電極層と、前記電極層の上に電流密度調節パターンと、前記電極層及び前記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物と、を含み、前記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供されたことを特徴とする、発光素子。前記発光構造物は、第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層の上に活性層と、前記活性層の上に第1導電型半導体層を含み、前記柱パターンまたは孔パターンは、前記第1導電型半導体層に形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記柱パターンまたは孔パターンは、前記電流密度調節パターンと対応して配置されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記柱パターンまたは孔パターンは、前記電流密度調節パターンと互いに対応しない位置に配置されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記電流密度調節パターンの幅は、前記柱パターンまたは孔パターンの幅と相異することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記柱パターンまたは孔パターンの側面に反射膜が配置されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層は、前記柱パターンまたは孔パターンを提供する第1厚さと、前記柱パターンまたは孔パターンの下部に提供された第2厚さと、を含むことを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記第2厚さは500~1000nmであることを特徴とする、請求項7に記載の発光素子。前記第1厚さは少なくともλ/nであり、ここで、前記λは前記活性層から放出される光の主波長であり、前記nは前記発光構造物の屈折率であることを特徴とする、請求項7に記載の発光素子。前記発光構造物は1~2μmの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記電流密度調節パターンは非導電性物質で提供されたり、前記第2導電型半導体層と非オーミック接触を形成する金属材質で提供されたことを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記電極層は、伝導性支持部材と、前記伝導性支持部材の上に反射層と、前記反射層の上にオーミック層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。胴体と、前記胴体の上に配置された少なくとも1つのリード電極と、前記リード電極に電気的に連結され、前記請求項1乃至請求項12のうちのいずれか1項による発光素子と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。基板と、前記基板の上に配置され、前記請求項1乃至請求項12のうちのいずれか1項による発光素子を含む発光モジュールと、を含むことを特徴とする、照明システム。前記発光モジュールから放出される光の進行経路上に配置される光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか1つをさらに含むことを特徴とする、請求項14に記載の照明システム。本発明は、発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供することを目的とする。本発明は、光抽出効率が向上した発光素子を提供することを目的とする。本発明は、垂直方向に集中した発光パターンを示す発光素子を提供することを目的とする。本発明による発光素子は、電極層と、上記電極層の上に電流密度調節パターンと、上記電極層及び上記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物とを含み、上記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供される。本発明による発光素子パッケージは、胴体と、上記胴体の上に配置された少なくとも1つのリード電極と、上記リード電極に電気的に連結された発光素子と、を含み、上記発光素子は、電極層と、上記電極層の上に電流密度調節パターンと、上記電極層及び上記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物と、を含み、上記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供される。本発明による照明システムは、基板と、上記基板の上に配置され、発光素子を含む発光モジュールと、を含み、上記発光素子は、電極層と、上記電極層の上に電流密度調節パターンと、上記電極層及び上記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物と、を含み、上記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供される。本発明による発光素子及びその製造方法によれば、電流密度調節による共振器効果により光抽出効率の向上を得ることができる。また、本発明は電流密度調節による共振器発光素子として光抽出効率の向上が共振器構造の内に存在する垂直方向の振動モードとの結合によりなされるので、垂直方向に集中した発光パターンを得ることができるという長所がある。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。以下、添付した図面を参照して実施形態による発光素子、発光素子製造方法、及び発光素子パッケージについて説明する。図1及び図2は、本発明の実施形態による発光素子の側断面図である。実施形態による発光素子は、発光構造物110、電流密度調節パターン120、及び電極層130を含む。上記発光構造物110は共振器構造を含むことができる。上記発光構造物110に配置された共振器構造について以下に詳細に説明する。上記発光構造物110は、第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含むことができる。上記電流密度調節パターン120は、上記第2導電型半導体層116の下に配置される。上記発光構造物110は、第2導電型半導体層116、上記第2導電型半導体層の上に配置された活性層114、及び上記活性層114の上に配置された上記第1導電型半導体層112を含むことができる。上記共振器構造は、上記発光構造物110の上部領域に形成される。上記電極層130は、伝導性支持部材136、反射層134、及びオーミック層132を含むことができ、上記発光構造物110に電源を提供することができる。また、上記反射層134は、上記活性層114から入射される光を上部に反射させることで、発光素子の光抽出効率を向上させることができる。図1は本発明の第1実施形態による発光素子の断面図であって、共振器構造が柱パターンBの例である。ここで、上記第1導電型半導体層112は、上記柱パターンBを提供する第1厚さと上記柱パターンBの下部に提供された第2厚さとを含むことができる。図2は本発明の第2実施形態による発光素子の断面図であって、共振器構造が孔パターンHの例である。ここで、上記第1導電型半導体層112は、上記孔パターンHを提供する第1厚さと上記孔パターンHの下部に提供された第2厚さとを含むことができる。上記電流密度調節パターン120は、柱パターンB図1参照、または孔パターンH図2参照の下に位置した活性層114の領域にキャリア電流が流れるようにして、光がその活性層114の領域のみで発生するようにする。これによって、上記柱パターンBまたは孔パターンHの下領域の活性層114の領域で発生した光は、上記柱パターンBまたは孔パターンHを単一共振器と認識して、共振器効果により光抽出効率を向上させることができる。実施形態によれば、柱または、孔パターン、及び電流密度調節パターンが素子の全体の領域を詰めながらパターン形態に位置するので、これはあたかも多数の共振器発光素子が分離されている構造と見ることができる。実施形態では、柱または、孔パターンのような共振器構造の有無に従う発光分布の変化を電磁気学方程式を基礎にしてシミュレーションすることができる。図3は、共振器構造を導入していない場合の発光分布図である。図3を参照すると、共振器構造が導入されていない場合、方向性のない球面波が媒質に沿って進行することが分かる。一方、図4は本発明の実施形態による発光素子における共振器構造が導入された場合の発光分布図である。図4を参照すると、柱または、孔パターン構造が活性層領域に近接すれば発光分布の変化が発生し、主に柱または、孔パターンの内部に沿って垂直方向に光が放出されることが分かる。図4のシミュレーションでは、上記電流密度調節パターン120による局所的な電流を表すために、柱パターンBの中央の下に光源lightsourceを印加した。図5は、1800nm及び2500nmの周期aを有する共振器構造である柱パターンBの下に光源を印加した場合Resonantと、活性層の全体に光源を印加するか、または上記共振器構造を持たない場合Averageとにおける、図1の上記活性層114から柱パターンBの底に至る厚さh1DistancetoMQWsに対する光抽出効率の変化のシミュレーション結果を示すグラフである。この際、上記発光構造物110の厚さh2は3μmにしたが、h2が2μmを超過し、10μm以下の値の範囲にある場合、シミュレーション結果は類似するように表れた。また、上記活性層114から放出される光は青色系列の光であって、略460nmの主波長領域を有する。図1及び図5を参照すると、活性層の全体に光源を印加するか、または上記共振器構造が導入されていない発光素子の場合Average、光抽出効率が比較的一定に維持されることが分かる。一方、実施形態によって上記共振器構造が導入された発光素子の場合Resonant、上記活性層114から柱パターンBの底に至る厚さh1が短くなるほど、光抽出効率が上昇する傾向を表す。特に、上記の厚さh1が上記活性層114で生成される光の波長λ≒460nmに相当するか、それよりも小さな値、即ち、200nm乃至400nmの値を有すれば、急激に光抽出効率が上昇することが分かる。また、このような現象は上記共振器構造の周期aが大きい場合、即ち、上記周期aが1800nmの場合より2500nmの場合に一層顕著であることが分かる。しかしながら、上記の厚さh1が200nm乃至400nmの場合、上記発光構造物110を上記活性層114に極めて隣接した位置までエッチングして除去しなければならないので、エッチング深さの正確な制御が困難であるので、上記活性層114が除去される等の問題が発生して、製造工程の信頼性及び歩留まりを確保し難いという難点がある。したがって、他の実施形態では、上記活性層114から柱パターンBの底に至る厚さh1をより大きく確保し、かつ共振器構造の導入を通じた光抽出効率の上昇効果を得るために、上記発光構造物110の全体の厚さh2を2μm以下、好ましくは、1μm乃至2μm、より好ましくは1.3μm乃至1.8μmに形成することができる。図6は、1800nmの周期を有する共振器構造である柱パターンBの下に光源を印加した場合に、図1の上記活性層114から柱パターンBの底に至る厚さh1DistancetoMQWsに対する光抽出効率の変化のシミュレーション結果を示すグラフである。上記シミュレーションは、上記発光構造物110の厚さh2を1.5μmにして実施した結果を表したが、上記厚さh2を1μm乃至2μmに形成してもシミュレーション結果は似るように表れた。また、上記活性層114から放出される光は青色系列の光であって、略460nmの主波長を有する。図1及び図6を参照すると、上記発光構造物110の厚さh2が1.5μmの場合、上記活性層114から上記柱パターンBの底に至る厚さh1が図5のシミュレーション結果より大きい値である500nm乃至1000nm、好ましくは500nm乃至700nmの場合にも比較的高い光抽出効率ExtractionEfficiencyが表れることが分かる。即ち、上記発光構造物110の厚さh2を薄く形成することで、薄膜の特性が発現される。これによって、共振器効果が表れるために求められる上記活性層114から上記柱パターンBの底に至る厚さh1が相対的に大きくなるようになって、共振器効果による光抽出効率の上昇効果を得ると共に、発光素子の製造工程の信頼性が確保される。これは、上記発光構造物110の厚さh2が薄くなることによって、上記発光構造物110の内に全反射により束縛される光量が減るようになる一方、垂直方向に振動モードにより干渉現象を起こす光量が増えるためであることがある。また、図1及び図2を参照すると、実施形態において、共振器効果が発生するには上記共振器構造である上記柱パターンBまたは孔パターンhは、上記電流密度調節パターン120と互いに対応しない位置に交互にoutofphase形成されるか、あるいは互いに対応する位置にinphase形成される。一方、実施形態において、上記共振器構造である上記柱パターンBまたは上記孔パターンhは、上記電流密度調節パターン120と完全に対応する位置に配列されるか、あるいは完全には対応しない位置に配列されないことがあり、上記電流密度調節パターン120の幅は上記柱パターンBの幅W1または孔パターンhの幅W2より小さいか大きいことがある。即ち、実施形態において、電流密度調節の役割をする上記電流密度調節パターン120が適切な位置に配列される場合に共振器効果が発生することができ、これに対して限定するものではない。また、前述したように、上記柱パターンBまたは孔パターンhの底と上記活性層114との間の厚さh1が遠過ぎれば活性層114が共振器効果を享受することができず、近過ぎれば第1導電型半導体層112、例えば、n-GaN層の厚さの減少によって電流拡散に問題が発生することがある。これによって、上記柱パターンBまたは上記孔パターンhの底と上記活性層114との間の厚さh1の下限線は約10nmでありうる。また、上記柱パターンBまたは上記孔パターンhのエッチング深さは少なくともλ/n以上のものが好ましい但し、λは上記活性層から放出される光の主波長、nは上記発光構造物の屈折率。実施形態は、電流が特定の領域のみに流れて、該当領域内の活性層が共振器効果を得ることができるように設計するものである。仮に、電流が全体発光領域に均一に流れれば、図5の平均値Averageのデータのように、エッチング深さに関わらず発光効率が一定に維持される結果を表す。電流の局所化の程度を算術的に表現すると、上記電流密度調節パターン120の上の活性層114の内に電流が全く流れない時を理想的な場合と考える時、電流密度調節パターン120の下段の活性層114の垂直断面積の約50程度を電流が流れる場合が上限線でありうる。以下、図7乃至図15を参照して実施形態による発光素子の製造方法を説明する。以下の説明では第1実施形態による発光素子の製造方法を説明するが、これに限定されるものでなく、例えば第2実施形態にも適用可能である。図7を参照すると、基板100の上に第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含む上記発光構造物110を形成する。上記基板100と上記第1導電型半導体層112との間にはアンドープドundoped半導体層またはバッファ層がさらに形成されることもできる。上記基板100は、サファイアAl2O3単結晶基板、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geのうちの少なくとも1つで形成され、これに対して限定するものではない。上記基板100に対して湿式洗浄を行って表面の不純物を除去することができる。また、基板100の上部面には上記半導体層の成長を促進させるために多様なパターンが形成されたり、傾斜が存在することができる。上記発光構造物110、上記アンドープド半導体層、及び上記バッファ層は、有機金属化学蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD:PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE:MolecularBeamEpitaxy、または水素化物気相成長法HVPE:HydrideVaporPhaseEpitaxyのうち、少なくとも1つの方法を用いて上記基板100の上に形成することができ、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層112は、例えば、n型半導体層を含むことができる。上記n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の造成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択され、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドーピングされる。上記活性層114は単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線Wire構造、量子点dot構造のうちから選択的に形成される。上記活性層114は、3族-5族化合物半導体材料を用いて井戸層/障壁層の周期で形成され、例えばInGaN/GaN構造、InGaN/AlGaN構造、InGaN/InGaN構造のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記障壁層は、上記井戸層のバンドギャップより大きい物質で形成され、これに対して限定するものではない。また、上記活性層114は、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料を含んで形成することができる。上記活性層114は、上記第1導電型半導体層112及び第2導電型半導体層116から提供される電子及び正孔の再結合recombination過程で発生するエネルギーにより光を生成することができる。上記第2導電型半導体層116は、例えば、p型半導体層で具現できる。上記p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択され、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングされる。上記アンドープド半導体層は、導電性ドーパントがドーピングされないで、上記第1及び第2導電型半導体層112、116に比べて格段に低い電気伝導性を有する層であって、上記発光構造物110の結晶性の向上及び格子定数差の緩和のために形成される。上記バッファ層の格子定数値は上記発光構造物110の格子定数と上記基板100の格子定数との中間値を有することができ、両者間の格子定数差の緩和のために形成される。図8を参照すると、上記第2導電型半導体層116の上に上記電流密度調節パターン120を形成することができる。例えば、誘電体層または非オーミックnonohmic金属層を形成した後、第1マスクパターンを形成してエッチングすることで、上記電流密度調節パターン120を形成することができる。上記電流密度調節パターン120は電流が流れない非導電性物質で形成される。例えば、上記電流密度調節パターンは酸化膜、窒化膜等で形成される。または、上記電流密度調節パターン120は、上記第2導電型半導体層116と非オーミック接触を形成する金属材質で形成されることもできる。但し、上記電流密度調節パターン120の材質に対して限定するものではない。例えば、上記電流密度調節パターン120は、上記第2導電型半導体層116に電流の流入を防ぐために非オーミック金属層によるショットキーSchottky接触を活用した電流遮断層で形成される。一方、このような電流密度調節パターン120は、以後に形成される柱パターンBと互いに対応しない位置か、または対応する位置に形成されるが、これに限定されるものではない。図9乃至図11を参照すると、上記第2導電型半導体層116及び上記電流密度調節パターン120の上に上記電極層130を形成することができる。上記電極層130は、オーミック層132、反射層134、接着層、及び伝導性支持部材136などを含むことができる。まず、図9のように、上記電流密度調節パターン120及び上記第2導電型半導体層116の上に上記オーミック層132を形成することができる。上記オーミック層132は、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、AZOAluminumZincOxide、AGZOAluminumGalliumZincOxide、IZTOIndiumZincTinOxide、IAZOIndiumAluminumZincOxide、IGZOIndiumGalliumZincOxide、IGTOIndiumGalliumTinOxide、ATOAntimonyTinOxide、GZOGalliumZincOxide、IZONIZONitride、ZnO、IrOx、RuOx、NiOのうちから選択される。また、上記オーミック層132は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらの選択的な組合により構成された物質の中で形成される。次に、図10のように、上記オーミック層132の上に反射機能をすることができる上記反射層134をさらに形成することができる。上記反射層134は、Al、Ag、Pt、Pd、またはCuのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成されるが、これに対して限定するものではない。次に、図11のように、上記反射層134の上に上記伝導性支持部材136を形成することができる。但し、上記第1導電型半導体層112が50μm以上に十分に厚い場合には伝導性支持部材を形成する工程は省略される。上記伝導性支持部材136は、効率的に正孔を注入できるように電気伝導性に優れる金属、金属合金、あるいは伝導性半導体物質からなる。例えば、上記伝導性支持部材136は、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、白金Pt、金Au、タングステンW、銅Cu、モリブデニウムMo、銅-タングステンCu-W、または不純物が注入された半導体基板であるキャリアウエハ例:Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC、SiGe等のうちの少なくともいずれか1つで形成される。上記伝導性支持部材136を形成させる方法は、電気化学的な金属蒸着方法や共融金属を用いたボンディング方法などを使用することができる。一方、上記伝導性支持部材136及び上記反射層134の間には2層の間の界面接合力の向上のための接着層がさらに形成される。上記接着層は、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含んで単層または多層構造に形成される。図12を参照すると、上記第1導電型半導体層112が露出されるように上記基板100を除去することができる。上記基板100は、高出力のレーザーを用いるレーザーリフトオフLLO:LaserLiftOff工程または化学的エッチング方法CLO:ChemicalLiftOffを使用して除去することができる。または、上記基板100は物理的に磨き出して除去することもできる。図13を参照すると、上記基板100が除去されることによって、露出された上記第1導電型半導体層112に対し、その厚さを薄くする薄膜化thinning工程が実施される。前述したように、共振器効果を得るためには、上記発光構造物110の総厚さh2を薄くすることが有利であるためである。上記第1導電型半導体層112に対する薄膜化工程は、化学的機械的研磨方法CMP:ChemicalMechanicalPolishingなどにより実施されるが、これに対して限定するものではない。上記薄膜化工程により、上記発光構造物110の総厚さh2は2μm以下、好ましくは1μm乃至2μm、より好ましくは1.3μm乃至1.8μmとなることができる。但し、これに対して限定するものではない。図14を参照すると、上記発光構造物110に共振器構造を形成する。例えば、上記共振器構造は、上記第1導電型半導体層112の上部領域に形成されるが、これに限定されるものでない。例えば共振器構造は、アンドープド半導体層に形成されたり、アンドープド半導体層及び第1導電型半導体層112に形成される。上記共振器構造は柱パターンBであるが、これに限定されるものでなく、第2実施形態のように孔パターンhでありうる。上記共振器構造を形成するために第2マスクパターンを形成し、これをマスクにして第1導電型半導体層112の一部を除去することができる。例えば、上記電流密度調節パターン120と行き違う第1導電型半導体層112が残るようにエッチング工程を進行することができるが、これに限定されるものではない。また、第2実施形態のように上記電流密度調節パターン120と対応する第1導電型半導体層112が残るようにエッチング工程を進行することもできる。一方、実施形態は、上記柱パターンBまたは上記孔パターンhの側面に漏洩電流の抑制のために絶縁膜を形成するステップを含むことができる。上記絶縁膜は、酸化物、窒化物、フルオライドFluoride系列の化合物、及び複合層などを含むことができる。また、実施形態は、上記柱パターンBまたは上記孔パターンhに粗さまたは周期的な凹凸構造を形成するステップを含むことができる。例えば、柱パターンBの上に、または柱パターンと柱パターンとの間の空間の表面に粗さまたは周期的な凹凸構造を形成することができるが、これに限定されるものではない。上記粗さまたは周期的な凹凸構造の平均サイズは柱パターンまたは柱パターンと柱パターンとの間の空間サイズより小さいことがある。また、実施形態は、上記柱パターンBまたは上記孔パターンhの側面に共振器効果を極大化するために、反射膜を形成するステップを含むことができる。上記反射膜は、Ag、Al、Au、Pt、Ti、Cr、Pd、またはCuのうちの少なくとも1つで形成されるが、これに限定されるものではない。図15を参照すると、上記第1導電型半導体層112の上に電極140を形成することができる。上記電極140は、ワイヤがボンディングされる電極パッド141と、上記電極パッド141から伝えられる電源を上記発光構造物110の全領域に均等に拡散させるスプレーパターン142を含むことができる。上記電極パッド141は、接合力の良いAu、Sn、Ti、Cu、Ni、Crのうち、少なくとも1つを含む単層または多層構造に形成される。上記スプレーパターン142は、透明電極で形成されるが、このような材質は、例えば、ITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記電極140は、上記発光構造物110上面に形成されるが、これに限定されるものではない。実施形態による発光素子及びその製造方法によれば、電流密度調節による共振器効果により光抽出効率の向上を得ることができる。また、実施形態は電流密度調節を通じた共振器発光素子であって、光抽出効率の向上が共振器構造の内に存在する垂直方向の振動モードとの結合によりなされるので、垂直方向に集中した発光パターンを得ることができるという長所がある。図16は、本発明の実施形態による発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図16を参照すると、実施形態による発光素子パッケージは、胴体20と、上記胴体20に配置された第1リード電極31及び第2リード電極32と、上記胴体20に配置されて、上記第1リード電極31及び第2リード電極32と電気的に連結される実施形態による発光素子200と、上記発光素子200を囲むモルディング部材40と、を含む。上記胴体20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成され、上記発光素子200の周囲に傾斜面が形成される。上記第1リード電極31及び第2リード電極32は互いに電気的に分離され、上記発光素子200に電源を提供する。また、上記第1リード電極31及び第2リード電極32は、上記発光素子200で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子200で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記発光素子200は、上記胴体20の上に配置されたり、上記第1リード電極31または第2リード電極32の上に設置される。上記発光素子200は、上記第1リード電極31及び第2リード電極32とワイヤ方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうち、いずれか1つにより電気的に連結されることもできる。上記モルディング部材40は、上記発光素子200を囲んで保護することができる。また、上記モルディング部材40には蛍光体が含まれて上記発光素子200から放出された光の波長を変化させることができる。上記モルディング部材40または胴体20の上には少なくとも1つのレンズが形成され、上記レンズは凸形状のレンズ、凹形状のレンズ、または凹と凸構造を有するレンズなどを含むことができる。上記の実施形態による発光素子は、ボード上でパッケージングされたり、発光素子パッケージに搭載されて、指示装置、照明装置、表示装置などの光源に使われる。実施形態による発光素子または発光素子パッケージは光源としてライトユニットに適用される。上記ライトユニットは、複数の発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、サイドビュータイプの光源またはトップビュータイプの光源に使用され、このような光源は表示パネルにバックライト光を提供することができる。また、上記発光素子または発光素子パッケージは照明装置の光源に適用され、上記照明装置は、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などを含むことができる。上記の実施形態による半導体発光素子は、樹脂材質やシリコンのような半導体基板、絶縁基板、セラミック基板などにパッケージングされ、指示装置、照明装置、表示装置などの光源に使用される。また、上記各実施形態は、各実施形態に限定されず、上記に開示された他の実施形態に選択的に適用され、各実施形態に限定するものではない。実施形態による発光素子パッケージは、ライトユニットに適用できる。上記ライトユニットは、複数の発光素子パッケージがアレイされた構造を含むことができる。図17は、本発明の実施形態による表示装置の分解斜視図である。図17を参照すると、実施形態による表示装置1000は、導光板1041と、上記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、上記導光板1041の下に反射部材1022と、上記導光板1041の上に光学シート1051と、上記光学シート1051の上に表示パネル1061と、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011と、を含むことができるが、これに限定されるものではない。上記ボトムカバー1011、反射部材1022、発光モジュール1031、導光板1041、及び光学シート1051は、ライトユニット1050と定義することができる。上記導光板1041は、光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1041は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール1031は、上記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用する。上記発光モジュール1031は少なくとも1つが含まれ、上記導光板1041の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は、基板1033と前述した実施形態による発光素子パッケージ300を含み、上記発光素子または発光素子パッケージ300は、上記基板1033の上に所定の間隔でアレイされる。即ち、上記基板1033の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態にアレイ配列される。上記基板1033は回路パターンを含む印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1033は一般PCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB:MetalCorePCB、軟性PCBFPCB:FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ300は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記基板1033は除去される。ここで、上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー1011の上面に接触される。そして、上記多数の発光素子パッケージ300は上記基板1033の上に光が放出される出射面が上記導光板1041と所定距離離隔するように搭載され、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ300は、上記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するものではない。上記導光板1041の下には上記反射部材1022が配置される。上記反射部材1022は上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上方に向かうようにすることで、上記ライトユニット1050の輝度を向上させることができる。上記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定するものではない。上記反射部材1022は、上記ボトムカバー1011の上面であることがあり、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は上面が開口したボックスbox形状を有する収納部1012が備えられ、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011はトップカバーと結合され、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または圧出成形などの工程を用いて製造される。また、上記ボトムカバー1011は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するものではない。上記表示パネル1061は、例えば、LCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着され、このような偏光板の付着構造に限定するものではない。上記表示パネル1061は光学シート1051を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用可能である。上記光学シート1051は、上記表示パネル1061と上記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚の投光性シートを含むことができる。上記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または/及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上には保護シートが配置され、これに対して限定するものではない。ここで、上記発光モジュール1031の光経路上には光学部材として、上記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができ、これに対して限定するものではない。図18は、本発明の実施形態による表示装置を示す図である。図18の説明に開示されたパッケージは、発光素子がチップまたはパッケージ形態にアレイされた構造を含む。図18を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、上記に開示された発光素子パッケージ300がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。上記基板1120及び上記発光素子パッケージ300は、発光モジュール1060と定義することができる。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1060、及び光学部材1154はライトユニットと定義することができる。上記基板1120の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態にアレイされる。上記ボトムカバー1152には収納部1153を具備することができ、これに対して限定するものではない。ここで、上記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導光板はPC材質またはPMMAPolymethylmethacrylate材質からなり、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。図19は、本発明の実施形態による照明システムの斜視図である。図19を参照すると、照明装置1500は、ケース1510と、上記ケース1510に設置された発光モジュール1530と、上記ケース1510に設置され、外部電源から電源が提供される連結端子1520と、を含むことができる。上記ケース1510は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成される。上記発光モジュール1530は、基板1532と、上記基板1532に搭載される実施形態による発光素子または発光素子パッケージ300を含むことができる。上記発光素子パッケージ300は、複数個がマトリックス形態または所定の間隔で離隔してアレイされる。上記基板1532の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態にアレイされる。上記基板1532は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板1532は光を効率的に反射する材質で形成されたり、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。上記基板1532の上には少なくとも1つの発光素子パッケージ300が搭載される。上記発光素子パッケージ300の各々は少なくとも1つのLEDLightEmittingDiodeチップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ300の組合を有するように配置される。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置することができる。上記連結端子1520は、上記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子1520はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するものではない。例えば、上記連結端子1520はピンpin形態に形成されて外部電源に挿入されたり、配線により外部電源に連結されることもできる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。