"半導体基板上に、レーザ発振領域と発振波長を調整する分布ブラッグ反射領域と、を備えた半導体レーザであって、前記レーザ発振領域は、前記半導体基板の上に形成された第1導電型の0.51In0.49P0≦x≦1の第1クラッド層と、前記第1クラッド層の上に形成されたAlxGa1-xAs0≦x≦1の活性層と、前記活性層の上に形成された第2導電型の0.51In0.49P0≦x≦1の第2クラッド層と、前記第2クラッド層の上に形成された第2導電型のAlxGa1-xAs0≦x≦1の回折格子層と、前記回折格子層の上に形成された第2導電型の0.51In0.49P0≦x≦1の第3クラッド層と、を有し、前記分布ブラッグ反射領域は、前記第1クラッド層、前記活性層、前記第2クラッド層、前記回折格子層を共有し、前記分布ブラッグ反射領域における回折格子層は、厚み方向に回折格子層が残るように凹凸が形成されるとともに、前記凹凸部がAlxGa1-xAs0≦x≦1の回折格子埋め込み層により埋め込まれ、前記回折格子埋め込み層の上に、0.51In0.49P0≦x≦1の第4クラッド層を有する半導体レーザ。前記回折格子層のAl組成が、前記回折格子埋め込み層のAl組成より大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。前記レーザ発振領域において、前記回折格子層と前記第3クラッド層の間に、0.51In0.49P0≦x≦1の電界整合層を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。半導体基板上に、レーザ発振領域と発振波長を調整する分布ブラッグ反射領域と、を備えた半導体レーザの製造方法であって、前記半導体基板の上に、第1導電型の0.51In0.49P0≦x≦1の第1クラッド層、AlxGa1-xAs0≦x≦1の活性層、第2導電型の0.51In0.49P0≦x≦1の第2クラッド層、第2導電型のAlxGa1-xAs0≦x≦1の回折格子層、第2導電型の0.51In0.49P0≦x≦1の第3クラッド層を、この順番に形成する工程と、前記分布ブラッグ反射領域における前記第3クラッド層を、前記回折格子層に達するまでエッチングして除去する工程と、前記回折格子層を厚み方向に回折格子層が残るようにエッチングして凹凸を形成する工程と、前記凹凸が形成された回折格子層をAlxGa1-xAs0≦x≦1の回折格子埋め込み層により埋め込む工程と、前記回折格子埋め込み層の上に0.51In0.49P0≦x≦1の第4クラッド層を形成する工程と、を有する半導体レーザの製造方法。前記回折格子層のAl組成が、前記回折格子埋め込み層のAl組成より大きいことを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ。しかし、従来のAlGaAs系半導体レーザでは、新たな用途に対して、十分に高出力で長寿命なデバイスを得ることが難しかった。高出力が得られない原因のひとつは、AlGaAs系活性層からAlGaAs系クラッド層へのオーバーフローである。オーバーフローを抑制するため、AlGaAsよりバンドギャップの大きいAlGaInPをクラッド層に用いることが考えられるが、この材料系を用いた場合に、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成することが難しかった。この発明は上述のような問題を解決するもので、AlGaInP系クラッド層とAlGaAs系活性層を有する分布ブラッグ反射型半導体レーザにおいて、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成することを目的とする。この発明の半導体レーザは、レーザ発振領域と発振波長を調整する分布ブラッグ反射領域とを備えた半導体レーザであって、レーザ発振領域は、半導体基板の上に形成された第1導電型のAlGaInP系の第1クラッド層と、第1クラッド層の上に形成されたAlGaAs系の活性層と、活性層の上に形成された第2導電型のAlGaInP系の第2クラッド層と、第2クラッド層の上に形成された第2導電型のAlGaAs系の回折格子層と、回折格子層の上に形成された第2導電型のAlGaInP系の第3クラッド層とを有し、分布ブラッグ反射領域は、レーザ発振領域と第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、回折格子層を共有し、分布ブラッグ反射領域における回折格子層は、厚み方向に回折格子層が残るように凹凸が形成されるとともに、凹凸部がAlGaAs系の回折格子埋め込み層により埋め込まれ、回折格子埋め込み層の上に、AlGaInP系の第4クラッド層を有する。この発明の半導体レーザにおいては、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成できるので、発振波長が安定で、高出力の半導体レーザが得られる。実施の形態1図1は、この発明実施の形態1における半導体レーザを示す断面図である。図1において、1はn型のGaAs基板、2はn型の051In049P-nクラッド層、3はAl04Ga06As-SCH層分離閉じ込めヘテロ構造、4はGaAs量子井戸層、5はAl04Ga06As-SCH層、6はp型の051In049P-下側pクラッド層、7はp型のAl06Ga04As回折格子層、8と22はp型の051In049P-上側pクラッド層、9と23はp型のGaAsコンタクト層、21はp型のAl04Ga06As回折格子埋め込み層である。半導体レーザ101は、回折格子のないレーザ発振領域102と、回折格子のある分布ブラッグ反射領域103を備える。GaAs基板1の裏面側にはn電極10が形成され、回折格子のないレーザ発振領域102のGaAsコンタクト層9の上にはp電極11が形成される。次に、図3を用いて、この発明の一実施の形態の半導体レーザ101の製造方法を説明する。まず、図3aに示すようにGaAs基板1上に、nクラッド層2、SCH層3、量子井戸層4、SCH層5、下側pクラッド層6、回折格子層7、上側pクラッド層8、コンタクト層9を、この順にエピタキシャル成長する。次に、図3bのように分布ブラッグ反射領域103において、回折格子層7の上まで正確にエッチングを行い,回折格子層7を露出させる。本実施の形態では、Al06Ga04As回折格子層7のV族元素はAsであり、その上の051In049P-上側pクラッド層8のV族元素はPである。二つの層のV族元素が異なるため、特別にエッチングストップ層を形成しなくとも、塩酸によるウェットエッチングによってV族がPの上側pクラッド層8のみを選択的にエッチングすることができ、正確かつ平坦に回折格子層7を露出させることができる。続いて、図3cのように分布ブラッグ反射領域103の回折格子層7に、電子ビーム描画とエッチングにより、回折格子の凹凸を形成する。電子ビーム描画の代わりに干渉露光法を用いて回折格子パターンを形成しても良い。そして,分布ブラッグ反射領域103に図1のように、回折格子埋め込み層21、上側pクラッド層22、コンタクト層23を、エピタキシャル成長する。上記の例では2回目の成長層にpドーピングを施しているが、ドーピングをしなくても良い。この例では、Al06Ga04As回折格子層7を、厚み方向に回折格子層が残るようにエッチングして凹凸を形成した。その後、その上を覆うように、薄いAl04Ga06As回折格子埋め込み層21をエピタキシャル成長し、続いて、厚い051In049P-上側pクラッド層22を成長した。これは、2回目のエピタキシャル成長が、凹凸のある層への埋め込み成長で、表面状態の良い成長が難しいためである。V族がAsの層の上に比較的容易に成長できるV族がAsのAlGaAsを成長することにより、界面の表面状態が向上し、続いて成長する上側pクラッド層22の結晶性が向上し、良好な分布ブラッグ反射領域103を得ることができる。さらに回折格子層7に比べ、回折格子埋め込み層21のAl組成を小さくすることで、界面の表面状態を、より向上させることができる。[比較例]前述の特許文献1では、GaInP層の回折格子層の上に、厚いAlGaAsクラッド層を形成している。この構成を適用した場合、回折格子層7の上に、直接、上側pクラッド層22を厚く形成することになる。この構成に比べ、実施の形態1の構成では、上側pクラッド層22の結晶性が向上し、良好な分布ブラッグ反射領域103を得ることができる。なお、回折格子に必要な屈折率差は、回折格子層7よりも回折格子埋め込み層21の屈折率を大きくすること、つまりAl組成を下げたAl04Ga06Asの層を回折格子埋め込み層21として採用することで得た。以上のように加工した半導体ウェハの表面側にp側電極11を形成し、続いてウェハが所定の厚さになるよう裏面側を研削研磨し、n側電極10を形成する。その後、劈開によりウェハからレーザバーを形成し、電子ビーム蒸着により、劈開面にコーティング膜を形成する。図4は、半導体レーザ101を上から見た図である。この例では、分布ブラッグ反射領域103側の劈開面に無反射コーティング膜104、回折格子のないレーザ発振領域102側に高反射コーティング膜105を形成した。コーティング膜の作成方法は電子ビーム蒸着でなくとも、例えばスパッタリングでも良い。その後、レーザストライプ部分をレーザチップとして切り出し、AuSnハンダを用いてAlNサブマウントにダイボンドし、Φ5.6のCANパッケージに実装し、半導体レーザ101を完成させる。このようにして作製した半導体レーザ101のp電極11とn電極間10に順方向に電圧を印加し、レーザ発振領域102に電流を流すと、この領域で発光がおこる。光は回折格子のある分布ブラッグ反射領域103で一部が反射され、レーザ発振領域102に戻り増幅され、レーザ発振がおこる。回折格子が反射するのは単一の波長の光だけなので、レーザ光の発振波長は一定になり、無反射コーティング104を施した端面から出射される。この実施の形態では、回折格子層のV族元素をAsとし、その上のクラッド層のV族元素をPとすることにより、クラッド層を選択的にエッチングして正確かつ平坦に回折格子層を露出する。露出した回折格子層を厚み方向に回折格子層が残るようにエッチングし、その上を覆うように回折格子埋め込み層を成長し、続いて上側クラッド層を形成する。これにより、AlGaInP系クラッド層とAlGaAs系活性層を有する半導体レーザに、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成でき、発振波長が安定で、高出力の半導体レーザが得られる効果がある。実施の形態2実施の形態1で説明したように、AlGaAsはAl組成が小さいほど屈折率が大きくなる。一方、レーザストライプに沿って伝搬するレーザ発振光は、レーザ発振領域102と分布ブラッグ反射領域103を往復伝搬するため,レーザ発振モードの電界分布が、両領域で同一形状に近いことが望ましい。これにより結合部での反射が無くなり、単一モード発振が安定に得られる。図2は、レーザ発振領域202と分布ブラッグ反射領域203の電界分布を、同一形状に近づける半導体レーザの構造を示す図である。レーザ発振領域202において、回折格子層7と上側pクラッド層8の間に、p型の051In049Pバッファ層32とp型のGa051In049P電界整合層33を形成する。Ga051In049P電界整合層33は、分布ブラッグ反射領域203とレーザ発振領域202で、レーザ発振モードの電界分布がより整合するように厚さと位置を設定する。その他の構成は、実施の形態1の図1と同一である。実施の形態2の半導体レーザ201を作製するには、実施の形態1と同様、GaAs基板1上に、nクラッド層2を3500nm、SCH層3を20nm、量子井戸層4を8nm、SCH層5を20nm、下側pクラッド層6を100nm、回折格子層7を50nm、バッファ層32を10nm、電界整合層33を80nm、上側pクラッド層8を1500nm、コンタクト層9を200nm、順にエピタキシャル成長する。次に、分布ブラッグ反射領域103において、回折格子層7の上まで正確にエッチングを行い,回折格子層7を露出させる。回折格子層7はAl06Ga04As、その上のバッファ層32電界整合層33上側pクラッド層8は、051In049PGa051In049P051In049Pであり、V族がAsの層とV族がPの層の組合せとなるので、実施の形態1と同様、V族がPの層のみを選択的にエッチングして、正確かつ平坦に回折格子層7を露出させることができる。続いて、分布ブラッグ反射領域103の回折格子層7に、電子ビーム描画とエッチングにより、深さ35nmの回折格子の凹凸を形成する。そして、分布ブラッグ反射領域103に、回折格子埋め込み層21を40nm、上側pクラッド層22を1568nm、コンタクト層23を200nm、エピタキシャル成長する。その後の工程は、実施の形態1と同様に行い、半導体レーザ201を作製することができる。実施の形態2では、レーザ発振領域202と、分布ブラッグ反射領域203の結合部での反射が低減され、単一モード発振が安定に得られる効果がある。上記の例では、クラッド層、電界整合層を051In049P等としたが、AlGaInP系であれば、目的に合わせて組成を選ぶことができる。ここで、AlGaInP系とは、GaAs基板と格子整合する0.51In0.49P0≦x≦1を意味する。また、量子井戸をGaAs、SCH層をAl04Ga06Asとしたが、AlGaAs系であれば、発振波長や光閉込など、目的に合わせて組成を選ぶことができ、単一井戸でなく多重量子井戸とすることもできる。ここで、AlGaAs系とは、AlxGa1-xAs0≦x≦1を意味する。また、回折格子層をAl06Ga04As、回折格子埋め込み層をAl04Ga06Asとしたが、AlGaAs系であれば、選択エッチング、選択成長、回折格子としての屈折率等を考慮して、目的に合わせて組成を選ぶことができる。図1~3では、回折格子の凹凸として矩形形状のものを示したが、三角形ののこぎり形状や滑らかな波型形状でもよい。"