"積み重ねられた第1および第2パッケージを具備するマルチパッケージモジュールであって、前記パッケージのそれぞれは、基板に取り付けられたダイスを有し、第1および第2の基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、前記第1パッケージは、上向きダイス構成のフリップチップを有するフリップチップボールグリッドアレイパッケージを具備することを特徴とするマルチパッケージモジュール。第1パッケージ基板を有する上向きダイスフリップチップ第1パッケージを供給し、ダイスおよび第2パッケージ基板を有する第2パッケージを供給し、前記第1パッケージ上に前記第2パッケージを積み重ね、前記第1パッケージ基板と第2パッケージ基板とをワイヤボンド接続することにより、前記第1および第2パッケージを電気的に相互接続することを特徴とするマルチパッケージモジュールの形成方法。第1基板と、該第1基板上に形成された第1金属レイヤとを有する第1パッケージを供給し、第2基板と、ダイスと、前記第2基板上に形成された第2金属レイヤと、前記ダイスと前記第2金属レイヤとを電気的に接続する第1ワイヤボンドとを有する第2パッケージを供給し、前記第1パッケージ上に前記第2パッケージを積み重ね、そして、第2ワイヤボンドにより前記第1パッケージの第1金属レイヤおよび前記第2パッケージの第2金属レイヤ間の電気的相互接続を形成することを特徴とするマルチパッケージモジュールの形成方法。本発明は、積み重ねられたパッケージを有するマルチパッケージモジュールを提供することを目的とする。本発明によれば、MPMの積み重ねられたパッケージ間のz軸相互接続は、ワイヤボンドがベースとなる。一般的に、本発明は、様々な積み重ねられたパッケージにおける様々な構成、およびワイヤボンディングベースのz軸相互接続による様々なパッケージにおける積み重ね方法ならびに相互接続方法により特徴付けられる。本発明に係るマルチパッケージモジュールにおいて、パッケージの積み重ねは、様々なBGAパッケージのいずれかおよび/または様々なランドグリッドアレイLGAパッケージのいずれかを含むことができる。すなわち、パッケージの積み重ねは、ワイヤボンドおよび/またはフリップチップパッケージを含むとしてもよいし、積み重ね内または上における1またはそれ以上のヒートスプレッダにより可能となる熱促進の特徴を含むとしてもよいし、トップまたはボトムのBGAまたはLGAのいずれかにボンドされたフリップチップダイスを有する1またはそれ以上のパッケージを含むとしてもよいし、積み重ねられまたは並んだパッケージにおいて1より多いダイスを有する1またはそれ以上のBGAおよび/またはLGAを含むとしてもよいし、1またはそれ以上のパッケージの電磁遮蔽を含むとしてもよいし、ラミネート、ビルドアップ、フレキシブルまたはセラミックのような、z軸相互接続パッドがパッケージの周辺にボンディング可能であるいずれの基板を含むとしてもよい。全体的な一態様において、本発明は、積み重ねられた下側および上側パッケージを有するマルチパッケージモジュールであることを特徴とし、それぞれのパッケージは、基板に取り付けられるダイスを有し、上側および下側基板は、ワイヤボンディングにより相互接続される。本発明は、優れた加工性、高い設計自由度、および低コストにより、低い高さおよび小さい上面スペースを有する積み重ねられたパッケージモジュールを製造することを提供する。ワイヤボンドz軸相互接続は、産業界でよく確立されており、最小のコストの相互接続技術であり、大きく変更することなく本発明の積み重ねられたマルチパッケージモジュールに直接的に応用可能である。これはまた、ワイヤ長さによりブリッジされるLGAに対するBGAの相対サイズのための設計自由度を提供する。利用可能な技術および装置を用いることにより、ワイヤボンドにおけるワイヤは、短いもので0.5mm、長いもので5mmである。z軸相互接続パッドは、BGAおよびLGAのいずれかまたは両方の基板設計を通じて実現可能である。さらに、本発明に係るワイヤボンドを用いることにより、z軸相互接続は、産業界で現在用いられている、いわゆる不連続ボンディングを採用することにより、お互いに正確に配列されないパッド間で形成される。ワイヤボンディングピッチは、産業界における最も微細に利用可能技術で現在50ミクロンであり、25ミクロンにすべく計画されている。これにより、より多くのz軸相互接続が可能となる。加工性および設計自由度は、いずれもMPMの低コスト化に貢献する。一般的なBGAまたはLGAの最小限の上面スペースは、ダイスのサイズに対し1.7mm大きい。本発明に係るz軸相互接続ボンドパッドの付加は、BGAサイズを最小で0.8mm増大させる。典型的なBGAの厚さは、1.0mmであり、LGAの厚さは、0.8mmである典型的な接着剤の厚さは、0.025mmから0.100mmの範囲である。本発明に係る積み重ねられたパッケージMPMの上面スペースおよび厚さは、いずれも大部分の応用に受け入れられる範囲内に落ち着いている。実施形態によって、マルチパッケージモジュールは、3またはそれ以上のパッケージを有し、連続的に固定されて、積み重ねを形成する。他の態様において、本発明は、積み重ねられた第1ボトムおよび第2トップパッケージを有し、それぞれのパッケージは、基板に取り付けられ、基板にワイヤボンディングにより接続されたダイスを有し、トップパッケージ基板およびボトムパッケージ基板は、ワイヤボンディングにより相互接続されることを特徴とする。実施形態によっては、それぞれのパッケージは、モールド物質により十分にカプセル化される。他の実施形態においては、少なくとも1つのパッケージは、後の処理およびテストの間、ダイスおよび基板の間のワイヤボンドを保護するために十分な範囲のみカプセル化される。実施形態によっては、第2パッケージは、LGAパッケージであり、そのような実施形態においてはさらに、当該LGAパッケージ基板は、単一金属レイヤ基板であってもよい。他の態様において、本発明は、積み重ねられた第1ボトムおよび第2トップパッケージを有するマルチパッケージモジュールであって、ボトムパッケージは、BGAパッケージであり、それぞれのパッケージは、基板に取り付けられたダイスを有し、トップパッケージ基板および前記BGAパッケージ基板は、ワイヤボンディングにより相互接続されることを特徴とする。また、他の態様において、本発明は、積み重ねられたパッケージを有するマルチパッケージモジュールであって、少なくとも1つのパッケージは、電気遮蔽材を備えていることを特徴とする。このような構成においては、電気遮蔽材は、ヒートスプレッダにより付加的に構成することとしてもよい。実施形態によっては、電気遮蔽材を備えるパッケージは、RFダイスを有し、当該電気遮蔽材は、マルチパッケージモジュールにおけるRFダイスと他のダイスとの間の電磁干渉を制限するのに用いられる。実施形態によって、ボトムパッケージは、電気遮蔽材を備えている。他の態様において、本発明は、積み重ねられた第1ボトムおよび第2トップパッケージを有するマルチパッケージモジュールであって、ボトムパッケージは、上向きダイス構成のフリップチップBGAパッケージであり、トップ基板およびボトムパッケージは、ワイヤボンディングにより相互接続されることを特徴とする。実施形態によっては、トップパッケージは、積み重ねられたダイスのパッケージであり、実施形態によっては、積み重ねられるダイスのパッケージにおいて隣接して積み重ねられるダイスは、スペーサにより分離可能とされる。また、実施形態によっては、ボトムパッケージ上のフリップチップダイスは、電気遮蔽材を備えている。実施形態によっては、ボトムパッケージ基板は、接地面に設けられ、当該接地面は、熱の散逸のためおよび電気遮蔽材としても構成される。他の態様において、本発明は、積み重ねられた第1ボトムおよび第2トップパッケージを有するマルチパッケージモジュールであって、ボトムパッケージは、下向きダイス構成のフリップチップを有するフリップチップBGAであり、トップ基板およびボトムパッケージは、ワイヤボンディングにより相互接続されることを特徴とする。実施形態によっては、ボトムパッケージ上のフリップチップダイスは、電気遮蔽材を備えている。他の態様において、本発明は、積み重ねされる第1ボトムおよび第2トップパッケージを有するマルチパッケージモジュールであって、それぞれのパッケージは、基板に取り付けられ、ワイヤボンディングにより基板に接続されたダイスを有し、トップパッケージ基板およびボトムパッケージ基板は、ワイヤボンディングにより相互接続され、ボトムパッケージおよびトップパッケージの少なくとも1つは、積み重ねられたダイスのパッケージであることを特徴とする。実施形態によっては、トップパッケージおよびボトムパッケージの両方ともが積み重ねられたダイスのパッケージである。他の全体的な態様において、本発明は、マルチパッケージモジュールを形成する方法であって、第1ボトムパッケージ基板上に少なくとも1つのダイスを有する第1ボトムパッケージを形成し、第1パッケージの上に第2トップパッケージ基板の上に少なくとも1つのダイスを有する第2トップパッケージを配置し、そして、第1および第2トップおよびボトム基板間においてワイヤボンドz軸相互接続を形成することを特徴とする。有益なことに、これらパッケージは、アッセンブル前にテスト可能であり、合格としてテストされた第1パッケージおよび第2パッケージのみがアッセンブルされたモジュールに好適に用いられるように、要求される性能または信頼性に適合しないパッケージは、排除することができる。一態様において、本発明は、BGAパッケージ上に積み重ねられたLGAパッケージを有するマルチパッケージモジュールの形成方法であって、トップおよびボトムパッケージは、ワイヤボンディングにより電気的に相互接続される。本態様によれば、BGAパッケージは、通常、モールドされたBGAパッケージにおける個片化されていないストリップに備えられる。好ましくは、ストリップ内のBGAパッケージは、性能および信頼性についてテストされ、合格と判明したパッケージは、後の処理に供される。接着剤は、合格したBGAパッケージ上のダイスの上側表面に塗布される。個片化してモールドされたランドグリッドアレイパッケージを具備し、好ましくは、LGAパッケージは、テストして、合格と判明したものであり、合格したLGAパッケージは、合格したBGAパッケージのダイス上の接着剤上に配置して、接着剤を硬化させる。選択的および好ましくは、MPMダイスの形成の後に、プラズマクリーン処理が実施されてもよい。さらなるステップは、モジュールの下側に第2次相互接続はんだボールの取り付けを有し、テストおよびストリップから完成したモジュールの個片化、例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化を行い、さらなる使用のためにパッケージングする。実施形態によっては、LGAトップパッケージは、十分にモールドされ、略平面であるLGAパッケージの上側表面を具備し、他の実施形態によっては、LGAパッケージのダイス表面全体ではないワイヤボンドは、モールドされ、LGAのダイスは、モールドコンパウンドをダイスおよびLGAパッケージ基板の周辺部周りに塗布されることによって実現される。他の態様において、本発明は、BGAパッケージ上にLGAパッケージを積み重ねられたマルチパッケージモジュールを形成する方法であって、トップおよびボトムパッケージをワイヤボンディングにより電気的に接続し、ボトムパッケージは、電磁遮蔽されることを特徴とする。この態様によれば、ボールグリッドアレイパッケージ、一般的に個片化していないBGAパッケージが適用される。BGAパッケージは、ダイス上に固定された遮蔽材が適用される。好ましくは、ストリップのBGAパッケージは、性能および信頼性のテストを受け、合格と認められ、以降の工程に提出されたパッケージが採用される。接着剤は、合格したBGAパッケージの遮蔽材の上側表面上に塗布される。そして、個片化してモールドされたランドグリッドアレイパッケージが適用される。好ましくは、LGAパッケージは、テストされ、合格と認められたものである。合格したLGAパッケージは、遮蔽材上の接着剤上に取り付けられ、接着剤を硬化させる。付加的におよびより好ましく、プラズマクリーン処理は、積み重ねられたトップLGAおよびボトムBGA間のワイヤボンドによるz軸相互接続の形成後に行われる。付加的におよびより好ましく、追加のプラズマクリーンがMPMモールドの形成後に施されてもよい。さらなるステップとして、モジュールの下側に第2次相互接続はんだボールを取り付ける。テストし、ストリップから完成されたモジュールを例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化により、個片化する。そして、さらなる使用のためにパッケージングする。実施形態によっては、本方法は、ヒートスプレッダをマルチパッケージモジュールに供給するステップを有する。本発明のこの態様において、ドロップインモールド処理により支持されたヒートスプレッダを中間挿入する、または、付加的なステップにより同様の工程が施される。単に平面のヒートスプレッダをドロップインモールド処理したり、トップパッケージダイスの上側表面またはトップパッケージ上のスペーサの上側表面に接着剤を適用し、当該接着剤の上に平面のヒートスプレッダを取り付けたりすることにより挿入する。他の態様において、本発明は、下向きダイスフリップチップBGAボトムパッケージ上に積み重ねられたトップパッケージを有するマルチパッケージモジュールの形成方法であって、トップおよびボトムパッケージは、ワイヤボンディングにより電気的に接続されルことを特徴とする。本態様によれば、下向きダイスフリップチップBGAボトムパッケージ、付加的にモールドされたものであり、一般的に、下向きダイスフリップチップボールグリッドアレイボトムパッケージの個片化されていないストリップが適用される。好ましくはストリップのBGAパッケージは、性能および信頼性のテストを受け、合格と認められたパッケージが以降の処理に供される。接着剤は、合格のBGAパッケージのダイスの上側表面裏面に塗布される。個片化されたトップパッケージ例えば、ランドグリッドアレイパッケージは、付加的にモールドされたものであり、好ましくは、LGAパッケージは、テストされ、合格と認められたものである。合格のLGAパッケージは、遮蔽材を超えて接着剤の上に配置され、接着剤が硬化する。付加的にまたは好ましくは、プラズマクリーン処理は、積み重ねられたトップLGAおよびボトムBGAパッケージの間のワイヤボンドによるz軸相互接続の形成の後に施される。付加的にまたは好ましくは、追加のプラズマクリーンがMPMモールドの形成の後に施されてもよい。さらなるステップとして、モジュールの下側に第2次相互接続はんだボールを取り付ける。テストし、ストリップから完成されたモジュールを例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化により、個片化する。そして、さらなる使用のためにパッケージングする。他の態様において、本発明は、下向きダイスフリップチップBGAボトムパッケージ上に積み重ねられたトップパッケージを有するマルチパッケージモジュールの形成方法であって、トップおよびボトムパッケージは、ワイヤボンディングにより電気的に接続され、ボトムパッケージは、電気遮蔽が施されることを特徴とする。この態様によれば、遮蔽されていないボトムフリップチップボトムパッケージにおいて、ボトムパッケージフリップチップダイス上に遮蔽材を中間挿入する付加的なステップにより、上述したのと同様の性能が得られる。下向きダイスフリップチップBGAボトムパッケージは、付加的にモールドされたものであり、一般的に下向きダイスフリップチップボールグリッドアレイボトムパッケージの個片化されていないストリップが適用される。好ましくは、ストリップのBGAパッケージは、性能および信頼性のテストを受け、合格と認められたパッケージが以降の処理に供される。電気遮蔽材は、合格のボトムBGAパッケージ上のダイス上に取り付けられる。接着剤は、合格のBGAパッケージのダイスの上側表面裏面に塗布される。個片化されたトップパッケージ例えば、ランドグリッドアレイパッケージは、付加的にモールドされたものであり、好ましくは、LGAパッケージは、テストされ、合格と認められたものである。合格のLGAパッケージは、遮蔽材を超えて接着剤の上に配置され、接着剤が硬化する。付加的にまたは好ましくは、プラズマクリーン処理は、積み重ねられたトップLGAおよびボトムBGAパッケージの間のワイヤボンドによるz軸相互接続の形成の後に施される。付加的にまたは好ましくは、追加のプラズマクリーンがMPMモールドの形成の後に施されてもよい。さらなるステップとして、モジュールの下側に第2次相互接続はんだボールを取り付ける。テストし、ストリップから完成されたモジュールを例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化により、個片化する。そして、さらなる使用のためにパッケージングする。他の態様において、本発明は、上向きダイスフリップチップBGAボトムパッケージ上に積み重ねられたトップパッケージを有するマルチパッケージモジュールの形成方法であって、トップおよびボトムパッケージは、ワイヤボンディングにより電気的に相互接続されることを特徴とする。本態様によれば、上向きダイスフリップチップボールグリッドアレイパッケージは、通常モールドされたものではなく、通常、上向きダイスフリップチップボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップとして適用される。好ましくは、ストリップのBGAパッケージは、性能および信頼性のテストを受け、合格と認められたパッケージが以降の処理に供される。接着剤は、合格のBGAパッケージのダイスの上側表面裏面に塗布される。そして、第2パッケージが適用される。これは、実施形態によっては、積み重ねられたダイスのパッケージであり、付加的および一般にモールドされたものである。好ましくは、LGAパッケージであり、テストされ、合格と認められたものである。合格のLGAパッケージは、接着剤の上に配置され、接着剤が硬化する。付加的にまたは好ましくは、プラズマクリーン処理は、積み重ねられたトップLGAおよびボトムBGAパッケージの間のワイヤボンドによるz軸相互接続の形成の後に施される。付加的にまたは好ましくは、追加のプラズマクリーンがMPMモールドの形成の後に施されてもよい。さらなるステップとして、モジュールの下側に第2次相互接続はんだボールを取り付ける。テストし、ストリップから完成されたモジュールを例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化により、個片化する。そして、さらなる使用のためにパッケージングする。他の態様において、本発明は、積み重ねられたダイスボトムパッケージ上に積み重ねられたトップパッケージを有するマルチパッケージモジュールの形成方法であって、トップおよびボトムパッケージは、ワイヤボンディングにより電気的に相互接続されることを特徴とする。この態様によれば、積み重ねられたダイスBGAパッケージは、一般的にモールドされたものが適用され、積み重ねられたダイスボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが一般的に適用される。好ましくは、ストリップのBGAパッケージは、性能および信頼性のテストを受け、合格と認められたパッケージが以降の処理に供される。接着剤は、合格の積み重ねられたダイスBGAパッケージの上側表面、一般的にはパッケージダイスの平面である上側表面に、塗布される。そして、個片化された第2パッケージは、一般的にモールドされたものが適用される。付加的には、積み重ねられたダイスのパッケージである。好ましくは、第2パッケージは、テストされ、合格と認められたものである。合格のLGAパッケージは、接着剤の上に配置され、接着剤が硬化する。付加的にまたは好ましくは、プラズマクリーン処理は、積み重ねられたトップLGAおよびボトムBGAパッケージの間のワイヤボンドによるz軸相互接続の形成の後に施される。付加的にまたは好ましくは、追加のプラズマクリーンがMPMモールドの形成の後に施されてもよい。さらなるステップとして、モジュールの下側に第2次相互接続はんだボールを取り付ける。テストし、ストリップから完成されたモジュールを例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化により、個片化する。そして、さらなる使用のためにパッケージングする。本方法の実施形態によっては、2またはそれ以上の第1モールドされたパッケージが個片化されていないストリップに備えられ、2またはそれ以上のモジュールのアッセンブリは、ストリップにおいて進められ、2またはそれ以上のモジュールの個片化がアッセンブリの完了後行われる。本発明に係るマルチパッケージモジュールの形成方法において、積み重ねられたパッケージ間の電気的接続は、既知のワイヤボンディングを採用し、積み重ねの上側および下側パッケージ基板間のz軸相互接続を形成する。特別な利点は、確立された製造設備の使用、低生産コスト、設計自由度、およびパッケージ製品の薄型化にある。z軸相互接続ワイヤボンディングは、様々なパッケージおよびモジュール構成において、第2パッケージ基板上の伝導パッドに形成された隆起部から第1パッケージ基板上の伝導パッドへのワイヤの線引きまたは第1パッケージ基板上の伝導パッドに形成された隆起部から第2パッケージ基板上の伝導パッドへのワイヤの線引きにより実現される。本発明は、薄く、最小限の上面スペースパッケージ内で、最小コストで最大の最終テスト歩留まりを達成する1以上の半導体アッセンブリを提供する。さらに、本発明の積み重ね構成によっては、デジタル機器のRF構成における高い熱性能、高い電気性能または電気絶縁を可能にする。他の積み重ね構成は、手のひらサイズまたは消費者用機器のために用いられる非常に薄い構造を提供する。アッセンブリのための方法が提供するすべてのことは、積み重ねられたパッケージについて個々のテストが可能であり、モジュールの最終品を最大限多くすることができる。追加工程のステップを採用して本発明に係るマルチパッケージモジュールを完成させるだろう。例えば、積み重ねの最下層の接続のために、MPMの個片化前の最後のステップまでマザーボードにはんだボールを取り付けないことが好ましい。また例えば、接着剤の硬化の後およびカプセル化の前、およびz軸相互接続ワイヤボンディングの前および/または後のように、プラズマクリーンは、工程の様々な箇所で施されてもよい。有利なことに、個々のパッケージは、製造の際における取り扱いの容易さのために列をなした、いくつかのパッケージを有するストリップとして提供され、マルチパッケージモジュールは、処理ステップの終了の後、個片化される。本発明に係る方法において、パッケージの積み重ねは、選択された形式の個片化されていない第1パッケージのストリップ上に個片化された第2パッケージを取り付け、モジュールの形成工程が終了するまでにワイヤボンドされたz軸相互接続が形成され、そして、モジュールを個片化することにより形成される。本発明に係るMPMは、コンピュータ、通信機器、および消費者向けまたは産業用電子デバイスの構築に用いることができる。本発明は、本発明の実施形態を例示した参照図によって、より詳細に説明される。なお、各図面は、本発明の特徴を明示し他の特徴や構成との関係を明示するため、誇張した図となっている。また、各図において同一の要素については、再度符号を付すことはしない。図5Aにおいて、積み重ねられた第1ボトムおよび第2トップパッケージを備えている本発明の形態に応じたマルチパッケージモジュールの実施形態が、断面図において50で概して示されている。その中で、積み重ねられたパッケージはワイヤボンドにより相互接続されている。図5Aにおいて示された形態において、ボトムパッケージ400は図1で示すような従来のBGAパッケージである。それに応じて、この形態において、ボトムパッケージ400は少なくとも1つの金属レイヤを有しているボトムパッケージ基板412の上に取り付けられたダイス414を備える。様々な基板タイプのいずれも使われ得る。例えば、2から6つの金属レイヤを有するラミネート、または4から8つの金属レイヤを有する基板、あるいは1または2つの金属レイヤを有する柔軟なポリイミドテープ、またはセラミックの積レイヤ基板も含まれる。図5Aに例示されているボトムパッケージ基板412は、2つの金属レイヤ421,423を有し、それぞれの金属レイヤ421,423は特殊な電気回路を供給するように形成され、バイアス422によって互いに接続されている。ダイスは、通常、一般にダイス接着エポキシと称され、図5Aにおいて413で示される接着剤を使って基板の表面に接着される。そして、図5Aの構成において、ダイスが接着される基板の表面は、上側表面と称することができ、その表面上の金属レイヤは上側金属レイヤと称することができる。しかし、ダイス取り付け面は、使用においていかなる特定の方向性も有する必要がない。図5AのボトムBGAパッケージにおいて、ダイスは、電気的な接続を形成するために基板の上側金属レイヤのワイヤボンドサイトの上にワイヤボンドされる。ダイス414とワイヤボンド416とは、処理操作を促進するために、周囲および機械的なストレスからの保護を提供するモールディングコンパウンド417でカプセル化される。そして、第2トップのパッケージが積み重ねられ得るボトムパッケージ上側表面419を提供する。はんだボール418は、例えば、コンピュータのような最終製品のマザーボード図示しないの基礎的な電気回路との相互接続を提供するため、基板の下側の金属レイヤ上の成形パッドの上にリフローされる。はんだマスク415,427は、電気的な接続のための接続位置で基礎的な金属を露出するように金属レイヤ421,423上で形成される。例えば、ワイヤボンドサイトと接続パッドとはワイヤボンド416とはんだボール418とを接続するためのものである。図5Aに示す形態において、トップパッケージ500は、ランドグリッドアレイLGAパッケージであり、図1に例示するBGAパッケージに似ている。しかし、基板の下側表面の接続パッドに設置されるはんだボールを有しない。この例では、特にトップパッケージ500は、少なくとも1レイヤの金属レイヤを有するトップパッケージ基板512の上に取り付けられるダイス514を備える。様々な基板タイプのいずれもが使われ得る。図5Aに例示されているトップパッケージ基板512は、2レイヤの金属レイヤ521,523を有し、それぞれは特殊な電気回路を供給するように形成され、バイアス522によって互いに接続されている。ダイスは、通常、一般にダイス接着エポキシと称され、図5Aにおいて513で示される接着剤を使って基板の表面に接着される。そして、図5Aの構成において、ダイスが接着される基板の表面は、上側表面と称され、その表面上の金属レイヤは上側金属レイヤと称される。しかし、ダイス取り付け面は、使用においていかなる特定の方向性も有する必要がない。図5Aに示すトップLGAパッケージにおいては、ダイスは、電気的接続を形成するために基板の上側金属レイヤ上のワイヤボンドサイトの上にワイヤボンドされている。ダイス514とワイヤボンド516とは、処理操作を促進するために周囲や機械的なストレスに対して保護を供給するモールディングコンパウンド517によってカプセル化される。そして、モールディングコンパウンドは、トップパッケージ上側表面519を備える。トップパッケージ500は、ボトムパッケージ400の上に積み重ねられ、接着剤503を用いて接着される。はんだマスク515,527は、電気的接続のための接続位置で基礎的な金属を露出するように、金属レイヤ521,523の上に形成される。例えば、ワイヤボンドサイトはワイヤボンド516を接続するためのものである。ボトムパッケージ400の上に積み重ねられたトップパッケージ500とボトムパッケージ400との間のz軸相互接続は、それぞれのパッケージ基板の上側の金属レイヤに接続しているワイヤボンド518によって形成される。それぞれのワイヤボンド518の一端は、トップパッケージ基板512の上側金属レイヤ521のパッド上側表面に電気的に接続されている。そして、それぞれのワイヤボンドの他端は、ボトムパッケージ基板412の上側金属レイヤ421のパッド上側表面に接続されている。ワイヤボンドは、いかなるワイヤボンド技術によって形成してもよいが、例えば、ここで参照するUS5226582に記載されているような公知技術によって形成してもよい。パッケージ相互間のz軸相互接続ワイヤボンドは、トップ基板の上側金属レイヤ上のパッド上側表面に溶着または圧着し、そしてそこから下方に向けてワイヤを引き、ボトム基板の上側金属レイヤ上のパッド上に溶融することにより形成しているものとして図5Aに例として示されている。好ましくは、ワイヤボンドは逆の方向に形成することができる。即ち、ボトム基板の上側金属レイヤ上のパッド上側表面に溶着または圧着し、そしてそこから上方に向けてワイヤを引き、トップ基板の上側金属レイヤ上のパッド上に溶融させることにより形成することができる。好ましくは、パッケージ相互間のz軸相互接続のワイヤボンドの構成の選択は、積み重ねられた基板の縁部とそれらの接続面との幾何学的な配置に従って決定される。図5Aの積み重ねられたパッケージの形態において、それぞれのパッケージ基板のz軸相互接続パッドは、パッケージ基板の縁部近くの上側金属レイヤに配置されている。z軸相互接続パッドの位置と配列とは、パッケージが積み重ねられた際に、トップパッケージ基板のz軸相互接続パッドが、ボトムパッケージの対応するz軸相互接続パッドの上に横たえるように概ね配置されている。好ましくは、トップパッケージ500は、基板の金属レイヤの縁部に電気的にショートしないようにワイヤボンドにクリアランスを取るため、ボトムパッケージ400の基板上側表面スペースよりも小さい基板上側表面スペースを備える。一度、z軸相互接続ワイヤボンドが形成されると、モジュールのカプセル体が形成され、z軸相互接続ワイヤボンドが囲まれて保護され、完成したモジュールに機械的な完全性が提供される。トップとボトムパッケージ基板のz軸相互接続パッドの配置は、それぞれ図5Bおよび5Cに例示されている500および400に概ね示されている。図5Bに示すように、トップパッケージのz軸相互接続パッド524は、トップパッケージ基板512の上側表面525の縁部501に配置される上側金属レイヤの部分にパターン付すことにより形成される。縁部501は、上側表面519を備えるトップパッケージカプセル体の縁部526を越えて延びている。図5Cに示すように、ボトムパッケージのz軸相互接続パッド424は、トップパッケージ基板412の上側表面425の縁部401に配置される上側金属レイヤの部分にパターン付すことにより形成される。縁部401は、積み重ねられ横たわっているトップパッケージ基板512の上側表面スペース511を越えて延びており、そして、上側表面419を備えるボトムパッケージカプセル材料の縁部426をさらに越えて延びている。図5A,5B,5Cから明白なように、本発明に係るトップパッケージとボトムパッケージとの間のz軸相互接続は、トップパッケージ基板の縁部501のトップパッケージ相互接続パッド524とボトムパッケージ基板の縁部401のボトムパッケージ相互接続パッド424との間上側接続、または、下側接続のいずれか一方のワイヤボンドによって形成される。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体507の構造により保護され、そして、はんだボール418は、マザーボード図示しないのような基礎的な電気回路との接続のため、ボトムパッケージ基板の下側の金属レイヤに露出されているはんだボールパッドの上にリフローされる。上述のことから認められるように、本発明に係る構成は、マルチパッケージモジュールの組み立て前に、BGAおよびLGAの両方のプレテストをすることができ、また、組み立てより先に適合しないパッケージの廃棄を可能にする。そして、それによって、高い最終モジュールテストの歩留まりを確実にすることができる。マルチパッケージモジュールからの熱放散を改良するために、ヒートスプレッダがトップパッケージ上に設けられる。トップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPMの上側表面で周囲に向けて露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのであり、それはモールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体に添付される。または、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に略平面な部分と、ボトムパッケージ基板の上側表面、またはその近くに配置される周辺の支持部または支持部材を有している。一例として、図5Eは、本発明の別の形態によるBGALGAのMPM54を示す断面図である。その中で、トップヒートスプレッダはMPMの上側表面に設けられている。MPM54における積み重ねられたパッケージの構成は、一般に図5AにおけるMPM50の構成と同様であり、同様な構成は各図中の参照符号によって同一視される。この例におけるトップヒートスプレッダは、熱伝導性物質から形成され、トップパッケージの上に位置する略平面な中央部分544と、ボトムパッケージ基板412の上側表面に向けて延びている周辺の支持部546を有している。平面部分544の上側表面は、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPM上側表面で周囲に向けて露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのから、例えば打ち抜きすることによって形成される。支持部546は、任意で、接着剤図示しないを使って、ボトムパッケージ基板の上側表面に取り付けられ得る。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体507の構成によって保護されて、ヒートスプレッダ支持部は、モールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体507に封入される。図5Eに示すように、凹入部545のようなステップは、ヒートスプレッダの上側の平面部分544の周辺に供給されるため、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。本実施形態では、ヒートスプレッダ544の下側表面とLGAモールド917の上側表面との間の隙間は、MPMモールドの薄いレイヤによって満たされている。あるいは、図5Dの断面図に示すように、トップヒートスプレッダはLGAモールドの上側表面に取り付けられ得る。MPM52で積み重ねられたパッケージの構成は、一般に図5AにおけるMPM50の構成と同様であり、同じ構成は各図中の参照符号によって識別される。図5Dにおけるトップヒートスプレッダ504は、図5Eにおけるように、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に露出している熱伝導性の物質で略平面なものである。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅のようなである。しかし、ここでは、トップヒートスプレッダ504は、接着剤506を使用して上側のパッケージカプセル体517の上側表面519に取り付けられる。接着剤506は、改良された熱放散を提供するため、熱伝導性の接着剤である。通常、トップヒートスプレッダは、トップパッケージモールドが少なくとも部分的に硬化処理された後で、モールディング材料がMPMカプセル体507に注入される前に、トップパッケージモールドに取り付けられる。トップヒートスプレッダの周囲は、MPMモールディング材料によってカプセル化される。図5Dの形態において、凹入部505のようなステップは、ヒートスプレッダ504の外形に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。さらなる代案として、図5A中のようなMPMは、支持部を有さず単に平面のヒートスプレッダを供給し得る。それはトップパッケージモールドの上側表面に取り付けられない。このような形態においては、図5Dの形態のように、トップヒートスプレッダは、例えば、金属板例えば銅のような熱伝導性の材料からなる略平面なものである。そして、少なくとも平面のヒートスプレッダの上側表面のより中央の領域は、MPMから離れて効率的な熱交換をするため周囲に向けて露出している。ここでは、単に平面のヒートスプレッダの下側表面とLGAモールド517の上側表面519との間の隙間は、MPMモールドの薄いレイヤによって満たされている。そして、そのような単に平面のヒートスプレッダは、モールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体507に取り付けられる。そのように取り付けられない単に平面のトップヒートスプレッダの周囲は、外周上に凹入部505のようなステップを与えられるため、図5Dの取り付けられた平面のヒートスプレッダのように、MPMモールディング材料によってカプセル化されることができ、そして、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造におけるより機械的な完全性を得ることができる。図5Dおよび5Eに示すように、ヒートスプレッダを有しているMPM構造は、改良された熱性能を供給する。図6Aには、本発明の形態に係るマルチパッケージモジュールの積み重ねられたパッケージが断面図に示されており、BGAボトムパッケージの上にLGAトップパッケージが積み重ねられている。その中で、トップパッケージLGAは、部分的にカプセル化されている。トップLGAパッケージのモールディング材料は、制限された範囲と制限された量で適用され、後の処理において、特に後の動作テストにおいてワイヤボンドを保護するには十分である。他の事項について図6Aの構成は、図5Aに示されている。従って、この形態において、ボトムパッケージ400は、図5Aに詳述されているように構成され、トップパッケージ600は、トップパッケージカプセル体の違いを除いて、図5Aに詳述されているように概ね構成される。特に、ボトムパッケージ600は、少なくとも1つの金属レイヤを有するトップパッケージ基板612の上に取り付けられるダイス614を備える。なお、様々な基板タイプのいずれもが使われ得る。図6Aに例示されているトップパッケージ基板612は、2レイヤの金属レイヤ621,623を有し、それぞれは特殊な電気回路を供給するように形成され、バイアス622によって互いに接続されている。ダイスは、通常、図6Aにおいて613で示されている一般にダイス接着エポキシと称される接着剤を使って、基板の表面に接着される。そして、図6Aの構成において、ダイスが接着される基板の表面は、上側表面と称することができ、それに応じて、この基板の上の金属レイヤは上側またはトップ金属レイヤと称することができる。しかし、ダイス取り付け面は、使用においていかなる特定の方向性も有する必要がない。図6Aに示すトップLGAパッケージにおいては、ダイスは、電気的接続を形成するために基板の上側金属レイヤ上のワイヤボンドサイトの上にワイヤボンドされている。ダイス614とワイヤボンド616とは、処理操作を促進するために周囲や機械的なストレスに対しての保護を供給するモールディングコンパウンド617によってカプセル化される。本実施形態でのカプセル体617は、ダイス614の上側表面の多くがカプセル体にカバーされないように、例えば、ワイヤボンド、トップパッケージ基板およびトップパッケージダイスのそれぞれの接続箇所だけを包むように形成される。トップパッケージ600は、ボトムパッケージ400の上に載せられ、接着剤を用いて接着される。はんだマスク615,627は、電気接続のための接続位置で基礎となる金属を接触させるように、金属レイヤ621,623上に形成されている。例えば、ワイヤボンドサイトはワイヤボンド616を接続するためのものである。積み重ねられたトップパッケージ600とボトムパッケージ400との間のz軸相互接続は、それぞれのパッケージ基板の上側の金属レイヤに接続しているワイヤボンド618によって形成される。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体607の構造により保護され、そして、はんだボール418は、マザーボード図示しないのような基礎的な電気回路と接続するため、ボトムパッケージ基板の下側の金属レイヤに露出しているはんだボールパッドの上にリフローされる。この構成の利点は、コストが削減されることである。部分的カプセル化は、ラインにおいてワイヤボンド工程と共に実行され例えば、細いノズルを通しての分配、中空の針を通して注射器から分配、その結果、より高いスループットが供給され、カプセル材料の使用量は減少する。部分的カプセル化の後、トップLGAパッケージは、トップパッケージワイヤボンドを傷つけないようにするための特別な処理を使うことなくテストすることができる。図6Aに例示すようなマルチパッケージモジュールから熱放散を改良させるために、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に供給される。トップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPMの上側表面で周囲に向けて露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのであり、それはモールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体に添付される。または、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に略平面な部分と、ボトムパッケージ基板の上側表面上、またはその近くに配置されている周辺の支持部または支持部材を有している。一例として、図6Bは、本発明の他の実施形態によるBGALGAのMPM62を示す断面図である。その中で、トップヒートスプレッダはMPMの上側表面に設けられている。MPM62で積み重ねられたパッケージの構成は、一般に図6AにおけるMPM60の構成に類似していて、同様な構成は各図中の参照符号によって識別される。この例におけるトップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、トップパッケージの上に位置する略平面な中央部分644と、ボトムパッケージ基板412の上側表面に向けて延びている周辺の支持部646を有している。平面部分644の上側表面は、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPM上側表面で周囲に向けて露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのから形成され、例えば打ち抜きを行うことによって形成される。支持部646は、任意で、接着剤図示しないを使って、ボトムパッケージ基板の上側表面に取り付けられ得る。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体607の構成によって保護されて、ヒートスプレッダ支持部は、モールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体607に封入される。図6Bの形態において、凹入部645のようなステップは、ヒートスプレッダの上側の平面部分644の外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。この形態では、ヒートスプレッダ644の下側表面とダイス614の上側表面との間のスペースは、MPMモールドのレイヤにより満たされる。そして、そのレイヤは十分に薄いので、ヒートスプレッダ644は、LGAモールド617の周辺に干渉しない。また、図6Aの形態におけるようなMPMは、支持部を有さず単に平面のヒートスプレッダを提供され得る。それはトップパッケージモールドの上側表面に取り付けられない。このような形態においては、図5Dの形態のように、トップヒートスプレッダは、例えば、金属板例えば銅のような熱伝導性の材料からなる略平面なものである。そして、少なくとも平面のヒートスプレッダの上側表面のより中央の領域は、MPMから離れて効率的な熱交換をするため周囲に向けて露出している。ここでは、図6Bの形態において、平面のヒートスプレッダの下側表面とダイス614の上側表面との間の隙間は、MPMモールドのレイヤによって満たされている。そして、それは十分に薄いので、ヒートスプレッダ644は、LGAモールド617の周辺に干渉しない。そしてここでは、図6Bの形態のように、そのような単に平面のヒートスプレッダは、モールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体607に取り付けられる。そのような取り付けられない単に平面のトップヒートスプレッダの周囲は、図5Dの取り付けられた平面のヒートスプレッダのように、外周上に凹入部のようなステップを与えられてもよく、これにより、MPMモールディング材料によってカプセル化することができ、また、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的完全性を得ることができる。更に代案として、図6Aに示すような形態において、単に平面のヒートスプレッダのトップパッケージ600への接続を許容するために、単に平面のトップヒートスプレッダの下側表面とダイス614の上側表面との間にスペーサが設けられる。スペーサは、ダイスとヒートスプレッダとに接着剤を用いて添付される。または、スペーサは、ヒートスプレッダの全体やスペーサ部として形成される。そのような形態においては、ヒートスプレッダのスペーサ部の下側表面は、ダイスの上側表面に接着剤を用いて取り付けられる。スペーサは、熱伝導性材料であるのが好ましく、そして、接着剤は、改良された熱放散を供給するため、熱伝導性接着剤であるのがよい。そのような形態では、トップヒートスプレッダは、トップパッケージモールドが少なくとも部分的に硬化処理された後で、モールディング材料がMPMカプセル体607に注入される前に、トップパッケージモールドに取り付けられる。トップヒートスプレッダの外形は、MPMモールディング材料でカプセル化される。図5Dの形態のように、凹入部のようなステップは、単に平面のヒートスプレッダの外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。図6Bに例示するように、ヒートスプレッダを有しているMPM構造は改良された熱性能を供給することができる。図7は、本発明の別の形態による積み重ねられたマルチパッケージモジュールを示す断面図である。図7では、トップLGAパッケージはBGAボトムパッケージの上に積み重ねられており、単一の金属レイヤである基板がトップLGAパッケージとして用いられている。その他の点について、図7に示されている構成は、実質的に図5Aに示されている。したがって、この形態では、ボトムパッケージ400は、図5Aに詳述されているように構成され、トップパッケージ700は、トップパッケージ基板の構成の違いを除いて、図5Aに詳述されているように概ね構成される。特に、トップパッケージ700は、単一金属レイヤ721を有するトップパッケージ基板712の上に取り付けられるダイス714を備えており、特殊な電気回路を供給するように形成されている。ダイスは、通常、一般にダイス接着エポキシと称され、図7において713で示される接着剤を使って基板の表面に接着される。そして、図7の構成において、ダイスが接着される基板の表面は、上側表面と称され、その表面上の金属レイヤは上側金属レイヤまたはトップ金属レイヤと称される。しかし、ダイス取り付け面は、使用においていかなる特定の方向性も有する必要がない。図7の形態に示すトップLGAパッケージにおいては、ダイスは電気的接続を形成するために基板の上側金属レイヤ上のワイヤボンドサイトの上にワイヤボンドされている。ダイス714とワイヤボンド716とは、処理操作を促進するために周囲や機械的なストレスに対して保護を供給するモールディングコンパウンド717によってカプセル化される。図7に示す形態におけるカプセル体717は、ダイスだけでなくワイヤボンドおよびそれらの接続部もカバーし、カプセル体はダイス全体と相互接続との上に表面719を有するように図5Aの形態のように形成される。好適には、このカプセル体は代わりに図6Aの形態に示すように形成されてもよい。即ち、それは、ワイヤボンド、トップパッケージ基板およびトップパッケージダイスのそれぞれの接続箇所のみを包むように形成されることとしてもよい。これにより、ダイスの上側表面の多くは、カプセル体によってカバーされない。トップパッケージ700は、ボトムパッケージ400の上に積み重ねられ、符号703で示される接着剤を用いて接着される。はんだマスク715は、電気接続するための接続位置で基礎となる金属を露出するように、金属レイヤ721上に形成されている。例えば、ワイヤボンドサイトはワイヤボンド716を接続するためのものである。積み重ねられたトップパッケージ700とボトムパッケージ400との間のz軸相互接続は、それぞれのパッケージ基板の上側の金属レイヤに接続しているワイヤボンド718によって形成される。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体707の構造により保護され、そして、はんだボール418は、マザーボード図示しないのような基礎的な電気回路と接続するため、ボトムパッケージ基板の下側の金属レイヤに露出しているはんだボールパッドの上にリフローされる。この構成の利点は、トップLGAパッケージに2つの金属レイヤからなる基板を有している構成の場合に比して、1つの金属レイヤからなる基板による低コストのため、コストが削減されることである。さらに、この構成は、単一金属レイヤからなる基板が2つまたはそれ以上の金属レイヤを有している基板より薄いので、低いパッケージ外形を供給する。図8は、本発明の他の実施形態によるBGALGAのMPM80を示す断面図である。その中で、ヒートスプレッダと電気遮蔽材とはボトムパッケージに設けられている。図8に例示される形態では、ボトムボールグリッドアレイBGAパッケージ402の上に積み重ねられたトップランドグリッドアレイLGAパッケージ800を備える。その中で、トップLGAパッケージは、一般に、図5Aに示すトップLGAパッケージのように構成される。好ましくは、図6Aに詳述されているようなただ単一金属レイヤを有するLGAが、図8Aの形態におけるトップLGAに代わりに用いられ得る。図8Aにおいて、トップパッケージ800は、図1に例示するBGAパッケージに似ている。しかし、基板の下側表面の接続パッドに設置されるはんだボールを有しない。特に、この例では、トップパッケージ800は、少なくとも1つの金属レイヤを有するトップパッケージ基板812に取り付けられるダイス814を備える。なお、様々な基板タイプのいずれもが使われ得る。図8Aに例示されているトップパッケージ基板812は、2つの金属レイヤ821,823を有し、それぞれは特殊な電気回路を供給するように形成され、バイアス822によって互いに接続されている。ダイスは、通常、一般にダイス接着エポキシと称され、図8Aにおいて813で示される接着剤を使って基板の表面に接着される。そして、図8Aの構成において、ダイスが接着される基板の表面は、上側表面と称され、その表面上の金属レイヤは上側またはトップ金属レイヤと称される。しかし、ダイス取り付け面は、使用においていかなる特定の方向性も有する必要がない。図8Aの形態に示すトップLGAパッケージにおいては、ダイスは電気的接続を形成するために基板の上側金属レイヤ上のワイヤボンドサイトの上にワイヤボンドされている。ダイス814とワイヤボンド816とは、処理操作を促進するために周囲や機械的なストレスに対して保護を供給するモールディングコンパウンド817によってカプセル化される。はんだマスク815,827は、電気接続するための接続位置で基礎となる金属を露出するように、金属レイヤ821,823上に形成されている。例えば、ワイヤボンドサイトはワイヤボンド816を接続するためのものである。図8Aの形態において、ボトムBGAパッケージ402は、後述するように、図8AのボトムBGAパッケージがモールディングコンパウンドによってカプセル化されず、その代わりに電気遮蔽材としてさらに機能し得るヒートスプレッダによって供給されることを除いて、図1で示すような従来のBGAパッケージである。従って、この形態では、ボトムパッケージ402は、少なくとも1つの金属レイヤを有するボトムパッケージ基板412の上に取り付けられるダイス414を備える。なお、様々な基板タイプのいずれもが使われ得る。例えば、2から6つの金属レイヤを有するラミネート、または4から8つの金属レイヤを有する基板、あるいは1または2つの金属レイヤを有する柔軟なポリイミドテープ、またはセラミックのマルチレイヤ基板も含まれる。図8Aに例示されているボトムパッケージ基板412は、2つの金属レイヤ421,423を有し、それぞれは特殊な電気回路を供給するように形成され、バイアス422によって互いに接続されている。ダイスは、通常、図8Aにおいて413で示されている一般にダイス接着エポキシと称される接着剤を使って、基板の表面に接着される。そして、図8Aの構成において、ダイスが接着される基板の表面は、上側表面と称され、その表面の金属レイヤは上側金属レイヤと称される。しかし、ダイス取り付け面は、使用においていかなる特定の方向性も有する必要がない。図8Aに示すボトムBGAパッケージにおいては、ダイスは、電気的接続を形成するために基板の上側金属レイヤ上のワイヤボンドサイトにワイヤボンドされている。はんだボール418は、例えば、コンピュータのような最終製品のマザーボード図示しないの基礎的な電気回路との相互接続を提供するため、基板の下側の金属レイヤ上のモールディングパッドの上にリフローされる。はんだマスク415,427は、電気的な接続のための接続位置で基礎的な金属を露出するように金属レイヤ421,423上で形成される。例えば、ワイヤボンドサイトと接続パッドとはワイヤボンド416とはんだボール418とを接続するためのものである。マルチパッケージモジュール80のボトムBGAパッケージ402は、金属製の例えば、銅ヒートスプレッダを備えている。それは、下側のBGAのダイスからの電磁放射線を電気で抑制するための電気遮蔽材としてさらに機能する。その結果、上側パッケージのダイスとの干渉を予防する。ヒートスプレッダ406のトップ平面部は、基板412上のダイス414上に、脚または側壁407によって支えられる。接着剤のスポットまたはライン408は、ボトム基板の上側表面にヒートスプレッダサポート407を取り付ける役目をする。接着剤は、導電性の接着剤とすることができ、そして、基板412の上側の金属レイヤ421に、特に、回路の接地層に電気的に接続されることができる。その結果、電気遮蔽材としてのヒートスプレッダを形成する。または、接着剤は、導電性を有しない接着剤とすることができ、そのような構成では、ヒートスプレッダは熱拡散装置としてのみ機能する。ヒートスプレッダ406の支持部と上面部とは、ダイス414とワイヤボンド416とを囲み、そして、処理操作を促進するために周囲や機械的なストレスから、特に、MPM組み立て前のテストの間で、これらの構造を保護する役目をする。マルチパッケージモジュール80のトップパッケージ800は、ヒートスプレッダ/遮蔽材406の平面上のボトムパッケージ402上に積み重ねられて、接着剤803を使って取り付けられる。熱放散を改善するために、接着剤803は熱伝導性である。そして、LGAパッケージ基板の下側の金属レイヤにヒートスプレッダ406の電気接続を形成するために、接着剤803は導電性とすることができる。または、電気的に絶縁しているため、電気接続を防止し得る。本発明によるトップパッケージ800とボトムパッケージ402との間のz軸相互接続は、トップパッケージ基板812の縁部のトップパッケージ相互接続パッドとボトムパッケージ基板402の縁部のボトムパッケージ相互接続パッドとの間でワイヤボンド818によって形成される。ワイヤボンドはアップ接続またはダウン接続のどちらかで形成される。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体807の構造により保護される。隙間は、カプセル封入の間に囲まれたスペースを埋めるためのMPMモールディング材料を与えるために、ヒートスプレッダの支持部407によって形成される。はんだボール418は、マザーボード図示しないのような基礎的な電気回路と接続するため、ボトムパッケージ基板の下側の金属レイヤに露出しているはんだボールパッドの上にリフローされる。上述のように、本発明の構成は、マルチパッケージモジュールの組み立て前に、BGAとLGAの両方のプレテストをすることができ、また、組み立てより先に適合しないパッケージの廃棄を可能にする。そして、それによって、高い最終モジュールテストの歩留まりを確実にすることができる。マルチパッケージモジュールからの熱放散を改良するために、ヒートスプレッダはトップパッケージ上に設けることができる。トップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPMの上側表面で周囲に向けて露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのであり、それはモールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体に添付される。または、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に略平面な部分と、ボトムパッケージ基板の上側表面上、またはその近くに配置されている周辺の支持部または支持部材を有している。一例として、図8Bは、本発明の別の形態によるBGALGAのMPM82を示す断面図である。その中で、トップヒートスプレッダはMPMの上側表面に設けられている。MPM82で積み重ねられたパッケージの構成は、一般に図8AにおけるMPM80の構成に類似していて、同様な構成は各図中の参照符号によって同一視される。この例におけるトップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、トップパッケージの上に位置する略平面な中央部分804と、ボトムパッケージ基板412の上側表面に向けて延びている周辺の支持部806を有している。平面部分804の上側表面は、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPM上側表面で周囲に向けて露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのから形成され、例えば打ち抜きすることによって形成される。支持部806は、任意で、接着剤図示しないを使ってボトムパッケージ基板の上側表面に取り付けられ得る。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体807の構成によって保護されて、ヒートスプレッダ支持部は、モールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体807に封入される。図8Bの形態において、凹入部805のようなステップは、ヒートスプレッダの上側の平面部分804の外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。この形態において、ヒートスプレッダ804の下側表面とLGAモールド817の上側表面819との間のスペースは、MPMモールドの薄いレイヤにより満たされる。代わりに、トップヒートスプレッダは、支持部を有さず、例えば、金属板銅などのなどの熱伝導性の材料の概ね平面のものとしてもよい。平面のヒートスプレッダの上側表面の少なくともより中心領域は、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に露出している。そのような単に平面のヒートスプレッダは、ヒートスプレッダがトップパッケージモールドの上側表面に取り付けられる場合に、図8Cにおいて844で示される。しかし、図8Bでは、ヒートスプレッダは、トップパッケージモールドの上側表面に接続されない。その代わりに、単に平面のヒートスプレッダの下側表面とLGAモールド817の上側表面819との間のスペースは、MPMモールドの薄いレイヤによって満たされており、そのような単に平面のヒートスプレッダは、モールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体807に取り付けられる。単に平面のトップヒートスプレッダの外形は、図8Bのような形態において、MPMモールディング材料でカプセル化され得る。そして、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得るため、外周に凹入部のようなステップ図8Cに示す単に平面のトップヒートスプレッダ844における凹入部845参照を備える。あるいは、図8Cの断面図に示すように、トップヒートスプレッダはLGAモールドの上側表面に取り付けられ得る。MPM84で積み重ねられたパッケージの構成は、一般に図8AにおけるMPM80の構成に類似していて、同様な構成は各図中の参照符号によって識別される。図8Cにおけるトップヒートスプレッダ844は、図8Bにおけるように、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に露出している熱伝導性の物質で略平面なものである。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅のようなである。しかし、ここでは、トップヒートスプレッダ804は、接着剤846を使用して上側のパッケージカプセル体817の上側表面819に取り付けられる。接着剤846は、改良された熱放散を提供するため、熱伝導性の接着剤である。通常、トップヒートスプレッダは、トップパッケージモールドが少なくとも部分的に硬化処理された後で、モールディング材料がMPMカプセル体847に注入される前に、トップパッケージモールドに取り付けられる。トップヒートスプレッダの周囲は、MPMモールディング材料によってカプセル化される。図8Cの形態において、凹入部845のようなステップが、ヒートスプレッダ844の外形に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。図8A,8B,8Cに示すような構成の利点は、有効な熱性能であり、そして、任意のボトムパッケージでの電気遮蔽である。そして、それは特に重大な危機となり得る。例えば、MPMにおいて、それはRFとデジタルチップとを接続する。全てのアプリケーションについてボトムパッケージヒートスプレッダとトップヒートスプレッダとの両方を備える必要はない。いずれか一方または他方が、最終製品のニーズに応じて用いられる。図9Aは、本発明の他の実施形態に係るマルチパッケージモジュールを示している断面図である。本図において、下向きダイスであるフリップチップBGAはLGAを積み重ねられている。下側のBGAにおいて、ダイスは基板と接続されたフリップチップであり、ダイスと基板の間のスペースはアンダーフィルされる。このBGAはMPMに組み込まれる前にテストされ得る。ダイスの裏面は、接着剤によってトップLGAを取り付け可能である。ワイヤボンドによってモジュール基板へのトップLGAのz軸相互接続がされ、MPMは形成される。この構成の主要な利点は、BGAの上のフリップチップ接続が高い電気的性能を備えることである。図9Aに関して、ボトムBGAフリップチップパッケージは、パターン付けられた金属レイヤ321を有している基板312を備える。そして、その上に、はんだ隆起部、金のスタッド隆起部、または異方的に案内するフィルムまたはペーストなどのフリップチップ隆起部316によってダイス314が接続される。なお、様々な基板タイプのいずれもが使われ得る。図9Aに例示されたボトムパッケージ基板312は、2つの金属レイヤ321,323を有しており、それぞれは適切な電気回路を提供するために形成されて、バイアス322によって接続されている。フリップチップ隆起部は、ダイスの機能面が、基板の上向きに面してパターン付けられた金属レイヤに関連して下向きに面するように、ダイスの機能面上の隆起パッドのパターン付けられた配列に取り付けられる。そのような配置は、下向きダイスフリップチップパッケージと称することができる。ダイスと基板との間のポリマーアンダーフィル313は、周囲からの保護を提供し、そして構造についての機械的な完全性を付加する。マルチパッケージモジュール90のトップLGAパッケージ900は、一般に、図7に示すマルチパッケージモジュール70のトップLGAパッケージ700に類似して構成される。特に、トップパッケージ900は、適切な電気回路を提供するためにパターン付けられている単一金属レイヤ921を有しているトップパッケージ基板912の上に取り付けられているダイス914を備える。ダイスは、通常、図9Aにおいて913で示されている一般にダイス接着エポキシと称される接着剤を使って、基板の表面に接着される。そして、図9Aの構成において、ダイスが接着される基板の表面は、上側表面と称することができ、それに応じて、この基板の上の金属レイヤは上側金属レイヤまたはトップ金属レイヤと称することができる。しかし、ダイス取り付け面は、使用においていかなる特定の方向性も有する必要がない。図9Aの形態におけるトップLGAパッケージにおいて、ダイスは、電気的接続を形成するために基板の上側金属レイヤ上のワイヤボンドサイトにワイヤボンドされている。ダイス914とワイヤボンド916は、処理操作を促進するために、周囲および機械的なストレスからの保護を提供するモールディングコンパウンド917でカプセル化される。図9Aに示す形態におけるカプセル体917は、ダイスだけでなくワイヤボンドとそれらの接続部もカバーし、カプセル体はダイス全体と相互接続との上に表面919を有している。好ましくは、このカプセル体の代わりに図6Aの形態に示すように形成されてもよい。即ち、それは、ワイヤボンド、トップパッケージ基板およびトップパッケージダイスのそれぞれの接続部のみを包むように形成されてもよい。したがって、ダイスの上側表面の多くは、カプセル体によってカバーされていなくてもよい。トップパッケージ900は、ボトムパッケージ300上に積み重ねられて、903で示される接着剤を使って取り付けられる。はんだマスク915は、電気的接続のための接続位置、例えば、ワイヤボンド916を接続するためのワイヤボンドサイトで、基礎となる金属を露出するように金属レイヤ921上に形成される。積み重ねられたトップパッケージ900およびボトムパッケージ300間のz軸相互接続は、それぞれのパッケージ基板のトップ金属レイヤを接続しているワイヤボンド918を介して形成される。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体907の構成によって保護される。はんだボール318は、コンピュータなどの最終製品のマザーボード図示しないなどの基礎的な電気回路との接続のため、ボトムパッケージ基板の下側の金属レイヤの露出されたはんだボールパッドの上にリフローされる。はんだマスク315,327は、電気的な接続のための接続位置で基礎的な金属を露出するように金属レイヤ321,323上で形成される。例えば、ワイヤボンドサイトと接続パッドはワイヤボンド918とはんだボール318とを接続するためのものである。図9Aに例として詳述されている下向きダイスの状態のフリップチップBGAの上に積み重ねられたLGAを有している構成は、図8Bまたは8Cに示すようにヒートスプレッダ/電気遮蔽材によって概ね組み立てられ得る。したがって、図9Bは、本発明の他の実施形態に係るマルチパッケージモジュールを示している断面図である。それにおいて、下向きダイスの状態のフリップチップBGAは、図9Aの形態のように、LGAを積み重ねられて、そして、下側のBGAにヒートスプレッダ/遮蔽材が供給される。特に、図9Bに示すように、マルチパッケージモジュール92のボトムBGAパッケージ300には、金属例えば銅ヒートスプレッダが提供される。それは、下側のBGAにおいてダイスからのいかなる電磁放射線であっても電気的に抑制するための電気遮蔽材としてさらに機能する。その結果、上側のパッケージにおいてダイスとの干渉を防止する。ヒートスプレッダ906のトップの平面部は、基板312の上であって、ダイス314の上にある脚または側壁909によって支持される。接着剤のスポットまたはライン908は、ヒートスプレッダ支持部909を底の基板の上側表面に取り付ける役目を有する。接着剤は導電性の接着剤とすることができ、基板312のトップの金属レイヤ321、特に、回路の接地面に電気的に接続され得る。従って、電気遮蔽材としてヒートスプレッダを確立することができる。または、接着剤は非導電性とすることができ、そのような構成の場合、ヒートスプレッダは、熱拡散装置としてのみ作用する。ヒートスプレッダ906の支持部および上部は、ダイス314を取り囲んでおり、処理操作を促進するため、特に、MPMを組み立てる前のテストの間で、周囲や機械的なストレスから保護するために役立つ。マルチパッケージモジュール92のトップパッケージ900は、ボトムパッケージ300上でヒートスプレッダ/シールド906の平面上に積み重ねられて、接着剤903を使って取り付けられる。接着剤903は、熱放散を改善するために熱伝導性とすることができる。また、接着剤903は、LGAパッケージ基板の下側の金属レイヤとヒートスプレッダ906との電気的な接続を形成するために、導電性とすることができる。または、電気的に絶縁している状態とすることができ、その結果、電気的な接続を防止することができる。本発明によるトップパッケージ900とボトムパッケージ300との間のz軸相互接続は、トップパッケージ基板912の縁部のトップパッケージ相互接続パッドとボトムパッケージ基板300の縁部のボトムパッケージ相互接続パッドとの間でワイヤボンド918によって形成される。ワイヤボンドは、上側接続または下側接続のどちらかの方法で成形されてもよい。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体907の構成によって保護される。隙間は、カプセル化の間にMPMモールディング材料に囲まれたスペースを埋めさせるために、ヒートスプレッダの支持部907によって提供される。はんだボール318は、マザーボード図示しないなどの基礎的な電気回路との接続のため、ボトムパッケージ基板300の下側の金属レイヤ上の露出されたはんだボールパッドの上にリフローされる。好ましいことに、本発明による構成は、マルチパッケージモジュールへ組み込む前にBGAとLGA両方のプレテストを可能とし、組み立てに先がけて適合しないパッケージの廃棄をすることが可能となる。その結果、高い最終的なモジュールテスト歩留まりを確実にすることができる。本実施形態によるフリップチップボトムパッケージのプロセッサチップは、例えば、ASIC、GPU、CPUであり、ASICがよく用いられる。そして、トップパッケージは、メモリパッケージまたはASICパッケージである。トップパッケージがメモリパッケージである場合には、それは積み重ねられたダイスメモリパッケージであってもよい。シールドされたフリップチップ下向きダイスボトムパッケージは、より高速のアプリケーション、特に、モバイル通信アプリケーションと同様のRF周波数処理に特に適している。付加的に、図9Aまたは9Bに示されているように下向きダイス構成のフリップチップボトムパッケージを有しているMPMは、ヒートスプレッダを与えられる。図9Aまたは9Bに例示するように、マルチパッケージモジュールから改善された熱放散のために、ヒートスプレッダはトップパッケージの上に与えられる。トップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPMの上側表面で周囲に向けて露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのであり、それはモールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体に取り付けられる。または、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に略平面な部分と、ボトムパッケージ基板の上側表面上、またはその近くに配置されている周辺の支持部または支持部材を有している。例として示す図9Cは、本発明の他の実施形態に係るBGAとLGAとが積み重ねられたMPM94を示している断面図である。それにおいて、トップヒートスプレッダはMPMの上側表面に与えられている。MPM94における積み重ねられたパッケージの構成は、一般に図9BにおけるMPM92の構成に類似していて、同様な構成は各図中の参照符号によって同一視される。この例におけるトップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、トップパッケージの上に位置する略平面な部分944と、ボトムパッケージ基板312の上側表面に向けて延びている周辺の支持部946を有している。平面部944の上側表面は、MPMから離れて効率的な熱交換をするためにMPMの上側表面で周囲に向けて露出する。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのから、例えば打ち抜きすることによって形成される。支持部946は、任意で、接着剤図示しないを使って、ボトムパッケージ基板の上側表面に取り付けられ得る。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体907の構成によって保護されて、ヒートスプレッダの支持部はモールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体907に嵌め込まれる。図9Cにおいて、凹入部945のようなステップがヒートスプレッダの上部平面944の外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。本実施形態において、ヒートスプレッダ944の下側表面とダイス914の上側表面との間のスペースは、MPMモールドのレイヤにより満たされている。そして、ヒートスプレッダ944は周辺のLGAモールド917と干渉しない程度に十分な厚さである。代わりに、図9Aまたは9Bに示すようなMPMは、支持部を有さず、単に平面のヒートスプレッダを提供され得る。そのような単に平面のヒートスプレッダは、トップパッケージモールド517の上側表面519に、接着剤を使って取り付けられる。または、その代わりに、図9Aまたは9Bに示すMPMは、トップパッケージモールドの上側表面に取り付けられない単に平面のヒートスプレッダを提供され得る。そのような形態において、図5Dに示すように、トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのなどのような熱伝導性の物質で略平面なものとすることができる。そして、平面状のヒートスプレッダの上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPMの上側表面で周囲に向けて露出されている。ここで、図9Cに示すように、平面状のヒートスプレッダの下側表面とトップパッケージ900の間のスペースは、MPMのレイヤによって満たされる。そして、ここで、図9Cに示すように、そのような単に平面状のヒートスプレッダは、モールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体907に取り付けられる。そのような接続されていない単に平面状のトップヒートスプレッダの周囲は、図5Dに示す接続された平面状のヒートスプレッダの場合のように、MPMモールディング材料によってカプセル化され得る。そして、その周囲には、凹入部のようなステップが設けられ、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。図9Cに例示するようなヒートスプレッダを有するMPMの構成は、改善された熱性能を提供することができる。本発明によるMPMのボトムパッケージは、上向きダイス構成でフリップチップパッケージとすることができる。この場合、ボトムパッケージダイスはボトムパッケージ基板の下側表面に配置される。普通、そのような構成のボトムパッケージダイス取り付け領域は、基板のほぼ中央の領域に位置され、そして、第2次相互接続ボールは、基板の縁部のうち2つまたは4つ一般にはそれ以上の近くに周辺的に配置される。上向きダイスフリップチップとそのフリップチップ相互接続構成は、第2次相互接続構成のスタンドオフ高さ範囲内に位置していて、それに応じて、そのような構成におけるボトムパッケージダイスは、MPMの全厚さに何も寄与しない。さらに、上向きダイス構成は、一般に下向きダイス構成の結果として生じるネットリストが逆になる効果を避けることができる。特に、例として、図10Aは、本発明の別の形態に従ったマルチパッケージモジュール101を示している断面図ある。この場合、ダイスが積み重ねられたランドグリッドアレイパッケージ1000は、上向きダイス構成302のフリップチップBGAの上に積み重ねられて、積み重ねられたパッケージはワイヤボンドによって相互接続される。ボトムBGAパッケージ302では、ダイス344はBGA基板342の下側に取り付けられる。図に示すように、ボトムパッケージダイスは、ボトムパッケージの下側の、周辺に配置されたはんだボールの間の領域にあるので、この構成はより薄いMPMを提供する。そのような構成は、それがフリップチップ接続を備えるからだけでなく、より短い金属トレースを備え、そしてダイスとはんだボールとの間の接続のためのバイアス図9Aまたは9Bにおいて、構成に必要とされているようにを必要とせずに、ダイスのはんだボールへのより直接的な電気的接続を提供するので、より高い電気的性能を有することができる。さらに、いくつかのアプリケーションで要求される場合には、上向きダイス構成は、このパッケージにおけるワイヤボンディングにネットリスト互換性を可能にする。ネットリストとは、ダイスおよびはんだボール間のすべての接続対の合計である。ダイスが下向きダイスで上向きに面している場合には、それは、ダイスが上向きダイスで下向きに面している場合のように、同じダイスでの鏡像パターンである接続パターンを有している。図10Aに示すような構成において、トップLGAパッケージは、BGAの上側に接着剤で取り付けられ、それから、ワイヤボンドされモールドされる。図10Aから10Eに例示する形態において、1つ以上のダイス2つまたは、それ以上が、トップパッケージに積み重ねられる。積み重ねられたダイスパッケージは、パッケージの中に5つまで積み重ねられたダイスを有するバージョンとして産業においてよく設置される。ダイスは様々なサイズを有し、そして、積み重ねられたダイスパッケージのダイスは、同じまたは相対的に違うサイズを有する。ダイスは、一般に正方形または長方形であり、様々な寸法の長方形または正方形のダイスは、積み重ねられたダイスパッケージにおいて積み重ねられる。ダイスが長方形であるか、または様々な寸法を有している場合には、ダイスは、積み重ねた下側のダイスの縁部が、その上に積み重ねられた上側のダイスの縁部を越えるようにして積み重ねられる。図10Aで示すように、積み重ねた2つのダイスは、同じ大きさである。そのような形態、または積み重ねた上側のダイスが下側のダイスより大きい場合においては、スペーサは、すべてのダイスのLGA基板へのワイヤボンドを可能にするようにダイスの間で組み立てられる。図10Bは、積み重ねた上側のダイスが下側のダイスより小さいか、または、その代わりに、ダイスが積み重ねた上側の縁部が積み重ねた下側の縁部を越えるように積み重ねられる例を示している。図10Bのような形態において、スペーサは必要ではない。なぜなら、下側のダイスの投影している縁部のワイヤボンドサイトは、その上に積み重ねられるダイスからの干渉がない状態で、ワイヤボンドすることができるからである。図10Aに示すように、ボトムフリップチップBGAパッケージ302は、ダイス344が、はんだ隆起部、金のスタッド隆起部、または異方的に案内するフィルムまたはペーストなどのフリップチップ隆起部346によって接続される部分にパターン付けられた金属レイヤ353を有している基板342を備える。様々な基板タイプのいずれも用いられ得る。図10Aに例として示されたボトムパッケージ基板342は、2つの金属レイヤ351、353を有しており、それぞれは適切な電気回路を提供するために形成されている。ボトムパッケージ基板342は、さらに、誘電性のレイヤ354、356の間にはさまれた金属レイヤ355を有する。金属レイヤ355は、金属レイヤ351,353のバイアスでの接続を可能とするために、所定の位置に空所を有している。その結果、それに応じて、パターン付けられた金属レイヤ351,353の所定の部分は、基板のレイヤ354,356を通して、そしてはさまれた金属レイヤ355の空所を通してバイアスによって接続される。パターン付けられた金属レイヤ353の所定の部分は、挟まれた金属レイヤ355に基板のレイヤ356を通してバイアスによって接続される。フリップチップ隆起部346は、ダイスの機能面上の隆起パッドの形成された配列に取り付けられ、そして、ダイスの機能面が、基板の下向きに面してパターン付けられた金属レイヤに関連して上向きに面する場合に、そのような配置は、上向きダイスフリップチップパッケージと称される。ダイスと基板のダイス取り付け領域との間のポリマーアンダーフィル343は、周囲からの保護を提供し、機械的な完全性を構成に追加する。上記のように、金属レイヤ351,353は、適切な電気回路を提供するためにパターン付けられて、挟まれた金属レイヤ355は、上側と下側の金属レイヤ351,353の所定のトレースの間で相互接続挟まれた金属レイヤ355との接触のないを可能とするために、所定の位置に空所を有する。特に、例えば、下側の金属レイヤは、チップ相互接続隆起部353に取り付け位置を提供するために、ダイス取り付け領域にパターン付けられる。そして、例えば、下側の金属レイヤは、第2次相互接続はんだボール348に取り付け位置を提供するために、ボトムパッケージ基板342の縁部のより近くにパターン付けられる。それによって、完成したMPMは、基礎的な電気回路図示しないに、ソルダーリフローによって取り付けられる。そして特に、例えば、上側金属レイヤは、トップパッケージをボトムパッケージと接続しているワイヤボンドに取り付け位置を提供するように、ボトムパッケージ基板342の縁部の近くにパターン付けられる。金属レイヤ353の電気回路の接地ラインは、挟まれた金属レイヤ355にバイアスを通して接続される。そして、はんだボール348のうち所定のものは、グランドボールである。それは、MPMが取り付けられる時に、基礎的な電気回路の接地ラインに取り付けられる。したがって、挟まれた金属レイヤ355は、MPMのために接地面として役立つ。はんだボール348のうち所定の他のものは、インプット/アウトプットボールまたはパワーボールである。それに応じて、これらは金属レイヤ353の電気回路の中で、それぞれインプット/アウトプットまたはパワーライン上のはんだボール位置に取り付けられる。図10Aに示すように、トップパッケージ1000は、積み重ねられたダイスランドグリッドアレイパッケージである。そして、それは、スペーサ1015によって分離され、トップパッケージ基板の上に積み重ねられているダイス1014,1024を有している。トップパッケージ基板は、上側の基板の表面に金属レイヤを有する誘電性のレイヤ1012を備え、そして、例えば1031のように、積み重ねられたダイスを有するトップパッケージ基板のワイヤボンド相互接続と、ボトムパッケージ基板を有するトップパッケージのワイヤボンド相互接続とに、取り付け位置を与えられたトレースを提供するようにパターン付けられている。下側のダイス1014は、ダイス接着エポキシなどの接着剤1013を使ってトップパッケージ基板のダイス取り付け領域に取り付けられる。ダイス1014は、ダイスの機能面上のワイヤボンドサイトを所定のトレース1011上のワイヤボンドサイトと接続しているワイヤボンド1016によってトップ基板と電気的に接続される。スペーサ1015は、接着剤図示しないを使って、下側のダイス1014の上側表面に添付される。そして、上側のダイス1024は、接着剤図示しないを使って、スペーサ1015の上側表面に添付される。スペーサは、上側のダイス1024の張り出している縁部がワイヤボンド1016に衝突しないように、クリアランスを提供するために十分に厚くなるように選ばれる。ダイス1024は、ダイスの機能面上のワイヤボンドサイトを所定のトレース1011上のワイヤボンドサイトと接続しているワイヤボンド1026によってトップ基板と電気的に接続される。トップパッケージ基板の上に積み重ねられたダイスとワイヤボンドのアセンブリは、トップパッケージの上側表面1019を提供していて、相互接続トレース1011の周縁部を露出したままにしておくモールディング材料1017でカプセル化される。トップパッケージ1000は、この時点でテストされる。それから、ボトムパッケージ基板の上側表面のダイス取り付け領域の上に積み重ねられて、接着剤1003を使って、添付される。トップとボトムパッケージの電気的な相互接続は、ボトムパッケージ基板の上側の金属レイヤのトレース351の上のワイヤボンドサイトと、トップパッケージ基板のトレース1011の上の露出されたワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド1018によってもたらされる。それから、MPMアセンブリは、パッケージとパッケージとを結合するワイヤボンドを保護するため、そして完成したMPM101において機械的な完全性を提供するためにモールド1007でカプセル化される。上述されるように、本実施形態における上向きダイスフリップチップBGAパッケージの上に積み重ねられたダイストップパッケージは、例えば、積み重ねたダイスの数に、そしてダイスの寸法に依存して、様々な構成を有する。例えば、図10Bは、その断面図において、代わりのMPMの構成103を示している。その中では、少なくとも、LGAは、2つの積み重ねられたダイスを有しており、上側のダイス1044は、下側のダイス1034より小さな寸法を有する。そのような構成の中には、下側のダイスの縁部のワイヤボンド接続サイトの上に上側のダイスの周縁部の突出がなく、したがって、スペーサを有することは不要である。図10BのMPM103におけるボトムパッケージ302は、図10AのMPM101におけるボトムパッケージに実質的に類似していて、対応する部分は同様に各図において識別される。MPM103におけるトップパッケージ1030は、積み重ねられたダイスのランドグリッドアレイパッケージであり、トップパッケージ基板の上に積み重ねられているダイス1034,1044を備える。トップパッケージ基板は、上側の基板の表面に金属レイヤを有している誘電性のレイヤ1012を備える。そして、積み重ねられたダイスを有するトップパッケージ基板のワイヤボンド相互接続と、ボトムパッケージ基板を有するトップパッケージのワイヤボンド相互接続とに、接続位置を与えられるトレース、例えば1031を提供するようにパターン付けられている。下側のダイス1034は、ダイス接続エポキシなどの接着剤1033を使ってトップパッケージ基板のダイス接続領域に取り付けられる。ダイス1034は、所定のトレース1031上にワイヤボンドサイトとダイスの機能面の上のワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド1036によって、トップ基板と電気的に接続される。上側のダイス1044は、接着剤1035を使って、下側のダイス1034の上側表面に添付される。ダイス1044は、所定のトレース1031上にワイヤボンドサイトとダイスの機能面の上のワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド1046によって、トップ基板と電気的に接続される。トップパッケージ基板の上の、積み重ねられたダイスとワイヤボンドのアセンブリは、トップパッケージ上側表面1039を提供しているモールディング材料1037でカプセル化され、相互接続トレース1031の周辺の部分を露出したままにしている。トップパッケージ1030は、この時点でテストされ、それから、ボトムパッケージ基板の上側表面のダイス接続領域の上に積み重ねられて、接着剤1003を使って取り付けられる。トップパッケージとボトムパッケージの電気的な相互接続は、ボトムパッケージ基板の上側の金属レイヤのトレース351上にワイヤボンドサイトとトップパッケージ基板のトレース1031上で露出されたワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド1018によってもたらされる。MPMアセンブリは、その時、パッケージ間を接続するワイヤボンドを保護するため、および完成したMPM103において機械的な完全性を提供するためにモールド1007によってカプセル化される。本発明のこの形態に応じたフリップチップボトムパッケージの中のプロセッサチップは、例えば、ASIC、GPU、またはCPUとすることができる。そして、トップパッケージは、メモリパッケージとすることができ、例えば特に、図10A、10Bにおいて説明されているように、積み重ねられたダイスメモリパッケージである。ボトムパッケージのためのフリップチップ上向きダイス構成は、非常に薄いモジュールを提供することができ、そして特に、モバイル通信などのより高速なアプリケーションに適当である。好ましいのは、MPM101または103などの形態におけるボトムパッケージ基板の接地面355は、さらに、BGAダイスと横たえるLGAダイスとの間の干渉をかなり減らすように電磁遮蔽材として役立ち、そして、そのようなMPMは、ボトムパッケージダイスが高周波例えば、無線周波数ダイスである場合のアプリケーションにおいて特に有益である。いくつかのアプリケーションにおいて、MPMが接続される基礎的な電気回路からボトムパッケージのBGAダイスをシールドすることもまた好ましい。図10Cは、マルチパッケージモジュール105の例を示し、その中において、積み重ねらたダイスランドグリッドアレイパッケージ1000は、上向きダイス構成302のフリップチップBGA上で積み重ねられている。そして、その中で、積み重ねられたパッケージは、ワイヤボンドによって相互接続されており、また、電磁シールドは、基礎的な電気回路図示しないに向けての下方への放射線を制限するためにフリップチップBGAダイスで提供される。図10CのMPM105において、トップパッケージ1000とボトムパッケージ302は、大体、図10AのMPM101のように構成されて、対応する機能は各図において対応して識別される。MPM105のボトムパッケージ302は、下側のBGAのダイスからの電磁放射線を電気的に抑えるように、金属例えば銅エレクトリカルシールドを与えられる。従って、取り付けられたMPMの下にある電気回路との干渉を防止する。シールド304の下側の平面部は、脚または側壁305によって支持される。接着剤のスポットまたはライン306は、ヒートスプレッダ支持部305をボトム基板の下側表面に取り付けることに役立つ。接着剤は導電性の接着剤とすることができ、基板の下側の金属レイヤのトレースに、特に回路の接地トレースに電気的に接続され得る。シールドの支持部および下側の平面部は、ダイス344を取り囲み、完成された機器の下側のダイスを遮蔽することに加えて、処理操作を促進するため、および、特に、MPMのアセンブル前または設置前のテストの間で、周囲や機械的なストレスから下側のダイスを保護することに役立ち得る。その代わりに、好ましいものとして、図10Cに説明されるようなシールドは、他の積み重ねられたダイストップパッケージ構成を有しているMPMにおいて上向きダイスフリップチップボトムパッケージ302をシールドするために使用され得る。図10Bに1030で概ね示されるように、積み重ねられたダイストップパッケージは、例えば、隣接したダイスの間にスペーサを全く有しない。そして、代わりに、図10Cに説明されるようなシールドは、積み重ねられたダイストップパッケージ以外のトップパッケージを有しているMPMの上向きダイスフリップチップボトムパッケージ302をシールドするために使用されてもよい。トップパッケージは、例えば、図5Aに500として概ね示されたLGAトップパッケージなどのような、例えば、ランドグリッドアレイパッケージである。さらに、図10Aに概略的に記されたマルチパッケージモジュールから改善された熱放散のために、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に提供される。トップヒートスプレッダは、熱伝導性の物質から形成され、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPMの上側表面で周囲に露出している。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのであり、そして、モールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体に取り付けられる。または、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に略平面な部分と、ボトムパッケージ基板の上側表面、またはその近くに配置される周辺の支持部または支持部材を有している。例として、図10Eは、上向きダイスフリップチップボトムBGAの上で積み重ねられたダイストップパッケージを備えるMPM109を示している断面図である。これにおいて、トップヒートスプレッダは、MPMの上側表面で提供される。MPM109におけるトップパッケージとボトムパッケージの構成は、一般に図10CにおけるMPM105の場合に類似していて、同様な構成は各図中の参照符号によって識別される。この例におけるトップヒートスプレッダは、トップパッケージ1000上に配置された略平面の中心的な部分1044と、ボトムパッケージ基板342の上側表面に延びている周辺の支持部1046を有する熱伝導性の材料から形成される。平面の部分1044の上側表面は、MPMから離れて効率的な熱交換をするためにMPM上側表面で周囲に露出される。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのから、例えば打ち抜きすることによって形成される。支持部1046は、任意で、接着剤図示しないを使って、ボトムパッケージ基板の上側表面に添付され得る。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体1007の構成によって保護される。そして、ヒートスプレッダ支持部はモールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体1007に封入される。図10Eにおいて、凹入部1045のようなステップは、ヒートスプレッダの上側の平面部分1044の外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。この形態では、ヒートスプレッダ1044の下側表面とLGAモールド1017の上側表面1019との間のスペースは、MPMモールドの薄いレイヤにより満たされる。代わりに、トップヒートスプレッダは、支持部を有さず、例えば、金属板銅などのなどの熱伝導性の原料の略平面のものとし得る。平面のヒートスプレッダの上側表面の少なくともより中心領域は、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に露出している。そのような単に平面のヒートスプレッダは、ヒートスプレッダがトップパッケージモールドの上側表面に取り付けられる場合に、図10Dにおいて1004で示される。MPM107における積み重ねられたパッケージの構成は、概略図6EにおけるMPM109のと同様であり、同様な構成は各図中の参照符号によって識別される。図10Dにおけるトップヒートスプレッダ1004は、図10Eにおけるように、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に露出している熱伝導性の物質で略平面なものである。トップヒートスプレッダは、例えば金属板銅などのである。しかし、ここで、トップヒートスプレッダ1004は、接着剤1006を使って上側パッケージカプセル体1017の上側表面1019に取り付けられる。接着剤1006は、改善された熱放散を提供するために、熱伝導性の接着剤である。通常、トップヒートスプレッダは、トップパッケージモールドが少なくとも部分的に硬化処理された後で、モールディング材料がMPMカプセル体1007に注入される前に、トップパッケージモールドに取り付けられる。トップヒートスプレッダの周囲は、MPMモールディング材料によってカプセル化される。図10Dにおいて、凹入部1005のようなステップは、ヒートスプレッダ1004の外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。図10Dにおける1004などの単に平面のヒートスプレッダは、トップパッケージモールドの上側表面に取り付けられることは必要でない。代わりに、単に平面のヒートスプレッダの下側表面と、LGAモールド1017の上側表面1019との間のスペースは、MPMモールドの薄いレイヤによって満たされており、そのような単に平面のヒートスプレッダは、モールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体1007に取り付けられる。そのような形態において、単に平面のトップヒートスプレッダの外周は、MPMモールディング材料によってカプセル化されてもよく、そして、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造のより機械的な完全性を得るため、外周図10Dに示す、単に平面のヒートスプレッダ1004の凹入する機能1005を参照上に凹入部1005のようなステップが与えられる。図10D,10Eにおけるような構成の利点は、改善された熱性能である。すべてのアプリケーションにボトムパッケージシールドとトップヒートスプレッダの両方を備えることは必要でない。交互に一方または他方が、最終製品のニーズに依存していると適正である。断面図のうち図11は、110として概ね本発明に係るMPMの別の形態を示す。その中で、積み重ねられたダイスLGAトップパッケージ1000は、積み重ねられたダイスBGAボトムパッケージ408上に積み重ねられて、そして、トップパッケージとボトムパッケージは、ワイヤボンドによって相互接続される。図11で説明された形態において、ボトムBGAパッケージ408は積み重ねて2つのダイスを備え、そしてトップLGAパッケージは積み重ねて2つのダイスを備える。この構成を有する構造は、例えば、固定された上側表面スペースに高いメモリ密度を必要とするアプリケーションに特に好ましい。積み重ねられたダイスは、同じタイプか、または、フラッシュ、SRAM、PSRAMなどを備えているメモリといった異なるタイプとすることができる。図11に示すように、トップパッケージ1000は、図10Aのトップパッケージ1000に実質的には同様に構成され、そして、同様な機能は同様な参照符号によって識別される。特に、トップパッケージ1000は、積み重ねられたダイスランドグリッドアレイパッケージであり、ダイス1014,1024はスペーサ1015によって分離されていて、トップパッケージ基板の上で積み重ねられている。トップパッケージ基板は、上側の基板の表面に金属レイヤを有している誘電性のレイヤ1012を備える。そして、積み重ねられたダイスを有するトップパッケージ基板のワイヤボンド相互接続と、ボトムパッケージ基板を有するトップパッケージのワイヤボンド相互接続とに接続位置を提供するトレース、例えば1011、を提供するためにパターン付けられている。下側のダイス1014は、ダイス接着エポキシなどの接着剤1013を使って、トップパッケージ基板のダイス取り付け領域に取り付けられる。ダイス1014は、ダイスの機能面上のワイヤボンドサイトと、所定のトレース1011上のワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド1016によってトップ基板と電気的に接続される。スペーサ1015は、接着剤図示しないを使って、下側のダイス1014の上側表面に取り付けられ、そして、上側のダイス1024は、接着剤図示しないを使って、スペーサ1015の上側表面に取り付けられる。上側のダイス1024の張り出している縁部が、ワイヤボンド1016に衝突しないように、スペーサは、クリアランスを提供するように十分に厚くなるように選ばれる。ダイス1024は、ダイスの機能面上のワイヤボンドサイトと所定のトレース1011上のワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド1026によってトップ基板と電気的に接続される。トップパッケージ基板の上の積み重ねられたダイスとワイヤボンドとのアセンブリは、トップパッケージ上側表面1019を提供しているモールディング材料1017でカプセル化され、相互接続トレース1011の周辺の部分を露出したままにしている。後述するように、トップパッケージ1000は、この時点でテストされて、それからボトムパッケージ408上に積み重ねられる。MPM110のボトムパッケージ408は、トップパッケージ1000と同様に構成される。特に、ボトムパッケージ408は、積み重ねられたダイスランドグリッドアレイパッケージである。そして、スペーサによって分離され、ボトムパッケージ基板の上に積み重ねられているダイス444,454を備えている。ボトムパッケージ基板は、完成したMPMにおいて相互接続基板として役立ち、それは、例えば、図5AのMPM50のボトムパッケージ400の底の基板412と同様の方法で構成され得る。特に、この形態において、ボトムパッケージ408は、少なくとも1つの金属レイヤを備えるボトムパッケージ基板442を有する。様々な基板タイプのいずれも使われ得る。例えば、2から6つの金属レイヤを有するラミネート、または4から8つの金属レイヤを有する基板、または1または2つの金属レイヤを有する柔軟なポリイミドテープ、またはセラミックの積層基板も含まれる。図11に例示されたボトムパッケージ基板442は、2つの金属レイヤ451,453を有し、それぞれは、適切な電気回路を提供するためにパターン付けられて、バイアス452によって接続される。下側のダイス444は、通常、図11において443で示されている一般にダイス接着エポキシと称される接着剤を使って、基板の上側表面に接着される。下側のダイスは、所定のトレース451上のワイヤボンドサイトとダイス444の機能面上のワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド446によって、底の基板と電気的に接続される。スペーサは、接着剤図示しないを使って、下側のダイス444の上側表面に取り付けられ、上側のダイス454は、積み重ねられて、接着剤図示しないを使ってスペーサの上側表面に取り付けられる。スペーサは、上側のダイス454の張り出している縁部がワイヤボンド446に衝突しないようなクリアランスを提供するために十分な厚さとなるように選ばれる。上側のダイス454は、所定のトレース451上のワイヤボンドサイトと、ダイス454の機能面上のワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド456によって底の基板と電気的に接続される。ボトムパッケージの下側のダイス444と上側のダイス454とワイヤボンド446,456とは、処理操作を促進するために周囲および機械的なストレスから保護を提供し一番上の積み重ねられたダイスパッケージ1000が積み重ねられ得るボトムパッケージの上側表面を提供するモールディングコンパウンド917でカプセル化される。はんだボール318は、例えば、最終製品のマザーボード図示しないなどの基礎的な電気回路との相互接続を提供するため、基板の下側の金属レイヤ上の接続パッドの上にリフローされる。はんだマスク455、457は、電気的な接続のために接続位置で基礎的な金属を露出するために金属レイヤ451,453上でパターン付けられる。例えば、ワイヤボンドサイトとボンディングパッドは、ワイヤボンドとはんだボール418とを接続する。トップパッケージ1000は、テストされ、ボトムパッケージ基板の上側表面のダイス取り付け領域に積み重ねられて、接着剤1103を使って取り付けられる。トップパッケージとボトムパッケージとの電気的な相互接続は、ボトムパッケージ基板の上側の金属レイヤのトレース451上のワイヤボンドサイトとトップパッケージ基板のトレース1011上の露出されたワイヤボンドサイトとを接続しているワイヤボンド1118によってもたらされる。それからMPMアセンブリ体は、パッケージ間のワイヤボンドを保護し、完成したMPM110において機械的な完全性を提供するために、モールド1107でカプセル化される。トップパッケージまたはボトムパッケージまたはトップパッケージとボトムパッケージとの両方において積み重ねられたダイスを有するMPMは、特に、大容量メモリの小さな上側表面スペースアプリケーションとすることができる。図11のマルチパッケージモジュールは、例えば、積み重ねられたASICボトムパッケージの上に積み重ねられたダイスメモリトップパッケージを備え得る。または、トップパッケージとボトムパッケージとの両方は、高密度メモリモジュールを形成する積み重ねられたダイスメモリパッケージとすることができる。他の積み重ねられたダイスパッケージの構成は、本発明のこの形態に従って、例えば、積み重ねたダイスの数および積み重ねたダイスの寸法に依存して、MPMにおけるボトムまたはトップの積み重ねられたダイスパッケージに使用され得る。例えば、ボトムパッケージの積み重ねた上側のダイスは、下側のダイスより小さな寸法を有する。そのような構成においては、下側のダイスの縁部のワイヤボンド接続サイト上に上側のダイスの周縁部の突出が全くなく、したがって、積み重ねている隣接したダイス間にスペーサを備えることは不要である。他のトップパッケージの構成は、本発明のこの形態に従って、積み重ねられたダイスボトムパッケージの上に積み重ねられ得る。BGAトップパッケージは、図5Aの形態において例示されるように、積み重ねられたダイスボトムパッケージの上に積み重ねられる。図11において説明されるように、積み重ねられたダイスボトムパッケージを有するマルチパッケージモジュールから改善された熱放散のために、ヒートスプレッダはトップパッケージの上に提供される。トップヒートスプレッダは、その上側表面の少なくともより中心領域を、MPMの上側表面で、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に露出させている熱伝導性の物質から形成される。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのであり、それはモールディング材料硬化処理の間にMPMカプセル体に取り付けられる。または、ヒートスプレッダは、トップパッケージの上に略平面な部分と、ボトムパッケージ基板の上側表面、またはその近くに配置されている周辺の支持部または支持部材を有している。積み重ねられたダイスボトムパッケージを有しているまたは積み重ねられたダイスボトムとトップパッケージを有するMPMのトップMPMヒートスプレッダのみならず、図5Dおよび5Eに例として説明されるようなトップヒートスプレッダも同様に適切である。図11のMPMの構成と図5Eのヒートスプレッダに関して、例えば、トップヒートスプレッダは、トップパッケージの上に配置される概ね平面の中心部分544とボトムパッケージ基板442の上側表面に延びている周辺の支持部546とを有している熱伝導性の材料から形成され得る。平面部分544の上側表面は、MPMから離れて効率的な熱交換をするために、MPM上側表面で周囲に露出する。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのから形成され、例えば打ち抜きすることによって形成される。支持部546は、任意で、接着剤を使ってボトムパッケージ基板の上側表面に取り付けられ得る。マルチパッケージモジュールの構成は、モジュールカプセル体1107の構成によって保護され、ヒートスプレッダ支持部は、モールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体1107に封入される。凹入部1045のようなステップは、ヒートスプレッダの上側の平面部分1044の外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。この形態において、ヒートスプレッダ544の下側表面と、トップパッケージモールド1017の上側表面1019との間のスペースは、MPMモールドの薄いレイヤにより満たされる。代わりに、トップヒートスプレッダは、トップパッケージモールドの上側表面に取り付けられ得る。図11のMPMの構成と図5Dのヒートスプレッダに関して、例えば、トップヒートスプレッダ504は、その上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に向けて露出している熱伝導性の物質で略平面なものである。トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などである。しかし、ここで、トップヒートスプレッダ504は、接着剤を使って上側のパッケージカプセル体1017の上側表面1019上に取り付けられる。接着剤は、改善された熱放散を提供するために、熱伝導性の接着剤である。通常、トップヒートスプレッダは、トップパッケージモールドが少なくとも部分的に硬化処理された後であるが、モールディング材料がMPMカプセル体1107として注入される前に、トップパッケージモールドに取り付けられる。トップヒートスプレッダの周囲は、MPMモールディング材料によってカプセル化される。凹入部505のようなステップは、ヒートスプレッダ504の外周に供給され、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得ることができる。さらなる代案として、図11中のようなMPMは、支持部を有さず、つまり、トップパッケージモールドの上側表面に取り付けず、単に平面のヒートスプレッダを提供され得る。そのような形態において、トップヒートスプレッダは、例えば、金属板銅などのなどのような熱伝導性の物質で略平面なものとすることができる。そして、平面のヒートスプレッダの上側表面の少なくともより中心領域が、MPMから離れて効率的な熱交換をするために周囲に露出している。ここで、単に平面のヒートスプレッダの下側表面と、LGAモールド1017の上側表面1019との間のスペースは、MPMモールドの薄いレイヤにより満たされる。そして、そのような単に平面のヒートスプレッダは、モールディング材料硬化処理プロセスの間にMPMカプセル体1107に取り付けられる。そのような取り付られていない単に平面のトップヒートスプレッダの周囲は、図5Dの取り付けられた平面のヒートスプレッダのように、MPMモールディング材料によってカプセル化されてもよく、そして、モールディングコンパウンドからレイヤ割れするのを減少させて構造についてのより機械的な完全性を得るため、外周上に凹入部505のようなステップを与えられてもよい。以上の記述により好適なものとして、すべての様々な形態において、本発明は、積み重ねられたパッケージの間でz軸相互接続方法としてのワイヤボンド接続を特徴とする。一般に、下側のBGAの上に積み重ねられたすべてのLGAは、周囲にワイヤボンドのスペースを得るためにBGAより小さくx-y平面の少なくとも1次元においてなければならない。ワイヤの直径は、主として0.025mm0.050から0.010mmの範囲のオーダである。LGA基板エッジまでのワイヤの長さは、様々な形態において異なり得るが、ワイヤの直径より短くはない。BGAとLGAの相対的なサイズは、主としてそれぞれの最大のダイスのサイズによって決定される。ダイスの厚さとモールドキャップの厚さは、主として、いくつのダイスが1つのパッケージに積み重ねられ得るかで決定する。本発明における使用のためにBGAパッケージとLGAパッケージを製造するプロセスは、ワイヤボンド接続とパッケージのフリップチップタイプとの両方の産業においてよく確立される。BGAのテストは、産業においてよく設けられており、主として、はんだボールパッドにアクセスコンタクトすることによってなされる。LGAは、2つの方法のどちらかにおいてテストされ得る。すなわち、基板のLGAの下側表面にあるBGAのはんだボールパッドと同様にLGAパッドに接近することによって、または、基板の上側表面のz軸相互接続パッドに接近することによってテストされ得る。完成されたMPMアッセンブリ体は、BGAをテストする場合と同じようにテストされ得る。MPM組立工程は、本発明の様々な形態に従った構成と同様である。一般に、プロセスは、第1パッケージ基板および第1パッケージ基板に取り付けられた少なくとも1つのダイスを備えている第1モールドパッケージを提供するステップと、第1モールドパッケージの上側表面に接着剤を塗布するステップと、第2基板の下側表面が接着の間に第1パッケージの上側表面の接着剤に接触するように、第2パッケージ基板および少なくとも1つのダイスを備えている第2モールドパッケージを配置するステップと、そして第1および第2基板の間でz軸相互接続を形成するステップとを備える。有益なことに、パッケージは組み立てに先がけてテストされることができ、第1パッケージおよび第2パッケージがテストされ合格と判定されたものが組み立てモジュールにおいて使用されるように、性能のための要件または信頼性を満たさないパッケージは処分され得る。図12は、図5Aまたは7に例示されるようなマルチパッケージモジュールの組み立ての工程を示しているフローチャートである。ステップ1202において、ボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが供給される。ボールグリッドアレイパッケージのダイスおよびワイヤボンドの構成は、モールドによって保護される。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中印によって示される。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1204において、接着剤が、合格のBGAパッケージの上のモールドの上側表面に塗布される。ステップ1206において、個片化されたランドグリッドアレイパッケージが供給される。個片化されたLGAパッケージは、モールドによって保護され、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1208において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージのモールドの上の接着剤に合格のLGAパッケージを配置するために実行される。ステップ1210において、接着剤が硬化処理される。ステップ1212において、プラズマクリーン処理はステップ1214の準備として実行される。そして、ステップ1214において、積み重ねられたトップLGAとボトムBGAパッケージとの間でワイヤボンドz軸相互接続が形成される。ステップ1216において、追加のプラズマクリーンは、ステップ1218でのMPMモールドの形成に付随して実行される。ステップ1220において、第2次相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1222において、完成したモジュールはテストされて、例えばのこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図13は、例えば図6Aに示すようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。ステップ1302において、ボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが供給される。ボールグリッドアレイパッケージのダイスとワイヤボンドの構成とは、モールドによって保護される。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示されるように。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1304において、接着剤は合格のBGAパッケージのモールドの上側表面の上に塗布される。ステップ1306において、個片化されたランドグリッドアレイパッケージが供給される。個片化されたLGAパッケージは、ワイヤボンドを保護している周辺のモールドによって保護されて、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1308において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージのモールド上の接着剤に合格のLGAパッケージを配置するために実行される。ステップ1310において、接着剤が硬化処理される。ステップ1312において、プラズマクリーン処理は、ステップ1314の準備として実行される。そして、ステップ1314においてワイヤボンドz軸相互接続は、積み重ねられたトップLGAとボトムBGAパッケージとの間で形成される。ステップ1316において、追加のプラズマクリーンは、ステップ1318でのMPMモールドの形成に付随して実行される。ステップ1320において、第2レベルの相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1322において、完成したモジュールはテストされて、例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図14Aは、例えば図8Aに示すようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。ステップ1402において、ボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが供給される。BGAパッケージは、ダイスの上に取り付けられたシールドを備える。シールドは、ボールグリッドアレイパッケージ上のダイスとワイヤボンドの構成とを保護し、それに応じて、いかなるパッケージモールドも必要とされていない。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示される。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1404において、接着剤は合格のBGAパッケージのシールド上側表面の上に塗布される。ステップ1406において、個片化されたランドグリッドアレイパッケージが供給される。個片化されたLGAパッケージは、モールドによって保護されて、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1408において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージのシールド上の接着剤に合格のLGAパッケージを配置するために実行される。ステップ1410において、接着剤は硬化処理される。ステップ1412において、プラズマクリーン処理は、ステップ1414の準備として実行される。そして、ステップ1414において、ワイヤボンドz軸相互接続は、積み重ねられたトップLGAおよびBGAパッケージ間で形成される。ステップ1416において、追加のプラズマクリーンは、ステップ1418でのMPMモールドの形成に付随して実行される。ステップ1420において、デフラッシュ処理は、不適当な基本的要素を分解し、取り除くために実行される。デフラッシュは、レーザによってまたは化学薬品またはプラズマクリーンによって実行される。ステップ1422において、第2次相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1424において、完成したモジュールはテストされて、例えば、のこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図14Bは、例えば図8Bに示すようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。このプロセスは、図14Aに示されるものと同様に、ドロップイン成形モールド処理によってヒートスプレッダの取り付けの間に挿入される追加の工程を有している。処理における同様な工程は、各図における同様な参照符号によって識別される。ステップ1402において、ボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが供給される。BGAパッケージはダイスの上に取り付けられたシールドを備える。シールドは、ボールグリッドアレイパッケージのダイスとワイヤボンドの構成とを保護し、それに応じて、いかなるパッケージモールドも必要とされていない。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示されるように。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1404において、接着剤は合格のBGAパッケージのシールド上側表面の上に塗布される。ステップ1406において、個片化されたランドグリッドアレイパッケージが供給される。個片化されたLGAパッケージは、モールドによって保護され、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1408において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージのシールド上の接着剤に合格のLGAパッケージを配置するために実行される。ステップ1410において、接着剤は硬化処理される。ステップ1412において、プラズマクリーン処理は、ステップ1414の準備として実行される。そして、ステップ1414において、ワイヤボンドz軸相互接続は、積み重ねられたトップLGAとボトムBGAパッケージとの間で形成される。ステップ1416において、追加のプラズマクリーンは実行される。ステップ1415において、ヒートスプレッダは雌型モールド装置による各モールド雌型の中に落とされる。ステップ1417において、ステップ1416によるクリーンパッケージスタックは、ヒートスプレッダの上のモールド雌型の中に落とされる。ステップ1419において、カプセル化材料は、モールド雌型に注入されて、MPMモールドを形成するために硬化処理される。ステップ1421において、デフラッシュ処理は、不適当な基本的要素を分解し、取り除くために実行される。デフラッシュは、レーザによってまたは化学薬品またはプラズマクリーンによって実行される。ステップ1422において、第2次相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1424において、完成したモジュールはテストされて、例えばのこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図14Cは、例えば図8Cに示すようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。このプロセスは、図14Aに示されるものと同様であり、トップパッケージの上のアタッチメントによって平面のヒートスプレッダを取り付ける間に挿入される追加のステップを有する。プロセスにおける同様なステップは、各図における同様な参照符号によって識別される。ステップ1402において、ボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが供給される。BGAパッケージは、ダイスの上に取り付けられたシールドを備える。シールドは、ボールグリッドアレイパッケージのダイスとワイヤボンドの構成とを保護し、それに応じて、いかなるパッケージモールドも必要とされていない。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示される。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1404において、接着剤は合格のBGAパッケージのシールドの上側表面に塗布される。ステップ1406において、個片化されたランドグリッドアレイパッケージが供給される。個片化されたLGAパッケージは、モールドによって保護されて、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1408において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージのシールド上の接着剤に合格のLGAパッケージを配置するために実行される。ステップ1410において、接着剤は硬化処理される。ステップ1412において、プラズマクリーン処理は、ステップ1414の準備として実行される。そして、ステップ1414において、ワイヤボンドz軸相互接続は、積み重ねられたトップLGAとボトムBGAパッケージとの間で形成される。その後、追加のプラズマクリーンが実行される。ステップ1431において、接着剤はトップLGAパッケージモールドの上側表面に塗布されて、ステップ1433において、ピックアンドプレイスの処理は、トップパッケージモールドの接着剤の上に平面のヒートスプレッダを配置するために実行される。ステップ1435において、接着剤は硬化処理される。ステップ1416において、追加のプラズマクリーンは実行されて、そしてステップ1418において、MPMモールドは形成される。ステップ1420において、デフラッシュ処理は、不適当な基本的要素を分解し、取り除くために実行される。デフラッシュは、レーザによってまたは化学薬品またはプラズマクリーンによって実行される。ステップ1422において、第2レベルの相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1424において、完成したモジュールはテストされて、例えばのこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図15は、例えば図9Aに示すようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。ステップ1502において、下向きダイスフリップチップボールグリッドアレイボトムパッケージの個片化されていないストリップが供給される。BGAパッケージは、モールドを与えられまたは与えられず、そして第2次相互接続はんだボールを備えないで供給される。ストリップのBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示される。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1504において、接着剤は合格のBGAパッケージ上のダイスの上側表面裏側に塗布される。ステップ1506において、個片化されたランドグリッドアレイパッケージが供給される。個片化されたLGAパッケージは、モールドによって保護されて、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1508において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージのダイス上の接着剤に合格のLGAパッケージを配置するために実行される。ステップ1510において、接着剤は硬化処理される。ステップ1512において、プラズマクリーン処理は、ステップ1514の準備として実行される。そして、ステップ1514において、ワイヤボンドz軸相互接続は、積み重ねられたトップLGAとボトムBGAパッケージとの間で形成される。ステップ1516において、追加のプラズマクリーンは、ステップ1518においてMPMモールドの形成に付随して実行される。ステップ1520において、第2次相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1522において、完成したモジュールはテストされて、例えばのこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図16は、例えば図9Bに示すようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。このプロセスは、図15で示されたものと同様であり、ボトムパッケージフリップチップダイスの上のシールドの取り付けの間に挿入される追加のステップを有する。プロセスにおける同様なステップは、各図における同様な参照符号によって識別される。ステップ1602において、下向きダイスフリップチップボールグリッドアレイボトムパッケージの個片化されていないストリップが供給される。BGAパッケージは、モールドを与えられまたは与えられず、そして第2次相互接続はんだボールを備えないで供給される。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示される。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1603において、電気遮蔽材は、合格のボトムBGAパッケージのダイス上に取り付けられる。ステップ1604において、接着剤は合格のBGAパッケージのシールドの上側表面に塗布される。ステップ1606において、個片化されたランドグリッドアレイパッケージが供給される。個片化されたLGAパッケージは、モールドによって保護されて、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1608において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージのシールド上の接着剤に合格のLGAパッケージを配置するために実行される。ステップ1610において、接着剤は硬化処理される。ステップ1612において、プラズマクリーン処理は、ステップ1614の準備として実行される。そして、ステップ1614において、ワイヤボンドz軸相互接続が、積み重ねられたトップLGAとボトムBGAパッケージとの間で形成される。ステップ1616において、追加のプラズマクリーンは、ステップ1618でのMPMモールドの形成に付随して実行される。ステップ1620において、第2レベルの相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1622において、完成したモジュールはテストされて、例えばのこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図17は、例えば図10Aまたは図10Bに示すようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。ステップ1702において、上向きダイスフリップチップボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが供給される。フリップチップ相互接続は、ダイスとボトム基板のダイス取り付け面との間のアンダーフィルまたはモールドによって保護される。したがって、いかなる余分なモールドも必要とされていない。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示される。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1704において、接着剤は合格のBGAパッケージの基板の上側表面の上に塗布される。ステップ1706において、個片化された第2のパッケージが供給される。それは、図10Aと10Bに例示するように、積み重ねられたダイスパッケージである。個片化された第2のパッケージは、モールドによって保護されて、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1708において、ピックアンドプレイスの処理は、合格BGAパッケージの基板上の接着剤に合格の第2パッケージを配置するために実行される。ステップ1710において、接着剤は硬化処理される。ステップ1712において、プラズマクリーン処理は、ステップ1714の準備として実行される。そして、ステップ1714において、ワイヤボンドz軸相互接続は、積み重ねられたトップ積み重ねられたダイスとボトム上向きダイスフリップチップBGAパッケージとの間で形成される。ステップ1716において、追加のプラズマクリーンは、ステップ1718でのMPMモールドの形成に付随して実行される。ステップ1720において、第2次相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1722において、完成したモジュールはテストされて、例えばのこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。図18は、図11中で例示されるようなマルチパッケージモジュールの組み立てのプロセスを示しているフローチャートである。ステップ1802において、積み重ねられたダイスボールグリッドアレイパッケージの個片化されていないストリップが供給される。積み重ねられたダイスBGAパッケージが形成され、上側のパッケージ表面を供給している。ストリップ状のBGAパッケージは、好ましくは、それらが次の処理に入る前に、性能および信頼性についてテストされる図中で印によって示される。合格と認定されたパッケージだけが後処置を受ける。ステップ1804において、接着剤は合格の積み重ねられたダイスBGAパッケージの基板の上側表面に塗布される。ステップ1806において、個片化された第2パッケージが供給される。それが、図11に例示するように、積み重ねられたダイスパッケージである。個片化された第2パッケージは、モールドによって保護されて、好ましくは、テストされて、合格と認定される。ステップ1808において、ピックアンドプレイスの処理は、合格のBGAパッケージの基板上の接着剤に合格の第2パッケージを配置するために実行される。ステップ1810において、接着剤は硬化処理される。ステップ1812において、プラズマクリーン処理は、ステップ1814の準備として実行される。そして、ステップ1814において、ワイヤボンドz軸相互接続は、積み重ねられたトップ積み重ねられたダイスとボトム上向きダイスフリップチップBGAパッケージとの間で形成される。ステップ1816において、追加のプラズマは、ステップ1818でのMPMモールドの形成に付随して実行される。ステップ1820において、第2レベルの相互接続はんだボールは、モジュールの下側に取り付けられる。ステップ1822において、完成したモジュールはテストされて、例えばのこぎり個片化またはパンチ個片化によってストリップから個片化されて、さらなる使用のためにパッケージされる。好適なことに、本発明に係るプロセスの様々なステップの個々のものは、これまでに説明されている方法のような従来の組立て設備の直接的な修正を伴う実質的に従来の技術を使用して、これまでに詳述されている方法に従って実行され得る。従来の技術と従来の組立て設備の必要とされるような修正とのそのようなバリエーションは、過度の実験をせずこれまでの説明を用いて成し得る。他の実施形態は、特許請求の範囲内で実施可能である。"