基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法。前記反射層は、モリブデンを含む層と、シリコンを含む層と、を有する請求項1記載の反射型マスクの製造方法。前記遮光領域を形成する工程において、前記酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とする請求項2記載の反射型マスクの製造方法。前記遮光領域を形成する工程において、フッ素を含むガスをさらに添加する請求項1~3のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。前記遮光領域を形成する工程において、塩素に対するフッ素を含むガスの添加量を、5vol以上、40vol以下とする請求項4記載の反射型マスクの製造方法。前記吸収層は、タンタルの窒化物を含む吸収体層と、タンタルの酸化物を含む反射防止層と、を有し、前記パターン領域を形成する工程において、前記吸収体層と、前記反射防止層と、を相互に離隔された環境でそれぞれエッチング処理する請求項1~5のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。前記反射層は、モリブデンとシリコンとを含み、前記遮光領域を形成する工程において、前記吸収体層と、前記反射防止層と、前記反射層と、を相互に離隔された環境でそれぞれエッチング処理する請求項1~6のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。前記遮光領域を形成する工程において前記吸収体層をエッチング処理する環境は、前記パターン領域を形成する工程において前記吸収体層をエッチング処理する環境と同じ環境とされる請求項7記載の反射型マスクの製造方法。前記遮光領域を形成する工程において前記反射防止層をエッチング処理する環境は、前記パターン領域を形成する工程において前記反射防止層をエッチング処理する環境と同じ環境とされる請求項7記載の反射型マスクの製造方法。前記吸収体層をエッチング処理する環境と、前記反射防止層をエッチング処理する環境と、の間の環境の酸素濃度は、大気の酸素濃度よりも低い請求項6または7に記載の反射型マスクの製造方法。前記反射層と、前記吸収層と、の間にキャッピング層をさらに有し、前記遮光領域を形成する工程において、前記キャッピング層に形成された酸化膜を塩素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用いてエッチング処理する請求項1~10のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。前記キャッピング層は、シリコンを含み、前記キャッピング層をエッチング処理する環境は、前記遮光領域を形成する工程において前記反射層をエッチング処理する環境と同じ環境とされる請求項11記載の反射型マスクの製造方法。一のエッチング処理において生成された副生成物が、他のエッチング処理を行う環境に侵入しないように、前記環境が相互に離隔された請求項6~12のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。前記パターン領域を形成する工程、および、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射防止層をエッチングする際には、フッ素を含むガスを用いたプラズマエッチング処理が行われ、前記パターン領域を形成する工程、および、前記遮光領域を形成する工程において、前記吸収体層をエッチングする際には、塩素を含むガスを用いたプラズマエッチング処理が行われる請求項6~10のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造方法。タンタルの酸化物を含む反射防止層と、タンタルの窒化物を含む吸収体層と、モリブデンを含む層とシリコンを含む層とを有する反射層と、を有したマスクブランクにパターン領域と、前記パターン領域を囲む遮光領域と、を形成する反射型マスクの製造装置であって、第1の処理容器と、前記第1の処理容器に設けられた第1の搬入搬出口を閉鎖する第1のゲートバルブと、前記第1の処理容器の内部に第1のガスを供給する第1の供給部と、前記第1の処理容器の内部を排気する第1の排気部と、前記第1の処理容器の内部にプラズマを発生させる第1のプラズマ発生部と、を有した第1の処理部と、第2の処理容器と、前記第2の処理容器に設けられた第2の搬入搬出口を閉鎖する第2のゲートバルブと、前記第2の処理容器の内部に第2のガスを供給する第2の供給部と、前記第2の処理容器の内部を排気する第2の排気部と、前記第2の処理容器の内部にプラズマを発生させる第2のプラズマ発生部と、を有した第2の処理部と、第3の処理容器と、前記第3の処理容器に設けられた第3の搬入搬出口を閉鎖する第3のゲートバルブと、前記第3の処理容器の内部に第3のガスまたは第4のガスを供給する第3の供給部と、前記第3の処理容器の内部を排気する第3の排気部と、前記第3の処理容器の内部にプラズマを発生させる第3のプラズマ発生部と、を有した第3の処理部と、を備え、前記第1の処理部は、前記第1の処理容器の内部において、前記反射防止層にエッチング処理を施し、前記第2の処理部は、前記第2の処理容器の内部において、前記吸収体層にエッチング処理を施し、前記第3の処理部は、前記第3の処理容器の内部において、前記反射層にエッチング処理を施し、前記第3の供給部は、前記反射層にエッチング処理を施す際に、塩素と酸素とを含む前記第3のガスを供給する反射型マスクの製造装置。前記第3の供給部は、前記酸素の添加量が5vol以上、30vol以下の前記第3のガスを供給する請求項15記載の反射型マスクの製造装置。前記第3のガスは、フッ素を含むガスをさらに含む請求項15または16記載の反射型マスクの製造装置。前記第3のガスにおける塩素に対するフッ素を含むガスの添加量は、5vol以上、40vol以下である請求項17記載の反射型マスクの製造装置。前記マスクブランクは、前記吸収体層と、前記反射層と、の間にシリコンを含むキャッピング層をさらに有し、前記第3の処理部は、前記第3の処理容器の内部において、前記キャッピング層にエッチング処理を施し、前記第3の供給部は、前記キャッピング層に形成された酸化膜にエッチング処理を施す際に、塩素またはフッ素を含む前記第4のガスを供給する請求項15記載の反射型マスクの製造装置。前記第1の処理容器と、前記第2の処理容器と、前記第3の処理容器と、が接続されたトランスファー部と、前記トランスファー部の内部に設けられ、前記マスクブランクを搬送する搬送部と、前記トランスファー部の内部を排気するトランスファー排気部と、をさらに備え、前記トランスファー部と前記第1の処理容器とは、前記第1のゲートバルブを介して接続され、前記トランスファー部と前記第2の処理容器とは、前記第2のゲートバルブを介して接続され、前記トランスファー部と前記第3の処理容器とは、前記第3のゲートバルブを介して接続され、前記トランスファー部の内部に前記マスクブランクがある場合には、前記トランスファー排気部は、前記トランスファー部の内部を排気して、前記トランスファー部の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする請求項15~19のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造装置。前記第1の処理容器と、前記第2の処理容器と、前記第3の処理容器と、が接続されたトランスファー部と、前記トランスファー部の内部に設けられ、前記マスクブランクを搬送する搬送部と、前記トランスファー部の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、をさらに備え、前記トランスファー部と前記第1の処理容器とは、前記第1のゲートバルブを介して接続され、前記トランスファー部と前記第2の処理容器とは、前記第2のゲートバルブを介して接続され、前記トランスファー部と前記第3の処理容器とは、前記第3のゲートバルブを介して接続され、前記トランスファー部の内部に前記マスクブランクがある場合には、前記不活性ガス供給部は、前記トランスファー部の内部を不活性ガスでパージして、前記トランスファー部の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする請求項15~19のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造装置。タンタルの酸化物を含む反射防止層と、タンタルの窒化物を含む吸収体層と、モリブデンを含む層とシリコンを含む層とを有する反射層と、を有したマスクブランクにパターン領域と、前記パターン領域を囲む遮光領域と、を形成する反射型マスクの製造装置であって、第4の処理容器と、前記第4の処理容器の内部に複数のガスを選択的に供給する第4の供給部と、前記第4の処理容器の内部を排気する第4の排気部と、前記第4の処理容器の内部にプラズマを発生させる第4のプラズマ発生部と、を備え、前記第4の処理容器の内部において、前記反射防止層と、前記吸収体層と、前記反射層と、に順次エッチング処理を施し、前記第4の供給部は、前記反射層にエッチング処理を施す際に、塩素と酸素とを含む前記ガスを供給する反射型マスクの製造装置。前記第4の供給部は、前記酸素の添加量が5vol以上、30vol以下の前記塩素と酸素とを含むガスを供給する請求項22記載の反射型マスクの製造装置。前記第4の供給部が供給するガスは、フッ素を含むガスをさらに含む請求項22または23に記載の反射型マスクの製造装置。前記第4の供給部が供給するガスにおける塩素に対するフッ素を含むガスの添加量は、5vol以上、40vol以下である請求項24記載の反射型マスクの製造装置。前記マスクブランクは、前記吸収体層と、前記反射層と、の間にシリコンを含むキャッピング層をさらに有し、前記第4の供給部は、前記キャッピング層に形成された酸化膜にエッチング処理を施す際に、塩素を含むガス、またはフッ素を含むガスを供給する請求項22~24のいずれか1つに記載の反射型マスクの製造装置。本発明の実施形態は、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供する。実施形態によれば、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法が提供される。以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態マスクブランクの製造図1は、マスクブランクを例示するための模式断面図である。まず、反射型マスク210の製造に用いるマスクブランク200を製造する。図1に示すように、マスクブランク200に設けられた基板201の一方の主面には、反射層202、キャッピング層203、吸収層204がこの順で積層されるようにして形成されている。また、基板201の他方の主面には、導電層205が形成されている。基板201は、透明材料から形成されている。基板201は、例えば、低熱膨張材料LTEM;LowThermalExpansionMaterialや石英などから形成されるものとすることができる。反射層202は、露光光である極端紫外線を反射させるために形成される。反射層202は、モリブデンMo層とシリコンSi層とが交互に積層されるようにして形成されている。反射層202は、モリブデンMo層とシリコンSi層との対が、40対~50対程度積層されたものとすることができる。キャッピング層203は、反射層202を保護するために形成される。キャッピング層203は、例えば、シリコンSi、ルテニウムRu、酸化チタンTiOなどを含むものとすることができる。なお、キャッピング層203をシリコンSiから形成する場合には、反射層202の最上層となるシリコンSi層を厚めに形成してキャッピング層203とすることもできる。吸収層204は、露光光である極端紫外線の反射を抑制するために形成される。吸収層204は、吸収体層204aと反射防止層204bとを有する。吸収体層204aは、露光光である極端紫外線を吸収する。吸収体層204aは、例えば、タンタルの窒化物例えば、タンタルホウ素窒化物TaBN、窒化タンタルTaNなどやクロムの窒化物例えば、窒化クロムCrNなどなどを含むものとすることができる。反射防止層204bは、波長250nm近傍の検査光に対する反射防止層AR層として機能する。反射防止層204bは、例えば、タンタルの酸化物例えば、タンタルホウ素酸化物TaBO、酸化タンタルTaOなどやクロムの酸化物例えば、酸化クロムCrOxなどなどを含むものとすることができる。導電層205は、静電チャックによる反射型マスクの保持が可能となるようにするために形成される。導電層205は、例えば、窒化クロムCrNなどを含むものとすることができる。反射層202、キャッピング層203、吸収層204、導電層205の形成には、スパッタリング法などの既知の成膜法を適用することができる。例えば、マスクブランク200の製造においては、基板201の主面に反射層202を形成する工程、反射層202の上に吸収層204を形成する工程、反射層202と吸収層204との間にキャッピング層203を形成する工程などを設けるようにすることができる。例えば、スパッタリング法などを用いて、280nm程度の総厚みを有する反射層202を形成し、10nm程度の厚みを有するキャッピング層203を形成し、70nm程度の総厚みを有する吸収層204を形成し、10nm程度の厚みを有する導電層205を形成するようにすることができる。ただし、各層の厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。なお、スパッタリング法を用いる場合の成膜条件などには既知の技術を適用させることができるので、成膜条件などの詳細は省略する。なお、キャッピング層203と吸収体層204aとの間に図示しないバッファー層を形成するようにすることができる。図示しないバッファー層は、吸収体層204a、反射防止層204bをエッチング処理してパターンを形成する際、エッチングストップ層として機能する。図示しないバッファー層は、例えば、クロムCrなどを含むものとすることができる。なお、キャッピング層203をルテニウムRuから形成する場合には、図示しないバッファー層を設ける必要はない。また、反射防止層204bをクロムの酸化物から形成する場合には、図示しないバッファー層をクロム以外のエッチングストップ層として機能することができる材料から形成するようにすることができる。反射型マスクの製造次に、この様にして製造されたマスクブランク200から反射型マスク210を製造する。なお、ここでは、一例として、基板201が低熱膨張材料LTEMから形成され、反射層202がモリブデンMo層とシリコンSi層とを有し、キャッピング層203がシリコンSiから形成され、吸収体層204aがタンタルホウ素窒化物TaBNから形成され、反射防止層204bがタンタルホウ素酸化物TaBOから形成されている場合を例示する。図2は、第1の実施形態に係る反射型マスクの製造方法を例示するための模式工程断面図である。なお、図2a~cはパターン領域の形成を例示するための模式工程断面図、図2d~hは遮光領域の形成を例示するための模式工程断面図である。パターン領域の形成まず、パターン領域216の形成を例示する。図2aに示すように、吸収体層204aの表面にEBレジスト電子線直接描画用のレジスト211を塗布する。そして、電子線描画装置を用いて所望のパターン例えば、回路パターンなどを描画し、ポストエクスポージャーベークPEB;PostExposureBake、現像などを行うことで所望のレジストパターンを形成する。次に、図2bに示すように、反射防止層204b、吸収体層204aを順次エッチング処理する。ここで、吸収体層204a、反射防止層204bを同一の処理環境内例えば、同一の処理容器内において順次エッチング処理することができる。しかしながら、一の層をエッチング処理した際に生成された副生成物が処理環境内に残留し、他の層をエッチング処理する際に残留した副生成物が分解されることで発生した反応生成物により、他の層をエッチング処理する際の寸法制御性やエッチング処理の安定性が低下するおそれがある。そして、エッチング処理における寸法制御性やエッチング処理の安定性が低下すると反射型マスクに欠陥部が生じる場合がある。この場合、欠陥部はパターンを形成する基体例えば、ウェーハやガラス基板などにそのまま転写されてしまうので、不良品が大量に発生する要因となる。図3は、エッチング処理におけるエッチングレートの変動を例示するための模式グラフ図である。なお、図3中のCは、同一の処理環境内において上層より順次エッチング処理を行なう場合である。この場合、C1はタンタルホウ素酸化物TaBOから形成された反射防止層204bをエッチング処理する場合、C2はタンタルホウ素窒化物TaBNから形成された吸収体層204aをエッチング処理する場合である。また、図3中のDは、吸収体層204aと反射防止層204bとを異なる処理環境内例えば、異なる処理容器内においてエッチング処理する場合である。この場合、D1はタンタルホウ素酸化物TaBOから形成された反射防止層204bをエッチング処理する場合、D2はタンタルホウ素窒化物TaBNから形成された吸収体層204aをエッチング処理する場合である。図3に示すように、C2におけるエッチングレートの変動幅は大きなものとなる。ここで、タンタルホウ素酸化物TaBOから形成された反射防止層204bをエッチング処理する場合には副生成物が比較的多く生成される。そのため、反射防止層204bをエッチング処理した際に生成された副生成物が処理環境内に残留し、吸収体層204aをエッチング処理する際に、残留していた副生成物が分解されることで発生した反応生成物によりC2におけるエッチングレートの変動幅が大きなものとなる。一方、吸収体層204aをエッチング処理する場合には副生成物の生成量が少なくなる。そのため、反射防止層204bをエッチング処理する際には、吸収体層204aをエッチング処理した際に生成された副生成物の影響も小さくなる。また、反射防止層204bをエッチング処理する場合に副生成物が多く生成されたとしても、次に行う反射防止層204bのエッチング処理に対する影響は小さなものとなる。すなわち、生成された副生成物の成分はそのエッチング処理において用いられるものを構成する元素からなるので、次に行うエッチング処理において副生成物が分解されて反応生成物が発生したとしてもエッチング処理に対する影響は小さなものとなる。そのため、C2におけるエッチングレートの変動幅に比べて、C1におけるエッチングレートの変動幅は小さなものとなる。しかしながら、C2におけるエッチングレートの変動幅が大きければ、エッチング処理を行う際の寸法制御性やエッチング処理の安定性が低くなることに変わりはない。これに対して、D1、D2の場合は、エッチングレートの変動幅をいずれの場合も小さくすることができる。すなわち、吸収体層204aと反射防止層204bとを異なる処理環境内においてエッチング処理を行なうようにすれば、パターンを形成する際の寸法制御性やエッチング処理の安定性を向上させることができる。以下においては、一例として、吸収体層204aと反射防止層204bとを異なる処理環境内においてエッチング処理する場合について例示をする。まず、第1のエッチング処理反射防止層204bのエッチング処理を行う。この場合、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。フッ素を含むガスとしては、例えば、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスを例示することができる。このエッチング処理においては、発生させたプラズマPによりフッ素を含むガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、EBレジスト211の開口部211aを介してタンタルホウ素酸化物TaBOから形成された反射防止層204bに供給されることでエッチング処理が施される。第1のエッチング処理は、吸収体層204aの表面が露出するまで行われる。すなわち、マスクブランク200被処理物に形成された反射防止層204bが所定の形状となるようにエッチング処理される。次に、第1のエッチング処理が施されたマスクブランク200を第1のエッチング処理を行う環境第1の環境から離隔された第2のエッチング処理を行う環境第2の環境に移動させる。この場合、第1のエッチング処理において生成された副生成物が第2のエッチング処理を行う環境に侵入しないように、第1のエッチング処理を行う環境と第2のエッチング処理を行う環境とが離隔されている。また、第1のエッチング処理を行う環境から第2のエッチング処理を行う環境に移動させる際に、タンタルホウ素窒化物TaBNから形成された吸収体層204aの露出した表面が酸素に暴露されると、吸収体層204aの表面が酸化して安定したエッチング処理ができなくなるおそれがある。そのため、第1のエッチング処理を行う環境から第2のエッチング処理を行う環境に移動させる際には、大気よりも酸素濃度が低い環境例えば、減圧環境や不活性ガスなどでパージされた環境などを介して移動を行うようにすることが好ましい。次に、第2のエッチング処理吸収体層204aのエッチング処理を行う。この場合、塩素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどやこれらの混合ガスなどを例示することができる。このエッチング処理においては、発生させたプラズマPにより塩素を含むガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、EBレジスト211の開口部211a、第1のエッチング処理が施された部分を介してタンタルホウ素窒化物TaBNから形成された吸収体層204aに供給されることでエッチング処理が施される。第2のエッチング処理は、キャッピング層203の表面が露出するまで行われる。すなわち、反射防止層204bの下方に形成された吸収体層204aが所定の形状となるようにエッチング処理される。次に、図2cに示すように、EBレジスト211を除去する。この場合、酸素を含むガスを用いたドライアッシング処理とすることもできるし、薬液を用いたウェットアッシング処理とすることもできる。なお、EBレジスト211を除去した後、必要に応じて、欠陥検査や欠陥部の修正などを行うようにすることもできる。以上のようにして、パターン領域216が形成される。遮光領域の形成次に、遮光領域217の形成を例示する。遮光領域217は、パターン領域216を囲むように形成される枠状の領域であり、パターンを転写する際に露光光が隣接する領域に漏れないようにするために形成される。まず、図2dに示すように、反射防止層204b、吸収体層204a及び露出したキャッピング層203の表面にレジスト212を塗布する。そして、レーザ光などを用いて所望のパターンを描画し、ポストエクスポージャーベーク、現像などを行うことで所望のレジストパターンを形成する。この場合、パターン領域216を囲むように枠状の領域212aをパターニングする。ここで、エッチング処理を行うとレジスト212も除去されることになる。そのため、エッチングマスクであるレジストパターンの再形成が必要となる場合がある。この場合、レジスト212の塗布、パターンの描画、ポストエクスポージャーベーク、現像などを繰り返し行うようにすれば生産性が著しく低下することになる。また、反射層202をエッチング処理する際には、モリブデンMo層に対するエッチングレートとシリコンSi層に対するエッチングレートとの差が少なくなる様にすることが好ましい。モリブデンMo層に対するエッチングレートとシリコンSi層に対するエッチングレートとの差が大きくなれば、エッチングレートが大きい方の層のエッチング量が多くなるので、エッチング処理された面が櫛歯状となるおそれがある。そして、エッチング処理された面が櫛歯状となれば、反射型マスクの品質が低下したり、折損などが生じてパーティクルが発生したりするおそれがある。図4は、フッ素と酸素とを含むガスを用いた場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。なお、図4は、フッ素系のガスとしてCF4を用い、酸素O2の添加量を変化させた場合のモリブデンMo、シリコンSi、レジストに対するエッチングレートの変化を例示するためのグラフ図である。図4に示すように、フッ素系のガスのみを用いてエッチング処理を行うようにすれば、モリブデンMoに対するエッチングレートとシリコンSiに対するエッチングレートとの差が大きくなりすぎる。この場合、酸素の添加量を増加させれば、モリブデンMoに対するエッチングレートとシリコンSiに対するエッチングレートとの差を小さくすることができる。例えば、酸素の添加量を50volとすれば、モリブデンMoに対するエッチングレートとシリコンSiに対するエッチングレートとを同程度とすることができる。しかしながら、酸素の添加量を増加させれば、レジストに対するエッチングレートが大きくなり、前述したレジストパターンの再形成が必要となる。本発明者らは検討の結果、塩素と酸素とを含むガスを用い、酸素の添加量を制御すれば、モリブデンMo、シリコンSi、レジストに対するエッチングレートを適切なものとすることができるとの知見を得た。図5は、塩素と酸素とを含むガスを用いた場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。なお、図5は、一例として、塩素系のガスとしてCl2を用い、酸素O2の添加量を変化させた場合のモリブデンMo、シリコンSi、レジストに対するエッチングレートの変化を例示するためのグラフ図である。図5に示すように、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる程度に、モリブデンMoに対するエッチングレートとシリコンSiに対するエッチングレートとの差を小さくすることができる。またさらに、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができ、且つ、少なくともレジストパターンの再形成の回数を低減させることができる。この場合、モリブデンMo、シリコンSi、レジストに対するそれぞれのエッチングレートを考慮してレジストの厚みを設定すれば、レジストパターンの再形成を行うことなく遮光領域217を形成することができる。次に、図2eに戻って遮光領域217の形成についてさらに例示をする。図2eに示すように、反射防止層204b、吸収体層204aを順次エッチング処理する。エッチング処理は、キャッピング層203の表面が露出するまで行われる。反射防止層204b、吸収体層204aのエッチング処理は、図2bにおいて例示をしたものと同様とすることができる。なお、パターン領域216の形成の際に遮光領域217の吸収体層204a、反射防止層204bを同時にエッチング処理することも可能である。次に、図2fに示すように、キャッピング層203をエッチング処理する。ここで、キャッピング層203がシリコンSiから形成されている場合には、塩素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。キャッピング層203の表面に酸化シリコンの膜が形成されている場合には、酸素を含むガスを用いたのでは酸化シリコンの膜を除去することが困難である。そのため、この様な場合には、塩素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどを例示することができる。あるいは、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うことで、キャッピング層203の表面に形成された酸化シリコンの膜を除去することもできる。次に、図2gに示すように、モリブデンMo層とシリコンSi層とを有する反射層202をエッチング処理する。この場合、塩素と酸素とを含むガスを用い、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とする。このような酸素の添加量とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどを例示することができる。また、例えば、吸収層204の総厚みが70nm程度、キャッピング層203の厚みが10nm程度、反射層202の総厚みが280nm程度であれば、レジストの厚みを420nm以上とし、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすることで、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。ここで、反射層202におけるシリコンSi層が成膜時に酸化していたり、エッチングガス中の酸素により酸化したりして、酸化シリコンSiO2層に変質している場合がある。塩素と酸素とを含むガスを用いることは、酸化シリコンSiO2層に対する選択比が大きくなるガス条件である。そのため、酸化シリコンSiO2層のエッチングレートが非常に低くなり、酸化シリコンSiO2層が残渣となって残る可能性がある。この様な場合には、塩素と酸素とを含むガスに、フッ素を含むガス例えば、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスをさらに添加することによって、酸化シリコンSiO2層のエッチングレートを上げるようにすることができる。そして、フッ素を含むガスを添加する場合において、塩素を含むガスに対する添加量を調整することで、モリブデンMoとシリコンSiをほぼ同じエッチングレートで除去することができるようになる。図6は、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガスを添加した場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。図7は、塩素と酸素とを含むガスの場合のエッチングレートを例示するためのグラフ図である。図6から分かるように、塩素に対するフッ素を含むガスであるCF4の添加量を、5vol以上、40vol以下にすると、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデンMoとシリコンSiをほぼ同じエッチングレートで除去することができる。なお、図6における、全ガス塩素と酸素とフッ素を含むガスに対する酸素を含むガスの割合は20vol程度としている。さらに、図7に示す塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコンSiO2層のエッチングレートを10倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコンSiO2層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。また、パターン領域216の形成の場合と同様にして、異なる処理環境内において各層をエッチング処理するようにすることができる。この場合、パターン領域216の吸収体層204aをエッチング処理した処理環境内において遮光領域217の吸収体層204aをエッチング処理することができる。また、パターン領域216の反射防止層204bをエッチング処理した処理環境内において遮光領域217の反射防止層204bあるいはキャッピング層203をエッチング処理することができる。そして、これらとは異なる処理環境内において反射層202をエッチング処理するようにすることができる。また、キャッピング層203がシリコンSiから形成されている場合には、反射層202をエッチング処理する環境においてキャッピング層203をエッチング処理するようにすることができる。この様にすれば、遮光領域217を形成する際の寸法制御性や処理の安定性を向上させることができる。次に、図2hに示すように、レジスト212を除去する。この場合、酸素を含むガスを用いたドライアッシング処理とすることもできるし、薬液を用いたウェットアッシング処理とすることもできる。この場合、キャッピング層203がルテニウムRuから形成されている場合には、酸素を含むガスを用いたドライアッシング処理を行うことでキャッピング層203にダメージが発生するおそれがある。そのため、キャッピング層203がルテニウムRuから形成されている場合には、酸素を含まないガスを用いたドライアッシング処理を行うようにすることが好ましい。以上のようにして、遮光領域217を形成することで、反射型マスク210が製造される。第2の実施形態図8は、第2の実施形態に係る反射型マスクの製造装置を例示するための模式断面図である。図8に例示をする反射型マスクの製造装置は、二周波プラズマエッチング装置である。図8に示すように、製造装置160には、処理容器161第4の処理容器の一例に相当する、処理容器161に設けられた搬入搬出口179を閉鎖するゲートバルブ177、処理容器161の内部に複数の処理ガスGを選択的に供給するガス供給部168第4の供給部の一例に相当する、処理容器161の内部を排気する排気部169第4の排気部の一例に相当するなどが設けられている。処理容器161は、アルミニウムなどの導電性材料で形成され減圧雰囲気を維持可能となっている。処理容器161の天井中央部分には、処理ガスGを導入するための処理ガス導入口162が設けられている。処理ガスGは、ガス供給部168から処理ガス導入口162を介して処理容器161の内部に供給される。処理容器161の内部に供給される際、処理ガスGは、図示しない処理ガス調整部により流量や圧力などが調整される。また、ガス供給部168には図示しない切換部が設けられ、処理容器161の内部に供給される処理ガスGの種類が切り替えられるようになっている。例えば、前述した反射層202、キャッピング層203、吸収体層204a、反射防止層204bをエッチング処理する際に、それぞれのエッチング処理に適した処理ガスGが供給できるようになっている。処理容器161の天井部分であって、処理ガス導入口162の径外方向部分には誘電体材料例えば、石英などからなる誘電体窓21が設けられている。誘電体窓21の表面には導電体からなるコイル20が設けられている。コイル20の一端は接地され図示せず、他端は、整合器16aを介して高周波電源6cに接続されている。処理容器161の内部には、被処理物Wをエッチング処理するための空間である処理空間163が設けられている。被処理物Wは、例えば、前述したマスクブランク200とすることができる。処理空間163の下方には電極部4が設けられている。電極部4には高周波電源6bが整合器16を介して接続されている。また、処理容器161は接地されている。製造装置160は、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマエッチング装置である。すなわち、電極部4と処理容器161とが容量結合型電極を構成し、また、コイル20が誘導結合型電極を構成する。高周波電源6bは、100KHz~100MHz程度の周波数を有し、1KW程度の高周波電力を電極部4に印加するものとすることができる。高周波電源6cは、100KHz~100MHz程度の周波数を有し、3KW程度の高周波電力をコイル20に印加するものとすることができる。整合器16、16aには図示しないチューニング回路が内蔵されており、図示しないチューニング回路で反射波を制御することによりプラズマPを制御することができるようになっている。製造装置160においては、電極部4、処理容器161、高周波電源6b、高周波電源6c、コイル20などが、処理容器161の内部にプラズマPを発生させるプラズマ発生部第4のプラズマ発生部の一例に相当するとなる。電極部4は、周囲を絶縁リング5で覆われている。電極部4には被処理物Wが載置可能であり、被処理物Wを保持するための保持機構図示せずや被処理物Wの受け渡し部図示せずなどが内蔵されている。処理容器161の底部には排気口167が設けられ、排気口167には圧力コントローラ8を介して真空ポンプなどのような排気部169が接続されている。排気部169は、処理容器161の内部が所定の圧力となるように排気する。処理容器161の側壁には、被処理物Wを搬入搬出するための搬入搬出口179が設けられ、搬入搬出口179を気密に閉鎖できるようゲートバルブ177が設けられている。ゲートバルブ177は、Oオーリングのようなシール部材174を備える扉173を有し、図示しないゲート開閉機構により開閉される。扉173が閉まった時には、シール部材174が搬入搬出口179の壁面に押しつけられ、搬入搬出口179は気密に閉鎖される。なお、後述する区画部12、昇降部11をさらに設けるようにすることもできる。反射型マスクの製造装置160の作用次に、製造装置160の作用について例示をする。この場合、一例として、被処理物Wをマスクブランク200とし、マスクブランク200にエッチング処理を施して反射型マスク210を製造する場合を例に挙げて説明する。また、一例として、基板201が低熱膨張材料LTEMから形成され、反射層202がモリブデンMo層とシリコンSi層とを有し、キャッピング層203がシリコンSiから形成され、吸収体層204aがタンタルホウ素窒化物TaBNから形成され、反射防止層204bがタンタルホウ素酸化物TaBOから形成されている場合を例示する。まず、前述したパターン領域216の形成を行う。ゲートバルブ177の扉173を、図示しないゲート開閉機構により開く。図示しない搬送部により、搬入搬出口179からマスクブランク200を処理容器内に搬入する。マスクブランク200は電極部4上に載置され、電極部4に内蔵された図示しない保持機構により保持される。図示しない搬送部を処理容器161の外に退避させる。図示しないゲート開閉機構によりゲートバルブ177の扉173を閉じる。排気部169により処理容器161内を排気する。そして、前述した反射防止層204bのエッチング処理を行う。この場合、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。すなわち、まず、ガス供給部168から処理ガス導入口162を介して処理空間163内にフッ素を含むガスが供給される。フッ素を含むガスは、例えば、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスとすることができる。また、フッ素を含むガスの流量は60sccm程度とすることができる。次に、高周波電源6cより100KHz~100MHz程度の周波数を有する高周波電力がコイル20に印加される。また、高周波電源6bより100KHz~100MHz程度の周波数を有する高周波電力が電極部4に印加される。なお、高周波電源6cと高周波電源6bとから印加される高周波電力の周波数が同じとなるようにすることが好ましい。例えば、高周波電源6cと高周波電源6bとから印加される高周波電力の周波数を13.56MHzとすることができる。また、高周波電源6cは3KW程度の高周波電力を印加し、高周波電源6bは1KW程度の高周波電力を印加するものとすることができる。すると、電極部4と処理容器161と、が容量結合型電極を構成するので、電極部4と処理容器161との間に放電が起こる。また、コイル20が誘導結合型電極を構成するので、コイル20から誘電体窓21を介して高周波電力が処理容器161の内部に導入される。そのため、電極部4と処理容器161との間に生じた放電と、処理容器161の内部に導入された高周波電力により処理空間163にプラズマPが発生する。発生したプラズマPによりフッ素を含むガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、処理空間163内を下降してマスクブランク200に到達し、エッチング処理が施される。なお、プラズマPの制御は、整合器16、16aに内蔵されている図示しないチューニング回路で反射波を制御することにより行う。また、残余のフッ素を含むガスや反応生成物、副生成物の多くは、排気口167から処理容器161外に排出される。このエッチング処理においては、反射防止層204bの表面に形成されたレジストパターンに基づいて、反射防止層204bの一部が除去される。すなわち、反射防止層204bのうち、EBレジスト211に覆われていない部分が除去される。反射防止層204bのエッチング処理が終了すると、処理容器161内が排気される。そして、次に、吸収体層204aに対してエッチング処理が施される。この場合、ガス供給部168に設けられた図示しない切換部により、供給される処理ガスGの種類が切り替えられる。すなわち、ガス供給部168から塩素を含むガスが供給され、塩素を含むガスを用いたエッチング処理が施される。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどやこれらの混合ガスとすることができる。塩素を含むガスの流量は180sccm程度とすることができる。そして、反射防止層204bの場合と同様にして、反射防止層204bの表面に形成されたレジストパターンに基づいて、吸収体層204aの一部が除去される。すなわち、吸収体層204aのうち、EBレジスト211に覆われていない部分が除去される。以上のようにして、パターン領域216の形成が行われる。パターン領域216の形成が終了すると、処理容器161内の圧力とゲートバルブ177の扉173の外側の圧力とがほぼ等しくなるように、処理ガス導入口162からパージガスなどが導入される。そして、ゲートバルブ177の扉173を図示しないゲート開閉機構により開く。図示しない搬送部により、パターン領域216が形成されたマスクブランク200を搬出する。処理容器161の外に搬出されたマスクブランク200は、残余のEBレジスト211の除去が行われ、必要に応じて、欠陥検査や欠陥部の修正などが行われる。次に、前述した遮光領域217の形成を行う。まず、処理容器161の外において、反射防止層204b、吸収体層204a及び露出したキャッピング層203の表面にレジスト212を塗布し、パターンの描画、ポストエクスポージャーベーク、現像などを行うことで所望のレジストパターンを形成する。次に、前述したものと同様にして、マスクブランク200を処理容器内に搬入する。そして、前述したものと同様にして、反射防止層204b、吸収体層204a、キャッピング層203、反射層202を順次エッチング処理する。この場合、前述したように反射層202のエッチング処理には、塩素と酸素とを含むガスを用い、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすることができる。このような酸素の添加量とすれば、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる。また、例えば、吸収層204の総厚みが70nm程度、キャッピング層203の厚みが10nm程度、反射層202の総厚みが280nm程度、レジストの厚みが420nm以上であれば、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすることができる。このような酸素の添加量とすれば、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。また、前述したように、反射層202において、シリコンSi層が酸化され酸化シリコンSiO2層が形成されている場合には、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガス例えば、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスをさらに添加することができる。この場合、塩素に対するフッ素を含むガスであるCF4の添加量を、5vol以上、40vol以下にすることができる。そのようにすれば、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデンMoとシリコンSiをほぼ同じエッチングレートで除去することができる。さらに、塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコンSiO2層のエッチングレートを10倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコンSiO2層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。なお、搬入や搬出に関連する作用、プラズマを発生させることに関連する作用などは、パターン領域216を形成する場合と同様であるため詳細な説明は省略する。第3の実施形態図9は、第3の実施形態に係る反射型マスクの製造装置を例示するための模式レイアウト図である。図9に示すように、反射型マスクの製造装置100には、ロードロック部110、トランスファー部120、搬送部130、第1の処理部140、第2の処理部150、第3の処理部180が設けられている。ロードロック部110とトランスファー部120、トランスファー部120と第1の処理部140、トランスファー部120と第2の処理部150、トランスファー部120と第3の処理部180との間の壁面には搬入搬出口が形成されている。そして、各搬入搬出口を介してロードロック部110とトランスファー部120、トランスファー部120と第1の処理部140、トランスファー部120と第2の処理部150、トランスファー部120と第3の処理部180とがその内部空間を連通させるようにして接続されている。なお、ロードロック部110、トランスファー部120、第1の処理部140、第2の処理部150、第3の処理部180は、減圧雰囲気を維持することができるように気密構造となっている。そして、トランスファー部120には、圧力コントローラ8を介して真空ポンプなどのようなトランスファー排気部129が接続されている。トランスファー排気部129は、トランスファー部120の内部が所定の圧力となるように排気する。そして、トランスファー部120の内部に被処理物W例えば、マスクブランク200がある場合には、トランスファー排気部129は、トランスファー部120の内部を排気して、トランスファー部120の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする。また、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部128を設け、不活性ガス供給部128からトランスファー部120の内部に不活性ガスを供給するようにすることもできる。トランスファー部120の内部を不活性ガスなどでパージするようにすれば、トランスファー部120の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くすることができる。そして、トランスファー部120の内部に被処理物W例えば、マスクブランク200がある場合には、不活性ガス供給部128は、トランスファー部120の内部を不活性ガスでパージして、トランスファー部120の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くする。トランスファー部120の内部の酸素濃度を大気の酸素濃度よりも低くすれば、被処理物Wの表面が酸化されることを抑制することができる。そのため、エッチング処理の安定性を向上させることができる。また、ロードロック部110には、図示しない圧力コントローラを介して真空ポンプなどのような図示しない排気部が接続されている。なお、ロードロック部110は必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすればよい。また、各搬入搬出口を気密に閉鎖するためのゲートバルブが設けられている例えば、図10などを参照。搬送部130は、トランスファー部120内に設けられている。搬送部130は、反射型マスクの製造装置100の外部に設けられた図示しない搬送装置、第1の処理部140、第2の処理部150、第3の処理部180などの間における被処理物W例えば、マスクブランク200の受け渡しや搬送などを行う。搬送部130は、例えば、被処理物Wを把持、搬送することのできるロボット装置などとすることができる。第1の処理部140、第2の処理部150、第3の処理部180の構成は、エッチング処理の対象となる部分の材料に応じて変更することができる。なお、反射型マスクの製造装置100に3つの処理部が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。処理部の数は適宜変更することができる。この場合、エッチング処理の対象となる部分の材料毎に処理部を設けるようにすることができる。例えば、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素酸化物TaBOを含む場合に用いられる処理部と、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素窒化物TaBNを含む場合に用いられる処理部と、エッチング処理の対象となる部分がモリブデンMo層とシリコンSi層とを有する場合に用いられる処理部と、を設けるようにすることができる。ここでは、一例として、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素酸化物TaBOを含む場合に第1の処理部140を用い、エッチング処理の対象となる部分がタンタルホウ素窒化物TaBNを含む場合に第2の処理部150を用い、エッチング処理の対象となる部分がモリブデンMo層とシリコンSi層とを有する場合に第3の処理部180を用いるものとする。図10、図11は、第1の処理部を例示するための模式断面図である。なお、図10、図11は、図9におけるA-A矢視断面を表した模式断面図である。また、図10は区画部が上昇した状態、図11は区画部が下降した状態を例示するための模式断面図である。第1の処理部140は、アルミニウムなどの導電性材料で形成され減圧雰囲気を維持可能な処理容器1第1の処理容器の一例に相当するを備えている。処理容器1の天井中央部分には、処理ガスG1第1のガスの一例に相当するを導入するための処理ガス導入口2が設けられている。処理ガスG1は、ガス供給部18第1の供給部の一例に相当するから処理ガス導入口2を介して処理容器1の内部に供給される。処理容器1の内部に供給される際、処理ガスG1は、図示しない処理ガス調整部により流量や圧力などが調整される。ここで、第1の処理部140において、タンタルホウ素酸化物TaBOを含む層例えば、反射防止層204bをエッチング処理する場合には、処理ガスG1はフッ素を含むガスとすることができる。例えば、処理ガスG1は、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスとすることができる。また、処理ガスG1の流量は60sccm程度とすることができる。処理容器1の天井部分であって、処理ガス導入口2の径外方向部分には誘電体材料例えば、石英などからなる誘電体窓21が設けられている。誘電体窓21の表面には導電体からなるコイル20が設けられている。コイル20の一端は接地され図示せず、他端は、整合器16aを介して高周波電源6aに接続されている。処理容器1の内部には、被処理物Wをエッチング処理するための空間である処理空間3が設けられている。処理空間3の下方には電極部4が設けられている。電極部4には高周波電源6bが整合器16を介して接続されている。また、処理容器1は接地されている。第1の処理部140は、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマエッチング装置である。すなわち、電極部4と処理容器1とが容量結合型電極を構成し、また、コイル20が誘導結合型電極を構成する。高周波電源6aは、100KHz~100MHz程度の周波数を有し、3KW程度の高周波電力をコイル20に印加するものとすることができる。高周波電源6bは、100KHz~100MHz程度の周波数を有し、1KW程度の高周波電力を電極部4に印加するものとすることができる。整合器16、16aには図示しないチューニング回路が内蔵されており、図示しないチューニング回路で反射波を制御することによりプラズマPを制御することができるようになっている。第1の処理部140においては、電極部4、処理容器1、高周波電源6a、高周波電源6b、コイル20などが、処理容器1の内部にプラズマPを発生させるプラズマ発生部第1のプラズマ発生部の一例に相当するとなる。電極部4は、周囲を絶縁リング5で覆われている。電極部4には被処理物Wが載置可能であり、被処理物Wを保持するための保持機構図示せずや被処理物Wの受け渡し部図示せずなどが内蔵されている。処理容器1の底部には排気口7が設けられ、排気口7には圧力コントローラ8を介して真空ポンプなどのような排気部19第1の排気部の一例に相当するが接続されている。排気部19は、処理容器1の内部が所定の圧力となるように排気する。処理容器1の側壁には、被処理物Wを搬入搬出するための搬入搬出口9第1の搬入搬出口の一例に相当するが設けられ、搬入搬出口9を気密に閉鎖できるようゲートバルブ17第1のゲートバルブの一例に相当するが設けられている。ゲートバルブ17は、Oオーリングのようなシール部材14を備える扉13を有し、図示しないゲート開閉機構により開閉される。扉13が閉まった時には、シール部材14が搬入搬出口9の壁面に押しつけられ、搬入搬出口9は気密に閉鎖される。電極部4の外側には、区画部12が設けられている。第1の処理部140においては、フッ素を含むガスを用いてタンタルホウ素酸化物TaBOを含む層をエッチング処理する。この場合、タンタルホウ素酸化物TaBOを含む層をエッチング処理した際に副生成物が比較的多く生成される。そこで、第1の処理部140においては、被処理物Wに形成されたタンタルホウ素酸化物TaBOを含む層を除去する際に処理空間3を画する区画部12を設けている。すなわち、区画部12を設けることで、区画部12の外部にある処理容器1の側壁や底部などに副生成物が付着することを抑制することができるようになっている。なお、区画部12の内壁などにも副生成物が付着するが、区画部12を交換したり区画部12を取り外して清掃したりすることができるので、メンテナンス時間を大幅に短縮することができる。また、区画部12を設けることで外部から処理空間3にパーティクルなどが侵入することを抑制することもできる。区画部12には、側面部12a、底部12b、脚部12cが設けられている。側面部12aは円筒状であり、処理容器1の内壁に近接するように設けられている。底部12bは円板状であり、外周部の端面は側面部12aの下端面付近に固着されており、内周側の端面は絶縁リング5に近接するようになっている。なお、側面部12a、底部12bの形態は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、側面部12aを多角形の筒状としたり、底部12bを多角形の板状としたりすることができる。脚部12cの一端は、底部12bに接続されており、他端は昇降部11に接続されている。脚部12cは円柱状であるがこれに限定されるものではなく、断面が多角形の柱状、円筒状などであってもよい。昇降部11の動力源は、例えば、モータ、エアシリンダ、油圧シリンダなどとすることができるが、これらに限定されるものではなく同様の機能を有する駆動源としてもよい。区画部12の上昇端位置と下降端位置は、図示しない検出器からの信号で制御することもできるし、タイマーなどを用いて時間により制御することもできる。区画部12の上昇端位置図10では、側面部12aの上部端面と処理容器1の天井部分との間に、わずかに隙間が空くようになっていることが望ましい。これは、側面部12aの上部端面と処理容器1の天井部分とが接触すればパーティクルなどの汚染物が発生するおそれがあるからである。また、この時、底部12bの表面処理空間3側の面は、電極部4の表面位置と同一、あるいは、それより低い位置にある。区画部12の下降端位置図11では、側面部12aの上部端面の位置は、被処理物Wの搬入搬出を考慮して、電極部4の表面位置と同一、あるいは、若干低い位置にあるが、これに限定されるものではなく、図示しない被処理物Wの受け渡し部に合わせて適宜変更することができる。また、この時、底部12bと処理容器1の底部との間に隙間が空くようになっていることが望ましい。これは、底部12bと処理容器1の底部とが接触すると、パーティクルなどの汚染物が発生するおそれがあるからである。次に、第2の処理部150について例示をする。図12は、第2の処理部を例示するための模式断面図である。なお、図12は、図9におけるB-B矢視断面を表した模式断面図である。図12に例示をする第2の処理部150も二周波プラズマエッチング装置である。図12に示すように、第2の処理部150にも処理容器1a第2の処理容器の一例に相当する、処理容器1aに設けられた搬入搬出口9a第2の搬入搬出口の一例に相当するを閉鎖するゲートバルブ17a第2のゲートバルブの一例に相当する、処理容器1aの内部に塩素を含むガスを供給するガス供給部18a第2の供給部の一例に相当する、処理容器1aの内部を排気する排気部19a第2の排気部の一例に相当するなどが設けられている。また、第2の処理部150においては、電極部4、処理容器1a、高周波電源6b、高周波電源6c、コイル20などが、処理容器1aの内部にプラズマPを発生させるプラズマ発生部第2のプラズマ発生部の一例に相当するとなる。また、第1の処理部140、第2の処理部150、後述する第3の処理部180に対して、1つの排気部を設けるようにすることができる。なお、排気部を兼用化した場合であっても、第1の処理部140、第2の処理部150、第3の処理部180にそれぞれ設けられた圧力コントローラ8により排気量や排気速度などを個別的に制御することができる。第2の処理部150の主な構成は、第1の処理部140のものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。第2の処理部150において、タンタルホウ素窒化物TaBNを含む層例えば、吸収体層204aをエッチング処理する場合には、処理ガスG2第2のガスの一例に相当するは塩素を含むガスとすることができる。例えば、処理ガスG2は、Cl2、CCl4、HClなどやこれらの混合ガスとすることができる。ここで、塩素を含むガスを用いてタンタルホウ素窒化物TaBNを含む層をエッチング処理する場合には、生成される副生成物が少なくなる。すなわち、処理容器1aの側壁や底部などに付着する副生成物が少なくなる。そのため、第2の処理部150においては、区画部12と昇降部11とを設けないようにすることができる。区画部12と昇降部11とを設けないようにすれば、処理ガスG2の排気がより円滑となる。そのため、処理ガスG2の流量、排気量を多くすることができるので、エッチング除去されたものを速やかに排出させることができる。すなわち、処理ガスG2の流量、排気量を多くすることで、一度エッチング除去されたものが、エッチング処理された部分などに再付着することを抑制することができる。その結果、エッチング処理における寸法制御性を向上させることができる。この場合、処理ガスG2の流量は180sccm程度とすることができる。なお、区画部12と昇降部11とを設けるようにすれば、外部から処理空間3にパーティクルなどが侵入することを抑制することができる。そのため、前述したものと同様に、区画部12と昇降部11とを設けるようにしてもよい。コイル20に接続される高周波電源6cは、前述した高周波電源6aよりも少ない高周波電力を印加するものとすることができる。例えば、高周波電源6cは、100KHz~100MHz程度の周波数を有し、1KW程度の高周波電力をコイル20に印加するものとすることができる。なお、前述した高周波電源6aをコイル20に接続し、印加する高周波電力を制御するようにしてもよい。次に、第3の処理部180について例示をする。第3の処理部180の構成は、第2の処理部150の構成と同様とすることができる。すなわち、図示および構成の説明は省略するが、第3の処理部180にも、処理容器1a第3の処理容器の一例に相当する、処理容器1aに設けられた搬入搬出口9a第3の搬入搬出口の一例に相当するを閉鎖するゲートバルブ17a第3のゲートバルブの一例に相当する、処理容器1aの内部に塩素と酸素とを含むガス第3のガスの一例に相当するまたは塩素を含むガス第4のガスの一例に相当するを供給するガス供給部18a第3の供給部の一例に相当する、処理容器1aの内部を排気する排気部19a第3の排気部の一例に相当するなどが設けられている。この場合、第3の処理部180においても、図示を省略した電極部4、処理容器1、高周波電源6a、高周波電源6b、コイル20などが、処理容器1の内部にプラズマPを発生させるプラズマ発生部第3のプラズマ発生部の一例に相当するとなる。なお、第3の処理部180にも、区画部12と昇降部11とを設けるようにしてもよい。ただし、第3の処理部180においては、モリブデンMo層とシリコンSi層とが交互に積層された層例えば、反射層202をエッチング処理するため、供給される処理ガスの種類が異なる。この場合、処理ガスは塩素と酸素とを含むガスとすることができる。そして、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどを例示することができる。また、例えば、前述した吸収層204の総厚みが70nm程度、キャッピング層203の厚みが10nm程度、反射層202の総厚みが280nm程度、レジストの厚みが420nm以上であれば、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすることで、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。また、前述したように、反射層202において、シリコンSi層が酸化され酸化シリコンSiO2層が形成されている場合には、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガス例えば、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスをさらに添加することができる。この場合、塩素に対するフッ素を含むガスであるCF4の添加量を、5vol以上、40vol以下にすることができる。そのようにすれば、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデンMoとシリコンSiをほぼ同じエッチングレートで除去することができる。さらに、塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコンSiO2層のエッチングレートを10倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコンSiO2層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。また、前述したキャッピング層203がシリコンSiから形成されている場合には、第3の処理部180においてキャッピング層203をエッチング処理することができる。この場合、処理ガスは、塩素を含むガスとすることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどを例示することができる。なお、キャッピング層203の表面に酸化シリコンの膜が形成されている場合には、酸素を含むガスを用いたのでは酸化シリコンの膜を除去することが困難となる。そのため、この様な場合にも、処理ガスとして塩素を含むガスを用いることができる。あるいは、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うことで、キャッピング層203の表面に形成された酸化シリコンの膜を除去することもできる。反射型マスクの製造装置100の作用次に、反射型マスクの製造装置100の作用について例示をする。この場合、一例として、被処理物Wをマスクブランク200とし、マスクブランク200にエッチング処理を施して反射型マスク210を製造する場合を例に挙げて説明する。また、一例として、基板201が低熱膨張材料LTEMから形成され、反射層202がモリブデンMo層とシリコンSi層とを有し、キャッピング層203がシリコンSiから形成され、吸収体層204aがタンタルホウ素窒化物TaBNから形成され、反射防止層204bがタンタルホウ素酸化物TaBOから形成されている場合を例示する。なお、ロードロック部110、トランスファー部120、搬送部130の基本的な作用は、既知の技術と同様とすることができるので、これらの作用に関する説明は省略する。まず、前述したパターン領域216を形成する。第1の処理部140において、反射防止層204bタンタルホウ素酸化物TaBOを含む層に対するエッチング処理が施される。第1の処理部140において、昇降部11により区画部12を上昇端位置まで上昇させる図10参照。ゲートバルブ17の扉13を、図示しないゲート開閉機構により開く。この時、扉13やシール部材14に付着したパーティクルや汚染物などが飛散することがあるが、区画部12により処理空間3を区画することができるので、パーティクルや汚染物などが処理空間3内に拡散することを抑制することができる。次に、区画部12を下降させる図11参照。ゲートバルブ17の扉13が開いた時に飛散したパーティクルなどが沈降した後に、区画部12を下降させることにより、処理空間3内にパーティクルなどが侵入することを抑制することができる。搬送部130により、搬入搬出口9からマスクブランク200を処理容器内に搬入する。マスクブランク200は電極部4上に載置され、電極部4に内蔵された図示しない保持機構により保持される。搬送部130を処理容器1の外に退避させる。昇降部11により区画部12を上昇端位置まで上昇させる図10参照。ゲートバルブ17の扉13を閉じる。扉13が閉じたときにパーティクルなどの汚染物が発生することがあるが、区画部12により処理空間3を区画することができるので、パーティクルや汚染物が処理空間3内に拡散することを抑制することができる。処理容器1内を排気する。この時、区画部12の外側においても排気流の流れが形成される。そのため、扉13が開くことにより発生したパーティクルなどの汚染物は、区画部12の外側に形成された排気流に乗り、排気口7から処理容器1外に排出される。また、区画部12の内側の処理空間3は、底部12bの内周側の端面と絶縁リング5との間に形成される隙間を介して排気される。この際、区画部12によりプラズマ処理部3が区画されているので、区画部12の外側に存在するパーティクルなどの汚染物が処理空間3内に侵入することが抑制される。次に、フッ素を含むガスを用いて反射防止層204bをエッチング処理する。すなわち、まず、ガス供給部18から処理ガス導入口2を介して処理空間3内に処理ガスG1が供給される。処理ガスG1はフッ素を含むガスとすることができる。例えば、処理ガスG1は、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスとすることができる。また、処理ガスG1の流量は60sccm程度とすることができる。次に、高周波電源6aより100KHz~100MHz程度の周波数を有する高周波電力がコイル20に印加される。また、高周波電源6bより100KHz~100MHz程度の周波数を有する高周波電力が電極部4に印加される。なお、高周波電源6aと高周波電源6bとから印加される高周波電力の周波数が同じとなるようにすることが好ましい。例えば、高周波電源6aと高周波電源6bとから印加される高周波電力の周波数を13.56MHzとすることができる。また、高周波電源6aは3KW程度の高周波電力を印加し、高周波電源6bは1KW程度の高周波電力を印加するものとすることができる。すると、電極部4と処理容器1と、が容量結合型電極を構成するので、電極部4と処理容器1との間に放電が起こる。また、コイル20が誘導結合型電極を構成するので、コイル20から誘電体窓21を介して高周波電力が処理容器1の内部に導入される。そのため、電極部4と処理容器1との間に生じた放電と、処理容器1の内部に導入された高周波電力により処理空間3にプラズマPが発生する。発生したプラズマPにより処理ガスG1が励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、処理空間3内を下降してマスクブランク200のエッチング処理の対象部分に到達し、エッチング処理が施される。なお、プラズマPの制御は、整合器16、16aに内蔵されている図示しないチューニング回路で反射波を制御することにより行う。また、残余の処理ガスG1や反応生成物、副生成物の多くは、底部12bの内周側の端面と絶縁リング5との間に形成される隙間を介して排気口7から処理容器1外に排出される。第1の処理部140におけるエッチング処理においては、反射防止層204bの表面に形成されたEBレジスト211のパターン形状に基づいて、反射防止層204bの一部が除去される。すなわち、反射防止層204bのうち、EBレジスト211に覆われていない部分がエッチング処理される。反射防止層204bのエッチング処理が終わると、処理容器1内の圧力とゲートバルブ17の扉13の外側の圧力とがほぼ等しくなるように、処理ガス導入口2からパージガスなどを導入する。なお、処理容器1内の圧力を若干高めにしておいた方が、扉13を開けたときにパーティクルなどの汚染物が処理容器1内に侵入してくるのを抑えられるのでより望ましい。次に、ゲートバルブ17の扉13を図示しないゲート開閉機構により開く。扉13を開けるときにパーティクルなどの汚染物が発生することがあるが、区画部12により処理空間3を区画することができるので、パーティクルや汚染物などが処理空間3内に拡散することを抑制することができる。次に、区画部12を下降させる図11参照。そして、搬送部13により、反射防止層204bにエッチング処理が施されたマスクブランク200を搬出する。この後、次にエッチング処理が施されるマスクブランク200が搬入されるまでの間、ゲートバルブ17の扉13を以下の手順で閉じるようにすることができる。すなわち、まず、昇降部11により区画部12を上昇端位置まで上昇させる図10参照。次に、ゲートバルブ17の扉13をゲート開閉機構により閉じる。扉13が閉じたときにパーティクルなどの汚染物が発生することがあるが、区画部12により処理空間3を区画することができるので、パーティクルや汚染物が処理空間3内に拡散することを抑制することができる。次に、第2の処理部150において、吸収体層204aに対するエッチング処理が施される。第2の処理部150には、第1の処理部140においてエッチング処理が施されたマスクブランク200が搬入される。すなわち、搬送部130は、反射防止層204bが所定の形状となるように除去されたマスクブランク200を第1の処理部140から搬出し、第1の処理部140から搬出したマスクブランク200を第2の処理部150に搬入する。第2の処理部150におけるエッチング処理においては、前述したEBレジスト211のパターン形状に基づいて、吸収体層204aの一部が除去される。すなわち、吸収体層204aのうち、上方にEBレジスト211が無い部分がエッチング処理される。この場合、ガス供給部18aから処理ガスG2として塩素を含むガスが供給され、吸収体層204aに対するエッチング処理が施される。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどやこれらの混合ガスとすることができる。塩素を含むガスの流量は180sccm程度とすることができる。以上のようにして、パターン領域216の形成が行われる。なお、第2の処理部150の基本的な作用は、第1の処理部140の作用とほぼ同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。パターン領域216が形成されたマスクブランク200は、第2の処理部150から搬出され、残余のEBレジスト211が除去される。そして、必要に応じて、欠陥検査や欠陥部の修正などが行われる。その後、遮光領域217を形成するために所定のパターンを有するレジスト212がマスクブランク200の表面に形成される。次に、遮光領域217を形成する。まず、前述したパターン領域216を形成する場合と同様にして、反射防止層204b、吸収体層204aに対するエッチング処理を施す。すなわち、第1の処理部140において反射防止層204bに対するエッチング処理を施し、第2の処理部150において吸収体層204aに対するエッチング処理を施す。なお、これらのエッチング処理を施す際の第1の処理部140の作用と、第2の処理部150の作用とは前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。次に、第3の処理部180においてキャッピング層203、反射層202に対するエッチング処理が順次施される。まず、前述したレジスト212のパターン形状に基づいて、キャッピング層203の一部が除去される。すなわち、キャッピング層203のうち、上方にレジスト212が無い部分がエッチング処理される。この場合、処理ガスとして塩素を含むガスを用いることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどを例示することができる。なお、前述したように、キャッピング層203の表面に酸化シリコンの膜が形成されている場合にも、塩素を含むガス、またはフッ素を含むガスを用いたエッチング処理を行うようにすることができる。次に、反射層202の一部が除去される。すなわち、反射層202のうち、上方にレジスト212が無い部分がエッチング処理される。この場合、処理ガスとして塩素と酸素とを含むガスを用いることができる。塩素を含むガスとしては、例えば、Cl2、CCl4、HClなどを例示することができる。また、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすることで、エッチング処理された面が櫛歯状となることを抑制することができる。また、例えば、吸収層204の総厚みが70nm程度、キャッピング層203の厚みが10nm程度、反射層202の総厚みが280nm程度、レジストの厚みが420nm以上であれば、酸素の添加量を5vol以上、30vol以下とすることで、少なくともレジストパターンの再形成の回数を大幅に低減させることができる。また、前述したように、反射層202において、シリコンSi層が酸化され酸化シリコンSiO2層が形成されている場合には、塩素と酸素とを含むガスにフッ素を含むガス例えば、CF4、CHF3、NF3などやこれらの混合ガスをさらに添加することができる。この場合、塩素に対するフッ素を含むガスであるCF4の添加量を、5vol以上、40vol以下にすることができる。そのようにすれば、レジストに対する選択比を維持したまま、モリブデンMoとシリコンSiをほぼ同じエッチングレートで除去することができる。さらに、塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理した場合と比べて、酸化シリコンSiO2層のエッチングレートを10倍近く高くすることができる。そのため、酸化シリコンSiO2層が残渣とならないようなエッチング処理を行うことができる。なお、第3の処理部180の基本的な作用は、第2の処理部150の作用とほぼ同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。また、キャッピング層203にエッチング処理を施す処理部と、反射層202にエッチング処理を施す処理部とを設け、それぞれの処理部においてエッチング処理を施すようにすることもできる。以上に例示をした実施形態によれば、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を実現することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びそれと等価とみなされるものの範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。例えば、マスクブランク200、反射型マスク210、製造装置160、製造装置100などが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。