"金属基材と、該金属基材上に形成された金属基材よりも厚みの薄いサーミスタ層と、該サーミスタ層上に形成された一対の分割電極と、を備えたフレキシブルサーミスタと、ベース層、該ベース層上に形成された配線導体層、および前記ベース層に積層されて前記配線導体層を覆うカバー層を有するフレキシブル基板とを備え、前記カバー層には前記配線導体層の一部が露出するように構成された開口部が形成されており、前記フレキシブルサーミスタは前記開口部内に収納され、前記フレキシブルサーミスタの分割電極が、前記開口部から露出した前記配線導体層と電気的に接続されており、前記カバー層の表面の高さと、前記フレキシブルサーミスタの露出面の高さとが、実質的に同じであることを特徴とする温度センサ。前記フレキシブル基板に対して厚み方向に押圧された際に、前記カバー層の表面の高さと前記フレキシブルサーミスタの露出面の高さとが同じとなることを特徴とする、請求項1に記載の温度センサ。前記フレキシブルサーミスタの露出面の高さは前記カバー層の表面に対して±20の範囲内である、請求項1または2に記載の温度センサ。請求項1~3のいずれかに記載の温度センサを備えた温度センサの取り付け構造であり、前記フレキシブルサーミスタの前記金属基材が被温度検出物に近接または当接するように前記温度センサが配置されたことを特徴とする温度センサ取り付け構造。しかし、特許文献1のセンサユニットでは、フレキシブル基板の板厚方向における厚みを一部薄くした接続部に対して温度情報検出素子を接続したことを特徴としている。この温度情報検出素子自体にフレキシブル性は無い。このため、例え薄膜で形成された温度情報検出素子であっても、負荷が加わった場合、温度情報検出素子自体にクラックが生じてしまう。この場合、温度センサとして機能しなくなる。また、温度情報検出素子はフレキシブル基板の内部に収められるので、温度情報検出素子が被温度検出物に直接接触することはなく、熱伝導が悪いため、被検出対象の熱を直接的に検出しにくい。特に被温度検出物の発熱量が小さい場合に検出精度の悪化が顕著になるという課題がある。また、例えば、一般的なチップ部品をフレキシブル基板に実装することも考えられるが、一般的なチップ部品は小型品として扱われるものでも、厚み200μmいわゆる0402サイズ程度であり、一般的なフレキシブル基板の厚み80~100μmに対して非常に厚い。このため、上面からの圧力が加わるとチップ部品にクラックが入ることによって、温度検出ができなくなるという課題がある。これらの事情に鑑み、本発明は、フレキシブル基板の柔軟性を損なわず、被検出対象の熱を直接的に検出できるようにした温度センサおよび温度センサ取り付け構造を提供することを目的としている。1本発明の温度センサは、金属基材と、該金属基材上に形成された金属基材よりも厚みの薄いサーミスタ層と、該サーミスタ層上に形成された一対の分割電極と、を備えたフレキシブルサーミスタと、ベース層、該ベース層上に形成された配線導体層、および前記ベース層に積層されて前記配線導体層を覆うカバー層を有するフレキシブル基板とを備え、前記カバー層には前記配線導体層の一部が露出するように構成された開口部が形成されており、前記フレキシブルサーミスタは前記開口部内に収納され、前記フレキシブルサーミスタの分割電極が、前記開口部から露出した前記配線導体層と電気的に接続されており、前記カバー層の表面の高さと、前記フレキシブルサーミスタの露出面の高さとが、実質的に同じであることを特徴とする。2前記フレキシブル基板に対して厚み方向に押圧された際に、前記カバー層の表面の高さと前記フレキシブルサーミスタの露出面の高さとが同じとなることが好ましい。3また、前記フレキシブルサーミスタの露出面の高さは前記カバー層の表面に対して±20の範囲内であることが好ましい。4本発明の温度センサ取り付け構造は、上記1~3のいずれかに記載の温度センサを備えた温度センサの取り付け構造であり、前記フレキシブルサーミスタの前記金属基材が被温度検出物に近接または当接するように、前記温度センサが配置されたことを特徴とする。本発明によれば、フレキシブルサーミスタを被温度検出物に接触させた場合に、サーミスタにかかる応力負荷を低減することができ、サーミスタ素子の破壊を極力抑制することができる。また、応力負荷に対する耐性が高いため、被温度検出物に押圧して密着させることも可能となり、温度検出精度を向上させる効果が高い。また、温度センサが柔軟性を有しているので、当接面である温度検知対象物の外面が曲面であっても、その曲面に沿って温度センサが配置され、高い熱応答性のもとで温度検知対象物の温度検知できる。さらに、温度検知対象物に対する応力負荷が低減されるので、温度検知対象物の損傷が防止できる。また、応力負荷に対する耐性が高いため、温度検知対象物に押圧して密着させることも可能となり、温度検出精度を向上させる効果が高い。《第1の実施形態》第1の実施形態である温度センサに備えるフレキシブルサーミスタの構成について先ず示す。図1Aはフレキシブルサーミスタの平面図、図1Bはその正面図である。このフレキシブルサーミスタ1Aは、金属基材11と、この金属基材11上に形成されたサーミスタ層15と、このサーミスタ層15上に形成された一対の分割電極21,22とを備えている。金属基材11は金属粉ペーストのシート状形成体が焼成されたもの、サーミスタ層15はセラミックスラリーのシート状形成体が焼成されたもの、分割電極21,22は電極材料ペーストが焼成されたものである。前記金属粉ペーストのシート状形成体、セラミックスラリーのシート状形成体および電極ペーストは、これら三者が一体的に焼成されたものである。なお、少なくとも金属基材11とサーミスタ層15とが一体焼成されればよい。金属基材11の厚みは10~80μm程度、サーミスタ層15の厚みは1~10μm程度、分割電極21,22の厚みは0.1~10μm程度であり、フレキシブルサーミスタ1A全体の厚みは10~100μm程度である。このように、サーミスタ層15の厚みが、金属基材11の厚みに比べて薄く、フレキシブルサーミスタ1A全体における金属基材11の存在比率が高いので、サーミスタに柔軟性フレキシブル性を与えることができる。サーミスタ層15としては、MnNiFeTiCoAlZnなどを任意の組合せで適量含む種々のセラミック材料を用いることができる。ここでは前記遷移金属元素の酸化物を用いて混合されるが、前記元素の炭酸塩、水酸化物などを出発原料として用いてもよい。金属基材11及び分割電極21,22としては、AgPdPtAuなどの貴金属またはCuNiAlWTiなどの卑金属の単体、さらにはこれらを含む合金を用いることができる。図2は前記フレキシブルサーミスタ1Aの等価回路である。分割電極21,22が入出力端子となり、抵抗R1、R2はサーミスタ層15によって形成されるとともに、金属基材11を介して電気的に直列に接続されている。すなわち、分割電極21,22と金属基材11との間の厚み方向に挟まれるサーミスタ層15による抵抗R1,R2でサーミスタ回路が構成される。図3は前記フレキシブルサーミスタ1Aに流れる電流の経路を示す図である。サーミスタ層15の表面に分割電極21,22が形威されているため、図3に矢印で示すように、分割電極21,22に接している部分のサーミスタ層15と金属基材11を通じる経路で電流が流れる。フレキシブルサーミスタ1Aは柔軟性があるため、クラック等は生じにくいが、局所的に過度な応力が加わった場合、サーミスタ層15の中央部分にクラックが発生する可能性がある。しかし、仮に、サーミスタ層15の中央部分にクラックが発生したとしても、本発明のフレキシブルサーミスタ1Aの構造であれば、その部分は通電経路ではないので、サーミスタとしての電気的特性に影響を及ぼすことはないというメリットもある。図4は前記フレキシブルサーミスタ1Aの製造方法の例を示す図である。まず、サーミスタ層15の原料として、MnNiFeTiの酸化物を所定の配合となるように秤量し、ジルコニアなどの粉砕媒体を用いてボールミルにより十分に湿式粉砕し、その後、所定の温度で仮焼してセラミック粉末を得る。前記セラミック粉末に有機バインダを添加し、湿式で混合処理を行ってスラリー状とする。得られたスラリーをPET製のキャリアフィルム31上に塗布して、ドクターブレード法により、焼成後の厚みが1~10μmのサーミスタ層15となるセラミックグリーンシートを得る。このセラミックグリーンシート上にAgPdを主成分とした金属基材用ペーストを塗布して、ドクターブレード法にて、焼成後の厚みが10~100μmの金属基材となる金属基材シート11を形成する。キャリアフィルム31、セラミックグリーンシート15、金属基材シート11を多数個取りのマザーシートとなる寸法にカットし図4B参照、セラミックグリーンシート15、金属基材シート11をフィルムから剥離する図4C参照。その後、セラミックグリーンシート15上にAgPdペーストをスクリーン印刷して分割電極21、22を形成する図4D参照。次に、分割電極21,22を形成した各マザーシートを1単位のサーミスタにカットし図4E参照、ジルコニア製の匣に収容し、脱バインダ処理を行った後、所定温度例えば900~1300°Cで焼成する。以上の工程で、金属基材11、サーミスタ層15および分割電極21,22からなるフレキシブルサーミスタ1Aを得る。なお、金属基材11やサーミスタ層15をシート状に形成する方法としてはドクターブレード法が一般的であるが、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式であってもよい。分割電極21,22はスクリーン印刷法、スパッタリング、蒸着法などで形成することができる。図5Aは第1実施形態である温度センサ6Aを示す断面図である。この温度センサ6Aはフレキシブルサーミスタ1Aがフレキシブル基板5Aに実装された構造を有する。フレキシブル基板5Aはベース層51、このベース層51上に形成された配線導体層52、およびベース層51に積層されて配線導体層52を覆うカバー層53を備えている。図5Bは温度センサ6Aの斜視図である。温度センサ6Aはリボン状であり、温度センサ6Aのベース層51上に形成された配線導体層52の一方端には外部の温度検出回路に接続されるための外部接続端子55が形成されている。この外部接続端子55は配線導体層52を介してフレキシブルサーミスタ1Aの分割電極21、22に導通している。前記ベース層51は、厚さ10~50μm程度例えば30μmのポリイミドやソルダーレジスト材のフィルムである。配線導体層52は厚さ5~60μm程度例えば35μmのCu等の導体箔による配線であり、ベース層51に直接または接着層を介して接合されている。カバー層53は厚さ7~250μm程度例えば40μmのポリイミドやソルダーレジスト材のフィルムである。配線導体層52の一部は、フレキシブルサーミスタ1Aの分割電極21,22を接続するための接続部52P1,52P2として形成されている。カバー層53には前記接続部52P1,52P2を露出させ、且つ前記フレキシブルサーミスタ1Aを収納する矩形の開口部Hが形成されている。この開口部Hの寸法はフレキシブルサーミスタ1Aと同じかまたは一回り大きい。フレキシブルサーミスタ1Aは、開口部Hに収納され、フレキシブルサーミスタ1Aの分割電極21,22は配線導体層52の接続部52P1,52P2に対してリフローはんだ法で実装される。すなわち、はんだ層54を介して接続される。はんだ層54の厚み寸法は15μm、フレキシブルサーミスタ1Aの分割電極21,22の厚み寸法は5μm、フレキシブルサーミスタ1Aのサーミスタ層15と金属基材11とを合わせた厚み寸法は20μmである。したがって、はんだ層54、分割電極21,22、サーミスタ層15および金属基材11を合わせた全体の厚み寸法配線導体層52の露出面からサーミスタ層15の露出面までの厚みは40μmであり、カバー層53の厚み寸法40μmと等しい。図5に示した構造によれば、図中に破線で示すように、カバー層53の表面とフレキシブルサーミスタ1Aの露出面図1に示した金属基材11の外側面の高さを一致させることができる。言い換えると、ベース層51の外側面裏面からカバー層53の外側面表面までの厚みと、ベース層51の外側面裏面からフレキシブルサーミスタ1Aの露出面までの厚みとが実質的に同じである。このように、カバー層53の表面とフレキシブルサーミスタ1Aの露出面の高さを実質的に一致させ、サーミスタがフレキシブル性を有するフレキシブルサーミスタであるため、カバー層53およびフレキシブルサーミスタ1Aの面である温度検知面を被温度検出物に沿って密接させることができる。しかもその状態でフレキシブルサーミスタ1Aの金属基材が被温度検出物に直接接触することになる。そのため、被温度検出物の熱量が小さい場合でも熱応答性が高く、サーミスタ層が被温度検出物に直接接触する場合に比べて、温度検出精度を向上させることが可能となる。なお、上記の例においては、配線導体層52の表面からサーミスタ層15の露出面までの厚みは同一であるが、必ずしも完全に同一である必要はなく、実質的に同一の厚みであればよい。《第2の実施形態》図6は第2の実施形態である温度センサ6Bの断面図である。この温度センサ6Bはフレキシブルサーミスタ1Aがフレキシブル基板5Bに実装された構造を有する。フレキシブル基板5Bはベース層51、このベース層51上に形成された配線導体層52、およびベース層51に積層されて配線導体層52を覆うカバー層53を備えている。第1の実施形態で図5Aに示したフレキシブル基板5Aと異なり、図6に示す例では、フレキシブルサーミスタ1Aの実装面が平坦になっている。すなわち、ベース層51の厚みは配線導体層52が形成されていない範囲については厚く形成している。図6に示す断面位置では、ベース層51に配線導体層52の厚みに等しい突出部51Pがフレキシブルサーミスタ1Aの実装面に形成されている。図6に示した構造によれば、配線導体層52の厚みに等しい突出部51Pがベース層51に形成されているため、温度センサ6Bとしての強度を高めることができ、使用状態でフレキシブルサーミスタ1Aの実装領域に対する応力集中が緩和されるので、被温度検出物への押圧によるストレスがより緩和される。《第3の実施形態》図7は第3の実施形態である温度センサ取り付け構造を示す断面図である。図7において、温度センサ6Aは第1の実施形態で示したとおりの構造を備えている。被温度検出物7は例えば発熱体であり、この被温度検出物7に温度センサ6Aが貼付されている。この状態でフレキシブルサーミスタ1Aが被温度検出物7に当接または近接する。すなわち、温度センサ6Aの面のうち、フレキシブルサーミスタ1Aが露出している面が被温度検出物7に貼付される。図5に示したように、フレキシブルサーミスタ1Aの高さがカバー層53の表面高さとほぼ一致していて且つフレキシブルサーミスタ1Aそのものに柔軟性があるので、フレキシブルサーミスタ1Aが被温度検出物7に接触した場合に、フレキシブルサーミスタ1Aにかかる応力負荷を低減することができ、サーミスタが破壊クラックするのを防止できる。また、温度センサ6Aを被温度検出物7に押圧して、フレキシブルサーミスタ1Aを被温度検出物7の形状に沿わせて接触させることも可能となり、高い応答性が得られる。なお、温度センサ6Aを被温度検出物7に押圧する前の状態でカバー層53の表面までの高さとフレキシブルサーミスタ1Aの表面の高さとが異なっていても、押圧による変形で両者の厚みが同等となれば上述の効果は得られる。一般的には、フレキシブルサーミスタ1Aの露出面の高さはカバー層53の表面の高さに対して±20の範囲内であればよい。すなわち、カバー層53の表面の高さ×0.8≦フレキシブルサーミスタの露出面の高さ≦カバー層53の表面の高さ×1.2の関係であれば概ね上述の効果が得られる。図8は円柱状の二次電池が被温度検出物7である場合の温度センサ取り付け構造を示す斜視図である。温度センサ6Aはリボン状であり、フレキシブルサーミスタ1Aが二次電池である被温度検出物7に接するように円周方向に巻き付けられている。温度センサ6Aの一方端には外部の温度検出回路に接続されるための外部接続端子55が形成されている。この外部接続端子55は配線導体層52を介してフレキシブルサーミスタ1Aの分割電極に導通している。本発明の温度センサ6Aは全体に柔軟性があるので、センサを配置する際の一次的な曲げ応力に対する耐性も高く、図8に示したような曲面に対してもそのまま配置貼付できる。《第4の実施形態》図9は第4の実施形態の温度センサを示す断面図である。この例では、フレキシブルサーミスタ1Bは、図1に示したフレキシブルサーミスタの周囲に電気絶縁性の保護層16を形成し、分割電極21,22にNiめっき層23およびSnめっき層24を形成したものである。フレキシブルサーミスタ1Bはフレキシブル基板の接続部52P1,52P2にはんだ54を介してリフローはんだ法によって実装される。このように金属基材11が絶縁被覆されていることにより、図示しない導電性の部品や配線などが金属基材11と導通するおそれがない。このように分割電極21,22を除くサーミス夕の全面を絶縁層の保護層16で覆うことにより、被温度検出物が電気的に或る回路に接続されている場合にもそのまま適用できる。《第5の実施形態》図10は第5の実施形態の温度センサ6Cを示す断面図である。この例では、下部ベース層51B、下部配線導体層52L、内部ベース層51M、上部配線導体層52U、カバー層53によってフレキシブル基板5Cが構成されている。二つのベース層および二つの配線導体層を備えていること以外は第2の実施形態で示した温度センサ6Bと同様である。このように、ベース層および配線導体層は複数層形成されていてもよい。さらにはカバー層が複数形成されていてもよい。《第6の実施形態》第6の実施形態では温度センサ付きのRFIDタグについて示す。図11Aは第6の実施形態に係るRFIDタグ201の部分断面図である。フレキシブルサーミスタ31はRFID基板であるフレキシブル基板61に実装されている。フレキシブル基板61はベース層51、このベース層51上に形成された配線導体層52、およびベース層51に積層されて配線導体層52を覆うカバー層53を備えている。図11BはRFIDタグ201の部分平面図である。RFIDタグ201は短いリボン状である。前記ベース層51は、厚さ10~50μm程度例えば30μmのポリイミドやソルダーレジスト材のフィルムである。配線導体層52は厚さ5~60μm程度例えば35μmのCu等の導体箔による配線であり、ベース層51に直接または接着層を介して接合されている。カバー層53は厚さ7~250μm程度例えば40μmのポリイミドやソルダーレジスト材のフィルムである。配線導体層52の一部は、フレキシブルサーミスタ31の分割電極21,22を接続するための接続部52P1,52P2として形成されている。カバー層53には前記接続部52P1,52P2を露出させ、且つ前記フレキシブルサーミスタ31を収納する矩形の開口部Hが形成されている。この開口部Hの寸法はフレキシブルサーミスタ31と同じかまたは一回り大きい。フレキシブルサーミスタ31は、開口部Hに収納され、フレキシブルサーミスタ31の分割電極21,22は配線導体層52の接続部52P1,52P2に対してリフローはんだ法で実装される。すなわち、はんだ層54を介して接続される。はんだ層54の厚み寸法は15μm、フレキシブルサーミスタ31の分割電極21,22の厚み寸法は5μm、フレキシブルサーミスタ31のサーミスタ層15と金属基材11とを合わせた厚み寸法は20μmである。したがって、はんだ層54、分割電極21,22、サーミスタ層15および金属基材11を合わせた全体の厚み寸法配線導体層52の露出面からサーミスタ層15の露出面までの厚みは40μmであり、カバー層53の厚み寸法40μmと等しい。図11Aに示した構造によれば、図中に破線で示すように、カバー層53の表面とフレキシブルサーミスタ31の露出面図1に示した金属基材11の外側面の高さを一致させることができる。言い換えると、ベース層51の外側面裏面からカバー層53の外側面表面までの厚みと、ベース層51の外側面裏面からフレキシブルサーミスタ31の露出面までの厚みとが実質的に同じである。このように、カバー層53の表面とフレキシブルサーミスタ31の露出面の高さを実質的に一致させ、サーミスタがフレキシブル性を有するフレキシブルサーミスタであるため、カバー層53およびフレキシブルサーミスタ31の面である温度検知面を被温度検出物に沿って密接させることができる。しかもその状態でフレキシブルサーミスタ31の金属基材が被温度検出物に直接接触することになる。そのため、被温度検出物の熱量が小さい場合でも熱応答性が高く、サーミスタ層が被温度検出物に直接接触する場合に比べて、温度検出精度を向上させることが可能となる。なお、上記の例においては、配線導体層52の表面からフレキシブルサーミスタ31の露出面までの厚みは同一であるが、必ずしも完全に同一である必要はなく、実質的に同一の厚みであればよい。図12AはRFIDタグ201の分解斜視図であり、図12Bは図12AにおけるA-A′での断面図である。このRFIDタグ201は、RFID基板となるフレキシブル基板のベース層51上にRFIDタグ用回路部品62とともに、フレキシブルサーミスタ31が実装されている。フレキシブルサーミスタ31は、フレキシブル基板のベース層51の上面に形成された配線導体層52にはんだ付けにより電気的に接続される。また、配線導体層52には他の実装部品の電極または他の実装部品が電極に電気的に接続されている。フレキシブルサーミスタ31の分割電極側21,22はベース層51側に面していて、フレキシブルサーミスタ31はRFID基板のベース層51に当接または近接する。また、配線導体層52上にカバー層53が形成されている。なおカバー層53には開口部Hが形成されており、フレキシブルサーミスタ31の表面が前記開口部Hから露出するように、フレキシブルサーミスタ31が開口部内に収納されている。このフレキシブルサーミスタ31の露出面が、温度検知対象物に接するように配置される。そのため、検知物の温度を高い熱応答性および高い温度検出精度のもとで検知できる。図11Aに示したように、フレキシブルサーミスタ31の露出面の高さがカバー層の表面の高さとほぼ一致していて且つフレキシブルサーミスタ31そのものに柔軟性があるので、フレキシブルサーミスタ31がフレキシブル基板のベース層51に接触した場合に、フレキシブルサーミスタ31に掛かる応力負荷を低減することができ、サーミスタが破壊クラックするのを防止できる。また、フレキシブルサーミスタ31が外部に露出しないので、高い耐環境性が得られる。なお、図12A、図12Bに示したRFIDタグ201はフレキシブル基板のベース層51の下面が粘着シートなどを介して温度検知対象物に貼付されてもよい。また、図12Bでは配線導体層がベース層と同一平面上に形成されているが、ベース層及び配線導体層は複数積層されていてもよく、他の実装部品とフレキシブルサーミスタ31とは同一ベース層面に形成されている必要はない。なお、フレキシブルサーミスタ31を温度検知対象物に押圧する前の状態で、図11Aに示したカバー層53の表面の高さとフレキシブルサーミスタ31の露出面の高さとが異なっていても、押圧による変形で両者の厚みが同等となれば上述の効果は得られる。フレキシブルサーミスタ31の露出面の高さはカバー層53の表面の高さに対して±20の範囲内であればよい。すなわち、カバー層53の表面の高さ×0.8≦フレキシブルサーミスタの露出面の高さ≦カバー層53の表面の高さ×1.2の関係であれば概ね上述の効果が得られる。以上に示したRFIDタグは次のような用途に用いることができる。1温度管理を行いたい食品飲料品のラベル2体温情報を一定期間収集管理するために、シール状にして体に貼り付ける3高温危険個所のセンサとして、シール状にして必要箇所に貼り付ける4ペットの体温を測定して健康管理するために、首輪に組み込む、またはシール状にして貼り付ける。5プリンターヘッド、エンジン燃料噴射配管など、非常に薄くて配線が困難な場所へ、シール状にして貼り付ける。6リチウムイオン二次電池などの電池の温度検知として、シール状にして貼り付ける。7周囲の環境温度を検知するために、熱容量の低い部材に貼り付ける。次の第7~第9の実施形態では温度センサ付きの電池パックについて示す。《第7の実施形態》図13Aは第7の実施形態に係る温度センサ付き電池パックの斜視図、図13Bは電池表面の様子を示す模式図である。この温度センサ付き電池パック201は、電池161とともに、充電制御回路などが構成された基板162および温度センサ101を備えている。電池161はラミネートタイプの電池であり、その外面は柔軟性を有し、図13Bに示すように不定形な凹凸面である。温度センサ101は、電池161の外面に沿って粘着シートなどを介して貼付されている。または、粘着シートなどは介さずに電池161の外面に直接的に密着していてもよい。図13Aに示した電池161、基板162および温度センサ101は、これら全体が樹脂フィルムでパッキングされて、温度センサ付きの電池パックが構成される。温度センサ101のフレキシブルサーミスタ31は電池161側に露出していて、フレキシブルサーミスタ31は電池161に当接または近接する。図5Aに示したように、フレキシブルサーミスタ31の露出面の高さがカバー層53の表面の高さとほぼ一致していて且つフレキシブルサーミスタ31そのものに柔軟性があるので、フレキシブルサーミスタ31が電池161に接触した場合に、フレキシブルサーミスタ31に掛かる応力負荷を低減することができ、サーミスタが破壊クラックするのを防止できる。また、図13Bに示したように、電池161の外面は凹凸面であっても、温度センサ101が電池161に押圧された状態で、フレキシブルサーミスタ31を電池161の外面に密着させることも可能となり、高い応答性および高い温度測定精度が得られる。そのため、例えば電池の温度に応じた充電制御や保護制御を行う場合に高精度な制御が可能となる。一般的に電池は小型化が望まれるので、温度センサのような付加的な素子はデッドスペースに配置される場合が多いが、非常に薄い上記温度センサ101を用いると、その配置の自由度が高いため、最適な位置に配置できる。すなわち、最も発熱が顕著となる部分の温度を直接的に検知できるようになる。なお、温度センサ101を電池161に押圧する前の状態でカバー層53の表面までの高さとフレキシブルサーミスタ31の露出面の高さとが異なっていても、押圧による変形で両者の厚みが同等となれば上述の効果は得られる。一般的には、フレキシブルサーミスタ31の露出面の高さはカバー層53の表面の高さに対して±20の範囲内であればよい。すなわち、カバー層53の表面の高さ×0.8≦フレキシブルサーミスタの露出面の高さ≦カバー層53の表面の高さ×1.2の関係であれば概ね上述の効果が得られる。また、本実施形態で示した例は、温度センサ101として、フレキシブルサーミスタ31をフレキシブル基板5Aに設けた構造としたが、電池161に直接フレキシブルサーミスタ31を配置し、何らかの形で配線を引き出してもよい。《第8の実施形態》図14A、図14Bは第8の実施形態である温度センサ付き電池パックの内部構造を示す斜視図である。図14A、図14Bにおいて、温度センサ102の基本構成は図5に示したとおりであるが、第2の実施形態では二つのフレキシブルサーミスタ31A,31Bをフレキシブル基板に配置している。この二つのフレキシブルサーミスタ31A,31Bに接続された配線導体層はフレキシブル基板の端部にまでそれぞれ引き出されている。なお、二つのフレキシブルサーミスタ31A,31Bは直列接続または並列接続されてフレキシブル基板の端部に引き出されてもよい。図14A、図14Bのいずれの例でも、円柱状の二つの電池163A,163Bの側面に沿って温度センサ102が貼付されている。第2の実施形態では電池163A,163Bの外面が硬質であるが、温度センサ102は電池163A,163Bの外面に沿って密着し、その状態でフレキシブルサーミスタ31A,31Bが電池163A,163Bに当接または近接する。すなわち、温度センサ102の面のうち、フレキシブルサーミスタ31A,31Bの露出面が電池163A,163Bに貼付される。《第9の実施形態》図15は第9の実施形態の電池パックの主要部の正面図である。電池163A,163Bは円柱状の電池であり、図15は電池163A,163Bの軸方向を見た図である。温度センサ101は二つの電池163A,163Bに挟まれている。温度センサ101のフレキシブルサーミスタ31は二つの電池163A,163Bに挟まれる位置に配置されている。温度センサ101の構成は第1の実施形態で図5に示したものと同様である。この構造により、単一のフレキシブルサーミスタを用いて二つの電池セルの温度を測定できる。しかも電池163A,163Bの発熱時の熱がそのまま外気へ放散されにくい位置にフレキシブルサーミスタ31を配置することにより、発熱量の少ない段階で温度変化を速やかに検知できる。次の第10の実施形態および第11の実施形態では、温度センサおよび発熱体を有する電子機器について示す。《第10の実施形態》図16は第10の実施形態に係る電子機器101の断面図である。この電子機器101は、発熱体である被温度検出物7、この被温度検出物7の熱を放熱する放熱板8および前記温度センサ6Aを備えている。被温度検出物7とは、それ自体が発熱するような構造物、または、使用により温度が上昇するような電子部品等を示す。放熱板8は本発明の特許請求の範囲に記載の放熱体に相当する。被温度検出物7の外面は曲面であり、この被温度検出物7の曲面に沿うように、放熱板8は全体が湾曲している。温度センサ6Aは、放熱板8の湾曲面に沿って粘着シートなどを介して貼付されている。温度センサ6Aのフレキシブルサーミスタ1Aは被温度検出物7側に露出していて、フレキシブルサーミスタ1Aは被温度検出物7に当接または近接する。図5に示したように、フレキシブルサーミスタ1Aの露出面の高さがカバー層53の表面の高さとほぼ一致していて且つフレキシブルサーミスタ1Aそのものに柔軟性があるので、フレキシブルサーミスタ1Aが被温度検出物7に接触した場合に、フレキシブルサーミスタ1Aにかかる応力負荷を低減することができ、サーミスタが破壊クラックするのを防止できる。また、温度センサ6Aを被温度検出物7に押圧して、フレキシブルサーミスタ1Aを被温度検出物7に接触させることも可能となり、高い応答性が得られる。そのため、例えば発熱体の温度を一定に保つためのフィードバック制御を行う場合に高い温度安定性が得られる。なお、温度センサ6Aを被温度検出物7に押圧する前の状態でカバー層53の表面までの高さとフレキシブルサーミスタ1Aの表面の高さとが異なっていても、押圧による変形で両者の厚みが同等となれば上述の効果は得られる。一般的には、フレキシブルサーミスタ1Aの露出面の高さはカバー層53の表面の高さに対して±20の範囲内であればよい。すなわち、カバー層53の表面の高さ×0.8≦フレキシブルサーミスタの露出面の高さ≦カバー層53の表面の高さ×1.2の関係であれば概ね上述の効果が得られる。図16に示した例では被温度検出物7と放熱板8との対向領域の中央にフレキシブルサーミスタ1Aを配置したが、放熱板8の温度を検知することが目的である場合には、放熱板8の熱検知対象位置にフレキシブルサーミスタ1Aが当接または近接するように温度センサ6Aを配置すればよい。また、図5に示した例では、温度センサ6Aにフレキシブルサーミスタ1Aをフレキシブル基板5Aに設けた構造としたが、被温度検出物7に直接フレキシブルサーミスタ1Aを配置し、何らかの形で配線を引き出してもよい。《第11の実施形態》図17Aは第11の実施形態の電子機器102の分解斜視図、図17Bはその側面図である。この電子機器102はトランジスタ素子2、その温度を検知する温度センサ6Cおよび放熱板8を備えている。トランジスタ素子2はパワートランジスタであり、使用によって温度が上昇する。放熱板8はトランジスタ素子2が発生する熱を放熱する。温度センサ6Cは放熱板8とトランジスタ素子2との間に挟まれてネジ4によりネジ止めされる。前記温度センサ6Cは図9に示したように金属基材11が絶縁被覆されている。ことにより、放熱板8またはトランジスタ素子2が金属基材11と導通するおそれがない。このように分割電極21,22を除くサーミス夕の全面を絶縁層の保護層16で覆うことにより、被温度検出物が電気的に或る回路に接続されている場合にもそのまま適用できる。既に述べたとおり、カバー層の表面の高さとフレキシブルサーミスタの露出面の高さとを一致させ、サーミスタとしてフレキシブルサーミスタを用いることで、被温度検出物への接触状態でサーミスタに掛かる応力負荷を低減することができ、クラックなどでサーミスタが破壊することを防止する効果が得られるとともに、温度検出精度を向上することができる。この効果を確認するために、以下の評価を実施した。[準備]図18に示すように、フレキシブル基板5Aの総厚みカバー層53の表面の高さをTf、フレキシブルサーミスタ1Aを含めた温度センサ6Aの総厚みフレキシブルサーミスタ1Aの露出面の高さをTsとすると、この両者の差Te=Ts-Tfが異なる温度センサのサンプルを作製した。図19AはTe>0の例、図19BはTe=0の例、図19CはTe<0の例である。[評価1]被温度検出物表面に前記サンプルを耐熱テープで接着させ、-55°Cから150°Cまでの温度サイクルを500サイクル実施する熱衝撃試験を行うことによって応力ストレスをかけ、実施後のサンプルのサーミスタ層自体、サーミスタ層と分割電極との界面、および分割電極とはんだ接合との界面におけるクラックの発生をカウントし、クラック発生率を算出した。[評価2]被温度検出物を図20に示すような昇温カーブで発熱させ、60秒後の被温度検出物の表面温度とフレキシブルサーミスタの検出温度との差を比較した。フレキシブル基板の総厚みTf=105μmの場合の結果を、図21A、図21Bに示す。また、フレキシブル基板の総厚みTf=210μmの場合の結果を、図22A、図22Bに示す。評価1の結果から、フレキシブル基板5Aの総厚みTfに対するフレキシブルサーミスタ1Aを含めた温度センサ6Aの総厚みTsの割合が21以下であればクラック発生率が低く、カバー層の表面の高さとフレキシブルサーミスタの露出面の高さを一致させることによるクラック防止効果が得られている。また、評価2の結果から、フレキシブル基板の総厚みTfに対するフレキシブルサーミスタ1Aを含めた温度センサ6Aの総厚みTsの割合が-22以上であれば被検出物との温度差は小さく、カバー層の表面の高さとフレキシブルサーミスタの露出面の高さが一致することによる温度検出精度向上の効果が得られる。評価1の効果は、耐熱テープによる接着ではなく、更に押圧をかけて接触させる場合や、より応力が高くなる湾曲した面に対して配置される場合に一層の効果が得られる。"