"シリコン膜またはシリコン化合物膜を含む電極を有し、該電極中の水素濃度が、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であることを特徴とする二次電池。請求項1において、シリコン膜またはシリコン化合物膜を含む前記電極が、金属により設けられた集電体と、該集電体上に活物質として設けられたシリコン膜またはシリコン化合物膜と、を有し、前記シリコン膜またはシリコン化合物膜中の水素濃度が、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であることを特徴とする二次電池。請求項2において、前記金属はチタンであることを特徴とする二次電池。請求項2または請求項3において、前記集電体と前記シリコン膜またはシリコン化合物膜の間に混合層を有することを特徴とする二次電池。請求項4において、前記混合層はチタンとシリコンを有することを特徴とする二次電池。請求項4において、前記混合層はチタンシリサイドを有することを特徴とする二次電池。請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の前記電極と対向する電極がアルカリ金属を有することを特徴とする二次電池。請求項6において、前記アルカリ金属がリチウムであることを特徴とする二次電池。請求項1乃至請求項8のいずれか一において、前記シリコン膜またはシリコン化合物膜がアモルファスシリコンを有することを特徴とする二次電池。シリコン膜またはシリコン化合物膜を含む電極を有し、前記シリコン膜またはシリコン化合物膜は多結晶シリコンであり、前記シリコン膜またはシリコン化合物膜中の水素濃度は、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であることを特徴とする二次電池。請求項1乃至請求項10のいずれか一において、前記シリコン膜またはシリコン化合物膜がリンを有することを特徴とする二次電池。集電体を形成し、該集電体上にシリコン膜を形成し、前記シリコン膜中の水素濃度は、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であることを特徴とする二次電池の電極の作製方法。請求項12において、前記シリコン膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする二次電池の電極の作製方法。請求項13において、前記多結晶シリコン膜は熱結晶化法により形成されていることを特徴とする二次電池の電極の作製方法。請求項12において、前記シリコン膜は、500°C以上、且つ集電体の組成または形を変えない温度以下で形成されることを特徴とする二次電池の電極の作製方法。本発明の一態様は、充放電サイクル特性に優れた二次電池を提供することを課題とする。本発明の一態様は、特に、電解質に含まれるLiPF6、LiBF4またはLiAsF6などの濃度を維持しつつ低減することなく、充放電サイクル特性に優れた二次電池を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、前記二次電池の電極を簡略な工程により作製することを課題とする。本発明の一態様は、シリコンまたはシリコン化合物を含む電極を有し、該電極中の水素濃度が、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であることを特徴とする二次電池である。すなわち、シリコンまたはシリコン化合物を含む電極に含まれる水素の濃度を低減する。二次電池において、シリコンまたはシリコン化合物を含む電極は、例えば、金属により設けられた集電体と、該集電体上に活物質として設けられたシリコン膜と、を有することが好ましい。このとき、該電極のシリコン膜中の水素濃度が、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であればよい。なお、活物質としてシリコンを用いる場合、例えば、プラズマCVD法などを用いて集電体上にシリコン膜を形成すればよい。このとき、シリコン膜中には極力水素が含まれないようにすることが好ましい。シリコン膜中に極力水素が含まれないようにするためには、高温環境下で集電体上にシリコン膜を形成すればよい。従って、本発明の一態様は、集電体を形成し、該集電体を加熱しつつ、該集電体上にプラズマCVD法などによりシリコン膜を形成する二次電池の電極の作製方法である。ここで、前記集電体の加熱は、プラズマCVD法などによりシリコン膜を形成するに際して、水素が取り込まれにくい温度とするため、500°C以上であって、且つ集電体の組成及び形を変化させない温度で行うことが好ましい。ここで、シリコン膜中の水素濃度は、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であることが好ましい。本発明の一態様によれば、電解質の濃度を変化させることなく、充放電サイクル特性に優れた二次電池を得ることができる。更には、二次電池を簡略な工程により作製することができる。本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本実施の形態では、本発明の一態様である二次電池について図面を参照して説明する。図1は、本発明の一態様である円筒型二次電池の一例についての概略を示す斜視図である。なお、これに限定されず、本発明の一態様である二次電池は、角型であってもよい。または、本発明の一態様である二次電池は、コイン型であってもよい。図1に示す円筒型二次電池は、電池側壁部104と電池蓋102と電池底部106により囲まれた閉空間を有する。図2は、図1に示す円筒型二次電池の断面100における断面図を示す。電池側壁部104及び電池底部106は、導電性材料により形成すればよく、電池の使用環境下において適切な機械的強度と耐薬品性を有するように、適切な材料を選択すればよい。電池側壁部104及び電池底部106の材料として、例えば、アルミニウム合金が挙げられる。電池側壁部104及び電池底部106と、電池蓋102により囲まれた電池内部には閉空間が設けられる。該閉空間には、例えば電極体110が配されている。図2には電極体110の一例として、巻回電極体を示しているが、これに限定されるものではない。電極体110は、上部電池蓋102側と下部電池底部106側に設けられた絶縁板112および絶縁板114によって挟まれ、絶縁板112及び絶縁板114のそれぞれから導線120と導線128が引き出されている。上部電池蓋102側の絶縁板112から引き出された導線120は、好ましくは抵抗素子116を介して、電池蓋102に電気的に接続されている。抵抗素子116としては、温度の上昇により抵抗が増大する熱感抵抗素子を用いることが好ましい。過剰な電流による異常な発熱を防止するためである。下部電池底部106側の絶縁板114から引き出された導線128は、電池底部106に接続されている。なお、電池底部106と電池側壁部104は電気的に接続されている。電池側壁部104、電池蓋102及び電極体110上部電池蓋102側の絶縁板112は、ガスケット118を介して設けられているとよい。ガスケット118は絶縁性であることが好ましいが、これに限定されず、少なくとも電池蓋102と電池側壁部104が絶縁されていればよい。なお、図示していないが、電池内部に安全弁を設けて、負極122と正極126負極122とは逆の極性の電極が短絡した場合、または電池が加熱されて電池内部の圧力が高まった場合に、電池蓋102と電極体110の電気的な接続が切断される構成としてもよい。そして、電極体110を固定するために、電極体110の中心に、センターピンが挿入されていてもよい。電極体110は、負極122と、正極126と、これらの間に設けられたセパレータ124と、を有する。電極体110が有する負極122は、導線128を介して電池底部106に、電気的に接続されている。電極体110が有する正極126は、導線120を介して、電池蓋102に電気的に接続されている。正極126は、正極集電体と、正極集電体の両面に設けられた正極活物質層と、を有する。なお、正極活物質層は、正極集電体の片面のみに設けられていてもよい。正極活物質層は、電極反応物質であるイオンを挿入及び脱離することが可能な材料を含んでいる。電荷の授受を行うイオンは、アルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンであればよい。電荷の授受を行うイオンとして、好ましくは、リチウムイオンを用いる。このようなイオンを挿入及び脱離することが可能な材料としては、シリコンが挙げられる。正極活物質としてシリコンを用いると、正極活物質層を薄くすることができるため、軽量化及び小型化が可能である。例えば、正極活物質として黒鉛を用いる場合と比較すると、厚さを1/10程度まで薄くすることができる。または、正極活物質層を薄く形成しない場合であっても、二次電池の容量を大きくすることができる。または、集電体として、ガラス基板またはプラスチック基板などの基板上にチタン膜などをスパッタリング法で形成し、活物質層として、該チタン膜上にプラズマCVD法などによりシリコン膜を形成すればよい。このとき、シリコン膜の形成に際して、材料ガス中に水素が極力含まれないことが好ましい。ここで、基板上に電極を形成する方法について、図3を参照して説明する。まず、基板130上に集電体層132を形成し、集電体層132上には活物質層134を形成する図3A。例えば、基板130としてガラス基板を用いて、基板130を反応室内に導入し、基板130上に集電体層132としてチタン層をスパッタリング法により形成し、集電体層132上に活物質層134としてリンを含むアモルファスシリコン層をプラズマCVD法により形成すればよい。上記説明したように、活物質層134を薄く形成することができるが、過度に薄く形成すると、二次電池の容量が小さくなってしまう。そのため、活物質層134の厚さは50nm以上10μm以下とし、好ましくは100nm以上5μm以下とする。なお、基板130としては、例えば集電体層132の材料よりも導電性が高い金属基板を用いることが好ましい。次に、基板130を加熱処理することで、集電体層132と活物質層134の間に集電体層132の材料と活物質層134の材料の混合層136を形成する図3B。例えば、混合層136としては、チタンとシリコンの混合層を形成すればよい。なお、ここで、チタンとシリコンの混合層は、チタンシリサイド層であってもよい。次に、活物質層134、または活物質層134と混合層136の双方にリチウムを含ませ、リチウム含有層138を形成する図3C。ここで、リチウムを含ませるには、ドーピング法を用いればよい。なお、活物質層134として形成するシリコン膜には、リンを含ませるとよい。シリコン膜にリンを含ませることで、チタン膜とシリコン膜の間に生じるピーリングの発生を防止することができる。ここで、シリコン膜にリンを含ませるためには、例えば材料ガスにホスフィンを含ませればよい。そして、チタン膜上にシリコン膜を形成した後に、基板130を加熱するなどしてシリコン膜中の水素を脱離させることが好ましい。ここで、加熱する温度は、500°C以上であって、且つ集電体の組成及び形を変化させない温度とすればよい。ただし、これに限定されず、該シリコン膜中の水素濃度が十分に低減されており、必要でない場合には当該加熱工程を行わなくてもよい。なお、活物質層134として形成するシリコン膜の結晶性は特に限定されず、シリコン膜は、非晶質であってもよいし、結晶性を有していてもよい。活物質層134として形成するシリコン膜としては、例えば、非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜を挙げることができる。ここで、シリコン膜に対して結晶化工程を行ってもよい。シリコン膜に対して結晶化工程を行う場合には、シリコン膜中の水素濃度を十分に低減させた後に、該シリコン膜に熱処理を行って結晶化させてもよいし、該シリコン膜にレーザ光を照射して結晶化させてもよい。上記したように形成された本実施の形態のシリコン膜の水素濃度は、1.0×1018cm-3以上1.0×1021cm-3以下であるとよい。シリコン膜中の水素濃度を前記範囲とすることで、二次電池の充放電サイクル特性を向上させることができる。なお、混合層136が形成されていなくてもよい。セパレータ124は、液状の電解質である電解液が含浸された多孔質膜により形成すればよい。該多孔質膜の材料としては、合成樹脂材料またはセラミック材料などを用いればよい。または、前記多孔質膜の材料としては、好ましくは、ポリエチレンまたはポリプロピレンなどを用いればよい。なお、セパレータ124は、紙、不織布、ガラス繊維、または、ナイロンポリアミド、ビニロンビナロンともいう。ポリビニルアルコール系繊維である。、ポリエステル、アクリル、ポリオレフィン若しくはポリウレタンといった合成繊維などを用いることもできる。ただし、電解液に溶解しない材料を選ぶ必要がある。また、セパレータ124が浸される電解液としては、例えば、エチレンカーボネートEC:EthyleneCarbonateとジエチルカーボネートDEC:DiethylCarbonateの混合液中に6フッ化リン酸リチウム組成式:LiPF6を含ませたものを用いればよい。または、電解質としては、塩化リチウム組成式:LiCl、フッ化リチウム組成式:LiF、過塩素酸リチウム組成式:LiClO4、硼弗化リチウム組成式:LiBF4、リチウムビストリフルオロメタンスルホニルイミド組成式:LiNSO2CF32、リチウムビスペンタフルオロエタンスルホニルイミド組成式:LiNSO2C2F52、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム組成式:LiCF3SO3などを用いることができる。または、リチウム以外のアルカリ金属イオンを用いる場合には、塩化ナトリウム組成式:NaCl、フッ化ナトリウム組成式:NaF、過塩素酸ナトリウム組成式:NaClO4、硼弗化ナトリウム組成式:NaBF4、塩化カリウム組成式:KCl、フッ化カリウム組成式:KF、過塩素酸カリウム組成式:KClO4、硼弗化カリウム組成式:KBF4などを用いることができ、これらを単独で、または二種以上を組み合わせて溶媒に溶解させて用いることができる。なお、溶媒としては、前記エチレンカーボネート及び前記ジエチルカーボネートの他、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート及びビニレンカーボネートなどの環状カーボネート類、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、メチルプロピルカーボネート、メチルイソブチルカーボネート及びジプロピルカーボネートなどの非環状カーボネート類、ギ酸メチル、酢酸メチル、プロピオン酸メチル及びプロピオン酸エチルなどの脂肪族カルボン酸エステル類、γ-ブチロラクトンなどのγ-ラクトン類、1,2-ジメトキシエタン、1,2-ジエトキシエタン及びエトキシメトキシエタンなどの非環状エーテル類、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン、1,3-ジオキソランなどの環状エーテル類、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル及びリン酸トリオクチルなどのアルキルリン酸エステル、並びに、ジメチルスルホキシドなどを挙げることができ、これらの一種または二種以上を混合して使用することができる。または、これらの中の水素がフッ素に置換されていてもよい。本発明の一態様においては、シリコンを含む電極中の水素を減らすことで、電解液中に含まれる電解質の濃度を維持しつつ低減することなく、二次電池の充放電サイクル特性を向上させることができる。ところで、前記電極は、対向する電極の材料がリチウムの場合には正極となる。一方で、シリコンよりも酸化還元電位が高い金属材料により設けられている場合には、前記電極は負極になる。なお、負極は、正極と同様に集電体と活物質により構成されていることが好ましい。または、集電体上に活物質となるリチウム金属含有複合酸化物層を形成すればよい。なお、リチウムに代えて他のアルカリ金属を用いてもよい。以下、前記電極が負極になる場合の正極の例について説明する。正極活物質としては、例えばキャリアとなるイオン及び遷移金属を含む材料を用いることができる。キャリアとなるイオン及び遷移金属を含む材料としては、例えば一般式AxMyPOzx>0、y>0、z>0で表される材料を挙げることができる。ここでAは、例えば、リチウム、ナトリウム若しくはカリウムなどのアルカリ金属、またはベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム若しくはバリウムなどのアルカリ土類金属である。Mは、例えば、鉄、ニッケル、マンガン若しくはコバルトなどの遷移金属である。一般式AxMyPOzx>0、y>0、z>0で表される材料としては、例えばリン酸鉄リチウムまたはリン酸鉄ナトリウムなどが挙げられる。Aで表される材料およびMで表される材料は、上記のいずれか一または複数を選択すればよい。または、正極活物質としては、一般式AxMyOzx>0、y>0、z>0で表される材料を用いることができる。ここでAは、例えばリチウム、ナトリウム若しくはカリウムなどのアルカリ金属、または、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム若しくはバリウムなどのアルカリ土類金属である。Mは、例えば、鉄、ニッケル、マンガン若しくはコバルトなどの遷移金属である。一般式AxMyOzx>0、y>0、z>0で表される材料としては、例えばコバルト酸リチウム、マンガン酸リチウムまたはニッケル酸リチウムなどが挙げられる。Aで表される材料およびMで表される材料は、前記材料のいずれか一または複数を選択すればよい。正極活物質層は、正極活物質材料と導電助剤やバインダなどと混合させてペースト化して集電体上に塗布して形成してもよいし、スパッタリング法により形成してもよい。なお、正極集電体の材料としては、チタンまたはアルミニウムなどを挙げることができる。以上説明したように、本発明の一態様である二次電池を作製することができる。本実施の形態の二次電池は、電解質の濃度を維持しつつ低減することなく、充放電サイクル特性を優れたものとすることができる。更には、簡略な工程により作製することができる。本実施例では、本発明の一態様である二次電池を作製し、該二次電池の特性を調査した結果について説明する。本実施例では、正極として、まずは試料1乃至試料3を作製した。まず、正極集電体としては、高純度チタン箔を用いた。正極活物質としては、シリコンを用いた。ここで、試料1乃至試料3のシリコンは、それぞれ異なるものとした。正極集電体である高純度チタン箔の厚さは100μmとし、試料1乃至試料3の正極活物質層の厚さは3μmとした。試料1の正極活物質は、非晶質シリコンとした。該非晶質シリコンは、プラズマCVD法により形成した。ここで、非晶質シリコン膜のプラズマCVD法による形成は、シランの流量を60sccm、5volホスフィン水素希釈の流量を20sccmとして反応室内に材料ガスを導入し、反応室内の圧力を133Paとし、基板の温度を280°Cとし、RF電源周波数を60MHz、RF電源のパルス周波数を20kHz、パルスのデューティ比を70、RF電源の電力を100Wとしてプラズマ放電により行った。試料2の正極活物質は、微結晶シリコンとした。該微結晶シリコンは、プラズマCVD法により形成した。ここで、微結晶シリコン膜のプラズマCVD法による形成には、シランの流量を8sccm、水素の流量を800sccm、5volホスフィン水素希釈の流量を24sccmとして反応室内に材料ガスを導入し、反応室内の圧力を200Paとし、基板の温度を250°Cとし、RF電源周波数を60MHz、RF電源の電力を180Wとしてプラズマ放電により行った。試料3の正極活物質は、多結晶シリコンとした。該多結晶シリコンは、試料1と同様に形成した非晶質シリコン膜をシリコンの融点以下の温度で結晶化させる方法により形成した。ここで、結晶化は、反応室内にアルゴンのみを導入し、700°Cの加熱を6時間行う熱結晶化法により行った。このようにして正極集電体上に正極活物質層を形成した。このように形成した正極を用いてコイン型の二次電池を作製した。ここで、コイン型の二次電池の作製方法について、図9を参照して簡単に説明する。なお、正極204は、集電体200上に正極活物質層202が設けられており、前記試料1乃至試料3のいずれかである。コイン型リチウムイオン二次電池セルの構成要素である負極232、リング状絶縁体220及びセパレータ210は、市販されているものを用いた。負極232は、負極活物質層230がリチウム箔により形成されている。セパレータ210としては、ポリプロピレンを用いた。そして、正極204、負極232及びセパレータ210は、電解液に含浸させた。そして、正極204及び負極232を外部と電気的に接続させる筐体206及び筐体244も、市販されているものを用いた。筐体206及び筐体244の材料は、具体的には、ステンレスSUSである。このほかにステンレスSUSで形成されているスペーサー240及びワッシャー242を用意し、これらも市販されているものを用いた。電解液に含浸させた正極204、負極232及びセパレータ210を図9に示すように、筐体206を下にして正極204、セパレータ210、リング状絶縁体220、負極232、スペーサー240、ワッシャー242、筐体244をこの順で積層し、コインかしめ機で筐体206と筐体244をかしめて、コイン型リチウムイオン二次電池セルを作製した。電解液としては、ECとDECの混合溶媒にLiPF6を溶解させたものを用いた。ここで、試料1乃至試料3に対して充放電を繰り返した結果を図4に示す。充放電特性は、充放電測定機を用いて測定した。充放電特性の測定には定電流方式を採用し、2.0mAの電流を約0.2Cのレートで充放電し、上限電圧を1.0Vとし、下限電圧を0.03Vとして行った。なお、すべての測定は、室温で行った。図4の試料1乃至試料3を比較すると、試料1及び試料2の充放電サイクル特性における劣化よりも試料3の充放電サイクル特性における劣化のほうが小さいことがわかる。このように、本発明の一態様において、正極活物質層となるシリコン膜は、多結晶シリコン膜とすることが最も好ましく、微結晶シリコン膜とすることが最も充放電サイクル特性を低くする結果となった。次に、試料1と同様に正極活物質を形成したが、該正極活物質の形成に際して基板の温度を500°Cとした試料A正極活物質は非晶質シリコンと、試料1と同様に基板の温度を280°Cとして正極活物質を形成した試料B正極活物質は非晶質シリコンと、を用いて充放電を繰り返した結果を図5に示す。ただし、試料A及び試料Bにおいて、正極活物質層であるシリコン膜の厚さは1μmとした。すなわち、試料1と試料Bでは、正極活物質層の形成条件は同様であり、正極活物質層の厚さのみが異なる。充放電特性は、充放電測定機を用いて測定した。充放電特性の測定には定電流方式を採用し、電流値1.5mAで充放電し、上限電圧を1.0V、下限電圧を0.03Vとして行った。なお、すべての測定は、室温で行った。図5より、試料Aの充放電サイクル特性は試料Bの充放電サイクル特性よりも高くすなわち、劣化しにくく、試料Aの充放電サイクル特性は試料B試料1と比較して飛躍的に向上していることがわかる。従って、正極活物質であるシリコンの形成時には基板の温度を280°Cとするよりも500°Cとすることが好ましい。ここで、試料1試料Bと厚さのみ異なるものと試料AのSIMS分析結果を図6及び図7に示す。また、図4においてサイクル特性が最も良好であった劣化しにくかった試料3のSIMS分析結果を図8に示す。なお、試料Aについてのみ、正極集電体であるチタンを設けることなく、ガラス基板を用いた。また、図4に示すように、正極活物質層を微結晶シリコンにより形成した試料2では、サイクル特性が良好ではない劣化しやすい。これは、試料2では、正極活物質層が微結晶シリコンにより形成されているため、形成時にシリコン膜に多くの水素が取り込まれているためであると考えられる。試料1では、水素濃度が2.5×1021cm-3以上2.6×1021cm-3以下である。一方で、試料3では2.2×1020cm-3以上1.0×1021cm-3以下であり、試料Aでは9.5×1020cm-3以上1.2×1021cm-3以下である。以上の結果より、正極活物質として用いるシリコン膜中の水素を少なくすることで、充放電サイクル特性を向上させることができる。例えば、本実施例にて説明したように、基板を500°Cまで加熱して保持し、シリコン膜を形成することで水素濃度を9.5×1020cm-3以上1.2×1021cm-3以下とすることができる。特に、正極活物質として用いるシリコン膜表面近傍の水素を少なくすることが有効である。"