"少なくとも1つの任意に置換された伝導性ポリマーと、少なくとも1つの官能化ポリケトンとを含む錯体であって、前記ポリケトンは、繰り返し単位の中に-CO-基を含むポリマーであり、これらの繰り返し単位においてこの-CO-基は、2つの芳香族基に結合されていることを特徴とする、錯体。前記官能化ポリケトンは、一般式Iの繰り返し単位式中、Ar1およびAr2は、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ任意に置換された芳香族であり、R1は、1~80個の炭素原子を有する任意に置換された有機ラジカル、-CO-基または酸素原子であり、nは5~5,000の整数であるを含む、請求項1に記載の錯体。前記官能化ポリケトンは、一般式IIの繰り返し単位式中、Ar1およびAr2は、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ芳香族を表し、X1およびX2は、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々、スルホン酸、スルホネート、ホスホン酸、ホスホネート、カルボン酸またはカルボキシレート基を表し、aおよびbは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々、互いに独立に、0~2の範囲の整数または非整数を表し、非整数は、前記酸が繰り返し単位ごとに現れるわけではなく、対応する割合の前記繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味し、R2は、請求項2におけるR1と同じ意味を有し、nは5~5,000の整数であるを含む、請求項1または請求項2に記載の錯体。前記官能化ポリケトンは、一般式IIaの繰り返し単位式中、a、bおよびR2は、請求項3において与えられる意味を有し、Mは、金属カチオンまたはHを表すを含む、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の錯体。前記官能化ポリケトンは、一般式IIIの繰り返し単位、一般式IVの繰り返し単位、一般式Vの繰り返し単位、または一般式VIの繰り返し単位、式中、a、b、cおよびdは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々、0~2の範囲の整数または非整数を表し、非整数は、前記酸が繰り返し単位ごとに現れるわけではなく、対応する割合の前記繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味し、Mは、金属カチオンまたはHを表し、nは5~5,000の整数であるを含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の錯体。前記伝導性ポリマーは、一般式VIIの繰り返し単位を含む任意に置換されたポリチオフェン式中、R4およびR5は、各々互いに独立に、H、任意に置換されたC1-C18-アルキルラジカルまたは任意に置換されたC1-C18-アルコキシラジカルを表すか、R4およびR5は、一緒に、任意に置換されたC1-C8-アルキレンラジカル前記任意に置換されたC1-C8-アルキレンラジカルにおいて、1以上のC原子が1以上の同一のもしくは異なる、OもしくはSから選ばれるヘテロ原子によって置き換えられてもよい、好ましくはC1-C8-ジオキシアルキレンラジカル、任意に置換されたC1-C8-オキシチアアルキレンラジカルまたは任意に置換されたC1-C8-ジチアアルキレンラジカルを表すか、または任意に置換されたC1-C8-アルキリデンラジカル前記任意に置換されたC1-C8-アルキリデンラジカルにおいて、任意に少なくとも1つのC原子はOまたはSから選ばれるヘテロ原子によって置き換えられるを表すを含む、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の錯体。前記ポリチオフェンは、一般式VII-aおよび/またはVII-bの繰り返し単位式中、Aは、任意に置換されたC1-C5-アルキレンラジカル、好ましくは任意に置換されたC2-C3-アルキレンラジカルを表し、Yは、OまたはSを表し、R6は、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1-C18-アルキルラジカル、好ましくは直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1-C14-アルキルラジカル、任意に置換されたC5-C12-シクロアルキルラジカル、任意に置換されたC6-C14-アリールラジカル、任意に置換されたC7-C18-アラルキルラジカル、任意に置換されたC7-C18-アルカリールラジカル、任意に置換されたC1-C4-ヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルを表し、yは、0~8、好ましくは0、1または2、特に好ましくは0または1の整数を表し、いくつかのラジカルR6がAに結合されている場合、これらは、同じであってもよいし異なっていてもよいを含む、請求項6に記載の錯体。前記ポリチオフェンはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンである、請求項7に記載の錯体。前記錯体は1以上の分散剤に分散または溶解している、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の錯体。前記分散液は1~8の範囲のpHを有する、請求項9に記載の錯体。請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の電気伝導性ポリマー、および請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の官能化ポリケトンからの錯体の調製のためのプロセスあって、前記電気伝導性ポリマーの調製のための前駆体が、前記スルホン化ポリケトンの存在下で重合される、プロセス。請求項11に記載のプロセスによって得ることができる錯体。透明な伝導性コーティングの製造のための、請求項1から請求項10および請求項12のいずれか1項に記載の錯体の使用。有機発光ダイオードまたは有機太陽電池における正孔注入層または正孔輸送層の製造のための、請求項1から請求項10および請求項12のいずれか1項に記載の錯体の使用。請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の電気伝導性ポリマーとの錯体におけるポリアニオンとしての、請求項2から請求項5のいずれか1項に記載のスルホン化ポリケトンの使用。請求項1から請求項10および請求項12のいずれか1項に記載の錯体を含むコーティングが付与されている、コーティングされた基板。コーティングされた基板の製造のためのプロセスであって、i基板を準備する工程と;ii前記基板を、請求項1から請求項10および請求項12のいずれか1項に記載の錯体を含む組成物でコーティングする工程とを含む、プロセス。請求項17に記載のプロセスによって得ることができるコーティングされた基板。請求項16または請求項18に記載のコーティングされた基板を含む電子部品。前記電子部品は有機発光ダイオードまたは有機太陽電池である、請求項19に記載の電子部品。このように、伝導性ポリマーおよびポリアニオンを含有する新規な錯体についてのニーズがあった。特に、ポリアニオンが、PSSに比べて低い酸度および向上した安定性を特徴とする錯体についてのニーズがあった。さらには、正孔注入層が低い接触角を特徴としかつOLEDが長い寿命を特徴とする、OLED用の正孔注入層を製造するのに好適な錯体についてのニーズがあった。本発明で、驚くべきことに、伝導性ポリマーと官能化ポリケトンとの錯体が、透明な伝導性の膜を製造するためのポリアニオンとして好適であり、これらの錯体は高い安定性を特徴とするということが見出された。さらには、このような伝導性の膜はOLEDにおける正孔注入層として好適であり、このようなOLEDの寿命は、塩基を加えることにより分散液のpHが高められるとき、特に長いということが見出された。このように、本発明は、少なくとも1つの任意に置換された伝導性ポリマーと、少なくとも1つの官能化ポリケトンとを含む錯体であって、このポリケトンはその繰り返し単位の中に少なくとも1つの-CO-基ケト基を含むポリマーであり、かつこれらの繰り返し単位においてこの-CO-基は2つの芳香族基に結合されていることを特徴とする錯体、を提供する。本発明に係る錯体の好ましい実施形態では、当該官能化ポリケトンは、一般式Iの繰り返し単位式中、Ar1およびAr2は、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ芳香族の任意に置換されたラジカルであり、R1は、1~80個の炭素原子を有する任意に置換された有機ラジカル、-CO-基または酸素原子であり、nは、5~5,000、好ましくは10~3,000、特に好ましくは20~2,000の整数であるを含む。本発明に関しては、芳香族は、環状共役系、好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセンおよびビフェニル、特に好ましくはベンゼンであり、上記の化合物は任意に置換されていてもよい。さらには、本発明に関しては、1~80個の炭素原子を有する有機ラジカルは、好ましくは、例えば、エーテル、ケトン、スルホン、スルフィド、エステル、カーボネート、アミド、イミドおよび芳香族基-特にフェニレン、ビフェニレンおよびナフタレン-ならびに脂肪族基、特にメチレン、エチレン、プロピレンおよびイソプロピリデン、からなる群から選択される1以上の基から構成されるラジカルであり、個々の基はラジカルの中で繰り返し現れてもよい。これらの芳香族基および脂肪族基は、さらに置換されていてもよい。明示的な特段の記載がない限り、これに関しておよび本願明細書中以降で使用される置換されたは、アルキル基、好ましくはC1-C20-アルキル基、なお特に好ましくはメチル基またはエチル基、シクロアルキル基、好ましくはC3-C12-シクロアルキル基、アリール基、好ましくはC6-C14-アリール基、ハロゲン原子、好ましくはCl、BrまたはI、エーテル基、チオエーテル基、ジスルフィド基、スルホキシド基、スルホン基、スルホネート基、アミノ基、アルデヒド基、ケト基、カルボン酸エステル基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボキシレート基、ホスホン酸基、ホスホネート基、シアノ基、アルキルシラン基、アルコキシシラン基およびカルボキシルアミド基からなる系列から選ばれる基による置換を意味する。用語C1-C20-アルキルは、直鎖状もしくは分枝状のC1-C20-アルキルラジカル、例えば、メチル、エチル、n-またはiso-プロピル、n-、iso-、sec-またはtert-ブチル、n-ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1-エチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、n-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ペンタデシル、n-ヘキサデシル、n-ヘプタデシル、n-オクタデシル、n-ノナデシルまたはn-エイコシルなどを表す。用語C3-C12-シクロアルキルは、シクロアルキルラジカル、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニルまたはシクロデシルなどを表し、用語C6-C14-アリールは、C6-C14-アリールラジカル、例えばフェニルまたはナフチルを表す。本発明に係る錯体に含まれる官能化ポリケトンは、好ましくは5,000~500,000g/mol、特に好ましくは10,000~100,000g/mol、さらにより好ましくは20,000~50,000g/molの分子量Mwを特徴とする。これらの官能化ポリケトンは、実質的に公知のプロセスS.Swier、Y.S.Chun、J.Gasa、M.T.ShawおよびR.A.Weiss、Polym.Engin.Sci.、2005年、1081-1091頁;S.Vetter、B.Ruffmann、I.BuderおよびS.P.Nunes、J.MembraneSci.、2005年、第260巻、181-186頁;L.Li、J.ZhangおよびY.Wang、J.MembraneSci.、2003年、第226巻、159-167頁;B.Bauer、D.J.Jones、J.Roziere、L.Tchicaya、G.Alberti、M.Casciola、L.Massinelli、A.Peraio、S.BesseおよびE.Ramunni、J.NewMater.Electrochem.Systems、2000年、第3巻、93-98頁;F.Trotta、E.Drioli、G.MoraglioおよびE.B.Poma、J.Appl.Polym.Sci.、1998年、第70巻、477-482頁;S.M.J.Zaidi、S.D.Mikhailenko、G.P.Robertson、M.D.GuiverおよびS.Kaliaguine、J.MembraneSci.、2000年、第173巻、17-34頁;C.Bailly、D.J.Williams、F.E.KharaszおよびW.J.MacKnight、Polymer、1987年、第28巻、1009-1016頁;X.Jin、M.T.Bishop、T.S.EllisおよびF.E.Kharasz、Br.PolymerJ.、1985年、第17巻、第1号、4-10頁によって調製することができる。本発明に係る錯体の好ましい実施形態では、当該官能化ポリケトンは、一般式IIの繰り返し単位式中、Ar1およびAr2は、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ任意に置換された芳香族を表し、X1およびX2は、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々、スルホン酸、スルホネート、ホスホン酸、ホスホネート、カルボン酸またはカルボキシレート基を表し、aおよびbは、同じであってもよいし異なっていてもよく、かつ各々、互いに独立に、0~2の範囲の整数または非整数を表し、非整数は、上記の酸が繰り返し単位ごとに現れるわけではなく、対応する割合の繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味し、R2はR1と同じ意味を有し、nは、5~5,000、好ましくは10~3,000、特に好ましくは20~2,000の整数であるを含む。式IIの繰り返し単位を含むポリケトンの官能化は、対応する繰り返し単位のうちのすべてで、またはしかしながら、いくつかでのみ現れることができる、すなわちaおよびbについての非整数は、上記の官能基X1またはX2が繰り返し単位ごとに現れるわけではなく、対応する割合の繰り返し単位の中でのみ現れるということを意味する本願明細書中以降でも同じである。なお特に好ましくは、当該官能化ポリケトンは、スルホン化ポリケトンX1およびX2=スルホン酸またはスルホネート基であり、その調製は、例えばSchusterらMacromolecules、2009年、第42巻、第8号、3129-3137頁によって記載されている。本発明に係る錯体のなお特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリケトンは、上記芳香族Ar1およびAr2がいずれもベンゼン環を表す一般式IIaの繰り返し単位:式中、a、bおよびR2は、一般式IIについて与えられた意味を有し、Mは、金属カチオンまたはH、好ましくはNa、K、LiまたはH、特に好ましくはHを表すを含む。式IIおよびIIaの繰り返し単位の中のベンゼン環のうちの一方または両方は、任意に、SO3M基とは異なる置換基によって一置換または多置換されていてもよく、特に、メチルまたはエチル基が置換基として存在することが可能である式IIおよびIIaでは示されていない。本発明に係る錯体のさらになお特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリケトンは、繰り返し単位が、ケト基および2つのエーテル基を介して橋架けされている3つのベンゼン環を含み、各ベンゼン環はスルホン酸基を持つことが可能である、一般式IIIの繰り返し単位:式中、cは、aおよびbと同じ意味を有し、aおよびbは、一般式IIについて与えられた意味を有し、Mは、金属カチオンまたはH、好ましくはNa、K、LiまたはH、特に好ましくはHを表すを含む。本発明に関しては、一般式IIIに係るスルホン化ポリケトンは、スルホン化ポリエーテルエーテルケトンs-PEEKとも呼ばれる。ここでも、式IIIの繰り返し単位の中のベンゼン環のうちの1つまたは2つまたはすべての3つは、任意に、SO3M基とは異なる置換基によって一置換または多置換されていてもよく、特に、メチルまたはエチル基が置換基として存在することが可能である式IIIでは示されていない。本発明に係る錯体のさらになお特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリケトンは、繰り返し単位が、ケト基および3つのエーテル基によって橋架けされている4つのベンゼン環を含み、各ベンゼン環はスルホン酸基を持つことが可能である一般式IVの繰り返し単位:式中、dは、a、bおよびcと同じ意味を有し、a、b、cおよびMは、一般式IIまたはIIIについて与えられた意味を有するを含む。ここでも、式IVの繰り返し単位の中のベンゼン環のうちの1つまたは2つ、3またはすべての4つは、任意に、SO3M基とは異なる置換基によって一置換または多置換されていてもよく、特に、メチルまたはエチル基が置換基として存在することが可能である式IVでは示されていない。本発明に係る錯体のその上さらになお特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリケトンは、繰り返し単位が、ケト基およびエーテル基によって橋架けされている2つのベンゼン環を含み、各ベンゼン環はスルホン酸基を持つことが可能である一般式Vの繰り返し単位:式中、aおよびbは、一般式IIについて与えられた意味を有し、Mは、金属カチオンまたはH、好ましくはNa、K、LiまたはH、特に好ましくはHを表すを含む。本発明に関しては、一般式Vに係るスルホン化ポリケトンは、スルホン化ポリエーテルケトンs-PEKとも呼ばれる。式Vの繰り返し単位の中のベンゼン環のうちの一方または両方は、任意に、SO3M基とは異なる置換基によって一置換または多置換されていてもよく、特に、メチルまたはエチル基が置換基として存在することが可能である式Vでは示されていない。本発明に係る錯体のさらになお特に好ましい実施形態では、当該官能化ポリケトンは、一般式VIの繰り返し単位であって、繰り返し単位が3つのベンゼン環を含み、それら3つのベンゼン環のうちの1つが、式VIに示される繰り返し単位に対応してメタ位またはパラ位で、2つの隣接するカルボニル置換基によって橋架けされていてもよく、各ベンゼン環はスルホン酸基を持つことが可能である、一般式VIの繰り返し単位:式中、a、b、cおよびMは一般式IIまたはIIIについて与えられた意味を有するを含む。本発明に関しては、一般式VIに係るスルホン化ポリケトンは、スルホン化ポリエーテルケトンケトンs-PEKKとも呼ばれる。ここでも、式VIの繰り返し単位の中の1つまたは2つまたはすべての3つのベンゼン環は、任意に、SO3M基とは異なる置換基によって一置換または多置換されていてもよく、特に、メチルまたはエチル基が置換基として存在することが可能である式VIでは示されていない。本発明に関しては、官能化ポリケトンは、上記の官能化ポリケトンの混合物または共重縮合物を意味するとしても理解される。ポリアニオンとして存在する上記の官能化ポリケトンに加えて、本発明に係る錯体は、少なくとも1つの任意に置換された伝導性ポリマーをポリカチオンとして含む。このような伝導性ポリマーは、例えば、任意に置換されたポリアニリン、任意に置換されたポリピロールおよび任意に置換されたポリチオフェンである。本発明に係る錯体の好ましい実施形態では、当該伝導性ポリマーは、一般式VIIの繰り返し単位を含む任意に置換されたポリチオフェン式中、R4およびR5は、各々互いに独立に、H、任意に置換されたC1-C18-アルキルラジカルまたは任意に置換されたC1-C18-アルコキシラジカルを表すか、R4およびR5は、一緒に、任意に置換されたC1-C8-アルキレンラジカルこの基において、1以上のC原子が1以上の同一のもしくは異なる、OもしくはSから選ばれるヘテロ原子によって置き換えられてもよい、好ましくはC1-C8-ジオキシアルキレンラジカル、任意に置換されたC1-C8-オキシチアアルキレンラジカルまたは任意に置換されたC1-C8-ジチアアルキレンラジカルを表すか、または任意に置換されたC1-C8-アルキリデンラジカルこの基において、任意に、少なくとも1つのC原子はOまたはSから選ばれるヘテロ原子によって置き換えられるを表すである。特に好ましくは、これらは、一般式VII-aおよび/またはVII-bの繰り返し単位を含むポリチオフェン式中、Aは、任意に置換されたC1-C5-アルキレンラジカル、好ましくは任意に置換されたC2-C3-アルキレンラジカルを表し、Yは、OまたはSを表し、R6は、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1-C18-アルキルラジカル、好ましくは直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1-C14-アルキルラジカル、任意に置換されたC5-C12-シクロアルキルラジカル、任意に置換されたC6-C14-アリールラジカル、任意に置換されたC7-C18-アラルキルラジカル、任意に置換されたC7-C18-アルカリールラジカル、任意に置換されたC1-C4-ヒドロキシアルキルラジカルまたはヒドロキシルラジカルを表し、yは、0~8、好ましくは0、1または2、特に好ましくは0または1の整数を表し、いくつかのラジカルR6がAに結合されている場合、これらは同じであってもよいし異なっていてもよいである。一般式VII-aは、置換基R6がアルキレンラジカルAにy回に結合されていてもよいということを意味するとして理解されたい。本発明に係る錯体のさらになお特に好ましい実施形態では、一般式VIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンは、一般式VII-aaおよび/または一般式VII-abの繰り返し単位を含有するポリチオフェンである:式中、R6およびyは上記の意味を有する。本発明に係る錯体のなおさらに極めて好ましい実施形態では、一般式VIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンは、一般式VII-aaaおよび/または一般式VII-abaの繰り返し単位を含有するポリチオフェンである。本発明に関しては、接頭辞ポリは、このポリチオフェンが複数の同一のもしくは異なる繰り返し単位を含むということを意味すると理解されたい。当該ポリチオフェンは、合計n個の一般式VIIの繰り返し単位を含み、ここでnは2~2,000、好ましくは2~100の整数であることができる。一般式VIIの繰り返し単位は、いずれも、1つのポリチオフェンの中で同一であってもよいしまたは異なっていてもよい。いずれも同一の一般式VIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンが好ましい。当該ポリチオフェンは、末端基の各々に、Hを持つことが好ましい。特に好ましい実施形態では、一般式VIIの繰り返し単位を有するポリチオフェンは、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、ポリ3,4-エチレンオキシチアチオフェンまたはポリチエノ[3,4-b]チオフェン、すなわち式VII-aaa、VII-abaまたはVII-b式中、Y=Sの繰り返し単位のホモポリチオフェンである。本発明に係る錯体のさらに特に好ましい実施形態では、一般式VIIの繰り返し単位を有するポリチオフェンは、式VII-aaaおよびVII-aba、VII-aaaおよびVII-b、VII-abaおよびVII-b、またはVII-aaa、VII-abaおよびVII-bの繰り返し単位の共重合体であり、式VII-aaaおよびVII-abaならびにVII-aaaおよびVII-bの繰り返し単位の共重合体が好ましい。本発明に関しては、C1-C5-アルキレンラジカルAは、好ましくは、メチレン、エチレン、n-プロピレン、n-ブチレンまたはn-ペンチレンであり、さらにC1-C8-アルキレンラジカルは、n-ヘキシレン、n-ヘプチレンおよびn-オクチレンである。本発明に関しては、C1-C8-アルキリデンラジカルは、好ましくは、少なくとも1つの二重結合を含む上記のC1-C8-アルキレンラジカルである。本発明に関しては、C1-C8-ジオキシアルキレンラジカル、C1-C8-オキシチアアルキレンラジカルおよびC1-C8-ジチアアルキレンラジカルは、好ましくは、上記のC1-C8-アルキレンラジカルに対応するC1-C8-ジオキシアルキレンラジカル、C1-C8-オキシチアアルキレンラジカルおよびC1-C8-ジチアアルキレンラジカルを表す。C1-C18-アルキル、C1-C14-アルキルおよびC5-C12-シクロアルキルは、式Iの中の基Ar1、Ar2およびR1の置換基に関連して記載されたC1-C20-アルキルおよびC3-C12-シクロアルキルラジカルからの、対応する選択物を表す。本発明に関しては、C1-C18-アルコキシラジカルは、上記のC1-C18-アルキルラジカルに対応するアルコキシラジカルを表し、C6-C14-アリールは、式Iの中の基Ar1、Ar2およびR1の置換基に関連して与えられる意味を有する。さらには、本発明に関しては、C7-C18-アラルキルは、好ましくは、C7-C18-アラルキルラジカル例えば、ベンジルなど、またはアルキルベンジルラジカルo-、m-、p-メチルベンジルなどを表し、C7-C18-アラルキルは、o-、m-、p-トリル、2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-、3,5-キシリルまたはメシチルを表し、そして本発明に関してはC1-C4-ヒドロキシアルキルは、好ましくは、ヒドロキシル基を置換基として含むC1-C4-アルキルラジカルを意味すると理解され、このC1-C4-アルキルラジカルは、例えば、メチル、エチル、n-またはiso-プロピル、n-、iso-、sec-またはtert-ブチルを表すことができる。上記の一覧は、例として本発明を説明する役割を果たすが、排他的なものであると考えられるべきではない。当該任意に置換されたポリチオフェンはカチオン性であり、カチオン性は、ポリチオフェン主鎖上に存在する電荷のみに関する。ラジカルR4およびR5上の置換基に応じて、当該ポリチオフェンは正電荷および負電荷をその構造単位の中に持つことができ、この正電荷は当該ポリチオフェン主鎖上に存在し、負電荷は、任意に、スルホネートまたはカルボキシレート基によって置換されているラジカルR上に存在する。この場合、当該ポリチオフェン主鎖の正電荷は、任意に存在するラジカルR上のアニオン性基によって一部または完全に飽和されてもよい。全体的に見ると、このポリチオフェンは、これらの場合、カチオン性、中性であってもよく、またはアニオン性でさえあってもよい。にもかかわらず、本発明に関してはそれらはすべて、カチオン性ポリチオフェンであると考えられる。なぜなら、このポリチオフェン主鎖上の正電荷が非常に重要だからである。この正電荷は、上記式の中には示されていない。なぜなら、それらは共鳴により非局在化しているからである。しかしながら正電荷の数は、少なくとも1であり、多くともnであるnは、このポリチオフェン内のすべての同じかまたは異なる繰り返し単位の総数である。任意にスルホネートまたはカルボキシレートで置換された、従って負に帯電したラジカルR4またはR5によってすでにこの正電荷と均衡がとられていない限りでは、この正電荷と均衡をとるために、このカチオン性ポリチオフェンは対イオンとしてアニオンを必要とし、本発明に関しては、この役割は、少なくとも一部は官能化ポリケトンによって担われる。本発明に係る錯体のさらに特定の実施形態によれば、一般式VIIの繰り返し単位を有するポリチオフェンは、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、ポリ3,4-エチレンオキシチアチオフェンまたはポリチエノ[3,4-b]チオフェン、なお特に好ましくはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンであり、ポリケトンは、式IIの繰り返し単位を有するスルホン化ポリケトン、なお特に好ましくは式IIIの繰り返し単位を有するスルホン化ポリエーテルエーテルケトン、式IVに係る繰り返し単位を有するスルホン化ポリケトン、式Vの繰り返し単位を有するスルホン化ポリエーテルケトン、または式VIの繰り返し単位を有するスルホン化ポリエーテルケトンケトンである。本発明によれば、上記の本発明に係る錯体が、1以上の溶媒または分散剤に溶解または分散されること、それゆえ溶液または分散液の形態で存在することがさらに好ましい。その分散液または溶液の中の伝導性ポリマーの、特に一般式VIIの繰り返し単位を含む任意に置換されたポリチオフェンの固形分含量は、いずれも当該溶液または分散液の総重量に基づき、好ましくは0.05~20.0重量パーセント重量、特に好ましくは0.1~5.0重量、最も好ましくは0.3~4.0重量である。挙げてもよい溶媒および分散剤は、例えば、以下の液体である:メタノール、エタノール、i-プロパノールおよびブタノールなどの脂肪族アルコール;アセトンおよびメチルエチルケトンなどの脂肪族ケトン;酢酸エチルおよび酢酸ブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル;トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素;ヘキサン、ヘプタンおよびシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素;塩化メチレン、クロロホルムおよび1,2-ジクロロエタンなどの塩素化炭化水素;アセトニトリルなどの脂肪族ニトリル;ジメチルスルホキシドおよびスルホランなどの脂肪族スルホキシドおよびスルホン;メチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドまたはN-メチルピロリドンなどの脂肪族カルボン酸アミド;ならびにジエチルエーテルおよびアニソールなどの脂肪族エーテルおよび芳香族脂肪族エーテル。さらには水または水と上記の有機溶媒との混合物も、溶媒または分散剤として使用することができる。好ましい溶媒または分散剤は水、またはアルコール例えばメタノール、エタノール、i-プロパノールおよびブタノールなどなどの他のプロトン性溶媒、および水とこれらのアルコールとの混合物であり、水が、溶媒または分散剤として特に好ましい。当該溶液中または当該分散液中の本発明に係る錯体、すなわち当該伝導性ポリマー、特に一般式VIIの繰り返し単位を含む任意に置換されたポリチオフェン、および当該官能化ポリケトンの総含有量は、例えば、いずれも当該溶液または分散液の総重量に基づき0.05~10重量、好ましくは0.1~5重量である。この溶液または分散液は、伝導性ポリマー、特に上記一般式VIIの繰り返し単位を含む任意に置換されたポリチオフェン、および上記官能化ポリケトンを、1:0.3~1:100の範囲、好ましくは1:1~1:40の範囲、特に好ましくは1:2~1:20の範囲、極めて好ましくは1:2~1:15の範囲の重量比で含むことができる。本願明細書でいう伝導性ポリマーの重量は、重合の際に完全変換が起こると仮定して、用いられるモノマーの重量におよそ対応する。上記の分散液または分散液は、最初に、伝導性ポリマーの調製のための対応する前駆体から、電気伝導性ポリマーの溶液または分散液を、例えば欧州特許出願公開第0440957A号明細書に言及される条件と同様に、対イオンの存在下で、好ましくは当該官能化ポリケトンの存在下で調製することにより製造される。この溶液または分散液の調製のための改良された変法は、無機塩含有量またはその一部を取り除くためのイオン交換体の使用である。この種の変法は、例えば独国特許出願公開第19627071A号明細書に記載されている。このイオン交換体は、例えば生成物と撹拌することができるし、またはこの生成物は、イオン交換体を充填したカラムに通して運ばれる。イオン交換体の使用により、例えば低金属含有量を成し遂げることが可能になる。当該分散液の中の粒子のサイズは、脱塩後、例えば高圧ホモジナイザーを用いて、減少させることができる。この操作は、当該効果を高めるために繰り返してもよい。粒径を大きく減少させるために、この場合、100~2,000barの間の特に高い圧力が特に有利であることが判明した。あるいは、粒径は、超音波処理によっても減少させることができる。一般式VIIの繰り返し単位を含むポリチオフェンの調製のためのモノマー状前駆体およびその誘導体の調製のためのプロセスは、当業者に公知であり、例えばL.Groenendaal、F.Jonas、D.Freitag、H.PielartzikおよびJ.R.Reynolds、Adv.Mater.、2000年、第12巻、481-494頁およびその中で引用される文献に記載されている。種々の前駆体の混合物も使用することができる。本発明に関しては、上記のチオフェンの誘導体は、例えばこれらのチオフェンの二量体または三量体を意味すると理解される。このモノマー状の前駆体のより高分子量の誘導体、すなわち四量体、五量体なども、誘導体として可能である。この誘導体は、同じモノマー単位から構築されるか異なるモノマー単位から構築されるかのいずれでもよく、純粋な形態で使用されてもよいし、ならびに互いにおよび/または本願明細書中上記のチオフェンと混合されてもよい。本発明に関しては、これらのチオフェンおよびチオフェン誘導体の酸化された形態または還元された形態も、用語チオフェンおよびチオフェン誘導体に包含されるが、ただしこれはその重合が、上に記載したチオフェンおよびチオフェン誘導体におけるのと同じ伝導性ポリマーを与える場合に限る。一般式VIIの繰り返し単位を含む任意に置換されたポリチオフェンの調製のための特に好適なモノマー状前駆体は、例として、一般式VIII式中、A、R6およびyは、式VII-aに関連して与えられる意味を有し、いくつかのラジカルRがAに結合されている場合、これらは同じであってもよいし異なっていてもよいによって表すことができる任意に置換された3,4-アルキレンジオキシチオフェンである。なお特に好ましいモノマー状前駆体は、任意に置換された3,4-エチレンジオキシチオフェンであり、好ましい実施形態では非置換の3,4-エチレンジオキシチオフェンである。当該溶液または分散液は、伝導性ポリマーおよび官能化ポリケトンの錯体に加えて、さらなるポリマー、例えばポリスチレンスルホン酸、フッ素化スルホン酸もしくはペルフルオロ化スルホン酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ酪酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸アミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリアクリロニトリル、スチレン/アクリル酸エステル、酢酸ビニル/アクリル酸エステルおよびエチレン/酢酸ビニル共重合体、ポリエーテル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、非官能化ポリケトン、ポリスルホン、メラミン-ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂またはセルロース誘導体を含むことができる。当該溶液または分散液は、さらに、表面活性物質、例えばイオン性界面活性剤および非イオン性界面活性剤、または、例えば有機官能性シランもしくはその加水分解生成物、例えば3-グリシドオキシプロピルトリアルコキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランもしくはオクチルトリエトキシシランなどの接着促進剤、などのさらなる成分を含むことができる。本発明に関しては、当該溶液または分散液は、さらには、1~8の範囲、好ましくは2~7の範囲、特に好ましくは4~7の範囲のpHを有することができる。例えばアミン、水酸化アンモニウムまたは金属水酸化物、好ましくはアンモニアまたはアルカリ金属水酸化物などの塩基をこの分散液に加えて、対応するpHに調整することができる。本発明では、pHは、pH電極KnickLaborpH-meter766を用いて25°Cで測定される。従って、本発明は、電気伝導性ポリマーから、好ましくは一般式VIIの繰り返し単位を含む電気伝導性のポリチオフェンから、および官能化された、好ましくはスルホン化ポリケトン、特に好ましくは構造III、IV、VまたはVIの繰り返し単位を有するスルホン化ポリケトンからの錯体の調製のためのプロセスであって、当該伝導性ポリマーの調製のための前駆体、好ましくは任意に置換された3,4-エチレンジオキシチオフェン、なお特に好ましくは3,4-エチレンジオキシチオフェン、が当該スルホン化ポリケトンの存在下で重合される、プロセスにも関する。本発明に係る錯体は、驚くべきことに、OLEDまたは有機太陽電池OSCにおける正孔注入層もしくは正孔輸送層の製造に、または透明な伝導性コーティングの製造に好適である。従って、本発明は、透明な伝導性コーティングの製造のため、または有機発光ダイオードOLEDもしくは有機太陽電池OSCにおける正孔注入層または正孔輸送層の製造のための本発明に係る錯体の使用も提供する。透明な伝導性コーティングの製造のために、上記の溶液または分散液は、例えば、公知のプロセスによって、例えばスピンコーティング、含浸、注ぎこみpouring、滴下、噴霧、ミスト形成misting、ナイフコーティング、ブラッシングはけ塗りまたは印刷、例えばインクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷またはタンポン印刷によって、0.5μm~250μmの乾燥前膜厚で、好ましくは2μm~50μmの乾燥前膜厚で好適な基板へと付与され、次いで少なくとも20°C~200°Cの温度で乾燥される。有機発光ダイオードOLEDは、ディスプレイおよび平頂アンテナなどの用途でますます重要になってきている。OLEDの構築および機能は、当業者に公知であり、例えばD.HertelおよびK.Meerholz、ChemieinunsererZeit、2005年、第39巻、336-347頁などに広く記載されている。本発明に係る錯体は、これらの使用における中間層として使用されてもよい。従って、例えば、以下の構築が考えられる:例えば、酸化インジウムスズITO、ドープされた酸化亜鉛もしくは酸化スズ、または伝導性ポリマー、例えば構造VIIの繰り返し単位を含む伝導性ポリマーでできたものなどの透明な電気伝導性電極が、ガラス、ポリエチレンテレフタレートPETまたは他の透明なプラスチックでできた透明な基板に付与される。本発明に係る錯体は、その上に、薄層として堆積される。その後、1以上の有機官能層がこれに付与される。これらは、ポリフェニレンビニレンまたはポリフルオレンなどの共役ポリマーまたは当業者に公知のものなどならびに例えばD.HertelおよびK.Meerholz、ChemieinunsererZeit、2005年、39巻、336-347頁によって記載されているものなどの気相堆積した分子の層であってもよい。OLEDは、例えば金属バリウムまたはLiF//Alなど最終の金属電極の堆積によって完成する。2~20Vの直流電圧を印加すると、電流がこの構成物を通って流れ、エレクトロルミネセンスが官能層のうちの少なくとも1つで生成される。OLEDにおけるポリマー中間層の利点は、以下のとおりである:1.時間がかかりかつ費用がかかる真空プロセスを用いずに、溶液からポリマー中間層を簡単に堆積できる2.ポリマー中間層は、非常に透明であり、効率的な光のデカップリングが可能になる3.ポリマー中間層は、下に存在する層を滑らかにする。これは、完成した加工されたLEDにおける短絡を少なくし、従って部品の製造におけるより高い歩留まりを意味する4.透明電極からあとの有機層への電荷担体の注入の改善の結果としての、OLEDの改善された電気特性。本発明に係る錯体は、同様に有機太陽電池OSCを製造するために使用されてもよく、このとき、本発明に係る錯体は類似の利点を導く。OSCでは、電極での光の吸収によって電圧が生成される。この構築は、当業者に公知であり、例えばS.Sensfussら、Kunststoffe、2007年、第8巻、136頁などに広く記載されている。本発明は、さらには、ポリカチオンとしての電気伝導性ポリマーとの、好ましくは構造VIIの繰り返し単位を有する電気伝導性ポリマーとの錯体における、ポリアニオンとしての、官能化された、好ましくはスルホン化されたポリケトンの、特に好ましくは構造III、IV、VまたはVIの繰り返し単位を有するスルホン化ポリケトンの使用に関する。本発明は、さらには、好ましくは本発明に係る錯体を含む透明な、伝導性コーティングが付与されているコーティングされた基板に関する。可能な基板は、特に、フィルム、特に好ましくはポリマーフィルム、なお特に好ましくは熱可塑性ポリマーのポリマーフィルム、またはガラスプレートである。本発明は、さらには、コーティングされた基板の製造のためのプロセスであって、i基板を準備する工程と、iiこの基板を、本発明に係る錯体を含む組成物でコーティングする工程とを含むプロセスに関する。コーティングされた基板の製造のための本発明に係るプロセスの工程iでは、基板が最初に準備され、この基板は、好ましくは、上記の基板のうちの1つである。工程iiでは、次に、この基板は、本発明に係る錯体を含む組成物でコーティングされる。これに関して、1以上の溶媒または分散剤と、本発明に係る錯体とを含む溶液または分散液が、基板に、または基板の所定の領域に付与され、次いでその溶媒または分散剤のうちの少なくとも一部が、蒸発されることが特に好ましく、この蒸発は、例えば空気中で単に乾燥することまたは任意にオーブン中で乾燥することによって実施されることが可能である。本発明は、さらには、このプロセスによって得ることができるコーティングされた基板に関する。本発明は、本発明に係るコーティングされた基板、またはコーティングされた基板の製造のための本発明に係るプロセスによって得ることができるコーティングされた基板を含む電子部品にも関し、この電子部品は、好ましくは有機発光ダイオードまたは有機太陽電池である。有機発光ダイオードでは、基板に付与されるコーティングは、特に、正孔注入層または正孔輸送層として機能することができる。しかしながら、他の電子部品、例えば、コンデンサなどにおける本発明に係る錯体の使用も考えられる。以下の実施例は、単に例として本発明を説明する役割を果たすが、限定するものと解釈されるべきではない。実施例1:PEDOTおよびs-PEEKからの分散液の調製25.0gのポリエーテルエーテルケトンVictrex登録商標PEEK商標150PF供給業者:ビクトレックスヨーロッパゲーエムベーハーVictrexEuropaGmbH、ホーフハイムアムタウヌスHofheim/Ts.を250.0gの95濃度の硫酸の中へと計量した。この混合物を、激しく撹拌しながら100°Cで5時間加熱した。その後、この反応混合物を0°Cに冷却し、この温度で、冷却しながら、650mLの水および325mLのn-ブタノールの混合物の中へと混ぜ込んだ。水相を捨てた。ブタノール相を各回200mLの水で2回洗浄し、この洗浄水を捨てた。その後、150mLの水をこのブタノール相に加え、この混合物を、12mLの30濃度のNaOHを用いておよそ6のpHまで中和した。次いでブタノールをロータリーエバポレーターで留去し、段階的に水で置き換え、最終的に体積をおよそ1/3まで濃縮した。300mLのメタノールをこの水溶液に加え、沈殿した硫酸ナトリウムを濾別した。濾液を、イオン交換体LewatitMP登録商標62およびLewatit登録商標MonoplusS100、供給業者:ランクセスアーゲーLanxessAGで3回処理して、硫酸イオンおよびナトリウムイオンを除去し、次いで乾固するまでエバポレーションし、残渣を0.5mbarで後乾燥した。収量は23.6gのs-PEEKであった。このポリマーの1繰り返し単位あたりのスルホン化度は、1.090.1N水酸化ナトリウム溶液を用いた滴定によって決定したであった。これは286g/molの当量重量に相当する。1.5Lのガラス容器に撹拌機および温度計を取り付けた。1,338gの水、10gの上記スルホン化ポリエーテルエーテルケトン、2.36gの水中の硫酸鉄IIIの10濃度の溶液および1.91gのエチレンジオキシチオフェン、EDTClevios登録商標MV2、エイチシースタルククレビオスゲーエムベーハーH.C.StarckCleviosGmbH、ドイツをこのガラス容器の中で、25°Cで15分間、十分に撹拌した。その後、4.66gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを加え、この混合物を25°Cで24時間撹拌した。次いで57gのアニオン交換体Lewatit登録商標MP62、ランクセスアーゲーLanxessAG、ドイツ、レーバークーゼンLeverkusenおよび111gのカチオン交換体Lewatit登録商標S100H、ランクセスアーゲーLanxessAG、ドイツ、レーバークーゼンLeverkusenを加えた。この混合物を2時間撹拌した。次いでイオン交換体を濾紙で分離し、この分散液を0.2μmのフィルターに通した。固形分含量:0.61粘度:2mPasHaakeRV1、20°C、700s-1実施例2:錯体PEDOT/s-PEEKに基づく層の製造実施例1からの分散液を、ロータリーエバポレーターで1.36の固形分含量まで濃縮した。清浄にしたガラス基板をスピンコーターの上に置き、5mLの上記濃縮した分散液を基板上に広げた。次いで過剰の分散液を、プレートを500回転/分で30秒回転させることにより遠心分離した。その後、このようにしてコーティングした基板を加熱プレート上で、200°Cで3分間乾燥した。層の厚さは65nmであったテンコールTencor、Alphastep500。シャドーマスクを介して、0.5mmの距離で2.5cm長さのAg電極の気相堆積によって、電気伝導率を測定した。比抵抗を得るために、電位計を用いて測定した表面抵抗に層の厚さ層の厚さを乗算した。この層の比抵抗は1,760Ohmcmであった。層は透明であった。実施例3:高温での保存50gの、実施例1からの分散液を50°Cで16日間保存した。保存後の硫酸塩含有量は7ppmであった。それゆえ、硫酸塩濃度は測定精度の範囲で、変化しないまま留まっていた。製造した錯体は、50°Cの温度への曝露のもとでも、硫酸塩を遊離させない。比較例1:高温での従来の分散液の保存参照実験のために、以下の特性を有するPEDOT:PSS分散液Clevios登録商標PVPAI4083、エイチシースタルククレビオスゲーエムベーハーH.C.StarckCleviosGmbHを用いた:固形分含量:1.6硫酸塩含有量:5ppmpH:1.550gのこの材料を同様に50°Cで16日間保存した。保存後の硫酸塩含有量は22ppmであり、従って、著しく上昇した。実施例3は、実施例1からの本発明に係る分散液は、公知のPEDOT:PSS錯体とは対照的に、高温で硫酸塩を遊離させないということを示す。実施例4:OLEDの製造有機発光ダイオードOLEDを構築するために、実施例1からの本発明に係る分散液を使用した。手順は、OLEDの製造については以下のとおりであった。1.ITOコーティングした基板の調製ITOコーティングしたガラスを50mm×50mmサイズの小片基板に切断し、フォトレジストを用いて、各々幅2mmおよび長さ5cmを有する4つの平行線へと構造化した。この後、この基板を超音波浴の中で、0.3濃度のMucasol溶液の中で清浄にし、蒸留水でリンスし、遠心分離機の中で遠心乾燥した。コーティングの直前に、ITOコーティングした側を、UV/オゾン反応器PR-100、ユーブイピー社UVPInc.、英国、ケンブリッジCambridgeの中で10分間清浄にした。2.正孔注入層の付与約5mLの、実施例1からの本発明に係る分散液を濾過したMilliporeHV、0.45μm。清浄にしたITOコーティングした基板をスピンコーターの上に置き、濾過した溶液を、基板のITOコーティングした側の上に広げた。その後、600rpmで30秒間にわたってこのプレートを回転させることにより、過剰の溶液を遠心分離した。この後、このようにしてコーティングした基板を加熱プレート上で、200°Cで5分間乾燥した。層表面形状測定装置テンコールTencor、Alphastep500を使用して測定したところ、層の厚さは50nmであった。3.正孔輸送層およびエミッタ層の付与実施例1からの分散液でコーティングしたITO基板を、気相堆積装置Univex350、レイボルドLeyboldに移した。10-3Paの圧力で、最初にNPBN,N’-ビスナフタレン-1-イル-N,N’-ビスフェニルベンジジンでできた60nmの正孔輸送層、次いでAlQ3トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムでできた50nmのエミッタ層を、1Å/秒の気相堆積速度で連続的に気相堆積した。4.金属カソードの付与その後、この層系をN2雰囲気および一体化された気相堆積装置を有するグローブボックスシステムエドワーズEdwardsに移し、金属電極を気相堆積した。このために、当該基板を、この層系を下向きにしてシャドーマスクの上に置いた。このシャドーマスクは、ITO細片と交差し、かつそれらと直交して配向した2mm幅の長方形の溝を具えていた。0.5nm厚のLiF層およびその後200nm厚のAl層を、p=10-3Paの圧力で2つの気相堆積用皿boatから連続的に気相堆積した。気相堆積速度は、LiFについては1Å/s、Alについては10Å/sであった。個々のOLEDの面積は4.0mm2であった。5.OLEDの特性解析この有機LEDの2つの電極を、給電線を介して電源に接続した接触させた。正極をITO電極に接続し、負極を金属電極に接続した。電圧に対するOLED電流およびエレクトロルミネセンス強度検出は、フォトダイオードEGGC30809Eを用いてなされるの依存性をプロットした。その後、一定電流I=3.84mAをこの構成物に通し、電圧および光強度を時間の関数としてモニターして、寿命を測定した。比較例2:従来の分散液を用いたOLEDの製造手順は、第2工程で、使用した中間層が実施例[原文のまま]からの本発明に係る分散液ではなく、OLED構築において標準品として使用されることが多いClevios登録商標PVPAI4083エイチシースタルククレビオスゲーエムベーハーH.C.StarckCleviosGmbHであったという相違を除き、実施例5におけるとおりである。このために、AI4083を濾過し、700rpmで30秒スピンコーティングし、次いで加熱プレート上で、200°Cで5分間乾燥した。層の厚さは50nmであり、比抵抗は1,290Ohmcmであった。比較例3:ポリマー中間層を有しないOLEDの製造手順は、ポリマー中間層が完全に省かれ、工程2が行われなかったという相違を除き、実施例4および5におけるとおりである。実施例5:実施例4ならびに比較例2および3からのOLEDの比較標準的な材料Clevios登録商標PVPAI4083と比較して、実施例1からの本発明に係る分散液を含むOLEDの改善を実証するために、実施例4ならびに比較例2および3からのいずれも1つの基板を、並行に加工し、すなわち気相堆積層およびカソードを、同一条件下ですべての基板に堆積した。実施例4および比較2に従って製造したOLEDは、有機発光ダイオードの典型的なダイオード特性を示した。他方、比較例3に従って製造した構築物は、すべて短絡を示した。寿命測定では、t=0、U0およびL0における電圧および輝度、比L0/1としての電流効率、輝度がL0の50まで低下するまでにかかる時間、tL0/2、ならびにtL0/2における電圧を評価する。このように、短絡がないOLEDのためにポリマー中間層が必要であるということが実証された。OLEDにおける中間層としての実施例1からの本発明に係る分散液は、10倍を超える寿命という明らかな利点を有し、標準的な材料CleviosPAI4083と比べて、時間に関しての電圧の上昇が低減した。実施例6:本発明に係る分散液を用いる接触角の測定実施例4、項目2と同様に、実施例1からの本発明に係る分散液の層を、スピンコーターを用いてガラス基板上に堆積し、加熱プレート上で、200°Cで5分間乾燥した。次いで、上記層の上に置いた1滴のトルエンの、その層に対する接触角を測定したKruessMicroDrop。濡れは良好であり、接触角は<3°であり、それゆえ測定できなかった。比較例4:従来の分散液を用いる接触角の測定実施例6と同様に、参照材料Clevios登録商標PVPAI4083の層の、トルエンとの接触角を測定した。濡れは良好であり、接触角は<3°であり、それゆえ測定できなかった。比較例5:ペルフルオロ化スルホン酸ポリマーに基づく従来の分散液を用いる接触角の測定実施例6と同様に、欧州特許出願公開第1564250A1号明細書に対応する参照材料、すなわちペルフルオロ化スルホン酸ポリマーと伝導性ポリマーとの混合物、の層の接触角を測定した:a=48°。実施例6および比較例4および5から、本発明に係る配合物を含む層の、トルエンベースの溶液との濡れは、Clevios登録商標PAI4083についての濡れと同様に良好であるが、他方で、欧州特許出願公開第1564250A1号明細書に対応する参照材料についての濡れよりも著しく良好であるということがわかる。実施例7:PEDOTおよびs-PEKKからの分散液の調製25gのポリエーテルケトンケトンOxpekk登録商標C、供給業者:ポリトロンクンストストッフテクニークゲーエムベーハーアンドコンパニーカーゲーPolytronKunststofftechnikGmbHCo.KG、ドイツ、ベルギッシュグラッドバッハBergischGladbachを、62.5gの95濃度の硫酸および187.5gの発煙硫酸SO3含有量20の混合物に加えた。この混合物を、120°Cで30時間、次いで140°Cで15時間撹拌した。冷却した反応混合物を、次に、1,800mLの水の中に導入し、形成した溶液に500mLのブタノールを加えた。相の分離後、水相を、各回100mLのブタノールで2回抽出した。このブタノール相を水で洗浄した。次いでこのブタノール相を合わせ、20mLの30濃度の水酸化ナトリウム溶液を加え、次いでこの混合物を、30濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて6.3のpHへとさらに調整した。水相を100mLまで濃縮し、250mLのメタノールを加えた。上澄み溶液をデカンテーションして、沈殿していた硫酸ナトリウムから除き、エバポレーションした。残渣を200mLの水に溶解させ、この溶液を、イオン交換体LewatitMP登録商標62およびLewatit登録商標MonoplusS100、供給業者:ランクセスアーゲーLanxessAGで3回処理して硫酸イオンおよびナトリウムイオンを除去し、次いで乾固するまでエバポレーションし、残渣を0.5mbarで後乾燥した。収量は17gの、ポリマーの1繰り返し単位あたりのスルホン化度が0.97である0.1N水酸化ナトリウム溶液を用いた滴定によって決定したs-PEKKであった。これは、389g/molの当量重量に相当する。4.92gの上記スルホン化ポリエーテルケトンケトン、0.5gの、水中の10濃度溶液の硫酸鉄IIIおよび1.91gの3,4-エチレンジオキシチオフェンClevios登録商標MV2、エイチシースタルククレビオスゲーエムベーハーH.C.StarckCleviosGmbH、ドイツを、撹拌機および温度計を具えた500mLフラスコの中で、248gの水の中で、25°Cで30分間、透明な溶液が現れるまで十分に撹拌した。その後、0.94gのペルオキソ二硫酸ナトリウムを加え、この混合物を25°Cで24時間撹拌した。次いで、18gのアニオン交換体LewatitMP登録商標62、ランクセスアーゲーLanxessAG、ドイツ、レーバークーゼンLeverkusenおよび30gのカチオン交換体Lewatit登録商標S100H、ランクセスアーゲーLanxessAG、ドイツ、レーバークーゼンLeverkusenを加えた。この混合物を2時間撹拌した。次いでこのイオン交換体を濾紙上で分離し、この分散液を0.45μmのフィルターに通した。PEDOT:s-PEKK錯体の青色の分散液が得られ、これから、ナイフコーティングによって伝導性層を製造することが可能であった。実施例8:本発明に係る配合物を含む有機太陽電池有機太陽電池OSCを構築するために、実施例1からの本発明に係る配合物を使用する。手順は、OSCの製造については以下のとおりであった。1.ITOコーティングした基板の調製ITOコーティングしたガラスメルクバルザースアーゲーMerckBalzersAG、FL、部品番号253674XOを25mm×25mmサイズの小片基板に切断する。次いで、基板を、超音波浴の中で、3濃度のMucasol溶液の中で15分間清浄にする。その後、この基板を蒸留水でリンスし、遠心分離機の中で遠心乾燥した。コーティングの直前に、ITOコーティングした側を、UV/オゾン反応器PR-100、ユーブイピー社UVPInc.、英国、ケンブリッジCambridgeの中で10分間清浄にした。2.正孔抽出層HELの付与約1mLの実施例1からの本発明に係る配合物を濾過したMilliporeHV、0.45μm。清浄にしたITOコーティングした基板をスピンコーターの上に置き、濾過した溶液を、基板のITOコーティングした側の上に広げる。その後、500rpmで30秒間にわたってこのプレートを回転させることにより、過剰の溶液を遠心分離した。その後、このようにしてコーティングした基板を加熱プレート上で、200°Cで5分間乾燥した。層の厚さは約50nmであるテンコールTencor、Alphastep500。3.光吸収層LALの付与50mgの上記ポリマーP3HTビーエーエスエフBASF、SempiolidP200および50mgのフラーレンPCBMSolenne[60]PCBMを、室温で5mLのジクロロベンゼンに溶解させる。この溶液の中でのこれらの材料の完全溶解を成し遂げるために、この溶液を、撹拌翼を用いておよそ10時間撹拌する。次いでこの溶液をシリンジフィルターMilliporeHV、0.45μmで濾過し、次いで、スピンコーターの上にある基板の上に広げ、750rpmで30秒間にわたってこのプレートを回転させることにより、過剰の溶液を遠心分離する。その後、このようにしてコーティングした基板を、加熱プレート上で、130°Cで10分間乾燥する。層の厚さは100nmであるテンコールTencor、Alphastep500。この作業およびすべての以下の作業は、グローブボックスシステムの中で、純粋窒素雰囲気の中で、実施される。4.金属カソードの付与金属電極を、層系ITO//HEL//LALを有する基板の上にカソードとして気相堆積する。2つの熱気化器thermalvaporizerを具える真空装置エドワーズEdwardsを、このために使用する。この層系を、2.5mmおよび5mm直径を有する穴を有するシャドーマスクで覆う。載せたシャドーマスクを下向きにして、この基板を、回転する試料ホルダーの上に置く。この試料ホルダーの寸法は、4つの基板が同時に収容できるような寸法である。25nm厚のCa層、次いで80nm厚のAg層を、p=10-3Paの圧力下で、2つの熱気化器から気相堆積する。気相堆積速度はBa[原文のまま]については10Å/sであり、Agについては20Å/sである。単離された金属電極は、それぞれ、4.9mm2および28mm2の面積を有する。5.OSCの特性解析このOSCを、同様に、窒素だけで満たしたグローブボックスシステムの中で特性解析する。このグローブボックスシステムの底部に人工太陽光源アトラスAtlas、SolarCelltest575が挿入され、その均一な光は上方向に向けられる。OSCを有するホルダーを光錐の中に置く。試料面から底部までの距離は約10cmである。光強度は、挿入した格子フィルターを用いて弱めることができる。試料面での強度は、ピラノメーターキップアンドゾーネンKippZonen、CM10を用いて測定し、約500W/m2である。試料ホルダーの温度は、熱センサーPT100を用いて測定し、最大40°Cである。ITO電極をAu接点ピン極に接続し、薄いフレキシブルなAuワイヤーを金属電極-極のうちの1つに圧着することにより、OSCを電気的に接触させる。両方の接点を、ケーブルを介して、電流/電圧源Keithley2800に接続する。最初に光源を覆い、暗所での特性曲線を測定する。このために、電圧を試料に印加し、-2~2Vの範囲で変化させ、電流を記録する。次いで、同様に照射下で電流/電圧特性曲線をプロットする。これらのデータから、この太陽電池に関するパラメータ、例えば変換効率、開回路電圧、短絡電流および曲線因子をOENORMEN60904-3に従って測定する。実施例9:HELを有しないOSC参照セルHELを有しない参照セルの構築を、工程2正孔抽出層の付与を省くという相違を除いて、実施例8と同様に実施する。実施例10:代替HELを有するOSC参照セル工程2で、代替材料、つまりClevios登録商標PAI4083エイチシースタルククレビオスゲーエムベーハーH.C.StarckCleviosGmbH、レーバークーゼンLeverkusenを本発明に係る配合物の代わりに使用するという相違を除き、HELを有しない参照セルの構築を、実施例8と同様に実施する。工程2の条件は、以下のとおりである:約1mLの、Clevios登録商標PAI4083の溶液を濾過するMilliporeHV、0.45μm。清浄にしたITOコーティングした基板をスピンコーターの上に置き、濾過した溶液を、基板のITOコーティングした側の上に広げる。その後、750rpmで30秒間にわたってこのプレートを回転させることにより、過剰の溶液を遠心分離した。その後、このようにしてコーティングした基板を加熱プレート上で、200°Cで5分間乾燥する。層の厚さは約50nmであるテンコールTencor、Alphastep500。実施例11:実施例8~10からの結果の比較:実施例1~3からのOSCの電流/電圧特性曲線を、同じ実験条件下でプロットした。結果の表では、評価に関するパラメータが抽出されている;セル面積A、放射照度P0、短絡電流ISC、開回路電圧VOC、作用点における電気出力Pmax、曲線因子FFおよび変換効率η。結果の表から、本発明に係る配合物は、OSCのための中間層として特に好適であり、短絡に対する当該構成物の抵抗性を改善するということがわかる。参照Clevios登録商標PAI4083との比較から、基本的に同様のOSC特性が成し遂げられ、開回路電圧および曲線因子は改善されるということが示される。Clevios登録商標PAI4083と比較した、本発明に係る配合物のさらなる優位点は、当該材料がより高い熱的安定性を有するということであり、予想されるように、これは、より長いOSC寿命を導く。"