金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、前記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、前記ビア接続用配線層が、前記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、前記金属支持基板と電気的に接続され、前記金属支持基板の前記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、前記壁部が平面視上、前記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成され、前記ビア部が、前記凹部を充填するように形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。前記底部が、平面視上、前記絶縁層の開口部に対応する位置に穴部を有し、前記ビア部が、前記穴部を充填するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。前記ビア部が、前記ビア接続用配線層の開口部に形成され、前記ビア接続配線層の開口部に沿って、前記ビア接続配線層の表面に配線めっき部が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサスペンション用基板。前記ビア部が、前記ビア接続用配線層の開口部に形成され、前記ビア接続用配線層の一部を覆うようにカバー層が形成され、前記ビア部が、前記カバー層よりも突出しないことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。請求項5に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。請求項6に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有し、前記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、前記ビア接続用配線層は、前記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、前記金属支持基板と電気的に接続されたサスペンション用基板の製造方法であって、前記金属支持基板の前記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、前記壁部が平面視上、前記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部を充填するように、前記ビア部を形成するビア部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。前記凹部形成工程において、前記凹部を電解処理により形成することを特徴とする請求項8に記載のサスペンション用基板の製造方法。配線層および金属支持基板を電気的に接続するビア部には、サスペンション用基板のばね性に起因する変形応力、および、加熱または冷却による変形膨張収縮に起因する熱応力が集中する場合がある。一方、HDDの高機能化に伴い、サスペンション用基板に必要とされる配線層の数は増加傾向にあり、その結果、ビア部のサイズを小さくすることが求められている。ビア部のサイズを小さくすると、ビア部と金属支持基板との接触面積が小さくなるため、ビア部に応力が集中すると、最悪の場合は、ビア部が金属支持基板から抜けるという問題がある。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板を提供することを主目的とする。上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層が、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続され、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成され、上記ビア部が、上記凹部を充填するように形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。本発明によれば、金属支持基板に凹部が形成され、その凹部を充填するようにビア部が形成されていることから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板とすることができる。すなわち、凹部に充填されたビア部がアンカーとして機能することにより、金属支持基板との密着性が向上する。上記発明においては、上記底部が、平面視上、上記絶縁層の開口部に対応する位置に穴部を有し、上記ビア部が、上記穴部を充填するように形成されていることが好ましい。穴部に充填されたビア部が、主に水平方向厚さと直交する方向のアンカーとして機能し、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。上記発明においては、上記ビア部が、上記ビア接続用配線層の開口部に形成され、上記ビア接続配線層の開口部に沿って、上記ビア接続配線層の表面に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部を設けることにより、ビア部の底部面積に比べて、ビア接続用配線層の開口部の面積を小さくすることができ、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。上記発明においては、上記ビア部が、上記ビア接続用配線層の開口部に形成され、上記ビア接続用配線層の一部を覆うようにカバー層が形成され、上記ビア部が、上記カバー層よりも突出しないことが好ましい。ビア部がカバー層から突出すると、ビア部の形状制御が困難になり、隣接する配線層等に悪影響を与える可能性があるからである。また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有する素子付サスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有し、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層は、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成するビア部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。本発明によれば、金属支持基板に凹部を形成し、その凹部を充填するようにビア部を形成することから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板を得ることができる。上記発明においては、上記凹部形成工程において、上記凹部を電解処理により形成することが好ましい。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板との密着性が高いという効果を奏する。以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。A.サスペンション用基板本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層が、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続され、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成され、上記ビア部が、上記凹部を充填するように形成されていることを特徴とするものである。図1は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1aはサスペンション用基板の概略平面図であり、図1bは図1aのA-A断面図である。なお、図1aでは、便宜上、カバー層および絶縁層の記載は省略している。図1aに示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a~103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト用記録用、書込み用配線層であり、他方がリード用再生用、読取り用配線層である。一方、図1bに示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3上に形成されたカバー層4とを有する。図2は、図1aにおける記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。図2において、4本の配線層103a~103dは、記録再生用素子実装領域101の近傍まで配置され、記録再生用素子図示せずと電気的に接続される。一方、図2においては、記録再生用素子のグランドを目的としたグランド用配線層103eが設けられている。図2では、このグランド用配線層103eがビア接続用配線層に該当する。図3aは図2のA-A断面図であり、図3bは図3aの拡大図である。図3a、bに示すように、本発明のサスペンション用基板は、絶縁層2上にビア接続用配線層3aが形成され、ビア接続用配線層3aが絶縁層2の開口部2aに形成されたビア部5によって金属支持基板1と電気的に接続されている。さらに、本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板1の絶縁層2側の表面に、底部11aおよび壁部11bから構成され、かつ、壁部11bが平面視上、絶縁層2の開口部2aより外側に位置する凹部11が形成され、ビア部5が、凹部11を充填するように形成されていることを大きな特徴とする。なお、図3bでは、凹部11により絶縁層2の金属支持基板1側に形成された空間Sの全てを充填するようにビア部5が形成されているが、本発明においては、空間Sにおけるアンカー効果を発現できるようにビア部5が形成されていれば良く、例えば、空間Sにおける壁部11b側にビア部5が形成されていない領域が存在していても良い。このような領域は、例えば、気泡が残留した場合や、異物によってめっき液が十分に浸透しない場合に生じ得る。本発明によれば、金属支持基板に凹部が形成され、その凹部を充填するようにビア部が形成されていることから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板とすることができる。すなわち、凹部に充填されたビア部がアンカーとして機能することにより、金属支持基板との密着性が向上する。従来のビア部は、図4に示すように、金属支持基板1が凹部を有していないため、ビア部5および金属支持基板1の密着性は低く、特にビア部5のサイズが小さくなると、最悪の場合は、ビア部5が金属支持基板から抜けるという問題がある。これに対して、本発明によれば、上記のようにビア部がアンカーとして機能するため、金属支持基板との密着性が向上する。さらに、凹部の壁部が、平面視上、絶縁層の開口部より外側に位置するため、ビア部の底部面積が大きくなる。そのため、ビア部のサイズが小さくなっても、その底部面積は維持できるため、ビア部および金属支持基板の密着性を維持できる。その結果、ビア部および金属支持基板の接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。1.サスペンション用基板の部材まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有するものである。本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm~20μmの範囲内である。本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm~30μmの範囲内であることが好ましく、5μm~18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm~12μmの範囲内であることがさらに好ましい。本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅Cuが好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm~18μmの範囲内であることが好ましく、9μm~12μmの範囲内であることがより好ましい。また、配線層の一部の表面には、配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部を設けることにより、配線層の劣化腐食等を防止できるからである。中でも、本発明においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に配線めっき部が形成されていることが好ましい。配線めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき等を挙げることができる。中でも、本発明においては、配線層の表面側から、NiめっきおよびAuめっきが形成されていることが好ましい。配線めっき部の厚さは、例えば0.1μm~4μmの範囲内である。本発明における配線層としては、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層等を挙げることができる。本発明においては、カバー層が、配線層を覆うように形成されていることが好ましい。カバー層を設けることにより、配線層の劣化腐食等を防止できるからである。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。2.サスペンション用基板の構成次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板の絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、壁部が平面視上、絶縁層の開口部より外側に位置する凹部が形成されていることを大きな特徴とする。図5に示すように、絶縁層2の下端部と壁部11bとの長さをL1とすると、L1は、例えば0.5μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましく、3μm以上であることがさらに好ましい。L1が小さすぎると、ビア部に十分なアンカー機能を付与することができないからである。一方、L1は、例えば15μm以下であることが好ましく、7μm以下であることがより好ましい。L1が大きすぎると、金属支持基板のばね性を阻害する可能性があるからである。また、図5に示すように、底部11aの深さ壁部11bの高さをD1とすると、D1は、例えば0.1μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましく、3μm以上であることがさらに好ましい。D1が小さすぎると、L1を大きくすることが困難になる可能性があるからである。一方、D1は、例えば9μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましい。D1が大きすぎると、金属支持基板のばね性を阻害する可能性があるからである。また、L1/D1は、特に限定されるものではないが、例えば0.5/3~5/110.16~0.45の範囲内であることが好ましく、1/6~3/80.16~0.375の範囲内であることがより好ましい。また、本発明において、凹部の底部の形状は特に限定されるものではないが、例えば、平面状、曲面状等を挙げることができる。平面状の底部としては、例えば図6aに示す底部を挙げることができる。平面状の底部の形成方法としては、例えば、金属支持基板に対して後述する電解処理を行う方法を挙げることができる。一方、曲面状の底部としては、例えば図6bに示す底部を挙げることができる。曲面状の底部の形成方法としては、例えば、金属支持基板に対して後述するウェットエッチングを行う方法を挙げることができる。曲面状の底部と、壁部とは、曲面を構成するように連続的に形成されていても良い。本発明においては、図7aに示すように、底部11aが、平面視上、絶縁層2の開口部2aに対応する位置に穴部11cを有し、ビア部5が、穴部11cを充填するように形成されていることが好ましい。穴部に充填されたビア部が、主に水平方向厚さと直交する方向のアンカーとして機能し、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。なお、図7aに示される穴部11cを平面視すると、図7bに示すように、絶縁層2の開口部2aの形状例えば円形状に対応した形状となる。穴部の深さは特に限定されるものではないが、例えば0.5μm~2μmの範囲内であることが好ましく、1μm~2μmの範囲内であることが好ましい。穴部の形成方法としては、例えば、金属支持基板に対して、渦電流が生じる条件で電解処理を行う方法を挙げることができる。なお、電解処理については後述する。本発明においては、図8に示すように、ビア部5が、ビア接続用配線層3aの開口部に形成され、ビア接続配線層3aの開口部に沿って、ビア接続配線層3aの表面に配線めっき部6が形成されていることが好ましい。配線めっき部6を設けることにより、ビア部5の底部面積に比べて、ビア接続用配線層3aの開口部の面積を小さくすることができ、ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。配線めっき部の材料および厚さについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明においては、ビア部および金属支持基板の界面に、金属拡散層が形成されていることが好ましい。ビア部および金属支持基板の密着性がさらに向上するからである。例えば、金属支持基板の表面に対して、溶解処理またはエッチングを行うことにより凹部を形成する場合、溶解処理またはエッチングにより、金属支持基板の表面の不動態皮膜が除去される。そのため、凹部の形成後、速やかにビア部を形成すると、ビア部を構成する金属と、金属支持基板を構成する金属とが相互拡散し、拡散層が生じる。このような拡散層の存在は、例えば二次イオン質量分析計SIMSより確認できる。特に、金属支持基板がステンレス鋼であり、ビア部がNi含有金属である場合に、より密着性が高くなる。本発明においては、図9aに示すように、ビア部5がビア接続用配線層3aの開口部に形成され、ビア接続用配線層3aの一部を覆うようにカバー層4が形成され、ビア部5がカバー層4よりも突出しないことが好ましい。ビア部5がカバー層4から突出すると、ビア部5の形状制御が困難になり、隣接する配線層等に悪影響を与える可能性があるからである。また、ビア部5がカバー層4から突出すると、実装する素子の平坦性を阻害する場合もある。また、本発明のサスペンション用基板は、図9bに示すように、ビア接続用配線層3aが、開口部に沿って薄肉部31を有することが好ましい。カバー層から突出しないビア部を形成しやすくなるからである。図9bに示すように、ビア接続用配線層3aの厚さをT、薄肉部31を形成するためにエッチングされた厚さをT1とすると、T1/Tの値は、例えば0.3~0.8の範囲内であり、0.4~0.7の範囲内であることが好ましく、0.4~0.6の範囲内であることがさらに好ましい。また、T1の値は、ビア接続用配線層3aの厚さによって異なるものであるが、例えば4μm~10μmの範囲内、中でも5μm~8μmの範囲内であることが好ましい。また、図9bに示すように、薄肉部31の幅をWとすると、Wの値は、例えば3μm~30μmの範囲内であり、4μm~20μmの範囲内であることが好ましい。一方、本発明のサスペンション用基板は、図9c示すように、カバー層4が、平面視上、薄肉部31を覆うように形成されていることが好ましい。カバー層4の突起部分が蓋として機能し、カバー層から突出しないビア部を形成しやすくなるからである。カバー層4の突起部分の幅をZとすると、Zの値は、例えば3μm以上であり、中でも4μm~8μmの範囲内であることが好ましい。本発明における絶縁層は、ビア部が貫通する開口部を有する。絶縁層の開口部の形状は、特に限定されるものではなく、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。また、例えば図3aに示すように、絶縁層2の開口部2aのサイズは、20μm~120μmの範囲内であることが好ましく、30μm~80μmの範囲内であることがより好ましい。また、図3aに示すように、ビア接続用配線層3aが開口部を有し、その開口部にビア部5が形成されていても良い。ビア接続用配線層の開口部の形状は、特に限定されるものではなく、円、楕円状、任意の多角形、櫛状、十字状、棒状等を挙げることができる。ビア接続用配線層の開口部のサイズとしては、上述した絶縁層の開口部と同様の範囲を挙げることができる。また、本発明におけるビア部は、ビア接続用配線層と、材料的な連続性を有しないものであっても良く、材料的な連続性を有するものであっても良い。材料的な連続性を有しないとは、材料自体が異なること、同じ材料でも結晶サイズが異なること、あるいは境目に他の層例えばスパッタ膜があること等をいう。例えば、アディティブ法によりビア部およびビア接続用配線層を同時に形成する場合には、ビア部およびビア接続用配線層の材料および結晶サイズ等は同一になり、両者は材料的に連続した状態となる。一方、ビアの材料およびビア接続用配線層の材料が異なる場合、または、両者の材料が同一例えば銅であっても、ビア接続用配線層の開口部に後工程でビア部を形成する場合には、両者の界面に、材料的特性材料の種類、結晶サイズ等の違いに起因する不連続性が生じる。なお、材料的な連続性を有するとは、材料的特性材料の種類、結晶サイズ等が同一であることをいう。例えば、上述した図3aに示すビア部5は、ビア接続用配線層3aと材料的な連続性を有しないビア部である。この場合、ビア部の材料としては、例えばニッケルNi、銀Ag、金Auおよび銅Cu等を挙げることができ、中でもニッケルNiが好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。特にニッケルを用いて、電解めっき法によりビア部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。なお、これらのめっき浴には、適宜、添加剤を用いることにより、光沢度や皮膜応力を調整することができる。一方、図10に示すビア部5は、ビア接続用配線層3aと材料的な連続性を有するビア部である。このようなビア部は、例えばアディティブ法により形成することができる。また、本発明におけるビア接続用配線層は、絶縁層上に形成されるものである。本発明において、絶縁層上に形成されるとは、絶縁層に接するように形成される場合のみならず、絶縁層との間に何らかの層を介して形成される場合をも含む概念である。また、ビア接続用配線層は、上述した配線層第一配線層と同一の層である場合のみならず、第一配線層の上に第二絶縁層を介して形成された第二配線層と同一の層であっても良い。図11においては、金属支持基板1、第一絶縁層2、第一配線層3、第二絶縁層7、第二配線層8、カバー層4がこの順に形成され、第二配線層8と同一の層であるビア接続用配線層8aが、第一絶縁層3および第二絶縁層7を貫通するビア部5を介して、金属支持基板1と電気的に接続されていても良い。なお、第二絶縁層および第二配線層の材料等については、それぞれ、第一絶縁層および第一配線層に記載した内容と同様である。また、本発明におけるビア部の用途は、ビア接続用配線層および金属支持基板を電気的に接続するものであれば特に限定されるものではない。本発明におけるビア部は、例えばグランド用途に用いることが好ましい。グランド用途としては、具体的には、素子のグランド図2参照、配線層間のノイズを抑制するノイズシールド用配線層のグランド等を挙げることができる。また、本発明におけるビア部は、インターリーブ構造の配線層ビア接続用配線層と、ジャンパー部である金属支持基板とを接続するために用いられることが好ましい。インターリーブ構造の配線層を採用することで、低インピーダンス化を図ることができる。ここで、インターリーブ構造の配線層について図12を用いて説明する。図12aはインターリーブ構造の配線層の一例を示す概略平面図であり、図12bは図12aを金属支持基板側から観察した概略平面図であり、図12cは図12aのA-A断面図である。図12aに示すように、ライト用配線層W1aは分岐配線層W1bを有し、W1aおよびW1bはそれぞれ絶縁層2を貫通するビア部5を有する。その2つのビア部5は、図12b、cに示すように、金属支持基板1の一部であるジャンパー部1aにより電気的に接続されている。同様に、ライト用配線層W2aも分岐配線層W2bを有し、W2aおよびW2bはそれぞれ絶縁層2を貫通するビア部5を有し、その2つのビア部5は、金属支持基板1の一部であるジャンパー部1aにより電気的に接続されている。なお、図12aに示すように、ライト用配線層W1に属する配線層W1a、W1bと、ライト用配線層W2に属する配線層W2a、W2bとは、交互に配置されている。また、本発明におけるビア部は、ビア接続用配線層と、端子部である金属支持基板とを接続するために用いられることが好ましい。金属支持基板の端子部は、配線層の端子部に比べて、機械的強度が高く、変形を抑制できるからである。ここで、端子部である金属支持基板について図13を用いて説明する。図13は端子部である金属支持基板を示す概略平面図である。図13に示すように、ビア接続用配線層3aはビア部5を介して、端子部1bと電気的に接続されている。この端子部1bは、素子21との接続に用いられる。素子としては、例えば、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子等を挙げることができる。熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、pn型の素子であっても良く、pnp型またはnpn型の素子であっても良い。アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばPZTからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、2極のピエゾ素子を1個用いても良い。1極のピエゾ素子を2個用いても良い。B.サスペンション次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。図14は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図14に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンションとすることができる。本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記A.サスペンション用基板に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。C.素子付サスペンション次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。図15は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図15に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101に実装された記録再生用素子301とを有するものである。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、金属支持基板との密着性が高いビア部を有する素子付サスペンションとすることができる。本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記B.サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。さらに、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方をさらに有することが好ましい。D.ハードディスクドライブ次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。図16は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図16に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記C.素子付サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。E.サスペンション用基板の製造方法次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有し、上記絶縁層上にビア接続用配線層が形成され、上記ビア接続用配線層は、上記絶縁層の開口部に形成されたビア部によって、上記金属支持基板と電気的に接続されたサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成するビア部形成工程と、を有することを特徴とするものである。本発明によれば、金属支持基板に凹部を形成し、その凹部を充填するようにビア部を形成することから、金属支持基板との密着性が高いビア部を有するサスペンション用基板を得ることができる。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、サブトラクティブ法による製造方法と、アディティブ法による製造方法とに大別することができる。1.サブトラクティブ法まず、サブトラクティブ法による製造方法について説明する。サブトラクティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし、ビア接続用配線層を有する配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成するビア部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。図17は、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図17においては、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2Aおよび導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する図17a。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、ビア接続用配線層3aを有する配線層を形成する図17b。次に、配線層を覆うようにカバー層4を形成する図17c。次に、絶縁部材2Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層2を形成する図17d。次に、酸電解処理により、金属支持部材1Aの絶縁層2側の表面に、凹部11を形成する図17e。次に、金属支持部材1Aからの給電により凹部11を充填するビア部5を形成し、金属支持部材1Aの外形加工を行い金属支持基板1を形成する図17f。これにより、サスペンション用基板を得る。以下、サブトラクティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。1積層部材準備工程積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。2配線層形成工程配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、上記導体部材をエッチングし、ビア接続用配線層を有する配線層を形成する工程である。配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、サブトラクティブ法においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。3カバー層形成工程カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。4絶縁層形成工程絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジストDFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。5凹部形成工程凹部形成工程は、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する工程である。凹部を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、金属支持基板を除去することにより凹部を形成することが好ましい。金属支持基板を除去する方法としては、例えば、電解処理およびウェットエッチングを挙げることができる。なお、金属支持基板を除去しない部分は、通常、レジストにより保護する。上記電解処理電解研磨は、電解液を介して直流電流を流し、金属支持基板の表面を溶解させる処理である。また、電解処理を行うことで、図6aに示すような平面状の底部を有する凹部を形成できる。この理由は、冶具や電極を用いて電気を均一に流すことにより、接液部を均一に処理することができるからである。また、金属支持基板の表面に多少の凹凸が存在する場合においても、その凸部に電流が流れやすいため、凸部がより早く溶出し、結果として平面状の底部を形成することができる。また、電解処理には、研磨された金属支持基板の表面が滑らかになり、異物や汚れが付着しづらくなるという利点がある。これにより、めっき密着をより強固なものとすることができる。電解処理としては、例えば、酸電解処理およびアルカリ電解処理を挙げることができる。酸電解処理に用いられる電解液としては、例えば、燐酸系浴、過塩素酸系浴等を挙げることができる。また、アルカリ電解処理に用いられる電解液としては、例えば、アルカリ金属塩化物系浴、アルカリ土類金属塩化物系浴等を挙げることができる。また、電解処理における電流値は、特に限定されるものではないが、例えば0.4A~0.8Aの範囲内であることが好ましい。また、電解処理の時間は、目的とする凹部の深さに応じて異なるものであるが、例えば10秒~15分の範囲内であることが好ましい。また、特に、本発明においては、穴部が生じるような条件で電解処理を行うことが好ましく、具体的には渦電流が生じる条件で電解処理を行うことが好ましい。上記ウェットエッチングは、エッチング液を用いて、金属支持基板の表面をエッチングする処理である。また、ウェットエッチングを行うことで、図6bに示すような曲面状の底部を有する凹部を形成できる。これは、ウェットエッチングは、等方的に金属支持基板の表面をエッチングするからである。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、ウェットエッチングの条件は、所望の凹部が得られるように、適宜設定することが好ましい。ウェットエッチングの方法としては、例えば、浸漬法、スプレー法等を挙げることができる。6ビア部形成工程ビア部形成工程は、上記凹部を充填するように、上記ビア部を形成する工程である。上記ビア部は、通常、めっき法により形成する。ビア部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば、Niめっきから構成されるビア部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件めっき時間、印加電圧等を選択すれば良い。7金属支持基板形成工程金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。2.アディティブ法次に、アディティブ法による製造方法について説明する。アディティブ法による製造方法の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する凹部形成工程と、上記絶縁層上に、上記凹部を充填するビア接続用配線層を有する配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、を有する製造方法を挙げることができる。図18は、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図18においては、まず、金属支持部材1Aを準備する図18a。次に、金属支持部材1Aの表面上に、パターン状の絶縁層2を形成する図18b。次に、酸電解処理により、金属支持部材1Aの絶縁層2側の表面に、凹部11を形成する図18c。次に、絶縁層2側の表面にスパッタリング法によりシード層図示せずを全面形成し、全面形成したシード層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分に、ビア接続用配線層3aを有する配線層を形成する図18d。この際、ビア部5およびビア接続用配線層3aを同時に形成する。次に、配線層を覆うようにカバー層4を形成し、金属支持部材1Aの外形加工を行い金属支持基板1を形成する図18e。これにより、サスペンション用基板を得る。以下、アディティブ法によるサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。1金属支持部材準備工程金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。2絶縁層形成工程絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する工程である。絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。3凹部形成工程凹部形成工程は、上記金属支持基板の上記絶縁層側の表面に、底部および壁部から構成され、かつ、上記壁部が平面視上、上記絶縁層の開口部より外側に位置する凹部を形成する工程である。凹部形成工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。4配線層形成工程配線層形成工程は、上記絶縁層上に、上記凹部を充填するビア接続用配線層を有する配線層を形成する工程である。アディティブ法においては、ビア部の形成および配線層の形成を同時に行う。配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。5その他の工程その他の工程については、上述したサブトラクティブ法による製造方法で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。[実施例1]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として第1の非感光性ポリイミドを用い、厚さ10μmの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるNi-Cr-Cuをスパッタリングで約300nmコーティングし、それを導通媒体としCuめっきにて厚さ9μmのCuめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た図17a。次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、Cuめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材からビア接続用配線層を有する配線層を形成し、金属支持部材に開口部を形成した図17b。次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した図17c。次に、絶縁部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た図17d。次に、ビア接続用配線層の表面に、配線めっき部を形成した。次に、凹部を形成するためにレジスト製版を行い、0.5A、30秒の条件で酸電解処理を行い、金属支持基部材に凹部を形成した図17e。次に、電解Niめっきを行い、凹部を充填するビア部を形成した図17f。なお、電解Niめっき浴には標準的なスルファミン酸Niめっき浴を用い、電解浸漬めっき0.2A、14分を行った。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。得られたサスペンション用基板のビア部の断面写真を図19に示す。図19に示すように、金属支持基板には凹部が形成され、その凹部を充填するようにビア部が形成されることが確認された。また、凹部の底部には、平面視上、絶縁層の開口部に対応する位置に穴部が形成されていることが確認された。なお、凹部の形状を図5におけるL1、D1で示すと、L1は5.5μmであり、D1は1.1μmであった。また、穴部の深さは2.8μmであった。さらに、ビア部および金属支持基板の界面に対して、二次イオン質量分析計SIMSで分析を行ったところ、界面に金属拡散層が形成されていることが確認された。[実施例2]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材を用意した図18a。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500~2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が160°C~190°Cの範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分~60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは10μmであった図18b。次に、凹部を形成するためにレジスト製版を行い、0.5A、30秒の条件で酸電解処理を行い、金属支持基部材に凹部を形成した図18c。次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Cr単層のシード層を35~45nm形成した。その後、レジスト製版を行い、レジストパターンから露出する表面に、凹部を充填するビア接続用配線層を有する配線層を形成した図18d。次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した図18e。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。