"III族窒化物半導体素子を作製する方法であって、基板と該基板の上に形成された窒化ガリウム系半導体層とを含むエピタキシャル基板を処理装置の真空チャンバに配置する工程と、前記真空チャンバ内において前記エピタキシャル基板の基板温度を上昇する工程と、前記真空チャンバにおいて前記エピタキシャル基板の温度を上昇した後に、前記真空チャンバ内において前記エピタキシャル基板の前記窒化ガリウム系半導体層の表面に改質処理を行って、改質された表面を有する基板生産物を形成する工程と、前記基板生産物の前記改質された表面の上に導電膜を堆積して、前記窒化ガリウム系半導体層と前記導電膜との接合を形成する工程とを備え、前記改質処理は、ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射を同時に行うことなくガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射のいずれか一方の処理を含み、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面は、該窒化ガリウム系半導体層のc軸方向に延びる基準軸に直交する第1の基準平面を基準にして61度を超える傾斜角で傾斜する半極性を示し、前記改質処理は、前記第1の基準平面に対して第1の角度で傾斜した第1面に沿って延在する第1部分と前記第1の基準平面に対して第2の角度で傾斜した第2面に沿って延在する第2部分とを前記改質された表面が含むように行われる、III族窒化物半導体素子を作製する方法。前記改質処理において前記真空チャンバにおける真空度が1×106Torr以下である、請求項1に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記改質処理における基板温度は摂氏500度以上である、請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面は前記c軸から該窒化ガリウム系半導体層のm軸への方向に傾斜し、前記第1部分及び前記第2部分の一方は{10-10}面を含む、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記第1部分及び前記第2部分の他方は{10-11}面を含む、請求項4に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記改質された表面は、前記第1部分及び前記第2部分を含むステップ構造を有する、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記第1部分及び前記第2部分の各々は、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面の傾斜の方向に交差する方向に延在する、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。III族窒化物半導体からなる主面を有する基板を成長装置に配置する工程と、前記基板の前記主面の上に一又は複数の窒化ガリウム系半導体層を前記成長装置で成長して、前記エピタキシャル基板を形成する工程と、前記エピタキシャル基板を前記成長装置から取り出して、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面を大気にさらす工程とを更に備え、前記基板の前記主面は、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸に直交する第2の基準平面を基準にして該III族窒化物半導体のm軸方向に61度を超える角度で傾斜する半極性を示し、前記窒化ガリウム系半導体層は、前記基板の前記主面の法線軸に直交する第3の基準平面に沿って延在する、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記エピタキシャル基板の前記改質処理に先だって、前記真空チャンバに1×10-10Torr以下の真空度を提供する工程を更に備える、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記導電膜は、Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt及びTlの少なくともいずれかを含む、請求項1~請求項9のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記電極膜を加工して、前記基板生産物に電極を形成する工程を更に備え、前記電極のアロイを行わない、請求項1~請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記改質処理では、窒素ラジカル照射を行うことなくガリウムフラックス照射を行う、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記改質処理では、ガリウムフラックス照射を行うことなく窒素ラジカル照射を行う、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。当該III族窒化物半導体素子はIII族窒化物半導体発光素子を含み、前記III族窒化物半導体発光素子は、キャリアの注入により光を発生する活性層を含む、請求項1~請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。前記活性層は500nm以上540nm以下の波長範囲の光を発生するように形成される、請求項14に記載されたIII族窒化物半導体素子を作製する方法。非特許文献1から理解されるように、半極性III族窒化物は、III族窒化物半導体デバイスにとって魅力的な対象である。発明者らの知見によれば、半極性面上エピタキシャル膜の反応性がc面に比べて高く、これ故にエピタキシャル膜の表面に酸化膜が容易に形成される。また、その酸化膜の厚みもc面に比べて厚い形成される。このような性質の半極性面に対して、発明者らは、良好な電気的接触を提供するために様々な試みを行っているけれども、良好な接触抵抗を得るには至っていない。このような点で、半極性面は、半極性面に比べて良好な接触抵抗の電極を形成できるm面やc面と異なっている。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供することを目的とする。本発明の一側面は、III族窒化物半導体素子を作製する方法に係る。この方法は、a基板と該基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層とを含むエピタキシャル基板を処理装置の真空チャンバに配置する工程と、b前記真空チャンバ内において前記エピタキシャル基板の基板温度を上昇する工程と、c前記真空チャンバにおいて前記エピタキシャル基板の温度を上昇した後に、前記真空チャンバ内において前記エピタキシャル基板の前記窒化ガリウム系半導体層の表面に改質処理を行って、改質された表面を有するエピタキシャル生産物を形成する工程と、前記エピタキシャル生産物の前記改質された表面の上に導電膜を堆積して、前記窒化ガリウム系半導体層と前記導電膜との界面を形成する工程とを備える。前記改質処理は、ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射を同時に行うことなくガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射のいずれか一方の処理を含み、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面は、該窒化ガリウム系半導体層のc軸方向に延びる基準軸に直交する第1の基準平面を基準にして61度を超える傾斜角で傾斜する半極性を示し、前記改質処理は、前記改質された表面が前記第2の基準平面に対して第1の角度で傾斜した第1面に沿って延在する第1部分と前記第2の基準平面に対して第2の角度で傾斜した第2面に沿って延在する第2部分とを含むように行われる。この作製方法によれば、真空チャンバにおいてエピタキシャル基板の温度を上昇した後に、真空チャンバ内において窒化ガリウム系半導体層の表面に改質処理を行う。この改質処理は、ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射を同時に行うことなくガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射のいずれか一方の処理を含む。成膜が生じないようにガリウムフラックス照射又は窒素ラジカル照射の処理を半極性面に行うことによって、窒化ガリウム系半導体層の表面は、元々の半極性面とは異なるいくつかの面方位の構成面を含む改質面に変更される。成長された窒化ガリウム系半導体層は半極性の表面を有するけれども、改質処理によって、改質された表面が第1の基準平面に対して第1の角度で傾斜した第1面に沿って延在する第1部分と第1の基準平面に対して第2の角度で傾斜した第2面に沿って延在する第2部分とを含むことになる。窒化ガリウム系半導体層の表面が、該窒化ガリウム系半導体層のc軸方向に延びる基準軸に直交する第1の基準平面を基準にして61度を超える傾斜角で傾斜する半極性を有するとき、改質処理により形成された表面の少なくとも一部分は、良好な接触抵抗を提供できる。電極は、窒化ガリウム系半導体層上に形成されるけれども、電極の一部は良好な接触抵抗を提供できる部分面に接触を成すことになる。したがって、半極性面に直接に接触を成す電極に比べて、電極全体としての接触抵抗が良好になる。好適には、第1部分及び第2部分の一方はm面又はほぼm面の面方位を有している。本発明の一側面に係る製造方法では、前記改質処理において前記真空チャンバにおける真空度が1×106Torr以下であることが好ましい。この作製方法によれば、上記の真空度の範囲では、窒化ガリウム系半導体の表面における原子のマイグレーションが生じるので、より容易に所望の表面に変更される。本発明の一側面に係る製造方法では、前記改質処理における基板温度は摂氏500度以上であることが好ましい。この作製方法によれば、上記の温度範囲によれば、窒化ガリウム系半導体の表面における原子のマイグレーションが生じるので、より容易に所望の表面が得られる。本発明の一側面に係る製造方法では、前記改質された表面は前記第1部分と前記第2部分とを含むステップ構造を有することができる。この作製方法によれば、ステップ構造における2つの部分の一方への電極の接触は、他方への電極の接触に比べて良好である。本発明の一側面に係る製造方法では、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面は該窒化ガリウム系半導体層のm軸方向に傾斜を示し、前記第1部分及び前記第2部分の一方は{10-10}面を含むことができる。この作製方法によれば、改質処理において、窒化ガリウム系半導体の表面における原子のマイグレーションが生じて、{10-10}面が形成される。本発明の一側面に係る製造方法では、前記第1部分及び前記第2部分の他方は{10-11}面を含むことができる。改質処理により{10-10}面を形成する際に、改質された表面に{10-11}面が現れることがある。本発明の一側面に係る製造方法では、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面は、該窒化ガリウム系半導体層のm軸方向に傾斜し、前記ステップ構造は10-10面及び10-11面を含むことができる。この作製方法によれば、ステップ構造がm面を含むので、m面への接触は良好な接触抵抗を提供できる。本発明の一側面に係る製造方法では、前記第1部分及び前記第2部分の各々は、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面の傾斜の方向に交差する方向に延在することができる。この作製方法によれば、第1の基準平面を基準にして61度を超える傾斜角の角度範囲における傾斜角で傾斜する半極性面に改質処理を行うことによって、第1部分及び第2部分の各々が上記の傾斜方向に交差する方向に延在するように形成される。本発明の一側面に係る製造方法は、III族窒化物半導体からなる主面を有する基板を成長装置に配置する工程と、一又は複数の窒化ガリウム系半導体層を前記基板の前記主面の上に前記成長装置で成長して前記エピタキシャル基板を形成する工程と、前記エピタキシャル基板を前記成長装置から取り出して、前記窒化ガリウム系半導体層の前記表面を大気にさらす工程とを更に備えることができる。前記基板の前記主面は、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸に直交する第3の基準平面を基準にして該III族窒化物半導体のm軸方向に61度を超える角度で傾斜する半極性を示し、前記窒化ガリウム系半導体層は、前記基板の前記主面の法線軸に直交する第4の基準平面に沿って延在することができる。この作製方法によれば、上記のような半極性面を有する基板を用いることによって、窒化ガリウム系半導体層の表面のモフォロジを制御できる。エピタキシャル基板を成長装置から取り出す際に窒化ガリウム系半導体層の表面が大気にさらされるので、酸素を含む雰囲気に窒化ガリウム系半導体層の表面が置かれる。本発明の一側面に係る製造方法では、前記エピタキシャル生産物の前記改質処理に先だって、前記真空チャンバに1×10-10Torr以下の真空度を提供する工程を更に備えることができる。この作製方法によれば、改質処理に先立って上記の高真空中にエピタキシャル生産物が置かれる。この期間に、蒸気圧の関係から窒化ガリウム系半導体層の表面の清浄化が進む。本発明の一側面に係る製造方法では、前記導電膜は、Au、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt及びTlの少なくともいずれかを含むことができる。この作製方法によれば、上記の電極材料を用いて電極を形成できる。本発明の一側面に係る製造方法は、前記電極膜を加工して、前記基板生産物に電極を形成する工程を更に備えることができる。前記電極の形成において前記電極のアロイを行わないことが好ましい。この作製方法によれば、ノンアロイ電極を作製できる。本発明の一側面に係る製造方法では、前記改質処理では、窒素ラジカル照射を行うことなくガリウムフラックス照射を行うことができる。或いは、本発明の一側面に係る製造方法では、前記改質処理では、ガリウムフラックス照射を行うことなく窒素ラジカル照射を行うことができる。これらの作製方法によれば、ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射を同時に行うことによって望まれない副生成物が形成される可能性がある。ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射を同時に行わないので、副生成物の形成が避けられる。本発明の一側面に係る製造方法では、当該III族窒化物半導体素子はIII族窒化物半導体発光素子を含み、前記エピタキシャル基板は、キャリアの注入により光を発生する活性層を含むことができる。この作製方法によれば、良好な接触抵抗の提供により、発光素子の駆動電圧を低減できる。本発明の一側面に係る製造方法では、前記エピタキシャル基板の前記活性層は、500nm以上540nm以下の波長範囲の光を発生するように設けられる。この作製方法によれば、半極性面を用いて形成される緑色の発光素子に良好な接触抵抗を提供でき、この発光素子の駆動電圧を低減できる。本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。以上説明したように、本発明の一側面によれば、半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法が提供される。本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、エピタキシャル基板及びIII族窒化物半導体素子を作製する方法、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法、III族窒化物半導体素子のための電極を形成する方法、III族窒化物半導体素子、並びにエピタキシャル基板に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1~図4を参照しながら、エピタキシャル基板及びIII族窒化物半導体素子を作製する方法、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法、並びに電極を形成する方法に係る実施の形態について説明を行う。図1~図4は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体素子を製造する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。引き続く説明では、III族窒化物半導体発光素子を例示しながら、III族窒化物半導体素子を製造する方法を説明する。図1のa部に示されるように、工程S101では基板11が準備される。基板11は、III族窒化物半導体からなる主面11aを有しており、この主面11aは、III族窒化物半導体のc軸本実施の形態では<0001>軸の方向に延在する基準軸ベクトルVCによって示されるに直交する平面Rcを基準にして61度より大きい角度ANGLEで傾斜し、これ故に、半極性を示す。この基板11は、例えばIII族窒化物半導体からなることができる。基板11のIII族窒化物半導体は、例えばGaN等からなることができる。主面11aは、好ましくは該窒化ガリウム系半導体層のm軸方向に傾斜するが、傾斜方向はm軸方向を中心に-1度以上1度以下の小さい角度範囲であってもよい。m軸の傾斜方向がこの角度範囲にあるとき、良好な接触抵抗をIII族窒化物半導体素子に提供できる。図1のb部に示されるように、工程S102S102-1では、半導体発光素子のための半導体積層13を成長装置10aで基板11上に成長する。引き続き、一実施例を説明する。基板11を成長装置10aに配置した後に、成長装置10aにアンモニア及び水素を供給して基板11の主面11aの前処理例えばサーマルクリーニングを行う。前処理の後に、成長装置10aを用いて、複数のIII族窒化物半導体層を基板11の主面11a上に順にエピタキシャルに成長する。この成長は、例えば有機金属気相成長法といった成長法で行われる。半導体積層13の形成では、n型III族窒化物半導体領域15といった第1導電型のIII族窒化物半導体層を成長装置10aで成長すると共に、次いでn型III族窒化物半導体領域15上に活性層17を成長する。必要な場合には、活性層17の成長に先立って、n型III族窒化物半導体領域15上に光ガイド層を成長してもよい。n型III族窒化物半導体領域15は、例えばGaN、AlGaN、InAlGaN等からなることができる。活性層17は、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム系半導体層を含む。活性層17は例えば量子井戸構造21を有しており、量子井戸構造21は、交互に配列された障壁層23及び井戸層25を含むことができる。障壁層23のバンドギャップは井戸層25のバンドギャップより大きい。障壁層23は例えばGaN、InGaN、InAlGaN等からなることができ、井戸層25は例えばGaN、InGaN、InAlGaN等からなることができる。活性層17は例えば480nm以上560nm以下の波長範囲にピーク発光波長を有するように設けられる。好適な実施例では、活性層17は例えば500nm以上540nm以下の波長範囲にピーク発光波長を有するように設けられる。必要な場合には、第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域を成長する前に、活性層17上に光ガイド層を成長装置10aで成長することができる。これらの工程により、半導体積層12が基板11上に成長される。図1のc部に示されるように、工程S102-2では、p型III族窒化物半導体領域19といった第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域を成長装置10aで成長して、半導体積層13を形成する。本実施例では、活性層17上にp型III族窒化物半導体領域19が形成される。p型III族窒化物半導体領域19は、例えばGaN、AlGaN、InAlGaN等からなることができる。p型III族窒化物半導体領域19のために、電子ブロック層27、p型クラッド層29及び窒化ガリウム系半導体層31が、活性層17上に順に成長する。電子ブロック層27は、障壁層23のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する。p型クラッド層29は、障壁層23のバンドギャップより大きなバンドギャップを有し、また活性層17の屈折率より小さい屈折率を有する。半導体積層13の形成におけるいくつかの成膜の最後に、本実施例では、例えばp型コンタクト層のための窒化ガリウム系半導体層31が成長される。p型III族窒化物半導体領域19は、p型窒化ガリウム系半導体層31を含むことができる。窒化ガリウム系半導体層31の表面31aは半極性を示し、この表面31aは、該窒化ガリウム系半導体層31のc軸方向本実施の形態では<0001>軸に延びる基準軸Bxに直交する基準平面Rbを基準にして61度を超える傾斜角で傾斜する。表面31aは、基板11のc軸の傾斜に従って、例えば該窒化ガリウム系半導体層31のm軸方向に傾斜される。p型III族窒化物半導体領域19は電子ブロック層27、p型クラッド層29及び窒化ガリウム系半導体層p型コンタクト層31を含むことができる。電子ブロック層27は例えばMgドープAlGaNからなり、p型クラッド層29は例えばMgドープInAlGaNからなる。p型コンタクト層は例えばMgドープGaN、MgドープInGaN等からなることができる。基板11の主面11aの上に半導体積層13を成長してエピタキシャル基板E1を形成することにおいて、基板11の主面11aは、該III族窒化物半導体のc軸本実施の形態では<0001>軸方向に延びる基準軸Cxに直交する面から61度より大きく80度以下の範囲の角度ANGLEで傾斜することが好ましい。この角度範囲内に傾斜角ANGLEがあるとき、窒化ガリウム系半導体の半極性面が酸素との結合性に富む。これ故に、オーミック電極の形成の際に、酸素の低減が重要である。また、エピタキシャル基板E1の主面は、窒化ガリウム系半導体層31のc軸本実施の形態では<0001>軸方向に延びる基準軸Bxに直交する面から61度より大きく80度以下の範囲の角度で傾斜することが好ましい。この角度範囲の半極性面は、以下の説明によって示される改質処理によって良好な接触抵抗を実現できるステップ構造を提供する。窒化ガリウム系半導体層31の主面31aは、好ましく該窒化ガリウム系半導体層31のm軸方向に傾斜するが、c軸の傾斜方向は該m軸方向を中心に-1度以上1度以下の小さい角度範囲であってもよい。さらに、基板11及び窒化ガリウム系半導体層31の窒化ガリウム系半導体のc軸本実施の形態では、<0001>軸は、該III族窒化物半導体のm軸の方向に傾斜するとき、エピタキシャル基板E1の主面における傾斜角は、該III族窒化物半導体のc軸<0001>軸に沿って延びる基準軸に直交する面から63度以上80度以下である範囲の角度で傾斜することが好適である。この作製方法によれば、緑色の発光に好適な良好なインジウム取り込みが提供される。図2のa部に示されるように、工程S103では、エピタキシャル基板E1を成長装置10aから取り出すと、酸素を含む大気にエピタキシャル基板E1がさらされる。この結果、エピタキシャル基板E1の表面に露出された窒化ガリウム系半導体面に自然酸化物酸化ガリウム14が形成される。成長装置10aからエピタキシャル基板E1を取り出した後に、工程S104では、次の成膜に先だって処理装置10bにエピタキシャル基板E1を配置する。エピタキシャル基板E1を成長装置10aから取り出した後であってエピタキシャル基板E1を次の成長装置を配置するに先立って、図2のb部に示されるように、エピタキシャル基板E1を処理装置10bで洗浄することができる。成長装置10aから取り出した際に、エピタキシャル基板E1の表面が大気中にさらされると、その表面が汚染されてしまう。特に酸素がエピタキシャル基板E1の表面に吸着される。このため、酸素に係る不純物がエピタキシャル基板E1の表面に残留する。図2のc部に示されるように、工程S105では、窒化ガリウム系半導体層31を成長した後に、処理装置10cにエピタキシャル基板E1を配置する。改質処理をエピタキシャル基板E1の主面に処理装置10cを用いて施す。図3のa部に示されるように、工程S106では、真空チャンバにおいてエピタキシャル基板Eの温度例えば摂氏500度~摂氏900度を上昇した後であってエピタキシャル基板E1の改質処理に先だって、真空チャンバに1×10-10Torr以下の高真空度を達成することが好ましく、ここで真空度1×10-10Torrは1.33322×10-8パスカルとして換算される。改質処理に先立って上記の高真空中にエピタキシャル基板E1が置かれる。この期間に、表面残留物の蒸気圧の関係に従って窒化ガリウム系半導体層31の表面31aの清浄化が進む。図3のb部に示されるように、工程S107では、改質処理は、処理装置10cの真空チャンバ内に、改質用の雰囲気を形成することによって行われる。改質処理によって、基板生産物SP1が形成される。この改質処理において真空チャンバにおける真空度が1×106Torr以下であることが好ましい。この真空度の範囲では、窒化ガリウム系半導体層31の表面31aにおける原子のマイグレーションが生じるので、より容易に所望の表面に変更される。改質のための雰囲気の形成は、例えばガリウムフラックス又は窒素ラジカルのいずれか一方のフラックス18の照射を含むことができる。この改質用のフラックス照射では、処理装置10cの真空チャンバ内においてエピタキシャル基板E1の主面に、例えばガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射の両方を同時に行うことなくガリウムフラックス又は窒素フラックスを照射することが好ましい。この方法によれば、加熱しながらフラックス18の照射によって、窒化ガリウム系半導体層31の表面エピタキシャル基板E1の表面31aにおいてマイグレーションが生じて、窒化ガリウム系半導体層31の表面31aが改質される。この結果、窒化ガリウム系半導体層31は改質された表面31bを有する。好適な実施例では、改質処理では、窒素ラジカル照射を行うことなくガリウムフラックス照射を行うことができる。或いは、改質処理では、ガリウムフラックス照射を行うことなく窒素ラジカル照射を行うことができる。ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射を同時に行うことによって、望まれない副生成物が形成される可能性がある。これらの作製方法によれば、ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射を同時に行わないので、副生成物の形成が避けられる。また、工程S107では処理装置10cでエピタキシャル基板E1の加熱も行う。加熱の条件の一例では、加熱温度は例えば摂氏720度であり、熱処理時間は30分であり、改質処理は例えばガリウムフラックスの照射である。この温度範囲は例えば摂氏500度以上であることができる。上記の温度範囲によれば、窒化ガリウム系半導体の表面における原子のマイグレーションが生じるので、所望の表面を形成できる。また、この温度範囲は例えば摂氏900度以下であることができ、これは活性層17へのダメージを避けるためである。さらに、この温度範囲は例えば摂氏600度以上であることができる。この温度範囲によれば、窒化ガリウム系半導体の表面における原子のマイグレーションが活発になるので、より容易に所望の表面が得られる。この改質処理の後に、エピタキシャル基板E1を処理装置10cから取り出す。なお、この改質工程のための基板温度は、エピタキシャル基板Eの形成における成膜温度のうちの最も低い温度以下であることが好ましい。この温度範囲によれば、改質処理により生じる可能性のある活性層への熱ストレスを低減できる。活性層はInGaN層を含むとき、エピタキシャル基板E1の基板温度は、例えば、活性層のInGaN井戸層の成長温度以下であることが好ましい。活性層17のInGaN層の品質が、改質工程における熱処理により低下することを避けることができる。図3のb部を参照すると、結晶座標系が示されており、c軸Bxはm軸の方向に傾斜する。改質処理は、改質された表面31bが第1部分部分面32aと第2部分部分面32bとを含むように行われる。第1部分部分面32aは第1面R1に沿って延在し、第1面R1は窒化ガリウム系半導体層31のc軸VC31基準軸Bxに直交する基準平面Rbに対して第1の角度AG1で傾斜する。第2部分部分面32bは第2面R2に沿って延在し、第2面R2は基準平面Rbに対して第2の角度AG2で傾斜する。これまでの工程では、エピタキシャル基板Eを成長装置10cの真空チャンバ内に配置した後に、フラックス照射による改質処理を行って、基板生産物SP1を作製してきた。窒化ガリウム系半導体層31の改質された表面31bは、第1部分部分面32a及び第2部分部分面32bを含むステップ構造を有することができる。第1部分32a及び第2部分32bの各々は、窒化ガリウム系半導体層31の表面31aの傾斜の方向に交差する方向に延在することができる。61度を超える傾斜角の角度範囲における傾斜角ANGLEで傾斜する半極性面に改質処理を行うことによって、第1部分32a及び第2部分32bの各々が上記の傾斜方向に交差する方向に延在するように形成される。窒化ガリウム系半導体層31の表面31aが窒化ガリウム系半導体層31のm軸方向に傾斜するとき、上記のステップ構造を構成するステップ面は例えば部分面32a、32b一方向に配列され、個々のステップ面は例えばa軸の方向に延在する。後に工程で作製される電極は、第1部分32a及び第2部分32bの良好に接触を成す。このステップ構造における2つの部分面の一方への電極の接触抵抗単位面積当たりの接触抵抗は、他方への電極の接触抵抗単位面積当たりの接触抵抗に比べて小さい。好適な実施例では、このステップ構造は{10-10}面を含むことができる。ステップ構造がm面を含むので、m面への接触は良好な接触抵抗を提供できる。また、ステップ構造は{10-11}面を含むことができる。{10-11}面は、窒化ガリウム系半導体層31のc軸に直交する基準平面を基準にして該窒化ガリウム系半導体層31のm軸方向にほぼ61度の角度で傾斜した面方位であり、これは比較的安定な面を提供することができる。改質処理により、窒化ガリウム系半導体層31の表面31aが表面31bに改質されて、第1の角度AG1が半極性面の傾斜角ANGLEより小さくなり、第2の角度AG2が半極性面の傾斜角ANGLEより大きくなることができる。窒化ガリウム系半導体層31の表面31aは、窒化ガリウム系半導体層31のc軸に直交する基準平面を基準にして該窒化ガリウム系半導体層31のm軸方向に61度を超える角度範囲内の傾斜角で規定される半極性を示すとき、表面31aに対する改質処理は、改質された表面31bを基板生産物SP1に提供でき、この改質された表面31bは、複数の面例えば、傾斜角ALGLEより小さい第1の角度AG1で規定される第1面R1に沿った部分面、及び傾斜角ALGLEより大きい第2の角度AG2で規定される第2面R2に沿った部分面から構成される。電極が接触を成す窒化ガリウム系半導体層31を含む半導体積層13は、成長装置10aで有機金属気相成長法を用いて成長されることが好ましい。改質処理のための処理装置10cとしては、分子ビームエピタキシ装置を使用できる。窒化ガリウム系半導体層31は、引き続く工程でこの層31上に電極が形成されるとき、コンタクト層として働く。また、好適な実施例では、このコンタクト層はp導電性を有することができる。この実施例では、窒化ガリウム系半導体層31上には、後の工程おいて電極のための金属が堆積されるので、窒化ガリウム系半導体層31には所望の導電型のドーパント、例えばマグネシウム、亜鉛といったp型ドーパントを添加することが好ましい。p型ドーパント濃度は例えば1×1016cm-3以上1×1021cm-3以下であることができる。この製造方法によれば、p型窒化ガリウム系半導体層31にオーミック接触を成す電極を形成できる。電極に接するp型の窒化ガリウム系半導体層31の表層における酸素濃度の低減は駆動電圧低減に有効である。次いで、基板生産物SP1を成長装置10cから取り出して成長装置10dに配置した後に、図3のc部に示されるように、工程S108では、処理装置10dの真空チャンバにおいて基板生産物SP1の主面に表面保護のための絶縁膜35を成膜する。コンタクト膜を有する保護層図4のa部における保護層35aを形成するために絶縁膜35を加工して、基板生産物SP2を形成する。絶縁膜35は例えばシリコン酸化物からなることができる。なお、必要な場合には、基板生産物SP2の形成に先立って、基板生産物SP1又はエピタキシャル基板E1がリッジ構造等の素子構造を有するような加工を行うことができる。この後に、図4のa部に示されるように、工程S109では、成長装置10eの真空チャンバにおいて基板生産物SP2の保護層35aの主面に電極膜37を形成して、基板生産物SP3を形成する。導電膜37は、例えばAu、Pd、Ni、Rh、Al、Ti、Zn、Cu、In、Ta、Pt及びTlの少なくともいずれかを含むことができる。この方法によれば、上記の電極材料を用いて電極を形成できる。導電膜37を成膜した後に、電極を形成する。電極の形成のために、例えばリフトオフ又はエッチングを用いることができる。次いで、図4のb部に示されるように、工程S109では、電極膜37を加工して基板生産物SP3上に電極38を形成する。好適な実施例では、リフトオフ又はエッチングを用いてパターンの転写を導電膜37に行って、窒化ガリウム系半導体層31の表面31bに接触を成す電極38を形成することができる。基板生産物SP4では、電極38は、絶縁層35aに設けられた電気的接続のための開口を介してp型窒化ガリウム系半導体層33にオーミック接触を成す。また、必要に応じて研磨した後に、基板生産物SP3の裏面には電極39が形成される。これによって、基板生産物SP4が形成される。好適な実施例では、p型窒化ガリウム系半導体層33はp型GaNからなり、電極38はパラジウムPdからなることができる。この製造方法によれば、処理装置10cの真空チャンバにおいてのエピタキシャル基板E1の温度を上昇した後に、この真空チャンバ内において窒化ガリウム系半導体層31の表面31aに改質処理を行う。この改質処理は、ガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射のいずれか一方の処理を含む。窒化ガリウム系半導体層31の表面31aは、該窒化ガリウム系半導体層31のc軸方向に延びる基準軸Bxに直交する第1の基準平面を基準にして該窒化ガリウム系半導体層のm軸方向に61度を超える傾斜角で傾斜する半極性を有するので、改質処理によって改質された表面31bは、電気的接触に好適な構造を有することになり、窒化ガリウム系半導体層31と電極38との接触により構成される界面36も、改質された表面31bのステップ構造とほぼ同様な構成を保つ。界面36の構造については、図4のb部を参照しながら、図3のb部と同じ参照符号を用いて界面36の構造を説明する。電極38は、改質された表面31bの第1部分32a及び第2部分32bの各々に接触を成す。第1部分32aは、第2の基準平面に対して第1の角度で傾斜した第1面に沿って延在し、電極38と接触を成す。第2部分32bは、第2の基準平面に対して第2の角度で傾斜した第2面に沿って延在し、電極38と接触を成す。第1部分32a及び第2部分32bの一方は、m面又はほぼm面の面方位を有している。界面の形状から、電極38にm面を含むステップ面又はほぼm面の面方位の部分面を含むステップ面への接触を提供できる。成膜が生じないようにガリウムフラックス照射及び窒素ラジカル照射のいずれか一方の処理を半極性面に行うことによって、窒化ガリウム系半導体層31の表面31aは、元々の半極性面とは異なるいくつかの面方位の構成面を含む改質面に変更される。成長された窒化ガリウム系半導体層31は半極性の表面31aを有するけれども、本実施の形態における角度ANGLEの範囲では、改質処理により形成された面31bの少なくとも一部分は、元の半極性面に比べて低い接触抵抗を半導体素子に提供できる。電極38は、窒化ガリウム系半導体層31上に形成されけれども、電極38の一部は良好な接触抵抗を提供できる部分面に接触を成すことになる。したがって、成長されたままの表面形態に近い半極性面に直接に接触を成す電極に比べて、改質処理の適用により電極全体としての接触抵抗が良好になる。なお、当該方法では、例えば導電膜37を成膜した後に電極38のためのアロイを行わないようにしてもよい。電極38のためのアロイを行わないことにより、加熱による電極劣化や電極と半導体の界面の劣化を低減できるという利点がある。次の工程では、基板生産物SP4の分離を行って、III族窒化物半導体発光素子41を得る。III族窒化物半導体発光素子41は、第1導電型III族窒化物半導体層43と、第1導電型III族窒化物半導体層43の主面の上に設けられた活性層45と、活性層45の主面の上に設けられたIII族窒化物半導体層49と、III族窒化物半導体層49の主面の上に設けられる電極53とを備える。III族窒化物半導体層49の最上層はコンタクト層であり、III族窒化物半導体層49は活性層45に第1の接合J1を成す。電極53はIII族窒化物半導体層51と第2の接合J2を成す。III族窒化物半導体層51は第2導電型を有する。活性層45はキャリアの注入により光を発生する。第1及び第2の接合J1、J2は、III族窒化物半導体層51のc軸VC51に直交する基準面に対して、上記の角度範囲内の角度ANGLEで傾斜する。活性層45の主面は、第1導電型III族窒化物半導体層43のc軸VC43に直交する基準面に対して、上記の角度範囲内の角度ANGLEで傾斜する。活性層45を構成する井戸層45b及び障壁層45aの各々は、第1導電型III族窒化物半導体層43のc軸VC43に直交する基準面に対して傾斜する平面に沿って延在する。このIII族窒化物半導体発光素子41によれば、第2の接合J2がc軸VC43に直交する基準面に対して傾斜しているので、電極53は、絶縁層50の開口50aを介して第2のIII族窒化物半導体層51の改質面51aに接合する。この改質面51aに電極53が接合を成すので、第2の接合J2は良好なオーミック特性を示す。第1の接合J1は主面55aに対して実質的に平行であり、また第2の接合J2は、ステップ構造による微細な凹凸を除いて、主面55aに対して実質的に平行である。第1及び第2の接合J1、J2は、基準軸に直交する面を基準にして、既に説明した角度範囲で傾斜することが好ましい。III族窒化物半導体発光素子41は、支持基体55を更に備えることができ、支持基体55はIII族窒化物半導体からなる主面55aを有する。窒化ガリウム系半導体層51は、支持基体55の主面55aの法線軸に直交する第3の基準平面に沿って延在する。また、第1導電型III族窒化物半導体層43及びIII族窒化物半導体層49も、支持基体55の主面55aの法線軸に直交するそれぞれの基準平面に沿って延在する。支持基体55の主面55aは、該III族窒化物半導体のc軸VC55に沿って延びる基準軸に直交する面から61度以上の角度で傾斜する。III族窒化物半導体層43、活性層45、第1のIII族窒化物半導体層49、及び第2のIII族窒化物半導体層51は、支持基体55の主面55aの法線Nxの方向に配列される。支持基体55の主面55aは、該III族窒化物半導体のc軸に沿って延びる基準軸に直交する面から63度以上80度以下の範囲の角度で傾斜することが好適である。成膜された窒化ガリウム系半導体層に改質処理を施して形成された窒化ガリウム系半導体層51の表面51aと電極53との接触には、良好なオーミック性が提供される。活性層45は、III族構成元素としてインジウムを含む窒化ガリウム系半導体層を含み、活性層45は例えば500nm以上540nm以下の波長範囲にピーク発光波長を有するように設けられる。実験例1この実施例では、図5に示されるような窒化物半導体レーザを{20-21}面上に作製する。まず、有機金属気相成長法MOCVD法によるエピ生産物を作製する工程を行う。{20-21}GaN基板を用意する。このGaN基板をMOCVD装置のチャンバ内にセットする。原料として,トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルインジウムTMI、シクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mg、モノシラン、アンモニアNH3を使用する。基板温度を摂氏1050度に保持し、アンモニア及び水素を成長装置に供給して、10分間のサーマルクリーニングを行う。次いで、以下の半導体積層を成長する。厚さ2マイクロメートルのn型Al0.04Ga0.96Nクラッド層を摂氏1050度で成長する。摂氏840度の基板温度に下げた後に、n側のIn0.03Ga0.97N光ガイド層を成長する。InGaN/InGaN量子井戸活性層を成長する。InGaN井戸層の成長温度は摂氏790度であり、InGaN障壁層の成長温度は摂氏840度である。InGaN井戸層の厚さは3nmであり、InGaN障壁層の厚さは15nmである。必要な場合には、障壁層の成長と井戸層の成長とを交互に繰り返す。摂氏840度の基板温度にあげた後に、p側のIn0.03Ga0.97N光ガイド層を成長する。摂氏1000度の基板温度で、厚さ20nmのp型Al0.12Ga0.88N電子ブロック層、及び厚さ400nmのp型Al0.06Ga0.94Nクラッド層を成長する。次いで、厚さ50nmのp型Al0.06Ga0.94Nクラッド層上にp型GaNコンタクト層を成長する。基板温度を室温に下げた後に、このエピタキシャル基板を成長装置から取り出す。次いで、p型GaNコンタクト層の表面処理をMBE装置で行う。MBE装置に配置する前に、硫酸過水で洗浄する。この成長では、以下原料として,ガリウムフラックスK-セル、マグネシウムフラックスK-セル、窒素ラジカルRF-プラズマを用いる。このエピタキシャル基板をMBE装置にセットした後に、ロータリポンプ、ターボ分子ポンプ及びクライオポンプを利用して、MBE装置の真空チャンバ内の真空度を1×10-10Torr以下の値にまで真空排気する。この処置の後に、ヒータを用いて基板温度を摂氏720度に設定する。この温度で30分間エピタキシャル基板を保持する。基板温度を室温まで下げた後に、改質されたエピタキシャル生産物をMBE装置から取り出す。このエピ生産物をAと呼ぶ。別のデバイスを作製するために、上記のエピタキシャル基板を成長装置から取り出した後にMBE装置を用いた改質処理を行うことなく、次の電極形成工程を行う。このエピ生産物をCと呼ぶ。これらのエピ生産物A、Cを用いてデバイスを形成する。エピ生産物A、Cの全面にパラジウム電極膜を抵抗加熱式蒸着装置を用いて堆積して、基板生産物を形成する。これらの基板生産物を抵抗加熱式蒸着装置から取り出す。基板生産物上にレジストをスピンコータを用いて均一に塗布する。この後に、フォトマスクと露光装置を用いて露光する。露光されたレジスト膜の現像により、幅2μmのストライプ状のパターンを有するレジストマスクを形成する。レジストマスクを用いて、反応性イオンエッチング装置を用いて、レジストマスクのパターンを電極膜に転写して、ストライプ状のPd電極を形成する。GaN基板の裏面を研磨した後に、裏面電極を形成する。これらの電極工程により作製された基板生産物を幅600μmで分離して、レーザデバイスLDA、LDCそれぞれのためのレーザーバーLBA、LBCを形成する。上記の工程により作製されたレーザデバイスLDA、LDCに通電すると、レーザデバイスLDA、LDCのレーザ発振波長はそれぞれ5233nm及び5201nmである。レーザデバイスLDAの駆動電圧は8.4ボルトであり、レーザデバイスLDCの駆動電圧は9.6ボルトである。実験例2実験例1と同様にエピタキシャル基板を作製する。このエピタキシャル基板をMBE装置に配置した後に、窒素ラジカルフラックスをタキシャル基板に30分間照射する。窒素ラジカルフラックスの生成には、RFラジカルガンを用い、また250WのRFパワーと1.3ccSI単位系では13cm3であるの窒素流量の条件を用いる。この後に、実験例1と同様に電極を形成して、レーザデバイスLDBを形成する。上記の工程により作製されたレーザデバイスLDBに通電すると、レーザデバイスLDBのレーザ発振波長は5225nmである。レーザデバイスLDBの駆動電圧は8.2ボルトである。改質処理による、コンタクト層の表面の変化を観察するとき、エピタキシャル基板の当初の表面p型GaN表面は20-21面を示したが、窒素ラジカルフラックスの照射が進むについれて10-10面及び10-11面が現れる。実験例3実験例1と同様にエピタキシャル基板を作製する。このエピタキシャル基板をMBE装置に配置した後に、ガリウムフラックスをエピタキシャル基板に30分間照射する。ガリウムフラックスは、1.4×10-5Torrの条件で照射される。この後に、実験例1と同様に電極を形成して、レーザデバイスLDDを形成する。上記の工程により作製されたレーザデバイスLDDに通電すると、レーザデバイスLDDのレーザ発振波長は5221nmである。レーザデバイスLDDの駆動電圧は8.2ボルトである。改質処理による、コンタクト層の表面の変化を観察する。エピタキシャル基板の表面p型GaN表面は20-21面を示したが、ガリウムフラックスの照射が進むにつれて10-10面及び10-11面が現れる。実験例4改質処理したGaN表面にPd膜を電子ビーム蒸着法によって成膜し、TLM法を用いて接触抵抗を評価するとき、接触抵抗の測定値は1×10-4cm-2であり、良好なオーミック接触を示す。これに対して、エピタキシャル成長により形成されたGaN表面改質処理無しのGaN表面にPd膜を電子ビーム蒸着法によって成膜し、TLM法を用いて接触抵抗を評価するとき、接触抵抗の測定値は2×10-3cm-2である。実験例5図6は、{20-21}GaN面の改質により形成されたGaN表面改質されたGaN面の原子間力顕微鏡AFMを用いた測定を示す図面である。図6のa部は、改質された表面のAFM像を示す。図6のb部は、改質された表面の表面モフォロジをAFMを用いて測定した結果を示す。図6のb部を参照すると、ステップ構造はリッジ及び谷を有しており、リッジを構成するように傾斜する2つの側面が観察され、また谷を構成するように傾斜する2つの側面が観察される。図6のa部を参照すると、ステップ構造を構成する2つの面が、縞状に一方向この実験例ではa軸の方向に延在しており、リッジと谷が交互に配列される。発明者らの測定によれば、ステップ構造を構成する2つの面の一方は、m面、つまりほぼ{10-10}面であり、他方はほぼ{10-11}面である。好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。"