金属基材本体上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層とを備え、中間層の上方に酸化物超電導層が形成されることを特徴とする酸化物超電導導体用基材。前記第2拡散防止層は、イオンビームアシスト蒸着法により成膜されてアモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導導体用基材。前記第2拡散防止層と前記中間層との間に、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された第3拡散防止層が介在されてなり、前記第3拡散防止層の密度は、前記第2拡散防止層の密度より大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物超電導導体用基材。前記第3拡散防止層は、第2拡散防止層より結晶の割合が高い層であり、アモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導導体用基材。拡散防止層の少なくとも一層がAl2O3よりなることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体用基材。請求項1~5のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体用基材の上に、キャップ層と酸化物超電導層とを備えてなることを特徴とする酸化物超電導導体。金属基材本体上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層とを備え中間層の上方に酸化物超電導層が形成される酸化物超電導導体用基材の製造方法であって、前記金属基材本体上にアモルファス構造を主体とする第1拡散防止層を形成する第1拡散防止層形成工程と、前記第1拡散防止層上にイオンビームアシスト蒸着法により前記第2拡散防止層を形成する第2拡散防止層形成工程と、前記第2拡散防止層上にイオンビームアシスト蒸着法により前記中間層を成膜する工程と、を備えることを特徴とする酸化物超電導導体用基材の製造方法。前記第2拡散防止層は、イオンビームアシスト蒸着法により成膜されてアモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることを特徴とする請求項7に記載の酸化物超電導導体用基材の製造方法。前記第2拡散防止層と前記中間層との間に、イオンビームアシスト法により成膜された第3拡散防止層を介在させ、前記第3拡散防止層の密度を、前記第2拡散防止層の密度より大きくすることを特徴とする請求項8に記載の酸化物超電導導体用基材の製造方法。前記第3拡散防止層は、第2拡散防止層より結晶の割合が高い層であり、アモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることを特徴とする請求項9に記載の酸化物超電導導体用基材の製造方法。拡散防止層の少なくとも一層がAl2O3よりなることを特徴とする請求項7~10のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体用基材の製造方法。線材の製造工程において、長尺の基材をリールからリールへ供給する間に成膜する場合、線材の表裏面が接触することにより、該表裏面に傷等の欠陥が発生する。拡散防止層において発生した傷は、その後成膜される結晶配向層の配向を乱してしまうという問題点がある。本発明は、以上のような従来の実情に鑑みなされたものであり、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供可能な酸化物超電導導体用基材、及び該酸化物超電導導体用基材を効率的に製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の酸化物超電導導体用基材は、金属基材本体上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層とを備え、中間層の上方に酸化物超電導層が形成されることを特徴とする。本発明の酸化物超電導導体用基材は、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、その上に第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層とを備えた構成である。そのため、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層を成膜することにより、元素の拡散速度を遅くすることができ、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた拡散防止層を成膜することにより、密度の高い層を配置することができる。より詳細には、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層は、硬度が低いため、拡散防止層を形成した後に長尺の基材を巻き取るなど、取り扱いの際、その表面が露出していると傷付きやすいおそれがある。一方、第1拡散防止層よりも密度の高い第2拡散防止層は、第1拡散防止層よりも硬度が高いため、耐摩耗性に優れる。このため、第1拡散防止層上に第2拡散防止層を設けると、第1拡散防止層を保護することができ、拡散防止層表面に耐磨耗性が付与される。その結果、基材巻取り時の拡散防止層表面の傷付きを抑えることができる。従って、本発明の酸化物超電導導体用基材は、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材において、前記第2拡散防止層を、イオンビームアシスト蒸着法により成膜されてアモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることとすることもできる。この場合、第2拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、層の密度が高いものとなり、耐磨耗性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。また、アモルファス構造は、結晶構造より硬度が低いため、アモルファス構造を主体とし微結晶が混在する第1拡散防止層の微結晶の割合や厚さを制御することによって、拡散防止層全体の硬度を調整できる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材において、前記第2拡散防止層と前記中間層との間に、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された第3拡散防止層が介在されてなり、前記第3拡散防止層の密度は、前記第2拡散防止層の密度より大きいものとすることもできる。この場合、第2拡散防止層及び第3拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、層の密度が高いものとなり、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材において、前記第3拡散防止層は、第2拡散防止層より結晶の割合が高い層であり、アモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることとすることもできる。この場合、第3拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、層の密度が高いものとなり、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材において、拡散防止層の少なくとも一層がAl2O3よりなることもできる。この場合、拡散防止層は、より効果的に元素拡散を防止することができる。また、Al2O3は、入手が容易で、安価であるため、これを拡散防止層の材料として用いることにより、酸化物超電導導体のコストを低減することができる。上記課題を解決するため、本発明の酸化物超電導導体は、前記酸化物超電導導体用基材の上に、キャップ層と酸化物超電導層とを備えてなることを特徴とする。本発明の酸化物超電導導体は、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、その上に密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層とを備えた構成である。そのため、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層が元素の拡散速度を遅くすることができ、密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層を成膜することにより、密度の高い層を配置することができる。従って、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。上記課題を解決するため、本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、金属基材本体上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層とを備え中間層の上方に酸化物超電導層が形成される酸化物超電導導体用基材の製造方法であって、前記金属基材本体上にアモルファス構造を主体とする第1拡散防止層を形成する第1拡散防止層形成工程と、前記第1拡散防止層上にイオンビームアシスト蒸着法により前記第2拡散防止層を形成する第2拡散防止層形成工程と、前記第2拡散防止層上にイオンビームアシスト蒸着法により前記中間層を成膜する工程と、を備えることを特徴とする。本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層を形成する第1拡散防止層形成工程と、その上に第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層を形成する第2拡散防止層形成工程とを備えた構成である。第1拡散防止層形成工程において、アモルファス構造を主体とする拡散防止層が元素の拡散速度を遅くすることができるため、第2拡散防止層を形成する第2拡散防止層形成工程において、十分な拡散防止効果を得るために層自体を厚くする必要がない。従って、拡散防止効果を確保しつつ該酸化物超電導導体用基材を効率的に製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法を提供することができる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法において、前記第2拡散防止層を、イオンビームアシスト蒸着法により成膜されてアモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層とすることもできる。この場合、第2拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、層の密度が高いものとなり、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。また、第1拡散防止層をイオンビームスパッタ法により形成する場合には、イオンビームアシスト蒸着法とイオンビームスパッタ法では、同じ成膜装置を用いて成膜できるため、第2拡散防止層の成膜方法としてイオンビームスパッタ法を用いることにより、第1拡散防止層と第2拡散防止層とを連続形成できる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法において、前記第2拡散防止層と前記中間層との間に、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された第3拡散防止層が介在させ、前記第3拡散防止層の密度を、前記第2拡散防止層の密度より大きくすることもできる。この場合、第2拡散防止層及び第3拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、層の密度が高いものとなり、より超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法において、前記第3拡散防止層を、第2拡散防止層より結晶の割合が高い層で、アモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層とすることもできる。この場合、第3拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、層の密度が高いものとなり、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。また、本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法において、拡散防止層の少なくとも一層をAl2O3よりなるものとすることもできる。この場合、拡散防止層は、より効果的に元素拡散を防止することができる。また、Al2O3は、入手が容易で、安価であるため、これを拡散防止層の材料として用いることにより、酸化物超電導導体のコストを低減することができる。本発明によれば、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供可能な酸化物超電導導体用基材、及び該酸化物超電導導体用基材を効率的に製造することができる酸化物超電導導体用基材の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面に基づき説明する。酸化物超電導導体用基材[第1実施形態]図1は、本発明に係る酸化物超電導導体用基材の第1実施形態を示す概略構成図である。図1に示す酸化物超電導導体用基材10は、金属基材本体1上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層12と、ベッド層3と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とが積層されて構成されている。酸化物超電導導体用基材10は、中間層の上方に酸化物超電導層が形成されるための基材である。金属基材本体1は、通常の超電導線材の基材として使用することができ、高強度であれば良く、長尺のケーブルとするためにテープ状であることが好ましく、耐熱性の金属からなるものが好ましい。例えば、銀、白金、ステンレス鋼、銅、ハステロイ等のニッケル合金等の各種金属材料、もしくはこれら各種金属材料上にセラミックスを配したもの、等が挙げられる。耐熱性の金属の中でも、合金が好ましく、ニッケルNi合金又は銅Cu合金がより好ましい。各種耐熱性の金属の中でも、ニッケル合金がより好ましい。なかでも、市販品であれば、ハステロイ米国ヘインズ社製商品名が好適であり、ハステロイとして、モリブデン、クロム、鉄、コバルト等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等のいずれの種類も使用できる。また、金属基材本体1としてニッケルNi合金などに集合組織を導入した配向金属基材本体を用いてもよい。金属基材本体1の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は、10~500μmであることが好ましく、20~200μmであることがより好ましい。アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11は、後述する製造方法において、その上に第2拡散防止層12を形成する際に、金属基材本体1の構成元素が拡散することを防止する目的で設けられている。第1拡散防止層11を設けずに、金属基材本体1上に密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層12を形成すると、耐摩耗性には優れるものの、層の密度が高いもののみで構成されることとなるため、金属基材本体1の構成元素の拡散防止効果としては不十分である。本明細書において、拡散防止効果とは、金属基材本体1から拡散防止層11、12に拡散してきた元素の拡散速度を低下させ、拡散元素がさらに上層側、例えば、酸化物超電導層17側に拡散することを防止する効果である。アモルファスからなる第1拡散防止層11は、窒化ケイ素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、あるいは希土類金属酸化物等から構成され、中でも、アモルファスのAl2O3より構成されていることが好ましい。第1拡散防止層11の厚さは、80~300nmとすることが好ましい。第1拡散防止層11の厚さが80nm未満となると、第2拡散防止層12を形成する際の加熱により、金属基材本体1の構成元素が酸化物超電導層17へと拡散することを十分に防止できなくなるおそれがある。一方、第1拡散防止層11の厚さが300nmを超えると、拡散防止層11の内部応力が増大し、これにより、他の層を含めて全体が金属基材本体1から剥離しやすくなるおそれがある。また、第1拡散防止層11は、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すればよい。このように金属基材本体1とベッド層3との間に拡散防止層を介在させることにより、中間層4を構成する他の層や後述する酸化物超電導層17等を形成する際に、必然的に加熱され、又は熱処理される結果として熱履歴を受ける場合に、金属基材本体1の構成元素の一部がベッド層3を介して酸化物超電導層17側に拡散することを効果的に抑制することができる。金属基材本体1とベッド層3との間に拡散防止層を介在させる場合の例としては、拡散防止層としてAl2O3、ベッド層としてY2O3を用いる組み合わせを例示することができる。第2拡散防止層12は、IBAD法により成膜されるものが好ましく、その表面粗さRaは、5nm以下であることが好ましい。なお、本発明の明細書において、表面粗さRaはJISB0601の算術平均粗さRaである。また、第2拡散防止層12の厚さは、5~30nmとすることが好ましい。第2拡散防止層12の厚さが5nm以上の場合、イオンビームアシスト蒸着による核成長が進行し、密度の高い層が形成される傾向が高く、耐摩耗性に優れたものとなる。一方、第2拡散防止層12の厚さが30nm以下の場合、耐摩耗性を維持したまま第2拡散防止層12の形成工程に長時間を要しない傾向が高い。IBAD法により成膜された第2拡散防止層12はアモルファス構造主体ではないため、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11に比べて、元素の拡散スピードが速い。しかし、本実施形態のように、第1拡散防止層11を設けることにより、金属基材本体1の構成元素が酸化物超電導層17側へと拡散することをより効果的に防ぐことができる。IBAD法とは、蒸着時に、下地の蒸着面に対して所定の角度でイオンビームを照射することにより、結晶軸を配向させる方法である。通常は、イオンビームとして、アルゴンArイオンビームを使用する。例えば、Gd2Zr2O7、MgO又はZrO2-Y2O3YSZからなる膜を形成することができる。第2拡散防止層12の形成方法については、後述の製造方法の実施形態にて詳述するが、第2拡散防止層12は、イオンビームアシスト蒸着法により成膜されてアモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることが好ましい。ベッド層3は、耐熱性が高く、界面反応性を低減するためのものであり、その上に配される膜の配向性を得るために用いる。このようなベッド層3は、例えば、イットリアY2O3などの希土類酸化物であり、組成式α1O22xβ2O31-xで示されるものが例示できる。より具体的には、Er2O3、CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Ho2O3、La2O3等を例示することができる。このベッド層3は、例えばスパッタリング法等の成膜法により形成され、その厚さは例えば10~100nmである。中間層4は、後述する酸化物超電導層17の結晶配向性を制御し、金属基材本体1中の金属元素の酸化物超電導層17への拡散を防止するものである。さらに、金属基材本体1と酸化物超電導層17との物理的特性熱膨張率や格子定数等の差を緩和するバッファー層として機能し、その材質は、物理的特性が金属基材本体1と酸化物超電導層17との中間的な値を示す金属酸化物が好ましい。中間層4の好ましい材質として具体的には、Gd2Zr2O7、MgO、ZrO2-Y2O3YSZ、SrTiO3、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等の金属酸化物が例示できる。中間層4は、単層でも良いし、複数層でも良い。例えば、前記金属酸化物からなる層金属酸化物層は、結晶配向性を有していることが好ましく、複数層である場合には、最外層最も酸化物超電導層17に近い層が少なくとも結晶配向性を有していることが好ましい。中間層4の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良いが、通常は、5~300nmの範囲とすることができる。中間層4は、IBAD法で積層する。IBAD法で形成された中間層4は、結晶配向性が高く、その上に成膜する後述するキャップ層16や酸化物超電導層17の結晶配向性を制御する効果が高い点で好ましい。IBAD法とは、先にも説明した如く蒸着時に、下地の蒸着面に対して所定の角度でイオンビームを照射することにより、結晶軸を配向させる方法である。通常は、イオンビームとして、アルゴンArイオンビームを使用する。例えば、Gd2Zr2O7、MgO又はZrO2-Y2O3YSZからなる中間層4は、IBAD法における結晶配向度を表す指標であるΔΦFWHM:半値全幅の値を小さくできるため、特に好適である。中間層4をIBAD法により良好な結晶配向性例えば結晶配向度15 ゚以下で成膜するならば、その上に形成するキャップ層16の結晶配向性を良好な値例えば結晶配向度5 ゚前後とすることができ、これによりキャップ層16の上に成膜する酸化物超電導層17の結晶配向性を良好なものとして優れた超電導特性を発揮できる酸化物超電導層17を得るようにすることができる。本実施形態の酸化物超電導導体用基材10は、金属基材本体1上に、アモルファスからなる第1拡散防止層11と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された第2拡散防止層12と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とがこの順に積層されてなる構成である。そのため、アモルファスからなる拡散防止層により、元素の拡散速度を遅くすることができ、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された拡散防止層により、密度の高い層を配置することができる。従って、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。[第2実施形態]図2は、本発明に係る酸化物超電導導体用基材の第2実施形態を示す概略構成図である。図2に示す酸化物超電導導体用基材10Bは、金属基材本体1上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層12と、第2拡散防止層より結晶の割合が高い第3拡散防止層13と、ベッド層3と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とがこの順に積層されて構成されている。本実施形態の酸化物超電導導体用基材10Bは、前記第1実施形態の酸化物超電導導体用基材10の構成に加え、第2拡散防止層12とベッド層3との間に、第2拡散防止層より結晶の割合が高い第3拡散防止層が介在された構成となっている。図2において、上記第1実施形態の酸化物超電導導体用基材10と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。第3拡散防止層13は、IBAD法により成膜されるものである。第3拡散防止層13の好ましい材質としては、第2拡散防止層と同様に、例えば、Gd2Zr2O7、MgO又はZrO2-Y2O3YSZ等が挙げられる。また、前記第3拡散防止層の密度は、前記第2拡散防止層の密度より大きいことが好ましい。これにより、酸化物超電導導体用基材10Bの製造工程において、一層の耐磨耗性を付与することができる。前記第3拡散防止層は、アモルファス構造に微結晶を混在させるか結晶を主体とした層であることが好ましい。第3拡散防止層13における、アモルファスと結晶との割合は、結晶配向性の観点から、第2拡散防止層におけるアモルファスと結晶との割合より高いことがより好ましい。また、第3拡散防止層13の厚さは、5~30nmとすることが好ましい。第3拡散防止層13の厚さが5nm以上の場合、イオンビームアシスト蒸着による核成長が進行し、密度の高い層が形成される傾向が高く、耐摩耗性に優れたものとなる。一方、第3拡散防止層13の厚さが30nm以下の場合、第2拡散防止層12の形成工程に長時間を要しない傾向が高い。IBAD法により形成された第3拡散防止層13はアモルファス構造を主体とする層ではないため、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11に比べて、元素の拡散スピードが速い。しかし、本実施形態のように、第1拡散防止層11を設けることにより、金属基材本体1の構成元素が酸化物超電導層17側へと拡散することをより効果的に防ぐことができる。本実施形態の酸化物超電導導体用基材10Bは、金属基材本体1上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層12と、第2拡散防止層より結晶の割合が高い第3拡散防止層13と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とが積層されてなるという構成である。そのため、第2拡散防止層及び第3拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。酸化物超電導導体[第1実施形態]図4は、本発明に係る酸化物超電導導体の第1実施形態を示す概略構成図である。図4に示す酸化物超電導導体20は、図1に示す酸化物超電導導体用基材10の中間層4の上に、キャップ層16と、酸化物超電導層17と、安定化層18とがこの順に積層されて構成されている。図4に示す酸化物超電導導体20において、図1に示す酸化物超電導導体用基材10と同じ構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。キャップ層16は、酸化物超電導導体用基材10の中間層4の表面に対してエピタキシャル成長し、その後、横方向面方向に粒成長オーバーグロースして、結晶粒が面内方向に選択成長するという過程を経て形成されたものが好ましい。このようなキャップ層は、中間層4よりも高い面内配向度が得られる。キャップ層16の材質は、上記機能を発現し得るものであれば特に限定されないが、好ましいものとして具体的には、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等が例示できる。キャップ層16の材質がCeO2である場合、キャップ層は、Ceの一部が他の金属原子又は金属イオンで置換されたCe-M-O系酸化物を含んでいても良い。キャップ層16であるCeO2層は、PLD法パルスレーザ蒸着法、スパッタリング法等で成膜することができるが、大きな成膜速度を得られる点でPLD法を用いることが望ましい。PLD法によるCeO2層の成膜条件としては、基材温度約500~1000°C、約0.6~100Paの酸素ガス雰囲気中で行うことができる。CeO2層の膜厚は、50nm以上であればよいが、十分な配向性を得るには100nm以上が好ましい。但し、厚すぎると結晶配向性が悪くなるので、50~5000nmの範囲、より好ましくは100~5000nmの範囲とすることができる。酸化物超電導層17は公知のもので良く、具体的には、REBa2Cu3OyREはY、La、Nd、Sm、Er、Gd等の希土類元素を表すなる材質のものを例示できる。この酸化物超電導層17として、Y123YBa2Cu3O7-X又はGd123GdBa2Cu3O7-Xなどを例示することができる。また、その他の酸化物超電導体、例えば、Bi2Sr2Can-1CunO42nδなる組成等に代表される臨界温度の高い他の酸化物超電導体からなるものを用いても良いのは勿論である。酸化物超電導層17は、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、電子ビーム蒸着法等の物理的蒸着法;化学気相成長法CVD法;塗布熱分解法MOD法等で積層することができ、なかでも生産性の観点から、PLDパルスレーザー蒸着法、TFA-MOD法トリフルオロ酢酸塩を用いた有機金属堆積法、塗布熱分解法又はCVD法を用いることが好ましい。酸化物超電導層17の厚みは、0.5~5μm程度であって、均一な厚みであることが好ましい。ここで前述のように、良好な配向性を有するキャップ層16上に酸化物超電導層17を形成すると、このキャップ層16上に積層される酸化物超電導層17もキャップ層16の配向性に整合するように結晶化する。よって前記キャップ層16上に形成された酸化物超電導層17は、結晶配向性に乱れが殆どなく、この酸化物超電導層17を構成する結晶粒の1つ1つにおいては、金属基材本体1の厚さ方向に電気を流しにくいc軸が配向し、金属基材本体1の長さ方向にa軸どうしあるいはb軸どうしが配向している。従って得られた酸化物超電導層17は、結晶粒界における量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性の劣化が殆どないので、金属基材本体1の長さ方向に電気を流し易くなり、十分に高い臨界電流密度が得られる。安定化層18は、酸化物超電導層17の一部領域が常電導状態に遷移しようとした場合に、酸化物超電導層17からの電流のバイパス路として機能する。安定化層18は、導電性が良好な金属からなるものが好ましく、具体的には、銀又は銀合金、銅などからなるものが例示できる。安定化層18は1層構造でも良いし、2層以上の積層構造であってもよい。安定化層18は、公知の方法で積層できるが、銀層をメッキやスパッタ法で形成し、その上に銅テープなどを貼り合わせるなどの方法を採用できる。安定化層18の厚さは、3~300μmの範囲とすることができる。本実施形態の酸化物超電導導体20は、酸化物超電導導体用基材10の上に、キャップ層と酸化物超電導層とを備えてなる構成である。本実施形態の酸化物超電導導体20は、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、その上に第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層とを備えた構成であるため、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層を成膜することにより、元素の拡散速度を遅くすることができ、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層を成膜することにより、密度の高い層を配置することができる。従って、耐磨耗性及び超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。[第2実施形態]図4は、本発明に係る酸化物超電導導体の第2実施形態を示す概略構成図である。図5に示す酸化物超電導導体20Bは、図2に示す酸化物超電導導体用基材10Bの中間層4の上に、キャップ層16と、酸化物超電導層17と、安定化層18とがこの順に積層されて構成されている。図5に示す酸化物超電導導体20Bにおいて、図4に示す酸化物超電導導体用基材10と同じ構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。本発明に係る酸化物超電導導体の第2実施形態は、酸化物超電導体の第1実施形態に加えて、IBAD法で形成された第3拡散防止層13を有する。第3拡散防止層13は、第2拡散防止層12に加えて、結晶配向性が高く、密度が高いものであるため、酸化物超電導導体用基材20Bの製造工程において、更なる耐磨耗性を付与することができる。本実施形態の酸化物超電導導体20Bは、酸化物超電導導体用基材10Bの上に、キャップ層と酸化物超電導層とを備えてなる構成である。本実施形態の酸化物超電導導体20Bは、金属基材本体1上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層12と、第2拡散防止層より結晶の割合が高い第3拡散防止層13と、ベッド層3と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層4とが積層されてなるという構成であるため、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層11を成膜することにより、元素の拡散速度を遅くすることができ、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層12を成膜することにより、より密度の高い層を配置することができる。従って、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。酸化物超電導導体用基材の製造方法[第1実施形態]本発明に係る酸化物超電導導体用基材の製造方法の第1実施形態は、金属基材本体準備工程と、第1拡散防止層形成工程と、第2拡散防止層形成工程と、ベッド層形成工程と、中間層形成工程と、を有する。金属基材本体準備工程においては、前述した材質及び厚さの金属基材本体1を準備し、金属基材本体の表面を研磨して平坦化する。金属基材本体準備工程においては、金属基材本体1を研磨加工により研磨して、金属基材本体1の表面粗さを低く設定する。金属基材本体準備工程において、金属基材本体1の表面粗さRaを、5nm以下とすることがより好ましい。金属基材本体1の表面粗さRaを5nm以下とすることにより、中間層4の結晶配向性が良好となり、その上に形成されるキャップ層16及び酸化物超電導層17の結晶配向性を良好なものとすることができる酸化物超電導導体用基材10とすることができる。金属基材本体準備工程において金属基材本体1の表面を研磨加工により研磨する際、例えば、アルミナAl2O3粒子の粒径として平均粒径2μmの研磨粒子を用いて研磨することにより金属基材本体1の表面粗さRaを5nm以下とすることができる。第1拡散防止層形成工程においては、通常のスパッタ法等の成膜法により第1拡散防止層11を金属基材本体1上に形成する。第1拡散防止層11は、金属基材本体1の構成元素が拡散することを防止する目的で形成される。本工程において、第1拡散防止層11は、前述した材質より形成すればよく、第1拡散防止層11の厚さは、80~300nmとすることが好ましい。第1拡散防止層11の厚さが80nm未満となると、金属基材本体1の構成元素の拡散を十分に防止できなくなるおそれがある。一方、第1拡散防止層11の厚さが300nmを超えると、拡散防止層11の内部応力が増大し、これにより、他の層を含めて全体が金属基材本体1から剥離しやすくなるおそれがある。第2拡散防止層形成工程においては、IBAD法により前述した材質よりなる第2拡散防止層12を形成する。図5は、イオンビームアシスト蒸着法により成膜する装置の一例を示す概略構成図であり、図6は、図5に示す成膜装置に適用されるイオンガンの構造の一例を示す概略構成図である。図5に示す装置は、テープ状の金属基材本体1をその長手方向に走行するための走行装置20と、その表面が金属基材本体1の表面に対し斜めに向いて対峙されたターゲット21と、ターゲット21にイオンを照射するスパッタビーム照射装置22と、金属基材本体1の表面に対し斜め方向からイオンを照射するイオン源23とを有しており、これらの各装置は真空容器図示略内に配置されている。なお、図5において符号21Aはターゲットホルダを示している。前記走行装置20は、一例として、成膜領域28に沿って走行するテープ状の金属基材本体1を案内するための転向リールの集合体である転向部材29、30を備え、これら転向部材群29、30に基材2を巻き掛けて成膜領域28に複数の基材2の走行レーンを構成するように基材2を案内できる装置として構成されている。本実施形態で用いる真空容器は、外部と成膜空間とを仕切る容器であり、気密性を有するとともに、内部が高真空状態とされるため耐圧性を有するものとされる。この真空容器には、真空容器内にキャリアガスおよび反応ガスを導入するガス供給手段と、真空容器内のガスを排気する排気手段が接続されているが、図5ではこれら供給手段と排気手段を略し、各装置の配置関係のみを示している。また、イオン源23の内部構成の一例として、図6に示す如く、容器24の内部に、引出電極25と高周波コイル26とArガス等の導入管27とを備えて構成され、容器24の先端から希ガス等のイオンをビーム状に平行に照射できる装置を用いることができる。なお、図6に示すイオン源23において、アシストイオンビーム電圧とアシストイオンビーム電流値を適宜調整し、アシストイオンビームのエネルギーを調整することができる。図5では記載を略した真空容器にこれらの走行装置20、ターゲット21、スパッタ装置22、イオン源23が収容されている。図5に示す装置によって第2拡散防止層12を形成するには、真空容器の内部を減圧雰囲気とし、スパッタビーム照射装置22及びイオン源23を作動させる。これにより、スパッタビーム照射装置22からターゲット21にイオンを照射し、ターゲット21の構成粒子を叩き出すか蒸発させて金属基材本体1上にターゲット構成粒子を堆積させることができる。これと同時に、イオン源23から、アルゴンイオン等によるアシストイオンビームを放射し、金属基材本体1の成膜面に対して所定の入射角度基材上の成膜面の法線に対する入射角度θで照射する。図5に示す装置を用いてIBAD法を実施する場合、アシストイオンビームの入射角度θについては、金属基材本体1の成膜面の法線に対し一例として45 ゚、あるいは、45 ゚±5 ゚程度の範囲に設定することが好ましい。また、アシストイオンビームを照射するイオン源の稼働条件としてイオンビーム電流値は一例として50μAを選択でき、アシストイオンビーム電圧は200eV~1200eVが好ましく、200eV~1000eVがより好ましい。該エネルギーが200eV以上の場合には、拡散防止層に含まれる結晶の割合が適度なものとなり、酸化物超電導導体の拡散防止層が耐磨耗性を発揮する傾向が高い。該エネルギーが1200以下の場合には、蒸着面にダメージを与えず、拡散防止効果を発揮する傾向が高い。本工程において、第2拡散防止層12は、前述した材質より形成すればよく、第2拡散防止層12の厚さは、5~30nmとすることが好ましい。第2拡散防止層12の厚さが5nm以上の場合、イオンビームアシスト蒸着による核成長が進行し、密度の高い層が形成される傾向が高く、耐摩耗性に優れたものとなる。一方、第2拡散防止層12の厚さが30nm以下の場合、第2拡散防止層12の形成工程に長時間を要しない傾向が高い。本実施形態においては、アモルファスからなる第1拡散防止層を形成する工程を有するため、アモルファスからなる拡散防止層が元素の拡散速度を遅くすることができるため、第2拡散防止層形成工程において、十分な拡散防止効果を得るために層自体を厚くする必要がない。ベッド層形成工程においては、例えばスパッタリング法等の蒸着法によりベッド層3を形成する。その際、ベッド層3の厚さは例えば10~100nmとする。なお、ベッド層形成工程は省略することもできる中間層形成工程においては、IBAD法により前述した材質よりなる中間層4を形成する。以上の工程により、本実施形態の酸化物超電導導体用基材10を製造することができる。本実施形態の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層形成工程と、第2拡散防止層形成工程と、中間層形成工程と、を有する構成である。本実施形態の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層を形成する第1拡散防止層形成工程と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層を形成する第2拡散防止層形成工程とを備えるため、第1拡散防止層形成工程において、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層が元素の拡散速度を遅くすることができるため、第2拡散防止層を形成する第2拡散防止層形成工程において、十分な拡散防止効果を得るために層自体を厚くする必要がない。[第2実施形態]本発明に係る酸化物超電導導体用基材の製造方法の第2実施形態は、金属基材本体準備工程と、第1拡散防止層形成工程と、第2拡散防止層形成工程と、第3拡散防止層形成工程と、ベッド層形成工程と、中間層形成工程と、を有する。前記第3拡散防止層形成工程は、前記第2拡散防止層と前記中間層との間に、イオンビームアシスト法により成膜された第3拡散防止層を介在させる工程である。前記第3拡散防止層形成工程においては、上述したIBAD法により第3拡散防止層13を第2拡散防止層12上に形成する。第3拡散防止層13は、第2拡散防止層12に加えて、酸化物超電導導体に一層の耐磨耗性を付与するものである。前記第3拡散防止層の密度は、前記第2拡散防止層の密度より大きいものが好ましいため、イオン照射に用いられるエネルギーとしては、第2拡散防止層形成工程と同様であるか、第2拡散防止層形成工程に用いられるエネルギーより高いことが好ましい。本工程において、第3拡散防止層13は、前述した材質より形成すればよく、第3拡散防止層13の厚さは、5~30nmとすることが好ましい。第3拡散防止層13の厚さが5nm以上の場合、イオンビームアシスト蒸着による核成長が進行し、密度の高い層が形成される傾向が高く、耐摩耗性に優れたものとなる。一方、第3拡散防止層13の厚さが30nm以下の場合、第2拡散防止層12の形成工程に長時間を要しない傾向が高い。第1実施形態に以上の工程を加えることにより、本実施形態の酸化物超電導導体用基材10Bを製造することができる。本実施形態の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、第1拡散防止層形成工程と、第2拡散防止層形成工程と、第3拡散防止層形成工程と、中間層形成工程と、を有する構成である。本実施形態の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、第1拡散防止層形成工程において、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層が元素の拡散速度を遅くすることができるため、第2、第3拡散防止層を形成する第2、第3拡散防止層形成工程において、十分な拡散防止効果を得るために層自体を厚くする必要がない。従って、該酸化物超電導導体用基材を効率的に製造することができる。加えて、第2拡散防止層及び第3拡散防止層が、結晶構造を含む構成となるため、層の密度が高いものとなり、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。以上、本発明の酸化物超電導導体用基材及びその製造方法と酸化物超電導導体の一実施形態について説明したが、上記実施形態において、酸化物超電導導体用基材及び酸化物超電導導体を構成する各部は一例であって、本発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。比較例1ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ150m、表面粗さRa5nmのテープ状の金属基材本体を用意し、イオンビームスパッタ法を用いてテープ基材の表面にアモルファス構造のAl2O3からなる厚さ80nmの第1拡散防止層を形成した。更に第1拡散防止層の上にイオンビームスパッタ法を用いてY2O3からなる厚さ30nmのベッド層を形成した。次に、ベッド層上にIBAD法を用いて厚さ5~10nmのMgOの配向層を形成した。以上の方法により、酸化物超電導導体用基材を製造した。尚、イオンビームスパッタ法を用いた成膜は、イオンガンを4台使用し、1500eVのアルゴインイオンを、ターゲットに照射することにより行われた。スパッタレートは9.2nm/min.であった。以下の実施例及び比較例において、イオンビームスパッタ法の条件は同様である。続いてパルスレーザー蒸着法PLD法を用いてMgOの配向層上にCeO2の厚さ300nmのキャップ層を形成した。その後、XRDにより面内配向度Δφ測定を行った。更に、このキャップ層上にパルスレーザー蒸着法によりGdBa2Cu3O7-xの厚さ1μmの酸化物超電導層を形成した。パルスレーザー蒸着法の実施にあたり成膜装置内部でテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜するようにした。次に、スパッタ法により酸化物超電導層上に厚さ10μmのAgの安定化基層を形成した。このスパッタ法においてもテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜できるようにしている。次に、酸素アニールを500°Cで10時間行い、26時間炉冷後、取り出した。以上の方法により、酸化物超電導導体を製造した。得られた酸化物超電導導体の臨界電流値Icを測定した。酸化物超電導導体両端の電圧1μV/cm2をIcとした。結果を表1に示す。実施例1ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ150m、表面粗さRa5nmのテープ状の金属基材本体を用意し、イオンビームスパッタ法を用いてテープ基材の表面にアモルファス構造のAl2O3からなる厚さ80nmの第1拡散防止層を形成した。次に図5に示す構造のイオンビームアシストスパッタ装置を用いてIBAD法を実施し、イオンビームアシスト蒸着により第1拡散防止層上に厚さ10nmの微結晶の混在したAl2O3層第2拡散防止層を形成した。この際、アシストガン1台、スパッタガン4台使用し、エネルギー200eV、電流密度50μA/cm2のアルゴンイオンを、テープ状基材成膜面の法線に対し、45 ゚の入射角度で照射した。スパッタレートは8.59nm/min.であった。更に第2拡散防止層の上にイオンビームスパッタ法を用いてY2O3からなる厚さ30nmのベッド層を形成した。次に、ベッド層上にIBAD法を用いて厚さ5~10nmのMgOの配向層を形成した。以上の方法により、酸化物超電導導体用基材を製造した。続いてパルスレーザー蒸着法PLD法を用いてMgOの配向層上にCeO2の厚さ300nmのキャップ層を形成した。その後、XRDにより面内配向度Δφ測定を行った。更に、このキャップ層上にパルスレーザー蒸着法によりGdBa2Cu3O7-xの厚さ1μmの酸化物超電導層を形成した。パルスレーザー蒸着法の実施にあたり成膜装置内部でテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜するようにした。次に、スパッタ法により酸化物超電導層上に厚さ10μmのAgの安定化基層を形成した。このスパッタ法においてもテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜できるようにしている。次に、酸素アニールを500°Cで10時間行い、26時間炉冷後、取り出した。以上の方法により、酸化物超電導導体を製造した。得られた酸化物超電導導体の臨界電流値Icを測定した。酸化物超電導導体両端の電圧1μV/cm2をIcとした。結果を表1に示す。実施例2アシストガン1台、スパッタガン4台使用し、イオンビームアシスト蒸着により第1拡散防止層上に第2拡散防止層を形成する際、エネルギー500eV、電流密度50μA/cm2のアルゴンイオンを照射したスパッタレートは7.91nm/min.以外は、実施例1と同様の方法にて酸化物超電導導体用基材及び酸化物超電導導体を製造した。得られた酸化物超電導導体の臨界電流値Icの測定値を表1に示す。実施例3アシストガン1台、スパッタガン4台使用し、イオンビームアシスト蒸着により第1拡散防止層上に第2拡散防止層を形成する際、エネルギー1200eV、電流密度50μA/cm2のアルゴンイオンを照射したスパッタレートは5.62nm/min.以外は、実施例1と同様の方法にて酸化物超電導導体用基材及び酸化物超電導導体を製造した。得られた酸化物超電導導体の臨界電流値Icの測定値を表1に示す。実施例4ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ150m、表面粗さRa5nmのテープ状の金属基材本体を用意し、イオンビームスパッタ法を用いてテープ基材の表面にアモルファス構造のAl2O3からなる厚さ80nmの第1拡散防止層を形成した。次に図5に示す構造のイオンビームアシストスパッタ装置を用いてIBAD法を実施し、アシストガン1台、スパッタガン4台使用し、イオンビームアシスト蒸着により第1拡散防止層上に厚さ10nmの微結晶の混在したAl2O3層第2拡散防止層を形成した。この際、エネルギー500eV、電流密度50μA/cm2のアルゴンイオンを、テープ状基材成膜面の法線に対し、45 ゚の入射角度で照射した。スパッタレートは7.91nm/min.であった。更に第2拡散防止層の上に、アシストガン1台、スパッタガン4台使用し、イオンビームアシスト蒸着により厚さ10nmの微結晶の混在したAl2O3層第3拡散防止層を形成した。この際、エネルギー500eV、電流密度100μA/cm2のアルゴンイオンを、テープ状基材成膜面の法線に対し、45 ゚の入射角度で照射した。スパッタレートは6.63nm/min.であった。比較例2ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ150m、表面粗さRa5nmのテープ状の金属基材本体を用意し、図5に示す構造のイオンビームアシストスパッタ装置を用いてIBAD法を実施し、アシストガン1台、スパッタガン4台使用し、イオンビームアシスト蒸着により金属基材本体上に厚さ85nmの微結晶の混在したAl2O3層第1拡散防止層を形成した。この際、エネルギー200eV、電流密度50μA/cm2のアルゴンイオンを、テープ状基材成膜面の法線に対し、45 ゚の入射角度で照射した。スパッタレートは8.59nm/min.であった。更に第1拡散防止層の上にイオンビームスパッタ法を用いてY2O3からなる厚さ30nmのベッド層を形成した。次に、ベッド層上にIBAD法を用いて厚さ5~10nmのMgOの配向層を形成した。以上の方法により、酸化物超電導導体用基材を製造した。続いてパルスレーザー蒸着法PLD法を用いてMgOの配向層上にCeO2の厚さ300nmのキャップ層を形成した。その後、XRDにより面内配向度Δφ測定を行った。更に、このキャップ層上にパルスレーザー蒸着法によりGdBa2Cu3O7-xの厚さ1μmの酸化物超電導層を形成した。パルスレーザー蒸着法の実施にあたり成膜装置内部でテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜するようにした。次に、スパッタ法により酸化物超電導層上に厚さ10μmのAgの安定化基層を形成した。このスパッタ法においてもテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜できるようにしている。次に、酸素アニールを500°Cで10時間行い、26時間炉冷後、取り出した。以上の方法により、酸化物超電導導体を製造した。得られた酸化物超電導導体の臨界電流値Icを測定した。酸化物超電導導体両端の電圧1μV/cm2をIcとした。結果を表1に示す。金属基材本体上に、アモルファスからなる拡散防止層と、その上にイオンビームアシスト蒸着法により成膜された拡散防止層とを備えた実施例1~4の酸化物超電導導体は、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された拡散防止層を有しない比較例1の酸化物超電導導体、及びアモルファスからなる拡散防止層を有しない比較例2の酸化物超電導導体に比べて、硬度が高く、かつ超電導特性に優れていた。表1の実施例1~3に示されるように、200eVから1200eVの照射エネルギーで成膜される拡散防止層の硬度は、照射エネルギーに依存して高いものとなっていた。しかし、1000eVを超える実施例3においては、照射エネルギーが高いため、酸化物超電導導体の表面にダメージを与え、粗さRaが大きいものとなっていた。そのため、実施例3の酸化物超電導導体は、拡散防止効果を有するものの、実施例1、2の酸化物超電導導体と比較するとその超電導特性は劣っていた。また、アモルファスからなる拡散防止層と、その上にイオンビームアシスト蒸着法により成膜された拡散防止層を2層備えた実施例4の酸化物超電導導体は、拡散防止層を1層備えた実施例1~3と同様に超電導特性に優れていた。以上の結果により、本発明に係る実施例1~4の酸化物超電導導体は、金属基材本体上に、アモルファス構造を主体とする第1拡散防止層と、第1拡散防止層より密度が高くアモルファス構造と微結晶を混在させた第2拡散防止層と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層とをこの順に備える構成であるため、超電導特性に優れていることが明らかである。