"A式1[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子、又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基を表す。Raaは、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0~20の整数を表し、bは、1~5の整数を表す。Raaが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物、及びB溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。式1で表される繰り返し単位が高分子化合物に該高分子化合物に含まれる全繰り返し単位量に対して30モル以上の量で含まれている請求項1記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。前記フッ素原子を有する有機化合物が、炭素、水素及びフッ素からなる有機化合物である請求項1又は2に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。前記フッ素原子を有する有機化合物が、フッ素原子を有する芳香族化合物である請求項1~3のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。請求項1~4のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を、基材の表面に塗布して塗布層を形成する工程;及び該塗布層から溶媒を乾燥させる工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、有機半導体層及び請求項1~4のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を用いて形成した絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。前記絶縁層がオーバーコート層又はゲート絶縁層である請求項6に記載の有機薄膜トランジスタ。請求項6又は7に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材。請求項6又は7に記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ。しかしながら、上記組成物を用いて形成した絶縁層により、有機半導体材料を外気との接触から保護した有機薄膜トランジスタは、閾値電圧Vthの絶対値が大きいという問題があった。本発明の目的は、閾値電圧の絶対値が小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供することである。即ち、本発明は、A式1[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子、又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基を表す。Raaは、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0~20の整数を表し、bは、1~5の整数を表す。Raaが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物、及びB溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供する。ある一形態においては、式1で表される繰り返し単位が高分子化合物に該高分子化合物に含まれる全繰り返し単位量に対して30モル以上の量で含まれている。ある一形態においては、前記フッ素原子を有する有機化合物が、炭素、水素及びフッ素からなる有機化合物である。ある一形態においては、前記フッ素原子を有する有機化合物が、フッ素原子を有する芳香族化合物である。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を、基材の表面に塗布して塗布層を形成する工程;及び該塗布層から溶媒を乾燥させる工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。また、本発明は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、有機半導体層及び前記有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を用いて形成した絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。ある一形態においては、前記絶縁層がオーバーコート層又はゲート絶縁層である。また、本発明は、前記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を提供する。また、本発明は、前記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイを提供する。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を用いて形成した絶縁層により有機半導体化合物を外気との接触から保護した有機薄膜トランジスタは、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さくなるため、本発明は極めて有用である。次に、本発明をさらに詳細に説明する。なお、本明細書において、高分子化合物とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる2量体もこれに含まれる。一方、低分子化合物とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、フッ素原子を有する高分子化合物Aと、溶媒としてのフッ素原子を有する有機化合物Bとを含有する。高分子化合物A高分子化合物Aは、式1で表されるフッ素原子を含む繰り返し単位を有する。式1中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態ではR1が水素原子である。Raaは、炭素数1~20の二価の有機基を表す。該二価の有機基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。aは、0~20の整数を表す。ある一形態ではaは0である。Rは、ある一形態においては、水素原子、又はフッ素原子を有さない炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rとしての炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。Rとしての炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基などが挙げられる。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子などで置換されていてもよい。Rとしての炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基などが挙げられる。Rとしての炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基を表す。ある一形態では、Rfはフッ素原子、2,2,2-トリフルオロエチル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基又は2-パーフルオロブチルエチル基である。bは、1~5の整数を表す。ある一形態ではbは5である。Rfとしての炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基などが挙げられる。Rfとしての炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子などで置換されていてもよい。Rfとしての炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、トリフルオロブチル基、ペンタフルオロブチル基、ヘプタフルオロブチル基などが挙げられる。Rfとしての炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。炭素数1~20の二価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。例えば、炭素数1~20の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数1~6の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。二価の脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピルレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などが挙げられる。炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基、エチルアンスリレン基などが挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物Aは、さらに、熱架橋性を有する第1の官能基を含有する繰り返し単位及び感光性を有する基を含有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有することが好ましい。前記熱架橋性を有する第1の官能基は、加熱により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である。ここで、活性水素とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。活性水素と反応する第2の官能基は、ゲート絶縁層の形成工程において熱が加えられるまで保護ブロックされていることが好ましい。つまり、上記第1の官能基は熱により脱保護されて、活性水素と反応する第2の官能基を生成するものであることが好ましい。樹脂組成物の貯蔵安定性が向上するからである。前記熱架橋性を有する第1の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロックされたイソチオシアナト基は、ブロック化剤1分子中にイソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応しうる活性水素を1個のみ有するブロック化剤と、イソシアナト基又はイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後でも、170°C以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ-ル系化合物、フェノ-ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物、ピラゾール系化合物が挙げられる。これらのブロック化剤は、単独使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物、ピラゾール系化合物が挙げられる。以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ-ル系化合物としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、2-エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール等が挙げられる。フェノール系化合物としては、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、ヒドロキシ安息香酸エステル等が挙げられる。活性メチレン系化合物としては、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン等が挙げられる。メルカプタン系化合物としては、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタン等が挙げられる。酸アミド系化合物としては、アセトアニリド、酢酸アミド、ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、γ-ブチロラクタム等、酸イミド系化合物としては、コハク酸イミド、マレイン酸イミド等が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、イミダゾール、2-メチルイミダゾール等が挙げられる。尿素系化合物としては、尿素、チオ尿素、エチレン尿素等が挙げられる。アミン系化合物としては、ジフェニルアミン、アニリン、カルバゾール等が挙げられる。イミン系化合物としては、エチレンイミン、ポリエチレンイミン等が挙げられる。重亜硫酸塩としては、重亜硫酸ソーダ等が挙げられる。ピリジン系化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、2-ヒドロキシキノリン等が挙げられる。オキシム系化合物としては、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等が挙げられる。ピラゾール系化合物としては、3,5-ジメチルピラゾール、3,5-ジエチルピラゾール等が挙げられる。本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はイソチアシアナト基としては、下記式3又は式4で表される基が好ましい。式3及び式4中、Xは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R7~R11は、同一又は相異なり、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。一価の有機基の定義、具体例等は、前述のR1における一価の有機基と定義、具体例等と同様である。ある一形態では、R7及びR8は、同一又は相異なり。メチル基及びエチル基からなる群から選択される基である。また、他の形態では、R9~R11は、水素原子である。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルカルボニルアミノ基が挙げられる。ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルチオカルボニルアミノ基が挙げられる。本発明に用いられる、第1の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。次に、本発明に用いられる高分子化合物Aが、熱架橋性を有する第1の官能基を含有する繰り返し単位を含む場合の高分子化合物Aの製造方法について説明する。高分子化合物Aは、例えば、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、第1の官能基を含有する重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、2-トリフルオロメチルスチレン、3-トリフルオロメチルスチレン、4-トリフルオロメチルスチレン、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン、4-フルオロメチルスチレン等が挙げられる。熱架橋性を有する第1の官能基を含有する重合性モノマーとしては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーは、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物としては、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物としては、2-アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソチオシアネート等が挙げられる。前記ブロック化剤としては、前記のブロック化剤を好適に用いることができる。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーの製造においては、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート等が挙げられる。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノエチル-メタクリレート、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノエチル-メタクリレート等が挙げられる。前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、4-イソプロピル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチルo-ベンゾイルベンゾエート、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-o-エトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-o-ベンゾイルオキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となるものであればよく、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスイソバレロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、4,4’-アゾビス4-シアノバレリックアシッド、1、1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロパン、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオンアミジン2塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、2,4-ジクロロベンゾイルパーオキシド、o-メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、p-クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、2,4,4-トリメチルペンチル-2-ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、tert-ブチルパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、tert-ブチルクミルパーオキシド、ジ-tert-ブチルパーオキシド、トリスtert-ブチルパーオキシトリアジン等のジアルキルパーオキシド類、1,1-ジ-tert-ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2-ジtert-ブチルパーオキシブタン等のパーオキシケタール類、tert-ブチルパーオキシピバレート、tert-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシイソブチレート、ジ-tert-ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ-tert-ブチルパーオキシアゼレート、tert-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシアセテート、tert-ブチルパーオキシベンゾエート、ジ-tert-ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシジカーボネート、tert-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーカーボネート類が挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物Aは、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第1の官能基を含有する重合性モノマー以外の他の重合しうるモノマーを重合時に添加製造してもよい。該他の重合しうるモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体、マレイミド及びその誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体等、有機ゲルマニウム誘導体、アクリルアミド及びその誘導体等が挙げられる。該他の重合しうるモノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように分子密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、柔軟性を付与するモノマーが選択される。好ましい一形態では、メチル基、エチル基等のアルキル基のような活性水素含有基を有しないモノマーが選択される。例えば、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと活性水素含有基を有しないスチレン又はスチレン誘導体を組み合わせて用いることにより、特に耐久性が高く、ヒステリシスが小さいゲート絶縁層が得られる。アクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能のアクリレートや、使用量に制約は出てくるが多官能のアクリレートをも使用することができ、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸-n-プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸-n-ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸-sec-ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸-2-エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-2-ヒドロキシブチル、アクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、N-アクリロイルモルフォリン、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、1H、1H、3H-テトラフルオロプロピルアクリレート、1H、1H、5H-オクタフルオロペンチルアクリレート、1H、1H、7H-ドデカフルオロヘプチルアクリレート、1H、1H、9H-ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルアクリレート、1H、1H、3H-ヘキサフルオロブチルアクリレート等が挙げられる。メタアクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能のメタアクリレートや、使用量に制約は出てくるが多官能のメタアクリレートをも使用することができ、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸-n-プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸-n-ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸-sec-ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸-2-エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、N-アクリロイルモルフォリン、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、1H、1H、3H-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、1H、1H、5H-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1H、1H、7H-ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、1H、1H、9H-ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルメタアクリレート、1H、1H、3H-ヘキサフルオロブチルメタアクリレート等を挙げることができる。スチレン及びその誘導体としては、スチレン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレン、2,6-ジメチルスチレン、3,4-ジメチルスチレン、3,5-ジメチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、2,4,5-トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o-エチルスチレン、m-エチルスチレン、p-エチルスチレン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、o-メトキシスチレン、m-メトキシスチレン、p-メトキシスチレン、o-ヒドロキシスチレン、m-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、2-ビニルビフェニル、3-ビニルビフェニル、4-ビニルビフェニル、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、4-ビニル-p-ターフェニル、1-ビニルアントラセン、α-メチルスチレン、o-イソプロペニルトルエン、m-イソプロペニルトルエン、p-イソプロペニルトルエン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、2,3-ジメチル-α-メチルスチレン、3,5-ジメチル-α-メチルスチレン、p-イソプロピル-α-メチルスチレン、α-エチルスチレン、α-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、4-アミノスチレン等が挙げられる。アクリルニトリル及びその誘導体としては、アクリロニトリル等が挙げられる。メタアクリルニトリル及びその誘導体としては、メタクリロニトリル等が挙げられる。有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル、アジピン酸ジビニル等が挙げられる。有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体としては、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、フタル酸ジアリル等が挙げられる。フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ-sec-ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ-n-ブチル、フマル酸ジ-2-エチルヘキシル、フマル酸ジベンジル等が挙げられる。マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ-sec-ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ-n-ブチル、マレイン酸ジ-2-エチルヘキシル、マレイン酸ジベンジル等が挙げられる。イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ-sec-ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ-n-ブチル、イタコン酸ジ-2-エチルヘキシル、イタコン酸ジベンジル等が挙げられる。有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体としては、N-メチル-N-ビニルアセトアミド等が挙げられる。マレイミド及びその誘導体としては、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル、アリルアルコール等が挙げられる。有機ゲルマニウム誘導体としては、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、トリエチルビニルゲルマニウム等が挙げられる。アクリルアミド及びその誘導体としては、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、N-アクリロイルモルフォリン、Nヒドロキシエチルアクリルアミド、N,N-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド等が挙げられる。アクリルアミド及びその誘導体は、溶媒として用いられるフッ素原子を有する有機化合物Bに対する高分子化合物Aの溶解性が向上するために、特に好ましい。これらのうちでは、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの使用量は、高分子化合物Aに導入されるフッ素の量が適量になるように調節される。但し、溶媒として用いられるフッ素原子を有する有機化合物Bに対する溶解性を考慮すると、式1で表される繰り返し単位は高分子化合物Aに該高分子化合物に含まれる全繰り返し単位量に対して30モル以上、好ましくは30~95モル、より好ましくは40~90モルの量で含まれることが好ましい。式1で表される繰り返し単位の含有量が30モル未満であると、高分子化合物Aのフッ素原子を有する有機化合物Bに対する溶解性が不十分になりうる。高分子化合物Aが有するフッ素の量は、高分子化合物の質量に対して、好ましくは1~80質量、より好ましくは5~70質量、さらに好ましくは10~60質量である。フッ素の量が1質量未満であると電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスを低下させる効果が不十分となることがあり、80質量を超えると有機半導体材料との親和性が悪化して活性層をその上に積層することが困難になることがある。分子内に不飽和二重結合とブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基とをもつモノマーの仕込みモル比は、全ての重合に関与するモノマー中、2~60モル、好ましくは4~30モル、より好ましくは6~20モルである。上記モノマーの仕込みモル比をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。重合性モノマーとしてアクリルアミド及びその誘導体を使用する場合は、その仕込みモル比は、全ての重合に関与するモノマー中、70モル以下、好ましくは50モル以下、より好ましくは40モル以下である。アクリルアミド及びその誘導体の仕込みモル比が70モルを超えるとフッ素原子を有する有機化合物Bに対する高分子化合物Aの溶解性が低下することがある。高分子化合物Aは、重量平均分子量が3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。高分子化合物Aを構成する式1で表される繰り返し単位は繰り返し単位中にフッ素原子が導入されており、水酸基のような活性水素含有基を有しない。そのために、形成されるゲート絶縁層は全体として極性が低く、ゲート電圧が印加されても分極し易い成分が少なく、ゲート絶縁層の分極が抑制されると考えられる。ゲート絶縁層の分極が抑制されると、電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスが低下して、動作精度が向上する。本発明に用いられる前記一般式1で表される繰り返し単位及び前記一般式2で表される繰り返し単位を含有し、かつ、分子内に電磁線もしくは熱により活性水素と反応する第2の官能基を生成する第1の官能基を2つ以上含有する高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン-コ-3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリスチレン-コ-3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリ3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ3-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-4-クロロメチルスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-4-クロロメチルスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-3-クロロメチルスチレン-コ-4-クロロメチルスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物Aは、式1で表される繰り返し単位に加え、さらに、感光性を有する基を含有する繰り返し単位を有していてもよい。該感光性を有する基は、光又は放射線を照射することにより化学変化しうる基を意味する。感光性を有する基は、光エネルギー又は電子エネルギーを吸収して二量化反応を起こす官能基であることが好ましい。その理由は、絶縁層材料を架橋させるための加熱処理が短時間ですみ、絶縁層を形成する過程においてトランジスタ特性が低下し難くなるからである。感光性を有する基の具体例としては、例えば、アクリレート構造を有する基、メタクリレート構造を有する基、ビニル基、クロロメチルフェニル基等が挙げられる。本発明に用いることができる分子内に式1で表される繰り返し単位と感光性を有する基を含有する高分子化合物は、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと活性水素を含有する基を含む重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて重合させて重合体を製造した後、該重合体を分子内にイソシアナト基もしくはイソチアナト基を含有するアクリレート化合物又は分子内にイソシアナト基もしくはイソチアナト基を含有するメタアクリレート化合物又は分子内にビニル基を含有するグリニャー化合物と反応させる方法により製造することが出来る。また、本発明に用いることができる分子内に式1で表される繰り返し単位と感光性を有する基を含有する高分子化合物は、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとクロロメチルフェニル基を含有する重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法によっても製造することができる。本発明に用いることができる分子内に式1で表される繰り返し単位と感光性を有する基を含有する高分子化合物は、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、活性水素を含有する基を含む重合性モノマーと、他の重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて重合させて重合体を製造した後、該重合体を分子内にイソシアナト基もしくはイソチオシアナト基を含有するアクリレート化合物又は分子内にイソシアナト基もしくはイソチオシアナト基を含有するメタアクリレート化合物又は分子内にビニル基を含有するグリニャー化合物と反応させる方法によっても製造することが出来る。また、本発明に用いることができる分子内に式1で表される繰り返し単位と感光性を有する基を含有する高分子化合物は、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、クロロメチルフェニル基を含有する重合性モノマーと、他の重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法によっても製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、高分子化合物Aを1種類含んでいても、2種類以上含んでいてもよい。中でも、2種類以上の高分子化合物Aを含むことが好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、活性水素化合物を含むことが好ましい。その場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を塗布乾燥後、加熱を行うことにより、活性水素化合物に含まれる活性水素含有基及び高分子化合物Aに含まれる第2の官能基が反応する。その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部に架橋構造が形成され、電圧印加時の分極が抑制され、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さくなりうる。該活性水素化合物は、例えば、分子内に活性水素を少なくとも2つ以上含有する低分子化合物、分子内に活性水素を少なくとも2つ以上含有する高分子化合物が挙げられる。活性水素としては、典型的にはアミノ基、ヒドロキシ基又はメルカプト基等に含まれる水素原子が挙げられる。活性水素としては、上述した第2の官能基、中でもイソシアナト基、イソチオシアナト基との反応を良好に生じることができるフェノール性ヒドロキシ基中のヒドロキシル基に含まれる水素原子、芳香族アミノ基中のアミノ基に含まれる水素が好適原子である。該分子内に活性水素を少なくとも2つ以上含有する低分子化合物の具体例は、2個以上の活性水素含有基が低分子単量体構造に結合した構造を有する化合物となる。この低分子構造としては、例えば、アルキル構造やベンゼン環構造が挙げられる。該低分子化合物としては、アミン系化合物、アルコール系化合物、フェノール系化合物、チオール系化合物等の低分子化合物が挙げられる。アミン系化合物としては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’,-テトラアミノエチルエチレンジアミン、オルト-フェニレンジアミン、メタ-フェニレンジアミン、パラ-フェニレンジアミン、N,N’-ジフェニル-パラ-フェニレンジアミン、メラミン、2,4,6-トリアミノピリミジン、1,5,9-トリアザシクロドデカン、1,3-ビス3-アミノプロピルテトラメチルジシロキサン、1,4-ビス3-アミノプロピルジメチルシリルベンゼン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリストリメチルシロキシシラン等が挙げられる。アルコール系化合物としては、エチレングリコール、1,2-ジヒドロキシプロパン、グリセロール、1,4-ジメタノールベンゼン等が挙げられる。フェノール系化合物としては、1,2-ジヒドロキシベンゼン、1,3-ジヒドロキシベンゼン、1,4-ジヒドロキシベンゼン、1,2-ジヒドロキシナフタレン、レゾルシン、フルオログリセロール、2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデハイド、3,4,5-トリヒドロキシベンズアミド等が挙げられる。チオール系化合物としては、エチレンジチオール、パラ-フェニレンジチオール等が挙げられる。一方、前記分子内に活性水素を少なくとも2つ以上含有する高分子化合物においては、活性水素は、高分子化合物を構成する主鎖に直接結合していてもよく、所定の基を介して結合していてもよい。また、活性水素は、高分子化合物を構成する構造単位に含まれていてもよく、その場合は、各構造単位に含まれていてもよく、一部の構造単位にのみ含まれていてもよい。さらに、活性水素は、高分子化合物の末端にのみ結合していてもよい。分子内に活性水素を少なくとも2つ以上含有する高分子化合物の具体例としては、2個以上の活性水素含有基が高分子重合体構造に結合した構造を有する化合物が挙げられる。かかる高分子化合物は活性水素を含有する基及び二重結合等の不飽和結合を分子内に有する単量体化合物モノマーを、単独で重合させるか、他の共重合性化合物と共重合させて重合体を形成することによって得られる。これらの重合の際には、光重合開始剤や熱重合開始剤を適用してもよい。なお、重合性モノマー、光重合開始剤、熱重合開始剤としては、上述したものと同様のものを適用できる。活性水素を含有する基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーとしては、例えば、4-アミノスチレン、4-アリルアニリン、4-アミノフェニルビニルエーテル、4-N-フェニルアミノフェニルアリルエーテル、4-N-メチルアミノフェニルアリルエーテル、4-アミノフェニルアリルエーテル、アリルアミン、2-アミノエチルアクリレート、4-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシアリルベンゼン、4-ヒドロキシフェニルビニルエーテル、4-ヒドロキシフェニルアリルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ビニルアルコール、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-2-ヒドロキシブチル、アクリル酸-4-ヒドロキシフェニル、アクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル2-アミノエチルメタアクリレート、メタアクリル酸-2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸-4-ヒドロキシフェニル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチルが挙げられる。分子内に活性水素を少なくとも2つ以上含有する高分子化合物は、分子内にフッ素原子を有する化合物であることが好ましい。その場合、溶媒として用いられるフッ素原子を有する有機化合物Bに対する該高分子化合物の溶解性が向上する。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層に導入されるフッ素の量が増大し、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さくなりうる。該高分子化合物は、例えば、活性水素を含有する基及び二重結合等の不飽和結合を分子内に有するモノマーと、式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとの共重合体であってよい。また、分子内に活性水素を少なくとも2つ以上含有する高分子化合物としては、フェノール化合物と、ホルムアルデヒドとを、酸触媒の存在下で縮合させることによって得られた、ノボラック樹脂も好適に用いられる。分子内に活性水素含有基を2個以上含有する高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、1000~1000000であることが好ましく、3000~500000であることがより好ましい。これにより、絶縁層の平坦性及び均一性が良好となるという効果が得られるようになる。活性水素を含有する基を含む重合性モノマーとしては、前述のモノマーが挙げられる。フッ素原子を有する有機化合物B本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物Bを含有する。塗布法又は印刷法を用いて有機薄膜トランジスタの絶縁層を形成するためには、有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は流動性である必要がある。また、塗布又は印刷後においては、有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は固体の層を形成する必要がある。組成物がフッ素原子を有する有機化合物Bを溶媒として含有していることは、該組成物を蒸留し、留出分の19F-NMRスペクトルを測定してフッ素原子を有する有機化合物を検出することにより確認することができる。それゆえ、フッ素原子を有する有機化合物Bは、有機薄膜トランジスタを製造する際に用いられる通常の環境条件の下で、高分子化合物Aを流動化可能であり、また揮発可能である。有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物に溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物Bを含有させる、有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は薄膜として濡れ広がる特性が向上する。そのため、塗布法又は印刷法によって絶縁層を薄く形成可能であり、また、形成された絶縁層表面の平坦性が向上する。更に、フッ素原子を有する有機化合物はフッ素原子を有しない有機物質との親和性に乏しく、有機薄膜トランジスタを構成している有機層の機能又は有機層の界面に悪影響を与えない。フッ素原子を有する有機化合物は、炭素、水素及びフッ素からなり、これら以外の原子を含まないものであることが好ましい。そのようなフッ素原子を有する有機化合物は、フッ素原子を有しない有機物質との親和性が特に乏しいからである。その中でも、フッ素原子を有する有機化合物として、フッ素原子を有する芳香族化合物が好適に用いられる。フッ素原子を有する芳香族化合物は高分子化合物Aを溶解する特性が優れているからである。該フッ素原子を有する芳香族化合物の具体例としては、ヘキサフルオロベンゼン、2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン、オクタフルオロトルエン、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン等が挙げられる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物において、フッ素原子を有する有機溶媒の含有量は、高分子化合物A100重量部に対して、50~2500重量部であることが好ましく、100~2000重量部であることがより好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物から均一な絶縁層を形成するためには、該組成物において、高分子化合物Aを含む固形分の全てが有機化合物Bを含む溶媒に溶解していることが好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、これを使用して有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成する際に許容される範囲で、有機化合物B以外の化合物を含有することができる。このような化合物として、例えば、2-ヘプタノン及びプロピレングリコールモノエーテルアセテートが挙げられる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、高分子化合物Aを架橋させるために用いる架橋剤及び該架橋剤と組み合わせて用いる添加剤等を含有していてもよい。また、添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、レべリング剤、粘度調節剤などを用いることができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる組成物である。有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物としては、有機薄膜トランジスタオーバーコート層組成物、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物であることが好ましい。有機薄膜トランジスタ図1は、本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、これらの上にオーバーコート層を形成することで製造することができる。図2は、本発明の一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6上に形成された有機半導体層4と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、これらの上にオーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、有機薄膜トランジスタオーバーコート層組成物として、オーバーコート層の形成に好適に用いられる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物として、ゲート絶縁層の形成に用いることも好ましい。ゲート絶縁層及びオーバーコート絶縁層等の有機薄膜トランジスタ絶縁層は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を基材の表面に塗布して塗布層を形成する工程、及び該塗布層から溶媒を乾燥させるすなわち、溶媒を揮発させる工程を含む方法により形成することができる。ここで、基材とは、その上に有機薄膜トランジスタ絶縁層が配置されることになる有機薄膜トランジスタの構成部材をいう。例えば、ゲート絶縁層の形成は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を、基板上にゲート電極が形成された基材の上に該ゲート電極を覆うように該絶縁層塗布液を塗布し、塗布した液を乾燥させすなわち、塗布した組成物から溶媒を揮発させ、その後、要すれば硬化させることにより行う。基板としては、一般に、シリコン基板、ガラス基板またはプラスチック基板等が用いられる。また、例えば、オーバーコート絶縁層の形成は、上記絶縁層塗布液を、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体層が形成された基材の上に塗布し、塗布した液を乾燥させ、その後、要すれば硬化させることにより行う。上記絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。該有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物の塗布は、公知のスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等により行うことができる。硬化は有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物が架橋することを意味する。トランジスタ絶縁層用樹脂組成物の架橋は、例えば、塗布層に対して電磁波及び/又は熱を印加することにより行われる。そうすると、高分子化合物Aの第1の官能基から第2の官能基が生成して、活性水素化合物の活性水素含有基と反応するからである。高分子化合物Aに感光性を有する基が含まれる場合、塗布層の硬化は、該塗布層に熱を印加し、電磁波又は電子線を照射することにより行う。熱の印加と電磁波又は電子線の照射は上記と逆の順番で行ってもよい。塗布層に熱を印加する工程と、塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程の両方行うことで、上記第2の官能基及び活性水素含有基に加えて感光性を有する基も反応する。その結果、絶縁層の架橋密度が向上し、電圧印加時の分極がより抑制され、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さくなる。塗布層に熱を印加する場合は、塗布層を約80~250°C、好ましくは約100~230°Cの温度に加熱して約5~120分、好ましくは約10~60分維持する。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層の架橋が不十分になり、加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。塗布層に電磁波を照射する場合、絶縁層の架橋及び損傷の度合いを考慮して、照射条件を調節する。マイクロ波を印加して加熱する場合は、絶縁層の架橋が及び損傷の度合いを考慮して印加条件を調節する。照射する電磁波の波長は450nm以下が好ましく、より好ましくは150~410nmである。照射する電磁波の波長が450nmを越えると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋が不十分になる場合がある。電磁波としては、紫外線が好ましい。紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やUV硬化性樹脂を硬化させるために使用されているUVランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。加熱はヒーター及びオーブンなどを用いて行うことができる。その他の照射条件及び加熱条件は、付加重合反応基及び使用される光重合開始剤の種類及び量等に応じて適宜決定される。ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を1~10重量溶解した溶液でゲート絶縁膜を処理することにより形成することが出来る。該アルキルクロロシラン化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等が挙げられる。該アルキルアルコキシシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等が挙げられる。基板1、ゲート電極2、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層4は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。例えば、基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等公知の方法で形成する。有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが広く用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリP-フェニレンビニレン類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-2,7-ジエチレンボロネートと、5,5’-ジブロモ-2,2’-バイチオフェンとの縮合物等があげられる。有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、これをゲート絶縁層上に塗布、乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がフェニル部分を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。使用される溶媒としては有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が50°C~200°Cのものである。該溶媒としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、2-ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様に公知のスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等によりゲート絶縁層上に塗布することができる。本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートすることが好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタは、トップゲート型のトランジスタであってもよい。トップゲート型のトランジスタにおいて、有機半導体層を外気から保護するために、有機半導体層に接してゲート絶縁層を形成する。本発明の機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物として、ゲート絶縁層の形成に好適に用いられる。本発明の有機薄膜トランジスタを用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを好適に作製できる。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、実施例に限定されるものではない。合成例1高分子化合物1の合成スチレン和光純薬製2.60g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製9.71g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BM2.00g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル0.07g、オクタフルオロトルエン和光純薬製3.59gを、50ml耐圧容器エース製に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60°Cのオイルバス中で48時間重合させた。得られた樹脂状重合物にオクタフルオロトルエン53.58gを加えて高分子化合物1が溶解している粘稠なオクタフルオロトルエン溶液を得た。高分子化合物1は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物1得られた高分子化合物1の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、495000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例2高分子化合物2の合成4-アミノスチレンアルドリッチ製0.30g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製4.40g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル0.02g、オクタフルオロトルエン和光純薬製7.09gを、50ml耐圧容器エース製に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60°Cのオイルバス中で48時間重合させた。得られた粘稠溶液にオクタフルオロトルエン11.82gを加えて、高分子化合物2が溶解している粘稠なオクタフルオロトルエン溶液を得た。高分子化合物2は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物2得られた高分子化合物2の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、160000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例3高分子化合物3の合成9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-2,7-ジエチレンボロネート6.40g、及び5,5’-ジブロモ-2,2’-バイチオフェン4.00gを含むトルエン80mL中に、窒素下において、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.18g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドAldrich製、商品名Aliquat336登録商標1.0g、及び2Mの炭酸ナトリウム水溶液24mLを加えた。この混合物を激しく攪拌し、24時間還流して加熱した。粘稠な反応混合物をアセトン500mLに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過によって集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて60°Cで一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物3とよぶ。高分子化合物3は、下記繰り返し単位を有している。nは繰り返し単位の数を示している。高分子化合物3の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、61000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。高分子化合物3合成例4高分子化合物4の合成スチレン和光純薬製1.12g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製6.26g、ジエチルアクリルアミド株式会社興人製0.68g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BM1.29g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル0.05g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンアルドリッチ製14.10gを、50ml耐圧容器エース製に入れ、アルゴンでバブリングした後、密栓し、60°Cのオイルバス中で24時間重合させて、下式で表される高分子化合物4の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液を得た。ここで、の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物4得られた高分子化合物4の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、135000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例5高分子化合物5の合成スチレン和光純薬製0.56g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製6.26g、ジエチルアクリルアミド株式会社興人製1.37g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BM1.29g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル0.05g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンアルドリッチ製14.29gを、50ml耐圧容器エース製に入れ、アルゴンでバブリングした後、密栓し、60°Cのオイルバス中で24時間重合させて、下式で表される高分子化合物5の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液を得た。ここで、の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物5得られた高分子化合物5の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、131000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例6高分子化合物6の合成2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製6.26g、ジエチルアクリルアミド株式会社興人製2.05g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BM1.29g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル0.05g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンアルドリッチ製14.47gを、50ml耐圧容器エース製に入れ、アルゴンでバブリングした後、密栓し、60°Cのオイルバス中で24時間重合させて、下式で表される高分子化合物6の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液を得た。ここで、の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物6得られた高分子化合物6の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、166000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例7高分子化合物7の合成不活性雰囲気下、2,7-ビス1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ジオクチルフルオレン5.20g、ビス4-ブロモフェニル-4-セカンダリブチルフェニル-アミン4.50g、酢酸パラジウム2.2mg、トリ2-メチルフェニルホスフィン15.1mg、Aliquat3360.91g,アルドリッチ製、トルエン70mlを混合し、105°Cに加熱した。この反応溶液に2重量モル炭酸ナトリウム水溶液19mlを滴下し、4時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸121mgを加え、さらに3時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え80°Cで4時間撹拌した。冷却後、水60mlで3回、3重量酢酸水溶液60mlで3回、水60mlで3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール3Lに滴下し、3時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物7の収量は5.25gであった。高分子化合物7のポリスチレン換算数平均分子量は、1.2×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.6×105であった。ここで、下図中のnは重合度を表す。高分子化合物7合成例8高分子化合物8の合成2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製5.00g、ジエチルアクリルアミド株式会社興人製2.62g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BM1.24g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル0.04g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンアルドリッチ製13.35gを、50ml耐圧容器エース製に入れ、アルゴンでバブリングした後、密栓し、60°Cのオイルバス中で24時間重合させて、下式で表される高分子化合物8の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液を得た。ここで、の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物8得られた高分子化合物8の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、169000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例9高分子化合物9の合成2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製5.00g、ジエチルアクリルアミド株式会社興人製1.97g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BM2.47g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル0.05g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンアルドリッチ製14.23gを、50ml耐圧容器エース製に入れ、アルゴンでバブリングした後、密栓し、60°Cのオイルバス中で24時間重合させて、下式で表される高分子化合物9の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液を得た。ここで、の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物9得られた高分子化合物9の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、145000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。実施例1有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造合成例1で得た高分子化合物1のオクタフルオロトルエン溶液2.00g、合成例2で得た高分子化合物2のオクタフルオロトルエン溶液2.58g、及びオクタフルオロトルエン4.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物である均一な塗布溶液を調製した。得られた塗布溶液を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、ホットプレート上で220°Cで30分間焼成し、ゲート絶縁層を得た。次に、高分子化合物3を溶媒であるクロロホルムに溶解して、濃度が0.5重量である溶液有機半導体組成物を作製し、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液を調製した。得られた塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約60nmの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長20μm、チャネル幅2mmのソース電極及びドレイン電極活性層側から、フラーレン、金の順番で積層構造を有するを形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。<トランジスタ特性の評価>こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを0~-40V、ソースドレイン間電圧Vsdを0~-40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ-バBCT22MDC-5-HT-SCU;NagaseElectronicEquipmentsServiceCoLTD製を用いて測定した結果を表1に示す。有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソースドレイン間電圧Vsdが-40Vで、ゲート電圧Vgを0V→-40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを-40V→0Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。実施例2電界効果型有機薄膜トランジスタの作製ルミフロンLF200F旭硝子製5.00gを2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン7.5gに溶解して調整したルミフロンの2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液1.00g、合成例1で得た高分子化合物1のオクタフルオロトルエン溶液2.76g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン3.00gを10mlのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解した。得られた均一な溶液を、孔径0.45μmのメンブレンフィルターでろ過して有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物を含むオーバーコート絶縁層塗布溶液を調製した。ルミフロンLF200Fは、式2-aで表される繰り返し単位と式3-aで表される繰り返し単位を有する高分子化合物である。式2-a中、Xはフッ素原子、塩素原子又はトリフルオロメチル基を表す。式3-a中、R4はアルキレン基を表す。2-a3-a次いで、高分子化合物7を溶媒であるキシレンに溶解して、濃度が0.5重量である溶液有機半導体組成物を作製し、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液を調製した。得られた高分子化合物7の塗布液を、ボトムゲートボトムコンタクト素子協同インター製上にスピンコート法により塗布し、窒素中200°Cで10分焼成して約60nmの厚さを有する活性層を形成した。次いで、得られた活性層上に、前記オーバーコート絶縁層塗布溶液をスピンコート法により塗布し、窒素中200°Cで30分焼成して約6μmの厚さを有するオーバーコート絶縁層を形成し、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定した。実施例3電界効果型有機薄膜トランジスタの作製高分子化合物1のオクタフルオロトルエン溶液のかわりに高分子化合物4の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液1.54gを用い、添加する2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンの重量を1.50gとした以外は、実施例2と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定した。オーバーコート絶縁層の厚みは、約6μmであった。実施例4電界効果型有機薄膜トランジスタの作製高分子化合物1のオクタフルオロトルエン溶液のかわりに高分子化合物5の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液1.41gを用い、添加する2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンの重量を1.50gとした以外は、実施例2と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定した。オーバーコート絶縁層の厚みは、約6μmであった。実施例5電界効果型有機薄膜トランジスタの作製高分子化合物1のオクタフルオロトルエン溶液のかわりに高分子化合物6の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液1.43gを用い、添加する2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンの重量を1.50gとした以外は、実施例2と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定した。オーバーコート絶縁層の厚みは、約6μmであった。実施例6電界効果型有機薄膜トランジスタの作製高分子化合物1のオクタフルオロトルエン溶液のかわりに高分子化合物8の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液1.38gを用い、添加する2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンの重量を2.00gとした以外は、実施例2と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定した。オーバーコート絶縁層の厚みは、約6μmであった。実施例7電界効果型有機薄膜トランジスタの作製高分子化合物1のオクタフルオロトルエン溶液のかわりに高分子化合物9の2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエン溶液1.47gを用い、添加する2,3,4,5,6-ペンタフルオロトルエンの重量を2.00gとした以外は、実施例2と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定した。オーバーコート絶縁層の厚みは、約6μmであった。比較例1電界効果型有機薄膜トランジスタの製造ポリビニルフェノールアルドリッチ製、Mw80001.00g、N,N,N’,N’,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミン住友化学製0.163g、熱酸発生剤みどり化学製、商品名:TAZ1080.113g、2-ヘプタノン7.00gからなる組成物を用いてゲート絶縁層を形成した以外は実施例1と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定し、評価した。比較例2電界効果型有機薄膜トランジスタの製造ポリ4-ビニルフェノール-コ-メチルメタクリレートアルドリッチ製5.00g、NNジメチルホルムアミド7.50gからなる組成物を用いてオーバーコート絶縁層を形成した以外は実施例2と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を測定し、評価した。オーバーコート絶縁層の厚みは、3.4μmであった。"