膜と、複数の画素電極と、有機物層と、対向電極とを含んでいる。第1層間絶縁膜は、絶縁基板の上方に位置している。第2層間絶縁膜は、第1層間絶縁膜上に位置しており、スリットが設けられている。複数の画素電極は、第2層間絶縁膜上で配列している。これら画素電極の一部と他の一部とは、スリットに対応した領域を間に挟んで隣り合っている。有機物層は、複数の画素電極の上方に位置しており、発光層を含んでいる。対向電極は、有機物層の上方に位置している。以下、有機EL表示装置に適用した有機EL装置の例を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には全ての図面を通じて同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図中、X及びY方向は、表示面に対して平行であり、互いに交差する方向である。例えば、X及びY方向は、互いに対して垂直である。そして、Z方向は、表示面に対して垂直な方向である。第1実施形態は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機EL表示装置に関する。図1乃至図6を参照しながら、第1実施形態に係る有機EL表示装置について説明する。第1実施形態に係る有機EL表示装置は、図1に示すように、略矩形状の表示パネル1を含んでいる。表示パネル1は、アレイ基板100及び対向基板200を含んでいる。アレイ基板100及び対向基板200は、枠状のシール層図示せずを間に挟んで向き合っている。アレイ基板100は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア102と、このアクティブエリア102を取り囲んだ枠状の周辺エリア104とを有している。アクティブエリア102には、複数の有機EL素子OLEDがマトリクス状に配置されている。周辺エリア104は、対向基板200の端辺200Eから外側に突き出た延在部110を含んでいる。延在部110には、接続部130が設けられている。接続部130には、電源又は信号供給源、例えば、駆動ICintegratedcircuitチップ又はフレキシブルプリント回路が実装可能である。対向基板200は、有機EL素子OLEDと向き合っている。対向基板200は、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。この表示パネル1は、対向基板200側から光を放射するトップエミッション型である。表示パネル1は、アレイ基板100側から光を放射するボトムエミッション型であってもよい。図2に示すように、アレイ基板100は、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板101を含んでいる。スイッチング素子SW及び有機EL素子OLED1乃至OLED3は、絶縁基板101の上方であって、アクティブエリア102内に配置されている。絶縁基板101上には、絶縁層であるアンダーコート層111が形成されている。アンダーコート層111は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って広がっている。アンダーコート層111は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物からなる。アンダーコート層111上には、スイッチング素子SWの半導体層SCが配置されている。これら半導体層SCは、例えばポリシリコンからなる。各半導体層SCには、チャネル領域SCCを間に挟んでソース領域SCS及びドレイン領域SCDが形成されている。半導体層SC及びアンダーコート層111は、ゲート絶縁膜112によって被覆されている。ゲート絶縁膜112は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って広がっている。ゲート絶縁膜112は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物からなる。ゲート絶縁膜112上には、チャネル領域SCCに対応した位置に、スイッチング素子SWのゲート電極Gが配置されている。この例では、スイッチング素子SWは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタTFTである。ゲート電極G及びゲート絶縁膜112は、第1層間絶縁膜113によって被覆されている。第1層間絶縁膜113は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って広がっている。第1層間絶縁膜113は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物からなる。第1層間絶縁膜113上には、スイッチング素子SWのソース電極S及びドレイン電極Dが配置されている。ソース電極Sは、半導体層SCのソース領域SCSと接触している。ドレイン電極Dは、半導体層SCのドレイン領域SCDと接触している。ゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dは、例えば、モリブデンMo、タングステンW、アルミニウムAl、チタンTiなどの導電材料からなる。また、ゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dは、複数の導電層を積層してなる多層構造を有していてもよい。ソース電極S及びドレイン電極D並びに第1層間絶縁膜113は、第2層間絶縁膜114によって被覆されている。第2層間絶縁膜114は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って広がっている。第2層間絶縁膜114は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機物から形成されている。なお、第2層間絶縁膜114の材料として、シリコン窒化物などの無機化合物を使用することも可能である。第2層間絶縁膜114には、スイッチング素子SWの位置にコンタクトホールCHが形成されている。具体的には、各コンタクトホールCHは、ドレイン電極Dの一部と連絡している。また、第2層間絶縁膜114には、Y方向に延びたスリットSLが形成されている。第2層間絶縁膜の材料として紫外線硬化型樹脂を使用する場合、紫外線硬化型樹脂からなる塗膜を所定のパターンで露光し、更に現像することにより、コンタクトホールCHとスリットSLとが設けられた第2層間絶縁膜を形成することができる。スリットSLは、典型的には、アクティブエリア102の長さ全体に亘って延びている。スリットSLは、アクティブエリア102内にのみ設けられていてもよいが、更に周辺エリア104内で延びていていることが望ましい。スリットSLの詳細については後述する。第2層間絶縁膜114上には、有機EL素子OLED1乃至OLED3が配置されている。有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々は、画素電極PEと有機物層ORGと対向電極CEとを含んでいる。画素電極PEは、第2層間絶縁膜114上に配置されている。各画素電極PEは、電極本体と、コンタクトホールCH内で延び、電極本体をドレイン電極Dに電気的に接続したコンタクト部とを含んでいる。画素電極PEは、例えば陽極である。画素電極PEは、互いから離間している。画素電極PEには、様々な構造を採用することができる。ここに示した例では、画素電極PEは、反射層PERと透過層PETとの2層構造である。反射層PERは、層間絶縁膜114上に配置されている。透過層PETは、それぞれ反射層PER上に配置されている。反射層PERは、例えば、銀Ag及びアルミニウムAlなどの光反射性を有する導電材料からなる。透過層PETは、例えば、インジウム錫酸化物ITO及びインジウム亜鉛酸化物IZOなどの光透過性を有する導電材料からなる。なお、画素電極PEは、単層構造を有している反射層又は透過層であってもよい。或いは、画素電極PEは、3層以上の多層構造を有していてもよい。表示パネル1がトップエミッション型の場合、画素電極PEは少なくとも反射層PERを含む。表示パネル1がボトムエミッション型の場合、画素電極PEは反射層PERを含まない。有機物層ORGは、画素電極PE上に設けられている。有機物層ORGは、アクティブエリア102のほぼ全体に亘って延在した連続膜である。即ち、有機物層ORGは、画素電極PEを被覆した第1領域と、スリットSL内に位置した第2領域とを含んでいる。有機物層ORGは、発光層を含んでいる。典型的には、発光層は、アクティブエリア102のほぼ全体に亘って延在した連続膜である。そのような発光層は、画素電極PEの上方に位置した領域と、スリットSL内に位置した領域とを含んでいる。有機物層ORGは、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などの他の1つ以上の層を更に含んでいてもよい。発光層の材料は、蛍光材料であってもよく、燐光材料であってもよい。なお、有機物層ORGは、1つ以上の層が有機物又は有機金属化合物を含んでいれば、他の層は有機物又は有機金属化合物を含んでいなくてもよい。対向電極CEは、有機物層ORG上に設けられている。この例では、対向電極CEは、陰極に相当する。対向電極CEは、アクティブエリア102のほぼ全体に亘って延在した連続膜である。対向電極CEは、例えば半透過層からなる。半透過層は、例えば、マグネシウムMg及び銀Agなどの導電材料からなる。なお、対向電極CEは、半透過層と透過層との2層構造を有していてもよく、透過層又は半透過層からなる単層構造を有していてもよい。透過層は、例えば、ITOやIZOなどの光透過性を有する導電材料からなる。表示パネル1がボトムエミッション型の場合には、対向電極CEは反射層又は半透過層を含む。対向電極CEは、保護層150によって被覆されている。保護層150は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在した連続膜である。つまり、保護層150は、有機EL素子OLED1乃至OLED3を覆っている。保護層150は、光透過性を有し且つ湿気が浸透し難い材料、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸窒化物などの無機化合物からなる。表示パネル1がトップエミッション型である場合、保護層150の材料は、有機EL素子OLED1乃至OLED3が放射する光に対する透過率が高いことが望ましい。保護層150は、有機EL素子OLED1乃至OLED3への水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。対向基板200は、有機EL素子OLED1乃至OLED3の上方に設置されている。対向基板200は、例えば、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。この例では、アレイ基板100と対向基板200との間の空間は、充填層320で満たされている。充填層320は、例えば、光透過性を有する熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などの有機物から形成されている。充填層320は省略することができる。この表示パネル1において、有機物層ORGの発光層は、有機EL素子OLED1乃至OLED3に亘って延在した連続膜である。しかしながら、有機EL素子OLED1乃至OLED3の発光色は、互いに異なっている。この例では、第1有機EL素子OLED1の発光色は赤色であり、第2有機EL素子OLED2の発光色は緑色であり、第3有機EL素子OLED3の発光色は青色である。ここでは、595nm乃至800nmの範囲を第1波長範囲と定義し、主波長が第1波長範囲内にある色を赤色とする。また、490nmより長く且つ595nmよりも短い範囲を第2波長範囲と定義し、主波長が第2波長範囲内にある色を緑色とする。更に、400nm乃至490nmの範囲を第3波長範囲と定義し、主波長が第3波長範囲内にある色を青色とする。有機物層ORGに採用可能な構造の例を、図3を参照しながら説明する。図3に示す有機物層ORGは、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、第1発光層EML1、第2発光層EML2、第3発光層EML3、電子輸送層ETL及び電子注入層EILを含んでいる。正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、電子輸送層ETL及び電子注入層EILの1つ以上は省略することができる。有機物層ORGが含んでいる各層は、有機EL素子OLED1乃至OLED3に亘って延在した連続膜である。発光層EML1は、発光色が赤色の第1ドーパント材料を含んでいる。発光層EML2は、発光色が緑色の第2ドーパント材料を含んでいる。発光層EML3は、発光色が青色の第3ドーパント材料を含んでいる。発光層EML1乃至EML3の各々は、典型的には、ホスト材料を更に含んでいる。発光層EML1乃至EML3のホスト材料は、同一であってもよく、異なっていてもよい。発光層EML1のうち有機EL素子OLED2及びOLED3に使用される部分は、消光処理が施されている。また、発光層EML2のうち有機EL素子OLED3に使用される部分は、消光処理が施されている。なお、消光処理は、発光効率を低減する処理又は発光色の主波長を長波長側へシフトさせる処理である。消光処理は、例えば紫外線などの光を照射することを含んでいる。第1有機EL素子OLED1では、第1ドーパント材料が発光することによって赤色が表示される。第2有機EL素子OLED2では、第1ドーパント材料は消光し、第2ドーパント材料が発光して、緑色が表示される。第3有機EL素子OLED3では、第1ドーパント材料及び第2ドーパント材料は消光し、第3ドーパント材料が発光して、青色が表示される。なお、発光層は、3層構造を有していなくてもよい。例えば、発光層は、第1及び第2発光層を含んだ2層構造を有していてもよく、第1発光層のみからなる単層構造を有していてもよい。2層構造の場合、第1発光層は、第1ドーパント材料に加え、第2ドーパント材料及び第3ドーパント材料の少なくとも一方を含んでいてもよいし、第2発光層は、第2ドーパント材料に加え、第1ドーパント材料及び第3ドーパント材料の少なくとも一方を含んでいてもよい。単層構造の場合、第1発光層は、第1乃至第3ドーパント材料を含んでいてもよい。第1乃至第3ドーパント材料としては、例えば、光照射によって発光性能が変化するものを使用する。例えば、第1乃至第3ドーパント材料としては、発光効率が低下するものを使用する。或いは、第1乃至第3ドーパント材料としては、光照射によって発光色が変化するものを使用する。そのようなドーパント材料としては、例えば、光照射によって分子の立体構造が変化するものを使用することができる。例えば、光照射によって異性化するドーパント材料を使用することができる。異性化の一例として、シス異性体とトランス異性体との間の異性化について簡単に説明する。シス型は、主骨格に対して2つの側鎖又は原子団が同じ側にある分子の立体構造である。トランス型は、主骨格に対して2つの側鎖又は原子団が互いに反対側にある分子の立体構造である。例えば、紫外光などの光照射によって、シス型からトランス型への異性化を生じるドーパント材料は、光照射によって発光性能が変化する。同様に、紫外光などの光照射によって、トランス型からシス型への異性化を生じるドーパント材料も、光照射によって発光性能が変化する。このような材料として、例えば、フォトクロミック材料が挙げられる。光異性化を生じるドーパント材料としては、光変換型タンパク質又は蛍光タンパク質などと称される材料も挙げられる。例えば、蛍光タンパク質の中には、紫外光の照射によって活性化され、消光状態から発光可能な状態へと変化するもの、及び、紫外光の照射によって発光波長が変化する材料がある。このような材料も、上記ドーパント材料として使用可能である。或いは、ドーパント材料として、発光層が含んでいる添加剤又はホスト材料と光照射によって化学結合し、発光性能が変化する材料も使用可能である。図2に示す表示パネル1は、有機EL素子OLED1乃至OLED3を区画するための隔壁を省略した構成を採用している。このため、各画素電極PEの全体が有機物層ORGと接している。加えて、有機物層ORGは、有機EL素子OLED1乃至OLED3に亘って延在した連続膜である。従って、有機物層ORGは、画素電極PE間の領域に対応した位置で第2層間絶縁膜114と接している。即ち、有機物層ORGは、画素電極PEを被覆した第1領域と、スリットSL内に位置した第2領域とを含んでいる。次に、アレイ基板100が含んでいる配線と、第2層間絶縁膜114及び有機EL素子OLED1乃至OLED3との相対位置について説明する。図4は、図2に示す表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。なお、図4においては、スイッチング素子SW、有機物層ORG及び対向電極CEなどの図示を省略している。有機EL素子OLED1乃至OLED3の下方では、X方向に各々が延びた第1ラインXWがY方向に配列している。そして、第1ラインXWからなる配線層と有機EL素子OLED1乃至OLED3との間では、Y方向に各々が延びた第2ラインYWがX方向に配列している。第1ラインXWは、例えば、スイッチング素子SWのゲート電極Gに接続されるゲート線である。ラインXWは、第1層間絶縁膜113によって覆われている。第2ラインYWは、例えば、スイッチング素子SWのソース電極Sに接続されるソース線である。ラインYWは、第1層間絶縁膜113上に配置されている。ラインYWからなる配線層の上方には、第2層間絶縁膜114が形成されている。第2層間絶縁膜114には、スリットSLがストライプ状に設けられている。具体的には、第2層間絶縁膜114には、Y方向に各々が延び、X方向に配列したスリットSLが設けられている。換言すれば、第2層間絶縁膜114は、Y方向に各々が延び、X方向に配列した複数の絶縁膜を含んでいる。図4には、それら絶縁膜の一部として、第1絶縁膜1141、第2絶縁膜1142、及び第3絶縁膜1143を図示している。絶縁膜1141乃至1143は、Y方向に各々が延びている。絶縁膜1141及び1142は、スリットSLを間に挟んで互いから離間している。絶縁膜1142及び1143も、スリットSLを間に挟んで互いから離間している。絶縁膜1141乃至1143は、アクティブエリア102においてストライプパターンを形成している。第1絶縁膜1141上には、第1有機EL素子OLED1の画素電極PEが形成されている。第2絶縁膜1142上には、第2有機EL素子OLED2の画素電極PEが形成されている。第3絶縁膜1143上には、第3有機EL素子OLED3の画素電極PEが形成されている。つまり、第1有機EL素子OLED1の画素電極PEと第2有機EL素子OLED2の画素電極PEとは、スリットSLを間に挟んでX方向に隣り合っている。同様に、第2有機EL素子OLED2の画素電極PEと第3有機EL素子OLED3の画素電極PEとは、スリットSLを間に挟んでX方向に隣り合っている。図5は、図4に示すアレイ基板のV-V線に沿った断面図である。なお、図5においては、保護層150の図示を省略している。絶縁基板101上には、アンダーコート層111、ゲート絶縁膜112、及び第1層間絶縁膜113がこの順に積層されている。ラインYWは、第1層間絶縁膜113上に配置されている。ラインYWからなる配線層は、ソース電極S及びドレイン電極Dを更に含んでいる。即ち、ラインYW、ソース電極S及びドレイン電極Dは、同一材料からなる。なお、図示した例では、ラインYWは、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方に1本のラインYWが位置するように配置されている。ラインYWは、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方に2本以上のラインYWが位置するように配置されていてもよい。第2層間絶縁膜114は、第1層間絶縁膜113上に形成されており、ラインYWの全体を被覆している。図5では、絶縁膜1141乃至1143の各々は、ラインYWを覆っている。絶縁膜1141及び1142は、スリットSLを間に挟んで互いから離間している。絶縁膜1142及び1143は、他のスリットSLを間に挟んで互いから離間している。そして、ラインYWは、スリットSLから離間している。画素電極PEの反射層PERは、絶縁膜1141乃至1143の上面上に形成されている。透過層PETは、反射層PER上に形成されている。有機物層ORGは、画素電極PE上に形成された領域と、スリットSL内に位置した領域とを含んでいる。有機物層ORGは、スリットSLの位置で第1層間絶縁膜113に接している。対向電極CEは、有機物層ORG上に形成されている。図6は、図4に示すアレイ基板のVI-VI線に沿った断面図である。なお、図6においては、保護層150の図示を省略している。絶縁基板101上には、アンダーコート層111及びゲート絶縁膜112がこの順に積層されている。ラインXWは、ゲート絶縁膜112上に配置されている。ラインXWからなる配線層は、ゲート電極Gを更に含んでいる。即ち、ラインXW及びゲート電極Gは、同一材料からなる。第1層間絶縁膜113は、ゲート絶縁膜112上に形成されており、ラインXWの全体を被覆している。ラインYWは、第1層間絶縁膜113上に配置されている。第2層間絶縁膜114は、第1層間絶縁膜113上に形成されており、ラインYWの全体を被覆している。図6では、第2層間絶縁膜114の一部として、第2絶縁膜1142のみを図示している。第2絶縁膜1142は、アクティブエリア102内において途切れることなくY方向に延在している。図6には示していないが、第1絶縁膜1141及び第3絶縁膜1143も同様に、アクティブエリア102内において途切れることなくY方向に延在している。第2絶縁膜1142の上面上には、画素電極PEの反射層PERが配置されている。透過層PETは、反射層PER上に形成されている。有機物層ORGは、画素電極PE上に形成された領域と、画素電極PE間で第2絶縁膜1142に接している領域とを含んでいる。対向電極CEは、有機物層ORG上に形成されている。発光層EML1乃至EML3をそれぞれ有機EL素子OLED1乃至OLED3の配置に対応したパターンで形成するためには、発光材料の蒸着に金属製のファインマスクを使用する必要がある。そして、この場合、ファインマスクを支持し且つ混色を防止するための隔壁が必要である。これに対し、表示パネル1では、有機EL素子OLED1乃至OLED3の異なる発光色を、各々が有機EL素子OLED1乃至OLED3に亘って延在した発光層EML1乃至EML3によって実現している。そのような発光層EML1乃至EML3は、ファインマスクなしで形成することができる。それ故、この表示パネル1では、隔壁は不要である。このように、表示パネル1について上述した構成を採用すると、製造プロセスを簡略化することができる。また、隔壁を含んだ表示パネルでは、通常、画素電極PEの周縁部は、隔壁によって覆われる。即ち、そのような表示パネルでは、画素電極PEの中央部に対応した領域のみが発光に寄与する。これに対し、表示パネル1では、有機物層ORGは画素電極PEのほぼ全体を覆い、対向電極CEは有機物層ORGのほぼ全体を覆っている。そのため、画素電極PEに対応した領域の略全体が発光に寄与する。それ故、表示パネル1について上述した構造を採用した場合、隔壁を使用した場合と比較して、発光に寄与する領域の面積を広くすること、即ち、開口率を高めることができる。また、対向電極CEには、欠落部を生じることがある。樹脂材料からなる隔壁がグリッド状に又はストライプ状に形成された表示パネルでは、そのような欠落部から隔壁の一部へと水分が侵入すると、隔壁の他の部分へと水分が拡散し得る。それ故、広い領域に亘って有機EL素子の劣化を生じ得る。これに対し、上記の表示パネル1では、有機EL素子OLED1乃至OLED3を区画するための隔壁を省略している。そのため、この表示パネル1では、隔壁を介した水分の拡散は生じ得ない。従って、表示パネル1は、水分の拡散に起因した有機EL素子OLED1乃至OLED3の劣化を生じ難い。しかも、この表示パネル1では、第2層間絶縁膜114に、Y方向に各々が延び、X方向に配列したスリットSLが設けられている。それ故、第2層間絶縁膜114に水分が侵入したとしても、スリットSLがX方向への水分の拡散を妨げる。従って、上記の構造を採用した場合、スリットを省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機EL素子OLED1乃至OLED3の劣化は更に生じ難い。また、この表示パネル1では、ラインYWは、スリットSLから離間しており、第2層間絶縁膜114によって覆われている。このため、スリットSLの位置で有機物層ORGに欠落部を生じたとしても、対向電極CEとラインYWとの短絡は生じない。次に、第2実施形態について説明する。図7は、第2実施形態に係る有機EL表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。図8は、図7に示すアレイ基板のVIII-VIII線に沿った断面図である。図9は、図7に示すアレイ基板のIX-IX線に沿った断面図である。なお、図7においてはスイッチング素子SWの図示を省略し、図8及び図9では保護層150の図示を省略している。また、図8において、参照符号YW1乃至YW3は、図7に示すラインYWの3つを表している。図7乃至図9に示す構造は、ラインYWがスリットSLの位置に配置されていること以外は、図1乃至図6を参照しながら説明した構造と同様である。即ち、ラインYWの少なくとも1つは、一対のエッジ部と、それらエッジ部間に位置した中央部とを含んでいる。各ラインYWの中央部は、有機物層ORGと接触している。そして、第2層間絶縁膜114は、先の中央部を被覆することなしに、エッジ部を被覆している。なお、ここでは、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方に、1本のラインYWを配置している。有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方に2本以上のラインYWを配置する場合は、一部のラインYWはスリットSLの位置に配置し、残りのラインYWはスリットSLから離間するように第2層間絶縁膜114の下方に配置する。この構造を採用した場合も、第1実施形態において説明した構造を採用した場合と同様の効果が得られる。例えば、有機EL素子OLED1乃至OLED3の水分による劣化を抑制することができる。また、ラインYWの少なくとも一方のエッジ部が第2層間絶縁膜114で覆われていない場合、ラインYWは、スリットSLが形成する溝の底部に段差を生じさせる。そのような段差は、有機物層ORGに欠落部を生じさせる可能性がある。即ち、ラインYWの少なくとも一方のエッジ部が第2層間絶縁膜114で覆われていない場合、ラインYWと対向電極CEとの短絡を生じ易い。図7乃至図9を参照しながら説明した構造では、各ラインYWの双方のエッジ部は、第2層間絶縁膜114によって覆われている。それ故、この構造では、スリットSLが形成している溝の底部は略平坦である。従って、この構造を採用した場合、ラインYWをスリットの位置に配置しているにも拘らず、ラインYWと対向電極CEとの短絡を生じ難い。なお、第1及び第2実施形態では、スリットSLは、X方向に隣り合った有機EL素子OLED1乃至OLED3間の間隙の位置で第2層間絶縁膜114を分断するように設けた。その代わりに、スリットSLは、Y方向に隣り合った有機EL素子OLED1乃至OLED3間の間隙の位置で第2層間絶縁膜114を分断するように設けてもよい。次に、第3実施形態について説明する。図10は、第3実施形態に係る有機EL表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。図11は、図10に示すアレイ基板の第2層間絶縁膜に設けられたスリットを概略的に示す平面図である。図12は、図10に示すアレイ基板を含んだ表示パネルの一例を示す断面図である。なお、図11には、図10のアレイ基板から画素電極PE及びその上方に設けられた要素を省略した構造を描いている。また、図12に示す断面は、図11に示すアレイ基板のXII-XII線に沿った断面を含んでいる。図10に示す表示パネル1は、アレイ基板100に以下の構成を採用したこと以外は、図1乃至図6を参照しながら説明した表示パネル1とほぼ同様である。図10乃至図12に示すアレイ基板100の第2層間絶縁膜114には、スリットがグリッド状に設けられている。具体的には、第2層間絶縁膜114には、スリットSLの代わりに、以下のスリットSLX1、SLY1及びSLY2が設けられている。スリットSLX1は、図10及び図11に示すように、X方向に各々が延び、Y方向に配列している。スリットSLX1は、図10に示すように、Y方向に隣り合った有機EL素子OLED1乃至OLED3間の隙間に対応した位置で、第2層間絶縁膜114を分断している。スリットSLY1は、図10乃至図12に示すように、Y方向に各々が延び、X方向に配列している。スリットSLY1は、図10及び図12に示すように、X方向に隣り合った有機EL素子OLED1乃至OLED3間の隙間に対応した位置で、第2層間絶縁膜114を分断している。スリットSLY2は、図10乃至図12に示すように、Y方向に各々が延び、X方向に配列している。スリットSLY1は、図10及び図12に示すように、第2層間絶縁膜114のうち画素電極PEに対応した各部分を分断している。このように、第2層間絶縁膜114は、スリットSLX1、SLY1及びSLY2によって、X及びY方向に配列した複数の絶縁部へと分断されている。各画素電極PEは、2つの絶縁部の上面と端面とを被覆している。このような構造は、絶縁部への水分の侵入を抑制する。このアレイ基板は、カバー部材CVを更に含んでいる。カバー部材CVは、有機物層ORGの下方に位置しており、各画素電極PEのコンタクト部を被覆している。カバー部材CVは、画素電極PEがコンタクトホールCH内に形成している凹部を埋め込んでいる。カバー部材CVは、画素電極PEに対応して島状に配置されている。カバー部材CVは、画素電極PEのうちコンタクト部以外の部分を更に被覆していてもよい。例えば、カバー部材CVは、画素電極PEのうちスリットSLX1、SLY1及びSLY2の少なくとも1つの内側に位置した部分の全体を被覆していてもよい。カバー部材CVは絶縁材料からなる。この絶縁材料は、例えば、シリコン窒化物などの無機化合物である。カバー部材CVの材料として、樹脂などの絶縁性の有機物を使用してもよい。そのようなカバー部材CVは、例えば、フォトリソグラフィ又はインクジェット印刷によって形成することができる。なお、カバー部材CVの材料として有機物を使用する場合、典型的には、カバー部材CVは島状に形成する。上記の通り、この表示パネル1では、スリットSLX1及びSLY1は、有機EL素子OLED1乃至OLED3間の隙間に対応した位置で第2層間絶縁膜114を分断している。それ故、第2層間絶縁膜114に水分が侵入したとしても、スリットSLX1はY方向への水分の拡散を妨げ、スリットSLY1はX方向への水分の拡散を妨げる。従って、上記の構造を採用した場合、スリットSLX1又はSLY1を省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機EL素子OLED1乃至OLED3の劣化は更に生じ難い。また、この表示パネル1では、スリットSLY2は、第2層間絶縁膜114のうち有機EL素子OLED1乃至OLED3に対応した部分を分断している。従って、上記の構造を採用した場合、スリットSLY2を省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機EL素子OLED1乃至OLED3の劣化は更に生じ難い。加えて、上記の構造を採用した場合、第2層間絶縁膜114のうち有機EL素子OLED1乃至OLED3の1つの下方に位置した部分に水分が侵入したときに、その有機EL素子の全体が劣化するのを抑制することができる。第2層間絶縁膜114には、スリットSLY2を、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方にスリットSLY2が1つのみ位置するように設けてもよい。或いは、第2層間絶縁膜114には、スリットSLY2を、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方にスリットSLY2の2つ以上が位置するように設けてもよい。なお、この表示パネル1からは、スリットSLX1を省略してもよい。或いは、この表示パネル1からは、スリットSLY1を省略してもよい。或いは、この表示パネル1からは、スリットSLY2を省略してもよい。次に、第4実施形態について説明する。図13は、第4実施形態に係る有機EL表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。このアレイ基板は、第2層間絶縁膜114に、スリットSLY2の代わりにスリットSLXYを設けたこと以外は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様である。スリットSLXYは、X及びY方向に対して傾いた方向に各々が延び、それらの幅方向に配列している。スリットSLXYは、第2層間絶縁膜114のうち画素電極PEに対応した各部分を分断している。このように、第2層間絶縁膜114のうち画素電極PEに対応した部分を分断するスリットは、長さ方向がX又はY方向に対して傾いていてもよい。第2層間絶縁膜114には、スリットSLXYを、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方にスリットSLXYの1つのみが位置するように設けてもよい。或いは、第2層間絶縁膜114には、スリットSLXYを、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方にスリットSLXYの2つ以上が位置するように設けてもよい。なお、このアレイ基板からは、スリットSLX1又はSLY1を省略してもよい。次に、第5実施形態について説明する。図14は、第5実施形態に係る有機EL表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。このアレイ基板は、第2層間絶縁膜114に、スリットSLX2を更に設けたこと以外は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様である。スリットSLX2は、X方向に各々が延び、Y方向に配列している。スリットSLX2は、第2層間絶縁膜114のうち画素電極PEに対応した各部分を分断している。上記の構造を採用した場合、スリットSLX2を省略した場合と比較して、水分の拡散に起因した有機EL素子OLED1乃至OLED3の劣化は更に生じ難い。加えて、上記の構造を採用した場合、第2層間絶縁膜114のうち有機EL素子OLED1乃至OLED3の1つの下方に位置した部分に水分が侵入したときに、その有機EL素子の全体が劣化するのを更に抑制することができる。第2層間絶縁膜114には、スリットSLX2を、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方にスリットSLX2の1つのみが位置するように設けてもよい。或いは、第2層間絶縁膜114には、スリットSLX2を、有機EL素子OLED1乃至OLED3の各々の下方にスリットSLX2の2つ以上が位置するように設けてもよい。なお、このアレイ基板からは、スリットSLX1又はSLY1を省略してもよい。また、このアレイ基板からは、スリットSLY2を省略してもよい。次に、第6実施形態について説明する。図15は、第6実施形態に係る有機EL表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。このアレイ基板は、以下の構成を採用したこと以外は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様である。第2層間絶縁膜114には、スリットSLX1、SLX2及びSLY1が設けられている。スリットSLX1は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様に、X方向に各々が延び、Y方向に配列している。スリットSLX1は、Y方向に隣り合った有機EL素子OLED1乃至OLED3間の隙間に対応した位置で、第2層間絶縁膜114を分断している。スリットSLX2は、図14を参照しながら説明したアレイ基板と同様に、X方向に各々が延び、Y方向に配列している。スリットSLX2は、第2層間絶縁膜114のうち画素電極PEに対応した各部分を分断している。スリットSLY1は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様に、Y方向に各々が延び、X方向に配列している。スリットSLY1は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100とは異なり、X方向に隣り合った3つの有機EL素子OLED1乃至OLED3から各々がなる素子群間の隙間に対応した位置で、第2層間絶縁膜114を分断している。このように、スリットSLY1は、X方向に隣り合った2つ以上の有機EL素子から各々がなる素子群間の隙間に対応した位置で第2層間絶縁膜114が分断されるように設けてもよい。なお、このアレイ基板からは、スリットSLX1及び/又はSLX2を省略してもよい。また、このアレイ基板の第2層間絶縁膜114には、スリットSLX2の代わりに又はスリットSLX2に加えて、スリットSLY2及び/又はSLXYを設けてもよい。次に、第7実施形態について説明する。図16は、第7実施形態に係る有機EL表示装置の表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。このアレイ基板は、以下の構成を採用したこと以外は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様である。第2層間絶縁膜114には、スリットSLX1、SLY1及びSLY2が設けられている。スリットSLX1は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様に、X方向に各々が延び、Y方向に配列している。スリットSLX1は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100とは異なり、Y方向に隣り合い、各々がY方向に隣り合った2つの有機EL素子からなる素子群間の隙間に対応した位置で、第2層間絶縁膜114を分断している。スリットSLY1は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板100と同様に、Y方向に各々が延び、X方向に配列している。スリットSLY1は、X方向に隣り合った有機EL素子OLED1乃至OLED3間の隙間に対応した位置で、第2層間絶縁膜114を分断している。スリットSLY2は、図10乃至図12を参照しながら説明したアレイ基板と同様に、Y方向に各々が延び、X方向に配列している。スリットSLX2は、第2層間絶縁膜114のうち画素電極PEに対応した各部分を分断している。このように、スリットSLX1は、Y方向に隣り合った2つ以上の有機EL素子から各々がなる素子群間の隙間に対応した位置で第2層間絶縁膜114が分断されるように設けてもよい。なお、このアレイ基板からは、スリットSLY1及び/又はSLY2を省略してもよい。また、このアレイ基板の第2層間絶縁膜114には、スリットSLY2の代わりに又はスリットSLY2に加えて、スリットSLX2及び/又はSLXYを設けてもよい。以下に、幾つかの例を記載する。<表示パネルDP1の製造>図10乃至図12を参照しながら説明したのとほぼ同様の構造を有する24個の3.5型表示パネル1を製造した。具体的には、寸法が400mm×500mmのガラス基板上に、絶縁層、配線層及び有機EL素子などを形成することにより、24個のアレイ基板100に相当する第1構造を得た。ここでは、有機物層ORGは、以下の方法により製造した。まず、抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、画素電極PE上に、図3を参照しながら説明した正孔輸送層HTL及び赤色発光層EML1を形成した。発光層EML1のうち有機EL素子OLED2及びOLED3に対応した部分には、フォトマスクを介して、主波長が365nmの紫外線を照射した。次に、抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、発光層EML1上に、緑色発光層EML2を形成した。発光層EML2のうち有機EL素子OLED3に対応した部分には、フォトマスクを介して、主波長が365nmの紫外線を照射した。更に、抵抗加熱方式の真空蒸着装置を用いて、発光層EML2上に、青色発光層EML3、電子輸送層ETL、電子注入層EIL及び対向電極CEを形成した。なお、対向電極CEの材料としては、MgAgを使用した。また、有機物層ORGが含んでいる層及び対向電極CEの各々は、アクティブエリア102の全体に亘って広がった連続膜として形成した。また、24個の対向基板200に相当する第2構造として、第1構造に使用したのとほぼ同等の寸法を有しているガラス基板を準備した。このガラス基板としては、矩形状の凹部が一方の主面に24個設けられたものを使用した。次に、この第2構造の先の主面上に、紫外線硬化樹脂からなる枠形状の接着剤層を、それらが凹部を取り囲むように形成した。次いで、第1及び第2構造を、有機EL素子OLED1乃至OLED3が凹部と向き合うように重ね合わせた。この状態で、アクティブエリア102を遮光するフォトマスクを介して、接着剤層に紫外線を照射した。その後、このようにして得られた構造を割断して、24個の表示パネル1を得た。なお、これら表示パネル1には、駆動回路等を実装した。以下、これら表示パネル1を表示パネルDP1呼ぶ。<表示パネルDP2の製造>第2層間絶縁膜114に図14を参照しながら説明した構造を採用したこと以外は、表示パネルDP1について上述したのと同様の方法により、24個の表示パネル1を製造した。以下、これら表示パネル1を表示パネルDP2呼ぶ。<表示パネルDP3の製造>以下の構成を採用したこと以外は、表示パネルDP1について上述したのと同様の方法により、24個の表示パネル1を製造した。即ち、ここでは、スリットSLY2を省略し、スリットSLX1及びSLY1のみによって第2層間絶縁膜114を複数の絶縁部へと分割した。そして、反射層PER及び透過層PETは、各絶縁部の端面を被覆することなく、各絶縁部の上面を被覆するように形成した。以下、このようにして得られた表示パネル1を表示パネルDP3呼ぶ。<表示パネルDP4の製造>以下の構成を採用したこと以外は、表示パネルDP1について上述したのと同様の方法により、24個の表示パネル1を製造した。即ち、ここでは、スリットSLY2を省略し、スリットSLX1及びSLY1のみによって第2層間絶縁膜114を複数の絶縁部へと分割した。なお、ここでは、反射層PER及び透過層PETは、各絶縁部の上面に加え、各絶縁部の端面を被覆するように形成した。以下、このようにして得られた表示パネル1を表示パネルDP4呼ぶ。<表示パネルDP5の製造>スリットSLX1、SLY1及びSLY2並びにカバー部材CVを省略し、第2層間絶縁膜114と有機物層ORGとの間に隔壁を設けたこと以外は、表示パネルDP1について上述したのと同様の方法により、24個の表示パネル1を製造した。隔壁は、感光性樹脂からなる塗膜を形成し、この塗膜をフォトリソグラフィに供することにより形成した。隔壁は、各画素電極PEの周縁部を被覆するように、X及びY方向に隣り合った画素電極PE間の隙間に対応してグリッド状に形成した。以下、このようにして得られた表示パネル1を表示パネルDP5呼ぶ。<評価>表示パネルDP1乃至DP5の各々を、温度が85°Cであり、相対湿度が85の雰囲気中に所定時間放置した。その後、各表示パネルを点灯し、肉眼でダークスポットの数を数えた。結果を以下の表1に纏める。表1に示すように、隔壁を含んでおらず、第2層間絶縁膜114がスリットによって複数の絶縁部へと分割された表示パネルは、隔壁を含んだ表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。また、絶縁部の端面が画素電極PEによって被覆された表示パネルは、絶縁部の端面が画素電極PEによって被覆されていない表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。そして、第2層間絶縁膜114が画素電極PE間の隙間に対応した位置と画素電極PEに対応した位置とで分割された表示パネルは、第2層間絶縁膜114が画素電極PE間の隙間に対応した位置のみで分割された表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。更に、第2層間絶縁膜114が画素電極PEに対応した位置でより多数の絶縁部へと分割された表示パネルは、第2層間絶縁膜114が画素電極PE間の隙間に対応した位置でより少数の絶縁部へと分割された表示パネルと比較して、ダークスポットの発生は抑制されていた。以上、有機EL装置として有機EL表示装置を説明したが、有機EL装置は、有機EL表示装置以外の装置、例えば、有機EL照明又は有機ELプリンタヘッドであってもよい。本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。