受光基板と、前記受光基板上に形成された第1機能層と、前記受光基板の少なくとも2つのエッジに形成され、前記第1機能層と電気的に連結された第1バス電極と、第2機能層を持つ相対基板と、前記相対基板の少なくとも2つのエッジに形成され、前記第2機能層と電気的に連結された第2バス電極と、前記第1機能層と前記第2機能層との間に配された電解質層と、前記第2バス電極と電気的に連結された第1接続ラインと、前記第1バス電極と電気的に連結された第2接続ラインと、を備える光電変換モジュール。前記第1機能層は受光基板上に形成された光電極と、前記光電極上に形成された半導体層と、を含む請求項1に記載の光電変換モジュール。感光性染料が半導体層内に吸着された請求項2に記載の光電変換モジュール。前記光電極は、前記受光基板上に形成された第1透明導電膜と、前記第1透明導電膜上に形成された第1グリッドと、を含む請求項2または3に記載の光電変換モジュール。前記第1バス電極の側壁は前記第1グリッドの端部に電気的に連結され、前記第1グリッドは、メッシュ状、ストライプ状、ドット状パターンのうちいずれか一つである請求項4に記載の光電変換モジュール。第1保護層が前記第1グリッドの少なくとも一部分上に形成された請求項4または5に記載の光電変換モジュール。前記第2機能層は、相対基板上に形成された相対電極と、前記相対電極上に形成された触媒層と、を含む請求項1~6のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。前記相対電極は、前記相対基板上に形成された第2透明導電膜と、前記第2透明導電膜上に形成された第2グリッドと、を含む請求項7に記載の光電変換モジュール。前記第2バス電極の側壁は、前記第2グリッドの端部に電気的に連結された請求項8に記載の光電変換モジュール。第2保護層は前記第2グリッドの少なくとも一部分上に形成され、前記第2グリッドはメッシュ状パターンである請求項8または9に記載の光電変換モジュール。前記触媒層は、前記第2透明導電膜と前記第2グリッドとの間に配された請求項8に記載の光電変換モジュール。前記第1接続ラインは、前記受光基板の第1領域上に配された請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1領域は前記受光基板上に形成された一部分と対応し、前記第1接続ラインは、前記第1バス電極と電気的に連結されないように前記受光基板の第1領域上に配された請求項12に記載の光電変換モジュール。前記第1領域は、前記受光基板を一部切開して形成された空間と対応し、前記第1接続ラインは、前記第1バス電極と電気的に連結されないように前記受光基板の第1領域上に配された請求項12に記載の光電変換モジュール。前記第2接続ラインは、前記相対基板の第2領域上に配された請求項14に記載の光電変換モジュール。前記第2領域は前記相対基板上に形成された一部分と対応し、前記第2接続ラインは、前記第2バス電極と電気的に連結されないように前記相対基板の第2領域上に配された請求項15に記載の光電変換モジュール。前記第2領域は、前記相対基板を一部切開して形成された空間と対応し、前記第2接続ラインは、前記第2バス電極と電気的に連結されないように前記相対基板の第2領域上に配された請求項15に記載の光電変換モジュール。前記第2接続ラインは、隣接した光電セルや、外部端子に電気的に連結された請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1接続ラインは、隣接した光電セルや、外部端子に電気的に連結された請求項1に記載の光電変換モジュール。前記第1接続ラインと前記第2接続ラインとは、それぞれスペーサーとして形成された請求項1に記載の光電変換モジュール。そこで、本発明では、基板上のエッジに沿って形成される集電部によって電子移動抵抗を低減させることができて、太陽電池の効率を向上させた光電変換モジュールを提供することを主な課題とする。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、受光基板と、前記受光基板上に形成された第1機能層と、前記受光基板の少なくとも2つのエッジに形成され、前記第1機能層と電気的に連結された第1バス電極と、第2機能層を持つ相対基板と、前記相対基板の少なくとも2つのエッジに形成され、前記第2機能層と電気的に連結された第2バス電極と、前記第1機能層と前記第2機能層との間に配された電解質層と、前記第2バス電極と電気的に連結された第1接続ラインと、前記第1バス電極と電気的に連結された第2接続ラインと、を備える光電変換モジュールが提供される。前記第1機能層は受光基板上に形成された光電極と、前記光電極上に形成された半導体層と、を含んでもよい。感光性染料が半導体層内に吸着されてもよい。前記光電極は、前記受光基板上に形成された第1透明導電膜と、前記第1透明導電膜上に形成された第1グリッドと、を含んでもよい。前記第1バス電極の側壁は前記第1グリッドの端部に電気的に連結され、前記第1グリッドは、メッシュ状、ストライプ状、ドット状パターンのうちいずれか一つであってもよい。第1保護層が前記第1グリッドの少なくとも一部分上に形成されてもよい。前記第2機能層は、相対基板上に形成された相対電極と、前記相対電極上に形成された触媒層と、を含でもよい。前記相対電極は、前記相対基板上に形成された第2透明導電膜と、前記第2透明導電膜上に形成された第2グリッドと、を含んでもよい。前記第2バス電極の側壁は、前記第2グリッドの端部に電気的に連結されてもよい。第2保護層は前記第2グリッドの少なくとも一部分上に形成され、前記第2グリッドはメッシュ状パターンであってもよい。前記触媒層は、前記第2透明導電膜と前記第2グリッドとの間に配されてもよい。前記第1接続ラインは、前記受光基板の第1領域上に配されてもよい。前記第1領域は前記受光基板上に形成された一部分と対応し、前記第1接続ラインは、前記第1バス電極と電気的に連結されないように前記受光基板の第1領域上に配されてもよい。前記第1領域は、前記受光基板を一部切開して形成された空間と対応し、前記第1接続ラインは、前記第1バス電極と電気的に連結されないように前記受光基板の第1領域上に配されてもよい。前記第2接続ラインは、前記相対基板の第2領域上に配されてもよい。前記第2領域は前記相対基板上に形成された一部分と対応し、前記第2接続ラインは、前記第2バス電極と電気的に連結されないように前記相対基板の第2領域上に配されてもよい。前記第2領域は、前記相対基板を一部切開して形成された空間と対応し、前記第2接続ラインは、前記第2バス電極と電気的に連結されないように前記相対基板の第2領域上に配されてもよい。前記第2接続ラインは、隣接した光電セルや、外部端子に電気的に連結されてもよい。前記第1接続ラインは、隣接した光電セルや、外部端子に電気的に連結されてもよい。前記第1接続ラインと前記第2接続ラインとは、それぞれスペーサーとして形成されてもよい。以上説明したように本発明によれば、基板上のエッジに沿って形成される集電部によって電子移動抵抗を低減させることができる。本発明は多様な変換を加えることができ、かつ色々な実施形態を持つことができるところ、特定の実施形態を図面に例示して、明細書で詳細に説明しようとする。しかし、これは本発明を特定の実施形態のみに限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物ないし代替物を含むと理解されねばならない。本発明を説明する際、関連する公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。第1、第2などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使われうるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使われる。本出願で使用した用語は単に特定の実施形態を説明するために使われためのものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上別途に表現しない限り、複数の表現を含む。本出願で、含むまたは持つなどの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在、または付加可能性を予め排除するものではないということを理解せねばならない。以下、添付した図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明する。なお、本発明の実施形態の主な課題は以下のとおりである。基板上のエッジに沿って形成される集電部によって電子移動抵抗を低減させることができて、太陽電池の効率を向上させた光電変換モジュールを提供すること。集電部に対する接続ラインの連結を容易にする光電変換モジュールを提供すること。上部基板と下部基板との整合の容易な光電変換モジュールを提供すること。図1は、本発明の一実施形態による光電変化モジュール100を図示した分離斜視図であり、図2は、図1のII-II線に沿って切開図示した結合断面図である。図1及び図2を参照すれば、前記光電変換モジュール100は、対向して配された受光基板110と、相対基板120とを備える。前記受光基板110及び相対基板120上には、光電変換を行うための第1機能層130と第2機能層140とがそれぞれ形成されている。前記第1機能層130は、光電極131と半導体層132とを含む。前記第2機能層140は、相対電極141と触媒層142とを含む。前記第1機能層130と第2機能層140との間には、電解質層150が介在されている。前記受光基板110は、透明な素材で形成されうる。前記受光基板110は、高い光透過率を持つ素材で形成されることが望ましい。例えば、前記受光基板110は、ガラスや樹脂フィルムで構成できる。樹脂フィルムは柔軟性を持っているので、柔軟性が求められる光電モジュールに適しているといえる。前記光電極131は、前記受光基板110上に形成された第1透明導電膜134と、前記第1透明導電膜134上に形成された第1グリッド135とを含む。前記第1透明導電膜134は、透明性と電気伝導性とを持つ素材で形成される。例えば、前記第1透明導電膜134は、ITOIndiumTinOxide、FTOFluorineTinOxide、ATOAntimony-dopedTinOxideなどのTCOTransparentConductingOxideが望ましい。前記第1グリッド135は、第1透明導電膜134の電気抵抗を低めるために形成される。前記第1グリッド135は、光電変換作用によって生成された電子を受け取ってcollection低抵抗の電流パスを提供する配線である。例えば、前記第1グリッド135は、電気伝導性に優れた金Au、銀Ag、アルミニウムAlなどの金属素材で形成できる。本実施形態の第1グリッド135のパターンはメッシュパターンであるが、いずれか一つのパターンに限定されるものではない。前記光電極131は光電変換モジュール100の負極として作用し、高い開口率を持つことが望ましい。前記光電極131を通じて入射された光VLは、半導体層132に吸着された感光性染料の励起源として作用する。したがって、光電変換効率は、入射された光VLの量を増大させることで改善できる。前記第1グリッド135の外面には、第1保護層133がさらに形成されうる。前記第1保護層133は、第1グリッド135が電解質層150に対して接触して反応することで、第1グリッド135の腐食など電極損傷の発生を防止させる。前記第1保護層133は、電解質層150に対して反応しない物質で構成できる。例えば、前記第1保護層133は硬化性樹脂物質で構成できる。前記半導体層132は、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Ti、Ag、Mn、Sn、Zr、Sr、Ga、Si、Crなどの金属化合物で形成される。前記半導体層132は、感光性染料を吸着することで光電変換効率を高めることができる。たとえば、前記半導体層132は、5nmないし1000nm粒径の半導体粒子を分散させたペーストを前記光電極131が形成された受光基板110上に塗布した後、所定の熱または圧力を適用する加熱処理または加圧処理を経て形成できる。前記半導体層132は、光VLによって励起される感光性染料を吸着したものである。前記半導体層132に吸着された感光性染料は、受光基板110を透過して入射された光VLを吸収し、感光性染料の電子は、基底状態から励起状態に励起される。励起された電子は、感光性染料と半導体層132との電気的な接触を利用して半導体層132の伝導帯に転移された後、半導体層132を通過して光電極131に到達し、前記光電極131を通じて外部に引出されることで、外部回路を駆動する駆動電流を形成する。例えば、前記半導体層132に吸着される感光性染料は可視光帯域で吸収を示し、光励起状態から速かに半導体層132への電子移動を引き起こす分子で構成される。前記感光性染料は、液状、半固体のゲル状、固体状のうちいずれか一つの形状を持つことができる。例えば、前記半導体層132に吸着される感光性染料としては、ルテニウム系の感光性染料が使われうる。所定の感光性染料を含む溶液中に半導体層132が形成された受光基板110を浸漬させる方式で、感光性染料を吸着した半導体層132を得ることができる。前記受光基板110と対向して配された相対基板120は透明性を必ずしも要求するものではないが、光電変換効率を高めるための目的で、両側から光VLを受けるように透明な素材で形成されることが望ましい。さらに望ましくは、前記相対基板120は、受光基板110と同じ素材で形成されることである。前記相対電極141は、相対基板120上に形成された第2透明導電膜144と、前記第2透明導電膜144上に形成された触媒層142を介して形成された第2グリッド145とを備える。代案としては、前記第2グリッド145は、前記第2透明導電膜144上に直接的に形成されうる。前記第2グリッド145の外面には第2保護層143がさらに形成されうる。前記第2透明導電膜144は、透明性と電気伝導性とを持つ素材で形成される。例えば、前記第2透明導電膜144は、ITO、FTO、ATOのようなTCOTransparentConductingOxideが望ましい。前記相対電極141は光電変換モジュール100の正極として作用し、前記電解質層150に電子を提供する還元触媒の機能を行う。前記半導体層132に吸着された感光性染料は光VLを吸収して励起され、励起された電子は、光電極131を通じて外部に引出される。一方、電子を失った感光性染料は、電解質層150の酸化によって提供される電子を受け取って再び還元され、酸化された電解質層150は、外部回路を経て相対電極141に到達した電子によって再び還元されて、光電変換モジュール100の作動過程が完成される。前記触媒層142は、電解質層150に電子を提供する還元触媒機能を行う素材で形成される。例えば、前記触媒層142は、白金Pt、金Au、銀Ag、同Cu、アルミニウムAlなどの金属や、酸化スズなどの金属酸化物や、グラファイトなどのカーボン系素材で構成される。前記電解質層150は、一対の酸化体及び還元体を含むレドックスRedox電解質が適用されうる。例えば、前記電解質層150は、固体型電解質、ゲル状電解質、液体電解型電解質などがいずれも使われうる。一方、前記電解質層150の周囲にはシーリング材210が設置されている。前記シーリング材210は、電解質が外部に漏れないように電解質層150を密閉させ、モジュール内部の光電変換領域とモジュール外部の周辺領域とを区切る。ここで、前記光電変換モジュール100が大型化しつつ光電変化効率が急激に落ちて、その結果として電子の移動が円滑でないことを防止するために、電子の移動経路を最大限短くするための集電部を形成させる。さらに詳細には、前記受光基板110のエッジには、少なくとも2領域上に複数の第1グリッド135に対して電気的に連結される第1バス電極160が形成されている。前記相対基板120のエッジには、少なくとも2領域上に複数の第2グリッド145に対して電気的に連結される第2バス電極170が形成されている。前記第1バス電極160と第2バス電極170とは、集電電極の役割を行う電極である。さらに、前記受光基板110のエッジには、前記第1バス電極160に対して電気的に連結されず、前記第2バス電極170に対して電気的に連結される第1接続ライン180が位置できる第1領域1Aが形成されている。前記相対基板120のエッジには、前記第2バス電極170に対して電気的に連結されず、前記第1バス電極160に対して電気的に連結される第2接続ライン190が位置できる第2領域2Aが形成されている。第1バス電極160及び第2接続ライン190の接続と、第2バス電極170及び第1接続ライン180の接続は、さらに詳細に説明すれば、次の通りである。前記相対基板120と対向する前記受光基板110の表面には、第1透明導電膜134がパターン化されている。前記第1透明導電膜134は、前記受光基板110の表面に全体的に形成されている。前記第1透明導電膜134上には、第1グリッド135がパターン化されている。本実施形態で、前記第1グリッド135はメッシュ型のパターンである。代案としては、前記第1グリッド135はストライプ状のパターンであるが、ドット状のパターンでもあり得、いずれか一つに限定されるものではない。前記第1グリッド135はX方向に沿って延び、Y方向に沿って所定間隔離隔する第1グリッド135の第1部分135aと、Y方向に沿って延びて前記第1グリッド135の第1部分135aと交差しつつ、X方向に沿って所定間隔離隔する第1グリッド135の第2部分135bとを備える。前記受光基板110のエッジには、第1グリッド135に対して電気的に連結される第1バス電極160が形成されている。前記第1バス電極160は、前記受光基板110のX方向の両エッジに形成された複数の第1バス電極160の第1部分161と、前記受光基板100のY方向の両エッジに形成された複数の第1バス電極160の第2部分162とを備える。前記第1バス電極160の第1部分161は、前記第1グリッド135の第1部分135aに対して電気的に連結され、前記第1バス電極160の第2部分162は、前記第1グリッド135の第2部分135bに対して電気的に連結される。本実施形態では、前記第1バス電極160が前記受光基板110のエッジに沿って4領域上に形成されているが、前記第1バス電極160が前記受光基板110のエッジに沿って少なくとも2領域以上形成されるならば、いずれか一つに限定されるものではない。前記相対基板120には第2グリッド145がパターン化されている。前記第2グリッド145はメッシュ型のパターンである。代案としては、前記第2グリッド145はストライプ状のパターンであるが、ドット状のパターンでもあり得、いずれか一つに限定されるものではない。前記第2グリッド145はX方向に沿って延び、Y方向に沿って所定間隔離隔する第2グリッド145の第1部分145aと、Y方向に沿って延びて前記第2グリッド145の第1部分145aと交差しつつ、X方向に沿って所定間隔離隔する第2グリッド145の第2部分145bとを備える。前記相対基板120のエッジには、第2グリッド145に対して電気的に連結される第2バス電極170が形成されている。前記第2バス電極170は、前記相対基板120のX方向の両エッジに形成された複数の第2バス電極170の第1部分171と、前記相対基板120のY方向の両エッジに形成された複数の第2バス電極170の第2部分172と、を備える。前記第2バス電極170の第1部分171は、前記第2グリッド145の第1部分145aに対して電気的に連結され、前記第2バス電極170の第2部分172は、前記第2グリッド145の第2部分145bに対して電気的に連結される。本実施形態では、前記第2バス電極170が前記相対基板120の4領域上に形成されるが、前記第2バス電極170が前記相対基板120のエッジに沿って少なくとも2領域以上に形成されるならば、いずれか一つに限定されるものではない。図3は、図1の一部を拡大図示したものである。以下、本実施形態では、第1バス電極160に対して第2接続ライン190が接続される部分について説明するが、第2バス電極170に対して、第1接続ライン180が接続する部分も同一に適用できるということはいうまでもない。図面を参照すれば、前記第1バス電極160の第1部分161の一側壁161aは、前記第1グリッド135の第1部分135aの端部に電気的に連結されている。前記第1バス電極160の第1部分161は複数の第1グリッド135の第1部分135aと連結されており、共通的な集電部の役割を行う。前記第2バス電極170の第1部分171の一側壁171aは、前記第2グリッド145の第1部分145aの端部に電気的に連結されている。前記第2バス電極170の第1部分171は、複数の第2グリッド145の第1部分145aと連結されており、共通的な集電部の役割を担う。前記第2バス電極170の第1部分171はストリップ型である。この時、前記第2バス電極170の第1部分171の一部分には、第2バス電極170のパターンが形成されていない第2領域2Aが形成されている。前記第2領域2Aは、前記第2バス電極170の第1部分171の一部領域を除去することで半円型をなしている。前記第2領域2Aの形状は、前記第2バス電極170の第1部分171のパターンの一部が形成されていない空いている空間ならば、いずれか一つの形状に限定されるものではない。前記第2領域2Aには第2接続ライン190が位置する。前記第2接続ライン190は、前記第2バス電極170の第1部分171に対して電気的に連結されない。一方、前記第2接続ライン190は、前記受光基板110と相対基板120との結合時に、前記第2接続ライン190と対応する領域に位置する第1バス電極160の第1部分161に対して電気的に連結される。一方、前記第2接続ライン190は導電性を持つ素材、例えば、銅ラインであって、光電変換モジュール100の隣接する他のセルと連結させるか、または外部端子などと電気的に連結させることができる。このように、本実施形態の受光基板110や相対基板120には、パターン化されたバス電極のうち一部の領域に前記バス電極のパターンが形成されず、バス電極パターンが形成されていない領域には、対向して配された相対基板120や受光基板110のパターン化されたバス電極に対して電気的に連結される接続ラインが位置する。また、前記接続ラインは、前記受光基板110と相対基板120との間に位置して、前記受光基板110と相対基板120との間隔を維持するスペースの役割も行う。さらに、本実施形態のパターン化されたバス電極に対して接続ラインが電気的に連結される部分を除いて、パターン化されたバス電極を保護膜層に埋め込むことができる。パターン化されたバス電極が保護膜層によって埋め込まれることによってショートをさらに防止できる。図4は、本発明の他の実施形態による光電変換モジュール400を図示した分離斜視図であり、図5は、図4のV-V線に沿って切開図示した結合断面図である。図4及び図5を参照すれば、前記光電変換モジュール400は、互いに対向して配された受光基板410と相対基板420とを備える。前記受光基板410上には第1機能層430が形成され、前記相対基板420上には第2機能層440が形成されている。前記第1機能層430は、光電極431と半導体層432とを備える。前記第2機能層440は、相対電極441と触媒層442とを備える。前記第1機能層430と第2機能層440との間には電解質層450が介在されている。前記電解質層450の周囲にはシーリング材510が設置されており、前記シーリング材510は、モジュール400の内部の光電変換領域と、モジュール400の外部の周辺領域とを区切る。前記光電極431は、前記受光基板410上に形成された第1透明導電膜434と、前記第1透明導電膜434上に形成された第1グリッド435と、を備える。前記第1グリッド435の外面には第1保護層433がさらに形成されうる。前記相対電極441は、前記相対基板420上に形成された第2透明導電膜444と、前記第2透明導電膜444上に形成された触媒層442を介して形成される第2グリッド445と、を備える。前記第2グリッド445は、前記第2透明導電膜444上に直接的に形成できる。前記第2グリッド445の外面には第2保護層443がさらに形成されうる。この時、前記受光基板410のエッジには、少なくとも2領域上に複数の第1グリッド435に対して電気的に連結される第1バス電極460が形成されている。前記相対基板420のエッジには、少なくとも2領域上に複数の第2グリッド445に対して電気的に連結される第2バス電極470が形成されている。前記第1グリッド435はメッシュ型のパターンである。代案としては、前記第1グリッド435はストライプ状のパターンであるが、ドット状のパターンでもあり得、いずれか一つに限定されるものではない。前記第1グリッド435はX方向に沿って延び、Y方向に沿って所定間隔離隔する第1グリッド435の第1部分435aと、Y方向に沿って延びて前記第1グリッド435の第1部分435aと交差しつつ、X方向に沿って所定間隔離隔する第1グリッド435の第2部分435bと、を備える。前記第1バス電極460は、前記受光基板410のX方向の両エッジに沿って形成された複数の第1バス電極460の第1部分461と、前記受光基板410のY方向の両エッジに沿って形成された複数の第1バス電極460の第2部分462とを備える。前記第1バス電極460の第1部分461は、前記第1グリッド435の第1部分435aに対して電気的に連結され、前記第1バス電極460の第2部分462は、前記第1グリッド435の第2部分435bに電気的に連結される。前記第2グリッド445はメッシュ型のパターンである。代案としては、前記第2グリッド445はストライプ状のパターンであるが、ドット状のパターンでもあり得、いずれか一つに限定されるものではない。前記第2グリッド445はX方向に沿って延び、Y方向に沿って所定間隔離隔する第2グリッド445の第1部分445aと、Y方向に沿って延びて前記第2グリッド445の第1部分445aと交差しつつ、X方向に沿って所定間隔離隔する第2グリッド445の第2部分445bとを備える。前記第2バス電極470は、前記相対基板420のX方向の両エッジに形成された複数の第2バス電極470の第1部分471と、前記相対基板420のY方向の両エッジに形成された複数の第2バス電極470の第2部分472と、を備える。前記第2バス電極470の第1部分471は、前記第2グリッド445の第1部分445aに対して電気的に連結され、前記第2バス電極470の第2部分472は、前記第2グリッド445の第2部分445bに対して電気的に連結される。ここで、前記受光基板410のエッジには、前記第1バス電極460に対して電気的に連結されず、前記第2バス電極470に対して電気的に連結される第1接続ライン480が位置できるように第1領域1Aが形成されている。前記第1領域1Aは、前記受光基板410の一部を厚さ方向に切開して形成させる。前記第1領域1Aは横断面が半円型をなしているが、前記第1接続ライン480が前記第1領域1Aを通じて前記第2バス電極470に電気的に連結される構造ならば、いずれか一つの形状に限定されるものではない。また、前記第1領域1Aに対して重なるパターン化された第1バス電極460の一部分には、第1バス電極460のパターンが形成されていない。前記相対基板420のエッジには、前記第2バス電極470に対して電気的に連結されず、前記第1バス電極460に対して電気的に連結される第2接続ライン490が位置できる第2領域2Aが形成されている。前記第2領域2Aは、前記相対基板420の一部を厚さ方向に切開して形成させる。前記第2領域2Aは横断面が半円型をなしているが、前記第2接続ライン490が前記第2領域2Aを通じて前記第1バス電極460に電気的に連結される構造ならば、いずれか一つの形状に限定されるものではない。また、前記第2領域2Aに対して重なるパターン化された第2バス電極470の一部分には、第2バス電極470のパターンが形成されていない。このように、本実施形態の受光基板110には厚さ方向に一部領域を切開して第1領域1Aが形成され、前記第1領域1Aを通じて第1接続ライン480が位置し、前記第1接続ライン480は前記第1バス電極460に対して電気的に連結されず、前記第1接続ライン480は前記第2バス電極470に対して電気的に連結されている。さらに、相対基板420には厚さ方向に一部領域を切開して第2領域2Aが形成され、前記第2領域2Aを通じて第2接続ライン490が位置し、前記第2接続ライン490は、前記第2バス電極470に対して電気的に連結されず、前記第2接続ライン490は、前記第1バス電極460に対して電気的に連結されている。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。