ガラス、特にガラス状材料、ガラスセラミック及び半導体の薄板及び基板の形態のワーク1内に多数の孔12を作製する方法であって、a穿孔される前記ワーク1を準備するステップと、bマルチレーザービームアレイ4を前記ワーク1の所定の穿孔箇所10に位置合わせするステップと、c集束されたレーザーパルス41を発射させるステップであって、該レーザーパルスは、前記ワーク材料1が少なくとも部分的に透明である3000nm~200nmの波長範囲内にあるとともに、それぞれのフィラメント状のチャネル11に沿って前記ワーク材料1の局所的な非熱破壊を引き起こす放射強度を有する、集束されたレーザーパルスを発射させるステップと、d前記フィラメント状のチャネル11を前記孔12の前記所望の直径まで拡大するステップと、を含む、ガラス、特にガラス状材料、ガラスセラミック及び半導体の薄板及び基板の形態のワーク内に多数の孔を作製する方法。ステップdにおいて、高電圧電界をそれぞれの前記所定の穿孔箇所において発生させて、前記所定の穿孔箇所においてそれぞれの誘電破壊を引き起こし、その結果として所望のサイズ及び構成の孔12をもたらす、請求項1に記載の方法。前記ワーク1の前記表面から開始して、局所的に厳密に限定される導電性領域を、前記所定の穿孔箇所10において作製し、ステップdにおいて、前記そのように作製された導電性領域は、電熱絶縁破壊及び前記孔12の形成を引き起こす、供給される高周波エネルギーのための微小アンテナとして用いられる、請求項1に記載の方法。前記導電性領域は、局所イオン化とプラズマの発生とによって作製される、請求項3に記載の方法。前記導電性領域は、導電性であるか又はエネルギー入力によって導電性になる局所的に印刷された材料によって形成される、請求項3に記載の方法。或るPbO含有量又はBiO含有量を有するペーストがSiN層上に印刷され、該ペーストは集束されたレーザーパルスによって照射されると互いに反応して前記SiN層を溶かし、したがって、前記ワークの前記穿孔箇所において金属であるPb又はBiをもたらす、請求項3に記載の方法。前記導電性領域は、放射線を吸収し、それによって有効になるインクによって形成される、請求項3に記載の方法。前記導電性領域は、前記ワーク1内に導入される吸収剤又は散乱中心によって形成される、請求項3に記載の方法。ピコ秒~ナノ秒の範囲内のパルス持続時間を有する固体レーザーの放射を用いて前記フィラメント状のチャネル11を作製する、請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。250μmの波長を有するKrFレーザー、又は209μmの波長を有するKrBrレーザーを用いてプラズマを生み出す、請求項4に記載の方法。ステップdにおいて、近赤外範囲又は可視放射範囲内のレーザーが、前記穿孔されるワーク1の均一的な深部加熱に用いられる、請求項1に記載の方法。前記穿孔されるワーク1は光吸収性物質を含む、請求項11に記載の方法。ステップdにおいて、反応性ガスを用いて前記孔12の形成を促進する、請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。ワーク1内に多数の孔12のパターンを生成するとともに、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法を実行する装置であって、前記ワーク1を受け入れる処理加工スペース23を包囲する板状電極ホルダー26及び板状対電極ホルダー37と、前記ワーク1を前記処理加工スペース23内に正確に位置決めするためのワークホルダー5と、前記ワーク1の所定の穿孔箇所10の前記パターンに一致する所定のピッチに従ってそれぞれのレーザービーム41を放出するマルチレーザー40のアレイ4であって、各レーザービームは、前記電極ホルダー26内の1つの開口部20及び前記ワーク1内の1つの穿孔箇所10に関連付けられる、マルチレーザーのアレイと、を備え、少なくとも前記電極ホルダー26は、前記ワーク1の前記所定の穿孔箇所10と一致する前記所定のピッチの開口部20を有し、前記電極ホルダー26は電極6を備え、前記対電極ホルダー37は対電極7を備え、前記レーザー40を、特定の時点でオンに切り替えて前記レーザービーム41を放出することができ、前記レーザー40は、穿孔される前記ワーク1がフィラメント状のチャネル11に沿う非熱破壊を受けるような強度の3000nm~200nmの波長範囲内の放射線41を放出することができ、前記電極6及び前記対電極7を後でオンに切り替えて高電圧フラッシュオーバーを引き起こし、前記ワーク1内に前記孔12を作製する、ワーク内に多数の孔のパターンを生成するとともに、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法を実行する装置。複数の個々の電極6は、前記電極ホルダー26の各開口部20の回りに対称的に配置され、前記個々の電極6には、対応する対向した個々の対電極7が関連付けられており、各開口部20の回りに対称的に配置された前記個々の電極6は、輪番でかつ前記個々の対電極7に対して交互式のパターンによって高電圧を受けることができる、請求項14に記載の装置。チャネルシステム22、33が、前記処理加工スペース23と連通しており、反応性ガス及びパージガスを導入して前記孔12の形成を促進するとともに反応性ガス及びパージガスを除去することと、反応生成物を排出することとを可能にする、請求項14又は15に記載の装置。ワーク1内に多数の孔12のパターンを生成するとともに、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法を実行する装置であって、前記ワーク1を受け入れる処理加工スペース23を包囲する板状の高周波電極2及び板状の高周波対電極3と、前記ワーク1を前記処理加工スペース23内に正確に位置決めするためのワークホルダー5と、前記ワーク1の所定の穿孔箇所10の前記パターンに一致する所定のピッチに従ってそれぞれのレーザービーム41を放出するマルチレーザー40のアレイ4であって、各レーザービームは、前記電極ホルダー26内の1つの開口部20及び前記ワーク1内の1つの穿孔箇所10に関連付けられる、マルチレーザーのアレイと、を備え、少なくとも前記高周波電極2は、前記ワーク1の前記所定の穿孔箇所10と一致する前記所定のピッチの開口部20を有し、前記レーザー40は、3000nm~200nmの波長範囲内にあり、かつ穿孔される前記ワーク1がフィラメント状のチャネル11に沿う非熱破壊を受けるような強度を有する放射線41を放出することができ、前記レーザー40を、特定の時点でオンに切り替えてレーザービーム41を放出し、前記パターンに従って前記所定の穿孔箇所10において厳密に限定される局所的な導電性領域の形成を提供することができ、前記電極及び対電極の対2、3に高周波エネルギーを供給して、前記高周波エネルギーを導電性領域の前記パターンに印加し、したがって前記ワーク1内の所定の箇所10に孔12を作製することができる、ワーク内に多数の孔のパターンを生成するとともに、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法を実行する装置。板状の高周波電極2、3の双方は、互いに位置合わせされるとともに、腐食した穿孔材料を除去するためにガス供給チャネル22及び排出チャネル33に接続されている開口部20、30を有する、請求項17に記載の装置。前記ワークホルダー5は、前記ワーク1が、座標の観点で非常に細かいステップで調整することを可能にし、前記所定の穿孔箇所10に従って、レーザー40の前記マルチアレイ4に対する様々な所望の位置に前記ワーク1を位置決めする、請求項14~18のいずれか1項に記載の装置。700ppm未満のアルカリ含有量を有するガラス製のベース基板を含むガラスインターポーザーであって、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法に従って作製される孔と、20μm~450μmに及ぶ孔サイズとを有する、700ppm未満のアルカリ含有量を有するガラス製のベース基板を含むガラスインターポーザー。本発明の目的は、以下の要件のうちの1つ又は複数を満たす必要がある場合に、ガラス及びガラス状材料及び半導体の薄板1mm以下及び基板の形態のワーク内に多数の孔を作製する方法及び装置を提供することである:-孔を正確に±20μm位置決めすることが可能である必要がある。-厳密な孔間公差を有する多くの10個~10000個の小さな孔をワーク毎に作製することが可能である必要がある。-狭い孔間間隔30μm~1000μmを有する孔を作製することが可能である必要がある。-孔は、産業規模ですなわちワーク毎の多くの微細孔を同時に作製可能である必要がある。詳細には、以下の特性を有するガラスインターポーザーを作製することが可能であるものとする:-それらのガラスインターポーザーは、20μm~450μm、好ましくは50μm~120μmの孔径と、1~10のアスペクト比孔径に対するガラス厚さの比率とを有する孔パターンを有する。-孔の個数は、1000個~5000個の間で変動する。-孔の中心間距離は、120μm~400μmに及ぶ。-孔の形状は理想的には円筒形ではなく、むしろ孔の入口及び出口の縁が丸い。-5μm以下のビードbead高さを有する、孔の縁の回りのビードを任意選択的に認めることができる。-孔の壁は滑らかファイアポリッシュである。本発明による方法は2つのステップで実行される。第1に、それぞれのフィラメント状のチャネルに沿って基板内の非熱破壊を誘導するために、レーザービームを所定の穿孔箇所に方向付けることによって、穿孔されるワーク内に孔を準備する。材料の透明度に起因して、レーザービームが材料内へと突き抜け、また、放射強度が非常に高い場合、材料はレーザーの高い電界強度によって非電熱方式で局所的に破壊される。この効果は、透明材料における光学的自己集束によって強化される。したがって、直線状の非常に細い破壊チャネルが作製される。これは孔の正確な位置決めを可能にする。破壊が非常に細いチャネルに沿って広がるため、作製プロセスの相互干渉を伴わずに互いに対して近い間隔を有するそのようなフィラメント状のチャネルを作製することが可能である。第2のステップでは、フィラメント状のチャネルを所望の孔径まで拡大する。原理上、これを既知の手順に基づいて達成することができるが、革新的な手順を採用してフィラメント状のチャネルを所望の孔径まで拡大することを達成することも可能である。本発明の実施の形態によれば、薄板材料又は基板材料の表面から開始して、局所的に限定される導電性領域を所定の穿孔箇所において作製し、それらの導電性領域を高電圧絶縁破壊のための微小電極として又は供給される高周波エネルギーのための微小アンテナとして用いて、電熱絶縁破壊、したがって所望の孔の形成を引き起こす。イオン化を発生させることと、プラズマを形成することとによって、局所的に限定される導電性領域を作製することができる。本質的に導電性であるか又はエネルギー入力によって導電性になる、局所的に印刷される材料によって、導電性領域を同様に作製することもできる。導電性領域を熱伝導によって有効化することも可能であり、そのような場合、放射吸収インクを所定の穿孔箇所に対して印刷することができる。本発明は、上記穿孔方法を実行する装置にも関する。マルチレーザーのアレイが、所定のピッチpitch:位置間隔に従ってそれぞれのレーザービームを放出するために設けられている。ワークホルダーが、穿孔される薄板材料又は基板材料をレーザービームの方向に対して横断して支持し、マルチレーザーアレイに対するワークの横断方向移動及び固定を可能にする。レーザーは、3000nm~200nmの波長範囲内で有効なものであり、このとき、薄板材料又は基板材料は、それぞれのレーザービームが材料内へ突き抜ける程度に少なくとも部分的に透明である。材料が非熱方式で局所的に破壊されるように著しい放射強度を達成するパルスレーザーが用いられる。材料内に導入される吸収剤/散乱中心は、局所的に厳密に限定されるこの破壊の効果を促進する。フィラメント状のチャネルが形成されると、それらのチャネルを所望の孔径まで拡大するための2つの方法があり、これらの方法は組み合わせることもできる:1.形成される穿孔壁に沿った化学効果を組み合わせることによって任意選択的に促進される、高周波エネルギーを用いること、並びにフィラメント状のチャネルに沿って材料を加熱すること及びその材料を溶解/蒸発させることによる方法。2.腐食した材料の化学的除去/物理的除去を任意選択的に伴う、高電圧によって引き起こされるフィラメント状のチャネルに沿った電熱絶縁破壊による方法。フィラメント状のチャネルを所望の均一の孔へと拡大するために、相互に対向した関係にあるフィラメント状のチャネルの付近に配置される高圧電極を用いることができる。そこで、材料の絶縁破壊電界強度が弱まり、そのため、印加される高電圧によって引き起こされた電流が流れ、これによりフィラメント状のチャネルに沿った材料の加熱が引き起こされ、これはさらに、影響を受けた材料の導電率を局所的に上昇させ、フィラメント状のチャネルの領域における更により高度なhigher電流フローと加熱という結果を伴う。これは、最終的に穿孔材料の蒸発とワーク内での所望の孔の形成とをもたらす。丸み及び均一性に関してワーク内の孔又は穿孔の質を高めるために、電極ホルダーの各穿孔の回りに対称的に配置されている高圧電極を、輪番かつ対電極に対して交互式のパターンでオンに切り替える。これは電極の摩耗の進行を遅らせ、またその摩耗を一定にし、そのため、均一な形状の孔を薄板材料又は基板材料において長期的に見込むことができる。孔を開けるclearのに高圧スパークを用いる代わりに、高周波エネルギーを用いてフィラメント状のチャネルにおける材料を局所的に加熱することができる。実際に、レーザービームは所定の穿孔箇所において形成されるプラズマを提供することができ、このプラズマは、供給される高周波エネルギーのための微小アンテナとして用いることができる。板状形状の電極及び対電極を設けることによって、またそれらの電極を高周波によって励起することによって、電熱エネルギーを、同時にかつレーザービームのパターンに関連付けられる薄板材料又は基板材料の全ての穿孔箇所に対する相互干渉を伴わずに供給して、電流フローの増加と蒸発を伴う穿孔材料の加熱と、最終的にはワーク内での孔の所望の形成とを達成することができる。フィラメント状のチャネルの生成及びその拡大を様々な装置部分において達成することができるが、組み合わせたシステムを用いることも可能である。組み合わせたシステムが、所定のピッチに従ってそれぞれのレーザービームを放出するマルチレーザーアレイと、そのピッチに対応する開口部を有する板状の高周波電極と、そのピッチに対応する開口部を有する板状の高周波対電極と、高周波電極間の処理加工スペース内で穿孔される薄板材料又は基板材料を移動させて固定するワークホルダーと、反応性ガス及びパージガスを材料内に形成される孔に供給する供給チャネル、及び反応生成物を除去するための排出チャネルと、を備えることができる。別の組み合わせたシステムも同様に、所定のピッチに従ってレーザービームを放出するように配置されているマルチレーザーのアレイを備えることができる。板状電極ホルダーは、薄板材料又は基板材料の所定の穿孔箇所に一致する所定のピッチの開口部を有する。高圧電極は、電極ホルダーの各穿孔の回りに対称的に配置されている。対電極ホルダーが、電極ホルダーから距離をおいて中間スペースを形成するように配置されており、電極に対向した位置に対電極を有する。ワークホルダーが、穿孔される薄板材料又は基板材料を電極と対電極との間の中間スペース内に支持する。レーザーを特定の時点でオンに切り替えて、レーザービームを放出し、所定のピッチに従ってフィラメント状のチャネルを薄板材料又は基板材料内に作製することができる。その後で、電極及び対電極をオンに切り替えて、高電圧フラッシュオーバーを引き起こし、薄板材料又は基板材料内に孔を作製することができる。いずれの基本的な手順においても、ワーク内の所定の穿孔箇所のパターンを、それぞれのレーザービームのアレイよりも大きくすることができる。そのような場合、ワークに対してアレイを複数回移動させることによって穿孔パターンを作製することができる。このようにして、マルチアレイにおけるレーザーは孔間隔に対応するほど隙間なく詰まってpackedはいないが、複数の孔を近い間隔を空けて作製することができる。ここで、本発明の例示的な実施形態を図面を参照して説明する。図1は、ガラス材料、ガラスセラミック材料又は半導体材料の薄板状ワーク1に微細孔を作製する装置の概略図である。このワークは、上側板状電極ホルダー26と下側板状電極ホルダー37との間の処理加工スペース23内に導入されている。電極ホルダー26の上方には、レーザー40のアレイ4が設けられている。ワーク1は、電極ホルダー26及び37の間の処理加工スペース23内にワーク1を非常に細かいステップstep:目盛りで調整することを可能にするワークホルダー5によって支持されている。電極ホルダー26は、レーザー40のそれぞれのビーム41と位置合わせされる開口部20を有する。電極6が開口部20のそれぞれの回りに円形に分散した状態で配置されており、この電極は1つ又は複数の独立した高電圧源8を介して対電極7に接続されている。ワーク1は、穿孔12が作製される、多数の意図される穿孔箇所10を有する。電極ホルダー26内の開口部20は、穿孔箇所10のパターンに整合するピッチを有する、すなわち穿孔箇所10のパターンは開口部20のピッチの倍数multipleである。レーザー40として、3000nm~200nmの波長範囲内のレーザー、詳細には少なくとも部分的に透明であるワーク1のそれぞれの材料に適合するレーザーが用いられる。レーザーの波長範囲は、ワーク材料の透明度の範囲内に入る。したがって、レーザー放射線41がワーク材料内へと深く突き抜けることができ、表面では吸収されない。材料がレーザーの高い電界強度によって非熱方式で破壊されるほど強いビーム焦点の放射強度を有する、短いパルス持続時間を有するパルスレーザーが用いられる。その効果は、透明材料における光自己集束による自己強化selfintensifyingである。したがって、破壊された材料の非常に細いフィラメント状のチャネル11がワーク1内に形成される。そのようなフィラメント状のチャネル11を生成するのに好適なレーザーは、1064nmの放射波長とピコ秒~ナノ秒範囲内のパルス持続時間とを有するNd:YAGレーザーである。他の好適なレーザーは、980nmのYb:YAG、1055nm若しくは約3000nmのEr:YAG、又は1300nm~1400nmのPr:YAG若しくはTm:YAGを含む。部分的には、周波数の2倍化又は3倍化を、これらのレーザーを用いて達成することができる。フィラメント状のチャネル11の形成を、ワーク材料1における天然の又は人工的に導入された吸収剤又は散乱中心によって、特にこのワーク材料がガラスである場合に増進することができる。結合水を吸収剤として用いることができる。用いることができる吸収元素は、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの活性希土類元素イオン等の狭帯域吸収性レーザー活性元素を含む。遷移金属イオン、例えばCr、Mn、Fe等の広帯域吸収元素も有用である。これらのレーザー及び吸収元素は、互いに対して適合している。ごく僅かな量の適切な吸収剤しか必要ではない。フィラメント状のチャネル11が作製されると、穿孔又は孔12が形成される。これは、図1に示される特定の装置の場合、高電圧を電極6及び7に印加することによって達成される。これらの電極は、それぞれのビーム方向41の回りに対称的に分散して配置されており、好ましくはいずれの場合にも3つの電極を含む。上側電極6は輪番でオンに切り換えられ、その一方で下側電極7はランダムなパターン又はプログラムに従ってオン及びオフに切り替えられるが、高電圧動作中のいかなる時点においても上側電極のうちの1つ及び下側電極のうちの1つがオンに切り換えられるような方式でオン及びオフに切り替えられる。スパークはフィラメント状のチャネル11に沿った最小抵抗の経路を流れ、導入された熱は電気抵抗を減少させ、電流密度は増大し、また加熱は穿孔材料の蒸発を引き起こす。交互に駆動される個々の電極を用いた動作によって、孔12が薄板の平面に対して垂直に形成されることと、優れた軸対称性が達成されることとが確実になる。孔12の壁は大部分が円筒形に沿うものである。さらに、高応力下の電極6、7の耐用年数の延長を見込むことができる。蒸発した穿孔材料を処理加工スペース23から吸い出すことができるが、これに関しては更に詳細に示さない。このために、反応性ガスを用いて気相の蒸気を搬送するとともに望ましくない場所における材料の落下を大きく回避することができる。図2は、ワーク1に複数の孔12を作製するための別の装置を示す。ワーク1は、2つの板状の高周波電極2、3間の処理加工スペース23内に配置されている。これらの電極は或るパターンを形成する相互に位置合わせされた開口部20、30を有する。複数のレーザー40は、放出されたビーム41が開口部20及び30に位置合わせされるように同じパターンの複数アレイ4内に配置されている。ワーク1は、正確な座標ベースの移動を可能にするワークホルダー5内に位置している。このようにして、ワーク1の所定の穿孔箇所10を、移動によってマルチアレイ4に対して調整することができる。平板電極2、3に高周波発生器9から適切な高周波電圧を供給することができる。導管及びチャネルのシステム22、33によって、反応性ガス及びパージガスを開口部20、30を通じて電極2、3間の処理加工スペース23内へ給送することと、反応生成物及びパージガス、並びに蒸発した穿孔材料を排出することとが可能になる。装置の動作は以下の通りである:ワーク1を、特定の所定の穿孔箇所10が開口部20、30に位置合わせされるように適所に配置する。次いで、レーザー40をオンに切り替えてフィラメント状のチャネル11に沿って非熱破壊を引き起こす。同時に、プラズマをビーム41の衝突地点に発生させる。このプラズマは、放射された高周波エネルギー用の局所的なアンテナとしての機能を果たす、或る種の導電性スポットである。そのような高周波エネルギーを高周波発生器9をオンに切り替えることによって発生させ、これにより、フィラメント状のチャネル11に沿って材料1の加熱を引き起こす。さらに、導入された電気エネルギーは、チャネルに沿って電流を引き起こし、この電流は、温度の上昇とともに増加し、最終的には穿孔材料の蒸発を引き起こす。反応性ガスを導入することによって、孔の形成を増進及び改善することができる。そのような反応性ガスを、供給ライン22及び開口部20を介して加熱される領域に供給する。反応生成物を開口部30及びチャネル33を通じて排出する。パージガスはワーク1の洗浄を提供する。意図される孔パターン10がレーザービーム41のピッチよりも近いピッチを有する場合、材料1を移動させて、上述のプロセスを繰り返す。これは全ての所定の穿孔箇所10が処理加工されるまで続く。孔径に対する孔長さの大きな比率、いわゆるアスペクト比を有する細い孔を作製することが可能である。孔の入口及び出口には鋭角が一切ない。上述の装置に対して変更を加えることができる。例えば、フィラメント状のチャネル11を別個の装置において作製することができ、その後で別の装置において孔12を作製することができる。薄板材料又は基板材料1を、意図される穿孔箇所10に関して準備することも可能である。材料を、意図される穿孔箇所において、放射吸収インクで印刷することができる。これは材料1の局所加熱を促進し、したがって電熱加熱がこれらの箇所から開始して広がり、結果として12をもたらす。この局所加熱のために、レーザーの代わりに従来の放射線源を同様に用いることができる。これは、フィラメント状のチャネル11及び孔12の別々の作製が考慮される場合に特に検討される。さらに、レーザーよりも安価でありかつ維持しやすいそのような従来の放射線源は、材料1の広い面積を均一に照射することを可能にする。穿孔される材料1が吸収性を有するスペクトル範囲を放出される放射線から除去することが可能である。又は、穿孔される材料1が透明である狭いスペクトル帯内でしか放出しない従来の放射線源が用いられる。これらの場合、選択的吸収剤を印刷用インクに加えることができる。さらに、印刷用インクを乾燥させる必要はない。なぜなら、いずれにせよ照射に起因して印刷用インクは乾燥するためである。セラミックカラー吸収剤及び低有機結合剤を含むガラスフリットも穿孔箇所10にマークを付けるのに有用である。穿孔される箇所10にマークを付けるのに、導電性ペーストを塗布することも同様に有用である。このペーストは、局所的な電極としての機能を果たし、すなわち電極2、3からの電界がこれらの局所的な電極に特に強力に結合し、かつそれらの電極の局所的環境において特に高い電界を引き起こし、そのため、電熱加熱が好ましくはこの領域で生じる。ここでも同様に、ペーストは乾燥させる必要がない。このペーストはまた、金属粒子を含有することもできるし、熱プロセス及び化学プロセスに起因して金属粒子を放出することもできる。SiNでコーティングされている太陽電池に関して、或る含有量のPbO又はBiOを有するガラスフリットベースのペーストが特に有利に用いられる。なぜなら、PbO及びBiOは、加熱されると電気絶縁性SiN層と化学的に反応してその電気絶縁性SiN層を溶かすためである。残っているPb又はBiOの部分が、導電性金属であるPb又はBiに還元される。これらの金属粒子がワーク上で、孔又は穿孔の電熱形成が生じる穿孔箇所にマークを付ける。インク及びペーストの双方を導電性含有物と組み合わせることも同様に可能であることが理解されるであろう。穿孔箇所にマークを付けるために、インク及び/又はペーストを、種々の印刷プロセスによって、例えばスクリーン印刷方法若しくはパッド印刷方法又はインクジェット方法を用いて塗布することができる。上述の穿孔方法は新規のインターポーザーを作製するために開発された。そのようなインターポーザーは、700ppm未満のアルカリ含有量を有するガラス製のベース基板を含む。そのようなガラスは、シリコンチップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。新規の穿孔方法は、20μm~450μmの範囲、好ましくは50μm~120μmの範囲内の非常に細い孔を作製することを可能にする。