"所定パターンを形成すべき第1の領域と、当該第1の領域の外周に沿って設けられた第2の領域とを覆うように、エッチングされるべき被エッチング膜を形成し、パターニング阻害性膜を前記第2の領域上に形成すると共に、前記第1及び第2の領域上の前記被エッチング膜及び前記パターニング阻害性を備えた膜上にレジストを塗布し、前記第1の領域及び第2の領域上のレジスト全体に亘って、パターンを形成し、前記第1の領域上に、前記所定パターンを残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記レジスト全体に形成される前記パターンは、ラインアンドスペースLSの繰り返しパターンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1又は2において、前記パターニング阻害性膜は、前記レジストに対してポイズニング効果を生じさせる膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3において、前記パターニング阻害性膜は、塩基性を示す物質を含み、他方、前記レジストは、酸性を示す物質を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4において、前記パターニング阻害性膜は、SiN膜、塩基性化合物膜、SiCN膜の少なくとも一つによって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4又は5において、前記レジストは、化学増幅型レジストであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1又は2において、前記パターニング阻害性膜は、前記被エッチング膜のエッチングに対してエッチングストッパとなる材料によって形成されたストッパ膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記エッチングストッパとなる材料によって形成された前記ストッパ膜上に、非化学増幅型レジストを塗布し、前記被エッチング膜をエッチングすることなく、前記非化学増幅型レジストを用いて、前記第2の領域に対応する前記ストッパ膜を残した状態で、前記第1の領域に対応する前記ストッパ膜だけをエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8において、前記第1の領域に対応する前記ストッパ膜だけをエッチングした後、前記非化学増幅型レジストを除去し、化学増幅型レジストを前記レジストとして塗布して前記パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。レジストに対してポイズニング効果を持つ膜を前記レジストの下地膜として形成しておき、前記レジストと前記下地膜との前記ポイズニング効果を利用して、ラインアンドスペースの繰り返しパターン形成領域の終端部における繰返し周期の乱れを無くすことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10において、前記レジストは化学増幅型レジストであり、前記下地膜は塩基性を示す物質を含む膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10又は11において、前記下地膜は、エッチングされるべき被エッチング膜の前記ラインアンドスペースの繰り返しパターン形成領域の外周に沿って設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10~12のいずれか一項において、前記レジストは、前記ラインアンドスペースの繰り返しパターン形成領域の外周を超える領域に亘って、ラインアンドスペースの繰り返しパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。予め定められた領域に形成されたパターンと、前記予め定められた領域と隣接した領域に、当該パターンと同様なダミーパターンを有することを特徴とする露光用レチクル。請求項14において、前記パターン及びダミーパターンはラインアンドスペースの繰り返しパターンであることを特徴とする露光用レチクル。請求項14又は15において、ArF光で露光されることを特徴する露光用レチクル。半導体装置製造の際、ラインアンドスペース以下、LSと略称するからなる繰り返しパターンが、シリコン酸化膜等の絶縁膜、或いは、タングステン等の金属膜の被エッチング膜の所定領域に形成される場合がある。例えば、193nmの波長λを有するArFを露光光として使用し、微細なLSの繰り返しパターンを形成した場合、繰り返しパターンの終端部、即ち、パターンを形成するラインと直交方向の両端部に、露光不良の部分が発生し、繰り返しパターンの周期性が失われることが見出された。露光不良の部分の発生及び繰り返しパターン周期性の欠如は、微細加工を行える化学増幅型レジストを使用しても解消できなかった。本発明の第1の態様によれば、所定パターンを形成すべき第1の領域と、当該第1の領域の外周に沿って設けられた第2の領域とを覆うように、エッチングされるべき被エッチング膜を形成し、パターニング阻害性膜を前記第2の領域上に形成すると共に、前記第1及び第2の領域上の前記被エッチング膜及び前記パターニング阻害性を備えた膜上にレジストを塗布し、前記第1の領域及び第2の領域上のレジスト全体に亘って、パターンを形成し、前記第1の領域上に、前記所定パターンを残すことを特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。本発明の別の態様によれば、レジストに対してポイズニング効果を持つ膜を前記レジストの下地膜即ち、パターニング阻害膜として形成しておき、前記レジストと前記下地膜との前記ポイズニング効果を利用して、ラインアンドスペースの繰り返しパターン形成領域の終端部における繰返し周期の乱れを無くすことを特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。即ち、本発明は、レジストと膜とのポイズニング効果を積極的に利用したものである。本発明は、化学増幅型レジスト等をマスクとしてエッチングされない領域上に、エッチング阻害膜を形成し、当該エッチング阻害膜上にも、繰り返しパターンを形成したレジストを配置し、露光することにより、所定領域内の繰り返しパターン終端部における露光不良をも改善することができる。図1a~dを参照すると、本発明の前提となる半導体装置の製造方法、即ち、露光方法が、本発明の理解を容易にするために示されている。まず、図1aに示すように、半導体基板21上に、絶縁膜即ち、被エッチング膜22及びレジスト23が形成される。この状態で、半導体基板2上の絶縁膜22に、ラインアンドスペースLSパターンが形成されるものとする。以下では、LSパターンが形成される領域及びLSパターンが形成されない領域をそれぞれ第1の領域及び第2の領域と呼ぶものとする。図示された例では、絶縁膜22の第1の領域上に形成されたレジスト23には、露光によって潜像が形成される露光領域が形成され、第1の領域を除く第2の領域上のレジスト23には、露光されない非露光領域が形成される。図示されているように、レジスト22は、被エッチング膜である絶縁膜22及び半導体基板21における第1の領域だけでなく、第2の領域をも覆うように設けられている。尚、この例では、半導体基板21、絶縁膜22、及び、レジスト23として、それぞれ、シリコン基板、シリコン酸化膜、及びポジ型の化学増幅型レジストを用いた例を説明するが、本発明は何等これに限定されないことは云うまでもない。次に、図1bに示すように、LSパターンを形成したレチクル24を用意し、化学増幅型レジスト膜23上に潜像を形成する。図示されたレチクル24は、露光光として193nmの波長λを有するArF光を用いて、化学増幅型レジスト膜23に潜像を形成する場合について説明するが、他の波長λの露光光例えば、KrF光等を用いても良い。LSパターンが形成されるべき第1の領域S1に対応したレチクル24の領域には、Cr膜が間隔をおいて被着形成されたラインアンドスペースLSパターン26がパターニングされており、LSパターンが形成されない第2の領域S2に対応したレチクル24の領域は、遮光膜27によって覆われている。図示されているように、レチクル24のS2に対応する領域には、LSパターンが形成されていない。図示されたレチクル24を化学増幅型レジスト等のレジスト23を対向させた状態で、ArF光を照射して等倍露光すると、レジスト23の露光領域である第1の領域S1には、レチクル24のLSパターンの潜像が形成され、他方、第2の領域S2には、遮光膜27によってArF光が遮光されるため、潜像は形成されない。図1bにおいて、レジスト23の露光後、露光領域を現像液により溶解すると、図1cに示すように、レジスト23上の第1の領域S1には、レチクル24のLSパターンに対応したレジストパターン23’が絶縁膜22上に残され、第2の領域S2には、レジスト23がそのまま残っている。図1dを参照すると、レジストパターン23’の形成後における光学強度の測定結果が示されている。図1dからも明らかな通り、第1の領域S1の中央領域におけるレジストパターン23’からの光学強度は高く、非露光領域の第2の領域S2に近くなるに従って、レジストパターン23’からの光学強度は弱くなっている。このため、露光領域の終端部では、露光不良が発生する。露光不良の結果、LSパターンの周期性は、露光領域即ち、第1の領域S1の終端部において乱れることが見出された。LSパターンの周期性の乱れは、露光光の波長λが短くなるに従って大きくなると共に、LSパターンの間隔が小さくなるにしたがって大きくなることも観測された。図2を参照して、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法、即ち、露光方法を概略的に説明する。図2a及びbには、半導体基板11上に、エッチングされるべき被エッチング膜として、絶縁膜12が、半導体基板11の所定領域第1の領域S1及び所定領域を囲む周辺領域第2の領域S2の全面に亘って形成されている。図示された例では、第2の領域S2上に、例えば、化学増幅型レジストに対してポイゾニング効果を示す膜、例えば、塩基性化合物アミン成分を含む膜やSiCN膜が、エッチング阻害膜15として形成されている。図示されたエッチング阻害膜15は、例えば、絶縁膜12の第1及び第2の領域S1及びS2上に、上記ポイズニング効果を示す膜を形成した後、第1の領域S1上の当該膜を除去することによって、第2の領域S2上にのみ、エッチング阻害膜15を残すことによって形成される。この場合、エッチング阻害膜15は、エッチング選択比分以上の厚さを有していることが望ましい。次に、図2cを参照すると、絶縁膜12及びエッチング阻害膜15上に、エッチング阻害膜15に対してポイズニング効果を示す化学増幅型レジスト膜16が形成されている。この結果、図2cの状態では、第1及び第2の領域S1及びS2は、化学増幅型レジスト膜16によって覆われることになる。一方、被エッチング膜である絶縁膜12の第1の領域S1に、LSパターンを形成するレチクル17が用意され、図2cに示すように、化学増幅型レジスト膜16と対向するように配置されている。当該レチクル17には、第1の領域S1に対応した領域にLSパターンを備えるだけでなく、第2の領域S2に対応した領域にもLSパターン17aが形成されている。当該レチクル17をエッチング阻害膜15と対向させた状態で、図3a及びbに示すように、露光光18aとしてArF光を用いて、化学増幅型レジスト膜16を等倍露光する。この露光によって、化学増幅型レジスト膜16の第1の領域S1には、レチクル17に形成されたLSパターンの潜像が生成される。この場合、化学増幅型レジスト膜16の第2の領域S2にも潜像が形成されるが、第2の領域S2上の潜像は化学増幅型レジスト膜16の上部に限定的に形成されるだけである。これは、塩基性化合物を含むエッチング阻害膜15のポイズニング効果によって、化学増幅型レジスト膜16の酸が失活し、中和されるためである。露光後、現像液により、露光部分を除去すると、図3bに示すように、化学増幅型レジスト16の第1の領域S1に対応する領域上には、レチクル17のLSパターンが転写される。一方、化学増幅型レジスト膜16の第2の領域S2の対応する領域上に、露光によって形成された化学増幅型レジスト膜16上の潜像が現像液によって殆ど溶解されずに残っている。したがって、化学増幅型レジスト16は、第2の領域S2に対応した領域には、パターンが形成されない部分19を有している。図4aを参照すると、図3bの部分Aが拡大して示されている。図示されているように、エッチング阻害膜15上には、LSパターンが形成されていないが、エッチング阻害膜15に隣接した化学増幅型レジスト16には、LSパターンが、終端部までLSパターンの繰り返し周期を維持した状態で形成されている。この結果、化学増幅型レジスト膜16のLSパターンの終端部には、露光不良によるパターン周期の乱れは発生していない。即ち、化学増幅型レジスト16は、第1の領域S1の終端部、即ち、LSパターンを形成するラインと交叉する方向における第1の領域S1の終端部まで、露光不良なくパターニングされている。図4bを参照すると、図4aに示されたパターン周期乱れのない化学増幅型レジスト膜16をマスクとして、絶縁膜12をエッチングした例が示されている。図4bに示されているように、レチクル17のLSパターンが絶縁膜12に絶縁膜LSパターン12’として転写され、当該絶縁膜LSパターン12’は、第1の領域S1の終端部12aにおいても周期の乱れなく転写される。これは、エッチング阻害膜15によって、絶縁膜12における第1の領域S1の終端部が、第2の終端部S2まで実質的に拡大されたためである。第2の領域S2上に残されたエッチング阻害膜15は、最終的に除去されても良いし、層間絶縁膜の一部として利用されても良い。上に述べた実施形態では、被エッチング膜である絶縁膜12として、シリコン酸化膜を例として上げたが、本発明はこれに限定されることなく、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等にも適用できる。更に、本発明に係る被エッチング膜12は絶縁膜に限定されることなく、タングステン等の金属膜であっても良い。また、化学増幅型レジスト膜16に対してポイズニング効果を有するエッチング阻害膜15として、SiCNを上げたが、本発明は何等これに限定されることなく、化学増幅型レジスト膜16の組成に応じて、ポイズニング効果を有する膜例えば、塩基性を示す有機物膜アミン成分を含む有機膜等を選定することができる。図5を参照して、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法即ち、露光方法を説明する。まず、図5aに示すように、半導体基板31上には、被エッチング膜32が形成されている。更に、被エッチング膜32は、当該被エッチング膜32のエッチャントに対してエッチングストッパとなる膜以下、ストッパ膜33によって覆われている。ストッパ膜33は、選択比分以上の膜厚を有している。被エッチング膜32は、LSパターンを形成されるべき第1の領域S1と、第1の領域S1を囲む第2の領域S2とを覆うように形成されている。この例では、半導体基板31、被エッチング膜32、及び、ストッパ膜33は、それぞれ、シリコン基板、シリコン酸化膜、及び、SiN膜であるものとして説明するが、本発明は、何等これに限定されるものではないことは云うまでもない。次に、図5bに示すように、ストッパ膜33上に、非化学増幅型レジスト膜34が形成される。当該非化学増幅型レジスト膜34のうち、被エッチング膜32の第1の領域S1に対応する部分の非化学増幅型レジスト膜34は除去されている。この結果、非化学増幅型レジスト膜34は、被エッチング膜32の第2の領域S2に対応したストッパ膜33上にのみ残されている。続いて、図5cに示すように、第2の領域S2に残された非化学増幅型レジスト膜34をマスクとして、非化学増幅型レジスト膜34のエッチングに使用されるエッチャントとは異なるエッチャントを用いて、ストッパ膜33がエッチングされる。ストッパ膜33のエッチングにより、被エッチング膜32の第1の領域S1が露出する。非化学増幅型レジスト膜34のエッチング後、非化学増幅型レジスト膜34は除去され、図4cに示された状態が得られる。非化学増幅型レジスト膜34の除去後、図5dに示すように、第1及び第2の領域S1及びS2上に化学増幅型レジスト膜35が塗布される。続いて、被エッチング膜32の第1及び第2の領域S1、S2に亘って、LSパターンが形成されたレチクル37が用意され、化学増幅型レジスト膜35と対向するように位置付けられる。この状態で、LSパターンが、化学増幅型レジスト膜35上に第1及び第2の領域S1,S2に亘って露光される。ここでは、露光光としてArF光を使用したが、他の露光光であっても良い。この結果、化学増幅型レジスト膜35には、図5dに破線で示すような潜像が形成される。潜像が形成された化学増幅型レジスト膜35を現像液によって溶解することによって、図5eに示すようなLSパターンを有する化学増幅型レジスト膜35’が得られる。図5dでは、第1の領域S1だけでなく、第2の領域S2にも、LSパターンを有するレチクル37が用いられているため、第2の領域S2上の化学増幅型レジスト膜35’にも、LSパターンが第1の領域S1と同様に形成されている。図5eに示すように、第1の領域S1の化学増幅型レジスト膜35’のLSパターンは、被エッチング膜32に達するまで、エッチングされており、他方、第2の領域S2のストッパ膜33上に形成された化学増幅型レジスト膜35’にもLSパターンが形成される。ストッパ膜33上に形成された化学増幅型レジスト膜35’に形成されたLSパターンにおけるエッチングは、ストッパ膜33までで停止しており、被エッチング膜32には達していない。図示されたように、第2の領域S2上にもLSパターンを有する化学増幅型レジスト35’では、第1の領域S1の終端部においても、LSパターンの周期性が維持されていることが判明した。図6aを参照すると、図5eに示された領域Bが拡大して示されている。図6aに示されているように、ストッパ膜32上の化学増幅型レジスト膜35’にも、パターン35aが、第1の領域S1と同様に形成され、当該パターン35aは被エッチング膜32に達していない。この状態で、化学増幅型レジスト膜35’をマスクとして被エッチング膜32がエッチングされる。このエッチングに使用されるエッチャントとしては、化学増幅型レジスト膜35をエッチングするエッチャントとは異なり、且つ、被エッチング膜32のみをエッチングできるエッチャントが用いられる。即ち、被エッチング膜32のエッチングの際、ストッパ膜32はエッチングされないようなエッチャントが使用される。被エッチング膜32のエッチングによって、パターニングされた被エッチング膜32’が得られる。この状態で、化学増幅型レジスト膜35’が除去されると、図6bに示すように、第1の領域S1における終端部に位置する被エッチング膜32’のLSパターン32aまで、周期性を維持した状態で、LSパターンが形成される。上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。[付記1]所定パターンを形成すべき第1の領域と、当該第1の領域の外周に沿って設けられた第2の領域とを覆うように、エッチングされるべき被エッチング膜を形成し、パターニング阻害性膜を前記第2の領域上に形成すると共に、前記第1及び第2の領域上の前記被エッチング膜及び前記パターニング阻害性を備えた膜上にレジストを塗布し、前記第1の領域及び第2の領域上のレジスト全体に亘って、パターンを形成し、前記第1の領域上に、前記所定パターンを残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記2]付記1において、前記レジスト全体に形成される前記パターンは、ラインアンドスペースLSの繰り返しパターンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記3]付記1又は2において、前記パターニング阻害性膜は、前記レジストに対してポイズニング効果を生じさせる膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記4]付記3において、前記パターニング阻害性膜は、塩基性を示す物質を含み、他方、前記レジストは、酸性を示す物質を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記5]付記4において、前記パターニング阻害性膜は、SiN膜、塩基性化合物膜、SiCN膜の少なくとも一つによって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記6]付記4又は5において、前記レジストは、化学増幅型レジストであることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記7]付記1又は2において、前記パターニング阻害性膜は、前記被エッチング膜のエッチングに対してエッチングストッパとなる材料によって形成されたストッパ膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記8]付記7において、前記エッチングストッパとなる材料によって形成された前記ストッパ膜上に、非化学増幅型レジストを塗布し、前記被エッチング膜をエッチングすることなく、前記非化学増幅型レジストを用いて、前記第2の領域に対応する前記ストッパ膜を残した状態で、前記第1の領域に対応する前記ストッパ膜だけをエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記9]付記8において、前記第1の領域に対応する前記ストッパ膜だけをエッチングした後、前記非化学増幅型レジストを除去し、化学増幅型レジストを前記レジストとして塗布して前記パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記10]レジストに対してポイズニング効果を持つ膜を前記レジストの下地膜として形成しておき、前記レジストと前記下地膜との前記ポイズニング効果を利用して、ラインアンドスペースの繰り返しパターン形成領域の終端部における繰返し周期の乱れを無くすことを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記11]付記10において、前記レジストは化学増幅型レジストであり、前記下地膜は塩基性を示す物質を含む膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記12]付記10又は11において、前記下地膜は、エッチングされるべき被エッチング膜の前記ラインアンドスペースの繰り返しパターン形成領域の外周に沿って設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記13]付記10~12のいずれか一項において、前記レジストは、前記ラインアンドスペースの繰り返しパターン形成領域の外周を超える領域に亘って、ラインアンドスペースの繰り返しパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。[付記14]予め定められた領域に形成されたパターンと、前記予め定められた領域と隣接した領域に、当該パターンと同様なダミーパターンを有することを特徴とする露光用レチクル。[付記15]付記14において、前記パターン及びダミーパターンはラインアンドスペースの繰り返しパターンであることを特徴とする露光用レチクル。[付記16]付記14又は15において、ArF光で露光されることを特徴する露光用レチクル。"