"対象空間に投光する発光素子を備えた投光回路部と、前記対象空間からの光を受光する受光素子を備えた受光回路部と、時間経過に伴って大きさが変化する基準信号を遅延要素に通して遅延させた変調信号を前記投光回路部に与えて前記発光素子から時間経過に伴って強度が変化する強度変調光を投光させる投光処理部と、前記変調信号に同期する復調信号を前記受光回路部に与えて前記受光素子の出力から強度変調光の成分を抽出し前記発光素子から対象空間に投光された強度変調光が前記受光素子に受光されるまでの時間を計測する受光処理部と、前記遅延要素の遅延時間を設定する校正モードと前記校正モードで設定された遅延時間を用いて前記時間を計測する測定モードとを択一的に選択する動作モード選択部と、前記変調信号に対する応答が前記投光回路部と等価である校正回路部と、前記動作モード選択部が前記校正モードを選択している期間に前記変調信号を前記校正回路部に入力し前記測定モードを選択している期間に前記変調信号を前記投光回路部に入力する経路選択部とを備え、前記校正モードが選択されている期間において、前記投光処理部は、前記基準信号に対する前記校正回路部の応答として検出される検出信号の時間差を計測しこの時間差に基づいて前記遅延要素の遅延時間を設定することを特徴とする空間情報検出装置。前記投光回路部は、前記校正回路部と兼用されていることを特徴とする請求項1記載の空間情報検出装置。前記校正回路部は、前記投光回路部とは別に設けられていることを特徴とする請求項1記載の空間情報検出装置。前記投光回路部は、前記発光素子を複数個備え、前記校正回路部は、前記発光素子から選択される1個の発光素子であることを特徴とする請求項1記載の空間情報検出装置。前記投光回路部は、前記発光素子が複数群に分割されており、かつ前記群ごとに前記発光素子が前記変調信号により駆動され、前記校正回路部は、前記群から選択される1つの群であることを特徴とする請求項1記載の空間情報検出装置。前記校正モードが選択されているときに通電される前記発光素子と、前記測定モードが選択されているときにのみ通電される前記発光素子とは、前記測定モードにおける温度上昇率が等しくなるように、離間して配置されていることを特徴とする請求項4又は5記載の空間情報検出装置。前記発光素子は、1枚の実装基板上で複数列に並べて配列され、前記実装基板は、各列に含まれる前記発光素子が水平方向の一直線上に並び、かつ各列が上下方向の複数段に並ぶように配置され、前記経路選択部は、前記校正モードが選択されているときに、最下段に配置された前記発光素子にのみ通電することを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載の空間情報検出装置。ところで、上述したアクティブ型の空間情報検出装置を太陽光のような自然光の存在下で使用する場合、受光素子の出力から信号光強度変調光の成分を抽出して、空間情報を正確に検出するには、自然光の影響をできるだけ除去しなければならない。自然光の影響を低減させるには、自然光と信号光とを分離する光学フィルタ、受光素子の出力から自然光の成分と信号光の成分とを分離するフィルタ回路などが採用されている。また、受光素子に入射する信号光を相対的に増加させるために、発光素子から投光する信号光の強度を高めることも考えられている。発光素子から投光する信号光の強度を高めるには、高出力の発光素子を用いることや発光素子の個数を増やすことが考えられる。発光素子の個数を増やす場合に、発光素子の全数を直列または並列に接続する構成を採用することが考えられるが、この構成を採用すると、発光素子を駆動するための駆動回路の耐圧や容量が大幅に増加することになる。この種の問題を解決するために、発光素子を複数群に分割し、発光素子を群別に駆動することが考えられる。たとえば、mn個の発光素子をn個ずつm群に分けm,nは自然数、群ごとの発光素子を直列接続するとともに、群ごとの発光素子を個別の駆動回路で駆動する構成が採用される。この構成では、m個の駆動回路が必要ではあるが、1個の駆動回路は耐圧や容量の増加が抑制される。しかしながら、投光と受光とのタイミングを調整する期間を設けると、この期間では空間情報を検出していないにもかかわらず、比較的大きい電力が消費されることになり、電力が必要以上に消費されることになる。本発明は、複数個の発光素子を用いて強度変調光を投光し、かつ投光と受光とのタイミングを調整する期間を備える構成において、タイミングを調整する期間における消費電力を抑制した空間情報検出装置を提供することを目的とする。本発明に係る空間情報検出装置は、対象空間に投光する発光素子を備えた投光回路部と、対象空間からの光を受光する受光素子を備えた受光回路部と、時間経過に伴って大きさが変化する基準信号を遅延要素に通して遅延させた変調信号を投光回路部に与えて発光素子から時間経過に伴って強度が変化する強度変調光を投光させる投光処理部と、変調信号に同期する復調信号を受光回路部に与えて受光素子の出力から強度変調光の成分を抽出し発光素子から対象空間に投光された強度変調光が受光素子に受光されるまでの時間を計測する受光処理部と、遅延要素の遅延時間を設定する校正モードと校正モードで設定された遅延時間を用いて時間を計測する測定モードとを択一的に選択する動作モード選択部と、変調信号に対する応答が投光回路部と等価である校正回路部と、動作モード選択部が校正モードを選択している期間に変調信号を校正回路部に入力し測定モードを選択している期間に変調信号を投光回路部に入力する経路選択部とを備え、校正モードが選択されている期間において、投光処理部は、基準信号に対する校正回路部の応答として検出される検出信号の時間差を計測しこの時間差に基づいて遅延要素の遅延時間を設定するものである。この空間情報検出装置において、投光回路部は、校正回路部と兼用されていることが好ましい。この空間情報検出装置において、校正回路部は、投光回路部とは別に設けられていることが好ましい。この空間情報検出装置において、投光回路部は、発光素子を複数個備え、校正回路部は、発光素子から選択される1個の発光素子であることが好ましい。この空間情報検出装置において、投光回路部は、発光素子が複数群に分割されており、かつ群ごとに発光素子が変調信号により駆動され、校正回路部は、群から選択される1つの群であることが好ましい。この空間情報検出装置において、校正モードが選択されているときに通電される発光素子と、測定モードが選択されているときにのみ通電される発光素子とは、測定モードにおける温度上昇率が等しくなるように、離間して配置されていることが好ましい。この空間情報検出装置において、発光素子は、1枚の実装基板上で複数列に並べて配列され、実装基板は、各列に含まれる発光素子が水平方向の一直線上に並び、かつ各列が上下方向の複数段に並ぶように配置され、経路選択部は、校正モードが選択されているときに、最下段に配置された発光素子にのみ通電することが好ましい。本発明の構成によれば、複数個の発光素子を用いて強度変調光を投光し、かつ投光と受光とのタイミングを調整する期間を備える空間情報検出装置において、タイミングを調整する期間における消費電力が抑制されるという利点がある。以下に説明する実施形態は、対象空間に投光する発光素子として発光ダイオードを用いるとともに、対象空間からの光を受光する受光素子としてCCD撮像素子を用いる場合を想定している。ただし、発光素子は、目的に応じて100Hz~1GHz程度の範囲の駆動信号で強度を変調することができればよく、用途によっては、発光ダイオードに代えてレーザダイオードなどを用いてもよい。また、受光素子としてはCCD撮像素子のほかCMOS撮像素子、あるいはそれらに準じた素子を用いることができる。これらの撮像素子では、受光素子において電荷を蓄積するタイミングや電荷を取り出すタイミングの制御のために受光タイミング信号が用いられる。なお、撮像素子ではなくフォトダイオードのような受光素子を用い、受光素子から出力された電気信号について利用する期間を受光タイミング信号により指定する場合でも本発明の技術思想を適用可能である。以下に説明する実施形態では、受光素子の出力を用いて距離を計測する測距装置について説明するが、他の空間情報を検出するために本発明の技術思想を用いることも可能である。距離あるいは他の空間情報は、マイコン、DSPDigitalSignalProcessor、FPGAFieldProgrammableGateArrayなどから選択されるプロセッサ用いて受光素子の出力から演算する。プロセッサは、適宜のプログラムに従って空間情報を演算する。本実施形態の空間情報検出装置は、図1に示すように、対象空間に投光する発光素子11を備えた投光回路部1と、対象空間を撮像する受光素子21を備えた受光回路部2とを用いている。発光素子11は、図2に示すように、実装基板110に複数個図示例では、18個配列される。発光素子11は、順方向電流が1~数Aの高輝度型の発光ダイオードを用いることが望ましい。発光ダイオードの発光波長は、赤外線領域を想定しているが、用途によっては、紫外線領域や可視光領域であってもよい。図1に示すように、発光素子11は複数の群121,122,123に分割され、群121,122,123ごとに直列に接続される。また、発光素子11の群121,122,123ごとの直列回路は、通電制御素子13にそれぞれ直列に接続され、発光素子11と通電制御素子13との直列回路に発光素子11の点灯用の電圧が印加される。通電制御素子13は、図示例ではMOSFETが用いているが、制御端子に入力される信号に応じて発光素子11の通電電流の制御が可能な能動素子であればよい。図示例では、投光回路部1に18個の発光素子11が設けられ、発光素子11が3つの群121,122,123に分割されている。すなわち、群121,122,123ごとに6個ずつの発光素子11を備え、各群121,122,123の発光素子11は直列に接続されている。さらに、各群121,122,123における6個ずつの発光素子11の直列回路に通電制御素子13が直列に接続されている。発光素子11の直列回路は、通電制御素子13の一端ドレインに接続される。加えて、通電制御素子13の他端ソースには、電流調節用の抵抗14が直列に接続され、発光素子11と通電制御素子13と抵抗14との直列回路に点灯用の電圧Vdd1が印加される。したがって、群121,122,123ごとの通電制御素子13の制御端子ゲートに変調信号Sg1を与えると、群121,122,123ごとの発光素子11の光出力は変調信号Sg1の大きさに追従して変化する。すなわち、変調信号Sg1を通電制御素子13に与えると、変調信号Sg1に応じた強度変調光が発光素子11から出力される。本実施形態では、一定周期の矩形波信号デューティは50が望ましいを変調信号Sg1として用いている。変調信号Sg1は矩形波信号であるが、発光素子11の応答には遅れがあるから、変調信号Sg1が数百kHzより高い範囲では、発光素子11からは強度が正弦波状に変化する強度変調光が取り出される。変調信号Sg1は、投光処理部10に設けた変調信号生成部101から出力される。一方、受光回路部2を構成する受光素子21の受光期間は、変調信号Sg1に同期するように生成された復調信号Sg3により制御される。受光素子21は、上述したように撮像素子を用いているから、撮像により生成された電荷を読み出すための制御も行われる。受光素子21の制御は受光処理部20が行う。受光処理部20は、復調信号Sg3を出力する復調信号生成部201を備える。変調信号Sg1および復調信号Sg3は、基準信号生成部102から出力される一定周期の基準信号に基づいて生成される。すなわち、変調信号生成部101と復調信号生成部201とには、基準信号生成部102から出力される基準信号がそれぞれ入力され、変調信号生成部101から基準信号に基づく変調信号Sg1が出力され、復調信号生成部201から基準信号に基づく復調信号Sg3が出力される。受光処理部20は、変調信号Sg1に同期する復調信号Sg3を用いて受光素子21の出力から強度変調光の成分を抽出する信号処理部202を備える。信号処理部202は、発光素子11から対象空間に投光された強度変調光が受光素子21に受光されるまでの時間を、強度変調光の投光時と受光時との位相の関係を用いて計測する。図示例において、基準信号Sg0を用いて復調信号Sg3を生成しているが、基準信号Sg0と変調信号Sg1とは時間差が一定に保たれているから、基準信号Sg0と一定の時間差を持つ復調信号Sg3は、変調信号Sg1に同期していると言える。以下に、信号処理部202の動作を具体的に説明する。受光処理部20に設けた復調信号生成部201は、変調信号Sg1における規定の位相に同期するように復調信号Sg3を生成する。復調信号生成部201は、たとえば、変調信号Sg1の0度、90度、180度、270度の各位相に同期する4種類の復調信号Sg3を生成する。復調信号Sg3は矩形波信号であって、受光素子21の受光期間すなわち、受光素子21が電荷を生成するタイミングを制御する。したがって、実際の復調信号Sg3は、変調信号Sg1に対して所定の時間幅を有している。たとえば、図3aのように時間経過とともに強度が正弦波状に変化する強度変調光を対象空間に投光したときに、受光素子21の1つの画素に対象空間から入射する光の強度が図3bのように変化した場合を考える。ここでは、復調信号の時間幅を変調信号の位相の90度分に相当するように設定し、復調信号の時間幅を変調信号の位相区間で表す。復調信号は、図3aに示す変調信号の波形の位相区間が0~90度、90~180度、180~270度、270~360度である4つの位相位相区間において、受光素子21に対象空間から入射する光の強度受光量を抽出するために用いられる。いま、各位相区間の受光量がそれぞれA0,A1,A2,A3であったとすると、投光時と受光時との位相の差φは、受光量A0,A1,A2,A3を用いて以下のように表される符号は適宜に選択される。φ=tan-1A3-A1/A0-A2この演算は、受光処理部20に設けた信号処理部202が行う。ここに、位相差φは、投光から受光までの時間δに対応するδ=Tφ/2π、ただし、Tは強度変調光の変調周期。ところで、上述の動作から明らかなように、信号処理部202において位相差φを正確に求めるには、位相差φを計測している期間において、強度変調光と復調信号との位相差が一定に保たれている必要がある。しかしながら、投光処理部10、受信処理部20、投光回路部1は周囲温度のような環境の影響を受ける。とくに、投光回路部1は、環境や経時劣化の影響を受けやすいから、変調信号と復調信号との位相差が維持されていたとしても、変調信号に対する強度変調光の応答特性が変化し、結果的に、強度変調光と復調信号との位相差が変動することがある。この場合、対象空間において物体までの距離に変化がなくとも、受光量A0,A1,A2,A3に変動が生じ、結果的に位相差φが変動して時間δの測定結果に変動が生じることがある。すなわち、時間δの測定精度が、周囲温度のような環境の変化の影響を受けることになる。たとえば、空間情報として距離を計測する場合、時間δに1nsの誤差が生じると、距離の誤差は15cmになる。この種の問題を解決するために、本実施形態は、通電制御素子13の出力である検出信号Sg2と復調信号Sg3との時間差を調節している。本実施形態では、検出信号Sg2は、通電制御素子13と発光素子11との接続点から取り出している。復調信号Sg3は基準信号Sg0から生成されるから、検出信号Sg2に基づいて基準信号Sg0に対する変調信号Sg1の遅延時間を調節すれば、強度変調光を投光する際の位相を復調信号Sg3に同期させることが可能になる。したがって、上述の問題が解決されることになる。本実施形態では、投光処理部10に設けた変調信号生成部101が以下の構成を備えることにより、変調信号Sg1および復調信号Sg3を生成する基準信号Sg0に対する変調信号Sg1の遅延時間を調節する。この遅延時間は、通電制御素子13の出力である検出信号Sg2の基準信号Sg0に対する応答特性により調節され、結果的に、強度変調光を投光する際の位相が復調信号Sg3に同期することになる。なお、変調信号sg1と検出信号Sg2との関係は、変調信号生成部101を含む通電制御素子13の応答特性を反映している。変調信号生成部101は、基準信号Sg0と検出信号Sg2との位相を比較する位相比較回路1011を備え、位相比較回路1011は基準信号Sg0と検出信号Sg2との位相差に応じた電圧を出力する。すなわち、位相比較回路1011は、PLLPhaseLockedLoop回路における位相比較器および積分器と同様に機能する。位相比較器は、たとえばAND回路やOR回路のような2入力を比較するロジック回路NAND回路、NOR回路、XOR回路も可能を用いて構成される。つまり、ロジック回路の一方の入力を基準信号Sg0とし他方の入力を検出信号Sg2とする。位相比較器として、AND回路を用いると位相差が小さいほどHレベルの期間が長くなり、OR回路を用いると位相差が小さいほどHレベルの期間が短くなる。したがって、位相比較器の出力を積分器に与え、積分器の出力を位相比較回路1011の出力とすれば、基準信号Sg0と検出信号Sg2との位相差に応じた電圧を位相比較回路1011の出力として取り出すことができる。位相比較回路1011は乗算器形位相比較器を用いることも可能であり、位相比較回路1011は上述した構成に制限されない。位相比較回路1011の出力はホールド回路1012で一時的に保持される。なお、ホールド回路1012は、変調信号Sg1の複数周期に相当する期間ごとにリセットされ、リセット後に得られる位相比較回路1011の出力で保持値が更新される。位相比較回路1011が検出した位相差に相当する電圧は、ホールド回路1012を介して電圧制御遅延回路VCD回路1013に入力され、電圧制御遅延回路1013により検出信号Sg2に対する遅延時間が制御される。すなわち、電圧制御遅延回路1013を遅延要素として、検出信号Sg2の遅延時間が調整される。電圧制御遅延回路1013から出力された信号はドライバ回路1014を通して変調信号Sg1として通電制御素子13に与えられる。上述した変調信号生成部101を設け、遅延要素である電圧制御遅延回路1013の遅延時間を制御することにより、基準信号Sg0と検出信号Sg2との時間差位相差が規定値に維持される。したがって、適宜の時間間隔でホールド回路1012の保持値を更新すれば、投光と受光の時間差を計測する際に、周囲温度の変化のような環境変化の影響が抑制され、測定精度の向上が期待できる。また、上述のようにして計測した時間差には、通電制御素子13の応答特性に加えて、変調信号生成部101の応答特性も折り込まれ、さらに、電圧制御遅延回路1013の特性を適宜に設定すれば、復調信号生成部201の応答特性も折り込むことが可能である。ところで、ホールド回路1012の保持値を更新する時間間隔が短いほど環境変化の影響が抑制されるが、周囲温度のような環境が短時間で変化する可能性は低いから、ホールド回路1012の保持値を更新する時間間隔は比較的長くすることが可能である。本実施形態では、基準信号Sg0に対する検出信号Sg2の位相差を計測する校正モードM1と、校正モードM1で計測した位相差を用いて基準信号Sg0に対する検出信号Sg2の時間差を規定値に維持する測定モードM2とが設けられる。校正モードM1と測定モードM2とは、動作モード選択部103が選択する。受光素子21が30フレーム/秒で撮像を繰り返す場合、一般に、図4aのように、10ms程度が撮像期間T1に充当され、撮像期間T1の後に受光素子21から電荷を読み出す読出期間T2と、次の撮像期間T1に備える休止期間T3とが設けられる。この場合、図4bのように、1回の撮像期間T1において、校正モードM1と測定モードM2とを複数回たとえば、20回繰り返すことが好ましい。この動作によって、測定モードM2ごとに校正モードM1によって検知信号Sg2の位相のずれが修正され、空間情報の計測精度が高くなる。測定モードM2では、上述したように、変調信号Sg1の複数の位相区間に同期する復調信号Sg3が生成され、復調信号Sg3で受光素子21の受光期間を制限することにより、受光期間に対応する電荷が受光素子21で生成される。測定モードM2における変調信号Sg1は、検出対象である空間情報の分解能を高めるために比較的高い周波数10~20MHzが選択される。これに対して、校正モードM1では、通電制御素子13などの応答特性を検出するために、測定モードM2における変調信号Sg1よりも低い周波数たとえば、5MHzで通電制御素子13が駆動される。このように校正モードM1と測定モードM2とにおいて通電制御素子13を駆動する周波数を変更することによって、空間情報の分解能を高めることと、基準信号Sg0と検出信号Sg2との時間差を精度よく検出することとの両立が可能になる。図示例では、測定モードM2と校正モードM1とが交互に設けられている。受光素子21は、測定モードM2では受光量に応じた電荷を生成するが、校正モードM2で電荷が生成されると、空間情報の計測結果に誤差が生じるから、校正モードM2では電荷を生成せず、測定モードM2で生成された電荷を保持する。このような受光素子21の制御は復調信号Sg3を用いて行われる。なお、測定モードM2と校正モードM1とを交互に設ける代わりに、1回の校正モードM1に対して、複数回の測定モードM2を繰り返すようにしてもよい。以上説明したように、測定モードM2では、変調信号Sg1を生成する基準信号Sg0と強度変調光の波形に対応する検出信号Sg2との位相差時間差を比較し、この時間差が規定値に維持されるように通電制御素子13に与える変調信号Sg1を制御する。したがって、周囲温度などの影響で通電制御素子13の応答特性などに変動が生じたとしても、この変動を変調信号Sg1に反映させることによって、検出信号Sg2の変動が抑制される。その結果、環境変動の影響による空間情報の計測結果の変動を抑制し、計測結果の精度を高めることが可能になる。ところで、本実施形態の投光回路部1は、上述したように、複数個の発光素子11が3つの群121,122,123に分けられ、群121,122,123ごとに通電制御素子13が設けられている図1参照。通電制御素子13の特性のばらつきは小さいと仮定することができるから、上述した検出信号Sg2は、3個の通電制御素子13のうちのどれから検出してもよい。言い換えると、1個の通電制御素子13のみから検出信号Sg2を取り出せばよい。このことから、校正モードM1において3個の通電制御素子13に通電することは電力を無駄に消費することになる。そこで、図1に示すように、変調信号生成部101と通電制御素子13との間に経路選択部としての選択回路部15が設けられる。選択回路部15は、校正モードM1が選択されているときに、発光素子11の1つの群121に対応する通電制御素子13にのみ通電し、残りの2個の通電制御素子13には通電せずにオフに保つ機能を備える。すなわち、群121の発光素子11と通電制御素子13とは、校正モードM1において通電される校正回路部17として機能する。校正回路部17は、変調信号Sg1に対する応答が投光回路部1と等価であるという条件を満たすことが要求される。図1に示す構成例では、投光回路部1のうちの1つの群121を校正回路部17として用いているから、条件を満たすことになる。選択回路部15は、たとえば、通電制御素子13ごとに接続したAND回路をゲート回路として構成される。すなわち、AND回路ごとに出力端が対応する通電制御素子13に接続され、AND回路の一方の入力端には、変調信号Sg1変調信号生成部101から出力される変調信号Sg1が入力される。AND回路の他方の入力端には、校正モードM1と測定モードM2との選択時において変調信号Sg1を通過させるか否かを選択するためのモード選択信号が動作モード選択部103から入力される。すなわち、群121に対応するAND回路には、校正モードM1と測定モードM2との両方において変調信号Sg1を通過させるように、動作モード選択部103からモード選択信号が与えられる。また、群122,123に対応するAND回路には、測定モードM2においてのみ変調信号Sg1を通過させるように、動作モード選択部103からモード選択信号が与えられる。上述した動作を採用すると、校正モードM1では、1つの群の発光素子11のみが点灯し、2つの群の発光素子11は消灯した状態に保たれるから、3つの群の発光素子11を点灯させる場合よりも消費電力が低減される。とくに、発光素子11として高輝度型の発光ダイオードを用いるから、2つの群の発光素子11を消灯状態に維持することにより、消費電力が大きく低減されることになる。ところで、校正モードM1において、選択回路部15が選択した1つの群121の6個の発光素子11のうちの1個の発光素子11のみを点灯させれば、校正モードM1の消費電力がさらに低減される。校正モードM1において1個の発光素子11のみを点灯させるには、図5に示すように、給電する発光素子11の個数を、動作モード選択部103から出力されるモード選択信号によって選択する電源選択回路16を設ける。電源選択回路16は、1個の発光素子11のみを点灯させる場合には、6個の発光素子11を点灯させるときの電圧Vdd1よりも低い電圧Vdd2を出力する。ここで、6個の発光素子11を点灯させる測定モードM2と1個の発光素子11を点灯させる校正モードM1とで、通電制御素子13を通過する電流が変化しないように、電源選択回路16の電圧Vdd1,Vdd2が調節される。図5に示す例では、校正回路部17は、群121に対応する通電制御素子11と1個の発光素子11とにより構成されている。校正モードM1における消費電力をさらに低減させるには、図6に示すように、校正モードM1では発光素子11を点灯させないようにしてもよい。すなわち、校正モードM1において、電源選択回路16は、通電制御素子13と抵抗14との直列回路にのみ電圧を印加する。この構成では、6個の発光素子11を点灯させる測定モードM2と、発光素子11を点灯させない校正モードM1とで、通電制御素子13を通過する電流が変化しないように、電源選択回路16の電圧Vdd1,Vdd2が調節される。図6に示す例では、校正回路部17は、群121に対応する通電制御素子13により構成されている。上述した各構成例では、投光回路部1の少なくとも一部が校正回路17と兼用されているが、図7に示すように、校正回路部17は投光回路部1とは別に設けてもよい。図示例では、校正回路部17を通電制御素子13に相当する構成で実現している。校正回路部17の通電制御素子13の一端ドレインからは検出信号Sg2が取り出される。したがって、投光回路部1には検出信号Sg2を取り出すための構成が不要である。この構成を採用する場合、図6に示した構成と同様に、2種類の電圧Vdd1,Vdd2が必要である。すなわち、投光回路部1には電圧Vdd1が供給され、校正回路部17には電圧Vdd2が供給される。図示例では、複数個の発光素子11を直列に接続した1群のみを記載しているが、上述した各構成例のように複数群に分割してもよいのはもちろんのことである。図7に示す構成を採用した場合でも、校正モードM1では発光素子11に通電しないから、校正モードM1において発光素子11に通電する場合よりも消費電力が低減される。上述のように、校正モードM1において点灯させる発光素子11が決まっている場合には、校正モードM1において点灯させる発光素子11を、他の発光素子11に対して離間させて配置することが好ましい。すなわち、校正モードM1において点灯する発光素子11は、測定モードM2においてのみ点灯する発光素子11よりも温度上昇が大きくなるから、測定モードM2においてのみ点灯する発光素子11から離間させ放熱効率を高めることが好ましい。すなわち、測定モードM2におけるすべての発光素子11の温度上昇率が等しくなるように、発光素子11の配置間隔が調節されていることが好ましい。図1に示す構成では、1つの群121の発光素子11を残りの2つの群122,123の発光素子11から離間させ、図5に示す構成では、1個の発光素子11を残りの5個の発光素子11から離間させる。図2に示すように、発光素子11が実装基板110の上で複数列に並べられ、群121,122,123ごとに一列に並んでいる場合、1つの群121,122,123に含まれる発光素子11が水平方向に並ぶように実装基板110を配置することが好ましい。この場合、発光素子11の各群121,122,123の列が上下方向の複数段に並ぶにように、実装基板110を立てて配置する。また、校正モードM1で点灯する発光素子11の群121が最下段の列に並ぶように、実装基板110を配置することが好ましい。このような配置によって、校正モードM1で点灯する発光素子11で発生した熱が、測定モードM2でのみ点灯する発光素子11に対流によって伝達されるから、測定モードM2において、すべての発光素子11の温度上昇率がほぼ等しくなる。逆に言えば、校正モードM1で点灯する発光素子11が最下段に位置するから、他の発光素子11が点灯したときに、他の発光素子11からの熱で加熱されず、校正モードM1で点灯する発光素子11の放熱が他の発光素子11によって阻害されることがない。上述のように、校正モードM1において、点灯させる発光素子11の個数を測定モードM2よりも減らす場合に、選択回路部15では、校正モードM1が選択されるたびに点灯させる発光素子11の群121,122,123を変更することが望ましい。すなわち、校正モードM1において、各発光素子11を点灯させる頻度に偏りが生じないように、校正モードM1において点灯させる発光素子11を校正モードM1の選択毎に変更するのである。この動作によって、発光素子11の劣化の程度が平準化され、全体として寿命が向上する。また、校正モードM1ごとに、点灯させる発光素子11の群121,122,123を変更することにより、発光素子11の点灯に伴う温度上昇が、どの群121,122,123においてもほぼ等しくなる。その結果、各群121,122,123の発光効率がほぼ等しくなる。なお、図5に示すように、校正モードM1において点灯させる発光素子11の個数を測定モードM2よりも減らす構成を採用する場合においても、校正モードM1ごとに点灯さえる発光素子11を入れ換えるようにしてもよい。なお、上述の例では通電制御素子13に与える変調信号Sg1が矩形波信号である場合を例示したが、正弦波信号など他の波形の信号を変調信号Sg1に用いてもよい。また、発光素子11の個数や発光素子11による群の個数は必要に応じて適宜に変更される。"