"反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた1/4波長板と、前記1/4波長板上に設けられた吸収偏光板と、を有し、前記反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた透明基板と、前記透明基板上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた1/4波長板と、前記1/4波長板上に設けられた吸収偏光板と、を有し、前記反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。基板上に設けられた反射性電極と、前記反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた1/4波長板と、前記1/4波長板上に設けられた吸収偏光板と、を有し、前記反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記吸収偏光板の透過軸と前記1/4波長板の遅相軸は45°の角度であることを特徴とする電子機器。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記吸収偏光板の透過軸と前記反射偏光板の透過軸は平行であることを特徴とする電子機器。第1の吸収偏光板上に設けられた第1の1/4波長板と、前記第1の1/4波長板上に設けられた第1の反射偏光板と、前記第1の反射偏光板上に設けられた透明基板と、前記透明基板上に設けられた第1の透明電極と、前記第1の透明電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第2の透明電極と、前記第2の透明電極上に設けられた第2の反射偏光板と、前記第2の反射偏光板上に設けられた第2の1/4波長板と、前記第2の1/4波長板上に設けられた第2の吸収偏光板と、を有し、前記第1の反射偏光板と前記第2の反射偏光板は直線偏光板であることを特徴とする電子機器。請求項6において、前記第1の吸収偏光板の透過軸と前記第1の1/4波長板の遅相軸は45°の角度であり、前記第2の吸収偏光板の透過軸と前記第2の1/4波長板の遅相軸は45°の角度であることを特徴とする電子機器。請求項6又は7において、前記第1の吸収偏光板の透過軸と前記第1の反射偏光板の透過軸は平行であり、前記第2の吸収偏光板の透過軸と前記第2の反射偏光板の透過軸は平行であることを特徴とする電子機器。しかしながら、1/4波長板、反射偏光板、及び吸収偏光板からなる反射防止手段を備えた表示装置や、波長補正板、平面型直線偏光ビームスプリッタ、及び偏光板からなる反射防止手段を備えた表示装置において、陰極表面における外光の反射による外部の映像の映り込みを効率的に抑え込めないだけでなく、表示装置に入射した外光の一部が反射偏光板や平面型直線偏光ビームスプリッタを通過せず、その表面で反射してしまい外部の映像の映り込みが完全には解消されない可能性がある。本発明において、反射偏光板における外光の反射を防止し、かつ発光層からの光の取り出し効率を向上させる表示装置を提案することを課題とする。本発明の表示装置は、反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた1/4波長板と、前記1/4波長板上に設けられた偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、基板の一方の面上に、透明電極、発光層、及び反射性電極とを有し、前記基板の他方の面上に反射偏光板、1/4波長板、及び偏光板とを有し、前記1/4波長板は、前記反射偏光板と前記偏光板との間に設けられていることを特徴とする。本発明の表示装置は、透明基板の一方の面上に、透明電極、発光層、及び反射性電極とを有し、前記透明基板の他方の面上に反射偏光板、可視光の範囲において1/4波長板としての効果を有する広帯域化1/4波長板、及び偏光板とを有し、前記広帯域化1/4波長板は、前記反射偏光板と前記偏光板との間に設けられていることを特徴とする。本発明の表示装置は、反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた基板と、前記基板上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた1/4波長板と、前記1/4波長板上に設けられた偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、基板上に設けられた反射性電極と、前記反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた1/4波長板と、前記1/4波長板上に設けられた偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、第1の偏光板上に設けられた第1の1/4波長板と、前記第1の1/4波長板上に設けられた第1の反射偏光板と、前記第1の反射偏光板上に設けられた基板と、前記基板上に設けられた第1の透明電極と、前記第1の透明電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第2の透明電極と、前記第2の透明電極上に設けられた第2の反射偏光板と、前記第2の反射偏光板上に設けられた第2の1/4波長板と、前記第2の1/4波長板上に設けられた第2の偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、偏光板上に設けられた1/4波長板と、1/4波長板上に設けられた反射偏光板と、反射偏光板上に設けられた基板と、基板上に設けられた、ソース領域又はドレイン領域を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた、前記ソース領域又はドレイン領域に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続された配線と、前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた反射性電極とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、基板上に設けられた、ソース領域又はドレイン領域を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた、前記ソース領域又はドレイン領域に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続された配線と、前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられた反射性電極と、前記反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた1/4波長板と、前記1/4波長板上に設けられた偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、第1の偏光板上に設けられた第1の1/4波長板と、前記第1の1/4波長板上に設けられた第1の反射偏光板と、前記第1の反射偏光板上に設けられた基板と、前記基板上に設けられた、ソース領域又はドレイン領域を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた、前記ソース領域又はドレイン領域に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続された配線と、前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられた第1の透明電極と、前記第1の透明電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第2の透明電極と、前記第2の透明電極上に設けられた第2の反射偏光板と、前記第2の反射偏光板上に設けられた第2の1/4波長板と、前記第2の1/4波長板上に設けられた第2の偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、前記基板と前記反射偏光板との間にプリズムが形成されてなることを特徴とする。本発明の表示装置は、基板の一方の面上に、透明電極、発光層、及び反射性電極とを有し、前記基板の他方の面上に第1の1/4波長板、反射偏光板、第2の1/4波長板、及び偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、反射性電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた基板と、前記基板上に設けられた第1の1/4波長板と、前記第1の1/4波長板上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた第2の1/4波長板と、前記第2の1/4波長板上に設けられた偏光板とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、偏光板上に設けられた第2の1/4波長板と、前記第2の1/4波長板上に設けられた反射偏光板と、前記反射偏光板上に設けられた第1の1/4波長板と、前記第1の1/4波長板上に設けられた基板と、基板上に設けられた、ソース領域又はドレイン領域を有する半導体膜を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に設けられた、前記ソース領域又はドレイン領域に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けられた前記ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続された配線と、前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられた透明電極と、前記透明電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた反射性電極とを有することを特徴とする。本発明の表示装置は、前記基板と前記第1の1/4波長板との間にプリズムが形成されてなることを特徴とする。本発明の表示装置は、前記1/4波長板、前記第1の1/4波長板、又は前記第2の1/4波長板は、広帯域化1/4波長板であることを特徴とする。本発明の電子機器は、当該表示装置を具備することを特徴とする。本発明において、反射偏光板上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの減少を抑えることが可能となる。本発明を実施するための最良の形態を、図面を用いながら説明する。但し、本発明は以下の形態に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態1~7は自由に組み合わせて用いることができる。なお、本明細書において、偏光板又は反射偏光板の偏光軸のうち光を透過する軸を透過軸とよぶ。また、偏光板の偏光軸のうち光を吸収する軸を吸収軸とよぶ。なお、透過軸と吸収軸とは直交している。このように吸収軸を有する吸収偏光板を単に偏光板とよぶ。また、特定の偏光成分の光を透過させ、他の偏光成分の光を反射させる機能を有する偏光板を反射偏光板とよぶ。ここで、反射偏光板として、直線偏光反射偏光板若しくは円偏光反射偏光板を用いることができる。本明細書において、直線偏光反射偏光板とは、直線偏光の一偏光成分を透過し、他の偏光成分を反射するつまり、P波又はS波のような直線偏光に対して、いずれかの成分、例えばP波成分を透過させ、S波成分を反射させる性質を有するものを指し、円偏光反射偏光板とは、右回り若しくは左回りの回転方向を有する円偏光のうち一方の回転方向成分を通過させ、他方を反射する性質を有するものを指す。直線偏光反射偏光板として、例えば異なる屈折率を有する透明層を積層させた多層膜などを用いることができる。また、円偏光反射偏光板として、例えばコレステリック層を有する物質からなるものなどを用いることができる。また、本明細書において、1/4波長板のかわりに1/2波長板と1/4波長板とを組み合わせたものを用いてもよい。また、本明細書では、可視光の範囲好ましくは、380nm~780nmにおいて1/4波長板としての効果を有する広帯域化1/4波長板を含めて1/4波長板と称する。実施の形態1本実施の形態において、反射偏光板、1/4波長板、及び偏光板を有する表示装置について説明する。図1に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。なお、本構成は有機ELや無機ELだけでなく、PDP、SED、FEDなどのディスプレイに対しても有効である。本実施の形態における表示装置は、図1に示すように基板100上に、透明電極11、発光層12、反射性電極13が積層され、透明電極11の形成面とは反対の基板100上に反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16が積層されている。つまり、反射性電極13、発光層12、透明電極11、基板100、反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16とが順に積層された構造を有する。本実施の形態において、発光層12からの発光は透明電極11側基板100側から取り出す構造となっており、透明電極11と反射性電極13間に電流を流すことによって発光を得ることができる。偏光板16は、その透過軸と平行な振動面を有する直線偏光成分を透過させ、当該透過軸と直交する振動面を有する直線偏光成分を吸収する機能を有する。本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板14の透過軸と1/4波長板15の遅相軸とは45°若しくは135°の角度をなすように配置する。また、直線反射偏光板を用いる場合、この反射偏光板14の透過軸と偏光板16の透過軸とは平行になるように配置する。また、本実施の形態において、発光層12からの発光は基板100を介して取り出される構成なので基板100は透明基板である必要がある。基板100として、例えば、ガラス基板、石英基板、可撓性基板等を用いることができる。可撓性基板とは、折り曲げることができるフレキシブル基板のことであり、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる膜厚の薄いフィルム状の基板を用いることもできる。これらの基板は必要に応じて、平坦化膜を塗布してもよいし、窒化膜、酸化膜若しくはこれらの積層膜を成膜してもよいし、CMP等により研磨してから使用しても良い。透明電極11として、インジウム錫酸化物ITO、IndiumTinOxide、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、亜鉛酸化物ZnO、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに2~20wtの酸化亜鉛ZnOを混合したターゲットを用いて形成された酸化インジウム酸化亜鉛IZO、IndiumZincOxide、ガリウムを含む亜鉛酸化物GZO、錫酸化物SnO2、インジウム酸化物In2O3等を用いることができる。発光層12は、発光物質を含む層であり、例えば透明電極11上にホール輸送層、発光層、電子輸送層とが順に積層された構成を有している。発光層12の構成は、この構成に限定されず少なくとも発光層を有していればよい。また、例えば、発光層以外に、電子注入層、電子輸送層、ホールブロッキング層、ホール輸送層、ホール注入層等の機能性の各層を自由に組み合わせてもよい。なお、本実施の形態において透明電極11が陽極として機能するため、透明電極11側からホール注入層、ホール輸送層、ホールブロッキング層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。なお中分子系の材料とは、構造単位の繰返しの数重合度が2から20程度の低重合体に相当する。反射性電極13として、反射率の高い金属例えば、反射率が40以上の金属を用いることが好ましい。例えば、アルミニウムAl、銀Ag、またはこれらを含む合金であるAlLi合金、MgAg合金等を用いることができる。また、反射性電極13は、反射率の高い金属と他の電極材料との積層構造としてもよい。アルカリ金属やアルカリ土類金属の膜を薄く例えば5nm程度形成し、反射率の高い金属と積層させることにより、電子注入性を高めることが可能となる。ここで、反射偏光板14が直線偏光反射偏光板である場合について説明する。まず、表示装置の観察面、つまり偏光板16の表側から入射する外光のうち偏光板16の吸収軸に平行な光成分第1の偏光とよぶが偏光板16によって吸収され、表示装置には偏光板16の透過軸に平行な第2の偏光が入射される。この第2の偏光は、1/4波長板15を通ることで右回り又は左回りの円偏光に変換される。本実施の形態では、右回り円偏光に変換される場合を考える。右回り円偏光に変換された第2の偏光のうち反射偏光板14の透過軸と一致しない偏光成分は、反射偏光板14において反射されて左回り円偏光として1/4波長板15へ戻り、該左回り円偏光は1/4波長板15を透過することにより、第2の偏光の偏光軸と垂直な偏光軸を有する第3の偏光に変換される。つまり、第3の偏光は偏光板16の吸収軸に平行な偏光軸を有する。左回り円偏光とした場合も同様に、偏光板16の吸収軸に平行な偏光軸を有する第3の偏光が射出される。従って、第3の偏光は偏光板16を透過することなく吸収される。また、当該第2の偏光のうち反射偏光板14の透過軸と一致する偏光成分は、反射偏光板14を透過する。そして、反射性電極13上で反射し、再び反射偏光板14を通過した後、1/4波長板15を介して当該第2の偏光の偏光軸と垂直な偏光成分を有する第4の偏光に変換される。第4の偏光は、偏光板16の吸収軸と一致するため、偏光板16を透過することなく吸収される。従って、表示装置に入射した外光の成分は偏光板16により吸収され、外光は再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることができる。一方、発光層12において発光した光は、反射偏光板14の透過軸と平行な偏光成分はそのまま反射偏光板14を通り、1/4波長板15を介して円偏光となり、透過軸と同じ成分の光が偏光板16を通過して表示装置から射出される。残りの偏光成分は、反射偏光板14で反射されて発光層12方向へ戻り、反射性電極13において反射されて再度反射偏光板14へ入射する。ここで、反射偏光板14の偏光軸と平行でない偏光軸を有する光は、反射偏光板14と反射性電極13との間で繰り返し反射される。そして、繰り返し反射されることで、偏光軸がずれ、反射が繰り返された光の偏光軸が反射偏光板14の偏光軸と平行になり、反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16を通過して表示装置から射出される。このため、従来は利用することのできなかった発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。また、反射偏光板14と1/4波長板15との間に追加して偏光板17を設けてもよい図1B。その場合、偏光板16及び偏光板17の透過軸が一致するように配置する。偏光板17を設けることにより、上記右回り円偏光に変換された第2の偏光のうち反射偏光板14の透過軸と一致せず、反射偏光板14において反射された偏光が、偏光板17において吸収されるため、外光は再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みをより効果的に抑えることができる。また、反射偏光板14が円偏光反射偏光板である場合について説明する。まず、表示装置の観察面、つまり偏光板16の表側から入射する外光のうち偏光板16の吸収軸に平行な光成分第1の偏光とよぶが偏光板16によって吸収され、表示装置には偏光板16の透過軸に平行な第2の偏光が入射される。この第2の偏光は、1/4波長板15を通ることで右回り又は左回りの円偏光に変換される。本実施の形態では、右回り円偏光に変換される場合を考える。ここで反射偏光板14は、左回りの円偏光成分を透過させ、右回りの円偏光成分を反射する機能を有する。右回り円偏光に変換された第2の偏光は、反射偏光板14において反射されて1/4波長板15へ戻り、1/4波長板15を透過することにより、第2の偏光の偏光軸と垂直な偏光軸を有する第3の偏光に変換される。つまり、第3の偏光は偏光板16の吸収軸に平行な偏光軸を有する。ここで、第2の偏光が1/4波長板15で左回り円偏光に変換される場合は、反射偏光板14に右回り円偏光を透過し、左回り円偏光を反射する機能を有するものを用いれば、偏光板16の吸収軸に平行な偏光軸を有する第3の偏光に変換される。従って、表示装置に入射した外光の成分は偏光板16により吸収され、外光は再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることができる。一方、発光層12において発光した光は、反射偏光板のコレステリック層のらせんの回転方向に一致しない円偏光成分はそのまま反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16を通過して表示装置から射出される。また、らせんの回転方向に一致する円偏光成分は、反射偏光板14で反射されて発光層12方向へ戻り、反射性電極13において反射されて再度反射偏光板14へ入射する。ここで、反射偏光板14の透過しない偏光は、反射偏光板14と反射性電極13との間で繰り返し反射される。そして、繰り返し反射されることで、偏光軸がずれ、反射が繰り返された光が反射偏光板14を透過し、1/4波長板15、偏光板16を通過して表示装置から射出される。このため、従来は利用することのできなかった発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。本実施の形態において、偏光板16上に反射防止膜や無反射防止膜などを設けてもよい。反射防止膜とは、屈折率の異なる薄膜などを積層することにより表面における外光の反射を抑えるものである。反射防止膜を設けることにより、偏光板16表面での外光の反射が抑えられ、さらに外部の映像の映り込みを抑えることが可能となる。また、1/4波長板として可視光の範囲好ましくは、380nm~780nmにおいて1/4波長板としての機能を有する広帯域化1/4波長板を用いることにより、可視光の範囲で良好な1/4波長特性が得られ、外光を広い範囲で打ち消すことができるだけでなく、発光層12からの射出光を効率よく取り出すことが可能である。本実施の形態の表示装置において、反射偏光板14上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層12において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。実施の形態2本実施の形態では、反射偏光板14と基板100との間にプリズム層を設ける場合を説明する。なお、図2において図1と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図2に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。本実施の形態における表示装置は、図2Aに示すように基板100上に、透明電極11、発光層12、反射性電極13が積層され、透明電極11の形成面とは反対の基板100上にプリズム層201、反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16が積層されている。つまり、反射性電極13、発光層12、透明電極11、基板100、プリズム層201、反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16とが順に積層された構造を有する。本実施の形態において、プリズム層201は偏光の偏光軸をずらすために設けられた、表面に突起がストライプ状に形成され、該ストライプに垂直な方向の断面がランダムな大きさのくし形であるフィルム状の部材である。なお、本実施の形態において、プリズム層201は、偏光の偏光軸をずらすことができる散乱層であればよく特に限定されない。このような散乱層として、例えば、大きさや屈折率の異なる材料からなる物質202が拡散された薄い膜203であってもよい図2B。また、散乱層とプリズム層とを両方設けてもよい。本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板14の偏光軸と1/4波長板15の遅相軸とは45°若しくは135°の角度をなすように配置する。また、直線反射偏光板を用いる場合、反射偏光板14の透過軸と偏光板16の透過軸とは平行になるように配置する。この構成によって、実施の形態1と同様に、表示装置に入射した外光は偏光板16において吸収され、再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることができる。一方、発光層12において発光した光は、実施の形態1と同様に、反射偏光板14と反射性電極13との間で繰り返し反射されることにより、発光層12において発光した光を効率的に射出させることができ、従来は利用することのできなかった発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。本実施の形態において、プリズム層201を介して反射偏光板14と反射性電極13との間で繰り返し反射が行われているため、効率的に偏光軸をずらすことができ、発光層12において発光された光の取り出し効率をより向上させることができる。プリズム層201は、発光の集光だけでなく反射偏光板14と反射性電極13との間で繰り返し反射される偏光の向きや状態を変化させる作用を有すれば、1枚だけ設けてもよいし複数枚設けてもよい。本実施の形態の表示装置において、反射偏光板14上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層12において発光した光をより効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。実施の形態3本実施の形態において、反射偏光板14と基板100との間に1/4波長板を設ける場合を説明する。なお、図3において図1と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図3に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。本実施の形態における表示装置は、図3に示すように基板100上に、透明電極11、発光層12、反射性電極13が積層され、透明電極11の形成面とは反対の基板100上に1/4波長板301第1の1/4波長板とよぶ、反射偏光板14、1/4波長板15第2の1/4波長板とよぶ、偏光板16が積層されている。つまり、反射性電極13、発光層12、透明電極11、基板100、1/4波長板301、反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16とが順に積層された構造を有する。本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板14の偏光軸と第1の1/4波長板301の偏光軸とは45°若しくは135°の角度をなすように配置する。また、反射偏光板14として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板14の透過軸と第2の1/4波長板15の透過軸とは45°若しくは135°の角度をなすように配置する。また、直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板14の透過軸と偏光板16の透過軸とは平行になるように配置する。ここで、反射偏光板が、直線偏光反射偏光板である場合について説明する。まず、表示装置の観察面、つまり偏光板16の表側から入射する外光のうち偏光板16の吸収軸に平行な偏光成分第1の偏光とよぶが偏光板16によって吸収され、表示装置には偏光板16の透過軸に平行な第2の偏光が入射する。この第2の偏光は、第2の1/4波長板15を通ることで右回り又は左回りの円偏光に変換され、当該第2の偏光のうち反射偏光板14の透過軸と一致しない成分は反射偏光板14で反射されるが、実施の形態1と同様に、偏光板16を透過することなく吸収され、表示装置に入射した外光の成分が再び外部に射出することがなくなる。また、当該第2の偏光のうち反射偏光板14の透過軸と一致する偏光成分は、反射偏光板14を透過する。その後、第1の1/4波長板301において右回り又は左回りの円偏光に変換され、反射性電極13において反射されて第1の1/4波長板301のほうへ戻る。反射性電極13で反射された円偏光は、偏光方向が反転するため、第1の1/4波長板301を通過した偏光は反射偏光板14で反射する。この反射光は再び第1の1/4波長板301を通り、円偏光となり反射性電極13において再び反射する。当該円偏光が再び1/4波長板を通過することにより、反射偏光板14の透過軸と一致した直線偏光となり、第2の1/4波長板15において円偏光に変換され、偏光板16吸収軸と一致する成分が吸収される。一部の成分は射出されるが、最終的に表示装置内部で減衰した光が射出することになるので、使用上問題のない程度に外部の映像の映り込みを抑えることができる。一方、発光層12において発光した光は、まず第1の1/4波長板301において、円偏光又は直線偏光に変換され、変換された成分のうち反射偏光板14の透過軸と平行な偏光成分は反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16を通過して表示装置から射出される。残りの偏光成分は、反射偏光板14で反射されて第1の1/4波長板301方向へ戻り右回り又は左回りの円偏光に変換される。この右回り又は左回り円偏光は、反射性電極13において反射されて偏光方向が反転した円偏光として再度第1の1/4波長板301へ入射する。そして、第1の1/4波長板301において、反射偏光板14と平行な偏光軸を有する偏光に変換され、偏光板16を通過して表示装置から射出される。従って、従来は利用することのできなかった発光層12からの発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。また、反射偏光板が円偏光反射偏光板である場合の構成について説明する。ここで、反射偏光板14が左回り円偏光を透過し、右回り円偏光を反射する機能を有する場合を説明する。まず、表示装置の面観察、つまり偏光板16の表側から入射する外光のうち偏光板16の吸収軸に平行な偏光成分第1の偏光とよぶが偏光板16によって吸収され、表示装置には偏光板16の透過軸に平行な第2の偏光が入射される。この第2の偏光は、1/4波長板15を通ることで、例えば右回りの円偏光に変換されることにより、実施の形態1と同様に偏光板16を透過することなく吸収され、表示装置に入射した外光の成分が再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることができる。一方、発光層12において発光した光は、まず第1の1/4波長板301において、円偏光、楕円偏光又は直線偏光に変換され、変換された成分のうち一円偏光成分はそのまま反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16を通過して表示装置から射出される。残りの偏光成分は、反射偏光板14で反射されて第1の1/4波長板301を介して発光層12方向へ戻り、反射性電極13において反射されて再度反射偏光板14へ入射する。ここで、反射偏光板14の透過しない偏光は、反射偏光板14と反射性電極13との間で第1の1/4波長板301を介して繰り返し反射される。そして、繰り返し反射されることで、偏光軸がずれ、反射が繰り返された光が反射偏光板14を透過し、1/4波長板15、偏光板16を通過して表示装置から射出される。このため、従来は利用することのできなかった発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。本実施の形態において、基板100と第1の1/4波長板301との間に、プリズム層、散乱層やこれらの組み合わせたものを設けてもよい。本実施の形態の表示装置において、反射偏光板14上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、反射偏光板14と基板100との間に1/4波長板を設けることにより、反射偏光板14を通過した外光が再び表示装置の外に戻るのを防ぐことができ、さらに外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層12において発光した光をより効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。実施の形態4本実施の形態では、発光層からの発光の取り出し方向が実施の形態1~3とは異なる構造の表示装置について説明する。なお、図4において図1と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図4に、本実施の形態における表示装置の一部を示す。本実施の形態における表示装置は、図4Aに示すように基板100上に、反射性電極4001、発光層12、透明電極4002、反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16が順に積層された構造を有する。本実施の形態において、発光層12からの発光は透明電極4002側基板100と反対側から取り出す構造となっている。なお、本実施の形態において、透明電極4002と反射偏光板14との間に、単層又は積層の絶縁膜を設けてもよい。また、透明電極4002と反射偏光板14との間にプリズムなどの散乱層を設けてもよいし、さらに1/4波長板を設けてもよい。なお、図4Aの構成において、発光層12からの発光の取り出しに際して、基板100を介さないため、基板100は必ずしも透明基板である必要はない。例えば、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板などを用いてもよい。図4Aに示す構成によって、偏光板16側から表示装置に入射した外光は偏光板16において吸収されることにより外部の映像の映り込みを抑えることができる。一方、発光層12において発光した光は、反射偏光板14と反射性電極4001との間で繰り返し反射されることにより、従来は利用することのできなかった発光層12からの発光成分を有効活用することが可能となり、表示画像の明るさの向上を図ることができる。図4Aに示す表示装置において、反射偏光板14上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層12において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの減少を抑えることが可能となる。また、図4Aの反射性電極4001のかわりに透明電極4003を設けてもよい図4B。その場合、基板100の両側に、反射偏光板、1/4波長板、偏光板を設けるとよい。つまり、図4Bに示すように、第1の偏光板4004、第1の1/4波長板4005、第1の反射偏光板4006、基板100、第1の透明電極4003、発光層12、第2の透明電極4002、第2の反射偏光板14、第2の1/4波長板15、第2の偏光板16とを順に積層した構造を有する。本実施の形態において、発光層12からの発光は、透明電極4002側と透明電極4003側から取り出す構造となっている。つまり、基板100側と基板100と反対側との2つの方向から光を取り出す構造となっている。なお、本実施の形態において、透明電極4002と反射偏光板14との間に、単層又は積層の絶縁膜を設けてもよい。また、透明電極4002と反射偏光板14との間にプリズムなどの散乱層を設けてもよいし、さらに1/4波長板を設けてもよい。図4Bに示す構成によって、第1の偏光板4004又は第2の偏光板16側から表示装置に入射した外光は、第1の偏光板4004又は第2の偏光板16において吸収され、再び外部に射出することがなくなり、外部の映像の映り込みを抑えることができる。なお、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、好ましくは、第1の偏光板と第2の偏光板とは、その透過軸が直交するように配置するのがよい。透過軸を直交させて配置することにより、発光層12から発光して一発光面へ向かった光のうち第1の反射偏光板4006又は第2の反射偏光板14で反射して戻った光を反対側の発光面から効率よく取り出すことができる。また、反射偏光板として円偏光反射偏光板を用いる場合、好ましくは、第1の反射偏光板と第2の反射偏光板のらせんの回転方向が逆向きになるように配置するのがよい。回転方向が逆向きになるように配置することにより、発光層12からの発光を効率よく取り出すことが可能となる。偏光板16、4004は、その偏光軸と平行な振動面を有する直線偏光を透過させ、当該偏光軸と直交する振動面を有する直線偏光を吸収する機能を有する。本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いた場合、反射偏光板14の偏光軸と1/4波長板15の遅相軸とは45°若しくは135°の角度をなすように配置し、反射偏光板4006の偏光軸と1/4波長板4005の遅相軸とは45°若しくは135°の角度をなすように配置する。図4A、Bの透明電極4002、4003として、インジウム錫酸化物ITO、IndiumTinOxide、または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、亜鉛酸化物ZnO、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに2~20wtの酸化亜鉛ZnOを混合したターゲットを用いて形成された酸化インジウム酸化亜鉛IZO、IndiumZincOxide、ガリウムを含む亜鉛酸化物GZO、錫酸化物SnO2、インジウム酸化物In2O3等を用いることができる。図4Aの反射性電極4001として、反射率の高い金属を用いることが好ましく、アルミニウムAl、銀Ag、またはこれらを含む合金であるAlLi合金、MgAg合金等を用いることができる。また、反射性電極4001は、反射率の高い金属と他の電極材料との積層構造としてもよい。アルカリ金属やアルカリ土類金属の膜を薄く例えば5nm程度形成し、反射率の高い金属と積層させることにより、電子注入性を高めることが可能となる。本実施の形態の表示装置において、反射偏光板上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層12において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。実施の形態5本実施の形態では、薄膜トランジスタTFTを有する表示装置の作製工程を説明する。なお、本実施の形態では、発光層12からの発光を基板100側からのみ取り出す構造について説明するがこの構造に限定されない。基板100とは反対側から発光を取り出す構造でもよいし、基板100側と基板100と反対側との2つの方向から発光を取り出す構造であってもよい。まず図5Aに示すように、基板100を用意する。基板100は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。基板100の表面を、CMP法などの研磨により平坦化しておいても良い。次に、基板100上に下地膜101を形成する図5A。下地膜101は、基板100にガラスを用いた場合に、基板に含まれるNaなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。そのため、アルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜への拡散を抑えることができる酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いて形成する。本実施の形態では、プラズマCVD法を用いて窒化酸化珪素膜を10~400nmの膜厚になるように成膜する。なお、プラズマCVD以外にもスパッタ法や減圧CVD法等の公知の方法を用いても形成することができる。また、本実施の形態では下地膜101を単層の構造としているが、2層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。ガラス基板またはプラスチック基板のように、アルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜101を設けることは有効であるが、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、必ずしも設ける必要はない。次に、下地膜101上に非晶質半導体膜102を形成する。非晶質半導体膜102はシリコンまたはシリコンを主成分とする材料例えばSixGe1-x等で25~80nmの厚さに形成すればよい。作製方法としては、公知の方法、例えばスパッタ法、減圧CVD法、またはプラズマCVD法等が使用できる。続いて、非晶質半導体膜102の結晶化を行う。非晶質半導体膜102をレーザ結晶化法、RTA又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの公知の結晶化法により結晶化させる図5A。次に、結晶性半導体膜をエッチングにより島状の半導体膜102a~102cとする。続いて、島状の半導体膜102a~102cを覆うようにゲート絶縁膜103を形成する図5B。ゲート絶縁膜103には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いて単層または複数の膜を積層させて形成することができる。また成膜方法は、プラズマCVD法、スパッタ法などを用いることができる。ここでは、スパッタ法を用いて、膜厚を30nm~200nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。次に、ゲート絶縁膜103上にゲート電極を形成する。本実施の形態において、ゲート電極は第1の導電膜及び第2の導電膜との2層構造を有する。第1の導電層104a~104cとして窒化タンタルTaN膜とその上に第2の導電層105a~105cとしてタングステンW膜を形成する図5C。TaN膜、W膜は共にスパッタ法で形成すればよく、TaN膜はTaのターゲットを用いて窒素雰囲気中で、W膜はWのターゲットを用いて成膜すれば良い。なお、本実施の形態では第1の導電層をTaN、第2の導電層をWとしたが、これに限定されず、第1の導電層と第2の導電層は共にTa、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。さらに、その組み合わせも適宜選択すればよい。膜厚は第1の導電層が20~100nm、第2の導電層が100~400nmの範囲で形成すれば良い。また、本実施の形態では、ゲート電極は、2層の積層構造としたが、1層としてもよいし、もしくは3層以上の積層構造としてもよい。次に、ゲート電極またはレジストを形成しエッチングしたものをマスクとして用い、半導体膜102a~102cにn型またはp型の導電性を付与する不純物を選択的に添加し、ソース領域、ドレイン領域、さらにはLDD領域等を形成する。次いで、レジストからなるマスクを除去して第1のパッシベーション膜106を形成する図5D。この第1のパッシベーション膜106としてはシリコンを含む絶縁膜を100~200nmの厚さに形成する。成膜法としてはプラズマCVD法や、スパッタ法を用いればよい。本実施の形態では、プラズマCVD法により酸化窒化珪素膜を形成した。酸化窒化珪素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でSiH4、N2O、NH3から作製される酸化窒化珪素膜、またはSiH4、N2Oから作製される酸化窒化珪素膜を形成すれば良い。この場合の作製条件は反応圧力20~200Pa、基板温度300~400°Cとし、高周波60MHz電力密度0.1~1.0W/cm2である。また、第1のパッシベーション膜としてSiH4、N2O、H2から作製される酸化窒化水素化珪素膜を適用しても良い。もちろん、第1のパッシベーション膜106は、本実施の形態のような酸化窒化珪素膜の単層構造に限定されるものではなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。その後、レーザアニール法を行い、半導体膜の結晶性の回復、半導体膜に添加された不純物元素の活性化を行うことが好ましい。また、第1のパッシベーション膜106を形成した後で熱処理を行うことで、活性化処理と同時に半導体膜の水素化も行うことができる。水素化は、第1のパッシベーション膜106に含まれる水素によって、半導体膜のダングリングボンドを終端するものである。ここでは、パッシべーション膜106としてSiNO膜を用い、窒素雰囲気下で410°Cで行うとよい。また、第1のパッシベーション膜106を形成する前に加熱処理を行ってもよい。但し、第1の導電層104a~104c及び第2の導電層105a~105cを構成する材料が熱に弱い場合には、本実施の形態のように配線などを保護するため、第1のパッシベーション膜106を形成した後で熱処理を行うことが望ましい。さらに、この場合、第1のパッシベーション膜がないため、当然パッシベーション膜に含まれる水素を利用しての水素化は行うことができない。この場合は、プラズマにより励起された水素を用いる手段プラズマ水素化を用いての水素化や、3~100の水素を含む雰囲気中において、300~450°Cで1~12時間の加熱処理による水素化を用いれば良い。このようにして、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極とを有するTFT401~403を得ることができる。なお、401~403の構造は本実施の形態のものに限られない。次いで、第1のパッシベーション膜106上に、第1の層間絶縁膜107を形成する図5E。第1の層間絶縁膜107としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、CVD法により形成された酸化シリコン膜や、SOGSpinOnGlass法により塗布された酸化シリコン膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、BCBベンゾシクロブテン、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、アクリル膜と酸化窒化シリコン膜の積層構造を用いても良い。また、層間絶縁膜は、シリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成されるシロキサンを用いることができる。シロキサンは、置換基として、少なくとも水素を含む有機基例えばアルキル基、芳香族炭化水素が用いられる。また、置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。シロキサン系ポリマーは、その構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。また、Si-N結合を有するポリマーポリシラザンを含む材料で層間絶縁膜を形成してもよい。上記の材料を用いることで、膜厚を薄くしても十分な絶縁性および平坦性を有する層間絶縁膜を得ることができる。また、上記の材料は耐熱性が高いため、多層配線におけるリフロー処理にも耐えうる層間絶縁膜を得ることができる。さらに、吸湿性が低いため、脱水量の少ない層間絶縁膜を形成することができる。本実施の形態では、シロキサン系のポリマーを第1の層間絶縁膜107として形成する。第1の層間絶縁膜107によって、基板上に形成されたTFTによる凹凸を緩和し、平坦化することができる。とくに、第1の層間絶縁膜107は平坦化の意味合いが強いので、平坦化されやすい材質の絶縁膜を用いることが好ましい。また、これ以外にも第1の層間絶縁膜に窒素を含む酸化珪素を用いることができ、この場合は第1のパッシべーション膜を設けなくともよい。その後、第1の層間絶縁膜107上に窒化酸化シリコン膜等からなる第2のパッシベーション膜を形成してもよい。膜厚は10~200nm程度で形成すれば良く、第2のパッシベーション膜によって第1の層間絶縁膜107へ水分が出入りすることを抑制することができる。第2のパッシベーション膜には、他にも窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、ダイヤモンドライクカーボンDLC膜やカーボンナイトライドCN膜も同様に使用できる。またRFスパッタ法を用いて成膜された膜は緻密性が高く、バリア性に優れている。RFスパッタの条件は、例えば酸化窒化珪素膜を成膜する場合、Siターゲットで、N2、Ar及びN2Oをガスの流量比が31:5:4となるように流し、圧力0.4Pa、電力3000Wとして成膜する。また、例えば窒化珪素膜を成膜する場合、Siターゲットで、チャンバー内のN2及びArをガスの流量比が1:1となるように流し、圧力0.8Pa、電力3000W、成膜温度を215°Cとして成膜するとよい。次いで、第1の層間絶縁膜107及び第1のパッシベーション膜106をエッチングし、ソース領域およびドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。続いて、各ソース領域およびドレイン領域とそれぞれ電気的に接続する配線108a~108fを形成する図6A。配線108a~108fとしては、Al、Ni、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mnから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。ここでは、Alを含んだ金属膜で形成することが好ましい。本実施の形態では、Ti膜とAlとTiを含む合金膜との積層膜をエッチングして形成する。もちろん、2層構造に限らず、単層構造でも良いし、3層以上の積層構造にしても良い。また、配線材料としては、AlとTiの積層膜に限られない。例えばTaN膜上にAl膜やCu膜を形成し、更にTi膜を形成した積層膜をエッチングして配線を形成しても良い。次に、配線108a~108fを覆うように第2の層間絶縁膜109を形成する。第2の層間絶縁膜としては、前述した第1の層間絶縁膜と同様のものを用いることができる。本実施の形態では、第2の層間絶縁膜109にシロキサン系ポリマーを用いる。シロキサン系ポリマーは耐熱性が高いため、多層配線におけるリフロー処理にも耐えうる層間絶縁膜を得ることができる。続いて、第2の層間絶縁膜109を選択的にエッチングし、コンタクトホールを形成する。その後、配線108fと接続するための配線111を形成する。また、配線111と同時に画素電極112aを形成する図6B。配線111および画素電極112aは、Al、Ni、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mnから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いて形成することができる。本実施の形態では、Al合金を用いればよく、ここではAl-Ni-Cによって形成する。次に、第2の層間絶縁膜109、配線111および画素電極112a上に画素電極112bを形成する図6C。画素電極112bは、少なくとも配線111および画素電極112aと重ならない領域119において、第二の層間絶縁膜109と接するように形成する。本実施の形態において、画素電極112a、画素電極112bは透明性導電膜で形成する。例えば、インジウム錫酸化物ITO、IndiumTinOxide、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化亜鉛IZO、IndiumZincOxide、ガリウムを添加した酸化亜鉛GZOなどその他の透光性酸化物導電材料を用いることが可能である。ITO及び酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSOや、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに2~20wtの酸化亜鉛ZnOを混合したターゲットを用いて形成されたものを用いても良い。次に、画素電極112a、112bの端部を覆うように絶縁膜隔壁、バンク116を形成し、画素電極112bに接するように発光層114を形成する。発光層114は発光物質を含む層であり、例えば、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705とを有している図7。なお、発光層114は必ずしもこの構成に限定されない。少なくとも発光層を有する単層又は積層構造を有する。図7に、画素電極112bと電極115とに挟まれた正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705とを有する発光層114の断面の模式図を示す。正孔注入層701には、正孔輸送性を有し、なおかつイオン化ポテンシャルが比較的小さく、正孔注入性が高い材料を用いるのが望ましい。大別すると金属酸化物、低分子系有機化合物、および高分子系有機化合物に分けられる。金属酸化物であれば、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなど用いることができる。低分子系有機化合物あれば、例えば、m-MTDATAに代表されるスターバースト型アミン、銅フタロシアニン略称:Cu-Pcに代表される金属フタロシアニン、フタロシアニン略称:H2-Pc、2,3-ジオキシエチレンチオフェン誘導体などを用いることができる。低分子系有機化合物と上記金属酸化物とを共蒸着させた膜であっても良い。高分子系有機化合物であれば、例えば、ポリアニリン略称:PAni、ポリビニルカルバゾール略称:PVK、ポリチオフェン誘導体などの高分子を用いることができる。ポリチオフェン誘導体の一つであるポリエチレンジオキシチオフェン略称:PEDOTにポリスチレンスルホン酸略称:PSSをドープしたものを用いても良い。また、ベンゾオキサゾール誘導体と、TCQn、FeCl3、C60またはF4TCNQのいずれか一または複数の材料とを併せて用いても良い。正孔輸送層702には、正孔輸送性が高く、結晶性の低い公知の材料を用いることが望ましい。例えば、芳香族アミン系すなわち、ベンゼン環-窒素の結合を有するものの化合物が好適であり、例えば、4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニルTPDや、その誘導体である4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]ビフェニルα-NPDなどがある。4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミンTDATAや、MTDATAなどのスターバースト型芳香族アミン化合物も用いることができる。また4,4’,4’’-トリスN-カルバゾリルトリフェニルアミン略称:TCTAを用いても良い。また高分子材料としては、良好な正孔輸送性を示すポリビニルカルバゾールなどを用いることができる。発光層703には、イオン化ポテンシャルが大きく、かつバンドギャップの大きな材料を用いるのが望ましい。例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムAlmq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[η]-キノリナトベリリウムBeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-ヒドロキシ-ビフェニリル-アルミニウムBAlq、ビス[2-2-ヒドロキシフェニル-ベンゾオキサゾラト]亜鉛ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニル-ベンゾチアゾラト]亜鉛ZnBTZ2などの金属錯体を用いることができる。また、各種蛍光色素クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン、4,4-ジシアノメチレン、1-ピロン誘導体、スチルベン誘導体、各種縮合芳香族化合物なども用いることができる。白金オクタエチルポルフィリン錯体、トリスフェニルピリジンイリジウム錯体、トリスベンジリデンアセトナートフェナントレンユーロピウム錯体などの燐光材料も用いることができる。また、発光層703に用いるホスト材料としては、上述した例に代表されるホール輸送材料や電子輸送材料を用いることができる。また、4,4’-N,N’-ジカルバゾリルビフェニル略称:CBPなどのバイポーラ性の材料も用いることができる。電子輸送層704には、電子輸送性の高い材料を用いることが望ましい。例えば、Alq3に代表されるような、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体やその混合配位子錯体などを用いることができる。具体的には、Alq3、Almq3、BeBq2、BAlq、ZnBOX2、ZnBTZ2などの金属錯体が挙げられる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼンOXD-7などのオキサジアゾール誘導体、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾールTAZ、3-4-tert-ブチルフェニル-4-4-エチルフェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾールp-EtTAZなどのトリアゾール誘導体、TPBIのようなイミダゾール誘導体、バソフェナントロリンBPhen、バソキュプロインBCPなどのフェナントロリン誘導体を用いることができる。電子注入層705には、電子注入性の高い材料を用いるのが望ましい。例えば、LiF、CsFなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、CaF2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Li2Oなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また、リチウムアセチルアセトネート略称:Liacacや8-キノリノラト-リチウム略称:Liqなどのアルカリ金属錯体も有効である。また、モリブデン酸化物MoOxやバナジウム酸化物VOx、ルテニウム酸化物RuOx、タングステン酸化物WOx等の金属酸化物またはベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含むようにしても良い。また酸化チタンを用いていても良い。なお、発光層114は、必ずしもこれらの層を全て有している必要はない。本実施の形態では、少なくとも発光層703を有していれば良い。また必ずしも発光層703からのみ発光が得られるわけではなく、他の層に用いられる材料の組み合わせによっては、発光層703以外の層から発光が得られる場合もある。また、発光層703と電子輸送層704の間に正孔ブロック層を設けても良い。なお色によっては、燐光材料の方が蛍光材料よりも、駆動電圧を低くすることができ、信頼性も高い場合がある。そこで、三原色の各色に対応する発光素子を用いて、フルカラーの表示を行なう場合は、蛍光材料を用いた発光素子と、燐光材料を用いた発光素子とを組み合わせて、各色の発光素子における劣化の度合いを揃えるようにしても良い。なお発光層114のうち、電極115に最も近い層本実施の形態では電子注入層705に、エッチングされにくい材料を用いることで、発光層114上に電極115をスパッタ法で形成する際に、電極115に最も近い層本実施の形態では電子注入層705に与えられるスパッタダメージを軽減させることができる。エッチングされにくい材料とは、例えばモリブデン酸化物MoOxやバナジウム酸化物VOx、ルテニウム酸化物RuOx、タングステン酸化物WOx等の金属酸化物、またはベンゾオキサゾール誘導体を用いることができる。これらは蒸着法によって形成されることが好ましい。上記構成により、電極115をスパッタ法で形成した場合でも、発光層114が有する有機物を含む層への、スパッタダメージを抑えることができ、電極115を形成するための物質の選択性が広がる。その後、発光層114に接するように電極115を積層して形成する図6D。本実施の形態において、電極115は反射性を有する導電膜で形成する。また、電極115は陰極として用いられるため、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いる。例えば、LiやCs等のアルカリ金属、およびMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属、これらを含む合金Mg:Ag、Al:Li、Mg:Inなど、およびこれらの化合物CaF2、CaNの他、YbやEr等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Alなどの他の導電膜を用いることも可能である。その後、電極115上にマスクを用いた蒸着法またはスパッタ法により保護層を形成してもよい。保護層は、電極115を保護するものである。なお、必要でなければ必ずしも設ける必要はない。次いで、封止基板601をシール材で貼り合わせて発光素子を封止する。表示装置は、表示領域の外周をシール材で囲まれ、一対の基板100、及び封止基板601で封止される。なお、シール材で囲まれた領域には充填材602を充填する。或いは、シール材で囲まれた領域には乾燥した不活性ガスを充填する図6D。次に、電極115が形成されている側とは反対側の基板100上に反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16を順次積層する図8。本実施の形態において、反射偏光板として直線偏光反射偏光板を用いる場合、反射偏光板14の透過軸と1/4波長板15の遅相軸とは45°若しくは135°の角度をなすように配置する。上記構成を有する表示装置において、画素電極112bと電極115との間に電圧を印加し、発光層114に順方向バイアスの電流を供給することで、発光層114から光を発生させ、該光を画素電極112b側から取り出すことができる。以上の工程により、図8に示す表示装置を作製することができる。本実施の形態の表示装置において、反射偏光板14上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光層114において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。実施の形態6本実施の形態において、実施の形態5に示した表示装置のパネルについて、図9を用いて説明する。基板50上には、発光素子を含む画素を複数有する表示領域51、ゲートドライバ52、53、ソースドライバ54および接続フィルム55が設けられる図9A。接続フィルム55はICチップなどに接続する。図9BはパネルのABを結ぶ破線における断面図を示し、表示領域51に設けられたトランジスタ412、発光素子413および容量素子416、ソースドライバ54に設けられた素子群410を示す。表示領域51、ゲートドライバ52、53およびソースドライバ54の周囲にはシール材408が設けられ、発光素子413は、該シール材408と対向基板406により封止される。この封止処理は、発光素子413を水分から保護するための処理であり、ここではカバー材ガラス、セラミックス、プラスチック、金属等により封止する方法を用いるが、熱硬化性樹脂や紫外光硬化性樹脂を用いて封止する方法、金属酸化物や窒化物等のバリア能力が高い薄膜により封止する方法を用いてもよい。基板50上に形成される素子は、非晶質半導体に比べて移動度等の特性が良好な結晶質半導体ポリシリコンにより形成することが好適であり、そうすると、同一表面上におけるモノリシック化が実現される。上記構成を有するパネルは、接続する外部ICの個数が減少するため、小型軽量薄型が実現される。なお、本実施の形態において、基板50の発光素子413が形成された側とは反対側の表面に、反射偏光板14、1/4波長板15、偏光板16とが順に積層して形成されている。なお、表示領域51は絶縁表面上に形成された非晶質半導体アモルファスシリコンをチャネル部としたトランジスタにより構成し、表示領域51を制御する回路はICチップにより構成してもよい。非晶質半導体は、CVD法を用いることで、大面積の基板に簡単に形成することができ、かつ結晶化の工程が不要であることから、安価なパネルの提供を可能とする。また、この際、インクジェット法に代表される液滴吐出法により導電層を形成すると、より安価なパネルの提供を可能とする。また、ICチップは、COGChipOnGlass方式により基板50上に貼り合わせたり、基板50に接続する接続フィルム55に貼り合わせたりしてもよい。ここで、図10A、図10Bに、チップ状のICICチップを、画素を複数有する表示領域が形成された素子基板に実装する様子を示す。図10Aでは、基板50上に表示領域51と、ゲートドライバ52、53とが形成されている。そして、ICチップ58に形成されたソースドライバが、基板50に実装されている。具体的には、ICチップ58に形成されたソースドライバが、基板50に貼り合わされ、表示領域51と電気的に接続されている。また、表示領域51と、ゲートドライバ52、53と、ICチップ58に形成されたソースドライバとに、それぞれ電源電位、各種信号等が、接続フィルム55を介して供給される。図10Bでは、基板50上に表示領域51と、ゲートドライバ52、53とが形成されている。そして、ICチップ59に形成されたソースドライバが、基板50に実装された接続フィルム55に更に実装されている。表示領域51と、ゲートドライバ52と、ICチップ59に形成されたソースドライバとに、それぞれ電源電位、各種信号等が、接続フィルム55を介して供給される。ICチップの実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のCOG方法やワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。またICチップを実装する位置は、電気的な接続が可能であるならば、図10に示した位置に限定されない。また、図10ではソースドライバのみをICチップで形成した例について示したが、ゲートドライバをICチップで形成しても良いし、またコントローラ、CPU、メモリ等をICチップで形成し、実装するようにしても良い。また、ソースドライバやゲートドライバ全体をICチップで形成するのではなく、各駆動回路を構成している回路の一部だけを、ICチップで形成するようにしても良い。なお、駆動回路などの集積回路を別途ICチップで形成して実装することで、全ての回路を画素部と同じ基板上に形成する場合に比べて、歩留まりを高めることができ、また各回路の特性に合わせたプロセスの最適化を容易に行うことができる。なお図10では示していないが、表示領域が形成されている基板上に、保護回路を設けていても良い。保護回路により放電経路を確保することができるので、信号及び電源電圧が有する雑音や、何らかの理由によって絶縁膜にチャージングされた電荷によって、基板に形成された半導体素子が劣化あるいは絶縁破壊されるのを防ぐことができる。具体的に図10Aの場合、接続フィルム55と表示領域51とを電気的に接続している配線に、保護回路を接続することができる。またさらに、接続フィルム55とソースドライバが形成されたICチップ58とを電気的に接続している配線、接続フィルム55とゲートドライバ52、53とを電気的に接続している配線、ソースドライバが形成されたICチップ58と表示領域51とを電気的に接続している配線ソース線、ゲートドライバ52、53と表示領域51とを電気的に接続している配線ゲート線に、それぞれ保護回路を接続することができる。本実施の形態の表示装置において、反射偏光板14上での外光の反射による外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させることが可能となる。また、発光素子413において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさの改善を図ることが可能となる。実施の形態7本実施の形態は、実施の形態1~6に示した表示装置を含む電子機器の一例を図11を参照して説明する。図11Aに示すテレビジョンは、本体8001、表示部8002等を含んでいる。表示部8002は、反射偏光板と1/4波長板と偏光板とを有する表示装置を有している。該表示装置を有する表示部8002を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させたテレビジョンを提供することが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上したテレビジョンを提供することが可能となる。図11Bに示す情報端末機器は、本体8101、表示部8102等を含んでいる。表示部8102は、反射偏光板と1/4波長板と偏光板とを有する表示装置を有している。該表示装置を有する表示部8102を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させた情報端末機器を提供することが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上した情報端末機器を提供することが可能となる。図11Cに示すビデオカメラは、本体8201、表示部8202等を含んでいる。表示部8202は、反射偏光板と1/4波長板と偏光板とを有する表示装置を有している。該表示装置を有する表示部8202を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させたビデオカメラを提供することが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上したビデオカメラを提供することが可能となる。図11Dに示す電話機は、本体8301、表示部8302等を含んでいる。表示部8302は、反射偏光板と1/4波長板と偏光板とを有する表示装置を有している。該表示装置を有する表示部8302を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させた電話機を提供することが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上した電話機を提供することが可能となる。図11Eに示す携帯型のテレビジョンは、本体8401、表示部8402等を含んでいる。表示部8402は、反射偏光板と1/4波長板と偏光板とを有する表示装置を有している。該表示装置を有する表示部8402を備えることにより、外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させた携帯型のテレビジョンを提供することが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上した携帯型のテレビジョンを提供することが可能となる。またテレビジョンとしては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの例えば40インチ以上まで、幅広いものに、本発明の表示装置を適用することができる。なお、本発明に係る電子機器は、図11A~Eに限定されず、表示部に反射偏光板と1/4波長板と偏光板とを有する表示装置を有するものが含まれる。このように、反射偏光板と1/4波長板と偏光板とを有する表示装置を有する表示部等を備えることで、外部の映像の映り込みを抑え、画像の表示特性を向上させた電子機器を提供することが可能となる。また、発光層において発光した光を効率よく取り出すことができ、表示画像の明るさが向上した電子機器を提供することが可能となる。"