半導体チップを接続する面の最外層の電極と半導体チップを接続しない面の最外層の電極が形成された段階のフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法であって、少なくとも前記フリップチップパッケージ用基板の半導体チップとの接続を行う面に金属層を形成する工程と、電気検査工程とからなり、前記電気検査工程は、前記金属層の任意の位置にプローブを当て、同時に半導体チップを接続しない面の電極にプローブを当てて導通検査を実施することを特徴とするフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法。請求項1に記載の電気検査を実施した後、フリップチップパッケージ用基板の半導体チップとの接続を行う面に形成した金属層を除去する工程と、半導体チップとの接続を行う面に半導体チップ接続用バンプ電極を形成する工程と、電気検査工程とからなり、前記電気検査工程は、半導体チップを接続しない面の電極にプローブを当てて絶縁検査を実施することを特徴とするフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法。本発明は以上のような背景を鑑みてなされたものであり、微細化したパッケージ基板の電気検査において微細なプローブを使用せず、コスト低減が可能な電気検査方法及び製造方法の提供を課題とする。上記の課題を解決するための手段として、請求項1の発明は、半導体チップを接続する面の最外層の電極と半導体チップを接続しない面の最外層の電極が形成された段階のフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法であって、少なくとも前記フリップチップパッケージ用基板の半導体チップとの接続を行う面に金属層を形成する工程と、電気検査工程とからなり、前記電気検査工程は、前記金属層の任意の位置にプローブを当て、同時に半導体チップを接続しない面の電極にプローブを当てて導通検査を実施することを特徴とするフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法である。また請求項2の発明は、請求項1に記載の電気検査を実施した後、フリップチップパッケージ用基板の半導体チップとの接続を行う面に形成した金属層を除去する工程と、半導体チップとの接続を行う面に半導体チップ接続用バンプ電極を形成する工程と、電気検査工程とからなり、前記電気検査工程は、半導体チップを接続しない面の電極にプローブを当てて絶縁検査を実施することを特徴とするフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法である。本発明によれば、フリップチップパッケージ用基板において、最外層の電極群を露出させ、半導体チップとの接続を行う面に金属層を形成し前記電極群をショートさせ、前記金属層にプローブを当て、同時に半導体チップと接続しない面の電極群にもプローブを当てて表裏の導通検査を行う。そのため半導体チップとの接続面に使用するプローブは微細なバンプに接触させる必要がないため安価な太いプローブを使用することができ、さらに半導体チップとの接続面の電極は金属層によって全てショートしているためプローブの本数も1本で良いため、検査コストの大幅な削減となる。また本発明によれば4端子導通検査を行う場合においても微細なバンプにプローブを2本同時に接触させる必要がないため、安定した検査が実施できる。さらに本発明によれば、前記導通検査を行った後に前記金属層を除去し、半導体チップと接続しない面の電極にプローブを当てることで絶縁検査を行うため、微細なプローブを必要とせず絶縁検査を実施できる。図4から図6に本発明の実施形態の例を示す。図4はパッケージ基板3に最外層のはんだレジスト10を形成後、はんだレジスト開口18及び19を形成し電極5及び電極17を露出させ、半導体チップ1との接続を行う面に金属層16を形成し、おのおのの電極17をショートさせた状態である。これに導通検査を行うためプローブ8を電極5及び金属層16に接触させている。プローブ8は微細プローブ用電気検査治具6及び電気検査治具9に固定され、図示しない検査装置に接続される。従来技術では半導体チップ接続面には電極17上に図2で示すような半導体チップ接続用バンプ電極2を形成後、図3で示すような微細プローブ7を用いてそれぞれの被検査バンプに接触させた上で導通検査を行う必要があったが、本発明によれば半導体チップ接続面のプローブは微細なバンプに接触させる必要がないため安価な太いプローブを使用することができ、さらにプローブは1本あれば導通検査が可能であるため検査コストの大幅な削減が可能になる。図5は本発明で4端子導通検査を行う場合の実施形態の例である。図5はパッケージ基板3に最外層のはんだレジスト10を形成後、はんだレジスト開口18及び19を形成し、電極5及び17を露出させ、半導体チップとの接続を行う面に金属層16を形成しおのおのの電極17をショートさせた状態である。これに4端子導通検査を行うためプローブ8を電極5及び金属層16に接触させている。プローブ8は微細プローブ用電気検査治具6及び電気検査治具9に固定されている。従来技術では電極17上に図2で示すような半導体チップ接続用バンプ電極2を形成し、微細プローブを用いてそれぞれの被検査バンプに2本のプローブを接触させた上で4端子導通検査を行う必要があったが、本発明によれば微細なバンプにプローブを接触させる必要がないため安定して4端子導通検査を行うことができる。図6は本発明で絶縁検査を行う場合の実施形態の例である。図6は図4または図5で示す導通検査の後、金属層16を除去し、電極バンプ21を形成した状態である。これに絶縁検査を行うためプローブ8を電極5に接触させている。これによって絶縁検査においても微細なプローブを使用せずに実施できる。<実施例1>本発明の第1の実施例を図7を用いて説明する。図7aはパッケージ基板に最外層のはんだレジスト10を形成した状態を示す。パッケージ基板は、FR-4などのガラスエポキシ材料からなるコア層15に、エポキシ樹脂などからなる絶縁層11を積層して形成される。各層の配線は銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの工法を使用し電極5、17及び配線13が形成される。電極17が半導体チップ接続面、電極5が半導体チップ非接続面の電極となる。各配線層間の接続のためにドリル加工またはレーザー加工により貫通スルーホール14及びビア12が形成され、銅めっきにより層間の導通がなされる。図7bははんだレジスト10にはんだレジスト開口18、19を明け、電極を露出した状態を示す。はんだレジストへの開口はレーザー加工またはフォトリソグラフィを用いることができる。図7cはパッケージ基板の表裏両面に金属層16を形成した状態を示す。金属層16は銅の無電解めっきなどにより形成することができる。図7dは半導体チップ接続面にレジスト20を形成した状態を示す。レジスト20は図7eで示すエッチング工程に耐えるものであれば良く、サブトラクティブ法用フォトレジストなどが使用できる。このとき半導体チップ非接続面にはレジストを形成しない。従ってレジスト20の形成にロールラミネータ等を使用する場合は、半導体チップ非接続面は、レジストが塗布されたり付着するのを防ぐため、PETフィルム等で保護する必要がある。図7eは半導体チップ非接続面の金属層16を除去した状態を示す。金属層16はエッチングにより除去する。例えば金属層16が銅である場合は塩化第二鉄溶液または硫酸-過酸化水素水混合液などが使用できる。図7fはレジスト20を剥離した状態を示す。レジストの剥離は使用するレジストに適合した剥離液を用いる。例えばサブトラクティブ法に用いるフォトレジストの場合、水酸化ナトリウム水溶液などを用いることができる。図7gは導通検査のためにパッケージ基板にプローブを接触させた状態を示す。半導体チップ搭載面は金属層16によりおのおのの電極17がショートしているためプローブ8は金属層16上に1箇所接触させれば良く、また微細なバンプ電極に接触させる必要がないため安価な太いプローブを用いることができる。半導体チップ非搭載面はおおのおのの電極5に対しそれぞれプローブを接触させる必要があるが半導体チップ搭載面の電極に対し大面積でピッチも広いため安価な太いプローブで検査が可能である。図7hは4端子導通検査のためにパッケージ基板にプローブを接触させた状態を示す。半導体チップ搭載面は金属層16によりおのおのの電極17がショートしているためプローブ8は金属層16上に2本1組接触させれば良く、また微細なバンプ電極に接触させる必要がないため安価な太いプローブを用いることができる。半導体チップ非搭載面はおのおのの電極5に対しそれぞれプローブを2本接触させる必要があるが半導体チップ搭載面の電極に対し大面積でピッチも広いため安価な太いプローブで検査が可能である。なお図7gで示す導通検査と図7hで示す4端子導通検査は必ずしも両方実施する必要はなく必要に応じどちらか一方を選択しても良い。図7iは半導体チップ接続面の金属層16を除去した状態を示す。金属層16はエッチングにより除去する。例えば金属層が銅である場合は塩化第二鉄溶液または硫酸-過酸化水素水混合液などの銅のエッチング液が好適に使用できる。図7jは金属バンプ21を形成した後、絶縁検査のためにプローブ8を電極5に接触させた状態を示す。金属バンプ21は、例えばはんだペースト印刷などの工法で形成することができる。絶縁検査は半導体チップ非搭載面の電極にのみプローブを接触させればよいため、微細なプローブは必要としない。なお上記の例では、導通検査及び4端子導通検査を図7fで示す工程の次に行う場合を示したが、必ずしもこの順番で行う必要はなく、検査の目的が達成できるのであればこれに限定するものではない。例えば図7eで示す工程の次に行っても良い。また絶縁検査についても上記の例では金属バンプ21の形成後に行う場合を示したが、必ずしもこの順番で行う必要はなく、例えば図7iで示す工程の直後、金属バンプ21の形成前に行っても良い。<実施例2>本発明の第2の実施例を図8を用いて説明する。図8a及び図8bは図7a及び図7bと同じ状態を示す。図8cはパッケージ基板の半導体チップ非搭載面にレジスト20を形成した状態を示す。レジスト20はアディティブ工法用のフォトレジストが使用できる。このとき半導体チップ接続面にはレジストを形成しない。従ってレジスト20の形成にロールラミネータ等を使用する場合は、半導体チップ接続面はPETフィルム等で保護する必要がある。図8dは両面に金属層16を形成した状態を示す。金属層は銅の無電解めっきや真空蒸着、スパッタリングなどの方法により形成できる。また導電性インキを塗布したり、導電性ジェルを使用することも可能である。図8eは半導体チップ搭載面にレジスト20を形成した状態を示す。レジスト20はアディティブ工法用のフォトレジストが使用できる。図8fは半導体チップ非搭載面の金属層16を除去した状態を示す。金属層16はエッチングにより除去する。例えば金属層が銅である場合は塩化第二鉄溶液または硫酸-過酸化水素水混合液などが使用できる。図8gは半導体チップ搭載面の電極に金属バンプを形成するため、レジスト20にパターニングを施した状態を示す。レジスト20のパターニングはフォトリソ法を用いることができる。図8hは半導体チップ搭載面の電極上に金属バンプ22を形成した状態を示す。金属バンプ22は電解銅めっきなどで形成できる。電解めっきを用いる場合は金属層16を給電層として利用することができる。図8iはレジスト20を除去した状態を示す。図8jは導通検査のためにパッケージ基板にプローブを接触させた状態を示す。半導体チップ搭載面は金属層16によりおのおのの金属バンプ22がショートしているためプローブ8は金属層16上に1箇所接触させれば良く、また微細なバンプ電極に接触させる必要がないため安価な太いプローブを用いることができる。半導体チップ非搭載面はおのおのの電極5に対しそれぞれプローブを接触させる必要があるが半導体チップ搭載面の電極に対し大面積でピッチも広いため安価な太いプローブで検査が可能である。図8kは4端子導通検査のためにパッケージ基板にプローブ8を接触させた状態を示す。半導体チップ搭載面は金属層16によりおのおのの金属バンプ22がショートしているためプローブ8は金属層16上に2本1組接触させれば良く、また微細なバンプ電極に接触させる必要がないため安価な太いプローブを用いることができ、接触も安定する。半導体チップ非搭載面はおのおのの電極5に対しそれぞれプローブを2本接触させる必要があるが、半導体チップ搭載面の電極に対し大面積でピッチも広いため安価な太いプローブで検査が可能である。なお図8jで示す導通検査と図8kで示す4端子導通検査は必ずしも両方実施する必要はなく、必要に応じどちらか一方を選択しても良い。図8lは半導体チップ接続面の金属層16を除去した状態を示す。金属層16はエッチングにより除去する。例えば金属層が銅である場合は塩化第二鉄溶液または硫酸-過酸化水素水混合液などが使用できる。図8mは絶縁検査のためにプローブ8を電極5に接触させた状態を示す。絶縁検査は半導体チップ非搭載面の電極5にのみプローブを接触させればよいため、微細なプローブは必要としない。