"第1のセンサー室を有し、前記第1センサー室内に導入された流体試料中の特定物質を検出する第1検出部と、第2センサー室を有し、前記第1センサー室から前記第2センサー室に導入された前記流体試料中の前記特定物質を検出する第2検出部と、前記第1センサー室から前記第2センサー室に前記流体試料を導く流路と、前記第1,第2検出部にて前記特定物質がそれぞれ検出された時間に基づいて、前記特定物質を定量分析する定量分析部と、を有することを特徴とする検出装置。請求項1において、前記定量分析部は、前記第1,第2センサー室にて前記特定物質がそれぞれ検出された時間T1,T2の時間差T2-T1と、前記第1,第2センサー室間の距離X1とに基づいて、前記特定物質を定量分析することを特徴とする検出装置。請求項2において、前記流路に設けられたバルブをさらに有し、前記バルブは、前記第1センサー室にて前記特定物質が検出された信号に基づいて開放されることを特徴とする検出装置。請求項3において、前記バルブは、前記第1センサー室にて前記特定物質が検出された時間T1より後であって前記第2センサー室にて前記特定物質が検出された時間T2より前の時間T3に開放され、前記定量分析部は、前記時間差T2-T1及び前記距離X1に代えて、時間差T2-T3と、前記バルブと前記第2センサー室との間の距離X2とに基づいて、前記特定物質を定量分析することを特徴とする検出装置。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記第1検出部及び前記第2検出部の各々は、1~1000nmの凸部を有する金属ナノ構造と、前記金属ナノ構造に光を照射する光源と、前記光源からの光に基づいて前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質から発せられる光を検出する光検出部と、を備えることを特徴とする検出装置。請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記第1検出部は、前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質を脱離させる脱離部をさらに備えることを特徴とする検出装置。請求項6において、前記脱離部は、前記光検出部が前記前記特定物質から発せられる光を検出した信号に基づいて、脱離動作が開始されることを特徴とする検出装置。請求項2において、前記第1検出部は、1~1000nmの凸部を有する金属ナノ構造と、前記金属ナノ構造に光を照射する光源と、前記光源からの光に基づいて前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質から発せられる光を検出する光検出部と、前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質を脱離させる脱離部と、をさらに備え、前記脱離部は、前記第1センサー室にて前記特定物質が検出された時間T1より後であって前記第2センサー室にて前記特定物質が検出された時間T2より前の時間T3に脱離が開始され、前記定量分析部は、前記時間差T2-T1に代えて、時間差T2-T3に基づいて前記特定物質を定量分析することを特徴とする検出装置。しかし、特許文献1,2の検出装置にて検出可能な気体濃度は一般的には数十ppmと比較的高濃度である。また、特許文献1の半導体センサーを用いた検出装置では化学物質の種類を検出できず、特許文献2の振動子を用いた検出装置では応答速度が遅いと言う問題もある。空気中に含まれる極低濃度の化学物質を測定する装置として、表面増強ラマン散乱SERSを用いる方法が提案されている。SERSは、化学物質をセンサー表面に吸着させ、増強電場を発生させてラマン測定を行う手法である。表面増強方法としては、プラズモン共鳴現象SPR、特に局在表面プラズモン共鳴LSPRを用いるのが一般的である。SERSで得られる情報は化学物質に固有のスペクトル情報であり、固有のスペクトル情報から定性検出はできても特定物質の含有量を求める定量検出は困難である。特に、流体試料中に含まれる目的物質と目的外物質のスペクトルピーク位置が近接していることがある。この場合には、ピーク分離によって目的物質の強度を推定し、その強度から含有濃度を求めることから、定量精度が悪くなるという課題があった。本発明の幾つかの態様は、特定物質が流体試料中に極低濃度で含まれていても、その特定物質を定量分析することができる検出装置を提供することを目的とする。1本発明の一態様は、第1のセンサー室を有し、前記第1センサー室内に導入された流体試料中の特定物質を検出する第1検出部と、第2センサー室を有し、前記第1センサー室から前記第2センサー室に導入された前記流体試料中の前記特定物質を検出する第2検出部と、前記第1センサー室から前記第2センサー室に前記流体試料を導く流路と、前記第1,第2検出部にて前記特定物質がそれぞれ検出された時間に基づいて、前記特定物質を定量分析する定量分析部と、を有する検出装置に関する。本発明の一態様によれば、第1センサー室で流体試料中の特定物質が検出された後に、流体試料は流路を介して第2センサー室に導かれ、第2センサー室でも流体試料中の特定物質が検出される。第1,第2センサー室にて検出される特定物質の濃度は同じとみなすことができるので、定量分析部は、第1,第2センサー室にて特定物質がそれぞれ検出された時間と既知のパラメーターに基づいて、例えば流れのない流路である場合には拡散方程式を解くことにより、流れのある場合には移動項を考慮して演算し、あるいはシミュレーションを用いることで、特定物質の濃度を検出できる。2本発明の一態様では、前記定量分析部は、前記第1,第2センサー室にて前記特定物質がそれぞれ検出された時間T1,T2の時間差T2-T1と、前記第1,第2センサー室間の距離X1とに基づいて、前記特定物質を定量分析することを特徴とすることができる。時間差T2-T1と距離X1により、拡散方程式を解くことができる。3本発明の一態様では、前記流路に設けられたバルブをさらに有し、前記バルブは、前記第1センサー室にて前記特定物質が検出された信号に基づいて開放することができる。こうすると、第2センサー室には、第1センサー室で検出された特定物質がバルブを介して導入される。これにより、第1センサー室での検出前に第1センサー室を通過した特定物質が第2センサー室に導かれることがないので、検出精度をたかめることができる。4本発明の一態様では、前記バルブは、前記第1センサー室にて前記特定物質が検出された時間T1より後であって前記第2センサー室にて前記特定物質が検出された時間T2より前の時間T3に開放され、前記定量分析部は、前記時間差T2-T1及び前記距離X1に代えて、時間差T2-T3と、前記バルブと前記第2センサー室との間の距離X2とに基づいて、前記特定物質を定量分析することができる。第1センサー室で検出された特定物質がバルブで一時的に堰き止められる場合には、時間差と距離の始点は、第1センサー室でなくバルブとされるように修正されて、精度の高い定量分析が実現される。5本発明の一態様では、前記第1検出部及び第2検出部の各々は、1~1000nmの凸部を有する金属ナノ構造と、前記金属ナノ構造に光を照射する光源と、前記光源からの光に基づいて前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質から発せられる光を検出する光検出部と、を備えることができる。これにより、第1,第2検出部では、プラズモン共鳴や局在表面プラズモン共鳴を利用して特定物質のラマン散乱光を検出できる。6本発明の一態様では、第1検出部は、前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質を脱離させる脱離部をさらに備えることができる。脱離部は、金属ナノ構造に例えばエネルギーを付与して金属ナノ構造に吸着された流体試料を脱離させることができる。これにより、流体試料の離脱が促進され、脱離された流体試料が流路を介して第2センサー室に導かれる。7本発明の一態様では、前記脱離部は、前記光検出部が前記前記特定物質から発せられる光を検出した信号に基づいて、脱離動作を開始することができる。時間差の始点を第1センサー室にて特定物質を検出した時間とする場合には、特定物質の検出時間と特定物質の離脱時間とを実質的に等しくすることで、定量分析精度を高めることができる。8本発明の一態様では、前記第1検出部は、1~1000nmの凸部を有する金属ナノ構造と、前記金属ナノ構造に光を照射する光源と、前記光源からの光に基づいて前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質から発せられる光を検出する光検出部と、前記金属ナノ構造に吸着された前記特定物質を脱離させる脱離部と、をさらに備え、前記脱離部は、前記第1センサー室にて前記特定物質が検出された時間T1より後であって前記第2センサー室にて前記特定物質が検出された時間T2より前の時間T3に脱離が開始され、前記定量分析部は、前記時間差T2-T1に代えて、時間差T2-T3に基づいて前記特定物質を定量分析することができる。この場合には、時間差の始点は、第1センサー室にて特定物質を検出した時間T1ではなく、離脱部の駆動開始時間T3となるように修正されて、精度の高い定量分析が実現される。以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。1.第1実施形態装置1.1.検出装置の基本構成図1は、本発明の第1実施形態に係る検出装置を模式的に示す図である。図1において、検出装置10は、第1検出部100Aと、第2検出部100Bと、定量分析部200とを有する。第1検出部100Aは、第1のセンサー室110Aを有し、第1センサー室100A内に導入された流体試料中の特定物質を検出する。第2検出部100Bは、第2センサー室110Bを有し、第1センサー室110Aから第2センサー室110Bに導入された流体試料中の特定物質を検出する。第1センサー室110Aと第2センサー室110Bとは流路160で連結されている。定量分析部200は、第1,第2検出部100A,100Bにて特定物質がそれぞれ検出された時間に基づいて、特定物質を定量分析する。定量分析部200は、演算部210と、計時部220と、記憶部230を含む。演算部210は、第1,第2の検出部からの出力に基づいて、流体試料中の特定物質の濃度を定量解析する。計時部220は、第1検出部100Aからの出力に基づいて、第1検出部100Aが特定物質を検出した時間T1と、第2検出部100Bが特定物質を検出した時間T2とを計時する。記憶部230は、演算部210での演算に必要な式やパラメーターを記憶している。第1センサー室110Aで流体試料中の特定物質が検出された後に、流体試料は流路160を介して第2センサー室110Bに導かれ、第2センサー室110Bでも流体試料中の特定物質が検出される。第1,第2センサー室110A,110Bにて検出される特定物質の濃度は同じとみなすことができるので、定量分析部200は、第1,第2センサー室110A,110Bにて特定物質がそれぞれ検出された時間と既知のパラメーターに基づいて、例えば流れのない流路である場合には拡散方程式を解くことにより、流れのある場合には移動項を考慮して演算し、あるいはシミュレーションを用いることで、特定物質の濃度を検出できる。定量分析の詳細について後述する。検出装置100はさらに、検出動作を司る制御部250と、表示部またはプリンター等で構成される出力部260とを有することができる。制御部250は、検出動作を司るために、定量分析部200からの時間T1,T2に基づく制御とシーケンス制御等を行う。出力部260には検出結果が出力される。1.2.検出装置の詳細な構成流路160にはバルブ161を設けることができる。第1センサー室110Aには吸気経路162が接続され、吸気経路162にはバルブ163が設けられている。第2センサー室110Bには排気経路164が接続され、排気経路164にはバルブ165が設けられている。流路160にはバルブ161よりも上流にて排気経路166が接続され、排気経路166にはバルブ167が設けられている。2つの排気経路166,167は、ポンプPと接続されている。次に、第1,第2検出部100A,100Bに共通する構成について、第1検出部100Aについて説明する。第2検出部100Bの構成は、以下にて説明する第1検出部100Aの構成に付された符号のサフィックスAをBに変更して図1に示されている。第1センサー室110Aはセンサーチップ広義には光学デバイス120Aを有する。センサーチップ120Aの詳細については後述する。第1検出部100Aはさらに、センサーチップ120Aに光学系150Aを介して光を照射する光源130Aと、センサーチップ120Aからの光を、光学系150Aを介して検出する光検出部140Aとを有する。光学系150Aは、例えば、光源130Aの光を反射させるミラー151Aと、センサーチップ120Aからの光を光検出器140Aに向けて反射し、光源130Aからの光を透過するハーフミラーダイクロイックミラー152を有する。光検出部140Aでは先ず、光フィルター141Aに到達する。光フィルター141A例えばノッチフィルターにより、センサーチップ120Aからの光例えばラマン散乱光が取り出される。このラマン散乱光は、さらに分光器142Aを介して受光素子143Aにて受光される。分光器142Aは、例えばファブリペロー共振を利用したエタロン等で形成されて通過波長帯域を可変とすることができる。分光器142Aを通過する光の波長は、制御部250により制御選択することができる。受光素子143Aによって、特定物質である試料分子に特有の例えばラマンスペクトルが得られ、得られたラマンスペクトルと予め保持するデータと照合することで、試料分子を特定することができる。1.3.光検出の原理と構造の一例図2A~図2Cを用いて、第1検出部100Aにて流体試料を反映した光検出原理の一例としてラマン散乱光の検出原理の説明図を示す。なお、第2検出部100Bでも同様にして検出できる。図2Aに示すように、センサーチップ110Aに吸着される検査対象の試料分子1に入射光振動数νが照射される。一般に、入射光の多くは、レイリー散乱光として散乱され、レイリー散乱光の振動数ν又は波長は入射光に対して変化しない。入射光の一部は、ラマン散乱光として散乱され、ラマン散乱光の振動数ν-ν’及びνν’又は波長は、試料分子1の振動数ν’分子振動が反映される。つまり、ラマン散乱光は、検査対象の試料分子1を反映した光である。入射光の一部は、試料分子1を振動させてエネルギーを失うが、試料分子1の振動エネルギーがラマン散乱光の振動エネルギー又は光エネルギーに付加されることもある。このような振動数のシフトν’をラマンシフトと呼ぶ。図3に、試料分子の一例としてアセトンのラマンシフトを示す。図2Bは、図1及び図2Aのセンサーチップ120Aの拡大図である。図2Aに示すように入射光が基板121の平坦面から入射される場合、基板121は入射光に対して透明な材料が用いられる。センサーチップ120Aは、基板121上の第1構造として、誘電体から成る複数の凸部122を有する。本実施形態では、入射光に対して透明な誘電体としての石英、水晶、硼珪酸ガラスなどのガラスまたはシリコン等で形成された基板121上に、レジストを形成し、そのレジストを例えば遠紫外線DUVフォトリソグラフィー法を用いてパターン化している。パターン化されたレジストにより基板121をエッチングすることで、例えば図2Cに示すように複数の凸部122が二次元的に配置される。なお、基板121と凸部122とを異なる材料で形成しても良い。複数の凸部122上の第2構造として、複数の凸部122には、例えばAuまたはAg等の金属ナノ粒子金属微粒子123が例えば蒸着、スパッタ等により形成される。結果として、センサーチップ120Aは、1~1000nmの凸部を有する金属ナノ構造124を有することができる。1~1000nmの凸部を有する金属ナノ構造124とは、基板121の上面を当該サイズの凸部構造基板材でを持つように加工する他に、基板上に当該サイズの金属微粒子を蒸着スパッタ等で固着させる、または、基板上にアイランド構造を有する金属膜を形成する等の方法でも形成できる。図2B及び図2Cに示すように、二次元パターン状の金属ナノ粒子123に入射光が入射された領域126では、隣り合う金属ナノ粒子123間のギャップGに、増強電場115が形成される。特に、入射光の波長よりも小さな金属ナノ粒子123に対して入射光を照射する場合、入射光の電場は、金属ナノ粒子123の表面に存在する自由電子に作用し、共鳴を引き起こす。これにより、自由電子による電気双極子が金属ナノ粒子123内に励起され、入射光の電場よりも強い増強電場125が形成される。これは、局在表面プラズモン共鳴LSPR:LocalizedSurfacePlasmonResonanceとも呼ばれる。この現象は、入射光の波長よりも小さな1~1000nmの凸部を有する金属ナノ粒子123等の電気伝導体に特有の現象である。図2A~図2Cでは、センサーチップ120Aに入射光を照射した時に表面増強ラマン散乱が生ずる。つまり、増強電場116に試料分子1が入り込むと、その試料分子1によるラマン散乱光は増強電場125で増強されて、ラマン散乱光の信号強度は、強くなる。このような表面増強ラマン散乱では、試料分子1が微量であっても、検出感度を高めることができる。以下にて説明する試料分子1の吸着という現象は、試料分子1が金属ナノ粒子123に衝突する衝突分子の数分圧が支配的である現象であり、物理吸着及び化学吸着の一方又は双方を含む。脱離は外力により吸着を解除することを意味する。吸着エネルギーは試料分子1の運動エネルギーに依存し、ある値を乗り越えると衝突して吸着現象を呈し、吸着には外力は不要である。一方、脱離には外力が必要である。また、センサーチップ120Aに流体試料を吸引することとは、換言すると、その内部にセンサーチップ120Aを配置した流路に吸引流を生じさせることで、流体試料をセンサーチップ120Aに接触させることである。1.4.検出動作1.4.1.第1,第2検出部での特定物質の定性検出動作先ず、図1に示すバルブ161,165を閉じ、バルブ163,167を開放し、ポンプPを作動させて、吸気経路162を介して第1センサー室110Aに様々な種類の気体を含む流体試料を導入する。その後、ポンプPの作動を止めて、バルブ163,167を閉じる。その後、光源130Aの光を、第1センサー室110A内のセンサーチップ120Aに照射する。それにより、図2BCに示すように局在表面プラズモン共鳴により増強磁場125が形成され、増強電場125に流体試料中の特定物質である試料分子1が入り込むと、その試料分子1によるラマン散乱光は増強電場125で増強される。このラマン散乱光は、分光器142Aで分光されて選択的に光検出器143Aにて受光される。図4Aは受光素子143Aの出力を示している。この受光素子143Aの出力は、定量分析部200と制御部250に入力される。定量分析部200の計時部220は、図4Aに示す受光素子143Aの出力が閾値例えばベース値100カウントを超えた時間T1を計測する。この時間T1は制御部250に出力される。制御部250は、第1検出部100Aにて特定物質が検出された時間T1に、流路160のバルブ161を開放する。それにより、流れのない流路160を流体試料が第2センサー室110Bに向けて拡散する。第2検出部100Bでは、光源130Bからの光をセンサーチップ120Bに向けて照射している。流路160に沿って拡散する流体試料が第2センサー室に到達すると、図4Bに示すように、第2検出部100Bの受光素子143Bにて流体試料中の特定物質が検出される。この受光素子143Bの出力は、定量分析部200に入力される。定量分析部200の計時部220は、図4Bに示す受光素子143Bの出力が閾値を超えた時間T2を計測する。1.4.2.特定物質の定量検出動作先ず、本実施形態にて用いられる拡散方程式について説明する。流れのない流路160において、位置x=0の断面に流体試料を断面全体に一様に散布したとき、t時間後のx=xにおける濃度Cは、拡散係数をDとして次の式1で示される。この式1はフィックの第2方程式であり、拡散方程式とも呼ばれている。この式1は、位置xと時間tにおける粒子の濃度cx,tの時間変化が、濃度の曲率右辺に比例することを意味し、その比例定数が拡散定数となる。この拡散方程式の解は次の式2で与えられる。式2のxは装置構成で決まる定数であり、本実施形態では図1に示す第1,第2センサー室110A,110Bのセンター間距離X1である。拡散係数Dはあらかじめ測定しておくことができる。よって、図1に示す記憶部230には、式2と、パラメーターX1,Dを格納しておくことができる。上述した通り、第1,第2検出部100A,100Bにて特定物質を検出した時間T1,T2が取得されるので、時間t=T2-T1が得られる。従って、図1に示す演算部210は、式2にパラメーターとして時間t=T2-T1、位置x=X1及び拡散係数Dを代入することで、特定物質の濃度cx,tを演算することができる。こうして、流体試料中から目的の特定物質が第1,第2検出部100A,100Bにて特定物質固有のラマン散乱光に基づいて定性検出され、かつ、各検出時間T1,T2に基づいて定量分析部200にて特定物質の濃度が定量検出できる。但し、実際の測定では流路160で流れを完全に停止させる状態をつくるのは困難であるので、実際には流体試料のサンプリング時にわずかに発生する流れの影響を考慮し、装置の流路形状や吸引圧力等の、方程式2とのずれを考慮して計算を行うことができる。また、第1センサー室110A内のセンサーチップ120Aでの吸着時間分だけ、第2センサー室110B内のセンサーチップ120Bに到達する流体試料の時間遅れが発生するが、この遅れは表面吸着量に依存するため、時間遅れについても事前測定で補正を行うことができる2.第2実施形態図5に、本発明の第2実施形態を示す。図4に示す検出装置300が図1に示す検出装置10と相違する点は、第1センサー室110Aに配置されるセンサーチップ120Aを脱離部310上に配置したことである。脱離部310は、センサーチップ120Aの金属ナノ構造124に外部からエネルギー例えば熱を付与するものである。従って、脱離部310は加熱部等で構成することができる。上述した通り、金属ナノ子構造124に流体試料を吸着させる外力は不要である一方で、脱離には外力が必要である。そこで、金属ナノ子構造124に吸着された流体試料の脱離を促進するために、脱離部310が設けられている。こうすると、第1検出部100Aからの出力は、図6に示す通りとなる。図6では、第1検出部100Aが特定物質を検出した時間T1に基づいて、制御部250が脱離部310をさせたときの、第1検出部100Aの出力を示している。図6に示すように、時間T1でのピーク出力の後には、試料分子1の脱離が促進するのでSERS信号強度は徐々に低下する。このため、第1センサー室110Aのセンサーチップ120Aから脱離した試料分子1を、流路160を介して第2センサー室110Bに拡散させることができる。従って、第1検出部100Aでの検出時の流体試料の状況と、第2検出部100Bでの検出時の流体試料の状況をほぼ等価にすることができる。3.第3実施形態第1,第2実施形態の変形例3.1.バルブ161を始点とする実施形態第1,第2実施形態とは異なり、図1及び図5に示すバルブ161を、第1センサー室110Aにて特定物質が検出された時間T1より後であって、第2センサー室110Bにて特定物質が検出された時間T2より前の時間T3に開放しても良い。この場合、定量分析部200は、時間差T2-T1及び距離X1に代えて、時間差T2-T3と、バルブ161と第2センサー室110Aの中心位置との間の距離X2とに基づいて、特定物質を定量分析することができる。このように、第1センサー室110Aで検出された特定物質がバルブ161で一時的に堰き止められる場合には、時間差tと距離xの始点は、第1センサー室110Aでなくバルブ161とされるように修正されて、精度の高い定量分析が実現される。3.2.脱離部310による脱離開始時を時間差の始点とする実施形態第2実施形態とは異なり、脱離部310が、第1センサー室110Aにて特定物質が検出された時間T1より後であって、第2センサー室110Bにて特定物質が検出された時間T2より前の時間T3に脱離を開始しても良い。この場合、定量分析部200は、時間差T2-T1に代えて、時間差T2-T3に基づいて特定物質を定量分析することができる。時間差の始点は、第1センサー室110Aにて特定物質を検出した時間T1ではなく、離脱部310の駆動開始時間T3となるように修正されて、精度の高い定量分析が実現される。4.第4実施形態図7は、図1に示す検出装置10を一つの筐体400に収容した具体的構成例を示している。光学系150Aがハーフミラー152Aを排除してコリメーターレンズ153Aと集光レンズ154Aを有し、光学系150Bがハーフミラー152Bを排除してコリメーターレンズ153Bと集光レンズ154Bを有する以外は、図1に示す構成の全てが筐体400内に配置されている。図1に示す定量分析部200及び制御部250は処理部410内に配置され、出力部260は筐体400の露出面に配置される。筐体400には接続部420,421が設けられて外部と接続可能である。筐体400内には二次バッテリーを搭載した電力供給部430を配置することができる。吸気経路162には除塵フィルター440が配置され、排出経路164,166には図1のポンプPに代えてファン450が設けられている。なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できる。本発明の検出装置は、SERS強度を検出するものに限らない。例えば、表面増強赤外分光法SEIRAS:SurfaceEnhancedInfraredAbsorptionSpectroscopyを用いることができる。この場合、図1等に示すセンサーチップ光学デバイス120A,120Bを図8に示す光学デバイス170に置き換える。この光学デバイス170は、例えば直角プリズム171の底面に金属薄膜172を形成したものである。直角プリズム171は、例えばCaF2等の赤外線を通過させる材料で形成される。金属薄膜172の材料はAg,Cu等の金属薄膜であれば良い。図9に示す特性を有するP偏光の赤外線IR1を、例えば第1反射ミラー180にて反射させて、光学デバイス170に対して金属薄膜172の法線Lに対して角度θで入射させる。入射赤外線IR1を金属薄膜172で全反射させて得られる反射赤外線IR2には、その界面から試料側に少しもぐり込んだ位置で反射されるエバネッセント波が存在し、それにより試料分子や標準分子のスペクトルを計測できる。この反射赤外線IR2の特性を図10に示す。反射赤外線IR2は、第2反射ミラー181で反射されて、図12等に示す光検出部60に入射される。また、定量検出は式2を使用する方法に限定されるものではない。例えば、予め一定の条件の下で標的物質の濃度に応じたSERS挙動を実験やシミュレーションで予測してデーターベース化しておき、測定された拡散時間を、予測したデーターベースと照合して濃度を決定する方法等を使用しても良い。特に、検出したい物質が数種類に限定されている場合には、照合に必要な信号処理も少ないので、非常に有効となる。また、各実施形態では気体移動のない拡散場を想定した物質移動について説明したが、本発明はポンプ等で流体を吸引した流体移動状態でも、同様にして定量検出することができる。ただし、流れがある場合は物質移動状態が複雑なため、流れを考慮した別の計算式を使用するか、予め実験やシミュレーションで物質移動を考慮した作成したデーターベースを参照することができる。"