フォトマスクを電子線描画により作製するフォトマスクの作製方法において、描画密度変化の所定値を予め定める工程と、前記フォトマスクの描画パターンの描画密度変化を求める工程と、前記求めた描画密度変化が前記描画密度変化の所定値より大きい場合には、描画密度変化が前記描画密度変化の所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程と、を備えることを特徴とするフォトマスクの作製方法。光学系対物ユニットの汚染度により、前記描画密度変化の所定値を設定することを特徴とする請求項1記載のフォトマスクの作製方法。フォトマスクを電子線描画により作製するフォトマスクの作製方法において、描画密度の所定値を予め定める工程と、前記フォトマスクの描画パターンの描画密度を求める工程と、前記求めた描画密度が前記描画密度の所定値より大きい場合には、描画密度が前記描画密度の所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程と、を備えることを特徴とするフォトマスクの作製方法。光学系対物ユニットの汚染度により、前記描画密度の所定値を設定することを特徴とする請求項3記載のフォトマスクの作製方法。しかしながら、特許文献1に記載の技術では、描画パターン密度の変化によるドリフトに対しては対応していないという不都合があった。また、特許文献2に記載の技術では、描画パターンを考慮していないため、描画パターン密度の変化の大きいところでの急激な位置精度悪化に対応していないという不都合があった。本発明の目的は、描画パターン密度の変化の大きいところでの位置精度が悪化するというドリフトに対応するフォトマスクの作製方法を提供することにある。本発明は、上記の課題を解決するために、以下の構成を採用した。本発明は、フォトマスクを電子線描画により作製するフォトマスクの作製方法に関する。そして、描画密度変化の所定値を予め定める工程と、フォトマスクの描画パターンの描画密度変化を求める工程と、求めた描画密度変化が描画密度変化の所定値より大きい場合には、描画密度変化が描画密度変化の所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えることを特徴とする。また、光学系対物ユニットの汚染度により、描画密度変化の所定値を設定することを特徴とする。また、フォトマスクを電子線描画により作製するフォトマスクの作製方法において、描画密度の所定値を予め定める工程と、フォトマスクの描画パターンの描画密度を求める工程と、求めた描画密度が描画密度の所定値より大きい場合には、描画密度が描画密度の所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えることを特徴とする。そして、光学系対物ユニットの汚染度により、描画密度の所定値を設定することを特徴とする。本発明によれば、上述の特徴を有することから、下記に示すことが可能となる。すなわち、フォトマスクを電子線描画により作製するフォトマスクの作製方法において、描画密度変化の所定値を予め定める工程と、フォトマスクの描画パターンの描画密度変化を求める工程と、求めた描画密度変化が描画密度変化の所定値より大きい場合には、描画密度変化が描画密度変化の所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えるので、描画パターン密度の変化の大きいところでの位置精度が悪化するというドリフトに対応することが可能となる。また、光学系対物ユニットの汚染度により、描画密度変化の所定値を設定するので、光学系対物ユニットの汚染により描画が不安定になっても、十分な品質の描画が可能となる。また、フォトマスクを電子線描画により作製するフォトマスクの作製方法において、描画密度の所定値を予め定める工程と、フォトマスクの描画パターンの描画密度を求める工程と、求めた描画密度が描画密度の所定値より大きい場合には、描画密度が描画密度の所定値以下になるように描画パターンを複数に分割する工程とを備えるので、描画パターン密度の変化の大きいところでの位置精度が悪化するというドリフトに対応することが可能となる。そして、光学系対物ユニットの汚染度により、描画密度の所定値を設定するので、光学系対物ユニットの汚染により描画が不安定になっても、十分な品質の描画が可能となる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について、詳細に説明する。本実施形態は、電子線描画技術によるフォトマスクの作製方法に係り、特に、電子線描画工程におけるドリフトを一定範囲内に管理することの可能なフォトマスクの作製方法に関するものである。図1は、電子線描画装置による描画時間によりどのようなドリフトが起きるかを説明するグラフである。図2は電子光学系ユニットの汚染の程度と、密度変化によるドリフト値の相関を示すグラフである。図3乃至図8は、描画パターンと密度、または密度変化のマップを示す。図9は、データをどのように処理していくのかを示すフローチャートである。<チャージドリフト特性を把握する工程>図1を用いてドリフトの変化について説明する。図1は描画時間とドリフトとの相関を示すグラフである。描画時間の始めからA点までの間が初期ドリフトでありドリフトの変化が大きい。初期ドリフトの後の、A点からB点まではドリフトの変化が小さい安定期となる。所定時間が経過しB点に到ると、それ以後はチャージドリフトが発生し、ドリフトの変化が大きくなる。図2は、電子線描画装置の電子光学系ユニットの汚染の程度による、隣接する区分との描画密度変化とチャージドリフトのドリフト値との関係を示すグラフである。チャージドリフトの評価パターンを用いて取得した。カラム交換からの時間が経過し、汚染度が高くなると、変動するドリフト値が大きくなっている。図2に示すように、汚染が大きいと、描画の安定性が損なわれ、隣接する区分との密度変化があると大きなドリフト値となり、汚染が小さければ、描画は安定しているので、大きな密度変化があっても変動するドリフト値は小さなものとなる。図2において、ドリフト管理値1を超えないようにするためには、汚染が高い状態において、密度変化が25パーセント以下にする必要がある。以下、本実施形態のフォトマスクの作製方法の具体的説明として、ドリフト管理値1から求めた密度変化25パーセント以内とする場合について以下説明する。<描画パターンを分割する工程>実際の描画パターンを例にとり、描画パターンを描画密度により分割を行う工程を説明する。ここで、パターン解析の単位は、任意のメッシュ単位が好ましいが、必要に応じてパターン単位などとしてもよい。図3は描画パターンの描画密度マップ2を示し、図4は描画密度変化マップ3を示す。図3は、描画パターンの一例を示した描画密度マップ2であり、中央の区分4とこれを囲むコの字状の部分とから構成されている。各部の描画密度については、中央の区分4の描画密度は40パーセントで高密度であり、コの字状の部分で中央の区分4の上と下に位置する上下の区分5は描画密度30パーセント、上下の部分5の右側の縦の区分6は描画密度10パーセント、上下の部分の左側の端部の区分7は描画密度5パーセントとなっている。図4は、描画密度変化マップ3であり、各区分と隣接する部分との描画密度の差密度変化を示している。すなわち、それぞれの区分の輪郭部における隣接する部分との描画密度の差を示している。中央の区分4の輪郭部4aでは隣接する部分にはパターンが設けられておらず描画密度0パーセントの部分であるので、密度変化は40パーセントである。また、上下の区分5の輪郭部5aとパターンの設けられていない部分との密度変化は30パーセントであり、隣接する区分との密度変化は、縦棒の区分6の輪郭部6aと重なった部分は20パーセント、端部の区分7の輪郭部7aと重なった部分は25パーセントとなる。図4に示す描画密度変化マップ3と密度変化の所定値から、パターンの分割数を決定する。中央の区分の密度変化は最大であり40パーセントであるので、ドリフト管理値以下とするためには25以下までパターン密度を低減させる必要があり、分割数は2以上となる。上下の区分5の密度変化は30パーセントであり、25以下までパターン密度を低減させる必要があり、この部分も2以上に分割する必要がある。図5及び図6に示す描画密度マップ2は、図3に示す描画パターンを2枚の描画パターンに分割した例を示している。図5に示す描画密度マップ2に対応する描画密度変化マップ3を図7に、図6に示す描画密度マップ2に対応する描画密度変化マップ3を図8に示す。図7及び図8に描画密度変化マップ3に示すように、図5及び図6に示す描画密度マップ2の密度変化はいずれもドリフト管理値1の25パーセントを下回っている。このように描画パターンを形成することによって、光学系対物ユニットの汚染度が高く描画が不安定でドリフトが起きやすい状態においても、安定したフォトマスクの製造が可能となる。また、前述したとおり、ドリフトには光学系対物ユニットの汚染等以外にも、初期ドリフト等いろいろな種類があるが、描画が安定するため、それらのドリフトにも対応できる。また、安定した描画を保持できる場合は、必要に応じ、描画速度を上げることも可能となる。図9に示すフローチャートは、本実施形態におけるデータの処理方法をまとめたものである。まず、フローチャートの左側の部分について説明する。この部分はチャージドリフト特性を把握する工程に対応する。最初に、ドリフトデータを取得するステップS1。例えば、図2に示す電子線描画装置の電子光学系ユニットの汚染の程度による、隣接する区分との描画密度変化とドリフト値との関係を示すグラフ等がドリフトデータである。このドリフトデータから、このドリフト管理値1を決定するステップS2。ドリフト管理値1から、隣接する部分との密度変化の上限値を求め、ドリフト密度上限値を決定するステップS3。次に、フローチャートの右側の部分について説明する。この部分は描画パターンを分割する工程に対応する。描画パターンから、描画パターンの描画密度マップ2を作成するステップS4。この描画密度マップ2を用いてこれに対応する描画密度変化マップ3を作成し、隣接する部分との密度変化を求め、描画パターン密度解析をするステップS5。ステップS5で求めた描画密度変化マップ3の密度変化と、ステップS3で求めた密度変化の上限値とを対比して、分割した後の描画パターンの密度変化が上限値を超えないように、分割数を決定するステップS6。ステップS6の結果により分割した分割数の各描画パターンについて、それぞれの描画密度マップ2と描画密度変化マップ3を作成して、描画密度変化マップ3の密度変化の上限値が、ステップS3で求めた密度変化の上限値を超えていないことを確認して、描画パターン密度解析するステップS7。以上のようにしてデータを処理し、その決定に基づいて分割して作成した描画パターンを用いることによって、描画が不安定で変動が起きやすい状態においても、安定してフォトマスクを製造できる。なお、前述の実施形態においては、密度変化に着目し密度変化を管理値1に対応する上限値以下とするように描画パターンを分割したが、描画パターンの描画密度に着目して上限値を決めて分割するようにしてもよい。描画密度の最大値が低くなれば、その低くなった描画密度の最大値以上には密度変化は生じないわけであるので、隣接する部分との密度変化も低くなるからである。描画密度により分割すると、密度変化を求める工程を省くことができて、より簡単となる。また、描画パターンの分割数は、多すぎるとステージの移動が多くなり、結果、描画時間を長くしてしまうため、通常は必要最低限の分割数が良い。また、パターンの分割範囲は、全面でもよいし、任意のエリア毎などでもよい。また、密度が分けられればどのように分割するか方法は問わない。例えば、市販されている多重露光用のパターン分割ソフトを用いたり、他にもこれに準じたソフトウェアなどでパターン分割してもよい。ドリフト管理値1は、使用する電子線描画機の性能等により、いろいろ設定できる。本実施例では、チャージドリフトの評価パターンを用いて、パターン密度を16パーセント以下とする必要がわかった。また、描画パターンの描画密度マップ2および描画密度変化マップ3を作成し、密度変化の最大値が42パーセントであることを解析した。チャージドリフトを管理値以下とするため、16以上の描画パターンを3枚に分割し、それぞれ16以下となるよう分けた。Cr遮光膜付き6インチQz石英ガラス基板を準備し、この基板に電子線用ポジ型レジスト:FEP171富士フイルム製を300nm厚コートし、電子線描画装置にて、3つに分割したパターンを描画した。このとき、描画時の条件はドーズを10μC/cm2とした。次に露光後加熱処理を行い、その後、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH2.38現像液にて現像処理を行った。現像時間を90秒とした。次に、ICPInductivelyCoupledPlasmaドライエッチング装置を用いて、遮光膜であるCr膜のエッチングを行った。Crエッチングの条件は、Cl2流量40sccm、O2流量10sccm、He流量80sccm、圧力15mTorr、ICPパワー300W、RIEReactiveIonEtchingパワー30Wとした。最後に、O2プラズマアッシング条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RFパワー1000Wによってレジストを剥離した。以上より、チャージドリフトを低減したフォトマスクを製造した。本実施例のフォトマスクでは、従来と比べ、チャージドリフトに起因する位置精度悪化を低減することができた。