"基板と、該基板に配置された薄膜とを有する太陽電池に用いられる被加工基板を加工するレーザ加工装置において、前記被加工基板を保持する保持部と、前記被加工基板上の基準点の位置を検知する検知部と、前記検知部の検知結果に基づいて、前記被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出する算出部を含む制御部と、前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記算出部の算出結果に従って、制御部により前記保持部および前記レーザ照射部のうちの少なくとも一方を、移動する加工移動部と、を備え、前記算出部は、常温における前記被加工基板上の基準点の位置と、熱膨張した前記被加工基板上の基準点の位置とを比較することで、熱膨張した該被加工基板上における前記加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置。前記検知部は、基準点として、前記被加工基板の一辺に沿った外周基準直線上の三つ以上の点を検知することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。前記検知部は、基準点として、前記被加工基板の一辺に隣り合う他辺に沿った外周基準直線上の三つ以上の点を検知することを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工装置。前記検知部は、基準点として、前記被加工基板の四辺に沿った四つの外周基準直線と、被加工基板の中心を通る被加工基板の四辺に平行する二つの中央基準直線との八つの交点および被加工基板の中心点の合計9点のうち、所望の三つ以上の点を検知することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。前記算出部は、常温において検出部により検出された基準点の位置を用いて、被加工基板における加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。前記算出部は、予め設定された設定値を常温における前記被加工基板上の基準点の位置として、被加工基板上における加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。制御部は被加工基板の薄膜に対してレーザ照射部によりレーザ光を照射する直前に、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。制御部は被加工基板の薄膜に対してレーザ照射部によりレーザ光を照射しながら、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。制御部は任意の被加工基板の薄膜に対してのみ、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。基板と、該基板に配置された薄膜とを有する太陽電池に用いられる被加工基板を加工するレーザ加工方法において、前記被加工基板上の基準点の位置を検知する工程と、検知結果に基づいて、前記被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出する工程と、前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射する工程であって、算出結果に従って、レーザ光の照射位置を移動させる工程と、を備え、加工済み線の位置を算出する工程では、常温における前記被加工基板上の基準点の位置と、熱膨張した前記被加工基板上の基準点の位置とが比較されることで、熱膨張した該被加工基板上における前記加工済み線の位置が算出されることを特徴とするレーザ加工方法。前記被加工基板上の基準点の位置を検知する工程は、前記被加工基板上の三つ以上の点を検知し、前記加工済み線の位置を算出する工程は、前記三つ以上の点を通過する円弧を算出して、当該円弧を前記加工済み線の位置を算出する際に用いることを特徴とする請求項10に記載のレーザ加工方法。前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射する直前に、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項10に記載のレーザ加工方法。前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射しながら、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項10に記載のレーザ加工方法。任意の被加工基板の前記薄膜に対してのみ、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とする請求項10に記載のレーザ加工方法。本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、製造される薄膜太陽電池の製品性能を高い状態で維持しつつ、生産タクトの低下を防止することができるレーザ加工装置を、低コストで提供することを目的とする。本発明は、基板と、該基板に配置された薄膜とを有する太陽電池に用いられる被加工基板を加工するレーザ加工装置において、前記被加工基板を保持する保持部と、前記被加工基板上の基準点の位置を検知する検知部と、前記検知部の検知結果に基づいて、前記被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出する算出部を含む制御部と、前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記算出部の算出結果に従って、制御部により前記保持部および前記レーザ照射部のうちの少なくとも一方を、移動する加工移動部と、を備え、前記算出部は、常温における前記被加工基板上の基準点の位置と、熱膨張した前記被加工基板上の基準点の位置とを比較することで、熱膨張した該被加工基板上における前記加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、前記検知部は、基準点として、前記被加工基板の一辺に沿った外周基準直線上の三つ以上の点を検知することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、前記検知部は、基準点として、前記被加工基板の一辺に隣り合う他辺に沿った外周基準直線上の三つ以上の点を検知することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、前記検知部は、基準点として、前記被加工基板の四辺に沿った四つの外周基準直線と、被加工基板の中心を通る被加工基板の四辺に平行する二つの中央基準直線との八つの交点および被加工基板の中心点の合計9点のうち、所望の三つ以上の点を検知することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、前記算出部は、常温において検出部により検出された基準点の位置を用いて、被加工基板における加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、前記算出部は、予め設定された設定値を常温における前記被加工基板上の基準点の位置として、被加工基板上における加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、制御部は被加工基板の薄膜に対してレーザ照射部によりレーザ光を照射する直前に、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、制御部は被加工基板の薄膜に対してレーザ照射部によりレーザ光を照射しながら、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、制御部は任意の被加工基板の薄膜に対してのみ、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置である。本発明は、基板と、該基板に配置された薄膜とを有する太陽電池に用いられる被加工基板を加工するレーザ加工方法において、前記被加工基板上の基準点の位置を検知する工程と、検知結果に基づいて、前記被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出する工程と、前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射する工程であって、算出結果に従って、レーザ光の照射位置を移動させる工程と、を備え、加工済み線の位置を算出する工程では、常温における前記被加工基板上の基準点の位置と、熱膨張した前記被加工基板上の基準点の位置とが比較されることで、熱膨張した該被加工基板上における前記加工済み線の位置が算出されることを特徴とするレーザ加工方法である。本発明は、前記被加工基板上の基準点の位置を検知する工程は、前記被加工基板上の三つ以上の点を検知し、前記加工済み線の位置を算出する工程は、前記三つ以上の点を通過する円弧を算出して、当該円弧を前記加工済み線の位置を算出する際に用いることを特徴とするレーザ加工方法である。本発明は、前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射する直前に、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工方法である。本発明は、前記被加工基板の前記薄膜に対してレーザ光を照射しながら、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工方法である。本発明は、任意の被加工基板の前記薄膜に対してのみ、検知部により被加工基板上の基準点の位置を検知し、算出部により検知部の検知結果に基づいて被加工基板上で既に加工された加工済み線の位置を算出することを特徴とするレーザ加工方法である。本発明によれば、常温における被加工基板上の基準点の位置と、熱膨張した被加工基板上の基準点の位置とを比較することで、熱膨張した被加工基板上における加工済み線の位置が算出され、当該算出結果に従って薄膜がレーザ光で加工される。このため、製造される薄膜太陽電池の製品性能を高い状態で維持しつつ、生産タクトの低下を防止することができるレーザ加工装置を、低コストで提供することができる。第1の実施の形態以下、本発明に係るレーザ加工装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図4は本発明の実施の形態を示す図である。本実施の形態のレーザ加工装置は、ガラス基板基板61と、ガラス基板61に配置された薄膜65とを有する太陽電池に用いられる被加工基板60を加工するためのものである。このうち、薄膜65は、ガラス基板61上に設けられた透明電極膜62と、この透明電極膜62上に設けられたSiなどを含む光電変換層63と、この光電変換層63上に設けられた金属電極膜64とを有している図4参照。図1に示すように、レーザ加工装置は、被加工基板60を保持する保持部20と、被加工基板60上の基準点P1~P9図2参照の位置を検知する検知部10と、検知部10の検知結果に基づいて、被加工基板60上で既に加工されたスクライブ線加工済み線の位置を算出する算出部50を含む制御部50Aと、被加工基板60の薄膜65に対してレーザ光Lを照射するレーザ照射部30と、算出部50の算出結果に従って制御部50Aによりレーザ照射部30を加工進行方向に沿って移動させつつ当該加工進行方向に直交する成分を含む方向に移動する加工移動部35と、を備えている。このうち、検知部10は、基準点として、被加工基板60のガラス基板61の辺に沿った四つの外周基準直線71~74上の八つの点ガラス基板61上の点P1~P8を検知する図2参照。なお、この外周基準直線71~74としては、既に加工されたスクライブ線を用いることもできる。ところで、図1に示すように、検知部10には、当該検知部10を移動させる検知移動部15が設けられている。より具体的には、検知部10は、ガラス基板61の一辺に沿った外周基準直線71以下、第一外周基準直線71とも呼ぶ、当該一辺に対向する辺に沿った外周基準直線72以下、第二外周基準直線72とも呼ぶおよびガラス基板61の一辺に隣り合う二つの他辺に沿った互いに平行な外周基準直線73,74以下、第三外周基準直線73、第四外周基準直線74とも呼ぶとの交点四つの点P1~P4と、ガラス基板61の中心を通過して第一外周基準直線71に平行な直線以下、第一中央基準直線81とも呼ぶと第三外周基準直線73および第四外周基準直線74との交点二つの点P7,P8と、ガラス基板61の中心を通過して第三外周基準直線73に平行な直線以下、第二中央基準直線82とも呼ぶとガラス基板61の第一外周基準直線71および第二外周基準直線72との交点二つの点P5,P6とを、基準点として検知する。また、検知部10は、基準点として、ガラス基板61の中心に位置する中心点第一中央基準直線81と第二中央基準直線82との交点P9も検知する図2参照。なお、これら第一中央基準直線81と第二中央基準直線82としては、既に加工されたスクライブ線を用いることができる。ところで、本実施の形態では、レーザ照射部30が移動される態様を用いて説明するが、レーザ照射部30が被加工基板60に対して相対的に移動されれば、これに限られることはない。例えば、保持部20が移動されてもよいし、保持部20とレーザ照射部30の両方が移動されてもよいし、一つの移動部が検知移動部の機能と加工移動部の機能を兼ねてもよい。なお、本実施の形態では、検知部10が一つの外周基準直線71~74に対して三つの点を検知する態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、一つの外周基準直線71~74に対して四つ以上の位置を検知してもよい。また、算出部50は、工場内の常温約24°Cにおける被加工基板60のガラス基板61上の基準点九つの点P1~P9の位置と、熱膨張した被加工基板60のガラス基板61上の基準点九つの点P1~P9の位置とを比較することで、熱膨張した被加工基板60におけるTCOスクライブ線62TやSiスクライブ線63Sからなるスクライブ線の位置を算出するように構成されている。より具体的には、算出部50は、常温における第一外周基準直線71上の基準点P1,P5,P2三つの点に対する、熱膨張した被加工基板60上の第一外周基準直線71上の基準点P1,P5,P2三つの点の変化量を算出する。続いて、算出部50は、三つの基準点P1,P5,P2を通過する円弧以下、第一外周基準円弧71’とも呼ぶも算出する図3参照。また、同様に、算出部50は、第二外周基準直線72、第三外周基準直線73および第四外周基準直線74上の基準点P1~P9の熱膨張時の変化量から、熱膨張時の基準点P1~P9を通過する円弧以下、第二外周基準円弧、第三外周基準円弧および第四外周基準円弧とも呼ぶいずれも図示せずも算出する。そして、算出部50は、第一中央基準直線81と第一外周基準円弧71’から、これら第一中央基準直線81と第一外周基準円弧71’との間に位置する薄膜65の各位置における熱膨張時の位置も算出する図3参照。例えば、所定の点Aにおいて、第一外周基準直線71に対する第一外周基準円弧71’の変化量をΔα0最大熱膨張量とし、第一中央基準直線81と第一外周基準直線71の距離をDとした場合に、所定の点Aから第一中央基準直線81と直交する方向に延びた直線上の対象点B第一中央基準直線81との距離はdにおける変化量Δαは、Δα=Δα0×d/Dとして得ることができる。なお、この例ではd/Dが係数となっているが、被加工基板60の実際の膨張の態様などの性質を加味して、係数を適宜変化させてもよい。また、スクライブ線が概ね均等に形成されることから、距離dではなく第一中央基準直線81からの本数を基準として係数を作ってもよい。ところで、被加工基板60は中心点から熱膨張するので、中心点を通る第一中央基準直線81および第二中央基準直線82は直線のままとなる。同様に、算出部50は、第一中央基準直線81と第二外周基準円弧から、これら第一中央基準直線81と第二外周基準円弧との間に位置する薄膜65の各位置における熱膨張時の位置も算出し、第二中央基準直線82と第三外周基準円弧から、これら第二中央基準直線82と第三外周基準円弧との間に位置する薄膜65の各位置における熱膨張時の位置も算出し、第二中央基準直線82と第四外周基準円弧から、これら第二中央基準直線82と第四外周基準円弧との間に位置する薄膜65の各位置における熱膨張時の位置も算出する。ところで、本実施の形態のレーザ加工装置は、透明電極膜62上に光電変換層63を成膜するための成膜装置図示せずと、光電変換層63上に金属電極膜64を成膜するための成膜装置図示せずを有している。なお、このような成膜装置によって薄膜65が成膜されると、被加工基板60は約100°Cの高温になる。次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。まず、ガラス基板61と、当該ガラス基板61に配置された透明電極膜62とを有する被加工基板60が準備される図4a参照。その後、保持部20によって被加工基板60が保持される。このとき、本実施の形態では透明電極膜62がガラス基板61の下方に位置するようにして、保持部20によって被加工基板60が保持される。なお、これに限られることはなく、透明電極膜62がガラス基板61の上方に位置するようにして、保持部20によって被加工基板60が保持されてもよい。次に、レーザ照射部30から被加工基板60の透明電極膜62に対してレーザ光Lが照射される図1参照。このとき、加工移動部35によって、レーザ照射部30が加工進行方向に沿って移動され、この結果、透明電極膜62が加工進行方向に沿って加工され、透明電極膜62に複数のTCOスクライブ線62Tが形成されることとなる図4b参照。なお、外周基準直線71~74外周基準円弧71’~74’や中央基準直線81,82として既に加工されたスクライブ線を用いる場合には、この時に、外周基準直線71~74および中央基準直線81,82がスクライブによって形成されることになる。なお、レーザ照射部30、加工移動部35、検知部10および検知移動部15は、いずれも制御部50Aにより制御される。次に、検知部10によって、ガラス基板61上の基準点P1~P9の位置が検知され、常温のガラス基板61上の基準点P1~P9の位置が検知される図2参照。次に、成膜装置によって、ガラス基板61に設けられた透明電極膜62上にSiなどを含む光電変換層63が成膜される図4c参照。次に、検知部10によって、ガラス基板61上の基準点P1~P9の位置が検知され、熱膨張したガラス基板61上の基準点P1~P9の位置が検知される図2,図3参照。次に、算出部50によって、検知結果に基づいて、被加工基板60上で既に加工されたTCOスクライブ線62T加工済み線の位置が算出される。具体的には、算出部50によって、常温におけるガラス基板61上の基準点P1~P9の位置と熱膨張したガラス基板61上の基準点P1~P9の位置とが比較されることで、熱膨張した被加工基板60上における各TCOスクライブ線加工済み線62Tの位置が算出される。すなわち、算出部50によって、第一中央基準直線81と第一外周基準円弧71’から、これら第一中央基準直線81と第一外周基準円弧71’との間であってTCOスクライブ線62Tが形成された箇所の熱膨張時の位置が算出され図3参照、第一中央基準直線81と第二外周基準円弧から、これら第一中央基準直線81と第二外周基準円弧との間であってTCOスクライブ線62Tが形成された箇所の熱膨張時の位置が算出される。なお、ここでは、TCOスクライブ線62Tが図3の紙面の上下方向に沿って延在する態様を前提にしているが、TCOスクライブ線62Tが図3の紙面の左右方向に沿って延在する場合には、第二中央基準直線82と第三外周基準円弧から、これら第二中央基準直線82と第三外周基準円弧との間であってTCOスクライブ線62Tが形成された箇所の熱膨張時の位置が算出され、第二中央基準直線82と第四外周基準円弧から、これら第二中央基準直線82と第四外周基準円弧との間であってTCOスクライブ線62Tが形成された箇所の熱膨張時の位置が算出される。そして、この結果、熱膨張した被加工基板60上におけるTCOスクライブ線62Tの位置が算出されることとなる。次に、レーザ照射部30から被加工基板60の光電変換層63に対してレーザ光Lが照射される。このとき、加工移動部35によって、算出結果に従って、レーザ光Lの照射位置が、加工進行方向に沿って移動されつつ当該加工進行方向に直交する成分を含む方向にも移動される円弧を描くようにして移動される。この結果、光電変換層63が加工進行方向に沿って加工され、光電変換層63にSiスクライブ線63Sが形成されることとなる図4d参照。ところで、成膜装置によって光電変換層63が成膜されると被加工基板60が高温約100°Cになるため、被加工基板60を冷却することなく光電変換層63をレーザ光Lによって切断すると、基準となるTCOスクライブ線62Tに沿わずにずれた位置にSiスクライブ線63Sが形成されてしまい、製造される薄膜太陽電池の製品性能が悪くなる。他方、被加工基板60を冷却するための冷却時間例えば30分程度を設けると、生産タクトが低下してしまう。この点、本実施の形態によれば、算出結果に従って、レーザ光Lの照射位置が、加工進行方向に沿って移動されつつ当該加工進行方向に直交する成分を含む方向にも移動されるので、被加工基板60を冷却するための冷却時間を設けることなく、TCOスクライブ線62Tに沿った位置にSiスクライブ線63Sが形成することができる。このため、製造される薄膜太陽電池の製品性能を高い状態で維持しつつ、生産タクトの低下を防止することができる。なお、本実施の形態によれば、特許文献1のような加工ライン測定装置を用いることがないので、既に加工されたスクライブ線に沿った新たなスクライブ線を形成することができるレーザ加工装置を低コストで提供することができ、有益である。以上のようにして光電変換層63が加工され、光電変換層63にSiスクライブ線63Sが形成されると、次に、成膜装置によって、透明電極膜62に設けられた光電変換層63上に金属電極膜64が成膜される図4e参照。なお、以降の工程は、Siスクライブ線63Sを形成する際と同様であるため、詳細は省略して以下説明する。次、検知部10によって、被加工基板60上の基準点P1~P9の位置が検知される図2参照。次に、算出部50によって、検知結果に基づいて、被加工基板60上で既に加工されたSiスクライブ線加工済み線63Sの位置が算出される。このとき、算出部50によって、常温におけるガラス基板61上の基準点P1~P9の位置と熱膨張したガラス基板61上の基準点P1~P9の位置とが比較されることで、熱膨張したガラス基板61上におけるSiスクライブ線63Sの位置が算出されることとなる。なおこのとき、本実施の形態のようにSiスクライブ線63Sの位置を基準にするのではなく、TCOスクライブ線62Tの位置を基準としてもよい。次に、レーザ照射部30から被加工基板60の金属電極膜64に対してレーザ光Lが照射される。このとき、加工移動部35によって、算出結果に従って、レーザ光Lの照射位置が、加工進行方向に沿って移動されつつ当該加工進行方向に直交する成分を含む方向にも移動される。この結果、金属電極膜64が加工進行方向に沿って加工され、金属電極膜64にメタルスクライブ線64Mが形成されることとなる図4f参照。このときもやはり、本実施の形態によれば、被加工基板60を冷却するための冷却時間を設けることなく、Siスクライブ線63Sに沿った位置にメタルスクライブ線64Mが形成することができる。このため、製造される薄膜太陽電池の製品性能を高い状態で維持しつつ、生産タクトの低下を防止することができる。なお、上述した実施の形態では、熱膨張量を算出する際に、常温におけるガラス基板61上の基準点P1~P9の位置を検知する態様を用いて説明した。しかしながら、これに限られることはなく、常温における被加工基板60上の基準点P1~P9の位置として、設計データなどの予め設定された設定値を用いてもよく、本発明には、このような態様も含まれるこの際にも、上述した実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。。例えば、上記実施の形態では、予めガラス基板61上に透明電極膜62が成膜され、常温状態である被加工基板60の透明電極膜62にスクライブ線62Tを加工し、その加工状態で常温のガラス基板61上の基準点P1~P9の位置を検知しているが、透明電極膜62が成膜された直後で、高温状態である被加工基板60にスクライブ線を加工する場合は、設計データなどの予め設定された設定値を常温のガラス基板61上の基準点P1~P9の位置とすることができる。この様に、予め設定された設定値を用いる場合、上記実施の形態のように、必ずしも常温のガラス基板61上の基準点P1~P9の位置を検知する必要はない。以降のスクライブ線の加工における基準点P1~P9の検知および加工済み線の位置の算出は上述の実施の形態と同様に行われる。この算出時に比較される位置が予め設定された設定値となる。また、熱膨張量の算出する際に、予め基板上に配置された基準マークを用いてもよく、本発明には、このような態様も含まれる。さらに、上記実施の形態において、既に加工されたスクライブ線を用いる場合に、中央基準直線81,82をスクライブによって形成する態様を説明したが、実際にはこの中央基準直線81,82を必ずしもを形成しなくてもよい。この場合も、中央基準直線81,82として予め設定された設定値を用いることもできる。この設定値は、基準直線データとして予め設定してもよいし、ガラス基板の角例えば基準点P1~P4に関し予め設定された設定値より算出してもよい。また、必ずしも基板中心点P9を通る線を想定しなくても、中央部を含む領域を通る線を想定してもよい。例えば、図5のように基板中央付近に存在するスクライブ線を用いることも出来る。第2の実施の形態第1の実施の形態では、検知部10によってガラス基板61上の基準点P1~P9の9点を検知する態様を説明したが、これに限らず、常温時あるいは予め設定した設定値との比較によって熱膨張状態が算出できる位置情報が得られるのであれば、必ずしも基準点P1~P9の9点を検知する必要はない。具体的には、図6~図11に示すような態様が考えられる。検知点が少ないほど、検知にかかる時間を削減でき、より生産タクトの低下を抑制できる。図6~図11では、太陽電池のスクライブが短冊状に行われることが多いことから、外周基準直線71、72に平行にスクライブ加工されることを示している。もちろん、外周基準直線73,74に平行に短冊状にスクライブされる場合も同様に考えられるし、図2のように外周基準直線71に平行なスクライブと73に平行なスクライブとが行われる場合にも適用可能である。ここでは、外周基準直線71、72に平行なスクライブを行う場合について具体的に説明する。前述のように、保持部20上に保持され、位置決めピン20aにより位置決めされた被加工基板60は基板中心点中央部分から熱膨張し、中心付近はほとんど変形しない。したがって、第1の実施の形態における基準点P7,P9,P8を検知せず、予め設定した設定値を用いることにより、第1の実施の形態同様に、ガラス基板61上の各位置を確実に算出できる。具体的には、検知部10は、基準点として、被加工基板60のガラス基板61の辺に沿った四つの外周基準直線71~74上の六つの点ガラス基板61上の点P1~P6を検知する図6参照。算出部50は、常温における第一外周基準直線71上の基準点P1,P5,P2三つの点に対する、熱膨張した被加工基板60上の第一外周基準直線71上の基準点P1,P5,P2三つの点の変化量を算出する。続いて、算出部50は、三つの基準点P1,P5,P2を通過する円弧以下、第一外周基準円弧71’とも呼ぶを算出する図3参照。また、同様に、算出部50は、第二外周基準直線72上の基準点P3、P6、P4の熱膨張時の変化量から、熱膨張時の基準点P1、P6、P4を通過する円弧以下、第二外周基準円弧を算出する。そして、算出部50は、予め設定した設定値設計データでの第一中央基準直線81と第一外周基準円弧71’とから、これら第一中央基準直線81と第一外周基準円弧71’との間に位置する薄膜65の各位置における熱膨張時の位置を算出する図3参照。同様にして、算出部50は第一中央基準直線81と第2外周基準円弧72’とから、これら第一中央基準直線81と第二外周基準円弧72‘との間に位置する薄膜65の各位置における熱膨張時の位置を算出する。以上から、第1の実施形態同様に薄膜65の各位置を算出することができる。さらに、基板中心から外周基準直線71側と72側は、同様に熱膨張すると考えられるので、外周基準直線72側については、基準点P3,P6,P4を検知することなく、外周基準直線71側の結果を用いて逆方向ミラー反転に反転することにより算出することも可能である。この時、第一中央基準直線81として、予め設定した設定値を使用することなく、基準点P1、P3の中点および基準点P2,P4の中点を算出して、第一中央基準直線81を求めてもよい。図7は検知部10により、基準点P1,P2,P6を検知する場合を示す。図7において、外周基準直線71上の基準点P5の代わりに対向する外周基準直線72上の基準点P6を検知する。被加工基板60は基板中心から対象的に熱膨張するため、基準点P6の検知結果を用いて基準点P5を求めることができる。図8において、検知部10により図7に加えて外周基準直線71上の基準点P5も検知することができる。図7では、基準点P6の検知結果を基準点P5の結果としたが、基準点P5とP6の両方を検知し、比較することで、被加工基板60全体の熱膨張の状態をより正確に算出することができる。図9、図10はそれぞれ図6、図8の検知パターンに加えて、基板中央付近の基準点P9を追加したものである。検知部10が基板中央付近の実際の基準点P9を検知することにより、被加工板60が基板中央に関して対称に熱膨張してない場合でも被加工基板60の熱膨張の状態を正確に検知することができ、かつ基準点が9点の場合よりは、生産タクトの低下を抑制できる。さらに、図11では、検知部10が基準点としてP7,P8,P5を検知する場合を示している。この場合では、第一中央基準直線81を基準点P7,P8から算出し、そこから最外周直線71上の基準点P5の位置を検知することで最大熱膨張量を検知することができる。この結果から、薄膜65上の各位置を算出できる。この時、最外周直線71上の基準点P1,P2は、最大熱膨張量に比例するものとして算出される。第3の実施の形態第1、第2の実施の形態において、熱膨張の状態を検知してスクライブすべき位置を算出する実施の例を示したが、熱膨張の状態は時間経過とともに変化する。比較的短時間でスクライブ加工を行う場合は、レーザ加工装置に熱膨張した被処理基板60が配置された直後に検知した結果を用いても問題はない。しかしながら、複数の成膜装置と複数のレーザ加工装置が連結されてライン化されている場合や、トラブル、計画的生産停止などによって、成膜からの時間がさまざまに変化する場合、検知のタイミングを自由に設定できることが望ましい。そこで、制御部50Aは熱膨張時の検知のタイミングを以下に示すようにさまざまなモード、例えばモードを設定することができる。モードスクライブ加工開始前に、検知部10により検出するすべての点を検知し、加工位置を算出する。この場合、補正計算は最初にされるので、処理が簡単となる。モードスクライブ加工途中で適宜検知を行う。この場合、加工中の温度下降に伴う膨張変化に追従できる経過時間によってもよい。また、エラー停止時など再開時に検知することで補正精度が確保できる。モード任意の被加工基板に対してのみ、基準点の検知を実施する。この場合、被加工基板60間において形状のばらつきが少ない場合では、生産タクトの低下を抑制できる。さらに、その他のモードとして基準点検知を行った時からの経過時間を計測しておき、予め測定しておいた熱膨張の時間経過変動率を加味して補正値を求めることにより、加工位置を精度良く算出することができる。"