"基材上にゲート電極を形成した後、基材及びゲート電極上に、チャネル形成領域を形成すべき領域に凹部が設けられたゲート絶縁層を形成し、その後、塗布法に基づき凹部内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成した後、ゲート絶縁層の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成する、各工程から成る半導体装置の製造方法。チャネル形成領域を形成すべき基体の領域に凹部を形成し、その後、塗布法に基づき凹部内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、次いで、基体の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成した後、チャネル形成領域及びソース/ドレイン電極上にゲート絶縁層を形成し、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層上にゲート電極を形成する、各工程から成る半導体装置の製造方法。ゲート絶縁層における凹部表面の濡れ性は、凹部以外のゲート絶縁層の領域における濡れ性よりも良い請求項1に記載の半導体装置の製造方法。基体における凹部表面の濡れ性は、凹部以外の基体の領域における濡れ性よりも良い請求項2に記載の半導体装置の製造方法。プラズマエッチング法に基づき凹部を形成する請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法を含む画像表示装置の製造方法。A基材上に形成されたゲート電極、Bゲート電極及び基材上に形成されたゲート絶縁層、Cゲート絶縁層に形成された凹部内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、Dゲート絶縁層の上からチャネル形成領域の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極、を備えており、チャネル形成領域の頂面は、ゲート絶縁層と凹部の境界から凹部の中央部分に向かって凹んでいる半導体装置。ゲート絶縁層と凹部の境界におけるチャネル形成領域の頂面とゲート絶縁層の頂面との成す角度は、1度乃至10度である請求項7に記載の半導体装置。A基体に形成された凹部内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域、B基体の上からチャネル形成領域の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極、Cソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、Dゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、を備えており、チャネル形成領域の頂面は、基体と凹部の境界から凹部の中央部分に向かって凹んでいる半導体装置。基体と凹部の境界におけるチャネル形成領域の頂面と基体の頂面との成す角度は、1度乃至10度である請求項9に記載の半導体装置。この特許公開公報に開示された半導体装置の製造方法は、ソース/ドレイン電極の段切れといった問題の発生を回避するために、効果的な方法である。しかしながら、有機半導体材料から成るチャネル形成領域を塗布法、例えばスピンコート法で形成するとき、ソース電極/ドレイン電極が凸状の障害物となり、有機半導体材料の溶液が広がり難く、凹部内に有機半導体材料の溶液が侵入しない虞がある。また、凹部が形成された状態にあっては、ソース/ドレイン電極の端部が凹部の上方において突出している。従って、例えばウェットエッチング後、洗浄に用いた純水をスピン乾燥する際、遠心力や風圧によってソース電極/ドレイン電極の突出部が破壊される虞がある。従って、本開示の目的は、ソース/ドレイン電極の段切れ、ソース/ドレイン電極の損傷といった問題の発生を確実に回避することができ、しかも、島状の平面形状を有する即ち、所謂素子分離されたチャネル形成領域を確実に形成することができる半導体装置の製造方法、及び、係る半導体装置の製造方法を適用した画像表示装置の製造方法、並びに、係る半導体装置の製造方法によって得られる半導体装置を提供することにある。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法は、基材上にゲート電極を形成した後、基材及びゲート電極上に、チャネル形成領域を形成すべき領域に凹部が設けられたゲート絶縁層を形成し、その後、塗布法に基づき凹部内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成した後、ゲート絶縁層の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成する、各工程から成る。上記の目的を達成するための本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法は、チャネル形成領域を形成すべき基体の領域に凹部を形成し、その後、塗布法に基づき凹部内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、次いで、基体の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成した後、チャネル形成領域及びソース/ドレイン電極上にゲート絶縁層を形成し、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層上にゲート電極を形成する、各工程から成る。上記の目的を達成するための本開示の画像表示装置の製造方法は、本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体装置の製造方法を含む。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様に係る半導体装置は、A基材上に形成されたゲート電極、Bゲート電極及び基材上に形成されたゲート絶縁層、Cゲート絶縁層に形成された凹部内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、Dゲート絶縁層の上からチャネル形成領域の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極、を備えており、チャネル形成領域の頂面は、ゲート絶縁層と凹部の境界から凹部の中央部分に向かって凹んでいる。上記の目的を達成するための本開示の第2の態様に係る半導体装置は、A基体に形成された凹部内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域、B基体の上からチャネル形成領域の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極、Cソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、Dゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、を備えており、チャネル形成領域の頂面は、基体と凹部の境界から凹部の中央部分に向かって凹んでいる。本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、また、本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体装置の製造方法を含む画像表示装置の製造方法にあっては、チャネル形成領域を形成すべきゲート絶縁層の領域に設けられた凹部内に塗布法に基づき有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成した後、ゲート絶縁層の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成し、あるいは又、チャネル形成領域を形成すべき基体の領域に形成された凹部内に塗布法に基づき有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、次いで、基体の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成するので、ソース/ドレイン電極の段切れ、ソース/ドレイン電極の損傷といった問題の発生を確実に回避することができ、しかも、島状の平面形状を有するチャネル形成領域を確実に形成することができる。また、チャネル形成領域のパターニング素子分離を行うためのフォトリソグラフィ工程やエッチング工程を省略することができる。以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本開示の第1の態様及び第2の態様に係る半導体装置及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法、全般に関する説明2.実施例1本開示の第1の態様に係る半導体装置及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法3.実施例2本開示の第2の態様に係る半導体装置及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法、その他[本開示の第1の態様及び第2の態様に係る半導体装置及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法、全般に関する説明]本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法において、ゲート絶縁層における凹部表面の濡れ性は、凹部以外のゲート絶縁層の領域における濡れ性よりも良いことが好ましい。また、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法において、基体における凹部表面の濡れ性は、凹部以外の基体の領域における濡れ性よりも良いことが好ましい。より具体的には、ゲート絶縁層あるいは基体の凹部表面における水の接触角θ1は、例えば、1度乃至50度であり、凹部以外のゲート絶縁層あるいは基体の領域における水の接触角θ2は、例えば、70度乃至100度である。上記の好ましい形態を含む本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法にあっては、プラズマエッチング法、より具体的には、例えば、反応性イオンエッチングRIE法に基づき凹部を形成することが望ましい。このようにプラズマエッチング法に基づき凹部を形成すると、エッチング後、凹部の表面に酸素原子が付着し、凹部の表面が化学的に改質された状態となる結果、凹部表面の濡れ性が、凹部以外の絶縁層あるいは基体の領域における濡れ性よりも良くなる。本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体装置において、ゲート絶縁層あるいは基体と凹部の境界におけるチャネル形成領域の頂面とゲート絶縁層あるいは基体の頂面との成す角度は、1度乃至10度であることが好ましい。上記の好ましい形態を含む本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法、本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体装置以下、これらを総称して、単に、本開示と呼ぶ場合があるにおいて、凹部の側壁は、垂直であってもよいし、所謂順テーパーが付いていてもよいし、所謂逆テーパーが付いていてもよい。本開示の画像表示装置の製造方法における画像表示装置として、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた画像表示装置、マイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子を備えた画像表示装置、プラズマ表示装置を例示することができる。また、画像表示装置は、例えば、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、モバイル型のパーソナルコンピュータ、PDAパーソナルデジタルアシスト、携帯電話、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子POP等の各種画像表示装置に適用することができる。本開示においては、有機半導体材料として、ポリチオフェン、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ-3-ヘキシルチオフェン[P3HT]、ペンタセン[2,3,6,7-ジベンゾアントラセン]、ペンタセンの誘導体[TIPStriisopropylsilylethynyl-ペンタセン等]、ペリキサンテノキサンテン等を含むジオキサアンタントレン系化合物、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸[PEDOT/PSS]、キナクリドンを例示することができる。あるいは又、有機半導体材料として、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子ペンタセン、テトラセン等といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマーフェニルビニリデン系やチオフェン系を挙げることができる。あるいは又、有機半導体材料として、例えば、ポルフィリン、4,4’-ビフェニルジチオールBPDT、4,4’-ジイソシアノビフェニル、4,4’-ジイソシアノ-p-テルフェニル、2,5-ビス5’-チオアセチル-2’-チオフェニルチオフェン、2,5-ビス5’-チオアセトキシル-2’-チオフェニルチオフェン、4,4’-ジイソシアノフェニル、ベンジジンビフェニル-4,4’-ジアミン、TCNQテトラシアノキノジメタン、テトラチアフルバレンTTF-TCNQ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、BEDTTTF-ヨウ素錯体、TCNQ-ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル-4,4’-ジカルボン酸、1,4-ジ4-チオフェニルアセチリニル-2-エチルベンゼン、1,4-ジ4-イソシアノフェニルアセチリニル-2-エチルベンゼン、デンドリマー、C60、C70、C76、C78、C84等のフラーレン、1,4-ジ4-チオフェニルエチニル-2-エチルベンゼン、2,2-ジヒドロキシ-1,1’:4’,1-テルフェニル、4,4’-ビフェニルジエタナール、4,4’-ビフェニルジオール、4,4’-ビフェニルジイソシアネート、1,4-ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル-4,4’-ジカルボキシレート、ベンゾ[1,2-c;3,4-c’;5,6-c]トリス[1,2]ジチオール-1,4,7-トリチオン、アルファ-セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ3-アルキルチオフェン、ポリ3-チオフェン-β-エタンスルホン酸、ポリN-アルキルピロールポリ3-アルキルピロール、ポリ3,4-ジアルキルピロール、ポリ2,2’-チエニルピロール、ポリジベンゾチオフェンスルフィドを例示することができる。チャネル形成領域有機半導体材料層には、必要に応じてポリマーが含まれていてもよい。ポリマーは有機溶剤に溶解すればよい。具体的には、ポリマー有機結合剤、バインダーとして、ポリスチレン、ポリアルファメチルスチレン、ポリオレフィンを例示することができる。更には、場合によっては、添加物例えば、n型不純物やp型不純物といった、所謂ドーピング材料を加えることもできる。有機半導体材料溶液を調製するための溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、デカリン等の炭化水素類等を例示することができる。なかでも、メシチレン、テトラリン、デカリン等の沸点が比較的高い溶媒を用いることが、トランジスタ特性の観点から、また、チャネル形成領域の形成時に有機半導体材料が急激に乾燥することを防止するといった観点から、好ましい。チャネル形成領域を形成するための塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法;スピンコート法;エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、キャップコート法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法;スプレー法;ディスペンサーを用いる方法:スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。尚、塗布後、スキージ等で余分な有機半導体材料溶液を除去してもよい。ゲート電極、ソース/ドレイン電極を構成する材料として、白金Pt、金Au、パラジウムPd、クロムCr、モリブデンMo、ニッケルNi、アルミニウムAl、銀Ag、タンタルTa、タングステンW、銅Cu、チタンTi、インジウムIn、錫Sn、鉄Fe、コバルトCo、亜鉛Zn、マグネシウムMg等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、ITO、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造例えば、MoOx/Au、CuO/Auとすることもできる。更には、ゲート電極、ソース/ドレイン電極を構成する材料として、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸[PEDOT/PSS]やポリアニリンといった有機材料導電性高分子を挙げることもできる。ゲート電極、ソース/ドレイン電極を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。ゲート電極、ソース/ドレイン電極の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、上述した各種の塗布法、物理的気相成長法PVD法、パルスレーザ堆積法PLD、アーク放電法、MOCVD法を含む各種の化学的気相成長法CVD法、リフトオフ法、シャドウマスク法、及び、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、PVD法として、a電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、bプラズマ蒸着法、c2極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、dDCdirectcurrent法、RF法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。レジストパターンを形成する場合、例えば、レジスト材料を塗布してレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ技術、レーザ描画技術、電子線描画技術あるいはX線描画技術等を用いてレジスト層をパターニングする。レジスト転写法等を用いてレジストパターンを形成してもよい。ゲート電極、ソース/ドレイン電極をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングやRIEを挙げることができる。また、ゲート電極、ソース/ドレイン電極を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。あるいは又、ゲート電極やソース/ドレイン電極を印刷法にて形成することもできる。チャネル形成領域の表面とその周囲の絶縁層の表面とが限りなく平坦になるので、即ち、段差が無くなるので、印刷法に基づきソース/ドレイン電極を形成しても段差切れが発生することがない。ゲート絶縁層は、単層であってもよいし、多層であってもよい。ゲート絶縁層を構成する材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素SiNY、酸化アルミニウムAl2O3やHfO2等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレートPMMAやポリビニルフェノールPVP、ポリビニルアルコールPVA、ポリイミド、ポリカーボネートPC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリスチレン、N-2アミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシランAEAPTMS、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランMPTMS、オクタデシルトリクロロシランOTS等のシラノール誘導体シランカップリング剤、オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端にゲート電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料有機ポリマーにて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコンSiOX、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、酸化窒化シリコンSiON、SOGスピンオングラス、低誘電率SiO2系材料例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機SOGを例示することができる。ゲート絶縁層の形成方法として、上述した塗布法以外にも、リフトオフ法、ゾル-ゲル法、電着法、及び、シャドウマスク法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法において、基材は、酸化ケイ素系材料例えば、SiOXやスピンオンガラスSOG;窒化ケイ素SiNY;酸化アルミニウムAl2O3やHfO2等の金属酸化物高誘電絶縁膜から構成することができる。基材をこれらの材料から構成する場合、基材を、以下に挙げる材料から適宜選択された支持体上にあるいは支持体の上方に形成すればよい。即ち、支持体として、あるいは又、上述した基材以外の基材として、ポリメチルメタクリレートポリメタクリル酸メチル,PMMAやポリビニルアルコールPVA、ポリビニルフェノールPVP、ポリエーテルスルホンPES、ポリイミド、ポリカーボネートPC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPENに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された基材を使用すれば、例えば曲面形状を有するディスプレイ装置や電子機器への電子デバイスや半導体装置の組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基材として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。電気絶縁性の支持体としては、以上に説明した材料から適切な材料を選択すればよい。支持体として、その他、導電性基板金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等を挙げることができる。また、半導体装置の構成、構造によっては、半導体装置が支持体上に設けられているが、この支持体も上述した材料から構成することができる。本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法を含む本開示の画像表示装置の製造方法において、基体は、上述したゲート絶縁層を構成する材料から構成すればよく、単層であってもよいし、多層であってもよい。基体の形成方法も、上述したゲート絶縁層の形成方法と同様とすればよい。基体は、上述した支持体上にあるいは支持体の上方に形成すればよい。本開示の半導体装置を、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、多数の半導体装置を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各半導体装置を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、半導体装置を樹脂にて封止してもよい。実施例1は、本開示の第1の態様に係る半導体装置及びその製造方法、本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法を含む画像表示装置の製造方法に関する。実施例1の半導体装置は、ボトムゲートトップコンタクト型の薄膜トランジスタTFTであり、模式的な一部端面図を図1のAに示し、チャネル形成領域やソース/ドレイン電極の一部を拡大した模式的な端面図を図1のBに示すように、A基材11上に形成されたゲート電極12、Bゲート電極12及び基材11上に形成されたゲート絶縁層13、Cゲート絶縁層13に形成された凹部20内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域14、並びに、Dゲート絶縁層13の上からチャネル形成領域14の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極15、を備えている。そして、チャネル形成領域14の頂面は、ゲート絶縁層13と凹部20の境界21から凹部20の中央部分に向かって凹んでいる。具体的には、ゲート絶縁層13と凹部20の境界21におけるチャネル形成領域14の頂面とゲート絶縁層13の頂面との成す角度θは、1度乃至10度、より具体的には4度である。尚、図1のBにおいて、ゲート絶縁層13と凹部20の境界21におけるチャネル形成領域14の頂面の仮想延長線を、点線Lで示した。実施例1において、基材11はポリエーテルサルホンPES基板から成り、ゲート電極12及びソース/ドレイン電極15は金薄膜から成り、チャネル形成領域14はペンタセンの誘導体[TIPStriisopropylsilylethynyl-ペンタセン]から成り、ゲート絶縁層13はポリビニルフェノールPVPから成る。以下、基材等の模式的な一部端面図である図2のA~C、図3のA~Bを参照して、実施例1の半導体装置の製造方法、画像表示装置の製造方法を説明する。[工程-100]先ず、基材11上にゲート電極12を形成する。具体的には、基材11上に、密着層としてのTi層、及び、ゲート電極12としてのAu層を、順次、真空蒸着法によって形成する。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきAu層及びTi層をパターニングすることで、Au層から成るゲート電極12を得ることができる図2のA参照。尚、図面においては、密着層の図示を省略した。[工程-110]次に、基材11及びゲート電極12上に、チャネル形成領域14を形成すべき領域に凹部20が設けられたゲート絶縁層13を形成する。具体的には、PVPと、硬化剤としてのメラミン樹脂の混合溶液を全面にスピンコート法に基づき塗布した後、乾燥、焼成を行うことで、ゲート絶縁層13を得ることができる。その後、チャネル形成領域を形成すべき領域に開口22Aが形成されたレジスト層22を形成する図2のB参照。そして、プラズマエッチング法、より具体的には、例えば、反応性イオンエッチングRIE法に基づき凹部20を形成した後、レジスト層22を除去する図2のC参照。ゲート絶縁層13における凹部20の表面の濡れ性は、凹部20以外のゲート絶縁層13の領域における濡れ性よりも良い。具体的には、ゲート絶縁層13に形成された凹部20の表面における水の接触角θ1は約40度であり、凹部20以外のゲート絶縁層13の領域における水の接触角θ2は約70度であった。尚、凹部20の側壁は、RIEの条件にもよるが、垂直であってもよいし、所謂順テーパーが付いていてもよいし図1のB参照、所謂逆テーパーが付いていてもよい。[工程-120]その後、塗布法に基づき凹部20内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域14を形成する。具体的には、TIPS-ペンタセンをキシレンに溶解した有機半導体材料溶液をスピンコート法に基づき全面に塗布した。ゲート絶縁層13における凹部20の表面の濡れ性は、凹部20以外のゲート絶縁層13の領域における濡れ性よりも良い。それ故、凹部20の内部に有機半導体材料溶液は残るが、凹部20以外のゲート絶縁層13の領域上には有機半導体材料溶液は残らない。その後、有機半導体材料を乾燥、焼成することで、チャネル形成領域14を形成することができる図3のA参照。尚、スキージ等で余分な有機半導体材料溶液を除去してから、乾燥、焼成を行ってもよい。有機半導体材料の乾燥、焼成によって、チャネル形成領域14の頂面は、ゲート絶縁層13と凹部20の境界から凹部20の中央部分に向かって凹んだ状態となる。[工程-130]次に、ゲート絶縁層13の上からチャネル形成領域14の一部の上に亙りソース/ドレイン電極15を形成する。具体的には、密着層としてのTi層、及び、ソース/ドレイン電極としてのAu層を、順次、ゲート絶縁層13及びチャネル形成領域14上に真空蒸着法によって形成する。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきAu層及びTi層をパターニングすることで、Au層から成るソース/ドレイン電極15を得ることができる図3のB参照。尚、図面においては、密着層の図示を省略した。[工程-140]次いで、周知の方法に基づき、全面にSiO2から成る絶縁層16を形成した後、ゲート電極12及びソース/ドレイン電極15の上方の絶縁層16の部分に開口部を形成し、これらの開口部内を含む絶縁層16上に配線材料層を形成し、この配線材料層をパターニングすることで、ゲート電極12に接続された配線図示せず、及び、ソース/ドレイン電極15に接続された配線17を形成する。こうして、図1のAに示した実施例1のボトムゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである半導体装置を得ることができる。あるいは又、実施例1の半導体装置を備えた画像表示装置を得ることができる。尚、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、半導体装置の上あるいは上方に、画像表示部具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいはマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から成る画像表示部を、周知の方法に基づき形成すればよい。実施例1の半導体装置の製造方法等にあっては、チャネル形成領域14を形成すべきゲート絶縁層13の領域に設けられた凹部20内に塗布法に基づき有機半導体材料から成るチャネル形成領域14を形成した後、ゲート絶縁層13の上からチャネル形成領域14の一部の上に亙りソース/ドレイン電極15を形成する。それ故、ソース/ドレイン電極15の段切れ、ソース/ドレイン電極15の損傷といった問題の発生を確実に回避することができ、しかも、島状の平面形状を有するチャネル形成領域14を確実に形成することができる。また、チャネル形成領域14のパターニング素子分離を行うためのフォトリソグラフィ工程やエッチング工程を省略することができる。実施例2は、本開示の第2の態様に係る半導体装置及びその製造方法、本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法を含む画像表示装置の製造方法に関する。実施例2の半導体装置は、トップゲートトップコンタクト型の薄膜トランジスタTFTであり、模式的な一部端面図を図4のAに示し、チャネル形成領域やソース/ドレイン電極の一部を拡大した模式的な端面図を図4のBに示すように、A基体31に形成された凹部40内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域34、B基体31の上からチャネル形成領域34の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極35、Cソース/ドレイン電極35及びチャネル形成領域34上に形成されたゲート絶縁層33、並びに、Dゲート絶縁層33上に形成されたゲート電極32、を備えている。そして、チャネル形成領域34の頂面は、ゲート絶縁層33と凹部40の境界41から凹部40の中央部分に向かって凹んでいる。具体的には、基体31と凹部40の境界41におけるチャネル形成領域34の頂面と基体31の頂面との成す角度θは、1度乃至10度、より具体的には4度である。尚、図4のBにおいて、基体31と凹部40の境界41におけるチャネル形成領域34の頂面の仮想延長線を、点線Lで示した。実施例2において、基体31はPVPから成り、ポリエーテルサルホンPESから成る支持体30上に形成されており、ゲート電極32及びソース/ドレイン電極35は金薄膜から成り、チャネル形成領域34はペンタセンの誘導体[TIPS-ペンタセン]から成り、ゲート絶縁層33はポリビニルフェノールPVPから成る。以下、基体等の模式的な一部端面図である図5のA~C、図6のA~Bを参照して、実施例2の半導体装置の製造方法、画像表示装置の製造方法を説明する。[工程-200]先ず、チャネル形成領域34を形成すべき基体31の領域に凹部40を形成する。具体的には、支持体30上に、PVPと、硬化剤としてのメラミン樹脂の混合溶液をスピンコート法に基づき塗布した後、乾燥、焼成を行うことで、基体31を得ることができる。その後、チャネル形成領域を形成すべき領域に開口42Aが形成されたレジスト層42を形成する図5のA参照。そして、プラズマエッチング法、より具体的には、例えば、RIE法に基づき凹部40を形成した後、レジスト層42を除去する図5のB参照。基体31に形成された凹部40の表面の濡れ性は、凹部40以外の基体31の領域における濡れ性よりも良い。具体的には、基体31に形成された凹部40の表面における水の接触角θ1は約40度であり、凹部40以外の基体31の領域における水の接触角θ2は約70度であった。尚、凹部40の側壁は、RIEの条件にもよるが、垂直であってもよいし、所謂順テーパーが付いていてもよいし図5のB参照、所謂逆テーパーが付いていてもよい。[工程-210]その後、塗布法に基づき凹部40内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域34を形成する。具体的には、TIPS-ペンタセンをキシレンに溶解した有機半導体材料溶液をスピンコート法に基づき全面に塗布した。基体31における凹部40の表面の濡れ性は、凹部40以外の基体31の領域における濡れ性よりも良い。それ故、凹部40の内部に有機半導体材料溶液は残るが、凹部40以外の基体31の領域上には有機半導体材料溶液は残らない。その後、有機半導体材料を乾燥、焼成することで、チャネル形成領域34を形成することができる図5のC参照。尚、スキージ等で余分な有機半導体材料溶液を除去してから、乾燥、焼成を行ってもよい。有機半導体材料の乾燥、焼成によって、チャネル形成領域34の頂面は、ゲート絶縁層33と凹部40の境界から凹部40の中央部分に向かって凹んだ状態となる。[工程-220]次いで、基体31の上からチャネル形成領域34の一部の上に亙りソース/ドレイン電極35を形成する。具体的には、密着層としてのTi層、及び、ソース/ドレイン電極としてのAu層を、順次、基体31及びチャネル形成領域34上に真空蒸着法によって形成する。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきAu層及びTi層をパターニングすることで、Au層から成るソース/ドレイン電極35を得ることができる図6のA参照。尚、図面においては、密着層の図示を省略した。[工程-230]その後、チャネル形成領域34及びソース/ドレイン電極35上にゲート絶縁層33を形成し、チャネル形成領域34の上のゲート絶縁層33上にゲート電極32を形成する。具体的には、PVPと、硬化剤としてのメラミン樹脂の混合溶液を全面にスピンコート法に基づき塗布した後、乾燥、焼成を行うことで、ゲート絶縁層33を得ることができる。そして、ゲート絶縁層33の上にゲート電極32を形成する。具体的には、密着層としてのTi層、及び、ゲート電極32としてのAu層を、順次、ゲート絶縁層33上に真空蒸着法によって形成する。その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきAu層及びTi層をパターニングすることで、Au層から成るゲート電極32を得ることができる図6のB参照。尚、図面においては、密着層の図示を省略した。[工程-240]次いで、周知の方法に基づき、全面にSiO2から成る絶縁層36を形成した後、ゲート電極32及びソース/ドレイン電極35の上方の絶縁層36及びゲート絶縁層33の部分に開口部を形成し、これらの開口部内を含む絶縁層36上に配線材料層を形成し、この配線材料層をパターニングすることで、ゲート電極32に接続された配線図示せず、及び、ソース/ドレイン電極35に接続された配線37を形成する。こうして、図4のAに示した実施例2のトップゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである半導体装置を得ることができる。あるいは又、実施例2の半導体装置を備えた画像表示装置を得ることができる。尚、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、半導体装置の上あるいは上方に、画像表示部具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいはマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から成る画像表示部を、周知の方法に基づき形成すればよい。実施例2の半導体装置の製造方法等にあっては、チャネル形成領域34を形成すべき基体31の領域に設けられた凹部40内に塗布法に基づき有機半導体材料から成るチャネル形成領域34を形成した後、基体31の上からチャネル形成領域34の一部の上に亙りソース/ドレイン電極35を形成する。それ故、ソース/ドレイン電極35の段切れ、ソース/ドレイン電極35の損傷といった問題の発生を確実に回避することができ、しかも、島状の平面形状を有するチャネル形成領域34を確実に形成することができる。また、チャネル形成領域34のパターニング素子分離を行うためのフォトリソグラフィ工程やエッチング工程を省略することができる。以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。半導体装置の構造や構成、形成条件、製造条件は例示であり、適宜変更することができる。本開示の半導体装置を、例えば、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基材や基体、支持体、支持部材に多数の半導体装置を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各半導体装置を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。実施例においては凹部を形成すべきゲート絶縁層あるいは基体を1層構成としたが、RIE法によるエッチング時のエッチングレートが異なる2層構成とすることもでき、これによって、所望の深さを有する凹部を形成することができる。即ち、2層構成のゲート絶縁層あるいは基体における上層に、下層が露出した凹部を形成すればよい。ゲート絶縁層や基体、チャネル形成領域の一部をハードマスクで覆った状態で、ゲート絶縁層や基体、チャネル形成領域上に真空蒸着法によってソース/ドレイン電極を形成してもよく、これによって、ソース/ドレイン電極をフォトリソグラフィプロセス無しで形成することができる。ゲート電極も同様にして形成することができる。また、所謂リフトオフ法に基づきゲート電極やソース/ドレイン電極を形成してもよい。更には、ゲート電極やソース/ドレイン電極を印刷法にて形成することもできる。チャネル形成領域の表面とその周囲の絶縁層の表面とが限りなく平坦になるので、即ち、段差が無くなるので、印刷法に基づきソース/ドレイン電極を形成しても段差切れが発生することがない。本開示の半導体装置の構造を電子デバイス、例えば発光素子に適用することもできる。即ち、制御電極、第1電極及び第2電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子有機発光素子、有機発光トランジスタを構成することができる。そして、この電子デバイスにおいては、制御電極に印加される電圧によって、第1電極から第2電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。尚、制御電極が本開示の半導体装置におけるゲート電極に対応し、第1電極及び第2電極が本開示の半導体装置におけるソース/ドレイン電極に対応し、能動層が本開示の半導体装置におけるチャネル形成領域に対応する。制御電極と能動層との間には絶縁層が形成されているが、この絶縁層は本開示の半導体装置におけるゲート絶縁層に対応する。ここで、発光素子において、能動層を構成する有機半導体材料は、制御電極に印加される電圧に基づく変調による電荷の蓄積や、注入された電子と正孔ホールとの再結合に基づく発光機能を有する。能動層を構成する有機半導体材料として、広くは、p型導電性を有する有機半導体材料あるいはノンドープ有機半導体材料を用いることができる。p型導電性を有する有機半導体材料から能動層が構成された発光素子有機発光トランジスタにおいて、発光強度は、第1電極から第2電極に流れる電流の絶対値に比例し、制御電極に印加する電圧と、第1電極及び第2電極の間に印加する電圧とによって変調することができる。尚、電子デバイスが、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第1電極及び第2電極への電圧印加状態バイアスに依存する。先ず、第2電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第1電極から第2電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第1電極及び第2電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。あるいは又、能動層への光の照射によって第1電極と第2電極との間に電流が流れる光電変換素子から成る構成とすることができる。電子デバイスから光電変換素子を構成する場合、光電変換素子によって、具体的には、太陽電池やイメージセンサーを構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。[1]《半導体装置の製造方法:第1の態様》基材上にゲート電極を形成した後、基材及びゲート電極上に、チャネル形成領域を形成すべき領域に凹部が設けられたゲート絶縁層を形成し、その後、塗布法に基づき凹部内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成した後、ゲート絶縁層の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成する、各工程から成る半導体装置の製造方法。[2]《半導体装置の製造方法:第2の態様》チャネル形成領域を形成すべき基体の領域に凹部を形成し、その後、塗布法に基づき凹部内に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、次いで、基体の上からチャネル形成領域の一部の上に亙りソース/ドレイン電極を形成した後、チャネル形成領域及びソース/ドレイン電極上にゲート絶縁層を形成し、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層上にゲート電極を形成する、各工程から成る半導体装置の製造方法。[3]ゲート絶縁層における凹部表面の濡れ性は、凹部以外のゲート絶縁層の領域における濡れ性よりも良い[1]に記載の半導体装置の製造方法。[4]基体における凹部表面の濡れ性は、凹部以外の基体の領域における濡れ性よりも良い[2]に記載の半導体装置の製造方法。[5]プラズマエッチング法に基づき凹部を形成する[1]乃至[4]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。[6]《画像表示装置の製造方法》[1]乃至[5]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法を含む画像表示装置の製造方法。[7]《半導体装置:第1の態様ボトムゲートトップコンタクト型》A基材上に形成されたゲート電極、Bゲート電極及び基材上に形成されたゲート絶縁層、Cゲート絶縁層に形成された凹部内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、Dゲート絶縁層の上からチャネル形成領域の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極、を備えており、チャネル形成領域の頂面は、ゲート絶縁層と凹部の境界から凹部の中央部分に向かって凹んでいる半導体装置。[8]ゲート絶縁層と凹部の境界におけるチャネル形成領域の頂面とゲート絶縁層の頂面との成す角度は、1度乃至10度である[7]に記載の半導体装置。[9]《半導体装置:第2の態様トップゲートトップコンタクト型》A基体に形成された凹部内に設けられた、有機半導体材料から成るチャネル形成領域、B基体の上からチャネル形成領域の一部の上に亙り形成されたソース/ドレイン電極、Cソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、Dゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、を備えており、チャネル形成領域の頂面は、基体と凹部の境界から凹部の中央部分に向かって凹んでいる半導体装置。[10]基体と凹部の境界におけるチャネル形成領域の頂面と基体の頂面との成す角度は、1度乃至10度である[9]に記載の半導体装置。"