"静電吸着用の電極を有する搬送ロボットの保持面を、支持部材の支持面に支持された基板の近傍に移動させ、前記電極に電圧を印加した状態で、前記支持面から前記保持面へ前記基板を移載する基板搬送方法。請求項1に記載の基板搬送方法であって、さらに、前記保持面で前記基板を静電的に吸着した状態で、前記支持面へ前記基板を移載する基板搬送方法。請求項1または請求項2に記載の基板搬送方法であって、前記保持面から前記支持面へ前記基板を移載した後、前記支持面から前記保持面へ前記基板を移載する前に、前記電極に印加する電圧の極性を切り替える基板搬送方法。静電吸着用の電極が配置された保持面を有する搬送ロボットと、基板を支持するための支持面と、前記支持面に対して前記保持面を相対的に移動させる移動制御と、前記電極への電圧の供給制御とが可能であり、前記搬送ロボットにより、前記電極に電圧を印加した状態で、前記支持面から前記基板を前記保持面へ移載させるように構成されたコントローラとを具備する基板搬送システム。請求項4に記載の基板搬送システムであって、前記コントローラは、前記搬送ロボットにより、前記保持面で前記基板を静電的に吸着した状態で、前記支持面へ前記基板を移載させる基板搬送システム。請求項4または請求項5に記載の基板搬送システムであって、前記コントローラは、前記搬送ロボットにより、前記保持面から前記支持面へ前記基板を移載させた後、前記支持面から前記保持面へ前記基板を移載させる前に、前記電極に印加する電圧の極性を切り替える基板搬送システム。請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の基板搬送システムであって、前記搬送ロボットは、本体と、前記本体に対して弾性的に昇降可能に配置され、前記基板の周縁を支持可能に構成された複数の支持ピンとを有する基板搬送システム。近年、真空処理装置による半導体装置の生産性を向上させるために、処理室間における基板の搬送動作の更なる高速化が要求されている。しかしながら、特許文献1に記載の構成では、基板の温度が高い場合にパッド部が基板に貼り付いてしまい、基板の移載時に位置精度を劣化させるおそれがある。一方、特許文献2に記載の構成では、静電チャックによる基板の吸着あるいはその解除に一定の時間を要するため、基板の移載動作を迅速に行えないという不都合がある。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、位置精度を損なうことなく基板を迅速に移載することができる基板搬送方法および基板搬送システムを提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板搬送方法は、静電吸着用の電極を有する搬送ロボットの保持面を、支持部材の支持面に支持された基板の近傍に移動させる工程を含む。上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記保持面へ上記基板が移載される。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板搬送システムは、搬送ロボットと、支持面と、コントローラとを具備する。上記搬送ロボットは、静電吸着用の電極が配置された保持面を有する。上記支持面は、基板を支持するためのものである。上記コントローラは、上記支持面に対して上記保持面を相対的に移動させる移動制御と、上記電極への電圧の供給制御とが可能であり、上記搬送ロボットにより、上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記基板を上記保持面へ移載させるように構成される。本発明の一実施形態に係る基板搬送方法は、静電吸着用の電極を有する搬送ロボットの保持面を、支持部材の支持面に支持された基板の近傍に移動させる工程を含む。上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記保持面へ上記基板が移載される。上記基板搬送方法は、搬送ロボットの保持面による基板の保持に静電チャック機構を用いており、保持面に静電吸着力を生じさせた状態で支持面から保持面へ基板を移載するようにしている。したがって、保持面に基板が移し替えられた直後から静電吸着力によって基板を保持することができるため、速やかに基板の搬送動作を実行することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間を短縮することができる。上記基板搬送方法は、さらに、上記保持面で上記基板を静電的に吸着した状態で、上記支持面へ上記基板を移載するようにしてもよい。このような方法によっても、基板の位置精度を損なうことなく、基板を搬送ロボットの保持面から処理台の支持面へ移載することができる。また、保持面の静電吸着力を解除した後に移載する方法と比べて、基板への静電吸着力の消失に要する時間を省略できるため、速やかに基板の移載動作に移行することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間をさらに短縮することができる。上記保持面から上記支持面へ上記基板を移載した後、上記支持面から上記保持面へ上記基板を移載する前に、上記電極に印加する電圧の極性を切り替えてもよい。これにより、保持面の帯電を抑制でき、基板の適正な保持動作を確保することができる。本発明の一実施形態に係る基板搬送システムは、搬送ロボットと、支持面と、コントローラとを具備する。上記搬送ロボットは、静電吸着用の電極が配置された保持面を有する。上記支持面は、基板を支持するためのものである。上記コントローラは、上記支持面に対して上記保持面を相対的に移動させる移動制御と、上記電極への電圧の供給制御とが可能であり、上記搬送ロボットにより、上記電極に電圧を印加した状態で、上記支持面から上記基板を上記保持面へ移載させるように構成される。これにより、保持面に基板が移し替えられた直後から静電吸着力によって基板を保持することができるため、速やかに基板の搬送動作を実行することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間を短縮することができる。上記コントローラは、上記搬送ロボットにより、上記保持面で上記基板を静電的に吸着した状態で、上記支持面へ上記基板を移載させてもよい。これにより、処理室間における基板の搬送時間をさらに短縮することができる。上記コントローラは、上記搬送ロボットにより、上記保持面から上記支持面へ上記基板を移載させた後、上記支持面から上記保持面へ上記基板を移載させる前に、上記電極に印加する電圧の極性を切り替えてもよい。これにより、保持面の帯電を抑制でき、基板の適正な保持動作を確保することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板搬送システムが適用される真空処理装置の概略平面図である。真空処理装置1は、搬送室2と、搬送室2の周囲にゲートバルブを介して接続された複数の処理室31~36とを有する、マルチチャンバ方式の真空処理装置として構成される。搬送室2および各処理室31~36はそれぞれ真空排気ラインに接続されており、各室が独立して排気されることが可能である。搬送室2には、基板搬送装置20が設置されている。基板搬送装置20は、第1の搬送ロボット21と、第2の搬送ロボット22とを有する。第1および第2の搬送ロボット21,22は、伸縮、旋回および昇降動作が可能であり、複数の処理室間にわたって基板Wを搬送する機能を有する。第1および第2の搬送ロボット21,22は、一対の共通アーム部200と、一対の作動アーム部202と、ハンド部201とを有する。共通アーム部200の一端部は、図示しない駆動源に接続され、他端部は各搬送ロボット21,22の作動アーム部202に共通に接続されている。ハンド部201は、作動アーム部202の先端に取り付けられ、搬送対象である基板Wの裏面を支持する。基板Wは、典型的には、半導体ウェーハであるが、これに限られない。処理室31~36は、各々独立した真空チャンバを形成し、基板Wに対して所定の真空処理を施す。例えば、処理室31は、基板Wのロード/アンロード室として構成され、その他の処理室32~36は、成膜室スパッタ室あるいはCVD室、熱処理室等として構成される。各処理室32~36における真空処理の割り当ては特に限定されず、基板Wに施す真空処理に応じて適宜定められる。処理室32~36には、基板Wを支持するステージ30処理台が設置されている。図2は、ステージ30の概略構成を示す斜視図である。ステージ30は、基板Wを保持するためのステージ面301と、複数本のホイストピン302支持部材とを有する。ホイストピン302は、図示するように先端部の支持面303がステージ面301から突出した上昇位置と、ステージ面301よりも下方に埋没した下降位置との間で昇降可能である。後述するように、搬送ロボット21,22とステージ30との間における基板Wの一連の受け渡し動作には、ホイストピン302が図示するようにステージ面301から突出し、それらの先端部の支持面303で基板Wの裏面を支持する工程が含まれる。なお、ステージ30は、ステージ面301に静電チャック領域310を有してもよい。これにより、ステージ面301上において基板Wの姿勢を保持することができる。また、静電吸着力によって基板Wの裏面をステージ面301に密着させることができるため、冷却ガスを用いた基板裏面の冷却処理が可能となる。続いて図3は、第1および第2の搬送ロボット21,22のハンド部201の一構成例を示す斜視図である。ハンド部201は、本体211と、静電チャック部材214とを有する。本体211は、例えばアルミナ等のセラミックス材料やステンレス鋼で形成され、中央部に空隙Sを形成するフォーク形状を有する。静電チャック部材214は、空隙Sのほぼ中心に位置するように本体211に対して固定部材213を介して取り付けられる。静電チャック部材214は、矩形の板状であり、その上面に基板Wの裏面を支持する保持面210を有する。図4は、静電チャック部材214の構成例を示す平面図である。静電チャック部材214は、電極パターンをポリイミド等の絶縁性樹脂シートで挟み込んで構成される。電極パターンは、電圧の印加により静電吸着力を生じさせる一対の電極部225a,225bと、図示しない電圧源に接続される端子部227a,227bと、電極部225a,225bと端子部227a,227bとの間を接続する配線部226a,226bとを有する。電極部225a,225bには相互に異なる極性の電圧チャッキング電圧が印加される。チャッキング電圧の大きさは特に限定されず、例えば±100~±700Vとされる。なお、電極パターンは図示する双極型に限られず、単極型であってもよい。本実施形態のハンド部201はさらに、保持面210で保持された基板Wの裏面周縁を支持する複数の支持ピン216を有する。支持ピン216は、本体211の上面の適宜の位置に設けられる。支持ピン216の位置、高さおよび本数は特に限定されず、基板Wの大きさや許容される基板Wの反り量等を勘案して設定される。各々の支持ピン216は、本体211の上面に対して弾性的に昇降可能に構成されてもよい。この場合、本体211は各支持ピン216を収容する複数の孔を有し、これら孔の底部と支持ピン216の下端部との間にバネ等の弾性部材が配置される。この構成により各支持ピン216の突出高さを個々に変化させることができるため、各支持ピン216により基板Wの裏面を常に適正に支持することができる。これにより、例えば基板Wに反り等の変形が生じている場合であっても、ハンド部201により基板Wを安定した姿勢で搬送することが可能となる。本実施形態の真空処理装置1はさらに、コントローラ50を備える。コントローラ50は、コンピュータで構成され、搬送室2および各処理室30~36の排気動作、基板搬送装置20の動作、ゲートバルブの開閉動作等を含む、真空処理装置1の動作全体を制御する。また、コントローラ50は、基板搬送装置20によって基板Wを処理室間で搬送するために必要な動作、すなわち、搬送ロボット21,22の伸縮、旋回および昇降動作、ハンド部201の保持面210の静電吸着動作、ステージ30のホイストピン302の昇降動作等を制御する。次に、真空処理装置1の動作例について説明する。図1を参照して、真空処理装置1は、ロード/アンロード室31にロードされた基板Wを一枚ずつ、基板搬送装置20を介して所定の処理室32~36へ所定のシーケンスで搬送し、基板Wに所定の真空処理を順次施す。所定の真空処理が施された基板Wは、基板搬送装置20によってロード/アンロード室31へ搬送された後、ロード/アンロード室31から装置外部へ搬出される。本実施形態の真空処理装置1において、基板搬送装置20は、第1および第2の搬送ロボット21,22を備えているので、各々のハンド部201によって2枚の基板Wを同時に保持できるとともに、各々の基板Wをそれぞれ所定の処理室31~36へ搬送することができる。これにより、真空処理装置1における基板の処理効率を高めることができる。以下、複数の処理室間における基板の搬送方法の一例を説明する。図5~図7は、基板搬送装置20と処理室33および処理室35との間における基板W1~W3の受け渡し手順を示している。図5Aは、基板搬送装置20に第1の基板W1および第2の基板W2がそれぞれ保持され、処理室33のステージに第3の基板W3が載置された状態を示している。ここでは、第1の基板W1を処理室35で処理し、第2の基板W2を処理室33で処理し、処理室33で処理された第3の基板W3を他の処理室へ搬送する場合を例に挙げて説明する。なお理解を容易にするため、図5~図7において、処理室33および処理室35以外の他の処理室の図示は省略する。また、以下の説明では各処理室と搬送室との間を仕切るゲートバルブの図示およびそれらの開閉動作についての説明は省略する。図5BおよびCに示すように、コントローラ50は、基板搬送装置20のアーム部を伸縮させることで、搬送室2から処理室35へ第1の基板W1を搬送する。第1の基板W1は、処理室35において所定の真空処理が施される。次に図6Aに示すように、コントローラ50は、基板搬送装置20を所定角度旋回させ、第1の基板W1を放出したハンド部201を処理室33へ対向させる。続いて図6BおよびCに示すように、コントローラ50は、基板搬送装置20のアーム部を伸縮させることで、処理室33から搬送室2へ第3の基板W3を搬送する。次に図7Aに示すように、コントローラ50は、基板搬送装置20を180°旋回させ、第2の基板W2を処理室33へ対向させる。そして図7BおよびCに示すように、コントローラ50は、基板搬送装置20のアーム部を伸縮させることで、搬送室2から処理室33へ第2の基板W2を搬送する。第2の基板W2は、処理室33において所定の真空処理が施される。次に、図8および図9を参照して、処理室のステージ30に対する基板Wの受け渡し工程を説明する。図8はステージ30から搬送ロボットのハンド部201への基板Wの移載工程を示す概略側面図であり、図9はハンド部201からステージ30への基板Wの移載工程を示す概略側面図である。ステージ30からハンド部201へ基板Wを移載するに際して、コントローラ50は、図8Aに示すようにホイストピン302をステージ面301から突出させることで、ステージ面301から基板Wを上昇させる。このとき、基板Wは、ホイストピン302の先端部の支持面303で支持される。次に図8Bに示すように、コントローラ50は、ハンド部201を基板Wの近傍、すなわち本実施形態では基板Wとステージ面301との間に移動させて、基板Wの裏面中央部に静電チャック部材214を対向させる。そして図8Cに示すように、コントローラ50は、ハンド部201を所定距離上昇させる。以上のようにして、ステージ30のステージ面301からハンド部201の保持面210への基板Wの移載が完了する。本実施形態において、コントローラ50は、ステージ30からハンド部201へ基板を載せ替える際、ハンド部201の静電チャック部材214の電極部225a,225bへ予めチャッキング電圧を印加しておき、上記電圧を印加した状態で保持面210に基板Wを移載するようにしている。これにより、保持面210に基板Wが移し替えられた直後から静電吸着力によって基板Wを保持することができるため、速やかに基板Wの搬送動作を実行することが可能となる。次に、ハンド部201からステージ30へ基板Wを移載するに際しては、コントローラ50は、図9Aに示すように、ハンド部201をステージ30のステージ面301の直上位置まで搬送する。このとき、静電チャック部材214の電極部225a,225bにはチャッキング電圧が印加されており、基板Wは保持面210に静電的に吸着されている。一方、コントローラ50は、ステージ面301からホイストピン302を突出させる。次に図9Bに示すように、コントローラ50は、ハンド部201を所定距離下降させることで、ハンド部201からホイストピン302の先端部の支持面303へ基板Wを載せ替える。そして図9Cに示すように、コントローラ50は、ハンド部201をステージ面301の直上から側方へ移動させる。そして、ホイストピン302を下降させて基板Wをステージ面301で保持する。以上のようにして、ハンド部201の保持面210からステージ30のステージ面301への基板Wの移載が完了する。本実施形態において、コントローラ50は、ハンド部201からステージ30へ基板Wを載せ替える際、静電チャック部材214の電極部225a,225bへのチャッキング電圧の供給を遮断しない。すなわち、コントローラ50は、保持面210で基板Wを静電的に吸着した状態で、保持面210からホイストピン302の支持面303へ基板Wを移載する。これにより、保持面210の静電吸着力を解除した後に移載する方法と比べて、基板Wへの静電吸着力の消失に要する時間を省略できるため、速やかに基板の移載動作に移行することができる。上述した基板Wの移載工程に適用される、静電チャック部材214に対するチャッキング電圧の印加タイミングの一例を図10Aに示す。時刻t0でVのチャッキング電圧が印加された後、時刻t1で保持面210上に基板Wが載置される図8C。時間t0~t1は、保持面210に十分な静電吸着力を生じさせることができる時間とされ、例えば5秒前後とされる。これにより、保持面210への移載後速やかに基板Wを搬送することができる。基板Wは、時刻t1から時刻t3の間に搬送先である他の処理室内のステージへ移載される。時刻t3では、基板Wに保持面210による静電吸着力を生じさせた状態で、ホイストピン302の先端部の支持面303上に基板Wが載置される図9C。基板を一方の処理室へ搬送した後、他の処理室から基板を受け取るまでに、チャッキング電圧の極性を切り替えてもよい。すなわち、図10Aに示すように、時刻t3で基板Wを放出してから時刻t4で基板Wを受け取るまでの間においてチャッキング電圧の極性を反転させる。そして、極性を反転したチャッキング電圧で、時刻t4から時刻t6の間に搬送先である他の処理室へ搬送する。これにより、ハンド部201の保持面210の帯電を抑制して、基板Wの適正な受け渡し動作を維持することができる。一方、図10Bは、ステージ30のステージ面301が静電チャック領域310図2を有する場合における当該静電チャック領域への電圧印加タイミングを示している。図示の例において、コントローラ50は、ハンド部201の保持面210から基板Wが移載される時刻t3よりも前の時刻t2で静電チャック領域310に静電吸着力を発生させる。これにより、保持面210からステージ面301へ基板Wを移載した直後から基板Wをステージ面301に保持できるため、速やかに基板処理を実行することができる。また図示するように、時刻t4でステージ30からハンド部201へ基板Wを移載された後の時刻t5で静電チャック領域310の静電吸着力を消失させてもよい。これにより、ステージ面301の静電吸着力を解除した後に移載する方法と比べて、基板Wへの静電吸着力の消失に要する時間を省略できるため、速やかに基板の移載動作に移行することができる。ここで、時刻t5の後、静電チャック領域310に印加する電圧の極性を反転させることで、ステージ面301の帯電を抑制することができる。また、静電チャック領域310における基板Wの吸着力は、ホイストピン302で基板Wをステージ面301から上昇させる際に基板Wに割れ等を生じさせない程度の大きさに設定されるものとする。あるいはホイストピン302による基板Wの上昇時に、静電チャック領域310の吸着力を低下させるような制御が実行されてもよい。以上のように、本実施形態の基板搬送方法においては、搬送ロボット21,22の保持面210に静電吸着力を生じさせた状態で、支持面303から保持面210へ基板Wを移載するようにしている。したがって、保持面210に基板Wが移し替えられた直後から静電吸着力によって基板Wを保持することができるため、速やかに基板Wの搬送動作を実行することができる。これにより、処理室間における基板Wの搬送時間を短縮することができる。また本実施形態においては、保持面210で基板Wを静電的に吸着した状態で、支持面303へ基板Wを移載するようにしている。このような方法によっても、基板Wの位置精度を損なうことなく、基板Wを保持面210から支持面303へ移載することができる。これにより、処理室間における基板の搬送時間をさらに短縮することができる。本発明者らの実験によれば、基板Wとして直径300mmのシリコン基板140g、保持面210の面積を40cm2、チャッキング電圧を500Vの条件で、基板の位置ズレ量を0.025mm以下に抑えられることが確認された。また、このときの処理室内の圧力は6×10-3Paであり、移載時の基板と保持面との間における放電は認められなかった。また、ハンド部の静電吸着力が解除された状態で基板を移載する方法と比較して、図5~図7に示した基板搬送条件で搬送ロボットの動作時間を5秒以上短縮できることが確認された。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。例えば以上の実施形態では、基板搬送装置が2台の搬送ロボットで構成される例について説明したが、これに限られず、単独の搬送ロボットで構成されてもよい。また、搬送ロボットのハンド部に適用される静電チャック部材の構成も、上述の例に限られない。また、以上の実施形態では、基板搬送システムとして真空雰囲気で基板を搬送する真空処理装置を例に挙げて説明したが、大気中で基板を搬送する搬送システムにも本発明は適用可能である。さらに、以上の実施形態では、搬送ロボットの保持面との間で基板を受け渡す支持部材としてホイストピンを例に挙げたが、上記支持部材はこれに限定されず、例えば複数枚の基板を収容可能なウェーハカセットであってもよい。この場合、基板を支持可能な支持面は、カセット内に形成された基板の周縁を支持可能な棚の上面で構成される。"