"一端が第1の入出力端子に接続され、他端が第2の入出力端子に接続された第1のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタと前記第2の入出力端子との接続部に接続された第1の高周波線路と、一端が前記第1の高周波線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第2のトランジスタと、一端が前記第1の入出力端子に接続され、他端が第3の入出力端子に接続された第2の高周波線路と、一端が前記第2の高周波線路と前記第3の入出力端子との接続部に接続され、他端がグランドに接地された第3のトランジスタとを備え、前記第1のトランジスタの制御端子は、第1の抵抗を介して、前記第2のトランジスタの制御端子は、第2の抵抗を介して、前記第3のトランジスタの制御端子は、第3の抵抗を介して、制御信号入力端子にそれぞれ接続され、送信時には、前記制御信号入力端子から入力される制御信号に応じて前記第1のトランジスタから前記第3のトランジスタをオン状態にして、前記第1の入出力端子と前記第2の入出力端子との間を通過状態にさせ、受信時には、前記制御信号入力端子から入力される制御信号に応じて前記第1のトランジスタから前記第3のトランジスタをオフ状態にして、前記第1の入出力端子と前記第3の入出力端子との間を通過状態にさせることを特徴とする高周波スイッチ。一端が第1の入出力端子に接続され、他端が第2の入出力端子に接続された第1のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタと前記第2の入出力端子との接続部に接続された第1の高周波線路と、一端が前記第1の高周波線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第2のトランジスタと、一端が前記第1の入出力端子に接続された第2の高周波線路と、一端が前記第2の高周波線路の他端に接続され、他端が第3の入出力端子に接続された第3の高周波線路と、一端が前記第2の高周波線路と前記第3の高周波線路との接続部に接続され、他端がグランドに接地された第3のトランジスタと、一端が前記第3の高周波線路と前記第3の入出力端子との接続部に接続され、他端がグランドに接地された第4のトランジスタとを備え、前記第1のトランジスタの制御端子は、第1の抵抗を介して、前記第2のトランジスタの制御端子は、第2の抵抗を介して、前記第3のトランジスタの制御端子は、第3の抵抗を介して、前記第4のトランジスタの制御端子は、第4の抵抗を介して、制御信号入力端子にそれぞれ接続され、送信時には、前記制御信号入力端子から入力される制御信号に応じて前記第1のトランジスタから前記第4のトランジスタをオン状態にして、前記第1の入出力端子と前記第2の入出力端子との間を通過状態にさせ、受信時には、前記制御信号入力端子から入力される制御信号に応じて前記第1のトランジスタから前記第4のトランジスタをオフ状態にして、前記第1の入出力端子と前記第3の入出力端子との間を通過状態にさせることを特徴とする高周波スイッチ。少なくとも1つのトランジスタの一端と他端との間にインダクタを接続し、前記インダクタは、前記トランジスタのオフ状態におけるオフ容量と所要中心周波数において並列共振するように設定されたことを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波スイッチ。高周波線路の電気長が所要中心周波数において90度に設定されたことを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の高周波スイッチ。従来の高周波スイッチは以上のように構成されているので、高耐電力特性が必要な送信時において、入出力端子11aと入出力端子11cとの間を通過状態とし、低損失特性が必要な受信時において、入出力端子11aと入出力端子11bとの間を通過状態にする。よって、送信時においては、トランジスタ12a,12cがオフ状態であるため、入力電力が大きくなるほど、オフ状態のトランジスタに印加される電圧が大きくなる。そのため、高耐電力を得るためには高耐圧なトランジスタが必要となる。しかしながら、トランジスタの特性として耐圧とオン抵抗とは、トレードオフの関係にあるため、高耐圧なトランジスタになるほどオン抵抗が大きくなり、低損失特性が必要な受信時において、高周波スイッチの損失が大きくなる課題があった。本発明は前記のような課題を解決するためのものであり、高耐電力特性が必要な送信時において、高耐圧なトランジスタを不要にすると共に、低損失特性が必要な受信時において、信号経路にオン状態のトランジスタが存在しないため低損失化に有効な高周波スイッチを得ることを目的とする。本発明の高周波スイッチは、一端が第1の入出力端子に接続され、他端が第2の入出力端子に接続された第1のトランジスタと、一端が第1のトランジスタと第2の入出力端子との接続部に接続された第1の高周波線路と、一端が第1の高周波線路の他端に接続され、他端がグランドに接地された第2のトランジスタと、一端が第1の入出力端子に接続され、他端が第3の入出力端子に接続された第2の高周波線路と、一端が第2の高周波線路と第3の入出力端子との接続部に接続され、他端がグランドに接地された第3のトランジスタとを備え、第1のトランジスタの制御端子は、第1の抵抗を介して、第2のトランジスタの制御端子は、第2の抵抗を介して、第3のトランジスタの制御端子は、第3の抵抗を介して、制御信号入力端子にそれぞれ接続され、送信時には、制御信号入力端子から入力される制御信号に応じて第1のトランジスタから第3のトランジスタをオン状態にして、第1の入出力端子と第2の入出力端子との間を通過状態にさせ、受信時には、制御信号入力端子から入力される制御信号に応じて第1のトランジスタから第3のトランジスタをオフ状態にして、第1の入出力端子と第3の入出力端子との間を通過状態にさせるものである。本発明によれば、高耐電力特性が必要な送信時において、全てのトランジスタをオン状態にする。このとき、高周波スイッチの耐電力は、トランジスタのゲート幅および飽和電流によって決定されるため、トランジスタの耐圧には依存しない。よって、送信時において、高耐圧なトランジスタは不要になる。一方、高耐電力特性が必要でなく、低損失な通過特性が必要な受信時において、全てのトランジスタをオフ状態にする。このとき、受信信号の通過経路にオン状態のトランジスタが存在しないため、受信時の通過損失の低損失化に有効となる。さらに、トランジスタの特性として、オン抵抗と耐圧とはトレードオフの関係にあることから、高耐圧特性が必要でない場合に、オン抵抗の小さなトランジスタが使用可能になる。よって、オン抵抗の小さいトランジスタを使用できるため、トランジスタがオン状態で動作する送信時において、送信信号が受信側の第3の入出力端子に漏洩するアイソレーションを良好にすることができる効果がある。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1における高周波スイッチを示す回路図である。図において、電界効果トランジスタ以下、単にトランジスタと言う2aは、ドレインが入出力端子1aに接続され、ソースが入出力端子1bに接続される。高周波線路3aは、一端がトランジスタ2aのソースと入出力端子1bとの接続部に接続される。トランジスタ2bは、ドレインが高周波線路3aの他端に接続され、ソースがグランド5aに接地される。高周波線路3bは、一端が入出力端子1aに接続され、他端が入出力端子1cに接続される。トランジスタ2cは、ドレインが高周波線路3bと入出力端子1cとの接続部に接続され、ソースがグランド5bに接地される。トランジスタ2a~2cのゲートは、抵抗6a~6cを介して制御信号入力端子4aに接続される。なお、高周波線路3a,3bは、電気長が所要中心周波数において90度に設定される。また、制御信号入力端子4aを通じてトランジスタ2a~2cに印加する電圧は、ピンチオフ電圧以上を印加することにより、トランジスタ2a~2cのドレインソース間をオン状態とし、ピンチオフ電圧以下を印加することにより、トランジスタ2a~2cのドレインソース間をオフ状態とする。なお、オン状態のトランジスタは抵抗、オフ状態のトランジスタは容量として見なすことができる。以後、これらの抵抗および容量を、トランジスタのオン抵抗およびオフ容量と呼ぶ。次に動作について説明する。図2に送信時の高周波スイッチの等価回路を示す。送信時には、制御信号入力端子4aからトランジスタ2a~2cのゲートに、ピンチオフ電圧以上の電圧が印加され、全てのトランジスタ2a~2cをオン状態にする。このとき、トランジスタ2a~2cのオン抵抗7a~7cが十分小さく、高周波線路3a,3bの電気長が所要中心周波数において90度に設定されていると、高周波線路3aの他端B側をほぼショートにすることができ、高周波線路3aの一端A側から他端B側を見た入力インピーダンスをほぼ∞にすることで、高周波線路3aを遮断状態にし、入出力端子1aから入出力端子1bに送信信号を伝送する。また、高周波線路3bの他端C側をほぼショートにすることができ、入出力端子1aから入出力端子1c側を見た入力インピーダンスをほぼ∞にすることで、入出力端子1aと入出力端子1cとの間を遮断状態にし、入出力端子1aからの送信信号を遮断する。次に、送信時の耐電力特性について示す。送信時には、全てのトランジスタ2a~2cをオン状態にする。このとき、各トランジスタには、入力電力Pinに対しRF電流IRFが流れる。この電流値は、オン抵抗が十分に小さい場合に、次式1と表すことができる。オン状態のトランジスタの最大許容電力Pmaxは、ゲート電圧0Vでの飽和電流Idssを用いて、次式2と表すことができる。ここで、Z0は系のインピーダンスである。さらに、トランジスタの飽和電流Idssは、トランジスタのゲート幅Wgおよび単位ゲート幅辺りの飽和電流Idss0から次式3と表すことができる。よって、この実施の形態1における高周波スイッチの耐電力は、ゲート幅および飽和電流によって決定されるため、トランジスタの耐圧には依存しない。したがって、送信時において、高耐圧なトランジスタは不要になる。図3に受信時の高周波スイッチの等価回路を示す。受信時には、制御信号入力端子4aからトランジスタ2a~2cのゲートに、ピンチオフ電圧以下の電圧が印加され、全てのトランジスタ2a~2cをオフ状態にする。このとき、トランジスタ2a~2cのオフ容量8a~8cが十分小さく、高周波線路3a,3bの電気長が所要中心周波数において90度に設定されていると、高周波線路3aの他端B側をほぼオープンにすることができ、高周波線路3aの一端A側から他端B側を見た入力インピーダンスをほぼ0にすることで、高周波線路3aを通過状態にする。しかし、トランジスタ2aがオフ状態であることから、入出力端子1aから入出力端子1bへの受信信号を遮断する。また、高周波線路3bの他端C側をほぼオープンにすることができ、入出力端子1aから入出力端子1c側を見た入力インピーダンスをほぼ0にすることで、入出力端子1aと入出力端子1cとの間を通過状態にし、入出力端子1aから入出力端子1cに受信信号を伝送する。次に、受信時の通過特性について示す。受信時には、全てのトランジスタ2a~2cをオフ状態にする。よって、受信信号の伝送経路にオン状態のトランジスタが存在しないため、低損失な通過特性を得ることが可能となる。また、全てのトランジスタがオフ状態となるため、入力電力Pinに対し、印加されるRF電圧の振幅VRFを次式4と表すことができる。しかし、通常、受信信号の電力は小さいため、トランジスタには高耐圧特性は要求されない。以上のように、この実施の形態1によれば、高耐電力特性が必要な送信時において、全てのトランジスタ2a~2cをオン状態にする。このとき、高周波スイッチの耐電力は、トランジスタのゲート幅および飽和電流によって決定されるため、トランジスタの耐圧には依存しない。よって、送信時において、高耐圧なトランジスタは不要になる。一方、低損失な通過特性が必要な受信時において、全てのトランジスタ2a~2cをオフ状態にする。このとき、受信信号の通過経路にオン状態のトランジスタが存在しないため、受信時の通過損失の低損失化に有効となる。さらに、トランジスタの特性として、オン抵抗と耐圧とはトレードオフ関係にあることから、高耐圧特性が必要でない場合に、オン抵抗の小さなトランジスタが使用可能になる。よって、オン抵抗の小さいトランジスタを使用できるため、トランジスタがオン状態で動作する送信時において、送信信号が受信側の入出力端子1cに漏洩するアイソレーションを良好にすることが可能となる。実施の形態2.図4はこの発明の実施の形態2における高周波スイッチを示す回路図である。図において、高周波線路3cは、一端が高周波線路3bの他端に接続され、他端が入出力端子1cに接続される。トランジスタ2dは、ドレインが高周波線路3cと入出力端子1cとの接続部に接続され、ソースがグランド5cに接地される。トランジスタ2dのゲートは、抵抗6dを介して制御信号入力端子4aに接続される。なお、高周波線路3cは、電気長が所要中心周波数において90度に設定される。その他の構成については、実施の形態1と同様である。次に動作について説明する。送信時には、制御信号入力端子4aからトランジスタ2a~2dのゲートに、ピンチオフ電圧以上の電圧が印加され、全てのトランジスタ2a~2dをオン状態にする。このとき、トランジスタ2a~2dのオン抵抗が十分小さく、高周波線路3a~3cの電気長が所要中心周波数において90度に設定されていると、入出力端子1aから入出力端子1bに送信信号を伝送する。また、高周波線路3bに加えて、高周波線路3cの他端側をほぼショートにすることができ、入出力端子1aから入出力端子1c側を見た入力インピーダンスをほぼ∞にすることで、入出力端子1aと入出力端子1cとの間を遮断状態にし、入出力端子1aからの送信信号を遮断する。受信時には、制御信号入力端子4aからトランジスタ2a~2dのゲートに、ピンチオフ電圧以下の電圧が印加され、全てのトランジスタ2a~2dをオフ状態にする。このとき、トランジスタ2a~2dのオフ容量が十分小さく、高周波線路3a~3cの電気長が所要中心周波数において90度に設定されていると、入出力端子1aから入出力端子1bへの受信信号を遮断する。また、高周波線路3bに加えて、高周波線路3cの他端側をほぼオープンにすることができ、入出力端子1aから入出力端子1c側を見た入力インピーダンスをほぼ0にすることで、入出力端子1aと入出力端子1cとの間を通過状態にし、入出力端子1aから入出力端子1cに受信信号を伝送する。以上のように、この実施の形態2によれば、実施の形態1の構成に加えて、高周波線路3cおよびトランジスタ2dによる回路を接続したので、送信時に、より高いアイソレーションを得ることが可能となる。実施の形態3.図5はこの発明の実施の形態3における高周波スイッチを示す回路図である。図において、インダクタ9aは、トランジスタ2aのドレインとソースとの間に接続され、トランジスタ2aのオフ状態におけるオフ容量と所要中心周波数において並列共振するように設定される。インダクタ9bは、トランジスタ2bのドレインとソースとの間に接続され、トランジスタ2bのオフ状態におけるオフ容量と所要中心周波数において並列共振するように設定される。インダクタ9cは、トランジスタ2cのドレインとソースとの間に接続され、トランジスタ2cのオフ状態におけるオフ容量と所要中心周波数において並列共振するように設定される。その他の構成については、実施の形態1と同様である。次に動作について説明する。この実施の形態3においても、送信時には、全てのトランジスタ2a~2cをオン状態にし、受信時には、全てのトランジスタ2a~2cをオフ状態にする。送信時では、トランジスタ2a~2cのオン抵抗が十分に小さい場合、トランジスタとインダクタの並列回路は、ほぼスルーと見なすことができ、並列接続されたインダクタの影響はない。受信時では、トランジスタのオフ容量と、並列接続されたインダクタとにより、所要中心周波数にて並列共振するため、トランジスタとインダクタの並列回路は、所要中心周波数にてオープンと見なすことができる。以上のように、この実施の形態3によれば、実施の形態1の構成に加えて、トランジスタのオフ容量と、並列接続されたインダクタにより、所要中心周波数において並列共振するので、受信時の高周波線路の他端側をよりオープンにすることができ、高周波線路の入力インピーダンスを更に0に近付けることで、小信号特性を良好にすることが可能となる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意な構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意な構成要素の省略が可能である。"