一導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の受光面と反対側の裏面側に形成されている第1の柱状部と、前記第1の半導体層の裏面側に形成されており、かつ、前記第1の柱状部の側面を囲むように形成されている絶縁領域と、備え、前記第1の柱状部は、前記第1の半導体層に対して逆導電型の第2の半導体層が形成されており、前記絶縁領域は、前記第1の柱状部との境界の少なくとも一部が曲面となるように構成されていることを特徴とする光電変換装置。前記絶縁領域は、気体で満たされている空間または真空空間として構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。前記第1の半導体層または前記第2の半導体層は、空間である前記絶縁領域に露出している表面が水素で終端されていることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。前記第1の柱状部の直径または対角線は、0.3μm以上3μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記第1の半導体層の裏面側に形成されている第2の柱状部を更に有し、前記第2の柱状部は、前記第1の半導体層と同じ一導電型の第3の半導体層が形成されており、前記絶縁領域は、前記第2の柱状部の側面を囲むように形成されており、前記第2の柱状部との境界の少なくとも一部が曲面となるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記第2の柱状部の対角線の長さまたは直径は、0.3μm以上3μm以下であることを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置。ところで、太陽電池を構成する各領域の形状によっては、応力が発生した際に部分的に応力が集中することがあり、このような場合にはキャリアの再結合中心となる準位が生じることとなる。本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、再結合の原因となる準位の発生を抑制し発電効率を向上させる技術を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある態様の光電変換装置は、一導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層の受光面と反対側の裏面側に形成されている第1の柱状部と、第1の半導体層の裏面側に形成されており、かつ、第1の柱状部の側面を囲むように形成されている絶縁領域と、備える。第1の柱状部は、第1の半導体層に対して逆導電型の第2の半導体層が形成されており、絶縁領域は、第1の柱状部との境界の少なくとも一部が曲面となるように構成されている。本発明によれば、発電効率を向上させることができる。以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態に係る光電変換装置の断面を模式的に示した図である。なお、以下の各図に示す各層、各部の縮尺や形状は、説明を容易にするために便宜的に設定されており、特に言及がない限り限定的に解釈されるものではない。図1に示すように、本実施の形態に係る光電変換装置10は、第1の導電型を示す第1の半導体層12を有する光電変換層14を備える。光電変換層14は、更に、第1の半導体層12の受光面16と反対側の裏面18側に形成されている第1の柱状部20と、第1の半導体層12の裏面18側に形成されており、かつ、第1の柱状部20の側面を囲むように形成されている絶縁領域22と、を有する。本実施の形態に係る第1の半導体層12は、単結晶のn型結晶シリコン層であり、屈折率は約3.5光の波長が1.1μmの場合である。なお、屈折率はキャリア濃度や光の波長によって増減する。また、光電変換層14の厚みは100~150μmである。結晶シリコン層の形態は、単結晶、多結晶、微結晶のいずれか、または、混合物であってもよい。第1の柱状部20は、後述のプロセスによりn型結晶シリコンの一部が加工、処理されることで形成される。第1の柱状部20は、平面的に見て、第1の半導体層12を通過した光の少なくとも一部の光の波長より短い寸法直径または対角線を有する。また、第1の柱状部20は、第1の半導体層12と反対の極性である第2の導電型を示す第2の半導体層24が形成されている。本実施の形態に係る第2の半導体層24は、p型不純物の濃度が高い領域p層である。なお、本実施の形態に係る第2の半導体層24は、図1に示すように、第1の柱状部20全体に加えて第1の半導体層12まで突出するように形成されているが、必ずしもこのような分布に限らない。例えば、第2の半導体層24は、裏面18側から第1の柱状部20の途中まで形成されていてもよい。第2の半導体層24の厚みは、例えば、約0.5μm~2.5μmである。光電変換層14は、また、裏面18側に形成されている第2の柱状部26を有している。第2の柱状部26は、側面が絶縁領域22により囲まれている。第2の柱状部26は、平面的に見て、第1の半導体層12を通過した光の少なくとも一部の光の波長より短い寸法直径または対角線を有する。また、第2の柱状部26は、第1の半導体層12と同じ極性である第1の導電型を示す第3の半導体層28が形成されている。本実施の形態に係る第3の半導体層28は、第1の半導体層12よりもn型不純物の濃度が高い領域n層である。なお、本実施の形態に係る第3の半導体層28は、図1に示すように、第2の柱状部26全体に加えて第1の半導体層12まで突出するように形成されているが、必ずしもこのような分布に限らない。例えば、第3の半導体層28は、裏面18側から第2の柱状部26の途中まで形成されていてもよい。第3の半導体層28の厚みは、例えば、約0.3μm~2.0μmである。また、第1の半導体層12の受光面16側には、光電変換層14の表面を保護するための絶縁膜25が形成されている。本実施の形態に係る絶縁領域22は、第1の柱状部20との境界22aおよび第2の柱状部26との境界22bの少なくとも一部が曲面となるように構成されている。具体的には、本実施の形態に係る絶縁領域22は、図1に示す断面において、全体として矩形形状であるとともに、その角部がすべて滑らかな曲面で構成されている。換言すると、絶縁領域22は、第1の柱状部20との境界22aおよび第2の柱状部26との境界22bが湾曲している。このように、本実施の形態に係る絶縁領域22は、第1の半導体層12、第2の半導体層24および第3の半導体層28とのいずれの界面にも突起や角部など不連続な面が存在していない。換言すれば、絶縁領域22は、滑らかな面で囲まれた領域である。そのため、光電変換層14などに応力が生じても、その応力に起因して各半導体層と絶縁領域22との界面の一部に応力が集中することが抑制される。その結果、応力に起因して生じる準位が少なくなり、キャリアの再結合が抑制される。つまり、再結合による発電効率の低下が抑制される。また、本実施の形態に係る絶縁領域22は、気体で満たされている空間または真空空間として構成されている。これにより、半導体層と空間との界面で生じる準位は、半導体層と絶縁膜との界面に生じる準位と比較して低減される。また、第1の半導体層12、第2の半導体層24および第3の半導体層28は、絶縁領域22に露出している表面が水素で終端されているとよい。そのためには、絶縁領域22が水素雰囲気となっているとよい。これにより、各半導体層の表面におけるシリコン原子などの未結合手ダングリングボンドが低減され、各半導体層の表面近傍におけるキャリアの再結合が抑制される。次に、第1の半導体層12と絶縁領域22との界面で生じる光の反射について説明する。図2は、本実施の形態に係る第1の半導体層12と絶縁領域22との界面で生じる光の反射を説明するための模式図である。第1の半導体層12の屈折率は、単結晶の結晶シリコン層の場合、約3.5である。一方、絶縁領域22の屈折率は、空間であれば約1.0である。そのため、光電変換層14で吸収されずに第1の半導体層12と絶縁領域22との界面に入射する光は、入射角αが約17°以上であれば全反射し、再度光電変換層14に向かって反射され発電に寄与できる。そこで、本実施の形態では、第1の半導体層12の受光面16側のテクスチャ形状を工夫することで、第1の半導体層12と絶縁領域22との界面22cに入射する光の入射角を約17°以上にすることができる。つまり、光は界面22cで全反射され、絶縁領域22の裏面側にある拡散層としての第2の半導体層24や第3の半導体層28に光はほとんど到達しない。そのため、光の利用効率が上昇し発電効率が向上する。なお、絶縁領域22は、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの絶縁材料で充填されていてもよい。このように絶縁領域22が絶縁材料で充填されていると、光電変換装置10の強度が向上する。なお、本実施の形態に係る光電変換装置10においては、第1の柱状部20の先端に設けられた第1の電極30、および、第2の柱状部26の先端に設けられた第2の電極32が光電変換層14の裏面18側に設けられている。これにより、入射光が第1の電極30および第2の電極32で遮られることなく第1の半導体層12に到達するため、電極を光電変換層14の受光面16側に設けた場合と比較して、光電変換装置10の発電効率が向上する。また、光電変換装置10は、第1の電極30および第2の電極32と光電変換層14との間の一部の領域に絶縁膜37が設けられている。次に、第1の柱状部20、第2の柱状部26および絶縁領域22の形状や配置について説明する。図3は、図1に示す光電変換層の第1の柱状部、第2の柱状部および絶縁領域22を裏面側から見た状態を模式的に示した図である。なお、図3では、光電変換層の一部のみを示してある。また、前述の図1に示した断面図は、図3に示すA-A’断面に相当する。図3に示すように、複数の第1の柱状部20は、第1の電極30の上部領域に、縦横の所定方向に間隔を空けて配列している。同様に、複数の第2の柱状部26は、第2の電極32の上部領域に、所定方向に間隔を空けて配列している。柱状部同士の間は空間としての絶縁領域22が占めており、各柱状部の側面は、柱状部より屈折率の小さい絶縁領域22で完全に囲まれている。つまり、各柱状部は、側面が互いに接していない。第1の電極30は、一部に櫛状の複数の歯部30aが形成されている。また、第2の電極32は、一部に櫛状の複数の歯部32aが形成されている。第1の電極30および第2の電極32は、歯部30aおよび歯部32aが交互に並ぶように形成されている。本実施の形態に係る第1の柱状部20は、図3に示すように、その水平断面が四角形である角柱である。この場合、第1の柱状部20の対角線D1より長い波長の光は、第1の柱状部20が第1の柱状部20よりも屈折率の小さい絶縁領域22で囲まれているので、第1の柱状部20の中には伝播できない。そのため、図1に示すように、第1の半導体層12を通過した光のうち、第1の柱状部20の対角線D1よりも長い波長の光は、第1の柱状部20の基部34で反射される。そのため、第1の柱状部20の対角線D1より長い波長の光は、実質的に第1の半導体層12における行路長が長くなり、第1の半導体層12で吸収されやすくなる。なお、半導体層を通過した光がp層に入射してキャリア電子正孔対を発生させても、p層内ではキャリアはすぐに再結合して消失してしまうため、裏面電極を利用して光を反射させる場合には、その分発電効率が落ちてしまう。本実施の形態では、p層である第2の半導体層24よりも第1の半導体層12側で光を反射させているので、裏面電極である第1の電極30を利用して光を反射させる場合に比べて、光を吸収して発生したキャリアが再結合により消失することが低減される。その結果、光電変換装置の発電効率を高めることができる。同様に、本実施の形態に係る第2の柱状部26は、図3に示すように、その水平断面が四角形である角柱である。この場合、第2の柱状部26の対角線D2より長い波長の光は、第2の柱状部26が第2の柱状部26よりも屈折率の小さい絶縁領域22で囲まれているので、第2の柱状部26の中には伝播できない。そのため、図1に示すように、第1の半導体層12を通過した光のうち、第2の柱状部26の対角線D2よりも長い波長の光は、第2の柱状部26の基部36で反射される。そのため、第2の柱状部26の対角線D2より長い波長の光は、実質的に第1の半導体層12における行路長が長くなり、第1の半導体層12で吸収されやすくなる。なお、半導体層を通過した光がn層に入射してキャリア電子正孔対を発生させても、n層内ではキャリアはすぐに再結合して消失してしまうため、裏面電極を利用して光を反射させる場合には、その分発電効率が落ちてしまう。本実施の形態では、n層である第3の半導体層28よりも第1の半導体層12側で光を反射させているので、裏面電極である第2の電極32を利用して光を反射させる場合に比べて、光を吸収して発生したキャリアが再結合により消失することが低減される。その結果、光電変換装置の発電効率を高めることができる。また、本実施の形態に係る光電変換層14においては、相対的に屈折率の大きい第1の柱状部20または第2の柱状部26の側面が、相対的に屈折率の小さい絶縁領域22により囲まれている。つまり、両者の屈折率差に起因して、第1の柱状部20または第2の柱状部26の内面では反射が起こりやすくなっている。そのため、仮に対角線D1または対角線D2よりも短い波長の光が第1の柱状部20または第2の柱状部26の内部を伝播しても、絶縁領域22に漏れ出ることが抑制される。その結果、第1の柱状部20または第2の柱状部26の内部を伝播する光の行路長が長くなり、光が吸収されやすくなる。本実施の形態に係る第1の柱状部20の対角線D1の長さは、0.3μm以上3μm以下である。太陽光に含まれる光の波長は、0.3~3μmの範囲にほぼ含まれている。そのため、第1の柱状部20の対角線D1の長さが3μmを超えている場合、地上に到達する太陽光に含まれる光を実質的に反射できない。一方、第1の柱状部20の対角線D1の長さが0.3μm未満の場合、第1の柱状部20の製造の難易度が上がるが、太陽光に含まれる光のうち反射される波長の光は実質的に変わらない。そのため、対角線の長さが0.3μm未満となるように第1の柱状部20を構成する必要性は乏しい。このような理由により、本実施の形態に係る第1の柱状部20の対角線D1の長さが設定されている。同様の理由により、本実施の形態に係る第2の柱状部26の対角線D2の長さは、0.3μm以上3μm以下が好ましい。次に、各柱状部の高さについて説明する。本実施の形態に係る第1の柱状部20の高さは、3μm以下である。第1の柱状部20の高さより波長の長い光は、仮に第1の柱状部20の基部34で反射せずに第1の柱状部20の内部を伝播しても、吸収されずに透過してしまう可能性がある。そのため、光が透過しないようにするという観点からは第1の柱状部20の高さを高くすることが望ましいが、反対に抵抗が増大してしまう。そこで、第1の柱状部の高さを光の波長以下である3μm以下とすることで、光の透過の抑制と抵抗の増加の抑制とを両立させることが可能となる。同様の理由により、本実施の形態に係る第2の柱状部26の高さは、3μm以下が好ましい。次に、絶縁領域22の大きさについて説明する。図1、図3に示すように、絶縁領域22は、第1の柱状部20および第2の柱状部26以外の部分である。また、絶縁領域22の幅第1の柱状部20と第2の柱状部26との間隔は、100μm程度である。以上の説明においては、各柱状部を角柱として説明したが、角柱の角部が丸みを帯びていてもよく、また各柱状部が円柱であってもよい。円柱の場合、角柱の対角線として設定されている上述の数値は、円柱の直径として置き換えてもよい。また、角柱の場合、上面の全ての辺の長さが等しい必要はなく、本実施の形態における第1の柱状部20や第2の柱状部26のように上面が正方形である必要もない。例えば、上面が長方形である角柱であってもよい。また、以上の説明においては、絶縁領域22を気体で満たされている空間または真空空間として説明したが、絶縁領域を大気状態の空間としてもよい。これは、絶縁領域22を構成する空間の一部に外気に通じる開口部を設けることによって容易に実現できる。次に、本実施の形態に係る光電変換装置10の製造方法について説明する。図4乃至図7は、本実施の形態に係る光電変換装置10の製造工程を説明するための図である。はじめに、図4aに示すように、厚みが100~150μm程度のn型結晶シリコンの基板40を用意する。次に、基板40の一方の面上に所定のパターンのマスクをし、基板40の一部をエッチングすることで、複数の溝46が形成される。それぞれの溝46の幅は1μm程度、溝46同士の間隔は1μm程度である。本実施の形態では、複数の溝46が等間隔に形成されている領域42と、溝46が形成されていない領域44とが基板40の一方の面上に交互に形成される。次に、水素雰囲気中で1100°C、10分間熱処理を行うと、複数の溝46が形成されている領域42は表面が閉塞され、内部が連通することで大きな空間47が形成される図5a。空間47は、前述の絶縁領域22として機能するとともに、水素で満たされている。また、溝46が形成されていない領域44は、第1の柱状部20および第2の柱状部26となる。すなわち、後述する工程を経て、第1の半導体層12となる部分と、第2の半導体層24および第3の半導体層28とは、基板40に一体的に形成される。次に、基板40の一方の面の所定の領域にマスクとしてシリコン酸化膜48を形成した後、n型不純物の拡散源として、リンを含むPSG液をスピンコート法により塗布しPSG膜52を形成する図5b。この状態で基板40を熱処理することで、不純物濃度の高い拡散層58が第2の柱状部26に形成される図6a。この際、平面的に見て絶縁領域22と重畳する部分の拡散層58部分は、絶縁領域によって基板40内部への不純物の拡散が制限されるため、第2の柱状部26近傍と重畳する部分よりも、不純物濃度が相対的に高く形成される。すなわち、特段の設計変更を加えることなく、拡散層58の低抵抗化を図ることができる。次に、基板40からシリコン酸化膜48およびPSG膜52を除去する。そして、再度基板40の一方の面の所定の領域にマスクとしてシリコン酸化膜50を形成した後、p型不純物の拡散源として、ボロンを含むBSGBoronSilicateGlass液をスピンコート法により塗布しBSG膜54を形成する図6b。この状態で基板40を熱処理することで、不純物濃度の高い拡散層56が第1の柱状部20に形成される図7a。この際、平面的に見て絶縁領域22と重畳する部分の拡散層56部分は、絶縁領域によって基板40内部への不純物の拡散が制限されるため、第1の柱状部20近傍と重畳する部分よりも、不純物濃度が相対的に高く形成される。すなわち、特段の設計変更を加えることなく、拡散層56の低抵抗化を図ることができる。なお、本実施の形態に係るPSG膜52およびBSG膜54は、約200nm以下の厚みである。次に、基板40の他方の面受光面に所定のテクスチャ形状を形成すべく、基板40の表面を処理する。そして、テクスチャ形状を有する基板表面を保護すべく保護膜としての絶縁膜25が形成される図7b。そして、BSG膜54およびシリコン酸化膜50を除去し、図1に示す第1の電極30および第2の電極32を形成することで、光電変換装置10が製造される。電極の材料としては、アルミニウムや銅が好ましい。電極をアルミニウムで形成する場合、蒸着法が好適である。一方、電極を銅で形成する場合、スパッタリング法やメッキ法が好適である。ここで、図7bに示す光電変換装置10における各部と、図1に示す光電変換装置10における各部との対応関係を説明する。空間47は、絶縁領域22に相当する。拡散層56は、p型不純物濃度の高い第2の半導体層24に相当し、拡散層58は、n型不純物濃度が高い第3の半導体層28に相当する。第2の実施の形態図8は、第2の実施の形態に係る光電変換装置の断面を模式的に示した図である。なお、前述の各図と同じ構成については同じ符号を付して説明を適宜省略する。図8に示す光電変換装置110は、第2の半導体層24と第3の半導体層28との間にpn接合が設けられている。具体的には、絶縁領域22より裏面18側の領域に、第2の半導体層24に隣接して、第1の半導体層12と同じ導電型でキャリア濃度の高いn層112が形成されている。また、絶縁領域22より裏面18側の領域に、第3の半導体層28に隣接して、第2の半導体層24と同じ導電型でキャリア濃度の高いp層114が形成されている。n層112およびp層114は、バイパスダイオードを構成する。これにより、電気的に互いに接続されている複数の光電変換装置110を備えた太陽電池モジュールは、一部の光電変換装置110が影などの影響で発電しない場合、n層112およびp層114で構成されているバイパスダイオードにより、電流がバイパスされる。つまり、各光電変換装置110にバイパスダイオードを形成することで、太陽電池モジュールにおいて影になった光電変換装置のみで電流がバイパスされる。そのため、複数の光電変換装置ごとに一つのバイパス装置やバイパス回路しか設けられていない太陽電池モジュールと比較して、本実施の形態に係る光電変換装置110を複数備えた太陽電池モジュールは、発電効率の低下を最小限に抑えられる。また、不純物の形成領域を変更するだけで、光電変換層14にバイパスダイオードを容易に形成できるため、各光電変換層14にバイパス機能を持たせた光電変換装置10を容易に製造できる。以上、本発明を上述の各実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の各実施の形態に限定されるものではなく、各実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて各実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を各実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。具体的には、P型結晶シリコンに柱状部を設け、この柱状部に逆の導電型のn層を設けた光電変換装置としてもよい。また、上述の実施の形態では、第1の柱状部および第2の柱状部は、その水平断面が略正方形であり、複数の柱状部が点在したものであった。しかしながら、第1の柱状部および第2の柱状部の水平断面は、このような形状に限られない。図9は、変形例に係る第1の柱状部、第2の柱状部および絶縁領域を裏面側から見た状態を模式的に示した図である。図9に示す第1の柱状部120および第2の柱状部126は、図3に示す第1の柱状部20および第2の柱状部26の変形例である。なお、図9において、図3に示す部材と同じ部材には同じ符号を付して説明を適宜省略する。また、前述の図1に示した断面図は、図9に示すB-B’断面に相当するともいえる。図9に示すように、変形例に係る複数の第1の柱状部120は、第1の電極30の上部領域に、一方向に間隔を空けて配列している。同様に、複数の第2の柱状部126は、第2の電極32の上部領域に、一方向に間隔を空けて配列している。柱状部同士の間は空間としての絶縁領域22が占めており、各柱状部の側面は、柱状部より屈折率の小さい絶縁領域22で囲まれている。変形例に係る第1の柱状部120は、図9に示すように、その水平断面がアスペクト比の高い四角形である壁状の角柱である。同様に、変形例に係る第2の柱状部126は、図9に示すように、その水平断面がアスペクト比の高い四角形である壁状の角柱である。これにより、空洞からなる絶縁領域22が形成されている光電変換層14の強度が増す。