有機電子OEデバイスの製造方法であって、前記OEデバイスの基板上に、または別の層の上に、架橋性の誘電体材料を含む絶縁体層を被着させるステップと、前記誘電体材料の部分的であって完全ではない架橋を生じさせる、第1の放射線量または第1の熱エネルギーに、前記絶縁体層の1つまたは2つ以上の区域を露出させるステップと、前記第1の放射線量または第1の熱エネルギーへの露出よりも、前記誘電体材料のより程度の高い架橋を生じさせる、第2の放射線量または第2の熱エネルギーに、前記絶縁体層の1つまたは2つ以上であって、全部ではない区域を露出させるステップであって、前記2つの露出ステップの順序を逆転させることもできるステップと、前記絶縁体層の少なくとも一部に有機半導体OSC層を被着させて、前記OSC層が、前記誘電体材料のより程度の高い架橋を有する絶縁体層の区域の少なくとも一部と直接的に接触するようにするステップとを含む、前記方法。第1の露出ステップの前に、絶縁体層の1つまたは2つ以上の、しかしすべてではない区域において、誘電体材料を部分的に架橋させて、それによって架橋された区域と架橋されていない区域とのパターンをもたらすステップであって、前記架橋が耐溶媒性を与えるのに十分である、前記ステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。第1および第2の露出ステップの後に、前記先行ステップにおいて架橋されなかった残留誘電体材料を、例えば、溶媒洗浄液によって除去するステップを含むことを特徴とする、請求項2に記載の方法。a基板上にゲート電極を被着させるステップと、b架橋可能な誘電体材料を含む絶縁体層を、前記ゲート電極および/または前記基板上に被着させて、任意選択で前記誘電体材料をアニーリングするステップと、b1任意選択で、架橋された誘電体材料を含有する区域、および架橋された誘電体材料を含有しない区域を残すように、前記絶縁体層をパターン形成するステップであって、好ましくは、フォトマスクまたはシャドーマスクを通して前記絶縁体層を光放射に露出させることによって、または熱レーザを使用して選択区域だけを加熱するように、前記絶縁体層を熱エネルギーに露出させることによって、前記誘電体材料の架橋の程度が耐溶媒性を与えるのに十分である、前記ステップと、c前記架橋性誘電体材料の架橋を生じさせる、第1の放射線量または第1の熱エネルギーに、前記絶縁体層を露出させるステップと、d前記絶縁体層の全部ではないが一部の区域を、ステップcにおけるよりも、より程度の高い架橋性誘電体材料の架橋を生じさせる、第2の放射線量または第2の熱エネルギーに露出させるステップと、d1先行するステップにおいて架橋されなかった残留誘電体材料を、例えば溶媒洗浄液によって、任意選択で除去するステップと、eソース/ドレイン電極を、前記絶縁体層の上に被着させるステップと、fOSC層を前記ソース/ドレイン電極、ならびに前記絶縁体層の上に被着させて、任意選択で、続いて前記OSC層をアニーリングするステップであって、任意選択で、ステップcの前にステップdを実行するか、かつ/または任意選択でステップeの前にステップfを実行するとともに、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の区域がチャネル区域であって、前記OSC層が、少なくとも前記チャネル区域において、または少なくとも前記チャネル区域が全体的に重なる区域において、前記絶縁体層と直接的に接触している、前記ステップとを含むことを特徴とする、請求項1から3の一項または二項以上に記載の方法。第2の放射線量または第2の熱エネルギーに露出される絶縁体層の区域単数または複数が、チャネル区域に重ねられる区域を含むとともに、任意選択で、前記ソース電極またはドレイン電極に重ねられる区域を含むことを特徴とする、請求項4に記載の方法。aa架橋性誘電体材料を含有する絶縁体層が、基板上に被着されるステップと、bb前記絶縁体層の全部ではないが一部の区域が、前記誘電体材料の架橋を発生させるより高い線量の光放射に露出され、他の区域がより低い線量の前記光放射に露出されるステップと、ccソース/ドレイン電極が、該ソース/ドレインの間のチャネル領域が前記絶縁体層のパターン形成された区域の上にある状態で、形成されるステップと、ddOSC材料の層が、前記絶縁体層および前記ソース/ドレイン電極の上に被着されるステップと、ee有機ゲート絶縁体OGI層が、前記OSC層上に被着されるステップと、ffゲート電極が、前記OGI層上に形成されるステップとを含むことを特徴とする、請求項1~3の一項または二項以上に記載の方法。放射がUV放射であることを特徴とする、請求項1~6の一項または二項以上に記載の方法。第2の放射線量が、第1の放射線量と同等か、それよりも高いことを特徴とする、請求項1~7の一項または二項以上に記載の方法。第2の露出ステップにおいて、絶縁体の選択された区域が第2の放射線量に露出されるのを少なくとも部分的に防止する、パターン形成された保護層、フォトマスク、またはシャドーマスクによって、絶縁体層が選択的に保護されていることを特徴とする、請求項1~8の一項または二項以上に記載の方法。絶縁体層が、ゲート絶縁体層または中間層であることを特徴とする、請求項1~9の一項または二項以上に記載の方法。絶縁体層が、エポキシ成分、マレイミド成分、クマリン成分またはインダン成分を含む、桂皮酸ポリビニルまたは多環オレフィンなどの、光架橋性または熱架橋性の誘電体ポリマーから選択される、架橋性誘電体材料を含むことを特徴とする、請求項1~10の一項または二項以上に記載の方法。有機半導体層が、任意選択で置換されたポリアセンを含むとともに、有機結合剤を任意選択でさらに含むことを特徴とする、請求項1~11の一項または二項以上に記載の方法。請求項1~12の少なくとも一項に記載の方法によって得られる、電子デバイス。トップゲート型またはボトムゲート型の有機電界効果型トランジスタであることを特徴とする、請求項13に記載の電子デバイス。