半導体光素子を作製する方法であって、第1の方向にへき開可能な基板の上に、光導波路のためのへき開可能な半導体積層をエピタキシャルに成長する工程と、前記第1の方向に配列された複数の開口を有する第1のマスクを前記半導体積層の上に形成する工程と、前記第1のマスクを用いて前記半導体積層のエッチングを行って、前記開口の配列に対応するマーク配列を前記半導体積層の表面に形成する工程と、前記マーク配列を形成した後に、前記第1のマスクを除去する工程と、前記第1のマスクを除去した後に、前記第1の方向に交差する第2の方向に延在する第1及び第2の開口を有する第2のマスクを形成する工程と、前記第2のマスクを用いたドライエッチングにより、前記第1及び第2の開口にそれぞれ、対応する第1及び第2の溝、並びに導波路メサを前記半導体積層に形成する工程と、前記第1及び第2の溝を前記半導体積層に形成した後に、基板生産物のへき開を行って半導体バーを作製する工程と、を備え、前記第1の溝及び前記第2の溝は前記導波路メサを規定し、前記基板生産物は、前記第1及び第2の溝並びに前記導波路メサを含み、前記導波路メサは、第1のクラッド層、コア層及び第2のクラッド層を含み、前記第2のマスクの前記第1の開口の第1縁と前記第2のマスクの前記第2の開口の第1縁との間隔は前記導波路メサの幅を規定し、前記第2のマスクの前記第1の開口の前記第1縁は前記マーク配列のうちの第1のマークを横切り、前記第2のマスクの前記第2の開口の前記第1縁は前記マーク配列のうちの第2のマークを横切り、前記ドライエッチングにより前記導波路メサの上面には第1及び第2残留マークが形成され、前記第1及び第2残留マークは、それぞれ、前記ドライエッチングにより前記第1及び第2のマークの一部から形成され、前記ドライエッチングにより前記第1の溝の底面には第1転写マークが形成され、前記第1転写マークは前記第1のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成り、前記ドライエッチングにより前記第2の溝の底面には第2転写マークが形成され、前記第2転写マークは前記第2のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成る、半導体光素子を作製する方法。前記第1のマークの一部は前記第1の開口に現れ、前記第2のマスクは前記第1のマークの残り部分を覆い、前記第2のマークの一部は前記第2の開口に現れ、前記第2のマスクは前記第2のマークの残り部分を覆い、前記第1のマークの前記一部は前記第1の方向に向いた角を有すると共に、前記第1のマークの前記残り部分は、前記第1の方向と反対向きの第3の方向に向いた角を有し、前記第2のマークの前記一部は前記第1の方向に向いた角を有すると共に、前記第2のマークの前記残り部分は、前記第3の方向に向いた角を有する、請求項1に記載された半導体光素子を作製する方法。前記へき開により、前記第1転写マークは第1及び第2部分に分離され、前記へき開により、前記第2転写マークは第1及び第2部分に分離され、前記半導体バーのへき開面は、前記第1転写マークの前記第1部分及び前記第2の転写マークの前記第1部分を有し、前記へき開により、前記第1残留マークは第1及び第2部分に分離され、前記へき開により、前記第2残留マークは第1及び第2部分に分離され、前記半導体バーのへき開面は、前記第1残留マークの前記第1部分及び前記第2の残留マークの前記第1部分を有する、請求項1又は請求項2に記載された半導体光素子を作製する方法。前記第1の開口の第2縁は前記マーク配列のうちの第3のマークを横切り、前記第2の開口の第2縁は前記マーク配列のうちの第4のマークを横切り、前記第1の開口の前記第2縁は前記第1の開口の前記第1縁より前記第2の開口から離れており、前記第2の開口の前記第2縁は前記第2の開口の前記第1縁より前記第1の開口から離れている、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記第1及び第2の溝を形成する工程では第1及び第2のテラスが形成され、前記第1のテラス及び前記導波路メサは前記第1の溝を規定し、前記第2のテラス及び前記導波路メサは前記第2の溝を規定し、前記ドライエッチングにより前記第1及び第2のテラスの上面にはそれぞれ、第3及び第4残留マークが形成され、前記第3及び第4残留マークは、それぞれ、前記ドライエッチングにより前記第3及び第4のマークの一部から形成され、前記ドライエッチングにより前記第1の溝の前記底面には第3転写マークが形成され、前記第3転写マークは前記第3のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成り、前記ドライエッチングにより前記第2の溝の前記底面には第4転写マークが形成され、前記第4転写マークは前記第4のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成る、請求項4に記載された半導体光素子を作製する方法。前記基板生産物のへき開を行う前に、前記マーク配列に合わせて前記基板生産物にスクライブを行って、スクライブ溝を形成する工程を更に備え、前記スクライブは前記半導体積層の表面に行われ、前記スクライブ溝の深さは、前記第1及び第2のマークの深さより大きい、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記導波路メサは、コンタクト層を更に含み、前記コンタクト層は、前記第1のクラッド層、前記コア層及び前記第2のクラッド層の上に設けられ、前記第1及び第2のマークの深さは250nm以上である、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記第1及び第2の溝を形成した後に前記へき開を行う前に、前記第1及び第2残留マーク並びに前記第1及び第2転写マークを覆うように絶縁膜を成長する工程を更に備える、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記へき開を行う前に、前記導波路メサの上面に位置する開口を前記絶縁膜に形成して、保護膜を形成する工程と、前記へき開を行う前に、前記開口を介して前記導波路メサに接触を成す第1の電極を形成する工程を更に備え、前記基板生産物は、前記第1の電極を更に含む、請求項8に記載された半導体光素子を作製する方法。前記コア層は、キャリアの注入に応答して光を発生する活性層を含む、請求項1~請求項9のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。半導体光素子であって、へき開可能な基板と、前記基板の上にエピタキシャル成長された半導体積層と、を備え、前記基板及び前記半導体積層はへき開可能な半導体積層体を構成し、前記半導体積層体は、基底面と、該基底面の法線に交差する第1の方向に延在し該基底面から突出する導波路メサとを含み、前記導波路メサは、第1のクラッド層、コア層及び第2のクラッド層を含み、前記第1のクラッド層、前記コア層及び前記第2のクラッド層は、前記基底面の法線方向の方向に配列されており、前記半導体積層体は、前記第1の方向及び前記法線方向に延在し当該半導体光素子のためのへき開端面を有し、前記導波路メサは前記へき開端面に到達し、前記導波路メサは第1及び第2の側面並びに上面を有し、前記半導体積層体は第1窪み、第2窪み、第3窪み及び第4窪みを有し、前記第1窪み、前記第2窪み、前記第3窪み及び前記第4窪みは前記へき開端面に設けられ、前記第1窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第1の側面の上縁端から前記上面のエッジに沿って設けられ、前記第2窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第1の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられ、前記第3窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第2の側面の上縁端から前記上面のエッジに沿って設けられ、前記第4窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第2の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられる、半導体光素子。前記半導体積層体の前記導波路メサの前記上面の上に設けられた電極と、前記半導体積層の表面を覆う保護膜と、を更に備え、前記半導体積層体は、第1の溝及び第2の溝、並びに第1及び第2のテラスを有し、前記第1のテラス及び前記導波路メサは前記第1の溝を規定し、前記第2のテラス及び前記導波路メサは前記第2の溝を規定し、前記第1及び第2のテラスの各々は第1及び第2の側面並びに第1及び第2テラス上面を有し、前記第1の溝の底面は前記基底面を含み、前記第2の溝の底面は前記基底面を含み、前記半導体積層体は第5窪み、第6窪み、第7窪み及び第8窪みを有し、前記第5窪み、前記第6窪み、前記第7窪み及び前記第8窪みは前記端面に設けられ、前記第5窪みは、前記へき開端面において前記第1のテラスの前記第1の側面の上縁端から前記第1テラス上面のエッジに沿って設けられ、前記第6窪みは、前記へき開端面において前記第1のテラスの前記第1の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられ、前記第7窪みは、前記へき開端面において前記第2のテラスの前記第2の側面の上縁端から前記第2テラス上面のエッジに沿って設けられ、前記第8窪みは、前記へき開端面において前記第2のテラスの前記第2の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられる、請求項11に記載された半導体光素子。半導体レーザでは、一対のへき開端面の各々で光を繰り返し反射する光共振器を用いて光強度を増幅して、増幅された光の一部が出射面から取り出される。ウエハプロセスを完了して基板が得られる。多くの場合に実質的に円板状の基板上には、作製された多数の半導体レーザが配置されている。基板生産物は、まずへき開により、素子エリアの二次元アレイを含む基板片に加工される。このために、基板生産物における素子表面の一端に、半導体レーザの共振器長の整数倍の間隔でのスクライブを行う。この後に、基板表面を押厚して、基板片が形成される。この基板片から、半導体レーザの共振器長の間隔でスクライブを行い、スクライブ切り込みを起点にへき開を生じさせて、バーを形成する。このバーは、一次元に横並びに整列された複数の半導体レーザを含む。続いて、このバー内の半導体レーザエリアを個々に分離加工して、半導体レーザチップを得る。しかしながら、へき開は起点から結晶内部を伝播するけれども、平坦ではない素子表面により、半導体結晶のへき開経路が乱される。その結果、半導体光素子の端面がへき開面から外れることがある。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、導波路メサを含む半導体光素子の作製において、へき開経路の乱れを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供することを目的とする。また、本発明は、導波路メサの近傍における端面の乱れが低減された半導体光素子を提供することを目的とする。本発明は半導体光素子を作製する方法に係る。この方法は、a第1の方向にへき開可能な基板上に、光導波路のためのへき開可能な半導体積層をエピタキシャルに成長する工程と、b前記第1の方向に配列された複数の開口を有する第1のマスクを前記半導体積層上に形成する工程と、c前記第1のマスクを用いて前記半導体積層のエッチングを行って、前記開口の配列に対応するマーク配列を前記半導体積層の表面に形成する工程と、d前記マーク配列を形成した後に、前記第1のマスクを除去する工程と、e前記第1のマスクを除去した後に、前記第1の方向に交差する第2の方向に延在する第1及び第2の開口を有する第2のマスクを前記半導体積層に形成する工程と、f前記第2のマスクを用いたドライエッチングにより前記第1及び第2の開口にそれぞれ対応する第1及び第2の溝を前記半導体積層に形成する工程と、g前記第1及び第2の溝を前記半導体積層に形成した後に、基板生産物のへき開を行って半導体バーを作製する工程とを備える。前記第1の溝及び前記第2の溝は導波路メサを規定し、前記基板生産物は、前記第1及び第2の溝並びに前記導波路メサを含み、前記導波路メサは、第1のクラッド層、コア層及び第2のクラッド層を含み、前記第2のマスクの前記第1の開口の第1縁と前記第2のマスクの前記第2の開口の第1縁との間隔は前記導波路メサの幅を規定し、前記第2のマスクの前記第1の開口の前記第1縁は前記マーク配列のうちの第1のマークを横切り、前記第2のマスクの前記第2の開口の前記第1縁は前記マーク配列のうちの第2のマークを横切り、前記導波路メサの上面には第1及び第2残留マークが形成され、前記第1及び第2残留マークは、それぞれ、前記ドライエッチングにより前記第1及び第2のマークの一部から形成され、前記第1の溝の底面には第1転写マークが形成され、前記第1転写マークは前記第1のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成り、前記第2の溝の底面には第2転写マークが形成され、前記第2転写マークは前記第2のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成る。この半導体光素子を作製する方法以下、製造方法と記すによれば、第2のマスクにおける第1の開口の第1縁がマーク配列のうちの第1のマークを横切ると共に、第2のマスクにおける第2の開口の第1縁がマーク配列のうちの第2のマークを横切る。これ故に、第1及び第2の溝をドライエッチングにより形成することによって、導波路メサの上面には第1及び第2残留マークが第1及び第2のマークの一部から形成され、また、第1及び第2の溝の底面にはそれぞれ第1及び第2転写マークが第1及び第2のマークの一部から形成される。したがって、第1及び第2残留マークがそれぞれ第1及び第2転写マークに位置合わせされている。第1及び第2転写マーク並びに第1及び第2転写マークはへき開を案内できる。本発明の作製方法では、前記第1のマークの一部は前記第1の開口に現れ、前記第2のマスクは前記第1のマークの残りの部分を覆い、前記第2のマークの一部は前記第2の開口に現れ、前記第2のマスクは前記第2のマークの残りの部分を覆い、前記第1のマークの前記一部は前記第1の方向に向いた角を有すると共に、前記第1のマークの前記残りの部分は、前記第1の方向と反対向きの第3の方向に向いた角を有し、前記第2のマークの前記一部は前記第1の方向に向いた角を有すると共に、前記第2のマークの前記残りの部分は、前記第3の方向に向いた角を有することができる。この作製方法によれば、第1及び第2のマークの一部がそれぞれ第2のマスクにおける第1及び第2の開口に現れるので、第1及び第2の開口に現れた領域の表面形状がエッチング中に保持されながら溝の底面に転写される。また、第2のマスクが第1及び第2のマークの残りの部分を覆うので、第2のマスクに覆われた領域の表面形状がエッチングされずに保たれる。第1及び第2のマークにおける角の向きは、へき開方向を案内できる。本発明の作製方法では、前記へき開により、前記第1転写マークは第1及び第2部分に分離され、前記へき開により、前記第2転写マークは第1及び第2部分に分離され、前記半導体バーのへき開面は、前記第1転写マークの前記第1部分及び前記第2転写マークの前記第1部分を有し、前記へき開により、前記第1残留マークは第1及び第2部分に分離され、前記へき開により、前記第2残留マークは第1及び第2部分に分離され、前記半導体バーのへき開面は、前記第1残留マークの前記第1部分及び前記第2の残留マークの前記第1部分を有することができる。この製造方法によれば、第1及び第2転写マーク並びに第1及び第2残留マークがへき開を案内して、第1及び第2転写マークの各々並びに第1及び第2残留マークの各々がへき開の局所的な起点として作用する。これ故に、へき開により、第1及び第2転写マークは第1及び第2部分に物理的に分離されると共に、第1及び第2残留マークは第1及び第2部分に物理的に分離される。本発明の作製方法では、前記第1の開口の第2縁は前記マーク列のうちの第3のマークを横切り、前記第2の開口の第2縁は前記マーク列のうちの第4のマークを横切り、前記第1の開口の前記第2縁は前記第1の開口の前記第1縁より前記第2の開口から離れており、前記第2の開口の前記第2縁は前記第2の開口の前記第1縁より前記第1の開口から離れていることができる。この製造方法によれば、第2のマスクにおける第1の開口の第2縁がマーク配列のうちの第3のマークを横切ると共に、第2のマスクにおける第2の開口の第2縁がマーク配列のうちの第4のマークを横切る。これ故に、第3及び第4のマークから、第1及び第2のマークと同様に、転写マーク及び残留マークが形成される。これらも、へき開を案内できる。本発明の作製方法では、前記第1及び第2の溝を形成する工程では第1及び第2のテラスが形成され、前記第1のテラス及び前記導波路メサは前記第1の溝を規定し、前記第2のテラス及び前記導波路メサは前記第2の溝を規定し、前記第1及び第2のテラスの上面にはそれぞれ、第3及び第4残留マークが形成され、前記第3及び第4残留マークは、それぞれ、前記ドライエッチングにより前記第3及び第4のマークの一部から形成され、前記第1の溝の前記底面には第3転写マークが形成され、前記第3転写マークは前記第3のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成り、前記第2の溝の前記底面には第4転写マークが形成され、前記第4転写マークは前記第4のマークの一部が前記ドライエッチングにより転写されて成ることができる。この製造方法によれば、第1及び第2転写マーク並びに第1及び第2残留マークに加えて、第3及び第4転写マーク並びに第3及び第4残留マークがへき開を案内して、第3及び第4転写マークの各々並びに第3及び第4残留マークの各々がへき開の局所的な起点として作用する。本発明の作製方法は、前記基板生産物のへき開を行う前に、前記マーク列に合わせて前記基板生産物にスクライブを行って、スクライブ溝を形成する工程を更に備えることができる。前記スクライブは前記半導体積層の表面に行われ、前記スクライブ溝の深さは、前記第1及び第2のマークの深さより大きいことが好ましい。この製造方法によれば、必要な場合には、へき開の最初の起点をスクライブにより所望の位置に形成できる。本発明の作製方法では、前記導波路メサは、コンタクト層を更に含み、前記コンタクト層は、前記第1のクラッド、前記コア層及び前記第2のクラッド上に設けられ、前記第1及び第2のマークの深さは250nm以上であることが好ましい。この製造方法によれば、第1及び第2転写マーク並びに第1及び第2残留マークは、へき開の案内のために十分な深さを有する第1及び第2のマークから形成される。本発明の作製方法は、前記第1及び第2の溝を形成した後であって前記へき開を行う前に、前記第1及び第2残留マーク並びに前記第1及び第2転写マークを覆うように絶縁膜を成長する工程を更に備えることができる。この作製方法によれば、絶縁膜が、第1及び第2残留マーク並びに第1及び第2転写マークを覆うので、第1及び第2の溝の底面にそれぞれ設けられた第1及び第2転写マーク、並びに導波路メサの上面上の第1及び第2残留マークからのコンタミネーションを避けることができる。本発明の作製方法は、前記へき開を行う前に、前記導波路メサの上面に位置する開口を前記絶縁膜に形成して、保護膜を形成する工程と、前記へき開を行う前に、前記開口を介して前記導波路メサに接触を成す第1の電極を形成する工程を更に備えることができる。前記基板生産物は、前記第1及び第2の電極を更に含む。この製造方法によれば、絶縁膜が第1及び第2残留マーク並びに第1及び第2転写マークを覆うので、第1及び第2残留マーク並びに第1及び第2転写マークは保護膜によって覆われる。これ故に、第1の電極は、保護膜の開口を介して導波路メサに接触を成す。本発明の作製方法は、前記コア層は、キャリアの注入に応答して光を発生する活性層を含むことができる。この製造方法によれば、発光素子に適切なへき開面を提供できる。本発明の半導体光素子は、aへき開可能な基板と、b前記基板上にエピタキシャル成長された半導体積層とを備える。前記基板及び前記半導体積層はへき開可能な半導体積層体を構成し、前記半導体積層体は、基底面と、該基底面の法線に交差する第1の方向に延在し該基底面から突出する導波路メサとを含み、前記導波路メサは、第1のクラッド層、コア層及び第2のクラッド層を含み、前記第1のクラッド層、前記コア層及び前記第2のクラッド層は、前記基底面の法線方向の方向に配列されており、前記半導体積層体は、前記第1の方向及び前記法線方向に延在し当該半導体光素子のためのへき開端面を有し、前記導波路メサは前記へき開端面に到達し、前記導波路メサは第1及び第2の側面並びに上面を有し、前記半導体積層体は第1窪み、第2窪み、第3窪み及び第4窪みを有し、前記第1窪み、前記第2窪み、前記第3窪み及び前記第4窪みは前記へき開端面に設けられ、前記第1窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第1の側面の上縁端から前記導波路メサの前記上面のエッジに沿って設けられ、前記第2窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第1の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられ、前記第3窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第2の側面の上縁端から前記導波路メサの前記上面のエッジに沿って設けられ、前記第4窪みは、前記へき開端面において前記導波路メサの前記第2の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられる。本発明の半導体光素子は、前記半導体積層体の前記導波路メサの前記上面の上に設けられた電極と、前記半導体積層の表面を覆う保護膜とを更に備えることができる。前記半導体積層体は、第1の溝及び第2の溝、並びに第1及び第2のテラスを有し、前記第1のテラス及び前記導波路メサは前記第1の溝を規定し、前記第2のテラス及び前記導波路メサは前記第2の溝を規定し、前記第1及び第2のテラスの各々は第1及び第2の側面並びに第1及び第2テラス上面を有し、前記第1の溝の底面は前記基底面を含み、前記第2の溝の底面は前記基底面を含み、前記半導体積層体は第5窪み、第6窪み、第7窪み及び第8窪みを有し、前記第5窪み、前記第6窪み、前記第7窪み及び前記第8窪みは前記へき開端面に設けられ、前記第5窪みは、前記へき開端面において前記第1のテラスの前記第1の側面の上縁端から前記第1テラス上面のエッジに沿って設けられ、前記第6窪みは、前記へき開端面において前記第1のテラスの前記第1の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられ、前記第7窪みは、前記へき開端面において前記第2のテラスの前記第2の側面の上縁端から前記第2テラス上面のエッジに沿って設けられ、前記第8窪みは、前記へき開端面において前記第2のテラスの前記第2の側面の下縁端から前記基底面のエッジに沿って設けられる。以上説明したように、本発明によれば、導波路メサを含む半導体光素子の作製において、へき開経路の乱れを低減可能な、半導体光素子を作製する方法が提供される。また、本発明によれば、導波路メサの近傍における端面の乱れが低減された半導体光素子が提供される。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体光素子を作製する方法、及び半導体光素子に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1~図7は、本発明の実施の形態に係る半導体光素子を作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図1~図7の各々において、a部は平面図を示し、b部はa部に示されたI-I線に沿ってとられた断面を示し、c部はa部に示されたII-II線に沿ってとられた断面を示す。b部に示された断面は半導体光素子の端面を形成する位置を示し、c部に示された断面は半導体光素子の端面から離れた素子内部を示す。工程S100では、基板図1のb部及びc部における参照符号11を準備する。基板11は、所定の方向にへき開可能な結晶構造を有する。基板11の材料は、例えばInP、GaAs等であることができる。工程S101では、図1に示されるように、基板11の主面11a上に、光導波路のためのへき開可能な半導体積層13をエピタキシャルに成長する。成長法は例えば有機金属気相成長法である。半導体積層13は、第1のクラッド層15、コア層17及び第2のクラッド層19を含み、コア層17は、第1のクラッド層15と第2のクラッド層19との間に設けられる。第1のクラッド層15、コア層17及び第2のクラッド層19は、基板11の主面11aの法線方向の方向に配列されている。半導体光素子が、半導体レーザといった発光素子であるとき、コア層は例えば活性層を含む。引き続く説明では、半導体光素子の一例として半導体レーザを作製する。半導体光素子は、半導体レーザに限定されるものではなく、半導体光増幅器、変調器、光受光器、それらが含まれる集積化素子、等であってもよい。半導体積層13の一例。基板11:n型InP。第1のクラッド層15:n型InP、厚さ500nm。活性層17:GaInAsPMQW構造、厚さ75nm。第2のクラッド層19:p型InP、厚さ500nm。コンタクト層21:p型GaInAs及び/又はp型GaInAsP、厚さ200nm/200nm。基板11及び半導体積層13は半導体積層体12を構成する。工程S102では、半導体積層13上に、絶縁体からなる第1のマスク図2における23を形成する。第1のマスク23は例えばSiNからなることができる。第1のマスク23は例えば以下のように作製される。まず、半導体積層13上に絶縁膜を堆積した後に、この絶縁膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクは、矢印A1で示される第1の方向に配列された複数の開口を有する。第1の方向は、基板11及び半導体積層13のへき開可能な方向の1つに合わされる。レジストマスクを用いて絶縁膜をエッチングして、絶縁体からなる第1のマスク23を形成する。絶縁膜がSiNからなるときは、このエッチングは例えばエッチャントとしてフッ化水素酸を用いるウエットエッチングによりで行われる。第1のマスク23は、矢印A1で示される第1の方向に配列された複数の開口23a、23b、23c、23dを有する。次いで、工程S103では、第1のマスク23を用いて半導体積層13をエッチングして、マーク配列25、27を形成する。エッチングは例えばエッチャントとしてCH4/H2系ガスを用いる反応性イオンエッチング法で行われる。マーク配列25、27は、図2のa部及びb部に示されるマーク25a、25b、25c、25d及びマーク27a、27b、27c、27dを含む。マーク25a~25d、27a~27dの各々は、半導体積層体12の表面12a半導体積層13の表面13aに設けられた凹部を含む。凹部段差が大きすぎるとレジストの厚さが大きく変化し、後続する工程でマスク幅を精度良く形成することが難しくなることがあるので、マーク25a~25d、27a~27dの深さは例えば250nm以上500nm以下であることができる。また、この深さは、導波路メサの高さの10から20の範囲であることができる。マーク配列25とマーク配列27との間隔は、半導体光素子をへき開するピッチを示す。これ故に、マーク25a~25dの配列とマーク27a~27dの配列との間隔は、素子の長さを示す。半導体積層13のエッチングが完了した後に、第1のマスク23を除去する。第1のマスク23がSiNからなるときは、この除去はフッ化水素酸によるエッチングで行われる。マーク25a~25d及びマーク27a~27dの一部は矢印A1で示される第1の方向に向いた角先端を有する。また、マーク25a~25d及びマーク27a~27dの残りの部分は、第1の方向と反対向きの第3の方向に向いた角先端を有する。例えば、マーク25aは、第1の方向に向いた角24a及び第3の方向に向いた角24bを有する。マーク25a~25d及びマーク27a~27dにおける角の向きは、へき開方向を案内する。マークの角の向きをへき開予定ラインに合わせることが好ましい。これらのマークについて、へき開予定ラインの方向の寸法長さが0.2μm~0.4μmの範囲であることができ、へき開予定ラインに直交する方向の寸法幅が0.4μm以下であることができる。上記の長さは上記の幅以上の大きさであることが好ましい。マークの形状は、へき開予定ラインに関して対称であることができる。本実施例では、マーク25a~25d及びマーク27a~27dの平面形状を菱形に描いているが、マークの形状はこれに限定されるものではなく、例えば六角形であってもよい。六角形では、一直線上に2つの頂点がのるので、該直線をへき開予定ラインに合わせることができる。工程S104では、第1のマスク23を除去した後に、第2のマスク図3に示された29を形成する。第2のマスク29は例えばSiNからなることができる。第2のマスク29は、導波路メサを規定するように設けられた第1及び第2の開口29a、29bを有する。第1及び第2の開口29a、29bの各々は、第1の方向A1に直交する第2の方向A2に延在する。第2のマスク29の第1の開口29aは第1縁29c及び第2縁29dによって規定される。第2のマスク29の第2の開口29bは第1縁29e及び第2縁29fによって規定される。第2のマスク29において、第1の開口29aの第1縁29cと第2の開口29bの第1縁29eとの間隔は導波路メサの幅DMSを規定する。図3のa部に示されるように、第2のマスク29において、第1の開口29aの第1縁29cはマーク配列25のうちのマーク25aを横切り、第1の開口29aの第1縁29cはマーク配列27のうちのマーク27aを横切る。第2のマスクにおいて、第2の開口29bの第1縁29eはマーク配列25のうちのマーク25bを横切り、第2の開口29bの第1縁29eはマーク配列25のうちのマーク27bを横切る。図3のa部に示されるように、第2のマスク29において、第1の開口29aの第2縁29dはマーク配列25のうちのマーク25cを横切り、第1の開口29aの第2縁29dはマーク配列27のうちのマーク27cを横切る。第2の開口29bの第2縁29fはマーク配列25のうちのマーク25dを横切り、第2の開口29bの第2縁29fはマーク配列25のうちのマーク27dを横切る。第1の開口29aの第1縁29cがマーク25a、27aを横切るので、マーク25a、27aの一部は第1の開口29aに現れ、マーク25a、27aの残り部分は第2のマスク29に覆われる。第1の開口29aの第2縁29dがマーク25c、27cを横切るので、マーク25c、27cの一部は第1の開口29aに現れ、マーク25c、27cの残りの一部は第2のマスク29に覆われる。第2の開口29bの第1縁29eがマーク25b、27bを横切るので、マーク25b。27bの一部は第2の開口29bに現れ、マーク25b、27bの残り部分は第2のマスク29に覆われる。第2の開口29bの第2縁29fがマーク25d、27dを横切るので、マーク25d、37dの一部は第2の開口29bに現れ、マーク25d、27dの残りは第2のマスク29に覆われる。工程S105では、図4に示されるように、第2のマスク29を用いて半導体積層体12半導体積層13のドライエッチングにより、導波路メサ33を形成する。このドライエッチングは例えばエッチャントとしてCH4/H2系ガスを用いる反応性イオンエッチング法で行われる。導波路メサ33は、第2のマスク29の第1及び第2の開口29a、29bに対応して形成される。導波路メサ33の高さは例えば3.5μmであり、その幅は例えば1.2μmであり、溝の幅は例えば5μmであることができる。導波路メサ33は、第1のクラッド層15、コア層及び第2のクラッド層19を含む。コア層は、キャリアの注入に応答して光を発生する活性層17を含むことができる。この場合、発光素子に適切なへき開面を提供できる。また、導波路メサ33は、コンタクト層21を更に含むことができる。コンタクト層21は、第1のクラッド層15、活性層17コア層及び第2のクラッド層19上に設けられる。導波路メサ33は、第1及び第2の開口29a、29bに露出した半導体積層体12半導体積層13のエッチングにより形成される。導波路メサ33は、このエッチングにより形成された第1及び第2のエッチングされた面33a、33b並びに上面33cを有する。導波路メサ33は、エッチングにより形成された基底面32c、32dから突出している。エッチングの後に、第2のマスク29を除去する。第2のマスク29がSiNからなるときは、この除去はフッ化水素酸を用いることができる。導波路メサ33の上面33cには第1残留マーク35a及び第2残留マーク35bが形成される。第1及び第2残留マーク35a、35bは、それぞれ、ドライエッチングにより第1及び第2のマーク25a、25bの一部マスク29に覆われていた部分から形成される。基底面32cには第1転写マーク37aが形成され、第1転写マーク37aについては、第1のマーク25aの一部マスク29に覆われていない部分がドライエッチングされながら最終的に基底面32cに転写されて第1転写マーク37aに変換される。基底面32dには第2転写マーク37bが形成され、第2転写マーク37bについては、第1のマーク25bの一部マスク29に覆われていない部分がドライエッチングされながら最終的に基底面32dに転写されて第2転写マーク37bに変換される。導波路メサ33の上面33cには第3残留マーク39a及び第4残留マーク39bが形成される。第3及び第4残留マーク39a、39bは、それぞれ、ドライエッチングにより第1及び第2のマーク27a、27bの一部マスク29に覆われていた部分から形成される。基底面32cには第1転写マーク41aが形成され、第1転写マーク41aについては、第1のマーク27aの一部マスク29に覆われていない部分がドライエッチングされながら最終的に基底面32cに転写されて第1転写マーク41aに変換される。基底面32dには第2転写マーク41bが形成され、第2転写マーク41bについては、第2のマーク27bの一部マスク29に覆われていない部分がドライエッチングされながら最終的に基底面32dに転写されて第2転写マーク41bに変換される。これらの転写マーク及び残留マークは、後の工程で行われるへき開の方向を案内することができる。導波路メサ33上の残留マークの深さは250nm以上であることが好ましい。基底面32c、32d上の転写マークの深さは250nm以上であることが好ましい。転写マーク及び残留マークは、へき開の案内のために十分な深さを有する第1及び第2のマークから形成される。本実施例では、一素子のエリア内に第1及び第2の溝31a、31bを形成する。第1及び第2の溝31a、31bは、それぞれ、第2のマスク29の第1及び第2の開口29a、29bに対応して形成される。第1及び第2の溝31a、31bは、導波路メサ33を規定する。第1及び第2の溝31a、31bの底面31c、31dは、それぞれ、基底面32c、32dに対応する。ドライエッチングが完了した後に、第2のマスク29を除去する。第2のマスク29がSiNからなるとき、この除去は例えばフッ化水素酸を用いるウエットエッチングで行われる。また、マスク29を用いたドライエッチにより第1及び第2の溝31a、31bを形成するとき、導波路メサ33と共に、テラス34、36が形成される。テラス34、36は、それぞれ、エッチングされた側面34a、36b及び上面34c、36cを有する。導波路メサ33及びテラス34は第1の溝31aを規定し、導波路メサ33及びテラス36は第2の溝31bを規定する。テラス34の上面34cには第3残留マーク35cが形成されると共にテラス36の上面36cには第4残留マーク35dが形成される。テラス34の上面34cには第3残留マーク39cが形成されると共にテラス36の上面36cには第4残留マーク39dが形成される。第1転写マーク37aは第1の溝31aの底面31cに位置しており、第1転写マーク37aについては、第1のマーク25aの一部マスク29に覆われていない部分が、ドライエッチングされながら最終的に溝31aの底面31cに転写されて、第1転写マーク37aは底面31cに形成される。第2転写マーク37bは第2の溝31bの底面31dに位置しており、第2転写マーク37bについては、第1のマーク25bの一部マスク29に覆われていない部分が、ドライエッチングされながら最終的に溝31bの底面31dに転写されて、第2転写マーク37bは底面31dに形成される。第1転写マーク41aは第1の溝31aの底面31cに形成され、第1転写マーク41aについては、第1のマーク27aの一部マスク29に覆われていない部分が、ドライエッチングされながら最終的に溝31aの底面31cに転写されて、第1転写マーク41aは底面31cに位置する。第2転写マーク41bは第2の溝31bの底面31dに形成され、第2転写マーク41bについては、第2のマーク27bの一部マスク29に覆われていない部分が、ドライエッチングされながら最終的に溝31bの底面31dに転写されて、第2転写マーク41bは底面31dに位置する。導波路メサ33上の転写マーク並びに溝31a、31bの底面31c、31d上の残留マークに加えて、テラス34、36上の残留マーク及び底面31c、31d上の転写マークがへき開を案内して、これらの転写マーク並びに残留マークの各々がへき開の局所的な起点として作用する。第1及び第2の溝31a、31bを形成した後であって、へき開に先立って、工程S106では、図5に示されるように、絶縁膜43を全面に成長する。絶縁膜43は、例えばSiN等からなることができる。絶縁膜43は、導波路メサ側面33a、33b及び上面33c、溝底面31c、31d基底面32c、32d、並びにテラス側面34a、36b上に成長される。絶縁膜43は、残留マーク35a、35b、35c、35d及び残留マーク39a、39b、39c、39d並びに転写マーク37a、37b、37c、37d及び転写マーク41a、41b、41c、41dを覆うことができる。絶縁膜43が、残留マーク35a~35d及び37a~37d並びに転写マーク39a~39d及び41a~41dを覆う場合には、導波路メサ33の上面33c上の残留マーク35a~35d、37a~37d及び転写マーク39a~39d及び41a~41dからのコンタミネーションを避けることができる。なお、第1及び第2の溝31a、31bを形成した後であって。絶縁膜43を形成する前に、ウェットエッチングを行ってもよい。このウエットエッチングにより、ドライエッチングで導入された半導体表面のドライエッチング損傷層を除去することができる。このウェットエッチングには、例えば、塩酸、酢酸、過酸化水素及び水の混合液をエッチャントとして用いることができる。電極を形成する。工程S107では、へき開を行う前に、図6に示されるように、導波路メサ33の上面33cに位置する開口45aを絶縁膜43に形成して、保護膜45を形成する。絶縁膜43に開口45aを形成する方法は、例えばフォトリソグラフィ及びエッチングにより行われる。この開口形成の後においても、保護膜45は、残留マーク35a、35b、35c、35d及び残留マーク39a、39b、39c、39d並びに転写マーク37a、37b、37c、37d及び転写マーク41a、41b、41c、41dを覆う。次いで、工程S108では、図7に示されるように、開口45aを介して導波路メサ33に接触を成す第1の電極47を形成する。絶縁膜43が残留マーク35a~35d及び39a~39d及び転写マーク37a~37d及び41a~41dを覆うとき、残留マー35a~35d及び39a~39dク並びに転写マーク37a~37d及び41a~41dは保護膜45によって覆われる。また、第1の電極47は保護膜45の開口45aを介して導波路メサ33の上面33cに接触を成す。工程S109では、基板11に接触を成す第2の電極49を形成する。第2の電極49の形成に先立って、必要な場合には、基板の裏面を研磨して、基板厚を薄くすることが好ましい。例えば、350μmのInP基板を研磨して、100μm程度のInP薄化基板を作製できる。基板生産物SPは、半導体積層体12に設けられた第1及び第2の溝31a、31b並びに導波路メサ33を含み、また第1の電極47及び第2の電極49を更に含む。これらの工程によりウエハプロセスが完了して、ウエハプロセス済みの基板が作製される。へき開手順の概略を説明する。ウエハプロセス済みの基板の有効部素子アレイを含むエリアを切り出して基板片を得る。基板片は、例えば正方形又は矩形であり、複数の半導体バーレーザバーを作製可能な素子エリアの二次元配列を含む。図8は、へき開予定ラインに沿ってとられた基板生産物SPの断面を示す図面である。引き続く説明では、図8に示される基板生産物として、この基板片を参照する。工程S110では、必要な場合には、基板生産物SPのへき開を行う前に、残留マーク列及び転写マーク列に合わせて基板生産物SPにスクライブを行って、スクライブ溝を形成することができる。このスクライブは半導体積層13の表面13aに行われることができる。スクライブ溝の深さは、残留マーク及び転写マークの深さより大きいことが好ましい。へき開の最初の起点をスクライブにより所望の位置に形成できる。工程S111では、基板生産物SPのへき開を行って、図9に示される半導体バーBARを作製する。半導体バーBARはへき開面CLを有する。図9には、図1~図7に示された素子幅の2倍に相当する部分の半導体バーBARが示される。図9を参照すると、テラス、溝、導波路メサ、溝、テラス、溝、導波路メサ、溝、及びテラスの配列が示されている。半導体バーBARは、作製される半導体光素子が半導体レーザを含むときは、レーザバーと呼ばれる。一実施例では、へき開に先立って、可撓性を有するシートで基板生産物を挟むことが良い。半導体バーを形成するためにへき開では、基板生産物の裏面を粘着性テープで保護した後に、基板生産物の表面をV型ノッチのあるステージ表面に向けてステージ上に載せる。へき開位置の背面をツール刃状ツールで押圧する。この半導体光素子を作製する方法によれば、図3に示されるように、第2のマスク29における第1の開口29aの第1縁29cがマーク配列25のうちのマーク25aを横切ると共に、第2の開口29bの第1縁29eがマーク配列25のうちのマーク25bを横切る。これ故に、第1及び第2の溝31a、31bをドライエッチングにより形成することによって、図4に示されるように、導波路メサ33の上面33cには残留マーク35a、35bがマーク25a、25bの一部から形成され、また、第1及び第2の溝31a、31bの底面31c、31dにはそれぞれ転写マーク37a、37bがマーク25a、25bの一部から形成される。したがって、残留マーク35a、35bがそれぞれ転写マーク37a、37bに位置合わせされている。残留マーク35a、35b及び転写マーク37a、37bはへき開を案内できる。導波路メサ33の上端3におけるへき開の起点残留マーク35a、35bが、それぞれ、第1及び第2の溝31a、31bの底31c、31dにおけるへき開の起点転写マーク37a、37bに一致する。マークの形成を理由に、導波路メサの幅が、コア層又は活性層の位置で狭められることはない。図10は、へき開により作製された半導体バーBAR1及び新たな基板生産物SP1を示す図面である。半導体バーBAR1及び新たな基板生産物SP1は、それぞれ、単一のへき開動作により生成されたへき開面CL1、CL2を有する。図10を参照すると、テラス、溝、導波路メサ、溝、及びテラスの配列が示されている。個々の溝はへき開面CLに到達しており、個々の導波路メサもへき開面CLに到達しており、個々のテラスもへき開面CLに到達している。へき開面CLには、転写マース及び残留マークが現れており、このへき開面は転写マース及び残留マークがしっかりと案内して形成されている。この導波路メサでは、活性層又はコア層の高さにおける幅は、マークの配置により影響を受けず、変化しない。このへき開により、残留マーク35aは第1部分本実施例では第1窪み51a及び第2部分本実施例では第2窪み53aに分離される。残留マーク35bは第1窪み51b及び第2窪み53bに分離される。転写マーク37aは第1窪み55a及び第2窪み57aに分離される。転写マークは37b第1窪み55b及び第2窪み57bに分離される。半導体バーBAR1のへき開面CL1は、残留マークからの第1窪み51a、51b及び転写マークからの第1窪み55a、55bを有する。新たな基板生産物SP1のへき開面CL2は、残留マークからの第1窪み53a、53b及び転写マークからの第1窪み57a、57bを有する。また、このへき開により、残留マーク35cは第1窪み51c及び第2窪み53cに分離される。残留マーク35dは第1窪み51d及び第2窪み53dに分離される。第3転写マーク37cは第1窪み55c及び第2窪み57cに分離される。第4転写マークは37d第1窪み55d及び第2窪み57dに分離される。半導体バーBAR1のへき開面CL1は、残留マークからの第1窪み51c、51d及び転写マークからの第1窪み55c、55dを有する。新たな基板生産物SP1のへき開面CL2は、残留マークからの第1窪み53c、53d及び転写マークからの第1窪み57c、57dを有する。この製造方法によれば、転写マーク37a、37bの各々並びに残留マーク35a、35bの各々がへき開の局所的な起点として作用して、転写マーク37a、37b並びに残留マーク35a、35bがへき開を案内する。これ故に、へき開により、転写マーク37a、37bは第1窪み55a、57a及び第2窪み55b、57bに物理的に分離されると共に、残留マーク35a、35bは第1窪み51a、51a及び第2窪み51b、51bに物理的に分離される。図11は、本実施の形態に係る半導体光素子の構造を概略的に示す図面である。図11を参照すると、半導体光素子として半導体レーザLDが示されている。半導体レーザLDは、へき開可能な基板11及び半導体積層13を備える。半導体積層13は、基板11の主面11a上にエピタキシャル成長される。基板11及び半導体積層13はへき開可能な半導体積層体12を構成する。半導体積層体12は、基底面32c、32d及び導波路メサ33を含む。導波路メサ33は該基底面32c、32dから突出すると共に、基底面32c、32dの法線Nxに交差する軸方向Axに基板11の主面11aに沿って延在する。導波路メサ33は、第1のクラッド層15、活性層コア層17、第2のクラッド層19及びこんたくと層21を含む。第1のクラッド層15、活性層コア層17、第2のクラッド層19及びコンタクト層21は、基底面32c、32dの法線Nxの方向に配列されている。半導体積層体12は、当該半導体レーザのためのへき開端面CL0を有し、へき開端面CL0は、軸方向Ax及び法線方向Nxによって規定される平面に交差して延在する。導波路メサ33はへき開端面CL0に到達する。導波路メサ33は第1の側面34a及び第2の側面34bを有する。第1の側面34aと第2の側面34bとの間隔は、活性層又はコア層の高さにおいて、マークの形成に起因して変更されない。半導体レーザLDは、半導体積層体12の導波路メサ33の上面の上に設けられた電極47と、半導体積層13の表面を覆う保護膜45とを更に備えることができる。半導体積層体12は第1窪み51a、第2窪み55a、第3窪み51b及び第4窪み55bを有する。第1窪み51a、第2窪み55a、第3窪み51b及び第4窪み55bはへき開端面CL0に位置する。第1窪み51aは、へき開端面CL0において、導波路メサ33の第1の側面33aの上縁端からへき開端面CL0の上縁に沿って延在する。第1窪み51aの側面は、へき開端面CL0に対して鋭角Angle1を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面52aを有する。本実施例では、構成面52aは側面33aとへき開面CL0を繋ぐ。第2窪み55aは、へき開端面CL0において導波路メサ33の第1の側面33aの下縁端から基底面32cのエッジに沿って延在する。第2窪み55a側面は、へき開端面CL0に対して鋭角Angle2を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面56aを有する。本実施例では、構成面56aは側面33aとへき開面CL0を繋ぐ。第3窪み51bは、へき開端面CL0において、導波路メサ33の第2の側面33bの上縁端からへき開端面CL0の上縁に沿って延在する。第3窪み51bの側面は、へき開端面CL0に対してある鋭角を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面52bを有する。本実施例では、構成面52bは側面33bとへき開面CL0を繋ぐ。第4窪み55bは、へき開端面CL0において導波路メサ33の第2の側面33bの下縁端から基底面32dのエッジに沿って延在する。第4窪み55bの側面は、へき開端面CL0に対してある鋭角を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面56bを有する。本実施例では、構成面56bは側面33bとへき開面CL0を繋ぐ。この半導体レーザLDによれば、第1窪み51aは一方の導波路メサ側面の上縁端から延在すると共に第2窪み55aはこの導波路メサ側面の下縁端から延在し、第1窪み51aの延在方向は第2窪み55aの延在方向を逆向きである。これ故に、導波路メサ33の上面上の第1窪み51aの起点及び基底面32c上の第2窪み55aの起点は、同一の導波路メサ側面上に位置する。また、導波路メサ33の上面上の第1窪み51aの延在方向及び基底面32c上の第2窪み55aの延在方向が、導波路メサ側面を基準にして互い反対方向である。また、第3窪み51bは他方の導波路メサ側面の上縁端から延在すると共に第4窪み55aはこの導波路メサ側面の下縁端から延在し、第3窪み51bの延在方向は第4窪み55bの延在方向を逆向きである。これ故に、導波路メサ33の上面上の第3窪み51bの起点及び基底面32d上の第4窪み55bの起点は、同一の導波路メサ側面上に位置する。また、導波路メサ33の上面上の第3窪み51bの延在方向及び基底面32d上の第4窪み55bの延在方向が、導波路メサ側面を基準にして互い反対方向である。したがって、第1窪み~第4窪み51a、55a、51b、55bは同一の基準平面に沿って設けられ、導波路メサ近傍の端面の生成の際に、第1窪み~第4窪みの延在方向に関して案内されたへき開面が、導波路メサ近傍において提供される。半導体積層体12は、第1の溝31a及び第2の溝31b、並びに第1のテラス34及び第2のテラス36を有する。第1のテラス34及び導波路メサ33は第1の溝31aを規定し、第2のテラス36及び導波路メサ33は第2の溝31bを規定する。第1のテラス34は第1テラス側面34a並びに第1テラス上面34cを有する。第2のテラス36は第2テラス側面36b並びに第2テラス上面36cを有する。半導体積層体12は第5窪み51c、第6窪み55c、第7窪み51d及び第8窪み55dを有する。第5窪み51c、第6窪み55c、第7窪み51d及び第8窪み55dはへき開端面CL0に位置する。第5窪み51cは、へき開端面CL0において、第1テラス34の側面34aの上縁端からへき開端面CL0の上縁に沿って延在する。第5窪み51cの側面は、へき開端面CL0に対してある鋭角を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面52cを有する。本実施例では、構成面52cは側面34aとへき開端面CL0とを繋ぐ。第6窪み55cは、へき開端面CL0において第1テラス34の側面34aの下縁端から底面31cのエッジに沿って延在する。第6窪み55c側面は、へき開端面CL0に対してある鋭角を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面56cを有する。本実施例では、構成面56cは側面34aとへき開端面CL0とを繋ぐ。第7窪み51dは、へき開端面CL0において、第2テラス36の側面36bの上縁端からへき開端面CL0の上縁に沿って延在する。第7窪み51dの側面は、へき開端面CL0に対してある鋭角を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面52dを有する。本実施例では、構成面52dは側面36bとへき開端面CL0とを繋ぐ。第8窪み55dは、へき開端面CL0において第2テラス36の側面36bの下縁端から基底面32dのエッジに沿って延在する。第8窪み55dの側面は、へき開端面CL0に対してある鋭角を成して傾斜する基準平面に沿って延在する構成面56dを有する。本実施例では、構成面56dは側面36bとへき開端面CL0とを繋ぐ。この半導体レーザLDによれば、第5窪み51cは一方のテラス側面の上縁端から延在すると共に第6窪み55cはこのテラス側面の下縁端から延在し、第5窪み51cの延在方法は第6窪み55cの延在方向を逆向きである。これ故に、テラス34の上面上の第5窪み51cの起点及び基底面32c上の第6窪み55cの起点は、同一のテラス側面上に位置する。また、第5窪み51cの延在方向及び基底面32c上の第6窪み55cの延在方向が、テラス側面を基準にして互い反対方向である。また、第7窪み51dは他方のテラス側面の上縁端から延在すると共に第8窪み55dはこのテラス側面の下縁端から延在し、第7窪み51dの延在方法は第8窪み55dの延在方向を逆向きである。これ故に、テラス36の上面上の第7窪み51dの起点及び基底面32d上の第8窪み55dの起点は、同一の導波路メサ側面上に位置する。また、テラス36の上面上の第7窪み51dの延在方向及び底面31d上の第8窪み55dの延在方向が、テラス側面を基準にして互い反対方向である。したがって、第5窪み~第8窪み51c、55c、51d、55dは同一の基準平面に沿って設けられる。テラス近傍の端面の生成の際に、第5窪み~第8窪み51c、55c、51d、55dの延在方向に関して案内されたへき開面が、導波路メサ近傍において提供される。以上説明したように、へき開に際して、切り込み位置の背面から刃状ツールで押し込むと、切り込み位置を起点にして結晶がへき開する。へき開は起点から結晶内部を伝播し、素子表面の半導体結晶の凹凸によりへき開経路が乱されて、光発光部の端面がへき開面から外れることがある。その結果、半導体レーザにおいては、光出力等の特性不良を引き起こす。特に、へき開方位と結晶方位との方位ずれが大きい場合にその影響は顕著になる。これに対して、光導波路メサのへき開位置にウエハプロセス中に窪みマークを予め形成して、このマークを利用してへき開されやすくする。また、へき開は基板のスクライブ切り込み起点から結晶内部を伝播してエピ表面に到達するので、導波路メサの根本に割れを案内する窪みマークを設ける。窪みマークは導波路メサ形成前に形成する。導波路メサはドライエッチングにより形成される。窪みマークは導波路メサの上面及びボトムの両方に形成される。窪みマークを追加しても、導波路メサの幅方向の形状は変化しない。バー形成は、へき開したい方向に沿って裏面からブレードで押し込んだ機械的応力により、短冊の表面、端部に設けた切り込みを起点にしてへき開が始まり、結晶の性質であるへき開は結晶内部を伝播して他方の表面に抜けてへき開分離が完了する。へき開がメサ近傍に接近すると結晶表面形状の不均一の影響で伝播方向が乱されて、場合によっては、メサの光発光部のへき開面が揺らぎ、平坦ではない端面が形成されてしまう。その結果、半導体レーザ内部の光反射が効率的に行われず、光出力が低下するなどの不良が発生する。本発明では、導波路メサの光出力部よりも基板裏面の近い結晶表面に、つまり、へき開が伝搬してくる上流に、へき開案内方向を向いた角鋭角又は鈍角の角を有するマーク例えば、菱形の半分を窪みとして形成する。この窪みは、ウエハプロセス中に形成される。これ故に、窪みの形成に起因して導波路メサの側面形状が変わることはない。したがって、この窪みの追加により、光導波路の光損失が追加されることはない。トレンチ底面への窪みの追加により、導波路メサが、よりへき開されやすくなる。へき開が導波路メサの近傍に到達したとき、まず窪みで割れが発生し、へき開ズレなどの不安定性さが修正される。そして、続けて導波路メサ内部のへき開が生じる。このため、へき開面の光出力エリアには平滑なへき開面が形成される。その結果、特性歩留まりが良好な素子を製造することができる。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。