絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に配置された、複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差するように形成される表示信号線と、前記走査信号線と前記表示信号線との間に形成されるゲート絶縁膜と、前記走査信号線と前記表示信号線との交差部に形成されて、前記走査信号線と前記表示信号線とに接続する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続する画素電極と、を有する表示領域と、前記走査信号線から前記表示領域外に延在する走査信号線引き出し領域と、前記表示信号線から前記表示領域外に延在する表示信号線引き出し領域と、対向基板上の対向電極と接続する対向電極接続端子と、駆動回路が実装されるIC実装端子領域と、フレキシブルプリント回路基板が実装されるFPC端子領域と、対向基板と貼り合わされるために形成されるシール材を形成するシール領域と、を有する額縁領域と、前記表示領域と前記シール材領域と前記対向電極接続端子と、前記IC実装端子領域と、前記FPC端子領域とを除いた領域に凹凸が形成された有機平坦化膜とを有する薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、前記有機平坦化膜を塗布する工程と、中間調露光を用いて前記有機平坦化膜に前記凹凸を形成する工程と、前記凹凸が形成された前記有機平坦化膜の表面にロールブラシが接するように洗浄する工程と、前記洗浄後に、前記有機平坦化膜上に前記画素電極を構成する透明導電膜を成膜する工程とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。しかし、特許文献1に記載の技術では、ブラシに付着している異物を十分に塞き止め捕捉するためには障壁の幅が広くなるため、面付けに余裕が無い場合はガラス基板1枚に対するパネルの取れ数が減少してしまう可能性がある。また、特許文献2や特許文献3には、ラビング処理を施す場合に生じるラビング屑を補足するために障壁を設ける旨の記載はあるものの、ロールブラシ洗浄の際に生じる異物による有機平坦化膜表面のキズに関する記載は無い。本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたものであり、反射型又は半透過型液晶表示装置に用いられて、有機樹脂膜を有するTFTアレイ基板の製造工程において、ブラシ洗浄の際に異物が有機平坦化膜表面にキズを生じさせることを防止することにより、製造工程中の歩留り向上を図ることが可能であって、かつ、信頼性の高い反射型、又は半透過型液晶表示装置を製造することが可能な製造方法を提供することである。上記の課題を解決するために、本特許においては、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に配置された、複数の走査信号線と、前記走査信号線と交差するように形成される表示信号線と、前記走査信号線と前記表示信号線との間に形成されるゲート絶縁膜と、前記走査信号線と前記表示信号線との交差部に形成されて、前記走査信号線と前記表示信号線とに接続する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続する画素電極と、を有する表示領域と、前記走査信号線から前記表示領域外に延在する走査信号線引き出し領域と、前記表示信号線から前記表示領域外に延在する表示信号線引き出し領域と、対向基板上の対向電極と接続する対向電極接続端子と、駆動回路が実装されるIC実装端子領域と、フレキシブルプリント回路基板が実装されるFPC端子領域と、対向基板と貼り合わされるために形成されるシール材を形成するシール領域と、を有する額縁領域と、前記表示領域と前記シール材領域と前記対向電極接続端子と、前記IC実装端子領域と、前記FPC端子領域とを除いた領域に凹凸が形成された有機平坦化膜とを有する薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、前記有機平坦化膜を塗布する工程と、中間調露光を用いて前記有機平坦化膜に前記凹凸を形成する工程と、前記凹凸が形成された前記有機平坦化膜の表面にロールブラシが接するように洗浄する工程と、前記洗浄後に、前記有機平坦化膜上に前記画素電極を構成する透明導電膜を成膜する工程とを備えた薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。本発明によれば、製造工程中の歩留り向上を図ることが可能であって、かつ、信頼性の高い反射型、又は半透過型液晶表示装置を製造することが可能な製造方法を提供することができる。実施の形態1.図1は本実施の形態1に係るTFTアレイ基板81の模式的平面図である。TFTアレイ基板81は、図1に示すように、矩形状に形成された表示領域50と、この表示領域の外側に区画される額縁領域51とに分かれる。表示領域50には、複数の走査信号線10と複数の表示信号線20とが交差するように形成されている。走査信号線10は、図1中の横方向に延在し、縦方向に複数並設されている。走査信号線10と表示信号線20の交差点付近にはTFT40が形成されており、TFT40はマトリクス状に配置されている。そして、隣接する走査信号線10と表示信号線20とで囲まれた領域が画素領域52として機能し、画素領域52においては、TFT40と接続して表示に寄与する画素電極も形成されている。換言すると、複数の画素領域52が形成されている領域が、表示領域50となる。ここで、TFT40を構成するゲート電極後述は走査信号線10に接続されている。同様にして、TFT40を構成するソース電極後述は表示信号線20に、ドレイン電極後述は、画素電極に接続されている。額縁領域51には、走査信号線引き出し領域55、表示信号線引き出し領域56、IC実装端子領域57、FPC端子領域58、対向電極接続端子41、シール領域59等が形成される。シール領域59は、TFTアレイ基板81と対向基板との間に液晶等の電気光学材料を介して貼り合わせる際に、液晶等の電気光学材料を封入するためのシールを形成する領域である。たとえば、電気光学材料として液晶を用い、TFTアレイ基板を液晶表示装置の構成部品とする場合、液晶表示装置においてはシール領域59で囲まれた領域には液晶が満たされることになる。走査信号線引き出し領域55は、走査信号線10が表示領域50の外に延在して引き回されてIC実装端子領域57に至る領域に相当する。図示しないがIC実装端子領域57には、走査信号線10から延在された端にあるゲート端子14を有するゲート端子部53も形成されている。表示信号線引き出し領域56は、表示信号線20が表示領域50の外に延在して引き回されてIC実装端子領域57に至る領域に相当する。IC実装端子領域57には、ゲート駆動回路やソース駆動回路がCOG技術により直接実装されている。駆動回路と外部端子42は、配線図示せずを介して接続されている。外部端子42には、FPC端子領域58に実装されるフレキシブルプリント回路基板等から外部信号が供給される。そして、外部端子42を介してIC実装端子領域57に配設された駆動回路に外部からの各種信号が供給される。なお、COG実装に代えて、駆動回路が搭載されたTCPをTFTアレイ基板81の外部端子42に実装して、外部の制御基板と接続してもよい。対向電極接続端子41は、シール領域59に形成されるシール材を介して、TFTアレイ基板81と貼り合わされる対向基板上に形成される共通電極と電気的導通を取るための端子である。本発明に係る、TFTアレイ基板をブラシ洗浄する際に生じた異物を表示領域50の外で塞き止め捕捉するための有機樹脂膜による凹凸形状を形成することが可能な領域を図2に示す。図2中に斜線で示した領域は、図1のTFTアレイ基板81のうち表示領域50、シール領域59、対向電極接続端子41、外部端子42、IC実装端子領域57、FPC端子領域58を除いた領域である。この領域は有機樹脂膜5に凹凸形状を形成することが可能な領域であり、必ずしも領域全域に凹凸形状を形成する必要はなく、任意の領域に凹凸形状を形成することが可能である。次に、TFTアレイ基板81の構成について詳細に説明する。図3に、TFTアレイ基板81の画素領域52近傍、ゲート端子部53、及び図2に示した領域に形成された有機樹脂膜凹凸部の模式的断面図を示す。図3は、半透過型液晶表示装置の場合である。図3中のRは反射領域を、図3中のTは透過領域を示す。実施形態1に係るTFTアレイ基板81に形成されたTFT40は、図3ではチャネルエッチ型の逆スタガ型を示しているが、これに限定されない。TFTアレイ基板81は、同図に示すように、絶縁性基板1、ゲート絶縁膜2、半導体層3、層間絶縁膜4、有機平坦化膜5、ゲート電極12、保持容量配線13、ソース電極22、ドレイン電極23、画素電極30等を有する。具体的には、絶縁性基板1上のゲート電極12や保持容量配線13を覆うように形成されたゲート絶縁膜2上に半導体層3がゲート電極12と対向するように形成されており、半導体層3上で対向するようにソース電極22とドレイン電極23とが形成され、それらを覆うようにして層間絶縁膜4と有機平坦化膜5が形成されている。有機平坦化膜5上の画素電極30は、透明導電性薄膜31又は、これと反射導電性薄膜32との積層構造により構成される。なお、説明の便宜上、ゲート絶縁膜2及び層間絶縁膜4を総称して絶縁膜とも云う。また、画素電極30よりも下層に配置される配線や電極パターンを総称して下層配線層とも云う。図3において、有機樹脂膜凹凸領域の有機平坦化膜5の表面の凹凸形状5Cは反射領域Rの凹凸形状5Aと同様の形状となっているが、有機樹脂膜凹凸領域では反射効率を考慮する必要はないため、必ずしも凹凸形状5Aと同一形状である必要はない。次に、実施形態1に係るTFTアレイ基板81の製造方法について図4~図9を用いて説明する。図4~図9の、、は、それぞれ有機樹脂膜凹凸部、ゲート端子部、画素領域52近傍の製造工程断面図である。まず、絶縁性基板1上にスパッタ装置などを用いて第1導電膜を成膜し、写真製版工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等を経て、走査信号線10、ゲート電極12、保持容量配線13、ゲート端子14等を形成する。第1導電膜としては、例えば、Cr、Al、Mo、Wなどの金属やこれらの金属を主成分とする合金を用いることができる。また、これらの積層膜を用いてもよい。次に、ゲート電極12等のパターンの上にCVD装置等を用いて、酸化シリコンや窒化シリコン等のゲート絶縁膜2、半導体層3を成膜する。半導体層3としては、例えば、下層側に不純物の混在しないイントリンジックなアモルファスシリコンを、上層側にPなどの不純物を含むn型のアモルファスシリコンを成膜する。そして、写真製版工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等を経て島状の半導体層3を得る。続いて、スパッタ装置等を用いて第2導電膜を成膜し、写真製版工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等を経て、表示信号線20、ソース電極22、ドレイン電極23等を形成する。また、この後、ソース電極22、ドレイン電極23をマスクとしてソース電極22とドレイン電極23間のチャネル領域を形成するためにチャネルエッチを行う。具体的には、半導体層3の上層の不純物を含むアモルファスシリコンをエッチングし、イントリンジックなアモルファスシリコンを残すようにエッチングを行う。上記工程によりTFT40を含む下層配線層が形成される。その後、CVD装置等を用いて、窒化膜等からなる層間絶縁膜4を成膜する。続いて、感光性有機樹脂膜である有機平坦化膜5をスピンコート法などにより塗布形成する。有機平坦化膜は、ポジ型であってもネガ型であってもよい。本実施の形態1においては、ポジ型の感光性有機樹脂膜を用いた例について説明する。ここで、以下の4つの領域に応じて、有機平坦化膜5に対して、公知のハーフトーン露光技術により露光を行い、現像により有機膜パターン5Bを形成する。有機平坦化膜5として感光性有機樹脂膜を用いた場合は、別途感光性のレジストを用いることなく、直接的にパターン形成を行うことができるので良い。図4、において、有機膜パターン5Bのうち、層間絶縁膜4を有機平坦化膜5により被覆して有機平坦化膜の表面に凹凸形状5Cを形成する領域が第4領域A4である。また図4、において、絶縁膜に開口部を形成する領域が第1領域A1である。さらに図4において、層間絶縁膜4を有機平坦化膜5により被覆して有機平坦化膜5の表面に凹凸形状5Aを形成する領域が第2領域A2である。そして、層間絶縁膜4を有機平坦化膜5により被覆して有機平坦化膜5の表面をフラットとする領域が第3領域A3である。第1領域A1には、現像により有機平坦化膜5の除去が可能な強度の露光光を照射する。第2領域A2においては、有機平坦化膜5の表面に凹凸形状5Aが形成されるように中間調露光を行う。一方、第3領域A3は、未露光部となるようにする。第4領域A4において、凹凸形状5Cが凹凸形状5Aと同様な形状に形成されているが、この形状に限定せず、凹凸形状5Cの凹部では絶縁膜が露出するまで有機平坦化膜を除去してもよく、凹凸の大きさ、傾斜角、凹凸の個数等は限定されない。これにより、図4に示すような有機膜パターン5Bが得られる。図4において、有機膜パターン5Bをマスクとして、露出している絶縁膜である層間絶縁膜4をエッチングにより除去する。また、層間絶縁膜4の直下層に配設されているゲート絶縁膜2も同時にエッチングにより除去する。これにより、図5に示すように下層配線層が露出したコンタクトホールCH1、CH2が形成される。図5において、コンタクトホールCH1は、TFT40の領域において、有機膜パターン5Bの表面からドレイン電極23の表面まで貫通する開口部である。コンタクトホールCH2は、ゲート端子部53において有機膜パターン5Bの表面からゲート端子14の表面まで貫通する開口部である。図6において、有機平坦化膜5上に透明導電性薄膜31と反射導電性薄膜32を成膜する。透明導電性薄膜31としては、例えば、ITO、IZO、ITZOなどを適用することができる。なお、透明導電性薄膜31の成膜前に、ブラシ洗浄を行う。具体的には、水等の液体を吹付けつつ、ロールブラシを回転させながらアレイ基板に接触させて、アレイ基板の表面上の異物を除去する洗浄を行う。透明導電性薄膜31の成膜に続いて、反射導電性薄膜32を成膜する。反射導電性薄膜32としては、可視光領域で反射率が高い金属膜、例えば、AlやAg、若しくはこれらの積層膜や、これらを主成分とする合金を好適に用いることができる。焼きつきなどの表示の不具合を防止するために、反射導電性薄膜32の上にさらに薄い透明導電性薄膜を積層してもよい。次に、反射導電性薄膜32上にレジスト6をスピンコート法などにより塗膜する。そして、図7において、写真製版工程により膜厚方向に段差構造を有するレジストパターン6Aを形成する。膜厚方向に段差構造を有するレジストパターン6Aは、公知のハーフトーンやグレートーンを用いた露光技術のように、多階調の露光を用いる技術を適用することにより得ることができる。透明導電性薄膜31と反射導電性薄膜32を除去する領域には、現像によりレジスト6の除去が可能な強度の露光光を照射する。一方、反射導電性薄膜32を除去して透明導電性薄膜31のみ残存させたい領域においては、レジストの薄い膜厚が残存するように中間調露光を行う。そして、透明導電性薄膜31と反射導電性薄膜32を残す領域は、未露光部となるようにする。露光工程後、現像することにより、図7に示すようなレジストパターン6Aを得る。その後、レジストパターン6Aをマスクとして反射導電性薄膜32及び透明導電性薄膜31をエッチングする。これにより、レジストパターン6Aに被覆されていない領域の有機平坦化膜5が露出する。続いて、レジストパターン6Aの膜厚をアッシング等により減じて、レジストパターン6Bを形成する。これにより、透過領域Tの反射導電性薄膜32が露出する。同様に、ゲート端子部53の反射導電性薄膜32が露出する。そして、レジストパターン6Bをマスクとして、露出する反射導電性薄膜32をエッチングする。これにより、反射領域Rを除く領域の反射導電性薄膜32が除去される。また、ゲート端子部53の反射導電性薄膜32が除去される。その後、レジストパターン6Bを除去することにより、図3に示すようなTFTアレイ基板81が得られる。完成したTFTアレイ基板81に配向膜を塗布しラビング処理を行った後、シール領域59にシール材を塗布し、カラーフィルタや共通電極等が形成された対向基板との間に液晶を封入するように貼合わせることにより液晶表示装置が完成する。図2に示すように、本実施の形態に係るアレイ基板上に形成される有機平坦化膜の凹凸は、TFTアレイ基板81上において、表示領域50と各種端子領域とシール領域とコンタクトホール開口部を除いた領域に任意に配設することができる。またその凹凸形状は、反射部の形状に限定されない。こうして配設した有機平坦化膜の凹凸によって、有機平坦化膜形成後の洗浄工程でロールブラシ等を用いる際に、ロールブラシにより表示領域内に持ち込まれる異物を捕捉することができ、異物が隣接間画素や対向電極基板と短絡して生じる欠陥を低減することができる。また、この有機平坦化膜の凹凸形状は有機平坦化膜形成工程以降の工程においても維持されるため、有機平坦化膜形成後の洗浄に限らず、以降に実施されるブラシ等による洗浄工程全てにおいて同様に異物捕捉の効果を得ることができる。加えて、有機平坦化膜の表面の凹凸はTFTアレイ基板にTFTアレイを形成する工程と同時に形成されるので、新たな材料や工程の追加が不要である。また、特許文献1では障壁を設置するための領域が必要であるが、本発明では有機平坦化膜の表面に凹凸を配設するので、特許文献1のように異物を捕捉するための障壁配設用の領域を確保する必要はない。実施の形態1の図4における第4領域A4の凹凸形状5Cについてのその他の実施形態について図10に示す。図10のは図4の第4領域A4と同様の形状であり、凹凸形状5Cについて図10の凹凸の高低差を大きくしたものを図10に示す。また、図10については、凹部で下層の絶縁膜が露出するまで有機平坦化膜5を除去した形状となっている。捕捉したい異物の寸法に応じて適宜選択することにより、異物の捕捉効率を高めることが可能である。