相対密度が50以上98未満である、CVD法によって調製された、膜割れが生じない窒化アルミニウムAlN膜であって、ナノインデンテーション法によりダイヤモンドバーコビッチ圧子を用いて測定した室温におけるナノインデンテーション硬さが、10GPa以上30GPa未満であることを特徴とする窒化アルミニウム膜。前記窒化アルミニウム膜の、X線回折法によって測定した100面におけるロッキングカーブの半値幅が500arcsec以上2000arcsec未満である、請求項1に記載された窒化アルミニウム膜。基材の全表面又は一部の表面が直接又は中間層を介して窒化アルミニウム膜によって被覆されてなる部材であって、前記窒化アルミニウム膜が請求項1又は2に記載された窒化アルミニウム膜であることを特徴とする部材。前記中間層がAl、Si、Cu、Ni、Mo、Wの群の中から選択された少なくとも一つの元素を含む金属又は合金である、請求項3に記載された部材。前記窒化アルミニウム膜によって被覆される基材が、石英、黒鉛グラファイト、熱分解黒鉛、熱分解窒化硼素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素又は高融点金属の何れかである、請求項3又は4に記載された部材。前記窒化アルミニウム膜を被覆した部材が半導体製造装置用部品である、請求項3~5の何れかに記載された部材。本発明者等は、10GPa以上という高硬度を有すると共に、膜割れ等の生じない実用可能な窒化アルミニウム膜を得るために、更に鋭意検討を重ねた結果、窒化アルミニウム膜の結晶性を低下させることによって、相対密度を上げ過ぎることなく、高硬度な窒化アルミニウム膜を得ることができることを見出し、本発明に到達した。したがって本発明の第1の目的は、ハロゲン系腐食性ガスに対して高い耐食性を有すると共に、10GPa以上という高硬度であって、実用可能な窒化アルミニウム膜を提供することにある。本発明の第2の目的は、ハロゲン系腐食性ガスに対して高い耐食性を有すると共に、高い硬度を有し、耐擦傷性に優れた部材を提供することにある。即ち本発明は、相対密度が50以上98未満である、CVD法によって調製された、膜割れが生じない窒化アルミニウムAlN膜であって、ナノインデンテーション法によりダイヤモンドバーコビッチ圧子を用いて測定した室温におけるナノインデンテーション硬さが、10GPa以上30GPa未満であることを特徴とする窒化アルミニウム膜、及び、該膜によって、基材の全表面又は一部の表面が直接又は中間層を介して被覆されてなる部材である。本発明の窒化アルミニウム膜は、X線回折法によって測定した100面におけるロッキングカーブの半値幅が500arcsec以上2000arcsec未満であることが好ましい。また、本発明の部材が、基材と窒化アルミニウム膜の間に中間層を有する場合には、該中間層がAl、Si、Cu、Ni、Mo、Wの群の中から選択された少なくとも一つの元素を含む金属又は合金であることが好ましく、前記窒化アルミニウム膜によって被覆される基材が、石英、黒鉛グラファイト、熱分解黒鉛、熱分解窒化硼素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素又は高融点金属の何れかであることが好ましい。本発明の部材は、半導体製造装置用部品として特に好適である。本発明の窒化アルミニウム膜は硬度が極めて高く、ハロゲン系腐食性ガスに対して高い耐食性を有するだけでなく耐擦傷性にも優れており、特に、基材の全表面又は表面の一部を該窒化アルミニウム膜で被覆した本発明の部材は、被処理物と擦れても殆ど摩耗することがないので、特に、半導体装置用部材として好適である。本発明の窒化アルミニウム膜は、ナノインデンテーション法でバーコビッチ圧子を用いて測定した室温のナノインデンテーション硬さが、10GPa以上30GPa未満であることが必要である。上記硬さが10GPa未満であると、窒化アルミニウム膜が被処理体と擦れると、摩耗してパーティクルが発生したり、被覆された基材が露出したりするので好ましくない。また、30GPa以上であると、逆に被処理体の方が摩耗することが多いので好ましくない。本発明の窒化アルミニウム膜は、公知のCVD法によって得ることができるが、通常の方法通りに製造しても、本発明の窒化アルミニウム膜を得ることはできない。即ち、本発明の窒化アルミニウム膜は、結晶性が低く、やや非晶質な構造となっているために、金属などの歪み硬化に似た現象が起こり、高い硬度を有すると考えられる。実際、本発明においては、窒化アルミニウム膜のX線回折法によって測定した100面におけるロッキングカーブの半値幅が500arcsec以上2000arcsec未満である場合に特に良い性能の窒化アルミニウム膜を得ることができる。上記半値幅が500arcsec未満であると、結晶性が高く、歪が発生しないため、硬度を10GPa以上とすることはできない。本発明においては窒化アルミニウム膜の結晶性を低下させるために、酸素を固溶させることが好ましい。しかしながら、半値幅が2000arcsec以上になるまで酸素を固溶させると、窒化アルミニウムの酸素固溶限を越えるためにアルミナが生成され始めるので好ましくない。なお、酸素供給源としては、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素又は水蒸気等を、単独で又は混合して用いても良い。酸素を固溶させる方法は公知の方法によって行うことができる。また、本発明の窒化アルミニウム膜の相対密度は、50以上98未満であることが必要である。50未満であると、膜の硬度が10GPa未満に低下し、98以上であると、硬度は更に上昇するものの、膜に割れが発生するので実用することができない。本発明の窒化アルミニウム膜に被覆された部材は、窒化アルミニウム膜と基材との間に中間層を有していても良い。該中間層を設けることにより、膜と基材との間の、熱膨張率の違いによる熱応力を緩和することができるだけでなく、窒化アルミニウム膜と基材との密着性を向上させることもできる。本発明で使用することのできる中間層は、B、Al、Si、Cu、Ni、Mo、Wからなる群の中から選択された少なくとも1種の元素を含む金属又は合金であることが好ましい。これらの金属又は合金は、クリープ現象によって応力を緩和することができるので、基材と膜の相性が悪い場合でも、密着性を向上させることができる。本発明の窒化アルミニウム膜によって被覆される基材は、高温での熱CVD工程に耐えることができる、石英、黒鉛グラファイト、熱分解黒鉛、熱分解窒化硼素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素又は高融点金属であることが好ましい。本発明の窒化アルミニウム膜によって被覆された部材は、静電チャックやヒータ等の半導体製造装置部品として使用するのに好適である。この場合には、本発明の部材における、シリコンウェハ等の被処理体を接触固定する部分が被処理体と擦れても、本発明の部材は殆ど摩耗することがないのでパーティクルの発生が防止される。以下、実施例によって本発明を更に詳述するが、本発明はこれによって限定されるものではない。基材である、50mm角で厚さが2mmの窒化アルミニウム板の表面に、熱CVD法により窒化アルミニウムの被覆膜を形成した試料を数種類作製した。上記CVD法による成膜におけるアルミニウム供給源として有機金属化合物であるトリメチルアルミニウムTMAを用いると共に、バブリング用のガスとしてArガスを用い、バブラー法によってTMAを反応炉内に供給した。なお、バブリング用のガスとしては、N2やH2或いはHe等を用いても良い。一方窒素の供給原であるアンモニアは、液体アンモニアを加熱気化させて供給し、固溶させる酸素の供給源としては、酸素ガスを用いた。バブリングガスであるAr、アンモニア及び酸素は、全てマスフローコントローラーMFCを使用して流量を制御しつつ、CVD反応炉内に供給した。供給する酸素量を、供給するTMA中のアルミに対する比、O/Alが0~200となるように、それぞれ一定の比率で供給した。CVD反応炉内を、絶対圧力が50Pa程度になるように、真空ポンプでガスを排気しながら調整すると共に、反応温度を1000°Cに設定し、厚みが100μmとなるように窒化アルミニウム膜を成膜させて、窒化アルミニウム板の表面を被覆した。各試料について、下記の硬さ、窒化アルミニウムの100面の半値幅、及び相対密度を測定した結果を表1に示した。硬さ:AgilentTechnologies社製のNanoIndenterXP/DCM登録商標を用いて、ナノインデンテーション法により求めたものである。圧子としてはダイヤモンド製バーコビッチ型を使用し、連続剛性測定CSMモードで、押し込み深さを1500nmとし、室温で1サンプルにつき25点測定した。極端に逸脱したデータを削除対象として、深さと硬さのプロットデータを得た図1。図に示された、深さ方向でばらつきの小さい安定した領域200~400nmの数値を平均化して、硬さの値とした。窒化アルミニウムの100面の半値幅:リガク社製のX線回折装置RINT2500VHFを用い、管電圧30kV、管電流30mA、スキャンスピード60°分、サンプリング幅005°、2θ=20~80°の範囲で、X線回折プロファイルを測定した。測定したプロファイルについて、リガク社製の統合粉末X線解析ソフトウェアPDXLを用いて、バックグラウンドを除去し、平均化処理のピーク解析を行い、半値幅を計算した。相対密度:窒化アルミニウム被覆膜の厚み、及び、成膜前後の重量の差分から求めた被覆膜の重量とから計算したものであり、相対密度100の膜の密度を325gcm3として算出した。基材である、50mm角で厚さが2mmのグラファイト板の表面に、イオンプレーティング法によってタングステンW膜を中間層としてコーティングし、その後、下記のようにして、熱CVD法により窒化アルミニウムの被覆膜を形成させた試料を作製した。バブリングガスであるAr、アンモニア及び酸素は、全てMFCを使用して流量を制御しつつ、CVD反応炉内に供給した。供給する酸素量を、供給するTMA中のアルミに対する比O/Alが10となるように供給した。CVD反応炉内を、絶対圧力が50Pa程度になるように、真空ポンプでガスを排気しながら調整し、反応温度を1000°Cに設定すると共に、窒化アルミニウム膜を厚みが100μmとなるように成膜させて、グラファイト板の表面を窒化アルミニウム膜で被覆した。得られた試料について、膜の状態を目視で評価し、その結果を表2に示した。比較例1.グラファイト板の表面に、直接熱CVD法により窒化アルミニウムの被覆膜を形成させようとしたこと以外は実施例2と同様にしたところ、密着性が悪いためか、CVD後に膜剥がれが発生した。50mm角で厚さが2mmの熱分解窒化硼素基材の表面に、スパッタ法によって、アルミニウムの中間層をコーティングし、その後実施例2と同様にして、該中間層の上に、熱CVD法により窒化アルミニウムの被覆膜を形成させた試料を作製した。得られた試料について、膜の状態を目視で評価し、その結果を表2に示した。スパッタ法によって、アルミニウムの中間層の代わりに銅をコーティングして中間層としたこと以外は、実施例3と同様にして試料を作製した。得られた試料について、膜の状態を目視で評価し、その結果を表2に示した。比較例2.中間層を設けなかったこと以外は、実施例3と同様にして試料を作製した。得られた試料について、膜の状態を目視で評価し、その結果を表2に示した。実施例5~9その他の中間層と部材の組み合わせである、実施例5Siと石英、実施例6Niと石英、実施例7Moと酸化アルミニウム、実施例8Wと窒化珪素、及び実施例9Wと炭化ケイ素についても実施例3と同様にして試料を作製したところ、何れの場合も、CVD後の窒化アルミニウム膜にひび割れや剥がれが発生せず、良好な基材を得ることのできることが確認された。窒化アルミニウム焼結体を基に作製した静電チャック図2に、中間層を設けなかった他は実施例3と同様にして窒化アルミニウム膜を被覆し、シリコンウェハに対する、吸着による接触試験を繰り返し行ったところ、摩耗はほとんど見られず、パーティクルの発生を抑制することができることを確認することができた。