処理容器内でSiソースガスと酸化種とを用いて被処理体の表面にSiO2膜を形成する成膜処理と、前記被処理体を前記処理容器から搬出した状態で、前記処理容器内に堆積した膜を除去する処理を介在させることなく、前記処理容器内を排気しつつ前記堆積した膜に対して酸化を施す酸化パージ処理と、を交互に複数回繰り返すことを特徴とする成膜方法。前記Siソースガスとしてアミノシランガスを用いることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。前記酸化種として、酸素含有ガスまたは酸素含有ガスプラズマを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。前記酸素含有ガスは、O2ガス、CO2ガス、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスから選択される少なくとも1種であり、酸素含有ガスプラズマは、O2ガス、CO2ガス、NOガス、N2Oガス、H2Oガスから選択される少なくとも1種をプラズマ化したものであることを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。前記成膜処理は、前記Siソースガスを前記処理容器内へ供給する工程と、前記酸化種を前記処理容器内へ供給する工程を、前記処理容器内に残留しているガスを除去する工程を挟んで交互に実施することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の成膜方法。前記酸化パージ処理は、前記成膜処理における前記酸化種と同様の酸化種を用いて行われることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の成膜方法。前記酸化パージ処理は、前記成膜処理における前記酸化種を供給する工程と同様に酸化種を供給する工程を含むことを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。前記酸化パージ処理における酸化は、酸化種として、酸素含有ガスまたは酸素含有ガスプラズマを用いることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の成膜方法。前記酸化において、前記酸素含有ガスは、O2ガス、CO2ガス、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスから選択される少なくとも1種であり、前記酸素含有ガスプラズマは、O2ガス、CO2ガス、NOガス、N2Oガス、H2Oガスから選択される少なくとも1種をプラズマ化したものであることを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。前記SiソースガスはジイソプロピルアミノシランDIPASガスであり、前記成膜処理および前記酸化パージ処理の夫々は、前記処理容器内の処理温度として室温を使用し、前記処理容器内を排気しながら酸素含有ガスをプラズマ化することにより励起しながら前記被処理体に対して供給する工程を具備することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。前記処理容器は、複数の被処理体を多段に保持する保持部材を収容するように構成され、前記酸化パージ処理は、次に前記成膜処理を行うバッチの被処理体を前記保持部材上に準備する操作を前記処理容器外で行うことと並行して行うことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の成膜方法。前記方法は、前記成膜処理により形成される前記SiO2膜の累積膜厚が2~5μm内の所定値に到達した後、次に前記成膜処理を行う前に、前記処理容器内に堆積した副生成物膜を除去するクリーニング処理を行うことを更に具備し、前記クリーニング処理は、前記処理容器内を排気しながら前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給して、前記副生成物膜をエッチングすることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の成膜方法。真空保持可能な縦型の処理容器と、前記処理容器内で複数の被処理体を多段に保持した状態で保持する保持部材と、前記処理容器に対して前記保持部材を搬入出する搬入出機構と、前記処理容器内へSiソースガスを供給するSiソースガス供給機構と、前記処理容器内へ酸化種を供給する酸化種供給機構と、前記処理容器内を排気する排気系と、前記処理容器内で前記Siソースガス供給機構から供給された前記Siソースガスおよび前記酸化種供給機構から供給された前記酸化種とを用いて前記被処理体の表面にSiO2膜を形成する成膜処理と、前記被処理体を前記処理容器から搬出した状態で、前記処理容器内に堆積した膜を除去する処理を介在させることなく、前記処理容器内を排気しつつ前記堆積した膜に対して酸化を施す酸化パージ処理と、を交互に複数回繰り返すように制御する制御機構と、を具備することを特徴とする成膜装置。前記成膜処理は、前記Siソースガス供給機構により前記Siソースガスを前記処理容器内へ供給する工程と、前記酸化種供給機構により前記酸化種を前記処理容器内へ供給する工程とを、パージガスを前記処理容器内に供給して前記処理容器内に残留しているガスを除去する工程を挟んで交互に実施することによって行わせることを特徴とする請求項13に記載の成膜装置。成膜装置の使用方法であって、前記成膜装置は、真空保持可能な縦型の処理容器と、前記処理容器内で複数の被処理体を多段に保持した状態で保持する保持部材と、前記処理容器内へSiソースガスとしてジイソプロピルアミノシランDIPASガスを供給するソースガス供給系と、前記処理容器内へ酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、前記処理容器に取り付けられた前記酸素含有ガスをプラズマ化するプラズマ生成機構と、前記処理容器内を排気する排気系と、を具備し、前記方法は、1つのバッチの複数の製品用被処理体上にシリコン酸化膜を形成する成膜処理と、製品用被処理体が存在しない状態で、前記処理容器内に堆積した副生成物膜を除去する処理を介在させることなく、前記副生成物膜に対して酸化を施す酸化パージ処理と、を交互に繰り返すことを具備し、前記成膜処理は、前記処理容器内の成膜処理温度として室温を使用し、前記排気系によって前記処理容器内を排気しながら前記ソースガス供給系から前記処理容器内へ前記DIPASガスを供給する工程と、前記排気系によって前記処理容器内を排気しながら前記酸素含有ガス供給系から前記処理容器内へ前記酸素含有ガスを供給する工程と、ここで、前記プラズマ生成機構により前記酸素含有ガスをプラズマ化しながら供給し、これにより生成された前記酸素含有ガスに由来するラジカルにより、前記DIPASガスに由来する物質を酸化して前記シリコン酸化膜を形成することと、を具備し、前記酸化パージ処理は、前記処理容器内の酸化パージ処理温度として室温を使用し、前記排気系によって前記処理容器内を排気しながら前記ソースガス供給系から前記処理容器内へ前記DIPASガスを供給することなく、前記酸素含有ガス供給系から前記処理容器内へ前記酸素含有ガスを供給する工程と、ここで、前記プラズマ生成機構により前記酸素含有ガスをプラズマ化しながら供給し、これにより生成された前記酸素含有ガスに由来するラジカルにより、前記副生成物膜に対して酸化を施すことと、を具備する、ことを特徴とする成膜装置の使用方法。前記方法は、前記成膜処理により形成される前記SiO2膜の累積膜厚が2~5μm内の所定値に到達した後、次に前記成膜処理を行う前に、前記処理容器内に堆積した副生成物膜を除去するクリーニング処理を行うことを更に具備し、前記クリーニング処理は、前記処理容器内の処理温度として室温を使用し、前記処理容器内を排気しながら前記処理容器内にHFガスを供給して、前記副生成物膜をエッチングすることを特徴とする請求項15に記載の成膜装置の使用方法。しかしながら、上記特許文献2および3は、CVDやALDを用いたSiO2膜の成膜処理においてパーティクルの問題を解決するものではない。したがって、本発明の課題は、Siソースガスと酸化種を用いて被処理体へのSiO2膜成膜処理を繰り返し行う際に、被処理体に付着するパーティクル数を低減することにある。本発明者らは、本発明の開発の過程で、上記課題について研究した結果、以下の点を見出した。即ち、Siソースガスと酸化種を用いて被処理体へSiO2膜を成膜する際に、処理容器の内壁にもSiO2膜が堆積する。処理容器の内壁、特に処理領域から外れた部分に堆積したSiO2膜には未反応のSi含有物質も含まれ、成膜処理中にこのようなSi含有物質がアウトガスとして発生する。成膜処理を繰り返し行って処理容器の内壁に堆積したSiO2膜が厚くなると成膜処理中にアウトガスとして発生するSi含有物質が急激に増加する。このようにアウトガスとして発生したSi含有物質と酸化種とが気相反応することによりパーティクルが発生し、これが被処理体上に付着する。本発明の第1の視点は成膜方法であって、処理容器内でSiソースガスと酸化種とを用いて被処理体の表面にSiO2膜を形成する成膜処理と、前記被処理体を前記処理容器から搬出した状態で、前記処理容器内に堆積した膜を除去する処理を介在させることなく、前記処理容器内を排気しつつ前記堆積した膜に対して酸化を施す酸化パージ処理と、を交互に複数回繰り返すことを特徴とする。本発明の第2の視点は成膜装置であって、真空保持可能な縦型の処理容器と、前記処理容器内で複数の被処理体を多段に保持した状態で保持する保持部材と、前記処理容器に対して前記保持部材を搬入出する搬入出機構と、前記処理容器内へSiソースガスを供給するSiソースガス供給機構と、前記処理容器内へ酸化種を供給する酸化種供給機構と、前記処理容器内を排気する排気系と、前記処理容器内で前記Siソースガス供給機構から供給された前記Siソースガスおよび前記酸化種供給機構から供給された前記酸化種とを用いて前記被処理体の表面にSiO2膜を形成する成膜処理と、前記被処理体を前記処理容器から搬出した状態で、前記処理容器内に堆積した膜を除去する処理を介在させることなく、前記処理容器内を排気しつつ前記堆積した膜に対して酸化を施す酸化パージ処理と、を交互に複数回繰り返すように制御する制御機構と、を具備することを特徴とする。本発明の第3の視点は成膜装置の使用方法であって、前記成膜装置は、真空保持可能な縦型の処理容器と、前記処理容器内で複数の被処理体を多段に保持した状態で保持する保持部材と、前記処理容器内へSiソースガスとしてジイソプロピルアミノシランDIPASガスを供給するソースガス供給系と、前記処理容器内へ酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、前記処理容器に取り付けられた前記酸素含有ガスをプラズマ化するプラズマ生成機構と、前記処理容器内を排気する排気系と、を具備し、前記方法は、1つのバッチの複数の製品用被処理体上にシリコン酸化膜を形成する成膜処理と、製品用被処理体が存在しない状態で、前記処理容器内に堆積した副生成物膜を除去する処理を介在させることなく、前記副生成物膜に対して酸化を施す酸化パージ処理と、を交互に繰り返すことを具備し、前記成膜処理は、前記処理容器内の成膜処理温度として室温を使用し、前記排気系によって前記処理容器内を排気しながら前記ソースガス供給系から前記処理容器内へ前記DIPASガスを供給する工程と、前記排気系によって前記処理容器内を排気しながら前記酸素含有ガス供給系から前記処理容器内へ前記酸素含有ガスを供給する工程と、ここで、前記プラズマ生成機構により前記酸素含有ガスをプラズマ化しながら供給し、これにより生成された前記酸素含有ガスに由来するラジカルにより、前記DIPASガスに由来する物質を酸化して前記シリコン酸化膜を形成することと、を具備し、前記酸化パージ処理は、前記処理容器内の酸化パージ処理温度として室温を使用し、前記排気系によって前記処理容器内を排気しながら前記ソースガス供給系から前記処理容器内へ前記DIPASガスを供給することなく、前記酸素含有ガス供給系から前記処理容器内へ前記酸素含有ガスを供給する工程と、ここで、前記プラズマ生成機構により前記酸素含有ガスをプラズマ化しながら供給し、これにより生成された前記酸素含有ガスに由来するラジカルにより、前記副生成物膜に対して酸化を施すことと、を具備する、ことを特徴とする。本発明によれば、Siソースガスと酸化種とを用いたSiO2膜の成膜処理の間に、被処理体を前記処理容器から搬出した状態で酸化パージ処理を実施するので、成膜処理の際に処理容器の内壁に堆積した膜中のSiソースガスの放出量を少なくすることができ、被処理体上のパーティクルを少なくすることができる。以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能および構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。図1は本発明の実施形態に係る成膜装置縦型プラズマALD装置を示す断面図である。図2は図1図示の装置の一部を示す横断平面図である。なお、図2においては、加熱機構を省略している。成膜装置100は、Siソースガスと酸化種とによりSiO2膜を成膜するためのものであり、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器1を有している。この処理容器1の全体は、例えば石英により形成されており、この処理容器1内の上端部近傍には、石英製の天井板2が設けられてその下側の領域が封止されている。また、この処理容器1の下端開口部には、例えばステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド3がOリング等のシール部材4を介して連結されている。上記マニホールド3は処理容器1の下端を支持しており、このマニホールド3の下方から被処理体として多数枚、例えば50~100枚の半導体ウエハWを多段に載置可能な石英製のウエハボート5が処理容器1内に挿入可能となっている。このウエハボート5は3本の支柱6を有し図2参照、支柱6に形成された溝により多数枚のウエハWが支持される。このウエハボート5は、石英製の保温筒7を介してテーブル8上に載置されており、このテーブル8は、マニホールド3の下端開口部を開閉する例えばステンレススチール製の蓋部9を貫通する回転軸10上に支持される。そして、この回転軸10の貫通部には、例えば磁性流体シール11が設けられており、回転軸10を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部9の周辺部とマニホールド3の下端部との間には、例えばOリングよりなるシール部材12が介設されており、これにより処理容器1内のシール性を保持している。上記の回転軸10は、例えばボートエレベータ等の昇降機構図示せずに支持されたアーム13の先端に取り付けられており、ウエハボート5および蓋部9等を一体的に昇降して処理容器1内に対して挿脱される。なお、上記テーブル8を上記蓋部9側へ固定して設け、ウエハボート5を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。また、成膜装置100は、処理容器1内へ酸化種としての酸素含有プラズマを生成するために、酸素含有ガス、例えばO2ガスを供給する酸素含有ガス供給機構14と、処理容器1内へSiソースガスを供給するSiソースガス供給機構15と、処理容器1内へパージガスとして不活性ガス、例えばN2ガスを供給するパージガス供給機構16と、処理容器1内へクリーニングガス、例えばHFガスやF2ガス等のフッ素含有ガスを供給するクリーニングガス供給機構41とを有している。酸素含有ガス供給機構14は、酸素含有ガス供給源17と、ガス供給源17から酸素含有ガスを導くガス配管18と、このガス配管18に接続され、マニホールド3の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなるガス分散ノズル19とを有している。このガス分散ノズル19の垂直部分には、ウエハボート5のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って複数のガス吐出孔19aが所定の間隔を隔てて形成されている。各ガス吐出孔19aから水平方向に処理容器1に向けて略均一に酸素含有ガス、例えばO2ガスを吐出することができる。Siソースガス供給機構15は、Siソースガス供給源20と、ガス供給源20からSiソースガスを導くガス配管21と、このガス配管21に接続され、マニホールド3の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなるガス分散ノズル22とを有している。ここではガス分散ノズル22は2本設けられており図2参照、各ガス分散ノズル22の垂直部分にも、ウエハボート5のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って複数のガス吐出孔22aが所定の間隔を隔てて形成されている。各ガス吐出孔22aから水平方向に処理容器1内に略均一にSiソースガスを吐出することができる。なお、このガス分散ノズル22は1本のみであってもよい。パージガス供給機構16は、パージガス供給源23と、ガス供給源23からパージガスを導くガス配管24と、このガス配管24に接続され、マニホールド3の側壁を貫通して設けられた短い石英管からなるガスノズル25とを有している。パージガスとしては不活性ガス例えばN2ガスを好適に用いることができる。クリーニングガス供給機構41は、クリーニングガス供給源42と、ガス供給源42から延びるガス配管43とを有している。ガス配管43は途中で分岐して、ガス配管18およびガス配管21に接続されている。ガス配管18、21、24、43には、それぞれ開閉弁18a、21a、24a、43aおよびマスフローコントローラのような流量制御器18b、21b、24b、43bが設けられている。これにより、酸素含有ガス、Siソースガス、パージガス、およびクリーニングガスをそれぞれ流量制御しつつ供給することができる。上記処理容器1の側壁の一部には、酸素含有ガスをプラズマ化して酸化種としての酸素含有プラズマを形成するプラズマ生成機構30が形成されている。このプラズマ生成機構30は、上記処理容器1の側壁を上下方向に沿って所定の幅で削りとることによって上下に細長く形成された開口31をその外側より覆うようにして処理容器1の外壁に気密に溶接されたプラズマ区画壁32を有している。プラズマ区画壁32は、断面凹部状をなし上下に細長く形成され、例えば石英で形成されている。また、プラズマ生成機構30は、このプラズマ区画壁32の両側壁の外面に上下方向に沿って互いに対向するようにして配置された細長い一対のプラズマ電極33と、このプラズマ電極33に給電ライン34を介して接続され高周波電力を供給する高周波電源35とを有している。そして、上記プラズマ電極33に高周波電源35から例えば13.56MHzの高周波電圧を印加することにより酸素含有ガスのプラズマが発生し得る。なお、この高周波電圧の周波数は13.56MHzに限定されず、他の周波数、例えば400kHz等を用いてもよい。上記のようなプラズマ区画壁32を形成することにより、処理容器1の側壁の一部が凹部状に外側へ窪ませた状態となり、プラズマ区画壁32の内部空間が処理容器1の内部空間に一体的に連通された状態となる。また、プラズマ区画壁32の内部空間および開口31は、ウエハボート5に保持されている全てのウエハWを高さ方向においてカバーできるように上下方向に十分に長く形成されている。酸素含有ガスのガス分散ノズル19は、処理容器1内を上方向に延びていく途中で処理容器1の半径方向外方へ屈曲されて、上記プラズマ区画壁32内の最も奥の部分処理容器1の中心から最も離れた部分に沿って上方に向けて起立されている。このため、高周波電源35がオンされて両電極33間に高周波電界が形成された際に、ガス分散ノズル19のガス噴射孔19aから噴射された酸素含有ガスがプラズマ化されて処理容器1の中心に向けて拡散しつつ流れる。上記プラズマ区画壁32の外側には、これを覆うようにして例えば石英よりなる絶縁保護カバー36が取り付けられている。また、この絶縁保護カバー36の内側部分には、図示しない冷媒通路が設けられており、例えば冷却された窒素ガスを流すことにより上記プラズマ電極33を冷却し得る。Siソースガスの2本のガス分散ノズル22は、処理容器1の内側壁の上記開口31を挟む位置に起立して設けられている。このガス分散ノズル22に形成された複数のガス噴射孔22aより処理容器1の中心方向に向けてSiソースガスを吐出し得る。一方、処理容器1の開口31の反対側の部分には、処理容器1内を真空排気するための排気口37が設けられている。この排気口37は処理容器1の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理容器1のこの排気口37に対応する部分には、排気口37を覆うように断面コ字状に成形された排気口カバー部材38が溶接により取り付けられている。この排気口カバー部材38は、処理容器1の側壁に沿って上方に延びており、処理容器1の上方にガス出口39を規定している。そして、このガス出口39から真空ポンプ等を含む真空排気機構VEMにより真空引きされる。また、この処理容器1の外周を囲むようにしてこの処理容器1およびその内部のウエハWを加熱する筒体状の加熱機構40が設けられている。成膜装置100の各構成部の制御、例えばバルブ18a、21a、24a、43aの開閉による各ガスの供給停止、マスフローコントローラ18b、21b、24b、43bによるガス流量の制御、真空排気機構による排気制御、高周波電源35による高周波電力のオンオフ制御、および加熱機構40によるウエハWの温度の調整等は例えばマイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ50により行われる。コントローラ50には、オペレータが成膜装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース51が接続されている。また、コントローラ50には、成膜装置100で実行される各種処理をコントローラ50の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部52が接続されている。レシピは記憶部52の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリ等の固定型のものであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース51からの指示等にて任意のレシピを記憶部52から呼び出してコントローラ50に実行させることで、コントローラ50の制御下で、成膜装置100での所望の処理が行われる。次に、以上のように構成された成膜装置を用いて行なわれる本発明の実施形態に係るシリコン酸化膜SiO2膜の成膜方法について図3、図4を参照して説明する。図3は本実施形態に係る成膜方法を説明するための図である。図4は本実施形態に係る成膜方法の成膜処理におけるガスの供給のタイミングを示すタイミングチャートである。本実施形態では、図3に示すように、処理容器1内に例えば50~100枚のウエハWが搭載された状態のウエハボート5を入れた状態でウエハW製品用のウエハへSiO2膜を成膜する成膜処理201を複数バッチ繰り返し行い、各バッチの成膜処理の間のウエハボート5の入れ替えの際に、処理容器1内にウエハを搬入せずに、マニホールド3の下端開口部を閉じた状態で処理容器1内に酸素含有プラズマを生成して処理容器1の内壁に堆積した膜副生成物膜を酸化しながらパージを行う酸化パージ処理202を実施する。なお、成膜処理201を10~1000バッチ繰り返して処理容器1の内壁に堆積した膜が厚く形成された際には、処理容器1の内壁に堆積した膜を除去するためのドライクリーニング処理を実施する。成膜処理201においては、最初に、常温において、例えば50~100枚の半導体ウエハWが搭載された状態のウエハボート5を予め所定の温度に制御された処理容器1内にその下方から上昇させることによりロードし、蓋部9でマニホールド3の下端開口部を閉じることにより処理容器1内を密閉空間とする。半導体ウエハWとしては、直径300mmのものが例示される。そして処理容器1内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持するととともに、加熱機構40への供給電力を制御して、ウエハ温度を上昇させてプロセス温度である450°C以下の所定温度に維持する。そして、ウエハボート5を回転させた状態で成膜処理を開始する。なお、後述するように、場合によっては室温程度でも処理を行うことができ、このような場合には加熱機構40は不要である。この際の成膜処理は、図4に示すように、工程S1と工程S2とを交互に繰り返すいわゆるプラズマALDにより行う。工程S1では、Siソースガスを処理容器1に供給し、ウエハW上に吸着させる。工程S2では、酸化ガスである酸素含有ガスを供給してプラズマ化し、酸素含有プラズマ酸素ラジカルを処理容器1で生成し、ウエハW上に吸着されたSiソースガスを酸化させる。これら工程S1および工程S2の間で処理容器1内から処理容器1内に残留するガスを除去する工程S3a、S3bを実施する。Siソースガスは、例えばトリスジメチルアミノシラン3DMAS、テトラキスジメチルアミノシラン4DMAS、ビスターシャリブチルアミノシランBTBAS、ジイソプロピルアミノシランDIPAS等のアミノシランガスからなる。具体的には、工程S1においては、Siソースガス供給機構15のガス供給源20からSiソースガスをガス配管21およびガス分散ノズル22を介してガス吐出孔22aから処理容器1内にT1の期間供給する。これにより、半導体ウエハ上にSiソースガスを吸着させる。このときの期間T1は1~180secが例示される。また、Siソースガスの流量は1~1000mL/minsccmが例示される。また、この際の処理容器1内の圧力は13.3~1333Pa0.1~10Torrが例示される。工程S2においては、酸素含有ガス供給機構14のガス供給源17から酸素含有ガスとして例えばO2ガスをガス配管18およびガス分散ノズル19を介してガス吐出孔19aから吐出する。このとき、必要に応じて、プラズマ生成機構30の高周波電源35をオンにして高周波電界を形成し、この高周波電界により酸素含有ガス、例えばO2ガスをプラズマ化する。そして、このようにプラズマ化された酸素含有ガスが酸化種として処理容器1内に供給される。これにより、ウエハWに吸着されたSiソースガスが酸化されてSiO2が形成される。この処理の期間T2は1~300secの範囲が例示される。また、酸素含有ガスの流量は半導体ウエハWの搭載枚数によっても異なるが、100~20000mL/minsccmが例示される。また、高周波電源35の周波数は13.56MHzが例示され、パワーとしては5~1000W、好ましくは10~250Wが採用される。また、この際の処理容器1内の圧力は13.3~1333Pa0.1~10Torr、好ましくは13.3~120Pa0.1~0.93Torrが例示される。この場合に、酸素含有ガスとしては、O2ガスの他、CO2ガス、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスを挙げることができ、これらを必要に応じて高周波電界によりプラズマ化して酸化種として用いる。酸化種としては、O2プラズマが好ましい。なお、O3ガスを用いる場合にはプラズマは不要である。また、工程S1と工程S2との間に行われる工程S3a、S3bは、工程S1の後または工程S2の後に処理容器1内に残留するガスを除去して次の工程において所望の反応を生じさせる工程である。ここでは、処理容器1内を真空排気しつつパージガス供給機構16のガス供給源23からガス配管24およびガスノズル25を介してパージガスとして不活性ガス例えばN2ガスを供給する。この工程S3a、S3bの期間T3a、T3bとしては1~60secが例示される。また、パージガス流量としては50~20000mL/minsccmが例示される。なお、この工程S3a、S3bは処理容器1内に残留しているガスを除去することができれば、パージガスを供給せずに全てのガスの供給を停止した状態で真空引きを継続して行うようにしてもよい。ただし、パージガスを供給することにより、短時間で処理容器1内の残留ガスを除去することができる。なお、この際の処理容器1内の圧力は13.3~1333Pa0.1~10Torrが例示される。このようにして、処理容器1内から残留ガスを除去する工程S3a、S3bを挟んで交互に間欠的にSiソースガスを供給する工程S1と酸素ラジカルを含む酸素含有プラズマを供給する工程S2とを繰り返すことにより、SiO2膜の薄い膜を一層ずつ繰り返し堆積して所定の厚さとすることができる。このときの繰り返し回数は、得ようとするSiO2膜の膜厚により適宜決定される。酸化パージ処理は、上記成膜処理終了後、処理済みのウエハWを搭載したウエハボート5を処理容器1から搬出した後に行われる。酸化パージ処理は、成膜処理が完了したあるバッチのウエハWを処理容器1から搬出した後、次に成膜処理を行うバッチのウエハWを処理容器1へ搬入する間の、装置のアイドリング状態中に行うことができる。この装置のアイドリング状態は、次のバッチのウエハWをウエハボート5上に準備する操作、例えば、処理済みバッチのウエハWの装置周囲からの移動、次のバッチのウエハWの装置周囲の所定位置への移動、次のバッチのウエハWのウエハボート5上への積み込み等のために装置の運転上不可欠なものとなる。従って、酸化パージ処理をこのような装置のアイドリング状態中に行うことにより、装置のダウンタイムを増加させることが防止される。この酸化パージ処理では、まず、空の処理容器1内を真空排気しつつパージガス供給機構16のパージガス供給源23からガス配管24およびガスノズル25を介してパージガスとして不活性ガス例えばN2ガスを供給して処理容器1内の残留ガスをパージする。次に、処理容器1内を0.133~1333Pa0.001~10Torr程度に真空引きする。そして、酸素含有ガス供給機構14のガス供給源17から酸素含有ガスとして例えばO2ガスをガス配管18およびガス分散ノズル19を介してガス吐出孔19aから吐出する。このとき、必要に応じて、プラズマ生成機構30の高周波電源35をオンにして高周波電界を形成し、この高周波電界により酸素含有ガス、例えばO2ガスをプラズマ化する。そして、このようにプラズマ化された酸素含有ガスが酸化種として処理容器1内に供給される。これにより、処理容器1内に堆積して成膜処理においてパーティクル発生の原因となる反応性Si含有物質を含む副生成物膜に対して酸化を行う。この酸化パージ処理における酸化の時間は60~3600secが好ましい。酸素含有ガスとしては、O2ガスの他、CO2ガス、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスを挙げることができ、これらを必要に応じて高周波電界によりプラズマ化して酸化種として用いる。酸化種としては、O2プラズマが好ましい。なお、O3ガスを用いる場合にはプラズマは不要である。以上のような成膜処理を所定数のバッチのウエハWに対して繰り返した後、処理容器1内に堆積する副生成物膜を除去するためのクリーニング処理を行う。例えば、このクリーニング処理は、成膜処理の繰り返しによってSiO2膜シリコン酸化膜の累積膜厚が2~5μm内の所定値に達した後、次のバッチのウエハWに成膜処理を行う前に行う。クリーニング処理のタイミングを決定するために使用する累積膜厚は、成膜処理のレシピで規定される1回の成膜処理で形成されるSiO2膜の厚さを積算した理論値とすることができる。代わりに、この累積膜厚は、成膜処理において、ウエハボート5に製品用のウエハWと共にモニタウエハを積載し、このモニタウエハに形成されたSiO2膜の厚さを実際に計測した値を積算した測定値とすることもできる。クリーニング処理では、処理容器1内に製品用のウエハが搭載されていないウエハボート5を保温筒7に載せた状態で、所定の温度に加熱された処理容器1内にその下方から上昇させることによりロードする。次に、蓋部9でマニホールド3の下端開口部を閉じることにより処理容器1内を密閉空間とする。次に、処理容器1内を排気しながら、クリーニングガス供給源42からガス配管43、18、21、ガス分散ノズル19、22を経て、クリーニングガスとして、例えばHFガス、F2ガス、ClF3ガス等のフッ素含有ガスを処理容器1内に供給する。これにより、処理容器1の内壁、ウエハボート5、保温筒7、ガス分散ノズル19、22に付着した反応生成物を除去する。クリーニング処理の際の処理容器1内の温度は、0~600°C、好ましく25~475°Cに設定する。次に、上述の酸化パージ処理がウエハW上のパーティクル低減に有効である理由について説明する。従来の手法において、縦型バッチ式の成膜装置でSiO2膜を成膜する場合、下記のような手順を繰り返す。まず、1つのバッチのウエハに対してSiソースガスと酸素含有ガスとを使用して成膜処理を行う。次に、このバッチのウエハをウエハボートと共に処理容器から搬出した後、処理容器内を真空排気しながら不活性ガスを供給するパージを行う。次に、後続のバッチのウエハに対して成膜処理を行う。次に、このバッチのウエハを搬出後、処理容器内を不活性ガスによるパージを行う。成膜処理により、ウエハにSiO2膜が堆積されると同時に、処理容器の内壁にもSiO2を主体とする膜が堆積される。そして、成膜処理を繰り返していくと、処理容器の内壁に堆積された膜が厚くなっていく。本発明者らの実験によれば、従来の手法を用いた場合には、処理容器内壁に堆積された膜が所定の膜厚以上になると急激にウエハ上のパーティクルが増加することが判明した。実験において、Siソースガスとして1価のアミノシランDIPASを用い、酸化種としてO2プラズマを用いてALDにより成膜を繰り返した際のウエハ上の0.05μm以上のパーティクル数を測定した。図5はこの実験の結果を示す図であり、この図から、成膜回数が増加するほどパーティクル数が増加していることがわかる。図6は、図5のうち0.05~0.2μmの微小パーティクル数と成膜回数累積膜厚との関係を示す図である。図6に示すように、パーティクルの大部分が0.05~0.2μmの範囲の微小なものであることが判明した。Siソースガスとしてのアミノシランと酸化種としてのO2プラズマを用いたALDプロセスでSiO2膜を成膜する際には、上述のようにアミノシランフロー→アミノシランパージ→O2プラズマフロー→O2プラズマパージを繰り返して行う。図7は、Siソースガスとしてのアミノシランと酸化種としてのO2プラズマを用いたALDプロセスでSiO2膜を成膜する様子を示す模式図である。図7に示すように、この成膜の過程でアミンが生成する。なお、図7中Rは炭化水素基、Oは酸素ラジカルである。このときの反応は、以下の1式のような反応式で表すことができる。アミノシランO、O2→SiO2アミン↑1したがって、処理容器の内壁にはSiO2膜が堆積する際に膜中にアミン系物質が含まれ、何らかの形で0.05~0.2μmの微小なパーティクル生成に寄与していることが推測される。しかし、アミンはガス成分であるため、単体ではウエハに付着することはなく、また、アミン自体は酸化種との混合状態で反応しても固体にはならない。次に、実験において、アミノシランフロー→アミノシランパージ→O2プラズマフロー→O2プラズマパージを繰り返すALDによりウエハ上にSiO2膜を成膜する際に、O2プラズマフロー時間が短いものと長いものについて、膜中のC濃度とN濃度を測定した。比較のため、1000°Cでの熱酸化により形成したSiO2膜についても同様に膜中のC濃度とN濃度を測定した。これらの実験により得られたC濃度を図8に、N濃度を図9に示す。これらの図に示すように、ALDのO2プラズマフロー時間酸化工程時間を延ばすことにより膜中のC濃度およびN濃度は減少する。しかし、いずれもアミノシランを用いない熱酸化によるSiO2膜よりもC濃度およびN濃度がはるかに多いことがわかった。このことから、膜中のC、Nはアミノシランに起因するアミン系物質に由来するものであり、このようなアミン系物質は酸化種であるO2プラズマフロー時間を延ばすことである程度低減させることができることが見出された。次に、処理容器の内壁に堆積される膜の状態を模擬するための実験を行った。ここで、処理容器内にウエハを搬入し、Siソースガスとして1価のアミノシランを用い、酸化種としてO2プラズマを用いてウエハ上にALDにより約30nmの厚さのSiO2膜を成膜する成膜処理を行った。次いでウエハを搬出せずに、バッチの入れ替えの際のパージに対応させて後処理を行った。成膜処理及び後処理を4回繰り返した。次に、昇温脱離ガス分析TDSにより成膜されたSiO2膜中の炭素窒素化合物の分析を行った。図10aはこの実験において用いた比較例のシーケンスを示す図であり、ここで、後処理として、N2ガスをパージガスとして用いてサイクルパージを行った。図10bはこの実験において用いた実施例のシーケンスを示す図であり、ここで、後処理として、O2プラズマを用いたパージ酸化パージを行った。図11a、b、cは、図10a、bのシーケンスで形成したSiO2膜中の炭素窒素化合物の分析結果を示す図である。図11a、b、cに示すように、各成膜処理後で行うサイクルパージをO2プラズマパージに代えることにより、炭素窒素化合物が減少することがわかった。このことから、先行の成膜処理と次の成膜処理との間でO2プラズマパージにより酸化パージ処理することにより、処理容器の内壁に堆積した膜中のアミン系物質の量が減少することが見出された。次に、ウエハ上に付着したパーティクルについて、0.2μmを超えるものおよび大部分を占める0.05~0.2μmのものに分けて、走査型電子顕微鏡SEMを用いて写真を撮影し、エネルギー分散型X線分析器EDXを用いて組成分析した。図12は0.2μmを超えるパーティクルのSEM写真のイメージおよび分析結果を示す。図13は0.05~0.2μmのパーティクルのSEM写真のイメージおよび分析結果を示す。これらの図に示すように、0.2μmを超えるサイズのパーティクルは破片のような形状をしており、Si:Oがほぼ1:2となるピーク強度比でSiとOが検出された。このことから、0.2μmを超えるサイズのパーティクルは、処理容器内壁に成膜された膜剥がれが原因と考えられる。一方、0.2μm以下の小さいパーティクルでは形状は破片状ではなく、またSi:OがSiO2よりもSiリッチで、C等の不純物も微量含まれていた。このことから、0.2μm以下のパーティクルは膜剥がれではなく気相反応が関与していると考えられる。以上のことから、Siソースガスであるアミノシランと酸化種であるO2プラズマにより成膜を行った際に処理容器内壁に堆積したSiO2膜にはアミン系物質が含まれており、それが放出されて気相反応することにより0.2μm以下のパーティクルが生成されると考えられる。しかし、上述したように、アミン自体はガス成分であるため、単体ではウエハに付着することはなく、しかも、酸化種との混合状態で反応しても固体にはならないため、アミン自体が放出されてもパーティクルは生成されない。上述したように、0.2μm以下のパーティクルにはSiが含まれC等も含まれていることから、パーティクルに関与しているアミン系物質は、アミン自体ではなく、未反応のアミノシランであると考えられる。すなわち、処理容器内壁に堆積した膜には、主成分であるSiO2の他に、反応生成物であるアミンと、未反応のアミノシランが含まれており、この未反応のアミノシランが気相中に放出されると、酸化種であるO2プラズマと反応して固体の酸化物となり、これが0.2μm以下の微小パーティクルになるものと考えられる。したがって、成膜処理中における処理容器1の内壁に堆積した膜からのアミノシランの放出を減少させることが微小パーティクルの減少に有効である。そのために、本実施形態では先行の成膜処理と次の成膜処理との間にO2プラズマパージ酸化パージを行う。つまり、従来は、成膜処理と成膜処理との間には本実施形態のような酸化パージは行わずに不活性ガスを用いたサイクルパージを行っており、処理容器1の内壁に堆積したSiO2膜60には多くのアミノシランが残留する。この場合、図14aに示すように、次の成膜処理中に処理容器1の内壁のSiO2膜60から多くのアミノシランガスが放出される。このガスは気相中でO2プラズマにより酸化されるため、気相パーティクルが多く生じてウエハWに付着するパーティクルが多くなる。一方、成膜処理後にO2プラズマパージ酸化パージを行うことによりサイクルパージを行った場合よりもSiO2膜60中に残留するアミノシランの量が少なくなる。この場合、図14bに示すように、次の成膜処理中に処理容器1の内壁のSiO2膜60から放出するアミノシランガスの量が少なくなる。このため、気相パーティクルが少なくなり、ウエハW上に付着するパーティクルを少なくすることができる。この点、本実施形態は、処理容器内壁に堆積した膜を改質することにより膜剥がれを防止する上記特許文献2、3とは全く異なる技術である。本実施形態において、酸化パージ処理で使用する酸化ガスは、SiO2膜の成膜処理で使用する酸化ガスと同じものを用いることができる。また、酸化パージ処理で使用する酸化ガスは、SiO2膜の成膜処理と同じ態様で供給することがができ本実施形態ではO2プラズマが例示される、特別な設備は不要である。なお、このような処理容器の内壁に堆積するSiO2膜にSiソースガスが含有され処理中に放出する現象は、Siソースガスとしてアミノシランを用いる場合以外にも生じるものである。本実施形態による効果を確認するため、別の実験を行った。図15は、従来の方法と本発明の実施形態に係る方法を比較するための実験を説明するための図である。ここでは、処理容器の内壁にパーティクルが十分発生する累積膜厚で膜が堆積した状態で、図15に示すように、ウエハを搬入しない状態で処理容器内をO2プラズマパージ酸化パージした。次に、処理容器内にウエハを搬入し、Siソースガスとして1価のアミノシランDIPASを用い、酸化種としてO2プラズマを用いてウエハ上にALDにより約30nmの厚さのSiO2膜を成膜した。そして、ウエハ上のパーティクルを測定した。このシーケンスを2回繰り返した。その後、ウエハを搬入しない状態で処理容器内をN2ガスによりサイクルパージした。次に、同様の手法でウエハ上にALDにより約30nmの厚さのSiO2膜を成膜した。そして、ウエハ上のパーティクルを測定した。このシーケンスを2回繰り返した。図16は、この実験により得られた、ウエハ上の0.05μm以上のパーティクルの数を示す図である。図17は、図16のパーティクルのうち、0.2μm超のパーティクルの数を示す図である。図18は、図16のパーティクルのうち、0.05~0.2μmのパーティクルの数を示す図である。図16に示すように、O2プラズマパージを行うことにより、サイクルパージを行った場合よりもパーティクル数が減少することが確認された。また、図17、図18に示すように、0.2μm超のパーティクルは非常に少なくO2プラズマパージの有無によってその数は変わらなかった。しかし、全体の中で0.05~0.2μmの微小パーティクルが大部分を占め、O2プラズマパージによりこの微小パーティクルの数が減少することが確認された。なお、上述のシリコン酸化膜SiO2膜の成膜処理、酸化パージ処理、副生成物膜のクリーニング処理は、特定の処理ガスと処理条件とを採用することにより、全て室温20~30°C、例えば25°Cで行うことが可能となる。以下に、室温シーケンスを実現するための成膜装置の使用方法について説明する。この室温シーケンスのため、図1の成膜装置100において、酸素含有ガス供給源17は、酸素含有ガスとしてはO2ガスを供給するように構成する。但し、酸素含有ガスとしては、代わりに、CO2ガス、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスを使用することも可能である。Siソースガス供給源20は、ジイソプロピルアミノシランDIPASガスを供給するように構成する。クリーニングガス供給源42は、HFガスを供給するように構成する。成膜処理においては、処理容器1内の成膜処理温度を室温とし、真空排気機構VEMによって処理容器1内を排気しながら、下記のサイクルを繰り返すALDを行う。即ち、まず、処理容器1内にDIPASガスを供給する一方、処理容器1内にO2ガスを供給しない吸着工程を行う。これにより、ウエハWの表面にシリコンを含む吸着層を形成する。次に、処理容器1内に不活性ガスを供給する一方、処理容器1内にDIPASガス及びO2ガスを供給しないと共に、処理容器1内を排気する第1パージ工程を行う。次に、処理容器1内にO2ガスを供給する一方、処理容器1内にDIPASガスを供給しない酸化工程を行う。これにより、ウエハWの表面上の吸着層を酸化する。次に、処理容器1内に不活性ガスを供給する一方、処理容器1内にDIPASガス及びO2ガスを供給しないと共に、処理容器1内を排気する第2パージ工程を行う。ここで、吸着工程は、処理容器1内の圧力を13.3~3990Pa0.1~30Torr、好ましくは、13.3~666.5Pa0.1~5.0Torrに設定する。酸化工程は、処理容器1内の圧力を13.3~1333Pa0.1~10Torr、好ましくは13.3~120Pa0.1~0.93Torrに設定する。また、酸化工程は、プラズマ生成機構30の圧力が400Pa未満で且つ電極に印加される高周波電力が50~500W、好ましくは10~250Wの状態の機構30によりO2ガスをプラズマ化することにより励起しながら処理容器1内に供給する。これにより生成されたO2ガスに由来するラジカルにより、ウエハWの表面上の吸着層を酸化する。成膜済みのウエハWを搭載したウエハボート5を処理容器1から搬出した後に行う酸化パージ処理においては、処理容器1内の酸化パージ処理温度を室温とし、真空排気機構VEMによって処理容器1内を排気しながら、下記の操作を行う。まず、処理容器1内を0.133~1333Pa0.001~10Torr程度に真空引きする。そして、処理容器1内にO2ガスを供給する一方、処理容器1内にDIPASガスを供給しない工程を行う。この工程は、処理容器1内の圧力を13.3~1333Pa0.1~10Torr、好ましくは、13.3~120Pa0.1~0.93Torrに設定する。また、この工程は、プラズマ生成機構30の圧力が400Pa未満で且つ電極に印加される高周波電力が10~500W、好ましくは50~250Wの状態の機構30によりO2ガスをプラズマ化することにより励起しながら処理容器1内に供給する。この工程の時間は60~3600secに設定する。これにより生成されたO2ガスに由来するラジカルにより、処理容器1内に堆積した副生成物膜に対して酸化を施す。シリコン酸化膜SiO2膜の累積膜厚が2~5μm内の所定値となった時点で行うクリーニング処理においては、処理容器1内のクリーニング処理温度を室温とし、真空排気機構VEMによって処理容器1内を排気しながら、下記の操作を行う。まず、製品用のウエハが搭載されていないウエハボート5を収容する処理容器1内を0.133~1333Pa0.001~10Torr程度に真空引きする。次に、処理容器1内にHFガスを供給する一方、処理容器1内にO2ガス、DIPASガスを供給しない工程を行う。この工程は、処理容器1内の圧力を13.3~101325Pa0.1~760Torr、好ましくは133~13332Pa1~100Torrに設定する。これによりHFガスにより、処理容器1内に堆積した副生成物膜をエッチング除去する。なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では本発明を複数の半導体ウエハを搭載して一括して成膜を行うバッチ式の成膜装置に適用した例を示した。これに代え、本発明は、一枚のウエハ毎に成膜を行う枚葉式の成膜装置に適用することもできる。また、上記実施形態ではSiソースガスとしてアミノシランを用い、酸化種にO2プラズマのような酸素含有プラズマを用いてSiO2膜をALDにより成膜した例について示した。これに代え、本発明は、SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiHCl3等他のSiソースガスを用いることができる。酸化種は、酸素含有プラズマに限らず、オゾンガス等の他の活性種を用いることもできる。Siソースガスによっては活性種に限らずO2ガスのような酸素含有ガスそのものを用いることができる。、成膜手法もALDに限らずCVDであってもよい。ただし、ALDでは低温成膜が指向されるため、膜中へのSiソースガスの残留がより多くなると考えられる。このため、本発明はALDでSiO2膜を成膜する場合に有効である。上記実施形態では、成膜処理と成膜処理の間の酸化パージをO2プラズマのような酸素含有プラズマを用いて行う。これに代え、成膜処理の際の酸化工程と同様、酸化パージをオゾンガス等の他の活性種を用いて行うこともできる。この場合も、Siソースガスによっては活性種に限らずO2ガスのような酸素含有ガスそのものを用いることもできる。さらにまた、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、LCDガラス基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。