素子平面を画定する振動子素子を含む超音波振動子装置を有し、第1電極と第2電極との間に配置される圧電材料を含む超音波デバイスを形成する方法であって、前記超音波振動子装置の前記素子平面がインターポーザ素子と実質的に平行になるように、前記超音波振動子装置を前記インターポーザ素子の平面と係合させることであって、前記インターポーザ素子は、係合する前記装置の平面に沿って外部の側面に延在するように、少なくとも1つの横寸法において、前記超音波振動子装置よりも長く、側面に沿って延在する少なくとも2つの導体を含み、前記各導体は、対向する第1端部と第2端部とを有する、ことと、前記第1および第2電極と前記第1および第2導体のそれぞれの間に導電係合を形成することであって、前記各導体の第1端部および第2端部の少なくとも一方は、前記前記インターポーザ素子の少なくとも1つのより長い横寸法において、前記超音波振動子装置の表面の外部に延在する、ことと、前記導体の前記第2端部の周囲および前記超音波振動子装置の前記表面の外部にインターポーザ前記インターポーザ素子と接続支持基板を係合させることであって、前記接続支持基板は、各接続要素と前記導体の各第2端部との間の導電係合を形成するように、操作可能に係合した少なくとも2つの接続要素を有する、ことと、を含む方法。前記超音波振動子装置の前記素子平面が前記壁に対して平行に延在し、前記少なくとも2つの接続要素がカテーテル部材の前記端部から離れて内腔に沿って延在するように、前記インターポーザ素子および前記接続支持基板と係合させる、前記超音波振動子装置を前記カテーテル部材の壁およびその端部によって画定される前記内腔に挿入することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記超音波振動子装置を形成するために前記振動子素子をデバイス基板と係合させることであって、前記振動子素子は、前記デバイス基板およびその周囲に位置する各接着パッドに対して横方向に延在する前記第1および第2電極を備えて構成される、ことをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記超音波振動子装置を前記インターポーザ素子の表面と係合させることは、間に位置する非導電性接着剤で前記超音波振動子装置を前記インターポーザ素子の表面と係合させることをさらに含む、請求項3に記載の方法。前記導電係合を形成することは、前記第1および第2電極のそれぞれに関連する前記接着パッドと前記各導体の前記第1および第2端部との間の導電部材を係合させることをさらに含む、請求項3に記載の方法。前記振動子素子は、基板上に配置され、貫通基板相互接続と連通し、前記導電係合を形成することは、前記貫通基板相互接続を介して前記第1および第2電極のそれぞれと各導体の前記第1端部との間で前記導電係合を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記導電係合を形成することは、貫通基板相互接続と前記各導体の前記第1端部との間の導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着剤のいずれか1つを介して前記第1および第2電極のそれぞれと各導体の前記第1端部との間で前記導電係合を形成すること、である請求項6に記載の方法。前記接続支持基板を前記インターポーザ素子と係合させる前に、挿入される前記少なくとも2つの接続要素を有し、前記接続支持基板によって画定される各ビアを通って伸びる、前記少なくとも2つの接続要素を前記接続支持基板と係合させることであって、をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記少なくとも2つの接続要素を前記接続支持基板と係合させる前に、絶縁部材が画定されるビアに沿って延在するように前記接続支持基板に前記絶縁部材を堆積させることをさらに含む、請求項8に記載の方法。インターポーザ前記インターポーザ素子と接続支持基板を係合させることは、各結合要素と前記導体の各第2端部との間の前記導電係合を形成するように、間に存在する導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着剤のいずれか1つによりインターポーザ前記インターポーザ素子と接続支持基板を係合させることを含む、請求項1に記載の方法。インターポーザ前記インターポーザ素子と接続支持基板を係合させることは、各接続要素と前記導体の各第2端部との間の前記導電係合が実質的に前記超音波振動子装置の前記装置平面に対して垂直に延在するように、インターポーザ前記インターポーザ素子と接続支持基板を係合させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。各接続要素と前記導体の各第2端部との間の前記導電係合の張力を軽減するように、前記少なくとも2つの接続要素と前記インターポーザ素子との間の張力緩和装置を係合させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記インターポーザ素子は、各導体の前記第1端部を有する前記導電係合において前記インターポーザ素子の前記表面と係合された少なくとも1つの導電係合トレースをさらに含み、前記導電係合を形成することは、前記インターポーザ素子の表面を有する前記超音波振動子装置を係合しながら、前記第1および第2電極の1つとその間に導電性接着剤を有する少なくとも1つのトレースとの間の前記導電係合を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。少なくとも1つの集積回路デバイスが前記導体の少なくとも1つと導電性連通するように、前記超音波振動子装置と前記接続支持基板との間で前記少なくとも1つの集積回路デバイスを前記インターポーザ素子と係合させることをさらに含む、請求項13に記載の方法。前記集積回路デバイスを前記インターポーザ素子と係合させることは、前記集積回路デバイスと、間に存在する導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着剤のいずれか1つにより前記少なくとも1つのトレースとの間の前記導電係合を形成することをさらに含む、請求項14に記載の方法。前記少なくとも2つの導体のそれぞれの抵抗が実施的に同じであるように、前記インターポーザ素子を通って伸びる前記少なくとも2つの導体のそれぞれの断面寸法を変更することをさらに含む、請求項1に記載の方法。超音波デバイスであって、素子平面を画定する振動子素子を含み、第1電極と第2電極との間に配置される圧電材料を含む超音波振動子装置と、前記超音波振動子装置の前記素子平面がインターポーザ素子と実質的に平行になるように、前記超音波振動子装置を係合させるように構成される表面を有するインターポーザ素子であって、前記インターポーザ素子は、係合する前記装置の平面に沿って外部の側面に延在するように、少なくとも1つの横寸法において、前記超音波振動子装置よりも長く、側面に沿って延在する少なくとも2つの導体を含み、前記各導体は、対向する第1端部と第2端部とを有し、前記超音波振動子装置は、前記第1および第2電極とそれぞれの第1端部とのそれぞれの間に導電係合を形成するように前記インターポーザ素子と係合し、前記各導体の第1端部および第2端部の少なくとも一方は、前記前記インターポーザ素子の少なくとも1つのより長い横寸法において、前記超音波振動子装置の表面の外部に延在する、インターポーザ素子と、前記導体の前記第2端部の周囲および前記超音波振動子装置の前記表面の外部で前記インターポーザ素子と係合する接続支持基板であって、前記接続支持基板は、操作可能に係合する少なくとも2つの接続要素を有し、前記接続支持基板は、各接続要素と前記導体の前記導体の各第2端部との間の導電係合を形成するように、前記インターポーザ素子と係合する、接続支持基板と、を含む、超音波デバイス。内腔を画定する壁を有するカテーテル部材であって、前記内腔は、その端部周辺で前記超音波振動子装置の前記素子平面が前記壁に対して平行に延在し、前記少なくとも2つの接続要素が前記カテーテル部材の前記端部から離れて内腔に沿って延在するように、前記超音波振動子装置を受けるように構成され、前記インターポーザ素子および前記接続支持基板と係合する、カテーテル部材をさらに含む、請求項17に記載のデバイス。前記超音波振動子装置は、前記振動子素子と係合するバイス基板をさらに含み、前記振動子素子は、前記デバイス基板およびその周囲に位置する各接着パッドに対して横方向に延在する前記第1および第2電極を備えて構成される、請求項17に記載のデバイス。前記超音波振動子装置は、間に位置する非導電性接着剤で前記インターポーザ素子の表面と係合させる、請求項19に記載のデバイス。前記第1および第2電極のそれぞれに関連する前記接着パッドと前記それぞれの導体の前記第1端部との間で係合し、その間で前記導電係合を形成する、導電部材をさらに含む、請求項19に記載のデバイス。前記振動子素子は、基板上に配置され、貫通基板相互接続と連通し、前記貫通基板相互接続は、前記第1および第2電極のそれぞれと各導体の前記第1端部との間で前記導電係合を形成するように構成される、請求項17に記載のデバイス。前記貫通基板相互接続は、間に存在する導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着剤のいずれか1つにより前記各導体の前記第1端部と係合する、請求項22に記載のデバイス。前記少なくとも2つの接続要素は、前記接続支持基板によって画定される各ビアに挿入され、前記各ビアに沿って延在するように構成される、請求項17に記載の装置。絶縁部材が画定される前記ビアに沿って延在するように前記接続支持基板に堆積される絶縁部材をさらに含む、請求項24に記載のデバイス。前記接続支持基板は、間に存在する導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着剤のいずれか1つにより前記インターポーザ素子と係合し、前記間に存在する導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着剤のいずれか1つは、各結合要素と前記導体の各第2端部との間の前記導電係合を形成する、請求項17に記載のデバイス。前記接続支持基板は、各結合要素と前記導体の各第2端部との間の前記導電係合が前記超音波振動子装置の前記素子平面に対して実質的に垂直に延在するように前記インターポーザ素子と係合する、請求項17に記載のデバイス。各接続要素と前記導体の各第2端部との間の前記導電係合の張力を軽減するように前記少なくとも2つの接続要素と前記インターポーザ素子との間で係合する張力緩和装置をさらに含む、請求項17に記載のデバイス。前記インターポーザ素子は、各導体の前記第1端部を有する前記導電係合において前記インターポーザ素子の前記表面と係合された少なくとも1つの導電係合トレースをさらに含み、前記第1電極および前記第2電極のいずれか一方は、間に配置される導電性接着剤を有する少なくとも1つのトレースで前記導電係合に配置される、請求項17に記載のデバイス。少なくとも1つの集積回路デバイスが前記導体の少なくとも1つと導電性連通するように、前記超音波振動子装置と前記接続支持基板との間で前記インターポーザ素子と係合する少なくとも1つの集積回路デバイスをさらに含む、請求項29に記載のデバイス。前記少なくとも1つの集積回路は、マルチプレクサ、増幅器、ビーム形成器、および高電圧送信回路のいずれか1つを含む、請求項30に記載のデバイス。前記集積回路デバイスは、間に存在する導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着剤のいずれか1つにより前記少なくとも1つのトレースで前記導電係合に配置される、請求項30に記載のデバイス。前記インターポーザ素子を通って延在する前記少なくとも2つの導体のそれぞれは、前記少なくとも2つの導体のそれぞれの抵抗が実質的に同じになるように変化した断面寸法を含むように構成される、請求項17に記載のデバイス。従って、超音波振動子技術における、具体的には、空気に支持されたキャビティを有するか否かに関わらず、圧電微小超音波振動子pMUTに関する、pMUTと、例えば、集積回路ICおよび/または対応する結合要素との間の導電性接続を形成するための改良させた方法に対して必要性が存在する。また、振動子配列、ICデバイスおよび屈曲ケーブル、チップスタックが側面向き構成において、例えば、心血管装置、血管内超音波デバイスまたは腹腔鏡手術装置において比較的小さい直径のカテーテルまたは内視鏡内に収容され得るワイヤおよび/または結合要素を含むチップスタックの厚さを低減することが望ましい。また、コスト効率が高く例えば、比較的低コスト、比較的生産し易い比較的高い振動子要素数/密度を有する振動子配列で電気接続を形成するための方法を提供することが望ましい。そのような解決方法は、前向きおよび/または側面向き配置において、2次元振動子配列、具体的には、2次元pMUT振動子配列に効果がることが望ましく、振動子配列が組み込まれるプローブ/カテーテル/内視鏡の大きさにおけるより大きい拡張性を許可することが望ましい。上記の必要性および他の必要性は、本開示の態様で達成され、そのような一態様は、素子平面を画定する振動子素子を含み、第1電極と第2電極との間に位置する圧電部材を含む超音波振動子装置を有する超音波デバイスを形成する方法に関する。そのような方法は、前記超音波振動子装置の前記素子平面がインターポーザ素子と実質的に平行になるように、前記超音波振動子装置を前記インターポーザ素子の平面と係合させることであって、前記インターポーザ素子は、係合する前記装置の平面に沿って外部の側面に延在するように、少なくとも1つの横寸法において、前記超音波振動子装置よりも長く、側面に沿って延在する少なくとも2つの導体を含み、前記各導体は、対向する第1端部と第2端部とを有する、ことを含む。導電係合は、前記第1および第2電極と前記各導体の第1端部および第2端部との間で形成され、前記各導体の第1端部および第2端部の少なくとも一方は、前記前記インターポーザ素子の少なくとも1つのより長い横寸法において、前記超音波振動子装置の表面の外部に延在する。接続支持基板は、前記導体の前記第2端部の周囲および前記超音波振動子装置の前記表面の外部にインターポーザ素子と係合し、接続支持基板は、各接続要素と前記導体の各第2端部との間の導電係合を形成するように、操作可能に係合した少なくとも2つの接続要素を有する。インターポーザ素子および接続支持基板と係合する、超音波振動子装置は、超音波振動子装置の前記素子平面が前記壁に対して平行に延在し、前記少なくとも2つの接続要素がカテーテル部材の前記端部から離れて内腔に沿って延在するように、カテーテル部材の壁およびその端部によって画定される内腔に挿入される。本開示の別の態様は、素子平面を画定する振動子素子を含み、第1電極と第2電極との間に配置される圧電材料を含む超音波振動子装置を含む、超音波デバイスを提供する。インターポーザ素子は、超音波振動子装置の前記素子平面がインターポーザ素子と実質的に平行になるように、超音波振動子装置を係合させるように構成される。インターポーザ素子は、係合する前記装置の平面に沿って外部の側面に延在するように、少なくとも1つの横寸法において、前記超音波振動子装置よりも長く、各導体は、対向する第1端部と第2端部とを有する。超音波振動子装置は、前記第1および第2電極とそれぞれの第1端部とのそれぞれの間に導電係合を形成するように前記インターポーザ素子と係合し、前記各導体の第1端部および第2端部の少なくとも一方は、前記前記インターポーザ素子の少なくとも1つのより長い横寸法において、前記超音波振動子装置の表面の外部に延在する。接続支持基板は、導体の前記第2端部の周囲および前記超音波振動子装置の前記表面の外部で前記インターポーザ素子と係合する。接続支持基板は、操作可能に係合する少なくとも2つの接続要素を有し、各接続要素と前記導体の前記導体の各第2端部との間の導電係合を形成するように、前記インターポーザ素子と係合する。カテーテル部材は、内腔を画定する壁を有し、内腔は、その端部周辺で、超音波振動子装置の前記素子平面が前記壁に対して平行に延在し、前記少なくとも2つの接続要素が前記カテーテル部材の前記端部から離れて内腔に沿って延在するように、超音波振動子装置を受けるように構成され、インターポーザ素子および前記接続支持基板と係合する。従って、本開示の態様は、特定された必要性に対応し、本明細書で詳細に他の利点を提供する。従って、一般的な用語で本開示を説明してきたが、参照が必ずしも縮尺通りに描かれていない添付図面について説明する。本開示は、本開示の全ての態様ではないが、添付の図面を参照しながら、より詳細に本開示について説明する。実際、本開示は、本開示は、多くの異なる形式で具現化してよく、本明細書に記載の態様に限定されるものでなく、むしろ、この開示が適用可能な法的要件を満たすように提供される。同じ数字は、全体を通して同じ要素を示す。カテーテルベースの超音波振動子配列などの、代表的な超音波デバイス300は、図3に示す。そのような本開示の例示的な態様は、軸方向に延在する内腔400を画定するカテーテル部材350を含む。そのような態様において、内腔400は、1以上の振動子素子などの、超音波振動子装置450を収容し、1次元または2次元振動子配列の形で配置されてよい。超音波振動子装置450は、素子平面500を画定し、各振動子素子図6Aおよび図7A参照は、第1電極575と第2電極600との間に位置する圧電部材550を含む。インターポーザ素子650は、また、内腔400内に位置してよい。より具体的には、インターポーザ素子650は、超音波振動子装置450の素子平面500がインターポーザ素子650に対して実質的に平行であるように、超音波振動子装置450を受け取り、係合し、支持するように構成される表面660を含む。超音波振動子装置450は、例えば、適切な接着剤またはエポキシ樹脂によって表面660に固定されてよい。接着剤または他の固定機構が超音波振動子装置450と表面660との間の導電係合を形成することに含まれる場合に、例えば、異方性導電エポキシ樹脂などの導電部材は、インターポーザ素子650の表面660に超音波振動子装置450を固定するのに使用されてよい。場合によっては、インターポーザ素子650は、例えば、シリコンまたは他の適切な材料が含まれてよい。一態様において、インターポーザ素子650は、素子平面500に沿ってその横方向に外部に延在するように、少なくとも1つの横寸法において、超音波振動子装置450よりも大きい図3および図4参照。また、場合によっては、インターポーザ素子650は、横方向に沿って延在する少なくとも2つの導体675、700を含み図4、図6Bおよび図7B参照、導体675、700は、対向する第1端部675A、700Aおよび第2端部675B、700Bを有する。超音波振動子装置450は、第1電極および第2電極575、600のそれぞれと各導体675、700の第1端部675A、700Aとの間で導電係合を形成するように、インターポーザ素子650と係合する。いくつかの態様において、各導体675、700のいずれかまたは両方の対向する端部は、インターポーザ素子650の1以上のより長い横寸法において超音波振動子装置450の周囲の外側で、インターポーザ素子650と連動して延在する。すなわち、インターポーザ素子650を有する超音波振動子装置450の係合により、インターポーザ素子650は、少なくとも1つの横寸法において、超音波振動子装置450の周囲の外部で延在する。従って、各導体675、700のいずれかまたは両方は、超音波振動子装置450を有する導電係合を形成するように、インターポーザ素子650と超音波振動子装置450との間のインターフェースにインターポーザ素子650を通って延在する一端部を有してよく、そのような態様は、本明細書でさらに詳細に開示される。他の態様において、各導体675、700のいずれかまたは両方は、超音波振動子装置450が係合されるが、超音波振動子装置450の周囲の外部でインターポーザ素子650の表面に対して延在するように、インターポーザ素子650を通って延在する一端部を有してよい。このような場合、電極575、600は、例えば、ワイヤボンド処理などにおいて、各ワイヤボンドパッド250A、250Bに、その間で係合する個別の導体素子不図示によって導体675、700の第1端部675A、700Aと電気的に係合してよい。さらに、いくつかの態様において、超音波振動子装置450すなわち、pMUTは、基板の背面に第1電極575を接続するメタライゼーション貫通基板相互接続を含んでも、含まなくてもよい。従って、図4に示すように、いくつかの態様において、超音波振動子装置450の振動子素子の信号およびアーストレースは、超音波振動子装置450の周辺端部すなわち、ワイヤボンドパッド250A、250Bを有する導電係合へ送られ、インターポーザ素子650に関連する第1および第2導体675、700を有する導電係合において対応するワイヤボンドパッド250A、250Bにワイヤボンドされる。このような超音波振動子装置450の構成を使用することで、より少ないフォトマスク層は、例えば、振動子素子を製造するために使用され、従って、製造コストを低減する。しかしながら、超音波振動子装置450の設置面積横面積は、ワイヤボンドパッドを適用するためにより大きいことが必要とされ得る。例えば、2mm幅の超音波振動子装置450メタライゼーション貫通基板相互接続無しでは、約2.8mm~3mm幅のインターポーザ素子650を必要とし、12フレンチ4mmO.D.カテーテルの内腔内に適合する。しかしながら、ワイヤボンドパッド構成の代わりにメタライゼーション貫通基板相互接続を使用することで、導電係合が振動子素子の空気に支持されたキャビティに関連する導体層によってインターポーザ素子650に関連する導体675、700で形成されるように、ワイヤパッドに必要な追加の幅が取り除かれるので、超音波振動子装置450の幅は、約1.7mm~1.8mmに低減され、インターポーザ素子650は、また、実質的に同じ幅を有する。このような場合、メタライゼーション貫通基板相互接続を有する振動子素子の実行は、必要なカテーテルの大きさを8フレンチ2.7mmO.D.まで低減し得る。開示されるように、超音波振動子装置450は、例えば、適切な接着材またはエポキシ樹脂などの接着部材670によって表面660に固定されてよい。接着剤または他の固定機構が超音波振動子装置450と表面660との間の導電係合を形成することに含まれる場合に、例えば、異方性導電エポキシ樹脂などの導電部材は、インターポーザ素子650の表面660に超音波振動子装置450を固定するのに使用されてよい。場合によっては、振動子素子の音響支援を提供する、超音波振動子装置450をインターポーザ素子650に固定するために、例えば、タングステン充填エポキシ樹脂などの音響的吸収エポキシ樹脂を実施することが望ましい。超音波振動子装置450がインターポーザ素子650に関連する導体675、700にワイヤボンドされる場合、陶器エポキシ樹脂は、ワイヤボンド接続を覆うために使用され得る。いくつかの態様において、その第2端部675B、700Bが導電性パッド750図4参照を有する配列との導電係合にあるように、導体675、700は、インターポーザ素子650に対して横方向に延在し、インターポーザ素子650は、導体675、700の第2端部675B、700Bがパッド750を介して、対応する結合要素825、850例えば、図3参照を導電係合において超音波振動子装置450の周辺の外部で接続支持基板800と係合し、接続支持基板800によって支持されるように、接続支持基板800を受け取るおよび係合させる。結合要素825、850は、例えば、超音波振動子装置450に対して、外部信号リードを含んでよい。このように、いくつかの態様において、インターポーザ素子650および接続支持基板800と係合する、超音波振動子装置450は、超音波振動子装置450の素子平面500がカテーテル部材350の壁または軸に対して平行に延在し、少なくとも2つの接続部材825、850がカテーテル部材350の端部から離れて内腔400に沿って延在するようにすなわち、側面向きの超音波デバイスを形成するように、カテーテル部材350の壁によって画定される内腔400の端部において受け取られるように構成される。場合によっては、インターポーザ素子650に関連する導体675、700は、結合要素825、850と接続するためのパッド750に対して対応するワイヤボンドパッドの位置および構成により異なる長さであってよい。このように、場合によっては、インターポーザ素子650に関連する導体675、700は、導体675、700の電気抵抗間の差が最小限または実質的に除去されるように、変化する幅、若しくは、変化する断面寸法を有するように構成される。すなわち、導体675、700は、超音波振動子装置450の各振動子素子に延在する信号リードに対して実質的に一定のインピーダンスを達成し、維持するように構成されてよい。いくつかの態様において、接続支持基板800は、例えば、超音波振動子装置450を指示するインターポーザ素子650との係合を促進するためのフリップ-チップアライナ-ボンダに適合されるように構成されてよい。このように、インターポーザ素子650は、接続支持基板800に対して結合要素825、850の配列が超音波振動子装置450によって実施される配列における振動子素子の配列に対応するために必要とならないように、有利に構成されてよい。例えば、振動子素子の結合要素825、850のピッチおよび/または角度は、ピッチまたは電極面積から異なり、その対応は、当業者に明らかなように、必要または望まれる場合、インターポーザ素子650と関連する導体675、700を適切に構成することによって達成されてよい。インターポーザ素子650のこのような構成は、例えば、側面向きの1D1次元配列または超音波振動子装置450に対して、有利であってよい。例えば、図4に示すように、ワイヤ/接続要素の5×16配列は、インターポーザ素子650に関連する導体の適切な配列を通って超音波振動子装置450において振動子素子の1×64配列と係合されてよい。従って、このようなインターポーザ素子の実施は、超音波振動子装置450と接続するために使用される配線の選択すなわち、ケーブルごとにワイヤまたは接続要素の数と同様にワイヤピッチにおいて追加の柔軟性を提供してよく、また、導体素子間のノイズおよびクロストークを低減するために信号要素/ワイヤ間に組入れられる追加のアースリードを提供するためにより多くのワイヤ例えば、8×16または128ワイヤを有するワイヤ/接続要素配列の取り付けを許可する。図5Aは、インターポーザ素子650へ接続支持基板800およびその順次接続の形式で本開示の別の態様を模式的に示す。より具体的には、例えば、シリコンが含まれる接続支持基板800は、エッチングされた表面に対して実質的に垂直な側壁を通って延在するビア802を画定するために、例えば、DRIE処理を使用して、エッジングされる。接続支持基板800は、隣接するビア不図示間で電気絶縁を提供するために熱的に酸化される。接続要素例えば、要素825の1つは、そこを通って延在するようにビア802に挿入され、接続要素825は、非導電性エポキシ樹脂などの接着部材804で接続支持基板800に接着され、接続要素825が伸びる接続支持基板800の表面に対抗する接続支持基板800の表面に接続要素825周囲に適用される。例えば、微細ゲージ例えば、40~50AWGワイヤは、ビアに入れられ、空間を満たす真空チャンバにおいて低粘性エポキシ樹脂でビア内に埋め込まれる。場合によっては、接続要素825は、絶縁体によって囲まれる長細い導体を含んでよい。このような場合、絶縁体は、導体/接続要素825と接続支持基板800との間の電気絶縁を提供するように構成されてよい。他の場合、接続要素825が絶縁体を含まない場合、絶縁部材不図示は、ビア802を通って延在し、接続支持基板800から接続要素825を電気的に絶縁するように、接続支持基板800に配置される。図5Bに示すように、接続要素825が接続支持基板800に固定されると、接続要素825が伸びる接続支持基板800の表面は、露光された接続要素825の端部806を有する実質的に平坦な表面を生成するために例えば、機械研磨処理または化学機械研磨CMP処理によって、平坦化される。場合によっては、接続要素825とビア802を画定する壁との間の任意の間隔は、後続の処理で接続支持基板800のキャビティなしの平坦表面を提供するために例えば、非導電性エポキシ樹脂で充填され得る。例えば、一態様は、クロストークを低減すために各リボンの下、銅バックプレーンで個別に絶縁された46~48AWG銅ワイヤを含む、マイクロリボンケーブルを実行する。マイクロリボンケーブルは、個別のビアに導入される個別のワイヤよりも接続支持基板800へ一度に1列供給され得る。接続要素825および/または接続支持基板800は、インターポーザ素子650および/または関連するパッド750に順次接着される。このような一態様において、導電性接着部材808は、図5Cに示すように、例えば、はんだバンプを含んでよい。このような場合、接着は、はんだバンプを含むはんだをリフローすることによって生じる。別の態様において、導電性接着部材808は、金属すなわち、金、アルミ、または銅またはワイヤボンダを使用または電気めっきによって形成されるめっき金属スタッドバンプを含んでよく、このようなスタッドバンプは、直接金属接着を通って導電係合を提供するために熱圧縮接着され得る。異方性導電性エポキシ樹脂は、また、導電性接着部材808として実施されてよい。インターポーザ素子650に関連するパッド750で接続支持基板800に関連する接続要素825、850の整列は、例えば、フリップ-チップアライナ-ボンダを使用して達成し得る。パッド750に接着されると、接続要素825、850は、例えば、図6Aおよび図7Aに示すように、素子平面500に対して実質的に平行に延在しパッド750と接続要素825、850との間のインターフェースが素子平面500に対して垂直に延在する、カテーテル部材350のないくう00に沿って延在するように、約90度に曲げられる。いくつかの態様において、例えば、図6Aおよび図7Aに示すような、追加のエポキシ樹脂などの張力緩和要素810は、接続支持基板800とインターポーザ素子650との間のインターフェース同様に、パッド750と接続要素825、850との間のインターフェース上の張力を緩和するために、接続要素825、850とインターポーザ素子650との間に適用されてよい。本開示の他の態様は、図6Aおよび図6Bに提供され、超音波デバイス450は、例えば、垂直に統合された1Dまたは2D振動子配列すなわち、貫通基板相互接続を有するpMUT振動子装置を含む。このような場合、第1電極および第2電極575、600は、超音波振動装置450の一表面に対してアクセス可能であってよい。従って、超音波振動子装置450は、ワイヤボンドパッドおよび関連する導体の工順に対して超音波振動装置450とインターポーザ素子650の両方に対して追加の面積またはより長い横寸法を必要せずに、インターポーザ素子650と直接係合すなわち、ワイヤ接着なしでされてよい。このような場合、インターポーザ素子650は、インターポーザ素子650の表面660と係合する少なくとも1つの導電性トレース1000をさらに含み、トレース1000は、各導体675、700の第1端部675A、700Aとの導電係合であるように構成される。いくつかの態様において、超音波振動装置450は、例えば、間に位置する導電性はんだ要素、導電性スタッド要素、および導電性接着部材などの接着部材670を使用して、第1電極および第2電極575、600の1つと対応するトレース1000との間に導電係合が形成されるように、インターポーザ素子650と係合され得る。例えば、超音波振動装置450は、エポキシ樹脂、はんだバンプ、金スタッドバンプまたは直接めっき金属接着を使用してインターポーザ素子650の表面660と係合され得る。接続支持基板800は、導体675、700と接続要素825、850との間の導電係合を形成するように、同様に、接着部材670を介してインターポーザ素子650と係合されてよい。いくつかの態様において、インターポーザ素子650にシリコンが含まれてよいので、導体675、700および/またはトレース1000は、当業者に明らかなように、様々な半導体処理技術を使用して形成されてよい。例えば、導電性部材は、インターポーザ素子650に位置し、リソグラフィおよびエッチング、またはリフトオフ処理によってパターン形成されてよい。導電性部材が堆積され、導体675、700および/またはトレース1000が形成されると、二酸化ケイ素などの絶縁体は、例えば、異方性導電エポキシ樹脂が超音波振動装置450をインターポーザ素子650と係合させるために使用される場合、横電気伝導を防止するために導体675、700および/またはトレース1000で選択的に堆積されてよい。他の場合、導体675、700および/またはトレース1000を超える絶縁体の堆積は、超音波振動装置450とインターポーザ素子650との間のインターフェースの下、インターポーザ素子650に沿って延在する導体675、700とトレース1000との間で電気伝導を防止する。パッド750、導体675、700、およびトレース1000は、電気的絶縁体の層の間で堆積される絶縁体で、インターポーザ素子650に対して異なるメタライゼーション層として形成されてよい。例えば、パッド750をトレース1000に接続する導体675、700は、インターポーザ素子650内で第1メタライゼーション層として形成されてよいが、パッド750および/またはトレース1000は、表面660が露光されたままの第2メタライゼーション層として形成されてよい。トレース1000の露光された部分は、超音波振動装置450の電極の1つ、または、空気に支持されたキャビティを有するpMUTの場合、超音波振動装置450の一側面の電極575、600に直接接続のために実施されてよい。場合によっては、トレース1000の第2電極600は、pMUT不図示の空気に支持されたキャビティを含むビアにおいて堆積されるコンフォーマルなメタライゼーション層の方法で実施され得る。他の場合、同様の露光パッド不図示は、導体675、700の第2端部675B、700Bで提供され、超音波振動装置450の振動子素子は、小さいパッドを介して導体675、700と電気的に係合し得る。場合によっては、小さい露光パッドは、各導体の一部を含み、複数層のメタライゼーション要件を取り除いてよい。しかしながら、一部の態様において、信号リードの必要数が増加するように、インターポーザ素子650内で複数レベルのメタライゼーション層を含むことが有利である。例えば、2D振動子配列のため、インターポーザ素子650に関連する3~4レベルのメタライゼーション層は、一般に100μmオーダーの入手可能な導体ピッチの制限により最大16の屈曲ケーブル層を必要とする、超音波振動装置450を含む2D振動子配列への接続に近づく、例えば、屈曲ケーブル全体に有利である、約200~約400の要素の振動子要素数を必要としてよい。この点に関して、16層複数屈曲ケーブルは、とても高価で、製造するのが難しく、短絡の高い可能性により十分強固でない。約10μm~役50μmのより小さい導体ピッチは、改良した解決法を有するシリコンリソグラフィ技術を使用して、例えば、シリコンインターポーザ素子で製造し得る。一部の態様において、図7Aおよび図7Bに示すように、必要な場合あるいは望ましい場合、本明細書で開示される超音波振動装置450すなわち、pMUT振動子素子は、例えば、インターポーザ素子650を介して、ICまたは集積回路例えば、増幅器、マルチプレクサ、またはビーム形成器などの制御IC1100と係合してよい。例えば、IC1100は、例えば、はんだバンプ、金スタッドバンプ、金属スタッドバンプ、異方性導体エポキシ樹脂、またはほかの適切な電導性接続供給を使用して、超音波振動装置450と接続支持基板800との間のインターポーザ素子650/導体675、700と係合し得る。一例において、IC1100は、特定用途向け集積回路ASICとして構成され、インターポーザ素子650は、従って、超音波振動装置450に接近してASICの統合を促進するように構成されてよい。インターポーザ素子650との係合においてIC1100に対して統合され得るASIC機能は、配列内の振動子pMUT要素/装置によって生成され、送信モードと受信モードとの間でトグリング振動子要素/装置を多重化または切り換え、超音波システムによる受信信号の受領を促進するためのタイミングまたはビーム形成、および/または導体ごとに要素を多重化するために導体ごとの一要素から必要な導体の数を低減するための送信および受信チャンネルを多重化する、小さい受信電圧を向上させるために、例えば、増幅を含む。他の場合、IC110は、超音波システムから比較的小さい制御信号から比較的高い送信電圧を生成するための電荷ポンプ送信回路として構成されてよい例えば、IC1100は、マルチプレクサ、増幅器、ビーム形成器、および/または高電圧送信回路を含む。このようなASICは、超音波振動装置450の性能を向上させる例えば、高電気容量システム配線の送信の前の受信信号を増幅するおよび/またはカテーテル内に収容されるのに必要な接続要素の数を低減する例えば、要素の4:1または8:1多重化が適切に構成されるIC1100により信号を送信および/または受信する。このような態様において、インターポーザ素子650および導体675、700は、接続支持基板800を介して、超音波振動装置450およびパッド750/接続要素825、850と連通してIC1100または多重ICの統合を促進するために、超音波振動装置450を受け取るすなわち、導体675、700と連通する露光された導電パッドで配置と同じように構成されてよい。本明細書で説明した本開示の多くの修正および他の態様は、これらの開示が前述の説明および関連する図面で示す技術の利点に関係する当業者に明らかだろう。例えば、本明細書で開示するような例示的な方法およびその態様は、また、他の本明細書で開示されるように関連する装置を有してよい。このように、本明細書の装置または方法は、本開示の範囲内でこのようなアドレスに適切に適用される。また、側面向きのカテーテルにおける振動子pMUT配列に関する別の態様において、図8Aおよび図8Bに示すように、超音波振動装置450、インターポーザ素子650、および接続支持基板800は、インターポーザ素子650および接続支持基板800の長さすなわち、~2cmを収容するように構成する大きさの、カテーテル振動子チップ1220の内側でカテーテル架台1200に取り付けられてよい。例えば、インターポーザ素子650は、64要素1D振動子pMUTの長さで約14.5mmであり、配列長さは、約10.5mmであってよい。~200要素および2mm×2mmの大きさを有する2D振動子pMUTのために、インターポーザ素子650は、長さで、約6mmであり得る。カテーテル振動子チップ1220は、対抗する遠位および近接端部で密閉されてよいが、例えば、グリセリン、ポリエチレングリコールまたはシリコンオイルなどの音響継手流体1240で充填される。導電要素すなわち、マイクロリボンまたは他の配線は、カテーテル振動子チップ1220近接端部を通って、カテーテル部材350によって画定される内腔400に沿って延在し、カテーテル部材350の近接端部について、回路基板不図示などの電子デバイスで終了する。カテーテル部材350の遠位端部について、円形カテーテルキャップ1260は、心臓内または血管内イメージング処理などの医療処置中にカテーテル部材350の挿入を促進するために、カテーテル振動子チップ1220と係合またはそれに形成される。カテーテル振動子チップ220は、また、超音波振動装置450と対向する、内腔400を画定するカテーテル部材350の壁と係合する音響レンズ1280を含んでよい。このような1D配列が高度に焦点を合わせることができないので、受動レンズは、1D振動子配列すなわち、高度の1要素のみの画像解像度を向上させるために実施されてよく、一方、2D振動子配列は、レンズを必要としない、高度焦点能力を有してよい。カテーテル部材350は、超音波振動装置450に対して音響送信能力を必要とする、カテーテル振動子チップ1220の壁に対して非常に有益である、例えば、低音響インピーダンスおよび低吸収を示す、例えば、Pebax登録商標または任意の他の適切な材料が含まれる。カテーテル部材350の残りの部分は、患者の体内を通ってカテーテル部材350の押付け可能なチップに近接するカテーテルシャフトにおいて、例えば、チップおよび剛性の可動のために遠位カテーテルチップの近くで柔軟性を提供するために、適切な弾性係数および/または突っ張り強度を示す、Pebax登録商標または任意の他の適切な材料が含まれる。従って、開示が開示された特定の態様に限定されず、改良および他の態様が添付の特許請求の範囲の範囲内に含まれることは、理解されるだろう。特定の用語が本明細書で採用されているが、それらは、包括的および記述的な意味で使用され、限定する目的ではない。