アントラセン材料を含む発光層を含んでなるELデバイスであって、該アントラセン材料は、2位に少なくとも1つのアリール環を有し、6位に水素またはアルキル基を有し、12個以下の芳香族炭素環を含み、当該アントラセン基の9位に少なくとも1つのナフタレン基を有し、かつ、その10位にアリール基を有し、さらに該アントラセン材料の環には炭素環だけが含まれていることを特徴とするELデバイス。上記アントラセン材料が10個の芳香族炭素環を含み、その環には炭素環だけが含まれる、請求項1に記載のデバイス。上記アントラセン材料が少なくとも1個の2ナフチル基を含む、請求項1に記載のデバイス。上記アントラセン材料が、9位と10位に独立に選択したナフチル基を含む、請求項1に記載のデバイス。上記ナフチル基が、独立に選択した2ナフチル基である、請求項4に記載のデバイス。9位と10位の上記ナフチル基が同じ基である、請求項4に記載のデバイス。上記アントラセン材料が、10位にビフェニル基を含む、請求項1に記載のデバイス。上記アントラセン材料の6位に水素を有する、請求項1に記載のデバイス。2位の上記アリール基が、単環式フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基のいずれかである、請求項1に記載のデバイス。上記アントラセン材料が、アントラセン部分を1つだけ含む、請求項1に記載のデバイス。上記アントラセン材料がアントラセン部分を2つ含む、請求項1に記載のデバイス。上記アントラセン材料が一般式1:で表わされるただし、Ar2はアリール基であり;Ar9はナフチル基であり;Ar10はアリール基であり;v1、v3、v4、v5、v7、v8は、独立に、水素または置換基であり;v6は、水素またはアルキル基である、請求項1に記載のデバイス。Ar9とAr10が、独立に選択したナフチル基である、請求項12に記載のデバイス。Ar10がビフェニル基である、請求項12に記載のデバイス。v6が水素である、請求項12に記載のデバイス。Ar2がナフチル基またはビフェニル基である、請求項12に記載のデバイス。Ar2が単環式フェニル基である、請求項12に記載のデバイス。上記発光層が、青色発光材料または青緑色発光材料を含む、請求項1に記載のデバイス。上記発光層が緑色発光材料を含む、請求項1に記載のデバイス。上記発光層が赤色発光材料を含む、請求項1に記載のデバイス。上記発光層が、ペリレンまたはペリレン誘導体を含む、請求項1に記載のデバイス。上記発光層が一般式2aまたは2bの材料;を含むただし、Ra~Rhは、水素であるか、独立に選択した置換基である、請求項1に記載のデバイス。上記発光層が一般式3aの化合物:を含むただし、wは、NまたはCYYは水素または置換基であるであり;AraとArbは、独立に、芳香族環基を形成するのに必要な原子であり;ZaとZbは、独立に選択した置換基である、請求項1に記載のデバイス。上記アントラセン材料の選択が、の中からなされる、請求項1に記載のデバイス。白色発光を提供するための第2の発光層をさらに備える、請求項1に記載のデバイス。上記第2の発光層が、ルブレンまたはルブレン誘導体を含む、請求項25に記載のデバイス。白色光が直接発生するか、フィルタを用いることによって発生する、請求項1に記載のデバイス。請求項1に記載のエレクトロルミネッセンスデバイスを備えるディスプレイ。請求項1に記載のエレクトロルミネッセンスデバイスを備えるエリア照明装置。請求項1に記載のデバイスに電圧を印加する操作を含む発光方法。一般式1:で表わされる化合物ただし、Ar2はアリール基であり;Ar9はナフチル基であり;Ar10はアリール基であり;v1、v3、v4、v5、v7、v8は、独立に、水素または置換基であり;v6は、水素またはアルキル基であり;12個までの芳香族炭素環が存在していて、環の中には炭素環だけが含まれている。Ar2とAr10が、独立に選択したフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基のいずれかである、請求項31に記載の化合物。の中から選択された、請求項31に記載の化合物。こうした進歩にもかかわらず、高輝度収率であると同時に、動作安定性が向上していて、望ましい色相を持ち、製造が容易なホストが相変わらず必要とされている。本発明により、アントラセン材料を含む発光層を含んでなるエレクトロルミネッセンスデバイスであって、該アントラセン材料は、2位に少なくとも1つのアリール環を有し、6位に水素またはアルキル基を有し、12個以下の芳香族炭素環を含み、当該アントラセン基の9位に少なくとも1つのナフタレン基を有し、かつ、その10位にアリール基を有し、さらに該アントラセン材料の環には炭素環だけが含まれているエレクトロルミネッセンスデバイスが提供される。本発明には、このアントラセン化合物のほか、ディスプレイ、照明装置、このエレクトロルミネッセンスデバイスの利用法も含まれる。本発明の実施態様により、高輝度収率が提供され、動作安定性が向上し、望ましい色相が得られ、製造が容易になる。本発明は、全体として上記のようになっている。本発明の一実施態様では、エレクトロルミネッセンスデバイスは多層デバイスであり、カソードと、アノードと、電荷注入層必要な場合と、電荷輸送層と、ホストと少なくとも1つの発光材料とを含む少なくとも1つの発光層LELとを備えている。このデバイスは、2位に少なくとも1つのアリール環例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基を有するアントラセン材料を含む層を備えている。このアントラセン材料は、6位に水素またはアルキル基例えばメチル基またはtブチル基も有する。このアントラセン材料は12個以下の芳香族炭素環を備えており、その環には炭素環だけが含まれている。望ましい一実施態様では、このアントラセン材料は10個までの炭素環を備えている。このアントラセン材料は、アントラセンの9位に少なくとも1個のナフタレン基を含んでいる。好ましい一実施態様では、このナフタレン基は2ナフチル基である。アントラセンの10位はアリール置換基である。一実施態様では、このアリール置換基はナフチル基例えば2ナフチル基またはビフェニル基例えば4ビフェニル基である。望ましい一実施態様では、9位と10位は同じナフチル基で置換されている。このアントラセン材料は、アントラセン部分を1つだけ備えていることが好ましい。すなわち化合物中にアントラセン基が1個だけであることが好ましい。別の一実施態様では、このアントラセン材料は、アントラセン部分を2つだけ備えている。すなわち化合物中に、独立に選択した2個のアントラセン基が存在している。一実施態様では、このアントラセン材料は一般式1で表わされる。一般式1において、Ar2はアリール基例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基を表わす。Ar9はナフチル基例えば2ナフチル基、1ナフチル基を表わす。Ar10はアリール基を表わす。アリール基の具体例は、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ビフェニル基である。一般式1において、v1、v3、v4、v5、v7、v8は、独立に、水素、または独立に選択した置換基アリール基例えばフェニル基やアルキル基例えばtブチル基などを表わす。一般式1において、v6は、水素またはアルキル基例えばtブチル基を表わす。このアントラセン材料は、発光材料を含む層の中に存在することが望ましい。アントラセン材料がホスト材料を含んでいることが好ましく、ホスト材料は2種類以上存在していてもよい。発光材料は、ホストの15容積以下の量で存在している。この量は一般に01~10容積であり、より一般的なのはホストの01~50容積である。このアントラセン材料は、繰り返し単位の主鎖または側鎖を有するオリゴマーまたはポリマーの一部であってもよい。有用な一実施態様では、ELデバイスの少なくとも1つの層がポリマー材料を含んでいる。好ましい別の一実施態様では、ELデバイスの少なくとも2つの層がポリマー材料を含んでいる。ホストとともに用いる蛍光発光材料を選択する際の重要な1つの関係は、ホストと蛍光材料の励起一重項状態のエネルギーの比較である。蛍光材料の励起一重項状態のエネルギーは、ホスト材料の励起一重項状態のエネルギーよりも低いことが非常に望ましい。励起一重項状態のエネルギーは、発光する一重項状態と基底状態のエネルギー差として定義される。非発光性ホストに関しては、基底状態と同じ電子スピンの最低励起状態が発光状態であると考えられる。この層は、発光材料の性質に応じて青~赤の範囲の光を出すことができる。RWHunt、写真、印刷、テレビにおける色の再現第4版、1987年、ファウンテン出版によると、青色光は、一般に、電磁スペクトルの可視領域内の450~480nmの波長範囲として定義され、青緑色は480~510nm、緑色は510~550nm、緑黄色は550~570nm、黄色570~590nm、オレンジ色は590~630nm、赤色は630~700nmとして定義される。これらの成分を適切に組み合わせると白色光が発生する。これらの範囲がいくらか重なり合ったスペクトルプロファイルを持つ光の場合、両方の色成分例えば、青緑、黄オレンジ、オレンジ赤を持つと大まかに言える。本発明のアントラセン材料は、青色材料または青緑色材料にとって特に有用なホストである。青色光または青緑色光を出す多数の材料が従来技術で知られており、本発明を実施する際に使用することが考えられる。青色発光体の特に有用なクラスとして、ペリレンとその誘導体例えば1個以上の置換基アルキル基やアリール基などを有するペリレン核がある。発光材料として使用するのが望ましいペリレン誘導体は、25811テトラtブチルペリレンである。蛍光材料の別の有用なクラスとして、青色または青緑色の光を出すジスチリルアレン誘導体例えばジスチリルベンゼン、ジスチリルビフェニルがある。その中には、アメリカ合衆国特許第5121029号に記載されている化合物も含まれる。青色または青緑色の光を出すジスチリルアレン誘導体のうちで特に有用なのは、ジアリールアミノ基で置換されたものジスチリルアミンとしても知られるである。具体例として、以下の一般式2aと2bに示したものがあるただしRa~Rhは同じでも異なっていてもよく、個別に、水素または1個以上の置換基を表わす。置換基としては、例えばアルキル基メチル基などまたはアリール基フェニル基などが可能である。有用なジスチリルアミンの代表例は、以下の2cと2dに示す青色または青緑色の発光体である。青色または青緑色を出す発光体の別の有用なクラスにホウ素原子がある。ホウ素を含む望ましい発光材料としては、アメリカ合衆国特許出願公開20030198829と20030201415がある。青色または青緑色を出す適切な発光材料は、一般式3aで表わされる。一般式3aにおいて、AraとArbは、独立に、5員または6員の芳香族環基例えばピリジン基を形成するのに必要な原子を表わす。ZaとZbは、独立に選択した置換基例えばフルオロ置換基を表わす。一般式3aにおいて、wはNまたはCYを表わす。ただしYは、水素または置換基芳香族基フェニル基、トリル基など、アルキル基メチル基など、シアノ置換基、トリフルオロメチル置換基などを表わす。有用なホウ素含有蛍光材料の代表例を以下に示す。緑色発光材料の特に有用なクラスにキナクリドン化合物がある。有用なキナクリドンは、アメリカ合衆国特許出願公開20040001969、アメリカ合衆国特許第6664396号、第5593788号、日本国特開0913026に記載されている。一実施態様では、発光層の中の発光材料は、一般式4で表わされるキナクリドン化合物である。一般式4において、s1~s10は、独立に、水素、または独立に選択した置換基例えばフェニル基、トリル基、ハロゲンFなど、アルキル基メチル基などを表わす。互いに隣接する置換基が合わさって環を形成してもよい例えば縮合ベンゼン環基。一般式4において、s11とs12は、独立に、アルキル基または芳香族基を表わす。好ましい一実施態様では、s11とs12は、独立に、フェニル環基例えばフェニル環またはトリル環を表わす。有用なキナクリドン化合物の代表例を以下に示す。緑色発光材料の特に有用な別のクラスにクマリン化合物がある。有用なクマリンは、例えば、Tangらのアメリカ合衆国特許第4769292号、第6020078号に記載されている。本発明の一実施態様では、発光層の中の第3の材料は、一般式5で表わされるクマリンである。一般式5において、w11とw12は、独立に選択した置換基例えばアルキル基またはアリール基を表わす。しかしw11とw12は、互いに合わさって環を形成したり、w13およびw14と合わさって環を形成したりしてもよい。w11とw12は、独立に選択したアルキル基であることが望ましいが、w11とw12は、互いに合わさって飽和した環を形成したり、w13およびw14と合わさって飽和した環を形成したりしてもよい。一般式5において、w13~w16は、独立に、水素、または独立に選択した置換基例えばフェニル環基またはメチル基を表わす。互いに隣接する置換基が合わさって環を形成してもよい例えば縮合ベンゼン環基。一般式5において、w17は、複素芳香族環例えばベンゾチアゾール環基を完成させるのに必要な原子を表わす。有用なクマリン化合物の代表例を以下に示す。別の有用な発光材料の具体例として、アントラセン、フルオレン、ペリフランテン、インデノペリレンの誘導体がある。本発明で用いるアントラセンは、高輝度であって優れた動作安定性を示すELデバイスにおいて有用である。この化合物は、白色光を出すELデバイスのほか、フルカラーELデバイスや動画デバイスにおいて有用である。本発明の望ましい一実施態様では、このデバイスは、光を出す2つ以上の層を備えている。このデバイスは白色光を出すことが好ましい。このデバイスの1つの層は、ルブレンまたはルブレン誘導体を含んでいることが望ましい。有用なアントラセン材料はさまざまな方法で製造することができる。例えば反応ステップRxA~RxCに示した方法がある。ブロモアリール化合物Ar1Brをリチウム試薬例えばtブチルリチウムと反応させると、アリールリチウム塩が形成される。このアリールリチウム塩は化合物E1と反応することができ、E2が形成されるRxA。E2の脱水と、例えばKI、NaH2PO2、酢酸を用いた芳香族化により、アントラセンE3が得られるRxB。鈴木カップリング条件下で例えばトリスジパラジウム、トリシクロヘキシルホスフィン、リン酸カリウム塩基を用いてこのアントラセンをアリールボロン酸Ar2B2と反応させると、望むアントラセン材料であるE4が得られるRxC。鈴木カップリング反応およびそれと同様の反応の概説に関しては、JHassan、MSevignon、CGozzi、ESchulz、MLemaire、Marc、ChemRev、第102巻、1359ページ、2002年と、その中に引用されている参考文献を参照のこと。本発明の有用な化合物として以下のものがある。特に断わらない限り、置換されたまたは置換基という用語は、水素以外のあらゆる基または原子を意味する。さらに、基という用語を使用する場合、1つの置換基が置換可能な1つの水素を含んでいるとすると、その中には置換されていない形態が含まれるだけでなく、この明細書に記載した任意の1個または複数の置換基でさらに置換された形態も、デバイスが機能する上で必要な性質を失わせない限りは含まれるものとする。置換基は、ハロゲンにすること、または1個の原子炭素、ケイ素、酸素、窒素、リン、イオウ、セレン、ホウ素によって分子の残部と結合させることが好ましい。置換基としては、例えば、ハロゲンクロロ、ブロモ、フルオロなど;ニトロ;ヒドロキシル;シアノ;カルボキシルや;さらに置換されていてもよい基が可能である。さらに置換されていてもよい基としては、アルキル直鎖アルキル、分岐鎖アルキル、環式アルキルが含まれ、例えばメチル、トリフルオロメチル、エチル、tブチル、3プロピル、テトラデシルなどがある;アルケニル例えばエチレン、2ブテン;アルコキシ例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、2メトキシエトキシ、sブトキシ、ヘキシルオキシ、2エチルヘキシルオキシ、テトラデシルオキシ、2エトキシ、2ドデシルオキシエトキシ;アリール例えばフェニル、4tブチルフェニル、246トリメチルフェニル、ナフチル;アリールオキシ例えばフェノキシ、2メチルフェノキシ、αナフチルオキシ、βナフチルオキシ、4トリルオキシ;カーボンアミド例えばアセトアミド、ベンズアミド、ブチルアミド、テトラデカンアミド、αアセトアミド、αブチルアミド、αヘキサンアミド、αテトラデカンアミド、2オキソピロリジン1イル、2オキソ5テトラデシルピロリン1イル、Nメチルテトラデカンアミド、Nスクシンイミド、Nフタルイミド、25ジオキソ1オキサゾリジニル、3ドデシル25ジオキソ1イミダゾリル、NアセチルNドデシルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、ベンジルオキシカルボニルアミノ、ヘキサデシルオキシカルボニルアミノ、24ジtブチルフェノキシカルボニルアミノ、フェニルカルボニルアミノ、25カルボニルアミノ、pドデシルフェニルカルボニルアミノ、pトリルカルボニルアミノ、Nメチルウレイド、NNジメチルウレイド、NメチルNドデシルウレイド、Nヘキサデシルウレイド、NNジオクタデシルウレイド、NNジオクチルNエチルウレイド、Nフェニルウレイド、NNジフェニルウレイド、NフェニルNpトリルウレイド、Nウレイド、NNNエチルウレイド、tブチルカーボンアミド;スルホンアミド例えばメチルスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、pトリルスルホンアミド、pドデシルベンゼンスルホンアミド、Nメチルテトラデシルスルホンアミド、NNジプロピルスルファモイルアミノ、ヘキサデシルスルホンアミド;スルファモイル例えばNメチルスルファモイル、Nエチルスルファモイル、NNジプロピルスルファモイル、Nヘキサデシルスルファモイル、NNジメチルスルファモイル、N3プロピルスルファモイル、N4ブチルスルファモイル、NメチルNテトラデシルスルファモイル、Nドデシルスルファモイル;カルバモイル例えばNメチルカルバモイル、NNジブチルカルバモイル、Nオクタデシルカルバモイル、N4ブチルカルバモイル、NメチルNテトラデシルカルバモイル、NNジオクチルカルバモイル;アシル例えばアセチル、アセチル、フェノキシカルボニル、pドデシルオキシフェノキシカルボニル、メトキシカルボニル、ブトキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、3ペンタデシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル;スルホニル例えばメトキシスルホニル、オクチルオキシスルホニル、テトラデシルオキシスルホニル、2エチルヘキシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、24ジtペンチルフェノキシスルホニル、メチルスルホニル、オクチルスルホニル、2エチルヘキシルスルホニル、ドデシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル、フェニルスルホニル、4ノニルフェニルスルホニル、pトリルスルホニル;スルホニルオキシ例えばドデシルスルホニルオキシ、ヘキサデシルスルホニルオキシ;スルフィニル例えばメチルスルフィニル、オクチルスルフィニル、2エチルヘキシルスルフィニル、ドデシルスルフィニル、ヘキサデシルスルフィニル、フェニルスルフィニル、4ノニルフェニルスルフィニル、pトリルスルフィニル;チオ例えばエチルチオ、オクチルチオ、ベンジルチオ、テトラデシルチオ、2エチルチオ、フェニルチオ、2ブトキシ5tオクチルフェニルチオ、pトリルチオ;アシルオキシ例えばアセチルオキシ、ベンゾイルオキシ、オクタデカノイルオキシ、pドデシルアミドベンゾイルオキシ、Nフェニルカルバモイルオキシ、Nエチルカルバモイルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ;アミン例えばフェニルアニリノ、2クロロアニリノ、ジエチルアミン、ドデシルアミン;イミノ例えば1エチル、Nスクシンイミド、3ベンジルヒダントイニル;ホスフェート例えばジメチルホスフェート、エチルブチルホスフェート;ホスフィト例えばジエチルホスフィト、ジヘキシルホスフィト;複素環基例えば複素環オキシ基や複素環チオ基で、どれも置換されていてよく、炭素原子と少なくとも1個のヘテロ原子酸素、窒素、イオウ、リン、ホウ素からなるグループの中から選択するからなる3~7員の複素環を含んでいる、具体例は、2フリル、2チエニル、2ベンゾイミダゾリルオキシ、2ベンゾチアゾリル;第四級アンモニウム例えばトリエチルアンモニウム;第四級ホスホニウム例えばトリフェニルホスホニウム;シリルオキシ例えばトリメチルシリルオキシがある。望むのであれば、置換基それ自体がさらに上記の置換基で1回以上置換されていてもよい。使用する具体的な置換基は、当業者が、特定の用途にとって望ましい性質が実現されるように選択することができ、例えば、電子求引基、電子供与基、立体基などが挙げられる。1つの分子が2つ以上の置換基を持てる場合には、特に断わらない限り、その置換基を互いに結合させて環例えば縮合環を形成することができる。一般に、上記の基と、その基に対する置換基は、48個までの炭素原子一般には1~36個であり、通常は24個未満であるを含むことができるが、選択した具体的な置換基が何であるかにより、それよりも多くすることも可能である。デバイスの一般的構成本発明は、小分子材料、オリゴマー材料、ポリマー材料、またはこれらの組み合わせを用いた多くのELデバイス構造で利用することができる。このような構造には、単一のアノードと単一のカソードを備える非常に単純な構造から、より複雑なデバイス複数のアノードとカソードが直交アレイをなして画素を形成するパッシブマトリックスディスプレイや、各画素が例えば薄膜トランジスタTFTで独立に制御されるアクティブマトリックスディスプレイまでが含まれる。本発明をうまく実現することのできる有機層の構造が多数ある。OLEDにとっての必須の条件は、アノードと、カソードと、アノードとカソードの間に位置する有機発光層とが存在していることである。追加の層を使用することができ、それについては後でさらに詳しく説明する。本発明による典型的な構造を図1に示してある。これは小分子デバイスにおいて特に有用である。この構造は、基板101と、アノード103と、正孔注入層105と、正孔輸送層107と、発光層109と、電子輸送層111と、カソード113を備えている。これらの層について以下に詳細に説明する。基板101をカソード113に隣接した位置にすることや、基板101が実際にアノード103またはカソード113を構成することも可能であることに注意されたい。アノード103とカソード113に挟まれた有機層を、便宜上、有機EL素子と呼ぶ。また、有機層を合計した厚さは、500nm未満であることが望ましい。このデバイスがリン光材料を含んでいる場合には、発光層と電子輸送層の間に正孔阻止層が存在していてもよい。OLEDのアノード103とカソード113は、導電体を通じて電圧/電流源に接続されている。OLEDは、アノード103とカソード113の間に、アノード103がカソード113と比べて正の電位となるように電圧を印加することによって動作する。正孔はアノード103から有機EL素子に注入され、電子はカソード113から有機EL素子に注入される。ACモードではACサイクル中にポテンシャルバイアスが逆転して電流が流れないわずかな期間があるため、OLEDをACモードで動作させるときにデバイスの安定性向上を実現できることがときにある。AC駆動のOLEDの一例が、アメリカ合衆国特許第5552678号に記載されている。基板本発明のOLEDデバイスは支持用基板101の上に形成されて、カソード113またはアノード103が基板と接触できるようになっているのが一般的である。基板101と接触する電極は、通常、底部電極と呼ばれる。底部電極はアノード103であることが一般的であるが、本発明がこの構成に限定されることはない。基板101は、どの方向に光を出したいかに応じ、透過性または不透明にすることができる。透光特性は、基板101を通してEL光を見る上で望ましい。その場合には、透明なガラスまたはプラスチックが一般に用いられる。基板101は、多数の材料層を含む複合構造にすることができる。これは、一般に、TFTがOLED層の下に設けられるアクティブマトリックス基板の場合である。しかし基板101は、少なくとも光を出す画素化領域において、大部分が透明な材料例えばガラスまたはポリマーでできている必要がある。EL光を上部電極を通じて見るような用途では、底部支持体の透過特性は重要でないため、底部支持体は、光透過性、光吸収性、光反射性のいずれでもよい。この場合に用いる基板としては、ガラス、プラスチック、半導体材料例えばシリコン、セラミック、回路板材料などがある。この場合にも、基板101は、アクティブマトリックスTFTの設計に見られるように、多数の材料層を含む複合構造にすることができる。このような構成のデバイスでは、透光性のある上部電極を設ける必要がある。アノードエレクトロルミネッセンス光ELをアノードを通して見る場合には、アノード103は、興味の対象となる光に対して透明か、実質的に透明である必要がある。本発明で用いられる透明なアノード用の一般的な材料は、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、スズ酸化物であるが、他の金属酸化物例えばアルミニウムをドープした亜鉛酸化物、インジウムをドープした亜鉛酸化物、マグネシウムインジウム酸化物、ニッケルタングステン酸化物も可能である。これら酸化物に加え、金属窒化物例えば窒化ガリウム、金属セレン化物例えばセレン化亜鉛、金属硫化物例えば硫化亜鉛をアノード103として用いることができる。EL光をカソード113だけを通して見るような用途では、アノード103の透過特性は重要でなく、あらゆる導電性材料透明なもの、不透明なもの、反射性のものを使用することができる。この用途での具体的な導電性材料としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム、白金などがある。典型的なアノード用材料は、透光性であろうとそうでなかろうと、仕事関数が41eV以上である。望ましいアノード用材料は、一般に適切な任意の手段例えば蒸着、スパッタリング、化学蒸着、電気化学的手段で堆積させる。アノードは、よく知られているフォトリソグラフィ法を利用してパターニングすることができる。場合によっては、アノードを研磨した後に他の層を付着させて表面の粗さを小さくすることで、短絡を最少にすること、または反射性を大きくすることができる。カソードアノード103だけを通して光を見る場合には、本発明で使用するカソード113は、ほぼ任意の導電性材料で構成することができる。望ましい材料は優れた膜形成特性を有するため、下にある有機層との接触がよくなり、低電圧で電子の注入が促進され、優れた安定性を得ることができる。有用なカソード材料は、仕事関数が小さな40eV未満金属または合金を含んでいることがしばしばある。有用な1つのカソード材料は、アメリカ合衆国特許第4885221号に記載されているように、銀が1~20の割合で含まれたMg:Ag合金からなる。適切なカソード材料の別のクラスとして、カソードと、有機層例えば電子輸送層ETLに接する薄い電子注入層EILとを備えていて、カソードの上により厚い導電性金属層を被せた構成の二層がある。その場合、EILは、仕事関数が小さな金属または金属塩を含んでいることが好ましく、そうなっている場合には、より厚い被覆層は仕事関数が小さい必要がない。このような1つのカソードは、アメリカ合衆国特許第5677572号に記載されているように、LiFからなる薄い層と、その上に載るより厚いAl層からなる。アルカリ金属をドープしたETL材料例えばLiをドープしたAlqは、有用なEILの別の一例である。他の有用なカソード材料としては、アメリカ合衆国特許第5059961号、第5059862号、第6140763号に開示されているものがあるが、これだけに限定されるわけではない。カソードを通して発光を見る場合、カソード113は、透明であるか、ほぼ透明である必要がある。このような用途のためには、金属が薄いか、透明な導電性酸化物を使用するか、このような材料の組み合わせを使用する必要がある。光学的に透明なカソードは、アメリカ合衆国特許第4885211号、第5247190号、日本国特許第3234963号、アメリカ合衆国特許第5703436号、第5608287号、第5837391号、第5677572号、第5776622号、第5776623号、第5714838号、第5969474号、第5739545号、第5981306号、第6137223号、第6140763号、第6172459号、ヨーロッパ特許第1076368号、アメリカ合衆国特許第6278236号、第6284393号に、より詳細に記載されている。カソード材料は、一般に、適切な任意の方法例えば蒸着、スパッタリング、化学蒸着によって堆積させる。必要な場合には、よく知られた多数の方法でパターニングすることができる。方法としては、例えば、スルーマスク蒸着、アメリカ合衆国特許第5276380号とヨーロッパ特許第0732868号に記載されている一体化シャドウマスキング、レーザー除去、選択的化学蒸着などがある。正孔注入層HIL正孔注入層105をアノード103と正孔輸送層107の間に設けることができる。正孔注入層は、後に続く有機層のフィルム形成能力を向上させ、正孔を正孔輸送層107に容易に注入できるようにする機能を持つことができる。正孔注入層105で使用するのに適した材料としては、アメリカ合衆国特許第4720432号に記載されているポルフィリン化合物や、アメリカ合衆国特許第6208075号に記載されているプラズマ堆積させたフルオロカーボンポリマーや、いくつかの芳香族アミン例えばMTDATA444トリスフェニルアミノトリフェニルアミンなどがある。有機ELデバイスにおいて有用であることが報告されている別の正孔注入材料は、ヨーロッパ特許第0891121A1号と第1029909A1号に記載されている。正孔注入層を本発明で用いることが好ましく、それはプラズマ堆積させたフルオロカーボンポリマーであることが望ましい。プラズマ堆積させたフルオロカーボンポリマーを含む正孔注入層の厚さは、02nm~15nmの範囲が可能であり、03~15nmの範囲であることが好ましい。正孔輸送層HTL必ずしも必要なわけではないが、OLEDデバイスに正孔輸送層を含めると有用であることがしばしばある。有機ELデバイスの正孔輸送層107は、少なくとも1つの正孔輸送化合物例えば芳香族第三級アミンを含んでいる。芳香族第三級アミンは、炭素原子そのうちの少なくとも1つは芳香族環のメンバーであるだけに結合する少なくとも1つの3価窒素原子を含んでいる化合物であると理解されている。芳香族第三級アミンの1つの形態は、アリールアミン例えばモノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン、ポリマーアリールアミンである。具体的なモノマートリアリールアミンは、Klupfelらによってアメリカ合衆国特許第3180730号に示されている。1個以上のビニル基で置換された他の適切なトリアリールアミン、および/または少なくとも1つの活性な水素含有基を含む他の適切なトリアリールアミンは、Brantley他によってアメリカ合衆国特許第3567450号と第3658520号に開示されている。芳香族第三級アミンのより好ましいクラスは、アメリカ合衆国特許第4720432号と第5061569号に記載されているように、少なくとも2つの芳香族第三級アミン部分を含むものである。このような化合物としては、構造式A:で表わされるものがある。ただし、Q1とQ2は、独立に、芳香族第三級アミン部分の中から選択され、Gは、炭素炭素結合の結合基例えば、アリーレン基、シクロアルキレン基、アルキレン基などである。一実施態様では、Q1とQ2の少なくとも一方は、多環縮合環構造例えばナフタレンを含んでいる。Gがアリール基である場合には、Q1とQ2の少なくとも一方は、フェニレン部分、ビフェニレン部分、ナフタレン部分のいずれかであることが好ましい。構造式Aに合致するとともに2つのトリアリールアミンを含むトリアリールアミンの有用な1つのクラスは、構造式B:で表わされる。ただし、R1とR2は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基のいずれかを表わすか、R1とR2は、合わさって、シクロアルキル基を完成させる原子を表わし;R3とR4は、それぞれ独立にアリール基を表わし、そのアリール基は、構造式C:に示したように、ジアリール置換されたアミノ基によって置換されている。ただし、R5とR6は、独立に、アリール基の中から選択される。一実施態様では、R5とR6のうちの少なくとも一方は、多環縮合環構造例えばナフタレンを含んでいる。芳香族第三級アミンの別のクラスは、テトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンとして、構造式Cに示したように、アリーレン基を通じて結合した2つのジアリールアミノ基が挙げられる。有用なテトラアリールジアミンとしては、一般式D:で表わされるものがある。ただし、それぞれのAreは、独立に、アリーレン基例えばフェニレン基またはアントラセン基の中から選択され;nは1~4の整数であり;Ar、R7、R8、R9は、独立に、アリール基の中から選択される。典型的な一実施態様では、Ar、R7、R8、R9のうちの少なくとも1つは多環縮合構造例えばナフタレンである。上記の構造式、、、のさまざまなアルキル部分、アルキレン部分、アリール部分、アリーレン部分は、それぞれ、置換されていてもよい。典型的な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン例えばフッ化物、塩化物、臭化物などがある。さまざまなアルキル部分とアルキレン部分は、一般に、1~約6個の炭素原子を含んでいる。シクロアルキル部分は、3~約10個の炭素原子を含むことができるが、一般には5個、または6個、または7個の炭素原子を含んでいる例えばシクロペンチル環構造、シクロヘキシル環構造、シクロヘプチル環構造。アリール基とアリーレン基は、通常は、フェニル部分とフェニレン部分である。正孔輸送層は、単一の芳香族第三級アミン化合物で、または芳香族第三級アミン化合物の混合物で形成することができる。特に、トリアリールアミン例えば構造式を満たすトリアリールアミンをテトラアリールジアミン例えば構造式に示したものと組み合わせて使用することができる。有用な芳香族第三級アミンの具体例としては、以下のものがある。11ビスシクロヘキサンTAPC11ビス4メチルシクロヘキサン11ビス4フェニルシクロヘキサン11ビス3フェニルプロパンTAPPPNNNNテトラフェニル44ジアミノ114141クアテルフェニルビスフェニルメタン14ビス24NNジアミノフェニルビニルベンゼンBDTAPVBNNNNテトラpトリル44ジアミノビフェニルTTBNNNNテトラフェニル44ジアミノビフェニルNNNNテトラ1ナフチル44ジアミノビフェニルNNNNテトラ2ナフチル44ジアミノビフェニルNフェニルカルバゾール44ビスNNフェニルアミノビフェニルNPB44ビスNNアミノビフェニルTNB44ビスNNフェニルアミノpテルフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル15ビスNNフェニルアミノナフタレン44ビスNNフェニルアミノビフェニル44ビスNNフェニルアミノpテルフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル44ビスNNフェニルアミノビフェニル26ビスナフタレン26ビスジアミノナフタレン26ビスNNアミノナフタレンNNNNテトラ44ジアミノpテルフェニル44ビス{NフェニルN4フェニルアミノ}ビフェニル26ビスNNジアミンフルオレン444トリスフェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA44ビスNNフェニルアミノビフェニルTPD。有用な正孔輸送材料の別のクラスとして、ヨーロッパ特許1009041に記載されている多環式芳香族化合物がある。3つ以上のアミン基を有する第三級芳香族アミン例えばオリゴマー材料を使用できる。さらに、ポリマー正孔輸送材料を使用することができる。それは、例えば、ポリPVK、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、コポリマー例えばポリ/ポリPEDOTPSSとも呼ばれるなどである。正孔輸送層は、組成が異なる2つ以上の下位層を含むことも可能である。なおそれぞれの下位層の組成は、上に説明した通りである。正孔輸送層の厚さは、10~約500nmにすることができ、50~300nmが好ましい。発光層LELELデバイスにおいて有用な発光材料には蛍光材料が含まれる。アメリカ合衆国特許第4769292号、第5935721号により詳しく説明されているように、有機EL素子の発光層LELは発光材料を含んでおり、この領域で電子正孔対の再結合が起こる結果としてエレクトロルミネッセンスが生じる。発光層は単一の材料で構成できるが、より一般的には、1つまたは複数のゲスト化合物をドープしたホスト材料からなる。光は主として発光材料から発生し、任意の色が可能である。本発明のホスト材料は、別のホスト材料と組み合わせて使用することができ、その材料は同じ層の中にあってもよいし、別の層の中にあってもよい。発光層内のホスト材料は、以下に示す電子輸送材料、または上記の正孔輸送材料、または正孔電子再結合をサポートする別の単一の材料または組み合わせた材料にすることができる。蛍光発光材料は、一般に、001~10質量の割合でホスト材料に組み込まれる。ホスト材料および発光材料としては、小さな非ポリマー分子またはポリマー材料が可能である例えばポリフルオレン、ポリビニルアリーレン例えばポリ、PPV。ポリマーの場合、小分子発光材料は、ホストポリマーの中に分子として分散させること、または発光材料を微量成分とコポリマー化してホストポリマーに添加することができる。膜形成、電気特性、発光効率、動作寿命、製造しやすさを改善するため、ホスト材料を互いに混合することができる。ホストは、優れた正孔輸送特性を有する材料と、優れた電子輸送特性を有する材料を含むことができる。ゲスト発光材料として蛍光材料を選択する際の重要な1つの関係は、ホスト材料と蛍光材料の励起一重項状態のエネルギーの比較である。蛍光材料の励起一重項状態のエネルギーは、ホスト材料の励起一重項状態のエネルギーよりも低いことが非常に望ましい。励起一重項状態のエネルギーは、発光する一重項状態と基底状態のエネルギー差として定義される。非発光性ホストに関しては、基底状態と同じ電子スピンの最低励起状態が発光状態であると考えられる。有用であることが知られているホスト材料および発光材料としては、アメリカ合衆国特許第4768292号、第5141671号、第5150006号、第5151629号、第5405709号、第5484922号、第5593788号、第5645948号、第5683823号、第5755999号、第5928802号、第5935720号、第5935721号、第6020078号に開示されているものなどがある。8ヒドロキシキノリンの金属錯体と、それと同様の誘導体金属キレート化オキシノイド化合物としても知られる一般式Eは、エレクトロルミネッセンスをサポートすることのできる有用なホスト材料の1つのクラスを形成し、波長が500nmよりも長い光例えば緑、黄、オレンジ、赤を出させるのに特に適している。ただし、Mは金属を表わし;nは1~4の整数であり;Zは、各々に独立に、縮合した少なくとも2つの芳香族環を有する核を完成させる原子を表わす。以上の説明から、金属は、一価、二価、三価、四価の金属が可能であることが明らかである。金属としては、例えばアルカリ金属リチウム、ナトリウム、カリウムなど、アルカリ土類金属マグネシウム、カルシウムなど、三価の金属アルミニウム、ガリウムなど;他の金属亜鉛、ジルコニウムなどが可能である。一般に、キレート化金属として有用であることが知られている任意の一価、二価、三価、四価の金属を使用することができる。Zは、縮合した少なくとも2つの芳香族環を持っていてそのうちの少なくとも一方はアゾール環またはアジン環である複素環の核を完成させる。必要な場合には、必要なその2つの環に追加の環例えば脂肪族環と芳香族環の両方を縮合させることができる。機能の向上なしに分子が大きくなることを避けるため、環の原子数は、通常は18個以下に維持する。有用なキレート化オキシノイド系化合物の具体例としては、以下のものがある。CO1:アルミニウムトリスオキシン[別名、トリスアルミニウム]CO2:マグネシウムビスオキシン[別名、ビスマグネシウム]CO3:ビスベンゾ{f}8キノリノラト亜鉛CO4:ビスアルミニウムμオキソビスアルミニウムCO5:インジウムトリスオキシン[別名、トリスインジウム]CO6:アルミニウムトリス[別名、トリスアルミニウム]CO7:リチウムオキシン[別名、リチウム]CO8:ガリウムオキシン[別名、トリスガリウム]CO9:ジルコニウムオキシン[別名、テトラジルコニウム]910ジアントラセンの誘導体一般式Fは、エレクトロルミネッセンスをサポートすることのできる有用なホスト材料の1つのクラスを形成し、波長が400nmよりも長い光例えば青、緑、黄、オレンジ、赤を出させるのに特に適している。ただし、R1、R2、R3、R4、R5、R6は、各環上にある、以下に示すグループの中から選択した1個以上の置換基を表わす。グループ1:水素、または1~24個の炭素原子を有するアルキル;グループ2:5~20個の炭素原子を有するアリールまたは置換されたアリール;グループ3:アントラセニル、ピレニル、ペリレニルいずれかの芳香族縮合環を完成させるのに必要な4~24個の炭素原子;グループ4:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、または他の複素環系の複素芳香族縮合環を完成させるのに必要な、5~24個の炭素原子を有するヘテロアリールまたは置換されたヘテロアリール;グループ5:1~24個の炭素原子を有するアルコキシアミノ、アルキルアミノ、アリールアミノ;グループ6:フッ素、塩素、ホウ素、シアノ。代表的な具体例として、910ジアントラセンと2tブチル910ジアントラセンがある。他のアントラセン誘導体もLELにおけるホストとして役に立つ可能性があり、例えば910ビス4フェニルアントラセンの誘導体がある。ベンズアゾール誘導体一般式Gは、エレクトロルミネッセンスをサポートすることのできる有用なホスト材料の1つのクラスを形成し、波長が400nmよりも長い光例えば青、緑、黄、オレンジ、赤を出させるのに特に適している。ただし、nは3~8の整数であり;Zは、O、NR、Sのいずれかであり;RとRは、独立に、水素;1~24個の炭素原子を有するアルキル例えばプロピル、tブチル、ヘプチルなど;5~20個の炭素原子を有するアリールまたはヘテロ原子で置換されたアリール例えばフェニル、ナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、ならびに他の複素環式系;ハロ例えばクロロ、フルオロ;芳香族縮合環を完成させるのに必要な原子のいずれかであり;Lは、アルキル、アリール、置換されたアルキル、置換されたアリールのいずれかを含んでいる結合単位であり、複数のベンズアゾールを互いに共役または非共役に結合させる。Lは、複数のベンズアゾールと共役していてもいなくてもよい。有用なベンズアゾールの一例は、222トリス1フェニル1Hベンゾイミダゾールである。アメリカ合衆国特許第5121029号と日本国特開08333569に記載されているスチリルアリーレン誘導体も、青色を発光させるための有用なホスト材料である。例えば910ビス4フェニルアントラセンと44ビス11ビフェニルDPVBiは、青色を発光させるための有用なホスト材料である。有用な蛍光発光材料としては、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドンの誘導体や、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビスアミンホウ素化合物、ビスメタン化合物、カルボスチリル化合物などがある。有用な材料の代表例としては、以下のものがある。蛍光発光材料に加え、リン光発光材料もELデバイスで用いることができる。便宜上、リン光錯体ゲスト材料を、この明細書ではリン光材料と呼ぶ。リン光材料は、一般に、1つ以上のリガンド例えばsp2炭素とヘテロ原子を通じて金属と配位することができるモノアニオンリガンドを含んでいる。リガンドは、フェニルピリジンppy、またはその誘導体、またはそのアナログにすることができる。有用なリン光有機金属材料のいくつかの具体例として、トリスイリジウム、ビスイリジウムアセチルアセトネート、ビス白金などがある。好ましいことに、多数のリン光有機金属材料がスペクトルの緑色領域で発光する。すなわち510~570nmの範囲で発光が最大になる。リン光材料は、単独で、または他のリン光材料と組み合わせて、同じ層または異なる層て使用することができる。リン光材料と適切なホストが記載されているのは、WO0057676、WO0070655、WO0141512A1、WO0215645A1、アメリカ合衆国特許出願20030017361A1、WO0193642A1、WO0139234A2、アメリカ合衆国特許第6458475B1号、WO02071813A1、アメリカ合衆国特許第6573651B2号、アメリカ合衆国特許出願20020197511A1、WO02074015A2、アメリカ合衆国特許第6451455B1号、アメリカ合衆国特許出願20030072964A1、アメリカ合衆国特許出願20030068528A1、アメリカ合衆国特許第6413656B1号、アメリカ合衆国特許第6515298B2号、アメリカ合衆国特許第6451415B1号、アメリカ合衆国特許第6097147号、アメリカ合衆国特許出願20030124381A1、アメリカ合衆国特許出願20030059646A1、アメリカ合衆国特許出願20030054198A1、ヨーロッパ特許第1239526A2号、ヨーロッパ特許第1238981A2号、ヨーロッパ特許第1244155A2号、アメリカ合衆国特許出願20020100906A1、アメリカ合衆国特許出願20030068526A1、アメリカ合衆国特許出願20030068535A1、日本国特開2003073387A、日本国特開2003073388A、アメリカ合衆国特許出願20030141809A1、アメリカ合衆国特許出願20030040627A1、日本国特開2003059667A、日本国特開2003073665A、アメリカ合衆国特許出願20020121638A1である。IrL3タイプとIrL2Lタイプのシクロメタル化されたIr錯体例えば緑色の光を出すfacトリスイリジウム、ビスイリジウムの発光波長は、シクロメタル化リガンドL上の適切な位置における電子供与基または電子求引基の置換によってシフトさせること、またはシクロメタル化リガンドLのためにいろいろな複素環を選択することによってシフトさせることができる。発光波長は、補助リガンドLを選択することによってシフトさせることもできる。赤色発光体の具体例は、ビスピリジナトNC3イリジウムと、トリスイリジウムである。青色発光体の具体例は、ビスピリジナトNC2イリジウムである。リン光材料としてビスピリジナトNC3イリジウムBtp2Irを用いた赤い電気リン光が報告されているCAdachi、SLamansky、MABaldo、RCKwong、METhompson、SRForrest、AppPhysLett、第78巻、1622~1624ページ、2001年。他の重要なリン光材料としては、シクロメタル化されたPt錯体であるシスビス白金、シスビスピリジナトNC3白金、シスビスキノリナトNC5白金、ピリジナトNC2白金などがある。Ptポルフィリン錯体例えば237812131718オクタエチル21H23Hポルフィン白金も有用なリン光材料である。有用なリン光材料のさらに別の具体例として、3価ランタノイド例えばTb3、Eu3の配位錯体があるJKido他、ApplPhysLett、第65巻、2124ページ、1994年。リン光材料に適したホスト材料は、三重項エキシトンの輸送がホスト材料からリン光材料へと効率的になされるが、リン光材料からホスト材料へは効率的に起こりえないようなものを選択すべきである。したがってリン光材料の三重項エネルギーはホストの三重項エネルギーよりも低いことが非常に望ましい。一般に、三重項エネルギーが大きいというのは、光学的バンドギャップが大きいことを意味する。しかしホストのバンドギャップは、電荷キャリアを発光層に注入する際の許容できない障壁を作り出したり、OLEDを駆動する電圧の許容できない上昇を引き起こしたりするほど大きくなるように選択してはならない。適切なホスト材料は、WO0070655A2、WO0139234A2、WO0193642A1、WO02074015A2、WO0215645A1、アメリカ合衆国特許出願20020117662に記載されている。適切なホストとしては、ある種のアリールアミン、トリアゾール、インドール、カルバゾール化合物などがある。望ましいホストの具体例は、44NNジカルバゾールビフェニル44ビスビフェニルまたはCBPとしても知られる、44NNジカルバゾール22ジメチルビフェニル22ジメチル44ビスビフェニルまたはCDBPとしても知られる、13ビスベンゼン13ビスベンゼンとしても知られる、ポリと、これらの誘導体である。望ましいホスト材料は、連続膜を形成することができる。正孔阻止層HBLリン光材料を使用しているOLEDデバイスは、励起イベントと再結合イベントがホスト材料とリン光材料を含む発光層だけで起こるようにするため、適切なホストに加え、電子輸送層111と発光層109の間に位置する少なくとも1つの正孔阻止層をしばしば必要とする。この場合、正孔がホストから正孔阻止層に移動する際にエネルギー障壁が存在せねばならない一方で、電子は、正孔阻止層を容易に通過してホスト材料とリン光材料を含む発光層へと移動できねばならない。第1の条件は、正孔阻止層のイオン化電位が発光層109のイオン化電位よりも望ましくは02eV以上大きいことを要請する。第2の条件は、正孔阻止層の電子親和力が発光層109の電子親和力を大幅に上回ることはなく、望ましくは発光層の電子親和力よりも小さいか、これを上回る場合でも発光層の電子親和力との差が約02eV以下であることを要請する。特徴的な発光が緑である電子輸送層例えば以下に説明するAlq含有電子輸送層とともに用いる場合、正孔阻止層材料の最高被占軌道HOMOと最低空軌道LUMOのエネルギーに関する条件により、正孔阻止層の特徴的な発光は、電子輸送層の特徴的な発光よりも短い波長の発光例えば青、紫、紫外になる。したがって、正孔阻止層材料の特徴的な発光は、青、紫、紫外のいずれかであることが望ましい。さらに、絶対に必要というわけではないが、正孔阻止材料の三重項エネルギーは、リン光材料の三重項エネルギーよりも大きいことが望ましい。適切な正孔阻止材料は、WO0070655A2とWO0193642A1に記載されている。有用な正孔阻止材料の具体例を2つ挙げると、バトクプロインBCPとビスアルミニウムBAlqである。BCPの特徴的な発光は紫外領域であり、BAlqの特徴的な発光は青である。アメリカ合衆国特許出願公開20030068528に記載されているように、BAlq以外の金属錯体も正孔と励起を阻止することが知られている。さらに、アメリカ合衆国特許出願公開20030175553A1には、この目的でfacトリスイリジウムIrppzを用いることが記載されている。正孔阻止層を利用する場合、その厚さは2~100nmにすることができる。この厚さは5~10nmであることが好ましい。電子輸送層ETL本発明の有機ELデバイスの電子輸送層111を形成する際に用いる望ましい薄膜形成材料は、金属キレート化オキシノイド化合物である。その中には、オキシンそのもの一般に、8キノリノールまたは8ヒドロキシキノリンとも呼ばれるも含まれる。このような化合物は、電子を注入して輸送するのを助け、高レベルの性能を示し、薄膜の形態にするのが容易である。考慮するオキシノイド化合物の具体例は、すでに説明した構造式Eを満たすものである。電子輸送層111で用いるのに適した他の電子輸送材料としては、アメリカ合衆国特許第4356429号に記載されているさまざまなブタジエン誘導体や、アメリカ合衆国特許第4539507号に記載されているさまざまな複素環式蛍光増白剤がある。構造式Gを満たすベンズアゾールも、電子輸送材料として有用である。トリアジンも電子輸送材料として有用であることが知られている。正孔阻止層と電子輸送層111の両方を利用する場合、電子は電子輸送層111を容易に通過して正孔阻止層に入ることができねばならない。したがって電子輸送層111の電子親和力は、正孔阻止層の電子親和力を大幅に上回ってはならない。電子輸送層の電子親和力は、正孔阻止層の電子親和力よりも小さいか、それよりも02eV以上は大きくないことが望ましい。電子輸送層を利用する場合、その厚さは2~100nmにすることができる。この厚さは5~20nmであることが好ましい。他の有用な有機層とデバイスの構成発光層109~電子輸送層111は、場合によっては単一の層にし、発光と電子輸送の両方をサポートする機能を担わせることができる場合がある。正孔阻止層存在している場合と電子輸送層111を単一の層にし、正孔またはエキシトンを阻止するとともに、電子輸送をサポートする機能を担わせることもできる。従来技術では、発光材料を正孔輸送層107に含めうることも知られている。この場合、正孔輸送材料はホストとして機能することができる。多くの材料を1つ以上の層に添加して白色発光OLEDを作ることができる。例えば青色発光材料と黄色発光材料の組み合わせ、シアン色発光材料と赤色発光材料の組み合わせ、赤色発光材料と緑色発光材料と青色発光材料の組み合わせがある。白色発光デバイスが記載されているのは、例えばヨーロッパ特許第1187235号、アメリカ合衆国特許出願20020025419、ヨーロッパ特許第1182244号、アメリカ合衆国特許第5683823号、アメリカ合衆国特許第5503910号、アメリカ合衆国特許第5405709号、アメリカ合衆国特許第5283182号であり、白色発光デバイスに適切なフィルタを取り付けてカラー発光をさせることができる。本発明は、例えばアメリカ合衆国特許第5703436号と第6337492号に記載されているようないわゆる積層デバイス構造で使用することができる。有機層の堆積上記の有機材料は、その有機材料の形態に適した任意の方法で堆積させることが好ましい。小分子の場合、昇華または蒸発を通じてうまく堆積するが、他の手段例えば溶媒からのコーティング。そのとき、場合によっては結合剤も用いて膜の形成を改善するで堆積させることもできる。材料がポリマーである場合には、溶媒堆積が通常は好ましい。昇華または蒸発によって堆積させる材料は、タンタル材料からなることの多い昇華用ボートから気化させること例えばアメリカ合衆国特許第6237529号に記載されているや、まず最初にドナーシートにコーティングし、次いで基板のより近くで昇華させることができる。混合材料からなる層では、別々の昇華用ボートを用いること、または材料をあらかじめ混合し、単一のボートまたはドナーシートからコーティングすることができる。パターニングした堆積は、シャドウマスク、一体化シャドウマスクアメリカ合衆国特許第5294870号、ドナーシートからの空間的に限定された染料熱転写アメリカ合衆国特許第5688551号、第5851709号、第6066357号、インクジェット法アメリカ合衆国特許第6066357号を利用して実現することができる。封入たいていのOLEDデバイスは、水分と酸素の一方または両方に敏感であるため、一般に不活性雰囲気例えば窒素やアルゴン中で、乾燥剤例えばアルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、粘土、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、ハロゲン化金属、過塩素酸塩とともに密封される。封入と乾燥のための方法としては、アメリカ合衆国特許第6226890号に記載されている方法などがある。さらに、障壁層例えばSiOx、テフロン登録商標や、交互に積層された無機層/ポリマー層が、封入法として知られている。本発明に従って構成したELデバイスでは、これらのうちのどの密封法または封入法を用いてもよい。光学的最適化本発明のOLEDデバイスでは、望むのであれば発光特性を向上させるため、公知のさまざまな光学的効果を利用することが可能である。その中には、層の厚さを最適化して光の透過を最大にすること、誘電体ミラー構造を設けること、反射性電極の代わりに光吸収性電極にすること、グレア防止または反射防止のコーティングをディスプレイの表面に設けること、偏光媒体をディスプレイの表面に設けること、カラーフィルタ、中性フィルタ、カラー変換フィルタをディスプレイの表面に設けることなどがある。フィルタ、偏光装置、グレア防止用または反射防止用コーティングは、ELデバイスの表面に、またはELデバイスの一部として特別に設けることができる。本発明の実施態様により、より高い発光効率、より低い駆動電圧、より高い電力効率、安定性の向上、製造しやすさ、低下した昇華温度といった優れた特徴を提供できる。また本発明の実施態様により、望ましいいろいろな色相を提供することができる。その中には、マルチカラーディスプレイを提供するために直接に、またはフィルタを通じて白色光を出させるのに役立つ色相も含まれる。本発明の実施態様により、このELデバイスを組み込んだ装置として、電子式ディスプレイやエリア照明装置を提供することもできる。本発明とその利点は、以下の実施例によってさらによく理解することができる。合成例:Inv1の調製以下の手続きRxn1によって中間体Int1を調製した。2ブロモナフタレン92g、444ミリモルを乾燥THF118mlに溶かし、78°Cに冷却した。tBuLi17M、523g、89ミリモルを5分間かけて一滴ずつ添加した後、反応物をこの温度にてさらに5分間にわたって撹拌した。2クロロアントラキノン43g、178ミリモルを添加し、反応物をアセトンドライアイス浴から取り出し、室温にて一晩にわたって撹拌した。この反応混合物を塩化アンモニウム水溶液に添加し、生成物を塩化メチレンで抽出した。有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥させ、濾過し、濃縮した。結晶化85エーテル/ヘプタンによって精製するとInv1が得られた。以下の手続きRxn2によって中間体Int2を調製した。ヨウ化カリウム176g、10602ミリモルと次亜リン酸ナトリウム水和物165g、1881ミリモルをInt157g、114ミリモルと酢酸181mlの混合物に添加した。この混合物を3時間にわたって還流温度に加熱した後、室温まで冷却した。黄色の固形物を濾過し、水とメタノールで洗浄すると、Int2が得られた。以下の手続きRxn3によって中間体Inv1を調製した。4トリルボロン酸12当量と、トリスジパラジウム003当量と、トリシクロヘキシルホスフィン0045当量と、リン酸カリウム2当量を、乾燥条件下にて、脱ガスしたトルエンとInt21当量の混合物に添加した。この反応混合物を一晩にわたって還流温度に加熱した。この反応混合物を冷却し、セライトで濾過し、水に添加した。生成物を塩化メチレンから抽出し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥させ、濾過し、濃縮した。カラムクロマトグラフィシリカゲル、溶離液は95ヘプタン/塩化メチレンにより、Inv1が得られた。デバイス例1サンプル1~6のELデバイスの製造本発明の要求を満たすELデバイスサンプル1を以下のようにして構成した。1.アノードとしてインジウムスズ酸化物ITOを85nmの厚さにコーティングしたガラス基板を、順番に、市販の洗剤の中で超音波処理し、脱イオン水の中でリンスし、トルエン蒸気の中で脱脂し、酸素プラズマに1分間にわたって曝露した。2.プラズマ支援CHF3堆積により、ITOの上にフルオロカーボンCFxからなる正孔注入層HILを1nm堆積させた。3.次に、NNジ1ナフチルNNジフェニル44ジアミノビフェニルNPBからなる厚さが75nmの正孔輸送層HTLをタンタルボートから蒸着した。4.次に、正孔輸送層の上に、ホスト材料Inv1とTBP25811テトラtブチルペリレン、100容積からなる発光層LELを20nm堆積させた。これらの材料もタンタルボートから蒸着した。5.次に、トリスアルミニウムAlQ3からなる35nmの電子輸送層ETLを発光層の上に堆積させた。この材料もタンタルボートから蒸着した。6.AlQ3層の上に、MgとAgの体積比が10:1になったカソードを220nm堆積させた。上記の一連の操作により、ELデバイスの堆積が完成した。次に、周囲環境から保護するため、このデバイスを乾燥グローブボックスの中で密封した。Inv1を含むELデバイスであるサンプル2~5をサンプル1と同じ方法で製造したが、表1に示してあるように、使用したInv1の量すなわちInv1層の厚さとTBPのレベルが異なっている。サンプル6はサンプル1と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにTBADN2tブチル910ジアントラセンを使用したことと、TBPのレベルが150容積であった点が異なっている。このようにして形成したデバイスを、動作電流20mAcm2にて、効率と色に関してテストした。その結果を、出力効率WA、輝度収率cdA、CIE国際照明委員会座標として表1に記してある。セルを20mAcm2にて70°Cで250時間にわたって動作させることにより、デバイスの安定性をテストした。この時間動作させた後の輝度を最初の輝度と比べたパーセンテージを表1に示してある。表1から、本発明のアントラセン材料Inv1と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、動作安定性が非常に優れていることがわかる。Inv1TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。デバイス例2サンプル7~12のELデバイスの製造ELデバイスのサンプル7~11をサンプル1~5と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにInv2にした点が異なっている。サンプル12はサンプル6と同様にして製造した。このようにして形成したデバイスをサンプル1~6と同じやり方でテストしたが、セルを20mAcm2にて70°Cで200時間にわたって動作させることによってデバイスの安定性をテストした点が異なっている。テスト結果を表2に示してある。表2から、本発明のアントラセン材料Inv2と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、動作安定性が優れていることがわかる。Inv2TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。デバイス例3サンプル13~18のELデバイスの製造ELデバイスのサンプル13~18をサンプル1~5と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにInv3にした点が異なっている。サンプル18はサンプル6と同様にして製造した。このようにして形成したデバイスをサンプル1~6と同じやり方でテストしたが、セルを20mAcm2にて70°Cで200時間にわたって動作させることによってデバイスの安定性をテストした点が異なっている。テスト結果を表3に示してある。表3から、本発明のアントラセン材料Inv3と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、動作安定性が非常に優れていることがわかる。Inv3TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。デバイス例4サンプル19~24のELデバイスの製造ELデバイスのサンプル19~23をサンプル1~5と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにInv4にした点が異なっている。サンプル24はサンプル6と同様にして製造した。このようにして形成したデバイスをサンプル1~6と同じやり方でテストしたが、セルを20mAcm2にて70°Cで200時間にわたって動作させることによってデバイスの安定性をテストした点が異なっている。テスト結果を表4に示してある。表4から、本発明のアントラセン材料Inv4と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、安定性は同程度であることがわかる。Inv4TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。デバイス例5サンプル25~30のELデバイスの製造ELデバイスのサンプル25~29をサンプル1~5と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにInv5にした点が異なっている。サンプル30はサンプル6と同様にして製造した。このようにして形成したデバイスをサンプル1~6と同じやり方でテストした。テスト結果を表5に示してある。表5から、本発明のアントラセン材料Inv5と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、動作安定性が非常に優れていることがわかる。Inv5TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。デバイス例6サンプル31~36のELデバイスの製造ELデバイスのサンプル31~35をサンプル1~5と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにInv7にした点が異なっている。サンプル36はサンプル6と同様にして製造した。このようにして形成したデバイスをサンプル1~6と同じやり方でテストしたが、セルを20mAcm2にて70°Cで200時間にわたって動作させることによってデバイスの安定性をテストした点が異なっている。テスト結果を表6に示してある。表6から、本発明のアントラセン材料Inv7と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、動作安定性は同程度か優れていることがわかる。Inv7TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。デバイス例7サンプル37~42のELデバイスの製造ELデバイスのサンプル37~41をサンプル1~5と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにInv8にした点が異なっている。サンプル42はサンプル6と同様にして製造した。このようにして形成したデバイスをサンプル1~6と同じやり方でテストしたが、セルを20mAcm2にて70°Cで200時間にわたって動作させることによってデバイスの安定性をテストした点が異なっている。テスト結果を表7に示してある。表7から、本発明のアントラセン材料Inv8と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、動作安定性が非常に優れていることがわかる。Inv8TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。デバイス例8サンプル43~48のELデバイスの製造ELデバイスのサンプル43~47をサンプル1~5と同じ方法で製造したが、Inv1の代わりにInv9にした点が異なっている。サンプル48はサンプル6と同様にして製造した。このようにして形成したデバイスをサンプル1~6と同じやり方でテストした。テスト結果を表8に示してある。表8から、本発明のアントラセン材料Inv9と比較用アントラセン材料を似たようなレベルで比較すると、前者は後者よりも輝度収率が高く、動作安定性が非常に優れていることがわかる。Inv9TBPの組み合わせはTBADNTBPの組み合わせよりも青緑が強いため、白色発光デバイスで使用するのに望ましかろう。この明細書で言及した特許とそれ以外の刊行物の全内容は、参考としてこの明細書に組み込まれているものとする。本発明を特にいくつかの好ましい実施態様を参照して詳しく説明してきたが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、さまざまな変形や変更をなしうることが理解されよう。