"コロナ帯電により情報が転写記録されたガラス基板上に、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を溶解した水溶性高分子からなる水溶液を塗布し、当該膜の乾燥に伴って表面に上記転写情報に応じた凹凸形状を自発的に発生させることにより、ガラス基板に転写記録された情報を、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換することを特徴とする、ガラス基板に記録された情報の再生方法。前記乾燥が、紫外線照射を伴うことを特徴とする請求項1に記載の、情報の再生方法。前記の、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物が、グルコースであることを特徴とする請求項1又は2に記載の、情報の再生方法。前記水溶性高分子が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸ナトリウム、及びポ4-スチレンスルホン酸とマレイン酸の共重合体のナトリウム塩から選ばれることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の、情報の再生方法。コロナ帯電により情報が転写記録されたガラス基板と、その上に形成された、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を含有する水溶性高分子からなる乾燥塗布膜とからなり、当該膜表面には、前記の転写情報に応じた凹凸形状が自発的に発生して、ガラス基板に記録された転写情報が、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換されていることを特徴とする情報媒体。前記乾燥塗布膜が、紫外線照射を伴う乾燥によるものであることを特徴とする請求項5に記載の情報媒体。前記の、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物が、グルコースであることを特徴とする請求項5又は6に記載の情報媒体。前記水溶性高分子が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸のナトリウム塩、及びポ4-スチレンスルホン酸とマレイン酸の共重合体のナトリウム塩から選ばれることを特徴とする請求項5~7のいずれか1項に記載の情報媒体。前述のとおり、従来、情報転写のテンプレートとして用いることができる誘電体媒体としては、アゾベンゼン化合物を含有するポリマーやフォトレジスト等の光応答性材料やポリメチルメタクリレートPMMAやポリスチレンPS等の汎用性ポリマーを使用することが可能であるとされている。また、転写する情報に特に制限はなく、あらゆる凹凸構造がガラス基板に転写でき、例えば、表面グレーティングのような単純な周期構造の他に、微小球の配列構造や複雑なホログラム等が挙げられる。ガラス基板への情報は、テンプレートに応じて生じるガラス表面近傍の化学的/物理的変化に起因している。しかしながら、その変化の程度は概して微弱であり、例えばグレーティング周期は1~3μm程度が転写されたガラス基板から発生される回折光の回折効率はおよそ10-2~10-3と低く、実用的な光学部材として利用するには問題があった。また、上記特許文献1、及び非特許文献5、6には、コロナ帯電により情報が転写されたガラス基板に対し、誘電体薄膜をコートし、表面に凹凸構造を再現できることが示されているが、該方法は、改めてコロナ放電処理を必要とするため、簡便な方法とはいえず、また、エネルギー消費量も少なくないため、コスト面においても問題がある。本発明は、こうした現状を鑑みてなされたものであって、ガラス基板に記録された情報を、簡便で、しかも低コストな方法により、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換する方法を提供することを目的とするものである。本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、コロナ帯電によって情報を記録したガラス基板上に、グルコース等の、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を溶解した、ポリビニルアルコールPVA等の水溶性高分子からなる塗膜を形成すると、当該膜の乾燥に伴って表面に転写情報に応じた凹凸形状が自発的に発生し、回折光強度が100倍以上まで大幅に向上できるという知見を得た。本発明はこれらの知見に基づいて完成に至ったものであり、本発明によれば、以下の発明が提供される。[1]コロナ帯電により情報が転写記録されたガラス基板上に、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を溶解した水溶性高分子からなる水溶液を塗布し、当該膜の乾燥に伴って表面に上記転写情報に応じた凹凸形状を自発的に発生させることにより、ガラス基板に転写記録された情報を、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換することを特徴とする、ガラス基板に記録された情報の再生方法。[2]前記乾燥が、紫外線照射を伴うことを特徴とする[1]に記載の、情報の再生方法。[3]前記の、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物が、グルコースであることを特徴とする[1]又は[2]に記載の、情報の再生方法。[4]前記水溶性高分子が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸ナトリウム、及び4-スチレンスルホン酸とマレイン酸の共重合体のナトリウム塩から選ばれることを特徴とする[1]~[3]のいずれかに記載の、情報の再生方法。[5]コロナ帯電により情報が転写記録されたガラス基板と、その上に形成された、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を含有する水溶性高分子からなる乾燥塗布膜とからなり、当該膜表面には、前記の転写情報に応じた凹凸形状が自発的に発生して、ガラス基板に記録された転写情報が、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換されていることを特徴とする情報媒体。[6]前記乾燥塗布膜が、紫外線照射を伴う乾燥によるものであることを特徴とする[5]に記載の情報媒体。[7]前記の、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物が、グルコースであることを特徴とする[5]又は[6]に記載の情報媒体。[8]前記水溶性高分子が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸ナトリウム、及び4-スチレンスルホン酸とマレイン酸の共重合体のナトリウム塩から選ばれることを特徴とする[5]~[7]のいずれかに記載の情報媒体。本発明によれば、従来のように改めてコロナ帯電を施す必要がなく、簡便、低コストで、且つエネルギー消費量も極めて少ない方法で、ガラス基板に記録された情報を、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換することができる。とりわけ、周期性を持つ表面レリーフとして変換された凹凸情報を再生した場合には、その回折効率を高めることに高い効果を示す。図15は、コロナ帯電を用いて、ガラス基板に情報を転写する従来法の一例を示す概略図であって、図中、a~dが、ガラス基板へ情報を記録する工程である。すなわち、最初に、ソーダガラス基板上にアゾベンゼン薄膜を形成する工程a。次いで、該薄膜にArレーザ照射等の方法により、凹凸を形成し工程b、該薄膜に対してコロナ放電処理を行って、薄膜の凹凸の厚さ方向に応じた情報を、ガラス基板に記録することができる工程c、d。また、図中のe~hが、表面レリーフ構造を再生する工程である。すなわち、前述のガラス基板に形成されたアゾベン薄膜を除去し工程e、次いで、除去された基板上にポリマーを塗布し工程f、これにコロナ帯電処理工程gをすることで、ガラス基板に記録された情報が、ポリマー薄膜表面レリーフとして再生される工程h。本発明は、このe工程以降の方法に関するものであり、コロナ帯電処理によって情報が記録されたガラス基板から、薄膜を除去した後、グルコースを溶解した、ポリビニルアルコールPVA等の水溶性高分子からなる水溶液を該基板に塗布することによって、ガラス基板に記録された情報を、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換するものである。また、本発明の方法により得られる、表面レリーフ凹凸構造を有する情報媒体は、コロナ帯電処理によって情報が記録されたガラス基板と、その上に塗布形成された、グルコース等の、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を含有する水溶性高分子からなる薄膜とからなり、該薄膜には、ガラス基板に記録された情報が、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換されているものである。最初に、コロナ帯電処理によって情報が記録されたガラス基板の製造方法について記載する。用いるガラス基板としては、パイレックス登録商標ガラスなどの硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス、ソーダライムガラスなどが挙げられる。ガラス基板は、サブミクロンオーダーの精度で情報を高密度記録するため、基板の表面粗さは、1nmから1000nmであることが好ましい。次いで、該ガラス基板上には、塗布などの方法により薄膜誘電体テンプレートが形成され、更に、該薄膜の表面に、微細なレリーフ構造が形成される。微細なレリーフ構造としては、特許文献1に記載されたような単純な格子構造以外に、非特許文献2に記載のように、フーリエ変換ホログラムも形成することができる。さらに、こうした回折格子やホログラム等に代表される周期的な凹凸パターンを有するものの他、周期性を有しない凹凸パターンを有するものであってもよい。微細なレリーフ構造を形成することが可能な薄膜誘電体テンプレート材料としては、たとえば、アゾベンゼン構造を有するポリマーやフォトレジスト等の光応答性材料が好ましく用いられる。また、ガラス基板にその情報を転写するためのテンプレートとして、非特許文献4に記載のような、ポリスチレン微粒子の自己組織化構造も利用できる。薄膜に微細なレリーフ構造を形成する方法も、特に限定されるものではなく、従来公知の方法が用いられるが、例えば、好ましい方法の1つとして、アゾベンゼン構造を有するポリマーからなる薄膜に、二つの方向から一定波長の位相の揃ったレーザー光を入射させ、一定ピッチの干渉縞を薄膜の上に形成し、干渉縞に応じた回折格子を形成する方法があげられる。該レーザーとしては、Ar、XeF、XeCl、KrF、ArFなどのレーザーが用いられる。また、フォトレジストを用いる場合には、メタルマスクをフォトレジスト表面に密着させて、Arイオンレーザー等を用い露光し、現像して、凹凸パターンを形成する方法も用いることができる。ガラス基板は、上記の微細なレリーフ構造凹凸パターンが形成された薄膜を通してコロナ帯電することにより、該薄膜の凹凸の厚さに応じた情報が電荷分布の形態で、ガラス基板の表面部に記録される。なお、コロナ帯電は、ガラス基板表面から200nm程度まで届くと考えられるため、ガラス基板の表面部とは、基板表面に加えて、基板表面から200nm程度の深さを意味する。また、非特許文献3に記載されているように、転写された情報からの光散乱を低減するため、コロナ帯電処理にあたっては、誘電体テンプレートをアニールすることが好ましい。次いで、前述のようにしてガラス基板に記録された情報を、表面レリーフとして凹凸情報に効率的に変換する方法について説明する。最初に、ガラス基板上の薄膜誘電体テンプレートを、溶解、湿式エッチング、又はドライエッチングなどの方法により除去する。溶剤を用いる場合には、薄膜を溶解するが、上記ガラス基板は溶解、腐食等しないものが求められる。なお、薄膜を溶解除去した後に溶剤の乾燥を行うが、乾燥により上記基板の記録は消去されることはない。次いで、該薄膜誘電体テンプレートを除去したガラス基板に、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を含有する水溶性高分子薄膜を形成する。その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物としては、水溶性高分子との相溶性を有しているものであり、具体的には、グルコースのような単糖類が好ましく用いられる。なお、本発明において好ましく用いるグルコースは、代表的な単糖のひとつであり、光学活性物質であって、天然に大量に存在するのはD体である。該水溶性高分子薄膜の形成方法は、特に限定されないが、前述のアゾベンゼン構造を有するポリマーやフォトレジスト等の光応答性材料からなる薄膜を形成する場合と同様が用いられ具体的には、スピンコート、バーコート、ローラーコート、ダイコート、ブレードコート、ディップコート、ドクターナイフ、スプレーコート、フローコート、刷毛塗りなどなど、あるいは、種々の印刷方法が挙げられる。以下、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物として、グルコースを用いる場合を例として説明する。水溶性の高分子としては、前記のグルコースと相溶性のあるものであれば、特に限定されることなく用いられるが、好ましくは、ポリビニルアルコールPVA、ポリアクリル酸ナトリウム、又は4-スチレンスルホン酸とマレイン酸の共重合体のナトリウム塩等が用いられる。これらの水溶性高分子に含有されるグルコースの量は、水溶性高分子の添加量は考慮せずにグルコースと水で算出した値で、20質量以上であることが望ましい。また、水中に含有されるこれらの水溶性高分子の量は、グルコースの添加量は考慮せずに水溶性高分子と水で算出した値で、5~10質量であることが望ましい。本発明では、ガラス基板上に、グルコール等の、その水溶液が比較的高い粘性を持ち、且つ、乾燥時には結晶性を有する化合物を含有する水溶性高分子の水溶液を塗布した後、自然乾燥させるか、或いは、紫外線の照射を伴わせた乾燥を行う。以下、本発明について、実施例を用いて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。[使用した試薬と機材]ガラス基板:松浪硝子工業社製S7213スライドガラステンプレート材料:富士工業社製フォトレジストFPPR200テンプレート作製用マスク:エドモンドオプティクス社製25μmラインアンドスペースのメタルマスクグルコース:東京化成社製Dグルコース純度980以上ポリビニルアルコールPVA:ポリビニルアルコールMw900010000PVA以外のポリマー:アルドリッチ社製ポリアクリル酸ナトリウム塩水溶液、ポリ-co-マレイン酸ナトリウム塩粉末ホウ砂:健栄製薬社製ホウ砂粉末Arイオンレーザー:スペクトラフィジックス社製SP2017458nm50mW紫外線照射装置:林時計工業社製LA410UV200WHe-Neレーザー:LASOS社製633nm直線偏光5mW光検出器:ニューポート社製シリコンフォトダイオード1815C高圧電源:東和計測社製高圧モジュール電源レーザー共焦点顕微鏡:オリンパス社製走査型共焦点レーザー顕微鏡LEXTOLS3000[ガラス基板への転写]最初に、ガラス基板への情報転写を、以下のようにして行った。25×25mmにカットしたガラス基板上にフォトレジストを100μl塗り広げ、1000rpmで300分間スピンコートし、テンプレート用の薄膜を作製した。当該サンプルを100°Cに調温したホットプレートで2分間予備加熱処理した後、メタルマスクをフォトレジスト表面に密着させて、波長458nmのArイオンレーザーで露光した。露光強度は7.96mW/cm2、露光時間は270秒とした。次いで、現像液で150秒間現像処理し、蒸留水を用いて5分間洗浄して常温で乾燥させた。露光部分がガラス基板まで溶解できていることを共焦点レーザー顕微鏡で確認した後、熱硬化性樹脂でフォトレジストを覆い、加熱による形状劣化を防いだ。その後、150°Cに調温したホットプレート上に載せ、ベルジャーで覆って5分間熱処理した。さらにその後、136°Cに加熱しながら、大気中にて、6kVの電圧を1cm離れた距離に設置した針状電極から放電して、2時間コロナ帯電処理を行い、フォトレジストテンプレートの構造をガラス基板に転写した。その後、30分間かけて除冷した後、電圧印加を停止し、サンプル上からレジストテンプレートを、アセトンを用いた超音波洗浄により除去し、情報の転写されたガラス基板を作製した。[実施例1:グルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA薄膜における表面レリーフの自己形成]次いで、前記の情報が転記されたガラス基板上での、グルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA薄膜における表面レリーフの自己形成について、以下のように確認をした。条件グルコース2.145gとポリビニルアルコールPVA0.375gを蒸留水5gに溶解して調整した水溶液を、前記の情報が転記されたガラス基板上に50μl展開し、1000rpmで10秒間スピンコートを行い、10分間自然乾燥させた後、回折光の計測系に当該サンプルを設置し、He-Neレーザーを当てた。[実施例1-1:回折強度の測定]各時点においてのサンプルについて、1次回折光強度の計測を行った。計測された回折光強度の、時間変化を、図1に示す。また、回折パターンの様子と各回折光スポットの強度の測定結果回折効率を、図2~4に示す。観察用の光源は532nmのレーザーであり、各図の下に記載した回折パターンは、回折光が見えるように露出を調整して撮影したものである。図2は、グルコースを溶解したPVA薄膜が塗布されていない状態のものであり、図3は、該薄膜塗布後24時間のものであり、図4は、該薄膜塗布後1週間のものである。図2~4から明らかなように、ガラス基板上から観察できていた2.5~3.8×10-2の回折光強度が、24時間後には1次回折光が6程元々のガラスからの回折光強度の200倍以上に増大し、さらに1週間後には3次回折光も5程全回折光の合計は40以上であり、元々のガラスからの回折光強度の800倍以上を示すようになっていることが分かった。24時間後は多少散乱光が目立つが、1週間後は回折スポットがはっきり観察され、コロナ帯電パターンに対応した凹凸形成が進行する一方で、表面の微細なでこぼこガラスに刻まれたコロナ帯電パターンよりも細かな空間周波数のものについては平滑化が自発的に進行し、散乱光の発生が低減されて行っている様子が観察された。なお、この点については、後述する、膜厚測定の結果を示す図8からもわかる。[実施例1-2:表面観察]各時点においてのサンプル表面の共焦点レーザー顕微鏡を用いて観察をおこなった。結果は、図5~8のようになっていた。図5-1は、コロナ帯電前のレジスト表面の観察写真であり、図5-2は、その断面形状を示す図である。図6-1は、コロナ帯電後のレジスト表面の観察写真であり、図6-2は、その断面形状を示す図である。図7は、テンプレート除去後のガラス基板表面の観察写真である。図8-1は、グルコースを溶解したPVA溶液を塗布後、1週間が経過したサンプルの表面観察写真であり、図8-2は、その四角で囲んだ部分の断面形状を示す図である。これら一連の観察から、グルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA薄膜の表面は、1週間後において、1μm以上の高さの正弦波状に形状変化していることがわかった。また、フォトレジストテンプレートのなかった部分がレリーフ形状の凸、フォトレジストテンプレートのあった部分がレリーフの凹部分に対応していることが分かった。また、図8-1の左側の一部分に観察される構造のように、周期的な構造ではないが、レリーフが形成されている部分においても、同様の形状変化をしていることが分かった。図8-3は、その一例を示す観察写真であり、拡大、回転させて示してある。[実施例1-3:膜厚測定]1週間経ったサンプルについて、スクラッチを付けることでその膜厚関係を計測した。その結果、図9のような厚さとなっていることがわかった。なお、図9は、薄膜表面とガラス基板からの距離の関係を示している。レリーフが形成されている部分とされていない部分を比較すると、形成されていない膜の部分の厚さDが2.4μm程であるのに対し、形成されている部分では凹部Aの厚さAが1.7~2.6μm、凸部の厚さBが3.4~4.2μmとなっており、膜の高さに比べて凸部が高くなっており、凹部が膜の厚さと同程度であることが分かった。なお、値のバラツキについては、サンプル面内3か所独立の位置で計測して得られた値の違いを反映している。これは初期状態において今回のサンプルの膜厚が多少ムラのある状態になっていたことが原因であると考えられ、初期膜厚の制御を精密化することにより膜厚のムラは殆ど抑制できると考えられる。[実施例2:紫外線の照射を伴う乾燥による表面レリーフの形成]前記の情報が転記されたガラス基板上での、グルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA薄膜における、紫外線照射を伴う乾燥による表面レリーフの形成について、以下のようにして確認をした。条件グルコース2.145gとポリビニルアルコールPVA0.375gを蒸留水5gに溶解して調整した水溶液を、前記の情報が転記されたガラス基板上に50μl展開し、1000rpmで10秒間スピンコートを行い、10分間間自然乾燥させた後、紫外線照射装置から放射された紫外線を光ファイバーで導光し、サンプルに露光しながら、レリーフ化の形成過程を、回折光強度変化により観察した。結果結果を、図10に示す。図10のグラフが示すように、紫外線照射後、回折光強度は一度下がるものの、再び上昇に転じ、照射前よりも回折光が強くなる傾向が観測された。すなわち、紫外線照射によって表面レリーフの形成は15ほど促進されたと言える。[実施例3]本実施例では、グルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA薄膜に対して行なった検討と同様の手法により、以下に述べるI~VIIのケースについて、検討を行なった。その結果、表面凹凸の形成と、それによる回折光の発生が認められたものと認められないものがあることが分かった。この結果から、少なくともグルコースの含有が重要な要因をなしていること、及び、ポリマーはPVAのみならず、一般的な水溶性ポリマーに演繹できる可能性が示唆された。IPVA薄膜グルコース添加しない系における表面レリーフの自己形成の検討条件15wtのPVA水溶液を調整し、サンプル上に1000rpmで10秒スピンコートし、10分間自然乾燥させた。この時、1.8μm厚の薄膜が製膜されていた。続いて、He-Neレーザーで1次回折光強度のInSitu観察を行いながら乾燥を進めた。結果1時間以上計測したが、回折光は発生しなかった。PVA-グルコース薄膜を用いた時とは異なり、乾燥速度が早く、この時点で薄膜は完全に乾燥し、硬化していた。レリーフ化には、適切な乾燥速度、粘度などの条件の下で乾燥が進むプロセスが有効に作用しており、グルコースの添加はそのために顕著な効果があるものと推定できる。IIグルコース水溶液PVAを添加しない系における表面レリーフの自己形成の検討条件ポリビニルアルコールは加えずに、蒸留水5gに、グルコースを、それぞれ、2.174g、1.569g、1.042g、0.51g加えた4種の溶液を調整し、調整した水溶液をガラス基板上に50μl展開し、1000rpmで10秒スピンコートし、10分間乾燥させた。続いて、He-Neレーザーで1次回折光強度のInSitu観察を行いながら乾燥を進めた。結果1時間以上計測したが、回折光は発生しなかった。PVA-グルコース薄膜を用いた時とは異なり、乾燥に伴って結晶が成長し、散乱性の強い多結晶薄膜となった。したがって、表面レリーフの形成にはPVAなど水溶性ポリマーの添加が必要であると考えられる。IIIPVA-ホウ砂薄膜上でのレリーフ化グルコースを添加せず、ゲル状物質を与えるホウ砂を用いることで比較実験を行った。粘度のみをグルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA水溶液と同一に合わせて、以下のようにして実施した。条件PVA水溶液にホウ砂水溶液を調製し、その粘度がPVA-グルコース水溶液と同程度になるようにした。粘度はPVA-グルコース水溶液と同程度となるように調整した。ついで、該PVA-ホウ砂水溶液をガラス基板上に50μl展開し、1000rpmmで10秒間スピンコートし、10分間乾燥させた。続いて、He-Neレーザーで1次回折光強度のInSitu観察を行いながら乾燥を進めた。結果1時間以上計測したが、回折光は発生しなかった。PVA-グルコース薄膜を用いた時とは異なり、乾燥速度が早く、この時点で薄膜は完全に乾燥していた。また、PVA薄膜の時とは異なり、乾燥した膜は白濁し、一部粉末状の様態となっていた。したがって、表面レリーフの形成にはグルコースをはじめとする物質、すなわち、水溶性で、かつ、適度に保水性を有し、その結果自然乾燥がゆっくりと進行する条件が充足され、また、おそらくは、乾燥が進行した際に、微結晶を形成する特性を有していることが重要な要因になっているものと推定される。ホウ砂はこの点で、保水性や結晶性が不十分であったものと考えられる。IVグルコースの添加濃度と回折光強度の関係条件ポリビニルアルコールPVA0.375gを蒸留水5gに溶解し、グルコースを、それぞれ、12.174g、21.569g、31.042g、40.510gを加えた4種の溶液を調整し、調整した水溶液をガラス基板上に50μl展開し、1000rpmで10秒間スピンコートし、10分間乾燥させた。続いて、He-Neレーザーで1次回折光強度のInSitu観察を行いながら乾燥を進めた結果結果を図11に示す。なお、この時の乾燥条件は、温度23°C、湿度28で、前記の図1~図11における条件温度25°C、湿度40と異なるため、乾燥が必要以上に早く進行し、凹凸形成が早期に収束してしまったものと推定される。図12は、グルコースの添加濃度に対して回折光強度をプロットした図である。図から明らかなように、グルコースの添加量は20wtPVAの添加量は考慮せずにグルコースと水で算出した値以上であることが望ましいといえる。VPVAの添加濃度と回折光強度の関係条件グルコース2.174gを蒸留水5gに溶解し、ポリビニルアルコールPVAの添加量を、0から0.625gまで変化させた13種の溶液を調整し、調整した水溶液をガラス基板上に50μl展開し、1000rpmで10秒間スピンコートし、1分間乾燥させた。続いて、He-Neレーザーで1次回折光強度のInSitu観察を行いながら乾燥を進めた。結果PVAの添加濃度に対して回折光強度をプロットすると、図13のようになり、顕著な依存性が観測され、乾燥過程におけるPVAの役割が重要であることが示された。グルコースの添加量を変化させるとそれに応じてPVAの添加量の最適量も変化するものと予測されるが、今回のグルコース添加量の条件下においては、PVAの添加量が5~11wtグルコースの添加量は考慮せずにPVAと水で算出した値、より好ましくは、7~8であることが望ましいということが示された。VIグルコースを溶解したポリアクリル酸ナトリウム塩水溶液薄膜における表面レリーフの自己形成条件ポリアクリル酸ナトリウム塩45wt水溶液0.833gに蒸留水4,55gを加え、さらにグルコースを2.174g溶解させた。当該調整液をガラス基板上に50μl展開し、1000rmで10秒間スピンコートし、10分間乾燥させた。続いて、He-Ne-レーザーで1次回折光強度のInSitu観察を行いながら乾燥を進めた。結果24時間後には1次回折光が4程となり、1週間後には3次回折光も5程を示した。この結果は、グルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA薄膜における表面レリーフの自己形成のケースと同様の結果であり、ポリマーが、ポリビニルアルコールPVAに限定されるものではないことが分かった。VIIグルコースを溶解したポリ-co-マレイン酸ナトリウム塩薄膜における表面レリーフの自己形成条件ポリ4-スチレンスルホン酸-co-マレイン酸ナトリウム塩0.375gを蒸留水5gに溶解し、さらにグルコースを2.174gを加えた。当該調整液をガラス基板上に50μl展開し、1000rpmで10秒間スピンコートし、10分間乾燥させた。続いて、He-Neレーザーで1次回折光強度のInSitu観察を行いながら乾燥を進めた。結果24時間には1次回折光が7程となり、1週間後には3次回折光も6程を示した。この結果は、グルコースを溶解したポリビニルアルコールPVA薄膜における表面レリーフの自己形成のケースと同様の結果であり、ポリマーがポリビニルアルコールPVAに限定されるものではないことが分かった。実施例4:コロナ帯電処理を施したガラス基板表面の特性の変化に関する考察条件松浪硝子工業社製スライドガラスS7213を25mm×25mmにカットし、1枚にはコロナ帯電処理を行ない、もう1枚はそのままコロナ帯電処理を行わないとして、それぞれのガラス表面について濡れ性を比較した。コロナ帯電条件は、ガラス基板を135°Cに加熱しながら6kVの電圧を印加し、コロナ帯電を2時間行なった後、30分間かけて除冷し、基板温度が室温付近に近づいた段階において電圧の印加を停止した。それぞれのガラス基板に10μlの蒸留水を滴下し、液滴の濡れ広がり具合を比較した。結果結果を、図14に示す。図の左が、コロナ帯電処理前の写真であり、右が、コロナ帯電処理後の写真である。図から明らかなように、コロナ帯電処理を行なうことで、ガラス表面はより撥水的になっていることが分かった。したがって、コロナ帯電処理の有無が格子状パターンをなしているガラス基板表面においては、グルコースを含有するポリビニルアルコール水溶液の乾燥速度がパターンに応じて変化し、その結果、膜の厚さに変化が生じ、凹凸が形成されたものと推定される。"