"表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解CVDガスを供給して当該基板の上にCVD膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該CVDガスを当該排気管から排気することで、当該基板に膜を成長させる製造装置。前記サセプタが2枚以上の加熱円板で挟まれてあることを特徴とする請求項1記載の製造装置。当該加熱円板が誘導加熱されて加熱されることを特徴とする請求項1、2記載の製造装置。前記膜がシリコン、ゲルマニューム、カーボン、ガリューム、アルミニューム、インジューム、窒素、酸素、マグネシューム、リン、砒素のいずれか、または複数を含む半導体膜、またはそれらの積層膜であることを特徴とする請求項1~3記載の製造装置である。前記サセプタがグラファイト製であることを特徴とする請求項1~4記載の製造装置。前記基板が前記サセプタの両面に搭載されることを特徴とする請求項1~5記載の製造装置。前記基板が軸を傾けたサファイアーまたはシリコン基板あることを特徴とする請求項1~5記載の製造装置。サセプタを増加させる構造を用いることで、バッチサイズを大きくすることが可能であることが前述の例で示した。量産を考えるとき、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする構造改良が基本的な課題である。装置の部品の洗浄交換は必要になるが、この周期を長くしたい。真空と気密を保つ石英管の交換頻度を少なくすることが第1課題である。また、CVDガスの基板上での消費効率を上げて、かつ排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。別の表現では未利用で捨てられる未反応CVDガスの量を減らしたい。これが第2の課題である。有機金属ガスをCVDガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これが第3の課題である。これらの課題を解決するために、改良した装置構造を与える。本発明は、請求項1に記載のように、表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解CVDガスを供給して当該基板の上にCVD膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該CVDガスを当該排気管から排気することで、当該基板に膜を成長させる製造装置である。請求項2に係る発明は前記サセプタが2枚以上の加熱円板で挟まれてあることを特徴とする請求項1記載の製造装置である。請求項3に係る発明は、当該加熱円板が誘導加熱されて加熱されることを特徴とする請求項1、2記載の製造装置である。請求項4に係る発明は前記膜がシリコン、ゲルマニューム、カーボン、ガリューム、アルミニューム、インジューム、窒素、酸素、マグネシューム、リン、砒素のいずれか、または複数を含む半導体膜、またはそれらの積層膜であることを特徴とする請求項1~3記載の製造装置である。請求項5に係る発明は前記サセプタがグラファイト製であることを特徴とする請求項1~4記載の製造装置である。請求項6に係る発明は前記基板が前記サセプタの両面に搭載されることを特徴とする請求項1~5記載の製造装置である。請求項1から3に係る発明によれば、基板を搭載した複数サセプタが配置された周囲からガスを導入し中心から排気するので、加熱分解したCVDガスは反応室の気密を保つサセプタ外側の石英管から遠ざかるように流れて接触しない。その結果、当該石英管に成長する膜は少なく、当該石英管の交換頻度が減る。これにより第1の課題が解決される。加熱されたガスは熱分解して基板に結晶膜を成長させるが、そのガスの走行距離は基板の直径を上回ればよい。短いガスの走行距離という第3の課題が解決した。放射状に配置したサセプタ間の間隔は内側で狭くなる。狭くなると、サセプタ中心に向かうガスの流れは下流ほど速い。早い流れは基板とガスの間の停滞層を薄くするので、反応種の拡散が早くなり、成長速度を増加させる方向に作用する。下流の反応種の濃度低下を、この薄い停滞層による成長速度増加作用が補償するので、放射状配置が均一性を改善する。これによりサセプタの放射状配置は均一性を改善しながらバッチサイズを大きくするという装置の基本課題を解決する。請求項4に係る発明によれば、シリコン結晶、SiC結晶、GaN結晶、ZnO結晶などの結晶膜の組成の制御や不純物添加が可能である。請求項5、6係る発明によれば、サセプタ両面に基板搭載可能であるので、CVDガスの利用効率が改善され、第2の課題が解決された。請求項7に係る発明によれば、GaNやSiCの結晶をそれらと異なる基板であるサファイアーやシリコンの基板上に平滑に成長できる。図4は本発明の基本構造の模式図である。サセプタ401が加熱される円板403の上に放射状に配置されている。当該円板はシリコンカーバイドを被覆したグラファイトである。サセプタ401の両面に基板402が載せられている。基板402は図示しないポケットに収納されてサセプタに接触して安定に置かれる。基板402の枚数はサセプタ401の枚数の2倍まで載せることが可能であるので、サセプタ401の数の2倍がバッチサイズである。当該円板は誘導加熱でも、抵抗加熱でも加熱できる。サセプタ401は加熱される円板403と404に挟まれてあり、2つの加熱される円板403と404の輻射熱で加熱される。加熱される円板404はサセプタの配置が分かりやすいように破線で透かして示した。サセプタと当該円板は回転の軸405の上にあり、回転できる。基板402の上で熱分解するCVDガス406は当該円板の周囲から供給される。隣接するサセプタの間を通り、排気の孔407から排気される。排気の孔407を通過したCVDガスは、サセプタの中心にある排気の筒408から排気される。各排気の孔407から排気されるガスは集合して排気されるCVDガス409として示した。基板402は前記円板403,404からの輻射で加熱されると同時に、向かいあった基板またはサセプタ同士も互いに加熱しあう。この効果により、基板の温度はそれを囲むサセプタと円板の温度に従うことになる。このことは、基板の表と裏の温度を同じにする方向に作用するので、基板402の温度差による反りを防止する作用がある。基板の反りが、基板の上に成長させた結晶膜にクラックを入れることがあるので、本発明の構造はこのクラックの障害を減少させる構造になる。サセプタの表面は裏表ともに基板で被覆されているので、サセプタの上に成長する結晶膜の面積に対する基板の上に成長させる結晶膜の面積を相対的に大きくする。即ち、CVDガスの利用効率を高める方向に作用する。隣接するサセプタ同士の間隔がガスの下流になるに従い、狭くなるので、下流ほど流速が早い。流速の増加は基板の上のガス停滞層の厚みを減少せしめ、成長速度を早め、CVDガスの消費による濃度の減少を補償して成長膜厚の均一性を増す。加熱され熱分解したガスは反応種を発生させ基板の上に結晶膜を成長させたあと、排気の孔407から排気されて、逆戻りしない。この一方的な流れが、ガス下流でおきる反応種の重合による巨大粒子の逆流を防止して、温度と加熱履歴により決まる特定の反応種だけの成長を基板の上に実現する。基板を通りすぎたガスは、不要であるので、排気の筒408の大きさを適切に設計してガスの走行距離を短くできる。また、図示しないこれらサセプタの気密を保つ石英管への膜付着も防止するので、当該石英管洗浄のメンテナンス周期を長くできる効果もある。排気の筒408を加熱して当該筒の中でCVDガスを消費しきることで、後の配管への付着と排気ポンプのつまりを防止できる設計が可能である。放射状に配置したサセプタは、本図では1段であるが、これを2段以上に重ねることも可能である。またサセプタの並べ方を軸対称でなく、シロッコファンのようにサセプタの面の延長が回転軸の外側を横切る配置も可能である。サセプタはSiC被覆したグラファイトであるが、SiCやAlNのセラミクス、石英で作製することも可能である。サセプタ401は前記円板403に組み込むことも、それら一体で作製することも可能である。実施例1として図5に軸排気の回転放射サセプタ気相成長装置の第1の構造の模式図を示す。構造を説明する。基板501を搭載したサセプタ502がある。サセプタは20枚配置されてある。基板はその両面に40枚載せられる。サセプタ502は直径410cmの加熱される円板503と一体である。サセプタ502、当該円板503はグラファイト製であり、シリコンカーバイド膜が約0.1mmの厚みで被覆されている。当該円板503は断熱をかねた加熱される円板504の上に同じ軸上に置かれてある。複数のサセプタ502の上には前記円板503と504の上に、同じ形の加熱される円板505、506が備えられてあり、サセプタ502を加熱して保温する。サセプタ504は回転軸506と通じて回転駆動508で回転可能にしてある。グラファイト部品である502、503、504、505,506は石英管510の外に巻かれた誘導コイル509により誘導加熱される。その温度は誘導コイルに通じる電力で制御できる。石英管510の内側に配置された内管511は石英製である。両管の間にガス供給器512がリング状に内管511を巻くように配置されてある。ガス供給器512はシリコンカーバイドを被覆したグラファイト製である。この実施例においては、ガス供給器512の内側に3段の溝513a,513b,513cがリング状に切られてある。溝513bには分散して孔514が備えられている。溝513bにはCVDガス供給管515が連結されている。溝513cと溝513aにはCVDガス供給管516が共通も連結されている。パージガス供給管517,518,519,520からのガスは内管511と石英管510の間の空間をパージしてCVDガスが拡散して侵入するのを軽減するとともに、孔514からもサセプタに向かってCVDガスとともに流れる。CVDガス供給管515、516には気相成長させる目的の膜に応じて異なる種類のCVDガスを供給する。シリコンを成長させるときには、水素とシランガスとドーピングガスを用いる。シランガスは例えばモノシラン、ジクロルシランである。ドーピングガスは例えばリンPを含むフォスフィン、ボロンBを含むジボランである。供給管515、516の水素に対するそれぞれのガス濃度は、基板の面内で均一な成長速度と不純物濃度が得られるように制御する。パージガス供給管517,518,519,520には水素または窒素を流す。CVDガス供給管515、516からのCVDガスはサセプタの上の基板の上で熱分解してシリコン結晶膜を成長させ、排気管521に集まり、排気口522より排出される。排気管521には排気加熱器523が備えられている。排気加熱器523はサセプタ502の温度分布を調節するとともに、その上に基板で未反応だったガスをその上で熱分解して消費させる。この消費により、排気口522から排出される未反応のCVDガス濃度を低下させ、排気口より後方の排気配管の副生成物の堆積を低減させ、ポンプの吸い込み量を低減させそのメンテナンス周期を長くさせる。サセプタの加熱温度は用いるシランガスの種類に応じて変化させた。用いるガスがモノシランSiH4であれば温度が600°C以上で分解する。基板がシリコンウエハであり、その上に成長させる結晶膜はシリコンSiであるとき、サセプタ502の温度と排気加熱器523の温度は800ないし900°Cが好適である。用いるガスがジクロルシランのとき、それらの温度は900ないし1050°Cが好適である。圧力はポンプの排気量で制御した。上記シランガスを用いるとき、圧力は0.1気圧以下の減圧が好ましい。大気圧に近い圧力より、均一な膜厚分布が得られやすい。図5では、示すことが可能なCVDガス供給管515,516とパージガス供給管517,518,519,520を示した。これらのガス供給管はサセプタの周囲に任意の数を設計して配置可能である。ガス供給器512はシリコンカーバイドを被覆したグラファイト製である例を示したが、温度領域によっては、金属で構成することも可能である。実施例2として図6に軸排気の回転放射サセプタ気相成長装置の第2の構造の模式図を示す。実施例1と異なる構造部分を説明する。サセプタ504は回転軸506と通じて回転駆動508で回転する。グラファイト部品である502、503、504、505,506は石英製のリング状の箱614と615の中に収納された誘導コイル608と609により誘導加熱される。その温度は誘導コイルに通じる電力で制御できる。誘導コイルの端子610,611,612,613は外に取り出される。端子間の接続はそれぞれのコイルが作り出す誘導電磁界が増大するように接続される。誘導コイルは銅パイプでできていて、水が通じてある。誘導コイルは渦巻き状に巻かれていて、ここでは2回巻かれている。加熱するべき部品502,503,504,505,506の近くに誘導コイルがあり、コイルの場所を調整することで、当該部品の温度を制御しやすい。実施例1では装置の構造とシランガスを用いるシリコンSiの結晶膜の例を示した。実施例3では有機金属ガスを用いる結晶成長の例を示す。有機金属ガスのトリメチルガリュームTMGとアンモニアNH3をCVDガスとして用いるとガリュームナイトライドGaNの結晶膜を成長させることが可能である。基板としては異種基板であるサファイアーウエハC面を用いた。C面は正方向から2度傾けた基板を用いた。傾けた基板を用いる理由はステップ密度を大きくするためである特許文献3参照。結晶膜の組成は基板と異なるので、これはヘテロ結晶成長の例である。まず、真空排気して大気を無くしてから、ガスの供給管515,516,517,518,519,520から窒素を流し、再び真空にして、水素を減圧で導入しながら、1000°Cにサセプタ502と排気加熱器523を加熱する。基板表面と反応室の部品の汚染物質を水素化して昇華させたあと500°Cに温度を下げる。CVDガス供給管515からトリメチルガリュームTMGとアンモニアNH3を水素キャリアーとともに流す。他の供給管からは水素を流す。基板502に20nmのアモルファスGaNが成長する。CVDガスを水素に切り替え、水素雰囲気のままこれを1000°Cに加熱すると、アモルファスGaNは結晶GaNの粒子となり基板の上に形成される。この状態の上に再びトリメチルガリュームTMGとアンモニアNH3をCVDガスとして用いるとガリュームナイトライドGaNの結晶膜が上記GaN粒子を核として成長する。この後、トリメチルインジュームTMInを混合した上記CVDガスを用いるとその混合比に応じたGaXIn1-XNの結晶膜が成長する。またトリメチルアルミニュームTMAlを混合した上記CVDガスを用いるとその混合比に応じたGaXAl1-XNの結晶膜が成長する。またモノシランSiH4を添加した上記CVDガスを用いるとその添加量に応じたn型GaNの結晶膜が成長する。またCp2Mgを添加した上記CVDガスを用いるとその添加量に応じたp型GaNの結晶膜が成長する。またこれらの結晶膜を任意に積層させる設計が可能である。成長させた膜は平滑であった。実施例の4ではシリコンカーバイドSiCのヘテロ結晶成長の別の例を示す。シリコン基板にシリコンカーバイドSiCの結晶膜を成長させる。これは成長させたSiC結晶膜とシリコン基板の組成が異なるのでヘテロ結晶成長である。シリコン基板としては<211>方向に4度傾けた111面を主面とするシリコン基板を用いた。ここでは指数にマイナスを意味する記号をつけてない。軸を傾ける理由は、一定の密度で主面にステップを設けるためである。軸を傾けるこの技術は1987年に特許文献3で既に公開された。トリクロルシランSiHCl3とプロパンガスC3H8、キャリアガス水素H2の混合ガスが導入された。反応室圧力は200Paの減圧に制御された。シリコン基板を1000°Cに加熱させると、ガスの濃度と流量に応じて立方晶の3C-SiCをシリコン基板の上に25~45nmminの速度で成長させることが可能である。成長させたSiC膜は鋭い111X線回折ピークを示す。表面はストリークパタンの電子線回折が観察されるほど平滑であった。以上に述べた結晶膜だけでなく、CVDガスとしてゲルマンGeH4を用いればゲルマニュームGeの結晶膜またはそれを含む結晶膜を得ることが可能である。窒素を5価のガスとしてあげたが、アルシンのガスを用いれば砒素Asを含む結晶膜を得ることが可能である。5価でなく6価のガス、例えば酸素を含むガスを用いて酸化物結晶膜を得ることも可能である。以上、大きなバッチで基板上に結晶膜を気相成長させる装置を製作した。"