シリコン基板の受光面の反対側である裏面に第1導電型拡散領域と第2導電型拡散領域とが形成された裏面接合型太陽電池の製造方法であって、前記シリコン基板の裏面側に酸化珪素膜からなるパッシベーション膜を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、リン酸を含有するエッチングペーストを任意の形状に印刷する工程と、前記シリコン基板を加熱処理しパターンエッチングして、前記パッシベーション膜にコンタクトホールを形成する工程とを備えた裏面接合型太陽電池の製造方法。前記コンタクトホールは、前記第1導電型拡散領域、および前記第2導電型拡散領域の上に形成する請求項1に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。前記コンタクトホールを形成する工程の後に、洗浄することにより前記エッチングペーストの残渣を除去する工程を備えた請求項1または2に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。前記エッチングペーストの残渣を除去する工程の後に、前記コンタクトホールが形成された前記パッシベーション膜に電極材料を印刷し、焼成することにより電極を形成する工程を備えた請求項3に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。上記のような裏面接合型太陽電池は、太陽電池の変換効率と、電極とシリコン基板との接合部におけるキャリアの表面再結合速度とが密接に関連している。したがって、高い変換効率を実現するためには、接合部の表面再結合速度を低減する必要がある。そして、表面再結合速度が低く、高い変換効率を有する裏面接合型太陽電池を製造でき、かつ一般に普及させるためには、簡略化され、低コストである裏面接合型太陽電池の製造方法が望まれている。そこで、本発明の目的は、簡略化した工程で変換効率が高い裏面接合型太陽電池の製造方法を提供することである。また、簡略化した工程によって形成された高い変換効率を有する太陽電池を提供することである。本発明の製造方法は、シリコン基板の受光面の反対側である裏面に第1導電型拡散領域と第2導電型拡散領域とが形成された裏面接合型太陽電池の製造方法であって、シリコン基板の裏面側に酸化珪素膜からなるパッシベーション膜を形成する工程と、パッシベーション膜に、リン酸を含有するエッチングペーストを任意の形状に印刷する工程と、シリコン基板を加熱処理しパターンエッチングして、パッシベーション膜にコンタクトホールを形成する工程とを備えた裏面接合型太陽電池の製造方法に関する。また、本発明の製造方法は、コンタクトホールは、第1導電型拡散領域、および第2導電型拡散領域の上に形成することが好ましい。また、本発明の製造方法は、コンタクトホールを形成する工程の後に、洗浄することによりエッチングペーストの残渣を除去する工程を備えることが好ましい。また、本発明の製造方法は、エッチングペーストの残渣を除去する工程の後に、コンタクトホールが形成されたパッシベーション膜に電極材料を印刷し、焼成することにより電極を形成する工程を備えることが好ましい。ここで導電型はp型とn型があり、第1導電型がp型である場合には第2導電型がn型となり、第1導電型がn型である場合には、第2導電型がp型となる。第1拡散マスク、第1マスキングペーストとは、第1不純物拡散領域をパターニング形成する際に使用される不純物の拡散を抑制させるなどの制御機能を有する膜のことをいい、同様に、第2拡散マスク、第2マスキングペーストは第2不純物拡散領域形成時に、第3拡散マスク、第3マスキングペーストは、第3不純物拡散領域形成時に使用されるものをいう。エッチングペーストとは、第1拡散マスク、第2拡散マスク、第3拡散マスクを所望のパターンに窓開けするために使用されるものをいう。p型ドーピングペーストとはp型の拡散領域を形成するために使用する不純物を含んだペーストであり、同様にn型ドーピングペーストとはn型の拡散領域を形成するために使用する不純物を含んだペーストである。本発明の製造方法において、電極形成時のコンタクトホール形成にエッチングペーストを使用する方法を導入することにより、裏面接合型太陽電池の作製工程を短縮することができる。また、本発明の太陽電池の構造は高い変換効率を提供する。<本発明の裏面接合型太陽電池の構造>本発明の太陽電池は、受光面の反対側である裏面以下、裏面というにpn接合が形成された裏面接合型太陽電池である。以下図1に基づいてその構造について説明する。図1において、第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である。厚さが100~300μm、外形が1辺100~150mmの擬似四角形であるn型のシリコン基板101において受光面は、テクスチャ構造108が形成されている。そして、テクスチャ構造108の表面は窒化珪素膜または酸化珪素膜からなる反射防止膜110でおおわれている。この反射防止膜110はパッシベーション膜としての役割も果たす。裏面側のシリコン基板101内部には第1不純物拡散領域としてのp型拡散領域102とそれを含むかたちで、好ましくはシリコン基板101内部で覆うかたちでp型拡散領域102よりも不純物濃度が低い第2不純物拡散領域としてのp型拡散領域109が形成されている。また、p型拡散領域109と一定間隔を隔てて第3不純物拡散領域としてのn型拡散領域103が形成されている。n型拡散領域103は、シリコン基板101よりも不純物濃度が高い。シリコン基板101の裏面にはパッシベーション膜111が形成されている。そして、p型電極104はコンタクトホール106を通じてp型拡散領域102と、n型電極105はコンタクトホール107を通じてn型拡散領域103と接続している。また、n型拡散領域103とp型拡散領域109が接触してしまうとリークが起こり、太陽電池の特性に悪影響を及ぼすので接触が起こらないように間隔を開けることが好ましい。しかし、間隔を開けすぎシリコン基板101の露出部分が大きくなりすぎると、これも太陽電池の特性を低下させる要因となるため、n型拡散領域103とp型拡散領域109は10~200μm、望ましくは10~100μm間隔を開ける。また、p型拡散領域102は、p型拡散領域109よりも体積が小さいことが好ましく、p型拡散領域109の中にp型拡散領域102が全て包含されることが好ましい。そして、拡散する不純物の総量をできる限り少なくし、かつ電極との接触抵抗を低減させるため、p型拡散領域102の拡散濃度を濃くすることが好ましい。本構造においては、p型電極104と接続しているp型拡散領域102での不純物濃度を高くすることにより十分な接合形成を行なうことができ、p型電極104との接触抵抗を小さくし、動作電圧を高めることができる。さらに、不純物濃度が高いp型拡散領域102をp型電極104下に限定することにより、周辺部の不純物濃度が低いp型拡散領域109で発生したキャリアの再結合を抑えることができる。その上、不純物濃度の違いから発生する電位差によって、発生したキャリアを再結合量の多いp型電極104との接合部分に近づけない効果があることから、発電効率向上がみこまれる。なお、シリコン基板101はp型のものを用いることも可能である。<実施の形態1:エッチングペーストを用いた製造方法>まず、本発明において使用するシリコン基板は、p型、n型どちらでもよいが以下、便宜上n型のシリコン基板を用いて説明する。したがって、以下の説明においては、第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である。所望の厚さにスライスされたシリコン基板のスライスダメージを除去するため、片面10~20μm程度表面をフッ酸と硝酸の混酸もしくは水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液でエッチングする。こうして、厚さが100~300μm、外形が1辺100~150mmの擬似四角形であるシリコン基板を準備する。シリコン基板は不純物濃度が1015~1016/cm3が好ましい。以下、図2にしたがって、本発明の製造方法の一形態を説明する。工程1:第1不純物拡散領域を形成する工程an型のシリコン基板201両面に第1拡散マスク221を2000~4000Å形成する。第1拡散マスク221は常圧CVD法、スチーム酸化法、SOGの塗布焼成などにより形成される酸化珪素膜など、従来から不純物拡散の際に拡散マスクとして利用されてきたものを用いることができる。b形成された第1拡散マスク221をエッチングする成分たとえばリン酸を含有するエッチングペースト224により任意の形状に印刷、加熱処理を行ないパターンエッチングする。そして図示はしないが、加熱処理を終えたシリコン基板201を、洗剤を含んだ超音波水洗、純水のみの超音波洗浄、流水洗浄の順で洗浄し、ペーストの増粘剤などの残渣を除去し、2程度のHFで洗浄し、第1拡散マスク221の窓開けを行なう。cp型ドーパント231としてBBr3を用いた気相拡散を行なうことにより、櫛型に第1不純物拡散領域としてのp型拡散領域202を形成する。このとき気相拡散のかわりに、ボロンを含んだ溶剤をスピンコートして高温でアニールする塗布拡散を行なってもよい。p型拡散領域202の不純物濃度が1018~1019/cm3となるように、気相拡散の場合には900~1000°Cで30~60分間拡散を行なうことが好ましい。そして図示はしないが、p型拡散領域202形成後、p型ドーパント231拡散により形成されたBSGボロンシリケートグラスと第1拡散マスク221をHF処理により除去する。工程2:第2不純物拡散領域を形成する工程d次に再度図2aと同様にシリコン基板201両面に酸化珪素膜等からなる第2拡散マスク222を厚さ2000~4000Å形成する。形成された第2拡散マスク222をエッチングする成分を含有するエッチングペースト224により任意の形状に印刷、加熱処理を行ないパターンエッチングする。そして図示はしないが、加熱処理を終えたシリコン基板201を、洗剤を含んだ超音波水洗、純水のみの超音波洗浄、流水洗浄の順で洗浄し、ペーストの増粘剤などの残渣を除去し、2程度のHFで洗浄し、第2拡散マスク222の窓開けを行なう。このときの窓のパターンは、図2bよりも面積の広い櫛形形状であり、かつ、図2cに示す窓を含むかたちで行なう。e図2cと同様の方法でp型ドーパント231による第2不純物拡散領域としてのp型拡散領域209を櫛型に形成する。p型拡散領域209の不純物濃度が1017~1018/cm3となるように、気相拡散の場合には、800~1000°Cで30~60分間拡散を行なうことが好ましい。そして図示はしないが、p型拡散領域209形成後、p型ドーパント231拡散により形成されたBSGボロンシリケートグラスと第2拡散マスク222をHF処理により除去する。工程3:第3不純物拡散領域を形成する工程fそして、再度図2aと同様にシリコン基板201両面に酸化珪素膜等からなる第3拡散マスク223を2000~4000Å形成する。そして、図2bと同様の方法で所望のパターンで第3拡散マスク223に窓開けを行なう。n型ドーパント232としてPOCl3を用いた気相拡散を行なうことにより、櫛型に第3不純物拡散領域としてのn型拡散領域203を形成する。このとき気相拡散のかわりに、リンを含んだ溶剤をスピンコートして高温でアニールする塗布拡散を行なってもよい。n型拡散領域203の不純物濃度が1017~1019/cm3となるように、気相拡散の場合には、800~900°Cで30~60分間拡散を行なうことが好ましい。そして、図示はしないが、n型ドーパント232拡散によって形成されたPSGリンシリケートグラスと第3拡散マスク223をHF処理により除去する。なお、n型ドーパント232拡散時、受光面側の第3拡散マスク223を形成せずにFSFフロントサーフェスフィールドを形成してもよい。このようにして裏面に拡散された領域を形成するが、n型拡散領域203とp型拡散領域209が接触してしまうとリークが起こり、太陽電池の特性に悪影響を及ぼすので接触が起こらないように間隔を開けることが好ましい。しかし、間隔を開けすぎシリコン基板201の露出部分が大きくなりすぎると、これも太陽電池の特性を低下させる要因となるため、n型拡散領域203とp型拡散領域209は10~200μm、望ましくは10~100μm間隔を開ける。また、p型拡散領域202は、p型拡散領域209よりも体積が小さいことが好ましく、p型拡散領域209の中にp型拡散領域202が全て包含されることが好ましい。つまり、p型拡散領域209はその領域の幅がp型拡散領域202よりも大きいことが好ましく、p型拡散領域202は、全てp型拡散領域209に内包されていることが好ましい。工程4:裏面接合型太陽電池の製造仕上げ工程g次に受光面側をテクスチャ構造208とするため数の水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム溶液に数のイソプロピルアルコールを含有したアルカリ溶液を70~80°Cに加熱した溶液でテクスチャエッチングを行なう。このとき図示はしないが、シリコン基板201の裏面にテクスチャエッチングマスクとして酸化珪素膜もしくは窒化珪素膜を形成しておくことによって、シリコン基板201裏面をフラットにすることができる。ここで使用する酸化珪素膜はスチーム酸化、常圧CVD、SOGの塗布焼成により形成される酸化珪素膜のいずれかであり、膜厚は300~800nmである。窒化珪素膜はプラズマCVD、常圧CVDで形成される窒化珪素膜のいずれかであり、膜厚は60~100nmである。テクスチャエッチングを行なった後、テクスチャエッチングマスクはHFなどによって除去する。そして、シリコン基板201の受光面側に窒化珪素膜などからなる反射防止膜210、裏面側に酸化珪素膜などからなるパッシベーション膜211を形成する。反射防止膜210は、パッシベーションの役割も果たす。なお、反射防止膜210、パッシベーション膜211はこれらの機能を満たしていればよく、膜の組合せは上記の限りではない。h裏面のパッシベーション膜211形成後、図2bで説明したエッチングペーストを用いたパターニングエッチングと同じ方法で、p型拡散領域202、n型拡散領域203上に幅100μm程度のコンタクトホール206、207を形成する。iそして、銀などの電極材料を印刷し、ファイアスルーが起きない500~600°Cで焼成することによりp型電極204、n型電極205を形成する。ファイアスルーが起きない温度でp型電極204、n型電極205を形成することによってシリコン基板201のライフタイムを高く維持することができる。また、ファイアスルーしないことから、コンタクトホール206、207以外の部分にパッシベーション膜211が残るため、高いパッシベーション性を維持することができるため、高い太陽電池の特性を得るためにはコンタクトホール206、207を形成することが有利となる。なお、シリコン基板はp型を用いて行なっても良い。<実施の形態2:マスキングペーストを用いた製造方法>本実施の形態においても、実施の形態1で説明したn型のシリコン基板と同様のものを用いる。したがって、以下の説明においては、第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である。以下、第1マスキングペースト、第2マスキングペースト、第3マスキングペーストとは、拡散マスクと同様の材料、たとえば酸化珪素などを含むペースト状の物質のことをいう特許文献3参照。以下、図3に基づいて説明する。工程1:第1不純物拡散領域を形成する工程a第1マスキングペースト325をシリコン基板301の受光面側の全面にスクリーン印刷し、オーブンを用いて数十分間300°C程度で乾燥させる。次にシリコン基板301の裏面側には所望の形状に開口部を設けたパターンに第1マスキングペースト325をスクリーン印刷し、再度オーブンにより乾燥させる。次にこのシリコン基板301を酸素雰囲気下において800°C~1050°Cで10~60分間焼成し、第1マスキングペースト325の材料である酸化珪素などを焼結させる。b次に、900~1000°Cで30~60分間、p型ドーパント331をシリコン基板301内に拡散させることにより、第1マスキングペースト325の開口部に相当する部分のみ第1不純物拡散領域としてのp型拡散領域302が形成される。このときp型拡散領域302の不純物濃度が1018~1019/cm3とすることが好ましい。p型ドーパント331の拡散方法としては前述した気相拡散やボロンを含む溶液をスピンコートして高温でアニールする塗布拡散などが挙げられる。その後図示はしないが、濃度10程度のフッ酸処理で第1マスキングペースト325を除去する。工程2:第2不純物拡散領域を形成する工程c再度図3aと同様の方法で第2マスキングペースト326を形成する。なお、このときの第2マスキングペーストの開口部のパターンは、図3aよりも面積の広い櫛形形状であり、かつ、図3aの開口部を含むかたちで行なう。次に、800~1000°Cで30~60分間、図3bと同様にp型ドーパント331を拡散させることにより、第2マスキングペースト326の開口部に相当する部分のみ第2不純物拡散領域としてのp型拡散領域309が形成される。このときp型拡散領域309の不純物濃度が1017~1018/cm3とすることが好ましい。その後図示はしないが、濃度10程度のフッ酸処理で第2マスキングペースト326を除去する。工程3:第3不純物拡散領域を形成する工程d再度図3aと同様の方法で第3マスキングペースト327を形成する。その後800~1000°C、30~60分間、n型ドーパント332を拡散することにより、第3不純物拡散領域としてのn型拡散領域303を形成する。このときn型拡散領域303の不純物濃度が1017~1019/cm3とすることが好ましい。拡散方法としては気相拡散やリンを含む溶液をスピンコートして高温でアニールする塗布拡散などが挙げられる。その後図示はしないが、濃度10程度のフッ酸処理で第3マスキングペースト327を除去する。なお、前述のとおり図示はしないが、FSFを形成してもよい。このようにして裏面に拡散領域を形成するが、n型拡散領域303とp型拡散領域309が接触してしまうとリークが起こり、太陽電池の特性に悪影響を及ぼすので接触が起こらないように間隔を開けることが好ましい。しかし、間隔を開けすぎシリコン基板301の露出部分が大きくなりすぎると、これも太陽電池の特性を低下させる要因となるため、n型拡散領域303とp型拡散領域309は10~200μm、望ましくは10~100μm間隔を開ける。また、p型拡散領域302は、p型拡散領域309よりも体積が小さいことが好ましく、p型拡散領域309の中にp型拡散領域302が全て包含されることが好ましい。つまり、p型拡散領域309はその領域の幅、深さともにp型拡散領域302よりも大きいことが好ましく、p型拡散領域302は、全てp型拡散領域309に内包されていることが好ましい。したがって、n型ドーピング332とp型ドーピング331するための温度、時間を調製する。工程4:裏面接合型太陽電池の製造仕上げ工程e次に受光面側をテクスチャ構造308とするため数の水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム溶液に数のイソプロピルアルコールを含有したアルカリ溶液を70~80°Cに加熱した溶液でテクスチャエッチングを行なう。このとき図示はしないが、シリコン基板301の裏面にテクスチャエッチングマスクとして酸化珪素膜もしくは窒化珪素膜を形成しておくことによって、シリコン基板301裏面をフラットにすることができる。ここで使用する酸化珪素膜はスチーム酸化、常圧CVD、SOGの塗布焼成により形成される酸化珪素膜のいずれかであり、膜厚は300~800nmである。窒化珪素膜はプラズマCVD、常圧CVDで形成される窒化珪素膜のいずれかであり、膜厚は60~100nmである。テクスチャエッチングを行なった後、テクスチャエッチングマスクはHFなどによって除去する。そして、シリコン基板301の受光面側に窒化珪素膜などからなる反射防止膜310、裏面側に酸化珪素膜などからなるパッシベーション膜311を形成する。反射防止膜310は、パッシベーションの役割も果たす。なお、反射防止膜310、パッシベーション膜311はこれらの機能を満たしていればよく、膜の組合せは上記の限りではない。f裏面のパッシベーション膜311形成後、p型拡散領域302、n型拡散領域303上に幅100μm程度のコンタクトホール306、307を形成する。gそして、銀などの電極材料を印刷し、ファイアスルーが起きない500~600°Cで焼成することによりp型電極304、n型電極305を形成する。ファイアスルーが起きない温度でp型電極304、n型電極305を形成することによってシリコン基板301のライフタイムを高く維持することができる。また、ファイアスルーしないことから、コンタクトホール306、307以外の部分にパッシベーション膜311が残るため、高いパッシベーション性を維持することができるため、高い太陽電池の特性を得るためにはコンタクトホール306、307を形成することが有利となる。<実施の形態3:ドーピングペーストを用いた製造方法>実施の形態1で用いたシリコン基板と同様のものを用いる。したがって、以下の説明においては、第1導電型はn型であり、第2導電型はp型である。以下、図4に基づいて説明する。工程1:第1不純物拡散領域を形成する工程aスライスダメージを除去したシリコン基板401上にp型不純物を含んだp型ドーピングペースト428を任意のパターンにスクリーン印刷し、加熱する。このとき、800~1000°Cで30~60分間加熱することが好ましい。加熱によって、p型ドーパント431がシリコン基板401内に拡散される。b図4aでの拡散によって、第1不純物拡散領域としてのp型拡散領域402が形成される。このときp型拡散領域402の不純物濃度が1018~1019/cm3とすることが好ましい。拡散が終了した後は、フッ酸処理にてシリコン基板401表面の洗浄を行なう。工程2:第2不純物拡散領域を形成する工程c先と同様にp型不純物を含んだp型ドーピングペースト428を任意のパターンにスクリーン印刷し、800~1000°Cで30~60分間加熱することで、p型ドーパント431がシリコン基板401内に拡散される。このときp型ドーピングペースト428のスクリーン印刷は、図4aよりも面積の広い櫛形形状であり、かつ、含むかたちで行なう。d図4cでの拡散によって、第2不純物拡散領域としてのp型拡散領域409が形成される。このときp型拡散領域409の不純物濃度が1017~1018/cm3とすることが好ましい。工程3:第3不純物拡散領域を形成する工程e続いて、n型不純物を含んだn型ドーピングペースト429を任意のパターンにスクリーン印刷し、800~1000°Cで30~60分間加熱する。f図4eでの拡散によって、第3不純物拡散領域としてのn型拡散領域403が形成される。このときn型拡散領域403の不純物濃度が1017~1019/cm3とすることが好ましい。このようにして裏面に拡散領域を形成するが、n型拡散領域403とp型拡散領域409が接触してしまうとリークが起こり、太陽電池の特性に悪影響を及ぼすので接触が起こらないように間隔を開けることが好ましい。しかし、間隔を開けすぎシリコン基板401の露出部分が大きくなりすぎると、これも太陽電池の特性を低下させる要因となるため、n型拡散領域403とp型拡散領域409は10~200μm、望ましくは10~100μm間隔を開ける。また、p型拡散領域402は、p型拡散領域409よりも体積が小さいことが好ましく、p型拡散領域409の中にp型拡散領域402が全て包含されることが好ましい。つまり、p型拡散領域409はその領域の幅、深さともにp型拡散領域402よりも大きいことが好ましく、p型拡散領域402は、全てp型拡散領域409に内包されていることが好ましい。そこで、n型ドーピングペースト429とp型ドーピングペースト428中の不純物濃度を調製し、またスクリーン印刷する厚さを検討する。工程4:裏面接合型太陽電池の製造仕上げ工程g次に受光面側をテクスチャ構造408とするため数の水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム溶液に数のイソプロピルアルコールを含有したアルカリ溶液を70~80°Cに加熱した溶液でテクスチャエッチングを行なう。このとき図示はしないが、シリコン基板401の裏面にテクスチャエッチングマスクとして酸化珪素膜もしくは窒化珪素膜を形成しておくことによって、シリコン基板401裏面をフラットにすることができる。ここで使用する酸化珪素膜はスチーム酸化、常圧CVD、SOGの塗布焼成により形成される酸化珪素膜のいずれかであり、膜厚は300~800nmである。窒化珪素膜はプラズマCVD、常圧CVDで形成される窒化珪素膜のいずれかであり、膜厚は60~100nmである。テクスチャエッチングを行なった後、テクスチャエッチングマスクはHFなどによって除去する。そして、シリコン基板401の受光面側に窒化珪素膜などからなる反射防止膜410、裏面側に酸化珪素膜などからなるパッシベーション膜411を形成する。反射防止膜410は、パッシベーションの役割も果たす。なお、反射防止膜410、パッシベーション膜411はこれらの機能を満たしていればよく、膜の組合せは上記の限りではない。h裏面パッシベーション膜411形成後、p型拡散領域402、n型拡散領域403上に幅100μm程度のコンタクトホール406、407を形成する。iそして、銀などの電極材料を印刷し、ファイアスルーが起きない500~600°Cで焼成することによりp型電極404、n型電極405を形成する。ファイアスルーが起きない温度でp型電極404、n型電極405を形成することによってシリコン基板401のライフタイムを高く維持することができる。また、ファイアスルーしないことから、コンタクトホール406、407以外の部分にパッシベーション膜411が残るため、高いパッシベーション性を維持することができるため、高い太陽電池の特性を得るためにはコンタクトホール406、407を形成することが有利となる。<実施例1>本実施例では高いライフタイムが得やすいn型のシリコン基板を用い、形状は厚さ200μm、100mm角のものを用いた。まず、スライスダメージを除去するため、片面20μm表面を水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液でエッチングした。以下、図2に基づいて、本実施例を説明する。工程1:p型拡散拡散領域を形成する工程an型のシリコン基板201両面に第1拡散マスク221を4000Å形成した。第1拡散マスク221は常圧CVD法により形成される酸化珪素膜を用いた。b形成された第1拡散マスク221をエッチングする成分を含有するエッチングペースト224により任意の形状に印刷、加熱処理を行ないパターンエッチングした。そして図示されていないが、加熱処理を終えたシリコン基板201を、洗剤を含んだ超音波水洗を10分間、純水のみの超音波洗浄を20分間、流水洗浄を5分間の順で洗浄し、ペーストの増粘剤などの残渣を除去し、2程度のHFで洗浄し、第1拡散マスク221の窓開けを行なった。cp型ドーパント231としてBBr3を用いた気相拡散を行なうことにより、櫛型にp型拡散領域202を形成した。このとき、p型拡散領域202の幅は0.2mmとした。拡散は、1000°Cで、60分間行なった。そして図示されていないが、p型拡散領域202形成後、p型ドーパント231拡散により形成されたBSGボロンシリケートグラスと第1拡散マスク221をHF処理により除去した。工程2:p型拡散領域を形成する工程dそして、図2aと同様にシリコン基板201両面に酸化珪素膜等からなる第2拡散マスク222を4000Å形成した。形成された第2拡散マスク222をエッチングする成分を含有するエッチングペースト224により任意の形状に印刷、加熱処理を行ないパターンエッチングした。そして図示されていないが、加熱処理を終えたシリコン基板201を、洗剤を含んだ超音波水洗、純水のみの超音波洗浄、流水洗浄の順で洗浄し、ペーストの増粘剤などの残渣を除去し、2程度のHFで洗浄し、第2拡散マスク222の窓開けを行なった。このときの窓のパターンは、図2bよりも面積の広い櫛形形状であり、かつ、シリコン基板201表面のp型拡散領域202を含むかたちで行なった。e図2cと同様の方法でp型ドーパント231によるp型拡散領域209を櫛型に形成した。このとき、p型拡散領域209の幅は1mmとした。拡散は、900°Cで30分間行なった。そして図示されていないが、p型拡散領域209形成後、p型ドーパント231拡散により形成されたBSGボロンシリケートグラスと第2拡散マスク222をHF処理により除去した。工程3:n型拡散領域を形成する工程fそして、図2aと同様にシリコン基板201両面に酸化珪素膜等からなる第3拡散マスク223を4000Å形成した。そして、図2bと同様の方法で所望のパターンで第3拡散マスク223に窓開けを行なった。n型ドーパント232としてPOCl3を用いた気相拡散を行なうことにより、櫛型のn型拡散領域203を形成した。そして、図示されていないが、n型ドーパント232拡散後に、形成されたPSGリンシリケートグラスと第3拡散マスク223をHF処理により除去した。n型拡散領域203とp型拡散領域209の間には100μm間隔を開けた。工程4:裏面接合型太陽電池の製造仕上げ工程g次に受光面側をテクスチャ構造208とするため水酸化カリウム溶液にイソプロピルアルコールを含有したアルカリ溶液を75°Cに加熱した溶液でテクスチャエッチングを行なった。このとき図示されてないが、常圧CVD法によってシリコン基板201の裏面にテクスチャエッチングマスクとして膜厚8000Åの酸化珪素膜を形成した。テクスチャエッチングを行なった後、テクスチャエッチングマスクはHFによって除去した。そして、シリコン基板201を900°C、30分間ドライ酸化を行ない、受光面、裏面の両面に酸化珪素膜を形成し、さらに裏面側のみ常圧CVD法によって酸化珪素膜を積層した。次いで、HFによって受光面側のみ酸化珪素膜を除去し、受光面側にはプラズマCVD法によって窒化珪素膜を形成した。裏面の酸化珪素膜は、パッシベーション膜211、受光面の窒化珪素膜は、反射防止膜210とした。h裏面パッシベーション膜211形成後、図2bで説明したエッチングペーストを用いたパターニングエッチングと同じ方法で、p型拡散領域202、n型拡散領域203上に幅100μm程度のコンタクトホール206、207を形成した。iそして、銀などの電極材料を印刷し、550°Cで焼成することによりp型電極204、n型電極205を形成した。フォトリソグラフィを利用した方法よりも簡易に裏面接合型太陽電池の製造を行なうことができた。<実施例2>本実施例においては、実施例1で用いたシリコン基板と同様のものを用いた。以下、図3に基づいて説明する。工程1:p型拡散領域を形成する工程a第1マスキングペースト325をシリコン基板301の受光面側の全面にスクリーン印刷し、オーブンを用いて数十分間300°C程度で乾燥させた。次にシリコン基板301の裏面側には所望の形状に開口部を設けたパターンに第1マスキングペースト325をスクリーン印刷し、再度オーブンにより乾燥させた。次にこのシリコン基板301を酸素雰囲気下において900°Cで30分間焼成し、第1マスキングペースト325の材料である酸化珪素を焼結させた。b次に、1000°Cで60分間、p型ドーパント331をシリコン基板301内に拡散し、第1マスキングペースト325の開口部に相当する部分のみp型拡散領域302を形成した。このときp型拡散領域302の幅は0.2mmとした。p型ドーパント331の拡散方法としてはBBr3を用いた気相拡散を用いた。その後図示はしないが、濃度10程度のフッ酸処理で第1マスキングペースト325を除去した。工程2:p型拡散領域を形成する工程c再度図3aと同様の方法で第2マスキングペーストを形成した。なお、このときの第2マスキングペーストの開口部のパターンは、図3aよりも面積の広い櫛形形状であり、かつ、シリコン基板301表面のp型拡散領域302を含むかたちで行なった。次に、900°Cで30分間、図3bと同様にp型ドーパント331を拡散させ、第2マスキングペースト326の開口部に相当する部分のみp型拡散領域309を形成した。このとき、幅1mmとした。その後図示はしないが、濃度10程度のフッ酸処理で第2マスキングペースト326を除去した。工程3:n型拡散領域を形成する工程d再度図3aと同様の方法で第3マスキングペースト327を形成した。その後900°C、60分間、n型ドーパント332を拡散することにより、n型拡散領域303を形成する。拡散方法としてはPOCl3を用いた気相拡散を用いた。その後図示はしないが、濃度10程度のフッ酸処理で第3マスキングペースト327を除去した。工程4:裏面接合型太陽電池の製造仕上げ工程以後の操作は、実施例1の図2g以下の説明と同様に行なった。フォトリソグラフィを利用した方法よりも簡易に裏面接合型太陽電池の製造を行なうことができた。<実施例3>本実施例においては、実施例1で用いたシリコン基板と同様のものを用いる。以下、図4に基づいて説明する。工程1:p型拡散領域を形成する工程aスライスダメージを除去したシリコン基板401上にp型不純物を含んだp型ドーピングペースト428を任意のパターンにスクリーン印刷し、1000°Cで60分間加熱した。加熱によって、p型ドーパント431がシリコン基板401内に拡散された。b図4aでの拡散によって、p型拡散領域402が形成された。p型拡散領域402の幅は0.2mmとした。拡散が終了した後は、フッ酸処理にてシリコン基板401表面の洗浄を行なった。工程2:p型拡散領域を形成する工程c先と同様にp型不純物を含んだp型ドーピングペースト428を任意のパターンにスクリーン印刷し、900°C、30分間加熱することで、p型ドーパント431がシリコン基板401内に拡散された。このときp型ドーピングペースト428のスクリーン印刷は、図4aよりも面積の広い櫛形形状であり、かつ、含むかたちで行なった。d図4cでの拡散によって、p型拡散領域409が形成された。p型拡散領域409の幅は1mmとした。工程3:n型拡散領域を形成する工程e続いて、n型不純物を含んだn型ドーピングペースト429を任意のパターンにスクリーン印刷し、900°C、60分間加熱した。f図4eでの拡散によって、n型拡散領域403が形成された。工程4:裏面接合型太陽電池の製造仕上げ工程以後の操作は、実施例1の図2g以下の説明と同様に行なった。フォトリソグラフィを利用した方法よりも簡易に裏面接合型太陽電池の製造を行なうことができた。