"半導体基板と、前記半導体基板上に形成された浮遊ゲート絶縁膜と、前記浮遊ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第1絶縁膜を介して形成された制御ゲート電極と、前記半導体基板上に形成され、前記浮遊ゲート絶縁膜の隣に位置している選択ゲート絶縁膜と、前記選択ゲート絶縁膜上に形成され、側面が第2絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極の第1側面に接する選択ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極の第2側面に、第3絶縁膜を介して接する消去ゲート電極と、を備え、前記第2絶縁膜は、前記第3絶縁膜に対してウェットエッチングによるエッチング選択比が10以上である材料からなり、前記第2絶縁膜の下端は、前記浮遊ゲート絶縁膜の上面よりも前記半導体基板の近くに位置する半導体装置。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された浮遊ゲート絶縁膜と、前記浮遊ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第1絶縁膜を介して形成された制御ゲート電極と、前記半導体基板上に形成され、前記浮遊ゲート絶縁膜の隣に位置している選択ゲート絶縁膜と、前記選択ゲート絶縁膜上に形成され、側面が第2絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極の第1側面に接する選択ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極の第2側面に、第3絶縁膜を介して接する消去ゲート電極と、を備え、前記第3絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第2絶縁膜は、窒化シリコン膜であり、前記第2絶縁膜の下端は、前記浮遊ゲート絶縁膜の上面よりも前記半導体基板の近くに位置する半導体装置。請求項1又は2に記載の半導体装置において、前記第2絶縁膜の下端から前記半導体基板までの距離は、前記選択ゲート絶縁膜の厚さよりも大きく、前記第2絶縁膜と前記半導体基板の間に、前記選択ゲート絶縁膜及び前記選択ゲート電極の一部が入り込んでいる半導体装置。請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記第3絶縁膜は、前記半導体基板と前記消去ゲート電極の間にも位置している半導体装置。半導体基板上に浮遊ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記浮遊ゲート絶縁膜の一部上に、浮遊ゲート電極、第1絶縁膜、及び制御ゲート電極の積層構造を形成する工程と、前記浮遊ゲート絶縁膜のうち前記浮遊ゲート電極で被覆されていない非被覆領域を薄くする工程と、前記浮遊ゲート電極及び前記制御ゲート電極の第1側面に、下端が前記浮遊ゲート電極の外側に位置し、かつ前記浮遊ゲート絶縁膜の前記非被覆領域に接する第2絶縁膜を形成する工程と、前記浮遊ゲート電極及び前記制御ゲート電極の第1側面上、前記制御ゲート電極上、前記第2絶縁膜上、及び前記半導体基板上に、第3絶縁膜を形成する工程と、前記第2側面上に位置する前記第3絶縁膜上に、マスク膜を形成する工程と、前記マスク膜をマスクとして前記第3絶縁膜をウェットエッチングすることにより、前記制御ゲート電極の少なくとも一部上、前記第2絶縁膜上、及び前記半導体基板上に位置する前記第3絶縁膜を除去する工程と、前記半導体基板のうち前記第2絶縁膜に面する領域上に、選択ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記選択ゲート絶縁膜上に、側面が前記第2絶縁膜に接する選択ゲート電極を形成する工程と、前記第2側面に位置する前記第3絶縁膜上に、消去ゲート電極を形成する工程と、を備え、前記第2絶縁膜は、前記ウェットエッチングにおけるエッチング条件において、前記第3絶縁膜に対してエッチング選択比が10以上である材料からなる半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、前記第3絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第2絶縁膜は窒化シリコン膜である半導体装置の製造方法。不揮発型記憶素子の消去ゲート電極が浮遊ゲート電極の隣に位置している場合、消去ゲート電極と浮遊ゲート電極の間に位置する絶縁膜を、堆積法により形成することがある。本発明者は、このような場合、以下の問題があることを見出した。堆積法により形成される絶縁膜は全面に形成されるため、不要な部分を除去するためにエッチングを行う必要がある。このエッチングをドライエッチングで行う場合、除去対象の絶縁膜が半導体基板上に位置していると、半導体基板にダメージが入る可能性がある。一方、このエッチングをウェットエッチングで行う場合、半導体基板にダメージが入ることは抑制できるが、浮遊ゲート絶縁膜もサイドエッチングされる可能性が出てくる。本発明によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された浮遊ゲート絶縁膜と、前記浮遊ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第1絶縁膜を介して形成された制御ゲート電極と、前記半導体基板上に形成され、前記浮遊ゲート絶縁膜の隣に位置している選択ゲート絶縁膜と、前記選択ゲート絶縁膜上に形成され、側面が第2絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極の第1側面に接する選択ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極の第2側面に、第3絶縁膜を介して接する消去ゲート電極と、を備え、前記第2絶縁膜は、前記第3絶縁膜に対してウェットエッチングによるエッチング選択比が10以上である材料からなり、前記第2絶縁膜の下端は、前記浮遊ゲート絶縁膜の上面よりも前記半導体基板の近くに位置する半導体装置が提供される。本発明によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された浮遊ゲート絶縁膜と、前記浮遊ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第1絶縁膜を介して形成された制御ゲート電極と、前記半導体基板上に形成され、前記浮遊ゲート絶縁膜の隣に位置している選択ゲート絶縁膜と、前記選択ゲート絶縁膜上に形成され、側面が第2絶縁膜を介して前記浮遊ゲート電極の第1側面に接する選択ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極の第2側面に、第3絶縁膜を介して接する消去ゲート電極と、を備え、前記第3絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第2絶縁膜は、窒化シリコン膜であり、前記第2絶縁膜の下端は、前記浮遊ゲート絶縁膜の上面よりも前記半導体基板の近くに位置する半導体装置が提供される。本発明によれば、第2絶縁膜の下端は、浮遊ゲート絶縁膜の上面よりも半導体基板の近くに位置している。このため、第3絶縁膜の不要な部分を除去するときのエッチングとして、ウェットエッチングを用いても、浮遊ゲート絶縁膜がサイドエッチングされることを抑制できる。本発明によれば、半導体基板上に浮遊ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記浮遊ゲート絶縁膜の一部上に、浮遊ゲート電極、第1絶縁膜、及び制御ゲート電極の積層構造を形成する工程と、前記浮遊ゲート絶縁膜のうち前記浮遊ゲート電極で被覆されていない非被覆領域を薄くする工程と、前記浮遊ゲート電極及び前記制御ゲート電極の第1側面に、下端が前記浮遊ゲート電極の外側に位置し、かつ前記浮遊ゲート絶縁膜の前記非被覆領域に接する第2絶縁膜を形成する工程と、前記浮遊ゲート電極及び前記制御ゲート電極の第1側面上、前記制御ゲート電極上、前記第2絶縁膜上、及び前記半導体基板上に、第3絶縁膜を形成する工程と、前記第2側面上に位置する前記第3絶縁膜上に、マスク膜を形成する工程と、前記マスク膜をマスクとして前記第3絶縁膜をウェットエッチングすることにより、前記制御ゲート電極の少なくとも一部上、前記第2絶縁膜上、及び前記半導体基板上に位置する前記第3絶縁膜を除去する工程と、前記半導体基板のうち前記第2絶縁膜に面する領域上に、選択ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記選択ゲート絶縁膜上に、側面が前記第2絶縁膜に接する選択ゲート電極を形成する工程と、前記第2側面に位置する前記第3絶縁膜上に、消去ゲート電極を形成する工程と、を備え、前記第2絶縁膜は、前記ウェットエッチングにおけるエッチング条件において、前記第3絶縁膜に対してエッチング選択比が10以上である材料からなる半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、第3絶縁膜の不要な部分を除去するときのエッチングとして、ウェットエッチングを用いても、浮遊ゲート絶縁膜がサイドエッチングされることを抑制できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1~図6は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。この半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。まず、半導体基板100上に浮遊ゲート絶縁膜110を形成する。次いで、浮遊ゲート絶縁膜110の一部上に、浮遊ゲート電極120、第1絶縁膜132、及び制御ゲート電極130の積層構造を形成する。次いで、浮遊ゲート絶縁膜110のうち浮遊ゲート電極120で被覆されていない非被覆領域112を薄くする。次いで、浮遊ゲート絶縁膜110及び浮遊ゲート電極120の第1側面に、第2絶縁膜152を形成する。この状態において、第2絶縁膜152は、下端が浮遊ゲート電極120の外側に位置しており、かつ浮遊ゲート絶縁膜110の非被覆領域112に接している。次いで、浮遊ゲート電極120及び制御ゲート電極130の第1側面上、制御ゲート電極130上、第2絶縁膜152上、及び半導体基板100上に、第3絶縁膜160を形成する。次いで、第2側面上に位置する第3絶縁膜160上に、レジストパターン54マスク膜を形成する。ついでレジストパターン54をマスクとして第3絶縁膜160をウェットエッチングする。これにより、制御ゲート電極130の少なくとも一部上、第2絶縁膜152上、及び半導体基板100上に位置する第3絶縁膜160を除去する。次いで、半導体基板100のうち第2絶縁膜152に面する領域上に、選択ゲート絶縁膜172を形成する。次いで、選択ゲート絶縁膜172上に、選択ゲート電極170を形成する。選択ゲート電極170は、側面が第2絶縁膜152に接している。次いで、第2側面に位置する第3絶縁膜160上に、消去ゲート電極180を形成する。第2絶縁膜152は、上記したウェットエッチング工程におけるエッチング条件において、第3絶縁膜160に対してエッチング選択比が10以上である材料からなる。例えば第3絶縁膜160が酸化シリコン膜である場合、第2絶縁膜152は、窒化シリコン膜である。まず図1aに示すように、半導体基板100を準備する。半導体基板100は、例えばシリコン基板である。次いで、半導体基板100上に浮遊ゲート絶縁膜110を形成する。半導体基板100がシリコン基板である場合、浮遊ゲート絶縁膜110は、例えば熱酸化法により形成される。次いで、浮遊ゲート絶縁膜110上に、ポリシリコン膜122、第1絶縁膜132、ポリシリコン膜131、及び絶縁膜140をこの順に形成する。これらの膜は、例えば気相法により形成される。ここでの気相法には、例えばCVD法、スパッタリング法、ALD法が含まれる。第1絶縁膜132、は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層及び酸化シリコン層がこの順に形成されたONO膜である。絶縁膜140は、例えば、窒化シリコン層、酸化シリコン層、及び窒化シリコン層がこの順に形成されたNON膜である。次いで図1bに示すように、絶縁膜140上にマスクパターン図示せずを形成し、このマスクパターンをマスクとして、絶縁膜140、ポリシリコン膜131、及び第1絶縁膜132に対して異方性エッチング、例えば異方性を有するドライエッチングを行う。このとき、ポリシリコン膜122はエッチングストッパとして機能する。これにより、制御ゲート電極130が形成される。また絶縁膜140及び第1絶縁膜132も、制御ゲート電極130と同様のパターンになる。本図に示す例では、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140の積層構造が2つ互いに対向している。その後、マスクパターンが残っている場合、このマスクパターンを除去する。なお、絶縁膜140は、以後の工程において、ハードマスクとして機能する。次いで図2aに示すように、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140からなる2つの積層構造の間に位置するポリシリコン膜122を覆うように、レジストパターン50を形成する。次いでレジストパターン50及び絶縁膜140をマスクとして、ポリシリコン膜122に対して異方性エッチング、例えば異方性を有するドライエッチングを行う。このとき、浮遊ゲート絶縁膜110はエッチングストッパとして機能する。これにより、ポリシリコン膜122は、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140からなる2つの積層構造の間に位置する部分、及び絶縁膜140の下方に位置する部分を除いて、除去される。これにより、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110は露出する。その後、図2bに示すように、レジストパターン50を除去する。次いで、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140からなる2つの積層構造の側面及び上面上、ポリシリコン膜122の側面上、2つの積層構造の間に位置するポリシリコン膜122上、及び非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110上に、酸化シリコン膜150を堆積法により形成する。次いで、酸化シリコン膜150を異方性エッチングする。これにより、酸化シリコン膜150は、2つの積層構造の側面に位置する部分、及びポリシリコン膜122の側面上に位置する部分を除いて、除去される。またこの工程において、エッチング時間等を調整することにより、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110を、ポリシリコン膜122で覆われている部分と比較して薄くする。次いで図3aに示すように、酸化シリコン膜150上、絶縁膜140上、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110上、及び2つの積層構造の間に位置するポリシリコン膜122上に、第2絶縁膜152を堆積法により形成する。第2絶縁膜152は、後述する第3絶縁膜160のウェットエッチング工程において、第3絶縁膜160よりもエッチングがされにくい材料、例えば第3絶縁膜160に対するエッチング選択比が10以上の材料により形成される。第3絶縁膜160が酸化シリコン膜である場合、第2絶縁膜152は、例えば窒化シリコン膜である。次いで、第2絶縁膜152を異方性エッチングする。これにより、第2絶縁膜152は、酸化シリコン膜150上に位置する部分を除いて除去される。次いで図3bに示すように、第2絶縁膜152上、絶縁膜140上、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110上、及び2つの積層構造の間に位置するポリシリコン膜122上に、酸化シリコン膜154を堆積法により形成する。次いで、酸化シリコン膜154を異方性エッチングする。これにより、酸化シリコン膜154は、第2絶縁膜152上に位置する部分を除いて除去される。またこの工程において、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110は、ポリシリコン膜122で覆われている部分と比較してさらに薄くなる。次いで図4aに示すように、レジストパターン52を形成する。レジストパターン52は、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110を覆っているが、2つの積層構造の間に位置するポリシリコン膜122は覆っていない。次いで、レジストパターン52及び絶縁膜140をマスクとして、ポリシリコン膜122を異方性エッチングする。これにより、ポリシリコン膜122は2つに分断され、2つの浮遊ゲート電極120が形成される。次いで、レジストパターン52及び絶縁膜140をマスクとして、半導体基板100に不純物を注入する。これにより、半導体基板100のうち2つの浮遊ゲート電極120の間に位置する領域には、不純物領域102が形成される。次いで図4bに示すように、レジストパターン52及び絶縁膜140をマスクとして、浮遊ゲート電極120、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140からなる2つの積層構造の間に位置する浮遊ゲート絶縁膜110を等方性エッチングする。これにより、浮遊ゲート絶縁膜110も2つに分断される。またこの工程において、2つの積層構造の間に位置する酸化シリコン膜154も除去される。次いで図5aに示すように、浮遊ゲート絶縁膜110,浮遊ゲート電極120、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140からなる2つの積層構造の側面上及び上面上、非被覆領域112上、並びに半導体基板100のうち不純物領域102が形成されている領域上に、第3絶縁膜160を堆積法により形成する。第3絶縁膜160は、例えば酸化シリコン膜である。次いで図5bに示すように、浮遊ゲート絶縁膜110、浮遊ゲート電極120、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140からなる2つの積層構造の間を、レジストパターン54で被覆する。このとき、絶縁膜140の一部上もレジストパターン54で被覆される。次いでレジストパターン54をマスクとして第3絶縁膜160をウェットエッチングする。このときのエッチング液は、例えばBHFである。これにより、第3絶縁膜160のうち、非被覆領域112上に位置する部分、及び上記した積層構造の側面のうち互いに対向しない面第1側面上に位置する部分は、いずれも除去される。この工程において、非被覆領域112に位置する半導体基板100は露出する。また、酸化シリコン膜154のうち第1側面上に位置する部分も除去される。さらに、浮遊ゲート絶縁膜110のうち第2絶縁膜152の下端の下に位置する部分も除去される。ただし、図2bに示す工程において、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110は薄くなっている。従って、第1側面上に位置する第2絶縁膜152の下端は、浮遊ゲート電極120の下に位置する浮遊ゲート絶縁膜110の上面よりも、半導体基板100の表面に近くなる。従って、第3絶縁膜160をウェットエッチングするときに、酸化シリコン膜150の下端の下に位置する浮遊ゲート絶縁膜110がサイドエッチングされることを抑制できる。その後、図6aに示すように、レジストパターン54を除去する。次いで、半導体基板100を熱酸化することにより、非被覆領域112に位置する半導体基板100に、選択ゲート絶縁膜172を形成する。選択ゲート絶縁膜172は、第2絶縁膜152の下方にも形成される。次いで図6bに示すように、浮遊ゲート絶縁膜110、浮遊ゲート電極120、第1絶縁膜132、制御ゲート電極130、及び絶縁膜140からなる2つの積層構造の間、及び選択ゲート絶縁膜172上に、ポリシリコン膜を形成する。次いで、このポリシリコン膜上にレジストパターン図示せずを形成し、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜に対して異方性エッチングを行う。これにより、選択ゲート絶縁膜172上には選択ゲート電極170が形成される。また2つの積層構造の間には、消去ゲート電極180が形成される。このようにして、不揮発型記憶素子が形成される。図6bに示す不揮発メモリは、浮遊ゲート絶縁膜110、浮遊ゲート電極120、制御ゲート電極130、選択ゲート絶縁膜172、選択ゲート電極170、及び消去ゲート電極180を有している。浮遊ゲート絶縁膜110は、半導体基板100上に形成されている。浮遊ゲート電極120は浮遊ゲート絶縁膜110上に形成されている。制御ゲート電極130は、第1絶縁膜132を介して浮遊ゲート電極120上に位置している。選択ゲート絶縁膜172は浮遊ゲート絶縁膜110の隣に位置している。選択ゲート電極170は選択ゲート絶縁膜172上に位置しており、側面が第2絶縁膜152を介して浮遊ゲート電極120の第1側面に接続している。消去ゲート電極180は、第3絶縁膜160を介して浮遊ゲート電極120に接続している。第3絶縁膜160は、消去ゲート電極180の下端と半導体基板100の間にも位置している。図7は、図6bにおいて点線Aで囲んだ部分の構造を示す図である。本図に示すように、第2絶縁膜152の下端は、浮遊ゲート絶縁膜110の上面よりも、半導体基板100の表面の近くに位置している。第2絶縁膜152の下端から半導体基板100の表面までの距離は、選択ゲート絶縁膜172の厚さよりも大きい。そして第2絶縁膜152の下端と半導体基板100の間には、選択ゲート絶縁膜172及び選択ゲート電極170の一部が入り込んでいる。次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態では、図5を用いて説明したように、第3絶縁膜160のうち非被覆領域112に位置する部分を除去するときに、ウェットエッチングを用いている。このため、この工程において、非被覆領域112に位置する半導体基板100にダメージが入ることを抑制できる。また、第3絶縁膜160を除去するときにウェットエッチングを用いた場合、浮遊ゲート絶縁膜110にサイドエッチングが入る可能性が出てくる。この場合、浮遊ゲート絶縁膜110のうちサイドエッチングがされた部分に、選択ゲート電極170が入り込み、浮遊ゲート電極120と選択ゲート電極170が近づく可能性が出てくる。この可能性は、第3絶縁膜160と浮遊ゲート絶縁膜110が同一の材料、例えば酸化シリコン膜で形成したときに顕著になる。これに対して本実施形態では、図2bに示す工程において、非被覆領域112に位置する浮遊ゲート絶縁膜110を、ポリシリコン膜122後の工程で浮遊ゲート電極120となるの下に位置する浮遊ゲート絶縁膜110よりも薄くしている。従って、図5bに示すように、第2絶縁膜152の下端は、浮遊ゲート絶縁膜110の上面よりも、半導体基板100の表面の近くに位置する。従って、浮遊ゲート絶縁膜110にサイドエッチングが入り、このサイドエッチングがされた部分に選択ゲート電極170が入り込んでも、浮遊ゲート電極120と選択ゲート電極170が近づくことを抑制できる。また、第3絶縁膜160をウェットエッチングするとき、第2絶縁膜152の下端は、浮遊ゲート絶縁膜110の上面よりも、半導体基板100の表面の近くに位置している。このため、第2絶縁膜152の下方に位置する領域、及びこれよりも浮遊ゲート絶縁膜110の近くに位置する領域では、ウェットエッチングの薬液に含まれるエッチング成分が補充されにくい。従って、浮遊ゲート絶縁膜110にサイドエッチングが入ることそのものも抑制できる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。"