"活性領域を含む半導体層のスタックを備えた第1の半導体発光素子と、前記第1の半導体発光素子に結合された光学部材と、を含み、前記光学部材は、第1の方向に伸長される、ことを特徴とする装置。前記第1の半導体発光素子は、前記第1の方向に伸長されることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記第1の半導体発光素子に隣接して前記光学部材に結合された、活性領域を含む層のスタックを備えた第2の半導体発光素子を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記第1の半導体発光素子の前記活性領域及び前記第2の半導体発光素子の前記活性領域は、異なる色の光を放射することを特徴とする請求項3に記載の装置。前記光学部材は、前記第1の半導体発光素子に、該光学部材と該第1の半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部によって結合され、前記結合部は、有機ベースの接着剤を実質的に含まない、ことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記光学部材は、光学集線装置であることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記光学部材は、該光学部材を前記第1の半導体発光素子に結合する前記結合部に隣接する第1の表面、該第1の表面と実質的に平行な第2の表面、及び実質的に放物線の断面を有し、前記第1の表面の面積は、前記第2の表面の面積よりも小さい、ことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記光学部材は、側面を有することを特徴とする請求項7に記載の装置。前記側面は、前記第1の表面を前記第2の表面に接続することを特徴とする請求項8に記載の装置。前記側面上の少なくとも一部分にミラーを更に含むことを特徴とする請求項8に記載の装置。前記光学部材に隣接する光導体を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。前記光導体は、前記光学部材に接触していることを特徴とする請求項11に記載の装置。前記光導体は、前記光学部材から間隔を空けて配置されることを特徴とする請求項11に記載の装置。活性領域を含む半導体層のスタックを備えた半導体発光素子と、前記半導体発光素子に結合された光学部材と、を含み、前記半導体発光素子及び前記光学部材は、反射器内に配置される、ことを特徴とする装置。前記半導体発光素子に取り付けられたヒートシンクを更に含むことを特徴とする請求項14に記載の装置。前記光学部材は、前記活性領域によって放射された光の一部分を前記半導体発光素子と該光学部材との中心軸線に実質的に垂直な方向に向けるように成形されることを特徴とする請求項14に記載の装置。前記反射器は、前記光学部材から出射する光の一部分を前記中心軸線と実質的に平行な方向に向けるように成形されることを特徴とする請求項16に記載の装置。前記光学部材は、前記半導体発光素子に、該光学部材と該半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部によって結合され、前記結合部は、有機ベースの接着剤を実質的に含まない、ことを特徴とする請求項14に記載の装置。前記反射器に隣接する光導体を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の装置。前記光導体は、前記反射器に接触していることを特徴とする請求項19に記載の装置。前記光導体は、前記反射器から間隔を空けて配置されることを特徴とする請求項19に記載の装置。活性領域を含む半導体層のスタックを備えた第1の半導体発光素子と、前記発光装置に結合された光学部材と、を含み、前記光学部材は、前記活性領域から放射された光の一部分を前記半導体発光素子と該光学部材との中心軸線に実質的に垂直な方向に向けるように成形される、ことを特徴とする装置。前記光学部材は、前記光学部材を前記第1の半導体発光素子に接続する結合部に隣接する第1の表面と、前記第1の表面に実質的に垂直で、実質的に平坦な第2の表面と、前記第1及び第2の表面を接続する実質的に平坦な第3の表面と、を備えた楔を含む、ことを特徴とする請求項22に記載の装置。前記第3の表面の少なくとも一部分に隣接したミラーを更に含むことを特徴とする請求項23に記載の装置。前記光学部材は、前記光学部材を前記第1の半導体発光素子に接続する結合部に隣接する第1の表面と、前記第1の表面と実質的に垂直で、実質的に平坦な第2の表面と、湾曲した第3の表面と、を含むことを特徴とする請求項22に記載の装置。前記第3の表面の少なくとも一部分に隣接するミラーを更に含むことを特徴とする請求項25に記載の装置。前記湾曲した第3の表面は、前記第1及び第2の表面を接続することを特徴とする請求項25に記載の装置。前記湾曲した第3の表面は、前記光学部材及び半導体発光素子の中心軸線上の一点に向けて前記第2の表面から下方に湾曲することを特徴とする請求項25に記載の装置。前記光学部材の断面は、中心領域において周辺領域よりも薄いことを特徴とする請求項22に記載の装置。前記光学部材の表面は、反射器を含むことを特徴とする請求項22に記載の装置。前記反射器は、金属化層、誘電体層、反射コーティング、及び内部全反射器の群から選択されることを特徴とする請求項30に記載の装置。前記光学部材は、前記半導体発光素子に、該光学部材と該半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部によって結合され、前記結合部は、有機ベースの接着剤を実質的に含まない、ことを特徴とする請求項22に記載の装置。前記光学部材は、伸長されることを特徴とする請求項22に記載の装置。前記光学部材は、矩形スラブを含むことを特徴とする請求項33に記載の装置。活性領域を含む半導体層のスタックを備えた第1の半導体発光素子と、前記半導体発光素子に結合された光学部材と、前記光学部材に隣接する光導体と、を含むことを特徴とする装置。前記光導体は、前記光学部材に接触していることを特徴とする請求項35に記載の装置。前記光導体は、前記光学部材に接触しないことを特徴とする請求項35に記載の装置。前記光導体は、前記光学部材に隣接する第1の表面と、第2の傾斜表面と、を含み、前記第1及び第2の表面間の角度は、90度よりも大きい、ことを特徴とする請求項35に記載の装置。活性領域を含む半導体層のスタックを備えた半導体発光素子と、前記第1の半導体発光素子に結合された光学部材と、を含み、前記光学部材は、テルルの酸化物、酸窒化アルミニウム、キュービックジルコニア、透明アルミナ、及びスピネルの群から選択された材料を含む、ことを特徴とする装置。前記光学部材は、前記半導体発光素子に、該光学部材と該半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部によって結合され、前記結合部は、有機ベースの接着剤を実質的に含まない、ことを特徴とする請求項39に記載の装置。従って、光取り出し効率が改善した発光装置の必要性が存在する。本発明の実施形態によれば、装置は、光学部材に結合された発光半導体素子を含む。いくつかの実施形態では、光学部材は、活性領域によって放射された光の一部分を半導体発光素子及び光学部材の中心軸線と実質的に垂直な方向に向けるように伸長するか又は成形することができる。いくつかの実施形態においては、半導体発光素子及び光学部材は、反射器内又は光導体に隣接して配置される。光学部材は、光学部材と半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部により、第1の半導体発光素子に結合することができる。いくつかの実施形態では、この結合部は、有機ベースの接着剤を実質的に含まない。図1~図18には、本発明の様々な実施形態に従って発光体4に結合された実質的に透明な光学部材2を含む発光装置1が示されている。図には、様々な発光体、様々な光学部材、及び光学部材に発光体を結合させる様々な方法が説明されている。図示の発光体、光学部材、及び結合方法の特定の組合せは、限定することを意味しない。一般的に、説明する発光体、光学部材、及び結合方法は、任意に組み合わせることができる。発光体への光学部材の結合は、装置の上面から取り出される光の量及び側面光に対する上面光の比率を増加させることができ、装置と共に使用される何れの光学素子も上面光に対して調整することができ、より効率的かつ小型のシステムをもたらす可能性がある。図1Aには、光学部材2及び発光体4が示されており、発光体4は、本発明の実施形態に従って発光体4と光学部材2との間の境界面での結合部によって取り付けられている。本出願全体に亘って、用語発光体には、限定はしないが、発光ダイオード及びレーザダイオードが含まれる。更に、本発明の様々な実施形態は、光検出器及び太陽電池として同様に使用することができる。図1Bには、本発明の実施形態に従って実質的に透明な結合層6を含む結合部によって発光体4に取り付けられた光学部材2が示されている。透明という用語は、本明細書においては、透明光学部材、透明結合層、透明サブストレート、又は透明スーパーストレートのような透明と説明された光学部材が、発光装置の放射波長で、吸収又は散乱のために約50よりも少ない単光路損失、好ましくは、約10よりも少ない単光路損失で光を透過することを示すために使用される。発光装置4の放射波長は、電磁スペクトルの赤外線、可視光線、又は紫外線領域にあるとすることができる。当業者は、50よりも少ない単光路損失及び10よりも少ない単光路損失の条件は、透過経路長及び吸収定数の様々な組合せによって達成することができることを認識するであろう。本明細書で使用される場合、光学集線装置は、限定はしないが、内部全反射器を含み、また、反射性金属、誘電体、反射コーティング、又は入射光を反射又は方向変化させる内部全反射器でコーティングした壁を有する光学部材を含む。ここで、反射コーティングの例には、硫酸バリウムを含む、マンセルカラーカンパニー製のホワイトリフレクタンスコーティングがある。図1A及び図1Bには、発光体4が層のスタックを含む実施形態が示されている。スタックは、半導体層と活性領域とを含み、光を放射することができる。より詳細には、発光体4は、n型電導度n層の第1の半導体層8及びp型電導度p層の第2の半導体層10を含む。半導体層8及び半導体層10は、活性領域12に電気的に結合される。活性領域12は、例えば、層8と層10との境界面に付随したp-nダイオード接合である。代替的に、活性領域12は、n型又はp型にドープされるか又は非ドープの1つ又はそれ以上の半導体層を含む。活性領域12はまた、量子井戸を含むことができる。n接触14及びp接触16は、半導体層8及び半導体層10とそれぞれ電気的に結合される。活性領域12は、接触14及び16間の適切な電圧の印加により光を放射する。代替実施例においては、層8及び層9の電導度の型は、接触14及び16と共に逆転される。すなわち、層8がp型層であり、接触14がp接触であり、層10がn型層であり、接触10がn接触である。半導体層8及び10、及び活性領域12は、限定はしないがAlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSbを含むIII-V族半導体、限定はしないがZnS、ZnSe、CdSe、CdTeを含むII-VI族半導体、限定はしないがGe、Si、SiCを含むIV族半導体、及び、それらの混合物又は合金から形成される。これらの半導体は、それらが存在する発光装置の放射する典型的な放射波長において約2.4から約4.1に及ぶ屈折率を有する。例えば、GaNのようなIII族窒化物半導体は、500nmで約2.4の屈折率を有し、InGaPのようなIII族隣化物半導体は、600nmで約3.6~3.7の屈折率を有する。接触14及び16は、1つの実施例においては、以下に限定されるものではないが、金、銀、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、タングステン、及びそれらの混合物又は合金を含む金属から形成された金属接触である。別の実施例においては、接触14及び接触16の一方又は両方は、酸化インジウム錫のような透明導電体から形成される。図には特定の発光装置構造が示されているが、本発明は、発光体4内の半導体層の構造及び数量には関係なく、活性領域の細部の構造にも無関係である。また、発光体4は、例えば、図1A及び図1Bには示されていない透明なサブストレート及びスーパーストレートを含むことができる。更に、様々な図に示す発光体4の様々な要素の大きさは、一定の縮尺ではない。いくつかの実施形態では、透明光学部材2は金属化層20を含む。金属化層20は、発光体4の接触14に電気的に結合される。金属化層20は、以下に限定されるものではないが、金、銀、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、タングステン、及びそれらの混合物又は合金を含む金属から形成される。別の実施例においては、金属化層20は、酸化インジウム錫のような透明導電体から形成される。一実施形態では、金属化層20は網状であり、他の実施形態では、連続層又はパターン化層である。金属化層20の厚みは、例えば、約2Åから約5000Åの範囲である。金属化層20は、入射光の約10よりも多くを透過させ、好ましくは50よりも多くを透過させる。金属化層20は、透明光学部材2の表面22上に形成される。いくつかの実施形態では、表面22は、実質的に平坦である。透明光学部材2は、表面24によって境界が形成されている。表面24の形状は、以下で詳細に説明するように、発光体4によって放射された光の反射を低減させる。更に、表面24での損失は、従来型の反射防止コーティング25の表面24への付加によって更に低減することができる。図1Bには、結合材料の層が発光体4の上面18に付加されて透明結合層6を形成する実施形態が示されている。透明結合層6は、光学部材2と発光体4とを結合する。透明結合層6は、例えば、約10オングストロームÅから約100ミクロンμmの厚みである。結合材料は、例えば、以下に限定されるものではないが、スピニング、スパッタリング、蒸発法、化学蒸着CVDを含む従来型の堆積技術により、又は、例えば有機金属化学蒸着MOCVD、気相エピタキシーVPE、液相エピタキシーLED、又は分子線エピタキシーMBEによる材料成長の一部として付加される。透明結合層6は、任意的に、例えば従来型のフォトリソグラフィ又はエッチング技術を用いてパターン化され、結合材料によって覆われていない接触14を残し、従って、接触14が光学部材2上の任意的な金属化層20と電気的に接触することを可能にする。代替実施形態では、透明結合層6は、光学部材2の実質的に平坦な表面上又は金属化層20の表面上に形成され、例えば、従来型のフォトリソグラフィ又はエッチング技術を用いて任意的にパターン化され、接触14と金属化層20との間の電気的接触を可能にする。別の実施形態では、発光体4の表面18上と光学部材2の表面22上の両方に結合層6のような透明結合層が形成される。他の実施形態では、接触14は別々に形成されず、結合層6がパターン化されて金属化層20とn層8との間の電気的接触を可能にする。図1Cには、接触14及び結合層6を持たない実施形態が示されている。ここでは、金属化層20は、発光体4のための接触層として、及び結合層として更に機能する。他の実施形態では、接触14は表面18上に設けられず、金属化層20は使用されない。更なる実施形態では、結合層6は発光体4上に形成される。しかし、代替実施形態では、結合層6は、光学部材2の表面22上に形成することが可能であり、又は、発光体4及び表面22の両方の上に形成することができる。いくつかの実施例においては、透明結合層6の結合材料は、高屈折率光学ガラス、すなわち、活性領域12によって放射された波長の範囲において約1.5よりも大きい屈折率を有する光学ガラスである。好ましくは、結合層6の屈折率は、約1.8よりも大きい。いくつかの実施例においては、結合層6の結合材料は、適度に低い軟化温度を有する。軟化温度の定義は、ガラスが、その自重の下で認知することができるほどの変形を開始する温度である。軟化温度は、ガラス転移温度よりも高い可能性がある。結合材料の軟化温度は、約250°Cから約500°Cの範囲、例えば、300°Cから400°Cの範囲内とすることができる。結合層6は、後述のように、結合材料を軟化温度Ts付近の温度に加熱することによって形成される。いくつかの実施例においては、結合層6の透明度は高い。透明度は、とりわけ結合層6の結合材料のバンドギャップによって制御される。より大きいバンドギャップを有する材料は、多くの場合、より高い透明度を有する。透明結合層6は、例えば、約600ナノメートルnmにおいて屈折率n約1.95を有し、ガラス転移温度約362°Cを有する重フリントガラスであるSchottガラスSF59から形成される。代替的に、透明結合層6は、以下に限定されるものではないが、約600nmにおいてn≒1.81及びガラス転移温度≒630°Cを有するSchottガラスLaSF3、約600nmにおいてn≒1.91及びガラス転移温度≒660°Cを有するSchottガラスLaSFN18、及びそれらの混合物を含む高屈折率光学ガラスから形成される。これらのガラスは、米国ペンシルベニア州ダリエー所在のショットグラステクノロジーズインコーポレーテッドから入手可能である。結合層6はまた、例えば、Ge、As、Sb、GaS、Se、Teカルコゲナイドガラスのような高屈折率カルコゲナイドガラスから形成され、又は、例えば、Ge、As、Sb、GaS、Se、Te、F、Cl、Br、Iカルコハライドガラスのような高屈折率カルコハライドガラスから形成することができる。他の実施例においては、結合層6は、以下に限定しないが、GaP600nmにおいてn≒3.3、InGaP600nmにおいてn≒3.4、GaAs500nmにおいてn≒3.4、及びGaN500nmにおいてn≒2.4を含むIII-V族半導体、以下に限定しないが、ZnS500nmにおいてn≒2.4、ZnSe500nmにおいてn≒2.6、ZnTe500nmにおいてn≒3.1、CdS500nmにおいてn≒2.6、CdSe500nmにおいてn≒2.6、及びCdTe500nmにおいてn≒2.7を含むII-VI族半導体、以下に限定しないが、Si500nmにおいてn≒3.5、SiC、及びGe500nmにおいてn≒4.1を含むIV族半導体及び化合物、有機半導体、以下に限定しないが、酸化タングステン、酸化テルル、酸化鉛、酸化チタン500nmにおいてn≒2.9、酸化ニッケル500nmにおいてn≒2.2、酸化ジルコニウム500nmにおいてn≒2.2、酸化インジウム錫、酸化クロム、酸化アンチモンn≒2.1、酸化ビスマスn≒1.9~2.5、酸化ガリウムn≒1.94、酸化ゲルマニウムn≒2.0、酸化モリブデンn≒2.4、酸化カドミウムn≒2.47、酸化コバルトn≒2.4、酸化セリウムn≒2.3、酸化インジウムn≒2.0、酸化ネオジムn≒2.0を含む金属及び希土類酸化物、オキシ塩化ビスマスn≒2.15のようなオキシハロゲン化物、限定はしないがフッ化マグネシウム500nmにおいてn≒1.5及びフッ化カルシウム500nmにおいてn≒1.4を含む金属フッ化物、以下に限定しないが、Zn、In、Mg、及びSnを含む金属、及び、イットリウムアルミニウムガーネットYAG、隣化物化合物、ヒ化物化合物、アンチモン化物化合物、窒化物化合物、高屈折率有機化合物、及びそれらの混合物又は合金から形成される。結合層6は、いくつかの実施例においては、活性領域12によって放射された波長の光を他の波長に変換する蛍光物質を含む。この蛍光物質は、例えば、従来型の燐光体粒子、有機半導体、II-VI族又はIII-V族半導体、II-VI族又はIII-V族半導体量子ドット又はナノ結晶、色素、ポリマー、及び欠陥中心からの発光するGaNのような材料を含む。結合層6が従来型の燐光体を含む場合、結合層6は、通常約5ミクロンから約50ミクロンの大きさを有する粒子を収容するのに十分な厚みでなければならない。1つの実施例においては、結合層6は、発光体の放射波長で高屈折率を有する材料から形成される。いくつかの実施形態では、屈折率は、約1.5よりも大きく、好ましくは約1.8よりも大きい。いくつかの実施形態では、屈折率は、例えば、半導体層8である発光体4の上部層の屈折率よりも小さい。従って、半導体層8/結合層6の境界面上へ発光体4の内側から入射する光の内部全反射に対する臨界角が存在する。しかし、この臨界角は、発光体4とエポキシ又は空気との間の境界面に関する臨界角に比較して増加しており、エポキシ封入材料又は空気内に取り出されるであろうよりも、より多くの光が表面18を通じて結合層6内に取り出される。別の実施例においては、結合層6例えば、ZnS又はZnSeの屈折率は、半導体層8例えば、GaNの屈折率に等しいか又はそれよりも大きく、発光体4内部から結合層6に入射するどの光も内部全反射されない。結合層6の屈折率と発光体4の上部層の屈折率とをほぼ一致させることによって最小限に抑えることができるフレネル反射損失を無視すれば、後者の場合においても、エポキシ封入材料又は空気内に取り出されるであろうよりも、より多くの光が表面18を通じて結合層6内に取り出される。いくつかの実施形態では、発光体4と光学部材2との間の結合部は、エポキシのような従来的な有機ベースの接着剤を実質的に持たないが、その理由は、そのような接着剤は、低い屈折率を有する傾向があるからである。別の実施例においては、透明結合層6は、低屈折率結合材料、すなわち、発光装置の放射波長において約1.5よりも小さい屈折率を有する結合材料から形成される。フッ化マグネシウムは、例えば、1つのそのような結合材料である。低屈折率光学ガラス、エポキシ、及びシリコーンもまた、適切な低屈折率結合材料である。低屈折率材料から形成された透明結合層6を通る発光体4から光学部材2への光の効率的な伝達は、結合層6が十分に薄い場合に達成することができることを当業者は認識するであろう。従って、この実施例においては、発光体4/結合層6の境界面での内部全反射による損失は、結合層6の厚みを約500Åよりも小さく、好ましくは、100Åよりも小さくすることによって低減される。表面18又は表面22の粗さ、又は、表面18又は表面22上の凹凸の代表的な高さが結合層6の厚みを超える場合、光学部材2の発光体4に対する結合が不良になる場合がある。この実施形態では、表面18及び表面22は、任意的に、結合層6の厚みに等しいか又はそれ以下のマグニチュードの表面粗度を実現するために研磨される。発光体4が、活性領域12によって放射された光を吸収する材料を含む場合、及び、結合層6が、低屈折率材料から形成されるが上述のように薄くはない場合、活性領域によって放射された光の多くの部分は、発光体4内に通常は捕捉され、たとえ結合層6がそれ自体非吸収性であっても、吸収されて失われることになる。対照的に、高屈折率材料から形成された結合層6は、一般的に、たとえ高屈折率結合材料が放射された光の一部分を吸収するカルコゲナイドガラスのような材料であっても、活性領域12によって放射された光のより大きな部分を発光体4から光学部材2内に結合することになる。透明結合層6が発光体4に付加された後に、光学部材2の表面22は、結合層6に向けて配置される。次に、結合層6の温度は、ほぼ室温と約1000°Cとの間の温度に高められ、光学部材2及び発光体4は、約1秒から約6時間の期間、約1ポンド/平方インチpsiから約6000psiの圧力で互いに圧縮される。本発明者は、この処理が、光学部材2と結合層6発光体4上に形成されたとの間の境界面における例えば剪断応力、蒸発/凝縮、液化、溶融、又は軟化、それに続く凝固、拡散、又は合金化を通じた物質移動によってもたらされた結合部により、光学部材2を発光体4に結合すると考えている。本発明者は、いくつかの実施例においては、例えば光学部材2及び発光体4の各々の上に形成された結合層の間、又は結合層6光学部材2上に形成されたと発光体4との間の物質移動によって同様にもたらされた結合部により、光学部材2は発光体4に結合されると考えている。従って、物質移動で特徴付けられた結合境界面を、光学部材2と発光体4との間に配置することができる。いくつかの実施例においては、n層8と結合層6との境界面における表面18は、そのような結合境界面である。別の実施例においては、光学部材2と発光体4の各々の上に形成された結合層との境界面が結合境界面である。別の実施例においては、光学部材2と結合層6との境界面が結合境界面である。透明結合層6が、発光体4上に例えば光学ガラスから形成される場合、1つの実施例においては、結合層6の温度は、光学ガラスの歪み点温度の付近にまで高められる。歪み点温度は、光学ガラスが約10145ポアズの粘性を有する温度である。歪み点温度は、光学ガラスに対する温度と膨張のプロットにおける最初の非線形性に対応し、従って、焼き鈍し範囲の下限を表す。歪み点は、ガラス転移温度に近いがそれよりも低い。ガラス転移温度での粘性は、約1013ポアズである。最後に、軟化温度は、材料がその自重の下で認知することができるほどに変形する温度である。軟化温度での粘性は、約10765ポアズである。光学ガラスを軟化温度付近又は軟化温度よりも高く加熱することは、その可撓性を高め、表面張力を低下させ、光学ガラスを表面22と微視的に適合させて、光学部材2と結合層6との間の結合部を達成する。上述の光学部材2を発光体4に結合させる処理は、本明細書において引用により組み込まれる、米国特許第5,502,316号及び第5,376,580号に開示された装置を用いて実行することができる。開示された装置は、半導体ウェーハを高温かつ高圧で互いに結合する。これらの装置は、必要に応じて、発光体及び光学部材に適合するように修正することができる。代替的に、上述の結合処理は、従来型の垂直プレスを用いて実行することができる。透明光学部材2は、例えば、SiC500nmにおいてn≒2.7、酸化アルミニウムサファイア、500nmにおいてn≒1.8、ダイヤモンド500nmにおいてn≒2.4、キュービックジルコニアZrO2、ジーナテクノロジーズインコーポレーテッドによる酸窒化アルミニウムAlON、多結晶酸化アルミニウム透明アルミナ、スピネル、米国ニューヨーク州オンタリオ所在のオプティマックスシステムズインコーポレーテッドから入手可能なSchottガラスLaFN21、SchottガラスLaSFN35、LaF2、LaF3、及びLF10、又は、金属の厚い層を除いて透明結合層6内の結合材料として用いる上述の材料の何れかで形成することができる。光学部材2の熱膨張係数と光学部材2が結合される発光体4の熱膨張係数との間の不一致は、加熱又は冷却によって発光体4から光学部材2を引離す原因になる可能性がある。また、ほぼ一致した熱膨張係数は、結合層6及び光学部材2によって発光体4内に誘起される応力を低減させる。従って、1つの実施例においては、光学部材2は、光学部材2が結合される発光体4の熱膨張係数にほぼ一致する熱膨張係数を有する材料から形成される。スピネルの熱膨張係数は、全ての結晶方向について同じであるので、スピネルは、光学部材材料として望ましい。一実施形態では、透明光学部材2は、発光体4から光学部材2に入る光が垂直入射に近い入射角で光学部材2の表面24に交差することになる形状及び大きさを有する。表面24と通常空気である周囲媒体との境界面での内部全反射は、それによって低減される。更に、入射角度の範囲が狭いので、表面24に従来型の反射防止コーティング25を置くことにより、表面24でのフレネル反射損失を低減することができる。光学部材2の形状は、例えば、半球のような球の一部分、ワイヤシュトラス球切頭された球、又は、半球よりも小さい球の一部分である。代替的に、光学部材2の形状は、切頭楕円体のような楕円体の一部分である。発光体4から光学部材2に入る光に対する表面24での入射角度は、光学部材2の大きさが増大する時、より近く垂直入射に接近する。従って、発光体4の表面18の長さに対する透明光学部材2の基部の長さの最小比率は、好ましくは約1よりも大きく、より好ましくは約2よりも大きい。例えば、様々な実施形態において、長さ1mmの発光体は、直径2.5mm及び中心部での高さ1.25mmの半球形光学部材に結合することができ、長さ2mmの発光体は、直径5mm及び中心部での高さ2.5mmの半球形光学部材に結合することができ、長さ3mmの発光体は、直径7.5mm及び中心部での高さ3.75mmの半球形光学部材に結合することができる。通常、光学部材は、発光体よりもかなり厚い。例えば、上述の大きさのIII族窒化物発光体は、100ミクロンの厚みとすることができ、上述の大きさのIII族隣化物発光体は、250ミクロンの厚みとすることができる。当業者は、特定材料の光学部材2が上述で定めたように透明であり続けるための最大寸法は、発光装置の放射波長での光学部材の材料の光吸収係数によって判断されることを認識するであろう。1つの実施例においては、光学部材2は、平面又は曲面上に形成されたフレネルレンズである。フレネルレンズは、同等の焦点距離の例えば球面光学部材よりも通常薄く、従って光吸収性が低い。フレネルレンズ又は溝付き表面はまた、発光体又は光学部材のドーム又は円筒形表面のような曲面上に形成することができる。フレネルレンズを用いた発光体は、本明細書においてその全内容が引用により組み込まれる、DouglasW.Pocius、MichaelD.Camras、及びGloriaE.Hoflerによる光取り出しの改善のための発光装置表面上への光学部材の形成という名称の米国特許出願一連番号第09/823,841号に説明されている。1つの実施例においては、光学部材2は、活性領域12によって放射された波長の光を他の波長に変換する蛍光物質を含む。別の実施例においては、例えば、表面22上のコーティングは、蛍光物質を含む。蛍光物質は、例えば、従来型の燐光体粒子、有機半導体、II-VI族又はIII-V族半導体、II-VI族又はIII-V族半導体量子ドット又はナノ結晶、色素、ポリマー、又は欠陥中心からの発光するGaNのような材料を含む。代替的に、例えば、表面22に近い光学部材2の領域は、蛍光物質でドープされる。光学部材2の屈折率nopticalelement、結合層6の屈折率nbond,及び発光体4の上部層の屈折率nLEDのマグニチュードは、6通りの並べ替えで順序付けることができる。nLED≦nbond≦nopticalelement又はnLED≦nopticalelement≦nbondの場合、内部全反射による損失は除去されるが、フレネル損失が発生する場合がある。特に、nLED=nbond=nopticalelementの場合、フレネル又は内部全反射による損失なしに発光体4から光学部材2に光が入る。代替的に、nbond≦nLED≦nopticalelementであるが、nbond>nepoxy又は上述のように結合層6が薄いかのいずれかの場合、フレネル反射損失が無視され、エポキシ封入材料又は空気内に取り出されるであろうよりも多くの光が光学部材2内に取り出される。同様に、nbond≦nopticalelement≦nLEDであるが、nbond>nepoxy又は上述のように結合層6が薄くてnopticalelement>nepoxyであるかのいずれかの場合、フレネル反射損失が無視され、エポキシ封入材料又は空気内に取り出されるであろうよりも多くの光が光学部材2内に取り出される。nopticalelement≦nbond≦nLED又はnopticalelement≦nLED≦nbondであるが、nopticalelement>nepoxyの場合、フレネル反射損失が無視され、エポキシ封入材料又は空気内に取り出されるであろうよりも多くの光が光学部材2内に取り出される。すなわち、透明光学部材2は、発光体4の放射波長において、好ましくは約1.5よりも大きく、より好ましくは約1.8よりも大きい屈折率を有する。周囲媒体がエポキシ封入材料ではなく空気nair≒1の場合は、エポキシの代わりにnairを用い、同様な解析が適用される。結合層6が燐光体粒子を含み、好ましくは高屈折率のカルコゲナイドガラスである結合材料の屈折率が燐光体の屈折率にほぼ一致する場合、活性領域又は燐光体によって放射された光の燐光体粒子による散乱は、無視できるほど小さいことになる。好ましくは、燐光体粒子、結合材料、発光体4の上部層例えばn層8、及び光学部材の屈折率は、全てほぼ等しい。発光体4の上部層がInGaNであり、燐光体粒子がSrS:Eu及び/又はSrGaS:Euであり、光学部材がZnSである時が、このような場合である。図2には、代替実施形態が示されており、透明光学部材2は、発光体4の上面18に、分離した結合層の使用なしに直接に結合される。本発明者は、例えば、剪断応力、蒸発/凝縮、溶解/凝縮、液化又は溶融、又は軟化、それに続く固化、拡散、又は合金化を通じた物質移動によって光学部材2と発光体4との間の結合部が得られると考えている。金属化層20が存在する時は、この層はパターン化され、光学部材2の表面22が表面18に直接に接触することを可能にする。表面22もまた、任意的に、エッチングによってパターン化される。この実施形態の一実施例においては、透明光学部材2は、分離した結合層を形成するために使用することができる上述のような材料から形成される。別の実施例においては、発光体4の上部層が形成される材料例えば、図2のn層8は、結合材料として好適である。従って、光学部材2又は発光体4の上部層の何れかは、結合層として更に機能し、分離された結合層を必要としない。1つの実施例においては、例えば、表面18での光学部材2と発光体4との境界面は、光学部材2と発光体4との間の物質移動で特徴付けられた結合境界面である。発光体4に直接に結合された光学部材2について、nLED≦nopticalelement又はnopticalelement<nLEDであるが、nopticalelement>nepoxyの場合、フレネル反射損失が無視され、エポキシ封入材料内に取り出されるであろうよりも多くの光が光学部材2内に取り出される。周囲媒体がエポキシ封入材料ではなく空気nair≒1の場合は、nepoxyの代わりにnairを用い、同様な解析が適用される。透明光学部材2は、結合層6を利用する結合処理のために、上述の温度及び圧力で発光体4に直接に結合される。1つの実施例においては、発光体4の表面18又は光学部材2の表面22は、例えば、Zn又はSiのような高拡散率を示す材料でドープされる。そのようなドーピングは、例えば、MOCVD、VPE、LPE、又はMBEによる材料成長の間に行うことができ、又は、材料成長後に例えばイオン注入によって行うことができる。別の実施例においては、高拡散率材料の薄膜が、光学部材2と発光体4との間に表面18及び表面22の少なくとも一方への堆積によって配置される。本発明者は、高拡散率材料は、結合処理の間に光学部材2及び発光体4間の境界面を超えて拡散し、光学部材2と発光体4との間の物質移動を高めると考えている。使用される高拡散率材料の量は、光学部材2及び発光体4の上部層の例えば透明度を維持するのに十分なほど少なくなければならない。結合方法の適用は、予め作られた光学部材に限定されない。むしろ、透明光学部材2は、上述の方法で発光体4に結合され、次に光学部材2に形成される透明光学部材材料のブロックとすることができる。光学部材2は、恐らくはフォトリソグラフィ又は他のリソグラフィ技術、電子ビームリソグラフィ、イオンビームリソグラフィ、X線リソグラフィ、又はホログラフィックリソグラフィと共に、エッチングを用いて形成することができる。プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチングRIE、及び化学的補助イオンビームエッチングCAIBEのような湿式又は乾式化学エッチング技術も同様に使用することができる。また、イオンビームミリング又は集束イオンビームミリングFIBを用いて、光学部材2を圧延して透明光学部材材料の表面にすることができ、走査電子又はレーザビームを用いて、削磨して透明光学部材材料の表面にことができ、又は、ソーイング、ミリング、又はスクライビングを用いて、機械加工して透明光学部材材料の表面にことができる。更に、光学部材2は、米国特許出願一連番号第09/823,841号に開示された方法を用いて、圧断して透明光学部材材料のブロックにすることができる。光学部材2に発光体4を結合することは、封入材料内に発光体4を従来的に収納することよりもむしろ有利である。例えば、上述のように光学部材2に結合層6を用いるか又は用いずに結合された発光体4の表面18を通過する光取り出し効率は、従来型のエポキシ封入された発光体に比較して改善される。更に、発光体4は、エポキシ封入された収納された発光体が受ける不利な応力に曝されない。その上、比較的低温で劣化するエポキシ封入材料がない場合は、発光体4はより高い温度で作動することができる。その結果、より高い電流密度での発光体の作動により、発光体4の光出力を増大させることができる。しかし、必要に応じて、光学部材2に結合された発光体4は、例えばエポキシ又はシリコーン内に更に封入することができる。光学部材2に結合された発光体4のそのような封入は、発光体4の表面18を通過して光学部材2に入る光取り出し効率に影響しないであろう。表面24と封入材料との境界面での内部全反射は、光学部材2の形状及び大きさにより、上述のように最小化することができると考えられる。いくつかの実施例において、発光体4は、例えば、高温で劣化する電気的接触に対する金属化を含む。他の実施例においては、発光体4は、ハンダ又は高温で劣化する銀含有ダイ付着エポキシを用いて、図示しないサブマウントに結合される。ダイ付着エポキシは、エポキシ封入材料から区別されることに注意すべきである。その結果、1つの実施例においては、光学部材2に結合層6を使用するか又は使用しないで結合する処理は、例えば、金属化又はダイ付着エポキシの劣化を回避するために約500°Cよりも低い温度で行われる。別の実施例においては、光学部材2は、例えば、一部又は全ての金属化のない発光装置である未完成の発光装置に結合される。後者の実施例においては、発光装置の製作は、光学部材結合処理の後に完了する。図3には、発光体4の側面26及び28が、90°よりも小さいそれぞれα及びβの角度で結合層6に交差し、90°を超えるそれぞれγ及びδの角度で活性領域12に交差するように斜角を付けられた実施形態が示されている。図3には、2つの傾斜側面が示されているが、他の実施形態では、発光体4は、2つよりも多いか又は小さい傾斜側面を有し、例えば、実質的に円錐状又はピラミッド形の形状である。傾斜側面26及び28は、活性領域12から放射された光を結合層6に向けて反射する。発光体4内にそうでなければ捕捉されるか又は発光体の側面から損失したであろう光は、これによって、結合層6及び光学部材2を通して有利に取り出される。一実施形態では、発光体4は、空気のような低屈折率媒体に取り囲まれ、傾斜側面26及び28上への活性領域12からの入射光の一部分は、結合層6に向けて内部全反射される。別の実施形態では、傾斜側面26及び28は、一実施例では金属層であり、別の実施例では結合層6に向けて光を反射する誘電体層である反射コーティングを用いて被覆される。一実施形態では、接触16は高度に反射性である。従って、この実施形態では、接触16に入射した光は、直接か又は側面26又は28からの更なる反射の後で結合層6及び光学部材2に向けて反射される。その結果、発光体4の光取り出し効率が高められる。図4及び図5には、発光体4が、金属化層20と電気的に結合してn層8と電気的に結合した電導性透明スーパーストレート30と、p層10及び接触16と電気的に結合した電導性で任意的に透明なサブストレート32とを含む実施形態が示されている。スーパーストレート30及び任意的なサブストレート32は、例えば、発光体4によって放射された光子のエネルギよりも大きいバンドギャップエネルギを有する半導体から形成される。スーパーストレート30及び任意的なサブストレート32は、サファイア、SiC炭化ケイ素、ジーナテクノロジーズインコーポレーテッド製の酸窒化アルミニウムAlON、GaN、AlN、スピネル、及び多結晶酸化アルミニウム透明アルミナからも形成することができる。スーパーストレート30は、活性領域12の放射波長において、好ましくは約1.5を超え、より好ましくは約1.8を超える屈折率を有する材料から形成される。他の実施例においては、上述のように、発光体4の側面26及び28は、傾斜して高度に反射性であり、接触16も高度に反射性である。図4に示す実施形態では、透明光学部材2は、結合層6を用いてスーパーストレート30に結合され、n層8は、n接触14によって金属化層20に電気的に結合される。図5には、透明光学部材2がスーパーストレート30に直接に結合され、n接触14が別々に形成されない実施形態が示されている。図6及び図7に示すフリップチップ実施形態では、接触14及び接触16は、発光体4の同じ側面に配置される。光学部材2が接触14及び接触16から発光体4の反対側に結合されているので、これらの実施形態では、光学部材2上に金属化層を必要としない。光学部材2内への光取り出し効率は、金属化層がないことによって改善される。他の実施例においては、上述のように、発光体4の側面26及び28は、傾斜して高度に反射性であり、接触16も高度に反射性である。透明スーパーストレート34は、活性領域12の放射波長において、好ましくは約1.5よりも大きく、より好ましくは約1.8よりも大きい屈折率を有する、例えば、サファイア、SiC、GaN、AlN、又はGaPのような材料から形成される。透明スーパーストレート34は、ジーナテクノロジーズインコーポレーテッド製の酸窒化アルミニウムAlON、スピネル、テルルの酸化物、鉛の酸化物、及び多結晶酸化アルミニウム透明アルミナから形成することができる。図6には、光学部材2が結合層6を用いて透明スーパーストレート34に結合されている実施形態が示されている。図7には、光学部材2が透明スーパーストレート34に直接結合されている実施形態が示されている。図6及び図7に示す実施形態の一実施例においては、光学部材2は、ZnSから形成され、スーパーストレート34は、SiC又はGaNから形成され、n層8は、GaNのようなIII族窒化物半導体から形成される。別の実施例においては、光学部材2は、GaPから形成され、スーパーストレート34は、GaPから形成され、n層8は、AlInGaP合金のようなIII族隣化物半導体から形成される。透明結合層6は、存在する場合は、例えばZnSから形成される。図8及び図9には、n層8、p層10、及び活性領域12が実質的に光学部材2に対して垂直である実施形態が示されている。図6及び図7に示す実施形態のように、光学部材2上には金属化層を必要としない。図8に示す実施形態では、光学部材2は、結合層6を用いて発光体4に結合される。図9に示す実施形態では、光学部材2は、発光体4に直接結合される。1つの実施例においては、発光体4は、ウェーハから切断ダイスカットされ、層8及び層10に対して、及び活性領域12に対して実質的に垂直な方向に作製された切断面を有する。この実施例においては、光学部材2に結合される発光体4の表面は、その粗さを減ずるために任意的に研磨される。他の実施例においては、発光体4の側面26及び28は、斜めに切られ、接触14及び接触16は、高度に反射性であり、光学部材2内に光を反射させるために、反射層36が設けられる。図10及び図11には、発光体4が、発光体が結合される光学部材2の表面22内の凹部38内に位置する実施形態が示されている。図10に示す実施形態では、光学部材2は、発光体4に直接結合される。図11の実施形態では、光学部材2は、結合層6を用いて発光体4に結合される。図12A~図13には、発光体4の上面区域を通って発生光を誘導するようになった上面発光体の実施形態が示されている。図12A~図12Cには、円筒形の実施形態が示されている。これらの実施形態では、発光体4の半導体層と平行な平面を有する光学部材2の横断面は、実質的に円である。円筒形の実施形態は、この円の平面と実質的に垂直な軸線39を有する。いくつかの実施形態では、軸線39は、この円の平面に垂直でなくてもよい。図12Aには、ドーム形光学部材2が表面22で発光体4に結合されている基本的な実施形態が示されている。図12Bには、上面発光体の実施形態が示されており、この実施形態の上面区域を通って放射光を誘導するようになっている。いくつかの実施形態では、光学部材2の表面24のかなりの部分にミラー層40が形成され、本実施形態の軸線39の近くにより小さな開口41を残す。この実施形態は、いくつかの用途において好ましいように発光表面を狭くする。開口41に到達した発光体4の光は、開口41を通って本実施形態から出る。ミラー層40で被覆した表面24に到達した発光体4の光は、光学部材2内に反射されて戻ることができる。反射光の一部分は、発光体4に再び入り、そこで反射光は電子及び正孔を励起し、これらは、後で再結合して光子を放射することができる。この過程は、時に光子再利用と呼ばれる。この再利用された光は、開口41を通過して本実施形態から出ることができる。いくつかの実施形態では、開口41は、光学部材2の表面上の任意の場所とすることができる。光学部材2は、表面22で発光体4に結合部によって取り付けられる。いくつかの実施形態では、発光体4の上面への電気的接触を容易にするために、表面22上に金属化層20が存在し、他の実施形態では、他の接触ソリューションが用いられる。図12Bの装置は、本明細書において引用により組み込まれる、2002年10月29日出願の強化輝度発光装置スポットエミッタという名称の米国特許出願第10/283,737号に更に詳細に説明されている。ミラー層40は、光学部材2の屈折率と十分に異なる屈折率を有する金属層、誘電体、反射コーティング、又は、一般的に任意の実質的に反射性の層から形成することができる。図12A~Bの両方の実施形態では、光学部材2は、その中にエッチングされたフレネルパターンを有することができる。フレネルパターンは、多くの場合、同心パターンに配置された一組の溝を含む。フレネルパターンは、表面24全体にエッチングすることができ、又は、表面24の上面領域のみ又は側面領域のみにエッチングすることができる。図12Cには、別の上面発光体の実施形態が示されている。ここでは、光学部材2は、側面上に形成された任意的なミラー層40を有する光学集線装置である。いくつかの実施形態では、光学集線装置の形状は放物線に類似する。図12Cには、光学集線装置は、放物線形状を有するように表現されているが、表面24は、円錐形状又は斜面形状のような光を集中させるように設計された任意の形状を有することができる。本明細書に説明する光学集線装置は、非結像光学の分野においても公知である。図13A~Bは、伸長した実施形態を示す。図13Aには、発光体4が伸長し、光学部材がそれに対応して伸長した実施形態が示されている。光学部材2は、光学集線装置である。光学集線装置の断面は、実質的に放物線である。断面の放物線は軸線39を有する。いくつかの実施形態では、軸線39は、表面22と実質的に垂直である。伸長した放物線光学集線装置を有する実施形態では、発光体4によって放射された光は、ミラー層40から反射された後に、軸線39と実質的に平行に向けられる。図13A~Bには、光学集線装置が放物線断面を有するように表されているが、表面24は、伸長した円錐形状又は斜面形状のような光を集中するように設計された任意の形状を有することができる。図13Bには伸長した実施形態が示されている。この実施形態では、複数の発光体4が光学部材2に結合される。発光体4は、共通の光学部材の底面に結合することができる。発光体4は、同様又は異なる特性を有することができる。いくつかの実施形態は、異なる色を含む光を放射する発光体4を有する。図14Aには、発光体4が光学部材2に結合され、このアセンブリが反射器42内に配置されている実施形態が示されている。反射器42は、光学部材の上面の方向に光を向けるようになった構造体である。いくつかの実施形態では、発光装置1は、更にヒートシンク46に結合することができる。発光装置1とヒートシンク46との間には、付加的な構造体が存在することができる。また、ヒートシンク46は、図14Aの配置と異なる多くの方法で反射器42に対して配置することができる。ヒートシンク46は、良好な熱電導を有する材料から形成することができ、例えば、金属又は特定のセラミックから形成することができる。いくつかの実施形態は、発光体4の熱の発生を制御するための異なる方法を利用する。図14Bには、側面発光の実施形態が示されている。この側面発光の実施形態では、光学部材2は、放射光を軸線39に対して大きい角度に向けるようになっている。大きい角度で放射されたこの光は、次に反射器42によって反射される。この側面発光の実施形態では、発光体4は、ここでもまた光学部材2に結合される。いくつかの実施形態では、発光体4は、ヒートシンク46にも結合される。図15A~Cには、軸線39に対して大きい角度に光を向けるようになった様々な側面発光の実施形態が示されている。図15Aには、光学部材2が中心領域において周辺領域におけるよりも薄い断面を有する実施形態が示されている。表面24の実質的な部分は、ミラー層40によって覆うことができる。発光体4によって放射された光は、ミラー層40に向けて伝播し、そこで、光は斜めに反射することができる。この反射光は、側面48を通過して光学部材2から出る。異なる形状の表面24を有する実施形態は、反射光を異なる方向に誘導する。表面24が2つの半放物様断面を有する実施形態は、光を実質的に水平に向ける。いくつかの実施形態では、光学部材2は円筒形であり、すなわち、その水平面での断面は実質的に円である。図15Bには、非対称光学部材2を有する実施形態が示されている。表面24上のミラー層40は、光を右に向けて反射し、従って、光は、右側面48を通過して光学部材2から出ることができる。表面24は曲げることができる。表面24の断面は、例えば、放物線とすることができる。図15Cには、非対称光学部材2を有する実施形態が示されている。表面24上のミラー層40は、光を右に向けて反射し、従って、光は、右側面48を通過して光学部材2から出ることができる。表面24は、基本的に平坦とすることができる。図16には、非対称の伸長した実施形態が示されている。光学部材2は、円柱又はスラブのように成形される。いくつかの実施形態では、ミラー層40は、円柱の上面に形成される。いくつかの実施形態では、ミラー層40は、円柱の側面24の1つに形成される。いくつかの他の実施形態では、側面にはミラー層が形成されない。いくつかの実施形態では、散乱層が柱体の上面に形成される。光線は、表面22を通過して光学部材2に入る。上昇光線55及び下降光線65は、側面上及び上面上のミラー層40によって繰り返し反射される。光線55及び光線65の一部分は、右表面48に到達し、出射光線75として出射し、他の部分は反射される。光学部材2の側面上のどれにもミラー層がない実施形態では、光線55及び光線65は、円柱状光学部材2のどの側面上でも出射することができる。円柱の上面のミラー層がない実施形態では、同様に、光線55及び光線65は、円柱の上面を通過して出射することができる。従って、これらの実施形態は、光のスラブ、光の円柱、又は光のシートの光源として使用することができる。このような光源は、広範囲の用途に使用することができる。図17A~Cには、発光装置1が光導体の近くに配置されている実施形態が示されている。いくつかの光導体は、低屈折率を有し、例えば、テフロン登録商標、アクリル、又はPMMAから作製することができる。光導体50は、発光装置1と接触していてもよく、又は、例えば、空気、シリコーン、エポキシ、1つ又はそれ以上のフィルタ、又は発光装置1及び光導体50間の反射防止コーティングのようなコーティングによって発光装置1から離して間隔を置くことができる。光導体は、遠方の目標又は適用区域に光を誘導することができる。光導体は、指示器及び液晶ディスプレイのようなディスプレイ内に組み込むことができる。以下の図17及び図18の光導体設計の全てにおいて、図1~図16の発光装置の何れも利用することができる。図17Aには、図14A~図14Bの設計が光導体50の近くに、例えば、空気、シリコーン、又はエポキシによって離されて配置された実施形態が示されている。反射器42は、光導体50に向けて光を誘導する。図17Bには、光学部材2が図12Cの実施形態のような光学集線装置である実施形態が示されている。この実施形態では、光学集線装置は、光導体50に向けて光を誘導する。図17Cには、光学部材2が図13A~図13Bの実施形態のような伸長した光学集線装置である実施形態が示されている。この実施形態では、伸長した光学集線装置は、伸長した光導体50に向けて光を誘導する。図18には、光導体50が発光装置1から離れて広がるテーパ付き側面を有する実施形態が示されている。いくつかの実施形態では、光導体50の端部にミラー層40が形成される。いくつかの実施形態では、光導体50の側面24の1つにミラー層40が形成される。いくつかの実施形態では、光導体50の側面上にはミラー層が形成されない。いくつかの実施形態では、光導体の端部に散乱面が形成される。上昇光線55は、上部ミラー層40又は散乱面で反射又は散乱され、下降光線65となる。テーパ角度は、小さいとすることができる。上昇光線55は、広がるテーパのために側面24で内部全反射TIRを受け、光導体50内部に留まることができる。この余分な経路長は、異なる色の光を混合することができる。帰還光線65は、狭くなるテーパに直面するために、それらはTIRを受けない。従って、帰還光線65は、全ての反射で出射光線75として部分的に光導体から出る。これらの実施形態では、繰り返し反射された光は、出射光線75が光導体50に沿って実質的に均一な強度を有するのに十分なほど均等に分布することができ、光のシートをもたらす。いくつかの実施形態では、1つの側面のみにテーパを付けることができる。いくつかの実施形態では、光導体50は、2つ又はそれ以上の発光装置4を有する図13Bの設計に結合される。様々な実施形態では、異なる色を有する発光装置を利用することができる。いくつかの実施形態では、2つ又はそれ以上の放射された色は、それらを組み合わせて白色に近い色にすることができるように選択される。いくつかの実施形態は、琥珀色と青色を組み合わせ、ある実施形態は、青緑色と赤色を組み合わせ、ある実施形態は、赤色、青色、及び緑色を組み合わせる。光導体50の表面48からの繰り返し反射の後、異なる色の光線は十分に混合され、白色光に近いものとして見えるようになる。そのような光導体を有する実施形態は、白色光シートの光源として利用することができる。そのような白色シート光源は、例えば、液晶ディスプレイのバックライト用として利用することができる。本発明は特定の実施形態を用いて説明されたが、本発明は、特許請求の範囲に該当する全ての変形及び修正を含むものとする。なお、好ましい実施態様として、本発明を次のように構成することもできる。41.活性領域を含む半導体層のスタックを備えた半導体発光素子と、前記半導体発光素子に結合された光学部材と、前記光学部材と前記半導体発光素子との間に配置された結合層と、を含み、前記結合層は、テルルの酸化物を含む、ことを特徴とする装置。42.前記半導体発光素子は、サブストレート及びスーパーストレートのうちの一方を含むことを特徴とする上記41に記載の装置。43.前記サブストレート及びスーパーストレートのうちの一方は、サファイア、SiC、酸窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、GaN、AlN、スピネル、GaP、ZnS、テルルの酸化物、鉛の酸化物、タングステンの酸化物、及び透明アルミナの群から選択された材料を含むことを特徴とする上記42に記載の装置。44.前記光学部材上に形成された複数の溝を更に含むことを特徴とする上記41に記載の装置。45.前記光学部材は、フレネルレンズを含むことを特徴とする上記41に記載の装置。46.前記光学部材上に形成されたフレネルレンズを更に含むことを特徴とする上記41に記載の装置。47.前記光学部材上の少なくとも一部分に形成された反射性材料を更に含むことを特徴とする上記41に記載の装置。48.前記結合層は、約250°Cと約500°Cとの間の軟化温度を有することを特徴とする上記41に記載の装置。49.前記光学部材の形状は、ドーム、放物面、円錐形状、及び斜角付き形状のうちの1つであることを特徴とする上記41に記載の装置。50.前記光学部材は、前記層のスタックによって放射された光の波長を少なくとも別の波長に変換することができる1つ又はそれ以上の蛍光物質を含むことを特徴とする上記41に記載の装置。51.前記光学部材の一部分は、前記層のスタックによって放射された光の波長を少なくとも別の波長に変換することができる1つ又はそれ以上の蛍光物質で被覆されることを特徴とする上記41に記載の装置。52.前記結合層は、前記層のスタックによって放射された光の波長を少なくとも別の波長に変換することができる1つ又はそれ以上の蛍光物質を含むことを特徴とする上記41に記載の装置。53.前記層のスタックの少なくとも1つの表面は、斜角が付いていることを特徴とする上記41に記載の装置。54.前記光学部材の底面は、前記層のスタックの成長方向と実質的に平行であることを特徴とする上記41に記載の装置。55.前記光学部材の底面は、前記層のスタックの成長方向と実質的に垂直であることを特徴とする上記41に記載の装置。56.前記半導体発光素子は、前記光学部材にフリップチップ配置で結合されることを特徴とする上記41に記載の装置。57.前記光学部材は、サファイア、SiC、酸窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、GaN、AlN、スピネル、GaP、ZnS、テルルの酸化物、鉛の酸化物、タングステンの酸化物、及び透明アルミナの群から選択された材料を含むことを特徴とする上記41に記載の装置。"