"凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、を備え、前記第2部材には、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とするセンサーデバイス。前記可撓部は、前記第2部材の他の部分より厚みが薄いことを特徴とする請求項1に記載のセンサーデバイス。前記可撓部は、蛇腹構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載のセンサーデバイス。前記可撓部は、前記平面視で、円形形状、もしくは多角形形状であって角が円弧状である形状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセンサーデバイス。前記センサー素子の前記第2部材に接触する受力面の法線方向をZ軸方向とし、前記Z軸方向に直交し且つ互いに直交する方向をそれぞれX軸方向、Y軸方向とした場合、前記センサー素子は、前記X軸方向の力を検出する第1センサー素子、前記Y軸方向の力を検出する第2センサー素子、前記Z軸方向の力を検出する第3センサー素子、のうち少なくともいずれか1つ以上を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセンサーデバイス。凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、前記第1部材と接触する第1プレートと、前記第2部材と接触する第2プレートと、前記第1プレート及び前記第2プレートを締結する締結部と、を備え、前記第2部材は、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とするセンサーモジュール。請求項1乃至5のいずれか1項に記載のセンサーデバイスを備えることを特徴とする力検出装置。凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、前記センサー素子に電気的に接続する電子回路と、を備え、前記第2部材には、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とする力検出装置。請求項7に記載の力検出装置を備えることを特徴とするロボット。本体部と、前記本体部に接続するアーム部と、前記アーム部に接続するハンド部と、を備えるロボットであって、前記アーム部と前記ハンド部との接続部にセンサーデバイスを有し、前記センサーデバイスは、凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、を備え、前記第2部材は、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とするロボット。特許文献1に開示の力センサーは、信号電極を結晶円板で挟持し、この結晶円板を金属カバー円板で挟持する構造である。これを溶接で金属環に取り付けた場合、信号電極などの個々のパーツには寸法誤差があり、これが溶接箇所の凹凸となり、溶接に隙間が生じる虞があった。よって湿度が高いなどの外部環境が劣悪な状況では、センサー素子への水分の浸入によって電荷が外部リークし安定した測定が困難となる虞があった。また、図14に示す従来技術のセンサーデバイスでは、パッケージ202に収容されたセンサー素子214の受力面222の高さと、パッケージ202の凹部の開口部220の外周となる接合面224の高さと、が互いに一致しない場合が発生する。図15に、従来技術のセンサーデバイス受力面の高さ<接合面の高さに力を印加した場合の模式図を示し、図15aは、リッドに力を印加する前の模式図、図15bは、リッドに力を印加した後の模式図を示す。図15aに示すように、センサー素子214の受力面222の高さが、接合面224の高さより低くなる場合において、リッド204をパッケージ202に接合する。すると、リッド204とセンサー素子214の受力面222とが接触せずに隙間226が形成される。図16に、従来技術のセンサーデバイス受力面の高さ>接合面の高さの模式図を示し、図16aはリッドの接合前の模式図、図16bはリッドの接合後、且つリッドに力を印加する前の模式図、図16cは、リッドに力を印加した後の模式図を示す。図16aに示すように、センサー素子214の受力面222の高さが、パッケージ202の接合面224の高さより高くなる場合において、リッド204をパッケージ202に接合すると図16bのようになる。すなわち、リッド204の中央部が盛り上がった状態となり、センサー素子214の受力面222の周縁はリッド204に接触するものの、センサー素子214の受力面222の中央部とリッド204との間には隙間228が形成される。いずれの場合においても、リッド204に力上述の与圧を含むが印加されると、上述の隙間226、228は消失する。しかし、図15bに示すように、パッケージ202の凹部深さ方向で見た平面視でリッド204のセンサー素子214より外側且つ開口部220の縁より内側となる領域は、リッド204の中心に向かう方向矢印230の方向に応力を受ける。また図16cに示すように、前記平面視でリッド204のセンサー素子214より外側且つ開口部220の縁より内側となる領域は、リッド204の中心から放射状に広がる方向矢印232の方向の応力を受ける。よっていずれの場合であっても、リッド204とパッケージ202とが接合される接合部接合面224の内側となるセンサー素子側内縁部には、せん断応力矢印234の方向が応力の方向が集中的に印加されることになる。さらに、力が繰り返し印加されるセンサーデバイス200においては前記接合部のセンサー素子側内縁部に応力集中が進み、リッド204とパッケージ202との接合が劣化して気密封止が破壊される虞がある。よって、本発明は上記問題点に着目し、パッケージの破損が起こりにくい構造とすることで、パッケージに収容されたセンサー素子の気密封止を長期に亘り安定的に実現するセンサーデバイス、センサーモジュール、力検出装置、ロボットを提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。[適用例1]凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、を備え、前記第2部材には、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とするセンサーデバイス。上記構成において、センサー素子の第2部材に対向する受力面と、第1部材の第2部材と接合する接合面との間に高低差があっても、与圧により可撓部はその高低差に倣って変形するので、第2部材の可撓部より内側となる力伝達部を受力面に接触させるとともに力伝達部の変位に伴い第2部材内で発生する応力を可撓部の撓み変形により吸収させることができる。よって、可撓部よりも外側となる接合面への応力の伝達を抑制することができ、第1部材と第2部材との接合部に対する応力集中を抑制することができる。したがって、第1部材に収容されたセンサー素子の気密封止を長期に亘り安定的に実現するセンサーデバイスとなる。[適用例2]前記可撓部は、前記第2部材の他の部分より厚みが薄いことを特徴とする適用例1に記載のセンサーデバイス。上記構成により、簡易な構成で可撓部を形成することができる。[適用例3]前記可撓部は、蛇腹構造を有することを特徴とする適用例1または2に記載のセンサーデバイス。上記構成により、簡易な構成で可撓部を形成することができる。[適用例4]前記可撓部は、前記平面視で、円形形状、もしくは多角形形状であって角が円弧状である形状であることを特徴とする適用例1乃至3のいずれか1例に記載のセンサーデバイス。上記構成により、可撓部の特定の部位への応力の集中を回避して可撓部の耐久性を高めることができる。[適用例5]前記センサー素子の前記第2部材に接触する受力面の法線方向をZ軸方向とし、前記Z軸方向に直交し且つ互いに直交する方向をそれぞれX軸方向、Y軸方向とした場合、前記センサー素子は、前記X軸方向の力を検出する第1センサー素子、前記Y軸方向の力を検出する第2センサー素子、前記Z軸方向の力を検出する第3センサー素子、のうち少なくともいずれか1つ以上を備えることを特徴とする適用例1乃至4のいずれか1例に記載のセンサーデバイス。上記構成により、使用目的に応じて任意の方向の力を検出することができる。[適用例6]凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、前記第1部材と接触する第1プレートと、前記第2部材と接触する第2プレートと、前記第1プレート及び前記第2プレートを締結する締結部と、を備え、前記第2部材は、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とするセンサーモジュール。上記構成によれば、適用例1と同様の理由により、第1部材に収容されたセンサー素子の気密封止を長期に亘り安定的に実現するセンサーモジュールとなる。[適用例7]適用例1乃至5のいずれか1例に記載のセンサーデバイスを備えることを特徴とする力検出装置。上記構成によれば、適用例1と同様の理由により、第1部材に収容されたセンサー素子の気密封止を長期に亘り安定的に実現する力検出装置となる。[適用例8]凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、前記センサー素子に電気的に接続する電子回路と、を備え、前記第2部材には、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とする力検出装置。上記構成によれば、適用例1と同様の理由により、第1部材に収容されたセンサー素子の気密封止を長期に亘り安定的に実現し、且つ独自に力を検出可能な力検出装置となる。[適用例9]適用例7に記載の力検出装置を備えることを特徴とするロボット。上記構成によれば、適用例1と同様の理由により、第1部材に収容されたセンサー素子の気密封止を長期に亘り安定的に実現するロボットとなる。[適用例10]本体部と、前記本体部に接続するアーム部と、前記アーム部に接続するハンド部と、を備えるロボットであって、前記アーム部と前記ハンド部との接続部にセンサーデバイスを有し、前記センサーデバイスは、凹部を有する第1部材と、前記凹部に配置され、圧電体を有するセンサー素子と、前記第1部材に接合され、前記第1部材の凹部を封止する第2部材と、を備え、前記第2部材は、前記凹部深さ方向で見た平面視で前記凹部の開口部の縁より内側、且つ前記センサー素子より外側となる位置において、前記センサー素子の周囲を囲み、可撓性を有する可撓部があることを特徴とするロボット。上記構成によれば、適用例1と同様の理由により、第1部材に収容されたセンサー素子の気密封止を長期に亘り安定的に実現し、且つアーム部及びハンド部に印加される力を検知可能なロボットとなる。以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図1に第1実施形態のセンサーデバイスを示す。第1実施形態のセンサーデバイス1の基本構成は、従来技術のセンサーデバイス200と共通するので、同一の構成要素には同一の番号を付し、必要な場合を除いてその説明を省略する。まず本実施形態では、センサー素子214の受力面222上面が、凹部を有するパッケージ202第1部材のリッド2第2部材との接合面224上面より高くなっている場合を用いて説明する。本実施形態のセンサーデバイス1は、主に凹部を有するパッケージ202、センサー素子214、板状のリッド2により構成されている。そして、本実施形態のセンサーデバイス1の基本形態は、センサー素子214がパッケージ202に収容され、パッケージ202の凹部の開口部220を覆うようにリッド2がパッケージ202の接合面224に接合されたものとなっている。なお、パッケージ202は凹部を有するパッケージ構造となっているが金属または後述のようにセラミックにより形成されている。また、リッド2の力伝達部3と周縁部4との間に可撓部5が配置され、可撓部5はセンサー素子214の受力面222と接合面224との高低差に倣って撓み変形し、力伝達部3と周縁部4との間に段差が形成されている。この段差により、力伝達部3は受力面222に接触面接触した状態で、周縁部4が接合面224に接合している。また、本実施形態では力伝達部3が周縁部4に対して突出した形態を有している。そして、本実施形態のセンサーデバイス1は、例えば後述の与圧プレート82図11、92図12によりセンサー素子214の受力面222の法線方向から挟み込まれ、与圧が印加される。パッケージ202に接合されるリッド2は、ステンレスやコバール等の金属または後述のようにセラミックにより形成され、力伝達部3、周縁部4、可撓部5から構成されている。力伝達部3は、リッド2の中央領域をなすものであり、外部から受けた力与圧を含むをセンサー素子214の受力面222に伝達するものである。ここで、力伝達部3は、少なくとも受力面222全体に接触する形状が必要となる。そこで、力伝達部3は、受力面222と同一形状、同一面積を有し、パッケージ202の凹部深さ方向で見た平面視で力伝達部3の周縁と受力面222の周縁とが互いに重なるように配置する構成が最低限必要となる。しかし、図1に示すように、力伝達部3を、受力面222より大きな面積としこの場合同一形状である必要はない、前記平面視で力伝達部3の周縁が受力面222の周縁を囲むように配置してもよい。これにより、リッド2とパッケージ202との接合時のアライメント誤差があっても力伝達部3を受力面222全体に接触させることができる。周縁部4は、リッド2の周縁となる位置に配置され、パッケージ202の接合面224と接合する。可撓部5は、前記平面視で開口部220の縁より内側となる位置を外周とし、前記平面視でセンサー素子214の受力面222より外側となる位置を内周とする矩形正方形、長方形のリング状の領域である。また、可撓部5は、力伝達部3及び周縁部4より薄肉に形成され、リッド2の両面から片面からでもよい掘り込む態様で形成されている。この可撓部5は、プレス成型またはエッチングにより形成することができる。そして、可撓部5は、周縁部4側を固定端とし、力伝達部3側を自由端としてリッド2の厚み方向に撓み変形伸長する。また、図1aに示すように、可撓部5は、多角形形状図では矩形形状であって角が円弧状である形状となっている。これにより、可撓部5の特定の部位例えば角となる部分への応力の集中を回避して可撓部5の耐久性を高めることができる。次に、第1実施形態のセンサーデバイス1の製造工程について説明する。ここではパッケージ202にセンサー素子214を収容したのち、リッド2とパッケージ202とをシーム溶接により接合してセンサー素子214を気密封止する工程について説明する。図2に、第1実施形態のセンサーデバイスの製造工程の模式図を示し、図2aはシーム溶接前の模式図、図2bはシーム溶接後の模式図を示す。まず、センサー素子214を収容したパッケージ202上に、予め可撓部5を形成したリッド2を載置する。このとき力伝達部3は受力面222に載置され、周縁部4と接合面224との間には隙間6が形成されている。次に、図2bに示すように、周縁部4にシーム溶接用のローラー電極7を押し付け、可撓部5を変形させることにより周縁部4を接合面224に当接させて隙間6を消失させる。そしてローラー電極7から電流を流すことにより周縁部4と接合面224とを接合する。そして、全ての周縁部4上にローラー電極7をなぞらせることによりセンサー素子214は気密封止され、センサーデバイス1が形成される。図3に、第1実施形態のセンサーデバイスであって、リッドとセンサー素子との間に隙間が形成された場合の模式図を示し、図3aは与圧印加前の模式図、図3bは与圧印加後の模式図を示す。また、図4に、第1実施形態のセンサーデバイスであって、リッドが平面を維持しつつセンサー素子の接触している場合の模式図を示す。この例の場合でも与圧を印加することにより、可撓部5を利用して力伝達部3を受力面222に接触させることができる。本実施形態のセンサーデバイス1を量産する場合、センサー素子214の受力面222の高さとパッケージ202の接合面224の高低差にバラつきが生じる。図1のように、受力面222の高さが接合面224の高さより高くなる場合は、周縁部4を接合面224に接合する際に、受力面222と接合面224の高低差に倣って可撓部5が変形伸長する。これにより、力伝達部3は受力面222に接触し、周縁部4は接合面224に接合する。これに対し、図3、図4の場合のリッド2の接合方法は、図2と同様であるが、接合時に可撓部5は変形しない。すなわち、図3aのように、受力面222の高さが接合面224の高さより低くなる場合は、周縁部4を接合面224に接合しても、力伝達部3と受力面222との間に隙間8が形成される。しかし、隙間8は、リッド2の厚みと比較して十分狭いものであり、使用に際して、後述の与圧プレート82、92図3では不図示により、センサーデバイス1の厚み方向高さ方向から与圧が印加される。よって、図3bに示すように、与圧プレート82、92図3では不図示により、力伝達部3は、受力面222側に変位し、隙間8を消失させて受力面222に接触する。このとき力伝達部3は、可撓部5を受力面222側に変形させる。そして可撓部5は、受力面222と接合面224との高低差に倣って変形し、周縁部4と力伝達部3との間に段差を形成する。また、図4に示すように、受力面222の高さと接合面224の高さが一致する場合は、力伝達部3と受力面222とは接触している。したがって、図1、図3a、図4のいずれの場合であっても、与圧を印加して、力伝達部3を受力面222に接触させる際に、パッケージ202とリッド2の接合部接合面224への応力集中を大幅に軽減することができセンサーデバイス1の経年劣化を抑制することができる。以上、本実施形態においては、リッド2の可撓部5が変形するためパッケージ202とリッド2との接合部に加わる応力が抑制される。そして、リッド2においては、可撓部5が変形するため、センサー素子214に印加される力の内で、パッケージ202とリッド2との接合部に対する応力としてロスする量が極めて少なくなり、センサー素子214に効率的に力が伝達される。その結果、高精度な力の検出が可能となる。さらに、受力面222と接合面224との高低差に倣って可撓部5が変形することにより力伝達部3と周縁部4との間に段差が形成される。これにより、力伝達部3は力が印加されない状態であっても受力面222に接触しているため、接合面224に印加されるせん断応力や衝撃を低減して気密封止が破壊される虞を低減することができる。以上述べたように、第1実施形態のセンサーデバイス1によれば、センサー素子214のリッド2に対向する受力面222と、パッケージ202のリッド2と接合する接合面224との間に高低差があっても、与圧により可撓部5はその高低差に倣って変形するので、リッド2の可撓部5より内側となる力伝達部3を受力面222に接触させるともに力伝達部3の変位に伴いリッド2内で発生する応力を可撓部5の撓み変形により吸収させることができる。よって、可撓部5よりも外側となる接合面224への応力の伝達を抑制することができ、パッケージ202とリッド2との接合部に対する応力集中を抑制することができる。したがって、パッケージ202に収容されたセンサー素子214の気密封止を長期に亘り安定的に実現するセンサーデバイス1となる。なお本実施形態では、力を検出するセンサー素子214は圧電効果を用いたものであるので、センサー素子214が力を検知するために必要とする力伝達部3の変位量は極僅かとすることができ、少ない変位量であっても高精度な力の検出を安定的に行うことが可能なセンサーデバイス1となる。図5に、第1実施形態のセンサーデバイスにおいて、パッケージ及びリッドを絶縁体で形成した場合の断面図を示す。パッケージ202及びリッド2をセラミック等の絶縁体で形成する場合は、パッケージ202の凹部の底面において、センサー素子214の下面全体と接触するように接地電極9aを配置し、パッケージ202の外部の側面に側面電極9bを配置する。そして、側面電極9bからパッケージ202の凹部の壁面までを貫通する貫通電極9cを配置し、凹部の壁面に露出した貫通電極9cと接地電極9aとを接続する接続電極9dをパッケージ202の凹部の底面に配置する。さらに、センサー素子214の上面にも上面全体を覆うように接地電極9eを配置し、接地電極9eと接続電極9dとをワイヤー9fにより電気的に接続する。この構成において、側面電極9bを接地することによりセンサー素子214の上面と下面が接地される。この場合、接地電極9eの上面がセンサー素子214の受力面222となる。図6に、本実施形態のリッドの変形例の模式図を示し、図6aは平面図、図6bは図6aのA-A線断面図を示す。図6に示すリッド2aにおいて、可撓部5aは、前記平面視で円形形状を有している。可撓部5aをこのような構成とすることにより、リッド2aに力与圧を含むを印加したときに、可撓部5aの特定の部位例えば角となる部分に応力が集中することを回避して、可撓部5aの耐久性を高めることができる。また、図6bに示すように、可撓部5aは、力伝達部3及び周縁部4より薄肉に形成されているとともに、蛇腹構造を有している。これにより、可撓部5aにおいて変形しやすくなり、力伝達部3がセンサー素子214の受力面222に力を伝達する際の力のロスを低減することができる。なお、可撓部5aのように蛇腹構造を有する場合、可撓部5aが力伝達部3及び周縁部4より優先的に変形する限り可撓部5aを薄肉に形成する必要はなく、力伝達部3及び周縁部4と同一の厚みを有しても良い。なお変形例のリッド2aも、プレス成型により形成しても良いし、エッチングにより形成してもよい。図7に第2実施形態のセンサーデバイスの断面図を示し、図8に、第2実施形態のセンサーデバイスの平面図リッドを省略を示し、図9に、本実施形態のパッケージベースの平面図を示す。ここで、図7は、図8、図9のA-A線断面図に対応する。また、第2実施形態のセンサーデバイス10は、直交3軸方向の力を検出できるデバイスであるが、第1実施形態のセンサーデバイス1と共通の作用効果を有する。本実施形態のセンサーデバイス10は、主にパッケージ12第1部材、センサー素子42、リッド34第2部材により構成されている。そして、センサーデバイス10の基本形態は、センサー素子42がパッケージ12の凹部に収容され、パッケージ12の凹部の開口部30を覆うようにリッド34がパッケージ12の接合面32に接合されたものとなっている。また、リッド34の力伝達部36と周縁部38との間に可撓部40が配置され、可撓部40はセンサー素子42の受力面44と接合面32との高低差に倣って撓み変形し、力伝達部36と周縁部38との間に段差が形成されている。この段差により、力伝達部36が受力面44に接触面接触した状態で、周縁部38が接合面32に接合している。そして、本実施形態のセンサーデバイス10は、後述の与圧プレート82図11、92図12によりセンサー素子42の受力面44の法線方向図10のγ軸方向から挟み込まれ、与圧が印加される。パッケージ12は、セラミック等の絶縁性材料により形成されている。そして、パッケージ12は、パッケージ12の凹部深さ方向で見た平面視で矩形の平板形状円形等他の形状でもよいを有するとともにセンサー素子42が配置されるパッケージベース14を有する。またパッケージ12は、前記平面視図8で外形がパッケージベース14と同一の形状を有し、センサー素子42の周囲を囲むようにパッケージベース上に配置されたリング状の側壁部材24を有する。図9に示すように、パッケージベース14の上面の中央には、センサー素子42に接続する接地電極16が配置されている。また、パッケージベース14の側面の角となる部分4箇所には側面電極20A、20B、20C、20Dが配置されている。なお、側面電極20A、20B、20C、20Dは、例えばセンサーデバイス10の出力を検出する電子回路不図示にワイヤー等を介して接続される。また、図8、図9に示すように、パッケージベース14の上面には接続電極18A、18B、18C、18Dが配置されている。接続電極18A、18B、18C、18Dは、それぞれ側面電極20A、20B、20C、20Dに接続するように配置され、一端がそれぞれパッケージベース14上の角となる位置に配置されている。一方、接続電極18A、18B、18Cの他端は、接地電極16の近傍となる位置に配置されている。そして接続電極18Dの他端は、接地電極16に接続されている。図7、図8に示すように、側壁部材24は、パッケージベース14上の周縁となる位置に積層される。側壁部材24は、接続電極18A、18B、18C、18Dを覆うように配置される。しかし、側壁部材24は、矩形のリング状の部材であるため、側壁部材24の内側に接続電極18A、18B、18C、18Dの他端側を露出させ、接地電極16も露出させた状態でパッケージベース14に積層される。そして、側壁部材24は、パッケージ12の凹部の開口部30を形成する。また、図7に示すように、側壁部材24の上面にはメタライズ26が配置され、これがパッケージ12とリッド34との接合面32上面となる。そして、図7、図8に示すように、側壁部材24の接続電極18Dに対向する位置には、側壁部材24を高さ方向に貫通する貫通電極28が配置され、メタライズ26と接続電極18Dとが貫通電極28を介して電気的に接続されている。なお、接地電極16及び接続電極18A,18B,18C,18Dは、導電性を備える金属で形成され、メタライズ26も接地電極16等と同一材料で形成することができる。図7に示すように、リッド34は、第1実施形態のリッド2と同様に力伝達部36、周縁部38、可撓部40により構成されている。また本実施形態においては、第1実施形態と同様に、受力面44がパッケージ12の接合面32より高くなっている。よって可撓部40は、受力面44と接合面32との高低差に倣って変形し、力伝達部36は受力面44に接触し、周縁部38は接合面32メタライズ26とシーム溶接により接合している。これにより、リッド34は力伝達部36が周縁部38より突出した態様で段差を有している。もちろん、センサーデバイス10を量産した場合には、第1実施形態と同様に受力面44と接合面32との高さにはバラつきが発生する。しかし第1実施形態と同様の手順でリッド34をパッケージ12に接合することができる。図7に示すように、センサー素子42は、上から第1センサー素子46、第3センサー素子58、第2センサー素子52の順に積層されたものである。第1センサー素子46は、第1水晶板48A、48Bが第1検出電極50を挟むように形成され、第2センサー素子52は、第2水晶板54A、54Bが第2検出電極56を挟むように形成され、第3センサー素子58は、第3水晶板60A,60Bが第3検出電極62を挟むように形成されている。そして、第1センサー素子46第1水晶板48Bと第3センサー素子58第3水晶板60Aとの間には第1接地電極64が配置され、第3センサー素子58第3水晶板60Bと第2センサー素子52第2水晶板54Aとの間には第2接地電極66が配置されている。さらに、第1センサー素子46第1水晶板48Aの上面はセンサー素子42の受力面44となっており、リッド34の力伝達部36に接触して接地されている。また、第2センサー素子52第2水晶板54Bの下面は、接地電極16に接続されることにより接地される。図8に示すように、第1検出電極50、第2検出電極56、第3検出電極62、第1接地電極64、第2接地電極66は、第1乃至第3水晶板からその一部がはみ出るようにそれぞれ配置されている。そして第1検出電極50は、導電性のワイヤー68Aにより接続電極18Aの露出部分他端側に接続され、第2検出電極56は、ワイヤー68Bにより接続電極18Bの露出部分他端側に接続され、第3検出電極62は、ワイヤー68Cにより接続電極18Cの露出部分他端側に接続される。また、第1接地電極64、及び第2接地電極66は、それぞれワイヤー68D、68Eにより接続電極18Dの露出部分他端側に接続されている。上記接続により、側面電極20Aは、接続電極18A、ワイヤー68Aを介して第1検出電極50に電気的に接続される。また、側面電極20Bは、接続電極18B、ワイヤー68Bを介して第2検出電極56に電気的に接続される。そして、側面電極20Cは、接続電極18C、ワイヤー68Cを介して第3検出電極62に電気的に接続される。また、側面電極20Dは、接続電極18Dを介して接地電極16に電気的に接続される。さらに側面電極20Dは、接続電極18Dに接続したワイヤー68Dを介して第1接地電極64に電気的に接続され、接続電極18Dに接続したワイヤー68Eを介して第2接地電極66に電気的に接続され、接続電極18Dに接続した貫通電極28及びメタライズ26を介してリッド34に電気的に接続される。前述の各種電極の材料としては、金、チタニウム、アルミニウム、銅、鉄などの単体もしくは合金を用いることができる。例えば、鉄合金としてステンレススチールを用いることも可能であり、耐久性、耐食性が優れることから好適に用いられる。図10に本実施形態のセンサー素子の模式図を示す。本実施形態において、力伝達部36はセンサー素子42の受力面44の法線方向γ軸に平行な方向の力のみならず、受力面44の面方向の力、すなわち、γ軸にそれぞれ直交し、かつ互いに直交する2つの方向α軸、β軸の力を受力面44に伝達可能である。そして、センサー素子42第1センサー素子46、第2センサー素子52、第3センサー素子58は、後述のようにα軸、β軸、γ軸にそれぞれ平行な力を検出することができる。第1センサー素子46において、第1水晶板48A,48Bは、Yカット水晶板により形成され、圧電効果を発生させる結晶方位であるX方向が第1水晶板48A,48Bの法線図10のγ軸に平行な方向に垂直な方向となる結晶方位を有している。そして、第1水晶板48A,48Bは、X方向が互いに逆方向となるように配置されている。さらに、第1水晶板48A,48Bは、X方向が空間直交座標のα軸と平行となるように配置されている。第2センサー素子52において、第2水晶板54A,54Bは、Yカット水晶板により形成され、X方向が第2水晶板54A,54Bの法線γ軸に平行な方向に垂直な方向となる結晶方位を有している。そして、第2水晶板54A,54Bは、X方向が互いに逆方向となるように配置されている。さらに、第2水晶板54A,54Bは、X方向が空間直交座標のβ軸と平行となるように配置されている。第3センサー素子58において、第3水晶板60A,60Bは、Xカット水晶板により形成され、X方向が第3水晶板60A,60Bの法線γ軸に平行な方向と平行な方向となる結晶方位を有している。そして、第3水晶板60A,60Bは、X方向が互いに逆方向となるように配置されている。さらに、第3水晶板60A,60Bは、X方向が空間直交座標のγ軸と平行となるように配置されている。図10に示すように、本実施形態のセンサー素子42は、空間直交座標のγ軸に平行な方向をセンサー素子42の高さ方向としている。そして、例えば、後述の与圧プレート82図11、92図12によりγ軸の方向から挟み込まれ与圧が与えられ、リッド34力伝達部36を介してセンサー素子42にγ軸に平行な方向から与圧が印加される。これにより、第3水晶板60A,60BはX方向から与圧圧縮力を受けることになるので圧電効果により電荷を誘起し、第3検出電極62に電荷Fz信号が出力される。上記構成において、2つの与圧プレートの相対位置が互いにα軸に平行な方向にずれる外力が印加されると、力伝達部36を介してセンサー素子42には、α軸に平行な方向の外力が印加される。すると、第1水晶板48A,48Bは、X方向から外力せん断力を受けることになるので圧電効果により電荷を誘起し、第1検出電極50に電荷Fx信号が出力される。また2つの与圧プレートの相対位置が互いにβ軸に平行な方向にずれる外力が印加されると、力伝達部36を介してセンサー素子42には、β軸に平行な方向の外力が印加される。すると第2水晶板54A,54BはX方向から外力せん断力を受けることになるので圧電効果により電荷を誘起し、第2検出電極56に電荷Fy信号が出力される。さらに2つの与圧プレートの相対位置が互いにγ軸に平行な方向にずれる外力が印加されると、力伝達部36を介してセンサー素子42には、γ軸に平行な方向の外力が印加される。すると、第3水晶板60A,60BはX方向から外力圧縮力または引張力を受けることになるので圧電効果により誘起される電荷量が変化し、第3検出電極62に出力される電荷Fz信号の大きさが変化する。よって、本実施形態のセンサーデバイス10は、側面電極20Aを介して第1検出電極50に出力される電荷Fx信号と、側面電極20Bを介して第2検出電極56に出力される電荷Fy信号と、側面電極20Cを介して第3検出電極62に出力される電荷Fz信号と、をそれぞれモニターすることができ、互いに直交するα軸後述のX軸、β軸後述のY軸、γ軸後述のZ軸に平行な方向の外力Fx、Fy、Fzを検知することができる。なお、センサー素子42は、第1センサー素子46、第2センサー素子52、第3センサー素子58の積層構造となっているが、少なくともいずれか1つ以上を用いる構成としてもよい。また、第1センサー素子46、第2センサー素子52、第3センサー素子58は必ずしも積層させる必要は無く、各センサー素子をパッケージ12内に並列に収容し、各センサー素子の上面受力面が力伝達部36に接触できるようにしてもよい。図11に本実施形態のセンサーモジュールの断面図を示す。本実施形態のセンサーモジュールは、第2実施形態のセンサーデバイス10第1実施形態のセンサーデバイス1でもよいを与圧プレート82により挟み込み、締結部により与圧プレート82同士を締結させるとともにセンサーデバイス10に与圧を印加する構成を有している。与圧プレート82は、パッケージ12に接触する第1プレート82aと、リッド34力伝達部36に接触する第2プレート82bから構成される。そして締結部は、締結ボルト84aと締結ナット84bにより構成される。また、第1プレート82a、第2プレート82bには締結ボルト84aを挿通するボルト孔86aが形成され、締結ボルト84aの頭部及び締結ナット84bを収容するザグリ86bがボルト孔86aに連通して形成されている。ここで、センサーデバイス10を第1プレート82a及び第2プレート82bで挟み込んだ状態で、締結ボルト84aをボルト孔86aに挿通し締結ボルト84aと締結ナット84bによりボルト締めする。すると、第1プレート82aと第2プレート82bが互いに接近する方向の力を締結部より受けてセンサーデバイス10は高さ方向から与圧を受け、これによりセンサーデバイス10を構成するリッド34力伝達部36がセンサー素子42の受力面44に与圧を印加することになる。そして、前述同様に側面電極20A,20B,20C,20Dは、センサーデバイス10からの信号を受信する電子回路不図示に接続されている。よって与圧プレート82に外力が印加されると、その外力が力達部36を介して受力面44に伝達されて受力面44が受ける力が変化し、これによりセンサーデバイス10から出力される信号の出力が変化する。したがって、与圧のみの場合の信号の出力を基準として、その信号の出力の変化量をモニターすることにより、センサーモジュール80に印加される力その方向も含むを検知することができる。なお、第1プレート82aのセンサーデバイス10に対向する位置に電子回路不図示を埋め込み、センサーデバイス10の側面電極20A,20B,20C,20Dをパッケージ12の下面にまで延出させ、電子回路不図示上の実装電極不図示と側面電極のパッケージ12の下面に延出させた部分と、を半田付け等によりそれぞれ接続してもよい。図12に本実施形態の力検出装置を示す。本実施形態の力検出装置90は、4つのセンサーデバイス10を2つの与圧プレート92により挟み込んだ構成を有している。与圧プレート92のうち一方の与圧プレート92には、センサーデバイス10とワイヤー等を介して電気的に接続する電子回路不図示が配置されている。そして、力検出装置90において、4つのセンサーデバイス10が全て同じ方向に向いた状態で与圧プレート92に挟み込まれ、与圧が印加される。例えば、センサーデバイス10において、第1センサー素子46図10の検出軸をFxX軸に平行な方向に向け、第2センサー素子52図10の検出軸をFyY軸に平行な方向に向け、第3センサー素子58図10の検出軸をFzZ軸に平行な方向に向けた状態となっている。ここで、与圧プレート92の相対位置が互いにFx方向にずれる力を受けた場合、センサーデバイス10はそれぞれFx1、Fx2、Fx3、Fx4の力を検出する。また、与圧プレート92の相対位置が互いにFy方向にずれる力を受けた場合、センサーデバイス10はそれぞれFy1、Fy2、Fy3、Fy4の力を検出する。さらに、与圧プレート92の相対位置が互いにFz方向にずれる力を受けた場合、センサーデバイス10はそれぞれFz1、Fz2、Fz3、Fz4の力を検出する。また与圧プレート92は、互いにX軸回りMxに回転する方向にずれる相対変位、互いにY軸回りMyに回転する方向にずれる相対変位、互いにZ軸回りMzに回転する方向にずれる相対変位が可能であり、これに伴う力をセンサーデバイス10に伝達することが可能である。したがって、力検出装置90において、互いに直交する力Fx、Fy、Fz、Fxに平行な方向を回転軸とする回転力Mx、Fyに平行な方向を回転軸とする回転力My、Fzに平行な方向を回転軸とする回転力Mzは、以下のように求めることができる。ここで、a、bは定数とする。よって本実施形態の力検出装置90は、三次元のあらゆる方向からの力6軸方向の力を検知することができ、パッケージ12に収容されたセンサー素子42の気密封止を長期に亘り安定的に実現可能な力検出装置90となる。図13に、本実施形態の力検出装置を搭載したロボットを示す。図13に示すように、ロボット100は、本体部102、アーム部104、ロボットハンド部116などから構成されている。本体部102は、例えば床、壁、天井、移動可能な台車の上などに固定される。アーム部104は、本体部102に対して可動となるように設けられており、本体部102にはアーム部104を回転させるための動力を発生するアクチュエータ不図示や、アクチュエータを制御する制御部等不図示が内蔵されている。アーム部104は、第1フレーム106、第2フレーム108、第3フレーム110、第4フレーム112、第5フレーム114から構成されている。第1フレーム106は、回転屈曲軸を介して、本体部102に回転可能または屈曲可能となるように接続されている。第2フレーム108は、回転屈曲軸を介して、第1フレーム106及び第3フレーム110に接続されている。第3フレーム110は、回転屈曲軸を介して、第2フレーム108及び第4フレーム112に接続されている。第4フレーム112は、回転屈曲軸を介して、第3フレーム110及び第5フレーム114に接続されている。第5フレーム114は、回転屈曲軸を介して、第4フレーム112に接続されている。アーム部104は、制御部の制御によって、各フレームが各回転屈曲軸を中心に複合的に回転または屈曲することにより駆動する。第5フレーム114の先端には、ロボットハンド部116が取り付けられており、対象物を把握することができるロボットハンド120が、回転動作させるモーター不図示を内蔵するロボットハンド接続部118を介して第5フレーム114に接続されている。ロボットハンド接続部118には、モーターに加えて前述の力検出装置90図12が内蔵されており、ロボットハンド部116が制御部の制御によって所定の動作位置まで移動させたとき、障害物への接触、あるいは所定位置を越えての動作命令による対象物との接触、などを力検出装置90によって力として検出し、ロボット100の制御部へフィードバックし、回避動作を実行することができる。このようなロボット100を用いることにより、従来からの位置制御では対処できなかった、障害物回避動作、対象物損傷回避動作などを容易に行い、安全で細やかな作業が可能なロボット100を得ることができる。さらに、少ない変位量であっても高精度な力の検出を安定的に行うことが可能なロボット100となる。また本実施形態に限定されず、双腕ロボットにも適用することができる。"