a複数のガラス基板が地面に対して45°ないし90°のうち任意の角度をなすように上記ガラス基板を配列する段階;及びb上記ガラス基板よりも高い位置に位置した複数個の地点でエッチング剤を所定の噴射角度で上記ガラス基板に向けて下方にスプレー噴射して上記ガラス基板をエッチングする段階を含むガラス基板のエッチング方法。a複数のガラス基板が支持ユニットに対して45°ないし90°のうち任意の角度をなすように上記ガラス基板を上記支持ユニットに装着する段階;及びb上記ガラス基板よりも高い位置に配置された複数個のノズルヘッド及び複数個のノズルを含むスプレーユニットでエッチング剤を所定の噴射角度で上記ガラス基板に向けて下方にスプレー噴射して上記ガラス基板をエッチングする段階を含むガラス基板のエッチング方法。第2項において、上記a段階以後と上記b段階以前に、上記支持ユニットを上記スプレーユニット下方に投入する段階;及び上記b段階以後に、上記支持ユニットを上記スプレーユニット下の位置から取り出す段階をさらに含むガラス基板のエッチング方法。第1項において、上記複数のガラス基板が地面に対して60°ないし90°のうち任意の角度をなすように上記ガラス基板を配列することであるガラス基板のエッチング方法。第2項において、上記複数のガラス基板が上記支持ユニットに対して60°ないし90°のうち任意の角度をなすように上記ガラス基板を上記支持ユニットに装着することであるガラス基板のエッチング方法。請求項1ないし5のうちいずれか一項に記載のガラス基板のエッチング方法によって製造されるガラス薄板。第2項において、上記ガラス基板の全ての部分が上記エッチング剤に露出されるように上記ノズルの端は上記ガラス基板から第1間隔分離れており、上記第1間隔は上記ノズル間のピッチと上記ノズルのスプレー噴射角度によって決定されるガラス基板のエッチング方法。第7項において、上記第1間隔と上記ノズル間のピッチと上記ノズルの上記スプレー噴射角度は次の式h≧Np2tanを満たすガラス基板のエッチング方法。第2項において、上記ガラス基板の全ての部分が上記エッチング剤に露出されるように上記ノズルの端は上記ガラス基板から第2間隔分離れており、上記第2間隔は上記ノズルヘッド間のピッチと上記ノズルのスプレー噴射角度によって決定され、上記第2間隔と上記ノズルヘッド間のピッチと上記ノズルの上記スプレー噴射角度は次の式h≧Hp2tanを満たすガラス基板のエッチング方法。第2項において、上記スプレーユニットの各ノズルヘッドは複数個のノズルを含むガラス基板のエッチング方法。ガラス基板をエッチングしてガラス基板の厚さを減少させるためのガラス基板のエッチング装置であって、複数個のガラス基板が上記エッチング装置の底面に対して60°ないし90°のうち任意の傾きを形成するように上記ガラス基板を支持するための支持ユニット;及び上記エッチング装置の上部に配置され、エッチング液を所定の噴射角度でガラス基板に向けてスプレーで下方に噴射するための複数個のノズルと複数個のノズルヘッドを含んだスプレーユニットを含むガラス基板のエッチング装置。第11項において、上記支持ユニットは、上記支持ユニットが上記スプレーユニット下に配置される第1位置と上記第1位置から外れた第2位置間で移動可能なガラス基板のエッチング装置。第11項において、上記ガラス基板の全ての部分が上記エッチング剤に露出されるように上記ノズルの端は上記ガラス基板から第1間隔分離れており、上記第1間隔は上記ノズル間のピッチと上記ノズルのスプレー噴射角度によって決定されるガラス基板のエッチング装置。第13項において、上記第1間隔と上記ノズル間のピッチと上記ノズルの上記スプレー噴射角度は次の式h≧Np2tanを満たすガラス基板のエッチング装置。第11項において、上記ガラス基板の全ての部分が上記エッチング剤に露出されるように上記ノズルの端は上記ガラス基板から第2間隔分離れており、上記第2間隔は上記ノズルヘッド間のピッチと上記ノズルのスプレー噴射角度によって決定され、上記第2間隔と上記ノズルヘッド間のピッチと上記ノズルの上記スプレー噴射角度は次の式h≧Hp2tanを満たすガラス基板のエッチング装置。第11項において、上記スプレーユニットの各ノズルヘッドは複数個のノズルを含むガラス基板のエッチング装置。ガラス基板をエッチングしてガラス基板の厚さを薄くするガラス基板のエッチング装置において、上記ガラス基板が複数個配列され、上記ガラス基板の下部には上記ガラス基板と地面が傾きを形成するようにし、上記ガラス基板の固定と脱去を可能にする固定部材を具備し、上記ガラス基板の上部にはエッチング液が所定の噴射角度でガラス基板に向けてスプレーで下方に噴射される複数個のノズルと複数個のノズルヘッドを具備して構成されている噴射部材を具備し、上記ガラス基板とノズルの垂直貫通した垂直面と成す傾きは0°ないし30°間であることを特徴とするガラス基板のエッチング装置。本発明は前記のような問題点を解決するために提案されたこととして、本発明による硝子基板のエッチング装置は少なくとも一つ以上の硝子基板が配列されて、前記の硝子基板の下部には前記の硝子基板と地面が傾きを形成するようにして前記の硝子基板の固定と脱去ができるようにする固定部材を具備するようにして、前記の硝子基板の上部にはエッチング液が下方に噴射される噴射部材が具備されていることを特徴にして硝子基板をもっと薄ら薄板で容易く製造することができる硝子基板のエッチング装置と前記の装置によって製造されて品質が向上された硝子薄板を提供するのに目的がある。前記のような目的を果たすための本発明による硝子基板のエッチング装置は前記の硝子基板は少なくとも一つ以上配列されて、前記の硝子基板の下部には前記の硝子基板と地面が傾きを形成するようにして前記の硝子基板の固定と脱去ができるようにする固定部材を具備し、前記の硝子基板の上部にはエッチング液が下方に噴射される噴射部材を備えていることを特徴とする。好ましくは、前記の噴射部材は少なくとも一つ以上のノズルとノズルヘッドを備えて構成されて、前記のノズルでエッチング液がスプレーで噴射されることを特徴とする。好ましくは、前記の硝子基板とノズル端の間の間隔はノズルの配置間隔とノズルのエッチング液の噴射の角度によって決まることを特徴とする。好ましくは、前記の硝子基板とノズルの垂直貫通した垂直面と成す傾きは0°ないし45°の間であることを特徴とする。好ましくは、前記の固定部材に複数個が配列される硝子基板の間のピッチは5mmないし300mmであるのを特徴とする。好ましくは、前記の噴射部材と繋がれるエッチング液貯蔵槽を追加に備えて、前記の固定部材の下端にはノズルから噴射されたエッチング液と硝子基板の反応物が収集される反応物貯蔵槽を備えて、前記の反応物貯蔵槽で前記のエッチング液貯蔵槽に未反応されたエッチング液が流入されて循環されることを特徴とする。好ましくは、前記の反応物貯蔵槽には前記の反応物と前記の未反応エッチング液を分離するためにフィルター部材を備えることを特徴とする。好ましくは、前記のエッチング液は弗素酸であり、前記のエッチング液の水素イオン、弗素酸及び二弗素酸の濃度によって硝子基板のエッチング率が変化することを特徴とする。好ましくは、前記の固定部材は前記の硝子基板を固定して反応物が反応物貯蔵槽によく抜けるようにするための硝子基板接触部材を形成することを特徴とする。そして、前記のような目的を果たすための本発明による硝子基板は硝子基板のエッチング装置によって製造されて0.3ないし1mmの厚さであり、1000×1200mm2ないし1100×1300mm2面積のTFT-LCDの硝子薄板であることを特徴とする。前述のとおりに前記のような本発明による硝子基板のエッチング装置によれば、硝子基板をもっと容易く薄ら薄板で製造することができるようになることで生産性が向上されるし、前記の硝子基板のエッチング装置は硝子基板に添ってエッチング液を流れるようにすることで表面の品質向上、0.3mm以下の超スリム蝕刻可能及び1000×1200mm2以上の大面積超スリム蝕刻が可能になるようにするなどの長所を皆持っていて経済性を進める效果がある。以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明しようとする。添付図面の中で図1は従来技術を通じて硝子基板をエッチングして蝕刻することを現わした製造工程を示す図面であり、図2は本発明の第1実施例による硝子基板のエッチング装置の斜視図であり、図3は本発明の第1実施例による硝子のエッチング蝕刻製造工程を示す図面である。そして、図4は本発明のノズルと基板の幾何学的配置構成を示した側面図及び正面図であり、図5は従来技術と本発明との硝子のエッチング方法を比べる比較図であり、図6は硝子基板の表面に供給されるエッチング液の量とエッチレ―ト及び表面の品質との関係を示したグラフである。また、図7は基板の表面に供給されるエッチング液の量と基板上下の厚さの差を示したグラフであり、図8は硝子基板の間隔による蝕刻の厚さの差の分布実施例を示した図面であり、図9は本発明の第1実施例による硝子基板とノズルを垂直に貫く垂直面と成す幾何学的関係を示す図面である。さらに、図10は本発明の第2実施例による硝子基板と固定部材との幾何学的関係を示した図面である。図2と図3を参考すれば、本発明は前記の硝子基板300の表面をエッチングして硝子基板300の厚さを薄くする硝子基板のエッチング装置100に関するのである。前記のエッチング装置100は硝子基板300とエッチング液を下方に噴射する噴射部材101及び前記の硝子基板300を固定する固定部材200を備えて構成される。前記の硝子基板300は少なくとも一つ以上が配列されなければならない。前記の硝子基板300が前記のエッチング装置に数個が投入されるようにしていっぺんに数個の薄ら硝子基板を製造することができるのである。また、前記の硝子基板300は硅素Siまたは酸化硅素SiO2が含まれてエッチング液の弗素酸HFによって蝕刻されるべきである。しかし、前記のエッチング液104によって前記の硝子基板300は違えて配列することができることであり、ここに限定しない。そして、前記の硝子基板300の下部には硝子基板300と地面が傾きを形成するようにして前記の硝子基板300を固定させることができる固定部材200を形成する。この時、基板はエッチング液の供給装置と正確に90°を成す必要はない。前記の固定部材200は材質が高分子樹脂や有機物質などからなることで硝子基板300を固定することと同時に硝子基板300との接触面を最小化しなければならない。なぜなら、前記の硝子基板300にエッチング液が噴射されて隙間なく応じなければならないからである。しかし、前記の固定部材200は前記の硝子基板300を固定することができることなら前記の高分子樹脂などに限定しない。また、前記の固定部材200は前記の硝子基板300を数個固定させることができるように間隔を置いて溝を形成することができるし、前記の硝子基板300の幅と前記の固定部材200との幅が等しく挟まれるようにして固定することができるし、固定部材200と最小の面積を置いて固定する。そして、前記の固定部材200は硝子基板300を数個挟んで固定することができて前記の固定部材200を硝子基板300が挟まれた一体にしてエッチングゾーンetchingzoneに投入して前記の硝子基板300をエッチングした後に前記の一体を取り出す方式である。前記のように固定部材200のエッチングゾーンに投入と排出が容易いのでいっぺんに数枚の硝子基板300をエッチングすることができる。本発明は前記のように場合によって一つの硝子基板300または多数の硝子基板300をエッチング処理することができるので效果的である。また、本発明はスプレー法を適用しながらデイッピング法よりもっと多い硝子基板300をエッチングすることができて非常に生産的で経済的である。それに前記の固定部材200は硝子基板300が受ける外力がほとんどないからフレキシブルflexibleに具現することができる。図10を参考すれば、前記の固定部材200としてニッパー202を備えて硝子基板300を固定することができる。前記の固定部材200が硝子基板300と持続的に接触していれば反応生成物が前記の固定部材200に積もって染みなどの表面の品質不良が発生するようになるためである。本発明では固定部材200の基板の種類や工程によって固定部材200を備えることができて設計自由度が非常に大きいという長所を持つ。その理由は硝子基板300の上部で基板の表面に沿ってエッチング液104が噴射されるので外力の影響を最小に減らすことができるためである。前記の硝子基板300の上部でエッチング液104が噴射される噴射部材101が具備されている。前記の硝子基板300の上部に備えられてエッチング液104を上から下へ液を供給してくれるので硝子基板300が受ける外力はほとんど発生しない。硝子基板300が受ける外力が小さいので重力に対する支持構造物の設計が非常に容易いからである。前記のような理由によって、前記の硝子基板300を0.1mm以下でとても薄くすることと4世代以上の1100×1250mm2以上の大面積の蝕刻をするとき非常に有利である。前記の噴射部材101は少なくとも一つ以上のノズル103とノズルヘッド102を備えて構成されて、前記のノズル103でエッチング液がスプレー形態に噴射される。前記のノズルヘッド102は一つ以上が形成されて構成されて一つのノズルヘッド102にノズル103が少なくとも一つ以上が形成されている。図5を参考すれば、前記のスプレー式で噴射させる理由は少ない量でも広い面積を蝕刻することができるし、蝕刻の厚さを一定に調節することができるためである。前記の硝子基板300の上部に噴射部材101が形成されることによってエッチング液104の噴射の時に硝子基板300が受ける圧力を最小化するようになる。また、噴射部材から噴射されたエッチング液はガラス基板の上部あるいは中央、下部に接触した後表面の張力によってガラス基板に付いて下部に自然に流れながらガラス基板の表面をエッチングさせる。これに比べて従来のスプレー法はガラス基板に垂直にエッチング液が噴射されながら噴射の時のガラス基板が受けた圧力が大きい。図4を参考すれば、前記の硝子基板300とノズル103の端の間の間隔はノズル103の配置間隔とノズル103のエッチング液104の噴射角度によって決まる。前記の硝子基板300とノズル103の端の間の間隔は前記のように決まってエッチング液104に露出されない部分が発生しないようにする。本発明の前記の硝子基板300とノズル103の端の間の間隔であるhはノズル間の間隔をNp、ノズルヘッドの間隔をHp及びノズル噴射角度をθで示せば次のようなパラメーターparameterを定義することができる。ノズル103と硝子基板300の間の間隔は数学式1の条件をすべて満足する幾何学的な特性を持たなければならない。図4の上側から見る時前記の硝子基板300の最外郭の支店と最外郭ノズル103の間の間隔をdと言えば、下記の数学式2を満足するとエッチング液104に露出されない部分が発生しない。そして、図4の上側から見る時硝子基板300の一面と最外郭のノズル103の間の間隔をdと言えば、d’は下記の数学式3のように示すことができるし、下記の数学式を満足しなければならない。前記の硝子基板300とノズルの垂直貫通する垂直面と成す傾きは0°ないし45°の間で形成される。図9を参考すれば、前記の硝子基板300は前記のノズル103を垂直に貫く垂直面と成す各が0°の時が最も好ましい。しかし、前記のようにすればエッチングの空間内部でノズルの噴射及び液が固体との衝突などでベーパーvaporが発生して液体ではない気体によってもエッチングの蝕刻が発生するので前記の硝子基板300とノズル103の垂直で貫く垂直面と成す各が30°に傾いた場合上下の厚さの差がほとんど発生しない。しかし、前記の傾きが47°に傾いた時には反応生成物の円滑な除去が成り立たなくて硝子基板300の下部の厚さが厚くなる場合が発生する。従って、前記のような傾きの範囲内で前記の傾きが形成されることが好ましい。前記の固定部材200に複数個配列される硝子基板300の間のピッチは5mmないし300mmにしなければならない。前記の硝子基板300の間のピッチを前記のようにすることは多くの数の基板を蝕刻して硝子基板300のエッチングの時に生産性を高めるようにするのである。実際において同じ空間に基板を40mmのピッチで配列することと8mmのピッチで配列することは生産性が5倍の差があることで生産性を左右する非常に重要な因子である。前記の硝子基板300の配列のピッチを減らすことは生産性の向上を持って来るが、ノズルの配列のピッチを小さくするためにはノズルが付いているノズルヘッド102のピッチも小くならなければならない。前記のノズルヘッド102のピッチが小くなれば配管径を小さくしなければならないのにこういう場合ノズル103に十分な液を供給しにくいから規格品ではない部品を使わなければならないので投資費がたくさん必要となる問題点が発生するようになる。また、前記のノズル103の維持補修がとても難しくなる短所も発生する。従って、前記の硝子基板300の間のピッチは前記の距離範囲の内で成り立つのが好ましい。また、一回に投入される基板の数はエッチング工程の全体の蝕刻量を意味するのでエッチング装置特に、タンク用量とノズルで噴射される噴射の圧力を均一に維持することができる配管及びポンプ用量スペックspecなどを考慮しなければならない。前記の噴射部材101にはエッチング液貯蔵槽が具備されているし、前記のエッチング液貯蔵槽と前記の反応物貯蔵槽はお互いに繋がれて備えられている。前記のエッチング液貯蔵槽には弗素酸があり、本発明の工程によって前記の弗素酸イオンの濃度と量を調節する。前記の固定部材200の下端にはノズル103から噴射されたエッチング液104と硝子基板300の反応物が収集される反応物貯蔵槽が備られて、前記の反応物貯蔵槽でエッチング液貯蔵槽に未反応されたエッチング液が流入されて循環される。前記のエッチング液104と硝子基板300が反応をして応じた反応物たちは反応物貯蔵槽に速かに抜けるようになる。前記の反応物貯蔵槽とエッチング液貯蔵槽は繋がれているとか同じ空間を使って未反応のエッチング液を循環にする。前記の反応物の中で未反応のエッチング液はまたエッチング液貯蔵槽に流入されるように形成されて、新液の供給と生成物の迅速な除去が可能で表面品質の特性を進める。前記の反応物貯蔵槽には前記の反応物と前記の未反応エッチング液104を分離するためにフィルター部材を含むことができる。前記のエッチング液104は弗素酸HFであり、前記のエッチング液104の水素イオンH、弗素酸HF及び二弗素酸HF2の濃度によって硝子基板のエッチング率が変化される。前記の水素イオンH、弗素酸HF及び二弗素酸HF2の濃度によってエッチレ―トが変化することを言うことであり、前記の硝子基板300の表面に供給される液の量とは比例的な関係を持っていない。図6を参考すれば、前記のエッチング液104の一定以上の液の量さえ供給すればエッチレ―ト及び表面の品質を確保することができる。前記のエッチング液104の液の量とエッチレ―ト及び表面の品質は比例関係を持っていないので前記のエッチング液104は必要以上の液の量だけ供給すればいいのである。また、図6と図7を参考すれば、前記の硝子基板300の上部で液を供給しても基板の下部で必要な量以上のエッチング液成分が含まれれば硝子基板300の上部302と下部303の厚さの差及び品質の差が発生しない。すなわち、必要以上のエッチング液がいつも硝子基板300の表面と接触していればエッチレ―トの確保はもちろん優秀な表面の品質を確保することができる。図10を参考すれば、本発明の前記の固定部材200は前記の硝子基板300を固定して反応物が反応物貯蔵槽によく抜けるようにするための硝子基板接触部材201を形成している。前記の硝子基板接触部材201は円形の構造物として、耐不酸材料、PVC、ピークPEEK:polyetheretherketone、テフロン登録商標などになっている。前記の硝子基板接触部材201は前記の材質と形態に限定するのではなくて硝子基板300をよりよく固定してエッチング液104と反応物がよく流れ出すようにできることならここに限定しない。また、前記の硝子基板接触部材201は硝子基板300と点接触をして反応生成物が最大によく流れるようにして側面は基板の厚さより大きい間隔を持つ。前記に記載している硝子のエッチング装置によって製造された硝子基板は0.3ないし1mmの厚さを持って、もっと薄くは0.1mm以下の厚さで製造することができる。そして、前記の硝子のエッチング装置は前記の厚さになった1000×1200mm2ないし1100×1300mm2面積のTFT-LCD硝子基板を製造することができる。以下、本発明の好ましい実施例の中で一つとして硝子基板300の配列間隔の変化による硝子基板300の上部と下部の厚さの差をよく見る。また、他の実施例として前記のノズル103の間隔と硝子基板300の間隔による硝子基板300の上部と下部の厚さの差をよく見ようとする。第1実施例エッチング液が一定量以上になると硝子基板の上下の厚さの差がほとんど発生しないことを調べるために上部のノズルは横縦のピッチ50mmで配したし、ガラスピッチを無限大、90mm、30mmに変化させて基板の表面に供給されるエッチング液の量を変化させた。この時使ったノズルの噴出量は分当たり0.1~2リットルであり、エッチングの基板は370×470mm×0.63mm厚さで300μmを蝕刻した場合である。前記の表1と図8を参考すれば、前記の基板に必要以上のエッチング液を供給すれば求めるスペックを得ることができる。上下均一な厚さ分布を得ようとしたら上部で供給するエッチング液の量を増加させるし、生産性を高めようとしたら上部で供給するエッチング液の量を増加させてガラスの配列ピッチを減らせば同じ空間で多くの数の硝子基板を蝕刻し出すことができることを分かる。第2実施例現在LCD基板の厚さのユニフォーミティースペックuniformityspecは±20μm水準であり、このスペックを満足するためにノズル及び基板配列の間隔を変化させてこれによる硝子基板の上部302と下部303の厚さの差を調べた。前記のTFT-LCDノンアルカリガラスNEGOA-21あるいはSCPE2Kなど低密度ガラスの590×670sizeの合着パネル1.26mmの厚さを0.6mmに蝕刻した場合の実施例である。本発明の第2実施例で使われたノズルの噴出量は分当たり0.3リットルである。実際において同じ空間に基板を40mmのピッチで配列することと8mmのピッチで配列することは生産性が5倍の差があることで生産性を左右する非常に重要な因子である。基板配列のピッチを減らすことは生産性の向上を持って来るが、ノズル配列のピッチを小さくするためにはノズルが付いているノズルヘッドのピッチも小くならなければならない。ヘッドピッチが小くなれば配管径を小さくしなければならないのにこういう場合ノズルに十分な液を供給しにくいので規格品ではない部品を使わなければならないので投資費用がたくさん所要される短所が発生するようになって、維持補修がとても難しくなる短所も発生する。一回に投入される基板の数はエッチング工程の全体の蝕刻量を意味するのでエッチング装置特に、タンクの用量とノズルで噴射される噴射圧力を均一に維持することができる配管及びポンプ用量のスペックなどを考慮しなければならない。ディスプレーなどの品質を満足するためには表面に一定量以上の液を供給してくれなければならないのに、本実験によると、ノズルの分当たり噴出量Nozzlem3min;分当たり噴出量基板glassの配列のピッチGpitchm;基板の配列ディメンション、ノズルの配列の横ピッチNhpitchm;ノズルの配列の横ピッチディメンション、ノズルの配列の縦ピッチNvpitchm;ノズルの配列の縦ピッチディメンションと言えばCfの値段は下記の数学式4のようである。本発明で任意の変数化したCfはクリティカルファクターcriticalfactorsで、これは修飾展開において基板のピッチだけを考慮して長さを考慮しなくてディメンションdimensionがm2minになったが実際の意味はm3minである。基板の長さは重要ではない因子だからである。本の実験でノズルの分当たり噴出量は0.3リットルくらいに使ってあった。下記の表3はノズルと硝子基板の間隔によるCfの値段を示した。前記の表3をよく見ると、ノズルのピッチ50mm0.05m、基板glassのピッチ8mm0.008mの場合に基板上下の厚さの差が35~50μmの水準で一部のスペックの中に入って来るが同時に数枚を蝕刻するからエッチングの前の基板の厚さの差が10~15μm水準でエッチングの前の厚さの差くらいの余裕を確保しなければならないからノズルのピッチ50mmに基板の配列ピッチ8mmは実際適用に難しい幾何学的配置である。一方、本発明は硝子基板を薄くする方法の中で化学的エッチング法と係わったのである。既存のデイッピング法は大面積の全面に対して均一なエッチングと正確な厚さの制御が大変だという問題点があった。また、従来のスプレー法はガラス基板の両方でガラス基板に垂直にスプレーで液を供給してくれるから液の噴射圧力とともに気体の流動を起こして大面積の基板を重力に対して支持するのが構造的に非常に難しいという問題点があった。前記の問題点を解決するために本発明はエッチング液を硝子基板の上部で噴射することとして外力を最小化したのである。また、前記の硝子基板を1.26mmあるいは1.0mm厚さのTFT-LCD合着パネルをエッチング蝕刻して例えば厚さ1.0mm以下0.9mm、0.8mm、0.6mmなどの薄膜で製造することができる。本発明のエッチング装置は前記のTFT-LCD、OLEDなどディスプレ―の合着パネルは勿論、合着の前の硝子基板及びシリコンウエハーなどに対するスリムエッチングができる。さらに本発明のエッチング装置は表面の品質を進めることとともに生産性が優秀で生産性対比投資費用が低い工程技術である。前述のとおりに前記のような本発明による硝子基板のエッチング装置によれば、硝子基板をもっと容易く薄ら薄板で製造することができるようになることで生産性が向上されるし、前記の硝子基板のエッチング装置は硝子基板に添ってエッチング液を流れるようにすることで表面の品質向上、0.3mm以下の超スリム蝕刻可能及び1000×1200mm2以上の大面積超スリム蝕刻が可能になるようにするなどの長所を皆持っていて経済性を進める效果がある。本発明は図面に図示された一実施例を参照に説明されたが、これは例示的なことに過ぎなくて、本技術分野の通常の知識を持った者なら今後にも多様な変形及び均等な他の実施例ができるという点を理解するのである。したがって、本発明の真正な技術的保護範囲は添付された登録請求範囲の技術的思想によって決まらなければならないのである。