光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された信号電荷が転送される第1電荷蓄積部と、前記光電変換部で生成された信号電荷のうち、前記光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される第2電荷蓄積部と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す第3電荷蓄積部とを含む少なくとも3つの電荷蓄積部と、前記信号電荷の転送、読み出しをする複数の画素トランジスタと、を備える画素が行列状に二次元配置された画素アレイ部と、信号電荷の蓄積期間において蓄積期間が全画素同時となるように走査し、読み出し期間において前記低照度信号、及び前記高照度信号の前記第3電荷蓄積部への読み出しを行毎に走査する走査部と、前記読み出し期間の各行の読み出し時において前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得し、前記偽信号を用いて、前記低照度信号及び高照度信号を補正する演算処理部を備える固体撮像装置。前記第1電荷蓄積部上部には絶縁膜を介して電位調整電極が形成されており、前記第1電荷蓄積部は、CCD構造とされている請求項1に記載の固体撮像装置。前記光電変換部に蓄積された信号電荷を転送する第1転送トランジスタと、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第2電荷蓄積部に転送する第2転送トランジスタと、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第3電荷蓄積部に転送する第3転送トランジスタを備え、前記第2転送トランジスタの第2転送ゲート部のポテンシャルは、前記第3転送トランジスタの第3転送ゲート部のポテンシャルよりも深く形成されている請求項2に記載の固体撮像装置。前記画素トランジスタのうち、一部の画素トランジスタを複数の画素で共有する請求項3に記載の固体撮像装置。前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記低照度信号から減算することで、前記低照度信号から固定パターンノイズ、および、リセットノイズを除去し、前記高照度信号の読み出しの後に、前記第1~第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記高照度信号から減算することで、前記高照度信号から固定パターンノイズを除去する相関二重サンプリング回路を備える請求項4に記載の固体撮像装置。前記演算処理部は、低照度信号が飽和しない場合は低照度信号を選択し、低照度信号が飽和した場合には高照度信号を選択する選択部を有し、前記低照度信号又は高照度信号のうち選択されたいずれかの信号から前記偽信号を減算する請求項1に記載の固体撮像装置。前記選択部では、蓄積信号量に応じて低照度信号から高照度信号に切り替わる前の時点においては、低照度信号と高照度信号とを所定の比率で加算した値を選択し、前記選択した値から前記偽信号を減算する請求項6に記載の固体撮像装置。光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された信号電荷が転送される第1電荷蓄積部と、前記光電変換部で生成された信号電荷のうち、前記光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される第2電荷蓄積部と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す第3電荷蓄積部とを含む少なくとも3つの電荷蓄積部と、前記信号電荷の転送、読み出しをする複数の画素トランジスタと、を備える画素が行列状に二次元配置された画素アレイ部を備える固体撮像装置の駆動方法であって、全画素同時に露光を開始し、露光終了後、露光期間中に前記光電変換部から前記第1電荷蓄積部にオーバーフローした信号電荷を、全画素同時に前記第2電荷蓄積部に転送し、その後、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を前記第2電荷蓄積部に転送する工程と、読み出し期間において、前記第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得する工程と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として取得する工程と、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として取得する工程と、前記低照度信号及び前記高照度信号から前記偽信号を減算し、前記露光期間中に前記光電変換部で光電変換された信号量を算出する工程と、を備える固体撮像装置の駆動方法。前記露光期間中に前記光電変換部で光電変換された信号量は、前記低照度信号、又は前記高照度信号に係数を掛けた値から、前記偽信号に補正係数を掛けた値を減算することで求める請求項7に記載の固体撮像装置の駆動方法。前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記低照度信号から減算することで、前記低照度信号から固定パターンノイズ、および、リセットノイズを除去し、前記高照度信号の読み出しの後に、前記第1~第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記高照度信号から減算することで、前記高照度信号から固定パターンノイズを除去する請求項8に記載の固体撮像装置の駆動方法。前記露光期間中に前記光電変換部で光電変換された信号量を算出する工程では、低照度信号が飽和しない場合は低照度信号を選択し、低照度信号が飽和した場合には高照度信号を選択し、前記低照度信号又は高照度信号のうち選択されたいずれかの信号から前記偽信号を減算する請求項7に記載の固体撮像装置の駆動方法。蓄積信号量に応じて低照度信号から高照度信号に切り替わる前の時点においては、低照度信号と高照度信号とを所定の比率で加算した値を選択し、前記選択した値から前記偽信号を減算する請求項11に記載の固体撮像装置の駆動方法。光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された信号電荷が転送される第1電荷蓄積部と、前記光電変換部で生成された信号電荷のうち、前記光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される第2電荷蓄積部と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す第3電荷蓄積部とを含む少なくとも3つの電荷蓄積部と、前記信号電荷の転送、読み出しをする複数の画素トランジスタと、を備える画素が行列状に二次元配置された画素アレイ部と、信号電荷の蓄積期間において蓄積期間が全画素同時となるように走査し、読み出し期間において前記低照度信号、及び前記高照度信号の前記第3電荷蓄積部への読み出しを行毎に走査する走査部と、前記読み出し期間の各行の読み出し時において前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得し、前記偽信号を用いて、前記低照度信号及び高照度信号を補正する演算処理部を有する固体撮像装置を備える電子機器。ところで、蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るには、蓄積終了後に電荷蓄積部に保持した信号において、読み出しまでに発生する偽信号をいかに補正するかがポイントとなる。特許文献1では、上述したように、信号電荷の蓄積を行う画素とは別に、行または列に偽信号のみを得ることを目的とする画素を例えば交互に配置し、そこで得られた偽信号を近傍の蓄積を行った画素からの読み出し信号から引き去ることが開示されている。偽信号は主として2つの成分からなる。1つは時間に比例して増加する電荷のリーク成分によるものである。もう1つは、フローティングディフュージョンなどの電荷蓄積部自体の光電変換によるものである。この場合、近傍の画素同士の偽信号は相関を持つことを利用し、電荷蓄積用の画素を、その近傍に設けられた補正目的の画素で補正している。しかしながら、蓄積を行わず偽信号のみを得る画素は結果として補正信号としてしか使用されず、画像の信号としては寄与しない。すなわち、補正目的の画素を行又は列に例えば交互に配置すると、結果として蓄積を行う有効画素数は半分となり、全体の画素数に見合った解像度が得られないという問題が発生する。上述の点に鑑み、本開示は、蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るため、有効な画素数を損なうことなく偽信号を低減でき、かつ、画素面積の縮小化が図られたグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。上記課題を解決し、本開示の固体撮像装置は、光電変換部と、第1~第3電荷蓄積部の少なくとも3つの電荷蓄積部と、複数の画素トランジスタで構成される画素アレイ部と、走査部と、演算処理部とを備える。光電変換部は、光の光量に応じた信号電荷を生成する。第1電荷蓄積部は、光電変換部で生成された信号電荷が転送される。第2電荷蓄積部は、光電変換部で生成された信号電荷のうち、光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される。第3電荷蓄積部は、第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号の信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す。画素トランジスタは、信号電荷の転送、読み出しをする。そして、画素アレイ部では、画素が行列状に二次元配置されている。また、走査部は、信号電荷の蓄積期間において蓄積期間が全画素同時となるように走査し、読み出し期間において低照度信号、及び高照度信号の第3電荷蓄積部への読み出しを行毎に走査する。演算処理部は、読み出し期間の各行の読み出し時において低照度信号の読み出しの前に第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得し、偽信号を用いて、低照度信号及び高照度信号を補正する。本開示の固体撮像装置では、第2電荷蓄積部には高照度信号が転送され、第1電荷蓄積部には低照度信号が転送される。また、読み出し期間の各行の読み出し時において、低照度信号の読み出しの前に第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号が読み出される。そして、この偽信号を用いて、低照度信号及び高照度信号の信号量が補正される。本開示の固体撮像装置の駆動方法は、上述の固体撮像装置において、全画素同時に露光を開始し、露光終了後、露光期間中に光電変換部から第1電荷蓄積部にオーバーフローした信号電荷を全画素同時に第2電荷蓄積部に転送する。その後、光電変換部に蓄積された信号電荷を第2電荷蓄積部に転送する工程を有する。また、読み出し期間において、第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得する工程と、第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として取得する工程と、第1蓄積部と第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を高照度信号として取得する工程を有する。また、低照度信号及び高照度信号から偽信号を減算し、露光期間中に光電変換部で光電変換された信号量を算出する工程を有する。本開示の固体撮像装置の駆動方法では、第2電荷蓄積部に、高照度信号が転送し、第1電荷蓄積部には低照度信号が転送する。また、読み出し期間の各行の読み出し時において、低照度信号の読み出しの前に、第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号が読み出す。そして、この偽信号を用いて、低照度信号及び高照度信号の信号量を補正する。本開示の電子機器は、光電変換部と、第1~第3電荷蓄積部の少なくとも3つの電荷蓄積部と、複数の画素トランジスタで構成される画素アレイ部と、走査部と、演算処理部とを備える固体撮像装置を備える。光電変換部は、光の光量に応じた信号電荷を生成する。第1電荷蓄積部は、光電変換部で生成された信号電荷が転送される。第2電荷蓄積部は、光電変換部で生成された信号電荷のうち、光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される。第3電荷蓄積部は、第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号の信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す。画素トランジスタは、信号電荷の転送、読み出しをする。そして、画素アレイ部では、画素が行列状に二次元配置されている。また、走査部は、信号電荷の蓄積期間において蓄積期間が全画素同時となるように走査し、読み出し期間において低照度信号、及び高照度信号の第3電荷蓄積部への読み出しを行毎に走査する。演算処理部は、読み出し期間の各行の読み出し時において低照度信号の読み出しの前に、第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得し、偽信号を用いて、低照度信号及び高照度信号を補正する。本開示によれば、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、ダイナミックレンジの拡大が図られ、また、偽信号を用いて信号量を補正することにより、良好な画像を得ることができる。また、その固体撮像装置を用いることにより、画質の向上が図られた電子機器を得ることができる。以下に、本開示の実施形態に係る固体撮像装置、及び電子機器の一例を、図1~図26を参照しながら説明する。本開示の実施形態は以下の順で説明する。なお、本開示は以下の例に限定されるものではない。1.第1の実施形態:固体撮像装置1-1固体撮像装置の構成1-2要部の構成1-3駆動方法2.第2の実施形態:固体撮像装置の駆動方法3.第3の実施形態:固体撮像装置の駆動方法4.第4の実施形態:固体撮像装置5.第5の実施形態:電子機器<1.第1の実施形態:固体撮像装置>[1-1固体撮像装置の構成]まず、本開示の第1の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図1は、本開示の第1の実施形態に係るCMOS型の固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。本実施形態例の固体撮像装置1は、シリコンからなる基板9上に形成された画素アレイ部2と、画素アレイ部2と同じ基板9上に集積された周辺回路部とを有する構成となっている。周辺回路部は、例えば行走査部3、定電流源部4、列信号処理部5、列走査部6、出力処理部7、及びコントロール部8などから構成される。画素アレイ部2は、入射光の光量に応じた電荷量の光電荷光信号を発生して内部に蓄積する光電変換素子を有する単位画素以下、単に画素と記述する場合もあるが行方向および列方向に、即ち、行列状に2次元配置された構成となっている。ここで、行方向とは画素行の画素の配列方向即ち、水平方向を言い、列方向とは画素列の画素の配列方向即ち、垂直方向を言う。単位画素の具体的な回路構成の詳細については後述する。画素アレイ部2において、行列状の画素配列に対して、画素行ごとに画素駆動線11が行方向に沿って配線され、画素列ごとに垂直信号線12が列方向に沿って配線されている。画素駆動線11は、画素から信号を読み出す際の駆動を行うための駆動信号を伝送する。図1では、画素駆動線11について1本の配線として示しているが、1本に限られるものではない。画素駆動線11の一端は、行走査部3の各行に対応した出力端に接続されている。行走査部3は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素アレイ部2の各画素を全画素同時あるいは行単位等で駆動する。すなわち、行走査部3は、当該行走査部3を制御するコントロール部8と共に、画素アレイ部2の各画素を駆動する駆動部を構成している。この行走査部3はその具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の2つの走査系を有する構成となっている。読出し走査系は、単位画素から信号を読み出すために、画素アレイ部2の単位画素を行単位で順に選択走査する。単位画素から読み出される信号はアナログ信号である。掃出し走査系は、読出し走査系によって読出し走査が行われる読出し行に対して、その読出し走査よりもシャッタスピードの時間分だけ先行して掃出し走査を行う。この掃出し走査系による掃出し走査により、読出し行の単位画素の光電変換素子から不要な電荷が掃き出されることによって当該光電変換素子がリセットされる。そして、この掃出し走査系による不要電荷の掃き出しリセットにより、いわゆる電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換素子の光電荷を捨てて、新たに露光を開始する光電荷の蓄積を開始する動作のことを言う。読出し走査系による読出し動作によって読み出される信号は、その直前の読出し動作、または電子シャッタ動作以降に入射した光量に対応するものである。そして、直前の読出し動作による読出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃出しタイミングから、今回の読出し動作による読出しタイミングまでの期間が、単位画素における光電荷の蓄積期間露光期間となる。行走査部3によって選択走査された画素行の各単位画素から出力される信号は、画素列ごとに垂直信号線12の各々を通して定電流源部4および列信号処理部5に入力される。定電流源部4は、画素列ごとに定電流源40図2参照が配置された構成となっており、定電流源40から各単位画素に対して垂直信号線12の各々を通してバイアス電流を供給する。列信号処理部5は、画素アレイ部2の画素列ごとに、選択行の各画素から垂直信号線12を通して出力される信号に対して所定の信号処理を行う。この列信号処理部5で行われる信号処理としては、例えば、CDSCorrelatedDoubleSampling相関二重サンプリングによるノイズ除去処理や、信号増幅処理や、ADアナログ-デジタル変換処理等の信号処理を挙げることができる。但し、ここで例示した信号処理は一例に過ぎず、列信号処理部5で行われる信号処理としてはこれらに限られるものではない。列信号処理部5は、これら各種の信号処理の1つ、または複数を実行する。この列信号処理部5における信号処理は本実施形態の特徴の一つであり、その詳細ついては後述する。列走査部6は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、列信号処理部5の画素列に対応する単位回路を順番に選択する。この列走査部6による選択走査により、列信号処理部5において単位回路ごとに信号処理された信号が順番に水平信号線10を通して出力処理部7に供給される。出力処理部7は、列走査部6によって選択され、水平信号線10を通して入力される信号に対して所定の処理を行って基板9の外部へ出力する。この出力処理部7での処理としては、バッファリングだけの処理の場合もあるし、バッファリングの前に黒レベルを調整したり、画素列ごとのばらつきを補正したりするなど各種の信号処理を挙げることができる。コントロール部8は、基板9の外部から与えられるクロック信号や、動作モードを指令するデータ信号などを受け取るとともに、これらの信号を基に各種のタイミング信号を生成するタイミング生成部を有する。コントロール部8で生成された各種のタイミング信号は、行走査部3、列信号処理部5および列走査部6等の周辺回路部に対して与えられ、これら回路部の駆動制御を行う。[1-2要部の構成]図2は、本実施形態例の固体撮像装置1の画素を構成する部分の平面構成図一部、回路図で示すである。また、図3Aは、図2のa-a’線上に沿う断面構成図であり、図3Bは、図2のb-b’線上に沿う断面構成図である。また、図4は、本実施形態例の固体撮像装置1の単位画素を構成する回路図である。図2~図4に示すように、本実施形態例の固体撮像装置は、基板9に形成された光電変換部以下、フォトダイオードPDと、第1~第3電荷蓄積部41、28、18とを備える。また、電荷の転送、読み出しを行うための、第1~第3転送トランジスタ13、15、17、第1及び第2リセットトランジスタ14、21、アンプトランジスタ19、及び選択トランジスタ20を備える。図3A、Bに示すように、基板9は、第1導電型、例えばn型半導体基板で構成されており、基板9の画素が形成される表面側は、第2導電型、例えばp型の不純物領域からなるウェル領域31とされている。このp型のウェル領域31内に、画素を構成するフォトダイオードPDや、第1~第3電荷蓄積部41、28、18、及び各MOSトランジスタを構成するソースドレイン領域が形成される。フォトダイオードPDは、光電変換素子を構成するものであり、基板9の表面に形成されたp型半導体領域32と、そのp型半導体領域32の下層に形成されたn型半導体領域33、および、n型半導体領域33とp型のウェル領域31とで構成される。本実施形態例では、p型半導体領域32、同じく、p型のウェル領域31とn型半導体領域33との間のpn接合により、主なフォトダイオードが構成される。フォトダイオードPDでは、入射した光の光量に応じた信号電荷が生成され、n型半導体領域33に蓄積される。また、本実施形態例では、フォトダイオードPDにおいて、表面側に正孔蓄積層となるp型半導体領域32が形成されている。基板9と、その基板9の表面側に形成される図示しない酸化膜との界面で発生する暗電流はp型半導体領域32とn型半導体領域33の界面から離れているため、暗電流の抑制が図られる。第1電荷蓄積部41は、第1転送トランジスタ13を挟んでフォトダイオードPDに隣接する領域に形成されており、フォトダイオードPDと同様、基板9の表面側に形成されたp型半導体領域30とその下層に形成されたn型半導体領域29とで構成されている。第1電荷蓄積部41では、第1転送トランジスタ13によってフォトダイオードPDから転送された信号電荷が第1電荷蓄積部41のn型半導体領域29に蓄積される。また、第1電荷蓄積部41においても、基板9表面にp型半導体領域30が形成されるため、基板9と、その基板9の表面側に形成される図示しない酸化膜との界面で発生する暗電流が抑制される。また、第1電荷蓄積部41が形成された領域の基板9直上には、図示しない絶縁膜を介して電位変動電極25が形成されている。第1電荷蓄積部41上部に電位変動電極25が形成され、電位変動電極25に所望の電位変動パルスSGを供給することにより、第1電荷蓄積部41の電位が変動するCCDChargeCoupledDevice構造が構成される。第2電荷蓄積部28は、第2転送トランジスタ15を挟んで第1電荷蓄積部41に隣接する領域に形成されており、基板9の表面側に形成された高濃度のn型半導体領域で構成されている。第2電荷蓄積部28を構成するn型半導体領域は、フォダイオードPDや第1電荷蓄積部41を構成するn型半導体領域33、29よりも不純物濃度が濃く形成されている。第2電荷蓄積部28は、一方の電位が固定電位、たとえばグランド電位とされたコンデンサ22を構成するものである。第3電荷蓄積部18は、第3転送トランジスタ17を挟んで第1電荷蓄積部41に隣接する領域に形成され、基板9の表面側に形成されたn型半導体領域で構成されている。第3電荷蓄積部18は、例えば第2電荷蓄積部28と同等の不純物濃度で構成されており、いわゆるフローティングディフュージョン部を構成するものである。第1転送トランジスタ13は、フォトダイオードPDからなるソースと、第1電荷蓄積部41からなるドレインと、そのソースドレイン間の基板上にゲート絶縁膜図示せずを介して形成された第1転送ゲート電極24とで構成される。図4に示す回路図で見ると、第1転送トランジスタ13は、フォトダイオードPDのカソード側に接続され、フォトダイオードPDのアノード側は例えばグランド電源に接続されている。第1転送トランジスタ13では、第1転送ゲート電極24に第1転送パルスTRGを供給することにより、フォトダイオードPDに蓄積された信号電荷が第1電荷蓄積部41に転送される。第2転送トランジスタ15は、第1電荷蓄積部41からなるソースと、第2電荷蓄積部28からなるドレインと、そのソースドレイン間の領域において、基板9上にゲート絶縁膜図示せずを介して形成された第2転送ゲート電極26とで構成される。なお、図4に示す回路図で見ると、第2電荷蓄積部28では第2転送トランジスタ15側とは反対側がグランド電位とされている。また、第2転送トランジスタ15のソースドレイン間の基板9表面に形成される第2転送ゲート部26aは、フォトダイオードPDを構成するn型半導体領域よりも薄い不純物濃度のn型半導体領域とされている。第2転送トランジスタ15では、第2転送ゲート電極26に第2転送パルスCGを供給することにより、第1電荷蓄積部41に蓄積された信号電荷が第2電荷蓄積部28に転送される。第3転送トランジスタ17は、第1電荷蓄積部41からなるソースと、第3電荷蓄積部18からなるドレインと、そのソースドレイン間の基板9上にゲート絶縁膜図示せずを介して形成された第3転送ゲート電極27とで構成される。第3転送トランジスタ17のソースドレイン間の基板9表面に形成される第3転送ゲート部27aは、基板9のウェル領域31で構成されている。第3転送トランジスタ17では、第3転送ゲート電極27に第3転送パルスFGを供給することにより、第1電荷蓄積部41に蓄積された信号電荷が第3電荷蓄積部18に転送される。第1リセットトランジスタ14は、フォトダイオードPDからなるソースと、電源電圧VDDに接続されたドレイン図2では、ドレイン領域34で示すと、そのソースドレイン間に形成された第1リセットゲート電極23とで構成される。第1リセットトランジスタ14では、第1リセットゲート電極23に第1リセットパルスPRGを供給することにより、フォトダイオードPDの電位が電源電圧VDDにリセットされる。第2リセットトランジスタ21は、第3電荷蓄積部18からなるソースと、電源電圧VDDに接続されたドレインと、そのソースドレイン間に形成された第2リセットゲート電極35とで構成される。第2リセットトランジスタ21では、第2リセットゲート電極35に第2リセットパルスRSTを供給することにより、第3電荷蓄積部18の電位が電源電圧VDDによりリセット電圧にリセットされる。アンプトランジスタ19は、電源電圧VDDが供給されるドレインと、選択トランジスタ20のドレインを兼ねるソースと、そのソースドレイン間に形成されたアンプゲート電極36とから構成されている。アンプトランジスタ19では、アンプゲート電極36に第3電荷蓄積部18の電位が供給される。これにより、その電位に対応した画素信号をソースに出力する。選択トランジスタ20は、アンプトランジスタ19のソースを兼ねるドレインと、垂直信号線12に接続されたソースと、そのソースドレイン間に形成された選択ゲート電極37とから構成されている。選択トランジスタ20では、選択ゲート電極37に選択パルスSELを供給することにより、選択トランジスタ20が垂直信号線12に接続され、垂直信号線12の一端に接続される定電流源40とソースフォロア回路が構成されることで、画素信号が垂直信号線12に出力される。図2、図3では、第1及び第2リセットトランジスタ14、21、アンプトランジスタ19、選択トランジスタ20は平面図又は回路図のみで示し、断面構成を省略したが、他のトランジスタと同様、nチャネルMOSトランジスで構成されるものである。すなわち、第1及び第2リセットトランジスタ14、21、アンプトランジスタ19、選択トランジスタ20を構成するソースドレインは、基板9表面に形成されたn型半導体領域で構成され、各ゲート電極は、絶縁膜を介して基板9表面に形成されるものである。図5は、単位画素の平面レイアウト図の一例を示すものである。図5では、アンプトランジスタ19及び選択トランジスタ20の図示を省略している。図5に示すように、本実施形態例の固体撮像装置1では画素毎に、フォトダイオードPDを取り囲むように第1~第3電荷蓄積部41、18、28が形成され、それに対応して各トランジスタが形成されている。また、第1リセットトランジスタ14と、第2リセットトランジスタ21とで、そのドレイン領域34が共有されている。ところで、垂直信号線12の後段には、図1に示す列信号処理部5において、画素信号からノイズ信号を演算処理するための演算処理部が形成されている。図6は、本実施形態例の固体撮像装置1に用いられる演算処理部50の構成を示すブロック図である。図6に示すように、演算処理部50は、ノイズ信号Vnを記憶する第1メモリ部51と、低照度信号Vs1を記憶する第2メモリ部52と、高照度信号Vs2を記憶する第3メモリ部53と、選択部54と、加算器55とで構成される。垂直信号線12から送られてくるノイズ信号Vnは第1メモリ部51に高レベルのサンプリングパルスSHNを与えることにより第1メモリ部51に記憶される。また、垂直信号線12から送られてくる画素信号のうち、低照度信号Vs1は第2メモリ部42に高レベルのサンプリングパルスSHS1を与えることにより第2メモリ部42に記憶される。また、垂直信号線12から送られてくる画素信号のうち、高照度信号Vs2は第3メモリ部53に高レベルのサンプリングパルスSHS2を与えることにより第3メモリ部53に記憶される。選択部54は、第2メモリ部52に記憶された低照度信号Vs1と、第3メモリ部53に記憶された高照度信号Vs2に画像信号加算係数bを掛けた値のうち、画素信号の出力に用いられる値を選択する。加算器55は、第1メモリ部51に記憶されたノイズ信号Vnに補正係数aを掛けた値にマイナスを掛けた値と、選択部54で選択された値と加算する。すなわち、選択部54で選択された値からaVnを減算する。[1-3駆動方法]次に、本実施形態例の固体撮像装置1の駆動方法について説明する。図7は、本実施形態例の固体撮像装置1の駆動方法を示すタイミングチャートである。また、図8~図17は、駆動方法の工程を示す図であり、図7のタイミングチャートに相当する単位画素の露光から読出しまでの電子の移動、および電位の遷移を示す断面ポテンシャル図である。図8~図17では、図3Aの断面構成に対応するポテンシャル図と、図3Bの断面構成に対応するポテンシャル図を示している。図8~図17で図2及び図3に対応する部分には同一符号を付す。まず、全画素同時に、第1リセットパルスPRGをオフにし、第2リセットパルスRST、第1転送パルスTRG、第2転送パルスCG、第3転送パルスFGをオンする。これより、図8に示すように、フォトダイオードPD、第1電荷蓄積部41、第2電荷蓄積部28、第3電荷蓄積部18の電位が全画素同時に電源電圧VDDにより、初期状態にリセットされる。次に、第2リセットパルスRST、第1転送パルスTRG、第2転送パルスCG、第3転送パルスFGをオフする。これにより、図9に示すように、フォトダイオードPD、及び第1電荷蓄積部41の信号電荷はリセットされ、第2電荷蓄積部28、第3電荷蓄積部18の電位は初期電位にリセットされる。そして、これと同時に、全画素同時に露光が開始される。露光期間では、図10に示すように、フォトダイオードPDに入射した光は光電変換し、光量に応じた信号電荷が生成、蓄積される。信号電荷の蓄積時において、フォトダイオードPDへの入射光が高照度の場合、フォトダイオードPDの飽和電荷量に対する余剰の信号電荷が、第1転送ゲート部24aを介して第1電荷蓄積部41にオーバーフローされる。オーバーフローされ第1電荷蓄積部41に蓄積された信号電荷が第1電荷蓄積部41の飽和電荷量を越えた場合には、さらに、第2転送ゲート部26aを介して第2電荷蓄積部28にオーバーフローされる。このとき、n型半導体領域からなる第2転送ゲート部26aのポテンシャルは、p型のウェル領域で構成される第3転送ゲート部27aのポテンシャルよりも深い。このため、第1電荷蓄積部41で溢れた信号電荷は、第3電荷蓄積部18にはオーバーフローせず、第2電荷蓄積部28にオーバーフローする。次に、全画素同時に、第2転送パルスCGをオンする。これにより、図11に示すように、第1電荷蓄積部41に蓄積された信号電荷が第2電荷蓄積部28に転送される。そして、第2転送パルスCGをオフすることにより、図12に示すように、第1電荷蓄積部41から第2電荷蓄積部28への信号電荷の転送を終了する。次に、全画素同時に、第1転送パルスTRG、及び電位変動パルスSGをオンする。これにより、図13に示すように、フォトダイオードPDに蓄積された信号電荷が第1転送ゲート24を介して第1電荷蓄積部41に転送される。その後、第1転送パルスTRG、電位変動パルスSGをオフし、第1リセットパルスPRGをオンにすることで、図14に示すようにフォトダイオードPDの電位が電源電位VDDによりリセットされ、これにより、露光期間が終了する。ここまでの露光期間でなされる駆動は全画素同時であり、いわゆるグローバル露光とされている。次に、行毎の読み出しについて説明する。グローバル露光が終了した後は、1行目の画素から順に走査することによりローリング読み出しがなされるが、ここでは、n行目を例に説明する。n-1行目の画素の読み出しが終わった後、まず、n行目の画素の選択パルスSELをオンにし、第3電荷蓄積部18に蓄積された偽信号Vnを読み出す。そして、図6に示す演算処理部50において第1メモリ部51にサンプリングパルスSHNが入力されることにより、偽信号Vnは第1メモリ部51に記憶される。その後、第2リセットパルスRSTをオンにし、第3電荷蓄積部41に蓄積された偽信号Vnをリセットする。次に、n行目の画素において、第3転送パルスFGをオンにし、図15に示すように、第1電荷蓄積部41に蓄積されている信号電荷を第3電荷蓄積部18に転送する。その後、第3転送パルスFGをオフにする。これにより、図16に示すように、第1電荷蓄積部41に蓄積された信号電荷の第3電荷蓄積部18への転送が終了する。第3電荷蓄積部18に転送された信号電荷は、アンプトランジスタ19で増幅された後、選択トランジスタ20を介して垂直信号線12に読み出される。露光終了時に第1電荷蓄積部41に蓄積された信号電荷はフォトダイオードPDからオーバーフローしなかった信号電荷であるため、低照度信号Vs1として垂直信号線12に読み出される。ところで、出力された低照度信号Vs1は、第1電荷蓄積部41に蓄積された信号V_1蓄積信号に、第1電荷蓄積部41の偽信号V_1偽信号と第3電荷蓄積部18のリセットレベル信号V_rst1を重畳した値である。すなわち、Vs1=V_1蓄積信号V_1偽信号V_rst1であり、フォトダイオードPDで蓄積された信号電荷に、第1電荷蓄積部41で発生した信号電荷偽信号と、固定パターンノイズリセットレベル信号が加わっている。そして、低照度信号Vs1が出力された場合、図6に示すように、演算処理部50において第2メモリ部52にサンプリングパルスSHS1が入力されることにより、垂直信号線12に読み出された低照度信号Vs1は、第2メモリ部52に記憶される。次に、n行目の画素において、電位変動パルスSG、第3転送パルスFG、及び第2転送パルスCGをオンにし、図17に示すように、第1電荷蓄積部41、第2電荷蓄積部28、第3電荷蓄積部18を容量結合する。これにより、第2電荷蓄積部28に蓄積された信号電荷を読み出す。このとき読み出される信号電荷は、フォトダイオードPDへの入射光が高照度の場合に蓄積された信号電荷、すなわち、フォトダイオードPDから第1及び第2電荷蓄積部41、28にオーバーフローした信号電荷である。このため、ここで読み出される信号電荷は高照度信号Vs2としてアンプトランジスタ19、選択トランジスタ20を介して垂直信号線12に読み出される。ところで、出力された高照度信号Vs2は、第1及び第2電荷蓄積部41、28に蓄積された信号V_12蓄積信号に、第1及び第2電荷蓄積部41、28の偽信号V_12偽信号と第3電荷蓄積部18のリセットレベル信号V_rst2を重畳した値である。すなわち、Vs2=V_12蓄積信号V_12偽信号V_rst2であり、フォトダイオードPDで蓄積された信号電荷に、第1及び第2電荷蓄積部41、28で発生した信号電荷偽信号と、固定パターンノイズリセットレベル信号が加わっている。そして、高照度信号Vs2が出力された場合、図6に示すように、演算処理部50において第3メモリ部53にサンプリングパルスSHS2が入力されることにより、垂直信号線12に読み出された高照度信号Vs2は、第3メモリ部53に記憶される。その後、電位変動パルスSG、第2転送パルスCG、第3転送パルスFG、選択パルスSELをオフしてn行目の画素の読み出しを終了する。以上のようにして得られるn行目の画素の信号Vn、Vs1、Vs2を演算処理部50で処理する。n行目の画素を走査することにより、第1メモリ部51は、偽信号Vnを記憶している。また、第2メモリ部52は、低照度信号Vs1=V_1蓄積信号V_1偽信号V_rst1を記憶している。また、第3メモリ部53は、高照度信号Vs2=V_12蓄積信号V_12偽信号V_rst2を記憶している。ところで、本実施形態例の固体撮像装置1では、第1~第3電荷蓄積部41、28、18の読み出しのタイミングが近接している。このため、一括転送から読み出しまでに第3電荷蓄積部18に発生する偽信号Vnのリーク成分は、第1及び第2電荷蓄積部41、28の偽信号と相関を持つ。また、光が当たって各蓄積部自体で光電変換が起こることによる偽信号の成分については、光電変換を行う場所の距離が近いほど相関の強いものとなる。本実施形態例では、第1~第3電荷蓄積部41、28、18を同画素上に配置しているため、強い相関を有する。図18A、Bに、全画素同時に転送が終了した後、各行の画素が読み出されるまでに各行の画素に発生する偽信号の蓄積量を示す。図18Aに示すように、1行目の画素から読み出しが後になるにつれて第3電荷蓄積部18に蓄積される偽信号が増加すると共に、低照度信号Vs1、高照度信号Vs2の信号量も増える。すなわち、第3電荷蓄積部18に蓄積される偽信号Vnは、低照度信号Vs1や高照度信号Vs2が含む偽信号と強い相関を有することを示している。そして、図18Bに示すように、有る画素に強い光が照射された場合、第3電荷蓄積部18に蓄積される偽信号Vnが増加すると共に、その画素の低照度信号Vs1と高照度信号Vs2も同じように増加する。したがって、各画素を、その画素で得られた第3電荷蓄積部18の偽信号Vnで補正することで、画素毎により正確な補正が可能であるといえる。このように、第1~第3電荷蓄積部41、28、18が強い相関を有することから、第1電荷蓄積部41や第2電荷蓄積部28に蓄積される偽信号が第3電荷蓄積部18の偽信号Vnと同じと仮定する。そうすると、ノイズが除去された所望の蓄積信号は、低照度信号Vs1又は高照度信号Vs2から偽信号Vnを引いた値となる。しかしながら、実際には、各蓄積部の面積や不純物濃度、容量等の特性により、各電荷蓄積部で生成される偽信号や固定ノイズパターンの条件が異なる。したがって、演算処理部50では、図6に示す加算係数bや補正係数aを乗算する機能を持たせ、演算処理するのが現実的である。以下に、加算係数bや補正係数aを適用した演算処理について説明する。演算処理部50では、加算係数bや補正係数aを用い、偽信号Vn、低照度信号Vs1、高照度信号Vs2が揃ったところで、低照度信号Vs1又は高照度信号Vs2から偽信号Vnの減算処理を行う。図19は、蓄積信号量に対する低照度信号Vs1と高照度信号Vs2の出力信号を示した図である。本実施形態例では、蓄積信号量出力信号の違いにより、選択部54で低照度信号Vs1を選択するか、高照度信号Vs2を選択するかが決定される。第1電荷蓄積部41が飽和しない場合には、低照度信号Vs1が選択部54で選択され、画素信号の演算に用いられる。低照度信号Vs1は高照度信号Vs2よりもノイズが小さい。このため、蓄積信号量が小さい場合、すなわち、低照度信号Vs1が第1電荷蓄積部41の飽和電荷量に達しない場合に低照度信号Vs1を選択することでノイズの小さい画素信号を得ることができる。また、第1電荷蓄積部41が飽和した場合には、高照度信号Vs2で加算係数bを掛けた値bVs2が選択部54で選択され、画素信号の演算に用いられる。高照度信号Vs2は低照度信号Vs1よりもノイズが大きいが、蓄積信号量が大きい場合にはノイズがあまり影響しない。ここで、加算係数bは各蓄積部の特性を考慮した係数であり、図19に示すように、高照度信号Vs2において、蓄積信号量に対して得られる出力信号の傾きを低照度信号Vs1に合わせるように設定される値である。そして、本実施形態例では、選択部54で選択された値からaVnを減算することにより、フォトダイオードPDで露光期間中に生成された信号電荷の信号量とほぼ等しい値を割り出すことができる。また、本実施形態例では、各行の信号電荷を、相関の強い同画素に形成された第3電荷蓄積部18の偽信号Vnで補正するため、精度のよい補正が可能となる。なお、補正係数aは、第1~第3電荷蓄積部41、28、18の面積比や不純物濃度、容量値を考慮した値である。このように、本実施形態例では、グローバル転送から各行の読み出しまでの間に第1電荷蓄積部41及び第2電荷蓄積部28の偽信号と強い相関を有する第3電荷蓄積部18の偽信号Vnを読み出す。そして、読み出した偽信号Vnに補正係数aを掛けた値を、読み出した信号電荷から減算することで偽信号が減算でき、画素信号を精度良く補正することができる。また、本実施形態例では、第1~第3電荷蓄積部41、28、18を構成し、低照度信号Vs1と高照度信号Vs2とを得ることにより、ダイナミックレンジの良好な画像を得ることができる。このように、本実施形態例では、ダイナミックレンジの拡大が図られたグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、グローバル転送から各行の読み出しまでの間に偽信号Vnを読み出し、この値を用いて画素信号の補正を行う。これにより、偽信号取得のための画素を他に配置することなく偽信号補正が可能であるため、有効画素を損なうことがない。尚、本実施形態例では、3つの電荷蓄積部を有する固体撮像装置を例に説明したが、3つ以上の電荷蓄積部を有する例としてもよい。この場合も、本実施形態例と同様、信号電荷を蓄積しない電荷蓄積部を1つ設け、その電荷蓄積部を用いて偽信号の補正をすることで、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において偽信号低減が可能である。ところで、本実施形態例では、選択部54において、図19に示したように蓄積信号レベルのある点を境に低照度信号Vs1から高照度信号Vs2への切り替えがなされる。しかしながら、選択部54において、切り替わり時点をある信号レベルと決めてしまうと、そこでの切り替わりノイズが目立つため徐々に低照度信号Vs1と高照度信号Vs2との比率を徐々に切り替える構成とすることが好ましい。以下に、変形例として、徐々に低照度信号Vs1と高照度信号Vs2との比率を徐々に切り替える演算処理部を有する固体撮像装置について説明する。図20は、変形例に係る固体撮像装置に用いられる演算処理部の構成を示すブロック図である。図20において、図6に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。図20に示す演算処理部65は、選択部64の構成が図6と異なる。変形例における演算処理部65は、選択部64において、蓄積信号量に対する低照度信号Vs1と高照度信号Vs2の切り替え時点を緩和する係数αを決定する。そして、低照度信号Vsに係数α0≦α≦1を掛けた値=αVs1と、高照度信号Vs2に加算係数を掛け、さらに、1-αを掛けた値=1-αbVs2を加算する。図21に、このような係数αを決定した場合の蓄積信号量に対する出力信号の値を示す。図21に示すように、低照度信号Vs1が飽和する前、すなわち、低照度信号Vs1と高照度信号bVs2との切り替え時点Vs1maxよりも前の蓄積信号量の段階で適用する。なお、係数α=0の場合には、高照度信号bVs2が選択され、係数α=1の場合には、低照度信号Vs1が選択される。以上のように、切り替え時点Vs1maxよりも蓄積信号量が小さい場合において、徐々に低照度信号Vs1と高照度信号Vs2との信号の比率を切り替えることで、ある信号レベルですべての信号を低照度から高照度信号に切り替えるのに比較して、切り替わり起因のノイズを目立たなくすることが可能となる。なお、係数αは、低照度信号Vs1、及び高照度信号bVs2の両者の信号が、画像として構成した際に十分線形に信号取得できる領域範囲で適切に設定する。<2.第2の実施形態:固体撮像装置の駆動方法>次に、本開示の第2の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法について説明する。本実施形態例の固体撮像装置の全体構成、及び単位画素の構成は、図1~図6と同様であるから重複説明を省略する。本実施形態例の固体撮像装置は、列信号処理部5において、固定パターンノイズを除去するための相関二重サンプリング回路図示せずを備え、第1の実施形態に係る固体撮像装置とは駆動方法が異なる例である。図22は、本実施形態例の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。グローバル露光開始からグローバル転送終了までの駆動方法は、図7に示す駆動方法と同様であるから、重複説明を省略する。また、本実施形態例の駆動方法において、第1の実施形態と同様の部分の説明は省略する。本実施形態例では、n行目の読み出し期間において、第3電荷蓄積部18の偽信号Vnを読み出し、第2リセットパルスRSTをオンした後、もう一度第3電荷蓄積部18の電位を読むことにより、リセットレベル信号V_rst1を得る。その後、低照度信号Vs1を得る。第1の実施形態で述べたように、低照度信号Vs1は、偽信号V_1偽信号と、固定パターンノイズとしてリセットレベル信号V_rst1が含まれた状態で出力される。本実施形態例では、低照度信号Vs1の読み出しの前にリセットレベル信号V_rst1を読み取り、低照度信号Vs1からリセットレベル信号V_rst1を減算する。これにより、リセットレベル信号V_rst1が取り除かれた低照度信号Vs1’=V_1蓄積信号V_1偽信号を得ることができる。次に、n行目の画素において、電位変動パルスSG、第3転送パルスFG、及び第2転送パルスCGをオンにし、第1電荷蓄積部41、及び第2電荷蓄積部28に蓄積された高照度信号Vs2を読み出した後、第2リセットパルスCGをオンする。このときのポテンシャル図を図23に示す。図23に示すように、電位変動パルスSG、第3転送パルスFG、及び第2転送パルスCGをオンした状態で第2リセットパルスRSTをオンすることで、リセットレベル信号V_rst2を得る。前段で読み出した高照度信号Vs2は、偽信号V_12偽信号と、固定パターンノイズとしてリセットレベル信号V_rst2が含まれた状態で出力される。本実施形態例では、高照度信号Vs2の読み出しの後にリセットレベル信号V_rst2を読み取り、高照度信号Vs2からリセットレベル信号V_rst2を減算する。これにより、リセットレベル信号V_rst2が取り除かれた高照度信号Vs2’=V_12蓄積信号V_12偽信号を得ることができる。本実施形態例では、上述のように、リセットレベル信号を読み出すことにより通常の相関二重サンプリングが行われる。そして、本実施形態例においても、選択部54で、低照度信号Vs1’と高照度信号Vs2’のうち画素信号として用いられる値が選択される。そして、選択部54で選択された値から偽信号aVnを減算することで、所望の画素信号が得られる。本実施形態例では、リセットレベル信号V_rst1、V_rst2を出力することにより、固定パターンノイズが取り除かれた所望蓄積信号を得ることができ、第1の実施形態における駆動方法よりも画質の精度が向上する。また、低照度信号Vs1からは、リセットノイズも除去することができる。このように、本実施形態例の固体撮像装置では、ダイナミックレンジの拡大が図られたグローバルシャッタ機能付きの固体撮像装置において、読み出し時までに発生する偽信号や固定パターンノイズなどを除去することができ、画質劣化を改善した良好な画像が得られる。<3.第3の実施形態:固体撮像装置の駆動方法>次に、本開示の第3の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法について説明する。本実施形態例の固体撮像装置の全体構成は、第1の実施形態と同様であり、第1の実施形態に係る固体撮像装置とは駆動方法が異なる例である。したがって、本実施形態例では、平面構成や回路構成の説明は省略する。図24は、本実施形態例の固体撮像装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。グローバル露光開始からグローバル転送終了までの駆動方法は、図7に示す駆動方法と同様であるから、重複説明を省略する。また、本実施形態例の駆動方法において、第1の実施形態と同様の部分の説明は省略する。本実施形態例では、n行目の読み出し期間において、選択パルスSELをオンする前に第2リセットパルスRSTをオンし、第3電荷蓄積部41に蓄積された偽信号を排出させる。これにより、蓄積期間からn行目の画素の読み出しが始まるまでに第3電荷蓄積部41に蓄積された偽信号がリセットされる。第3電荷蓄積部18をリセットした後は、第1の実施形態と同様にして、n行目の画素の偽信号Vn、低照度信号Vs1、高照度信号Vs2を取得する。そして、演算処理部50にて、第1の実施形態と同様の処理を行うことにより、偽信号Vnが取り除かれた所望蓄積信号を得ることができる。本実施形態例では、読み出し期間中において、選択パルスSELをオンする前に一度、第3電荷蓄積部18をリセットする。これにより、第3電荷蓄積部18に偽信号が載る期間が第1及び第2の実施形態に比較して短くなる。このため、補正の精度は若干下がるものの、第3電荷蓄積部18が偽信号によって飽和してしまうのを防ぐことができる。その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。<4.第4の実施形態:固体撮像装置>次に、本開示の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。本実施形態例の固体撮像装置の全体構成は、図1と同様であるから重複説明を省略する。本実施形態例の固体撮像装置は、第1の実施形態と画素構造が異なる例であり、第3電荷蓄積部18を隣接する2画素で共有する例である。図25は、本実施形態例の固体撮像装置の画素構成を示す図である。図25では、列方向に隣接する2つの画素以下、第1画素60、第2画素61というを代表して示している。図25において、図4に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。図25に示すように、第1画素60と、第2画素61では、フォトダイオードPD、第1電荷蓄積部41、第2電荷蓄積部28、及び、それらを駆動する画素トランジスタは画素毎にそれぞれ形成されている。そして、第3電荷蓄積部18は、第1画素60及び第2画素61で共有されている。したがって、第3電荷蓄積部18をリセットする第2リセットトランジスタ21、アンプトランジスタ19、選択トランジスタ20も第1及び第2画素60、61で共有されている。第1画素60では、第1転送トランジスタ13に第1転送パルスTRG1が入力され、第2転送トランジスタ15に第2転送パルスCG1が入力され、第3転送トランジスタ17に第3転送パルスFG1が入力される。さらに、第1リセットトランジスタ14に第1リセットパルスPRG1が入力され、電位変動電極25に電位変動パルスSG1が入力される。第2画素61では、第1転送トランジスタ13に第1転送パルスTRG2が入力され、第2転送トランジスタ15に第2転送パルスCGが入力され、第3転送トランジスタ17に第3転送パルスFG2が入力される。さらに、第1リセットトランジスタ14に第1リセットパルスPRG2が入力され、電位変動電極25に電位変動パルスSG2が入力される。そして、第3電荷蓄積部18を含む複数の画素トランジスタを共有する第1画素60及び第2画素61では、蓄積された信号電荷を異なるタイミングで読み出す。例えば、n行目の読み出し走査のときに、第1画素60の信号電荷を読み出し、n1行目の読み出し走査のときに第2画素61の信号電荷を読み出す。これらの読み出しに係る各パルスのタイミングは、第1~第3の実施形態を適用することができる。また、第3の電荷蓄積部18に蓄積された偽信号は、第1画素60の偽信号、及び第2画素61の偽信号として適用する。本実施形態例によれば、2つの画素で第3電荷蓄積部18や複数の画素トランジスタを共有できるため、画素面積を微細化でき、小型化が可能となる。また、本実施形態例の固体撮像装置においても、駆動方法は、第1~第3の実施形態と同様の構成をとることができるため、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置において、ダイナミックレンジの拡大や偽信号の抑制が図られる。その他、第1~第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。本実施形態例では、2つの画素で、第3電荷蓄積部18や複数の画素トランジスタを共有する構成としたが、2つ以上の複数の画素で共有する構成としてもよい。その場合にも列方向に隣接する画素で第3電荷蓄積部18や複数の画素トランジスタを共有する構成とする。このように、2つ以上の複数の画素で共有する場合は、複数の画素で共有される第3電荷蓄積部で発生した偽信号を2つ以上の複数の画素の偽信号として適用することができる。本開示では、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置物理量分布検知装置全般に対して適用可能である。さらに、本開示は、画素領域の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、当該選択画素から画素単位で信号を読み出すX-Yアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素領域と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。また、本開示は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。5.第5の実施形態:電子機器次に、本開示の第5の実施形態に係る電子機器について説明する。本実施形態例では、電子機器の一例としてカメラを例に説明する。図26は、本開示の第5の実施形態に係るカメラ100の概略構成図である。本実施の形態に係るカメラ100は、光学レンズ群光学系101、固体撮像装置102、DSPDigitalsignalprocessor103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107及び電源系108等を備えて構成される。このうち、DSP103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107及び電源系108は、共通のバスライン109に接続されている。光学レンズ群101は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置102の撮像面画素アレイ部:画素部に導くものである。固体撮像装置102は、上述した実施の形態のいずれか1つの固体撮像装置が適用される。この固体撮像装置102は、光学レンズ群101によって撮像面に結像された像光を画素単位で電気信号に変換する。DSP103は、固体撮像装置102を制御するとともに、そこからの信号を受け、画像信号を生成するものである。フレームメモリ104は、DSP103で処理される画像信号を一時的に記憶するために使用されるメモリである。表示装置105は、DSP103の処理結果として出力された画像信号を表示するものである。記録装置106は、その画像信号を例えば磁気テープ、磁気ディスク、光ディスク等に記録するものである。操作系107は、カメラを操作するためのものである。電源系108は、固体撮像装置102を駆動するための電力を供給するものである。本開示は、光学レンズ群101、固体撮像装置102、DSP103、フレームメモリ104、電源系108等をモジュール化したカメラモジュールの形態を取ることができる。本開示は、このようなカメラモジュールを備えた例えば携帯電話に代表されるカメラ付き携帯機器などを構成することができる。さらに上記のモジュール化した撮像機能を有するモジュール、いわゆる撮像機能モジュールとして構成することができる。本実施形態例のカメラ100では、固体撮像装置102において、ダイナミックレンジの拡大が図られ、かつ、偽信号が除去されるため、画質の向上が図られる。また、グローバルシャッタ機能を有するため、動被写体撮影時においては、フォーカルプレーン歪みが解消される。本実施形態例においては、固体撮像装置102として、第1の実施形態における固体撮像装置1をカメラ100に用いる構成としたが、前述した第2~第4の実施形態で製造した固体撮像装置を用いることもできる。なお、本開示は、以下の構成をとることができる。1光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された信号電荷が転送される第1電荷蓄積部と、前記光電変換部で生成された信号電荷のうち、前記光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される第2電荷蓄積部と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す第3電荷蓄積部とを含む少なくとも3つの電荷蓄積部と、前記信号電荷の転送、読み出しをする複数の画素トランジスタと、を備える画素が行列状に二次元配置された画素アレイ部と、信号電荷の蓄積期間において蓄積期間が全画素同時となるように走査し、読み出し期間において前記低照度信号、及び前記高照度信号の前記第3電荷蓄積部への読み出しを行毎に走査する走査部と、前記読み出し期間の各行の読み出し時において前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得し、前記偽信号を用いて、前記低照度信号及び高照度信号を補正する演算処理部を備える固体撮像装置。2前記第1電荷蓄積部上部には絶縁膜を介して電位調整電極が形成されており、前記第1電荷蓄積部は、CCD構造とされている1に記載の固体撮像装置。3前記光電変換部に蓄積された信号電荷を転送する第1転送トランジスタと、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第2電荷蓄積部に転送する第2転送トランジスタと、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第3電荷蓄積部に転送する第3転送トランジスタを備え、前記第2転送トランジスタの第2転送ゲート部のポテンシャルは、前記第3転送トランジスタの第3転送ゲート部のポテンシャルよりも深く形成されている1又は2に記載の固体撮像装置。4前記画素トランジスタのうち、一部の画素トランジスタを複数の画素で共有する1~3のいずれかに記載の固体撮像装置。5前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記低照度信号から減算することで、前記低照度信号から固定パターンノイズ、および、リセットノイズを除去し、前記高照度信号の読み出しの後に、前記第1~第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記高照度信号から減算することで、前記高照度信号から固定パターンノイズを除去する相関二重サンプリング回路を備える1~4のいずれかに記載の固体撮像装置。6前記演算処理部は、低照度信号が飽和しない場合は低照度信号を選択し、低照度信号が飽和した場合には高照度信号を選択する選択部を有し、前記低照度信号又は高照度信号のうち選択されたいずれかの信号から前記偽信号を減算する1~5のいずれかに記載の固体撮像装置。7前記選択部では、蓄積信号量に応じて低照度信号から高照度信号に切り替わる前の時点においては、低照度信号と高照度信号とを所定の比率で加算した値を選択し、前記選択した値から前記偽信号を減算する6に記載の固体撮像装置。8光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された信号電荷が転送される第1電荷蓄積部と、前記光電変換部で生成された信号電荷のうち、前記光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される第2電荷蓄積部と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す第3電荷蓄積部とを含む少なくとも3つの電荷蓄積部と、前記信号電荷の転送、読み出しをする複数の画素トランジスタと、を備える画素が行列状に二次元配置された画素アレイ部を備える固体撮像装置の駆動方法であって、全画素同時に露光を開始し、露光終了後、露光期間中に前記光電変換部から前記第1電荷蓄積部にオーバーフローした信号電荷を、全画素同時に前記第2電荷蓄積部に転送し、その後、前記光電変換部に蓄積された信号電荷を前記第2電荷蓄積部に転送する工程と、読み出し期間において、前記第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得する工程と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として取得する工程と、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として取得する工程と、前記低照度信号及び前記高照度信号から前記偽信号を減算し、前記露光期間中に前記光電変換部で光電変換された信号量を算出する工程と、を備える固体撮像装置の駆動方法。9前記露光期間中に前記光電変換部で光電変換された信号量は、前記低照度信号、又は前記高照度信号に係数を掛けた値から、前記偽信号に補正係数を掛けた値を減算することで求める7に記載の固体撮像装置の駆動方法。10前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記低照度信号から減算することで、前記低照度信号から固定パターンノイズ、および、リセットノイズを除去し、前記高照度信号の読み出しの後に、前記第1~第3電荷蓄積部のリセット電位を読み出し、当該リセット電位を前記高照度信号から減算することで、前記高照度信号から固定パターンノイズを除去する7又は8に記載の固体撮像装置の駆動方法。11前記露光期間中に前記光電変換部で光電変換された信号量を算出する工程では、低照度信号が飽和しない場合は低照度信号を選択し、低照度信号が飽和した場合には高照度信号を選択し、前記低照度信号又は高照度信号のうち選択されたいずれかの信号から前記偽信号を減算する7~10のいずれかに記載の固体撮像装置の駆動方法。12蓄積信号量に応じて低照度信号から高照度信号に切り替わる前の時点においては、低照度信号と高照度信号とを所定の比率で加算した値を選択し、前記選択した値から前記偽信号を減算する11に記載の固体撮像装置の駆動方法。13光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された信号電荷が転送される第1電荷蓄積部と、前記光電変換部で生成された信号電荷のうち、前記光電変換部の飽和電荷量を超えた信号電荷が転送される第2電荷蓄積部と、前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を低照度信号として読み出した後、前記第2電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記第1電荷蓄積部に蓄積された信号電荷と合わせて高照度信号として読み出す第3電荷蓄積部とを含む少なくとも3つの電荷蓄積部と、前記信号電荷の転送、読み出しをする複数の画素トランジスタと、を備える画素が行列状に二次元配置された画素アレイ部と、信号電荷の蓄積期間において蓄積期間が全画素同時となるように走査し、読み出し期間において前記低照度信号、及び前記高照度信号の前記第3電荷蓄積部への読み出しを行毎に走査する走査部と、前記読み出し期間の各行の読み出し時において前記低照度信号の読み出しの前に、前記第3電荷蓄積部に蓄積された偽信号を取得し、前記偽信号を用いて、前記低照度信号及び高照度信号を補正する演算処理部を有する固体撮像装置を備える電子機器。