セラミック素体と、前記セラミック素体の内部に形成され、0.5μm以下の厚さを有し、内部に非電極領域が形成された内部電極層とを含み、前記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10であり、前記非電極領域がセラミック成分を含む、セラミック電子部品。前記内部電極層の厚さは、0.5μm以下である、請求項1に記載のセラミック電子部品。前記内部電極層は、内部電極層の全長に対する内部電極層の実長の比内部電極層の実長/内部電極層の全長として定義される内部電極層の連結性が90以上である、請求項1または2に記載のセラミック電子部品。前記内部電極層は、金属粉末と、当該金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末と、を含む導電性ペーストで形成される、請求項1から3の何れか1項に記載のセラミック電子部品。前記非電極領域は、内部電極層を形成する導電性ペーストの焼成を30°C/60s~50°C/60sの昇温速度で行うことにより形成される、請求項1から4の何れか1項に記載のセラミック電子部品。複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、一つの誘電体層を介して形成され0.5μm以下の厚さを有する内部電極層とを含み、前記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10であり、内部電極層の連結性が90以上である、セラミック電子部品。前記非電極領域は、内部電極層を形成する金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末を含む、請求項6に記載のセラミック電子部品。前記内部電極層は、金属粉末とセラミック共材粉末とを含む導電性ペーストの焼成温度を調節することにより形成される、請求項6または7に記載のセラミック電子部品。セラミック素体と、前記セラミック素体の内部に形成される内部電極層とを含み、前記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10である、セラミック電子部品。前記内部電極層の厚さは、0.5μm以下である、請求項9に記載のセラミック電子部品。前記内部電極層は、内部電極層の全長に対する内部電極層の実長の比として定義される内部電極層の連結性が90以上である、請求項9または10に記載のセラミック電子部品。前記非電極領域は、内部電極層の金属粉末の界面にトラップされる、請求項9から11の何れか1項に記載のセラミック電子部品。前記非電極領域は、セラミック共材粉末を含む、請求項9から12の何れか1項に記載のセラミック電子部品。前記内部電極層は、金属粉末と、当該金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末と、を含む導電性ペーストで形成される、請求項9から13の何れか1項に記載のセラミック電子部品。前記非電極領域は、内部電極層を形成する導電性ペーストの焼成温度を調節することにより形成される、請求項9から14の何れか1項に記載のセラミック電子部品。セラミックグリーンシートを製造する段階と、金属粉末と、当該金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末と、を含む導電性ペーストで内部電極パターンを形成する段階と、前記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を形成する段階と、前記セラミック積層体を焼成して電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10の内部電極層を形成する段階とを含む、セラミック電子部品の製造方法。前記セラミック積層体の焼成は、30°C/60s~50°C/60sの昇温速度で行われる、請求項16に記載のセラミック電子部品の製造方法。前記導電性ペーストに含まれた金属粉末は、焼成が1000°Cまで抑制される、請求項16または17に記載のセラミック電子部品の製造方法。前記内部電極層の連結性は、90以上である、請求項16から18の何れか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。前記内部電極層の厚さは、0.5μm以下である、請求項16から19の何れか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。前記非電極領域は、前記内部電極パターンの焼成過程で前記内部電極層内にトラップされる、請求項16から20の何れか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。前記非電極領域は、セラミック成分を含む、請求項16から21の何れか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。前記非電極領域は、前記焼成の後に残留するバインダー又は溶剤を含む、請求項16から22の何れか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。本発明の目的は、信頼性に優れたセラミック電子部品及びその製造方法を提供することである。本発明の一実施形態によるセラミック電子部品は、セラミック素体と、当該セラミック素体の内部に形成され0.5μm以下の厚さを有し内部に非電極領域が形成された内部電極層と、を含み、上記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10であり、上記非電極領域がセラミック成分を含むことができる。上記内部電極層の厚さは、0.5μm以下であることができる。上記内部電極層は、内部電極層の全長に対する内部電極層の実長の比内部電極層の実長/内部電極層の全長として定義される内部電極層の連結性が90以上であることができる。上記内部電極層は、金属粉末と、当該金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末と、を含む導電性ペーストで形成されることができる。上記非電極領域は、内部電極層を形成する導電性ペーストの焼成を30°C/60s~50°C/60sの昇温速度で行うことにより形成されることができる。本発明の他の実施形態によるセラミック電子部品は、複数の誘電体層が積層されたセラミック素体と、一つの誘電体層を介して形成され0.5μm以下の厚さを有する内部電極層と、を含み、上記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10であり、内部電極層の連結性が90以上であることができる。上記非電極領域は、内部電極層を形成する金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末を含むことができる。上記内部電極層は、金属粉末とセラミック共材粉末とを含む導電性ペーストの焼成温度を調節することにより形成されることができる。本発明のさらに他の実施形態によるセラミック電子部品は、セラミック素体と、当該セラミック素体の内部に形成される内部電極層と、を含み、上記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10であることができる。上記内部電極層の厚さは、0.5μm以下であることができる。上記内部電極層は、内部電極層の全長に対する内部電極層の実長の比として定義される内部電極層の連結性が90以上であることができる。上記非電極領域は、内部電極層の金属粉末の界面にトラップされることができる。上記非電極領域は、セラミック共材粉末を含むことができる。上記内部電極層は、金属粉末と、当該金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末と、を含む導電性ペーストで形成されることができる。上記非電極領域は、内部電極層を形成する導電性ペーストの焼成温度を調節することにより形成されることができる。本発明のさらに他の実施形態によるセラミック電子部品の製造方法は、セラミックグリーンシートを製造する段階と、金属粉末と当該金属粉末に対する粒径比が1/5を超えるセラミック共材粉末とを含む導電性ペーストで内部電極パターンを形成する段階と、上記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を形成する段階と、上記セラミック積層体を焼成して電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が0.1~10の内部電極層を形成する段階と、を含むことができる。上記セラミック積層体の焼成は、30°C/60s~50°C/60sの昇温速度で行われることができる。上記導電性ペーストに含まれた金属粉末は、焼結が1000°Cまで抑制されることができる。上記内部電極層の連結性は、90以上であることができる。上記内部電極層の厚さは、0.5μm以下であることができる。上記非電極領域は、上記内部電極パターンの焼成過程で上記内部電極層内にトラップされることができる。上記非電極領域は、上記セラミック成分を含むことができる。上記非電極領域は、上記焼成の後に残留するバインダー又は溶剤を含むことができる。本発明の一実施形態によると、内部電極層内の非電極領域の面積比を制御することにより、内部電極層の連結性を確保することができる。より詳細には、積層セラミックキャパシタが小型化及び高積層化するほど内部電極層は薄層化し、当該内部電極層が薄層化するほど焼成過程で当該内部電極層が切断されやすくなるため、内部電極層の連結性を確保することが困難であったが、本発明の一実施形態によると、内部電極層内に非電極領域を形成し当該非電極領域の面積比を調節することにより、内部電極層の連結性を確保することができる。本発明の一実施形態によると、セラミック共材粉末は、金属粉末の焼結の際に当該金属粉末の間に配置されて当該金属粉末の粒成長を抑制することができ、内部電極層内にトラップされて当該内部電極層の連結性を確保することができる。本発明の一実施形態によると、焼成の後にクラック等のセラミック電子部品の内部構造欠陥が生じることを防止することができる。本発明の一実施形態によると、積層セラミックキャパシタの容量を確保することができる。以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。但し、本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当業界における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一符号で表示される要素は、同一の要素である。本発明の一実施形態は、セラミック電子部品に関し、セラミック材料を用いる電子部品には、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ又はサーミスター等がある。以下では、セラミック電子部品の一例として積層セラミックキャパシタに関して説明する。図1は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略斜視図であり、図2は、図1の積層セラミックキャパシタのA-A線に沿う概略断面図である。図1及び図2を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタは、セラミック素体110と、上記セラミック素体110の内部に形成された内部電極層121、122と、上記セラミック素体110の外表面に形成された外部電極131、132と、を含むことができる。図1を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタにおいて、長さ方向はL方向、幅方向はW方向、厚さ方向はT方向と定義される。上記厚さ方向は、誘電体層を積み重ねる方向、即ち、積層方向である。本発明の一実施形態によると、上記セラミック素体110の形状は、六面体状であることができるが、特に制限されるものではない。上記セラミック素体110は、複数の誘電体層111が積層されて形成されることができる。上記セラミック素体110を構成する複数の誘電体層111は、焼成された状態で、隣接する誘電体層間の境界を視認できない程度に一体化していることができる。上記誘電体層111は、セラミック粉末を含むセラミックグリーンシートの焼成によって形成されることができる。上記セラミック粉末としては、当業界で一般に用いられるものであれば特に制限されず、例えば、BaTiO3系セラミック粉末を用いることができる。上記BaTiO3系セラミック粉末としては、例えば、BaTiO3にCa、Zr等が一部固溶されたBa1-xCaxTiO3、BaTi1-yCayO3、Ba1-xCaxTi1-yZryO3又はBaTi1-yZryO3等があるが、これに制限されるものではない。上記セラミックグリーンシートは、上記セラミック粉末と共に遷移金属、希土類元素、Mg、Al等を含むことができる。上記一つの誘電体層111の厚さは、積層セラミックキャパシタの容量設計に応じて適宜変更されることができる。例えば、焼成の後に隣接する二つの内部電極層間に形成される誘電体層111の厚さは、1.0μm以下であることができるが、これに制限されるものではない。上記セラミック素体110の内部には、内部電極層121、122が形成されることができる。上記内部電極層121、122は、セラミックグリーンシート上に積層され、焼成によって一つの誘電体層を介して上記セラミック素体110の内部に形成されることができる。上記内部電極層は、相違する極性を有する第1の内部電極層121と第2の内部電極層122とを一対とし、誘電体層の積層方向に沿って対向配置されることができる。図2に示されるように、上記第1及び第2の内部電極層121、122の末端は、上記セラミック素体110の長さ方向の一面に交互に露出されることができる。なお、図示されてはいないが、本発明の一実施形態によると、第1及び第2の内部電極層は、リード部を有し、当該リード部を介してセラミック素体の同一面又は一つ以上の面に露出されることができる。上記一つの内部電極層121、122の厚さは、用途等に応じて適宜決められ、例えば、0.5μm以下、0.1~0.5μm又は0.3~0.5μmであることができる。本発明の一実施形態によると、内部電極層が形成された誘電体層は、200層以上積層されることができる。より具体的な内容に関しては、後述する。本発明の一実施形態によると、上記セラミック素体110の外表面には、外部電極131、132が形成され、当該外部電極131、132は、上記内部電極層121、122と電気的に連結されることができる。より具体的には、上記外部電極131、132は、上記セラミック素体110の一面に露出された第1の内部電極層121と電気的に連結された第1の外部電極131と、上記セラミック素体110の他面に露出された第2の内部電極層122と電気的に連結された第2の外部電極とからなることができる。なお、図示されてはいないが、セラミック素体に露出される第1及び第2の内部電極層との連結のために、複数の外部電極が形成されることができる。上記外部電極131、132は、金属粉末を含む導電性ペーストで形成されることができる。上記導電性ペーストに含まれる金属粉末としては、例えば、Ni、Cu又はこれらの合金を用いることができるが、これに制限されるものではない。上記外部電極131、132の厚さは、用途等に応じて適宜決められ、例えば、10~50μm程度であることができる。図3は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの断面の一部を概略的に示す一部拡大図である。図3を参照すると、本発明の一実施形態による内部電極層121、122は、その内部に非電極領域Nを含むことができる。本発明の一実施形態によると、上記内部電極層のうち、上記非電極領域Nを除いた部分は、電極領域Eとなることができる。本発明の一実施形態によると、上記非電極領域Nは、内部電極層の焼成過程で、当該内部電極層を形成する導電性ペースト組成物によって形成されることができる。上記非電極領域Nは、セラミック成分を含むことができるが、これに制限されるものではない。本発明の一実施形態によると、上記非電極領域Nは、導電性ペーストに含まれた成分のうち導電性金属ではない成分で形成され、例えば、セラミック粉末で形成されることができる。また、上記非電極領域Nを形成する物質は、例えば、セラミック共材粉末、バインダー、溶剤等であり、これらのうちバインダー及び溶剤は、焼成によって残留したカーボン系成分として存在することができる。なお、上記非電極領域Nは、気孔であることができる。本発明の一実施形態によると、導電性ペースト組成物に含まれる物質は、焼成中に内部電極層をなす金属粒子grainの界面、即ち、粒界grainboundaryにトラップされることができる。より具体的な内容に関しては、下記の内部電極層の形成過程で説明する。本発明の一実施形態によると、上記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域Eの面積に対する非電極領域Nの面積の比は、0.1~10であることができる。上記内部電極層、電極領域E及び非電極領域Nの面積の測定方法を説明すると、図2に示されるように、積層セラミックキャパシタを長さ方向に切断し、その断面から、内部電極層の面積、電極領域Eの面積、非電極領域Nの面積を測定する。本発明の一実施形態において、上記内部電極層、電極領域E及び非電極領域Nの面積は、上記積層セラミックキャパシタの断面を光学顕微鏡でイメージスキャンすることにより測定されることができる。以下、図3及び図4を参照して、上記内部電極層、電極領域E及び非電極領域Nの面積の測定過程を説明する。本発明の一実施形態において、上記内部電極層の面積は、当該内部電極層が連続的に形成された領域の面積を意味し、当該内部電極層が切断された部分、即ち、図3に示される内部電極層に形成されたギャップGは、当該内部電極層の面積に含まれない。本発明の一実施形態において、上記ギャップGは、上記内部電極層を貫通する気孔を意味し、上記内部電極層の表面の一部のみに形成されるか又は上記内部電極層の内部に形成される気孔を意味することはない。上記光学顕微鏡でスキャンしたイメージ、即ち、光学イメージから内部電極層と誘電体層とを区別することができ、当該内部電極層の面積を測定することができる。上記光学イメージにおいて、上記内部電極層の内部に形成された非電極領域Nと電極領域Eとは、明暗で区別されることができる。なお、シグマスキャンプロSigmaScanPro等のコンピュータプログラムを用いて内部電極層、電極領域及び非電極領域の面積等を測定することができるが、これに制限されるものではない。本発明の一実施形態において、上記電極領域Eの面積は、上記内部電極層の面積から上記非電極領域Nの面積を引いた値であることができる。本発明の一実施形態によると、長さ方向に切断された上記積層セラミックキャパシタの内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域Eの面積に対する非電極領域Nの面積の比は、0.1~10であることができる。本発明の一実施形態によると、上記非電極領域の面積比を調節することにより、上記内部電極層の連結性は、90以上となることができる。本発明の一実施形態によると、上記内部電極層の連結性は、内部電極層の全長に対する内部電極層の実長の比内部電極層の実長/内部電極層の全長として定義されることができる。上記内部電極層の全長及び内部電極層の実長は、前述したように積層セラミックキャパシタの断面の光学イメージから測定されることができる。より具体的には、セラミック素体の長さ方向の断面の光学イメージから、内部電極層の全長に対する内部電極層の実長の比が測定されることができる。本発明の一実施形態において、内部電極層の全長は、一つの内部電極層において当該内部電極層に形成されたギャップGを含む長さであり、内部電極層の実長は、一つの内部電極層において当該内部電極層に形成されたギャップGを含まない長さ、即ち、実際に内部電極層が形成された部分の長さであることができる。上記ギャップGは、前述したように、上記内部電極層を貫通する気孔を意味し、上記内部電極層の表面の一部のみに形成されるか又は上記内部電極層の内部に形成される気孔を意味することはない。本発明の一実施形態によると、図4に示されるように、光学イメージの一部から、内部電極層の全長及び実長を測定することができる。より具体的には、一つの内部電極層121において、ギャップG気孔を含む内部電極層121の全長をTといい、実際に内部電極層121が形成された部分の長さをt1、t2、t3、tnというと、当該内部電極層121の連結性は、t1t2t3tn/Tであることができる。図4には、実際に内部電極121が形成された部分がt1、t2、t3及びt4で表示されているが、その個数に制限はない。本発明の一実施形態によると、内部電極層の実長は、内部電極層の全長TからギャップGの長さを引いた値であることができる。本発明の一実施形態によると、一つの内部電極層121、122の厚さは、0.5μm以下、0.1~0.5μm又は0.3~0.5μmであることができる。本発明の一実施形態において、上記内部電極層の厚さは、前述したように、積層セラミックキャパシタの断面を光学顕微鏡でイメージスキャンすることにより測定されることができる。そして、上記スキャンされたイメージの一部から上記内部電極層の厚さを求めることができる。本発明の一実施形態において、上記内部電極層の厚さは、内部電極層の実長に対する内部電極層の面積の比内部電極層の面積/内部電極層の実長から求めることができる。上記内部電極層の面積は、上記電極領域Eと上記非電極領域Nとを含む面積であり、上記内部電極層の実長は、当該内部電極層に形成されたギャップGを含まない長さであることができる。本発明の一実施形態によると、内部電極層の面積、電極領域Eの面積、非電極領域Nの面積及び内部電極層の実長は、一つの内部電極層を基準として測定される。その測定されたそれぞれの値に上記内部電極層の積層数をかけると、積層セラミックキャパシタ全体の一般化された値を求めることができる。積層セラミックキャパシタは、第1及び第2の内部電極層の重複領域によって静電容量が形成されることができる。一般に、内部電極層は、焼成過程で切断される現象が生じることがある。これにより、内部電極層によって形成される静電容量が減少し当該静電容量が不規則に形成され信頼性が低下することがある。したがって、高容量を具現するためには、内部電極層の連結性を確保する必要がある。しかしながら、積層セラミックキャパシタが小型化及び高積層化するほど内部電極層は薄層化し、当該内部電極層が薄層化するほど焼成過程で当該内部電極層が切断されやすくなるため、内部電極層の連結性を確保することが困難であった。しかしながら、本発明の一実施形態によると、内部電極層内に非電極領域を含むため、当該内部電極層の連結性を確保し、内部電極層の薄層化を補償することができる。また、内部電極層の焼成過程で金属粉末の焼結収縮を抑制するため、当該内部電極層が切断される現象を防止することができる。一方、内部電極層の電極領域に対する非電極領域の比が小さいと、内部電極層の連結性を確保することが困難になり、内部電極層の電極領域に対する非電極領域の比が大きすぎると、却って内部電極層の連結性が低下することがある。図5a及び図5bは、本発明の一実施形態による内部電極層の焼結収縮挙動を概略的に示す模式図で、以下では、これを参照して説明する。本発明の一実施形態によると、上記内部電極層は、金属粉末21とセラミック共材粉末22とを含む導電性ペーストで形成されることができる。本発明の一実施形態によると、上記内部電極層を形成する金属粉末21としては、卑金属basemetal、例えば、Ni、Mn、Cr、Co、Al又はこれらの合金のうち一つ以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。また、上記金属粉末21の平均粒径は、例えば、400nm以下、より具体的には、50~400nmであることができるが、これに制限されるものではない。本発明の一実施形態によると、上記セラミック共材粉末22としては、誘電体層を形成するセラミック粉末11と同じ種類のものを用いることができる。上記セラミック共材粉末22は、焼成過程で内部電極層から誘電体層へ移動し、当該誘電体層の特性の低下を防止するために当該誘電体層を形成するセラミック粉末と同じ種類のものを当該セラミック共材粉末22として用いることができる。上記セラミック共材粉末22は、例えば、BaTiO3系セラミック粉末であり、当該BaTiO3系セラミック粉末としては、例えば、BaTiO3にCa、Zr等が一部固溶されたBa1-xCaxTiO3、BaTi1-yCayO3、Ba1-xCaxTi1-yZryO3又はBaTi1-yZryO3等があるが、これに制限されるものではない。上記セラミック共材粉末22の粒径は、上記金属粉末21の粒径より小さいことができる。例えば、上記金属粉末21の粒径に対する上記セラミック共材粉末22の粒径の比セラミック共材粉末/金属粉末は、1/5を超えることができるが、これに制限されるものではない。本発明の一実施形態によると、上記金属粉末21の粒径に対する上記セラミック共材粉末22の粒径の比セラミック共材粉末/金属粉末は、1/3~1/4であることができる。本発明の一実施形態によると、上記金属粉末21及び上記セラミック共材粉末22の粒径は、ASTMAmericanSocietyforTestingandMaterialsで規定する平均粒径測定方法により測定されることができる。本発明の一実施形態によると、上記セラミック共材粉末22の粒径は、上記金属粉末21の粒径より小さいため、当該金属粉末21の間に分布されることができる。本発明の一実施形態によると、上記金属粉末21の粒径に対する上記セラミック共材粉末22の粒径の比セラミック共材粉末/金属粉末が1/5以下の場合、当該セラミック共材粉末22によって当該金属粉末21の収縮を効率的に抑制することが困難なことがある。上記セラミック共材粉末22は、上記金属粉末21の焼結の際に当該金属粉末21の間に配置されて当該金属粉末21の粒成長を抑制することができる。上記金属粉末21の焼結の際に形成される気孔のサイズより小さい上記セラミック共材粉末22は、当該金属粉末21間の接触を防止することが困難になるため、当該金属粉末21の粒成長を抑制する役割を行うことが困難なことがある。より具体的な内容に関しては、後述する。本発明の一実施形態によると、上記内部電極層を形成する導電性ペースト組成物としては、バインダー、溶剤及びその他の添加剤等をさらに含むことができる。上記バインダーとしては、ポリビニルブチラール、セルロース系樹脂等を用いることができるが、これに制限されるものではない。上記ポリビニルブチラールは、接着力が強い特性を有するため、導電性ペーストとセラミックグリーンシートとの接着強度を向上させることができる。上記セルロース系樹脂は、椅子型の構造を有するもので、変形が生じた場合に弾性による回復が速い特性を有している。上記セルロース系樹脂を含むことにより、平坦な印刷面の確保が可能となる。上記溶剤としては、例えば、ブチルカルビトール、ケロシン又はテルピネオール系溶剤を用いることができるが、特に制限されるものではない。上記テルピネオール系溶剤としては、ジヒドロテルピネオールdehydroterpineol、ジヒドロターピニルアセテート等を用いることができるが、これに制限されるものではない。本発明の一実施形態によると、内部電極層の焼成過程で導電性ペースト組成物がトラップされるため、当該内部電極層内に非電極領域Nが形成されることができる。本発明の一実施形態によると、導電性ペースト組成物に含まれる物質は、焼成中に内部電極層をなす金属粒子grainの界面、即ち、粒界grainboundaryにトラップされることができる。また、内部電極層の焼成過程で金属粒子の界面に気孔が形成されるが、当該気孔は、図3及び図4に示されるギャップGとは異なり、内部電極層にトラップされた形態に当該内部電極層の内部に形成されることができる。一般に、導電性ペーストは、セラミックグリーンシートに印刷され、積層過程等を経た後に当該セラミックグリーンシートと共に焼成されることができる。なお、内部電極層として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行うと、当該内部電極層が酸化することがある。したがって、セラミックグリーンシートと内部電極層との同時焼成は、還元性雰囲気下で行われることができる。積層セラミックキャパシタの誘電体層は、約1100°C以上の高温でセラミックグリーンシートを焼成することにより形成されることができる。内部電極層としてNi等の卑金属を用いると、400°Cの低温から酸化が起こりながら焼結収縮し、1000°C以上で急激に収縮することがある。内部電極層が急激に焼成されると、過焼成によって当該内部電極層が切断されることがあり、当該内部電極層の連結性が低下するため、積層セラミックキャパシタの容量が低下することがある。また、焼成の後にクラック等の積層セラミックキャパシタの内部構造欠陥が生じることがある。したがって、400~500°Cの比較的低い温度で焼結が始まる金属粉末の焼結開始温度の速度を最大限遅延させて誘電体との収縮率の差を最小化し内部電極層の連結性を向上させる必要がある。図5aは、焼成工程の初期、即ち、金属粉末21の焼結収縮が開始される前の状態を概略的に示すものであり、図5bは、温度が上昇して金属粉末21の焼結収縮が進行されている状態を概略的に示すものである。図5a及び図5bのセラミック粉末11は、焼成過程を経て図2に示される誘電体層111を形成することができる。図5a及び図5bを参照すると、焼成工程の初期段階で金属粉末21が収縮し、当該金属粉末21の間にセラミック共材粉末22が配置されるため、当該金属粉末間の接触を防止することができる。一般に、誘電体層を形成するセラミック粉末11が収縮する前に金属粉末が焼結されて内部電極層を形成し、セラミック粉末11が収縮する過程で内部電極層が凝集して内部電極層の連結性が低下することがある。しかしながら、本発明の一実施形態によると、内部電極層内の非電極領域の面積比を制御することにより、当該内部電極層の連結性を確保することができる。本発明の一実施形態によると、上記セラミック共材粉末22の粒径比を制御して上記金属粉末21の間に分散させる場合、約1000°C以上まで当該金属粉末21の焼結が抑制されることができる。そして、上記金属粉末21の焼結が一定温度まで最大限抑制され、誘電体層を形成するセラミック粉末11の焼結が開始されることができる。そして、上記誘電体層を形成するセラミック粉末11の緻密化が進行されると、内部電極層の緻密化も開始され急速に焼成が進行されることができる。本発明の一実施形態によると、上記セラミック共材粉末22は、上記金属粉末21の焼結開始温度の速度を遅延させ、焼結収縮を抑制することができる。粒径比が制御されたセラミック共材粉末22は、上記金属粉末21の焼結収縮の際に当該金属粉末21間の接触を防止して当該金属粉末21の粒成長を抑制し、内部電極層の凝集現象を抑制することができる。本発明の一実施形態によると、上記セラミック共材粉末22の一部は、内部電極層の表面に押し出されて誘電体層を形成するセラミック粉末11と共に焼結されるが、上記セラミック共材粉末22の他の一部は、焼結が完了されるまで金属粉末21の間から抜け出られず、図3に示されるように当該金属粉末21の粒界grainboundaryにトラップされることができる。このように、上記セラミック共材粉末22によって、内部電極層の内部に非電極領域Nが形成されることができる。本発明の一実施形態によると、上記セラミック共材粉末22の一部は、内部電極層の表面に押し出されて誘電体層を形成するセラミック粉末11と共に焼結されるが、焼成工程の昇温速度を調節する場合、上記セラミック共材粉末22の他の一部は、金属粉末21の間から抜け出られず、図3に示されるように当該金属粉末21の粒界grainboundaryにトラップされることができる。本発明の一実施形態によると、内部電極層を形成する導電性ペースト組成物に含まれるバインダー、溶剤及びその他の添加剤は、焼成中に除去されるが、焼成工程の昇温速度を調節する場合、当該バインダー、溶剤及びその他の添加剤の一部は、完全に除去されず、図3に示されるように金属粉末の粒界grainboundaryにトラップされることができる。このように、上記バインダー、溶剤及びその他の添加剤によって、内部電極層の内部に非電極領域Nが形成されることができる。上述したように、本発明の一実施形態によると、一つの内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域Eの面積に対する非電極領域Nの面積の比は、0.1~10であることができる。一方、近年、積層セラミックキャパシタの小型化及び軽量化に伴い、内部電極層は、より薄層化している。薄層の内部電極層を形成するために微粒の金属粉末を用いることができるが、この場合、当該金属粉末の焼結収縮を制御することが困難になり、内部電極層の連結性を確保することが困難になる。しかしながら、本発明の一実施形態によると、内部電極層内に非電極領域を形成し当該非電極領域の面積比を調節することにより、金属粉末の焼結収縮を抑制することができる。また、内部電極層内に形成される非電極領域の面積比を調節することにより、当該内部電極層の連結性を向上させることができる。以下、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。まず、本発明の一実施形態により、複数のセラミックグリーンシートを製造することができる。上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー、溶剤等を混合したスラリーをドクターブレード法により数μmの厚さを有するシート状に形成することにより製造されることができる。上記セラミックグリーンシートは、以後焼成されて図2に示されるように一つの誘電体層111として形成されることができる。次に、上記セラミックグリーンシート上に内部電極用導電性ペーストを塗布して内部電極パターンを形成することができる。上記内部電極パターンは、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法により形成されることができる。次に、上記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し、積層方向に加圧し圧着させることができる。これにより、内部電極パターンが形成されたセラミック積層体を製造することができる。次に、上記セラミック積層体を一つのキャパシタに対応する領域ごとに切断してチップ化することができる。この際、上記内部電極パターンの一端が側面に交互に露出されるように切断することができる。以後、チップ化した積層体を焼成してセラミック素体を製造することができる。前述したように、上記焼成工程は、還元性雰囲気下で昇温速度を調節して行われることができる。上記昇温速度は、30°C/60s~50°C/60sであることができるが、これに制限されるものではない。次に、上記セラミック素体の側面を覆い、当該セラミック素体の側面に露出された内部電極層と電気的に連結されるように、外部電極を形成することができる。以後、上記外部電極の表面にニッケル、錫等でメッキ処理を行うことができる。本発明の一実施形態によると、前述したように、内部電極層内に形成される非電極領域の面積比が0.1~10となることができる。これにより、内部電極層の連結性及び高容量を具現することができる。本発明の一実施形態により、下記表1に示されるようにセラミック共材粉末BT、BaTiO3粉末及び金属粉末Niのサイズを調節して積層セラミックキャパシタを製造した。評価1.内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比AN/AE積層セラミックキャパシタの長さ方向の断面を光学顕微鏡でイメージスキャンした。その光学イメージの10μm×5μm横×縦から内部電極層の面積、電極領域の面積AE及び非電極領域の面積ANを測定した。上記内部電極層の面積は、当該内部電極層を貫通するギャップGを除いて測定された。上記光学イメージから内部電極層の内部に形成された非電極領域の面積ANを測定し、当該内部電極層の面積から当該非電極領域の面積ANを引いた値を電極領域の面積AEに設定した。2.内部電極層の厚さ上記10μm×5μm横×縦の光学イメージから内部電極層の実長を測定し、当該内部電極層の実長に対する内部電極層の面積の比内部電極層の面積/内部電極層の実長から当該内部電極層の厚さを求めた。上記内部電極層の実長は、当該内部電極層の中央部で測定され、当該内部電極層に形成されたギャップGを除いて測定された。3.内部電極層の連結性上記10μm×5μm横×縦の光学イメージから内部電極層の全長を測定した。上記内部電極層の全長は、当該内部電極層に形成されたギャップGを含んで測定された。上記内部電極層の連結性は、内部電極層の全長に対する内部電極層の実長の比内部電極層の実長/内部電極層の全長から求められた。上記表1を参照すると、試料22、23及び24は、BT粒径/Ni粒径の比が1/5以下で、セラミック共材粉末のサイズが小さすぎてニッケル粉末の収縮を抑制できないものと考えられる。これにより、試料22、23及び24の内部電極層の連結性は、90未満と示された。試料1を参照すると、BT粒径/Ni粒径の比は1/5、AN/AEの比は0.1未満で、電極連結性は90未満と示された。試料15及び16を参照すると、BT粒径/Ni粒径の比は1/4であるが、AN/AEの比が10を超えるため、電極連結性は90未満と示された。試料4、8、23及び24を参照すると、内部電極層の厚さが0.5μm以上の場合、BT粒径/Ni粒径の比にかかわらず、内部電極層の連結性は90以上又は90以下と示された。なお、内部電極層の厚さが0.5μm以上の場合は、積層数を確保することが困難になるため、同じ条件で高容量を具現することが困難になる。本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属する。