コンバータ、昇圧回路及びインバータが同一モジュール内に形成され、前記昇圧回路のスイッチング素子がワイドバンドギャップ半導体で構成された、モータを駆動するためのパワーモジュールと、前記インバータを構成する複数のスイッチング素子のうち、前記昇圧回路のスイッチング素子に最も近いスイッチング素子近傍に配置された温度検出素子と、前記温度検出素子の検出温度に基づき前記パワーモジュールの過熱保護を行う制御部とを備えたことを特徴とする空気調和装置用制御装置。前記制御部は、前記温度検出素子の検出温度が、過熱保護を必要とする第1所定値よりも高い温度範囲を複数に分割した温度範囲の何れかに属することを検知すると、前記検出温度が属する温度範囲に応じた過熱保護を行うことを特徴とする請求項1記載の空気調和装置用制御装置。前記制御部は、前記温度検出素子の検出温度が、前記複数の温度範囲のうち最も低い温度範囲内のとき、前記昇圧回路の目標電圧制御値を下げることを特徴とする請求項2記載の空気調和装置用制御装置。前記制御部は、前記温度検出素子の検出温度が、前記複数の温度範囲のうち最も高い温度範囲内のとき、前記昇圧回路を停止させると共に、前記圧縮機の周波数を低下させることを特徴とする請求項2又は請求項3記載の空気調和装置用制御装置。前記制御部は、前記温度検出素子の検出温度が前記複数の温度範囲のうち最も高い温度範囲内を超えた場合、前記昇圧回路及び前記インバータを停止させることを特徴とする請求項2乃至請求項4の何れか1項に記載の空気調和装置用制御装置。前記ワイドバンドギャップ半導体は、SiC、GaN又はダイヤモンドの何れかであることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載の空気調和装置用制御装置。ところで、昇圧回路に設けられるスイッチング素子にはIGBT素子を適用した構成が一般的である。しかしながら、昇圧回路にIGBT素子を用いた場合、以下の問題がある。例えば小容量のインバータであれば、小容量対応の昇圧回路とすればよいため昇圧回路での発熱による損失はさほど大きなものとならない。しかし、概ね10kWを超えるような大容量インバータに対応可能な昇圧回路では発熱による損失が大きくなる。このため、大容量インバータに対応可能な昇圧回路を備えた空気調和装置用制御装置を構成するにあたっては、インバータとは別のモジュールを用いて昇圧回路を別途構成し、更に放熱機構を設ける必要があり、高コスト化、大型化といった問題があった。また、昇圧回路及びインバータはそれぞれ発熱素子であるスイッチング素子を備えているため、過熱保護の観点からそれぞれの温度を検出するための複数の温度検出素子が設けられており、この点からもコスト高となっていた。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、小型化及び低コスト化が可能な空気調和装置用制御装置を得ることを目的とする。この発明に係る空気調和装置用制御装置は、コンバータ、昇圧回路及びインバータが同一モジュール内に形成され、昇圧回路のスイッチング素子がワイドバンドギャップ半導体で構成された、空気調和装置の圧縮機のモータを駆動するためのパワーモジュールと、インバータを構成する複数のスイッチング素子のうち、昇圧回路のスイッチング素子に最も近いスイッチング素子近傍に配置された温度検出素子と、温度検出素子の検出温度に基づきパワーモジュールの過熱保護を行う制御部とを備えたものである。この発明によれば、空気調和装置の圧縮機のモータを駆動するためのコンバータ、昇圧回路及びインバータを同一モジュール内に形成すると共に昇圧回路のスイッチング素子をワイドバンドギャップ半導体で構成したパワーモジュールを備えたので、昇圧回路での発熱による損失を低減することができ、小型化及び低コスト化を図ることができる。また、インバータを構成する複数のスイッチング素子のうち、昇圧回路のスイッチング素子に最も近いスイッチング素子近傍に温度検出素子を配置し、いわば昇圧回路とインバータとで温度検出素子を共用してパワーモジュールの過熱保護用として用いるようにしたので、この点からも、小型化及び低コスト化を図ることができる。図1は、この発明の一実施の形態における空気調和装置用制御装置の構成を示した図である。図2は、図1のコンバータを示す図である。図3は、図1のインバータを示す図である。図4は、図1の温度検出素子を示す図である。図1の空気調和装置用制御装置は、3相交流電源1と、3相交流電源1の交流電圧を直流電圧に変換するコンバータ2と、昇圧回路3と、昇圧回路3の出力を平滑する平滑コンデンサ7と、インバータ8とを備えており、空気調和装置の圧縮機のモータ9に接続されている。コンバータ2は、図2に示すように3相交流電源1の交流電圧を整流する3相全波整流器で6個のダイオードをブリッジ接続した構成を有している。昇圧回路3は、3相交流電源1からの交流電圧例えばAC200Vをコンバータ2で変換した直流電圧を昇圧例えばDC350Vしてインバータ8に入力する回路であり、昇圧用のリアクター4と高温でも動作可能なワイドバンドギャップ半導体で構成したスイッチング素子5と逆流防止ダイオード6とを備えている。なお、ワイドバンドギャップ半導体とは、シリコンSi素子と比較して、バンドギャップが大きい半導体素子の総称であり、炭化ケイ素SiC素子の他、例えば、窒化ガリウムGaN、ダイヤモンド素子等が挙げられる。インバータ8は、平滑コンデンサ7によって平滑された直流電源を交流電源に変換するものであり、図3に示すようにSi製の例えばIGBTのような複数のスイッチング素子8a~8fで構成される。空気調和装置の圧縮機駆動のインバータにおいて、圧縮機を構成しているモータのコイルは冷媒や油の中に存在しており、漏洩電流を抑制するためにキャリア周波数を高く設定できない。このため、高速スイッチングが可能でキャリア周波数を高く設定できるワイドバンドギャップ半導体を使用する必要はなく、低コスト化のためインバータ8のスイッチング素子にはSi製を使用する。空気調和装置用制御装置は更に、昇圧回路3の入力電流を検出する電流検出手段11と、昇圧回路3の出力電圧を検出する電圧検出手段12と、インバータ8から出力される交流電流を検出する電流検出手段13a、13bと、温度検出素子14aと、温度検出手段14と、制御装置全体を制御する制御部であるマイコン20とを備えている。温度検出手段14は、例えばサーミスタで構成された温度検出素子14aにより後述のパワーモジュール30内の温度を検出する。マイコン20は、昇圧回路3のスイッチング制御手段21と、インバータ駆動手段22と、過熱保護制御手段23とを備えている。スイッチング制御手段21は、昇圧回路3のスイッチング素子5を動作させる駆動パルスを生成する。スイッチング制御手段21は、過熱保護制御手段23からの信号に応じて、電流検出手段11で検出された昇圧回路3の入力電流と、電圧検出手段12で検出された昇圧回路3の出力電圧とに基づき所望の昇圧が得られるようにパルス幅を変調した駆動パルスを生成してスイッチング素子5を動作させる。インバータ駆動手段22は、各スイッチング素子8a~8fのそれぞれを動作させる駆動パルスを生成する。インバータ駆動手段22は、過熱保護制御手段23からの信号に応じて、電圧検出手段12で検出された昇圧回路3の出力電圧と、電流検出手段13a、13bで検出されたインバータ8の出力電流とに基づき所望の出力電圧周波数が得られるようにパルス幅を変調した駆動パルスを生成してスイッチング素子8a~8fをそれぞれ動作させる。過熱保護制御手段23は、温度検出素子14aによる温度検出手段14の検出温度に基づいてパワーモジュール30内の過熱状態を判断し、過熱段階に応じてスイッチング制御手段21及びインバータ駆動手段22を制御する。この過熱保護制御手段23による過熱制御については後述の図6のフローチャートで説明する。この実施の形態は、コンバータ2と昇圧回路3とインバータ8とを同一モジュール内に形成すると共に、その昇圧回路3のスイッチング素子5をワイドバンドギャップ半導体で構成したことを一つの特徴とするものであり、この点について以下に説明する。なお、以下ではコンバータ2と昇圧回路3とインバータ8とを同一モジュール内に構成したモジュール自体をパワーモジュール30という。モータ9の省エネ化を追求するにあたり、インバータ8の入力側に昇圧回路3を設けることが有効なことは上述した通りである。そして、昇圧回路3のスイッチング素子5に用いたワイドバンドギャップ半導体は、上述したように、非常に高温例えば、200°C以上でも動作が可能であるといった特徴を有している。このため、インバータ8が例えば10kWを超えるような大容量インバータ8であっても、昇圧回路3の発熱による損失の問題は発生せず、同一モジュール内にコンバータ2と昇圧回路3とインバータ8とを備えて1パッケージ化することが可能である。このように、昇圧回路3のスイッチング素子5にワイドバンドギャップ半導体を用いることにより、Si製のスイッチング素子を用いた場合に必要となる昇圧回路の別体化や昇圧回路専用の放熱構造が不要であり、小型化及び低コスト化が可能となる。ところで、昇圧回路のスイッチング素子をSi製のIGBT等で構成した従来構造では、昇圧回路とインバータとにそれぞれ個別に過熱検出用半導体保護用の温度検出素子を設けていた。この実施の形態では、昇圧回路3のスイッチング素子5に高温での動作が可能なワイドバンドギャップ半導体を用いているため、過熱保護のために温度検出素子を設ける必要性は極めて低い。しかし、インバータ8にはSi製のスイッチング素子を用いているため、温度検出素子による温度検出は必須である。また、小型化の観点から温度検出素子14aの数は少ない方が好ましい。以上を踏まえ、この実施の形態では、パワーモジュール30に昇圧回路3とインバータ8とで共用の温度検出素子14aを一つ設け、また、その温度検出素子14aの配置場所を工夫した点にもう一つの特徴がある。以下、この配置場所について説明する。図5は、図1のパワーモジュールにおける温度検出素子の複数の配置例を示すレイアウト図である。ここではa~cの3パターンを示している。温度検出素子14aは、Siで構成されたスイッチング素子8a~8f図3参照の過熱保護を主目的として設けられるものであり、何れのレイアウトにおいてもインバータ8の近傍であって、且つインバータ8のスイッチング素子8a~8f図3参照のうち、昇圧回路3のスイッチング素子5に最も近いスイッチング素子の近傍に配置する。この配置とすることにより、昇圧回路3とインバータ8とで別々に温度検出素子14aを設けなくとも、一つの温度検出素子14aにより昇圧回路3のスイッチング素子5からの熱も加味してSi製のスイッチング素子の温度検出が可能となる。次に、この発明の一実施の形態における過熱保護の処理の流れについて説明する。図6は、この発明の一実施の形態における過熱保護の流れを示すフローチャートである。なお、図6における所定値A、所定値B、所定値Cは、過熱保護の段階に応じて予め設定された温度であり、A<B<Cの関係にあるものとする。温度検出手段14は、温度検出素子14aによりパワーモジュール30の温度Tcを検出するS100。このステップS100は定期的に実行され、温度検出手段14の検出温度Tcは過熱保護制御手段23に出力され、過熱保護制御手段23は温度検出手段14からの検出温度Tcに基づいてステップS101、S102、S104の温度判断を行い、判断結果に応じてスイッチング制御手段21又はインバータ駆動手段22に指示して過熱保護処理を行わせる。過熱保護:段階1過熱保護制御手段23は、温度検出手段14の検出温度Tcが所定値Aを超え且つ所定値B以下の場合S102、昇圧回路3の昇圧目標値目標電圧制御値を低下させS103、昇圧回路3での発生損失を低減しながら運転を継続する。なお、検出温度Tcが所定値A以下の場合S101には過熱状態ではなく正常状態であるため、過熱保護の処理は行わない。過熱保護:段階2過熱保護制御手段23は、温度検出手段14の検出温度Tcが所定値Bを超え且つ所定値C以下の場合S104、スイッチング制御手段21に指示して昇圧回路3を停止させS105、更にインバータ駆動手段22に指示してインバータ周波数圧縮機の周波数を低下させる制御を行うS106。過熱保護:段階3過熱保護制御手段23は、温度検出手段14の検出温度Tcが所定値Cを超えた場合S104、スイッチング制御手段21に指示して昇圧回路3を停止S107すると共に、インバータ駆動手段22に指示してインバータ8の運転を停止させるS108。空気調和装置用制御装置では検出温度Tcに応じて以上の処理を行うように構成されているため、パワーモジュール30において放熱面あるいは発熱面で何らかのトラブルが生じてパワーモジュール30の温度が高くなった場合、まずは昇圧目標値を低下させる制御S103に入り、昇圧回路3での発生損失を低減しながら運転を継続する。それでも検出温度Tcが上昇して所定値Bを超えた場合は、昇圧回路3を停止させS105、圧縮機の運転周波数を低下させるS106。これにより冷媒の高圧圧力が低下しインバータ8の出力電流が減少してインバータ8での発生損失を低減しながら運転を継続する。ステップS105及びS106の処理をしても検出温度Tcが上昇して所定値Cを超えた場合は、モジュール保護を優先し昇圧回路3及びインバータ8の両方を停止させるS107、S108。以上のように、この実施の形態では、同一モジュール内にコンバータ2、昇圧回路3及びインバータ8を備え、昇圧回路3のスイッチング素子5をワイドバンドギャップ半導体を用いて構成したので、昇圧回路3での発熱による損失を低減することができ、パワーモジュール30ひいては空気調和装置用制御装置の小型化及び低コスト化が可能となる。また、昇圧回路3のスイッチング素子5をワイドバンドギャップ半導体で構成したことにより、昇圧回路3に対する過熱保護用の温度検出素子の必要性を低減することができる。このため、パワーモジュール30の過熱保護用としては、Si製のスイッチング素子8a~8fで構成されたインバータ8に対して温度検出素子14aを一つ設ける構成とすれば足り、小型化及びコスト低減が可能である。また、一つの温度検出素子14aをパワーモジュール30内に配置するにあたり、インバータ8の複数のSi製のスイッチング素子8a~8fのうち、昇圧回路3のスイッチング素子5に最も近いスイッチング素子の近傍に配置するようにしたので、昇圧回路3のスイッチング素子5からの熱も加味してインバータ8の過熱保護が可能で、信頼性の高いパワーモジュール30を得ることができる。また温度検出素子14aの検出温度が過熱保護対象の温度帯に入った場合つまり所定値Aを超えた場合、直ちに昇圧回路とインバータを停止させるのではなく、昇圧目標値低下制御、インバータ周波数低下制御といったように段階的に停止の方向に制御を移すようにした。これにより、空気調和装置として致命的な異常停止状態をできるだけ回避し、空気調和装置としての運転を可能な限り継続させることができる。また、昇圧回路3のスイッチング素子5が高温でも動作可能なワイドバンドギャップ半導体で構成されているため、Si製のスイッチング素子を用いる場合に比べて昇圧回路3のキャリア周波数を上げることができる。その結果、リアクター4の小型化が可能になりコスト低減できるだけでなく、負荷の変動に対して追従性が改善され制御性が向上する。また、一般にケミコンレス回路では、インバータの過変調領域になると入力電流に脈動が発生し高調波が発生する問題があった。しかし、昇圧回路3を用いて母線電圧を昇圧すれば、過変調領域で運転する必要はなくなる。よって、図1の回路をケミコンレス平滑化コンデンサレスで構成してもよいし、また、平滑化コンデンサとして用いられる電解コンデンサを小型化例えば3300μF→10μFしてもよく、何れにしてもコスト低減及び小型化が図れる。なお、この実施の形態では昇圧回路3のうち、スイッチング素子5をワイドバンドギャップ半導体で構成するとしたが、スイッチング素子5だけでなく逆流防止ダイオード6もワイドバンドギャップ半導体で構成してもよい。