"Ala,Mb,Cr1-a-bC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.05≦b≦0.35、0.5≦e≦1a,b,eはそれぞれAl,M,Nの原子比を示す。であることを特徴とする耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜。Ala,Mb,Sic,Bd,Cr1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.05≦b≦0.35、0.01≦cd≦0.2、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であることを特徴とする耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜。Ala,Mb,Sic,Bd,Ti1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.6、0.05≦b≦0.3、0.01≦cd≦0.15、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であることを特徴とする耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜。Ala,Mb,Cr1-a-bC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.07≦b≦0.35、0.5≦e≦1a,b,eはそれぞれAl,M,Nの原子比を示す。であることを特徴とする耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜。Ala,Mb,Sic,Bd,Cr1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.07≦b≦0.35、0.01≦cd≦0.2、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であることを特徴とする耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜。Ala,Mb,Sic,Bd,Ti1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.6、0.07≦b≦0.3、0.01≦cd≦0.15、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であることを特徴とする耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜。前記請求項1~6のいずれかに記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、相対密度が92以上であることを特徴とする硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項1に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Alw,Mx,Cr1-w-xからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.05≦x≦0.35w,xはそれぞれAl,Mの原子比を示す。を満たす請求項7に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項2に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Alw,Mx,Siy,Bz,Cr1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.05≦x≦0.35、0.01≦yz≦0.2w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たす請求項7に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項3に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Alw,Mx,Siy,Bz,Ti1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.6、0.05≦x≦0.3、0.01≦yz≦0.15w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たす請求項7に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項4に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Alw,Mx,Cr1-w-xからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.07≦x≦0.35w,xはそれぞれAl,Mの原子比を示す。を満たす請求項7に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項5に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Alw,Mx,Siy,Bz,Cr1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.07≦x≦0.35、0.01≦yz≦0.2w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たす請求項7に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項6に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Alw,Mx,Siy,Bz,Ti1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.6、0.07≦x≦0.3、0.01≦yz≦0.15w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たす請求項7に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。Tia,Crb,Alc,Sid,Be,M1-a-b-c-d-eC1-fNfからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0<a≦0.7、0<b≦0.7、0.25≦c≦0.75、0≦de≦0.2、0.03≦1-a-b-c-d-e≦0.35、0.5≦f≦1a,b,c,d,e,fはそれぞれTi,Cr,Al,Si,B,Nの原子比を示すであることを特徴とする高温潤滑性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜。Tia,Crb,Alc,Sid,Be,M1-a-b-c-d-eC1-fNfからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.05≦a≦0.3、0.05≦b≦0.4、0.3≦c≦0.75、0≦de≦0.2、0.05≦1-a-b-c-d-e≦0.35、0.5≦f≦1a,b,c,d,e,fはそれぞれTi,Cr,Al,Si,B,Nの原子比を示すであることを特徴とする高温潤滑性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜。Tia,Crb,Alc,Sid,Be,M1-a-b-c-d-eC1-fNfからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.05≦a≦0.3、0.05≦b≦0.4、0.3≦c≦0.75、0.01≦de≦0.2、0.05≦1-a-b-c-d-e≦0.35、0.5≦f≦1a,b,c,d,e,fはそれぞれTi,Cr,Al,Si,B,Nの原子比を示すであることを特徴とする高温潤滑性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜。前記請求項14に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Tiv,Crw,Alx,Siy,Bz,M1-v-w-x-y-z但し、MはW及び/又はMoからなり、0<v≦0.7、0<w≦0.7、0.25≦x≦0.75、0≦yz≦0.2、0.03≦1-v-w-x-y-z≦0.35v,w,x,y,zはそれぞれTi,Cr,Al,Si,Bの原子比を示すを満たし、かつ相対密度が91以上であることを特徴とする硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項15に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Tiv,Crw,Alx,Siy,Bz,M1-v-w-x-y-z但し、MはW及び/又はMoからなり、0.05≦v≦0.3、0.05≦w≦0.4、0.3≦x≦0.75、0≦yz≦0.2、0.05≦1-v-w-x-y-z≦0.35v,w,x,y,zはそれぞれTi,Cr,Al,Si,Bの原子比を示すを満たし、かつ相対密度が91以上であることを特徴とする硬質皮膜形成用ターゲット。前記請求項16に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、Tiv,Crw,Alx,Siy,Bz,M1-v-w-x-y-z但し、MはW及び/又はMoからなり、0.05≦v≦0.3、0.05≦w≦0.4、0.3≦x≦0.75、0.01≦yz≦0.2、0.05≦1-v-w-x-y-z≦0.35v,w,x,y,zはそれぞれTi,Cr,Al,Si,Bの原子比を示すを満たし、かつ相対密度が91以上であることを特徴とする硬質皮膜形成用ターゲット。組成の異なる層Aと層Bが積層されてなる硬質皮膜であって、上記層Aが、Ala,Cr1-aC1-eNeからなり、0.25≦a≦0.7、0.5≦e≦1を満たす硬質皮膜;Ala,Sic,Bd,Cr1-a-c-dC1-eNeからなり、0.25≦a≦0.7、0<cd≦0.2、0.5≦e≦1を満たす硬質皮膜;およびAla,Sic,Bd,Ti1-a-c-dC1-eNeからなり、0.25≦a≦0.7、0<cd≦0.15、0.5≦e≦1を満たす硬質皮膜;a,c,d,eはそれぞれAl,Si,B,Nの原子比を示す。よりなる群から選択される一種であり、上記層Bが、Mb,Sic,BdC1-eNeからなり但し、MはW及び/又はMo、0.8≦b≦1、0≦cd≦0.2を満たす硬質皮膜b,c,d,eはそれぞれM,Si,B,Nの原子比を示す。であって、上記層Aと上記層Bが下記式1の関係を満たすよう積層されてなることを特徴とする耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜。0.5≦層Bの厚み≦層Aの厚み...1前記請求項20に記載の硬質皮膜の形成に用いるターゲットであって、相対密度が92以上であることを特徴とする硬質皮膜形成用ターゲット。前記層Aの形成に用いるターゲットであって、その組成が、Alw,Cr1-wからなり、0.25≦w≦0.7を満たすもの;Alw,Siy,Bz,Cr1-w-y-zからなり、0.25≦w≦0.7、0<yz≦0.2を満たすもの;およびAlw,Siy,Bz,Ti1-w-y-zからなり、0.25≦w≦0.7、0<yz≦0.15を満たすもの;w,y,zはそれぞれAl,Si,Bの原子比を示す。よりなる群から選択される一種である請求項21に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。前記層Bの形成に用いるターゲットであって、その組成が、Mx,Siy,Bzからなり但し、MはW及び/又はMo、0.8≦x≦1、0≦yz≦0.2x,y,zはそれぞれM,Si,Bの原子比を示す。を満たすものである請求項21に記載の硬質皮膜形成用ターゲット。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、従来の皮膜よりも耐摩耗性と耐酸化性に優れた硬質皮膜、および高温潤滑性と耐摩耗性に優れた硬質皮膜、並びに、該硬質皮膜の製造にて本発明の硬質皮膜を効率よく得ることのできるターゲットを提供することにある。本発明に係る耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜は、Ala,Mb,Cr1-a-bC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.05≦b≦0.35、0.5≦e≦1a,b,eはそれぞれAl,M,Nの原子比を示す。であるところに特徴を有するものである[以下、第I1の硬質皮膜ということがある]。また、Ala,Mb,Cr1-a-bC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.07≦b≦0.35、0.5≦e≦1a,b,eはそれぞれAl,M,Nの原子比を示す。であるところに特徴を有する耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜も規定する[以下、第I1 ́の硬質皮膜ということがある]。本発明は、Ala,Mb,Sic,Bd,Cr1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.05≦b≦0.35、0.01≦cd≦0.2、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であるところに特徴を有する耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜も規定する[以下、第I2の硬質皮膜ということがある]。また、Ala,Mb,Sic,Bd,Cr1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.65、0.07≦b≦0.35、0.01≦cd≦0.2、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であるところに特徴を有する耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜も規定する[以下、第I2 ́の硬質皮膜ということがある]。更に本発明は、Ala,Mb,Sic,Bd,Ti1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.6、0.05≦b≦0.3、0.01≦cd≦0.15、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であるところに特徴を有する耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜も規定するものである[以下、第I3の硬質皮膜ということがある]。また、Ala,Mb,Sic,Bd,Ti1-a-b-c-dC1-eNeからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.25≦a≦0.6、0.07≦b≦0.3、0.01≦cd≦0.15、0.5≦e≦1a,b,c,d,eはそれぞれAl,M,Si,B,Nの原子比を示す。であるところに特徴を有する耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜も規定する[以下、第I3 ́の硬質皮膜ということがある]。本発明は、上記硬質皮膜の形成に用いるターゲットも規定するものであり、該ターゲットは、相対密度が92以上であるところに特徴を有している。上記ターゲットとして、前記第I1の硬質皮膜の成膜には、成分組成が、Alw,Mx,Cr1-w-xからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.05≦x≦0.35w,xはそれぞれAl,Mの原子比を示す。を満たすものを用いるのがよい。また前記第I1 ́の硬質皮膜の成膜には、成分組成が、Alw,Mx,Cr1-w-xからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.07≦x≦0.35w,xはそれぞれAl,Mの原子比を示す。を満たすものを用いるのがよい。前記第I2の硬質皮膜の成膜に用いるターゲットとして、成分組成が、Alw,Mx,Siy,Bz,Cr1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.05≦x≦0.35、0.01≦yz≦0.2w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たすものを用いるのがよい。また前記第I2 ́の硬質皮膜の成膜には、成分組成が、Alw,Mx,Siy,Bz,Cr1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.65、0.07≦x≦0.35、0.01≦yz≦0.2w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たすものを用いるのがよい。更に前記第I3の硬質皮膜の成膜に用いるターゲットとして、成分組成が、Alw,Mx,Siy,Bz,Ti1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.6、0.05≦x≦0.3、0.01≦yz≦0.15w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たすものを用いることが好ましい。また前記第I3 ́の硬質皮膜の成膜には、成分組成が、Alw,Mx,Siy,Bz,Ti1-w-x-y-zからなり但し、MはW及び/又はMo、0.25≦w≦0.6、0.07≦x≦0.3、0.01≦yz≦0.15w、x、y、zはそれぞれAl,M,Si,Bの原子比を示す。を満たすものを用いることが好ましい。また、本発明に係る高温潤滑性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜は、Tia,Crb,Alc,Sid,Be,M1-a-b-c-d-eC1-fNfからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0<a≦0.7、0<b≦0.7、0.25≦c≦0.75、0≦de≦0.2、0.03≦1-a-b-c-d-e≦0.35、0.5≦f≦1a,b,c,d,e,fはそれぞれTi,Cr,Al,Si,B,Nの原子比を示すであるところに特徴を有するものである以下、第の硬質皮膜ということがある。本発明に係る高温潤滑性および耐摩耗性に優れた別の硬質皮膜は、Tia,Crb,Alc,Sid,Be,M1-a-b-c-d-eC1-fNfからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.05≦a≦0.3、0.05≦b≦0.4、0.3≦c≦0.75、0≦de≦0.2、0.05≦1-a-b-c-d-e≦0.35、0.5≦f≦1a,b,c,d,e,fはそれぞれTi,Cr,Al,Si,B,Nの原子比を示すであるところに特徴を有するものである以下、第の硬質皮膜ということがある。本発明に係る高温潤滑性および耐摩耗性に優れた更に別の硬質皮膜は、Tia,Crb,Alc,Sid,Be,M1-a-b-c-d-eC1-fNfからなる硬質皮膜但し、MはW及び/又はMoであって、0.05≦a≦0.3、0.05≦b≦0.4、0.3≦c≦0.75、0.01≦de≦0.2、0.05≦1-a-b-c-d-e≦0.35、0.5≦f≦1a,b,c,d,e,fはそれぞれTi,Cr,Al,Si,B,Nの原子比を示すであるところに特徴を有するものである以下、第の硬質皮膜ということがある。本発明は、前記硬質皮膜の成膜に用いるターゲットも規定するものであり、該前記第II1の硬質皮膜の成膜に用いるターゲットは、Tiv,Crw,Alx,Siy,Bz,M1-v-w-x-y-z但し、MはW及び/又はMoからなり、0<v≦0.7、0<w≦0.7、0.25≦x≦0.75、0≦yz≦0.2、0.03≦1-v-w-x-y-z≦0.35v,w,x,y,zはそれぞれTi,Cr,Al,Si,Bの原子比を示すを満たし、かつ相対密度が91以上であるところに特徴を有している。また前記第II2の硬質皮膜の成膜に用いるターゲットは、Tiv,Crw,Alx,Siy,Bz,M1-v-w-x-y-z但し、MはW及び/又はMoからなり、0.05≦v≦0.3、0.05≦w≦0.4、0.3≦x≦0.75、0≦yz≦0.2、0.05≦1-v-w-x-y-z≦0.35v,w,x,y,zはそれぞれTi,Cr,Al,Si,Bの原子比を示すを満たし、かつ相対密度が91以上であるところに特徴を有している。更に前記第II3の硬質皮膜の成膜に用いるターゲットは、Tiv,Crw,Alx,Siy,Bz,M1-v-w-x-y-z但し、MはW及び/又はMoからなり、0.05≦v≦0.3、0.05≦w≦0.4、0.3≦x≦0.75、0.01≦yz≦0.2、0.05≦1-v-w-x-y-z≦0.35v,w,x,y,zはそれぞれTi,Cr,Al,Si,Bの原子比を示すを満たし、かつ相対密度が91以上であるところに特徴を有している。更に本発明では、耐摩耗性および耐酸化性に優れた別の硬質皮膜として、組成の異なる層Aと層Bが積層されてなる硬質皮膜であって、上記層Aが、Ala,Cr1-aC1-eNeからなり、0.25≦a≦0.7、0.5≦e≦1を満たす硬質皮膜;Ala,Sic,Bd,Cr1-a-c-dC1-eNeからなり、0.25≦a≦0.7、0<cd≦0.2、0.5≦e≦1を満たす硬質皮膜;およびAla,Sic,Bd,Ti1-a-c-dC1-eNeからなり、0.25≦a≦0.7、0<cd≦0.15、0.5≦e≦1を満たす硬質皮膜;a,c,d,eはそれぞれAl,Si,B,Nの原子比を示す。よりなる群から選択される一種であり、上記層Bが、Mb,Sic,BdC1-eNeからなり但し、MはW及び/又はMo、0.8≦b≦1、0≦cd≦0.2を満たす硬質皮膜b,c,d,eはそれぞれM,Si,B,Nの原子比を示す。であって、上記層Aと上記層Bが下記式1の関係を満たすよう積層されてなるところに特徴を有するものも規定する[以下、第IIIの硬質皮膜ということがある]。0.5≦層Bの厚み≦層Aの厚み...1本発明は、上記硬質皮膜の形成に用いるターゲットも規定するものであり、該ターゲットは、相対密度が92以上であるところに特徴を有している。上記ターゲットとして、前記層Aの形成には、成分組成が、Alw,Cr1-wからなり、0.25≦w≦0.7を満たすもの;Alw,Siy,Bz,Cr1-w-y-zからなり、0.25≦w≦0.7、0<yz≦0.2を満たすもの;およびAlw,Siy,Bz,Ti1-w-y-zからなり、0.25≦w≦0.7、0<yz≦0.15を満たすもの;w,y,zはそれぞれAl,Si,Bの原子比を示す。よりなる群から選択される一種を用いるのがよい。また前記層Bの形成には、成分組成が、Mx,Siy,Bzからなり但し、MはW及び/又はMo、0.8≦x≦10≦yz≦0.2x,y,zはそれぞれM,Si,Bの原子比を示す。を満たすものを用いるのがよい。本発明は以上の様に構成されており、従来の硬質皮膜よりも、耐酸化性と耐摩耗性に優れた硬質皮膜や高温潤滑性と耐摩耗性に優れた硬質皮膜を得ることができた。こうした硬質皮膜の実現によって、高速切削や焼き入れ鋼など高硬度鋼の切削で優れた切削性能を発揮し、かつ長寿命である切削工具を供給できることとなった。本発明者らは、前述した様な状況の下で、より優れた耐摩耗性を発揮する硬質皮膜の実現を目指して鋭意研究を進めた。その結果、I従来のTiAlCN膜、該TiAlCN膜のTiをCrで代替したCrAlCN膜、またはAlCN膜に、W及び/又はMo以下、元素Mということがある、更にはSi及び/又はBを添加すれば、耐酸化性を高めうると共に膜の硬度が向上し、結果として耐摩耗性が飛躍的に向上すること、II従来のTiCrAlCN膜に、元素M更にはSi及び/又はBを添加すれば、高温潤滑性と耐摩耗性に優れた硬質皮膜が得られること、III≦層Bの厚み≦層Aの厚み...1本発明者らは、前述した様な状況の下で、高速切削や焼き入れ鋼など高硬度鋼の切削において、より厳しい条件にも優れた切削性能を発揮する硬質皮膜の実現を目指して鋭意研究を進めた。その結果、後述する組成のAl,CrCN、Al,Cr,Si,BCN、およびAl,Ti,Si,BCNよりなる群から選択される一種層Aと、後述する組成のMb,Sic,BdC1-eNe[但し、MはW及び/又はMo]B層を積層させれば、耐酸化性および耐摩耗性が格段に優れた皮膜を得ることができた。その理由として、WやMoをAl,CrCN、Al,Cr,Si,BCN、Al,Ti,Si,BCNに添加する場合、過度にWやMoを添加すると、皮膜の結晶構造が軟質な六方晶構造に転移する場合があるが、上記層A;Al,CrCN、Al,Cr,Si,BCN、およびAl,Ti,Si,BCNよりなる群から選択される一種と、上記B層;Mb,Sic,BdC1-eNe[但し、MはW及び/又はMo]とを積層させれば上記問題を解消できるためと考えられる。但し、上記層B自体は上記層Aと比較して硬度が低いため、B層を相対的に厚くすると皮膜硬度が低下し、上記作用効果が十分発揮されなくなる。従って本発明では、上記層Aと層Bが下記式1を満たすように積層させる。即ち、層Bの厚み≦層Aの厚みとする一方、層Bが薄すぎると、実質層Aのみの挙動を示し、より優れた耐酸化性および耐摩耗性を確保できないことから、層Bの厚みを0.5nm以上好ましくは1.0nm以上とする。0.5≦層Bの厚み≦層Aの厚み...1また層Aの厚みは、100nm以下とすることが好ましく、積層数は、膜厚に応じて変えればよい。上記層Aにおいて、Alは、耐酸化性を向上させる効果を有しており、Alが少なすぎると耐酸化性の向上を図ることが難しいため、本発明では層AにおけるAl量を原子比で0.25以上とした。好ましくは0.3以上である。一方、Al量が多過ぎると、結晶構造が高硬度層である立方晶岩塩型から六方晶ウルツ鉱型に変化して硬度が低下する。そこで本発明ではAl量を原子比で0.7以下に抑えた。耐酸化性と硬度を共に高める観点からは、Alの原子比を0.5未満とすることが好ましい。また、層Aとして更にSi及び/又はBを添加されたものが、CrAlN皮膜やTiAlN皮膜よりも優れた耐酸化性を示すので好ましい。Si及び/又はBは、僅かな添加でも効果がある一方、過度に添加すると、前記Alを過剰に添加した場合と同様に軟質な六方晶が析出しやすくなる。よってSi及び/又はB量は、原子比で0.2以下好ましくは0.15以下の範囲で添加する。上記層Bは、W及び/又はMo元素Mを主体とするものであり、MCNとして、MoCN、WCN等が挙げられる。更にSi及び/又はBの添加されたM,Si及び/又はBCNとして、例えばMoSiCN、WBCN等を形成すれば、より優れた耐酸化性を示すので好ましい。層Bにおいても、Si及び/又はBは僅かな添加で効果を発揮し、過度に添加すると、前記元素M量が相対的に低下して硬度が低下するため、Si及び/又はB量は、原子比で0.2以下好ましくは0.15以下に抑えるのがよい。上記層Aにおいて、C、Nの量を規定した理由は次の通りである。即ち、皮膜中にCを添加してTiCやWC、MoC等の高硬度の炭化物を析出させれば、皮膜の硬度を高めることができる。この様な効果を発揮させるには、上記TiやW、Moと同量程度のCを存在させるのがよい。しかしCを過剰に添加すると、水分と反応して容易に分解する不安定なAlの炭化物や、Crの炭化物が過度に析出するので、Cの原子比1-eは0.5未満、即ち、Nの原子比eを0.5以上とする。Nの原子比eは0.7以上であることが好ましく、より好ましくは0.8以上であり、e=1の場合を最も望ましい形態とする。尚、第IIIの硬質皮膜の結晶構造は、高強度を確保する観点から、実質的に岩塩構造型を主体とするものであることが好ましい。前記第IIIの硬質皮膜としては、上記要件を満足する同成分組成の層を複数積層させたものや、上記要件を満たし且つ成分組成が相互に異なる皮膜を複数積層させたものを用いることもできる。また用途によっては、前記IIIの硬質皮膜の片面側または両面側に、岩塩構造型であって、本発明の規定とは異なる成分組成の金属窒化物層、金属炭化物層または金属炭窒化物層であるTiN、TiAlN、TiCrAlN、TiCN、TiAlCN、TiCrAlCN、TiC等の皮膜が、本発明の硬質皮膜の耐酸化性および耐摩耗性が損なわれない範囲で積層されていてもよい。前記第IIIの硬質皮膜は、トータルとしての膜厚が0.5μm以上で20μm以下の範囲内であることが望ましい。0.5μm未満だと、膜厚が薄すぎて優れた耐摩耗性が十分に発揮され難く、一方、上記膜厚が20μmを超えると、切削中に膜の欠損や剥離が発生するからである。より好ましい膜厚は1μm以上で15μm以下である。本発明は、前記第IIIの硬質皮膜の製造方法まで規定するものではないが、本発明の硬質皮膜は、WとAlといった融点が極端に異なる元素を含む場合があるため、電子ビームによる蒸着法やホロカソード法では組成の制御が困難であり、固体蒸着源により成膜を実施するスパッタリング法またはアークイオンプレーティング法AIP法で成膜することが推奨される。ところでSiやBと、Wの様に、融点のみならず質量も大きく相違する元素を含む皮膜を形成する場合、成膜時に圧力が高いとターゲット組成と皮膜組成にずれが生じる。その原因として、蒸着原子と成膜ガスArやN2の散乱が挙げられるが、この様な散乱を抑制するには、AIP法で成膜する場合、全圧力を3Pa以下、スパッタリング法で成膜する場合には全圧力を1Pa以下とするのが好ましい。しかし圧力が低すぎると、窒素が皮膜中に導入され難くなるので、反応ガスの分圧は、AIP法の場合:0.5Pa以上、スパッタリング法の場合:0.05Pa以上とするのが好ましい。成膜時の基板被処理体に印加するバイアス電圧は、AIP装置を用いて成膜する場合、30~200Vの範囲とすることが望ましい。基板にバイアス電圧を印加することで基体被処理体へのイオン衝撃が有効に行われ、岩塩構造型のAlNの形成が促進されるものと考えられるが、この様な効果を発揮させるには、前記バイアス電圧を30V以上とすることが好ましいからである。しかし前記バイアス電圧が高すぎると、イオン化した成膜ガスによって膜がエッチングされ、成膜速度が極端に小さくなることから、前記バイアス電圧は200V以下とすることが好ましい。成膜時の基板被処理体温度は、AIP装置を用いて成膜する場合、300°C以上800°C以下とすることが好ましい。得られた硬質皮膜に過大な残留応力が作用していると、成膜ままの状態で剥離が生じ易く密着性に劣る。この様な皮膜の残留応力は、基板被処理体温度を高めることで低減する傾向にあることから、基板被処理体温度を300°C以上とするのが好ましい。一方、基板被処理体温度を高めれば上記残留応力は低減するが、残留応力が小さすぎる場合には圧縮応力が小さくなり、基板の抗折力増加作用が損なわれ、また高温による基板の熱的変質も生じることとなる。従って基板被処理体温度の上限は800°Cとすることが好ましい。前記IIIの硬質皮膜は、固体蒸着源として用いるターゲットを蒸発またはイオン化させて、被処理体上に成膜するイオンプレーティング法やスパッタリング法等の気相コーティング法にて製造するのが有効であるが、該ターゲットの特性が好ましくない場合には、成膜時に安定した放電状態が保てず、得られる皮膜の成分組成が均一でない等の問題が生じる。そこで優れた耐摩耗性を発揮する本発明の硬質皮膜を得るにあたり、使用するターゲットの特性についても検討したところ、下記の様な知見が得られた。即ち、ターゲットの相対密度を92以上とすることで、成膜時の放電状態が安定し、効率よく本発明の硬質皮膜が得られることが分かった。ターゲットの密度が92未満の場合、ターゲットが飛散して良好に成膜が行えないといった不具合が生じうるからである。特にエネルギーの投入密度が高いAIP法の場合、この傾向は顕著であるため、AIP法で成膜する場合には、相対密度が好ましくは95以上、より好ましくは98以上のターゲットを用いるのがよい。AIP法等の気相コーティング法では、使用するターゲットの成分組成が、形成される皮膜の成分組成を決定付けることから、ターゲットの成分組成は、目的とする皮膜の成分組成と同一であることが好ましい。即ち、前記層Aの形成には、その組成が、Alw,Cr1-wからなり、0.25≦w≦0.7を満たすもの;Alw,Siy,Bz,Cr1-w-y-zからなり、0.25≦w≦0.7、0<yz≦0.2を満たすもの;およびAlw,Siy,Bz,Ti1-w-y-zからなり、0.25≦w≦0.7、0<yz≦0.15を満たすもの;w,y,zはそれぞれAl,Si,Bの原子比を示す。よりなる群から選択される一種であって、形成しようとする層Aと同成分組成のターゲットを用いるのがよい。また前記層Bの形成には、その組成が、Mx,Siy,Bzからなり但し、MはW及び/又はMo、0.8≦x≦1、0≦yz≦0.2x,y,zはそれぞれM,Si,Bの原子比を示す。を満たし、形成しようとする硬質皮膜と同成分組成のターゲットを用いるのがよい。上記ターゲットの組成分布のばらつきが0.5原子以内であれば、得られる硬質皮膜の成分組成分布も均一となりやすく、安定した成膜を行なえるので好ましい。また、ターゲット中に不可避的に混入する不純物酸素、水素、塩素、銅およびマグネシウムが多量に含まれていると、成膜時にターゲットからこれらのガスが突発的に発生し、放電状態が不安定となり、最悪の場合にはターゲットそのものが破損して良好に成膜されないので、ターゲット中に含まれる酸素は0.3質量以下、水素は0.05質量以下、塩素は0.2質量以下、銅は0.05質量以下、マグネシウムは0.03質量以下に抑えるのがよい。ところで本発明は、上記ターゲットの製造方法についてまで特定するものではないが、例えば、量比や粒径等を適切に調整した原材料のAl粉末や、Cr粉末、Ti粉末、Si粉末、B粉末、元素Mの粉末等を、V型ミキサー等で均一に混合して混合粉末とした後、これに冷間静水圧加圧処理CIP処理あるいは熱間静水圧加圧処理HIP処理を施すことが本発明のターゲットを得る有効な方法として挙げられる。また、これらの方法の他、熱間押出法や超高圧ホットプレス法等によっても本発明のターゲットを製造することもできる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。[実施例1]図3に示す成膜装置後述する図4の成膜装置でもよいに、Cr-Al合金ターゲット、Cr-Al-W合金ターゲットまたはCr-Al-Mo合金ターゲットを取り付けて成膜を行った。尚、基板には、皮膜の成分組成、結晶構造、硬度および酸化処理後の酸化皮膜の膜厚耐酸化性の測定用として鏡面研磨を施した超硬合金を使用し、切削性能の評価用として5Rの超硬合金製ボールエンドミルを使用した。成膜は、上記いずれかの成膜装置の支持台上に、被処理体として上記基板を取り付け、チャンバー内を1×10-3Pa以下にまで排気した後、チャンバー内にあるヒーターで基板被処理体の温度を約500°Cにまで加熱し、それからArイオンでスパッタクリーニングを実施した。前記図3におけるスパッタリング装置で成膜する場合には、直径6インチのターゲットを用い、投入電力を2kWとし、窒化物皮膜を形成する場合には、Ar:N2=65:35の混合ガスを導入し、炭窒化物皮膜を形成する場合には、Ar:N2CH4=65:35の混合ガスを導入して全圧力0.5Paで成膜を実施した。一方、前記図3におけるAIP装置で成膜する場合には、直径100mmのターゲットを用い、アーク電流を150Aとし、窒化物皮膜を形成する場合には、全圧2.7PaのN2雰囲気とし、炭窒化物皮膜を形成する場合には、N2とCH4の混合ガスCH4量を変化させてC量を制御するを導入して成膜を実施した。いずれの方式を用いた場合にも、基板被処理体の表面に膜厚3~4μmの皮膜を形成した。また、成膜時の基板バイアス電圧として、両方式ともに、アース電位に対して基板被処理体がマイナス電位となるよう30~50V印加した。この様にして鏡面超硬合金基板上に成膜された皮膜の成分組成、結晶構造、硬度、酸化処理後の酸化皮膜の膜厚耐酸化性を下記の通り測定した。a成分組成皮膜の成分組成はEPMAで測定した。b結晶構造X線回折により同定した。表1中のCは立方晶、Hは六方晶を示す。c硬度マイクロビッカース硬度計を用いて測定した。荷重は0.245Nとした。d耐酸化性大気中で900°C×1時間の条件で酸化処理した後、表面に形成された酸化皮膜の膜厚を測定3箇所の平均値を算出して、耐酸化性を評価した。次に、上記の通り成膜した超硬合金製ボールエンドミルを用い、以下の条件で切削試験を行い、測定した外周境界部の逃げ面磨耗量で皮膜の耐摩耗性を評価した。<切削条件>被削材:JISSKD61硬度HRC50切削速度:220m/分刃送り:0.06mm/刃深さ切り込み:4.5mm軸切り込み:0.5mm切削長:100m以上の様に測定した皮膜の成分組成、結晶構造、硬度、酸化皮膜の膜厚および逃げ面磨耗量の値を表1に示す。表1より、本発明の要件を満たす皮膜は、高いビッカース硬度を示し、酸化処理後の酸化皮膜の厚みが薄く、切削試験における摩耗も抑えられている。これに対し、本発明の要件を満たさない皮膜は、硬度が低いか、酸化皮膜が厚く耐酸化性に劣っているか、または切削試験における摩耗が著しくなっている。即ち、No.1,2,9は、元素Mが含まれていないか規定範囲に満たないため、硬度が低く、また耐酸化性に劣っており、切削試験における摩耗も著しい。No.8,14は、元素Mが過剰に添加されているため、この場合も硬度が低く、耐酸化性に劣っており、また切削試験における摩耗も著しい。No.18は、Alが少ないため、硬度が低く、耐酸化性に劣ると共に切削試験での摩耗量も多い。No.22、23は、Alが過剰であるため、硬度が低くなっており、また耐磨耗性が劣っている。No.28は、Nの原子比が高いため、硬度が低く、耐酸化性や耐摩耗性にも劣っている。[実施例2]前記図3に示す成膜装置にターゲットを取り付けて成膜を行った。前記ターゲットとしては、Cr-Al合金ターゲット、Cr-Al-W合金ターゲット、Cr-Al-W-Si合金ターゲット、Cr-Al-W-B合金ターゲット、またはCr-Al-W-B-Si合金ターゲットを用いた。尚、基板には、皮膜の成分組成、結晶構造、硬度および酸化処理後の酸化皮膜の膜厚耐酸化性の測定用として鏡面研磨を施した超硬合金を使用し、切削性能の評価用として5Rの超硬合金製ボールエンドミルを使用した。成膜は、上記いずれかの成膜装置の支持台上に、被処理体として上記基板を取り付け、チャンバー内を1×10-3Pa以下にまで排気した後、チャンバー内にあるヒーターで基板被処理体の温度を約500°Cにまで加熱し、それからArイオンでスパッタクリーニングを実施した。前記図3におけるスパッタリング装置で成膜する場合には、直径6インチのターゲットを用い、投入電力を2kWとし、窒化物皮膜を形成する場合には、Ar:N2=65:35の混合ガスを導入し、炭窒化物皮膜を形成する場合には、Ar:N2CH4=65:35の混合ガスを導入して全圧力0.5Paで成膜を実施した。一方、前記図3におけるAIP装置で成膜する場合には、直径100mmのターゲットを用い、アーク電流を150Aとし、窒化物皮膜を形成する場合には、全圧2.7PaのN2雰囲気とし、炭窒化物皮膜を形成する場合には、N2とCH4の混合ガスCH4量を変化させてC量を制御するを導入して成膜を実施した。いずれの方式を用いた場合にも、基板被処理体の表面に膜厚3~4μmの皮膜を形成した。また、成膜時の基板バイアス電圧として、両方式ともに、アース電位に対して基板被処理体がマイナス電位となるよう30~50V印加した。この様にして成膜された皮膜の成分組成、結晶構造、硬度、酸化処理後の酸化皮膜の膜厚耐酸化性および切削試験における逃げ面磨耗量耐摩耗性を、上記実施例1と同様にして測定した。その結果を表2,表3に示す。表2および表3より、本発明の要件を満たす皮膜は、高いビッカース硬度を示し、酸化処理後の酸化皮膜の厚みが薄く、切削試験における摩耗も抑えられている。これに対し、本発明の要件を満たさない皮膜は、硬度が低いか、酸化皮膜が厚く耐酸化性に劣っているか、または切削試験における摩耗が著しいといった不具合が生じている。即ち、No.1とNo.11は、元素Mが含まれていないため、硬度が低く、酸化皮膜が厚く耐酸化性に劣っており、また切削試験における摩耗が著しい。No.6とNo.16はSiの原子比が高く結晶構造が六方晶となったため、硬度が低く、切削試験における摩耗が著しい。No.9とNo.19は、SiBの原子比が高く六方晶が生じたため、切削試験における摩耗量が多くなっている。No.25は、Nの原子比が高いため、硬度が低く、耐酸化性や耐摩耗性にも劣っている。[実施例3]ターゲットの相対密度が形成される皮膜の面粗度や硬度に及ぼす影響について調べた。それぞれ100メッシュ以下のAl粉末、Ti粉末、Cr粉末、W粉末、Mo粉末、Si粉末、B粉末を所定量混合し、温度:500°Cかつ気圧:100MPaの条件でHIP処理するか、熱間鍛造法余熱温度:400°C、またはホットプレス法焼結温度:550°Cで、表4または表5に示す各成分組成のターゲットを作製した。上記ターゲットの成分組成は蛍光X線分析で測定した。上記ターゲットを前記図3に示す成膜装置に取り付けて放電成膜を実施し、得られた皮膜の面粗度と硬度を測定した。硬度は前記実施例1の場合と同様にして測定した。これらの結果を表4および表5に示す。表4および表5より、本発明で規定する相対密度を満足するターゲットを用いて成膜した場合には、得られる皮膜の面粗度が小さくかつ高硬度であることが分かる。これに対し、ターゲットの相対密度が本発明で規定する要件に満たないものは、得られる皮膜の面粗度が大きくなり面粗度が大きくなると、切削時の抵抗が高まり摩耗量が増大する、また硬度が十分に高くないといった不具合が生じた。[実施例4]図4のUBMS蒸発源スパッタ蒸発源およびAIP蒸発源アーク蒸発源を有する成膜装置に、Ti、Cr、Al、W、Moを含有するターゲットを取り付け、UBMS蒸発源またはAIP蒸発源を使用して表6に示す組成の皮膜を形成した。基材は、皮膜の構造および組成並びに高温下での摩擦係数の測定用として超硬合金基板を、また切削試験用として超硬合金製スクエアエンドミル六枚刃を用いた。UBMS法、AIP法のいずれにおいても、チャンバー中に基板を導入し真空引きした後、基材を約500°Cまで加熱し、その後Arイオンによるイオンクリーニングを、Ar圧力:0.6Pa、基板バイアス電圧:-500Vとして3分間実施した。そしてUBMS法の場合は、Ar-窒素の混合ガス中またはAr-窒素-メタンの混合ガス中全圧力:0.6Paで、基板への印加バイアスを70Vとして成膜を実施した。AIP法の場合は、窒素ガス中または窒素-メタンガス中全圧力:4Paで印加バイアス:70V、アーク電流:150Aとして成膜した。皮膜の厚みは各々約3μmである。この様にして成膜された皮膜の成分組成、結晶構造、硬度、高温下における摩擦係数高温潤滑性を下記の通り測定した。a成分組成皮膜の成分組成はEPMAで測定した。b結晶構造X線回折により同定した。表6中のB1は立方晶、B4は六方晶を示す。c硬度マイクロビッカース硬度計測定荷重0.245N、測定時間15秒で測定した。d高温潤滑性高温下における摩擦係数は、相手材を熱間金型鋼SKD61、HRC50、温度:800°C、摺動速度:0.3m/s、垂直荷重:2N、切削雰囲気:大気中の条件で摩擦試験を行い、摺動距離が1000mの時点で測定した。また切削性能は、前述の超硬合金製6枚刃エンドミルを用い、被削材:SKD11HRC60を使用し、切削速度:150m/分、送り:0.05mm/刃、深さ切り込み:5mm、軸切り込み:0.1mmの条件で50mの切削を行い、刃先逃げ面の摩耗量で評価した。これらの評価結果を表6に示す。表6より、本発明の要件を満たす皮膜は、高温潤滑性に優れると共に、高硬度を示し、切削試験における摩耗も抑えられている。これに対し、本発明の要件を満たさない皮膜は、高温潤滑性に劣っているか、硬度が低いか、または切削試験における摩耗が著しいといった不具合が生じている。即ち、No.1~4は、元素Mが含まれていないか不足しているため、高温潤滑性に劣り、また切削試験における摩耗が著しい。一方、No.8は、元素Mが過剰であるため、切削試験時の摩耗が著しい。No.9は、Al量が少なすぎるため、皮膜が低硬度化し切削試験時の摩耗も著しい。一方、No.12は、Al量が過剰であるため、皮膜が著しく軟質化し、切削試験時の摩耗量も大きい。No.15は、C量が過剰であるため、皮膜の硬度が却って低下している。またNo.16は、Ti量が過剰となり相対的にAl量が不足したため、皮膜が低硬度化し、切削試験時の摩耗量も大きくなっている。[実施例5]更にSiまたは/およびBを含有する皮膜を形成して特性を調べた。Ti、Cr、Al、元素M、Siまたは/およびBを含有するターゲットを、前記図4に示す成膜装置に取り付け、上記実施例4と同様にして、表7に示す成分組成の皮膜を形成した。そして得られた皮膜の特性を上記実施例4と同様に評価した。その結果を表7に示す。表7より、本発明の要件を満たす皮膜は、高温潤滑性に優れると共に、高いビッカース硬度を示し、切削試験における摩耗も抑制されている。特にSiまたは/およびBを含む効質皮膜は、高温潤滑性がより高い傾向にある。これに対し、本発明の要件を満たさない皮膜は、高温潤滑性に劣っているか、硬度が低いか、または切削試験における摩耗が著しいといった不具合が生じている。即ち、No.21はTi量が過剰であるため、切削試験時の摩耗量が大きい。No.22は、Ti量が過剰となり相対的にAl量が不足したため、皮膜が低硬度化し、切削試験時の摩耗量も大きくなっている。またNo.23は、元素Mが含まれていないため、高温潤滑性に劣り、切削試験における摩耗も著しい。[実施例6]ターゲットの相対密度が、放電状態や、形成される皮膜の面粗度、硬度に及ぼす影響について調べた。前記表7のNo.26に示す組成の皮膜を形成するためのターゲット成分組成:原子比でTi:0.15、Cr:0.15、Al:0.55、W:0.11、Si:0.04を、表8に記載のHIP、熱間鍛造または焼結法で作製した。尚、該HIP法は、HIP温度:450~500°C、HIP圧力:1000気圧の条件で行った。また熱間鍛造は、試料温度:400°Cで鍛造した。更に焼結法では温度:800°Cで焼結を行った。そしてX線回折によるターゲットの構成相の同定を実施した後、得られたターゲットの相対密度を、上記相構成より計算できる理論密度とアルキメデス法により求められる実ターゲットの密度を比較して導出した。また得られたターゲットを、前記図4に示す成膜装置に取り付けて、UBMS法またはAIP法で実施例4と同様の条件で放電して成膜を実施し、得られた皮膜の面粗度と硬度の測定、及び切削試験を行った。硬度の測定と切削試験は前記実施例4と同様にして行った。これらの結果を表8に示す。表8より、本発明で規定する相対密度を満足するターゲットを用いて成膜した場合には、得られる皮膜の面粗度が小さくかつ高硬度であることが分かる。これに対し、ターゲットの相対密度が本発明で規定する要件に満たないものは、得られる皮膜の面粗度が大きくなり面粗度が大きくなると、切削時の抵抗が高まり摩耗量が増大する、切削試験時の摩耗量が大きくなった。[実施例7]前記図4のUBMS蒸発源およびAIP蒸発源を有する成膜装置に、表9に示すターゲットを取り付けて、表9各層の厚み,積層数に示す通り、層Aと層Bの積層構造を有する硬質皮膜を形成した。尚、基板には、皮膜の成分組成、結晶構造、硬度および酸化処理後の酸化皮膜の膜厚耐酸化性の測定用として鏡面研磨を施した超硬合金を使用し、切削性能の評価用として5Rの超硬合金製ボールエンドミルを使用した。成膜に際して、成膜装置の支持台上に被処理体として上記基板を取り付け、チャンバー内を1×10-3Pa以下にまで排気した後、チャンバー内にあるヒーターで基板被処理体の温度を約500°Cにまで加熱し、それからArイオンでスパッタクリーニングを実施した。積層皮膜の形成は、AIP法を単独で実施する場合には、AIP装置部に直径100mmのターゲットを取り付け、アーク電流を150Aとし、窒化物皮膜を形成する場合には、全圧2.7PaのN2雰囲気とし、炭窒化物皮膜を形成する場合には、N2とCH4の混合ガスCH4量を変化させてC量を制御するを導入して成膜を実施した。UBMS法を単独で実施する場合には、成膜時の基板バイアス電圧として、両方式ともに、アース電位に対して基板被処理体がマイナス電位となるよう30~50V印加した。スパッタリング装置部には直径6インチのターゲットを取り付け、投入電力を2kWとし、窒化物皮膜を形成する場合には、Ar:N2=65:35の混合ガスを導入し、炭窒化物皮膜を形成する場合には、Ar:N2CH4=65:35の混合ガスを導入して全圧力0.5Paで成膜を実施した。また、UBMS法とAIP法を複合して実施する場合には、基板をArイオンでエッチング後、UBMS蒸発源およびAIP蒸発源を、2.7PaのAr-50N2雰囲気中にて同時に放電させ、被処理体を中央の回転する基板ホルダーに搭載し、UBMS蒸発源スパッタ蒸発源とAIP蒸発源アーク蒸発源の前を被処理体が交互に通過するようにして行った。尚、積層皮膜における層A、層Bの各厚みは、各蒸発源の蒸発速度および基板の回転速度を変化させることにより制御した。この様にして、トータル厚さが3~4μmの硬質皮膜積層皮膜を基板被処理体の表面に形成した。上記積層皮膜の成分組成、結晶構造、硬度、酸化皮膜の膜厚および逃げ面磨耗量を下記の通り測定した。a成分組成皮膜の成分組成はEPMAで測定した。b結晶構造X線回折により同定した。表9中のCは立方晶を示す。c硬度マイクロビッカース硬度計測定荷重0.245N、測定時間15秒で測定した。d耐酸化性大気中で900°C×1時間の条件で酸化処理した後、表面に形成された酸化皮膜の膜厚を測定3箇所の平均値を算出して、耐酸化性を評価した。また切削性能は、上記の通り成膜した超硬合金製ボールエンドミルを用い、以下の条件で切削試験を行い、測定した外周境界部の逃げ面磨耗量で皮膜の耐摩耗性を評価した。<切削条件>被削材:JISSKD61硬度HRC50切削速度:220m/分刃送り:0.06mm/刃深さ切り込み:4.5mm軸切り込み:0.5mm切削長:100m以上の様に測定した皮膜の成分組成、結晶構造、硬度、酸化皮膜の膜厚および逃げ面磨耗量の値を表9に示す。表9より、本発明の要件を満たす皮膜は、高硬度を示し、酸化処理後の酸化皮膜の厚みが薄く、切削試験における摩耗も抑えられている。これに対し、本発明の要件を満たさない皮膜は、硬度が低いか、酸化皮膜が厚く耐酸化性に劣っているか、または切削試験における摩耗が著しくなっている。即ち、No.1,2,8は、層Bの厚みが層Aよりも厚いため硬度が低く、耐酸化性に劣っており、切削試験における摩耗も著しい。[実施例8]ターゲットの相対密度が形成される皮膜の面粗度や硬度に及ぼす影響について調べた。それぞれ100メッシュ以下のAl粉末、Ti粉末、Cr粉末、W粉末、Mo粉末、Si粉末、B粉末を所定量混合し、温度:500°Cかつ気圧:100MPaの条件でHIP処理するか、熱間鍛造法余熱温度:400°C、またはホットプレス法焼結温度:550°Cで、表10~12に示す各成分組成のターゲットを作製した。上記ターゲットの成分組成は蛍光X線分析で測定した。そして、上記ターゲットを前記図4に示す成膜装置に取り付けて放電成膜を実施し、得られた皮膜の面粗度と硬度を測定した。硬度は前記実施例7の場合と同様にして測定した。これらの結果を表10~12に示す。表10~12より、本発明で規定する相対密度を満足するターゲットを用いて成膜した場合には、得られる皮膜の面粗度が小さくかつ高硬度であることが分かる。これに対し、ターゲットの相対密度が本発明で規定する要件に満たないものは、得られる皮膜の面粗度が大きくなり面粗度が大きくなると、切削時の抵抗が高まり摩耗量が増大する、また硬度が十分に高くないといった不具合が生じた。"