"基板の上に配置される透明電極層と、前記透明電極層の上に配置され、傾斜した側面を含むパターン部を多数個含むパターン層と、前記パターン層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置される裏面電極層と、を含むことを特徴とする、太陽電池。前記多数個のパターン部の各々は前記傾斜した側面により互いに連結されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記パターン部の高さは前記透明電極層の厚さの0.5倍乃至1.5倍であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記多数個のパターン部は規則的に配列されたことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記パターン部の表面には凹凸がさらに形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記凹凸の断面は、多角形、球形、半球形、または楕円形であることを特徴とする、請求項5に記載の太陽電池。前記パターン部の上面は、前記基板と水平な水平面を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記パターン部の側面は段部を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記傾斜は以下の式から決まった角度以下に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。h:透明電極層及びパターン層の厚さの和、d:パターン部の間の距離基板の上に配置される透明電極層と、前記透明電極層の上に配置され、傾斜した側面を含むパターン部を多数個含むパターン層と、前記パターン層の上に配置され、前記パターン部に対応する第1パターンを含む光吸収層と、前記光吸収層の上に配置され、前記パターン部に対応する第2パターンを含む裏面電極層と、を含むことを特徴とする、太陽電池。前記多数個のパターン部の各々は前記傾斜した側面により互いに連結されることを特徴とする、請求項10に記載の太陽電池。前記パターン部の高さは前記透明電極層の厚さの0.5倍乃至1.5倍であることを特徴とする、請求項10に記載の太陽電池。前記多数個のパターン部は規則的に配列されたことを特徴とする、請求項10に記載の太陽電池。前記パターン部の表面には凹凸がさらに形成されることを特徴とする、請求項10に記載の太陽電池。前記凹凸の断面は、多角形、球形、半球形、または楕円形であることを特徴とする、請求項14に記載の太陽電池。前記傾斜は以下の式から決まった角度以下に形成されることを特徴とする、請求項10に記載の太陽電池。h:透明電極層及びパターン層の厚さの和、d:パターン部の間の距離基板の上に透明電極層を形成するステップと、前記透明電極層の上に、傾斜した側面を含むパターン部を多数個含むパターン層を形成するステップと、前記パターン層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上に裏面電極層を形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽電池の製造方法。前記パターン層は前記透明電極層の一部をエッチングして形成されることを特徴とする、請求項17に記載の太陽電池の製造方法。本発明は、光吸収層の有効面積を増加させて光-電変換効率が向上した太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供することをその目的とする。本発明の実施形態に従う太陽電池は、基板の上に配置される透明電極層、上記透明電極層の上に配置され、傾斜した側面を含むパターン部を多数個含むパターン層、上記パターン層の上に配置される光吸収層、及び上記光吸収層の上に配置される裏面電極層を含む。本発明の他の実施形態に従う太陽電池は、基板の上に配置される透明電極層、上記透明電極層の上に配置され、傾斜した側面を含むパターン部を多数個含むパターン層、上記パターン層の上に配置され、上記パターン部に対応する第1パターンを含む光吸収層、及び上記光吸収層の上に配置され、上記パターン部に対応する第2パターンを含む裏面電極層を含む。本発明の一実施形態に従う太陽電池の製造方法は、基板の上に透明電極層を形成するステップ、上記透明電極層の上に、傾斜した側面を含むパターン部を多数個含むパターン層を形成するステップ、上記パターン層の上に光吸収層を形成するステップ、及び上記光吸収層の上に裏面電極層を形成するステップを含む。本発明に従う太陽電池は、透明電極層の上にパターン部を含むパターン層を形成することによって、透明電極層の上に形成される光吸収層の有効表面積を増加させることができる。したがって、本発明に従う太陽電池は、向上した光-電変換効率を有することができる。また、光吸収層で吸収できず、透明電極層に入射される光は、傾斜をなすパターン部の側面によりまた光吸収層に乱反射される。即ち、本発明に従う太陽電池は、上記パターン部によって光の乱反射効率を上げて太陽電池の効率をより向上させることができる。本発明を説明するに当たって、各パネル、配線、電池、装置、面、またはパターンなどが、各パネル、配線、電池、装置、面、またはパターンなどの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は本発明の実施形態に従う太陽電池を示す断面図であり、図2は本発明の実施形態に従う透明電極層を示す平面図である。また、図3は本発明の実施形態に従う透明電極層を中心として示す断面図である。図1を参照すると、実施形態に従う太陽電池は、基板100、上記基板100の上に形成された透明電極層200、上記透明電極層200の上に形成されたパターン層210、上記パターン層210の上に形成されたバッファ層300、上記バッファ層300の上に形成された光吸収層400、及び上記光吸収層400の上に形成された裏面電極層500を含む。また、図1に図示してはいないが、上記透明電極層200と上記バッファ層300との間には高抵抗バッファ層がさらに配置される。上記基板100はプレート形状を有し、上記透明電極層200、上記パターン層210、上記バッファ層300、上記光吸収層400、及び上記裏面電極層500を支持する。上記基板100は透明であり、リジッドまたはフレキシブルでありうる。上記基板100は絶縁体でありうる。例えば、上記基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記基板100はナトリウム成分が含まれたソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。これとは異なり、上記基板100の材質に、アルミナのようなセラミック基板、ステンレススチール、柔軟性のある高分子などが使われる。上記透明電極層200は透光性伝導性物質で形成される。また、上記透明電極層200はn型半導体の特性を有することができる。この際、上記透明電極層200は上記バッファ層300と共にn型半導体層を形成して、p型半導体層である光吸収層400とPN接合を形成することができる。上記透明電極層200は、例えば、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAZOで形成される。但し、上記透明電極層200の材質はこれに限定されず、光透過率と電気伝導性の高い物質である酸化亜鉛ZnO、酸化スズSnO2、酸化インジウムスズITOのうち、いずれか1つの物質を含んで形成される。また、上記透明電極層200の厚さは約100nm乃至約500nmでありうる。上記透明電極層200の上にはパターン層210が配置される。上記パターン層210は傾斜した側面を有するパターン部220を多数個含む。上記パターン層210は、上記基板100に入射される太陽光を効果的に捕獲して太陽電池効率を向上させる役割をする。上記のような構造を含むパターン層210については、今後、図面を参照して詳細に説明する。上記透明電極層200の上にはバッファ層300が配置される。上記バッファ層300は、上記光吸収層400と以後に説明される裏面電極層500とのエネルギーギャップ差を緩和させる役割をする。上記バッファ層300は、硫化カドミウム、ZnS、InXSY及びInXSeYZnO,OHなどを含む。上記バッファ層300の厚さは約50nm乃至約150nmであり、上記バッファ層300のエネルギーバンドギャップは、約2.2eV乃至2.4eVでありうる。これとは異なり、上記バッファ層300の上には高抵抗バッファ層がさらに配置される。上記高抵抗バッファ層は高い抵抗を有するように形成されて、上記透明電極層200との絶縁及び衝撃ダメージDamageを防止することができる。上記高抵抗バッファ層には不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを使用することができる。上記高抵抗バッファ層のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至約3.3eVでありうる。上記バッファ層300の上には光吸収層400が配置される。上記光吸収層400はI-III-VI族系化合物を含み、CIGS、CIS、CGS、CdTeのうち、少なくともいずれか1つの物質で形成される。例えば、上記光吸収層400は、CdTe、CuInSe2、CuIn,GaSe2、CuIn,GaSe、S2、AgInGaSe2、CuIn、AlSe2、CuGaSe2からなるグループから選択された少なくとも1つの物質からなることができる。上記光吸収層400の上には裏面電極層500が配置される。上記裏面電極層500は導電層である。上記裏面電極層500は、モリブデンMo、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、タングステンW、及び銅Cuのうち、いずれか1つで形成されるが、これに制限されるものではない。一方、図2及び図3に示すように、上記透明電極層200の上にはパターン層210が形成される。上記パターン層210は上記透明電極層200の一面の上に形成される。より具体的に、上記パターン層210は上記透明電極層200の上面に直接接触して配置される。上記パターン層210と上記透明電極層200は一体形成されたものであるが、これに制限されるものではない。上記パターン層210は傾斜した側面224を有するパターン部220を多数個含む。上記多数個のパターン部220は、透明電極層200の上部に向けて突出した形状を有する。例えば、上記パターン部220はワッフル形成であるが、これに制限されるものではない。上記多数個のパターン部220は、図2及び図3のように、上記透明電極層200の上に一定間隔で離隔形成される。即ち、上記多数個のパターン部220は、上記透明電極層200の上に規則的に配列される。一方、本願はこれに制限されず、上記多数個のパターン部220は上記透明電極層200の上に不規則的に形成される。より詳しくは、上記多数個のパターン部220は上記透明電極層200の上に規則的に配列されることが好ましい。上記多数個のパターン部220の各々は上記基板100と水平した水平面222及び傾斜した側面224を有する。上記傾斜した側面224は上記透明電極層200または上記基板100に対して一定角度に傾斜しながら形成される。即ち、上記パターン部220の側面224は下方に向けて外向傾斜して形成される。上記多数個のパターン部220は、上記傾斜した側面224により互いに連結される。より詳しくは、どのパターン部の傾斜した側面224の下端部は離隔形成されたパターン部220側面の下端部と連結される。このような方法により上記パターン部220は互いに連結される。上記パターン部の高さh2は上記透明電極層の厚さh1と対応するように形成される。例えば、上記パターン部の高さh2は上記透明電極層の厚さh1の約0.5倍乃至約1.5倍であるが、これに制限されない。より詳しくは、上記パターン部の高さh2は上記透明電極層の厚さh1と同一であるが、これに制限されるものではない。また、上記パターン部220の長さL1は上記パターン部220の間の長さL2と対応するように形成される。また、上記パターン部220の中心の間の距離dは約2μm乃至約4μmに形成されるが、これに制限されるものではない。上記パターン部220がなす角度θ、即ち、上記パターン部220の各々の側面224がなす角度θは、上記透明電極層200及び上記パターン層210の厚さの和hと上記パターン部220の中心の間の距離dによって決まる。より詳しくは、上記パターン部220がなす角度θは、下記の<数式1>により決まる。ここで、パターン部220の側面224が同一な長さを有する場合、a1、a2は同一な角度を有する。したがって、パターン部220の間になす角度θは、<数式2>乃至<数式4>により決まる。したがって、最終のパターン部の間の角度θは、<数式4>による値から決まる角度以下に形成されることが好ましい。図4は、本発明の実施形態a及び比較例bに従う太陽電池の効率を示すグラフである。より詳しくは、図4は、本発明の実施形態に従うパターン層を含む太陽電池aと従来の太陽電池bの電流密度と電圧との間の相関関係を示すグラフである。図4を参照すると、実施形態に従うパターン層210を含む太陽電池aの効率は従来のパターン層が形成されていない太陽電池bに比べて約20増加した。即ち、図4を参照すると、実施形態に従う太陽電池は、透明電極層200の上にパターン層210を形成することによって、太陽電池の有効面積を増加させて効率を上げることができることが分かる。特に、前述した<数式1>乃至<数式4>を参照して、パターン層210の構造を最適化することで、光捕集力を高めて既存の構造に比べて相当な効果を得ることができる。図5乃至図7は、本発明の実施形態に従う透明電極層200の変形例を示す断面図である。図5を参照すると、実施形態に従う透明電極層200の上には多数個のパターン部220がワッフル構造で形成されてパターン層210を形成することができる。上記パターン部220の上面222は上記基板100と水平に形成され、上記パターン部の側面224は上記透明電極層200に対して傾斜を有するように形成される。また、ある1つのパターン部の側面は、上記パターン部と離隔配置された更に他のパターン部の側面と連結され、これによって、多数のパターン部220は一定角度をなすように形成される。ここで、多数のパターン部がなす角度θは上記透明電極層200の厚さと上記パターン部220との間の中心距離によって決まり、前述したような方法により求められる。一方、図5を参照すると、上記パターン部220の表面には凹凸がさらに形成される。即ち、上記パターン部220の上面222及び側面224には有効表面積を増加させるために凹凸がさらに形成される。このような凹凸は多様な形状に形成され、例えば、上記凹凸の断面は、多角形、球形、半球形、または楕円形及びこれを組み合わせて形成される断面を含むことができる。また、上記凹凸はパターン部220の表面に不規則または規則的に形成される。このように、上記透明電極層200の上に形成された凹凸を含むパターン層210は太陽電池の有効表面積をより増加させて、太陽電池の効率をより高めることができる効果がある。また、図6に示すように、実施形態に従う透明電極層200の上には一定の傾斜をなす多数のパターン部220だけで構成されたパターン層210が形成される。図6を参照すると、上記パターン部220の上部は三角形状で形成され、側面は傾斜をなすように形成される。ここで、多数のパターン部がなす角度θは前述したように、透明電極層200の厚さとパターン部220との間の中心距離によって決まる。上記のような構造は、多数のパターン部220が一定の間隔をなすように形成して太陽電池の効率を上げることができ、特に、パターン部220の傾斜を含む側面のみからなるようにすることで、光の乱反射効率を上げて、太陽電池の効率をより向上させることができる。また、図7に示すように、実施形態に従う太陽電池は、段部226をさらに含むことができる。即ち、上記透明電極層200の上には多数のパターン部220がワッフル構造で形成されてパターン層210をなして、上記パターン部220の側面は段部226をなすように形成される。上記段部226は、図7のように、水平部で形成されたり、これとは異なり、垂直部で形成される。図7では上記パターン部220の側面に1つの段部226をなすように形成したが、2つ以上の段部が形成できる。また、図7では上記パターン部220の上部が山形状に形成されたが、上記基板100と水平をなすように形成できる。上記のような構造は、パターン部220の側面に1つ以上の段部226を形成することによって、太陽電池の有効表面積をより増加させて太陽電池効率を向上させることができる効果を有する。図8は、本発明の他の実施形態に従う太陽電池の断面を示す断面図である。図8を参照すると、実施形態に従う太陽電池は、基板100の上に配置される透明電極層200、上記透明電極層200の上に配置され、傾斜した側面を有するパターン部220を多数個含むパターン層210、上記パターン層210の上に配置され、上記パターン部220に対応する第3パターンを含むバッファ層300、上記バッファ層300の上に配置され、上記パターン部220に対応する第1パターンを含む光吸収層400、及び上記光吸収層の上に配置され、上記パターン部に対応する第2パターンを含む裏面電極層500を含む。上記第1パターン乃至上記第3パターンは、上記パターン部220と対応して形成される。即ち、上記第1パターン乃至上記第3パターンは、上記パターン部220と同一な形状を有することができる。例えば、上記第1パターン乃至上記第3パターンはワッフル形状であるが、これに制限されるものではない。即ち、実施形態に従う太陽電池は、上記透明電極層200の上に上記パターン層210を形成することによって、上記パターン層210の上に形成される各層も上記パターン層210と対応する構造を有することができる。図9乃至図12は、本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は、前述した太陽電池に対する説明を参考にする。前述した太陽電池に対する説明は、本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。図9に示すように、基板100が設けられれば、上記基板100の一面に透明電極層200を形成するステップを遂行する。上記透明電極層200はAZOをスパッタリングにより上記基板100の上に蒸着される。また、上記透明電極層200は、約2μm乃至約4μmの厚さで蒸着されるが、これに制限されるものではない。次に、図10に示すように、上記透明電極層200の上にパターン層210を形成する。上記パターン層210は、上記透明電極層200の一部をエッチングして形成される。より詳しくは、上記パターン層210は、上記透明電極層200の上部のうち、一定の部分をエッチングすることにより製造できる。即ち、上記透明電極層200及び上記パターン層210は一体に形成される。例えば、上記パターン層210は、上記透明電極層200の上にマスクを配置して露光工程及び/または湿式エッチング工程を遂行することにより形成できる。この際、上記パターン層210の傾斜面224は湿式エッチングにより、垂直、水平のエッチング率が同一に形成できる。即ち、上記傾斜面224は、上記湿式エッチング工程で自然的に傾斜エッチングされて形成されたものでありうる。一方、今までは上記パターン層210を形成するための方法として湿式エッチング工程のみを言及したが、これとは異なり、当業界で通常的に使われる多様なエッチング工程が使われることができる。例えば、上記パターン層210は湿式エッチングの他にプラズマを用いたPVDまたはCVDを使用して傾斜面を形成することができるが、これに制限されるものではない。次に、図11を参照すると、上記パターン層210が形成された透明電極層200の上にバッファ層300と光吸収層400を形成するステップを遂行する。上記バッファ層300は硫化カドミウムをスパッタリング工程または化学溶液成長法ChemicalBathDeposition:CBDにより蒸着して形成することができる。上記光吸収層400は、I族-III族-VI族系化合物で形成される。より詳しくは、上記光吸収層400は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系化合物を含む。これとは異なり、上記光吸収層300は銅-インジウム-セレナイド系CuInSe2;CIS系化合物、または銅-ガリウム-セレナイド系CuGaSe2;CIS系化合物を含むことができる。例えば、上記バッファ層300の上に光吸収層400を形成するために、上記バッファ層300の上に銅ターゲット、インジウムターゲット、及びガリウムターゲットを使用してCIG系金属プリカーサprecursor膜が形成される。以後、上記金属プリカーサ膜はセレニゼーションselenization工程により、セレニウムSeと反応してCIGS系光吸収層400が形成される。これとは異なり、上記光吸収層400は、銅、インジウム、ガリウム、セレナイドCu、In、Ga、Seを同時蒸着法coevaporationにより形成することもできる。次に、図12に示すように、上記光吸収層400の上に裏面電極層500を形成するステップを遂行する。上記裏面電極層500はMoをスパッタリング工程により一定の厚さ、例えば、1μmで蒸着される。上記のように裏面電極層500を形成するステップを終わると、実施形態に従う太陽電池の製造が完了する。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"