前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層と前記誘電体層を覆う保護層とを有し、前記保護層は、下地層と前記下地層の上に形成された金属酸化物とを含み、前記金属酸化物は、波長200nm以上300nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度と、波長300nm以上500nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度との比が、0.1以上10以下であり、さらに前記金属酸化物は、重量濃度として50ppm以上200ppm以下のアルミニウムと、重量濃度として150ppm以上600ppm以下のフッ素とを含む、プラズマディスプレイパネル。前記金属酸化物は、波長200nm以上300nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度と、波長300nm以上500nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度との比が、2以上10以下である、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。前記金属酸化物は酸化マグネシウムの結晶粒子が複数凝集した凝集粒子である、請求項1または2のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。しかし、保護層は、初期電子を放出する能力を高めると、電荷を維持する能力が低下してしまう場合があった。電荷を維持する能力が低下すると、放電に必要な電圧が上昇してしまう。ここに開示された技術は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、アドレス放電ミスを低減しつつ、放電に必要な電圧の上昇を抑制可能なPDPを提供することを目的とする。上記目的は、以下のPDPによって達成される。前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層と誘電体層を覆う保護層とを有する。保護層は、下地層と下地層の上に形成された金属酸化物とを含む。金属酸化物は、波長200nm以上300nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度と、波長300nm以上500nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度との比が、0.1以上10以下である。さらに金属酸化物は、重量濃度として50ppm以上200ppm以下のアルミニウムと、重量濃度として150ppm以上600ppm以下のフッ素とを含む。上記の構成によれば、アドレス放電ミスを低減しつつ、放電に必要な電圧の上昇を抑制可能なPDPを提供できる。実施の形態[1.PDP1の構成]本実施の形態のPDP1は、交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置される。前面板2と背面板10の外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、NeネオンおよびXeキセノンなどの放電ガスが55kPa~80kPaの圧力で封入されている。前面ガラス基板3上には、一例として、走査電極4および維持電極5からなる一対の帯状の表示電極6が複数列配置されている。また、ブラックストライプであるブラックストライプ7が複数列配置されている。前面ガラス基板3上には、表示電極6とブラックストライプ7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成されている。さらに、誘電体層8の表面に酸化マグネシウムMgOなどからなる保護層9が形成されている。なお、走査電極4および維持電極5と前面ガラス基板3との間には、透明電極が形成されていてもよい。また、背面ガラス基板11上には、前面板2の表示電極6と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置されている。さらに、アドレス電極12を覆うように下地誘電体層13が形成されている。さらに、下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14の間には、紫外線によって赤色または青色または緑色に発光する蛍光体層15が形成されている。表示電極6とアドレス電極12とが交差する位置に放電セルが形成されている。赤色に発光する放電セルと、青色に発光する放電セルと、緑色に発光する放電セルとによりカラー表示をする画素が形成されている。[2.PDP1の製造方法][2-1.前面板2の製造方法]フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5とブラックストライプ7とが形成される。走査電極4および維持電極5は、導電性を確保するための銀Agを含む白色電極4b、5bを有する。また、走査電極4および維持電極5は、画像表示面のコントラストを向上するため黒色顔料を含む黒色電極4a、5aを有する。白色電極4bは、黒色電極4aに積層される。白色電極5bは、黒色電極5aに積層される。黒色電極4a、5aの材料には、黒色度を確保するための黒色顔料と黒色顔料を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む黒色ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、黒色ペーストが前面ガラス基板3に塗布される。次に、乾燥炉によって、黒色ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、黒色ペーストが露光される。白色電極4b、5bの材料には、銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む白色ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、白色ペーストが、黒色ペーストが形成された前面ガラス基板3に塗布される。次に、乾燥炉によって、白色ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、白色ペーストが露光される。次に、黒色ペーストおよび白色ペーストが現像され、黒色電極パターンおよび白色電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、黒色電極パターンおよび白色電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、黒色電極パターン中の感光性樹脂および白色電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、黒色電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。また、白色電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、黒色電極4a、5aおよび白色電極4b、5bが形成される。ブラックストライプ7は、黒色電極4a、5aと同様に形成される。なお、ブラックストライプ7は、黒色電極4a、5aと同時に形成されてもよい。ここで、黒色電極ペーストおよび白色電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。次に、誘電体層8が形成される。誘電体層8の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極4、維持電極5およびブラックストライプ7を覆うように前面ガラス基板3上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融した誘電体ガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、誘電体層8が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、誘電体層8となる膜を形成することもできる。次に、誘電体層8上に保護層9が形成される。保護層9の詳細は、後述される。以上の工程により前面ガラス基板3上に走査電極4、維持電極5、ブラックストライプ7、誘電体層8、保護層9が形成され、前面板2が完成する。[2-2.背面板10の製造方法]フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、アドレス電極12が形成される。アドレス電極の材料には、導電性を確保するための銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むアドレス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、アドレス電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、アドレス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、アドレス電極ペーストが露光される。次に、アドレス電極ペーストが現像され、アドレス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、アドレス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、アドレス電極12が形成される。ここで、アドレス電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。次に、下地誘電体層13が形成される。下地誘電体層13の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでアドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にアドレス電極12を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融した誘電体ガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層13が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、下地誘電体層13となる膜を形成することもできる。次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁14が形成される。隔壁14の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層13上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、隔壁14が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。次に、蛍光体層15が形成される。蛍光体層15の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層15が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。[2-3.前面板2と背面板10との組立方法]まず、ディスペンス法によって、背面板10の周囲に封着材図示せずが形成される。封着材図示せずの材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極6とアドレス電極12とが直交するように、前面板2と背面板10とが対向配置される。次に、前面板2と背面板10の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入されることによりPDP1が完成する。[3.保護層9の詳細]図2に示すように、保護層9は、下地膜91と金属酸化物結晶粒子92aを含む。下地膜91は、一例として、アルミニウムAlを不純物として含有する酸化マグネシウムMgO膜である。金属酸化物結晶粒子92aは、一例として、酸化マグネシウムMgO結晶粒子である。また、本実施例においては、金属酸化物結晶粒子92aが複数個凝集した凝集粒子92が、下地膜91の全面に亘って均一に分布するように複数個付着している。[3-1.凝集粒子92の詳細]アドレス放電の開始時には、トリガーとなる初期電子が、保護層9の表面から放電空間16中に放出される。初期電子量が不足することが、放電遅れの主原因と考えられる。凝集粒子92には、主としてアドレス放電における放電遅れを抑制する効果と、放電遅れの温度依存性を改善する効果とがある。すなわち、凝集粒子92は、高い初期電子放出能力を有する。そこで本実施の形態では、凝集粒子92が、放電パルスの立ち上がり時に必要な初期電子供給部として備えられている。凝集粒子92は、放電パルスの立ち上がり時に放電空間16中に初期電子を豊富に存在させる。したがって、PDP1がより高精細になり、アドレス放電のための割り当て時間が短くなっても、放電遅れが抑制され、高速駆動ができる。凝集粒子92とは、所定の一次粒径の金属酸化物結晶粒子92aが複数個凝集した状態のものである。凝集粒子92は、固体として強い結合力によって結合しているのではない。凝集粒子92は、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合したものである。また、凝集粒子92は、超音波などの外力により、その一部または全部が一次粒子の状態に分解する程度の力で結合している。金属酸化物結晶粒子92aは、14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多面体形状を有するものが望ましい。[3-2.酸化マグネシウム結晶粒子の作製方法]本実施の形態にかかる方法は、熱分解法に基づいたものである。具体的には、焼成炉などによって、水酸基や炭酸基を有する酸化マグネシウム前駆体以下、前駆体と称するが焼成される。熱によって前駆体が有する水酸基や炭酸基などが除去され、金属酸化物粗粒子である酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子は、金属酸化物結晶である酸化マグネシウム結晶の一次粒子が多数凝集したものである。次に、ジェットミルなどによって、酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。粉砕されることで平均粒径が小さい酸化マグネシウム結晶粒子が作製される。なお、前駆体は、液相法によって、生成される。よって、前駆体自体が一次粒子の凝集体である。また、前駆体は、特に限定されない。例えば、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、シュウ酸マグネシウムなどを用いることができる。また、前駆体が不純物を多く含むと、作製される酸化マグネシウム結晶粒子に意図しない不純物が混入する場合がある。すなわち、酸化マグネシウム結晶粒子の特性がばらつく場合があるので、前駆体の不純物は少ないほうが好ましい。具体的に前駆体が含む不純物量としては、熱分解法により酸化マグネシウム結晶粒子を生成した際に残留する不純物の合計量が、0.1重量以下が好ましく、0.01重量以下がより好ましい。焼成炉は、大気炉などが用いられる。すなわち、焼成は、大気や酸素などの雰囲気下で開放して、又は、それらの気流を流しながら行われる。焼成温度は、700°Cから1500°Cの範囲である。1200°C程度が最も好ましい。焼成時間は、温度にもよるが、1時間から10時間程度である。例えば、温度が1200°C程度の場合には5時間程度が適当である。焼成炉の昇温速度は、特に限定されない。5°Cから10°C/min程度が好ましい。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素、アルゴンなどが用いられる。なお、酸化性雰囲気を用いると、前駆体に含まれる不純物を酸化ガスとして除去することが可能となる。すなわち、焼成時の雰囲気は、大気や、酸素が好ましい。上述の工程によって、酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子の平均粒径は1.0μmから4.0μmの範囲である。なお、本実施の形態において、平均粒径とは、体積累積平均径D50のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置MT-3300日機装株式会社製が用いられた。酸化マグネシウム粗粒子をそのまま保護層9に用いると、製造装置に不具合が発生する場合がある。さらには、前面板2と背面板10とを組み立てるときに、隔壁14が破壊される場合がある。よって、酸化マグネシウム粗粒子は、より平均粒径が小さくなるように粉砕されることが好ましい。なお、本実施の形態において、粉砕とは、一次粒子が多数凝集した金属酸化物粗粒子を所定の平均粒径の金属酸化物になるようにほぐすことである。よって、金属酸化物の平均粒径は、金属酸化物結晶の一次粒子の大きさから、金属酸化物結晶の一次粒子が複数凝集したときの大きさまで変動してもよい。なお、粉砕によって、金属酸化物結晶の一次粒子の粒径は、ほとんど変化しない。次に、ジェットミルによって酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。ジェットミルは円筒状のチャンバーを有する。チャンバーには複数の粉砕ノズルが配置されている。粉砕ノズルからは、圧縮空気がチャンバーに導入される。よって、酸化マグネシウム粗粒子同士が衝突等することによって、粉砕される。さらに、ジェットミルには、分級機が備えられている。したがって、所定の粒径の酸化マグネシウム結晶粒子を取り出すことができる。本実施の形態においては、直径が160mm、高さが140mmのチャンバーを備えたジェットミルが用いられた。1分あたり0.2~0.3m3の空気がチャンバーに導入された。空気の導入にあたって、0.2MPa~0.4MPaの範囲で圧力が調整された。なお、空気のかわりに、窒素を用いてもよい。酸素を含まないので、酸化マグネシウム粗粒子の酸素欠損量などを変動させないからである。最終的に、酸化マグネシウム結晶粒子は、平均粒径が0.3μm~2μmの範囲にあった。ところで、通常、PDP1は図10に示すようなサブフィールド駆動によって点灯する。サブフィールド駆動においては、1フィールドが初期化期間、アドレス期間、および維持期間に分離される。アドレス期間で、維持放電の有無を決定するため、初期化期間には維持放電の有無に関わらず初期化放電が行われる。よって、PDP1の点灯時におけるコントラストを向上させるためには、例えば初期化放電を数フィールドに1回というように初期化放電回数を減らすことが有効である。しかし、単に初期化放電回数を減らしただけでは、壁電荷の蓄積が不十分になることが懸念される。[3-3.添加元素]発明者らは、特開2007-48733号公報に記載されている方法を用いることにより、凝集粒子92における添加元素の影響を明確にした。以下、別段の記載が無い限り、濃度とは、重量濃度を意味する。つまり、アドレス放電時の遅れ時間放電遅れ時間および、放電の発生しやすさの目安となる数値統計遅れ時間が測定された。統計遅れ時間は小さいほど放電が発生しやすい。放電遅れ時間とは、アドレス放電パルスの立ち上がりからアドレス放電が遅れて発生するまでの時間である。放電遅れの発生は、アドレス放電が発生する際のトリガーとなる初期電子が保護層表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。凝集粒子92はアルミニウムAlを含有することが好ましい。Alを含有することにより、壁電荷の蓄積に寄与するからである。図4に示すように、放電遅れ時間は、凝集粒子92におけるAlの濃度が50ppmより小さくなると、急激に増加する。なお、図4における放電遅れ時間とは、複数回のアドレス放電を発生させた内、最も早くアドレス放電が発生するまでの時間である。つまり、図4における放電遅れ時間は、壁電荷の形成量が反映した値である。一方、Alの濃度が高くなり過ぎると、金属酸化物結晶粒子92aの結晶成長を妨げる場合がある。その結果として、金属酸化物結晶粒子92aの結晶性が悪化する恐れがある。結晶性が悪化すると、バンドギャップ内に不要な準位が形成される。図5に示すように、Alの濃度が200ppmを超えると、統計遅れ時間上昇率が増大することがわかった。なお、図5における統計遅れ時間上昇率は、1フィールド毎に初期化放電を発生させたときの統計遅れ時間を1として、6フィールド毎に初期化放電を発生させたときの統計遅れ時間である。したがって、凝集粒子92におけるAlの濃度は50ppm以上200ppm以下が好ましい。さらに、統計遅れ時間はPDP1の累積点灯時間によっても上昇する場合がある。そこで、凝集粒子92がフッ素Fを含有することが好ましい。Fを含有することにより、統計遅れ時間の増加が抑制されるからである。図6に示すように、凝集粒子92におけるFの濃度が150ppm以上になると、統計遅れ時間の上昇率は低下する。なお、統計遅れ時間の上昇率は、PDP1の初期点灯時における統計遅れ時間を1として、2000時間点灯させた後の統計遅れ時間である。Fが添加されることにより、金属酸化物結晶粒子92aの結晶成長が促進される。よって、金属酸化物結晶粒子92aの結晶性が高くなると考えられる。凝集粒子92における放電時の耐スパッタ性能が向上することにより、統計遅れ時間の上昇率が抑制されたと考えられる。一方、F濃度が高くなり過ぎると、凝集粒子92の粒径が大きくなってしまうことがわかった。つまり、凝集粒子92を構成する金属酸化物結晶粒子92aの数が多くなってしまう。凝集粒子92の粒径が大きくなると、前面板2と背面板10とが対向配置されたときに、隔壁14に損傷を与える確率が大きくなる。図7に示すように、凝集粒子92におけるF濃度が600ppmを超えると、凝集粒子92の粒径D90が規定値である2.5μmを超えてしまうことがわかった。粒径が規定値を超えると隔壁14に損傷を与える確率が大幅に増大する。したがって、凝集粒子92におけるFの濃度は150ppm以上600ppm以下が好ましい。しかし、このままでは、統計遅れ時間が小さすぎて、一旦蓄積された電荷が抜けてしまう。つまり、電荷抜けと呼ばれる現象が発生する場合がある。電荷抜けが発生すると、点灯させるべきセルが点灯しないといった不具合が発生する。[3-4.フォトルミネッセンス評価]発明者らは、凝集粒子92のフォトルミネッセンス波形が所定の範囲にあるときに、電荷抜けを抑制できることを見出した。金属酸化物結晶粒子92aである酸化マグネシウム結晶粒子について、フォトルミネッセンスの発光強度が測定された。フォトルミネッセンス測定は、以下の条件で行われた。光源には、発光波長146nmのエキシマランプウシオ電機株式会社製が用いられた。エキシマランプは、サンプルから上方に100mmの位置に設置された。ターボ分子ポンプによって、真空チャンバー内の圧力は、1×102Paに保たれた。ディテクターには、CCD一体型で波長範囲200nmから800nmの分光器浜松ホトニクス株式会社製が用いられた。入射光の波長が、146nmであるため、フォトルミネッセンスは、サンプルのほぼ最表面から生じていると考えられる。図8に一例を示すように、酸化マグネシウム結晶粒子は、波長200nmから300nmの範囲にピークを有する発光があった。さらに、波長300nmから500nmの範囲にピークを有する発光があった。波長200nmから300nmの範囲に発光があることは、酸化マグネシウム結晶粒子が波長200nmから300nmの発光に対応したエネルギー準位を有することを意味する。エネルギー準位は、初期化放電時に発生する電子を長時間数msec以上捕獲できると考えられる。アドレス放電時にアドレス電圧が印加されると、保護層9に電界が形成される。熱および電界によって、捕獲された電子が放電空間に取り出される。アドレス放電開始に必要な初期電子が迅速かつ十分に得られると、放電開始時間が早められる。以上のように、波長200nmから300nmの発光強度が大きいと、統計遅れ時間が短縮されると考えられる。一方、波長300nmから500nmの発光は、酸素欠損の存在を示すものと考えられる。発光強度が大きいと酸素欠損も多いと考えられる。酸化マグネシウム結晶粒子の最表面近傍の電子放出準位に捕獲された電子が酸素欠損に起因した深いエネルギー準位に落ち込んでしまうので、初期電子放出能力は低下するが電荷保持能力は向上する。つまり波長300nmから500nmの発光強度が大きいと電荷抜け量を抑制できる。波長200nmから300nmの発光強度の最大値をAとして、波長300nmから500nmの発光強度の最大値をBとしたときに、AをBで除算したA/Bが10を超えると、図9に示すように、電荷抜け量が急激に増大することがわかる。一方、A/Bが0.1未満になると、初期電子放出が不十分になる。よって、A/Bは0.1以上10以下が好ましい。さらに、初期電子放出の観点からは、A/Bは2以上であることが好ましい。なお、図9においては、4水準のサンプルについてフォトルミネッセンス測定がなされた。ジェットミルにより粉砕された二つのサンプル、ボールミルにより粉砕されたサンプル、および未粉砕のサンプルである。ジェットミルについては、導入される空気の圧力が相対的に高いサンプルと相対的に低いサンプルの二つである。導入される空気の圧力が相対的に低い方は、A/Bが7.6であった。導入される空気の圧力が相対的に高い方は、A/Bが3.7であった。図9からは、ジェットミルにより粉砕された酸化マグネシウム結晶粒子は、良好な特性を示すことがわかる。[3-5.保護層9の形成方法]図3に示されるように、保護層9の形成は、誘電体層8形成後から開始される。まず、ステップ1では、下地膜91が形成される。材料には、例えば、アルミニウムAlを含む酸化マグネシウムMgOの焼結体が用いられる。方法は、例えば、真空蒸着法が用いられる。具体的には、真空チャンバー内で原材料に電子ビームを照射することにより、原材料を蒸発させ誘電体層8上に付着させる。主として酸化マグネシウムMgOからなる下地膜91が誘電体層8上に形成される。下地膜91の膜厚は、一例として、500nmから1000nm程度である。ステップ2では、金属酸化物ペースト膜が形成される。材料には、例えば、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92が有機樹脂成分と希釈溶剤とともに混錬された金属酸化物ペーストが用いられる。方法は、例えば、スクリーン印刷法が用いられる。具体的には、金属酸化物ペーストが下地膜91上の全面に亘って塗布されることにより、金属酸化物ペースト膜が形成される。金属酸化物ペースト膜の膜厚は、一例として、5μmから20μm程度である。なお、下地膜上に金属酸化物ペースト膜を形成する方法として、スクリーン印刷法以外に、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法なども用いることができる。ステップ3では、金属酸化物ペースト膜が乾燥される。乾燥炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、100°Cから150°C程度である。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、溶剤成分が除去される。ステップ4では、乾燥後の金属酸化物ペースト膜が焼成される。焼成炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、400°Cから500°C程度である。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素などが用いられる。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、樹脂成分が除去される。以上のステップによって、下地膜91上に、凝集粒子92が離散的に付着する。[4.実施例]PDP1が作製され、PDP1の性能が評価された。作製されたPDP1は、42インチクラスのハイビジョンテレビに適合するものである。すなわち、PDP1は、前面板2と、前面板2と対向配置された背面板10と、を備える。また、前面板2と背面板10の周囲は、封着材で封着されている。前面板2は、表示電極6と誘電体層8と保護層9とを有する。背面板10は、アドレス電極12と、下地誘電体層13と、隔壁14と、蛍光体層15とを有する。PDP1には、キセノンXeの含有量が15体積のネオンNe-キセノンXe系の混合ガスが、60kPaの内圧で封入された。また、表示電極6と表示電極6との電極間距離は、0.06mmであった。隔壁14の高さは0.15mm、隔壁14と隔壁14との間隔セルピッチは0.15mmであった。実施例には、ジェットミルによって粉砕された酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92が用いられた。ジェットミルは、導入される空気の圧力が相対的に高い条件が適用された。実施例における凝集粒子92は、A/Bが3.7であるフォトルミネッセンス特性を有する。実施例における凝集粒子92の粒度分布は、0.5μmD10、1.2μmD50、2.1μmD90であった。なお粉砕される前の酸化マグネシウム粗粒子の粒度分布は、0.6μmD10、1.9μmD50、3.7μmD90であった。一方、比較例には、ボールミルによって粉砕された、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92が用いられた。比較例における凝集粒子92は、図9に示されたボールミルにより粉砕されたサンプルと同等のフォトルミネッセンス特性を有する。実施例および比較例の凝集粒子92は、平均粒径が1.1μmであった。さらに、実施例と比較例における凝集粒子92は、Al濃度が150ppmであり、F濃度が400ppmであった。実施例および比較例の凝集粒子92の被覆率は8.0であった。被覆率とは、1個の放電セルの領域において、凝集粒子92が付着している面積aを1個の放電セルの面積bの比率で表したものである。つまり、被覆率=a/b×100の式により計算されたものである。測定方法としては、例えば、隔壁14により区切られた1個の放電セルに相当する領域がカメラにより撮像される。次に、撮像された画像が、x×yの1セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに2値化される。次に、2値化されたデータに基づき凝集粒子92による黒エリアの面積aを求める。最後に、被覆率が、a/b×100の式により計算される。実施例と比較例におけるPDP1の製造方法の違いは、酸化マグネシウム粗粒子の粉砕方法のみである。発明者らは、初期化放電回数を減らしたサブフィールド駆動法により、PDP1を点灯させ、放電特性を評価した。実施例はアドレス放電ミスを低減しつつ、放電に必要な電圧の上昇を抑制できた。つまり、実施例は、統計遅れ時間と電荷抜けの2つの特性を両立できた。一方、比較例は、アドレス放電ミスを低減することはできたが、放電に必要な電圧が実施例より上昇した。つまり、比較例は、統計遅れ時間と電荷抜けの2つの特性を両立できなかった。[5.まとめ]本実施の形態のPDP1は、前面板2と、前面板2と対向配置された背面板10を備える。前面板2は、表示電極6と表示電極6を覆う誘電体層8と、誘電体層8を覆う保護層9とを有する。保護層9は、下地膜91と下地膜91上に形成された凝集粒子92とを含む。酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92金属酸化物は、波長200nm以上300nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度と、波長300nm以上500nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度との比が、0.1以上10以下である。さらに凝集粒子92金属酸化物は、重量濃度として50ppm以上200ppm以下のAlと、重量濃度として150ppm以上600ppm以下のFとを含む。このような構成によれば、アドレス放電ミスを低減しつつ、放電に必要な電圧の上昇を抑制できる。なお、本実施の形態では、金属酸化物結晶粒子92aが、酸化マグネシウム結晶粒子である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウムMgOの他にも、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などを用いることができる。要するに、高い初期電子放出能力を有する金属酸化物結晶粒子92aを用いると、同様の効果を得ることができる。したがって、金属酸化物結晶粒子92aは、酸化マグネシウムMgOに限定されない。また、複数の種類の金属酸化物結晶粒子を用いることもできる。さらに、本実施の形態では、下地膜91上に凝集粒子92が形成された場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。つまり、金属酸化物結晶粒子92aは凝集されないで、一次粒子の状態で下地膜91上に形成されてもよい。なお、本実施の形態では、下地層が、酸化アルミニウムを含む酸化マグネシウム膜である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウムMgOの他にも、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などの金属酸化物膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物が混合された膜を用いることもできる。さらに、金属酸化物膜の他にも、酸化マグネシウムMgO、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などの金属酸化物微粒子の集合体を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物微粒子が混合された集合体を用いることもできる。