露光光のパターンを対象面に転写する露光方法であって、複数の表示素子を用いて前記パターンを形成するパターン形成ステップと、前記対象面のうち複数の単位領域に区画された投影領域に前記パターンを投影する投影ステップとを含み、前記パターン形成ステップは、前記投影ステップにおいて前記投影領域のうち前記単位領域ごとに前記パターンが投影されるように複数の前記表示素子のうち一部ずつを順に駆動させて前記パターンを形成する露光方法。前記パターン形成ステップは、複数の前記単位領域のうち隣接する前記単位領域の一方に前記パターンが投影されるように前記パターンを形成することを含む請求項1に記載の露光方法。前記単位領域は、前記パターンのうち1つの前記表示素子によって形成される一部分が投影される領域である請求項1又は請求項2に記載の露光方法。複数の前記単位領域は、マトリクス状に区画されている請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の露光方法。露光光のパターンを対象面に転写する露光装置であって、複数の表示素子を有し、前記パターンを形成するパターン形成部と、前記対象面のうち複数の単位領域に区画された投影領域に前記パターンを投影する投影光学系とを備え、前記パターン形成部は、前記投影領域のうち前記単位領域ごとに前記パターンが投影されるように複数の前記表示素子のうち一部ずつを順に駆動させる表示素子駆動部を有する露光装置。複数の前記単位領域の各々への投影順序に関する投影順序データを記憶する記憶部を更に備え、前記表示素子駆動部は、前記投影順序データに基づいて複数の前記表示素子を駆動する請求項5に記載の露光装置。しかしながら、露光パターンを微細化する場合、露光光のエネルギーが集中するため、基板に対して熱の影響が大きくなってしまうという問題がある。以上のような事情に鑑み、本発明は、熱の影響を緩和させつつパターンの微細化が可能な露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。本発明の第一の態様に従えば、露光光のパターンを対象面に転写する露光方法であって、複数の表示素子を用いてパターンを形成するパターン形成ステップと、対象面のうち複数の単位領域に区画された投影領域にパターンを投影する投影ステップとを含み、パターン形成ステップは、投影ステップにおいて投影領域のうち単位領域ごとにパターンが投影されるように複数の表示素子のうち一部ずつを順に駆動させてパターンを形成する露光方法が提供される。本発明の第二の態様に従えば、露光光のパターンを対象面に転写する露光装置であって、複数の表示素子を有し、パターンを形成するパターン形成部と、対象面のうち複数の単位領域に区画された投影領域にパターンを投影する投影光学系とを備え、パターン形成部は、投影領域のうち単位領域ごとにパターンが投影されるように複数の表示素子のうち一部ずつを順に駆動させる表示素子駆動部を有する露光装置が提供される。本発明の態様によれば、熱の影響を緩和させつつパターンの微細化が可能な露光方法及び露光装置を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。[第一実施形態]図1は、本実施形態に係る露光装置の一構成例を示す概略構成図である。露光装置EXは、パターン生成装置PG、投影光学系PL、ステージ装置ST、フォーカス装置FC、画像取得装置CA、画像取得用照明装置EPI、表示装置DP、入力装置IP及び制御装置CONTを備えている。露光装置EXは、例えばMEMS等のデバイスを製造する際の露光工程で用いられる。露光装置EXは、例えば配線や絶縁膜など、デバイスの構成要素のパターン以下、デバイスパターンと表記するの像を投影し、当該デバイスパターンの露光パターンを基板Sに形成する。以下の説明では、XYZ直交座標系に基づいて、各種構成要素の位置関係等を説明する。このXYZ直交座標系において、Z軸方向は投影光学系PLの光射出側の光軸に平行な方向であり、X軸方向及びY軸方向は投影光学系PLの光射出側の光軸に直交する面内で互いに直交する方向である。例えば、X軸方向及びY軸方向が水平方向に設定され、Z軸方向が鉛直方向に設定される。パターン生成装置PGは、基板S上に転写するパターンを生成する。パターン生成装置PGは、露光光ELを射出する露光用光源6と、露光光ELを平行化するコレクタレンズ7と、露光光ELを空間変調することで露光光ELに光強度の分布を形成する光変調素子8と、空間変調された露光光ELを導光する対物レンズ9と、を有している。露光用光源6から射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm、及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光等が用いられる。露光用光源6の構成は、露光光ELの波長等に応じて、適宜選択される。制御装置CONTは、露光用光源6の点灯消灯等の動作を制御する。光変調素子8としては、例えばデジタルミラーデバイスDMDが用いられている。DMDは、二次元的例えば、マトリクス状にに配列された複数の画素を有している。DMDの各画素は、それぞれマイクロミラー8aを含んでいる。マイクロミラー8aは、各画素に入射した露光光ELの分割光束を反射させる反射面を有している。各マイクロミラー8aは、反射面の姿勢を個別に調整できるようになっている。したがって、各分割光束の進行方向が当該分割光束毎に調整可能である。本実施形態では、光変調素子8から対物レンズ9へと向かう方向を露光光ELの進行方向としている。光変調素子8では、当該光変調素子8に入射する露光光ELを、例えば対物レンズ9へと向かう方向に沿って進行する分割光束と、当該対物レンズ9へと向かう方向とは異なる方向に進行する分割光束と、に分けて反射することができるようになっている。このため、対物レンズ9へと向かう方向に進行する露光光EL分割光束の集合は、進行方向に直交する方向において光強度の分布が形成されることになる。このように、光変調素子8は、各画素で反射した分割光束の進行方向を画素ごとに制御することにより、基板S上に転写するデバイスパターンを生成することができる構成となっている。制御装置CONTは、光変調素子8の動作、例えば個々のマイクロミラーの反射面の姿勢などを制御する。なお、露光用光源6及び光変調素子8に代えて、例えば自発光型のパネルを用いても構わない。この自発光型のパネルは、二次元的に配列された複数の発光素子を含んでいる。各発光素子は、露光光ELを射出する光源であり、例えばレーザーダイオードイや発光ダイオード等によって構成される。この場合、各発光素子は、発光素子ごとに点灯消灯が制御可能な構成である。自発光型のパネルは、各発光素子から各画素を示す露光光ELを射出するため、露光用光源6及び光変調素子8を用いた場合と同様のデバイスパターンを形成可能である。対物レンズ9から射出された露光光ELが入射する位置には、波長選択ミラー10が配置されている。波長選択ミラー10は、例えばダイクロイックミラー等によって構成されている。波長選択ミラー10は、露光光ELが反射し、後述する検出光SLが通過する特性を有している。対物レンズ9から射出されて波長選択ミラー10で反射した露光光ELは、波長選択ミラー10で反射した後に、投影光学系PLに入射する。投影光学系PLは、レンズ等の光学部品第一対物レンズを1以上含んでいる。露光光ELが示すパターンの像を基板S上の投影領域に投影する。この投影領域は、投影光学系PLによってパターンの像を投影可能な領域を含む。投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Sの少なくとも一部に、デバイスパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系PLにはレンズなどの光学素子が複数設けられている。当該複数の光学素子は、例えば鏡筒2に保持されている。本実施形態では、縮小系の投影光学系PLが用いられている。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸は、例えばZ軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。ステージ装置STは、ステージ本体1及びステージ駆動装置ACTを有している。ステージ本体1は、基板Sを保持して移動可能に設けられている。ステージ本体1には、例えば減圧吸着や静電吸着等によって基板Sを着脱可能に保持する保持面1aが形成されている。基板Sは、表面Sa及び裏面Sbの法線方向がZ軸方向と平行になるように、ステージ本体1の当該保持面1aに保持される。ステージ駆動装置ACTは、例えば不図示のリニアモータ機構などのアクチュエータを有している。ステージ駆動装置ACTは、ステージ装置STをX軸方向、Y軸方向、Z軸方向、X軸周りの回転方向、Y軸周りの回転方向、及びZ軸周りの回転方向の6方向に移動可能である。ステージ装置STには、ステージ本体1の位置や姿勢などの情報を検出する不図示の検出機構が設けられている。制御装置CONTは、当該検出機構の検出結果に基づいて、ステージ駆動装置ACTの駆動量を調整可能である。フォーカス装置FCは、例えばTTL型位相差方式のオートフォーカス以下、AFと略記するによって、投影光学系PLの焦点位置を露光面に合わせることが可能である。フォーカス装置FCは、AF用光源11、コレクタレンズ12、スリット13、対物レンズ第二対物レンズ14、絞り15、分光部品16、対物レンズ第二対物レンズ17、反射ミラー18、シリンドリカルレンズ19、検出部20、及び制御部を含んでいる。上述のように、フォーカス装置FCの制御部は、露光装置EXの制御装置CONTに含まれている。AF用光源11は、例えば露光光ELと異なる波長の光を検出光SLとして射出する。AF用光源11は、検出光SLとして赤外光を射出する発光素子を含んでいる。AF用光源11から射出された検出光SLは、コレクタレンズ12を通ってスリット13に入射する。スリット13は、視野絞りとして機能し、スリット13を通過した検出光SLのスポット形状を調整する。スリット13を通過した検出光SLは、対物レンズ14を通った後に、絞り15に入射する。絞り15は、絞り15よりもAF用光源11側の光学系についての瞳面に配置されている。絞り15は、開口絞りとして機能し、対物レンズ14から射出された検出光SLによって上記の瞳面に形成されるスポットのほぼ半分に相当する検出光SLを遮光する。絞り15は、上記のスポットのうちで遮光する範囲を切替可能であり、検出光SLのうちで絞り15を通過する角度成分を切替可能である。絞り15を通過した検出光SLは、分光部品16に入射する。分光部品16は、ハーフミラー等によって構成され、入射した検出光SLを分光する。分光部品16は、検出光SLに対する反射率が0より大きく1未満の範囲から選択される値に設定されている。分光部品16に入射した検出光SLの一部は、分光部品16で反射し、他の一部は分光部品16を通過する。分光部品16で反射した検出光SLは、波長選択ミラー10を通過した後に、投影光学系PLを経て基板Sに入射する。基板Sに入射した検出光SLの少なくとも一部は、基板Sで反射して折り返され、投影光学系PL及び波長選択ミラー10を通過して、分光部品16に再度入射する。基板Sを経由して分光部品16に入射した検出光SLの少なくとも一部は、分光部品16を通過した後に、対物レンズ17を通って反射ミラー18で反射する。反射ミラー18で反射した検出光SLは、シリンドリカルレンズ19を通って検出部20に入射する。シリンドリカルレンズ19を通る検出光SLは、XZ面に平行な面内で屈折し、XY面に平行な面内でほとんど屈折せずに、Y軸方向に略平行な線に向かって集光する。検出部20は、当該検出部20に入射した検出光SLの強度分布を検出可能である。検出部20は、例えばCCDラインセンサ等によって構成される。このCCDラインセンサは、YZ面にほぼ平行であってY軸方向に長手の領域に配列された複数の画素を含んでいる。CCDラインセンサの各画素は、例えばフォトダイオード等の受光素子と、薄膜トランジスター等のスイッチング素子とを含んでいる。検出光SLが受光素子に入射すると、受光素子に電荷が発生する。スイッチング素子は、受光素子に発生した電荷の読出しをスイッチングする。検出部20の検出結果に基づいて、基板Sで反射した検出光SLによるスリット13の像が検出される。絞り15を通過する検出光SLの角度成分を切替えると、検出部20に検出される像の位置が切替わる。切替前後の像の間隔以下、像間隔というは、投影光学系PLの焦点位置と基板Sの位置との関係によって変化する。例えば、基板Sの表面Saを合焦対象面とし、投影光学系PLの焦点が合焦対象面に合っている状態合焦状態での像間隔を基準値とする。投影光学系PLの焦点が合焦対象面よりもZ側に位置する状態以下、前ピンというでは、像間隔が基準値よりも狭くなる。投影光学系PLの焦点が合焦対象面よりも-Z側に位置する状態以下、後ピンというでは、像間隔が基準値よりも広くなる。このように、検出部20の検出結果に基づいて、合焦状態であるか否かを判定することや、合焦状態から前ピン側又は後ピン側のいずれに焦点がずれているかを知ることが可能である。このように、上記の像間隔は、合焦の対象物である基板Sを経由した光検出光の強度に基づく値であり、合焦状態の判定に用いる判定パラメータ値として利用可能である。検出部20の検出結果は、フォーカス装置FCの制御部ここでは制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、検出部20の検出結果に基づいて、合焦状態になるようにステージ装置STの位置を制御する。画像取得装置CAは、例えばカメラなどの撮像装置を有している。画像取得装置CAは、例えば上記の投影光学系PL縮小系を対物レンズ系として用いることで、ステージ装置STに支持された基板Sの表面Saの拡大像を撮像することができる構成となっている。このように、露光装置EXは、ステージ装置STに支持された基板Sを観察する顕微鏡として用いることもできる構成となっている。画像取得用照明装置EPIは、画像取得装置CAを顕微鏡として用いる場合の光源である。画像取得用照明装置EPIから射出された照明光は、例えば投影光学系PLを介して基板Sの表面Saに照射されるようになっている。画像取得装置CAは、表示装置DPに接続されている。画像取得装置CAによって取得された画像は、表示装置DPに送信されるようになっている。表示装置DPは、送信された画像を表示するディスプレイを有している。画像取得装置CAa及び表示装置DPを用いることなく、例えば作業者が画像取得装置CAの位置において直接基板Sの拡大像を観察可能な構成としても構わない。制御装置CONTは、露光装置EXの動作を総括的に制御する。制御装置CONTは、例えばコンピューターシステムを含む。制御装置CONTには、入力装置IPが接続されている。例えば入力装置IPからの入力により、ステージ駆動装置ACTを介してステージ本体1を移動することができるようになっている。本実施形態で用いられる基板Sとしては、例えばMEMSなどのデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造用の基板である。基板Sは、表面に形成された膜パターンや凹部、凸部等の段差や傾斜面を含むことがある。上記の段差や傾斜面は、例えばMEMSなどのデバイスの一部を構成する構成要素である。膜パターンの具体例として、電極や配線となる導電膜パターン、スイッチング素子の一部を構成する半導体膜パターン、パッシベーション膜等となる絶縁膜パターン等が挙げられる。また、基板Sは、表面に形成された感光膜フォトレジスト膜を含むことがある。基板Sは、デバイスの製造過程で又は製造後で機能する膜として、例えば露光光EL等の反射を防止する反射防止膜や、上記の感光膜を保護する保護膜トップコート膜等を含むことがある。次に、上記のように構成された露光装置EXの動作を説明する。制御装置CONTは、露光動作に用いるデバイスパターンのデータを読み出すと共に、露光条件を読み込んで、露光装置EXの基本的動作を決定する。制御装置CONTは、例えば光源の出力、フォーカス値、露光量等の基本的な条件を決定する。各条件を決定した後、制御装置CONTは、フォーカス装置FCを用いてフォーカス処理を行わせる。フォーカス処理の後、制御装置CONTは、露光処理を行わせる。露光処理においては、まず、制御装置CONTは、ステージ本体1の保持面1a上に基板S基板Sを保持させる。基板Sの表面Saには、予め感光剤などを塗布しておく。制御装置CONTは、パターン生成装置PGの露光用光源6から露光光ELを射出させ、光変調素子8によって露光光ELを変調させる。光変調素子8によって変調された露光光ELは、進行方向に直交する方向に光強度の分布が形成された状態で対物レンズ9に入射し、投影光学系PLによって投影領域PRに投影される。制御装置CONTは、基板Sの表面Saのうちデバイスパターンを形成する部分が投影領域PRに重なるようにステージ本体1を移動させる。上記のように、露光光ELには進行方向に直交する方向に光強度の分布が形成されているため、基板Sの表面Saにはパターンを含む像が投影されることになる。当該像により、表面Saに塗布された感光剤が露光され、1つの露光パターンが形成される。なお、基板Sの表面Saに投影される像に含まれるパターンは、光変調素子8において、対物レンズ9へと向かう方向に沿って進行するように反射したマイクロミラーの配置パターンデバイスパターンに一致する。制御装置CONTは、基板Sの表面Saに1つの露光パターンが形成された後、ステージ駆動装置ACTによってステージ本体1をX方向及びY方向に移動させ、基板Sの他の領域に露光パターンを形成する。このように、制御装置CONTは、ステージ本体1を移動させつつ基板Sの表面Saに複数の露光パターンを形成する。このような露光装置EXにおいては、近年、露光パターンの微細化が求められている。露光パターンを微細化する場合、露光光のエネルギーが露光領域に集中するため、基板Sに対して熱の影響が大きくなってしまうという問題がある。これに対して、本実施形態では、制御装置CONTは、基板Sの表面Saのうち複数の単位領域に区画された投影領域ごとにパターンを投影させるようにしている。図2a~図2dは、光変調素子8のマイクロミラーの駆動の様子を示す図である。図3a~図3dは、基板Sの表面Saの単位領域Scごとにおける露光状態を示す図である。制御装置CONTは、まず、図2aに示すように、光変調素子8の図中左上のマイクロミラー8aを作動させる。この動作により、図3aに示すように、基板Sの表面Saのうち図中左上の単位領域Scにパターンの一部が投影される。このように、光変調素子8のマイクロミラー8aの二次元上の位置と、基板Sの表面Saの単位領域Scの二次元上の位置とが対応するように露光される。次に、制御装置CONTは、図2bに示すように、光変調素子8の図中最上行であって左から二列目のマイクロミラー8aを作動させる。この動作により、図3bに示すように、基板Sの表面Saのうち図中最上行であって左から二列目の単位領域Scにパターンの一部が投影される。このため、図中最上行のうち左端の単位領域Scと左から二列目の単位領域Scとに露光パターンの一部が形成された状態となる。更に制御装置CONTは、図2cに示すように、光変調素子8の図中最上行であって左から三列目のマイクロミラー8aを作動させる。この動作により、図3cに示すように、基板Sの表面Saのうち図中最上行の左から三列目の単位領域Scにパターンの一部が投影される。このため、このため、図中最上行のうち左端、左から二列目、左から三列目の各単位領域Scに露光パターンの一部が形成された状態となる。以下、制御装置CONTは、マイクロミラー8aを1つずつ順に作動させ、図2dに示すように、光変調素子8の図中右下のマイクロミラー8aを作動させることで、全マイクロミラー8aを1回ずつ作動させることになる。この場合、図3dに示すように、マトリクス状に設定された単位領域Scの全体に露光パターンが形成されることになる。以上のように、本実施形態によれば、単位領域Scごとにパターンが投影されるようにマイクロミラー8aを一つずつ順に駆動させてパターンを形成することとしたので、露光光が照射されるタイミング及び位置が分散されることになる。これにより、基板Sに対して熱の影響を抑えつつ、微細なパターンを形成することが可能となる。[第二実施形態]次に、本発明の第二実施形態を説明する。本実施形態では、光変調素子8の駆動動作が第一実施形態とは異なるため、相違点を中心に説明する。図4a~図4dは、光変調素子8のマイクロミラーの駆動の様子を示す図である。図5a~図5dは、基板Sの表面Saの単位領域Scごとにおける露光状態を示す図である。制御装置CONTは、まず、図4aに示すように、光変調素子8の図中左上の4つのマイクロミラー8aを作動させる。この動作により、図5aに示すように、基板Sの表面Saのうち図中左上の4つの単位領域Scにパターンの一部が投影される。次に、制御装置CONTは、図4bに示すように、図4aの状態から図中右側にずれた部分の4つのマイクロミラー8aを作動させる。この動作により、図5bに示すように、基板Sの表面Saのうち図5aの状態から図中右側にずれた部分の4つの単位領域Scにパターンの一部が投影される。このため、基板Sの表面Saのうち図中左上の8つの単位領域Scにパターンの一部が投影される。更に制御装置CONTは、図4cに示すように、図4bの状態から図中右側にずれた部分の4つのマイクロミラー8aを作動させる。この動作により、図5cに示すように、基板Sの表面Saのうち図5bの状態から図中右側にずれた部分の4つの単位領域Scにパターンの一部が投影される。このため、基板Sの表面Saのうち図中左上の12個の単位領域Scにパターンの一部が投影される。以下、制御装置CONTは、マイクロミラー8aを1つずつ順に作動させ、図4dに示すように、光変調素子8の図中右下の4つのマイクロミラー8aを作動させることで、全マイクロミラー8aを1回ずつ作動させることになる。この場合、図5dに示すように、マトリクス状に設定された単位領域Scの全体に露光パターンが形成されることになる。このように、本実施形態では、一回のショットにおいて駆動させるマイクロミラー8aの数を複数4つとしたので、第一実施形態よりも単位領域Scの全体に露光パターンを形成するまでの時間を短縮することができる。これにより、スループットの向上を図ることが可能となる。[第三実施形態]次に、本発明の第三実施形態を説明する。本実施形態では、光変調素子8の駆動動作が第一実施形態とは異なるため、相違点を中心に説明する。図6a~図6dは、光変調素子8のマイクロミラーの駆動の様子を示す図である。図7a~図7dは、基板Sの表面Saの単位領域Scごとにおける露光状態を示す図である。制御装置CONTは、まず、図6aに示すように、光変調素子8のうち図中左上のマイクロミラー8aと、当該マイクロミラー8aから図中右方向に1つおきに、また、図中下方向に1つおきに配置されたマイクロミラー8a計12個を同時に作動させる。この動作により、図7aに示すように、基板Sの表面Saのうち対応する12個の単位領域Scにパターンの一部が投影される。次に、制御装置CONTは、図6bに示すように、図6aの状態から図中右側に1個分ずれた位置に配置されるマイクロミラー8a計12個を作動させる。この動作により、図7bに示すように、基板Sの表面Saのうち対応する12個の単位領域Scにパターンの一部が投影される。このため、基板Sの表面Saのうち図中左上の8つの単位領域Scにパターンの一部が投影される。次に、制御装置CONTは、図6cに示すように、図6aの状態から図中下側に1個分ずれた位置に配置されるマイクロミラー8a計12個を作動させる。この動作により、図7cに示すように、基板Sの表面Saのうち対応する12個の単位領域Scにパターンの一部が投影される。このため、基板Sの表面Saのうち36個の単位領域Scにパターンの一部が投影される。次に、制御装置CONTは、図6dに示すように、図6cの状態から図中右側に1個分ずれた位置に配置されるマイクロミラー8a計12個を作動させる。この動作により、図7dに示すように、基板Sの表面Saのうち対応する12個の単位領域Scにパターンの一部が投影される。このため、基板Sの表面Saの全体に露光パターンが形成されることになる。このように、本実施形態では、一回のショットにおいて駆動させるマイクロミラー8aの数を複数12個としたので、上記各実施形態よりも単位領域Scの全体に露光パターンを形成するまでの時間を短縮することができる。これにより、スループットの向上を図ることが可能となる。本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。例えば、上記実施形態では、単位領域Scのうち左上から右下に順に露光光を照射する構成としたが、これに限られることは無く、他の順序で単位領域Scに露光光を照射するようにしても構わない。当該露光光を照射する順序に関する情報については、例えば予め制御装置CONTの記憶部に記憶させておき、当該情報に基づいて露光動作を行わせるようにしても構わない。なお、本発明は、露光装置の他にも、光学系を介して処理対象物に光を照射する処理装置に適用可能である。このような処理装置の一例として、レーザ加工装置が挙げられる。なお、本発明は、マスクレス方式の露光装置の他に、マスクと基板とを同期移動してマスクのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパ、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを一括露光し、基板を順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。さらに、ステップアンドリピート方式の露光において、第一パターンと基板とをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第一パターンの縮小像を基板上に転写した後、第二パターンと基板とをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第二パターンの縮小像を第一パターンと部分的に重ねて基板上に一括露光してもよいスティッチ方式の一括露光装置。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板を順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。本発明は、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのパターンの像を投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などに適用することができる。また、本発明は、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクションアライナーなどにも適用することができる。本発明は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。本発明は、MEMSの他、基板に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。本発明において、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測し、その計測結果を基板の位置の管理等に用いることもできる。また、レーザ干渉計を含む干渉計システムの他に、例えば基板ステージに設けられるスケール回折格子を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。本発明は、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板上に形成することによって、基板上にラインアンドスペースパターンを露光する露光装置リソグラフィシステムに、適用することができる。上述の実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。図8は、本実施形態のデバイス製造方法の一例を示す図である。本例では、ステップ201で、例えば液晶パネル等のデバイスの機能性能設計を行う。ステップ202で、デバイスの設計に基づいて、マスクレチクルを製作する。マスクレス方式の露光装置を用いてデバイスを製造する場合には、ステップ202で、パターンの形状を例えば制御部の内部又は外部の記憶装置に登録する。ステップ203で、デバイスの基材である基板を準備しておく。ステップ204で、基板上にデバイスを構成する導電膜パターンや絶縁膜パターン、半導体膜パターン等の膜パターンを形成する。ステップ204は、基板上に膜を形成することと、この膜上にレジストパターンを形成することと、このレジストパターンをマスクにして上記膜をエッチングすることと、を含む。レジストパターンを形成するには、レジスト膜を形成することと、上記の実施形態に従って、露光光で基板を露光することにより形成予定の膜パターンに応じたパターンの像を基板上のレジスト膜に投影することと、露光されたレジスト膜を現像することと、を行う。ステップ205で、製造するデバイスに応じて、例えば基板をダイシングすることや、一対の基板を貼り合せるとともに一対の基板間に液晶層を形成すること等を行って、デバイスを組み立てる。ステップ206で、デバイスに検査等の後処理を行う。以上のようにして、デバイスを製造することができる。上述の各実施形態、各変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。