パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント装置であって、受光素子と、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークとに光を照射し、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークとから反射した光を前記受光素子に導く検出系と、前記型を介して前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークとから反射した光を前記型と前記検出系との間で結像させるリレー光学系と、前記インプリント材を硬化させる照明光を照明する照明系と、前記照明光および前記検出系からの光のどちらか一方を透過させ、他方を反射する面を有する光学素子と、前記リレー光学系の収差を補正する板状の光学部材と、を備え、前記光学部材はリレー光学系内に配置され、前記光学部材の傾き方向と、前記光学素子の面の傾き方向とは、互いに異なることを特徴とするインプリント装置。前記光学部材の傾き方向は、前記光学素子の面の傾き方向が前記リレー光学系の光軸を軸として90度回転した方向であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記光学部材と前記光学素子とは厚さが等しい平行平板であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記リレー光学系は、前記リレー光学系の非点収差を補正する補正光学系を有し、前記補正光学系が前記リレー光学系の光軸に対して偏心することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記リレー光学系は、前記リレー光学系の型側に配置された物体側レンズと、検出系側に配置された像側レンズとを有し、前記補正光学系が偏心した場合、前記補正光学系に対する前記物体側レンズの偏心量と、前記補正光学系に対する前記像側レンズの偏心量が等しく、前記補正光学系に対する前記物体側レンズの偏心の方向が、前記補正光学系に対する前記像側レンズの偏心の方向に対して逆になるように、前記物体側レンズと前記像側レンズの少なくとも一方を偏心させることを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。前記リレー光学系は、前記リレー光学系の瞳空間を中心として前記光学素子に対して回転対称に配置された第1コマ補正光学部材と、前記リレー光学系の瞳空間を中心として前記光学部材に対して回転対称に配置された第2コマ補正光学部材と、を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記光学素子と前記第1コマ補正光学部材とは厚さが等しい平行平板であり、前記光学部材と前記第2コマ補正光学部材とは厚さが等しい平行平板であることを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。前記第1コマ補正光学部材および前記第2コマ補正光学部材は平行平板であり、前記リレー光学系の倍率によって、前記第1コマ補正光学部材と前記第2コマ補正光学部材の厚さ又は傾斜角度が決まることを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。前記リレー光学系は前記基板のショット領域を結像しているテレセントリック光学系であることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載のインプリント装置。請求項1~9のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。TTM検出系は、照明系や照明光束との干渉を避けるために、照明系の光軸に対して傾けて配置せざるを得なかった。照明系の光軸に対して傾けて配置されたTTM検出系でウエハをアライメントする為に、TTM検出系はリトロー配置となっており、リトロー角で回折した光を取り込む事で信号を検出していた。しかし、リトロー配置されたTTM検出系では、配置上の制約からTTM検出系の開口数以下、NAも十分に上げることができない為、検出光量が少なくアライメント精度が低下してしまう。そこで、本発明はTTM検出系の開口数を上げて、基板と型のアライメント精度を向上させることを目的とする。本発明のインプリント装置は、パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント装置であって、受光素子と、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークとに光を照射し、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークとから反射した光を前記受光素子に導く検出系と、前記型を介して前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークとから反射した光を前記型と前記検出系との間で結像させるリレー光学系と、前記インプリント材を硬化させる照明光を照明する照明系と、前記照明光および前記検出系からの光のどちらか一方を透過させ、他方を反射する面を有する光学素子と、前記リレー光学系の収差を補正する板状の光学部材と、を備え、前記光学部材はリレー光学系内に配置され、前記光学部材の傾き方向と、前記光学素子の面の傾き方向とは、互いに異なることを特徴とする。TTM検出系の開口数を上げて、基板と型のアライメント精度を向上させることを目的とする。以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。[第1実施形態]図1を用いてインプリント装置について説明する。図1はリレー光学系を備えるインプリント装置100を示した図である。インプリント装置100の高さ方向をZ方向、基板ウエハWが配置されている面をXY面として、図に示したように各軸を決める。インプリント装置100は図1に示すように、インプリント樹脂を硬化させるために紫外線3を照射する照明系2と、型モールドMを保持する型保持部インプリントヘッド4とウエハWを保持する基板保持部ウエハステージ5を備える。さらにインプリント装置100は、インプリント樹脂を基板Wに供給するための供給部6と、TTM検出系7スルーザモールド検出系と、制御部1を備える。TTM検出系7は、モールドMに形成されたモールドアライメントマーク不図示とウエハWに形成されたウエハアライメントマーク不図示とを検出することで、モールドMとウエハWを位置合わせできる。TTM検出系7は、内部に設けられた光源を用いて、モールドアライメントマークとウエハアライメントマークに計測光8を照射する。計測光8としては、主に可視光や赤外線などである。モールドアライメントマークとウエハアライメントマークからの反射光は、TTM検出系7を通りTTM検出系用のセンサ9受光素子で検出される。反射光を検出する為のセンサ9はCCDカメラなどの光電変換素子からなる。モールドアライメントマークとウエハアライメントマークの位置フォーカスを合わせることで、モールドMとウエハWの相対位置関係X、Y、Zを合わせることができる。TTM検出系7の検出結果は制御部1に出力され、制御部1はTTM検出系7の検出結果に基づいてインプリントヘッド4もしくはウエハステージ5をXY方向に移動することで、モールドMもしくはウエハWのXY方向における位置を調整することができる。TTM検出系7によるモールドMとウエハWの位置計測では、ウエハアライメントマークの上部に供給されたインプリント樹脂あるいは形成された透明層の為、単色光では干渉縞が発生してしまう。そのため、アライメントに用いる信号に干渉縞の信号が加算された状態で検出され、検出精度が低下する恐れがある。従って、TTM検出系7の照明光源としては、後述する照明系で用いる光露光光の波長の帯域を除いて、広帯域の波長の光を使用するのが望ましい。つまり、TTM検出系7の照明光源としては、ウエハアライメントマークの上部に供給されたインプリント材が硬化しない非露光光の波長が望ましい。インプリント装置100でモールドMに形成されたパターンの転写が行われる。パターンの転写を行うインプリント操作について説明する。まず、供給部6を用いてウエハW上のパターンを転写したいショット領域にインプリント樹脂を供給する。インプリント樹脂が供給されたウエハWがモールドMに形成されたパターン部の下に来るように、ウエハステージ5が移動する。モールドMとウエハWの位置合わせをした後、モールドMに形成されたパターンとウエハWに供給されたインプリント樹脂とを接触させる押型工程。そして、モールドMとインプリント樹脂とが接触した状態で、照明系2から紫外線3硬化光を照射することでインプリント樹脂を硬化させる硬化工程。インプリント樹脂が硬化した後、インプリントヘッド4とウエハステージ5との少なくとも一方を移動させ、モールドMとインプリント樹脂とを引き剥がす離型工程。すると、モールドMに形成されたパターンがインプリント樹脂に転写される。ウエハW上に複数配置されたショット領域に対して、このようなインプリント操作を繰り返すことにより、ウエハW上の全てのショットにパターンを転写することができる。本実施形態では、照明光として紫外線を用いて説明するが、照明光の波長は基板上に供給されるインプリント樹脂の種類に応じて適宜決めることができる。従来のインプリント装置では、TTM検出系7が照明系2と紫外線3の照明光束を避けるように配置されており、TTM検出系7の開口数NAを十分に上げる事が出来なかった。TTM検出系7は、モールドMとウエハWとに形成されたアライメントマークを同時に検出する為、モールドMの上部に配置せざるを得ない。ここで、開口数NAはTTM検出系7に入射する光線のうち、TTM検出系の光軸に対する最大角θによって決まる値である。図1の角度10は2θを示している。TTM検出系7のNAは、TTM検出系7自体の大きさにも依存しており、照明系2と紫外線3の照明光束を避けるように配置されたTTM検出系7では、TTM検出系7を大型化する事ができず、NAを大きくする事が出来なかった。TTM検出系7のNAを十分に大きくする事が出来なければ、アライメント時の光量が低くなり、アライメント精度が低下する。図1のインプリント装置100には、モールドMの上部にリレー光学系11を配置している。リレー光学系11内には、レンズ12とビームスプリッタ13光学素子を備えている。レンズ12は、モールドMの上部にウエハ面が結像されている共役面ウエハ面結像面14を作り出す事ができる。リレー光学系11はウエハ面を結像させる機能を有しており、ウエハ面を結像させればリレー光学系11の倍率は等倍であっても、拡大系であっても良い。TTM検出系7はリレー光学系11の上部に配置されており、TTM検出系7から照射された計測光8非硬化光はリレー光学系11内のレンズ12とビームスプリッタ13を透過し、モールドMとウエハWを照射する。モールドMとウエハWからの反射光はTTM検出系7を通りTTM検出系用のセンサ9で検出され、その検出信号をもとにモールドMとウエハWの位置合わせを行う。インプリント装置100では照明系2は、モールドMとウエハWの押型後にインプリント樹脂に紫外線3を照射すれば良いだけである。照明系2から照射された紫外線3はウエハWに対して垂直に照射する事が望ましい。照明系2は、TTM検出系7と同じく、モールドMの上部の配置上の混みあいを避けて、配置上余裕のあるスペースに配置されている。照明系2から照射された紫外線3は照明系用のレンズ15を通ってビームスプリッタ13まで導光された後、ビームスプリッタ13で反射しリレー光学系内のレンズ12を透過し、ウエハW上のインプリント樹脂を照明する。ビームスプリッタ13には特定の波長の光を透過又は反射させる面が形成されている。ビームスプリッタ13をリレー光学系に配置することで、モールドMの上部にNAの大きいTTM検出系7と照明系2との両方を配置し、計測光8と照明系2からの照明光との両方をウエハ面に対して垂直に入射できる。計測光8の光路と照明系2から照射される紫外線3の光路とは部分的に共通であり、ビームスプリッタ13は計測光を透過させ、照明光を反射する特性を有する。リレー光学系11はTTM検出系7とモールドMの間に構成されている。リレー光学系11は非硬化光でショット領域の全面を結像しているテレセントリック光学系軸外主光線が光軸に平行である。そのため、TTM検出系7とセンサ9との位置を変えることで、ショット領域に形成された複数のウエハアライメントマークの各点を計測する事が可能となる。リレー光学系11がテレセントリック光学系だと、軸外主光線が光軸に対して平行である為、TTM検出系7の像高の変更が容易になる。図1では、ウエハW上の3点がウエハ面結像面14に結像している例を示している。TTM検出系7とセンサ9との位置を変える事で、ショットに形成された異なるアライメントマークを計測できる。図1では簡単の為、ビームスプリッタ13内での光線の屈折を図示していないが、実際にはビームスプリッタ13に垂直に入射するリレー光学系11の軸上光線以外は、ビームスプリッタ13を透過する時にわずかながらシフトする。このように、インプリント装置100はビームスプリッタ13を備えたリレー光学系11を配置することで、モールドMの上部の配置上余裕のあるスペースに照明系2とTTM検出系7とを配置することができる。配置上余裕のあるスペースにTTM検出系7を配置する事により、TTM検出系7は大型化しても配置可能となり、TTM検出系7のNAを上げる事ができる。モールドMとウエハWに形成されたアライメントマークを検出するTTM検出系7のNAを上げる事で、TTM検出系に入射する光量が増え、アライメント精度を向上させることが出来る。また、モールドのパターン転写時にモールドとウエハとの重ね合わせ精度を上げる事ができ、デバイスの歩留まり向上に貢献できる。図1の説明では、ビームスプリッタ13がTTM検出系7の計測光8を透過し、照明系2から照射される紫外線3を反射する特性であるとしたが、このビームスプリッタの特性は逆でも良い。つまり、ビームスプリッタは、照明光および計測光8のどちらか一方を透過させ、他方を反射する面があればよい。ビームスプリッタとしては、図1のビームスプリッタ13や図2のビームスプリッタ16のようなプリズムを2つ貼り合わせた形状としても良いし、後述するビームスプリッタ20のような平面型を用いても良い。いずれの場合も、特定の波長の光を透過又は反射させる面が形成されている。図2は、TTM検出系7の計測光8を反射し、照明系2から照射される紫外線3を透過する特性を持ったビームスプリッタ16を備えたインプリント装置200を示した図である。図1と同じく、高い精度のアライメントを実現できるNAの高いTTM検出系7と照明系2をモールドM上に配置する事が可能となる。TTM検出系7から照射された計測光8は、TTM検出系用のレンズ17を透過しビームスプリッタ16まで導光された後、ビームスプリッタ16で反射し、リレー光学系11内のレンズ12を透過し、モールドMとウエハWを照射する。モールドMとウエハWからの反射光はTTM検出系7を通りTTM検出系用のセンサ9で検出される。検出された信号をもとにモールドMとウエハWの位置合わせを行うことが出来る。リレー光学系11内に構成されたレンズ12とTTM検出系用のレンズ17によって、ウエハ面が結像されているウエハ面結像面14がモールドMの上部に形成される。照明系2から照射された紫外線3はリレー光学系11内に備えられたレンズ12、ビームスプリッタ16、モールドMを透過し、ウエハW上のインプリント樹脂を照射する。図1のインプリント装置100や図2のインプリント装置200では、光束を分離する光学素子としてビームスプリッタを備えているインプリント装置について説明したが、このビームスプリッタの特性は完全反射や完全透過でなくても良い。例えば、ビームスプリッタ16はTTM検出系7からの計測光8を90反射し10は透過し、照明系2からの照明光を90透過し10反射する特性のビームスプリッタでも良い。もちろん、このビームスプリッタの反射と透過の比は、9:1ではなく、8:2でも7:3などでも良い。図1や図2のインプリント装置の説明では、簡単の為にTTM検出系7は1系統の構成で説明した。しかし、TTM検出系7は複数系統の構成でも良い。例えば、TTM検出系7が2系統構成される事により、同一ショットの異なる2点を同時に計測する事ができ、高い精度でアライメントを実現する事ができる。例えば、X計測とY計測を同時にする事もできるし、ショット内の異なる2点を計測する事で、ショット形状を補正する事もできる。複数系統であれば、2系統でなくて3系統でも4系統でも良い。TTM検出系7が1系統でも、ウエハステージ5やTTM検出系7を移動させる事で、アライメントマークの複数個所を計測する事ができる。しかし、装置を移動させる為、アライメント精度が低下する恐れがある。以下、ダイバイダイを用いたアライメントについて説明するが、アライメント方法はグローバルアライメント方法を用いても良い。上述のインプリント装置のビームスプリッタは、リレー光学系11の瞳空間に配置した場合について説明してきた。しかし、リレー光学系11の構成上、瞳空間にビームスプリッタを配置できない場合がある。ビームスプリッタがリレー光学系11の瞳空間ではなく、物体面像面に近い位置に配置される場合は収差が発生する恐れがある。ビームスプリッタをモールドMに近い位置に配置した時の収差補正について説明する。図3Aは、平行平板型のビームスプリッタ20が瞳空間に配置されている場合を示している。平行平板型のビームスプリッタ20が、瞳空間21に配置されている場合には、軸上光線の全ての光は平行にビームスプリッタ20を透過し、軸外光線の全ての光も平行にビームスプリッタ20を透過する。この時、非点収差は発生しない。ここで、瞳空間とは軸上光線の主光線と軸外光線の主光線が交わる点である。しかし現実的には、結像収差補正の為に瞳空間21の近傍には図3Bのように非点収差を補正する為のレンズ群補正光学系25を構成する必要がある。その為に、ビームスプリッタ20は収束光束中である空間に配置する場合がある。ビームスプリッタ20を像面22に近い位置に配置する場合には非点収差とコマ収差が発生する恐れがある。図3Bは、平行平板型のビームスプリッタ20が、像面22とレンズ23の間のテレセントリック空間に配置された状態を示している。図3Bでは、軸上光線と軸外光線とが同じ角度で入射している為、発生する非点収差は軸上光線と軸外光線とで同じになる。図3Bでは、像面22とレンズ23の間にビームスプリッタ20を配置した場合について説明したが、この空間は短ければ短いほどレンズ23の外径を小さくできる為、この空間にビームスプリッタ20を配置するスペースを確保できない事がある。図3Cは、ビームスプリッタ20がレンズ23と平行平板24との間で光束が収束している空間収束光束中に配置された状態を示している。図3Cでは、軸上光線と軸外光線が同じ角度で入射していない為、発生する非点収差は軸上光線と軸外光線との共通成分だけでなく、像高依存の非点収差も発生する。図3A~Cではビームスプリッタ20で光線は曲げられるが、簡単の為、ビームスプリッタ20による光線の屈折と図3Bの補正光学系25での屈折は省略して示している。図3はいずれも、光学系の収差を補正する板状の光学部材が配置され、収差が低減されているものを示している。図4はビームスプリッタ20を瞳空間に配置した時の像面22付近を拡大した図である。図4A及び図4Bを用いて非点収差が発生しない原理を詳しく説明する。図4Aは紙面平行方向がZY平面であり、ZY平面での軸上光線実線と軸外光線点線の結像を示した図である。図4Bは紙面平行方向がZX平面であり、ZX平面での軸上光線と軸外光線の結像を示した図である。図4A及び図4B共に、平行平板型のビームスプリッタ20が瞳空間に配置されている為に、軸上光線の全ての光線がビームスプリッタ20に同じ角度で入射している。図4Aでは、軸上光線の全ての光線が同じ角度でビームスプリッタ20に入射するので、平行平板で同じ量だけシフトする事になり、像面22では全ての光が1点に結像する。図4Bでは、軸上光線の全ての光線が同じ角度かつ垂直に入射する為に、ビームスプリッタ20で光線のシフトは起こらないが、像面22では図4Aと同じZ位置に全ての光が1点に結像する事になる。このようにZX平面もZY平面も全ての光が同じZ位置に結像する為、平行平板型のビームスプリッタ20を瞳空間に配置した場合では、軸上では非点収差は発生しない事が分かる。また軸外についても同様の原理で非点収差は発生しない。また図4AB共に、全ての光線が像面で1点に結像する為に、コマ収差が発生しない事も分かる。図5はビームスプリッタ20を像面22とレンズ23との間に配置した時の像面22付近を拡大した図である。図5A及び図5Bを用いて非点収差とコマ収差が発生する原理を詳しく説明する。図5Aは紙面平行方向がZY平面であり、ZY平面での軸上光線実線と軸外光線点線の結像を示した図である。図5Bは紙面平行方向がZX平面であり、ZX平面での軸上光線と軸外光線の結像を示した図である。図5A及び図5B共に、平行平板型のビームスプリッタ20がレンズ23と像面22との間の収束光束中に配置されている為に、全ての光線が平行平板型のビームスプリッタ20に同じ角度で入射していない。図5Aと図5Bとを比較すると、ビームスプリッタ20に入射する光線の角度が異なっている事が分かる。まずは軸上光線の主光線について見てみると、図5Aではビームスプリッタ20の傾き角度分だけ傾いた角度で入射しているが、図5Bでは垂直に入射している。このようにビームスプリッタ20に入射する角度がZX平面とZY平面で異なる為に光線のシフト量が異なり、図5Aと図5Bとでは光線が結像するそれぞれの像面22がZ方向にズレ量を持つようになる。図5Aと図5Bでの像面22におけるズレ量は、平行平板型のビームスプリッタ20が収束光束中に配置される事により発生する非点収差量83を示す。軸外光線については、レンズ23と像面22の間がテレセントリック空間となっており、ビームスプリッタ20に入射する角度が軸上光線と軸外光線では同じ為、軸上と同じ非点収差量83の非点収差が軸外でも発生する。また図5Aから分かるように、ビームスプリッタ20に入射する角度が光線ごとに異なる為に、像面22では全ての光が1点に結像せずに、コマ収差を持つようになる。このように、収束光束中にビームスプリッタ20を配置する事で、非点収差とコマ収差が発生する。図6はビームスプリッタ20を収束光束中に配置した時の像面22付近を拡大した図である。図6A~Dを用いて非点収差とコマ収差が発生する原理を詳しく説明する。図6A及び図6Cは紙面平行方向がZY平面でありZY平面での結像を示している。図6Aは軸上光線実線、図6Cは軸外光線点線のトレースを示した図である。図6B及び図6Dは紙面平行方向がZX平面であり、ZX平面での結像を示している。図6Bは軸上光線実線、図6Dは軸外光線点線のトレースを示した図である。図6では、平行平板型のビームスプリッタ20は収束光束中に配置されている。そのため、全ての光線がビームスプリッタ20に同じ角度で入射していない。また図6Aと図6Bとでは、ビームスプリッタ20に入射する光線の角度が異なっている事が分かる。例えば、軸上光線の主光線について見てみると、図6Aではビームスプリッタ20の傾き角度分だけ傾いた角度で入射しているが、図6Bでは垂直に入射している。このように平行平板に入射する角度がZY平面とZX平面で異なる為に平行平板型のビームスプリッタ20での光線のシフト量が異なり、図6Aと図6Bとでは光線が結像するそれぞれの像面22がZ方向にズレ量を持つようになる。図6Aと図6Bでの像面22におけるズレ量は、平行平板型のビームスプリッタ20が収束光束中に配置されることにより発生する非点収差量84を示す。軸外光線については、図6Cと図6Dから分かるように、ビームスプリッタ20に入射する角度が図6Aと図6Bの軸上光線の場合と異なっており、軸上で発生していた非点収差量84とは異なる量の非点収差量85が発生する。よって図6のビームスプリッタ20の配置では、軸上光線と軸外光線とで共通成分の非点収差以外に、像高依存の非点収差も発生する事になる。また図6Aから分かるように、平行平板に入射する角度が光線ごとに異なる為に、像面では全ての光が1点に結像せずに、コマ収差を持つようになる。このように、収束光束中に平行平板型のビームスプリッタ20を配置する事で、非点収差とコマ収差が発生する。図7は、非点収差補正機構とコマ収差補正機構を備えたインプリント装置300を示した図である。図7ではビームスプリッタ20が像面に近い位置に配置されている。ここでは、ウエハ面モールド面を物体面とし、ウエハ面結像面14を像面として説明する。照明系2から照射された紫外線3は照明系用のレンズ30を通って照明系折り曲げ用のミラー31で反射され、平行平板型のビームスプリッタ20に導光される。平行平板型のビームスプリッタ20で反射した光線は、型側に配置されたレンズ23物体側レンズを透過し、モールドMを透過し、ウエハW上に到達する。TTM検出系7から照射された計測光8は、検出系側に配置されたレンズ26像側レンズとコマ収差補正に用いる平行平板27、28を透過して、非点収差補正に用いる補正光学系25に到達する。補正光学系25を透過した光は、非点収差補正に用いる板状の光学部材としての平行平板24と、平行平板型のビームスプリッタ20と、レンズ23とを透過して、モールドMとウエハWを照明する。モールドMとウエハWからの反射光はTTM検出系7を通りTTM検出系用のセンサ9で検出され、その検出信号をもとにモールドMとウエハWの位置合わせを行う。図7では、レンズ26、23とコマ収差補正用の平行平板27、28と非点収差補正用の平行平板24と補正光学系25と平行平板型のビームスプリッタ20でリレー光学系29が構成されている。リレー光学系29によって、ウエハ面と共役な結像面ウエハ面結像面14がモールドMの上部に形成される。収束光束中に平行平面板を傾けて構成すると、図5Aおよび図5Bで示したように非点収差やコマ収差が発生する事が知られている。リレー光学系29を通してアライメントマークを観察撮像する為には、平行平板型のビームスプリッタ20で発生した非点収差とコマ収差を補正する必要がある。平行平板型のビームスプリッタ20で発生する非点収差を補正する為に、非点収差補正に用いる平行平板24がリレー光学系29内に構成されている。非点収差補正に用いる平行平板24は、ZX平面に対して斜めに配置されており、平行平板型のビームスプリッタ20で発生する軸上の非点収差を打ち消す役割を備えている。非点収差補正に用いる平行平板24で補正しきれない、軸外の非点収差については補正光学系25をY方向およびX方向に偏心させる事で補正する。図8および図9を用いて平行平板24と補正光学系25とによる、非点収差の補正手法について説明する。前述の図6A~Dの説明により、平行平板への入射角度の違いにより像高依存の非点収差が発生する事が分かった。図8はビームスプリッタ20と非点収差補正に用いる平行平板24とを拡大した図である。図8AはYZ平面を示し、図8BはXZ平面を示している。平行平板24により、平行平板型のビームスプリッタ20で発生する軸上の非点収差が打ち消される状態を示している。ここで、平行平板24は、平行平板型のビームスプリッタ20と同じ傾きを保ったまま、90度回転して配置されていることに特徴がある。ここでは、リレー光学系の光軸に対して垂直な面を基準に考える。ビームスプリッタ20は光軸に垂直な面に対してY軸の方向に傾いているので、傾き方向はY方向とする。同様に、平行平板24は光軸に垂直な面に対してX軸の方向に傾いているので、傾き方向はX方向とする。このようにビームスプリッタ20と平行平板24の傾き方向は互いに異なる。また、平行平板24は平行平板型のビームスプリッタ20と同じ厚み形状であることが望ましい。図6AのYZ平面では、平行平板型のビームスプリッタ20によって図6BのXZ平面に対して軸上の非点収差が発生している。図8BのようにXZ平面に非点収差補正用の平行平板24を配置する事によって、図6Aと同量の非点収差がXZ平面でも発生する。図8A及びBに示すように、YZ平面とXZ平面で軸上の非点収差が発生しなくなっている事が分かる。図9Aは図7のインプリント装置300のような、収束光束中に平行平板を配置した時に発生する非点収差40を示した図である。図9はいずれも横軸は平行平板への主光線の入射角度を示し、縦軸は非点収差量を示している。平行平板への主光線の入射角度は像高毎に異なっており、中心像高での平行平板へは入射角度43で入射する。つまり中心像高であっても非点収差44が発生している事になる。中心像高に大きな非点収差が発生していると、TTM検出系7は中心像高でX方向とY方向を同時に計測する事ができない。この中心像高入射角度43での大きな非点収差44は、平行平板型のビームスプリッタ20がZY平面に対して斜めに配置されている為に生じる成分である。そこで、この大きな非点収差44を補正する為に、非点収差補正に用いる平行平板24をZX平面に対して斜めに配置する事で、中心像高での非点収差を補正する事ができる。補正の方法は上述の図8を用いて説明した通りである。図9Bは、非点収差補正に用いる平行平板24をZX平面に対して斜めに配置する事で補正された、像高毎入射角度毎の非点収差41を示した図である。図9Aで生じていた各像高で画角共通成分の非点収差44を補正する事ができていることが分かる。しかし、図6Aと図6Cを比較すると分かるように、平行平板型のビームスプリッタに入射する角度が異なると、非点収差量84と非点収差量85の大きさは異なる。本実施形態では、リレー光学系29はテレセントリック光学系な為、複数のTTM検出系7を配置する事で、ウエハショットの各点を同時に計測する事が可能となる。しかし、図9Bの状態では、中心像高入射角度43以外での非点収差が補正されていない為、本発明の特徴である中心像高以外の異なる像高での計測を行う事ができない。TTM検出系7が計測できる像高の範囲を図9Bの計測像高レンジ45で示す。平行平板24をZX平面に対して斜めに入れて非点収差を補正しただけでは、計測像高レンジ45内で最大で非点収差量46が生じる事が分かる。計測像高レンジ45内の全ての像高でX方向とY方向を同時に計測するには、非点収差量46をできるだけ補正することが望まれる。そこで、非点収差を補正するために補正光学系25を用いる。補正光学系25をY方向およびX方向に偏心させる事で、非点収差量46の非点収差を補正する。補正光学系25を構成する凸レンズと凹レンズを群として偏心させる事で、平行平板24では補正しきれない、像高毎の非点収差量46を補正する事が可能となる。図9Cは補正光学系25をY方向およびX方向に偏心させる事で補正された、各像高毎入射角度毎に発生する非点収差42を示した図である。計測像高レンジ45内の全ての像高において、中心像高入射角度43のように非点収差がほとんど発生しないように補正する。計測像高レンジ45内の全ての像高で非点収差が補正されている事から、複数のTTM検出系7でウエハショットの異なる点を同時に計測する事が可能となる。次に、リレー光学系29のコマ収差を補正する手法について説明する。本実施形態では、平行平板型のビームスプリッタ20と同形状のコマ収差補正用の平行平板27第1コマ補正光学部材と、非点収差補正用の平行平板24と同形状のコマ収差補正用の平行平板28第2コマ補正光学部材とを配置する。平行平板27、28を配置することでリレー光学系29のコマ収差を低減する。コマ収差補正用の平行平板27はZY平面基準で、リレー光学系29の瞳空間を中心とし、X軸を回転軸としてビームスプリッタ20と回転対称になるように配置されている。またコマ収差補正用の平行平板28はZX平面基準で、リレー光学系29の瞳空間を中心とし、Y軸を回転軸として平行平板24と回転対称になるように配置されている。このように、平行平板型のビームスプリッタ20と非点収差補正用の平行平板24とに対して、コマ収差補正用の平行平板27、28を瞳空間の中心に対して回転対称になるように配置する事で、リレー光学系29でのコマ収差の発生を低減する事ができる。一方、上述までの説明で、リレー光学系29の非点収差は計測像高全てに対して補正する為に、補正光学系25をY方向およびX方向に偏心させる必要があった。しかし、補正光学系25を偏心させると、リレー光学系29の瞳空間の中心に対して回転対称でなくなるため、コマ収差が発生すると言う問題がある。リレー光学系にコマ収差が発生すると、TTM検出系がアライメント計測する際の誤差成分となり、計測精度が低下する恐れがある。そこで、本実施形態では補正光学系25を偏心させる時に、リレー光学系を構成するレンズを偏心させる事で、コマ収差の影響を低減させる。図10は、補正光学系25の偏心によるコマ収差の発生とその補正手法について示した図である。図10Aは、非点収差を補正する前の光学系の状態を示した図であり、図11Aはこのときの非点収差とコマ収差の状態を示した図である。図11Aを見ると像高毎に非点収差が発生していることが分かる。しかし、レンズ23の主軸50は補正光学系25、レンズ26の中心を通っており、リレー光学系の瞳空間の中心に対して光学系が回転対称である為、図10Aの光学系ではコマ収差は発生しないことがわかる。図10Aで発生している非点収差を補正する為に、補正光学系25はY方向およびX方向に偏心させる必要がある。図10Bでは、補正光学系25をY方向に偏心させた状態を示した図を示している。図11Bはこのときの非点収差とコマ収差の状態を示した図である。補正光学系25を偏心させることで、図11Aで発生していた像高毎の非点収差を補正することができる。しかし、補正光学系25を偏心させた為に、補正光学系25の主軸51と、レンズ23、26の主軸50が一致しなくなっている事が分かる。補正光学系25の主軸51はレンズ23の主軸50に対して偏心量52だけ偏心している。図10Bの光学系は瞳空間の中心に対して回転対称ではない為に、コマ収差が発生する。図10Cは、補正光学系25を偏心させると同時に、レンズ26を偏心させた状態を示した図である。図11Cはこのときの非点収差とコマ収差の状態を示した図である。レンズ26の主軸53は補正光学系25の主軸51から偏心量52だけY方向に偏心しており、補正光学系25の主軸51がレンズ23の主軸50から偏心している偏心量と同じである。図10Cのように、補正光学系25を偏心させると同時にレンズ26も偏心させる事で、リレー光学系のコマ収差の発生を低減させることが出来る図11C。図10では簡単の為に、リレー光学系29内のレンズ26、23と補正光学系25とを図示したが、ビームスプリッタや平行平板があっても同じようにコマ収差を補正できる。また、ここではY方向に偏心させた例を示したが、X方向に補正光学系25を偏心させた場合でも同様にレンズ26をX方向に偏心させればよい。上述の説明では、リレー光学系29が等倍の場合についてコマ収差の補正を示しているが、リレー光学系29が等倍以外の場合であってもコマ収差を補正する事ができる。ここでは、リレー光学系29の倍率が2倍の光学系であるインプリント装置について説明する。倍率が2倍のリレー光学系29の非点収差補正については、図7と同様に非点収差補正用の平行平板24と補正光学系25を用いる。倍率が2倍のリレー光学系29のコマ収差補正については、上述のように非点収差補正用の平行平板を瞳空間の中心に対して回転対称に配置するだけでは補正する事はできない。そこで、コマ収差補正用の平行平板27、28には、等倍のリレー光学系で用いた平行平板とは厚みの異なる平行平板が用いられる。ここでは、コマ収差補正用の平行平板27の厚みは平行平板型のビームスプリッタ20の2倍であり、コマ収差補正用の平行平板28の厚みは非点収差補正用の平行平板24の2倍である。表1にリレー光学系の倍率と物体側ウエハ側平行平板20、24と像側の平行平板27、28の厚みと角度傾斜角度の関係を示す。リレー光学系の倍率が2倍になると、像側の平行平板の厚みを物体側の2倍とする。また、平行平板を配置する角度を2倍とする事でも、コマ収差を補正する事ができる。等倍のリレー光学系の平行平板を30度で配置した場合は、角度を2倍として60度で配置することでコマ収差を補正することができる。なお、倍率が2倍のリレー光学系も、補正光学系25を偏心させる際に発生するコマ収差は、等倍の時と同様にレンズ23、26を偏心させる事で補正する事が可能である。この時のレンズの偏心量は、等倍の時と違って補正光学系25とは同じにはならない。またここでは、リレー光学系の倍率が2倍の場合について説明したが、他の倍率のリレー光学系に対しても同様に非点収差とコマ収差とを補正することができる。リレー光学系の倍率に応じて平行平板の厚みや角度を設定すればよい。また上述の説明では、テレセントリックなリレー光学系を用いて説明したが、本発明は非テレセントリックなリレー光学系にも適用する事ができる。リレー光学系が非テレセントリックな場合には、軸上の非点収差と軸外の非点収差を同時に補正する事はできないが、どちらか一方の非点収差を補正する事はできる。例えば、軸上の非点収差を補正すると、軸上でXYマークを同時計測する事が可能となり、軸外の非点収差を補正すると、軸外でXYマークを同時計測する事が可能となるメリットがある。また上述の説明では、ビームスプリッタ20がTTM検出系7の計測光8を透過し、照明系2から照射される紫外線3を反射する特性であるとした。しかし、図2のように、TTM検出系7の計測光8を反射し、照明系2から照射される紫外線3を透過する特性を持ったビームスプリッタ16を備えたインプリント装置でも本発明を適用する事ができる。このように非点収差を補正する光学系を備えたインプリント装置では、リレー光学系のコマ収差と非点収差を補正することができる。本発明を用いたインプリント装置では、モールドとウエハの相対位置を高い精度で検出する事ができ、モールドの押印時に下地のパターンと高い精度で位置合わせをする事ができる。そのため、デバイスの歩留まり向上に貢献できる。デバイス製造方法物品としてのデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。