"変位部を有するダイアフラム基板と、ベース基板と、を有し、前記ダイアフラム基板と前記ベース基板とで設けられた気密空間を有する物理量検出素子と、前記物理量検出素子を収容するための容器と、を備え、前記容器の前記ベース基板と対向する部位に圧力導入口が配置され、前記ダイアフラム基板は、前記変位部の外側に、前記変位部と前記容器との間に隙間を設けるようにスペーサを備えたことを特徴とする物理量検出モジュール。物理量を検出する感圧部を有する圧電振動基板と、前記感圧部が接続され、外部からの力を受けて変位し、前記力を前記感圧部に伝達する変位部を有し、前記圧電振動基板の一方の主面を覆うダイアフラム基板と、前記圧電振動基板の他方の主面を覆うベース基板と、を有する物理量検出素子と、前記物理量検出素子を収容するための容器と、を備え、前記容器の前記ベース基板と対向する部位に圧力導入口が配置され、前記ダイアフラム基板は、前記変位部の外側に、前記変位部と前記容器との間に隙間を設けるようにスペーサを備えたことを特徴とする物理量検出モジュール。前記感圧部は、振動部と、前記振動部の両端に配置された一対の基部と、を有し、前記圧電振動基板は、前記振動部と前記一対の基部の周囲とを囲み、前記一対の基部の梁を介して支持する枠部を有し、前記ダイアフラム基板は、前記圧電振動基板を覆う側の面に設けられた凹部と、前記凹部の底部に、前記一対の基部をそれぞれ支持するための設けられた一対の支持部と、を有し、前記底部が前記変位部であることを特徴とする請求項2に記載の物理量検出モジュール。前記物理量検出素子の外縁に接続部が設けられるとともに、前記接続部を前記容器に固定部材を用いて固定し、前記振動部に励振電極が設けられるとともに、前記接続部の前記容器に固定する面に、前記励振電極に電気的に接続されたパッド電極が配置され、前記固定部材は導電性を有するとともに、前記パッド電極と前記容器に配置された接続電極とを電気的に接続することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の物理量検出モジュール。前記接続部には、前記接続部の一辺を二分するようにスリットが設けられていることを特徴とする請求項4に記載の物理量検出モジュール。前記容器は、前記物理量検出素子を実装する実装基板を有し、前記実装基板上には凸部が配置され、前記接続部は、前記凸部の上面に支持されていることを特徴とする請求項4または5に記載の物理量検出モジュール。しかし、被測定環境は必ずしも清浄であるとは限らず、上記構成の場合、ダイアフラム504に圧力導入口510から舞い込んだ砂や埃などが付着してダイアフラム504の感度が劣化する問題があった。そこで本発明は上記問題に着目し、ダイアフラムの被測定環境由来のコンタミネーションを低減した物理量検出モジュールを提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。[適用例1]変位部を有するダイアフラム基板と、ベース基板と、を有し、前記ダイアフラム基板と前記ベース基板とで設けられた気密空間を有する物理量検出素子と、前記物理量検出素子を収容するための容器と、を備え、前記容器の前記ベース基板と対向する部位に圧力導入口が配置され、前記ダイアフラム基板は、前記変位部の外側に、前記変位部と前記容器との間に隙間を設けるようにスペーサを備えたことを特徴とする物理量検出モジュール。上記構成により、変位部後述のダイアフラムを実装先の実装基板に対向させ、かつスペーサを容器の内壁後述の実装基板に接触させた状態で物理量検出素子を容器内に実装することができる。よって、変位部は容器の内壁に対向することになるので、変位部の被測定環境由来のコンタミネーションを低減することが可能な物理量検出モジュールとなる。また、変位部と実装基板との間は、スペーサの高さと同じ間隔で隙間が形成され、さらにスペーサは変位部の外側となる配置されている。したがって、変位部、スペーサ、容器の内壁により閉空間を形成することはないので、変位部が被測定環境の圧力を確実に受けることが可能な物理量検出モジュールとなる。[適用例2]物理量を検出する感圧部を有する圧電振動基板と、前記感圧部が接続され、外部からの力を受けて変位し、前記力を前記感圧部に伝達する変位部を有し、前記圧電振動基板の一方の主面を覆うダイアフラム基板と、前記圧電振動基板の他方の主面を覆うベース基板と、を有する物理量検出素子と、前記物理量検出素子を収容するための容器と、を備え、前記容器の前記ベース基板と対向する部位に圧力導入口が配置され、前記ダイアフラム基板は、前記変位部の外側に、前記変位部と前記容器との間に隙間を設けるようにスペーサを備えたことを特徴とする物理量検出モジュール。上記構成により、適用例1と同様の作用効果を有し、圧電振動基板が有する感圧部が変位部からの力を検知する物理検出モジュールとなる。[適用例3]前記感圧部は、振動部と、前記振動部の両端に配置された一対の基部と、を有し、前記圧電振動基板は、前記振動部と前記一対の基部の周囲とを囲み、前記一対の基部の梁を介して支持する枠部を有し、前記ダイアフラム基板は、前記圧電振動基板を覆う側の面に設けられた凹部と、前記凹部の底部に、前記一対の基部をそれぞれ支持するための設けられた一対の支持部と、を有し、前記底部が前記変位部であることを特徴とする適用例2に記載の物理量検出モジュール。上記構成により、変位部が外部からの力により変位すると支持部同士の間隔が変化し、これにより基部同士の間隔が変化する。よって振動部には振動部の長さを変化させる応力が印加されるので振動部の共振周波数が変化する。したがってこの共振周波数の変化をモニターすることにより変位部が受けた圧力等の物理量を高精度に検知することができる。[適用例4]前記物理量検出素子の外縁に接続部が設けられるとともに、前記接続部を前記容器に固定部材を用いて固定し、前記振動部に励振電極が設けられるとともに、前記接続部の前記容器に固定する面に、前記励振電極に電気的に接続されたパッド電極が配置され、前記固定部材は導電性を有するとともに、前記パッド電極と前記容器に配置された接続電極とを電気的に接続することを特徴とする適用例1乃至3のいずれか1例に記載の物理量検出モジュール。上記構成により、ワイヤーを用いることなく、いわゆるフェイスダウンボンディングによりパッド電極と接続電極とを接続することになる。したがって、容器内において物理量検出素子の実装に必要とする高さを小さくすることができ、これにより容器の高さも小さくすることができる。したがって、低背化が可能な物理量検出モジュールとなる。[適用例5]前記接続部には、前記接続部の一辺を二分するようにスリットが設けられていることを特徴とする適用例4に記載の物理量検出モジュール。物理量検出素子を容器の内壁後述の実装基板に実装する場合、パッド電極と接続電極とを導電性の固定部材により接合する。上記構成においては、固定部材は接続部においてスリットを挟むように2箇所接合される。このとき、物理量検出素子と容器の構成材料は一般的に熱膨張係数が異なるため、接合時の温度と冷却後の温度との相違により物理量検出素子の固定部材との2つの接合位置を互いに離間或いは近接させる熱応力を物理量検出素子が受けることになる。しかし、上記構成において接続部はスリットにより2つに分割され、その2つの接続部は接続部の枠部との接続位置を固定端として屈曲することができる。よって、接続部に発生した熱応力により接続部を屈曲させて熱応力を接続部と枠部との接続位置に集中させ、その分変位部に伝播する熱応力の成分を緩和させることができる。したがって、熱歪みに起因する変位部に印加される応力を緩和し、測定誤差を抑制した物理量検出モジュールとなる。[適用例6]前記容器は、前記物理量検出素子を実装する実装基板を有し、前記実装基板上には凸部が配置され、前記接続部は、前記凸部の上面に支持されていることを特徴とする適用例4または5に記載の物理量検出モジュール。上記構成により、固定部材の体積を削減してコストを抑制するとともに接合を安定的に行うことができる。以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図1に、第1実施形態の物理量検出モジュールの模式図を示し、図1aは断面図、図1bは平面図蓋体不図示である。図1に示すように、第1実施形態の物理量検出モジュール110は、実装基板112と、圧力導入口124を有する蓋体122と、により形成された容器内に物理量検出素子10が収容された構成を有している。本実施形態では、この物理量検出モジュール110を構成する物理量検出素子10について説明したのちに、物理量検出モジュール110について説明する。図2に、第1実施形態の物理量検出素子の斜視図を示し、図3に、第1実施形態の物理量検出素子の分解斜視図を示し、図4に図2のA―A線断面図を示す。第1実施形態の物理量検出素子10は、ベース基板14と、感圧部振動部34A、34B、第1基部36、第2基部38を有する圧電振動基板26と、ダイアフラム56変位部を有するダイアフラム基板48と、の積層構造を有するものである。そして、積層された後に壁面の一部がダイアフラム56となり気密空間13図4を有するパッケージ12が形成されたものである。また、気密空間13には、ダイアフラム56に接続した感圧部圧電振動片が配置されることになる。そして、ダイアフラム56が外部の圧力により撓み変形し、この撓み変形に伴う力を振動部34A図3、振動部34B図3、図4が受けることにより、振動部34A、振動部34Bの共振周波数が変化する。よって、振動部34A、振動部34Bの共振周波数の変化をモニターすることにより外部の圧力等の物理量を測定可能な構成となっている。またベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48は、それぞれ短辺と長辺を有する矩形の水晶基板により形成されている。図3、図4に示すように、ベース基板14は、物理量検出素子10の基礎となる部分である。ベース基板14の圧電振動基板26に対向する面には第1の凹部16が配置されている。第1の凹部16は圧電振動基板26を構成する後述の感圧部振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、梁40A、40Bに対向する位置に配置され、これらの構成要素とベース基板14との干渉を防止している。またベース基板14において、この第1の凹部16の周囲を囲むように第1の周縁部18が配置される。第1の周縁部18は、ベース基板14の一方の短辺側に偏って配置される。また、第1の周縁部18には圧電振動基板26を構成する後述の枠部28が積層される。一方、ベース基板14の短辺の他方は接続部が配置される。さらに接続部のベース基板14の短辺となる辺は、スリット20により切り欠かれる。よって、接続部は、スリット20により接続部22Aと、接続部22Bと、に二分される。なお接続部22Aは後述の圧電振動基板26の接続部32Aに接合され、接続部22Bは圧電振動基板26の接続部32Bに接続される。またベース基板14の側面には第1の凸部24が複数形成されている。第1の凸部24は、ベース基板14の長辺を形成する2つの側面に1つずつ、一方の短辺を形成する側面に2つずつ配置されている。ここで、ベース基板14の接続部が配置された短辺においては、接続部22A及び接続部22Bにそれぞれ第1の凸部24が配置されている。そして、長辺に配置された第1の凸部24は、後述の第1の梁68Aをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第1の凸部24は、後述の第1の梁68Bをダイシングで切断することにより形成される。圧電振動基板26は、水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系のX軸を回転軸として、Z軸をY軸の方向へ約2度回転させた軸をZ′軸とし、このZ′軸を法線とした主面を有する水晶基板を用いている。そして、図3に示すように、圧電振動基板26には、感圧部振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38と、感圧部を囲むととともに、感圧部を、梁梁40A、梁40Bを介して支持する矩形の枠形状の枠部28図4を有する。さらに、枠部28の外側には枠部28の一辺から延設するように接続部接続部32A、接続部32Bが配置される。枠部28は、圧電振動基板26の一方の短辺に偏った態様で配置され、前述の第1の周縁部18上に積層される。一方、接続部接続部32A、接続部32Bは圧電振動基板26の他方の短辺枠部28の外側に偏った態様で配置される。よって、枠部28と接続部は圧電振動基板26の長辺方向に横並びに配置される。そして接続部の圧電振動基板26の短辺となる辺はスリット30により切り欠かれ、スリット30により接続部は、接続部32Aと接続部32Bとに二分される。なお、ベース基板14と圧電振動基板26との積層後は、このスリット30と上述のスリット20とが互いに連通してひとつのスリットとなる。したがって、接続部32Aは、ベース基板14に配置された接続部22Aに接合し、接続部32Bは、ベース基板14に配置された接続部22Bに接合する。そして枠部28内には、感圧部の構成要素振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38と、梁40A、40Bが配置される。振動部34A、振動部34Bは、それぞれ圧電振動基板26の長辺方向に長手方向を有する柱状ビームにより形成されるとともに互いに平行となるように配置され、この振動部34A、振動部34Bにより双音叉型の振動片が形成される。即ち、圧電振動基板26の前記長辺に沿って、前記柱状ビームは伸びており、これを長手方向としている。そして振動部34A、34Bの長手方向の両端のうちの一方には第1基部36が接続され、他方には第2基部38が接続される。また枠部28の長辺方向の内側側面の第1基部36に対向する位置からは、梁40Aが第1基部36を圧電振動基板26の短辺方向から挟むように延出し、第1基部36に接続される。同様に枠部28の長辺方向の内側側面の第2基部38に対向する位置からは、梁40Bが第2基部38を圧電振動基板26の短辺方向から挟むように延出し、第2基部38に接続される。よって振動部34A、振動部34Bは、第1基部36、第2基部38、梁40A、梁40Bを介して枠部28に支持される。第1基部36及び第2基部38は、振動部34A、振動部34Bを支持するものであるが、後述の支持部54A、54Bからの力を受けて、圧電振動基板26の長辺方向に相対位置を互いに変化させるものである。よってこの相対位置の変化により振動部34A、振動部34Bに応力を印加することができる。梁40A、梁40Bは、それぞれ圧電振動基板26の短辺方向に長手方向を有している。そして梁40A、梁40Bは、それぞれ枠部28との接続位置を固定端とし、梁40Aは第1基部36との接続位置を自由端とし、梁40Bは第2基部38との接続位置を自由端として圧電振動基板26の長辺方向に屈曲する部材である。よって、梁40A、40Bは、それぞれ第1基部36、第2基部38を支持するものの、第1基部36、第2基部38の変位に干渉しないようになっている。一方、振動部34A、振動部34Bには、互いに絶縁した励振電極96、励振電極98がそれぞれ配置される。そして接続部32Aのダイアフラム基板48に対向する面には、パッド電極42Aが配置され、接続部32Bのダイアフラム基板48に対向する面にはパッド電極42Bが配置される。そして圧電振動基板26のダイアフラム基板48に対向する面において、振動部34A、振動部34Bに配置された励振電極96からは、引出電極44Aが引き出され、第1基部36、梁40A、枠部28、接続部32Aを経路してパッド電極42Aに接続される。同様に、圧電振動基板26のダイアフラム基板48に対向する面において、振動部34A、振動部34Bに配置された励振電極98からは引出電極44Bが引き出され、第1基部36、梁40A、枠部28、接続部32Bを介してパッド電極42Bに接続される。図5に、物理量検出素子を構成する励振電極の詳細図を示し、図5aは上面図図3の部分拡大図、図5bは下面図を示す。なお説明のため、図5aからみて表面となる方を上面と称し、図5bからみて表面となる方を下面と称することにする。図5に示すように、励振電極96は、電極96a乃至電極96pにより構成され、励振電極98は、電極98a乃至電極98pにより構成されている。図5aに示すように、電極96aは、振動部34Aの第1基部36側の外側の側面に配置されるとともに引出電極44Aに接続されている。また電極96aは、振動部34Aの中央部の上面に配置された電極96b、及び振動部34Aの第1基部36側の内側の側面に配置された電極96cに接続されている。電極96cは、第1基部36の上面に配置された電極96dに接続され、電極96dは、振動部34Bの第1基部36側の上面に配置された電極96eに接続されている。図5bに示すように、電極96aは、第1基部36の下面に配置された電極96fに接続され、電極96fは、振動部34Bの第1基部36側の下面に配置された電極96gに接続されている。そして電極96gは、振動部34Bの中央部の外側の側面に配置された電極96h、及び振動部34Bの中央部の内側側面に配置された電極96iに接続されている。図5aに示すように、電極96h及び電極96iは、振動部34Bの第2基部38側の上面に配置された電極96jに接続され、電極96jは、第2基部38の上面に配置された電極96kに接続されている。電極96kは、振動部34Aの第2基部38側の外側の側面に配置された電極96lに接続されている。図5bに示すように、電極96lは、振動部34Aの中央部の下面に配置された電極96m、及び振動部34Aの第2基部38側の内側の側面に配置された電極96nに接続されている。電極96nは、第2基部38の下面に配置された電極96oに接続され、電極96oは、振動部34Bの第2基部38側の下面に配置された電極96pに接続されている。したがって、電極96aから電極96pに至るまで電気的に接続され励振電極96が形成される。図5aに示すように、電極98aは、振動部34Bの第1基部36側の外側の側面に配置されるとともに、引出電極44Bに接続されている。また、図5aに示すように、電極98aは、振動部34Bの中央部の上面に配置された電極98d、及び振動部34Bの第1基部36側の内側の側面に配置された電極98eに接続されている。図5aに示すように、電極98bは、第1基部36の上面に配置されるとともに引出電極44Bに接続されている。また電極98bは、振動部34Aの第1基部36側の上面に配置された電極98cに接続されている。図5bに示すように、電極98eは、第1基部36の下面に配置された電極98fに接続され、電極98fは、振動部34Aの第1基部36側の下面に配置された電極98gに接続されている。電極98gは、振動部34Aの中央部の外側の側面に配置された電極98h、及び振動部34Aの中央部の内側の側面に配置された電極98iに接続されている。図5aに示すように、電極98h及び電極98iは、振動部34Aの第2基部38側の上面に配置された電極98jに接続され、電極98jは、第2基部38の上面に配置された電極98kに接続されている。電極98kは、振動部34Bの第2基部38側の内側の側面に配置された電極98lに接続されている。図5bに示すように、電極98lは、振動部34Bの中央部の下面に配置された電極98m、及び振動部34Bの第2基部38側の外側の側面に配置された電極98nに接続されている。電極98nは、第2基部38の上面に配置された電極98oに接続され、電極98oは、振動部34Aの第2基部38側の下面に配置された電極98pに接続されている。したがって、電極98aから電極99pに至るまで電気的に接続され励振電極98が形成される。よって、振動部34Aの第1基部36側では、側面方向において電極96aと電極96cとが対向し、上面下面方向では電極98cと電極98gとが対向する。振動部34Aの中央部では、側面方向において電極98hと電極98iとが対向し、上面下面方向では電極96bと電極96mとが対向する。振動部34Aの第2基部38側では、側面方向において電極96lと電極96nとが対向し、上面下面方向では電極98jと電極98pとが対向する。また振動部34Bの第1基部36側では、側面方向において、電極98aと電極98eとが対向し、上面下面方向では電極96eと電極96gとが対向する。振動部34Bの中央部では、側面方向において電極96hと電極96iとが対向し、上面下面方向では電極98dと電極98mとが対向する。振動部34Bの第2基部38側では、側面方向において、電極98lと電極98nとが対向し、上面下面方向では電極96jと電極96pとが対向する。よって、励振電極96は、振動部34Aの第1基部36側及び第2基部38側では側面方向に対向し、振動部34Aの中央部では上面下面方向に対向する。また励振電極96は、振動部34Bの第1基部36側及び第2基部38側では上面下面方向に対向し、振動部34Bの中央部では側面方向に対向する。一方、励振電極98は、振動部34Aの第1基部36側及び第2基部38側では上面下面方向に対向し、振動部34Aの中央部では側面方向に対向する。また励振電極98は、振動部34Bの第1基部36側及び第2基部38側では側面方向に対向し、振動部34Bの中央部では上面下面方向に対向する。上述のように、励振電極96は、パッド電極42Aに引出電極44Aを介して電気的に接続され、励振電極98は、パッド電極42Bに引出電極44Bを介して電気的に接続される。したがって、励振電極96、励振電極98を上述のように振動部34A、振動部34Bに配置した状態で、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部34A、振動部34Bは、所定の共振周波数で振動する。なお、励振電極96、励振電極98の振動部34A、振動部34Bへの配置パターンは上述の方法に限らず様々なパターンを用いることができる。ここで、第1基部36、第2基部38が圧電振動基板26の長辺方向に互いに離れる方向に変位する力を受けた場合は、振動部34A、振動部34Bは引張応力を受けるので共振周波数は高くなり、逆に互いに近づく方向に変位する力を受けた場合は、振動部34A、振動部34Bは圧縮応力を受けるので共振周波数は低くなる。また、図2乃至図4に示すように、圧電振動基板26の側面には第2の凸部46が複数形成されている。第2の凸部46は、圧電振動基板26の長辺枠部28の長辺を形成する2つの側面に1つずつ、短辺を形成する2つの側面に2つずつ配置されている。ここで、圧電振動基板26の接続部接続部32A、接続部32Bが配置された短辺においては、接続部32A、接続部32Bにそれぞれ第2の凸部46が配置されている。なお、圧電振動基板26の長辺に配置された第2の凸部46は、後述の第2の梁72Aをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第2の凸部46は後述の第2の梁72Bをダイシングで切断することにより形成される。そして第2の凸部46は第1の凸部24に積層される。図2乃至図4に示すように、ダイアフラム基板48は、振動部34A、振動部34Bに力を伝達するダイアフラム56を有する基板である。ダイアフラム基板48は、圧電振動基板26に対向する面に第2の凹部50図3、図4を有する。この第2の凹部50は振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、梁40A、40Bに対向する位置に形成されている。この第2の凹部50により第2の凹部50の周囲には、ダイアフラム基板48の周縁に沿って外形が形成された第2の周縁部52図3、図4が配置され、第2の周縁部52は、圧電振動基板26の枠部28に積層される。よって圧電振動基板26を構成する接続部32A、接続部32Bは、ダイアフラム基板48の積層後も外部に露出することになる。一方、第2の凹部50の第1基部36に対向する位置には凸状の支持部54A図3、図4が配置され、第2基部38に対向する位置には凸状の支持部54B図3、図4が配置される。そして、積層後に支持部54Aは第1基部36と接合し、支持部54Bは第2基部38に接合する。さらに第2の凹部50の底部は、外力により撓み変形するダイアフラム56となっている。ダイアフラム56は外部からの力圧力を支持部54A、54Bを介して圧電振動片第1基部36、第2基部38、振動部34A、振動部34Bに伝達する。なお、ダイアフラム56は第2の凹部50の底部のパッケージ12の表面側が受圧面となっている。また、ダイアフラム基板48の側面には第3の凸部58が配置されている。第3の凸部58は、ダイアフラム基板48の2つの長辺に1つずつ、ダイアフラム基板48の短辺であって接続部接続部32A、32Bに対向する短辺に対向する短辺に2つ配置されている。この長辺に配置された第3の凸部58は、後述の第3の梁76Aをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第3の凸部58は、後述の第3の梁76Bをダイシングで切断することにより形成される。そして第3の凸部58は第2の凸部46に積層される。そして、ダイアフラム基板48の接続部接続部32A、接続部32Bに対向する短辺には剥離痕60図2乃至図4が形成されている。この剥離痕60は、後述のように、第3の梁76Bをこの剥離痕60が形成される位置に形成して、積層時に第3の梁76Bを剥離した際に生じるものである。なお第3の梁76B剥離痕60は、積層方向から見てスリットスリット20、スリット30を間に挟むように配置される。さらに、ダイアフラム基板48の圧電振動基板26に対向する面の反対面であって、ダイアフラム56の受圧面の外周となる位置にはスペーサ57が配置されている。スペーサ57は、図において、ダイアフラム基板48の角の部分に配置されているが、前述の外周となる位置において、ダイアフラム56に干渉しない位置であればどの位置でもよく、また任意の形状に設計することができる。またスペーサ57は1つでも2つ以上でもよく、前述の外周となる位置を完全に埋めることなく、前述の外周の一部を占めるように配置される。また、スペーサ57は、ダイアフラム基板48と一体的に形成することができる。図3、図4に示すように、物理量検出素子10は、ベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48の順に積層して形成される。しかし、図4に示すように、各基板間には接着剤による接着層62が形成される。このとき、ベース基板14の第1の周縁部18と圧電振動基板26の枠部28とが接合し、接続部22Aと接続部32Aが接合し、接続部22Bと接続部32Bとが接合する。また圧電振動基板26の枠部28はダイアフラム基板48の第2の周縁部52と接合し、第1基部36は支持部54Aに接合し、第2基部38は支持部54Bに接合する。そして第2の凸部46は、第1の凸部24及び第3の凸部58に挟まれる形で、第1の凸部24、第3の凸部58に接合する。このような積層構造64の場合、これら構成要素の接合面が積層後に露出しないように設計することが好適である。これにより、層間の接着層62を形成する接着剤が物理量検出素子10の側面に流出することを防止し、この流出した接着剤による物理量検出素子10全体応力分布のバラつきに起因する振動部34A、振動部34Bの特性のバラつきを抑制し、物理量検出素子10の特性のバラつきを抑制することができる。そして、上述のように各基板を積層することにより、気密空間13を有するパッケージ12が形成され、上面にはダイアフラム56が配置され、圧電振動基板26が露出した位置には接続部32Aパッド電極42A、接続部32Bパッド電極42Bが配置された物理量検出素子10となる。よって、例えば気密空間13を真空とすることにより、真空を基準とした圧力を測定可能な物理量検出素子10となる。上記構成において、ダイアフラム56に圧力が印加されると、ダイアフラム56は気密空間13側に撓み変形する。これにより支持部54A、54Bは互いに離間する方向に変位し、支持部54Aに接続された第1基部36、支持部54Bに接続された第2基部38に互いに離間する方向に力を受ける。よって、振動部34A、振動部34Bには引張応力が印加され振動部34A、振動部34Bの共振周波数が高くなる。したがって、振動部34A、振動部34Bの共振周波数の変化量をモニターすることによりダイアフラム56に印加された圧力を検知可能な物理量検出素子10となる。なお、本実施形態では、振動部を2つの柱状ビーム振動部34A、振動部34Bにより構成しているが、これを1つの柱状ビームシングルビームにより構成することもできる。これにより、柱状ビームに対して第1基部36、第2基部38から印加される力が大きくなるので、共振周波数の変化量が大きくなり、物理量検出素子10の感度を向上させることができる。また振動部を2つ以上の柱状ビームにより構成することが可能である。この場合、各柱状ビームの振動に対称性を持たせることにより、振動漏れを抑制してQ値の高い物理量検出素子10とすることができる。本実施形態のように柱状ビームが2つの場合は、柱状ビームの長手方向の中央部が互いに離れ、互いに近づくような振動とすることにより一対の振動ビームは対称性を有する振動となり、外部への振動漏れを抑制することができる。図6に、本実施形態のウェーハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第1実施形態の物理量検出素子図中右下の斜視図を示す。本実施形態のウェーハの積層構造64は、ベース基板14をアレイ状に配置した第1ウェーハ66と、圧電振動基板26をアレイ状に配置し第1ウェーハ66に積層された圧電振動ウェーハ70と、ダイアフラム基板48をアレイ状に配置し圧電振動ウェーハ70に積層された第2ウェーハ74と、を有している。そして、図6に示すようにこのウェーハの積層構造64に対して二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域Dとするダイシングブレード94図8参照によりダイシングを行なうことにより、複数の物理量検出素子10を個片化することができる。第1ウェーハ66は、ベース基板14と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、ベース基板14をアレイ状に配置した上で、互いに隣接するベース基板14を第1の梁68A、68Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接するベース基板14同士において、ベース基板14の長辺同士が対向する位置では第1の梁68A1本で連結され、ベース基板14の短辺同士が対向する位置では第1の梁68B2本で連結される。圧電振動ウェーハ70は、上述のZ′軸を法線に持つ主面を有し、圧電振動基板26と同一の厚みとなる水晶基板により形成されている。そして、圧電振動基板26をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する圧電振動基板26を第2の梁72A、72Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する圧電振動基板26において、圧電振動基板26の長辺同士が対向する位置では第2の梁72A1本で連結され、圧電振動基板26の短辺同士が対向する位置では第2の梁72B2本で連結される。第2ウェーハ74は、スペーサ57を有するダイアフラム基板48の厚みとなる水晶基板により形成され、ダイアフラム基板48をアレイ状に配置した上で、スペーサ57を残して第2の周縁部52の厚みとなるまで薄肉化し、互いに隣接するダイアフラム基板48を第3の梁76A、76Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接するダイアフラム基板48同士において、ダイアフラム基板48の長辺同士が対向する位置では第3の梁76A1本で連結され、ダイアフラム基板48の短辺同士が対向する位置では第3の梁76B2本で連結される。そして、第3の梁76Bは、積層後に接続部32A、接続部32Bに対向する位置及び、前記位置に連続しダイシングにより消失する部分の一部となる位置は、圧電振動基板26に対向する面側から掘り込まれてダイアフラム基板48より薄肉に形成されている図6左上拡大図、図8参照。よって第2ウェーハ74を圧電振動ウェーハ70に積層すると、第3の梁76Bと接続部32A、接続部32Bとの間には隙間78図8aが形成される。これにより、第3の梁76Bが接続部32A、接続部32Bに積層されることはない。よってパッド電極42A、42Bの接続部接続部32A、接続部32Bにおける配置の自由度を高めることができる。また第3の梁76Bのダイアフラム基板48との接続位置には厚み方向に切り込み80が形成される図8参照。よって、後述のように第1ウェーハ66、圧電振動ウェーハ70、第2ウェーハ74を積層後、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bをダイシングしたとき、第3の梁76Bは、切り込み80において折り取ることが可能であるとともに、ダイシングの振動により第3の梁76Bをダイアフラム基板48から分離させることができる。図7に、図2の断面図を示し、図7aは図1のA-A線断面図、図7bは、図7aにおける圧電振動基板の拡大図、図7cは図2のB-B線断面図ダイアフラム基板を示す。本実施形態において、第1ウェーハ66、第2ウェーハ74は、サンドブラストにより外形を形成し、圧電振動ウェーハ70はエッチングにより外形を形成することが好適である。ベース基板14及び第1の梁68A、68B図7では不図示は、ベース基板14の母基板となる第1ウェーハ66図6参照の両面から研削して外形を形成する。ダイアフラム基板48及び第3の梁76A、76B図7では不図示は、ダイアフラム基板48の母基板となる第2ウェーハ74図6参照の一方の面からスペーサ57となる位置を残して第2の周縁部52及び第3の梁76A、76Bの厚みとなるまでサンドブラストにより研削して薄肉化する。そして、第2ウェーハ74の反対面から研削してダイアフラム基板48及び第3の梁76A、76Bの外形を形成する。また第3の梁76Bの積層後に接続部接続部32A、接続部32Bに対向する部分は、圧電振動基板26に対向する面側からサンドブラストにより薄肉に形成する。サンドブラストは、シリカ等の研削用粒子をエアとともに対象となる基板に吹き付けて機械的に基板を研削するものであるが、深さ方向を研削すると同時に横方向にも研削が進行する。例えば、サンドブラストにより基板に穴を形成すると、穴の底部から開口部に向かうにつれて内径が大きくなるテーパー状の穴が形成される。このため、基板の外形をサンドブラストにより形成すると、基板の側面は上述のテーパー状の穴を一方向に移動させて得られる軌跡として形成され、側面の法線は基板の法線と直交せず傾斜することになる。よって、図7aに示すように、第1ウェーハ66の両面からサンドブラストを行ってベース基板14の外形を形成する場合は、ベース基板14の側面は、厚み方向の中央部の側面が尖った形となる。また第1の梁68A、68B図7では不図示も、ベース基板14の厚み方向の中央部で側面が尖った形となる。また、図7aに示すように、第2ウェーハ74の圧電振動基板26に対向する面側からサンドブラストを行なってダイアフラム基板48の外形を形成する場合は、ダイアフラム基板48の側面の法線が圧電振動基板26に対向する面側に傾斜することになる。また第3の梁76A、76B図7では不図示も、その側面の法線が圧電振動基板26に対向する面側に傾斜することになる。また図7cに示すように、スペーサ57の外周側もダイアフラム基板48の側面に倣って傾斜することになる。なお、ベース基板14の第1の凹部16は、上述のサンドブラストにより形成してもよく、またエッチングにより形成してよい。ダイアフラム基板48のダイアフラム56は、サンドブラストにより形成されるが、サンドブラストによりダイアフラム56の表面は粗く形成されるとともに残留応力を有している。よって、第2ウェーハ74においては、ダイアフラム基板48及び第3の梁76A、76Bの外形を形成後、表面を短時間エッチングしてダイアフラム56の表面を平坦化するとともに残留応力を除去する。圧電振動基板26及び第2の梁72A、72B図7では不図示は、その母基板となる圧電振動ウェーハ70水晶基板に対して、フッ酸等のエッチング液を用いて、その外形に合わせたエッチングを行なうことにより形成される。一方、水晶は結晶方位に起因したエッチング速度の異方性を有するため、エッチングの進行方向によりエッチングの進行速度が異なる。本実施形態の圧電振動基板26は、上述のようにZ′軸に平行な方向を主面の法線とするとともに、図7bの断面図から分かるように、Y′軸に平行な方向を長辺とし、X軸に平行な方向を短辺としている。よって圧電振動基板26においては、図7bに示すように、-X軸を向く側面及びX軸に向く側面において、平坦とはならずに複数の側面が形成される。即ち、-X軸を向く圧電振動基板26の側面では、圧電振動基板26の厚み方向の中央部を境界としてベース基板14側に配置された第1側面82とダイアフラム基板48側に配置された第2側面84と、の2つの側面が形成される。第1側面82の法線は、ベース基板14側に傾斜し、第2側面84の法線は、ダイアフラム基板48側に傾斜している。またX軸を向く圧電振動基板26の側面では、圧電振動基板26の厚み方向の中央部を境界としてベース基板14側に配置された第1側面86及び第2側面88、ダイアフラム基板48側に配置された第3側面90及び第4側面92が形成される。第1側面86は、第2側面88よりもベース基板14側に配置された側面であり、その法線がベース基板14側に傾斜している。第2側面88は、圧電振動基板26の厚み方向の中央部に境界を有する側面であり、その法線が第1側面86の法線よりもさらにベース基板14側に傾斜している。第3側面90は、第4側面92よりもダイアフラム基板48側に配置された側面であり、その法線がダイアフラム基板48側に傾斜している。第4側面92は前述の中央部に境界を有する側面であり、その法線が第3側面90の法線よりもさらにダイアフラム基板48側に傾斜している。よって圧電振動基板26のX軸側の側面の厚み方向の中央部には、第2側面88及び第4側面92により幅方向が突出しY′軸方向に延びる稜線が形成されることになる。したがって、本実施形態では枠部28、振動部34、第1基部36、第2基部38、第2の凸部46第2の梁72BのX軸側の側面に上述の稜線が形成される図2、図3、図7a参照。本実施形態の物理量検出素子10を製造する基本的な工程としては、まず、互いに離間して配置された複数のベース基板14と、隣り合うベース基板14同士を連結する第1の梁68A、68Bと、を有する上述の第1ウェーハ66を形成する工程を有する。また、互いに離間して配置され、ベース基板14に積層される複数の圧電振動基板26と、隣り合う圧電振動基板26同士を連結し、第1の梁68A、68Bに積層される第2の梁72A、72Bと、を有する上述の圧電振動ウェーハ70を形成する工程を有する。さらに、圧電振動基板26に積層され外部からの力を振動部34A、振動部34Bに伝達するダイアフラム56を有する複数のダイアフラム基板48と、隣り合うダイアフラム基板48同士を連結する第3の梁76A、76Bと、を有する第2ウェーハ74を形成する工程を有する。そして、第1ウェーハ66に圧電振動ウェーハ70を積層し、圧電振動ウェーハ70に第2ウェーハ74を積層することにより、ベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48の順に積層されて構成される複数の物理量検出素子10を形成する工程を経る。最後に、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bを切断し、前記物理量検出素子10を個片化する工程を経ることにより、物理量検出素子10を複数製造することができる。図8に、第1実施形態のウェーハの積層構造においてダイシングを行なう場合の模式図を示し、図8aはダイシング前、図8bはダイシング後を示す。図8a図6参照に示すように、ウェーハの積層構造64においては、積層後に二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域Dとするダイシングブレード94によりダイシングを行なって、複数の物理量検出素子10を個片化することができる。よって図8a図6参照に示すように、ダイシング領域Dに沿ってダイシングフルカットを行なうと、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bをダイシングすることになる。そして、図8aに示すように、第3の梁76B第1の梁68B、第2の梁72Bをダイシングする場合は、第3の梁76Bの第2の梁72Bに接合する領域と、第3の梁76Bが薄肉に形成された部分とをダイシングすることになる。よって、ダイシング後の第3の梁76Bは第2の梁72Bから分離する。さらに第3の梁76Bのダイアフラム基板48に接続する部分には、ハーフダイシング等により切り込み80が形成されているので、図8bに示すように、上述のフルカット時の振動で第3の梁76Bはダイアフラム基板48から剥離し、ダイアフラム基板48には剥離痕60が形成される。またフルカット時の振動で第3の梁76Bが剥離しなくても、切り込み80において第3の梁76Bを折り取ることができる。上述のように本実施形態において、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bは、アレイ状に配置された物理量検出素子10の間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレード94を、物理量検出素子10の間に沿って走らせ、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bを切断することにより物理量検出素子10を個片化することができる。このとき、第1の梁68Aの一部は、第1の凸部24としてベース基板14の長辺に配置され、第1の梁68Bの一部は、第1の凸部24としてベース基板14の短辺接続部22A、22Bに配置される。また、第2の梁72Aの一部は、第2の凸部46として圧電振動基板26の長辺に配置され、第2の梁72Bの一部は、第2の凸部46として圧電振動基板26の短辺接続部32A、32Bに配置される。さらに第3の梁76Bの一部は、第3の凸部58としてダイアフラム基板48の長辺に配置される。そして、第3の梁76Bは、上述のダイシングにより、ダイアフラム基板48の短辺に第3の凸部58として配置される部分と、ダイアフラム基板48から分離するとともにダイアフラム基板48の接続部接続部32A、接続部32Bに対向する側面に剥離痕60を形成する部分と、に分離する。上記構成において、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bは、それぞれベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレード94の第1ウェーハ66、圧電振動ウェーハ70、第2ウェーハ74との切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部34A、振動部34Bの破損を防止して、歩留の高い物理量検出素子10を量産することができる。また、ベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。図9に、本実施形態のウェーハの積層構造において、折り取り部を形成した場合の模式図を示し、図9aは、第1ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第2ウェーハのそれぞれの折り取り部の平面図、図9bは第1ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第2ウェーハを積層した場合の各折り取り部の断面図折り取り前、図9cは第1ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第2ウェーハを積層した場合の各折り取り部の断面図折り取り後を示す。本実施形態は、第1実施形態の物理量検出素子10を例に説明するが後述の第2実施形態以降の物理量検出素子においても適用可能である。さらに本実施形態では、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bに適用した場合について説明する。第1実施形態においては、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bをダイシングすることにより物理量検出素子10を個片化することを前提として述べてきたが、本実施形態により、折り取りによっても個片化することが可能である。図9aに示すように、第1のウェーハ66を構成しベース基板14同士を連結する第1の梁68Bには、第1の折り取り部100が配置されている。また圧電振動ウェーハ70を構成し圧電振動基板26同士を連結する第2の梁72Bには、第2の折り取り部102が配置されている。さらに第2ウェーハ74を構成しダイアフラム基板48同士を連結する第3の梁76Bには、第3の折り取り部104が配置されている。第1の折り取り部100は、第1の梁68Bの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。第3の折り取り部104も、第3の梁76Bの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。一方、第2の折り取り部102はエッチングにより形成することが可能である。すなわち、第2の折り取り部102を形成するための第2の梁72Bの幅方向のエッチングは、圧電振動基板26の外形第2の梁72Bを含むをエッチングで形成する工程と同時に形成することができる。一方、振動部34A、振動部34Bの発振効率を高めるため、振動部34A、振動部34Bを構成する柱状ビームに柱状ビームの厚み方向から溝を形成するハーフエッチングを施して柱状ビームの重量を軽減することが行なわれる。この工程は圧電振動基板26の外形を形成したのち、振動部34A、振動部34Bの厚み方向の両面に行なう。したがって、第2の折り取り部102を形成するための第2の梁72Bの厚み方向のハーフエッチングは、この溝の形成と同時に行うことができ、第2の梁72Bの厚み方向の両面からハーフエッチングを行なうことができる。このようにして形成された、第1の折り取り部100、第2の折り取り部102、第3の折り取り部104は、図9bに示すように、積層方向から見て重なるように配置される。したがって各折り取り部に力を印加することにより、図9cに示すように、各折り取り部を破断させることができる。したがって、ダイシングによらず、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bを折り取ることができる。同様に、第1の梁68Aにも第1の折り取り部100を形成し、第2の梁72Aにも第2の折り取り部102を形成し、第3の梁76Aにも第3の折り取り部104を形成し、第1の梁68A、第2の梁72A、第3の梁76Aを破断することができる。これにより、物理量検出素子10を個片化することができる。よって、層間の剥離や振動部34A、振動部34Bの破損を効率的に防止して、歩留の高い物理量検出素子10を量産することができる。次に第1実施形態の物理量検出モジュール110について説明する。上述のように、第1実施形態の物理量検出モジュール110は、図1に示すように、実装基板112と蓋体122とにより形成された内部空間に物理量検出素子10を収容した状態で実装基板112上に実装したものである。物理量検出モジュール110において、物理量検出素子10は、ダイアフラム基板48ダイアフラム56の受圧面を実装基板112側に向け、スペーサ57を実装基板112に接触させた状態で実装基板112に配置される。よってパッド電極42A、パッド電極42Bは実装基板112に対向する。蓋体122は、物理量検出素子10を収容するとともに、実装基板112上に接合されるものである。蓋体122のベース基板14に対向する部位には圧力導入口124が配置されている。よって、物理量検出素子10は、実装基板112及び蓋体122により形成され圧力導入口124を開口部とする内部空間に配置されることになる。そして、物理量検出モジュール110は、圧力導入口124を被測定環境に対して開放接続することにより、被測定環境の圧力を測定することができる。ここで、ダイアフラム56の受圧面と圧力導入口124とが対向することはないので、ダイアフラム56の被測定環境由来のコンタミネーションを低減することができる。また、ダイアフラム56と実装基板112との間は、スペーサ57の高さと同じ間隔で隙間が形成されており、さらにスペーサ57はダイアフラム基板48のダイアフラム56の受圧面の外周となる位置の一部に配置されている。したがって、ダイアフラム56、スペーサ57、実装基板112により閉空間を形成することはないので、ダイアフラム56は被測定環境の圧力を確実に受けることができる。一方、実装基板112のパッド電極42A、パッド電極42Bに対向する位置には接続電極114が配置される。そしてパッド電極42A、42Bと接続電極114とは、固定部材120導電性の接着剤により接続される。これにより接続部32A、32Bは実装基板112に接続される。固定部材120は、上述の接着剤のほかにAu等のバンプを用いることができる。接続電極114は実装基板112を貫通する貫通電極116を介して実装基板112の下面実装面に配置された外部電極118に接続されている。よって、物理量検出モジュール110において外部電極118は、貫通電極116、接続電極114、固定部材120接着剤、バンプを介してパッド電極42A、パッド電極42Bに接続している。更にまた、バンプは、突起状の樹脂コアコア部と、樹脂コア部の表面に形成された導電膜とを備えたものであってもよい。樹脂コア部は、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって樹脂材料をパターニングした後、樹脂パターンを融解または熱収縮させることで断面形状が略半円状または台形形状に形成される。樹脂コア部は、例えばポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂から構成されている。なお、導電膜は、例えばAu金、TiWチタン/タングステン、Cu銅、Crクロム、Niニッケル、Ti、W、NiVニッケル/バナジウム、Alアルミニウム、Pdパラジウム、鉛フリーハンダなどの金属や合金、これらの単層、或いは複数種を積層したもので形成してもよい。ところで、図1bに示すように、物理量検出素子10の2つの互いに異なる位置において固定部材120が接合している。そして、物理量検出素子10と実装基板112とでは熱膨張係数が互い相違するので、物理量検出素子10の固定部材120の接合位置を互いに離間させる或いは互いに近接させる熱応力が発生する。この熱応力が物理量検出素子10全体に伝播し、特にダイアフラム56に伝播した場合は圧力誤差等が発生する。しかし、物理量検出素子10において、固定部材120と固定部材120との間となる位置にはスリットスリット20、スリット30が配置されている。そしてこのスリットスリット20、スリット30により、ベース基板14に配置された接続部は接続部22A、接続部22Bに分割され、圧電振動基板26に配置された接続部は、接続部32A、接続部32Bに分割されている。さらに、接続部32Aに固定部材120が接合し、接続部32Bに固定部材120が接合している。よって、物理量検出素子10の固定部材120との接合位置において熱応力が発生しても、その熱応力は、接続部32A接続部22A及び接続部32B接続部22Bを、枠部28第2の周縁部52との接続位置を固定端として屈曲させる。すなわち上述の接続位置に熱応力を集中させ、その分だけ物理量検出素子10全体へ伝播する熱応力の成分を緩和させることができる。したがって熱応力の影響を緩和して高精度な圧力等の物理量を測定可能な物理量検出モジュール110となる。また、本実施形態において、接続部32A上は接続部22Aが接合され、接続部32B上には接続部22Bが接合されている。よって、接続部32Aは接続部22Aに補強され、接続部32Bは接続部22Bに補強されることになるので、物理量検出素子10の実装基板112への接合時において、接続部32A、32Bが破損することを抑制することができる。さらに固定部材120として上述のバンプを用いる場合は、接続部32A、32Bと固定部材120との間の力が物理量検出素子10の他の領域に逃げてしまうことを低減して接合効率を高めることができる。図10に、第2実施形態の物理量検出モジュールを示し、図10aは断面図、図10bは平面図蓋体不図示を示す。なお、以下の実施形態において、実施形態同士で共通する構成要素は同一番号を付するものとし、必要な場合を除いてその説明を省略する。第2実施形態に係る物理量検出モジュール130は、基本構成は第1実施形態と共通し第1実施形態と同様の作用効果を有する。しかし、実装基板132には凸部133が配置される点で相違し、これにより実装基板132には段差を形成する上段部132a凸部133の上面と下段部132bとを有することになる。そして、物理量検出素子10の接続部32A、接続部32Bは上段部132aに対向するように配置され、ダイアフラム基板48は下段部132bに対向するように配置されている点で相違する。なお、接続電極114は、上段部132aのパッド電極42A、42Bに対向する位置に配置される。上記構成により、固定部材120の体積を小さくすることができるので、コストを抑制することができる。また、固定部材120として導電性の接着剤を用いている場合は、接着剤の体積を小さくすることができるので、接着剤の接着時の拡がりを小さくして固定部材120同士の短絡を抑制することができる。図11に、第2実施形態の物理量検出素子の分解斜視図を示す。また図12に、第3実施形態の物理量検出モジュールの模式図を示し、図12aは断面図、図12bは平面図蓋体不図示を示す。第3実施形態の物理量検出モジュール148は、第2実施形態の物理量検出素子140を実装基板112に実装したものである。第2実施形態の物理量検出素子140は、第1実施形態の物理量検出素子10を構成する圧電振動基板26を共通に用いるが、ベース基板14には接続部を設けず、本実施形態では代わりにダイアフラム基板48に接続部142A、142Bを配置した点で相違する。さらに圧電振動基板26は、パッド電極42A、42Bが配置された側の面をベース基板14に接合し、その反対面をダイアフラム基板48に接合している点で相違する。よって、第2実施形態においてはダイアフラム56の受圧面と、パッド電極42A、42Bとが互いに逆方向を向くことになる。第2実施形態の物理量検出素子140を上述の積層構造を用いて形成する場合、第1ウェーハ66図6参照は、第1実施形態の接続部22A、22Bを有しないベース基板14をアレイ状に配置し、互いに隣接するベース基板14を第1の梁68A、68Bで連結するように形成する。そして図12aの左部分拡大図に示すように、第1の梁68Bの接続部32A、32Bに対向する位置を、圧電振動基板26に対向する面から掘り込んでベース基板14より薄肉に形成し、薄肉に形成された第1の梁68Bのベース基板14との接続位置に切り込み144を形成する。そしてダイシング時の振動により切り込み144を破断させることにより、薄肉に形成された第1の梁68Bをベース基板14から分離する。この切り込み144による破断により、ベース基板14の接続部32A、32Bに対向する短辺には剥離痕145図11、図12a右部分拡大図が形成される。また第2ウェーハ74図6参照は、接続部32A、32Bに対向する位置に接続部142A、142Bを配置した状態でダイアフラム基板48をアレイ状に配置し、互いに隣接するダイアフラム基板14を第3の梁76A、76Bで連結するように形成する。このとき第3の梁76Bは、接続部142A、142Bに配置される。そしてダイシングを行なうことにより、接続部142A、142Bには第2の凸部46に接合する第3の凸部58が配置される。なお、接続部142A、142Bは、物理量検出素子140の積層方向から見た外形が接続部32A、32Bに倣った形状を有しているが、スペーサ57と一体的に形成されている。図12に示すように、物理量検出モジュールに148おいて、物理量検出素子140は、スペーサ57、接続部142A、142Bが実装基板112に接触した状態で配置されている。このとき、接続部142A、142Bと実装基板112とを接着剤により接着することが好ましい。また用いる接着剤が形成する接合層の厚みを考慮して、接続部142A、142Bが実装基板112から接着剤の厚みの分だけ浮かせるように接続部142A,142Bとスペーサ57とで段差を形成してもよい。そして、パッド電極42A、42Bはそれぞれワイヤー146により実装基板112上の接続電極114に電気的に接続される。よって、第3実施形態の物理量検出モジュール148は、ワイヤーボンディング型の物理量検出モジュール148となる。図13に、本実施形態の圧電振動基板の振動部としてATカット振動片を用いた場合の模式図を示し、図13aは上面図、図13bは下面図を示す。前述の実施形態において、振動部34A、振動部34Bは柱状ビームを用いたものであったが、図13に示すように、本実施形態の圧電振動基板160の振動部162としてATカット振動片を適用することができる。なお、その他の構成要素は、前述の圧電振動基板26と同様となっている。振動部162の圧電振動基板160の長辺方向の両端には、圧電振動基板26と同様に第1基部36と第2基部38が接続されている。図13aに示すように、パッド電極42A、42Bは、それぞれ接続部32A、接続部32Bに配置されている。そして振動部162のパッド電極42A、42Bが配置された面には励振電極164Aが配置されている。そして、励振電極164Aからは引出電極166Aが引き出され、第1基部36、梁40A、枠部28、接続部32Aを経由してパッド電極42Aに接続されている。また、図13bに示すように、振動部162の励振電極164Aが配置された面の反対面であって、励振電極164Aに対向する位置には励振電極164Bが配置される。そして、励振電極164Bからは引出電極166Bが引き出され、引出電極166Bは第2基部38に引き出され、第2基部38の側面を経由して第2基部38のパッド電極42A、42Bとの同一面側に引き出され、第2基部38、梁40B、枠部28、接続部32Bを経由してパッド電極42Bに接続される。よってパッド電極42A、42Bに交流電圧を印加すると振動部162は励振電極164A、164Bに印加された交流電圧により所定の共振周波数で厚みすべり振動を共振する。そして、この圧電振動基板160を圧電振動基板26と同様にダイアフラム基板48に接合すると、振動部162には振動部34A、34Bと同様にダイアフラム56が受けた圧力に応じた引張応力を第1基部36及び第2基部38を介して受けるため、この応力に応じて共振周波数が変化する。したがって、この共振周波数の変化をモニターすることによりダイアフラム56に印加された圧力を検知することができる。なお、本実施形態の圧電振動基板160の振動部162には、励振効率を高めるため、中央部と周縁部とで厚みが互いに異なるメサ構造をハーフエッチングにより形成する場合がある。したがって、このハーフエッチングと同一の工程を用いて、前述の第2の折り取り部102を形成するための第2の梁72Bの厚み方向のハーフエッチングを行うことができる。いずれの実施形態においても、第1ウェーハ66、圧電振動ウェーハ70、第2ウェーハ74の積層構造64を形成したのち、ダイシング若しくは折り取りして物理量検出素子10等を個片化する旨説明したが、これに限定されない。即ち、上述の各ウェーハにおいて、ベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48をそれぞれ個片化したのち、ベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48を積層して物理量検出素子10等を構築することができる。このとき第1の凸部24、第2の凸部46、第3の凸部58が互いに重なるように配置されているので、各凸部を積層の際のアライメントの目印に用いることができ、積層を容易に行うことができる。またいずれの実施形態においても、接続部32A、32Bを圧電振動基板26の短辺に配置し、接続部22A、22Bをベース基板14の短辺に配置し、接続部142A、142Bをダイアフラム基板48の短辺に配置したが、これらを各基板の長辺にそれぞれ配置してもよい。また圧電振動基板26、160においては第1基部36、第2基部38の並ぶ方向を圧電振動基板26、160の長辺に平行な方向としているが、圧電振動基板26、160の短辺に平行な方向に配置してもよい。この場合、振動部34A、34Bは、圧電振動基板26の短辺方向に長手方向を有するように配置してもよい。そして、いずれの実施形態においても、ベース基板14、圧電振動基板26、ダイアフラム基板48の3層構造により物理量検出素子10等を形成する旨説明してきたが、これに限定されない。すなわち、圧電振動基板26から振動部34A、34B、第1基部36、第2基部38からなる感圧部圧電振動片を取り出し、ダイアフラム基板48の支持部54Aに第1基部36を接合し、支持部54Bに第2基部38を接合し、ダイアフラム基板48の第2の周縁部52とベース基板14の第1の周縁部18とを接合して物理量検出素子を形成してもよい。このとき感圧部のベース基板14に対向する主面はベース基板14に覆われることになる。この場合、例えば、ダイアフラム基板48の外縁に接続部32A、32Bを配置し、支持部54A、54Bに励振電極96、98に接続し外部に電気的に接続可能な貫通電極を配置し、接続部32A、32Bに配置されたパッド電極42A、42Bを貫通電極とワイヤー等により接続する。これによりパッド電極42A、42Bと励振電極96、98とを電気的に接続することができる。さらに、いずれの実施形態においても、感圧部は振動部の共振周波数の変化により圧力等の物理量を検出することを前提に説明してきたが、これに限定されない。すなわち、ダイアフラム基板48のダイアフラム56のパッケージ12の内側となる面にダイアフラム56の変位撓み変形とともに変位する可動電極不図示を配置し、ベース基板14のパッケージ12の内側となる面であって、可動電極不図示と対向する位置に固定電極不図示を配置する。そしてダイアフラム56による可動電極不図示と固定電極不図示との間の静電容量の変化をモニターすることにより圧力等の物理量を検出することができる。なお、ベース基板14及びダイアフラム56を導電性の部材例えばシリコンで形成して両者を絶縁性の固定部材で接合することにより、ダイアフラム56を可動電極とし、ベース基板14を固定電極とする物理量検出素子を構築することができる。また上述の物理量検出モジュール110、130、148において、物理量検出素子10等に電気的に接続する回路集積回路、不図示、すなわち振動部34A、振動部34B振動部162を駆動させるとともに振動部34A、振動部34B振動部162の周波数の情報を取得可能な回路集積回路、不図示を搭載することが可能である。また上述の物理量検出素子10等において、ダイアフラム基板48を取り払った場合またはダイアフラム基板48の代わりに他のベース基板を枠部28に取り付けた場合は、振動部34A、振動部34B振動部162を発振源とする発振器として機能させることができる。したがって、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力を測定する圧力センサーとしての機能を有する物理量検出モジュール110、130、148を構築することができる。なお、ダイアフラム56は圧力以外にも、ダイアフラム56に接触した物体のダイアフラム56に印加する力なども検出することが可能である。図14に、本実施形態の物理量検出素子において、振動部として音叉型振動片その1を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。また、図15に、本実施形態の物理量検出素子において、振動部として音叉型振動片その2を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。さらに、図16に、本実施形態の物理量検出素子において、振動部としてATカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。例えば、本発明は、3層以上の構造を有し且つ中間層として圧電振動基板が含まれる温度センサー、圧電振動子等の物理量検出素子に適用することができる。圧電振動基板の振動部としては、図14、図15に示すように音叉型振動片や、図16に示すようにATカット水晶振動片を適用することができる。また、水晶のX軸電気軸を中心にして所定の角度だけ回転して得られる回転Y板を用いた水晶振動子、その他のカットで切断された水晶振動子、水晶以外の圧電材料を用いた圧電振動子、等を広く適用できる。図14においては、第1の凹部16を有するベース基板14、振動部200を有する圧電振動基板26、第2の凹部50を有する第2のベース基板201からなる3層構造の物理量検出素子10aとなっている。そして圧電振動基板26の一辺はスリット30により二分され、このスリット30により接続部32A、32Bが配置される。接続部32Aの第2のベース基板201に対向する面にはパッド電極42Aが配置され、接続部32Bの第2のベース基板201に対向する面にはパッド電極42Bが配置されている。また、圧電振動基板26において、パッド電極42Aに接続された引出電極202Aが振動部200に配置された励振電極204Aに接続され、パッド電極42Bに接続された引出電極202Bが振動部200に配置された励振電極204Bに接続されている。そして、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部200が屈曲振動をする。図15においては、第1の凹部16を有するベース基板14、振動部206を有する圧電振動基板26、第2の凹部50を有する第2のベース基板201からなる3層構造の物理量検出素子10bとなっている。圧電振動基板26において、互いに平行な2つの振動部206は基部208から延出するように配置されている。基部208は、その幅方向の両端がクランク型の支持腕210A、支持腕210Bによりそれぞれ支持されている。支持腕210A、支持腕210Bは、それぞれ一方の端部が基部208に接続し、他方の端部が枠部28の内側に接続されている。また圧電振動基板26には、図14に示される圧電振動基板26と同様にスリット30により接続部32A、32Bが形成され、図14の圧電振動基板26と同様に接続部32Aにはパッド電極42Aが配置され、接続部32Bにはパッド電極42Bが配置されている。そして、振動部206には励振電極214A、励振電極214Bが配置されている。励振電極214Aからは引出電極212Aが引き出され、基部208、支持腕210A、枠部28、接続部32Aを経由してパッド電極42Aに接続されている。励振電極214Bからは引出電極212Bが引き出され、基部208、支持腕210B、枠部28、接続部32Bを経由してパッド電極42Bに接続されている。よって、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部206が屈曲振動をする。上記構成において、支持腕210A、支持腕210Bは、枠部28に接続した位置を固定端とし、基部208に接続した位置を自由端として屈曲することができる。このような配置とすることにより、振動部206の振動系を枠部28の振動系から分離することができる。したがって、振動部206の振動漏れを抑制してQ値を向上させ、且つCI値を低下させることができる。さらに枠部28の支持腕210A、支持腕210Bの自由端に対向する位置には緩衝部28aが配置され、外部からの力による支持腕210A、支持腕210Bと、枠部28との相対変位を抑制することにより耐衝撃性を高めることができる。図16においては、第1の凹部16を有するベース基板14、振動部218を有する圧電振動基板26、第2の凹部50を有する第2のベース基板201からなる3層構造の物理量検出素子10cとなっている。圧電振動基板26において振動部218は、枠部28と支持部219A、219Bを介して接続されている。また圧電振動基板26には、図14、図15に示される圧電振動基板26と同様にスリット30により接続部32A、32Bが形成され、図14、図15の圧電振動基板26と同様に接続部32Aにはパッド電極42Aが配置され、接続部32Bにはパッド電極42Bが配置されている。そして、振動部218の第2のベース基板201に対向する面には励振電極222Aが配置され、その裏面であって励振電極222Aに対向する位置には励振電極222Bが配置されている。ここで、励振電極222Aから引き出された引出電極220Aは、支持部219Aを経由してパッド電極42Aに接続されている。また、励振電極222Bから引き出された引出電極220Bは、支持部219Bにおいてパッド電極42Bが配置された面に引き回されパッド電極42Bに接続されている。上記構成において、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部218が厚みすべり振動をする。なお、図14乃至図16において、第2のベース基板201は、前述のダイアフラム基板48に第2の凹部50に支持部54A、支持部54Bが形成していないものと同様であり、他の構成要素は物理量検出素子10等と同様なので説明を省略する。本発明の物理量検出素子は、上述した物理量検出モジュール以外に、例えば携帯電話、ハードディスク、パーソナルコンピューター、BS及びCS放送用の受信チューナー、同軸ケーブルや光ケーブル中を伝搬する高周波信号や光信号用の各種処理装置、広い温度範囲で高周波高精度クロック低ジッタ、低位相雑音を必要とするサーバーネットワーク機器、無線通信用機器等の様々な電子機器、加速度センサー、回転速度センサー等の各種センサー装置にも広く適用することができる。このような各種センサー装置及び電子機器としては、例えば一般工業用計測機器、電子血圧計、高度気圧水深計測機能付き電子機器、携帯機器、自動車などが挙げられる。そして、上述のように外力によるダイアフラムの機械的な変形を電気的信号として計測するものとして圧力センサーは携帯電話機やパソコン等の小型の携帯機器での高度計測に前記圧力センサーを応用してマイクロホンとして利用可能である。更に、近年注目をされるようになった水素やメタノール等の燃料電池は、軽量化や利便性等に起因して、例えば、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピューター、携帯用電話機、携帯情報端末機PersonalDigitalAssistants:PDA、オーディオプレーヤ、プロジェクタ載置台、カプセル型医療機器の通信機能を具備した電子機器といった各種情報処理装置の燃料電池としての用途が考えられる。図17に、本実施形態の物理量検出素子を燃料電池システムに搭載した場合の系統図を示す。図17に示すように、燃料電池システム224は、水素を燃料として電力を発生させる燃料電池セル226と、該燃料電池セル226に水素を供給する水素吸蔵合金容器228と、該水素吸蔵合金容器228と上記燃料電池セル226との間に配設された圧力検出用の圧力センサー230と、圧力調整弁232と安全弁234とを備えている。この燃料電池システム224において、本発明に係る物理量検出素子10等を圧力センサー230として使用することができる。図18に、本実施形態の物理量検出素子を車両用情報記録装置に搭載した場合のブロック図を示す。図18に示すように、事故等のイベント発生時前後の必要な時間のみについて、デジタルタコグラフ238とドライブレコーダ248の双方が生成するデータを関連付けて記録し、その後の解析等に有用なデータを提供することが可能な車両用情報記録装置236がある。この車両用情報記録装置236において、前記デジタルタコグラフ238は、車両の走行状況を検出する走行状況検知手段240と、前記ドライブレコーダ248との間で情報を送受信するデジタルタコグラフ通信手段242と、情報を記録するデジタルタコグラフ記録手段244と、前記走行状況検知手段240から入力した走行状況および前記デジタルタコグラフ通信手段242から受信した情報を受けて、前記デジタルタコグラフ記録手段244に情報を記録するデジタルタコグラフ制御部246と、を有しているが、走行状況検知手段240として、高精度な圧力高度検出が可能な本発明に係る物理量検出素子10を圧力センサーとして適用できる更に、被測定者にかかる負荷を検出する活動量計側システムにおいて、前記負荷を圧力として検出する場合においては、検出器として、本発明に係る圧力センサー物理量検出素子10等を適用できる。また、警戒モードと、非警戒モードとに設定可能なセキュリティシステムであって、人体の少なくとも一部を検知可能な人体検知手段と、前記人体検知手段が前記人体の少なくとも一部を検知したことに応じて、信号を出力する出力手段と、前記出力手段からの出力信号を受けて、前記警戒モードを設定する警戒モード設定手段と、を備えるセキュリティシステムがある。このセキュリティシステムにおいて、外部からの侵入または異常を検知する異常検知センサーと、前記異常検知センサーが異常を検知したときに警報を発する警報手段とをさらに含み、前記警戒モード設定手段は、前記警戒モードに応じて、前記異常検知センサーと、前記警報手段とによる警戒動作を作動させる。このセキュリティシステムを構成する前記異常検知センサーとして、本発明に係る圧力センサー物理量検出素子10等を適用できる。更に、本発明の電子機器の一例である腕時計型電子機器の本体には、本発明に係る圧力センサー物理量検出素子10等を備えることができ、ダイナミックレンジやリニアリティなどの特性に優れた圧力センサー物理量検出素子10等を備えた電気機器となる。更に、特に自動車においては、例えばインテークマニホールド圧若しくはチャージ圧、ブレーキ圧、エアサスペンション圧、タイヤ圧、ハイドロリック貯蔵圧、ショックアブソーバ圧、冷却媒体圧、自動変速機における変調圧、ブレーキ圧、タンク圧用の圧力検出に本発明に係る圧力センサー物理量検出素子10等を適用できる。図19に、本実施形態の物理量検出素子を側面衝突検出装置に搭載した場合の模式図図中の拡大図に対応する断面図は図1aを参照を示す。車両252のサイドドア254の内部に配設された圧力検出素子258により、車両252の側面に加わる衝撃を検出する側面衝突検出装置250を構成することができる。この側面衝突検出装置250において、前記圧力検出素子258は、圧力を検出するダイアフラムダイアフラム56を有し、そのダイアフラムの受圧面が前記サイドドア254の内部空間256の圧力変動により歪むことを検出することによって車両252の側面に加わる衝撃を検出することができる。そして、例えば、ダイアフラムの受圧面の法線と、水平な前記車両252の前後方向の直線とのなす角を60度から90度に設定することにより、衝突時に圧力検出素子258のダイアフラムが衝撃力を受けた場合に、これを圧力変化として検出する度合いを少なくして、圧力の変化をより高精度に検出することができる。この側面衝突検出装置250に用いる圧力検出素子258として本実施形態の物理量検出素子10等物理量検出モジュール110等を適用することができる。"