酸化物半導体膜と、ゲート電極と、前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、前記ゲート電極上に重畳して前記酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に接して、酸化ガリウムを含む第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に接して第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、前記レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、前記コンタクトホールを介して、前記ゲート電極、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法。酸化物半導体膜と、ゲート電極と、前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に接して、酸化ガリウムを含む第1の絶縁膜を形成し、前記酸化物半導体膜上に重畳して、前記第1の絶縁膜上に接して前記ゲート電極を形成し、前記第1の絶縁膜上に接して第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、前記レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、前記コンタクトホールを介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法。前記第1の絶縁膜における前記コンタクトホールの直径は、前記第2の絶縁膜における前記コンタクトホールの直径より小さくする、請求項1または2に記載の半導体装置の作製方法。前記第2の絶縁膜の膜厚は、前記第1の絶縁膜の膜厚より大きくする、請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。前記ドライエッチングにおいて、フッ素を含むガスを用いる請求項1乃至4のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。前記第1の絶縁膜はさらに、酸化アルミニウムを含み、前記ドライエッチングにおいて、塩素を含むガスを用いる請求項1乃至5のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。前記第1の絶縁膜は加熱しながら形成する請求項1乃至6のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。しかしながら、酸化物半導体は、酸素の不足などによる化学量論的組成からのずれや、デバイス作製工程において電子供与体を形成する水素や水の混入などが生じると、その電気伝導度が変化する恐れがある。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタなどの半導体装置にとって、電気的特性の変動要因となる。上述の問題に鑑み、電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。また、上記電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製において、発生し得る不具合を解消することを目的の一つとする。本発明の一態様では、酸化物半導体膜に含まれる成分元素例えば、酸化ガリウムを含む絶縁膜を、酸化物半導体膜と接する態様で設け、且つ当該絶縁膜のエッチング工程において直接的な湿式処理を伴わないことにより、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面の状態を良好に保つ。より具体的には、例えば、次のような構成を採用することができる。開示する発明の一態様は、酸化物半導体膜と、ゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、ゲート電極上に重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上に接して、酸化ガリウムを含む第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に接して第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。開示する発明の他の一態様は、酸化物半導体膜と、ゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上に接して、酸化ガリウムを含む第1の絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜上に重畳して、第1の絶縁膜上に接してゲート電極を形成し、第1の絶縁膜上に接して第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。上記において、第1の絶縁膜におけるコンタクトホールの直径は、第2の絶縁膜におけるコンタクトホールの直径より小さくすることが好ましい。また、第2の絶縁膜の膜厚は、第1の絶縁膜の膜厚より大きくすることが好ましい。また、ドライエッチングにおいて、フッ素を含むガスを用いることが好ましい。また、第1の絶縁膜がさらに酸化アルミニウムを含む場合、ドライエッチングにおいて、塩素を含むガスを用いることが好ましい。また、第1の絶縁膜は加熱しながら形成することが好ましい。なお、酸化物半導体膜は、i型化されたものであることが望ましい。ここで、i型真性の酸化物半導体とは、酸化物半導体にとってのn型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化すると共に、酸素を供給して酸素不足欠陥を低減した酸化物半導体をいう。i型化された酸化物半導体膜では、電子供与体である水素原子が十分に低減されており、また、酸素不足に起因する欠陥が十分に低減されているため、これらに起因する界面特性の悪化を抑制することができる。なお、酸化物半導体の高純度化には、トランジスタの電気的特性変動抑止の効果もある。よって、酸化物半導体の高純度化は、トランジスタの諸特性の向上に極めて効果的である。本発明の一態様により、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面の状態を良好に保つことができる半導体装置の作製方法を提供することができる。このため、電気的特性が向上した半導体装置の作製方法を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下の説明において、各図面間で共通する部位においては、同じ符号を通して用い、重複する説明については省略する。なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。実施の形態1本実施の形態では、半導体装置および半導体装置の作製方法の一形態を、図1乃至図4を用いて説明する。トランジスタ110の作製工程図1A乃至図1Eに、開示する発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例として、トランジスタ110の作製工程の断面図を示す。ここで、トランジスタ110は、基板200上の、ゲート電極202、絶縁膜204、酸化物半導体膜206、ソース電極208a、ドレイン電極208b、絶縁膜210、絶縁膜212および配線216を含む。図1Eに示すトランジスタにおいて、酸化ガリウムを含む絶縁膜210は、酸化物半導体膜206に接して設けられており、酸化ガリウムを含む絶縁膜210上に接して絶縁膜212が設けられている。また、配線216は絶縁膜212および絶縁膜210に形成されたコンタクトホール218を介してソース電極208aと電気的に接続されている。ここで、酸化物半導体膜206は水素や水などの不純物が十分に除去されることにより、または、十分な酸素が供給されることにより、高純度化されたものであることが望ましい。具体的には、例えば、酸化物半導体膜206の水素濃度は5×1019atoms/cm3以下、望ましくは5×1018atoms/cm3以下、より望ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。なお、上述の酸化物半導体膜206中の水素濃度は、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectrometryで測定されるものである。このように、水素濃度が十分に低減されて高純度化され、十分な酸素の供給により酸素欠乏に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された酸化物半導体膜206では、キャリア濃度が1×1012/cm3未満、望ましくは、1×1011/cm3未満、より望ましくは1.45×1010/cm3未満となる。例えば、室温25°Cでのオフ電流ここでは、単位チャネル幅1μmあたりの値は100zA1zAゼプトアンペアは1×10-21A以下、望ましくは10zA以下となる。このように、i型化された酸化物半導体を用いることで、良好な電気特性のトランジスタを得ることができる。ここで、酸化物半導体膜206に用いられる酸化物半導体材料には、ガリウムを含むものが多い。このため、酸化ガリウムを含む材料を用いて、酸化物半導体膜と接する絶縁膜204または絶縁膜210を形成すると、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができる。例えば、酸化物半導体膜と酸化ガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを低減することができる。これは、酸化ガリウムを含む材料と、酸化物半導体材料との相性が良いことによる。なお、絶縁膜204または絶縁膜210に酸化物半導体の成分元素と同じ族の元素を用いる場合には、同様の効果を得ることが可能である。つまり、酸化アルミニウムなどを含む材料を加えて絶縁膜204または絶縁膜210を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体膜への水の侵入防止という点においても好ましい。例えば、上述のガリウムとアルミニウムを含有する酸化アルミニウムガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムなどの材料を、絶縁膜204または絶縁膜210に用いても良い。この場合、ガリウムを含有することに起因する効果と、アルミニウムを含有することに起因する効果を合わせて得ることができるため、好適である。例えば、酸化物半導体膜と酸化アルミニウムガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体膜への水の侵入を防ぎ、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを十分に低減することができる。以下、図1A乃至図1Eを用いて、図1Eに示すトランジスタ110の作製工程の一例について説明する。まず、基板200上にゲート電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ゲート電極202を形成する。その後、ゲート電極202を覆うように絶縁膜204を形成する図1A参照。基板200の材質等に大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板200として用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板200として用いてもよい。また、基板200として、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板上にトランジスタを設ける場合、例えば、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込むことができる。ゲート電極202に用いる導電膜としては、例えば、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を主成分とする合金材料などを用いることができる。ゲート電極202は、単層構造としても良いし、積層構造としてもよい。導電膜の加工は、所望の形状のマスクを導電膜上に形成した後、当該導電膜をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、レジストマスクなどを用いることができる。絶縁膜204は、トランジスタ110のゲート絶縁膜として機能する。絶縁膜204は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの材料を用いて形成する。また、絶縁膜204は、酸化ガリウムを含む材料を用いて形成することもできる。また、酸化ガリウムを含む材料として、さらに酸化アルミニウムを加えた、酸化アルミニウムガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムを含む材料などを用いてもよい。ここで、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量原子よりアルミニウムの含有量原子が多いものを示し、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量原子がアルミニウムの含有量原子以上のものを示す。また、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、ハフニウムシリケートHfSixOyx>0、y>0、窒素が添加されたハフニウムシリケートHfSixOyx>0、y>0、窒素が添加されたハフニウムアルミネートHfAlxOyx>0、y>0、などの比誘電率が高い材料を採用しても良い。絶縁膜204は、上述の材料を用いて単層構造または積層構造で形成することができる。絶縁膜204として酸化ガリウム膜を用いた場合、Ga2O3αα>0とすることが好ましい。αは、3.04以上3.09以下とすることが好ましい。または、絶縁膜204として酸化アルミニウムガリウム膜を用いた場合、AlxGa2-xO3α1<x<2、α>0とすることが好ましい。または、絶縁膜204として酸化ガリウムアルミニウム膜を用いた場合、酸素ドープを行うことにより、AlxGa2-xO3α0<x≦1、α>0とすることが好ましい。なお、酸化物半導体膜に用いられる酸化物半導体材料には、ガリウムを含むものが多い。このため、酸化ガリウムを含む材料を用いて、酸化物半導体膜と接する絶縁膜204を形成する場合には、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができる。例えば、酸化物半導体膜と酸化ガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを低減することができる。これは、酸化ガリウムを含む材料と、酸化物半導体材料との相性が良いことによる。なお、絶縁膜204に酸化物半導体の成分元素と同じ族の元素を用いる場合には、同様の効果を得ることが可能である。つまり、酸化アルミニウムなどを含む材料を加えて絶縁膜204を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体膜への水の侵入防止という点においても好ましい。例えば、上述のガリウムとアルミニウムを含有する酸化アルミニウムガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムなどの材料を、絶縁膜204に用いても良い。この場合、ガリウムを含有することに起因する効果と、アルミニウムを含有することに起因する効果を合わせて得ることができるため、好適である。例えば、酸化物半導体膜と酸化アルミニウムガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体膜への水の侵入を防ぎ、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを十分に低減することができる。絶縁膜204は、水素、水などの不純物を混入させない方法を用いて成膜することが好ましい。絶縁膜204に水素、水などの不純物が含まれると、後に形成される酸化物半導体膜に水素、水などの不純物の侵入や、水素、水などの不純物による酸化物半導体膜中の酸素の引き抜き、などによって酸化物半導体膜のバックチャネルが低抵抗化n型化してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがあるためである。よって、絶縁膜204はできるだけ水素、水などの不純物が含まれないように作製することが好ましい。例えば、スパッタリング法によって成膜するのが好ましく、成膜する際に用いるスパッタガスとしては、水素、水などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。スパッタリング法としては、直流電源を用いるDCスパッタリング法、パルス的に直流バイアスを加えるパルスDCスパッタリング法、又はACスパッタリング法などを用いることができる。ここで、AC放電を用いるスパッタリング法について図4を用いて説明する。AC放電は、隣接するターゲットが互いにカソード電位とアノード電位を繰り返す。図4Aに示す期間Aでは、図4B1に示すようにターゲット301がカソードとして機能し、ターゲット302がアノードとして機能する。また、図4Aに示す期間Bでは、図4B2に示すようにターゲット301がアノードとして機能し、ターゲット302がカソードとして機能する。期間Aと期間Bを合わせると20~50μsecであり、期間Aと期間Bを一定周期で繰り返している。このように、隣接して配置される2つのターゲットのカソードとアノードを交互に入れ替えることで、放電を安定なものとすることができる。その結果、大面積の基板を用いた場合においても均一に放電が可能となるため、大面積の基板に対しても均一な膜特性を得ることができる。また、大面積の基板を用いることができるため、量産性を向上させることができる。例えば、ACスパッタリング法において、ターゲット301に酸化アルミニウムを用い、ターゲット302に酸化ガリウムを用いることにより、酸化ガリウムアルミニウム膜または酸化アルミニウムガリウム膜を形成することができる。また、ターゲット301およびターゲット302に、アルミニウムパーティクルが添加された酸化ガリウムターゲットを用いてもよい。アルミニウム元素が添加された酸化ガリウムターゲットを用いることにより、ターゲットの導電性を高めることができるため、ACスパッタリング時の放電を容易なものとすることができる。次に、絶縁膜204に対して、酸素ドープ処理を行うことが好ましい。酸素ドープとは、酸素少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含むをバルクに添加することをいう。なお、当該バルクの用語は、酸素を薄膜表面のみでなく薄膜内部に添加することを明確にする趣旨で用いている。また、酸素ドープには、プラズマ化した酸素をバルクに添加する酸素プラズマドープが含まれる。絶縁膜204に対して、酸素ドープ処理を行うことにより、絶縁膜204には化学量論的組成比より酸素が多い領域が形成される。このような領域を備えることにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素不足欠陥を低減することができる。なお、欠陥酸素欠損のない酸化物半導体を用いる場合であれば、絶縁膜204には、化学量論的組成に一致した量の酸素が含まれていれば良いが、トランジスタのしきい値電圧の変動を抑えるなどの信頼性を確保するためには、酸化物半導体膜に酸素欠損の状態は生じ得ることを考慮して、絶縁膜204の酸素を化学量論的組成より多くしておくことが好ましい。このように、酸素ドープ処理を行うことにより、絶縁膜204として酸化ガリウムを用いた場合、Ga2O3αα>0とし、αは、3.04以上3.09以下とすることが容易にできる。また、絶縁膜204として酸化アルミニウムガリウム膜を用いた場合、AlxGa2-xO3α1<x<2、α>0とすることが容易にできる。また、絶縁膜204として酸化ガリウムアルミニウム膜を用いた場合、AlxGa2-xO3α0<x≦1、α>0とすることが容易にできる。次に、絶縁膜204上に酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半導体膜206を形成する図1B参照。酸化物半導体膜206に用いる材料としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系の材料、In-Sn-Zn-O系の材料、In-Al-Zn-O系の材料、Sn-Ga-Zn-O系の材料、Al-Ga-Zn-O系の材料、Sn-Al-Zn-O系の材料や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系の材料、Sn-Zn-O系の材料、Al-Zn-O系の材料、Zn-Mg-O系の材料、Sn-Mg-O系の材料、In-Mg-O系の材料、In-Ga-O系の材料や、単元系金属の酸化物であるIn-O系の材料、Sn-O系の材料、Zn-O系の材料などを用いることができる。また、上記の材料にSiO2を含ませてもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系の材料とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物膜、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。また、酸化物半導体膜206は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される材料を用いた薄膜とすることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、GaおよびMn、またはGaおよびCoなどを用いることができる。また、酸化物半導体膜206の厚さは、3nm以上30nm以下とするのが望ましい。酸化物半導体膜206を厚くしすぎると例えば、膜厚を50nm以上、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。酸化物半導体膜は、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が混入しにくい方法で作製するのが望ましい。例えば、スパッタリング法などを用いて作製することができる。本実施の形態では、酸化物半導体膜を、In-Ga-Zn-O系の酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。In-Ga-Zn-O系の酸化物ターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料および組成を上述に限定する必要はない。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比の酸化物ターゲットを用いることもできる。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。酸化物ターゲットの充填率は、90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下とする。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜を緻密な膜とすることができるためである。成膜の雰囲気は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜への水素、水などの不純物の混入を防ぐために、水素、水などの不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。例えば、酸化物半導体膜は、次のように形成することができる。まず、減圧状態に保持された成膜室内に基板200を保持し、基板温度が、200°Cを超えて500°C以下、好ましくは300°Cを超えて500°C以下、より好ましくは350°C以上450°C以下となるように加熱する。次に、成膜室内の残留水分を除去しつつ、水素、水などの不純物が十分に除去された高純度ガスを導入し、上記ターゲットを用いて絶縁膜204上に酸化物半導体膜を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、排気手段として、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプを用いることが望ましい。また、排気手段は、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素、水などの不純物より好ましくは炭素原子を含む化合物もなどが除去されているため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる水素、水などの不純物の濃度を低減することができる。成膜中の基板温度が低温例えば、100°C以下の場合、酸化物半導体膜に水素、水などの不純物が混入するおそれがあるため、基板200を上述の温度で加熱することが好ましい。基板200を上述の温度で加熱して、酸化物半導体膜の成膜を行うことにより、基板は高温となるため、水素結合は熱により切断され、酸化物半導体膜に取り込まれにくい。したがって、基板200が上述の温度で加熱された状態で、酸化物半導体膜の成膜を行うことにより、酸化物半導体膜に含まれる水素、水などの不純物の濃度を十分に低減することができる。また、スパッタリングによる損傷を軽減することができる。なお、酸化物半導体膜に含まれる水の含有量の測定法としては、昇温脱離分析法TDS:ThermalDesorptionSpectroscopyが挙げられる。例えば、室温から400°C程度に温度を上げていくことにより、200°Cから300°C程度にかけて酸化物半導体膜に含まれる水、水素、水酸基などの脱離を観測することができる。成膜条件の一例として、基板とターゲットの間との距離を60mm、圧力を0.4Pa、直流DC電源を0.5kW、基板温度を400°C、成膜雰囲気を酸素酸素流量比率100雰囲気とする。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、膜厚分布も均一となるため好ましい。なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜204の表面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、基板に電圧を印加し、基板近傍にプラズマを形成して、基板側の表面を改質する方法である。なお、アルゴンに代えて、窒素、ヘリウム、酸素などのガスを用いてもよい。酸化物半導体膜の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体膜上に形成した後、当該酸化物半導体膜をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。なお、酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。このようにして形成された酸化物半導体膜206に対して、熱処理第1の熱処理を行ってもよい。熱処理を行うことによって、酸化物半導体膜206中に含まれる水素、水などの不純物をさらに除去し、酸化物半導体膜206の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。熱処理の温度は、不活性ガス雰囲気下、250°C以上700°C以下、好ましくは450°C以上600°C以下、または基板の歪み点未満とする。不活性ガス雰囲気としては、窒素、または希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン等を主成分とする雰囲気であって、水素、水などの不純物が含まれない雰囲気を適用するのが望ましい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上すなわち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とする。熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下、450°C、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜206は大気に触れさせず、水素、水などの不純物の混入が生じないようにする。ところで、上述の熱処理には水素、水などの不純物を除去する効果があるから、当該熱処理を、脱水化処理や脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該熱処理は、例えば、酸化物半導体膜を成膜した後などのタイミングにおいて行うことも可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に限らず複数回行っても良い。次に、酸化物半導体膜206に対して、酸素を供給する処理酸素ドープ処理などとも呼ぶを行うことが望ましい。酸素を供給する処理としては、酸素雰囲気における熱処理第2の熱処理や、酸素プラズマによる処理などがある。また、電界で加速した酸素イオンを照射して、酸素を添加してもよい。なお、酸素の添加をより好適に行うために、基板には電気的なバイアスを加えておいても良い。酸化物半導体膜206に酸素ドープ処理を行うことにより、酸化物半導体膜206中、酸化物半導体膜206界面近傍、または、酸化物半導体膜206中および該界面近傍に酸素を含有させることができる。この場合、酸素の含有量は、酸化物半導体膜の化学量論比を超える程度とするのが望ましい。なお、酸素ドープ処理を行った酸化物半導体膜206に熱処理を行っても良い。当該熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、好ましくは400°C以上600°C以下、または基板の歪み点未満とする。当該熱処理により、酸素と酸化物半導体材料との反応によって生成された水、水酸化物OHなどを酸化物半導体膜から除去することができる。また、当該熱処理によって、上述の酸素ドープ処理において酸化物半導体膜206などに混入した水素なども除去することができる。熱処理は、水、水素などが十分に低減された窒素、酸素、超乾燥空気CRDSキャビティリングダウンレーザー分光法方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が20ppm露点換算で-55°C以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気、希ガスアルゴン、ヘリウムなどなどの雰囲気下で行えばよく、特に酸素を含む雰囲気で行うことが好ましい。また、熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度は、6N99.9999以上即ち不純物濃度を1ppm以下とするのが好ましく、7N99.99999以上即ち不純物濃度を0.1ppm以下とすると、より好ましい。なお、酸素ドープ処理のタイミングは、上記に限定されない。ただし、脱水化等を目的とする熱処理以降に行うことが望ましい。上述のように、脱水化等を目的とする熱処理と、酸素ドープ処理または加酸化を目的とする熱処理とを適用することで、酸化物半導体膜206を、その主成分以外の元素不純物元素が極力含まれないように高純度化することができる。高純度化された酸化物半導体膜206中にはドナーに由来するキャリアが極めて少ない。次に、絶縁膜204および酸化物半導体膜206上に、ソース電極およびドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを形成する図1B参照。なお、ここで形成されるソース電極208aの端部とドレイン電極208bの端部との間隔によって、トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。ソース電極208aおよびドレイン電極208bに用いる導電膜としては、例えば、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。ソース電極208aおよびドレイン電極208bは、単層構造としても良いし、積層構造としてもよい。また、アルミニウム、銅などの金属膜の下側または上側の一方または双方にチタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成を用いても良い。また、ソース電極208aおよびドレイン電極208bに用いる導電膜は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3-SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。導電膜の加工は、所望の形状のマスクを導電膜上に形成した後、当該導電膜をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、レジストマスクなどを用いることができる。当該レジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光などを用いるとよい。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、例えば、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを微細化することが可能であり、回路の動作速度を高めることができる。また、いわゆる多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の膜厚を有する形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体膜206の一部がエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体膜206となることもある。その後、N2O、N2、またはArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体膜206の表面に付着した水素、水などの不純物を除去してもよい。次に、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを覆い、かつ、酸化物半導体膜206の一部と接するように絶縁膜210を形成し、絶縁膜210上に接して絶縁膜212を形成し、それから絶縁膜212上にレジストマスク214を形成する図1C参照。絶縁膜210は、トランジスタ110の保護膜として機能する。絶縁膜210は、酸化ガリウムを含む材料を用いて形成することができる。また、酸化ガリウムを含む材料として、さらに酸化アルミニウムを加えた、酸化アルミニウムガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムを含む材料などを用いてもよい。また、絶縁膜210の膜厚は10nm以上100nm未満とするのが好ましい。ここで、絶縁膜210として酸化ガリウム膜を用いた場合、Ga2O3αα>0とすることができる。αは、3.04以上3.09以下とすることが好ましい。または、絶縁膜210として酸化アルミニウムガリウム膜を用いた場合、AlxGa2-xO3α1<x<2、α>0とすることが好ましい。または、絶縁膜210として酸化ガリウムアルミニウム膜を用いた場合、酸素ドープを行うことにより、AlxGa2-xO3α0<x≦1、α>0とすることが好ましい。絶縁膜210は、水素、水などの不純物を混入させない方法を用いて成膜することが好ましい。絶縁膜210に水素、水などの不純物が含まれると、後に形成される酸化物半導体膜に水素、水などの不純物の侵入や、水素、水などの不純物による酸化物半導体膜中の酸素の引き抜き、などによって酸化物半導体膜のバックチャネルが低抵抗化n型化してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがあるためである。よって、絶縁膜210はできるだけ水素、水などの不純物が含まれないように作製することが好ましい。例えば、スパッタリング法によって成膜するのが好ましい。成膜する際に用いるスパッタガスとしては、水素、水などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。スパッタリング法としては、直流電源を用いるDCスパッタリング法、パルス的に直流バイアスを加えるパルスDCスパッタリング法、又はACスパッタリング法などを用いることができる。なお、絶縁膜210を成膜する際に、基板200を加熱しながら成膜を行うのが好ましい。なお、酸化物半導体膜に用いられる酸化物半導体材料には、ガリウムを含むものが多い。このため、酸化ガリウムを含む材料を用いて、酸化物半導体膜と接する絶縁膜210を形成することで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができる。例えば、酸化物半導体膜と酸化ガリウムを含む絶縁膜210とを接して設けることにより、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを低減することができる。これは、酸化ガリウムを含む材料と、酸化物半導体材料との相性が良いことによる。なお、絶縁膜210に酸化物半導体の成分元素と同じ族の元素を用いる場合には、同様の効果を得ることが可能である。つまり、酸化アルミニウムなどを含む材料を加えて絶縁膜210を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体膜への水の侵入防止という点においても好ましい。例えば、上述のガリウムとアルミニウムを含有する酸化アルミニウムガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムなどの材料を、絶縁膜210に用いても良い。この場合、ガリウムを含有することに起因する効果と、アルミニウムを含有することに起因する効果を合わせて得ることができるため、好適である。例えば、酸化物半導体膜と酸化アルミニウムガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体膜への水の侵入を防ぎ、酸化物半導体膜と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを十分に低減することができる。なお、ここで絶縁膜210に対して、酸素ドープ処理を行ってもよい。酸素ドープとは、酸素少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含むをバルクに添加することをいう。なお、当該バルクの用語は、酸素を薄膜表面のみでなく薄膜内部に添加することを明確にする趣旨で用いている。また、酸素ドープには、プラズマ化した酸素をバルクに添加する酸素プラズマドープが含まれる。絶縁膜210に対して、酸素ドープ処理を行うことにより、絶縁膜210には化学量論的組成比より酸素が多い領域が形成される。このような領域を備えることにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素不足欠陥を低減することができる。なお、欠陥酸素欠損のない酸化物半導体を用いる場合であれば、絶縁膜210には、化学量論的組成に一致した量の酸素が含まれていれば良いが、トランジスタのしきい値電圧の変動を抑えるなどの信頼性を確保するためには、酸化物半導体膜に酸素欠損の状態は生じ得ることを考慮して、絶縁膜210の酸素を化学量論的組成より多くしておくことが好ましい。このように、酸素ドープ処理を行うことにより、絶縁膜210として酸化ガリウム膜を用いた場合、Ga2O3αα>0とし、αは、3.04以上3.09以下とすることが容易にできる。また、絶縁膜210として酸化アルミニウムガリウム膜を用いた場合、AlxGa2-xO3α1<x<2、α>0とすることが容易にできる。また、絶縁膜210として酸化ガリウムアルミニウム膜を用いた場合、AlxGa2-xO3α0<x≦1、α>0とすることが容易にできる。また、絶縁膜212も、トランジスタ110の保護膜として機能する。絶縁膜212は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの材料を用いて、プラズマCVD法またはスパッタ法により形成することができる。また、絶縁膜212の膜厚は絶縁膜210の膜厚より大きくし、好ましくは100nm以上300nm以下とする。このように絶縁膜210と、絶縁膜210より膜厚の大きい絶縁膜212とを積層することにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜210によって酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保ちつつ、絶縁膜212によってトランジスタ110の保護膜として十分な膜厚を確保することができる。また、このようにトランジスタ110の保護膜として機能する、絶縁膜210と絶縁膜212を積層した絶縁膜の膜厚を増加させることにより、トランジスタと後の工程で形成する配線との寄生容量を低減することができる。また、レジストマスク214は、感光性樹脂などを材料として、フォトリソグラフィ法を用いて形成することができる。ここで、酸化ガリウムを含む絶縁膜210は、現像液などによる湿式処理に曝されると、絶縁膜210の設計上必要な領域まで溶解してしまう危険性がある。しかし、本実施の形態で示すように絶縁膜210と絶縁膜212を積層して、絶縁膜212上にレジストマスク214を設けることにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜210が現像液と接することなく、レジストマスク214を形成することができる。よって、酸化ガリウムを含む絶縁膜210の設計上必要な領域が溶解する危険性を伴わずにレジストマスク214を形成することができる。次に、レジストマスク214を用いて、絶縁膜210および絶縁膜212のドライエッチングを行ってコンタクトホール218を形成する図1D参照。ここで、酸化ガリウムを含む絶縁膜210は、ウェットエッチングなどの湿式処理を行うと、設計上必要な領域まで溶解してしまう危険性がある。これにより、特に半導体装置の微細化を図る場合には、酸化ガリウムを含む絶縁膜210を、ウェットエッチングで設計寸法通りに加工することは非常に困難になる。そこで、本実施の形態において、絶縁膜210および絶縁膜212はドライエッチングを用いて加工する。ドライエッチングとしては、平行平板型RIEReactiveIonEtching法や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法などを用いることができる。エッチング条件コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等は、所望の形状にエッチングできるように材料に合わせて適宜設定すればよい。ドライエッチングに用いることができるエッチングガスとしては、フッ素を含むガスフッ素系ガス、例えば四フッ化炭素CF4、六フッ化硫黄SF6、三フッ化窒素NF3、トリフルオロメタンCHF3など、オクタフルオロシクロブタンC4F8、もしくは、これらのガスにヘリウムHeやアルゴンArなどの希ガスを添加したガス、などが挙げられる。このようなフッ素を含むガスを用いて絶縁膜210および絶縁膜212のエッチングを行うことにより、ソース電極208aと高いエッチング選択比でエッチングを行うことができる。例えば、ICPエッチング法を用いたエッチング条件の一例として、エッチングガスにトリフルオロメタンを7.5sccm、ヘリウムを142.5sccm、コイル型の電極に印加される電力量475W、基板側の電極に印加される電力量300W、圧力5.5Pa、下部電極温度70°Cとする。また、塩素を含むガス塩素系ガス、例えば塩素Cl2、三塩化硼素BCl3、四塩化珪素SiCl4、四塩化炭素CCl4などなどを用いてもよい。絶縁膜210として酸化ガリウムおよび酸化アルミニウムを含む絶縁膜を用いる場合には、このような塩素を含むガスを用いることで、容易に絶縁膜210をエッチングすることができる。また、上記ドライエッチングを行う際、酸化ガリウムを含む絶縁膜210のエッチングレートは、絶縁膜212のエッチングレートより小さくなる傾向があるので、図1Dに示すように、絶縁膜210におけるコンタクトホール218の直径を、絶縁膜212におけるコンタクトホール218の直径より小さくすることが容易である。つまり、コンタクトホール218を階段状に形成することができる。このように、コンタクトホール218を階段状に形成することにより、後に形成する配線216の被覆性を向上させることができる。また、エッチング条件エッチングガス、エッチング時間、温度等を適宜設定し、絶縁膜210と絶縁膜212のエッチングレートをほぼ同程度にして、絶縁膜210におけるコンタクトホール218の直径と、絶縁膜212におけるコンタクトホール218の直径が概略一致するような形状のコンタクトホール218を形成してもよい。このように絶縁膜210および絶縁膜212のドライエッチングを行うことにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜210の設計上必要な領域が溶解する危険性を伴わずに絶縁膜210および絶縁膜212にコンタクトホール218を形成することができる。次に、レジストマスク214を酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホール218を介してソース電極208aと電気的に接続するように配線216を形成する図1E参照。ここで、レジストマスク214の除去においてアルカリ性の剥離液を用いると、酸化ガリウムを含む絶縁膜210の設計上必要な領域が溶解してしまう危険性がある。そこで、本実施の形態では、レジストマスク214を酸素プラズマによるアッシングを用いて除去する。酸素プラズマによるアッシング処理は、酸素雰囲気下において、高周波電力などにより酸素をプラズマ化し、当該プラズマ化した酸素によりレジストマスク214の分解除去を行う。このようにレジストマスク214を除去することにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜210の設計上必要な領域が溶解する危険性を伴わずにレジストマスク214を除去することができる。例えば、ICP装置を用いた、酸素プラズマによるアッシング処理の条件の一例として、酸素ガス300sccm、RF電源の電力1800W、圧力66.5Pa、時間180秒とする。また、酸素プラズマによるアッシング処理を行うことにより、レジストマスク214の残渣や当該残渣の反応物を発生させることなくレジストマスク214を除去することができる。よって、レジストマスク214の除去後も絶縁膜212の表面を清浄に保つことができる。配線216は、トランジスタ110のソース電極208aと電気的に接続され、所謂ソース配線として機能する。配線216は、ソース電極208aおよびドレイン電極208bと同様の材料および方法で形成することができる。以上の工程で、酸化ガリウムを含む材料を用いた絶縁膜を用いても、当該絶縁膜に対する直接的な湿式処理を伴わないことにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜の設計上必要な領域が溶解する危険性なく、トランジスタ110を形成することができる図1E参照。なお、図1に示すトランジスタ110の作製工程では、配線216とソース電極208aとを電気的に接続する工程について説明したが、開示する発明はこれに限られるものではない。例えば、同様の方法を用いて、絶縁膜212上に形成された配線とドレイン電極208bと電気的に接続しても良いし、当該トランジスタを画素部に用いる場合、同様の方法を用いて、画素電極とソース電極208aまたはドレイン電極208bとを電気的に接続しても良い。また、同様の方法を用いて、絶縁膜212上に形成された配線とゲート電極これと同じ層で形成される配線を含むとを電気的に接続しても良い。ここで、図2A乃至図2Cを用いて、図1で示したゲート電極202これと同じ層で形成される配線を含むとコンタクトホール224を介して電気的に接続される配線222を絶縁膜212上に形成する工程について説明する。ここで、ゲート電極202と配線222との電気的な接続は、ゲート電極202が、酸化物半導体膜206、ソース電極208aまたはドレイン電極208bと重畳しない領域で行うものとする。まず、図1Cに示す工程まで上述のトランジスタ110の作製工程と同様に行い、ゲート電極202が、酸化物半導体膜206、ソース電極208aまたはドレイン電極208bと重畳しない領域にコンタクトホール224が形成できるようにレジストマスク214を形成する図2A参照。次に、図1Dに示す工程と同様の方法を用いて、絶縁膜204、絶縁膜210および絶縁膜212のドライエッチングを行って、コンタクトホール224を形成する図2B参照。ここで、図1Dに示す工程とは異なり、絶縁膜204も同じ工程でエッチングを行うが、絶縁膜204を絶縁膜210または絶縁膜212と同様の材料を用いて形成することで、同様にエッチングを行うことができる。それから、図1Eに示す工程と同様の方法を用いて、レジストマスク214を酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホール224を介してゲート電極202と電気的に接続するように配線222を形成する図2C参照。ここで、配線222は、所謂ゲート配線として機能し、図1Eに示す配線216と同様の方法および材料を用いて形成することができる。以上より、酸化ガリウムを含む材料を用いた絶縁膜を用いても、当該絶縁膜に対する直接的な湿式処理を伴わないことにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜の設計上必要な領域が溶解する危険性なく、ゲート電極202これと同じ層で形成される配線を含むとコンタクトホール224を介して電気的に接続される配線222を絶縁膜212上に形成することができる。また、図1に示すトランジスタ110の作製工程では、酸化物半導体膜206の下に重畳してゲート電極202が設けられるボトムゲート型のトランジスタ110を作製する工程について説明したが、開示する発明はこれに限られるものではない。例えば、同様の方法を用いて、酸化物半導体膜の上に重畳してゲート電極が設けられるトップゲート型のトランジスタを作製しても良い。ここで、図3A乃至図3Eを用いて、図3Eに示すトップゲート型のトランジスタ310の作製工程の一例について説明する。ここで、トランジスタ310は、基板400上の、酸化物半導体膜406、ソース電極408a、ドレイン電極408b、絶縁膜410、ゲート電極402、絶縁膜412および配線416を含む。図3Eに示すトランジスタにおいて、酸化ガリウムを含む絶縁膜410は、酸化物半導体膜406に接して設けられており、酸化ガリウムを含む絶縁膜410上に接して絶縁膜412が設けられている。また、配線416は絶縁膜412および絶縁膜410に形成されたコンタクトホール418を介してソース電極408aと電気的に接続されている。まず、基板400上に酸化物半導体膜406を形成するための酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜を島状に加工して、酸化物半導体膜406を形成する。その後、酸化物半導体膜406上に接するように、ソース電極およびドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極408aおよびドレイン電極408bを形成する図3A参照。基板400、酸化物半導体膜406、ソース電極408aおよびドレイン電極408bは、図1に示す、基板200、酸化物半導体膜206、ソース電極208aおよびドレイン電極208bと同様の材料および方法を用いて形成することができる。なお、酸化物半導体膜406を形成する前に基板400上に下地絶縁膜を形成しておくのが好ましい。当該下地絶縁膜は、図1に示す絶縁膜204と同様の材料及び方法で形成することができ、好ましくは、酸化ガリウムを含む材料または酸化ガリウムおよび酸化アルミニウムを含む材料を用いて形成する。これにより、酸化物半導体膜と接する界面の状態を良好に保つことができる。次に、酸化物半導体膜406、ソース電極408aおよびドレイン電極408bを覆うように絶縁膜410を形成する。それから、ゲート電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、酸化物半導体膜406と重畳するようにゲート電極402を形成する図3B参照。ゲート電極402は、図1に示すゲート電極202と同様の材料および方法で形成することができる。絶縁膜410は、図1C乃至図1Eに示す絶縁膜210と同様の材料および方法で形成することができる。さらに、絶縁膜410は、図1に示す絶縁膜204と同様の材料からなる絶縁膜を積層するような構造としても良い。このように、絶縁膜410に酸化ガリウムを含む材料を用いることにより、酸化物半導体膜と接する界面の状態を良好に保つことができる。次に、ゲート電極402および絶縁膜410を覆うように、絶縁膜412を形成し、それから絶縁膜412上にレジストマスク414を形成する図3C参照。絶縁膜412およびレジストマスク414は、図1C乃至図1Eに示す、絶縁膜212およびレジストマスク214と同様の材料および方法を用いて形成することができる。次に、レジストマスク414を用いて、絶縁膜410および絶縁膜412のドライエッチングを行ってコンタクトホール418を形成する図3D参照。コンタクトホール418は、図1Dおよび図1Eに示す、コンタクトホール218と同様の方法を用いて形成することができる。それから、レジストマスク414を酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホール418を介してソース電極408aと電気的に接続するように配線416を形成する図3E参照。レジストマスク414の除去は、図1Cおよび図1Dに示す、レジストマスク214の除去と同様の方法で行うことができる。また、配線416は、図1Eに示す配線216と同様の材料および方法で形成することができる。以上の工程で、酸化ガリウムを含む材料を用いた絶縁膜を用いても、当該絶縁膜に対する直接的な湿式処理を伴わないことにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜の設計上必要な領域が溶解する危険性なく、トランジスタ310を形成することができる図3E参照。また、図1または図3に示すトランジスタの作製工程では、少なくとも酸化物半導体膜の上面においてソース電極またはドレイン電極が電気的に接続されるトランジスタを作製する工程について説明したが、開示する発明はこれに限られるものではない。例えば、同様の方法を用いて、少なくとも酸化物半導体膜の下面においてソース電極またはドレイン電極が電気的に接続されるトランジスタを作製してもよい。また、本実施の形態では酸化ガリウムを含む絶縁膜上に接して他の絶縁膜を設けて積層された絶縁膜のエッチング処理を行ったが、開示する発明はこれに限られるものではない。以上、本実施の形態において示すように、酸化ガリウムを含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができる。また、酸化ガリウムを含む材料を用いた絶縁膜のエッチング工程において、当該絶縁膜に対する直接的な湿式処理を伴わないことにより、酸化ガリウムを含む絶縁膜の設計上必要な領域が溶解する危険性なく、当該絶縁膜をエッチングすることができる。これにより、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態2実施の形態1で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。図5Aにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002を囲むようにして、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図5Aにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号および電位は、FPCFlexibleprintedcircuit4018a、4018bから供給されている。図5Bおよび図5Cにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図5Bおよび図5Cにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図5Bおよび図5Cにおいては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号および電位は、FPC4018から供給されている。また図5Bおよび図5Cにおいては、信号線駆動回路4003を別途形成し、第1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COGChipOnGlass方法、ワイヤボンディング方法、或いはTABTapeAutomatedBonding方法などを用いることができる。図5Aは、COG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、図5Bは、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図5Cは、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもしくはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。また第1の基板上に設けられた画素部および走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、実施の形態1で示したトランジスタを適用することができる。表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう、発光素子発光表示素子ともいう、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。半導体装置の一形態について、図6乃至図8を用いて説明する。図6乃至図8は、図5BのM-Nにおける断面図に相当する。図6乃至図8で示すように、半導体装置は接続端子電極4015および端子電極4016を有しており、接続端子電極4015および端子電極4016はFPC4018が有する端子と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。接続端子電極4015は、第1の電極層4030と同じ導電膜から形成され、端子電極4016は、トランジスタ4010、トランジスタ4011のソース電極およびドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。また第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004は、トランジスタを複数有しており、図6乃至図8では、画素部4002に含まれるトランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示している。本実施の形態では、トランジスタ4010、トランジスタ4011として、実施の形態1で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010、トランジスタ4011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図6乃至図8で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。画素部4002に設けられたトランジスタ4010は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図6に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図6において、表示素子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、および液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜4032、絶縁膜4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積層する構成となっている。また、4035は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層4008の膜厚セルギャップを制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために5重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。また、液晶材料の固有抵抗率は、1×109Ωcm以上であり、好ましくは1×1011Ωcm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ωcm以上である。なお、本明細書における固有抵抗率の値は、20°Cで測定した値とする。液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。液晶表示装置には、TNTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticalCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモードなどを用いることができる。また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向VAモードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素ピクセルをいくつかの領域サブピクセルに分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。また、表示装置において、ブラックマトリクス遮光層、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材光学基板などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。また、バックライトとして複数の発光ダイオードLEDを用いて、時間分割表示方式フィールドシーケンシャル駆動方式を行うことも可能である。フィールドシーケンシャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うことができる。また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGBRは赤、Gは緑、Bは青を表すの三色に限定されない。例えば、RGBWWは白を表す、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明する。発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上にトランジスタおよび発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側および基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。図7に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。表示素子である発光素子4513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。なお発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。隔壁4510は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。電界発光層4511は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。発光素子4513に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層4031および隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板4001、第2の基板4006、およびシール材4005によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等やカバー材でパッケージング封入することが好ましい。充填材4514としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置電気泳動ディスプレイとも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第1の粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの無色を含むとする。このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。なお、マイクロカプセル中の第1の粒子および第2の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することができる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層である第1の電極層および第2の電極層の間に配置し、第1の電極層および第2の電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。図8に、半導体装置の一形態としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを示す。図8の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。トランジスタ4010と接続する第1の電極層4030と、第2の基板4006に設けられた第2の電極層4031との間には黒色領域4615aおよび白色領域4615bを有し、周りに液体で満たされているキャビティ4612を含む球形粒子4613が設けられており、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材4614で充填されている。第2の電極層4031が共通電極対向電極に相当する。第2の電極層4031は、共通電位線と電気的に接続される。なお、図6乃至図8において、第1の基板4001、第2の基板4006としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。絶縁層4021は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。絶縁層4021の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコーティング等を用いることができる。表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。表示素子に電圧を印加する第1の電極層および第2の電極層画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいうにおいては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、および電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。第1の電極層4030、第2の電極層4031は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031はタングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、チタンTi、白金Pt、アルミニウムAl、銅Cu、銀Ag等の金属、又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031として、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上の共重合体またはその誘導体などがあげられる。また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。以上のように実施の形態1で例示したトランジスタを適用することで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態3本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図9Aは、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体3001、筐体3002、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。図9Bは、携帯情報端末PDAであり、本体3021には表示部3023と、外部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス3022がある。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末PDAとすることができる。図9Cは、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体2701には表示部2705が組み込まれ、筐体2703には表示部2707が組み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図9Cでは表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図9Cでは表示部2707に画像を表示することができる。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍2700とすることができる。また、図9Cでは、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図9Dは、携帯電話であり、筐体2800および筐体2801の二つの筐体で構成されている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体2801内部に内蔵されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。また、表示パネル2802はタッチパネルを備えており、図9Dには映像表示されている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。表示パネル2802は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2803およびマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図9Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2808はACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電およびパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図9Eは、デジタルビデオカメラであり、本体3051、表示部A3057、接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部B3055、バッテリー3056などによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。図9Fは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置9600とすることができる。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。本実施例では、実施の形態1に係る構成と同様に、第1の酸化シリコンSiOx膜、酸化ガリウムGaOx膜、第2の酸化シリコンSiOx膜の順番で積層した絶縁膜を形成し、当該絶縁膜をフォトリソグラフィ工程を用いてドライエッチングすることにより形成されるコンタクトホールについて評価を行った。まず、本実施例で用いた、第1の酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、第2の酸化シリコン膜の順番で積層した絶縁膜の作製工程について説明する。まず、タングステン基板上に第1の酸化シリコン膜を膜厚が100nmとなるように成膜した。ここで、第1の酸化シリコン膜の成膜はスパッタ法を用いて行い、成膜条件は、アルゴンガス流量25sccm、酸素ガス流量25sccm、RF電源の電力2kW、圧力0.4Pa、温度100°Cとした。次に、第1の酸化シリコン膜上に接して酸化ガリウム膜を膜厚が100nmとなるように成膜した。ここで、酸化ガリウムの成膜はスパッタ法を用いて行い、成膜条件は、アルゴンガス流量10.5sccm、酸素ガス流量4.5sccm、RF電源の電力200W、圧力0.4Pa、室温とした。次に、酸化ガリウム膜上に第2の酸化シリコン膜を膜厚が300nmとなるように成膜した。ここで、第2の酸化シリコン膜の成膜はスパッタ法を用いて行い、成膜条件は、アルゴンガス流量40sccm、酸素ガス流量10sccm、RF電源の電力1.5kW、圧力0.4Pa、温度100°Cとした。以上の工程により、第1の酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、第2の酸化シリコン膜の順番で積層した絶縁膜を形成した。それから、当該絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールの形成を行った。ここで、第2の酸化シリコン膜上にレジストマスクを形成し、当該絶縁膜のドライエッチングを行い、酸素プラズマによるアッシングのみでレジスト除去を行って、コンタクトホールを形成したものをサンプルAとする。また、第2の酸化シリコン膜上にレジストマスクを形成し、リンス処理を行い、当該絶縁膜のドライエッチングを行い、酸素プラズマによるアッシングとレジスト剥離液による処理を用いてレジスト除去を行って、コンタクトホールを形成したものをサンプルBとする。サンプルAの作製工程の詳細について説明する。まず、フォトリソグラフィ法を用いて、第2の酸化シリコン膜上にレジストマスクを形成した。ここで、サンプルAの作製においては、レジストパターンを形成する際にリンス処理は行わなかった。次に、レジストマスクを用いて、第1の酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、第2の酸化シリコン膜の順番で積層した絶縁膜にドライエッチングを行って、コンタクトホールを形成した。ここで、ドライエッチングはICPエッチング法を用いて行い、エッチング条件は、トリフルオロメタンガス流量7.5sccm、ヘリウムガス流量142.5sccm、コイル型の電極に印加される電力量475W、基板側の電極に印加される電力量300W、圧力5.5Pa、下部電極温度70°Cとした。それから、第2の酸化シリコン膜上に形成されたレジストマスクを酸素プラズマによるアッシングのみで除去した。ここで酸素プラズマによるアッシング処理の条件は、酸素ガス流量300sccm、RF電源の電力1800W、圧力66.5Pa、時間180秒とした。以上の工程により、第1の酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、第2の酸化シリコン膜の順番で積層した絶縁膜にコンタクトホールを形成したサンプルAを作製した。次にサンプルBの作製工程の詳細について説明する。サンプルAとサンプルBの作製工程の相違点は、まず、サンプルBの作製工程においては、レジストパターンを形成する際にリンス処理を行った。また、サンプルBの作製工程では、酸素プラズマによるアッシングとレジスト剥離液による処理を用いてレジストの除去を行った。当該アッシング処理の条件は、酸素ガス流量100sccm、RF電源の電力200W、圧力66.5Pa、時間300秒とした。また、レジスト剥離液としては、N300剥離液長瀬産業株式会社製を用いた。他の工程については、サンプルAの作製工程と同様の方法を用いてサンプルBを作製した。図10AにサンプルAのSEM写真を、図10BにサンプルBのSEM写真を示す。図10Aと図10Bを比較すると、サンプルAでは、第2の酸化シリコン膜の表面が清浄に保たれているが、サンプルBでは第2の酸化シリコン膜表面にレジストマスクの残渣や当該残渣の反応物などが残っている。さらに、図10Aおよび図10Bで示したSEM写真の絶縁膜の断面部分における拡大SEM写真を、図11Aおよび図11Bに示す。図11Aと図11Bを比較すると、サンプルAでは、コンタクトホールの側壁が酸化ガリウム膜の部分において、階段形状となるように張り出しているのに対し、サンプルBでは、コンタクトホールの側壁が酸化ガリウム膜の部分において、抉れるように深く溶解されているのが分かる。このように、サンプルBではコンタクトホールに必要な側壁部分の酸化ガリウム膜も抉れてしまう。以上より、サンプルBに示すように、酸化ガリウム膜はリンス処理やレジスト剥離液による処理などの湿式処理によって、設計上必要な領域が溶解する危険性がある。よって、サンプルAに示すように、酸化ガリウムを含む絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程において、酸化ガリウム膜が直接的な湿式処理を伴わないような作製工程とすることで、酸化ガリウム膜の設計上必要な領域が溶解する危険性を抑制することができる。