ウエハ保持体用のセラミックス基体内に埋設された電気回路に接続する電極構造であって、一端が前記電気回路に電気的に接続されると共に他端が接地または外部電源に接続されたセラミックス電極を有し、該セラミックス電極の表面にはメタライズ層が形成されていることを特徴とする電極構造。前記セラミックス電極と前記電気回路の間に介在する接続端子をさらに有していることを特徴とする、請求項1に記載の電極構造。前記接続端子及び/又は前記セラミックス電極を覆う絶縁パイプをさらに有していることを特徴とする、請求項2に記載の電極構造。前記セラミックス電極は筒状であり、その内壁面にメタライズ層が形成されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の電極構造。請求項1~4のいずれかに記載の電極構造を備えていることを特徴とするウエハ保持体。しかしながら、上記特許文献2の技術では、ウエハ保持体が高温になって給電端子と筒状体との間に熱膨張差が生じた場合は、封止部材が破損してしまうことがあった。その結果、電極部分に外部雰囲気のガスが侵入し、電極やその接続部を腐食させることがあった。本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い電極構造を提供することを目的としている。上記目的を達成するため、本発明が提供する電極構造は、ウエハ保持体用のセラミックス基体内に埋設された電気回路に接続する電極構造であって、一端が前記電気回路に電気的に接続されると共に他端が接地または外部電源に接続されたセラミックス電極を有し、該セラミックス電極の表面にはメタライズ層が形成されていることを特徴としている。上記本発明の電極構造は、セラミックス電極と電気回路の間に介在する接続端子をさらに有してもよい。また、接続端子及び/又はセラミックス電極を覆う絶縁パイプをさらに有してもよい。セラミックス電極には、例えば筒状のセラミック材の内壁面にメタライズ層を形成したものを使用することができる。本発明によれば、半導体製造装置用のウエハ保持体に使用する電極構造の耐久性を低温から高温に至る広い温度範囲に亘って向上させることができるので、信頼性の高いウエハ保持体を提供することができる。本発明の電極構造は、半導体製造装置に使用されるウエハ保持体において、ウエハ載置面を備えたセラミックス基体内に埋設された発熱体、静電チャック用電極、RF電極等の電気回路に接続するものであり、一端が当該電気回路に直接的又は間接的に接続されると共に他端が接地または外部電源に接続されたセラミックス電極からなる。かかるセラミックス電極の形態としては、セラミックス製の棒状体にメタライズを施して表面にメタライズ層金属化層とも称するを形成したものや、セラミックス製のパイプにメタライズを施して例えば内壁面にメタライズ層を形成したものがある。これにより、セラミックス電極を構成する本体部分が絶縁体であっても、良好な導通を確保することができる。上記セラミックス電極に使用するセラミックス材には、セラミックス基体に熱膨張率が近似する材質を選択するのが好ましい。例えばセラミックス基体が窒化アルミニウムからなる場合は、セラミックス電極の材質にもセラミックス基体と同じ窒化アルミニウムを使用するのが最も好ましいが、これ以外にムライト、ムライトとアルミナとの複合体、ムライトをベースとした複合体に必要に応じて希土類等の添加物を添加したもの等を使用してもよい。上記セラミックス材に施すメタライズは、セラミックス電極の使用環境に応じて各種メタライズの中から適宜選択することができる。例えば、セラミックス電極が窒素中で使用されたり、あるいは大気中でも比較的低温の環境で使用される場合は、タングステンやモリブデン等のメタライズを採用することができる。一方、セラミックス電極が比較的高温でかつ耐酸化性が要求される環境で使用される場合は、銀、パラジウム、金、白金、又はこれらの合金などの耐酸化性を有する金属のメタライズを選択するのが好ましい。後者の場合は、タングステン等のメタライズ層の上にニッケルや金等のメッキを施して耐酸化性やマイグレーション性を向上させてもよい。以下、上記した本発明の電極構造の具体的な構造について、本発明の電極構造の一実施形態である、セラミックス製の棒状体の表面にメタライズを施してなる棒状セラミックス電極の場合を主に取り上げて説明する。この棒状セラミックス電極とセラミックス基体内の電気回路との接続方法には各種の方法を考えることができ、その一例が図1に示されている。具体的に説明すると、先ず図1aに示すように、セラミックス基体1の片面にザグリ加工を施して、セラミックス基体1の内部に埋設されている電気回路2に少なくとも到達する深さを有する略すり鉢状のザグリ部1aを設ける。このザグリ部1aにメタライズを施して、電気回路2が部分的に露出しているザグリ部1aの表面すなわち、略すり鉢状部分のテーパー面にメタライズ層3を形成する。メタライズ層3の材質は特に問わないが、例えば電気回路2がタングステンやモリブデンなどの高融点金属からなるメタライズ層か、あるいは該高融点金属のバルクで形成されるコイルやメッシュなどである場合は、メタライズ層3もタングステンやモリブデンで形成することが好ましい。なお、ザグリ部1aの表面には、メタライズ層3に代えて金属箔等を設置してもよいし、スパッタや蒸着等の薄膜形成手段を用いて金属層を形成してもよい。次に、上記メタライズ層3が形成されたザグリ部1aに嵌め合わせるべく、上記ザグリ部1aと同じ傾斜角度を有する略円錐部が一端部に形成された棒状セラミックス電極4を用意する。そして、この一端部を、ザグリ部1aに嵌め合わせる。前述したように、棒状セラミックス電極4の表面には導通確保のためのメタライズ層4aが形成されているため、図1bに示すように、棒状セラミックス電極4の一端部をザグリ部1aに嵌合することによって、棒状セラミックス電極4とセラミックス基体1の内部に埋設された電気回路2との導通が確保される。上記棒状セラミックス電極4とセラミックス基体1との嵌合部は、その周りの雰囲気から隔離するのが好ましい。そのため、この一実施形態の電極構造では封止手段を用いて嵌合部を封止している。すなわち、図1bに示すように、メタライズされた棒状セラミックス電極4の外径にほぼ一致する内径を有するリング状の封止部材5を棒状セラミックス電極4に外嵌し、この封止部材5とセラミックス基体1におけるザグリ部1aの周縁部との間を封止ガラス6によって封止する。上記封止手段によって、棒状セラミックス電極4をセラミックス基体1に固定することも可能となるが、より強固な接合が望まれる場合は、セラミックス基体1と棒状セラミックス電極4との間をロウ付けで固定してもよい。この場合は、セラミックス基体1及び棒状セラミックス電極4にニッケル等のメッキを部分的に施すことも可能である。また、図2に示すように、セラミックス基体1において、ザグリ部1aの周縁部に、リング状の封止部材5及び封止ガラス6が嵌入するリング状の凹部1bを形成してもよい。上記のようにして電気回路2に導通された棒状セラミックス電極4に対して接地または外部電源からの給電を行うため、棒状セラミックス電極4には外部電極端子が接続される。例えば、本発明の電極構造の一実施態様を示す図3に示されるように、棒状セラミックス電極4においてセラミックス基体1と嵌合する一端部とは反対側の他端部に、外部電極端子10を取り付ける。なお、図3及び後述する図4や図5に示されているセラミックス基体1のザグリ部の最深部の雌ネジ部は、セラミックス電極との間でネジ止めを行わない場合は不要である。この外部電極端子10は、棒状セラミックス電極4と略同じ外径の円柱形状の本体部10aと、この本体部10aにおいて棒状セラミックス電極4に接合している面とは反対側の面から突出する突出部10bとからなる。そして、この突出部10bに接地または給電用のリード線図示せずをカシメや溶接によって接続する。これにより、棒状セラミックス電極4を接地または外部電源に接続することができる。外部電極端子10の材質は金属であることが好ましく、特に棒状セラミックス電極4に使用するセラミックス材と熱膨張係数の近いものであることが好ましい。例えば棒状セラミックス電極4が窒化アルミニウムである場合は、外部電極端子10の材質はタングステンやモリブデン、あるいはこれらの合金が好ましい。外部電極端子10が大気雰囲気などの腐食性雰囲気に曝される場合は、外部電極端子10にニッケル等のメッキを施すことが好ましい。例えば、外部電極端子10の本体部10aをニッケルメッキを施したモリブデンで作製すると共に、棒状セラミックス電極4との接合部図示せずはニッケルメッキを施したタングステンを使用し、これらをネジ止め等の手法により接続するのが好ましい。その際、突出部10bはニッケルで作製し、これをネジ止め等の手法で本体部10aに接続するのがより好ましい。これは、外部電源からのリード線との接合部にニッケルを用いることで、カシメや溶接等が極めて容易になるため、当該接合部の信頼性が向上するからである。封止手段の他の具体例としては、図4に示すように、上記リング状の封止部材5に代えて、棒状セラミックス電極4の直胴部分と略同じ長さの絶縁パイプ11を使用し、これで棒状セラミックス電極4を囲む構造を挙げることができる。この構造は、棒状セラミックス電極4が例えば大気雰囲気などの腐食性雰囲気に曝される条件にあり、かつAg等の耐酸化性のあるメタライズを棒状セラミックス電極4に施すことができない場合に特に有効である。棒状セラミックス電極4の外側を覆う絶縁パイプ11の材質は、棒状セラミックス電極4に使用されるセラミックスと同材質か、あるいは熱膨張係数の比較的近い材料が好ましい。絶縁パイプ11の一端部とセラミックス基体1との間は、封止ガラス12を用いて封止されている。なお、セラミックス基体1側のザグリ部1aの周縁部には、封止ガラス12が嵌入するリング状の凹部1bが設けられている。絶縁パイプ11において、上記セラミックス基体1との間で封止された一端部とは反対側の他端部は、棒状セラミックス電極4の端部に取り付けられた外部電極端子13で封止されている。具体的に説明すると、この外部電極端子13は、絶縁パイプ11の外径と略同じ外径の円板状の本体部13aからなり、その片面には、前述したような接地または給電用のリード線が接続される突出部13bが設けられている。そして、この突出部13bが設けられている面とは反対側の面に、棒状セラミックス電極4の中心部に螺刻された雌ネジ部に螺合する接合部13cが設けられている。この円板状の本体部13aは金属製で構成されており、上記螺合により棒状セラミックス電極4の端面に当接して導通が確保されると共に、棒状セラミックス電極4との対向面の外縁部に、封止ガラス14を介して絶縁パイプ11の端部が接合している。このように、絶縁パイプ11を用いて封止する構造の場合は、セラミックス基体1が加熱されると、絶縁パイプ11及び棒状セラミックス電極4がともに熱膨張する。この時の熱膨張差による熱応力の発生を避けるため、絶縁パイプ11と棒状セラミックス電極4とは互いに熱膨張係数の近い材料を使用するのが好ましく、同一の材料を使用することがより好ましい。同一の材料を使用すれば、熱膨張係数だけではなく、熱伝導率も同一となるため、外部電極端子13やセラミックス基体1における局所的な熱膨張を避けることができ、棒状セラミック電極4の封止の信頼性をより向上させることができるため特に好ましい。なお、上記の絶縁パイプ11を用いて封止する構造では、外部電極端子13と棒状セラミックス電極4とを螺合により電気的に接続する例について説明したが、これに限定されるものではなく、棒状セラミックス電極の端部を凸形状に形成し、当該凸形状に嵌合する凹形状で外部端子電極を形成して電気的に接続してもよいし、逆に棒状セラミックス電極側を凹形状で形成し、外部電極端子側を凸形状で形成して電気的に接続してもよい。例えば、棒状セラミックス電極側の端部を円錐形状などのテーパー面を備えた凸形状で形成し、外部電極端子側をこの凸形状に嵌合するすり鉢状などのテーパー面を備えた凹形状で形成し、これらを互いに嵌め合わせることによって電気的に接続してもよい。また、ネジ止めを用いた接合のほか、例えばロウ材、メタライズ等を用いて電気的に接続してもよい。特に、接続部分の強度をより強固にするためには、棒状セラミックス電極と外部電極端子との間をロウ付けすることが好ましい。この場合は、ロウ付けするロウ材の種類にもよるが、棒状セラミックス電極及び外部電極端子の両方ともニッケル等のメッキ膜を形成しておくことが好ましい。また、棒状セラミックス電極のメタライズ時に、外部電極端子と棒状セラミックス電極とをメタライズにより接合するという方法を取ることもできる。封止手段の更に他の具体例としては、図5に示すように、棒状セラミックス電極4と外部電極端子13との接続部、及び棒状セラミックス電極4とセラミックス基体1との電気的な接続部を除いて、棒状セラミックス電極4の外周部に絶縁コート15を施す構造を挙げることができる。この場合の絶縁コート15の材質も、棒状セラミックス電極4との熱膨張量をマッチングさせるため、同一の材料または熱膨張係数の近い材料を使用することが好ましい。例えば、棒状セラミックス電極4の材質が窒化アルミニウムで、そのメタライズ層4aの材質がタングステンの場合、絶縁コート15の材質としては、窒化アルミニウムやムライト、ムライトにアルミナや希土類等を添加した複合物等が好ましい。絶縁コート15は、例えばこれら材料を含むペーストをメタライズ処理されたセラミックス電極の表面に例えば10μm以上塗布し、焼成することによって形成することができる。またこのように棒状セラミックス電極4の表面に絶縁コート15をコーティングした後、更にその外周面に前述したような絶縁パイプで囲むことも可能である。この場合、棒状セラミックス電極4とセラミック基体1との接合部の封止のみならず棒状セラミックス電極4全体を、棒状セラミックス電極4に被覆した緻密な絶縁コート15及び絶縁パイプによって、より確実に封止することが可能となる。更に、外部電極端子13と棒状セラミックス電極4との接続部分を気密に封止することも可能となる。絶縁パイプで囲む方法としては、例えば、絶縁パイプの内周面にザグリ部を形成し、そこに外部電極端子を装着すると共に、外部電極端子とセラミックス電極との導通を確保する。この状態で、絶縁パイプと外部電極端子との間を、封止部材や封止ガラスを使用して封止すればよい。絶縁パイプと外部電極端子との間を封止する時の雰囲気が窒素等の不活性ガス雰囲気であるならば、絶縁パイプ内も窒素等の不活性ガス雰囲気にすることができるのでより好ましい。特に、棒状セラミックス電極4のメタライズがタングステンやモリブデンなどの耐酸化性の低いメタライズの場合、その酸化を防止することができるため、電極の信頼性がより一層向上するので好ましい。本発明の電極構造では、図6に示すように、表面にメタライズ層20aを備えた円柱形状のセラミックス電極20を使用し、この円柱形セラミックス電極20とセラミックス基体1との接続部に略円錐形状の電極端子21を介在させることも可能である。この場合、電極端子21の先端部に雄ネジ21aを形成し、これに螺合するようにセラミックス基体1のザグリ部1aの最深部に雌ネジを螺刻して両者をネジ止めするのが好ましい。なぜなら、ネジ止めなどの機械的方法で結合することにより、セラミックス同士を結合する場合に比べて部品点数は増えるものの、より信頼性の高い接続構造を実現することができるからである。この場合に使用する電極端子21の材質としては、セラミックス基体1との熱膨張係数差が小さいタングステンやモリブデンを採用するのが好ましい。また、電極端子21には必要に応じてニッケル等のメッキを施してもよい。そして、この電極端子21と円柱形セラミックス電極20とを電気的に接続すれば、セラミックス基体1の内部に埋設された電気回路2に円柱形セラミックス電極20を導通させることができる。電極端子21と円柱形セラミックス電極20との接続方法は、例えば図6に示すように、円柱形セラミックス電極20において、セラミックス基体1との対向面に凹形状の有底孔を形成し、これに嵌合する形状の凸形状の金属部材21bを電極端子21に形成してこれらを組み合わせることで、電気的接触を確保することができる。もちろん、接続方法はこれに限定されるものではなく、前述した棒状セラミックス電極4と外部電極端子13との接合のように、セラミックス電極側を凸形状、電極端子側を凹形状としたり、これら接合部品間をロウ付けしたりするなどの様々な接続方法を採用することができる。図6に示す円柱形セラミックス電極20は、絶縁パイプ11によって円柱形セラミックス電極20と外部電極端子13との接続部、円柱形セラミックス電極20と電極端子21との接続部、及び円柱形セラミックス電極20の全外周面が封止されている。なお、導通が確保されているのであれば、図6に示すように、円柱形セラミックス電極20と外部電極端子13の対向面同士が離間していてもよい。セラミックス電極とセラミックス基体との接続部に電極端子を介在させる構造は、本発明の電極構造の他の実施形態である、セラミックス製のパイプ状部材の内壁面にメタライズ層を形成したものをセラミックス電極として使用する場合においても好適に採用することができる。この場合は、図7に示すように、パイプ状セラミックス電極30の内面にメタライズ層30aを形成することができるため、前述した棒状セラミックス電極を絶縁パイプで囲む場合に比べて部品点数を減らすことができる。また、図6のように円柱状セラミックス電極20と筒状体11との間の熱膨張係数差の影響を受けることがない。なお、パイプ状セラミックス電極30の内面に更にニッケル等のメッキをすることも可能である。パイプ状セラミックス電極30と外部電極端子31との接続部分を気密に封止する方法としては、例えば、パイプ状セラミックス電極30の内周面にザグリ部を形成してメタライズを施した後、そこに外部電極端子31を嵌着することによって外部電極端子31とパイプ状セラミックス電極30との導通を確保する。この状態で、パイプ状セラミックス電極30と外部電極端子31との間を、パイプ状セラミックス電極30の内側に設けた封止部材32や封止ガラス33を使用して封止すればよい。パイプ状セラミックス電極30と外部電極端子31との間を封止する時の雰囲気が窒素等の不活性ガス雰囲気であるならば、パイプ状セラミックス電極30の内側も窒素等の不活性ガス雰囲気となるのでより好ましい。一方、パイプ状セラミックス電極30と略円錐形状の電極端子34との接続は、例えば、パイプ状セラミックス電極30の内周面の端部を電極端子34が嵌合できる形状にしておき、そこに電極端子34を嵌着することによって電極端子34とパイプ状セラミックス電極30との導通を確保する。この状態で、パイプ状セラミックス電極30の外径にほぼ一致する内径を有するリング状の封止部材35をパイプ状セラミックス電極30外嵌し、該封止部材35とセラミックス基体1との間を封止ガラス36によって封止すればよい。図7の構造では、パイプ状セラミックス電極30を流れる電流量が多いときは、セラミック材部分や電極での発熱を極力防止するために、パイプ状セラミックス電極30の内側に更に棒状やパイプ状のセラミックス電極を設置することも可能である。このようにすれば、パイプ状セラミックス電極及び棒状セラミックス電極に分散して電流が流れるため、大電流を流す場合に好適となる。この構造は、12インチウエハ用ウエハ保持体や18インチウエハ用ウエハ保持体において特に好適となる。また、図8aに示すように、表面にメタライズ層40aを備えた円柱状セラミックス電極40が絶縁パイプ41内に収納された、いわゆるモジュール構造を採用することもできる。このモジュール構造では、円柱状セラミックス電極40の両端を電極端子42、43に接続するとともに、これら電極端子42、43と絶縁パイプ41との間を、封止部材や封止ガラスを使用して気密に封止することができる。このような構造を採用すれば、一度に多数のセラミックス電極を比較適用に作製することができるため、製造コストを低減することができる。また、この場合においても、絶縁パイプ41の内面側にメタライズを施して絶縁パイプ41にセラミックス電極の役割を担わせることができるのはいうまでもない。上記モジュール構造の電極部品は、図8bに示すように、セラミックス基体1に予め取り付けられた電極端子44に取り付けることによって円柱状セラミックス電極40と電気回路2との導通を確保することができる。この場合、セラミックス基体1側の電極端子44に雌ネジを形成し、モジュール構造側の電極端子43に雄ネジ加工をしておけば、信頼性が高くかつ取り付けが簡易な接続構造とすることができる。またネジ部の金属部品の酸化を防止するために、封止部材により封止することもできる。この場合の接続構造として、ネジ止めを一例としてあげたが、ロウ付けや溶接等の手法で接続することも可能である。上記説明した本発明の電極構造において、絶縁パイプで被覆されたセラミックス電極を高周波用電極として使用する場合は、これらセラミックス電極と絶縁パイプとの間に形成される空間でプラズマの発生が起こりうる。これを避ける為、絶縁パイプとセラミックス電極間に形成される空間に絶縁物の粉末を充填してもよい。充填する粉末としては特に制約がないが、例えば酸化マグネシウムや、窒化アルミニウム、アルミナ等の粉末を充填することができる。また、上記説明した本発明の電極構造においては、セラミックス電極や絶縁パイプ等に形成されるメタライズ層の耐酸化性の向上、及び電気抵抗値の低下のため、表面に例えばニッケルメッキや金メッキ等を施すこともできる。ニッケルメッキについては、電気メッキ、無電解メッキいずれの方法でもよく、Ni-B、Ni-Pなどを採用することもできる。これらのメッキの厚みは、使用環境により適宜定められる。例えば高温での耐酸化性が要求される場合は、ニッケルのメッキ厚みを例えば10μm以上にすることが好ましい。以上、本発明のウエハ保持体用のセラミック基体に使用する電極構造について様々な具体例を挙げて説明したが、本発明はこれら具体例に限定されるものではなく、本発明の主旨から逸脱しない範囲内で種々の代替例や変形例を考えることができる。すなわち、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲およびその均等物に及ぶものである。実施例1窒化アルミニウムAlN粉末97重量部に対して、酸化イットリウムY2O3を3重量部添加し、さらにバインダー及び有機溶剤を加え、ボールミルにて24時間混合してAlNスラリーを作製した。このスラリーからスプレードライによりAlN顆粒を作製し、得られたAlN顆粒をプレス成形して、焼結後に直径320mm、厚み9mmになるようなプレス体2枚と、焼結後に直径320mm、厚み4mmになるようなプレス体1枚とを作製した。これら3枚のプレス体を700°Cの窒素雰囲気中で脱脂し、更に1850°Cの窒素雰囲気中で焼結してAlN焼結体を作製した。各AlN焼結体に両面研磨加工を行い、厚み8mmのAlN焼結体2枚と厚み3mmのAlN焼結体1枚を作製した。厚み8mmの2枚のAlN焼結体のうちの1枚に対して、その一方の面にヒータ電極回路を、他方の面に高周波電極回路を形成すべく、各々の面にタングステンペーストをスクリーン印刷してこれら導電回路のパターンを形成した。そして、700°Cの窒素雰囲気中で脱脂後、1800°Cの窒素雰囲気中で焼成した。次に、AlN粉末を主成分とするセラミックスペーストを作製した。このセラミックスペーストを、上記ヒータ電極回路及び高周波電極回路がそれぞれ形成されているAlN焼結体の両面にスクリーン印刷にて塗布し、乾燥させた後、700°Cの窒素雰囲気中で脱脂した。そして、ヒータ電極回路の形成面には厚さ8mmのもう1枚のAlN焼結体を重ね合わせ、高周波電極の形成面には厚み3mmのAlN焼結体を重ね合わせた。これら重ね合わせられた3枚のAlN焼結体を圧力098MPa、温度1750°Cのホットプレスで接合した。得られたセラミック基体に対して、厚さ8mmのAlN焼結体側からヒータ回路用の電極部材を取り付けるためのザグリ加工を施し、ヒータ回路を露出させた。このヒータ回路が露出したザグリ部の表面に、図1aに示すようなメタライズ層3を形成した。具体的には、タングステンペーストをザグリ部の斜面に塗布し、1700°Cの窒素雰囲気中で焼成することにより形成した。なお、ザグリ部の最深部には雌ネジを螺刻した。一方、高周波電極回路においては、図1のヒータ電極回路用のようなザグリ加工等はできなかったため、タングステン製の電極端子が高周波電極に電気的に接続するように、セラミック基体に対して厚さ8mmのAlN焼結体側から加工を施し、図9に示すように、セラミック基体1の厚み方向に略平行な内壁面を有する孔を設けた。そして、この孔にタングステン製の接続部材50を挿入した上で、高周波電極用のタングステンメタライズを施し、高周波電極51とタングステン製の電極端子図示せずとの間の電気的な導通が確保できるようにした。なお、タングステン製の接続部材50には予めすり鉢状の凹部53及びその最深部の雌ネジ部53aを形成しておくことで、前述したヒータ回路52の場合と同様にセラミックス電極が接続できるようにした。更に、上記AlN顆粒を用いて、外径80mm、内径72mm、長さ200mmで端部がフランジ加工されたAlN製の筒状体を作製した。そのフランジ部にAlN粉末を主成分とするペーストを塗布し、1700°Cの窒素雰囲気中で上記セラミック基体における厚さ8mmのAlN焼結体側の面に接合した。このようにして作製されたセラミック基体のヒータ回路用ザグリ部に、下記表1に示すように、様々な構造のセラミックス電極を取り付けると共に当該ヒータ回路を用いて大気雰囲気の下で様々な温度に加熱した。そして、各々下記表1に示す温度に到達した後、そのまま100時間保持してかかる電極構造の特性や外観の評価を行った。その評価の結果を下記の表1に併せて示す。この評価は、特性や外観に問題が生じなかったものを○、トラブルが生じて通電がストップしたものを×とした。[表1]上記表1の結果からわかるように、試料12では封止ガラス部からリークが生じて大気雰囲気が絶縁パイプ内に侵入した。その結果、75時間経過付近から抵抗値が上昇して100時間を待たずに通電がストップした。また、セラミックス電極が酸化していた。その他の試料については、いずれも外観及び特性に関して問題が生じなかった。実施例2次に、実施例1と同様にして作製したセラミック基体に対して、その高周波電極RF電極用のザグリ部及びヒータ回路用のザグリ部の両方に下記表2に示すような様々な構造のセラミックス電極を取り付けて大気雰囲気の下で様々な温度に加熱した。そして、ウエハ保持体が所定の温度に到達後、その温度に保持したまま100時間保持すると共に、RF電極に対して1356MHz、15kWの高周波の印加及び停止を1時間当たり100回繰り返した。この時の、RF電極に特性や外観に問題が生じたか否かについて実施例1と同様に評価した。その結果を下記の表2に併せて示す。[表2]上記表2の結果からわかるように、いずれの電極構造においても外観及び特性に関して問題が生じなかった。実施例3次に、実施例1と同様にして作製したセラミック基体に対して、図7に示すような筒状セラミックス電極をヒータ回路用のザグリ部に取り付け、上記実施例1と同様の実験を行った。その結果を下記の表3に示す。[表3]上記表3の結果からわかるように、いずれの電極構造においても外観及び特性に関して問題が生じなかった。実施例4次に、実施例1と同様にして作製したセラミック基体に対して、図7に示すような筒状セラミックス電極を高周波電極用のザグリ部に取り付けて、上記実施例2と同様の実験を行った。その結果を下記の表4に示す。[表4]上記表4の結果からわかるように、いずれの電極構造においても外観及び特性に関して問題が生じなかった。実施例5次に、実施例1と同様にして作製したセラミック基体に対して、図8aに示すようなモジュール構造のセラミックス電極を図8bに示すようにヒータ回路用のザグリ部に取り付け、上記実施例1と同様の実験を行った。その結果を下記の表5に示す。[表5]上記表5の結果からわかるようにいずれの電極構造においても外観及び特性に関して問題が生じなかった。実施例6次に、実施例1と同様にして作製したセラミック基体に対して、図8aに示すようなモジュール構造のセラミックス電極を図8bに示すように高周波電極用のザグリ部に取り付けて、上記実施例2と同様の実験を行った。その結果を下記の表5に示す。[表6]上記表6の結果からわかるように、いずれの電極構造においても外観及び特性に関して問題が生じなかった。実施例7試料31のセラミック電極をヒータ回路用電極として2つ用意し、これらを実施例1と同様にして作製したセラミックス基体のヒータ回路発熱体に接続した。更に、試料24のセラミック電極を上記セラミックス基体のRF電極に装着した。そして、上記ヒータ回路用電極に給電してヒータ回路を750°Cに昇温させると共に、実施例3と同様にしてプラズマを発生させた。その結果、1000時間連続動作させても、問題なく750°Cでプラズマを発生することができた。