平面上にマトリクス配列される平面視矩形で凸面状のマイクロレンズの製造方法であって、マイクロレンズの製造工程が、マイクロレンズを構成すべき透明樹脂層を平面上に形成し、感光性樹脂からなるフォトレジスト層を透明樹脂層上に形成し、フォトレジスト層をフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によりパターニングした後に熱溶融して凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、前記透明樹脂層上の転写用マイクロレンズパターンをエッチングレジストとして前記透明樹脂層にエッチング転写する工程からなり、前記フォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。前記透明樹脂層上の転写用マイクロレンズパターンをエッチングレジストとして前記透明樹脂層にエッチング転写する工程が、フッ素系ガスによるドライエッチングであることを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズの製造方法。前記透明樹脂層が、アクリル系の樹脂材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロレンズの製造方法。前記フォトレジスト層が、アクリル系またはノボラック系のポジ型レジスト材料からなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマイクロレンズの製造方法。前記透明樹脂層の膜厚を1.4~1.7μmとし、マトリクス配列のパターンピッチを1.1~1.75μmとする場合の、フォトマスクパターン上での前記同一とする隙間の距離を0.3~0.4μmとすることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のマイクロレンズの製造方法。概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズ製造用フォトマスク。図4は、エリアセンサに使用するマイクロレンズの平面配列において隣接するマイクロレンズとの隙間を説明するための模式平面図であって、aは、望ましい形状を示し、bは、通常の隙間を有する形状を示す。図4aに示すように、太線で示す正常な矩形が隅まで形成されていれば、個々のマイクロレンズ6の集光機能を最大に発揮でき、それを用いる固体撮像素子の感度を充分に向上できる。なお、点線の円周は、太線の矩形内で凸面状となるマイクロレンズ形状を平面表示するものである。樹脂の熱溶融を利用することの多いマイクロレンズの製造工程においては、隣接するマイクロレンズ間の融着を防ぐ必要があるため、前述の望ましい形状を得ることが容易でない。例えば、前記フローレンズタイプでは、隣接するマイクロレンズ間の融着を直接的に防ぐために、予め、マイクロレンズ間に一定の隙間を設けることを前提とした設計を行わざるを得ない。また、前記転写タイプでは、レンズ母型の形状を透明樹脂層に転写する工程で、隙間を小さくできるため、フローレンズタイプより形状を改善する余地はあるが、通常は、図4bの一部の模式平面図に示すように、マイクロレンズ61の平面形状が太線で示すように隅の丸まった不完全な矩形の形状となる。従って、対角方向に隣接するマイクロレンズとの隙間7が無視できない大きさとなり、それを用いる固体撮像素子の感度を充分に向上することができない。前記転写タイプにおいて、対角方向に隣接するマイクロレンズとの隙間を小さくするために、工程条件を変えることも可能である。例えば、マイクロレンズを形成すべき樹脂層の上に設けたフォトレジスト層のフォトリソグラフィー工程後の熱溶融によるパターンを下層の透明樹脂層にエッチング転写するという転写タイプの製法を採用する場合、エッチング時間を長くすることにより、隙間は減少する。しかし、エッチング時間を長くすると、工程の負荷が増大するばかりでなく、エッチング処理を行う広い領域全体における面内の均一性が悪化するという品質上の不具合が生じやすい。本発明は、前記の問題点に鑑みて提案するものであり、本発明が解決しようとする課題は、平面上にマトリクス配列される平面視矩形で凸面状のマイクロレンズの隣接するマイクロレンズとの隙間を均一に小さくするためのマイクロレンズの製造方法を、工程負荷の増大や品質の低下を招くことなく、提供し、また、それに使用するフォトマスクを提供することである。上記の課題を解決するための手段として、請求項1に記載の発明は、平面上にマトリクス配列される平面視矩形で凸面状のマイクロレンズの製造方法であって、マイクロレンズの製造工程が、マイクロレンズを構成すべき透明樹脂層を平面上に形成し、感光性樹脂からなるフォトレジスト層を透明樹脂層上に形成し、フォトレジスト層をフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によりパターニングした後に熱溶融して凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、前記透明樹脂層上の転写用マイクロレンズパターンをエッチングレジストとして前記透明樹脂層にエッチング転写する工程からなり、前記フォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズの製造方法である。また、請求項2に記載の発明は、前記透明樹脂層上の転写用マイクロレンズパターンをエッチングレジストとして前記透明樹脂層にエッチング転写する工程が、フッ素系ガスによるドライエッチングであることを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズの製造方法である。また、請求項3に記載の発明は、前記透明樹脂層が、アクリル系の樹脂材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロレンズの製造方法である。また、請求項4に記載の発明は、前記フォトレジスト層が、アクリル系またはノボラック系のポジ型レジスト材料からなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマイクロレンズの製造方法である。また、請求項5に記載の発明は、前記透明樹脂層の膜厚を1.4~1.7μmとし、マトリクス配列のパターンピッチを1.1~1.75μmとする場合の、フォトマスクパターン上での前記同一とする隙間の距離を0.3~0.4μmとすることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のマイクロレンズの製造方法である。また、請求項6に記載の発明は、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズ製造用フォトマスクである。本発明は、マイクロレンズの製造工程が、マイクロレンズを構成すべき透明樹脂層を平面上に形成し、感光性樹脂からなるフォトレジスト層を透明樹脂層上に形成し、フォトレジスト層をフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によりパターニングした後に熱溶融して凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、前記透明樹脂層上の転写用マイクロレンズパターンをエッチングレジストとして前記透明樹脂層にエッチング転写する工程からなる場合に、前記フォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズの製造方法であるので、平面上にマトリクス配列される平面視矩形で凸面状のマイクロレンズの隣接するマイクロレンズとの隙間を均一に小さくするためのマイクロレンズの製造方法を、工程負荷の増大や品質の低下を招くことなく、提供することができる。以下、図面に従って、本発明を実施するための形態について説明する。まず、本発明を適用するマイクロレンズの製造工程について、カラー固体撮像素子にマイクロレンズを設ける例に従って、図5のa~eの工程順の断面模式図により詳細を説明する。なお、本図では明示していないが、本発明は、マイクロレンズ間の平面視形状を最適にする目的であるので、平面上にマイクロレンズがマトリクス配列される例を、前提としている。図5aは、カラー固体撮像素子のマイクロレンズを設ける前の断面模式図であって、シリコン等の半導体基板2上に規則的に設けた複数の光電変換素子3を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面に、透明平坦化層5を介して、複数色を繰り返し配列する着色透明画素パターン8を光電変換素子3に対応させて複数設け、さらに第二の透明平坦化層51により着色透明画素パターン8を配列した平面上の平坦化を行った後に、マイクロレンズを構成すべき透明樹脂層65を均一に塗布形成した状態を表す。透明樹脂層65として、アクリル系の樹脂材料をスピンコーターを用いて乾燥膜厚1.4~1.7μmに均一に塗布できる。乾燥工程にはホットプレートを用いて短時間で均一に乾燥できる。次に、透明樹脂層65上に、アルカリ可溶性と感光性と熱リフロー性を有する樹脂であるフォトレジスト材料をスピンコーターにより均一に塗布してフォトレジスト層66を形成する。フォトレジスト層66として、アクリル系またはノボラック系のポジ型レジスト材料をスピンコーターを用いて乾燥膜厚0.3~0.5μmに均一に塗布できる。乾燥は100°C以下の低温で行う。次に、フォトレジスト層66を形成した基板に対して、フォトリソグラフィー法によりパターニングする。露光工程は、図5bに示すように、ポジ型のフォトレジストを残すべき領域に対応して遮光部31のパターンを設け、他を光透過部32として予めパターン形成したフォトマスク30を、対象とする基板に対して正確に位置合わせし、例えば、水銀ランプ光源からの波長365nm光を用いるi線ステッパーからの平行な照射光9をフォトマスク30の背面から照射することにより露光できる。露光条件は、使用するフォトレジスト材料の膜厚、感度、また、現像液の条件等により決定する。次に、現像工程を行って、図5cに示すように、フォトレジストパターン67を形成する。現像には、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウムやアミン系の有機アルカリ現像液を用いることができる。スピン現像やパドル現像の方法により、現像処理を均一に進めることができ、フォトマスク30の遮光部31に対応するフォトレジストパターン67を残して、他を溶解除去する。次に、図5dに示すように、フォトレジストパターン67を、材料の熱リフロー性を利用して熱溶融により成形することにより、レンズ母型としての凸面状の転写用マイクロレンズパターン68を透明樹脂層65上に形成する。本工程の熱溶融には、ホットプレート装置を用いて、例えば、160°C加熱後に200°Cの高温加熱を行うというステップベイキングの手法により、材料溶融時の表面張力で規制される半球面形状を良好に形成することができる。上記加熱温度が、フォトレジストパターン67から転写用マイクロレンズパターン68への成形に有効であるとともに、透明樹脂層65を始めとする下層材料に悪影響を与えない条件で決める必要があることは言うまでも無い。次に、透明樹脂層65上に形成した転写用マイクロレンズパターン68をエッチングレジストとして、前記透明樹脂層65にエッチング転写し、図5eに示すように、マイクロレンズ62を形成する。エッチング処理の方法としては、C3F8等のフッ素系ガスによるドライエッチングを行うことが最適である。ドライエッチングにより転写されるマイクロレンズ62の断面形状は、レンズ母型とした転写用マイクロレンズパターン68に基本的には忠実であるが、転写用マイクロレンズパターン68の素材となるフォトレジスト層66と、マイクロレンズ62の素材となる透明樹脂層65との、実際のドライエッチング条件におけるエッチレート比や、エッチング深度により種々の影響を受けて変化する。特に本発明の目的である、平面上にマトリクス配列される平面視矩形で凸面状のマイクロレンズの隣接するマイクロレンズとの隙間を均一に小さくするための製造方法を、工程負荷の増大や品質の低下を招くことなく、提案するに当たっては、後述のように、フォトレジストパターン67を形成するためのフォトマスク30のパターンに配慮することが重要である。図1は、本発明に使用するフォトマスクのパターン配置の一例を説明するための模式平面図である。本例におけるフォトマスク10は、前述の製造工程の説明に用いたポジ型レジスト材料に対応するものである。マトリクス配列される画素区画の仮想線13を点線で示すと、遮光部11で形成されるフォトマスクの繰り返しパターンは、それぞれ画素区画仮想線13の内側に、画素区画仮想線13から対称的な光透過部12を設けて形成される。遮光部11は概ね矩形状のパターンであり、本パターンにより遮光されてフォトリソグラフィー処理されたフォトレジストパターン67の平面形状も略同形となる。フォトレジストパターン67を熱溶融により成形した凸面状の転写用マイクロレンズパターン68の平面外形は、熱リフローにより若干の平面輪郭の変化を伴うものの、隣接する転写用マイクロレンズパターンとの独立を保つ程度に隙間を設けるものとする。しかし、前記隙間は、図4bに示したような、対角方向に隣接するマイクロレンズとの隙間7が無視できない大きさの、隅の丸まった不完全な矩形の形状となるマイクロレンズ61を作るための母型に備わるものであってはならない。上記の要請に応えるためのフォトマスクのパターンとするために、図1に太線両方向矢印で示す異なる方向の隙間を同じにしたフォトマスクパターンが好ましい。すなわち、本発明に使用するフォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とする。図2は、本発明に使用するフォトマスクのパターン配置の他の一例を説明するための模式平面図である。本例におけるフォトマスク20は、前述の製造工程の説明に用いたポジ型レジスト材料に対応するものである。マトリクス配列される画素区画の仮想線23を点線で示すと、遮光部21で形成されるフォトマスクの繰り返しパターンは、それぞれ画素区画仮想線23の内側に、画素区画仮想線23から対称的な光透過部22を設けて形成される。遮光部21は概ね矩形状のパターンであり、本パターンにより遮光されてフォトリソグラフィー処理されたフォトレジストパターン67の平面形状も略同形となる。フォトレジストパターン67を熱溶融により成形した凸面状の転写用マイクロレンズパターン68の平面外形は、熱リフローにより若干の平面輪郭の変化を伴うものの、隣接する転写用マイクロレンズパターンとの独立を保つ程度に隙間を設けるものとする。しかし、前記隙間は、図4bに示したような、対角方向に隣接するマイクロレンズとの隙間7が無視できない大きさの、隅の丸まった不完全な矩形の形状となるマイクロレンズ61を作るための母型に備わるものであってはならない。上記の要請に応えるためのフォトマスクのパターンとするために、図2に太線両方向矢印で示す異なる方向の隙間を同じにしたフォトマスクパターンが好ましい。すなわち、本発明に使用するフォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とする。前述のように、本発明に使用するフォトマスクの概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形されてなる場合、実用上どの程度の隙間とすべきかは、本発明のマイクロレンズ製造方法における各構成要素の仕様と各工程の詳細な条件により決まる。例えば、前記透明樹脂層の膜厚を1.4~1.7μmとし、マトリクス配列のパターンピッチを1.1~1.75μmとする場合の、フォトマスクパターン上での前記同一とする隙間の距離を0.3~0.4μmとすると、0.3~0.5μm厚さのポジ型レジスト材料を用いて、フッ素系ガスによるドライエッチングにより、3分間以内のエッチング時間で、アクリル系の透明樹脂層へのエッチング転写が良好に実施でき、マイクロレンズの隣接するマイクロレンズとの隙間を均一に小さくすることができる。本例において、フォトマスクパターン上での前記同一とする隙間の距離を0.3μmより小さくすると、露光光のi線の波長より短いパターン形成に解像上の問題が生じてマイクロレンズ相互の独立性が損なわれる。また、フォトマスクパターン上での前記同一とする隙間の距離を0.4μmより大きくすると、隣接するマイクロレンズとの隙間を小さくするためにエッチング時間を長くする必要が生じ、工程負荷の増大や品質の低下を招く。また、本発明は、マイクロレンズ製造用フォトマスクを提供することができる。フォトマスクは、一般に用いられるものと同様に、露光光に対して透明性の良好な石英やガラス等の基板表面に金属クロム等の遮光性膜による遮光部パターンを光透過部と区別してパターン形成することにより、通常知られた方法で作製される。本発明のマイクロレンズ製造用フォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成される。