ニッケル部材と銅部材とを超音波接合する接合構造の製造方法において、前記銅部材の銅-ニッケル界面付近の結晶粒径を小さくし、その後に、前記銅部材と前記ニッケル部材とを、前記銅-ニッケル界面で接合することを特徴とする接合構造の製造方法。請求項1において、前記銅部材は、銅または銅を主成分とする合金であり、前記ニッケル部材は、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金であることを特徴とする接合構造の製造方法。請求項1または2において、初期荷重が25~125MPa、最高荷重が175~30MPaの荷重をかけながら接合することを特徴とする接合構造の製造方法。請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記銅部材内の、超音波接合により微細化された前記界面近傍の粒径が微細化前の粒径の50以下であることを特徴とする接合構造の製造方法。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記ニッケル部材または銅部材は、その表面に、はんだを用いて他の部材を接続するための金、銀、錫または錫系はんだが形成されおり、当該ニッケル部材または銅部材の表面の金、銀、錫または錫系はんだを破って、前記超音波によるニッケル部材と銅部材との接合が行われることを特徴とする接合構造の製造方法。ニッケル部材と銅部材とが接合された接合構造において、前記銅部材の銅-ニッケル界面付近の結晶粒径が、前記銅部材内部の結晶粒径の50以下であることを特徴とする接合構造。請求項6において、前記ニッケル部材の銅-ニッケル界面付近の結晶粒径が、前記ニッケル部材内部の結晶粒径の50~100であることを特徴とする接合構造。請求項6または7において、前記銅部材は、銅または銅を主成分とする合金であり、前記ニッケル部材は、ニッケルまたはニッケルを主成分とする合金であることを特徴とする接合構造。上記の通り、銅とニッケルの超音波接合については記載されているが、特許文献1および特許文献2ともに数ミクロンの薄膜ニッケルと銅の超音波接合例であり、また詳細な接合条件や接合方法は記載されていない。薄膜ニッケルの超音波接合の場合は、薄膜ニッケルが形成されている母材の硬さに接合性が大きく左右されるため、接合を安定して実施することが困難であり、また荷重や超音波振幅などの接合パワーを大きくすると薄膜ニッケルが破断し、母材と銅の接合体となる可能性がある。母材と銅の接合体となった場合は実使用環境下で化合物が成長するなどの界面形態の変化が生じ、信頼性低下の可能性がある。また、バルク材のニッケルと銅の接合の場合は、バルクのニッケルの硬度が支配的となるため、母材硬度に依存する薄膜ニッケルと銅の接合とは異なる接合条件となる。図12は5ミクロンのニッケルめっきを施した1mm厚の銅板上に1mm厚の銅を超音波接合した際の接合部断面観察結果である。本接合実験では初期荷重110N、最高荷重230N、接合時間07秒、超音波ツール振幅22ミクロン、超音波周波数は30kHzで行った。図12に示すように銅母材上に形成した薄膜ニッケルへ銅の接合を試みた場合、薄膜ニッケルの破断が発生し、銅母材と銅が直接接合される箇所が発生することが確認できる。本発明は、ニッケルまと銅との接合において、ニッケルと銅との接合界面近傍の粒径を微細化させ、超音波接合したことを特徴とする。本発明によれば、銅とニッケルを直接接合できるため電気伝導や熱伝導に優れた接合体であること、固相接合であり接合温度が低いため接合後の界面に発生する応力が小さくなること、全率固溶系の銅とニッケルの接合であるため界面に化合物が形成されないこと、化合物が形成されないため接合後の熱負荷条件下で信頼性低下が発生しにくいという効果を奏する。以下、本発明実施の形態を説明する。図1は本発明の接合実験におけるニッケル板と銅板の超音波接合前後の斜視図である。1はニッケル、2は銅、3は超音波ツール圧痕、10は超音波ツール、11は超音波ツール先端突起である。ニッケル1はニッケルもしくはニッケルを主成分とするニッケル合金であればよい。銅2は銅もしくは銅を主成分とする銅合金であればよい。図1において、ニッケル1および銅2は板状に描画したが、円盤状や柱状、立方体など、非接合体面がそれぞれ銅とニッケルであれば部材お形状は規定しない。すなわち、ニッケル1は接合面にニッケルが存在すれば、銅やアルミニウム、鉄などの金属や、セラミックやガラスなどの無機物上にニッケルが形成された2層以上の複合体でもよい。同様に銅2は接合面に銅が存在すれば、アルミニウムや鉄、亜鉛、銀、金などの金属やセラミックなどの無機物上に銅が形成された2層以上の複合体でもよい。今回の実験では、ニッケル1は純度99.9のニッケルを、銅2はC1020R硬度12Hの純銅を用い、ニッケル1および銅2ともに幅10mm×奥行25mm×厚さ05mmの板状試験片を用いた。ニッケル1および銅2の表面粗さRyは05ミクロン以下であった。試験片の接合面をイソプロピルアルコールで洗浄後、超音波ツール先端に突起を有する超音波ツール10にて、超音波接合を行った。超音波ツール10は加圧面積2mm×2mmである。超音波接合後は超音波ツール圧痕3を銅2上に有する接合体が完成する。図1においては、ニッケル1を下に、銅2を超音波ツール10側に図示したが、ニッケル1側から加振してもかまわない。図2は本発明の接合実験における超音波接合後の接合部断面模式図である。1はニッケル、2は銅、3は超音波ツール圧痕、4は銅ニッケル接合部である。図2は図1の超音波ツール圧痕3を含むような接合部断面模式図である。ニッケル1および銅2の材質については図1の説明と同様であるため省略する。図2に示すように、銅2上に超音波ツール圧痕3が形成され、超音波ツール圧痕3直下のニッケル1と銅2の界面で銅ニッケル接合部4が形成されてニッケル1と銅2は金属接合される。銅とニッケルは全率固溶体と呼ばれる化合物を形成しない組み合わせである。そのため、実使用環境等で熱負荷がかかった場合でも信頼性を低下させる要因になりやすい化合物が形成されないため初期接合で信頼性が確保された場合、長期信頼性を確保しやすい。図3に本発明の接合実験で用いたL9直交表に基づく実験条件と引張り強さを示す。本接合実験では初期荷重103050N25MPa75MPa125MPa、最高荷重70100120N175MPa25MPa30MPa、接合時間030508秒、超音波ツール振幅107162215ミクロンとし、各条件で接合強さを引張試験で評価した。なお、初期荷重は超音波の印加を開始する荷重、超音波周波数は30kHzである。図3に示すように、最も接合条件の低いNo1の条件初期荷重10N、最高荷重70N、接合時間03秒、超音波ツール振幅107ミクロンにおいても、引張り強さ70Nで接合できることが確認された。図3より、接合時に荷重を増加させ初期荷重より最高荷重を大きくする、超音波接合時の銅2の変形による接合面積の増加に合わせて荷重を増やすことにより、接合が可能となった。すなわち、初期荷重を25~125MPa最高荷重を175~30MPaまた、接合時間を03~08秒、超音波ツール振幅を107~215ミクロンでは、銅とニッケルは超音波接合が可能である。図4は本発明の接合実験における接合後のニッケルと銅の接合界面の観察結果である。図4の試験片は初期荷重30N、最高荷重120N、接合時間08秒、超音波ツール振幅215ミクロンの条件で接合を行った。図4に示すように、銅とニッケルの界面はほぼボイドなく接合されており、接合界面に化合物層もみられない。また、銅側の結晶粒がニッケル側に比べて微細化していることがわかる。図5は接合前の銅母材の電子後方散乱回折像である。図5より、接合前の銅の粒径はおよそ12ミクロンであることがわかる。図6は接合前のニッケル母材の電子後方散乱回折像である。図6より接合前のニッケルの粒径はおよそ18ミクロンであることがわかる。図7は接合後の銅とニッケルの接合界面の電子後方散乱回折像である。図7から銅とニッケルの接合界面近傍の銅は結晶粒径が29ミクロンと、母材粒径の12ミクロンと比較して24に微細化していることがわかる。しかし、接合界面から50ミクロン程度はなれた銅の粒径は14ミクロンであり、母材粒径と同等とみなすことができる。一方、銅とニッケル界面近傍のニッケル粒径は12ミクロンであり、初期のニッケル粒径18ミクロンから67と微細化していることがわかる。これらより、ニッケルと銅の超音波接合においては、荷重と超音波の印加により接合界面のニッケルおよび銅特に銅が微細化し、酸化膜等の表面汚染膜を除去することで接合が行われていると考えられる。この結晶粒微細化は銅とニッケル界面近傍で塑性流動が生じている可能性がある。従来は、銅モース硬度3は柔らかいため、超音波を印加しても硬いニッケルモース硬度4の酸化膜等の表面汚染膜を破ることができず、銅とニッケルとは超音波接合に向いていないと考えられていた。しかし今回の実験では、界面近傍の銅が微粒子化することにより、塑性流動が起き、銅およびニッケルの表面汚染膜を破ることができたと考えられる。銅側では、表面の結晶粒径は、内部の結晶粒径の半分よりも小さくとなっているが、ニッケル側では、表面の表面の結晶粒径は、内部の結晶粒径の半分よりも大きい。このように、バルクの銅とニッケルは接合界面近傍の金属粒、特に銅を微細化させる荷重保持時間超音波振幅条件で接合すると接合が可能であることを本実験で明らかにした。よってニッケルが1~10ミクロン程度と薄い場合でも、接合界面近傍の金属粒、特に銅側を微細化できる接合条件であれば本実験と同様な接合が実現できる。本接合体の特長は、銅とニッケルをはんだや導電性樹脂などを用いずに直接金属接合できるため電気伝導や熱伝導に優れた接合体であること、接合部は接合界面の摩擦熱による温度上昇のみの固相接合であり、金属を溶融させて接合する接合方法に比べて接合温度が低いため接合後の界面に発生する応力が小さくなること、全率固溶系の銅とニッケルの接合であるため界面に化合物が形成されないこと、接合界面に化合物が形成されないため接合後の使用環境下で信頼性低下が発生しにくいことである。既述のように、使用環境下における信頼性低下は発生しにくいと考えられたため、200°Cの高温放置および40125°C温度サイクル試験後の引張強度の評価を行った。図8は本発明の接合実験における200°C保持熱処理と40125°C温度サイクル試験後の引張り強度の変化グラフである。なお図8は初期荷重30N、最高荷重120N、接合時間08秒、超音波ツール振幅215ミクロンの条件で接合を行った試験片を熱処理し、引張強度を測定したものである。図8に示すように200°C保持熱処理1000時間および40125°C温度サイクル試験1000サイクル行った後でも引張強度の変化はみられない。使用環境を想定した信頼性試験で強度低下が見られなかったことから、銅とニッケルの接合構造体は初期接合で良好な接合ができた場合は、信頼性低下が発生しにくいことが確認できた。また、200°C保持熱処理1000時間および40125°C温度サイクル試験1000サイクル行った後の各々のサンプルの接合部断面を観察したところ、初期接合と同様な良好な接合界面が確認され、化合物の形成もみられなかった。図9は銅とニッケルの超音波接合体をパワーモジュールに適用した際の実施例、図10は図9中AAのパワーモジュールの断面図である。21は冷却フィン付ベース、22は絶縁基板、23は基板上配線、24は半導体素子、25は外部接続用リード、26ははんだである。図9および図10には示していないが、基板上配線23と半導体素子24は金属ワイヤによって電気的に接続されている。基板上配線23は最表面がニッケルもしくはニッケルを主成分とする構成とする。ただし、基板上配線23の最表面に1ミクロン厚以下の金や銀や錫、錫系はんだが形成されていてもかまわない。また外部接続用リード25は基板上配線23側の面が銅もしくは銅を主成分とする構成とする。基板上配線23と外部接続用リード25とが、超音波接続されている。基板上配線23の表面に金や銀や錫、錫系はんだが形成されている場合には、超音波接合により、金や銀や錫、錫系はんだが破れて、銅とニッケルが接合される。基板上配線23と半導体素子24ははんだで接合される場合が多い。そのため、はんだのぬれ性や接合後の界面化合物の成長抑制を考慮すると、基板上配線23の表層はニッケル上に1ミクロン以下の金が形成された構造となる可能性がある。一方外部接続用リード25は大電流を流すため母材は銅が用いられるのが主流であるため、外部接続用リード25と基板上配線23の接合は銅とニッケル1ミクロン厚以下の金がある場合ありの接合となり、本発明の超音波接合を適用することで接合することが可能となる。これにより、基板上配線23上に新たなプロセスを付加することなく半導体素子24と外部接続用リード25を接合することができる。また、外部接続用リード25を他の部材にはんだで接続するために、表面に金や銀や錫、錫系はんだを形成した場合も、同様である。本接合を適用した場合の利点は、銅とニッケルをはんだや導電性樹脂などを用いずに直接金属接合できるため電気伝導や熱伝導に優れたリード基板上配線接合が可能となること、接合部は接合界面の摩擦熱による温度上昇のみの固相接合であり、金属を溶融させて接合する接合方法に比べて接合温度が低いため接合後の界面に発生する応力が小さく、また基板へ対する熱負荷も小さいこと、全率固溶系の銅とニッケルの接合であるため界面に化合物が形成されず接合後の使用環境下で信頼性低下が発生しにくいことである。図11は本発明の第二の適用例である銅バンプとニッケル層接合部の断面図である。30は半導体素子、31は半導体電極、32は銅バンプ、40は基板、41は基板上配線、42はニッケル層、50はアンダーフィルである。銅バンプ32はニッケル層42側の銅バンプ32の最表面が銅もしくは銅を主成分とする構成であれば、バンプ自体は複合体で形成されていてもかまわない。例えば、ニッケルバンプの外周に銅が形成されている構造などが挙げられる。ニッケル層42は銅バンプ32側のニッケル層42の最表面がニッケルもしくはニッケルを主成分とする構成とする。ただし、ニッケル層42の最表面に1ミクロン厚以下の金が形成されていてもかまわない。基板40は樹脂基板、セラミック基板、シリコン基板などであればよい。基板上配線41は各基板で一般的に使用されている構成であり、例えば樹脂基板の場合であれば基板上配線41は銅が挙げられる。本適用例では、基板上配線42上に銅バンプ32を超音波接続する接合構造となり、フリップチップ接合などに広く適用することができる。銅バンプ32とニッケル層42を超音波接合後、外周をアンダーフィル50で封止することで本構造が完成する。本接合を適用した場合の利点は、銅とニッケルをはんだや導電性樹脂などを用いずに直接金属接合できるため電気伝導や熱伝導に優れたバンプ接合が可能となること、接合部は接合界面の摩擦熱による温度上昇のみの固相接合であり、はんだなどを溶融させて接合する接合方法に比べて接合温度が低いため接合後の界面に発生する応力が小さく、また基板へ対する熱負荷や、基板やパッケージの反りも抑制できること、全率固溶系の銅とニッケルの接合であるため界面に化合物が形成されず接合後の使用環境下で信頼性低下が発生しにくいこと、硬質バンプであるため半導体素子と基板間のギャップを確保することができることである。本実施例では半導体素子30と基板40の接合を例にとって記載したが、パッケージと基板間の接合においても同様に適用可能である。