"第1のノードと第2のノードとの間に接続され、該第1のノードからの信号入力を増幅し、該第2のノードから信号出力する第1のトランジスタと、前記第1のノードと前記第2のノードとの間に接続されると共に前記第1のトランジスタに並列接続され、該第1のノードからの信号入力を増幅し、該第2のノードから信号出力する第2のトランジスタと、前記第2のノードから信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも小さくするときには、前記第1のトランジスタのみ動作するようにバイアス電圧を印加し、前記第2のノードから信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも大きくするときには、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの両方が動作するようにバイアス電圧を印加するバイアス制御回路とを備えた可変出力増幅器。前記第1のトランジスタと前記第2のノードとの間に接続され、信号周波数において所定の電気長を有し、且つ特性インピーダンスを該第2のノードから出力側を見た負荷インピーダンスよりも大きい値に設定した第1のマイクロストリップ線路と、前記第1のノードと前記第2のトランジスタとの間に接続され、信号周波数において前記第1のマイクロストリップ線路と同一の電気長を有する第2のマイクロストリップ線路とを備えたことを特徴とする請求項1記載の可変出力増幅器。前記第1のトランジスタと前記第2のノードとの間に接続され、直列接続される第1のインダクタ、並列接続される第1のキャパシタおよび第2のキャパシタからなり、信号周波数において所定の電気長を有し、且つ特性インピーダンスを該第2のノードから出力側を見た負荷インピーダンスよりも大きい値に設定した第1の整合回路と、前記第1のノードと前記第2のトランジスタとの間に接続され、直列接続される第2のインダクタ、並列接続される第3のキャパシタおよび第4のキャパシタからなり、信号周波数において前記第1の整合回路と同一の電気長を有する第2の整合回路とを備えたことを特徴とする請求項1記載の可変出力増幅器。前記第1のトランジスタと前記第2のノードとの間に接続され、インダクタ、キャパシタ、および当該第1の整合回路を活かすかまたはバイパスするか切替え可能な第1のスイッチからなり、信号周波数において所定の電気長を有し、且つ特性インピーダンスを該第2のノードから出力側を見た負荷インピーダンスよりも大きい値に設定した整合回路と、前記第1のノードと前記第2のトランジスタとの間に接続され、導通するかまたは遮断するか切替え可能な第2のスイッチとを備え、前記バイアス制御回路は、前記第2のノードから信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも小さくするときには、前記第1のスイッチにより前記整合回路を活かし、前記第2のスイッチにより遮断し、前記第2のノードから信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも大きくするときには、前記第1のスイッチにより前記整合回路をバイパスし、前記第2のスイッチにより導通するように制御信号を出力することを特徴とする請求項1記載の可変出力増幅器。従来の可変出力増幅器は以上のように構成されているので、低出力時に、バイパス経路を経由して信号を出力するため、バイパス経路の回路損失によって、低出力時の効率が低下する課題があった。本発明は、前記課題を解消するために設けられたものであり、低出力時の回路損失を低減し、低出力時の効率を高める可変出力増幅器を得ることを目的とする。本発明の可変出力増幅器は、第1のトランジスタと共に並列接続された第2のトランジスタと、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも小さくするときには、第1のトランジスタのみ動作するようにバイアス電圧を印加し、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも大きくするときには、第1のトランジスタと第2のトランジスタとの両方が動作するようにバイアス電圧を印加するバイアス制御回路とを備えたものである。本発明によれば、低出力時および高出力時に関わらずバイパス経路を用いずに、トランジスタの信号出力をそのまま出力するため、低出力時の回路損失を低減し、低出力時の効率を高めることができる効果がある。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による可変出力増幅器を示す回路図である。図1において、可変出力増幅器は、RF入力端子1、整合回路2、トランジスタ3、整合回路4、トランジスタ5、マイクロストリップ線路6、整合回路7、RF出力端子8の順で接続される。また、ノードAとノードCとの間に、マイクロストリップ線路9、整合回路10、トランジスタ11の順で並列に接続される。バイアス制御回路12は、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも小さくするときには、トランジスタ5のみが動作し、トランジスタ11がオフ状態となるようなバイアス電圧をトランジスタ5,11に印加する。また、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも大きくするときには、トランジスタ5,11の両方が動作するようなバイアス電圧をトランジスタ5,11に印加する。また、マイクロストリップ線路6,9は、共に信号周波数において90deg.の電気長を有し、且つ、マイクロストリップ線路6は、信号周波数において特性インピーダンスをノードCから出力側を見た負荷インピーダンスよりも大きい値に設定する。なお、マイクロストリップ線路9の特性インピーダンスは、回路条件に応じて任意に設定する。次に動作について説明する。携帯電話端末のベースバンド集積回路図示せずからバイアス制御回路12に対して、RF信号出力の増幅度dBあるいはRF信号出力する平均電力レベルdBmが制御信号として与えられる。バイアス制御回路12は、RF信号出力する平均電力レベルが所定の値よりも小さいときには、トランジスタ5のみが動作し、トランジスタ11がオフ状態となるようなバイアス電圧をトランジスタ5,11に印加する。ここで、所定の値は、トランジスタ5,11の飽和電力等に基づいて、ユーザが実際に携帯電話端末を利用しているときの消費電力が最小になるような値が予め設定されている。このとき、RF入力端子1からの信号入力は、トランジスタ3により一旦増幅され、トランジスタ5により更に増幅され、RF出力端子8より信号出力される。整合回路2,4,7は、各箇所においてインピーダンス整合を行う。また、トランジスタ11は、オフ状態であるから、ノードA、トランジスタ11、ノードCの経路は、信号が伝送されない。バイアス制御回路12は、RF信号出力する平均電力レベルが所定の値よりも大きいときには、トランジスタ5,11の両方が動作するようなバイアス電圧をトランジスタ5,11に印加する。このとき、RF入力端子1からの信号入力は、トランジスタ3により一旦増幅される。一旦増幅された信号入力は、ノードAにより分岐され、トランジスタ5,11の両方により更に増幅される。さらに、ノードCにより合成され、RF出力端子8より信号出力される。整合回路2,4,7,10は、各箇所においてインピーダンス整合を行う。以上のように、実施の形態1によれば、低出力時および高出力時に関わらずバイパス経路を用いずに、トランジスタ5,11でそれぞれ増幅された信号出力をそのまま出力するため、低出力時の回路損失を低減し、低出力時の効率を高めることができる。また、実施の形態1によれば、信号周波数において特性インピーダンスをノードCから出力側を見た負荷インピーダンスZL1よりも大きい値に設定したマイクロストリップ線路6を備えた。よって、低出力時にマイクロストリップ線路6によりインピーダンス変換作用が得られ、トランジスタ5の出力端ノードBから出力側を見たインピーダンスZLmainをより高くし、これにより、低出力時の高効率動作が可能になり、低出力時の消費電力を削減することができる。さらに、実施の形態1によれば、信号周波数においてマイクロストリップ線路6と同一の90deg.の電気長を有するマイクロストリップ線路9を備えた。よって、ノードCで合成される各信号出力の位相を一致させることができる。実施の形態2.図2はこの発明の実施の形態2による可変出力増幅器を示す回路図である。図2において、整合回路21は、マイクロストリップ線路6に代えて設けられ、整合回路31は、マイクロストリップ線路9に代えて設けられる。整合回路21において、インダクタ22は、ノードBとノードCとの間に直列接続され、キャパシタ23,24は、インダクタ22のノードB側およびノードC側とグランドとの間に接続される。整合回路31において、インダクタ32は、ノードAと整合回路10との間に直列接続され、キャパシタ33,34は、インダクタ32のノードA側および整合回路10側とグランドとの間に接続される。整合回路21,31は、共に信号周波数において所定の電気長を有し、且つ、整合回路21は、信号周波数において特性インピーダンスをノードCから出力側を見た負荷インピーダンスよりも大きい値に設定する。なお、整合回路31の特性インピーダンスは、回路条件に応じて任意に設定する。その他の構成については図1と同一である。また、動作については、前記実施の形態1と同一である。以上のように、実施の形態2によれば、信号周波数において特性インピーダンスをノードCから出力側を見た負荷インピーダンスZL1よりも大きい値に設定した整合回路21を備えた。よって、低出力時に整合回路21によりインピーダンス変換作用が得られ、トランジスタ5の出力端ノードBから出力側を見たインピーダンスZLmainをより高くし、これにより、低出力時の高効率動作が可能になり、低出力時の消費電力を削減することができる。さらに、実施の形態2によれば、信号周波数において整合回路21と同一の電気長を有する整合回路31を備えた。よって、ノードCで合成される各信号出力の位相を一致させることができる。実施の形態3.図3はこの発明の実施の形態3による可変出力増幅器を示す回路図である。図3において、スイッチ付き整合回路41は、整合回路21に代えて設けられ、スイッチ51は、整合回路31に代えて設けられる。図4はスイッチ付き整合回路の詳細を示す回路図である。図4において、スイッチ42は、インダクタ22に並列に接続され、スイッチ43,44は、キャパシタ23,24のインダクタ22側にそれぞれ直列に接続される。また、バイアス制御回路52は、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも小さくするときには、スイッチ42,51をオフ状態、スイッチ43,44をオン状態にする制御信号をスイッチ42~44,51に出力する。また、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも大きくするときには、スイッチ42,51をオン状態、スイッチ43,44をオフ状態にする制御信号をスイッチ42~44,51に出力する。その他の構成については図2と同一である。次に動作について説明する。バイアス制御回路52は、RF信号出力する平均電力レベルが所定の値よりも小さいときには、トランジスタ5のみが動作し、トランジスタ11がオフ状態となるようなバイアス電圧をトランジスタ5,11に印加する。また、同時にスイッチ42,51をオフ状態、スイッチ43,44をオン状態にする制御信号をスイッチ42~44,51に出力する。このとき、図4におけるスイッチ付き整合回路41は、ノードBとノードCとの間において、インダクタ22およびキャパシタ23,24が活かされた状態となる。よって、前記実施の形態2と同様に、低出力時にスイッチ付き整合回路41によりインピーダンス変換作用が得られ、トランジスタ5の出力端ノードBから出力側を見たインピーダンスZLmainをより高くし、これにより、低出力時の高効率動作が可能になり、低出力時の消費電力を削減することができる。また、スイッチ51は、オフ状態であるから、ノードA、スイッチ51、整合回路10、トランジスタ11、ノードCの経路は、信号が伝送されない。バイアス制御回路52は、RF信号出力する平均電力レベルが所定の値よりも大きいときには、トランジスタ5,11の両方が動作するようなバイアス電圧をトランジスタ5,11に印加する。また、同時にスイッチ42,51をオン状態、スイッチ43,44をオフ状態にする制御信号をスイッチ42~44,51に出力する。このとき、図4におけるスイッチ付き整合回路41は、ノードBとノードCとの間において、インダクタ22がバイパスされ、キャパシタ23,24が遮断された状態となる。よって、スイッチ付き整合回路がバイパスされた状態となる。また、スイッチ51は、オン状態であるから、ノードA、スイッチ51、整合回路10、トランジスタ11、ノードCの経路は、信号が伝送される。ここで、スイッチ付き整合回路がバイパスされた状態なので、図2に示した整合回路31を設けることなく、ノードCで合成される各信号出力の位相を一致させ、回路構成を小型化することができる。以上のように、実施の形態3によれば、前記実施の形態2における整合回路21に代えて、整合回路を活かすかまたはバイパスするか切替え可能なスイッチ42~44を有するスイッチ付き整合回路41を備えると共に、整合回路31に代えて、導通するかまたは遮断するか切替え可能なスイッチ51を備えた。よって、高出力時に整合回路をバイパスすることから、トランジスタ5の出力端ノードBから出力側を見たインピーダンスZLmainを低く維持することができると共に、整合回路31を設けることなく、ノードCで合成される各信号出力の位相を一致させ、回路構成を小型化することができる。また、実施の形態3によれば、高出力時に整合回路をバイパスするので、低出力時の整合回路に設定される特性インピーダンスを高出力時に関わりなく設定することができる。よって、トランジスタ5の出力端ノードBから出力側を見たインピーダンスZLmainを、前記実施の形態2よりも更に高くさせることができ、低出力時の高効率動作が更に可能になり、低出力時の消費電力を更に削減することができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは実施の形態の任意の構成要素の省略が可能である。"