"基板処理装置であって、チャンバと、溝部が設けられた面を有し、前記チャンバ内に配置され、前記面上に微小な隙間部を形成するように基板が載置され、前記基板と接触して熱交換することにより前記基板を冷却するステージと、前記ステージ上に載置された前記基板の第1面よりも上側に位置するとともに前記チャンバ内の空間である第一空間に所定のガスを導入するガス供給部と、前記第一空間の第一圧力が、前記基板よりも下側に位置するとともに前記ステージと前記基板の第2面との間に設けられた前記隙間部及び前記溝部を含む第二空間の第二圧力よりも大きくなるように、前記第一圧力及び前記第二圧力を制御する制御部とを含むことを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記制御部は、前記第一圧力及び前記第二圧力の圧力差が、5×10[Pa]以上1×105[Pa]以下となるように、前記第一圧力及び前記第二圧力を所定時間制御することを特徴とする基板処理装置。請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、前記ガス供給部が前記第一空間に導入するガスは、前記チャンバ内の雰囲気を真空から大気雰囲気に戻す際に前記チャンバ内に供給されるガスであることを特徴とする基板処理装置。請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、前記ステージは、前記基板の前記第2面と前記ステージとが接触する接触部を有し、前記接触部における表面粗さRaは、1.0μm以上であることを特徴とする基板処理装置。請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、前記ステージ上に前記基板が設置された状態で、前記ステージと前記基板の前記第2面との間に3.5cm3以上の前記隙間部が存在することを特徴とする基板処理装置。請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、前記ステージと前記基板とが接触している接触面積がS1で表され、前記ステージと前記基板とが接触していない非接触面積がS2で表された場合、前記ステージの中央域における比率S1/S2よりも、前記ステージの外周域における比率S1/S2が小さいことを特徴とする基板処理装置。請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、前記ステージは、前記基板の前記第2面と前記ステージとが接触する接触部を有し、前記ステージの中央域に位置する前記接触部の高さは、前記ステージの外周域に位置する前記接触部の高さよりも低いことを特徴とする基板処理装置。基板冷却方法であって、チャンバと、溝部が設けられた面を有し、前記チャンバ内に配置され、前記面上に微小な隙間部を形成するように基板が載置され、前記基板と接触して熱交換することにより前記基板を冷却するステージと、前記ステージ上に載置された前記基板の第1面よりも上側に位置するとともに前記チャンバ内の空間である第一空間に所定のガスを導入するガス供給部とを備えた基板処理装置を用い、前記基板と前記ステージとを接触させて熱交換することにより前記基板を冷却する際に、前記第一空間の第一圧力が、前記基板よりも下側に位置するとともに前記ステージと前記基板の第2面との間に設けられた前記隙間部及び前記溝部を含む第二空間の第二圧力よりも大きくなるように、前記第一圧力及び前記第二圧力を所定時間制御することを特徴とする基板冷却方法。本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、基板の冷却時に、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板を冷却することが可能な、基板処理装置を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、基板処理装置において基板を冷却する際に、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板を冷却することが可能な、基板冷却方法を提供することを第二の目的とする。本発明の第1態様の基板処理装置は、チャンバと、溝部が設けられた面を有し、前記チャンバ内に配置され、前記面上に微小な隙間部を形成するように基板が載置され、前記基板と接触して熱交換することにより前記基板を冷却するステージと、前記ステージ上に載置された前記基板の第1面よりも上側に位置するとともに前記チャンバ内の空間である第一空間に所定のガスを導入するガス供給部と、前記第一空間の第一圧力が、前記基板よりも下側に位置するとともに前記ステージと前記基板の第2面との間に設けられた前記隙間部及び前記溝部を含む第二空間の第二圧力よりも大きくなるように、前記第一圧力及び前記第二圧力を制御する制御部とを含む。本発明の第1態様の基板処理装置においては、前記制御部は、前記第一圧力及び前記第二圧力の圧力差が、5×10[Pa]以上1×105[Pa]以下となるように、前記第一圧力及び前記第二圧力を所定時間制御することが好ましい。本発明の第1態様の基板処理装置においては、前記ガス供給部が前記第一空間に導入するガスは、前記チャンバ内の雰囲気を真空から大気雰囲気に戻す際に前記チャンバ内に供給されるガスであることが好ましい。本発明の第1態様の基板処理装置においては、前記ステージは、前記基板の前記第2面と前記ステージとが接触する接触部を有し、前記接触部における表面粗さRaは、1.0μm以上であることが好ましい。本発明の第1態様の基板処理装置においては、前記ステージ上に前記基板が設置された状態で、前記ステージと前記基板の前記第2面との間に3.5cm3以上の前記隙間部が存在することが好ましい。本発明の第1態様の基板処理装置においては、前記ステージと前記基板とが接触している接触面積がS1で表され、前記ステージと前記基板とが接触していない非接触面積がS2で表された場合、前記ステージの中央域における比率S1/S2よりも、前記ステージの外周域における比率S1/S2が小さいことが好ましい。本発明の第1態様の基板処理装置においては、前記ステージは、前記基板の前記第2面と前記ステージとが接触する接触部を有し、前記ステージの中央域に位置する前記接触部の高さは、前記ステージの外周域に位置する前記接触部の高さよりも低いことが好ましい。本発明の第2態様の基板冷却方法は、チャンバと、溝部が設けられた面を有し、前記チャンバ内に配置され、前記面上に微小な隙間部を形成するように基板が載置され、前記基板と接触して熱交換することにより前記基板を冷却するステージと、前記ステージ上に載置された前記基板の第1面よりも上側に位置するとともに前記チャンバ内の空間である第一空間に所定のガスを導入するガス供給部とを備えた基板処理装置を用いる。本発明の第2態様の基板冷却方法においては、前記基板と前記ステージとを接触させて熱交換することにより前記基板を冷却する際に、前記第一空間の第一圧力が、前記基板よりも下側に位置するとともに前記ステージと前記基板の第2面との間に設けられた前記隙間部及び前記溝部を含む第二空間の第二圧力よりも大きくなるように、前記第一圧力及び前記第二圧力を所定時間制御する。本発明の第1態様の基板処理装置は、ステージ上に載置された基板の第1面よりも上側に位置する第一空間に所定のガスを導入するガス供給部を備え、第一空間の第一圧力P1が、第二空間の第二圧力P2よりも大きくなるように、圧力P1,P2を所定時間制御する制御部を有している。このため、基板とステージとを接触させて熱交換することにより基板を冷却する際に、第一空間と第二空間との圧力差により基板がステージ上に押し付けられる。このため、凸状に変形するように反った基板を均一な温度分布を有するように冷却することができる。更に、冷却中に発生する上方に変形する基板の反り凸状の反りを抑制することができる。これにより、基板がステージから浮き上がらず、ステージと基板とが接触する接触面積を確保することができる。その結果、本発明は、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板を冷却することが可能な基板処理装置を提供することができる。上述したステージを採用する場合、ステージの設計時において、基板とステージとの間の接触面積を制御することが可能となる。このため、基板において過度に凹状の反りが発生するのも防止することができる。また、本発明の第2態様の基板冷却方法においては、基板とステージとを接触させて熱交換することにより基板を冷却する際に、第一空間の第一圧力P1が第二空間の第二圧力P2よりも大きくなるように、圧力P1,P2を所定時間制御している。このため、第一空間と第二空間との圧力差の作用により、基板がステージ上に押し付けられ、上方に変形する基板の反り凸状の反りを抑制することができる。これにより、基板がステージから浮き上がらず、ステージと基板とが接触する接触面積を確保することができる。換言すると、ステージと基板との距離が小さい状態を、基板全面基板裏面の広い領域に亘って保持することが可能となる。その結果、本発明では、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板を冷却することが可能な基板冷却方法を提供することができる。以下、本発明の基板処理装置について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、以下の説明で使用する図面においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、便宜上、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせており、本発明の特徴を判り易く説明している。本実施形態では、本発明をマルチチャンバ方式の真空処理装置において、ロードロック室に適用した場合を一例として挙げて説明する。本発明は、ロードロック室に限定されず、種々の基板処理装置に適用することができる。なお、ここでロードロック室は、プロセス室処理室に接続されたチャンバであり、プロセス室において処理された基板を大気雰囲気へ取り出す際に使用される装置である。図1は、本発明の実施形態によるマルチチャンバ方式の真空処理装置1の概略構成図である。この真空処理装置1は、被処理基板以下単に基板ともいう。を収容するロードロック室3A,3B3と、基板に対して所定の真空処理を行う処理室4A~4D4と、ロードロック室3A,3Bと処理室4A~4Dとの間における基板の受け渡しを行うコア室搬送室5とを備えている。ロードロック室3A,3B3は同一の構成を有しており、内部に所定枚数の基板を収容可能な基板ストッカ図示略が設置されている。ロードロック室3A,3Bには排気システムがそれぞれ接続されており、ロードロック室3A,3Bの各々の内部が真空になるように独立して排気することが可能である真空排気。なお、ロードロック室3A,3Bは図示の例のように複数設置される場合に限らず、単数であってもよい。処理室4A~4D4は、エッチング室、加熱室、成膜室スパッタ室、CVD室等で構成され、本実施形態では、処理室4A~4D4のいずれもが成膜室である。処理室4A~4Dには排気システム図示略がそれぞれ接続されており、処理室4A~4Dの各々の内部が真空になるように独立して排気することが可能である真空排気。また、各処理室4A~4Dには、プロセスに応じた所定の成膜ガス反応ガス、原料ガス、不活性ガス等のガス供給源図示略がそれぞれ接続されている。コア室5は、内部に基板搬送ロボット6を有しており、ロードロック室3A,3Bと処理室4A~4Dとの間、あるいは処理室4A~4Dの間において、基板2の受け渡しを行うように構成されている。コア室5には排気システム図示略が接続されており、コア室5の内部が真空になるように独立して排気することが可能である真空排気。また、コア室5にはガス源図示略が接続されており、ガス源からコア室5に導入される調圧ガスによって、コア室5の内部圧力を所定圧に維持することができる。図2は、ロードロック室3内に設けられた本発明の基板処理装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。本実施形態の基板処理装置103は、チャンバ11と、ステージ12と、ガス供給部15とを備える。ステージ12は、チャンバ11内に配置されており、溝部13が設けられた面12aを有する。面12a上には、微小な隙間部19を形成するように基板2が載置される。また、ステージ12は、基板2の第2面2b他面と接触し、基板2と熱交換することにより、基板2を冷却する。また、ガス供給部15は、ステージ12上に載置された基板2の第1面2a一面よりも上側に位置するとともにチャンバ11内の空間である第一空間αに、所定のガスを導入する。更に、本実施形態の基板処理装置103は、基板2の上側の空間の圧力第一圧力と基板2の下側の空間の圧力第二圧力とを制御する制御部を有する。具体的に、第一空間αの第一圧力P1圧力計17aによって測定される測定値が、基板2よりも下側に位置するとともにステージ12と基板2の第2面2bとの間に設けられた隙間部19及び溝部13を含む第二空間βの第二圧力P2圧力計17dによって測定される測定値よりも大きくなるように、制御部は、圧力P1,P2を制御する。図2に示された基板処理装置103においては、制御部の構造として、圧力P1を制御する第一制御部17α17と、圧力P2を制御する第二制御部17β17とが、個別に設けられた構造が示されている。第一制御部17αは、例えば、圧力計17a、流量計17b、バルブ17c等から構成されている。第二制御部17βは、例えば、圧力計17d、流量計17e、バルブ17f、排気部17g等から構成されている。また、図2に示された基板処理装置10における第二制御部17βにおいては、上述した圧力計17d、流量計17e、バルブ17f、排気部17gとは別に、第二空間βと大気雰囲気とを連通させるバルブ17hが配置されている。本実施形態の基板処理装置10は、第一空間αに所定のガスを導入するガス供給部15を備え、第一空間αの圧力P1が、第二空間βの圧力P2よりも大きくなるように圧力P1,P2を制御する制御部17α、17β17を有している。このため、基板2とステージ12とを接触させつつ第二空間β内のガスを用いた熱交換によって基板2を冷却する際に、圧力P1,P2の圧力差差圧が所定時間だけ発生する。ゆえに、第一空間αと第二空間βとの圧力差により基板2がステージ12上に押し付けられる。このため、基板2の中央部がその外周部よりも上方に位置するような反り凸状の反りの発生を抑制することができる。これにより、基板2がステージ12から浮き上がらず、ステージ12と基板2とが接触する接触面積すなわち、基板2の全面において、ステージ12と基板2との距離が近い状態を有する領域の総面積を確保することができる。その結果、本実施形態の基板処理装置10においては、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板2を冷却することができる。圧力P1,P2の圧力差差圧が発生する様子は、図10に示すグラフにより、例示される。第一空間αにガスの供給が開始されると、第一空間αの圧力P1は図10に示す実線で示すように変動し挙動、第二空間βの圧力P2は図10に示す一点鎖線で示すように変動する挙動。すなわち、ガスの供給が開始されると直ちに、第一空間αの圧力P1は上昇するのに対して、第二空間βの圧力P2は所定時間だけ図10では、およそ5秒、圧力上昇が遅れる傾向を示す。上述した所定時間の範囲内では、圧力P1,P2の圧力差差圧が生じることによって、基板2はステージ12上に押し付けられる。また、圧力P2が50Pa以上になると、第二空間β内のガスによる熱交換が主に作用し、基板2が保持されている熱量がステージ12に向けて積極的に移動し、ひいては著しい基板の冷却が可能となるという、本発明の作用効果が発揮される。チャンバ11には排気部16が接続されており、チャンバ11の内部が真空になるように独立して排気することが可能である真空排気。また、チャンバ11にはガス供給部15が接続されており、ガス供給部15からチャンバ11に導入されるガスによって、チャンバ11の内部圧力を所定圧に維持することができる。ステージ12は、チャンバ11内に配置され、溝部13が設けられた面12aを有する。また、ステージ12の面12a上には、微小な隙間部19を有するように基板2が載置される。ステージ12と基板2とが接触して熱交換することにより、基板2は冷却される。ステージ12の外周には、1mm程度の高さを有する土手が設けられており、基板2の位置がずれてしまうことを防止することができる。また、ステージ12には、複数の貫通孔18が設けられている。この貫通孔18には、基板2を昇降させるために用いられる昇降ピン20が挿通されている。また、昇降ピン20は、貫通孔18を通じて、ステージ12の表面上面からに対して突出したり、下降させたり没したりすることが可能である。昇降ピン20は、ロッド21に固着され、伸縮可能なベローズ22を介して、エアシリンダ等の駆動機構23に接続されている。そして、エアシリンダ等の駆動機構23が駆動することにより、ロッド21は昇降する。基板2を受け渡しする場合には、昇降ピン20をステージ12の表面上面から突出させる。また、基板2をステージ12の表面12a上面に載置する場合には、昇降ピン20をステージ12の表面12a上面よりも下降させる陥没させる。また、本実施形態の基板処理装置10において、ステージ12には溝部13が形成されている。ステージ12に溝部13を設けることで、ガス供給部15からチャンバ11内に導入されたガスが、この溝部13を通じて基板2とステージ12との間の空間に入り込む。これによって、主に隙間部19に入り込んだガスが熱媒体として働くことによって、ステージ12と基板2との間で熱交換が促進されるので、基板2は効率的に冷却される。更に、基板2の外周部が急激に冷却されることに起因して基板2が凸状に反ってしまうことを防止するために、基板2の中央部内周部に比べて外周部において接触領域を減らす策の一つとして、ステージ12の平面図において溝部13の面積が大きくなるようにステージ12を設計するとよい。これにより、基板2の冷却速度を制御し、基板2の中央部と外周部とにおける冷却の偏りの発生を軽減することができるので、ひいては基板2の反り発生を抑えられる。図3は、ロードロック室1003において、本発明に係る基板処理装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。図3に示す装置は、制御部として第一制御部17α17のみ備えており、第二制御部17β17が省略されている。この構造は、図2に示す装置とは異なっている。図2に示す基板処理装置において、所定時間だけ発生する圧力P1,P2の圧力差差圧の傾向たとえば、図10に示すような、ガス導入後の経過時間横軸と圧力P1,P2の挙動との関係が把握することができている場合には、第二制御部17β17又は第一制御部17αを構成する圧力計17a及び流量計17bは必ずしも必要ではない。なお、特開2009-206270号公報特許文献1では、ステージ下部クーリングプレートに突起ウエハ支持ピンを設け、このウエハ支持ピンにより、基板がステージと僅かに離隔した位置に支持されている。これに対し、本発明の実施形態では、ステージ12に溝部13が設けられている。ステージ12に突起ではなく溝部13を設けることで、基板2とステージ12とは点で接触しておらず即ち、点接触ではなく、面で接触する面接触。これにより、基板2とステージ12とが接触する接触面積を広く確保することができ、ステージ12と基板2との間で熱交換が行われ、冷却効率を高めることができる。また、ステージ12に溝部13を設けることで、ステージ12と基板2とが非接触となる空間が周期的に設けられ、ステージ12から基板2がスライドすることを防止することができる。基板2の第2面2bとステージ12との間にガス導入溝が一つも形成されていない構成では、第2面2bとステージ12との間が真空状態に保たれてしまう。このため、基板搬送時に昇降ピン20がリフトアップして基板2が持ち上げられると、基板2がステージ12から少し跳ねてしまう。従って、溝部13をステージ12の一箇所以上の部位に設けることにより、基板2の第1面2aが露出している空間第一空間αの圧力と基板2の第2面2bが露出している空間第二空間βの圧力との差圧力差が作用し、基板2が凹形状となるように反ってしまうことを防ぎながら、基板2の冷却を完了させることができる。一定時間が経過した後において第一空間αと第二空間βとの差圧が殆ど無くなるように最適な溝部13のコンダクタンスを決定することで、基板2がステージ12から跳ねることも防ぐことができる。なお、ステージ12に溝部13を形成することで、基板2の第2面2bに付着するダストの量を低減する効果もある。このような溝部13の形態としては特に限定されず、例えば図4に示すように、溝部13が同心円状に設けられていてもよいし、例えば図5に示すように、溝部13が放射状に設けられていてもよい。また、放射状の溝部13と同心円状の溝部13とが組み合わされた構造が採用されてもよい。また、前記ステージ12を構成し、前記基板2の第2面2bと接触する部位14接触部の表面粗さRaが、1.0μm以上であることが好ましい。基板2より上側に位置する空間にガスを導入すると、基板2の外側から、基板2とステージ12との間の隙間部19にガスが入り込む。隙間部19に導入されたガスによって、基板2とステージ12との熱交換が行われ、基板2の外周域が基板2の中央域よりも速く冷却される。ステージ12の部位14の表面粗さとガスの導入速度の関係によって基板2の外周域と中央域の最大温度差は変化する。特に、ステージ12の表面粗さRaが1μm以下の場合には、基板2の第2面2bとステージ12との間において、基板2の中央域に位置する隙間部19にガスが入り難くなり、外周域と中央域の温度差が発生し易い。結果として、基板2の外周域が冷却により収縮して、基板2の中央域が収縮しない状態が生じる。これにより、基板2の外周域が収縮する応力が発生し、基板2が凸状に変形する反りが発生する。結果として、基板2とステージ12とが接触する接触面積を十分に確保することができず、基板2の冷却を迅速かつ均一に行うことが困難となる。ステージ12の表面粗さRaが1.0μm以上になるように、ステージ12の表面を粗くすることによって、基板2とステージ12との間の隙間部19にガスを導入することが可能になり、基板2を効率よく冷却することが可能である。更に、ステージ12上に基板2が設置された状態で、ステージ12と基板2の第2面2bとの間に3.5cm3以上の隙間を有する隙間部19が存在することが好ましい。3.5cm3以上の空間隙間部19が形成されていると、1×105Paなどの高圧下において、リフタを下げて基板をステージに設置する際に、基板2の下に設けられた空間隙間部19の圧力が上昇して基板が横滑りすることを防ぐことができる。ステージ12と基板2の第2面2bとの間に所定以上の容積を有する隙間部19を確保することで、ガスを第一空間αに導入した際に、基板2とステージ12との間の隙間部19に効率よくガスを入り込ませることができ、基板2をより効率よく冷却することができる。なお、ステージ12に溝部13を同心円状に設ける場合、ステージ12と基板2とが接触している接触面積をS1で表し、ステージ12と基板2とが接触していない非接触面積をS2で表したとき、接触面積S1と非接触面積S2の比率S1/S2は、ステージ12の中央域における値比率S1/S2よりも、外周域における値比率S1/S2が小さいことが好ましい。つまり、このように比率が設定されている構造は、基板2の外周域よりも基板2の中央域が早く冷却するように接触面積の比率に変化をつけている。ステージ12の中央域における値比率S1/S2を大きくする、すなわち、中央域における基板2とステージ12とが接触する接触面積を大きくすることで、基板2の外周域よりも基板2の中央域を早く冷却することができる。また、ステージ12上に溝部13を同心円状に設ける場合、図6に示すように、ステージ12が構成されてもよい。具体的には、基板2の第2面2bと接触するステージ12の部位14において、中央域14cに位置する部位14の高さh1が、外周域14pに位置する部位14の高さh2よりも低くしてもよい。部位14の高さが全て同じであると、基板2が凹状に変形するように反った場合、基板2の外周域において、基板2とステージ12との間の空間をシールすることができなくなってしまう。この問題を解決するため、外周域14pから中央域14cに向う方向において、部位14の高さが徐々に低くなるように部位14の高さを決定することにより、基板2の外周域14pにおいて、ステージ12と基板2との接触を確保することができる。ガス供給部15は、ステージ12上に載置された基板2の第1面2aよりも上側に位置するとともにチャンバ11内の空間である第一空間αに所定のガスを導入する。第一空間αに導入されたガスは、ステージ12に形成された溝部13を通じて基板2とステージ12との間の空間第二空間βに入り込み、第二空間β内に存在するガスを介して熱交換が行われ、基板2が冷却される。ガス供給部15が、第一空間αに導入するガスは、チャンバ11内の雰囲気を真空から大気雰囲気に戻す際にチャンバ11内に供給されるガスである。このようなガスの種類としては、特に限定されず、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノン等、化学的に安定なガスが挙げられる。そして、本実施形態の基板処理装置103は、制御部17を備えている。この制御部17は、第一空間αの第一圧力P1が、基板2よりも下側に位置し、ステージ12と基板2の第2面2bとの間に設けられた隙間部19及び溝部13を含む第二空間βの第二圧力P2よりも大きくなるように、第一圧力P1及び第二圧力P2を制御する。基板2とステージ12とを接触させて熱交換することにより基板2を冷却する際に、第一空間αの第一圧力P1が、第二空間βの第二圧力P2よりも大きくなるように制御されることで、第一空間αと第二空間βとの圧力差により基板2がステージ12上に押し付けられる。このため、基板2が凸状に変形する反りを抑制することができる。これにより、基板2がステージ12から浮き上がらず、ステージ12と基板2とが接触する接触面積を確保することができる。その結果、本実施形態の基板処理装置10においては、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板2を冷却することができる。例えば、図2に示す基板処理装置においては、第一制御部17α17は、例えば、圧力計17a、流量計17b、バルブ17c等から構成されている。第二制御部17βは、例えば、圧力計17d、流量計17e、バルブ17f、排気部17g等から構成されている。また、第一制御部17α及び第二制御部17βは、チャンバ11内の圧力P1,P2をモニタリングするとともに、ガス供給部15からチャンバ11内に導入されるガスの量を調整する。制御部1717α、17βは、圧力P1と圧力P2の差が、5×10[Pa]以上1×105[Pa]以下すなわち、50[Pa]~100000[Pa]となるように、圧力P1,P2を所定時間制御することが好ましい。圧力差が小さいと、基板2をステージ12に押し付ける力が弱く、基板2の反りを十分に抑えることが難しい。一方、圧力差が大きすぎると、隙間部19の端において基板2に対して応力が加わり、基板割れが発生しやすくなり、好ましくない。しかしながら、基板の反りが大きい場合は、比較的高い圧力差が必要となる。基板の反りが大きく、基板が割れやすい場合には、ステージ12の隙間部19及び溝部13を分散的に配置し、応力集中が緩和されるようにステージ12を適切に設計することが好ましい。本発明における隙間部19及び溝部13が分散するように配置されている構造の一例としては、例えば、隙間部19と溝部13とが交互に同心円状に配置された構造が挙げられる。または、ステージ12上に複数の隙間部19がドット状に形成され、隣接する隙間部19の間に溝部13が形成されるように、隙間部19と溝部13とが配置された構造が挙げられる。しかしながら、本発明における隙間部19及び溝部13が分散するように配置されている構造は、この例示した2つに限定されない。すなわち、単位面積あたりで基板2を支持する部分隙間部19が分散的にステージ12上に配置することが可能であれば、いかなる構成も採用される。なお、ステージ12内に、冷却水等の冷却媒体を循環させる冷却媒体流路図示略が設けられていてもよい。冷却媒体流路に冷却媒体を流すことで、ステージ12上に載置された基板2とステージ12との間で熱交換を促進させ、基板2を効率よく冷却することができる。次に、このようなマルチチャンバ方式の真空処理装置1において、ロードロック室を用いて基板2を処理室に搬送する一般的な搬送工程を説明する。まず、大気雰囲気において基板2がロードロック室3内に導入され、その後、ロードロック室3の内部は、減圧され、真空雰囲気になる。続いて、ロードロック室3に隣接するコア室5に設置された基板搬送ロボット6によって、基板2は、ロードロック室3からコア室5を経由し処理室4へ搬送される。その後、処理室4プロセスチャンバ内において、基板2に対して処理操作例えば、エッチング、酸化、化学気相蒸着等が実施される。処理後の基板2は、処理室4に基板2が搬送される時と同様に、基板搬送ロボット6によって処理室4からコア室5を経由しロードロック室3へ戻される。ロードロック室3の内部は、前述したロードロック室3から処理室4に基板2が搬送された以降、ずっと真空に保持されている。基板2がロードロック室3に戻った後、窒素N2等のパージガスがロードロック室3内に供給され、ロードロック室3の圧力が大気圧に戻される以下、大気開放。また、加熱された基板2は、ロードロック室3内に設けられた上記のステージ12よって冷却される。ロードロック室3の圧力が大気圧に達した後、処理済みの基板2を基板カセットに移し、次の処理工程が行われる。本発明の実施形態の基板冷却方法は、基板2とステージ12とを接触させて熱交換することにより基板2を冷却する際に、第一空間αの第一圧力P1が、基板2よりも下側に位置するとともにステージ12と基板2の第2面2bとの間に設けられた隙間部19及び溝部13を含む第二空間βの第二圧力P2よりも大きくなるように、第一圧力P1及び第二圧力P2を制御する。従来、減圧下において、基板2とステージ12との間で生じる熱交換によって必要な温度まで基板2を冷却するためには、その距離が0.3mmである場合には15秒で完了し、その距離が2mmである場合には1分以上かかってしまう。例えば、直径300mm、厚さ0.7mmのシリコン基板の温度を500°Cから常温になるようにシリコン基板を冷却する際、シリコン基板の外周域が急激に常温に冷却されると、シリコン基板において2mm以上の反りが発生することがある。この結果、シリコン基板の上側方向において、シリコン基板の中央域が盛り上がり、シリコン基板が凸状に反り、ステージ12の表面からシリコン基板の中央域が離れ、シリコン基板の中央域の冷却速度は急激に低下する。結果として、基板2の反りが2mm以上である状態が維持される。また、中央域の温度が外周域の温度と近付いてくると、反りを有する基板2が元の形状に戻り始めると共に急激に冷却が始まる。このため、反りを有する基板2が元の形状に戻る際に、基板2とステージ12との間の空間に存在したガスは残留し、方向性を有するように流動しない。このため、ステージ12上において、基板2がスライドすることがある。また、凸状形状とは逆の形状、即ち、凹状に基板2が反る場合などにおいては、反りを有する基板2が元の形状に戻る際に、反動で基板2がステージ12上で跳ねてしまい、ステージ12上における基板2の位置がずれてしまうことなどがある。これに対し、本発明の基板冷却方法においては、図10に示すように、基板2とステージ12とを接触させて熱交換することにより基板2を冷却する。その際に、第一空間αの圧力P1が第二空間βの圧力P2よりも大きくなるように、圧力P1,P2を所定時間制御する。ここで、第二空間βは、基板2よりも下側に位置し、ステージ12と基板2の第2面2bとの間に設けられた隙間部19及び溝部13を含む空間である。そして、その所定時間においては、第一空間αと第二空間βとの圧力差により基板2がステージ12上に押し付けられ、基板2が凸状に変形するような反りが発生することを抑制することができる。これにより、基板2がステージ12から浮き上がらず、ステージ12と基板2とが接触する接触面積を確保し、基板2の中央域が冷却することができないという問題を解決することができる。その結果、本発明の基板冷却方法では、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板2を冷却することができる。更に、本発明によれば、基板2の中央域が加熱されたまま基板2の外周域が冷却された状態で大気搬送ロボットのバキュームチャックによって基板2を搬送する際、基板2の反りが大きいためにバキュームチャックすることができないという問題を回避することができる。第一空間αの圧力P1が大気圧となり基板2の冷却が終了したら、チャンバ11の下側に設けられたバルブ17hを開き、第二空間βの圧力P2を第一空間αの圧力P1と同じにする。これにより、昇降ピン20によって基板2をリフトアップする時に、基板2がステージ12から跳ねることを防止することができる。すなわち、基板2をステージ12から離脱させる際、ステージ12が基板2を吸引する効果によって、基板2が振動したり、基板2の第2面2bに傷がついてしまう問題も回避することができる。また、図3においては、ステージ12と基板2との間に不図示の溝が存在している。この溝は、基板2と接触するステージ12の隙間部19の面に設けられた微細な凹凸形状を意味する。このような溝が隙間部19の面に形成されているので、図10に示すように時間の経過に伴って、第一空間αの圧力P1と第二空間βの圧力P2は同等となる。このため、図3に示す構成においても、上述した傷がついてしまう問題を回避することができる。次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。図7A及び図7Bは、本発明の方法により基板を冷却した場合の結果を示している。図7Aは、基板を冷却する際の基板の各地点A~Eを示しており、図7Bは、各地点A~Eにおける温度と時間との関係を示している。一方、図8A,図8B,図9A,及び図9Bは、従来の方法により基板を冷却した場合の結果である。図7Bに示された本発明によって基板を冷却した結果と、図8A,図8B,図9A,及び図9Bに示された従来方法によって基板を冷却した結果とを比較すると、本発明においては、各地点A~Eにおいて均一かつ迅速に基板を冷却することが可能であることが分かる。すなわち、本発明では、基板を冷却する際に、制御部は、例えばガスの流量を調節することにより、第一空間の圧力P1が第二空間の圧力P2よりも大きくなるように、圧力P1,P2を制御した。具体的には、圧力P1が1000Paとなるように、P2が400Paとなるように、圧力P1,P2を制御した。圧力P1と圧力P2との圧力差は600Paであった。上述した説明から明らかな通り、この具体例の値数字は、ある特定の時刻における数値に過ぎない。何故ならば、圧力P1,P2の関係は、図10に示す通り時間の経過に伴って変化しており、圧力差差圧が発生している所定時間は、5秒間程度に過ぎない。なお、図10においては、第一空間内にガスを流し始めてから、およそ5秒後の時刻Tに、2つの圧力P1,P2がほぼ等しくなることが示されている。図8A及び図8Bでは、基板の外周域のみが冷却されたため、基板の中央域が盛り上がるように、基板が凸状に変形するように反ってしまい、その結果、ステージ面から基板の中央域が離れ、基板の中央域の冷却速度は急激に低下してしまっている。これに対し、図7Bに示すように本発明では、第一空間の圧力P1が第二空間の圧力P2よりも大きくなるように、前記圧力P1,P2を制御したことで、第一空間と第二空間との圧力差により基板がステージ上に押し付けられ、凸状の反りを抑制することができた。これにより基板がステージから浮き上がらず、ステージと基板とが接触する接触面積を確保し、基板の中央域を冷却することができるようになった。その結果、基板面内での温度のバラツキがなく、均一かつ迅速に基板を冷却することができることが確認された。図11に示す基板処理装置2003は、最も簡素化された装置である。図12は、図11に示す基板処理装置が備えるステージの一例を示す平面図である。ここで、符号15はVENT配管、符号17bはVENTフィルターを表す。図12に示すステージ12においては、隙間部19及び溝部13が交互に同心円状に配置されている。また、ステージ12は、符号A、B、Cで示す気抜き溝を更に備える。第一空間αと溝部13とを連通させるように気抜き溝Aが配置されている。また、隣接する溝部13の空間を連通させるように気抜き溝B、Cが配置されている。図11は、基板2がステージ12に載置された状態を示している。図11を参照して、基板2がステージ12に載置される工程について説明する。まず、搬送室不図示からLLロードロック室として機能する基板処理装置2003内に、例えば、350°Cの基板温度を有するように熱処理された基板2が搬送される。このとき、基板2は、リフトアップされた昇降ピン20によって支持され、昇降ピン20上に載置される。その後、搬送室とLL室とを空間的に区分する仕切りバルブ不図示が閉じる。引き続き、ロッド21を下降させることにより昇降ピン20が下降し、昇降ピン20は基板2から離れ、基板2がステージ12に載置される。このような図11に示す状態において、LL室の排気バルブ不図示を閉じ、バルブ17cを開くと、第一空間αの圧力P1及び第二空間βの圧力P2のそれぞれは、図10のグラフに示すように、圧力上昇カーブを描く。その際、バルブ17cを通じて基板処理装置2003へ導入されるガスVENTガスは、まず、第一空間α内に放出され、その後、矢印A、B、Cで示された経路を通じて、第二空間β内に順に流動し、更に、矢印D、Eで示された方向に流れる。その結果、第二空間βの圧力P2は、第一空間αの圧力P1に比べて低くなるP1>P2。第一空間αと第二空間βとの圧力差が作用することによって、基板2はステージ12に押しつけられるため、基板2とステージ12との間の距離を安定に保つことができる。また、溝部13の深さ又は面積を変えることにより、基板全体の冷却速度を制御することができる。また、第一空間αと第二空間βとの圧力差は、矢印A~Eで示すようにガスが流動する経路のコンダクタンスを変更することにより制御することができる。このため、基板2をステージ12に押しつける力の強弱が調整することができる。基板2の反りが大きいと、安定した冷却が難しい場合がある。このような場合には、矢印A~Eで示すようにガスが流動する経路のコンダクタンスを下げると共に、VENT配管15のVENT圧力を上げることで、基板2を安定的に冷却することが好ましい。このような調整を施すことにより、最低限の部品点数の付属部品を備えた図11に示す基板処理装置2003においても、最適な押しつけ圧力で、安定した基板の冷却処理が可能となる。以上、本発明の基板処理装置及び基板冷却方法について説明してきたが、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。"