"チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域を含むものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。前記シリコン単結晶ウェーハが、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域と、赤外散乱法によりLSTDが検出されない無欠陥領域とからなるものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶ウェーハ。前記シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度5×1017atoms/cm3ASTM’79以下のシリコン単結晶インゴットから切り出されたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶ウェーハ。前記シリコン単結晶インゴットが、窒素濃度[N]及び酸素濃度[Oi]が[N]×[Oi]3≦3.5×1067を満たすように窒素と酸素を含むものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶ウェーハ。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、デバイス作製時に耐圧不良やリーク不良を起こさず、低コストで低酸素濃度のウェーハを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域を含むものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハを提供する。このようなウェーハであれば、生産性良く製造でき、かつ、デバイスを作製しても耐圧やリークの不良が発生しない。従って、デバイス作製の歩留まりを向上させることができ、高品質で低コストのシリコン単結晶ウェーハとなる。このとき、前記シリコン単結晶ウェーハが、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域と、赤外散乱法によりLSTDが検出されない無欠陥領域とからなるものであることが好ましい。このような欠陥領域であれば、デバイスに影響のある欠陥を含まないウェーハをより生産性良く製造することができ、より低コストで高品質のウェーハとなる。このとき、前記シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度5×1017atoms/cm3ASTM’79以下のシリコン単結晶インゴットから切り出されたものであることが好ましい。このような酸素濃度であれば、本発明の欠陥領域とするためのマージンがより拡大し、さらに、熱処理において酸素ドナーの発生量が抵抗率に影響しない程度になるため、より低コストで、高品質のウェーハとなる。このとき、前記シリコン単結晶インゴットが、窒素濃度[N]及び酸素濃度[Oi]が[N]×[Oi]3≦3.5×1067を満たすように窒素と酸素を含むものであることが好ましい。このような濃度で窒素と酸素を含むものであれば、抵抗率に影響せず、本発明の欠陥領域とするためのマージンが拡大するため、より低コストで高品質のウェーハとなる。以上のように、本発明によれば、欠陥起因のデバイス不良が生じず、高品質で低コストのシリコン単結晶ウェーハとなる。デバイス不良を発生させない無欠陥のウェーハを製造するためには、生産性等の問題があったため、本発明者らは以下のような実験を行い、鋭意検討を行った。実験1まず、InterstitialSiが優勢な領域において、図16で示される無欠陥領域より遅い成長速度で酸素濃度を振った各条件で結晶を育成し、これらの結晶からウェーハ状のサンプルを切り出してLEPを評価した。LEP評価は、ウェーハ状サンプルを平面研削洗浄混酸によるミラーエッチングを行った後、フッ酸硝酸酢酸水からなる選択性のあるエッチング液にサンプルを揺動せず放置し、エッチングによる取り代が両側で25±3μmになるまで放置した後、光学顕微鏡によってカウントした。その結果、観察したLEPの個数に酸素濃度依存性はみられなかった。実験2実験2として、Vacancyが優勢な領域で育成した結晶のFPDとLSTDの観察を行った。観察した結晶の領域は、図16に示す欠陥図の成長速度が速くOSF核が結晶外周に張り付いていると思われる欠陥領域とし、酸素濃度を振った各条件で結晶を育成した。これらの結晶からウェーハ状のサンプルを切り出して、FPD評価を行った。FPD評価は、実験1のLEP評価と同じ条件で実施した。この評価によって検出されたFPD欠陥密度を、図1に示す。図1に示すように、FPD欠陥密度は酸素濃度依存性が明確に見られ、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79を境に、酸素濃度の低下に伴ってFPD密度が急激に減少している。次に、上記FPD評価を行ったものと同一のサンプルをへき開し、赤外散乱トモグラフ装置名:MO441を用いて赤外散乱法によりLSTD密度を調査した。その結果を図2に示す。FPD密度が酸素濃度の低下に伴って急激に低下したのに比較して、LSTD密度は酸素濃度に全く影響されていないことが判る。FPD欠陥もLSTD欠陥もVoidと呼ばれる空隙であることから、同種の欠陥であるが、LSTDとしては検出されるのに、FPDとしては検出されない欠陥があることを見出した。LSTDで検出できてFPDでは検出できない原因としては、欠陥サイズが小さいことや、欠陥の状態が変化することが原因と推定できる。しかし、赤外散乱法では、散乱強度が欠陥サイズを反映することが知られており、低酸素濃度化した際にこの散乱強度が極端に低下するという傾向は見られず、欠陥サイズが小さくなったことだけが原因とは考えにくい。そうすると、欠陥の状態が変化したことも原因の一つと考えられる。Void欠陥の内部には内壁酸化膜が存在している。低酸素化により、この内壁酸化膜が薄膜化し、消滅する方向に進行することが推定される。酸素を含まないFZ結晶のD欠陥領域CZのVacancyリッチ領域に相当するでのFPDは、流れ模様は確認されるがピットは見られないといった事実を考え合わせると、FPD検出に対して内壁酸化膜が何らかの影響を及ぼしており、低酸素化によって空隙がFPDとして観察されにくくなることが推定できる。一方、LSTDは赤外光の散乱により検出されるので、誘電率差があれば散乱が起こり、従って、空隙に対して敏感に反応し、低酸素化してもLSTDが検出できると推定される。以上より、Vacancyリッチ領域に存在するVoid欠陥には、低酸素濃度化していくとLSTDとしては検出されるのに、FPDとしては検出されない欠陥が存在することが確認された。これは、上記したように、低酸素濃度化によってVoid欠陥内の内壁酸化膜の状況が変化することで、検出に影響を与えることが原因と推定される。このLSTDとしては検出されるのに、FPDとしては検出されない欠陥は、選択エッチングによるFPD観察と赤外散乱によるLSTD観察を組み合わせることで、容易に観察することができる。実験3次に、図16の欠陥分布図で無欠陥領域やOSF領域よりやや速い成長速度にあたる領域において、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79と、さらに低い酸素濃度の結晶を育成し、FPD及びLSTDの評価を行った。その結果、FPDは全く検出されず、かつ、LSTDのみが検出される領域があることを見出した。図3に各酸素濃度での結晶の欠陥領域を模式的に示す。LSTDのみが検出される領域は、図3bに示すように、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79の結晶から発生し始め、酸素濃度の低下に伴って広がっていた。この領域を含んだウェーハをデバイス評価したところ、耐圧リークともに全く問題の無い領域であることが判明した。これは、デバイスにとっては、Voidそのものよりも内壁酸化膜の悪影響が大きいためではないかと考えられる。また、このような領域の結晶を育成するための条件は、上記したようにFPD検出とLSTD検出によって確実に見出すことができ、範囲も広いので生産性が向上する。以上より、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79以下で、上記のような領域を含むウェーハであれば、低酸素濃度であってデバイス不良が生じず、生産性良く製造できるためコストを低減できることを見出して、本発明を完成させた。また、図3の模式図に示されているように、FPDは検出されないがLSTDのみが検出される領域は、LSTDも観察されない無欠陥領域と隣り合っている。さらに、結晶の外周部では、VacancyやInterstitialSiといった点欠陥が表面まで外方拡散して消滅するので、点欠陥の過飽和状態が発生せず、必ず無欠陥となる領域でもある。従って、実際にウェーハを作製する際には、LSTDのみが検出される領域のみからなるウェーハよりも、ウェーハ外周部から内側に向かってある程度の無欠陥領域が存在するウェーハの方が製造が容易であり、生産性もよい。しかも、当該無欠陥領域も耐圧リーク特性は問題なかった。以上より、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79以下のシリコン単結晶インゴットから切り出されるウェーハであって、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域と、赤外散乱法によりLSTDが検出されない無欠陥領域とからなるシリコン単結晶ウェーハが現実的には有効なウェーハである。実験4次に、結晶中の酸素濃度と熱処理時の酸素ドナー発生量の関係を調べた。デバイスではウェーハに各種不純物を導入して抵抗率を制御し、PN接合等を形成する。この際にウェーハの抵抗率が不安定であれば、デバイス動作に問題が起こる可能性がある。酸素が入ったCZ結晶から切り出されたウェーハでは、低温の熱処理によって酸素ドナーが生成し、ウェーハの抵抗率が変化してしまう。従来、EPWエピタキシャルウェーハやFZ-PWポリッシュドウェーハなど、酸素を含まないウェーハを用いてきたデバイスにおいては、このような酸素ドナーが悪影響を及ぼす可能性がある。そこで、CZ結晶において酸素濃度を振ったサンプルを用意し、酸素ドナーに起因するキャリア発生量を求めた。まず、各サンプルにおいて酸素ドナーキラー処理を行った後に抵抗率を測定し、酸素ドナーが形成されやすい450°Cの熱処理を2時間又は15時間施した。次に、熱処理後の抵抗率を測定し、熱処理前の抵抗率との差から、熱処理で発生したキャリア発生量を求めた。その結果、図4に示すような酸素濃度とキャリア発生量の関係が得られた。図4に示すように、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79以下であれば、酸素ドナー発生量は少なく、特に、酸素濃度5×1017atoms/cm3ASTM’79のサンプルでは、450°C15時間の熱処理により発生したキャリア量は、およそ7×1012atoms/cm3である。この濃度はP型なら約1900Ωcm相当、N型であれば約600Ωcm相当であり、通常、デバイスに適用される範囲に比較して桁が1つ以上異なっており、この程度のキャリアが発生しても問題は生じない。従って、酸素濃度が5×1017atoms/cm3ASTM’79以下であれば発生する酸素ドナーは少なく、ほとんど抵抗率が変化しないといえる。実際のデバイス工程であれば450°C相当の熱環境が15時間かけられることはほとんどなく、2時間程度の方が現実に近いことを考えると、キャリア発生量は更に一桁小さい1.5×1012atoms/cm3程度となり、全く抵抗率変化を起こさないと考えられる。また、低酸素濃度化すると、先に示した様にFPDは検出されないがLSTDのみが検出される領域は拡大する傾向があり、製造するためのマージンが拡大する。以上より、先に述べた本発明の欠陥領域であって、酸素濃度が8×1017atoms/cm3ASTM’79以下、特には5×1017atoms/cm3ASTM’79以下であるシリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハがより好ましいことを見出した。実験5次に、結晶にドープする窒素濃度と酸素濃度の関係を調べた。結晶に窒素をドープすることで、Void欠陥が小さくなる。これは、窒素とVacancyがペアリングし、実効のVacancy濃度が低下して過飽和度が下がり、また、Void欠陥形成温度が低温化するためである。FPDは検出されないがLSTDのみが検出される領域についても、窒素ドープによって拡大する傾向が見られた。ただし、窒素をドープすることで、窒素と酸素が結びついたNOドナーが発生する。NOドナーは900°C程度以上の熱処理で消滅するが、近年のデバイス工程の低温化によって消え残る可能性があり、過剰に窒素をドープすることは好ましくない。そこで、酸素濃度及び窒素濃度を振った結晶のサンプルを用意し、NOドナー発生量を求めた。まず通常の酸素ドナーキラー処理を行った後に、サンプルの抵抗率を測定した。次に、NOドナーが確実に消滅するように1000°C16時間の熱処理を施した後、再度抵抗率を測定して、NOドナー起因のキャリアの発生量を求めた。その結果、NOドナー起因のキャリア発生量は酸素と窒素の両者の濃度に依存しており、フィッティングの結果、窒素濃度の一乗と酸素濃度の三乗の積に依存する図5のような関係が得られた。図5は、窒素濃度の一乗と酸素濃度の三乗の積と、NOドナー起因のキャリア発生量の関係を示すグラフである。酸素ドナーと同様に、1×1013atoms/cm3以下を許容範囲として、窒素濃度[N]及び酸素濃度[Oi]が[N]×[Oi]3≦3.5×1067を満たすように窒素と酸素を含むシリコン単結晶ウェーハとすることが好ましいことを見出した。本発明者らは、以上のような実験を基に、以下のような本発明を完成させた。以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の製造方法では、まず、例えば図6に示すシリコン単結晶引き上げ装置を用いて、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを育成する。図6は、シリコン単結晶引き上げ装置の概略図である。ここで、本発明の製造方法に用いることができる単結晶引き上げ装置について説明する。図6の単結晶引き上げ装置12は、メインチャンバー1と、メインチャンバー1中で原料融液4を収容する石英ルツボ5及び黒鉛ルツボ6と、石英ルツボ5及び黒鉛ルツボ6の周囲に配置されたヒータ7と、ヒータ7の外側周囲の断熱部材8と、メインチャンバー1の上部に取り付けられた引き上げチャンバー2とを備えて構成されている。引き上げチャンバー2には炉内を循環させるガスを導入するガス導入口10が設けられ、メインチャンバー1の底部には炉内を循環したガスを排出するガス流出口9が設けられている。さらに、製造条件に合わせて、図6のように環状のガス整流筒黒鉛筒11を設けることもできる。また、メインチャンバー1の外側に磁石図示せずを設置し、原料融液4に水平方向あるいは垂直方向の磁場を印加することによって、融液の対流を抑制し、単結晶の安定成長を図る、いわゆるMCZ法の装置を用いることもできる。本発明では、これらの装置の各部は、例えば従来と同様のものを用いることができる。以下に、上記のような単結晶引き上げ装置12による単結晶育成方法の一例について説明する。まず、石英ルツボ5内で、シリコンの高純度多結晶原料を融点約1420°C以上に加熱して融解し、原料融液4とする。次に、ワイヤを巻き出すことにより、原料融液4の表面略中心部に種結晶の先端を接触または浸漬させる。その後、石英ルツボ5、黒鉛ルツボ6を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤを回転させながら巻き取り、種結晶を引き上げることにより、シリコン単結晶インゴット3の育成を開始する。以後、引き上げ速度と温度を、本発明の欠陥領域となるように適切に調整し、略円柱形状のシリコン単結晶インゴット3を得る。石英ルツボ5及び黒鉛ルツボ6は結晶成長軸方向に昇降可能であり、結晶成長中に結晶化して減少した原料融液4の液面の下降分を補うように、石英ルツボ5及び黒鉛ルツボ6を上昇させる。これにより、原料融液4表面の高さはほぼ一定の所望高さに制御されている。このような引き上げの際に、本発明では、シリコン単結晶インゴットの酸素濃度初期格子間酸素濃度が8×1017atoms/cm3ASTM’79以下となり、さらに、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域を含むように引き上げ速度と温度を制御する。本発明の欠陥領域を含むように引き上げ速度成長速度を効率よく制御する方法としては、例えば、予め、本発明の欠陥領域となる条件を予備試験で求めることが好ましい。この場合、Vacancyリッチ領域は、選択エッチングによりFPDが検出される領域とし、InterstitialSiリッチ領域は、LEPが検出される領域として求めることができる。そして、本発明の欠陥領域は、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域LSTDのみが検出される領域である。また、いずれの方法でも欠陥が検出されない領域は無欠陥領域である。従って、予備試験で引き上げた結晶について、赤外散乱法及び選択エッチングを用いて、図3bcに示すような欠陥分布を求めて、引き上げ条件を設定することができる。その後、当該求めた関係に基づいて、引き上げ速度を例えば図3cの範囲R内になるように制御して、結晶を引き上げ、ウェーハに加工後、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域を含むようにシリコン単結晶インゴットを育成することができる。この際、図3cの範囲Rより高速側でも低速側でも本発明の欠陥領域を含むシリコン単結晶インゴットを育成できるが、範囲R内で引き上げ速度を制御することで、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域と、無欠陥領域とからなるシリコン単結晶インゴットを育成するのが好ましい。図3cの範囲Rより高速側だとFPDが切り出されるウェーハの中央部に生じ、低速側だとLEPが切り出されるウェーハの外周に生じるため、当該FPDやLEPが発生する部分でのデバイス不良が生じる可能性がある。このため、無欠陥領域と、本発明の欠陥領域とからなるシリコン単結晶インゴットを育成することで、切り出されるウェーハのいずれの部分でもデバイス不良が発生せず、歩留まりをより向上できるウェーハとなる。また、シリコン単結晶インゴットの酸素濃度を8×1017atoms/cm3ASTM’79以下とする方法としては、一般的な方法を用いることができ、磁場を印加したり、結晶回転、ルツボ回転、引き上げ速度を制御して上記範囲の酸素濃度とすることができる。このような酸素濃度であれば、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域が生じて、本発明のシリコン単結晶ウェーハを製造することができる。また、このような低酸素濃度であれば酸素が析出しにくいため、BMD等の欠陥も生じず、デバイス不良が発生しないウェーハとなる。また、この酸素濃度を5×1017atoms/cm3ASTM’79以下とすることが好ましい。上記実験4でも示すように、酸素濃度が5×1017atoms/cm3ASTM’79以下であれば、デバイス熱処理等で発生する酸素ドナーは十分に少なく、ほとんど抵抗率が変化しないため好ましい。また、低酸素濃度であるほど選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域が広がるため、製造するためのマージンが拡大してコストを低減できる。また、シリコン単結晶インゴットが、窒素濃度[N]及び酸素濃度[Oi]が[N]×[Oi]3≦3.5×1067を満たすように窒素と酸素を含むように育成することが好ましい。このように、窒素をドープすることで、欠陥が小さくなり、本発明の欠陥領域がより拡大するため、生産性をより向上できる。さらに、実験5、図5に示すように、窒素濃度と酸素濃度が上記関係を満たすものであれば、デバイス熱処理時のNOドナーの発生が十分に少なくなり、ウェーハの抵抗率変動をデバイスに影響が無い程度まで抑制できる。以上のように育成したシリコン単結晶インゴットを、スライスして切り出し、ラッピング、面取り、研磨、エッチング等を行って、シリコン単結晶ウェーハを作製する。以上のようなシリコン単結晶ウェーハであれば、作製したデバイスの耐圧不良やリーク不良を生じさせず、パワーデバイスに好適な高品質で低コストのウェーハとなる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1図6に示すような単結晶引き上げ装置を用いて、炉内に直径26インチ66cmのルツボを装備して、磁場印加チョクラルスキー法MCZ法により、シリコン単結晶インゴットを育成した。この際、酸素濃度[Oi]7×1017atoms/cm3ASTM’79を狙い、FPD及びLEPは検出されないが、LSTDは検出される図3cに示す領域を狙って、ウェーハでの仕上げ直径が200mmになるような太さのシリコン単結晶インゴットを育成した。育成した結晶からウェーハ状のサンプルを切り出し、実験1,2で示したような選択エッチングを用いる方法でFPDLEPを観察したところ、これらの欠陥は検出されなかった。また、同位置から切り出したウェーハ状サンプルを平面研削洗浄混酸にてミラーエッチングした後、ウェット酸化雰囲気で1150°C100分熱処理した。次に、フッ酸硝酸酢酸水などからなる選択性のあるエッチング液にて揺動しながら両面7±3μmの取り代でエッチングしたサンプルを光学顕微鏡で観察し、積層欠陥SFが発生していないことを確認した。このサンプルの酸素濃度の面内分布は図7に示すように、7.2-7.4×1017atoms/cm3ASTM’79の範囲であった。さらに、赤外散乱トモグラフMO441で赤外線を表面から入射し、散乱光をへき開面から観察してLSTD密度を求めた。その結果、LSTD面内分布は図8に示すようにウェーハ全面に渡り1×107/cm3程度の密度であった。以上の評価により、当該サンプルが、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域となっていることが確認された。この評価したサンプルに隣接する部分から切り出したウェーハを、面取りラップ研磨等、通常のウェーハ加工処理を行ってポリッシュドウェーハPWに仕上げた。このPWを基板としてパワーデバイスを作製したところ、耐圧不良リーク不良等が発生せず、正常なデバイス動作となった。実施例2育成するシリコン単結晶インゴットの狙いの酸素濃度を3×1017atoms/cm3に下げたことと成長速度をわずかに調整したこと以外は、実施例1と同様に結晶を育成した。実施例1と同様の評価を行ったところ、FPDLEPOSFは検出されなかった。また、酸素濃度及びLSTDの面内分布は、図9、10に示すように、酸素濃度は2.8-3.2×1017atoms/cm3ASTM’79の範囲で、LSTD密度は最も高いところで1.2×107/cm3であり、周辺部では検出されなかった。以上の評価により、当該ウェーハが、酸素濃度8×1017atoms/cm3ASTM’79以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域と、周辺部の無欠陥領域とからなることが確認された。この評価したサンプルに隣接する部分からPWを作製し、その上にパワーデバイスを作製したところ、耐圧不良リーク不良等が発生せず、またドナー起因の抵抗率シフトも無く、正常なデバイス動作を示した。比較例実施例2と酸素濃度の狙いは同様であるが、成長速度は実施例2より十分速くして、FPDが検出される領域を狙って結晶を育成した。実施例1と同様の評価を行ったところ、LEPOSFは検出されなかったが、FPDは図11に示すように100-200個/cm2検出された。酸素濃度及びLSTDの面内分布は図12,13に示すように、酸素濃度は3.2-3.5×1017atoms/cm3ASTM’79、LSTD密度は5-9×106/cm3の範囲で面内ほぼ均一に分布していた。この評価したサンプルに隣接する部分からPWを作製し、その上にパワーデバイスを作製した。その結果、リークに起因すると思われる不良率が実施例2で得られたものより3~5倍高くなり、歩留まりの低下を招いた。実施例3ウェーハ状サンプルを切り出した位置での結晶中の窒素濃度が6×1013/cm3となるように窒素をドープしたこと以外は、比較例と全く同じ条件で結晶を育成した。実施例1と同様の評価を行ったところ、FPDLEPOSFは検出されなかった。酸素濃度の面内分布は図14に示すように、2.8-3.3×1017atoms/cm3ASTM’79であり、酸素濃度と窒素濃度の関係は、[N]×[Oi]3≦2.2×1066であった。また、LSTD密度の面内分布は、図15に示すように、7×107/cm3程度とかなりの高密度を示した。この評価したサンプルに隣接する部分からPWを作製し、その上にパワーデバイスを作製したところ、耐圧不良リーク不良等が発生せず、またドナー起因の抵抗率シフトも小さく、正常なデバイス動作を示した。なお、実施例1-3、比較例で行った評価結果は、高電圧のかかるパワーデバイスに関するものであるが、本発明の欠陥領域は、より低電圧で動作するメモリーCPU撮像素子など他のデバイスにおいても耐圧やリークの問題が無いのは容易に推定できるものであり、本発明はパワーデバイス用の基板に限定された技術ではない。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"