基材上に、ゾルーゲル法で形成した密度が2.2g/cm3以下の二酸化ケイ素絶縁膜と、シランカップリング剤からなる有機層と、パターン化された無電解銅めっき層と、パターン化された電解銅めっき層と、をこの順で具備することを特徴とする配線基板。基材上に、pH3~5の範囲で調整した前駆体溶液を用いるゾルゲル法により絶縁膜を形成する工程と、シランカップリング剤を用いて有機層を形成する工程と、有機層表面にイオン化させた金属触媒を吸着させる工程と、金属触媒を還元し還元された金属を核として無電解めっき層を形成する工程と、窒素雰囲気下で無電解めっき層等を所定の温度で所定の時間加熱する工程と、無電解めっき層を給電層として電気めっき層を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を使用して電気めっき層をパタニングして所定の配線パターンを形成する工程と、露出している無電解めっき層を除去する工程と、をこの順で具備することを特徴とする配線基板の製造方法。前記基材が、不飽和二重結合を有しない基材であることを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法。前記前駆体溶液がケイ素を主成分とする二酸化ケイ素膜前駆体溶液であって、形成された絶縁膜が、密度が2.2g/cm3以下の二酸化ケイ素膜であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の配線基板の製造方法。前記金属イオンがパラジウムイオンであることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。前記無電解めっき層及び電解めっき層が銅層であることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、不飽和二重結合のない樹脂基板や無機材料基板等の下地基板に対して、粗化処理を施さずとも、その上に形成する配線パターンと下地基板との間で密着強度を確保する手段を提供し、そのことによって高い信頼性を備えた配線基板を提供することである。上記課題を達成するために請求項1に係る発明としては、基材上に、ゾルーゲル法で形成した密度が2.2g/cm3以下の二酸化ケイ素絶縁膜と、シランカップリング剤からなる有機層と、パターン化された無電解銅めっき層と、パターン化された電解銅めっき層と、をこの順で具備することを特徴とする配線基板としたものである。請求項2に係る発明としては、基材上に、pH3~5の範囲で調整した前駆体溶液を用いるゾルゲル法により絶縁膜を形成する工程と、シランカップリング剤を用いて有機層を形成する工程と、有機層表面にイオン化させた金属触媒を吸着させる工程と、金属触媒を還元し還元された金属を核として無電解めっき層を形成する工程と、窒素雰囲気下で無電解めっき層等を所定の温度で所定の時間加熱する工程と、無電解めっき層を給電層として電気めっき層を形成する工程と、フォトリソグラフィ法を使用して電気めっき層をパタニングして所定の配線パターンを形成する工程と、露出している無電解めっき層を除去する工程と、をこの順で具備することを特徴とする配線基板の製造方法としたものである。請求項3に係る発明としては、前記基材が、不飽和二重結合を有しない基材であることを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法としたものである。請求項4に係る発明としては、前記前駆体溶液がケイ素を主成分とする二酸化ケイ素膜前駆体溶液であって、形成された絶縁膜が、密度が2.2g/cm3以下の二酸化ケイ素膜であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の配線基板の製造方法としたものである。請求項5に係る発明としては、前記金属イオンがパラジウムイオンであることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法としたものである。請求項6に係る発明としては、前記無電解めっき層及び電解めっき層が銅層であることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法としたものである。以上の発明によれば、下地基板上に予め所定の密度を有する絶縁層をゾルゲル法で形成しておくと、下地基板に粗化処理を施した場合よりも、また下地基板に直接シランカップリング剤処理を施した場合よりも、強い密着強度を有する金属めっき層を下地基板上に形成することが可能である。また、不飽和二重結合のない樹脂基板表面に対しても同様の密着強度を有する金属めっき層を形成することができる。したがって、該金属めっき層を定法によりパタニングすると強い密着強度の配線パターンを備える配線基板を得ることができる。以下に、下地基板上に形成する層間の相互作用によって上層の配線パターンの密着強度が増大する機構について簡単に説明する。絶縁層は、純粋な石英ガラスの密度である2.2g/cm3以下にすることにより、構造が粗となり内部に欠陥を多く含むため微細な凹凸を表面にもった形状になる。この凹凸化により表面積が大きくなり、上層の有機層との結合点が増え密着強度を向上させることが可能である。このため、絶縁層の密度は純粋な石英ガラスの密度よりも小さいことが好ましい。また、絶縁層は表面にシラノール基を露出させることで、上層の有機層との結合が可能となるため、シリコン原子と酸素原子を含む物質で絶縁層を構成することが望ましい。絶縁層の形成方法としてはゾルゲル法を用いることで、微細な凹凸を表面に有し且つ当該表面にシラノール基が露出した絶縁層が得られる。ゾルゲル法とは、金属アルコキシドやアルコールなどを含む前駆体溶液のゾルを加水分解縮合反応によりゲル状態を経て固体を析出させる手法である。ゾルゲル法では、前駆体溶液を加水分解縮合反応を起こさせる際に触媒が必要となるが、触媒は酸触媒を用いることが望ましい。これはアルカリ触媒下では加水分解縮合反応により生成物は3次元的に結合するのに対し、酸触媒下では生成物が直線的に結合しやすいため、密度の低い絶縁層が形成されやすいためである。用いる酸触媒の代表的なものは塩酸、硫酸、硝酸などが挙げられる。また、絶縁層をpH3~5の範囲で調整した前駆体溶液を用いたゾルゲル法で形成することで、密度の調整が可能で同時に密着強度の向上が可能となる。これは、シリカ前駆体の加水分解縮合反応を起こりにくくすることで、縮合度合いを小さくし、結果表面に未縮合のシラノール基を多く含む絶縁層が形成されるためである。シラノール基を多く含むことで上層の有機層との結合点が増え密着強度を向上させることが可能となる。pH3未満では、加水分解縮合反応速度が速く密度の大きい絶縁層が、またpH5を超えると反応が進みにくく絶縁層の形成が困難となる。有機層は、シランカップリング剤を使用することにより、絶縁層との化学的結合が可能となる。これは、絶縁層上のシラノール基とシランカップリング剤との間で脱水縮合反応が起こり、共有結合であるシロキサン結合を形成させることができるためである。また、有機層を組成するシランカップリング剤は電子供与基を持っていることが望ましい。このシランカップリング剤の電子供与基が、無電解めっきの触媒となるパラジウムや白金などの金属の金属イオンと相互作用し、有機層上に選択的に金属イオンを吸着させることができるからである。シランカップリング剤の電子供与基として、アミノ基やチオール基などが考えられるが、これらに限定されるものではない。有機層上に吸着させる金属イオンは様々であるが、例えば代表的な触媒であるパラジウムや白金をイオン化させたものを吸着させることが可能であり、また銅めっきの触媒となる銅をイオン化させて吸着させることも可能である。また、有機層上に吸着させた金属イオンは還元処理を施すことで金属となり、触媒としての利用が可能となる。このとき、次工程の無電解めっき液中の還元剤で金属イオンを還元することができる。また、無電解めっき液中の還元剤で金属イオンを還元できない場合は、無電解めっき工程の前に予め金属イオンを還元する必要がある。例えば、触媒としてパラジウムのイオンを吸着させた場合、無電解めっき液中の還元剤が次亜リン酸ナトリウムやジメチルアミンボランであれば還元できるが、ホルムアルデヒドの場合は還元できないため、事前にジメチルアミンボランなどにより還元を必要とする。使用できる還元剤は、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ホルマリン、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジンなどが挙げられるが、これらに限定されることはない。配線層はめっきによって形成可能な様々な金属を用いることができ、例えば銅、銀、金、ニッケル、白金などが挙げられる。電気特性やコストの面で優れた銅を使用することが望ましい。これらの金属を、有機層上に吸着及び還元処理した金属触媒を核として、無電解めっきにより給電層を形成させることができる。この無電解めっきによって形成した給電層他を加熱することにより、上記で説明した絶縁層上のシラノール基とシランカップリング剤の間での脱水縮合反応を促進でき、密着強度の向上が可能となる。高温下で反応が促進されることからも加熱温度は100°C以上で行うことが望ましい。しかしながら、シランカップリング剤が分解しない程度の温度領域である必要があるため、温度は200°C以下であることが望ましい。この無電解めっきによって形成した配線層を給電層に用いて、電解めっきを行うことで配線層を形成させることも可能である。電解めっきを行うことで、配線を短時間で容易に厚付けすることが可能となる。電解めっきの配線層は電気特性の面で優れている銅が望ましいが、これに限定されることはない。この電解めっきによって形成した配線層を加熱することにより、配線層を構成する金属原子の再配列によってめっき層の応力が緩和し、密着強度の向上が可能となる。加熱温度は高温である方が金属原子の再配列にかかる時間が短縮できる。シランカップリング剤が高温で分解してしまうことを考慮すると、加熱温度は200°C以下であることが望ましい。本発明の実施態様について図面に基づいて以下に詳細に説明する。図1に本発明の実施形態となる配線基板を示す。基材1に絶縁層2を形成する。形成する手段としてはゾルゲル法を用いる。まず、pH3~5の範囲で調整した前駆体のゾル溶液を攪拌し加水分解縮合反応によりゲル化させる。この溶液を基材上に付着させ、乾燥により溶媒を蒸発させることで固体の絶縁層を形成させる。基材へのゾルゲル法の適用手法としては、基材上に前駆体溶液をスポイトなどで垂らし、その基材を高速回転させ遠心力により全体に溶液を付着させるスピンコート法、基材を前駆体溶液に漬けこみ、引き上げることで溶液を付着させる浸漬法などが考えられるが、これらに限定されるものではない。次に絶縁層2上にシランカップリング剤を用いて有機層3を形成する。形成する手段としては、浸漬法や塗工法、気相法などが考えられるが、緻密に均一に有機層を形成するためにも浸漬法により行うことが望ましい。そして、有機層3上にイオン化させた金属触媒を吸着させる。形成する手段としては、浸漬法や塗工法などが考えられるが、緻密に均一に有機層上に吸着させるためにも浸漬法により行うことが好ましい。さらに、有機層3上に吸着させたイオン化させた金属触媒を還元する。還元する手段としては、無電解めっき液中の還元剤で還元するか、無電解めっき処理前に還元剤を含む溶液に浸漬させ還元する。この還元した金属触媒を吸着させた有機層3に配線層4を形成する。形成する順序としては、まず無電解めっきで給電層となるめっき層4を形成する。めっき層4を形成した後、加熱する。加熱は大気、真空、不活性ガス存在下のそれぞれで可能であるが、表面が酸化されるのを防ぐため、真空又は不活性ガス存在下で加熱することが望ましい。その後めっき層4上に電解めっきによってめっき層4を形成する。めっき層4を形成後、再度加熱することで配線層4を形成する。加熱は表面が酸化されるのを防ぐため、真空又は不活性ガス存在下で加熱することが望ましい。このようにして基材上に配線層までを形成する。そして電解めっきによって形成した配線層を、定法のフォトリソグラフィーにてパタニングして不要な配線層を除去し、配線パターンを形成する。図示はしないが、形成した配線上にゾルゲル法を用いた同様の手法を繰り返すことにより、多層構造を有する配線基板を作製することも可能である。このとき絶縁層形成後、レーザーであらかじめ貫通穴をあけておくことで、めっきによる配線層形成の際に貫通穴にも配線層を形成させることができ、上下の配線層同士を導通させることができる。ケイ素に微量のリンをドープしたn型半導体基板に、ゾルゲル法により絶縁層を形成した。ゾルゲル法の前駆体溶液は、テトラエトキシシラン、エタノール、水をモル比1:10:10の比で混合したものに塩酸を加えpH4に調整し、それらをn型半導体基板上にスピンコート法にて付着させた。その後、基板を乾燥させるために80°Cに加熱し、残留溶媒を除去して絶縁層となる二酸化ケイ素層を形成した。次に有機層として、アミノ基とアルキル基を持ったシランカップリング剤、32エチルアミノプロピルトリメトキシシランを用い、二酸化ケイ素膜を被覆した。このシランカップリング剤をトルエンに溶解させ10のシランカップリング剤溶液を調整し、基板を浸漬することで形成した。その後、基板をメタノールと純水で洗浄し、過剰に付着したシランカップリング剤や溶媒の除去を行った。有機層を形成した基板を0.3g/リットルの塩化パラジウムを含む溶液に浸漬し、有機層上にパラジウムイオンを吸着させた。触媒が付着した基板を0.15mol/リットルのジメチルアミンボランを含む溶液に浸漬し、還元処理を行った。還元したパラジウムを核として、無電解銅めっきにより厚さ50nmの銅めっき層を形成した。この銅めっき層を形成した基板を窒素雰囲気下で150°C、2時間の加熱を行った。加熱後、無電解めっきにて形成した銅めっき層を給電層として電解銅めっきを行い、厚さ10μmの配線層を形成した。この配線層を形成させた基板を窒素雰囲気下で200°C、2時間の加熱を行った。最後に、定法のフォトリソグラフィーを用いて、配線幅、間隔が共に1mm配線を形成した。これらの配線のピール強度を測定したところ、10.2N/cmという値を示し、これは配線を形成する上で十分な密着力を有する。<比較例>本発明の比較例を以下に示す。ゾルゲル法の前駆体溶液のpH2に調整することで形成した絶縁層を用いて、実施例1で示した方法で形成させた配線のピール強度測定を行ったところ、3.4N/cmであった。また、前駆体溶液のpH6に調整すると加水分解縮合反応は進まず絶縁層を形成することができなかった。また、実施例1で示した方法で、無電解めっきによってめっき層を形成したものを、加熱せずに電解銅めっきを実施し、形成した配線のピール強度を測定したところ、5.8N/cmであった。また、実施例1で示した方法で、電解銅めっきによって配線層を形成したものを、加熱せずに形成した配線のピール強度を測定したところ、7.2N/cmであった。これらにより、ゾルゲル法のpH3~5の範囲で調整することで、また無電解めっき、電解めっきのそれぞれの工程後に加熱をすることで、密度の調整がされた密着強度の強い配線基板とその配線形成方法を示すことができた。