"接着剤組成物及び微粒子からなる充填材を含む熱硬化型ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さをYμmとし、前記充填材の最大粒径をXμmとしたときの比率X/Y-が1以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。前記Xμmが0.05~5μmの範囲内である請求項1に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。前記Yμmが1~5μmの範囲内である請求項1又は2に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物100重量部に対し1~80重量部の範囲内である請求項1~3の何れか1項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物100体積部に対し1~40体積部の範囲内である請求項1~4の何れか1項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。前記熱硬化型ダイボンドフィルムにおける粗さ曲線の最大断面高さRtが0.1~2.3μmの範囲内である請求項1~5の何れか1項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。請求項1~6の何れか1項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されていることを特徴とするダイシングダイボンドフィルム。請求項7に記載のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り合わせ面として、半導体ウェハの裏面に前記ダイシングダイボンドフィルムを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして半導体チップを形成するダイシング工程と、前記半導体チップを、前記ダイシングダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、温度100~180°C、ボンディング圧力0.05~0.5MPa、ボンディング時間0.1~5秒の範囲内の条件下で、前記半導体チップを被着体上にダイボンディングするダイボンド工程とを有する半導体装置の製造方法。本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、当該半導体チップに対し充填材を介して局所的な応力が加わるのを防止し、これにより半導体チップの破損を低減することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。また本発明は、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルム、それを備えたダイシングダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、接着剤組成物及び微粒子からなる充填材を含む熱硬化型ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さをYμmとし、前記充填材の最大粒径をXμmとしたときの比率X/Y-が1以下である。前記の構成によれば、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さYμmと充填材の最大粒径Xμmとの関係をX/Y≦1にすることで、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、半導体チップに対し充填材を介して局所的な応力が集中するのを低減するものである。これにより、半導体チップが薄型化しても、その破損を低減して半導体装置の製造を可能になり、スループットの向上が図れる。前記構成に於いては、前記Xμmが0.05~5μmの範囲内であることが好ましい。また、前記構成に於いては、前記Yμmが1~5μmの範囲内であることが好ましい。更に、前記構成に於いては、前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物100重量部に対し1~80重量部の範囲内であることが好ましい。また、前記構成に於いては、前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物100体積部に対し1~40体積部の範囲内であることが好ましい。また、前記構成に於いては、前記熱硬化型ダイボンドフィルムにおける粗さ曲線の最大断面高さRtが0.1~2.3μmの範囲内であることが好ましい。また、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、前記に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されている。本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り合わせ面として、半導体ウェハの裏面に前記ダイシングダイボンドフィルムを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして半導体チップを形成するダイシング工程と、前記半導体チップを、前記ダイシングダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、温度100~180°C、ボンディング圧力0.05~0.5MPa、ボンディング時間0.1~5秒の範囲内の条件下で、前記半導体チップを被着体上にダイボンディングするダイボンド工程とを有する。前記方法においては、半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、フィルム中に配合されている充填材により半導体チップに応力が集中するのを低減させる熱硬化型ダイボンドフィルムを使用する。この為、前記ダイボンド条件下で半導体チップのダイボンドを行っても、半導体チップの破損を低減することができる。即ち、前記方法であると半導体チップの破損を低減し、スループットを向上させて半導体装置を製造することが可能になる。本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。即ち、本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さYμmと充填材の最大粒径Xμmとの関係をX/Y≦1とするものである。これにより、熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、フィルム中に含まれる充填材が半導体チップに局所的な応力を加えるのを低減することができる。その結果、半導体チップの破損を低減することができ、スループットを向上させて半導体装置の製造が図れるという効果を奏する。ダイシングダイボンドフィルム本発明の熱硬化型ダイボンドフィルム以下、ダイボンドフィルムと言うについて、ダイシングフィルム粘着フィルムと一体的に積層されたダイシングダイボンドフィルムを例にして以下に説明する。図1は、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図2は、本実施の形態に係る他のダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図1に示すように、ダイシングダイボンドフィルム10は、ダイシングフィルム上にダイボンドフィルム3が積層された構成を有する。ダイシングフィルムは基材1上に粘着剤層2を積層して構成されており、ダイボンドフィルム3はその粘着剤層2上に設けられている。また本発明は、図2に示すように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム3’を形成した構成であってもよい。前記基材1は紫外線透過性を有し、かつダイシングダイボンドフィルム10、11の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-メタアクリル酸共重合体、エチレン-メタアクリル酸エステルランダム、交互共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド紙、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属箔、紙等が挙げられる。また基材1の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材1を熱収縮させることにより粘着剤層2とダイボンドフィルム3、3’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。基材1の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤例えば、後述する粘着物質によるコーティング処理を施すことができる。前記基材1は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材1には、帯電防止能を付与する為、前記の基材1上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが30~500Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材1は単層あるいは2種以上の複層でもよい。基材1の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には5~200μm程度である。前記粘着剤層2は紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図2に示す粘着剤層2の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分2aのみを紫外線照射することにより他の部分2bとの粘着力の差を設けることができる。また、図2に示すダイボンドフィルム3’に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層2を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分2aを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分2aにダイボンドフィルム3’が貼付けられる為、粘着剤層2の前記部分2aとダイボンドフィルム3’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分2bを形成する。前述の通り、図1に示すダイシングダイボンドフィルム10の粘着剤層2に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分2bはダイボンドフィルム3と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム3を、接着剥離のバランスよく支持することができる。図2に示すダイシングダイボンドフィルム11の粘着剤層2に於いては、前記部分2bがウェハリングを固定することができる。前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素-炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、メタアクリル酸アルキルエステル例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s-ブチルエステル、t-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1~30、特に炭素数4~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等及びメタアクリル酸シクロアルキルエステル例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、メタアクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明のメタとは全て同様の意味である。前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記メタアクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルメタアクリレート、カルボキシペンチルメタアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル、4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルメタアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート、メタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量以下が好ましい。更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、ペンタエリスリトールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、エポキシメタアクリレート、ポリエステルメタアクリレート、ウレタンメタアクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量以下が好ましい。前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万以上、更に好ましくは40万~300万程度である。また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、5重量部程度以下、更には0.1~5重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタンメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ペンタエリストールテトラメタアクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が100~30000程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5~500重量部、好ましくは40~150重量部程度である。また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素-炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素-炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。前記アクリル系ポリマーへの炭素-炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素-炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素-炭素二重結合を有する化合物を、炭素-炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素-炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素-炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマー特にアクリル系ポリマーを単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは0~10重量部の範囲である。前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、4-2-ヒドロキシエトキシフェニル2-ヒドロキシ-2-プロピルケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフエノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-メチルチオ-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1等のアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物;2-ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物;1-フェノン-1,1―プロパンジオン-2-o-エトキシカルボニルオキシム等の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば0.05~20重量部程度である。また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭60-196956号公報に開示されている、不飽和結合を2個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。前記粘着剤層2の紫外線硬化後の粘着力は、ダイボンドフィルム3、3’に対して0.001~1N/10mm幅、好ましくは0.005~0.5N/10mm幅、より好ましくは0.01~0.1N/10mm幅180度ピール剥離力、剥離速度300mm/mmである。前記数値範囲内であると、ダイボンドフィルムの接着剤付き半導体チップをピックアップする際に、該半導体チップを必要以上に固定することなく、より良好なピックアップ性が図れる。前記粘着剤層2に前記部分2aを形成する方法としては、基材1に紫外線硬化型の粘着剤層2を形成した後、前記部分2aに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分3a以外の部分3b等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層2の形成は、セパレータ上に設けたものを基材1上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層2に行うこともできる。ダイシングダイボンドフィルム10の粘着剤層2に於いては、前記部分2aの粘着力<その他の部分2bの粘着力、となるように粘着剤層2の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材1の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分3aに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層2を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分3aに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分2aを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシングダイボンドフィルム10を製造可能である。粘着剤層2の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、1~50μm程度であるのが好ましい。好ましくは2~30μm、更には5~25μmが好ましい。前記ダイボンドフィルム3は、接着剤組成物と微粒子からなる充填材とを含有するものであり、かつ、その厚さをYμm、前記充填材の最大粒径をXμmとしたときに、比率X/Y-が1以下となるものであれば、特に限定されるものではない。前記充填材としては、無機フィラー又は有機フィラーが挙げられる。取り扱い性及び熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、並びにチキソトロピック性の付与等の観点からは、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては特に限定されず、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。熱伝導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶質シリカ等が好ましい。また、ダイボンドフィルム3の接着性とのバランスの観点からは、シリカが好ましい。また、前記有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記充填材の最大粒径Xμmは、0.05~5μmが好ましく、0.05~3μmがより好ましい。充填材の最大粒径を0.05μm以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記最大粒径を5μm以下にすることにより、ダイボンドフィルム3の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的に過度な応力が加わるのを低減することができる。尚、本発明に於いては、平均粒径が相互に異なる充填材同士を組み合わせて使用してもよい。また、充填材の最大粒径は、例えば、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910により求めた値である。前記充填材の形状は特に限定されず、例えば球状、楕円体状のものを使用することができる。前記充填材の含有量は、前記接着剤組成物の重量100重量部に対し、1~80重量部の範囲内が好ましく、1~50重量部の範囲内がより好ましい。前記含有量を1重量部以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記含有量を80重量部以下にすることにより、ダイボンドフィルム3の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的に過度な応力が加わるのを低減することができる。また、前記充填材は、前記接着剤組成物100体積部に対し、1~40体積部の範囲内が好ましく、1~30体積部の範囲内がより好ましい。充填材を1体積部以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、充填材を80体積部以下にすることにより、ダイボンドフィルム3の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的に過度な応力が加わるのを低減することができる。また、ダイボンドフィルム3の厚さYμm積層体の場合は、総厚は特に限定されないが、例えば、1~5μmの範囲内が好ましく、2~4μmの範囲内がより好ましい。前記厚さYμmを1μm以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記厚さYμmを5μm以下にすることにより、ダイボンドフィルム3の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的な応力が過度に加わるのを低減することができる。ダイボンドフィルム3における粗さ曲線の最大断面高さRtは0.1~2.3μmの範囲内が好ましく、1~1.5μmの範囲内がより好ましい。前記最大断面高さRtを0.1μm以上にすることにより、ピックアップ性を容易とすることができる。その一方、前記最大断面高さを2.3μm以下にすることにより、局所的な応力が過度に加わるのを低減することができる。尚、前記粗さ曲線の最大断面高さRtは、JISB0601に準拠して、非接触表面粗さ測定装置日本ビーコ社製、WYKOを用い、表面の傾き補正を行った後に測定した値である。前記接着剤組成物としては特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びアクリル共重合体を含むものが好ましい。前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうち本発明においては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環等の芳香族環を有するエポキシ樹脂が特に好ましい。具体的には、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェノール型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が300~1500の範囲内であることが好ましく、350~1000の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が300未満であると、熱硬化後のダイボンドフィルム3の機械的強度、耐熱性、耐湿性が低下する場合がある。その一方、1500より大きいと、熱硬化後のダイボンドフィルムが剛直になって脆弱になる場合がある。尚、本発明に於ける重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロトマトグラフィー法GPCで標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値を意味する。更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。前記フェノール樹脂の重量平均分子量が300~1500の範囲内であることが好ましく、350~1000の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が300未満であると、前記エポキシ樹脂の熱硬化が不十分となり十分な強靱性が得られない場合がある。その一方、重量平均分子量が1500より大きいと、高粘度となって、ダイボンドフィルムの作製時の作業性が低下する場合がある。前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5~2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8~1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。また、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量は、アクリル共重合体100重量部に対し、10~200重量部の範囲内であることが好ましい。前記アクリル共重合体としては特に限定されないが、本発明においてはカルボキシル基含有アクリル共重合体、エポキシ基含有アクリル共重合体が好ましい。前記カルボキシル基含有アクリル共重合体に用いる官能基モノマーとしてはアクリル酸又はメタクリル酸が挙げられる。アクリル酸又はメタクリル酸の含有量は酸価が1~4の範囲内となる様に調節される。その残部は、メチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数1~8のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、スチレン、又はアクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でも、エチルメタアクリレート及び/又はブチルメタアクリレートが特に好ましい。混合比率は、後述する前記アクリル共重合体のガラス転移点Tgを考慮して調整することが好ましい。また、重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。また、前記モノマー成分と共重合可能な他のモノマー成分としては特に限定されず、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分の使用量は、全モノマー成分に対し1~20重量の範囲内であることが好ましい。当該数値範囲内の他のモノマー成分を含有させることにより、凝集力、接着性などの改質が図れる。アクリル共重合体の重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。前記アクリル共重合体のガラス転移点Tgは、-30~30°Cであることが好ましく、-20~15°Cであることがより好ましい。ガラス転移点が-30°C以上にすることにより耐熱性が確保され得る。その一方、30°C以下にすることにより、表面状態が粗いウェハにおけるダイシング後のチップ飛びの防止効果が向上する。前記アクリル共重合体の重量平均分子量は、10万~100万であることが好ましく、35万~90万であることがより好ましい。重量平均分子量を10万以上にすることにより、被着体表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向上させることができる。その一方、重量平均分子量を100万以下にすることにより、容易に有機溶剤への溶解することができる。また、ダイボンドフィルム3、3’には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン骨格、アミン骨格、トリフェニルボラン骨格、トリハロゲンボラン骨格等の何れかからなる塩が好ましい。尚、ダイボンドフィルムは、例えば接着剤層の単層のみからなる構成とすることができる。また、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、2層以上の多層構造にしてもよい。尚、半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用することから、ダイボンドフィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイボンドフィルムとしては、透湿性の高いコア材料を接着剤層で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、ダイボンドフィルムはコア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造にしてもよい。前記コア材料としては、フィルム例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。また、ダイボンドフィルム3は、セパレータにより保護されていることが好ましい図示せず。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシングフィルムにダイボンドフィルム3、3’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。半導体装置の製造方法本発明のダイシングダイボンドフィルム10、12は、ダイボンドフィルム3、3’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図を参照しながらダイシングダイボンドフィルム10を用いた場合を例にして説明する。先ず、図1に示すように、ダイシングダイボンドフィルム10に於けるダイボンドフィルム3の半導体ウェハ貼り付け部分3a上に半導体ウェハ4を圧着し、これを接着保持させて固定するマウント工程。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。次に、半導体ウェハ4のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ4を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ5を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ4の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングダイボンドフィルム10まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングダイボンドフィルム10により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ4の破損も抑制できる。ダイシングダイボンドフィルム10に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ5のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5をダイシングダイボンドフィルム10側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。ここでピックアップは、粘着剤層2は紫外線硬化型である為、該粘着剤層2に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層2のダイボンドフィルム3aに対する粘着力が低下し、半導体チップ5の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。ピックアップした半導体チップ5は、ダイボンドフィルムを介して被着体6に接着固定するダイボンド。このときのダイボンド温度としては、100~180°Cの範囲内が好ましく、100~160°Cの範囲内がより好ましい。また、ボンディング圧力としては、0.05~0.5MPaの範囲内が好ましく、0.05~0.2MPaの範囲内がより好ましい。更に、ダイボンド時間としては、0.1~5秒の範囲内が好ましく、0.1~3秒の範囲内がより好ましい。この様な条件下でダイボンドを行っても、本願発明では、ダイボンドフィルム中に含まれる充填材により半導体チップ5に局所的に応力が集中するのを低減するので、半導体チップ5の破損を効果的に防止することができる。被着体6としては、リードフレーム、TABフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体6は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体半導体ウェハ等であってもよい。前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Cuリードフレーム、42Alloyリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、BTビスマレイミド-トリアジン、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。本発明のダイボンドフィルム3は熱硬化型であるので、加熱硬化により半導体チップ5を被着体6に接着固定し、耐熱強度を向上させてもよい。尚、半導体ウェハ貼り付け部分3aを介して半導体チップ5が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。また前記のダイボンドは、ダイボンドフィルム3を硬化させず、単に被着体6に仮固着させてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。この場合、ダイボンドフィルム3としては、仮固着時の剪断接着力が、被着体6に対して0.2MPa以上のものを使用し、より好ましくは0.2~10MPaの範囲内のものを使用するのが好ましい。ダイボンドフィルム3の剪断接着力が少なくとも0.2MPa以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム3と半導体チップ5又は被着体6との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。前記のワイヤーボンディングは、被着体6の端子部インナーリードの先端と半導体チップ上の電極パッド図示しないとをボンディングワイヤー7で電気的に接続する工程である図3参照。前記ボンディングワイヤー7としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、80~250°C、好ましくは80~220°Cの範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒~数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム3aを完全に熱硬化させることなく行うことができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム3aにより半導体チップ5と被着体6とが固着することはない。前記封止工程は、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する工程である図3参照。本工程は、被着体6に搭載された半導体チップ5やボンディングワイヤー7を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂8としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常175°Cで60~90秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165~185°Cで、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム3aを介して半導体チップ5と被着体6とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム3aによる固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂8を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム3aにより固着がされない場合でも、本工程に於いて封止樹脂8の硬化と共にダイボンドフィルム3aによる固着が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば165~185°Cの範囲内であり、加熱時間は0.5~8時間程度である。また、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、図4に示すように、複数の半導体チップを積層して3次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図4は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを3次元実装した例を示す断面模式図である。図4に示す3次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも1つのダイボンドフィルム3aを被着体6上に仮固着した後、ダイボンドフィルム3aを介して半導体チップ5を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。次に、ダイボンドフィルム13を半導体チップ5の電極パッド部分を避けて仮固着する。更に、他の半導体チップ15をダイボンドフィルム13上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5及び他の半導体チップ15に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、ダイボンドフィルム3aにより被着体6と半導体チップ5との間を固着する。また、ダイボンドフィルム13により半導体チップ5と他の半導体チップ15との間も固着させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。半導体チップの3次元実装の場合に於いても、ダイボンドフィルム3a、13の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体6に反りが生じたり、半導体チップ5及び他の半導体チップ15にクラックが発生したりすることもないので、半導体チップ5の一層の薄型化が可能になる。また、図5に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた3次元実装としてもよい。この場合、先ず被着体6上にダイボンドフィルム3a、半導体チップ5及びダイボンドフィルム21を順次積層して仮固着する。更に、ダイボンドフィルム21上に、スペーサ9、ダイボンドフィルム21、ダイボンドフィルム3a及び半導体チップ5を順次積層して仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、図5に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5に於ける電極パッドと被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する封止工程を行い、封止樹脂8を硬化させると共に、ダイボンドフィルム3a、21により被着体6と半導体チップ5との間、及び半導体チップ5とスペーサ9との間を固着させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ5側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ5を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂8を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば170~180°Cの範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。尚、前記スペーサ9としては特に限定されず、従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を使用できる。また、前記スペーサとしてポリイミドフィルムや樹脂基板等のコア材料を使用できる。次に、プリント配線板上に、前記の半導体パッケージを表面実装する。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めハンダを供給した後、温風等により加熱溶融しハンダ付けを行うリフローはんだ付けが挙げられる。加熱方法としては、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、全体加熱、局部加熱の何れの方式でもよい。加熱温度は240~265°C、加熱時間は1~20秒の範囲内であることが好ましい。その他の事項前記基板等上に半導体素子を3次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。また、半導体素子の3次元実装の際に、各段で使用されるダイボンドフィルムは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。また、前記実施の形態に於いては、基板等に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を基板等の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。実施例1トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY12重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H4重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3136重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E2、最大粒径1.4μm、平均粒径0.5μm40重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ5μmの熱硬化型ダイボンドフィルムAを作製した。実施例2トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY4重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H4重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3112重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E2、最大粒径1.4μm、平均粒径0.5μm80重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ5μmの熱硬化型ダイボンドフィルムBを作製した。実施例3トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY12重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H12重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3136重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E2、最大粒径1.4μm、平均粒径0.5μm40重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ3μmの熱硬化型ダイボンドフィルムCを作製した。実施例4トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY4重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H4重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3112重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E2、最大粒径1.4μm、平均粒径0.5μm80重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ3μmの熱硬化型ダイボンドフィルムDを作製した。実施例5トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY12重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H12重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3136重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E3、最大粒径5.0μm、平均粒径0.9μm40重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ5μmの熱硬化型ダイボンドフィルムEを作製した。実施例6トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY4重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H4重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3112重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E3、最大粒径5.0μm、平均粒径0.9μm80重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ5μmの熱硬化型ダイボンドフィルムFを作製した。比較例1トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY12重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H12重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3136重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E3、最大粒径5.0μm、平均粒径0.9μm40重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ3μmの熱硬化型ダイボンドフィルムGを作製した。比較例2トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY4重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H4重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3112重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E3、最大粒径5.0μm、平均粒径0.9μm80重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ3μmの熱硬化型ダイボンドフィルムHを作製した。比較例3トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY12重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H12重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3136重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E5、最大粒径8.0μm、平均粒径1.3μm40重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ5μmの熱硬化型ダイボンドフィルムIを作製した。比較例4トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY4重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H4重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3112重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E5、最大粒径8.0μm、平均粒径1.3μm80重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ5μmの熱硬化型ダイボンドフィルムJを作製した。比較例5トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY12重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H12重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3136重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E5、最大粒径8.0μm、平均粒径1.3μm40重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ3μmの熱硬化型ダイボンドフィルムKを作製した。比較例6トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂日本化薬株製、商品名;EPPN-501HY4重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂明和化成株製、商品名;MEH7800H4重量部、アクリル共重合体ノガワケミカル株製、商品名;レビタルAR3112重量部、充填材として球状シリカアドマテックス株製、商品名;SO-E5、最大粒径8.0μm、平均粒径1.3μm80重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度15.0重量の接着剤組成物を調製した。この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが38μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ3μmの熱硬化型ダイボンドフィルムLを作製した。充填材の平均粒径、及び、最大粒径の測定充填材の平均粒径、及び、最大粒径の測定は、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910を用いて行った。結果を下記表1及び表2に示す。なお、最大粒径は、横軸を粒径、縦軸を相対粒子量とした2次元のグラフにおいて、ベースラインと当該曲線とで囲まれた面積を100としたとき、粒径が小さい側から当該面積を積算した累計面積が100となる粒径を最大粒径とした。粗さ曲線の最大断面高さRt各実施例及び比較例で作製した熱硬化型ダイボンドフィルムにおける粗さ曲線の最大断面高さRtは、JISB0601に準拠して、非接触表面粗さ測定装置日本ビーコ社製、WYKOを用い、表面の傾き補正を行った後に測定した。結果を下記表1及び表2に示す。半導体ウェハの破損の有無の確認先ず、ダイシングフィルムを作製した。即ち、厚さが100μmのポリオレフィンからなる基材上に、アクリル系粘着剤組成物の溶液を塗布、乾燥して、厚さが10μmの粘着剤層を形成してダイシングフィルムを作製した。尚、前記アクリル系粘着剤の溶液は、次の様にして調製した。即ち、先ずアクリル酸ブチルとアクリル酸エチルと2-ヒドロキシアクリレートとアクリル酸とを重量比60/40/4/1の割合で共重合させ、重量平均分子量が800,000のアクリル系ポリマーを得た。次に、このアクリル系ポリマー100重量部に、架橋剤として多官能エポキシ系架橋剤を0.5重量部、光重合性化合物としてジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートを90重量部、光重合開始剤としてα-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを5重量部配合し、これらを有機溶剤としてのトルエンに均一に溶解させた。これにより、前記アクリル系粘着剤の溶液を作成した。続いて、離型処理フィルム上の熱硬化型ダイボンドフィルムを前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に貼り合わせた。貼り合わせ条件は、ラミネート温度40°C、線圧5kgf/cmとした。これにより、各実施例及び比較例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシングダイボンドフィルムを作製した。次に、各ダイシングダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルム上に半導体ウェハ直径12インチ、厚さ50μmをマウントした。マウント条件は、下記の通りにした。[貼り合わせ条件]貼り付け装置:日東精機製、MA-3000III貼り付け速度:10mm/sec貼り付け圧力:0.25MPa貼り付け時のステージ温度:40°C次に、半導体ウェハのダイシングを行い、5mm各のチップサイズの半導体チップを形成した。ダイシング条件は、下記の通りにした。[ダイシング条件]ダイシング装置:ディスコ社製、DFD-6361ダイシングリング:2-8-1ディスコ社製ダイシング速度:80mm/secダイシングブレード:ディスコ社製2050HEDDダイシングブレード回転数:40,000rpmブレード高さ:0.170mmカット方式:Aモード/ステップカット更に、各ダイシングダイボンドフィルムを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。その後、各ダイシングダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で、ダイボンドフィルムと共に半導体チップをピックアップした。ピックアップ条件は下記の通りである。[ピックアップ条件]ニードル:全長10mm、直径0.7mm、鋭角度15deg、先端R350μmニードル本数:5本ニードル突き上げ量:350μmニードル突き上げ速度:5mm/secコレット保持時間:200msecエキスパンド:3mm続いて、ピックアップした半導体チップをリードフレーム上にダイボンディングした。このときの半導体チップの破損を確認した。結果を下記表1及び表2に示す。尚、ダイボンド条件は下記の通りとした。[ダイボンド条件]ダイボンド温度:120°Cボンディング圧力:0.1MPaボンディング時間:1secアフターキュア:150°Cで1時間結果下記表1及び表2から分かる通り、本発明の各実施例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムの様に、その厚さYμmと充填材の最大粒径Xμmの比率X/Y-が1以下であると、半導体チップを破損させることなくリードフレーム上にダイボンディングをすることができた。その一方、比率X/Y-が1を超える各比較例の熱硬化型ダイボンドフィルムであると、ダイボンディングの際に半導体チップに破損が確認された。"