"第1電極、第2電極、および前記第1電極と前記第2電極との間に配置された有機層を含む有機電子デバイスであって、前記有機層が、式の有機金属錯体と式の化合物[式中、R1およびR2は互いに独立に、F、C1~C8アルキル、またはC6~C14アリールこれらは、場合により1つ以上のC1~C8アルキル基で置換されていてよいであるか、または2つの置換基R1および/またはR2が組み合わさって縮合ベンゼン環基これは、場合により1つ以上のC1~C8アルキル基で置換されていてよいを形成し、aおよびbは互いに独立に0または整数1~3であり、R81は、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、1,10-フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、またはピリミジニルこれらはそれぞれ、場合により1つ以上のC1~C18アルキル、C6~C14アリール、またはC2~C20ヘテロアリール基で置換されていてよいであり、R82は、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、1,10-フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、またはピリミジニルこれらはそれぞれ、場合により1つ以上のC1~C18アルキル、C6~C14アリール、またはC2~C20ヘテロアリール基で置換されていてよいであり、R91は、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、1,10-フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、ピリミジニル、またはジベンゾフラニルこれらはそれぞれ、場合により1つ以上のC1~C18アルキル、C6~C14アリール、またはC2~C20ヘテロアリール基で置換されていてよいであり、R92は、H、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、1,10-フェナントロリニル、トリアジニル、ジベンゾチオフェニル、またはピリミジニルこれらはそれぞれ、場合により1つ以上のC1~C18アルキル、C6~C14アリール、またはC2~C20ヘテロアリール基で置換されていてよいであり、Aは、単結合、アリーレン、またはヘテロアリーレン基これらはそれぞれ、場合により1つ以上のC1~C18アルキル基で置換されていてよいであるか;あるいは-SiR83R84-ここで、R83およびR84は互いに独立に、C1~C18アルキル、またはC6~C14アリール基であり、これらは、場合により1つ以上のC1~C18アルキル基で置換されていてよいであり;Mは、アルカリ金属原子、またはアルカリ土類金属原子であり、nは、Mがアルカリ金属原子である場合は1であり、nは、Mがアルカリ土類金属原子である場合は2である]とを含む、有機電子デバイス。式IIの前記化合物が、式の化合物であり、かつ式IIIの前記化合物が、式の化合物であって、上式において、A、R81、R82、R91およびR92は請求項1に定義されたとおりである、請求項1に記載の有機電子デバイス。R81が、であり、R87が、H、またはC1~C8アルキルであり;R82が、R81の意味を有し、R91が、R81の意味を有するか、あるいはであり、R92が、R81の意味を有するか、またはHである、請求項2に記載の有機電子デバイス。Aが、単結合、-SiR83R84-基、式の基[式中、R85およびR86は互いに独立に、H、またはC1~C18アルキル基であり、R83およびR84は互いに独立にC1~C8アルキル基である]である、請求項1から3までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。式IIまたはIIIの前記化合物が、式の化合物である、請求項1から4までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。式Iの前記化合物が、式の化合物である、請求項1から5までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔および励起子のブロッキング層、電子輸送層、電子注入層および陰極を含む有機発光デバイスであって、式IおよびIIまたはIIIの前記化合物を含む前記有機層が前記電子輸送層を構成する、請求項1から6までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。前記電子輸送層が、式の化合物と式の化合物との混合物を含む、請求項7に記載の有機電子デバイス。前記電子注入層が、フッ化カリウムまたはLiqを含む、あるいはフッ化カリウムまたはLiqからなる、請求項7または8に記載の有機電子デバイス。前記発光層が、式[式中、記号は以下の意味を有する:M1は、Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、AgおよびAuそれぞれの金属原子について可能な任意の酸化状態にあるからなる群から選択される金属原子であり;カルベンは、非荷電またはモノアニオン性であってよくかつ単座、二座または三座であってよいカルベン配位子であり、前記カルベン配位子はまた、ビスカルベンまたはトリスカルベンの配位子であることもでき;Lは、単座であっても二座であってもよい、モノアニオン性またはジアニオン性の配位子であり;Kは、ホスフィン類;ホスホネート類およびその誘導体、アルセナート類およびその誘導体;ホスファイト類;CO;ピリジン類;ニトリル類および共役ジエンM1とのπ錯体を形成するからなる群から選択される非荷電の単座または二座の配位子であり;n1は、カルベン配位子の数であって、n1は少なくとも1であり、n1>1の場合、前記式Iの錯体における前記カルベン配位子は、同一であっても異なっていてもよく;mは、配位子Lの数であって、mは0または≧1であってよく、m>1である場合、配位子Lは同一であっても異なっていてもよく;oは、配位子Kの数であって、oは0または≧1であってよく、o>1である場合、配位子Kは同一であっても異なっていてもよく;ここで、n1moの合計は、金属原子の酸化状態および配位数に、並びに配位子であるカルベン、LおよびKのデンティシティーに、さらにまた配位子であるカルベンおよびLの電荷に依存するが、但し、n1が少なくとも1であることを条件とする]の化合物を含む、請求項7から9までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。前記式IXの化合物が、式の化合物である、請求項10に記載の有機電子デバイス。前記正孔輸送層が、酸化モリブデンMoOX、特にMoO3、または酸化レニウムReOX、特にReO3でドープされた式の化合物を含む、請求項7から11までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。請求項1に記載の式Iの有機金属錯体および請求項1に記載の式IIまたはIIIの化合物を含む、有機層、特に電子輸送層。有機電子デバイスにおける請求項13に記載の有機層の使用。請求項1から12までのいずれか1項に記載の有機電子デバイスまたは請求項13に記載の有機層、特に電子輸送層を含む装置。"