"リードフレームと、前記リードフレームに実装された半導体素子と、前記半導体素子内に設けられた第1伝熱層と、前記第1伝熱層に接続された第2伝熱層と、前記第2伝熱層に接続された第3伝熱層と、前記半導体素子、前記第1伝熱層及び前記第2伝熱層を封止し、前記第3伝熱層が表出する樹脂層と、を含むことを特徴とする半導体装置。前記第1伝熱層と前記第2伝熱層とは、第1接着層を用いて接続され、前記第2伝熱層と前記第3伝熱層とは、第2接着層を用いて接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2伝熱層は、前記リードフレームに接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第2伝熱層は、折れ曲がり部分を有するシート状の伝熱部材であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。半導体素子内に第1伝熱層を設ける工程と、リードフレームに前記半導体素子を実装する工程と、前記第1伝熱層に第2伝熱層を接続する工程と、前記第2伝熱層に第3伝熱層を接続する工程と、前記半導体素子、前記第1伝熱層及び前記第2伝熱層を封止し、前記第3伝熱層が表出する樹脂層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。リードフレームに実装した半導体素子を樹脂層で封止する半導体装置において、上記のような技術では、半導体素子で発生する熱を効率的に外部に放熱することができない場合がある。例えば、高集積化に伴う半導体素子の単位面積当たりの発熱量の増加、パワー半導体素子を用いたときの発熱量の増加に対し、十分な放熱を行えない可能性がある。本発明の一観点によれば、リードフレームと、前記リードフレームに実装された半導体素子と、前記半導体素子内に設けられた第1伝熱層と、前記第1伝熱層に接続された第2伝熱層と、前記第2伝熱層に接続された第3伝熱層と、前記半導体素子、前記第1伝熱層及び前記第2伝熱層を封止し、前記第3伝熱層が表出する樹脂層とを含む半導体装置が提供される。開示の半導体装置によれば、半導体素子で発生した熱を効率的に外部へ放熱することが可能になる。図1は半導体装置の構成例を示す図である。図1に示す半導体装置1は、リードフレーム2、半導体素子3、第1伝熱層4、第2伝熱層5、第3伝熱層6、及び樹脂層7を有している。半導体素子3は、リードフレーム2に実装されている。第1伝熱層4は、リードフレーム2に実装された半導体素子3内の、例えばその表面に、設けられている。尚、第1伝熱層4は、半導体素子3の、より内部に設けられた、更に別の伝熱層に接続されていてもよい。第2伝熱層5は、第1伝熱層4に接続されており、第3伝熱層6は、第2伝熱層5に接続されている。樹脂層7は、第3伝熱層6の表面が露出するように、リードフレーム2上の半導体素子3、第1伝熱層4及び第2伝熱層5を封止している。尚、第1伝熱層4、第2伝熱層5及び第3伝熱層6には、樹脂層7の材料よりも熱伝導率の高い材料が用いられる。このような構成を有する半導体装置1において、半導体素子3で発生した熱は、例えば、第1伝熱層4に伝熱され、第1伝熱層4に伝熱された熱は、第2伝熱層5に伝熱され、第2伝熱層5に伝熱された熱は、第3伝熱層6に伝熱される。半導体装置1では、半導体素子3に設けた第1伝熱層4に第2伝熱層5が接続され、第2伝熱層5に第3伝熱層6が接続されているため、半導体素子3で発生した熱を第3伝熱層6まで効率的に伝熱させることができる。更に、半導体装置1では、第3伝熱層6を樹脂層7から表出させているため、第3伝熱層6まで伝熱された熱を、効率的に外部に放熱させることができる。尚、半導体素子3で発生した熱の伝熱、放熱の経路は、このように第1伝熱層4、第2伝熱層5、第3伝熱層6を順に伝熱されて第3伝熱層6から外部に放熱される経路に限らない。例えば、半導体素子3、第1伝熱層4、或いは第2伝熱層5から樹脂層7に伝熱され、樹脂層7から第3伝熱層6に伝熱されて、そこから外部に放熱される経路もある。また、樹脂層7に伝熱された熱が、樹脂層7から外部に放熱される経路もある。半導体装置1では、半導体素子3と、樹脂層7から表出する第3伝熱層6との間を、第1伝熱層4及び第2伝熱層5を用いて接続しているため、半導体素子3の熱を第3伝熱層6へと効率的に伝熱させ、外部に放熱させることが可能になっている。また、半導体素子3内に第1伝熱層4を設けることにより、半導体素子3で発生した熱を効率的に第2伝熱層5、第3伝熱層6へと伝熱することができる。更にまた、第2伝熱層5と第3伝熱層6を別体とすることにより、第2伝熱層5として、例えば後述のような様々な形態のものを適用することができる。以下、半導体装置について、より詳細に説明する。図2は第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。尚、図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置の一例の要部を模式的に示す図であって、Aは断面図、Bは平面図である。図2に示す半導体装置半導体パッケージ10Aは、リードフレーム11、及びリードフレーム11に実装された半導体素子チップ12図2Bでは点線で図示を有している。半導体素子12は、ダイボンド材13を用いてリードフレーム11上に接着されている。半導体素子12の表面に設けられている電極パッド12aは、ワイヤ14でリードフレーム11に接続され、半導体素子12とリードフレーム11とが電気的に接続されている。ダイボンド材13には、例えば、銀Agペーストやはんだ等、接着性と熱伝導性を有する材料を用いることができる。ワイヤ14には、例えば、金AuやアルミニウムAl等の材料を用いることができる。半導体素子12の内部には、第1伝熱層15図2Bでは点線で図示が設けられている。第1伝熱層15は、半導体素子12の上面側に、電極パッド12aの配設領域を避けて、設けられている。第1伝熱層15には、シート状の伝熱部材を用いることができる。第1伝熱層15には、金属材料、カーボン材料、セラミックス材料を用いることができる。例えば、第1伝熱層15には、封止樹脂に比べて熱伝導性の高い材料が用いられる。第1伝熱層15は、例えば、半導体素子12を形成するときに、その内部に作り込むことで、形成することができる。例えば、電極パッド12aの形成時に、電極パッド12aと同じ層の所定領域に、電極パッド12aと同じ材料を用いて、第1伝熱層15を形成しておく。尚、その際、第1伝熱層15の下層に別の伝熱層を、例えば配線やビアと共に形成しておき、当該伝熱層と接続されるように、第1伝熱層15を形成するようにしてもよい。第1伝熱層15には、第2伝熱層16図2Bでは点線で図示が接続されている。第2伝熱層16は、例えば図2に示すように、第1接着層18を用いて第1伝熱層15に接続される。第2伝熱層16には、例えば、金属材料、カーボン材料、セラミックス材料を用いることができる。例えば、第2伝熱層16には、封止樹脂に比べて高い熱伝導性を有する材料を用いることができる。また、第1接着層18には、例えば、Agペーストやはんだ等、接着性と熱伝導性を有する材料を用いることができる。尚、第1伝熱層15と第2伝熱層16の材質の組み合わせによっては、このような第1接着層18を用いずに第1伝熱層15と第2伝熱層16とを接続することも可能である。第2伝熱層16には、様々な形状のものを用いることができる。ここでは一例として、所定の材料からなるフレキシブルシートのような柔軟性のあるシート状の伝熱部材を2つ折りに折り返した形状U字形状の第2伝熱層16を1つ用いている。このような折り返し形状を有する第2伝熱層16の一方の端部側下側が、第1接着層18を介して第1伝熱層15の上面に接続されている。折り返し形状を有する第2伝熱層16のもう一方の端部側上側には、第3伝熱層17が接続されている。第3伝熱層17は、例えば図2に示すように、第2接着層19を用いて第2伝熱層16に接続される。第3伝熱層17には、シート状の伝熱部材を用いることができる。第3伝熱層17には、例えば、金属材料、カーボン材料、セラミックス材料を用いることができる。例えば、第3伝熱層17には、封止樹脂に比べて高い熱伝導性を有する材料を用いることができる。また、第2接着層19には、例えば、Agペーストやはんだ等、接着性と熱伝導性を有する材料を用いることができる。尚、第2伝熱層16と第3伝熱層17の材質の組み合わせによっては、このような第2接着層19を用いずに第2伝熱層16と第3伝熱層17とを接続することも可能である。このように、リードフレーム11に実装された半導体素子12に、第1伝熱層15、第2伝熱層16及び第3伝熱層17が熱的に接続されている。リードフレーム11にダイボンド材13で接着された半導体素子12、ワイヤ14、第1伝熱層15、第2伝熱層16は、樹脂層20によって封止されている。樹脂層20は、第3伝熱層17の、例えばその上面が表出するように、設けられている。樹脂層20には、例えば、所定の非導電性フィラーを含有する樹脂封止樹脂を用いることができる。尚、フィラーには、熱伝導性の高いものを用いてもよい。樹脂層20は、所定の金型を用いたモールド法によって形成することができる。上記構成を有する半導体装置10Aでは、半導体素子12で発生した熱を、第1伝熱層15、第2伝熱層16、第3伝熱層17へと効率的に伝熱させ、樹脂層20から表出する第3伝熱層17から効率的に外部へと放熱させることができる。半導体装置10Aでは、第2伝熱層16を折り返し形状とし、折り返した両端部の外側の表面でそれぞれ第1伝熱層15及び第3伝熱層17と接続させる。そのため、第2伝熱層16の湾曲或いは屈曲した部分折り返し部分で積層方向の伝熱経路を確保しつつ、両端部の表面で第1伝熱層15及び第3伝熱層17との接触面積伝熱面積を比較的大きく確保することができる。これにより、半導体素子12から第3伝熱層17への効率的な伝熱が実現されている。更に、第1伝熱層15と第3伝熱層17の間を繋ぐ第2伝熱層16に比較的柔軟な材料を用いることで、樹脂層20を形成する際に、第2伝熱層16がクッション性を発揮し、樹脂封止時の樹脂流動による半導体素子12への衝撃が抑制される。例えば、樹脂封止時には、封止前の組立体が金型の上型と下型の間に挟まれ、その間の空間に封止樹脂が圧入され、横方向に封止樹脂が流動し、組立体が封止樹脂で封止される。このときの横方向の樹脂流動により、第3伝熱層17や第2伝熱層17には、ある程度の荷重がかかる。その荷重に応じ、第2伝熱層16が、その柔軟性により、一端部を第1伝熱層15と半導体素子12の側に固定された状態で、横方向に変形する。仮に、第2伝熱層16に柔軟性のない材料を用いていると、樹脂封止時の樹脂流動による荷重が、半導体素子12側にかかってしまい、半導体素子12の損傷、破損を招く恐れがある。これに対し、上記のような柔軟性を有する第2伝熱層16を用いると、その変形によるクッション効果により、樹脂封止時の樹脂流動によって半導体素子12にかかる荷重負担を低減することが可能になる。それにより、半導体素子12の損傷、破損を抑制し、半導体装置10Aの信頼性向上、歩留まり向上を図ることが可能になる。尚、ここでは、第2伝熱層16を、第1伝熱層15と第3伝熱層17の間に1つ設ける場合を例示したが、複数の第2伝熱層16を設けることも可能である。図3は第1の実施の形態に係る半導体装置の別例を示す図である。尚、図3は、第1の実施の形態に係る半導体装置の別例の要部を模式的に示す図であって、Aは断面図、Bは平面図である。図3に示す半導体装置10Aaは、第1伝熱層15と第3伝熱層17の間に、複数の第2伝熱層16を設けた構造を有している。この場合、各第2伝熱層16には、上記のような形状、材質のものを用いることができ、各第2伝熱層16が、第1接着層18を介して第1伝熱層15に接続され、第2接着層19を介して第3伝熱層17に接続される。このように複数の第2伝熱層16を設けた場合にも、上記同様の伝熱、放熱効果と、樹脂封止時の半導体素子12への荷重低減効果を得ることができる。ところで、上記のような第2伝熱層16を用いず、第1伝熱層15と第3伝熱層17とをビアで接続した場合には、伝熱、放熱効果に制約が生じ得る。ここで、上記のような第2伝熱層16を用いた構造の場合と、ビアを用いた構造の場合について、それらの熱伝導を比較する。そこで、それぞれの場合について、次のようなモデル計算を行う。図4及び図5はモデル計算の説明図である。図4及び図5において、Aは第2伝熱層を用いた構造のモデルの説明図、Bはビアを用いた構造のモデルの説明図である。ここでは、まず、図4Aに示すように、第2伝熱層16とそれを封止している樹脂層20の領域の、一断面の構造について、式1を用い、等価熱伝導率を算出する。比較のため、ビア構造についても、上記第2伝熱層16をビアに置き換え、図4Bに示したように樹脂層20内にビア100が配置された構造の一断面を想定し、式1を用い、等価熱伝導率を算出する。尚、第2伝熱層16とビア100の材質は同じとする。λeq=λP×APλR×AR/APAR1この式1において、λeqは等価熱伝導率、λPは第2伝熱層16又はビア100の熱伝導率、λRは樹脂層20の熱伝導率、APは第2伝熱層16又はビア100の断面積、ARは樹脂層20の断面積である。尚、第2伝熱層16が第1伝熱層15、第3伝熱層17とそれぞれ接続される部分折り返した両端部の厚さが十分薄いと仮定する。その場合、伝熱経路の体積は、図5Aに示すような折り返し部分の断面積A1伝熱面積×高さH第1伝熱層15と第2伝熱層16の間の樹脂層20の厚さと考えることができる。第2伝熱層16を、単に図5Bに示すようなビア100に置き換えれば、両者は高さHが同じになるため、体積によらず断面積A1,A2伝熱面積によって熱伝導率を比較することができる。具体的なモデル計算例として、第2伝熱層16の厚さシート厚が150μm、幅シート幅が300μmであるとし、平面サイズ5mm×5mmの半導体素子12の上に、ピッチ400μmで、折り返し形状の第2伝熱層16を複数配置するものとする。この場合、縦に7個、横に7個、合計49個約50個の第2伝熱層16を配置することができる。ビア100については、例えば、半導体素子12上への樹脂シート樹脂層20の一部に相当の貼り付け、レーザ加工による穴開け、めっきによる充填、というプロセスを繰り返すビルドアッププロセスで形成する場合を想定する。穴開け加工が可能で、且つ平坦なめっき充填が可能なビア100の最大径は200μmである。このようなサイズのビア100を、平面サイズ5mm×5mmの半導体素子12の上に、ピッチ400μmで配置するものとすると、縦に7個、横に7個、合計49個約50個のビア100が配置できることになる。図6に伝熱面積と等価熱伝導率の関係を示す。尚、図6では、第2伝熱層16の伝熱面積と等価熱伝導率の関係を実線伝熱層構造で示し、ビア100の伝熱面積と等価熱伝導率の関係を点線ビア構造で示している。図6に示した12,25,50の数字は、第2伝熱層16の個数、ビア100の個数を示している。図6より、第2伝熱層16は、同じ個数のビア100を用いたときよりも、大きな伝熱面積を得ることができ、高い熱伝導率を得ることができる。ビア100の場合、上記モデル計算では、形成ルール上、50個分のビア100の伝熱面積である1.6mm2までしか伝熱面積を確保することができない。これに対し、第2伝熱層16の場合には、同じ50個を配置したときでも、より大きな伝熱面積を確保することができる。従って、第2伝熱層16は、半導体素子12にパワー半導体等の発熱量の大きいものを用いる場合にも、好適に利用することができる。また、第2伝熱層16は、シート厚、シート幅、個数の自由度が高いため、用いる半導体素子12の種類や、要求される放熱特性等に応じて、最適な形態を選択することができる。続いて、第1の実施の形態に係る半導体装置の形成方法について説明する。図7は第1の実施の形態に係る半導体装置の形成方法の一例を示す図である。まず、図7Aに示すように、第1伝熱層15を所定領域に設けた半導体素子12を、ダイボンド材13を用いて、リードフレーム11上にフェースアップでダイボンディングする。次いで、半導体素子12の電極パッド12aと、リードフレーム11リード部アウターリードの間を、ワイヤ14で電気的に接続する。尚、電極パッド12aとリードフレーム11の間は、ウェッジボンディング法を用いて電気的に接続してもよい。次いで、予め折り返し形状としている第2伝熱層16、及び、その上に設けるシート状の第3伝熱層17を接続していく。その際は、例えば、図7Bに示すように、第1伝熱層15の上面に第1接着層18を設け、第3伝熱層17の下面に第2接着層19を設ける。そして、図7Cに示すように、折り返し形状としている第2伝熱層16の一方の端部側を、第1接着層18を介して第1伝熱層15に接続し、もう一方の端部側に、第2接着層19を介して第3伝熱層17を接続する。図7Cのように第3伝熱層17の接続まで行った後は、得られた組立体を、樹脂封止モールド装置の金型上型と下型の間にセットし、半導体素子12、ワイヤ14、リードフレーム11アウターリード、第1伝熱層15及び第2伝熱層16を、熱硬化性の封止樹脂によって封止する。その際は、第3伝熱層17の上面が表出するように、封止する。封止後、金型を取り外すことで、図7Dに示すような樹脂層20で封止された組立体が得られる。封止の際、樹脂は、例えば、上型と下型の間に圧入され、横方向に流動しながら組立体を埋めていく。この樹脂の流動により、第2伝熱層16や第3伝熱層17には荷重がかかり得るが、そのような荷重を第2伝熱層16が変形により吸収し、半導体素子12側にかかる荷重負担を低減することができる。封止後、金型を取り外した後は、リードフレーム11のアウターリードを切断することで、半導体装置10Aを得る。尚、ここでは1個の半導体装置10Aを図示している。勿論、1枚のリードフレーム11に複数の半導体素子12を実装し、それぞれに第1伝熱層15、第2伝熱層16、第3伝熱層17を接続し、全体を封止し、リードの切断を行って個々に分離し、複数の半導体装置10Aを得るようにしてもよい。また、図7には、1つの第2伝熱層16を設ける半導体装置10A図2の形成方法を例示したが、複数の第2伝熱層16を設ける半導体装置10Aa図3も、この図7に示したような例に従って形成することが可能である。尚、図7に示したような方法を用いて形成される半導体装置の内部構造の例を図8及び図9に示す。図8及び図9では、リードフレーム11の半導体素子12の搭載領域を模式的に図示している。半導体素子12は、2つのトランジスタ部12b、及び、ゲート、ソース、ドレイン用の電極パッド12aを備えている。ゲート用の電極パッド12aは、リードフレーム11のゲート用のリード部11aにゲート配線14aワイヤ14で接続される。ソース用の電極パッド12aは、リードフレーム11のソース用のリード部11bにソース配線14bワイヤ14で接続される。ドレイン用の電極パッド12aは、リードフレーム11のドレイン用のリード部11cにドレイン配線14cで接続される。図8には、各トランジスタ部12bの上にそれぞれ第1伝熱層15が設けられ、その上にそれぞれ第2伝熱層16が接続された構造を例示している。そして、ここでは図示を省略するが、各第2伝熱層16の上にそれぞれ第3伝熱層17が接続される。図9には、各トランジスタ部12b上に設けられた第1伝熱層15の上にそれぞれ、複数の第2伝熱層16が接続された構造を例示している。そして、ここでは図示を省略するが、各第1伝熱層15上の複数の第2伝熱層16を覆うように、それぞれ第3伝熱層17が接続される。以上、第1の実施の形態に係る半導体装置について説明した。以上の説明では、第2伝熱層16を第1伝熱層15及び第3伝熱層17と接続する場合について述べたが、第2伝熱層16は、更にリードフレーム11と接続することも可能である。図10は第2の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。図10に示す半導体装置半導体パッケージ10Bは、第2伝熱層16が、樹脂層20の端部まで引き延ばされ、伝熱部材21を介してリードフレーム11に接続された構造を有している。樹脂層20の端部に引き延ばされた第2伝熱層16と伝熱部材21の一端部は、例えば図10に示すように、第3接着層22を用いて接続される。また、伝熱部材21の他端部とリードフレーム11は、例えば図10に示すように、第4接着層23を用いて接続される。尚、第2伝熱層16と伝熱部材21の材質の組み合わせによっては、第3接着層22を用いずに第2伝熱層16と伝熱部材21を接続することも可能である。また、伝熱部材21とリードフレーム11の材質の組み合わせによっては、第4接着層23を用いずに伝熱部材21とリードフレーム11を接続することも可能である。このような半導体装置10Bによれば、半導体素子12で発生した熱を、第1伝熱層15、第2伝熱層16、第3伝熱層17へと順に伝熱させるほか、第2伝熱層16から伝熱部材21を介してリードフレーム11へと伝熱させることができる。これにより、半導体素子12から第2伝熱層16に伝熱された熱を、樹脂層20から表出する第3伝熱層17のほか、リードフレーム11から、或いは樹脂層20から表出する伝熱部材21から、外部へと放熱することができ、放熱効果を更に高めることができる。上記構成を有する半導体装置10Bは、例えば、次のようにして形成することができる。図11は第2の実施の形態に係る半導体装置の形成方法の一例を示す図である。図11Aに示すように、第1伝熱層15を所定領域に設けた半導体素子12を、ダイボンド材13でリードフレーム11上にダイボンディングした後、半導体素子12の電極パッド12aとリードフレーム11の間を、ワイヤ14で電気的に接続する。次いで、予め一方の端部側が長くなるような折り返し形状とした第2伝熱層16、シート状の第3伝熱層17を接続していく。例えば、図11Aに示すように、第1伝熱層15、第3伝熱層17にそれぞれ第1接着層18、第2接着層19を設ける。そして、図11Bに示すように、折り返し形状の第2伝熱層16の短い方の端部側を、第1接着層18を介して第1伝熱層15に接続し、長い方の端部側に、第2接着層19を介して第3伝熱層17を接続する。更に、図11Bに示すように、第2伝熱層16の長い方の端部側先端部に、犠牲層24を形成する。犠牲層24は、例えば、レジストを用いて形成することができる。尚、犠牲層24は、第1伝熱層15及び第3伝熱層17との接続前に、予め第2伝熱層16の所定部分に形成しておくこともできる。次いで、上記のようにして得られた組立体を、モールド装置の金型上型と下型の間にセットし、半導体素子12、ワイヤ14、リードフレーム11アウターリード、第1伝熱層15及び第2伝熱層16を、封止樹脂によって封止する。その際は、第3伝熱層17及び犠牲層24が表出するように、封止する。封止後、金型を取り外すことで、図11Cに示すような樹脂層20で封止された組立体が得られる。次いで、封止後の組立体に表出する犠牲層24を除去する。そして、犠牲層24の除去後に露出する第2伝熱層16の先端部と、リードフレーム11とを、図11Dに示すように、伝熱部材21によって接続する。ここでは、露出する第2伝熱層16の先端部に第3接着層22を設け、リードフレーム11に第4接着層23を設けて、伝熱部材21の両端部を、第3接着層22及び第4接着層23を介して、第2伝熱層16及びリードフレーム11にそれぞれ接続する。以後は、リードフレーム11のアウターリードを切断することで、半導体装置10Bを得る。尚、ここでは、樹脂層20の形成後、伝熱部材21で第2伝熱層16とリードフレーム11を接続するようにした。このほか、樹脂層20の形成前に、伝熱部材21で第2伝熱層16とリードフレーム11を接続しておき、その後、その伝熱部材21も封止されるように、樹脂層20を形成するようにしてもよい。このようにして得られる構造であっても、樹脂層20内で、第2伝熱層16が伝熱部材21を介してリードフレーム11に接続されていることで、高い放熱効果を得ることが可能である。また、ここでは、伝熱部材21を用いて第2伝熱層16をリードフレーム11に接続するようにしたが、伝熱部材21を用いず、第2伝熱層16の一端部をリードフレーム11まで引き延ばし、リードフレーム11と接続することもできる。図12は第2の実施の形態に係る半導体装置の別例を示す図である。図12に示す半導体装置10Baは、折り返し形状の第2伝熱層16の一方の端部側先端部を、更に折り曲げた形状とし、その折り曲げた部分をリードフレーム11に第4接着層23を介して接続した構造を有している。このような構造とする場合には、予め図12に示したような形状となるように折り返しと先端部の折り曲げを行った第2伝熱層16を、第1伝熱層15、第3伝熱層17、リードフレーム11にそれぞれ接続し、折り曲げられた先端部が表出するように封止を行う。或いは、折り返しまで行った先端部折り曲げ前の第2伝熱層16を、第1伝熱層15、第3伝熱層17にそれぞれ接続し、折り曲げを行う先端部が表出するように封止を行った後、その表出する先端部を折り曲げ、リードフレーム11に接続する。尚、図12には、第2伝熱層16の先端部を樹脂層20から表出させてリードフレーム11と接続する場合を例示したが、リードフレーム11との接続部を含む第2伝熱層16の全体を樹脂層20で封止してもよい。このような構造であっても、第2伝熱層16がリードフレーム11に接続されていることで、高い放熱効果を得ることが可能である。以上、第1,第2の実施の形態に係る半導体装置について説明したが、これらの半導体装置に用いる第2伝熱層16は、上記のようなシート状の材料を折り返したもの、或いは折り返した部分を含むものには限定されない。例えば、線状の材料を折り返した形状にしたものや、折り返した部分を含んだ形状にしたものを、第1伝熱層15及び第3伝熱層17と接続する第2伝熱層として設けてもよい。また、このように第1伝熱層15及び第3伝熱層17と接続する第2伝熱層は、上記のような折り返し形状、或いはそのような形状部分を含んだ形状のものには限定されない。例えば、第1伝熱層15及び第3伝熱層17と接続する第2伝熱層として、以下の図13~図16に示すような形態のものを用いることもできる。例えば、第1伝熱層15及び第3伝熱層17と接続する第2伝熱層としては、図13に示すような、折り返しのない、ステップ形状の第2伝熱層16aを用いたり、図14に示すような複数回折り返した形状の第2伝熱層16bを用いたりすることもできる。このような第2伝熱層16a,16bは、シート状の材料、又は線状の材料を用いて、形成することができる。また、第1伝熱層15及び第3伝熱層17と接続する第2伝熱層としては、図15及び図16に示すような、封止樹脂が流入可能な多孔質型の第2伝熱層16c,16dを用いることもできる。例えば、図15に示す第2伝熱層16cは、線状の材料をメッシュ状に編んだものである。図16に示す第2伝熱層16dは、ブロック状の材料に多数の細孔を形成したものである。以上例示したような第2伝熱層16a~16dを、第1伝熱層15と第3伝熱層17の間に設け、それらと接続するようにしても、上記同様、半導体素子12で発生した熱を、効率的に外部に放熱させることができる。尚、第2伝熱層16a~16dのいずれの場合にも、更にリードフレーム11と接続するための伝熱部材を用い、樹脂層20の外部或いは内部でリードフレーム11と接続することも可能である。また、第2伝熱層16a~16dのいずれの場合にも、その一部を樹脂層20の外部に引き延ばし、或いは内部で引き延ばし、その引き延ばした先端部をリードフレーム11と接続することも可能である。第2伝熱層としては、以上例示したもののほか、スパイラル型コイル形状のものや、ベローズ型のもの等を用いることも可能である。第2伝熱層には、第1伝熱層15から第3伝熱層17への伝熱が可能で、樹脂封止時の樹脂流動による荷重を吸収するようなクッション性を発揮するもの、或いはクッション性は発揮しなくとも樹脂流動を妨げないものを、広く適用することが可能である。第2伝熱層には、金属や合金の箔、リボン、ワイヤ、或いはカーボンファイバやカーボンナノチューブ、或いはまた各種セラミックスを利用することができる。以下、実施例及び比較例について述べる。<実施例>複数の第2伝熱層16を有する半導体装置10Aa図3を形成した。ここでは、平面サイズ5mm×5mmの半導体素子12を用い、第1伝熱層15と第3伝熱層17の間に、シート厚150μm、シート幅300μmの銅Cuのフレキシブルシートを、高さ1mmの折り返し形状とした第2伝熱層16をピッチ400μmで49個配置した。半導体素子12の動作時における半導体装置10Aa全体の熱抵抗を測定した結果、0.5°C/W以下であった。半導体装置10Aa全体の等価熱伝導率を試算した結果、61任意単位であった。<比較例>上記実施例の第2伝熱層16をビアに替えた半導体装置を形成した。ここでは、厚さ200μmの樹脂シートの貼り付け、レーザによる直径200μm、ピッチ400μmの穴開け加工、穴のめっき充填というビルドアッププロセスを5回繰り返し、第1伝熱層15上に49個のビアを形成し、その上に第3伝熱層17を配置した。半導体素子12の動作時における半導体装置全体の熱抵抗を測定した結果、1.5°C/Wと、上記実施例の3倍以上であった。半導体装置10A全体の等価熱伝導率を試算した結果、43任意単位となり、上記実施例よりも30低下した。ビルドアッププロセスではなく、第1伝熱層15上にビアを形成した後に、樹脂層20封止樹脂で封止した半導体装置の場合にも、この比較例と同様の結果が得られた。上記したような第2伝熱層を用いた半導体装置によれば、低熱抵抗化、高熱伝導率化が可能になり、更に、信頼性の向上、歩留まりの向上を図ることが可能になる。以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1リードフレームと、前記リードフレームに実装された半導体素子と、前記半導体素子内に設けられた第1伝熱層と、前記第1伝熱層に接続された第2伝熱層と、前記第2伝熱層に接続された第3伝熱層と、前記半導体素子、前記第1伝熱層及び前記第2伝熱層を封止し、前記第3伝熱層が表出する樹脂層と、を含むことを特徴とする半導体装置。付記2前記第1伝熱層と前記第2伝熱層とは、第1接着層を用いて接続され、前記第2伝熱層と前記第3伝熱層とは、第2接着層を用いて接続されていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。付記3前記第2伝熱層は、前記リードフレームに接続されていることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置。付記4前記第2伝熱層は、折れ曲がり部分を有するシート状の伝熱部材であることを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。付記5前記第2伝熱層は、折れ曲がり部分を有する線状の伝熱部材であることを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。付記6前記第2伝熱層は、多孔質の伝熱部材であることを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。付記7前記第2伝熱層は、前記第1伝熱層と前記第3伝熱層の間に複数設けられていることを特徴とする付記1乃至6のいずれかに記載の半導体装置。付記8前記半導体素子は、前記リードフレームにワイヤを用いて電気的に接続され、前記樹脂層は、前記半導体素子、前記第1伝熱層、前記第2伝熱層及び前記ワイヤを封止することを特徴とする付記1乃至7のいずれかに記載の半導体装置。付記9半導体素子内に第1伝熱層を設ける工程と、リードフレームに前記半導体素子を実装する工程と、前記第1伝熱層に第2伝熱層を接続する工程と、前記第2伝熱層に第3伝熱層を接続する工程と、前記半導体素子、前記第1伝熱層及び前記第2伝熱層を封止し、前記第3伝熱層が表出する樹脂層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。付記10前記第1伝熱層に第1接着層を用いて前記第2伝熱層を接続し、前記第2伝熱層に第2接着層を用いて前記第3伝熱層を接続することを特徴とする付記9に記載の半導体装置の製造方法。"