基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するEUV露光用の反射型マスクブランクスであって、前記基板の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークが形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクス。基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を少なくとも有するEUV露光用の反射型マスクであって、前記基板の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークが形成されていることを特徴とする反射型マスク。前記吸収体パターンが、前記反射層における欠陥を覆う位置に配設されていることを特徴とする請求項2に記載の反射型マスク。基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するEUV露光用の反射型マスクブランクスの製造方法であって、順に、前記基板の主面に、アライメントマークのエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板をドライエッチングする工程と、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板をウェットエッチングする工程と、前記エッチングマスクパターンを除去する工程と、前記アライメントマークを形成した前記基板の主面の上に、前記反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、前記吸収層を形成する工程と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法。前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記アライメントマークを用いて前記反射層における欠陥の位置を検出する検査を行う工程を有することを特徴とする請求項4に記載の反射型マスクブランクスの製造方法。請求項4~5のいずれかに記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造された反射型マスクブランクスを用いて、前記吸収層をパターン状に加工して吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。請求項5に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造された反射型マスクブランクスを用いて、前記アライメントマークを検出するアライメント描画によって、前記検査により検出した前記反射層における欠陥を覆うレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることによって、前記吸収層をパターン状に加工して吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有し、前記基板の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークが形成されている反射型マスクブランクスの検査方法であって、前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記アライメントマークを用いて前記反射層における欠陥の位置を検出する検査を行うことを特徴とする反射型マスクブランクスの検査方法。しかしながら、例えば、図9aに示すように、上記の凹形状のアライメントマーク105は、基板102をドライエッチングすることにより、側壁151が概ね直立した形状に形成されるため、前記アライメントマーク105の底部152は、基板102の表面主面に対して概ね平行な平坦面になる。そして、前記側壁151と前記底部152とが交わるコーナー部153の断面形状は、側壁151と底面152とが概ね直角に交わる形状になる。それゆえ、前記アライメントマーク105においては、図9bに示すように、前記コーナー部153に異物160が滞留し易く、さらに、前記コーナー部153に滞留した異物160は、前記アライメントマーク105基準点マーク形成後の各工程において流出し、基板102および基板102上に形成された各層を汚染し易いことになる。なお、前記異物160は、例えば、レジストの剥離残渣や、各材料のエッチング残渣と考えられ、薬液による洗浄工程後のリンス工程およびスピン乾燥工程において、前記アライメントマーク105から流出して基板表面等に再付着するものと考えられる。つまり、上述のような位相欠陥によるパターン転写への影響を回避する目的で、前記アライメントマーク105を設けた反射型マスクブランクス100Aにおいては、アライメントマーク105自体が発塵源となってしまい、前記アライメントマーク105を形成しない反射型マスクブランクス100に比べて、むしろ、位相欠陥が増えてしまうという問題があった。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することである。本発明者は、種々研究した結果、前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークとすることで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。すなわち、本発明の請求項1に係る発明は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するEUV露光用の反射型マスクブランクスであって、前記基板の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークが形成されていることを特徴とする反射型マスクブランクスである。また、本発明の請求項2に係る発明は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を少なくとも有するEUV露光用の反射型マスクであって、前記基板の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークが形成されていることを特徴とする反射型マスクである。また、本発明の請求項3に係る発明は、前記吸収体パターンが、前記反射層における欠陥を覆う位置に配設されていることを特徴とする請求項2に記載の反射型マスクである。また、本発明の請求項4に係る発明は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するEUV露光用の反射型マスクブランクスの製造方法であって、順に、前記基板の主面に、アライメントマークのエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板をドライエッチングする工程と、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板をウェットエッチングする工程と、前記エッチングマスクパターンを除去する工程と、前記アライメントマークを形成した前記基板の主面の上に、前記反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、前記吸収層を形成する工程と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法である。また、本発明の請求項5に係る発明は、前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記アライメントマークを用いて前記反射層における欠陥の位置を検出する検査を行う工程を有することを特徴とする請求項4に記載の反射型マスクブランクスの製造方法である。また、本発明の請求項6に係る発明は、請求項4~5のいずれかに記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造された反射型マスクブランクスを用いて、前記吸収層をパターン状に加工して吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。また、本発明の請求項7に係る発明は、請求項5に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造された反射型マスクブランクスを用いて、前記アライメントマークを検出するアライメント描画によって、前記検査により検出した前記反射層における欠陥を覆うレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることによって、前記吸収層をパターン状に加工して吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。また、本発明の請求項8に係る発明は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有し、前記基板の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークが形成されている反射型マスクブランクスの検査方法であって、前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記アライメントマークを用いて前記反射層における欠陥の位置を検出する検査を行うことを特徴とする反射型マスクブランクスの検査方法である。本発明によれば、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止することができる。また、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。反射型マスクブランクス、および反射型マスクまず、本発明に係る反射型マスクブランクス、および反射型マスクについて説明する。図1は、本発明に係る反射型マスクブランクスの一例を示す説明図であり、aは全体の概略断面図、bはアライメントマークの断面拡大図を示す。また、図2は、本発明に係る反射型マスクの一例を示す説明図であり、aは全体の概略断面図、bは位相欠陥と吸収体パターンとの関係を示す。図1aおよび図1bに示すように、本発明に係る反射型マスクブランクス1は、基板2と、前記基板2の主面の上に形成された多層膜からなる反射層3と、前記反射層3の上に形成された吸収層4と、を少なくとも有しており、前記基板2の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分51と、丸みを有する底部52と、を有する凹型のアライメントマーク5が形成されている。また、図2aに示すように、本発明に係る反射型マスク10は、基板2と、前記基板2の主面の上に形成された多層膜からなる反射層3と、前記反射層3の上に形成された吸収体パターン4Aと、を少なくとも有しており、前記基板2の主面には、前記主面に対して垂直な側壁部分51図示せずと、丸みを有する底部52図示せずと、を有する凹型のアライメントマーク5が形成されている。すなわち、本発明に係る反射型マスク10は、本発明に係る反射型マスクブランクス1の吸収層4を部分的に除去して、マスクパターンとなる吸収体パターン4Aを形成したものである。上記のように、本発明に係る反射型マスクブランクス1、および反射型マスク10においては、基板2の主面に形成された凹型のアライメントマーク5の底部52が丸みを有するため、図1bに示すように、底部52の端部であるコーナー部53の断面形状も、滑らかな丸みを帯びた形状になる。ここで、上記の滑らかな丸みを帯びた形状とは、コーナー部53において、底部52を構成する曲面が、側壁部分51を構成する平面に対して、90度より大きく180度より小さい角度で接続されている形状をいう。このような構成を有するため、本発明に係るアライメントマーク5においては、前記コーナー部53に異物は滞留し難くなり、それゆえ、前記コーナー部53に滞留した異物によるマスク汚染も抑制することができる。したがって、本発明に係る反射型マスクブランクス1、および反射型マスク10においては、基板2に形成したアライメントマーク5が発塵源となることを防止することができ、欠陥の少ない反射型マスクブランクス、および反射型マスクとすることができる。また、本発明に係る反射型マスク10においては、マスクパターンである吸収体パターン4Aが、前記反射層3における欠陥を覆う位置に配設されていることが好ましい。図2bに示すように、反射層3における欠陥である位相欠陥7が吸収体パターン4Aに覆われている場合には、吸収体パターン3に入射したEUV光21は、吸収体パターン3に吸収されるため、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはなく、前記位相欠陥7によるパターン転写への影響を、効果的に回避することができるからである。なお、位相欠陥の無い反射層3に入射したEUV光の反射光20は、その位相が揃っていることから、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはない。ただし、吸収体パターン4Aで前記反射層3における欠陥を覆うためには、前記反射層3の欠陥検査の結果に基づいて、吸収体パターン4Aの配設位置を、位置精度良く前記欠陥の位置にシフトする必要がある。すなわち、吸収体パターン4Aを形成するためのレジストパターン形成を、位置精度良く前記欠陥の位置にシフトする必要がある。ここで、本発明に係るアライメントマーク5は、図1bに示すように、前記基板2の主面に対して垂直な側壁部分51を有するため、前記側壁部分が前記基板の主面に対して傾斜角の大きい平面から構成される場合や、前記側壁部分が滑らかな丸みを帯びた形状の曲面から構成される場合に比べて、マークエッジの形状変化が急峻となる。それゆえ、レジストパターン形成のためのアライメント描画の際のマーク検出を高精度に行うことができ、位置精度の高いアライメント描画が可能となる。したがって、本発明においては、反射層3を形成した後に、前記アライメントマーク5を用いて反射層3における欠陥の位置を検出しておき、その後、吸収層4を形成して本発明に係る反射型マスクブランクス1を製造し、次いで、検出した反射層3における欠陥を覆うように位置をシフトしたレジストパターンを、アライメントマーク5を検出するアライメント描画によって前記反射型マスクブランクス1の吸収層4の上に形成することにより、マスクパターンである吸収体パターン4Aが、前記検出した欠陥の上に、位置精度良く形成された反射型マスク10を得ることができる。そして、本発明に係る反射型マスク10をEUV露光に用いることで、前記位相欠陥によるパターン転写への影響を、効果的に回避することができる。なお、前記基板2の主面に対して垂直な側壁部分とは、上記のマーク検出を高精度に行うことができるほど、前記基板2の主面に対して急峻な角度変化を有する側壁部分を指しており、前記基板2の主面に対して、厳密に角度が90度の平面からなる側壁部分に限定されず、前記基板2の主面に対して、角度が80度~100度の範囲の平面若しくは曲面からなる側壁部分も含む。前記アライメントマーク5は、ドライエッチングとウェットエッチングの両エッチング法を用いることで形成することができる。例えば、本発明に係る反射型マスクブランクス1を構成する基板2の主面に、所望の平面形状のアライメントマークのエッチングマスクパターンを形成し、次に、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板2をドライエッチングし、続いて、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板2をウェットエッチングし、その後、前記エッチングマスクパターンを除去することで、前記主面2に対して垂直な側壁部分51と、丸みを有する底部52と、を有する凹型のアライメントマーク5を形成することができる。すなわち、前記ドライエッチングにより、前記基板2の主面に対して垂直な側壁部分51を形成することができ、その後のウェットエッチングにより、前記丸みを有する底部52を形成することができる。前記ドライエッチングには、例えば、CF4四フッ化メタンガスとHeヘリウムガスの混合ガスを用いることができ、前記ウェットエッチングには、例えば、バッファードフッ酸水溶液を用いることができる。ここで、前記アライメントマーク5は、その上に反射層3、吸収層4、および吸収体パターン形成用のレジスト層が形成された後であっても、上述のアライメント描画に際し、電子線描画装置で良好に検出される深さを有していることが必要である。一方、前記アライメントマーク5を無用に深く形成すると、異物が滞留してしまう恐れがある。それゆえ、前記アライメントマーク5の深さD1は、100nm~500nm程度であることが好ましく、ウェットエッチングで形成する底部52の深さは、前記アライメントマーク5の深さD1の1/4~1/2程度とすることが好ましい。前記アライメントマーク5の平面形状としては、欠陥検査装置や電子線描画装置でアライメントマークとして検出できるものであれば用いることができ、例えば、十字型やL字型、若しくは、矩形のマークが複数個組み合わされたものなどが挙げられるが、一般的には、十字型である。その平面サイズは、欠陥検査装置や電子線描画装置で検出可能な大きさであり、例えば、前記十字型の場合、全長が1mm~3mm程度であって、線幅すなわち、アライメントマーク5の開口幅W1が1μm~10μm程度である。また、本発明においては、前記十字型の先端の各角部の平面形状が丸みを有するものであることが、好ましい。このような平面形状であれば、アライメントマークの平面角部においても、異物は滞留し難くなり、異物によるマスク汚染をより防止することができるからである。なお、アライメントマーク5の数や配設位置については、適宜設計されれば良く、特に限定されない。次に、本発明に係る反射型マスクブランクスおよび反射型マスクを構成するその他の要素について説明する。反射層反射層3は、EUV露光に用いられるEUV光を高い反射率で反射する材料が用いられ、Moモリブデン層とSiシリコン層からなる多層膜が多用されており、例えば、2.8nm厚のMo層と4.2nm厚のSi層を各40層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ru/Si、Mo/Be、Mo化合物/Si化合物、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜およびSi/Ru/Mo/Ru周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。Mo層とSi層からなる多層膜の場合、イオンビームスパッタ法により、まずSiターゲットを用いてSi層を成膜し、その後、Moターゲットを用いてMo層を成膜し、これを1周期として、30~60周期、好ましくは40周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。上記のように、EUV光を高い反射率で反射させるために、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で入射したときの反射層3の反射率は、通常、60以上を示すように設定されている。キャッピング層反射層3の反射率を高めるには屈折率の大きいMo層を最上層とするのが好ましいが、Moは大気で酸化され易く、反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として、最上層を厚めのSi層としたり、最上層にスパッタリング法などによりRuルテニウム層を成膜して、キャッピング層とすることが行われている。例えば、キャッピング層としてSiを用いる場合は、反射層3の最上層に11nmの厚さで設けられ、キャッピング層としてRuを用いる場合は、反射層3の最上層に2.5nmの厚さで設けられる。バッファ層EUV光を吸収する吸収層4をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の反射層3に損傷を与えるのを防止するために、反射層3と吸収層4との間にバッファ層が設けられる場合がある。バッファ層の材料としてはSiO2、Al2O3、Cr、CrNなどが用いられる。CrNを用いる場合は、RFマグネトロンスパッタ法によりCrターゲットを用いてN2ガス雰囲気下で、上記の反射層の上にCrN膜を5nm~15nm程度の膜厚で成膜するのが好ましい。吸収層EUV光を吸収する吸収層4の材料としては、Ta、TaO、TaB、TaN、TaBNなどのTaを主成分とする材料や、Cr、Crを主成分としN、O、Cから選ばれる少なくとも1つの成分を含有する材料などが用いられる。吸収層4の膜厚としては、20nm~100nm程度の範囲の膜厚が用いられる。ハードマスク層吸収層4の上には、吸収層のエッチングマスクとしてハードマスク層を設けても良い。ハードマスク層の材料としては、吸収層4のエッチングに耐性をもつものであって、反射型マスクの転写パターンに応じた微細加工に適したものを用いる必要がある。例えば、クロムCr、ジルコニウムZr、ハフニュウムHfおよびその窒化物、酸化物などである。また、ハードマスク層の材料は、バッファ層と同一の材料であることが好ましい。この場合、吸収層4のエッチングの後に、ハードマスク層の除去とバッファ層の除去とを同一工程で除去できる。ハードマスク層の厚さは、その材料のエッチング耐性や転写パターンのサイズに応じた加工精度にもよるが、例えば5nm~15nmである。具体例として、例えば、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、Crをスパッタ成膜することで、CrNからなるハードマスク層を設けることができる。導電層基板2における反射層3が設けられた主面とは反対側の面裏面の上には、導電層が形成されていてもよい。この導電層は、反射型マスクの裏面を静電吸着するために設けられるものである。この導電層は、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜であって、例えば、クロムCrや窒化クロムCrNなどを、厚さ20nm~150nm程度に成膜して用いられる。反射型マスクブランクスの製造方法次に、本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法について説明する。本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法は、基板と、前記基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を少なくとも有するEUV露光用の反射型マスクブランクスの製造方法であって、順に、前記基板の主面に、アライメントマークのエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板をドライエッチングする工程と、前記エッチングマスクパターンから露出する前記基板をウェットエッチングする工程と、前記エッチングマスクパターンを除去する工程と、前記アライメントマークを形成した前記基板の主面の上に、前記反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、前記吸収層を形成する工程と、を有するものである。図3および図4は、本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法の一例を示す模式的工程図である。本発明に係る反射型マスクブランクス1を製造するには、まず、図3aに示すように、表面研磨された基板2を用意し、その主面の上にCrクロム等からなるエッチングマスク層60を形成し図3b、さらにその上にレジスト層70を形成する図3c。次に、電子線描画および現像により、アライメントマーク5に応じたレジストパターン70Aを形成し図3d、次いで、このレジストパターン70Aをマスクに用いてエッチングマスク層60をエッチングして、エッチングマスクパターン60Aを形成し図3e、その後、レジストパターン70Aを剥離除去する図3f。上記のエッチングマスク層60のエッチングは、ドライエッチングであってもよく、ウェットエッチングであってもよい。例えば、ドライエッチングの場合には、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることができ、ウェットエッチングの場合には、硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液を用いることができる。次に、図4gに示すように、エッチングマスクパターン60Aをマスクに用いて基板2をドライエッチングし、続いて、エッチングマスクパターン60Aをマスクに用いて基板2をウェットエッチングし図4h、その後、エッチングマスクパターン60Aを剥離除去して、前記基板2の主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマーク5を形成する図4i。上記の基板2のドライエッチングには、例えば、CF4ガスとHeガスの混合ガスを用いることができ、ウェットエッチングには、例えば、バッファードフッ酸水溶液を用いることができる。本発明においては、上記のドライエッチングにより、アライメントマーク5の側壁部分51を垂直に形成し、上記のウェットエッチングにより、アライメントマーク5の底部52に丸みを与える。なお、上記のウェットエッチングは等方性エッチングであるため、アライメントマーク5の底部のみならず側壁部分もエッチングされて、厳密には、アライメントマーク5の開口幅図1bに示すW1は、前記エッチングマスクパターン60Aの開口幅よりも大きくなるが、その寸法変化によってマーク検出の精度が低下することはない。また、上記の側壁部分のウェットエッチングは等方性エッチングであるが、元々の側壁が前記基板2の主面に対して垂直である場合には、その垂直性を保ったまま水平方向にエッチングが進行するため、アライメント描画の際のマーク検出精度を低下させることにはならない。なお、上記のドライエッチングが理想的な異方性を示しすなわち、垂直方向のみにエッチングが進行し、ウェットエッチングが理想的な等方性を示す場合、前記ウェットエッチングによる側壁の後退量すなわち、側壁の水平方向のエッチング量は、底部52の端部であるコーナー部53の断面形状の曲率半径と同じになる。次に、図4jに示すように、前記アライメントマーク5を形成した基板2の主面の上に、多層膜からなる反射層3を形成し、次いで、前記反射層3の上に、前記吸収層4を形成して、本発明に係る反射型マスクブランクス1を得る図4k。なお、本発明においては、前記反射層3を形成する工程図4jと、前記吸収層4を形成する工程図4kと、の間に、前記アライメントマーク5を用いて反射層3における欠陥の位置を検出する検査を行うことが好ましい。その理由は、吸収層4を形成した後から反射層3の欠陥を検査することは困難であること、および、本発明に係る反射型マスクブランクス1を用いて本発明に係る反射型マスク10を製造する際に、前記検査により検出した前記反射層3の欠陥を、吸収体パターン4Aで覆うための位置情報を得るためである。なお、反射層3の上にキャッピング層を形成する場合には、キャッピング層を形成した後に、前記欠陥検査を行うことが一般的である。反射層の酸化を防ぐとともに、成膜工程と検査工程を何度も往復することによる異物混入の危険を回避するためである。以上説明したように、上記の本発明の反射型マスクブランクスの製造方法によれば、基板の主面に対して垂直な側壁部分と、丸みを有する底部と、を有する凹型のアライメントマークが形成されている本発明に係る反射型マスクブランクスを得ることができる。そして、本発明に係る反射型マスクブランクスにおいては、基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止することができ、欠陥の少ない反射型マスクブランクスとすることができる。また、本発明に係る反射型マスクブランクスを用いて、反射型マスクを製造する場合、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。反射型マスクの製造方法次に、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明する。本発明に係る反射型マスクは、本発明に係る反射型マスクブランクスを用いて、前記吸収層をパターン状に加工して吸収体パターンを形成することにより製造することができる。図5は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。本発明に係る反射型マスク10を製造するには、まず、図5aに示すように、本発明に係る反射型マスクブランクス1を用意し、その吸収層4の上にレジスト層71を形成し図5b、電子線描画および現像により、所望の吸収体パターン4Aに応じたレジストパターン71Aを形成する図5c。次いで、このレジストパターン71Aをマスクに用いて吸収層4をエッチングして、吸収体パターン4Aを形成し図5d、その後、レジストパターン71Aを剥離除去して、本発明に係る反射型マスク10を得る図5e。上記の吸収層4のエッチングは、微細加工を要するため、通常、ドライエッチングであり、例えば、吸収層にTaNを用いる場合には、塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。ここで、本発明においては、前記アライメントマーク5を検出するアライメント描画によって、前記検査により検出した前記反射層3における欠陥を覆うレジストパターン71Aを形成し、前記レジストパターン71Aから露出する前記吸収層4をエッチングすることによって、前記吸収層4をパターン状に加工してマスクパターンである吸収体パターン4Aを形成することが好ましい。上述のように、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができるからである。反射型マスクブランクスの検査方法次に、本発明に係る反射型マスクブランクスの検査方法について説明する。本発明に係る反射型マスクブランクスの検査方法は、上述の本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法における前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記アライメントマークを用いて前記反射層における欠陥の位置を検出する検査を行うものである。上記の反射層における欠陥の位置を検出する検査には、従来のフォトマスクの欠陥検査で用いられてきたUV光波長488nm~193nmを用いる検査方法や、EUV光を用いる検査方法を用いることができる。例えば、UV光を用いる検査の場合は、前記反射層の表面に、UV光を使用したレーザ光を走査し、表面の凹凸に起因するレーザ光の散乱を光検出器で検知することにより、反射層の欠陥位置を検出することができる。以上、本発明に係る反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。比較例1まず、比較例として、上記のようなアライメントマークを設けない、従来の反射型マスクブランクスを製造した。基板として、光学研磨された大きさ6インチ角厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、その主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Siターゲットを用いてSi膜を4.2nm成膜し、続いてMoターゲットを用いてMo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層してMoとSiの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のMo膜の上に、Ru膜を2.5nm成膜してキャッピング層を形成した。その後、前記反射層における欠陥を検出する検査を行った。検査には、UV光波長488nmを用いるレーザーテック社製のフォトマスク用ブランク検査機M3350を用いた。ただし、アライメントマークが無いため、この検査における欠陥位置は相対的な位置情報である。次に、上記のRu膜の上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、吸収層としてTaN膜を70nmの厚さで形成し、比較例1の反射型マスクブランクスを得た。実施例1次に、実施例として、上記のようなアライメントマークを有する本発明の反射型マスクブランクス、および、反射型マスクを製造した。基板2として、光学研磨された大きさ6インチ角厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、その主面の上に、Crを10nmの厚さにスパッタ成膜してエッチングマスク層60を形成し、次いで、電子線描画を用いたレジスト製版、および、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、十字型のマークパターンが開口しているエッチングマスクパターン60Aを形成した。ここで、前記十字型のマークパターンの全長は2mm、線幅は2μmとした。次に、前記エッチングマスクパターン60Aをマスクに用いて基板2をドライエッチングし、続いて、エッチングマスクパターン60Aをマスクに用いて基板2をウェットエッチングし、その後、エッチングマスクパターン60Aを剥離除去して、前記基板2の主面に対して垂直な側壁部分51と、丸みを有する底部52と、を有する凹型のアライメントマーク5を形成した。ここで、上記の基板2のドライエッチングには、CF4ガスとHeガスの混合ガスを用い、ウェットエッチングには、バッファードフッ酸水溶液を用いた。上記のアライメントマーク5の深さは概ね300nmであり、垂直な側壁部分51の深さは概ね200nmであり、底部52の端部のコーナー部53の断面形状の曲率半径は、概ね100nmであった。次に、上記のアライメントマーク5を形成した基板2の主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Siターゲットを用いてSi膜を4.2nm成膜し、続いてMoターゲットを用いてMo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層してMoとSiの多層膜よりなる反射層3を形成した後、最表面のMo膜の上に、Ru膜を2.5nm成膜してキャッピング層を形成した。その後、前記アライメントマーク5を用いて反射層3における欠陥の位置を検出する検査を行った。検査には、UV光波長488nmを用いるレーザーテック社製のフォトマスク用ブランク検査機M3350を用いた。上記の欠陥検査の結果を比較したところ、実施例1と比較例1とで、検出された欠陥のサイズおよび数は同程度であった。次に、上記のRu膜の上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、まずTaN膜を60nmの厚さで形成し、その上に、Arと酸素の混合ガス雰囲気下で、TaO膜を10nmの厚さで形成して吸収層4とし、本発明に係る反射型マスクブランクス1を得た。ここで、上記のTaO膜は、DUVDeepUltraviolet、遠紫外光によるマスクパターン検査時に、高コントラストなパターンイメージを得るためのDUV用低反射膜を兼ねている。次に、上記の反射型マスクブランクス1を用い、TaO膜およびTaN膜からなる吸収層4の上にレジスト層71を形成し、アライメントマーク5を用いて電子線描画装置でアライメント描画して、前記検査により検出した前記反射層3における欠陥をマスクパターンで覆うようにレジストパターン71Aを形成した。次いで、前記吸収層4のうち、上層のTaO膜をCF4ガスでドライエッチングし、次いで、下層のTaN膜を塩素ガスでドライエッチングして、Ruからなるキャッピング層を露出させ、吸収体パターン4Aを形成した。その後、レジストパターン71Aを剥離除去して、本発明に係る反射型マスク10を得た。その後、再び欠陥検査を行った。検査には、DUV光波長193nmを用いるKLA-Tencor社製のマスク検査機Teron617を用いた。上記の欠陥検査の結果、吸収層形成前の検査で検出された欠陥は全て吸収体パターンで覆われており、露出する反射層厳密には、最上層にRu膜を備えた反射層において、欠陥は検出されなかった。上述のように、本発明によれば、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが、発塵源となることを防止することができる。また、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。