酸化物半導体を含むチャネルを有するトランジスタに負のゲート電圧をパルス状に印加し、得られたゲート電流から、前記チャネルに当たる光の照度を測定することを特徴とする光の測定方法。請求項1において、前記ゲート電圧は-10V以上-2V以下であることを特徴とする光の測定方法。請求項1において、前記ゲート電圧は0とし、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極に2V以上10V以下の電圧を印加することを特徴とする光の測定方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記ゲート電圧は1ms以上2ms以下の期間印加することを特徴とする光の測定方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記ゲート電圧の印加の単位時間あたりの回数は、30回/分以上60回/分以下であることを特徴とする光の測定方法。酸化物半導体を含むチャネルを有するトランジスタと、発振回路と、を有し、前記発振回路の出力は前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続されており、前記チャネルは受光部であることを特徴とする光センサ。酸化物半導体を含むチャネルを有するトランジスタと、発振回路と、を有し、前記発振回路の出力は前記トランジスタのソース電極およびドレイン電極と電気的に接続されており、前記チャネルは受光部であることを特徴とする光センサ。請求項6または請求項7において、前記チャネルと同一成分のチャネルを有するトランジスタにて動作するRFIDを有することを特徴とする半導体装置。請求項6または請求項7において、前記チャネルと同一成分のチャネルを有するトランジスタにて動作する表示装置を有することを特徴とする半導体装置。請求項6または請求項7において、前記チャネルと同一成分のチャネルを有するトランジスタにて動作する電子ペーパーを有することを特徴とする半導体装置。酸化物半導体は、アモルファスシリコンよりも高い移動度を有する点と、G10と呼ばれる数メートル角の基板の全面に一様な膜として形成可能である点を併せ持つところに特徴を有する。これにより、例えば、高速動作を可能とする大型のフラットパネルディスプレイを実現できる。酸化物半導体を利用して光センサを作製できれば、光センサとトランジスタを同一の酸化物半導体層を利用して形成できるため、少ない工程で光センサを有する半導体装置、例えば、高性能大型フラットパネルディスプレイを作製できる。特許文献4には、酸化物半導体を利用した光センサが開示されているが、当該光センサは、光を受けて変化した特性がそのままでは元に戻らない特徴を有しており、測定のつど、リフレッシュ動作を要する。光センサは数秒の周期で照度を測定できることが好ましいが、当該リフレッシュ動作を数秒の周期で行うと、相当な電力を消費することになるため好ましくない。そこで本発明の課題の一は、酸化物半導体を含むチャネルを有するトランジスタを利用した光の測定方法であって、リフレッシュ動作を不要にするものを提供することとする。また、そのような特性を有する光センサ、および当該光センサを搭載した半導体装置を提供することを、本発明の課題の一とする。本発明の一形態は、酸化物半導体を含むチャネルを有するトランジスタに負のゲート電圧をパルス状に印加し、得られたゲート電流から、当該チャネルに当たる光の照度を測定することを特徴とする光の測定方法である。ゲート電圧は、-10V以上-2V以下で与えると好ましい。この際、ソース電極及びドレイン電極は0つまりグランドに落とす。ゲート電圧は0つまりグランドに落とし、ソース電極及びドレイン電極に2V以上10V以下の電圧を印加しても同様の効果が得られる。また、ゲート電圧は、0.01ms以上100ms以下、好ましくは1ms以上2ms以下の期間印加するとよい。当該印加の時間を100msより長くすると、その間のゲート電流の変化が顕著となり、測定精度が低下する。また、当該印加の時間を0.01ms未満とすると、高性能の回路が必要となるため好ましくない。当該印加の時間を1ms以上2ms以下とすると測定の精度が高くなるためより好ましい。当該印加の単位時間あたりの回数は、30回/分以上60回/分以下であると好ましい。これにより、通常の環境下においては人がほぼ連続的と感じるように輝度等を調整することができる頻度で、光を測定することができる。しかし、当該回数はこの範囲に限らず、用途により実施者が適宜選択すればよい。また、当該回数は、一定に保つことにより周波数と呼ぶことができるが、必ずしも周期的に電圧を印加する必要はない。本発明の他の一形態は、酸化物半導体を含むチャネルを有するトランジスタと、発振回路とを有し、発振回路の出力はトランジスタのゲート電極と電気的に接続されており、チャネルは受光部であることを特徴とする光センサである。本発明の他の一形態は、酸化物半導体を含むチャネルを有するトランジスタと、発振回路とを有し、発振回路の出力はトランジスタのソース電極およびドレイン電極と電気的に接続されており、チャネルは受光部であることを特徴とする光センサである。また、上記発明の一形態は、上述のトランジスタのチャネルと同一成分のチャネルを有するトランジスタにて動作するRFIDを有することを特徴とする半導体装置である。また、上記発明の他の一形態は、上述のトランジスタのチャネルと同一成分のチャネルを有するトランジスタにて動作する表示装置を有することを特徴とする半導体装置である。また、上記発明の他の一形態は、上述のトランジスタのチャネルと同一成分のチャネルを有するトランジスタにて動作する電子ペーパーを有することを特徴とする半導体装置である。なお、本明細書において、発振回路とは、ゲート電圧としてパルス状の電圧を印加するものであり、例えば、リングオシレーターなどを利用するとよい。さらに、分周回路を追加することで、当該印加の時間などを制御できる。なお、本明細書でいう電気的に接続とは、無線による接続も含むものとする。比較的高い移動度と低いS値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより本発明の一形態に係る光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。そのような半導体装置の例として、高移動度を利用した倍速駆動、または4倍速駆動のフラットパネルディスプレイや、RFIDRadioFrequencyIDentificationに光センサを搭載したものなどが挙げられる。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。また、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指すものとする。実施の形態1本実施の形態では、酸化物半導体を有するボトムゲート構造のトランジスタを利用した光センサの作製方法と当該光センサを用いた照度の測定方法の一例について、図面を参照して説明する。当該トランジスタは、トップゲート構造のものであってもよい。また、当該光センサは半導体素子の一種であるとする。はじめに、基板100上に導電層102を形成する図1A参照。基板100は、絶縁表面を有する基板であればよく、例えば、ガラス基板とすることができる。ガラス基板は無アルカリガラス基板であることが好ましい。無アルカリガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料が用いられる。他にも、基板100として、セラミック基板、石英基板やサファイア基板等の絶縁体でなる絶縁性基板、シリコン等の半導体材料でなる半導体基板の表面を絶縁材料で被覆したもの、金属やステンレス等の導電体でなる導電性基板の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることができる。また、作製工程の熱処理に耐えられるのであれば、プラスチック基板を用いることもできる。導電層102は、アルミニウムAl、銅Cu、モリブデンMo、タングステンW、チタンTi等の導電性材料でなることが望ましい。形成方法には、スパッタリング法や真空蒸着法、プラズマCVD法などがある。なお、導電層102にアルミニウムまたは銅を用いる場合、アルミニウム単体または銅単体では耐熱性が低く、腐蝕しやすい等の問題があるため、耐熱性導電性材料と組み合わせて形成することが好ましい。耐熱性導電性材料としては、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素を含む金属、上述した元素を成分とする合金、上述した元素を組み合わせた合金、または上述した元素を成分とする窒化物などを用いることができる。これらの耐熱性導電性材料とアルミニウムまたは銅を積層させて、導電層102を形成すればよい。図示しないが、基板100上には下地層を設けても良い。下地層は、基板100からのアルカリ金属Li、Cs、Na等やアルカリ土類金属Ca、Mg等、その他の不純物の拡散を防止する機能を有する。つまり、下地層を設けることにより、半導体装置の信頼性向上という課題を解決することができる。下地層は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの各種絶縁材料でなる単層構造または積層構造を有するものとすればよい。具体的には、例えば、基板100側から窒化シリコンと酸化シリコンを順に積層した構成とすることが好適である。窒化シリコンは、不純物に対し高いブロッキング効果を有するためである。一方で、窒化シリコンが半導体と接する場合には、半導体素子に不具合が発生する可能性もあるため、半導体と接する材料としては、酸化シリコンを適用するのがよい。次に、導電層102上に選択的にレジストマスク104を形成し、該レジストマスク104を用いて導電層102を選択的にエッチングすることで、ゲート電極として機能する導電層106を形成する図1B参照。レジストマスク104は、レジスト材料の塗布、フォトマスクを用いた露光、現像、等の工程を経ることにより形成される。レジスト材料の塗布は、スピンコート法などの方法を適用することができる。また、レジストマスク104は、液滴吐出法やスクリーン印刷法などを用いて選択的に形成されるものとしてもよい。この場合、フォトマスクを用いた露光、現像等の工程が不要になるため、生産性向上という課題を解決することが可能である。なお、レジストマスク104は、導電層102のエッチングにより導電層106が形成された後には除去される。上述のエッチングには、ドライエッチングやウエットエッチングを用いる。また、後に形成されるゲート絶縁層等の被覆性を向上し、段切れを防止するために、導電層106の端部がテーパー形状となるようエッチングすると良い。例えば、テーパー角が20°以上90°未満となるような形状とすることが好ましい。ここで、テーパー角とは、テーパー形状を有する層を断面方向から観察した際に、当該層の側面と底面とがなす鋭角をいう。次に、導電層106を覆うように、ゲート絶縁層として機能する絶縁層108を形成する図1C参照。絶縁層108は、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の材料で形成される。また、これらの材料を積層させて絶縁層108を形成しても良い。絶縁層108の厚さは、5nm以上250nm以下であると好ましい。例えば、スパッタリング法により、厚さ100nmの酸化シリコンを形成する。スパッタリング法により形成された絶縁層中には、水素や窒素などが少なく、ゲート絶縁層として好適である。他の方法プラズマCVD法などを用いて絶縁層108を形成する場合には、内部の水素や窒素などの影響を考慮すべきであるが、所望の絶縁層108が得られるのであれば、作製方法については特に限定されない。例えば、絶縁層108中の水素濃度、窒素濃度が、後に形成される酸化物半導体層中より低いことを目安とすればよい。より具体的には、絶縁層108中の水素の濃度が1×1021atoms/cm3以下好ましくは、5×1020atoms/cm3以下、絶縁層108中の窒素の濃度が1×1019atoms/cm3以下とすれば良い。なお、良好な特性の絶縁層108を得るためには、形成時の温度を400°C以下とすることが望ましいが、開示する発明の一形態がこれに限定して解釈されるものではない。また、上記濃度は、絶縁層108中での平均値を示している。また、スパッタリング法とCVD法プラズマCVD法などとを組み合わせて、積層構造の絶縁層108を形成しても良い。例えば、絶縁層108の下層導電層106と接する領域をプラズマCVD法により形成し、絶縁層108の上層をスパッタリング法により形成することができる。プラズマCVD法を用いると、段差被覆性の良い膜を容易に形成できるため、段差の大きい導電層106の直上に膜を形成する方法として適している。また、スパッタリング法を用いると、膜中の水素濃度を容易に下げられるため、水素に悪影響を受けやすい酸化物半導体層に接する膜を形成する方法として適している。これにより、絶縁層108中の水素が酸化物半導体層中へ拡散することを抑制できる。酸化物半導体層内もしくはその近傍に存在する水素の半導体特性に与える影響は極めて大きいため、このような構成を採用することは効果的である。なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成において、窒素よりも酸素の含有量原子数が多いものを示し、窒化酸化物とは、その組成において、酸素よりも窒素の含有量原子数が多いものを示す。次に、絶縁層108を覆うように酸化物半導体層110を形成する図1D参照。本実施の形態においては、酸化物半導体層110に金属酸化物半導体材料を用いる。酸化物半導体層としては、少なくともIn、Ga、Sn及びZnから選ばれた一種以上の元素を含有する。例えば、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体や、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、In-Sn-Zn-O系酸化物半導体、In-Al-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Al-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Al-Zn-O系酸化物半導体や、二元系金属の酸化物であるIn-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Zn-O系酸化物半導体、Al-Zn-O系酸化物半導体、Zn-Mg-O系酸化物半導体、Sn-Mg-O系酸化物半導体、In-Mg-O系酸化物半導体や、In-Ga-O系酸化物半導体、一元系金属の酸化物であるIn-O系酸化物半導体、Sn-O系酸化物半導体、Zn-O系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にInとGaとSnとZn以外の元素、例えばSiO2を含ませてもよい。例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物半導体、という意味であり、その組成比は問わない。また、酸化物半導体層は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、Mn及びCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。酸化物半導体層110は、例えば、In、Ga、Znを含む酸化物半導体ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1を用いたスパッタリング法により形成できる。該スパッタリングは、例えば、基板100とターゲットとの距離を30mm以上500mm以下、圧力を0.1Pa以上2.0Pa以下、直流DC電源を0.25kW以上5.0kW以下、温度を20°C以上100°C以下、雰囲気をアルゴン等の希ガス雰囲気、酸素雰囲気、またはアルゴン等の希ガスと酸素との混合雰囲気とする条件で行うことができる。また、上記のスパッタリング法としては、スパッタリング用電源に高周波電源を用いるRFスパッタリング法や、直流電源を用いるDCスパッタリング法、パルス的に直流バイアスを加えるパルスDCスパッタリング法などを用いることができる。本実施の形態においては、酸化物半導体層110を単層で形成する場合について示しているが、酸化物半導体層110は、積層構造としても良い。例えば、絶縁層108上に、酸化物半導体層110と同様の組成の酸化物半導体層以下通常の導電性の酸化物半導体層と呼ぶを形成し、その後、酸化物半導体層110と構成元素が同じでその構成比率が異なる酸化物半導体層以下導電性の高い酸化物半導体層と呼ぶを形成して、上記構成に代えることができる。この場合、導電性の高い酸化物半導体層をソース電極またはドレイン電極と通常の導電性の酸化物半導体層との間に設けることになるため、素子特性の向上につながる。導電性の高い酸化物半導体層の形成条件は、例えば、アルゴンガスの流量に対する酸素ガスの流量を、通常の導電性の酸化物半導体層の形成条件より小さいものとすると良い。より具体的には、導電性の高い酸化物半導体層の形成条件は、希ガスアルゴン、又はヘリウムなど雰囲気下、または、酸素ガス10以下、希ガス90以上の雰囲気下とし、通常の導電性の酸化物半導体層の形成条件は、酸素雰囲気下、または、希ガスに対する酸素ガスの流量比が1以上の雰囲気下とする。このようにすることで、導電性の異なる2種類の酸化物半導体層を形成することができる。また、絶縁層108を形成してから大気に曝すことなく酸化物半導体層110を形成すると、絶縁層108と酸化物半導体層110の界面にパーティクルや水分が付着することを抑制することができる。なお、酸化物半導体層110の厚さは、5nm~200nm程度とすればよい。次に、酸化物半導体層110上に選択的にレジストマスク112を形成し、該レジストマスク112を用いて酸化物半導体層110を選択的にエッチングすることで、酸化物半導体層114を形成する図1E参照。ここで、レジストマスク112は、レジストマスク104と同様の方法で形成できる。また、レジストマスク112は、酸化物半導体層110のエッチングにより酸化物半導体層114が形成された後には除去される。酸化物半導体層110のエッチングには、ウエットエッチングまたはドライエッチングを用いることができる。ここでは、酢酸と硝酸と燐酸との混合液を用いたウエットエッチングにより、酸化物半導体層110の不要な部分を除去して、酸化物半導体層114を形成する。なお、上記のウエットエッチングに用いることができるエッチャントエッチング液は酸化物半導体層110をエッチングできるものであればよく、上述したものに限られない。ドライエッチングを行う場合は、例えば、塩素原子を含有するガス例えば、塩素Cl2、二酸化塩素ClO2などまたは塩素原子を含有するガスに酸素O2が添加されたガスを用いると良い。塩素原子を含有するガスを用いることで、絶縁層と、酸化物半導体層110とのエッチング選択比がとりやすくなるためである。ドライエッチングには、反応性イオンエッチング法RIE法を用いたエッチング装置や、ECRElectronCyclotronResonanceやICPInductivelyCoupledPlasmaなどの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置を用いることができる。また、それらに類似した技術を用いてもよい。次に、絶縁層108および酸化物半導体層114を覆うように、導電層116を形成する図2A参照。導電層116は、導電層102と同様の材料、方法によって形成できる。例えば、導電層116は、モリブデンやチタンの単層構造で形成できる。また、導電層116を積層構造で形成してもよく、例えば、アルミニウムとチタンとの積層構造とすることができる。また、チタンと、アルミニウムと、チタンとを順に積層した3層構造としてもよい。また、モリブデンとアルミニウムとモリブデンとを順に積層した3層構造としてもよい。また、これらの積層構造に用いるアルミニウムとして、ネオジムを含むアルミニウムAl-Ndを用いてもよい。さらに、導電層116を、シリコンを含むアルミニウムの単層構造としてもよい。次に、導電層116上に選択的にレジストマスク118およびレジストマスク120を形成し、該レジストマスクを用いて導電層116を選択的にエッチングすることで、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層122およびソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層124を形成する図2B参照。ここで、レジストマスク118およびレジストマスク120は、レジストマスク104と同様の方法で形成できる。また、レジストマスク118およびレジストマスク120は、導電層116のエッチングにより導電層122および導電層124が形成された後には除去される。レジストマスク118およびレジストマスク120は、多階調マスクを用いて形成されたものでもよい。ここで、多階調マスクとは、多段階の光量で露光を行うことが可能なマスクをいう。これを用いることで、一度の露光および現像工程によって、複数代表的には2種類の厚さのレジストマスクを形成することができる。つまり、多階調マスクを用いることで、工程数を削減することができる。導電層116のエッチングには、ウエットエッチングまたはドライエッチングを用いることができる。ここでは、ドライエッチングにより導電層116の不要な部分を除去して、導電層122および導電層124を形成する。なお、本実施の形態においては、上記導電層116のエッチングの際に酸化物半導体層114の一部が除去される構成チャネルエッチ型としているが、開示する発明の一形態はこれに限定されない。エッチングの進行を停止させる層エッチストッパを酸化物半導体層114と導電層116との間に形成して、酸化物半導体層114がエッチングされない構成エッチストップ型とすることもできる。導電層122および導電層124を形成した後には、100°C以上500°C以下、代表的には200°C以上400°C以下の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間以上5時間以下程度とすればよい。ここでは、窒素雰囲気下で350°C、1時間の熱処理を行うこととする。なお、該熱処理のタイミングは、酸化物半導体層110を形成した後、層間絶縁層にあたる絶縁層を形成する前であれば特に限定されない。例えば、酸化物半導体層110を形成した直後に上記の熱処理を行っても良い。また、酸化物半導体層114を形成した直後や、導電層116を形成した直後であっても良い。当該熱処理第1の熱処理と後の熱処理第2の熱処理とを行うことで、半導体素子の特性を向上させ、また、特性ばらつきを抑えることができる。なお、上記熱処理の条件を400°C以下とすることは、ゲート絶縁層として機能する絶縁層108の特性を変化させない劣化させないために好適である。もちろん、開示する発明の一形態がこれに限定して解釈されるものではない。また、導電層122及び導電層124と酸化物半導体層114の上下関係は、図2に示したものに限らず、上下逆になった構造としてもよい。上下逆になったものは後の発明実施の形態の図に例を示す。また、導電層で酸化物半導体層の一部を挟み込む構造又は酸化物半導体層で導電層の一部を挟み込む構造としてもよい。また、トランジスタをトップゲート構造としても同様のことが言える。次に、導電層122、導電層124、酸化物半導体層114などを覆うように絶縁層126を形成する図2C参照。ここで、絶縁層126は、いわゆる層間絶縁層にあたる。絶縁層126は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の材料で形成される。また、これらの材料を積層させて絶縁層126を形成してもよい。絶縁層126中の水素の濃度が1×1021atoms/cm3以下好ましくは、5×1020atoms/cm3以下であると好ましい。また、絶縁層126中の窒素の濃度が1×1019atoms/cm3以下であると好ましい。なお、上記濃度は、絶縁層126中での平均値を示している。上述のような条件を満たす絶縁層126のより具体的な一例として、スパッタリング法により形成された酸化シリコンを挙げることができる。スパッタリング法を用いると、形成物中の水素濃度を容易に下げられるからである。もちろん、上述の条件を満たすのであれば、プラズマCVD法を含む他の方法により形成しても良い。例えば、プラズマCVD法にて絶縁層126を形成後、ハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマ処理を当該絶縁層126に施して、その中の水素濃度を下げることができる。絶縁層126のその他の条件については、特に限定されない。例えば、絶縁層126の厚さについては、実現可能な範囲であればどのような値を採っても良い。その後、各種電極や配線を形成することでトランジスタ150を具備する半導体装置が完成する図2D参照。本実施の形態においては代表的に、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電層122、124につながる導電層128を形成する例について示すが、開示する発明の一形態はこれに限定されない。導電層128を形成した後には、100°C以上500°C以下、代表的には200°C以上400°C以下の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間以上5時間以下程度とすればよい。ここでは、窒素雰囲気下で350°C、1時間の熱処理を行うこととする。なお、該熱処理のタイミングは、絶縁層126を形成した後であれば特に限定されない。例えば、絶縁層126を形成した直後に上記の熱処理を行っても良いし、さらに他の絶縁層や導電層などを形成した後に、上記の熱処理を行っても良い。当該熱処理第2の熱処理と先の熱処理第1の熱処理とを行うことによって、半導体素子の特性を向上させ、また、特性ばらつきを抑えることができる。なお、第2の熱処理の効果は、上述のものに留まらない。例えば、第2の熱処理は、絶縁層126の欠陥を修復するという効果をも有している。絶縁層126は比較的低温で形成されるため、内部には欠陥を有しており、そのまま使用した場合には素子特性に悪影響を及ぼすおそれがある。このような絶縁層126中の欠陥を修復するという観点からも、上述の熱処理は重要な役割を果たすと言える。また、上記熱処理の条件を400°C以下とすることは、ゲート絶縁層として機能する絶縁層108の特性を変化させない劣化させないために好適である。もちろん、開示する発明の一形態はこれに限定して解釈されるものではない。つづいて、完成したトランジスタ150を利用して光の照度を測定する方法を説明する。まず、例えば、トランジスタ150の上方より、測定したい光を酸化物半導体層114に入射させる。このとき、絶縁層126は測定したい光を透過させるものでなければならない。基板100と導電層106と絶縁層108に測定したい光に対する透光性を持たせ、トランジスタ150の下方より、測定したい光を酸化物半導体層114に入射させてもよい。つぎに負のゲート電圧をパルス状に印加した状態で、ゲート電流を測定する。このときゲート電流は光の照度によって異なる値を示すため、これにより照度を測定できる。具体例を図3に沿って説明する。図3Aは印加するゲート電圧と時間の関係の例を示している。縦軸はゲート電圧Vg、横軸は時間tをさす。この例では、ゲート電圧を-2V、1パルスの印加時間を1ms、パルス周波数を60回/分とした。このとき、ゲート電流Igと酸化物半導体層114に入る光の照度Eと時間tの関係は、図3Bのようになった。左の縦軸はゲート電流Igの絶対値、右の縦軸は光の照度E、横軸は時間tをさす。20秒ごとにトランジスタ150に当てる光の照度を変化させたところ、照度に応じて一定のゲート電流Igが得られることが判った。本実験によると、照度0のとき、ゲート電流Igの絶対値は4×10-12Aアンペア、照度1のとき、ゲート電流Igの絶対値は1×10-10Aアンペア、照度2のとき、ゲート電流Igの絶対値は8×10-10Aアンペアを示した。なお、照度0とは何も光を当てない状態、照度1とは照度0でない光を当てる状態、照度2とは、照度1よりも高い照度の光を当てる状態をさす。これにより、照度Eとゲート電流Igの絶対値の関係は、正の相関を示すことがわかった。再現性も高く、トランジスタ150は光センサとして使えることがわかった。なお、電圧をパルス状に印加するには、例えば、リングオシレーターなどの発振回路を用いるとよい。さらに、分周回路を追加することで、当該印加の時間などを制御できる。つづいて、図4及び図5に沿ってゲート電圧Vgをなぜパルス状に印加しなくてはならないかを説明する。図4は、光を当てていないトランジスタ150に一定のゲート電圧Vgこの例では-2Vを400秒間印加し続ける例を示す。図4Aは印加するゲート電圧Vgと時間tの関係を示している。このとき、ゲート電流Igは、図4Bに示すように時間変化した。縦軸はゲート電流Igの絶対値、横軸は時間tをさす。これによると400秒の間、ゲート電流Igの絶対値は徐々に下がり続けることが判る。一定のゲート電圧Vgを与えたとき、ゲート電流Igが経時変化するため、ゲート電流値から照度を測定することは難しいことが判る。他方、図5は、光を当てていないトランジスタ150にゲート電圧Vgこの例では-2Vをパルス状、すなわち断続的に400秒間印加し続ける例を示す。図5Aは印加するゲート電圧Vgと時間tの関係を示している。1パルスのゲート電圧を与える時間を1ms、パルス周波数を8回/分とした。このとき、ゲート電流Igは、図5Bに示すようにほぼ一定の値を示した。縦軸はゲート電流Igの絶対値、横軸は時間tをさす。したがって、ゲート電流Igを測定することにより、光の照度を導出できる。本実施の形態において示すように、酸化物半導体層114を有するトランジスタにより、光の照度を測定できることが判った。また、比較的高い移動度と低いS値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより本発明の一実施の形態に係る光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。そのような半導体装置の例として、高移動度を利用した倍速駆動、または4倍速駆動のフラットパネルディスプレイや、RFIDRadioFrequencyIDentificationに光センサを搭載したものなどが挙げられる。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な手順にて光の照度を測定できる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一実施の形態に係る光センサに電流増幅部を接続する例について説明する。当該光センサにて検出される電流は極めて微弱であるため、このような構成をとることが好ましい。なお、電流増幅部を含めたものを光センサと呼んでもよいが、本明細書では両者を区別して呼称する。図6に光センサと電流増幅部を併設する例を示す。電流増幅部には酸化物半導体を有するトランジスタを利用できるが、当該トランジスタに光を当てると特性が変動してしまうため、遮光部を設けると好ましい。また、電流の増幅をより大きくするためには電流増幅部にトランジスタを複数設ければよい。図6Aにボトムゲート構造の酸化物半導体トランジスタを2つ併設する例を示す。図中、左側のトランジスタが電流増幅部であり、右側のものが光センサである。つづいて、各トランジスタを構成する要素について説明する。図6Aの例では、電流増幅部のトランジスタと光センサのそれとは全く同じ構成なので、ここでは片方のトランジスタの説明のみとする。基板601上にゲート電極として機能する導電層602が、その上にゲート絶縁層として機能する絶縁層603が配置されている。基板601と導電層602との間には、下地層として絶縁層を設けてもよい。さらにその上には酸化物半導体層604があり、その上にソース電極またはドレイン電極として機能する導電層605がある。絶縁層606は、酸化物半導体層604と導電層605などを覆っていて、導電層605に通じる開口部を有している。当該開口部には、配線として機能する導電層607が充填されていて、各トランジスタを電気的につなげている。導電層607を絶縁層608が覆い外部から保護するとともに、一部の導電層607に通じる開口部を有している。当該開口部には導電層609が充填されており、さらに外側に配置される電源線VDDや電源線VSSにつながる配線部を形成している。さらに導電層609には光センサとなるトランジスタの上方に開口部651が設けられており、当該開口部651より光を取り込み、その照度を測定することができる。また、導電層609には電流増幅部のトランジスタを遮光する役割もある。図6Bにトップゲート構造の酸化物半導体トランジスタを2つ併設する例を示す。図中、左側のトランジスタが電流増幅部であり、右側のものが光センサである。つづいて、各トランジスタを構成する要素について説明する。図6Bの例では、電流増幅部のトランジスタと光センサのそれとは、遮光層610以外全く同じ構成なので、ここでは片方のトランジスタの説明のみとする。基板611上の一部に遮光層610が設けられており、電流増幅部を構成するトランジスタを遮光している。基板611と遮光層610の上には、下地層として機能する絶縁層600がある。これにより基板611からトランジスタへの不純物の流入を抑えることが出来る。絶縁層600の上には、酸化物半導体層614があり、その上にはソース電極またはドレイン電極として機能する導電層615がある。導電層615と酸化物半導体層614を覆う絶縁層613はゲート絶縁層として機能する。さらにその上にはゲート電極として機能する導電層612があり、当該導電層612と絶縁層613を絶縁層616が覆っている。絶縁層616と絶縁層613は導電層615に通じる開口部を有しており、当該開口部には配線として機能する導電層617が充填され各トランジスタなどを電気的につなげている。絶縁層618は、導電層617を覆い外部から保護するとともに、一部の導電層617に通じる開口部を有している。当該開口部には導電層619が充填されており、さらに外側に配置される電源線VDDや電源線VSSにつながる配線部を形成している。トップゲート構造のトランジスタでは、基板611の側から酸化物半導体層614に光を入射させて光の照度を測定するとよい。もちろん用いる電極の種類によっては、どちらの側からでも光を入射させることができる。この例では、遮光層610により、図中の右側のトランジスタのみに光が入射される。図6Cにトップゲート構造の酸化物半導体トランジスタとボトムゲート構造のものを併設する例を示す。図中、左側のボトムゲート構造のトランジスタaが電流増幅部であり、右側のトップゲート構造のトランジスタbが光センサであるが、両者を入れ替えてもよい。つづいて、各トランジスタを構成する要素について説明する。基板621上には、トランジスタaを構成しゲート電極として機能する導電層622aがある。その上には、トランジスタaのゲート絶縁層として機能する絶縁層630があり、これはトランジスタbの下地層として機能する。さらにその上には酸化物半導体層624があり、双方のトランジスタのチャネルの役割を担っている。酸化物半導体層624に接してソース電極またはドレイン電極として機能する導電層625があり、酸化物半導体層624と導電層625などをトランジスタbのゲート絶縁層として機能する絶縁層623が覆っている。絶縁層623の上には、トランジスタbのゲート電極として機能する導電層622bがあり、導電層622bと絶縁層623を覆うように絶縁層626がある。絶縁層626と絶縁層623は、導電層625に通じる開口部を有しており、当該開口部には配線として機能する導電層627が充填され各トランジスタなどを電気的につなげている。絶縁層628は、導電層627を覆い外部から保護するとともに、一部の導電層627に通じる開口部を有している。当該開口部には導電層629が充填されており、さらに外側に配置される電源線VDDや電源線VSSにつながる配線部を形成している。トップゲート構造のトランジスタでは、基板621の側から酸化物半導体層624に光を入射させてその照度を測定するとよい。このときトランジスタaのゲート電極の機能を有する導電層622aは遮光層としても機能する。つぎに、図7に示す回路図に沿って、電流増幅方法について説明する。光センサ201は、1つのトランジスタ1bを含む。これをN個のトランジスタkakは1以上N以下の自然数を含む電流増幅部200に接続し、ゲート電流Igを増幅させる。電流増幅部200は、いわゆるカレントミラー回路を成している。ゲート電流Igは電流増幅部200の有するN個のトランジスタにより増幅され、その値はゲート電流IgのN倍となる。従って、Nを大きくすればするほど、増幅される電流は増えることになる。トランジスタ1bは、先に示した酸化物半導体を有するものとすればよく、複数あってもよい。また、トランジスタkaは先に示した遮光層を有するものとすればよいが、酸化物半導体を有しないトランジスタであってもよい。つづいて、図7に示す回路にて光の照度を測定する例を示す。まず、トランジスタ1bのソース電極とドレイン電極に0V、ゲート電極に-2Vをそれぞれ印加する。印加時間は、1ms以上2ms以下とし、印加の周波数は30回/分以上60回/分以下とした。印加時間及び印加の周波数についてはこれらの範囲に限らず、実施者が適宜用途に応じて最適化する。これにより、一定値を示すゲート電流Igがトランジスタ1aに流れ、これと同量の電流Igがトランジスタkakは2以上N以下の自然数にそれぞれ流れる。これにより、電流IgのN倍の電流が得られる。本実施の形態において示すように、酸化物半導体を有するトランジスタを含む光センサ201と電流増幅部200の組み合わせにより、光の照度をより正確に測定できることが判った。また、比較的高い移動度と低いS値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより本発明の一実施の形態に係る光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。そのような半導体装置の例として、高移動度を利用した倍速駆動、または4倍速駆動のフラットパネルディスプレイや、RFIDRadioFrequencyIDentificationに光センサを搭載したものなどが挙げられる。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な手順にて光の照度を測定できる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態3本実施の形態では、上記実施の形態で述べた酸化物半導体を利用したトランジスタの適用例であるRFIDタグについて、図21を参照して説明する。本実施の形態におけるRFIDタグは、内部に記憶回路を有し、記憶回路に必要な情報を記憶し、非接触手段、例えば無線通信を用いて外部と情報の授受を行うものである。このような特徴から、RFIDタグは、物品などの個体情報を読み取ることにより物品の識別を行う個体認証システムなどに用いることが可能である。なお、これらの用途に用いるためには極めて高い信頼性が要求される。RFIDタグの構成について図21を用いて説明する。図21は、RFIDタグの構成例を示すブロック図である。図21に示すようにRFIDタグ500は、通信器501質問器、リーダ/ライタなどともいうに接続されたアンテナ502から送信される無線信号503を受信するアンテナ504を有する。またRFIDタグ500は、整流回路505、定電圧回路506、復調回路507、変調回路508、論理回路509、記憶回路510、ROM511を有している。本発明の一実施の形態においては、これらに光センサ513とA/D変換回路512を追加する。なお、復調回路507に含まれる整流作用を示すトランジスタに逆方向電流を十分に抑制することが可能な材料、例えば、酸化物半導体、が用いられた構成とすると好ましい。これにより、逆方向電流に起因する整流作用の低下を抑制し、復調回路の出力が飽和することを防止できる。つまり、復調回路の入力に対する復調回路の出力を線形に近づけることができる。なお、データの伝送形式は、一対のコイルを対向配置して相互誘導によって交信を行う電磁結合方式、誘導電磁界によって交信する電磁誘導方式、電波を利用して交信する電波方式の3つに大別される。本実施の形態に示すRFIDタグ500は、そのいずれの方式に用いることも可能である。次に各回路の構成について説明する。アンテナ504は、通信器501に接続されたアンテナ502との間で無線信号503の送受信を行うためのものである。また、整流回路505は、アンテナ504で無線信号を受信することにより生成される入力交流信号を整流、例えば、半波2倍圧整流し、後段に設けられた容量素子により、整流された信号を平滑化することで入力電位を生成するための回路である。なお、整流回路505の入力側または出力側には、リミッタ回路を設けてもよい。リミッタ回路とは、入力交流信号の振幅が大きく、内部生成電圧が大きい場合に、ある電力以上の電力を後段の回路に入力しないように制御するための回路である。定電圧回路506は、入力電位から安定した電源電圧を生成し、各回路に供給するための回路である。なお、定電圧回路506は、内部にリセット信号生成回路を有していてもよい。リセット信号生成回路は、安定した電源電圧の立ち上がりを利用して、論理回路509のリセット信号を生成するための回路である。復調回路507は、入力交流信号を包絡線検出することにより復調し、復調信号を生成するための回路である。また、変調回路508は、アンテナ504より出力するデータに応じて変調をおこなうための回路である。論理回路509は復調信号を解析し、処理を行うための回路である。記憶回路510は、入力された情報を保持する回路であり、ロウデコーダ、カラムデコーダ、記憶領域などを有する。また、ROM511は、固有番号IDなどを格納し、処理に応じて出力を行うための回路である。なお、上述の各回路は、必要に応じて、適宜、取捨することができる。本実施の形態では、本発明の一実施の形態に係る光センサ513をRFIDタグ500に搭載している。そのため、RFIDタグ500にどのくらい光が当たったかなどの光に関する情報を記憶回路510に記録することが出来る。これにより、例えば、ある畑にRFIDタグ500を配置し、通信器501からの信号を受信させ続ければ、一年間の日照量などを記録することが出来る。このとき、光センサ513にパルス状の電圧を印加するため、発振回路を通信器501に搭載すると好ましい。この情報は、生産者には畑の日照量と収穫物の品質の相関などを調べる上で有用であり、消費者には購入の判断材料になる。また、少なくとも復調回路507の一部と光センサを同様の工程にて作製できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。本明細書中では、復調回路507の一部をなすトランジスタのチャネルと、光センサ513の一部をなすトランジスタのチャネルは、同一成分で構成されているとみなす。これらのチャネルは同一工程にて形成されるからである。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な手順にて光の照度を測定できる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態4本実施の形態では、半導体装置の一例であるアクティブマトリクス基板の作製工程について、図面を用いて説明する。なお、本実施の形態で示す作製工程は、多くの部分で先の実施の形態と共通している。したがって、以下においては、重複する部分の説明は省略し、異なる点について詳細に説明する。なお、以下の説明において、図8、図9は断面図を示しており、図10は平面図を示している。また、図8および図9のA1-A2、B1-B2はそれぞれ、図10のA1-A2、B1-B2に対応する領域を示す。また、本実施の形態においてA1-A2に示す半導体素子は、ボトムゲート構造のトランジスタである。はじめに、基板300上に配線または電極ゲート電極302、容量配線304、第1の端子306を形成する図8A参照。具体的には、基板上に導電層を形成した後、レジストマスクを用いたエッチングにより各種配線、各種電極を形成する。本実施の形態においては、先の実施の形態に示した方法と同様の方法で各種配線、各種電極を形成することができるから、詳細については先の実施の形態図1A、図1Bの説明部分などを参照すればよい。なお、上記において、電極と配線との区別は便宜的なものに過ぎないから、その機能は電極または配線の称呼に限定して解釈されない。例えば、ゲート電極はゲート配線と同一物を指す場合がある。なお、容量配線304、第1の端子306については、ゲート電極302と同一の材料および作製方法を用いて、同時に形成することができる。このため、例えば、ゲート電極302と第1の端子306とを電気的に接続する構成とすることが可能である。ゲート電極302の材料や作製方法の詳細については、先の実施の形態を参照することができる。次に、ゲート電極302上にゲート絶縁層308を形成し、第1の端子306を露出させるようにゲート絶縁層308を選択的にエッチングして、コンタクトホールを形成する図8B参照。ゲート絶縁層308についての詳細は、先の実施の形態図1Cの説明部分などを参照すればよい。エッチング処理については特に限定されず、ウエットエッチングを用いても良いし、ドライエッチングを用いても良い。次に、ゲート絶縁層308や第1の端子306を覆う導電層を形成した後、該導電層を選択的にエッチングすることでソース電極310またはドレイン電極、ドレイン電極312またはソース電極、接続電極314、第2の端子316を形成する図8C参照。なお、上記において、電極と配線との区別は便宜的なものに過ぎないから、その機能は電極または配線の称呼に限定して解釈されない。例えば、ソース電極はソース配線と同一物を指す場合がある。上記導電層の材料や作製方法、エッチング処理などについては、先の実施の形態図2A、図2Bの説明部分などを参照すればよい。なお、エッチング処理においてドライエッチングを用いる場合には、ウエットエッチングを用いる場合と比較して配線構造の微細化が可能になるというメリットがある。接続電極314は、ゲート絶縁層308に形成されたコンタクトホールを介して第1の端子306と直接接続する構成とすることができる。また、第2の端子316は、ソース電極310と電気的に接続する構成とすることができる。次に、少なくともソース電極310およびドレイン電極312を覆うように酸化物半導体層を形成した後、該酸化物半導体層を選択的にエッチングして酸化物半導体層318を形成する図9A参照。ここで、酸化物半導体層318は、ソース電極310およびドレイン電極312の一部と接している。酸化物半導体層318の詳細についても、先の実施の形態図1D、図1Eの説明部分などを参照することができる。酸化物半導体層318を形成した後には、100°C以上500°C以下、代表的には200°C以上400°C以下の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間以上5時間以下程度とすればよい。ここでは、大気雰囲気下で350°C、1時間の熱処理を行うこととする。なお、該熱処理のタイミングは、酸化物半導体層318を形成した後、層間絶縁層にあたる絶縁層を形成する前であれば特に限定されない。例えば、酸化物半導体層318を形成した直後に上記の熱処理を行っても良い。当該熱処理第1の熱処理と後の熱処理第2の熱処理とを行うことで、半導体素子の特性を向上させ、また、特性ばらつきを抑えることができる。なお、上記熱処理の条件を400°C以下とすることは、ゲート絶縁層308の特性を変化させない劣化させないために好適である。もちろん、開示する発明の一形態はこれに限定して解釈されるものではない。次に、ソース電極310、ドレイン電極312、酸化物半導体層318などを覆うように絶縁層320を形成し、当該絶縁層320を選択的にエッチングしてドレイン電極312、接続電極314、および第2の端子316に達するコンタクトホールを形成する図9B参照。絶縁層320は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の材料で形成される。また、これらの材料を積層させて絶縁層320を形成してもよい。絶縁層320中の水素の濃度が1×1021atoms/cm3以下好ましくは、5×1020atoms/cm3以下であると好ましい。また、絶縁層320中の窒素の濃度が1×1019atoms/cm3以下であると好ましい。なお、上記濃度は、絶縁層320中での平均値を示している。上述のような条件を満たす絶縁層320のより具体的な一例として、スパッタリング法により形成された酸化シリコンを挙げることができる。スパッタリング法を用いると、形成物中の水素濃度を容易に下げられるからである。もちろん、上述の条件を満たすのであれば、プラズマCVD法を含む他の方法により形成しても良い。絶縁層320のその他の条件については、特に限定されない。例えば、絶縁層320の厚さについては、実現可能な範囲であればどのような値を採っても良い。次に、ドレイン電極312と電気的に接続する透明導電層322、接続電極314と電気的に接続する透明導電層324および第2の端子316と電気的に接続する透明導電層326を形成する図9C、図10参照。透明導電層322は画素電極として機能し、透明導電層324および透明導電層326は、FPCFlexibleprintedcircuitsとの接続に用いられる電極または配線として機能する。より具体的には、接続電極314上に形成された透明導電層324をゲート配線の入力端子として機能する接続用の端子電極として用い、第2の端子316上に形成された透明導電層326をソース配線の入力端子として機能する接続用の端子電極として用いることができる。また、容量配線304、ゲート絶縁層308、および透明導電層322により保持容量を形成することができる。透明導電層322、透明導電層324、透明導電層326は、酸化インジウムIn2O3、インジウム錫酸化物In2O3―SnO2、ITOとも称す、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnO等とすればよい。例えば、これらはスパッタリング法や真空蒸着法等をエッチング法と併用することで形成できる。透明導電層322、透明導電層324、透明導電層326を形成した後には、100°C以上500°C以下、代表的には200°C以上400°C以下の熱処理を行う。熱処理の雰囲気は、例えば、大気雰囲気や窒素雰囲気、酸素雰囲気等とすることができる。また、熱処理時間は、0.1時間以上5時間以下程度とすればよい。ここでは、大気雰囲気下で350°C、1時間の熱処理を行うこととする。なお、該熱処理のタイミングは、絶縁層320を形成した後であれば特に限定されない。例えば、絶縁層320を形成した直後に上記の熱処理を行っても良いし、絶縁層320にコンタクトホールを形成した後に熱処理を行っても良い。さらに他の絶縁層や導電層などを形成した後に、上記の熱処理を行っても良い。当該熱処理第2の熱処理と先の熱処理第1の熱処理とを行うことによって、半導体素子の特性を向上させ、また、特性ばらつきを抑えることができる。なお、第2の熱処理の効果は、上述のものに留まらない。例えば、第2の熱処理は、絶縁層320の欠陥を修復するという効果をも有している。絶縁層320は比較的低温で形成されるため、内部には欠陥を有しており、そのまま使用した場合には素子特性に悪影響を及ぼすおそれがある。このような絶縁層320中の欠陥を修復するという観点からも、上述の熱処理は重要な役割を果たすと言える。また、上記熱処理の条件を400°C以下とすることは、ゲート絶縁層308の特性を変化させない劣化させないために好適である。もちろん、開示する発明の一形態はこれに限定して解釈されるものではない。以上の工程により、ボトムゲート型のトランジスタ350や保持容量等の素子を有するアクティブマトリクス基板を完成させることができる。例えば、これを用いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置を作製する場合には、アクティブマトリクス基板と、対向電極が設けられた対向基板との間に液晶層を設け、アクティブマトリクス基板と対向基板とを固定すれば良い。本実施の形態において示したアクティブマトリクス基板は、酸化物半導体層318をチャネルとするトランジスタを含むため、本発明の一実施の形態に係る光センサと電流増幅部をほぼ同一工程にて作製できるものである。本明細書中では、光センサとして用いるトランジスタのチャネルと、光センサ以外の酸化物半導体素子として用いるトランジスタのチャネルは、同一成分で構成されているとみなす。これらのチャネルは同一工程にて形成されるからである。比較的高い移動度と低いS値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより本発明の一形態に係る光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態5本実施の形態では、薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部や駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製する例について説明する。また、駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいうや、発光素子発光表示素子ともいうなどを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用しても良い。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、表示装置を構成する素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電層の形成後、エッチング前の状態であっても良い。なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、光源照明装置含むなどを指す。また、FPCFlexiblePrintedCircuit、TABTapeAutomatedBondingテープ、TCPTapeCarrierPackageなどのコネクターが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、表示素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールなども全て表示装置に含むものとする。以下、本実施の形態では、液晶表示装置の一例について示す。図11は、第1の基板4001上に形成された薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ4011および液晶素子4013を、第2の基板4006とシール材4005によって封止した、パネルの平面図および断面図である。ここで、図11A1および図11A2は平面図を示し、図11Bは、図11A1および図11A2のM-Nにおける断面図に相当する。第1の基板4001上に設けられた画素部4002および走査線駆動回路4004を囲むようにして、シール材4005が設けられている。また、画素部4002と走査線駆動回路4004の上に、第2の基板4006が設けられている。つまり、画素部4002と走査線駆動回路4004は、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006とによって、液晶層4008と共に封止されている。また、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれる領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体または多結晶半導体で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。なお、別途形成された駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COG法、ワイヤボンディング法、TAB法などを適宜用いることができる。図11A1は、COG法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図11A2は、TAB法により信号線駆動回路4003を実装する例である。また、第1の基板4001上に設けられた画素部4002と走査線駆動回路4004は、薄膜トランジスタを複数有しており、図11Bでは、画素部4002に含まれる薄膜トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011を例示している。薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ4011上には絶縁層4020、絶縁層4021が設けられている。薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ4011には、先の実施の形態において示したトランジスタなどを適用することができる。なお、本実施の形態において、薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ4011はnチャネル型薄膜トランジスタとした。これらのトランジスタと同様のものは、本発明の一実施の形態に係る光センサや電流増幅部に利用できるため、同一基板上に酸化物半導体を利用した表示装置と光センサを、ほぼ同一工程にて作製することが可能である。また、液晶素子4013に含まれる画素電極層4030は、薄膜トランジスタ4010と電気的に接続されている。そして、液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板4006上に形成されている。上記の画素電極層4030と対向電極層4031、液晶層4008により、液晶素子4013が形成される。なお、画素電極層4030、対向電極層4031には、それぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、絶縁層4033が設けられ、画素電極層4030および対向電極層4031は、これらを介して液晶層4008を挟持している。なお、第1の基板4001、第2の基板4006としては、ガラス、金属代表的にはステンレス、セラミックス、プラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics基板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルム、アクリル樹脂フィルムなどを用いることができる。また、アルミニウム箔をPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。また、画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離セルギャップを制御するために、スペーサ4035が設けられている。スペーサ4035は、例えば、絶縁層を選択的にエッチングすることで得られる。なお、スペーサ4035は、柱状、球状などのさまざまな形状としてよい。また、対向電極層4031は、薄膜トランジスタ4010と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される。例えば、一対の基板間に配置される導電性粒子を介して、対向電極層4031と共通電位線とを電気的に接続することができる。なお、導電性粒子はシール材4005に含有させると良い。また、横電界方式を採用する場合、配向膜を不要にできるブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、昇温によってコレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、5重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いると良い。これにより、発現する温度範囲を広げることができる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答時間が10μs~100μsと短く、光学的等方性を有するため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい、といった特徴を有している。なお、本実施の形態では透過型液晶表示装置の一例を示しているが、これに限定されず、反射型液晶表示装置としても良いし、半透過型液晶表示装置としても良い。また、本実施の形態で示す液晶表示装置では、基板の外側視認側に偏光板を設け、内側に着色層、表示素子に用いる電極層を順に設ける例を示す図12参照が、偏光板は基板の内側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光板や着色層の材料、作製条件などに合わせて適宜変更することができる。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。また、本実施の形態では、薄膜トランジスタの表面凹凸を抑えるため、先の実施の形態で得られたトランジスタを絶縁層4021で覆う構成を採用している。絶縁層4021としては、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることができる。なお、これらの材料を複数積層させて、絶縁層4021を形成してもよい。ここで、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料から形成されたSi-O-Si結合を含む樹脂に相当する。置換基としては、有機基例えばアルキル基やアリール基やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有していても良い。絶縁層4021の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等等の成膜方法や、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等の器具を用いることができる。画素電極層4030、対向電極層4031は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料で形成できる。また、画素電極層4030、対向電極層4031は、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物で形成できる。導電性組成物で形成された画素電極は、シート抵抗が1.0×104Ω/sq.以下、波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率は0.1Ωcm以下であることが好ましい。導電性高分子は、例えば、π電子共役系導電性高分子とする。具体的には、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体またはその誘導体などがあげられる。信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004、画素部4002などに与えられる各種信号は、FPC4018から供給されている。また、接続端子電極4015は、液晶素子4013に含まれる画素電極層4030と同じ導電層で形成され、端子電極4016は、薄膜トランジスタ4010、薄膜トランジスタ4011のソース電極層およびドレイン電極層と同じ導電層で形成されている。接続端子電極4015は、FPC4018が有する端子と、異方性導電層4019を介して電気的に接続されている。なお、図11においては、信号線駆動回路4003を別途形成し、第1の基板4001に実装する例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。図12は、半導体装置の一形態に相当する液晶表示モジュールを、酸化物半導体素子を形成した基板2600を用いて構成する一例を示している。図12では、酸化物半導体素子を形成した基板2600と対向基板2601がシール材2602により固着され、その間に酸化物半導体素子等を含む素子層2603、配向膜や液晶層を含む液晶層2604、着色層2605、偏光板2606などが設けられることにより表示領域が形成されている。着色層2605はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合には、赤、緑、青の各色に対応した着色層が、各画素に対応して設けられている。酸化物半導体素子を形成した基板2600と対向基板2601の外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。また、光源は冷陰極管2610と反射板2611により構成されている。回路基板2612は、フレキシブル配線基板2609により酸化物半導体素子を形成した基板2600の配線回路部2608と接続され、これによって、コントロール回路や電源回路などの外部回路が液晶モジュールに組みこまれる。また、偏光板と液晶層との間には、位相差板を設けても良い。液晶の駆動方式としては、TNTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、MVAMulti-domainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticallyCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモードなどを用いることができる。以上により、光センサを搭載した高性能な液晶表示装置を作製することができる。当該液晶表示装置は酸化物半導体層をチャネルとするトランジスタを含むため、本発明の一実施の形態に係る光センサと電流増幅部をほぼ同一工程にて作製できるものである。本明細書中では、光センサとして用いるトランジスタのチャネルと、光センサ以外の酸化物半導体素子として用いるトランジスタのチャネルは、同一成分で構成されているとみなす。これらのチャネルは同一工程にて形成されるからである。比較的高い移動度と低いS値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより本発明の一形態に係る光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。これにより、外光の急速な変化を当該光センサにて検出できるため、表示装置の輝度調整を迅速かつ円滑に行える。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態6本実施の形態では、図13を参照して半導体装置の一例であるアクティブマトリクス型の電子ペーパーについて説明する。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ650は、先の実施の形態において示したトランジスタなどと同様に作製することができる。また、これらのトランジスタと同様のものを用いて、本発明の一実施の形態に係る光センサを作製できるため、光に反応して表示状態を変化させる電子ペーパーを得ることが出来る。図13に示す電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いたものの一例である。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差を生じさせることによって、球形粒子の向きを制御して、表示を行う方法である。基板690上に設けられた薄膜トランジスタ650のソース電極またはドレイン電極は、絶縁層685に形成されたコンタクトホールを介して、第1の電極660と電気的に接続している。基板691には第2の電極670が設けられており、第1の電極660と第2の電極670との間には、黒色領域680a及び白色領域680bを有する球形粒子680が設けられている。また、球形粒子680の周囲は樹脂等の充填材682で満たされている図13参照。図13において、第1の電極660が画素電極に相当し、第2の電極670が共通電極に相当する。第2の電極670は、薄膜トランジスタ650と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される。ツイストボールの代わりに、電気泳動表示素子を用いることも可能である。その場合、例えば、透明な液体と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μmから200μm程度のマイクロカプセルを用いると良い。第1の電極と第2の電極によって電場が与えられると、白い微粒子と黒い微粒子が互いに逆方向に移動し、白または黒が表示される。電気泳動表示素子は液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトが不要であり、また、明るさが十分ではない場所であっても表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能であるという利点も有している。以上で、光センサを搭載した高性能な電子ペーパーを作製することができる。当該電子ペーパーは酸化物半導体層をチャネルとするトランジスタを含むため、本発明の一実施の形態に係る光センサと電流増幅部をほぼ同一工程にて作製できるものである。本明細書中では、光センサとして用いるトランジスタのチャネルと、光センサ以外の酸化物半導体素子として用いるトランジスタのチャネルは、同一成分で構成されているとみなす。これらのチャネルは同一工程にて形成されるからである。比較的高い移動度と低いS値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより本発明の一形態に係る光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。これにより、外光の急速な変化を当該光センサにて検出できるため、電子ペーパーの表示状態を外光に応じて迅速に変化させることが出来る。例えば、外に設けられた電子ペーパーの表示内容を外光の照度に応じて自動的に変化させることができるため、天候に応じて広告の内容を変えるなどすることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態7本実施の形態では、半導体装置の一例である発光表示装置について説明する。ここでは、表示素子としてエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いる場合について示す。なお、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入される。そして、それらキャリア電子および正孔が再結合することにより発光する。このようなメカニズムから、該発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するものドナー-アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用するもの局在型発光である。なお、ここでは、有機EL素子について説明する。発光素子の構成について、図14を用いて説明する。ここでは、駆動用トランジスタがn型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図14A、図14B、図14Cの半導体装置に用いられるトランジスタ701、トランジスタ711、トランジスタ721は、先の実施の形態で示したトランジスタと同様に作製することができる。これらのトランジスタと同様のものは、本発明の一実施の形態に係る光センサや電流増幅部に利用できるため、同一基板上に酸化物半導体を利用した発光表示装置と光センサを、ほぼ同一工程にて作製することが可能である。発光素子は、光を取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方が透明になっている。ここで、透明とは、少なくとも発光波長における透過率が十分に高いことを意味する。光の取り出し方式には、基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を形成し、該基板を通さずに光を取り出す上面射出方式上面取り出し方式や、該基板を通して光を取り出す下面射出方式下面取り出し方式、上面および下面から光を取り出す両面射出方式両面取り出し方式などがある。上面射出方式の発光素子について図14Aを参照して説明する。図14Aは、発光素子702の発する光が陽極705側に抜ける場合の、画素の断面図を示している。ここでは、発光素子702の陰極703と駆動用トランジスタであるトランジスタ701が電気的に接続されており、陰極703上に発光層704、陽極705が順に積層されている。陰極703としては、仕事関数が小さく、光を反射する導電層を用いることができる。例えば、Ca、Al、MgAg、AlLi等の材料を用いて陰極703を形成することが望ましい。発光層704は、単層構造または積層構造としてよい。積層構造の例として、陰極703上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層すると良いが、もちろん、これらの層を全て設ける必要はないし、異なる構造としてもよい。陽極705は光を透過する導電性材料を用いて形成される。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いれば良い。陰極703および陽極705で発光層704を挟んだ構造を、発光素子702と呼ぶことができる。図14Aに示した画素の場合、発光素子702の発する光は、矢印で示すように陽極705側に射出される。次に、下面射出方式の発光素子について図14Bを参照して説明する。図14Bは、発光素子712の発する光が陰極713側に抜ける場合の、画素の断面図を示している。ここでは、駆動用のトランジスタ711と電気的に接続された透光性を有する導電層717上に、発光素子712の陰極713が形成されており、陰極713上に発光層714、陽極715が順に積層されている。なお、陽極715が透光性を有する場合、該陽極715上を覆うように遮蔽層716を設けても良い。陰極713は、図14Aの場合と同様に、仕事関数が小さい導電性材料で形成できる。ただしその厚さは、光を透過する程度好ましくは、5nm~30nm程度とする。例えば20nm程度の厚さを有するアルミニウムを、陰極713として用いることができる。発光層714は、図14Aと同様に、単層構造または積層構造としてよい。陽極715は、光を透過する必要はないが、図14Aと同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成されても良い。遮蔽層716には、光を反射する金属等を用いることができるが、これに限定されない。例えば、黒の顔料を添加した樹脂等を用いることもできる。陰極713および陽極715で、発光層714を挟んだ構造を発光素子712と呼ぶことができる。図14Bに示した画素の場合、発光素子712の発する光は、矢印で示すように陰極713側に射出される。次に、両面射出方式の発光素子について、図14Cを参照して説明する。図14Cは、駆動用のトランジスタ721と電気的に接続された透光性を有する導電層727上に、発光素子722の陰極723が形成されており、陰極723上に発光層724、陽極725が順に積層されている。陰極723は、図14Aの場合と同様に、仕事関数が小さい導電性材料で形成できる。ただしその厚さは、光を透過する程度とする。例えば、厚さ20nmのアルミニウムを、陰極723として用いることができる。発光層724は、図14Aと同様に、単層構造または積層構造としてよい。陽極725は、図14Aと同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成できる。陰極723と、発光層724と、陽極725とが重なった構造を発光素子722と呼ぶことができる。図14Cに示した画素の場合、発光素子722の発する光は、矢印で示すように陽極725側と陰極723側の両方に射出される。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いる場合について述べたが、発光素子として無機EL素子を用いることも可能である。また、ここでは、発光素子の駆動を制御する薄膜トランジスタ駆動用トランジスタと発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用トランジスタと発光素子との間に電流制御用トランジスタなどが接続されていてもよい。なお、本実施の形態で示す半導体装置は、図14に示した構成に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。次に、発光表示パネル発光パネルともいうの外観及び断面について、図15を参照して説明する。図15は、第1の基板4501上に形成された薄膜トランジスタ4509、薄膜トランジスタ4510および発光素子4511を、第2の基板4506とシール材4505によって封止したパネルの平面図および断面図である。ここで、図15Aは平面図を示し、図15Bは、図15AのH-Iにおける断面図に相当する。第1の基板4501上に設けられた画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bを囲むようにして、シール材4505が設けられている。また、画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bの上に第2の基板4506が設けられている。つまり、画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506とによって、充填材4507と共に密封されている。このように、気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等やカバー材などを用いてパッケージング封入することが好ましい。また、第1の基板4501上に設けられた画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bは、薄膜トランジスタを複数有しており、図15Bでは、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、信号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509を例示している。薄膜トランジスタ4509、薄膜トランジスタ4510には、先の実施の形態において示したトランジスタを適用することができる。なお、本実施の形態において、薄膜トランジスタ4509、薄膜トランジスタ4510はnチャネル型の薄膜トランジスタである。これらのトランジスタと同様のものは、本発明の一実施の形態に係る光センサや電流増幅部に利用できるため、同一基板上に酸化物半導体を利用した発光表示装置と光センサを、ほぼ同一工程にて作製することが可能である。また、発光素子4511の画素電極である第1の電極4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続されている。なお発光素子4511の構成は、第1の電極4517、電界発光層4512、第2の電極4513の積層構造であるが、本実施の形態に示した構成に限定されない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構成は適宜変えることができる。隔壁4520は、有機樹脂、無機絶縁層、有機ポリシロキサンなどで形成される。特に、感光性を有する材料を用いて第1の電極4517上に開口部を形成し、その開口部の側壁が、連続した曲率を持つ傾斜面となるようにすることが好ましい。電界発光層4512は、単層構造または積層構造とすればよい。発光素子4511に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極4513および隔壁4520上に保護膜を形成してもよい。保護膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、DLCDiamondLikeCarbon等で形成できる。また、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504b、画素部4502などに与えられる各種信号は、FPC4518a、FPC4518bから供給されている。本実施の形態では、接続端子電極4515が、発光素子4511の第1の電極4517と同じ導電層で形成され、端子電極4516は、薄膜トランジスタ4509や薄膜トランジスタ4510のソース電極及びドレイン電極と同じ導電層で形成される例について示している。接続端子電極4515は、FPC4518aが有する端子と、異方性導電層4519を介して電気的に接続されている。発光素子4511からの光の取り出し方向に位置する基板は、透光性を有している必要がある。透光性を有する基板としては、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルム、アクリルフィルムなどがある。充填材4507としては、窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂などを用いることができる。例えば、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラル、EVAエチレンビニルアセテートなどを用いることができる。本実施の形態では、充填材として窒素を用いる例について示している。必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板、カラーフィルタなどの光学フィルムを設けてもよい。また、表面には反射防止処理を施しても良い。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを抑制できるアンチグレア処理を施すことができる。信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bは、別途用意された基板上の単結晶半導体または多結晶半導体によって形成されていても良い。また、信号線駆動回路のみ、若しくはその一部、または走査線駆動回路のみ、若しくはその一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図15の構成に限定されない。以上により、光センサを搭載した高性能な発光表示装置表示パネルを作製することができる。当該発光表示装置は酸化物半導体層をチャネルとするトランジスタを含むため、本発明の一実施の形態に係る光センサと電流増幅部をほぼ同一工程にて作製できるものである。本明細書中では、光センサとして用いるトランジスタのチャネルと、光センサ以外の酸化物半導体素子として用いるトランジスタのチャネルは、同一成分で構成されているとみなす。これらのチャネルは同一工程にて形成されるからである。比較的高い移動度と低いS値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより本発明の一形態に係る光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。また、電圧をパルス状に印加することにより当該光センサのリフレッシュ動作が不要となるため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。これにより、外光の急速な変化を当該光センサにて検出できるため、発光表示装置の輝度調整を迅速かつ円滑に行える。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態8本発明の一実施の形態に係る光センサを搭載した電子ペーパーの例を示す。電子ペーパーは、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図16、図17に示す。図16Aは、本発明の一実施の形態に係る光センサ2630を搭載した電子ペーパーで作られたポスター2631を示している。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、電子ペーパーを用いれば短時間で広告の表示を変えることができる。また、表示も崩れることなく安定した画像が得られる。光センサ2630を搭載しているため、外光の照度に応じた表示状態の変更が可能である。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構成としてもよい。また、図16Bは、本発明の一実施の形態に係る光センサ2633を搭載した、電車などの乗り物の車内広告2632を示している。広告媒体が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、電子ペーパーを用いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることができる。また表示も崩れることなく安定した画像が得られる。光センサ2633を搭載しているため、外光の照度に応じた表示状態の変更が可能である。なお、車内広告は無線で情報を送受信できる構成としてもよい。また、図17は、本発明の一実施の形態に係る光センサ2730を搭載した電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701および筐体2703で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。光センサ2730を搭載しているため、例えば、電子書籍2700の開閉動作に伴い、自動的に表示をオンまたはオフさせることができる。筐体2701には表示部2705が組み込まれ、筐体2703には表示部2707が組み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図17では表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図17では表示部2707に画像を表示することができる。また、図17では、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態9本発明の一実施の形態に係る光センサは、さまざまな電子機器遊技機も含むに搭載することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図18Aは、本発明の一実施の形態に係る光センサ9611を搭載したテレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600においては、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図18Bは、本発明の一実施の形態に係る光センサ9705を搭載したデジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム9700においては、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム9700は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム9700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図19Aは携帯型遊技機であり、筐体9881と筐体9891で構成されており、連結部9893により、開閉可能に連結されている。筐体9881には表示部9882が組み込まれ、筐体9891には表示部9883が組み込まれている。また、図19Aに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部9884、記録媒体挿入部9886、LEDランプ9890、入力手段操作キー9885、接続端子9887、センサ9888力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン9889等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図19Aに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図19Aに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。図19Bは本発明の一実施の形態に係る光センサ9905を搭載した大型遊技機であるスロットマシンの一例を示している。スロットマシン9900は、筐体9901に表示部9903が組み込まれている。また、スロットマシン9900は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン9900の構成は上述のものに限定されず、少なくとも半導体装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図20Aは、本発明の一実施の形態に係る光センサ1007を搭載した携帯電話機の一例を示している。携帯電話機1000は、筐体1001に組み込まれた表示部1002の他、操作ボタン1003、外部接続ポート1004、スピーカ1005、マイク1006などを備えている。図20Aに示す携帯電話機1000は、表示部1002を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部1002を指などで触れることにより行うことができる。表示部1002の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部1002を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機1000内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き縦か横かを判断して、表示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部1002を触れること、又は筐体1001の操作ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部1002に内蔵させた光センサで検出される信号を検知し、表示部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。当該光センサには、本発明の一実施の形態に係るものを適用できる。表示部1002は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部1002に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。図20Bも本発明の一実施の形態に係る光センサ9415を搭載した携帯電話機の一例である。図20Bの携帯電話機は、筐体9411に、表示部9412、及び操作ボタン9413を含む表示装置9410と、筐体9401に操作ボタン9402、外部入力端子9403、マイク9404、スピーカ9405、及び着信時に発光する発光部9406を含む通信装置9400とを有しており、表示機能を有する表示装置9410は電話機能を有する通信装置9400と矢印の2方向に脱着可能である。よって、表示装置9410と通信装置9400の短軸同士を取り付けることも、表示装置9410と通信装置9400の長軸同士を取り付けることもできる。また、表示機能のみを必要とする場合、通信装置9400より表示装置9410を取り外し、表示装置9410を単独で用いることもできる。通信装置9400と表示装置9410とは無線通信又は有線通信により画像又は入力情報を授受することができ、それぞれ充電可能なバッテリーを有する。上述の装置はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る光センサを搭載しているため、外光の変化や装置の開閉に応じて、表示部の状態を自動的に変えることが出来る。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。