基板上に接合された第1光学素子及び第2光学素子を含む光モジュールの製造方法において、前記基板上に金属から構成される接合用バンプを形成し、前記第1光学素子と前記第2光学素子とが最も効率良く光結合する位置よりも所定量だけ前記接合用バンプがより変形するような荷重を印加後、荷重を開放することによって、前記接合用バンプ上に前記第2光学素子を接合する、工程を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。前記第2光学素子を接合する工程では、前記第1光学素子から前記第2光素子を介して出射された光を検出する光検出器を利用して、前記第2光学素子に印加する荷重を増加させながら、前記第1光学素子と前記第2光学素子とが最も効率良く光結合する位置を検出する、請求項1に記載の光モジュールの製造方法。前記第2光学素子を接合する工程では、前記第1光学素子と前記第2光学素子とが最も効率良く光結合する位置を検出後、所定量だけ前記第2光学素子を介して前記接合用バンプがより変形するような荷重を印加する、請求項2に記載の光モジュールの製造方法。前記第1光学素子を前記基板上に接合させる工程を更に有する、請求項1~3の何れか一項に記載の光モジュールの製造方法。前記第2光学素子は、表面活性化結合で前記基板上に接合される、請求項1~4の何れか一項に記載の光モジュール。前記第2光学素子は、接着材で前記基板上に接合される、請求項1~4の何れか一項に記載の光モジュールの製造方法。前記接合用バンプは、複数の突起を含む、請求項1~6の何れか一項に記載の光モジュールの製造方法。前記接合用バンプは、Auから構成される、請求項1~7の何れか一項に記載の光モジュールの製造方法。しかしながら、接合用バンプを潰すことによって光学素子の高さ方向の位置決めをサブミクロンオーダで行うものは存在しなかった。さらに、接合用バンプに荷重を与えて変形させた後に荷重を開放すると、変形された接合用バンプには、接合用バンプの弾性によって変形された位置から元の位置に戻ろうとする力が働く。したがって、接合用バンプに荷重を与えた状態で、光学素子間の位置合わせを行っても、その後荷重を開放すると印加されていた荷重を取り除くと、接合用バンプが変形前の状態に戻ろうと再度変形するので、光学素子間の相対位置が変化してしまうという不具合があった。なお、荷重を開放した後に接合用バンプが変形前の状態戻ろうと再度変形することを接合用バンプの弾性戻りと言い、その変形量を弾性戻り量と言う。なお、弾性戻り量は、印加される荷重量、接合用バンプの材質、接合用バンプの形状等に対応して変化する。そこで、本発明は、上記の課題を解決するための光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、接合用バンプの弾性戻りに拘わらず、光学素子間の光学的位置合わせを高精度に行うことを可能とする光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る光モジュールの製造方法では、基板上に金属から構成される接合用バンプを形成し、第1光学素子と第2光学素子とが最も効率良く光結合する位置よりも所定量だけ接合用バンプがより変形するような荷重を印加後、荷重を開放することによって、接合用バンプ上に第2光学素子を接合する工程を有することを特徴とする。本発明によれば、接合用バンプの弾性戻り量を考慮して、接合用バンプに第2光学素子を接合するため、荷重を開放した状態においても、第1光学素子と第2光学素子の光学的位置合わせを高精度に行うことが可能となった。以下図面を参照して、本発明に係る光モジュールの製造方法について説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。図1aは光モジュールの一例として示す半導体レーザモジュール1の斜視図であり、図1bは半導体レーザモジュール1のY軸方向の側面図である。半導体レーザモジュール1は、シリコン基板10、LDレーザダイオード素子20、LD素子20から出射された光の波長変換を行うためのPPLNPeriodicalyPoledLithiumNiobate素子30、シリコン又はガラスから構成されるサブ基板40及び光ファイバ50を含んで構成されている。例えば、半導体レーザモジュール1は、LD素子20から出射される波長1064nmのシングルモードレーザ近赤外光を、PPLN素子30において532nmの緑色レーザに波長変換して、出射するように機能する。なお、PPLN素子30から出射された光はサブ基板40を介してシリコン基板10に接合されたシングルモードSMF光ファイバ50で伝播されるように構成される。半導体レーザモジュール1では、LD素子20から出射された光を効率良くPPLN素子に入射できるように光結合されているが、光結合効率を高めるためには、両素子間に非常に高精度位置合わせが求められる。図1aにおけるシリコン基板10上の平面方向XY平面の位置精度はアライメントマーク等の基準マークをシリコン基板10上に設けることによって実装する際に、実装装置によって調整を行っている。しかしながら、通常では、図1aにおける高さ方向Z方向の精度は、そのままでは、シリコン基板10とLD素子20及びPPLN素子30との間の接触ポイントで実装高さが決まってしまう。そこで、シリコン基板10上に後述する接合用バンプとしてのマイクロバンプを形成し、マイクロバンプ上にPPLN素子30を実装する際に所定の荷重を加えて、マイクロバンプを変形させることによって、高さ方向Z方向の精度を保てるような処理を実施している。なお、シリコン基板10に対してLD素子20及びPPLN素子30を実装する場合には、樹脂、AuSn又は半田といった接合材料を用いることも可能である。しかしながら、そのような接合材料が液状化している最中には、素子を上下に移動して位置の調整を行うことも可能であるが、冷却して固化すると、接合材料が予測不能に縮小変形してしまうため、高精度な高さ方向Z方向の位置調整を行うことは難しい。半導体レーザモジュール1は、本発明に係る光モジュールの一例を示すものであって、光モジュールは半導体レーザモジュール1に限定して解釈されるものではない。本発明に係る光モジュールは、光結合する2つ以上の光学素子を有する他のモジュールにも好適に適用することが可能である。例えば、後述するように、LD素子20とPPLN素子30との間の光結合、又はPPLN素子30とサブ基板40に固定された光ファイバ50との間の光結合にも利用することができる。なお、光結合とは、一方の光学素子から出力された光を直接他方の光学素子に入射できるように、相互に位置関係が定められているという意味である。図2~図5を用いて、光モジュールの一例である半導体レーザモジュール1の製造過程の内、LD素子20及びPLLN素子30の接合に係る部分について説明する。図2は、半導体レーザモジュール1の製造過程を説明するためのフロー図であり、図3~図5は、図2に示す半導体レーザモジュール1の製造過程をより詳しく説明するための図である。最初に、シリコン基板10を用意する。図3aは、シリコン基板10の断面図である。次に、シリコン基板10全体を酸化性雰囲気中で加熱して、シリコン基板10上にSiO2二酸化ケイ素薄膜11を形成する。また、SiO2薄膜11上に蒸着によってTiチタン薄膜12を形成する。さらに、Ti薄膜12上に蒸着によって厚さ3μmのAu層13を成膜するS10図3b参照。Au層13は、蒸着の他に、スパッタリング又は電気メッキ法等によって形成しても良い。なお、SiO2薄膜11は、シリコン基板10と後述するマイクロバンプ18との間を絶縁する絶縁層として機能する。また、Ti薄膜12は、SiO2薄膜11とAu層13との密着性を高めるために形成されている。次に、Au層13上に、フォトレジスト層14を形成し、マスク層15を配置して、マスク層15に対応したフォトレジスト14 ́が形成されるように紫外線の照射を行うS11図3c参照。次に、ドライエッチングによりフォトレジスト14 ́が形成された部分以外のAu層13及びTi薄膜12をエッチングして、Au層パターン13 ́を形成するS12図3d参照。なお、ドライエッチングの代わりに、ウエットエッチングによりAu層パターン13 ́を形成しても良い。次に、フォトレジスト14 ́を除去したのち、再度フォトレジスト層15を形成し、マスク層16を配置して、マスク層16に対応したフォトレジスト15 ́が形成されるように紫外線の照射を行うS13図4a参照。次に、ドライエッチングによりフォトレジスト15 ́が形成された部分以外のAu層パターン13 ́をハーフエッチングして、マイクロバンプ18及び19を形成するS14図4b参照。なお、ドライエッチングの代わりに、ウエットエッチングによりマイクロバンプ18及び19を形成しても良い。なお、ハーフエッチングとは、フォトレジスト15 ́が形成された部分以外を全て除去するのではなく、一部が残るようにエッチングを行うことを言う。本例では、フォトレジスト15 ́が形成された部分以外では、Au層パターン13 ́の厚さが1μmになるまでエッチングを行っている。次に、フォトレジスト15 ́を除去して、シリコン基板上にマイクロバンプ18及び19の形成を完了するS15図4c参照。マイクロバンプ18及び19は、複数の高さ2μmで直径5μmの円柱状の突起が10~25μmピッチで左右均等に配置されたものである。なお、突起の形状、高さ、幅、ピッチ等は一例であって、上記に限定されるものではない。マイクロバンプ18及び19は、スパッタリングによって形成されたAu層13に基づいておりS10、且つハーフエッチングによって成形されているためS14、マイクロバンプ18及び19に含まれる全ての突起の高さは高精度に均一化されている。次に、マイクロバンプ18及び19の表面を覆っている酸化膜又はコンタミ等の不活性層を、プラズマ洗浄処理することによって表面活性化を行うS16。表面活性化によって、表面エネルギーの高い原子同士を接触させることができるので、原子間の凝着力を利用して常温で強固に接合することが可能となる。本接合方法は、特別な加熱を要しないことから、熱膨張係数差の残留応力による各部品の位置ずれが発生しにくいことから、高精度の位置決め実装をすることができる。また、熱膨張係数差の残留応力による部品破壊が発生しにくい、部品に対するストレスがなく機能劣化が少ない、等の利点も備えている。次に、LD素子20を表面活性化されたマイクロバンプ18上に実装するS17図5a参照。LD素子20の接合面にも、Au層が形成され、その表面は活性化処理が施されている。したがって、マイクロバンプ18の上部に所定の荷重を加えてLD素子20を実装するだけで、LD素子20はマイクロバンプ18上に表面活性化結合して固定される。また、LD素子20は、マイクロバンプ18を介して駆動電流の供給を受けるように構成することができる。その際には、マイクロバンプ18を形成するためのAu層パターン13 ́に駆動電流を供給用の所定のパターンニングが施されるようにすれば良い。LD素子20の実装は、不図示の電子部品を回路基板上に装着する実装器により行う。なお、LD素子20の実装を、後述するS18で利用する調芯実装器103を利用して行っても良い。次に、PPLN素子30を表面活性化されたマイクロバンプ19上に調芯実装してS18図5b参照、一連の処理を終了する。PPLN素子30の接合面にも、Au層が形成され、その表面は活性化処理が施されている。したがって、マイクロバンプ19の上部に所定の荷重を加えてPPLN素子30を実装するだけで、PPLN素子30はマイクロバンプ19上に表面活性化結合して固定される。S18における調芯実装は、調芯実装装置100を用いて行う。調芯実装装置100は、CPU及び所定のメモリ等を含むPC等から構成される制御部101、PPLN素子30から出力される波長変換されたレーザ光の強度を検出し、強度に応じた検出出力電圧VmVを出力する検出部102、電子部品をシリコン基板20上の所定の位置に実装し且つ実装時に制御量に応じた荷重Nを加えることが可能な調芯実装器103、及びLD素子20を駆動させてレーザ光を出射させるための駆動部104等を含んで構成されている。制御部101は、駆動部104を制御してLD素子20を駆動させてレーザ光をPPLN素子30に入射させ、PPLN素子30から出射される波長変換されたレーザ光の強度を検出部102で検出する。さらに、制御部101は、検出部102で検出された検出出力電圧Vをモニタしながら、調芯実装器103を制御してPPLN素子30に印加する荷重を制御する。図6は、LD素子20とPPLN素子30との位置関係を示す図である。LD素子20の発光中心21から出射された波長λ1のレーザ光が、PPLN素子30の入射位置31から入射され、PPLN素子30の出射中心32から波長λ2のレーザ光となって出射する。図6に示す様に、LD素子20及びPPLN素子30は、調芯実装器103によってシリコン基板10上に実装されるので、LD素子20の発光中心21とPPLN素子30の入射位置31との平面上の位置関係X-Y軸方向の位置関係は精度良く位置決めされている。しかしながら、シリコン基板10の高さ方向Z軸方向の位置関係を精度良く定める必要がある。なお、図6において、矢印Aは、調芯実装器103によってPPLN素子30に荷重が印加される方向を示している。図7は、検出器102の出力電圧と調芯実装器103によって印加される荷重との関係を示したグラフである。図7において、曲線Bは、荷重を印加している状態における、検出器102の出力電圧mVと調芯実装器103によって印加される荷重Nとの関係を示している。また、曲線Cは、荷重を開放した後における、検出器102の出力電圧mVと調芯実装器103による最終荷重Nとの関係を示している。図7の例では、荷重を印加している状態では、荷重が400Nの場合に、検出器102の出力電圧mVが最大値となる点D参照。しかしながら、荷重を開放した後では、最終荷重が400Nの場合には、検出器102の出力電圧mVが最大値とはならない点E参照。点Dは、例えば、PPLN素子30に荷重を印加することによって、マイクロバンプ19を変形させ、PPLN素子30の入射位置31を、LD素子20の発光中心21と最も効率良く光結合するような位置図6の位置P2参照とした状態で、荷重を開放した場合に対応する。マイクロバンプ19は、荷重がかかると変形して潰れて縮むが、弾性反発によって、荷重が開放されると、元の状態の戻ろうとする力が働き、弾性戻り量分だけ戻るという特性を有している。即ち、点Eは、点Dの状態において荷重を開放すると、弾性戻りによって、PPLN素子30の入射位置31が、他の位置例えば、図6の位置P1参照に移動してしまった場合に対応する。荷重を開放した状態実際に半導体レーザモジュール1が利用される状態において、PPLN素子30の入射位置31を、LD素子20の発光中心21と最も効率良く光結合する位置図6のP2参照とする必要がある。そこで、S18の調芯実装において、制御部101は、PPLN素子30をマイクロバンプ19の所定位置に配置した後に、印加する過重を増加させながら、検出部102からの出力電圧Vが最大値となった後、マイクロバンプ19を更に変形させるように所定の荷重量を印加してから、荷重を開放するように調芯実装器103を制御している。即ち、制御部101は、検出部102からの出力電圧Vが最大値となった後点D参照、更に所定の荷重量F:200Nを更に印加し、その後荷重を開放している。PPLN素子30の入射位置31が、LD素子20の発光中心21よりも、図6に示す距離W1分だけ、更に深く押し込まれた位置図6の位置P3参照となるように、所定の荷重Fを更に印加している。その後、荷重が開放されることによって、PPLN素子30の入射位置31が、LD素子20の発光中心21と最も効率良く光結合する位置図6のP2参照に弾性戻りによって戻る図5c参照。上述した所定の荷重量F:200Nは、調芯実装器103、荷重を印加するPPLN素子30の形状、マイクロバンプ19の材質及び形状等によって異なるので、図7に示す曲線B及びCを求める実験を行うことによって、算出することが可能である。また、S18の調芯実装においては、制御部101が、検出部102からの出力電圧Vが最大値となった後に、所定の荷重を印加するように調芯実装器103を制御した。しかしながら、ユーザが、検出部102からの出力電圧Vをモニタで観測しながら、調芯実装器103の制御を行うようにしても良い。図8は、半導体レーザモジュール1の製造過程の他の例を示す図である。図8を用いて、他のPPLN素子30の芯調実装について説明する。図5b図2のS18の例では、制御部101が、検出部102からの出力電圧Vが最大値となった後に、所定の荷重を印加するように調芯実装器103を制御した。しかしながら、一定の基準で製造されたマイクロバンプ18及び19、LD素子20、及びPPLN素子30であれば、個別にLD素子20を発光させて検出部102からの出力電圧Vに応じた調芯実装を行う必要は必ずしもない。そこで、図8の例では、検出部102からの出力電圧Vが最大値となる荷重図7の点D参照を予め予想して、その荷重例えば、400Nに更に上述した所定の荷重量F:200Nを印加する全体で、例えば、600N。それによって、PPLN素子30の入射位置31が、LD素子20の発光中心21よりも、図6に示す距離W1分だけ、更に深く押し込まれた位置図6の位置P3参照となった後に、荷重が開放する。すると、PPLN素子30の入射位置31が、LD素子20の発光中心21と最も効率良く光結合する位置図6のP2参照に弾性戻りによって戻る。即ち、図8の例では、図5bに示した、制御部101、検出部102、駆動部104を用いずに、調芯実装器103のみを用いて、PPLN素子30とLD素子20との間の高さ方向Z軸方向位置関係を設定している。図8に示す方法において、芯調実装工程図2のS18で制御部101、検出部102、駆動部104を用いずに、調芯実装器103のみを用いて行う点のみが、図2に示した半導体レーザモジュール1の製造過程と異なる。他の点、特に、マイクロバンプ18及び19の製造過程、LD素子20及びPPLN素子30とマイクロバンプ18及び19との接合方法については全く同じであるので、その説明を省略する。図9は、他のマイクロバンプを説明するための図である。図4及び5に示したマイクロバンプ18及び19は、高さ2μm且つ直径5μmの円柱状で10~25μmピッチで左右均等に配置された突起を複数含むものである。しかしながら、図9に示す他のマイクロバンプ18 ́及び19 ́は、切頭円錐型の突起を複数含んでいる。図9aは図4cに対応するマイクロバンプ18 ́及び19 ́を含んだ断面図であり、図9bはマイクロバンプ18 ́及び19 ́に含まれる突起部分60の断面図であり、図9cはマイクロバンプ18 ́及び19 ́に含まれる潰された突起部分61の一例を示す図である。図9bに示すように、切頭円錐型の突起部分60は、底面が直径S1例えば、2μmの円形、上面が直径S2例えば、1μmの円形、高さT1例えば、2μmである。また、マイクロバンプ18 ́及び19 ́は、2μmピッチで左右均等に配置された突起部分60を含むものとする。図9cは、PPLN素子30を調芯実装した場合に潰れた突起部分61の一例を示している。切頭円錐型の突起部分61は、底面が直径S1例えば、2μmの円形、高さT2例えば、1μmである。したがって、この場合、調芯実装によって距離W2例えば、1μm分だけ、切頭円錐型の突起部分が潰されたこととなる。図4及び5に示す、円柱状の突起を有するマイクロバンプ18及び19より、上面が少し小さい切頭円錐型の突起を有するマイクロバンプ18 ́及び19 ́の方が、同じ荷重を印加した場合に、容易に潰れ易く、したがって、調芯のための制御がし易い調芯実装器103が高い荷重を印加しなくとも良いのでという効果を有する。図10及び図11を用いて、光モジュールの一例である半導体レーザモジュール1の製造過程の内、LD素子20及びPLLN素子30の接合に係る部分の他の方法について説明する。図10は、半導体レーザモジュール2の製造過程を説明するためのフロー図であり、図11は、図10に示す半導体レーザモジュール2の製造過程をより詳しく説明するための図である。半導体レーザモジュール2と前述した半導体レーザモジュール1との相違点は、半導体レーザモジュール2では、PPLN素子30はマイクロバンプ19とは熱硬化性の接合用樹脂によって固定されている点である。したがって、PPLN素子30のマイクロバンプ側の基板には、Au層は形成されていない。半導体レーザモジュール2では、PPLN素子30には電流を供給する必要が無いことから、コストのかかるAu層を用いずに、熱硬化性の接合用樹脂によってマイクロバンプ19上に固定している。半導体レーザモジュール2において、他の点は、全て半導体レーザモジュール1と同様である。したがって、図10に示す半導体レーザモジュール2の製造過程におけるS20~S25及びS27は、図2に示す半導体レーザモジュール1の製造過程におけるS10~S15及びS17と全く同じであるので、説明を省略する。図10に示す半導体レーザモジュール2の製造過程では、S26において、マイクロバンプ18の表面のみ、洗浄及び/又はプラズマを利用した処理を施して、表面活性化が行われる。なお、マイクロバンプ19についても、表面活性化処理を行っても良い。S27において、図2のS17と同様にLD素子20の実装を行った後、マイクロバンプ19上に、接合用樹脂70を塗布する図11a参照。接合用樹脂70としては、光学部品用の熱硬化性樹脂又はUV硬化性樹脂等を利用することができる。次に、接合用樹脂70上に、PPLN素子30の加熱調芯実装を行うS29図11b参照。S29における調芯実装の方法は、図2のS18及び図5bで示した調芯実装と全く同じである。したがって、制御部101は、マイクロバンプ19の弾性戻り量を予め考慮して、PPLN素子30を、検出部102からの出力電圧Vが最大値となった後点D参照、更に所定の荷重量F:200Nを更に印加する。即ち、PPLN素子30の入射位置31が、LD素子20の発光中心21よりも、図11bに示す距離W3分だけ、更に深く押し込まれた位置となるように、所定の荷重を更に印加する。しかしながら、加熱調芯実装では、さらに荷重を加えた状態で加熱を行い、接合用樹脂70を硬化させている。次に、荷重を開放すると、PPLN素子30の入射位置31が、LD素子20の発光中心21と最も効率良く光結合する位置に弾性戻りによって戻るので図11c参照、一連の工程を終了する。上述したように、図10及び図11を用いて、接合用接着材70を利用したPPLN素子30とシリコン基板10との接合について説明した。しかしながら、接合用接着材70を用いてLD素子20とシリコン基板10とを接合するようにしても良い。なお、LD素子20とシリコン基板10との導通をマイクロバンプ18によって取る必要がある場合には、接合用接着材70をマイクロバンプ18が突き破るような構成とすれば良い。さらに、LD素子20とシリコン基板10との導通を接着剤により取る必要がある場合には、導電性接着材を利用してLD素子20とシリコン基板10とを接合するようにすれば良い。さらに、接着材を利用して、LD素子20又はPPLN素子30とシリコン基板10とを接合する場合でも、図8を用いて説明したように、芯調実装工程図2のS18において、制御部101、検出部102、駆動部104を用いずに、調芯実装器103のみを用いて行うようにしても良い。図12~図14を用いて、光モジュールの一例である半導体レーザモジュール1の製造過程の内、サブ基板40の接合について説明する。図12は、基板10とサブ基板40との接合を説明するための図であり、図13は、PPLN素子30とファイバ50との位置関係を示す図であり、図14は、サブ基板40の調芯実装を説明するための図である。図12に示すように、サブ基板40には、凹溝51が形成されており、凹溝51に光ファイバ50の先端部58が嵌め込まれ、接着材57によって固定されている。凹溝51のかわりにV溝をサブ基板40に形成し、このV溝に光ファイバ50の先端部58を嵌め込み、固定しても良い。サブ基板40の接合面には、金薄膜54及びアライメントマーク56が設けられている。また、シリコン基板10のサブ基板40に対応する部分には、ファイバ逃がし溝52、マイクロバンプ53、及びアライメントマーク55が設けられている。サブ基板40は、後述するように調芯実装加重実装器103によってシリコン基板10上に実装される。サブ基板40が実装される際には、アライメントマーク55及び56によって大まかな位置が決定され、その後光ファイバ50からの出力を検知器102で検知しながら、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の位置がサブミクロンオーダで決定されて、シリコン基10上に接合される。サブ基板40の接合面及びシリコン基板10上に形成されたマイクロバンプ53は、プラズマ洗浄処理が施された後、調芯実装加重実装器103から加わる加重によって、表面活性化接合される。なお、シリコン基板10上に形成された金により構成されるマイクロバンプ53は、前述したマイクロバンプ18及び19と同様の方法によってシリコン基板10上に形成される。図13aは、図1のBB ́断面図である。図13aに示すように、サブ基板40の凹溝51に接着材57で固定された光ファイバ50は、調芯実装加重実装器103がサブ基板40をX軸及びY軸方向に移動させることによって、シリコン基板10に設けられたファイバ逃がし溝52内で移動可能となる。即ち、ファイバ逃がし溝52の幅W4の範囲内で、X軸及びY軸方向の位置調整が可能となる。なお、図13aでは、マイクロバンプ52等は省略している。図13bは、図1のCC ́断面図である。図13bに示すように、サブ基板40に固定された光ファイバ50の先端部58は、PPLN素子30の出射中心32と精度よく光結合され、PPLN素子30の出射中心32から出射される波長変換された532nmの緑色レーザを受光する。光ファイバ50の先端部58で受光された532nmの緑色レーザは、光ファイバ50で伝播される。図13bでは、マイクロバンプ53等は省略して記載しているが、Z方向のおけるPPLN素子30の出射中心32と光ファイバ50の先端部58の位置合わせは、マイクロバンプ53によって制御される。図14を用いて、サブ基板40の芯調実装について説明する。図5b図2のS18の例では、PPLN素子30の調芯実装について説明したが、図14では、同様に方法によって、PPLN素子30の出射中心32と光ファイバ50の先端部58とが精度よく光結合されるようにサブ基板40の芯調実装が行われる。図14に示す調芯実装を行う前に、サブ基板40の接合面側の金薄膜54及びシリコン基板10のマイクロバンプ53の表面にはプラズマ洗浄処理が施されているものとする。図14における調芯実装は、図5bの場合と同様に調芯実装装置100を用いて行う。制御部101は、駆動部104を制御してLD素子20を駆動させてレーザ光をPPLN素子30に入射させ、PPLN素子30から出射され、光ファイバ50で伝播されたレーザ光の強度を検出部102で検出する。最初に、制御部101は、検出部102で検出された検出出力電圧Vをモニタしながら、調芯実装器103を制御し、サブ基板40をX軸及びY軸方向に移動ながら、最も出力電圧Vが高い位置を決定する第1段階。前述したように、光ファイバ50は、光ファイバ逃がし溝52の幅W4内の範囲内で移動可能であるので、この範囲で調芯実装器103はサブ基板40をX軸及びY軸方向に移動させることとなる。次に、制御部101は、調芯実装器103を制御し、第1段階で最も出力電圧Vが高い位置でサブ基板40をマイクロバンプ53に配置する。次に、制御部101は、検出部102で検出された検出出力電圧Vをモニタしながら、調芯実装器103を制御してサブ基板40に印加する荷重を制御して、サブ基板40のZ方向の位置決めを行う第2段階。ここで、制御部101は、検出部102からの出力電圧Vが最大値となった後、更に所定の荷重量を更に印加し、その後荷重を開放する。サブ基板40に固定されている光ファイバ50の先端部58が、PPLN素子30の出射中心32よりも、所定距離だけ、更に深く押し込まれた位置となるように、所定の荷重を更に印加する。その後、荷重が開放されることによって、サブ基板40に固定されている光ファイバ50の先端部58が、PPLN素子30の出射中心32と最も効率良く光結合する位置に弾性戻りによって戻る。なお、上記の点は、図5~図7を用いて説明したPPLN素子30とLD素子20との光結合を行うための調芯実装と同様の理論に基づく。このように、サブ基板40は、第1段階でX軸及びY軸方向の位置決めがさされ、第2段階としてZ軸方向の位置決めがなされることとなる。なお、図12~図14を用いて説明したサブ基板40の接合方法において、図8を用いて説明したように、芯調実装工程図14において、制御部101、検出部102、駆動部104を用いずに、調芯実装器103のみを用いて、予め定められた荷重の印加のみを行うようにしても良い。また、図12~図14を用いて説明したサブ基板40の接合方法において、図9に示した異なったマイクロバンプ18 ́及び19 ́と同様なマイクロバンプを利用して、サブ基板40をシリコン基板10と接合しても良い。さらに、図12~図14を用いて説明したサブ基板40の接合方法において、図10及び11で説明したように、接着材を利用して、サブ基板40をシリコン基板10とを接合しても良い。上記の例では、接合用バンプの例として、Auから成形された円柱状の突起を有するマイクロバンプ18、19及び53図4c参照、及びAuから成形された切頭円錐形状の突起を有するマイクロバンプ18 ́及び19 ́図9参照を説明した。しかしながら、精度良く形成された形状を有する金属から構成される接合用バンプであれば、他の接合用バンプを利用することも可能である。接合用バンプに求められる条件は、一定の荷重を印加した場合の変形量と、一定の荷重を印加後に荷重を開放した場合の弾性戻り量が、常にほぼ一定となるような材質及び形状を有することである。上記の例では、光モジュール1は、LD素子20、PPLN素子30、光ファイバ50が固定されたサブ基板40がマイクロバンプを利用して表面活性化接合によりシリコン基板10に接合されている。しかしながら、LD素子20及びPPLN素子30のみ、又はPPLN素子30及び光ファイバ50が固定されたサブ基板40のみが、良好に光結合するようにマイクロバンプを利用して表面活性化接合によりシリコン基板10に接合さてれも良い。