"半導体基板上に、利得を有する活性導波路層と波長を制御するための非活性導波路層とを交互に周期的に繰り返し形成してなる構造を有し、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第一の周期で接続されてなる第一のレーザ部と、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第二の周期で接続されてなる第二のレーザ部とを備えた分布活性DFBレーザであって、前記活性導波路層及び前記非活性導波路層の全長にわたって回折格子が形成され、前記活性導波路層と前記非活性導波路層との接合面に対応する前記回折格子の位置に下式1を満足する位相シフト量ΩBJの補正位相シフトが挿入されるとともに、前記第一のレーザ部と前記第二のレーザ部との接続部に対応する前記回折格子の位置に、前記補正位相シフトに加えて前記活性導波路層及び前記非活性導波路層の屈折率が共振方向に沿って均一である場合に前記共振器の位相条件を満たすように設定される位相シフトが挿入されたことを特徴とする波長可変半導体レーザ。-λ/4<ΩBJ<01半導体基板上に、利得を有する活性導波路層と波長を制御するための非活性導波路層とを交互に周期的に繰り返し形成してなる構造を有し、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第一の周期で接続されてなる第一のレーザ部と、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第二の周期で接続されてなる第二のレーザ部とを備えた分布活性DFBレーザであって、前記活性導波路層又は前記非活性導波路層の少なくとも一方に回折格子が形成されており、隣接する前記回折格子の位相関係が、下式2を満足する位相シフト量2ΩBJだけシフトしているとともに、前記第一のレーザ部と前記第二のレーザ部との接続部を挟んで隣接する前記回折格子の位相関係が、前記活性導波路層及び前記非活性導波路層の屈折率が共振方向に沿って均一である場合に前記共振器の位相条件を満たすように設定される位相シフトをΩC0として、ΩC02ΩBJだけシフトしていることを特徴とする波長可変半導体レーザ。-λ/4<ΩBJ<02前記第一のレーザ部と前記第二のレーザ部とで、前記活性導波路層と前記非活性導波路層の繰り返し周期が異なることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の波長可変半導体レーザ。図12は、上述した第一のレーザ部、第二のレーザ部を有する分布活性DFBレーザについて、横軸を非活性導波路層の屈折率と活性導波路層の屈折率との差として、第一モードの閾値利得と第二モードの閾値利得との差Δgthを第一モードの閾値利得gth1で割った規格化閾値利得差Δgth/gth1図中、黒丸及び実線で示す値。左軸に対応と第一モードの閾値利得gth1図中、白丸及び波線で示す値。右軸に対応を計算したものである。従来構造では、非活性導波路層に電流を流す、すなわち、キャリアを注入すると、屈折率が低下する。非活性導波路層と活性導波路層との屈折率差が0の状態で最も閾値利得gth1が低く、規格化閾値利得差Δgth/gth1が大きくなる。閾値利得gth1は低い方が閾値電流が低くなりレーザ発振しやすい。規格化閾値利得差Δgth/gth1は単一モード性に関わるパラメータで、大きい方が単一モード性が良い。従って、半導体レーザとして最も良い特性が得られるのが屈折率差が0の時である。例えば、非活性導波路層の屈折率の最大変化量が0.02だとして、非活性導波路層への電流注入前の初期状態での屈折率差を0.01とすると、屈折率差が001から-001の間で変化することになる。このように、屈折率差0を中心として正負に振り分けることによって、平均的に良い特性が得られる領域を使うことが可能となる。さらに、実際には、非活性導波路層へのキャリア注入を行うと自由電子吸収などの損失が増加することになるため、閾値利得gth1が上昇してしまう。これを考慮して、あらかじめ、屈折率差が大きいところから開始し、非活性導波路層の屈折率変化後に屈折率差が0近辺となるようにすると、図12で示される閾値利得gth1の低下により屈折率変化後の損失増加による閾値利得gth1の上昇を打ち消すことができる。ただし、あまり初期屈折率差が大きいと、閾値利得gth1が高く、規格化閾値利得差Δgth/gth1が小さくなってしまうので、なるべく、最終的に屈折率差が0近辺となるようにした方がよい。すなわち、前述の例だと、初期屈折率差を0.015程度から0.02程度として、最終的に屈折率差が0近辺となるようにするのが良い。しかしながら、上記の屈折率の設定方法を用いるためには、活性導波路層か非活性導波路層のどちらかの層構造、すなわち、屈折率を決めてしまうと、もう一方の導波路層に設定できる屈折率が決まってしまい、層構造が限定されてしまう。非活性導波路層の最大屈折率差を大きくするためには、導波路コア層の組成を、バンドギャップ波長が発振波長よりも短波側で、利得が生じない程度に発振波長に近づける必要がある。すなわち、長波長化することになるが、その場合、屈折率が大きくなる。また、非活性導波路層の屈折率は、電流注入によってコア層に溜まるキャリアによって変化するが、非活性導波路層のコア層を厚くすることによって光閉じ込めが大きくなるために、屈折率変化量が大きくなる。しかしながら、コア層を厚くすると屈折率が大きくなる。一方、活性導波路層の方は、量子井戸数を増やすなどで屈折率を上昇させることができるが、あまり増やしすぎると、キャリアの注入が不均一になるなど、レーザ特性に悪影響を与えてしまう。以上のように非活性導波路層の屈折率変化を大きくする設計は、屈折率が高くなる方向であるが、活性導波路層の屈折率はレーザ特性を最適にするために決める必要があり、個別に設計できる方が望ましい。このようなことから本発明は、従来構造における活性導波路層と非活性導波路層の屈折率差の制限を回避することが可能となり、設計の自由度が向上し、活性導波路層と非活性導波路層とをそれぞれに適した層構造とすることが可能な波長可変半導体レーザを提供することを目的とする。上記の課題を解決するための第1の発明に係る波長可変半導体レーザは、半導体基板上に、利得を有する活性導波路層と波長を制御するための非活性導波路層とを交互に周期的に繰り返し形成してなる構造を有し、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第一の周期で接続されてなる第一のレーザ部と、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第二の周期で接続されてなる第二のレーザ部とを備えた分布活性DFBレーザであって、前記活性導波路層及び前記非活性導波路層の全長にわたって回折格子が形成され、前記活性導波路層と前記非活性導波路層との接合面に対応する前記回折格子の位置に下式4を満足する位相シフト量ΩBJの補正位相シフトが挿入されるとともに、前記第一のレーザ部と前記第二のレーザ部との接続部に対応する前記回折格子の位置に、前記補正位相シフトに加えて前記活性導波路層及び前記非活性導波路層の屈折率が共振方向に沿って均一である場合に前記共振器の位相条件を満たすように設定される位相シフトが挿入されたことを特徴とする。-λ/4<ΩBJ<04上記の課題を解決するための第2の発明に係る波長可変半導体レーザは、半導体基板上に、利得を有する活性導波路層と波長を制御するための非活性導波路層とを交互に周期的に繰り返し形成してなる構造を有し、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第一の周期で接続されてなる第一のレーザ部と、前記活性導波路層と前記非活性導波路層とが第二の周期で接続されてなる第二のレーザ部とを備えた分布活性DFBレーザであって、前記活性導波路層又は前記非活性導波路層の少なくとも一方に回折格子が形成されており、隣接する前記回折格子の位相関係が、下式5を満足する位相シフト量2ΩBJだけシフトしているとともに、前記第一のレーザ部と前記第二のレーザ部との接続部を挟んで隣接する前記回折格子の位相関係が、前記活性導波路層及び前記非活性導波路層の屈折率が共振方向に沿って均一である場合に前記共振器の位相条件を満たすように設定される位相シフトをΩC0として、ΩC02ΩBJだけシフトしていることを特徴とする。-λ/4<ΩBJ<05上記の課題を解決するための第3の発明に係る波長可変半導体レーザは、第1又は第2の発明に係る波長可変半導体レーザにおいて、前記第一のレーザ部と前記第二のレーザ部とで、前記活性導波路層と前記非活性導波路層の繰り返し周期が異なることを特徴とする。本発明によれば、従来構造における活性導波路層と非活性導波路層の屈折率差の制限を回避することが可能となり、設計の自由度が向上し、活性導波路層と非活性導波路層とをそれぞれに適した層構造とすることができる。以下、図面を参照しつつ本発明に係る波長可変半導体レーザの詳細を説明する。第一の実施形態以下、図1乃至図4に基づいて本発明に係る波長可変半導体レーザの第一の実施形態について説明する。図1は本発明の第一の実施形態に係る波長可変半導体レーザの導波方向に沿った断面を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態に係る波長可変半導体レーザにおいては、n型InP下部クラッド層11上に、第一のレーザ部A1においては長さLa1のGaInAsP活性導波路層12a1と、活性導波路層12a1とは組成の異なる長さLt1のGaInAsP非活性導波路層波長制御層13t1とが交互に周期的に接続されている。また、第二のレーザ部A2においては長さLa2のGaInAsP活性導波路層12a2と、活性導波路層12a2とは組成の異なる長さLt2のGaInAsP非活性導波路層13t2とが交互に周期的に接続されている。以下、GaInAsP活性導波路層12a1,12a2を総称する場合はGaInAsP活性導波路層12、GaInAsP非活性導波路層13t1,13t2を総称する場合はGaInAsP非活性導波路層13と呼称する。これらGaInAsP活性導波路層12及びGaInAsP非活性導波路層13の上と、p型InP上部クラッド層14との間には周期的な凹凸を形成して導波路の等価屈折率を周期変調させた回折格子15が形成されている。InP上部クラッド14の上には、オーミックコンタクトのために高ドープのp型InGaAsコンタクト層16を設け、その上にそれぞれ活性導波路層12、非活性導波路層13に対応するように電極17,18を形成している。基板下部に形成した電極19は共通としているが、基板上部に形成する電極は、活性導波路層12の領域と非活性導波路層13の領域とで分離している。具体的には、活性導波路層12の領域と非活性導波路層13の領域とでコンタクト層16および電極17,18を分離し、さらに、図2に示すように、活性導波路層12の電極17同士、非活性導波路層13の電極18同士を素子上で短絡している。さらに、本実施形態に係る波長可変半導体レーザにおいては、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2とで活性導波路層12と非活性導波路層13の繰り返し周期をL1,L2と変えて直列に接続した構造となっている。さらに、全ての活性導波路層12と非活性導波路層13の境界付近の回折格子に後述する位相シフト量ΩBJの位相シフト以下、補正位相シフトというを入れ、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2の間に補正位相シフトに加えて位相シフト量λ/4の共振器の位相条件を満たすための位相シフトを入れている。これにより、第一のレーザ部A1での反射波と第二のレーザ部A2での反射波の位相を発振条件を満たすように整合させている。以下、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2の間に挿入した位相シフトをレーザ部間位相シフト21、これ以外の部分に挿入した位相シフトを導波路層間位相シフト20と呼称する。ここで、活性導波路層12にバンドギャップ波長1.55μmのGaInAsPを用いた場合、非活性導波路13はそれより短波のバンドギャップ波長、たとえば、1.4μmのバンドギャップ波長のGaInAsPを用いることにより、レーザ発振の利得に寄与しないために、キャリア密度が一定にならない。これにより、電流注入により大きく屈折率を変化させることができる。また、活性導波路層12および非活性導波路層13はバルク材料でなくともよく、たとえば、量子井戸構造、もしくは、量子井戸をバリア層を挟んで重ねた多層量子井戸構造や、さらに量子ドットや量子細線などの低次元の量子井戸構造を備えたものであっても良い。また、活性層への光閉じ込めやキャリア閉じ込めを高めるなどのために、活性層とクラッド層の間に中間の屈折率を持つ層を導入する分離閉じ込めへテロ構造などを導入しても良い。回折格子15は屈折率が周期的に変動していることが重要であるため、回折格子15を形成する位置は、活性導波路層12や非活性導波路層13と上部クラッド14との間では無くともよく、例えば、各導波路層12,13と下部クラッド11との間や、各層から離れた位置に形成しても良い。本素子に用いる半導体は、InPとGaInAsPの組み合わせに限定することなく、GaAs、GaInNAs、AlGaInAsなど、その他の半導体を用いても良いし、活性導波路層12と非活性導波路層13のバンドギャップ波長の組み合わせも上記に限定するものではない。本実施形態に係る波長可変半導体レーザにおいては、図示はしないが、電流Iaが活性導波路層12に効率よく注入されるように、導波路の両脇に半絶縁性材料であるFeをドープしたInPを埋め込み再成長した埋め込みヘテロ構造BHとしている。FeドープInPの代わりに、p型n型の半導体を交互に重ねることにより電流ブロック層としてもよい。また、Feの代わりにRuをドーピングして高抵抗としたInP層としてもよい。また、導波路構造は、本実施形態では埋め込みヘテロ構造を採用しているが、一般的なリッジ構造やハイメサ構造などでも本発明の原理を用いることができる。第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2では、活性導波路層12と非活性導波路層13の繰り返し周期Lは、それぞれL1L2と異なるが、活性導波路層12と非活性導波路層13の割合La1/Lt1、および、La2/Lt2は同じである。本実施形態では、この割合を1/2とした。第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2の間にレーザ部間位相シフト21を入れて、回折格子15の位相を1/4波長ΩBJ変化させている。これにより、第一のレーザ部A1での反射波と第二のレーザ部A2での反射波の位相を発振条件を満たすように整合させている。上述したように、活性導波路層12、および波長制御用非活性導波路層13の上部に設けられる電極17,18は互いに分離されており、図2に示すように、活性導波路層12上の電極17同士、および非活性導波路層13上の電極18同士は素子上で接続されている。このように素子上で各々の領域の電極17,18同士を短絡しておくことにより、金属製のボンディングワイヤをどこか一か所ずつ接着させるだけで、各領域に電流Ia又は波長制御電流Itを注入することができる。続いて、本実施形態に係る波長可変半導体レーザの作製方法を簡単に説明する。最初に有機金属気相エピタキシャル成長MOCVD法と、これによる選択成長法を用いて、n型InP下部クラッド層11上に活性導波路層12と非活性導波路層13とを作製する。活性導波路層と非活性導波路層とがバットジョイントBJされた構造となる。その後、塗布したレジストに、電子ビーム露光法を用いて回折格子15のパターンを転写し、転写パターンをマスクとしてエッチングを行い回折格子15を形成する。回折格子15は、図1に示すように各導波路層12,13の間にΩBJの導波路層間位相シフト20、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2の間にλ/4ΩBJのレーザ部間位相シフト21を入れる。本実施形態では、回折格子15は活性導波路層12、非活性導波路層13の両者ともに同一周期としている。p型InP上部クラッド層14およびp型InGaAsコンタクト層16を成長した後、横モードを制御するために、幅1.2μmのストライプ状に導波路を加工し、その両側にFeをドープしたInP電流ブロック層を成長する。そして、各電極17,18を形成した後、活性層駆動電極17と波長制御電極18とを電気的に分離するために、それらの電極17,18間のp型InGaAsコンタクト層16を除去する。さらに各導波路層12,13を分離する場合は、分離溝を形成するなどしてもよい。半導体の成長法としては、有機金属気相エピタキシャル成長法に限らず、分子線エピタキシャル成長法やその他の手段を用いてもよい。回折格子15の形成方法も電子線露光法に限らず、二束干渉露光法やそのほかの手段を用いてもよい。本実施形態では、第一のレーザ部A1および第二のレーザ部A2の活性導波路層12と非活性導波路層13の繰り返しの数をそれぞれ6としている。第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2では同じ結合係数の回折格子15を用いているので、活性導波路層12と非活性導波路層13の繰り返し周期の長い第二のレーザ部A2の方が結合係数と長さの積が大きくなるため反射率は高くなる。したがって、繰り返し数を同数とした場合、自然に出力は非対称となり、反射率の低い第一のレーザ部A1からの出力が反射率の高い第二のレーザ部A2からの出力に比べて大きくとれるため、第一のレーザ部A1側から出力を効率よく取り出すことができる。なお、活性導波路層12と非活性導波路層13の繰り返しの数は6に限らず、また繰り返し数が第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2で同じである必要もないため、必要な反射率に応じて繰り返し周期や繰り返し数を設計すればよい。本実施形態では、第一のレーザ部A1の繰り返し周期を57μmとし、第二のレーザ部A2の繰り返し周期を72μmとしている。また回折格子15の結合係数は25cm1である。本実施形態では、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2の回折格子15の間に、1/4波長の位相シフトを入れている。1/4波長シフトは通常、理想的な状態、すなわち、活性導波路層12及び非活性導波路層13の屈折率が共振方向に沿って均一である場合でも、回折格子15中に共振器の位相条件を満たすために挿入される。1/4波長の位相シフトは、必ずしも第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2の間である必要はなく、共振器中央の全共振器長の約1/3程度の範囲内に1/4波長の位相シフトがあれば、位相条件を満たすことができる。共振器の位相条件を満たすための位相シフトを導波路接合面近傍としない場合には、この位相シフトと、接合面の揺らぎにより生じる等価的な位相シフトを補償するための補正位相シフトは別々に挿入すればよい。本実施形態では、第一のレーザ部A1および第二のレーザ部A2の活性導波路層12と非活性導波路層13の割合を1:2としている。非活性導波路13の割合を大きくすることで、平均の等価屈折率変化を大きくすることができるので、波長変化量を大きくすることができる。しかしながら、非活性導波路層13の割合を大きくすると必然的に活性導波路層12の割合が小さくなってしまい、レーザ発振に必要な利得を得ることが困難になる。したがって、活性層の層数などの設計や導波路の損失に応じて割合を調整することが必要であるが、本発明の原理は、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2で活性導波路層12と非活性導波路層13の割合を同一とすることであるため、その割合は要求に応じて変更可能である。上述したように、本実施形態に係る波長可変半導体レーザでは、活性導波路層12と非活性導波路層13を交互に周期的に配置する点が異なるだけで、通常の波長可変半導体レーザの作製法を用いて容易に作製することができる。ΩBJの導波路層間位相シフト20を挿入することは、電子ビーム描画のパターンを変更するだけで実現可能である。回折格子15は電子ビーム描画により周期的にラインアンドスペースを繰り返すことにより実現できるが、導波路層間位相シフト20,21は、導波路層間位相シフト20,21を入れたい箇所でラインまたはスペースの位置を所望の量ずらすことにより実現できる。また、通常のpnダイオード型の層構造のため、半導体増幅器や変調器などとの集積も容易に実施することができるため、高性能多機能素子の要素となる光源素子として使用可能である。続いて、位相シフトについて説明する。図3は、活性導波路層12と非活性導波路層13との間に入れる導波路層間位相シフト20の位相シフト量をΩBJ、図1の第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2との間に入れるレーザ部間位相シフト21の位相シフト量をΩC=λ/4ΩBJとした場合の、活性導波路層12と非活性導波路層13との屈折率差を横軸として規格化閾値利得差Δgth/gth1を計算した図である。図4は同様に、閾値利得gth1を計算した結果である。ここで、位相シフト量ΩBJが0且つ位相シフト量ΩCが0.25λの場合の値は、図12に示し上述した従来の分布活性DFBレーザにおける計算結果と同じである。位相シフト量ΩCの値は、もともと位相整合を得るために挿入するλ/4シフト0.25λシフトに位相シフト量ΩBJを加えた値としているため、位相シフト量ΩBJが-λ/8シフト0.125λシフトのときには、位相シフト量ΩCはλ/8となっており、位相シフト量ΩBJが-λ/6シフト0.167λシフトのときには、位相シフト量ΩCはλ/12シフト0.083λシフトとなっており、位相シフト量ΩBJが-λ/5シフト0.2λシフトのときには、位相シフト量ΩCはλ/20シフト0.05λシフトとなっている。図3より、位相シフト量ΩBJが大きくなるにしたがって、ピーク位置もっとも単一モード特性が良くなる屈折率差が屈折率差の正の方にシフトすることがわかる。ただし、ピーク位置での規格化閾値利得差Δgth/gth1の大きさは小さくなる。また、図4より、やはり閾値利得gth1の最小値もっとも閾値電流が下がる屈折率差は屈折率差の正の方にシフトすることがわかる。ただし、最小値で閾値利得gth1は大きくなる。しかしながら、例えば、位相シフト量ΩBJが0のとき従来構造と、位相シフト量ΩBJが-λ/8のときとを比べると、屈折率差が0.015近辺で特性が逆転しており、屈折率差が0.015を超えたところでは、位相シフト量ΩBJが-λ/8の方が特性が良くなる。また、位相シフト量ΩBJが-λ/6のときは、屈折率差が0.02を少し超えた箇所で位相シフト量ΩBJが0のときの特性を逆転している。位相シフト量ΩBJが-λ/5のときは、屈折率差が0.025から0.03の間で位相シフト量ΩBJが0のときの特性を逆転する。以上のように、ΩBJシフトは、規格化閾値利得差Δgth/gth1の最大値、閾値利得差Δgthの最小値を屈折率差の正の領域にシフトし、屈折率差が大きな領域で従来構造ΩBJシフトが無いときよりも特性が良くなる。図5は、位相シフト量ΩBJを-λ/8に固定し、位相シフト量ΩCの値を変えて図3と同様に横軸を屈折率差として規格化閾値利得差Δgth/gth1を計算した結果である。位相シフト量ΩCの値をλ/80.125よりも小さくすると、ピーク位置が更に屈折率差の大きい側にシフトすることがわかる。また図6は、位相シフト量ΩBJを-λ/8に固定し、位相シフト量ΩCの値を変えて図4と同様に横軸を屈折率差として閾値利得gth1を計算した結果である。屈折率差が0.01よりも大きな領域において、位相シフト量ΩCの値が小さい方が閾値利得gth1が小さくなる。ただし、位相シフト量ΩCを小さくしすぎると、図5および図6のΩC=0.025λの結果からわかるように、屈折率差の大きい領域での特性改善が見られなくなってくる。図中には表示していないが、ΩC=0では特性改善が見られないため、位相シフト量ΩCは0より大きいことが望まれる。以上のように、負の位相シフト量ΩBJを入れた場合には、位相シフト量ΩCは従来のλ/4シフトに位相シフト量ΩBJを加算した値ではなく、それよりも小さな値を入れることによって、屈折率差が正の領域において特性が向上することがわかる。すなわち、従来構造では、活性導波路層と非活性導波路層との屈折率差の制限により、どちらかの層構造によってもう一方の層構造を設計する必要があったが、本発明を用いることにより、屈折率差がより大きい範囲で動作させることができるようになるため、例えば、活性導波路層12は閾値電流が低くなり出力が大きくなるような設計とし、非活性導波路層13は屈折率を大きく変化させる設計とするなど、独立に層構造を設計することができるようになる。図3から図6の結果から、位相シフト量ΩBJ、位相シフト量ΩCの範囲は、それぞれ下式6、7ということができる。また、本実施形態では、位相シフト量ΩCを導波路接続部に入れているため、位相シフト量ΩCに位相シフト量ΩBJを含んだ値としているが、位相シフト量ΩBJを独立に配置しても良い。その場合は、位相シフト量ΩBJとは別に挿入する位相シフト量ΩC0は下式8に示すようにλ/4シフト以下とすればよい。ここで、ΩC,ΩC0,ΩBJが下式9の関係を満たすことは明らかである。ΩC=ΩC0ΩBJ9本実施形態では、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2とで活性導波路層12と非活性導波路層13との繰り返し周期を変えているが、同一の周期としても本発明を適用できる。しかしながら、本実施形態のように周期を変えることで、屈折率差に対して単一モード特性の良好な範囲が広くなる。したがって、屈折率差の大きな範囲を積極的に使う本発明では、本実施形態で説明したように、第一のレーザ部A1と第二のレーザ部A2で繰り返し周期を異ならせた方がより良いと言える。なお、位相シフトは、図7で定義する関係になっている。図7は横軸を位置として縦軸を屈折率とした場合の回折格子の屈折率変動の模式図であり、図7aは位相シフトがゼロの場合、図7bは位相シフトがλ/8の場合、図7cは位相シフトがλ/4の場合を示している。負の位相シフトは、位置が逆方向にずれることになる。第二の実施形態以下、図8及び図9に基づいて本発明に係る波長可変半導体レーザの第三の実施形態について説明する。図8は第三の実施形態を説明する図である。第一の実施形態では、共振器全体にわたって回折格子15を形成した分布活性DFBレーザを例に説明したのに対し、本実施形態では、回折格子を形成する箇所を周期的に部分的に限定したサンプル回折格子とした分布活性DFBレーザを例として説明する。以下、図1ないし図7に示し第一の実施形態において説明した構成要素と同様の部材については同一の符号を付して重複する説明は省略し、異なる点を中心に説明するものとする。図8に示すように、本実施形態では、活性導波路層22に回折格子24があり、非活性導波路層23には回折格子がない構造となっている。非活性導波路層23には回折格子がないため、第一の実施形態のように、活性導波路層22と非活性導波路層23との位相関係を決めることはできないが、この場合、活性導波路層22同士の回折格子15の位相関係が重要となる。つまり、例えば、活性導波路層22a11に続いて非活性導波路層23t1を伝搬した光が、次の活性導波路層22a12に入るため、非活性導波路層23t1の光学長によって、活性導波路層22同士の回折格子24a11,24a12の位相関係が決まるということになる。これは、非活性導波路層23が活性導波路層22に形成された回折格子24の位相シフトとなると考えても良い。図9は非活性導波路層23が活性導波路層22に形成された回折格子15の位相シフトとなることを説明する図である。簡単に説明するため、ここでは、活性導波路層22と非活性導波路層23の平均的屈折率が等しいものとして説明する。活性導波路層22には回折格子24があり、非活性導波路層23には回折格子が無い。図9では、一例として左側の活性導波路層22a11の回折格子24a11が非活性導波路層23にまで連続していると仮定した場合の回折格子が点線で書かれており、本実施形態に係る波長可変半導体レーザにおいて、この点線と右側の活性導波路層22a12の回折格子24a12とでは位相が一致していないことが分かる。つまり、隣接する活性導波路層22の回折格子24の位相が相互に連続しない構成とすることにより、隣接する活性導波路層22の回折格子24間に位相シフトが入っているのと同様の作用効果を得ることができる。本発明は、第一の実施形態で説明したように、活性導波路層22と非活性導波路層23の間に位相シフト量ΩBJの位相シフトを入れるものである。第二の実施形態では、非活性導波路層23に回折格子が無い構造としているので、活性導波路層22同士の位相関係は、位相シフト量ΩBJの二倍の位相関係にすれば、第一の実施形態で規定した位相シフトの範囲を適用できる。同様に、位相シフト量ΩCの位置を挟む活性導波路層22同士の位相関係は、λ/42×ΩBJのように考えればよい。本実施形態では、活性導波路層22に回折格子24が形成され、非活性導波路層23には回折格子が無いが、逆に、非活性導波路層23に回折格子を形成し、活性導波路層22に回折格子が無い場合であっても本発明を適用できる。その場合、活性導波路26と非活性導波路27を入れ替えて考えれば容易に類推できる。第三の実施形態図10に基づいて本発明に係る波長可変半導体レーザの第三の実施形態について説明する。図10は第三の実施形態を説明する図である。第一の実施形態と第二の実施形態から類推されるように、本発明の効果を得るためには、同じ領域同士の回折格子の位相関係が重要である。すなわち、活性導波路同士、非活性導波路同士、ということになる。従って、本実施形態では、図10に示すように各導波路層の導波路の隣接する境界のうち、一方にのみ位相シフト24を挿入している。この場合、位相シフト24としては、第二の実施形態と同様に、第一の実施形態で挿入している導波路層間位相シフト20の2倍の値を挿入すればよい。これにより、位相シフト24の範囲を第一の実施形態で説明した範囲として考えることができる。なお、位相シフト24を挿入する位置としては、図10に示した位置に限らず、各導波路層の隣接する境界のうちいずれか一方に挿入すればよい。その他の構成は図1ないし図7に示し第一の実施形態において説明した構成と同様であり、同一の部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。"