被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板を、前記被めっき面が略鉛直面となるように配置し、かつ前記被めっき面に対向する側に設置される電極と前記被めっき面との間に遮蔽板が配置される金属被覆樹脂基板のめっき装置において、前記遮蔽板として、当該板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材を用いることを特徴とする金属被覆樹脂基板のめっき装置。前記遮蔽板の上辺及び下辺の傾斜角度が、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対し5~20度であることを特徴とする請求項1に記載の金属被覆樹脂基板のめっき装置。しかしながら、前記した構成を有する従来の金属被覆樹脂基板のめっき装置には、以下に記載する問題がある。即ち、前記した構成を有する従来の金属被覆樹脂基板のめっき装置においては、図7に示すように遮蔽板6は被めっき材料である樹脂基板4の上辺及び下辺と当該遮蔽板6の上辺及び下辺が平行となる長方形の板状部材を採用しているため、該遮蔽板6の端部にあたる樹脂基板4部に電流が集中し、被めっき面4aのめっき厚みが局所的に厚くなるという現象が生じる。そのため、従来はこうした電流集中部に新たな遮蔽板を設置しながら、樹脂基板4全体のめっき厚みを均一化するように調整する必要があるが、この手法では遮蔽板設置数の増加と遮蔽板の設置位置調整の複雑化を余儀なくされるのみならず、遮蔽板の位置調整が精度よく行われない場合には、めっき電圧が上昇してしまい製品製造コストが高くなる等の問題があった。本発明は、前記した従来技術の問題を解決するためになされたもので、遮蔽板の位置調整を簡易迅速にかつ精度よく行うことができると共に、めっき電圧の上昇を伴わずにめっき厚分布をより均一化させることが可能な金属被覆樹脂基板のめっき装置を提供しようとするものである。本発明に係る金属被覆樹脂基板のめっき装置は、被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板を、前記被めっき面が略鉛直面となるように配置し、かつ前記被めっき面に対向する側に設置される電極と前記被めっき面との間に遮蔽板が配置される金属被覆樹脂基板のめっき装置において、前記遮蔽板として、当該板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材を用いることを特徴とするものである。又、本発明のめっき装置は、前記遮蔽板の上辺及び下辺の傾斜角度が、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対し5~20度であることを好ましい態様とするものである。本発明に係る金属被覆樹脂基板のめっき装置は、樹脂基板のめっき厚分布を均一にするために用いる遮蔽板を、当該板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材で構成することにより、遮蔽板端部における電流集中が解消され、少ない遮蔽板数で電圧上昇を伴わずにめっき厚分布をより均一化することができる。従って、本発明装置によれば、めっき厚のバラツキの小さい高品質の2層めっき基板を低コストで製造することが可能となり、配線ピッチの狭小化にも十分に対応することができるという優れた効果を奏する。図1~図2に本発明の一実施例装置として示す金属被覆樹脂基板のめっき装置は、図6に示す縦型懸垂めっき装置と同様、被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板ポリイミドフィルム等の有機樹脂フィルムを、被めっき面が略鉛直面となる電気めっき法を採用したもので、めっき槽1内に電極アノード:陽極2、めっき液噴流ノズル3が配設され、前記電極2と反対側に対向して樹脂基板ワーク:被めっき材料4が、被めっき面が略鉛直面となるようにワーク保持板5により懸垂され、前記樹脂基板4の被めっき面4aに対向する側に設置された電極2と前記被めっき面4aとの間に、遮蔽板6が配置された構成となしたものである。本発明装置は、上記構成のめっき装置において、めっき槽1内の電流分布を均一化する手法に用いられる遮蔽板の形状を改善したもので、図1及び図2に示すように本発明の遮蔽板16は、被めっき材料である樹脂基板4の上辺及び下辺と当該遮蔽板の上辺及び下辺が平行となる長方形の板状部材を用いた従来の遮蔽板6に替えて、板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板4の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材を採用したものである。ここで、めっき槽1内の電流分布を均一化するための遮蔽板を、板状部材の上辺及び下辺が先端側から後端側へ向けて、前記樹脂基板4の上辺及び下辺に対して一定の傾斜角度でテーパー状に縮幅する形状を有する板状部材で構成するのは、以下に記載する理由による。遮蔽板により遮られた電流は、遮蔽板に沿うように流れたあと遮蔽板端部から前記樹脂基板4に向かって流れる。そのため遮蔽板がテーパー形状を有しない場合、常に前記樹脂基板4の幅方向の同じラインに電流が集中してしまい、遮蔽板の上辺及び下辺にあたる部分の樹脂基板のめっき厚が厚くなってしまう。従来の遮蔽板では、このような遮蔽板端部でのめっき厚増大を解消するために、めっき厚の厚くなった部分にさらに遮蔽板を追加し、多くの遮蔽板を複雑に組み合わせてめっき厚均一化を図る必要があった。これに対し、本発明の遮蔽板は、テーパー形状を有するため、前記樹脂基板4の幅方向で少しずつ電流集中部がずれ局所的なめっき厚の増大を解消する事ができる。又、この遮蔽板16の上辺及び下辺の傾斜角度θを樹脂基板4の上辺及び下辺に対し5~20度と規定したのは、傾斜角度θが5度未満では、前記樹脂基板4の幅方向での電流集中部のずれが小さいため遮蔽板の上下辺に沿ってめっき厚の厚いラインが生じてしまうためである。他方、20度を超えると、遮蔽によりめっき厚を低減したい部分以外の遮蔽しろが大きくなってしまうため、結果としてめっき厚分布が悪化してしまうためである。図6に示す金属被覆樹脂基板めっき装置を使用し、本発明の遮蔽板16として、図2に示す先端側の幅W=80mm、長さL=500mm×10本、上辺及び下辺の傾斜角度θ=15度とした厚さ3mmの板状部材を使用した。本実施例では、この遮蔽板16を同一垂直面上に上下2枚間隔をおいて設置した。樹脂基板ワーク4は、厚み38ミクロンのポリイミドフィルムKaptonNF:東レデュポン製表面にスパッタリング法により厚み20nmのニッケル層を設け、その上に厚み100nmの銅層を設けたものである。使用しためっき液は、硫酸銅120g/l、硫酸210g/l、塩素50mg/lの液に、HLアトテック製カパラシドHLレベラー成分を20ml/l、GSアトテック製カパラシドGSプライトナー成分を5ml/lの割合で添加したものである。めっき液の温度は24°C、ワークの搬送速度は0.4m/分、めっき槽への給液量はめっき液噴流ノズル1本当たり28l/minで行い、めっきに要する電流密度と通電時間は、めっき槽1内を4つの区分に分割し、第1区分では0.5A/dm2と1分、第2区分では1.0A/dm2と1分、第3区分では2.0A/dm2と1分、第4区分では3.0A/dm2と12分とした。本実施例におけるめっき厚分布を図3に示す。図3に示すめっき厚分布より、本発明の遮蔽板によれば、遮蔽板端部での電流集中が解消されることによりめっき厚分布が略均一化されていることがわかる。又、そのめっき厚のバラツキは8程度と低く、目標である10以下を達成することができた。更に本実施例では、遮蔽板を2枚で構成したのでめっき電圧の上昇はほとんど確認されなかった。上辺および下辺の傾斜角度θ=5度とした以外は実施例1と同様にして樹脂基板ワーク4にめっきを形成した。めっき形成後のめっき厚のバラツキは10と低く目標の10以下を達成できた。上辺および下辺の傾斜角度θ=20度とした以外は実施例1と同様にして樹脂基板ワーク4にめっきを形成した。めっき形成後のめっき厚のバラツキは10と低く目標の10以下を達成できた。比較例1上辺および下辺の傾斜角度θ=3度とした以外は実施例1と同様にして樹脂基板ワーク4にめっきを形成した。めっき形成後のめっき厚のバラツキは13であり、目標の10以下に到達できなかった。比較例2上辺および下辺の傾斜角度θ=25度とした以外は実施例1と同様にして樹脂基板ワーク4にめっきを形成した。めっき形成後のめっき厚のバラツキは12であり、目標の10以下に到達できなかった。従来例1遮蔽板として、幅W=50~100mm、長さL=500mm×10本、厚さ3mmの長方形の板状部材からなる遮蔽板を2枚用いた以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った結果、図4に示すようにめっき厚分布は、遮蔽板で隠された部分のめっき厚が低減し遮蔽板端部に電流が集中するため局所的にめっき厚の厚い箇所が生じ、そのめっき厚のバラツキは15程度と、目標の10を超えた。従来例2遮蔽板として、幅W=50~100mm、長さL=500mm×10本、厚さ3mmの長方形の板状部材からなる遮蔽板を6枚用いた以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。その結果を図5に示す。この従来例2では、前記従来例1において2枚の遮蔽板に起因して局所的にめっき厚が厚くなった箇所に順次新たな遮蔽板を設置しめっき厚分布の均一化処理を施した。その結果、この従来例2においても図5に示すようにめっき厚はほぼ12のバラツキとなり、目標である10以下に到達しなかった。さらに遮蔽板を多く設置したため電圧が1.5V程度上昇してしまった。