"多数のLED発光素子を直列に接続してなるLED発光モジュールを有する発光部と、整流用ダイオードを有する電源部と、を備えるLEDランプであって、多数のLED発光素子および抵抗素子を直列に接続してLED発光モジュールを構成することにより各LED発光素子に最大定格の1/3以上の電流が流れるようにしたことを特徴とするLEDランプ。前記整流用ダイオードが、高速整流ダイオードであることを特徴とする請求項1に記載のLEDランプ。多数のLED発光素子を直列に接続してなるLED発光モジュールを有する発光部と、整流用ダイオードを有する電源部と、を備えるLEDランプであって、前記整流用ダイオードが、高速整流ダイオードであることを特徴とするLEDランプ。前記LED発光素子の順電圧が、2~4Vであることを特徴とする請求項1、2または3に記載のLEDランプ。前記発光部が、前記LEDモジュールを複数並列に接続して構成されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のLEDランプ。高放射線環境用のLEDランプであって、前記LED発光素子と前記整流用ダイオード以外には半導体を使用していない請求項1ないし5のいずれかに記載のLEDランプ。LEDランプの温度変化に応じて作動する温度スイッチによりLED発光素子の点灯数を変更することで一ケのLED発光素子あたりの電流量を制御する温度上昇抑制機構を備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のLEDランプ。原子炉格納容器内において従来使用されている白熱電球は寿命が短く、毎年一定数量が球切れとなるため、電球の交換作業が定期に必要となる。また、交換作業は高所で行うため危険を伴うことからも交換作業をできるだけ少なくしたいとの要望もある。さらには、白熱電球の交換数量すなわち放射性廃棄物を低減させることが求められていた。一般的な白熱電球の定格寿命は2,000時間である。白熱電球をLEDランプに置き換えるに際し、可能な限り長期間の寿命が欲しいとのニーズがあり、例えば40,000時間以上の寿命が要求されている。これによれば、LEDランプは例えば実使用において20年以上の長期間放射線に曝露された状況の下で照明手段として要求された性能を維持できるものでなければならないこととなる。しかしながら、汎用的なLEDランプを高放射線環境下で使用した場合、LED発光素子の照度低下、半導体の特性劣化の課題がある。本発明は、高放射線環境下でも半導体の特性劣化が少ないLEDランプを提供することを目的とする。本発明者らは、上記の課題を解消することを目標として、鋭意研究を積み重ねることにより、原子炉格納容器内などの高放射線環境での使用に最適なLEDランプを創作した。本発明は以下の技術的手段から構成される。[1]多数のLED発光素子を直列に接続してなるLED発光モジュールを有する発光部と、整流用ダイオードを有する電源部と、を備えるLEDランプであって、多数のLED発光素子および抵抗素子を直列に接続してLED発光モジュールを構成することにより各LED発光素子に最大定格の1/3以上の電流が流れるようにしたことを特徴とするLEDランプ。[2]前記整流用ダイオードが、高速整流ダイオードであることを特徴とする[1]に記載のLEDランプ。[3]多数のLED発光素子を直列に接続してなるLED発光モジュールを有する発光部と、整流用ダイオードを有する電源部と、を備えるLEDランプであって、前記整流用ダイオードが、高速整流ダイオードであることを特徴とするLEDランプ。[4]前記LED発光素子の順電圧が、2~4Vであることを特徴とする[1]、[2]または[3]に記載のLEDランプ。[5]前記発光部が、前記LEDモジュールを複数並列に接続して構成されることを特徴とする[1]ないし[4]のいずれかに記載のLEDランプ。[6]高放射線環境用のLEDランプであって、前記LED発光素子と前記整流用ダイオード以外には半導体を使用していない[1]ないし[5]のいずれかに記載のLEDランプ。[7]LEDランプの温度変化に応じて作動する温度スイッチによりLED発光素子の点灯数を変更することで一のLED発光素子あたりの電流量を制御する温度上昇抑制機構を備えることを特徴とする[1]ないし[6]のいずれかに記載のLEDランプ。本発明により奏される主要な効果は次のとおりである。1高放射線環境下でもLED発光素子の照度低下、半導体の特性劣化が少ないLEDランプを提供することが可能となる。2LEDランプにより長寿命化が実現されるため、自然損耗による電球交換作業工数が低減される。3電球交換作業の機会が減少するため、高所からの転落、転倒などの電球交換作業時の事故が減少する。4原子炉機器等の定期点検時に、足場材等との衝突によるガラスグローブや電球の破損を減少させる事ができる。5使用済み白熱電球の廃棄量が減少することにより、放射性廃棄物としての処理量が低減される。6LEDランプにより消費電力が低減される。本発明のLEDランプの主要な特徴は次の2つである。第1の特徴は、LED発光素子以下、LEDというに供給される電流量が、放射線照射による特性劣化と温度上昇を考慮して設定されることである。第2の特徴は、耐放射線特性に優れる高速応答型の整流ダイオード高速スイッチングダイオードを用いたことである。以下、詳述する。1.電流量図1は、所定の電流で発光させたLED最大定格350mAに、放射線γ線中性子線を照射した後の照度変化率を示すグラフである。図1は、運転中の原子炉より発生する中性子線による劣化を模擬するために、日本原子力研究開発機構の研究炉にて該当部品に中性子の照射を行い、照射前後の特性変化を測定したものである。ここで、照射量は既知データであるポートの熱中性子束と照射時間の積算にて算出した。図1から、30mAでは照度が35に低下し、100mAでは照度が53に低下し、200mAでは照度が62に低下することが確認できる。このように、LEDは、高電流域で使用する方が、放射線による照度低下の影響が少ないことが分かる。LEDの特性にもよるが、一般には最大定格の1/3以上好ましくは1/2以上、より好ましくは2/3以上且つ最大定格以下の電流が各素子に常時供給されるような設計をすることが好ましい。本発明のLEDランプの典型的な構成の発光部は、順電圧VFが数VのLEDを抵抗素子と共に多数個直列に接続することにより実現される。ここでLEDは、200mA以上の電流を流すことができる高輝度型LEDパワーLEDを用いることが好ましい。他方で、LEDに流す電流が増えると、発熱量が増加する。そのため、LEDの最大定格以下で、点灯時のジャンクション温度が規定以下になる条件を満たす範囲で電流条件を選定する。LEDは使用時の温度が120°C以上になると寿命の短縮傾向が強くなるため100°C以上への温度の上昇は避けることが望ましい。防滴の要望からLEDランプを覆うグローブにより密閉型構造とされる場合があり、この場合、熱がこもりやすいため、放熱の問題を考慮した設計が必要である。図2は、図1のLEDに流れる電流が150mAにとなるように設計されたLEDランプの発光部の回路構成図である。IC等の回路は放射線劣化により利用できないため、LEDと図示しない電源部の全波整流用のダイオードD1~D4以外には半導体を使用せず、単純な抵抗にて電流制限を行う回路構成としている。発光部は、N個のLEDと抵抗素子を直列に接続してなるLEDモジュールA、Bを並列に接続している。R1、R2は、LEDに150mAを通電するための電流調整用の抵抗素子である。この抵抗素子により、ある程度の電圧変動の影響を吸収することが可能である。電源基板電源部は、AC210Vを整流し、DC281Vとして発光部に供給する。LEDの150mA通電時の順電圧VFが2.85Vである場合、抵抗RR1、R2は下記式1により調整される。[式1]R=V-VFN/I=281-2.85N/150mAここで、Nは所定の光束を得るために必要なモジュール1列当たりのLEDの個数であり、150mA通電時の発光量から算出される。LEDの必要個数がモジュール1列当たり45個の場合、Rは下記式2より1018Ωとなる。[式2]R=281-2.8545/150mA=1018Ω一のモジュールで直列接続できるLEDの数量はLEDの順電圧により決まるが、市販LEDの順電圧VFは2~4Vのものが多いことから、通常は数十~百数十個の範囲となる。1つのモジュールでは発光量が不足する場合には、並列接続されるモジュール数を増やすことにより発光量を確保する。また、電圧変動に対応するためには別途の温度上昇抑制機構として、温度スイッチにより通電されるLEDの数を制御することが好ましい。温度スイッチとしては放射線による影響が少ないものであればいかなるものを用いてもよいが、磁性体スイッチ、バイメタルスイッチが好ましいものとして例示される。図3は、図2の回路に温度上昇抑制機構を設けた回路構成図である。A、Bの各系列のうち、LED1~4の4個のLED間、およびLED46~49の4個のLED間にバイパス回路を設け、温度スイッチTRS1およびTRS2を開閉することにより、45個のLEDが直列に連結された第1の状態と、41個のLEDが直列に連結された第2の状態が実現される。第1の状態ではLED1個あたりの電圧は低くなり、回路に流れる電流が小さくなるので発熱量は低下する。第2の状態ではLED1個あたりの電圧は高くなり、回路に流れる電流が大きくなるので発熱量が増加することになる。LEDの温度が、例えば、100°C以上になると温度スイッチがOFFとなり45個のLEDに通電するようにすることで、温度の上昇を抑制することが可能である。2.ダイオードの種別電源部も内蔵した一体構造のLEDランプでは、熱によりLEDの寿命が短くなるという問題があるため、器具全体としての発熱を抑える必要がある。従って、整流ダイオードの選定にあたっても、発熱量が小さいものを選ぶべきである。この点、高速整流ダイオードは順電圧が大きいため、一般整流ダイオードと比べ発熱量の点で不利である。また、高速整流ダイオードは、電流定格が小さいので必要個数が増えるという問題があり、しかも一般整流ダイオードと比べ高価である。そのため、商用周波数50~60Hzにおいては、一般整流ダイオードを用いるのが通常である。他方で、LEDランプの長寿命化を実現するためには、整流ダイオードについても放射線照射によるIV特性の劣化が少ないものを選定する必要がある。放射線中性子を半導体に照射するとIV特性が劣化するが、これは放射線により生じた格子欠陥にキャリア電子またはホールがトラップされてキャリアが消滅しにくくなることが原因であると推測される。発明者は、この問題が、いわゆる小数キャリア蓄積効果と同様の現象によるものと仮定のもと、種々のダイオードで実験を行ったところ、高速応答型の整流ダイオード以下、高速整流ダイオードというが他のダイオードに比べ、IV特性電流電圧特性の劣化が極めて小さいことが確認された。ここで、高速整流ダイオードとは、例えば、逆回復時間が3μs以下のダイオードをいい、高速整流ダイオードには超高速整流ダイオードも含まれる。超高速整流ダイオードとは、例えば、逆回復時間が300ns以下好ましくは150ns以下、さらに好ましくは100ns以下のダイオードをいう。好ましい態様の本発明においては、電源部の全波整流用のダイオードに高速整流ダイオードを用いている。以下では、逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子高速整流ダイオードと高耐圧のPN接合型整流素子一般整流ダイオードにおける、中性子の照射量に応じたIV特性変化の実験結果を説明する。図4は、逆回復時間がIF/IR=0.5/1.0Aの測定条件で100nSの高速整流ダイオード1における中性子の照射量に応じたIV特性の変化を示すグラフである。図5は、一般整流ダイオード2における中性子の照射量に応じたIV特性の変化を示すグラフである。図4および図5における中性子の照射線量は、それぞれにつきaでは2.6×1014n/cm2、bでは5.2×1014n/cm2、cでは10.4×1014n/cm2、dでは20.8×1014n/cm2である。図4および図5から、1平方センチメートルあたりに照射した中性子の個数n/cm2が増加するのに伴い、一般整流ダイオード2ではIV特性の劣化も進行するのに対し、高速整流ダイオード1ではIV特性の劣化が殆ど無いことを確認することができる。図6は、高速整流ダイオード3,4における中性子照射前後のIV特性の変化を示すグラフである。ダイオード3,4は異なるメーカが製造したものであり、ダイオード3の逆回復時間は50nS、ダイオード4の逆回復時間は100nSである。図7は、一般整流ダイオード5,6における中性子照射前後のIV特性の変化を示すグラフである。図4および図5における中性子の照射線量は、いずれも10.4×1014n/cm2である。図6および図7から、一般整流ダイオード5,6では中性子の照射によりIV特性が大幅に劣化するのに対し、高速整流ダイオード3,4ではIV特性の劣化が小さいダイオード3では殆ど劣化しないことを確認することができる。さらには、一般整流ダイオードでは、電流値が大きくなるほど放射線の照射による特性の劣化が激しくなる傾向があることを図5および図7から読み取ることができる。すなわち、LEDの照度低下を避けるべく電流値を大きく設定する場合には、整流用のダイオードも高速応答型のものに置き換えることが望ましいことが分かる。以上のとおり、図4ないし図7から、高速整流ダイオードでは、一般整流ダイオードと比べ、IV特性の変化が少ないことが確認された。高速整流ダイオードでは、不純物の量や種類を適切にコントロールしキャリアキラーとして作用させることが行われているが、このような構成が放射線中性子により生じた格子欠陥にも有利に作用するものと推測される。"