珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量が10mol以下であって、密度が3.0g/cm3以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体。請求項1に記載の珪化バリウム多結晶体を用いることを特徴とする珪化バリウムスパッタリングターゲット。本発明の目的は、割れのない低酸素含有量珪化バリウム多結晶体を製造し、低酸素含有量珪化バリウムスパッタリングターゲットを提供することである。本発明は、1珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量が10mol以下であって、密度が3.0g/cm3以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体。21に記載の珪化バリウム多結晶体を用いることを特徴とする珪化バリウムスパッタリングターゲットに関する。本発明の珪化バリウム多結晶体を用いることで、低酸素含有量珪化バリウムスパッタリングターゲットを製造する事ができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の珪化バリウムは化学式としてBaSi2に属し、結晶系は斜方晶となるJCPDSカードNo01-071-2327。本発明の珪化バリウム多結晶体は、多結晶体中の含有酸素量が10mol以下であることを特徴とする。多結晶体中の含有酸素量は5mol以下であることがより好ましく、3mol以下であることが更に好ましい。多結晶体中の酸素含有量が10molより大きい場合、その酸素は多結晶体中に偏析して存在し、偏析部と通常部の間で強度が低下し、その部分が起点としてバルク内に割れを生じることがあるからである。また、本発明の珪化バリウム多結晶体は、放電の安定性や表層から起きる酸化の防止の観点からその密度が3.0g/cm3以上であることが必要であり、3.2g/cm3以上であることが好ましい。多結晶体の密度を3.0g/cm3以上とすることでバルク体中に開気孔が少なくなり、表面の酸化が進みにくくなる。多結晶体中の含有酸素量の測定は、珪化バリウムを熱分解させ、炭素窒素水素分析装置を用いて酸素量を熱伝導度法により測定を行うことで求めることができる。また、XPSX線光電子分光、EPMA電子線マイクロアナライザなどの元素分析により測定する方法なども挙げられる。本発明の珪化バリウム多結晶体の製造方法について説明する。本発明の珪化バリウム多結晶体の製造方法は、バリウムとシリコン粉末から珪化バリウム合金を合成する工程と、前記珪化バリウム合金を粉砕して酸素含有量が10mol以下の珪化バリウム粉末とする工程と、前記珪化バリウム粉末を600°C~1100°Cでホットプレス処理する工程とを含んでなる。以下に、本発明の珪化バリウム多結晶体の製造方法について詳細に説明する。まず、バリウムとシリコン粉末から珪化バリウム合金を合成する。原料であるバリウム及びシリコン粉末中の酸素含有量は極力少ないことが望ましく、具体的には10mol以下であることが好ましく、5mol以下であることがより好ましい。原料中の酸素含有量を少なくすることで、多結晶体に残留する酸素が減少し、成膜した珪化バリウム膜の純度も向上する。また、合成方法は特に限定されないが、極力酸素を含有させないような合成方法が好ましく、そのためには容器などに酸素を含有する機材をなるべく使用しない装置であるアーク溶解法が好ましい。次に、得られた珪化バリウム合金を粉砕して粉末状とする。珪化バリウム粉末中の酸素含有量は10mol以下とするため、珪化バリウム合金の合成後から酸素含有量を増加させないように、粉砕作業は不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。珪化バリウム粉末表面の酸化を防ぎ、酸素含有量を低く抑えることができるからである。次に、珪化バリウム粉末を600°C~1100°Cでホットプレス処理する。ホットプレス法は粉末を加圧しながら温度を与えることで焼結を進める装置であり、加熱時に一軸加圧を行なうことで焼成時の拡散を補助し、拡散係数が低い場合や、金属など粒子径が大きい場合など焼結しにくい材料を焼結できるようにする焼成法である。ホットプレス法により焼成を行なうことで従来よりも密度が向上し、3.0g/cm3以上の珪化バリウム多結晶体を得ることが可能となる。ホットプレス処理における焼成温度は600°C以上1100°C以下であり、好ましくは、700°C以上1000°C以下で焼成する。600°Cより低い温度では焼結が進まず密度が成形体密度と同程度にしか向上しない。また、1100°Cよりも高い温度にて焼成を行なうと融点が近いために珪化バリウムが溶融する可能性がある。焼成時の圧力は10MPa以上100MPa以下である事が好ましい。10MPa以下の圧力では圧力が不足し、多結晶体の密度が向上しない傾向があり、また、100MPa以上では一般的に用いられるカーボン製の金型では耐久力に欠けるために型の割れを生じる危険性があるからである。焼結の雰囲気は酸素を含まない雰囲気で行なう事が好ましい。本発明の珪化バリウム多結晶体は、所定のターゲット寸法に加工してもよい。加工方法は特に限定しないが、平面研削法、ロータリー研削法または円筒研削法等を用いることができる。水と反応するために加工時の水の取扱いには注意を要する。本発明の珪化バリウム多結晶体は、必要に応じて平板状または円筒状の支持体にハンダ材等の接着剤により固定ボンディングしても良い。支持体の材質は、熱伝導率が高く成型物を支持できる強度があれば特に限定されないが、熱伝導率が高く強度が高いことからCu、SUSまたはTiなどの金属が好ましい。支持体の形状は平板形状の成形物には平板形状の支持体を用い、円筒形状の成形物には円筒形状の支持体を用いる。成形物と支持体を接着する接着材ボンディング材は、支持するために十分な接着強度があれば特に限定されないが、導電性の樹脂、スズ系ハンダ材またはインジウム系のハンダ材を使用することが出来る。導電性、熱伝導性が高く、かつ柔らかく変形しやすいことからインジウムハンダが好ましい。その理由は、ターゲット表面の熱を効率的に冷却でき、熱膨張により発生した多結晶体と支持体の間の応力を吸収し多結晶体の割れを防止することができるためである。以下、本発明の実施例をもって説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。密度バルク体の密度はバルクの寸法から求めた体積と重量から計算して求めた。酸素含有量の測定珪化バリウムを熱分解させ、炭素窒素水素分析装置Leco社製を用いて酸素量を熱伝導度法により測定した。実施例1バリウムとシリコン粉末をモル比が1:2になるように100g秤量し、アーク溶解を行なった。アーク溶解は銅製の水冷鋳型に混合原料を約10gずつ投入し、真空処理後、アルゴンを封入しアーク放電を行ないながら材料を溶融し合金を作製した。アーク溶解を行なった後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金をメノウ乳鉢を用いて粉砕した。作製した珪化バリウム粉末の酸素含有量は2.6molであった。次に、作製した珪化バリウム粉末75gを75mmφのカーボン製の金型を用いてホットプレス処理を行なった。雰囲気は真空中にて行なった。温度は200°C/hにて昇温し、最終的に800°Cまで温度を増加させ、その際の加圧条件は800°C保持の際に40MPaまで上昇させ、保持時間2時間にてホットプレス処理を行った。降温は5時間で約50°Cまで降温し、金型を取り出し、多結晶体の回収を行なった。多結晶体の密度3.40g/cm3であった。その後、前記多結晶体を75mmφ×4mmtの形状に加工した。多結晶体中の酸素含有量は2.8molであった。図1に示されるX線回折により珪化バリウムの多結晶体である事が確認できた。ボンディング材料としてインジウムハンダを用いて、Cu製のバッキングプレート上に前記多結晶体をボンディングして、珪化バリウムスパッタリングターゲットを得た。得られたターゲットについて放電評価を行なった。放電方式:RFスパッタ成膜装置:マグネトロンスパッタ装置ターゲットサイズ:75mmφ成膜圧力:0.5Pa添加ガス:アルゴン放電パワー:100W基板温度:室温以上の条件にて成膜を行なった結果、珪素―バリウム混合薄膜を作製する事が可能であることを確認した。実施例2焼成温度を900°Cとした以外は実施例1と同様の方法で珪化バリウム多結晶体を製造した。珪化バリウム粉末の酸素含有量は3.3mol、珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量3.5mol、珪化バリウム多結晶体の密度は3.44g/cm3であった。実施例3焼成温度を700°Cとした以外は実施例1と同様の方法で珪化バリウム多結晶体を製造した。珪化バリウム粉末の酸素含有量は2.8mol、珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量3.0mol、珪化バリウム多結晶体の密度は3.20g/cm3であった。比較例1市販の珪化バリウム粉末高純度化学研究所製、商品名BAI04XBを用いた以外は実施例1と同様の方法にて製造した。市販の珪化バリウム粉末の酸素含有量は11molであった。焼結体の密度を測定したところ、3.44g/cm3であったが、焼結時に割れを生じた。酸素含有量は12molであった。比較例2焼成温度を500°Cとした以外は実施例1と同様の方法で珪化バリウム多結晶体を製造した。珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量は7.5mol、珪化バリウム多結晶体の密度は2.70g/cm3であった。比較例3珪化バリウム粉末を作製するまでは実施例1と同様に作製を行なった。作製した粉末を30MPaにて一軸プレス成形し、できた成形体を大気中1000°Cにて焼成を行なった。得られた多結晶体をX線回折で確認したところ、珪酸バリウムを多く含んだ多結晶体に変化していた事が確認された。