"バッテリセルと、前記バッテリセルを充電又は放電するために外部機器と接続される端子部と、前記バッテリセルと前記端子部とを選択的に連結するスイッチと、命令を生成するコントロールプロセッサと、前記コントロールプロセッサから前記命令を受信し、前記命令によって、前記バッテリセルの充電及び放電を制御するアナログフロントエンドと、を含み、前記アナログフロントエンドは、前記コントロールプロセッサの状態を示す状態信号を受信する状態入力端子と、前記状態信号に基づいて、前記コントロールプロセッサが故障しているか否かを判断し、異常信号を生成する異常判別プロセッサと、前記異常信号によって、前記スイッチを制御するスイッチコントローラと、を含むバッテリパック。前記異常判別プロセッサは、前記状態信号を基準電圧と比較する電圧比較部を含み、前記異常判別プロセッサは、前記状態信号が前記基準電圧より大きければ、前記コントロールプロセッサが故障していると判断することを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記異常判別プロセッサは、前記状態信号を基準電圧と比較する電圧比較部を含み、前記異常判別プロセッサは、前記状態信号が前記基準電圧より小さければ、前記コントロールプロセッサが故障していると判断することを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記異常判別プロセッサは、タイマを含み、前記異常判別プロセッサは、前記状態信号が最小時間より長い期間の間、マイクロプロセッサが故障しているということを示せば、前記コントロールプロセッサが故障していると判断することを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記コントロールプロセッサから受信した動作状態信号に基づいて、前記状態信号を生成する状態表示回路をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のバッテリパック。前記状態表示回路は、低域通過フィルタを含むことを特徴とする請求項5に記載のバッテリパック。前記動作状態信号は、前記コントロールプロセッサが故障していない場合、複数のパルスを含むことを特徴とする請求項6に記載のバッテリパック。前記コントロールプロセッサから受信した動作状態信号に基づいて、前記状態信号を生成する状態表示回路をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記状態表示回路は、低域通過フィルタを含むことを特徴とする請求項8に記載のバッテリパック。前記動作状態信号は、前記コントロールプロセッサが故障していない場合、複数のパルスを含むことを特徴とする請求項9に記載のバッテリパック。前記状態表示回路は、レベルシフト回路を含むことを特徴とする請求項8に記載のバッテリパック。前記レベルシフト回路は、インバータを含むことを特徴とする請求項11に記載のバッテリパック。前記状態信号は、前記命令内にエンコーディングされることを特徴とする請求項1に記載のバッテリパック。前記状態信号は、前記命令生成の周波数であることを特徴とする請求項13に記載のバッテリパック。前記異常判別プロセッサは、前記命令生成の周波数が基準値未満である場合、前記コントロールプロセッサが故障していると判断することを特徴とする請求項14に記載のバッテリパック。前記コントロールプロセッサは、マイクロコントローラであることを特徴とする請求項14に記載のバッテリパック。バッテリセル、前記バッテリセルを充電又は放電するために外部機器と接続される端子部、命令を生成するコントロールプロセッサと、前記コントロールプロセッサと通信するアナログフロントエンドを含むバッテリパックの制御方法であって、前記アナログフロントエンドが前記コントロールプロセッサの状態を示す状態信号を受信する段階と、前記アナログフロントエンドが、前記コントロールプロセッサが故障しているか否かを判断する段階と、前記コントロールプロセッサが故障している場合、前記アナログフロントエンドが前記バッテリセルを、前記端子部から遮断する制御信号を生成する段階と、を含むバッテリパックの制御方法。前記アナログフロントエンドは、前記コントロールプロセッサから状態信号を受信することを特徴とする請求項17に記載のバッテリパックの制御方法。前記コントロールプロセッサは、アナログフロントエンドに印加するための命令を生成し、前記状態は、前記命令内にエンコーディングされることを特徴とする請求項18に記載のバッテリパックの制御方法。前記状態信号は、前記命令生成の周波数であることを特徴とする請求項19に記載のバッテリパックの制御方法。異常判別プロセッサが、前記命令生成の周波数が基準値未満である場合、前記コントロールプロセッサが故障していると判断する段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載のバッテリパックの制御方法。前記バッテリパックは、状態表示回路をさらに含み、前記状態表示回路が、前記コントロールプロセッサから受信した動作状態信号に基づいて、状態信号を生成する段階と、前記状態表示回路から前記状態信号を受信する段階と、を含むことを特徴とする請求項17に記載のバッテリパックの制御方法。前記状態表示回路は、低域通過フィルタを含み、前記状態表示回路が、前記コントロールプロセッサからの前記動作状態信号をフィルタリングすることを特徴とする請求項22に記載のバッテリパックの制御方法。前記動作状態信号は、前記コントロールプロセッサが故障していない場合、複数のパルスを含むことを特徴とする請求項23に記載のバッテリパックの制御方法。前記状態表示回路は、レベルシフト回路を含むことを特徴とする請求項22に記載のバッテリパックの制御方法。前記バッテリパックは、前記バッテリセルと前記端子部とを電気的に連結するスイッチをさらに含み、前記スイッチが、前記アナログフロントエンドから受信した前記制御信号に応答して開放されることを特徴とする請求項17に記載のバッテリパックの制御方法。本発明の実施形態が解決しようとする課題は、安定した動作が可能なバッテリ保護回路、その制御方法及びバッテリパックを提供することである。本発明による実施形態の一側面は、バッテリパックであって、バッテリセルと、端子部と、バッテリセルと端子部とを選択的に連結するスイッチと、を含む。バッテリパックはまた、命令を生成するコントロールプロセッサと、コントロールプロセッサから命令を受信し、命令によって、バッテリセルの充電及び放電を制御するアナログフロントエンドと、を含む。アナログフロントエンドは、コントロールプロセッサの状態を示す状態信号を受信する状態入力端子と、状態信号に基づいて、コントロールプロセッサが故障しているか否かを判断し、異常信号を生成する異常判別プロセッサと、異常信号によって、スイッチを制御するスイッチコントローラと、を含む。本発明による実施形態の他の側面は、バッテリパックの制御方法であって、バッテリパックは、バッテリセル、端子部、コントロールプロセッサと通信するアナログフロントエンドを含む。前記方法は、アナログフロントエンドが、コントロールプロセッサの状態を示す状態信号を受信する段階と、アナログフロントエンドが、コントロールプロセッサが故障しているか否かを判断する段階と、コントロールプロセッサが故障している場合、アナログフロントエンドが、バッテリセルを端子部から遮断する制御信号を生成する段階と、を含む。本発明の実施形態によるバッテリ保護回路、その制御方法及びバッテリパックによって、マイクロコントローラが故障している場合にも、バッテリパックを安定して制御することができる。以下、添付した図面に基づいて、本発明の多様な実施形態についてさらに詳細に説明する。本発明を説明するにあたって、多様な特徴を記載するが、特定特徴についての具体的な説明が本発明の要旨を不明確にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。特別な言及がない限り、本明細書で使われた用語は、当業者が一般的に考えられる意味を有し、さらに、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されねばならず、本出願で明白に定義しない限り、理想的であったり、過度に形式的な意味に解釈されるものではない。図1は、一実施形態によるバッテリパック1を示すブロック図である。図1を参照すれば、バッテリパック1は、バッテリ保護回路以下、保護回路という100と、バッテリセル200とを含む。バッテリセル200は、一つまたは二つ以上のベアセルを含む。バッテリセル200は、保護回路100と連結され、保護回路100の端子部110に外部装置が連結されれば、充電または放電が行われる。バッテリセル200は、充電して使用することが可能な二次電池である。保護回路100は、バッテリセル200の充電及び放電を制御し、バッテリセル200の異常状況を感知し、バッテリセル200の破損を防止する。かような保護回路100は、端子部110、アナログフロントエンドAFE:analogfrontend120、マイクロコントローラあるいはプロセッサ130、状態表示回路140、充放電スイッチ150、保護素子160を含む。端子部110は、バッテリセル200を充電する充電器または外部機器と連結される。ここで、外部機器とは、バッテリセル200に保存された電気エネルギーを消費する負荷をいう。端子部110は、正極端子111と負極端子112とを具備する。端子部110に充電器が連結されれば、充電がなされうる。充電の間、正極端子111を介して電流が流入し、負極端子112を介して電流が流れていく。端子部110に外部機器が連結されれば、放電がなされうる。放電の間、正極端子111を介して電流が流れていって、負極端子112を介して電流が流入する。アナログフロントエンドAFE120は、バッテリセル200の充電及び放電のための制御を行う。アナログフロントエンド120は、バッテリパック1内部の電流フロー状態のような、バッテリセル200の充電/放電状態、バッテリパック1の温度などを感知する。アナログフロントエンド120は、バッテリセル200の状態を感知した感知データSdataを、マイクロコントローラ130に伝送する。図1では、感知データSdataを1本の線で表示したが、感知データSdataは、複数のデータを含むことができ、複数のデータラインを使用して伝送することができる。例えば、感知データは、温度データ、電圧データ、電流データなどでありうる。また、複数のデータは、別途の信号伝送ラインを介して、マイクロコントローラ130に伝送されうる。アナログフロントエンド120は、バッテリセル200の電圧を使用して動作する。また、アナログフロントエンド120は、内部にレギュレータReg121を具備して電源電圧Vregを生成し、生成された電源電圧Vregをマイクロコントローラ130に印加する。アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130から命令信号Scomを受信し、受信した命令信号Scomによって、充電制御信号Scまたは放電制御信号Sdを充放電スイッチ150に印加し、充放電スイッチ150のオンon/オフoff状態を制御する。アナログフロントエンド120は、異常判別プロセッサ123と、スイッチコントローラ124とを含むことができる。異常判別プロセッサ123は、状態表示回路140から出力され、状態入力端子P1を介して印加された信号を受信し、受信した信号の大きさが特定条件を満足させる場合、マイクロコントローラ130が故障していると判断する。例えば、異常判別プロセッサ123は、受信した信号が基準電圧Vref以下に下がる場合、マイクロコントローラ130が故障していると判断する。または例えば、異常判別プロセッサ123は、受信した信号の論理レベルが、ハイレベルからローレベルに、あるいはローレベルからハイレベルに変わる場合、マイクロコントローラ130が故障していると判断する。異常判別プロセッサ123で、マイクロコントローラ130が故障していると判断した場合、スイッチコントローラ124は、充放電スイッチ150に、充電制御信号Scまたは放電制御信号Sdを伝送し、充放電スイッチ150をオフにする。マイクロコントローラ130は、アナログフロントエンド120から電源電圧Vregを印加され、電源として使用する。また、マイクロコントローラ130は、アナログフロントエンド120から伝送された感知データSdataを受信し、感知データSdataによって、アナログフロントエンド120に命令信号Scomを伝送し、その動作を制御する。例えば、バッテリセル200の各ベアセルの電圧に偏差が発生した場合、マイクロコントローラ130は、各ベアセルの電圧が一定になるように、アナログフロントエンド120にセルバランシング動作を制御させる。または例えば、バッテリセル200が、過充電状態または過放電状態である場合、マイクロコントローラ130は、バッテリセル200の充電動作または放電動作が中止されるように制御する。図1では、命令信号Scomを1本の線で表示してあるが、それは説明の便宜のためであり、命令信号Scomは、複数の命令を含むことができる。また他の実施形態として、複数の命令は、別途の信号伝送ラインを介して、アナログフロントエンド120に伝送されうる。一実施形態として、マイクロコントローラ130は、アナログフロントエンド120が誤作動する場合、これを感知し、バッテリセル200の保護のために、保護素子160が充電動作または放電動作を遮断するように制御する。他の実施形態として、保護素子160は、外部からの制御を必要とせずに、自動的に動作することもできる。一方、マイクロコントローラ130は、アナログフロントエンド120が、マイクロコントローラ130で発生した故障や、マイクロコントローラ130の誤作動などを検出できるように、P2端子を介して状態表示回路140に、動作状態信号Sosを出力する。例えば、マイクロコントローラ130が正常状態であるとき、動作状態信号Sosとして、ハイレベル信号が出力されうる。あるいは、マイクロコントローラ130が正常状態であるとき、動作状態信号Sosとして、連続する一連のパルス波形が出力されうる。状態表示回路140は、動作状態信号Sosを受信し、アナログフロントエンド120に伝送される状態信号を生成する。状態表示回路140は、アナログフロントエンド120に、マイクロコントローラ130が正常状態であるか、非正常状態であるかを示す状態信号を出力し、異常判別プロセッサ123でこれを感知する。充放電スイッチ150は、充電制御スイッチ151及び放電制御スイッチ152を含む。充電制御スイッチ151及び放電制御スイッチ152それぞれは、電界効果トランジスタFETと寄生ダイオードとを含むことができる。例えば、充電制御スイッチ151は、電界効果トランジスタFET11と寄生ダイオードD11とからなり、放電制御スイッチ152は、電界効果トランジスタFET12と寄生ダイオードD12とからなる。充電制御スイッチ151の電界効果トランジスタFET11のソースとドレインとの接続方向は、放電制御スイッチ152の電界効果トランジスタFET12とは反対方向に設定する。換言すれば、本実施形態で、充電制御スイッチ151の電界効果トランジスタFET11は、正極端子111からバッテリセル200への電流フローを制限するように接続される。一方、放電制御スイッチ152の電界効果トランジスタFET12は、バッテリセル200から負極端子112への電流フローを制限するように接続される。ここで、充電制御スイッチ151の電界効果トランジスタFET11、及び放電制御スイッチ152の電界効果トランジスタFET12は、スイッチング素子であり、本発明の技術的範囲は、これに限定されるものではなく、他種のスイッチング機能を行う電気素子が使われうる。また、充電制御スイッチ151及び放電制御スイッチ152に含まれた寄生ダイオードD11,D12は、電流が制限される方向に、反対方向に電流が流れるように構成する。保護素子160は、大電流経路上に位置する素子であり、バッテリセル200からの電流流出、またはバッテリセル200への電流流入を制御する。保護素子160は、アナログフロントエンド120が故障している場合に作動する素子である。保護素子160は、ヒューズやPTCpositivetemperaturecoefficientの性質を有するサーミスタでありうる。または、保護素子160は、保護素子160自体を流れる電流によって、自動的に作動する素子でありうる。あるいは、保護素子160は、マイクロコントローラ130の制御によって作動する素子でもありうる。以下、状態表示回路140についてさらに具体的に説明する。図2及び図3は、それぞれ図1の状態表示回路140の実施形態を示す回路である。図2を参照すれば、状態表示回路140は、マイクロコントローラ130のP2端子と、アナログフロントエンド120の状態入力端子P1とを直接連結するラインでありうる。一実施形態として、マイクロコントローラ130は、正常状態であるならば、動作状態信号Sosとして、ハイレベル信号を出力する。アナログフロントエンド120は、異常判別プロセッサ123で、状態入力端子P1及び状態表示回路140を介して入力された動作状態信号Sosが、基準電圧Vref以下に下がれば、マイクロコントローラ130が故障していると判断することができる。基準電圧Vrefは、バッテリパック1の製造時にあらかじめ設定された値でありうる。図3を参照すれば、一実施形態として状態表示回路140は、複数の抵抗R31,R32とスイッチング素子SW1とを含むレベルシフト回路levelshiftcircuitを含むことができる。抵抗R31は、状態入力端子P1と、第1電圧Vccが供給される電圧源との間に連結され、抵抗R32は、状態入力端子P1、及びスイッチング素子SW1の第1電極と連結される。スイッチング素子SW1は、第1電極が抵抗R32と連結され、第2電極がグラウンドと連結される。また、スイッチング素子SW1のゲート電極は、P2端子と連結される。スイッチング素子SW1は、pチャンネルFETfieldeffecttransistorでありうる。マイクロコントローラ130は、正常状態であるとき、動作状態信号Sosとして、ハイレベル信号を出力する。従って、状態表示回路140のスイッチング素子SW1は、動作状態信号Sosによってオフ状態になり、状態入力端子P1には、第1電圧Vccが印加される。第1電圧Vccは、基準電圧Vrefより大きい電圧である。異常判別プロセッサ123は、状態入力端子P1を介して印加される第1電圧Vccが、基準電圧Vrefより大きいと判断し、アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130が正常状態であると判断する。一方、マイクロコントローラ130は、故障している場合または誤作動する場合、動作状態信号Sosとして、ローレベル信号を出力したり、信号出力を中断する。これによって、状態表示回路140のスイッチング素子SW1は、動作状態信号Sosの変化によってオン状態になり、状態入力端子P1には、第1電圧Vccが、抵抗R31及びR32によって分圧された電圧が印加される。例えば、状態入力端子P1に印加される電圧は、約VccR32/R31R32になる。このとき、分圧された電圧は、基準電圧Vrefより低い値になるように、抵抗R31及びR32を定める。これによって、異常判別プロセッサ123は、状態入力端子P1を介して入力された状態表示回路140の出力信号が、基準電圧Vrefより小さいと判断し、アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130が故障していると判断することができる。図4及び図5は、図1の状態表示回路140の他の実施形態を示す回路である。図4を参照すれば、図4の実施形態による状態表示回路140は、複数の抵抗R41,R42とスイッチング素子SW2とを含む反転レベルシフト回路invertinglevelshiftcircuitを含むことができる。抵抗R41は、状態入力端子P1と、第1電圧Vccが供給される電圧源との間に連結され、抵抗R42は、状態入力端子P1及びスイッチング素子SW2の第1電極と連結される。スイッチング素子SW2は、第1電極が抵抗R42と連結され、第2電極がグラウンドと連結される。また、スイッチング素子SW2のゲート電極は、P2端子と連結される。スイッチング素子SW2は、nチャンネルFETfieldeffecttransistorでありうる。マイクロコントローラ130は、正常状態であるとき、動作状態信号Sosとして、ハイレベル信号を出力する。これによって、状態表示回路140のスイッチング素子SW2は、動作状態信号Sosによってオン状態になり、状態入力端子P1には、第1電圧Vccが、抵抗R41及びR42によって分圧された電圧が印加される。例えば、状態入力端子P1に印加される電圧は、約VccR42/R41R42になる。このとき、分圧された電圧は、基準電圧Vrefより低い値になるように、抵抗R41及びR42を定める。異常判別プロセッサ123は、状態入力端子P1を介して入力された状態表示回路140の出力信号が、基準電圧Vrefより小さいと判断し、この場合、アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130が正常状態であると判断することができる。一方、マイクロコントローラ130は、故障している場合または誤作動する場合、動作状態信号Sosとして、ローレベル信号を出力したり、信号出力を中断する。これによって、状態表示回路140のスイッチング素子SW2は、動作状態信号Sosの変化によってオフ状態になり、状態入力端子P1には、第1電圧Vccが印加される。第1電圧Vccは、基準電圧Vrefより大きい電圧である。異常判別プロセッサ123は、状態入力端子P1を介して印加される第1電圧Vccが、基準電圧Vrefより大きいと判断し、この場合、アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130が故障していると判断する。このように、図4の状態表示回路140は、図3の実施形態による状態表示回路140と反対極性で動作する。図5は、図1の状態表示回路140の他の実施形態を示す回路図である。図5を参照すれば、図5の実施形態による状態表示回路140は、複数の抵抗R51及びR52、複数のキャパシタC51及びC52、複数のダイオードD51及びD52を含むことができる。本実施形態で、状態入力端子P1とP2端子との間には、ダイオードD51、キャパシタC51及び抵抗R51が直列に連結される。ダイオードD51は、状態入力端子P1にカソード電極が、キャパシタC51にアノード電極が連結され、状態入力端子P1からP2端子に電流が逆流することを防止する。キャパシタC51は、P2で出力される動作状態信号Sosに含まれたオフセット成分を除去する。また、状態入力端子P1とグラウンドとの間には、キャパシタC52と抵抗R52とが並列に連結される。そして、ダイオードD52は、ダイオードD51のアノード電極に該カソード電極が連結され、グラウンドにアノード電極が連結される。例えば、マイクロコントローラ130は、正常状態であるとき、動作状態信号Sosとしてパルス信号を、反復される一定間隔で出力する。動作状態信号Sosが、状態表示回路140に印加されるとき、電荷がキャパシタC52に蓄積され、キャパシタC52の両端電圧が、状態入力端子P1に印加される。異常判別プロセッサ123は、キャパシタC52の両端電圧を、基準電圧Vrefと比較する電圧比較部122を含み、キャパシタC52の両端電圧が、基準電圧Vrefより大きい場合、マイクロコントローラ130が正常状態であると判断する。キャパシタC52の両端電圧の大きさは、動作状態信号Sosのデューティ比dutyratioによって決定される。マイクロコントローラ130は、動作状態信号Sosのデューティ比を調節し、マイクロコントローラ130が正常状態であるとき、キャパシタC52の両端電圧が基準電圧Vrefより大きいように設定する。一方、マイクロコントローラ130は、故障している場合または誤作動する場合、動作状態信号Sosとして、ローレベル信号あるいは直流信号を出力したり、信号出力を中断する。これによって、キャパシタC52に蓄積された電荷は、抵抗R52を介してグラウンドに流れ、キャパシタC52の両端電圧が、基準電圧Vrefより低い電圧に低下し、アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130が故障していると判断する。図6は、図5の実施形態による状態表示回路140の入出力信号を示すタイミング図である。図6を参照すれば、P2端子からパルスを受信する間には、基準電圧Vref以上の電圧が、状態入力端子P1に印加される。従って、アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130が正常であると判断する。しかし、t1で、パルス波の出力が停止する場合、キャパシタC52に保存された電荷が放電され始めて、キャパシタC52の両端電圧が下降し、t2で、両端電圧が基準電圧Vref以下に下がる。t2時点から、アナログフロントエンド120は、マイクロコントローラ130が故障していると判断することができる。このとき、基準電圧Vrefと、状態表示回路140の構成要素は、t1とt2tの間隔が、P2端子から出力されるパルスのローレベルパルス幅より大きいように設計されうる。パルスのローレベルパルス幅が、t1とt2との間隔より大きい場合、P2端子から出力されるパルスがローレベルであるとき、キャパシタC52の両端電圧が、基準電圧Vrefより低くなり、マイクロコントローラ130が故障していると誤判断することがあるために、かような設計にメリットがありうる。前記の通り、図1のバッテリ保護回路100によれば、マイクロコントローラ130が故障している場合、アナログフロントエンド120でこれを感知し、充放電動作を中止させることができる。これによって、バッテリパック1を安定して制御することができる。図7は、他の実施形態によるバッテリパック2を示すブロック図である。本実施形態によるバッテリパック2は、図1のバッテリパック1と類似した構成及び機能を有している。図7を参照すれば、バッテリパック2は、保護回路300とバッテリセル400とを含み、保護回路300は、端子部310、アナログフロントエンド320、マイクロコントローラあるいはプロセッサ330、状態表示回路340、充放電スイッチ350、保護素子360を含む。本実施形態で、異常判別プロセッサ323は、タイマ322を含む。タイマ322は、マイクロコントローラ330から出力され、状態入力端子P1及び状態表示回路340を介して印加された動作状態信号Sosを受信し、アナログフロントエンド320は、動作状態信号Sosが、基準時間Δt以上印加されない場合、マイクロコントローラ330が故障していると判断する。または、タイマ322に、基準電圧Vref以上の大きさを有する信号が、基準時間Δt以上印加されたり印加されない場合、マイクロコントローラ330が故障していると判断することもできる。アナログフロントエンド320は、マイクロコントローラ330が故障していると判断した場合、充放電スイッチ350に、充電制御信号Scまたは放電制御信号Sdを伝送し、充放電スイッチ350をオフにする。本実施形態による保護回路300の動作について述べれば、次の通りである。図8は、本発明の他の実施形態による状態表示回路340の入出力信号を示すタイミング図である。状態表示回路340は、例えば、図2ないし図4の回路のうち、いずれか1つの回路が使われうる。例えば、状態表示回路340が、図2のような回路で構成される場合、P2端子から受信する動作状態信号Sosが、t3で、ハイレベルからローレベルに変更されれば、状態入力端子P1に印加される状態信号も、ほぼ同じタイミングで、ハイレベルからローレベルに変更される。異常判別プロセッサ323は、タイマ322を使用し、状態入力端子P1を介して印加される信号が、ハイレベルからローレベルに変更されたt3から時間を測定し、基準時間Δtが経過したとき、マイクロコントローラ330が故障していると判断する。図3及び図4の場合も、状態入力端子P1に印加される電圧の大きさが異なるだけであり、動作原理は同一である。図9は、他の実施形態による状態表示回路340の入出力信号を示すタイミング図である。状態表示回路340は、図5の回路が使われうる。マイクロコントローラ330は、正常状態であるとき、動作状態信号Sosとして、パルス信号を一定間隔で出力する。動作状態信号Sosが状態表示回路340に印加されれば、キャパシタC52に電荷が蓄積され、キャパシタC52の両端電圧が、状態信号として状態入力端子P1に印加される。異常判別プロセッサ323は、タイマ322を使用し、一定電圧を有する状態信号が、状態入力端子P1に持続的に印加されれば、マイクロコントローラ330が正常状態であると判断する。一方、マイクロコントローラ330は、故障している場合または誤作動する場合、動作状態信号Sosとして、ローレベル信号を出力したり信号出力を中断する。かような場合、キャパシタC52に蓄積された電荷が放電され、t6時点から、キャパシタC52の両端電圧が、基準電圧Vrefより低くなる。異常判別プロセッサ323は、タイマ322を使用し、t6時点から時間を測定し、基準時間Δtが経過したとき、マイクロコントローラ330が故障していると判断する。基準電圧Vref及び基準時間Δtは、t5とt7との間隔が、P2端子から出力されるパルスのローレベルパルス幅より大きいように決定することができる。これは、パルスのローレベルパルス幅が、t5とt7との間隔より大きい場合、P2端子から出力されるパルスがローレベルであるとき、キャパシタC52の両端電圧が、基準電圧Vrefより低くなるだけではなく、基準時間Δtさえも経過し、マイクロコントローラ330が故障していると誤判断しうるためでる。前記の通り、バッテリ保護回路300で、マイクロコントローラ330が故障している場合、アナログフロントエンド320でこれを感知し、バッテリパック2の充放電動作を中止させることができる。これによって、バッテリパック2を安定して制御することができる。図10は、他の実施形態によるバッテリパック3を示すブロック図である。バッテリパック3は、図1のバッテリパック1と類似した構成及び機能を有している。図10を参照すれば、バッテリパック3は、保護回路500とバッテリセル600とを含み、保護回路500は、端子部510、アナログフロントエンド520、マイクロコントローラあるいはプロセッサ530、充放電スイッチ550、保護素子560を含む。アナログフロントエンド520は、異常判別プロセッサ523を含む。異常判別プロセッサ523は、マイクロコントローラ530から、命令信号Scomを受信する。異常判別プロセッサ523は、命令信号Scomの電圧レベルを電圧比較部522にて基準電圧Vrefと比較し、マイクロコントローラ530の故障や誤作動を判断することができる。また、マイクロコントローラ530の動作状態を判断するのに、命令信号Scomを使用するので、マイクロコントローラ530及びアナログフロントエンド520のポート数を減少させることができる。異常判別プロセッサ523で、マイクロコントローラ530の故障を判断する方法は、他の実施形態で説明したところと類似している。一実施形態として、命令信号Scomが異常判別プロセッサ523によってモニタリングされ、状態信号が命令信号Scomの命令内にエンコーディングされうる。他の実施形態として、マイクロコントローラ530が適切に動作しているか否かを判断するために、命令生成の頻度、周波数をモニタリングすることができ、命令生成頻度が基準値未満である場合、異常判別プロセッサ523は、マイクロコントローラ530が故障していると判断することができる。前記の通り、本実施形態によるバッテリ保護回路500で、マイクロコントローラ530が故障している場合、アナログフロントエンド520でこれを感知し、充放電動作を中止させることができる。これによって、バッテリパック3を安定して制御することができる。図11は、他の実施形態によるバッテリパック4を示すブロック図である。バッテリパック4は、図10のバッテリパック3と類似した構成及び機能を有している。図11を参照すれば、バッテリパック4は、保護回路700とバッテリセル800とを含む。保護回路700は、端子部710、アナログフロントエンド720、マイクロコントローラあるいはプロセッサ730、充放電スイッチ750、保護素子760を含む。アナログフロントエンド720は、タイマ722を含む。そして、タイマ722は、マイクロコントローラ730から伝送された命令信号Scomを受信する。タイマ722を使用し、異常判別プロセッサ723は命令信号Scomが伝えられるか否かを判断し、基準時間Δt以上信号Scomが正常機能であることを表示しない場合、マイクロコントローラ730が故障していると判断する。従って、保護回路700は、図1のように、状態表示回路140を含む必要はない。また、マイクロコントローラ730の動作状態を判断するために、命令信号Scomを使用するので、マイクロコントローラ730及びアナログフロントエンド720のポート数を減少させることができる。マイクロコントローラ730の故障を判断する方法は、他の実施形態で説明したところと類似している。前記の通り、バッテリ保護回路700で、マイクロコントローラ730が故障している場合、アナログフロントエンド720でこれを感知し、充放電を中止させることによって、バッテリパック4を安定して制御することができる。以上で言及した本実施形態及びその変形例による制御方法を、バッテリ保護回路100,300,500,700及びバッテリパック1~4で実行させるためのプログラムは、不揮発性コンピュータ記録媒体nontransitorycomputerreadablemediaに保存されうる。ここで媒体としては、半導体記録媒体、例えば、フラッシュメモリflashmemoryを使用することができる。前記媒体は、プロセッサによって判読可能であり、プロセッサで実行することができる命令を含むことができる。前記制御方法は、多様なモジュールによって行われる。各モジュールは、多様なサブルーチン、プログラム処理手続、定義命令文及びマクロを含むことができることを、当業者は容易に理解することができるであろう。前記モジュールは、それぞれ独立してコンパイルされ、1つの実行可能なプログラムとして組み合わせられる。従って、便宜上、引き続いて前記方法について段階別に記述することにより、前記制御方法の機能について説明することになる。従って、各モジュールが行うプロセスは、他の1つのモジュールに任意に再分散され、単一モジュール内で結合されたり、共有可能な動的リンクライブラリで作動可能に具現されうる。また、前記各モジュールは、ハードウェアの機能ブロックで具現されうる。開示されたシステム及び方法が、多様な個別機能ブロックの形態で具現可能であるが、前記システムは、前記ブロックのうち、少なくとも1ブロックの機能や、あらゆるブロックの機能を、例えば、少なくとも1つの適切にプログラミングされたプロセッサや装置が具現可能な形態で具現されうる。前記プロセッサは、汎用または特別な用途のプロセッサを含むことができ、互いに異なる機能を行う構成要素を含む、例えば、チップのような装置に含まれうることを理解せねばならない。よって、本発明の多様な側面は、デジタル電子回路、またはコンピュータハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせの形態で具現されうる。また、本発明の一側面は、コンピュータで読み取り可能な媒体内にプログラム可能な、プロセッサが実行できるコンピュータプログラム形態で具現されうる。本発明の一側面による方法の各段階は、命令を実行し、本発明による機能を行うプログラム可能なプロセッサによって、例えば、入力データを演算して出力データを生成することによって遂行可能である。従って、本発明の実施形態は、コンピュータ装置上で実行される場合、前記方法を具現できるコンピュータプログラムを含む。また、本発明の実施形態は、コンピュータで読み取り可能な形態の前記コンピュータプログラムを保存し、コンピュータ装置上で実行される場合、前記方法のうち少なくとも1つの方法を実行できるCD-ROMやディスケットのようなデータキャリアを含む。以上、明細書で特定実施形態を開示したが、それ以外の多様な形態で具現可能であることを理解せねばならない。本発明の特定の特徴や側面を記述するのに使用した用語は、ここで再定義され、当該用語と関連した本発明の特徴または側面の特性を含む限定的な意味に解釈されることがあってはならない。以上、本発明について、多様な実施形態を参考にして説明したが、前記装置または方法は、当業者によって添付された特許請求の範囲の技術的思想の範囲内で、多様な形態に省略、代替、変形が可能であるという点を理解せねばならない。本発明について、図面に図示された実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。"