"陽極導電基板、ホールバッファ層、活性層、電子輸送層、および陰極を順番に積層してなるポリマー太陽電池であって、前記電子輸送層は、セシウム塩と金属粒子がドープされる電子輸送材料で作成され、前記金属粒子の粒径の範囲は、1nm~50nmであり、金属粒子はアルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択される材料で作成される、ポリマー太陽電池。前記セシウム塩の前記電子輸送層に占める質量比の範囲は、5~20であることを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記金属粒子の前記電子輸送層に占める質量比の範囲は、0.5~5であることを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記電子輸送層の材料は、2-4-ビフェニル-5-4-第三級ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4ートリアゾル誘導体、N-アリールベンゾイミダゾール、から選択される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記セシウム塩は、炭酸セシウム、セシウムアジド、セシウムのフッ化物、および塩化セシウムのうちから選択される材料で作成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記電子輸送層の厚さの範囲は、5nm~40nmであることを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記ホールバッファ層は、質量比の範囲を2:1~6:1とするポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホナートの混合物で構成されることを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記活性層は、質量比の範囲を1:0.8~1:1とする、ポリ3-ヘキシルチオフェンとフラーレンの酪酸誘導体の混合物で構成される、または、前記活性層は、質量比の範囲が1:1~1:4とする、ポリ2-メトキシ-5-3,7-ジメチルオクチルオキシフェニレンビニレンとフラーレンの酪酸誘導体の混合物で構成される、または、前記活性層は、質量比の範囲が1:1~1:4とする、ポリ2-メトキシ-5-2’-ビニル-ヘキシルオキシポリフェニレンビニレンとフラーレンの酪酸誘導体の混合物で構成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。前記陽極導電基板は、インジウムすず酸化ガラス、フルオレンドープドすず酸化ガラス、アルミニウムドープド亜鉛酸化ガラス、およびインジウムドープド亜鉛酸化ガラスのうちから選択される材料で作成され、前記陰極は、アルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択される材料で作成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマー太陽電池。陽極導電基板を前処理し、スピンコーティングにより陽極導電基板上にホールバッファ層を形成し、スピンコーティングにより前記ホールバッファ層上に活性層を形成し、活性層の上に、セシウム塩と金属粒子がドープされる電子輸送材料を蒸着プロセスによって、電子輸送層を形成し、電子輸送層の上に陰極を形成し、ポリマー太陽電池を形成する、ポリマー太陽電池の製造方法。以上のように、電子輸送速度を向上可能なポリマー太陽電池を提供することが必要とされている。本発明のポリマー太陽電池は、順番に、陽極導電基板、ホールバッファ層、活性層、電子輸送層、および陰極を積層してなる。電子輸送層の材料は、セシウム塩と金属粒子がドープされる電子輸送材料である。金属粒子の粒径の範囲は、1nm~50nmである。金属粒子はアルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択される材料で作成される。好ましくは、電子輸送層のセシウム塩が占める質量比の範囲は、5~20である。好ましくは、電子輸送層の金属粒子が占める質量比の範囲は、0.5~5である。好ましくは、電子輸送層の材料は、2-4-ビフェニル-5-4-第三級ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4ートリアゾル誘導体、N-アリールベンゾイミダゾール、から選択される。好ましくは、セシウム塩は炭酸セシウム、セシウムアジド、セシウムのフッ化物、および塩化セシウムのうちから選択される材料で作成される。好ましくは、電子輸送層の厚さの範囲は5nm~40nmである。好ましくは、ホールバッファ層は、質量比の範囲が2:1~6:1である、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホナートの混合物で構成される。好ましくは、活性層は、質量比の範囲が1:0.8~1:1である、ポリ3-ヘキシルチオフェンとフラーレンの酪酸誘導体の混合物で構成される。または、活性層は、質量比の範囲が1:1~1:4である、ポリ2-メトキシ-5-3,7-ジメチルオクチルオキシフェニレンビニレンとフラーレンの酪酸誘導体の混合物で構成される。または、活性層は、質量比の範囲が1:1~1:4である、ポリ2-メトキシ-5-2’-ビニル-ヘキシルオキシポリフェニレンビニレンとフラーレンの酪酸誘導体の混合物で構成される。好ましくは、陽極導電基板は、インジウムすず酸化ガラス、フルオレンドープドすず酸化ガラス、アルミニウムドープド亜鉛酸化ガラス、およびインジウムドープド亜鉛酸化ガラスのうちから選択される材料で作成される。陰極はアルミニウム、銀、金、およびプラチナのうちから選択される材料で作成される。ポリマー太陽電池の製造方法には、以下のステップが含まれる。陽極導電基板を前処理し、スピンコーティングにより陽極導電基板上にホールバッファ層を形成し、スピンコーティングによりホールバッファ層に活性層を形成し、活性層の上に、セシウム塩と金属粒子がドープされる電子輸送材料を蒸着プロセスによって、電子輸送層を形成し、電子輸送層に陰極を形成し、ポリマー太陽電池を形成する。ポリマー太陽電池の電子輸送層は,セシウム塩と金属粒子がドープされる電子輸送材料で作成される。n型ドーピングは、セシウム塩を電子輸送材料にドーピングさせることで形成される。そのため、電子輸送速度を有効的に改善し、電子輸送層と活性層の間のエネルギーバンドが湾曲し、その界面にある電子の注入バリアが減少し、電子の注入に有利になる。さらに、金属粒子がドープ処理されることにより、電子輸送層と陰極の間のバリヤが減少し、電極に注入された電子の収集に有利になり、有効な光電変換が形成される。さらに、金属粒子の存在により、三成分がドープされて形成された電子輸送層のフィルムの品質は大いに高められ、フィルムの粗さが減少し、フィルムがさらに平滑になる。これにより、電子輸送において電子トラップが発生する確率が減少し、電子輸送に有利となり、ポリマー太陽電池のエネルギー変換効率が最終的に高められる。以下では、実施例と図面を参照し、ポリマー太陽電池とその製造方法について詳細に説明する。図1に示すように、一実施例としてのポリマー太陽電池100は、導電陽極基板10,ホールバッファ層20,活性層30,電子輸送層40,及び、陰極50を順番に積層して有している。導電陽極基板10は、インジウムすず酸化物ガラスITO、フルオレンドープすず酸化ガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラスAZO、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスIZOのうちから選択される材料で作成される。ホールバッファ層20は質量比の範囲が2:1~6:1である、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホナートPSSの混合物で構成される。ホールバッファ層20の厚さの範囲は、20nm~80nmにコントロールされる。ホールバッファ層20は、以下のステップで形成される。陽極導電基板10の上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホナートPSSの溶液がスピンコーティングされ、PEDOTのPSSに対する質量比の範囲は2:1~6:1とし、溶液の質量比の範囲は1~5とする。100°Cから200°Cの温度で15分から60分かけて加熱される。好ましくは、PEDOTのPSSに対する質量比が6:1であり、溶液の質量比は1.3とされ、スピンコーティング後は200°Cの温度で30分加熱され、ホールバッファ層の厚さを40nmとする。活性層30は、受容体としてのフラーレンPCBMの酪酸誘導体の混合物で構成される。活性ポリマー層30の厚さの範囲は、80nmから300nmとする。具体的には、活性層30は質量比の範囲が1:0.8~1:1である、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTとフラーレンの酪酸誘導体PCBMの混合物で構成される。または、活性層30は、質量比の範囲が1:1~1:4であるポリ2-メトキシ-5-3,7-ジメチルオクチルオキシフェニレンビニレンMDMO-PPVとフラーレンの酪酸誘導体PCBMの混合物で構成される。または、活性層30は、質量比の範囲が1:1~1:4であるポリ2-メトキシ-5-2′-ビニル-ヘキシルオキシポリフェニレンビニレンMEH-PPVとフラーレンの酪酸誘導体PCBMの混合物で構成される。好ましくは、活性層30は、質量比を1:3とするMEH-PPVとPCBMで構成され、厚さは200nmとする。電子輸送層40は、セシウム塩と金属粒子がドープされた電子輸送材料で作成される。セシウム塩と電子輸送層の質量比の範囲は、5~20である。セシウム塩は、炭酸セシウムCs2CO3、セシウムアジドCsN3、セシウムのフッ化物CsF、および塩化セシウムCsClのうちから選択される材料で作成できる。電子輸送層に占める金属粒子の質量比の範囲は、0.5~5である。金属粒子の粒径の範囲は、1nm~50nmである。好ましくは、金属粒子の粒径の範囲は10nm~30nmである。金属粒子は、導電率が高く、仕事関数が4.2eVを超え、融点が2000°C未満の金属で構成される。金属の厚さが10nmのフィルムを製造する際には、金属の可視光透過率は90以上とすることが必要である。具体的には、金属は、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、およびプラチナPtのうちから選択される材料で作成することができる。電子輸送材料は、2-4-ビフェニル-5-4-第三級ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4トリアゾル誘導体例えば、TAZなど、NアリールベンゾイミダゾールTPBIのうちから選択される材料で作成できる。電子輸送層40の厚さの範囲は、5nm~40nmである。陰極50は、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、およびプラチナPtのうちから選択される材料で作成できる。陰極50の厚さの範囲は、80nm~250nmである。好ましくは、陰極50はアルミニウムで製造される。陰極50の厚さは150nmである。ポリマー太陽電池100において、電子輸送層40は、セシウム塩と金属粒子がドープされる電子輸送材料で作成される。n型ドーピングは、セシウム塩を電子輸送材料にドーピングさせることで形成される。そのため、電子輸送速度を有効的に改善し、電子輸送層40と活性層30の間のエネルギーバンドが湾曲し、その界面にある電子の注入バリアが減少し、電子の注入に有利になる。さらに、電子輸送層40には金属粒子がドープされ、電子輸送層40と陰極50の間のバリアが減少し、電極に注入された電子の収集に有利となり、有効な光電変換が形成される。さらに、金属粒子の存在により、三成分がドープされて形成された電子輸送層40のフィルムの品質は大いに高められ、フィルムの粗さが減少し、フィルムがさらに平滑になり、これにより、電子輸送において電子トラップが発生する確率が減少し、電子輸送に有利となり、ポリマー太陽電池100のエネルギー変換効率が最終的に高められる。図2に示すように,本実施例のポリマー太陽電池100の製造方法は,以下のステップを含む。ステップS10:陽極導電基板10を前処理するステップ。導電陽極基板10は、インジウムすず酸化物ガラスITO、フルオレンドープすず酸化ガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラスAZO、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスIZOのうちから選択される材料で作成される。前処理プロセスは、次の工程を含む。陽極導電基板10が洗浄され、陽極導電基板10が酸素プラズマか紫外オゾンにて処理される。具体的には、陽極導電基板10はフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄し、ガラス表面の有機汚染物質が除去される。洗浄後、陽極導電基板10は5分~15分の間酸素プラズマで表面処理され、パワー工率は10W~50Wとする。オゾン-紫外線処理は、5分~20分間実施される。ステップS20:スピンコーティングにより陽極導電基板10上にホールバッファ層20を形成する。ホールバッファ層20は、質量比の範囲が2:1~6:1である、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホナートPSSの混合物で構成される。ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホナートPSSの溶液は、PEDOTのPSSに対する質量比の範囲を2:1~6:1とし、溶液の質量比の範囲を1~5として陽極導電基板10の上にスピンコーティングされ、100°C~200°Cの温度で15分~60分加熱される。ホールバッファ層20の厚さの範囲は、20nm~80nmにコントロールされる。好ましくは、PEDOTとPSSの溶液は、スピンコーティングされ、PEDOTのPSSに対する質量比が6:1であり、溶液の質量比は1.3とされ、スピンコーティング後に200°Cの温度で30分加熱され、ホールバッファ層20の厚さは40nmとされる。ステップS30:スピンコーティングによりホールバッファ層20に活性層30を形成する。活性物質は、活性物質溶液を形成するために有機溶媒に溶解させる。保護気体の雰囲気下において、活性物質溶液がホールバッファ層20の表面にスピンコートされ、乾燥されて活性層30が得られる。活性物質溶液中の活性物質の濃度の範囲は、8mg/mLから30mg/mLとする。活性層30を形成するために活性物質溶液がスピンコートされる際に、活性物質は、フラーレンPCBMの酪酸誘導体となり、受容体を形成する。具体的には、活性物質は、質量比の範囲が1:0.8~1:1であるポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTとフラーレンの酪酸誘導体PCBMの混合物で構成される。または、活性物質は、質量比の範囲が1:1~1:4であるポリ2-メトキシ-5-3,7-ジメチルオクチルオキシフェニレンビニレンMDMO-PPVとフラーレンの酪酸誘導体PCBMの混合物で構成される。または、活性物質は質量比の範囲が1:1~1:4であるポリ2-メトキシ-5-2’-ビニル-ヘキシルオキシポリフェニレンビニレンMEH-PPVとフラーレンの酪酸誘導体PCBMの混合物で構成される。有機溶媒溶液は、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、およびクロロホルムのうちから一つ、又は、二つ選択できる。好ましくは、活性物質溶液は、質量比が1:3であり、総濃度が24mg/mLであるMEH-PPVとPCBMのクロロベンゼン溶液とされる。保護気体の雰囲気は、窒素雰囲気や不活性ガス雰囲気とされる。活性ポリマー層30の厚さの範囲は、80nmから300nmである。好ましくは、活性層30の厚さは200nmである。活性層30を形成するための乾燥の操作は、具体的には、24時間から48時間室温下に放置することや、50°C~100°Cの温度で10分から100分のアニーリングすることで可能である。好ましくは、活性層30は45分間、100°Cの温度でアニーリングされる。ステップS40:セシウム塩と金属粒子がトープされる電子輸送材料を蒸着し、活性層30の上に電子輸送層40を形成する。セシウム塩と電子輸送層の質量比の範囲は、5~20である。好ましくは、セシウム塩は炭酸セシウムCs2CO3、セシウムアジドCsN3、セシウムのフッ化物CsF、および塩化セシウムCsClのうちから選択される材料で作成される。電子輸送層40に占める金属粒子の質量比の範囲は、0.5~5である。金属粒子の粒径の範囲は1nm~50nmである。好ましくは、金属粒子の粒径の範囲は10nm~30nmである。金属粒子は、導電率が高く、仕事関数が4.2eVを超え、融点が2000°C未満の金属で構成される。金属の厚さが10nmのフィルムを製造する際には、金属の可視光透過率は90以上とすることが必要である。具体的には、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、およびプラチナPtである。電子輸送材料は、2-4-ビフェニル-5-4-第三級ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4トリアゾル誘導体例えば、TAZなど、NアリールベンゾイミダゾールTPBIのうちから選択される材料で作成できる。電子輸送層40の厚さの範囲は5nm~40nmである。ステップS50:電子輸送層40に陰極50を形成し、ポリマー太陽電池100を得る。陰極50は、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、およびプラチナPtのうちから選択される材料で作成できる。陰極50の厚さの範囲は、80nm~250nmである。好ましくは、陰極50はアルミニウムで製造される。陰極50の厚さは150nmである。以下では具体的な実施例を述べる。各例で使用される試験機器は、以下の通りである。高真空コーティング装置瀋陽科学機器センター株式会社、圧力<1×10-3Pa、電流-電圧テスター米国キース社、Model:2602、500WキセノンランプOsramにAM1.5フィルタを組み合わせた模擬太陽光の白色光源。実施例1ポリマー太陽電池:ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PCBM/Bhpen:Cs2CO3:Ag/Al。上述のポリマー太陽電池の製造工程は、以下のごとくである。まず、ITOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄され、ガラス表面の有機汚染物質が除去される。ITOは酸素プラズマ処理され、この処理時間は5分であり、パワー工率は30Wとする。PEDOTのPSSに対する質量比を6:1とし、溶液の質量比を1.3とし、PEDOTとPSSの溶液をITOの表面にスピンコーティングし、200°Cの温度で30分間加熱し、厚さ40nmのホールバッファ層が形成される。次に、乾燥窒素の雰囲気下で、MEH-PPVのPCBMに対する質量比を1:3とし、クロロベンゼン溶液の総濃度を24mg/mLとする、MEH-PPVとPCBMを混合したクロロベンゼン溶液がホールバッファ層にスピンコートされ、室温で48時間放置され、厚さ200nmの活性層が形成される。続いて、Bhpen:Cs2CO3:AgCs2CO3とAgはドープ材料として使用され、Cs2CO3が10であり、Ag系の粒径が30nmであり、Agの質量比が1であるが蒸着プロセスにより、厚さ25nmの電子輸送層を形成する。最後に、蒸着プロセスにより、陰極が形成される。陰極はアルミニウムで製造され、その厚さが150nmとされ、これにより、必要とされるポリマー太陽電池が形成される。図3は、従来のポリマー太陽電池と実施例1のポリマー太陽電池の電流密度と電圧の関係を示すグラフである。曲線1は、実施例1のポリマー太陽電池の電流密度と電圧の関係を示すグラフであり、曲線2は、従来のポリマー太陽電池の電流密度と電圧の関係を示すグラフである。実施例1のポリマー太陽電池と従来のポリマー太陽電池の相違点は電子輸送層だけである。従来のポリマー太陽電池の電子輸送層は、LiFにより製造され、厚さは0.7nmである。図3に示すように、ポリマー太陽電池は光電流テスト大気中で100mW/cm2の光度の下で試験され、照射領域は0.09mm2にかけられる。具体的なデータは以下の表1によって表される。表から明らかなように、従来のポリマー太陽電池の電流密度が5.21mA/cm2であるのに対し、実施例1のポリマー太陽電池の電流密度は、6.48mA/cm2に増加した。ポリマー太陽電池の電子転移レートは、三成分がドープ処理された電子輸送層を使用することにより高められ、活性層、電子輸送層と陰極の間のバリアも減少し、電子注入と電子輸送の効率は有効に増加し、最終的に、デバイスのエネルギー変換効率が高められる。従来のポリマー太陽電池のエネルギー変換効率は1.02であり、実施例1のポリマー太陽電池のエネルギー変換効率は1.38である。実施例2ポリマー太陽電池:IZO/PEDOT:PSS/MDMO-PPV:PCBM/PBD:CsF:Al/Ag製造工程は以下のとおりである。まず、IZOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄され、ガラス表面の有機汚染物質が除去される。IZOは酸素プラズマ処理され、この処理時間は5分であり、パワー工率は30Wとする。PEDOTのPSSに対する質量比を2:1とし、溶液の質量比を5とし、PEDOTとPSSの溶液をIZOの表面にスピンコーティングし、100°Cの温度で60分間加熱し、厚さ20nmのホールバッファ層が形成される。次に、アルゴン雰囲気下で、MEH-PPVのPCBMに対する質量比を1:4とし、キシレン溶液の総濃度を8mg/mLとする、MDMO-PPVとPCBMを混合したキシレン溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、200°Cの温度で5分間アニーリングされ、厚さ300nmの活性層が形成される。続いて、PBD:CsF:AlCsFとAlはドープ材料として使用され、CsFが20であり、Alの粒径が10nmであり、Alの質量比が0.5であるが蒸着プロセスにより、厚さ5nmの電子輸送層を形成する。最後に蒸着プロセスにより、陰極が形成される。陰極はAgで製造され、その厚さが80nmとされ、これにより、必要とされるポリマー太陽電池が形成される。実施例3ポリマー太陽電池:AZO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/TPBi:CsCl:Au/Pt製造工程は以下のとおりである。まず、AZOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄され、ガラス表面の有機汚染物質が除去される。次いで、オゾン-紫外線処理が15分行われる。PEDOTのPSSに対する質量比を4:1とし、溶液の質量比を1とし、PEDOTとPSSの溶液をAZOの表面にスピンコーティングし、200°Cの温度で15分間加熱し、厚さ80nmのホールバッファ層が形成される。次に、ヘリウム雰囲気下で、P3HTのPCBMに対する質量比を1:0.8とし、キシレン溶液の総濃度を30mg/mLとするP3HTとPCBMを混合したキシレン溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、100°Cの温度で30分間アニーリングされ、100nmの厚さの活性層が形成される。続いて、TPBi:CsCl:AuCsClとAuはドープ材料として使用され、CsClが5であり、Auの粒径が1nmであり、Auの質量比が5であるが蒸着プロセスにより、厚さ40nmの電子輸送層を形成する。最後に、蒸着プロセスにより、陰極が形成される。陰極はプラチナで製造され、その厚さが250nmとされ、これにより、必要とされるポリマー太陽電池が形成される。実施例4ポリマー太陽電池:FTO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/TAZ:CsN3:Pt/Au製造工程は以下のとおりである。まず、FTOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄され、ガラス表面の有機汚染物質が除去される。FTOは酸素プラズマで処理され、この処理時間は5分であり、パワー工率は30Wとする。PEDOTのPSSに対する質量比を5:1とし、溶液の質量比を2とし、PEDOTとPSSの溶液をFTOの表面にスピンコーティングし、100°Cの温度で45分間加熱し、厚さ60nmのホールバッファ層が形成される。次に、乾燥窒素の雰囲気下で、P3HTのPCBMに対する質量比を1:1とし、クロロベンゼン溶液の総濃度を20mg/mLとする、P3HTとPCBMを混合したクロロベンゼン溶液がホールバッファ層にスピンコートされ、50°Cの温度で100分間アニーリングされ、厚さ80nmの活性層が形成される。続いて、TAZ:CsN3:PtCsN3とPtはドープ材料として使用され、CsN3が10であり、Pt系の粒径が20nmであり、Ptの質量比が2であるは蒸着プロセスにより厚さ20nmの電子輸送層を形成する。最後に、蒸着プロセスにより、陰極が形成される。陰極は金で製造され、その厚さが100nmとされ、これにより、必要とされるポリマー太陽電池が形成される。実施例5ポリマー太陽電池:IZO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PCBM/Bphen:CsF:Ag/Al製造工程は以下のとおりである。まず、ITOはフォトエッチング処理され、必要なサイズに分離され、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロピルアルコールを用い、それぞれ15分超音波にて洗浄され、ガラス表面の有機汚染物質が除去される。ITOは酸素プラズマ処理され、この処理時間は5分であり、パワー工率は30Wとする。PEDOTのPSSに対する質量比を6:1とし、溶液の質量比を5とし、PEDOTとPSSの溶液をITOの表面にスピンコーティングし、200°Cの温度で15分間加熱し、厚さ40nmのホールバッファ層が形成される。次に、窒素雰囲気下で、MEH-PPVのPCBMに対する質量比を1:2とし、総濃度が16mg/mLとする、MEH-PPVとPCBMのクロロホルムとクロロベンゼンの混合溶液が、ホールバッファ層にスピンコートされ、150°Cの温度で60分間アニーリングされ、厚さ160nmの活性層が形成される。続いて、Bhpen:CsF:AgCsFとAgはドープ材料として使用され、CsFが15であり、Ag系の粒径が50nmであり、Agの質量比が2であるが蒸着プロセスにより、厚さ25nmの電子輸送層を形成する。最後に、蒸着プロセスにより、陰極が形成される。陰極はアルミニウムで製造され、その厚さが150nmとされ、これにより、必要とされるポリマー太陽電池が形成される。以上に述べた実施例は、本発明のいくつかの実施例を述べたものに過ぎず、具体的に、また、詳細なものとしたものであるが、本発明の権利範囲を制限するものと理解してはならない。本発明の当業者について言えば、本発明の思想を逸脱しない限りは、若干の変更や改良が可能であり、これらは全て本発明の保護範囲に含まれることは、ここで当然に指摘しておく。したがって、本発明の特許の保護範囲は、請求の範囲に記載されているものに基づくものである。"