"一方から他方へ向かう磁界を発生させる磁界発生手段と、前記磁界発生手段が発生する磁界内に設置され、ブリッジ接続された複数の磁気抵抗素子よりなる感磁パターンが基板面に形成された磁気センサと、前記磁界発生手段を保持する第1の部材と、前記磁気センサを保持する第2の部材とを備え、前記磁気センサの出力に基づいて前記第1の部材と前記第2の部材との相対的な回転角度を検出する回転角度検出器において、前記第1の部材および前記第2の部材は、何れか一方が可動部材、他方が固定部材とされ、前記磁気センサの感磁パターンは、前記磁界発生手段が発生する磁界の平行磁場が得られる最大幅を直径とする円に内接するように、前記基板上に形成されていることを特徴とする回転角度検出器。請求項1に記載された回転角度検出器において、前記磁気センサの感磁パターンは、前記複数の磁気抵抗素子の各々がつづら折りでほぼ扇形になるように形成された線状電極とされ、各磁気抵抗素子はその扇形の中心線が互いに隣接する磁気抵抗素子と90度の回転ずれを有し、かつ各磁気抵抗素子の扇形の円弧は前記磁界発生手段が発生する磁界の平行磁場が得られる最大幅を直径とする円に内接する1/4円弧とされていることを特徴とする回転角度検出器。しかしながら、図9に示したような角形の感磁パターンPT1では、磁石3-1,3-2が感磁パターンPT1に比して大きければ、すなわち磁石3-1,3-2の平行磁場有効範囲が感磁パターンPT1に比して大きければ、感磁パターンPT1の各所に作用する磁界Bの方向は平行と見なせるが、回転角度検出器の大型化を招いてしまう。一方、磁石3-1,3-2が小型化を求められると、磁界Bの方向が磁石3-1,3-2の端辺に近づくにつれ磁界Bの方向が異なるものとなり、回転角度の検出精度を要求される場合は感磁パターンPT1を配置できる範囲が狭くなり、結果的に検出出力が小さくなってしまう。また、磁気センサ1や磁石3-1,3-2のわずかな搭載位置ずれによっても、大きく検出精度が悪化する。本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、磁界発生手段の大型化を伴うことなく、検出出力を大きくとることが可能な、また磁気センサや磁界発生手段の搭載精度を緩和することが可能な回転角度検出器を提供することにある。このような目的を達成するために本発明は、一方から他方へ向かう磁界を発生させる磁界発生手段と、磁界発生手段が発生する磁界内に設置され、ブリッジ接続された複数の磁気抵抗素子よりなる感磁パターンが基板面に形成された磁気センサと、磁界発生手段を保持する第1の部材と、磁気センサを保持する第2の部材とを備え、磁気センサの出力に基づいて第1の部材と第2の部材との相対的な回転角度を検出する回転角度検出器において、第1の部材および第2の部材は、何れか一方が可動部材、他方が固定部材とされ、磁気センサの感磁パターンは、磁界発生手段が発生する磁界の平行磁場が得られる最大幅を直径とする円に内接するように、基板上に形成されていることを特徴とする。この発明によれば、磁界発生手段が発生する磁界の平行磁場が得られる最大幅を直径とする円に内接するように磁気センサの感磁パターンを基板上に形成することにより、磁界発生手段の大型化を伴うことなく、磁界の平行磁場が得られる基板上の感磁パターンの有効面積を最大とし、検出出力を大きくとることが可能となる。また、従来の角形と同じ面積分の感磁パターンであれば、最も外周に配置されるパターンを従来のパターンよりも内側にすることが可能となり、磁気センサや磁界発生手段の搭載精度を緩和することが可能となる。本発明において、磁気センサの感磁パターンは、例えば、4つの磁気抵抗素子の各々がつづら折りでほぼ扇形になるように形成された線状電極とする。この場合、各磁気抵抗素子は、その扇形の中心線が互いに隣接する磁気抵抗素子と90度の回転ずれを有するものとし、かつ各磁気抵抗素子の扇形の円弧を磁界発生手段が発生する磁界の平行磁場が得られる最大幅を直径とする円に内接する1/4円弧とする。本発明によれば、磁界発生手段が発生する磁界の平行磁場が得られる最大幅を直径とする円に内接するように磁気センサの感磁パターンを基板上に形成するようにしたので、磁界発生手段の大型化を伴うことなく、磁界の平行磁場が得られる基板上の感磁パターンの有効面積を最大とし、検出出力を大きくとることが可能となる。また、従来の角形と同じ面積分の感磁パターンであれば、最も外周に配置されるパターンを従来のパターンよりも内側にすることが可能となり、磁気センサや磁界発生手段の搭載精度を緩和することが可能となる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1はこの発明に係る回転角度検出器の一実施の形態の要部を示す図である。同図において、図9と同一符号は図9を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。この実施の形態において、ブリッジ接続された4つの磁気抵抗素子1-1~1-4よりなる感磁パターンPT2は、各々の磁気抵抗素子1-1~1-4がつづら折りでほぼ扇形になるように形成された線状電極とされている。また、この感磁パターンPT2において、各磁気抵抗素子1-1~1-4は、その扇形の中心線O-L1,O-L2,O-L3,O-L4が互いに隣接する磁気抵抗素子と90度の回転ずれを有するものとされている。また、各磁気抵抗素子1-1~1-4の扇形の円弧は、磁石3-1,3-2が発生する磁界Bの平行磁場が得られる最大幅W1を直径とする円4に内接する1/4円弧とされている。すなわち、この実施の形態では、磁石3-1,3-2が発生する磁界Bの平行磁場が得られる最大幅W1を直径とする円4を感磁パターンPT2の基板2上の形成面とし、この基板2上の円4の面積いっぱいに感磁パターンPT2を形成している。これにより、本実施の形態では、磁石3-1,3-2の大型化を伴うことなく、磁界Bの平行磁場が得られる基板2上の感磁パターンPT2の有効面積を最大とし、検出出力を大きくとることが可能となる。また、感磁パターンPT2を従来の角形と同じ面積分の感磁パターンとすれば、最も外周に配置されるパターンを従来のパターンよりも内側にすることが可能となり、磁気センサ1や磁石3-1,3-2の搭載精度を緩和することが可能となる。なお、本実施の形態では、図8に示すフルブリッジ構成を採用するため磁気抵抗素子の個数を4つとしたが、フルブリッジ構成の代わりに、ハーフブリッジ構成も適用することが可能である。その場合には磁気抵抗素子の個数は2つとなる。有効面積の差従来の感磁パターンPT1と本実施の形態の感磁パターンPT2との有効面積の差を図2を参照して説明する。従来の感磁パターンPT1において、角形四角とされた磁気抵抗素子の線状電極の面積を1×1=1とする。これに対して、本実施の形態の感磁パターンPT2において、扇形とされた磁気抵抗素子の線状電極の面積は√2×√2×π/4=1.57となる。したがって、基板2の中心から同一距離までを設置可能エリアとすれば、角形の感磁パターンPT1に対して円形の感磁パターンPT2は、1.57倍の有効面積となり、検出出力を大きくとることが可能となる。同一面積での半径の差従来の感磁パターンPT1と本実施の形態の感磁パターンPT2との同一面積での半径の差を図3を参照して説明する。従来の感磁パターンPT1において、角形四角とされた磁気抵抗素子の線状電極の面積を1×1=1とする。本実施の形態の感磁パターンPT2において、扇形とされた磁気抵抗素子の線状電極の面積が従来の角形とされた磁気抵抗素子の線状電極の面積と等しいものとすれば、その扇形の半径rは1=r2×π/4より、r=1.13となる。ここで、従来の感磁パターンPT1の半径を1×1の角形の対角線の長さである√2とすると、従来の感磁パターンPT1と本実施の形態の感磁パターンPT2との同一面積での半径の差は√2-1.13=0.28となる。そして、この半径の差0.28を角形の対角線の長さ√2で割ると0.20となる。したがって、同一面積の抵抗配置であれば、最も外周に配置されるパターンは、角形にくらべ扇形が20内側になり、その分、搭載精度を緩和することが可能となる。図4は本発明に係る回転角検出器を使用した調節弁制御システムのシステム構成図である。同図において、5は上位コントローラ、6は調節弁、7は調節弁6の弁開度を制御する電空ポジショナである。電空ポジショナ7は、電空変換部7-1とパイロットリレー7-2と角度センサ7-3を備えており、上位コントローラ5からの設定開度情報および調節弁6からの角度センサ7-3を介する実開度情報に基づいて駆動制御信号を生成し、この駆動制御信号を電空変換部7-1にて空気圧信号に変換し、パイロットリレー7-2を介して調節弁6へ与え、調節弁6の開度を制御する。角度センサ7-3は、調節弁6の弁開度をフィードバックレバー図5に示す8の回転角度位置として検出するセンサであり、この角度センサ7-3に本発明に係る回転角度検出器を使用している。図5は電空ポジショナ7の角度センサ7-3と調節弁6との配置関係を示す図である。調節弁6は駆動部6Aと弁軸6Bと弁6Cとを備えている。駆動部6Aは、ダイアフラムを有してなり、電空ポジショナ7からの導入空気圧に応じ弁軸6Bを上下動させて、弁6Cの開度を調整する。この弁軸6Bのリフト位置、すなわち弁6Cの開度を検出するべく、角度センサ7-3と弁軸6Bとの間にフィードバックレバー8が連結されている。フィードバックレバー8は、弁軸6のリフト位置に応じて角度センサ7-3の中心O1を軸心として、回動する。このフィードバックレバー8の回転角度位置から弁6Cの開度を知ることができる。図6aおよびbは角度センサ7-3の要部を示す平面図および側面図である。この角度センサ7-3において、フィードバックレバー8は回転軸9に軸支されており、この回転軸9との軸支部に磁石3-1,3-2およびヨーク3-3からなる磁界発生手段3が固定されている。磁界発生手段3はフィードバックレバー8と一体となって回動する。そして、この磁界発生手段3が発生する磁界Bに対し、その感磁パターンPT2が形成された基板面を平行として、磁気センサ1が配置されている。この磁気センサ1は、センサ取付部材10に固定的に配置されており、フィードバックレバー8とは一体となって回動しない。図7に角度センサ7-3の要部を斜視図として示す。なお、この調節弁制御システムでは、磁界発生手段3が可動部材フィードバックレバー8に保持され、磁気センサ1が固定部材センサ取付部材10に保持されているが、磁界発生手段3を固定部材に保持し、磁気センサ1を可動部材に保持するような構成とされる場合もある。"