光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器と、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器と、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器と、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部と、前記光源と前記ウエハの設置位置との間、または前記ウエハの設置位置と前記分光器との間に配置された偏光子または検光子とを備え、前記光源は、白色光を発生するランプ光源またはスーパーコンティニウム光源であり、前記比較部は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記ラインビーム同士の強度の差分を算出し、前記判定部は、前記ラインビーム同士の強度の差分が、いずれかの波長において閾値よりも大きい場合に、前記ウエハに欠陥があると判定する、パターン検査装置。光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器と、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器と、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器と、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部と、を備えるパターン検査装置。前記光源は、白色光を発生する白色光源である、請求項2に記載のパターン検査装置。前記白色光源は、ランプ光源またはスーパーコンティニウム光源である、請求項3に記載のパターン検査装置。前記比較部は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記ラインビーム同士の強度の差分を算出する、請求項2から4のいずれか1項に記載のパターン検査装置。前記判定部は、前記ラインビーム同士の強度の差分が、いずれかの波長において閾値よりも大きい場合に、前記ウエハに欠陥があると判定する、請求項5に記載のパターン検査装置。さらに、前記光源と前記ウエハの設置位置との間、または前記ウエハの設置位置と前記分光器との間に配置された偏光子または検光子を備える、請求項2から6のいずれか1項に記載のパターン検査装置。光を発生させ、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射し、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光し、分光された前記ラインビームを二次元検出器で検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を前記二次元検出器から出力し、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較し、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する、パターン検査方法。ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置およびパターン検査方法を提供する。一の実施形態によるパターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。また、別の実施形態によるパターン検査方法では、光を発生させ、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する。さらに、前記方法では、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する。さらに、前記方法では、分光された前記ラインビームを二次元検出器で検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を前記二次元検出器から出力する。さらに、前記方法では、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較し、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する。以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態のパターン検査装置の光学系の構成を示す概略図である。図1のパターン検査装置は、光源11と、凸レンズ12と、集光レンズである第1のシリンドリカルレンズ13と、対物レンズである第2のシリンドリカルレンズ14と、結像レンズである第3のシリンドリカルレンズ15と、グレーティング16と、CCDChargeCoupledDeviceセンサ17と、比較部18と、判定部19とを備えている。光源11は、広い波長帯域を有する白色光源である。本実施形態では、光源11としてランプ光源を使用する。ランプ光源の例としては、Hg水銀ランプ、Xeキセノンランプ、ハロゲンランプなどが挙げられる。光源11から発せられた白色光は、凸レンズ12において平行光となる。この白色光はさらに、第1のシリンドリカルレンズ13により、ラインビームに整形されてウエハ21上に照射される。第1のシリンドリカルレンズ13は、集光器の例である。ウエハ21で反射したラインビームは、散乱により発散した光を平行光にする第2のシリンドリカルレンズ14を通過した後、第3のシリンドリカルレンズ15によりグレーティング16上に結像される。そして、このラインビームは、グレーティング16により分光される。グレーティング16は、分光器の例である。グレーティング16に入射するラインビームは、白色光であり、様々な波長の光を含んでいる。この白色光を構成する光は、グレーティング16において、波長に応じて進む角度が変えられて、CCDセンサ17上に照射される。よって、CCDセンサ17の受光面では、波長の違いに対応した情報が一方向に沿って検出され、ラインビーム内の位置の違いに対応した情報がその直交方向に沿って検出される。図1では、前者の方向がX方向として示され、後者の方向がY方向として示されている。このように、CCDセンサ17は、グレーティング16により分光されたラインビームを一括で検出する。そして、CCDセンサ17は、検出したラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する。この出力信号は、比較部18に供給される。CCDセンサ17は、二次元検出器の例である。図1のパターン検査装置では、このようなスペクトル情報を取得する処理が、ウエハ21上の繰り返しパターンに対して行われる。そして、ウエハ21上の繰り返しパターンの同一箇所から得られたスペクトル情報が、比較部18に供給される。比較部18は、ウエハ21上の繰り返しパターンの同一箇所から得られたスペクトル情報を比較する。具体的に言うと、繰り返しパターンは、同一形状を有するパターンを複数含んでおり、比較部18は、これらのパターンの対応箇所から得られたスペクトル同士を比較する。比較部18による比較処理は、例えば、ウエハ21上に作製された隣り合うICチップ間や、1つのICチップ内の繰り返し回路パターン内で行われる。そして、判定部19は、スペクトル情報の比較結果に基づいて、ウエハ21の欠陥の有無を判定する。このように、本実施形態では、ウエハ21上の繰り返しパターンの同一箇所から得られたスペクトル情報を比較することで、ウェハ21の欠陥の有無を判定することができる。以上のように、本実施形態では、ウエハ21からの反射光のスペクトル情報を利用して欠陥検出を行う。そのため、ウエハ21に照射する光として、ウエハ21の構造や欠陥に適した波長域に設定した光ではなく、白色光を使用する。よって、本実施形態によれば、一度に複数の波長を使って検査を行うことができるため、ウエハ21の構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても、欠陥を精度よく検出することができる。ウエハ21の構造のばらつきの例としては、ウエハ21上の層の膜厚のばらつき、回路パターンの線幅や高さのばらつき、屈折率や吸収率の変化を伴うウエハ21上の層の物質のばらつきなどが挙げられる。ウエハ21の欠陥のばらつきの例としては、欠陥の高さやサイズのばらつき、誘電体やメタルなど欠陥の材質の違いなどが挙げられる。また、本実施形態では、ウエハ21に照射する光として、スポットビームではなく、ラインビームを使用する。そのため、ウエハ21上をラインビームでスキャンすることで、スポットビームでウエハ21上をスキャンする場合に比べ、ウエハ面内のスペクトル情報を高速に取得できる。よって、本実施形態によれば、スループットの速いパターン検査を行うことができる。なお、ウエハ21に照射する光は、波長域の広がりのある光であれば、白色光以外の光であってもよい。これにより、白色光を使用する場合と同様に、ウエハ21の構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出することが可能となる。1パターン検査方法の第1の例次に、図2~図5を参照し、第1実施形態のパターン検査方法の第1の例について説明する。図2、図3はそれぞれ、パターン検査方法の第1の例を説明するためのウエハ断面図とグラフである。図2は、図1のウエハ21の断面の一例を示す。図2において、ウエハ21は、半導体基板101と、半導体基板101上に順に形成された積層層102~105と、積層層105上に形成されたパターン層111を備えている。パターン層111の例としては、配線パターンが形成された配線層などが挙げられる。図2は、図2と同様に、図1のウエハ21の断面の一例を示す。ただし、図2が、良品の断面を示しているのに対し、図2は、欠陥Xを有する不良品の断面を示している。以下、図2の検査位置を第1の検査位置と呼び、図2の検査位置を第2の検査位置と呼ぶことにする。比較部18が行う比較方法の一例として、ウエハ21上の繰り返しパターンの同一箇所から得られたスペクトル同士の差分を算出する方法が挙げられる。この比較処理では、例えば、あるICチップ上のあるパターンと、別のICチップ上の対応箇所にある、前記パターンと同一形状のパターンとの間で、上記差分を算出する。この場合、前者のパターンと後者のパターンは、各々が繰り返しパターンである必要はなく、前者のパターンや後者のパターンと同一形状の複数のパターンがICチップ間で繰り返されることで、繰り返しパターンが形成されている。また、上記の比較処理では、例えば、同じICチップ上の繰り返しパターン内において、この繰り返しパターンを構成するあるパターンと、この繰り返しパターンを構成する、前記パターンと同一形状の別のパターンとの間で、上記差分を算出する。ここで、図3、図3はそれぞれ、ウエハ21上の繰り返しパターンの同一箇所である第1、第2の検査位置から得られたスペクトルを示し、図3は、これらのスペクトル同士の差分を示す。よって、図3は、第1、第2の検査位置を比較対象とした場合の比較結果に相当する。なお、図3~図3の横軸、縦軸はそれぞれ、ラインビームの波長と強度を示す。第1、第2の検査位置に欠陥がなければ、図3に示す差分強度は、いずれの波長においても小さな値になるはずである。しかしながら、この例では、第2の検査位置に欠陥があるため、第2の検査位置のスペクトルでは、図3に示すように、ある波長で強度が変化する。その結果、図3に示す差分強度は、この波長において大きな値となっている。そこで、判定部19は、図3に示す差分強度に基づいて、欠陥の有無を判定する。具体的には、この差分強度が、いずれかの波長において閾値よりも大きい場合には、欠陥があると判定する。一方、この差分強度が、いずれの波長においても閾値より小さい場合には、欠陥がないと判定する。図3では、この閾値の例が、Ithで示されている。なお、比較部18は、2箇所の検査位置を比較する際、一方の検査位置を判定済みの検査位置とし、他方のウエハ21を未判定の検査位置としてもよい。この場合、判定部19は、後者の検査位置の欠陥の有無を判定することになる。また、比較部18は、2箇所の検査位置を比較する際、両方の検査位置を未判定の検査位置としてもよい。この場合、判定部19は例えば、いずれかの検査位置に欠陥があるまたはいずれの検査位置にも欠陥がないという判定結果を出力する。また、図3に示す強度変化は、ウエハ21の構造や欠陥がばらつかなければ、特定の決まった波長に現れる。しかしながら、ウエハ21の構造や欠陥がばらつくと、ウエハ21の構造や欠陥に適した波長が変化するため、強度変化が現れる波長が変化してしまう。そのため、従来のパターン検査装置は、ウエハ21の構造や欠陥がばらつくと、欠陥を見逃すことがあった。一方、本実施形態によれば、以下のように、このような欠陥も精度よく検出することができる。図4、図5はそれぞれ、図2、図3と同様に、パターン検査方法の第1の例を説明するためのウエハ断面図とグラフである。図4、図4はそれぞれ、図2、図2と同様に、良品、不良品の断面を示している。ただし、図2、図2に示す積層層104の厚さが、T1であるのに対し、図4、図4に示す積層層104の厚さは、T1よりも厚いT2となっている。すなわち、図4、図4に示すウエハ21は、図2、図2に示すウエハ21と異なる構造を有している。以下、図4の検査位置を第1の検査位置と呼び、図4の検査位置を第2の検査位置と呼ぶことにする。図5、図5はそれぞれ、図3、図3と同様に、ウエハ21上の繰り返しパターンの同一箇所である第1、第2の検査位置から得られたスペクトルを示す。また、図5は、図3と同様に、これらのスペクトル同士の差分を示す。この例では、第2の検査位置に欠陥があるため、第2の検査位置のスペクトルでは、図5に示すように、ある波長で強度が変化する。ただし、この波長は、図3において強度が変化した波長とは異なっている。その結果、図5に示す差分強度は、図3に示す差分強度と異なる波長において大きな値となっている。従来のパターン検査装置は、このようなウエハ構造の変化があると、欠陥を精度よく検出することができなかった。しかしながら、本実施形態では、上記の差分強度がいずれかの波長において閾値よりも大きい場合に、欠陥があると判定するため、このようなウエハ構造の変化があっても、欠陥を精度よく検出することができる。2パターン検査方法の第2の例次に、図6、図7を参照し、第1実施形態のパターン検査方法の第2の例について説明する。図6、図7はそれぞれ、パターン検査方法の第2の例を説明するためのウエハ断面図とグラフである。図6は、図1のウエハ21の断面の一例を示す。図6において、ウエハ21は、半導体基板201と、半導体基板201上に形成されたパターン層202を備えている。パターン層202の例としては、配線パターンが形成された配線層などが挙げられる。図6と図6は、図6と同様に、図1のウエハ21の断面の一例を示す。ただし、図6が、良品の断面を示しているのに対し、図6と図6は、欠陥211を有する不良品の断面を示している。また、図6に示す欠陥211の高さは、H1であるのに対し、図6に示す欠陥211の高さは、H1よりも低いH2となっている。すなわち、図6と図6では、欠陥の高さにばらつきがある。以下、図6~図6の検査位置をそれぞれ、第1~第3の検査位置と呼ぶことにする。比較部18は、第1の例の場合と同様に、ウエハ21上の繰り返しパターンの同一箇所から得られたスペクトル同士の差分を算出する。ここで、図7~図7はそれぞれ、第1~第3の検査位置から得られたスペクトルを示す。また、図7は、第1、第2の検査位置から得られたスペクトル同士の差分を示し、図7は、第1、第3の検査位置から得られたスペクトル同士の差分を示す。そして、判定部19も、第1の例の場合と同様に、これらの差分に基づいて、欠陥の有無を判定する。図7に示す強度変化と、図7に示す強度変化は、欠陥の高さのばらつきを反映して、異なる波長で現れている。その結果、図7に示す差分強度と、図7に示す差分強度は、異なる波長において大きな値となっている。従来のパターン検査装置は、このような欠陥構造の変化があると、欠陥を精度よく検出することができなかった。しかしながら、本実施形態では、上記の差分強度がいずれかの波長において閾値よりも大きい場合に、欠陥があると判定するため、このような欠陥構造の変化があっても、欠陥を精度よく検出することができる。図7では、強度が変化する波長が300nmとなっており、図7では、強度が変化する波長が550nmとなっている。本発明者らの知見によれば、これら強度が変化する波長は、欠陥の高さに依存している。よって、本実施形態のパターン検査装置は、強度が変化する波長から欠陥の高さを推定してもよい。このような推定処理は、例えば、欠陥の高さと強度が変化する波長との対応関係を調べ、その対応表を予めパターン検査装置内に格納しておくことで実現可能である。3第1実施形態の効果最後に、第1実施形態の効果について説明する。以上のように、本実施形態では、ウエハ21からの反射光のスペクトル情報を利用して欠陥検出を行う。よって、本実施形態によれば、ウエハ21の構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても、欠陥を精度よく検出することが可能となる。また、本実施形態では、ウエハ21に照射する光として、スポットビームではなく、ラインビームを使用する。よって、本実施形態によれば、スポットビームを使用する場合に比べ、スループットの速いパターン検査を行うことが可能となる。第2実施形態図8は、第2実施形態のパターン検査装置の光学系の構成を示す概略図である。図1のパターン検査装置の光学系は、開口数NAが比較的大きいため、第3のシリンドリカルレンズ結像レンズ15を備えている。これに対し、図8のパターン検査装置の光学系は、開口数NAが比較的小さいため、第3のシリンドリカルレンズ15は設けられていない。図8の構成には、第3のシリンドリカルレンズ15が不要な分、製造コストが安価になるという利点がある。第2実施形態によれば、第1実施形態と同様、ウエハ21の構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても、欠陥を精度よく検出することが可能となり、かつ、スループットの速いパターン検査を行うことが可能となる。なお、第1、第2実施形態では、グレーティング16およびCCDセンサ17として、これらが一体化されたスペクトルカメラを採用してもよい。第3実施形態図9は、第3実施形態のパターン検査装置の光学系の構成を示す概略図である。図9のパターン検査装置は、ランプ光源11、グレーティング16、CCDセンサ17の代わりに、それぞれスーパーコンティニウム光源31、プリズム32、CMOSセンサ33を備えている。スーパーコンティニウム光源31は、白色光として、スーパーコンティニウム光と呼ばれる広帯域なレーザー光を発生する白色光源である。スーパーコンティニウム光源31には、ランプ光源11に比べ、光量を大きくすることができ、S/N比を改善できるという効果がある。プリズム32は、グレーティング16と同様、ウエハ21で反射したラインビームを分光する分光器である。また、CMOSセンサ33は、CCDセンサ17と同様、分光されたラインビームを検出する二次元検出器である。なお、第1、第3のシリンドリカルレンズ13、15はそれぞれ、シリンドリカルレンズ以外の集光器、結像器に置き換えてもよい。また、本実施形態では、光源31とウエハ21の設置位置との間の光路上、またはウエハ21の設置位置とプリズム32との間の光路上に、偏光子や検光子を配置してもよい。これにより、例えば、欠陥ごとにその検出に適した偏光P偏光、S偏光、右楕円偏光、左楕円偏光などを選択することが可能となり、欠陥の検出感度を上げることができる。例えば、配線パターンを検査する際、配線が断線するオープン欠陥を検査する場合には、配線方向に平行に振動する偏光を使用することが望ましい。一方、配線同士がつながってしまうショート欠陥を検査する場合には、配線方向に垂直に振動する偏光を使用することが望ましい。よって、配線パターンを検査する際には、欠陥の種類に適した偏光を選択するようにしてもよい。また、偏光子や検光子を使用する場合には、CMOSセンサ33において、ラインビームの強度の代わりに、ラインビームから得られたP偏光とS偏光の強度差や位相差を検出してもよい。図9に示す符号P1は、凸レンズ12と第1のシリンドリカルレンズ13との間の光路上の点を示す。また、符号P2は、第2のシリンドリカルレンズ14と第3のシリンドリカルレンズ15との間の光路上の点を示す。本実施形態では、偏光子や検光子を、例えば点P1や点P2に配置する。また、図9に示す符号αは、ウエハ21に対する照明光学系の角度、すなわち、ラインビームの入射角を示す。また、符号βは、ウエハ21に対する結像光学系の角度、すなわち、ラインビームの出射角を示す。これらの角度が等しければ、パターン検査装置の光学系は明視野光学系となり、これらの角度が異なっていれば、パターン検査装置の光学系は暗視野光学系となる。本実施形態は、どちらの光学系にも適用可能である。入射角αと出射角βが等しい場合でも、照明光学系の光路上と、結像光学系の光路上のそれぞれに、図10に示す空間フィルタを設置することで、暗視野光学系を構成することができる。図10は、これらの空間フィルタの構成を示す概略図である。図10は、照明光学系の光路上の空間フィルタ34を示し、図10は、結像光学系の光路上の空間フィルタ35を示す。符号41、43は、これらの空間フィルタ34、35への入射光を示し、符号42、44は、これらの空間フィルタ34、35からの透過光を示す。空間フィルタ34は例えば、図9に示す点P1に配置され、空間フィルタ35は例えば、図9に示す点P2に配置される。これらの空間フィルタ34、35によれば、ウエハ21への照射光を構成する光成分の角度や、プリズム32への入射光を構成する光成分の角度を選択することが可能となる。また、本実施形態では、欠陥の種類や下地パターンの構造などに応じて、照明光学系の光路上や結像光学系の光路上に、欠陥を強調する空間フィルタや、ノイズを低減する空間フィルタを配置してもよい。また、本実施形態のパターン検査装置は、上述の構成要素以外の構成要素を備えていてもよい。このような構成要素の例としては、リレーレンズのような、倍率を変換する機能を有する光学素子などが挙げられる。第3実施形態によれば、第1、第2実施形態と同様、ウエハ21の構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても、欠陥を精度よく検出することが可能となり、かつ、スループットの速いパターン検査を行うことが可能となる。なお、第1から第3実施形態の構成は、部分的に組み合わせて使用してもよい。例えば第1実施形態において、ランプ光源11、グレーティング16、CCDセンサ17のうちのランプ光源11のみを、スーパーコンティニウム光源31に置き換えてもよい。以上、第1から第3実施形態について説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施することができる。また、これらの実施形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことにより、様々な変形例を得ることもできる。これらの形態や変形例は、発明の範囲や要旨に含まれており、特許請求の範囲及びこれに均等な範囲には、これらの形態や変形例が含まれる。