温度安定性の遷移金属酸化物層を不活性金属表面上に固定するための接着促進剤としてのアンモニウムチオ-遷移金属錯体の使用。前記アンモニウムチオ-遷移金属錯体が、モリブデン、タングステンおよびバナジウムから選択される遷移金属を含む、請求項1に記載の使用。前記アンモニウムチオ-遷移金属錯体が、テトラチオ-遷移金属錯体である、請求項1または2に記載の使用。前記アンモニウムテトラチオ-遷移金属錯体は、テトラチオモリブデン酸アンモニウムである、請求項3に記載の使用。遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、請求項1~5のいずれか一項に記載の使用。遷移金属酸化物の前駆体が、溶液系プロセスによって不活性金属表面上に堆積する、請求項1~5のいずれか一項に記載の使用。前記前駆体が、水中の遷移金属酸化物、遷移金属酸化物の水和物、酸性遷移金属酸化物の水和物のアンモニウム塩、またはリン酸-遷移金属酸化物錯体、または極性有機溶媒に溶解したリン酸-遷移金属酸化物錯体の分散物または溶液である、請求項6に記載の使用。堆積する前記遷移金属酸化物がMoO3であり、前駆体が、水中の三酸化モリブデン、モリブデン酸、モリブデン酸アンモニウムまたはリンモリブデン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンモリブデン酸の分散物または溶液である、請求項7に記載の使用。堆積する前記遷移金属酸化物がWO3であり、前駆体が、水中の三酸化タングステン、タングステン酸、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンタングステン酸の分散物または溶液である、請求項7に記載の使用。堆積する前記遷移金属酸化物がV2O5であり、前駆体が、極性有機溶媒に溶解した酸化バナジウムV、メタバナジン酸アンモニウム、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシドまたはバナジウムVオキシトリプロポキシド分散物または溶液である、請求項7に記載の使用。前記溶液系プロセスが、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷からなる、請求項6~10のいずれか一項に記載の使用。前記不活性金属が、銀、金または銅である、請求項1~11のいずれか一項に記載の使用。前記不活性金属が金である、請求項12に記載の使用。アンモニウムチオ-遷移金属錯体の上に固定された前記遷移金属酸化物層が、少なくとも140°Cの温度まで安定である、請求項1~13のいずれか一項に記載の使用。不活性金属表面の上に遷移金属酸化物を作成するためのプロセスであって、a金属表面をアンモニウムチオ-遷移金属錯体で前処理することと;b前処理した表面の上に、遷移金属酸化物前駆体を含む溶液を堆積させることと;c堆積した溶液をアニーリングし、遷移金属酸化物層を作成することとを含む、プロセス。工程aが、i金属表面を洗浄し、有機汚染物質を除去することと;ii金属表面上にアンモニウムチオ-遷移金属錯体を堆積させることと;iii処理した表面を空気中でアニーリングすることとを含む、請求項15に記載のプロセス。前記金属表面をUV-オゾン処理または酸素プラズマ処理によって洗浄する、請求項16に記載のプロセス。前記溶液系堆積は、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷によって行なわれる、請求項15~17のいずれか一項に記載のプロセス。ソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極および有機半導体層とを備え、ソース電極およびドレイン電極は、不活性金属を含み、その表面で、アンモニウムチオ-遷移金属錯体を接着促進剤として使用することによって、温度安定性の遷移金属酸化物層が固定される、有機薄膜トランジスタ。前記遷移金属酸化物が、請求項15~18のいずれか一項に定義されるプロセスにしたがって固定される、請求項19に記載の有機薄膜トランジスタ。前記アンモニウムチオ-遷移金属錯体が、請求項1~4のいずれか一項に定義されるとおりである、請求項19または20に記載の有機薄膜トランジスタ。前記遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、請求項19~21のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。本発明者らは、驚くべきことに、アンモニウムチオ-遷移金属錯体接着促進剤は、不活性金属表面例えば、金の上に遷移金属酸化物の連続層を堆積させることができることがわかった。この接着促進剤は、有機半導体層とソース電極および/またはドレイン電極の間に抵抗接点を作り出す溶液堆積技術を用い、有機薄膜トランジスタ内のソース電極および/またはドレイン電極の表面に温度安定性の遷移金属酸化物層を堆積させることができる。そのため、これは、当該技術分野で記載する遷移金属酸化物の熱による蓄積の欠点を克服する。特に、従来技術の熱堆積技術は、シャドウマスクの使用を必要とし、このプロセスを大きな基材へとスケールアップするのは、高解像度パターンの場合には困難である。これとは対照的に、本発明のプロセスは、費用対効果が高く、効果的な態様で大きな基材へと簡単にスケールアップすることが可能な溶液系プロセスの使用を可能にする。したがって、本発明の第1の態様1では、温度安定性の遷移金属酸化物層を不活性金属表面上に固定するための接着促進剤としてのアンモニウムチオ-遷移金属錯体の使用が提供される。本発明の好ましい使用は、2アンモニウムチオ-遷移金属錯体が、モリブデン、タングステンおよびバナジウムから選択される遷移金属を含む、1の使用;3アンモニウムチオ-遷移金属錯体が、テトラチオ-遷移金属錯体である、1または2の使用;4アンモニウムテトラチオ-遷移金属錯体は、テトラチオモリブデン酸アンモニウムである、3の使用;5遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、1~4のいずれかの使用;6遷移金属酸化物の前駆体が、溶液系プロセスによって不活性金属表面上に堆積する、1~5のいずれかの使用;7前駆体が、水中の遷移金属酸化物、遷移金属酸化物の水和物、酸性遷移金属酸化物の水和物のアンモニウム塩、またはリン酸-遷移金属酸化物錯体、または極性有機溶媒に溶解したリン酸-遷移金属酸化物錯体の分散物または溶液である、6の使用;8堆積する前記遷移金属酸化物がMoO3であり、前駆体が、水中の三酸化モリブデン、モリブデン酸、モリブデン酸アンモニウムまたはリンモリブデン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンモリブデン酸の分散物または溶液である、7の使用;9堆積する前記遷移金属酸化物がWO3であり、前駆体が、水中の三酸化タングステン、タングステン酸、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンタングステン酸の分散物または溶液である、7の使用;10堆積する前記遷移金属酸化物がV2O5であり、前駆体が、極性有機溶媒に溶解した酸化バナジウムV、メタバナジン酸アンモニウム、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシドまたはバナジウムVオキシトリプロポキシド分散物または溶液である、7の使用;11溶液系プロセスが、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷からなる、6~10のいずれかの使用;12不活性金属が、銀、金または銅である、1~11のいずれかの使用;13不活性金属が金である、12の使用;14アンモニウムチオ-遷移金属錯体の上に固定された前記遷移金属酸化物層が、少なくとも140°Cの温度まで安定である、1~13のいずれかの使用。本願発明者らは、さらに、不活性金属表面の上にアンモニウムチオ-遷移金属錯体を堆積させた後、これに対する遷移金属酸化物の溶液系処理によって、温度安定性の遷移金属酸化物層を得る。遷移金属酸化物の溶液系処理によって、単純かつ費用対効果の高い溶液堆積技術例えば、スピンコーティング、浸漬コーティング、インクジェット印刷の使用を可能にする。熱による蒸発とは対照的に、溶液系堆積技術は減圧状態を必要とせず、したがって、基材の大きさおよび/またはリールごとの製造プロセスを簡単にスケールアップすることができる。本発明の第2の態様において、以下のものが提供される。15不活性金属表面の上に遷移金属酸化物を作成するためのプロセスであって、a金属表面をアンモニウムチオ-遷移金属錯体で前処理することと;b前処理した表面の上に、遷移金属酸化物前駆体を含む溶液を堆積させることと;c堆積した溶液をアニーリングし、遷移金属酸化物層を作成することとを含む、プロセス。本発明の第2の態様の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。16工程aが、i金属表面を洗浄し、有機汚染物質を除去することと;ii金属表面上にアンモニウムチオ-遷移金属錯体を堆積させることと;iii処理した表面を空気中でアニーリングすることとを含む、15のプロセス;17金属表面をUV-オゾン処理または酸素プラズマ処理によって洗浄する、16のプロセス;18溶液系堆積は、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷によって行なわれる、15~17のいずれかのプロセス。温度安定性の遷移金属酸化物層の堆積の好ましい使用は、本発明のアンモニウムチオ-遷移金属錯体を用いて促進され、遷移金属酸化物層の堆積前に、ソース電極および/またはドレイン電極の上にアンモニウムチオ-遷移金属錯体を使用することによる、有機薄膜トランジスタデバイスの製造における使用である。顕著には、これによって、デバイスの有機半導体層とソース電極および/またはドレイン電極との間の抵抗接点の製造をもたらす。したがって、本発明の第3の態様において、以下のものが提供される。19ソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極および有機半導体層とを備え、ソース電極およびドレイン電極は、不活性金属を含み、その表面で、アンモニウムチオ-遷移金属錯体を接着促進剤として使用することによって、温度安定性の遷移金属酸化物層が固定される、有機薄膜トランジスタ。本発明の第3の態様の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。20遷移金属酸化物が、15~18のいずれかに定義されるプロセスにしたがって固定される、19の有機薄膜トランジスタ;21アンモニウムチオ-遷移金属錯体が、上1~4のいずれかに定義されるとおりである、19または20の有機薄膜トランジスタ;22遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、19から21のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。上に説明したように、本願発明者らは、接着促進剤の使用が、不活性金属表面のに温度安定性の遷移金属酸化物層を製造する優れた手段であることを発見した。接着促進剤例えば、アンモニウムチオ-遷移金属錯体を使用することによって、得られた遷移金属酸化物層は、接着促進剤を含まない不活性金属表面と比較して、高温にさらされたときに、安定な仕事関数を有する例えば、アンモニウムテトラチオモリブデン酸塩で前処理され、その上にモリブデン酸が堆積した金表面の仕事関数は、-オゾンによって洗浄し、前処理せず、その上にモリブデン酸が堆積した金表面の仕事関数と比較して、140°Cまでの温度では実質的に安定である。仕事関数の安定性は、アンモニウムチオ-遷移金属錯体を用いて固定された温度安定性の遷移金属酸化物層を用い、ソース電極および/またはドレイン電極と有機半導体層の間の界面をドーピングすることによって、これらの界面に抵抗接触を作成するような有機薄膜トランジスタデバイスでは、特に有利である。その結果、ソース電極および/またはドレイン電極とトランジスタチャネル中の有機半導体の間の界面での接触抵抗は最低限となり、金属から半導体への電荷注入の障壁を減らし、高性能有機薄膜トランジスタを得る。好ましい接着促進剤は、チオ-遷移金属錯体である。少なくとも1つのチオ-遷移金属結合を含む、これらの遷移金属錯体。特に好ましいのは、アンモニウムチオ-遷移金属錯体、例えば、テトラチオモリブデン酸アンモニウムである。アンモニウムチオ-遷移金属錯体の遷移金属は、好ましくは、モリブデン、タングステン、バナジウムからなる群から選択される。特に好ましい錯体としては、モリブデンMoまたはタングステンWが挙げられる。不活性金属という用語は、金属表面に対する遷移金属酸化物の良好な接着が可能ではない任意の金属を包含するように本明細書で使用される。しかし、これらの金属は、その表面に対し、本発明で使用するチオ-遷移金属錯体の良好な接着を可能にする。金属-チオ結合中の硫黄が、不活性金属表面に対する接着を可能にするという性質は、アンモニウムチオ-遷移金属錯体が、遷移金属酸化物層のための接着促進剤として作用することを可能にする性質であると考えられる。本発明で使用するのに好ましい不活性金属は、金、銀または銅である。特に好ましい金属は金である。本発明で使用する遷移金属酸化物は、溶液系プロセスを用いることによって堆積する。さらに好ましくは、遷移金属酸化物の前駆体は、溶液系プロセスを用いることによって堆積する。溶液系プロセスは、スピンコーティング、浸漬コーティング、インクジェット印刷、または表面に対し、溶液から材料の堆積を含む、当業者が知っている任意の技術からなっていてもよい。前駆体という用語は、本明細書で使用する場合、分散物または溶液を指す。好ましい前駆体は、水中の遷移金属酸化物、遷移金属酸化物の水和物、酸性遷移金属酸化物の水和物のアンモニウム塩、またはリン酸-遷移金属酸化物錯体、または極性有機溶媒に溶解したリン酸-遷移金属酸化物の分散物または溶液である。三酸化モリブデンを堆積させるために本発明にしたがって使用可能な前駆体の例としては、水中の以下のいずれかの化合物の分散物または溶解が挙げられる。三酸化モリブデン、モリブデン酸、モリブデン酸アンモニウムまたはリンモリブデン酸;または、極性有機溶媒中のヘテロポリ酸の分散物または溶液例えば、ポリリンモリブデン酸。三酸化タングステンを堆積させるために、好ましい前駆体は、水中の以下のいずれかの化合物の分散物または溶解が挙げられる。三酸化タングステン、タングステン酸、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸;または極性溶媒中のヘテロポリ酸の分散物または溶液例えば、ポリリンタングステン酸。五酸化バナジウムを堆積させるために、好ましい前駆体は、水中の以下のいずれかの化合物の分散物または溶解が挙げられる。酸化バナジウムV、メタバナジン酸アンモニウム、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシドまたはバナジウムVオキシトリプロポキシド;または、極性溶媒中のヘテロポリ酸の分散物または溶液、例えば、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシドまたはバナジウムVオキシトリプロポキシド。可能な有機溶媒としては、ピリジン、アセトニトリル、テトラヒドロフランまたは当業者なら知っている任意の他の極性有機溶媒が挙げられる。本発明にしたがって堆積させた遷移金属酸化物は、金属カチオンが高い酸化状態であり、トランジスタチャネルにおいて有機半導体材料のp-ドーピングが可能な任意の遷移金属酸化物を包含する。好ましくは、遷移金属酸化物は、モリブデン、タングステンまたはバナジウムの酸化物であり、さらに好ましくは、モリブデン酸化物である。好ましい遷移金属酸化物は、MoO3、WO3またはV2O5、最も好ましくはMoO3からなる群から選択される。得られた遷移金属酸化物層は、温度安定性である。安定性は、好ましくは、少なくとも140°Cまでの温度、好ましくは170°Cまでの温度、さらに好ましくは200°Cまでの温度で、表面の仕事関数によって測定される。本発明のプロセスは、不活性金属表面上の絶縁性遷移金属酸化物の生成を含む。このプロセスは、典型的には、接着促進剤を含む表面の前処理、遷移金属酸化物前駆体の堆積、アニーリングして遷移金属酸化物層の作成を含む。前駆体および遷移金属酸化物の接着促進剤、前駆体、堆積プロセスは、本明細書ですでに定義したとおりである。遷移金属酸化物層を作成するためのアニーリングプロセスは、好ましくは、120~250°Cの温度で行なわれる。好ましくは、不活性金属表面の前処理は、i金属表面を洗浄することと;ii金属表面上にアンモニウムチオ-遷移金属錯体を堆積させることと;iii処理した表面を空気中でアニーリングすることとを含む。本発明のプロセスの洗浄工程は、有機汚染物質を除去する任意の処理からなる。好ましくは、不活性金属表面は、UV-オゾン処理または酸素プラズマ処理によって洗浄される。特に好ましいのは、UV-オゾン処理である。このような酸化洗浄プロセスによって、金属表面は親水性となり、表面の仕事関数が増加する。UV-オゾンで処理した金表面を例として用い、表面の仕事関数は約5.6eVまで増加し、金表面は親水性となる。洗浄した金属表面でのアンモニウムチオ-遷移金属錯体の堆積は、好ましくは、溶液系プロセスによる。使用する溶液は、好ましくは、アンモニウムチオ-遷移金属錯体の水溶液であり、その濃度は、水へのアンモニウムチオ-遷移金属錯体の溶解度に依存し例えば、0.5w/w溶液、堆積後、前処理した表面を当業者なら知っている任意の手段によって乾燥させる。前処理した表面は、典型的には、上述の洗浄した金属表面と比較して仕事関数が低いことがわかっている。水中のテトラチオモリブデン酸アンモニウムを例として用い、基材をテトラチオモリブデン酸アンモニウムの0.5w/w水溶液に浸し、次いで、窒素銃で送風することによって乾燥させ、この前処理によって、表面の仕事関数が約4.6eVまで低下する。処理した表面を空気中で乾燥またはアニーリングするのは、好ましくは、120~250°Cの温度で行なわれる。特に好ましくは、処理した表面を、この範囲の下端に近い温度例えば、120°C~150°Cで所定時間例えば、5~20分乾燥させ、次いで、処理した表面を、この範囲の上端に近い温度例えば、150°C~250°Cで所定時間例えば、5~30分アニーリングする。処理した表面を空気中でアニーリングすると、一般的に表面の仕事関数が増加することがわかっている。テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理した金基材を例として用い、この表面を最初に125°Cで5分間乾燥させ、次いで、175°Cで10分間アニーリングする。表面の仕事関数は、これに対応して4.6eVから4.95eVまで増加し、その後5.1eVまで増加する。遷移金属酸化物の前駆体の堆積は、好ましくは、アンモニウムチオ-遷移金属錯体で前処理した表面を、水中の遷移金属酸化物、遷移金属酸化物の水和物、酸性遷移金属酸化物の水和物のアンモニウム塩、またはリン酸-遷移金属酸化物錯体、または極性有機溶媒に溶解したリン酸-遷移金属酸化物錯体の分散物または溶液に浸し、次いで、当業者なら知っている任意の手段を用いて乾燥させる溶液系プロセスによる。前駆体の堆積は、典型的には、表面の仕事関数を増加させる。テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理した金基材および酸化モリブデンIVの堆積を一例として用い、基材をモリブデン酸の2w/w水溶液に浸し、その後、窒素銃を用いて送風によって乾燥させる。表面の仕事関数は、4.8eVから5.43eVまで増加する。または、モリブデン酸溶液をスピンコーティングによって塗布するか、またはインクジェット印刷のような添加プロセスを用いて適用することができる。インクジェット印刷を用いる場合、このプロセスの空間分解能は、好ましくは、表面エネルギーパターンを用い、モリブデン酸水溶液が親水性の不活性パターンから基材へと広がるのを防ぐことによって増加する。アンモニウムチオ-遷移金属錯体で前処理された基材に遷移金属酸化物の前駆体を塗布した後、熱によるアニーリングによって前駆体を遷移金属酸化物に変換する。アニーリングは、好ましくは、120°C~200°Cで行なわれる。好ましくは、表面を、この範囲の下端に近い温度で所定時間乾燥させ、次いで、この範囲の上端に近い温度で所定時間アニーリングする。アニーリングすると、本願発明者らは、表面の仕事関数が安定なままであることを発見した。テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理した金表面を一例としてモリブデン酸を用い、表面を120°Cで5分間乾燥させ、次いで140°Cで5分間アニーリングする。表面の仕事関数は、140°Cまでは約5.4eVの値で安定なままであった。本発明の有機薄膜トランジスタは、有機半導体層を含む任意の有機薄膜トランジスタであってもよい。トランジスタは、p型であってもよく、またはn型であってもよい。適切なトランジスタ構造としては、トップ-ゲート型トランジスタおよびボトム-ゲート型トランジスタが挙げられる。本発明の使用およびプロセスの好ましい一例は、ソース電極とドレイン電極、ゲート電極と有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタの調製における例であり、ソース電極およびドレイン電極は、不活性金属を含み、この上に、アンモニウムチオ-遷移金属錯体を接着促進剤として用いることによって、温度安定性の遷移金属酸化物層が固定される。遷移金属酸化物層およびアンモニウムチオ-遷移金属錯体の両方について、以下に定義する。以下に定義されるようにアンモニウムチオ-遷移金属錯体を用いることによって、上述のプロセスによって、温度安定性の遷移金属酸化物を、OTFTのソースおよびドレインの接点の不活性金属表面に堆積させることができる。したがって、本発明は、遷移金属酸化物層を使用してソースおよびドレインの接点と有機半導体層との間の界面をドーピングすることによって、安定で、単純で費用対効果が高い様式で抵抗接触を作成することを可能にする。さらに、本発明のプロセスにしたがって層を堆積させるための溶液系プロセスは、大きな基材へとスケールアップすることができ、従来のプロセスよりも工業用途のためにかなり実用的である。以下の図面を参照し、以下の実施例を考慮することによって、本発明がさらに理解されるだろう。AC-2分光計を用いたエネルギー値の測定図3および図4にプロットされたエネルギー準位値は、RKInstrumentsInc.から入手可能なAC-2光電子分光計を用いて測定された。サンプル典型的には、面積が数平方ミリメートルであるを検知することによって、空気中で測定を行ない、以下の工程を含んでいた。重水素放電管から放出されたUV光子を、格子モノクロメーターによって単色化した。単色化したUV光子を空気中でサンプル表面に集光した。UV光子のエネルギーを3.4eVから6.2eVまで段階的に上げた。UV光子のエネルギーが、サンプル材料の光電子放出の閾値すなわち、イオン化ポテンシャルより大きい場合、光電子がサンプル表面から放出した。次いで、サンプルから放出した光電子をオープンカウンターによって空気中で検出し、計数した。バックグラウンド線と、光電子の量子収率の平方根の延長した線との間の交差点のエネルギーから、光電子放出の閾値イオン化ポテンシャルを決定した。以下の実施例は、テトラチオモリブデン酸アンモニウム接着促進剤を用いて不活性金属表面の上に遷移金属酸化物を作成し、本発明の一例として温度安定性の有機薄膜トランジスタOTFTデバイスを得るプロセスに注目したものである。実施例1aテトラチオモリブデン酸アンモニウムを塗布することによる、金供給源とドレインの接点の前処理この実験の目的は、金供給源とドレインの接点の不活性表面にテトラチオモリブデン酸アンモニウムを塗布することによって前処理することであった。I.UV-オゾンによる洗浄金供給源とドレインの接点を含むOTFT基材をガラス基材にのせ、UV-オゾンで処理した。有機汚染物質を部分的に除去することに加え、UV-オゾン処理は、金接点の仕事関数を約5.6eVまで上げ、金表面を親水性にすることがわかった。表面の仕事関数の変化を図3にラベルIによって示す。II.テトラチオモリブデン酸アンモニウムの吸着次いで、UV-オゾンで処理したOTFT基材を、テトラチオモリブデン酸アンモニウムの0.5w/w水溶液にし、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。テトラチオモリブデン酸アンモニウムの吸着によって、金接点の表面の仕事関数が4.6eVまで低下した。これを図3にラベルIIによって示す。III.空気中でのアニーリング次いで、前処理した金接点を空気中、125°Cで5分間乾燥させ、次いで、空気中、175°Cで10分間アニーリングした。この表面アニーリングによって、表面の仕事関数がまず4.95eVまで上がり、次いで5.1eVへと徐々に上昇した。これを図3にラベルIIIによって示す。IV.空気中での熱分解最後に、前処理した金接点を空気中、220°Cで10分間アニーリングした。これにより、表面の仕事関数が4.8eVまで大きく低下した。これを図3にラベルIVによって示す。bモリブデン酸の塗布次いで、テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理したOTFT基材を、モリブデン酸の2w/w水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。モリブデン酸溶液をスピンコーティングによって塗布するか、またはインクジェット印刷のような添加プロセスによって塗布する。インクジェット印刷の空間分解能を高めるために、表面エネルギーのパターンを使用し、モリブデン酸水溶液が親水性の金パターンから基材へと広がるのを防ぐことができた。このような表面エネルギーパターンは、フォトリソグラフィーを用いてあらかじめ規定することができた。c堆積したモリブデン酸を酸化モリブデンIVへと変換前処理した金接点にモリブデン酸溶液を堆積させた後、熱によるアニーリングによって、モリブデン酸を酸化モリブデンIVに変換した。第1に、表面を空気中、120°Cで5分間乾燥させ、次いで、空気中、140°Cで5分間アニーリングした。テトラチオモリブデン酸塩接着層を用いずに、金の上でモリブデン酸をアニーリングすると、表面の仕事関数がすばやく低下した。これを以下の実施例によって示す。実施例2aテトラチオモリブデン酸アンモニウム接着層を用いない場合I.AUV-オゾン処理金供給源とドレインの接点を含むOTFT基材をガラス基材にのせ、UV-オゾンで処理した。この前処理によって、接触表面の仕事関数が5.6eVまで増加した。これを図4にラベルI.Aによって示す。II.Aモリブデン酸の堆積次いで、UV-オゾンで前処理した金表面を、モリブデン酸の2w/w水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。モリブデン酸の堆積によって、表面の仕事関数が5.43eVまで低下した。これを図4にラベルII.Aによって示す。III.A空気中でのアニーリング最後に、空気中でのアニーリングによって、モリブデン酸をMoO3に変換し、第1に、115°Cで5分間乾燥させ、次いで、140°Cで5分間アニーリングした。これにより、表面の仕事関数がまず5.3eVまで低下し、次いで5.2eVまで徐々に低下した。これを図4にラベルIII.Aによって示す。bテトラチオモリブデン酸アンモニウム接着層を用いる場合I.BUV-オゾン処理金供給源とドレインの接点を含むOTFT基材をガラス基材にのせ、UV-オゾンで前処理し、テトラチオモリブデン酸アンモニウムの0.5w/w水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させ、次いで、空気中、220°Cで10分間アニーリングした。得られたテトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理し、アニーリングした基材は、初期の仕事関数が4.8eVであった。これを図4にラベルI.Bによって示す。II.Bモリブデン酸の堆積次いで、テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理した金接点を、モリブデン酸の2w/w水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。モリブデン酸の堆積によって、表面の仕事関数が5.43eVまで増加した。これを図4にラベルII.Bによって示す。III.B空気中でのアニーリング最後に、空気中でのアニーリングによって、モリブデン酸をMoO3に変換し、第1に、120°Cで5分間乾燥させ、次いで、140°Cでさらに5分間アニーリングした。アニーリングすると、表面の仕事関数は、120°Cで5分後に5.43eV、140°Cで5分後に5.4eVとかなり安定なままであった。これを図4に示す。この比較から、テトラチオモリブデン酸アンモニウム接着層を用いない場合、モリブデン酸を金の上でアニーリングすると、表面の仕事関数がすばやく低下する。これとは対照的に、テトラチオモリブデン酸アンモニウム接着層を使用すると、モリブデン酸のアニーリング中、表面の仕事関数はかなり安定なままである。その結果、本発明は、有機薄膜トランジスタデバイス内の有機半導体層とソース電極および/またはドレイン電極との温度安定性の抵抗接触の製造において有用な用途を有する。モリブデン酸を酸化モリブデンIVMoO3へと熱によって変換した後、OTFTの有機半導体層および誘電層をその上に堆積させ、次いで、ゲート電極を熱によって蒸発させた。本発明にしたがって有機薄膜トランジスタを製造するさらなる工程を当業者なら知っている任意の技術によって行ってもよい。