半導体装置内に緩和された層を形成すること、前記緩和された層上に、引張り応力を有する引張り層を形成すること、および前記緩和された層上に、圧縮応力を有する圧縮層を形成することを含み、前記圧縮層が、前記緩和された層、引張り層および圧縮層の自発的な分極とおおよそ等しいかそれよりも大きい圧電性の分極を有する、方法。前記緩和された層が窒化ガリウムを含み、前記引張り層が窒化アルミニウムガリウムを含み、前記圧縮層が窒化アルミニウムインジウムガリウムを含む、請求項1に記載の方法。窒化アルミニウムインジウムガリウムが、0.20と0.25の間のインジウムのモル比率を有する、請求項2に記載の方法。前記圧縮層の前記圧電性の分極が、前記圧縮層の自発的な分極と反対方向である、請求項1に記載の方法。前記圧縮層を形成することが、前記引張り層上に前記圧縮層を形成することを含む、請求項1に記載の方法。前記引張り層を形成することが、前記圧縮層の隣に前記引張り層を形成することを含む、請求項1に記載の方法。少なくとも前記引張り層内にソースおよびドレイン領域を形成すること、および前記圧縮層上にゲートを形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。基板上にバッファ層を形成することをさらに含み、前記緩和された層を形成することが、前記バッファ層上に前記緩和された層を形成することを含む、請求項1に記載の方法。半導体装置が高電子移動度トランジスタを含む、請求項1に記載の方法。半導体基板上の緩和された層と、前記緩和された層上の、引張り応力を有する引張り層と、前記緩和された層上の、圧縮応力を有する圧縮層とを含み、前記圧縮層が、前記緩和された層、引張り層および圧縮層の自発的な分極とおおよそ等しいかそれよりも大きい圧電性の分極を有する、装置。前記緩和された層が窒化ガリウムを含み、前記引張り層が窒化アルミニウムガリウムを含み、前記圧縮層が窒化アルミニウムインジウムガリウムを含む、請求項10に記載の装置。前記圧縮層の前記圧電性の分極が、前記圧縮層の自発的な分極と反対方向である、請求項10に記載の装置。前記圧縮層が前記引張り層の上にある、請求項10に記載の装置。前記引張り層が前記圧縮層の隣である、請求項10に記載の装置。少なくとも前記引張り層内のソースおよびドレイン領域と、前記圧縮層上のゲートをさらに含む、請求項10に記載の装置。基板上のバッファ層をさらに含み、前記緩和された層が前記バッファ層上にある、請求項10に記載の装置。窒化ガリウムベースの半導体装置内に複数の層を形成することを含み、前記複数の層の少なくとも1つが、前記複数の層の自発的な分極とほぼ等しいかあるいはそれより大きい圧電性の分極を有する、方法。圧電性の分極が、前記自発的な分極と反対方向である、請求項17に記載の方法。前記複数の層を形成することが、引張り層を形成すること、および圧縮層を形成することを含み、前記圧縮層が圧電性の分極を有する、請求項17に記載の方法。前記圧縮層が窒化アルミニウムインジウムガリウムを含み、前記圧縮層を形成することが、所望の圧電性の分極を達成するよう圧縮層のインジウムの含有量を選択することを含む、請求項19に記載の方法。