前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層と前記誘電体層を覆う保護層とを有し、前記保護層は、前記誘電体層上に形成された下地層と、前記下地層に分散配置された複数の粒子を含み、前記下地層は、平均粒径が10nm以上100nm以下の酸化マグネシウムのナノ結晶粒子を有し、前記粒子は、複数の金属酸化物の結晶粒子が凝集した凝集粒子であり、前記凝集粒子の平均粒径は、前記下地層の膜厚の2倍以上4倍以下である、プラズマディスプレイパネル。前記金属酸化物は、酸化マグネシウムであり、前記凝集粒子は、平均粒径が0.9μm以上4.0μm以下である、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。前記下地層の膜厚は、0.5μm以上3.0μm以下である、請求項1または2のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。第1の実施の形態[1.PDP1の構造]PDPの基本構造は、一般的な交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置されている。前面板2と背面板10とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオンNeおよびキセノンXeなどの放電ガスが53kPa400Torr~80kPa600Torrの圧力で封入されている。前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6とブラックストライプ7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6とブラックストライプ7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成される。さらに誘電体層8の表面に酸化マグネシウムMgOなどからなる保護層9が形成されている。なお、保護層9については、後に詳細に述べられる。走査電極4および維持電極5は、それぞれインジウム錫酸化物ITO、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnOなどの導電性金属酸化物からなる透明電極上にAgからなるバス電極が積層されている。背面ガラス基板11上には、表示電極6と直交する方向に、銀Agを主成分とする導電性材料からなる複数のデータ電極12が、互いに平行に配置されている。データ電極12は、下地誘電体層13に被覆されている。さらに、データ電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝には、データ電極12毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層15、緑色に発光する蛍光体層15および青色に発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。表示電極6とデータ電極12とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。なお、本実施の形態において、放電空間16に封入する放電ガスは、10体積以上30体積以下のXeを含む。[2.PDP1の製造方法][2-1.前面板2の形成]フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5とブラックストライプ7とが形成される。走査電極4および維持電極5は、導電性を確保するための銀Agを含む金属バス電極4b、5bを有する。また、走査電極4および維持電極5は、透明電極4a、5aを有する。金属バス電極4bは、透明電極4aに積層される。金属バス電極5bは、透明電極5aに積層される。透明電極4a、5aの材料には、透明度と電気伝導度を確保するためインジウム錫酸化物ITOなどが用いられる。まず、スパッタ法などによって、ITO薄膜が前面ガラス基板3に形成される。次にリソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極4a、5aが形成される。金属バス電極4b、5bの材料には、銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板3に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。次に、電極ペーストが現像され、金属バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、金属バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、金属バス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、金属バス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、金属バス電極4b、5bが形成される。ブラックストライプ7は、黒色顔料を含む材料により、形成される。次に、誘電体層8が形成される。誘電体層8の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極4、維持電極5およびブラックストライプ7を覆うように前面ガラス基板3上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、誘電体層8が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、誘電体層8となる膜を形成することもできる。誘電体層8の材料は、酸化ビスマスBi2O3、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、酸化バリウムBaOから選ばれる少なくとも1種と、酸化モリブデンMoO3、酸化タングステンWO3、酸化セリウムCeO2、二酸化マンガンMnO2から選ばれる少なくとも1種とを含む。バインダ成分は、エチルセルロース、またはアクリル樹脂1重量~20重量を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノールKaoコーポレーション社製品名、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加してペーストとして印刷特性を向上させてもよい。次に、誘電体層8上に保護層9が形成される。保護層9の詳細は、後述される。以上の工程により前面ガラス基板3上に走査電極4、維持電極5、ブラックストライプ7、誘電体層8、保護層9が形成され、前面板2が完成する。[2-2.背面板10の形成]フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、データ電極12が形成される。データ電極12の材料には、導電性を確保するための銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むデータ電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、データ電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、データ電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、データ電極ペーストが露光される。次に、データ電極ペーストが現像され、データ電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、データ電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、データ電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、データ電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、データ電極12が形成される。ここで、データ電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。次に、下地誘電体層13が形成される。下地誘電体層13の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでデータ電極12が形成された背面ガラス基板11上にデータ電極12を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層13が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、下地誘電体層13となる膜を形成することもできる。次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁14が形成される。隔壁14の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層13上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、隔壁14が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。次に、蛍光体層15が形成される。蛍光体層15の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層15が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。[2-3.前面板2と背面板10との組立]次に、前面板2と、背面板10とが組立てられる。まず、ディスペンス法によって、背面板10の周囲に封着材図示せずが形成される。封着材図示せずの材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極6とデータ電極12とが直交するように、前面板2と背面板10とが対向配置される。次に、前面板2と背面板10の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入されることによりPDP1が完成する。[3.保護層9の詳細]図2に示すように、保護層9は、一例として、下地層である下地膜91と凝集粒子92とを含む。下地膜91は、一例として、平均粒径が10nm以上100nm以下のMgOのナノ結晶粒子より構成されている。ナノ結晶粒子とは、MgOのナノメートルサイズの単結晶粒子である。凝集粒子92は、金属酸化物であるMgOの結晶粒子92aが複数凝集したものである。凝集粒子92は、下地膜91中の全面に亘って、均一に分散配置させると好ましい。また、凝集粒子92の平均粒径が下地膜91の平均膜厚の2倍以上となるように構成している。つまり、下地膜91中には凝集粒子92が分散配置されている。さらに、凝集粒子92が下地膜91から、放電空間16に向けて突き出ているなお、平均粒径はナノ結晶粒子および凝集粒子92をSEMScanningElectronMicroscope観察することによって測長された。ところで、保護層9は放電セル内において放電の際に電子の受給動作をする。そのため、保護層9には高い電子放出性能と高い電荷保持性能とが要求される。電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値である。電子放出性能は、放電の表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量として表現される。初期電子放出量は、表面にイオンあるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できる。しかし、非破壊で実施することが困難である。そこで、特開2007-48733号公報に記載されている方法が用いられた。つまり、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値が測定された。統計遅れ時間の逆数を積分することにより、初期電子の放出量と線形対応する数値になる。放電時の遅れ時間とは、書込み放電パルスの立ち上がりから書込み放電が遅れて発生するまでの時間である。放電遅れは、書込み放電が発生する際のトリガーとなる初期電子が保護層9の表面から放電空間16中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。電荷保持性能は、PDPにおいて保護層から電荷が放出される現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧以下Vscn点灯電圧と称するである。Vscn点灯電圧の低い方が、電荷保持性能が高いことを示す。Vscn点灯電圧が低いと、PDPを低電圧で駆動できる。よって、電源や各電気部品として、耐圧および容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのMOSFETなどの半導体スイッチング素子には、耐圧150V程度の素子が使用されている。Vscn点灯電圧としては、温度による変動を考慮し、120V以下に抑えることが望ましい。一般的には保護層9の電子放出性能と電荷保持性能は相反する。つまり、高い電子放出性能を有し、かつ、電荷の減衰率を小さくする高い電荷保持性能を有することは、相反する特性である。例えば、保護層9の成膜条件の変更、あるいは、保護層9中にAlやSi、Baなどの不純物をドーピングして成膜することにより、電子放出性能を向上することは可能である。しかし、副作用としてVscn点灯電圧も上昇してしまう。一方、本実施の形態にかかる保護層9は、下地膜91を平均粒径が10nm以上100nm以下の酸化マグネシウムMgOのナノ結晶粒子で構成している。すると、下地膜91を真空蒸着などにより形成し、かつ、他の材料をドーピングした場合と同様に、MgOの内部の比較的浅い場所に、不純物に似たエネルギー準位を形成する。また、下地膜91中に配置して放電空間16に突き出た構造を有する結晶粒子92aの凝集粒子92は、電界が集中する構造となっている。そのため、下地膜91の浅い準位に存在する電子が、凝集粒子92による電界で引っ張り上げられる。さらに、電子は、凝集粒子92の外表面を伝わって二次電子として放出される。その結果、本実施の形態にかかる保護層9は、高い電子放出性能を有する。下地膜91を構成するそれぞれのナノ結晶粒子は、微視的には孤立している。つまり、蒸着膜のように面方向に連続しているものではない。そのため、下地膜91の面方向では絶縁性が維持される。つまり、面方向の導電性が小さくなる。その結果、アドレス放電時に蓄積された電荷が面方向に散逸しにくくなる。よって、保護層9は、高い電荷保持性能を有する。特に、本実施の形態のように、凝集粒子92が下地膜91から突き出た形状であると、保護層9の表面が凹凸になる。よって、保護層9は、投影面積に対する実表面積が大きくなる。したがって、保護層9に蓄積された電荷が分散しにくく、さらに電荷保持性能を向上させることができる。凝集粒子92の平均粒径が小さいと、下地膜91に埋もれてしまう凝集粒子92が多くなるため二次電子放出能力は低下する。凝集粒子92の平均粒径を下地膜91の膜厚で除した比率と、二次電子放出能力の関係はロジスティック曲線となる。凝集粒子92の平均粒径が下地膜91の膜厚の2倍以上になると、二次電子放出能力が急激に増加する。凝集粒子92の平均粒径が下地膜91の膜厚の約3倍を超えると飽和する。そこで、本実施の形態では、凝集粒子92の平均粒径が下地膜91の膜厚の2倍以上となるようにし、凝集粒子92が背面板10の隔壁14と当接することによって発生する不具合などを排除するために4.0倍以下とするようにしている。したがって、凝集粒子92の平均粒径は、一例として、下地膜91の膜厚が約0.5μmから1.0μmの範囲のときは、0.9μm以上4.0μm以下とするのが望ましい。このように、本実施の形態によれば、保護層9をナノ結晶粒子よりなる下地膜91と、下地膜91中に配置した結晶粒子92aが凝集した凝集粒子92とにより構成しているため、電子放出性能と電荷保持性能の両方を満足させることができる。[3-1.下地膜91の詳細]ナノ結晶粒子は、一例として、瞬間気相生成法を用いて作製される。瞬間気相生成法は、プラズマなどでMgOを気化させ、反応ガスを含む冷却ガスによって瞬間冷却してナノサイズの微粒子を作製する方法である。本実施の形態では、平均粒径10nm~100nmのナノ結晶粒子が用いられた。そして、これらのナノ結晶粒子がブチルカルビトール、またはターピネオールと混合される。次に、分散処理装置によって分散させてナノ結晶粒子分散液が作製される。分散処理には、酸化ジルコニウムや酸化アルミニウムなどのビーズが用いられる。ビーズの平均粒径は、0.02mm~0.3mmの範囲が好ましい。ビーズの平均粒径は、0.02mm~0.1mmの範囲がより好ましい。分散処理装置としては、これらのビーズとナノ結晶粒子分散液とをミル容器内に充填し、ミル容器を揺動させたり撹拌させたりする揺動ミルや撹拌ミルが好ましい。本実施の形態では、ブチルカルビトール中にMgOのナノ結晶粒子を5~20重量の範囲になるように混合した。次に、混合物が分散されることにより、ナノ結晶粒子分散液が作製された。分散には、攪拌ミルであるロッキングミルが用いられた。また、分散処理は、以下の条件で行われた。ミル容器の容量は100mL、ビーズは平均粒径が0.1mmの酸化ジルコニウム、ミル容器内のビーズ充填率は50体積、ミル容器の振動速度は500rpm、処理時間は60分である。[3-2.凝集粒子92の詳細]図3に示すように、凝集粒子92とは、所定の一次粒径の結晶粒子92aが凝集またはネッキングした状態のものである。すなわち、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなしているもので、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子92の粒径としては、約1μm程度のもので、結晶粒子92aとしては、14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。また、結晶粒子92aの一次粒子の粒径は、結晶粒子92aの生成条件によって制御できる。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどの前駆体を焼成して生成する場合、焼成温度や焼成雰囲気を制御することで粒径を制御できる。一般的に、焼成温度は700°Cから1500°Cの範囲で選択できる。焼成温度を比較的高い1000°C以上にすることで、粒径を0.3~2μm程度に制御できる。さらに、前駆体を加熱することにより、生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングして凝集粒子92を得ることができる。[3-3.保護層9の形成]まず、アクリル樹脂10重量を混合したビークル50重量、ビーズを取り除いたナノ結晶粒子分散液45重量および凝集粒子92を5重量が混合された印刷用ペーストが作製される。次に、印刷用ペーストがスクリーン印刷法によって誘電体層8上に塗布される。次に、乾燥炉によって、100°C~120°Cの温度範囲で20分間熱処理される。その後、焼成炉によって、340°C~360°Cの温度範囲で60分間熱処理される。以上により、ナノ結晶粒子から構成された下地膜91中に凝集粒子92が分散配置され、かつ、凝集粒子92が下地膜91から突き出た保護層9が形成される。[3-4.保護層9の評価]図4に示すように、凝集粒子92の平均粒径が0.3μm程度に小さくなると、電子放出性能が低くなる。一方、凝集粒子92の平均粒径が0.9μm以上であれば、高い電子放出性能が得られることがわかる。さらに、上述の方法で作製された下地膜91は不純物ガスの吸着量を低減できる。昇温脱離ガス分析法を用いて、比較例として真空蒸着法によって形成された保護層と、実施例として平均粒径が10nm~100nmの範囲であったナノ結晶粒子を用いて形成された保護層9とが比較評価された。その結果、比較例に対して、実施例では、不純物ガスである水分、炭酸ガス、CH系ガスがいずれも大きく減少していた。具体的には、比較例では350°C~400°Cで脱離するガスの量が急激に増加していた。一方、実施例では急激な増加はなかった。不純物ガスである水分は、放電による保護層9のスパッタ量を増加させる。また、不純物ガスである炭酸ガスやCH系ガスは、蛍光体層15の蛍光体の発光特性を大きく低下させる。したがって、実施例は、不純物ガスの吸着を大きく低減し、耐スパッタ性に優れて、発光性能の劣化が抑制されたPDP1を実現することができる。さらに、ナノ結晶粒子の平均粒径が10nm以上100nm以下であれば、保護層9の可視光透過率の損失を抑制できる。つまり、PDP1の発光効率が低下しない。一方、平均粒径が10nm未満のナノ結晶粒子の場合には、ナノ結晶粒子同士の凝集が著しい。よって、ロールミル、ビーズミル、超音波およびフィルミックスなどの分散装置によっても分散が不十分になる。つまり、可視光透過率が逆に低下してしまう。また、ナノ結晶粒子の平均粒径が100nmを超えると、ナノ結晶粒子内で光の散乱が生じることにより、可視光透過率が低下する。また、本実施の形態にかかる下地膜91は、焼成後の膜厚が0.5μm以上であることが好ましい。電荷保持性能が従来の蒸着膜よりも向上するからである。一方、下地膜91は、焼成後の膜厚が3μm以下であることが好ましい。保護層9の可視光に対する透過率が低下するからである。[4.まとめ]本実施の形態にかかる保護層9は、誘電体層8上に形成された下地層である下地膜91と、下地膜91に分散配置された複数の粒子を含む。下地膜91は、平均粒径が10nm以上100nm以下のMgOのナノ結晶粒子を有する。粒子は、複数の金属酸化物の結晶粒子92aが凝集した凝集粒子92である。凝集粒子92の平均粒径は、下地膜91の膜厚の2倍以上4倍以下である。上記の構成の保護層9は、高い初期電子放出性能および高い電荷保持性能を有する。つまり、本実施の形態にかかるPDPは、消費電力削減、輝度向上、高精細化などを実現できる。本実施の形態では、下地膜91を構成する金属酸化物のナノ結晶粒子としてMgOが例示された。しかしMgOの他にもSrO、CaO、BaOなどの金属酸化物によるナノ結晶粒子を用いてもよい。さらに、複数の金属酸化物のナノ結晶粒子の混合物を用いてもよい。また、本実施の形態では、凝集粒子92を構成する金属酸化物の結晶粒子としてMgOが例示された。しかし、他の単結晶粒子でも、MgO同様に高い電子放出性能を持つSr、Ca、Baなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができる。よって、金属酸化物の結晶粒子としてはMgOに限定されるものではない。第2の実施の形態[1.PDP1の構造]本実施の形態にかかるPDP1は、誘電体層8および保護層9の構成が、第1の実施の形態にかかるPDP1と異なる。したがって、誘電体層8および保護層9について詳しく説明される。第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同じ構成には、同じ符号が付され、さらに、説明は適宜省略される。[2.誘電体層8の詳細]図5に示すように、本実施の形態にかかる誘電体層8は、表示電極6およびブラックストライプ7を覆う第1誘電体層81と、第1誘電体層81を覆う第2誘電体層82の少なくとも2層の構成である。[2-1.第1誘電体層81]第1誘電体層81の誘電体材料は、三酸化二ビスマスBi2O3を20重量~40重量含む。さらに、第1誘電体層81の誘電体材料は酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrOおよび酸化バリウムBaOの群から選ばれる少なくとも1種を0.5重量~12重量を含む。さらに、第1誘電体層81の誘電体材料は、三酸化モリブデンMoO3、三酸化タングステンWO3、二酸化セリウムCeO2、二酸化マンガンMnO2、酸化銅CuO、三酸化二クロムCr2O3、三酸化二コバルトCo2O3、二酸化七バナジウムV2O7および三酸化二アンチモンSb2O3の群から選ばれる少なくとも1種を0.1重量~7重量含む。また、上記以外の成分として、酸化亜鉛ZnOを0重量~40重量、三酸化二硼素B2O3を0重量~35重量、二酸化硅素SiO2を0重量~15重量、三酸化二アルミニウムAl2O3を0重量~10重量とするなど、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。さらに、これらの材料組成の含有量に特に限定はない。これらの組成成分からなる誘電体材料が、湿式ジェットミルやボールミルで0.5μm~2.5μmの平均粒径となるように粉砕される。粉砕された誘電体材料が誘電体材料粉末である。次に、誘電体材料粉末55重量~70重量と、バインダ成分30重量~45重量とが三本ロールなどでよく混練されることにより、ダイコート用、または印刷用の第1誘電体層用ペーストが完成する。バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂1重量~20重量を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペーストには、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルが添加されてもよい。また、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノールKaoコーポレーション社製品名、アルキルアリル基のリン酸エステルなどが添加されてもよい。分散剤の添加により、印刷性が向上する。第1誘電体層用ペーストは、表示電極6を覆うように前面ガラス基板3にダイコート法またはスクリーン印刷法により印刷される。印刷された第1誘電体層用ペーストは、乾燥工程を経て、焼成される。焼成温度は、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の575°C~590°Cである。[2-2.第2誘電体層82]第2誘電体層82の誘電体材料は、Bi2O3を11重量~20重量を含む。さらに、第2誘電体層82の誘電体材料は、CaO、SrOおよびBaOの群から選ばれる少なくとも1種を1.6重量~21重量含む。さらに、第2誘電体層82の誘電体材料は、MoO3、WO3、酸化セリウムCeO2、CuO、Cr2O3、Co2O3、V2O7、Sb2O3およびMnO2から選ばれる少なくとも1種を0.1重量~7重量含んでいる。また、上記以外の成分として、ZnOを0重量~40重量、B2O3を0重量~35重量、SiO2を0重量~15重量、Al2O3を0重量~10重量とするなど、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。さらに、これらの材料組成の含有量に特に限定はない。これらの組成成分からなる誘電体材料が、湿式ジェットミルやボールミルで0.5μm~2.5μmの平均粒径となるように粉砕される。粉砕された誘電体材料が誘電体材料粉末である。次に、誘電体材料粉末55重量~70重量と、バインダ成分30重量~45重量とが三本ロールなどでよく混練されることにより、ダイコート用、または印刷用の第2誘電体層用ペーストが完成する。第2誘電体層用ペーストのバインダ成分は、第1誘電体層用ペーストのバインダ成分と同様である。第2誘電体層用ペーストは、ダイコート法またはスクリーン印刷法により、第1誘電体層81上に印刷される。印刷された第2誘電体層用ペーストは、乾燥工程を経て、焼成される。焼成温度は、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の550°C~590°Cである。[2-3.誘電体層8の膜厚]誘電体層8の膜厚は、可視光透過率を確保するために、第1誘電体層81と第2誘電体層82とを合わせて41μm以下が好ましい。第1誘電体層81におけるBi2O3の含有量は、金属バス電極4b、5bに含まれるAgとの反応を抑制するために、第2誘電体層82におけるBi2O3の含有量よりも多い。よって、第1誘電体層81の可視光透過率が第2誘電体層82の可視光透過率よりも低くなる。したがって、第1誘電体層81の膜厚は、第2誘電体層82の膜厚よりも薄いことが好ましい。なお、第2誘電体層82においてBi2O3が11重量以下であると着色は生じにくくなる。しかし、第2誘電体層82中に気泡が発生しやすくなる。また、Bi2O3が40重量を超えると着色が生じやすくなり、透過率が低下する。よって、Bi2O3は11重量を超えて、40重量以下が好ましい。また、誘電体層8の膜厚が小さいほど輝度向上の効果と放電電圧低減の効果は顕著になる。よって、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定すること好ましい。したがって、本実施の形態では、誘電体層8の膜厚は、41μm以下である。さらに、第1誘電体層81の膜厚は、5μm~15μm、第2誘電体層82の膜厚は20μm~36μmである。本実施の形態におけるPDP1は、表示電極6にAgを用いても、前面ガラス基板3の着色現象黄変が少ない。かつ、誘電体層8中に気泡の発生などが少なく、絶縁耐圧性能に優れた誘電体層8が実現できた。[2-4.黄変や気泡の発生が抑制される理由についての考察]Bi2O3を含む誘電体材料にMoO3またはWO3を添加することによって、Ag2MoO4、Ag2Mo2O7、Ag2Mo4O13、Ag2WO4、Ag2W2O7、Ag2W4O13といった化合物が580°C以下で生成しやすい。本実施の形態では、誘電体層8の焼成温度が550°C~590°Cであることから、焼成中に誘電体層8中に拡散した銀イオンAgは誘電体層8中のMoO3またはWO3と反応することにより、安定な化合物を生成して安定化する。すなわち、Agが還元されることなく安定化される。Agが安定化することによって、Agのコロイド化に伴う酸素の発生も少なくなる。したがって、誘電体層8中への気泡の発生も少なくなる。上述の効果を有効にするためには、Bi2O3を含む誘電体材料中にMoO3、WO3、CeO2、CuO、Cr2O3、Co2O3、V2O7、Sb2O3およびMnO2から選ばれる少なくとも1種の含有量を0.1重量以上にすることが好ましい。さらに、0.1重量以上7重量以下が、より好ましい。特に、0.1重量未満では黄変を抑制する効果が少ない。7重量を超えるとガラスに着色が起こり好ましくない。すなわち、本実施の形態における誘電体層8は、Agを含む金属バス電極4b、5bと接する第1誘電体層81では黄変現象と気泡発生を抑制する。さらに、第1誘電体層81上に設けた第2誘電体層82によって高い光透過率を実現している。その結果、誘電体層8全体として、気泡や黄変の発生が極めて少なく透過率の高いPDP1を実現することが可能となる。[3.保護層9の詳細]保護層には、主に4つの機能がある。1つめは、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護することである。2つめは、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することである。3つめは、放電を発生させるための電荷を保持することである。4つめは、維持放電の際に二次電子を放出することである。イオン衝撃から誘電体層が保護されることにより、放電電圧の上昇が抑制される。初期電子放出数が増加することにより、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスが低減される。電荷保持性能が向上することにより、印加電圧が低減される。二次電子放出数が増加することにより、維持放電電圧が低減される。初期電子放出数を増加させるために、たとえば保護層のMgOに珪素SiやアルミニウムAlを添加するなどの試みが行われている。しかし、MgOに不純物を混在させることにより、初期電子放出性能を改善した場合、保護層に蓄積された電荷が時間と共に減少する減衰率が大きくなってしまう。よって、減衰した電荷を補うために印加電圧を大きくするなどの対策が必要になる。保護層は、高い初期電子放出性能を有するとともに、電荷の減衰率を小さくする、すなわち高い電荷保持性能を有するという、相反する二つの特性を併せ持つことが要求されている。[3-1.保護層9の構成]図5に示すように、本実施の形態にかかる保護層9は、下地層である下地膜91と凝集粒子92とを含む。下地膜91は、ゲルマニウムGeとセリウムCeとを含有するMgO膜である。凝集粒子92は、MgOの結晶粒子92aが複数個凝集したものである。本実施の形態においては、複数個の凝集粒子92が、下地膜91の全面に亘って分散配置されている。なお、凝集粒子92は、下地膜91の全面に亘って均一に分散配置されているとより好ましい。放電電圧の面内ばらつきが小さくなるからである。[3-2.下地膜91の形成]一例として、EBElectronBeam蒸着により形成される。下地膜91の材料は、単結晶のMgOが主成分のペレットである。まず、EB蒸着装置の成膜室に配置されたペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けたペレットは蒸発する。蒸発したMgOは、成膜室内に配置された誘電体層8上に付着する。MgOの膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。下地膜91の膜厚は、一例として、500nmから1000nm程度である。後に説明される試作品の製造において、主成分のMgOに所定の濃度の不純物を含んだペレットが用いられた。[3-3.凝集粒子92の形成]一例として、スクリーン印刷により形成される。スクリーン印刷には、凝集粒子92が有機樹脂成分と希釈溶剤とともに混錬された金属酸化物ペーストが用いられる。具体的には、金属酸化物ペーストが下地膜91上の全面に亘って塗布されることにより、金属酸化物ペースト膜が形成される。金属酸化物ペースト膜の膜厚は、一例として、5μmから20μm程度である。なお、下地膜91上に金属酸化物ペースト膜を形成する方法として、スクリーン印刷の他に、スプレー、スピンコート、ダイコート、スリットコートなども用いることができる。次に、金属酸化物ペースト膜が乾燥される。乾燥炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、100°Cから150°C程度である。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、溶剤成分が除去される。次に、乾燥後の金属酸化物ペースト膜が焼成される。焼成炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、400°Cから500°C程度である。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素などが用いられる。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、樹脂成分が除去される。[4.実験結果]次に、本実施の形態にかかる保護層9の特性を確認するために行った実験結果が説明される。異なる構成の保護層9を有するPDPが試作された。試作品1は、MgO膜のみからなる保護層を有するPDPである。試作品2は、Al、Siなどの不純物がドープされたMgOからなる保護層を有するPDPである。試作品3は、MgOによる下地膜と、下地膜上に分散配置されたMgOの結晶粒子の一次粒子とからなる保護層を有するPDPである。試作品4は、MgOに200ppm~500ppmのCeが不純物としてドープされた下地膜と、下地膜上に全面に亘って均一に分散配置された凝集粒子92とからなる保護層を有するPDPである。試作品5は、MgOにGeと200ppm~500ppmのCeとがドープされた下地膜91と、下地膜91上に全面に亘って均一に分散配置された凝集粒子92とからなる保護層9を有するPDPである。なお、試作品3、4、5において、結晶粒子92aは酸化マグネシウムMgOの単結晶粒子である。図6には、保護層の電子放出性能および電荷保持性能が示される。電子放出性能は、試作品1の平均値を基準とした規格値である。試作品5は、電荷保持性能の評価結果であるVscn点灯電圧を120V以下にすることができ、しかも電子放出性能は8以上の良好な特性を得ることがでることがわかる。したがって、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるPDP1であっても、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させることができる。さらに、Vscn点灯電圧が100V以下であるため、小さい耐圧の素子を使用することが可能となり、低消費電力化が可能となる。本実施の形態にかかる保護層9は、MgO中にCeを含有させることにより、MgOのバンド構造の比較的浅いエネルギー帯に、エネルギー幅の狭いバンド構造が形成される。その結果、保護層9表面に電荷が蓄積され、メモリー機能として使用しようとする際の電荷が時間とともに減少する減衰率が大きくなってしまう。しかしながら、CeとともにMgO中にGeを含有させることにより、MgOのバンド構造の比較的深いエネルギー帯に、電荷を保持するバンド構造が形成されて電荷保持性能が向上したと考えられる。試作品1では、Vscn点灯電圧を100V程度にすることはできる。しかし、電子放出性能が他の試作品と比べると格段に低い。試作品2では、電子放出性能は試作品1と比較して高い。しかし、電荷保持能力が低い。つまりVscn点灯電圧が試作品5と比較して高い。電子放出性能が高い理由としては、MgOにドープされたAlやSiによって、MgOの内部に不純物準位が作られ、電子が不純物準位から放出されるからであると考えられる。しかし、不純物準位は、電子が膜表面方向に移動することを容易にする。このため、蓄積された電荷が不純物準位を伝わって散逸して電荷保持能力が小さくなったと考えられる。試作品3は、電子放出性能は試作品1および試作品2と比較して高い。しかし、電荷保持能力が低い。つまりVscn点灯電圧が試作品5と比較して高い。電荷保持能力が低い理由としては、保持された電荷が結晶粒子92aに溜まるために電界集中が起き、電荷が保持されていない放電セルの結晶粒子92aに向かって放出される現象が起きるためと考えられる。そこで、電界集中が起きないように、下地膜91側で電荷を分散させること好ましいと考えられる。すなわち、MgOにAl、Si、Ceをドープすると、下地膜91での電荷の分散が大きくなりすぎる。しかし、試作品5のようにMgOにCeがドープされた下地膜91に、さらにGeをドープすることにより、下地膜91における電荷の分散を好適な範囲とすることができる。なお、下地膜91におけるGeの濃度が100ppm未満では、電荷保持能力を向上させる観点から不十分である。また、下地膜91におけるGeの濃度が5000ppmを超えると、蒸着が不安定になる。つまり、ペレットの蒸発のコントロールが困難になる。なお、下地膜91におけるCeの濃度が200ppm未満では、電荷保持能力を向上させる観点から不十分である。また、下地膜91におけるCeの濃度が500ppmを超えると、蒸着が不安定になる。つまり、ペレットの蒸発のコントロールが困難になる。なお、図7に示すように、下地膜91におけるCeの濃度を200ppm以上500ppm以下の範囲とすると、Vscn点灯電圧を100V以下にすることができる。このとき、下地膜91におけるGeの濃度は、2000ppmである。[5.凝集粒子92の作用]MgOの凝集粒子92は、本発明者らの実験により、主として書込み放電における放電遅れを抑制する効果と、放電遅れの温度依存性を改善する効果が確認されている。そこで実施の形態では、凝集粒子92が下地膜91に比べて高い初期電子放出特性に優れる性質を利用している。つまり、凝集粒子92は、放電パルス立ち上がり時に必要な初期電子供給部として配設されている。図8に示すように、本実施の形態にかかる試作品5ではアドレス放電開始電圧を50V以下にできる。アドレス放電開始電圧の低下は凝集粒子92によって保護層9からの電子放出量が増加したためと考えられる。なお、図8における試作品1から試作品5は、図6における試作品1から試作品5と同じである。本実施の形態において、凝集粒子92は、下地膜91上に付着させる場合、10以上20以下の範囲の被覆率でかつ全面に亘って分布するように付着している。被覆率とは、1個の放電セルの領域において、凝集粒子92が付着している面積aを1個の放電セルの面積bの比率で表したもので、被覆率=a/b×100の式により求めたものである。実際の測定方法は、隔壁14により区切られた1個の放電セルに相当する領域の画像が撮影される。次に、画像がx×yの1セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに2値化される。次に、2値化されたデータに基づき凝集粒子92による黒エリアの面積aを求める。最後に、a/b×100により演算される。なお、図4に示したように、平均粒径が0.3μm程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ0.9μm以上であれば、高い電子放出性能が得られる。放電セル内での電子放出数を増加させるためには、保護層9上の単位面積当たりの結晶粒子数は多い方が望ましい。本発明者らの実験によれば、保護層9と密接に接触する隔壁14の頂部に相当する部分に結晶粒子92aが存在すると、隔壁14の頂部を破損させる場合がある。この場合、破損した隔壁14の材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯または消灯しなくなる現象が発生することがわかった。隔壁破損の現象は、結晶粒子92aが隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子数が多くなれば、隔壁14の破損発生確率が高くなる。図9に示すように、粒径が2.5μm程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなる。しかし、2.5μmより小さい粒径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができることがわかる。以上の結果に基づくと、凝集粒子92の粒径は、0.9μm以上2.5μm以下の範囲が望ましいと考えられる。一方、PDPを量産する場合には、凝集粒子92の製造上でのばらつきや、保護層の製造上でのばらつきを考慮する必要がある。製造上のばらつきなどの要因を考慮した上で、粒径が0.9μm以上2.0μm以下の範囲にある凝集粒子92を使用すれば、上述した効果を安定して得られることがわかった。[6.まとめ]本実施の形態にかかる保護層9は、誘電体層8上に形成された下地層である下地膜91と、下地膜91の全面に亘って分散配置された金属酸化物の結晶粒子92aが複数個凝集した凝集粒子92と、を含む。下地膜91は、MgO、CeおよびGeを含む。下地膜91におけるCeの濃度は200ppm以上500ppm以下であり、かつ、Geの濃度は100ppm以上5000ppm以下である。上記の構成の保護層9は、高い初期電子放出性能および高い電荷保持性能を有する。つまり、本実施の形態にかかるPDPは、消費電力削減、輝度向上、高精細化などを実現できる。また、本実施の形態では、凝集粒子を構成する金属酸化物結晶粒子としてMgO粒子を用いて説明したが、この他の金属酸化物結晶粒子でも、MgO同様に高い電子放出性能を持つSrO、CaO、Ba2O3、Al2O3などの金属酸化物結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができる。よって、粒子種としてはMgOに限定されるものではない。