"アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法であって、前記アルカリ土類金属シリケート蛍光体が、A,Eu2SiO4ただし、AはBa、Srから選ばれる少なくとも1種類以上のアルカリ土類金属元素の組成式で表され、下記工程1から工程5からなる製造工程を経ることによって製造されることを特徴とするアルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法。工程1構成金属成分であるAが、Ba、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属炭酸塩と、賦活剤であるユーロピウムの水分散液と、水溶性ケイ素化合物の水溶液を混合し、20~100°Cの液温で加熱撹拌することにより、構成成分の全量が均一に分散した状態のゲル体を形成する工程。工程2工程1により作製された前記ゲル体を乾燥して、前記ゲル体に含まれる溶媒を除去した後の乾燥物である前駆体を形成する工程。工程3工程2により作製された前駆体を、大気雰囲気中800~1300°Cで熱処理して仮焼粉を得る工程。工程4工程3により作製された仮焼粉と、BaCl2、SrCl2から選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を促進するフラックスと、CsCl、LiClから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を抑制するフラックスとの混合フラックスを混合し、還元性雰囲気下で900~1100°Cの温度で熱処理して焼成物を得る工程。工程5工程4により作製された焼成物から残留フラックスを除去する工程。前記フラックスが、BaCl2、SrCl2から選ばれる少なくとも1種以上のフラックスと、CsCl、LiClから選ばれる少なくとも1種以上のフラックスとの混合フラックスで、前記仮焼粉の仮焼粉重量に対して、それぞれ5wt以上、30wt以下の範囲で添加することを特徴とする請求項1記載のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法。前記請求項1又は請求項2に記載のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法により製造されるアルカリ土類シリケート蛍光体であって、フラックス除去後の未分級状態での重量メジアン径が20μm未満で、ピーク波長455nmの光で励起した時に、500nm以上、580nm以下に発光ピークを有し、外部量子効率が55以上、かつ吸収効率が75以上であることを特徴とするアルカリ土類金属シリケート蛍光体。このようなアルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法における種々の問題点に鑑み、本発明ではBaCO3、SrCO3などのアルカリ土類金属炭酸塩及び賦活剤であるEu2O3の水分散液とWSS水溶液とを混合撹拌し、加温することで構成元素が均一に分散したゲル体を得て、さらに乾燥、焼成して仮焼粉を得た後、フラックスとして例えばBaCl2-CsClを用い、低温短時間の焼成工程により、高い歩留まりで、高輝度かつ平均粒径が5~20μmの範囲で、良好な分散性をもったアルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法および該製造方法によるアルカリ土類金属シリケート蛍光体を提供するものである。本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、組成式A,Eu2SiO4ただし、AはBa、Srから選ばれるアルカリ土類金属元素なるシリケート蛍光体を製造する際に、アルカリ土類金属塩を水に分散させると粒子表面が塩基性となり、また水溶性珪素化合物WSSが塩基性水溶液中で直ぐにゲル化することに着目し、BaCO3、SrCO3及びEu2O3の水分散液とWSS水溶液を混合加熱することで、構成元素が均一に分散したゲル体を得ることができ、それを仮焼することで微細かつ相純度が高い仮焼粉が得られるという知見を得た。さらに、この仮焼粉をBaCl2、SrCl2から選ばれるアルカリ土類金属シリケート蛍光体を粒成長させるフラックスと、CsCl、LiClから選ばれるアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を抑制するフラックスの混合フラックス中で、900~1100°Cの温度で還元焼成することにより、焼成後の篩によるロスがほとんど無く、高い歩留まりで高輝度かつ平均粒径が5~20μmの範囲で分散性の良好なアルカリ土類金属シリケート蛍光体が簡便に得られるという知見を得て、白色LEDに用いる際に最適な蛍光体を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。本発明の第1の発明は、アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法であって、そのアルカリ土類金属シリケート蛍光体がA,Eu2SiO4ただし、AはBa、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属元素の組成式を有する蛍光体であって、下記工程1から工程5からなる製造方法で得られることを特徴とするものである。工程1構成金属成分であるAが、Ba、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属炭酸塩と、賦活剤であるユーロピウムの水分散液と、水溶性ケイ素化合物の水溶液を混合し、20~100°Cの液温で加熱撹拌することにより、構成成分の全量が均一に分散した状態のゲル体とする工程。工程2工程1により作製されたゲル体を乾燥してそのゲル体に含まれる溶媒を除去した後の乾燥物である前駆体を形成する工程。工程3工程2により作製された前駆体を、大気雰囲気中800~1300°Cで熱処理して仮焼粉を得る工程。工程4BaCl2、SrCl2から選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を促進するフラックスと、CsCl、LiClから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を抑制するフラックスとの混合フラックスと、工程3により作製された仮焼粉とを混合し、還元性雰囲気下で900~1100°Cの温度で熱処理して焼成物を得る工程。工程5工程4により作製された焼成物から残留するフラックスを除去する工程。本発明の第2の発明は、第1の発明のフラックスがBaCl2、SrCl2から選ばれる少なくとも1種以上のフラックスと、CsCl、LiClから選ばれる少なくとも1種以上のフラックスとの混合フラックスで、その仮焼粉の仮焼粉重量に対して、それぞれ5wt以上、30wt以下の範囲で添加することを特徴とするアルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法である。本発明の第3の発明は、第1の発明及び第2の発明による製造方法によって得られ、フラックス除去後の未分級状態での重量メジアン径が20μm未満で、ピーク波長455nmの光で励起した時に、500nm以上、580nm以下の範囲に発光ピークを有し、外部量子効率が55以上、かつ吸収効率が75以上であることを特徴とするアルカリ土類金属シリケート蛍光体である。本発明では、組成式A,Eu2SiO4ただし、AはBa、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属元素系のEu2賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法において、水溶性ケイ素化合物WSS水溶液とアルカリ土類金属元素水分散液を混合し、所定の温度で撹拌維持することによって構成成分が均一に分布したゲル体を作製し、さらに、熱分解、仮焼、することで、構成成分や賦活剤であるEuが均一に分散して、かつ微細な構造を持つ仮焼粉を得ることができる。また、この仮焼粉に対し、粒成長を促進するフラックスと、粒成長を抑制するフラックスとを混合し、還元性雰囲気下で900~1100°Cという通常の固相法よりも低温で還元焼成することにより、高輝度かつ平均粒径が5~20μmの範囲で分散性の良好なEu2賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体を歩留まり良く簡便に得ることができる。さらに、本発明による蛍光体は上記のような白色LEDに最適な物性の蛍光体粒子であるので、蛍光体層中の蛍光体の分散性が良く、高効率及び高特性な発光ダイオードを製造することができる。本発明に係るアルカリ土類金属シリケート蛍光体は、A,Eu2SiO4ただし、AはBa、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属元素の組成式を有し、下記工程1から工程5からなる製造方法で得られることを特徴とするものである。工程1構成金属成分である少なくとも1種以上のアルカリ土類金属炭酸塩と、賦活剤であるユーロピウムの水分散液と、水溶性ケイ素化合物の水溶液を混合し、20~100°Cの液温で加熱撹拌することにより、構成成分の全量が均一に分散した状態のゲル体とする工程である。工程2工程1により作製されたゲル体を乾燥してそのゲル体に含まれる溶媒を除去した後の乾燥物である前駆体を形成する工程である。工程3工程2により作製された前駆体を、大気雰囲気中800~1300°Cで熱処理して仮焼粉を得る工程である。工程4BaCl2、SrCl2から選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を促進するフラックスと、CsCl、LiClから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を抑制するフラックスとの混合フラックスと、工程3により作製された仮焼粉とを混合し、還元性雰囲気下で900~1100°Cの温度で熱処理して焼成物を得る工程である。工程5工程4により作製された焼成物から残留フラックスを除去する工程である。以下に、本発明に係るアルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法である各工程を詳細に説明する。本発明に係るアルカリ土類金属シリケート蛍光体は、A,Eu2SiO4ただし、AはBa、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属元素の組成式を有する蛍光体の製造方法であり、工程1から工程5の各工程により製造することができる。工程11.アルカリ土類金属炭酸塩及びユーロピウムの分散液の作製アルカリ土類金属シリケート蛍光体A,Eu2SiO4ただし、AはBa、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属元素において、アルカリ土類金属としては少なくともSrおよびBaの1種類以上を含む。さらに、Aの一部をCa、Mg、Znなどで置換しても良い。また、賦活元素であるEu以外の希土類元素や遷移金属元素を微量含むこともでき、Siの一部をGeやAlで置換することも可能である。さらに、SrおよびBaの比率を変えることで発光ピークを500nm緑~580nm橙の範囲で変えることができる。作製に際して先ず、Ba、Srから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属、および賦活剤元素の酸化ユーロピウムの水分散液を作製する。アルカリ土類金属塩としては炭酸塩を用いる。アルカリ土類金属の塩化物、硝酸塩、酢酸塩など、水溶性かつ熱分解で酸化物になるものも原料として考えられるが、これらを完全に水溶液にして使用しようとするとトータルの水分量が多くなるため好ましくない。水分量が多すぎると、後述する水溶性ケイ素化合物ゲルから水が染み出す。この場合、染み出した水分中に構成成分が含まれるため、均一なゲル体が得られず、輝度が低下してしまう。また、熱による塩の分解が均一に起こらず、結果として得られる蛍光体の組成不均一を招くという問題も生じてしまう。そこで、これらを回避するために、例えば工程2の後に300~800°C程度の中温域での熱処理をするなどの処理を加えることが必要であり、工程が煩雑になる。さらに、塩化物、硝酸塩は融点が低いため、一旦水溶液状に溶解した後、熱処理時に元の塩として析出し、局所的に液相を生成して輝度が低下するという問題もある。以上のような理由から、アルカリ土類金属塩としては炭酸塩を用いる。ユーロピウム源としては酸化ユーロピウムを水に分散させて使用するのが好ましいが、水溶性原料も使用することもできる。次に、所定の蛍光体組成となるように、アルカリ土類金属炭酸塩、および賦活剤原料である酸化ユーロピウムを秤量し、水を添加し、室温下で撹拌し、分散させ分散液スラリーとする。最適な水分添加量は、原料の粒子径などにもよるが、通常、原料重量の0.5倍以上5倍以下であることが好ましい。0.5倍より少ないと、分散液スラリーの粘度が高く、原料の沈降や塊が生じるため好ましくない。5倍より多くしても分散度合いに差は無く、水分量が多すぎるために前述のような均一なゲル化を妨げたり、工程2における、乾燥工程の時間が非常に長くなる。ただし、WSSと混合した後に乾燥造粒を行うなどの、特別な目的がある場合には、5倍以上の水分量を添加することもできるし、PVAなどの造粒のためのバインダーを加えることもできる。2.水溶性ケイ素化合物WSS水溶液の作製次に、シリケート成分のSi源としては、Si成分が均一に溶解するか分散した液を使用することが必要であり、水溶性ケイ素化合物WSSを好適に使用することができる。水溶性ケイ素化合物WSSは、特許文献3に記載の公知の製造方法で作製できる。具体的には、以下に示す方法により作製する。Si源とする原料に有機ケイ素化合物のテトラエトキシシランTEOSを使用し、このTEOSとジオール化合物としてプロピレングリコールを、モル比1:4になるように秤量し、80°Cで1時間混合した混合液に、酸として塩酸または乳酸を少量混合液の0.2程度で良い加えて1時間攪拌し、得られたWSSを水で希釈してWSS水溶液を得る。WSS濃度としては1~3モル/Lの範囲にあることが好ましい。WSS濃度が高すぎると液粘度が高くなるため、アルカリ土類金属塩と酸化ユーロピウムの水分散液に添加した際にムラとなり、均一なスラリーを得にくく、また局所的なゲル化反応を引き起こす恐れがあるため好ましくない。水溶性ケイ素化合物の作製に使用されるSi源原料の有機ケイ素化合物には、テトラエトキシシランやテトラメトキシシランが望ましく、混合液を形成するジオール化合物には、エチレングリコールまたはプロピレングリコールが好ましく、混合液に加えられる酸には塩酸、または乳酸を用いると良い。3.アルカリ土類金属および、ユーロピウム水分散液と水溶性ケイ素化合物WSS水溶液の混合、およびゲル体の作製WSSが有しているゲル化能とゲル体内部への水分保持能を利用し、原料スラリーをゲル内部に均一に内包したゲル体を得る。以下、ゲル化する時の反応機構について説明する。まず、水溶性珪素WSS:SiOROH4、Rは2価のアルキル基水溶液にアルカリ土類金属塩の水溶液を加えることで、混合液が塩基性になり水溶性珪素は加水分解して、SiOHnOROH4-nとなる。そして、OH基脱水縮合反応や、脱アルコール縮合反応の進行により、Si-O-Siのネットワークを形成してゲル体になると考えられる。この時に、アルカリ土類金属塩や賦活材のEuのスラリーが、Si-O-Siネットワーク内に閉じ込められことによって、均一なゲル体が得られる。ゲル化に要する時間は、アルカリ土類金属元素の種類や水溶液の水分量によって変化するが、以下に示すゲル化条件を逸脱しない範囲で実施することができる。アルカリ土類金属塩及びユーロピウムの水分散液に、室温下で撹拌させながらWSS水溶液を添加する。10分間以上撹拌し、液全体が均一なスラリー状であることを確認した後、加熱を開始することによりゲル化することができる。ゲル化温度は20~100°Cが好ましく、さらに40~60°Cとするのが好ましい。具体的には、例えば50°Cになるように設定するのが好ましい。液温50°Cでは、混合液量150mlで15分程度で全体がゲル化し、均一な塊状になる。液温が低いほどゲル化までに要する時間が長くなる。液温を100°Cより高くとすると、ゲル化までに要する時間は約5分程度と短くなるが、液全体を均一に加温するのが困難になり、局部的なゲル化を招くため、望ましくない。混合液の容量により、加熱撹拌方法は適宜選択できるが、液全体が均一に混合されるようにする点と、液全体を均一に加熱する点を注意し、均一にゲル化することが重要である。工程2次に、この工程2は、工程1により作製されたゲル体を乾燥して前駆体とし、含まれる溶媒を除去する工程である。この工程では、乾燥中に水分がゲル体の内部を移動して局所的に高濃度部を形成し沈殿物が発生すると、その後の工程を経て得られる蛍光体は組成が均一でなくなり、高輝度の発光が得られなくなるために、この乾燥時の注意点として、ゲル体内での水分移動が生じないように乾燥することが望ましい。乾燥温度は100~200°Cの範囲で行うと良い。乾燥方法は、乾燥時の注意点を考慮するほかは特に制限はなく、一般的な乾燥機を使用することができる。熱風循環型の乾燥機や、真空乾燥機、凍結乾燥機も使用することができる。なお、得られた乾燥物が凝集しているときは、解砕してから次の工程に進むのが好ましい。工程3工程2により得られた前駆体を、大気雰囲気中で熱処理し、仮焼粉を得る工程である。この熱処理は、WSSに含まれているプロピレングリコールなどの分解と原料炭酸塩の分解、及び目的相であるBa,SrSiO4相を形成することを目的とする。本法では原料を水中に分散し、水溶性ケイ素化合物との均一なゲルを出発としているため、焼成によりサブミクロン~ミクロンオーダーの微細組織を持った、相純度の高い仮焼粉末が得られやすい。このような仮焼粉末を得ることで、引き続いて行われるフラックス中の還元焼成時の均一な粒成長と賦活元素であるEuの還元ドープが促され、結果的に高輝度な蛍光体が得られる。この工程の熱処理は、箱型の電気炉中で加熱するなど公知の方法で行うことができる。具体的には、アルミナ製の容器に入れ、大気中で800~1300°Cで熱処理する。800°Cより低い温度では、仮焼粉末中の残留炭酸塩が多くなり、目的相純度が低く、引き続いて行われるフラックス中還元焼成時の均一粒成長を阻害するために、最終的に得られる蛍光体に悪影響を及ぼす。1300°Cを超える温度では目的相純度は高くなるが、仮焼粉末の粒成長が進みすぎ、その後の工程でのフラックス還元焼成中の均一な粒成長やEuの還元ドープを妨げて、最終的に得られる蛍光体の輝度が低下するため好ましくない。上記温度範囲内で目的相純度が高く、粒成長が進みすぎない焼成条件を適宜選択すると良いが、さらに温度を2段階に分けて熱処理することや、同じ温度で繰り返して熱処理することもできる。工程4BaCl2、SrCl2から選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を促進するフラックスと、CsCl、LiClから選ばれる少なくとも1種以上のアルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を抑制するフラックスとの混合フラックスと、工程3により作製された仮焼粉とを混合し、還元性雰囲気下で900~1100°Cの温度で熱処理して焼成物を得る工程である。仮焼粉は目的結晶相となっているが、このアルカリ土類金属元素のサイトに、賦活剤であるユーロピウムを置換ドープする。工程3により得られた仮焼粉中のユーロピウムは、原料と同様に3価であるが、工程4において還元性雰囲気下で熱処理することで2価となり、2価のアルカリ土類金属元素のサイトに置換され、高輝度の発光を得ることができる。本発明で選択したフラックスの存在下で還元焼成することにより結晶成長が促進されて、より高輝度なアルカリ土類金属シリケート蛍光体を得ることができる。本発明における仮焼粉末は、前述のように均一微細組織を持つので、固相法よりもフラックス効果が得られやすく、比較的低温での還元焼成で高輝度な蛍光体が得られる。ただし焼成温度が900°Cより低い温度では賦活元素のEuの還元や結晶粒の成長が不十分で高輝度な蛍光体が得られず、1100°Cより高い温度では結晶成長やEuの還元が促進されて高輝度になるものの、蛍光体粒子が過剰に粒成長し粗大化するために、白色LED作成に最適な粒径が得られない。本発明において使用するフラックスとしては、アルカリ土類金属シリケート蛍光体を粒成長させるBaCl2、SrCl2から選ばれる少なくとも1種以上のフラックスと、アルカリ土類金属シリケート蛍光体の粒成長を抑制するCsCl、LiClから選ばれる少なくとも1種以上のフラックスとを混合して用いることが特に好ましい。CsClやLiClは蒸気圧が高く、固相法などで用いられる1200°C前後の熱処理温度では蒸発してしまい粒成長抑制の効果が得られにくい。しかしながら、本発明では液相法前駆体による仮焼粉を用いており、低温還元焼成を行うため、CsClやLiClが還元焼成中にBaCl2やSrCl2と共に残留するために粒成長抑制効果を十分に得ることができる。これらは仮焼粉重量に対して、それぞれ5wt以上、30wt以下の範囲で添加することが好ましい。5wtより少ないとフラックスの効果が十分に得られず、30wtより多い場合効果は変わらないが、フラックスが多すぎてその後の洗浄除去が困難になる。フラックスとして塩を2種類以上使用する場合は、共晶効果により融点が低下するので、状態図を参考に液相が出る温度で保持した後に900~1100°Cの所定の温度まで昇温させるのが好ましい。フラックスと仮焼粉の混合方法は特に制限されないが、ボールミルや乳鉢を用いた乾式粉砕混合や、水やアルコールの溶媒を加え、ボールミルや乳鉢で混合し、乾燥させるような湿式混合を用いることができる。還元性雰囲気は、1~10volのH2ガスを含んだN2やArなどの不活性ガスを使用することができる。フラックスの種類によっては溶融したフラックス自体が還元剤として働くことがあるため、不活性ガス雰囲気下で熱処理することもできる。使用する容器としては、各蛍光体原料と反応性の低い材料を使用することができる。その材質は、アルミナ、石英、窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化マグネシウム等のセラミックス、白金、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、イリジウム、ロジウム等の金属、あるいは、それらを主成分とする合金、カーボン等が挙げられる。これらの耐熱容器の材質のうち、アルミナ、金属、カーボンが好ましい。カーボンを混在させることにより強い還元性雰囲気を得ることができるため好ましい。さらに、焼成容器は蓋をした比較的密閉性の高い構造にしたり、逆に蓋のない開放構造としても良い。フラックスの初期添加量、焼成容器の構造密閉性、焼成温度、時間、還元ガス流量などでコントロールすることができる。工程5工程4により得られた塊状の焼成物から残留したフラックスを除去し、蛍光体粉末を得る工程である。まず、得られた塊状の焼成物を解砕する。解砕処理には自動乳鉢、ハンドプレス、ローラープレスなどの圧壊装置を用いることができる。残留したフラックスの除去は、解砕した塊状焼成物を水中または温水中で撹拌することで行うことができる。この処理で得られる蛍光体はほぼ一次粒子となる。ただし、フラックスは、水溶性ではあるが還元焼成により変質しており、水中や温水中で撹拌し続けても完全には除去しきれないことがある。その場合は、イソプロピルアルコールなどのアルコール単独、もしくはアルコール-水混合液中で超音波照射し、蛍光体粒子表面から残留する微量のフラックスを除去することができる。その後、デカンテーションおよび乾燥を行って蛍光体粉末を得る。通常は、その後、所望の粒子径に合わせるために粉砕や分級処理等がなされる。しかしながら、本発明によって得られる蛍光体は、粒成長を促進するフラックスと、粒成長を抑制するフラックスとを混合し、900~1100°Cの比較的低温で還元焼成を行っているため、20μmを超える粗大粒子の生成が抑制され、フラックス除去後の未粉砕かつ未分級の状態で十分に細かく、重量メジアン径は20μm以下となる。粗粒が僅かにでも残留するとLED作製時の塗布ムラやディスペンサーのつまりの原因となるため、必要に応じて粗粒を取り除くが、例えば目開きが25μmの篩で篩った時の収率は80以上と高収率で得ることができる。本発明の最大の特徴である粒成長促進フラックスと粒成長抑制フラックスを組み合わせた低温還元焼成により平均粒径が5~20μmの範囲で分散性の良好な蛍光体が得られるのに加えて、本発明による蛍光体は構成成分が均一に分布した前駆体を経て得られた仮焼粉末を使用しているため、低温で還元焼成しているにも関わらず、外部量子効率が55以上、かつ吸収効率が75以上と十分に高い輝度を有するものとなる。なお、本発明の蛍光体の耐水性を向上するために、必要に応じて、蛍光体粒子の表面を異なる物質で被覆するなどの表面処理を行っても良い。表面処理の材質としては、有機化合物、無機化合物、ガラス材料などを挙げることができるが、中でも酸化物であり、酸化珪素であることが好ましい。本発明により得られる蛍光体は、平均粒径が5~20μmの範囲で分散性が良好でかつ高輝度であり、励起スペクトルが近紫外~可視光の範囲にわたって比較的フラットである。そのため、波長が320~420nmの光を吸収し、波長が420nm以上、800nm以下の光を放出するような発光ダイオードや、波長が420~480nmの光を吸収し、波長が480nm以上、800nm以下の光を放出するような発光ダイオードの蛍光体として好適に使用でき、より高効率及び高特性な発光ダイオードを製造することができる。以下、実施例により本発明を具体的に説明する。なお、使用したWSSは、TEOSとプロピレングリコールを、モル比1:4になるように秤量し、80°Cで1時間混合した混合液に、酸として乳酸を微量加えてさらに1時間攪拌して作製して得た。これに純水を添加して2mol/LのWSS水溶液とした。作製した蛍光体は、以下の評価法を用いて評価した。蛍光体粒子のX線回折は、スペクトリス株式会社製、全自動多目的X線回折装置X‘pertPro/MPDで測定した。メジアン径の測定は、レーザー回折散乱法により粒度分布測定を行って求めた。吸収率、内部量子効率、外部量子効率は、蛍光分光光度計FP-6500日本分光株式会社製を用いて、455nm励起での発光スペクトル測定を行い求めた。Eu2賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体として、組成式がBa1.41Sr0.47Eu0.12SiO4なる緑色蛍光体を用いて、その製造方法を示す。工程1原料としてBaCO3、SrCO3いずれも関東化学株式会社製、Eu2O33N、高純度化学研究所製を所定の組成になるように秤量し、合計重量の3.5倍重量の水に添加し、室温下で30分撹拌し、水分散液とした。続いて、その2モル/L水溶性ケイ素WSS水溶液を所定量秤量した。次いで、BaCO3、SrCO3とEu2O3の水分散液にWSS水溶液を添加し、10分間、室温下で撹拌し、液全体が均一なスラリー状になったことを確認した後、ホットマグネチックスターラーによる加温を開始した。加熱温度は混合液温度が50°Cになるように設定した。加温開始から約20分で全体がゲル化し、均一なゲル体が得られた。工程2工程1により得られたゲル体を、120°Cに設定した熱風乾燥機に入れ、6時間乾燥させた後、取り出して乳鉢で軽く解砕を行って、乾燥物である前駆体を得た。工程3工程2により得られた乾燥物である前駆体を、アルミナ製の容器に入れ、大気中で1000°C×2hrの熱処理を行って仮焼粉を得た。工程4工程3で得られた仮焼粉にフラックスとして、BaCl2およびCsClいずれも関東化学株式会社製を仮焼粉重量に対して、それぞれ10wt添加し、メノウ乳鉢で10分間解砕混合した。この混合物をカーボン製のボートに入れ、電気管状炉伊藤製作所製HTF-410を用いて、Ar-4H2雰囲気中、1000°C×2hrの還元焼成を行って焼成物を得た。工程5得られた焼成物をメノウ乳鉢で解砕し、純水で残留したフラックス成分を洗浄し、その後エタノール置換して温風乾燥した。得られた蛍光体は、単相のBa,Sr2SiO4のXRDパターンを有し、異相の生成は確認されなかった。得られた蛍光体の未分級での重量メジアン径、455nm励起での発光ピーク波長、吸収率、内部量子効率、外部量子効率を表1に示す。また、25μmで篩った時の篩下の回収率も併せて示す。また、励起発光スペクトル測定結果を図1に示す。フラックスとしてCsClの添加量を仮焼粉に対し20wtにした以外は、実施例1と同様の操作を行って蛍光体を作製した。蛍光体の未分級での重量メジアン径、455nm励起での発光ピーク波長、吸収率、内部量子効率、外部量子効率を求めた結果を表1に示す。また、25μmで篩った時の篩下の回収率も併せて示す。比較例1フラックスとしてBaCl2添加量を仮焼粉に対し10wtとし、CsClの添加を無しとした以外は、実施例1と同様の操作を行って蛍光体を作製した。蛍光体の未分級での重量メジアン径、455nm励起での発光ピーク波長、吸収率、内部量子効率、外部量子効率を求めた結果を表1に示す。また、25μmで篩った時の篩下の回収率も併せて示す。比較例2工程4における還元焼成温度を1200°C×2hrとした以外は、実施例2と同様の操作を行って蛍光体を作製した。蛍光体の未分級での重量メジアン径、455nm励起での発光ピーク波長、吸収率、内部量子効率、外部量子効率を求めた結果を表1に示す。また、25μmで篩った時の篩下の回収率も併せて示す。比較例3工程4におけるフラックスを10wtCsClのみとし、BaCl2の添加を無しとした以外は、実施例2と同様の操作を行って蛍光体を作製した。蛍光体の発光ピーク波長、吸収率、内部量子効率、外部量子効率を求めた結果を表1に示す。比較例4工程4において、まったくフラックスを添加しなかった以外は、実施例2と同様の操作を行って蛍光体を作製した。蛍光体の発光ピーク波長、吸収率、内部量子効率、外部量子効率を求めた結果を表1に示す。本発明による実施例1~2の蛍光体は、いずれも外部量子効率が55以上、吸収率が75以上と高く高輝度であり、いずれも未分級での重量メジアン径は20μm以下である。また、25μmでの篩い収率も90以上と高く分散性が良好である。また図1の発光スペクトル測定結果からも、YAG:Ceよりもはるかに高輝度を示していることがわかる。一方、比較例1では高輝度ではあるが、粒成長や粒子の焼結が起こり、重量メジアン径が大きくなり、25μmでの篩い収率も実施例に比べて低い。また、比較例2では、BaCl2-CsCl混合フラックスとしているが、重量メジアン径が大きく、25μmでの篩い収率が著しく低い。これは還元焼成温度が1200°Cと高く、CsClが蒸発し、粒成長抑制効果が得られなかったためと考えられる。比較例3のCsCl単独添加では輝度が著しく低い。吸収率が低いことから粒成長が不十分と考えられる。比較例4のフラックス無しでも著しく輝度が低くなった。以上のように、本発明のように粒成長を促進するフラックスと粒成長を抑制するフラックスとを混合して使用することにより高輝度で、最適な粒度である平均粒が5~20μmで分散性の良好な蛍光体を高収率で得ることができ、この蛍光体は発光特性の優れた緑色蛍光体であることが分かる。"