半導体チップ上に、導電パッドと、前記導電パッド上に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の前記開口部に露出した前記導電パッドの直上に、前記導電パッド側から順次形成された第1の接着メタル、第1のバリアメタル、第2の接着メタル、第2のバリアメタル、及び半田バンプとを備えた半導体装置。前記第1の接着メタル及び前記第1のバリアメタルは、前記絶縁膜の前記開口部内から当該開口部に隣接する前記絶縁膜上に跨って形成され、前記第2の接着メタル及び前記第2のバリアメタルは、前記絶縁膜の前記開口部の形成領域内に形成された請求項1に記載の半導体装置。特許文献1の図1に記載の半導体装置では、金パッドは半田バンプの直下には形成されておらず、回路領域内に形成されているため、最上層での回路領域が狭くなり、高集積化が阻害される。さらには、金パッドと半田バンプとの接続間距離が長くなるため、配線抵抗が増大し、高速化も阻害される。特許文献2には、半導体チップ100の電極パッド110上に形成された金属接着層220、230と、金属接着層220、230上に形成された層間分離膜240と、層間分離膜240上に形成されて、半田バンプに浸透する浸透層250と、浸透層に形成された半田バンプ300とを含む半導体装置が開示されている請求項1、図2。この半導体装置では、浸透層250の物質が半田バンプ300内に流入することで、半田バンプ300を多成分系に変化させて、IMCの成長を抑制して、信頼性を高めることができる段落0022。この半導体装置では、層間分離膜240がバリアメタルに相当する。この半導体装置では金属接着層が2層設けられているが、金属接着層によって導電パッドから半田バンプへの金属拡散を抑制することはできない。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、導電パッドから半田バンプへの金属拡散が抑制され、導電パッドと半田バンプとの接続抵抗が小さく、信頼性向上、高速化、及び高集積化を実現可能な半導体装置を提供することを目的とするものである。本発明の半導体装置は、半導体チップ上に、導電パッドと、前記導電パッド上に開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の前記開口部に露出した前記導電パッドの直上に、前記導電パッド側から順次形成された第1の接着メタル、第1のバリアメタル、第2の接着メタル、第2のバリアメタル、及び半田バンプとを備えたものである。本発明の半導体装置において、第1の接着メタル、第1のバリアメタル、第2の接着メタル、及び第2のバリアメタルはそれぞれ単層構造でも積層構造でもよい。本発明によれば、導電パッドから半田バンプへの金属拡散が抑制され、導電パッドと半田バンプとの接続抵抗が小さく、信頼性向上、高速化、及び高集積化を実現可能な半導体装置を提供することができる。図面を参照して、本発明に係る一実施形態の半導体装置及びその製造方法について説明する。図1は本実施形態の半導体装置の要部断面図であり、図2A~図2Qは製造工程図である。視認しやすくするため、図面上は各構成要素の縮尺や位置を実際のものとは適宜異ならせ、一部の構成要素の図示を省略してある。図1に示すように、本実施形態の半導体装置10は、半導体チップ1上に、導電パッド2と、導電パッド2上に開口部3Hを有する絶縁膜3と、絶縁膜3の開口部3Hに露出した導電パッド2の直上に、導電パッド2側から順次形成された第1の接着メタル4a、第1のバリアメタル4b、第2の接着メタル5a、第2のバリアメタル5b、及び半田バンプ8とを備えたものである。第1の接着メタル4a、第1のバリアメタル4b、第2の接着メタル5a、及び第2のバリアメタル5bはそれぞれ単層構造でも積層構造でもよい。半導体チップ1には、導電パッド2の下層に、各種配線、スルーホール、及び絶縁層等が形成されているが、図示は省略してある。導電パッド2、絶縁膜3、第1の接着メタル4a、及び第1のバリアメタル4bが形成され半導体チップ1上にはポリイミド膜6が形成されている。このポリイミド膜6は、平面視、絶縁膜3の開口部3Hの形成領域内に開口部6Hを有している。本実施形態において、第1の接着メタル4a及び第1のバリアメタル4bは、絶縁膜3の開口部3H内からこの開口部3Hに隣接する絶縁膜3上に跨って形成されている。絶縁膜3上に形成された第1の接着メタル4a及び第1のバリアメタル4bの積層膜上、及び第1の接着メタル4a及び第1のバリアメタル4bの積層膜の形成領域外の絶縁膜3上にポリイミド膜6が形成されている。絶縁膜3の開口部3H内に形成された第1の接着メタル4a及び第1のバリアメタル4bの積層膜の少なくとも一部はポリイミド膜6に被覆されていない。第2の接着メタル5a及び第2のバリアメタル5bの積層膜は、第1の接着メタル4a及び第1のバリアメタル4bの積層膜上でかつポリイミド膜6の開口部6H内に形成されている。本実施形態において、導電パッド2は、それぞれ100~800オングストローム程度の膜厚のチタンTi及び白金Ptの積層膜からなる給電層を含む金Auパッドである。絶縁膜3は、二酸化シリコンSiO2等からなる無機質の絶縁膜である。第1の接着メタル4aは、100~800オングストロームの膜厚のチタンTi及び1000~10000オングストロームの膜厚の銅Cuの積層膜である。第1のバリアメタル4bはニッケルNiからなり、第1の接着メタル4aに機械的に接着された膜である。第2の接着メタル5aは、100~800オングストロームの膜厚のチタンTi及び1000~10000オングストロームの膜厚の銅Cuの積層膜である。第2のバリアメタル5bはニッケルNiからなり、第2の接着メタル5aに機械的に接着された膜である。各膜の組成及び膜厚は適宜設計変更可能である。本実施形態では、絶縁膜3の開口部3Hに露出した導電パッド2の直上に、導電パッド2側から順次、第1の接着メタル4a、第1のバリアメタル4b、第2の接着メタル5a、第2のバリアメタル5b、及び半田バンプ8が形成されているので、平面視で導電パッド2と半田バンプ8とが同一領域内に形成されており、特許文献1の図1に記載の構造のように回路領域を狭めることなく、高集積化が可能である。また、導電パッド2と半田バンプ8とが垂直方向に導電接続されているので、これらの接続抵抗が低減され、信頼性向上及び高速化を図ることができる。本実施形態の半導体装置10では、導電パッド2と半田バンプ8との間に、第1の接着メタル4a、第1のバリアメタル4b、第2の接着メタル5a、及び第2のバリアメタル5bが形成されている。本実施形態の構成では、導電パッド2と半田バンプ8との間に、接着メタル及びバリアメタルがそれぞれ2重に形成されているので、導電パッド2と半田バンプ8との導電接続部の周辺部の熱膨張係数差に起因する熱応力破壊による導電パッド2中の金の半田バンプ8中の錫-鉛共晶半田への拡散を抑制できる。本実施形態では、第1の接着メタル4a及び第1のバリアメタル4bは、絶縁膜3の開口部3H内からこの開口部3Hに隣接する絶縁膜3上に跨って形成され、第2の接着メタル5a及び第2のバリアメタル5bは、絶縁膜3の開口部3Hの形成領域内にのみ形成されている。そして、絶縁膜3の開口部3Hの形成領域内に形成された第2のバリアメタル5b上に半田バンプ8が形成されている。かかる構成では、第2の接着メタル5a及び第2のバリアメタル5bには段差が形成されていないので、これらの膜は導電パッド2と半田バンプ8との導電接続部の周辺部の熱膨張係数差に起因する熱応力破壊によって破壊されにくい。したがって、導電パッド2と半田バンプ8との導電接続部の周辺部の熱膨張係数差に起因する熱応力破壊によって、仮に、絶縁膜3、第1の接着メタル4a、及び第1のバリアメタル5aが破壊されたとしても、第2の接着メタル5a及び第2のバリアメタル5bは破壊されないので、導電パッド2中の金の半田バンプ8中の錫-鉛共晶半田への拡散を抑制できる。主な構成要素の組成と熱膨張係数の例を示しておく。導電パッド2Auの熱膨張係数:14.2×10-6α/K-1、絶縁膜3SiO2の熱膨張係数:2.5×10-6α/K-1、第1の接着メタル4aTiの熱膨張係数:8.6×10-6α/K-1、第1の接着メタル4aCuの熱膨張係数:16.5×10-6α/K-1、第2のバリアメタル5aNiの熱膨張係数13.4×10-6α/K-1。次に、図2A~図2Qを参照して、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。はじめに、図2Aに示すように、表面に導電パッド2が形成された半導体チップ1を用意する。半導体チップ1には、導電パッド2の下層に、各種配線、スルーホール、及び絶縁層等が形成されているが、図示は省略してある。導電パッド2の形成は例えば以下のように実施できる。まず、チタンTi及び白金Ptの積層膜からなる給電層をスパッタ法等により形成する。チタンTi及び白金Ptの積層膜は、各膜それぞれが例えば膜厚100~800オングストローム程度、基板全面に一様に形成されていればよい。次に、写真の縮小、パターンの繰り返し、CAD、あるいは最新の電子ビーム手法などの一連の手続きによって所定パターンのマスクなどを作り、それにより基板に像を転写するフォトリソグラフィー法により給電層をパターニングし、そのパターニングされた給電層に対して電界メッキ法にて導電パッド2を形成することができる。次に図2Bに示すように、導電パッド2が形成された半導体チップ1上の全面に、二酸化シリコンSiO2等から成る無機質の絶縁膜3を、化学気相成長法ChemicalVaporDeposition、CVD等により形成する。次に図2Cに示すように、導電パッド2の一部が露出するように絶縁膜3に開口部3Hを形成する。次に図2Dに示すように、図2Cで示した半導体チップ1上の全面に、スパッタ法等により、ニッケルNiから成る第1のバリアメタル4bとの間の給電及び機械的接着を可能とするチタンTi及び銅Cuの積層膜から成る第1の接着メタル4aを形成する。第1の接着メタル4aをなすチタンTi膜の膜厚は例えば100~800オングストローム、銅Cu膜の膜厚は例えば1000~10000オングストロームである。チタンTi及び銅Cuの膜厚は、ニッケルNi及び錫Sn-鉛Pb半田のメッキ供給のためにメッキ電流を均一に充分供給できる程度に厚くしておけばよい。次に図2Eに示すように、第1の接着メタル4a上に、フォトリソグラフィー法により、第1のバリアメタル4bの形成領域に開口部9Xを有するメッキ用レジスト9aを形成する。次に図2Fに示すように、ニッケルNiメッキ浴中で2~5ミクロンμm程度電界メッキ成長を行い、メッキ用レジスト9aの開口部9X内に、ニッケルNiから成る第1のバリアメタル4bを形成する。次に図2Gに示すように、メッキ用レジスト膜9aを剥離する。その後第1のバリアメタル4bをマスクとして銅Cu及びチタンTiの積層膜から成る第1の接着メタル4aを上層から順にエッチングし、第1のバリアメタル4bと同パターンとする。次に図2Hに示すように、図2Gで示した半導体チップ1上の全面に、第2のバリアメタル5bとの間の給電及び機械的接着を可能とするチタンTi及び銅Cuの積層膜から成る第2の接着メタル5aをスパッタ法等により形成する。第2の接着メタル5aをなすチタンTi及び銅Cuの各膜厚条件は、図2Dと同様である。次に図2Iに示すように、図2Hで示した半導体チップ1上に、フォトリソグラフィー法により、第2のバリアメタル5bの形成領域に開口部9Yを有するメッキ用レジスト9bを形成する。次に図2Jに示すように、ニッケルNiメッキ浴中で2~5ミクロンμm程度電界メッキ成長を行い、メッキ用レジスト9bの開口部9Y内に、ニッケルNiから成る第2のバリアメタル5bを形成する。次に図2Kに示すように、メッキ用レジスト膜9bを剥離する。その後、第2のバリアメタル5bをマスクとして銅Cu及びチタンTiの積層膜から成る第2の接着メタル5aを上層より順次エッチングし、第2のバリアメタル5bと同パターンとする。次に図2Lに示すように、図2Kで示した半導体チップ1上の全面に、スピンコート法等により、1~3ミクロンμm程度の膜厚保のポリイミド膜6を形成する。次に図2Mに示すように、半田バンプ8を形成するために、フォトリソグラフィー法により、第2のバリアメタル5b直上のポリイミド膜6を円形状に選択的にエッチングして、開口部6Hを形成する。次に図2Nに示すように、図2Mに示した半導体チップ1上に、フォトリソグラフィー法により、半田メッキ領域に開口部9Zを有するメッキ用レジスト膜9cを形成する。次に図2Oに示すように、錫Sn-鉛Pb共晶半田メッキ浴中で電解メッキを実施することにより、第2のバリアメタル5b層上に所定量の錫Sn-鉛Pb共晶半田からなる半田バンプ8を形成する。次に図2Pに示すように、錫Sn-鉛Pb共晶半田からなる半田バンプ8を形成した後、メッキ用レジスト9cを剥離する。最後に図2Qに示すように、メッキされた錫Sn-鉛Pb共晶半田を溶解成形ウエットバックして、球状の半田バンプ8を形成する。以上のようにして、半導体装置10が製造される。以上説明したように、本実施形態によれば、導電パッド2から半田バンプ8への金属拡散が抑制され、導電パッド2と半田バンプ8との接続抵抗が小さく、信頼性向上、高速化、及び高集積化を実現可能な半導体装置10を提供することができる。設計変更本発明は上記実施形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更が可能である。