"光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを含む単位画素と、前記単位画素から出力される信号を読み出す信号線と、前記信号線に接続された電流源と、前記転送ゲートによる転送期間に前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する駆動部とを備える固体撮像装置。前記単位画素は、前記拡散層で電圧に変換された信号を増幅する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタで増幅された信号を出力する画素を選択する選択トランジスタとを有し、前記選択トランジスタは、前記駆動部による駆動の下に前記単位画素と前記信号線との間を電気的に遮断する請求項1に記載の固体撮像装置。前記選択トランジスタは、前記増幅トランジスタと前記信号線との間に接続されている請求項2に記載の固体撮像装置。前記信号線と前記電流源との間にスイッチ素子が接続されており、前記スイッチ素子は、前記駆動部による駆動の下に前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する請求項1に記載の固体撮像装置。前記信号線と前記電流源との間が電気的に遮断されているときに、前記電流源に対して電流を供給する電流供給部を有する請求項1に記載の固体撮像装置。前記駆動部は、前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間の電気的な遮断の実施の判断を、前記光電変換部への入射光量に応じて行う請求項1に記載の固体撮像装置。前記駆動部は、前記光電変換部への入射光量が所定量よりも多い場合に前記電気的な遮断を実施せず、所定量以下の場合に前記電気的な遮断を実施する請求項6に記載の固体撮像装置。前記信号線を通して前記単位画素から読み出されるアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ-デジタル変換回路を前記信号線毎に有する請求項1に記載の固体撮像装置。前記アナログ-デジタル変換回路は、レベルが漸次変化する参照信号と前記アナログ信号とを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいてカウント動作を行なうカウンタ部とを有し、前記カウンタ部のカウント結果から前記アナログ信号に対応するデジタル信号を取得する請求項8に記載の固体撮像装置。前記駆動部は、前記参照信号のレベルの傾きを決めるゲイン設定値と所定のゲイン閾値とを比較し、その比較結果に応じて前記電気的な遮断の実施の判断を行う請求項9に記載の固体撮像装置。前記駆動部は、前記ゲイン設定値が前記所定のゲイン閾値を超える場合に前記電気的な遮断を実施せず、前記ゲイン設定値が前記所定のゲイン閾値以下の場合に前記電気的な遮断を実施する請求項10に記載の固体撮像装置。光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを含む単位画素と、前記単位画素から出力される信号を読み出す信号線と、前記信号線に接続された電流源とを備える固体撮像装置の駆動に当たって、前記転送ゲートによる転送期間に前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する固体撮像装置の駆動方法。光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを含む単位画素と、前記単位画素から出力される信号を読み出す信号線と、前記信号線に接続された電流源と、前記転送ゲートによる転送期間に前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する駆動部とを備える固体撮像装置を撮像部として有する電子機器。近年、固体撮像装置の高フレームレート化や多画素化に伴い、画素から信号を読み出す読出し速度の高速化や固体撮像装置の低消費電力化への要求が高い。CMOSイメージセンサ等の増幅型固体撮像装置においては、読出し速度の高速化を実現する場合、例えば、スロープ型AD変換器においてはスロープの傾きを急峻にし、時間をカウントするカウンタの周波数を上げて変換時間を短くしたり、回路が使用する電流量を増やし、スロープ開始前までに入力信号を安定させるためのセトリング時間過渡応答時間を短くしたりする、などいくつか方法がある。しかしながら、いずれの方法の場合も消費電力が増大し、低消費電力化に向かない。そこで、本開示は、消費電力を増大させることなく、読出し速度の高速化を図ることが可能な固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、当該固体撮像装置を撮像部画像取込部として有する電子機器を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本開示は、光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを含む単位画素と、前記単位画素から出力される信号を読み出す信号線と、前記信号線に接続された電流源とを備える固体撮像装置において、前記転送ゲートによる転送期間に前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する構成を採っている。本開示の固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、携帯電話機等の撮像機能を有する携帯情報端末などの電子機器において、その撮像部画像取込部として用いることができる。転送ゲートのゲート電極に転送パルスを印加することで、光電変換部で得た電荷を拡散層に転送する転送期間に入る訳であるが、その転送期間において、ゲート電極と拡散層との間に寄生する寄生容量によるカップリングによって拡散層の電位が変動する。そして、拡散層の電位が変動することによって信号線の電位も変動するため、単位画素から信号線へ信号を読み出す際に信号線の電位が安定するまでのセトリング時間過渡応答時間が長くなる。そこで、転送期間に単位画素と信号線との間、及び、信号線と電流源との間を電気的に遮断する。これにより、信号線が高インピーダンスの状態になるため、転送期間にカップリングによって拡散層の電位が変動したとしても、信号線の電位が変動することはない。その結果、単位画素から信号線へ信号を読み出す際の、信号線の電位のセトリング時間を短縮できる。しかも、電流源の電流量を増やす必要がないため、消費電力が増大することもない。本開示によれば、電流源の電流量を増やさなくても、信号線の電位のセトリング時間を短縮できるため、消費電力を増大させることなく、読出し速度の高速化を図ることができる。以下、本開示の技術を実施するための形態以下、実施形態と記述するについて図面を用いて詳細に説明する。本開示は実施形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。1.本開示の固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明2.実施形態2-1.システム構成2-2.画素回路の構成例2-3.カラム処理部の基本的な回路動作2-4.垂直信号線の電位のセトリング不足による問題点2-5.実施例12-6.実施例22-7.実施例33.適用例4.電子機器撮像装置5.本開示の構成<1.本開示の固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明>本開示の固体撮像装置は、光電変換部で光電変換して得た電荷を画素毎に電気信号として信号線に出力する構成のCMOSイメージセンサに代表される増幅型固体撮像装置である。本開示の固体撮像装置の単位画素以下、単に画素と記述する場合もあるは、光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを少なくとも含んでいる。拡散層は、転送ゲートによって転送された電荷を電圧に変換する。本開示の固体撮像装置の単位画素は更に、拡散層で電圧に変換された信号を増幅する増幅トランジスタと、当該増幅トランジスタで増幅された信号を出力する画素を選択する選択トランジスタとを有している。選択トランジスタによって選択された画素からは、拡散層で電圧に変換された信号が増幅トランジスタで増幅されて信号線に出力される。信号線には電流源が接続されており、この電流源は信号線を介して増幅トランジスタと共にソースフォロワ回路を構成する。単位画素において、転送ゲートのゲート電極に転送パルスを印加することで、光電変換部で得た電荷を拡散層に転送する転送期間に入る。本開示の固体撮像装置は、転送ゲートによる電荷の転送期間において、単位画素と信号線との間、及び、信号線と電流源との間を電気的に遮断する駆動部を備える。駆動部は、単位画素と信号線との間、及び、信号線と電流源との間の電気的な遮断の実施の判断を、光電変換部への入射光量に応じて行う、好ましくは、光電変換部への入射光量が所定量よりも多い場合には電気的な遮断を実施せず、所定量以下の場合には電気的な遮断を実施するようにするのが望ましい。駆動部による駆動の下に、転送期間に単位画素と信号線との間、及び、信号線と電流源との間を電気的に遮断することで、信号線が高インピーダンスの状態になる。従って、転送期間にゲート電極と拡散層との間に寄生する寄生容量によるカップリングによって拡散層の電位が変動したとしても、信号線の電位が変動することはない。その結果、単位画素から信号線へ信号を読み出す際の、信号線の電位が安定するまでのセトリング時間過渡応答時間を短縮できる。単位画素において、駆動部による駆動の下に、選択トランジスタを非導通状態オフ状態にすることにより、単位画素と信号線との間を電気的に遮断することができる。このとき、単位画素と信号線との間を電気的に完全に遮断するという観点からすると、選択トランジスタは、増幅トランジスタと信号線との間に接続されているのが好ましい。但し、増幅トランジスタと電源との間に選択トランジスタが接続された画素構成を排除するものではない。選択トランジスタは、電源と信号線との間において、増幅トランジスタに対して直列に接続されていれば、増幅トランジスタで増幅された信号を出力する画素を選択する動作を行うことができる。信号線と電流源との間にスイッチ素子が接続されており、当該スイッチ素子は、転送ゲートによる電荷の転送期間に、駆動部による駆動の下に、信号線と電流源との間を電気的に遮断する。これにより、信号線は高インピーダンスの状態になる。また、信号線と電流源との間が電気的に遮断されているときに、信号線からの電流経路とは別経路にて電流源に対して電流を供給するようにするのが好ましい。本開示の固体撮像装置は、信号線を通して単位画素から読み出されるアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ-デジタル変換回路を信号線毎に有する、所謂、列並列AD変換回路を有する構成とすることができる。但し、列並列AD変換回路を有する構成は一例であり、信号線以降の回路系については特に限定するものではない。列並列AD変換回路は、レベルが漸次変化する傾斜状波形所謂、ランプ波の参照信号と画素からのアナログ信号とを比較する比較部と、当該比較部の比較結果に基づいてカウント動作を行なうカウンタ部とを有する。そして、カウンタ部のカウント結果から、画素からのアナログ信号に対応するデジタル信号を取得する。列並列AD変換回路を備える固体撮像装置において、駆動部は、参照信号のレベルの傾きを決めるゲイン設定値と所定のゲイン閾値とを比較し、その比較結果に応じて、単位画素と信号線との間、及び、信号線と電流源との間の電気的な遮断の実施の判断を行う構成とすることができる。具体的には、ゲイン設定値が所定のゲイン閾値を超える場合に電気的な遮断を実施せず、ゲイン設定値が所定のゲイン閾値以下の場合に電気的な遮断を実施する構成とすることができる。<2.実施形態>実施形態の説明をする前に、先ず、本開示の技術が適用される固体撮像装置、例えば、列並列AD変換回路搭載のCMOSイメージセンサの構成について説明する。[2-1.システム構成]図1は、本開示の技術が適用される列並列AD変換回路搭載のCMOSイメージセンサのシステム構成の一例を示すブロック図である。図1に示すように、本適用例に係るCMOSイメージセンサ10は、光電変換部を含む単位画素以下、単に画素と記述する場合もある20が行列状に2次元配置されて成る画素アレイ部11と、当該画素アレイ部11の各画素20を駆動する駆動系及び信号処理系を有する。本例にあっては、画素アレイ部11の周辺に配される駆動系として、例えば、垂直駆動部12、読出し電流源部13、カラム処理部14、参照信号生成部15、水平駆動部16、及び、通信タイミング制御部17を有する。また、信号処理系として、例えば、出力アンプ18及び信号処理部19を有する。そして、これら駆動系や信号処理系、即ち、画素アレイ部11の周辺回路は、画素アレイ部11と同じ半導体基板チップ30上に集積されている。尚、ここでは、周辺回路の全てについて画素アレイ部11と同じ半導体基板30上に集積するとしているが、これに限られるものではなく、その一部、例えば信号処理部19を半導体基板30の外部に配する構成を採ることも可能である。このシステム構成において、通信タイミング制御部17は、マスタークロックMCKに基づいて、垂直駆動部12、カラム処理部14、参照信号生成部15、及び、水平駆動部16などの動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成する。通信タイミング制御部17で生成されたクロック信号や制御信号などは、垂直駆動部12、カラム処理部14、参照信号生成部15、及び、水平駆動部16などに対してそれらの駆動信号として与えられる。画素アレイ部11は、入射光の光量に応じた光電荷を生成し、かつ、蓄積する光電変換部を有する単位画素20が行方向及び列方向に、即ち、行列状に2次元配置された構成となっている。ここで、行方向とは画素行の画素の配列方向即ち、水平方向/横方向を言い、列方向とは画素列の画素の配列方向即ち、垂直方向/縦方向を言う。単位画素20の画素回路の詳細については後述する。画素アレイ部11において、m行×n列の画素配列に対して、画素行毎に行制御線31311~31mが行方向に沿って配線され、画素列ごとに垂直信号線32321~32nが列方向に沿って配線されている。行制御線31は、単位画素20から信号を読み出す際の制御を行うための制御信号を伝送する。図1では、行制御線31について1本の配線として示しているが、1本に限られるものではない。行制御線311~31mの各一端は、垂直駆動部12の各行に対応した各出力端に接続されている。垂直駆動部12は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、画素アレイ部11の各画素20を例えば行単位で駆動する。すなわち、垂直駆動部12は、当該垂直駆動部12を制御する通信タイミング制御部17と共に、画素アレイ部11の各画素20を駆動する駆動部を構成している。垂直駆動部12はその具体的な構成については図示を省略するが、一般的に、読出し走査系と掃出し走査系の2つの走査系を有する構成となっている。垂直駆動部12において、掃出し走査系による掃出し走査によって、読出し行の単位画素20の光電変換部から不要な電荷が掃き出されることによって当該光電変換部がリセットされる。そして、この掃出し走査系によって不要電荷を掃き出すリセットすることによって、所謂、電子シャッタ動作が行われる。ここで、電子シャッタ動作とは、光電変換部の光電荷を捨てて、新たに露光を開始する光電荷の蓄積を開始する動作のことを言う。読出し走査系による読出し動作によって読み出される信号は、その直前の読出し動作または電子シャッタ動作以降に受光した光量に対応するものである。そして、直前の読出し動作による読出しタイミングまたは電子シャッタ動作による掃出しタイミングから、今回の読出し動作による読出しタイミングまでの期間が、単位画素20における光電荷の露光期間となる。読出し電流源部13は、垂直信号線321~32nの各々と基準ノード例えば、グランドとの間に接続された電流源1311311~131nから成る。これら電流源1311~131nは、単位画素20の後述する増幅トランジスタ24と共に垂直信号線321~32nを介してソースフォロワ回路を構成する。カラム処理部14は、例えば、画素アレイ部11の画素列毎、即ち、垂直信号線321~32n毎に設けられたADCアナログ-デジタル変換回路33331~33nを有する。ADC回路33331~33nは、画素アレイ部11の各画素20から画素列毎に出力されるアナログ信号画素信号をデジタル信号に変換する。参照信号生成部15は、時間が経過するにつれてレベル電圧値が階段状に漸次変化する、所謂、ランプRAMP波形傾斜状の波形の参照信号Vrefを生成する。参照信号生成部15において、参照信号Vrefの傾きを決めるゲインは、入射光量に応じて設定される。すなわち、参照信号Vrefの傾きを決める設定ゲイン値は、入射光量に応じて変化する。参照信号生成部15については、例えば、DACデジタル-アナログ変換回路を用いて構成することができる。尚、参照信号生成部15としては、DAC回路を用いた構成のものに限られるものではない。参照信号生成部15は、通信タイミング制御部17から与えられる制御信号CS1による制御の下に、当該通信タイミング制御部17から与えられるクロックCKに基づいてランプ波の参照信号Vrefを生成する。そして、参照信号生成部15は、生成した参照信号Vrefをカラム処理部14のADC回路331~33nに対して供給する。ADC回路331~33nは全て同じ構成となっている。ここでは、n列目のAD変換回路33nを例に挙げて説明するものとする。AD変換回路33nは、比較器41、カウンタ部である例えばアップ/ダウンカウンタ図中、U/DCNTと記している42、転送スイッチ43、及び、メモリ部44を有する構成となっている。比較器41は、画素アレイ部11のn列目の各画素20から出力される画素信号に応じた垂直信号線22nの信号電圧Voutを比較入力とし、参照信号生成部15から供給されるランプ波の参照信号Vrefを基準入力とし、両入力を比較する。そして、比較器41は、例えば、参照信号Vrefが信号電圧Voutよりも大なるときに出力Vcoが第1の状態例えば、高レベルになり、参照信号Vrefが信号電圧Vx以下のときに出力Vcoが第2の状態例えば、低レベルになる。アップ/ダウンカウンタ42は非同期カウンタである。アップ/ダウンカウンタ42には、参照信号生成部15から参照信号Vrefが出力されるタイミングと同じタイミングで、通信タイミング制御部17からクロックCKが与えられる。アップ/ダウンカウンタ42は、クロックCKに同期してダウンDOWNカウント、または、アップUPカウントを行うことで、比較器41での比較動作の開始から比較動作の終了までの比較期間を計測する。転送スイッチ43は、通信タイミング制御部17から与えられる制御信号CS2による制御の下に、ある画素行の単位画素20についてのアップ/ダウンカウンタ42のカウント動作が完了した時点でオン閉状態となる。そして、転送スイッチ43は、アップ/ダウンカウンタ42のカウント結果をメモリ部44に転送する。このようにして、画素アレイ部11の各単位画素20から垂直信号線321~32nを経由して画素列毎に読み出されるアナログ信号について、ADC回路331~33nにおいて、先ず比較器41で比較動作が行われる。そして、アップ/ダウンカウンタ42において、比較器41での比較動作の開始から比較動作の終了までの期間に亘ってカウント動作を行うことで、アナログ信号がデジタル信号に変換され、当該デジタル信号が転送スイッチ43を介してメモリ部44に格納される。水平駆動部16は、シフトレジスタやアドレスデコーダなどによって構成され、カラム処理部14におけるADC回路331~33nの列アドレスや列走査の制御を行う。この水平駆動部16による制御の下に、ADC回路331~33nの各々でAD変換されたデジタル信号は順に水平出力線34に例えばNビットのデータとして読み出される。水平出力線34に読み出されたNビットのデータは、出力アンプ18で増幅されて信号処理部19に供給される。信号処理部19は、Nビットのデータに対して所定の信号処理を施して映像データとして半導体基板30の外部へ出力する。信号処理部19での信号処理としては、バッファリングだけの処理の場合もあるし、バッファリングの前に黒レベルを調整したり、列ごとのばらつきを補正したりするなど、各種のデジタル信号処理を挙げることができる。[2-2.画素回路の構成例]図2は、単位画素20の画素回路の構成例を示す回路図である。図2に示すように、本構成例に係る単位画素20は、光電変換部として例えばフォトダイオード21を有している。単位画素20は、フォトダイオード21に加えて、例えば、転送トランジスタ転送ゲート22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24、及び、選択トランジスタ25を有する構成となっている。尚、ここでは、転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24、及び、選択トランジスタ25として、例えばNチャネル型のMOSトランジスタを用いている。但し、ここで例示した転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24、及び、選択トランジスタ25の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。この単位画素20に対して、先述した行制御線31311~31mとして、複数の制御線が同一画素行の各画素に対して共通に配線される。図2では、図面の簡略化のために、複数の制御線については図示を省略している。複数の制御線は、垂直駆動部12の各画素行に対応した出力端に画素行単位で接続されている。垂直駆動部12は、画素アレイ部11の各画素20の駆動に当たって、複数の制御線に対して転送信号TRG、リセット信号RST、及び、選択信号SELを適宜出力する。フォトダイオード21は、アノード電極が負側電源に接続されており、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷ここでは、光電子に光電変換してその光電荷を蓄積する。フォトダイオード21のカソード電極は、転送トランジスタ22を介して増幅トランジスタ24のゲート電極と電気的に接続されている。増幅トランジスタ24のゲート電極と電気的に繋がった領域は、電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部拡散層26である。以下、電荷電圧変換部26をFDフローティングディフュージョン部26と呼ぶ。転送トランジスタ22は、フォトダイオード21のカソード電極とFD部26との間に接続されている。転送トランジスタ22のゲート電極には、高レベルがアクティブ以下、Highアクティブと記述するとなる転送信号TRGが垂直駆動部12から与えられる。転送トランジスタ22は、転送信号TRGに応答して導通状態となることで、フォトダイオード21で光電変換され、蓄積された光電荷をFD部26に転送する。リセットトランジスタ23は、ドレイン電極が電源に、ソース電極がFD部26にそれぞれ接続されている。リセットトランジスタ23のゲート電極には、Highアクティブのリセット信号RSTが垂直駆動部12から与えられる。リセットトランジスタ23は、リセット信号RSTに応答して導通状態となり、FD部26の電荷を電源に捨てることによって当該FD部26をリセットする。増幅トランジスタ24は、ゲート電極がFD部26に、ドレイン電極が電源にそれぞれ接続されている。この増幅トランジスタ24は、フォトダイオード21での光電変換によって得られる信号を読み出す読出し回路である、先述したソースフォロワ回路の入力部となる。すなわち、増幅トランジスタ24は、ソース電極が選択トランジスタ25を介して垂直信号線32に接続されることで、当該垂直信号線32の一端に接続された電流源131とソースフォロワ回路を構成している。選択トランジスタ25は、例えば、ドレイン電極が増幅トランジスタ24のソース電極に、ソース電極が垂直信号線32にそれぞれ接続されている。選択トランジスタ25のゲート電極には、Highアクティブの選択信号SELが垂直駆動部12から与えられる。選択トランジスタ25は、選択信号SELに応答して導通状態となることで、単位画素20を選択状態として増幅トランジスタ24で増幅された画素信号を垂直信号線32に出力する。尚、選択トランジスタ25については、増幅トランジスタ24のドレイン電極と電源との間に接続した回路構成を採ることも可能である。すなわち、選択トランジスタ25は、電源と垂直信号線32との間において、増幅トランジスタ24に対して直列に接続されていることで、単位画素20の選択動作を行うことができる。[2-3.カラム処理部の基本的な回路動作]ここで、上記構成のCMOSイメージセンサ10におけるカラム処理部14の基本的な回路動作について、図3のタイミング波形図を用いて説明する。図3には、リセット信号RST、転送信号TRG、垂直信号線321~32nの信号電圧Vout、参照信号Vref、クロックCK、及び、アップ/ダウンカウンタ42のカウンタ出力のタイミング関係を示している。尚、単位画素20においては、リセットトランジスタ23によるリセット動作と、転送トランジスタ22による転送動作とが行われる。リセット動作では、リセットトランジスタ23によってリセットされたときのFD部26の電位がリセット成分P相として単位画素20から垂直信号線321~32nに出力される。転送動作では、フォトダイオード21に蓄積された電荷が転送トランジスタ22によって転送されたときのFD部26の電位が信号成分D相として垂直信号線321~32nに出力される。ある選択行の単位画素20からの垂直信号線321~32nへの1回目の読出し動作が安定した後、参照信号生成部15からランプ波形の参照信号Vrefを比較器41に与えることで、当該比較器41において垂直信号線321~32nの信号電圧Voutと参照信号Vrefとの比較動作が行われる。参照信号Vrefが比較器41に与えられると同時に、通信タイミング制御部17からアップ/ダウンカウンタ42に対してクロックCKが与えられることで、当該アップ/ダウンカウンタ42では1回目の読出し動作時の比較器41での比較時間がダウンカウント動作によって計測される。そして、参照信号Vrefと垂直信号線321~32nの信号電圧Voutとが等しくなったときに比較器41の出力Vcoが高レベルから低レベルへ反転する。この比較器41の出力Vcoの極性反転を受けて、アップ/ダウンカウンタ42は、ダウンカウント動作を停止して比較器41での1回目の比較期間に応じたカウント値を保持する。この1回目の読出し動作では、単位画素20のリセット成分ΔVが読み出される。このリセット成分ΔV内には、単位画素20毎にばらつく固定パターンノイズがオフセットとして含まれている。2回目の読出し動作では、リセット成分ΔVに加えて、単位画素20毎の入射光量に応じた信号成分Vsigが、1回目のリセット成分ΔVの読出し動作と同様の動作によって読み出される。すなわち、選択行の単位画素20から垂直信号線321~32nへの2回目の読出し動作が安定した後、参照信号生成部15から参照信号VrefがADC回路331~33nの各比較器41に与えられることで、比較器41において垂直信号線321~32nの各信号電圧Voutと参照信号Vrefとの比較動作が行われる。これと同時に、比較器41での2回目の比較時間が、アップ/ダウンカウンタ42において1回目とは逆にアップカウント動作によって計測される。このように、アップ/ダウンカウンタ42のカウント動作を1回目にダウンカウント動作とし、2回目にアップカウント動作とすることにより、当該アップ/ダウンカウンタ42において、自動的に2回目の比較期間-1回目の比較期間の減算処理が行われる。そして、参照信号Vrefと垂直信号線321~32nの信号電圧Voutとが等しくなったときに比較器41の出力Vcoが極性反転し、この極性反転を受けてアップ/ダウンカウンタ42のカウント動作が停止する。その結果、アップ/ダウンカウンタ42には、2回目の比較期間-1回目の比較期間の減算処理の結果に応じたカウント値が保持される。上述した2回の読出し動作と、カラム処理部14のアップ/ダウンカウンタ42での減算処理により、単位画素20のリセットレベルと信号レベルとをそれぞれ独立にAD変換し、デジタル領域でCDS処理が行われる。この一連のAD変換動作によってAD変換されたNビットのデジタル値デジタル信号は、水平駆動部16による駆動の下に、Nビット幅の水平出力線37に読み出され、出力アンプ18及び信号処理部19を経て順次外部へ出力される。[2-4.垂直信号線の電位のセトリング不足による問題点]ここで、単位画素20から垂直信号線321~32nへの信号の読出し時における、垂直信号線321~32nの電位が安定するまでのセトリング時間過渡応答時間について、図4のタイミング波形図を用いて説明する。図4には、リセット信号RST、転送信号TRG、垂直信号線321~32nの信号電圧Vout、参照信号Vref、クロックCK、及び、アップ/ダウンカウンタ42のカウンタ出力のタイミング関係を示している。単位画素20から垂直信号線321~32nに画素信号を読み出す際、転送トランジスタ22のゲート電極に転送信号TRGが印加されることにより、当該ゲート電極とFD部26との間に寄生する寄生容量C図2参照によるカップリングによってFD部26の電位が変動する。そして、FD部26の電位が変動することによって垂直信号線321~32nの電位も変動するため、転送信号TRGが高レベルから低レベルに遷移してから、垂直信号線321~32nの電位のセトリングが開始する。そのため、入射光量が所定の光量以下の暗時の場合、参照信号Vrefと垂直信号線321~32nの信号電圧Voutと参照信号Vrefとが交わるまでの時間が短くなるため、垂直信号線321~32nの電位が安定しない、所謂、垂直信号線321~32nの電位のセトリング期間不足が生じる。そして、このセトリング期間不足により、図4に示すように、黒レベルが本来の黒レベルからずれてしまう問題以下、これを黒ずれと呼ぶなどが発生する。時間的に余裕がある場合は、垂直信号線321~32nの電位のセトリング時間を長くすることが可能である。一方、時間的に厳しい場合は、セトリング期間不足を解消するには、例えば、垂直信号線321~32nに繋がる電流源1311~131nの電流量を増やすなどの対策が必要となる。しかしながら、画素列毎に設けられている電流源1311~131nの電流量を全て増やすと、消費電力が増大し、低消費電力化は図れない。本実施形態は、先述した列並列AD変換回路搭載のCMOSイメージセンサ10などの固体撮像装置において、垂直信号線321~32nの電位のセトリング期間不足による黒ずれや消費電力の増大の問題を解消し、高速読出しを実現すべく為されたものである。以下に、具体的な実施例について説明する。[2-5.実施例1]図5は、実施例1に係るCMOSイメージセンサ10における単位画素及び読出し電流源部の構成を示す回路図である。図5において、単位画素20の画素回路については、図2に示した画素回路の場合と同様の構成である。実施例1では、垂直駆動部12の駆動タイミングと、読出し電流源部13Aの構成を特徴としている。具体的には、読出し電流源部13Aは、垂直信号線32321~32nと電流源1311311~131nとの間に接続されたスイッチ素子、例えば、電流源遮断トランジスタ51を有する構成となっている。電流源遮断トランジスタ51のゲート電極には、例えば、通信タイミング制御部17から制御信号Icutが選択的に与えられる。電流源遮断トランジスタ51は、制御信号Icutによる制御の下に、垂直信号線32321~32nと電流源1311311~131nとの間を電気的に遮断する。次に、上述した構成を採る実施例1の回路動作について、図6の動作説明図を用いて説明する。垂直駆動部12は、単位画素20からの画素信号の読出し期間における転送期間に、即ち、転送トランジスタ22に与える転送信号TRGが高レベルHighの期間に、選択信号SELを低レベルLowにして選択トランジスタ25を非導通オフ状態にする。これと同時に、即ち、転送トランジスタ22による転送期間に、通信タイミング制御部17は、制御信号Icutを低レベルにして電流源遮断トランジスタ51を非導通状態にする。これにより、転送トランジスタ22による転送期間において、単位画素20と垂直信号線32321~32nとの間、及び、垂直信号線32321~32nと電流源1311311~131nとの間が電気的に遮断される。以上の動作説明から明らかなように、垂直駆動部12及び通信タイミング制御部17は、単位画素20と垂直信号線32との間、及び、垂直信号線32と電流源131との間を電気的に遮断する駆動部を構成している。このように、転送トランジスタ22による転送期間において、単位画素20と垂直信号線32との間、及び、垂直信号線32と電流源131との間を電気的に遮断することで、垂直信号線32が高インピーダンスの状態になる。従って、転送期間にカップリングによってFD部26の電位が変動したとしても、その変動の影響が垂直信号線32の電位に及ばないため、図7に示すように、垂直信号線32の電位信号電圧Voutを一定に保つことができる。その結果、単位画素20から垂直信号線32へ信号を読み出す際の、垂直信号線32の電位のセトリング時間を短縮することができる。しかも、電流源131の電流量を増やさなくてもセトリング時間を短縮できるため、消費電流を増大させることなく、読出し速度の高速化を図ることができる。また、セトリング時間を短縮できることで、時間的に余裕がある場合、電流源131の電流量を減らすことができるため、低消費電力化を図ることができる。[2-6.実施例2]図8は、実施例2に係るCMOSイメージセンサ10における単位画素及び読出し電流源部の構成を示す回路図である。実施例1に係る読出し電流源部13Aは、垂直信号線32と電流源131との間に接続された電流源遮断トランジスタ51を有し、単位画素20と垂直信号線32との間が遮断されるときに、垂直信号線32と電流源131との間を電気的に遮断する構成となっていた。これに対して、実施例2に係る読出し電流源部13Bは、電流源遮断トランジスタ51に加えて、電源と電流源131の入力端との間に接続されたスイッチ素子、例えば電流供給トランジスタ52を有する構成となっている。電流供給トランジスタ52のゲート電極には、転送トランジスタ22による転送期間において、例えば通信タイミング制御部17から制御信号Isinkが選択的に与えられる。電流供給トランジスタ52は、制御信号Isinkによる制御の下に、転送トランジスタ22による転送期間に、即ち、垂直信号線32と電流源131との間が電気的に遮断されているときに導通状態となって、電流源131に対して電源から電流を供給する。すなわち、電流供給トランジスタ52は、垂直信号線32からの電流経路とは別経路にて電流源131に対して電流を供給する電流供給部を構成している。次に、電流供給トランジスタ52による作用、効果について説明する。転送トランジスタ22による転送期間は、電流源遮断トランジスタ51による作用によって電流源131が垂直信号線32から切り離されている。そして、転送期間からセトリング期間に移行したときは、電流源遮断トランジスタ51が導通状態になることにより、垂直信号線32からの電流経路にて電流源131に再度電流が流れる。ここで、CMOSイメージセンサ10は、画素列毎に電流源1311~131nを持つシステム構成である。そのため、転送期間からセトリング期間に移行した際に、全画素列の電流源1311~131nに一斉に電流が流れることになるため、グランド電位が揺れる。そして、グランド電位の揺れは、画質に悪影響を及ぼす可能性がある。そこで、転送トランジスタ22による転送期間に、即ち、垂直信号線32と電流源131との間が電気的に遮断されているときに、図9に示すように、制御信号Isinkを高レベルHighにして電流源遮断トランジスタ51を導通状態にする。これにより、垂直信号線32からの電流経路とは別経路にて、即ち、電流源遮断トランジスタ51を通して電流源131に電流が供給される。その結果、転送期間からセトリング期間に移行したときの、グランド電位の揺れを抑えることができるため、画質に悪影響を及ぼすことなく、セトリング時間の短縮による読出し速度の高速化を図ることができる。上述したように、実施例2によれば、実施例1の作用、効果、即ち、垂直信号線32の電位のセトリング時間を短縮できるといった作用、効果に加えて、転送期間からセトリング期間に移行したときの、グランド電位の揺れを抑えることができるため、画質に影響のない高速読出しを実現できることになる。[2-7.実施例3]ところで、転送期間における転送トランジスタ22のゲート電極とFD部26との間の寄生容量Cによるカップリングに起因する垂直信号線32の電位の変動量は、図10の信号電圧Voutの波形から明らかなように、入射光の光量が強い程、セトリングへの影響が小さい。例えば、信号量がゼロの読出しを行っているとき、転送信号TRGがONするタイミングでカップリングによって垂直信号線32の電位が100mV程度ずらされたとすると、転送信号TRGがOFFするタイミングから垂直信号線32の電位を100mV程度戻すセトリング時間が必要になり、安定化まで時間がかかる。実施例1,2によれば、転送信号TRGがONのタイミングでカップリングの影響をゼロにできるので転送信号TRGがOFFのタイミングからの安定化時間をゼロに出来る。しかしながら、信号量が500mVの読出しを行う際、転送信号TRGがONした瞬間から垂直信号線32の電位は変動できるので、仮に、転送信号TRGがOFFしたタイミングで500mV変動できたとすると、残りカップリングによって変動する100mVの信号量を読み出す時間でよいことになる。従って、結果的に、転送信号TRGがOFFのタイミングから500mVの信号を読み出すよりもセトリング時間は速くなる。先述した実施例1,2の機能を実施した場合には、転送期間中は垂直信号線32の電位を一定に保つことができるため、光量が強い場合、垂直信号線32の電位のセトリング時間は最大で転送期間分だけ長くなる。そこで、実施例3では、実施例1,2の機能を実施するか否かの判断、即ち、単位画素20と垂直信号線32との間、及び、垂直信号線32と電流源131との間の電気的な遮断の実施の判断を、単位画素20フォトダイオード21への入射光量に応じて行うようにする。具体的には、入射光量が所定の光量よりも多い場合に電気的な遮断を実施せず、所定の光量以下の場合に電気的な遮断を実施するようにする。この実施例3に係る駆動は、通信タイミング制御部17または当該通信タイミング制御部17を制御する制御部図示せずによって行われる。本開示の技術が適用されるCMOSイメージセンサ10は、列並列AD変換回路を搭載している図1参照。前にも述べたように、カラム処理部14で用いる参照信号Vrefを生成する参照信号生成部15において、参照信号Vrefの傾きを決めるゲインは、入射光量に応じて変化する。従って、参照信号Vrefの傾きを決める設定ゲイン値から入射光量を知ることができる。そこで、実施例3では、一例として、参照信号Vrefの傾きを決める設定ゲイン値を基に実施例1,2の機能を実施するか否かの判断を行うこととし、以下に、実施例3の機能を実施する具体例について、図11を用いて説明する。図11は、実施例3の機能を実施する駆動部例えば、通信タイミング制御部17の機能ブロック図である。図11において、実施例3の機能を実施する駆動部60は、設定ゲイン取得部61、判定部62、及び、機能ON/OFF制御部63の各機能を備えている。設定ゲイン取得部61は、参照信号生成部15で設定される参照信号Vrefの傾きを決める、入射光量に応じて変化する設定ゲイン値を取得する。判定部62は、設定ゲイン取得部61が取得したゲイン設定値を所定のゲイン閾値と比較することによって実施例1,2の機能を実施するか否かを判定し、その判定結果を機能ON/OFF制御部63に渡す。ここでは、一例として、入射光量が相対的に多い強いときにゲイン設定値が低く、入射光量が相対的に少ない弱いときにゲイン設定値が高い場合を想定する。判定部62は、入射光量が相対的に多い場合、即ち、ゲイン設定値が所定のゲイン閾値を超える場合は、実施例1,2の機能OFF実施しないと判定し、入射光量が相対的に少ない場合、即ち、ゲイン設定値が所定のゲイン閾値以下の場合は、実施例1,2の機能ON実施すると判定する。機能ON/OFF制御部63は、判定部62の判定結果を受けて、実施例1,2の機能を実施するか否かの制御を行う。具体的には、機能ON/OFF制御部63は、例えば図5において、判定部62の判定結果が機能OFFの場合は、選択トランジスタ25及び電流源遮断トランジスタ51を導通状態にし、判定部62の判定結果が機能ONの場合は、選択トランジスタ25及び電流源遮断トランジスタ51を非導通状態にする。すなわち、機能ON/OFF制御部63は、選択トランジスタ25の導通/非導通の駆動を行う垂直駆動部12の機能部、及び、電流源遮断トランジスタ51、電流供給トランジスタ52導通/非導通の駆動を行う通信タイミング制御部17の機能部に相当することになる。尚、ここでは、参照信号生成部15で設定される参照信号Vrefの傾きを決める、入射光量に応じて変化する設定ゲイン値を基に、実施例1,2の機能を実施するか否かの判断を行うとしたが、これに限られるものではなく、当該判断を入射光量に応じて行う構成のものであればよい。このように、実施例1,2の機能を実施するか否かの判断を入射光量に応じて行うことで、垂直信号線32の電位のセトリングにとって最適な駆動を入射光量に応じて適宜行うことが可能になる。<3.適用例>上記実施形態では、可視光の光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に2次元配列されてなるCMOSイメージセンサに適用した場合を例に挙げて説明したが、これに限られるものではない。すなわち、本開示の技術は、単位画素から信号が出力される信号線に電流源が接続されて成る増幅型固体撮像装置全般に対して適用可能である。また、本開示の技術は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置に適用可能である。さらに、広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の物理量分布検知装置を固体撮像装置とする場合もある。尚、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。<4.電子機器>本開示は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部光電変換部に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。[撮像装置]図12は、本開示の電子機器の一例である撮像装置の構成例を示すブロック図である。図12に示すように、本開示の撮像装置100は、レンズ群101等を含む光学系、撮像素子102、カメラ信号処理部であるDSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107、及び、電源系108等を有している。そして、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107、及び、電源系108がバスライン109を介して相互に接続された構成となっている。レンズ群101は、被写体からの入射光像光を取り込んで撮像素子102の撮像面上に結像する。撮像素子102は、レンズ群101によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この撮像素子102として、先述した実施形態に係るCMOSイメージセンサを用いることができる。表示装置105は、液晶表示装置や有機EL表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像素子102で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置106は、撮像素子102で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやDVD等の記録媒体に記録する。操作系107は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系108は、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、及び、操作系107の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。このような撮像装置100は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、更には、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールに適用される。そして、この撮像装置100において、撮像素子102として先述した実施形態に係る固体撮像装置を用いることができる。<5.本開示の構成>尚、本開示は以下のような構成を採ることができる。1光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを含む単位画素と、前記単位画素から出力される信号を読み出す信号線と、前記信号線に接続された電流源と、前記転送ゲートによる転送期間に前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する駆動部とを備える固体撮像装置。2前記単位画素は、前記拡散層で電圧に変換された信号を増幅する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタで増幅された信号を出力する画素を選択する選択トランジスタとを有し、前記選択トランジスタは、前記駆動部による駆動の下に前記単位画素と前記信号線との間を電気的に遮断する前記1に記載の固体撮像装置。3前記選択トランジスタは、前記増幅トランジスタと前記信号線との間に接続されている前記2に記載の固体撮像装置。4前記信号線と前記電流源との間にスイッチ素子が接続されており、前記スイッチ素子は、前記駆動部による駆動の下に前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する前記1から前記3のいずれかに記載の固体撮像装置。5前記信号線と前記電流源との間が電気的に遮断されているときに、前記電流源に対して電流を供給する電流供給部を有する前記1から前記4のいずれかに記載の固体撮像装置。6前記駆動部は、前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間の電気的な遮断の実施の判断を、前記光電変換部への入射光量に応じて行う前記1から前記5のいずれかに記載の固体撮像装置。7前記駆動部は、前記光電変換部への入射光量が所定量よりも多い場合に前記電気的な遮断を実施せず、所定量以下の場合に前記電気的な遮断を実施する前記6に記載の固体撮像装置。8前記信号線を通して前記単位画素から読み出されるアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ-デジタル変換回路を前記信号線毎に有する前記1から前記7のいずれかに記載の固体撮像装置。9前記アナログ-デジタル変換回路は、レベルが漸次変化する参照信号と前記アナログ信号とを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいてカウント動作を行なうカウンタ部とを有し、前記カウンタ部のカウント結果から前記アナログ信号に対応するデジタル信号を取得する前記8に記載の固体撮像装置。10前記駆動部は、前記参照信号のレベルの傾きを決めるゲイン設定値と所定のゲイン閾値とを比較し、その比較結果に応じて前記電気的な遮断の実施の判断を行う前記9に記載の固体撮像装置。11前記駆動部は、前記ゲイン設定値が前記所定のゲイン閾値を超える場合に前記電気的な遮断を実施せず、前記ゲイン設定値が前記所定のゲイン閾値以下の場合に前記電気的な遮断を実施する前記10に記載の固体撮像装置。12光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを含む単位画素と、前記単位画素から出力される信号を読み出す信号線と、前記信号線に接続された電流源とを備える固体撮像装置の駆動に当たって、前記転送ゲートによる転送期間に前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する固体撮像装置の駆動方法。13光電変換部で光電変換して得た電荷を拡散層に転送する転送ゲートを含む単位画素と、前記単位画素から出力される信号を読み出す信号線と、前記信号線に接続された電流源と、前記転送ゲートによる転送期間に前記単位画素と前記信号線との間、及び、前記信号線と前記電流源との間を電気的に遮断する駆動部とを備える固体撮像装置を撮像部として有する電子機器。"