酸化物基準のモルで、少なくとも以下の構成成分を含み、SiO25~50Al2O30~20B2O30~25BaO0~25TiO210~60RE2O35~35ここで、Baは部分的にSr、Ca、Mgで置換でき、REはランタン、別のランタニドまたはイットリウムであり、Tiは部分的にZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できることを特徴とする、ガラスセラミック。酸化物基準のモルで、少なくとも以下の構成成分を含み、SiO210~40Al2O30~10B2O35~25BaO0~20TiO215~50RE2O310~30ここで、Baは部分的にSr、Ca、Mgで置換でき、REはランタン、別のランタニド、またはイットリウムであり、Tiは部分的にZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できることを特徴とする、請求項1に記載のガラスセラミック。Baは10を上限にSrで置換でき、Tiは10を上限にZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できることを特徴とする、請求項1または2に記載のガラスセラミック。0.01モルないし3モルの少なくとも1種の清澄剤を含有する、請求項1、2、または3に記載のガラスセラミック。前記清澄剤は、Sb2O3およびAs2O3からなる群から選択されることを特徴とする、請求項4に記載のガラスセラミック。周波数f>200MHzの高周波領域で、10-2以下の誘電損tanδを有することを特徴とする、請求項1ないし5のいずれか1項に記載のガラスセラミック。周波数f>200MHzの高周波領域で、10-3以下の誘電損tanδを有することを特徴とする、請求項1ないし6のいずれか1項に記載のガラスセラミック。少なくとも15の比誘電率εを有することを特徴とする、請求項1ないし7のいずれか1項に記載のガラスセラミック。20ないし80の範囲内の比誘電率εを有することを特徴とする、請求項1ないし8のいずれか1項に記載のガラスセラミック。共振周波数の温度依存性の絶対値|τf|が、200ppm/K以下であることを特徴とする、請求項1ないし9のいずれか1項に記載のガラスセラミック。前記共振周波数の温度依存性の絶対値|τf|が、50ppm/K以下であることを特徴とする、請求項1ないし10のいずれか1項に記載のガラスセラミック。前記共振周波数の温度依存性の絶対値|τf|が、10ppm/K以下であることを特徴とする、請求項1ないし11のいずれか1項に記載のガラスセラミック。RE、Ti、Si、O、および任意でBaを主成分とする少なくとも1種の混晶相を含有し、ここで、Baは少なくとも部分的にSr、Ca、Mgで置換でき、REはランタニドまたはイットリウムであり、Tiは少なくとも部分的にZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できることを特徴とする、請求項1ないし12のいずれか1項に記載のガラスセラミック。BaRETiO、RE2Ti2O7、RE2Ti2SiO9、およびRE4Ti9O24からなる群から選択される少なくとも1種の混晶相を含み、ここで、REはランタン、別のランタニドまたはイットリウムであり、Baの10までをSr、Ca、Mgで置換でき、Tiの10までをZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できることを特徴とする、請求項1ないし13のいずれか1項に記載のガラスセラミック。結晶材料の比率が少なくとも30体積であることを特徴とする、請求項1ないし14のいずれか1項に記載のガラスセラミック。結晶材料の比率が95体積までであることを特徴とする、請求項1ないし15のいずれか1項に記載のガラスセラミック。10nmないし50μmの平均微結晶サイズを有することを特徴とする、請求項1ないし16のいずれか1項に記載のガラスセラミック。100nmないし1μm平均微結晶サイズを有することを特徴とする、請求項1ないし17のいずれか1項に記載のガラスセラミック。請求項1ないし18のいずれか1項に記載のガラスセラミックの使用であって、高周波領域用の誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子用の誘電体としての使用。円筒アンテナ素子またはパッチアンテナ素子用の誘電体としての、請求項19に記載の使用。高周波領域で、誘電損が10-2以下の誘電体を製造する方法であって、当該方法は、酸化物基準のモルで、以下の構成成分を含む出発ガラスを溶融および均質化するステップと、SiO25~50Al2O30~20B2O30~25BaO0~25TiO210~60RE2O35~35ここで、Baは部分的にSr、Ca、Mgで置換でき、REはランタン、別のランタニド、またはイットリウムであり、Tiは部分的にZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換でき、前記出発ガラスを所望の成形型に注入するステップと、前記出発ガラスを室温に冷却するステップと、前記出発ガラスを熱処理によってセラミック化するステップとを含むことを特徴とする、方法。前記出発ガラスは、酸化物基準のモルで、少なくとも以下の構成成分を有し、SiO210~40Al2O30~10B2O35~25BaO0~20TiO215~50RE2O310~30ここで、Baは部分的にSr、Ca、Mgで置換でき、REはランタン、別のランタニド、またはイットリウムであり、Tiは部分的にZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できることを特徴とする、請求項21に記載の方法。前記出発ガラスを、溶融技術プロセスによって近似成形することを特徴とする、請求項21または22に記載の方法。焼結により製造する誘電体は多数の欠点を有する。すなわち、すべての焼結プロセスは必ず一定の収縮を伴い、これが不正確な寸法精度およびそれに応じた最終機械加工につながる。さらに、すべての焼結プロセスは、一定の残留多孔性をもたらし、これは表面を金属被覆するときに不都合である。金属が空隙に浸透して、誘電体の誘電損を増やす。加えて、焼結材料の製造は、基本的に比較的複雑で高価である。上記事項に鑑みて、本発明の目的は、高周波アプリケーション用誘電体として使用でき、比誘電率が高く誘電損が低い、改良された材料を提供することである。さらに、材料は、ごく単純で安価な方法で製造および加工することが可能であるべきである。この目的は、少なくとも以下の構成成分単位は酸化物基準のモルを有するガラスセラミックによって達成される。SiO25~50Al2O30~20B2O30~25BaO0~25TiO210~60RE2O35~35上記組成において、Baは一部、好ましくは10を上限に、Sr、Ca、Mgで置換でき、REはランタン、別のランタニド、またはイットリウムであり、Tiは一部、好ましくは10を上限に、Zr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できる。本発明の目的は、この方法で完全に解決される。セラミック化処理によって比誘電率が高く、誘電損が低く、かつ共振周波数の温度依存性が低い均質なガラスセラミックに後に転化できる均質なガラスは、このようなガラス組成を使って溶融できることが発見されている。材料は、単純で安価な方法でガラスセラミックとして製造でき、溶融技術プロセス、特に鋳込みまたは任意でプレスにより近似成形を可能にする。本発明の出願の目的上、ガラスセラミックという用語は、溶融によって製造された均質なガラスから出発し、特定の熱処理によって、大量の微結晶が本質的に均質に残留ガラス相に分布する部分結晶体に転化された材料をいう。本発明の有利な実施形態において、ガラスセラミックは以下の構成成分を有する酸化物基準のモルで。SiO210~40Al2O30~10B2O35~25BaO0~20TiO215~50RE2O310~30上記組成において、Baは一部、好ましくは10を上限に、Sr、Ca、Mgで置換でき、REはランタニドまたはイットリウムであり、Tiは一部、好ましくは10を上限に、Zr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できる。さらに、ガラスセラミックは清澄剤を通例の量、好ましくは0.01モル~3モルの清澄剤を含有でき、清澄剤は好ましくはSb2O3およびAs2O3からなる群から選択される。本発明のガラスセラミックは、好ましくは、高周波アプリケーションf>200MHzで、誘電損tanδが10-2以下、好ましくは10-3以下である。さらに、ガラスセラミックは、好ましくは、比誘電率εが少なくとも15、好ましくは>18、好ましくは20ないし80の範囲である。本発明のガラスセラミックは、好ましくは、共振周波数の温度依存性tfが200ppm/K以下、好ましくは50ppm/K以下、特に好ましくは10ppm/K以下でもある。本発明の別の有利な実施形態において、本発明のガラスセラミックは、RE、Ti、Si、O、および任意でBaを主成分とする少なくとも1種の混晶相を有し、上記組成において、Baは少なくとも一部をSr、Ca、Mgで置換でき、REはランタニドまたはイットリウムであり、Tiは少なくとも一部をZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できる。特に、本発明のガラスセラミックは、Ba、RE、TiO、RE2Ti2O7、RE2Ti2SiO9、およびRE4Ti9O24からなる群から選択される少なくとも1種の混晶相を含有でき、上記組成においてREはランタン、別のランタニドまたはイットリウムであり、Baのうち10までをSr、Ca、Mgで置換でき、Tiのうち10までをZr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できる。本発明のガラスセラミックは、好ましくは、結晶材料の割合が少なくとも30体積であり、好ましくは95体積までにすることができる。平均微結晶サイズは、好ましくは10nmないし50μmであり、好ましくは100nmないし1μmの範囲である。本発明のガラスセラミックは、高周波領域f>200MHzにおける誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子用の誘電体として特に適する。円筒アンテナ素子またはパッチアンテナ素子用の誘電体として使用することが特に有用である。高周波領域で、誘電損が10-2以下の本発明による誘電体は、以下のステップによって製造できる。‐以下の構成成分酸化物基準のモルでを含有する出発ガラスを溶融および均質化するステップ。SiO25~50Al2O30~20B2O30~25BaO0~25TiO210~60RE2O35~35上記組成において、Baは一部を、好ましくは10を上限に、Sr、Ca、Mgで置換でき、REはランタニドまたはイットリウムであり、Tiは一部を、好ましくは10を上限に、Zr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できる。‐出発ガラスを所望の成形型に注入するステップ。‐出発ガラスを室温に冷却するステップ。‐出発ガラスを熱処理によってセラミック化するステップ。本発明の好適な実施形態では、出発ガラスは少なくとも以下の構成成分酸化物基準のモルでを含む。SiO210~40Al2O30~10B2O35~25BaO0~20TiO215~50RE2O310~30上記組成において、Baは一部を、好ましくは10を上限に、Sr、Ca、Mgで置換でき、REはランタニドまたはイットリウムであり、Tiは一部を、好ましくは10を上限に、Zr、Hf、Y、Nb、V、Taで置換できる。出発ガラスは、好ましくは、熱間成形プロセス、特に鋳込み、管引抜き、ロッド引抜き、または押出し成型によって近似成形する。本発明の別の特徴および利点は、図面を参照して以下の好適な実施例の説明から明らかにすることができる。表1は、Ba‐La‐Ti‐Si‐O系の出発ガラスのさまざまなガラス組成を示す。実施例1ないし実施例9のさまざまなガラスサンプルを、まず、従来の出発材料を使用した通常の方法で溶融および均質化する。ここで、白金るつぼ、Pt/Irるつぼ、Pt/Rhるつぼ、溶解石英るつぼ、または酸化アルミニウムるつぼを使用できる。サンプルは、まず、1350°Cで2時間溶融してから、1400°Cで30分間精製純化し、白金スターラーで20分間攪拌して均質化し、10分間静置してから、例えばスチール、グラファイト、酸化アルミニウム、または溶解石英製の適切な成形型に注入し、近似成形する。ガラスに、室温に冷却した後、セラミック化ステップを施すが、これは、例えば、赤外線加熱プロセスまたは従来のプロセスによって行うことができる。赤外線加熱炉による典型的なセラミック化サイクルは以下のとおりである。‐300K/分で1050°Cまで加熱する。‐1050°Cで7秒間保持する。‐50K/分の加熱速度で1200°Cまで加熱する。‐1200°Cで15分間保持する。‐加熱炉の電源を切って、約50K/分の冷却速度で約500°Cまで冷却する。‐約500°Cの温度に達したら、加熱炉から試料を取り出す。従来の加熱炉におけるセラミック化は、925°Cで15時間の熱処理によって行う。必要なら、鋳込み後に、成型物に精密研削もしくは研磨処理を施すことができ、または円筒形の成型物の製造の場合は、円筒形の表面の芯なし研削により機械加工できる。図1に、セラミック化後のサンプル9のX線回折解析を示す。顕著な結晶相は、La2Ti2SiO9である。加えて、小比率のルチルTiO2が見つかった。このサンプルの結晶相の体積比率は、およそ約50体積ないし70体積である。サンプル1ないしサンプル9の比誘電率εを測定した。これらはすべて15より大きく、20ないし50の範囲内であった。これらのサンプルは、低い誘電損と高い品質も示している。品質Q値は、誘電損tanδの逆数である。Q=1/tanδ品質は、ハッキコールマン共振法により測定する。ここでは、品質係数は、品質Q値と測定周波数f0との積として求める。すべてのサンプル1ないし9の品質係数Qf0は、2000GHzないし3000GHzの範囲内であった。サンプル1の場合、10.09GHzで、比誘電率ε22.4、品質Q値205が、すなわち、品質係数2068が測定された。共振周波数の温度係数tfは、測定したすべてのサンプルで非常に低く、-40ppm/K<tf<40ppm/Kの範囲である。アンテナ用の誘電体、特に、移動体電話の移動GPSアンテナに適したものとして使用する場合、周波数範囲は200MHz超、特に、約800MHzないし70GHzの範囲である。アンテナの誘電体帯電は、ユーザによるデチューニングに対するアンテナの感度を低下させる。