被処理体が収容される真空チャンバ内に、ランプヒータと、前記ランプヒータから放射される光を反射して前記真空チャンバ内に収容される被処理体に照射するリフレクタを具備してなり、前記ランプヒータは、少なくとも前記リフレクタに対向する面上に設けられ、前記被処理体側に対向する面側における一部の領域に光熱開口部を有する反射膜が形成されていることを特徴とする真空処理装置。請求項1に記載の真空処理装置において、前記ランプヒータに形成された前記反射膜は、少なくともアルミナを含むことを特徴とする真空処理装置。請求項1または2に記載の真空処理装置において、前記反射膜の光熱開口部は、開口角が60度~180度であることを特徴とする真空処理装置。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の真空処理装置において、前記リフレクタは、前記真空チャンバの壁面との間に遮熱用部材を介することなく、直接、前記真空チャンバの壁面に対向して設けられていることを特徴とするとする真空処理装置。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の真空処理装置において、前記リフレクタおよび前記ランプヒータにより被処理体を400°C以上に加熱して処理を行うことを特徴とする真空処理装置。しかし、石英ウィンドウを配設する構造では、石英ウィンドウ自体が熱線の一部を吸収するため、照度分布が幾分か平坦化されるとしても、被処理体を照射する熱量は低下する。すなわち、従来の真空処理装置では、被処理体に照射される熱量はランプヒータの能力に比し小さいものであった。本発明の真空処理装置は、被処理体が収容される真空チャンバ内に、ランプヒータと、ランプヒータから放射される光を反射して真空チャンバ内に収容される被処理体に照射するリフレクタを具備してなり、ランプヒータは、少なくともリフレクタに対向する面上に設けられ、被処理体側に対向する面側における一部の領域に光熱開口部を有する反射膜が形成されていることを特徴とする。この発明によれば、被処理体は、ランプヒータの反射膜により反射された光によっても照射されるので、被処理体に照射される熱量を大きくすることができる。以下、図面と共に本発明の真空処理装置の一実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態としてのCVD真空処理装置の断面図である。真空処理装置10は、真空チャンバ11内に多数のランプヒータ15を備えている。ランプヒータ15は、図1においては、三本ずつ、3つのグループに配列して図示されているが、実際には、真空チャンバ11内に数十本以上が配列されている。ランプヒータ15と真空チャンバ11の上部側の壁面12aとの間には、三つのリフレクタ13が配置されている。各リフレクタ13は、1つのグループ、換言すれば、三本ごとのランプヒータ15に対応して配置されている。リフレクタ13は、例えば、SUSのミガキ材等で形成され、高い反射率を有する。ランプヒータ15と真空チャンバ11の下部側の壁面12bとの間には、被処理体Wが図示しない搬送機構によって搬送され真空チャンバ11に内に収容される。被処理体Wは、図示しない支持部材によって支持されている。真空チャンバ11の壁面12aを貫通して、真空チャンバ11内をN2にて大気圧へリークするための配管21と、この配管21の系統を開閉するバルブ22が設けられている。また、真空チャンバ11の壁面12bの外部には真空チャンバ11内を真空にするための真空ポンプ23が配置され、真空ポンプ23と真空チャンバ11内とを連通する配管24が真空チャンバ11の壁面12bを貫通して設けられている。被処理体Wに処理を行う場合には、真空ポンプ23により、真空チャンバ11内を、例えば、1Paパスカル付近の真空度にし、バルブ22および配管21から原料ガスを導入すると共に、ランプヒータ15を発光させ、放射光を被処理体Wに照射する。ランプヒータ15からは赤外域の光が放射状に放出され、被処理体Wを加熱する。各ランプヒータ15には、被処理体Wに対向する面と反対面側に反射膜18が形成されている。この反射膜18は、ランプヒータ15の被処理体Wと対向する面には形成されておらず、ランプヒータ15のガラス等からなる管16が剥き出しになっている。反射膜18は、所定の反射性と熱透過性を有している。反射膜18の反射性により、ランプヒータ15から放射される光の一部が反射膜18で反射されて被処理体Wに照射される。また、反射膜18の熱透過性により、ランプヒータ15から放射された光の一部が反射膜18を透過してリフレクタ13で反射され、被処理体Wに照射される。図2AおよびBは、ランプヒータ15の拡大断面図である。ランプヒータ15は、例えば、ハロゲンランプヒータであり、長軸のガラス等からなる管16の中心軸にフィラメント17が配設され、管16内部にハロゲンと共に不活性ガスが封入されている。図示はしないが、管16の軸方向の両端部においては、フィラメント17に接続されたインナーリードが封止部材で封止されており、また、この封止部材は、アウターリードが挿通される口金により固定されている。口金は、断面略円形の管16の円周方向における位置を規制する機能も有する。上述した如く、ランプヒータ15を構成する管16外周面の円周方向における所定の領域には、管16の長軸に沿って反射膜18が形成されている。反射膜18は、管16の外周面の円周方向における所定の領域以外の領域には形成されておらず、この領域は管16が剥き出しとされた光熱開口部とされている。反射膜18は、図2Aに図示されるように、管16の中心軸に対して光熱開口部が、開口角θ=180°反射膜角は180°程度から、図2Bに図示されるように、開口角θ=60°反射膜角は300°程度の範囲となるように形成される。反射膜18は、例えば、アルミナ、シリカまたは金などにより形成される。反射膜18を、アルミナ、シリカまたは両材料が混合された反射材料で形成する方法の一例として、限定する意味ではないが、焼付け法を挙げることができる。この方法では、粉末状の反射材料が溶融された溶液中にランプヒータ15を浸漬するか、または吹付け等により塗装し、その後、光熱開口部となる領域を研磨等により除去する。マスクを用いて、最初から光熱開口部となる領域に反射材料が付着されないようにしてもよい。この後、加熱炉に投入するか、ヒータガン等により反射材料が混合された溶液を硬化する。また、反射膜18を金で形成する場合は蒸着法等による。金蒸着により形成する場合にいても、管16の表面全体に蒸着し、この後、開口角θの領域内の部分を除去する方法、またはマスクを用いて開口角θの領域の部分が管16に被着されないように形成する方法のいずれでも形成することができる。このような方法によるので、ランプヒータ15の管16の表面に反射膜18を形成する際、光熱開口部の開口角θが如何なる角度の場合であっても、容易に形成することができる。ランプヒータ15は、通常、管16の光熱開口部の開口角θの軸方向における中心面が被処理体Wに垂直な面となるように真空チャンバ11内に設定されるが、この位置決め角度は、管16の両端部に設けられた口金をランプヒータ15の保持部材図示せずに係留する際に自動的にその角度に設定される構造となっている。次に、本発明に係る真空処理装置を、被処理体Wに照射される熱量の観点から、従来の真空処理装置と対比して説明する。図3Aは従来の真空処理装置に関する図、Bは本発明の処理装置に関する図である。図3Aおよび図3Bにおいて、E1~E4およびE1’~E3’は、それぞれ、下記を示す。E1、E1’:ランプヒータ15から、直接、被処理体Wに向かう熱量E2、E2’:ランプヒータ15からリフレクタ13に向かう熱量E3、E3’:リフレクタ13から被処理体Wに向かう熱量E4:ランプヒータ15の反射膜18で反射して被処理体Wに向かう熱量図3Aおよび図3Bを対比すると、下記のことが明らかである。iE1とE2およびE1’は同一である。ii図3Bのランプヒータ15には反射膜18が形成されているので、E2’はE2より小さく、従って、E3’はE3より小さい。iii図3BにおけるE4は図3Aにはないので、このE4は、図3Aの場合に対する図3Bの増加分である。そこで、下記の数値を仮の条件として、数値により両者を比較することとする。反射膜18の反射率:0.7反射膜18の熱透過率:0.3リフレクタ13の反射率:0.8被処理体Wに照射される全体の熱量をEとすると図3Aの場合;E=E1E3=E10.8E2=1.8E1図3Bの場合;E=E1’E3’E4=E10.8E2’0.7E1’=1.7E10.80.3E1’=1.94E1上記仮の条件の場合には、図3Bに示す本発明に係る真空処理装置10では、従来に比して、1.94-1.8/1.8=13.3被処理体Wに照射される熱量Eが増大する、という結果となる。実際に、真空チャンバ11内に、反射膜18が形成されたランプヒータ15と、反射膜18が形成されていないランプヒータ15を収容して、被処理体Wに照射される熱量を測定した。その結果、被処理体Wに照射される熱量は、反射膜18が形成されたランプヒータ15の7本分と反射膜18が形成されていないランプヒータ15の10本分とが略同一であった。つまり、実際の測定結果として、本発明に係る真空処理装置10は、被処理体Wへの照射熱量を40以上向上することが確認された。この結果は、上記仮の条件における基本的な計算によって得られた結果よりも遥かに大きいものであった。よって、真空処理装置が、真空チャンバ内に、例えば、70本のランプヒータを備えている場合には、20本程度のランプヒータを削減することが可能となる。このことは、ランプヒータの価格を低減するばかりでなく、消費電力を40程度削減する、という効果を奏する。また、本発明に係る真空処理装置10においては、ランプヒータ15に反射膜18を設けることにより、装置内部の被処理体W以外の領域に照射される熱量を低減する。このことは、真空処理装置に伝達される総熱量が低減されるということであり、従来、真空チャンバ内に設置されていた遮熱板等を削減することが可能となる。以下、このことについて図4を参照して説明する。図4は、従来の真空処理装置30の断面図である。真空処理装置30は、真空チャンバ配管31、チャンバをN2リークするバルブ32、真空ポンプ33および配管34を備えている。また、真空チャンバ30a内には、ランプヒータ35が多数配列され、ランプヒータ35の下方に被処理体Wが搬送される。ランプヒータ35の被処理体Wに対する側と反対側には、リフレクタ36が装着されている。リフレクタ36は、本発明の真空処理装置10のリフレクタ13に対応する部材である。そして、真空チャンバ30a内におけるリフレクタ36と真空チャンバ30aの壁面との間には、遮熱板遮熱用部材7が設置されている。ランプヒータ35は、放射状に光を放射する。このため、真空チャンバ30a内の多くの部分に、直接、ランプヒータ35の光が照射され、真空処理装置30全体の温度が上昇する。遮熱板37は、真空処理装置30全体の温度の上昇を防ぐために必要とされる。特に、被処理体Wを400°C以上に加熱して処理をする場合においては、ランプヒータ35から放射される光の熱量が大きいので、従来の真空処理装置30には必須とされている。これに対し、本発明に係る真空処理装置10では、反射膜18を透過する光の強さは、大幅に低減されているので、真空処理装置10に照射される熱量が大幅に低減するので、従来の真空処理装置30に必要とされた遮熱板37を無くすことができ、装置を安価にすると共に小型化が可能となる。上述した如く、本発明に係る真空処理装置10は、ランプヒータ15に反射膜18を設け、この反射膜18で反射された反射光を被処理体Wに照射するようにしたので、被処理体Wに照射される熱量を増大することができる。このため、真空処理装置10の真空チャンバ11内に設置するランプヒータの数を削減して、価格を低減すると共に、真空処理装置の消費電力を低減することができる。また、通常は、真空処理装置の真空チャンバ内に設置する必要がある遮熱板を装備する必要がなくなるので、このことからも価格を安価にすることができる。ランプヒータ15に形成する反射膜18は、管16の表面に焼付け、蒸着等により任意の開口角θに容易に形成することができ、これにより、被処理体のW大きさ、加熱温度に応じて、開口角θが適切に設定された反射膜18を有するランプヒータ15を短期間の間に準部することが可能となる、等の効果を奏する。なお、上記においては、反射膜18が形成されるランプヒータ15はハロゲンランプヒータとして説明したが、これに限られるものではない。また、ランプヒータ15は長さ、直径等の寸法が同一のものばかりでなく、異なるものを配列してもよい。また、ランプヒータ15の形状は、直管に限られるものではなく、L字形状、U字形状等、他の形状を有するものとしてもよい。その他、本発明の真空処理装置は、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、被処理体が収容される真空チャンバ内に、ランプヒータと、ランプヒータから放射される光を反射して真空チャンバ内に収容される被処理体に照射するリフレクタを具備してなり、ランプヒータは、少なくともリフレクタに対向する面上に設けられ、被処理体側に対向する面側における一部の領域に光熱開口部を有する反射膜が形成されているものであればよい。