"一対の電極間に挟持された、発光層を含む少なくとも1層の有機化合物層を有する有機EL素子であって、下記一般式II又はIIIに記載の含窒素複素環誘導体を、該有機化合物層の少なくとも1層に含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。[式中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基で、nは0~4の整数であり、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基であり、式IIにおいて、Lは、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、式IIIにおいて、Lは、炭素数6~60のアリーレン基、ピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ar3は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、又は-Ar1-Ar2で表される基Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基又は置換基を有していてもよいキノリニレン基であり、Ar2は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基であるであり、式II中のAr3及びR2が置換基を有する場合の当該置換基は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリールオキシ基、又は炭素数6~40のアリール基であり、式II中のR、Ar1及びAr2、並びに、式III中のR2、R3及びAr1~Ar3が置換基を有する場合の当該置換基は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリールオキシ基、炭素数6~40のアリール基、又は炭素数3~40のヘテロアリール基である]Lが、からなる群から選択される基である請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。Ar3が、からなる群から選択される基である請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。Ar3が、下記一般式21~30[式中、それぞれの縮合環は、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリールオキシ基、炭素数6~40のアリール基又は炭素数3~40のヘテロアリール基からなる結合基が結合していてもよく、該結合基が複数ある場合は、該結合基は互いに同一でも異なっていてもよい。L’は、単結合、又はからなる群から選択される基である。R’は、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~40のアリール基又は炭素数3~40のヘテロアリール基である]で表される縮合環基から選択されるいずれかの基である請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。Ar3の示す一般式23が、下記一般式41~63[式中、それぞれの縮合環は、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリールオキシ基、炭素数6~40のアリール基又は炭素数3~40のヘテロアリール基からなる結合基が結合していてもよく、該結合基が複数ある場合は、該結合基は互いに同一でも異なっていてもよい。R’は、前記と同じ]で表される縮合環基である請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記含窒素複素環誘導体が、主として発光帯域に含有されている請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記含窒素複素環誘導体が、発光層に含有されている請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記含窒素複素環誘導体が、電子注入材料及び/又は電子輸送材料として用いられる請求項1~7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記電子注入材料及び/又は電子輸送材料を含有する層が、還元性ドーパントを含有する請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記還元性ドーパントが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一種類の物質である請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、有機EL素子の構成成分として有用な新規な含窒素複素環誘導体を提供し、この含窒素複素環誘導体を有機EL素子用材料として有機化合物層の少なくとも1層に用いることにより、低電圧でありながら、発光輝度及び発光効率が高い有機EL素子を提供することを目的とする。本発明らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ベンゾイミダゾールに特定の基が結合した構造を有する含窒素複素環誘導体が新規な化合物であって、この化合物を有機EL素子用材料として有機EL素子の有機化合物層の少なくとも1層に用いることにより、低電圧での高輝度化及び高効率化を達成できることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明は、一対の電極間に挟持された、発光層を含む少なくとも1層の有機化合物層を有する有機EL素子であって、下記一般式II又はIIIに記載の含窒素複素環誘導体を、該有機化合物層の少なくとも1層に含有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものである。[式中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基で、nは0~4の整数であり、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基であり、式IIにおいて、Lは、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、式IIIにおいて、Lは、炭素数6~60のアリーレン基、ピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ar3は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、又は-Ar1-Ar2で表される基Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基又は置換基を有していてもよいキノリニレン基であり、Ar2は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基であるであり、式II中のAr3及びR2が置換基を有する場合の当該置換基は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリールオキシ基、又は炭素数6~40のアリール基であり、式II中のR、Ar1及びAr2、並びに、式III中のR2、R3及びAr1~Ar3が置換基を有する場合の当該置換基は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリールオキシ基、炭素数6~40のアリール基、又は炭素数3~40のヘテロアリール基である]本発明によれば、本発明の含窒素複素環誘導体を、有機EL素子の有機化合物層の少なくとも1層に用いることにより、低電圧でありながら、発光輝度及び発光効率が高い有機EL素子が得られる。本発明の含窒素複素環誘導体以下、本発明化合物ということがあるは、前記一般式I、II又はで表されるものである。一般式I~において、Rは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基である。前記炭素数6~60のアリール基としては、炭素数6~40のアリール基が好ましく、炭素数6~20のアリール基がさらに好ましく、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリル基、t-ブチルフェニル基、2-フェニルプロピルフェニル基、フルオランテニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレンからなる1価の基、パーフルオロフェニル基、パーフルオロナフチル基、パーフルオロアントリル基、パーフルオロビフェニル基、9-フェニルアントラセンからなる1価の基、9-1’-ナフチルアントラセンからなる1価の基、9-2’-ナフチルアントラセンからなる1価の基、6-フェニルクリセンからなる1価の基、9-[4-ジフェニルアミノフェニル]アントラセンからなる1価の基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、9-10-フェニルアントリル基、9-[10-1’-ナフチル]アントリル基、9-[10-2’-ナフチル]アントリル基等が好ましい。炭素数1~20のアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の他、及びトリフルオロメチル基等のハロアルキル基が挙げられ、炭素数が3以上のものは直鎖状、環状又は分岐を有するものでもよい。炭素数1~20のアルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましく、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられ、炭素数が3以上のものは直鎖状、環状又は分岐を有するものでもよい。Rの示す各基の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数3~40のヘテロアリール基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリール基としては、前記と同様のものが挙げられる。炭素数6~40のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ビフェニルオキシ基等が挙げられる。炭素数3~40のヘテロアリール基としては、例えば、ピローリル基、フリル基、チエニル基、シローリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、セレノフェニル基、オキサジアゾリル基、トリアゾーリル基等が挙げられる。nは0~4の整数であり、0~2であると好ましい。一般式Iにおいて、R1は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のアルコキシ基である。これら各基の具体例、好ましい炭素数及び置換基としては、前記Rについて説明したものと同様である。一般式II及びにおいて、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基である。これら各基の具体例、好ましい炭素数及び置換基としては、前記Rについて説明したものと同様である。一般式I~において、Lは、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基、置換基を有していてもよいキノリニレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基である。炭素数6~60のアリーレン基としては、炭素数6~40のアリーレン基が好ましく、炭素数6~20のアリーレン基がさらに好ましく、具体的には、前記Rについて説明したアリール基から水素原子1個を除去して形成される2価の基が挙げられる。Lの示す各基の置換基としては、前記Rについて説明したものと同様である。また、Lは、からなる群から選択される基であると好ましい。一般式Iにおいて、Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリーレン基、置換基を有していてもよいピリジニレン基又は置換基を有していてもよいキノリニレン基である。Ar1及びAr3の示す各基の置換基としては、それぞれ前記Rについて説明したものと同様である。また、Ar1は、下記一般式1~10で表される縮合環基から選択されるいずれかの基であると好ましい。一般式1~10式中、それぞれの縮合環は、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数3~40のヘテロアリール基からなる結合基が結合していてもよく、該結合基が複数ある場合は、該結合基は互いに同一でも異なっていてもよい。これら各基の具体例としては、前記と同様のものが挙げられる。一般式10において、Lは、単結合、又はからなる群から選択される基である。Ar1の示す一般式3が、下記一般式11~25で表される縮合環基であると好ましい。一般式11~25式中、それぞれの縮合環は、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数3~40のヘテロアリール基からなる結合基が結合していてもよく、該結合基が複数ある場合は、該結合基は互いに同一でも異なっていてもよい。これら各基の具体例としては、前記と同様のものが挙げられる。一般式Iにおいて、Ar2は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基である。これら各基の具体例、好ましい炭素数及び置換基としては、前記Rについて説明したものと同様である。一般式II及びにおいて、Ar3は、置換基を有していてもよい炭素数6~60のアリール基、置換基を有していてもよいピリジル基、置換基を有していてもよいキノリル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、又は-Ar1-Ar2で表される基Ar1及びAr2は、それぞれ前記と同じである。これら各基の具体例、好ましい炭素数及び置換基としては、前記Rについて説明したものと同様である。また、Ar3は、下記一般式21~30で表される縮合環基から選択されるいずれかの基であると好ましい。一般式21~30式中、それぞれの縮合環は、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数3~40のヘテロアリール基からなる結合基が結合していてもよく、該結合基が複数ある場合は、該結合基は互いに同一でも異なっていてもよい。これら各基の具体例としては、前記と同様のものが挙げられる。一般式30において、Lは、前記と同じである。一般式21~30において、Rは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数3~40のヘテロアリール基である。これら各基の具体例としては、前記と同様のものが挙げられる。Ar3の示す一般式23が、下記一般式41~63で表される縮合環基であると好ましい。一般式41~63式中、それぞれの縮合環は、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリールオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6~40のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数3~40のヘテロアリール基からなる結合基が結合していてもよく、該結合基が複数ある場合は、該結合基は互いに同一でも異なっていてもよい。これら各基の具体例としては、前記と同様のものが挙げられる。Rは、前記と同じである。また、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、からなる群から選択される基であると好ましい。本発明の一般式I~で示される新規な含窒素複素環誘導体の具体例を下記に示すが、本発明はこれらの例示化合物に限定されるものではない。なお、下記表において、HArは、一般式I~における、を示す。以上の具体例のうち、特に、1-1、1-5、1-7、2-1、3-1、4-2、4-6、7-2、7-7、7-8、7-9、9-7が好ましい。本発明の上記一般式I、II又はで示される新規含窒素複素環誘導体は、有機EL素子用材料として使用することが好ましい。本発明の含窒素複素環誘導体を、有機EL素子の有機化合物層の少なくとも1層に含有することにより、従来より低電圧で高輝度、高効率の発光が得られる。本発明の含窒素複素環誘導体は、有機EL素子の発光帯域、発光層及び/又は電子輸送層電子注入層に用いることが好ましい。特に、本発明の含窒素複素環誘導体は、電子注入材料及び/又は電子輸送材料として用いられることが好ましい。また、電子注入材料及び/又は電子輸送材料を含有する層が、還元性ドーパントを含有すると好ましい。ここで、発光帯域とは、有機EL素子に電界を印加したときに発光を生じる発光材料を含有する部分全体を表す。現在、有機EL素子は一般に、異なる機能や役割を有する材料からなる各薄膜を積層した構造を有しており、発光材料は発光層と呼ばれる有機薄膜層のみに含有される場合が多い。この場合には、発光層が発光帯域に相当する。また、発光層、電子輸送層、電子注入材料については後述する。次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、一対の電極間に挟持された、発光層を含む少なくとも1層の有機化合物層を有する有機EL素子であって、上記本発明の一般式I、II及びで表される含窒素複素環誘導体のうち少なくとも1種を、該有機化合物層の少なくとも1層に含有することを特徴とする。本発明の有機EL素子は、有機化合物層の少なくとも1層が、上記本発明化合物を含有するものであって、その素子構成としては、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極型陽極/発光層/電子注入層/陰極型陽極/正孔注入層/発光層/陰極型陽極/発光層/陰極型などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の有機EL素子においては、本発明化合物を発光層及び/又は電子注入層を構成する材料として用いることが好ましい。素子構成においては、正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではないが、これらの層を有する素子は発光性能が向上する利点を有している。また、一対の電極間に、上記正孔注入層、発光層、電子注入層を混合させた形で挟持させてもよい。さらに、各構成成分を安定に存在させるため、高分子化合物などのバインダーを用いて混合層を作製してもよい。ここでは、陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極型を例として、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機EL素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英などからなるものを用いることができる。この有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Auなどの金属、CuI、ITO、SnO2、ZnOなどの導電性透明材料が挙げられる。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製することができる。陽極側より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は、数百Ω/□以下であることが好ましい。さらに、陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1μm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム-銀合金、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム-インジウム合金、Al/Al2O3、インジウム、アルミニウム-リチウム合金などが挙げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、電極としてのシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は、通常10~500nm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば、発光効率が向上し好都合である。本発明の有機EL素子における発光層を構成する発光材料としては、上記本発明化合物を用いることが好ましい。本発明化合物を発光材料として用いる場合、本発明化合物単独でもよいし、公知の発光材料と共に用いてもよい。本発明化合物が発光層以外に用いられている場合は、発光層の発光材料について、特に制限されることはなく、従来公知の発光材料の中から任意のものを選択して用いることができる。このような発光材料としては、例えば、多環縮合芳香族化合物、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物などの薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。ここで、上記多環縮合芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や、約8個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などを挙げることができる。具体的には、1,1,4,4-テトラフェニル-1,3-ブタジエン、4,4’-2,2-ジフェニルビニルビフェニルなどを用いることができる。この発光層は、これらの発光材料の1種又は2種以上からなる1層で構成されてもよいし、あるいは該発光層とは別種の化合物からなる発光層を積層したものであってもよい。本発明の有機EL素子における正孔注入層は、正孔伝達化合物からなるものであって、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させることにより、より低い電界印加で多くの正孔が発光層に注入される。そのうえ、発光層に陰極又は電子注入層より注入された電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され、発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子が得られる。このような正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界が印加された2個の電極間に配置されて、陽極から正孔が注入されたときに、正孔を適切に発光層へ伝達しうるものであり、例えば、104~106V/cmの電界印加時に少なくとも106cm2/V秒の正孔移動度を有するものが好適である。この正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。前記正孔伝達化合物としては、例えば、銅フタロシアニンや、N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノフェニル、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ3-メチルフェニル-4,4’-ジアミノビフェニルTPDA、2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン、1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン、N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニルなどが挙げられる。また、Si、SiC、CdSなどの無機物半導体の結晶、非晶材料も用いることができる。この正孔注入層は、これらの正孔注入材料1種又は2種以上からなる1層で構成されてもよいし、あるいは、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。本発明の有機EL素子における電子注入層は、電子注入材料からなるものであって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。本発明の有機EL素子においては、上記本発明化合物を電子注入材料として用いることが好ましい。本発明化合物が、電子注入層以外で用いられている場合は、電子注入材料について特に制限されることはなく、従来公知の電子注入材料化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。本発明の有機EL素子の好ましい実施形態として、電子を輸送する領域又は陰極と有機化合物層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。本発明では、本発明化合物に還元性ドーパントを含有する有機EL素子が好ましい。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元できる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば様々なものを用いることができ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体及び希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一種類の物質であることが好ましい。また、好ましい還元性ドーパントとしては仕事関数が2.9eV以下のものが好ましく、より具体的には、Na仕事関数:2.36eV、K仕事関数:2.28eV、Rb仕事関数:2.16eV及びCs仕事関数:1.95eVからなる群から選択される1種又は2種以上のアルカリ金属や、Ca仕事関数:2.9eV、Sr仕事関数:2.0~2.5eV及びBa仕事関数:2.52eVからなる群から選択される1種又は2種以上のアルカリ土類金属が挙げられる。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、K、Rb及びCsからなる群から選択される1種又は2種以上のアルカリ金属であり、さらに好ましくはRb又はCsであり、最も好ましいのはCsである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化を達成することができる。また、仕事関数が2.9eV以下の還元性ドーパントとして、これら2種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRbあるいはCsとNaとKとの組み合わせであることが好ましい。Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮させることができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が達成される。また、アルカリ金属の他にアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される1種又は2種以上の金属化合物を使用しても同様の効果が得られるし、アルカリ金属有機錯体、アルカリ土類金属有機錯体を用いても同様の効果が得られる。本発明の有機EL素子においては、陰極と有機層の間に絶縁体や半導体、無機化合物で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。電子注入層を設けることにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される1種又は2種以上の金属化合物を使用することが好ましい。電子注入層がこれらの金属化合物で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、具体的には、例えば、Li2O、LiO、Na2S、Na2Se及びNaOが挙げられる。好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及びCaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及びNaCl等が挙げられる。好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及びBeF2などのフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。また、電子注入層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZnからなる群から選択される1種又は2種以上の元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の1種単独又は2種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物は、微結晶性又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの無機化合物で構成されていれば、より均質な薄膜が形成できるため、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。本発明の有機EL素子における電子注入層は、本発明化合物又は他の電子注入材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。電子注入層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm~5μmである。この電子注入層は、これらの電子注入材料1種又は2種以上からなる1層で構成されてもよいし、あるいは別種の化合物からなる2層以上の電子注入層を積層したもであってもよい。さらに無機物であるp型-Si、p型-SiCによる正孔注入材料、n型α-Si、n型α-SiCによる電子注入材料を、電子注入層を構成するための電子注入材料として用いることができる。具体的には、例えば、国際特許公開第WO90/05998号公報に開示されている無機半導体などが挙げられる。次に、本発明の有機EL素子の作製方法について説明する。好適な例として、前記の陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極型の有機EL素子の作製法について説明する。まず、適当な基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10~200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成し、陽極とする。次に、この上にEL素子構成要素である正孔注入層、発光層、電子注入層を、順次、各構成材料からなる薄膜を形成することにより積層して作製する。ここで用いる薄膜形成方法としては、前記のようなスピンコート法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から真空蒸着法が好ましい。この薄膜化に、真空蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般に、ポート加熱温度50~400°C、真空度106~103Pa、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300°C、膜厚5nm~5μmの範囲で適宜選択することが望ましい。これらの層の形成後、その上に、例えば、蒸着やスパッタリングなどの方法により、陰極用物質からなる、膜厚1μm以下、好ましくは50~200nmの範囲の薄膜を形成し、陰極とすることにより、所望の有機EL素子が得られる。なお、この有機EL素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、発光層、正孔注入輸送層、陽極の順に作製することもできる。また、一対の電極間に正孔注入層、発光層、電子注入層を混在させた形で挟持させた、陽極/発光層/陰極型の有機EL素子の作製方法としては、例えば、適当な基板上に、陽極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入材料、発光材料、電子注入材料と、ポリビニルカルバゾール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエステル及びポリエーテルなどの結着剤などからなる溶液を塗布するか、又はこの溶液から浸漬塗工法により薄膜を形成して発光層又は発光帯域とし、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成するものがある。ここで、作製した発光層上に、さらに発光層や電子注入層の材料となる素子材料を真空蒸着した後、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成してもよい。このようにして得られた有機EL素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を、陰極を-の極性として3~50V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が、陰極が-の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流電流の波形は任意でよい。本発明の有機EL素子は、本発明の含窒素複素環誘導体を有機化合物層、特に電子注入層に用いることにより、本発明化合物を含む有機化合物層と電極特に、陰極との間の付着性が改善される。上記のように作製された本発明の有機EL素子によれば、高輝度且つ高発光効率が達成できる。以下、合成例、実施例を記載して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。合成例1:化合物1-7の合成121フェニル1Hベンゾイミダゾールの合成4ブロモ安息香酸30gを12ジクロロエタン30ミリリットルに懸濁させ、塩化チオニル27g、NNジメチルホルムアミド3滴を加え、原料の安息香酸が消失するまで、1時間30分間、約50°Cで加熱撹拌した。反応終了後、溶媒、過剰の塩化チオニルを留去し、得られた酸クロリドをNメチルピロリドン30ミリリットルに溶かし、Nフェニル12フェニレンジアミン28gを加え、室温で1晩撹拌した。反応終了後、水を加え、析出した固体をろ過し、さらに水で洗浄し、減圧下で乾燥することにより、4ブロモNベンズアミド52gを得た。このベンズアミドを減圧下約20mmHgで、約300°Cで30分間、加熱撹拌した。反応終了後、ジクロロメタンに溶かし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、21フェニル1Hベンゾイミダゾール35g収率80を得た。224フェニル1フェニル1Hベンゾイミダゾール化合物1-7の合成1で得られた21フェニル1Hベンゾイミダゾール40g、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸40g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム027gを12ジメトキシエタン40ミリリットルに溶かし、20M炭酸ナトリウム水溶液18ミリリットルを加え、7時間加熱環流した。反応終了後、ろ過し、得られた結晶を水、メタノールで洗浄し、51gの黄白色固体を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量57223に対し、me572であった。合成例2:化合物4-2の合成121フェニル1Hベンゾイミダゾールの合成合成例1の1において、4ブロモ安息香酸の代わりに3ブロモ安息香酸を用いた以外は同様の操作を行うことにより、21フェニル1Hベンゾイミダゾール38gを得た。223フェニル1フェニル1Hベンゾイミダゾール化合物4-2の合成合成例1の2において、21フェニル1Hベンゾイミダゾールの代わりに1で得られた21フェニル1Hベンゾイミダゾールを用いた以外は同様の操作を行うことにより、37gの黄白色固体を得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量57223に対し、me572であった。合成例3:化合物1-1の合成121フェニル1Hベンゾイミダゾールの合成4ヨード安息香酸50gを12ジクロロエタン50ミリリットルに懸濁させ、NNジメチルホルムアミド3滴を加えた。さらに塩化チオニル36gを加え、2時間加熱還流した。次いで、溶媒を留去し、残さをNメチルピロリドン50ミリリットルに溶かし、Nフェニル12フェニレンジアミン37gを加え、室温で5時間攪拌した。反応終了後、水を加え、析出した固体をろ過した後、水洗し、さらにメタノールで洗浄し、粗4ヨードNベンズアミド80gを得た。得られた粗4ヨードNベンズアミド45g、及びpトルエンスルホン酸1水和物057gをキシレン45ミリリットルに分散し、3時間加熱還流した。反応終了後、放冷し、5炭酸カリウム水溶液及びトルエンを加え、有機層を抽出した。有機層を5炭酸カリウム水溶液、水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた固体をヘキサンで洗浄することにより、21フェニル1Hベンゾイミダゾール39gを得た。21フェニル24フェニル1Hベンゾイミダゾール化合物1-1の合成合成例1の2において、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸の代わりに対応する10フェニルアントラセン9ボロン酸を用い、21フェニル1Hベンゾイミダゾールの代わりに対応する21フェニル1Hベンゾイミダゾールを用いた以外は、同様の操作を行うことにより、目的物である化合物1-1を得た収率59。このものは、MS分析の結果、目的物の分子量52221に対し、me522であった。合成例4:化合物2-1の合成121メチル1Hベンゾイミダゾールの合成4ヨード安息香酸100gを12ジクロロエタン100ミリリットルに懸濁させ、NNジメチルホルムアミド3滴を加えた。さらに塩化チオニル73gを加え、2時間加熱還流した。次いで、溶媒を留去し、残さをNメチルピロリドン100ミリリットルに溶かし、氷冷下でNメチル12フェニレンジアミン50gを加え、室温で5時間攪拌した。反応終了後、水を加え、析出した固体をろ過した後、得られた固体に酢酸エチル及び水を加え、有機層を抽出した不溶物はろ別した。。有機層を5炭酸カリウム水溶液、水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、粗4ヨードNベンズアミドと、粗N4ヨードNメチルベンズアミドの混合物11gを得た。得られた混合物11g、及びpトルエンスルホン酸1水和物175gをキシレン100ミリリットルに分散し、7時間加熱還流した。反応終了後、放冷し、5炭酸カリウム水溶液及びトルエンを加え、有機層を抽出した。有機層を5炭酸カリウム水溶液、水、食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた褐色オイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=3/1にて精製することで、目的の21メチル1Hベンゾイミダゾール27gを得た。21メチル24フェニル1Hベンゾイミダゾール化合物2-1の合成合成例1の2において、21フェニル1Hベンゾイミダゾールの代わりに対応する21メチル1Hベンゾイミダゾールを用いた以外は、同様の操作を行うことにより、目的物である化合物を得た収率33。このものは、MS分析の結果、目的物の分子量51021に対し、me510であった。合成例5:化合物3-1の合成12ニトロNピリジルアニリンの合成2ニトロアニリン150g、2ブロモピリジン172g、よう化銅206g、炭酸カリウム30gを窒素雰囲気下、160°Cで9時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、酢酸エチルで薄め、ろ過した。ろ液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、2ニトロNピリジルアニリン630gを得た。224ブロモベンズアニリドの合成1で得られた2ニトロNピリジルアニリン63g292mmolをテトラヒドロフラン50ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム26g/水90ミリリットルの溶液を滴下した。さらにメタノール5ミリリットルを加えて、3時間攪拌した。次に、酢酸エチル50ミリリットルを加えて、炭酸水素ナトリウム50g595mmol/水50ミリリットルの溶液を加えた。さらに4ブロモベンゾイルクロリド66g300mmol/酢酸エチル20ミリリットルの溶液を滴下し、室温で5時間攪拌した。析出した固体をろ別した後、水、メタノールで洗浄し、24ブロモベンズアニリド55g収率51を得た。3121Hベンズイミダゾールの合成2で得られた24ブロモベンズアニリド55g150mmolをキシレン60ミリリットル中に懸濁させ、pトルエンスルホン酸1水和物086gを加え、8時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。反応溶液を室温まで冷却し溶媒留去した。得られた固体を酢酸エチルに溶解させ、水、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、121Hベンズイミダゾール35g収率67を得た。424フェニル11Hベンゾイミダゾールの合成3で得られた121Hベンズイミダゾール35g、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸42g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム023gを12ジメトキシエタン60ミリリットルに溶かし、20M炭酸ナトリウム水溶液30ミリリットルを加え、8時間加熱環流した。反応終了後、ろ過し、得られた結晶を水、メタノール、トルエンで洗浄し、50g収率86の緑白色固体を得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量57322に対し、me573であった。合成例6:化合物4-6の合成121フェニル1Hベンゾイミダゾールの合成合成例1の1において、4ブロモ安息香酸の代わりに対応する5ブロモニコチン酸を用いた以外は、同様の操作を行うことにより、21フェニル1Hベンゾイミダゾール593gを得た。225ピリジン3イル1フェニル1Hベンゾイミダゾール化合物4-6の合成合成例1の2において、21フェニル1Hベンゾイミダゾールの代わりに対応する21フェニル1Hベンゾイミダゾールを用いた以外は、同様の操作を行うことにより、目的物である化合物4-6を得た収率36。このものは、MS分析の結果、目的物の分子量57322に対し、me573であった。合成例7:化合物7-2の合成14ブロモ2ニトロジフェニルアミンの合成25ジブロモニトロベンゼン10g、酢酸ナトリウム88g、アニリン66gを窒素雰囲気下160°Cで9時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、酢酸エチルで薄め、ろ過した。ろ液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、4ブロモ2ニトロジフェニルアミン99gを得た。25ブロモ2フェニルアミノベンズアニリドの合成1で得られた4ブロモ2ニトロジフェニルアミン99g338mmolをテトラヒドロフラン75ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム30g/水100ミリリットルの溶液を滴下した。さらにメタノール10ミリリットルを加えて、3時間攪拌した。次に、酢酸エチル75ミリリットルを加えて、炭酸水素ナトリウム57g678mmol/水60ミリリットルの溶液を加えた。さらにベンゾイルクロリド48g34mmol/酢酸エチル25ミリリットルの溶液を滴下し、室温で5時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、水、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、5ブロモ2フェニルアミノベンズアニリド56g収率45を得た。35ブロモ12ジフェニル1Hベンズイミダゾールの合成2で得られた5ブロモ2フェニルアミノベンズアニリド56g15mmolをキシレン60ミリリットル中に懸濁させ、pトルエンスルホン酸1水和物088gを加え、5時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。反応溶液を室温まで冷却し、溶媒を減圧留去した。得られた固体をエタノールで洗浄し、5ブロモ12ジフェニル1Hベンズイミダゾール25g収率46を得た。412ジフェニル51Hベンゾイミダゾール化合物7-2の合成3で得られた5ブロモ12ジフェニル1Hベンズイミダゾール25g、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸30g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム016gを12ジメトキシエタン60ミリリットルに溶かし、20M炭酸ナトリウム水溶液30ミリリットルを加え、8時間加熱環流した。反応終了後、ろ過し、得られた結晶を水、メタノール、トルエンで洗浄し、20g収率49の緑白色固体を得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量57223に対し、me572であった。合成例8:化合物9-7の合成14ブロモフェニル、酢酸ナトリウム13g、4ブロモアニリン10gをアルゴン雰囲気下、180°Cで8時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、酢酸エチルで薄め、ろ過した。ろ液を濃縮後、残査をメタノールで洗浄することで、4ブロモフェニル。2N2フェニルベンズアミドの合成1で得られた4ブロモフェニルフェニルベンズアミド21g収率45を得た。312フェニル1Hベンズイミダゾールの合成2で得られたN2フェニルベンズアミド21gをキシレン30ミリリットル中に懸濁させ、pトルエンスルホン酸1水和物06gを加え、3時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。放冷後、反応溶液に酢酸エチル、塩化メチレン、水を加え、不溶物をろ別した。母液から有機層を抽出し、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製し、12フェニル1Hベンズイミダゾール10gをわずかにピンク色の白色結晶として得た収率52。414フェニル2フェニル1Hベンゾイミダゾール化合物9-7の合成3で得られた12フェニル1Hベンズイミダゾール10g、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸11g、テトラキスパラジウム01gを12ジメトキシエタン15ミリリットル及びトルエン2ミリリットルに溶かし、20M炭酸ナトリウム水溶液5ミリリットルを加え、7時間加熱環流した。反応終了後、ろ過し、得られた結晶を水、メタノール、で洗浄し、145gのクリーム色固体を得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量57223に対し、me572であった。合成例9化合物4-5の合成16ブロモ2ピコリンアニリドの合成6ブロモピコリン酸51gを12ジクロロエタン70ミリリットルに懸濁させ、塩化チオニル42g35mmolを加え、さらにNNジメチルホルムアミド3滴を加え、4時間加熱環流した。反応終了後、溶媒を減圧留去し6ブロモピコリノイルクロリドを得た。Nフェニル12フェニレンジアミン44gをNメチルピロリドン30ミリリットルに溶解させ、氷冷下で6ブロモピコリノイルクロリド/Nメチルピロリドン10ミリリットルを滴下した。室温で4時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水400ミリリットルに注ぎ攪拌した。得られた固体をろ別し、水、メタノールで洗浄し、減圧下乾燥させ6ブロモ2ピコリンアニリド45g収率49を得た。221フェニル1Hベンズイミダゾールの合成1で得られた6ブロモ2Nフェニルアミノピコリンアニリド45g12mmolをキシレン50ミリリットル中に懸濁させ、pトルエンスルホン酸1水和物070g37mmolを加え、6時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。反応溶液を室温まで冷却し溶媒留去した。得られた固体を酢酸エチルに溶解させ、水、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、26ブロモピリジル2イル1フェニル1Hベンズイミダゾール30g収率70を得た。326ピリジル2イル1フェニル1Hベンズイミダゾール化合物4-5の合成2で得られた21フェニル1Hベンズイミダゾール30g86mmol、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸36g10mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム020g017mmolを12ジメトキシエタン60ミリリットルに溶解させ、20M炭酸ナトリウム水溶液30ミリリットルを加え、アルゴン雰囲気下8時間加熱還流した。反応終了後、ろ過し、得られた固体を水、メタノール、トルエンで洗浄し、20g収率41の緑白色固体を得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量57322に対し、me573であった。合成例10化合物11-1の合成12ピコリン酸2フェニルアミドの合成アミン50gをテトラヒドロフラン50ミリリットルに溶かし、亜ジチオン酸ナトリウム15gを水60ミリリットルに溶かした水溶液を加えた。次いで、メタノール10ミリリットルを加えて、室温で3時間攪拌した。溶液の色オレンジ色がほぼ消失したら、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで十分乾燥させた後、溶媒を留去し、フェニレンジアミンを得た。選られたフェニレンジアミンを酢酸エチル150ミリリットルに溶かし、抽出した有機層にピリジン54g、2ピコリン酸クロリド塩酸塩36g、4ジメチルアミノピリジン触媒量を加え、室温で3時間攪拌し、1晩放置した。反応終了後、水を加え、析出した固体をろ別し、水、メタノールで十分洗浄することで、2ピコリン酸アミド38gを白色固体として得た。212ピリジン2イル1Hベンゾイミダゾールの合成上記2ピコリン酸アミドド38gを減圧下で、約300°Cで30分間、加熱撹拌した。反応終了後、ジクロロメタンに溶かし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、12ピリジン2イル1Hベンゾイミダゾール25gを得た。314フェニル2メチル1Hベンゾイミダゾール化合物11-1の合成12ピリジン2イル1Hベンゾイミダゾール12g、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸12g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム010gを12ジメトキシエタン15ミリリットルに溶かし、20M炭酸ナトリウム水溶液6ミリリットルを加え、7時間加熱環流した。反応終了後、析出した固体をジクロロメタンに溶かし、水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィージクロロメタン-酢酸エチルで精製することにより、12gの黄白色固体を得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量57322に対し、me573であった。合成例11化合物12-2の合成1N2フェニルアセトアミドの合成アミン80g30mmolをテトラヒドロフラン80ミリリットルに溶かし、亜ジチオン酸ナトリウム24gを水100ミリリットルに溶かした水溶液を加えた。次いで、メタノール10ミリリットルを加えて、室温で3時間攪拌した。溶液の色オレンジ色がほぼ消失したら、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで十分乾燥させた後、溶媒を留去し、フェニレンジアミンを得た。選られたフェニレンジアミンを酢酸エチル150ミリリットルに溶かし、抽出した有機層にピリジン30g、無水酢酸18g、4ジメチルアミノピリジン触媒量を加え、室温で3時間攪拌し、1晩放置した。反応終了後、水を加え、析出した固体をろ別し、水、メタノールで十分洗浄することで、ベンズアミド41gを白色固体として得た。212メチル1Hベンゾイミダゾールの合成上記ベンズアミド41gを減圧下で、約300°Cで30分間、加熱撹拌した。反応終了後、ジクロロメタンに溶かし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、12メチル1Hベンゾイミダゾール38gを得た。314フェニル2メチル1Hベンゾイミダゾール化合物12-2の合成12メチル1Hベンゾイミダゾール33g11mmol、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸40g11mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム027gを12ジメトキシエタン40ミリリットルに溶かし、20M炭酸ナトリウム水溶液20ミリリットルを加え、7時間加熱環流した。反応終了後、析出した固体をジクロロメタンに溶かし、水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去し得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィージクロロメタン-酢酸エチルで精製することにより、29g収率49の黄白色固体を得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量51021に対し、me510であった。合成例12化合物14-7の合成15ブロモ2アセトアニリドの合成4ブロモ2ニトロジフェニルアミン45gをテトラヒドロフラン40ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム134g水45ミリリットルの溶液を加えた。さらにメタノール4ミリリットルを加えて3時間攪拌した。次に酢酸エチル40ミリリットルを加え、炭酸水素ナトリウム26g31mmol水30ミリリットルの溶液を加えた。30分攪拌後、酢酸エチルで抽出した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過した溶液にピリジン24gを加え、さらに無水酢酸20gを加え、室温で5時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、5ブロモ2アセトアニリド36gを得た。25ブロモ2メチル1フェニル1Hベンズイミダゾールの合成1で得られた5ブロモ2アセトアニリド36g12mmolをキシレン30ミリリットル中に懸濁させ、pトルエンスルホン酸1水和物068gを加え、5時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。反応溶液を室温まで冷却し溶媒留去した。得られた固体を酢酸エチルに溶解させ、水、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、5ブロモ2メチル1フェニル1Hベンズイミダゾール30gを得た。32メチル51フェニル1Hベンズイミダゾール化合物14-7の合成2で得られた5ブロモ2メチル1フェニル1Hベンズイミダゾール30g11mmol、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸45g13mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム025gを12ジメトキシエタン60ミリリットルに溶解させ、20M炭酸ナトリウム水溶液30ミリリットルを加え、アルゴン雰囲気下8時間加熱還流した。反応終了後、ろ過し、得られた固体を水、メタノール、トルエンで洗浄し緑白色固体を得た。これをトルエンにて再結晶し、黄緑色固体20gを得た。このものは、MS分析の結果、目的物であり、分子量51021に対し、me510であった。合成例13化合物15-8の合成14ブロモNメチル2ニトロアニリンの合成Nメチル2ニトロアニリン50g、Nブロモスクシンイミド59g、に酢酸60ミリリットルを加え、7時間加熱還流を行った。反応終了後、反応溶液を水500ミリリットルに注ぎ、析出した固体をろ別した。ろ別した固体を酢酸エチルに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、室温で減圧乾燥後、4ブロモNメチル2ニトロアニリンの橙色固体71gを得た。24ブロモNメチル2ニトロベンズアニリドの合成1で得られた4ブロモNメチル2ニトロアニリン68gをピリジン20ミリリットルに溶解させ、さらにベンゾイルクロライド50gを加え、アルゴン雰囲気下90°Cで7時間加熱攪拌した。反応終了後、酢酸エチル200ミリリットルを加え、10HCl、10K2CO3、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィヘキサン:酢酸エチル初期101→途中から21で精製し、4ブロモNメチル2ニトロベンズアニリドを緑白色固体95gとして得た。34ブロモNメチル2アミノベンズアニリドの合成2で得られた4ブロモNメチル2ニトロベンズアニリド95gをテトラヒドロフラン100ミリリットルに溶解させ、Ar雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム25g水90ミリリットルの溶液を加えた。さらにメタノール10ミリリットルを加えて3時間攪拌した。次に酢酸エチル100ミリリットルを加え、炭酸水素ナトリウム12g水125ミリリットルの溶液を加えた。1時間攪拌後、酢酸エチルで抽出した。水層を除去し、有機層を10K2CO3水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去させ、4ブロモNメチル2アミノベンズアニリドを白色固体78gとして得た。粗生成物のまま次の反応に用いた。45ブロモ1メチル2フェニル1Hベンズイミダゾールの合成3で得られた4ブロモNメチル2アミノベンズアニリド78gをキシレン50ミリリットル中に懸濁させ、p-トルエンスルホン酸1水和物15gを加え、7時間加熱還流させた。反応終了後ろ過した。得られた固体を塩化メチレンに溶解させ、10K2CO3水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。ろ液は、10K2CO3水溶液、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。得られた2つの残さを合一し、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、5ブロモ1メチル2フェニル1Hベンズイミダゾールを白色固体650gとして得た。51メチル52フェニル1Hベンズイミダゾール化合物15-8の合成4で得られた5ブロモ1メチル2フェニル1Hベンズイミダゾール15g、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸23g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム012g011mmolを12ジメトキシエタン60ミリリットルに溶解させ、20M炭酸ナトリウム水溶液30ミリリットルを加え、アルゴン雰囲気下8時間加熱還流した。反応終了後、ろ過し、得られた固体を水、メタノール、トルエンで洗浄し緑白色固体を得た。これをトルエンにて再結晶し、黄緑色固体20gを得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量51021に対し、me510であった。合成例14化合物16-2の合成15ブロモ2ピコリンアニリドの合成ピコリン酸23gを12ジクロロエタン30ミリリットルに懸濁させ、塩化チオニル31gを加え、さらにNNジメチルホルムアミド3滴を加え、3時間加熱環流した。反応終了後、溶媒を減圧留去しピコリルクロリドを得た。ブロモ2ニトロジフェニルアミン50g17mmolをテトラヒドロフラン40ミリリットルに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で攪拌しているところに、ハイドロサルファイトナトリウム149g水50ミリリットルの溶液を加えた。さらにメタノール4ミリリットルを加えて3時間攪拌した。次に酢酸エチル40ミリリットルを加え、炭酸水素ナトリウム29g34mmol水30ミリリットルの溶液を加えた。30分攪拌後、酢酸エチルで抽出した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過した溶液にピリジン27g40mmolを加え、さらにピコリルクロリド/酢酸エチル25ミリリットルの溶液を滴下し、室温で5時間攪拌した。酢酸エチルで抽出し、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、5ブロモ2ピコリンアニリド31g収率49を得た。25ブロモ1フェニル21Hベンズイミダゾールの合成1で得られた5ブロモ2ピコリンアニリド31g84mmolをキシレン30ミリリットル中に懸濁させ、pトルエンスルホン酸1水和物048gを加え、5時間加熱還流させながら共沸脱水を行った。反応溶液を室温まで冷却し溶媒留去した。得られた固体を酢酸エチルに溶解させ、水、10炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し、5ブロモ1フェニル21Hベンズイミダゾール20g収率69を得た。351フェニル21Hベンズイミダゾールの合成2で得られた5ブロモ1フェニル21Hベンズイミダゾール20g58mmol、10ナフタレン2イルアントラセン9ボロン酸22g63mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム013g011mmolを1,2ジメトキシエタン30ミリリットルに溶解させ、20M炭酸ナトリウム水溶液15ミリリットルを加え、アルゴン雰囲気下8時間加熱還流した。反応終了後、ろ過し、得られた固体を水、メタノール、トルエンで洗浄し、20g収率61の緑白色固体を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量57322に対し、me573であった。実施例1本発明化合物を電子注入層に用いた有機EL素子の作製25mm×75mm×11mm厚のITO透明電極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、前記透明電極を覆うようにして膜厚60nmのNNビスNNジフェニル44ジアミノ11ビフェニル膜以下TPD232膜と略記する。を抵抗加熱蒸着により成膜した。このTPD232膜は、正孔注入層として機能する。このTPD232膜上に膜厚20nmの44ビスNNフェニルアミノビフェニル膜以下NPD膜と略記する。を抵抗加熱蒸着により成膜した。このNPD膜は正孔輸送層として機能する。さらに、このNPD膜上に膜厚40nmで44ビス910ジフェニルアントラセン以下DPVDPANと略記する。を抵抗加熱蒸着により成膜した。このDPVDPAN膜は、発光層として機能する。このDPVDPAN膜上に膜厚10nmの化合物1-7を蒸着により成膜した。この化合物1-7膜は、電子注入層として機能する。この後、化合物1-7とLiLi源:サエスゲッター社製とを二元蒸着させ、化合物1-7:Li膜を成膜速度15Åsec:1Åminで膜厚10nmの電子注入層又は陰極を形成した。この化合物1-7:Li膜上に金属Alを蒸着させ膜厚130nmの金属陰極を形成し有機EL素子を作製した。実施例2実施例1において、化合物1-7の代わりに、化合物4-2を用いた以外は同様にして有機EL素子を作製した。実施例3~8本発明化合物を電子注入層に用いた有機EL素子の作製25mm×75mm×11mm厚のITO透明電極付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、前記透明電極を覆うようにして膜厚60nmのTPD232膜を抵抗加熱蒸着により成膜した。このTPD232膜は、正孔注入層として機能する。このTPD232膜上に膜厚20nmのNPD膜を抵抗加熱蒸着により成膜した。このNPD膜は正孔輸送層として機能する。さらに、このNPD膜上に膜厚40nmでスチリル誘導体DPVDPANと下記スチリルアミン誘導体S1イオン化ポテイシャルIp53eV,エネルギーギャップEg28eVを40:2の膜厚比で蒸着し成膜し、青色系発光層とした。この膜上に電子輸送層として膜厚20nmで第1表に記載の化合物を成膜した。この後LiFLi源:サエスゲッター社製を1nm成膜した。この薄膜上に金属Alを150nm蒸着させ金属陰極を形成し有機EL素子を作製した。比較例1実施例1において、化合物1-7の代わりに、Alq8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体を用いた以外は同様にして有機EL素子を作製した。比較例2実施例1において、化合物1-7の代わりに、米国特許第5,645,948号明細書に記載の下記化合物Aを用いた以外は同様にして有機EL素子を作製した。比較例3実施例1において、化合物1-7の代わりに、特開2002-38141号公報に記載の下記化合物Bを用いた以外は同様にして有機EL素子を作製した。有機EL素子の評価上記実施例1~8及び比較例1~2で得られた有機EL素子について、下記第1表に記載された直流電圧を印加した条件で、発光輝度、発光効率及び色度を測定し、発光色を観察した。また、実施例1~8及び比較例1~2で得られた有機EL素子について、初期輝度500nitにて、半減寿命を測定した。それらの結果を第1表に示す。上記第1表の結果から、一般式I~で表される化合物を電子注入層に用いることで、極めて高い発光輝度及び発光効率の素子を製造できることがわかる。特に、一般式、で表される化合物を電子輸送層に用いた素子は、特に低電圧で高発光輝度が得られ、また、一般式I~のR1、R2又はR3に、アルキル基又はピリジル基を導入した化合物を電子輸送層に用いた素子も、低電圧で高発光輝度が得られた。"