"パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターン形成面の反対側に位置し、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板を保持する基板保持部と、基板のパターン非形成面側に設けられ、パターン非形成面の薄膜を除去する薄膜除去部と、基板の反りを検出する基板反り検出部と、薄膜除去部を駆動制御する制御部とを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、薄膜除去部の作動停止時を定めることを特徴とする基板反り除去装置。薄膜除去部は基板のパターン非形成面側に配置された処理液供給部を有することを特徴とする請求項1記載の基板反り除去装置。処理液供給部は処理液を供給する処理液供給管を有し、この処理液供給管にエッチング液を供給するエッチング液供給系が接続されていることを特徴とする請求項2記載の基板反り除去装置。基板保持部はパターン非形成面を下方に向けて基板を保持し、処理液供給部は基板の下方に配置されて、基板のパターン非形成面に処理液を供給することを特徴とする請求項2記載の基板反り除去装置。基板反り検出部は基板の表面中央の変位を求める第1レーザ変位計と、基板の表面周縁の変位を求める第2レーザ変位計とを有することを特徴とする請求項1記載の基板反り除去装置。パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターン形成面の反対側に位置し、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板を保持する基板保持部と、基板のパターン非形成面側に設けられ、パターン非形成面の薄膜を除去する薄膜除去部と、基板の反りを検出する基板反り検出部と、薄膜除去部を駆動制御する制御部とを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、薄膜除去部の作動停止時を定めることを特徴とする基板反り除去装置を用いた基板反り除去方法において、基板保持部により基板を保持することと、薄膜除去部により基板のパターン非形成面の薄膜を除去することと、基板反り検出部により基板の反りを検出することとを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、基板反りがなくなったと判断した場合、薄膜除去部の作動を停止することを特徴とする基板反り除去方法。薄膜除去部により薄膜除去を行なうとき、処理液供給部から基板のパターン非形成面に処理液を供給することを特徴とする請求項6記載の基板反り除去方法。処理液供給部から基板のパターン非形成面に処理液を供給するとき、処理液供給部から基板の非パターン形成面に処理液としてエッチング液を供給することを特徴とする請求項7記載の基板反り除去方法。基板保持部はパターン非形成面を下方に向けて基板を保持し、処理液供給部は基板の下方に配置されて、基板のパターン非形成面に処理液を供給することを特徴とする請求項7記載の基板反り除去方法。基板反り検出部による基板の反りを検出するとき、第1レーザ変位計により基板の表面中央の変位を求めるとともに、第2レーザ変位計により基板の表面周縁の変位を求めることを特徴とする請求項6記載の基板反り除去方法。基板反り除去装置に基板反り除去方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、基板反り除去方法は、パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターン形成面の反対側に位置し、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板を保持する基板保持部と、基板のパターン非形成面側に設けられ、パターン非形成面の薄膜を除去する薄膜除去部と、基板の反りを検出する基板反り検出部と、薄膜除去部を駆動制御する制御部とを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、薄膜除去部の作動停止時を定めることを特徴とする基板反り除去装置を用いた基板反り除去方法において、基板保持部により基板を保持することと、薄膜除去部により基板のパターン非形成面の薄膜を除去することと、基板反り検出部により基板の反りを検出することとを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、基板反りがなくなったと判断した場合、薄膜除去部の作動を停止することを特徴とする記憶媒体。本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、一方の面に形成された薄膜がパターンを有し、他方の面に形成された薄膜がパターンをもたず、これにより全体として反りが生じた基板に対してこの反りを除去することができる基板反り除去装置および基板反り除去方法を提供することを目的とする。本発明は、パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターン形成面の反対側に位置し、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板を保持する基板保持部と、基板のパターン非形成面側に設けられ、パターン非形成面の薄膜を除去する薄膜除去部と、基板の反りを検出する基板反り検出部と、薄膜除去部を駆動制御する制御部とを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、薄膜除去部の作動停止時を定めることを特徴とする基板反り除去装置である。本発明は、薄膜除去部は基板のパターン非形成面側に配置された処理液供給部を有することを特徴とする基板反り除去装置である。本発明は、処理液供給部は処理液を供給する処理液供給管を有し、この処理液供給管にエッチング液を供給するエッチング液供給系が接続されていることを特徴とする基板反り除去装置である。本発明は、基板保持部はパターン非形成面を下方に向けて基板を保持し、処理液供給部は基板の下方に配置されて、基板のパターン非形成面に処理液を供給することを特徴とする基板反り除去装置である。本発明は、基板反り検出部は基板の表面中央の変位を求める第1レーザ変位計と、基板の表面周縁の変位を求める第2レーザ変位計とを有することを特徴とする基板反り除去装置である。本発明は、パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターン形成面の反対側に位置し、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板を保持する基板保持部と、基板のパターン非形成面側に設けられ、パターン非形成面の薄膜を除去する薄膜除去部と、基板の反りを検出する基板反り検出部と、薄膜除去部を駆動制御する制御部とを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、薄膜除去部の作動停止時を定めることを特徴とする基板反り除去装置を定める基板反り除去装置を用いた基板反り除去方法において、基板保持部により基板を保持することと、薄膜除去部により基板のパターン非形成面の薄膜を除去することと、基板反り検出部により基板の反りを検出することとを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、基板反りがなくなったと判断した場合、薄膜除去部の作動を停止することを特徴とする基板反り除去方法である。本発明は、薄膜除去部により薄膜除去を行なうとき、処理液供給部から基板のパターン非形成面に処理液を供給することを特徴とする基板反り除去方法である。本発明は、処理液供給部から基板のパターン非形成面に処理液を供給するとき、処理液供給部から基板の非パターン形成面に処理液としてエッチング液を供給することを特徴とする基板反り除去方法である。本発明は、基板保持部はパターン非形成面を下方に向けて基板を保持し、処理液供給部は基板の下方に配置されて、基板のパターン非形成面に処理液を供給することを特徴とする基板反り除去方法である。本発明は、基板反り検出部による基板の反りを検出するとき、第1レーザ変位計により基板の表面中央の変位を求めるとともに、第2レーザ変位計により基板の表面周縁の変位を求めることを特徴とする基板反り除去方法である。本発明は、基板反り除去装置に基板反り除去方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、基板反り除去方法は、パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターン形成面の反対側に位置し、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板を保持する基板保持部と、基板のパターン非形成面側に設けられ、パターン非形成面の薄膜を除去する薄膜除去部と、基板の反りを検出する基板反り検出部と、薄膜除去部を駆動制御する制御部とを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、薄膜除去部の作動停止時を定めることを特徴とする基板反り除去装置を用いた基板反り除去方法において、基板保持部により基板を保持することと、薄膜除去部により基板のパターン非形成面の薄膜を除去することと、基板反り検出部により基板の反りを検出することとを備え、制御部は基板反り検出部からの信号に基づいて、基板反りがなくなったと判断した場合、薄膜除去部の作動を停止することを特徴とする記憶媒体である。本発明によれば、基板のパターン非形成面に形成された薄膜を薄膜除去部によって除去することにより基板に生じる反りを除去することができる。この場合、基板反り検出部により基板の反りを検出し、基板反り検出部からの信号に基づいて制御部が基板の反りがなくなったと判断した場合に薄膜除去部の作動を停止するので、基板の反りを容易かつ精度良く除去することができる。以下、図面を参照して本発明による基板反り除去装置について説明する。まず基板反り除去装置が組み込まれたレジストパターン形成装置の一例について、図9および図10を参照しながら簡単に説明する。図9は、レジストパターン形成装置の一実施の形態の平面図を示し、図10は同概略斜視図である。レジスタパターン形成装置1は、キャリアブロックS1と、処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、露光装置S4とを備えている。キャリアブロックS1では、載置台8上に載置された密閉型のキャリア7から受け渡し手段Cがウエハ基板Wを取り出して、当該ブロックS1に隣接された処理ブロックS2に受け渡す。次に受け渡し手段Cが、処理ブロックS2にて処理された処理済みのウエハWを受け取ってキャリア7に戻すようになっている。処理ブロックS2は、現像処理を行うための第1のブロックDEV層B1と、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第2のブロックBCT層B2と、レジスト液の塗布処理を行うための第3のブロックCOT層B3と、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行なうための第4のブロックTCT層B4とを含んでおり、さらに処理ブロックS2のうち最上流部、例えば第2のブロックB2内に、本発明による基板反り除去装置10が組込まれている。ところで第1~第4のブロックB1~B4はほぼ同様に構成されており、他のブロックとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡しモジュールが多段に配置された棚ユニットU1と、各々薬液を塗布する液処理モジュールを複数個備えた液処理モジュール群Lと、前記液処理モジュール群Lにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱冷却系のモジュールを多段に配置した棚ユニットU2と、これら棚ユニットU1,U2の各部と液処理モジュール群Lの各モジュールとの間でウエハWの受け渡しを行なう搬送手段をなす搬送アームA1~A4とを備えている。例えば前記第1~第4のブロックB1~B4は、図9に示すように図中Y方向に伸びる搬送路Rを夫々備えており、前記搬送アームA1~A4は、当該搬送路Rにおいて、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、図中Y軸方向に移動自在に構成されると共に、ウエハWの裏面側周縁領域を支持するための2本のフォークを備えている。これらフォークは互いに独立して進退できる。液処理モジュール群Lと棚ユニットU2とは、前記搬送路Rに沿って互いに対向するように配置されている。また第2~第4のブロックB2~B4においては、液処理モジュール群Lは複数個例えば4個の液処理モジュールが搬送路Rに沿って並ぶように配列されている。これら液処理モジュールとしては、第2のブロックB2では、レジストの下層側の反射防止膜形成用の薬液を塗布する液処理モジュールBCT、第3のブロックB3では、レジスト液を塗布する液処理モジュールCOT、第4のブロックB4では、レジストの上層側の反射防止膜形成用の薬液を塗布する液処理モジュールTCTが夫々設けられる。また第1のブロックB1においては、例えば液処理モジュール群Lでは搬送路Rに沿って並ぶ4個の液処理モジュールDEVが2段に亘って設けられており、薬液として現像液が塗布されるようになっている。前記棚ユニットU1は、図9に示すように、棚ユニットU1の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームDによって当該棚ユニットU1の各部同士の間でウエハWが搬送されるように構成されている。この棚ユニットU1には、温調用の冷却ユニットを兼ねた受け渡しモジュールや、複数枚のウエハWを載置可能なバッファを兼ねた受け渡しモジュールが多段に設けられている。棚ユニットU2には、ウエハWを加熱する加熱モジュール等が組み込まれている。また第1のブロックDEV層B1には、インターフェイスブロックS3側に棚ユニットU3が設けられている。この棚ユニットU3には当該ブロックB1とインターフェイスブロックS3との間でウエハWの受け渡しを行うために用いられる受け渡しモジュールが多段に設けられている。このようなレジストパターン形成装置1でのウエハ基板Wの流れの一例について説明すると、キャリアブロックS1からのウエハWは前記棚ユニットU1の一つの受け渡しモジュール、例えば第2のブロックB2の対応する受け渡しモジュールに受け渡し手段Cによって順次第2のブロックB2内に搬送される。次いでウエハWに対して、第2のブロックB2内の最上流側に位置する基板反り除去装置10において基板反り除去処理が施される。次にウエハWは、第2のブロックB2内において、液処理モジュールBCT→加熱モジュールGHA→棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF2の経路で搬送され、ウエハWには反射防止膜が形成される。その後、ウエハWは受け渡しアームDにより棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL3に搬送され、次いでウエハWは搬送アームA3により、第3のブロックB3内において、液処理モジュールCOT→加熱モジュールGHA→棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3の経路で搬送され、ウエハWには反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。なおレジスト膜が形成されたウエハWは、第4のブロックB4にて更に反射防止膜が形成される場合もある。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハWは、棚ユニットU3の受け渡しモジュールに直接搬送され、インターフェイスブロックS3に取り込まれる。次いで、ウエハWはインターフェイスアームFにより露光装置S4に搬送され、所定の露光処理が行われた後、棚ユニットU3の受け渡しモジュールに載置されて処理ブロックS2に戻される。戻されたウエハWは、第1のブロックB1にて現像処理が行われ、受け渡し手段Cを介してキャリア7に戻される。次に本発明による基板反り除去装置10について、以下図1乃至図8により説明する。ここで図1乃至図8は、本実施の形態による基板反り除去装置を示す図である。より詳細には、図1abcは、本発明による基板反り除去装置の作用を示す図である。また、図2および図3は、本実施の形態における基板反り除去装置の構成を示す縦断面図であり、図4は、図2に示すような、ウエハが基板支持部および固定保持部により保持された状態を示す、図2における基板反り除去装置を上方から見た上面図である。また、図5は、図2および図3に示す基板反り除去装置のリフトピンプレートの構成を示す斜視図であり、図6は、図2および図3に示す基板反り除去装置の保持プレートの構成を示す斜視図である。また、図7は、図2および図3に示す基板反り除去装置における、リフトピンプレートから下方に延びる接続部材および保持プレートから下方に延び接続部材を収容する中空の収容部材の構成の詳細を示す拡大縦断面図である。また、図8は、本実施の形態による基板反り除去方法を示すフローチャートである。本実施の形態による基板反り除去装置10の概略的な構成について図2および図3を用いて説明する。基板反り除去装置10は、ウエハWを保持する保持プレート30と、保持プレート30の上方に設けられ、ウエハWを下方から支持するリフトピン22を有するリフトピンプレート20と、保持プレート30を回転させる回転駆動部39と、保持プレート30の中心部分に形成された貫通穴30aおよびリフトピンプレート20の中心部分に形成された貫通穴20aを通るよう設けられ、保持プレート30により保持されたウエハWの裏面に純水リンス液やエッチング液等の処理液を供給する処理液供給管40と、を備えている。このうちリフトピンプレート20は、保持プレート30と連動して回転するようになっている。処理液供給管40には、リフトピンプレート20の貫通穴20aを塞ぐよう設けられたヘッド部分42が設けられている。ここで、ウエハWを保持する保持プレート30と、保持プレート30を回転させる回転駆動部39とにより基板を保持する基板保持部が構成され、処理液供給管40により薄膜を除去する薄膜除去部が構成される。図2および図3において、リフトピンプレート20および処理液供給管40は、保持プレート30に対して相対的に昇降するようになっている。ここで、図2は、リフトピンプレート20および処理液供給管40がそれぞれ下方位置にあるときの状態を示す図であり、図3は、リフトピンプレート20および処理液供給管40がそれぞれ上方位置にあるときの状態を示す図である。リフトピンプレート20および処理液供給管40は、それぞれ、図2に示すような下方位置と図3に示すような上方位置との間で昇降するようになっている。なお、図1abcに示すように、基板反り除去装置10により基板反り除去処理が行なわれるウエハWは、表面W1と裏面W2とを有している。このうち表面パターン形成面W1にはパターンPを含む薄膜Fが形成され、裏面パターン非形成面W2にはパターンPを含まない薄膜Fが形成される。そして後述のように、基板反り除去装置10により、ウエハWの裏面W2に対してエッチング液を供給して薄膜Fを除去し、このようにしてウエハWに生じる反りを除去するようになっている。次に、このような構成からなる基板反り除去装置10の各構成要素の詳細について以下に説明する。図5に示すように、リフトピンプレート20は円板形状のものからなり、その中心部分には貫通穴20aが形成されている。この貫通穴20aには処理液供給管40が通されることとなる。また、リフトピンプレート20の表面には3本のリフトピン22が設けられている。これらのリフトピン22は、リフトピンプレート20の周縁部近傍において周方向に等間隔で設けられている。また、リフトピンプレート20の裏面各リフトピン22が設けられた面とは反対側の面には、3つの棒状の接続部材24が設けられている。各接続部材24は、リフトピンプレート20の裏面から下方に延びるようになっている。これらの接続部材24は、リフトピンプレート20の周縁部近傍において周方向に等間隔で設けられている。図6に示すように、保持プレート30は円板形状のものからなり、その中心部分には貫通穴30aが形成されている。この貫通穴30aには処理液供給管40が通されることとなる。また、保持プレート30の表面には、接続部材38を介して回転カップ36が取り付けられている。回転カップ36は、図2に示すようにリフトピンプレート20および処理液供給管40が下方位置にあるときに保持プレート30により保持されるウエハWの外周縁を囲うようになっている。また、図2や図4に示すように、回転カップ36には、ウエハWを保持するための2つの固定保持部37が設けられている。これらの固定保持部37の具体的な機能については後述する。なお、これらの固定保持部37は、回転カップ36に設けられる代わりに保持プレート30に設けられていてもよく、あるいは接続部材38に直接接続されていてもよい。固定保持部37が接続部材38に直接接続されている場合には、水平方向の力に対する固定保持部37の強度をより大きなものとすることができる。また、保持プレート30の裏面回転カップ36が設けられた面とは反対側の面の中心部分には、当該保持プレート30の裏面から下方に延びるよう中空の回転軸34が取り付けられている。この回転軸34の中空部分には処理液供給管40が収容されている。また、回転軸34はベアリング図示せず等を介して回転駆動部39により回転させられるようになっている。回転駆動部39が回転軸34を回転させることにより、保持プレート30も回転することとなる。また、図6に示すように、保持プレート30には、リフトピンプレート20の裏面から下方に延びる棒状の各接続部材24が通過するような、3つの貫通穴接続部材貫通穴30bが形成されている。各貫通穴30bは保持プレート30の周方向に等間隔に設けられている。また、保持プレート30の裏面において、各貫通穴30bの箇所には、3つの円筒形状の収容部材32が設けられている。各収容部材32は、保持プレート30の裏面から下方に延びるようになっており、リフトピンプレート20の裏面から下方に延びる各接続部材24を収容するようになっている。これらの収容部材32は、保持プレート30の周縁部近傍において周方向に等間隔で設けられている。リフトピンプレート20の裏面から下方に延びる各接続部材24および保持プレート30の裏面から下方に延びる各収容部材32について図7を用いてより詳細に説明する。図7に示すように、円筒形状の各収容部材32の内径は各接続部材24の外径よりもやや大きくなっており、各収容部材32の長手方向図7の上下方向に沿って各接続部材24が各収容部材32内で移動することができるようになっている。図2に示すように、リフトピンプレート20が下方位置にあるときには、各接続部材24は各収容部材32に完全に収容された状態となる。一方、図3に示すように、リフトピンプレート20が上方位置にあるときには、各接続部材24はその下部における一部分のみが各収容部材32に収容された状態となり、各接続部材24は保持プレート30に形成された貫通穴30bを通過してこの保持プレート30から上方に突出するようになる。このように、リフトピンプレート20が下方位置にあるときには、各接続部材24が各収容部材32に完全に収容された状態となるので、保持プレート30を回転させたときに、各接続部材24を介してリフトピンプレート20も連動して回転するようになる。図7に示すように、各収容部材32の中空部分にはバネ26が圧縮された状態で収容されている。このバネ26は、その下端が接続部材24の下端部分に取り付けられるとともに、その上端が貫通穴30bの近傍における保持プレート30の下面に取り付けられるようになっている。このため、バネ26により接続部材24は下方に付勢されるようになっている。すなわち、バネ26が圧縮状態から元の状態に戻ろうとする力により、接続部材24には常に下向きの力保持プレート30から下方に移動しようとする力が加えられることとなる。図2および図3に示すように、回転カップ36の外方には外カップ56が設けられており、保持プレート30や回転カップ36は外カップ56により覆われるようになっている。この外カップ56には排液管58が接続されており、ウエハWの洗浄のために使用され、ウエハWの回転により当該ウエハWから外方に飛散して外カップ56により受けられたリンス液またはエッチング液等の処理液は排液管58により排出されるようになっている。図2に示すように、保持プレート30には、ウエハWを側方から支持するための基板支持部31が設けられている。基板支持部31は、図2に示すようにリフトピンプレート20が下方位置にあるときにウエハWを側方から支持し、一方、図3に示すようにリフトピンプレート20が上方位置にあるときにウエハWから離間するようになっている。より詳細に説明すると、図4に示すように、ウエハWに対する基板反り除去処理を行う際に、このウエハWは基板支持部31および2つの固定保持部37により保持されるようになる。このときに、基板支持部31はウエハWを固定保持部37に向かって押し付けるようになっている。すなわち、図4において基板支持部31によりウエハWに対して図4における左方向に力が加えられ、このことによりウエハWは2つの固定保持部37に押し付けられることとなる。このように、基板支持部31および固定保持部37の両方を用いてウエハWを側方から支持する場合には、固定保持部37を用いずに複数の基板支持部31を用いてウエハWを側方から支持する場合と比較して、ウエハWに対して移動進退する部材の数を1つのみとすることができるので、よりシンプルな構成でウエハWの支持を行うことができるようになる。図2および図3に示すように、処理液供給管40はリフトピンプレート20の貫通穴20aおよび保持プレート30の貫通穴30aをそれぞれ通過するよう設けられている。なお、処理液供給管40は、リフトピンプレート20や保持プレート30が回転する際にも回転しないようになっている。処理液供給管40の内部には、リンス液やエッチング液等の処理液を通すための、1または複数の処理液供給路が設けられている。図2および図3においては、2つの処理液供給路40a、40bが処理液供給管40の内部に設けられていることが示されているが、実際には例えば4つの処理液供給路が処理液供給管40の内部に設けられている。図2および図3に示すように、処理液供給管40の先端部分にはヘッド部分42が設けられている。このヘッド部分42は円板形状に類似する形状となっている。また、ヘッド部分42はリフトピンプレート20の貫通穴20aを塞ぐよう設けられている。ヘッド部分42には1または複数のノズルが設けられている。ヘッド部分42に設けられた各ノズルは、処理液供給管40の内部に設けられた各処理液供給路に連通するようになっており、各処理液供給路から各ノズルに送られたリンス液やエッチング液等の処理液が当該ノズルからウエハWの裏面W2に向かって噴射されることとなる。なお、処理液供給管としては、リンス液やエッチング液等の処理液が通る処理液供給路に加えて、N2ガス等のガスが通るガス供給路が設けられたものを用いてもよい。また、代わりに、処理液供給管の処理液供給路に処理液だけではなくガスも送るようにしてもよい。これらの場合、処理液供給管のガス供給路や処理液供給路に送られたガスは、当該供給路に対応するヘッド部分のノズルからウエハWに噴射されることとなる。図2および図3に示すように、処理液供給管40には接続部材52を介して昇降駆動部50が設けられている。昇降駆動部50は、処理液供給管40を昇降させるようになっている。すなわち、昇降駆動部50が接続部材52を昇降させることにより、この接続部材52に接続された処理液供給管40も昇降することとなる。より詳細には、昇降駆動部50は、図2に示すような下方位置と、図3に示すような上方位置との間で処理液供給管40を昇降させる。また、図2および図3に示すように、処理液供給管40には第1の連動部材44が接続されている。そして、第1の連動部材44には、複数、例えば3つの棒状の第2の連動部材46が第1の連動部材44から上方に延びるよう接続されている。ここで、各第2の連動部材46は、リフトピンプレート20の裏面から下方に延びるよう設けられた各接続部材24に対応して設けられており、棒状の各第2の連動部材46の外径は円筒形状の収容部材32の内径よりも小さくなっている。より詳細には、各第2の連動部材46は、各接続部材24の底面に接触するよう設けられており、各第2の連動部材46は、図3に示すように各収容部材32内で各接続部材24を上方に押し上げることができるようになっている。すなわち、図2に示すような状態において、昇降駆動部50が処理液供給管40を上方に移動させたときには、処理液供給管40に接続された第1の連動部材44および各第2の連動部材46も上方に移動し、各第2の連動部材46が各収容部材32内で各接続部材24を上方に押し上げることとなる。このことにより、リフトピンプレート20も処理液供給管40と連動して上方に移動し、図3に示すように、リフトピンプレート20および処理液供給管40はそれぞれ上方位置に到達することとなる。一方、図3に示すような状態において、昇降駆動部50が処理液供給管40を下方に移動させたときには、収容部材32の内部に設けられたバネ26の力により接続部材24には常に下方に向かう力が加えられているので、各第2の連動部材46が下方に移動したときに各接続部材24もその下面が各第2の連動部材46の上端部分に接触するよう下方に移動することとなる。このようにして、図2に示すように、リフトピンプレート20および処理液供給管40はそれぞれ下方位置に到達することとなる。図2に示すように、リフトピンプレート20は、下方位置にあるときには保持プレート30に隣接するようになる。一方、図3に示すように、リフトピンプレート20は、上方位置にあるときには、保持プレート30から上方に離間し、リフトピン22上へのウエハWの受け渡しおよびリフトピン22上からのウエハWの取り出しを行うことができるようになる。このように、第1の連動部材44および3つの第2の連動部材46により、リフトピンプレート20と処理液供給管40とを連動して一体的に昇降させる連動機構が構成されている。また、第1の連動部材44、3つの第2の連動部材46、昇降駆動部50、接続部材52により、リフトピンプレート20および処理液供給管40を保持プレート30に対して相対的に昇降させる昇降機構が構成されている。ところで図2および図3に示すように、処理液供給管40内に設けられた処理液供給路40a、40bのうち処理液供給路40aは、エッチング液供給系40Aに接続され、このエッチング液供給系40Aからフッ酸および硫酸を含むエッチング液が処理液供給路40aに送られる。また処理液供給管40の処理液供給路40bはリンス液供給系40Bに接続され、このリンス液供給系40Bから純水リンス液が処理液供給路40bに送られる。そしてこれらエッチング液供給系40Aおよびリンス液供給系40Bは、いずれも制御部3により駆動制御される。さらに保持プレート30およびリフトピンプレート20の上方には、保持プレート30により保持されたウエハWの表面W1中央の変位を求める第1レーザ変位計4と、ウエハWの表面W1周縁の変位を求める第2レーザ変位計5が配置され、これら第1レーザ変位計4と第2レーザ変位計5からの信号は制御部3に送られる。この場合、第1レーザ変位計4および第2レーザ変位計5により基板反り検出部が構成される。すなわち第1レーザ変位計4および第2レーザ変位計5は、各々ウエハWの表面W1の中央および周縁に向ってレーザ光を照射し、ウエハWからの反射光に基づいてウエハWの表面W1の中央および周縁の変位を求める。第1レーザ変位計4および第2レーザ変位計5からの信号は制御部3に送られ、制御部3は第1レーザ変位計4および第2レーザ変位計5からの信号に基づいてウエハWの反りの大きさを判断する。そして制御部3がウエハWの反りが減少して所望範囲内に入ったと判断した場合、制御部3はエッチング液供給系40Aからのエッチング液の供給を停止するようになっている。ところで制御部3は、基板反り除去装置10の全ての機能部品例えばエッチング液処理系40Aおよびリンス液処理系40Bの動作を制御する。制御部3は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム装置制御プログラムおよび処理レシピ等とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、或いはCDROM、DVD、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が参照符号3aで示されている。プロセッサ3bは必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体3bから呼び出して実行させ、これによって制御部3の制御の下でウェットエッチング装置の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。次にこのような構成からなる基板反り除去装置10を用いた基板反り除去方法について説明する。まず図9に示すレジストパターン形成装置1にウエハWが搬入される。このウエハWは、レジストパターン形成装置1において、第2のブロックB2内の最上流側に位置する基板反り除去装置10において基板反り除去処理が施される。すなわち、レジストパターン形成装置1に搬入されたウエハWに対しては、その上流側においてCVDあるいはPVDによる製膜処理が施されてウエハWの表面W1および裏面W2に多層の薄膜Fが形成され図1a参照、その後、ウエハWの表面W1に対してエッチング処理が施されて表面W1上にパターンPを含む薄膜F1が形成される図1b参照。この場合、ウエハWの表面W1に、パターンPを含む薄膜F1が形成されるが、ウエハWの裏面W2にはエッチング処理が施されることはなくウエハWの裏面W2にはパターンを含まない薄膜F2が残る。このようにレジストパターン形成装置1内の基板反り除去装置10に搬入されるウエハWは、上流側において予め製膜処理およびエッチング処理を受けて、図1bに示すようにウエハWの表面W1にはパターンPを含む薄膜F1が形成され、ウエハWの裏面W2にはパターンを含まない薄膜F2が残る。ウエハWの表面W1および裏面W2に薄膜Fが形成されている場合、表面W1と裏面W2に形成された薄膜Fの内部応力がつり合うことにより、ウエハは平板形状を維持するが図1a、ウエハWの表面W1にパターンPを含む薄膜F1が形成され裏面W2にパターンを含まない薄膜F2が残る場合、表面W1の薄膜F1の内部応力と裏面W2の薄膜F2の内部応力との間に不均衡が生じ、ウエハWに表面W1が凸となる反りが発生する。そこで、レジストパターン形成装置1内の後工程において、ウエハWに対してレジストを塗布し、レジストを加熱してレジスト膜を形成し、レジスト膜を露光し、現像する各種処理を施す際、精度良く処理を行なうことができるよう、とりわけ精度良く露光処理を行なうことができるようウエハWに生じる反りを基板反り除去装置10により除去する。ウエハWに生じる反りを除去する場合、後述のように基板反り除去装置10において、ウエハWの裏面W2に形成された薄膜F2を除去する図1c。このようにウエハWの裏面W2に形成された薄膜F2を除去することにより、表面W1側の薄膜F1の内部応力と裏面F2の内部応力とを均一化させて、ウエハWの形状を平板状に戻すことができる。このようにして反りが除去され平板状になったウエハWに対して、レジストパターン形成装置1内で次工程のレジストパターンを精度良く形成することができる。次に基板反り除去装置10における作用について以下詳述する。まず、昇降機構によって、リフトピンプレート20および処理液供給管40を図3に示すような上方位置に位置づける図8のSTEP1参照。次に、図3の二点鎖線に示すように、基板反り除去装置10の外部からウエハWが搬送アーム104により基板反り除去装置10に搬送され、このウエハWがリフトピンプレート20のリフトピン22上に載置される図8のSTEP2参照。このときウエハWの表面W1にパターンPを含む薄膜F1が形成され、裏面W2にパターンを含まない薄膜F2が残るためウエハWには表面W1に凸となる反りが生じている。次に、制御部3が昇降駆動部50を制御して、昇降駆動部50が処理液供給管40を上方位置から下方位置まで移動させる。この際に、収容部材32の内部に設けられたバネ26の力により接続部材24には常に下方に向かう力が加えられているので、処理液供給管40の下方への移動に連動してリフトピンプレート20も下方に移動し、リフトピンプレート20が上方位置から下方位置まで移動する図8のSTEP3参照。また、この際に、リフトピンプレート20の下面により基板支持部31が下方に押圧され、このことにより基板支持部31が軸を中心として回転する。このようにして、基板支持部31の基板支持部分31bがウエハWに向かって当該ウエハWの側方から移動し、基板支持部31によりウエハWは側方から支持されることとなる。このときに、基板支持部31により側方から支持されたウエハWはリフトピン22から上方に離間することとなる。リフトピンプレート20および処理液供給管40が図2に示すような下方位置に到達した後、制御部3が回転駆動部39を制御し、回転駆動部39により保持プレート30を回転させる。この際に、保持プレート30の裏面から下方に延びるよう設けられた各収容部材32に、リフトピンプレート20の裏面から下方に延びるよう設けられた各接続部材24が収容された状態となっているので、保持プレート30が回転したときにリフトピンプレート20も連動して回転し、ウエハWも回転することとなる。なお、この際に、処理液供給管40は回転することなく停止したままである。次に、ウエハWが回転した状態で、制御部3がエッチング液供給系40Aを作動させ、エッチング液供給系40Aからエッチング液が処理液供給管40の処理液供給路40a内に供給され、処理液供給管40の処理液供給路40aからウエハWの裏面W2に向かってエッチング液が供給される図8のSTEP4参照。このようにウエハWの裏面W2に対してエッチング液を供給することにより、裏面W2側のパターンを含まない薄膜F2が徐々に除かれ、このようにしてウエハWに生じる反りも徐々に減少する。この間、第1レーザ変位計4によりウエハWの表面W1の中央の変位が求められ、第2レーザ変位計5によりウエハWの表面W1の周縁の変位が求められる。第1レーザ変位計4および第2レーザ変位計5からの信号は制御部3に送られ、制御部3は第1レーザ変位計4および第2レーザ変位計5からの信号に基づいて、ウエハWに反りが予め定められた所定の範囲に入った場合、ウエハWに反りがなくなったと判断してSTEP5、エッチング液供給系40Aの作動を停止するSTEP6。制御部3は続いてリンス液供給系40Bを作動させ、リンス液供給系40から純水リンス液が処理液供給管40の処理液供給路40b内に供給される。リンス液は処理液供給管40の処理液供給路40bからウエハWの裏面W2に向って供給され、ウエハWに対するリンス処理が行なわれるSTEP7。この間、制御部3は保持プレート30およびリフトピンプレート20を回動させ、ウエハWは連続的に回転している。ウエハWのリンス処理が終了したら、ウエハWを更に回転させることによりウエハWの乾燥処理を行う。その後、昇降駆動部50が処理液供給管40を下方位置から上方位置まで移動させる。この際に、各第2の連動部材46が各接続部材24を上方に押し上げることにより、処理液供給管40の上方への移動に連動してリフトピンプレート20も上方に移動し、リフトピンプレート20が下方位置から上方位置まで移動する図8のSTEP8参照。また、この際に、基板支持部31に対するバネ部材の付勢力により、基板支持部31は軸を中心として図3の時計回りの方向に回転する。このことにより、基板支持部31はウエハWから側方に離間することとなる。基板支持部31がウエハWから側方に離間することにより、このウエハWはリフトピン22により裏面から支持されるようになる。図3に示すようにリフトピンプレート20および処理液供給管40が上方位置に到達した後、リフトピン22上に載置されたウエハWは搬送アーム104により当該リフトピン22から取り出される図8のSTEP9参照。搬送アーム104により取り出されたウエハWは基板反り除去装置10の外部に搬送される。このようにして、一連のウエハWに対する基板反り除去処理が完了する。その後、ウエハWはレジストパターン形成装置1内において、次工程のレジストパターンが形成される。このように本実施の形態によれば、レジストパターン形成装置1の最上流に設けられた基板反り除去装置10において、ウエハWに生じる反りを予め除去することができるので、その後のレジストパターン形成処理露光処理、熱処理、冷却処理等を精度良く行なうことができる。またウエハWの裏面W2に形成された薄膜F2を裏面W2にエッチング液を供給して取除くことにより反りを除去するとともに、第1レーザ変位計4および第2レーザ変位計5からの信号により制御部3がウエハWの反りを確認し、ウエハWの反りがなくなったと判断した場合にエッチング液の供給を停止するので、より簡単かつ確実にウエハWの反りを精度良く除去することができる。なお、上記実施の形態において、ウエハWに上方に向って凸となる反りが発生した場合について説明したが、これに限らずウエハWに上方に向って凹となる反りが発生した場合にも適用することができる。また上記実施の形態において、基板反り除去装置10をレジストパターン形成装置1内に組込んだ例を示したが、レジストパターン形成装置1の上流側にレジストパターン形成装置1から独立して基板反り除去装置10を設置してもよい。また薄膜除去部として、エッチング液を供給する処理液供給管40を設けた例を示したが、これに限らず薄膜除去部としてウエハWの裏面W1に形成された薄膜F2を除去するためにCMPChemicalMechanicalPolishingを施すCMP装置を用いてもよい。"