希土類元素、鉄およびホウ素を含有するアモルファス金属であって、希土類元素の原子割合が、22~44原子の範囲であり、ホウ素の原子割合が、6~28原子の範囲であることを特徴とする、アモルファス金属。さらに、コバルトを含有し、鉄に対するコバルトの原子比が、1.5以下であることを特徴とする、請求項1に記載のアモルファス金属。さらに、チタン、ジルコニウム、ニオブ、クロム、ニッケル、銅、ケイ素およびアルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の添加元素を含有することを特徴とする、請求項1または2に記載のアモルファス金属。添加元素が、アルミニウムおよび/または銅であり、アモルファス金属において、アルミニウムおよび/または銅の原子割合が、5原子未満であることを特徴とする、請求項3に記載のアモルファス金属。希土類元素が、ネオジムおよびイットリウムを含有することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のアモルファス金属。請求項1~5のいずれか一項に記載のアモルファス金属を、その結晶化温度より30°C低い温度以上の温度で熱処理することにより得られることを特徴とする、磁性材料。アモルファス金属を、その結晶化温度以上の温度で熱処理することにより得られることを特徴とする、請求項6に記載の磁性材料。請求項1~5のいずれか一項に記載のアモルファス金属が、ガラス遷移現象を示す場合において、前記アモルファス金属を、ガラス遷移温度以上の温度で熱処理することにより得られることを特徴とする、磁性材料。しかしながら、特許文献1に記載される金属ガラス合金は、その結晶化温度Txが高い場合がある例えば、653~654°C表2参照。そのため、このような金属ガラス合金を熱処理し、Fe基硬磁性合金を製造する場合には、その熱処理における温度条件が高いため、コスト面および作業性に劣る場合がある。また、熱処理における温度条件が高い場合には、温度制御が困難であるため、大量の金属ガラス合金を一度に熱処理することができず、Fe基硬磁性合金の生産性に劣るという不具合がある。本発明の目的は、磁性材料を、低コストで、かつ、作業性および生産性よく製造することのできるアモルファス金属、および、そのアモルファス金属を用いて得られる磁性材料を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明のアモルファス金属は、希土類元素、鉄およびホウ素を含有するアモルファス金属であって、希土類元素の原子割合が、22~44原子の範囲であり、ホウ素の原子割合が、6~28原子の範囲であることを特徴としている。また、本発明のアモルファス金属は、さらに、コバルトを含有し、鉄に対するコバルトの原子比が、1.5以下であることが好適である。また、本発明のアモルファス金属は、さらに、チタン、ジルコニウム、ニオブ、クロム、ニッケル、銅、ケイ素およびアルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の添加元素を含有することが好適である。また、本発明のアモルファス金属では、添加元素が、アルミニウムおよび/または銅であり、アモルファス金属において、アルミニウムおよび/または銅の原子割合が、5原子未満であることが好適である。また、本発明のアモルファス金属では、希土類元素が、ネオジムおよびイットリウムを含有することが好適である。また、本発明の磁性材料は、上記のアモルファス金属を、その結晶化温度より30°C低い温度以上の温度で熱処理することにより得られることを特徴としている。また、本発明の磁性材料は、上記のアモルファス金属を、その結晶化温度以上の温度で熱処理することにより得られることが好適である。また、本発明の磁性材料は、上記のアモルファス金属がガラス遷移現象を示す場合において、上記のアモルファス金属を、ガラス遷移温度以上の温度で熱処理することにより得られることを特徴としている。本発明のアモルファス金属は、希土類元素の原子割合を22~44原子の範囲とすることで、結晶化温度Txを低く抑えることが可能となっている。そのため、本発明のアモルファス金属によれば、高温で熱処理することなく、すなわち、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料を製造することができる。また、本発明のアモルファス金属は、ホウ素の原子割合を6~28原子の範囲とすることで、安定して非晶質相を製造できるようにしている。また、本発明の磁性材料は、本発明のアモルファス金属を熱処理することにより、低コスト、かつ、作業性および生産性よく製造することができる。本発明のアモルファス金属は、希土類元素、Fe鉄およびBホウ素を含有する。本発明のアモルファス金属において、希土類元素は、後述する磁性材料に、結晶磁気異方性を生じさせ、その磁気特性例えば、保磁力などを向上させるために含有される。希土類元素としては、例えば、Scスカンジウム、Yイットリウム、Laランタン、Ceセリウム、Prプラセオジム、Ndネオジム、Pmプロメチウム、Smサマリウム、Euユーロピウムなどの軽希土類元素、例えば、Gdガドリニウム、Tbテルビウム、Dyジスプロシウム、Hoホルミウム、Erエルビウム、Tmツリウム、Ybイッテルビウム、Luルテチウムなどの重希土類元素などが挙げられる。これら希土類元素は、単独使用または2種類以上併用することができる。また、本発明のアモルファス金属は、必ずしも重希土類元素を含まなくとも、十分大きな保磁力を発現することができる。希土類元素として、好ましくは、軽希土類元素、より好ましくは、Ndネオジム、Yイットリウム、さらに好ましくは、Ndネオジムが挙げられる。希土類元素としてNdネオジムを用いれば、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の保磁力、残留磁化を向上することができる。また、希土類元素として、好ましくは、NdネオジムとYイットリウムとの併用が挙げられる。希土類元素が、NdネオジムおよびYイットリウムを含有していれば、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の保磁力、残留磁化を向上することができる。希土類元素がNdネオジムおよびYイットリウムを含有する場合には、それらの含有割合は、NdネオジムおよびYイットリウムの総量に対して、Ndネオジムが、65~95原子であり、Yイットリウムが、5~35原子である。また、アモルファス金属において、希土類元素の原子割合併用される場合には、それらの総量は、22~44原子、好ましくは、23~40原子、より好ましくは、24~37原子の範囲である。希土類元素の原子割合が上記下限未満である場合には、アモルファス金属の結晶化温度Txが高くなる場合があるため、後述するように、アモルファス金属を熱処理して磁性材料を製造する場合において、熱処理のエネルギーコストが増加し、さらに、作業性および生産性が低下するという不具合がある。また、希土類元素の原子割合が上記下限未満である場合には、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の保磁力が低下するという不具合がある。一方、希土類元素の原子割合が上記上限を超過する場合には、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の残留磁化が低下するという不具合がある。また、希土類元素の原子割合が上記上限を超過すると、コスト面に劣り、また、酸化しやすくなるため、生産性および安全性にも劣るという不具合がある。これに対し、希土類元素の原子割合が上記範囲であれば、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の残留磁化および保磁力を向上することができ、さらには、アモルファス金属の結晶化温度Txを低く抑えることができるため、後述するように、高温で熱処理することなく、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料後述を製造することができる。本発明のアモルファス金属において、Fe鉄は、磁性に寄与する元素であって、後述する磁性材料の磁気特性例えば、残留磁束密度などを向上させるために含有される。アモルファス金属において、Fe鉄の原子割合は、例えば、15~65原子、好ましくは、20~60原子、より好ましくは、25~55原子の範囲である。Fe鉄の原子割合が上記下限未満である場合には、後述する熱処理結晶化後の磁性材料の残留磁束密度が低下する場合がある。また、Fe鉄の原子割合が上記上限を超過する場合には、後述する熱処理結晶化後の磁性材料の保磁力が低下する場合がある。本発明のアモルファス金属において、Bホウ素は、非晶質相を形成し、アモルファス合金とするために含有される。アモルファス金属において、Bホウ素の原子割合は、6~28原子、好ましくは、12~28原子、より好ましくは、15~25原子の範囲である。Bホウ素の原子割合が上記下限未満である場合には、後述する急冷時において、結晶相が生成する場合があり、本発明のアモルファス金属を原料とし、放電プラズマ焼結法やホットプレス法等を用いて成形体を製造する場合、成形性および加工性が低下する場合がある。また、Bホウ素の原子割合が上記上限を超過する場合には後述する熱処理結晶化後の磁性材料の残留磁束密度が低下する場合がある。また、本発明のアモルファス金属は、好ましくは、Coコバルトを含有している。本発明のアモルファス金属において、Coコバルトは、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の磁気特性を向上させ、また、酸化を防止することにより取扱性の向上を図るために含有される。さらに、アモルファス金属が後述するように金属ガラスである場合には、Coコバルトは、その金属ガラスを、後述する軟化状態ガラス遷移状態において安定化させ、その成形性を向上するために含有される。アモルファス金属において、Coコバルトの原子割合は、例えば、1~50原子、好ましくは、2~45原子、より好ましくは、4~40原子の範囲である。Coコバルトの原子割合が上記下限未満である場合には、取扱性、成形性および加工性が低下する場合がある。とりわけ、アモルファス金属が後述するように金属ガラスである場合において、その過冷却領域ガラス遷移温度以上、かつ、結晶化温度未満の領域。ΔTx=Tx-Tgを十分に確保することができず、成形性および加工性が低下する場合がある。また、Coコバルトの原子割合が上記上限を超過する場合には、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の残留磁束密度が低下する場合がある。また、Coコバルトの原子割合として、好ましくは、Fe鉄に対するCoコバルトの原子比が、1.5以下、好ましくは、1.44以下、より好ましくは0.6以下であることが挙げられる。Fe鉄に対するCoコバルトの原子比が、1.5以下であれば取扱性を向上でき、さらに、0.6以下であれば熱処理により大きな保磁力を発現できる。一方、1.5を超過すると、コスト面に劣るという不具合がある。また、本発明のアモルファス金属は、添加元素として、さらに、その他の元素、例えば、Tiチタン、Zrジルコニウム、Hfハフニウム、Vバナジウム、Nbニオブ、Taタンタル、Crクロム、Moモリブデン、Wタングステン、Mnマンガン、Niニッケル、Cu銅、Ruルテニウム、Rhロジウム、PdパラジウムAg銀、Osオスミウム、Irイリジウム、Pt白金、Au金などの遷移元素、例えば、C炭素、Pリン、Alアルミニウム、Siケイ素、Caカルシウム、Gaガリウム、Geゲルマニウム、Snスズ、Pb鉛、Zn亜鉛などの典型元素など、種々の元素を含むことができる。これら添加元素は、単独使用または2種類以上併用することができる。添加元素として、好ましくは、Tiチタン、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Crクロム、Niニッケル、Cu銅、Siケイ素、Alアルミニウムが挙げられる。添加元素として、Tiチタン、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Crクロム、Niニッケル、Cu銅、Siケイ素およびAlアルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種を含有すれば、アモルファス金属を用いて得られる磁性材料後述の残留磁束密度、保磁力などを向上させることができる。このようなアモルファス金属において、添加元素の原子割合は、例えば、1~15原子、好ましくは、1~10原子。より好ましくは、1~5原子である。また、添加元素として、より好ましくは、Alアルミニウム、Cu銅が挙げられる。アモルファス金属が、添加元素として、Alアルミニウムおよび/またはCu銅を含有すれば、後述するアモルファス金属の結晶化温度Txを低く抑えることができるため、後述するように、高温で熱処理することなく、すなわち、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料を製造することができる。また、アモルファス金属が、後述する金属ガラスである場合に、その金属ガラスの軟化開始温度ガラス遷移温度Tgを低く抑えることができるため、成形性をより向上することができる。アモルファス金属がAlアルミニウムおよび/またはCu銅を含有する場合において、AlアルミニウムおよびCu銅の原子割合併用される場合にはそれらの総量は、例えば、15原子未満であり、好ましくは、5原子未満、より好ましくは、3.5原子以下、さらに好ましくは、3原子以下である。Alアルミニウムの原子割合が5原子以上である場合には、アモルファス金属の結晶化温度Txが高くなり、磁性材料後述の製造におけるコストを増加させる場合や、作業性および生産性を低下させる場合がある。また、アモルファス金属が、添加元素としてCu銅を含有すれば金属ガラスとすることができ、広い過冷却領域を得ることができる。そして、このようなアモルファス金属において、希土類元素およびFe鉄さらに必要により含有されるCoコバルトの原子割合の総量は、例えば、65~94原子、好ましくは、70~90原子、より好ましくは、72~85原子である。希土類元素およびFe鉄さらに必要により含有されるCoコバルトの原子割合の総量が上記範囲であれば、アモルファス金属の成形性および加工性を向上することができ、さらには、後述する熱処理結晶化後の磁性材料の残留磁束密度および保磁力を良好とすることができる。また、アモルファス金属において、希土類元素およびFe鉄さらに必要により含有されるCoコバルトを除く元素必須成分としてBホウ素を含み、任意成分として添加元素例えば、Tiチタン、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Crクロム、Niニッケル、Cu銅、Siケイ素、Alアルミニウムなどを含む。の原子割合の総量は、例えば、6原子以上、好ましくは、10~30原子、より好ましくは、15~28原子、とりわけ好ましくは、15~25原子の範囲である。希土類元素、Fe鉄およびCoコバルトを除く元素の原子割合の総量が上記範囲であれば、アモルファス金属の成形性および加工性を向上することができ、さらには、後述する熱処理結晶化後の磁性材料の残留磁束密度および保磁力を良好とすることができる。このようなアモルファス金属の一態様として、例えば、下記式1で示されるアモルファス金属が挙げられる。R83-xFex/2Cox/2Al17-yBy1式中、Rは、希土類元素を示す。また、0<x<83であり、また、0<y≦17である。上記式1において、Rは、上記した希土類元素を示す以下同様。。また、xの範囲は、0<x<83、好ましくは、28<x<58、より好ましくは、33<x<53である。xの値が上記範囲であれば、アモルファス金属の成形性および加工性を向上することができ、さらには、後述する熱処理結晶化後の磁性材料の残留磁束密度および保磁力を良好とすることができる。また、yの範囲は、0<y≦17、好ましくは、12<y<17、より好ましくは、13.5<y<17である。yの値が上記範囲であれば、アモルファス金属の成形性および加工性を向上することができ、さらには、後述する熱処理結晶化後の磁性材料の残留磁束密度および保磁力を良好とすることができる。そして、このようなアモルファス金属は、特に制限されず、公知の方法により製造することができる。より具体的には、例えば、まず、原料成分として、上記各元素の単体の粉末、塊状物など必要により、一部合金化していてもよいを用意し、それらを、上記原子割合となるように混合する。次いで、得られた原料成分の混合物を、例えば、不活性ガス例えば、窒素ガス、アルゴンガスなど雰囲気において溶解させる。原料成分の溶解方法としては、上記各元素を溶解できる方法であれば特に制限されないが、例えば、アーク溶解などが挙げられる。次いで、例えば、放冷し、上記各元素を上記原子割合で含有する塊状合金鋳塊、インゴットを得る。その後、得られた塊状合金を公知の方法により粉砕し、合金粒状物粒子径:0.5~20mmを得る。その後、この方法では、得られた合金粒状物を溶解させ、合金溶湯を得る。合金粒状物の溶解方法としては、上記合金粒状物を溶解できる方法であれば特に制限されないが、例えば、高周波誘導加熱などが挙げられる。次いで、この方法では、得られた合金溶湯を、公知の方法、例えば、単ロール法、ガスアトマイズ法などにより急冷し、アモルファス金属を得る。単ロール法では、例えば、回転する冷却ロールの外周表面上に合金溶湯を流下し、その合金溶湯と冷却ロールとを所定時間接触させることにより、合金溶湯を急冷する。合金溶湯の急冷速度冷却速度は、例えば、10-2~103°C/sである。また、合金溶湯の急冷速度冷却速度は、例えば、冷却ロールの回転速度を調節することなどにより制御される。このような場合において、冷却ロールの回転速度は、例えば、1~60m/s、好ましくは、20~50m/s、より好ましくは、30~40m/sである。このように合金溶湯を急冷することにより、冷却ロールの外周表面上において、例えば、帯状薄膜状、厚膜状を含むのアモルファス金属を得ることができる。得られるアモルファス金属の厚みは、例えば、1~500μm、好ましくは、5~300μm、より好ましくは、10~100μmである。また、ガスアトマイズ法では、上記の合金溶湯に、例えば、高圧の噴射ガス例えば、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガスなどを噴き付け、合金溶湯を急冷するとともに微粉化する。このように合金溶湯を急冷することにより、粉末状のアモルファス金属を得ることができる。得られるアモルファス金属の体積平均粒子径は、例えば、1~200μm、好ましくは、5~50μmである。なお、合金溶湯の急冷方法としては、上記の単ロール法、ガスアトマイズ法に限定されず、公知の方法を採用することができる。好ましくは、単ロール法が採用される。また、アモルファス金属の結晶化温度Tx結晶化を開始する温度は、例えば、600°C以下、好ましくは、550°C以下、より好ましくは、500°C以下である。アモルファス金属の結晶化温度Txは、DSC示差走査熱量測定によって測定することができ、本発明においては、40°C/minの昇温速度で測定された値であると定義される。なお、結晶化温度Txが複数確認される場合には、それら結晶化温度Txのうち最も低い結晶化温度Txを、アモルファス金属の結晶化温度Txとする。また、このようにして得られるアモルファス金属は、金属ガラスを含んでいる。金属ガラスは、結晶化温度Tx未満のガラス遷移温度Tgを有するアモルファス合金であり、高い成形性を有している。そして、このようにして得られるアモルファス金属が、金属ガラスである場合には、その軟化開始温度ガラス遷移温度Tgは、例えば、600°C以下、好ましくは、500°C以下、より好ましくは、450°C以下である。また、アモルファス金属は、金属ガラスでなくとも、加熱により軟化する場合があり、そのような場合における軟化開始温度は、例えば、600°C以下、好ましくは、500°C以下、より好ましくは、450°C以下である。アモルファス金属金属ガラスを含む。の軟化開始温度は、例えば、DSC示差走査熱量測定、または、放電プラズマ焼結機のプレス変位測定などにより、求めることができる。そして、このようなアモルファス金属では、希土類元素の原子割合が22~44原子の範囲であるため、結晶化温度Txを低く抑えることができる。そのため、このようなアモルファス金属によれば、高温で熱処理することなく、すなわち、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料後述を製造することができる。また、本発明のアモルファス金属は、ホウ素の原子割合が、6~28原子の範囲であるため、安定して非晶質相を得ることができる。さらには、このようなアモルファス金属は、Fe鉄および必要によりCoコバルトが含有されているため、磁性を有している。そのため、このようなアモルファス金属は、そのままで、さらには、熱処理されることによって、磁性材料として、後述する種々の分野において用いることができる。そして、本発明の磁性材料は、上記のアモルファス金属を、例えば、真空下、不活性ガス例えば、窒素ガス、アルゴンガスなど雰囲気下において、例えば、公知の炉を用いて、熱処理することにより、得ることができる。このような場合において、アモルファス金属の熱処理条件としては、昇温速度が、例えば、10~300°C/min、好ましくは、20~200°C/min、より好ましくは、30~100°C/minである。また、昇温終了温度熱処理温度が、例えば、上記結晶化温度Txより30°C低い温度以上、好ましくは、アモルファス金属の結晶化温度Tx以上であり、例えば、結晶化温度Txより100°C高い温度以下、好ましくは、結晶化温度Txより50°C高い温度以下、より好ましくは、結晶化温度Txより30°C高い温度以下である。熱処理温度がアモルファス金属の結晶化温度Tx以上であれば、熱処理時間を短くでき、より生産性よく磁性材料を製造することができる。また、上記のアモルファス金属がガラス遷移現象を示す場合アモルファス金属が金属ガラスであり、結晶化温度Tx未満のガラス遷移温度Tgを有する場合には、上記温度条件の他、ガラス遷移温度以上の温度で熱処理することにより、磁性材料を得ることができる。また、真空下において熱処理する場合には、炉内の圧力条件が、例えば、101Pa以下、好ましくは、10-1Pa以下、より好ましくは、10-2Pa以下であり、熱処理時間上記熱処理温度における保持時間が、例えば、0~120分、好ましくは、10~60分、より好ましくは、10~30分である。また、熱処理とともに、必要により、圧力成形することもでき、そのような場合には、成形圧力条件が、例えば、30~2000MPa、好ましくは、100~1000MPa、より好ましくは、200~800MPaである。なお、このような熱処理は、アモルファス金属を、例えば、放電プラズマ焼結機などを用いて公知の方法により成形加熱成形した後に、イメージ炉などの公知の炉を用いて行うこともできる。そして、この方法では、アモルファス金属を上記条件で熱処理した後、必要により、例えば、放冷する。このような熱処理により、例えば、硬磁性であるR2Fe14B相、RFe2相、RCO2相Rは、希土類元素を示す。などを形成することができ、これにより、磁性材料硬磁性材料を得ることができる。このようにして得られる磁性材料の残留磁化Mrは、例えば、5emu/g以上、好ましくは、8emu/g以上、より好ましくは10emu/g以上であり、また、保磁力Hcは、例えば、20kA/m以上、好ましくは、25kA/m以上、より好ましくは500kA/m以上である。そして、このような磁性材料は、結晶化温度Txが低く抑えられた上記のアモルファス金属を熱処理することにより得られる。そのため、このような磁性材料は、低コスト、かつ、作業性および生産性よく製造することができる。また、本発明のアモルファス金属は、上記の磁性材料の形成の他、例えば、磁石粉末との複合磁石の製造において用いることもできる。より具体的には、例えば、本発明のアモルファス金属と、窒化物磁石などの公知の磁石粉末とを混合し、その混合物を、例えば、ホットプレス装置、放電プラズマ焼結機などを用いて、アモルファス金属の変形開始温度以上の温度に加熱することにより、磁石粉末の隙間空隙にアモルファス金属が充填され、アモルファス金属と磁石粉末との複合磁石を得ることができる。このような複合磁石は、磁石粉末の隙間空隙に、磁気特性に優れるアモルファス金属が充填されているため、密度向上効果とパッシベーション効果により、磁石粉末の隙間空隙に樹脂が充填される樹脂ボンド磁石などに比べ、優れた磁気特性を備えることができる。そして、本発明のアモルファス金属および磁性材料は、例えば、モータ用磁石、スピーカー用磁石などとして、電気製品や自動車部品などの各種用途において、好適に用いることができる。次に、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。実施例1~61および比較例1~9アモルファス金属の製造Ndネオジム、Fe鉄、Coコバルト、Bホウ素、Tiチタン、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Crクロム、Niニッケル、Cu銅、Alアルミニウム、Siケイ素の単体粉末または塊状物を、表1~7に示す配合割合で処方し、アーク溶解炉により、-4kPa-30Torr、Arアルゴン雰囲気下で溶解させ、表1~7に示す組成比の合金インゴットを作製した。次いで、得られたインゴットを粉砕し、合金粒状物粒子径:0.5~10mmを得た。その後、得られた合金粒状物を高周波誘導加熱にて溶解し、合金溶湯とした後、得られた合金溶湯を、Ar雰囲気下において、単ロール装置にて回転速度40m/sの冷却ロールの外周表面上に流下し、急冷した。これにより、アモルファス金属を得た。評価DSC示差走査熱量測定:SII社製、DSC6300を用いて、得られたアモルファス金属の結晶化温度Tx、および、アモルファス金属が金属ガラスである場合には、そのガラス遷移温度Tgを測定した。具体的には、アモルファス金属試料10mgをアルミナパンに投入し、Ar雰囲気中、昇温速度40°C/minで測定した。なお、結晶化反応Txが複数確認された場合には、その温度の低い方を結晶化温度Txとして測定した。また、結晶化温度Tx、および、ガラス遷移温度Tgが確認される場合には、過冷却領域ΔTx=Tx-Tgを算出した。その結果を表1~7に示す。また、実施例42~47添加元素としてAlアルミニウムを含有するアモルファス金属のDSCによる熱分析結果を、図1に示す。なお、図1において、各アモルファス金属の結晶化温度Txを矢印で示す。また、実施例42~47添加元素としてAlアルミニウムを含有するアモルファス金属におけるAlアルミニウムの原子割合と結晶化温度Txとの関係を、図2に示す。表1~7に示されるように、希土類元素、具体的には、NdネオジムおよびYイットリウムの原子割合の総量が、22~44原子の範囲であるアモルファス金属実施例1~61は、その結晶化温度Txが、希土類元素の原子割合が上記範囲にないアモルファス金属比較例1~2、4~9や、特許文献1に記載される金属ガラス合金の結晶化温度653~654°Cよりも、低く抑えられている。また、ホウ素の原子割合が、6~28原子の範囲であるアモルファス金属実施例1~61は、その結晶化温度Txが、ホウ素の原子割合が上記範囲にないアモルファス金属比較例1~3よりも、低く抑えられている。また、Coコバルトを含有するアモルファス金属実施例1~21および23~61、特に、実施例4、8、12、17~21は、Coコバルトを含有しないアモルファス金属実施例22に比べ、結晶化温度Txが低く抑えられている。また、Alアルミニウムを含有するアモルファス金属実施例43~47中では、とりわけ、Alアルミニウムの原子割合が5原子未満である実施例43および44のアモルファス金属の結晶化温度Txが、より低く抑えられている。このことから、上記のアモルファス金属によれば、高温で熱処理することなく、すなわち、低コスト、かつ、作業性および生産性よく磁性材料を製造することができることが確認された。実施例62~114および比較例10~17磁性材料の製造イメージ炉にて、実施例1~28、31~47、50~56および57、および、比較例1~2および4~9で得られたアモルファス金属を下記熱処理条件で熱処理し、結晶化させた後、室温25°Cまで自然冷却することにより、磁性材料を製造した。熱処理温度および熱処理時間を、表8~14に示す。熱処理条件圧力条件:10-3Pa以下真空昇温速度:40°C/min磁気特性評価実施例62~114および比較例10~17において得られた磁性材料10mgを用い、残留磁化Mremu/g、および、保磁力HckA/mを、VSM試料振動型磁力計:東英工業社製、VSM-5-10、および、玉川製作所社製、TM-VSM211483により、測定した。その結果を、表8~14に示す。実施例101~106におけるAlアルミニウムの原子割合と、残留磁化Mremu/gとの関係を、図3に示す。また、実施例101~106におけるAlアルミニウムの原子割合と、保磁力HckA/mとの関係を、図4に示す。以上により、上記のアモルファス金属から、実用的な磁気特性を備える磁性材料を製造できることが確認された。また、アモルファス金属が、Tiチタン、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Crクロム、Niニッケル、Cu銅、Alアルミニウム、Siケイ素を含む場合にも、優れた磁気特性を備える磁性材料を製造できることが確認された。実施例115~116磁性材料の製造実施例25および28で得られたアモルファス金属薄体を、乳鉢において粉砕することにより、アモルファス金属の粉末を得た。その後、粉末0.3gを採取して、超硬製金型成形サイズ:5mm×5mmに充填し、放電プラズマ焼結機SPSシンテックス社製SPS-515Sによって、真空中で表15に示す圧力で、表15に示す温度まで昇温速度40°C/minで加熱昇温し、表15に示す時間、その温度で保持した後、放冷することにより、成形した。その後、得られた成形体を、イメージ炉にて、表15に示す条件で熱処理した後、室温25°Cまで自然冷却した。これにより、磁性材料を得た。なお、上記の熱処理では、アモルファス金属の結晶化温度448°C、450°Cよりも30°C低い温度418°C、420°C以上に、加熱した。磁気特性評価実施例115~116において得られた磁性材料の成形体を用い、残留磁化BrT、および、保磁力HckA/mを、VSM試料振動型磁力計:玉川製作所社製、TM-VSM211483により、測定した。その結果を、表15に示す。表15に示すように、アモルファス金属を、その結晶化温度より30°C低い温度以上に加熱すれば、優れた磁気特性を備える磁性材料を得られることが、確認された。