基板上にある、窒化物ベースのチャネル層と、前記窒化物ベースのチャネル層上にあり、窒化物ベースの半導体バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗を有する、窒化物ベースの半導体バリア層と、前記バリア層上にある、複数のオーム性接触と、前記バリア層上にある、ゲート接点とを備えることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。前記オーム性接触に隣接すると共にそれから離隔され、また前記ゲート接点が中を貫通して延びる、前記バリア層上に配設された保護層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記保護層上にあり、前記オーム性接触と前記保護層の間の隙間を実質的に埋める、パッシベーション層をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の高電子移動度トランジスタ。前記パッシベーション層は、前記保護層上にもあり、前記ゲート接点は、前記保護層および前記パッシベーション層を貫通して延びることを特徴とする請求項3に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ゲート接点の少なくとも一部分は直接前記保護層上にあり、前記ゲート接点の一部分は、直接前記バリア層上にあることを特徴とする請求項3に記載の高電子移動度トランジスタ。前記オーム性接触と前記ゲート接点の間の隙間を実質的に埋める、前記バリア層上のパッシベーション層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記窒化物ベースのチャネル層は、III族窒化物層を含み、前記窒化物ベースの半導体バリア層は、III族窒化物層を含むことを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、前記バリア層よりも低いバンドギャップを有することを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、約20Åを超える厚さを有する非ドープ層を含むことを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、超格子および/またはIII族窒化物層の組合せを有することを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムガリウムInGaN、および/または窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNを含み、前記バリア層は、窒化アルミニウムAlN、窒化アルミニウムインジウムAlInN、AlGaN、GaN、InGaN、および/またはAlInGaNを含むことを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記バリア層は、AlxGa1-xNただし0<x<1を含むことを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記バリア層は、複数の層を含むことを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記基板上にバッファ層をさらに備え、前記窒化物ベースのチャネル層は、前記バッファ層上に配設されることを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記保護層は、少なくとも前記オーム性接触と同程度の厚さを有することを特徴とする請求項2に記載の高電子移動度トランジスタ。前記オーム性接触は、約1Ω-mm未満の接点抵抗を有することを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。基板上にある、窒化物ベースのチャネル層と、前記窒化物ベースのチャネル層上にある、窒化物ベースの半導体バリア層と、前記バリア層上にある、保護層と、前記バリア層上にあり、オーム性接触と前記保護層の間の隙間を設けるように、前記保護層に隣接すると共にそれから離隔される複数のオーム性接触と、前記バリア層上にあり、前記保護層を貫通して延びるゲート接点とを備えることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。前記保護層上にあり、前記オーム性接触と前記保護層の間の前記隙間を実質的に埋める、パッシベーション層をさらに備えることを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記窒化物ベースのチャネル層は、III族窒化物層を含み、前記窒化物ベースの半導体バリア層は、III族窒化物層を含むことを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、前記バリア層よりも低いバンドギャップを有することを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、約20Åを超える厚さを有する非ドープ層を含むことを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、超格子および/またはIII族窒化物層の組合せを有することを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記チャネル層は、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムガリウムInGaN、および/または窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNを含み、前記バリア層は、窒化アルミニウムAlN、窒化アルミニウムインジウムAlInN、AlGaN、GaN、InGaN、および/またはAlInGaNを含むことを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記バリア層は、AlxGa1-xNただし0<x<1を含むことを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記バリア層は、複数の層を含むことを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記基板上にバッファ層をさらに備え、前記窒化物ベースのチャネル層は、前記バッファ層上に配設されることを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記保護層は、少なくとも前記オーム性接触と同程度の厚さであることを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ゲート接点は、直接前記保護層上にあることを特徴とする請求項27に記載の高電子移動度トランジスタ。前記保護層は、単層約2枚分の厚さを有することを特徴とする請求項17に記載の高電子移動度トランジスタ。窒化物ベースの半導体チャネル層上に、窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、前記窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に、保護層を形成すること、前記バリア層上に、パターニングされた複数のオーム性接触金属領域を形成すること、第1および第2のオーム性接触を形成するために、前記パターニングされたオーム性接触金属をアニールすること、前記バリア層のゲート領域の一部分を露出させるために、低損傷エッチング技術を利用して、前記バリア層の前記ゲート領域内の前記保護層に陥凹部をエッチングすること、および前記パッシベーション層の前記陥凹部中に、前記ゲート接点を形成することを含むことを特徴とするトランジスタの製作方法。前記保護層は、パッシベーション層を含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。前記保護層は、窒化アルミニウム層、窒化ケイ素層、および/または二酸化ケイ素層を含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。前記低損傷エッチング技術は、強塩基を使用する湿式エッチングを含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。第1および第2のオーム性接触を形成するために、前記パターニングされたオーム性接触金属をアニールすることは、保護層を形成する前に実施されることを特徴とする請求項30に記載の方法。第1および第2のオーム性接触を形成するために、前記パターニングされたオーム性接触金属をアニールすることは、保護層を形成した後に実施されることを特徴とする請求項30に記載の方法。窒化ガリウム/窒化アルミニウムガリウムGaN/AlGaN材料系で製作される高電子移動度トランジスタは、前述の高破壊電界、それらの材料の広いバンドギャップ、大きな伝導帯オフセット、および/または高飽和電子ドリフト速度を含めた材料特性を併せもつため、大きな高周波電力を発生する可能性を有する。2DEG中の電子の大部分は、AlGaN中の分極によるものとされている。GaN/AlGaN系によるHEMTは、これまでに示されている。AlGaN/GaNHEMT構造および製造方法は、文献に記載されている特許文献1、特許文献2参照。半絶縁性炭化ケイ素基板、基板上に窒化アルミニウムバッファ層、バッファ層上に絶縁性窒化ガリウム層、窒化ガリウム層上に窒化アルミニウムガリウムバリア層、窒化アルミニウムガリウムの活性構造上にパッシベーション層を有するHEMTデバイスが、文献に記載されている特許文献3参照。窒化物ベースのトランジスタの製作における1つの段階は、そうしたトランジスタ用のオーム性接触の形成である。オーム性接触の形成には一般に、高アニール温度例えば900°Cが必要とされてきた。そうした高アニール温度は、材料および/またはデバイスに損傷を与えることがある。例えば、オーム性接触を形成する際に高アニール温度を利用する従来型のデバイスでは、AlGaN層および/またはGaN層のゲート領域2つの接点間の活性デバイス領域と定義されるのシート抵抗は一般に、成長させたままのAlGaN層および/またはGaN層のシート抵抗に比べて増大する。シート抵抗のそうした増大は、デバイスに悪影響を及ぼすと考えられている。本発明の諸実施形態は、窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成し、窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによる、トランジスタの製作を提供する。バリア層上に、パターニングされたオーム性接触金属領域を形成し、それをアニールして、第1および第2のオーム性接触を形成する。アニールは、ゲート領域上に保護層を載せたままで実施される。ゲート接点も、バリア層のゲート領域例えば、第1と第2のオーム性接触間の活性デバイス領域上に形成される。本発明の別の諸実施形態では、パターニングされたオーム性接触金属をアニールした後に、保護層が除去される。保護層は窒化アルミニウム層でよい。保護層は、低損傷エッチング技術を利用して除去することができる。例えば、低損傷エッチング技術には、KOHなどの強塩基を用いた湿式除去が含まれ得る。保護層を除去した後に、バリア層の露出部分上に、パッシベーション層を形成することができる。これらの実施形態では、バリア層のゲート領域の一部分を露出させるために、低損傷エッチング技術を利用してパッシベーション層に陥凹部をエッチングし、パッシベーション層の陥凹部中にゲート接点を形成することによって、ゲート接点を形成することができる。本発明の別の諸実施形態では、バリア層および保護層の露出部分上に、パッシベーション層が形成される。これらの諸実施形態では、パッシベーション層および保護層を貫通して延びてバリア層に接触するゲート接点を形成することによって、ゲート接点を設けることができる。本発明の別の諸実施形態では、保護層を形成することは、バリア層上にパターニングされた保護層を形成することを含む。パターニングされた保護層は、ゲート領域に対応するバリア層の第1の部分を覆い、それに隣接すると共に第1および第2のオーム性接触に対応する、バリア層の第2の部分を露出させる。パターニングされたオーム性接触金属領域は、バリア層の第2の部分上に、パターニングされたオーム性接触金属領域を形成することによって設けられる。パターニングされたオーム性接触金属領域は、パターニングされた保護層に隣接すると共にそれから離隔される。本発明の別の諸実施形態では、パターニングされた保護層を形成することは、バリア層上に保護層材料をブランケット堆積させること、ブランケット堆積された保護層材料上に、第1および第2のオーム性接触の位置に対応するウインドウを有する、一般にはフォトレジストであるマスクを形成すること、ブランケット堆積された保護層を、低損傷エッチング技術を利用して、ウインドウを通してエッチングすること、およびマスクを除去することを含む。第1および第2のオーム性接触の位置に対応するウインドウは、第1および第2のオーム性接触の面積よりも大きくてよい。低損傷エッチング技術は、CF4/O2、NF3/O2および/または他のフッ素化種を使用する、RIE、ECR、ダウンストリームプラズマ、ならびに/あるいはICPのうちの1つまたは複数でよい。ゲート接点を形成することは、パターニングされた保護層に陥凹部をエッチングして、バリア層の第1の部分の一部分を露出させること、およびゲート接点をその陥凹部中に堆積させることを含むことができる。陥凹部を形成することは、パターニングされた保護層上に、陥凹部の位置に対応するウインドウを有するマスクを形成すること、パターニングされた保護層を、低損傷エッチング技術を利用して、ウインドウを通してエッチングすること、およびマスクを除去することを含むことができる。パターニングされた保護層をエッチングするのに利用される低損傷エッチング技術は、CF4/O2、NF3/O2および/または他のフッ素化種を使用する、RIE、ECR、ダウンストリームプラズマ、ならびに/あるいはICPを含むことができる。本発明の特別な諸実施形態では、保護層はSiN、AlN、および/またはSiO2を含む。SiN、AlN、および/またはSiO2は、非化学量論的でよく、圧縮歪みまたは引っ張り歪みを有することができる。保護層は、物理気相成長PVDおよび/または化学気相成長CVDを使用して堆積させることができる。本発明の別の諸実施形態では、パターニングされた保護層と第1および第2のオーム性接触との間の隙間を実質的に埋めるように、パターニングされた保護層上にパッシベーション層が形成される。パターニングされた保護層およびパッシベーション層の材料は、同じでも異なっていてもよい。例えば、パターニングされた保護層は、窒化アルミニウムでよく、パッシベーション層は窒化ケイ素でよい。あるいは、パターニングされた保護層およびパッシベーション層が窒化ケイ素でもよい。本発明の別の諸実施形態では、バリア層の第1の部分を露出させるために、パターニングされた保護層が除去される。パターニングされた保護層を除去し、それに続いて、バリア層の露出部分上にパッシベーション層を形成することができる。そうした諸実施形態では、パターニングされた保護層は、窒化アルミニウムでよく、パッシベーション層は窒化ケイ素でよい。本発明の別の諸実施形態では、ゲート接点の形成の前に、パッシベーション層の形成が実施される。ゲート接点は、パッシベーション層に陥凹部を形成して、バリア層の第1の部分の一部分を露出させ、陥凹部中にゲート接点を形成することによって、設けられる。陥凹部を形成することは、パッシベーション層上にマスクを形成することを含むことができる。マスクは、陥凹部の位置に対応するウインドウを有する。パッシベーション層は、低損傷エッチング技術を利用して、ウインドウを通してエッチングされ、次いでマスクが除去される。本発明の特定の諸実施形態では、窒化物ベースのチャネル層および窒化物ベースの半導体バリア層は、III族窒化物層である。例えば、チャネル層のバンドギャップがバリア層のバンドギャップよりも小さい場合、チャネル層は、AlxGa1-xNただし0≦x<1の組成を有することができる。チャネル層は窒化アルミニウムガリウムAlGaN、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムガリウムInGaNおよび/または窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNでもよく、バリア層は窒化アルミニウムAlN、窒化アルミニウムインジウムAlInN、AlGaN、GaN、InGaN、および/またはAlInGaNでよい。バリア層および/またはチャネル層は、複数の層でもよい。窒化物ベースのチャネル層を形成するために、バッファ層を基板上に形成し、チャネル層をそのバッファ層上に形成してもよい。チャネル層およびバリア層は、高電子移動度トランジスタHEMTとなるように構成することができる。窒化物ベースのチャネル層は、SiC基板上に形成することができる。本発明の別の諸実施形態では、ゲート接点の形成の前に、パッシベーション層の形成が実施される。ゲート接点の形成は、パッシベーション層およびパターニングされた保護層に陥凹部を形成して、バリア層の第1の部分の一部分を露出させること、および陥凹部中にゲート接点を形成することを含む。本発明の特定の諸実施形態では、保護層はオーム性接触材料の厚さと少なくともほぼ同じ厚さに形成される。保護層は、少なくとも単層約2枚分の厚さを有してもよい。具体的には、保護層は約1nmから約500nmの厚さを有することができる。本発明の別の諸実施形態では、高電子移動度トランジスタは、基板上に窒化物ベースのチャネル層を、および窒化物ベースのチャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を有する。チャネル層とバリア層の間の境界面での電子のチャネルは、窒化物ベースのHEMTチャネルの成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗を有する。バリア層上にオーム性接触およびゲート接点が形成される。高電子移動度トランジスタはさらに、オーム性接触に隣接すると共にそれから離隔され、またゲート接点が中を貫通して延びる、バリア層上に配設された保護層を含むことができる。保護層上にパッシベーション層を形成することもでき、これはオーム性接触と保護層の間の隙間を実質的に埋める。パッシベーション層は、保護層上にあってもよく、ゲート接点は保護層およびパッシベーション層を貫通して延びることができる。ゲート接点を、保護層上に直接形成してもよい。バリア層上のパッシベーション層は、オーム性接触とゲート接点の間の隙間を実質的に埋めることができる。本発明の特定の諸実施形態では、窒化物ベースのチャネル層および窒化物ベースの半導体バリア層はそれぞれIII族窒化物層を含む。チャネル層は、バリア層よりも低いバンドギャップを有することができる。チャネル層は約20Åを超える厚さを有する非ドープ層を含むことができる。チャネル層は、超格子および/またはIII族窒化物層の組合せを含んでもよい。チャネル層は、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムガリウムInGaN、および/または窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNを含むことができる。バリア層は、窒化アルミニウムAlN、窒化アルミニウムインジウムAlInN、AlGaN、GaN、InGaN、および/またはAlInGaNを含むことができる。例えば、バリア層はAlxGa1-xNただし0<x<1を含むことができる。バリア層は、複数の層を含んでもよい。バッファ層を基板上に形成することもでき、その場合には、バッファ層上に窒化物ベースのチャネル層が配設される。本発明の別の諸実施形態では、保護層は、オーム性接触の厚さと少なくともほぼ同じ厚さを有する。オーム性接触は、約1Ω-mm未満の接点抵抗を有してもよい。本発明の別の諸実施形態では、高電子移動度トランジスタは、基板上に窒化物ベースのチャネル層を、窒化物ベースのチャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を、バリア層上に保護層を、バリア層上に、保護層に隣接すると共にオーム性接触と保護層の間に隙間を設けるようにそれから離隔されたオーム性接触を、およびバリア層上に保護層を貫通して延びるゲート接点を含む。保護層上にパッシベーション層を形成することもでき、これはオーム性接触と保護層の間の隙間を実質的に埋める。本発明の別の諸実施形態では、トランジスタの製作は、窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することを含む。バリア層上に、パターニングされたオーム性接触金属領域が形成される。パターニングされたオーム性接触金属は、第1および第2のオーム性接触、例えばソース接点およびドレイン接点を形成するために、アニールされる。バリア層のゲート領域の一部分を露出させるために、低損傷エッチング技術を利用して、バリア層のゲート領域内の保護層に陥凹部がエッチングされる。ゲート接点は、パッシベーション層の陥凹部中に形成される。本発明の特定の諸実施形態では、保護層はパッシベーション層を含む。保護層は、例えば、窒化アルミニウム層、窒化ケイ素層、ならびに/あるいは1層または複数層の二酸化ケイ素層でよい。低損傷エッチング技術は、強塩基を使用する湿式エッチングでよい。本発明のいくつかの実施形態では、第1および第2のオーム性接触を形成するために、パターニングされたオーム性接触金属のアニールは、保護層を形成する前に実施される。本発明の他の諸実施形態では、第1および第2のオーム性接触を形成するために、パターニングされたオーム性接触金属のアニールは、保護層を形成した後に実施される。次に本発明を、本発明の諸実施形態が示された添付の図面を参照して、以下により完全に説明する。ただし本発明は、多くの異なる形態で実施することができ、本明細書に記載の実施形態だけに限定されるものと解釈すべきではない。そうではなく、これらの実施形態は、本開示が網羅的で完全なものとなるように、また本発明の範囲を当分野の技術者に十分に伝えるために、提供するものである。同じ数字は、全体を通じて同じ要素を表す。さらに、図面に示す様々な層および領域は、概略的に示されている。したがって、本発明は、添付の図面に示された相対寸法、間隔および配列に限定されるものではない。やはり当分野の技術者には理解されるように、本明細書において、基板または他の層上に形成された層という言及は、基板または他の層上に直接形成された層を指すことも、基板または他の層上に形成された1層または複数層の介在する層上に形成された層を指すこともある。別の構成に隣接して配設される構造または構成という言及は、隣接する構成と重畳する、またはその下にある部分を有することがあることも、当分野の技術者には理解されるであろう。本発明の諸実施形態では、トランジスタなどの半導体デバイス中で、ゲート漏れ電流を低減させ、かつ/または高品質のショットキー接点を形成するために、保護層および/または低損傷陥凹部の製作技術を利用する。保護層を使用することにより、デバイスのオーム性接触のアニール中に、トランジスタのゲート領域内で半導体が受ける損傷を低減することができる。したがって、オーム性接触の形成に起因するゲート領域の品質低下が低減された、高品質のゲート接点およびオーム性接触を形成することができる。本発明の諸実施形態は、III族窒化物ベースのデバイスなど、窒化物ベースのHEMTで使用するのに特に十分に適切となり得る。本明細書では、III族窒化物という用語は、窒素と、周期表のIII族の元素、一般にアルミニウムAl、ガリウムGa、および/またはインジウムInとの間で形成された半導体化合物を指す。この用語は、AlGaNやAlInGaNなど三元化合物および四元化合物も指す。当分野の技術者には十分に理解されるように、III族元素は窒素と結合して、二元化合物例えばGaN、三元化合物例えばAlGaN、AlInN、および四元化合物例えばAlInGaNを形成することができる。これらの化合物はすべて、1モルの窒素が合計1モルのIII族元素と組み合わされた実験式を有する。したがって、それらを記述するために、AlxGa1-xNただし0≦x≦1などの式がしばしば使用される。本発明の諸実施形態を利用することのできるGaNベースのHEMTのための適切な構造は、文献に記載されている例えば、本願の譲受人に譲渡された特許文献3および2001年7月12日出願、2002年6月6日公開の、ALUMINUMGALLIUMNITRIDEGALLIUMNITRIDEHIGHELECTRONMOBILITYTRANSISTORSHAVINGAGATECONTACTONAGALLIUMNITRIDEBASEDCAPSEGMENTANDMETHODSOFFABRICATINGSAMEという名称の特許文献4、2001年5月11日出願の、GROUPIIINITRIDEBASEDHIGHELECTRONMOBILITYTRANSISTORWITHBARRIERSPACERLAYERという名称の特許文献5、2002年11月14日公開の、Smorchkova等の、GROUPIIINITRIDEBASEDHIGHELECTRONMOBILITYTRANSISTORWITHBARRIERSPACERLAYERという名称の特許文献6、ならびに2003年7月11日出願の、NITRIDEBASEDTRANSISTORSANDMETHODSOFFABRICATIONTHEREOFUSINGNONETCHEDCONTACTRECESSESという名称の特許文献7参照。本発明の諸実施形態の製作を、図1A~1Eに概略的に示す。図1Aから分かるように、その上に窒化物ベースのデバイスを形成することのできる基板10が提供される。本発明の特定の諸実施形態では、基板10は、半絶縁性炭化ケイ素SiCの基板でよく、炭化ケイ素は、例えば4Hポリタイプの炭化ケイ素でよい。炭化ケイ素ポリタイプの他の候補には、3C、6Hおよび15Rポリタイプが含まれる。半絶縁性という用語は、絶対的な意味ではなく、説明的なものとして使用される。本発明の特定の諸実施形態では、炭化ケイ素のバルク結晶は、室温で約1x105Ω-cm以上の抵抗率を有する。基板10上に、バッファ層、核形成層、および/または遷移層図示せずを任意選択で形成することができる。例えば、炭化ケイ素基板とデバイスの残りの部分の間で適当な結晶構造の遷移をもたらすために、AlNバッファ層を形成することができる。さらに、文献に記載されているように、1層または複数層の歪み平衡遷移層strainbalancingtransitionlayerを形成することもできる例えば、本願の譲受人に譲渡された、2002年7月19日出願、2003年6月5日公開の、STRAINBALANCEDNITRIDEHETROJUNCTIONTRANSISTORSANDMETHODSOFFABRICATINGSTRAINBALANCEDNITRIDEHETEROJUNCTIONTRANSISTORSという名称の特許文献8、および2001年12月3日出願の、STRAINBALANCEDNITRIDEHETEROJUNCTIONTRANSISTORという名称の特許文献9参照。炭化ケイ素の方が、III族窒化物デバイス用の非常に一般的な基板材料であるサファイアAl2O3よりも、III族窒化物にずっと近い結晶格子整合を有する。格子整合がより近いことから、サファイア上で一般に得られるものよりも高品質のIII族窒化物被膜を得ることができる。炭化ケイ素は、非常に高い熱伝導性も有し、その結果、炭化ケイ素上のIII族窒化物デバイスの全出力電力は一般に、サファイア上に形成された同じデバイスの場合ほどは、基板の放熱による制限を受けない。また、半絶縁性炭化ケイ素基板が利用できるので、デバイスの分離および寄生容量の低減をもたらすことができる。適当なSiC基板は例えば、本発明の譲受人であるノースカロライナ州ダラムのCree社により製造されており、製造方法は文献に記載されている例えば、特許文献10、特許文献11、特許文献12、特許文献13参照。。同様に、III族窒化物のエピタキシャル成長技術も、これまでに文献に記載されている例えば、特許文献14、特許文献15、特許文献16、特許文献17参照。基板材料として炭化ケイ素を使用することができるが、本発明の諸実施形態では、サファイア、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、シリコン、GaAs、LGO、ZnO、LAO、InPなど、どんな適切な基板も利用することができる。いくつかの実施形態では、適当なバッファ層を形成することもできる。図1Aに戻ると、基板10上にチャネル層20が形成される。チャネル層20は、上述のようにバッファ層、遷移層、および/または核形成層を使用して、基板10上に堆積させることができる。チャネル層20は、圧縮歪みを受けていてよい。さらに、チャネル層および/またはバッファ核形成層buffernucleationlayerおよび/または遷移層は、MOCVDによって、またはMBEやHVPEなど、当分野の技術者には公知の他の技術によって、堆積させることができる。本発明のいくつかの実施形態では、チャネル層とバリア層の間の境界面で、チャネル層20の伝導帯端のエネルギーの方がバリア層22の伝導帯端のエネルギーよりも小さいという条件のもとで、チャネル層20は、AlxGa1-xNただし0≦x<1などのIII族窒化物である。本発明のいくつかの実施形態ではx=0であり、チャネル層20がGaNであることを意味する。チャネル層20は、InGaN、AlInGaNなど、他のIII族窒化物でもよい。チャネル層20は、ドープされていなくて意図的でなくドープされていてよく、約20Åを超える厚さにまで成長させることができる。チャネル層20は、超格子またはGaN、AlGaNなどの組合せなどの多層構造でもよい。チャネル層20上にバリア層22が設けられる。チャネル層20は、バリア層22のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有することができ、またチャネル層20は、バリア層22よりも大きな電子親和力を有することもできる。バリア層22は、チャネル層20上に堆積させることができる。本発明のいくつかの実施形態では、バリア層22は、約0.1nmから約10nmの間の厚さの、AlN、AlInN、AlGaNまたはAlInGaNである。本発明のいくつかの実施形態による層の例は、文献に記載されているその開示を、本明細書に完全に記載されているのと同様に、Smorchkova等の、GROUPIIINITRIDEBASEDHIGHELECTRONMOBILITYTRANSISTORWITHBARRIERSPACERLAYERという名称の、特許文献6参照。。本発明の特定の諸実施形態では、バリア層22は、オーム接触金属の下に埋め込まれたときに、分極効果によって、チャネル層20とバリア層22の間の境界面で、十分なキャリア濃度を誘起させるのに十分なほど厚く、十分なほど高いAlの組成およびドーピングを有する。またバリア層22は、バリア層22と第2のキャップ層24図1Bの間の境界面に堆積されたイオン化不純物による、チャネル内での電子の散乱を低減し、または最小限に抑えるのに十分なほど厚くあるべきである。バリア層22は、III族窒化物でよく、チャネル層20のバンドギャップよりも大きなバンドギャップ、およびチャネル層20よりも小さな電子親和力を有する。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、バリア層22は、AlGaN、AlInGaN、および/またはAlNまたはそれらの層の組合せである。バリア層22は、例えば、約0.1nmから約10nmの厚さでよいが、亀裂または重大な欠陥の形成をその中で引き起こすほど厚くはない。本発明のいくつかの実施形態では、バリア層22はドープされず、あるいはn型ドーパントで約1019cm-3未満の濃度までドープされる。本発明のいくつかの実施形態では、バリア層22は、AlxGa1-xNただし0<x<1である。特定の諸実施形態では、アルミニウム濃度は約25である。しかし、本発明の他の諸実施形態では、バリア層22は、アルミニウム濃度が約5から約100の間のAlGaNを含む。本発明の特定の諸実施形態では、アルミニウム濃度は約10を超える。図1Bは、バリア層22上での保護層24の形成を示す。保護層24は、窒化ケイ素SixNy、窒化アルミニウムAlN、ならびに/あるいは、二酸化ケイ素SiO2および/または酸窒化物など、他の適切な保護材料でよい。下にあるバリア層22に損傷を与えずに材料を除去することができる限り、保護層24に他の材料を利用してもよい。例えば、保護層24は、酸化マグネシウム、酸化スカンジウム、酸化アルミニウム、および/または酸窒化アルミニウムを含むこともできる。さらに、保護層24は、組成が一様および/または非一様な、単一の層あるいは複数の層とすることができる。本発明の特定の諸実施形態では、保護層24はSiNである。SiNはPVDおよび/またはCVDで形成することができ、圧縮歪みまたは引っ張り歪みにおいて非化学量論的でよい。例えば、保護層は、約-100MPaから約100MPaの間の応力を有することができる。本発明のいくつかの実施形態では、SiN保護層は、633nmの波長で約1.6から約2.2の屈折率を有する。特定の諸実施形態では、SiN保護層の屈折率は、1.98±0.05である。いくつかの実施形態では、保護層24はAlNでよい。AlNは、PVDおよび/またはCVDで形成することができ、圧縮歪みまたは引っ張り歪みにおいて非化学量論的でよい。例えば、保護層は、約-100MPaから約100MPaの間の応力を有することができる。本発明のいくつかの実施形態では、AlN保護層は、633nmの波長で約1.8から約2.1の屈折率を有する。特定の諸実施形態では、AlN保護層の屈折率は、1.85±0.05である。保護層24はSiO2でもよい。SiO2はPVDおよび/またはCVDで形成することができ、圧縮歪みまたは引っ張り歪みにおいて非化学量論的でよい。例えば、保護層は、約-100MPaから約100MPaの間の応力を有することができる。本発明のいくつかの実施形態では、SiO2保護層は、633nmの波長で約1.36から約1.56の屈折率を有する。特定の諸実施形態では、SiO2保護層の屈折率は、1.46±0.03である。保護層24は、バリア層22上にブランケット形成され、堆積によって形成することができる。例えば、窒化ケイ素層は、高品質なスパッタリングおよび/またはPECVDで形成することができる。一般に、保護層24は、約30nmの厚さを有することができるが、他の厚さの層を利用することもできる。例えば、保護層は、後続のオーム性接触のアニール中に、下にある層を保護するために、十分に厚くなければならない。単層2枚または3枚分ほどの薄い層で、そうした目的に十分となり得る。しかし、一般には、保護層24は約10nmから約500nmの厚さを有することができる。また、III族窒化物層のMOCVD成長を用いて、高品質なSiN保護層をin-situで成長させることもできる。図1Cに示すように、オーム性接触30を形成するために、保護層24にウインドウを開口する。これらのウインドウを、パターニングされたマスクおよびバリア層22に対する低損傷エッチングを利用して形成して、下にあるバリア層22を露出させることができる。低損傷エッチング技術の例には、プラズマに直流成分のない、誘導結合プラズマエッチングまたは電子サイクロトロン共鳴ECRエッチングまたはダウンストリームプラズマエッチングなど、反応性イオンエッチング以外のエッチング技術が含まれる。SiO2の場合には、低損傷エッチングは、緩衝フッ化水素酸を用いた湿式エッチングとすることができる。ITO、SCO、MgOなどのエッチングストップ層まで、SiNおよび/またはSiO2を選択的にエッチングし、それに続いて、エッチングストップ層の低損傷除去を実施することもできる。SiNの場合には、エッチングストップ層としてSiO2を使用することができる。そうした諸実施形態では、保護層24は、SiN層、AlN層および/またはSiO2層ならびにエッチングストップ層を含むことができる。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、保護層24は複数の層を含むことができる。図1Cにさらに示すように、後続のフォトリソグラフィ段階および蒸着でオーム金属をパターニングして、オーム性接触30を形成する。オーム性接触30は、保護層24内のウインドウよりも小さくなり、その結果、オーム性接触30の縁部が保護層24から離隔されるようにパターニングされる。例えば、オーム性接触30の縁部は、保護層24から約0.1μmから約0.2μmの距離だけ離隔することができる。オーム性接触30は、オーム性接触金属の形成およびパターニング時にずれ公差を許容できるほど十分に大きな距離だけ、保護層24から離隔されるべきである。オーム性接触金属が保護層24に接触すると、後続の加熱段階中に、金属が保護層24内に拡散することがあり、その結果ゲート接点と1つまたは複数のオーム性接触30との間で短絡を生じる恐れがある。ただし、オーム性接触30と保護層24の間の隙間は、保護層24の保護目的を無効にし、それによってデバイスの性能を実質的に低下させるほど大きくあるべきではないが、オーム性材料の、保護層に対する無作為な接触を危うくするほど小さくあるべきでもない。したがって、例えば、本発明のいくつかの実施形態では、隙間は約0.1μmから約0.5μmでよい。オーム性接触材料をアニールして、オーム性接触30を形成する。アニールは、高温アニールでよい。例えば、アニールは、約900°Cを超える温度でのアニールでよい。オーム性接触のアニールを使用することによって、オーム性接触の抵抗を、高抵抗から約1Ω-mm未満まで低減させることができる。したがって、本明細書では、オーム性接触という用語は、約1Ω-mm未満の接点抵抗を有する、非整流性接点を指す。高温工程段階中に保護層があるため、そうした段階によって引き起こされる恐れのある、バリア層22への損傷を抑制することができる。したがって、例えば、オーム性接触を高温アニールした後のゲート領域21のシート抵抗は、成長させたまますなわち、接点をアニールする前のゲート領域21のシート抵抗と実質的に同じになることができる。図1Dは、ゲートウインドウの形成を示す。図1Dから分かるように、オーム性接触および保護層24上にマスク26を形成し、パターニングして、保護層24の一部分を露出するウインドウを形成する。次いで、バリア層22の一部分を露出するために、保護層24を貫通して陥凹部を形成する。陥凹部は、上述のように、マスク26および低損傷エッチング法を使用して形成する。オーム性接触30によってソース接点およびドレイン接点が形成される特定の諸実施形態では、陥凹部が、後にはゲート接点32が、ドレイン接点よりもソース接点の方に近くなるように、陥凹部を、ソース接点とドレイン接点の間で位置決めすることができる。図1Eから分かるように、ゲート接点32は、陥凹部中に形成され、バリア層22の露出部分に接触する。ゲート接点は、図1Eに示すようなTゲートでよく、従来の製作技術を使用して製作することができる。適切なゲート材料は、バリア層の組成によって変わることがあるが、いくつかの実施形態では、Ni、Pt、NiSix、Cu、Pd、Cr、Wおよび/またはWSiNなど、窒化物ベースの半導体材料に対してショットキー接点を形成することのできる従来型の材料を使用することができる。望ましくないことかもしれないが、保護層24とゲート接点32の間の小さな隙間が、例えば、低損傷エッチングの異方性の結果として生じることがあり、それによって保護層24とゲート接点32の間にバリア層22の露出した表面がもたらされる。図1Fは、パッシベーション層34の形成を示す。パッシベーション層は、図1Eの構造上にブランケット堆積させることができる。特定の諸実施形態では、パッシベーション層34は、保護層24とオーム接触30の間の隙間を、また保護層24とゲート接点32の間の隙間があればそれも、実質的に埋めるように堆積させる。本発明のいくつかの実施形態では、パッシベーション層34は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、二酸化ケイ素、および/または酸窒化物でよい。さらに、パッシベーション層34は、組成が一様および/または非一様な、単一の層あるいは複数の層とすることができる。以上、本発明の諸実施形態を、開口したゲート接点ウインドウを形成するための、また保護層24に対する隙間をもつゲート接点を形成するための、2つのマスクによる方法に即して説明してきたが、図2Aおよび図2Bは、オーム性接触ウインドウおよびオーム性接触を単一のマスクで形成するための操作を示す。図2Aから分かるように、保護層24上に、負の斜角をもつ、フォトレジストなどのマスク200を形成することができる。マスク200の負の斜角は、その後形成されるオーム性接触30とパターニングされた保護層24との間の隙間の距離に対応する。保護層24を、上述の低損傷エッチング法を使用して等方的にエッチングして、接点ウインドウを形成する。したがって、接点ウインドウは、マスク200の底辺寸法によって画定される。エッチングが等方性であり、低損傷エッチングにより実質的にオーバーエッチングされて、横方向のアンダカットを所望の間隔にすることができる場合には、負の斜角をもたないマスク層を使用することもできる。図2Bから分かるように、オーム接触金属300を、得られた構造上に蒸着させる。マスク200のオーバーハング部が、露出したバリア層22上に金属が堆積される場所を画定する。したがって、接触金属300は、パターニングされた保護層24から離隔される。マスク200およびマスク200上の金属300を除去すると、図1Cの構造がもたらされる。図2Aに示す斜角付きのマスクを提供する技術は、当分野の技術者には公知である。さらに、マスク200は斜角を有するように示してあるが、本発明の他の諸実施形態では、マスクは、段を有することもでき、保護層24のエッチングおよび接点材料の堆積用の、2つの異なる見かけのウインドウサイズを有するマスクを形成するような他の構成を有することもできる。したがって、例えば、1回の露光で、保護層24に隣接するフォトレジストの層によって形成されるウインドウの方が、保護層24から離隔されたフォトレジストの層によって形成されるウインドウよりも大きくなるような、オーバーハングまたは段を有するマスクを形成することのできる、異なる露光感度を有する多層フォトレジストを利用することができる。図3は、本発明の別の諸実施形態による、トランジスタの製作を示す。図3から分かるように、オーム金属堆積前の保護層24の形成は省略することができ、バリア層22上にオーム金属を堆積させ、パターニングして、バリア層22上にオーム性接触材料領域30を形成することができる。次いで、バリア層22のゲート領域およびオーム性接触材料上に、保護層40を形成する。本発明の特定の諸実施形態では、保護層40は、窒化アルミニウムをスパッタリングによってブランケット堆積させたものでよい。保護層40は、保護層24に関して上記で述べたものなどの材料でもよい。オーム性接触材料領域30のアニールは、保護層40を適切な位置に配置したままで実施する。次いで保護層40を、例えば、上述のような低損傷エッチング技術を使用して除去することができる。次いで、パッシベーション層34の形成前または形成後に、ゲート接点32を形成することができる。例えば、窒化ケイ素層を、スパッタリングによって堆積させることができる。次いで、例えば上述の低損傷エッチング法を使用して、パッシベーション層にゲート陥凹部をエッチングし、陥凹部中にゲートを形成することができる。そのような方法によって、Tゲートの縁部に達する十分な厚さを維持する窒化ケイ素パッシベーション層を形成することができる。したがって、図4に示すような構造を有するトランジスタを形成することができる。あるいは、図4に示す構造は、図1A~1Fに示す製作段階を利用して形成することもでき、ただし保護層24は、ゲート接点32の形成前または後に除去することができる。そうした場合には、保護層24は、上述のような低損傷エッチング技術を使用して除去すべきである。図5は、保護層24が少なくともオーム性接触30とほぼ同程度の厚さに形成される、本発明の別の諸実施形態を示す。図5から分かるように、そうした諸実施形態では、ゲート接点34の袖部wingは、直接保護層24上に形成することができる。例えば、保護層24は、約500から約5000Åの厚さに形成することができる。保護層24を通して低損傷エッチングが実施され、Tゲート32が、直接保護層24上に載り、またそれを貫通して形成される。例えば、デバイスの環境からの保護を向上させるために、その後にオーバーレイヤoverlayerパッシベーション34を形成することもできる。以上、本発明の諸実施形態を、本明細書において特定のHEMT構造に関して説明してきたが、本発明は、そうした構造に限定されるものと解釈すべきではない。例えば、追加の層をHEMTデバイス内に含めても、本発明の教示の恩恵を受けることができる。そうした追加の層は、文献に記載のGaNキャップ層を含むことができる例えば、非特許文献1または2001年7月12日出願、2002年6月6日公開の、ALUMINUMGALLIUMNITRIDEGALLIUMNITRIDEHIGHELECTRONMOBILITYTRANSISTORSHAVINGAGATECONTACTONAGALLIUMNITRIDEBASEDCAPSEGMENTANDMETHODSOFFABRICATINGSAMEという名称の特許文献4参照。いくつかの実施形態では、MISHEMTを製作するために、かつ/または表面を不活性化するために、SiNxや比較的高品質のAlNなどの絶縁層を堆積させることができる。追加の層は、組成が傾斜した1層または複数層の遷移層を含むこともできる。さらに、文献に記載されているように、バリア層22が複数の層を備えることもできるその開示を、本明細書に完全に記載されているのと同様に、参照により本明細書に組み込む、Smorchkova等の、GROUPIIINITRIDEBASEDHIGHELECTRONMOBILITYTRANSISTORWITHBARRIERSPACERLAYERという名称の特許文献6参照。。したがって、本発明の諸実施形態では、バリア層は単一の層に限定されるものと解釈すべきではなく、例えばGaN、AlGaNおよび/またはAlN層の組合せを有するバリア層を含むことができる。例えば、GaN、AlN構造を、合金散乱を低減または回避するために利用することができる。したがって、本発明の諸実施形態は、窒化物ベースのバリア層を含むことができ、そうした窒化物ベースのバリア層は、AlGaNベースのバリア層、AlNベースのバリア層、およびそれらの組合せを含むことができる。以上、図面および明細書で、本発明の一般的な諸実施形態が開示されてきた。特定の用語が用いられてきたが、それらは限定するためではなく、一般的および説明的な意味において使用されたにすぎない。