ダイのスリットから溢出するGa2O3系融液に種結晶を接触させる工程と、前記種結晶を引き上げ、板状のGa2O3系単結晶を成長させる工程と、を含み、前記ダイは、前記スリットの長手方向に垂直な断面が上部にV字状の窪みを有する形状を有し、前記窪みのV字開き角は、150°以上、180°未満である、Ga2O3系単結晶の成長方法。前記スリットは、複数のスリットである、請求項1に記載のGa2O3系単結晶の成長方法。前記スリットは、2~5本のスリットである、請求項2に記載のGa2O3系単結晶の成長方法。前記Ga2O3系単結晶の厚さが5mm以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載のGa2O3系単結晶の成長方法。前記複数のスリットの間隔は3mm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載のGa2O3系単結晶の成長方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の方法により成長させた前記Ga2O3系単結晶をその面方向に切断して、複数のGa2O3系単結晶板を形成する工程と、前記複数のGa2O3系単結晶板の各々を研磨する工程と、を含むGa2O3系基板の製造方法。前記Ga2O3系単結晶は、マルチワイヤーソーを用いて切断される、請求項6に記載のGa2O3系基板の製造方法。EFG法によるGa2O3系単結晶の成長には、高価なIr製のルツボやダイを用いる。Ga2O3の融点がおよそ1700~1800°Cと高いことと、Ga2O3と反応しないことから、Ir製のルツボやダイが用いられる。本発明者らがIrよりも安価な他の金属材料であるモリブデンやタングステンも使用可能かどうか鋭意検討したが、いずれもGa2O3と反応を起す結果となった。Irを用いてダイを製造する場合、現状の製造技術では、Irの板材の厚みが1mm未満になると反りが発生するため、精度良くダイを製造することができない。よって精度良くダイを製造することができる厚みは2.4mm以上となる。このようなダイを用いて成長させるGa2O3系単結晶の厚みはダイの厚み同様2.4mmとなる。例えば、LED用基板や電子デバイス用基板を製造する場合には、厚みを約0.4mmにしなければならないため、その後の研削研磨の除去量が多く、原料効率が16.7と非常に悪い。したがって、本発明の目的は、加工時の原料効率に優れたGa2O3系単結晶の成長方法及びGa2O3系基板の製造方法を提供することである。本発明の一態様は、上記目的を達成するために、[1]~[4]のGa2O3系単結晶の成長方法、及び[5]、[6]のGa2O3系基板の製造方法を提供する。[1]ダイのスリットから溢出するGa2O3系融液に種結晶を接触させる工程と、前記種結晶を引き上げ、板状のGa2O3系単結晶を成長させる工程と、を含み、前記ダイは、前記スリットの長手方向に垂直な断面が上部にV字状の窪みを有する形状を有し、前記窪みのV字開き角は、150°以上、180°未満である、Ga2O3系単結晶の成長方法。[2]前記スリットは、複数のスリットである、前記[1]に記載のGa2O3系単結晶の成長方法。[3]前記スリットは、2~5本のスリットである、前記[2]に記載のGa2O3系単結晶の成長方法。[4]前記Ga2O3系単結晶の厚さが5mm以上である、前記[1]~[3]のいずれか1つに記載のGa2O3系単結晶の成長方法。[5]前記複数のスリットの間隔は3mm以下である、前記[1]~[4]のいずれか1つに記載のGa2O3系単結晶の成長方法。[6]前記[1]~[5]のいずれか1つに記載の方法により成長させた前記Ga2O3系単結晶をその面方向に切断して、複数のGa2O3系単結晶板を形成する工程と、前記複数のGa2O3系単結晶板の各々を研磨する工程と、を含むGa2O3系基板の製造方法。[7]前記Ga2O3系単結晶は、マルチワイヤーソーを用いて切断される、前記[6]に記載のGa2O3系基板の製造方法。本発明によれば、加工時の原料効率に優れたGa2O3系単結晶の成長方法及びGa2O3系基板の製造方法を提供することができる。実施の形態本実施の形態においては、EFGEdgedefinedfilmfedgrowth法により、Ga2O3系単結晶を成長させる。EFG結晶製造装置の構成図1は、本実施の形態に係るEFG結晶製造装置の一部の垂直断面図である。このEFG結晶製造装置10は、Ga2O3系融液12を受容するルツボ13と、このルツボ13内に設置されたスリット1111a~11cを有するダイ14と、スリット11の開口を除くルツボ13の上面を閉塞する蓋15と、Ga2O3系種結晶以下、種結晶という20を保持する種結晶保持具21と、種結晶保持具21を昇降可能に支持するシャフト22とを有する。ルツボ13は、Ga2O3系粉末を溶解させて得られたGa2O3系融液12を収容する。ルツボ13は、Ga2O3系融液12を収容しうる耐熱性を有するイリジウム等の金属材料からなる。蓋15は、ルツボ13から高温のGa2O3系融液12が蒸発することを防止し、さらにダイ14の上面以外の部分にGa2O3系融液12の蒸気が付着することを防ぐ。図2は、本実施の形態のダイの部分拡大図である。ダイ14は、Ga2O3系融液12を毛細管現象により上昇させるためのスリット11を有する。スリット11は、単スリット又は複数のスリット、例えば2~5本のスリットから構成され、1本のスリットから構成される場合と比較して、厚いGa2O3系単結晶25を形成することができる。図2に示される例では、スリット11は、3本のスリット11a、11b、11cにより構成される。また、ダイ14は、図2に示されるように、スリット11の長手方向に垂直な断面が上部にV字状の窪みを有する形状を有する。この窪みのV字開き角θは、150°以上、180°未満である。この場合、スリット11の複数のスリット11a~11cから溢出するGa2O3系融液がダイ14の上面に拡がり易く、後述するように一枚の厚いGa2O3系単結晶25を形成することができる。スリット11を構成するスリット11a~11cの各々の幅は、所望のダイの高さによって適宜選択することが可能である。図4は、Ga2O3系融液が上昇するダイの高さとスリット幅の関係を示すグラフである。ここで、図中の○は、Ga2O3系融液が上昇したことを表し、◆は、Ga2O3系融液が上昇しなかったことを表す。これによると、例えば、ダイの高さを50mmにしたいときにはスリット幅は0.4mm以下であればよいことになる。また、スリット11の複数の複数のスリット11a~11cから溢出するGa2O3系融液がダイ14の上面で容易に一体化するために、スリット11を構成するスリット11a~11cの間隔スリット11aと11bの間隔、及びスリット11bと11cの間隔は3mm以下であることが好ましい。Ga2O3系単結晶の成長方法種結晶20を下降させて毛細管現象でスリット11から溢出したGa2O3系融液12に接触させ、Ga2O3系融液12と接触した種結晶20を引き上げることにより、平板状のGa2O3系単結晶25を成長させる。スリット11の複数のスリット11a~11cから溢出するGa2O3系融液は、一体となってダイ14の上面に拡がり、それによって一枚の厚い、例えば、11mm以上の厚さを有するGa2O3系単結晶25が成長する。種結晶20の底面の幅はダイ14の長手方向の幅よりも小さく、Ga2O3系単結晶25は種結晶20の引き上げに伴ってダイ14の長手方向に拡張しながら成長する肩拡げ工程。Ga2O3系単結晶25の結晶方位は種結晶20の結晶方位と等しく、Ga2O3系単結晶25の結晶方位を制御するためには、例えば、種結晶20の底面の面方位及び水平面内の角度を調整する。Ga2O3系単結晶25及び種結晶20は、Ga2O3単結晶、又は、Cu、Ag、Zn、Cd、Al、In、Si、Ge、Sn等の元素が添加されたGa2O3単結晶である。図3は、Ga2O3系単結晶の成長中の様子を表す斜視図である。図3中の面26は、スリット11のスリット方向と平行なGa2O3系単結晶25の主面である。成長させたGa2O3系単結晶25を切り出してGa2O3系基板を形成する場合は、Ga2O3系基板の所望の主面の面方位にGa2O3系単結晶25の面26の面方位を一致させる。例えば、101面を主面とするGa2O3系基板を形成する場合は、面26の面方位を101とする。また、成長させたGa2O3系単結晶25は、新たなGa2O3系単結晶を成長させるための種結晶として用いることができる。Ga2O3系基板の製造方法まず、Ga2O3系単結晶25をその面方向面26に平行な方向に切断して、複数の板状のGa2O3系単結晶板を形成する。Ga2O3系単結晶25は、例えば、マルチワイヤーソーを用いて切断される。その後、複数のGa2O3系単結晶板の各々を研磨して、複数のGa2O3系基板を得る。例えば、Ga2O3系単結晶25の厚さが11mmである場合、厚さ0.4mmのGa2O3系基板を最大12枚得ることができる。この場合の原料効率は約44である。なお、従来の方法により、2.4mm厚のGa2O3系単結晶を形成して一枚の厚さ0.4mmのGa2O3系基板を得た場合、原料効率は16.7となる。このため、本実施の形態の方法の原料効率は、この従来の方法の原料効率の約2.6倍となる。実施の形態の効果本実施の形態によれば、一枚の薄い例えば2.4mm厚Ga2O3系単結晶を成長する速度と同等の速度例えば10~20mm/hで一枚の厚いGa2O3系単結晶をえることができる。このため、Ga2O3系単結晶を切断して各々を研磨することにより、複数のGa2O3系基板を効率よく製造することができる。また、本実施の形態の方法は、例えば、ダイに設けられた複数のスリットからそれぞれGa2O3系結晶を成長させ、各々を研磨して複数のGa2O3系基板を形成する方法と比較して、原料効率に優れる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。