"各々、変換素子と、ソース及びドレインの一方が前記変換素子に接続された第1のトランジスタと、ゲートが前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方に接続された第2のトランジスタとを有する第1の画素及び第2の画素を備え、前記第1の画素の前記第2のトランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記第2のトランジスタのゲートとが接続されており、前記第1の画素の前記第1のトランジスタをオンし、且つ前記第2の画素の前記第1のトランジスタをオフして、前記第1の画素の信号を出力することを特徴とする撮像装置。前記第1の画素及び前記第2の画素に各々設けられた、ソース及びドレインの一方が前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方に接続されており、前記第2のトランジスタにより増幅された信号を信号線に出力する第3のトランジスタを更に備え、前記第1の画素の前記第1のトランジスタをオンして且つ前記第2の画素の前記第1のトランジスタをオフした後に、前記第1の画素の前記第3のトランジスタ及び前記第2の画素の前記第3のトランジスタをオンし、前記第1の画素の信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記第1の画素の前記第2のトランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記第2のトランジスタのゲートとの間に、第4のトランジスタを更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。前記第1の画素の前記第2のトランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記第2のトランジスタのゲートとの間に、ダイナミックレンジを調節するための容量を更に備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の撮像装置。第5のトランジスタを更に備え、前記第1の画素の前記第2のトランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記第2のトランジスタのゲートとの間に、前記第5のトランジスタを介して前記容量が接続されていることを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。電磁波を発生させるための放射線源と、請求項1~5のいずれか1項に記載の撮像装置と、前記撮像装置から出力された信号を処理する信号処理手段とを備えることを特徴とする放射線撮像システム。前記信号処理手段から出力された信号を記録するための記録手段を更に備えることを特徴とする請求項6に記載の放射線撮像システム。前記信号処理手段から出力された信号を表示するための表示手段を更に備えることを特徴とする請求項6又は7に記載の放射線撮像システム。前記信号処理手段から出力された信号を伝送するための伝送処理手段を更に備えることを特徴とする請求項6~8のいずれか1項に記載の放射線撮像システム。各々、変換素子と、前記変換素子の信号を転送するための転送用トランジスタと、前記転送用トランジスタから出力された信号を増幅するための増幅用トランジスタとを有する第1の画素及び第2の画素を備え、前記第1の画素の前記増幅用トランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記増幅用トランジスタのゲートとが接続されており、前記第1の画素の前記転送用トランジスタをオンして且つ前記第2の画素の前記転送用トランジスタをオフし、前記第1の画素の信号を出力することを特徴とする撮像装置。各々、変換素子と、前記変換素子の信号を転送するための転送用トランジスタと、前記転送用トランジスタから出力された信号を増幅するための増幅用トランジスタとを有する第1の画素及び第2の画素を備えた撮像装置の駆動方法であって、前記第1の画素の前記増幅用トランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記増幅用トランジスタのゲートとが接続されており、前記第1の画素の前記転送用トランジスタをオンして且つ前記第2の画素の前記転送用トランジスタをオフし、前記第1の画素の信号を出力することを特徴とする撮像装置の駆動方法。しかしながら、撮像装置にSFTFTを適用する場合では、その信号転送において、SFTFTの抵抗と信号性の配線容量との積で定義される時定数分の遅延が生じる。放射線撮像装置の場合、そのサイズが約40cm×40cm程度であり、時定数が非常に大きく、電荷転送の速度が十分に満たされないことになる。このように、例えば特許文献1における信号の読み出し方法では、SFTFTの持つ抵抗が原因となって転送速度に遅延が生じ、特に高速駆動する際に大きな問題が生じる。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、ソースフォロア回路により信号転送を行うも、その転送速度を向上させ、高速駆動にも十分対応することを可能とする信頼性の高い撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の駆動方法を提供する。本発明の撮像装置は、各々、変換素子と、ソース及びドレインの一方が前記変換素子に接続された第1のトランジスタと、ゲートが前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方に接続された第2のトランジスタとを有する第1の画素及び第2の画素を備え、前記第1の画素の前記第2のトランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記第2のトランジスタのゲートとが接続されており、前記第1の画素の前記第1のトランジスタをオンし、且つ前記第2の画素の前記第1のトランジスタをオフして、前記第1の画素の信号を出力する。本発明の放射線撮像システムは、電磁波を発生させるための放射線源と、上記の撮像装置と、前記撮像装置から出力された信号を処理する信号処理手段とを備える。本発明の撮像装置の駆動方法は、各々、変換素子と、前記変換素子の信号を転送するための転送用トランジスタと、前記転送用トランジスタから出力された信号を増幅するための増幅用トランジスタとを有する第1の画素及び第2の画素を備えた撮像装置の駆動方法であって、前記第1の画素の前記増幅用トランジスタのゲートと、前記第2の画素の前記増幅用トランジスタのゲートとが接続されており、前記第1の画素の前記転送用トランジスタをオンして且つ前記第2の画素の前記転送用トランジスタをオフし、前記第1の画素の信号を出力する。本発明によれば、ソースフォロア回路を用いた信号転送を行うも、その転送速度を向上させ、高速駆動にも十分対応することを可能とする信頼性の高い撮像装置及び放射線撮像システム、並びに撮像装置の駆動方法が実現する。以下、本発明の諸実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。なお、本願において、電磁波とは、可視光、赤外光等の光から、X線,α線,β線,γ線等の放射線までの波長領域のものを言う。第1の実施形態本実施形態では、撮像装置として放射線撮像装置を開示する。図1は、本実施形態による放射線撮像装置の全体的な等価回路を簡易に示す回路図である。この放射線撮像装置は、電磁波を直接的に電気信号に変換する直接型でも良いし、電磁波を別の波長の電磁波に変換してから間接的に電気信号に変換する間接型でも良い。直接型の放射線撮像装置では、間接型の放射線撮像装置と異なり、いわゆる波長変換素子GOS又はCsI等が不要となる。放射線撮像装置は、ガラス基板1上に複数の画素領域10がマトリクス状に配置され、転送駆動回路部2、信号処理回路部3、電源電圧4、共通電極駆動回路部5、リセット電位供給回路部6、リセット駆動回路部7、及び統括制御部8を備えて構成されている。画素領域10は、光電変換素子11、転送用薄膜トランジスタ転送用トランジスタ:第1のトランジスタ12、リセット用薄膜トランジスタ13、及びソースフォロア用薄膜トランジスタ14増幅用トランジスタ:第2のトランジスタを含み構成されている。転送駆動回路部2は、各転送駆動線2Aごとに、行方向に並ぶ各画素領域10の転送用薄膜トランジスタ12のゲートと接続されており、これらを駆動する。信号処理回路部3は、各信号線3Aごとに、列方向に並ぶ各ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のソースと接続されており、この信号処理を行う。電源電圧4は、各電源電圧供給線4Aごとに、行方向に並ぶ各ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のドレインと接続されており、ドレイン電圧を供給する。共通電極駆動回路部5は、各共通電極線5Aごとに、列方向に並ぶ各光電変換素子11と接続されており、これらを駆動する。リセット電位供給回路部6は、各リセット供給線6Aごとに、列方向に並ぶ各リセット用薄膜トランジスタ13と接続されており、これらを駆動する。リセット駆動回路部7は、各リセット駆動線7Aごとに、行方向に並ぶ各リセット用薄膜トランジスタ13のゲートと接続されており、これらを駆動する。統括制御部8は、中央処理回路CPU及びROM、RAM等を有して構成されている。統括制御部8は、転送駆動回路部2、信号処理回路部3、電源電圧4、共通電極駆動回路部5、リセット電位供給回路部6、リセット駆動回路部7とそれぞれ接続され、これらの駆動を制御する。なお図1において、図示の便宜上、統括制御部8の転送駆動回路部2~リセット駆動回路部7との結線の図示を省略する。光電変換素子11は、金属/絶縁膜/半導体で構成される、いわゆるMIS型のものでも良いし、p型半導体/半導体/n型半導体で構成される、いわゆるPIN型でも良い。転送用薄膜トランジスタ12、リセット用薄膜トランジスタ13、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14は、夫々、ポリシリコンを用いても良いし、アモルファスシリコンを用いて構成しても良い。また、各薄膜トランジスタの形態はボトムゲート型でも良いし、トップゲート型でも良い。図1では、画素領域10は4画素×4画素のマトリクスのみ表示するが、画素領域10の数は任意である。本実施形態では、信号線3Aと平行に隣接する2つの画素領域10のソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートがソースフォロア接続線15により接続されている。図中では、隣接する2つの画素領域10のみで、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲート同士が接続短絡されているが、3つ以上の画素領域10でソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲート同士が接続された構成としても良い。図2は、本実施形態による放射線撮像装置において、隣接する2つの画素領域を拡大して示す回路図である。ここでは、各画素領域を画素領域10a,10b第1の画素、第2の画素とする。画素領域10a,10bでは、各々、転送用薄膜トランジスタ12のソース及びドレインの一方が光電変換素子11aと接続され、他方がソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートと接続されている。更に、リセット用薄膜トランジスタ13のソース及びドレインの一方が当該他方及びソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートと接続されている。隣接する画素領域10a,10b間において、画素領域10aのソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートと、画素領域10bのソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートとがソースフォロア接続線15により接続されている。本実施形態による放射線撮像装置では、信号の読み出しを行う際に、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、且つ画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオフして、画素領域10aの信号を出力する。具体的には、信号の読み出し時において、統括制御部8は、転送駆動回路部2を制御して、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、且つ画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオフする。これにより、画素領域10aの光電変換素子11に蓄積された電荷が画素領域10a,10bの各ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートに転送される。そして、2つのソースフォロア用薄膜トランジスタ14で増幅された電荷が、電源電圧供給線4A及び信号線3Aを介して信号処理回路部3へ転送され、信号が読み出される。通常、放射線撮像装置は、一辺が20cm~45cm程度の矩形状例えば40cm×40cm程度であるため、信号線3Aの長さも20cm~45cm程度である。この場合、信号処理回路部の信号線の寄生容量が50pF~300pF程度となる。また、通常、ソースフォロア用薄膜トランジスタとして使用される薄膜トランジスタの電気抵抗は、当該トランジスタをポリシリコンで作製した場合、10kΩ~100kΩ、アモルファスシリコンで作製した場合、1MΩ~10MΩ程度となる。転送時定数は、ソースフォロア用薄膜トランジスタの抵抗値と信号線の抵抗値との積で表され、上記の場合には1μ秒~500μ秒程度の非常に大きな値となる。この転送時定数に対応した転送速度では動画駆動は実現し難い。転送速度の高速化を実現するには、ソースフォロア用薄膜トランジスタの抵抗を低下させるか、信号線の寄生容量を低下させるしかない。信号線の寄生容量を大幅に低減することは、放射線撮像装置の大きさを小さくすることと等価であって不可能である。従って、ソースフォロア用薄膜トランジスタの抵抗を低減しなければならない。そのためには、複数のソースフォロアを用いて電荷転送を行うようにすれば良い。本実施形態では、図2のように、隣接する画素領域10a,10bにおいて、2つのソースフォロア用薄膜トランジスタ14を用いて電荷を転送する。この場合、実質的にはソースフォロアのトランジスタとしてのチャネル幅ゲート幅が2倍となることに等しく、抵抗値は半減する。すなわち、時定数は半分の値となる。3つのソースフォロアを用いれば時定数は1/3倍、N個のソースフォロアを用いた場合は1/N倍になる。ソースフォロア用薄膜トランジスタの抵抗値を低減するだけであれば、レイアウトを工夫し、チャネル幅が非常に大きいソースフォロアのトランジスタを作製すれば良い。しかしながら、ソースフォロアのトランジスタが、大きなチャネル幅を持つポリシリコンで作製されている場合、発熱による特性劣化が生じることが知られている。チャネル幅の大きいトランジスタでは、熱の逃げ場がなくなり、熱がこもり易い。本実施形態のように、ソースフォロア用薄膜トランジスタを複数個使用し、熱の拡散を考慮することにより、特性劣化を抑止し、且つ転送時定数の大幅な改善が実現する。図3は、図2のレイアウトを示す概略平面図である。図3において、転送用薄膜トランジスタ12、リセット用薄膜トランジスタ13、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14の各半導体部分は、例えばアモルファスシリコンで形成されている。アモルファスシリコンの代わりにポリシリコンを用いても良い。これらの薄膜トランジスタとしては、上述のようにボトムゲート型構造のものを例示するが、トップゲート型構造を採用しても良い。転送用薄膜トランジスタ12、リセット用薄膜トランジスタ13、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14が、1つの画素領域10内に配置されている。また、ソースフォロア接続線15が、隣接する2つの画素領域10のソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲート同士を接続している。これにより、画素領域10に蓄えられた電荷を読み出す際に、2つのソースフォロア用薄膜トランジスタ14を利用することができる。図4は、図3の破線I-Iに沿った概略断面図である。下から、ガラス基板1等の絶縁基板、各薄膜トランジスタ12,13,14、光電変換素子11の積層構造になっている。特に、転送用薄膜トランジスタ12のゲートとソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートとは、画素領域を跨がせるという特性上、同一層で形成することができない。そのため、上記の各ゲートの成膜プロセスを、SiN等の絶縁層16を介して、2回に分けて行うことを要する。図5は、本実施形態による放射線撮像装置における実際の駆動時のタイミングチャートを示す図である。図2における2つの画素領域10a,10bについて、画素領域10aの光電変換素子11に蓄積された電荷を読み取るため、以下のようにする。画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオフにして、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、信号処理回路部3でサンプリングする。次に、画素領域10a,10bのリセット用薄膜トランジスタ13をそれぞれオンし、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートをリセット電位にリセットする。続いて、画素領域10bの信号を読み取るために、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオフにして、画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、信号処理回路部3でサンプリングする。次に、画素領域10a,10bのリセット用薄膜トランジスタ13をそれぞれオンし、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートをリセット電位にリセットする。このとき、画素領域10a,10bの転送用薄膜トランジスタ12をそれぞれオンし、各光電変換素子11をリセット電位にリセットする。このタイミングチャートを、ソースフォロア接続線によりブロックとされている画素領域10毎に適用し、信号の読み出しを行う。以上説明したように、本実施形態によれば、ソースフォロア回路を用いた信号転送を行うも、その転送速度を向上させ、高速駆動にも十分対応することを可能とする信頼性の高い放射線撮像装置及びその駆動方法が実現する。第2の実施形態本実施形態では、撮像装置として放射線撮像装置を開示する。第1の実施形態と同様の構成部材等については同符号を付し、詳しい説明を省略する。図6は、本実施形態による放射線撮像装置の全体的な等価回路を簡易に示す回路図である。図7は、本実施形態による放射線撮像装置において、隣接する2つの画素領域を拡大して示す回路図である。この放射線撮像装置では、図1に示した第1の実施形態による放射線撮像装置に等価回路において、選択用薄膜トランジスタ第3のトランジスタ21と、選択駆動回路部22とが付加されている。選択用薄膜トランジスタ21は、各画素領域10において、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のソース又はドレインと信号線3Aとの間に接続されている。選択駆動回路部22は、選択用薄膜トランジスタ21を駆動するものであり、選択駆動線22Aにより選択用薄膜トランジスタ21と接続されている。選択駆動回路部22は統括制御部8と接続され、統括制御部8により駆動が制御される。選択用薄膜トランジスタ21は、駆動タイミングをより任意にすることが可能であり、更に、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14から流れ込むリーク電流を信号線3Aから遮断する機能を有する。これにより、画素領域10で得られた情報を、より正確に信号処理回路部3に転送することができる。図8は、本実施形態による放射線撮像装置における実際の駆動時のタイミングチャートを示す図である。図7における2つの画素領域10a,10bについて、画素領域10aの光電変換素子11に蓄積された電荷を読み取るため、以下のようにする。画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオフにして、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、信号処理回路部3でサンプリングする。このとき、画素領域10aの光電変換素子11から、画素領域10a,10bの各ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートに電荷を転送する。当該転送には、光電変換素子11の容量と転送用薄膜トランジスタ12の抵抗値との積で求まる時定数の分だけ時間が必要である。時定数の数倍の時間の経過後、画素領域10a,10bの選択用薄膜トランジスタ21をそれぞれオンし、画素領域10a,10bの各ソースフォロア用薄膜トランジスタ14を用いて電荷の転送を行う。その後、画素領域10a,10bのリセット用薄膜トランジスタ13をそれぞれオンし、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートをリセット電位にリセットする。続いて、画素領域10bの信号を読み取るために、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオフにして、画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、信号処理回路部3でサンプリングする。光電変換素子11の容量と転送用薄膜トランジスタ12の抵抗値との積で求まる時定数の数倍の時間の経過後、画素領域10a,10bの選択用薄膜トランジスタ21をそれぞれオンし、電源電圧4から供給される電荷の転送を行う。そして、画素領域10a,10bのリセット用薄膜トランジスタ13をそれぞれオンし、画素領域10a,10bの転送用薄膜トランジスタ12をそれぞれオンし、各光電変換素子11及び各ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートをそれぞれリセット電位にリセットする。このタイミングチャートを、ソースフォロア接続線によりブロックとされている画素領域10毎に適用し、信号の読み出しを行う。以上説明したように、本実施形態によれば、ソースフォロア回路を用いた信号転送を行うも、その転送速度を向上させ、高速駆動にも十分対応することを可能とし、より正確な信号転送を実現する信頼性の高い放射線撮像装置及びその駆動方法が実現する。第3の実施形態本実施形態では、撮像装置として放射線撮像装置を開示する。第1及び第2の実施形態と同様の構成部材等については同符号を付し、詳しい説明を省略する。図9は、本実施形態による放射線撮像装置の全体的な等価回路を簡易に示す回路図である。図10は、本実施形態による放射線撮像装置において、隣接する2つの画素領域を拡大して示す回路図である。この放射線撮像装置では、図6に示した第2の実施形態による放射線撮像装置に等価回路において、ソースフォロア接続用薄膜トランジスタ第4のトランジスタ31と、ソースフォロア接続駆動回路部32とが付加されている。ソースフォロア接続用薄膜トランジスタ31は、各画素領域10において、ソースフォロア接続線15に接続されている。ソースフォロア接続駆動回路部32は、接続駆動線32Aによりソースフォロア接続用薄膜トランジスタ31と接続されている。ソースフォロア接続駆動回路部32は統括制御部8と接続され、統括制御部8により駆動が制御される。ソースフォロア接続用薄膜トランジスタ31は、信号転送に使用するソースフォロア用薄膜トランジスタの数を変更し、転送時定数を任意に変更することが可能である。また、複数のラインの画素を同時に読み出す場合画素加算にも、その数を任意に決定することができる。図11は、本実施形態による放射線撮像装置における実際の駆動時のタイミングチャートを示す図である。ここでは、電荷の転送時に使用するソースフォロア用薄膜トランジスタ14の個数が2つの場合を例示する。図10における2つの画素領域10a,10bについて、画素領域10aのソースフォロア接続用薄膜トランジスタ31をオンする。画素領域10aの光電変換素子11に蓄積された電荷を読み取るために、画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオフにして、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、信号処理回路部3でサンプリングする。画素領域10a,10bのリセット用薄膜トランジスタ13をそれぞれオンし、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートをリセット電位に固定する。続いて、画素領域10bの信号を読み取るため、以下のようにする。画素領域10aのソースフォロア接続用薄膜トランジスタ31をオンした状態で、画素領域10aの転送用薄膜トランジスタ12をオフにして、画素領域10bの転送用薄膜トランジスタ12をオンし、信号処理回路部3でサンプリングする。画素領域10a,10bのリセット用薄膜トランジスタ13をそれぞれオンし、画素領域10a,10bの転送用薄膜トランジスタ12をそれぞれオンする。各光電変換素子11及び各ソースフォロア用薄膜トランジスタ14のゲートをそれぞれリセット電位にリセットする。画素領域10aのソースフォロア接続用薄膜トランジスタ31をオフする。なお、図11のタイミングチャートは、電荷転送に用いるソースフォロア用薄膜トランジスタ14が2つのときに対応した場合を例示している。ここで、電荷転送に用いるソースフォロア用薄膜トランジスタ14の個数を3つ以上の所定数とした場合でも、本実施形態の範囲内である。本実施形態では、オンするソースフォロア接続用薄膜トランジスタ31の個数を調節することにより、任意の画素加算も可能である。この場合、タイミングチャートとしては、図11において、画素加算したい画素の転送用薄膜トランジスタ12を同時にオンするように制御すれば良い。以上説明したように、本実施形態によれば、ソースフォロア回路を用いた信号転送を行うも、その転送速度を向上させ、高速駆動にも十分対応することを可能とする。これにより、転送時定数の任意の変更や、任意の画素加算もでき、信頼性の高い放射線撮像装置及びその駆動方法が実現する。第4の実施形態本実施形態では、撮像装置として放射線撮像装置を開示する。第1、第2及び第3の実施形態と同様の構成部材等については同符号を付し、詳しい説明を省略する。図12は、本実施形態による放射線撮像装置において、隣接する2つの画素領域を拡大して示す回路図である。この放射線撮像装置では、図9に示した第3の実施形態による放射線撮像装置に等価回路において、キャパシタ41と、切替トランジスタ第5のトランジスタ42とが付加されている。キャパシタ41は、ダイナミックレンジを調整するためのものである。切替トランジスタ42は、キャパシタ41を使用するか否かオン/オフを切り替えるためのものである。切替トランジスタ42は、そのゲートが接続駆動線に、ソース及びドレインの一方がソースフォロア接続線15に接続されている。キャパシタ41は、切替トランジスタ42のソース及びドレインの他方に接続されている。放射線撮像装置を用いる際に、動画の撮影時と静止画の撮影時とでは、使用する放射線の線量が異なる。一般には、放射線量は、静止画撮影時で多く、動画撮影時では少ない。ソースフォロア用薄膜トランジスタを用いない放射線撮像装置の場合、動画モードと静止画モードの放射線量の相違のみを考慮に入れて信号処理回路部に存するアンプICのダイナミックレンジの設計を行えば良い。しかしながら、本実施形態のように信号読み出し時にソースフォロア用薄膜トランジスタを用いる使用した場合、信号が増幅されるため、動画の撮影時の読み出し信号量と静止画の撮影時の読み出し信号との差分も増幅されてしまう。従って、ソースフォロア用薄膜トランジスタを用いる場合、アンプICのダイナミックレンジを大きくとる必要がある。ところが、これではアンプICの性能のみに依存することになり、アンプICの設計に大きな負荷を生じる。そこで本実施形態では、第3の実施形態におけるソースフォロア接続線15にダイナミックレンジ切り替え用のキャパシタ41を配し、更にキャパシタ41を使用するか否か選択可能な切替トランジスタ42を配置する。キャパシタ41は、切替トランジスタ42のゲートにオーバーラップするように形成してもよい。例えば、静止画撮影時には放射線量が多いので、キャパシタ41を用いることにより、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14に印加される電圧を低くすることが可能であり、信号線3Aに転送される電荷量を低減することができる。また、動画撮影時には、放射線量は少なく設定されているので、キャパシタ41を用いない、或いは複数のキャパシタ41のうち所定数のみを用いることにより、信号線3Aに転送される電荷量の損失が抑止される。これらの効果により、画素領域10内でダイナミックレンジの切り替えが可能となり、アンプICに負荷をかけることなく、ソースフォロア用薄膜トランジスタ14を用いても、動画モード及び静止画モードの撮影を確実に行うことが可能となる。以上説明したように、本実施形態によれば、ソースフォロア回路を用いた信号転送を行うも、その転送速度を向上させ、高速駆動にも十分対応することを可能となる。これにより、所期の動画モード及び静止画モードの撮影ができる信頼性の高い放射線撮像装置及びその駆動方法が実現する。なお、上述した諸実施形態による放射線撮像装置を構成する各構成要素統括制御部8等の機能は、当該放射線撮像装置に内蔵されているコンピュータのRAMやROM等に記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明に含まれる。具体的に、上記のプログラムは、例えばCD-ROMのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。プログラムを記録する記録媒体としては、CD-ROM以外に、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード、メモリスティック等を用いることができる。他方、プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、LAN、インターネットの等のWAN、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。また、本発明に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより上述の諸実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているOSオペレーティングシステム或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の諸実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本発明に含まれる。第5の実施形態本実施形態では、第1~第4の実施形態から選ばれた1種の放射線撮像装置を備えた放射線撮像システムとして、X線診断システムを開示する。図13は、本実施形態によるX線診断システムの概略構成を示す模式図である。このX線診断システムは、X線チューブ51、光電変換装置52、イメージプロセッサ53、ディスプレイ54a,54b、電話回線55、及びフィルムプロセッサ56を有して構成される。X線チューブ51は、電磁波、ここではX線を発生させるための放射線源である。光電変換装置52は、シンチレータが上部に実装されており、第1~第4の実施形態から選ばれた1種の放射線撮像装置である。イメージプロセッサ53は、光電変換装置52から出力された信号をディジタル処理する信号処理手段である。ディスプレイ54a,54bは、イメージプロセッサ53から出力された信号を表示するための表示手段である。電話回線55は、イメージプロセッサ53から出力された信号を別の場所のドクタールーム等の遠隔地へ転送するための伝送処理手段である。フィルムプロセッサ56は、イメージプロセッサ53から出力された信号を記録するための記録手段である。このX線診断システムを使用する際には、X線チューブ51で発生したX線は患者被験者の胸部を透過し、シンチレータを上部に実装した光電変換装置52に入射する。ここで、シンチレータを上部に実装した光電変換装置52は、第1~第4の実施形態から選ばれた1種の放射線撮像装置を構成する。この入射したX線には患者の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ53により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ54aで観察できる。また、この情報は電話回線55等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム等における表示手段となるディスプレイ54bに表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、記録手段となるフィルムプロセッサ56により記録媒体となるフィルム57に記録することもできる。以上説明したように、本実施形態によれば、ソースフォロア回路を用いた信号転送を行うも、その転送速度を向上させ、高速駆動にも十分対応することを可能とし、所期の動画モード及び静止画モードの撮影ができる信頼性の高いX線診断システムが実現する。"