"P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1電極と、前記PN半導体層の前記第1面と反対方向を向く第2面にショットキー接合したショットキー接合層と、前記ショットキー接合層と接するように形成された第2電極と、前記ショットキー接合層と前記PN半導体層との間に配置され、絶縁性を有する物質で形成される再結合防止層と、を含む太陽電池。前記再結合防止層は0.1nm~10nmの厚さを有する請求項1に記載の太陽電池。前記N型半導体層は、前記再結合防止層と接するように配置される請求項1に記載の太陽電池。前記ショットキー接合層は、前記N型半導体層よりもさらに大きい仕事関数を有する請求項3に記載の太陽電池。前記P型半導体層は、前記再結合防止層と接するように配置される請求項1に記載の太陽電池。前記ショットキー接合層は、前記P型半導体層よりもさらに小さい仕事関数を有する請求項5に記載の太陽電池。前記ショットキー接合層は金属で形成される請求項1に記載の太陽電池。前記ショットキー接合層は、金属、ITO、ATO、IZO、AZOからなる群より選択されたいずれか1つ以上の物質で形成される請求項1に記載の太陽電池。前記PN半導体層はウエハで形成される請求項1に記載の太陽電池。前記PN半導体層は有機物質で形成される請求項1に記載の太陽電池。前記ショットキー接合層上には反射防止膜が付着する請求項1に記載の太陽電池。前記反射防止膜はSiOxまたはSiNで形成される請求項11に記載の太陽電池。前記反射防止膜は0.1nm~100nmの厚さを有する請求項11に記載の太陽電池。前記第1電極には光透過性基板が接するように配置され、前記PN半導体層は、P型半導体層とN型半導体層および前記P型半導体層と前記N型半導体層の間に配置されたIIntrinsic型半導体層を有する薄膜形態で形成される請求項1に記載の太陽電池。P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1電極と、前記PN半導体層の前記第1面と反対方向を向く第2面にショットキー接合したショットキー接合層と、前記PN半導体層の前記第2面にオーミック接合し、前記ショットキー接合層と並んで配置されたオーミック金属層と、前記ショットキー接合層上に形成された第1前面電極と、前記オーミック金属層上に形成された第2前面電極と、前記第2前面電極と前記第1電極とを電気的に連結する第1配線と、前記第1前面電極と前記第1電極とを電気的に連結する第2配線と、を含む、太陽電池。P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1オーミック金属層と、前記PN半導体の前記第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層と、前記PN半導体層の第1面と反対方向を向く第2面にオーミック接合した第2オーミック金属層と、前記PN半導体層の前記第2面にショットキー接合した第2ショットキー接合層と、前記第1ショットキー接合層上に形成された第1前面電極と、前記第1オーミック金属層上に形成された第2前面電極と、前記第1前面電極と前記第2前面電極とを電気的に連結する第1配線と、前記第1前面電極と前記第2オーミック金属層とを電気的に連結する第2配線と、を含む太陽電池。前記第1ショットキー接合層は前記第2オーミック金属層と上下方向に対応する位置に配置され、前記第1オーミック金属層は前記第2ショットキー接合層と上下方向に対応する位置に配置され、第2ショットキー接合層と第2オーミック金属層とが当接するように配置される請求項16に記載の太陽電池。P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1オーミック金属層と、前記PN半導体の前記第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層と、前記PN半導体層の第1面と反対方向を向く第2面にオーミック接合した第2オーミック金属層と、前記PN半導体層の前記第2面にショットキー接合した第2ショットキー接合層と、前記第1ショットキー接合層上に形成された第1前面電極と、前記第1オーミック金属層上に形成された第2前面電極と、前記第1前面電極と前記第2ショットキー接合層とを電気的に連結する第1配線と、前記第2前面電極と前記第2オーミック金属層とを電気的に連結する第2配線と、を含む太陽電池。前記第1ショットキー接合層は前記第2オーミック金属層と上下方向に対応する位置に配置され、前記第1オーミック金属層は前記第2ショットキー接合層と上下方向に対応する位置に配置され、第2ショットキー接合層と第2オーミック金属層とが離隔配置される請求項18に記載の太陽電池。光透過性基板と、前記光透過性基板上に形成され、P型半導体層とN型半導体層とを含むPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層と、前記PN半導体層の前記第1面と反対方向を向く第2面にショットキー接合し、前記光透過性基板と前記PN半導体層の間に配置された第2ショットキー接合層と、前記第1ショットキー接合層上に形成された電極と、前記第1ショットキー接合層と前記PN半導体層との間に配置され、絶縁性を有する物質で形成される第1再結合防止層と、前記第2ショットキー接合層と前記PN半導体層との間に配置され、絶縁性を有する物質で形成される第2再結合防止層と、を含む太陽電池。前記第1ショットキー接合層は、前記N型半導体層よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成され、前記N型半導体層にショットキー接合し、前記第2ショットキー接合層は、前記P型半導体層よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成され、前記P型半導体層にショットキー接合する請求項20に記載の太陽電池。前記第1ショットキー接合層は、前記P型半導体層よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成され、前記P型半導体層にショットキー接合し、前記第2ショットキー接合層は、前記N型半導体層よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成され、前記N型半導体層にショットキー接合する請求項20に記載の太陽電池。P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層を準備するPN半導体層準備段階と、前記PN半導体層上に絶縁性を有する再結合防止層を形成する再結合防止層形成段階と、前記PN半導体層にショットキー接合した金属層を形成するショットキー接合層形成段階と、前記ショットキー接合層上に導電性を有する前面電極を形成する前面電極形成段階と、を含む、太陽電池の製造方法。前記PN半導体層形成段階は、ウエハをドーピングしてN型半導体層を形成するウエハドーピング段階と、PN半導体層の背面に第1電極を形成する第1電極形成段階と、を含む請求項23に記載の太陽電池の製造方法。PN半導体層準備段階は、N型半導体層のフェルミ準位を増加させるフェルミ準位調節段階をさらに含む請求項23に記載の太陽電池の製造方法。本発明は、効率性が向上したPN接合およびショットキー接合を有する多重太陽電池を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る太陽電池は、P型半導体層とN型半導体層とが積層配置されたPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1電極と、前記PN半導体層の前記第1面と反対方向を向く第2面にショットキー接合したショットキー接合層と、前記ショットキー接合層と接するように形成された第2電極と、前記ショットキー接合層と前記PN半導体層との間には絶縁性を有する物質として再結合防止層と、を含む。前記再結合防止層は、0.1nm~10nmの厚さを有するように形成されてもよい。また、前記N型半導体層が前記再結合防止層と接するように配置されてもよく、前記ショットキー接合層は前記N型半導体層よりもさらに大きい仕事関数を有するように形成されてもよい。前記P型半導体層が前記再結合防止層と接するように配置されてもよく、前記ショットキー接合層は前記P型半導体層よりもさらに小さい仕事関数を有するように形成されてもよい。前記PN半導体層はウエハ形態で形成されてもよく、ウエハはシリコンまたはGaAsで形成されてもよい。また、前記PN半導体層は有機物質で形成されてもよい。前記ショットキー接合層上には反射防止膜が付着してもよく、前記反射防止膜はSiOxまたはSiNで形成されてもよい。また、前記反射防止膜は、0.1nm~100nmの厚さを有するように形成されてもよい。前記第1電極には光透過性基板が接するように配置され、前記PN半導体層は、P型半導体層とN型半導体層および前記P型半導体層と前記N型半導体層の間に配置されたIIntrinsic型半導体層を有する薄膜形態で形成されてもよい。本発明の他の側面に係る太陽電池は、P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1電極と、前記PN半導体層の前記第1面と反対方向を向く第2面にショットキー接合したショットキー接合層と、前記PN半導体層の前記第2面にオーミック接合し、前記ショットキー接合層と並んで配置されたオーミック金属層と、前記ショットキー接合層上に形成された第1前面電極と、前記オーミック金属層上に形成された第2前面電極と、前記第2前面電極と前記第1電極とを電気的に連結する第1配線と、前記第1前面電極と前記第1電極とを電気的に連結する第2配線と、を含む。本発明の他の側面に係る太陽電池は、P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1オーミック金属層と、前記PN半導体層の前記第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層と、前記PN半導体層の第1面と反対方向を向く第2面にオーミック接合した第2オーミック金属層と、前記PN半導体層の前記第2面にショットキー接合した第2ショットキー接合層と、前記第1ショットキー接合層上に形成された第1前面電極と、前記第1オーミック金属層上に形成された第2前面電極と、前記第1前面電極と前記第2前面電極とを電気的に連結する第1配線と、前記第1前面電極と前記第2オーミック金属層とを電気的に連結する第2配線と、を含む。ここで、前記第1ショットキー接合層は前記第2オーミック金属層と上下方向に対応する位置に配置され、前記第1オーミック金属層は前記第2ショットキー接合層と上下方向に対応する位置に配置され、第2ショットキー接合層と第2オーミック金属層が当接するように配置されてもよい。本発明の他の側面に係る太陽電池は、P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にオーミック接合した第1オーミック金属層と、前記PN半導体の前記第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層と、前記PN半導体層の第1面と反対方向を向く第2面にオーミック接合した第2オーミック金属層と、前記PN半導体層の前記第2面にショットキー接合した第2ショットキー接合層と、前記第1ショットキー接合層上に形成された第1前面電極と、前記第1オーミック金属層上に形成された第2前面電極と、前記第1前面電極と前記第2ショットキー接合層とを電気的に連結する第1配線と、前記第2前面電極と前記第2オーミック金属層とを電気的に連結する第2配線と、を含む。ここで、前記第1ショットキー接合層は前記第2オーミック金属層と上下方向に対応する位置に配置され、前記第1オーミック金属層は前記第2ショットキー接合層と上下方向に対応する位置に配置され、第2ショットキー接合層と第2オーミック金属層が離隔配置されてもよい。本発明の他の側面に係る太陽電池は、光透過性基板と、前記光透過性基板上に形成され、P型半導体層とN型半導体層および前記P型半導体層と前記N型半導体層との間に配置されたIIntrinsic型半導体層を有するPN半導体層と、前記PN半導体層の第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層と、前記PN半導体層の前記第1面と反対方向を向く第2面にショットキー接合し、前記光透過性基板と前記PN半導体層との間に配置された第2ショットキー接合層と、前記第1ショットキー接合層上に形成された電極と、前記第1ショットキー接合層と前記PN半導体層との間に配置されて絶縁性を有する物質で形成される第1再結合防止層と、前記第2ショットキー接合層と前記PN半導体層との間に配置され、絶縁性を有する物質で形成される第2再結合防止層と、を含む。前記第1ショットキー接合層は前記N型半導体層よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成され、前記N型半導体層にショットキー接合し、前記第2ショットキー接合層は前記P型半導体層よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成され、前記P型半導体層にショットキー接合し、前記第1ショットキー接合層は前記P型半導体層よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成され、前記P型半導体層にショットキー接合し、前記第2ショットキー接合層は前記N型半導体層よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成され、前記N型半導体層にショットキー接合してもよい。前記太陽電池は、前記第1ショットキー接合層と前記PN半導体層との間に配置され、絶縁性を有する物質で形成される第1再結合防止層と、前記第2ショットキー接合層と前記PN半導体層との間に配置され、絶縁性を有する物質で形成される第2再結合防止層をさらに含んでもよい。本発明の一実施形態に係る太陽電池の製造方法は、P型半導体層とN型半導体層とを有するPN半導体層を準備するPN半導体層準備段階と、前記PN半導体層上に絶縁性を有する再結合防止層を形成する再結合防止層形成段階と、前記PN半導体層にショットキー接合した金属層を形成するショットキー接合層形成段階と、前記ショットキー接合層上に導電性を有する前面電極を形成する前面電極形成段階と、を含む。前記PN半導体層形成段階は、ウエハをドーピングしてN型半導体層を形成するウエハドーピング段階と、PN半導体層の背面に第1電極を形成する第1電極形成段階を含んでもよく、PN半導体層準備段階は、N型半導体層のフェルミ準位を増加させるフェルミ準位調節段階をさらに含んでもよい。本発明に係る太陽電池は、PN接合半導体層とショットキー接合層が直列に連結した2つの太陽電池を形成するため、光を電気に変換するため光電効率が向上する。また、2つの空乏領域が形成されるため、開放回路電圧OCVが向上する。さらに、PN接合半導体層の両面にショットキー接合層を形成することにより、3つの太陽電池が直列に連結した効果を有する。これにより、直列に連結した太陽電池を容易に製作できるだけでなく、太陽電池の光効率および開放回路電圧が向上する。本発明において~上にとは、対象部材の上または下に位置することを意味するものであり、必ずしも重力方向を基準として上部に位置することを意味するものではない。また、本記載においてPN接合とは、P型半導体とN型半導体とが接合した構造を意味するものであり、P型半導体とN型半導体との間にI型半導体が介在したPIN接合を含む広い意味のPN接合として定義する。以下、添付の図面を参照しながら、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように、本発明の実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明は多様に相違した形態で実現されることができ、以下で説明する実施形態に限定されることはない。なお、図面において、本発明を明確に説明するために説明上で不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似する構成要素については同一する参照符号を付与する。図1は、本発明の第1実施形態に係る太陽電池を示す断面図である。図1を参照しながら説明すれば、本実施形態に係る太陽電池は、PN半導体層13と、PN半導体層13の第1面に接するように配置された第1電極11と、PN半導体層13の第1面と反対方向を向く第2面に接するように配置されたショットキー接合層15と、ショットキー接合層15とPN半導体層13との間に形成された再結合防止層14と、ショットキー接合層15と接するように形成された第2電極12を含む。PN半導体層13はウエハ形態で形成され、P型半導体層131とN型半導体層132と、を含む。PN半導体層13は結晶形シリコンで形成され、P型の性質を有する結晶質シリコンにN型物質をドーピングしてPN半導体層13を得てもよい。また、ウエハは、シリコンの他にGaAsで形成されてもよい。本発明がこれに制限されることはなく、PN半導体層は有機物質で形成されてもよいが、このとき、PN半導体層は、PPV,P3HT,P3OTなどのN型物質Electrondonorと、C60,PCBCR,PCBCaなどのP型物質Electronacceptorとが適用されてもよい。PN半導体層13の背面には、オーミック接合によって結合した第1電極11が形成される。第1電極11はPN半導体層13の背面に全体的に形成され、アルミニウムなどの金属素材で形成されてもよい。PN半導体層13において、背面側にはP型半導体層131が配置され、前面側にはN型半導体層132が配置される。一方、PN半導体層13の前面には再結合防止層14が形成される。再結合防止層14は、絶縁性を有するOxide、SiOx、SiNxなどを含む物質で形成されてもよい。再結合防止層14は0.1nm~10nmの厚さで形成され、光によって発生したキャリアが再結合することを防ぐことによって電圧特性を向上させる。再結合防止層14の厚さが0.1nmよりもさらに小さく形成されれば、励起した電子が正孔と再結合するという問題が発生し、再結合防止層14の厚さが10nmよりもさらに大きく形成されれば、抵抗が過度に増加するという問題が発生する。本実施例では、光効率の向上のためにPN半導体層13とショットキー接合層15との間に再結合防止層14が形成されたものを例示しているが、本発明がこれに制限されることはなく、ショットキー接合層15がPN半導体層13と直接接触するように形成されてもよい。再結合防止層14上には、PN半導体層13とショットキー接合したショットキー接合層15が形成される。ショットキー接合層15はN型半導体層132と対向するように配置され、N型半導体層132よりもさらに大きい仕事関数を有する物質で形成される。ショットキー接合層15の素材は特定の金属に制限されることはなく、N型半導体層132よりもさらに大きい仕事関数を有すれば、多様な種類の金属が適用されてもよい。また、ショットキー接合層15は、金属、ITO、ATO、IZO、AZOなどを含む物質で形成されてもよい。ショットキー接合層15にITO、ATO、IZO、AZOなどを混合すれば、電気伝導性を低下させずにショットキー接合層15の光透過性が向上する。ショットキー接合層15の厚さは1nm~20nmで形成されてもよい。ショットキー接合層15の厚さが1nmよりもさらに小さければ、空乏層が適切に形成されないという問題が発生することがあり、ショットキー接合層15の厚さが20nmよりもさらに大きければ、光の透過効率が著しく低下するという問題が発生する。ショットキー接合層15上には反射防止膜16が形成されるが、反射防止膜16はショットキー接合層15と第2電極12との間に配置される。反射防止膜16はSiOx、SiNで形成されてもよく、厚さは0.1nm~100nmで形成されてもよい。再結合防止層14とショットキー接合層15とは、光透過性を有するように十分に小さい厚さで形成される。再結合防止層14とショットキー接合層15との光透過性は大きいほど有利であるが、少なくとも50以上の光を透過させることができるように形成される。図1および図2に示すように、ショットキー接合層15上には第2電極12が形成されるが、第2電極12は一方向に長く繋がった帯形状で形成される。第2電極は、銀Agや白金Ptなどの電気伝導性に優れた金属で形成される。第2電極12は第1電極11と反対方向を向く面に配置され、第1電極11を背面電極、第2電極12を前面電極として定義してもよい。第2電極12は複数が離隔配置され、それぞれの第2電極12には第2電極12を電気的に連結するバスバー17が形成される。第2電極12およびバスバー17は、抵抗が低くて電気伝導度が優れたCuやAgなどで形成されてもよい。図3を参照しながら、第1実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。本実施形態に係る太陽電池101の製造方法は、PN半導体層13準備段階S101と、再結合防止層14形成段階S102と、ショットキー接合層15形成段階S103と、第2電極12形成段階S104と、を含む。PN半導体層13準備段階S101は、ウエハをドーピングしてP型半導体層131上にN型半導体層132を形成するウエハドーピング段階と、ウエハの背面に第1電極11を形成する第1電極11形成段階と、をさらに含んでもよい。ウエハは太陽電池に常用される結晶質シリコンで形成されてもよく、ウエハの製作方法は広く知られているため、これについての詳しい説明は省略する。ウエハドーピング段階は、リンPやアセナイドAsなどの5族物質をドーピングして形成してもよい。第1電極11形成段階は、アルミニウムなどの金属を蒸着やコーティングなどの方法によってウエハの背面に第1電極11を形成する。PN半導体層13準備段階S101は、N型半導体層132のフェルミ準位を増加させるフェルミ準位調節段階をさらに含んでもよい。フェルミ準位調節段階は、N型半導体層132を形成した後、アンモニアNH3や酸素などのガスを利用してN型半導体層132のフェルミ準位を増加させてもよい。また、フェルミ準位の調節方法は、カリウムKやブロムBrなどの機能分子と反応および熱処理する方式、ポリマーPEI物質との連結チェーンを利用する方式、およびアルミニウムなどのような金属をドーピングする方法などが適用されてもよい。一方、再結合防止層14形成段階S102では、N型半導体層132にOxide、SiOx、SiNxなどの物質を蒸着などの方法によって形成する。ショットキー接合層15形成段階S103では、再結合防止層14上にショットキー接合層15を蒸着、スパッタリング、コーティングなどの方法によって形成する。ショットキー接合層15は、金属、ITO、ATO、IZO、AZOなどを含む物質で形成されてもよい。第2電極12形成段階S104は、蒸着やコーティングなどの方法によってショットキー接合層15上に第2電極12を形成する。第2電極は、銀Agや白金Ptなどの電気伝導性に優れた金属で形成されてもよい。図4aおよび図4bを参照しながら、第1実施形態に係る太陽電池101の作用について説明する。光が入射すれば、P型半導体層131とN型半導体層132とが接する第1空乏領域A1で光によって電子が励起し、励起した電子はN型半導体層132に移動して電圧差が発生する。また、N型半導体層132とショットキー接合層15とが接する部分には第2空乏領域A2が形成され、光が入射すれば第2空乏領域A2で自由電子が発生し、これによって電圧差が発生する。N型半導体層132に電子が蓄積されれば、トンネル効果tunneleffectによって電子が障壁を越えてショットキー接合層15に移動し、外部に引き出されるようになる。本実施形態によれば、PN半導体層13が1つの太陽電池となり、N型半導体層132とショットキー接合層15とが他の1つの太陽電池となるため、2つの太陽電池が直列に連結したものと同じ効果を有する。また、従来のウエハ形態の太陽電池上にショットキー接合層15を形成することにより、簡単に多重太陽電池を形成することができるため製作が容易であり、原価が節減される効果を得ることができる。本記載の太陽電池は、1つのショットキー接合層15を形成することによって直列に連結した太陽電池を得ることができるため、薄膜太陽電池のように複数のPIN半導体層を形成することよりも、製作において遥かに有利である。図5は、本発明の第2実施形態に係る太陽電池を示す断面図である。図5を参照しながら説明すれば、本実施形態に係る太陽電池102は、PN半導体層23と、PN半導体層23の一面に接するように配置された第1電極21と、PN半導体層23の一面と反対方向を向く他面と対向するように配置されたショットキー接合層25と、ショットキー接合層25とPN半導体層23との間に形成された再結合防止層24と、ショットキー接合層25と接するように形成された第2電極22と、を含む。本実施形態に係る太陽電池102は、PN半導体層23およびショットキー接合層25の構造を除いては前記第1実施形態に係る太陽電池と同じ構造であるため、同じ構造についての重複説明は省略する。PN半導体層23は半導体ウエハで形成され、N型半導体層231とP型半導体層232と、を含む。PN半導体層23は結晶形シリコンで形成され、N型の性質を有する結晶質シリコンにP型物質をドーピングしてPN半導体層23を得てもよい。ショットキー接合層25はP型半導体層232とショットキー接合し、ショットキー接合層25はP型半導体層232よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成される。これにより、ショットキー接合層25とP型半導体層232とが接する領域にも空乏領域が形成される。このように、本実施形態によれば、PN接合太陽電池とショットキー接合太陽電池とが直列に連結した構造の太陽電池を得ることができる。図6は、本発明の第3実施形態に係る太陽電池を示す断面図である。図7は、本発明の第3実施形態に係る太陽電池を示す平面図である。図6および図7を参照説明すれば、本実施形態に係る太陽電池103は、PN半導体層33と、PN半導体層33の一面に接するように配置された第1電極31と、PN半導体層33の一面と反対方向を向く他面に接するように配置された再結合防止層34と、再結合防止層34上に形成されたショットキー接合層35と、オーミック金属層36と、を含む。PN半導体層33は、P型半導体層331と、P型半導体層331上に形成されたN型半導体層332と、を含み、前記第1実施形態に係るPN半導体層と同じ構造である。再結合防止層34は、Oxide、SiOx、SiNxなどの物質で形成される。再結合防止層34上にはショットキー接合層35とオーミック金属層36とが離隔配置され、ショットキー接合層35はN型半導体層332よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成され、N型半導体層332にショットキー接合する。オーミック金属層36はN型半導体層332よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成され、N型半導体層332にオーミック接合する。ショットキー接合層35とオーミック金属層36とは、同じ平面上で並んで配置される。ショットキー接合層35上には第1前面電極321が配置され、オーミック金属層36上には第2前面電極322が配置される。ショットキー接合層35,オーミック金属層36,第1前面電極321,第2前面電極322、および再結合防止層34は、光がPN半導体層33に入射するように十分に小さい厚さを有する。一方、P型半導体層331と接するように第1電極31が形成され、第1電極31はアルミニウムなどの金属で形成されてもよい。本実施形態によれば、光が入射するとき、P型半導体層331とN型半導体層332とが接する空乏領域で電子が生成され、N型半導体層332とショットキー接合層35とが接する空乏領域で電子が生成される。ショットキー接合層35とN型半導体層332との間で形成された電子は、P型半導体層331を経て第1電極31に移動したり、第2前面電極322に移動する。一方、P型半導体層331とN型半導体層332との間で形成された電子は、第1電極31に移動する。本実施形態によれば、第1前面電極321から第1電極31に移動する電子の流れにおいて、ショットキー接合層35とN型半導体層332とが第1単位電池となり、P型半導体層331とN型半導体層332とが第2単位電池となる。また、第1前面電極321から第2前面電極322に移動する電子の流れにおいて、ショットキー接合層35とN型半導体層332とが第3単位電池となる。このように、本実施形態によれば、3つの太陽電池が形成される。第2前面電極322と第1電極31とが第1配線371を通じて電気的に連結し、第1前面電極321と第1電極31とが第2配線372を通じて蓄電池373に連結すれば、第1単位電池と第2単位電池は直列に連結し、第3単位電池はこれらに並列に連結する。図8は、本発明の第4実施形態に係る太陽電池を示す断面図である。図8を参照しながら説明すれば、本実施形態に係る太陽電池104は、PN半導体層43と、PN半導体層43の一面に接するように配置された第1電極48と、PN半導体層43の一面と反対方向を向く他面と対向するように配置されたショットキー接合層46と、ショットキー接合層46とPN半導体層43の間に形成された再結合防止層45と、ショットキー接合層46と接するように形成された第2電極47と、を含む。本実施形態に係る太陽電池104は、光透過性基板41上に形成された薄膜形態の太陽電池として形成される。光透過性基板41は、ガラスまたはポリマー材質の基板で形成されてもよい。光透過性基板41上には、ナノサイズの微細突起が形成された反射防止膜が付着してもよい。反射防止膜はSiOxやSiNで形成されてもよく、厚さは0.1nm~100nmで形成されてもよい。光透過性基板41は第1電極48と接するように配置され、光透過性基板41上に第1電極48が形成される。第1電極48は、ITO、IZO、FTOなどの透明素材で形成される。一方、PN半導体層43は薄膜形態で形成され、P型半導体層431とN型半導体層432およびP型半導体層431とN型半導体層432の間に形成されたIintrinsic型半導体層433を含む。このような薄膜太陽電池のPIN接合構造は広く知られているため、詳しい説明は省略する。ここで、Iintrinsic型半導体層433は真性半導体物質で形成される。このようなPN半導体層は、InP、InGaP、CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、ZnTeなどを含む物質で形成されてもよい。このようなPN半導体層43上に、再結合防止層45,ショットキー接合層46、および第2電極47が順に積層される。再結合防止層45,ショットキー接合層46、および第2電極47は、前記第1実施形態に係る太陽電池と同じ構造であるため、重複する説明は省略する。このように、本実施形態によれば、薄膜太陽電池上にショットキー接合層46を形成することにより、多重太陽電池を容易に製作することができる。図9は、本発明の第5実施形態に係る太陽電池を示す断面図である。本実施形態に係る太陽電池105は、PN半導体層53と、PN半導体層53の一面に対向するように配置された第1ショットキー接合層551と、第1オーミック金属層552と、PN半導体層53の一面と反対方向を向く他面と対向するように配置された第2ショットキー接合層541と、第2オーミック金属層542と、を含む。第1ショットキー接合層551はPN半導体層53の第1面にショットキー接合し、第1オーミック金属層552はPN半導体層53の第1面にオーミック接合する。第2ショットキー接合層541はPN半導体層53の第1面と反対方向を向く第2面にショットキー接合し、第2オーミック金属層542はPN半導体層53の第2面にオーミック接合する。また、PN半導体層53と第1ショットキー接合層551および第1オーミック金属層552との間には第1再結合防止層57が形成され、PN半導体層53と第2ショットキー接合層541および第2オーミック金属層542との間には第2再結合防止層56が形成される。また、第1ショットキー接合層551上には第1前面電極521が形成され、第1オーミック金属層552上には第2前面電極522が形成される。本実施形態に係る太陽電池105は、光透過性基板51上に形成された薄膜形態の太陽電池として形成される。光透過性基板51は、ガラスまたはポリマー材質の基板で形成されてもよい。光透過性基板51上には、第2ショットキー接合層541および第2オーミック金属層542が形成される。第2ショットキー接合層541および第2オーミック金属層542は、光透過性基板51上で並んで配置される。一方、PN半導体層53は薄膜形態で形成され、P型半導体層531とN型半導体層532およびP型半導体層531とN型半導体層532の間に形成されたIintrinsic型半導体層533を含む。このようなPN半導体層上には再結合防止層57が形成され、再結合防止層57上には第1ショットキー接合層551と第1オーミック金属層552とが並んで形成される。第1ショットキー接合層551と対応する下部の位置に第2オーミック金属層542が形成され、第1オーミック金属層552と対応する下部の位置に第2ショットキー接合層541が形成される。第1ショットキー接合層551はN型半導体層532よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成され、第2ショットキー接合層541はP型半導体層531よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成される。また、第1オーミック金属層552はN型半導体層532よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成され、第2オーミック金属層542はP型半導体層531よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成される。本実施形態によれば、第1ショットキー接合層551とN型半導体層532との間、PN半導体層53,第2ショットキー接合層541とP型半導体層531との間で電子が生成される。電子の流れを詳察すれば、第1ショットキー接合層551とN型半導体層532との間および第1ショットキー接合層551の下に位置するPN半導体層53で生成された電子は第2オーミック金属層542に移動し、第2ショットキー接合層541とP型半導体層531との間および第2ショットキー接合層541の上に位置するPN半導体層53で生成された電子は第2ショットキー接合層541に移動する。これにより、本実施形態によれば、第1ショットキー接合層551とN型半導体層532とが第1単位電池となり、第1ショットキー接合層551の下に位置するPN半導体層53が第2単位電池となり、第2ショットキー接合層541とP型半導体層531とが第3単位電池となり、第2ショットキー接合層541の上に位置するPN半導体層53が第4単位電池となる。第1前面電極521と第2前面電極522が第1配線581によって電気的に連結し、第2ショットキー接合層541と第2オーミック金属層542とが互いに当接して電気的に連結し、第1前面電極521と第2オーミック金属層542とが第2配線582によって蓄電池583と電気的に連結すれば、第1単位電池と第2単位電池とが直列に連結して第3単位電池と第4単位電池とが直列に連結し、直列に連結した電池集合が並列に連結する。図10は、本発明の第5実施形態の変形例に係る太陽電池を示す断面図である。図10を参照しながら説明すれば、本実施形態に係る第2ショットキー接合層541と第2オーミック金属層542とは互いに離隔配置される。前記構成および配線を除いては、第5実施形態に係る太陽電池と同じ構造である。第1前面電極521は第2ショットキー接合層541と第1配線591とを通じて電気的に連結し、第2前面電極522と第2オーミック金属層542とには蓄電池593が第2配線592を通じて電気的に連結する。これにより、本実施形態によれば、第1単位電池、第2単位電池、第3単位電池、および第4単位電池が直列に連結する。図11は、本発明の第6実施形態に係る太陽電池を示す断面図である。図11を参照しながら説明すれば、本実施形態に係る太陽電池106は、光透過性基板61と、光透過性基板61上に形成されたPN半導体層63と、PN半導体層63の第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層66と、PN半導体層63の第2面にショットキー接合した第2ショットキー接合層68と、第1ショットキー接合層66上に形成された電極67と、を含む。ここで、PN半導体層63の第2面は、第1面と反対方向を向く面となる。本実施形態に係る太陽電池106は、光透過性基板61上に形成された薄膜形態の太陽電池として形成される。光透過性基板61は、ガラスまたはポリマー材質の基板で形成されてもよい。PN半導体層63は薄膜形態で形成され、P型半導体層631とN型半導体層632およびP型半導体層631とN型半導体層632の間に形成されたI型半導体層633を含む。このような薄膜太陽電池のPIN接合構造は広く知られているため、詳しい説明は省略する。第1ショットキー接合層66は、PN半導体層63上に配置され、N型半導体層632にショットキー接合する。第1ショットキー接合層66は、N型半導体層632よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成される。第1ショットキー接合層66とN型半導体層の間には、絶縁物質からなる第1再結合防止層65が形成される。第2ショットキー接合層68は、光透過性基板61とPN半導体層63との間に配置され、P型半導体層631にショットキー接合する。第2ショットキー接合層68は、P型半導体層631よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成される。このとき、第2ショットキー接合層68は、光透過性基板と接するように配置され、第2ショットキー接合層68とP型半導体層631との間には絶縁物質からなる第2再結合防止層64が形成される。第1ショットキー接合層66と第2ショットキー接合層68とは、光透過性を有するように1nm~20nmの厚さで形成される。これによれば、両面に入射する光によって電力を生産することができる。電極67と第2ショットキー接合層68とに蓄電池を連結すれば、第1ショットキー接合層66とN型半導体層632とが1つの太陽電池をなし、PN半導体層63が1つの太陽電池をなし、P型半導体層631と第2ショットキー接合層68とが1つの太陽電池をなすことにより、3つの太陽電池が直列に連結した構造となる。本実施形態によれば、PN半導体層63の両面にショットキー接合層66,68を形成することにより、3つの太陽電池が直列に連結した構造を容易に製作することができる。図12は、本発明の第7実施形態に係る太陽電池を示す断面図である。図12を参照しながら説明すれば、本実施形態に係る太陽電池107は、光透過性基板71と、光透過性基板71上に形成されたPN半導体層73と、PN半導体層73の第1面にショットキー接合した第1ショットキー接合層76と、PN半導体層73の第2面にショットキー接合した第2ショットキー接合層78と、第1ショットキー接合層76上に形成された電極77と、を含む。ここで、PN半導体層73の第2面は、第1面と反対方向を向く面となる。本実施形態に係る太陽電池107は、光透過性基板71上に形成された薄膜形態の太陽電池として形成される。光透過性基板71は、ガラスまたはポリマー材質の基板で形成されてもよい。PN半導体層73は薄膜形態で形成され、N型半導体層731とP型半導体層732およびN型半導体層731とP型半導体層732の間に形成されたI型半導体層733を含む。このような薄膜太陽電池のPIN接合構造は広く知られているため、詳しい説明は省略する。第1ショットキー接合層76は、PN半導体層73上に配置され、P型半導体層732にショットキー接合する。第1ショットキー接合層76は、P型半導体層732よりも仕事関数がさらに小さい物質で形成される。第1ショットキー接合層76とP型半導体層の間には、絶縁物質からなる第1再結合防止層75が形成される。第2ショットキー接合層78は、光透過性基板71とPN半導体層73との間に配置され、N型半導体層731にショットキー接合する。第2ショットキー接合層78は、N型半導体層731よりも仕事関数がさらに大きい物質で形成される。このとき、第2ショットキー接合層78は、光透過性基板71と接するように配置され、第2ショットキー接合層78とN型半導体層731との間には絶縁物質からなる第2再結合防止層74が形成される。第1ショットキー接合層76と第2ショットキー接合層78とは、光透過性を有するように1nm~20nmの厚さで形成される。これによれば、両面に入射する光によって電力を生産することができる。電極77と第2ショットキー接合層78に蓄電池を連結すれば、第1ショットキー接合層76とN型半導体層731とが1つの太陽電池をなし、PN半導体層73が1つの太陽電池をなし、P型半導体層732と第2ショットキー接合層78とが1つの太陽電池をなすことにより、3つの太陽電池が直列に連結した構造となる。本実施形態によれば、PN半導体層73の両面にショットキー接合層76,78を形成することにより、3つの太陽電池が直列に連結した構造を容易に製作することができる。上述では本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。"