電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備えることを特徴とする交換時期判定装置。前記プラズマ処理の処理条件は前記電極に供給された高周波電力又は前記処理容器内の圧力、ガス種若しくはガス流量を含むことを特徴とする請求項1に記載の交換時期判定装置。前記積算手段は前記処理容器に導入されたガスの組成別にプラズマ処理の処理条件に係る値を積算するようにしてあり、前記記録手段はプラズマ処理の処理条件に係る値に関して処理容器に導入されたガスの組成別に電極の交換時期と対応する積算値が記録されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の交換時期判定装置。前記プラズマ処理は前記基板上の薄膜に対するエッチング処理を含むことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の交換時期判定装置。基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定方法において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算し、積算した積算値及びプラズマ処理の処理条件に係る値に関して記録手段に記録された電極の交換時期と対応する積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定することを特徴とする交換時期判定方法。基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置及び該プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定装置を備えるプラズマ処理システムにおいて、前記交換時期判定装置は、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを有することを特徴とするプラズマ処理システム。しかしながら、プラズマ処理装置が有する電極の材質、構造等を改良しても、電極の消耗自体がなくなるわけではない。そのため、電極の交換時期になった場合、電極を交換する必要がある。かかるとき、コスト及び歩留りを鑑み、電極の交換時期を正確に判定する必要がある。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものである。その目的は、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供することである。本願に係る交換時期判定装置は、電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備えることを特徴とする。本願に係る交換時期判定装置では、プラズマ処理装置が処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する。交換時期判定装置は、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段を備えている。交換時期判定装置は、積算した積算値と、記録手段に記録された積算値とに基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。本願に係る交換時期判定装置は、前記プラズマ処理の処理条件は前記電極に供給された高周波電力又は前記処理容器内の圧力、ガス種若しくはガス流量を含むことを特徴とする。本願に係る交換時期判定装置では、電極に供給された高周波電力又は処理容器内の圧力、ガス種若しくはガス流量を積算する。交換時期判定装置は、電極の交換に対応する高周波電力又は圧力、ガス種若しくはガス流量に関する積算値が記録された記録手段を備えている。交換時期判定装置は、積算した高周波電力又は圧力、ガス種若しくはガス流量に関する積算値と、記録手段に記録された高周波電力又は圧力、ガス種若しくはガス流量に関する積算値とに夫々基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。本願に係る交換時期判定装置は、前記積算手段は前記処理容器に導入されたガスの組成別にプラズマ処理の処理条件に係る値を積算するようにしてあり、前記記録手段はプラズマ処理の処理条件に係る値に関して処理容器に導入されたガスの組成別に電極の交換時期と対応する積算値が記録されていることを特徴とする。本願に係る交換時期判定装置では、プラズマ処理に係るガスの組成別にプラズマ処理の処理条件に係る値を積算する。交換時期判定装置は、プラズマ処理の処理条件に係る値に関してガスの組成別に電極の交換と対応する積算値が記録された記録手段を備える。交換時期判定装置は、積算した積算値と、記録手段に記録された積算値とに基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。本願に係る交換時期判定装置は、前記プラズマ処理は前記基板上の薄膜に対するエッチング処理を含むことを特徴とする。本願に係る交換時期判定装置では、プラズマ処理は基板上の薄膜に対するエッチング処理を含む。本願に係る交換時期判定方法は、基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定方法において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算し、積算した積算値及びプラズマ処理の処理条件に係る値に関して記録手段に記録された電極の交換時期と対応する積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定することを特徴とする。本願に係る交換時期判定方法では、基板上の薄膜をプラズマ処理装置がプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する。交換時期判定方法は、積算した積算値と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して記録手段に記録された、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期に対応する積算値とに基づいて、電極の交換時期を判定する。本願に係るプラズマ処理システムは、基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置及び該プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判定装置を備えるプラズマ処理システムにおいて、前記交換時期判定装置は、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを有することを特徴とする。本願に係るプラズマ処理システムでは、基板上の薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置と、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する交換時期判装置とを備えている。交換時期判定装置は、プラズマ処理装置が処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する。交換時期判定装置は、記録手段を備えており、その記録手段にはプラズマ処理装置が備える電極の交換時期と対応した処理条件に係る値に関する積算値が記録されている。交換時期判定装置は、積算した積算値と、記録手段に記録された積算値とに基づいて、プラズマ処理装置が備える電極の交換時期を判定する。本願に係る交換時期判定装置等によれば、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる。本発明の実施の形態について、その図面を参照して説明する。本実施の形態に係るプラズマ処理システムは、交換時期判定装置及びプラズマ処理装置を含む。交換時期判定装置は、プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定する。当該電極は、例えばPVDPhysicalVaporDeposition装置、CVDChemicalVaporDeposition装置、エッチング装置等が備える電極であり、高周波電源RF電源と接続される。CVD装置は、高周波電力RF電力が供給された電極によりプラズマ励起された材料ガスを基板上で反応させ、成膜する。PVD装置は、高周波電力が供給された電極によりプラズマ励起されたArイオン等によりターゲット材をスパッタし、スパッタされた原子、分子を基板に付着させる。エッチング装置は、高周波電力が供給された電極によりラジカル及びイオンを生成させ、基板上の薄膜をエッチングする。以下では、プラズマ処理装置の一例としてエッチング装置を挙げ、エッチング装置が備える電極の交換時期を判定する交換時期判定装置について説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。実施の形態1図1は、エッチング装置2の一例を示す概略側断面図である。エッチング装置2は、コンピュータである交換時期判定装置1と有線又は無線により接続されている。交換時期判定装置1は、エッチング装置2の各構成部を制御すると共に、エッチング処理の制御パラメータ処理条件をモニタリングし、かつ当該制御パラメータの時間プロファイルを記録する。交換時期判定装置1は、記録したエッチング処理の制御パラメータに関する時間プロファイルに基づいて、電極の交換時期を判定する。なお、エッチング装置2の各構成部を制御する端末装置を、エッチング装置2と交換時期判定装置1との間に別途設け、交換時期判定装置1は、エッチング装置2の各構成部を制御しない構成であってもよい。かかる場合、交換時期判定装置1は、当該端末装置から情報を受け付けることにより、エッチング処理に係る制御パラメータのモニタリング、制御パラメータに関する時間プロファイルの記録、電極の交換時期の判定処理等を実行する。エッチング装置2は、例えばマグネトロンプラズマエッチング装置、ECRElectronCyclotronResonanceプラズマエッチング装置、ICPInductivelycoupledPlasmaエッチング装置等のドライエッチング装置を含む。図1は、無磁場の枚葉式平行平板型プラズマエッチング装置の一例を示している。エッチング装置2は、処理容器20、載置台3、ガス供給機構4、圧力計5及び排気機構6を含む。処理容器20は、その内部において基板S上の薄膜をプラズマエッチングするための真空チャンバである。処理容器20は、アルミニウム等の熱伝導性及び導電性が良好な材料により構成されており、接地されている。処理容器20の1つの側壁部21には、搬入出口22が形成されている。搬入出口22は、ゲートバルブ23により開閉自在に構成されている。処理容器20外部に設けられた図示しない搬送手段は、搬入出口22を介して、基板Sを処理容器20に搬入し、かつ処理容器20から搬出する。なお、基板Sは、シリコンウエハ、ガラス基板、有機基板等を含む。載置台3は、その上面に基板Sを載置するための構成部であり、処理容器20内部の底面に設置されている。載置台3は、例えばアルミニウムからなり、アノード電極である下部電極としての機能を有する。載置台3は、フォーカスリング31、昇降ピン32、昇降機構33及びべローズ34を含む。フォーカスリング31は、例えばセラミック、シリコン、シリカ、炭化ケイ素、カーボン等から構成された環状部材であり、載置台3の上面周縁部及び側面部に設けられている。フォーカスリング31は、プラズマを均一にし、エッチングレートの面内均一性を担保する機能を有する。昇降ピン32は、昇降機構33に接続されており、載置台2の内部に少なくとも3本設けられている。昇降ピン32は、昇降機構33により載置台3上面に対して突没可能になっており、基板Sを載置台3に対して昇降する。基板Sは、昇降ピン32により持ち上げられた位置にある場合、図示しない搬送手段により載置及び離脱が行われる。べローズ34は、部分的にひだを設けた筒状部材であり、処理容器20内の気密性を保持するために昇降ピン32を覆っている。なお、載置台3は、内部に温度計並びに交換時期判定装置1により制御可能な加熱機構及び冷却機構を備えていてもよい。これにより、交換時期判定装置1は基板Sの温度を制御してもよい。ガス供給機構4は、シャワーヘッド40、絶縁部材411、高周波電源部43、ガス供給路44、流量調節部45、第一ガス供給部46及び第二ガス供給部47を含む。シャワーヘッド40は、平板状の上部電極ベース41及び平板状の上部電極42を含む。シャワーヘッド40の形状は、円盤状でもよいし、角板状でもよい。上部電極ベース41は、絶縁部材411を介して処理容器20の天板に設けられており、処理容器20から電気的に浮いた状態となっている。上部電極ベース41には、プラズマ発生用の高周波電源部43が接続されている。高周波電源部43は接地されている。上部電極42は、例えば単結晶シリコン、アモルファスカーボン、テフロン登録商標板、石英板、アルミニウム等で構成されている。上部電極42は、上部電極ベース41と図示しないボルトで固定されており、上部電極ベース41の下側に配置されている。上部電極42は、上部電極ベース41と導通し、カソード電極としての機能を有する。交換時期判定装置1は、高周波電源部43を制御し、上部電極42に印加される電圧又は交流電流の周波数を調整する。上部電極ベース41と上部電極42との間には、エッチングガスの拡散空間412が設けられている。載置台3の上面と対向する上部電極42には複数の通気孔421が形成されており、拡散空間412内のエッチングガスは、通気孔421を介して載置台3上方の処理空間に供給される。絶縁部材411には、温度計422が設けられている。温度計422は、例えば熱電対K-タイプ熱電対、Ptセンサ等であり、シャワーヘッド40に印加される高周波電圧の影響を避けるために、絶縁部材411に設けられている。交換時期判定装置1は、温度計422を介して上部電極42の温度を、外挿によりモニタリングすることができる。上部電極42は、基板S上の薄膜に対するエッチング処理に伴い、ラジカル及びイオンによるエッチングを被るため、次第に消耗する部材である。なお、温度計422は、上部電極ベース41又は上部電極42に設けられてもよい。かかる場合、温度計422は絶縁性を有する保護管により覆われてもよい。また、温度計422は、処理容器20内部又は外部に設けられた赤外線放射温度計又はレーザ温度計であってもよい。赤外線放射温度計又はレーザ温度計により上部電極42の温度を測定する場合、放射検出器又は導光部と上部電極42との間を占めるプラズマ、観察窓等が測定値に及ぼす影響を補正する。更に、温度計422は、絶縁部材411、上部電極ベース41又は上部電極42に設けられるダイオード温度計、例えばシリコンダイオード温度計、GaAlAsダイオード温度計等であってもよい。ガス供給路44の一端は、処理容器20の天板に設けられた開口部に接続されている。ガス供給路44の他端は、ガス供給路441及びガス供給路442の2本に分岐し、夫々流量調節部45を介して第一ガス供給部46及び第二ガス供給部47と接続されている。第一ガス供給部46には、薄膜をエッチングするためのエッチングガスが貯蔵されている。エッチングガスは、ハロゲン元素を含むガスであり、薄膜を構成するエッチング対象材料に応じて選択される。エッチングガスは、例えばCF4、CF6であり、例えばHBr、Cl2である。第二ガス供給部47には、エッチングレート又は選択比を制御するための添加ガス例えば、O2又はH2が貯蔵されている。例えば、Siをエッチングする場合、O2をCF4に添加するとき、エッチングレートが飛躍的に向上することが知られている。なお、ガス供給部の数は、個々のエッチング処理に応じて、増減されてよい。例えば、Arガスが第三のガス供給部として、ガス供給機構4に組み込まれてもよい。流量調節部45は、上流から下流へ向かって直列に接続された開閉バルブ及びマスフローコントローラMFC:MassFlowControllerを2列含む。開閉バルブ及びマスフローコントローラの各列は、夫々第一ガス供給部46及びガス供給路441の間、並びに第二ガス供給路47及びガス供給路442の間に介設されている。流量調節部45は、交換時期判定装置1からの指示に基づいて、エッチングガス及び添加ガスの供給量を調節すると共に、エッチングガスと添加ガスとの混合比を調節する機能を有する。交換時期判定装置1は流量調節部45が制御するガスの混合比及びガス流量をモニタリングする。圧力計5は、例えばダイヤフラム式圧力計、熱伝導率式圧力計、ピラニ真空計、電離真空計等である。圧力計5は、処理容器20内の圧力を検出し、検出した圧力を交換時期判定装置1に出力する。排気機構6は、排気路61、圧力制御器62及び排気装置63を含む。排気路61は、その一端が処理容器20の底面に形成された開口部に接続されている。排気路61の他端には、圧力制御器62を介して排気装置63が接続されている。排気装置63は、例えばターボ分子ポンプ、ドライポンプ、スパッタイオンポンプ等の真空ポンプであり、交換時期判定装置1により制御される。処理容器20内のガスは、排気装置63により、排気路61から図示しない外部の除害装置へ排気されるようになっている。圧力制御器62は、例えば交換時期判定装置1により制御されるAPCAutoPressureControlバルブである。交換時期判定装置1は、圧力計5から受け付けた処理容器20内の圧力に基づいて、APCバルブの開度を調節することにより、処理容器20内の圧力を調節する。図2は、交換時期判定装置1のハードウェア群の一例を示すブロック図である。交換時期判定装置1は、CPUCentralProcessingUnit積算手段、判定手段11及びRAMRandomAccessMemory12を含む。また、CPU11は、ハードディスク記録手段13、ディスクドライブ14、通信部15、タイマ16、表示部17及び操作部18を含む。交換時期判定装置1の各構成部は、バス1bを介して接続されている。CPU11は、交換時期判定装置1の各構成部を制御する。CPU11は、ハードディスク13に記録されたプログラム1Pを読み込み、当該プログラム1Pを実行する。RAM12は、CPU11による処理の過程で必要な作業変数、データ等を一時的に記録する。なお、RAM12は主記憶装置の一例であり、RAM12の代わりにフラッシュメモリ、メモリカード等が用いられてもよい。ハードディスク13は、CPU11が実行するプログラム1Pを記録している。ハードディスク13は、交換時期判定装置1内部に取り付けられるものであっても、交換時期判定装置1外部に設置されるものであってもよい。なお、ハードディスク13は補助記憶装置の一例であり、大容量の情報の記録が可能なフラッシュメモリ、CDCompactDisc、DVDDigitalVersatileDisk、BDBlurayDisc、登録商標等の光ディスク1aにより代替されてもよい。ハードディスク13には、レシピ1D、プロファイルファイル1F及び判定テーブル1Tが記録されている。レシピ1Dには、エッチング処理の実施条件が記録されている。プロファイルファイル1Fは、エッチング処理を実施する場合の制御パラメータの時間プロファイルを記録するファイルである。判定テーブル1Tには、上部電極42の交換時期を判定するために参照されるエッチング処理の制御パラメータに関する積算値が記録されている。なお、エッチング装置2が上部電極42の交換期間よりも長時間連続稼働される場合、プロファイルファイル1Fは、ハードディスク13に記録されていなくてもよい。ディスクドライブ14は、外部の記録媒体である光ディスク1aから情報を読み込み、光ディスク1aに情報を記録する。通信部15は、モデム又はLANLocalAreaNetworkカード等であり、ネットワークNに接続されている。ネットワークNは、LAN、WANWideAreaNetwork、インターネット、VPNVirtualPrivateNetwork、電話回線網等である。タイマ16は、計時を信号としてCPU11に送信する。表示部17は、例えば液晶ディスプレイ、有機ELElectroLuminescenceディスプレイ等の画面を有し、CPU11からの指示に従って、プログラム1Pに係る様々な画面を表示する。なお、表示部17は、音声を出力するスピーカを内蔵していてもよい。操作部18は、ユーザが各種の入力を行うキーボード、マウス、タッチパネル等の入力デバイスを含む。操作部18は、ユーザによる操作に基づいて入力信号を生成する。生成された入力信号は、バス1bを介してCPU11に送信される。次に、交換時期判定装置1及びエッチング装置2の動作について説明する。エッチング装置2のゲートバルブ23を開き、図示しない搬送手段により基板Sを載置台3上方の所定位置まで搬送する。昇降ピン32を上昇させ、基板Sを搬送手段から昇降ピン32の先端に受け渡す。搬送手段を処理容器20の外部に退出させる。昇降ピン32を下降させて、基板Sを載置台3に載置する。ゲートバルブ23を閉じる。排気装置63を稼働し、圧力調整器62により処理容器20内をレシピ1Dに設定された圧力に調整する。この圧力制御の開始と共に、CPU11は圧力計5からの圧力値を、タイマ16の計時に従い所定時間間隔でRAM12に記録する。流量調節部45は、第一ガス供給部46及び第二ガス供給部47から夫々エッチングガス及び添加ガスを処理容器20に供給する。ここで、CPU11は、レシピ1Dに設定されたガスの種類、ガス流量及びガスの混合比を、タイマ16の計時に従い所定時間間隔でRAM12に記録する。エッチングガス及び添加ガスは、ガス供給路44及び拡散空間412内で十分に混合され、通気孔421を介して処理容器20内部の処理空間に吐出される。その際、高周波電源部43から上部電極42に高周波電力が供給される。基板S上方側の処理空間にプラズマが形成され、基板S上の薄膜に対してエッチング処理が施される。ここで、CPU11は、レシピ1Dに設定された高周波電力を、タイマ16の計時に従い所定時間間隔でRAM12に記録する。また、CPU11は、温度計422が検出した上部電極42の温度を、タイマ16の計時に従い所定時間間隔でRAM12に記録する。プラズマ化したガスは、基板S上の薄膜表面を伝わりながら周縁部側へ流れ、排気路61から処理容器20の外へ排気される。レシピ1Dに基づくエッチング処理が終了した場合、上部電極42への高周波電力の供給は停止される。処理容器20内の圧力は元の状態に戻される。搬送手段は、基板Sの搬入時と逆の順序で基板Sを載置台3から処理容器20の外部へ搬出し、一連のエッチング処理が終了する。CPU11は、圧力、ガスの種類、ガス流量、ガスの混合比、高周波電力及び温度に関するRAM12への記録を停止し、RAM12に記録したこれらのエッチング処理の制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク13に記録する。次の基板Sが処理容器20に搬入され、エッチング処理が再び実施される。次々と実施されるエッチング処理は、同じ条件で繰り返されることもあれば、毎回異なる条件で繰り返されることもある。このエッチング条件は、デバイスの生産計画に基づくものであり、個々の工場、個々のエッチング装置2毎に、異なる場合がある。CPU11は、上述と同様に、エッチング処理毎に制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク13のプロファイルファイル1Fに追加記録する。こうして、ハードディスク13には、エッチング装置20の稼働開始から制御パラメータの時間プロファイルが蓄積されていく。図3は、高周波電力プロファイルの一例を概略的に示した説明図である。図3の横軸は時間を示し、縦軸は上部電極42に供給された高周波電力を示す。上部電極42に供給される高周波電力の時間プロファイルは、エッチング処理毎に異なり、図3のグラフ上では異なる形状及び大きさを示す。図4は、圧力プロファイルの一例を概略的に示した説明図である。図4の横軸は時間を示し、縦軸は処理容器20内の圧力真空度を示す。処理容器20内の圧力は、エッチング処理毎に異なり、図4のグラフ上では異なる形状及び大きさを示す。基板S上の薄膜をエッチングする場合の制御パラメータがいくつか知られている。その制御パラメータの中には、上部電極42のエッチングレートにも対応するパラメータがある。上部電極42のエッチングレートに対応するパラメータは、例えば上部電極42に供給される高周波電力、処理容器20内の圧力ガス圧及びガスの組成混合比を含む。エッチングレートに関係する電子密度とイオン密度とは、高周波電力にほぼ比例して増加する。ラジカルの発生率は電子密度に比例するため、ラジカル密度も高周波電力に比例して増加する。そうすると、上部電極42の消耗は、高周波電力の時間積分値に比例すると考えられる。ただし、気相中で発生する種々の二次反応のために、ラジカル密度が増加しない場合もある。高周波電力が一定である場合に、圧力を増加させたとき、プラズマ密度は増大する傾向がある。しかし、圧力を上げ過ぎた場合、プラズマ密度は低下する。また、圧力を下げ過ぎた場合もプラズマ密度は低下する。圧力が高すぎる場合、シース内でのイオン-分子衝突が起こり、イオンのエネルギーが減少してしまうため、エッチングレートが減少する。一方、Siをエッチングする場合、化学反応が主であるため、エッチングレートはラジカル濃度に大きく依存し、圧力が高いほど増大する。圧力は、等方性エッチングと異方性エッチングとで異なる値が設定されることが普通であり、被加工材料の違いによっても異なる値が設定される。エッチングガスには、エッチング対象材料と反応して揮発性の高い生成物が生じるようにするため、ハロゲン元素を含むガスが使用されることが多い。具体的なエッチングガスの選択は、等方性エッチングと異方性エッチングとの違い、エッチング対象材料の違い等を考慮して行われる。エッチングガスの組成種類及び混合比が異なる場合、上部電極42の消耗に対する影響も異なる。エッチングは時間経過とともに進行するので、エッチング処理の制御パラメータの値をエッチング処理に要するサイクル時間で積分した積算値は、上部電極42の消耗の程度と相関する。ここでの積分値は、例えば、図3、図4のグラフが示す、エッチング処理時間における面積和である。なお、図4において、エッチング処理時間減圧されている時間ではない面積和は積分値から除外される。図5は、判定テーブル1Tのレコードレイアウトの一例を示した説明図である。判定テーブルは、ID、ガス組成、電力量電力積算値及び圧力積算値の各列を含む。IDは、判定テーブル1Tのレコードを識別する識別記号である。ガス組成は、エッチングガスの種類及びその混合比である。電力量は、上部電極42に供給された高周波電力の時間積分値であり、単位はWsである。すなわち、電力量は電気エネルギーである。圧力積算値は、圧力の時間積分値であり、単位はPasである。図5の判定テーブル1Tは、予めエッチング処理の制御パラメータを変動させて上部電極42及び基板S上の薄膜に対してエッチングを実施し、エッチング後の薄膜の評価により、作成される。薄膜の評価方法は、特に限定されず、触針段差計、エリプソメトリ、FTIRFourierTransformInfraredSpectroscopy、ラマン散乱等が利用されてよい。薄膜の評価結果に基づいて、上部電極42の消耗度も評価される。例えばID=0001のレコードは、ガス組成がCF470C3F830である場合、電力量が値1Wsであるとき、上部電極42の交換時期であることを示している。例えば、ID=0005のレコードは、ガス組成がCF470C3F830である場合、電力量が値5Wsかつ圧力積算値が値6Pasであるとき、上部電極42の交換時期であることを示している。なお、図5の判定テーブル1Tは、上部電極42の消耗の度合いから作成されてもよい。上部電極42の消耗の度合いは、目視又は計器により上部電極42の薄化、反り又は歪を測定することにより、設定される。他方、エッチング処理の制御パラメータの時間積分値を別途算出し、上部電極42の交換を必要とする消耗度に対応する電力量又は圧力積算値をガス組成別に判定テーブル1Tに記録しておく。CPU11は、1枚の基板S上の薄膜に対するエッチング処理が終了した段階で、モニタリングしていた制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク13に記録されたプロファイルファイル1Fに追加する。CPU11は、プロファイルファイル1Fに記録された各制御パラメータを時間で積分し、判定テーブル1Tを参照することにより、上部電極42の交換時期を判定する。その際、1つの制御パラメータに基づいて上部電極42の交換時期を判定してもよいし、組み合わせた複数の制御パラメータに基づいて上部電極42の交換時期を判定してもよいことは勿論である。図6は、上部電極42の交換時期判定処理の手順の一例を示すフローチャートである。CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了したか否か判定するステップS101。CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了していないと判定した場合ステップS101:NO、処理をステップS101に戻す。CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了したと判定した場合ステップS101:YES、直近のエッチング処理に係る制御パラメータの時間プロファイルをプロファイルファイル1Fに追加するステップS102。CPU11は、プロファイルファイル1Fをハードディスク13からRAM12に読み出すステップS103。CPU11は、プロファイルファイル1Fに基づき、ガス組成別に高周波電力及び圧力、あるいは高周波電力又は圧力について時間積分を実施するステップS104。ステップS104において、CPU11はガス組成別に電力量及び圧力積算値、あるいは電力量又は圧力積算値を取得する。CPU11は、取得したガス組成別の電力量、圧力積算値のレコードを判定テーブル1Tから検索するステップS105。ここでCPU11は、電力量のみを検索する場合、例えば図5のID=0001、0002等のレコードを利用する。CPU11は、電力量及び圧力積算値を検索する場合、例えば図5のID=0005、0006等のレコードを利用する。CPU11は、検索に成功したか否か判定するステップS106。CPU11は、検索に成功しなかったと判定した場合ステップS106:NO、処理を終了する。CPU11は、検索に成功したと判定した場合ステップS106:YES、上部電極42の交換を促す通知を表示部17に表示しステップS107、処理を終了する。なお、エッチング装置2が上部電極42の交換期間よりも長時間連続稼働される場合、ステップS102及びステップS103はなくてもよい。かかる場合、CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了したと判定した場合ステップS101:YES、RAM12に記憶しておいた制御パラメータの時間プロファイルに基づいて、ステップS104を実行する。あるいは、エッチング装置2が上部電極42の交換期間よりも長時間連続稼働される場合、ステップS102、ステップS103及びステップS104はなくてもよい。かかる場合、CPU11は制御パラメータの時間プロファイルをRAM12に記録しない。CPU11は、タイマ16が計時する所定時間毎に制御パラメータの積算処理を繰り返す。CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了したと判定した場合ステップS101:YES、逐次積算した制御パラメータの積算値に基づいて、ステップS105を実行する。CPU11は、ステップS106において、取得した電力量、圧力積算値が判定テーブル1Tに記録された電力量、圧力積算値から所定の範囲内あるか否かを判定してもよい。例えば、CPU11は、取得した電力量が判定テーブルの電力量の95以上、105以下の範囲内にある場合、検索に成功したと判定し、取得した電力量が判定テーブル1Tの電力量の95より小さく105より大きい場合、検索に成功しなかったと判定してもよい。ステップS107において、CPU11は、表示部17に内蔵されたスピーカから上部電極42の交換を促す音声を出力してもよい。判定テーブル1Tに記録された電力量又は圧力積算値は、時間積分値と比較される閾値として利用されてもよい。例えば、CPU11は、ステップS105において、判定テーブル1Tから電力量、圧力積算値を読み出し、読み出した電力量、圧力積算値を閾値として設定する。次に、CPU11は、ステップS106において、高周波電力又は圧力に関する時間積分値を判定テーブル1Tから取得した閾値と比較することにより、上部電極42を交換するか否かを判定する。CPU11は、上部電極42を交換すると判定した場合、ステップS107に処理を進め、上部電極42を交換しないと判定した場合、処理を終了する。なお、CPU11が上部電極42を交換すると判定する場合は、時間積分値が閾値より大きいときもあるし、小さいときもある。上部電極42の交換基準は、エッチング処理の制御パラメータ毎に、又はエッチング処理の制御パラメータの組み合わせ毎に予めプログラム1に設定しておく。交換時期判定装置1によれば、エッチング装置2の電極を交換する時期を判定することができる。従来、エッチング装置2の電極は、基板Sの処理枚数、処理回数、処理累積時間等から消耗度合いを判定し、交換されている。しかし、エッチングの条件は、エッチング処理毎にレシピ1Dに従い、変更されることが普通であり、基板Sの処理枚数、処理回数、処理累積時間等に係る標準限界値を超えた場合であっても、上部電極42はまだ利用可能である場合がある。また、標準限界値を超えていない場合であっても、上部電極42は交換すべき程度に消耗していることがある。交換時期判定装置1は、エッチング処理の制御パラメータについて時間プロファイルの積算値を求める。交換時期判定装置1は、予め交換を要する消耗度に対応した積算値が記録された判定テーブル1Tを参照し、求めた積算値から上部電極42を交換すべきか否かを判定する。交換時期判定装置1は、エッチング装置2の利用環境に依存した制御パラメータの時間プロファイルに基づいて上部電極42の交換時期を判定することにより、コスト削減及び歩留り向上を図ることができる。ガス流量を上部電極42の交換時期判定のパラメータに追加してもよい。エッチングガスのガス流量が多いほど、エッチングレートは増大する。しかし、エッチングガスが多すぎる場合、圧力の増大、プラズマ密度の低下、ひいてはエッチングレートの低下を引き起こすものと考えられる。そこで、CPU11は、エッチング処理が終了した時点で、ガス流量の時間プロファイルをプロファイルファイル1Fに記録する。CPU11は、ガス流量を時間積分した積算値を算出する。判定テーブル1Tには、予め上部電極42の交換時期と対応するガス流量の積算値をガス組成別に記録しておく。更に、電力量又は圧力積算値と組み合わせたガス流量の積算値も判定テーブル1Tに記録しておく。交換時期判定装置1は、判定テーブル1Tを参照し、求めたガス流量の積算値又は他の制御パラメータとガス流量とに関する積算値から上部電極42を交換すべきか否かを判定する。上部電極42の温度を上部電極42の交換時期判定のパラメータに追加してもよい。例えば、温度が高いほどラジカルと上部電極42の材料物質との反応速度は速くなる。そこで、CPU11は、エッチング処理が終了した時点で、温度計422が検出した上部電極42の温度の時間プロファイルをプロファイルファイル1Fに記録する。CPU11は、温度を時間積分した積算値を算出する。判定テーブル1Tには、予め上部電極42の交換時期と対応する温度の積算値をガス組成別に記録しておく。更に、電力量又は圧力積算値と組み合わせた温度の積算値も判定テーブル1Tに記録しておく。交換時期判定装置1は、判定テーブル1Tを参照し、求めた温度の積算値又は他の制御パラメータと温度とに関する積算値から上部電極42を交換すべきか否かを判定する。なお、エッチング装置2は、基板Sを1枚ずつ処理する枚葉式に限らず、基板Sを一度に複数枚処理するバッチ式でもよい。エッチング装置2の電極構造は、上部電極42と下部電極が水平に配置され、基板Sが下部電極に載置されるデポダウンfacedowndepositionであった。しかし、エッチング装置2の電極構造は、上部電極42と下部電極が水平に配置され、基板Sが上部電極42に設置されるデポアップfaceupdepositionであってもよい。デポアップの場合、基板Sの下面に形成された薄膜に対してエッチングが行われる。デポアップの場合、交換時期を判定する判定対象の電極は、下部電極である。すなわち、交換時期を判定する判定対象の電極は上部の電極に限らず、下部の電極であってもよい。エッチング装置2の電極構造は、IVEInterdigitalVertidalElectrodesであってもよい。IVEは、複数の電極を櫛歯状に鉛直に立てた構造を有する。IVEの場合、交換時期を判定する判定対象の電極は、側方の電極である。すなわち、交換時期を判定する判定対象の電極は上部又は下部の電極に限らず、側方の電極であってもよい。実施の形態2実施の形態2は、エッチング処理に関するガス組成の変化を考慮し、上部電極42の交換時期を判定する形態に関する。エッチング装置2により行われるエッチング処理のガス組成は、エッチング処理毎に異なる場合がある。かかる場合、ガス組成の違いにより上部電極42の材料物質に対する反応性が異なるため、上部電極42の消耗の程度は変化する。そこで、エッチング処理毎に制御パラメータが上部電極42の消耗に寄与する寄与度を設定する。例えば、あるガス組成でのエッチング処理における制御パラメータの上部電極42消耗に対する寄与度は0.3であり、別のガス組成でのエッチング処理における制御パラメータの上部電極42消耗に対する寄与度は0.1といった具合である。交換時期判定装置1は、全エッチング処理の寄与度を加算し、加算した寄与度に基づいて、上部電極42の交換時期を判定する。CPU11は、1枚の基板S上の薄膜に対するエッチング処理が終了した段階で、モニタリングしていた制御パラメータの時間プロファイルをハードディスク13に記録されたプロファイルファイル1Fに追加する。CPU11は、プロファイルファイル1Fに記録された各制御パラメータをエッチングの処理時間で積分し、判定テーブル1Tを参照して、各制御パラメータ毎に上部電極42の交換時期を判定するための寄与度を算出する。CPU11は求めた寄与度を加算し、上部電極42の交換時期を判定する。図7は、上部電極42の交換時期判定処理の手順の一例を示すフローチャートである。以下の処理では、プロファイルファイル1Fに高周波電力及び圧力の時間プロファイルが記録されているものとする。CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了したか否か判定するステップS201。CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了していないと判定した場合ステップS201:NO、処理をステップS201に戻す。CPU11は、エッチング装置2によるエッチング処理が終了したと判定した場合ステップS201:YES、プロファイルファイル1Fに直近のエッチング処理に係る制御パラメータの時間プロファイルをプロファイルファイル1Fに追加するステップS202。CPU11は、プロファイルファイル1Fをハードディスク13からRAM12に読み出すステップS203。CPU11は、プロファイルファイル1Fに基づき、1回のエッチング処理について高周波電力及び圧力の時間積分を実施するステップS204。ステップS204において、CPU11は1回のエッチング処理について電力量及び圧力積算値を取得する。CPU11は、上部電極42の交換時期を判定するための寄与度を算出するS205。以下、ステップS205における寄与度の算出方法について説明する。ステップS204において、あるエッチング処理について取得した電力量及び圧力積算値が夫々x1Ws、y1Pasであり、そのエッチング処理のガス組成は、CF470C3F830であったとする。CPU11は、ガス組成がCF470C3F830であり、電力量及び圧力積算値が記録されたレコードを判定テーブル1Tから検索する。ここでは、CPU11は、図5のID=0005のレコードを検索したとする。CPU11は、図5のID0005に対応する電力量の値5Ws及び圧力積算値の値6Pasで、上記の電力量x1Ws及び圧力積算値y1Pasをノーマライズした値の和を寄与度とする。すなわち、x1/値5y1/値6を寄与度とする。ステップS204において、別のエッチング処理について取得した電力量及び圧力積算値が夫々x2Ws、y2Pasであり、そのエッチング処理のガス組成は、Ar90C4F810であったとする。CPU11は、ガス組成がAr90C4F810であり、電力量及び圧力積算値が記録されたレコードを判定テーブル1Tから検索する。ここでは、CPU11は、図5のID=0006のレコードを検索したとする。CPU11は、図5のID0006に対応する電力量の値7Ws及び圧力積算値の値8Pasで、別のエッチング処理について取得した電力量x2Ws及び圧力積算値y2Pasをノーマライズした値の和を寄与度とする。すなわち、x2/値7y2/値8を寄与度とする。CPU11は、パターンファイル1Fに記録された全エッチング処理に関する制御パラメータの時間プロファイルについて寄与度を算出したか否か判定するステップS206。CPU11は、パターンファイル1Fに記録された全エッチング処理に関する制御パラメータの時間プロファイルについて寄与度を算出していないと判定した場合ステップS206:NO、ステップS204に処理を戻す。ステップS204に戻ったCPU11は、他のエッチング処理ついて、ステップS204及びステップS205を実行する。CPU11は、パターンファイル1Fに記録された全エッチング処理に関する制御パラメータの時間プロファイルについて寄与度を算出したと判定した場合ステップS206:YES、寄与度の和が1か否かを判定するステップS207。すなわち、上述例の場合、CPU11は、x1/値5y1/値6x2/値7y2/値8が1か否か判定する。CPU11は、寄与度の和が1でないと判定した場合ステップS207:NO、処理を終了する。CPU11は、寄与度の和が1であると判定した場合ステップS207:YES、上部電極42の交換を促す通知を表示部17に表示しステップS208、処理を終了する。なお、CPU11は、ステップS207において、寄与度の和が1から所定の範囲内にあるか否かを判定してもよい。例えば、CPU11は、寄与度の和が0.95以上、1.05以下である場合、寄与度の和が1であると判定し、寄与度の和が0.95より小さく1.05より大きい場合、寄与度の和が1でないと判定してもよい。交換時期判定装置1によれば、上部を交換するまでの間に、ガス組成が異なる複数種類のエッチング処理を複数回実施した場合であっても、エッチング装置2の電極を交換する時期を判定することができる。CPU11は、プログラム1P又は判定テーブル1Tを、ディスクドライブ14を介して光ディスク1a、磁気テープ、磁気ディスク、光磁気ディスク等から読み込んでもよい。また、プログラム1P又は判定テーブル1Tを記録したフラッシュメモリ等の半導体メモリ1c、磁気テープ、磁気ディスク、光磁気ディスク等が交換時期判定装置1内に実装されてもよい。さらに、CPU11は、プログラム1P又は判定テーブル1Tを、通信部15を介して図示しない外部の情報処理装置又は記録装置からダウンロードすることも可能である。実施の形態2は以上の如きであり、その他は実施の形態1と同様であるので、対応する部分には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。