底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層から形成されたピン層スタックと、前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された第1の機能層とを含む、磁気トンネル接合記憶素子。前記第1の機能層が、前記複数の層を通じた高温による材料の拡散から前記ピン層スタックを保護する、請求項1に記載のMTJ記憶素子。前記第1の機能層が、層間の拡散を防止する拡散バリア機能層、結晶の形成を促進する結晶強化機能層、または、隣接層における空き位置を埋めるために補充原子を提供する補充機能層である、請求項1に記載のMTJ記憶素子。前記第1の機能層が配置された前記底部ピン層または前記上部ピン層が、第1および第2の層を含み、前記第1の機能層が、前記第1の層と前記第2の層との間に介在している、請求項1に記載のMTJ記憶素子。前記第1の機能層が配置されている層と対向する前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された第2の機能層をさらに含む、請求項1に記載のMTJ記憶素子。前記第2の機能層が、前記第1の機能層と異なる材料から形成されている、請求項5に記載のMTJ記憶素子。前記第2の機能層が、前記第1の機能層と同じ材料から形成されている、請求項5に記載のMTJ記憶素子。前記第1の機能層と同じ底部ピン層、または、前記第1の機能層と同じ上部ピン層に配置された第2の機能層をさらに含む、請求項1に記載のMTJ記憶素子。前記第1の機能層が、ハフニウム、タンタル、またはルテニウムを含む材料から形成されている、請求項1に記載のMTJ記憶素子。反強磁性層、トンネルバリア層、フリー層、およびまたはキャッピング層をさらに含む、請求項1に記載のMTJ記憶素子。セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択される電子デバイスに組み込まれている、請求項1に記載のMTJ記憶素子。スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリに組み込まれている、請求項1に記載のMTJ記憶素子。前記STTMRAMデバイスが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれている、請求項12に記載のSTTMRAMデバイス。ピン層スタックを形成するために、底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層を堆積させて形成するステップと、前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置される第1の機能層を堆積させて形成するステップとを含む、磁気トンネル接合記憶素子を形成する方法。前記第1の機能層が、前記複数の層を通じた高温による材料の拡散から前記ピン層スタックを保護する、請求項14に記載の方法。前記第1の機能層が、層間の拡散を防止する拡散バリア機能層、結晶の形成を促進する結晶強化機能層、または、隣接層における空き位置を埋めるために補充原子を提供する補充機能層である、請求項14に記載の方法。前記第1の機能層が配置された前記底部ピン層または前記上部ピン層が、第1および第2の層を含み、前記第1の機能層が、前記第1の層と前記第2の層との間に介在している、請求項14に記載の方法。前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置される第2の機能層を堆積させて形成するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。前記第1の機能層が、ハフニウム、タンタル、またはルテニウムを含む材料から形成されている、請求項14に記載の方法。反強磁性層、トンネルバリア層、フリー層、およびまたはキャッピング層を堆積させて形成するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層から形成されたピン層スタックと、前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された、前記ピン層スタックを保護するための第1の手段とを含む、磁気トンネル接合記憶素子。前記第1の手段が、前記複数の層を通じた高温による材料の拡散から前記ピン層スタックを保護する、請求項21に記載のMTJ記憶素子。前記第1の手段が、層間の拡散を防止するための拡散バリア手段、結晶の形成を促進するための結晶強化手段、または、隣接層における空き位置を埋めるために補充原子を提供するための補充手段を含む、請求項21に記載のMTJ記憶素子。第1の機能層が配置された前記底部ピン層または前記上部ピン層が、第1および第2の層を含み、前記第1の機能層が、前記第1の層と前記第2の層との間に介在している、請求項21に記載のMTJ記憶素子。前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された、前記ピン層スタックを保護するための第2の手段をさらに含む、請求項21に記載のMTJ記憶素子。反強磁性層、トンネルバリア層、フリー層、およびまたはキャッピング層をさらに含む、請求項21に記載のMTJ記憶素子。セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択される電子デバイスに組み込まれている、請求項21に記載のMTJ記憶素子。スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリに組み込まれている、請求項21に記載のMTJ記憶素子。前記STTMRAMデバイスが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれている、請求項28に記載のSTTMRAMデバイス。ピン層スタックを形成するために、底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層を堆積させて形成するためのステップと、前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置される第1の機能層を堆積させて形成するためのステップとを含む、磁気トンネル接合記憶素子を形成する方法。前記第1の機能層が、前記複数の層を通じた高温による材料の拡散から前記ピン層スタックを保護する、請求項30に記載の方法。前記第1の機能層が、層間の拡散を防止する拡散バリア機能層、結晶の形成を促進する結晶強化機能層、または、隣接層における空き位置を埋めるために補充原子を提供する補充機能層である、請求項30に記載の方法。前記第1の機能層が配置された前記底部ピン層または前記上部ピン層が、第1および第2の層を含み、前記第1の機能層が、前記第1の層と前記第2の層との間に介在している、請求項30に記載の方法。前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置される第2の機能層を堆積させて形成するためのステップをさらに含む、請求項30に記載の方法。前記第1の機能層が、ハフニウム、タンタル、またはルテニウムを含む材料から形成されている、請求項30に記載の方法。反強磁性層、トンネルバリア層、フリー層、およびまたはキャッピング層を堆積させて形成するためのステップをさらに含む、請求項30に記載の方法。本発明の例示的実施形態は、スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリセルで使用可能な磁気トンネル接合記憶素子における、改良されたピン層スタックのためのシステムおよび方法に関する。一実施形態では、MTJ記憶素子は、ピン層スタックおよび第1の機能層を含む。ピン層スタックは、底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層から形成されている。第1の機能層は、底部ピン層または上部ピン層に配置されている。別の実施形態では、MTJ記憶素子を形成する方法は、ピン層スタックを形成するために、底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層を堆積させて形成するステップと、底部ピン層または上部ピン層に配置される第1の機能層を堆積させて形成するステップとを含む。別の実施形態では、MTJ記憶素子は、ピン層スタックと、ピン層スタックを保護するための第1の手段とを含む。ピン層スタックは、底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層から形成されている。第1の手段は、底部ピン層または上部ピン層に配置されている。別の実施形態では、MTJ記憶素子を形成する方法は、ピン層スタックを形成するために、底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層を堆積させて形成するためのステップと、底部ピン層または上部ピン層に配置される第1の機能層を堆積させて形成するためのステップとを含む。添付図面は、本発明の実施形態に関する説明において助けとなるように与えられており、本発明の限定ではなく、実施形態の例示のみのために提供されている。本発明の態様は、本発明における特定の実施形態に関する以下の説明および関連図面において開示される。代替実施形態は、本発明の範囲から逸脱することなく考案され得る。さらに、本発明における周知の要素は、本発明に関連する細部を不明瞭にすることのないように、詳細には説明されないか、または省略されることになる。例示的という語は、本明細書では例、具体例、または実例として役立つことを意味するように用いられている。例示的として本明細書で説明される任意の実施形態は、他の実施形態に比べて好ましい実施形態または有利な実施形態であると解釈されることには必ずしもならない。同様に、本発明の実施形態という用語は、本発明におけるすべての実施形態が、説明された特徴、利点、または動作モードを含むことを要しない。本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態のみを説明するためのものであり、本発明における実施形態の限定となるようには考えられていない。本明細書で用いられる場合、単数形であるa、anおよびtheは、文脈によってそうでないと明確に示されない限り、複数形も含むように考えられている。さらに、備える、備えている、含む、およびまたは、含んでいるという用語は、本明細書で用いられる場合、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、およびまたは、コンポーネントの存在を指定するが、1つもしくは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、コンポーネント、およびまたは、これらの群の存在または追加を排除しないことが理解されよう。従来の方法では、日常的な高温のバックエンド製造プロセスによって、ある層からの材料が1つまたは複数の他の層に拡散し得ることが望ましくない点が、開示される実施形態において認識されている。このような材料の拡散は、所与の層スタックにおける反強磁性結合を阻害もしくは破壊すること、2つの所与の層の間における交換結合を弱めること、層間の境界を傷つけること、MTJの磁気抵抗が下がること、または、状態を切り替えるMTJの能力までも妨げることなどの、スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリセルで使用可能な磁気トンネル接合記憶素子における複数の有害な結果につながる。したがって、MTJセルのピン層スタックの中に1つまたは複数の機能層を挿入することによって、MTJセルにおける様々な拡散関連の問題を防止およびまたは修復するための技術が本明細書で提示される。すなわち、機能層は、複数の層を通じた高温による材料の拡散からピン層スタックを保護する。挿入される機能層は、ピン層スタックの高さ全体に比べると、通常は比較的薄く、ナノメートルのオーダー程度である。開示される技術の様々な特徴および利点は、以下の説明からさらに容易に明白となろう。図3は、例示的実施形態による、ピン層スタックの底部ピン層に配置された機能層を含むMTJセル300を示す。MTJセル300は、底面電極202の上に形成された反強磁性層204と、AF層204の上部に形成されたピン層スタック320とを含む。ピン層スタック320は、固定された磁気分極の状態でピン止めされている。図3の設計では、ピン層スタック320は、第1の底部ピン層206aと、第2の底部ピン層206bとを含み、これらの底部ピン層は、機能層340によって介在されている。ピン層スタック320は、結合層208と、上部ピン層210とをさらに含む。MTJセル300は、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216をさらに含む。以下でより詳細に説明されるように、ピン層スタックの底部ピン層の中における機能層の挿入は、底部ピン層を通じた不要材料の拡散を防止または阻止するために利用することができる。例えば、図3の機能層340は、AF層204からのMn原子などの拡散と、結合層208からのRu原子などの拡散とを防止または阻止することができる。また、ピン層スタックの底部ピン層の中における機能層の挿入は、不要材料の拡散によって阻害または損傷される結合層の結晶体を強化するために利用することもできる。例えば、図3の機能層340は、結合層208におけるRu結晶体などを強化することができ、それによって反強磁性結合の強度が改善される。また、ピン層スタックの底部ピン層の中における機能層の挿入は、アモルファス面を提供することによってピン層の界面を滑らかにするために利用することもできる。例えば、機能層340は、第2の底部ピン層206bと結合層208との間の界面を滑らかにするのに役立つことができ、それによって、改善された温度安定性などがもたらされる。図4は、例示的実施形態による、ピン層スタックの上部ピン層に配置された機能層を含むMTJセル400を示す。MTJセル400は、底面電極202の上に形成されたAF層204と、AF層204の上部に形成されたピン層スタック420とを含む。ピン層スタック420は、固定された磁気分極の状態でピン止めされている。ピン層スタック420は、底部ピン層206と、結合層208とを含む。図4の設計では、ピン層スタック420は、第1の上部ピン層210aと、第2の上部ピン層210bとをさらに含み、これらの上部ピン層は、機能層460によって介在されている。MTJセル400は、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216をさらに含む。以下でより詳細に説明されるように、ピン層スタックの上部ピン層の中における機能層の挿入は、上部ピン層を通じた不要材料の拡散を防止または阻止するために利用することができる。例えば、機能層460は、結合層208からのRu原子などの拡散を防止または阻止することができる。また、ピン層スタックの上部ピン層の中における機能層の挿入は、不要材料の拡散によって阻害または損傷されるトンネルバリアの結晶体を強化するために利用することもできる。例えば、機能層460は、トンネルバリア212におけるMgO結晶体などを強化することができ、それによって、磁気抵抗が増加し、1つまたは複数のアニーリングプロセスに要求される温度が下がる。また、ピン層スタックの上部ピン層の中における機能層の挿入は、アモルファス面を提供することによってピン層の界面を滑らかにするために利用することもできる。例えば、機能層460は、第1の上部ピン層210bと結合層208との間の界面を滑らかにすることができ、それによって、改善された温度安定性などがもたらされる。いくつかの設計では、機能層は、ピン層スタックにおける底部ピン層と上部ピン層との両方の中に配置されてもよい。機能層におけるこのような組合せは、図3および図4に関して上記で説明された個々の利点を共に実現するために用いることができる。図5は、例示的実施形態による、ピン層スタックの底部ピン層に配置された機能層と、ピン層スタックの上部ピン層に配置された機能層との両方を含むMTJセル500を示す。MTJセル500は、底面電極202の上に形成されたAF層204と、AF層204の上部に形成されたピン層スタック520とを含む。ピン層スタック520は、固定された磁気分極の状態でピン止めされている。図5の設計では、ピン層スタック520は、第1の底部ピン層206aと、第2の底部ピン層206bとを含み、これらの底部ピン層は、第1の機能層540によって介在されている。また、ピン層スタック520は、結合層208を含む。さらに、ピン層スタック520は、第1の上部ピン層210aと、第2の上部ピン層210bとを含み、これらの上部ピン層は、第2の機能層560によって介在されている。さらに、MTJセル500は、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216を含む。ピン層スタックの底部ピン層およびまたは上部ピン層の中に機能層を挿入することによって実現される特定の利点は、用いられる機能層の種類に依存する。様々な利点を提供する様々な種類の機能層は、各機能層を形成するための適切な材料、または、材料の組成を選択することによって実現可能である。例えば、機能層は、タンタル、チタン、クロム、ルテニウム、ハフニウム、プラチナ、酸化ハフニウム、酸化コバルト鉄、コバルト鉄タンタル合金、酸化コバルト鉄タンタル、コバルト鉄ホウ素タンタル合金、コバルトクロム合金、コバルトルテニウム合金、コバルトクロムルテニウム合金、コバルトクロムタンタル合金、酸化コバルトクロムタンタル、Hfの磁性合金、Hfの非磁性合金、または、所望の効果に応じた当技術分野で知られている他の材料を含む材料で形成されてもよい。図6は、例示的実施形態による拡散バリア機能層を含むMTJセル600を示す。図示されているように、MTJセル600は、底面電極202、AF層204、第1の底部ピン層206a、第1の拡散バリア機能層640、第2の底部ピン層206b、結合層208、第1の上部ピン層210a、第2の拡散バリア機能層660、第2の上部ピン層210b、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216を含む。第1および第2の底部ピン層206a、206b、第1および第2の上部ピン層210a、210b、第1および第2の拡散バリア機能層640、660、ならびに結合層208は、ピン層スタック620を形成している。一方が第1および第2の底部ピン層206a、206bの間に介在しており、また一方が第1および第2の上部ピン層210a、210bの間に介在している2つの拡散バリア機能層640、660は、例示目的のために示されている。しかし、機能層の他の種類と構成が可能であることが、上記の説明を鑑みて理解されよう。各拡散バリア機能層640、660は、酸化コバルト鉄、酸化ハフニウム、Hfを含む磁性合金、Hfを含む非磁性合金、または、当技術分野で知られている任意の他の拡散バリア材料などから形成されてもよい。これらの拡散バリア機能層640、660は、PtMnのAF層204におけるMn原子、または、Ruの結合層208におけるRu原子をトラップすることなどによって、不要材料の拡散を防止または阻止するために用いることができる。図7は、例示的実施形態による結晶強化機能層を含むMTJセル700を示す。図示されているように、MTJセル700は、底面電極202、AF層204、第1の底部ピン層206a、第1の結晶強化機能層740、第2の底部ピン層206b、結合層208、第1の上部ピン層210a、第2の結晶強化機能層760、第2の上部ピン層210b、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216を含む。第1および第2の底部ピン層206a、206b、第1および第2の上部ピン層210a、210b、第1および第2の結晶強化機能層740、760、ならびに結合層208は、ピン層スタック720を形成している。一方が第1および第2の底部ピン層206a、206bの間に介在しており、また一方が第1および第2の上部ピン層210a、210bの間に介在している2つの結晶強化機能層740、760は、例示目的のために示されている。しかし、機能層の他の種類と構成が可能であることが、上記の説明を鑑みて理解されよう。各結晶強化機能層740、760は、Ta、または、当技術分野で知られている任意の他の結晶強化材料などから形成されてもよい。一般に、磁性材料および非磁性材料の両方を含む任意の体心立方材料、またはそれらの組合せを用いることができる。これらの結晶強化機能層740、760は、結合層208におけるRu原子の結晶体を強化することによって、ピン層スタック720におけるRudermanKittelKasuyaYosida結合の強度を増すために用いることができる。また、結晶強化機能層740、760は、トンネルバリア層212におけるMgOの結晶体を強化することによって、必要とされるアニーリング温度を下げるために用いることもできる。また、結晶強化機能層740、760は、結合層208におけるRu原子の結晶体を強化することによって、第1の上部ピン層210aと第2の底部ピン層206bとの間の界面を滑らかにするために用いることもでき、それによって、改善された温度安定性がもたらされる。図8は、例示的実施形態による補充機能層を含むMTJセル800を示す。図示されているように、MTJセル800は、底面電極202、AF層204、第1の底部ピン層206a、第1の補充機能層840、第2の底部ピン層206b、結合層208、第1の上部ピン層210a、第2の補充機能層860、第2の上部ピン層210b、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216を含む。第1および第2の底部ピン層206a、206b、第1および第2の上部ピン層210a、210b、第1および第2の補充機能層840、860、ならびに結合層208は、ピン層スタック820を形成している。一方が第1および第2の底部ピン層206a、206bの間に介在しており、また一方が第1および第2の上部ピン層210a、210bの間に介在している2つの補充機能層840、860は、例示目的のために示されている。しかし、機能層の他の構成が可能であることが、上記の説明を鑑みて理解されよう。各補充機能層840、860は、Ru、または、Ru合金、または、当技術分野で知られている任意の他の補充材料などから形成されてもよい。補充機能層840、860における補充原子は、例えば、第1および第2の底部ピン層206a、206b、ならびに、第1および第2の上部ピン層210a、210bなどの隣接層における空き部分を占有することによって、結合層208におけるRu原子の拡散、または、PtMnのAF層204におけるMn原子の拡散を防ぐことができる。図6~図8を参照して上記で説明された様々な種類の機能層を挿入することによって実現される特定の利点は、2つ以上の機能層を共に用いることによって組み合わせられてもよい。図9は、例示的実施形態による、ピン層スタックの底部ピン層に配置された2つの機能層と、ピン層スタックの上部ピン層に配置された2つの機能層とを含むMTJセル900を示す。上記の設計と同様に、MTJセル900は、底面電極202、AF層204、ピン層スタック920、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216を含む。しかし、図9の設計では、ピン層スタック920は、第1の底部機能層940aおよび第2の底部機能層940bによって介在されている第1の底部ピン層206aならびに第2の底部ピン層206bを含む。また、ピン層スタック920は、結合層208を含む。さらに、ピン層スタック920は、第1の上部機能層960aおよび第2の上部機能層960bによって介在されている第1の上部ピン層210aならびに第2の上部ピン層210bを含む。図9では、第1の底部機能層940aは、拡散バリア機能層として示されており、第2の底部機能層940bは、補充機能層として示されており、第1の上部機能層960aは、補充機能層として示されており、第2の上部機能層960bは、結晶強化機能層として示されている。図示されている機能層における特定の種類、順序、および数は、例示目的だけのためのものである。機能層における任意の組合せ、順序、または数が可能であることが理解されよう。図10は、例示的実施形態による、ピン層スタックの底部ピン層に配置された2つの機能層と、ピン層スタックの上部ピン層に配置された2つの機能層とを含む別のMTJセル1000を示す。図10の設計は、図示されているように、機能層の2つのペアが、さらなる底部ピン層または上部ピン層によって分離されている点を除いては、図9の設計と同様である。特に、MTJセル1000は、底面電極202、AF層204、ピン層スタック1020、トンネルバリア層212、フリー層214、およびキャッピングハードマスク層216を含む。ピン層スタック1020は、第1の底部ピン層206a、第2の底部ピン層206b、および第3の底部ピン層206cを含む。第1および第2の底部ピン層206a、206bは、第1の底部機能層1040aによって介在されており、第2および第3の底部ピン層206b、206cは、第2の底部機能層1040bによって介在されている。また、ピン層スタック1020は、結合層208を含む。さらに、ピン層スタック1020は、第1の上部ピン層210a、第2の上部ピン層210b、および第3の上部ピン層210cを含む。第1および第2の上部ピン層210a、210bは、第1の上部機能層1060aによって介在されており、第2および第3の上部ピン層210b、210cは、第2の上部機能層1060bによって介在されている。図9の設計と同様に、図10では、第1の底部機能層1040aは、拡散バリア機能層として示されており、第2の底部機能層1040bは、補充機能層として示されており、第1の上部機能層1060aは、補充機能層として示されており、第2の上部機能層1060bは、結晶強化機能層として示されている。ここでも同様に、図示されている機能層における特定の種類、順序、および数は、例示目的だけのためのものであり、機能層における任意の組合せ、順序、または数が可能であることが理解されよう。図11は、例示的実施形態に従ってMTJセルを形成する方法を示す。図11に例示されている方法は、特に図10のMTJセル1000を形成するように示されているが、これは、この方法が最も複雑な方法であるためである。本明細書で開示された残りの設計が、説明されるステップのうちの1つまたは複数を省くことによって同様に形成され得ることが理解されよう。まず、底面電極202の上にAF層204が堆積して形成される。次いで、処理は、ピン層スタック1020の形成に進む。AF層204の上に第1の底部ピン層206aが堆積して形成される。第1の底部ピン層206aの上に第1の底部機能層1040aが堆積して形成される。第1の底部機能層1040aの上に第2の底部ピン層206bが堆積して形成される。第2の底部ピン層206bの上に第2の底部機能層1040bが堆積して形成される。第2の底部機能層1040bの上に第3の底部ピン層206cが堆積して形成される。第3の底部ピン層206cの上に結合層208が堆積して形成される。結合層208の上に第1の上部ピン層210aが堆積して形成される。第1の上部ピン層210aの上に第1の上部機能層1060aが堆積して形成される。第1の上部機能層1060aの上に第2の上部ピン層210bが堆積して形成される。第2の上部ピン層210bの上に第2の上部機能層1060bが堆積して形成される。第2の上部機能層1060bの上に第3の上部ピン層210cが堆積して形成される。第3の上部ピン層210cの上にトンネルバリア層212が堆積して形成される。第3の上部ピン層210cの上にフリー層214が堆積して形成される。フリー層214の上にキャッピングハードマスク層216が形成される。上記で説明されているように、機能層における特定の種類、順序、および数は、望まれるように選択されてもよい。さらに、いくつかの設計では、図示されている層の間に他の介在層が堆積して形成されてもよいことが理解されよう。それぞれの層を堆積させて形成するステップには、エッチング、化学機械研磨、磁気アニーリングなどの1つまたは複数の周知の処理ステップが含まれ得る。本明細書で説明されたMTJ記憶素子を含む記憶デバイスは、携帯電話、ポータブルコンピュータ、携帯型のパーソナル通信システムユニット、携帯情報端末などの携帯型のデータユニット、GPS対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読み取り装置などの固定位置データユニット、データもしくはコンピュータ命令の記憶または取り出しを行う任意の他のデバイス、またはこれらの任意の組合せの中に含まれ得ることが理解されよう。したがって、本開示の実施形態は、本明細書で開示されたMTJ記憶素子を有するメモリを含む、能動的な集積回路を含む任意のデバイスにおいて好適に利用することができる。開示された上記のデバイスおよび方法は、コンピュータ可読媒体に記憶されるGDSIIおよびGERBERコンピュータファイルとなるように、設計され構成され得る。次にこれらのファイルは、これらのファイルに基づいてデバイスを製造するファブリケーションハンドラに提供される。結果として得られる製品は半導体ウェーハであり、このウェーハは次に、半導体ダイに切断され、半導体チップにパッケージングされる。このチップは、上記のデバイスの中で利用される。したがって、実施形態は、プロセッサによって実行されると、プロセッサおよび任意の他の共に動作する素子を、本明細書で説明された機能を命令で与えられたように実行するための機械に変換する命令を具現化する、機械可読媒体またはコンピュータ可読媒体を含み得る。上記の開示は例示的な実施形態を示すが、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書において様々な変更および改変がなされ得ることに留意されたい。本明細書で説明された実施形態による方法クレームにおける機能、ステップおよびまたは動作は、特定の順序で実行される必要はない。さらに、実施形態における要素は、単数形で説明されるか、または特許請求されている場合があるが、単数形への限定が明示的に述べられていない限り、複数形が考えられている。