薄層の製造方法であって、基板1に化学種を注入することにより脆性の埋込み領域を生成後、前記脆性領域に沿って前記基板1の破壊を開始して、基板から前記薄層6を分離できるものであって、前記方法は、a主要化学種4を基板1内の主要深さ5に注入する主要注入工程と、b基板1の脆化において、主要化学種4より低効率の少なくとも1つの副次化学種2を、基板1内の前記主要深さ5と異なる副次深さ3に主要化学種4濃度より高濃度で注入する少なくとも1つの副次注入工程と、を含み、前記工程aとbはいずれの順番で実行してもよく、さらに、c前記副次化学種2の少なくとも一部分を主要深さ5の近傍まで移動させる工程と、d主要深さ5に沿って前記破壊を開始する工程と、をさらに含むことを特徴とする、薄層製造方法。前記副次深さ3が前記主要深さ5よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。前記副次深さ3が前記主要深さ5よりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載の製造方法。前記少なくとも1つの副次注入が前記主要注入の前に行われることを特徴とする、請求項2または3に記載の製造方法。前記工程cが適切な熱処理によって促進されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。前記工程dが適切な熱処理を用いて行われることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の製造方法。工程cおよびdが同じ熱処理中に行われることを特徴とする、請求項5および6に記載の製造方法。前記熱処理が、工程bおよびcがない場合に前記破壊を開始するのに必要とされるよりも少ない熱量以内で実行されることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の製造方法。所定の熱量が、必要に応じて、前記所定の熱量よりも多い熱量で前記破壊を開始できるようにするために必要とされるよりも多量の副次化学種2を注入することによって、適合されることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の製造方法。前記熱処理は加熱炉での加熱および/または局所加熱および/またはレーザ加熱からなることを特徴とする、請求項5から9のいずれか一項に記載の製造方法。前記工程dは機械応力を加えることを含むことを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の製造方法。前記機械応力は、流体ジェットの使用、および/またはブレードの注入領域への挿入、および/または引張り、剪断または曲げ応力の基板1への印加、および/または音波の利用からなることを特徴とする、請求項11に記載の製造方法。工程dの前または最中に、厚みをつける物を基板1に加えることにより、基板1から薄層6を分離した後に前記薄層6に対する支持体として利用することを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の製造方法。工程dの前または最中に、ハンドル支持体が基板1に加えられ、その後薄層6が最終支持体上に移設されることを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の製造方法。主要化学種4は水素イオンまたは原子であることを特徴とする、請求項1から14のいずれか一項に記載の製造方法。副次化学種2が少なくとも1種の希ガスのイオンまたは原子であることを特徴とする、請求項1から15のいずれか一項に記載の製造方法。請求項1から16のいずれか一項に記載の方法を用いて製造されていることを特徴とする、薄層6。軟質または硬質支持体上に移設されていることを特徴とする、請求項17に記載の薄層6。前述のプロセスの欠点は、副次ピークにおいて注入されたイオンの濃度最初のピークに対する原子のリザーバを形成するが、主要ピークでの濃度を常に下回ることである。この結果、上記主要の深さで注入されたイオンの濃度を著しく低減することが必要な場合破壊後に擾乱領域の厚みを低減するために、多数の連続した注入を実行して、後に主要ピークのレベルで破壊を得るのに必要な原子の量をソース基板に導入することが必要となる。多数の注入を行うことはプロセスのコストを増大させ、特に工程の連鎖が複雑となる。この欠点を改良するために、第1の態様において、本発明は薄層の作製方法を提案する。この方法では、化学種を基板内に注入することによって脆性の埋め込み領域が形成され、その後上記脆性領域に沿って上記基板の破壊を開始して、上記脆性領域から上記薄層を分離できる。上記方法は以下の工程を含むという点で注目に値する。この工程は、a基板内に主要化学種を主要深さで主要注入する工程と、b基板を脆性化する際に、主要化学種よりも低効率の少なくとも1つの副次化学種を、基板内の上記主要深さと異なる副次深さで、主要化学種よりも高濃度の濃度で少なくとも副次注入する工程とを備え、この場合、上記工程aとbはいずれの順番で実行してもよく、さらに、c上記副次化学種の少なくとも一部分を主要深さの近傍に移動させる工程と、d上記主要深さに沿って上記破壊を開始する工程と、を含む。したがって、本発明によれば、少なくとも2つの異なった化学種が注入され、ソース基板内に脆性領域を形成する際に効率が異なることを特徴とする。脆性化の意味は、微小気泡および/または微小空洞および/または小板および/または結晶欠陥の種類のような特定の欠陥の形状、大きさおよび密度を、その領域で将来伝搬する破壊に都合の良いように形成することである。脆性化される領域を形成する際の所定の化学種の効率は、基板を構成する材料に大きく依存する。例えば、注入される主要化学種は水素イオンからなり、注入される副次化学種は少なくとも1つの希ガスのイオンからなり、基板はシリコンにできるが、この組み合わせは限定的なものではない。注入されるプロファイルのうちの1つは、後に開始され薄い表面層を移設することが可能な破壊部を局部集中させる。他の注入プロファイルは、移設後に破壊を伝搬し易くする化学種のリザーバに一致する。2つの注入で通常は十分である。低効率の化学種の副次濃度は、副次注入レベルにおいて後に基板を破壊するのに十分な濃度の大部分に等しいことに留意すべきであるこの副次濃度を選択する際に、このレベルで基板が破壊するのを防ぐために一定の安全余裕を保持することが必然的に必要である。本発明によれば、副次化学種は主要化学種よりも低効率であるため、実際には副次濃度は主要濃度よりも大幅に高くできることを意味する。したがって、本発明によれば、破壊線として後に機能し、また擾乱層も比較的薄い脆性領域が、少ない注入数によって得られる。決定的な物理的説明を提供する必要もなく、本発明のこれらの利点は以下のメカニズムに寄与できるであろう。このメカニズムを考慮する際、注入後、注入されたイオンができる限り中性原子を形成するか、または基板に結合されることに留意する必要がある。化学種の効率、すなわち基板を脆性化する能力は、注入によって生成される欠陥部内での前述の注入化学種の捕獲と連携して起こりうる。例えば、Hイオンをシリコンに注入する場合、これら2つの効果はおそらくこの化学種の能力により発生して、基板との化学結合を形成すると考えられている。したがって、工程cにおいて、注入ピークから離れて拡散する傾向は主要化学種に比べて副次化学種で強くなる。この正確な理由は、副次化学種が主要化学種よりも低効率であることによる。高濃度の遊離ガスである副次化学種はその後、主要注入によって先に形成された微小空洞内に収容され、微小空洞の成長を促進するが、同時に主要ピークのレベルで擾乱領域の大きさを増大させることはない。特定の形態によれば、上記副次深さは上記主要深さよりも大きい。この場合、副次注入によって生成される任意の結晶欠陥は、本発明による方法によって得られる薄層の外側に位置する。したがって、この配置は高品質の薄層を得るのに寄与する。別の特定の形態によれば、副次深さは、逆に主要深さよりも小さい。これは用途によっては有利である。例えば、副次注入が、薄層に局所集中する特定の結晶欠陥層を形成するのに必要とされる場合である。この欠陥層は、例えば電気絶縁性および/または捕獲特性を有する。特定の形態によれば、移動の上記工程cは適切な熱処理によって促進される。この形態は本発明による方法の効率を大幅に増大させ、また実施時間を減らす。この理由は、この種の熱処理が二重の役割を有しているからである。第1には、熱処理によって、主要ピークのレベルで存在する結晶欠陥の成長が促進されることであり、第2は、熱処理が同時に副次化学種イオンまたは原子の移動を促進することである。別の特定の形態によれば、上記工程dは適切な熱処理によって行われる。この熱処理のために、副次化学種の気体は、ソース基板を破壊する原因となる主要注入ピークのレベルで大きい圧力効果を発生する。適用される熱処理の特性は、関連する用途に応じて慎重に選択される。例えば、いくつかの用途においては、工程bおよびcがない場合、すなわち従来技術による場合において上記破壊を開始するのに必要な熱量に比べて小さい熱量で動作する本発明により可能となることが有効となる熱量の用語は所定時間にわたり所定温度を加えることを意味する。他の観点から、本発明の特別な用途に必要とされる所定の熱量を考えると、必要に応じて、上記所定の熱量よりも大きい熱量以内で上記破損を開始するのに必要とされるよりも多い副次化学種を注入することによって、熱量に適合させる注意が払われる。第2の態様においては、本発明は、最終の支持体上に移設する前または後に、これまでに簡単に述べた方法のうちの1つによって得られる薄層に関する。本発明の別の態様および利点は、限定されない例によって与えられる本発明の特定の実施形態の以下の詳細な説明を読むことで明らかとなろう。説明は添付の図面を参照する。図1は、一例として、シリコン基板内のHイオンの3つの注入プロファイルを示す。プロファイルは、1.5×1016H/cm2、6.0×1016H/cm2および1.0×1017H/cm2のイオン注入量で、約75keVのエネルギーにおける、基板内で得られる濃度1cm3当たりの水素イオンまたは原子の数として表現されるを、基板の注入面より下の深さの関数として示す。この図は、単に一例として、イオン注入によって起こる結晶欠陥の発現の原因となる最小の濃度レベル臨界濃度を示す。この図では、3つの濃度曲線が臨界濃度よりも上にあり、この結果から、基板内で、上記曲線が臨界濃度線と交差する2つの深さの間に本質的に位置する擾乱領域イオン注入によって生じた結晶欠陥を含む領域が存在することが、各濃度曲線に対して導き出すことができる。したがって、擾乱領域に対応する厚みは、図1だけに例示として示すように、それぞれが十分に多い分量の注入と関連付けることができる。図2は、0.5×1016H/cm2から1.2×1017H/cm2の範囲の注入量の範囲で、約75keVのエネルギーでの、この厚みに関する実験データを示す。擾乱領域の幅は注入量の増加に伴って増し、ここではおよそ50から250ナノメートルnmであることに留意されたい。破壊後、移設される薄層の表面上に示す擾乱層の厚みは、破壊前の擾乱領域の厚みのおよそ1/3から2/3である。図3aから図3dは、本発明の一実施形態による方法の連続的な主工程を示す。図3aは、副次化学種2をソース基板1に注入し、基板1内で副次深さピーク3近くに副次化学種2の高濃度部を形成することを示す。図3bは、基板1の同一部分の上から主要化学種4を注入し、基板1内で主要深さピーク5近くに主要化学種4の高濃度部を形成することを示す。本発明による方法は、ソース基板を脆性化する際に高効率な化学種4を主要ピーク5のレベルに注入する方法を教示する。脆性欠陥を形成する際に低効率な化学種2が副次ピーク3のレベルに注入される。ここで示した実施形態は、プロセスの終了後に得られる薄層の質を最適化するのが重要である用途に関係する。この理由は、原子のリザーバを構成するのに役立つ副次化学種2の注入が、ここでは、後にその位置で基板1が破壊する主要化学種4の注入深さ5よりも大きい深さ3で行われるからである。図3cは本発明のこの実施形態の次の工程を示す。この工程の間、本明細書の導入部分で説明したように、好ましくは、熱処理加熱炉および/または局所加熱および/またはレーザビームまたはその他が加えられる。次に、これらの化学種の大部分が、主要ピーク5のレベルに結晶欠陥を伝搬し、これらの欠陥の成長を助長する。最後に、図3dは、適切な場合にはターゲット基板図示せず上に移設できる薄層6をソース基板1から分離するために、主要深さ5で基板1を破壊する従来の動作を示す。分離によって、薄層6の表面上の薄い擾乱層7およびソース基板1の表面上の別の擾乱層が露出する。破壊は、既知の方法で、熱処理を加えること加熱炉および/または局所加熱および/またはレーザビームまたはその他、および/または流体ガス、液体のジェットを噴射するなどで機械応力を与えること、および/またはブレードを脆性領域に挿入すること、および/または引張り、剪断または曲げ応力を基板に加えること、および/または音波超音波またはその他によって、随意に開始できる。移動工程cの間における熱処理の使用が選択されると、注入を簡略化する理由で、工程dにも同じ熱処理を用いることが有利である。この後、2つの工程cおよびdは間断なく都合よく実行できる。1つの変形例によれば、酸化物または窒化物またはその他の厚みをつける層alayerofthickenerが、既知の方法で、最初に加えられ、この支持体の存在によって、特に移送および/または最終工程のために、脆性化した基板から移設された層を固くし、これにより、主要ピークのレベルでの破損の伝搬が、ソース基板からの薄層および厚みをつける層を備えた自己支持層をもたらす。別の変形例では、注入されたソース基板をターゲット基板に接着する。例えば、ターゲット基板はシリコン、プラスチック材料またはガラスでもよく、軟質または硬質であってもよい。接着は直接接着分子付着によって、例えば、にかわまたは他の接着剤を用いることによってなされてもよい。その後、脆性領域に沿う微細な破壊により、ソースおよびターゲット基板から成る接着構造体が2つの部分に分離される。主要部分は、ソース基板からターゲット基板に移設された薄い表面層から成り、副次部分は薄い表面層が剥離されたソース基板から成る。さらに別の変形例は、工程dの前または最中に、基板1にハンドル支持体を形成し、その後、薄層6が最終支持体上に移設される。薄い表面層を分離および移設した後、脆性基板の残り部分はソース基板か、適切な場合にはターゲット基板のどちらかとして再利用される。本発明による方法の、国際公開第99/39378号明細書に記載の技法を超える利点は、主要と副次ピークのレベルで注入された2つの化学種の特性が異なっているために、主要ピークのレベルに注入される量は、単一の注入の場合に通常必要とされる量と比較して大幅に低減できることである例えば、水素イオンだけをシリコンに注入する場合、通常の量は5×1016から1017H/cm2である。本発明者らは、主要化学種の量の低減が80にも達することを測定した。これと平行して、副次ピーク3のレベルに注入した化学種2の濃度は、図4で見られるとおり、主要ピーク5のレベルに注入した化学種4の濃度を大きく超えている。したがって、副次ピーク3は、主要ピーク5の方に移動するように意図された副次化学種2のリザーバとして働く。本発明は特に、低熱量を必要とする用途に適する。例えば、材料Aの薄層を材料Bの基板上に移設し接着する必要があって、2つの材料の機械的特性例えばそれらの熱膨張係数が異なる場合、適用される熱処理は、材料AとBの2つの基板からなる接着構造体が損傷を受ける例えば破壊および/またははがれ特定の熱量を超えてはならない。この種類の用途に対して、本発明による方法は、2つの化学種の注入量を選択することによって、所定の深さおよび低温度で同時に破壊を開始し、擾乱領域の所定の厚みを生成することを実現できる。この後、副次化学種2の量は本発明による量に比べて増加し、破壊力を増す。さらに、主要ピークのレベルに注入された化学種4の量は、本発明による量と、破壊を局所集中させるのに必要な通常の量との間にある。これらの特徴により、低温での破壊が適当な時間で得られると同時に、破壊後に観察される擾乱領域が薄いという事実から得られる利点を保持する。説明を完全なものとするために、以下に、本発明の具体化の3つの数値例を挙げる。第1の例では、50nmの厚みの、例えば、表面上に熱シリカSiO2の層を有するシリコンSi基板は、2×1016Ne/cm2の割合で210keVのエネルギーでネオン原子を注入され、次に7×1015H/cm2の割合で20keVのエネルギーで水素を注入される。次に、このソース基板は直接接着によりターゲットのSi基板に接着される。その後、500°Cでの熱処理により、水素ピークのレベルに局所集中される微小空洞および/または小板の成長を引き起こす。ネオン原子は水素ピークの方に移動し、最終的な破壊に至る結晶欠陥の成長に関与する。本発明の利点により、擾乱領域の幅は約わずか70nmとなり、一方従来技術による単一注入の場合5×1016H/cm2の割合で、擾乱領域の幅は約150nmである。第2の例では、例えば厚さが100nmのSiO2層が堆積されるゲルマニウムGe基板に、4×1016He/cm2の割合で180keVのエネルギーでヘリウム原子を注入し、その後、2×1016H/cm2の割合で60keVのエネルギーで水素を注入する。次に、このソース基板は直接接着によってターゲットのSi基板に接着できる。その後、300°Cでの熱処理によって、水素ピークのレベルに局所集中された微小空洞および/または小板の成長を引き起こし、ヘリウム原子は結晶欠陥のこの領域にまで遠く拡散し、それらの加圧および成長に関与する。水素プロファイルのレベルにおける最終破壊により、Geの層のSi基板上への移設が実現する。本発明の利点により、擾乱領域の幅はわずか約300nmであり、一方従来技術による単一注入の場合、擾乱領域の幅は約400nmである。第3の例では、200nmの厚みの、例えば表面上に熱SiO2層を有するSi基板は、4×1016He/cm2の割合で180keVのエネルギーでヘリウム原子を注入され、その後、2×1016H/cm2の割合で75keVのエネルギーで水素を注入される。次に、このソース基板は直接接着によって溶解シリカのターゲット基板に接着される。2つの材料の熱膨張係数の差は、通常300°C位の低温で破壊を引き起こす熱処理の適用を必要とする。従来使用される注入量9×1016H/cm2であるの水素だけを注入すると、この温度では脆性領域に沿ってSi基板を破壊し始めるのに数日間を要する。対照的に、上記の同時注入条件では、熱処理は水素ピークのレベルに局所集中された空洞の成長を引き起こし、ヘリウム原子が結晶欠陥の領域まで遠く拡散し、それらの加圧と発展に関与して、水素プロファイルのレベルでの最終的な破壊がわずか約1時間で達成できる。このように、Si層は溶解シリカ基板上に効率よく移設される。さらに、本発明の利点により、擾乱領域の幅はわずか約110nmであり、一方従来技術による単一注入の場合、擾乱領域の幅は約230nmである。