半導体の温度を示す温度検出信号を生成する温度検出回路であって、互いに独立したPN接合面を有する第1及び第2ダイオードと、前記第1ダイオードに直列に接続されており、第1オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第1可変分圧抵抗を含む第1電流路と、前記第2ダイオードに直列に接続されており、第2オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第2可変分圧抵抗を含む第2電流路と、前記第1可変分圧抵抗によって分圧された第1分圧電圧と前記第2電流路上の電位との差分を示す差分電圧を前記第1及び第2電流路各々に帰還供給しつつ前記差分電圧を基準電圧として出力する基準電圧生成部と、前記第2可変分圧抵抗によって分圧された第2分圧電圧に基づいて前記温度検出信号を生成する温度検出信号生成部と、を有することを特徴とする温度検出回路。前記第1及び第2ダイオードは互いに異なるPN接合面積を有することを特徴とする請求項1記載の温度検出回路。前記温度検出信号生成部は、前記第2分圧電圧を増幅して増幅電圧を得る増幅部と、第3オフセット調整信号に応じて前記増幅部の利得を調整する第3可変分圧抵抗と、を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の温度検出回路。調整箇所選択信号に応じて、前記差分電圧、前記増幅電圧、及び前記第2分圧電圧の内の1つを選択し、これを前記温度検出信号の出力端子を介して出力するスイッチ部を更に含むことを特徴とする請求項3記載の温度検出回路。前記増幅部は、前記第3オフセット調整信号に応じた利得で前記第2分圧電圧を増幅する第1アンプと、前記第1アンプから出力された電圧を前記増幅電圧として前記スイッチ部に供給する第2アンプと、を含むことを特徴とする請求項4記載の温度検出回路。温度勾配調整信号に応じて前記第2アンプから出力された前記増幅電圧のレベルを調整する第4可変分圧抵抗を更に含むことを特徴とする請求項5記載の温度検出回路。請求項1記載の温度検出回路の調整方法であって、前記第1オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記基準電圧を所定の第1電圧と一致させる第1ステップと、前記第2オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記第2分圧電圧を所定の第2電圧と一致させる第2ステップと、前記第3オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記温度検出信号のレベルを所定の第3電圧と一致させる第3ステップと、を有することを特徴とする温度検出回路の調整方法。本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、製造上のバラツキに拘わらず高い精度で温度検出を行うことが可能な温度検出回路及びその調整方法を提供することを目的とする。本発明に係る温度検出回路は、半導体の温度を示す温度検出信号を生成する温度検出回路であって、互いに独立したPN接合面を有する第1及び第2ダイオードと、前記第1ダイオードに直列に接続されており、第1オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第1可変分圧抵抗を含む第1電流路と、前記第2ダイオードに直列に接続されており、第2オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第2可変分圧抵抗を含む第2電流路と、前記第1可変分圧抵抗によって分圧された第1分圧電圧と前記第2電流路上の電位との差分を示す差分電圧を前記第1及び第2電流路各々に帰還供給しつつ前記差分電圧を基準電圧として出力する基準電圧生成部と、前記第2可変分圧抵抗によって分圧された第2分圧電圧に基づいて前記温度検出信号を生成する温度検出信号生成部と、を有する。また、本発明に係る温度検出回路の調整方法は、請求項1記載の温度検出回路の調整方法であって、前記第1オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記基準電圧を所定の第1電圧と一致させる第1ステップと、前記第2オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記第2分圧電圧を所定の第2電圧と一致させる第2ステップと、前記第3オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記温度検出信号のレベルを所定の第3電圧と一致させる第3ステップと、を有する。本発明に係る温度検出回路では、互いに独立したPN接合面を有する第1及び第2ダイオード各々の順方向電圧に基づいて温度依存しない基準電圧を生成するにあたり、第1ダイオードの順方向電圧を第1可変分圧抵抗によって調整したものでこの基準電圧を生成するようにしている。よって、生成された基準電圧がバンドギャップ電圧と等しくなるように第1可変分圧抵抗を調整することにより、製造上のバラツキに伴う精度の低下を抑えた、高精度な温度検出を行うことが可能となる。また、かかる温度検出回路では、半導体の温度上昇に伴いその電圧が低下するという第2ダイオードの順方向電圧に基づいて半導体の温度を示す温度検出信号を生成するにあたり、第2ダイオードの順方向電圧を第2可変分圧抵抗によって調整したものでこの温度検出信号を生成するようにしている。かかる第2可変分圧抵抗による調整によれば、温度検出信号における温度勾配温度変化に伴う電圧変化の度合いを変更することができるので、温度検出の感度を任意の感度に設定することが可能となる。また、かかる温度検出回路では、第2ダイオードの順方向電圧を、その利得が調整可能な増幅部で増幅することにより温度検出信号を得るようにしている。よって、この温度検出信号が所定の温度条件下で所定の電圧となるように増幅部の増幅利得を調整することにより、製造上のバラツキに伴う精度低下を抑えた高精度な温度検出を行うことが可能となる。更に、本発明に係る温度検出回路によれば、上記した各種調整を同一の温度条件下で行うことができるので、調整時間の短縮を図ることが可能となる。本発明による請求項1記載の温度検出回路は、互いに独立したPN接合面を有する第1及び第2ダイオード11、12と、第1ダイオードに直列に接続されており、第1オフセット調整信号VREFOFSに応じて分圧抵抗比が可変な第1可変分圧抵抗13を含む第1電流路と、第2ダイオードに直列に接続されており、第2オフセット調整信号DIODOFSに応じて分圧抵抗比が可変な第2可変分圧抵抗25を含む第2電流路と、第1可変分圧抵抗によって分圧された第1分圧電圧V1と第2電流路上の電位との差分を示す差分電圧を第1及び第2電流路各々に帰還供給しつつ差分電圧を基準電圧VREFとして出力する基準電圧生成部20と、第2可変分圧抵抗によって分圧された第2分圧電圧V2に基づいて温度検出信号SENSを生成する温度検出信号生成部と、を有する。また、かかる温度検出回路の調整方法は、第1オフセット調整信号のレベルを変化させることにより基準電圧を所定の第1電圧と一致させる第1ステップS23、S24と、第2オフセット調整信号のレベルを変化させることにより第2分圧電圧を所定の第2電圧と一致させる第2ステップS27、S28と、第3オフセット調整信号のレベルを変化させることにより温度検出信号のレベルを所定の第3電圧と一致させる第3ステップS31、S32と、を有する。以下、本発明に係る温度検出回路を図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は、本発明に係る温度検出回路の第1の実施例を示す回路図である。図1において、温度検出回路1は、シリコン半導体のバンドギャップエネルギーを利用した、いわゆるバンドギャップリファレンス回路であり、温度検出の対象となる半導体集積チップに構築されている。温度検出回路1は、ダイオード11及び12と、可変分圧抵抗13~15と、抵抗16~19と、オペアンプ20~22と、スイッチ素子23及び24と、を有する。第1のダイオードとしてのダイオード11のカソード端子には接地電位GNDが印加されており、そのアノード端子は可変分圧抵抗13の端子Aに接続されている。可変分圧抵抗13の端子Aはダイオード11のアノード端子に接続されており、端子BはラインL1を介してオペアンプ20の反転入力端子に接続されており、端子Cは抵抗16の一端に接続されている。可変分圧抵抗13は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された基準電圧オフセット調整信号VREFOFSによって示される基準オフセット値に基づいて、その端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。第2のダイオードとしてのダイオード12のカソード端子には接地電位GNDが印加されておりそのアノード端子はラインL2を介して抵抗17の一端、及びオペアンプ20、21各々の非反転入力端子に接続されている。尚、半導体チップ上に構築されるダイオード11及び12は互いに独立したPN接合面を有し、ダイオード12のPN接合面積は、ダイオード11のPN接合面積の1/NNは1より大なる実数である。つまり、ダイオード12のPN接合面積はダイオード11のPN接合面積よりも小である。オペアンプ20は、ラインL1上の電圧と、ラインL2上の電圧との差分に対応した差分電圧を生成し、これをラインL3を介して抵抗16、17、19、及びスイッチ素子23に供給すると共に、かかる差分電圧を基準電圧VREFとして半導体集積チップの外部端子PAを介して出力する。尚、かかる基準電圧VREFは、半導体のバンドギャップエネルギーに基づく固定電圧であり、例えば1.25±αボルトである。オペアンプ21の反転入力端子はラインL4を介して可変分圧抵抗14の端子Bに接続されており、その出力端子はラインL5及び抵抗18の一端に接続されている。可変分圧抵抗14の端子Aには接地電位GNDが印加されており、端子Cは抵抗18の他端に接続されている。可変分圧抵抗14は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された、第3のオフセット調整信号としての温度検出オフセット調整信号SVDOFSにて示されるセンサオフセット値に基づいて、その端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。よって、オペアンプ21は、ダイオード12のアノード端子の電圧を、可変分圧抵抗14の抵抗値の設定状態に応じた利得で増幅し、この際、得られた増幅電圧をラインL5を介して抵抗18の一端及び可変分圧抵抗15の端子Aに供給する。要するに、オペアンプ21は、温度検出オフセット調整信号SVDOFSによって示されるセンサオフセット値に基づく利得でダイオード12のアノード端子上の電圧を増幅するのである。尚、上記したオペアンプ20及び21は、互いに同一材料及び同一製造プロセスで構築されたものである。可変分圧抵抗15の端子Aには上記した如くラインL5を介してオペアンプ21の出力電圧が印加されており、端子CにはラインL6を介して抵抗19が接続されており、端子BにはラインL7を介してスイッチ素子24の一端が接続されている。尚、スイッチ素子24の他端はラインL8を介してオペアンプ22の非反転入力端子及びスイッチ素子23に接続されている。可変分圧抵抗15は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された温度勾配調整信号SVDGAによって示される温度勾配調整値に基づいて、その端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。スイッチ素子23は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された調整箇所選択信号TES00に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子23は、オン状態に設定されている間だけ、上記ラインL3上の電圧をラインL8を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子23は、温度検出回路1の通常動作時にはオフ状態固定となる。スイッチ素子24は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された調整箇所選択信号TES01に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子24は、オン状態に設定されている間だけ、上記した可変分圧抵抗15の端子B上の電圧をラインL8を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子24は、温度検出回路1の通常動作時にはオン状態固定となる。オペアンプ22は、その反転入力端子及び出力端子同士が接続されている、いわゆるボルテージフォロワ回路であり、上記ラインL8上の電圧を温度検出信号SENSとして、半導体集積チップの外部端子PAを介して出力する。以下に、上記した温度検出回路1の動作について説明する。図1に示すダイオード11及び12各々のアノード端子の電圧は、例えば図2の破線に示すように、半導体集積チップ自体の温度が絶対零度、つまり0Kケルビンの時には1.2ボルトであり、その温度が高くなるほど低下する。よって、ダイオードのアノード端子の電圧に基づいて、半導体集積チップの温度を検出することが可能となる。そこで、オペアンプ21、可変分圧抵抗15、スイッチ素子24及びオペアンプ22を含む温度検出信号生成部により、ダイオード12のアノード端子上の電圧に基づき、半導体集積チップの温度を示す温度検出信号SENSを生成しこれを外部出力するのである。一方、基準電圧生成部としてのオペアンプ20は、ダイオード11のアノード端子が接続されている可変分圧抵抗13の端子B上の電圧と、ダイオード12のアノード端子上の電圧との差分電圧を基準電圧VREFとして送出する。かかる差分電圧は、抵抗16及び可変分圧抵抗13を介してオペアンプ20の反転入力端子に帰還供給されると共に、抵抗17を介してオペアンプ20の非反転入力端子に帰還供給される。かかる構成により、オペアンプ20は、ダイオード12の順方向電圧アノード端子の電圧と、ダイオード11の順方向電圧アノード端子の電圧に基づく可変分圧抵抗13の端子B上の電圧と、が互いに等しくなるような帰還電圧を基準電圧VREFとして生成するように動作する。この際、ダイオード11及び12は互いに異なるPN接合面積を有する為、ダイオード11及び12各々に流れ込む電流は異なるものとなる。これにより、ダイオード12における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いは、ダイオード11における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いとは異なるものとなる。ただし、絶対零度の際にはダイオード11及び12各々の順方向電圧は共に1.2ボルトとなる。よって、ダイオード12の順方向電圧と、ダイオード11の順方向電圧との差分が、温度変更に伴う電圧変化分となるので、この電圧変化分によって、上記した温度上昇に伴う順方向電圧の低下分をキャンセルすることにより、温度変化に依存しない一定の基準電圧VREFを生成することができる。そこで、オペアンプ20にて、ダイオード12の順方向電圧アノード端子の電圧と、ダイオード11の順方向電圧アノード端子の電圧を可変分圧抵抗13によって分圧した分圧電圧と、を互いに等しくさせるような電圧値を基準電圧VREFとして生成させるのである。尚、基準電圧VREFの値は、絶対零度での半導体のバンドギャップ電圧以下、BGR電圧と称するである1.2ボルトである。よって、基準電圧VREFは、図2に示す如く、半導体集積チップの温度変化に依存しない一定の1.2ボルトとなる。従って、温度検出回路1によって生成された基準電圧VREF及び温度検出信号SENSを用いることにより、半導体集積チップの発熱温度の異常を検出することが可能となる。例えば、基準電圧VREF1.2ボルトに基づき半導体集積チップの発熱温度として許容し得る温度の上限を示す閾値電圧を生成し、上記温度検出信号SENSがこの閾値電圧より高い場合には半導体集積チップの温度が正常温度範囲内にあると判定する一方、低い場合には異常な高温度の状態にあると判定するのである。以下に、上記した如き温度検出回路1を含む半導体集積チップに対して、工場出荷時に実施される調整動作について説明する。図3は、温度検出回路1を調整する際のシステム構成を示すブロック図である。図3に示すシステム構成では、調整装置2が、温度検出回路1を含む半導体集積チップの外部端子PAに接続される。調整装置2は、先ず、半導体集積チップ自体の温度が所定の第1温度となる状態において、図4に示す如き第1調整フローに従った手順で温度検出回路1に対する調整を行う。図4において、調整装置2は、先ず、スイッチ素子23をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES00、及びスイッチ素子24をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES01を温度検出回路1に供給するステップS1。かかるステップS1の実行により、温度検出回路1のオペアンプ20から送出された電圧がスイッチ素子23を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給される。次に、調整装置2は、基準オフセット値として初期値を示す基準電圧オフセット調整信号VREFOFSを温度検出回路1に供給するステップS2。この初期値を示す基準電圧オフセット調整信号VREFOFSに応じて、温度検出回路1の可変分圧抵抗13は、例えば、端子A及びB間の抵抗値、又は端子B及びC間の抵抗値を0に設定する。ステップS1及びS2の実行により、オペアンプ20から送出された電圧が温度検出信号SENSとして、スイッチ素子23及びオペアンプ22を介して調整装置2に供給される。次に、調整装置2は、温度検出回路1から供給された温度検出信号SENSが、BGR電圧である1.2ボルトと等しいか否かの判定を行うステップS3。かかるステップS3において温度検出信号SENSが1.2ボルトでは無いと判定された場合、調整装置2は、基準電圧オフセット調整信号VREFOFSにて示される基準オフセット値に所定の固定値mを加算したものを新たな基準電圧オフセット調整信号VREFOFSとして温度検出回路1に供給するステップS4。ステップS4の実行により、温度検出回路1の可変分圧抵抗13は、固定値mの分だけ、端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。ステップS4の実行後、調整装置2は、上記ステップS3の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップS3及びS4の繰り返し実行により、可変分圧抵抗13の端子A及びB間の抵抗値と端子B及びC間の抵抗値との比が徐々に変化する。これにより、オペアンプ20、スイッチ素子23及びオペアンプ22を介して送出された温度検出信号SENSの電圧値が徐々に増加又は減少して行く。この間、ステップS3において温度検出信号SENSが1.2ボルトと等しいと判定された場合、調整装置2は、スイッチ素子23をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES00、及びスイッチ素子24をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES01を夫々温度検出回路1に供給するステップS5。かかるステップS5の実行により、可変分圧抵抗15の端子B上の電圧がスイッチ素子24を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給される。次に、調整装置2は、温度勾配調整値として、可変分圧抵抗15の端子A及びB間の抵抗値を0に設定すべき値を示す温度勾配調整信号SVDGAを温度検出回路1に供給するステップS6。ステップS6の実行により、オペアンプ21から送出された電圧はそのままスイッチ素子24を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給される。次に、調整装置2は、センサオフセット値として初期値を示す温度検出オフセット調整信号SVDOFSを温度検出回路1に供給するステップS7。この初期値を示す温度検出オフセット調整信号SVDOFSに応じて、温度検出回路1の可変分圧抵抗14は、例えば、端子A及びB間の抵抗値、或いは端子B及びC間の抵抗値を0に設定する。ステップS5~S7の実行により、ダイオード12のアノード端子上の電圧がオペアンプ21によって増幅され、これがスイッチ素子23及びオペアンプ22を介して温度検出信号SENSとして調整装置2に供給される。この際、オペアンプ21は、温度検出オフセット調整信号SVDOFSによって設定された可変分圧抵抗14の抵抗値及び抵抗18に基づく利得にて、ダイオード12のアノード端子上の電圧を増幅する。次に、調整装置2は、温度検出回路1から供給された温度検出信号SENSがBGR電圧としての1.2ボルトと等しいか否かの判定を行うステップS8。かかるステップS8において温度検出信号SENSが1.2ボルトでは無いと判定された場合、調整装置2は、温度検出オフセット調整信号SVDOFSにて示される値に所定の固定値kを加算したものを新たな温度検出オフセット調整信号SVDOFSとして温度検出回路1に供給するステップS9。ステップS9の実行により、温度検出回路1の可変分圧抵抗14は、固定値kの分だけ、端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。これにより、オペアンプ21による利得が増加又は減少し、その分だけ温度検出信号SENSの値が増加又は減少する。ステップS9の実行後、調整装置2は、上記ステップS8の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップS8及びS9の繰り返し実行により、オペアンプ21の利得が徐々に増加又は減少するので、それに伴い温度検出信号SENSの値が徐々に増加又は減少する。この間、ステップS8において温度検出信号SENSが1.2ボルトと等しいと判定された場合、調整装置2は図4に示す第1調整を終了し、引き続き半導体集積チップ自体の温度を第1温度とは異なる第2温度に変更した状態において、図5に示す如き第2調整フローに従った手順で温度検出回路1に対する調整を行う。図5において、先ず、調整装置2は、スイッチ素子23をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES00、及びスイッチ素子24をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES01を夫々温度検出回路1に供給するステップS10。かかるステップS10の実行により、可変分圧抵抗15の端子B上の電圧がスイッチ素子24を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給される。よって、ダイオード12のアノード端子の電圧が、オペアンプ21、可変分圧抵抗15、スイッチ素子24、及びオペアンプ22を介して、温度検出信号SENSとして調整装置2に供給される。次に、調整装置2は、かかる温度検出信号SENSにて示される電圧値が、所望の温度勾配特性に沿った勾配設定電圧Qと等しいか否かを判定するステップS11。ステップS11において、温度検出信号SENSで示される電圧と上記勾配設定電圧Qとが不一致であると判定された場合、調整装置2は、温度勾配調整信号SVDGAにて示される値に所定の固定値sを加算したものを新たな温度勾配調整信号SVDGAとして温度検出回路1に供給するステップS12。ステップS12の実行により、温度検出回路1の可変分圧抵抗15は、固定値sの分だけ、端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。これにより、温度検出信号SENSの値が増加又は減少する。ステップS12の実行後、調整装置2は、上記ステップS11の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップS11及びS12の繰り返し実行により、可変分圧抵抗15の端子A及びB間の電圧値と、端子B及びC間の電圧値との抵抗比が徐々に変更されるので、それに伴い温度検出信号SENSの値が徐々に増加又は減少する。この間、ステップS11において温度検出信号SENSが所望の温度勾配特性に沿った勾配設定電圧Qと等しいと判定された場合、調整装置2は図5に示す第2調整を終了する。図5に示す第2調整により、半導体集積チップの発熱温度の推移に追従する、温度検出信号SENSの電圧推移の勾配が設定される。この際、温度検出信号SENSの対温度電圧推移が急勾配であるほど、半導体集積チップの温度変化に対する検出感度が高まる。以上のように、図1に示す温度検出回路1には、オペアンプ20で生成された基準電圧VREFの値を所定のBGR電圧1.2ボルトとすべく、基準電圧オフセット調整信号VREFOFSに応じてダイオード11の順方向電圧を調整してオペアンプ20に供給する可変分圧抵抗13が設けられている。これにより、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動してしまっても、高い精度で1.2ボルト固定の基準電圧VREFを生成することが可能となる。また、図1に示す温度検出回路1では、オペアンプ21によって、BGR電圧の発生源となるダイオード12の順方向電圧を増幅することにより、半導体集積チップの温度に対応した電圧を有する温度検出信号SENSを生成するようにしている。この際、温度検出回路1には、温度検出オフセット調整信号SVDOFSに応じてオペアンプ21の利得を変更することにより温度検出信号SENSのレベルを調整する可変分圧抵抗14が設けられている。よって、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動していても、かかる可変分圧抵抗14の調整により、半導体集積チップの温度に追従した精度の高い温度検出信号SENSを生成することが可能となる。更に、図1に示す温度検出回路1には、オペアンプ21から送出された増幅電圧を温度勾配調整信号SVDGAに応じて調整することにより、温度検出信号SENSにおける温度勾配、つまり温度上昇下降に追従した電圧変化の度合いを任意の度合いに調整する可変分圧抵抗15が設けられている。これにより、半導体集積チップの温度変化に対する検出感度を任意の感度に設定することが可能となる。尚、図1に示される温度検出回路1では、BGR電圧を生成する源となる素子としてPN接合型のダイオード11及び12を用いているが、PN接合型のトランジスタを用いるようにしても良い。要するに、BGR電圧を生成する源となる素子として、バンドギャップエネルギーの影響を受けるPN接合型の半導体素子を用いれば良いのである。図6は、本発明に係る温度検出回路の第2の実施例を示す回路図である。図6において、温度検出回路1は、半導体のバンドギャップエネルギーを利用した、いわゆるバンドギャップリファレンス回路であり、温度検出の対象となる半導体集積チップに構築されている。温度検出回路1は、ダイオード11、12と、可変分圧抵抗13、14、25と、抵抗16、18、26と、オペアンプ20~22と、スイッチ素子23、24及び27と、を有する。第1のダイオードとしてのダイオード11のカソード端子には接地電位GNDが印加されており、そのアノード端子は可変分圧抵抗13の端子Aに接続されている。第1の可変分圧抵抗としての可変分圧抵抗13の端子Aはダイオード11のアノード端子に接続されており、端子BはラインL1を介してオペアンプ20の反転入力端子に接続されており、端子Cは抵抗16の一端に接続されている。可変分圧抵抗13は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された、第1のオフセット調整信号としての基準電圧オフセット調整信号VREFOFSにて示される基準オフセット値に基づき、その端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。すなわち、可変分圧抵抗13は、基準電圧オフセット調整信号VREFOFSに応じた分圧抵抗比にて、ダイオード11の順方向電圧アノード端子の電圧を分圧して得られた第1分圧電圧V1をその端子Bを介してオペアンプ20に供給する。第2のダイオードとしてのダイオード12のカソード端子には接地電位GNDが印加されており、そのアノード端子はラインL2を介して可変分圧抵抗25の端子A及びオペアンプ20の非反転入力端子に接続されている。尚、半導体チップ上に構築されるダイオード11及び12は互いに独立したPN接合面を有し、ダイオード12のPN接合面積は、ダイオード11のPN接合面積の1/NNは1より大なる実数である。つまり、ダイオード12のPN接合面積はダイオード11のPN接合面積よりも小である。基準電圧生成部としてのオペアンプ20は、ラインL1上の第1分圧電圧V1と、ラインL2上のダイオード12の順方向電圧との差分に対応した差分電圧を生成し、これをラインL3を介して抵抗16、26、可変分圧抵抗25の端子C、及びスイッチ素子23に供給すると共に、かかる差分電圧を基準電圧VREFとして半導体集積チップの外部端子PAを介して出力する。尚、かかる基準電圧VREFは、半導体のバンドギャップエネルギーに基づく固定電圧であり、例えば1.25±αボルトである。第2の可変分圧抵抗としての可変分圧抵抗25の端子AにはラインL2を介してダイオード12のアノード端子及びオペアンプ20の非反転入力端子が接続されており、端子BはラインL0を介してオペアンプ21の非反転入力端子及びスイッチ素子27に接続されている。可変分圧抵抗25は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された、第2のオフセット調整信号としてのダイオードオフセット調整信号DIODOFSにて示されるダイオードオフセット値に基づいて、その端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との抵抗比を変更する。すなわち、可変分圧抵抗25は、ダイオードオフセット調整信号DIODOFSに応じた分圧抵抗比にてダイオード12の順方向電圧アノード端子の電圧を分圧して得られた第2分圧電圧V2をその端子Bを介してオペアンプ21に供給する。オペアンプ21の反転入力端子はラインL4を介して可変分圧抵抗14の端子Bに接続されており、その出力端子はラインL5を介して、抵抗18及び26、及びスイッチ素子24に接続されている。可変分圧抵抗14の端子Aには接地電位GNDが印加されており、端子Cは抵抗18の他端に接続されている。第3の可変分圧抵抗としての可変分圧抵抗14は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された温度検出オフセット調整信号SVDOFSによって示されるセンサオフセット値に基づいて、その端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との抵抗比を変更する。すなわち、可変分圧抵抗14は、温度検出オフセット調整信号SVDOFSに応じてオペアンプ21の増幅利得を調整する。これにより、オペアンプ21は、可変分圧抵抗25を介して供給されたダイオード12のアノード端子上の電圧を、可変分圧抵抗14及び抵抗18による抵抗値に応じた利得で増幅し、この際、得られた増幅電圧をラインL5を介して抵抗26及びスイッチ素子24の一端に供給する。要するに、オペアンプ21は、温度検出オフセット調整信号SVDOFSにて示されるセンサオフセット値に基づく利得で、可変分圧抵抗25を介して供給されたダイオード12のアノード端子上の電圧を増幅するのである。尚、上記したオペアンプ20及び21は、互いに同一材料及び同一製造プロセスで構築されたものである。スイッチ素子24の他端はラインL8を介してオペアンプ22の非反転入力端子、スイッチ素子23及び27に接続されている。スイッチ素子23は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された調整箇所選択信号TES00に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子23は、オン状態に設定されている間だけ、上記ラインL3上の電圧をラインL8を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子23は、温度検出回路1の通常動作時にはオフ状態固定となる。スイッチ素子24は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された調整箇所選択信号TES01に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子24は、オン状態に設定されている間だけ、オペアンプ21から送出された増幅電圧をオペアンプ22の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子24は、温度検出回路1の通常動作時にはオン状態固定となる。スイッチ素子27は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された調整箇所選択信号TES10に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子27は、オン状態に設定されている間だけ、上記した可変分圧抵抗25の端子B上の第2分圧電圧V2をラインL8を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子27は、温度検出回路1の通常動作時にはオフ状態固定となる。要するに、これらスイッチ素子23、24及び27からなるスイッチ部は、調整箇所選択信号TES00、01、10に応じて、上記ラインL3上の差分電圧オペアンプ20の出力、ラインL5上の電圧オペアンプ21の出力、及び可変分圧抵抗25の端子B上の第2分圧電圧V2の内の1つを選択し、これをラインL8を介してオペアンプ22に供給する。オペアンプ22は、その反転入力端子及び出力端子同士が接続されている、いわゆるボルテージフォロワ回路であり、上記ラインL8上の電圧を温度検出信号SENSとして、半導体集積チップの外部端子PAを介して出力する。以下に、上記した温度検出回路1Aの動作について説明する。図6に示すダイオード11及び12各々のアノード端子の電圧は、例えば図7の破線又は一点鎖線に示すように、半導体集積チップ自体の温度が絶対零度の時には1.2ボルトであり、その温度が高くなるほど低下する。よって、ダイオード11又は12のアノード端子の電圧に基づいて、半導体集積チップの温度を検出することが可能となる。そこで、温度検出回路1Aでは、オペアンプ21、スイッチ素子24及びオペアンプ22を含む温度検出信号生成部によって、ダイオード12のアノード端子上の電圧を可変分圧抵抗25で分圧した第2分圧電圧V2に基づき、半導体集積チップの温度を示す温度検出信号SENSを生成し、これを外部出力させるのである。この際、基準電圧生成部としてのオペアンプ20は、ダイオード11のアノード端子上の電圧を可変分圧抵抗13によって分圧して得られた第1分圧電圧V1と、ダイオード12のアノード端子上の電圧との差分電圧を基準電圧VREFとして送出する。かかる差分電圧は、抵抗16及び可変分圧抵抗13を介してオペアンプ20の反転入力端子に帰還供給されると共に、可変分圧抵抗25を介してオペアンプ20の非反転入力端子に帰還供給される。かかる構成により、オペアンプ20は、ダイオード12の順方向電圧アノード端子の電圧と、ダイオード11の順方向電圧アノード端子の電圧を分圧した第1分圧電圧V1と、を等しくさせるような帰還電圧を、基準電圧VREFとして生成するように動作する。この際、第1及び第2のダイオードであるダイオード11及び12は互いに異なるPN接合面積を有する為、ダイオード11及び12各々に流れ込む電流は異なるものとなる。これにより、ダイオード12における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いは、ダイオード11における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いとは異なるものとなる。ただし、絶対零度の際にはダイオード11及び12各々の順方向電圧は共に1.2ボルトとなる。よって、ダイオード12の順方向電圧と、ダイオード11の順方向電圧との差分が、温度変更に伴う電圧変化分となるので、この電圧変化分によって、上記した温度上昇に伴う順方向電圧の低下分をオペアンプ20でキャンセルすることにより、温度変化に依存しない一定の基準電圧VREFを生成することができる。尚、基準電圧VREFの値は、絶対零度での半導体のバンドギャップ電圧以下、BGR電圧と称するである1.2ボルトである。よって、基準電圧VREFは、図7に示す如く半導体集積チップの温度変化に依存しない一定の1.2ボルトとなる。従って、温度検出回路1Aによって生成された基準電圧VREF及び温度検出信号SENSを用いることにより、半導体集積チップの発熱温度の異常を検出することが可能となる。例えば、基準電圧VREF1.2ボルトに基づき、半導体集積チップの発熱温度として許容し得る温度の上限を示す閾値電圧を生成し、上記温度検出信号SENSがこの閾値電圧より高い場合には半導体集積チップの温度が正常温度範囲内にあると判定する一方、低い場合には異常な高温度の状態にあると判定するのである。以下に、上記した如き温度検出回路1Aを含む半導体集積チップに対して、工場出荷時に実施される調整動作について説明する。図8は、温度検出回路1を調整する際のシステム構成を示すブロック図である。図8に示すシステム構成では、調整装置2Aが、温度検出回路1Aを含む半導体集積チップの外部端子PAに接続される。調整装置2Aは、半導体集積チップ自体の温度が所定の第1温度となる状態において、図9に示す如き調整フローに従った手順で温度検出回路1Aに対する調整を行う。図9において、先ず、調整装置2Aは、スイッチ素子23をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES00、及びスイッチ素子24及び27を共にオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES01、TES10を温度検出回路1Aに供給するステップS21。かかるステップS21の実行により、温度検出回路1Aのオペアンプ20から送出された電圧がスイッチ素子23を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給される。次に、調整装置2Aは、基準オフセット値として初期値を示す基準電圧オフセット調整信号VREFOFSを温度検出回路1Aに供給するステップS22。この初期値を示す基準電圧オフセット調整信号VREFOFSに応じて、温度検出回路1Aの可変分圧抵抗13は、例えば、端子A及びB間の抵抗値、又は端子B及びC間の抵抗値を0に設定する。ステップS21及びS22の実行により、オペアンプ20から送出された差分電圧がスイッチ素子23及びオペアンプ22を介して温度検出信号SENSとして調整装置2Aに供給される。次に、調整装置2Aは、温度検出回路1Aから供給された温度検出信号SENSが、絶対零度でのBGR電圧である1.2ボルトと等しいか否かの判定を行うステップS23。かかるステップS23において温度検出信号SENSが1.2ボルトでは無いと判定された場合、調整装置2Aは、基準電圧オフセット調整信号VREFOFSにて示される基準オフセット値に所定の固定値mを加算したものを新たな基準電圧オフセット調整信号VREFOFSとして温度検出回路1Aに供給するステップS24。ステップS24の実行により、温度検出回路1Aの可変分圧抵抗13は、固定値mの分だけ、端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との抵抗比を変更する。ステップS24の実行後、調整装置2Aは、上記ステップS23の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップS23及びS24の繰り返し実行により、可変分圧抵抗13の端子A及びB間の抵抗値と端子B及びC間の抵抗値との比が徐々に変化する。これにより、オペアンプ20、スイッチ素子23及びオペアンプ22を介して送出された温度検出信号SENSの電圧値が徐々に増加又は減少して行く。この間、ステップS23において温度検出信号SENSが1.2ボルトと等しいと判定された場合、調整装置2Aは、スイッチ素子23及び24をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES00及びTES01、並びにスイッチ素子27をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES01を夫々温度検出回路1Aに供給するステップS25。かかるステップS25の実行により、可変分圧抵抗25の端子B上の第2分圧電圧V2がスイッチ素子27を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給される。次に、調整装置2Aは、ダイオードオフセット値の初期値を示すダイオードオフセット調整信号DIODOFSを温度検出回路1Aに供給するステップS26。この初期値を示すダイオードオフセット調整信号DIODOFSに応じて、温度検出回路1Aの可変分圧抵抗25は、例えば、端子A及びB間の抵抗値、又は端子B及びC間の抵抗値を0に設定する。ステップS25びS66の実行により、ダイオード12のアノード端子上の電圧を可変分圧抵抗25で調整して得られたラインL0上の第2分圧電圧V2が、スイッチ素子27及びオペアンプ22を介して、温度検出信号SENSとして調整装置2Aに供給される。次に、調整装置2Aは、かかるラインL0上の第2分圧電圧V2を示す温度検出信号SENSが、所望の温度勾配電圧、例えば0.93ボルトであるか否かを判定するステップS27。尚、温度勾配電圧とは、ラインL0上の第2分圧電圧V2における温度推移に伴う電圧変化の度合いを表す温度勾配特性を示す電圧である。ここで、温度Tcで設定する温度勾配電圧をVnとするとその温度勾配は、1.2-Vn/Tc--273[V/°C]となる。上記ステップS27において温度検出信号SENSが所望の温度勾配特性を示す0.93ボルトでは無いと判定された場合、調整装置2Aは、ダイオードオフセット調整信号DIODOFSにて示されるダイオードオフセット値に所定の固定値pを加算したものを新たなダイオードオフセット調整信号DIODOFSとして温度検出回路1Aに供給するステップS28。ステップS28の実行により、温度検出回路1Aの可変分圧抵抗25は、固定値pの分だけ、端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との抵抗比を変更する。この際、可変分圧抵抗25の端子A及びB間の抵抗値が端子B及びC間の抵抗値に比して小なるほど、図7の一点鎖線に示す如く、温度勾配が緩やかになる。一方、可変分圧抵抗25の端子A及びB間の抵抗値が端子B及びC間の抵抗値に比して大なるほど、図7の破線に示す如く温度勾配が急峻になる。要するに、ダイオードオフセット調整信号DIODOFSに基づき、可変分圧抵抗25によってダイオード12のアノード端子の電圧を調整することにより、ラインL0上の第2分圧電圧V2における温度勾配特性を変更することができるのである。ステップS28の実行後、調整装置2Aは、上記ステップS27の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップS27及びS28の繰り返し実行により、可変分圧抵抗25の端子A及びB間の抵抗値と端子B及びC間の抵抗値との比が徐々に変化する。これにより、ラインL0上の第2分圧電圧V2に対応した温度検出信号SENSの電圧値が徐々に増加又は減少して行く。この間、上記ステップS27において温度検出信号SENSが0.93ボルトと等しいと判定された場合、調整装置2Aは、スイッチ素子23及び27をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES00及びTES10、並びにスイッチ素子24をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号TES01を夫々温度検出回路1Aに供給するステップS29。かかるステップS29の実行により、オペアンプ21から送出された増幅電圧がスイッチ素子24を介してオペアンプ22の非反転入力端子に供給される。次に、調整装置2Aは、センサオフセット値として初期値を示す温度検出オフセット調整信号SVDOFSを温度検出回路1Aに供給するステップS30。この初期値を示す温度検出オフセット調整信号SVDOFSに応じて、温度検出回路1Aの可変分圧抵抗14は、例えば、端子A及びB間の抵抗値、或いは端子B及びC間の抵抗値を0に設定する。ステップS29及びS30の実行により、オペアンプ21から送出された増幅電圧がスイッチ素子24及びオペアンプ22を介して、温度検出信号SENSとして調整装置2Aに供給される。この際、オペアンプ21は、温度検出オフセット調整信号SVDOFSによって設定された、可変分圧抵抗14の抵抗値及び抵抗18に基づく利得でラインL0上の第2分圧電圧V2を増幅する。次に、調整装置2Aは、温度検出回路1Aから供給された温度検出信号SENSがBGR電圧としての1.2ボルトと等しいか否かの判定を行うステップS31。かかるステップS31において温度検出信号SENSが1.2ボルトでは無いと判定された場合、調整装置2Aは、温度検出オフセット調整信号SVDOFSにて示される値に所定の固定値kを加算したものを新たな温度検出オフセット調整信号SVDOFSとして温度検出回路1Aに供給するステップS32。ステップS32の実行により、温度検出回路1Aの可変分圧抵抗14は、固定値kの分だけ、端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との抵抗比を変更する。これにより、オペアンプ21の利得が増加又は減少し、その分だけ温度検出信号SENSの値が増加又は減少する。この際、温度検出信号SENSにおける温度勾配は、[1.2-V2/Tc--273]×[R2VR3/VR3]V2:第2調整電圧R2:抵抗18の抵抗値VR3:可変分圧抵抗14の端子B及びC間の抵抗値Tc:温度となる。上記ステップS32の実行後、調整装置2Aは、上記ステップS31の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップS31及びS32の繰り返し実行により、オペアンプ21の利得が徐々に増加又は減少するので、それに伴い温度検出信号SENSの値が徐々に増加又は減少する。ここで、製造上のバラツキに起因する基準電圧VREFの変動分をΔVREFとした場合、ラインL0の第2分圧電圧V2の変動分ΔV2は、ΔV2=[V2-VA/VREF-VA]ΔVREFVA:ラインL2の電圧で表される。この際、オペアンプ21からラインL5上に送出される増幅電圧を電圧V5とした場合、この電圧V5は、変動前の基準電圧VREFに正規化されるので、電圧変動もVREF/V2倍される。すなわち、ラインL0の電圧V5の変動分ΔV5は、ΔV5=V2-VA/VREF-VAVREF/V2]ΔVREFとなる。尚、例えばVREF=1.2、V2=0.9、VA=0.6である場合、ΔV5=2/3ΔVREFとなる。上記ステップS31において温度検出信号SENSが1.2ボルトと等しいと判定された場合、調整装置2Aは、図9に示す如き調整処理を終了する。以上の如く、図6に示す温度検出回路1Aには、オペアンプ20で生成された基準電圧VREFの値をBGR電圧1.2ボルトとする為に、ダイオード11の順方向電圧アノード端子の電圧を基準電圧オフセット調整信号VREFOFSに応じて分圧した第1分圧電圧V1をオペアンプ20に供給する第1の可変分圧抵抗13が設けられている。これにより、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動してしまっても、高い精度で1.2ボルト固定の基準電圧VREFを生成させることが可能となる。また、図6に示す温度検出回路1Aには、ダイオードオフセット調整信号DIODOFSに応じた分圧抵抗比でダイオード12の順方向電圧アノード端子の電圧を調整することにより、温度検出信号SENSにおける温度勾配、つまり温度上昇下降に追従した電圧変化の度合いを、任意の度合いに設定する第2の可変分圧抵抗25が設けられている。これにより、半導体集積チップの温度変化に対する検出感度を任意の感度に設定することが可能となる。また、図1に示す温度検出回路1では、オペアンプ21によって、BGR電圧の発生源となるダイオード12の順方向電圧を増幅することにより、半導体集積チップの温度に追従した電圧を有する温度検出信号SENSを生成するようにしている。この際、温度検出回路1には、温度検出オフセット調整信号SVDOFSに応じてオペアンプ21の利得を変更することにより温度検出信号SENSのレベルを調整する第3の可変分圧抵抗14が設けられている。よって、かかる可変分圧抵抗14の調整により、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動していても、半導体集積チップの温度に追従した精度の高い温度検出信号SENSを生成することが可能となる。この際、図6に示す温度検出回路1Aでは、チップサイズの縮小化等の製造プロセスの変更に伴い、ダイオード11及び12の端子電圧が変動してしまっても、可変分圧抵抗13及び25の分圧抵抗比を調整するだけで、所望の特性を有する基準電圧VREF及び温度検出信号SENSを生成することが可能となる。よって、図6に示す温度検出回路1Aによれば、図1に示す温度検出回路1の如き可変分圧抵抗13及び14の抵抗値の調整のみならず、抵抗17の抵抗値の変更が必要となるものに比してその調整が容易に為されるようになる。また、図6に示す温度検出回路1Aでは、可変分圧抵抗25によってダイオード12の順方向電圧を調整することにより、温度検出感度に関与する温度勾配特性を変更するようにしている。一方、図1に示す温度検出回路1では、ラインL3及びL5間の電圧の分圧比を可変分圧抵抗15によって調整することにより、温度検出感度に関与する温度勾配特性を変更している。ところで、図1に示す温度検出回路1では、ラインL3及びL5各々の電圧は共に1.2ボルトとなっている為、このままの状態では図5に示すステップS11において温度検出信号SENSは0固定となってしまい、その調整を行うことができない。そこで、かかる調整を行うにあたり、図1に示す温度検出回路1では、半導体集積チップの温度を第1温度から第2温度に変更するようにしている。これに対して、図6に示す温度検出回路1Aでは、半導体集積チップの温度を変更することなく全ての調整を行うことができるので、図1に示す温度検出回路1に比して調整時間の短縮を図ることが可能となる。尚、温度検出回路1Aにおけるオペアンプ21と、スイッチ素子24との間に、図10に示すように、抵抗28、29及びオペアンプ30を設けるようにしても良い。要するに、第2分圧電圧V2を増幅する増幅部を、第1アンプとしてのオフセット調整用のオペアンプ21と、第2アンプとしての温度勾配増加用のオペアンプ30と、により形成するのである。図10に示される構成では、オペアンプ21は、ラインL5を介してその増幅電圧をオペアンプ30の非反転入力端子に供給する。オペアンプ30の反転入力端子はラインL9を介して抵抗28及び29各々の一端に接続されており、その出力端子はラインL10を介して抵抗29の他端及びスイッチ素子24に接続されている。抵抗28の他端はラインL3に接続されている。オペアンプ30は、抵抗28及び29の抵抗比に応じた利得で、オペアンプ21からラインL5を介して送出された電圧を増幅し、これをラインL10を介してスイッチ素子24に供給する。この際、抵抗28及び29の抵抗値の比に基づくオペアンプ30の利得により、上記した如く可変分圧抵抗25で設定された温度勾配を変更することが可能となる。尚、オペアンプ30からラインL10上に送出された電圧における温度勾配は、[1.2-V2/Tc--273][R2VR3/VR3][R3R4/R3]R3:抵抗28の抵抗値R4:抵抗29の抵抗値となる。すなわち、上記R3及びR4を1:2以上に設定して、オペアンプ30の利得を高めるほど温度勾配が急峻になり、温度検出感度を高めることが可能となるのである。尚、R3及びR4を1:2に設定すると、オペアンプ30から送出された電圧の変動分は0になる。ここで、回路の小型化を図るべくBGR電圧の発生源となるダイオード11、12のPN接合面積を小さくすると、そのアノード端子の電圧が高くなる為、図1に示す如きラインL3及びL5間に設けた可変分圧抵抗15では、急峻な温度勾配を得ることが出来ない。しかしながら、図10に示す如く、オペアンプ21と、スイッチ素子24との間に、抵抗28、29及びオペアンプ30からなる増幅段を設けることにより、急峻な温度勾配が得られるようになる。尚、かかる増幅段とスイッチ素子24との間に、図11に示す如く、前述した可変分圧抵抗15を設けることにより温度勾配の微調整を行えるようにしても良い。図11に示す構成では、オペアンプ30から送出された増幅電圧がラインL10を介して可変分圧抵抗15の端子Aに供給されている。可変分圧抵抗15の端子CはラインL3に接続されており、その端子BにはラインL7を介してスイッチ素子24の一端が接続されている。可変分圧抵抗15は、半導体集積チップの外部端子PAを介して供給された温度勾配調整信号SVDGAによって示される温度勾配調整値に基づいて、その端子A及びB間の抵抗値と、端子B及びC間の抵抗値との抵抗比を変更する。これにより、可変分圧抵抗15は、オペアンプ30から送出された増幅電圧の値を温度勾配調整信号SVDGAに応じて調整したものを、ラインL7を介してスイッチ素子24に供給する。尚、スイッチ素子24の他端はラインL8を介してオペアンプ22の非反転入力端子、スイッチ素子23及び27に接続されている。この際、かかる可変分圧抵抗15による温度勾配の微調整は、図9に示す調整が終了した後、半導体集積チップの温度を変更してから実行する。すなわち、温度のを変更後に、図5に示す第2調整を行うのである。ただし、図5に示すステップS10では、スイッチ素子27をオフ状態に設定させるべきTES10を温度検出回路1Aに供給する。尚、図6、図10及び図11に示される温度検出回路1Aでは、BGR電圧を生成する源となる素子としてPN接合型のダイオード11及び12を用いているが、PN接合型のトランジスタを用いるようにしても良い。要するに、BGR電圧を生成する源となる素子として、バンドギャップエネルギーの影響を受けるPN接合型の半導体素子を用いれば良いのである。また、上記実施例では、温度検出信号SENSの調整を行うにあたり、図9のステップS31において温度検出信号SENSの値を1.2ボルトに一致されるべき調整を行うようにしているが、1.15~1.25ボルトの範囲内に収まるように調整するようにしても良い。