複数の半導体層の水素パシベーション方法であって、光アークプラズマ源を使用することによりパシベーションを行うことを特徴とする水素パシベーション方法。各半導体層はケイ素を含む層である、請求項1記載の水素パシベーション方法。前記光アークプラズマ源は45Aより小さい電流強度での高圧ガス放電によりプラズマを形成する、請求項1または2記載の水素パシベーション方法。前記高圧ガス放電は、電流強度0.1Aから44Aまでの直流電流、有利には1.5Aから3Aまでの直流電流で行われる、請求項3記載の水素パシベーション方法。前記光アークプラズマ源は間接型プラズマ発生器である、請求項1から4までのいずれか1項記載の水素パシベーション方法。プラズマを放出する前記光アークプラズマ源のノズルは、パシベーションすべき半導体層に対し、50μmから50mmの距離、有利には1mmから30mmの距離を置いて、配置されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の水素パシベーション方法。前記ノズルから放出されるプラズマ噴射を、基板上に存在する半導体層に対して、5°から90°の角度、有利には80°から90°の角度、特に有利には85°から90°の角度で偏向させる、請求項1から6までのいずれか1項記載の水素パシベーション方法。前記光アークプラズマ源は、0.1体積から5体積のH2と99.9体積から95体積の不活性ガスとを含む混合ガス、有利には0.5体積から2体積のH2と99.5体積から99体積の不活性ガスとを含む混合ガスを使用している、請求項1から7までのいずれか1項記載の水素パシベーション方法。前記光アークプラズマ源が使用される際に各半導体層を加熱する、請求項1から8までのいずれか1項記載の水素パシベーション方法。請求項1から9までのいずれか1項記載の複数の半導体層の水素パシベーション方法によって製造されることを特徴とするパシベーションされた半導体層。電子製品またはオプトエレクトロニクス製品を製造するための、請求項10記載のパシベーションされた半導体層の使用。