"有効画素領域とオプティカルブラック部と撮像素子駆動回路とが形成された撮像素子と、前記オプティカルブラック部の画素の信号と、前記有効画素領域の画素の信号とを検出する信号検出部と、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて、前記オプティカルブラック部の画素から前記信号検出部によって検出された第1黒レベルに基づき前記有効画素領域内の有効画素の検出信号中に含まれる第2黒レベルを求める補正パターンを予め格納した記憶手段と、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて前記記憶手段から読み出した前記補正パターンと前記第1黒レベルとから前記第2黒レベルを求め、該第2黒レベルをクランプレベルとして前記有効画素の出力信号のレベルから差し引くクランプ手段とを備える撮像装置。請求項1に記載の撮像装置であって、前記信号検出部は、前記オプティカルブラック部及び前記有効画素領域のそれぞれで、複数の画素同士を画素加算して前記画素の信号を検出するものであり、前記補正パターンは、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より高くなるパターンの場合、前記オプティカルブラック部の画素加算数を前記有効画素領域の画素加算数より少なくし、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より低くなるパターンの場合、前記オプティカルブラック部の画素加算数を前記有効画素領域の画素加算数より多くして、前記第1黒レベルを検出し、該検出した第1黒レベルに基づいて前記第2黒レベルを求めるものである撮像装置。請求項2に記載の撮像装置であって、前記信号検出部は、前記画素加算ができない場合に、前記オプティカルブラック部の画素の信号及び前記有効画素領域の画素の信号にかけるゲインを変える補正演算処理を行うものであり、前記補正パターンが、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より高くなるパターンの場合、前記出力信号にかけるゲインを前記オプティカルブラック部の画素に対するゲインより前記有効画素に対するゲインを大きくし、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より低くなるパターンの場合、前記出力信号にかけるゲインを前記オプティカルブラック部の画素に対するゲインより前記有効画素に対するゲインを小さくして、前記第1黒レベルを検出し、該検出した第1黒レベルに基づいて前記第2黒レベルを求めるものである撮像装置。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の撮像装置であって、前記補正パターンは、前記撮像素子の前記動作パターン毎に予め実験的又はシミュレーションで求めておき前記記憶手段に格納しておく撮像装置。有効画素領域とオプティカルブラック部と撮像素子駆動回路とが形成された撮像素子と、前記オプティカルブラック部の画素の信号と、前記有効画素領域の画素の信号とを検出する信号検出部と、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて、前記オプティカルブラック部の画素から前記信号検出部によって検出された第1黒レベルに基づき前記有効画素領域内の有効画素の検出信号中に含まれる第2黒レベルを求める補正パターンを予め格納した記憶手段とを備える撮像装置の暗電流補正方法であって、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて前記記憶手段から読み出した前記補正パターンと前記第1黒レベルとから前記第2黒レベルを求め、該第2黒レベルをクランプレベルとして前記有効画素の出力信号のレベルから差し引くことを特徴とする撮像装置の暗電流補正方法。請求項5に記載の撮像装置の暗電流補正方法であって、前記信号検出部は、前記オプティカルブラック部及び前記有効画素領域のそれぞれで、複数の画素同士を画素加算して前記画素の信号を検出し、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より高くなるパターンの場合、前記オプティカルブラック部の画素加算数を前記有効画素領域の画素加算数より少なくし、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より低くなるパターンの場合、前記オプティカルブラック部の画素加算数を前記有効画素領域の画素加算数より多くして、前記第1黒レベルを検出し、該検出した第1黒レベルに基づいて前記第2黒レベルを求める撮像装置の暗電流補正方法。請求項6に記載の撮像装置の暗電流補正方法であって、前記信号検出部は、前記画素加算ができない場合に、前記オプティカルブラック部の画素の信号及び前記有効画素領域の画素の信号にかけるゲインを変える補正演算処理を行い、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より高くなるパターンの場合、前記出力信号にかけるゲインを前記オプティカルブラック部の画素に対するゲインより前記有効画素に対するゲインを大きくし、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より低くなるパターンの場合、前記出力信号にかけるゲインを前記オプティカルブラック部の画素に対するゲインより前記有効画素に対するゲインを小さくして、前記第1黒レベルを検出し、該検出した第1黒レベルに基づいて前記第2黒レベルを求める撮像装置の暗電流補正方法。請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の撮像装置の暗電流補正方法であって、前記補正パターンは、前記撮像素子の前記動作パターン毎に予め実験的又はシミュレーションで求めておき前記記憶手段に格納しておく撮像装置の暗電流補正方法。近年の固体撮像素子は多画素化が進展し、少なくとも1000万画素を搭載するのが普通になってきている。これは有効画素領域内の画素数であり、精度良く暗電流を検出できる様にするためのOB領域やそのOB画素数を確保しようとすると、より広いチップ面積を持つ固体撮像素子を用意しなければならなくなり、コストが嵩んでしまう。このため、OB部の領域を狭くせざるを得なくなっている。また、同じチップ上に、発熱源となる周辺回路を一緒に製造するため、周辺回路の発熱量が暗電流に反映してしまい、周辺回路の駆動パターンによって狭いOB部内のOB画素の出力信号で高精度の暗電流補正を行うのが困難になってきている。つまり、撮像素子チップ上の何処に発熱源となる周辺回路,駆動回路を作るか即ち、撮像素子チップのレイアウトにより、暗電流補正の精度が影響を受ける様になっている。本発明の目的は、撮像素子チップ上のレイアウトや周辺回路の駆動パターンによらずに高精度な暗電流補正を行うことが可能な撮像装置及びその暗電流補正方法を提供することにある。本発明の撮像装置は、有効画素領域とオプティカルブラック部と撮像素子駆動回路とが形成された撮像素子と、前記オプティカルブラック部の画素の信号と、前記有効画素領域の画素の信号とを検出する信号検出部と、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて、前記オプティカルブラック部の画素から前記信号検出部によって検出された第1黒レベルに基づき前記有効画素領域内の有効画素の検出信号中に含まれる第2黒レベルを求める補正パターンを予め格納した記憶手段と、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて前記記憶手段から読み出した前記補正パターンと前記第1黒レベルとから前記第2黒レベルを求め、該第2黒レベルをクランプレベルとして前記有効画素の出力信号のレベルから差し引くクランプ手段とを備えることを特徴とする。本発明の撮像装置の暗電流補正方法は、有効画素領域とオプティカルブラック部と撮像素子駆動回路とが形成された撮像素子と、前記オプティカルブラック部の画素の信号と、前記有効画素領域の画素の信号とを検出する信号検出部と、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて、前記オプティカルブラック部の画素から前記信号検出部によって検出された第1黒レベルに基づき前記有効画素領域内の有効画素の検出信号中に含まれる第2黒レベルを求める補正パターンを予め格納した記憶手段とを備える撮像装置の暗電流補正方法であって、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて前記記憶手段から読み出した前記補正パターンと前記第1黒レベルとから前記第2黒レベルを求め、該第2黒レベルをクランプレベルとして前記有効画素の出力信号のレベルから差し引くことを特徴とする。本発明によれば、撮像素子の動作パターンによって有効画素の温度とオプティカルブラック部の画素の温度との間に差が生じ夫々の暗電流に差が生じても、有効画素の出力信号をクランプするクランプレベルを暗電流の差に応じて補正するため、画像破綻のない高品質な被写体画像を得ることが可能となる。以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るデジタルカメラの機能ブロック図である。本実施形態のデジタルカメラ10は、被写体の静止画像或いは動画像を撮影しカメラ10内で撮像画像信号をデジタル処理する機能を有し、撮影レンズ20と、撮影レンズ20の背部に置かれその結像面に配置された固体撮像素子21と、固体撮像素子21の各画素から出力されるアナログの画像データを自動利得調整AGCや相関二重サンプリング処理等のアナログ処理するアナログ信号処理部22と、アナログ信号処理部22から出力されるアナログ画像データをデジタル画像データに変換するアナログデジタル変換部A/D23と、後述のシステム制御部CPU29からの指示によってA/D23,アナログ信号処理部22,固体撮像素子21,撮影レンズ20の駆動制御を行う駆動制御部24と、CPU29からの指示によって発光するフラッシュ25とを備える。本実施形態のデジタルカメラ10は更に、A/D23から出力されるデジタル画像データを取り込み補間処理やホワイトバランス補正,RGB/YC変換処理等を行うデジタル信号処理部26と、画像データをJPEG形式などの画像データに圧縮したり逆に伸長したりする圧縮/伸長処理部27と、メニューなどを表示したりスルー画像や撮像画像を表示する表示部28と、デジタルカメラ全体を統括制御するシステム制御部CPU29と、フレームメモリ等の内部メモリ30と、JPEG画像データ等を格納する記録メディア32との間のインタフェース処理を行うメディアインタフェースI/F部31と、これらを相互に接続するバス40とを備え、また、システム制御部29には、ユーザからの指示入力を行う操作部33が接続されている。固体撮像素子21は、本実施形態ではCMOS型であり、固体撮像素子21の出力信号をアナログ信号処理部AFE:アナログフロントエンド22で処理するが、このAFE部分相関二重サンプリング処理回路、クランプ回路、利得制御を行う信号増幅回路等は固体撮像素子チップ上に周辺回路として設けられるのが普通である。また、固体撮像素子21のチップ上には、その他にも、水平走査回路や垂直走査回路、雑音低減回路,同期信号発生回路等が周辺回路として受光部周りに形成され、図1のA/D変換部23も形成される場合がある。システム制御部29は、OB画素が検出した黒レベル第1黒レベルから後述するように真に近い黒レベル第2黒レベルを決定し、クランプ回路は、有効画素領域の画素検出信号から暗電流分として第2黒レベルを差し引く処理クランプを行う。図2は、上述したCPU29が駆動制御部24を介してクランプ回路を制御するときにクランプレベルを決定するクランプレベル黒レベル決定処理手順示すフローチャートである。先ずステップS1で、固体撮像素子21のチップ上に形成されている周辺回路の動作パターンを認識する。この動作パターンは、駆動制御部24に対しCPU29が指示する固体撮像素子21の動作指示によって決まる。固体撮像素子のチップ上のどの位置に周辺回路を設けるかはチップのレイアウトによって決まってしまう。このため、その固体撮像素子で何種類の動作パターンが存在するかは、レイアウトによって決まる。この例では、3種類の動作パターンI,II,IIIが存在するとして説明する。ステップS1の次のステップS2では、動作パターンIであるか否かを判定する。動作パターンIのときは次のステップS3に進み、OB画素の出力レベルに対して動作パターンI用の補正演算処理Iを施し、次のステップS4で、この補正演算処理Iにより算出されたクランプレベルを決定し、この処理を終了する。ステップS2の判定の結果、動作パターンIでない場合には次のステップS5で動作パターンIIであるか否かを判定する。動作パターンIIの場合にはステップS6に進み、OB画素の出力レベルに対して動作パターンII用の補正演算処理IIを施す。そして、次のステップS4に進み、補正演算処理IIにより算出されたクランプレベルを決定し、この処理を終了する。ステップS5の判定の結果、動作パターンIIでない場合には、動作パターンIIIであるため、次のステップS7に進む。このステップS7では、OB画素の出力レベルに対して動作パターンIII用の補正演算処理IIIを施し、ステップS4で、補正演算処理IIIで算出されたクランプレベルの決定を行い、この処理を終了する。この様に、本実施形態では、固体撮像素子21の動作パターンにより、被写体画像データのクランプレベル黒の基準レベルを変え、動作パターン毎に異なる暗電流補正を行う。この図2では、動作パターンを3種類として説明したが、どの様な動作パターンとなるかは予め固体撮像素子のレイアウトで決まってしまうため、動作パターンは何種類でも良い。以下、具体的な例で実施形態を説明するが、説明を簡単にするため、動作パターンは2種類とする。図3は、図1に示す固体撮像素子21の表面のレイアウト図の一例である。撮像素子チップの中央部から下辺部にかけて矩形の有効画素領域21aが設けられている。従来の固体撮像素子の場合、この有効画素領域の四周全周にOB部が設けられるが、図示する実施形態では、有効画素領域21aの左辺と上辺に隣接してOB部21bが設けられている。そして、上辺に隣接して設けられたOB部21bに更に隣接して周辺回路A21cが設けられ、有効画素領域21aの右辺に直接隣接して周辺回路B21dが設けられている。従来の固体撮像素子の様に、チップ面積を広くとることができ、発熱源となる周辺回路から離れた領域にOB部を設けることができれば、図4に示す様に、OB画素が検出する黒レベル暗電流分と、有効画素有効画素領域内の画素の黒レベル暗電流分とは同じとなる。このため、これをクランプレベルとすれば、黒の基準レベルを高精度に決めることが可能となる。クランプレベルが決まると、このクランプレベルが、例えば10ビット1028階調の64LSBとなるように調整される。図3に示すレイアウトの場合で、周辺回路A21cが高速駆動になって発熱量が大きくなると、周辺回路21cに隣接するOB画素の方が有効画素よりも温度が上昇し、暗電流が大きくなる。これに対し、周辺回路B21dが高速駆動になって発熱量が大きくなると、周辺回路21dに直接隣接する有効画素の温度が、周辺回路21dに対して離れているOB画素の温度よりも大きく上昇し、暗電流が大きくなる。この様に、周辺回路の動作パターンにより、有効画素領域とOB部とで温度差つまり暗電流差が発生してしまう固体撮像素子においては、長時間露光や高ゲイン印加時に、更に暗電流差が生じ、この暗電流差を精度良く補正しないと、被写体画像の品質を大きく劣化させてしまうことになる。図5は、暗電流がOB画素>有効画素となる場合のOB画素と有効画素の夫々の黒レベル暗電流分を示している。OB画素の出力信号のうち、真の黒レベルと真の暗電流分とを分けて検出することは不可能であり、両者が混在した黒レベル暗電流分=黒レベルとして検出できるだけである。OB画素の出力レベル検出した黒レベル=真の黒レベル真の暗電流分をクランプ回路でクランプし有効画素の出力信号から減算すると、感光データ入射光量に応じた真の撮像画像信号が削除されてしまうことになる。周辺回路の発熱に加え、長時間露光によって更に温度が上昇し、暗電流だけで64LSB以上になった場合、クランプの結果、感光データが0LSB以下となってしまい、画像が破綻してしまう。そこで、本実施形態では、OB画素の出力レベルに対し、有効画素出力信号中の黒レベル暗電流分となる位置C点位置を求める補正演算処理を後述の関係式補正パターンを用いて行い、クランプレベルを決定する。上記の関係式は、固体撮像素子の駆動モード動作パターン毎に実験或いはシミュレーションによって予め求めておき、これをCPU29内部の図示省略の書き換え可能なROMに格納しておけば良く、この関係式を使ってOB画素の出力レベルからC点位置を算出することができる。なお、補正パターンは、撮像素子チップ上や撮像素子モジュール上に別途設けたメモリ等に保存しておいても良い。図6は、暗電流が有効画素>OB画素となる場合を示している。この場合、OB画素の出力レベルで有効画素信号をクランプすると、感光データに暗電流差が加わった位置でクランプされてしまう。もし、長時間露光による温度上昇が更に加わり、暗電流が大きくなった場合、感光データ用の飽和領域が少なくなり、これも画像が破綻する結果となる。そこで、本実施形態では、図5の場合と同様に、OB画素の出力レベルに対し、有効画素出力信号中の黒レベル暗電流分となる位置D点位置を求める補正演算処理を上記の関係式を用いて行い、クランプレベルの決定を行う。図7は、図5,図6の場合分けを判定し、適切なクランプレベルの決定を行う処理手順を示すフローチャートである。先ず、ステップS10で、図3に示す周辺回路A,Bの動作パターンを認識する。次のステップS11では、周辺回路の温度がA>Bとなる動作パターンであるか否かを判定する。例えば、周辺回路A,Bの駆動が高速であるか否か、長時間露光時や高ゲイン印加時であるか否か等の駆動条件によって発熱量を推定し、周辺回路A,Bの温度の大小関係を判定する。A>Bとなる動作パターンの場合には黒レベルがOB画素>有効画素となるパターンであるため、ステップS12に進み、図5用の補正演算処理を行い、ステップS13でクランプレベルの決定を行い、この処理を終了する。ステップS11の判定の結果、A≦Bとなる動作パターンの場合には、黒レベルがOB画素<有効画素となるパターンであるため、ステップS11からステップS14に進み、図6用の補正演算処理を行う。そして、ステップS13でクランプレベルの決定を行い、この処理を終了する。図8は、本発明の別実施形態に係るクランプレベル決定処理手順を示すフローチャートである。上述した例では、OB画素の出力レベルに対して図5のC点位置,図6のD点位置を、予め求めておいた関係式により求めたが、関係式よりも簡便に求めることも可能である。例えば、図4の場合に有効画素8画素加算を行って出力する場合、8画素加算したときの黒レベルはOB画素の8画素加算した結果がクランプレベルとなる。これに対し、図5の場合、有効画素8画素加算を行うときのクランプレベルは、OB画素8画素加算より加算数は少なくなり、例えば7画素加算,6画素加算とすれば良いことになる。図6の場合には逆にOB画素の加算数が有効画素の加算数より多くなる。つまり、図9に示す様に、動作パターン毎に、黒の基準レベルとするOB画素の加算数aと有効画素の加算数bとが予め決まれば、加算数の制御により精度の高い暗電流補正が可能となる。OB画素と有効画素の加算数の関係は、予め実験又はシミュレーションにより固体撮像素子の動作パターン毎に求めておけば良い。固体撮像素子がCMOS型の場合、OB画素の加算数と有効画素の加算数とは夫々別個に任意に決めることができる。画素1個分の黒レベル暗電流以上となる暗電流成分等を補正しなければならない場合には、加算数で制御可能であるが、画素1個分以下の暗電流成分を補正しなければならない場合には、加算数による補正制御では高精度な補正はできない。そこで、この場合には、図10に示す様に、OB画素の出力信号に対するゲインaと、有効画素の出力信号に対するゲインbを変えることで行う。このゲインの調整は、図1のアナログ信号処理回路22の自動利得調整機能を用いて行う。例えば、図5の場合に有効画素の出力信号に対してゲイン1の利得制御を行う場合、OB画素の出力信号に対してはゲイン0.8の利得制御を行い、クランクレベルの決定を行う。以上の様な原理に基づいてクランプレベルの決定処理を行う手順を示したのが図8である。この図8の処理手順では、先ずステップS20で、固体撮像素子の周辺回路の動作パターンを認識し、次のステップS21で、周辺回路A,Bの温度がA>Bとなる動作パターンであるか否かを判定する。A>Bとなる動作パターンの場合には、黒レベルがOB画素>有効画素となる図5のパターンのためステップS22に進み、A≦Bとなる動作パターンの場合には黒レベルがOB画素<有効画素となる図6のパターンのためステップS23に進む。ステップS22では、OB画素加算数<有効画素加算数とする補正演算が可能か否かを判定し、可能な場合にはステップS24に進み、不可能な場合にはステップS25に進む。ステップS23では、OB画素加算数>有効画素加算数とする補正演算が可能か否かを判定し、可能な場合にはステップS24に進み、不可能な場合にはステップS25に進む。ステップS24では、画素の加算数による補正が可能となるため、OB画素の画素加算数と有効画素の画素加算数とを変える補正演算処理を行う。具体的には、動作パターンが、オプティカルブラック部の画素の温度が有効画素の温度より高くなるパターンの場合、出力信号にかけるゲインをオプティカルブラック部の画素に対するゲインより有効画素に対するゲインを大きくし、オプティカルブラック部の画素の温度が有効画素の温度より低くなるパターンの場合、出力信号にかけるゲインをオプティカルブラック部の画素に対するゲインより有効画素に対するゲインを小さくして、第1黒レベルを検出する。この検出した第1黒レベルに基づいて第2の黒レベルを求める。そして、次のステップS26でクランプレベルを決定し、この処理を終了する。ステップS25では、画素の加算数による補正が不可能となるため、OB画素と有効画素とで利得制御を行うゲインを変える補正演算処理を行い、次のステップS26でクランプレベルの決定を行い、この処理を終了する。以上述べた実施形態の撮像装置及びその暗電流補正方法は、有効画素領域とオプティカルブラック部と撮像素子駆動回路とが形成された撮像素子と、前記オプティカルブラック部の画素の信号と、前記有効画素領域の画素の信号とを検出する信号検出部と、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて、前記オプティカルブラック部の画素から前記信号検出部によって検出された第1黒レベルに基づき前記有効画素領域内の有効画素の検出信号中に含まれる第2黒レベルを求める補正パターンを予め格納した記憶手段とを備える撮像装置において、前記撮像素子駆動回路の動作パターンに応じて前記記憶手段から読み出した前記補正パターンと前記第1黒レベルとから前記第2黒レベルを求め、該第2黒レベルをクランプレベルとして前記有効画素の出力信号のレベルから差し引くことを特徴とする。また、実施形態の撮像装置及びその暗電流補正方法は、前記信号検出部は、前記オプティカルブラック部及び前記有効画素領域のそれぞれで、複数の画素同士を画素加算して前記画素の信号を検出し、前記補正パターンは、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より高くなるパターンの場合、前記オプティカルブラック部の画素加算数を前記有効画素領域の画素加算数より少なくし、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より低くなるパターンの場合、前記オプティカルブラック部の画素加算数を前記有効画素領域の画素加算数より多くして、前記第1黒レベルを検出し、該検出した第1黒レベルに基づいて前記第2黒レベルを求めることを特徴とする。また、実施形態の撮像装置及びその暗電流補正方法は、前記信号検出部は、前記画素加算ができない場合に、前記オプティカルブラック部の画素の信号及び前記有効画素領域の画素の信号にかけるゲインを変える補正演算処理を行い、前記補正パターンが、前記動作パターンが、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より高くなるパターンの場合、前記出力信号にかけるゲインを前記オプティカルブラック部の画素に対するゲインより前記有効画素に対するゲインを大きくし、前記オプティカルブラック部の画素の温度が前記有効画素の温度より低くなるパターンの場合、前記出力信号にかけるゲインを前記オプティカルブラック部の画素に対するゲインより前記有効画素に対するゲインを小さくして、前記第1黒レベルを検出し、該検出した第1黒レベルに基づいて前記第2黒レベルを求めることを特徴とする。また、実施形態の撮像装置及びその暗電流補正方法の前記補正パターンは、前記撮像素子の前記動作パターン毎に予め実験的又はシミュレーションで求めておき前記記憶手段に格納しておくことを特徴とする。以上述べた実施形態によれば、受光画素部及びオプティカルブラック部の画素部が形成された固体撮像素子チップ上に周辺回路を設け受光画素部とオプティカルブラック部の画素部との間に温度差が生じた場合でも、オプティカルブラック部の画素部の検出した暗電流分で受光画素部の暗電流分を高精度に補正することができ、長時間露光や高ゲイン印加時等の様々な撮影条件下で高品質な被写体画像を得ることが可能となる。"