少なくとも1つのN型有機半導体化合物および少なくとも1つのP型有機半導体化合物の混合物ベースの、好ましくは排他的に有機の、光起電性コーティングであって、前記コーティングは、好ましくは、同じ層内で関連した前記NおよびP型有機半導体化合物を含むコーティングであり、有機半導体化合物の少なくとも1つ、好ましくは、N型有機半導体化合物は、キノン核を含む化合物、好ましくは、式の化合物であり、式中、A1基は、O、C2またはN基であり、基R1、R2、R3およびR4のそれぞれは、独立に水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、特にNH2、CN基、SO2CF3基、Oアルキル基、Oアリール基または炭化水素基を表わし、基R1、R2、R3およびR4の2つ以上は、一緒に芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈され、A1基はO、C2またはN基であり、一般にA1と同一であるか、あるいは基A1A1であり、基A1は芳香環単位であり、A1、R2およびまたはR3は一緒に芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈される、コーティング。基A1およびA1が同一であり、基O、C2またはNを表わし、基R1およびR2ならびに任意に基R3およびR4が、それらが結合している2個の炭素原子と一緒に、任意に置換されている芳香族または複素環式芳香族の環または多環構造、好ましくは、ベンゼン、チオフェン、チアジアゾール、ナフタレン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ナフトチオフェン、アントラセンまたはこれらの構造の組み合わせを形成する、請求項1に記載のコーティング。A1およびA1基が同一であり、O、C2またはN基を表わし、R1、R2、R3およびR4が同一であり、H、F、Cl、CN、OMe、OPh、OC6H4OH、飽和または不飽和炭化水素鎖から選択される原子または基を表わす、請求項1に記載のコーティング。基A1が基A1A1であり、基A1が芳香環単位であり、A1、R2およびまたはR3が一緒に、任意に置換されている芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈され、基R1およびR2がそれぞれHを表わす、請求項1に記載のコーティング。式の有機半導体化合物をさらに含み、式中、A2は、H、F、CN、CF3、COORi、CONRiRiiからなる群から選択される基を表わし、RiおよびRiiは独立にHまたはアルキル基を表わし、基Bは、任意に置換されている芳香族環基、典型的にはフェニレンを表わし、基Dは、任意に置換されている有機金属、複素環式芳香族または芳香族の環式炭化水素基あるいはポリマー鎖を表わす、請求項1から4のいずれかに記載のコーティング。基Dが、任意に置換されている有機金属、複素環式芳香族または芳香族の環式炭化水素基、例えば、2個のOアルキル基、例えば、OC6H13もしくはOC12H25で任意に置換されているフェニレン基またはアルキル基で任意に置換されているチオフェン基またはアルキル基、例えば、C12H25で任意に置換されているフラン基またはさらにアルキル基で任意に置換されているインドール、カルバゾール、フェロセニウムもしくはナフタレン基などを表わす、請求項5に記載のコーティング。式の有機半導体化合物が、式の基本単位を含むオリゴマーであり、式中、A2およびBは、請求項5のとおり定義され、基Cは、任意に置換されている芳香族または複素環式芳香族の環式炭化水素基を表わす、請求項6に記載のコーティング。式の基本単位を含むオリゴマー有機半導体化合物をさらに含み、式中、基A2およびCは、請求項7のとおり定義され、基Eは、任意に置換されている芳香族環または芳香族複素環を表わす、請求項1から4のいずれかに記載のコーティング。式の基本単位を含む有機半導体化合物が、式と一致するオリゴマーであり、式中、基A2、CおよびEは、請求項8のとおり定義され、基Fは、任意に置換されている芳香族環または芳香族複素環を表わし、nは、1から15の間に含まれる、請求項8に記載のコーティング。式と一致する典型的にはN型の有機半導体化合物と、式と一致する典型的にはP型の有機半導体化合物とを含み、式中基R1、R2、R3およびR4のそれぞれは、独立に水素原子、ハロゲン原子、CN基または炭化水素基を表わし、基R1、R2、R3およびR4の2つ以上は、一緒に芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈され、基R5およびR6のそれぞれは、独立に基H、ヒドロキシル、アルキル、Oアルキルまたはアリールを表わし、R5およびまたはR6は、中心ベンゼン環と一緒に芳香族または複素環式芳香族の構造を形成してもよいと解釈される、請求項1から3のいずれかに記載のコーティング。基R1、R2、R3およびR4が同一であり、H、F、ClまたはCNを表わし、基R5およびR6が同一であり、基Hまたはアルキル、典型的にはC1~C8基を表わす、請求項10に記載のコーティング。基R1、R2、R3およびR4のうちの3個の基はHを表わし、4番目の基はMeまたはPhを表わし、基R5およびR6の一方の基はHを表わし、もう一方はMeまたはPhを表わす、請求項10に記載のコーティング。基R1およびR2が、一緒に芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成し、かつまたは基R5が、ベンゼン環と一緒に芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成する、請求項10に記載のコーティング。式と一致する、典型的にはP型の半導体の、請求項6に記載のコーティングを作製するための有機化合物であって、式中、基Dは、任意に置換されている有機金属、複素環式芳香族または芳香族の環式炭化水素基を表わす、有機化合物。式の基本単位を含む、典型的にはP型の半導体の、請求項7に記載のコーティングを作製するための有機オリゴマー化合物であって、式中、A2は、H、F、CN、CF3、COORi、CONRiRiiからなる群から選択される基を表わし、RiおよびRiiは、独立にHまたはアルキル基を表わし、基Cは、任意に置換されている芳香族もしくは複素環式芳香族の環式炭化水素基またはポリマー鎖を表わす、有機オリゴマー化合物。本発明の目的は、生じるニーズにそうした組成物を適合させられるよう光起電性を有する利用可能なコーティングの多様性を増すことおよび新規の種類の光起電性を有するコーティングを提供することである。この目的に対して、本発明は、N型およびP型の有機半導体化合物の混合物ベースの光起電性を有するコーティングを提供し、これにより、ドナーアクセプタのペアを選択することによって、光起電力デバイスの範囲内での光起電性コーティングの使用に適合するよう光起電性コーティングの半導体特性を調節することができる。さらに具体的には、本発明の目的は、少なくとも1つのN型有機半導体化合物および少なくとも1つのP型有機半導体化合物の混合物ベースの光起電性コーティングであって、有機半導体化合物の少なくとも1つ、好ましくは、N型有機半導体化合物は、キノン核を含む化合物、好ましくは、式の化合物であり、式中、A1基は、O、C2またはN基であり、基R1、R2、R3およびR4のそれぞれは、独立に水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、特にNH2基、CN基、SO2CF3基、Oアルキル基、Oアリール基、炭化水素基またはいくつかのキノン基を含んでもよいポリマー鎖を表わし、基R1、R2、R3およびR4の2つ以上は、一緒に芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈され、A1基はO、C2またはN基であり、一般にA1と同一であるか、あるいはA1A1基であり、A1基は芳香環単位であり、A1、R2およびまたはR3は一緒に芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈される、コーティングである。特定の実施形態によると、本発明によるコーティングは、少なくとも1つのN型有機半導体化合物および少なくとも1つのP型有機半導体化合物の混合物ベースの光起電性を有するコーティングであり、有機半導体化合物の少なくとも1つ、好ましくは、N型有機半導体化合物は式と一致する。代替として、本発明によるコーティングは、式の化合物以外のキノン核を含む化合物、例えば、任意に置換されているアントラキノン系の化合物、あるいはキノンまたはアントラキノン核およびチオフェンまたはポリチオフェンなどの少なくとも1つのドナー性置換基を含む化合物を利用してもよい。本発明のコーティングでは、NおよびP型有機半導体化合物が関連して、光起電力効果をもたらす。好ましくは、本発明のコーティングは、排他的に有機のコーティングであり、一般に、少なくとも1つのN型有機半導体化合物および少なくとも1つのP型有機半導体化合物の混合物を含み、特に、無機半導体化合物を含まない。特定の実施形態によると、本発明のコーティングは、1つまたはいくつかのN型有機半導体化合物、1つまたはいくつかのP型有機半導体化合物および任意に有機添加剤を含む混合物からなる。さらに別の特定の実施形態によると、本発明のコーティングは、1つまたはいくつかのN型有機半導体化合物および1つまたはいくつかのP型有機半導体化合物の混合物のみからなるコーティングである。さらに、その組成にかかわらず、本発明のコーティングは、好ましくは、同じ層内で関連したNおよびP型有機半導体化合物を含むコーティングである。好ましくは、これは単層コーティングである。本発明によるコーティングには、ドナー種の半導体化合物のHOMOエネルギーによりアクセプタ種の半導体化合物のLUMOエネルギーを調節でき、逆もまた同様に調節できるという利点がある。実際、特に、ドナー性またはアトラクター性であってもよいR1~R4基の多様化による式の半導体有機化合物の多様化によって、本発明は、R1~R4基の性質および本発明によるコーティング内で関連している化合物の性質により、アクセプタ種またはドナー種の化合物の両方の役割を果たし得る広範囲の半導体化合物を利用可能にする。一般に、本明細書の範囲内で、式の化合物は、アクセプタ性の半導体化合物である。しかしながら、それよりも良好なアクセプタ性の半導体化合物と関連する場合には、式の化合物は、ドナー半導体化合物の役割を果たし得る。本発明によると、アルキルラジカルは、1から10個の炭素原子、好ましくは1から5個の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖の飽和炭化水素ラジカルを表わす。それが直鎖の場合、特にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ノニルおよびデシルラジカルを挙げることができる。それが分岐であるか、または1つもしくはいくつかのアルキルラジカルで置換されている場合、特にイソプロピル、tertブチル、2エチルヘキシル、2メチルブチル、2メチルペンチル、1メチルペンチルおよび3メチルヘプチルラジカルを挙げることができる。ハロゲンという用語は、臭素、塩素、フッ素またはヨウ素原子を指す。アリールという用語は、6から30個、好ましくは6から10個の炭素原子を含む単環または二環式芳香族系炭化水素を指す。アリールラジカルの中では、特にフェニルまたはナフチルラジカル、より具体的には少なくとも1つのハロゲン原子またはOH基で置換されたものを挙げることができる。アリールラジカルが少なくとも1つのヘテロ原子を含む場合、これは、ヘテロアリールラジカルと呼ばれる。したがって、ヘテロアリールという用語は、窒素、酸素もしくは硫黄から選択される1つまたはいくつかのヘテロ原子を含み、単環または二環式のいずれかであり、5から30個、好ましくは5から10個の炭素原子を含む芳香族系を指す。ヘテロアリールラジカルの中では、ピラジニル、チエニル、オキサゾリル、フラザニル、ピロリル、124チアジアゾイル、ナフチリジニル、ピリダジニル、キノキサリニル、フタラジニル、イミダゾ12aピリジン、イミダゾ21bチアゾリル、シンノリニル、トリアジニル、ベンゾフラザニル、アザインドリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチエニル、チエノピリジル、チエノピリミジニル、ピロロピリジル、イミダゾピリジル、ベンゾアザインドール、124トリアジニル、ベンゾチアゾリル、フラニル、イミダゾリル、インドリル、トリアゾリル、テトラゾリル、インドリジニル、イソオキサゾリル、イソキノリニル、イソチアゾリル、オキサジアゾリル、ピラジニル、ピリダジニル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、プリニル、キナゾリニル、キノリニル、イソキノリル、134チアジアゾリル、チアゾリル、トリアジニル、イソチアゾリル、カルバゾリルならびにそれらの縮合物の対応する基またはフェニル基との縮合物を挙げることができる。上記のアルキル、アリールおよびシクロアルキルラジカルは、1つまたはいくつかの置換基で置換されてもよい。置換基の中では、以下の基を挙げることができるアミノ、ヒドロキシル、チオ、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルアミノ、アリールオキシ、アリールアルコキシ、シアノ、トリフルオロメチル、カルボキシまたはカルボキシアルキル。芳香族の多環構造という用語は、隣り合ったアリール単位からなる二、三または多環構造を指す。複素環式芳香族の多環構造という用語は、隣り合ったヘテロアリール単位からなる二、三または多環構造を指す。本発明の第1の特定の実施形態によると、好ましくはN型の式の有機半導体化合物は、以下のようなものである基A1およびA1が同一であり、O、C2またはN基を表わし、基R1およびR2ならびに任意に基R3およびR4が、それらが結合している2個の炭素原子と一緒に、任意に置換されている芳香族または複素環式芳香族の環または多環構造、好ましくは、ベンゼン、チオフェン、チアジアゾール、ナフタレン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ナフトチオフェン、アントラセンまたはこれらの構造の組み合わせを形成する。この第1の実施形態による式の化合物は、例えば、以下の化合物から選択されてもよい本発明の第2の実施形態によると、好ましくはN型の式の有機半導体化合物は、以下のようなものである基A1およびA1が同一であり、O、C2またはN基を表わし、R1、R2、R3、R4が同一であり、H、F、Cl、CN、OMe、OPh、OC6H4OH、不飽和または飽和炭化水素鎖から選択される原子または基を表わす。この第2の実施形態による式の化合物は、例えば、以下の化合物から選択されてもよいまたは、例えば、ユビキノンなどの天然のキノンから選択されてもよく、または、例えば、異なる芳香族環の間にπスタッキング効果を有する以下の化合物から選択されてもよい本発明の第3の実施形態によると、好ましくはN型の式の有機半導体化合物は、以下のようなものである基A1が基A1A1であり、基A1が芳香環部であり、A1、R2およびまたはR3が一緒に、任意に置換されている芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈され、基R1およびR2がそれぞれHを表わす。この第3の実施形態による式の化合物は、例えば、以下の化合物から選択されてもよい本発明の第4の実施形態によると、R1およびR2は、好ましくは、N型の式の有機半導体化合物が式の基本単位を含むオリゴマーであるようなポリマー鎖であり、式中基M1は、基NHあるいは結合を表わし、基M2は、基Ph、PhPh、PhPhPhあるいは各ベンゼン環Phが1個またはさらには2個のアルキル基で任意に置換されているナフタレン基を表わす。そのような化合物については、特に、Dulovら、35No10、773ページに記載されている。本発明によるコーティングは、式の化合物と関連して、式の有機半導体を含む。式の半導体化合物がP型である場合、この式の半導体は、N型である。式の半導体化合物がN型である場合、この式の半導体は、P型である。この前に記載の代替形態によると、式の有機半導体化合物がN型である場合、式の有機半導体化合物は下記式により定義される構造を有し、式中、A2は、H、F、CN、CF3、COORi、CONRiRiiからなる群から選択される基を表わし、RiおよびRiiは、独立にHまたはアルキル基を表わし、基Bは、任意に置換されている芳香族環基、典型的にはフェニレン表わし、基Dは、任意に置換されている複素環式芳香族、有機金属または芳香族の環式炭化水素基あるいはポリマー鎖を表わす。式の有機半導体化合物は典型的にはP型である。有利な実施形態によると、基Bは、同一であるか、または異なるかのいずれかであるが、一般には同一である2個のOアルキル基、例えば、OC8H13もしくはOC12H25または直鎖または分岐のアルキル、例えば、メチルもしくはイソプロピルで置換されたフェニレンである。パラ位またはオルト位のいずれかのOアルキル基の位置に応じて、基Bは、それぞれヒドロキノンまたはピロカテキン構造を有する別の代替形態によると、基Bは、アルキル基、例えば、C12H25で任意に置換されているチオフェンである。基Bは、芳香族環基を表わし、好ましくは、フェニルもしくはチオフェンなどの単環式基またはアントラセンもしくはカルバゾールなどの多環式基を表わす。基Dは、芳香族性を有する有機金属、複素環式芳香族または芳香族の環式炭化水素基を表わし、好ましくは、フェニルなどの単環基、チオフェン、フランなどの複素環基もしくはアントラセン、インドール、キノリン、カルバゾール、フルオレンのような多環基またはこれらの構造の組み合わせを表わす。基Dは、以下の基から選択されてもよい特定の実施形態によると、基Dは、任意に置換されている有機金属、複素環式芳香族あるいは芳香族の環式炭化水素基、例えば、2個のOアルキル基、例えば、OC6H13もしくはOC12H25で任意に置換されているフェニル基またはアルキル基、例えば、C12H25で任意に置換されているチオフェン基またはアルキル基で任意に置換されているフラン基またはさらにアルキル基で任意に置換されているインドール、カルバゾール、フェロセニウムもしくはナフタレン基などを表わす。別の代替形態によると、式の有機半導体化合物は、式の基本単位を含むオリゴマーであり、式中、A2およびBは、上記のとおり定義され、基Cは、任意に置換されている芳香族または複素環式芳香族の環式炭化水素基を表わす。式の有機半導体化合物は、典型的にはP型である。有利な実施形態によると、基Cは、同一であるか、または異なるかのいずれかであるが、一般に同一である2個のOアルキル基、例えば、OC6H13またはOC12H25で任意に置換されているフェニレン基、あるいはアルキル基、例えば、C12H25で任意に置換されているチオフェン基、あるいはさらにアルキル基、例えば、C12H25で任意に置換されているカルバゾール基を表わす。別の代替形態によると、式の有機半導体化合物がN型である場合、式の有機半導体化合物は、式の基本単位を含むオリゴマーであり、式中、A2およびCは、上記とおり定義され、基Eは、任意に置換されている芳香族環または芳香族複素環を表わす。有利な実施形態によると、基Eは、同一であるか、または異なるかのいずれかであるが、一般に同一である2個のエステル基、例えば、RがC8~C12アルキルであるCOORで置換されたチオフェンである。特定の実施形態によると、式の半導体化合物は、式と一致するオリゴマーであり、式中、基A2、CおよびEは、上記のとおり定義され、基Fは、任意に置換されている芳香族環または芳香族複素環を表わし、nは、1から15の間に含まれる。有利な実施形態によると、基Fは、アルキルまたはOアルキル基で任意に置換されているフェニレンである。別の代替形態によると、本発明によるコーティングは、式と一致する典型的にはN型の有機半導体化合物と、式と一致する典型的にはP型の有機半導体化合物とを含み、式中基R1、R2、R3およびR4のそれぞれは、独立に水素原子、ハロゲン原子、CN基または炭化水素基を表わし、基R1、R2、R3およびR4の2つ以上は、一緒に芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈され、基R5およびR6のそれぞれは、独立にH、ヒドロキシル、アルキル、Oアルキルまたはアリール基を表わし、R5およびまたはR6は、中心ベンゼン環と一緒に芳香族または複素環式芳香族の多環構造を形成してもよいと解釈される。有利な実施形態によると、基R5およびR6は、同一であり、H、C1~C12のアルキル基、C1~C12のOアルキル基または例えば、フェニルなどのアリール基を表わす。別の実施形態によると、式の化合物のフェノール官能基は、例えば、下記式の化合物などのアリールエーテルの形態であり、式中、基R5およびR6は、基R5およびR6と同じように定義される。特定の実施形態によると、基R1、R2、R3およびR4は同一であり、H、F、ClまたはCNを表わし、基R5およびR6は同一であり、H、ヒドロキシル、典型的にはC1~C8のアルキルまたはOアルキル基を表わす。この実施形態による式またはの化合物は、以下の化合物から選択されてもよいこの実施形態による式の化合物は、以下の化合物から選択されてもよい別の特定の実施形態によると、基R1、R2、R3およびR4のうちの3個の基はHを表わし、4番目の基はMeまたはPhを表わし、基R5およびR6のうち一方の基はHを表わし、もう一方はMeまたはPhを表わす。この実施形態による式の化合物は、以下の化合物から選択されてもよいこの実施形態による式の化合物は、以下の化合物から選択されてもよい別の特定の実施形態によると、基R1およびR2は、一緒に芳香族もしくは複素環式芳香族の多環構造を形成し、かつまたは基R5は、ベンゼン環と一緒に芳香族もしくは複素環式芳香族の多環構造を形成する。この実施形態による式の化合物は、以下の化合物から選択されてもよいこの実施形態による式の化合物は、以下の化合物から選択されてもよい好ましくは、式およびの化合物は、一般にキンヒドロンとしてコーティング内で関連している。例えば、ベンゾキノンと、ヒドロキノンとの関連により、以下に例示されるとおりのキンヒドロンが形成される本発明はまた、式と一致する有機オリゴマー化合物に関し、式中、基Dは、任意に置換されている有機金属、複素環式芳香族または芳香族の環式炭化水素基を表わす。本明細書の範囲内で、式の化合物は一般にP型であるが、特定の条件下、特に、それが、それよりも良好なP型の性質を有する化合物と関連している場合には、N型の化合物の役割を果たし得る。典型的には、本発明のこの態様によると、基Dは、アルキル基で任意に置換されているチオフェン、フラン、アントラセンまたはフェロセニウム基を表わす。この実施形態による基Dは、例えば、以下の基から選択されてもよい本発明はまた、式の基本単位含む有機オリゴマー化合物に関し、式中、A2は、H、F、CN、CF3、COORi、CONRiRiiからなる群から選択される基を表わし、RiおよびRiiは、独立にHまたはアルキル基を表わし、基Cは、任意に置換されている芳香族もしくは複素環式芳香族の環式炭化水素基またはポリマー鎖を表わす。本明細書の範囲内で、式の基本単位を含む有機オリゴマー化合物は一般にP型であるが、特定の条件下、特に、それが、それよりも良好なP型の性質を有する化合物と関連している場合には、N型の化合物の役割を果たし得る。典型的には、本発明のこの態様によると、基Cは、アルキルもしくはOアルキル基で任意に置換されているフェニル、チオフェンまたはカルバゾール基を表わす。この実施形態による基Cは、例えば、以下の基から選択されてもよく、式中、nは、1から15の間に含まれ、好ましくは1または2に等しく、Riiiは、H、アルキル基、例えば、C12H25またはOMe基で任意に置換されているアリール基、例えば、Phを表わす。光起電性有機コーティングを含む光電池の作製半導体の性質をもつ有機層を含む有機光電池を、本発明によるアクセプタおよびドナー化合物から作製する。さらに具体的には、こうした電池を以降、特に特許出願FR0956641に記載される条件下で作製する。スズでドープした酸化インジウムの導電層でコーティングされたガラス支持体の上に、厚さ40nmのPEDOTPSS層をすることによって得られるを蒸着した。その結果作製された支持体の上に、光起電性コーティングを本発明によるアクセプタおよびドナー化合物で作製した。このために、ドナー化合物である30mgのパラフェノキシヒドロキノンおよびアクセプタ化合物である30mgのフェノキシパラベンゾキノンを、3mlのオルトキシレンに溶解させて、1質量のパラヒドロキシフェノキシヒドロキノンおよび1質量のフェノキシパラベンゾキノンを含むオルトキシレン溶液を得た。その溶液を70°Cで24時間撹拌して、パラヒドロキシフェノキシヒドロキノンおよびフェノキシパラベンゾキノンの完全な溶媒和物を得た。その結果得られた溶液に、その後、以下に記載される方法に従って得られる、89質量メチルグルタル酸ジメチル、9質量の2エチルコハク酸ジメチルおよび1質量のアジピン酸ジメチル含む混合物Mを添加した。還流冷却器およびスターラーを備え、油浴によって加熱された500mlのガラス反応器に、7690gのメタノールならびに869重量のメチルグルタロニトリル、112重量のエチルスクシノニトリルおよび19重量のアジポニトリルからなる4326gの混合物を入れた。その後、反応媒質を1°Cに冷却した後、8422gの98重量硫酸を添加した。その後、反応媒質を還流し、この条件下で3時間維持した。次に、60°Cに冷却した後、63gの水を添加した。その結果得られた反応媒質を65°Cで2時間維持した。その後、117gの追加の水を添加し、これによって二相性の反応媒質を得た。余分なメタノールを蒸発によって除去した後、両相をデカントした。回収した有機相を、pHを7に近づけるためにアンモニアを添加した塩化ナトリウム飽和水溶液で1度洗浄した後、塩化ナトリウム飽和水溶液で2回目の洗浄をし、その後、有機相の蒸留を行うことにより混合物Mを得た。その結果得られたオルトキシレン混合物M混合物に、700回転分のプレート回転速度で室温において1分間スピンコーティングすることによってフェノキシパラベンゾキノンパラヒドロキシフェノキシヒドロキノン混合物を含む溶液を蒸着した。溶媒を蒸発させた後、制御された構造の厚さ約150nmの光起電性コーティングを得た。特許FR0956641に記載されるとおり、オルトキシレン溶媒M混合物のペアは、乾燥中に、このペアの溶媒媒体に対する親和性の差によってナノメートルスケールで、最初の相分離をもたらすことができ、それがデバイスの光起電性能の最適化を可能にする。その後、蒸発のプロセスによって生成されるコーティングの上に、アルミニウムの薄層をカソードとして蒸着した。活性層のナノ構造化を完成させるために、光電池の熱処理を進めた。これによりデバイスの光起電力発生量を増やすことができる。その結果作製された光電池は、通常の照明条件下で作動する。実施例1で使用された化合物の代わりに以下の実施例2から20の化合物を使用することによって、効率のよい同様の電池を同様の条件下で得ることができる。アントラキノンを使用することによっても、光起電力効果が観察された。以下の実施例では、式、およびの化合物を調製するための作業手順について記載する。出発化合物の調製窒素雰囲気下において、1200gのヒドロキノン、6100gの1ブロモドデカンおよび1000mLのメタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた3000mLの三つ口フラスコに注ぐ。1490gのNaOMeをゆっくりと添加する。これは、発熱反応を引き起こす。その混合物を油浴で約60°Cに16時間加熱し、この反応を薄層クロマトグラフィーによって追跡する。出発化合物が完全に使い果たされたら、その混合物を室温に冷却した後、ろ過する。ろ過された固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、415gの固体を得る。窒素雰囲気下において、730gの化合物2、1600mLの40HBr酢酸溶液および580mLの酢酸を、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた1000mLの三つ口フラスコに注ぐ。その後、1472gのパラホルムアルデヒドを添加し、その混合物を70~75°Cで2時間撹拌する。その後、その混合物を室温に冷却し、ろ過し、pH7の水で洗浄し、メタノールで洗浄し、最後に真空ポンプで乾燥する。得られた固体を、1100mLのnヘキサンからの再結晶によって精製して、930gの白色の固体を得る。化合物3および重炭酸水素ナトリウムの混合物のDMSO溶液を120°Cで30分間撹拌する。その後、その反応混合物を水に注ぐ。得られた沈殿物をろ過し、乾燥する。その粗製アルデヒド混合物を、溶離液として石油エーテルジクロロメタン混合物を使用したシリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、これにより90gの褐色の粉末を得る。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、79gの化合物3、1080mLのDMFおよび156gのNaCNを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた2000mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を110~112°Cで48時間撹拌する。その後、その混合物を室温まで冷却し、1500mLの05MのNaOH溶液に注いだ後、ろ過する。得られた粗製混合物を、1500mLのジクロロメタンに溶解させ、NaCl飽和水溶液で洗浄して、微量のシアン化物をすべて除去する。溶媒を蒸発させ、得られた黒色の固体を、280mLのエタノールおよびクロロホルムの混合物からの再結晶によって精製して、158gの灰色の固体を得る。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた250mLの三つ口フラスコに40mLのエタノールを入れる。その後、その混合物の温度が40°C未満に保持されるよう、溶媒を水氷の混合物で冷却し、そこに148gの濃硫酸を添加した後、200gの化合物5を添加する。その混合物を90°Cで6日間撹拌する。その後、その混合物を冷却し、水氷の混合物に注ぎ、ジクロロメタンにより抽出する。その有機相を乾燥し、溶媒を蒸発させて、154gの粗製固体を得る。溶離液としてヘキサンジクロロメタン混合物を使用したシリカゲルクロマトグラフィーによってその粗製固体を精製して、42gの白色の固体を得る。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。式およびの化合物の調製一般的な手順式のオリゴマー化合物の調製について窒素雰囲気下において、例えば、2個のCH2CN官能基を含むnミリモルの化合物、例えば、アルデヒド官能基またはエステル官能基などの、例えば、2個のカルボニル官能基を含むnミリモルの化合物および約50mLのtertブタノールを混合する。その混合物を50°Cに加熱し、tBuOKを添加する。その混合物を出発化合物が無くなるまでこの温度に置く。必要に応じて、追加のtBuOKを添加する。その後、その混合物を冷却し、メタノールを添加する。沈殿した固体をろ過した後、メタノールで洗浄し、その後、場合によって再結晶させる。式の非オリゴマー化合物の調製について1つのカルボニル官能基を含む出発化合物を使用することによって同じ方法に従う。窒素雰囲気下において、188gの化合物5、18gの化合物4および190mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた250mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、019gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1000mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体を、メタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、26gの橙色の固体を得る。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、25gの化合物5、31gの化合物6および300mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、03gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ロータリーエバポレーターでろ液から溶媒を蒸発させて、69gの赤色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、235gの3ドデシルチオフェン25ジカルボキサルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1000mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体を、80mLのジクロロメタンに溶解させた後、1500mLの酢酸エチルを添加する。これにより固体が沈殿する。得られた沈殿した固体をろ過し、真空ポンプで乾燥して、26gの褐色の固体を得る。その化合物の構造を13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、30gの9メチル9Hカルバゾール36ジカルボキサルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1000mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、57gの粗製固体を得る。得られた粗製固体を、80mLのジクロロメタンに溶解させた後、1000mLの酢酸エチルを添加する。これにより固体が沈殿する。得られた沈殿した固体をろ過し、真空ポンプで乾燥して、32gの褐色の半固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、102gのパラベンジルジアルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1000mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、50gの粗製固体を得る。得られた粗製固体を150mLのジクロロメタンに溶解させた後、750mLの酢酸エチルを添加する。これにより固体が沈殿する。得られた沈殿した固体をろ過し、真空ポンプで乾燥して、24gの橙色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、100gの化合物5、436gのチオフェン2カルバルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、10gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、72gの粗製固体を得る。その固体を、165mLの酢酸エチルからの再結晶によって精製した後、メタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、58gの黄色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、607gの2ナフトアルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、10gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、110gの粗製固体を得る。その固体を、165mLの酢酸エチルおよび35mLのジクロロメタンからの結晶化によって精製した後、酢酸エチルで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、95gの黄色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、326gのフェロセンカルボキサルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、40gの黄色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、108gの25チオフェンジカルボキサルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、36gの褐色の固体を得る。得られた粗製固体を150mLのジクロロメタンに溶解させた後、1000mLの酢酸エチルを添加する。その混合物を室温で12時間置き、その後、得られた沈殿した固体をろ過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥して、26gの褐色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、11gの23チオフェンジカルボキサルデヒドおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、30gの橙色の固体を得る。得られた粗製固体を100mLのジクロロメタンに溶解させた後、1000mLの酢酸エチルを添加する。その混合物を室温で12時間置き、その後、得られた沈殿した固体をろ過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥して、22gの褐色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、20gのアセトニトリル、47gの化合物4および500mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を2時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、30gの黄色の固体を得る。その固体を100mLのジクロロメタンに溶解させ、100mLの酢酸エチルを添加した後、1000mLのメタノールを添加する。その混合物を室温で12時間置き、その後、得られた沈殿した固体をろ過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥して、19gの黄色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、40gの化合物5、428gの1カルボキサルデヒド3ドデシルチオフェンおよび400mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、04gのtBuOKを添加する。その反応混合物を1時間撹拌し、室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体をメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、50gの黄色の固体を得る。得られた粗製固体を200mLのジクロロメタンに溶解させた後、1800mLの酢酸エチルを添加する。その混合物を室温で12時間置き、その後、得られた沈殿した固体をろ過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥して、42gの褐色の固体を得る。その化合物の構造を1Hおよび13CNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、10gの化合物5、6gの5ヒドロキシメチルフラン2カルバルデヒドおよび800mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた1000mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、121gのtBuOKを添加する。その反応混合物を2時間撹拌し、室温まで冷却する。溶媒を減圧下で蒸発させ、褐色の固体を得る。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、橙色の固体を得る。ステップ1オキシンドール、1ブロモドデカン、炭酸カリウムおよび18クラウン6クラウンエーテルの混合物を1000mLのTHF中で窒素雰囲気下30°Cにおいて撹拌する。この反応をLCMSによって追跡し、オキシンドールが完全に反応する120時間後に反応を止める。その混合物をろ過し、溶媒を蒸発させ、赤褐色の固体を得る。その粗製混合物を、溶離液として石油エーテルジクロロメタン混合物を使用したシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して、83gの褐色の固体を得る。ステップ2空気雰囲気下において、得られた化合物を撹拌し、1000mLのPOCl3中で100°Cに加熱する。出発化合物の消費後、POCl3を減圧下で回収する。その後、混合物を冷却しながら、水およびNaOH溶液を残留物に添加する。得られた結晶をろ過し、1500mLのジクロロメタンに溶解させる。得られた溶液を加熱ろ過し、そのろ液を水で洗浄した後、MgSO4で一晩乾燥する。溶媒を蒸発させ、その残留物を、溶離液として石油エーテル酢酸エチル混合物を使用したシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して、48gの褐色の油を得る。ステップ3480gの得られた化合物を600mLのジクロロエタンに溶かした溶液を、窒素雰囲気下において250mLのDMFと100mLの無水POCl3の0°Cの混合物にゆっくりと添加する。その混合物を70°Cで19時間十分に撹拌した後、水を添加することによって反応を止める。その混合物をクロロホルムで抽出し、ろ過し、MgSO4で乾燥する。ロータリーエバポレーターで溶媒を蒸発させて、黒色の油を得る。その残留物を、溶離液として石油エーテル酢酸エチル混合物を使用したシリカゲルクロマトグラフィーによって精製する。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、30gの化合物5、518gの実施例15で調製された化合物および300mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた500mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、03gのtBuOKを添加する。その反応混合物をこの温度で16時間撹拌した後、03gのtBuOKを再び添加する。その反応混合物を70°Cで20時間撹拌し、その後、03gのtBuOKを再び添加する。その反応混合物を、70°Cで40時間撹拌する。化合物Bが無くなったら、その混合物を室温まで冷却する。1500mLのメタノールを添加し、その混合物をろ過する。ろ過して得られた固体を、100mLのメタノールで洗浄し、真空ポンプで乾燥して、326gの橙色の固体を得る。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。式の化合物の調製ステップ1窒素雰囲気下において、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた100mLの三つ口フラスコに、490gのエチルシアノアセタート、35mLの蒸留DMFおよび7mLの蒸留トリエチルアミンを入れる。その後、70gの硫黄を添加し、その混合物を室温で80時間撹拌する。その混合物をろ過した後、ろ液を1500mLの水に注ぐ。生成された固体をろ過し、2000mLのジクロロメタンに溶解させ、Na2SO4で乾燥し、溶媒を蒸発させ、黄色の固体を得る。その固体を、500mLのnヘキサン中で2時間撹拌し、その混合物をろ過し、黄色の固体を得る。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。ステップ2窒素雰囲気下において、25gの化合物7、50gの化合物4および500mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた1000mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、05gのtBuOKを添加する。その反応混合物を2時間撹拌した後、05gのtBuOKを再び添加する。その反応混合物を16時間撹拌した後、室温まで冷却する。減圧下で溶媒を蒸発させ、油状の褐色の固体を得る。その粗製固体を、シリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、油状の橙色の固体を得る。その化合物の構造を1HNMRによって確認する。窒素雰囲気下において、18gの化合物7、9gの化合物5および1800mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた2000mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、36gのtBuOKを添加する。その反応混合物を18時間撹拌し、室温まで冷却する。減圧下で溶媒を蒸発させ、褐色の固体を得る。得られた固体を、1600mLの石油エーテルおよび酢酸エチルの混合物に溶解させ、その混合物をろ過し、そのろ液を、約500mLの体積になるまで減圧下で濃縮した後、1400mLのメタノールを添加し、その混合物を、約600mLの体積になるまで濃縮する。その混合物を冷却し、生成された油を混合物から分離し、シリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、橙色の固体を得る。その固体を、200mLのヘキサン中で2時間撹拌し、その混合物をろ過し、橙色の固体を得る。その固体を、シリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、橙色の固体を得る。窒素雰囲気下において、20gの化合物7、104gのテレフタルアルデヒドおよび1500mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた2000mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、40gのtBuOKを添加する。その反応混合物を、一方の試薬が無くなるまで、この温度で撹拌する。減圧下で溶媒を蒸発させる。得られた固体に50mLのジクロロメタンおよび400mLのメタノールを添加する。その混合物をろ過し、得られた固体をメタノールで洗浄して、黄色の固体を得る。その化合物の構造を1HNMRおよびIR分光測定によって確認する。窒素雰囲気下において、176gの化合物7、21gの3ドデシルチオフェン25ジカルボキサルデヒドおよび130mLのtertブタノールを、温度計、冷却器およびマグネチックスターラーを備えた250mLの三つ口フラスコに注ぐ。その混合物を50°Cに加熱し、036gのtBuOKを添加する。その反応混合物を、一方の試薬が無くなるまで、この温度で撹拌する。減圧下で溶媒を蒸発させる。得られた固体に、20mLのジクロロメタンおよび150mLのメタノールを添加する。その混合物をろ過し、得られた固体をメタノールで洗浄して、褐色の半固体を得る。その化合物の構造を1HNMRおよびIR分光測定によって確認する。