1.0~3.0質量のNi、Niの質量濃度に対し1/6~1/4の濃度のSi、0.002~0.4質量のCrを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が、前記測定面積の45~55であり、前記測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8~1.6°であり、電界放射型オージェ電子分光法にて測定した粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2~0.7個/μm2であり、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2であり、透過型電子顕微鏡にて測定した結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1~0.4質量であることを特徴とする曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板。更にSnを0.2~0.8質量、Znを0.3~1.5質量含有することを特徴とする請求項1に記載の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板。更にMgを0.001~0.2質量含有することを特徴とする請求項1或いは請求項2に記載の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板。更にFe:0.007~0.25質量、P:0.001~0.2質量、C:0.0001~0.001質量、Zr:0.001~0.3質量を1種又は2種以上を含有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板。請求項1から4のいずれか1項に記載の銅合金板の製造方法であって、熱間圧延、冷間圧延、溶体化処理、時効処理、最終冷間圧延、テンションレベリング、歪み取り焼鈍をこの順序で含む工程で銅合金板を製造するに際して、溶体化処理を700~900°Cで60~120秒間にて実施し、時効処理を400~500°Cで9~13時間にて実施し、テンションレベリングを49~147N/mm2の張力にて実施し、歪み取り焼鈍を450~500°Cで10~50秒間にて実施することを特徴とする曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板。従来のCu-Ni-Si系のコルソン合金では、導電率、曲げ加工性、耐応力緩和特性、耐疲労特性、ばね特性等の改良はなされているが、各種電子部品のリレー可動片やソケット端子等の素材として所定形状に曲げ加工後に長時間に亘り高温及び高振動環境下で使用されても良好な耐疲労特性およびばね特性を有する耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系のコルソン合金は見られなかった。本発明は、この様な事情に鑑みてなされたものであり、各種電子部品の素材として所定形状に曲げ加工後に長時間に亘り高温高振動環境下で使用されても良好な耐疲労特性およびばね特性を有する耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板及びその製造方法を提供する。本発明者らは、上述の課題を解くべく鋭意検討の結果、1.0~3.0質量のNi、Niの質量濃度に対し1/6~1/4の濃度のSi、0.002~0.4質量のCrを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなるCu-Ni-Si系銅合金板において、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて銅合金板の表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が、測定面積の45~55であり、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8~1.6°であり、電界放射型オージェ電子分光法にて測定した粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2~0.7個/μm2であり、透過型電子顕微鏡にて測定した結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1~0.4質量であると、曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性に優れた特性を発揮することを見出した。また、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて銅合金板の表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAM、及び、透過型電子顕微鏡にて測定した結晶粒内に固溶しているSiの濃度は、曲げ加工後の耐疲労特性に大きく関与しており、双方が最適範囲内であることにより、優れた曲げ加工後の耐疲労特性を発揮できることを見出した。また、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定した、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合、及び、電界放射型オージェ電子分光法にて測定した粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数は、曲げ加工後のばね特性に大きく関与しており、双方が最適範囲内であることにより、優れた曲げ加工後のばね特性を発揮できることを見出した。更に、このCu-Ni-Si系銅合金板において、電界放射型オージェ電子分光法にて測定した粒径が0.01~0.1μmであるCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2であると、耐応力緩和特性に優れることも見出した。更に、本発明のCu-Ni-Si系銅合金板を、熱間圧延、冷間圧延、溶体化処理、時効処理、最終冷間圧延、テンションレベリング、歪み取り焼鈍をこの順序で含む工程で製造するに際して、前記の測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMは、基本的に歪み取り焼鈍工程の温度及び時間により影響され、前記の結晶粒内に固溶しているSiの濃度は、基本的に溶体化処理工程の温度及び時間により影響され、前記の結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合は、テンションレベリング工程の張力により影響され、上述の粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数は、時効処理工程の温度及び時間により影響されることを見出した。また、Cr-Si析出物粒子の粒径および個数は、主に時効処理工程、副次的に歪み取り焼鈍工程の温度及び時間により影響されることも見出した。これらの知見より、本発明の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板は、1.0~3.0質量のNi、Niの質量濃度に対し1/6~1/4の濃度のSi、0.002~0.4質量のCrを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が、前記測定面積の45~55であり、前記測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8~1.6°であり、電界放射型オージェ電子分光法にて測定した粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2~0.7個/μm2であり、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2であり、透過型電子顕微鏡にて測定した結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1~0.4質量であることを特徴とする。Ni及びSiは、適切な熱処理を行うことにより、Ni2Siを主とする金属間化合物の微細な粒子を形成する。その結果、合金の強度が著しく増加し、同時に電気伝導性も上昇する。Niは1.0~3.0質量、好ましくは、1.5~2.5質量の範囲で添加する。Niが1.0質量未満であると充分な強度が得られない。Niが3.0質量を超えると熱間割れが発生する。Siの添加濃度質量は、Niの添加濃度質量の1/6~1/4とする。Si添加濃度がNi添加濃度の1/6より少ないと強度が低下し、Ni添加濃度の1/4より多いと強度に寄与しないばかりでなく、過剰なSiによって導電性が低下する。Crは0.002~0.4質量、好ましくは、0.004~0.2質量の範囲で添加する。Crは、適当な熱処理を施すことにより銅母相中でSiとの化合物であるクロムシリサイドCr3Si等を容易に析出することができるため、溶体化処理、冷延、時効処理を組み合わせて合金特性を作り込む工程でNi2Si等として析出しなかった固溶Si成分をCr-Si化合物として析出させることにより、耐応力緩和特性を向上させる。この添加量が0.002質量未満では効果は期待できず、添加量が0.4質量を超えると、めっき性が悪くなり、打抜き加工性も悪くなり熱間加工性も損なわれる。従来から、適切量のCrの添加により、導電率が上昇し、熱間加工性が改善されて歩留も高くなることは知られているが、本発明では、これとは別に耐応力緩和特性を向上させるCrの挙動に着目した。結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が45未満、或いは、55を超えると十分なばね特性効果が得られない。測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8°未満では、十分な疲労特性効果が得られず、また引張強度の低下を来たす。1.6°を超えると、疲労特性効果の低下を来たす。粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2個/μm2未満であると、ばね特性効果の低下と共に引張強度の低下を来たし、0.7個/μm2を超えると、十分なばね特性効果が得られない。結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1質量未満では、疲労特性効果の低下と共に引張強度の低下を来たし、0.4質量を超えると、疲労特性効果の低下と共に亀裂が生じ易くなる。粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲外であると、耐応力緩和特性の向上はみられない。また、本発明の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板は、更にSnを0.2~0.8質量、Znを0.3~1.5質量含有してもよい。Sn及びZnには、強度及び耐熱性を改善する作用があり、更にSnには耐応力緩和特性の改善作用が、Znには、はんだ接合の耐熱性を改善する作用がある。Snは0.2~0.8質量、Znは0.3~1.5質量の範囲で添加する。前述の範囲を下回ると所望の効果が得られず、上回ると導電性が低下する。また、本発明の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板は、更にMgを0.001~0.2質量含有してもよい。Mgには応力緩和特性及び熱間加工性を改善する効果があるが、0.2質量を超えると鋳造性鋳肌品質の低下、熱間加工性及びめっき耐熱剥離性が低下する。また、本発明の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板は、更にFe:0.007~0.25質量、P:0.001~0.2質量、C:0.0001~0.001質量、Zr:0.001~0.3質量を1種又は2種以上を含有してもよい。Feには、熱間圧延性を向上させる効果表面割れや耳割れの発生を抑制する効果およびNiとSiの化合物析出を微細化し、よってメッキ加熱密着性を向上させる効果等を通じて、コネクタの信頼性を高める作用があるが、その含有量が0.007未満では上記作用に所望の効果が得られず、一方、その含有量が0.25を越えると熱間圧延性効果が飽和し、むしろ低下傾向が現われるようになると共に、導電性にも悪影響を及ぼすようになることから、その含有量を0.007~0.25と定めた。Pには、曲げ加工によって起るばね性の低下を抑制し、よって成型加工して得たコネクタの挿抜特性を向上させる作用および耐マイグレーション特性を向上させる作用があるが、その含有量が0.001未満では所望の効果が得られず、一方、その含有量が0.2を越えると、はんだ耐熱剥離性を著しく損なうようになることから、その含有量を0.001~0.2と定めた。Cには、打抜き加工性を向上させる作用があり、さらにNiとSiの化合物を微細化させることにより合金の強度を向上させる作用があるが、その含有量が0.0001未満では所望の効果が得られず、一方、0.001を越えて含有すると熱間加工性に悪い影響を与えるので好ましくない。したがって、C含有量は0.0001~0.001に定めた。Zrには、Cとの親和力が強くCu合金中にCを含有させ易くするほか、NiおよびSiの化合物を一層微細化して合金の強度を向上させる作用およびそれ自身の析出によって強度を一層向上させる作用を有するが、Zrの含有量が0.001未満含有されていても合金の強度向上効果が得られず、一方、0.3を越えて含有するとZrの大きな析出物が生成し、そのためにめっき性が悪くなり、打抜き加工性も悪くなるとともにさらに熱間加工性が損なわれるようになるので好ましくない。更に、本発明の曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板を製造する方法は、熱間圧延、冷間圧延、溶体化処理、時効処理、最終冷間圧延、テンションレベリング、歪み取り焼鈍をこの順序で含む工程で銅合金板を製造するに際して、溶体化処理を700~900°Cで60~120秒間にて実施し、時効処理を400~500°Cで9~13時間にて実施し、テンションレベリングを49~147N/mm2の張力にて実施し、歪み取り焼鈍を450~500°Cで10~50秒間にて実施することを特徴とする。歪み取り焼鈍を450~500°Cで10~50秒間にて実施することにより、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8~1.6°の範囲内となり、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に確実に収まり、耐応力緩和特性が向上する。溶体化処理を700~900°Cで60~120秒間にて実施することにより、結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1~0.4質量の範囲内となり、曲げ加工後の優れた耐疲労特性が発揮されることになる。歪み取り焼鈍の温度が450°C未満、或いは、時間が10秒間未満では、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが1.6°を超え、Cr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に収まらない。温度が500°C、或いは、時間が50秒間を超えると、結晶粒の面積平均GAMが0.8°未満となり、Cr-Si析出化合物の析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に収まらない。溶体化処理の温度が700°C未満、或いは、時間が60秒未満では、結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1未満となり、温度が900°Cを超える、或いは、時間が120秒を超えると、Siの濃度が0.4を超える。テンションレベリングの張力を49~147N/mm25~15kgfmm2にて実施することにより、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が45~55の範囲内となり、時効処理を400~500°Cで9~13時間にて実施することにより、結晶粒の粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2~0.7個/μm2の範囲内となり、曲げ加工後の優れたばね特性が発揮されることになる。テンションレベリングの張力が49N/mm25kgfmm2未満では、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が55を超え、147N/mm215kgfmm2を超えると結晶粒の面積割合が45未満となる。時効処理の温度が400°C未満、或いは、時間が9時間未満では、粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2個/μm2未満となり、温度が500°C、或いは、時間が13時間を超えると、個数が0.7個/μm2を超える。また、時効処理の温度が400°C未満、或いは、時間が9時間未満では、或いは、温度が500°Cを超える、或いは、時間が13時間を超えると、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に収まりにくくなり、歪み取り焼鈍にて確実にその個数を0.001~0.1個/μm2とすることが難しくなる。本発明により、各種電子部品の素材として所定形状に曲げ加工後に長時間に亘り高温高振動環境下で使用されても良好な耐疲労特性およびばね特性を有する耐応力緩和特性に優れたCu-Ni-Si系銅合金及びその製造方法を提供する。以下、本発明の実施形態について説明する。銅合金板の成分組成本発明の銅合金板は、1.0~3.0質量のNiを含有し、Niの質量濃度に対し1/6~1/4の濃度のSiを含有し、0.002~0.4質量のCrを含有し、残部がCu及び不可避的不純物である組成を有する。Ni及びSiは、適切な熱処理を行うことにより、Ni2Siを主とする金属間化合物の微細な粒子を形成する。その結果、合金の強度が著しく増加し、同時に電気伝導性も上昇する。Niは1.0~3.0質量、好ましくは、1.5~2.5質量の範囲で添加する。Niが1.0質量未満であると充分な強度が得られない。Niが3.0質量を超えると熱間割れが発生する。Siの添加濃度質量は、Niの添加濃度質量の1/6~1/4とする。Si添加濃度がNi添加濃度の1/6より少ないと強度が低下し、Ni添加濃度の1/4より多いと強度に寄与しないばかりでなく、過剰なSiによって導電性が低下する。Crは0.002~0.4質量、好ましくは、0.004~0.2質量の範囲で添加する。Crは、適当な熱処理を施すことにより銅母相中でSiとの化合物であるクロムシリサイドCr3Si等を容易に析出することができるため、溶体化処理、冷延、時効処理を組み合わせて合金特性を作り込む工程でNi2Si等として析出しなかった固溶Si成分をCr-Si化合物として析出させることにより、耐応力緩和特性を向上させる。その添加量が0.002質量未満では効果は期待できず、添加量が0.4質量を超えると、めっき性が悪くなり、打抜き加工性も悪くなり熱間加工性も損なわれる。従来から、適切量のCrの添加により、導電率が上昇し、熱間加工性が改善されて歩留も高くなることは知られており、本発明では、これとは別に耐応力緩和特性を向上させるCrの挙動に着目した。また、この銅合金は、上記の基本組成に対して、更にSnを0.2~0.8質量、Znを0.3~1.5質量含有しても良い。Sn及びZnには、強度及び耐熱性を改善する作用があり、更にSnには耐応力緩和特性の改善作用が、Znには、はんだ接合の耐熱性を改善する作用がある。Snは0.2~0.8質量、Znは0.3~1.5質量の範囲で添加する。前述の範囲を下回ると所望の効果が得られず、上回ると導電性が低下する。また、この銅合金は、上記の基本組成に対して、更にMgを0.001~0.2質量含有しても良い。Mgには、応力緩和特性及び熱間加工性を改善する効果があり、0.001~0.2質量の範囲で添加する。0.2質量を超えると鋳造性鋳肌品質の低下、熱間加工性及びめっき耐熱剥離性が低下する。また、この銅合金は、上記の基本組成に対して、更にFe:0.007~0.25質量、P:0.001~0.2質量、C:0.0001~0.001質量、Zr:0.001~0.3質量を1種又は2種以上を含有しても良い。Feには、熱間圧延性を向上させる効果表面割れや耳割れの発生を抑制する効果およびNiとSiの化合物析出を微細化し、よってメッキ加熱密着性を向上させる効果等を通じて、コネクタの信頼性を高める作用があるが、その含有量が0.007未満では上記作用に所望の効果が得られず、一方、その含有量が0.25を越えると熱間圧延性効果が飽和し、むしろ低下傾向が現われるようになると共に、導電性にも悪影響を及ぼすようになることから、その含有量を0.007~0.25と定めた。Pには、曲げ加工によって起るばね性の低下を抑制し、よって成型加工して得たコネクタの挿抜特性を向上させる作用および耐マイグレーション特性を向上させる作用があるが、その含有量が0.001未満では所望の効果が得られず、一方、その含有量が0.2を越えると、はんだ耐熱剥離性を著しく損なうようになることから、その含有量を0.001~0.2と定めた。Cには、打抜き加工性を向上させる作用があり、さらにNiとSiの化合物を微細化させることにより合金の強度を向上させる作用があるが、その含有量が0.0001未満では所望の効果が得られず、一方、0.001を越えて含有すると熱間加工性に悪い影響を与えるので好ましくない。したがって、C含有量は0.0001~0.001に定めた。Zrには、Cとの親和力が強くCu合金中にCを含有させ易くするほか、NiおよびSiの化合物を一層微細化して合金の強度を向上させる作用およびそれ自身の析出によって強度を一層向上させる作用を有するが、Zrの含有量が0.001未満含有されていても合金の強度向上効果が得られず、一方、0.3を越えて含有するとZrの大きな析出物が生成し、そのためにめっき性が悪くなり、打抜き加工性も悪くなるとともにさらに熱間加工性が損われるようになるので好ましくない。[銅合金板の合金組織]1.0~3.0質量のNi、Niの質量濃度に対し1/6~1/4の濃度のSi、0.002~0.4質量のCrを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が、前記測定面積の45~55であり、前記測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8~1.6°であり、電界放射型オージェ電子分光法にて測定した粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2~0.7個/μm2であり、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2であり、透過型電子顕微鏡にて測定した結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1~0.4質量であり、曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れている。[結晶粒の面積割合、面積平均GAM、Ni-Si析出物粒子の個数、結晶粒内に固溶しているSiの濃度]EBSD法によるステップサイズ0.5μmにて銅合金板の表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合は、次の様に測定した。前処理として、圧延材から採取した10mm×10mmの試料を10硫酸に10分間浸漬した後、水洗、エアブローにより散水した後に、散水後の試料を日立ハイテクノロジーズ社製フラットミリングイオンミリング装置で、加速電圧5kV、入射角5°、照射時間1時間にて表面処理を施した。次に、TSL社製EBSDシステム付きの日立ハイテクノロジーズ社製走査型電子顕微鏡S-3400Nでその試料表面を観察した。観察条件は、加速電圧25kV、測定面積150μm×150μm結晶粒を5000個以上含むとした。観察結果より、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の全測定面積に対する面積割合は次の条件にて求めた。ステップサイズ0.5μmにて、測定面積範囲内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした。次に、結晶粒界で囲まれた個々の結晶粒について、結晶粒内の全ピクセル間の方位差の平均値GOS:GrainOrientationSpreadを1式にて計算し、平均値が4°未満の結晶粒の面積を算出し、それを全測定面積で除して、全結晶粒に占める結晶粒内の平均方位差が4°未満の結晶粒の面積の割合を求めた。なお、2ピクセル以上が連結しているものを結晶粒とした。上式において、i、jは結晶粒内のピクセルの番号を示す。nは結晶粒内のピクセル数を示す。αijはピクセルiとjの方位差を示す。測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMは、次のようにして求めた。前処理として、圧延材から採取した10mm×10mmの試料を10硫酸に10分間浸漬した後、水洗、エアブローにより散水した後に、散水後の試料を日立ハイテクノロジーズ社製フラットミリングイオンミリング装置で、加速電圧5kV、入射角5°、照射時間1時間にて表面処理を施した。次に、TSL社製EBSDシステム付きの日立ハイテクノロジーズ社製走査型電子顕微鏡S-3400Nでその試料表面を観察した。観察条件は、加速電圧25kV、測定面積150μm×150μm結晶粒を5000個以上含むとした。観察結果より、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMは、次の条件にて求めた。ステップサイズ0.5μmにて、測定面積範囲内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした。GAMは同一結晶粒内における隣接する測定点ピクセル間のミスオリエンテーションの平均値であり、隣接測定点の境界iにおける方位差を2式とすると、結晶粒内にピクセル間の境界がm個存在する場合、この結晶粒のGAM値は3式で表わされる。個々の結晶粒におけるGAMの値をk、各結晶粒の面積をSkとすると、測定範囲内にM個の結晶粒が存在する場合、面積平均GAMは4式で表される。[Ni-Si析出物粒子及びCr-Si析出物粒子の個数]電界放射型オージェ電子分光法による、粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数及び粒径が0.01~0.1μmであるCr-Si析出物粒子は次の様に測定した。試料の断面を日本電子株式会社製オージェ電子分光分析装置JAMP7100Eにより分析し、測定視野中の全ての粒子を元素分析し、NiとSiが検出されたもの、およびCrとSiが検出されたものに分けた。次に、NiSi析出物について、100μm2中の粒径が0.1μmを超える析出物粒子の個数をカウントして、個数/μm2に換算した。この方法にて、試料の圧延方向垂直断面の表面より深さ10μm、30μm、80μmの地点を観察して個数をカウントしその平均値を求めた。Cr-Si析出物については、100μm2中の粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数をカウントして個数/μm2に換算した。この方法にて、試料の圧延方向垂直断面の表面より深さ10μm、30μm、80μmの地点を観察して個数をカウントしその平均値を求めた。[製造方法]本発明のCu-Ni-Si系銅合金の製造方法は、熱間圧延、冷間圧延、溶体化処理、時効処理、最終冷間圧延、テンションレベリング、歪み取り焼鈍をこの順序で含む工程で銅合金板を製造するに際して、溶体化処理を700~900°Cで60~120秒間にて実施し、時効処理を400~500°Cで9~13時間にて実施し、テンションレベリングを49~147N/mm2の張力にて実施し、歪み取り焼鈍を450~500°Cで10~50秒間にて実施することを特徴とする。歪み取り焼鈍を450~500°Cで10~50秒にて実施することにより、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8~1.6°の範囲内となり、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に確実に収まり、耐応力緩和特性が向上する。溶体化処理を700~900°Cで60~120秒間にて実施することにより、結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1~0.4質量の範囲内となり、曲げ加工後の優れた耐疲労特性が発揮されることになる。歪み取り焼鈍の温度が450°C未満、或いは、時間が10秒未満では、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが1.6°を超え、Cr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に収まらない。温度が500°C、或いは、時間が50秒を超えると、結晶粒の面積平均GAMが0.8°未満となり、Cr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に収まらない。溶体化処理の温度が700°C未満、或いは、時間が60秒未満では、結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1未満となり、温度が900°Cを超える、或いは、時間が120秒を超えると、Siの濃度が0.4を超える。テンションレベリングの張力を49~147N/mm25~15kgfmm2にて実施することにより、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が45~55の範囲内となり、時効処理を400~500°Cで9~13時間にて実施することにより、結晶粒の粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2~0.7個/μm2の範囲内となり、曲げ加工後の優れたばね特性が発揮されることになる。テンションレベリングの張力が49N/mm25kgfmm2未満では、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が55を超え、147N/mm215kgfmm2を超えると結晶粒の面積割合が45未満となる。時効処理の温度が400°C未満、或いは、時間が9時間未満では、粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2個/μm2未満となり、温度が500°C、或いは、時間が13時間を超えると、個数が0.7個/μm2を超える。また、時効処理の温度が400°C未満、或いは、時間が9時間未満では、或いは、温度が500°Cを超える、或いは、時間が13時間を超えると、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2の範囲内に収まりにくくなり、歪み取り焼鈍にて確実に個数を0.001~0.1個/μm2とすることが難しくなる。具体的な製造方法の一例としては、次の方法があげられる。先ず、本発明のCu-Ni-Si系銅合金板の組成となる様に材料を調合し、還元性雰囲気の低周波溶解炉を用いて溶解鋳造を行い銅合金鋳塊を得る。次に、この銅合金鋳塊を900~980°Cに加熱した後、熱間圧延にて適度の厚みの熱延板とし、この熱延板を水冷した後に両面を適度に面削し、次に、圧延率60~90にて冷間圧延を施し、適度な厚みの冷延板を作製した後、700~800°Cにて7~15秒間保持の条件で連続焼鈍を施し、更に、50~60の加工率にて冷間圧延を施して適度な厚みの冷延板を作製する。次に、この冷延板を700~900°Cで60~120秒間保持した後に急冷して溶体化処理を施した後、400~500°Cで9~13時間保持して時効化処理を施した後に、酸洗処理を施して、3~20の加工率にて最終冷間圧延を施した後に、テンションレベラーにて49~147N/mm25~15kgfmm2の張力にて板形状を矯正し、更に、450~550°Cで10~50秒間保持にて歪み取り焼鈍を施して銅合金板を作製する。この様に製造された本発明の銅合金板は、1.0~3.0質量のNi、Niの質量濃度に対し1/6~1/4の濃度のSi、0.002~0.4質量のCrを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が、前記測定面積の45~55であり、前記測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8~1.6°であり、電界放射型オージェ電子分光法にて測定した粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数が0.2~0.7個/μm2であり、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数が0.001~0.1個/μm2であり、透過型電子顕微鏡にて測定した結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1~0.4質量であり、曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性が良好で耐応力緩和特性に優れている。表1に示す成分となるように材料を調合し、還元性雰囲気の低周波溶解炉を用いて溶解鋳造を行い銅合金鋳塊を得る。次に、この銅合金鋳塊を900~980°Cに加熱した後、熱間圧延にて適度の厚みの熱延板とし、この熱延板を水冷した後に両面を適度に面削し、次に、圧延率60~90にて冷間圧延を施し、適度な厚みの冷延板を作製した後、700~800°Cにて7~15秒間保持の条件で連続焼鈍を施し、更に、50~60の加工率にて冷間圧延を施して適度な厚みの冷延板を作製した。次に、表1に示す条件にて溶体化処理を施した後、表1に示す条件にて時効化処理を施した後に、酸洗処理を施して、3~20の加工率にて最終冷間圧延を施した後に、表1に示す張力でテンションレベラーにて銅板形状を矯正し、更に、表1に示す条件に歪み取り焼鈍を施して、実施例1~10、比較例1~9の銅合金薄板を作製した。なお、表1中、テンションレベラー張力として、SI単位のN/mm2によるものを表記し、kgf/mm2によるものを括弧内に併記した。実施例1~10、比較例1~9の銅合金板から得られた試料につき、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて銅合金板の表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合、及び、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMを測定した。その結果を表2に示す。隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合は、次の様に測定した。前処理として、圧延材から採取した10mm×10mmの試料を10硫酸に10分間浸漬した後、水洗、エアブローにより散水した後に、散水後の試料を日立ハイテクノロジーズ社製フラットミリングイオンミリング装置で、加速電圧5kV、入射角5°、照射時間1時間にて表面処理を施した。次に、TSL社製EBSDシステム付きの日立ハイテクノロジーズ社製走査型電子顕微鏡S-3400Nでその試料表面を観察した。観察条件は、加速電圧25kV、測定面積150μm×150μm結晶粒を5000個以上含むとした。観察結果より、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の全測定面積に対する面積割合は次の条件にて求めた。ステップサイズ0.5μmにて、測定面積範囲内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした。次に、結晶粒界で囲まれた個々の結晶粒について、結晶粒内の全ピクセル間の方位差の平均値GOS:GrainOrientationSpreadを1式にて計算し、平均値が4°未満の結晶粒の面積を算出し、それを全測定面積で除して、全結晶粒に占める結晶粒内の平均方位差が4°未満の結晶粒の面積の割合を求めた。なお、2ピクセル以上が連結しているものを結晶粒とした。上式において、i、jは結晶粒内のピクセルの番号を示す。nは結晶粒内のピクセル数を示す。αijはピクセルiとjの方位差を示す。測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMは、次のようにして求めた。前処理として、圧延材から採取した10mm×10mmの試料を10硫酸に10分間浸漬した後、水洗、エアブローにより散水した後に、散水後の試料を日立ハイテクノロジーズ社製フラットミリングイオンミリング装置で、加速電圧5kV、入射角5°、照射時間1時間にて表面処理を施した。次に、TSL社製EBSDシステム付きの日立ハイテクノロジーズ社製走査型電子顕微鏡S-3400Nでその試料表面を観察した。観察条件は、加速電圧25kV、測定面積150μm×150μm結晶粒を5000個以上含むとした。観察結果より、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMは、次の条件にて求めた。ステップサイズ0.5μmにて、測定面積範囲内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした。GAMは同一結晶粒内における隣接する測定点ピクセル間のミスオリエンテーションの平均値であり、隣接測定点の境界iにおける方位差を2式とすると、結晶粒内にピクセル間の境界がm個存在する場合、この結晶粒のGAM値は3式で表わされる。個々の結晶粒におけるGAMの値をk、各結晶粒の面積をSkとすると、測定範囲内にM個の結晶粒が存在する場合、面積平均GAMは4式で表される。また、実施例1~10、比較例1~9の銅合金板から得られた試料につき、粒径が0.1μm超えるNi-Si析出物粒子の個数、粒径が0.01~0.1μmのCr-Si析出物粒子の個数、結晶粒内に固溶しているSiの濃度質量を測定した。その結果を表2に示す。Ni-Si析出物粒子の個数、Cr-Si析出物粒子の個数は次の様に測定した。まず、試料の断面を日本電子株式会社製オージェ電子分光分析装置JAMP7100Eにより分析し、測定視野中の全ての粒子を元素分析し、NiとSiが検出されたもの、およびCrとSiが検出されたものに分けた。次に、NiSi析出物については100μm2中の粒径が0.1μmを超えるNi-Si析出物粒子の個数をカウントして個数/μm2に換算した。CrSi析出物については100μm2中の粒径が0.01~0.1μmのCrSi析出物粒子の個数をカウントして個数/μm2に換算した。この方法にて、それぞれの析出物について、試料の圧延方向垂直断面の表面より深さ10μm、30μm、80μmの地点を観察して個数をカウントしその平均値を求めた。結晶粒内に固溶しているSiの濃度は、次のようにして求めた。日本電子社製透過型電子顕微鏡JEM-2010Fを使用し、5万倍にてその試料の圧延方向垂直断面の表面より深さ10μm、30μm、80μmの地点の結晶粒内に固溶している各々のSiの濃度を観察し、その平均値を求めた。また、実施例1~10、比較例1~9の銅合金板から得られた試料につき、曲げ加工後の耐疲労特性およびばね限界値特性、耐応力緩和特性を測定した。その結果を表2に示す。曲げ加工後の耐疲労特性は次のようにして求めた。圧延方向に対し平行方向の幅10mmの短冊状の試験片に対し、圧延方向に対し直角方向G.W.の曲げ半径R=0.8mmの45°曲げを2ヵ所実施し、曲げ加工を施した試験片を作成し、JISZ2273に従って行った。試験片の曲げ加工部分の1ヵ所が固定端の位置になるように固定具に固定し、他端をナイフエッジを介して正弦波振動を与え疲労寿命を求めた。試験片表面の最大付加応力固定端での応力が462MPaでの疲労寿命試験片が破断に至るまでの繰り返し振動回数を測定した。測定は同じ条件下で4回行い、4回の測定の平均値を疲労寿命とした。曲げ加工後のばね限界値特性は次のようにして求めた。圧延方向に対し平行方向の幅10mmの短冊状の試験片に対し、圧延方向に対し直角方向G.W.の曲げ半径R=0.8mmの45°曲げを2ヵ所実施し、曲げ加工を施した試験片を作成し、JISH3130に従って行った。試験片の曲げ加工部分の1ヵ所が固定端の位置になるように固定具に固定し、モーメント式試験により永久たわみ量を測定し、R.T.におけるKb0.1永久たわみ量0.1mmに対応する固定端における表面最大応力値:ばね限界値を算出した。耐応力緩和特性は、片持ち梁方式により、次の様にして求めた。圧延方向に対し平行方向の幅10mmの短冊状の試験片を切り出し、その一端を剛体試験冶具に固定する。固定端から一定距離の位置で試験片にd=2mmのたわみを与えたとき固定端においてGW方向における材料の0.2耐力の80に相当する表面応力を負荷する。たわみを与える位置の固定端からの距離はJCBAT309:2004銅及び銅合金薄板条の曲げによる応力緩和試験方法により算出した。剛体試験冶具に固定し、たわみを与えた試験片を150°Cのオーブン中に1000時間保持した後に取り出し、たわみ量dを取り去ったときの永久歪みδを測定し、応力緩和率RS=δ/d×100から残留応力率=100-RSとして計算した。表1及び表2の結果より、本発明のCu-Ni-Si系銅合金は、所定形状に曲げ加工も良好な耐疲労特性およびばね特性を有し、耐応力緩和特性にも優れていることがわかる。以上、本発明の実施形態の製造方法について説明したが、本発明はこの記載に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。