内部に導電体を含むセラミック体であって、導電体とセラミック体の間の空隙にポリマーが充填されている、セラミック体。内部に導電体を含むセラミック体の製造方法であって、導電体とセラミック体の間の空隙に、モノマーを含む超臨界流体を浸入させるステップと、前記モノマーを重合させることにより、前記導電体と前記セラミック体の間の空隙にポリマーを充填するステップとを備えた、セラミック体の製造方法。前記超臨界流体は、超臨界状態の二酸化炭素である、請求項2に記載のセラミック体の製造方法。前記セラミック体は、積層された複数のセラミック層と、この複数のセラミック層の間に介在した導電体層とを含むセラミック積層体である、請求項2または請求項3に記載のセラミック体の製造方法。前記セラミック積層体において、前記導電体層と前記セラミック層の間の界面が露出している、請求項4に記載のセラミック体の製造方法。前記モノマーを重合させることにより得られたポリマーが、ポリイミドである、請求項2から請求項5までのいずれか1項に記載のセラミック体の製造方法。特許文献1に記載されたチップ型電子部品の構成では、外部端子電極に撥水性の物質が残留する。このため、後工程でめっき層を形成する場合に、外部端子電極の表面においてめっき析出不良が発生しやすくなり、はんだ付けでチップ型電子部品を基板等に実装する場合に不良が発生する場合がある。また、特許文献1に記載されたチップ型電子部品の構成では、外部端子電極に残留する撥水性物質の量が少なければ、電子部品素体へ水分が浸入するのを抑制する効果が得られず、外部端子電極に残留する撥水性物質の量が多ければ、めっき析出不良が発生する。このため、外部端子電極に、撥水性を有する部材を含浸させるための処理条件を制御することが困難である。一方、特許文献2では、セラミック積層体を金属アルコキシド等の有機金属溶液中に浸漬してセラミック積層体内または外部電極内の隙間等の欠陥内に無機酸化物を埋め込んでいる。しかし、この方法では、ナノレベルの微細な空隙にまで無機酸化物を充填することができないので、水分が空隙に浸入するのを抑制する効果が不十分である。そこで、本発明の目的は、内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能なセラミック体およびその製造方法を提供することである。本発明に従ったセラミック体は、内部に導電体を含むセラミック体であって、導電体とセラミック体の間の空隙にポリマーが充填されている。このように構成することにより、内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。本発明に従ったセラミック体の製造方法は、内部に導電体を含むセラミック体の製造方法であって、以下のステップを備える。a導電体とセラミック体の間の空隙に、モノマーを含む超臨界流体を浸入させるステップ。bモノマーを重合させることにより、導電体とセラミック体の間の空隙にポリマーを充填するステップ。本発明のセラミック体の製造方法において用いられる超臨界流体は、液体のように高い溶解力を有するため、超臨界流体にモノマーを溶解させることができる。また、超臨界流体は、気体のように高い拡散係数を有し、浸透性に優れるので、モノマーが溶解した超臨界流体を、ナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。これにより、導電体とセラミック体の間の空隙に、モノマーを含む超臨界流体を浸入させるステップにおいて、モノマーが溶解した超臨界流体を、導電体とセラミック体の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。そして、モノマーを重合させることにより、導電体とセラミック体の間の空隙にポリマーを充填するステップにおいて、ポリマーを、導電体とセラミック体の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることができる。したがって、内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。本発明のセラミック体の製造方法において、超臨界流体は、超臨界状態の二酸化炭素であることが好ましい。二酸化炭素は、臨界温度31.1°C、臨界圧力7.38Mpaであり、この臨界温度以上でかつ臨界圧力以上では超臨界状態になる。このため、二酸化炭素は、比較的温和な条件で超臨界状態にすることができる。また、超臨界状態の二酸化炭素は、毒性もなく、化学的に不活性であるので、高純度なものが安価に入手できるので利用しやすい。さらに、超臨界状態の二酸化炭素は、常温常圧にすることにより、大気中に含まれている状態の二酸化炭素になる。このため、導電体とセラミック体の間の空隙に浸入した超臨界状態の二酸化炭素を常温常圧にして大気中に放出することにより、容易に除去することができる。また、本発明のセラミック体の製造方法において、セラミック体は、積層された複数のセラミック層と、この複数のセラミック層の間に介在した導電体層とを含むセラミック積層体であることが好ましい。この場合、セラミック積層体からなるセラミック電子部品の製造方法に本発明の製造方法を適用することができる。たとえば、本発明の製造方法を適用すると、セラミック積層体を含む電子部品において、外部電極層を形成する前に、ポリマーを、導電体とセラミック体の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることによって、導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。したがって、外部電極層の表面にめっき析出を阻害する物質が残留することがない。これにより、後工程でめっき層を形成する場合に、外部端子電極の表面においてめっき析出不良が発生することもなく、はんだ付けでチップ型電子部品を基板等に実装する場合に不良が発生することもない。さらに、セラミック積層体において、導電体層とセラミック層の間の界面が露出している場合、本発明の製造方法を適用することによって、導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。また、本発明のセラミック体の製造方法において、モノマーを重合させることにより得られたポリマーが、ポリイミドであることが好ましい。以上のように本発明によれば、内部に導電体を含むセラミック体において導電体とセラミック体の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。これにより、たとえば、チップ型の積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法に本発明を適用することによって、絶縁抵抗の低下を防止することができ、積層セラミック電子部品の信頼性を向上させることができる。まず、本発明のセラミック体の一例である積層セラミックコンデンサについて説明する。図1と図2は一般的な積層セラミックコンデンサの製造工程を示す断面図である。まず、セラミック原料粉末を含むスラリーを準備する。このスラリーをシートに成形し、セラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの表面上には、内部電極層の原材料である導電性ペーストを所定のパターンに従って塗布する。この導電性ペーストは、金属粉末、溶剤およびワニスから構成される。次に、導電性ペーストが塗布された複数のセラミックグリーンシートを積層し、熱圧着することにより、一体化された生の積層体を作製する。図1に示すように、この生の積層体を焼成することにより、セラミック体としてのセラミック積層体10を作製する。このセラミック積層体10の内部には、内部の導電体として複数の内部電極層11が形成されている。内部電極層11の一部の端面は、セラミック積層体10の外部表面に露出している。次に、図2に示すように、内部電極層11の一部の端面が露出したセラミック積層体10の外表面の上に、導電性樹脂を付着させる。これにより、特定の内部電極層11に電気的に接続されるように、セラミック積層体10の外表面の上に外部電極層12が形成される。最後に、はんだ付け性能を高めるために、必要に応じて外部電極層12の表面に第1と第2のめっき層13、14を形成する。このようにして製造された積層セラミックコンデンサ1は、たとえば、BaTiO3系化合物を含む直方体状のセラミック積層体10を備えている。セラミック積層体10は、複数の図では一例として6つの積層されたセラミック層10a、10b、10c、10d、10e、10fと、複数のセラミック層10a、10b、10c、10d、10e、10f間の界面に沿って形成された複数の図では一例として5つの内部電極層11とを備えている。内部電極層11は、セラミック積層体10の外表面にまで到達するように形成されている。セラミック積層体10の一方の端面にまで引き出される内部電極層11と他方の端面にまで引き出される内部電極層11とが、セラミック積層体10の内部において、誘電体セラミック層を介して静電容量を取得できるように交互に配置されている。なお、内部電極層11の導電材料は、コスト低減の点から、ニッケルまたはニッケル合金であることが好ましい。前述した静電容量を取り出すために、セラミック積層体10の外表面上であって、端面上には、内部電極層11のいずれか特定のものに電気的に接続されるように、外部電極層12が形成されている。外部電極層12に含まれる導電材料としては、内部電極層11の場合と同じ導電材料を用いることができ、さらに、銀、パラジウム、銀-パラジウム合金なども用いることができる。外部電極層12は、導電性樹脂から形成される。なお、上記の説明では外部電極層12として導電性樹脂からなる電極層の例を示したが、外部電極層12は、導電性樹脂からなる電極層に限定されず、スパッタリングによって形成される薄膜外部電極でもよく、めっきによって形成される電極でもよく、その他の形成方法による電極でもよい。また、外部電極層12上には、必要に応じて、ニッケル、銅などからなる第1のめっき層13が形成され、さらにその上には、半田、錫などからなる第2のめっき層14が形成される。本発明のセラミック体の製造方法は、図1と図2に示される積層セラミックコンデンサの製造工程の間に適用される。まず、本発明のセラミック体の製造方法は、図1に示されるように、導電体としての内部電極層11と、セラミック体としてのセラミック積層体10の間の空隙に、モノマーを含む超臨界流体、たとえば、超臨界状態の二酸化炭素を浸入させる。具体的には、上記の製造工程は、超臨界流体を保持することが可能な所定の耐熱耐圧容器等の内部で行われる。次に、モノマーを重合させることにより、内部電極層11とセラミック積層体10の間の空隙にポリマーを充填する。上記で用いられる超臨界流体は、液体のように高い溶解力を有するため、超臨界流体にモノマーを溶解させることができる。また、超臨界流体は、気体のように高い拡散係数を有し、浸透性に優れるので、モノマーが溶解した超臨界流体を、ナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。これにより、内部電極層11とセラミック積層体10の間の空隙に、モノマーを含む超臨界流体を浸入させるステップにおいて、モノマーが溶解した超臨界流体を、内部電極層11とセラミック積層体10の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで浸入させることができる。そして、モノマーを重合させることにより、内部電極層11とセラミック積層体10の間の空隙にポリマーを充填するステップにおいて、ポリマーを、内部電極層11とセラミック積層体10の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることができる。このとき、モノマーが溶解した超臨界流体は微細な空隙に浸入することができるが、モノマーを重合させることにより生成されたポリマーは超臨界流体に溶解しなくなり、空隙を閉塞する。なお、超臨界流体は、モノマーを重合させた後に除去すればよい。したがって、内部に導電体を含むセラミック体の一例として、積層セラミックコンデンサ1において内部電極層11とセラミック積層体10の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。本発明のセラミック体の製造方法では、用いられるモノマーに応じて各種の重合法を適用することができる。モノマーの代わりにモノマー前駆体を用いてもよい。重合開始剤または触媒を溶解した超臨界流体を空隙に浸入させることにより、空隙内に予め重合開始剤または触媒を導入した後に、モノマーを含む超臨界流体を空隙内に浸入させてもよい。モノマーの超臨界流体への溶解度を高めるために助溶剤を用いてもよい。なお、内部に導電体を含むセラミック体の例としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、積層チップインダクタ、積層圧電素子、多層セラミック基板、積層チップサーミスタなどを挙げることができる。上述したように、本発明のセラミック体の製造方法において、超臨界流体は、超臨界状態の二酸化炭素であることが好ましい。二酸化炭素は、臨界温度31.1°C、臨界圧力7.38Mpaであり、この臨界温度以上でかつ臨界圧力以上では超臨界状態になる。このため、二酸化炭素は、比較的温和な条件で超臨界状態にすることができる。また、超臨界状態の二酸化炭素は、毒性もなく、化学的に不活性であるので、高純度なものが安価に入手できるので利用しやすい。さらに、超臨界状態の二酸化炭素は、常温常圧にすることにより、大気中に含まれている状態の二酸化炭素になる。このため、内部電極層11とセラミック積層体10の間の空隙に浸入した超臨界状態の二酸化炭素を常温常圧にして大気中に放出することにより、容易に除去することができる。また、本発明のセラミック体の製造方法において、上述したように、セラミック体は、積層された複数のセラミック層10a、10b、10c、10d、10e、10fと、この複数のセラミック層10a、10b、10c、10d、10e、10fの間に介在した導電体層としての複数の内部電極層11を含むセラミック積層体10であることが好ましい。この場合、セラミック積層体10を含むセラミック電子部品、一例として積層セラミックコンデンサ1の製造方法に本発明の製造方法を適用することができる。たとえば、本発明の製造方法を適用すると、セラミック積層体10を含む電子部品としての積層セラミックコンデンサ1において、外部電極層12を形成する前に、ポリマーを、内部電極層11とセラミック積層体10の間に存在するナノレベルの微細な空隙にまで充填させることによって、内部電極層11とセラミック積層体10の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。したがって、外部電極層12の表面にめっき析出を阻害する物質が残留することがない。これにより、後工程でめっき層として第1と第2のめっき層13、14を形成する場合に、外部端子電極の表面においてめっき析出不良が発生することもなく、はんだ付けでチップ型電子部品を基板等に実装する場合に不良が発生することもない。さらに、図1に示すようにセラミック積層体10において、導電体層としての内部電極層11とセラミック層10a、10b、10c、10d、10e、10fの間の界面が露出している場合、本発明の製造方法を適用することによって、内部電極層11とセラミック積層体10の間の空隙への水分の浸入をより効果的に防止することが可能になる。また、本発明のセラミック体の製造方法において、モノマーを重合させることにより得られたポリマーとしては、耐熱性、高温高湿環境下での絶縁信頼性等に優れるものがよく、ポリイミドが好ましい。まず、モノマー前駆体として、ピロメリット酸二無水物PMDAとジアミノジフェニルエーテルODAについて、それぞれ、10mmolLのジメチルホルムアミドDMF溶液を調製した。図1に示すようにニッケルからなる内部電極層11が交互に両端面に露出した、積層セラミックコンデンサ1用の焼成後のセラミック積層体10大きさ1.0mm×0.5mm×0.5mmを100個作製した。これらのセラミック積層体10を、内容積が50mlの耐熱耐圧容器内に入れて密閉した。そして、二酸化炭素ガスを耐熱耐圧容器中に導入し、耐熱耐圧容器内の温度と圧力を高めて二酸化炭素を超臨界状態にし、耐熱耐圧容器内の温度を120°C、圧力を20MPaに保持した。次に、耐熱耐圧容器内の温度を120°C、圧力を20MPaに保持したままで、PMDAのDMF溶液と、ODAのDMF溶液を、それぞれ、0.5mLminの流量で、5g/minの流量に調整された二酸化炭素とともに、耐熱耐圧容器内に導入した。120分経過後、PMDAのDMF溶液とODAのDMF溶液の耐熱耐圧容器内への導入を停止し、二酸化炭素のみを耐熱耐圧容器内に導入した。この過程で重合が起こっているものと考えられる。さらに30分経過後、二酸化炭素の耐熱耐圧容器内への導入を停止した。その後、耐熱耐圧容器内を常温常圧に戻すことにより蒸発した二酸化炭素を耐熱耐圧容器外へ排出させて除去した。二酸化炭素が除去された耐熱耐圧容器からセラミック積層体10を取り出した。このようにして、超臨界状態の二酸化炭素に溶解したPMDAとODAが、セラミックス素体の微細欠陥部である、内部電極層11とセラミック積層体10との間の空隙、すなわち、内部電極層11とセラミック層10a、10b、10c、10d、10e、10fとの間の界面に存在する微細な空隙に行き渡り、欠陥部で重合し、ポリアミド酸PAAを生成するものと考えられる。さらに、ポリアミド酸PAAは、イミド化によりポリイミドPIに変化するものと考えられる。次に、セラミック積層体10の表面の不要部に付着した生成物ポリイミドを除去した後、図2に示すように、内部電極層11の一部の端面が露出したセラミック積層体10の外表面の上に、外部電極層12の原材料である導電性樹脂を付着させた。これにより、特定の内部電極層11に電気的に接続されるように、セラミック積層体10の外表面の上に外部電極層12が形成された。最後に、はんだ付け性能を高めるために、電界めっき法により、外部電極層12の表面に、第1のめっき層13としてニッケルNiめっき層、第2のめっき層14としてスズSnめっき層を順次形成した。このようにして、積層セラミックコンデンサ1を作製した。得られた積層セラミックコンデンサ1の断面を観察したところ、セラミックス素体の微細欠陥部である、内部電極層11とセラミック積層体10との間の空隙、すなわち、内部電極層11とセラミック層10a、10b、10c、10d、10e、10fとの間の界面に存在する微細な空隙が、ポリマーとしてのポリイミドで充填されていることを確認した。その結果、セラミックス素体の微細欠陥部がポリイミドにより閉塞され、水分の浸入を遮断することができる。これにより、積層セラミックコンデンサ1の耐湿負荷試験において寿命特性が向上する、すなわち、積層セラミックコンデンサ1の信頼性が向上する。今回開示された実施の形態と実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は以上の実施の形態と実施例ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正と変形を含むものであることが意図される。