第1の再生シールドおよび第2の再生シールドと、前記第1および第2の再生シールド間にある再生部積層体とを備え、前記第1および第2の再生シールドは各々、前記再生部積層体のフリー層中の磁束線を制御するように、前記再生部積層体の最も近くにある高透磁率薄層と、低透磁率層とを含む、装置。前記第1および第2の再生シールドのうち少なくとも一方の中に第2の高透磁率層をさらに備える、請求項1に記載の装置。前記再生部積層体の最も近くにある前記高透磁率薄層は、引張力の下で高い飽和モーメントと低い磁気歪みとを有する材料を含む、請求項1に記載の装置。前記再生部積層体の最も近くにある前記高透磁率薄層は、コバルトCoとニッケルNiと鉄Feとの合金を含む、請求項1に記載の装置。前記CoとNiとFeとの合金は、70~80重量パーセントのCoと、8~18重量パーセントのNiと、7~17重量パーセントのFeとを含む、請求項4に記載の装置。前記CoとNiとFeとの合金は、75重量パーセントのCoと、13重量パーセントのNiと、12重量パーセントのFeとを含む、請求項5に記載の装置。前記再生部積層体の最も近くにある前記高透磁率薄層の厚みは、約40ナノメートルである、請求項1に記載の装置。第1の再生シールドおよび第2の再生シールドと、前記第1および第2の再生シールド間にある再生部積層体とを備え、前記第1および第2の再生シールドは各々、前記再生部積層体のフリー層中の磁束線を制御するように、エアベアリング面に幾何学的特徴を含む、装置。前記幾何学的特徴は、前記第1および第2の再生シールドの各々にある窪みである、請求項8に記載の装置。前記幾何学的特徴は、前記エアベアリング面において前記第1および第2の再生シールドの各々の中の高透磁率層と低透磁率層との間にある部分的ギャップである、請求項8に記載の装置。前記幾何学的特徴は、前記第1および第2の再生シールドの各々において、前記再生部積層体の近くにある切欠きである、請求項8に記載の装置。第1の再生シールドおよび第2の再生シールドと、前記第1および第2の再生シールド間にある再生部積層体とを備え、前記第1および第2の再生シールドは各々、前記再生部積層体の最も近くにある高透磁率薄層と、低透磁率層とを含み、前記第1および第2の再生シールドは各々、エアベアリング面に幾何学的特徴をさらに含む、装置。前記第1および第2の再生シールドのうち少なくとも一方の中に第2の高透磁率層をさらに備える、請求項12に記載の装置。前記再生部積層体の最も近くにある前記高透磁率薄層は、引張力の下で高い飽和モーメントと低い磁気歪みとを有する材料を含む、請求項12に記載の装置。前記再生部積層体の最も近くにある前記高透磁率薄層は、コバルトCoとニッケルNiと鉄Feとの合金を含む、請求項12に記載の装置。前記CoとNiとFeとの合金は、70~80重量パーセントのCoと、8~18重量パーセントのNiと、7~17重量パーセントのFeとを含む、請求項15に記載の装置。前記CoとNiとFeとの合金は、75重量パーセントのCoと、13重量パーセントのNiと、12重量パーセントのFeとを含む、請求項16に記載の装置。前記幾何学的特徴は、前記第1および第2の再生シールドの各々にある窪みである、請求項12に記載の装置。前記幾何学的特徴は、前記エアベアリング面において前記第1および第2の再生シールドの各々の中の前記高透磁率層と前記低透磁率層との間にある部分的ギャップである、請求項12に記載の装置。前記幾何学的特徴は、前記第1および第2の再生シールドの各々において、前記再生部積層体の近くにある切欠きである、請求項12に記載の特徴。磁気媒体上に記憶される情報の量が増え続けているため、MRセンサが、隣接する記憶された情報からのノイズも読取ってしまうことなく記憶された情報を別々に読取ることは、難しくなっている。よって、面密度が増加するにつれて、それに応じたMRセンサの感度および分解能の増加が必要である。本実施例は、これらの問題に対処し、かつ先行技術に対する他の利点を提供する。概要1つの実施例において、第1の再生シールドおよび第2の再生シールドと、第1および第2の再生シールド間にある再生部積層体とを含む装置が提供される。この実施例において、第1および第2の再生シールドは各々、再生部積層体のフリー層中の磁束線を制御するように、再生部積層体の最も近くにある高透磁率薄層と、低透磁率層とを含む。別の実施例において、第1の再生シールドおよび第2の再生シールドと、第1および第2の再生シールド間にある再生部積層体とを含む装置が提供される。この実施例において、第1および第2の再生シールドは各々、再生部積層体のフリー層中の磁束線を制御するように、エアベアリング面に幾何学的特徴を含む。さらに別の実施例において、第1の再生シールドおよび第2の再生シールドと、第1および第2の再生シールド間にある再生部積層体とを含む装置が提供される。この実施例において、第1および第2の再生シールドは各々、再生部積層体の最も近くにある高透磁率薄層と、低透磁率層とを含み、第1および第2の再生シールドは各々、エアベアリング面に幾何学的特徴をさらに含む。これらのおよびさまざまな他の特徴および利点は、以下の詳細な説明を読む際および関連する図面を検討する際に明らかとなるであろう。詳細な説明図1は、磁気再生ヘッド100のエアベアリング面ABSの平面に実質的に直角な平面に沿って取った磁気再生ヘッド100および磁気ディスク101の断面図である。以下にさらに説明されるように、本実施例は、100などの磁気再生ヘッドにおいて有用である。磁気ディスク101は、垂直記録媒体または長手記録媒体のいずれかであってもよく、磁気再生ヘッド100は、それに対応している。磁気再生ヘッド100は、スライダ本体基板102上に載せられており、そこからギャップ104によって隔てられている。磁気再生ヘッド100は、第1の磁気シールド106と、磁気抵抗MRセンサ108と、絶縁層110と、第2の磁気シールド112とを含む。MRセンサ108および絶縁層110は、底部シールド106と最上部シールド112との間に位置決めされており、MRセンサ108は、磁気ヘッド100のABSに隣接する。図1の実施例において、MRセンサ108に電流を与えるために、第1および第2の磁気シールド106および112は、磁気シールドおよび電極の両方としての二重の役割を果たす。よって、第1および第2の磁気シールド106および112は、電気的接続をMRセンサ108に提供することと、漂遊磁場からの磁気的遮蔽を提供することとの2つの機能を果たす。以下に図2に関連して説明されるように、図1の実施例において、センス電流は、再生素子108の平面に垂直な方向に流れる。図2には、MRセンサ108の具体的な実施例である、MR積層体200を含むMRセンサをABSから見た図が示されている。MR積層体200は、金属キャップ層202と、フリー層FL204と、バリア層BL205と、反平行結合膜SAF:syntheticantiferromagnetic層209と、反強磁性AFM:antiferromagneticピン止め層210と、シード層211とを含む。SAF層209は、ルテニウムRuの層207などによって隔てられたリファレンス層206とピン止めされた層PL208とを含む。MR積層体200は、第1のシールド106と第2のシールド112との間に位置決めされている。動作時、センス電流ISを、垂直通電型CPP:currentperpendiculartoplaneMR積層体200に流す。センス電流ISは、MR再生センサの層の平面に垂直に流れ、フリー層の磁化方向間に形成される角度の余弦に比例する抵抗を受ける。次にCPPMR積層体にかかる電圧を測定して、抵抗の変化を特定し、結果として生じる信号を用いて、符号化された情報を磁気媒体から復元する。なお、CPPMR積層体構成200は例示的なものに過ぎず、CPPMR積層体200のための他の層構成を用いてもよい。なお、本実施例は、センス電流が再生センサの平面内を流れる面内通電型CIP:currentinplane再生ヘッド図示せずに対しても有用である。CIP再生ヘッドは通常、再生センサと再生シールドとの間に付加的な金属コンタクト層、スペーサ層などを含む。先述のように、ヘッドのリードバック分解能を改善する必要がある。1インチ当たりのビット数BPI:bitsperinch能力のチャネル測定基準であるリードバック分解能は、パルス半値幅で測定された孤立媒体遷移の微分されたリードバック信号の幅として定義することができるPW50を単位として測定されることが多い。PW50値が低いほどリードバック分解能は高い。歴史的に、PW50削減は、再生ヘッド-媒体間の間隔の削減および/または再生シールド間の間隔の削減によって可能となった。以下にさらに説明される実施例は、再生シールドの磁気特性の適切な選択または再生シールドに対する適切な幾何学的変更により、再生センサの近傍の磁束線を制御することによって、PW50を削減することを提案する。そのような実施例を説明する前に、以下に従来の磁気再生ヘッドを図3に関連して説明する。従来の磁気再生ヘッド300のABSの平面に実質的に直角な平面に沿って取った従来の磁気再生ヘッド300および磁気ディスク301の断面図である。再生ヘッド300は、第1の再生シールド302と、再生センサ304と、第2の再生シールド306とを含む。図3に見られるように、ディスク301は、記録層308と、軟磁性裏打ち層SUL:softunderlayer310とを含む。記録層308上に第1の磁化領域312および第2の磁化領域314が示されている。領域312および314における磁化は、記憶された情報を表わす。図3に見られるように、領域312における磁化の方向は、領域314における磁化の方向と実質的に逆である。点線316は、領域312から領域314への磁化方向の変わり目を記すものである。再生ヘッド300の中の磁束線をよりよく図示するために、シールド302および306は、再生センサ304から間隔を空けて配置されて示されている。図3に、上向きに方向付けられた磁束線313および下向きに方向付けられた磁束線315が示されている。300などの従来の磁気再生ヘッドにおいて、再生シールド302および306の異なる領域間に透磁率の違いは実質的にない。そのような再生ヘッドにおいて、図3に示されるように、304などの再生センサが312などの領域の上方にあるとき、再生センサ304と相互作用する磁束線313に加えて、再生センサ304は、314などの隣接する磁化領域からの磁束線315の一部と相互作用し、これは望ましくない。そのような望ましくない相互作用の理由およびこの問題に対処する実施例を、以下に図4から図7bに関連して説明する。図4は、磁気再生ヘッド400のABSに実質的に直角な平面に沿って取った磁気再生ヘッド400および磁気ディスク301の断面図である。再生ヘッド400は、第1の再生シールド402と、再生センサ304と、第2の再生シールド406とを含む。図4の実施例において、第1の再生シールド402および第2の再生シールド406は各々、再生部積層体すなわち再生センサ304の最も近くにある比較的透磁率が高い薄層418、420と、比較的透磁率が低い層422、424とを含んで、再生部積層体304のフリー層図4中に示さず中の磁束線を制御する。磁束は、得られる最も高透磁率な領域に密集するので、再生センサ304の近くにある磁束線315は、センサ304と相互作用することなく高透磁率薄層418に密集する。よって、磁束線313のみが再生センサ304に達することにより、隣接する記憶された情報からのノイズが回避される。いくつかの実施例において、シールド402および406のうち少なくとも一方は、第2の高透磁率層426をさらに含み得る。いくつかの実施例において、再生部積層304の最も近くにある高透磁率薄層418、420は、引張力の下で高い飽和モーメントと低い磁気歪みとを有する材料で形成されている。1つの実施例において、高透磁率薄層418、420は、コバルトCoとニッケルNiと鉄Feとの合金を含む。CoとNiとFeとの合金は、70~80重量パーセントのCoと、8~18重量パーセントのNiと、7~17重量パーセントのFeとを含み得る。特定の実施例において、CoとNiとFeとの合金は、75重量パーセントのCoと、13重量パーセントのNiと、12重量パーセントのFeとを含む。いくつかの実施例において、再生部積層体の最も近くにある高透磁率薄層418、420の厚みは、約40ナノメートルnmである。いくつかの実施例において、低透磁率層422、424は、厚さ150~500nmであり得る。いくつかの実施例において、低透磁率層422、424は、CoとニオブNbとハフニウムFfとの合金で形成されてもよい。他の実施例において、低透磁率層422、424は、CoとFeとホルミウムHoとの合金で形成されてもよい。いくつかの実施例において、第2の高透磁率層326の厚みは、10~60nmである。第2の高透磁率層326は、高透磁率薄層418、420と同じ材料で形成されていてもよい。図5aおよび図5b、図6aおよび図6bならびに図7aおよび図7bには、幾何学的変更をシールド402および406に採用して、シールド402および406の再生センサ304の最も近くにある領域における磁束閉じ込めを強化するのに役立てる実施例が示されている。簡略化するために、ディスクすなわち記憶媒体および磁束線は、図5aおよび図5b、図6aおよび図6bならびに図7aおよび図7bには含まれていない。また、簡略化するために、図3および図4において用いた参照番号を図5aおよび図5b、図6aおよび図6bならびに図7aおよび図7bにおいて同じまたは類似の要素に対して再び用いている。図5a、図5b、図6a、図6bならびに図7aおよび図7bの各々において、第1および第2の再生シールド402および406は各々、ABSに幾何学的特徴を含んで、再生部積層体のフリー層中の磁束線を制御する。幾何学的変更には、低透磁率シールド層422、424の一部をABSにおいてなくすことが含まれる。低透磁率層422、424の一部をなくすことは、高透磁率薄層418、420に近接してエアベアリング面において行なわれる。図5aおよび図5bにおいて、ヘッド500は、再生センサ304に近接する幾何学的特徴として切欠き502、504を含む。図5aおよび図5bの実施例において、切欠き502、504は、低透磁率シールド層422、424にある。切欠き502、504の深さ、幅および長さは、異なる実施例間で違い得る。いくつかの実施例において、切欠き502、504の深さ506は、5nm~40nmであり、切欠き502、504の幅508は、20nm~200nmであり、切欠き502、504の長さ510は、30nm~1000nmである。特定の実施例において、切欠き502、504の深さ506は、約20nmであり、切欠き502、504の幅508は、約100nmであり、切欠き502、504の長さ510は、約500nmである。図6aおよび図6bにおいて、ヘッド600は、再生センサ604に近接する幾何学的特徴として部分的ギャップ602、604を含む。図6aおよび図6bの実施例において、部分的ギャップ602、604は、第1および第2の再生シールド402および406の各々の中の高透磁率層418、420と低透磁率層422、424との間に、エアベアリング面にある。部分的ギャップ602、604の深さ、幅および長さは、異なる実施例間で違い得る。いくつかの実施例において、部分的ギャップ602、604の深さ606は、20nm~500nmであり、部分的ギャップ602、604の幅608は、2nm~60nmであり、部分的ギャップ602、604の長さ610は、100nm~1000nmである。特定の実施例において、部分的ギャップ602、604の深さ606は、約100nmであり、部分的ギャップ602、604の幅608は、約20nmであり、切欠き部分的ギャップ602、604の長さ610は、約500nmである。図7aおよび図7bにおいて、ヘッド700は、再生センサ304に近接する幾何学的特徴として窪み702、704を含む。図7aおよび図7bの実施例において、窪み702、704は、低透磁率シールド層422、424にある。窪み702、704の深さ、幅および長さは、異なる実施例間で違い得る。いくつかの実施例において、窪み702、704の深さ706は、5nm~50nmであり、窪み702、704の幅708は、200nm~1000nmであり、窪み702、704の長さ710は、200nm~1000nmである。特定の実施例において、窪み702、704の深さ706は、約20nmであり、窪み702、704の幅708は、約500nmであり、窪み702、704の長さ710は、約500nmである。なおまた、図5aおよび図5b、図6aおよび図6bならびに図7aおよび図7bに示される幾何学的特徴は、単なる例であり、他の適切な幾何学的特徴を使用してもよい。幾何学的特徴は、任意の適切な現在既知の方法または将来開発されるかもしれない適切な方法によって形成されてもよい。なお、本開示において用語低いおよび高いは、相対的な用語として用いられている。したがって、たとえば、高透磁率層に隣接する低透磁率層とは、この低透磁率層および高透磁率層の特定の透磁率値または透磁率範囲を暗示せず、単に一方の層の透磁率が他方の層を基準として低いことを示す。さらに、いくつかの用途において、図5aから図7cに示された実施例は、層418、420、422および424に同じ材料を使用してもよく、したがってそのような実施例において、これらの層はすべて、透磁率値が同じであり、結果としてシールドの再生部に近接する部分の中の磁路は、実質的にシールド中に含まれる幾何学的特徴によってのみ、影響を受けるであろう。本明細書中に説明される実施例の説明図は、さまざまな実施例の構造の概略的理解を提供することを意図するものである。説明図は、本明細書中に説明される構造または方法を使用する装置およびシステムの要素および特徴のすべての完全な説明となることを意図していない。本開示を検討する際に、当業者にとって多くの他の実施例が明らかであってもよい。構造的および論理的置き換えおよび変更が本開示の範囲から逸脱することなく行なわれるよう、他の実施例が使用され、本開示から導出されてもよい。加えて、説明図は、表象的なものに過ぎず、一律の縮尺に従わずに描かれているかもしれない。説明図内の特定の比率は、誇張されているかもしれず、他の比率は減らされているかもしれない。したがって、本開示および図面は、限定的ではなく例示的なものであると考えられるべきである。本開示の1つ以上の実施例は、本明細書中において個々におよび/または集合的に発明という用語で称されているかもしれないが、単に便宜上であり、この出願の範囲を如何なる特定の発明または発明の概念に限定することを意図していない。その上、本明細書中において特定の実施例が図示され説明されたが、示された特定の実施例を、同じまたは類似の目的を達成するように設計された任意の後発の構造で置き換えてもよいことが理解されるべきである。本開示は、さまざまな実施例の任意のおよびすべてのその後の適合例または変形例を包含することを意図している。本説明を検討する際に、当業者にとって、上記の実施例の組合せおよび本明細書中に具体的には説明されていない他の実施例は、明らかであるだろう。要約書は、米国特許法施行規則1.72条b項に準拠するために設けられ、請求項の範囲または意味を解釈または限定するために要約書が用いられることはないという理解の下に提出される。加えて、前述の詳細な説明において、開示を合理化する目的でさまざまな特徴がグループ化された、すなわち単一の実施例において説明されたかもしれない。本開示は、特許発明の技術的範囲に含まれる形態が各請求項において明記されるよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものであると解釈されるべきでない。そうではなく、以下の特許請求の範囲に反映されるように、発明の主題は、開示された実施例のうち任意のものの全特徴よりも少ない特徴に関していてもよい。上記節および/または段落配置は、読みやすさのためのみに設けられたものであり、たとえば、特定の節において特定の例および/または実施例について検討された開示の1つ以上の局面が、別の節において説明された別の特定の例および/または実施例に組合される、適用されるおよび/または使用されることがないように限定するのもではない。1つ以上の例の要素、特徴および他の局面を、本明細書中に説明された1つ以上の他の例の要素、特徴および他の局面と組合せおよび/または交換してもよい。開示された上記主題は、限定的ではなく例示的なものであると考えられるべきであり、添付のおよび/または発行された特許請求の範囲は、この発明の真の趣旨および範囲内にあるすべてのそのような変更例、改良例および他の実施例を包含することを意図する。よって、法の許す最大限まで、この発明の範囲は、添付のおよび/または発行された特許請求の範囲ならびにその等価物の可能な限り広い解釈によって決定されるべきであり、前述の詳細な説明によって制約または限定されてはならない。