"構造の非対称特性の判定方法であって:格子構造に対して、光学式スキャトロメトリによって得られた第1の信号およびこれとは異なる第2の信号を測定すること;前記第1の信号と前記第2の信号との間の差を判定すること;および前記第1の信号、前記第2の信号、および前記差を用いた計算に基づいて、前記格子構造の非対称構造パラメータを判定することを含む、判定方法。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の方位角で測定される、請求項1に記載の方法。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の入射角で測定される、請求項1に記載の方法。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度で測定される、請求項1に記載の方法。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の測定ターゲットに対して測定される、請求項1に記載の方法。前記非対称構造パラメータは、側壁角であり、前記格子構造は、第1の側壁角を有する第1の側壁およびこれとは異なる第2の側壁角を有する第2の側壁を有する、請求項1に記載の方法。前記非対称構造パラメータは、上の角の丸み、底の基盤、限界寸法CDのピッチシフトからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。前記格子構造は、第1の材料で構成され、これとは異なる第2の材料で構成される側壁スペーサをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、側壁スペーサの幅および側壁スペーサの高さからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。前記格子構造は、第1の材料で構成され、第2の材料で構成される第1の側壁スペーサと、第3の材料で構成され前記第1の側壁スペーサから反対側の側壁にある第2の側壁スペーサとをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、前記第2の材料と第3の材料との間の組成差である、請求項1に記載の方法。前記計算は回帰計算である、請求項1に記載の方法。前記構造パラメータの判定はさらに、前記計算に1つ以上の非差動信号を同時に用いることを含み、前記1つ以上の非差動信号は、方位角、入射角、偏光子/アナライザ角度、および追加の測定ターゲットを用いて測定された信号からなる群から選択される、請求項10に記載の方法。前記光学式スキャトロメトリは、光学式の分光エリプソメトリSE、ビームプロファイル反射率測定法BPR、および高度な紫外線反射率測定法eUVRからなる群から選択される技術である、請求項1に記載の方法。フィードバック技術、フィードフォワード技術、およびinsitu制御技術からなる群から選択される技術を用いることによって、前記非対称構造パラメータに基づいてプロセス機器のパラメータを変更することをさらに含む、請求項1に記載の方法。構造の非対称特性の判定方法をデータ処理システムに実施させる命令を記憶した機械アクセス可能な記憶媒体であって、前記データ処理システムが、格子構造に対して、光学式スキャトロメトリによって得られた第1の信号およびこれとは異なる第2の信号を測定すること;前記第1の信号と前記第2の信号との間の差を判定すること;および前記第1の信号、前記第2の信号、および前記差を用いた計算に基づいて、前記格子構造の非対称構造パラメータを判定することの動作を行うための命令を記憶したことを特徴とする記憶媒体。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の方位角で測定される、請求項14に記載の記憶媒体。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の入射角で測定される、請求項14に記載の記憶媒体。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度で測定される、請求項14に記載の記憶媒体。前記第1の信号および前記第2の信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の測定ターゲットに対して測定される、請求項14に記載の記憶媒体。前記非対称構造パラメータは、側壁角であり、前記格子構造は、第1の側壁角を有する第1の側壁およびこれとは異なる第2の側壁角を有する第2の側壁を有する、請求項14に記載の記憶媒体。前記非対称構造パラメータは、上の角の丸み、底の基盤、限界寸法CDのピッチシフトからなる群から選択される、請求項14に記載の記憶媒体。前記格子構造は、第1の材料で構成され、これとは異なる第2の材料で構成される側壁スペーサをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、側壁スペーサの幅および側壁スペーサの高さからなる群から選択される、請求項14に記載の記憶媒体。前記計算は回帰計算である、請求項14に記載の記憶媒体。前記構造パラメータの判定はさらに、前記計算に1つ以上の非差動信号を同時に用いることを含み、前記1つ以上の非差動信号は、方位角、入射角、偏光子/アナライザ角度、および追加の測定ターゲットからなる群から選択される、請求項22に記載の記憶媒体。前記光学式スキャトロメトリは、光学式の分光エリプソメトリSE、ビームプロファイル反射率測定法BPR、および高度な紫外線反射率測定法eUVRからなる群から選択される技術である、請求項14に記載の記憶媒体。フィードバック技術、フィードフォワード技術、およびinsitu制御技術からなる群から選択される技術を用いることによって、前記非対称構造パラメータに基づいてプロセス機器のパラメータを変更する命令をさらに含む、請求項14に記載の記憶媒体。本明細書では、構造の非対称特性の判定方法を説明する。以下の説明では、本発明の実施形態を完全に理解してもらうために、構造の非対称特性の例などの数々の特定の詳細を記載する。当業者には、これらの特定の詳細がなくとも本発明の実施形態を実践できることは明らかであろう。このほか、パターン形成した材料層の重なりを作るなどの公知の処理ステップについては、本発明の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、詳細に記載していない。さらに、図示した様々な実施形態は例として示したものであり、必ずしも実寸通りではないことは理解されるべきである。本明細書で開示するのは、構造の非対称特性の判定方法である。この方法の1つの実施形態では、格子構造に対して、光学式スキャトロメトリによって得られた第1の信号およびこれとは異なる第2の信号を測定することを含む。次に、第1の信号と第2の信号との差を判定する。第1の信号、第2の信号、およびその差を用いる計算に基づき、格子構造の非対称構造パラメータを判定する。本発明の実施形態によれば、また、従来の手法とは対照的に、差を計算に含めることによって、測定した構造の非対称性は、平均化されるのとは反対に保持されて、逆に非対称構造を表さないシミュレーションを提供する。回折信号の次数は、周期構造から引き出されるものとしてシミュレートすることができる。ゼロ次は、周期構造の法線Nに対して仮説入射ビームの入射角に等しい角度で回折した信号を表す。回折次数が高次になると、1、2、3、-1、-2、-3などと表される。エバネッセント次数evanescentordersとして知られる他の次数を考慮してもよい。本発明の実施形態によれば、シミュレートした回折信号を生成して光計測に使用する。例えば、構造の側壁角などのプロファイルパラメータをモデル化して光計測に使用することができる。ウエハ構造内の屈折率および消衰係数nとkなどの材料の光学特性をモデル化して、光計測に用いてもよい。本発明の実施形態によれば、半導体デバイス構造の非対称特性を得ることによって、スキャトロメトリ信号に対する異なる限界寸法CDパラメータ同士の相関関係を低減するか、あるいはこれらのパラメータの感度を向上させる。この手法は、回帰解析または最適化法を用いてCD計測の精度を改善することができる。例えば、スキャトロメトリのCD計測における従来の方法では、回帰解析または最適化法を用いて、モデルとなるスキャトロメータ信号を単一または複数の方位角をもとに測定した信号にマッチングさせることによって、最適なCDパラメータを見いだす。このような従来の手法の欠点は、非対称の半導体デバイスの異なる位置にある同じまたは類似のタイプのCDパラメータ間の相関関係を破壊することが不可能な点である。例えば、左右の壁角が非対称、または左右のスペーサ幅が非対称である台形の格子の場合、従来の方法では、台形の左右サイドの2つの壁角または2つのスペーサ幅の間には、ほぼ完全な相関関係がある。したがって、そのように強い相関関係にあるCDパラメータを、従来の光学式スキャトロメトリ計測を用いて正確に測定することはできない。半導体デバイスは、規模が小さいことが特徴であるため、そのデバイスの構造はさらに一層複雑になる。例えば、リソグラフプロセスおよびエッチングプロセスで起こり得るミスアライメントを監視する必要があるだろう。本発明の実施形態によれば、異なる方位角Azまたは異なる入射角AOIで測定したスキャトロメータ信号の差をCDパラメータの回帰解析または最適化法に算入して、デバイス構造の非対称特性についての情報をさらに多く得る。したがって、形状のプロファイルにおける左右の壁角または左右のスペーサ幅などの非対称の特徴をさらに正確に計測できる。特定の構造に対する非対称性の度合いを測定する差動信号に基づいて、非対称要因を定義することができる。例えば、1つの実施形態では、1つの可能性のある定義は、以下の式1で求められる差動信号の平均二乗振幅である。式中、diは差動信号であり、i=1、、nである。計算に基づいてシミュレートした回折次数は、パターン形成した半導体膜またはフォトレジスト層などのパターン形成した膜に対するプロファイルパラメータを示すものであり、自動化プロセスまたは設備管理の校正に使用できるものである。図1は、本発明の実施形態による、自動化プロセスまたは設備管理に対してプロファイルパラメータなどの構造パラメータを判定して使用するための一連の操作の例を示すフローチャート100である。フローチャート100の操作102を参照すると、測定した一連の回折信号からプロファイルパラメータを取り出すために、ライブラリまたは仕込んだ機械学習システムMLSを開発する。操作104では、ライブラリまたは仕込んだMLSを用いて、構造の少なくとも1つのプロファイルパラメータを判定する。操作106では、少なくとも1つのプロファイルパラメータを、処理ステップを実行するように構成された製造クラスタに送信し、この場合、処理ステップは、半導体生産プロセスの流れの中で実行することができ、計測ステップ104の前または後に行われる。操作108では、送信された少なくとも1つのプロファイルパラメータを用いて、製造クラスタが実施する処理ステップに対するプロセス変数または設備設定を修正する。機械学習システムおよびアルゴリズムのさらに詳細な説明については、2003年6月27日に出願された米国特許出願第10/608,300号、タイトルOPTICALMETROLOGYOFSTRUCTURESFORMEDONSEMICONDUCTORWAFERSUSINGMACHINELEARNINGSYSTEMS機械学習システムを用いて半導体ウエハ上に形成される構造の光計測特許文献1を参照されたく、この文献は本願発明を理解するのに有効である。2つの2次元繰り返し構造に対する回折次数の最適化についての説明については、2006年3月24日に出願された米国特許出願第11/388,265号、タイトルOPTIMIZATIONOFDIFFRACTIONORDERSELECTIONFORTWO-DIMENSIONALSTRUCTURES2次元構造についての回折次数選択の最適化特許文献2を参照されたく、この文献も本願発明を理解するのに有効である。図2は、本発明の実施形態に従って、自動化プロセスおよび設備管理に対して、プロファイルパラメータなどの構造パラメータを判定して使用するためのシステム200の例示的ブロック図である。システム200は、第1の製造クラスタ202および光計測システム204を備える。システム200は、第2の製造クラスタ206も備える。第2の製造クラスタ206は、図2では第1の製造クラスタ202に続くものとして図示しているが、システム200および例えば生産プロセスの流れでは、第2の製造クラスタ206は、第1の製造クラスタ202の前にあってもよいことが認識されるべきである。ウエハに塗布したフォトレジスト層を露光し現像するなどのフォトリソグラフィプロセスは、第1の製造クラスタ202を用いて実施できる。1つの例示的実施形態では、光計測システム204は、光計測器208およびプロセッサ210を備える。光計測器208は、構造から得られた回折信号を測定するように構成される。測定した回折信号とシミュレートした回折信号とがマッチすれば、プロファイルパラメータの1つ以上の値は、シミュレートした回折信号と関連するプロファイルパラメータの1つ以上の値であると判定される。1つの例示的実施形態では、光計測システム204は、複数のシミュレート回折信号と、この複数のシミュレート回折信号と関連する1つ以上のプロファイルパラメータの複数の値とを有するライブラリ212も備えることができる。前述したように、ライブラリは、事前に生成されることができる。計測プロセッサ210は、構造から得られた測定された回折信号を、ライブラリ内にある複数のシミュレート回折信号と比較することができる。マッチしているシミュレート回折信号が発見されると、ライブラリ内のマッチしているシミュレート回折信号と関連するプロファイルパラメータの1つ以上の値は、ウエハを塗布して構造を製造するのに使用されるプロファイルパラメータの1つ以上の値であると仮定される。システム200は、計測プロセッサ216をも備えている。1つの例示的実施形態では、プロセッサ210は、1つ以上のプロファイルパラメータの1つ以上の値を計測プロセッサ216に送信できる。すると計測プロセッサ216は、光計測システム204を用いて判定された1つ以上のプロファイルパラメータの1つ以上の値に基づいて、1つ以上のプロセスパラメータまたは第1の製造クラスタ202の設備設定を調整できる。計測プロセッサ216は、光計測システム204を用いて判定された1つ以上のプロファイルパラメータの1つ以上の値に基づいて、1つ以上のプロセスパラメータまたは第2の製造クラスタ206の設備設定も調整できる。上記のように、製造クラスタ206は、製造クラスタ202の前または後にウエハを処理できる。もう1つの例示的実施形態では、プロセッサ210は、測定された一連の回折信号を機械学習システム214の入力として使用し、プロファイルパラメータを機械学習システム214の予想出力として用いて、機械学習システム214を仕込むように構成される。本発明の一態様では、構造内の非対称性は、その構造の光計測から得た測定を用いた計算に基づいて判定される。例えば、図3は、本発明の実施形態による、構造の非対称特性の判定方法における操作を示すフローチャート300である。フローチャート300の操作302を参照すると、構造の非対称特性の判定方法は、格子構造に対して、光学式スキャトロメトリによって得られた第1の信号およびこれとは異なる第2の信号を測定することを含む。本発明の実施形態によれば、第1の信号および第2の信号は、それぞれ格子構造の第1および第2の方位角で測定される。もう1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、それぞれ格子構造の第1および第2の入射角で測定される。もう1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、それぞれ格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度で測定される。もう1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、それぞれ格子構造の第1および第2の測定ターゲットに対して測定される。一実施形態では、光学式スキャトロメトリは、光学式の分光エリプソメトリSE、ビームプロファイル反射率測定法BPR、および高度な紫外線反射率測定法eUVRなどの技術だが、これに限定されない。一実施形態では、格子構造に対する第1の信号および第2の信号の測定は、3次元格子構造を使用することを含む。3次元格子構造という用語は、本明細書では、2次元に変化するx-yプロファイに加えてz方向の深さも有する構造を指すのに用いる。例えば、図4Aは、本発明の実施形態による、x-y平面に変化するプロファイルを有する周期格子400の図である。周期格子のプロファイルは、x-yプロファイルに応じてz方向に変化する。一実施形態では、格子構造に対する第1の信号および第2の信号の測定は、2次元格子構造を使用することを含む。2次元格子構造という用語は、本明細書では、1次元のみに変化するx-yプロファイルに加えてz方向の深さも有する構造を指すのに用いる。例えば、図4Bは、本発明の実施形態による、x方向に変化するがy方向には変化しないプロファイルを有する周期格子402の図である。周期格子のプロファイルは、xプロファイルに応じてz方向に変化する。2次元構造の場合にy方向におけるバリエーションの欠如が無限である必要はないが、パターンの任意の崩壊は長い範囲で考えられ、例えばy方向におけるパターンの任意の崩壊は、x方向におけるパターンの崩壊よりも実質的にさらに間隔をあけて起こることは理解されるべきである。フローチャート300の操作304を参照すると、構造の非対称特性の判定方法は、第1の信号と第2の信号との間の差を判定することも含む。例えば、一実施形態では、2つの異なる方位角の測定値間の差または2つの異なる入射角の測定値間の差など、2つの類似の信号間で差を取得する。フローチャート300の操作306を参照すると、構造の非対称特性の判定方法は、第1の信号、第2の信号、およびその差を用いた計算に基づいて、格子構造の非対称構造パラメータを判定することも含む。本発明の実施形態によれば、非対称構造パラメータは、側壁角であり、この場合、格子構造は、第1の側壁角を有する第1の側壁およびこれとは異なる第2の側壁角を有する第2の側壁を有する。一実施形態では、非対称構造パラメータは、上の角の丸み、底の基盤、または限界寸法CDのピッチシフトなどのパラメータだが、これに限定されない。一実施形態では、格子構造は、第1の材料で構成され、これとは異なる第2の材料で構成される側壁スペーサをさらに含み、この場合、非対称構造パラメータは、側壁スペーサの幅または側壁スペーサの高さなどのパラメータだが、これに限定されない。特定の実施形態では、側壁はそれぞれ、単一の側壁スペーサのみを含む。しかし、もう1つの特定の実施形態では、側壁はそれぞれ2つ以上の側壁スペーサを含む。もう1つの実施形態では、非対称構造パラメータは、格子構造であり、この格子構造は、第1の材料で構成され、これとは異なる第2および第3の材料でそれぞれ構成される左右の側壁スペーサをさらに含む。一実施形態では、計算は回帰計算である。1つのこのような実施形態では、構造パラメータの判定はさらに、計算に1つ以上の非差動信号を同時に用いることを含み、1つ以上の非差動信号は、方位角、入射角、偏光子/アナライザ角度、または追加の測定ターゲットなどの信号だが、これに限定されない。一実施形態では、構造の非対称特性の判定方法は、フィードバック技術、フィードフォワード技術、およびinsitu制御技術などだがこれらに限定されない技術を用いることによって、非対称構造パラメータに基づいてプロセス機器のパラメータを変更することをさらに含む。一実施形態では、非対称要因を用いて、CD計測器の製法過程でデバイスの構造プロファイルおよび形状をさらに正確に設定することができる。例えば、非対称要因が、与えられた閾値、例えば機器のノイズレベルよりも小さい場合、構造は、対称プロファイルによってモデル化されてよい。逆の場合、一実施形態では、プロファイルは、角度が非対称な角度を有する非対称性であり、これが非対称要因に相当する。一実施形態では、差動信号および非対称要因は、公知の対称構造を測定することによって、CD計測器の検証、診断、および特徴付けの一部として用いられる。非対称要因は、機器の効果を判断するのに用いられ、この効果は、一般的な非対称構造の測定値に今後適用できるように、所定の具体的な量よりも少ない必要がある。本発明の実施形態によれば、構造の非対称特性の判定方法はさらに、シミュレートしたスペクトルをサンプルスペクトルと比較することを含む。1つの実施形態では、一連の回折次数をシミュレートして、図15を参照して以下に説明する光計測システム1500のようなエリプソメトリによる光計測システムによって生成される3次元の格子構造を基に回折信号を表す。しかし、同じ概念および原理も、同じように反射システムなどの他の光計測システムに適用されることは理解されるべきである。図示した回折信号には、プロファイル、寸法または材料の組成などだがこれらに限定されない3次元の格子構造の特徴を計算に入れてもよい。上記の方法による操作の詳細について、以下の例で説明する。本発明の実施形態による第1の例では、図5に示すように、左右のスペーサの幅が非対称である構造500を用意する。具体的には、説明のために図5を参照すると、各中央構造502は、右の側壁に薄いスペーサ層504を有する。図6に示すように、構造500を有するウエハ600を第1の方位角AZ1で測定した後、このウエハを180度回転させて第2の方位角AZ2で測定する。信号差は、図7および図8のグラフ700および800に示すように、この2つの測定値に基づいてそれぞれ計算される。非対称要因は、次式2の通りに定義できる:第1の例の特定の実施形態では、中央構造はシリコンで構成され、側壁スペーサは酸化シリコンまたは二酸化シリコンで構成される。構造は、2つの反対方向に測定される。側壁厚が等しければ、例えば構造がスペーサの側壁厚を境に対称であれば、計算された2つの測定値間の差はゼロである。しかし、スペーサの側壁厚が異なるために非対称構造になっていれば、2つの測定値間の差はゼロではなく、オフセットを出す。すると、計算されたオフセットは、光計測の測定値またはシミュレーションのいずれか、あるいはこの両方に含まれて、測定されたデバイスの構造プロファイルについてさらに現実的な指示を出す。本発明の実施形態による第2の例では、図9に示すように、左右の壁角が異なる非対称の格子ターゲット900を用意する。図9を参照すると、スキャトロメータが測定したパラメータは、限界寸法CD、高さ、膜厚、左の側壁角SWA_L、および右の側壁角SWA_Rを含む。測定の方位角は、図10に示すように、格子ターゲット900の上面図のように定義され、この場合、方位角の値は、反時計回りの正の値と定義される。再度図9および図10を参照すると、従来の手法であれば、典型的には、ターゲット900または1000をそれぞれ0度の方位角で測定する。なぜなら、この手法では、上に列挙したどのパラメータに対しても感度が良好だからである。次に、回帰解析を用いて、理論的に計算したモデルのスペクトルと測定したスペクトルとの間の距離何らかの費用関数で定義されるを最短にするこれらのパラメータの最適値を求める。しかし、回帰解析の結果は通常正確ではない。なぜなら、SWA_LおよびSWA_Rの感度はほとんど完全に補正されるからである。これに加えて、従来の手法は、90または-90度の方位角でターゲットを測定すること、および方位角が0度であるこれらのスペクトルを単独でまたは一緒に回帰解析で用いることを含んでいると思われる。この手法が用いられるのは、SWA_LおよびSWA_Rの感度の相関関係が、90または-90度の方位角のスペクトルではわずかに少ないためである。しかし、相関関係の低下は極めて少なく、これは測定精度を大幅に補助するものではない。これとは対照的に、本発明の1つ以上の実施形態では、ターゲット900は、図11のターゲット1100に示すように、90度と-90度の両方の方位角で測定される。非対称の格子ターゲット1100の2つのスペクトルの差は、回帰計算で判定され、使用される。そのため、SWA_LおよびSWA_Rは、両者の相関関係が軽減することによってさらに正確に判定されることができる。SWA_L=85°であり、SWA_R=86°である2つの壁の角度の感度を、図12のグラフ1200および1202に示す。回帰解析で差動スペクトル自体を単独で用いて、または0度、90度、-90度の方位角で測定した1つ以上のスペクトルと共に用いて、最良の感度および最小の相関関係を達成することができる。本発明の1つ以上の実施形態は、測定した構造の特性に応じて、方位角=φ1でありAOI=θ1である測定値1と方位角=φ2’でありAOI=θ2である測定値2との間の差動スペクトル、または方位角が様々でありかつ/またはAOIが様々である測定値の対から生じる複数のこのような差動スペクトルが、相関関係を低減しかつ/またはCDパラメータの感度を増強するために回帰解析に算入されるという点で、一般化されてもよい。これらの差動スペクトルを、それ自体でまたは他の従来の非差動スペクトルと共に回帰解析で用いて、最良の感度および最小の相関関係を達成することができる。本発明の1つ以上の実施形態によれば、上記の手法の1つの利点は、非対称の半導体デバイス構造の異なる位置での同じまたは類似のタイプのCDパラメータの相関関係を低減できる点である。1つの実施形態では、SWA_Lの感度とSWA_Rの感度との間の相関関係係数の絶対値は、図13のグラフ1300に示すように、規則的な信号Az=90およびAz=-90と表記よりも差動信号Az90-Az-90と表記の方が遙かに急速に低下する。一実施形態では、半導体デバイスの限界寸法の回帰解析で、2つの異なる方位角および/または2つの異なる入射角で測定された2つの信号の差を取得することによって算出される各スペクトルと共に、差を示すスキャトロメータ信号を用いて、限界寸法の測定の精度を向上させる。今日、半導体デバイスはますます複雑になりつつあるため、光学CDOCD計測に頼って限界寸法を監視する非対称構造がますます多くなっている。差を示すスキャトロメータ信号は、非対称構造についての非対称情報を従来の信号よりも多く提供できる。これらの新たな信号は、パラメータ相関関係が高いまたはパラメータの感度が低いために、今日正確に測定できない多くの非対称パラメータの測定を可能にすることができる。新たな信号を用いて、非対称構造の数を把握するまでの時間を大幅に改善することもでき、これができなければ、次善策および/または試行錯誤の手法が必要となる。本発明の実施形態は、膜を多様な形で積層するのに適している。例えば、一実施形態では、CDプロファイルの非対称特性の判定方法は、基板に形成される絶縁膜、半導体膜および金属膜を含む積層膜を作るために実施される。一実施形態では、積層膜は、単一層または多層を含む。また、本発明の一実施形態では、解析したまたは測定した格子構造は、3次元成分と2次元成分の両方を含む。例えば、シミュレートした回折データに基づく算出の効率は、2次元成分が構造全体およびその回折データに及ぼす単純な役割を利用することによって最適化することができる。図14は、本発明の実施形態による2次元成分と3次元成分の両方を有する構造の断面図である。図14を参照すると、構造1400は、基板1406の上方に2次元成分1402および3次元成分1404を有する。2次元成分の格子は方向2に沿って広がっているのに対し、3次元成分の格子は方向1と方向2の両方に沿って広がっている。1つの実施形態では、方向1は、図14に示すように、方向2に対して直角である。もう1つの実施形態では、方向1は、方向2に対して直角ではない。図15は、本発明の実施形態による、半導体ウエハ上の構造のプロファイルを判定するために光計測を使用する様子を示す構造図である。光計測システム1500は、ウエハ1508のターゲット構造1506に計測ビーム1504を照射する計測ビーム源1502を備える。計測ビーム1504は、ターゲット構造1506に向かって入射角θで照射される。回折ビーム1510は、計測ビーム受信器1512が測定する。回折ビームデータ1514は、プロファイルアプリケーションサーバ1516に送信される。プロファイルアプリケーションサーバ1516は、測定した回折ビームデータ1514を、シミュレートした回折ビームデータのライブラリ1518と比較し、ターゲット構造の限界寸法と分解能との組み合わせの変化を表す。本発明の実施形態によれば、シミュレートした回折ビームデータの少なくとも一部は、2つ以上の方位角に対して判定された差に基づくものである。本発明のもう1つの実施形態によれば、シミュレートした回折ビームデータの少なくとも一部は、2つ以上の入射角に対して判定された差に基づくものである。1つの例示的実施形態では、測定した回折ビームデータ1514に最もマッチングするライブラリ1518のインスタンスが選択される。回折スペクトルまたは回折信号のライブラリおよびその仮説プロファイルは、概念および原理を説明するためにしばしば用いられるが、本発明は、回帰解析、ニューラルネットワーク、およびプロファイルの取得に用いられる類似の方法など、シミュレートした回折信号およびその一連のプロファイルパラメータを含むデータスペースにも同じように適用されることは理解されるべきである。選択したライブラリ1516のインスタンスの仮説プロファイルおよびその限界寸法は、ターゲット構造1506の特徴の実際の断面プロファイルおよび限界寸法に対応すると仮定される。光計測システム1500では、反射率計、エリプソメータ、または回折ビームまたは回折信号を測定するためのその他の光計測デバイスを使用してもよい。本発明の実施形態の説明を容易にするため、エリプソメトリによる光計測システムを用いて上記の概念および原理を説明する。同じ概念および原理が反射率計システムなどのその他の光計測システムにも同じように適用されることは理解されるべきである。同じように、半導体ウエハを使用してこの概念の適用を説明してもよい。また、この方法およびプロセスは、繰り返し構造を有するその他のワークピースにも同じように適用される。本発明は、命令を記憶した機械可読型媒体を備えることができるコンピュータプログラム製品、またはソフトウェアとして提供されてもよく、これを、コンピュータシステムまたはその他の電子機器をプログラムして本発明によるプロセスを実行するのに用いてもよい。機械可読型媒体は、機械例えばコンピュータで読み取り可能な形態の情報を記憶または送信するための任意の機構を備える。例えば、機械可読型例えばコンピュータが読み取れる媒体には、機械例えばコンピュータ可読型記憶媒体例えば読み出し専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光学式記憶媒体、フラッシュメモリデバイスなど、機械例えばコンピュータ可読型送信媒体電子信号、光信号、音響信号またはその他の形態の伝搬信号例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号などなどがある。図16は、コンピュータシステム1600という例示的形態での機械を示す図であり、このシステムでは、本明細書で考察した任意の1つ以上の計測を機械に行わせるための命令セットを実行できる。代替実施形態では、機械は、ローカルエリアネットワークLAN、イントラネット、エクストラネット、またはインターネットで他の機械に接続されることができる例えばネットワーク化される。機械は、クライアントサーバのネットワーク環境にあるサーバまたはクライアントマシンの容量内で、またはピアツーピアのまたは分散型のネットワーク環境にあるピアマシンとして動作できる。機械は、パーソナルコンピュータPC、タブレットPC、セットトップボックスSTB、携帯情報端末PDA、携帯電話、webアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチもしくはブリッジ、またはこの機械が取るべき行為を特定する連続的またはそうでない命令セットを実行する能力のある任意の機械とすることができる。このほか、単一の機械のみを説明しているが、機械という用語は、本明細書で考察した任意の1つ以上の計測を実施する1つのまたは複数の命令セットを個々にまたは共同で実行する機械の任意の集合例えば複数のコンピュータも含むとみなされるものとする。例示的なコンピュータシステム1600は、プロセッサ1602、メインメモリ1604例えば読み取り専用メモリROM、フラッシュメモリ、シンクロナスDRAMSDRAMまたはラムバスDRAMRDRAMのようなダイナミックランダムアクセスメモリDRAMなど、スタティックメモリ1606例えばフラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリSRAMなど、および二次メモリ1618例えばデータ記憶デバイスを備え、これらはバス1630を介して互いに通信する。プロセッサ1602は、マイクロプロセッサ、中央処理デバイスなど、1つ以上の汎用処理デバイスである。さらに詳細には、プロセッサ1602は、複合命令セットコンピュータCISCのマイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピュータRISCのマイクロプロセッサ、超長命令語VLIWのマイクロプロセッサ、他の命令セットを実装するプロセッサ、または命令セットを組み合わせたものを実装するプロセッサとすることができる。プロセッサ1602は、1つ以上の特定の用途向け集積回路ASICのような特別目的の処理デバイス、現場でプログラム可能なゲートアレイFPGA、デジタルシグナルプロセッサDSP、ネットワークプロセッサなどであってもよい。プロセッサ1602は、本明細書で考察した操作を実施する処理回路1626を実行するように構成される。コンピュータシステム1600は、ネットワークインターフェースデバイス1608をさらに備えてもよい。コンピュータシステム1600は、映像表示ユニット1610例えば液晶ディスプレイLCDまたは陰極線管CRT、英数字入力デバイス1612例えばキーボード、カーソルコントロールデバイス1614例えばマウス、および信号生成デバイス1616例えばスピーカーを備えてもよい。二次メモリ1618は、機械アクセス可能な記憶媒体またはさらに具体的にはコンピュータ可読型記憶媒体1631を備えることができ、この記憶媒体には、本明細書に記載した任意の1つ以上の計測または関数を包含する1つ以上の命令セット例えばソフトウェア1622が記憶される。ソフトウェア1622は、コンピュータシステム1600に実行されている間は、完全にまたは少なくとも部分的に、メインメモリ1604内および/またはプロセッサ1602内にあってもよく、メインメモリ1604およびプロセッサ1602は、機械可読型記憶媒体も構成する。ソフトウェア1622は、さらに、ネットワークインターフェースデバイス1608を介してネットワーク1620上で送受信されることができる。機械アクセス可能な記憶媒体1631は、例示的実施形態で単一の媒体として示しているが、機械可読型記憶媒体という用語は、1つ以上の命令セットを記憶する単一の媒体または複数の媒体例えば中央集中型または分散型のデータベース、ならびに/またはそのキャッシュおよびサーバを含むとみなされるべきである。機械可読型記憶媒体という用語は、機械が実行する命令セットを記憶または符号化する能力があり、本発明の任意の1つ以上の計測をその機械に実施させる任意の媒体も含むとみなされるべきである。機械可読型記憶媒体という用語は、したがって、ソリッドステートメモリ、ならびに光学媒体および磁気媒体だがこれに限定されないものを含むとみなされるべきである。本発明の実施形態によれば、機械アクセス可能な記憶媒体は、この中に記憶された命令を有し、この命令によりデータ処理システムが、構造の非対称特性の判定方法を実施する。本方法は、格子構造に対して、光学式スキャトロメトリによって得られる第1の信号およびこれとは異なる第2の信号を測定することを含む。本方法は、第1の信号と第2の信号との間の差を判定することも含む。本方法は、第1の信号、第2の信号、およびその差を用いた計算に基づいて、格子構造の非対称構造パラメータを判定することもさらに含む。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の方位角でそれぞれ測定される。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の入射角でそれぞれ測定される。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度でそれぞれ測定される。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の測定ターゲットでそれぞれ測定される。1つの実施形態では、非対称構造パラメータは、側壁角であり、この場合、格子構造は、第1の側壁角を有する第1の側壁およびこれとは異なる第2の側壁角を有する第2の側壁を有する。1つの実施形態では、非対称構造パラメータは、上の角の丸み、底の基盤、または限界寸法CDのピッチシフトなどのパラメータだが、これに限定されない。1つの実施形態では、格子構造は、第1の材料で構成され、これとは異なる第2の材料で構成される側壁スペーサをさらに含み、この場合、非対称構造パラメータは、側壁スペーサの幅または側壁スペーサの高さなどのパラメータだが、これに限定されない。もう1つの実施形態では、非対称構造パラメータは、格子構造であり、この格子構造は、第1の材料で構成され、これとは異なる第2および第3の材料でそれぞれ構成される左右の側壁スペーサをさらに含む。1つの実施形態では、計算は、回帰計算である。特定の実施形態では、構造パラメータの判定はさらに、計算に1つ以上の非差動信号を同時に用いることを含み、1つ以上の非差動信号は、方位角、入射角、偏光子/アナライザ角度および追加の測定ターゲットなどの信号だが、これに限定されない。1つの実施形態では、光学式スキャトロメトリは、光学式の分光エリプソメトリSE、ビームプロファイル反射率BPR、または高度な紫外線反射率eUVRなどの技術だが、これに限定されない。1つの実施形態では、本方法は、フィードバック技術、フィードフォワード技術、およびinsitu制御技術などだがこれに限定されない技術を使用することによって、非対称構造パラメータに基づいてプロセス機器のパラメータを変更することをさらに含む。上記の計測は、本発明の実施形態の精神および範囲内で、多様な状況下で適用されてもよいことは理解されるべきである。例えば、一実施形態では、上記の計測は、背後の光があってもなくても実施される。一実施形態では、上記の方法は、半導体、ソーラー、発光ダイオードLED、または関連する製造プロセスで実施される。一実施形態では、上記の方法は、単独型または内蔵型の計測器で用いられる。一実施形態では、上記の方法は、単一または複数の測定ターゲットの回帰解析で用いられる。以上のように、構造の非対称特性の判定方法を開示してきた。本発明の実施形態によれば、1つの方法は、格子構造に対して、光学式スキャトロメトリによって得られる第1の信号およびこれとは異なる第2の信号を測定することを含む。次に、第1の信号と第2の信号との差が判定される。格子構造の非対称構造パラメータは、第1の信号、第2の信号、およびその差を用いた計算に基づいて判定される。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の方位角でそれぞれ測定される。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の入射角でそれぞれ測定される。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度でそれぞれ測定される。1つの実施形態では、第1の信号および第2の信号は、格子構造の第1および第2の測定ターゲットでそれぞれ測定される。"