"テンプレートに形成されたテンプレートパターンが転写される基板に、転写材としてのレジストを滴下するレジスト滴下部と、前記テンプレートを前記基板上のレジストに所定時間押し当てて前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させるとともに、充填後に前記レジストを硬化させ、その後、硬化したレジストから前記テンプレートを引き離す離型処理を行い、これにより前記テンプレートパターンに対応する転写パターンを前記レジストへパターニングするパターニング部と、前記基板上に設定された複数のショットに対し、前記レジスト滴下部によるレジスト滴下処理の滴下条件をショット毎に変化させるよう制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記滴下条件として、前記テンプレートパターンのうち評価対象となる評価パターンが押し当てられる前記基板上の位置から、前記基板に滴下されるレジストの液滴位置までの距離を制御することを特徴とするインプリント装置。前記制御部は、前記滴下条件として、前記基板に滴下されるレジストの液滴量をさらに制御することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記基板上に設定された複数のショットに対し、前記パターニング部による充填処理の充填条件をショット毎に変化させるよう制御することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記充填条件として、前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させる際の充填時間を制御することを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記基板上に設定された複数のショットに対し、前記パターニング部による離型処理の離型条件をショット毎に変化させるよう制御することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。テンプレートに形成されたテンプレートパターンが転写される基板に、転写材としてのレジストを滴下するレジスト滴下ステップと、前記テンプレートを前記基板上のレジストに所定時間押し当てて前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させるとともに、充填後に前記レジストを硬化させ、その後、硬化したレジストから前記テンプレートを引き離す離型処理を行い、これにより前記テンプレートパターンに対応する転写パターンを前記レジストへパターニングするパターニングステップと、を含み、前記基板上に設定された複数のショットに対し、前記レジストを滴下する際の滴下条件をショット毎に変化させるよう制御し、前記制御の際には、前記滴下条件として、前記テンプレートパターンのうち評価対象となる評価パターンが押し当てられる前記基板上の位置から、前記基板に滴下されるレジストの液滴位置までの距離を制御することを特徴とするインプリント方法。テンプレートに形成されたテンプレートパターンが転写される基板に、転写材としてのレジストを滴下するレジスト滴下ステップと、前記テンプレートを前記基板上のレジストに所定時間押し当てて前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させるとともに、充填後に前記レジストを硬化させ、その後、硬化したレジストから前記テンプレートを引き離す離型処理を行い、これにより前記テンプレートパターンに対応する転写パターンを前記レジストへパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジストのレジストパターン形状に基づいて、インプリントに用いるプロセス条件を選択する条件選択ステップと、を含み、前記基板上に設定された複数のショットに対し、前記レジストを滴下する際の滴下条件をショット毎に変化させるよう制御し、前記制御の際には、前記滴下条件として、前記テンプレートパターンのうち評価対象となる評価パターンが押し当てられる前記基板上の位置から、前記基板に滴下されるレジストの液滴位置までの距離を制御することを特徴とするプロセス条件選択方法。前記基板毎に異なるレジストで前記レジストへのパターニングが行なわれ、前記インプリントに用いるプロセス条件として前記レジストの種類を選択することを特徴とする請求項7に記載のプロセス条件選択方法。本発明が解決しようとする課題は、インプリントにおけるプロセス評価を効率良く行うことができるインプリント装置、インプリント方法およびプロセス条件選択方法を提供することである。実施形態によれば、インプリント装置が提供される。インプリント装置は、レジスト滴下部と、パターニング部と、制御部と、を備えている。前記レジスト滴下部は、テンプレートに形成されたテンプレートパターンが転写される基板に、転写材としてのレジストを滴下する。前記パターニング部は、前記テンプレートを前記基板上のレジストに所定時間押し当てて前記テンプレートパターンに前記レジストを充填させるとともに、充填後に前記レジストを硬化させ、その後、硬化したレジストから前記テンプレートを引き離す離型処理を行い、これにより前記テンプレートパターンに対応する転写パターンを前記レジストへパターニングする。前記制御部は、前記基板上に設定された複数のショットに対し、前記レジスト滴下部によるレジスト滴下処理の滴下条件をショット毎に変化させるよう制御する。そして、前記制御部は、前記滴下条件として、前記テンプレートパターンのうち評価対象となる評価パターンが押し当てられる前記基板上の位置から、前記基板に滴下されるレジストの液滴位置までの距離を制御する。以下に添付図面を参照して、実施形態に係るインプリント装置、インプリント方法およびプロセス条件選択方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。インプリント装置101は、ウエハWxなどの被転写基板被加工基板に、モールド基板であるテンプレート原版Tのテンプレートパターン回路パターンなどを転写する装置である。本実施形態のインプリント装置101は、テンプレートパターン内にレジストが流入しないことにより生じる未充填欠陥を評価できるよう、ウエハWx上のショット毎に種々のプロセス条件でテンプレートパターンを転写する。本実施形態では、未充填欠陥を防止できるレジストの種類や、離型欠陥を防止できるインプリント時のプロセスマージンなどを評価する。インプリント装置101は、原版ステージ2、基板チャック4、試料ステージ5、基準マーク6、アライメントセンサ7、液滴下装置8、ステージベース9、UV光源10、光学顕微鏡11、を備えている。また、本実施形態のインプリント装置101は、制御部21を備えている。試料ステージ5は、ウエハWxを載置するとともに、載置したウエハWxと平行な平面内水平面内を移動する。試料ステージ5は、ウエハWxに転写材としてのレジストを滴下する際にはウエハWxを液滴下装置8の下方側に移動させ、ウエハWxへの押印処理を行う際には、ウエハWxをテンプレートTの下方側に移動させる。また、試料ステージ5上には、基板チャック4が設けられている。基板チャック4は、ウエハWxを試料ステージ5上の所定位置に固定する。また、試料ステージ5上には、基準マーク6が設けられている。基準マーク6は、試料ステージ5の位置を検出するためのマークであり、ウエハWxを試料ステージ5上にロードする際の位置合わせに用いられる。ステージベース9の底面側ウエハWx側には、原版ステージ2が設けられている。原版ステージ2は、テンプレートTの裏面側テンプレートパターンの形成されていない側の面からテンプレートTを真空吸着などによって所定位置に固定する。ステージベース9は、原版ステージ2によってテンプレートTを支持するとともに、テンプレートTのテンプレートパターンをウエハWx上のレジストに押し当てる。ステージベース9は、上下方向鉛直方向に移動することにより、テンプレートTのレジストへの押し当てと、テンプレートTのレジストからの引き離し離型と、を行う。インプリントに用いるレジストは、例えば、光硬化性などの樹脂光硬化剤薬液である。また、ステージベース9上には、アライメントセンサ7が設けられている。アライメントセンサ7は、ウエハWxの位置検出やテンプレートTの位置検出を行うセンサである。液滴下装置8は、インクジェット方式によってウエハWx上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置8が備えるインクジェットヘッド図示せずは、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔を有している。液滴下装置8は、テンプレートTに形成されたテンプレートパターンのパターン密度に応じて、液滴の落ちる位置を制御する。UV光源10は、UV光を照射する光源であり、ステージベース9の上方に設けられている。UV光源10は、テンプレートTがレジストに押し当てられた状態で、テンプレートT上からUV光を照射する。光学顕微鏡11は、テンプレートパターンが転写されたレジスト離型後のレジストを、略透明のテンプレートTを介して観察する顕微鏡である。光学顕微鏡11は、ステージベース9の上方に設けられている。なお、光学顕微鏡11は、インプリント装置101の外部に配置しておいてもよい。この場合、インプリントされたウエハWxをインプリント装置101の外部に搬出した後、ウエハWx上のレジストが光学顕微鏡11によって観察される。制御部21は、インプリント装置101の各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。図1では、制御部21が、液滴下装置8、ステージベース9に接続されているところを図示しており、他の構成要素との接続は図示省略している。制御部21は、未充填欠陥を評価するためのインプリントを実行する際に、液滴下装置8、ステージベース9などを制御する。ウエハWxへのインプリントを行う際には、試料ステージ5に載せられたウエハWxが液滴下装置8の直下まで移動させられる。そして、ウエハWxの所定ショット位置にレジストが滴下される。このとき、制御部21は、ショット毎に設定された種々のレジスト滴下条件滴下位置や滴下量などで液滴下装置8に、レジストを滴下させる。その後、試料ステージ5上のウエハWxがテンプレートTの直下に移動させられる。そして、テンプレートTがウエハWx上のレジストに押し当てられる。このとき、制御部21は、ショット毎に設定された種々の接触時間だけステージベース9に、テンプレートTとレジストを接触させる。テンプレートTとレジストとを所定時間だけ接触させた後、この状態でUV光源10をレジストに照射させてレジストを硬化させることにより、テンプレートパターンに対応する転写パターンがウエハWx上のレジストにパターニングされる。この後、次のショットへのインプリント処理が行われる。そして、ウエハWx上の全てのショットへのインプリント処理が完了すると、光学顕微鏡11を用いて、ウエハWx上のレジストパターンが観察される。そして、各ショットに未充填欠陥が存在するか否かに基づいて、何れのショットレジスト滴下条件と接触時間の組み合わせが合格であるかが判定される。本実施形態では、種々のプロセス条件でウエハWx上にレジストパターンを形成し、レジストパターン内の未充填欠陥に基づいて最適なプロセス条件を判定する。ここでのプロセス条件は、例えば、レジストの種類、レジスト液滴の滴下位置滴下位置条件、レジストの滴下量滴下量条件、レジストの充填時間充填時間条件などである。ここでの、滴下位置条件は、レジスト液滴の吐出位置であり、滴下量条件は、レジスト液滴の吐出量であり、充填時間条件は、テンプレートTとレジストとの接触時間である。例えば、第1~第nnは自然数のウエハWxを準備しておき、各ウエハWxに第1~第nのレジストを用いて、種々のレジスト滴下条件、種々の接触時間でレジストパターンを形成する。そして、何れのレジストでレジストパターンを形成した場合に、未充填欠陥の発生するショットが少ないかに基づいて、プロセスに最適なレジストを判定する。また、決定したレジストを用いてレジストパターンを形成した場合に、何れのショットで未充填欠陥が発生するかに基づいて、許容される滴下条件、許容される接触時間などを判定する。これにより、NILなどのインプリントリソグラフィに特有の欠陥未充填欠陥を指標にして、インプリントリソグラフィの適切なプロセスを判断する。ここで、インプリント工程の処理手順について説明する。図2は、インプリント工程の処理手順を説明するための図である。図2では、インプリント工程におけるウエハWxやテンプレートTなどの断面図を示している。図2のaに示すように、ウエハWxの上面にはレジスト12Xが滴下される。これにより、ウエハWxに滴下されたレジスト12Xの各液滴はウエハWx面内に広がる。そして、図2のbに示すように、テンプレートTがレジスト12X側に移動させられ、図2のcに示すように、テンプレートTがレジスト12Xに押し当てられる。このように、石英基板等を掘り込んで作ったテンプレートTをレジスト12Xに接触させると、毛細管現象によりテンプレートTxのテンプレートパターン内にレジスト12Xが流入する。予め設定しておいた時間だけ、レジスト12XをテンプレートTに充填させた後、UV光が照射される。これにより、レジスト12Xが硬化する。そして、図2のdに示すように、テンプレートTを硬化したレジスト12Yから離型することにより、テンプレートパターンを反転させたレジストパターンがウエハWx上に形成される。つぎに、インプリントによるレジストパターン形成工程で発生する未充填欠陥について説明する。図3は、未充填欠陥を説明するための図である。図3では、インプリント工程の離型処理におけるウエハWxやテンプレートTなどの断面図を示している。テンプレートTxをレジスト12Xに接触させて、テンプレートパターン内にレジストを充填させた後、レジスト12Xを硬化させることによってレジスト12Yとなる。テンプレートパターン内にレジストを充填する際、プロセス条件が適切でなければ、図3のaに示すように、レジスト未充填位置N1が発生する。このような、レジスト未充填位置N1がある場合、図3のbに示すように、テンプレートTをレジスト12Yから離型した後に未充填欠陥N2となって現れる。本実施形態では、意図的に、滴下位置条件、滴下量条件、充填時間条件をショット毎に変化させてインプリントを行うことにより、未充填欠陥N2の発生頻度をショット毎に調整する。つぎに、ショット毎に設定されるレジスト滴下条件のうちのレジスト滴下位置滴下位置条件について説明する。図4は、レジストの滴下位置を説明するための図である。各ショット内に形成されたテンプレートパターンのうちパターン評価の対象とする評価パターンを予め設定しておく。そして、評価パターンが押し当てられるウエハWx上の位置評価パターン位置Pを導出しておく。さらに、この評価パターン位置Pを中心とした所定範囲を評価パターン領域41に設定しておく。評価パターン領域41は、評価パターン位置Pを中心位置とし、この中心位置から横方向および縦方向に所定の距離aを有した矩形領域である。換言すると、評価パターン領域41は、中心位置が評価パターン位置Pであり、縦方向の距離が2a、横方向の距離が2aの矩形領域である。レジスト12Xの滴下位置としては、液滴42の滴下位置を設定しておく。液滴42の位置は、例えば、評価パターン位置Pから所定の距離dだけ離れた位置である。本実施形態では、ウエハWx上のショット毎に評価パターン位置Pからの距離dを種々変化させておく。これにより、液滴42の評価パターン位置Pからの位置距離と、未充填欠陥N2の有無と、の関係を評価することが可能となる。換言すると、評価パターン位置Pから液滴42の滴下位置までの距離がどれぐらいであれば、未充填欠陥N2を引き起こすことなくレジストパターンを形成できるかを判定できる。レジストの液滴42の滴下位置をショット毎に設定した後、この滴下条件で、ウエハWx上にレジストパターンが形成される。本実施形態では、種々のプロセス条件を組み合わせて、各ウエハWxにプロセス条件毎のレジストパターンを形成する。ここで、レジスト12Xの充填時間充填時間条件とレジスト液滴である液滴42の滴下位置滴下位置条件をショット毎に変化させた場合の、未充填欠陥N2の評価方法について説明する。図5は、充填時間条件と滴下位置条件をショット毎に変化させた場合の未充填欠陥の評価結果の一例を示す図である。図5の評価結果欠陥検査結果では、レジストの未充填不良の発生頻度が基準を越えたショットを、不良ショット50Aで示し、それ以外のショットを良品ショット50Bで示している。例えば、インプリント装置101は、ウエハWxとしてのウエハW1に対して第1のレジストR1図示せずを用いてインプリントを行ない、ウエハWxとしてのウエハW2に対して第2のレジストR2図示せずを用いてインプリントを行なう。第1のレジストR1は、第2のレジストR2とは、組成の異なるレジストである。インプリント装置101は、ウエハW1,W2に対し、複数のショットで構成される同一のショットマップ40を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW1,W2に対し、ショット毎にレジスト12Xの充填時間と液滴42の滴下位置を種々変化させたインプリント条件ここでは、充填時間条件および滴下位置条件を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW1とウエハW2とで、同一のショット位置に対し同一のインプリント条件を設定しておく。具体的には、ウエハW1,W2に対するレジスト滴下位置の設定条件ドロップレシピとして滴下位置条件を複数作っておく。例えば、図4に示した評価パターン領域41として50μm角の評価パターン領域41を設定しておく。さらに、評価パターン位置Pから液滴42の中心位置までの距離dとして、例えば、0、50、100、150、200、250、300、350μmとなる8つの滴下位置条件を作成しておく。また、ウエハW1,W2に対するレジスト12Xの充填時間の設定条件充填レシピとして充填時間条件を複数作っておく。例えば、レジストの充填時間が、5、10、15、20、25、30、35、40秒となる8つの充填時間条件を作成しておく。そして、各ショットに対して、8つの滴下位置条件と8つの充填時間条件との組み合わせの何れかを設定しておく。これにより、1枚のウエハWx内に対し、8条件の滴下位置条件と8条件の充填時間条件とを組み合わせた64条件でインプリントが行われることとなる。インプリント条件が設定された後、インプリント装置101は、ウエハW1を搬入し、ウエハW1に対しインプリントを行なう。具体的には、制御部21が、ウエハW1上の第1のショットに対して、第1の滴下位置条件で液滴42を滴下するよう、液滴下装置8を制御する。さらに、制御部21は、ウエハW1上の第1のショットに対して、第1の充填時間条件でレジスト12Xをテンプレートパターン内に充填するよう、ステージベース9の移動を制御する。この後、制御部21は、ウエハW1上の第mmは2以上の自然数のショットに対して、第mの滴下位置条件で液滴42を滴下するよう、液滴下装置8を制御する。さらに、制御部21は、ウエハW1上の第mのショットに対して、第mの充填時間条件でレジスト12Xをテンプレートパターン内に充填するよう、ステージベース9の移動を制御する。制御部21は、ウエハW1上の各ショットに対して、液滴42の滴下と、レジスト12Xのテンプレートパターン内への充填と、離型処理と、を繰り返す。これにより、制御部21は、ウエハW1上の各ショット位置に対して、滴下位置条件と充填時間条件を種々組み合わせてインプリントを行わせる。同様に、制御部21は、ウエハW2上の各ショット位置に対して、滴下位置条件と充填時間条件を種々組み合わせてインプリントを行わせる。図5では、ショットマップ40の行毎に評価パターン位置Pから液滴42までの距離を変化させ、ショットマップ40の列毎にレジスト12Xの充填時間を変化させて、インプリントした場合の未充填欠陥N2の評価結果を示している。ウエハW1の全ショットに対してインプリントを行った後、光学顕微鏡11を用いてウエハW1上の未充填欠陥N2が観察される。同様に、ウエハW2の全ショットに対してインプリントを行った後、光学顕微鏡11を用いてウエハW1上の未充填欠陥N2が観察される。未充填欠陥N2の有無は、例えば、評価パターン領域41内に未充填欠陥N2が存在するか否かに基づいて判定される。図5のaは、ウエハW1に第1のレジストR1を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW1の各ショットは、レジスト12Xの充填時間が短い場合や評価パターン位置Pから液滴42までの距離が遠い場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW1は、13ショットが不良ショット50Aとなっている。図5のbは、ウエハW2に第2のレジストR2を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW2の各ショットは、レジストの充填時間が短い場合や評価パターンから液滴までの距離が遠い場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW2は、6ショットが不良ショット50Aとなっている。この結果、第2のレジストR2の方が、充填時間や液滴42までの距離に対する欠陥発生のマージンがあり、第1のレジストR1よりも優れたレジストであると判断できる。また、第2のレジストR2を用いる場合、図5のbで示した良品ショット50Bとなる充填時間と液滴までの距離でインプリントを行うことが適切であると判断できる。例えば、評価パターン位置Pから液滴42の中心位置までの距離dとして、100μmまで許容される場合、隣接する液滴42間の許容間隔を、例えば100×2=200μmとする。つぎに、レジスト12Xの滴下量滴下量条件と液滴42の滴下位置滴下位置条件をショット毎に変化させた場合の、未充填欠陥N2の評価方法について説明する。図6は、滴下量条件と滴下位置条件をショット毎に変化させた場合の未充填欠陥の評価結果の一例を示す図である。例えば、インプリント装置101は、ウエハWxとしてのウエハW3に対して第1のレジストR1を用いてインプリントを行ない、ウエハWxとしてのウエハW4に対して第2のレジストR2を用いてインプリントを行なう。インプリント装置101は、ウエハW3,W4に対し、複数のショットで構成される同一のショットマップ40を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW3,W4に対し、ショット毎にレジスト12Xの滴下量と液滴42の滴下位置を種々変化させたインプリント条件ここでは、滴下量条件および滴下位置条件を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW3とウエハW4とで、同一のショット位置に対し同一のインプリント条件を設定しておく。具体的には、ウエハW3,W4に対する液滴42の滴下量の設定条件ドロップレシピとして滴下量条件を複数作っておく。また、ウエハW3,W4に対するレジスト滴下位置の設定条件として滴下位置条件を複数作っておく。インプリント条件が設定された後、インプリント装置101は、ウエハW1,W2と同様に、ウエハW3,W4に対し、ショット毎に種々のインプリント条件で液滴42の滴下と、レジスト12Xのテンプレートパターンへの充填と、離型処理と、を繰り返す。図6では、ショットマップ40の行毎に評価パターン位置Pから液滴42までの距離を変化させ、ショットマップ40の列毎に液滴42の滴下量を変化させて、インプリントした場合の未充填欠陥N2の評価結果を示している。図6のaは、ウエハW3に第1のレジストR1を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW3の各ショットは、液滴42の滴下量が少ない場合や評価パターン位置Pから液滴42までの距離が遠い場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW3は、15ショットが不良ショット50Aとなっている。図6のbは、ウエハW4に第2のレジストR2を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW4の各ショットは、液滴42の滴下量が少ない場合や評価パターン位置Pから液滴42までの距離が遠い場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW5は、8ショットが不良ショット50Aとなっている。この結果、第2のレジストR2の方が、液滴42の滴下量や液滴42までの距離に対する欠陥発生のマージンがあり、第1のレジストR1よりも優れたレジストであると判断できる。また、第2のレジストR2を用いる場合、図6のbで示した良品ショット50Bとなる液滴の滴下量と液滴までの距離でインプリントを行うことが適切であると判断できる。つぎに、レジスト12Xの充填時間充填時間条件とレジスト12Xの滴下量滴下量条件をショット毎に変化させた場合の、未充填欠陥N2の評価方法について説明する。図7は、充填時間条件と滴下量条件をショット毎に変化させた場合の未充填欠陥の評価結果の一例を示す図である。例えば、インプリント装置101は、ウエハWxとしてのウエハW5に対して第1のレジストR1を用いてインプリントを行ない、ウエハWxとしてのウエハW6に対して第2のレジストR2を用いてインプリントを行なう。インプリント装置101は、ウエハW5,W6に対し、複数のショットで構成される同一のショットマップ40を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW5,W6に対し、ショット毎にレジスト12Xの滴下量とレジスト12Xの充填時間を種々変化させたインプリント条件ここでは、滴下量条件および充填時間条件を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW5とウエハW6とで、同一のショット位置に対し同一のインプリント条件を設定しておく。具体的には、ウエハW5,W6に対する液滴42の滴下量の設定条件として滴下量条件を複数作っておく。また、ウエハW5,W6に対するレジスト12Xの充填時間の設定条件として充填時間条件を複数作っておく。インプリント条件が設定された後、インプリント装置101は、ウエハW1,W2と同様に、ウエハW5,W6に対し、ショット毎に種々のインプリント条件で液滴42の滴下と、レジスト12Xのテンプレートパターンへの充填と、離型処理と、を繰り返す。図7では、ショットマップ40の行毎に液滴42の滴下量を変化させ、ショットマップ40の列毎にレジスト12Xの充填時間を変化させて、インプリントした場合の未充填欠陥N2の評価結果を示している。図7のaは、ウエハW5に第1のレジストR1を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW5の各ショットは、液滴42の滴下量が少ない場合やレジスト12Xの充填時間が短い場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW5は、16ショットが不良ショット50Aとなっている。図7のbは、ウエハW6に第2のレジストR2を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW6の各ショットは、液滴42の滴下量が少ない場合やレジスト12Xの充填時間が短い場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW5は、9ショットが不良ショット50Aとなっている。この結果、第2のレジストR2の方が、液滴42の滴下量や充填時間に対する欠陥発生のマージンがあり、第1のレジストR1よりも優れたレジストであると判断できる。また、第2のレジストR2を用いる場合、図7のbで示した良品ショット50Bとなる液滴の滴下量と充填時間でインプリントを行うことが適切であると判断できる。このように、本実施形態の評価方法を用いることにより、一目でレジストの良し悪しを判別できる。例えば、未充填欠陥N2は、以下の1~5に示す原因によって引き起こされる。1テンプレートTの凹部パターンが大きく、毛細管現象が働きにくい。2凹部パターンの大きさに対して相対的にレジスト12Xの滴下量が足りない。3液滴42の滴下位置から評価パターン位置Pまでの距離が離れている。4充填時間が足りず、凹部パターン内の気泡が抜けない。5凹部パターンの壁面に対するレジスト12Xの濡れ性が低い。本実施形態では、1枚のウエハWxに種々のプロセス条件滴下位置条件、滴下量条件、充填時間条件でインプリントを行うので、上記1~5に示す不良原因に対して、インプリント時の適切なプロセス条件を選定することが可能となる。例えば、種々の滴下位置条件でインプリントを行うことにより、2の不良原因に対して適切な滴下位置条件を選定できる。また、種々の滴下量条件でインプリントを行うことにより、3の不良原因に対して適切な滴下量条件を選定できる。また、種々の充填時間条件でインプリントを行うことにより、4の不良原因に対して適切な充填時間条件を選定できる。また、複数種類のレジスト12Xを用いてインプリントを行うので、上記1~5に示す不良原因に対して、適切なレジスト12Xの種類を選定することが可能となる。例えば、種々のレジスト12Xでインプリントを行うことにより、1、5の不良原因に対して適切なレジスト12Xを選定できる。レジスト12Xの評価選定や何れのプロセス条件滴下位置条件、滴下量条件、充填時間条件でインプリントを行うかの判定は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。半導体装置半導体集積回路を製造する際には、ウエハWxへの成膜処理、テンプレートTを用いたインプリント処理、インプリント処理によって形成されたレジストパターン上からのエッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。そして、インプリント処理の際には、本実施形態で選定したレジスト12Xを用いるとともに、本実施形態で選定したプロセス条件でインプリントが行われる。なお、インプリント装置101は、1枚のウエハWxに3種類以上のプロセス条件を設定してもよい。例えば、インプリント装置101は、1枚のウエハWxの各ショットに滴下位置条件、滴下量条件、充填時間条件の3条件の組み合わせを設定してもよい。また、インプリント装置101は、1枚のウエハWxに1種類のみのプロセス条件を設定してもよい。換言すると、インプリント装置101が、各ショットに滴下位置条件、滴下量条件、充填時間条件の少なくとも1つを種々設定することにより、インプリントのプロセス条件を評価してもよい。このように第1の実施形態によれば、インプリント装置101がウエハWxのショット毎に種々のプロセス条件滴下位置条件、滴下量条件、充填時間条件、種々のレジスト12Xでインプリントを行うので、インプリントにおけるプロセス評価を効率良く行うことが可能となる。第2の実施形態つぎに、図8~図10を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、離型時にレジストパターン硬化した光硬化剤がウエハWxから引き剥がされる離型欠陥を評価できるよう、ウエハWx上のショット毎に種々のプロセス条件離型条件でウエハWxにテンプレートパターンを転写する。本実施形態では、離型欠陥を防止できるレジストの種類や、離型欠陥を防止できるインプリント時のプロセスマージンなどを評価する。本実施形態のインプリント装置101が備える制御部21は、硬化後のレジスト12YからテンプレートTを離型する際の、離型速度や離型角度を制御する。具体的には、制御部21が、離型の際に、ステージベース9の移動速度や移動方向を制御することにより、離型速度や離型角度を制御する。つぎに、インプリントによるレジストパターン形成工程で発生する離型欠陥について説明する。図8は、離型欠陥を説明するための図である。図8では、インプリント工程の離型処理におけるウエハWxやテンプレートTなどの断面図を示している。テンプレートTxをレジスト12Xに接触させて、テンプレートパターン内にレジストを充填させた後、レジスト12Xを硬化させることによってレジスト12Yとなる図8のa。この後、テンプレートTがレジスト12Yから離型される。このとき、離型する際の離型速度や離型角度が適切でなければ、図8のbに示すように、離型欠陥N3が発生する。離型欠陥N3は、レジスト12Yの一部が樹脂残渣としてテンプレートパターン内に付着し、これにより、レジストパターンが欠けてしまう欠陥である。本実施形態では、離型速度と離型欠陥N3との関係、離型角度と離型欠陥N3との関係、離型速度および離型角度と離型欠陥N3との関係、を評価するために、ショット毎に種々の離型条件離型速度、離型角度でウエハWxにインプリントを行う。このように、本実施形態では、意図的に、テンプレートTの離型速度や離型角度をショット毎に変化させてインプリントを行うことにより、離型欠陥N3の発生頻度をショット毎に調整する。図9は、離型速度と離型角度を説明するための図である。図9では、インプリント工程の離型処理におけるウエハWxやテンプレートTなどの断面図を示している。テンプレートTをレジスト12Xに接触させて、テンプレートパターン内にレジストを充填させた後、レジスト12Xを硬化させることによってレジスト12Yとなる図8のa。この後、テンプレートTがレジスト12Yから離型される。このときのテンプレートTの主面パターン面とレジスト12Yの主面レジストパターンのパターン面との間の角度が離型角度θである。また、固定されているレジスト12Yに対してテンプレートTが引き離される際のテンプレートTの速度が離型速度Rである。テンプレートTの速度は、テンプレートTのうち最初にレジスト12Yから離れる部分最端部のレジスト12Yに対する移動速度である。本実施形態では、ウエハWx上のショット毎に離型速度と離型角度とを種々変化させる。これにより、本実施形態では、種々の離型速度と種々の離型角度とを組み合わせて、各ウエハWxにレジストパターンを形成する。つぎに、離型速度と離型角度をショット毎に変化させた場合の、未充填欠陥N2の評価方法について説明する。図10は、離型速度と離型角度をショット毎に変化させた場合の離型欠陥の評価結果の一例を示す図である。図10では、図5~図7と同様にショット毎の欠陥評価結果として離型欠陥N3の評価結果の一例を示している。例えば、インプリント装置101は、ウエハWxとしてのウエハW7に対して第1のレジストR1を用いてインプリントを行ない、ウエハWxとしてのウエハW8に対して第2のレジストR2を用いてインプリントを行なう。インプリント装置101は、ウエハW7,W8に対し、複数のショットで構成される同一のショットマップ40を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW7,W8に対し、ショット毎に離型速度と離型角度を種々変化させたインプリント条件ここでは、離型速度条件および離型角度条件を設定しておく。また、インプリント装置101は、ウエハW7とウエハW8とで、同一のショット位置に対し同一のインプリント条件を設定しておく。具体的には、ウエハW7,W8に対する離型速度の設定条件を複数作っておく。また、ウエハW7,W8に対する離型角度の設定条件を複数作っておく。例えば、離型速度を10mm/s~100mm/sの中から複数選択して設定し、離型角度を0度~~10度の中から複数選択して設定しておく。インプリント条件が設定された後、インプリント装置101は、ウエハW1,W2と同様に、ウエハW7,W8に対し、液滴42の滴下と、レジスト12Xのテンプレートパターンへの充填と、離型処理と、を繰り返す。そして、離型処理の際には、ショット毎に種々の離型条件でレジスト12YからテンプレートTが引き離される。図10では、ショットマップ40の行毎に離型角度を変化させ、ショットマップ40の列毎に離型速度を変化させて、インプリントした場合の離型欠陥N3の評価結果を示している。図10のaは、ウエハW7に第1のレジストR1を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW7の各ショットは、離型速度が速い場合や離型角度が大きい場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW7は、18ショットが不良ショット50Aとなっている。図10のbは、ウエハW8に第2のレジストR2を用いてインプリントを行った場合の不良ショット50Aと良品ショット50Bの分布を示している。ウエハW8の各ショットは、離型速度が速い場合や離型角度が大きい場合に、不良ショット50Aとなっている。ここでのウエハW8は、10ショットが不良ショット50Aとなっている。この結果、第2のレジストR2の方が、離型速度や離型角度に対する欠陥発生のマージン余裕度があり、第1のレジストR1よりも優れたレジストであると判断できる。また、第2のレジストR2を用いる場合、図10のbで示した良品ショット50Bとなる離型速度と離型角度でインプリントを行うことが適切であると判断できる。本実施形態では、インプリント装置101が、離型速度と離型角度の少なくとも1つを設定することにより、インプリントのプロセス条件が評価される。このように第2の実施形態によれば、インプリント装置101がウエハWxのショット毎に種々のプロセス条件離型速度、離型角度、種々のレジスト12Xでインプリントを行うので、インプリントにおけるプロセス評価を効率良く行うことが可能となる。このように第1および第2の実施形態によれば、インプリントにおけるプロセス評価を効率良く行うことが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"