"半導電性材料41、43の2つの層の間に埋め込まれた絶縁層42を備えたセミコンダクタオンインシュレータSeOI型の基板4のための仕上げ処理の方法において、前記基板4の環状の周縁部をルーティングし、ルーティングされた基板4’を得るステップと、前記ルーティングされた基板4’をカプセル化し、前記埋め込まれた絶縁層42のルーティングされた側面方向エッジ420を半導電性材料410により被覆するステップと、を連続的に含むことを特徴とする、方法。前記ルーティングされた基板4’をカプセル化する前記ステップが、ルーティングの直後に実行されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。ルーティングする前記ステップが、前記SeOI基板4の周縁部の環状エッジをグラインドすることによって実行されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。ルーティングする前記ステップが、前記SeOI基板4の周縁部の環状エッジのエッチングにより実行されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。前記ルーティングされた基板4’をカプセル化する前記ステップが、前記ルーティングされた基板4’に急速熱アニーリングRTA処理を施すことによって行われることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記急速熱アニーリングRTA処理が、1150°C~1300°Cの間の温度において15秒~約5分の間の継続時間にわたって行われることを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記急速熱アニーリングRTA処理が、水素及び/又はアルゴンの雰囲気の下で行われることを特徴とする、請求項5又は6に記載の方法。前記ルーティングされた基板4’をカプセル化する前記ステップが、エピタキシによって実行されることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記ルーティングされた基板4’をカプセル化する前記ステップが、急速熱アニーリングRTA処理によって及びエピタキシによって実行されることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。前記ルーティングされた基板4’をカプセル化する前記ステップが、レーザを用いたアニーリングによって実行されることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。ルーティングする前記ステップが、プラズマにより、前記SeOI基板4の周縁部の環状領域に保護材料6の層を積層するステップと、プラズマによる前記保護材料6の部分エッチングを達成することにより前記SeOI基板4の前面411に保護材料の環60を保持するステップであって、前記環60が前記基板の側面方向エッジ46から、ある距離だけ延長することによって、プラズマが到達可能な前記基板の縮小された周縁部の環状領域500’を定める、ステップと、前記SeOI基板4の前記縮小された周縁部の環状領域に局所化された部分エッチングプラズマを生成することにより、前記領域500’に存在する材料をある特定の厚さでエッチングするステップと、プラズマにより保護材料6の前記環を除去するステップと、を含むことを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。ルーティングする前記ステップが、等方性プラズマを形成するためのエンクロージャ50の中で実行されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。ルーティングする前記ステップが、等方性プラズマを形成するためのエンクロージャ50の中に前記SeOI基板4を導入するステップであって、前記エンクロージャ50が、ディスク状の上側絶縁要素53と2つの電極51、52とを備え、前記2つの電極の一方52が、円形の輪郭を有する下側絶縁要素54に包囲されたいわゆる下側電極であり、前記基板4が、背面430が前記下側電極52と前記下側絶縁要素54とに接触するように前記エンクロージャ5の中に位置決めされ、プラズマが到達不可能な除外領域540を前記背面の上に画定し、前記上側絶縁要素53が前記SeOI基板4の前面411から、ある距離に位置決めされ、やはりプラズマが到達不可能な除外領域530を前記前面の上に画定し、前記下側54及び上側53の両方の絶縁要素の外径がルーティングの対象である前記SeOI基板4の直径よりも小さく、前記周縁部の環状領域500を形成する前記基板の残りの部分はプラズマに到達可能である、ステップと、前記エンクロージャ50の中に形成されたプラズマにより、前記保護材料層6を前記周縁部の環状領域500に堆積するステップと、前記上側絶縁要素53を前記SeOI基板の前記前面411のより近くに近づけ、前記保護材料6の前記部分エッチングを実行するステップと、前記上側絶縁要素53をその位置に維持したままで、前記SeOI基板4を形成する、ある厚さの材料をエッチングするステップと、前記上側絶縁要素53を前記基板の前面411から離れる方向に移動させ、保護材料の前記環60を除去するステップと、によって実行されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。ルーティングする前記ステップとカプセル化する前記ステップとの後に犠牲酸化ステップと、その後の脱酸ステップが続くことを特徴とする、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。前記犠牲酸化ステップ及び脱酸ステップとの後に急速熱アニーリングRTA処理が続き、更には任意選択で第2の犠牲酸化と第2の脱酸とが続くことを特徴とする、請求項14に記載の方法。急速熱アニーリングRTA処理の後に犠牲酸化及び脱酸が続く第1の一連のステップを含み、前記第1の一連のステップが前記基板をルーティングする前記ステップと前記基板をカプセル化する前記ステップとに先行することを特徴とする、請求項1~15のいずれか一項に記載の方法。したがって、本発明の目的は、この技術の現状における上述した欠点を克服することである。本発明の目的は、特に、埋め込まれた絶縁体の側面方向エッジの非常に高品質のカプセル化すなわち均一なカプセル化を行うことが可能であるSeOI型の基板の仕上げ処理の方法であって、絶縁体の側面方向エッジは全体が半導電性材料の層で比較的一定の厚さに被覆されており、半導電性材料の層のエッジが平面のエッジから一定の距離にある規則的なクラウンを形成するような、仕上げ処理方法を提供することである。この目的のために、本発明は、半導電性材料の2つの層の間に埋め込まれた絶縁層を備えたセミコンダクタオンインシュレータSeOI型の基板の仕上げ処理の方法に関する。本発明によると、この方法は、前記基板の環状の周縁部をルーティングして、ルーティングされた基板を得るステップと、前記ルーティングされた基板をカプセル化し、前記埋め込まれた絶縁層のルーティングされた側面方向エッジを半導電性材料により被覆するステップと、を連続的に含む。単独又は組み合わせとして用いる本発明の他の効果的で非限定的な特徴によると、前記ルーティングされた基板をカプセル化する前記ステップは、ルーティングの直後に実行され、ルーティングする前記ステップは、前記SeOI基板の周縁部の環状エッジをグラインドすることによって実行され、ルーティングする前記ステップは、前記SeOI基板の周縁部の環状エッジのエッチングにより実行され、前記ルーティングされた基板をカプセル化する前記ステップは、前記ルーティングされた基板に急速熱アニーリングRTA処理を施すことによって実行され、前記急速熱アニーリングRTA処理は、1150°C~1300°Cの間の温度において15秒~約5分の間の継続時間にわたって行われ、前記急速熱アニーリングRTA処理は、水素及び/又はアルゴンの雰囲気の下で行われ、前記ルーティングされた基板をカプセル化する前記ステップは、エピタキシによって実行され、前記ルーティングされた基板をカプセル化する前記ステップは、急速熱アニーリングRTA処理によって及びエピタキシによって実行され、前記ルーティングされた基板をカプセル化する前記ステップは、レーザを用いたアニーリングによって実行され、ルーティングする前記ステップは、プラズマにより、前記SeOI基板の周縁部の環状領域に保護材料の層を積層するステップと、プラズマによる前記保護材料の部分エッチングを達成することにより前記SeOI基板の前面に保護材料の環を保持するステップであって、前記環は前記基板の側面方向エッジから、ある距離だけ延長することによって、プラズマが到達可能な前記基板の縮小された周縁部の環状領域を定める、ステップと、前記SeOI基板の前記縮小された周縁部の環状領域に局所化された部分エッチングプラズマを生成することにより、前記領域に存在する材料をある特定の厚さでエッチングするステップと、プラズマにより保護材料の前記環を除去するステップと、を含む。ルーティングする前記ステップは、等方性プラズマを形成するためのエンクロージャの中で実行される。ルーティングする前記ステップは、等方性プラズマを形成するためのエンクロージャの中に前記SeOI基板を導入するステップであって、前記エンクロージャは、ディスク状の上側絶縁要素と2つの電極とを備え、前記2つの電極の一方は、円形の輪郭を有する下側絶縁要素に包囲されたいわゆる下側電極であり、前記基板は、背面が前記下側電極と前記下側絶縁要素とに接触するように前記エンクロージャの中に位置決めされ、プラズマが到達不可能な除外領域を前記背面の上に画定し、前記上側絶縁要素は前記SeOI基板の前面から、ある距離に位置決めされ、プラズマがやはり到達不可能な除外領域を前記前面の上に画定し、前記下側及び上側の両方の絶縁要素の外径はルーティングの対象である前記SeOI基板の直径よりも小さく、前記周縁部の環状領域を形成する前記基板の残りの部分はプラズマに到達可能である、ステップと、前記エンクロージャの中に形成されたプラズマにより、前記保護材料層を前記周縁部の環状領域に堆積するステップと、前記上側絶縁要素を前記SeOI基板の前記前面のより近くに近づけ、前記保護材料の前記部分エッチングを実行するステップと、前記上側絶縁要素をその位置に維持したままで、前記SeOI基板を形成する、ある厚さの材料をエッチングするステップと、前記上側絶縁要素を前記基板の前面から離れる方向に移動させ、保護材料の前記環を除去するステップとによって実行され、ルーティングする前記ステップとカプセル化する前記ステップとの後に犠牲酸化ステップと、その後の脱酸ステップが続く。前記犠牲酸化ステップ及び脱酸ステップとの後には急速熱アニーリングRTA処理が続き、更には任意選択で第2の犠牲酸化と第2の脱酸とが続くが、カプセル化は最後の急速熱アニーリングRTAのステップによって達成されるから、後者の第2の脱酸は必須ではない。この方法は、急速熱アニーリングRTA処理の後に犠牲酸化及び脱酸が続く第1の一連のステップを含み、前記第1の一連のステップが前記基板をルーティングする前記ステップと前記基板をカプセル化する前記ステップに先行する。本発明の他の特徴及び効果は、添付の図面を参照しながら以下で行われる説明から明らかになるはずである。添付の図面は、指摘として、限定としてではなく、可能な実施形態を示す。図3、6A~6C及び7A~7Dの図面では、図解されている複数の異なる層や要素のそれぞれの寸法が常に順守されているわけではなく、説明の目的のためには、特定の領域が意図的に拡大されていることに留意されたい。本発明による方法は、セミコンダクタオンインシュレータSeOI型の基板のためのいわゆる仕上げ処理方法である。その理由は、本発明の方法が、層複数の場合を含むの転移と半導電性材料の2つの層の間に埋め込まれた絶縁層を備えているこの基板の形成とを結果的に生じさせる剥離アニーリングの後で実行されるステップに関するからである。以下では、本発明による方法について、図6A~6Cを参照しながら説明する。図6Aを参照すると、SeOI型の基板4が示されているが、基板4は、半導電性材料の表面層41と、埋め込まれた絶縁層42と、やはり半導電性材料で作られたサポート43とを連続的に備えている。やはり図6Aに示されているように、層複数の場合を含むを移すステップの終了時点において、得られたSeOI型の基板4は、上述したようなタイプの欠陥、すなわち、図6Aでは1つだけが示されているフレーク44と、環状の周縁部のギザギザのエッジ45とを有する。本発明による方法の第1のステップは、基板4の周縁部の環状エッジのルーティングを実行することから構成される。このステップは、図6Bに図解されている。その応用方法を以下で説明する。このルーティングステップは、表面層41のエッジと埋め込まれている絶縁層42のエッジとを特定の幅Lにわたり除去するという効果を有する。このルーティングは、基板の物理的なエッジから一定の制御された距離において基板をルーティングするように実行されるのが好ましい。任意選択で、ルーティングは、サポート43の環状周縁部の一部が深さPにわたって除去されるまで実行される。Lは、典型的には0.5~3mmの範囲で変動する幅である。Lは、SeOIの上に存在するクラウンの幅よりも僅かに大きくなるように選択され、ルーティングによってフレーク又はギザギザのエッジ型の欠陥が除去され、一定の幅を有するクラウンがルーティングの後に得られる。Pは0~数千オングストロームの範囲、典型的には500~1000Å50~100nmの範囲で変動する。図6Bでは、サポート用の基板43はルーティングされているようには図解されていない。ルーティングされた基板は、参照番号4’が付されている。図6Cに図解されている次のステップは、埋め込まれた絶縁体42のルーティングされた横方向のエッジ420のカプセル化を達成することから構成される。このステップは、このエッジ420に面している表面層41を形成する半導電性材料の移動を生じさせる効果を有し、更に、表面層41を保護して以後の化学的エッチングが適用不可能とする効果を有することによって、層間剥離現象が回避される。材料41の中で絶縁体42をカプセル化している部分には、参照番号410を付した。ルーティングされカプセル化された基板には、参照番号4を付した。このカプセル化のステップを適用する方法について、以下で説明する。好ましくは、カプセル化のステップは、ルーティングのステップの直後に実行されることで、ルーティングされた基板のカプセル化される前の偶発的な汚染をすべて回避し、ルーティングによって得られたフィルムエッジの品質が変更されるリスクを最大限に限定する。カプセル化は、エッジがその規則性を緩和する前になされるべきである。次には、表面層41と埋め込まれた絶縁体42とから構成されるフィルムが、受け取り側のサポート用基板43に僅かに付着されるだけであり、裂け目やスクラッチが回避されるように、特にそのエッジが補強される。別の実施形態によると、カプセル化は、ルーティングの後に実行される洗浄ステップの直後に実行されることもありうる。ルーティングこのルーティングは様々な技術によって実行されうるが、特に、機械的グラインディング又はエッチングステップによって実行されうる。グラインディングは、たとえば、回転するように駆動されるサポートの上に基板4を配置し、任意選択で研磨溶液スラリで被覆された研磨シューを基板のエッジの近傍に導き、研磨シューを基板4のエッジ上のルーティング対象となる幅Lの位置に適用することによって、達成されうる。この主題については、グラインディング及び/又は研磨によるルーティングに関する記載のある文献、米国特許第6,797,632号及び米国特許出願公開第2007/0243694号を参照のこと。また、ルーティングは、ウェット又はドライエッチングによっても実行可能である。ウェットエッチングは、表面層41の前面411の中央部分に表面層41の直径よりも小さな直径を有する保護マスクを形成し、保護されていない環状の周縁領域を生じさせることを含む。次に、基板4は、表面層41と絶縁層42とを形成する材料に対する特定のエッチング溶液に連続的に露出され、基板4の保護されていないエッジがエッチングされ除去される。ドライエッチングは、マスクによって保護されていない基板4のエッジに対して、たとえば等方性又は非等方性プラズマを用いたガスエッチングを行うことを含む。ドライエッチング法に関する記載のある文献、米国特許出願公開第2009/0170285号を参照のこと。特に明確なルーティングされたエッジを得ることが望まれるときには、すなわち、前面411の平面に対して垂直な又はほぼ垂直なエッジが望まれるときには、図7A~7Dとの関係において以下で説明される設備とルーティング方法とを用いることが可能である。これらの図では、基板4は面取りがなされていることにより、その前面411は面取りのなされていない平坦な中央領域411aと面取りのなされている周縁領域411bとに分割され、更に、その背面430も面取りのなされていない平坦な領域430aと面取りのなされている領域430bとに分割されている。その側面方向エッジには参照番号46が付されている。ルーティングは、図7A~7Dに図解されているように、プラズマを形成する反応器5の内部で実行される。この反応器5はエンクロージャ50を備えており、エンクロージャ50の内部には2つの絶縁要素53及び54と2つの電極51及び52とが設置されている。後者の電極は、電源図示せずに接続されている。ルーティングの対象となる基板4は、下側電極52と下側絶縁要素54との上に、背面430を介して載っている。下側電極52は、円形の輪郭を有する下側絶縁要素54に包囲されている。下側電極52は円形であり、絶縁要素54は環状であるのが好ましい。更に、上側絶縁要素53はディスクの形状を有し、上側絶縁要素53を包囲する上側電極51はリングの形状を有する。上側絶縁要素53は、駆動手段図示せずの上に設けられ、この駆動手段によって、上側絶縁要素53が、基板4の中間平面に垂直の垂直軸に沿って、背面430と平行に変位することが可能になる。したがって、上側絶縁要素53は、図7Dに図解されておりルーティング対象である基板4から最も離れている位置から、図7B及び7Cに図解されておりこの基板4により近い位置まで変位しうる。プラズマを形成するのに用いられる気体は、ダクト経由でエンクロージャ50の内部に導かれる。ダクトはここでの例では2つあり、参照番号55及び56が付されている。エンクロージャ50の内部で生じる反応の間に生成される揮発性の物質は、吸引手段により開口図示せずを経由してエンクロージャの外部へ排出される。電圧が電極51及び52に印加されるが、これはエンクロージャ50の内部に電場を生成させダクト55及び56の中に導かれた気体をプラズマに変換する効果を有する。エンクロージャ50の内部での温度や圧力、エンクロージャ50の内部に導かれた気体の性質や流量や比率、プラズマの周波数、電極51及び52の端子に加えられた電力などの異なるパラメータは、生成されるプラズマの化学的組成とその性質、すなわち堆積プラズマであるのかエッチングプラズマであるのかに影響を及ぼす。これらのパラメータに関しては後で詳述する。好ましくは、堆積及びエッチングの双方のために形成されるプラズマは等方性である。これは、プラズマの作用が、プラズマの中に生成されるラディカルを経由して達成されるのが好ましく、任意選択でプラズマのシースにおいて加速されるイオンを経由して実行されることを意味する。基板4の背面430が下側電極52と下側絶縁要素54とに接触しているという事実により、マスクされているためにプラズマが到達不可能である除外領域540が背面430の上に画定されることが可能となる。図面において見られるように、絶縁要素54の外径は背面540の除外領域の直径と厳密に対応するが、その理由は、ルーティングの対象である基板が絶縁要素54と直接的に接しているからである。更に、ルーティングされるべき基板4は、もちろん、環状の絶縁要素54の中心に位置するように位置決めされている。また、上側絶縁要素53により、プラズマが到達不可能でありいわゆる前面除外領域530が基板の前面411の上に画定されることが可能となる。前面除外領域530の直径は、上側絶縁要素53の直径に依存するだけでなく、ルーティングの対象である基板4からの距離にも依存する。そのため、絶縁要素53が基板の前面411から離れれば離れるほど、前面除外領域530の直径は小さくなり図7Aを参照のこと、逆に、絶縁要素53が基板の前面411に近づけば近づくほど、前面除外領域530の直径は大きくなる図7Bを参照のこと。プラズマが到達不可能なままの基板4の環状周縁領域、すなわち、上述した領域530及び540の外部に延長する領域には、参照番号500が付されている。次に、ルーティング方法の異なるステップについて説明する。ルーティングの対象である基板4がエンクロージャ5の中に導かれ、基板4の背面430が絶縁要素54と下側電極52とに接するように配置された後で、プラズマを形成するためのパラメータが、上述した到達可能な環状領域400の上に保護材料層6が積層されるように、調節される。好ましくは、この保護材料6はポリマーである。更に好ましくは、この保護材料6はエチレンC2H4から形成されたプラズマを用いて得られるポリエチレン型のポリマーである。次に、上側絶縁要素53が基板4の前面411により近い位置まで移動されることにより、前面除外領域530が拡大され、その直径が増加する。ただし、絶縁要素53は、基板4の上面411と接触する位置まで移動されることは決してなく、それによって、基板4の上面411の損傷又は汚染が回避される。図7Bに図解されているこの位置では、プラズマのパラメータは、保護材料6の部分的エッチングが達成されるように構成されている。このエッチングが部分的であることにより、保護材料のリング60を基板4の前面411の上に単に維持する可能性が生じる。この部分的エッチングが可能である理由は、前面における除外領域530が拡大されたことによる。図7Aに図解されている絶縁要素53の位置では、リング60が見いだされる領域はプラズマによる到達が可能であり、保護材料6をその領域に積層することができた。他方で、絶縁要素53が低く下げられると、リング60に対応する保護材料の部分は、もはやプラズマによって到達が可能ではなく、したがって、プラズマによってエッチングされることがない。言い換えるならば、前面の除外領域530の表面領域が増加すると、到達可能な領域530の除外領域は縮小される。この縮小された到達可能領域には参照番号500’が付されている。保護材料6をエッチングするプラズマの性質は、もちろん、この保護材料の化学的性質に左右される。たとえば、ポリエチレンの保護材料の場合には、エッチングは、酸素O2に基づくプラズマによって実行される。次のステップは、図7Cに図解されている。上側絶縁要素53を図7Bに図解されている位置に維持しながら、エンクロージャ50の内部に導かれる気体の性質は、プラズマが到達可能な周縁部の環状領域500’において表面層41の材料をエッチングすることができるプラズマを生成するように、変更される。そして、パラメータは、絶縁層42をエッチングするように修正される。たとえば、表面層41を形成している材料がシリコンであるときには、エッチング用のプラズマは、アルゴンと6フッ化硫黄SF6と任意選択で窒素との混合物である。絶縁体42を形成している材料が酸化物であるときには、エッチング用のプラズマは、窒素とトリフルオロメタンCHF3との混合物であり、更に、酸素O2とテトラフルオロメタンCF4との混合物である。図7Cに図解されているように、ルーティングされた基板4は、その前面及び背面だけでなくその側面でも、周縁部において得られる。必要であれば、サポート43の一部を深さPにわたってエッチングするために、ルーティングを継続することもありうる。最後に、図7Dに図解されているように、上側絶縁要素が基板4の前面41から取り除かれ、保護材料のリング60の除去を可能にするエッチング用プラズマを生成するようにプラズマのパラメータが修正される。このエッチング用プラズマは、図7Bに図解されているエッチングのステップにおいて用いられるものと同一であるのが一般的である。以上で説明してきたステップと積層プラズマ又はエッチングプラズマの使用と関係するステップとのすべてについて、プラズマの通常の周波数は13.56MHzである。電力は、100~500Wのオーダーである。プラズマを適用する継続時間は、5~40秒の間で変動する。プラズマの電力と継続時間との組み合わせは、エッチングされる厚さへの効果に著しく影響する。最後に、エンクロージャの内部圧力は、数torr1torrは、約102Paと等しく、より正確には133Paであるのオーダーである。カプセル化このカプセル化は、RTARapidThermalAnnealingという頭文字で知られており洗浄ステップの後で効果的に行われる場合もある急速熱アニーリングを用いて達成されうる。典型的には、これは、オゾンO3/RCAというシーケンスなどの標準的な洗浄であるが、RCAの処理は、SC1標準的な洗浄溶液1を意味する標準的な洗浄1という頭文字で知られており、水酸化アンモニウムNH4OHと過酸化水素H2O2と脱イオン水との混合物で構成される溶液の第1の液漕と、SC2標準的な洗浄溶液2を意味する標準的な洗浄2という頭文字で知られており、塩酸HClと過酸化水素H2O2と脱イオン水との混合物で構成される溶液の第2の液漕とを用いて表面を連続的に処理することから構成される。RTA処理は、高温かつ短時間で実行される。この熱処理は、好ましくは約1150°C~1300°Cの範囲の温度で、より好ましくは約1200°Cで実行される。この処理は、15秒~5分という継続時間で、好ましくは3分未満の間で行われる。このRTAは、好ましくは、水素及び/又はアルゴンの雰囲気の中で達成される。カプセル化処理は、エピタキシによっても実行されうる。カプセル化は、エピタキシが後に続くRTA処理によって、又は、逆にRTA処理が後に続くエピタキシによって、達成されうる。なお、これらのステップは、先に説明した場合と同じ条件の下で達成される。カプセル化は、レーザアニーリングレーザアニールを用いても達成されうる。なお、このアニーリングは、任意選択で、表面層41と絶縁体42とを備えルーティングのなされたフィルムのエッジに対して局所的に限定されることがある。本発明による方法は、多くの効果を奏する。本発明による方法を用いると、カプセル化された部分の周囲に幅L1の周縁部のクラウンを得ることが可能であり、その際に、SeOI基板の周囲全体に規則的であるだけではなく、ある基板から別の基板に再生可能な態様でも可能である図6Cを参照のこと。本発明による方法は、更に、作成される基板の全体的な欠陥を実質的に削減することを可能にする。実際に、ルーティングステップによると、フレーク44とギザギザのエッジ45とを除去することが可能になるだけではなく、エッジに存在する微粒子の大部分を除去することも可能になる。これらのルーティングステップによって除去されるべきものは、ルーティングステップが存在しない場合には、RTA処理に先行する洗浄ステップの間にSeOIの表面層41の上に積層されてしまう可能性がある。このルーティングステップがなければ、このような半導電性材料の微粒子は、基板の周縁部から中心に向かって移動され、RTA処理の間に基板の上に確定的に密封される可能性がある。最後に、本発明の特定の応用として、犠牲酸化ステップと脱酸素ステップとを含む仕上げ処理がある。本発明による仕上げ処理を含む2つの例示的な方法について、ここで言及しておく。第1の方法は、層の転移を実行しSOI基板を得るための剥離ステップと、本発明の方法によるカプセル化処理ステップが後に続くルーティングステップと、第1の脱酸素ステップが後に続く第1の犠牲酸化ステップと、RTA処理ステップと、任意選択で、第2の脱酸素ステップが後に続く第2の犠牲酸化ステップとを含む。第2の方法は、層の転移を実行しSOI基板を得る剥離ステップと、RTA処理ステップと、第1の脱酸素ステップが後に続く第1の犠牲酸化ステップと、本発明の方法によるカプセル化処理ステップが後に続くルーティングステップと、任意選択で、第2の脱酸素ステップが後に続く第2の犠牲酸化ステップとを含む。これらの方法は、共に、部分的に又は完全に空乏化されたSOIへの応用が意図されている基板を提供するのに特に用いられる。"