"処理チャンバ内で半導体デバイスを製造する方法であって、基板の上に第1の組の相互接続の特徴を有する第1の基材を堆積させるステップと、アッシング可能な材料で前記第1の組の相互接続の特徴の上部を充填するステップと、前記第1の組の相互接続の特徴内に充填される前記アッシング可能な材料の上面が前記第1の基材の上面と同じ高さとなるように前記第1の基材の前記上面を平坦化するステップであって、前記アッシング可能な材料の前記上面および前記第1の基材が実質的に平坦な外面を提供するステップと、前記実質的に平坦な外面上に第2の基材を含むフィルムスタックを堆積させるステップと、前記第2の基材内に第2の組の相互接続の特徴を形成するステップであって、前記第2の組の相互接続の特徴が前記第1の組の相互接続の特徴と位置合せされるステップと、前記第1の基材からアッシング可能な材料を除去して、前記第2の組の相互接続の特徴を前記第1の組の相互接続の特徴に接続することによって前記半導体デバイスの特徴の深さを延長させるステップとを含む方法。前記フィルムスタックがさらに、前記第2の基材上に堆積されるハードマスク層と、前記ハードマスク層上に堆積される反射防止コーティング層と、前記反射防止コーティング層上に堆積されるフォトレジスト層とを含む、請求項1に記載の方法。前記ハードマスク層が、ドープされたもしくは非ドープのアモルファスカーボン、酸化ケイ素、またはポリシリコン材料を含む、請求項2に記載の方法。前記第1および第2の基材のそれぞれが、交互に並ぶ複数の酸化物材料および窒化物材料、1つもしくは複数の酸化物材料または窒化物材料、ポリシリコン材料またはアモルファスシリコン材料、アモルファスシリコンと交互に並ぶ酸化物、ポリシリコンと交互に並ぶ酸化物、ドープされたシリコンと交互に並ぶ非ドープのシリコン、ドープされたポリシリコンと交互に並ぶ非ドープのポリシリコン、ドープされたアモルファスシリコンと交互に並ぶ非ドープのアモルファスシリコンを含む、請求項1に記載の方法。前記第1および第2の組の相互接続の特徴のそれぞれが、互いに平行に配置される2つ以上の接点開口を備える、請求項1に記載の方法。処理チャンバ内で半導体デバイスを製造する方法であって、基板の上に、内部に形成される第1の組の相互接続の特徴を有する第1の基材を堆積させるステップと、アッシング可能な材料で前記第1の組の相互接続の特徴の上部を充填することにより、前記第1の基材の実質的に平坦な外面をもうけるステップと、前記第1の基材の前記実質的に平坦な外面上に第2の基材を堆積させるステップと、前記第2の基材内に第2の組の相互接続の特徴を形成して、前記第1の組の相互接続の特徴の前記上部に充填された前記アッシング可能な材料を露光させるステップであって、前記第2の組の相互接続の特徴が前記第1の組の相互接続の特徴と位置合せされるステップと、前記第2の組の相互接続の特徴が前記第1の組の相互接続の特徴と接続するように、前記第1の組の相互接続の特徴の前記上部の中に充填された前記アッシング可能な材料を除去するステップとを含む方法。前記第1の組の相互接続の特徴が、互いに平行に配置される2つ以上の接点開口を備える、請求項6に記載の方法。前記第1および第2の基材のそれぞれが、交互に並ぶ複数の酸化物材料および窒化物材料、1つもしくは複数の酸化物材料または窒化物材料、ポリシリコン材料またはアモルファスシリコン材料、アモルファスシリコンと交互に並ぶ酸化物、ポリシリコンと交互に並ぶ酸化物、ドープされたシリコンと交互に並ぶ非ドープのシリコン、ドープされたポリシリコンと交互に並ぶ非ドープのポリシリコン、ドープされたアモルファスシリコンと交互に並ぶ非ドープのアモルファスシリコンを含む、請求項6に記載の方法。前記アッシング可能な材料が、炭化水素含有有機材料、黒鉛炭素材料、ダイヤモンドカーボン材料、ダイヤモンド様カーボン材料、アモルファスカーボン材料などを含む、請求項6に記載の方法。処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、上にフィルムスタックを堆積させた基材を準備するステップであって、前記基材が前記基板の上に形成されて、内部に形成される第1の組の相互接続の特徴を有し、前記フィルムスタックが、前記基材の上面と接触するハードマスク層、前記ハードマスク層上に堆積される反射防止コーティング層、および前記反射防止コーティング層上に堆積されるフォトレジスト層を含むステップと、前記フィルムスタックをパターン形成して、前記下にある基材に移される特徴パターンを前記ハードマスク層の中に導入するステップであって、前記特徴パターンが前記第1の組の相互接続の特徴に位置合せされないステップとを含む方法。前記特徴パターンを前記ハードマスク層から前記基材に移して、前記基材内に第2の組の相互接続の特徴を形成するステップであって、前記第1および第2の組の相互接続の特徴が、所与の領域内で互いに平行に且つ均等に離間して配置される、実質的に同一の特徴サイズを有するステップと、前記ハードマスク層および残った材料のすべてを前記第1および第2の組の相互接続の特徴から除去するステップとをさらに含む、請求項10に記載の方法。前記フィルムスタックをパターン形成するステップが、前記フォトレジスト層上のマスクの投影を前記基板に対して所定の距離だけ横方向にシフトさせることにより、前記特徴パターンを前記フォトレジスト層の中に導入するステップを含む、請求項10に記載の方法。前記基材が、1つもしくは複数の酸化物材料または窒化物材料、アルミニウム、タングステン、もしくは銅材料、ポリシリコン材料もしくはアモルファスシリコン材料、交互に並ぶ複数の酸化物材料および窒化物材料、アモルファスシリコンと交互に並ぶ酸化物、ポリシリコンと交互に並ぶ酸化物、ドープされたシリコンと交互に並ぶ非ドープのシリコン、ドープされたポリシリコンと交互に並ぶ非ドープのポリシリコン、またはドープされたアモルファスシリコンと交互に並ぶ非ドープのアモルファスシリコンを含む、請求項10に記載の方法。上に基材を堆積させた基板であって、相互接続の特徴の組の上部がアッシング可能な材料で充填される前記相互接続の特徴の組を前記基材が有する基板と、前記基材上に形成されて、前記相互接続の特徴の組と位置合せされている第1の特徴パターンを有するパターン形成されたアモルファスカーボン層と、前記パターン形成されたアモルファスカーボン層上に形成されて、前記相互接続の特徴の組と位置合せされている第2の特徴パターンを有する、パターン形成された反射防止コーティング層とを備える半導体デバイス。前記基材が、交互に並ぶ複数の酸化物材料および窒化物材料、1つもしくは複数の酸化物材料または窒化物材料、ポリシリコン材料またはアモルファスシリコン材料、アモルファスシリコンと交互に並ぶ酸化物、ポリシリコンと交互に並ぶ酸化物、ドープされたシリコンと交互に並ぶ非ドープのシリコン、ドープされたポリシリコンと交互に並ぶ非ドープのポリシリコン、ドープされたアモルファスシリコンと交互に並ぶ非ドープのアモルファスシリコンを含む、請求項14に記載の半導体デバイス。本発明の実施形態は、一般的に、金属接点、ソース/ドレイン接点、キャパシタ、または浅いトレンチ隔離などの様々な用途の、所望のフィルムスタック内におけるパターン密度を2倍にするためのパターン形成プロセスを改善する。下に記載の実施形態は、フィルムスタックの所望の高さで、相互接続の特徴のアスペクト比をほぼ2倍にすることによって、集積回路デバイス性能を改善する、平坦化エッチングハードマスクプロセスも提供する。例示的ハードウェア図1は、本発明の実施形態にしたがって、特徴および/またはアモルファスカーボン層堆積のために使用することができる、基板処理システム、システム1000の概略表示である。好適なシステムの例としては、DxZ商標処理チャンバ、PRECISION5000登録商標システム、PRODUCERSE商標処理チャンバおよびPRODUCERGT商標処理チャンバなどPRODUCER商標システムを使用することができる、CENTURA登録商標システムを挙げることができ、これら全ては、California州SantaClaraのAppliedMaterials、Inc.から市販されている。システム1000は、プロセスチャンバ1025、ガスパネル1030、制御ユニット1010、ならびに電力供給および真空ポンプなど他のハードウェア構成要素を含む。本発明で使用されるシステムの一実施形態の詳細は、本明細書によって、参照により本明細書に組み込まれる、同一出願人による、米国特許HighTemperatureChemicalVaporDepositionChamberと題する、2002年4月2日発行の米国特許第6,364,954号に記載されている。プロセスチャンバ1025は一般的に支持ペデスタル1050を備え、支持ペデスタル1050は、半導体基板1090などの基板を支持するために使用される。このペデスタル1050は、シャフト1060に連結される移動機構図示せずを使用して、プロセスチャンバ1025の内部で垂直方向に動く。プロセスによっては、処理の前に所望の温度に基板1090を加熱することができる。基板支持ペデスタル1050は、埋込みヒータ要素1070により加熱される。例えば、ペデスタル1050は、AC供給1006からヒータ要素1070に電流を印加することによって、抵抗加熱することができる。今度は基板1090が、ペデスタル1050によって加熱される。熱電対などの温度センサ1072も、基板支持ペデスタル1050の中に埋め込まれ、ペデスタル1050の温度を監視する。測定される温度は、フィードバックループで使用され、ヒータ要素1070用の電力供給1006を制御する。基板温度は、特定のプロセス用途用に選択される温度に、維持または制御することができる。真空ポンプ1002を使用して、プロセスチャンバ1025を排気し、プロセスチャンバ1025内部に適切なガス流および圧力を維持する。プロセスガスがプロセスチャンバ1025内に導入される際に通過するシャワーヘッド1020は、基板支持ペデスタル1050の上方に位置し、プロセスチャンバ1025内にプロセスガスを均一に分布させる。シャワーヘッド1020は、ガスパネル1030に接続され、ガスパネル1030は、プロセスシーケンスの様々なステップで使用される様々なプロセスガスを制御および供給する。プロセスガスは、炭化水素源およびプラズマ開始ガスを含むことができ、例示的なアルゴン希釈堆積プロセスの記載に関連して、以下でより詳細に記載される。同様に、ガスパネル1030を使用して、様々な蒸発させた液体前駆体を制御および供給することができる。図示していないが、液体前駆体供給からの液体前駆体は、例えば液体噴射気化器によって蒸発させて、キャリアガスの存在下でプロセスチャンバ1025に送達することができる。キャリアガスは、典型的には、窒素などの不活性ガス、またはアルゴンもしくはヘリウムなどの希ガスである。あるいは、液体前駆体は、アンプルから熱および/または真空拡張蒸発プロセスにより蒸発させることができる。シャワーヘッド1020および基板支持ペデスタル1050は、1対の離間した電極も形成することができる。電場がこれらの電極間に生成されると、チャンバ1025内に導入されるプロセスガスは、プラズマ1092へと点火される。典型的には、基板支持ペデスタル1050を、整合ネットワーク図示せずを介して単一周波数または2つの周波数の高周波RF電力図示せず源に接続することによって、電場が生成される。あるいは、RF電源および整合ネットワークを、シャワーヘッド1020に結合する、またはシャワーヘッド1020と基板支持ペデスタル1050の両方に結合することもできる。PECVD技法は、電場を基板表面近傍の反応ゾーンに印加することにより、反応性ガスの励起および/または解離を促進して、反応性核種のプラズマを生成する。プラズマ内の核種の反応性によって、行われる化学反応に必要なエネルギーを減少させ、事実上そのようなPECVDプロセスに必要な温度を下げる。ガスパネル1030を介するガス流および液体流の適切な制御および調整は、質量流量コントローラ図示せずおよびコンピュータなどの制御ユニット1010により実施される。シャワーヘッド1020によって、ガスパネル1030からのプロセスガスをプロセスチャンバ1025内に均一に分布および導入することが可能になる。例示的に、制御ユニット1010は、中央処理装置CPU1012、支持回路1014、および関連する制御ソフトウェア1016を含むメモリを備える。この制御ユニット1010は、基板搬送、ガス流量制御、液体流量制御、温度制御、チャンバ排気など、基板処理に必要な多数のステップの自動制御の役目を果たす。プロセス混合ガスがシャワーヘッド1020を出ると、炭化水素化合物のプラズマ拡張熱分解が、加熱された基板1090の表面1091において起こり、結果として基板1090上にアモルファスカーボン層が堆積することになる。フィルムスタック中でパターン密度を2倍にするための堆積プロセス本発明の実施形態は、一般的に、金属接点、ソース/ドレイン接点、キャパシタ、または浅いトレンチ隔離などの様々な用途で、フィルムスタック内の所与の領域のためにパターン密度を2倍にするためのパターン形成プロセスを提供する。図2は、金属接点、ソース/ドレイン接点、キャパシタ、または浅いトレンチ隔離などの様々な用途で、所望のフィルムスタック中の所与の領域のパターン密度を2倍にするための、本発明の一実施形態による堆積プロセス200の流れ図を描く。図3A~図3Nは、堆積プロセス200を使用するフィルムスタックの一連の概略断面図を描く。本明細書に記載の発明の基本範囲から逸脱することなく、1つまたは複数のステップを加えたり、削除したり、かつ/または並べ替えたりすることができるので、図2内に例示されるステップの数およびシーケンスは、本明細書に記載の発明の範囲に関して制限することを意図していないことに留意されたい。加えて、図は一定の縮尺で描かれておらず、特定の特徴および層厚の割合は、本発明の詳細および特徴をより良く例示するために誇張されている。堆積プロセス200は、ステップ202において始まり、図3Aに示すように、第1のアモルファスカーボン層320が所望の基材310上に堆積される。基材310は単一の本体として例示されるが、基材310は、金属接点、トレンチ隔離、ゲート、ビット線、または任意の他の相互接続の特徴などの半導体デバイスの形成に使用される1つまたは複数の材料であって良いことが理解される。基材は、一般的に基板図示せずの上に堆積され、用途によって、酸化物材料、窒化物材料、ポリシリコン材料などが挙げられる。あるいは、基板は、基材の部分であって良い。メモリの応用が要求される一実施形態において、基材310としては、ポリシリコンを間にサンドイッチした、またはポリシリコンを間にサンドイッチしない、シリコン基板材料、酸化物材料、および窒化物材料を挙げることができる。DRAMキャパシタの応用が要求される別の実施形態において、基材310としては、基板図示せずの表面上に堆積される、交互に並ぶ複数の酸化物材料と窒化物材料すなわち、酸化物-窒化物-酸化物ONOが挙げられる。様々な実施形態において、基材310としては、交互に並ぶ複数の酸化物材料と窒化物材料、1つもしくは複数の酸化物材料もしくは窒化物材料、ポリシリコン材料もしくはアモルファスシリコン材料、アモルファスシリコンと交互に並ぶ酸化物、ポリシリコンと交互に並ぶ酸化物、ドープされたシリコンと交互に並ぶ非ドープのシリコン、ドープされたポリシリコンと交互に並ぶ非ドープのポリシリコン、またはドープされたアモルファスシリコンと交互に並ぶ非ドープのアモルファスシリコンが挙げられる。基板は、フィルム処理が実施される、任意の基板または材料表面であって良い。例えば、基板は、結晶シリコン、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされたもしくは非ドープのポリシリコン、ドープされたもしくは非ドープのシリコンウエハおよびパターン形成されたまたはパターン形成されていないウエハ、シリコンオンインシュレータSOI、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、サファイア、または他の好適な被加工物などの材料であって良い。第1のアモルファスカーボンα-C層320は、California州SantaClaraのAppliedMaterials、Inc.から市販されている、AdvancedPatterningFilm商標APF材料であって良い。ここで、アモルファスカーボン層は、その高エッチング耐性および容易に除去する性質のため、エッチングハードマスクとして使用される。一実施形態において、第1のアモルファスカーボン層320は、2:3以上の炭素と水素の比など、1:2以上の炭素と水素原子の比を有する炭化水素源、任意選択の希釈ガス、およびヘリウム、水素、窒素、アルゴンの群から選択されるプラズマ開始ガスを、図1に関連して上に記載される処理チャンバ1025などのプロセスチャンバの中に導入することによって形成される。一実施形態において、炭化水素源は、1つまたは複数の炭化水素化合物および任意選択でアルゴンなどのキャリアガスの混合物である。下で記載されるプロセス条件によって、第1のアモルファスカーボン層320の堆積が、特徴の上方に放つ前に、孔、トレンチまたは他の相互接続の特徴を充填するまたは部分的に充填することを可能にすることが本発明者により観察された。一実施形態において、炭化水素化合物は、炭化水素化合物の部分的または完全にドープされた派生物であって良く、炭化水素化合物の、窒素含有派生物、フッ素含有派生物、酸素含有派生物、水酸基含有派生物、およびホウ素含有派生物を挙げることができる。一実施形態において、炭化水素源の中に挙げることができる炭化水素化合物または炭化水素化合物の派生物は、式CxHyにより記載することができ、ここでxは1と20の間の範囲を有し、yは1と20の間の範囲を有する。一例では、より大きな表面移動度を可能にする、より安定な中間核種の形成のために、C2H2が好ましい。別の実施形態において、炭化水素源の中に挙げることができる炭化水素化合物または炭化水素化合物の派生物は、式CxHyFzにより記載することができ、ここでxは1と24の間の範囲を有し、yは0と50の間の範囲を有し、zは0と50の間の範囲を有し、xとycの比が1:2以上である。さらに別の実施形態において、炭化水素源は、酸素および/または窒素置換化合物を表す、式CaHbOcFdNeにより記載することができ、ここで、aは1と24の間の範囲を有し、bは0と50の間の範囲を有し、cは0から10の範囲を有し、dは0から50の範囲を有し、eは0から10の範囲を有し、aとbcdeの比が1:2以上である。好適な炭化水素化合物は、以下の化合物、例えば、アルカンのメタンCH4、エタンC2H6、プロパンC3H8、ブタンC4H10およびブタンの異性体イソブタン、ペンタンC5H12とペンタンの異性体イソペンタンおよびネオペンタン、ヘキサンC6H14およびヘキサンの異性体2-メチルペンタン、3-メチルペンタン、2,3-ジメチルブタン、ならびに2,2-ジメチルブタンなどのうちの1つまたは複数を含む。さらなる好適な炭化水素としては、エチレン、プロピレン、ブチレンおよびブチレンの異性体、ペンテンおよびペンテンの異性体などのアルケン、ブタジエン、イソプレン、ペンタジエン、ヘキサジエンなどのジエンを挙げることができ、ハロゲン化アルケンは、モノフルオロエチレン、ジフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、モノクロロエチレン、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレンなどを含む。同様に、アセチレンC2H2、プロピンC3H4、ブチレンC4H8、ビニルアセチレンおよびこれらの派生物などのアルキンを、炭素前駆体として使用することができる。加えて、ベンゼン、スチレン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アセトフェノン、メチルベンゾエート、フェニルアセテート、フェノール、クレゾール、フランなどの芳香族炭化水素、アルファ-テルピネン、シメン、1,1,3,3,-テトラメチルブチルベンゼン、t-ブチルエーテル、t-ブチルエチレン、メチル-メタクリレート、およびt-ブチルフルフリルエーテル、式C3H2およびC5H4を有する化合物、モノフルオロベンゼン、ジフルオロベンゼン、テトラフルオロベンゼン、ヘキサフルオロベンゼンなどを含むハロゲン化芳香族化合物を使用することができる。所望であれば、とりわけ、ヘリウムHe、アルゴンAr、水素H2、窒素N2、アンモニアNH3またはこれらの組合せなどの好適な希釈ガスを混合ガスに加えることができる。Ar、He、およびN2を使用して、アモルファスカーボン層の密度および堆積速度を制御する。いくつかの場合において、N2および/またはNH3の添加を使用して、アモルファスカーボン層の水素比率を制御することができる。あるいは、希釈ガスを、堆積期間に使用しないこともできる。特定の実施形態において、第1のアモルファスカーボン層320堆積プロセスは、炭化水素化合物よりも前および/または炭化水素化合物と同時にチャンバに導入されるプラズマ開始ガスの使用を含み、プラズマを起こして堆積を始める。プラズマ開始ガスは、イオン化ポテンシャルの高いガスであって良く、限定するものではないが、ヘリウムガス、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガスおよびこれらの組合せを挙げることができ、これらのうちで、ヘリウムガスが好ましい。プラズマ開始ガスは、化学的に不活性なガスであっても良く、ヘリウムガス、窒素ガス、またはアルゴンガスなどが好ましい。ガス用の好適なイオン化ポテンシャルは、約5eV電子ポテンシャルから25eVである。プラズマ開始ガスは、窒素含有炭化水素源および/または炭化水素源の前にチャンバ内に導入することができ、このことによって、安定なプラズマを形成することを可能にし、アークを生じる可能性を減らす。イオン化ポテンシャルの高いプラズマ開始ガスを使用することで、堆積の間にフィルムのエッチングの異方性を抑え、これによって、アモルファスカーボンフィルム堆積の共形性の改善が観察された。アルゴンなどの、希釈ガスまたはキャリアガスとして使用される不活性ガスを、プラズマ開始ガス、窒素含有炭化水素源、炭化水素源、またはこれらの組合せとともに導入することができる。炭化水素化合物および希釈ガスは、アモルファスカーボン堆積用に、炭化水素化合物と希釈ガス流の比が、約1:10から約10:1などの、例えば、約1:100から100:1といった、約1:100以上から導入することができる。一実施形態において、炭化水素化合物と希釈ガス流の比は、例えば、約1:2から約1:1といった、約1:5から約2:1などの約1:5以上からであって良く、アモルファスカーボン堆積に使用することができる。炭化水素化合物と希釈ガス流の比を増加させると、より低い比を超える、共形性の改善が観察された。第1のアモルファスカーボン層320は、例えば約7トルから約9トルといった、約2トルから約15トルなどの約500mトルから20トルのチャンバ圧力を維持することによって、処理ガスからを堆積させることができる。圧力を増加するとともに共形性が増加することが観察され、イオンは、基板に到達する前により散乱を受け、このことにより、エッチングするための一部の能力を失い、ラジカルは、より散乱を受けて、より等方的かつ共形のフィルム成長のため、よりランダムかつ等方的な角度で基板表面に到達すると考えられる。第1のアモルファスカーボン層320は、例えば、約200°Cから約480°Cといった、約0°Cから約100°Cの温度または約180°Cから約650°Cの温度などの、約0°Cから約800°Cの基板温度を維持するチャンバ内で、炭化水素源から堆積させることができる。高い温度でアモルファスカーボンフィルムを堆積させることによって、堆積速度が減少し、このため共形性が改善することが観察された。また、高い温度において、吸着される炭素前駆体の拡散率または移動度が増加して、より等方的な堆積および改善した共形性をもたらす。炭化水素源およびプラズマ開始ガスがチャンバ内に導入され、プラズマを起こして、堆積を始める。2つの周波数のRFシステムを使用してプラズマを生成することができる。2つの周波数のRF電力供給は、流束およびイオンエネルギーを独立に制御することを可能にすると考えられる。というのは、フィルム表面を叩くイオンのエネルギーがフィルム密度に影響すると考えられるからである。高周波数のプラズマがプラズマ密度を制御し、低周波数のプラズマが基板表面を叩くイオンの運動エネルギーを制御すると考えられる。混合RF電力の2つの周波数源は、例えば約13.56MHzといった、約10MHzから約60MHzの範囲の高周波電力、ならびに例えば約350KHzといった、約10KHzから約1MHzの範囲の低周波電力を提供する。2つの周波数のRFシステムを使用して第1のアモルファスカーボン層320を堆積させるとき、第2のRF電力と全体の混合周波数電力の比は、好ましくは約0.6対1.00.6:1より低い。印加するRF電力および1つまたは複数の周波数を使用することは、基板サイズおよび使用する装置に基づいて変えることができる。単一周波数のRF電力供給を使用することができ、典型的には、単一周波数のRF電力供給は、本明細書に記載のような高周波数の電力供給である。プラズマは、約0.01から約1W/cm2など、約0.01W/cm2から約5W/cm2の、基板表面積に対する電力密度でRF電力を印加することにより生成することができる。例えば、電力の印加は、300mm基板の場合に、例えば、約20Wから約75Wといった、約10Wから約200Wなどの、約1ワットから約2000ワットであって良い。電極間隔、すなわち基板とシャワーヘッドの間の距離は、例えば300ミルといった、約200ミルから約1000ミルであって良い。任意の特定の理論に束縛されることを望むものではないが、プラズマプロセスがアモルファスカーボン堆積速度を減少させて、エネルギーの高いイオンの数を減少させ、炭化水素化合物、すなわち、ラジカルをよりランダムな堆積パターンで基板表面に到達させ、これにより、より等方的な堆積パターンを有するフィルムが成長する結果をもたらすことによって、共形性を改善すると考えられる。プラズマ堆積の減少によって、吸着される炭素前駆体が所望のターゲットの表面上に拡散することを可能にする低い堆積速度が実現し、より共形な層の実現も観察される。本開示の様々な実施形態におけるアモルファスカーボンハードマスクを堆積させるために使用される1つの具体的な例では、例えば、約70~75W/cm2といった、約0.7W/cm2と約100W/cm2の間の電力密度で基板表面にRF電力を印加することによって、プラズマが生成される。C2H2の流量が例えば約2400sccmといった約1500sccmから4000sccmである、C2H2を使用する炭化水素源が処理チャンバ内に導入される。ヘリウムを使用するプラズマ開始ガスの流量は、例えば、約4800sccmといった、約2500sccmから約6000sccmである。電極間隔は、例えば、約300ミルといった、約200ミルと約1000ミルの間である。加えて、チャンバ圧力は、例えば約9~12トルといった、約2トルと約20トルの間に維持され、基板温度は、例えば、約300°Cといった、約100°Cと約450°Cの間に維持される。堆積プロセスの一実施形態において、複数の別個のアモルファスカーボン堆積を実施して、第1のアモルファスカーボン層320を形成することができる。複数の堆積プロセスの一態様において、本明細書に記載のような堆積ステップは、堆積速度を減らしてまたは堆積速度をなくして、希釈ガスおよび/または前駆体を流すことができる休止ステップが後に続く。好適な希釈ガスおよび/または前駆体を、約100sccmから約40000sccmの流量でチャンバ内に流すことができる。希釈ガスが使用される場合、休止ステップのためにプラズマを起こすことができる。堆積ステップおよび休止ステップを、その後、所望の厚さが得られるまで繰り返すことができ、例えば30サイクルといった、10から50サイクルなど、1から100サイクルであることができ、あるいは、例えば約3.3といった、約2から約10サイクルなど、アモルファスカーボン材料の厚さの約1から約100の間でを堆積させることができる。個々のサイクルが、各サイクルで約1Åから約1000Å厚のアモルファスカーボン材料を堆積させて、約10Åから約15000Åの厚さを有するアモルファスカーボン層を形成することができる。周期的堆積プロセスは、1つまたは複数の上記のプロセスパラメータ調整を使用することができる。あるいは、堆積ステップの前または休止ステップ期間に、ガスをポンプ排出し、再度流すこともできる。多層堆積方式は、有効フィルム堆積速度を低下させ、アモルファスカーボン材料の共形性を改善すると考えられる。また、新たに堆積される炭素原子が休止ステップ期間に拡散し、共形性をさらに改善することができる。一般的に、所与のアモルファスカーボンフィルムの厚さに対し層の数が増加する個々の層の厚さがより薄く、繰り返しがより多くなるとき、および休止ステップ時間と堆積ステップ時間の比がより大きくなるより小さな有効堆積速度になるとき、共形性が改善される。例えば、休止ステップ時間と堆積ステップ時間の比は、約100:1から約1:100であって良い。個々の層の厚さおよび休止と堆積の時間の比率を調整することにより、アモルファスカーボン層の共形性を調節し、デバイスの必要を満たし、したがって、所与のPECVD堆積条件前駆体、ガス、流量、圧力、温度、RF電力などについての共形性を改善する別のつまみをもうけることができる。ステップ204において、第1のアモルファスカーボン層320が基材310上に堆積された後、第1の反射防止コーティング材料330が、図3Bに示すように、第1のアモルファスカーボン層320上に堆積される。第1の反射防止コーティング材料330を使用して、リソグラフのパターン形成プロセス期間の、光の反射を制御する。第1の反射防止コーティング材料330は、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、またはこれらの組合せを含むことができる。第1の反射防止コーティング材料330は、California州SantaClaraのAppliedMaterials、Inc.から市販されている、DARC商標材料層であって良い。ステップ206において、第1の反射防止コーティング材料330が堆積された後、次いで、第1のフォトレジストPR層340が、図3Cに示すように、第1の反射防止コーティング材料330上に堆積される。ステップ208において、第1のフォトレジスト層340が、次いで、リソグラフィプロセスによりパターン形成され、図3Dに示すように、パターン形成された第1のフォトレジスト層341内の第1のパターン342を作る。第1のフォトレジスト層340は、一般的に、マスクを介して露光され、現像され、フォトレジストの現像されない部分は除去される。フォトレジスト層は、一般的に炭素ベースのポリマーであり、エッチングプロセス期間に保護されることを意図している第1の反射防止コーティング材料330の上部上にエッチングマスクとして残る。本記載で示すピッチは例示の目的用であり、本発明を制限するものとして考えるべきでないことに留意されたい。パターン形成された第1のフォトレジスト層341は、所望のライン幅xおよび所望のスペースyを有し、これらが一緒にピッチzすなわち、ライン幅スペースを画定することができる。例えば、一実施形態において、パターン形成された第1のフォトレジスト層341の幅xは、半導体デバイスの特徴の所望の限界寸法と実質的に相関することができ、約0.1ナノメートルと約100ナノメートルの間であって良い。同様に、スペースyを、約0.3ナノメートルと約300ナノメートルの間で選択して、第2のパターン392と組み合わせて、周波数倍増方式を最適化することができる図3Kを参照。例えば、特徴の周波数が2倍にされる場合、パターン形成した第1のフォトレジスト層341内の各特徴343間のスペースyは、幅xの値の3倍にほぼ等しくて良い。所望であれば、パターン形成した第1のフォトレジスト層341のライン幅xを、任意選択で、フォトレジストマスクトリミングプロセスを使用して所望の値に減少することができ、フォトレジストマスクトリミングプロセスは、酸素ベースの化学作用を使用してフォトレジストの等方的なエッチングを実施する、プラズマプロセスであって良い。同様に、パターン形成した第1のフォトレジスト層341の直径または辺長は、所望の範囲にわたって変化することができる。パターン形成した第1のフォトレジスト層341は、最終的に所望のパターンを基材310に移すために、任意の所望の数のピッチを有して良いことが意図される。ステップ210において、パターン形成した第1のフォトレジスト層341内に形成された第1のパターン342を第1のアモルファスカーボン層320に移して、パターン形成した第1のアモルファスカーボン層321を形成するように、いわゆるAPFマスク開口ステップが実施される。このステップは、図3Eに示すように、1つまたは複数のエッチングプロセスで、最初にパターン形成した第1のフォトレジスト層341、第1の反射防止コーティング材料330、次いで第1のアモルファスカーボン層320をエッチングすることにより達成することができる。パターン形成した第1のアモルファスカーボン層321は、次いで、下にある基材310用のハードマスクとして機能することができる。ステップ212において、基材310は、次いで、パターン形成した第1のアモルファスカーボン層321をハードマスクとして使用して、1つもしくは複数のエッチングプロセスで、または別個のプロセスによりエッチングされて、残った第1の反射防止コーティング材料331および基材310の一部が除去される。結果として得られる基材310は、パターン形成した第1のフォトレジスト層341図3D内の第1のパターン342から移されるコンタクトホールなどの第1の組の特徴311を有し、残った第1のアモルファスカーボン層321は、図3Fに示すように、基材310の上面上に堆積される。ステップ214において、エッチングの完了後に、残った第1のアモルファスカーボン層321を、O2灰化湿式洗浄プロセスなどの好適な技法により除去し、図3Gに示すように、第1の組の特徴311を有する基材310が得られる。ステップ216において、第2のアモルファスカーボン層360が、上で議論したステップ202と同様のプロセスを使用して、パターン形成した基材310上に堆積され、このことにより、図3Hに示すように、パターン形成した基材310内に形成される第1の組の特徴311の上部を、第2のアモルファスカーボン層360で充填する。第2のアモルファスカーボン層360は、後続の堆積から第1の組の特徴311を保護するために堆積され、後続のパターン形成ステップのためのハードマスクとして機能するとき、エッチング耐性である。第2のアモルファスカーボン層360は、所望のときに、容易に除去されるべきである。したがって、第2のアモルファスカーボン層360が第1の組の特徴311を間隙充填するため、完全に開口を充填する能力を有することができるとき、特定用途では、後のステージで第2のアモルファスカーボン層360を容易に除去するため、第1の組の特徴311を完全には埋めないことが有利である。そのような場合、第2のアモルファスカーボン層360は、図3Hに示すように、コンタクトホールの上部を閉鎖するのに十分な、第1の組の特徴311の上部または上半分のみを充填して良い。あるいは、または任意選択で、基材310の表面の上方に残る過剰な第2のアモルファスカーボン材料は、灰化プロセスなどの好適な技法により除去することができ、これによって、図3Iに示すように、第1の組の特徴311の上半分を第2のアモルファスカーボン層360で充填した、実質的に平坦な、基材310の外面362が提供される。この例では、第2のアモルファスカーボン層の上面は、基材310の上面と同じ高さであり、このため、後続のフィルムスタックの均一な堆積のために、実質的に平坦な外面362が形成される。ステップ218において、上で議論したステップ202~206と同様のプロセスを使用して、図3Jに示すように、第2の反射防止コーティング材料380および第2のフォトレジスト層390を、第2のアモルファスカーボン層360上に連続してを堆積させることができる。第2の反射防止コーティング材料380および第2のフォトレジスト層390は、第1の反射防止コーティング材料330および第1のフォトレジスト層340用にを堆積させたものと同じ材料であって良い。あるいは、過剰な第2のアモルファスカーボン材料が、基材310の表面から前もって除去される場合、後続のパターン形成ステップ用のハードマスクとして機能させるため、第2の反射防止コーティング材料380および第2のフォトレジスト層390の堆積の前に、第3のアモルファスカーボン層図示せずを堆積させることができる。ステップ220において、第2のフォトレジスト層390は、次いで、マスク図示せずの投影を第2のフォトレジスト層390の表面上で、基板図示せずに対して所望の距離だけ横方向にシフトすること、または基板をマスクに対して横方向にシフトすることによって、リソグラフィプロセスを使用してパターン形成され、それにより、図3Kに示すように、第2のパターン形成したフォトレジスト層391内に第2のパターン392が作成される。下にある基材310に移される第2のパターン392は、マスクまたは基板を横方向にシフトすることにより、第1の組の特徴311とは位置合せされず、このことによって、所与の領域内に第1の組の特徴311に隣接して、追加の特徴例えば、コンタクトホールを作成することにより、リソグラフィパターンの周波数倍増が可能になる。図3Nに示す例を参照すると、結果として得られる基材310は、実質的に同じピッチを有する特徴311、312を含み、ここで、各特徴311は、2つの特徴312の間にサンドイッチされる。パターン形成した第1のフォトレジスト層341および第2のフォトレジスト層391は、最終的に所望のパターンを基材310に移すため、および周波数倍増方式を最適化するために、任意の所望の数のピッチを有することができることが意図される。ステップ222において、パターン形成した第2のフォトレジスト層391内に形成された第2のパターン392は、基材310の表面の上方に形成される第2のアモルファスカーボン層360に移されまたは基材310の表面の上方に形成される第2のアモルファスカーボン層360が前もって除去された場合は、第3のアモルファスカーボン層図示せずに移され、最初にパターン形成した第2のフォトレジスト層391、第2の反射防止コーティング材料380、次いで、第2のアモルファスカーボン層360を、1つまたは複数のエッチングプロセスでエッチングすることによって、図3Lに示すように、パターン形成した第2のアモルファスカーボン層361を形成する。パターン形成した第2のアモルファスカーボン層361は、下にある基材310用のハードマスクとして機能することができる。第2のアモルファスカーボン層360が、パターン形成した第2のアモルファスカーボン層361と同一の材料を含むので、ここで、例示の目的で、異なる参照番号361が与えられていることが理解される。ステップ224において、基材310は、次いで、パターン形成した第2のアモルファスカーボン層361をハードマスクとして使用して、1つまたは複数のエッチングプロセスでエッチングされて、残った第2の反射防止コーティング材料381および基材310の一部を除去する。したがって、図3Mに示すように、結果として得られる基材310は、パターン形成した第2のフォトレジスト層391図3K内の第2のパターン392から移される第2の組の特徴312を有し、第1の組の特徴311の上部の中に充填された第2のアモルファスカーボン層360とともに、パターン形成した第2のアモルファスカーボン層361が、基材310の上面上に残る。ステップ226において、エッチングの完了後に、基材310の表面の上方に残る第2のアモルファスカーボン層361および第1の組の特徴311の上半分を充填した第2のアモルファスカーボン層360は、灰化プロセスなどの好適な技法により一緒に除去され、第1の組の特徴311および第2の組の特徴312を有する基材310が得られ、ここで結果として得られる第1の組の特徴311および第2の組の特徴312は、図3Nに示すように、所与の領域内で、お互いが平行で均等に離間し、実質的に同一の特徴サイズを有して形成される。図は、上記のように一定の縮尺で描かれていないが、図3Nに示した接点の特徴は、例示の目的で、図3Mまたは前の図と比較してさらに縮小されることを理解されたい。本発明のパターン形成方法の1つの主要な利点は、所与の領域内のパターン密度の倍増であり、このことが、サブ32nm孔パターン形成用の現在のフォトリソグラフィプロセスによって達成されるデバイス性能と比較して、優れたデバイス性能を提供する。第1のフォトレジスト層341および第2のフォトレジスト層391内のピッチの数は、所望の周波数倍増方式を最適化するため変えられることが意図される。任意の特定の理論に束縛されることを望むものではないが、上で記載したプロセスは、基材内に所望の周波数の特徴が得られるまで続けることができると考えられる。高アスペクト比構造を得るための平坦化エッチングハードマスクプロセス本発明の平坦化エッチングハードマスクプロセスは、金属接点、ソース/ドレイン接点、キャパシタ、または浅いトレンチ隔離などの様々な用途で、相互接続の特徴のアスペクト比を垂直に変倍するのに有効であることが証明された。図4は、所望のフィルムスタック内の相互接続の特徴のアスペクト比を増加させるための、本発明の一実施形態による堆積プロセス400の流れ図を描く。図5A~図5Nは、堆積プロセス400を使用するフィルムスタックの一連の概略断面図を描く。本明細書に記載の発明の基本範囲から逸脱することなく、1つまたは複数のステップを加えたり、削除したり、かつ/または並べ替えたりすることができるので、図4内に例示されるステップの数およびシーケンスは、本明細書に記載の発明の範囲に関して制限することを意図していないことに留意されたい。加えて、図は一定の縮尺で描かれておらず、特定の特徴および層厚の割合は、本発明の詳細および特徴をより良く例示するために誇張されている。堆積プロセス400は、ステップ402において始まり、図5Aに示すように、第1のアモルファスカーボン層520が第1の基材510上に堆積される、第1のスタック500をもうける。ステップ202と同様に、第1の基材510は、金属接点、トレンチ隔離、ゲート、ビット線、または任意の他の相互接続の特徴などの半導体デバイスの形成に使用される1つまたは複数の材料であって良い。第1の基材510としては、用途によって、シリコン基板材料、酸化物材料、窒化物材料、ポリシリコン材料などを挙げることができる。メモリの応用が要求される一実施形態において、第1の基材510としては、限定するものではないが、シリコン基板材料、酸化物材料、窒化物材料、およびポリシリコンを挙げることができる。DRAMキャパシタの応用が要求される別の実施形態において、第1の基材510としては、基板図示せずの表面上に堆積される、交互に並ぶ複数の酸化物材料と窒化物材料すなわち、酸化物-窒化物-酸化物ONOが挙げられる。様々な実施形態において、第1の基材510としては、交互に並ぶ複数の酸化物材料と窒化物材料、アモルファスシリコンと交互に並ぶ酸化物、ポリシリコンと交互に並ぶ酸化物、ドープされたシリコンと交互に並ぶ非ドープのシリコン、ドープされたポリシリコンと交互に並ぶ非ドープのポリシリコン、またはドープされたアモルファスシリコンと交互に並ぶ非ドープのアモルファスシリコンが挙げられる。あるいは、第1の基材510としては、1つもしくは複数の酸化物材料もしくは窒化物材料、アルミニウム材料、タングステン材料もしくは銅材料などの金属、またはポリシリコン材料もしくはアモルファスシリコン材料を挙げることができる。基板は、フィルム処理が実施される、任意の基板または材料表面であって良い。例えば、基板は、結晶シリコン、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされたもしくは非ドープのポリシリコン、ドープされたもしくは非ドープのシリコンウエハおよびパターン形成されたまたはパターン形成されていないウエハ、シリコンオンインシュレータSOI、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、サファイア、または他の好適な被加工物などの材料であって良い。ステップ202と同様に、第1のアモルファスカーボンα-C層520は、その高エッチング耐性および容易な除去のために、エッチングハードマスクとして使用され、California州SantaClaraのAppliedMaterials、Inc.から市販されている、AdvancedPatterningFilm商標APF材料であって良い。第1のアモルファスカーボン層520を形成するプロセスは、上で議論したプロセスと同様であり、図3Aと一緒にステップ202を参照することができる。ステップ404および406は、上で議論したステップ204および206と同様であり、図5Bおよび5Cに示すように、第1の反射防止コーティング材料530および第1のフォトレジスト層540は、第1のアモルファスカーボン層520上に後で堆積される。第1の反射防止コーティング材料530は、California州SantaClaraのAppliedMaterials、Inc.から市販されている、DARC商標材料層であって良い。ステップ408において、第1のフォトレジスト層540が、次いで、リソグラフィプロセスによりパターン形成され、図5Dに示すように、パターン形成された第1のフォトレジスト層541内の第1のパターン542を作る。第1のフォトレジスト層540は、一般的に、マスクを介して露光され、現像され、フォトレジストの現像されない部分は除去され、所望のパッチにおいて接点の特徴543を形成する。現像したフォトレジストは、一般的に炭素ベースのポリマーであり、エッチングプロセス期間に保護されることを意図している第1の反射防止コーティング材料530の上部上にエッチングマスクとして残る。ステップ208と同様に、パターン形成された第1のフォトレジスト層541は、所望のライン幅xおよび所望のスペースyを有し、これらが一緒にピッチzすなわち、ライン幅スペースを画定することができる。いくつかの実施形態において、パターン形成した第1のフォトレジスト層541は、任意選択で、トリミングプロセスを受け、これにより、パターン形成したフォトレジスト材料の幅を狭くして、トリミングされた第1のフォトレジスト材料によって画定される所望のパターンを形成することができる。パターン形成した第1のフォトレジスト層541は、最終的に所望のパターンを第1の基材510に移すために、任意の所望の数のピッチを有して良いことが意図される。ステップ410において、パターン形成した第1のフォトレジスト層541内に形成された第1のパターン542は、第1のアモルファスカーボン層520に移され、図5Eに示すように、1つまたは複数のエッチングプロセスで、最初に第1のフォトレジスト層541、第1の反射防止コーティング材料530、次いで第1のアモルファスカーボン層520をエッチングすることによって、パターン形成した第1のアモルファスカーボン層521を形成する。パターン形成した第1のアモルファスカーボン層521は、下にある第1の基材510用のハードマスクとして機能することができる。ステップ412において、第1の基材510は、次いで、パターン形成した第1のアモルファスカーボン層521をハードマスクとして使用して、1つもしくは複数のエッチングプロセスで、または別個のプロセスによりエッチングされて、残った第1の反射防止コーティング材料531および第1の基材510の一部を除去する。結果として得られる第1の基材510は、パターン形成した第1のフォトレジスト層541図5D内の第1のパターン542から移されるコンタクトホールなどの、第1の組の特徴511を有し、残った第1のアモルファスカーボン層521は、図5Fに示すように、第1の基材510の上面上に堆積される。ステップ414において、エッチングの完了後に、残った第1のアモルファスカーボン層521を、O2灰化に任意選択で湿式洗浄プロセスをプラスするなどの好適な技法により除去し、図5Gに示すように、第1の組の特徴511を有する第1の基材510が得られる。ステップ416において、第2のアモルファスカーボン層560が、上で議論したステップ202と同様のプロセスを使用して、パターン形成した第1の基材510上に堆積され、後続の処理ステップから第1の組の特徴511を保護する。第2のアモルファスカーボン層560が第1の組の特徴511を間隙充填するため、完全に開口を充填する能力を有することができるとき、特定用途では、第1の組の特徴511を完全には埋めないことが有利である。例示的な例のSEM画像が、特徴を信頼性高く保護するのに十分な程度に60nmコンタクトホールに貫入する、AdvancedPatterningFilm商標APF材料すなわち、アモルファスカーボンα-C層の、約1000Åから約2000Åの間隙充填能力を呈示する。第1の組の特徴511内に充填される第2のアモルファスカーボン層560は、後のステージにおいて後続の堆積に対して不浸透性またはエッチング耐性である一方、所望のときは、容易に除去可能であるべきである。一実施形態において、第2のアモルファスカーボン層560は、第1の組の特徴511の上部または上半分のみを充填する。第1の組の特徴511に対し信頼性の高い保護を提供する限り、他のアッシング可能な材料を使用できることが意図される。一実施形態において、アッシング可能な材料としては、限定するものではないが、様々な固形の、とりわけ、グラファイト、ダイヤモンド、ダイヤモンド様、アモルファスの炭素および炭化水素含有ポリマーなどの他の有機材料を挙げることができる。ステップ418において、第1の基材510の表面上または表面の上方に残る過剰な第2のアモルファスカーボン材料は、灰化プロセスなどの好適な技法により平坦化され、このため、第1の基材510の上面が第2のアモルファスカーボン材料層560の上面と同じ高さとなり、これにより、図5Iに示すように、第1の基材510の実質的に平坦な外面562が提供される。実質的に平坦な外面562によって、後続のフィルムスタックの均一な堆積が可能になるので、実質的に平坦な外面562が求められる。ステップ420において、パターン形成される第2のスタック550が、第1の基材510の平坦化された表面上に堆積される。第1のスタック500と同様に、第2のスタック550は、上で議論したステップ402~406と同様のプロセスを使用して、図5Jに示すように、第2の基材551上に連続して堆積させた、第3のアモルファスカーボン層570、第2の反射防止コーティング材料580および第2のフォトレジスト層590を含むことができる。第2の基材551は、金属接点、トレンチ隔離、ゲート、ビット線、または任意の他の相互接続の特徴などの半導体デバイスの形成に使用される1つまたは複数の材料であって良い。基材510としては、用途によって、シリコン基板材料、酸化物材料、窒化物材料、ポリシリコン材料などを挙げることができる。一実施形態において、第2の基材551および第1の基材510は、同じ材料である。ステップ422において、第2のフォトレジスト層590が、次いで、リソグラフィプロセスを使用してパターン形成され、図5Kに示すように、下にある第2の基材551に移される第2のパターン592を作る。一実施形態において、第2のパターン592が第2のアモルファスカーボン層560で充填および平坦化される第1の基材510内に存在する特徴511と整列するようなやり方で、第2のフォトレジスト層590がパターン形成される。ステップ424において、パターン形成した第2のフォトレジスト層591内に形成された第2のパターン592は、ステップ410~414と同様の1つまたは複数のエッチングプロセスを使用して第2の基材551に移され、図5Lに示すようなパターン形成した第2の基材552を形成する。第2の基材551は、1つまたは複数のエッチングプロセスで、または別個のプロセスによって、パターン形成した第3のアモルファスカーボン層をハードマスクとして使用してエッチングされ、残った第2の反射防止コーティング材料、第3のアモルファスカーボン層の一部、および第2の基材551の一部を除去する。したがって、結果として得られるパターン形成した第2の基材552は、パターン形成した第2のフォトレジスト層591図5K内の第2のパターン592から移される第2の組の特徴512コンタクトホールなどを有し、第2の組の特徴512は、第1の基材510内の第1の組の特徴511の上部内に残る、下にある第2のアモルファスカーボン層560と位置合せされる。一実施形態において、エッチングプロセスは、第1の組の特徴511の上部内に残る第2のアモルファスカーボン層560を穿孔し続けることができる。あるいは、下にある第2のアモルファスカーボン層560に到達するとエッチングプロセスが停止し、次いで、ステップ426で、下で議論するように、後続のアッシングステップで、第1の組の特徴511の上半分から第2のアモルファスカーボン層560を除去することもできる。ステップ426において、エッチングの完了後に、ハードマスクとして使用された残った第3のアモルファスカーボン層571および第1の組の特徴511の上部または上半分の内側を埋めた第2のアモルファスカーボン層560は、灰化プロセスなどの好適な技法により除去され、これによって、図5Mに示すように、第2の組の特徴を第1の組の特徴に延長または接続することによりアスペクト比を増やした構造に、同じピッチで所望の特徴を得る。本明細書は、2つのフィルムスタックすなわち、上にそれぞれAPF/DARC/フォトレジスト層が堆積される第1および第2の基材の形成を記載して示すが、本発明のプロセスは、所望の特徴を有する基材の所望の高さが達成されるまで複数回数繰り返すことができる。一実施形態において、ステップ416~424が2回繰り返され、図5Nに示すように、ほぼ2倍に増加したアスペクト比を有する、基材の少なくとも4つのフィルムスタック例えば、510、552、553、554を得る。大容量の電子デバイスに対する需要が増加しているので、本明細書に記載の、本発明の平坦化エッチングハードマスクプロセスは、コンタクトホールのアスペクト比をほぼ2倍にすることにより優れた性能を有する半導体デバイスを有利に提供する。平坦化エッチングハードマスクプロセスは、様々な手法で実施することができ、図3および図5に関連して記載したように限定されるべきではないことを、当業者には理解されたい。本明細書に提供されるプロセスの実施形態のうちのいずれかを、互いに組み合わせて使用することができる。例えば、さらなる実施形態において、図3および図5に関連して記載された概念を任意の所望のシーケンスで組み合わせて、所与の領域で、著しくアスペクト比を増加させて、パターン密度を2倍にすることができる。上記が本発明の実施形態を対象とする一方、本発明の他のさらなる実施形態が、本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲により決定される。"