"アンチヒューズ素子及びこれに対し電気的に直列に接続された抵抗素子からなるアンチヒューズ回路と該アンチヒューズ回路に対し電気的に並列に接続されたPTCサーミスタとをそれぞれ備えた複数の温度検知部を有し、複数の前記温度検知部は電気的に直列に接続され、複数の前記温度検知部における複数の前記抵抗素子各々の抵抗値は、それぞれ異なり、かつ、前記PTCサーミスタ各々の最小抵抗値よりも小さいことを特徴とする温度異常検知センサ。複数の前記温度検知部が電気的に直列に接続された回路であるサーミスタ直列回路の一端に電気的に接続され、一定電流が供給される一次側導電体と、前記サーミスタ直列回路の他端に電気的に接続された二次側導電体と、をさらに備える請求項1に記載の温度異常検知センサ。前記一次側導電体と前記二次側導電体とに電気的に接続され、前記一次側導電体に一定電流が供給されているときの前記サーミスタ直列回路の抵抗値の変化を検出する抵抗変化検出部をさらに備える、請求項2に記載の温度異常検知センサ。前記抵抗変化検出部は、両端が前記一次側導電体と前記二次側導電体とに電気的に接続された分圧回路と、前記分圧回路による分圧後の電圧の変化を検出する電圧変化検出部と、を備える、請求項3に記載の温度異常検知センサ。サーミスタなどの温度検出素子は、その温度検出素子に供給される電力を伝送する一次側導電体、及びその温度検出素子の検出信号を伝送する二次側導電体の各々と電気的に接続される必要がある。一次側導電体及び二次側導電体は、電線又はバスバーなどである。特許文献1に示される装置では、複数のサーミスタのうちのいずれにおいて温度異常が検出されたかを個別に検知することができる。しかしながら、特許文献1に示される装置では、複数のサーミスタに共通の1本の一次側導電体と、複数のサーミスタの数と同数の二次側導電体とが、比較的離れた位置に配置される組電池と制御部との間に敷設されることが必要となる。この場合、多数の観測部位を含む観測対象の温度異常を検知する必要がある場合に、二次側導電体の敷設に要するスペース及び工数が非常に大きくなる。一方、特許文献2に示される方法では、1本の一次側導電体と1本の二次側導電体とが敷設されるだけでよい。しかしながら、特許文献2に示される方法では、複数のPTCサーミスタのうちのいずれにおいて温度異常が検出されたかを個別に検知することはできない。本発明は、温度異常検知センサにおいて、複数の温度検出素子のいずれにおいて温度異常が検出されたかを個別に検知することができ、かつ、複数の温度検出素子の位置と電力の供給部及び検出信号の入力部の位置との間に敷設される導電体の数を少なくできることを目的とする。本発明に係る温度異常検知センサは、アンチヒューズ素子及びこれに対し電気的に直列に接続された抵抗素子からなるアンチヒューズ回路とそのアンチヒューズ回路に対し電気的に並列に接続されたPTCサーミスタとをそれぞれ備えた複数の温度検知部を有する。さらに、複数の温度検知部は電気的に直列に接続されている。また、複数の温度検知部における複数の抵抗素子各々の抵抗値は、それぞれ異なり、かつ、PTCサーミスタ各々の最小抵抗値よりも小さい。以下の説明において、複数の温度検知部が電気的に直列に接続された回路のことをサーミスタ直列回路と称する。また、本発明に係る温度異常検知センサが、以下に示される一次側導電体と二次側導電体とをさらに備えることが考えられる。一次側導電体は、サーミスタ直列回路の一端に電気的に接続され、一定電流が供給される電体である。また、二次側導電体は、サーミスタ直列回路の他端に電気的に接続された電体である。また、本発明に係る温度異常検知センサが、抵抗変化検出部をさらに備えることが考えられる。この抵抗変化検出部は、一次側導電体と二次側導電体とに電気的に接続され、一次側導電体に一定電流が供給されているときのサーミスタ直列回路の抵抗値の変化を検出する。また、本発明に係る温度異常検知センサにおいて、抵抗変化検出部が、次の2つの構成要素を備えることが考えられる。一方の構成要素は、両端が一次側導電体と二次側導電体とに電気的に接続された分圧回路である。他方の構成要素は、分圧回路による分圧後の電圧の変化を検出する電圧変化検出部である。以下の説明において、PTCサーミスタのキュリー温度以下の温度を通常温度、キュリー温度を超える温度を非通常高温度と称する。また、PTCサーミスタの通常温度での抵抗値を通常抵抗値、PTCサーミスタの非通常高温度での抵抗値を高温抵抗値と称する。PTCサーミスタの最小抵抗値は、通常抵抗値の最小値である。また、アンチヒューズ素子の絶縁破壊に要する電圧、即ち、アンチヒューズ素子が、非常に抵抗値の大きな絶縁状態から非常に抵抗値の小さい導通状態へ遷移するときの印加電圧をトリガー電圧と称する。また、本発明に係る温度異常検知センサが備える温度検知部の数、即ち、観測部位の数はN個であるとする。ここで、Nは2以上の整数である。本発明に係る温度異常検知センサにおいて、サーミスタ直列回路は、一次側導電体を通じて一定電流が供給される。そして、観測対象の状態が、N個のPTCサーミスタの全てが通常温度を検出する正常状態である場合、各アンチヒューズ素子に印加される電圧はトリガー電圧よりも低く、各アンチヒューズ素子は絶縁状態である。そのため、サーミスタ直列回路の抵抗値は、N個のPTCサーミスタの通常抵抗値の合計に等しい状態で推移する。一方、観測対象の状態が、N個のPTCサーミスタのうちのいずれか1つが非定常高温を検出する異常状態になった場合、そのPTCサーミスタの抵抗値は急上昇して高温抵抗値となる。さらに、非定常高温を検出したPTCサーミスタに並列に接続されたアンチヒューズ素子に印加される電圧がトリガー電圧を超え、そのアンチヒューズ素子は絶縁状態から導通状態へ遷移する。そうすると、非定常高温を検出したPTCサーミスタを含む温度検知部の抵抗値は、その温度検知部に含まれる抵抗素子の抵抗値とほぼ等しくなる。そのため、サーミスタ直列回路の抵抗値は、通常温度を検出するN-1個のPTCサーミスタの通常抵抗値の合計に、非定常高温を検出するPTCサーミスタに並列接続された抵抗素子の抵抗値を加算した値とほぼ等しくなる。即ち、観測対象の状態が、正常状態から異常状態へ変化すると、サーミスタ直列回路の抵抗値は、N個のPTCサーミスタの通常抵抗値の合計に等しい状態から、N-1個のPTCサーミスタの通常抵抗値の合計に、非定常高温を検出するPTCサーミスタに並列接続された抵抗素子の抵抗値を加算した値に等しい状態へ変化する。また、本発明に係る温度異常検知センサにおいて、N個の温度検知部各々の抵抗素子の抵抗値は、PTCサーミスタ各々の最小抵抗値よりも十分に小さい。そのため、観測対象の状態が正常状態から異常状態へ変化した場合、サーミスタ直列回路の抵抗値は、正常状態での変動範囲よりも小さくなる。さらに、N個の温度検知部各々の抵抗素子の抵抗値はそれぞれ異なる。そのため、観測対象の状態が正常状態から異常状態へ変化したときのサーミスタ直列回路の抵抗値の変化の大きさは、非定常高温を検出したPTCサーミスタの位置に応じて異なる。従って、本発明に係る温度異常検知センサが採用されれば、サーミスタ直列回路の抵抗値の変化の大きさに基づいて、複数のPTCサーミスタのいずれにおいて非定常高温温度異常が検出されたかを個別に検知することができる。また、本発明に係る温度異常検知センサにおいて、それぞれPTCサーミスタを含む複数の温度検知部は、電気的に直列に接続されてサーミスタ直列回路を構成する。そのため、サーミスタ直列回路と電力の供給部及び検出信号の入力部との間には、複数の温度検知部に共通の1本の一次側導電体及び一本の二次側導電体が敷設されるだけでよい。即ち、本発明によれば、複数のPTCセンサと電力の供給部及び検出信号の入力部との間に敷設される電線又はバスバーなどの導電体の数を少なくできる。また、サーミスタ直列回路の抵抗値の変化は、両端が一次側導電体と二次側導電体とに電気的に接続された分圧回路による分圧後の電圧の変化を検出することによって容易に検出できる。なお、両端が一次側導電体と二次側導電体とに電気的に接続された分圧回路は、サーミスタ直列回路に対して電気的に並列に接続された分圧回路である。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。本発明の実施形態に係る温度異常検知センサ1は、電気自動車又はハイブリッド自動車などの電動車両に搭載された組電池100を構成する複数のセル電池150各々の温度異常を検知するセンサである。なお、図1において、セル電池150は、仮想線二点鎖線で描かれている。図1に示されるように、温度異常検知センサ1は、サーミスタ直列回路200と、制御部10と、一次側導電体30と、二次側導電体40とを備える。サーミスタ直列回路200は、複数の温度検知部20が電気的に直列に接続された回路である。複数の温度検知部20各々は、セル電池150各々に取り付けられている。また、制御部10は、マイクロコンピュータ11と、定電流電源12と、A/Dコンバータ13と、分圧回路14とを備える。<サーミスタ直列回路>サーミスタ直列回路200を構成する温度検知部20各々は、アンチヒューズ素子22及びこれに対し電気的に直列に接続された抵抗素子23からなるアンチヒューズ回路と、そのアンチヒューズ回路に対し電気的に並列に接続されたPTCサーミスタ21とを備える。以下の説明において、温度検知部20の数をN個とする。従って、PTCサーミスタ21もN個であり、アンチヒューズ素子22の数もN個である。ここで、Nは2以上の整数である。なお、各アンチヒューズ回路を構成する抵抗素子23は、1つもしくは複数の抵抗素子で構成される。PTCサーミスタ21は、キュリー温度以下の通常温度を検出しているときは、その抵抗値が比較的狭い範囲の通常抵抗値で推移する。一方、PTCサーミスタ21は、キュリー温度を超える非通常高温度を検出すると、その抵抗値が急激に上昇するという非線形の抵抗-温度特性を有する。温度異常検知センサ1において、N個のPTCサーミスタ21は、それぞれ同じ特性を有する。即ち、N個のPTCサーミスタ21各々の抵抗-温度特性は同じである。アンチヒューズ素子22は、初期状態が非常に電気的抵抗の大きな絶縁状態である。このアンチヒューズ素子22は、所定のトリガー電圧以上の電圧が印加されると、絶縁破壊が生じ、絶縁状態から非常に電気的抵抗の小さな導通状態へ遷移する。この遷移は、不可逆の遷移である。温度異常検知センサ1において、N個のアンチヒューズ素子22は、それぞれ同じ特性を有する。即ち、N個のアンチヒューズ素子22各々のトリガー電圧は同じである。一方、抵抗素子23各々の抵抗値は、N個の温度検知部20ごとに異なり、かつ、PTCサーミスタ21各々の最小抵抗値よりも小さい。後述するように、温度異常検知センサ1においては、各温度検知部20の抵抗値が、PTCサーミスタ21の通常抵抗値にほぼ等しい状態から、抵抗素子23の抵抗値にほぼ等しい状態へ変化したことを検知する必要がある。そのため、抵抗素子23各々の抵抗値が、PTCサーミスタ21各々の最小抵抗値よりも十分に小さいこと、例えば、1桁程度小さいことが望ましい。温度検知部20各々は、例えば、アンチヒューズ素子22及び抵抗素子23からなるアンチヒューズ回路とPTCサーミスタ21の端子部とを絶縁性の樹脂材料のモールド部材で覆うことなどによって一体化されることが望ましい。この場合、N個の温度検知部20は、絶縁電線又はバスバーなどの導電体によって電気的に直列に接続される。また、組電池100の形状が既知である場合、サーミスタ直列回路200全体が、1つの電子基板に実装されることなどにより、組電池100に取り付け可能な態様で一体化されることも考えられる。<一次側導体及び二次側導体>一次側導電体30及び二次側導電体40は、銅もしくは銅合金、又はアルミニウムなどの金属の芯線を含む絶縁電線、又は同様の金属材料からなるバスバーなどで構成された導電体である。一次側導電体30は、サーミスタ直列回路200の一端と定電流電源12とに電気的に接続されており、定電流電源12から一定電流が供給される。二次側導電体40は、サーミスタ直列回路200の他端と接地部とに電気的に接続されている。<制御部>制御部10における分圧回路14は、電気的に直列に接続された複数の抵抗素子からなる回路であり、それら抵抗素子の接続部が、分圧された電圧の出力端である。分圧回路14全体の抵抗値は、サーミスタ直列回路200の抵抗値よりも十分に大きい。これにより、サーミスタ直列回路200に流れる電流は、サーミスタ直列回路200に流れる電流に対して無視できる程度に小さく抑えられる。また、分圧回路14を構成する複数の抵抗素子の抵抗値の比は、電圧の出力端の電圧が、A/Dコンバータ13の入力電圧として望ましい範囲に収まるように設定される。定電流電源12は、一次側導電体30に対して一定電流を供給する電源である。定電流電源12の電流は、一次側導電体30を通じてサーミスタ直列回路200及び分圧回路14各々に対して供給される。但し、前述したように、分圧回路14の抵抗値が大きいため、定電流電源12の電流は、実質的に、ほぼサーミスタ直列回路200のみに流れるとみなすことができる。マイクロコンピュータ11及びA/Dコンバータ13は、分圧回路14による分圧後の電圧の変化を検出する電圧変化検出部の一例である。より具体的には、A/Dコンバータ13は、予め定められた周期で、分圧回路14による分圧後の電圧のアナログ信号をディジタル信号へ変換する。マイクロコンピュータ11は、A/Dコンバータ13から順次出力されるディジタル信号を、信号入力ポート111を通じて入力する。そして、マイクロコンピュータ11は、分圧回路14による分圧後の電圧のデジタル信号の変化を逐次検出する。さらに、マイクロコンピュータ11は、入力されたデジタル信号が予め定められた変化を示した場合に、N個のPTCサーミスタ21のうちのいずれかが非定常高温を検出したこと、即ち、N個のセル電池150のうちのいずれかに温度異常が発生したと判定する。その際、マイクロコンピュータ11は、入力されたデジタル信号の変化幅に応じて、N個のPTCサーミスタ21のうちのいずれが非定常高温を検出したか、即ち、N個のセル電池150のうちのいずれに温度異常が発生したかを判定する。その詳細については後述する。ところで、定電流電源12の一定電流がサーミスタ直列回路200に供給されているため、一次側導電体30の電圧は、サーミスタ直列回路200の抵抗値に応じて定まる。また、分圧回路14による分圧後の電圧は、一次側導電体30の電圧に応じて定まる。即ち、分圧回路14による分圧後の電圧は、サーミスタ直列回路200の抵抗値に応じて定まる。従って、分圧回路14による分圧後の電圧の変化は、サーミスタ直列回路200の抵抗値の変化に相当する。温度異常検知センサ1において、マイクロコンピュータ11及びA/Dコンバータ13は、分圧回路14による分圧後の電圧の変化を検出することにより、一次側導電体30に一定電流が供給されているときのサーミスタ直列回路200の抵抗値の変化を検出するデバイスである。なお、分圧回路14、A/Dコンバータ13は及びマイクロコンピュータ11は、抵抗変化検出部の一例である。温度異常検知センサ1において、サーミスタ直列回路200は、観測対象である組電池100の位置に配置される。一方、制御部10は、組電池100から離れた位置に配置される。そのため、一次側導電体30及び二次側導電体40は、相互に離れた位置にあるサーミスタ直列回路200と制御部10との間に亘って敷設される。なお、制御部10の位置とサーミスタ直列回路200の位置とにおいて、同じ接地電位を確保することができる場合、二次側導電体40の一端は、サーミスタ直列回路200の位置に存在する接地部に接続されてもよい。この場合、サーミスタ直列回路200と制御部10との間に亘って敷設される導電体は、一次側導電体30のみとなる。<温度異常検知の詳細>以下、温度異常検知センサ1による温度異常検知の詳細について、具体例を示しつつ説明する。説明の簡単化のために、本具体例では、温度異常検知センサ1が3個の温度検知部20を備える場合について考える。また、本具体例では、定電流電源12からサーミスタ直列回路200に供給される電流Ioが1ミリアンペア、各PTCサーミスタ21の通常抵抗値Roが約10キロオーム、3つの抵抗素子23の抵抗値RC1,RC2,RC3が、それぞれ1キロオーム、2キロオーム及び3キロオーム、各アンチヒューズ素子22のトリガー電圧VTが20ボルトであるとする。上記具体例において、組電池100の状態が、3個のPTCサーミスタ21の全てが通常温度を検出する正常状態である場合、各PTCサーミスタ21には、IoとRoとの積に相当する10ボルトの電圧が印加される。この電圧は、各アンチヒューズ素子22のトリガー電圧VTよりも低く、各アンチヒューズ素子22は絶縁状態である。そのため、サーミスタ直列回路200の抵抗値RXは、3個のPTCサーミスタの通常抵抗値の合計に等しい約30キロオームで推移する。一方、組電池100の状態が、3個のPTCサーミスタ21のうちのいずれか1つが非定常高温を検出する異常状態になった場合、そのPTCサーミスタ21の抵抗値は急上昇して高温抵抗値となる。例えば、1つのPTCサーミスタ21の抵抗値が20キロオームを超えた場合、そのPTCサーミスタ21に並列に接続されたアンチヒューズ素子22に印加される電圧は、トリガー電圧VT20ボルトを超える。そのため、そのアンチヒューズ素子22は絶縁状態から導通状態へ遷移する。1つのアンチヒューズ素子22が導通状態へ遷移すると、そのアンチヒューズ素子22を含む温度検知部20の抵抗値は、その温度検知部20に含まれる抵抗素子23の抵抗値とほぼ等しくなる。そのため、サーミスタ直列回路200の抵抗値は、通常温度を検出する2個のPTCサーミスタ21の通常抵抗値Roの合計に、非定常高温を検出するPTCサーミスタ21に並列接続された抵抗素子23の抵抗値RC1又はRC2又はRC3を加算した値とほぼ等しくなる。即ち、組電池100の状態が、正常状態から異常状態へ変化すると、サーミスタ直列回路200の抵抗値は、3個のPTCサーミスタの通常抵抗値の合計に等しい約30キロオームから、2個のPTCサーミスタ21の通常抵抗値の合計である約20キロオームに、非定常高温を検出するPTCサーミスタ21に並列接続された抵抗素子23の抵抗値1キロオーム又は2キロオーム又は3キロオームを加算した値に等しい状態へ変化する。ここで、3個の温度検知部20各々の抵抗素子23の抵抗値RC1,RC2,RC3は、PTCサーミスタ21各々の最小抵抗値よりも十分に小さい。そのため、組電池100の状態が正常状態から異常状態へ変化した場合、サーミスタ直列回路200の抵抗値は、正常状態での約30キロオーム又はそれに近い状態よりも小さくなる。さらに、3個の温度検知部20各々の抵抗素子23の抵抗値RC1,RC2,RC3はそれぞれ異なる。そのため、組電池100の状態が正常状態から異常状態へ変化したときのサーミスタ直列回路200の抵抗値の変化の大きさは、非定常高温を検出したPTCサーミスタ21の位置に応じて異なる。例えば、抵抗値が1キロオームである抵抗素子23に並列接続されたPTCサーミスタ21が異常温度を検出した場合、サーミスタ直列回路200の抵抗値は、約30キロオームから約21キロオームへ変化する。また、抵抗値が2キロオームである抵抗素子23に並列接続されたPTCサーミスタ21が異常温度を検出した場合、サーミスタ直列回路200の抵抗値は、約30キロオームから約22キロオームへ変化する。同様に、抵抗値が3キロオームである抵抗素子23に並列接続されたPTCサーミスタ21が異常温度を検出した場合、サーミスタ直列回路200の抵抗値は、約30キロオームから約23キロオームへ変化する。但し、いずれの場合においても、サーミスタ直列回路200の抵抗値は、約30キロオームから一時的に約40キロオームへ上昇した後に、異常箇所に対応した抵抗値約21キロオーム又は約22キロオーム又は約23キロオームへ変化する。また、分圧回路14の分圧比が0.1である場合、サーミスタ直列回路200の抵抗値が、約30キロオームから約21キロオームへ変化すると、分圧回路14の出力電圧Vxは、約3.0ボルトから0.9ボルト低下する。また、サーミスタ直列回路200の抵抗値が、約30キロオームから約22キロオームへ変化すると、分圧回路14の出力電圧Vxは、約3.0ボルトから約0.8ボルト低下する。同様に、サーミスタ直列回路200の抵抗値が、約30キロオームから約23キロオームへ変化すると、分圧回路14の出力電圧Vxは、約3.0ボルトから約0.7ボルト低下する。従って、温度異常検知センサ1が採用されることにより、サーミスタ直列回路200の抵抗値の変化の大きさ、即ち、分圧回路14の出力電圧Vxの変化の大きさに基づいて、N個のPTCサーミスタ21のいずれにおいて非定常高温温度異常が検出されたかを個別に検知することができる。上記具体例においては、マイクロコンピュータ11は、入力されたデジタル信号が、予め定められたごく短時間のうちに0.65ボルト以上低下した場合に、3個のPTCサーミスタ21のうちのいずれかが非定常高温を検出したこと、即ち、3個のセル電池150のうちのいずれかに温度異常が発生したと判定する。さらに、マイクロコンピュータ11は、入力されたデジタル信号の低下幅が、0.65ボルト以上0.75ボルト未満であるか、0.75ボルト以上0.85ボルト未満であるか、0.85ボルト以上であるかを判定し、その判定結果に基づいて、3個のPTCサーミスタ21のうちのいずれが非定常高温を検出したか、即ち、3個のセル電池150のうちのいずれに温度異常が発生したかを判定する。また、温度異常検知センサ1において、それぞれPTCサーミスタ21を含むN個の温度検知部20は、電気的に直列に接続されてサーミスタ直列回路200を構成する。そのため、サーミスタ直列回路200と電力の制御部10との間には、N個の温度検知部20に共通の1本の一次側導電体30及び一本の二次側導電体40が敷設されるだけでよい。従って、N個のPTCサーミスタ21と、電力の供給部及び検出信号の入力部を含む制御部10との間に敷設される電線又はバスバーなどの導電体の数を少なくできる。また、サーミスタ直列回路200の抵抗値の変化は、両端が一次側導電体30と二次側導電体40とに電気的に接続された分圧回路14による分圧後の電圧の変化を検出することによって容易に検出できる。なお、両端が一次側導電体30と二次側導電体40とに電気的に接続された分圧回路14は、サーミスタ直列回路200に対して電気的に並列に接続された分圧回路である。<その他>図1に示される温度異常検知センサ1において、分圧回路14は、制御部10側に設けられている。しかしながら、分圧回路14は、サーミスタ直列回路200に対して電気的に並列に接続された状態で、観測対象である組電池100側に配置されることも考えられる。この場合、サーミスタ直列回路200と制御部10との間に亘って敷設される導電体は、一次側導電体30及び分圧回路14の出力電圧VxをA/Dコンバータ13へ伝送する導電体である。また、図1に示される温度異常検知センサ1は、サーミスタ直列回路200と、一次側導電体30及び二次側導電体40と、制御部10とを備える。しかしながら、サーミスタ直列回路200のみが、温度異常検知センサ1として提供され、サーミスタ直列回路200の特性に対応した一次側導電体30、二次側導電体40及び制御部10が、別途提供されることも考えられる。同様に、サーミスタ直列回路200と、一次側導電体30及び二次側導電体40とが、温度異常検知センサ1として提供され、サーミスタ直列回路200の特性に対応した制御部10が、別途提供されることも考えられる。また、サーミスタ直列回路200と、一次側導電体30及び二次側導電体40と、分圧回路14とが、温度異常検知センサ1として提供され、定電流電源12、A/Dコンバータ13及びマイクロコンピュータ11が、別途提供されることも考えられる。"