"下記一般式1で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、A、Bは、各々6員の芳香族炭化水素基もしくは、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A、Bのうち少なくとも1つは5員の芳香族複素環基を表す。Qは、該Aまたは該Bからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。nは1から4の整数を表す。前記一般式1で表される化合物が下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Rは、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R11~R16は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R11~R16のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。前記一般式1で表される化合物が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Tは酸素原子または硫黄原子を表す。R21~R26は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R21~R26のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。前記一般式1で表される化合物が下記一般式4で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、R31~R37は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R31~R37のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。前記一般式1で表される化合物が下記一般式5で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、R51~R57は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R51~R57のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。U1、U2は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。x1、x2は、各々0または1の整数を表す。前記一般式2で表される化合物のR15~R16の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式2で表される化合物のR11~R14の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式2で表される化合物のR13が前記Qであることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式3で表される化合物のR25~R26の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式3で表される化合物のR21~R24の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式3で表される化合物のR23が前記Qであることを特徴とする請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式4で表される化合物のR35~R37の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式4で表される化合物のR31~R34の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式4で表される化合物のR33が前記Qであることを特徴とする請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式5で表される化合物のR51~R53のうち少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式5で表される化合物のR54~R57の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記一般式5で表される化合物のR55が前記Qであることを特徴とする請求項16に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。請求項1に記載の一般式1で表される化合物、請求項2に記載の一般式2で表される化合物、請求項3に記載の一般式3で表される化合物、請求項4に記載の一般式4で表される化合物または請求項5に記載の一般式5で表される化合物のQが、元素周期表における第13族元素、硫黄原子またはリン原子を含む置換基であることを特徴とする請求項1~17のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。前記Qが下記に示す、Q-1、Q-2及びQ-3のいずれかを表すことを特徴とする、請求項18に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Ar1、Ar2は、各々単独で芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。但し、Ar1、Ar2は互いに結合し、更に芳香環を形成してもよい。Ra、Rb、Rcは、各々アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。J1、J2、J3は、各々アリーレン基またはヘテロアリーレン基を表し、r、s、tは0または1の整数を表す。前記Qが、Q-1-1~Q-1-10からなる置換基群から選択される少なくともひとつを表すことを特徴とする請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Ar1、Ar2は、各々単独で芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。但し、Ar1、Ar2は互いに結合し、更に芳香環を形成してもよい。D1~D5は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Rd、Reは、各々アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。pは0~4の整数を表し、qは0~2の整数を表す。E1は、O、SまたはN-RfRfは、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環もしくは芳香族複素環を表すを表し、E2、E3は炭素原子または窒素原子を表す。Mesはメシチル基を表す。W1は1~5の整数を表し、W2は1~3の整数を表す。請求項1に記載の一般式1で表される化合物、請求項2に記載の一般式2で表される化合物、請求項3に記載の一般式3で表される化合物、請求項4に記載の一般式4で表される化合物または請求項5に記載の一般式5で表される化合物のMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする請求項1~20のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。陽極と陰極により挟まれた少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が請求項1に記載の一般式1で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式1で表される化合物が、請求項2に記載の一般式2で表される化合物であることを特徴とする請求項22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式1で表される化合物が、請求項3に記載の一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式1で表される化合物が、請求項4に記載の一般式4で表される化合物であることを特徴とする請求項22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式1で表される化合物が、請求項5に記載の一般式5で表される化合物であることを特徴とする請求項22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式2で表される化合物のR15~R16の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項23に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式2で表される化合物のR11~R14の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項23に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式2で表される化合物のR13が前記Qであることを特徴とする請求項28に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式3で表される化合物のR25~R26の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項24に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式3で表される化合物のR21~R24の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項24に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式3で表される化合物のR23が前記Qであることを特徴とする請求項31に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式4で表される化合物のR35~R37の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項25に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式4で表される化合物のR31~R34の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項25に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式4で表される化合物のR33が前記Qであることを特徴とする請求項34に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式5で表される化合物のR51~R53のうち少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項26に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式5で表される化合物のR54~R57の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする請求項26に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記一般式5で表される化合物のR55が前記Qであることを特徴とする請求項37に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1に記載の一般式1で表される化合物、請求項2に記載の一般式2で表される化合物、請求項3に記載の一般式3で表される化合物、請求項4に記載の一般式4で表される化合物または請求項5に記載の一般式5で表される化合物のQが、元素周期表における第13族元素、硫黄原子またはリン原子を含む置換基であることを特徴とする請求項22~38のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記Qが、請求項19に記載の部分構造のいずれかから選択されることを特徴とする請求項39に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記Qが、請求項20に記載の部分構造のいずれかから選択されることを特徴とする請求項40に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1に記載の一般式1で表される化合物、請求項2に記載の一般式2で表される化合物、請求項3に記載の一般式3で表される化合物、請求項4に記載の一般式4で表される化合物または請求項5に記載の一般式5で表される化合物のMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする請求項22~41のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項1に記載の一般式1で表される化合物、請求項2に記載の一般式2で表される化合物、請求項3に記載の一般式3で表される化合物、請求項4に記載の一般式4で表される化合物または請求項5に記載の一般式5で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、該有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする請求項22~42のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項22~43のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。請求項22~43のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。本発明の目的は、短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機EL材料を提供することであり、特に、発光材料のリン光寿命が短く、青色~青緑色の短波な発光で、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機EL材料を提供することである。併せて、該有機EL材料を含有する有機EL素子、該素子を備えた照明装置や表示装置を提供することである。本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。1.下記一般式1で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、A、Bは、各々6員の芳香族炭化水素基もしくは、5員または6員の芳香族複素環基を表し、A、Bのうち少なくとも1つは5員の芳香族複素環基を表す。Qは、該Aまたは該Bからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。nは1から4の整数を表す。2.前記一般式1で表される化合物が下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Rは、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、R11~R16は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R11~R16のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。3.前記一般式1で表される化合物が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Tは酸素原子または硫黄原子を表す。R21~R26は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R21~R26のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。4.前記一般式1で表される化合物が下記一般式4で表される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、R31~R37は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R31~R37のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。5.前記一般式1で表される化合物が下記一般式5で表される化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、R51~R57は、各々水素原子または置換基を表す。但し、R51~R57のうち少なくとも一つは、結合した環からのπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基Qである。U1、U2は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Mは元素周期表における8族~10族の遷移金属元素を表し、LはMと配位できる任意の配位子を表す。m1は1~3の整数を表し、m2は0~2の整数を表す。x1、x2は、各々0または1の整数を表す。6.前記一般式2で表される化合物のR15~R16の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記2に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。7.前記一般式2で表される化合物のR11~R14の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記2に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。8.前記一般式2で表される化合物のR13が前記Qであることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。9.前記一般式3で表される化合物のR25~R26の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。10.前記一般式3で表される化合物のR21~R24の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。11.前記一般式3で表される化合物のR23が前記Qであることを特徴とする前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。12.前記一般式4で表される化合物のR35~R37の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記4に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。13.前記一般式4で表される化合物のR31~R34の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記4に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。14.前記一般式4で表される化合物のR33が前記Qであることを特徴とする前記12に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。15.前記一般式5で表される化合物のR51~R53のうち少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。16.前記一般式5で表される化合物のR54~R57の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。17.前記一般式5で表される化合物のR55が前記Qであることを特徴とする前記16に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。18.前記1に記載の一般式1で表される化合物、前記2に記載の一般式2で表される化合物、前記3に記載の一般式3で表される化合物、前記4に記載の一般式4で表される化合物または前記5に記載の一般式5で表される化合物のQが、元素周期表における第13族元素、硫黄原子またはリン原子を含む置換基であることを特徴とする前記1~17のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。19.前記Qが下記に示す、Q-1、Q-2及びQ-3のいずれかを表すことを特徴とする前記18に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Ar1、Ar2は、各々単独で芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。但し、Ar1、Ar2は互いに結合し、更に芳香環を形成してもよい。Ra、Rb、Rcは、各々アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。J1、J2、J3は、各々アリーレン基またはヘテロアリーレン基を表し、r、s、tは0または1の整数を表す。20.前記Qが、Q-1-1~Q-1-10からなる置換基群から選択される少なくともひとつを表すことを特徴とする前記19に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。式中、Ar1、Ar2は、各々単独で芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。但し、Ar1、Ar2は互いに結合し、更に芳香環を形成してもよい。D1~D5は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Rd、Reは、各々アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。pは0~4の整数を表し、qは0~2の整数を表す。E1は、O、SまたはN-RfRfは、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素環もしくは芳香族複素環を表すを表し、E2、E3は炭素原子または窒素原子を表す。Mesはメシチル基を表す。W1は1~5の整数を表し、W2は1~3の整数を表す。21.前記1に記載の一般式1で表される化合物、前記2に記載の一般式2で表される化合物、前記3に記載の一般式3で表される化合物、前記4に記載の一般式4で表される化合物または前記5に記載の一般式5で表される化合物のMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする前記1~20のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料。22.陽極と陰極により挟まれた少なくとも1層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が前記1に記載の一般式1で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。23.前記一般式1で表される化合物が、前記2に記載の一般式2で表される化合物であることを特徴とする前記22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。24.前記一般式1で表される化合物が、前記3に記載の一般式3で表される化合物であることを特徴とする前記22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。25.前記一般式1で表される化合物が、前記4に記載の一般式4で表される化合物であることを特徴とする前記22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。26.前記一般式1で表される化合物が、前記5に記載の一般式5で表される化合物であることを特徴とする前記22に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。27.前記一般式2で表される化合物のR15~R16の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記23に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。28.前記一般式2で表される化合物のR11~R14の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記23に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。29.前記一般式2で表される化合物のR13が前記Qであることを特徴とする前記28に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。30.前記一般式3で表される化合物のR25~R26の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記24に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。31.前記一般式3で表される化合物のR21~R24の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記24に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。32.前記一般式3で表される化合物のR23が前記Qであることを特徴とする前記31に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。33.前記一般式4で表される化合物のR35~R37の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記25に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。34.前記一般式4で表される化合物のR31~R34の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記25に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。35.前記一般式4で表される化合物のR33が前記Qであることを特徴とする前記34に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。36.前記一般式5で表される化合物のR51~R53のうち少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記26に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。37.前記一般式5で表される化合物のR54~R57の少なくとも1つが前記Qであることを特徴とする前記26に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。38.前記一般式5で表される化合物のR55が前記Qであることを特徴とする前記37に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。39.前記1に記載の一般式1で表される化合物、前記2に記載の一般式2で表される化合物、前記3に記載の一般式3で表される化合物、前記4に記載の一般式4で表される化合物または前記5に記載の一般式5で表される化合物のQが、元素周期表における第13族元素、硫黄原子またはリン原子を含む置換基であることを特徴とする前記22~38のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。40.前記Qが、前記19に記載の部分構造のいずれかから選択されることを特徴とする前記39に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。41.前記Qが、前記20に記載の部分構造のいずれかから選択されることを特徴とする前記40に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。42.前記1に記載の一般式1で表される化合物、前記2に記載の一般式2で表される化合物、前記3に記載の一般式3で表される化合物、前記4に記載の一般式4で表される化合物または前記5に記載の一般式5で表される化合物のMが、白金またはイリジウムであることを特徴とする前記22~41のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。43.前記1に記載の一般式1で表される化合物、前記2に記載の一般式2で表される化合物、前記3に記載の一般式3で表される化合物、前記4に記載の一般式4で表される化合物または前記5に記載の一般式5で表される化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、該有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする前記22~42のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。44.前記22~43のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。45.前記22~43のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。本発明の有機エレクトロルミネッセンス材料においては、請求項1~21のいずれか1項に規定される構成を有することにより、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができた。併せて、該素子を用いた照明装置及び表示装置を提供することができた。本発明者等は、上記のような技術背景の中、金属錯体の形成に用いられる種々の配位子に対しMLCT性を増強しうる置換基を鋭意検討したところ、フェニルピラゾールやフェニルイミダゾールなどの配位子骨格に、ホウ素やスルホキシド、ホスフィンオキシドのようなπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基を導入することでMLCT性が増強され、その結果として発光性や錯体の耐久性が向上し、更に、置換基の種類と置換位置を適切に調節することで発光波長も所望の波長域に調整できることを見出した。本発明者等が得た上記の知見技術は、有機ELの今後の進歩に適用可能な有効な普遍技術であると言える。以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。《有機EL素子材料》本発明の有機EL素子材料について説明する。本発明の有機EL素子材料は、上記一般式1で表される化合物であり、該化合物は、分子構造から金属錯体金属錯体化合物の範疇に属する化合物である。本発明者等は、有機EL素子の発光層に用いる有機EL素子材料に着目、特に発光ドーパントとして用いる金属錯体化合物について種々検討した。従来知られているフェニルピラゾールのような骨格を有する金属錯体化合物においては、短波な発光は観測されるがその発光が室温では非常に弱いかもしくは観測されないような所謂無輻射失活が発光性を支配する場合が多く見られていた。その中で、本発明者等は、波長の制御と発光性の向上の観点から、分子軌道計算による検討を進め特定の構造もしくは置換基を有する配位子骨格を含有する金属錯体化合物が、短波な発光を示し、かつ非常に高い発光性を示すことを見出した。その一例を示せば、元素周期表における第13族元素、硫黄またはリン原子を分子構造中に有する置換基を配位子中に導入することにより、金属錯体中におけるπ電子を受容し、尚かつ、置換基からのσ電子をリガンドに供与する、いわゆるバックドネーション効果により単に配位子中に電子求引性基を導入した場合とは異なり、発光性の向上と、安定性の両立を可能にするというものである。バックドネーション効果を有する置換基としては、配位子からのπ電子を受容できる空のp軌道を有していることが好ましい。好ましい置換基の例は、後述するQにおいて詳細に説明する。本発明者等は更に検討を進め、本発明の有機EL素子材料である、上記一般式1、2、3、4または5で表される化合物金属錯体、金属錯体化合物ともいうを開発し、有機EL素子に適用した場合、所望の発光波長を示し、且つ、長寿命化を実現した発光ドーパントの開発に成功した。また、上記一般式1、2、3、4または5のいずれで表される化合物であっても、金属錯体形成に用いられる配位子、組み合わせる補助配位子、または置換基を調整することにより、金属錯体の発光波長を所望の領域に制御できることをも併せて見出したものである。従って、金属錯体の発光波長を長波な領域緑~赤に制御する機能を付与するための分子設計は、本発明に係る一般式1、2、3、4または5で表される化合物を金属錯体の基本骨格設計の出発点とすることにより可能である。本発明に係る一般式1、2、3、4または5で表される化合物金属錯体は、各々Mで表される遷移金属元素の価数により、複数の配位子を有することができるが、前記配位子は全て同一でもよく、また、各々異なる構造を有する配位子を有していてもよい。しかしながら、本発明に記載の効果を好ましく得る観点から、錯体中の配位子の種類は、好ましくは1~2種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは1種類である。特に好ましくは、本発明に係る一般式1、2、3、4または5で表される化合物金属錯体から遷移金属元素Mと、Lで表される配位子を除いた部分を配位子として有する化合物が最も好ましく用いられる。ここで、配位子とは、一般式1、2、3、4または5で表される化合物から遷移金属元素Mを除いた部分が、各々配位子である。また、本発明に係る金属錯体の形成に用いることのできる、従来公知の配位子については、後に詳細に説明する。また、一般式1で表される部分構造を有する化合物金属錯体の中でも、上記一般式2、3、4または5で表される化合物金属錯体が好ましい。このような金属錯体を有機EL素子材料として用いることにより、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することができた。本発明に係る一般式1、2、3、4または5で表される化合物金属錯体は、本発明の有機EL素子の構成層においては、電荷輸送層に含有されることが好ましい。《電荷輸送層》本発明に係る電荷輸送層について説明する。本発明に係る前記一般式1、2、3、4または5で表される化合物金属錯体の含有層としては、電荷を輸送する層電荷輸送層であれば特に制限はなく、また、電荷輸送層は、発光層よりも陽極側に設けられる場合第一電荷輸送層という、発光層よりも陰極側に設けられている場合第二電荷輸送層ともいうのどちらの態様もとりうることができる。電荷輸送層が発光層よりも陽極側に設けられる場合第一電荷輸送層ともいうは、該電荷輸送層が電子阻止層または発光層であることが好ましく、電荷輸送層が発光層よりも陰極側に設けられる場合第二電荷輸送層ともいうは、該電荷輸送層が発光層または正孔阻止層であるが好ましく、より好ましくは、該電荷輸送層が発光層または正孔阻止層である場合であり、特に好ましいのは、発光層である。発光層に含有される場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機EL素子の外部取り出し量子効率の効率アップ高輝度化や発光寿命の長寿命化を達成することができる。尚、本発明の有機EL素子の構成層については後に詳細に説明する。以下、本発明に係る一般式1、2、3、4または5のいずれかで表される化合物金属錯体について説明する。《一般式1で表される化合物金属錯体》本発明に係る一般式1で表される化合物について説明する。一般式1において、A、Bで各々表される6員の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。一般式1において、A、Bで各々表される6員の芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基等が挙げられる。一般式1において、A、Bで各々表される5員の芳香族複素環基としては、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、イミダゾリニウムカルベニル基等が挙げられる。一般式1において、A、Bで各々表わされる6員の芳香族炭化水素基、5員または6員の芳香族複素環基は置換基よって更に置換されていてもよく、該置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基、1-プロペニル基、2-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、2-ペンテニル基、イソプロペニル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プロパルギル基等、芳香族炭化水素基芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等、芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等、ホスホノ基等が挙げられる。これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。一般式1において、Qで表されるAまたはBからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基としては、元素周期表における第13族元素、硫黄原子またはリン原子を含む基であることが好ましく、更に好ましくは、Qが、上記のQ-1、Q-2またはQ-3のいずれかを表すことが好ましく、特に好ましくは、上記のQ-1-1~Q-1-10からなる置換基群から選択される少なくともひとつを表すことである。Q-1、Q-2、Q-3で表される基Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ar1、Ar2で各々表わされる芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ar1、Ar2で各々表わされる芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。これらの基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1、Q-2、Q-3で各々表されるAr1、Ar2は互いに結合し、更に芳香環を形成してもよく、該芳香環としては、芳香族炭化水素環例えば、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o-テルフェニル環、m-テルフェニル環、p-テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等、芳香族複素環例えば、単環の芳香族複素環フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環等が、更に同一の環または異種の環同士で縮合して形成された芳香族複素環等を挙げることができる。更に、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環カルボリン環を構成する炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す等を挙げることができる。尚、Q-1で表される基において、Ar1、Ar2でお互いに結合し形成される芳香環として好ましく用いられるのは、1H-ボロリル基や5H-ジベンゾボロリル基等である。Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等が挙げられる。これらの基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基、芳香族複素環基例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。これらの基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族複素環基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、フタラジニル基等が挙げられる。これらの基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、J1、J2、J3で各々表されるアリーレン基としては、o-フェニレン基、m-フェニレン基、p-フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基例えば、[1,1′-ビフェニル]-4,4′-ジイル基、3,3′-ビフェニルジイル基、3,6-ビフェニルジイル基等、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が挙げられる。これらのアリーレン基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、J1、J2、J3で各々表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等が挙げられる。これらのヘテロアリーレン基は、更に上記の置換基を有していても良い。Q-1-1~Q-1-10で各々表される置換基Q-1-1~Q-1-10で各々表される基において、Ar1、Ar2で各々表される芳香族炭化水素環基は、上記Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ar1、Ar2で各々表わされる芳香族炭化水素環基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基において、Ar1、Ar2で各々表される芳香族複素環基は、上記Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ar1、Ar2で各々表わされる芳香族複素環基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基において、Ar1、Ar2が互いに結合して形成する芳香環は、上記Q-1、Q-2、Q-3で各々表されるAr1、Ar2が互いに結合して形成する芳香環と同義である。また、Q-1-1~Q-1-10において、Ar1、Ar2でお互いに結合し形成される芳香環の好ましい例としては、1H-ボロリル基や5H-ジベンゾボロリル基等を挙げることができる。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基において、Rd、Reで各々表されるアルキル基は、上記Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるアルキル基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基において、Rd、Reで各々表されるシクロアルキル基は、上記Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるシクロアルキル基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基において、Rd、Reで各々表される芳香族炭化水素環基は、上記Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族炭化水素環基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基において、Rd、Reで各々表される芳香族複素環基は、Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族複素環基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基のE1のN-RfのRfで表されるアルキル基は、Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるアルキル基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基のE1のN-RfのRfで表されるシクロアルキル基は、Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるシクロアルキル基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基のE1のN-RfのRfで表される芳香族炭化水素環基は、Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族炭化水素環基と同義である。Q-1-1~Q-1-10で各々表される基のE1のN-RfのRfで表される芳香族複素環基は、Q-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族複素環基と同義である。以下、本発明に係る一般式1のQで表されるAまたはBからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。一般式1において、LはMと配位できる任意の配位子を表すが、当該業者が周知の配位子である。従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-Verlag社H.Yersin著1987年発行、有機金属化学-基礎と応用-裳華房社山本明夫著1982年発行等に記載の配位子例えば、ハロゲン配位子好ましくは塩素配位子、含窒素ヘテロ環配位子例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど、ジケトン配位子などが挙げられる。さらに、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、ピコリン酸、カルベン等も好ましい配位子として併用することが可能である。一般式1において、Mは、元素周期表における8族~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうが用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましい遷移金属元素として挙げられる。本発明に係る一般式1で表される化合物の中で、好ましい態様として、上記一般式2で表される化合物が挙げられる。《一般式2で表される化合物金属錯体》一般式2で表される化合物について説明する。一般式2において、Rで表されるアルキル基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるアルキル基と同義である。一般式2において、Rで表されるシクロアルキル基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるシクロアルキル基と同義である。一般式2において、Rで表される芳香族炭化水素基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族炭化水素基と同義である。一般式2において、Rで表される芳香族複素環基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族複素環基と同義である。尚、一般式2で表される化合物において、Rで表される基として好ましいのは、は芳香族炭化水素基および芳香族複素環基であり、更に好ましいのは、下記一般式A、BまたはCで表される基である。一般式A、B、Cで各々表される基以下、一般式A、B、Cで各々表される基について説明する。一般式Aで表される基一般式Aにおいて、ZはYと共に、6員の芳香族炭化水素環、6員の芳香族複素環、5員の芳香族複素環または5員の複素環を各々形成するのに必要な原子群を表し、Yは窒素原子または炭素原子を表す。は結合部位を表す。nは0~4の整数を表す。一般式Aにおいて、Zで表される6員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環が挙げられる。更に、上記の置換基を有していても良い。一般式Aにおいて、Zで表される6員の芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。一般式Aにおいて、Zで表される5員の複素環としては、例えば、ジヒドロチオフェン、テトラヒドロチオフェン、ピロリドン、ジヒドロピロール、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、ジヒドロホスホール、ホスホラン、シロラン、ジヒドロシロール、ジヒドロイミダゾール、ジヒドロピラゾール、ジヒドロオキサゾール、ジヒドロチアゾール、ジヒドロイソオキザゾール、ジヒドロイソチアゾール等が挙げられる。一般式Aにおいて、Zで表される5員の芳香族複素環としては、例えば、チオフェン、ピロール、フラン、ホスホール、シロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、イソチアゾール、イソオキサゾール等が挙げられる。一般式Aにおいて、Rpは置換基を表すが、該置換基は、一般式1において、A、Bで各々表わされる6員の芳香族炭化水素基、5員または6員の芳香族複素環基が、更に置換されていてもよい置換基と同義である。一般式Aにおいて、Roは、立体パラメータ値Es値が-0.5以下の置換基を表し、該置換基は、該Zにより形成される、6員の芳香族炭化水素、6員の芳香族複素環、5員の芳香族複素環または5員の複素環の結合部位であるの隣接位の原子に結合していることが好ましく、更に電子供与性基であることが好ましい。立体パラメータ値Es値本発明に係る立体パラメータ値Es値は、化学反応性より誘導された立体パラメータであり、この値が小さければ小さいほど立体的に嵩高い置換基ということができる。一般に、酸性条件下でのエステルの加水分解反応においては、置換基が反応の進行に対して及ぼす影響は立体障害だけと考えてよいことが知られており、この事を利用して置換基の立体障害を数値化したものがEs値である。置換基XのEs値は、以下の化学反応式X-CH2COORXH2O→X-CH2COOHRXOHで表される、酢酸のメチル基の水素原子1つを置換基Xで置換したα位モノ置換酢酸から誘導されるα位モノ置換酢酸エステルを酸性条件下で加水分解する際の反応速度定数kXと、次の化学反応式CH3COORYH2O→CH3COOHRYOHRXはRYと同一で表される、上記のα位モノ置換酢酸エステルに対応する酢酸エステルを酸性条件下で加水分解する際の反応速度定数kHから次の式で求められる。Es=logkX/kH置換基Xの立体障害により反応速度は低下し、その結果kX<kHとなるのでEs値は通常負となる。実際にEs値を求める場合には、上記の二つの反応速度定数kXとkHを求め、上記の式により算出する。Es値の具体的な例は、Unger,S.H.,Hansch,C.,Prog.Phys.Org.Chem.,12,911976に詳しく記載されている。また、薬物の構造活性相関化学の領域増刊122号、南江堂、AmericanChemicalSocietyProfessionalReferenceBook,’ExploringQSAR’p.81Table3-3にも、その具体的な数値の記載がある。次にその一部を表1に示す。ここで、注意するのは本明細書で定義するところのEs値は、メチル基のそれを0として定義したのではなく、水素原子を0としたものであり、メチル基を0としたEs値から1.24を差し引いたものである。本発明に係るEs値は-0.5以下である。好ましくは-7.0~-0.6である。最も好ましくは-7.0~-1.0である。ここで、本発明においては、立体パラメータ値Es値が-0.5以下の置換基、例えば、Zにケト-エノール互変異性体が存在し得る場合、ケト部分はエノールの異性体としてEs値を換算している。他の互変異性が存在する場合も同様の換算方法においてEs値を換算する。更にEs値が-0.5以下の置換基は、電子的効果においては電子供与性の置換基であることが好ましい。電子供与性基電子供与性の置換基本発明において、電子供与性の置換基とは下記に記載のハメットのσp値が負の値を示す置換基のことであり、そのような置換基は水素原子と比べて結合原子側に電子を与えやすい特性を有する。電子供与性を示す置換基の具体例としては、ヒドロキシ基、チオール基、アルコキシ基例えば、メトキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アセチルオキシ基、アミノ基、ジメチルアミノ基、アセチルアミノ基、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、t-ブチル基等、アリール基例えば、フェニル基、メシチル基等が挙げられる。またハメットのσp値については、例えば、下記文献等が参照できる。本発明に係るハメットのσp値とはハメットの置換基定数σpを指す。ハメットのσpの値は、Hammett等によって安息香酸エチルの加水分解に及ぼす置換基の電子的効果から求められた置換基定数であり、薬物の構造活性相関南江堂:1979年、SubstituentConstantsforCorrelationAnalysisinChemistryandBiologyC.HanschandA.Leo,JohnWileySons,NewYork,1979年等に記載の基を引用することができる。本発明においては、上記一般式Aで表される基の中でも、上記一般式Bまたは一般式Cで表される基が好ましい。《一般式Bで表される基》一般式Bにおいて、Roで表される、立体パラメータ値Es値が-0.5以下の置換基は、一般式Aにおいて、Roで表される立体パラメータ値Es値が-0.5以下の置換基と同義である。一般式Bにおいて、Rpで表される置換基は、一般式1で表わされる化合物において説明した置換基と同義である。nは0~4の整数を表す。《一般式Cで表される基》一般式Cにおいて、Ro、Rqで各々表される、立体パラメータ値Es値が-0.5以下の置換基は、一般式4において、Roで表される立体パラメータ値Es値が-0.5以下の置換基と同義である。一般式Cにおいて、Rpで表される置換基は、上記一般式1で表わされる化合物において説明した置換基と同義である。nは0~3の整数を表す。一般式2において、R11~R16で各々表される置換基は、一般式1において、A、Bで各々表わされる6員の芳香族炭化水素基、5員または6員の芳香族複素環基が更に置換されていてもよい置換基と同義である。一般式2において、R11~R16のうち少なくとも一つがQを表すが、該Qは、一般式1において、Qで表されるAまたはBからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基と同義である。一般式2において、Mで表される元素周期表における8族~10族の遷移金属元素は、一般式1において、Mは、元素周期表における8族~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうと同義である。一般式2において、Lで表される任意の配位子は、一般式1において、LはMと配位できる任意の配位子と同義である。《一般式3で表される化合物金属錯体》一般式3で表される化合物において、R21~R26で各々表される置換基は、一般式1において、A、Bで各々表わされる6員の芳香族炭化水素基、5員または6員の芳香族複素環基が、更に置換されていてもよい置換基と同義である。一般式3で表される化合物において、R21~R26のうち少なくとも一つがQを表すが、該Qは、一般式1において、Qで表されるAまたはBからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基と同義である。一般式3で表される化合物において、Mで表される元素周期表における8族~10族の遷移金属元素は、一般式1において、Mは、元素周期表における8族~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうと同義である。一般式3で表される化合物において、Lで表される任意の配位子は、一般式1において、LはMと配位できる任意の配位子と同義である。《一般式4で表される化合物金属錯体》一般式4で表される化合物において、R31~R37で各々表される置換基は、一般式1において、A、Bで各々表わされる6員の芳香族炭化水素基、5員または6員の芳香族複素環基が、更に置換されていてもよい置換基と同義である。一般式4で表される化合物において、R31~R37のうち少なくとも一つがQを表すが、該Qは、一般式1において、Qで表されるAまたはBからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基と同義である。一般式4で表される化合物において、Mで表される元素周期表における8族~10族の遷移金属元素は、一般式1において、Mは、元素周期表における8族~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうと同義である。一般式4で表される化合物において、Lで表される任意の配位子は、一般式1において、LはMと配位できる任意の配位子と同義である。《一般式5で表される化合物金属錯体》一般式5で表される化合物において、R51~R57で各々表される置換基は、一般式1において、A、Bで各々表わされる6員の芳香族炭化水素基、5員または6員の芳香族複素環基が、更に置換されていてもよい置換基と同義である。一般式5で表される化合物において、R51~R57のうち少なくとも一つがQを表すが、該Qは、一般式1において、Qで表されるAまたはBからπ電子を受容しうる空軌道を有する置換基と同義である。一般式5で表される化合物において、Mで表される元素周期表における8族~10族の遷移金属元素は、一般式1において、Mは、元素周期表における8族~10族の遷移金属元素単に遷移金属ともいうと同義である。一般式5で表される化合物において、Lで表される任意の配位子は、一般式1において、LはMと配位できる任意の配位子と同義である。以下、本発明に係る前記一般式1、2、3、4または5のいずれかひとつで表される化合物金属錯体、金属錯体化合物ともいうの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの金属錯体は、例えば、OrganicLetter誌、vol3、No.16、2579~2581頁2001、InorganicChemistry,第30巻、第8号、1685~1687頁1991年、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁2001年、InorganicChemistry,第40巻、第7号、1704~1711頁2001年、InorganicChemistry,第41巻、第12号、3055~3066頁2002年、NewJournalofChemistry.,第26巻、1171頁2002年、OrganicLetter誌、vol8、No.3、415~418頁2006、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を参照することにより合成可能である。尚、本発明では、例示化合物の発光波長を以下のように測定した。まず、例示化合物の吸収スペクトルを測定し、300nm-350nmの範囲の吸収最大波長を励起光として設定する。設定した励起光を用いて、窒素バブリングを行いながら蛍光光度計F-4500日立製作所製にて発光波長を測定する。尚、使用できる溶媒に制限はないが、化合物の溶解性の観点から2-メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン等が好ましく用いられる。測定時の濃度は充分希釈していることが好ましく、具体的には10-6モル/Lから10-4モル/Lの範囲で測定することが好ましい。また、測定時の温度としては、特に制限はないが、一般的には室温~77Kの範囲の温度設定が行われることが好ましい。《有機EL素子の構成層》本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。i陽極/発光層/電子輸送層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極v陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極vi陽極//正孔輸送層/陽極バッファー層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極vii陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極発光層は、ユニットを形成して発光層ユニットにすることもある。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよく、中間層は電荷発生層を含んでいてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。以下、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。《電子輸送層》電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層を設けることができる。電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料、電子注入材料も含むとしては陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、電子輸送層の構成材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが可能である。電子輸送層に用いられる従来公知の材料以下、電子輸送材料というの例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、を含むアザカルバゾール誘導体等が挙げられる。ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。また、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法ラングミュアブロジェットLangmuirBlodgett法等を挙げることができる。等により、製膜して形成することが好ましい。有機EL素子の構成層の形成法については、有機EL素子の作製方法のところで詳細に説明する。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5000nm程度、好ましくは5nm~200nmである。この電子輸送層は上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。以下、本発明の白色有機EL素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物電子輸送材料の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。尚、本発明の有機EL素子の電子輸送層形成に更に好ましく用いられるのは下記の一般式R-1で表される化合物である。式中、Rrはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。Rsは置換基を表すが、Rsとして好ましく用いられるのは、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり、特に好ましく用いられるのは、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である。zは1~7の整数を表す。一般式R-1において、Rrで表されるアルキル基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるアルキル基と同義である。一般式R-1において、Rrで表されるシクロアルキル基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるシクロアルキル基と同義である。一般式R-1において、Rrで表される芳香族炭化水素基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族炭化水素基と同義である。一般式R-1において、Rrで表される芳香族複素環基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族複素環基と同義である。一般式R-1において、Rsで表される置換基は、一般式1において、A、Bで各々表わされる6員の芳香族炭化水素基、5員または6員の芳香族複素環基が、更に置換されていてもよい置換基と同義である。一般式R-1において、Rsとして好ましく用いられるアルキル基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるアルキル基と同義である。一般式R-1において、Rsとして好ましく用いられるシクロアルキル基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表されるシクロアルキル基と同義である。一般式R-1において、Rsとして好ましく用いられる芳香族炭化水素基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族炭化水素基と同義である。一般式R-1において、Rsとして好ましく用いられる芳香族複素環基は、一般式1のQ-1、Q-2、Q-3で表される基において、Ra、Rb、Rcで各々表される芳香族複素環基と同義である。《発光層》本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm~5μmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは2nm~200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、5nm~100nmの範囲である。発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法ラングミュアブロジェットLangmuirBlodgett法等を挙げることができる。等により製膜して形成することができる。本発明に係る一般式1で表される化合物を発光層に用いる場合、ウェットプロセスで作製することが好ましい。本発明の有機EL素子の発光層には、発光ドーパントリン光発光性ドーパントリン光ドーパント、リン光発光性ドーパント基ともいうや蛍光ドーパント等化合物と、発光ホスト化合物とを含有することが好ましい。発光性ドーパント化合物発光性ドーパント化合物発光ドーパントともいうについて説明する。発光性ドーパントとしては、蛍光ドーパント蛍光性化合物ともいう、リン光ドーパントリン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいうを用いることができる。リン光ドーパントリン光発光ドーパントともいう本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。本発明に係るリン光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温25°Cにてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25°Cにおいて0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率0.01以上が達成されればよい。リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、1つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう1つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。本発明の有機EL素子に係る発光ドーパントとしては、上記一般式1、一般式2、一般式3、一般式4または一般式5のいずれかで表される化合物金属錯体が含有されるが、本発明の有機EL素子に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている化合物等を併用してもよい。例えば、国際公開第00/70655号、特開2002-280178号公報、特開2001-181616号公報、特開2002-280179号公報、特開2001-181617号公報、特開2002-280180号公報、特開2001-247859号公報、特開2002-299060号公報、特開2001-313178号公報、特開2002-302671号公報、特開2001-345183号公報、特開2002-324679号公報、国際公開第02/15645号、特開2002-332291号公報、特開2002-50484号公報、特開2002-332292号公報、特開2002-83684号公報、特表2002-540572号公報、特開2002-117978号公報、特開2002-338588号公報、特開2002-170684号公報、特開2002-352960号公報、国際公開第01/93642号、特開2002-50483号公報、特開2002-100476号公報、特開2002-173674号公報、特開2002-359082号公報、特開2002-175884号公報、特開2002-363552号公報、特開2002-184582号公報、特開2003-7469号公報、特表2002-525808号公報、特開2003-7471号公報、特表2002-525833号公報、特開2003-31366号公報、特開2002-226495号公報、特開2002-234894号公報、特開2002-235076号公報、特開2002-241751号公報、特開2001-319779号公報、特開2001-319780号公報、特開2002-62824号公報、特開2002-100474号公報、特開2002-203679号公報、特開2002-343572号公報、特開2002-203678号公報等である。蛍光ドーパント蛍光性化合物ともいう蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。また本発明に係る発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。ここで、発光ドーパントとして、本発明に係る一般式1、一般式2、一般式3、一般式4または一般式5のいずれかで表される化合物金属錯体と併用して用いてもよい従来公知の発光ドーパントの具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。発光ホスト化合物発光ホスト等ともいう本発明においてホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20以上であり、且つ室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20以上であることが好ましい。本発明に用いることができる発光ホストとしては、特に制限はなく、従来有機EL素子で用いられる化合物を用いることができる。代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも1つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。等が挙げられる。本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。また、本発明においては、発光ホストとして本発明の化合物及び/または公知の発光ホストを単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、前記リン光ドーパントとして用いられる公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物重合性発光ホストでもよく、このような化合物を一種または複数種用いても良い。公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。以下、本発明の有機EL素子の発光層の発光ホストとして用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。本発明の有機EL素子の発光層の発光ホストとして特に好ましいものは、下記一般式6で表される化合物である。式中、XはOまたはSを表し、Y1~Y3は水素原子、置換基または下記一般式Dで表される基を表し、Y1~Y3のうち少なくとも1つは下記一般式Dで表され、一般式Dで表される基のうち少なくとも1つはArがカルバゾリル基である。式中、Lは芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される2価の連結基を表す。nは0または1~3の整数を表し、nが2以上の場合複数のLは同じでも異なっていてもよい。は一般式1との連結部位を表す。Arは下記一般式Eで表される基を表す。式中、X0はNR、OまたはSを表し、E1~E8はCR1またはNを表し、R及びR1は水素原子、置換基またはLとの連結部位を表す。はLとの連結部位を表す。上記一般式6で表される化合物においては、好ましくは、Y1~Y3のうち少なくとも2つは前記一般式Dで表され、より好ましくはY1が前記一般式Dで表されかつ前記一般式DのArが置換基を有していてもよいカルバゾリル基を表し、更に好ましくはY1が前記一般式Dで表されかつ前記一般式DのArが置換基を有していてもよいN位でLと連結したカルバゾリル基を表す。また、Y2が一般式Dで表されることが好ましく、更にY3が水素原子であることが好ましい。以下に、本発明の有機EL素子の発光層のホスト化合物発光ホストともいうとして好ましく用いられる一般式6で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。《正孔輸送層》正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5nm~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の一種または2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、前述の電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示すを含有することが好ましい。また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO最高占有軌道レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。1米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98Gaussian98、RevisionA.11.4,M.J.Frisch,etal,Gaussian,Inc.,PittsburghPA,2002.を用い、キーワードとしてB3LYP/6-31Gを用いて構造最適化を行うことにより算出した値eV単位換算値として求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。2イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置ModelAC-1を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、前述の正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、好ましくは3nm~100nmであり、更に好ましくは3nm~30nmである。《注入層:電子注入層陰極バッファー層、正孔注入層》注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123頁~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化ナトリウムやフッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。また、陽極バッファー層及び陰極バッファー層に用いられる材料は、他の材料と併用して用いることも可能であり、例えば正孔輸送層や電子輸送層中に混合して用いることも可能である。《陽極》有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1000nm、好ましくは10nm~200nmの範囲で選ばれる。《陰極》一方、陰極としては仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は、通常10nm~5μmの範囲が好ましく、更に好ましくは50nm~200nmの範囲である。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1nm~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。《支持基板》本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板以下、基体、基板、基材、支持体等とも言うとしては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートCAP、セルロースアセテートフタレートTAC、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホンPES、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン商品名JSR社製あるいはアペル商品名三井化学社製といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが0.01g/m224h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/m224hMPa以下、水蒸気透過度が、10-5g/m224h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。《有機EL素子の製造方法》有機EL素子の製造方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層電子注入層/陰極からなる素子の製造方法について説明する。まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm~200nmの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。本発明のリン光発光性の有機EL素子においては、少なくとも陰極と該陰極に隣接する電子輸送層は、湿式法により塗布成膜される。湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロールツーロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。本発明に係る有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50nm~200nmの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を、陰極を-の極性として電圧2V~40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。本発明の有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。《封止》本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/m224hMPa以下、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが、1×10-3g/m224h以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型二液混合を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。尚、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80°Cまでに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等、硫酸塩例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等、金属ハロゲン化物例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等、過塩素酸類例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等等が挙げられ、中でも、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。《保護膜、保護板》有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《光取り出し》有機EL素子は空気よりも屈折率の高い屈折率が1.7~2.1程度層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15から20程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面透明基板と空気との界面に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法米国特許第4,774,435号明細書、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法特開昭63-314795号公報、素子の側面等に反射面を形成する方法特開平1-220394号公報、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法特開昭62-172691号公報、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法特開2001-202827号公報、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法特開平11-283751号公報等がある。本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中透明基板内や透明電極内に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中透明基板内や透明電極内でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。《集光シート》本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10μm~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルムBEF等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、株きもと製拡散フィルムライトアップ等を用いることができる。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置家庭用照明、車内照明、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング株製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。《表示装置》本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機EL素子を具備したものである。本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を、陰極を-の極性として電圧2V~40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が、陰極が-の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクスパッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。図1は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。制御部Bは表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。図2は表示部Aの模式図である。表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。図においては、画素3の発光した光が白矢印方向下方向へ取り出される場合を示している。配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示していない。画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。《照明装置》本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機EL素子を有する。本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。更にまた、本発明の有機EL素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置ディスプレイとして使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクスパッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。また、本発明の有機EL材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CFカラーフィルター特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。《本発明の照明装置の一態様》本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図3、図4に示すような照明装置を形成することができる。図3は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス純度99.999以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った。。図4は、照明装置の断面図を示し、図6において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、以下の実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。実施例1《例示化合物2-3の合成》以下の工程1~3により、本発明の一般式1に係る化合物の一例である、例示化合物2-3を合成した。工程1:ジクロロダイマーAの合成2-3-dimesitylborylphenyl-1-mesityl-1H-imidazole2.5g0.004987モル、塩化イリジウムIII3水和物0.69g0.001959モル、2-エトキキシエタノール30mlおよび純水10mlを反応容器に加え、窒素バブリングを行いながら36時間加熱還流した。反応溶液を冷却後、得られた結晶を濾別、メタノールで洗浄したのち乾燥し、目的のジクロロダイマーAを2.44g収率75.6得た。工程2:アセチルアセトナト錯体Bの合成。ジクロロダイマーA2.0g0.000802モル、アセチルアセトン0.33g0.003249モル、炭酸ナトリウム2.0gおよび2-エトキキシエタノール45mlを反応容器に加え、窒素バブリングを行いながら2時間加熱還流した。反応溶液を冷却後、反応液をメタノールで希釈したのち得られた結晶を濾別した。結晶をよく水で洗い、炭酸ナトリウムの残さを除いた後、メタノールで洗浄、乾燥し目的のアセチルアセトナト錯体2を1.73g収率82.5得た。工程3:例示化合物2-3の合成アセチルアセトナト錯体21.5g0.001145モル、2-3-dimesitylborylphenyl-1-mesityl-1H-imidazole1.75g0.003434モルおよびグリセリン45mlを反応容器に加え、窒素バブリングを行いながら加熱し、内温150°Cで3時間反応させた。反応終了後反応液を冷却し、反応液をメタノールで希釈したのち得られた結晶を濾別した。結晶をよくメタノールで洗浄、乾燥したのち、フラッシュカラムクロマトグラフィー酢酸エチル/トルエンにより精製し、目的の例示化合物2-3を1.23g62.3得た。得られた例示化合物2-3の構造は、NMRスペクトルおよびMASSスペクトルの測定により構造確認した。実施例2《有機EL素子1-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm成膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα-NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてHOST-14を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにD-9を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚40nmの正孔輸送層を設けた。更に、HOST-14とD-9の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚40nmの発光層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。更に、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。その上に、更に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続きフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1-1を作製した。作製後の各有機EL素子1-1の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。図3は、照明装置の概略図を示し、有機EL素子101は、ガラスカバー102で覆われている尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス純度99.999以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った。図4は、照明装置の断面図を示し、図2において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。《有機EL素子1-2~1-7の作製》有機EL素子1-1の作製において、表2に記載のように発光ホスト、発光ドーパント材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子1-2~1-7を作製した。《有機EL素子1-1~1-7の評価》以下のようにして作製した有機EL素子1-1~1-7の評価を行い、その結果を表2に示す。発光寿命有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続発光を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間τ1/2を測定した。尚、発光寿命は有機EL素子6-1を100と設定する相対値で表した。初期駆動電圧有機EL素子を初期輝度1000cd/m2を与える電流で定電流駆動した時の初期駆動電圧を測定した。初期駆動電圧は比較の有機EL素子1-1を100とした時の相対値で表示した。ダークスポット有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続点灯を行った際の発光面を目視で評価した。無作為に抽出した10人による目視評価で連続点灯時間10時間経過後の各素子においてダークスポットを下記のランク評価を行った。×:ダークスポットを確認した人数が5人以上の場合△:ダークスポットを確認した人数が1-4人の場合○:ダークスポットを確認した人数が0人の場合得られた結果を表2に示す。表2から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、寿命が長いことが明らかである。さらに、これらの素子は、初期駆動電圧も低く、ダークスポットの生成も抑えられていることが分かる。また、素子1-3において、発光層の作成時にα-NPDを蒸着速度0.06nm/秒で更に共蒸着した素子を作成した場合、素子1-3に比べ外部取り出し効率下記に測定方法を示したが1.4倍にまで向上することがわかった。これは、α-NPDと発光ドーパント2-3の相互作用により、ホール輸送性が大幅に増強されたためであると考えられる。実施例3《有機EL素子2-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA-45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、3mgの正孔輸送材料1と40mgの正孔輸送材料2とを10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。更に180秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行い、膜厚約20nmの第2正孔輸送層とした。この第2正孔輸送層上に、100mgのHOST-9と10mgの比較化合物1を10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて600rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60°Cで1時間真空乾燥し、膜厚約70nmの発光層とした。次に、この発光層上に、50mgのET-40を10mlのヘキサフルオロイソプロパノールHFIPに溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に60°Cで1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に、アルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2-1を作製した。《有機EL素子2-2~2-8の作製》有機EL素子2-1の作製において、HOST-9、比較化合物1及びET-40を表3に記載の化合物に変えた以外は同様にして、有機EL素子2-2~2-8を作製した。《有機EL素子2-1~2-8の評価》得られた有機EL素子2-1~2-8を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1-1~1-7と同様に封止し、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。発光寿命発光寿命については、実施例1と同様の方法で評価した。尚、有機EL素子2-1の発光寿命を100と設定する相対値で表した。電力効率分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング社製を用いて、各有機EL素子の中央部の正面輝度及び輝度角度依存性を測定し、正面輝度1000cd/m2における電力効率を求めた。尚、電力効率は有機EL素子3-1の電力効率を100と設定する相対値で表した。以上の評価結果を表3に示す。表3から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、発光寿命が長く、また、電力効率が高いことも明らかである。実施例4《有機EL素子3-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA-45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。この基板を窒素雰囲気下に移し、50mgの市販のADS254BEAmericanDyeSource,Inc製を10mlのトルエンに溶解した溶液を2500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。60°Cで1時間真空乾燥し、第2正孔輸送層を形成した。この第2正孔輸送層上に、100mgのHOST-30と12mgの比較化合物2とを10mlの酢酸ブチルに溶解し、室温23~25°Cで24時間保存した後の溶液を用いて1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成し、次いで、60°Cで1時間真空乾燥し、膜厚約50nmの発光層とした。次に、この発光層上に、50mgのET-10を10mlのヘキサフルオロイソプロパノールHFIPに溶解した溶液を用いて、1500rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に60°Cで1時間真空乾燥し、膜厚約20nmの電子輸送層とした。続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に陰極としてアルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子3-1を作製した。《有機EL素子3-2~3-7の作製》有機EL素子3-1の作製において、比較ドーパント2を表4記載の化合物に変えた以外は同様にして、有機EL素子3-2~3-7を作製した。《有機EL素子3-1~3-7の評価》得られた有機EL素子3-1~3-7を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1-1~1-7と同様に封止し、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。外部取り出し量子効率有機EL素子を室温約23°C~25°C、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度L[cd/m2]を測定することにより、外部取り出し量子効率ηを算出した。ここで、発光輝度の測定はCS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。外部取り出し量子効率は有機EL素子2-1を100とする相対値で表した。発光寿命発光寿命については、実施例1と同様の方法で評価した。尚、有機EL素子3-1の発光寿命を100と設定する相対値で表した。得られた結果を表4に示す。表4から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、更に発光寿命が長いことが明らかである。実施例5《有機EL素子4-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm成膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα-NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにET-11を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに比較化合物1を100mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚40nmの正孔輸送層を設けた。更に、1と比較化合物1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚40nmの発光層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。更に、ET-11の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚40nmの正孔阻止層兼電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続きフッ化リチウム2.0nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子4-1を作製した。《有機EL素子4-2~4-7の作製》有機EL素子4-1の作製において、比較ドーパント2および発光ホスト1を表5に記載の化合物に変えた以外は同様にして、有機EL素子4-2~4-7を作製した。《有機EL素子4-1~4-7の評価》得られた有機EL素子4-1~4-7の評価は、実施例1の有機EL素子の評価を行った時と同様に封止し、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。外部取り出し量子効率実施例3と同様の方法で外部取り出し量子効率ηを算出した。外部取り出し量子効率は有機EL素子4-1を100とする相対値で表した。駆動電圧の上昇率各有機EL素子を室温約23°C~25°C、2.5mA/cm2の定電流条件下により駆動したときの電圧を各々測定した初期駆動電圧。次に各有機EL素子を500時間連続駆動した後の駆動電圧を測定し500時間駆動後の電圧その上昇率を下式に従って求めた。各素子の駆動電圧の上昇率=500時間駆動後の電圧/初期駆動電圧×100得られた評価結果を表5に示す。表5から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、さらに駆動電圧の上昇率も低いことが明らかである。実施例6《フルカラー表示装置の作製》青色発光素子の作製実施例4の有機EL素4-3を青色発光素子として用いた。緑色発光素子の作製実施例4の有機EL素子4-1において、比較化合物1をD-1に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製し、これを緑色発光素子として用いた。赤色発光素子の作製実施例4の有機EL素子4-1において、比較化合物1をD-10に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として用いた。上記で作製した赤色、緑色、青色発光有機EL素子を同一基板上に並置し、図1に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と並置した複数の画素3発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示せず。前記複数画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されるとデータ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。得られたフルカラー表示装置は駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。実施例7《白色発光素子及び白色照明装置の作製》実施例1の透明電極基板の電極を20mm×20mmにパターニングし、その上に実施例1と同様に正孔注入/輸送層としてα-NPDを25nmの厚さで成膜し、更に、HOST-25の入った加熱ボートと例示化合物2-5の入ったボート及びD-6の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるHOST-25と発光ドーパントとして例示化合物2-5、及びD-6の蒸着速度が100:5:0.6になるように調節し、膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。次いで、BAlqを10nm成膜して正孔阻止層を設けた。更に、Alq3を40nmで成膜し電子輸送層を設けた。次に、実施例2と同様に電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着、成膜した。この素子を実施例1と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ、図3、図4に示すような平面ランプを作製した。この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。実施例8《白色の有機EL素子の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm成膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。この基板を窒素雰囲気下に移し、50mgの市販のADS254BEAmericanDyeSource,Inc製を10mlのトルエンに溶解した溶液を2500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。60°Cで1時間真空乾燥し、第2正孔輸送層を形成した。次に、発光ホスト1100mg、D-60.5mg、例示化合物5-316mgを酢酸ブチル10mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。60°Cで1時間真空乾燥し発光層とした。更に、ET-1025mgをヘキサフルオロイソプロパノールHFIP5mlに溶解した溶液を用い、2000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した後、60°Cで1時間真空乾燥し第1電子輸送層とした。続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにET-7を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、ET-7の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、更に膜厚20nmの第2電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子を作製した。この素子を実施例1と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ、図3、図4に示すような平面ランプを作製した。この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。実施例9《有機EL素子8-1の作製》実施例3の有機EL素子3-1の作製において、比較化合物2から比較化合物7に変更した以外は同様にして有機EL素子8-1を作製した。《有機EL素子8-2~8-5の作製》有機EL素子3-1の作製において、比較化合物2から例示化合物1-38、2-25、3-17、4-8のPt錯体に、各々変更した以外は同様にして、有機EL素子8-2~8-5を各々作製した。得られた有機EL素子8-1~8-5について実施例3と同様の評価を行ったところ、比較の有機EL素子8-1に比べて、本発明の有機EL素子8-2~8-5は、長い発光寿命が観測された。以上により、本発明はPt錯体にも適用できる技術であることがわかった。実施例10《有機EL素子9-1の作製》実施例2の有機EL素子2-1の発光層材料HOST-9と比較化合物1をHOST-38と例示化合物4-11に置き換え、実施例2と同様にスピンコートにより薄膜を形成後、紫外線を60秒照射し、ホストとドーパントをネットワーク上ポリマーとした。それ以後は実施例2-1と同様に封止まで行い、有機EL素子9-1を作製した。《有機EL素子9-2~9-5の作製》また、有機EL素子9-1の作製において、ドーパントを各々例示化合物1-12、2-8、2-13、3-13に変更した以外は同様にして有機EL素子9-2~9-5を各々作製した。このようにして作製した有機EL素子9-1~9-5は、各々発光均一性が高く、ダークスポットの発生が極めて少ないことが分かった。実施例11《有機EL素子10-1~10-3の作製》実施例1の有機EL素子1-1の作製において、比較化合物2を例示化合物5-1、5-5、5-7のカルベン錯体に置き換えた以外は同様にして有機EL素子10-1、10-2、10-3を各々作製した。得られた有機EL素子10-1~10-3は、いずれも発光性が高く、カルベン錯体を用いた作製した本発明の有機EL素子は、素子特性として優れていることが分かる。"