回折格子を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、前記回折格子のための複数のストライプ状凹部が形成されたパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、半導体基板の主面上に、活性層と、前記回折格子とを含む半導体レーザのための半導体積層を形成する半導体積層形成工程と、前記半導体積層をエッチングすることにより、前記半導体積層にストライプ構造を形成するストライプ構造形成工程と、を備え、前記モールドの前記複数のストライプ状凹部は、それぞれ前記パターン面と平行な第1方向に沿って延びると共に、前記第1方向と直交する第2方向に沿って互いに離間して設けられており、前記モールドの前記複数のストライプ状凹部の各々は、前記第1方向の2つの端部と、当該2つの端部間の中央部と、を有し、前記2つの端部の少なくとも一方の前記パターン面からの深さは、前記中央部の前記パターン面からの深さよりも深く、前記半導体積層形成工程は、前記半導体基板上に、前記活性層と半導体層とを堆積する堆積工程と、前記半導体層上に、樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、前記モールドの前記パターン面を前記樹脂部に押しつける押し付け工程と、前記樹脂部に前記モールドの前記パターン面を押し付けた状態で前記樹脂部を硬化させた後に前記モールドと前記樹脂部とを離間させることにより、前記複数のストライプ状凹部の形状を前記樹脂部に転写し、これにより前記樹脂部に前記半導体基板の前記主面と平行な第3方向に沿った周期構造を有する樹脂パターン部を形成する樹脂パターン部形成工程と、前記樹脂パターン部の反転形状又は非反転形状を前記半導体層に転写することにより、前記第3方向に沿った周期構造を有する前記回折格子を前記半導体層に形成する回折格子形成工程と、を有し、前記ストライプ構造形成工程は、前記半導体積層の上面の一部を前記第3方向に沿って延びるマスクで覆うマスク工程と、前記マスクを用いて、前記第3方向と直交する方向の前記回折格子の両端部が除去されるように、前記半導体積層をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。前記複数のストライプ状凹部の各々の前記中央部を規定する前記モールドの表面は、前記パターン面と略平行であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記複数のストライプ状凹部の各々の前記中央部を規定する前記モールドの表面は、前記第1方向の両端のうちの少なくとも一端を含む領域であって、前記第1方向に沿って当該少なくとも一端に近づくに従って前記パターン面からの深さが深くなる前記領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記複数のストライプ状凹部の各々の前記2つの端部のうちの少なくとも一方の端部を規定する前記モールドの表面は、前記第1方向において前記パターン面に対して傾斜していることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記押し付け工程は、減圧雰囲気下で行われることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。前記堆積工程は、前記半導体層上に絶縁層を堆積する工程をさらに含み、前記樹脂部は、シリコン非含有樹脂からなり、前記樹脂部形成工程では、前記絶縁層上に前記樹脂部を形成し、前記回折格子形成工程は、前記樹脂パターン部を埋め込むように前記樹脂部上にシリコン含有樹脂層を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、前記シリコン含有樹脂層をエッチングすることにより、前記樹脂パターン部の凹部内に前記シリコン含有樹脂層が残存するように前記樹脂パターン部の表面を露出させるシリコン含有樹脂層エッチング工程と、前記樹脂パターン部の凹部内に残存している前記シリコン含有樹脂層をマスクとして用いて前記樹脂部をエッチングすることにより、前記絶縁層の表面の一部を露出させる樹脂部エッチング工程と、前記樹脂部エッチング工程の後に、前記シリコン含有樹脂層及び前記樹脂部をマスクとして用いて前記絶縁層をエッチングすることにより、前記半導体層の表面の一部を露出させる絶縁層エッチング工程と、前記絶縁層エッチング工程の後に、前記絶縁層をマスクとして用いて前記半導体層の表面の前記一部をエッチングすることにより、前記樹脂パターン部形成工程で形成された前記樹脂パターン部の反転形状を前記半導体層に転写する半導体層エッチング工程と、を含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。半導体レーザ素子が有する回折格子を形成する方法として、ナノインプリント法を採用することが検討されている。回折格子の形成にナノインプリント法を採用することで、半導体レーザ等のデバイスの製造コストを低減させることができる等の利点がある。ナノインプリント法で半導体レーザ素子の回折格子を形成する場合には、まず、半導体基板上に、回折格子が形成されるべき半導体層と、樹脂部とをこの順に形成する。そして、回折格子のための複数のストライプ状凹部が形成されたパターン面を有するモールドをこの樹脂部に押し付け、その状態で樹脂部を硬化させた後にモールドと樹脂部とを離間させる。このようにして、モールドの複数のストライプ状凹部の形状を樹脂部に転写することにより、樹脂部に樹脂パターン部を形成する。その後、樹脂パターン部を用いた上記半導体層のエッチング等によって樹脂パターン部の形状を半導体層に転写することにより、上記半導体層に回折格子を形成する。しかしながら、上述のようなナノインプリント法を用いた回折格子の製造方法においては、モールドのパターン面を樹脂層に押し付けた際、パターン面の複数のストライプ状凹部と樹脂部との間に空気が残存したままとなること等を起因として、パターン面の複数のストライプ状凹部と樹脂部との間に気泡が生じてしまう場合がある。そのような状態で樹脂部を硬化してしまうと、モールドの複数のストライプ状凹部の形状が正しく樹脂部に転写されなくなってしまう。その結果、半導体層に形成される回折格子に欠陥が生じ易いという問題があった。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、回折格子に欠陥が生じることを抑制することが可能な半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。上述の課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、回折格子を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、回折格子のための複数のストライプ状凹部が形成されたパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、半導体基板の主面上に、活性層と、回折格子とを含む半導体レーザのための半導体積層を形成する半導体積層形成工程と、半導体積層をエッチングすることにより、半導体積層にストライプ構造を形成するストライプ構造形成工程と、を備え、モールドの複数のストライプ状凹部は、それぞれパターン面と平行な第1方向に沿って延びると共に、第1方向と直交する第2方向に沿って互いに離間して設けられており、モールドの複数のストライプ状凹部の各々は、第1方向の2つの端部と、当該2つの端部間の中央部と、を有し、これらの2つの端部の少なくとも一方のパターン面からの深さは、上記中央部のパターン面からの深さよりも深く、半導体積層形成工程は、半導体基板上に、活性層と半導体層とを堆積する堆積工程と、半導体層上に、樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、モールドのパターン面を樹脂部に押しつける押し付け工程と、樹脂部にモールドのパターン面を押し付けた状態で樹脂部を硬化させた後にモールドと樹脂部とを離間させることにより、複数のストライプ状凹部の形状を樹脂部に転写し、これにより樹脂部に半導体基板の主面と平行な第3方向に沿った周期構造を有する樹脂パターン部を形成する樹脂パターン部形成工程と、樹脂パターン部の反転形状又は非反転形状を半導体層に転写することにより、第3方向に沿った周期構造を有する上記回折格子を半導体層に形成する回折格子形成工程と、を有し、ストライプ構造形成工程は、半導体積層の上面の一部を第3方向に沿って延びるマスクで覆うマスク工程と、このマスクを用いて、第3方向と直交する方向の上記回折格子の両端部が除去されるように、半導体積層をエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とする。本発明の半導体レーザ素子の製造方法においては、モールドの複数のストライプ状凹部は第2方向に沿って周期的に設けられているため、半導体積層形成工程における堆積工程、樹脂部形成工程、押し付け工程、及び、樹脂パターン部形成工程を経ることにより、半導体基板の主面と平行な第3方向に沿った周期構造を有する樹脂パターン部を樹脂部に形成することができる。そして、モールドの複数のストライプ状凹部の各々は、第1方向の2つの端部と、当該2つの端部間の中央部と、を有し、これらの2つの端部の少なくとも一方のパターン面からの深さは、上記中央部のパターン面からの深さよりも深い。そのため、押し付け工程において樹脂部にモールドのパターン面を押し付けた際にモールドの複数のストライプ状凹部と樹脂部との間に気泡が生じると、当該気泡は複数のストライプ状凹部の第1方向における2つの端部のうちの少なくとも一方に移動し易い。そのため、この気泡の存在に起因して樹脂パターン部に生じる欠陥は、第3方向と直交する方向の樹脂パターン部の端部に形成され易くなる。そして、この樹脂パターン部の形状を半導体層に転写して回折格子を形成するため、上記気泡の存在に起因する回折格子の欠陥は、第3方向と直交する方向の当該回折格子の端部に形成され易くなる。そして、ストライプ構造形成工程のエッチング工程において、第3方向と直交する方向の当該回折格子の両端部が除去されるように半導体積層をエッチングするため、上記気泡の存在に起因する回折格子の欠陥は、この半導体積層のエッチングの際に除去され易くなる。その結果、得られる半導体レーザ素子において、上記気泡に起因して回折格子に欠陥が生じることを抑制することができる。さらに、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法では、複数のストライプ状凹部の各々の中央部を規定するモールドの表面は、上記パターン面と略平行であることが好ましい。これにより、複数のストライプ状凹部の形状を樹脂部に転写することにより形成された樹脂パターン部において、樹脂パターン部の複数の凹部における深さ分布を均一化することができる。これにより、樹脂パターン部の形状を半導体層に転写して当該半導体層に回折格子を形成すると、当該回折格子の複数の凹部における深さ分布を均一化することができる。また、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法では、複数のストライプ状凹部の各々の中央部を規定するモールドの表面は、第1方向の両端のうちの少なくとも一端を含む領域であって、第1方向に沿って当該少なくとも一端に近づくに従ってパターン面からの深さが深くなる上記領域を含むことが好ましい。これにより、押し付け工程において樹脂部にモールドのパターン面を押し付けた際にモールドの複数のストライプ状凹部と樹脂部との間に生じた気泡は、複数のストライプ状凹部の第1方向における2つの端部のうちの少なくとも一方により移動し易くなる。さらに、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法では、複数のストライプ状凹部の各々の2つの端部のうちの少なくとも一方の端部を規定するモールドの表面は、第1方向においてパターン面に対して傾斜していることが好ましい。これにより、押し付け工程において樹脂部にモールドのパターン面を押し付けた際にモールドの複数のストライプ状凹部と樹脂部との間に生じた気泡は、複数のストライプ状凹部の第1方向における2つの端部のうちの少なくとも一方により移動し易くなる。さらに、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法において、押し付け工程は、減圧雰囲気下で行われることが好ましい。これにより、押し付け工程において樹脂部にモールドのパターン面を押し付けた際に、モールドの複数のストライプ状凹部と樹脂部との間に気泡が生じることを抑制することができる。これにより、回折格子に欠陥が生じることをより有効に抑制することができる。さらに、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法において、堆積工程は、半導体層上に絶縁層を堆積する工程をさらに含み、樹脂部は、シリコン非含有樹脂からなり、樹脂部形成工程では、絶縁層上に当該樹脂部を形成し、回折格子形成工程は、樹脂パターン部を埋め込むように上記樹脂部上にシリコン含有樹脂層を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、シリコン含有樹脂層をエッチングすることにより、樹脂パターン部の凹部内にシリコン含有樹脂層が残存するように樹脂パターン部の表面を露出させるシリコン含有樹脂層エッチング工程と、樹脂パターン部の凹部内に残存しているシリコン含有樹脂層をマスクとして用いて上記樹脂部をエッチングすることにより、絶縁層の表面の一部を露出させる樹脂部エッチング工程と、樹脂部エッチング工程の後に、シリコン含有樹脂層及び樹脂部をマスクとして用いて絶縁層をエッチングすることにより、半導体層の表面の一部を露出させる絶縁層エッチング工程と、絶縁層エッチング工程の後に、絶縁層をマスクとして用いて樹脂部エッチング工程で露出させた半導体層の表面の上記一部をエッチングすることにより、樹脂パターン部形成工程で形成された樹脂パターン部の反転形状を半導体層に転写する半導体層エッチング工程と、を含むことが好ましい。これにより、樹脂パターン部の非反転形状を半導体層へ転写するために、まず、シリコン含有樹脂層層、シリコン非含有樹脂からなる樹脂部、及び、絶縁層の材料の違いを利用して、シリコン含有樹脂層、樹脂部、及び、絶縁層を順に選択的にエッチングすることによって、絶縁層に樹脂パターン部の非反転形状を転写することができるシリコン含有樹脂層エッチング工程、樹脂部エッチング工程及び絶縁層エッチング工程。その後、当該絶縁層をマスクとして用いて半導体層をエッチングすることにより、樹脂パターン部形成工程で形成された樹脂パターン部の反転形状を半導体層に転写することにより、当該半導体層に回折格子を形成することができる半導体層エッチング工程。この際、上述のようなシリコン含有樹脂層、樹脂部、及び、絶縁層の選択的なエッチングの効果により、複数のストライプ状凹部の各々の中央部を規定するモールドの表面がパターン面に対して傾斜している場合でも、半導体層に形成される回折格子の凹部の深さ分布を略均一にすることができる。本発明によれば、回折格子に欠陥が生じることを抑制することが可能な半導体レーザ素子の製造方法が提供される。以下、実施の形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、可能な場合には同一要素には同一符号を用いる。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。第1実施形態第1実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法として、分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法について説明する。本実施形態の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法は、主として、モールド準備工程と、半導体積層形成工程と、ストライプ構造形成工程と、を備えている。以下、これらの工程について、詳細に説明する。モールド準備工程本工程においては、ナノインプリント用のモールドを準備する。図1は、本実施形態に係るナノインプリント用モールドの斜視図であり、図2Aは、図1のIIA-IIA線に沿ったナノインプリント用モールドの端面図であり、図2Bは、図1のIIB-IIB線に沿ったナノインプリント用モールドの端面図である。なお、図1及び図2においては、直交座標系2を示しており、図3以降の各図においても、直交座標系2を示している。図1及び図2に示すように、本実施形態のナノインプリント用のモールド1は、Z軸方向を厚さ方向とし、XY平面に沿って延びる略平坦なパターン面1Pを有する矩形の平板状の部材である。モールド1のパターン面1Pには、後述の回折格子17P図10参照のための複数のストライプ状凹部3が形成されている。複数のストライプ状凹部3は、それぞれパターン面1Pに沿った第1方向に沿って延びている。図1及び図2においては、第1方向がX軸と平行になるようにモールド1を図示している。また、複数のストライプ状凹部3は、第1方向と直交する第2方向に沿って互いに離間して周期的に並んでおり、この第2方向に沿って周期的に設けられている。図1及び図2においては、第2方向がY軸と平行になるようにモールド1を図示しており、第2方向は、第1方向と直交かつパターン面1Pに沿った方向である。図2Aに示すように、複数のストライプ状凹部3の各々は、第1方向X軸方向の2つの端部3Eと、当該2つの端部3E間の中央部3Mと、を有する。そして、2つの端部3Eのパターン面1Pからの深さT3Eは、中央部3Mのパターン面1Pからの深さT3Mよりも深い。なお、2つの端部3Eの一方のみのパターン面1Pからの深さが、中央部3Mのパターン面1Pからの深さT3Mよりも深くてもよい。2つの端部3Eと中央部3Mとは連続的に接続されているが、図2においては2つの端部3Eと中央部3Mとの境界B3を破線で示している。本実施形態においては、複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定するモールド1の表面3MSはパターン面1Pと略平行である。即ち、表面3MSは、第1方向X軸方向の一端3MSE1から他端3MSE2まで、パターン面1Pからの深さT3Mが一定である。複数のストライプ状凹部3の各々の2つの端部3Eを規定するモールド1の表面3ESもパターン面1Pと略平行である。表面3MSは、表面3ESに向かってパターン面1Pからの深さが深くなるように傾斜していてもよく、表面3ESは、表面3MSに向かってパターン面1Pからの深さが浅くなるように、又は、深くなるように傾斜していてもよい。複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mにおける深さT3Mは、例えば、50nm以上、300nm以下とすることができ、複数のストライプ状凹部3の各々の2つの端部3Eにおける深さT3Eは、例えば、60nm以上、400nm以下とすることができる。深さT3Mと深さT3Eの差は、例えば、10nm以上、100nm以下とすることができる。複数のストライプ状凹部3の各々の第1方向X軸方向に沿った長さは、例えば、10μm以上、500μm以下とすることができる。上述のように、本実施形態においては複数のストライプ状凹部3は、第2方向に沿って周期的に設けられている。そのため、図2Bに示すように、複数のストライプ状凹部3により、パターン面1Pには、複数のストライプ状凹部3としてのスペース部と、モールド1の複数のストライプ状凹部3間の領域であるライン部と、で構成されるラインアンドスペースパターン3Pが構成される。ラインアンドスペースパターン3Pは、Y軸方向に沿った周期構造を有する。即ち、ラインアンドスペースパターン3Pの周期方向は、Y軸方向に沿った方向である。なお、図1及び図2においては、図面の見易さのため、複数のストライプ状凹部3の数を4個として示しているが、複数のストライプ状凹部3の数は特に制限されず、典型的には、1000個以上、3000個以下程度である。本実施形態のラインアンドスペースパターン3Pは、X軸に沿って延び、それぞれY軸方向の幅及びZ軸方向の高さが略同一の複数のライン部と、X軸に沿って延び、それぞれY軸方向の幅及びZ軸方向の高さが略同一の複数のスペース部を有している。ラインアンドスペースパターン3Pは、後述の回折格子17P図10参照の形状に対応している。各ライン部と各スペース部のZ軸方向の高さは、上述の複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mの深さT3Mと同一となる。各ライン部と各スペース部のY軸方向の幅は、例えば、70nm以上、200nm以下とすることができる。ラインアンドスペースパターン3Pの周期λ3は、例えば、150nm以上、400nm以下とすることができる。モールド1は、例えば、石英、合成石英、Si、ニッケル等からなる。後述のナノインプリント用の樹脂部として紫外線硬化樹脂を用いる場合、モールド1は、石英、合成石英等の、紫外線に対する透過率が十分に高い材料からなることが好ましい。半導体積層形成工程次に、半導体積層形成工程を行う。本工程は、堆積工程と、樹脂部形成工程と、押し付け工程と、樹脂パターン部形成工程と、回折格子形成工程と、を有している。図3~図11は、半導体積層形成工程を説明するための断面図である。堆積工程堆積工程では、半導体基板上に、回折格子が形成されるべき半導体層を堆積する。具体的には、図3Aに示すように、半導体基板11の主面S11上に、例えば有機金属気相成長法等のエピタキシャル成長法によって、下部クラッド層13、活性層15、及び、半導体層17をこの順にエピタキシャル成長させる。なお、図1Aにおいて、半導体基板11の主面S11と平行な方向にX軸及びY軸を設定している。半導体基板11は、第1導電型例えばn型の半導体基板であり、例えばSnがドープされたInP基板等のIII-V族化合物半導体基板である。下部クラッド層13は、第1導電型の半導体層であり、例えばSiがドープされたInP等のIII-V族化合物半導体層である。活性層15は、例えば、MQW多重量子井戸構造やSQW単一量子井戸構造を有する。活性層15は、例えば、GaInAsPやAlGaInAs等のIII-V族化合物半導体からなる。半導体層17は、後に半導体層17d図10参照が形成される第2導電型第1導電型がn型の場合、p型の半導体層であり、例えば、ZnがドープされたGaInAsP等のIII-V族化合物半導体層である。堆積工程の後に、以下のように樹脂部形成工程、押し付け工程、樹脂パターン部形成工程、及び回折格子形成工程を行うことによって、半導体層17に、モールド1のパターン面1Pの複数のストライプ状凹部3の形状ラインアンドスペースパターン3Pの形状を転写する。樹脂部形成工程堆積工程の後に、樹脂部形成工程を行う。本工程では、半導体層17上に樹脂部を形成する。本実施形態においては、まず、図3Bに示すように、半導体層17上に、例えばプラズマ気相成長法によって、絶縁層19を形成する。絶縁層19の厚さは、例えば、20nm~50nmとすることができる。絶縁層19を構成する材料としては、例えば、窒化酸化シリコンSiON、酸化シリコンSiO2、や窒化シリコンSiNを用いることができる。そして、図3Bに示すように、絶縁層19上に樹脂部21を形成する。樹脂部21の形成は、例えば、絶縁層19上へ樹脂部21となる樹脂をスピン塗布することにより、行うことができる。樹脂部21は、ナノインプリント法で使用される樹脂からなり、例えば、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂や熱可塑性樹脂からなる。また、本実施形態においては、樹脂部21は、実質的にシリコンを含まない樹脂である非シリコン含有樹脂、又は、後述のシリコン含有樹脂層23図6参照よりも、シリコンの含有量が原子比で低い樹脂からなることが好ましい。樹脂部21のシリコン含有量が0.1原子以下であれば、樹脂部21はシリコンを実質的に含まないとみなすことができる。なお、絶縁層19と樹脂部21との密着性を向上させるために、絶縁層19と樹脂部21の間に密着層を形成してもよい。このような密着層としては、例えば、ブリューワサイエンス社製DUV40等のノボラック系樹脂を用いることができる。密着層の厚さは、例えば、10nm以上、300nm以下とすることができる。押し付け工程次に、押し付け工程が行われる。本工程では、図4A及び図4AのIVB-IVB線に沿った断面図である図4Bに示すように、樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付ける。この際、モールド1のパターン面1Pが半導体基板11の主面S11と略平行になるようにする。図4においては、モールド1の第2方向即ち、複数のストライプ状凹部3の並び方向、ラインアンドスペースパターン3Pの周期方向がY軸方向となるように、かつ、モールド1の第1方向即ち、複数のストライプ状凹部3のそれぞれの延び方向がX軸方向となるようにモールド1を示している。このように樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付けると、樹脂部21の周りの雰囲気における空気が複数のストライプ状凹部3と樹脂部21との間に残存したり、樹脂部21内から気体が発生したり、といった理由により、図4Bに示すように、樹脂部21と複数のストライプ状凹部3との間に気泡Hが生じてしまう場合がある。気泡Hの形状は、典型的には、直径数nm~数10nmの球状である。本実施形態のモールド1の複数のストライプ状凹部3の各々は、上述のように第1方向X軸方向の2つの端部3Eと、当該2つの端部3E間の中央部3Mと、を有し、2つの端部3Eのパターン面1Pからの深さT3Eは、中央部3Mのパターン面1Pからの深さT3Mよりも深い図2A参照。そのため、気泡Hは複数のストライプ状凹部3の第1方向X軸方向における端部3Eに移動し易い。即ち、気泡Hは、複数のストライプ状凹部3の端部3Eを規定するモールド1の表面3ESに近づくように移動し易く、特に、この表面3ESと接触するまで移動し易い。また、上述の押し付け工程は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。具体的には、樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付ける前に、半導体基板11から絶縁層19までの積層体と樹脂部21とからなる構造体が収容されたチャンバ内を減圧装置で減圧する等の方法により、樹脂部21の周りの雰囲気を減圧し、その状態で、モールド1のパターン面1Pを樹脂部21に押し付けることが好ましい。これにより、複数のストライプ状凹部3と樹脂部21との間に気泡Hが発生することを抑制することができる。なお、本実施形態においては、モールド1のパターン面1Pを樹脂部21に押し付ける際、パターン面1Pが樹脂部21の直下の層本実施形態では絶縁層19に接触しないようにしているが、パターン面1Pが樹脂部21の直下の層に接触するまでモールド1のパターン面1Pを樹脂部21に押し付けてもよい。樹脂パターン部形成工程次に、樹脂パターン部形成工程が行われる。本工程では、図4に示すように、モールド1のパターン面1Pを樹脂部21に押し付けた状態で、樹脂部21を硬化させる。樹脂部21が紫外線硬化樹脂からなる場合、樹脂部21に紫外線を照射して樹脂部21を硬化させる。この際、モールド1が紫外線に対する透過率が大きい材料石英等からなる場合、モールド1の上方から樹脂部21に向かって紫外線を照射することにより、モールド1内を透過した紫外線を樹脂部21に到達させることができる。樹脂部21が熱硬化樹脂からなる場合、樹脂部21を加熱して樹脂部21を硬化させる。そして、樹脂部21を硬化させた後に、図5A及び図5AのVB-VB線に沿った断面図である図5Bに示すように、モールド1と樹脂部21とを離間させることにより、モールド1の複数のストライプ状凹部3の形状モールド1のラインアンドスペースパターン3Pの形状が、樹脂部21に転写される。これにより、樹脂部21に樹脂パターン部21Pを形成する。樹脂パターン部21Pは、半導体基板11の主面S11と平行な第3方向に沿った周期構造を有する。図5においては、第3方向がY軸方向となるように樹脂部21等を示している。即ち、樹脂パターン部21Pの周期方向は、Y軸に沿った方向である。第3方向は、樹脂部21を硬化させた際のモールド1の第2方向に沿った方向例えば、第2方向と平行な方向である。樹脂パターン部21Pは、モールド1のラインアンドスペースパターン3Pに対応した形状を有する。即ち、樹脂パターン部21Pは、ラインアンドスペースパターンである。樹脂パターン部21Pのライン部のY軸方向の幅及びZ軸方向の高さは、モールド1のラインアンドスペースパターン3Pのスペース部のY軸方向の幅及びZ軸方向の高さと略同一である。同様に、樹脂パターン部21Pのスペース部のY軸方向の幅及びZ軸方向の高さは、モールド1のラインアンドスペースパターン3Pのライン部のY軸方向の幅及びZ軸方向の高さと略同一である。また、図5Bに示すように、樹脂部21と複数のストライプ状凹部3との間に生じた気泡H図4B参照の存在に起因して、樹脂パターン部21Pには欠陥21Dが形成されてしまう。欠陥21Dは、樹脂パターン部21Pのうち、複数のストライプ状凹部3の形状ラインアンドスペースパターン3Pの形状が正しく転写されなかった部分であり、本実施形態では孔部となる。上述のように、押し付け工程において気泡Hは第1方向X軸方向におけるストライプ状凹部3の端部3Eに移動し易いため図4B参照、欠陥21Dは、樹脂パターン部21Pのうち、第3方向Y軸方向と直交する方向X軸方向の端部に形成され易い。回折格子形成工程回折格子形成工程では、樹脂パターン部21Pの形状を半導体層17に転写する。具体的には、まず、図6A及び図6AのVIB-VIB線に沿った断面図である図6Bに示すように、樹脂パターン部21Pを埋め込むように、樹脂部21上にシリコン含有樹脂層23を形成する。このようなシリコン含有樹脂層23の形成は、例えば、樹脂部21上にスピン塗布法を用いてシリコン含有樹脂を塗布することによって、行うことができる。シリコン含有樹脂層23を構成する材料としては、例えば、メチルシルセスキオキサン等の有機シリコン化合物を用いることができる。続いて、図7A及び図7AのVIIB-VIIB線に沿った断面図である図7Bに示すように、樹脂パターン部21Pの表面21S樹脂パターン部21Pのうち、複数のストライプ状凹部3の第1方向の中央部3Mに対応する部分の表面が露出するまでシリコン含有樹脂層23をエッチングする。この際、シリコン含有樹脂層23の一部は、樹脂パターン部21Pのスペース部内樹脂パターン部21Pの凹部21A内に残存するようにする。このエッチングは、例えば、CF4ガスとO2ガスの混合ガスをエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチング法によって行うことができる。また、シリコン含有樹脂層23の他の一部は、樹脂パターン部21Pの欠陥21D内にも残存する。続いて、図8A及び図8AのVIIIB-VIIIB線に沿った断面図である図8Bに示すように、樹脂パターン部21Pの凹部21A内に残存しているシリコン含有樹脂層23をマスクとして用いて、樹脂部21エッチングして、絶縁層19の表面19Sの一部を露出させる。このエッチングは、例えば、O2ガスを含む混合ガスをエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチング法によって行うことができる。これにより、絶縁層19上には、樹脂部21及びシリコン含有樹脂層23からなる積層パターン部24が形成される。積層パターン部24は、樹脂パターン部21Pの凹凸を反転させた形状樹脂パターン部21Pの反転形状に対応する形状を有する。そのため、積層パターン部24は、第3方向Y軸方向に沿った周期構造を有する。また、図8Bに示すように、積層パターン部24は欠陥24Dを有する。積層パターン部24の欠陥24Dは、樹脂パターン部21Pの欠陥21Dの存在に起因して生じた欠陥部であり、樹脂部21と複数のストライプ状凹部3との間に生じた気泡H図4B参照の存在に起因して生じた欠陥部と言うこともできる。本実施形態では、積層パターン部24の欠陥24Dは、欠陥21D内に残存したシリコン含有樹脂層23に起因して、当該シリコン含有樹脂層23の下の樹脂部21がエッチングされなかったことが原因で形成された凸部である。次に、図9A及び図9AのIXB-IXB線に沿った断面図である図9Bに示すように、積層パターン部24をマスクとして用いて半導体層17の表面の一部が露出するまで絶縁層19をエッチングした後、積層パターン部24を除去する。絶縁層19のエッチングは、例えば、エッチングガスとしてCF4ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって行うことができる。積層パターン部24の除去は、例えば、エッチングガスとしてO2ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって行うことができる。これにより、樹脂パターン部21P図5参照の形状が絶縁層19に転写され、絶縁層19には絶縁パターン部19Pが形成される。絶縁パターン部19Pは、樹脂パターン部21Pの凹凸を反転させた形状樹脂パターン部21Pの反転形状に対応した形状を有するため、第3方向Y軸方向に沿った周期構造を有する。具体的には、絶縁パターン部19Pは、X軸に沿って延び、それぞれY軸方向の幅及びZ軸方向の高さが略同一の複数のライン部と、X軸に沿って延び、それぞれY軸方向の幅及びZ軸方向の高さが略同一の複数のスペース部と、からなるラインアンドスペースパターンを構成する。また、図9Bに示すように、絶縁パターン部19Pは欠陥19Dを有する。絶縁層19の欠陥19Dは、樹脂部21の欠陥21Dの存在に起因して生じた欠陥部であり図7B参照、樹脂部21と複数のストライプ状凹部3との間に生じた気泡H図4B参照の存在に起因して生じた欠陥部と言うこともできる。本実施形態では、絶縁層19の欠陥19Dは、欠陥21D内に残存したシリコン含有樹脂層23に起因して、当該シリコン含有樹脂層23の下の樹脂部21がエッチングされなかったことが原因で形成された凸部である図7B及び図8B参照。続いて、図10A及び図10AのXB-XB線に沿った断面図である図10Bに示すように、絶縁パターン部19Pをマスクとして、半導体層17の表面の上記一部を、半導体層17の厚さ方向の中間位置までエッチングする。このエッチングは、例えばエッチングガスとしてメタンガスと水素ガスの混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって行うことができる。これにより、絶縁パターン部19Pの形状が半導体層17に転写され、半導体層17に、ラインアンドスペースパターンからなる回折格子17Pが形成される。半導体層17は、第3方向Y軸方向に沿った周期構造を有する。具体的には、回折格子17Pは、X軸に沿って延びるライン部と、X軸に沿って延びるスペース部とからなり、ライン部とスペース部とが、Y軸に沿って交互に周期的に配置されたパターンである。このようにして、樹脂部21の樹脂パターン部21P図5参照の形状が半導体層17に転写され、半導体層17に回折格子17Pが形成される。本実施形態では、樹脂パターン部21Pの反転形状が、半導体層17に転写されて回折格子17Pが形成される。また図10Bに示すように、回折格子17Pは欠陥17Dを有する。回折格子17Pの欠陥17Dは、樹脂部21の欠陥21Dの存在に起因して生じた欠陥部であり図7B参照、樹脂部21と複数のストライプ状凹部3との間に生じた気泡H図4B参照の存在に起因して生じた欠陥部と言うこともできる。そのため、回折格子17Pの欠陥17Dは、第3方向Y軸方向に沿った回折格子17Pの端部に形成され易い。特に、複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定するモールド1の表面3MSがパターン面1Pに対して傾斜している場合、気泡Hは複数のストライプ状凹部3の第1方向における2つの端部3Eのうちの少なくとも一方により移動し易くなるので、この気泡Hに起因した回折格子17Pの欠陥17Dが、第3方向Y軸方向に沿った回折格子17Pの端部により形成され易くなる。本実施形態では、回折格子17Pの欠陥17Dは、欠陥21D内に残存したシリコン含有樹脂層23に起因して、当該シリコン含有樹脂層23の下の樹脂部21がエッチングされなかったことが原因で形成された凸部である図7B及び図8B参照。次に、図11A及び図11AのXIB-XIB線に沿った断面図である図11Bに示すように、半導体層17上に、埋め込み層27及びコンタクト層29をこの順に形成する。これにより、下部クラッド層13、活性層15、半導体層17、埋め込み層27、及び、コンタクト層29を有する半導体積層30が得られる。半導体積層30は、半導体レーザのための構成を有する積層体である。埋め込み層27は、例えば有機金属気相成長法によって形成されたエピタキシャル膜である。埋め込み層27は、回折格子17Pを埋め込んでいる。埋め込み層27は、例えば第2導電型の半導体層であり、例えばZnがドープされたInP等のIII-V族化合物半導体層からなる。また、埋め込み層27は、上部クラッド層として機能する。コンタクト層29は、例えば、第2導電型のInGaAs等のIII-V族化合物半導体からなる。コンタクト層29は、例えば有機金属気相成長法MOVPE法によって形成される。ストライプ構造形成工程半導体積層形成工程の後に、ストライプ構造形成工程が行われる。図12AB及び図13ABは、ストライプ構造形成工程を説明するための断面図であり、図13Cは、ストライプ構造形成工程を説明するための平面図である。本工程では、まず、図12A、図12AのXIIB-XIIB線に沿った断面図である図12B及び図12Bの上面図である図12Cに示すように、半導体積層30の上面の一部をマスク31で覆う。マスク31は、例えばプラズマ気相成長法によって形成され、例えば、酸化シリコンSiO2や窒化シリコンSiN等の絶縁材料からなる。マスク31は、第3方向Y軸方向に沿って延びる。また、図12B及び図12Cに示すように、マスク31は、半導体積層30の上面のうち、回折格子17Pの中央部回折格子17Pのうちの第3方向と直交する方向X軸方向の中央部の上方の領域を覆い、半導体積層30の上面のうち、回折格子17Pの両端部回折格子17Pのうちの第3方向と直交する方向X軸方向の両端部の上方の領域を覆わない。このようなマスク31は、例えば、半導体積層30の上面全体にマスク31を形成した後、フォトリソグラフィーによってマスク31を上述の形状にパターニングすることにより、得ることができる。具体的には、マスク31の上にレジストを回転塗布し、フォトリソグラフィーによってレジストをストライプ状に形成し、その後CF4ガスを用いた反応性イオンエッチング法によってマスク31にレジストのパターンを転写することにより、マスク31を得ることができる。続いて、図13に示すように、マスク31をマスクとして、例えば、メタンガスと水素ガスの混合ガスをエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチング法によって、半導体積層30の一部をエッチングする。このエッチングは、回折格子17Pの第3方向Y軸方向と直交する方向X軸方向の両端部が除去されるように行われる。これにより、回折格子17Pの欠陥17Dは除去される図12参照。本実施形態においては、半導体積層30のエッチングは下部クラッド層13の厚さ方向の中間位置まで行われ、これにより、下部クラッド層13の一部、活性層15、半導体層17、埋め込み層27、及び、コンタクト層29を有するメサ部Mが形成される。メサ部Mは本実施形態におけるストライプ構造となる。メサ部Mは、半導体基板11の主面S11と交差する方向に突出し、第3方向Y軸方向に沿って延びる。図14は、ストライプ構造形成工程以降の工程を説明するための断面図である。図14に示すように、例えば有機金属気相成長法によって、マスク31をマスクとして用いて、埋め込み半導体部33を選択成長する。これにより、埋め込み半導体部33はメサ部Mを埋め込む。埋め込み半導体部33は、例えば、第2導電型のInP等からなるIII-V族化合物半導体層と、この上に積層された第1導電型のInP等からなるIII-V族化合物半導体層とを含むことができる。埋め込み半導体部33は、Fe等がドーピングされたInP等からなる半絶縁性のIII-V族化合物半導体層を含んでもよい。続いて、図14に示すように、マスク31を除去し、コンタクト層29上に上部電極35を形成し、半導体基板11の裏面に下部電極37を形成した後に、半導体基板11の切断を行ってチップ化することにより、分布帰還型半導体レーザ素子50が完成する。分布帰還型半導体レーザ素子50の共振方向は、第3方向Y軸方向に沿った方向となる。上述のような本実施形態の半導体レーザ素子の製造方法においては、モールド1の複数のストライプ状凹部3は第2方向Y軸方向に沿って周期的に設けられているため図1及び図2参照、半導体積層形成工程における堆積工程、樹脂部形成工程、押し付け工程、及び、樹脂パターン部形成工程を経ることにより、半導体基板11の主面S11と平行な第3方向Y軸方向に沿った周期構造を有する樹脂パターン部21Pを樹脂部21に形成することができる図3~図5参照。そして、モールド1の複数のストライプ状凹部3の各々は、第1方向X軸方向の2つの端部3Eと、当該2つの端部3E間の中央部3Mと、を有し、これらの2つの端部3Eのパターン面1Pからの深さT3Eは、当該中央部3Mのパターン面1Pからの深さT3Mよりも深い図2A参照。そのため、押し付け工程において樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付けた際にモールド1の複数のストライプ状凹部3と樹脂部21との間に気泡Hが生じると、当該気泡Hは複数のストライプ状凹部3の第1方向X軸方向における2つの端部2つの端部3Eに移動し易い図4参照。そのため、この気泡Hの存在に起因して樹脂パターン部21Pに生じる欠陥21Dは、第3方向Y軸方向と直交する方向X軸方向の樹脂パターン部21Pの端部に形成され易くなる図5参照。そして、この樹脂パターン部21Pの形状を半導体層17に転写して回折格子17Pを形成するため、上記気泡Hの存在に起因する回折格子17Pの欠陥17Dは、第3方向Y軸方向と直交する方向X軸方向の当該回折格子17Pの端部に形成され易くなる図10参照。そして、ストライプ構造形成工程のエッチング工程において、第3方向Y軸方向と直交する方向X軸方向の当該回折格子17Pの両端部が除去されるように半導体積層30をエッチングするため図12及び図13参照、上記気泡Hの存在に起因する回折格子17Pの欠陥17Dは、この半導体積層30のエッチングの際に除去され易くなる。その結果、得られる分布帰還型半導体レーザ素子50において、上記気泡Hに起因して回折格子17Pに欠陥が生じることを抑制することができる図14参照。さらに、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法では、複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定する表面3MSは、パターン面1Pと略平行である図2参照。これにより、複数の複数のストライプ状凹部3の形状を樹脂部21に転写することにより形成された樹脂パターン部21Pにおいて、樹脂パターン部21Pの複数の凹部21Aにおける深さ分布を均一化することができる図5参照。これにより、樹脂パターン部21Pの形状を半導体層17に転写して当該半導体層17に回折格子17Pを形成すると、当該回折格子17Pの複数の凹部における深さ分布を均一化することができる図10参照。さらに、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法において、押し付け工程は、上述のように好ましくは減圧雰囲気下で行われる図3及び図4参照。これにより、押し付け工程において樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付けた際に、モールド1の複数のストライプ状凹部3と樹脂部21との間に気泡Hが生じることを抑制することができる。これにより、回折格子17Pに欠陥が生じることをより有効に抑制することができる。さらに、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法において、堆積工程は、半導体層17上に絶縁層19を堆積する工程をさらに含み、樹脂部21は、シリコン非含有樹脂からなり、樹脂部形成工程では、絶縁層19上に当該樹脂部21を形成し、回折格子形成工程は、樹脂パターン部21Pを埋め込むように上記樹脂部21上にシリコン含有樹脂層23を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、シリコン含有樹脂層23をエッチングすることにより、樹脂パターン部21Pの凹部21A内にシリコン含有樹脂層23が残存するように樹脂パターン部21Pの表面21Sを露出させるシリコン含有樹脂層エッチング工程と、樹脂パターン部21Pの凹部21A内に残存しているシリコン含有樹脂層23をマスクとして用いて上記樹脂部21をエッチングすることにより、絶縁層19の表面19Sの一部を露出させる樹脂部エッチング工程と、樹脂部エッチング工程の後に、シリコン含有樹脂層23層及び樹脂部21をマスクとして用いて絶縁層19をエッチングすることにより、半導体層17の表面の一部を露出させる絶縁層エッチング工程と、絶縁層エッチング工程の後に、絶縁層19をマスクとして用いて樹脂部エッチング工程で露出させた半導体層17の表面の上記一部をエッチングすることにより、樹脂パターン部形成工程で形成された樹脂パターン部21Pの反転形状を半導体層17に転写する半導体層エッチング工程と、を含んでいる図3~図10参照。これにより、樹脂パターン部21Pの非反転形状を半導体層17へ転写するために、まず、シリコン含有樹脂層23、シリコン非含有樹脂からなる樹脂部21、及び、絶縁層19の材料の違いを利用して、シリコン含有樹脂層23、樹脂部21、及び、絶縁層19を順に選択的にエッチングすることによって、絶縁層19に樹脂パターン部21Pの非反転形状を転写することができるシリコン含有樹脂層エッチング工程、樹脂部エッチング工程及び絶縁層エッチング工程、図6~図9参照。その後、当該絶縁層19をマスクとして用いて半導体層17をエッチングすることにより、樹脂パターン部形成工程で形成された樹脂パターン部21Pの反転形状を半導体層17に転写することにより、当該半導体層に回折格子を形成することができる半導体層エッチング工程。この際、上述のようなシリコン含有樹脂層23、樹脂部21、及び、絶縁層19の選択的なエッチングの効果により、後述のように複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定するモールド1の表面3MSがパターン面1Pに対して傾斜している場合でも図18参照、半導体層17に形成される回折格子17Pの凹部の深さ分布を略均一にすることができる。より具体的には、本実施形態では、モールド1のパターン面1Pに形成された回折格子のための凹凸パターンが転写された樹脂部21上に、樹脂部21の樹脂パターン部21Pの凹部を埋め込むようにシリコン含有樹脂層23を形成している図6参照。その後、樹脂パターン部21Pの表面が露出するようにシリコン含有樹脂層23がエッチングされ、シリコン含有樹脂層23は樹脂パターン部21Pの凹部21A内のみに埋め込まれた状態となる。その後、樹脂部21がエッチングされ、樹脂パターン部21Pの反転形状に対応する形状を有する積層パターン部24が形成されるので図8参照、後述のようにモールド1の表面3MSが傾斜している場合図18参照でも、積層パターン部24の凹部の深さは、この表面3MSの傾斜の影響を受けずに、略均一に形成される。その結果、絶縁層19に形成される絶縁パターン部19Pの凹部の深さも、略均一に形成されるため、半導体層17に形成される回折格子17Pの凹部の深さ分布を略均一にすることができる。このように本実施形態では、モールド1の中央部3Mの表面3MSが傾斜しているモールドでも、好適に用いることができる。このように、樹脂部21及びシリコン含有樹脂層23からなる積層パターン部24を形成する工程を含む場合は、後述のようにモールド1の表面3MSがパターン面1Pに対して傾斜している構造のモールド1も用いた場合図18参照でも、積層パターン部24をマスクとして半導体層17をエッチングすることにより、略均一な深さ分布の凹部を有する回折格子17Pを形成することができる。モールド1の表面3MSが傾斜している場合、気泡Hが、複数のストライプ状凹部3の第1方向における2つの端部3Eのうちの少なくとも一方により移動し易くなるので、この気泡Hに起因した回折格子17Pの欠陥17Dが、第3方向Y軸方向に沿った回折格子17Pの端部により形成され易くなる。その後、ストライプ構造形成工程において、回折格子17Pの端部に形成された欠陥17Dを除去することにより、回折格子17Pの欠陥17Dを有効に低減することができる。第2実施形態次に、第2実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について説明する。本実施形態は、第1実施形態と比較して、半導体積層形成工程において相違点がある。図15~図17は、本実施形態の半導体積層形成工程の一部を説明するための断面図である。本実施形態においては、図15A及び図15AのXVB-XVB線に沿った断面図である図15Bに示すように、樹脂部形成工程において、半導体層17上に絶縁層19図3B参照を形成せずに、半導体層17の直上に樹脂部21を形成する。そして、図15に示すように、モールド1のパターン面1Pを樹脂部21に押し付ける。その状態で樹脂部21を硬化させることにより、図16A及び図16AのXVIB-XVIB線に沿った断面図である図16Bに示すように、第1実施形態における場合と同様に、樹脂部21に樹脂パターン部21Pが形成する。その後、図17A及び図17AのXVIIB-XVIIB線に沿った断面図である図17Bに示すように、例えばエッチングガスとしてCF4とO2の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、半導体層17の一部が露出するまで樹脂部21をエッチングし、続いてメタンガスと水素ガスの混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、半導体層17の一部をエッチングする。これにより、樹脂パターン部21Pの形状が半導体層17に転写され、半導体層17には回折格子17Pが形成される。本実施形態においては、樹脂パターン部21Pの非反転形状が半導体層17に転写され、半導体層17に回折格子17Pが形成される。また、このエッチングには、たとえばArガスを用いたイオンミリング法を用いることもできる。イオンミリング法によるエッチングでは、樹脂部21と半導体層17のエッチングレートを略同じにすることができるので、樹脂部21に形成された樹脂パターン部21の形状が、そのまま相似的に半導体層17に転写される。この場合、複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定するモールド1の表面3MSが、パターン面1Pと略平行であるモールドを用いるのが好適である。このようなモールド1を用いることにより、半導体層17に形成される回折格子17Pの深さを、略均一にすることができる。具体的には、活性層ストライプの直下に当たる部分、すなわちX軸方向の回折格子ストライプの中央部の回折格子の凹部の深さを、略均一にすることができる。本実施形態の半導体層17は、第1実施形態の半導体層17と同様に、第3方向Y軸方向に沿った周期構造を有する。具体的には、回折格子17Pは、X軸に沿って延びるライン部と、X軸に沿って延びるスペース部とからなり、ライン部とスペース部とが、Y軸に沿って交互に周期的に配置されたパターンである。本実施形態の回折格子17Pが有する欠陥の態様は、第1実施形態の回折格子17Pが有する欠陥17D図10B参照の態様と異なる。即ち、本実施形態の回折格子17Pの欠陥17D2は、凹部形状を有する。上述のような本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法によれば、第1実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法における場合と同様の理由に基づき、得られる分布帰還型半導体レーザ素子50において、気泡Hに起因して回折格子17Pに欠陥が生じることを抑制することができる図14参照。本発明は上述の実施形態に限定されず、様々な変形態様が可能である。例えば、モールド1の複数のストライプ状凹部3の態様は、上述の各実施形態における態様に限られず、2つの端部3Eの少なくとも一方のパターン面1Pからの深さが中央部3Mのパターン面1Pからの深さよりも深ければよい。また、複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定するモールド1の表面3MSは、第1方向の両端一端3MSE1及び他端3MSE2のうちの少なくとも一端を含む領域であって、第1方向に沿って当該少なくとも一端に近づくに従ってパターン面1Pからの深さが深くなる領域を含んでいてもよい。このような変形例について、図18を用いて説明する。図18ABは、それぞれ、モールド1の複数のストライプ状凹部3の変形例を示す断面図であり、上述の実施形態における図2Aに対応する図である。例えば、図18Aに示すように、第2方向Y軸方向と垂直な断面において、モールド1の複数のストライプ状凹部3を規定する表面2つの端部3Eを規定する表面3ES及び中央部3Mを規定する表面3MSのパターン面1Pからの深さは、第1方向X軸方向の一方の端部から他方の端部に向かって、単調に減少してもよい。即ち、複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定するモールド1の表面3MSは、一端3MSE1を含む領域であって、第1方向に沿って当該一端3MSE1に近づくに従ってパターン面1Pからの深さT3Mが深くなる領域を含んでいてもよい。これにより、押し付け工程において樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付けた際にモールド1の複数のストライプ状凹部3と樹脂部21との間に生じた気泡Hは、複数のストライプ状凹部3の第1方向における2つの端部3Eのうちの少なくとも一方により移動し易くなる。また、複数のストライプ状凹部3の各々の中央部3Mを規定するモールド1の表面3MSは、一端3MSE1を含む領域であって、第1方向に沿って当該一端3MSE1に近づくに従ってパターン面1Pからの深さT3Mが深くなる第1領域と、他端3MSE2を含む領域であって、第1方向に沿って他端3MSE2に近づくに従ってパターン面1Pからの深さT3Mが深くなる第2領域と、を含んでもよい。これにより、押し付け工程において樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付けた際にモールド1の複数のストライプ状凹部3と樹脂部21との間に生じた気泡Hは、複数のストライプ状凹部3の第1方向における2つの端部3Eにより移動し易くなる。また、複数のストライプ状凹部3の各々の端部3Eのうちの少なくとも一方の端部を規定するモールド1の表面3ESは、第1方向においてパターン面1Pに対して傾斜していてもよい。具体的には、例えば、図18Bに示すように、複数のストライプ状凹部3の第1方向X軸方向における中央部3Mを規定する表面3MSがパターン面1Pと略平行であると共に、複数のストライプ状凹部3の第1方向X軸方向における2つの端部3Eを規定する表面がパターン面1Pと非平行であってもよい。これにより、押し付け工程において樹脂部21にモールド1のパターン面1Pを押し付けた際にモールド1の複数のストライプ状凹部3と樹脂部21との間に生じた気泡Hは、複数のストライプ状凹部3の第1方向における2つの端部3Eのうちの少なくとも一方により移動し易くなる。また、上述の各実施系形態においては、回折格子17P半導体層17を活性層15よりも上部に形成しているが図10参照、回折格子17P半導体層17を活性層15よりも下部に形成してもよい。また、上述の各実施形態における回折格子17Pは、一定の周期を有する回折格子であるが、回折格子17Pは、いわゆるチャープ回折格子やサンプルドグレーテイングであってもよい。