"架橋性官能基を有する液晶性高分子化合物を含む液晶性組成物を用いて形成された液晶性組成物層を、前記液晶性高分子化合物が配向した状態で前記架橋性官能基が完全に架橋するように処理して得られる光学異方性膜であって、前記光学異方性膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gである光学異方性膜。前記配向が、前記液晶性組成物のガラス転移温度以上でありかつ透明点未満の温度で、前記液晶性組成物層に対して、垂直方向に圧力を加えることなくまたは1000Pa以下の圧力を加えながら、水平方向にせん断力を加えることで行われる請求項1記載の光学異方性膜。前記液晶性高分子化合物が主鎖の炭素に結合するフッ素原子を有する化合物である請求項1または2に記載の光学異方性膜。前記架橋性官能基が光架橋性の官能基である請求項1~3のいずれか1項に記載の光学異方性膜。前記光架橋がカチオン重合またはラジカル重合による架橋である請求項4に記載の光学異方性膜。前記光架橋がカチオン重合による架橋であり前記架橋性官能基が環状エーテル基である請求項5に記載の光学異方性膜。前記環状エーテル基がエポキシ基またはオキセタン基である請求項6に記載の光学異方性膜。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、光学異方性を有するとともに、耐熱性、耐光性等を有することで信頼性に優れた光学異方性膜の提供を目的とする。本発明は、下記[1]~[7]の構成を有する光学異方性膜である。[1]架橋性官能基を有する液晶性高分子化合物を含む液晶性組成物を用いて形成された液晶性組成物層を、前記液晶性高分子化合物が配向した状態で前記架橋性官能基が完全に架橋するように処理して得られる光学異方性膜であって、前記光学異方性膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gである光学異方性膜。[2]前記配向が、前記液晶性組成物のガラス転移温度以上でありかつ透明点未満の温度で、前記液晶性組成物層に対して、垂直方向に圧力を加えることなくまたは1000Pa以下の圧力を加えながら、水平方向にせん断力を加えることで行われる[1]記載の光学異方性膜。[3]前記液晶性高分子化合物が主鎖の炭素に結合するフッ素原子を有する化合物である[1]または[2]に記載の光学異方性膜。[4]前記架橋性官能基が光架橋性の官能基である[1]~[3]のいずれかに記載の光学異方性膜。[5]前記光架橋がカチオン重合またはラジカル重合による架橋である[4]に記載の光学異方性膜。[6]前記光架橋がカチオン重合による架橋であり前記架橋性官能基が環状エーテル基である[5]に記載の光学異方性膜。[7]前記環状エーテル基がエポキシ基またはオキセタン基である[6]に記載の光学異方性膜。本発明によれば、光学異方性を有するとともに、耐熱性、耐光性等を有することで信頼性に優れた光学異方性膜を提供できる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書の記載において使用される用語は、下記に従って解釈するものとする。また、式で表される化合物は、その式の番号を付した化合物としても表記し、例えば式a1で表される化合物は、化合物a1とも表記する。液晶性化合物とは、単独で液晶相を示し得る化合物を意味し、重合性液晶性化合物とは、重合性を有し、単独で液晶相を示し得る化合物を意味する。重合性液晶性組成物とは、重合性を有し、液晶相を示し得る組成物を意味する。また、液晶性組成物とは、液晶性化合物を1種以上含有し、該液晶性化合物のそれぞれが単独で液晶相を示し得る、または、該液晶性化合物を含む組成物が含有する各種成分が、反応して得られた反応生成物が液晶相を示し得る組成物を意味する。メソゲンとは、棒状または板状の分子鎖脂環、芳香環を含む。のような剛性の分子鎖部分をいう。Phは1,4-フェニレン基を示し、該基中の炭素原子に結合した水素原子が、フッ素原子、塩素原子、またはメチル基に置換されたものを含み得る。Cyはトランスtrans-1,4-シクロヘキシレン基を示し、Dhnはトランスtrans-2,6-デカヒドロナフタレニル基を示す。これらの基中の炭素原子に結合した水素原子がフッ素原子、塩素原子、またはメチル基に置換されたものを含み得る。Δnは、屈折率異方性の略記である。なお、以下の記載における波長の値は、記載値±2nmの範囲を含み得る。メタアクリ...の表記は、アクリ...とメタクリ...の両者を意味する総称として使用する。例えば、メタアクリロイル基は、アクリロイル基とメタクリロイル基の両者を意味する。また、化学式における-COO-は、-C=OO-を示し、-OCO-は、-OC=O-を示す。オキセタン基とは、オキセタンの3位の水素原子が結合手に入れ替わった構造の基を示す。さらにオキセタン基は、その3位に残る水素原子が炭素原子数1~5のアルキル基に置換されたものを含む用語として用いられる。架橋性官能基とは、架橋性を有する官能基であり、以下、架橋性基ともいう。本発明の光学異方性膜は、架橋性基を有する液晶性高分子化合物を含む液晶性組成物を用いて形成された液晶性組成物層を、前記液晶性高分子化合物が配向した状態で前記架橋性基が完全に架橋するように処理して得られる光学異方性膜であって、前記光学異方性膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gであることを特徴とする。ここで、本明細書に用いる光学異方性膜中の架橋点の密度は、光学異方性膜の作製に用いる液晶性組成物の固形分が単位質量1g当たりに含有する架橋性基の数から、その架橋の種類に応じて以下のようにして算出した値である。架橋反応が2種類の架橋性基による場合、例えば、水酸基とイソシアネート基による熱架橋反応の場合、該固形分中に含まれる割合が少ない架橋性基の固形分1g当たりに含まれる個数を光学異方性膜中の架橋点の密度とする。架橋反応が1種類の架橋性基による場合、例えばメタアクリロイル基同士やオキセタン基同士の光架橋反応の場合、固形分1g当たりに含まれる全架橋性基の数を2で除した値を光学異方性膜中の架橋点の密度とする。なお、光架橋の場合、カチオン重合であってもラジカル重合であっても、架橋点は必ずしも2個の架橋基の架橋により構成されるわけではないが、本発明においては、上記熱架橋の場合の2種類の架橋性基の1個ずつ、合計2個が架橋点を構成するのを基準として、光架橋の場合の架橋点を同様に規定した。従来、光学異方性膜を液晶性高分子化合物で形成する場合、架橋と配向は両立が困難であったが、本発明においては、液晶性高分子化合物を用いた光学異方性膜において、高い架橋密度と十分な配向を実現した。このような構成により、本発明の光学異方性膜は、耐熱性や耐光性等が向上した長期使用に際して高い信頼性を有する。[液晶性組成物]本発明の光学異方性膜の作製に用いる液晶性組成物は、架橋性基を有する液晶性高分子化合物を含有する。架橋性基を有する液晶性高分子化合物としては、側鎖にメソゲン骨格を含む基を有する重合単位と側鎖に架橋性基を有する重合単位とを含む高分子化合物であって、液晶性組成物に液晶性高分子化合物のみが配合される場合には液晶性高分子化合物のみで、また、後述する架橋剤とともに配合される場合には架橋剤との関係において、上記方法で算出される液晶性組成物中の架橋性基の密度が上記範囲となるような液晶性高分子化合物であれば特に制限されない。液晶性高分子化合物が有する架橋性基としては、水酸基、チオール基、カルボキシル基、ヨウ素原子、シリル基、アミノ基、エポキシ基、ニトリル基、オキセタン基、ビニル基等が挙げられる。なお、ビニル基はメタアクリロイル基として液晶性高分子化合物に含まれることが好ましい。本発明の光学異方性膜は、上記液晶性組成物が配向した状態で、架橋性基を有する液晶性高分子化合物が該架橋性基を介して架橋し、配向状態が固定されることで、高信頼性を有する。架橋性基を介する架橋は、熱架橋と光架橋に分類される。光架橋はさらにカチオン重合による光架橋とラジカル重合による光架橋に分けられる。架橋におけるこれらの分類は、架橋性基の種類による。上に例示した架橋性基のうち熱架橋により架橋が行われる架橋性基としては、水酸基、チオール基、カルボキシル基、ヨウ素原子、シリル基、アミノ基、エポキシ基、ニトリル基、オキセタン基が挙げられる。これらのうち、水酸基が好ましい。また、光架橋のうちラジカル重合による光架橋により架橋が行われる架橋性基としては、ビニル基、好ましくはメタアクリロイル基が挙げられる。光架橋のうちカチオン重合による光架橋により架橋が行われる架橋性基としては、エポキシ基、オキセタン基が挙げられる。本発明においては、架橋が光架橋により行われることが好ましく、したがって架橋性基としては、メタアクリロイル基、エポキシ基、オキセタン基が好ましい。さらに光架橋はカチオン重合によることが好ましく、架橋性基としては、エポキシ基、オキセタン基が好ましい。なお、熱架橋の場合は、液晶性高分子化合物が有する架橋性基と反応する官能基を有する架橋剤を用いて架橋が行われる。架橋が光架橋により行われる場合には、架橋性基を有する液晶性高分子化合物のみを用いてその架橋性基同士の反応で架橋が行われる。また、架橋が光架橋により行われる場合であっても、熱架橋の場合と同様、液晶性高分子化合物が有する架橋性基と反応する官能基を有する架橋剤を用いて架橋が行われてもよい。本明細書において、架橋剤とは、液晶性高分子化合物が有する架橋性基と反応する官能基を有する化合物のうち、分子量が概ね2,000以下の低分子量の化合物をいう。ここで、液晶性組成物が含有する架橋性基を有する液晶性高分子化合物は、通常は、重合性液晶性化合物と架橋性基を有する単量体を含む重合性液晶組成物を共重合することで得られる。ただし、液晶性高分子化合物が側鎖に有する架橋性基がビニル基、好ましくはメタアクリロイル基、のようなラジカル重合性基である場合には、重合性液晶性化合物と反応性の官能基を有する単量体を含む重合性液晶組成物を共重合した後に、この共重合体に、該官能基に反応性の官能基とビニル基、好ましくはメタアクリロイル基、のようなラジカル重合性基を有する化合物を反応させることで架橋性基を有する液晶性高分子化合物が得られる。なお、架橋性基を有する液晶性高分子化合物における架橋性基の位置は、架橋剤の該架橋性基と反応性を有する官能基と反応しやすい位置にあることが好ましい。重合性液晶性化合物としては、少なくとも各1個のメソゲン骨格とラジカル重合性基を有する重合性液晶性化合物が用いられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。ラジカル重合性基として具体的には、フッ素原子またはアルキル基で置換されていてもよいビニル基等が挙げられる。重合性液晶性化合物として、具体的には、少なくとも1個のメソゲン骨格を有するビニルエーテル系化合物またはメタアクリル系化合物や、側鎖に少なくとも1個のメソゲン骨格を有する環化重合可能なジエン化合物等が挙げられる。重合性液晶性化合物として、ビニルエーテル系化合物を用いる場合には、架橋性基を有する単量体についてもビニルエーテル系化合物が好ましい。同様に、メタアクリル系化合物やジエン化合物についても組合せて用いる架橋性基を有する単量体は、それぞれ架橋性基を有するメタアクリル系化合物、および架橋性基を有する環化重合可能なジエン化合物が好ましい。なお、架橋性基を有する液晶性高分子化合物は、特に青色光に対する耐光性の観点から主鎖の炭素に結合するフッ素原子を有することが好ましい。このように高分子化合物が、主鎖の炭素に結合するフッ素原子を有する構成を、以下、主鎖にフッ素原子を有するという。液晶性高分子化合物を、主鎖にフッ素原子を有する構成とするには、重合性液晶性化合物や架橋性基を有する単量体の重合性基にフッ素原子を導入すればよい。あるいは、重合性液晶性化合物と架橋性基を有する単量体の共重合に際して、これらとともに、例えば、テトラフルオロエチレンのようなフルオロオレフィン等を共重合させればよい。以下、架橋性基を有する液晶性高分子化合物が、主としてビニルエーテル系化合物を用いて得られたビニルエーテル系液晶性高分子化合物A、主としてジエン系化合物を用いて得られたジエン系液晶性高分子化合物B、または、主としてメタアクリル系化合物を用いて得られたメタアクリル系液晶性高分子化合物Cである液晶性組成物について、架橋が熱架橋により行われる場合の組成と、光架橋により行われる場合の組成に分けて説明する。ただし、これらは例示であって、本発明に用いる液晶性高分子化合物および液晶性組成物はこれらに限定されない。以下、各液晶性組成物について、架橋が熱架橋により行われる場合の組成物を熱架橋性の液晶性組成物、光架橋により行われる場合の組成物を光架橋性の液晶性組成物という。1ビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aを含む液晶性組成物1-1熱架橋性の液晶性組成物ビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aを含む液晶性組成物が熱架橋性の場合、該液晶性組成物は上に例示したような熱架橋性の架橋性基以下、熱架橋性基ということもある。を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aa以下、単に液晶性高分子化合物Aaということもある。と、液晶性高分子化合物Aaが有する熱架橋性基と反応性を有する官能基を有する架橋剤を含有する。液晶性高分子化合物Aa液晶性高分子化合物Aaとしては、例えば、ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物A1と、熱架橋性基を有するビニルエーテル系の化合物A2と、その他任意の重合性化合物A3とを共重合することにより得られる液晶性高分子化合物が挙げられる。なお、ビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aaを、青色耐光性の観点から、主鎖にフッ素原子を有する構成とするには、その他の重合性化合物A3として重合性基にフッ素原子が結合したフルオロオレフィン等を用いればよい。ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物A1としては、例えば、下記式a1で表されるビニルエーテル系化合物が挙げられる。CH2CHOm1R11n1OW11h1W12j1k1E14R12......a1ただし、式a1中の記号は、以下のとおりである。R11:炭素数1~12のアルキレン基、炭素数1~12のポリフルオロアルキレン基、または-CF2-OCF2CF2x-OCF2-で表される基xは1~6の整数。R12:炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、またはシアノ基。E11:1,4-フェニレン基であり、該基中の炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子、塩素原子、またはメチル基により置換されていてもよい。E12、E13、E14:各々独立に、1,4-フェニレン基、トランス-1,4-シクロヘキシレン基、またはトランス-2,6-デカヒドロナフタレニル基であり、これら基中の炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子、塩素原子、またはメチル基により置換されていてもよい。m1:0~3の整数。n1:0~3の整数。h1,j1,k1:各々独立に0または1であり、かつ1≦h1j1k1が成り立つ。W11,W12:各々独立に、カルボニル基または単結合。この化合物a1は、複数の6員環による液晶性骨格式a1中-E11h1-W12-E12j1-E13k1-E14-で示されるを含有するビニルエーテル化合物であり、重合性と液晶性を併せ持つ。化合物a1の中には、単独では液晶相を示さないものもあるが、そのような化合物も、他の重合性化合物との共重合により得られる共重合体が液晶相を示す場合があり、共重合体の構成成分として利用可能である。化合物a1は、分子のスペーサー部式a1中、-CH2m1-R11-CH2n1-で示されるに、アルキレン基、ポリフルオロアルキレン基、ポリフルオロアルキレンオキシド基から選ばれる少なくとも一つの基を有する。この基の作用によって、化合物a1は、重合の際に他の重合成分との相溶性を確保できる。重合に際して重合溶液中のフッ素原子を含まない成分との相溶性を低下させないために、化合物a1において、式a1中のR11がアルキレン基またはポリフルオロアルキレン基の場合、それらの基の炭素数は1~12とする。R11が-CF2-OCF2CF2x-OCF2-で表されるポリフルオロアルキレンオキシド基の場合、xは1~6の整数とする。なお、アルキレン基の炭素数は2~8が好ましく、ポリフルオロアルキレンオキシド基のxは1~4の整数が好ましく、ポリフルオロアルキレン基の炭素数は2~8が好ましい。また、非結晶性を示すように、アルキレン基の炭素数は2、4、6が好ましい。ポリフルオロアルキレン基の炭素数も2、4、6が特に好ましい。さらに、ポリフルオロアルキレン基の場合は、その末端炭素原子にフッ素原子が1個以上結合していることが好ましく、ペルフルオロアルキレン基がより好ましい。ポリフルオロアルキレン基はポリフルオロアルキレンオキシド基より液晶性が良好である。ポリフルオロアルキレン基としては、例えば以下に示す基が挙げられる。-CF22-、-CF24-、-CF26-、-CF28-、-CF210-、-CF212-、-CF2CHF-、-CF2CHFCF22-、-CF2CHFCF24-、-CF2CHFCF22CHFCF2-、-CF2CHFCF24CHF-、-CF2CH2CF2CH2CF2-、-CF2CHFCF24CHFCF2-、-CHFCF26CHF-、-CF2CHCF2CF3CF22CH2-。アルキレン基としては、例えば以下に示す基が挙げられる。-CH22-、-CH24-、-CH26-、-CH28-、-CH210-、-CH212-。化合物a1は、R12としてアルキル基、アルコキシ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、またはシアノ基を有し、これによって化合物a1に基づく重合単位を有する液晶性高分子化合物Aaが液晶性を示す温度範囲が広くなる。R12がアルキル基、またはアルコキシ基の場合、炭素数2~6が好ましく、3~5がより好ましい。R12が直鎖構造である場合には、特に液晶性高分子化合物Aaが液晶性を示す温度範囲を広くできるので好適である。m1およびn1は、各々0~3の整数であり、1または2が好ましい。また、化合物a1の製造容易性の観点から、m1とn1は同じ値が好ましい。h1、j1、k1は、各々0または1である。ただし、h1、j1、k1の少なくとも一つは1であり、1≦h1j1k1が成り立つ。W11、W12は、カルボニル基-CO-または単結合である。化合物a1の好ましい具体例として、下記化合物~が挙げられる。CH2CHOm1R11n1OPhPhR12CH2CHOm1R11n1OPhCyPhR12CH2CHOm1R11n1OPhCyPhPhR12CH2CHOm1R11n1OCyCyR12CH2CHOm1R11n1OCOCyCyR12CH2CHOm1R11n1OCyCyCyR12CH2CHOm1R11n1OCODhnCyR12CH2CHOm1R11n1OCODhnCyCyR12CH2CHOm1R11n1ODhnCyR12CH2CHOm1R11n1OCOCyCyCyR12ただし、式~中の記号R11、R12、m1、n1は、各々式毎に独立しており、前述の規定と同じである。また、Ph、CyおよびDhnも、各々式毎に独立して前記の規定と同じであり、一分子中における複数のPh、Cyも、互いに独立して、置換または非置換のフェニレン基、および置換または非置換のシクロヘキシレン基を示し得る。より具体的な例として、下記化合物が挙げられる。ただし、下記式中の表記Ph、CyおよびDhnは、各々式毎に独立して前記の規定と同じである。記号r1は式毎に独立して1~8の整数を示す。CH2CHOCH22CH2OPhPhCNCH2CHOCH24CH2OPhPhCNCH2CHOCH26CH2OPhPhCNCH2CHO343OPhPhCNCH2CHO262OPhPhCNCH2CHO363OPhPhCNCH2CHO2OPhPhCNCH2CHO4OPhPhCNCH2CHO6OPhPhCNCH2CHO8OPhPhCNCH2CHOCH22CH2OPhCyPhr1HCH2CHOCH24CH2OPhCyPhr1HCH2CHOCH26CH2OPhCyPhr1HCH2CHO343OPhCyPhr1HCH2CHO262OPhCyPhr1HCH2CHO363OPhCyPhr1HCH2CHO2OPhCyPhr1HCH2CHO4OPhCyPhr1HCH2CHO6OPhCyPhr1HCH2CHO8OPhCyPhr1HCH2CHOCH22CH2OPhCyPhPhr1HCH2CHOCH24CH2OPhCyPhPhr1HCH2CHOCH26CH2OPhCyPhPhr1HCH2CHO343OPhCyPhPhr1HCH2CHO262OPhCyPhPhr1HCH2CHO363OPhCyPhPhr1HCH2CHO2OPhCyPhPhr1HCH2CHO4OPhCyPhPhr1HCH2CHO6OPhCyPhPhr1HCH2CHO8OPhCyPhPhr1HCH2CHOCH22CH2OCyCyr1HCH2CHOCH24CH2OCyCyr1HCH2CHOCH26CH2OCyCyr1HCH2CHO343OCyCyr1HCH2CHO262OCyCyr1HCH2CHO363OCyCyr1HCH2CHOCH22CH2OCOCyCyr1HCH2CHOCH24CH2OCOCyCyr1HCH2CHOCH26CH2OCOCyCyr1HCH2CHO343OCOCyCyr1HCH2CHO262OCOCyCyr1HCH2CHO363OCOCyCyr1HCH2CHO2OCOCyCyr1HCH2CHO4OCOCyCyr1HCH2CHO6OCOCyCyr1HCH2CHO8OCOCyCyr1HCH2CHOCH22CH2OCyCyCyr1HCH2CHOCH24CH2OCyCyCyr1HCH2CHOCH26CH2OCyCyCyr1HCH2CHO343OCyCyCyr1HCH2CHO262OCyCyCyr1HCH2CHO363OCyCyCyr1HCH2CHOCH22CH2OCODhnCyr1HCH2CHOCH24CH2OCODhnCyr1HCH2CHOCH26CH2OCODhnCyr1HCH2CHO343OCODhnCyr1HCH2CHO262OCODhnCyr1HCH2CHO363OCODhnCyr1HCH2CHO2OCODhnCyr1HCH2CHO4OCODhnCyr1HCH2CHO6OCODhnCyr1HCH2CHO8OCODhnCyr1HCH2CHOCH22CH2OCODhnCyCyr1HCH2CHOCH24CH2OCODhnCyCyr1HCH2CHOCH26CH2OCODhnCyCyr1HCH2CHO262OCODhnCyCyr1HCH2CHO363OCODhnCyCyr1HCH2CHO2OCODhnCyCyr1HCH2CHO4OCODhnCyCyr1HCH2CHO6OCODhnCyCyr1HCH2CHO8OCODhnCyCyr1HCH2CHOCH22CH2ODhnCyr1HCH2CHOCH24CH2ODhnCyr1HCH2CHOCH26CH2ODhnCyr1HCH2CHOCH22CH2OCOCyCyCyr1HCH2CHOCH24CH2OCOCyCyCyr1HCH2CHOCH26CH2OCOCyCyCyr1HCH2CHO343OCOCyCyCyr1HCH2CHO262OCOCyCyCyr1HCH2CHO363OCOCyCyCyr1HCH2CHO2OCOCyCyCyr1HCH2CHO4OCOCyCyCyr1HCH2CHO6OCOCyCyCyr1HCH2CHO8OCOCyCyCyr1HCH2CHOCH2CF2OCF2CF2OCF2CH2OPhPhCNCH2CHOCH2CF22OCF2CH2OPhPhCNCH2CHOCH2CF23OCF2CH2OPhPhCNCH2CHO2CF2OCF2CF2OCF22OPhPhCNCH2CHO3CF2OCF2CF2OCF23OPhPhCNCH2CHO2CF22OCF22OPhPhCNCH2CHO3CF22OCF23OPhPhCNCH2CHOCH2CF2OCF2CF2OCF2CH2OPhCyPhr1HCH2CHOCH2CF22OCF2CH2OPhCyPhr1HCH2CHOCH2CF23OCF2CH2OPhCyPhr1HCH2CHO2CF2OCF2CF2OCF22OPhCyPhr1HCH2CHO3CF2OCF2CF2OCF23OPhCyPhr1HCH2CHO2CF22OCF22OPhCyPhr1HCH2CHO3CF22OCF23OPhCyPhr1HCH2CHOCH2CF2OCF2CF2OCF2CH2OPhCyPhPhr1HCH2CHOCH2CF22OCF2CH2OPhCyPhPhr1HCH2CHOCH2CF23OCF2CH2OPhCyPhPhr1HCH2CHO2CF2OCF2CF2OCF22OPhCyPhPhr1HCH2CHO3CF2OCF2CF2OCF23OPhCyPhPhr1HCH2CHO2CF22OCF22OPhCyPhPhr1HCH2CHO3CF22OCF23OPhCyPhPhr1H上記化合物において、r1は2~6の整数が好ましく、3~5の整数がより好ましい。また、Phは非置換の1,4-フェニレン基、またはメチル基により置換された1,4-フェニレン基であり、Cyは非置換のトランス-1,4-シクロヘキシレン基であり、Dhnは非置換のトランス-2,6-デカヒドロナフタレニル基が好ましい。これらの中でも、より好ましい化合物として、、、、等が挙げられる。次に、上記ビニルエーテル化合物a1の合成方法について、具体例を挙げて説明する。合成方法は、上記式a1において、11W11がカルボニル基-CO-である場合上記好ましい化合物において、化合物、化合物、化合物、化合物に相当と、12W11が単結合である場合上記好ましい化合物において、化合物~化合物、化合物、化合物に相当に分類される。さらに、上記11、12のそれぞれについてAR11がポリフルオロアルキレン基またはポリフルオロアルキレンオキシド基である場合上記、より具体的な化合物において、化合物~、化合物~に相当と、BR11がアルキレン基である場合上記より具体的な化合物において、化合物~に相当に分類される。A-11式a1中、R11がポリフルオロアルキレン基またはポリフルオロアルキレンオキシド基であって、W11がカルボニル基-CO-である場合A-11に分類される化合物の合成方法は、上記化合物を例とすれば、以下の反応式F-1に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は上記と同じ意味を示す。まず、上記化合物と3,4-ジヒドロフランとをジクロロメタン中、p-トルエンスルホン酸の存在下で反応させ、上記化合物を得る。次に、この化合物と、トランス-4-トランス-4-アルキルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸HO-CO-Cy-Cy-CH2r1H:化合物21AA、ジシクロヘキシルカルボジイミド、および4-N,N-ジメチルアミノピリジンを、クロロホルム中で反応させて化合物を得る。さらにこの化合物を、p-トルエンスルホン酸と反応させて上記化合物を得る。次いで、この化合物を、クロロ1,5-シクロオクタジエンイリジウムIと炭酸ナトリウム存在下、トルエン中で酢酸ビニルと反応させることで上記化合物を得る。上記化合物を上記化合物に変換する反応において、触媒としては、上記のクロロ1,5-シクロオクタジエンイリジウムIの他に、酢酸水銀II、ビズベンゾニトリルパラジウムII、ビズアセトニトリルパラジウムIIなどを使用できる。また上記反応において、炭酸ナトリウムの他に、炭酸カリウム、リン酸一カリウム、リン酸二カリウムなどを用いてもよく、また用いなくてもよい。溶媒としては、エーテル、トルエン、ヘキサンなどの非プロトン系の溶媒が好ましく、トルエンが特に好ましい。さらに、酢酸ビニルの他に、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、プロピオン酸ビニル、ピバロイル酸ビニルなどのビニルエーテル化合物を使用できる。反応温度は、室温から200°Cの範囲が好ましく、30°C~150°Cの範囲が特に好ましい。反応時間は0.5時間~200時間が好ましく、1時間~10時間が特に好ましい。反応の圧力は、1MPaが好ましい。上記反応式F-1に示される反応において、化合物のかわりに、その水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m1-R11-CH2n1-R11がポリフルオロアルキレン基またはポリフルオロアルキレンオキシド基とした化合物を、化合物21AAのかわりに、その-Cy-Cy-を、-Dhn-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-等とした化合物をそれぞれ用いることで、A-11に分類される他の化合物を合成できる。B-11式a1中、R11がアルキレン基であって、W11がカルボニル基-CO-である場合B-11に分類される化合物の合成方法は、上記化合物を例とすれば、以下の反応式F-2に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は上記と同じ意味を示す。また、上記反応式F-2に示される反応において、化合物61bのかわりに、そのビニルオキシ基と水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m1-R11-CH2n1-R11がアルキレン基とした化合物を、化合物21Aのかわりに、その-Cy-Cy-を、-Dhn-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-等とした化合物をそれぞれ用いることで、B-11に分類される他の化合物を合成できる。A-12式a1中、R11がポリフルオロアルキレン基またはポリフルオロアルキレンオキシド基であって、W11が単結合である場合A-12に分類される化合物の合成方法は、上記化合物を例とすれば、以下の反応式F-3に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は上記と同じ意味を示す。まず、上記化合物の合成方法と同様にして化合物を得る。この化合物と、4ヒドロキシ-4’-シアノ-ビフェニルHO-Ph-Ph-CN:化合物13Aとを、トリフェニルホスフィン、アゾジカルボン酸ジエチルの存在下、テトラヒドロフラン中で反応させ、化合物を得る。さらにこの化合物を、上記化合物の合成方法と同様にして、上記化合物を得る。次いで、この化合物を、上記化合物の合成方法と同様にして、化合物を得る。上記反応式F-3に示される反応において、化合物のかわりに、その水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m1-R11-CH2n1-R11がポリフルオロアルキレン基またはポリフルオロアルキレンオキシド基とした化合物を、化合物13Aのかわりに、その水酸基を除いた基を、-Ph-Cy-Ph-CH2r1H、-Ph-Cy-Ph-Ph-CH2r1H、-Cy-Cy-CH2r1H、-Ph-Cy-Cy-Cy-CH2r1H、または、-Dhn-Cy-CH2r1H等とした化合物をそれぞれ用いることで、A-12に分類される他の化合物を合成できる。B-12式a1中、R11がアルキレン基であって、W11が単結合である場合B-12に分類される化合物の合成方法は、上記化合物を例とすれば、以下の反応式F-4に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は上記と同じ意味を示す。また、上記反応式F-4に示される反応において、化合物13Cのかわりに、その水酸基を除いた基を、-Ph-Ph-CN、-Ph-Cy-Ph-CH2r1H、-Cy-Cy-CH2r1H、-Ph-Cy-Cy-Cy-CH2r1H、または、-Dhn-Cy-CH2r1H等とした化合物を、化合物71bのかわりに、そのBrと水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m1-R11-CH2n1-R11がアルキレン基とした化合物をそれぞれ用いることで、B-12に分類される他の化合物を合成できる。以上、重合により、熱架橋性基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aaを構成する重合単位となる上記式a1で表されるビニルエーテル化合物について説明した。本発明に用いる液晶性高分子化合物Aaを作製するにあたって、ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物A1、好ましくは化合物a1と、組合せて用いる熱架橋性基を有するビニルエーテル系化合物A2としては、熱架橋性基とビニルオキシ基を有する化合物A2であれば特に制限されない。熱架橋性基とビニルオキシ基を有する化合物A2として、好ましくは、分子中の相対する末端にそれぞれ熱架橋性基とビニルオキシ基を有する化合物が挙げられる。このようなビニルエーテル系化合物A2を用いれば、上記化合物A1やその他単量体A3と共重合して液晶性高分子化合物Aaとした際に、この化合物A2に基づく重合単位は、ビニル基由来の炭素鎖が主鎖の一部を構成し、その主鎖に結合する側鎖の末端に熱架橋性基が位置する構成となる。液晶性高分子化合物Aaは、液晶性組成物に配合され、最終的には、この熱架橋性基が、液晶性組成物が含有する架橋剤の該熱架橋性基と反応性の官能基と反応し架橋する。この架橋反応を考慮して側鎖、すなわち上記化合物A2における熱架橋性基とビニルオキシ基の間の連結基の種類や長さが適宜調整される。このような熱架橋性基を有するビニルエーテル系化合物A2として、例えば、下記式a2で表されるビニルエーテル系化合物が挙げられる。CH2=CH-O-R1-L1.........a2R1は、炭素数1~10のアルキレン基ただし、アルキレン基中の炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、炭素-炭素結合間に、エーテル性酸素原子、エステル結合、またはウレタン結合を有していてもよいを示す。L1は、水酸基、チオール基、カルボキシル基、ヨウ素原子、シリル基、アミノ基、エポキシ基、ニトリル基、またはオキセタン基を示す。L1としては吸収特性、合成の容易性の観点から、水酸基、オキセタン基が好ましく、水酸基が特に好ましい。また、L1として水酸基を有する化合物a2としては、例えば、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル等が好ましい。液晶性高分子化合物Aaの原料単量体として、任意に用いられるその他単量体A3としては、フルオロオレフィンが好ましい。フルオロオレフィンとしては、フッ素原子とエチレン性二重結合を有する化合物であれば、特に制限されない。フルオロオレフィンとして、下記式a3で表される炭素数2のフルオロエチレン類が好ましく用いられる。なお、式a3中のX11、Y11、Z11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、または塩素原子を示す。CFX11=CY11Z11.........a3式a3で表されるフルオロエチレン類としては、フッ素原子数が3または4のフルオロオレフィンが好ましく、具体的には、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、トリフルオロエチレンなどが挙げられる。液晶性高分子化合物Aaの原料単量体においては、その他単量体A3として、さらに必要に応じて、上記以外のエチレン性二重結合を有する重合性化合物を含んでいてもよい。このような単量体として、具体的には、ビニルエーテル系化合物A2が有する熱架橋性基と反応性を有する官能基を有しない、好ましくは官能基を有しない、ビニルエーテル、アリルエーテル、非フッ素系エチレン性単量体等が挙げられる。液晶性高分子化合物Aaは、好ましくは、ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物A1、熱架橋性基を有するビニルエーテル系化合物A2およびフルオロオレフィンを原料単量体として得られる液晶性高分子化合物Aa1が好ましい。このような液晶性高分子化合物Aa1における、ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物A1、好ましくは化合物a1に基づく重合単位の含有量割合は、液晶性および耐光性の観点から、30~50モルが好ましい。30~45モルがより好ましい。化合物A1に基づく重合単位の含有量が30モル以上の場合は、液晶性に優れ、一軸に配向した薄膜が得られる。化合物A1に基づく重合単位の含有量が50モル以下の場合には、十分な耐光性が得られる。液晶性高分子化合物Aa1におけるフルオロオレフィン、好ましくは化合物a3に基づく重合単位の含有量割合は、45~55モルが好ましい。耐光性と液晶性の点から47~52モルより好ましい。フルオロオレフィンに基づく重合単位の含有量が45モル以上の場合には十分な耐光性が得られ、55モル以下の場合には、液晶性に優れ、一軸に配向した薄膜が得られる。液晶性高分子化合物Aa1における熱架橋性基を有するビニルエーテル系化合物A2、好ましくは化合物a2に基づく重合単位の含有量割合は、1~20モルが好ましく、5~10モルがより好ましい。化合物A2に基づく重合単位の含有量が1モル以上の場合には耐光性や配向安定性に優れ20モル以下の場合には、液晶性に優れ、一軸に配向した薄膜が得られる。また、液晶性高分子化合物Aa1が、ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物A1に基づく重合単位、フルオロオレフィンに基づく重合単位、熱架橋性基を有するビニルエーテル系化合物A2に基づく重合単位の他に、重合単位を含む場合、その含有量の上限は1モルが好ましい。1モル以下の場合、液晶性や耐光性、配向性が十分に得られる。本発明に用いる液晶性高分子化合物Aaとして、より好ましく用いられる高分子化合物の具体例としては、下記式Aa11に平均組成の構造が示される高分子化合物が挙げられる。液晶性高分子化合物Aa11は、上記化合物a1に基づく重合単位、上記化合物a3に基づく重合単位、上記化合物a2に基づく重合単位のみで構成され、その各含有量が、化合物a1に基づく重合単位が30~50モル、化合物a3に基づく重合単位が45~55モル、化合物a2に基づく重合単位が1~20モルの範囲の高分子化合物である。なお、高分子化合物が、化合物a1に基づく重合単位、化合物a3に基づく重合単位、化合物a2に基づく重合単位のみで構成される場合には、ビニルエーテル化合物である化合物a1および化合物a2にそれぞれ基づく重合単位が、フルオロエチレン類である化合物a3に基づく重合単位と、概ね交互に結合した構造となる。なお、上記した各重合単位の含有割合は、原料として使用した各化合物単量体の仕込み量を元にした割合である。また、下記式Aa11における各重合単位の組成比であるx1およびy1も、原料単量体の仕込み量の割合を示す。さらに、本明細書の以下の記載においても、重合単位の含有割合や重合単位の組成比を示すものは、原料単量体の仕込み量を元にした割合で示す。ただし、式Aa11中、Q1は、式a1におけるm1R11n1OW11h1W12j1k1E14R12を示し、その他の記号は、上記式a1、上記式a3、上記式a2の記号と同じ意味を示す。また、x1は60~99、y1は1~40の正数をそれぞれ示し、x1y1=100である。なお、x1:y1の値は、高分子化合物Aa11における、化合物a1に基づく重合単位の含有量:化合物a2に基づく重合単位の含有量に相当する。本発明に用いる液晶性高分子化合物Aaの数平均分子量Mnは、2,000~20,000の範囲が好ましく、3,000~10,000の範囲がより好ましい。また、分子量分布質量平均分子量Mw/数平均分子量Mnは、1.0~30の範囲が好ましく、1.0~2.0の範囲がより好ましい。数平均分子量Mnや分子量分布がこの範囲であれば、これを含む液晶性組成物における配向性および光学異方性材料としたときの耐光性が良好となる。なお、本明細書において質量平均分子量Mwおよび数平均分子量Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPC法でポリスチレンを標準として測定したものをいう。本発明における液晶性高分子化合物Aaは、例えば、特開昭58-136662号公報に記載された方法で合成でき、本明細書に組み入れられる。例えば、液晶性高分子化合物Aa11を得るには、重合性液晶性化合物であるビニルエーテル系化合物a1と、熱架橋性基を有するビニルエーテル系化合物a2と、フルオロエチレン類である化合物a3とを、所定の割合で混合した混合物に、重合開始剤を加えて重合する方法を採る。重合方法としては、バルク重合、乳化重合、溶液重合、懸濁重合等の、通常のラジカル重合に用いる重合方法を特に制限なく用いることができ、分子量の制御が容易な点から溶液重合が好ましい。重合溶媒としては、ヘプタン等の飽和炭化水素類、1個以上のフッ素原子を含む飽和ハロゲン化炭化水素類、アセトン等のケトン類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、酢酸エチルなどのエステル類が用いられる。また、分子量調整のための連鎖移動剤として、t-ブタノール、エタノール等のアルコール類を使用できる。重合開始剤としては、通常のラジカル重合開始剤を使用できる。具体的には、ジイソプロピルパーオキシビスカーボネート、ジラウロイルパーオキシドなどの過酸化物、アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ化合物などが例示される。なお、市販品として、V40商品名、和光純薬社製等を用いてもよい。重合開始剤の使用量は、適宜変更可能であり、通常は重合性化合物100質量部当り0.05~1質量部程度が好ましく採用される。また、これらの重合開始剤は一括して添加してもよいが、必要に応じて分割添加してもよい。重合中、重合反応系をアルカリ側に保つために、重合反応は塩基性化合物の存在下で行うことが好ましい。塩基性化合物としては、有機塩基性化合物、無機塩基性化合物の中から広範囲に選択可能である。有機塩基性化合物では、トリエチルアミンなどのアルキルアミン類、トリエチルホスフィンなどのアルキルホスフィン類などが好ましい。無機塩基性化合物では、炭酸カリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、酸化マグネシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、水酸化物または酸化物などが好ましい。重合反応の反応温度は40°C~70°Cが好ましい。また、反応圧力は、0.2~2.0MPaが好ましく、0.2~1.0MPaがより好ましい。このようにして得られた液晶性高分子化合物Aaは、未反応原料化合物や重合溶媒の除去等の精製処理を得て、熱架橋性の液晶性組成物に配合される。架橋剤熱架橋性基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aaを含有する熱架橋性の液晶性組成物において、液晶性高分子化合物Aaと組合せて用いる架橋剤として、具体的には、液晶性高分子化合物Aaの熱架橋性基と反応性の官能基を有する架橋剤Daが用いられる。液晶性高分子化合物Aaが有する熱架橋性基が水酸基の場合、例えば、イソシアネート基、カルボキシル基、塩化アシル基等の官能基を有する架橋剤が使用できる。架橋剤として、より具体的には、1分子中にイソシアネート基を2個以上有するポリイソシアネート化合物、メチル化メラミン、メチロール化メラミン、ブチロール化メラミンなどのメラミン樹脂、メチル化尿素、ブチル化尿素などの尿素樹脂等が挙げられる。これらのなかでもポリイソシアネート化合物が好ましい。同様に熱架橋性基がチオール基の場合、ビニル基等の官能基を有する架橋剤が使用できる。熱架橋性基がカルボキシル基の場合、水酸基、エポキシ基等の官能基を有する架橋剤が使用できる。熱架橋性基がシリル基の場合、水酸基、カルボキシル基等の官能基を有する架橋剤が使用できる。熱架橋性基がアミノ基の場合、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する架橋剤が使用できる。熱架橋性基がエポキシ基の場合、カルボキシル基、アミノ基等の官能基を有する架橋剤が使用できる。熱架橋性基がオキセタン基の場合、カルボキシル基、アミノ基等の官能基を有する架橋剤が使用できる。また、液晶性高分子化合物Aaと組合せて用いる架橋剤として、熱架橋性基に反応する官能基を有する架橋剤Daに加えて、液晶性高分子化合物Aaが有する熱架橋性基と同じ熱架橋性基を有する架橋剤を用いてもよい。このような架橋剤としては、分子鎖の末端に該熱架橋性基を有する架橋剤が好ましい。熱架橋性基の数としては、架橋剤の1分子当たり1個以上有することが好ましく、直線状の分子鎖の両末端に各1個の熱架橋性基を有する二官能の構造がより好ましい。特に、液晶性組成物固形分1g当たりの熱架橋性基の数を効率よく増大させたい場合には、二官能の化合物の使用が好ましい。また、該熱架橋性基を有する架橋剤としては低分子量の液晶性化合物以下、液晶性低分子化合物というDbが好ましい。上記のとおり液晶性高分子化合物Aaは側鎖に比較的嵩高い液晶骨格を有する高分子化合物であり、分子がランダムに存在する状態から一軸方法に配向させる場合、高密度の状態では化合物Aaの分子同士が障害となって配向が促進されない傾向にある。本発明においては、低分子量の液晶性化合物Dbを上記液晶性高分子化合物Aaと組合せて用いることで、配向の際に化合物Aaの自由度を増大し配向性を向上させ、さらに化合物Dbも液晶性であることから、化合物Aaとともに配向して、液晶性組成物全体として均一な一軸配向が得られるものとした。なお、本発明に用いる液晶性低分子化合物Dbの分子量は、上記配向性の観点から100~2,000の範囲にあることが好ましく、200~1,000の範囲にあることがより好ましい。その他成分また、熱架橋性基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aaを含有する熱架橋性の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Aaと架橋剤以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、液晶性高分子化合物Aaと架橋剤による架橋反応を促進する触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数ここで、光学異方性膜中の架橋点の密度を上記範囲、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとするためには、これを作製するのに用いる液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数を以下のように調整する。例えば、熱架橋性基を有する液晶性高分子化合物Aaと該熱架橋性基に反応する官能基を有する架橋剤Daと、必要に応じて添加される触媒とその他の架橋に関与しない任意成分とで液晶性組成物が構成される場合においては、液晶性高分子化合物Aaが有する熱架橋性基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NAa個/gと、架橋剤Daが有する官能基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDa個/gを比較して、少ない方の個数が、上記範囲内となるように調整する。また、熱架橋性基を有する液晶性高分子化合物Aaと該熱架橋性基に反応する官能基を有する架橋剤Daと、該熱架橋性基と同じ熱架橋性基を有する液晶性低分子化合物Dbと、必要に応じて添加される触媒とその他の架橋に関与しない任意成分とで液晶性組成物が構成される場合においては、液晶性高分子化合物Aaが有する熱架橋性基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NAa個/gに液晶性低分子化合物Dbが有する熱架橋性基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDb個/gを加えたNAaNDb個/gと、架橋剤Daが有する官能基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数NDa個/gを比較して、少ない方の個数が、上記範囲内となるように調整する。ここで、光学異方性膜においては、膜中の架橋点が多いほど高い構造安定性が得られることが想定されるが、構成原料である液晶性組成物が含有する液晶性化合物を配向させた状態で分子上の多くの箇所で架橋させることには限界があった。すなわち架橋点を増やすと液晶性化合物の配向は十分なものではなかった。本発明の光学異方性膜は従来の技術では達成できないレベルの上記範囲の架橋点を有しながら十分に配向した光学異方性膜であり、本発明においては配向を後述のせん断力を利用した配向により行うことによりこれを可能とした。熱架橋性基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aaを含有する熱架橋性の液晶性組成物について、熱架橋性基が水酸基である以下の液晶性組成物を例以下、第1の例というにより具体的に説明する。<第1の例>第1の例の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Aaとして、上記式Aa11で示される液晶性高分子化合物Aa11であって、化合物a2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L1が水酸基である下記式Aa-1で示される液晶性高分子化合物Aa-1を含有し、水酸基と反応性の官能基を有する架橋剤Daとしてイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物Da-1を含有する液晶性組成物である。なお、この液晶性組成物中に、もう1種類の架橋剤として、水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1が含まれていてもよい。ただし、式Aa-1中の記号は、上記式Aa11の記号と同じ意味を示す。第1の例の液晶性組成物に用いるイソシアネート基を有する化合物としては、ポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、1分子中にイソシアネート基を2個以上有する化合物であれば特に限定されずに使用できる。具体的には、公知ないしは周知のポリイソシアネート化合物またはその変性体が採用され得る。このようなポリイソシアネート化合物として、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートなどの脂肪族ポリイソシアネート化合物;m-またはp-フェニレンジイソシアネート、m-キシリレンジイソシアネートXDI、2,4-または2,6-トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネートMDI、ナフタレン-1,5-ジイソシアネート、4,4’-ジイソシアネート-3,3’-ジメチルジフェニルなどの芳香族ポリイソシアネート化合物;イソホロンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート水添XDI、ジシクロヘキシルメタン4,4’-ジイソシアネート水添MDIなどの脂環式ポリイソシアネート化合物;クルードトリレンジイソシアネート、クルードジフェニルメタンジイソシアネートなどのクルードポリイソシアネート化合物;カルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリオール変性ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリオール変性ヘキサメチレンジイソシアネートなどの変性ポリイソシアネート化合物が挙げられる。これらのポリイソシアネート化合物はビューレット型、イソシアヌレート環型、ウレトジオン型等により、2量体または3量体になっているもの、あるいはイソシアネート基をブロック化剤と反応させたブロック型ポリイソシアネート化合物でもよい。ブロック化剤としては、アルコール類、フェノール類、カプロラクタム類、オキシム類、活性メチレン化合物類などが挙げられる。ポリイソシアネート化合物は1種を単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。なお、液晶性組成物に架橋剤としてブロック型ポリイソシアネート化合物を用いると、通常、上記のような液晶性高分子化合物が有する水酸基とは、概ね140°C以上でないと反応しないため、それより低い温度で反応架橋させる場合には、ブロック化されていない非ブロック型ポリイソシアネート化合物の使用が好ましい。第1の例の液晶性組成物において、水酸基を有する液晶性高分子化合物Aa-1と、ポリイソシアネート化合物Da-1の架橋反応は、液晶性組成物中で液晶性高分子化合物Aa-1が配向した状態、すなわち液晶相を示す状態で行われる。また、この液晶性組成物がさらに水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1を含む場合は、液晶性組成物中で液晶性高分子化合物Aa-1と液晶性低分子化合物Db-1とが配向した状態、すなわち液晶相を示す状態で架橋反応が行われる。後述のように、液晶性組成物が液晶相を示す状態を保つための、雰囲気温度はネマチック相-等方相の相転移温度、すなわち透明点Tc未満でありガラス転移温度Tg以上、好ましくはTc-10°C以下Tc-30°C以上であることから、ポリイソシアネート化合物Da-1を選択する際には、化合物Aa-1、化合物Da-1との反応温度が、少なくとも上記Tc未満であるものが選択される。このような観点からいえば、本発明においては、ポリイソシアネート化合物Da-1として非ブロック型ポリイソシアネート化合物が好ましく用いられる。一方で、水酸基を有する液晶性高分子化合物Aa-1や任意で含まれる水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1が全く配向していない状態や、配向が十分でない状態で、ポリイソシアネート化合物Da-1と反応して架橋することを回避するために、反応温度は室温以上が好ましい。反応温度が室温以上Tc-10°C以下の範囲にある液晶性高分子化合物Aa-1、液晶性低分子化合物Db-1とポリイソシアネート化合物Da-1の組合せを選択することにより、配向と架橋を同時に行う、あるいは、配向、架橋をその順に段階的に行う等調整できる。また、液晶性組成物から形成される光学異方性膜の耐光性の観点から、第1の例に用いられるポリイソシアネート化合物Da-1としては、上記脂肪族ポリイソシアネート化合物または脂環式ポリイソシアネート化合物が好ましい。このようなポリイソシアネート化合物としては、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水添MDI、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、水添XDI、または、これらのイソシアヌレート変性体、トリメチロール変性体またはトリスビュレット体等や3官能アミン誘導体等が挙げられる。さらに、液晶性組成物の配向性を考慮すると、ポリイソシアネート化合物Da-1は、上記水酸基を有する液晶性高分子化合物Aa-1や任意で含まれる水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1の一軸配向を妨げない構造であることが好ましい。1分子中にイソシアネート基を2個有するポリイソシアネート化合物の場合、直鎖状、または直鎖に近い分子構造のポリイソシアネート化合物が好ましい。1分子中にイソシアネート基を3個以上有するポリイソシアネート化合物の場合、分子量が小さいポリイソシアネート化合物が好ましい。具体的には、イソシアヌレート構造を有するポリイソシアネート化合物の場合は、ジイソシアネートモノマー3分子からなる3量体が好ましく、ビウレット構造を有する場合は、1-6-シアナトヘキシル-3-6-イソシアナトヘキシル-1-6-イソシアナトヘキシルカルバモイルウレア等のヘキサメチレン構造を有するビウレットイソシアネート化合物が好ましい。上記耐光性の観点から好ましいポリイソシアネート化合物Da-1として例示したポリイソシアネート化合物のうち、液晶性組成物の配向性を考慮した好ましい構造のポリイソシアネート化合物Da-1を挙げると、ヘキサメチレンジイソシアネート、水添MDIまたはそれらのイソシアヌレート変性体、トリメチロール変性体、3官能アミン誘導体等が挙げられる。このようなポリイソシアネート化合物Da-1は、従来公知の方法で製造可能でき、また、市販品にこれを含む組成物があるので、これを使用してもよい。市販品としては、例えば、イソシアヌレート構造を有するポリイソシアネート化合物の場合は、デスモジュールバイエル社製商品名等、ビウレット構造を有する場合は、デュラネート旭化成社製商品名等から、上記条件に適合した製品を適宜選択できる。具体的には、それぞれ、デスモジュールN3300、TLA-100等が好ましく挙げられる。第1の例における上記ポリイソシアネート化合物Da-1の配合量は、液晶性組成物が含有する上記液晶性高分子化合物Aa-1が有する水酸基、および以下に説明する任意で含まれる液晶性低分子化合物Db-1が有する水酸基の合計モル当量に対して、ポリイソシアネート化合物Da-1が有するイソシアネート基のモル当量が1.0~2.0倍となる配合量が好ましく、1.0~1.5倍となる配合量がより好ましい。上記水酸基の合計モル当量に対するイソシアネート基のモル当量が1.0倍以上の場合、架橋が十分に行われ、安定した配向性が維持でき、2.0倍以下の場合、やはり十分な配向性が得られる。第1の例において、架橋剤として使用可能な水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1として、具体的には、下記式4で表される水酸基を1分子当たり1個有する化合物一官能の化合物、または式5で表される水酸基を1分子当たり2個有する化合物二官能の化合物が挙げられる。上記のとおり液晶性組成物固形分1g当たりの熱架橋性基の数を効率よく増大させたい場合には、二官能の化合物の使用がより好ましい。一官能の化合物HOm3R31n3W31h3W32j3k3E34R32......4ただし、式4中の記号は、以下のとおりである。R31:炭素数1~12のアルキレン基、炭素数1~12のポリフルオロアルキレン基、または-CF2-OCF2CF2x-OCF2-で表される基xは1~6の整数。R32:炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、またはシアノ基であり、該基中の炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子により置換されていてもよい。E31、E32、E33、E34:各々独立に、1,4-フェニレン基、トランス-1,4-シクロヘキシレン基、またはトランス-2,6-デカヒドロナフタレニル基であり、これら基中の炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子、塩素原子、またはメチル基により置換されていてもよい。m3:0~3の整数。n3:0~3の整数。h3,j3,k3:各々独立に0または1であり、かつ1≦h3j3k3が成り立つ。W31:エーテル基O、エステル基COO、OCOまたは単結合。W32:エーテル基O、エステル基COO、OCO、CF2O、OCF2または単結合。二官能の化合物HOm4R41n4W41h4W42j4k4E44W4304R42p4OH...5ただし、式5中の記号は、以下のとおりである。R41、R42:各々独立に、炭素数1~12のアルキレン基、炭素数1~12のポリフルオロアルキレン基、または-CF2-OCF2CF2x-OCF2-で表される基xは1~6の整数。E41、E42、E43、E44:各々独立に、1,4-フェニレン基、トランス-1,4-シクロヘキシレン基、またはトランス-2,6-デカヒドロナフタレニル基であり、これら基中の炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子、塩素原子、またはメチル基により置換されていてもよい。m4:0~3の整数。n4:0~3の整数。o4:0~3の整数。p4:0~3の整数。h4,j4,k4:各々独立に0または1であり、かつ1≦h4j4k4が成り立つ。W41:エーテル基O、エステル基COO、OCOまたは単結合。W42、W43:各々独立に、エーテル基O、エステル基COO、OCO、CF2O、OCF2または単結合。前記化合物4および化合物5は、複数の6員環による液晶性骨格上記式4中、E31h3-W32-E32j3-E33k3-E34で、上記式5中、E41h4-W42-E42j4-E43k4-E44でそれぞれ示されるを含有する化合物であり、反応性架橋性と液晶性を併せ持つ。化合物4および化合物5は、分子のスペーサー部上記式4中、-CH2m3-R31-CH2n3-で、上記式5中、-CH2m4-R41-CH2n4-および-CH204-R42-CH2p4-でそれぞれ示されるに、アルキレン基、ポリフルオロアルキレン基、ポリフルオロアルキレンオキシド基から選ばれる少なくとも一つの基を有する。液晶性組成物中のフッ素原子を含まない成分との相溶性を低下させないために、化合物4および化合物5において、式4中のR31および式5中のR41がアルキレン基またはポリフルオロアルキレン基の場合、それらの基の炭素数は1~12とする。R31およびR41が-CF2-OCF2CF2x-OCF2-で表されるポリフルオロアルキレンオキシド基の場合、xは1~6の整数とする。レべリング性と相溶性の関連から、アルキレン基の炭素数は2~8が好ましく、ポリフルオロアルキレンオキシド基のxは1~4の整数が好ましく、ポリフルオロアルキレン基の炭素数は2~8が好ましい。また、非結晶性を示すように、アルキレン基の炭素数は2、4、6が好ましい。ポリフルオロアルキレン基の炭素数も2,4、6が特に好ましい。さらに、ポリフルオロアルキレン基の場合は、その末端炭素原子にフッ素原子が1個以上結合していることが好ましく、ペルフルオロアルキレン基がより好ましい。ポリフルオロアルキレン基はポリフルオロアルキレンオキシド基より液晶性が良好である。ポリフルオロアルキレン基としては、例えば以下に示す基が挙げられる。-CF22-、-CF24-、-CF26-、-CF28-、-CF210-、-CF212-、-CF2CHF-、-CF2CHFCF22-、-CF2CHFCF24-、-CF2CHFCF22CHFCF2-、-CF2CHFCF24CHF-、-CF2CH2CF2CH2CF2-、-CF2CHFCF24CHFCF2-、-CHFCF26CHF-、-CF2CHCF2CF3CF22CH2-。アルキレン基としては、例えば以下に示す基が挙げられる。-CH22-、-CH24-、-CH26-、-CH28-、-CH210-、-CH212-。化合物4および化合物5は、R32およびR42としてアルキル基、アルコキシ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、またはシアノ基を有し、これによって化合物4および化合物5を含む液晶性組成物の液晶性を示す温度範囲が広くなる。R32およびR42がアルキル基、またはアルコキシ基の場合、炭素数2~6が好ましく、3~5がより好ましい。R32およびR42が直鎖構造である場合には、特に化合物4および化合物5が液晶性を示す温度範囲を広くでき好適である。m3、m4、n3、n4、o4およびp4は、各々0~3の整数であり、1または2が好ましい。また、化合物5の製造容易性の観点から、m4とp4、n4とo4は同じ値が好ましい。h3、h4、j3、j4、k3、k4は、各々0または1である。ただし、h3、j3、k3の少なくとも一つは1であり、1≦h3j3k3が成り立つ。また、h4、j4、k4の少なくとも一つは1であり、1≦h4j4k4が成り立つ。W31は、エーテル基O、エステル基COO、OCOまたは単結合であり、W32は、エーテル基O、エステル基COO、OCO、CF2O、OCF2または単結合である。また、W41は、エーテル基O、エステル基COO、OCOまたは単結合であり、W42は、エーテル基O、エステル基COO、OCO、CF2O、OCF2または単結合である。さらにW43も、エーテル基O、エステル基COO、OCO、CF2O、OCF2または単結合である。化合物4の好ましい具体例として、下記化合物~が挙げられる。HOm3R31n3OPhPhR32HOm3R31n3OPhCyPhR32HOm3R31n3OPhCyPhPhR32HOm3R31n3OCyCyR32HOm3R31n3OCOCyCyR32HOm3R31n3OCyCyCyR32HOm3R31n3OCODhnCyR32HOm3R31n3OCODhnCyCyR32HOm3R31n3ODhnCyR32HOm3R31n3OCOCyCyCyR32ただし、式~中の記号R31、R32、m3、n3は、各々式毎に独立しており、前述の規定と同じである。また、Ph、CyおよびDhnも、各々式毎に独立して前記の規定と同じであり、一分子中における複数のPh、Cyも、互いに独立して、置換または非置換のフェニレン基、および置換または非置換のシクロヘキシレン基を示し得る。化合物5の好ましい具体例として、下記化合物~が挙げられる。HOm4R41n4OPhPhO04R42p4OHHOm4R41n4OPhCyPhO04R42p4OHHOm4R41n4OPhCyPhPhO04R42p4OHHOm4R41n4OCyCyO04R42p4OHHOm4R41n4OCOCyCyCOO04R42p4OHHOm4R41n4OCyCyCyO04R42p4OHHOm4R41n4OCODhnCyCO004R42p4OHHOm4R41n4OCODhnCyCyCOO04R42p4OHHOm4R41n4ODhnCyO04R42p4OHHOm4R41n4OCOCyCyCyCOO04R42p4OHHOm4R41n4COOCyCyOCO04R42p4OHHOm4R41n4COODhnCyOCO04R42p4OHHOm4R41n4COODhnCyCyOCO04R42p4OHHOm4R41n4COOCyCyCyOCO04R42p4OHただし、式~中の記号R41、R42、m4、n4、o4、p4は、各々式毎に独立しており、前述の規定と同じである。また、Ph、CyおよびDhnも、各々式毎に独立して前記の規定と同じであり、一分子中における複数のPh、Cyも、互いに独立して、置換または非置換のフェニレン基、および置換または非置換のシクロヘキシレン基である。前記一官能の化合物4の合成方法は、上記式4において、41W31がカルボニル基-CO-である場合上記好ましい化合物において、化合物、化合物、化合物、化合物に相当と、42W31が単結合である場合上記好ましい化合物において、化合物~化合物、化合物、化合物に相当に分けて説明できる。上記式4において、41W31がカルボニル基-CO-である場合、例えば、化合物は、前記ビニルエーテル化合物a1の合成方法の反応式F-1において、を製造する際に得られる中間物質と同様に製造できる。また、化合物、化合物および化合物は、それぞれ、前記で用いた化合物21AA:トランス-4-トランス-4-アルキルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸HO-CO-Cy-Cy-CH2rHのかわりに、その-Cy-Cy-を、-Dhn-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-とした化合物をそれぞれ用いることで製造できる。なお、前記合成方法の反応式F-1において、出発物質のかわりに、その水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m3-R31-CH2n3-m3、R31、n3は上記範囲で適宜選択とした化合物を用いることで、化合物4において、W31がカルボニル基-CO-である各種化合物を製造できる。上記式4において、42W31が単結合である場合、例えば、化合物は、前記ビニルエーテル化合物a1の合成方法の反応式F-3において、を製造する際の中間物質と同様に製造できる。あるいは、化合物は、前記ビニルエーテル化合物a1の合成方法の反応式F-4において、を製造する際の中間物質81bと同様に製造できる。また、化合物、化合物、化合物および化合物は、それぞれ、前記で用いた化合物13Aや化合物13Cのかわりに、その水酸基を除いた基を、-Ph-Cy-Ph-R32、-Cy-Cy-R32、-Cy-Cy-Cy-R32または、-Dhn-Cy-R32とした化合物をそれぞれ用いて製造できる。なお、上記同様、前記合成方法の反応式F-3において、出発物質のかわりに、または前記合成方法の反応式F-4において、化合物71bのかわりに、その2個の水酸基で、または水酸基とBrで挟まれた、二価の基を-CH2m3-R31-CH2n3-m3、R31、n3は上記範囲で適宜選択とした化合物を用いることで、化合物4において、W31が単結合である各種化合物を製造できる。前記二官能の化合物5は、W41およびW43の結合方法によって、51W41が-CO-O-、W43が-O-CO-である場合上記好ましい化合物において、化合物5K~化合物5Nに相当、52W41が-O-CO-、W43が-CO-O-である場合上記好ましい化合物において、化合物、化合物、化合物、化合物に相当、53W41、W43が-O-である場合上記好ましい化合物において、化合物~化合物、化合物、化合物に相当に分類できる。前記化合物5の合成方法としては、化合物5が上記51W41:-CO-O-、W43:-O-CO-に分類される場合には、化合物を例として、以下の反応式B-1に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は、前記と同じ意味を示す。また、以下の反応式B-1で得られた化合物の1種である化合物を、化合物とする。まず、ビシクロヘキサン-4,4’-ジオール化合物4aと4-ペンテン酸化合物4bを、ジシクロヘキシルカルボジイミド、および4-N,N-ジメチルアミノピリジンの存在下、クロロホルム中で反応させて化合物4cを得る。さらに、化合物4cをテトラヒドロフラン中で、9-ボラビシクロ[3.3.1]ノナン9-BBNと反応させ、さらに過酸化水素の存在下、水酸化ナトリウムと反応させることで化合物を得る。上記反応において、化合物4aにかえて、その水酸基に挟まれた二価の基-Cy-Cy-を、-Dhn-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-とした化合物をそれぞれ用いれば、化合物、化合物、または、化合物に分類される化合物が合成できる。また、4-ペンテン酸H2C=CHCH22OOH:化合物4bにおける不飽和炭化水素基の炭素数をかえた不飽和カルボン酸を用いることにより、-CH2m4-R41-CH2n4-および-CH204-R42-CH2p4-で示される二価の基の炭素数が異なる化合物5を合成できる。化合物5が上記52W41:-O-CO-、W43:-CO-O-に分類される場合には、化合物を例として、以下の反応式B-2に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は、前記と同じ意味を示す。また、以下の反応式B-2で得られた化合物5Eの1種である化合物を、化合物とする。前記合成方法の反応式F-1において、出発物質から化合物を得たのと同様の反応により、化合物4dから化合物4eを合成する。得られた化合物4eと、4,4’-ビシクロヘキシルジカルボン酸化合物4fを、ジシクロヘキシルカルボジイミド、および4-N,N-ジメチルアミノピリジンの存在下、クロロホルム中で反応させて化合物4gを得る。さらに、この化合物4gをpトルエンスルホン酸と反応させて上記化合物を得る。上記反応において、化合物4fにかえて、そのカルボキシル基に挟まれた二価の基-Cy-Cy-を、-Dhn-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-とした化合物をそれぞれ用いれば、化合物、化合物、または、化合物に分類される化合物が合成できる。また、上記化合物4dHOCH26OHにおける水酸基に挟まれた二価の基を、-CH2m4-R41-CH2n4--CH204-R42-CH2p4-で示される二価の基とすることで、スペーサー部の炭素数が異なる化合物5を合成できる。化合物5が上記53W41:-O-、W43:-O-に分類される場合には、化合物を例として、以下の反応式B-3に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は、前記と同じ意味を示す。また、以下の反応式B-3で得られた化合物の1種である化合物を、化合物とする。上記反応において、化合物4aにかえて、その水酸基に挟まれた二価の基-Cy-Cy-を、-Ph-Ph-、-Ph-Cy-Ph-、-Ph-Cy-Ph-Ph-、-Cy-Cy-Cy-、または、-Dhn-Cy-とした化合物をそれぞれ用いれば、化合物、化合物、化合物、化合物または、化合物に分類される化合物が合成できる。また、上記BrCH25OHにおける、Brと水酸基に挟まれた二価の基を、-CH2m4-R41-CH2n4--CH204-R42-CH2p4-で示される二価の基とすることで、スペーサー部の炭素数が異なる化合物5を合成できる。第1の例の液晶性組成物において、架橋剤として配合することが好ましい、水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1架橋剤の配合量は、上記液晶性高分子化合物Aa-1の100質量部に対して1~30質量部が好ましく、1~20質量部がより好ましい。この液晶性低分子化合物Db-1の配合量が液晶性高分子化合物Aa-1100質量部に対して1質量部以上であれば十分な配向性向上の効果が得られ、30質量部以下であれば得られる光学異方性膜の耐光性を十分に維持できる。なお、第1の例の液晶性組成物における上記水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1の配合量を、液晶性高分子化合物Aa-1とのモル比で示すと、液晶性高分子化合物Aa-1の1モルに対して1.0~2.0モルの配合量が好ましく、1.0~1.5モルの配合量がより好ましい。ここで、第1の例における上記ポリイソシアネート化合物Da-1の配合量は、好ましくは、液晶性組成物が含有する上記液晶性高分子化合物Aa-1が有する水酸基、および任意に配合される液晶性低分子化合物Db-1が有する水酸基の合計モル当量に対して、ポリイソシアネート化合物Da-1が有するイソシアネート基のモル当量が1.0~2.0倍となる配合量である。よって第1の例における液晶性組成物を用いて得られる光学異方性膜中の架橋点の密度は、液晶性組成物固形分1g当たりの水酸基の個数と同数である。したがって、第1の例の液晶性組成物においては、液晶性高分子化合物Aa-1が有する水酸基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NAa-1個/gが、または、液晶性低分子化合物Db-1が含まれる場合は、これに液晶性低分子化合物Db-1が有する水酸基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDb-1個/gを加えた、NAa-1NDb-1個/gが、本発明の範囲内、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとなるように配合量が調整された上で、さらに上記のように各化合物の配合割合が調整される。第1の例の液晶性組成物は、上記水酸基を有する液晶性高分子化合物Aa-1、架橋剤としてポリイソシアネート化合物Da-1および任意に水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1を含有するが、これら以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、上記3成分による架橋反応を促進する触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。触媒としては、水酸基とイソシアネート基の反応を触媒する従来公知のジブチル錫ラウレートDBTDL等のスズ系、アルミニウムキレートなどの他の金属キレート化合物、p-トルエンスルホン酸などの有機酸系、塩酸などの無機酸系、アミノ系の触媒が使用できる。触媒の添加量としては、用いる触媒の種類にもよるが、上記3成分の合計質量の100質量部に対して、0~1000ppmが好ましく、10~100ppmがより好ましい。第1の例の液晶性組成物が、他の成分として、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を含有する場合、これらの成分の含有量は、液晶性組成物の全量に対して5質量以下が好ましく、2質量以下が特に好ましい。第1の例の液晶性組成物は、上記各必須成分を所定の配合割合となるように、さらに、必要に応じて、添加剤を加えて各成分が均一となるように混合して得られる。また、必要に応じて適当な溶媒を用いて各配合成分が均一に混合溶解された溶液の状態になるように処理した後、真空乾燥等により溶媒を除去して液晶性組成物としてもよい。以上、ビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aを含む熱架橋性の液晶性組成物の具体例として、水酸基を有する液晶性高分子化合物Aa-1と、架橋剤としてポリイソシアネート化合物Da-1および任意に水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1とを用いる例を説明したが、熱架橋性の液晶性組成物がこれに限定されない。1-2光架橋性の液晶性組成物ビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aを含む液晶性組成物が光架橋性の場合、該液晶性組成物は光架橋性の架橋性基以下、光架橋性基ということもある。を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Ab以下、単に液晶性高分子化合物Abということもある。を含有する。液晶性高分子化合物Ab液晶性高分子化合物Abのうち、光架橋性基がカチオン重合に対応する光架橋性基である環状エーテル基、例えば、エポキシ基やオキセタン基の場合、上記のとおり熱架橋性基としても使用でき、上記1-1の液晶性高分子化合物Aaと同様の方法で液晶性高分子化合物Abが作製できる。ただし、液晶性高分子化合物Abとして使用する際には、架橋点を本発明の範囲内とするために、例えば、ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物A1と、エポキシ基やオキセタン基を有するビニルエーテル系の化合物A2とその他任意の重合性化合物A3との共重合体における化合物A2の割合を調整する必要がある。例えば、上記式Aa11で示される液晶性高分子化合物において、L1をエポキシ基やオキセタン基とし、x1を60~99、y1を1~40に変更することで、液晶性高分子化合物Aa11が液晶性高分子化合物Abとして使用できる。液晶性高分子化合物Abのうち、光架橋性基がラジカル重合に対応する光架橋性基であるビニル基やビニル基を含む基以下、ビニル基等という、好ましくはメタアクリロイル基の場合、該ビニル基等の導入は、例えば、上記のようにして得られる液晶性高分子化合物Aa11の、化合物a2に基づく重合単位が有する熱架橋性基を介して行われる。液晶性高分子化合物Aa11にビニル基等を導入する方法として、具体的には、化合物a2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L1と反応性の基を一方の末端に有し、ビニル基等をもう一方の末端に有する化合物を、液晶性高分子化合物Aa11と所定の条件で反応させる方法が挙げられる。液晶性高分子化合物、例えば、液晶性高分子化合物Aa11の側鎖の末端に導入される基としては、ビニル基が好ましく、ビニル基を有する基としてメタアクリロイル基が導入されることが特に好ましい。なお、カチオン重合性の光架橋性基であるエポキシ基やオキセタン基を、ビニル基等と同様の方法で液晶性高分子化合物、例えば、液晶性高分子化合物Aa11の側鎖の末端に導入して、光架橋性の液晶性高分子化合物としてもよい。ここで、光架橋性基が導入される液晶性高分子化合物Aa11としては、導入される光架橋性基の数に合わせてx1とy1の割合を調整したものを準備する。例えば、光架橋性基を、液晶性高分子化合物Aa11の熱架橋性基L1の1個に対して、1個の割合で導入する場合には、x1を60~99、y1を1~40の範囲に調整することが好ましい。また、液晶性高分子化合物Aa11の熱架橋性基L1の1個に対して2個の割合で光架橋性基が導入される場合には、x1を50~98、y1を2~50の範囲が好ましい。以下、液晶性高分子化合物Aa11中の熱架橋性基L1を介して末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物を例に、これを液晶性高分子化合物Ab1と記して説明する。メタアクリロイル基は、上記液晶性高分子化合物Aa11において化合物a2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L1を介して側鎖の末端に導入される。導入に際しては、一方の末端に熱架橋性基L1に反応性の官能基を有し、もう一方の末端にメタアクリロイル基を有する化合物が用いられる。なお、該化合物が末端に有するメタアクリロイル基の数は1個または2個が好ましく、液晶性組成物固形分1g当たりの架橋性基の数を効率よく増大させたい場合には、2個が好ましい。ここで、液晶性組成物固形分1g当たりの光架橋性基の数の調整は、上記のとおり液晶性高分子化合物Aa11中の、x1とy1の割合を調整することでも行われる。本発明においては、最終的に得られる液晶性組成物における液晶性組成物固形分1g当たりの光架橋性基の数が上記本発明の条件を満足するように、配合する液晶性高分子化合物についてはこれらの要件を組み合わせて、さらに後述する架橋剤との組み合わせを勘案して、液晶性組成物が含有する各成分を設計する。液晶性高分子化合物Aa11としては、熱架橋性基L1が上に例示した官能基から選ばれるものであれば特に制限されず、なかでも、熱架橋性基L1として水酸基を有する液晶性高分子化合物Aa-1が好ましく用いられる。メタアクリロイル基を導入するための化合物が有する、該水酸基に反応性を有する基としては、カルボキシル基、イソシアネート基等が好ましく、イソシアネート基が特に好ましい。すなわち、液晶性高分子化合物Aa-1が有する水酸基と、メタアクリロイル基の導入に用いる化合物が有するイソシアネート基とのウレタン結合により、側鎖の末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物Ab1が好ましい。メタアクリロイル基を有するイソシアネート化合物としては、例えば、1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。これらの化合物の末端イソシアネート基を、水酸基とイソシアネート基の反応を触媒する従来公知の触媒として上に例示した、例えば、ジブチル錫ラウレートDBTDL等を用いて、液晶性高分子化合物Aa-1の側鎖の水酸基に反応させることで、側鎖にメタアクリロイル基を導入できる。また、メタアクリル酸クロライド、メタアクリル酸等を、液晶性高分子化合物Aa-1が有する水酸基とエステル反応させて、側鎖の末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物Ab1を得ることもできる。該反応は、例えば、原料成分にトリエチルアミン、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン等を加え、室温で行えばよい。具体的な例として、上記液晶性高分子化合物Aa-1においてx1およびy1がそれぞれx2およびy2に調整されたものに1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアネートを反応させることにより得られる液晶性高分子化合物を、下記式Ab-1に表す。なお、式Ab-1中の記号は、x2、y2以外は全て上記式Aa-1における記号と同じ意味を示す。また、x2は60~99、y2は、1~40の正数をそれぞれ示し、x2y2=100である。本発明に用いる液晶性高分子化合物Abの数平均分子量Mnは、2,000~20,000の範囲が好ましく、3,000~10,000の範囲がより好ましい。また、分子量分布質量平均分子量Mw/数平均分子量Mnは、1.0~30の範囲が好ましく、1.0~2.0の範囲がより好ましい。数平均分子量Mnや分子量分布がこの範囲であれば、これを含む液晶性組成物における配向性および光学異方性材料としたときの耐光性が良好となる。このようにして得られた液晶性高分子化合物Abは、未反応原料化合物や反応溶媒の除去等の精製処理を得て、光架橋性の液晶性組成物に配合される。光架橋性基を有する液晶性高分子化合物Abは、これと必要に応じて配合される光重合開始剤のみで本発明の光学異方性膜の製造原料である液晶性組成物を形成しうる。なお、光架橋性の液晶性組成物は、任意に架橋剤を含有してもよい。架橋剤光架橋性基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Abを含有する光架橋性の液晶性組成物が任意に含有してもよい架橋剤としては、液晶性高分子化合物Abが有する光架橋性基と同じ光架橋性基を有する架橋剤が挙げられる。なお、光架橋性基がアクリロイル基とメタクリロイル基の場合には、共通してビニル基を有することからこれらの組み合わせも可能であり、したがってアクリロイル基とメタクリロイル基は同じ光架橋性基として扱われる。このような架橋剤としては、分子鎖の末端に該光架橋性基を有する架橋剤が好ましい。光架橋性基の数としては、架橋剤の1分子当たり1個以上有することが好ましく、直線状の分子鎖の両末端に各1個の光架橋性基を有する二官能の構造がより好ましい。特に、液晶性組成物固形分1g当たりの光架橋性基の数を効率よく増大させたい場合には、二官能の化合物の使用が好ましい。また、該光架橋性基を有する架橋剤としては液晶性低分子化合物Dbbが好ましい。上記のとおり光架橋性の液晶性高分子化合物Abは、上記熱架橋の液晶性高分子化合物Abと同様、側鎖に比較的嵩高い液晶骨格を有する高分子化合物であり、分子がランダムに存在する状態から一軸方法に配向させる場合、高密度の状態では化合物Abの分子同士が障害となって配向が促進されない傾向にある。本発明においては、上記熱架橋性の液晶性組成物の場合と同様、光架橋性の液晶性組成物の場合においても、液晶性低分子化合物Dbbを上記液晶性高分子化合物Abと組合せて用いることで、配向の際に化合物Abの自由度を増大し配向性を向上させ、さらに化合物Dbbも液晶性であることから、化合物Abとともに配向して、液晶性組成物全体として均一な一軸配向が得られるものとした。なお、本発明に用いる液晶性低分子化合物Dbbの分子量は、上記配向性の観点から100~2,000が好ましく、200~1,000がより好ましい。その他成分また、光架橋性基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Abを含有する光架橋性の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Abと任意に配合される架橋剤以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、液晶性高分子化合物Abと任意に配合される架橋剤が有する光架橋性基による架橋反応を促進する光重合開始剤等の触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。液晶性組成物の固形分1g当たりの光架橋性基数ここで、光学異方性膜中の架橋点の密度を上記範囲、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとするためには、これを作製するのに用いる液晶性組成物1g当たりの光架橋性基数を以下のように調整する。例えば、光架橋性基を有する液晶性高分子化合物Abと、必要に応じて添加される光重合開始剤とその他の架橋に関与しない任意成分とで液晶性組成物が構成される場合においては、液晶性高分子化合物Abが有する光架橋性基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NAb個/gを2で除した値、NAb/2個/gが、上記範囲内となるように調整する。また、光架橋性基を有する液晶性高分子化合物Abと、該光架橋性基と同じ光架橋性基を有する液晶性低分子化合物Dbbと、必要に応じて添加される光重合開始剤とその他の架橋に関与しない任意成分とで液晶性組成物が構成される場合においては、液晶性高分子化合物Abが有する光架橋性基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NAb個/gに液晶性低分子化合物Dbbが有する光架橋性基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDbb個/gを加えたNAbNDbb個/gを2で除した値、NAbNDbb/2個/gが、上記範囲内となるように調整する。なお、光学異方性膜においては、膜中の架橋点が多いほど高い構造安定性が得られることが想定されるが、上記熱架橋の場合と同様、光架橋の場合であっても、構成原料である液晶性組成物が含有する液晶性化合物を配向させた状態で分子上の多くの箇所で架橋させることには限界があった。すなわち架橋点を増やすと液晶性化合物の配向は十分なものではなかった。本発明の光学異方性膜は、熱架橋の場合であっても、光架橋の場合であっても、上記範囲の架橋点を有しながら従来の技術では達成できないレベルの十分に配向した光学異方性膜であり、本発明においては配向を後述のせん断力を利用した配向により行うことによりこれを可能とした。光架橋性基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Abを含有する光架橋性の液晶性組成物について、光架橋性基がm3R31n3W31h3W32j3k3E34R32......6ただし、式6中の記号は、以下のとおりである。R21:水素原子またはメチル基。R31、R32、E31、E32、E33、E34、W31およびW32は、それぞれ前記した式4における各記号と同じである。また、m3、n3、h3、j3、k3も、それぞれ前記した式4における各記号と同じである。二官能性化合物CH2CR22COOm4R41n4W41h4W42j4k4E44W4304R42p4OCOCR23CH2...7ただし、式7中の記号は、以下のとおりである。R22、R23:各々独立に、水素原子またはメチル基。R41、R42、E41、E42、E43、E44、W41、W42およびW43は、それぞれ前記した式5における各記号と同じである。また、m4、n4、o4、p4、h4,j4,k4も、それぞれ前記した式5における各記号と同じである。前記化合物6および化合物7は、複数の6員環による液晶性骨格を含有する化合物であり、反応性架橋性と液晶性を併せ持つ。化合物6および化合物7は、分子のスペーサー部に、アルキレン基、ポリフルオロアルキレン基、ポリフルオロアルキレンオキシド基から選ばれる少なくとも一つの基を有する。液晶性組成物中のフッ素原子を含まない成分との相溶性を低下させないために、化合物6および化合物7において、式6中のR31および7中のR41がアルキレン基またはポリフルオロアルキレン基の場合、それらの基の炭素数は1~12とする。R31およびR41が-CF2-OCF2CF2x-OCF2-で表されるポリフルオロアルキレンオキシド基の場合、xは1~6の整数とする。レべリング性と相溶性の関連から、アルキレン基の炭素数は2~8が好ましく、ポリフルオロアルキレンオキシド基のxは1~4の整数が好ましく、ポリフルオロアルキレン基の炭素数は2~8が好ましい。また、非結晶性を示すように、アルキレン基の炭素数は2、4、6が好ましい。ポリフルオロアルキレン基の炭素数も2,4、6が特に好ましい。さらに、ポリフルオロアルキレン基の場合は、その末端炭素原子にフッ素原子が1個以上結合していることが好ましく、ペルフルオロアルキレン基がより好ましい。ポリフルオロアルキレン基はポリフルオロアルキレンオキシド基より液晶性が良好である。ポリフルオロアルキレン基としては、例えば以下に示す基が挙げられる。-CF22-、-CF24-、-CF26-、-CF28-、-CF210-、-CF212-、-CF2CHF-、-CF2CHFCF22-、-CF2CHFCF24-、-CF2CHFCF22CHFCF2-、-CF2CHFCF24CHF-、-CF2CH2CF2CH2CF2-、-CF2CHFCF24CHFCF2-、-CHFCF26CHF-、-CF2CHCF2CF3CF22CH2-。アルキレン基としては、例えば以下に示す基が挙げられる。-CH22-、-CH24-、-CH26-、-CH28-、-CH210-、-CH212-。化合物6および化合物7は、R32およびR42としてアルキル基、アルコキシ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、またはシアノ基を有し、これによって化合物6および化合物7を含む液晶性組成物の液晶性を示す温度範囲が広くなる。R32およびR42がアルキル基、またはアルコキシ基の場合、炭素数2~6が好ましく、3~5がより好ましい。R32およびR42が直鎖構造である場合には、特に化合物6および化合物7が液晶性を示す温度範囲を広くでき好適である。m3、m4、n3、n4、o4およびp4は、各々0~3の整数であり、1または2が好ましい。また、化合物7の製造容易性の観点から、m4とp4、n4とo4は同じ値であることが好ましい。h3、h4、j3、j4、k3、k4は、各々0または1である。ただし、h3、j3、k3の少なくとも一つは1であり、1≦h3j3k3が成り立つ。また、h4、j4、k4の少なくとも一つは1であり、1≦h4j4k4が成り立つ。W31は、エーテル基-O-、エステル基-CO-O-、-O-CO-または単結合であり、W32は、エーテル基-O-、エステル基-CO-O-、-O-CO-、-CF2-O-、-O-CF2-または単結合である。また、W41は、エーテル基-O-、エステル基-CO-O-、-O-CO-または単結合であり、W42は、エーテル基-O-、エステル基-CO-O-、-O-CO-、-CF2-O-、-O-CF2-または単結合である。さらにW43も、エーテル基-O-、エステル基-CO-O-、-O-CO-、-CF2-O-、-O-CF2-または単結合である。化合物6の好ましい具体例として、下記化合物~が挙げられる。CH2CR21COOm3R31n3OPhPhR32CH2CR21COOm3R31n3OPhCyPhR32CH2CR21COOm3R31n3OPhCyPhPhR32CH2CR21COOm3R31n3OCyCyR32CH2CR21COOm3R31n3OCOCyCyR32CH2CR21COOm3R31n3OCyCyCyR32CH2CR21COOm3R31n3OCODhnCyR32CH2CR21COOm3R31n3OCODhnCyCyR32CH2CR21COOm3R31n3ODhnCyR32CH2CR21COOm3R31n3OCOCyCyCyR32ただし、式~中の記号R21、R31、R32、m3、n3は、各々式毎に独立しており、前述の規定と同じである。また、Ph、CyおよびDhnも、各々式毎に独立して前記の規定と同じである。1分子中における複数のPh、Cyも、互いに独立して、置換または非置換のフェニレン基、および置換または非置換のシクロヘキシレン基である。化合物7の好ましい具体例として、下記化合物~が挙げられる。CH2CR22COOm4R41n4OPhPhO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OPhCyPhO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OPhCyPhPhO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OCyCyO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OCOCyCyCOO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OCyCyCyO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OCODhnCyCO004R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OCODhnCyCyCOO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4ODhnCyO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4OCOCyCyCyCOO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4COOCyCyOCO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4COODhnCyOCO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4COODhnCyCyOCO04R42p4OCOCR23CH2CH2CR22COOm4R41n4COOCyCyCyOCO04R42p4OCOCR23CH2ただし、式~中の記号R22、R23、R41、R42、m4、n4、o4、p4は、各々式毎に独立しており、前述の規定と同じである。また、Ph、CyおよびDhnも、各々式毎に独立して前記の規定と同じであり、1分子中における複数のPh、Cyも、互いに独立して、置換または非置換のフェニレン基、および置換または非置換のシクロヘキシレン基である。前記一官能性化合物6の合成方法は、上記式6において、61W31がカルボニル基-CO-である場合上記好ましい化合物において、化合物、化合物、化合物、化合物に相当と、62W31が単結合である場合上記好ましい化合物において、化合物~化合物、化合物、化合物に相当に分けて説明できる。上記式6において、61W31がカルボニル基-CO-である場合、例えば、化合物6Eは、前記ビニルエーテル化合物a1の合成方法の反応式F-1において、を製造する際に得られる中間物質と同様にして水酸基含有化合物を製造した後、得られた化合物に、カルボン酸基を含み主骨格にメソゲンを有する化合物を反応させて、末端の水酸基をメタアクロイルオキシ基に変換することにより製造できる。なお、メソゲンとは、棒状または板状の分子鎖シクロ環、芳香環を含む。のような剛性の分子鎖部分をいう。また、化合物、化合物および化合物は、それぞれ、前記で用いた化合物21AA:トランス-4-トランス-4-アルキルシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸HO-CO-Cy-Cy-CH2rHのかわりに、その-Cy-Cy-を、-Dhn-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-とした化合物をそれぞれ用いて製造できる。なお、前記合成方法の反応式F-1において、出発物質のかわりに、その水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m3-R31-CH2n3-m3、R31、n3は上記範囲で適宜選択とした化合物を用いることで、化合物6において、W31がカルボニル基-CO-である各種化合物を製造できる。上記式6において、62W31が単結合である場合、例えば、化合物6Aは、前記ビニルエーテル化合物a1の合成方法の反応式F-3において、1A0bを製造する際の中間物質と同様にして水酸基含有化合物を製造した後、得られた化合物にアルコールを含むメソゲンを反応させて、末端の水酸基をメタアクロイルオキシ基に変換することにより製造できる。あるいは、化合物は、前記ビニルエーテル化合物a1の合成方法の反応式F-4において、を製造する際の中間物質81bと同様にして水酸基含有化合物を製造した後、得られた化合物にハロゲンを含むメソゲンを反応させて、末端の水酸基をメタアクロイルオキシ基に変換することにより製造できる。化合物、化合物、化合物および化合物は、それぞれ、前記で用いた化合物13Aや化合物13Cのかわりに、その水酸基を除いた基を、-Ph-Cy-Ph-R32、-Cy-Cy-R32、-Cy-Cy-Cy-R32または、-Dhn-Cy-R32とした化合物をそれぞれ用いることで製造できる。なお、上記同様、前記合成方法の反応式F-3において、出発物質のかわりに、または前記合成方法の反応式F-4において、化合物71bのかわりに、その2個の水酸基で、または水酸基とBrで挟まれた二価の基を、-CH2m3-R31-CH2n3-m3、R31、n3は上記範囲で適宜選択とした化合物を用いることで、化合物6において、W31が単結合である各種化合物を製造できる。前記二官能性化合物7は、W41およびW43の結合方法によって、71W41が-CO-O-、W43が-O-CO-である場合上記好ましい化合物において、化合物~化合物に相当、72W41が-O-CO-、W43が-CO-O-である場合上記好ましい化合物において、化合物、化合物、化合物、化合物に相当、73W41、W43が-O-である場合上記好ましい化合物において、化合物~化合物、化合物、化合物に相当に分類できる。前記化合物7の合成方法としては、化合物7が上記71W41:-CO-O-、W43:-O-CO-に分類される場合には、化合物を例として、以下の反応式C-1に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は、前記と同じ意味を示す。なお、式中の記号は、前記と同じ意味を示す。また、以下の反応式C-1で得られた化合物の1種である化合物を、化合物とする。6-4-ヒドロキシシクロヘキシルデカヒドロナフタレン-2-オール4Laと3-アクリロイルオキシブタン酸を、ジシクロヘキシルカルボジイミド、ジメチルアミノピリジンの存在下、ジクロロメタン中で反応させて、化合物を得る。化合物、化合物、および化合物は、それぞれ前記で用いた化合物4Laのかわりに、その2つの水酸基で挟まれた基を、-Cy-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または-Cy-Cy-Cy-とした化合物をそれぞれ用いることで製造できる。化合物7が上記72W41:-O-CO-、W43:-CO-O-に分類される場合には、化合物の1種である化合物を例として製造方法を説明すると、前記反応式B-2に示す方法により水酸基含有化合物5E-1を製造する。すなわち、前記合成方法の反応式F-1において、出発物質から化合物を得たのと同様の反応により、化合物4dから化合物4eを合成する。得られた化合物4eと、4,4’-ビシクロヘキシルジカルボン酸化合物4fを、ジシクロヘキシルカルボジイミド、および4-N,N-ジメチルアミノピリジンの存在下、クロロホルム中で反応させて化合物4gを得る。さらに、この化合物4gをpトルエンスルホン酸と反応させて上記化合物を得る。次いで、水酸基含有化合物にメタアクロイル酸クロライドを反応させて、末端の水酸基をメタアクロイルオキシ基に変換することにより化合物を製造できる。上記反応において、化合物4fにかえて、そのカルボキシル基に挟まれた二価の基-Cy-Cy-を、-Dhn-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-とした化合物をそれぞれ用いれば、化合物、化合物、または、化合物に分類される化合物が合成できる。また、上記化合物4dHOCH26OHにおける水酸基に挟まれた二価の基を、-CH2m4-R41-CH2n4--CH204-R42-CH2p4-で示される二価の基とすることで、スペーサー部の炭素数が異なる化合物7を合成できる。化合物7が上記73W41:-O-、W43:-O-に分類される場合には、化合物の1種である化合物を例として製造方法を説明すると、まず前記反応式B-3に示す方法により水酸基含有化合物を製造する。次いで、水酸基含有化合物にメタアクロイル酸クロライドを反応させて、末端の水酸基をメタアクロイルオキシ基に変換することにより化合物を製造できる。上記反応において、化合物4aにかえて、その水酸基に挟まれた二価の基-Cy-Cy-を、-Ph-Ph-、-Ph-Cy-Ph-、-Ph-Cy-Ph-Ph-、-Cy-Cy-Cy-、または、-Dhn-Cy-とした化合物をそれぞれ用いれば、化合物、化合物、化合物、化合物または、化合物に分類される化合物が合成できる。また、上記BrCH25OHにおける、Brと水酸基に挟まれた二価の基を、-CH2m4-R41-CH2n4--CH204-R42-CH2p4-で示される二価の基とすることで、スペーサー部の炭素数が異なる化合物7を合成できる。第2の例の液晶性組成物における、上記メタアクリロイル基を有する液晶性低分子化合物Dbb-1架橋剤の配合量は、上記アクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-1の100質量部に対して1~30質量部が好ましく、1~20質量部がより好ましい。この液晶性低分子化合物Dbb-1の配合量がアクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-1の100質量部に対して1質量部以上であれば十分な配向性向上の効果が得られ、30質量部以下であれば得られる光学異方性膜の耐光性を十分に維持可能である。なお、第2の例の液晶性組成物における上記メタアクリロイル基を有する液晶性低分子化合物Dbb-1の配合量を、アクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-1とのモル比で示すと、アクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-1の1モルに対して1.0~2.0モルの配合量が好ましく、1.0~1.5モルの配合量がより好ましい。ここで、第2の例の液晶性組成物においては、液晶性高分子化合物Ab-1が有するアクリロイル基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NAb-1個/gに、液晶性低分子化合物Dbb-1が有するメタアクリロイル基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDbb-1個/gを加えた値を2で除した値、NAb-1NDbb-1/2個/gが、本発明の範囲内、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとなるように配合量が調整された上で、さらに上記のように各化合物の配合割合が調整される。なお、光架橋性の液晶性組成物が、光架橋性基を有する成分として液晶性高分子化合物Ab-1のみを含有する場合には、NAb-1/2個/gの値が、本発明の範囲内にあればよい。第2の例の液晶性組成物は、上記メタアクリロイル基を有する液晶性低分子化合物Dbb-1およびアクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-1以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、上記2成分による光架橋反応を促進する触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。第2の例の液晶性組成物は、ラジカル重合性の光架橋性液晶性組成物であり、触媒としてはラジカル重合のための光重合開始剤を用いる。ラジカル重合用の光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジルジメチルケタール類、およびチオキサントン類等から適宜選択される、1種または2種以上を使用できる。市販品として、商品名イルガキュア184、商品名イルガキュア754:ともにチバスペシャリティケミカルズ社製等を用いてもよい。光重合開始剤の含有量は、メタアクリロイル基を有する液晶性低分子化合物Dbb-1およびアクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-1の合計量100質量部に対して0.1~5質量部が好ましく、0.3~2質量部が特に好ましい。なお、光架橋性の液晶性組成物が含有する液晶性高分子化合物Abの光架橋性基が、エポキシ基やオキセタン基のようなカチオン重合性の光架橋性基である場合、触媒としてはカチオン重合のための光重合開始剤が用いられる。カチオン重合用の光重合開始剤としては、イオン系の光酸発生剤、例えば、スルホニウム塩系やヨードニウム塩系などのオニウム塩類、非イオン系の光酸発生剤等が挙げられる。市販品として、商品名アデカオプトマーSP-172、ADEKA社製等を用いてもよい。光重合開始剤の含有量は、上記ラジカル重合用の光重合開始剤の場合と同様とできる。第2の例の液晶性組成物が、他の成分として、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を使用する場合、これらの成分の含有量は、液晶性組成物の全量に対して5質量以下が好ましく、2質量以下が特に好ましい。第2の例の液晶性組成物は、上記各必須成分を所定の配合割合となるように、さらに、必要に応じて、添加剤を加えて各成分が均一となるように混合することにより得られる。また、必要に応じて適当な溶媒を用いて各配合成分が均一に混合溶解された溶液の状態になるように処理した後、真空乾燥等により溶媒を除去して液晶性組成物としてもよい。以上、ビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aを含む光架橋性の液晶性組成物の具体例として、アクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-1と、架橋剤としてメタアクリロイル基を有する液晶性低分子化合物Dbb-1とを用いる例を説明したが、光架橋性の液晶性組成物はこれに限定されない。2ジエン系液晶性高分子化合物Bを含む液晶性組成物2-1熱架橋性の液晶性組成物ジエン系液晶性高分子化合物Bを含む液晶性組成物が熱架橋性の場合、該液晶性組成物は上に例示したような熱架橋性基を有するジエン系液晶性高分子化合物Ba以下、単に液晶性高分子化合物Baということもある。と、液晶性高分子化合物Baが有する熱架橋性基と反応性を有する官能基を有する架橋剤を含有する。液晶性高分子化合物Ba液晶性高分子化合物Baとしては、例えば、ジエン系の重合性液晶性化合物B1と、熱架橋性基を有するジエン系の化合物B2と、その他任意の重合性化合物B3とを共重合することにより得られる液晶性高分子化合物が挙げられる。なお、ジエン系液晶性高分子化合物Baを、青色耐光性の観点から、主鎖にフッ素原子を有する構成とするには、ジエン系化合物が有する2個のエチレン性二重結合の少なくとも一方にフッ素原子が導入された含フッ素ジエン系重合性液晶性化合物B1を用いればよい。または、その他の重合性化合物B3として重合性基にフッ素原子が結合したフルオロオレフィン等を用いればよい。ジエン系の重合性液晶性化合物B1としては、エチレン性二重結合の少なくとも一方にフッ素原子が導入された含フッ素ジエン系重合性液晶性化合物B1が好ましく、このような化合物として、例えば、下記式b1に示す含フッ素ジエン系重合性液晶性化合物が挙げられる。下記式b1で表される含フッ素ジエン化合物は、重合性液晶性化合物であり、化合物b1に基づく重合単位を有することにより含フッ素液晶性高分子化合物b1は液晶性を有する。CF2CFCXYCHm2R21n2i2W22h2W23j2k2E24R22CH2CHCH2.........b1ただし、式b1中の記号は、以下のとおりである。R21:単結合、炭素数1~12のアルキレン基、または炭素数1~12のポリフルオロアルキレン基。R22:炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、またはシアノ基。E21:1,4-フェニレン基であり、該基中の炭素原子に結合した水素原子がフッ素原子、塩素原子、またはメチル基で置換されていてもよい。E22,E23,E24:各々独立に、1,4-フェニレン基、トランス-1,4-シクロヘキシレン基、またはトランス-2,6-デカヒドロナフタレニル基であり、これらの基中の炭素原子に結合した水素原子がフッ素原子、塩素原子、またはメチル基で置換されていてもよい。m2:0~3の整数。n2:0~3の整数。h2,j2,k2:各々独立に0または1であり、かつ1≦h2j2k2が成り立つ。i2:0または1。W21,W22,W23:各々独立に、カルボニル基または単結合。X:フッ素原子または水素原子。Y:フッ素原子または水素原子。Z:CZでカルボニル基を形成する-O-、またはCZでメチレン基を形成する水素原子2個。この化合物b1は、複数の6員環による液晶性骨格式b1中、-E21h2-W23-E22j2-E23k2-E24-で示されるを含有する含フッ素ジエン化合物であり、重合性と液晶性を併せ持つ。化合物b1の中には、単独では液晶相を示さないものもあるが、そのような化合物も、他の成分との混合状態では液晶状態を呈することができ、液晶相を示す液晶性組成物の構成成分として利用できる。化合物b1は、分子のスペーサー部式b1中、CX21Y21CHm2R21n2で示されるにアルキレン基またはポリフルオロアルキレン基を有する構造を持つ。この基の作用によって、化合物b1は、重合の際に他の重合成分との相溶性を確保できる。重合に際して重合溶液中のフッ素原子を含まない成分との相溶性を低下させないために、化合物b1において、式b1中のR21がアルキレン基またはポリフルオロアルキレン基の場合、それらの基の炭素数は1~12とする。なお、アルキレン基の炭素数は2~8が好ましく、ポリフルオロアルキレン基の炭素数も2~8が好ましい。また、非結晶性を奏することから、アルキレン基の炭素数は2、4、6が好ましい。ポリフルオロアルキレン基の炭素数も2,4、6が特に好ましい。さらに、ポリフルオロアルキレン基の場合は、その末端炭素原子にフッ素原子が1個以上結合していることが好ましく、ペルフルオロアルキレン基がより好ましい。ポリフルオロアルキレン基としては、具体的に次の基が挙げられる。-CF22-、-CF24-、-CF26-、-CF28-、-CF210-、-CF212-、-CF2CHF-、-CF2CHFCF22-、-CF2CHFCF24-、-CF2CHFCF22CHFCF2-、-CF2CHFCF24CHF-、-CF2CH2CF2CH2CF2-、-CF2CHFCF24CHFCF2-、-CHFCF26CHF-、-CF2CHCF2CF3CF22CH2-。式b1において、m2およびn2は、各々0~3の整数であり、1または2が好ましい。また、化合物b1の製造容易性の観点から、m2とn2は同じ値が好ましい。h2、i2、j2、k2は、各々0または1である。ただし、1≦h2j2k2であり、h2、j2、k2の少なくとも1つは1である。W21、W22、W23は、カルボニル基-CO-または単結合であり、XおよびYはフッ素原子または水素原子である。Zは、CZでカルボニル基を形成する-O-、またはCZでメチレン基を形成する水素原子2個である。すなわち、CZはカルボニル基またはメチレン基である。化合物b1の好ましい具体例として、下記化合物~を挙げることができる。CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-Ph-Ph-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-Ph-Cy-Ph-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-Ph-Cy-Ph-Ph-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-Cy-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-CO-Cy-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-Cy-Cy-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-CO-Dhn-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-CO-Dhn-Cy-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-Dhn-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-O-CO-Dhn-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCF2CHm2-R21-n2-O-CO-Dhn-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCF2CHm2-R21-n2-O-CO-Dhn-Cy-R22CH2CH=CH2CF2=CFCH2CHm2-R21-n2-CO-Dhn-Cy-R22CH2CH=CH2式~中の記号R21、R22、m2、n2は、各々、式毎に独立しており、上記したとおりである。また、Ph、CyおよびDhnも、各々、式毎に独立して上記したとおりである。1分子中における複数のPhおよびCyも、互いに独立して置換または非置換の1,4-フェニレン基および1,4-シクロヘキシレン基を示し得るものとする。より具体的な例として、下記化合物が挙げられる。ただし、下記式中のr2は式毎に独立して1~8の整数を示す。CF2=CFCH2CH2-CH2-O-Ph-Ph-CNCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-Ph-Ph-CNCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-Ph-Ph-CNCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-4-3-O-Ph-Ph-CNCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-6-2-O-Ph-Ph-CNCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-6-3-O-Ph-Ph-CNCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-Ph-Cy-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-Ph-Cy-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-Ph-Cy-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-4-3-O-Ph-Cy-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-6-2-O-Ph-Cy-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-6-3-O-Ph-Cy-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-Ph-Cy-Ph-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-Ph-Cy-Ph-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-Ph-Cy-Ph-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-4-3-O-Ph-Cy-Ph-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-6-2-O-Ph-Cy-Ph-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-6-3-O-Ph-Cy-Ph-Ph-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-4-3-O-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-CO-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-CO-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-CO-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-O-CO-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-Cy-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-Cy-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-Cy-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-4-3-O-Cy-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-CO-Dhn-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-CO-Dhn-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-CO-Dhn-Cy-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH2-CH2-O-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-CH2-O-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-CH2-O-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH3-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH4-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH5-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH6-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CH7-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCF2CH3-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCF2CH4-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCF2CH5-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCF2CH6-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCF2CH7-O-CO-Dhn-Cy-r2HCH2CH=CH2CF2=CFCH2CHr2HCH2CH=CH2上記化合物において、r2は2~6の整数が好ましく、3~5がより好ましい。また、Phは非置換の1,4-フェニレン基、またはメチル基で置換された1,4-フェニレン基であり、Cyは非置換のトランス-1,4-シクロヘキシル基であり、Dhnは非置換のトランス-2,6-デカヒドロナフタレニル基であることが好ましい。これらの中でも、より好ましい化合物として、、、等が挙げられる。次に、上記含フッ素ジエン化合物b1の合成方法について、具体例を挙げて説明する。まず、上記式b1において、-W21-CH2m2-R21-CH2n2-Oi2-が単結合であり、W22がカルボニル基-CO-である、上記化合物の合成方法として、以下の反応式20に示す方法が挙げられる。なお、式20中の記号は上記と同じ意味を示す。例えば、WO2002/065212公報に記載された方法で合成された上記化合物22Aと、化合物2R,4aR,6S,8aS-6-1r,4R-4-プロピルシクロヘキシルデカヒドロナフタレン-2-カルボン酸を、溶媒存在下または無溶媒で脱水縮合剤と反応させることによって、化合物が得られる。脱水縮合剤としては、強酸を使用できるが、ジシクロヘキシルカルボジイミド、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミドおよびその塩酸塩等のアミド系縮合剤が好ましく、特に1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミドおよびその塩酸塩の使用が好ましい。また、塩基として、4-ジメチルアミノピリジン等を加えてもよい。反応は無溶媒でもよいが、反応溶媒として、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、キシレン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等の非プロトン系溶媒、またはペンタフルオロジクロロプロパン等のフッ素系溶剤を使用してもよい。反応温度は0°C~200°Cの範囲が好ましく、10°C~150°Cの範囲が特に好ましい。反応時間は0.5時間~100時間の範囲が好ましく、1時間~20時間の範囲が特に好ましい。反応の圧力は1MPaが好ましい。次に、上記式b1を、21W21が単結合、W22がカルボニル基-CO-である場合上記好ましい化合物において、化合物、化合物、化合物、化合物、化合物に相当、22W21、W22がともに単結合である場合上記好ましい化合物において、化合物~化合物、化合物、化合物に相当および23W21、W22がともにカルボニル基-CO-である場合上記好ましい化合物において、化合物、化合物に相当に分類して合成方法を説明する。21式b1中、W21が単結合、W22がカルボニル基-CO-である場合21に分類される化合物の合成方法としては、上記化合物を例とすれば、以下の反応式D-1に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は上記と同じ意味を示す。まず、上記した化合物と3,4-ジヒドロフランとを、ジクロロメタン等の非プロトン系溶媒中、p-トルエンスルホン酸の存在下で反応させ、上記化合物を生成する。反応温度は0°C~100°Cが好ましく、0°C~50°Cが特に好ましい。反応時間は0.5時間~100時間が好ましく、1時間~20時間が特に好ましい。反応の圧力は1MPaが好ましい。次に、得られた化合物をn-BuLi-Ph2PClから調製された反応剤で処理した後、ジメチルキノンやテトラフルオロキノン等のキノンと上記化合物22Aと反応させて、上記化合物を得る。また、ジシクロヘキシルカルボジイミド、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミドおよびその塩酸塩等のアミド系縮合剤と、トリブチルホスフィンやトリフェニルホスフィンおよびそれらの固体ビーズ担持体等で処理することにより、上記化合物を得る。さらに、上記化合物または化合物22Aのどちらか一方の水酸基を、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、トリフルオロメタンスルホニル基、またはメタンスルホニル基に変換し、残った水酸基をナトリウムやカリウム塩に変換して反応させるWilliamsonエーテル化の条件で、化合物を合成してもよい。反応温度は0°C~200°Cが好ましく、10°C~150°Cが特に好ましい。反応時間は0.5時間~100時間が好ましく、1時間~20時間が特に好ましい。反応の圧力は1MPaが好ましい。次いで、得られた化合物を、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のプロトン性溶媒中、またはこれらのプロトン性溶媒と水との混合溶媒中で、塩酸や硫酸、p-トルエンスルホン酸等と反応させて、テトラヒドロピラニル保護基を脱保護した化合物を得る。反応温度は0°C~150°Cが好ましく、0°C~100°Cが特に好ましい。反応時間は0.5時間~100時間の範囲が好ましく、1時間~20時間の範囲が特に好ましい。反応の圧力は1MPaが好ましい。次いで、上記した反応式20に示す方法以下、方法20と示す。における化合物の合成と同様の条件で、化合物と化合物を反応させることにより、化合物を得る。上記反応式D-1に示す反応において、化合物01cのかわりに、その水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m2-R21-CH2n2m2、R21、n2は上記範囲で適宜選択とした化合物を、化合物のかわりに、その-Dhn-Cy-を、-Cy-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-等とした化合物をそれぞれ用いることで、21に分類される他の化合物を合成できる。22式b1中、W21、W22がともに単結合である場合22に分類される化合物の合成方法としては、、上記化合物を例とすれば、以下の反応式D-2に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は上記と同じ意味を示す。すなわち、まず、上記した化合物の合成方法21において、化合物から化合物を得たのと同様にして、化合物を得る上記式中に示さず。次いで、方法21で化合物から化合物へ変換した方法と同様の方法によって、化合物と上記化合物とを反応させることにより、上記化合物を得る。次に、この化合物の水酸基の保護基を、方法21で化合物から化合物に導いた反応条件と同様の条件で脱保護し、上記化合物を得る。次いで、得られた化合物と化合物22Aを、方法21で化合物から化合物へ変換した方法と同様の方法によって反応させ、化合物を得る。上記化合物を合成する方法において、まず、方法21で化合物のかわりに、その水酸基で挟まれた二価の基を-CH2m2-R21-CH2n2m2、R21、n2は上記範囲で適宜選択とした化合物を用いて得られた化合物を、上記反応式D-2に示す反応において、化合物のかわりに用い、さらに、化合物Cr3のかわりに、その水酸基を除いた基を、-Ph-Ph-CN、-Ph-Cy-Ph-CH2r2H、-Cy-Cy-CH2r2H、-Ph-Cy-Cy-Cy-CH2r2H、-Dhn-Cy-Cy-CH2r2H、または、-Dhn-Cy-CH2r2H等とした化合物をそれぞれ用いることで、22に分類される他の化合物を合成できる。23式b1中、W21、W22がともにカルボニル基-CO-である場合23に分類される化合物の合成方法としては、上記化合物を例とすれば、以下の反応式D-3に示す方法が挙げられる。なお、式中の記号は上記と同じ意味を示す。すなわち、上記化合物と化合物22Aとを、上記方法21で化合物と化合物とを脱水縮合した条件と同様の条件で反応させ、上記化合物を得る。次に、得られた化合物の水酸基の保護基を、方法21で化合物から化合物に導いた反応条件と同様の条件で脱保護し、上記化合物を得る。次いで、得られた化合物と化合物を上記と同様の条件で脱水縮合させ、化合物を得る。上記反応式D-3に示す反応において、化合物12oのかわりに、その水酸基とカルボキシル基で挟まれた二価の基を-CH2m2-R21-CH2n21m2、R21、n2は上記範囲で適宜選択とした化合物を、化合物のかわりに、その-Dhn-Cy-を、-Cy-Cy-、-Dhn-Cy-Cy-、または、-Cy-Cy-Cy-等とした化合物をそれぞれ用いることで、23に分類される他の化合物を合成することができる。以上、重合により、熱架橋性基を有するジエン系液晶性高分子化合物Baを構成する重合単位となる上記式b1で表される含フッ素ジエン化合物について説明した。ここで、上記含フッ素ジエン化合物b1は、比較的温和な条件下で環化重合する。化合物b1が環化重合して得られる重合単位の形態としては、下記式b11~b13で表される重合単位が考えられるが、以下、下記式b13に表される重合単位を、b11~b13の重合単位の全ての形態を含む含フッ素ジエン化合物b1に基づく重合単位として用いることとする。なお、下記式b11~b13中、Q2部分は、式b1におけるW21m2R21n2i2W22h2W23j2k2E24R22を表すものである。その他の記号は式b1におけるのと同じ意味を示す。本発明に用いる液晶性高分子化合物Baを作製するにあたって、ジエン系の重合性液晶性化合物B1、好ましくは含フッ素ジエン系化合物b1と、組合せて用いる熱架橋性基を有するジエン系化合物B2としては、側鎖に熱架橋性基を有するジエン系化合物B2であれば特に制限されない。側鎖に熱架橋性基を有するジエン系化合物B2として、好ましくは、側鎖の末端に熱架橋性基を有する環化重合可能なジエン系化合物が挙げられる。このような側鎖に熱架橋性基を有するジエン系化合物B2を用いれば、上記化合物B1やその他単量体B3と共重合して液晶性高分子化合物Baとした際に、この化合物B2に基づく重合単位は、好ましくは環化重合を有する炭素鎖が主鎖の一部を構成し、その主鎖に結合する側鎖の末端に熱架橋性基が位置する構成となる。液晶性高分子化合物Baは、液晶性組成物に配合され、最終的には、この熱架橋性基が、液晶性組成物が含有する架橋剤の該熱架橋性基と反応性の官能基と反応し架橋する。この架橋反応を考慮して側鎖、すなわち上記化合物B2における熱架橋性基を有する側鎖の種類や長さが適宜調整される。熱架橋性基を有するジエン系化合物B2としては、上記含フッ素ジエン系化合物b1と同様に、環化重合により5員環または6員環が主鎖に組み入れられ、さらにその主鎖にフッ素原子を有する構造を形成できる、下記式b2に示す含フッ素ジエン系化合物がより好ましい。CF2=CFCX22Y22CHR2-L2CH2CH=CH2.........b2ただし、式b2中、X22およびY22は、それぞれ独立にフッ素原子または水素原子であり、R2は炭素数1~3のアルキレン基を示す。また、L2は、水酸基、チオール基、カルボキシル基、ヨウ素原子、シリル基、アミノ基、エポキシ基、ニトリル基、またはオキセタン基を示す。L2としては、吸収特性、合成の容易性の観点から水酸基、オキセタン基が好ましく、水酸基が特に好ましい。上記熱架橋性基を有する含フッ素ジエン化合物b2は、上記含フッ素ジエン化合物b1と同様に、比較的温和な条件下で環化重合する。化合物b2が環化重合して得られる重合単位の形態としては、下記式b21~b23で表される重合単位が考えられ、以下、下記式b23で表される重合単位を、b21~b23の重合単位の全ての形態を含む含フッ素ジエン化合物b2に基づく重合単位として用いることとする。なお、下記式b21~b23中の記号は式b2におけるのと同じ意味を示す。液晶性高分子化合物Baは、ジエン系の重合性液晶性化合物B1、好ましくは化合物b1に基づく重合単位、および、熱架橋性基を有するジエン系化合物B2、好ましくは化合物b2に基づく重合単位の他に、必要に応じて、エチレン性二重結合を有する重合性化合物に基づく重合単位B3を含んでいてもよい。このような重合単位として、具体的には、ジエン系化合物B2が有する熱架橋性基と反応性を有する官能基を有しない、好ましくは官能基を有しない、ビニルエーテル、アリルエーテル、非フッ素系エチレン性単量体等に基づく重合単位が挙げられる。液晶性高分子化合物Baにおける、ジエン系の重合性液晶性化合物B1、好ましくは化合物b1に基づく重合単位の含有量割合は、液晶性および耐光性の観点から、50~98モルが好ましく、70~95モルがより好ましい。化合物B1に基づく重合単位の含有量が50モル以上の場合は、液晶性が良好であり、一軸に配向した薄膜が得られる。化合物B1に基づく重合単位の含有量が98モル以下の場合には、十分な耐光性が得られる。液晶性高分子化合物Baにおける、熱架橋性基を有するジエン系化合物B2、好ましくは化合物b2に基づく重合単位の含有量割合は、2~50モルが好ましく、5~30モルがより好ましい。化合物B2に基づく重合単位の含有量が2モル以上の場合には耐光性や配向安定性が良好であり、50モル以下の場合には、液晶性が良好であり、一軸に配向した薄膜が得られる。また、液晶性高分子化合物Baが、ジエン系の重合性液晶性化合物B1に基づく重合単位、熱架橋性基を有するジエン系化合物B2に基づく重合単位の他に、重合単位を含む場合、その含有量の上限は1モルとすることが好ましい。1モル以上の場合、液晶性や耐光性、配向性が十分に得られる。本発明に用いる液晶性高分子化合物Baとして、より好ましく用いられる高分子化合物の具体例として、下記式Ba1に平均組成の構造が示される高分子化合物が挙げられる。液晶性高分子化合物Ba1は、上記化合物b1に基づく重合単位および上記化合物b2に基づく重合単位のみで構成され、その各含有量が、化合物b1に基づく重合単位が50~98モル、化合物b2に基づく重合単位が2~50モルの範囲の高分子化合物である。ただし、式Ba1中、Q2は、上記式b1におけるW21m2R21n2i2W22h2W23j2k2E24R22を表す。その他の記号は式b1、式b2の記号と同じ意味を示す。また、x3は50~98、y3は2~50正数をそれぞれ示し、x3y3=100である。なお、x3:y3の値は、高分子化合物Ba1における、化合物b1に基づく重合単位の含有量:化合物b2に基づく重合単位の含有量に相当する。本発明に用いる液晶性高分子化合物Baの数平均分子量Mnは、2,000~50,000が好ましく、2,500~30,000がより好ましく、3,000~20,000が最も好ましい。また、分子量分布質量平均分子量Mw/数平均分子量Mnは、1.0~3.0が好ましく、1.0~2.0がより好ましい。数平均分子量Mnや分子量分布がこの範囲であれば、これを含む液晶性組成物における配向性および光学異方性材料としたときの耐光性が良好となる。本発明における液晶性高分子化合物Baは、例えば、以下の方法で、ジエン系の重合性液晶性化合物B1、好ましくは化合物b1、熱架橋性基を有するジエン系化合物B2、好ましくは化合物b2およびその他の単量体B3等の原料単量体をラジカル重合することにより製造できる。重合開始剤としては、ジエン系の重合性液晶性化合物B1、好ましくは化合物b1、熱架橋性基を有するジエン系化合物B2、好ましくは化合物b2およびその他の単量体B3等の重合反応をラジカル的に進行させるものであれば限定されず、例えば、ラジカル発生剤、光、電離放射線等が挙げられる。重合開始剤としては、特にラジカル発生剤が好ましい。ラジカル発生剤としては、過酸化物、アゾ化合物、過硫酸塩等が例示される。これらのラジカル発生剤の中では、過酸化物が好ましい。具体的な過酸化物としては、以下に示す化合物が挙げられる。なお、以下の式中、-C6H5はフェニル基、-C6F5基はペンタフルオロフェニル基、-C6H10-はシクロヘキシレン基を表す。C6H5-CO-OC-C6H5C6F5-CO-OC-C6F5C3F7-CO-OC-C3F73C-CO-OC-C32CH-CO-OC-CH23C-C6H10-CO-OC-C6H10-C33C-O-CO-OC-O-C32CH-O-CO-OC-O-CH23C-C6H10-O-CO-OC-O-C6H10-C3また、重合の方法も限定されず、ジエン系の重合性液晶性化合物B1、好ましくは化合物b1、熱架橋性基を有するジエン系化合物B2、好ましくは化合物b2およびその他の単量体B3等の原料単量体をそのまま重合に供するいわゆるバルク重合、前記原料単量体を、溶解または分散可能なフッ化炭化水素、塩化炭化水素、フッ化塩化炭化水素、アルコール、炭化水素、その他の有機溶媒中で重合させる溶液重合、水性媒体中で適当な有機溶媒存在下あるいは非存在下に重合を行う懸濁重合、および水性媒体に乳化剤を添加して重合を行う乳化重合等が例示される。重合を行う温度や圧力も特に限定されず、原料単量体の沸点、加熱源、重合熱の除去等の諸因子を考慮して、適宜設定することが好ましい。例えば、重合温度は、0°C~200°Cの間で好適な温度に設定でき、室温~100°C程度であれば、実用的にも好適な温度設定を行える。また、重合圧力は減圧下でも加圧下でもよく、実用的には常圧~10MPa程度、さらには常圧~1MPa程度の圧力で好適な重合を実施できる。このようにして得られた液晶性高分子化合物Baは、未反応原料化合物や重合溶媒の除去等の精製処理を得て、本発明の液晶性組成物に配合される。架橋剤熱架橋性基を有するジエン系液晶性高分子化合物Baを含有する熱架橋性の液晶性組成物において、液晶性高分子化合物Baと組合せて用いる架橋剤として、具体的には、液晶性高分子化合物Baの熱架橋性基と反応性の官能基を有する架橋剤Da’が用いられる。ここで、液晶性高分子化合物Baが有する熱架橋性基は、上記熱架橋性のビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aaが有する熱架橋性基と同様であることから、熱架橋性のジエン系液晶性組成物に用いる架橋剤Da’についても、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物に用いる架橋剤Daと同様の架橋剤が使用できる。また、液晶性高分子化合物Baと組合せて用いる架橋剤として、熱架橋性基に反応する官能基を有する架橋剤Da’に加えて、液晶性高分子化合物Baが有する熱架橋性基と同じ熱架橋性基を有する架橋剤を用いてもよい。このような架橋剤としては、液晶性低分子化合物Db’が好ましい。液晶性低分子化合物Db’についても、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物に用いる液晶性低分子化合物Dbと同様の化合物が使用できる。その他成分また、熱架橋性基を有するジエン系液晶性高分子化合物Baを含有する熱架橋性の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Baと架橋剤以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、液晶性高分子化合物Baと架橋剤による架橋反応を促進する触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。これら、その他成分についても上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と同様のものが使用できる。液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数なお、光学異方性膜中の架橋点の密度を本発明の範囲、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとするためには、これを作製するのに用いる液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数を調整する必要がある。この調整方法についても、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物の場合と同様とできる。ジエン系液晶性高分子化合物Baを含有する熱架橋性の液晶性組成物として、より具体的には、以下の第3の例の液晶性組成物が例示できる。<第3の例>第3の例の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Baとして、液晶性高分子化合物Ba1の熱架橋性基L2が水酸基である下記式Ba-1で示される液晶性高分子化合物Ba-1を含有し、水酸基と反応性の官能基を有する架橋剤Da’としてイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物Da-1を含有する。ただし、式Ba-1中の記号は、上記式Ba1の記号と同じ意味を示す。なお、この液晶性組成物中に、もう1種類の架橋剤として、水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1が含まれていてもよい。さらに、その他の成分として、触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を含有してもよい。ポリイソシアネート化合物Da-1および水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1、さらにその他成分については、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と、好ましい態様を含めて同様である。また、各成分の配合割合も熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と、好ましい態様を含めて同様である。ここで、この熱架橋性基が水酸基であるジエン系液晶性組成物においても、上記熱架橋性基が水酸基であるビニルエーテル系液晶性組成物と同様、組成物中における水酸基の量はイソシアネート基の量以下が好ましい。よって、この好ましい態様において、液晶性組成物を用いて得られる光学異方性膜中の架橋点の密度は、液晶性組成物固形分1g当たりの水酸基の個数と同数である。したがって、該熱架橋性のジエン系液晶性組成物においては、液晶性高分子化合物Ba-1が有する水酸基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NBa―1個/gが、または、液晶性低分子化合物Db-1が含まれる場合は、これに液晶性低分子化合物Db-1が有する水酸基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDb-1個/gを加えた、NBa―1NDb-1個/gが、本発明の範囲内、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとなるように、各成分の配合量が調整される。第3の例の液晶性組成物は、上記各必須成分を所定の配合割合となるように、さらに、必要に応じて、添加剤を加えて各成分が均一となるように混合して得られる。また、必要に応じて適当な溶媒を用いて各配合成分が均一に混合溶解された溶液の状態になるように処理した後、真空乾燥等により溶媒を除去して液晶性組成物としてもよい。2-2光架橋性の液晶性組成物ジエン系液晶性高分子化合物Bを含む液晶性組成物が光架橋性の場合、該液晶性組成物は光架橋性基を有するジエン系液晶性高分子化合物Bb以下、単に液晶性高分子化合物Bbということもある。を含有する。液晶性高分子化合物Bb液晶性高分子化合物Bbのうち、光架橋性基がカチオン重合に対応する光架橋性基である環状エーテル基、例えば、エポキシ基やオキセタン基の場合、上記のとおり熱架橋性基としても使用可能であり、上記2-1の液晶性高分子化合物Baと同様の方法で液晶性高分子化合物Bbが作製できる。ただし、液晶性高分子化合物Bbとして使用する際には、架橋点を本発明の範囲内とするために、例えば、ジエン系の重合性液晶性化合物B1と、エポキシ基やオキセタン基を側鎖に有するジエン系の化合物B2とその他任意の重合性化合物B3との共重合体における化合物B2の割合を調整する必要がある。例えば、上記式Ba1で示される液晶性高分子化合物において、熱架橋性基L2をエポキシ基やオキセタン基とし、x3を50~98、y3を2~50に変更することで、液晶性高分子化合物Ba1が液晶性高分子化合物Bbとして使用できる。液晶性高分子化合物Bbのうち、光架橋性基がラジカル重合に対応する光架橋性基であるビニル基やビニル基を含む基以下、ビニル基等という、好ましくはメタアクリロイル基の場合、該ビニル基等の導入は、例えば、上記のようにして得られる液晶性高分子化合物Ba1の、化合物b2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L2を介して行われる。液晶性高分子化合物Ba1にビニル基等を導入する方法として、具体的には、化合物b2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L2と反応性の基を一方の末端に有し、ビニル基等をもう一方の末端に有する化合物を、液晶性高分子化合物Ba1と所定の条件で反応させる方法が挙げられる。液晶性高分子化合物、例えば、液晶性高分子化合物Ba1の側鎖の末端に導入される基としては、ビニル基が好ましく、ビニル基を有する基としてメタアクリロイル基が導入されることが特に好ましい。なお、カチオン重合性の光架橋性基であるエポキシ基やオキセタン基を、ビニル基等と同様の方法で液晶性高分子化合物、例えば、液晶性高分子化合物Ba1の側鎖の末端に導入して、光架橋性の液晶性高分子化合物としてもよい。ここで、光架橋性基が導入される液晶性高分子化合物Ba1としては、導入される光架橋性基の数に合わせてx3とy3の割合を調整したものを準備する。例えば、光架橋性基を、液晶性高分子化合物Ba1の熱架橋性基L2の1個に対して、1個の割合で導入する場合には、x3を50~98、y3を2~50に調整することが好ましい。また、液晶性高分子化合物Ba1の熱架橋性基L2の1個に対して2個の割合で光架橋性基が導入される場合にはx3は50~98、y3は2~50が好ましい。以下、液晶性高分子化合物Ba1中の熱架橋性基L2を介して末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物を例に、これを液晶性高分子化合物Bb1と記して説明する。メタアクリロイル基は、上記液晶性高分子化合物Ba1において化合物b2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L2を介して側鎖の末端に導入される。導入に際しては、一方の末端に熱架橋性基L2に反応性の官能基を有し、もう一方の末端にメタアクリロイル基を有する化合物が用いられる。なお、該化合物が末端に有する有するメタアクリロイル基の数は1個または2個が好ましく、液晶性組成物固形分1g当たりの架橋性基の数を効率よく増大させたい場合には、2個が好ましい。ここで、液晶性組成物固形分1g当たりの光架橋性基の数の調整は、上記のとおり液晶性高分子化合物Ba1中の、x3とy3の割合を調整することでも行われる。本発明においては、最終的に得られる液晶性組成物における液晶性組成物固形分1g当たりの光架橋性基の数が上記本発明の条件を満足するように、配合する液晶性高分子化合物についてはこれらの要件を組み合わせて、さらに後述する架橋剤との組み合わせを勘案して、液晶性組成物が含有する各成分を設計する。液晶性高分子化合物Ba1としては、熱架橋性基L2が上に例示した官能基から選ばれるものであれば特に制限されず、なかでも、熱架橋性基L2として水酸基を有する液晶性高分子化合物Ba-1が好ましく用いられる。メタアクリロイル基を導入するための化合物が有する、該水酸基に反応性を有する基としては、カルボキシル基、イソシアネート基等が好ましく、イソシアネート基が特に好ましい。すなわち、液晶性高分子化合物Ba-1が有する水酸基と、メタアクリロイル基の導入に用いる化合物が有するイソシアネート基とのウレタン結合により、側鎖の末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物Bb1が好ましい。メタアクリロイル基を有するイソシアネート化合物としては、例えば、1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。これらの化合物の末端イソシアネート基を、水酸基とイソシアネート基の反応を触媒する従来公知の触媒として上に例示した、例えば、ジブチル錫ラウレートDBTDL等を用いて、液晶性高分子化合物Ba-1の側鎖の水酸基に反応させることで、側鎖にメタアクリロイル基を導入できる。また、メタアクリル酸クロライド、メタアクリル酸等を、液晶性高分子化合物Ba-1が有する水酸基とエステル反応させて、側鎖の末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物Bb1を得ることもできる。該反応は、例えば、原料成分にトリエチルアミン、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン等を加え、室温で行えばよい。具体的な例として、上記液晶性高分子化合物Ba-1のx3およびy3がそれぞれx4およびy4に調整されたものに、1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアネートを反応させることにより得られる液晶性高分子化合物を、下記式Bb-1に表す。なお、式Bb-1中の記号は、x4、y4以外は全て上記式Ba-1における記号と同じ意味を示す。また、x3を50~98、y3を2~50の正数をそれぞれ示し、x4y4=100である。本発明に用いる液晶性高分子化合物Bbの数平均分子量Mnは、2,000~50,000が好ましく、2,500~30,000がより好ましく、3,000~20,000が最も好ましい。また、分子量分布質量平均分子量Mw/数平均分子量Mnは、1.0~3.0が好ましく、1.0~2.0がより好ましい。数平均分子量Mnや分子量分布がこの範囲であれば、これを含む液晶性組成物における配向性および光学異方性材料としたときの耐光性が良好となる。このようにして得られた液晶性高分子化合物Bbは、未反応原料化合物や反応溶媒の除去等の精製処理を得て、光架橋性の液晶性組成物に配合される。光架橋性基を有する液晶性高分子化合物Bbは、これと必要に応じて配合される光重合開始剤のみで本発明の光学異方性膜の製造原料である液晶性組成物を形成しうる。なお、光架橋性の液晶性組成物は、任意に架橋剤を含有してもよい。架橋剤光架橋性基を有するジエン系液晶性高分子化合物Bbを含有する光架橋性の液晶性組成物が任意に含有してもよい架橋剤としては、液晶性高分子化合物Bbが有する光架橋性基と同じ光架橋性基を有する架橋剤が挙げられる。このような架橋剤としては、液晶性低分子化合物Dbb’が好ましい。液晶性低分子化合物Dbb’については、上に説明した光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物に用いる液晶性低分子化合物Dbbと同様の化合物が使用できる。その他成分また、光架橋性基を有するジエン系液晶性高分子化合物Bbを含有する光架橋性の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Bbと架橋剤以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、液晶性高分子化合物Bbと任意に配合される架橋剤が有する光架橋性基による架橋反応を促進する光重合開始剤等の触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。これら、その他成分についても上に説明した光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と同様のものが使用できる。液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数なお、光学異方性膜中の架橋点の密度を本発明の範囲、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとするためには、これを作製するのに用いる液晶性組成物の固形分1g当たりの光架橋性基数を調整する必要がある。この調整方法についても、上に説明した光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物の場合と同様とできる。ジエン系液晶性高分子化合物Bbを含有する光架橋性の液晶性組成物として、より具体的には、以下の第4の例の液晶性組成物が例示できる。<第4の例>第4の例の液晶性組成物は、光架橋性基を有する液晶性高分子化合物Bbとして、アクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Bb-1を含有し、架橋剤としてメタアクリロイル基を有する液晶性低分子化合物Dbb-1を含有する。さらに、その他の成分として、上記2成分による光架橋反応を促進する触媒光重合開始剤等、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を含有してもよい。メタアクリロイル基を有する液晶性低分子化合物Dbb-1、さらにその他成分については、上に説明した光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と、好ましい態様を含めて同様である。また、各成分の配合割合も光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と、好ましい態様を含めて同様である。第4の例の液晶性組成物においては、液晶性高分子化合物Bb-1が有するアクリロイル基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NBb-1個/gに、液晶性低分子化合物Dbb-1が有するメタアクリロイル基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDbb-1個/gを加えた値を2で除した値、NBb-1NDbb-1/2個/gが、本発明の範囲内、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとなるように配合量が調整された上で、さらに上記のように各化合物の配合割合が調整される。なお、光架橋性の液晶性組成物が、光架橋性基を有する成分として液晶性高分子化合物Bb-1のみを含有する場合には、NBb-1/2個/gの値が、本発明の範囲内にあればよい。第4の例の液晶性組成物は、上記各必須成分を所定の配合割合となるように、さらに、必要に応じて、添加剤を加えて各成分が均一となるように混合して得られる。また、必要に応じて適当な溶媒を用いて各配合成分が均一に混合溶解された溶液の状態になるように処理した後、真空乾燥等により溶媒を除去して液晶性組成物としてもよい。3メタアクリル系液晶性高分子化合物Cを含む液晶性組成物3-1熱架橋性の液晶性組成物メタアクリル系液晶性高分子化合物Cを含む液晶性組成物が熱架橋性の場合、該液晶性組成物は上に例示したような熱架橋性基を有するメタアクリル系液晶性高分子化合物Ca以下、単に液晶性高分子化合物Caということもある。と、液晶性高分子化合物Caが有する熱架橋性基と反応性を有する官能基を有する架橋剤を含有する。液晶性高分子化合物Ca液晶性高分子化合物Caとしては、例えば、メタアクリル系の重合性液晶性化合物C1と、熱架橋性基を有するメタアクリル系の化合物C2と、その他任意の重合性化合物C3とを共重合することにより得られる液晶性高分子化合物が挙げられる。メタアクリル系の重合性液晶性化合物C1としては、例えば、下記式c1に示すメタアクリロイル基を有する化合物が挙げられる。CH2CR51COOR52E51W51E52E53E54R53......c1式c1における各記号は、以下の意味を示す。R51は、水素原子またはメチル基を表す。R52は、単結合または炭素数が1~15のアルキレン基を表し、アルキレン基の場合には、それぞれ独立してアルキレン基の炭素-炭素結合間または環基と結合する末端にエーテル結合性の酸素原子を有していてもよく、また、環基と結合する末端にカルボキシル基を有していてもよく、さらにこのアルキレン基中の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されていてもよい。R53は、炭素数が1~12のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、炭素数が1~12のアルキルカルボニルオキシ基、フッ素原子またはシアノ基であり、アルキル基、アルコキシ基またはアルキルカルボニルオキシ基の場合には、これらの基中の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されていてもよい。W51は、単結合または-COO-を表す。E51、E52、E53およびE54は、それぞれ独立して、単結合、トランス-1,4-シクロヘキシレン基または1,4-フェニレン基を表す。ただし、E51、E52およびE53のうち1つは、ナフタレン-1,4-ジイル基、ナフタレン-1,5-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基またはトランス-2,6-デカヒドロナフタレン基であってもよい。E51、E52、E53およびE54の組み合わせにおいて、それぞれ独立して単結合は2個以下であり、かつ、1,4-フェニレン基が3個連続することはない。また、上記トランス-1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基、ナフタレン-ジイル基またはトランス-2,6-デカヒドロナフタレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子もしくはメチル基に置換されていてもよい。メタアクリル系の重合性液晶性化合物C1、好ましくは、化合物c1と、組合せて用いる熱架橋性基を有するメタアクリル系化合物C2としては、熱架橋性基とラジカル重合性基を有する化合物が挙げられ、好ましくは、下記式c2に示されるメタアクリロイル基を有する化合物が挙げられる。CH2=CR61-COO-R3-L3......c2式c2における各記号は、以下の意味を示す。R61は、水素原子またはメチル基を表す。R3は、単結合または炭素数が1~15の、末端または炭素-炭素結合間に1,4-フェニレン基を有していてもよいアルキレン基を表し、アルキレン基の場合には、その炭素-炭素結合間または官能基L1と結合する末端にエーテル性酸素原子、エステル結合、ウレタン結合を有していてもよい。さらにこの1,4-フェニレン基を含むアルキレン基中の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されていてもよい。L3は、水酸基、チオール基、カルボキシル基、ヨウ素原子、シリル基、アミノ基、エポキシ基、ニトリル基、またはオキセタン基を示す。L3は、水酸基、オキセタン基が好ましい。液晶性高分子化合物Caの原料単量体として任意に用いられる、その他単量体C3としては、メタアクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエーテル等の、上記メタアクリル系の重合性液晶性化合物C1、熱架橋性基を有するメタアクリル系化合物C2以外のメタアクリル系化合物が挙げられる。液晶性高分子化合物Caを、メタアクリル系の重合性液晶性化合物C1、好ましくは、化合物c1、および熱架橋性基を有するメタアクリル系化合物C2、好ましくは、化合物c2、必要に応じて、その他単量体C3を用いて作製する場合の液晶性高分子化合物Caにおける、各単量体に基づく重合単位の含有割合は以下の範囲が好ましい。組合せて用いる架橋剤の種類によるが、このような範囲とすることで、上記方法で算出される液晶性組成物中の架橋性基の密度を上記範囲とすることができる。上記液晶性高分子化合物Caにおけるメタアクリル系の重合性液晶性化合物C1、好ましくは、化合物c1に基づく重合単位の含有量割合は、液晶性の観点から、50~99モルが好ましく、60~95モルがより好ましい。化合物c1に基づく重合単位の含有量が50モル以上の場合、液晶性が良好であり、一軸に配向した薄膜が得られる。化合物c1に基づく重合単位の含有量が99モル以上の場合には、十分な耐熱性が得られる。液晶性高分子化合物Caにおける熱架橋性基を有するメタアクリル系化合物C2、好ましくは、化合物c2に基づく重合単位の含有量割合は、1~50モルが好ましく、5~40モルがより好ましい。熱架橋性基を有するメタアクリル系化合物に基づく重合単位の含有量が1モル以上の場合には耐光性や配向安定性が良好であり、50モル以下の場合には、液晶性が良好であり、一軸に配向した薄膜が得られる。また、液晶性高分子化合物Caが、その他単量体C3を含む場合、その他単量体C3に基づく重合単位の含有量の上限は1モルが好ましい。1モル以下の場合、液晶性や耐光性、配向性が十分に得られる。なお、液晶性高分子化合物Caにおいて、上記した各重合単位の含有割合は、原料として使用した各化合物単量体の仕込み量を元にした割合である。液晶性高分子化合物Caは、上記各原料化合物単量体を、所定の割合で混合した混合物に、重合開始剤を加えて重合する方法により得られる。重合方法としては、バルク重合、乳化重合、溶液重合、懸濁重合等の、通常のラジカル重合に用いる重合方法を特に制限なく使用でき、分子量の制御が容易な点から溶液重合が好ましい。重合溶媒としては、ジメチルホルムアミドDMF、ジオキサン、トルエン等が挙げられる。また、分子量調整のための連鎖移動剤として、t-ブタノール、エタノール等のアルコール類、チオールを使用できる。重合開始剤としては、通常のラジカル重合開始剤を使用できる。具体的には、ジイソプロピルパーオキシビスカーボネート、ジラウロイルパーオキシドなどの過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル、1,1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリルなどのアゾ化合物などが例示される。重合開始剤の使用量は、適宜変更可能であり、通常は重合性化合物100質量部当り0.05~1質量部程度が好ましく採用される。また、これらの重合開始剤は一括して添加してもよく、必要に応じて分割添加してもよい。重合反応の反応温度は40°C~100°Cが好ましい。また、反応圧力は、0.2~2.0MPaが好ましく、0.2~1.0MPaがより好ましい。このようにして得られた液晶性高分子化合物Caは、未反応原料化合物や重合溶媒の除去等の精製処理を得て、本発明の液晶性組成物に配合される。液晶性高分子化合物Caの数平均分子量Mnは、2,000~20,000が好ましく、3,000~15,000がより好ましい。また、分子量分布質量平均分子量Mw/数平均分子量Mnは、1.0~3.0が好ましく、1.0~2.0がより好ましい。数平均分子量Mnや分子量分布がこの範囲であれば、これを含む液晶性組成物における配向性および光学異方性材料としたときの耐光性が良好となる。架橋剤熱架橋性基を有するメタアクリル系液晶性高分子化合物Caを含有する熱架橋性の液晶性組成物において、液晶性高分子化合物Caと組合せて用いる架橋剤として、具体的には、液晶性高分子化合物Caの熱架橋性基と反応性の官能基を有する架橋剤Daが用いられる。ここで、液晶性高分子化合物Caが有する熱架橋性基は、上記熱架橋性のビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aaが有する熱架橋性基と同様であることから、熱架橋性のメタアクリル系液晶性組成物に用いる架橋剤Daについても、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物に用いる架橋剤Daと同様の架橋剤が使用できる。また、液晶性高分子化合物Caと組合せて用いる架橋剤として、熱架橋性基に反応する官能基を有する架橋剤Daに加えて、液晶性高分子化合物Caが有する熱架橋性基と同じ熱架橋性基を有する架橋剤を用いてもよい。このような架橋剤としては、液晶性低分子化合物Dbが好ましい。液晶性低分子化合物Dbについても、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物に用いる液晶性低分子化合物Dbと同様の化合物が使用できる。その他成分また、熱架橋性基を有するメタアクリル系液晶性高分子化合物Caを含有する熱架橋性の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Caと架橋剤以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、液晶性高分子化合物Caと架橋剤による架橋反応を促進する触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。これら、その他成分についても上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と同様のものが使用できる。液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数なお、光学異方性膜中の架橋点の密度を本発明の範囲、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとするためには、これを作製するのに用いる液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数を調整する必要がある。この調整方法についても、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物の場合と同様とできる。メタアクリル系液晶性高分子化合物Caを含有する熱架橋性の液晶性組成物として、より具体的には、以下の第5の例の液晶性組成物が例示できる。<第5の例>第5の例の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Caとして、熱架橋性基が水酸基である下記式Ca-1に平均組成の構造が示される液晶性高分子化合物を含有し、水酸基と反応性の官能基を有する架橋剤Daとしてイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物Da-1を含有する。液晶性高分子化合物Ca-1は、メタアクリル系の重合性液晶性化合物c1と、熱架橋性基L3を有するメタアクリル系化合物c2のみからなる共重合体のうちの、熱架橋性基L3が水酸基である液晶性高分子化合物である。なお、各単量体に基づく重合単位含有量は、化合物c1に基づく重合単位が50~99モル、化合物c2に基づく重合単位が1~50モルの範囲である。ただし、式Ca-1中、Q3部分は、上記式c1におけるR52E51W51E52E53E54R53を表す。その他の記号は式c1、式c2の記号と同じ意味を示す。また、x5は50~99、y5は1~50の正数をそれぞれ示し、x5y5=100である。なお、x5:y5の値は、高分子化合物Caにおける、化合物c1に基づく重合単位の含有量:化合物c2に基づく重合単位の含有量に相当する。なお、この液晶性組成物中に、もう1種類の架橋剤として、水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1が含まれていてもよい。さらに、その他の成分として、触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を含有してもよい。ポリイソシアネート化合物Da-1および水酸基を有する液晶性低分子化合物Db-1、さらにその他成分については、上に説明した熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と、好ましい態様を含めて同様である。また、各成分の配合割合も熱架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と、好ましい態様を含めて同様である。ここで、この熱架橋性基が水酸基であるメタアクリル系液晶性組成物においても、上記熱架橋性基が水酸基であるビニルエーテル系液晶性組成物と同様、組成物中における水酸基の量はイソシアネート基の量以下とすることが好ましい。よって、この好ましい態様において、液晶性組成物を用いて得られる光学異方性膜中の架橋点の密度は、液晶性組成物固形分1g当たりの水酸基の個数と同数である。したがって、該熱架橋性のメタアクリル系液晶性組成物においては、液晶性高分子化合物Ca-1が有する水酸基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NCa―1個/gが、または、液晶性低分子化合物Db-1が含まれる場合は、これに液晶性低分子化合物Db-1が有する水酸基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDb-1個/gを加えた、NCa―1NDb-1個/gが、本発明の範囲内、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとなるように、各成分の配合量が調整される。第5の例の液晶性組成物は、上記各必須成分を所定の配合割合となるように、さらに、必要に応じて、添加剤を加えて各成分が均一となるように混合して得られる。また、必要に応じて適当な溶媒を用いて各配合成分が均一に混合溶解された溶液の状態になるように処理した後、真空乾燥等により溶媒を除去して液晶性組成物としてもよい。3-2光架橋性の液晶性組成物メタアクリル系液晶性高分子化合物Cを含む液晶性組成物が光架橋性の場合、該液晶性組成物は光架橋性基を有するメタアクリル系液晶性高分子化合物Cb以下、単に液晶性高分子化合物Cbということもある。を含有する。液晶性高分子化合物Cb液晶性高分子化合物Cbのうち、光架橋性基がカチオン重合に対応する光架橋性基である環状エーテル基、例えば、エポキシ基やオキセタン基の場合、上記のとおり熱架橋性基としても使用でき、上記3-1の液晶性高分子化合物Caと同様の方法で液晶性高分子化合物Cbが作製できる。ただし、液晶性高分子化合物Cbとして使用する際には、架橋点を本発明の範囲内とするために、例えば、メタアクリル系の重合性液晶性化合物C1と、エポキシ基やオキセタン基を側鎖に有するメタアクリル系の化合物C2とその他任意の重合性化合物C3との共重合体における化合物C2の割合を調整する必要がある。例えば、上記式Ca-1で示される液晶性高分子化合物において、水酸基をエポキシ基やオキセタン基とし、x5を50~99、y5を1~50に変更することで、液晶性高分子化合物Ca-1が液晶性高分子化合物Cbとして使用できる。液晶性高分子化合物Cbのうち、光架橋性基がラジカル重合に対応する光架橋性基であるビニル基やビニル基を含む基以下、ビニル基等という、好ましくはメタアクリロイル基の場合、該ビニル基等の導入は、例えば、上記のようにして得られる液晶性高分子化合物Caの、化合物c2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L3を介して行われる。液晶性高分子化合物Caにビニル基等を導入する方法として、具体的には、化合物c2に基づく重合単位が有する熱架橋性基L3と反応性の基を一方の末端に有し、ビニル基等をもう一方の末端に有する化合物を、液晶性高分子化合物Caと所定の条件で反応させる方法が挙げられる。液晶性高分子化合物、例えば、液晶性高分子化合物Caの側鎖の末端に導入される基としては、ビニル基が好ましく、ビニル基を有する基としてメタアクリロイル基が導入されることが特に好ましい。なお、カチオン重合性の光架橋性基であるエポキシ基やオキセタン基を、ビニル基等と同様の方法で液晶性高分子化合物、例えば、液晶性高分子化合物Caの側鎖の末端に導入して、光架橋性の液晶性高分子化合物としてもよい。ここで、光架橋性基が導入される液晶性高分子化合物Caとして、液晶性高分子化合物Ca-1を用いた場合を例にして以下に説明する。液晶性高分子化合物Ca-1としては、導入される光架橋性基の数に合わせてx5とy5の割合を調整したものを準備する。例えば、光架橋性基を、液晶性高分子化合物Ca-1の水酸基の1個に対して、1個の割合で導入する場合には、x5を50~99、y5を1~50に調整することが好ましい。また、液晶性高分子化合物Ca-1の水酸基の1個に対して2個の割合で光架橋性基が導入される場合には、x5は50~99、y5は1~50が好ましい。以下、液晶性高分子化合物Ca-1中の水酸基を介して末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物を例に、これを液晶性高分子化合物Cb1と記して説明する。メタアクリロイル基は、上記液晶性高分子化合物Ca-1において、化合物c2に基づく重合単位が有する水酸基を介して側鎖の末端に導入される。導入に際しては、一方の末端に水酸基に反応性の官能基を有し、もう一方の末端にメタアクリロイル基を有する化合物が用いられる。なお、該化合物が末端に有する有するメタアクリロイル基の数は1個または2個が好ましく、液晶性組成物固形分1g当たりの架橋性基の数を効率よく増大させたい場合には、2個が好ましい。ここで、液晶性組成物固形分1g当たりの光架橋性基の数の調整は、上記のとおり液晶性高分子化合物Ca-1中の、x5とy5の割合を調整することでも行われる。本発明においては、最終的に得られる液晶性組成物における液晶性組成物固形分1g当たりの光架橋性基の数が上記本発明の条件を満足するように、配合する液晶性高分子化合物についてはこれらの要件を組み合わせて、さらに後述する架橋剤との組み合わせを勘案して、液晶性組成物が含有する各成分を設計する。メタアクリロイル基を導入するための化合物が有する、液晶性高分子化合物Ca-1の水酸基に反応性を有する官能基としては、カルボキシル基、イソシアネート基等が好ましく、イソシアネート基が特に好ましい。すなわち、液晶性高分子化合物Ca-1が有する水酸基と、メタアクリロイル基の導入に用いる化合物が有するイソシアネート基とのウレタン結合により、側鎖の末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物Cb1が好ましい。メタアクリロイル基を有するイソシアネート化合物としては、例えば、1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。これらの化合物の末端イソシアネート基を、水酸基とイソシアネート基の反応を触媒する従来公知の触媒として上に例示した、ジブチル錫ラウレートDBTDL等を用いて、液晶性高分子化合物Ca-1の側鎖の水酸基に反応させることで、側鎖にメタアクリロイル基を導入できる。また、メタアクリル酸クロライド、メタアクリル酸等を、液晶性高分子化合物Ca-1が有する水酸基とエステル反応させて、側鎖の末端にメタアクリロイル基が導入された液晶性高分子化合物Cb1を得ることもできる。該反応は、例えば、原料成分にトリエチルアミン、N,N-ジメチル-4-アミノピリジン等を加え、室温で行えばよい。具体的な例として、上記液晶性高分子化合物Ca-1のx5およびy5がそれぞれx6およびy6に調整されたものに、1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアネートを反応させることにより得られる液晶性高分子化合物を、下記式Cb-1に表す。なお、式Cb-1中の記号は、x6、y6以外は全て上記式Ca-1における記号と同じ意味を示す。また、x6は50~99、y6は1~50の正数をそれぞれ示し、x6y6=100である。本発明に用いる液晶性高分子化合物Cbの数平均分子量Mnは、2,000~30,000が好ましく、3,000~20,000がより好ましく、3,000~15,000が特に好ましい。また、分子量分布質量平均分子量Mw/数平均分子量Mnは、1.0~3.0が好ましく、1.0~2.0の範囲がより好ましい。数平均分子量Mnや分子量分布がこの範囲であれば、これを含む液晶性組成物における配向性および光学異方性材料としたときの耐光性が良好となる。このようにして得られた液晶性高分子化合物Cbは、未反応原料化合物や反応溶媒の除去等の精製処理を得て、光架橋性の液晶性組成物に配合される。光架橋性基を有する液晶性高分子化合物Cbは、これと必要に応じて配合される光重合開始剤のみで本発明の光学異方性膜の製造原料である液晶性組成物を形成しうる。なお、光架橋性の液晶性組成物は、任意に架橋剤を含有してもよい。架橋剤光架橋性基を有するメタアクリル系液晶性高分子化合物Cbを含有する光架橋性の液晶性組成物が任意に含有してもよい架橋剤としては、液晶性高分子化合物Cbが有する光架橋性基と同じ光架橋性基を有する架橋剤が挙げられる。このような架橋剤としては、液晶性低分子化合物Dbbが好ましい。液晶性低分子化合物Dbbについては、上に説明した光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物に用いる液晶性低分子化合物Dbbと同様の化合物が使用できる。その他成分また、光架橋性基を有するメタアクリル系液晶性高分子化合物Cbを含有する光架橋性の液晶性組成物は、液晶性高分子化合物Cbと架橋剤以外に各種添加剤を含有してもよい。具体的には、液晶性高分子化合物Cbと任意に配合される架橋剤が有する光架橋性基による架橋反応を促進する光重合開始剤等の触媒、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。これら、その他成分についても上に説明した光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物と同様のものが使用できる。液晶性組成物の固形分1g当たりの熱架橋性基数なお、光学異方性膜中の架橋点の密度を本発明の範囲、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとするためには、これを作製するのに用いる液晶性組成物の固形分1g当たりの光架橋性基数を調整する必要がある。この調整方法についても、上に説明した光架橋性のビニルエーテル系液晶性組成物の場合と同様とできる。メタアクリル系液晶性高分子化合物Cbを含有する光架橋性の液晶性組成物として、より具体的には、以下の第6の例の液晶性組成物が例示できる。<第6の例>第6の例の液晶性組成物は、光架橋性基を有する液晶性高分子化合物Cbとして、下記式Cb-2に示されるオキセタン基を有する液晶性高分子化合物を含有し、架橋剤は特に含有しない。なお、式Cb-2中の記号は、x6、y6以外は全て上記式Ca-1における記号と同じ意味を示す。また、x6は50~99、y6は1~50の正数をそれぞれ示し、x6y6=100である。さらに、その他の成分として、液晶性高分子化合物Cb-2による光架橋反応を促進する触媒光重合開始剤等、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を含有してもよい。液晶性高分子化合物Cb-2による光架橋反応を促進する触媒光重合開始剤等としては、カチオン重合のための光重合開始剤が用いられる。カチオン重合用の光重合開始剤としては、イオン系の光酸発生剤、例えば、スルホニウム塩系やヨードニウム塩系などのオニウム塩類、非イオン系の光酸発生剤等が挙げられる。市販品として、商品名アデカオプトマーSP-172、ADEKA社製等を用いてもよい。光重合開始剤の含有量は、オキセタン基を有する液晶性高分子化合物Cb-2の100質量部に対して0.1~5質量部が好ましく、0.3~2質量部が特に好ましい。第6の例の液晶性組成物が、他の成分として、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を使用する場合、これらの成分の含有量は、液晶性組成物の全量に対して5質量以下が好ましく、2質量以下が特に好ましい。第6の例の液晶性組成物においては、液晶性高分子化合物Cb-2が有するオキセタン基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NCb-2個/gを2で除した値、NCb-2個/g/2個/gが、本発明の範囲内、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとなるように調整される。なお、第6の例の液晶性組成物にさらにオキセタン基を有する液晶性低分子化合物Dbbを加えた液晶性組成物を使用してもよく、その場合、オキセタン基を有する液晶性低分子化合物Dbbが有するオキセタン基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NDbb個/gを、上記液晶性高分子化合物Cb-2が有するオキセタン基の液晶性組成物固形分1g当たりの個数、NCb-2個/gに加えた値を2で除した値、NCb-2NDbb/2個/gが、本発明の範囲内、すなわち、4×10-4~1×10-2個/gとなるように配合量が調整される。第6の例の液晶性組成物は、上記各必須成分を所定の配合割合となるように、さらに、必要に応じて、添加剤を加えて各成分が均一となるように混合して得られる。また、必要に応じて適当な溶媒を用いて各配合成分が均一に混合溶解された溶液の状態になるように処理した後、真空乾燥等により溶媒を除去して液晶性組成物としてもよい。[光学異方性膜および光学素子]本発明の光学異方性膜は、架橋性官能基を有する液晶性高分子化合物を含む液晶性組成物を用いて形成された液晶性組成物層を、前記液晶性高分子化合物が配向した状態で前記架橋性官能基が完全に架橋するように処理して得られる光学異方性膜であって、前記光学異方性膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gであることを特徴とする。架橋性官能基を有する液晶性高分子化合物を含む液晶性組成物については、上に説明したとおりである。このような架橋性の液晶性組成物を用いて、これを配向状態で架橋させることで、膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gの範囲にある本発明の光学異方性膜が得られる。光学異方性膜における架橋点の密度は、4×10-4~1×10-3個/gが好ましく、5×10-4~11×10-4個/gがより好ましい。膜中の架橋点の密度が上記範囲にあることで、本発明の光学異方性膜は、光学異方性を有しながら、耐熱性や耐光性等に優れる信頼性の高い光学異方性膜となる。以下、本発明の光学異方性膜およびこれを有する光学素子に係る実施形態を、図面を用いて説明する。本発明の光学異方性膜は、上で説明した架橋性の液晶性組成物を、該液晶性組成物が液晶相を示す状態で、かつ液晶性組成物中の液晶性高分子化合物や液晶性低分子化合物等の液晶性化合物が一軸に配向例えば、後述する基板の面に平行な水平方向に配向した状態で、液晶性化合物同士でまたは架橋剤との反応により架橋させることによって得られる。また、本発明の光学異方性膜は、通常、これを支持する支持体上で形成されることから、本発明の光学異方性膜と支持体を有する光学素子が、通常、光学異方性膜の形成と同時に作製される。支持体は該膜と接する面に必要に応じて配向膜を有してもよい。光学異方性膜を作製するにあたって、液晶性組成物をこの組成物が液晶相を示す状態に保つためには、雰囲気温度を、該液晶性組成物のガラス転移点Tg以上かつ該液晶性組成物のネマチック相-等方相の相転移温度Tc、以下透明点ともいう。以下にすればよい。なお、Tcに近い温度では液晶性組成物のΔn値が極めて小さいため、雰囲気温度はTc-10°C以下とすることが好ましい。また、十分な配向を得るために雰囲気温度はTc-30°C以上に調整されることが好ましい。また、液晶性組成物が配向した状態で行われる架橋反応が、熱架橋性の反応である場合には、通常、この架橋反応は加熱条件下で行われる。上に説明した本発明に用いる熱架橋性の液晶性組成物においては、架橋反応の温度が室温以上かつTc-10°C以下の範囲となるように設計されており、架橋反応は配向と同時に行われてもよく、配向、架橋反応の順に段階的に行われてもよい。上記のとおり光学異方性膜を作製するには、液晶性組成物中の液晶性化合物を配向状態にすることが必要とされる。液晶性化合物の配向状態は、例えば、好ましくは配向処理が施された基板の上にこれを含む液晶性組成物を層状に配置し、この液晶性組成物層に以下の方法でせん断力を加えることで得られる。なお、光学異方性膜の作製に用いられる上記任意に配向処理が施された基板はそのまま光学素子の支持板として使用できる。基板の形状としては、平板が好ましい。基板を構成する材料は、有機材料、無機材料を問わずに使用できる。基板の材料となる有機材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、エチレン/テトラフルオロエチレンコポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアリレート、ポリスルホン、トリアセチルセルロース、セルロース、ポリエーテルエーテルケトン等が挙げられる。また、無機材料としては、例えば、シリコン、ガラス、方解石等が挙げられる。基板の表面に配向処理を施す場合、その方法として具体的には、綿、羊毛、ナイロン、ポリエステル等の繊維等で基板表面をラビング処理する方法が挙げられる。また、基板の表面に有機薄膜や無機薄膜を形成して布等でラビング処理した配向膜を配設してもよい。配向膜は液晶を配向させる機能を有するものであればよく、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルシンナメートおよびポリスチレンなどの有機材料、またはSiO2およびAl2O3などの無機材料からなる薄膜を基板表面に形成し、ナイロンやレーヨンなどのラビング布でその表面を一方向に擦ることによって、その方向に液晶性化合物が配向するようにする。またラビング法以外の方法で配向処理した配向膜、例えば、SiO2を斜方蒸着した配向膜、イオンビーム法による配向膜または光配向膜なども使用できる。なお、上記基板は、液晶性組成物中の液晶性化合物を配向状態とし上記架橋反応により光学異方性膜を形成した後に、この光学異方性膜と分離されることもある。その場合は、予め、基板の表面に、または基板が配向処理されている場合は配向処理面に、離型処理を行っておけばよい。離型処理としては、離型剤、例えば、フルオロシラン系または含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素重合体等で基板の配向処理面を処理する方法が挙げられる。このような、任意に配向処理が施された基板と架橋性の液晶性組成物を用い、せん断応力を利用して、液晶性組成物を配向、架橋させて光学異方性膜を作製するとともに、これを有する光学素子を作製する方法としては、例えば、以下に示す方法を使用できる。図1は、本発明の光学異方性膜を製造する方法の一例を概略的に示す図である。図1a、b、cおよびdは、それぞれ、本発明による光学素子を製造する方法の例における工程を説明する図である。まず、図1a~cは、第一の基板101に配向制御前の液晶性組成物の層102を設け、所定の温度でせん断力を加える処理を行い配向制御された液晶性組成物の層106を得る工程を示す。図1dは、配向制御された液晶性組成物の層106に加熱または光照射等の架橋条件で処理して、膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gの範囲にある本発明の光学異方性膜107およびこれを含む光学素子108を得るする工程を示す。以下各工程について説明する。まず、図1aに示すように、第一の基板101上に配向制御前の液晶性組成物の層102を設ける。液晶性組成物としては、上に説明した架橋性の液晶性組成物が用いられる。なお、この架橋性の液晶性組成物は、そのガラス転移温度Tg以上、透明点Tc未満の温度で、該液晶性組成物から構成される液晶性組成物層に対して、垂直方向に圧力を加えることなくまたは1000Pa以下の圧力を加えながら、該液晶性組成物層に水平方向にせん断力を加えることが可能なように作製されている。なお、この場合においても、上記のとおり、Tcに近い温度では液晶性組成物のΔn値が極めて小さいため、せん断力を加える際の雰囲気温度はTc-10°C以下とすることが好ましい。また、十分な配向を得るために雰囲気温度はTc-30°C以上に調整されることが好ましい。具体的には、液晶性組成物層がせん断力の印加を可能とするためには、架橋性の液晶性組成物が含有する液晶性高分子化合物の数平均分子量Mnが、好ましくは、2,000以上50,000以下、より好ましくは、3,000以上20000以下に調整される必要があり、上記のとおり上に説明した架橋性の液晶性組成物が含有する液晶性高分子化合物の分子量はこの範囲内である。液晶性高分子化合物の数平均分子量が、2,000以上である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102により効果的にせん断力を加えることができる。50,000以下である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102により容易にせん断力を加えることができる。ここで、第一の基板101は、第一の基板101を吸着することが可能な第一のステージ103に吸着されている。また、ステージ103は、温度調節が可能なステージである。さらに、ステージ103は、互いに直交する三つの軸の方向、すなわち、図1aに示すX、Y、およびZ軸の方向に移動させることが可能なステージである。Z軸方向は、第一の基板101上に形成された配向制御前の液晶性組成物の層102の主面に対して直交する方向であり、X軸方向、Y軸方向は、該液晶性組成物の層102の主面に平行する方向である。また、上記のとおり、第一の基板101は、配向制御前の液晶性組成物の層102の側に、液晶性組成物を配向させるための配向処理が施されていることが好ましい。この場合には、後述するように、配向制御前の液晶性組成物の層102における液晶性組成物の配向を制御した後に、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の制御された配向をより安定化できる。一方、第一の基板101に設けられた配向制御前の液晶性組成物の層102上には、さらに第二の基板104が設けられる。ここで、配向制御前の液晶性組成物の層102上に第二の基板104が配設される前に、ステージ3上の第一の基板101上に設けられた配向制御前の液晶性組成物の層102を、脱気等のために該液晶性組成物の透明点Tc以上の温度で溶融し所定の時間保持した後、室温まで冷却する処理を行ってもよい。第一の基板101と同様に、第二の基板104は、第二の基板104を吸着することが可能な第二のステージ105に吸着されている。また、ステージ103と同様に、ステージ105は、温度調節が可能なステージである。さらに、ステージ105は、図1aに示すX、Y、およびZ軸の方向に移動させることが可能なステージである。ステージ103およびステージ105がX、Y、およびZ軸の方向に移動可能な構成であることにより、例えば、Z軸方向への移動により配向制御前の液晶性組成物の層102の厚さを調整できるとともに該層に対する垂直方向の加圧が可能となる。また、いずれか一方のステージをX軸方向またはY軸方向に移動することにより、または、両方のステージをX軸方向に互いに相反する方向に移動する、もしくはY軸方向に互いに相反する方向に移動することにより、配向制御前の液晶性組成物の層102の水平方向にせん断力を加えることができる。第一の基板101と同様に、第二の基板104は、配向制御前の液晶性組成物の層102の側に、液晶性組成物を配向させるための配向処理が施されていることが好ましい。この場合には、後述するように、配向制御前の液晶性組成物の層102における液晶性組成物の配向を制御した後に、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の制御された配向をより安定化できる。なお、図1a、b、およびcに示すように、第一のステージ103および第二のステージ105が、それぞれ、第一のステージ103の温度および第二のステージ105の温度を調節できるので、第一の基板101および第二の基板104に挟まれた配向制御前の液晶高分子の層102の温度をより良好に制御できる。次に、第一のステージ103および第二のステージ105の間の間隔を調整することによって、第一の基板101および第二の基板104の間隔を制御する。図1aにおいては、Z軸方向における第一のステージ103および第二のステージ105の間の相対的な位置を調整することによって、第一のステージ103および第二のステージ105の間の間隔を調整する。これにより、配向制御前の液晶性組成物の層102に垂直方向に加わる圧力を調整できる。ここで、配向制御前の液晶性組成物の層102に圧力が加わらないように、または、配向制御前の液晶性組成物の層102に1000Pa以下の圧力を加えるように、第一の基板101および第二の基板104の間隔を制御する。次に、配向制御前の液晶性組成物の層102の温度が、液晶性組成物のガラス転移温度Tg以上液晶性組成物の透明点Tc未満の温度であるように、第一のステージ103の温度および第二のステージ105の温度を制御する。配向制御前の液晶性組成物の層102の温度が、液晶性組成物のガラス転移温度Tg以上である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102における液晶性組成物の配向をより容易に制御できる。また、配向制御前の液晶性組成物の層102の温度が、液晶性組成物の透明点Tc未満の温度である場合には、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の配向をより良好に安定化できる。ここで、液晶性組成物のガラス転移温度Tg以上であり液晶性組成物の透明点Tc未満の温度とは、配向制御前の液晶性組成物の層102の粘度が、好ましくは、1Nsm-2以上1,000Nsm-2以下、より好ましくは、5Nsm-2以上500Nsm-2以下、である温度である。配向制御前の液晶性組成物の層102の粘度が、1Nsm-2以上である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102により効果的にせん断力を加えることができる。また、配向制御前の液晶性組成物の層102の粘度が、1,000Nsm-2以下である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102にせん断力を加える光学素子を製造する装置の負荷を低減できると共に、配向制御後の液晶性組成物の層106の凝集または破壊を低減できる。なお、配向制御前の液晶性組成物の層102に加わる圧力および配向制御前の液晶性組成物の層102の温度が、それぞれの所望の値が得られるまで、配向制御前の液晶性組成物の層102に加わる圧力および配向制御前の液晶性組成物の層102の温度の調整を繰り返す。次に、配向制御前の液晶性組成物の層102に水平方向にせん断力を加えるように、第一のステージ103に吸着された第一の基板101に対して第二のステージ105に吸着された第二の基板104を相対的に移動させる。図1aにおいては、第一のステージ103に吸着された第一の基板101を静止させる一方で、第二のステージ105に吸着された第二の基板104をX軸方向に移動させている。第一の基板101および第二の基板104に挟まれた配向制御前の液晶性組成物の層102に水平方向にせん断力を加えることによって、配向制御前の液晶性組成物の層102における液晶性組成物の配向を制御できる。ここで、せん断力は、配向制御前の液晶性組成物の層102に生じるせん断応力が、好ましくは、100Nm-2以上1,000,000Nm-2以下、より好ましくは、1000Nm-2以上100000Nm-2以下、であるように、配向制御前の液晶性組成物の層102に加えられる。なお、配向制御前の液晶性組成物の層102に生じるせん断応力は、配向制御前の液晶性組成物の層102に加えるせん断力のせん断速度1/sおよび配向制御前の液晶性組成物の層102の粘度Nsm-2の積で表される。配向制御前の液晶性組成物の層102に生じるせん断応力が、100Nm-2以上である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102により効果的にせん断力を加えることが可能になる。配向制御前の液晶性組成物の層102に生じるせん断応力が、1,000,000Nm-2以下である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102にせん断力を加える光学素子を製造する装置の負荷を低減できると共に、配向制御後の液晶高分子の層106の凝集または破壊を低減できる。また、配向制御前の液晶性組成物の層102に水平方向に加えられるせん断力のせん断速度は、好ましくは、10s-1以上10,000s-1以下、より好ましくは、50s-1以上5,000s-1以下である。なお、配向制御前の液晶性組成物の層102に加えられるせん断力のせん断速度は、第一の基板101に対する第二の基板104の相対的な移動の速度/配向制御前の液晶性組成物の層102の厚さ第一の基板101および第二の基板104の間の間隔で表される。配向制御前の液晶性組成物の層102に加えられるせん断力のせん断速度が、10s-1以上である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102により効果的にせん断力を加えることができる。配向制御前の液晶性組成物の層102に加えられるせん断力のせん断速度が、10,000s-1以下である場合には、配向制御前の液晶性組成物の層102にせん断力を加える光学素子を製造する装置の負荷を低減できると共に、配向制御後の液晶性組成物の層106の凝集または破壊を低減できる。さらに、配向制御前の液晶性組成物の層102にせん断力を加える時間は、好ましくは、0.1秒以上5.0秒以下、より好ましくは、0.2秒以上1.0秒以下である。配向制御前の液晶性組成物の層102にせん断力を加える時間が、0.1秒以上である場合には、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の配向のムラを低減できる。配向制御前の液晶性組成物の層102にせん断力を加える時間が、5.0秒以下である場合には、配向制御後の液晶性組成物の層106の凝集または破壊を低減できる。その結果、図1bに示すように、第一のステージ103に吸着された第一の基板101および第二のステージ105に吸着された第二の基板104の間に配向制御後の液晶性組成物の層106が得られる。さらに、図1cに示すように、第二のステージ105から第二の基板104を脱着させる。そして、例えば、図1cに示すように、空気のような冷却用気体を第二の基板104に吹き付ける冷却手段によって、配向制御後の液晶性組成物の層106を冷却する。すなわち、配向制御前の液晶性組成物の層102にせん断力を加えた後に、例えば、冷却手段を用いて、配向制御後の液晶性組成物の層106を冷却することが好ましい。この場合には、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の配向をより良好に安定化できる。ここで、配向制御後の液晶性組成物の層106は、好ましくは、配向制御後の液晶性組成物の層106の粘度が20Nsm-2以上である温度まで、冷却される。この場合には、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の配向をより良好に安定化できる。また、配向制御後の液晶性組成物の層106は、より好ましくは、液晶性組成物のガラス転移温度Tg未満の温度まで冷却される。この場合には、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の配向をさらに良好に安定化できる。なお、第一の基板101および第二の基板104の少なくとも一方が配向膜を有する場合には、配向制御後の液晶性組成物の層106における液晶性組成物の配向が、配向膜によって安定化されることがある。この場合には、図1cに示すような、空気のような冷却用気体によって配向制御後の液晶性組成物の層106を冷却する工程を省略できる。このようにして、図1cに示すように、冷却により配向が安定化させられた配向制御後の液晶性組成物の層106が得られる。次いで図1dに示すように、冷却後の第一の基板101および第二の基板104に挟持された配向制御後の液晶性組成物の層106を、液晶性組成物が熱架橋性である場合は、その液晶性組成物が架橋する条件まで加熱して架橋が完全に行われるまでその状態を保持する。例えば、熱架橋性の液晶性組成物として上記第1の例の液晶性組成物を用いた場合、架橋反応の温度が室温以上Tc-10°C以下の範囲にある液晶性高分子化合物Aa-1、液晶性低分子化合物Db-1とポリイソシアネート化合物Da-1の組合せが選択されている。したがって、光学異方性膜の作製に用いるこのような液晶性組成物がそれぞれ有する上記架橋温度に合わせて架橋条件をそれぞれ設定する。また、液晶性組成物が光架橋性である場合には、図1dに示すように、冷却後の第一の基板101および第二の基板104に挟持された配向制御後の液晶性組成物の層106に、その液晶性組成物が架橋する条件の光を照射し、架橋が完全に行われるまで光照射を継続する。例えば、光架橋性の液晶性組成物として上記第4の例のラジカル重合による光架橋性の液晶性組成物を用いた場合、光照射の条件としては、光源として水銀灯を用い10~500mW/cm2の照度で2~10分程度の照射条件が挙げられる。また、上記第6の例のカチオン重合による光架橋性の液晶性組成物を用いた場合も、光照射の条件としては、光源として水銀灯を用いた10~500mW/cm2の照度で2~10分程度の照射条件が挙げられる。なお、光照射は必要に応じて80~150°C程度の加温下で行われてもよい。さらに、その後必要に応じて、50°C~200°Cで1~24時間程度のアニール処理を施すことが好ましい。このようにして配向が安定化させられた配向制御後の液晶性組成物の層106に液晶性組成物が有する架橋性基が完全に架橋するような架橋処理を施すことで、膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gの範囲にある本発明の光学異方性膜107が得られる。その結果、このような光学異方性膜107が第一の基板101と第二の基板104に挟持された光学素子108が得られる。すなわち、図1a~dに示すような、本発明の光学異方性膜を製造する方法によって、図1dに示すような光学素子108が製造される。なお、光学素子108の用途は、特に限定されず、光学素子108を、例えば、光ディスク装置における波長板などに使用できる。また、必要に応じて第一の基板101または第二の基板104を分離して、光学異方性膜の片側のみに支持体としての基板を有する光学素子とすることもできる。光学素子は、必要に応じて、さらに光学特性制御の目的で電極を設けた構成や、反射型素子として使用する目的で反射膜を設けた構成とできる。なお、光学異方性膜における液晶性組成物の配向の程度を、例えば、偏光顕微鏡におけるクロスニコル観察によって確認できる。図2は、本発明の光学異方性膜を含む光学素子を製造する装置の一例を概略的に説明する図である。図2には、第一の基板201に設けられた光学異方性膜を含む光学素子を製造する装置200が示されている。本発明の光学異方性膜は、例えば、このような装置を用いて、通常、光学素子の一部として製造される。まず、図2を用いて光学素子を製造する装置200の構成を説明する。光学素子を製造する装置200は、図示されていない第一の基板201を提供する手段および図示されていない第二の基板202を提供する手段を含むことがある。光学素子を製造する装置200を用いて光学素子を製造するときには、第一の基板201に配向制御前の液晶性組成物の層が提供されると共に、配向制御前の液晶性組成物の層に第二の基板202が提供される。すなわち、配向制御前の液晶性組成物の層は、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれる。なお、第一の基板201および第二の基板202の少なくとも一方が、配向制御前の液晶性組成物の層の側に、液晶性組成物を配向させる配向膜を有するまたは配向処理が施されていることもある。光学素子を製造する装置200は、第一の基板201を吸着する手段および第二の基板202を吸着する手段を含む。すなわち、第一の基板201および第二の基板202は、それぞれ、第一の基板201を吸着する手段および第二の基板202を吸着する手段によって吸着される。ここで、第一の基板201を吸着する手段は、第一の中空体203を含む。第一の中空体203の壁の少なくとも一部分は、第一の多孔質の部材204を含む。第一の多孔質の部材204の材料としては、例えば、セラミックスの材料および焼結された金属が挙げられる。また、第一の多孔質の部材204は、第一の基板201を介して配向制御前の液晶性組成物の層を加熱するための第一のヒーター205を含む。さらに、第一の多孔質の部材204の温度を測定するための第一の温度計206が、第一の多孔質の部材204に設けられている。加えて、第一の基板201を吸着する手段は、第一の中空体203の内部を排気する手段を含む。第一の中空体203の内部を排気する手段は、第一の中空体203の内部の気体を吸引する真空ポンプ207および第一の中空体203の内部の気体の排気を制御する第一の真空バルブ208を含む。一方、第二の基板202を吸着する手段は、第二の中空体209を含む。第二の中空体209の壁の少なくとも一部分は、第二の多孔質の部材210を含む。第二の多孔質の部材210の材料としては、例えば、セラミックスの材料および焼結された金属が挙げられる。また、第二の多孔質の部材210は、第二の基板202を介して配向制御前の液晶性組成物の層を加熱するための第二のヒーター211を含む。さらに、第二の多孔質の部材210の温度を測定するための第二の温度計212が、第二の多孔質の部材210に設けられている。加えて、第二の基板202を吸着する手段は、第二の中空体209の内部を排気する手段を含む。第二の中空体209の内部を排気する手段は、第一の中空体203の内部の気体を吸引する真空ポンプ207と共通のものである第二の中空体209の内部の気体を吸引する真空ポンプ207および第二の中空体209の内部の気体の排気を制御する第二の真空バルブ213を含む。また、光学素子を製造する装置200は、第一の基板201を吸着する手段によって吸着された第一の基板201を第二の基板202に対して相対的に移動させる手段または第二の基板202を吸着する手段によって吸着された第二の基板202を第一の基板201に対して相対的に移動させる手段を含む。図2に示す光学素子を製造する装置200は、第一の基板201を吸着する手段によって吸着された第一の基板201を第二の基板202に対して相対的に移動させる手段を有する。第一の基板201を吸着する手段によって吸着された第一の基板201を第二の基板202に対して相対的に移動させる手段は、互いに直交する三つの軸、すなわち、図2に示すX、Y、およびZ軸の方向に、第一の基板201を吸着する手段を移動させる手段を有する。例えば、図2に示すような、XおよびY軸の方向に第一の基板201を吸着する手段を移動させる手段としてのXYステージ214並びにZ軸の方向に第一の基板201を吸着する手段を移動させる手段としてのZステージ215が含まれる。なお、ここでいうX、Y、およびZ軸の方向とは、上記図1aで説明したのと同様の方向である。さらに、光学素子を製造する装置200は、第一の基板201および第二の基板202の間に設けられた液晶性組成物の層に加わる圧力を測定する手段としてのロードセル216を含む。加えて、光学素子を製造する装置200は、配向制御前および後の液晶性組成物の層を冷却する手段をさらに含む。配向制御前および後の液晶性組成物の層を冷却する手段冷却手段は、空気ボンベまたは液体窒素ボンベのような冷却用気体を供給する手段217、冷却用気体を供給する手段217から供給される冷却用気体の圧力を調整する圧力調整バルブ218、第一の中空体203の内部への冷却用気体の供給を制御する第一の供給バルブ219、および、第二の中空体209の内部への冷却用気体の供給を制御する第二の供給バルブ220を含む。冷却用気体としては、例えば、空気または窒素などが挙げられる。次に、図2を用いて光学素子を製造する装置200の動作を説明する。図2に示すような光学素子を製造する装置200を用いて、図1a~dに示すような本発明の光学異方性膜を有する光学素子を製造する方法を実施することによって、耐熱性、耐光性に優れる高信頼性の光学素子を得ることができる。最初に、第一の真空バルブ208、第二の真空バルブ213、第一の供給バルブ219、および第二の供給バルブ220の全てを閉じておく。まず、図示されていない第一の基板201を提供する手段によって、第一の中空体203の第一の多孔質の部材204に第一の基板201を提供する。なお、第一の基板201は、第一の多孔質の部材204を覆うようなサイズを有する。次に、真空ポンプ207を稼働させると共に第一の真空バルブ208を開くことによって、第一の中空体203の内部を排気する。このとき、第一の基板201は、第一の中空体203の第一の多孔質の部材204に吸着および固定される。次に、第一の基板201上に、上に説明した架橋性の液晶性組成物からなる、配向制御前の液晶性組成物の層が提供される。ここで、第一の多孔質の部材204に含まれる第一のヒーター205および第一の多孔質の部材204に設けられた第一の温度計206を用いて、第一の基板201を介して配向制御前の液晶性組成物の層を加熱してもよい。次に、図示されていない第二の基板202を提供する手段によって、配向制御前の液晶性組成物の層に第二の基板202を提供する。なお、第二の基板202は、第二の多孔質の部材210を覆うようなサイズを有する。このようにして、配向制御前の液晶性組成物の層は、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれる。次に、Zステージ215を用いて、第一の中空体203および第一の基板201をZ方向に移動させることによって、第二の中空体209の第二の多孔質の部材210を第二の基板202に接触させる。次に、真空ポンプ207を稼働させたまま、第二の真空バルブ213を開く。このとき、第二の基板202は、第二の中空体209の第二の多孔質の部材210に吸着および固定される。次に、Zステージ215を用いて、第一の中空体203および第一の基板201をZ方向に移動させることによって、第一の基板201および第二の基板202の間の間隔を調整する。このとき、ロードセル216を用いて、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御前の液晶性組成物の層に加わる圧力を測定する。そして、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御前の液晶性組成物の層に圧力が加わらないように、または、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御前の液晶性組成物の層に加わる圧力が1000Pa以下であるように、第一の基板201および第二の基板202の間の間隔を調整する。次に、第二の多孔質210に含まれる第二のヒーター211および第二の多孔質の部材210に設けられた第二の温度計212を用いて、第二の基板202を介して配向制御前の液晶性組成物の層を加熱する。また、必要に応じて、圧力調整バルブ218を用いて冷却用気体を供給する手段217から供給される冷却用気体の圧力を調整すると共に、第一の供給バルブ219および/または第二の供給バルブ220を開くことによって、第一の中空体203の内部および/または第二の中空体209の内部に冷却用気体を供給する。この場合には、第一の中空体203および/または第二の中空体209に供給された冷却用気体によって、第一の多孔質の部材204および/または第二の多孔質の部材210を介して、第一の基板201および/または第二の基板202が冷却される。その結果、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御前の液晶性組成物の層を冷却できる。このとき、第一の基板の201の温度および第二の基板の202の温度が同じになるように、すなわち、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御前の液晶性組成物の層における温度分布が均一になるように、第一のヒーター205による第一の基板201の加熱、第二のヒーター212による第二の基板202の加熱、並びに、冷却用気体による第一の基板201および/または第二の基板202の冷却を調整する。そして、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御前の液晶性組成物の層の温度が、液晶性組成物のガラス転移温度Tg以上液晶性組成物の透明点Tc未満の温度になるように、第一の基板201および第二の基板202の温度を調整する。これにより、配向制御前の液晶性組成物の層の粘度を調整する。なお、配向制御前の液晶性組成物の層に圧力が加わらないまたは配向制御前の液晶性組成物の層に垂直方向に加わる圧力が1000Pa以下であると共に配向制御前の液晶性組成物の層の温度が液晶性組成物のガラス転移温度Tg以上液晶性組成物の透明点Tc未満の温度である配向制御前の液晶性組成物の層の粘度が所望の粘度であることを実現するまで、上述したような方式で、第一の基板201および第二の基板202の間の間隔の調整並びに第一の基板201および第二の基板202の温度の調整を繰り返す。次に、配向制御前の液晶性組成物の層に圧力が加わらないまたは配向制御前の液晶性組成物の層に垂直方向に加わる圧力が1000Pa以下であると共に配向制御前の液晶性組成物の層の温度が液晶性組成物のガラス転移温度Tg以上液晶性組成物の透明点Tc未満の温度である条件で、配向制御前の液晶性組成物の層に水平方向にせん断力を加える。図2に示すような光学素子を製造する装置200においては、XYステージ214によってXおよびY軸の方向の少なくとも一方に、例えば、図2に示すようにX軸の方向に、第一の基板201を吸着する手段を移動させる。すなわち、XYステージ214を用いて、X軸の方向に、XYステージ214に設けられたZステージ215、Zステージ215に設けられた第一の中空体203、並びに第一の中空体203の第一の多孔質の部材204に吸着および固定された第一の基板201を、第二の基板202に対して相対的に移動させる。これにより、XおよびY軸の方向の少なくとも一方において、例えば、図2に示すようにX軸の方向において、配向制御前の液晶性組成物の層に水平方向にせん断力を加えることが可能になる。配向制御前の液晶性組成物の層に加えるせん断力のせん断速度、配向制御前の液晶性組成物の層にせん断力を加える時間、および、配向制御前の液晶性組成物の層に生じるせん断応力は、XYステージ214によって引き起こされる第一の基板201の移動の速度によって調整される。このように配向制御前の液晶性組成物の層にせん断力を加えた配向制御後の液晶性組成物の層が得られた後に、必要に応じて、圧力調整バルブ218を用いて冷却用気体を供給する手段217から供給される冷却用気体の圧力を調整すると共に、第一の供給バルブ219および/または第二の供給バルブ220を開くことによって、第一の中空体203の内部および/または第二の中空体209の内部に冷却用気体を供給する。この場合には、第一の中空体203および/または第二の中空体209に供給された冷却用気体によって、第一の多孔質の部材204および/または第二の多孔質の部材210を介して、第一の基板201および/または第二の基板202が冷却される。その結果、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御後の液晶性組成物の層を冷却できる。好ましくは、配向制御前の液晶性組成物の層にせん断力を加えた後に、圧力調整バルブ218を用いて冷却用気体を供給する手段217から供給される冷却用気体の圧力を調整すると共に、第二の供給バルブ220を開くことによって、第二の中空体209の内部に冷却用気体を供給する。この場合には、冷却用気体が第二の中空体209に供給されることによって、第二の中空体209の第二の多孔質の部材210に吸着および固定されていた第二の基板202を第二の多孔質の部材210から脱着させると共に、第二の多孔質の部材210から冷却用気体を噴出させることによって第二の基板202を急速に冷却できる。その結果、第一の基板201および第二の基板202の間に挟まれた配向制御後の液晶性組成物の層を急速に冷却できる。このようにして、配向が安定化させられた液晶性組成物の層が得られる。その後さらに、上記図1dに示すように、冷却後の第一の基板201および第二の基板202に挟持された配向制御後の液晶性組成物の層を、この層を形成する液晶性組成物が有する架橋性基が完全に架橋する条件で、熱処理または光照射処理する。このようにして、配向が安定化させられた配向制御後の液晶性組成物の層に液晶性組成物が有する架橋性基が完全に架橋するような架橋処理を施すことで、膜中の架橋点の密度が4×10-4~1×10-2個/gの範囲にある本発明の光学異方性膜を第一の基板201と第二の基板202との間に有する光学素子が得られる。なお、光学異方性膜における液晶性組成物の配向の程度を、例えば、偏光顕微鏡におけるクロスニコル観察によって確認できる。以下に本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。例1、例2が実施例であり、例3~例5が比較例である。なお、数平均分子量Mnおよび分子量分布質量平均分子量Mw/数平均分子量Mnは、テトラヒドロフランTHFを溶媒とするGPC装置HLC8220、東ソー社製を用いて測定した。また、共重合組成比は、重クロロホルムを溶媒とし、1H-NMRAL300、日本電子社製を用いて測定した。さらに、ガラス転移点Tgおよびネマチック相-等方相の相転移温度Tcは、示差走査熱容量計DSC8000、パーキンエルマー社製を用いて測定した。さらに、水平配向性は、リタデーション測定装置RETS-100、大塚電子社製を使用し、リタデーションの入射角依存性を測定することにより確認した。まず、光学異方性膜の作製に用いる架橋性の液晶性組成物に配合する液晶性高分子化合物および液晶性低分子化合物を合成した。[合成例1]液晶性高分子化合物Cb-21の合成上記オキセタン基を有するメタアクリル系液晶性高分子化合物Cb-2に分類される、液晶性高分子化合物下記式Cb-21に平均組成の構造が示されるを以下のとおり作製した。モノマーc2-1の合成還流装置、撹拌機を装備した1Lの4つ口フラスコに、4hexyloxybenzoicacid14.3g、3methyloxetan3methanolの5g、ジシクロヘキシルカルボジイミドの13.6g、ジメチルアミノピリジンの2.3g、およびジクロロメタンの350mlを加え、室温で24時間撹拌して反応させた。反応終了後、水およびジクロロメタンを加えて分液し、有機層を回収した。回収された有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液400mLで洗浄した後水洗し、再び有機層を回収した。次いで、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧ろ過によって無水硫酸マグネシウムを除去した。ろ液を濃縮することによって粉末結晶を得た。この粉末結晶に酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒を加えてシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、下記式c2-1で表される化合物5.6gを得た。収率は33質量であった。ポリマーCb-21の合成10mLのねじ口試験管に2792mgの液晶性モノマーP6OCB:6hexylacrylate、752mgの上記で得られたモノマーc2-1、35mgの重合開始剤和光純薬社製、商品名V40、および4.16gのN,N-ジメチルホルムアミドを投入し、ねじ口試験管内の空気を窒素で置換した後、ねじ口試験管を密閉した。ねじ口試験管を80°Cの恒温槽にて18時間撹拌振とうさせ、上記、原料モノマーの共重合を行った。生成物をメタノール中で洗浄して未反応の原料モノマーを除去した後、生成物をテトラヒドロフランに溶解させ、得られた溶液をメタノール中に滴下して、生成物の再沈精製を行った。その後、生成物を真空乾燥器にて40°Cで2時間乾燥させて、3190mg収率90の白色の、架橋基としてオキセタン基を有する下記式Cb-21に平均組成が示される液晶性高分子化合物を得た。液晶性高分子化合物Cb-21の数平均分子量Mnは18,000であり、ガラス転移点Tgは33°C、ネマチック相から等方相への相転移温度Tcは141°C、および純度は99超であった。なお、原料単量体の仕込み量比は、P6OCB/c2-1で70/30モル比であった。[合成例2]二官能水酸基の液晶性低分子化合物の合成上記二官能水酸基の液晶性低分子化合物において、スペーサー部がブチレン基の化合物以下の構造式に示されるを下記反応式に示すとおり製造した。還流装置、撹拌機を装備した1Lの4つ口フラスコに、6-4-ヒドロキシシクロヘキシルデカヒドロナフタレン-2-オール6decahydronaphthalen2ol式中4hで示されるの2.0g、4-ペンテン酸の1.9g、ジメチルアミノピリジンの0.08g投入し、これにジクロロメタンの100mlを加え0°Cに冷却した。ここに、ジシクロヘキシルカルボジイミド3.92gをジクロロメタン100mlに溶解した溶液を5分間かけて滴下し、室温にて24時間撹拌して反応させた。反応終了後、反応液をろ過し、水および酢酸エチルを加えて分液し、有機層を回収した。回収された有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液400mLで洗浄した後水洗し、再び有機層を回収した。次いで、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧ろ過によって無水硫酸マグネシウムを除去した。ろ液を濃縮することによって粉末を得た。この粉末に酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒1:4を加えてシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、下記反応式中4iで表される化合物6cyclohexyldecahydronaphthalen2ylpent4enoate3gを得た。収率は91質量であった。還流装置、撹拌機を装備した1Lの4つ口フラスコに、上記で得られた化合物4i6cyclohexyldecahydronaphthalen2ylpent4enoateの2.85gをテトラヒドロフラン30mlに溶かして投入し、0°Cに冷却し、0.5Mで9-BBNを含むTHF溶液30mlを15分かけて滴下し、室温にて2時間撹拌した。この反応液を再び0°Cに冷却し3Mの水酸化ナトリウム水溶液を5mlと30の過酸化水素水5mlを順次滴下し、室温で2時間撹拌した。反応終了後、飽和塩化ナトリウム水溶液および酢酸エチルを加えて分液し、有機層を回収した。さらに有機層を塩化アンモニウム水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄した。次いで、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧ろ過によって無水硫酸マグネシウムを除去した。ろ液を濃縮することによって粉末を得た。この粉末に酢酸エチルとメタノールとの混合溶媒50:1を加えてシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、反応式中で表される両末端に水酸基を1個ずつ有する、分子量が452.3である液晶性低分子化合物の2.24gを得た。収率は72質量であった。[合成例3]二官能アクリロイル基の液晶性低分子化合物の合成上記二官能メタアクリロイル基の液晶性低分子化合物において、官能基がアクリロイル基であって、スペーサー部がプロピレン基の化合物以下の構造式に示されるを製造した。還流装置、撹拌機を装備した1Lの4つ口フラスコに、6-4-ヒドロキシシクロヘキシルデカヒドロナフタレン-2-オールの50g、3-アクリロイルオキシブタン酸の75g、ジシクロヘキシルカルボジイミドの40g、ジメチルアミノピリジンの4.2g、およびジクロロメタンの500mlを加え、室温で20時間撹拌して反応させた。反応終了後、水およびジエチルエーテルを加えて分液し、有機層を回収した。回収された有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液400mLで洗浄した後水洗し、再び有機層を回収した。次いで、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧ろ過によって無水硫酸マグネシウムを除去した。ろ液を濃縮することによって粉末結晶を得た。この粉末結晶に酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒を加えてシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、式で表される分子量が532.3の化合物78gを得た。収率は63質量であった。[合成例4]液晶性高分子化合物Aa-11の合成上記水酸基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Aa-1に分類される、液晶性高分子化合物下記式Aa-11に平均組成の構造が示されるを以下のとおり作製した。ビニルエーテル化合物の合成まず、上記ビニルエーテル系の重合性液晶性化合物a1においてビニルエーテル化合物に分類され、r1が3の化合物以下の構造式に示されるを製造した。4-ヒドロキシビニルエーテル8.2g、70.2mmolとトランス-6-トランス-4-プロピルシクロヘキシル-トランス-デカヒドロナフタレン-2-カルボン酸16.6g,54.2mmolをクロロホルム1200mlに溶解し、ジシクロヘキシルカルボジイミド12.1g,58.6mmolと4-N,N-ジメチルアミノピリジン1.16g,9.49mmolを加え、室温で13時間撹拌した。生成した白色沈澱をろ過して除いた後、ろ液を0.5M塩酸、飽和重曹水で洗浄し、乾燥後、溶媒を除いて粗精製物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーシリカゲル:旭硝子エスアイテック社製MS-GELD50-60-AN1,200g,溶出液:ヘキサン/酢酸エチル=6/1により精製し、以下の式に示す構造のビニルエーテル化合物:トランス-6-トランス-4-プロピルシクロヘキシル-トランス-デカヒドロナフタレン-2-カルボン酸-4-ビニルオキシブチル17.9g,収率72を得た。得られた化合物のNMRスペクトルデータを、以下に示す。1H‐NMR300.4MHz,溶媒:CDCl3,基準:TMSδppm:0.65-2.00m,40H,2.48m,1H,3.96t,J=13.5Hz,2H,4.26dd,J=2.5Hz,14.0Hz,2H,4.08t,J=13.8Hz,2H,6.47dd,J=6.5Hz,14.0Hz,1H。液晶性高分子化合物Aa-11の合成内容積30mLのステンレス製撹拌機付きオートクレーブに、炭酸カリウムの0.066g、上記で得られた化合物の21.9g、4-ヒドロキシブチルビニルエーテルHBVEの0.26g、ヘプタンの11.0g、およびパーブチルPV過酸化物重合開始剤の商品名:日本油脂社製の0.15gを投入し、オートクレーブを閉じた。次いで、オートクレーブを液体窒素により冷却し、液相を固化させた後、減圧下で脱気した。その後、テトラフルオロエチレンTFEの1.1gをオートクレーブ中に導入し、昇温して固化した液相を融解させた後、撹拌を開始した。さらに昇温してオートクレーブ内の温度を65°Cにすると、圧力が0.27MPaとなった。その温度で3.5時間撹拌を続けた後、氷浴につけて反応を停止し、オートクレーブを開放して、含フッ素共重合体を含むスラリーを回収した。次いで、含フッ素共重合体を含むスラリーに、トルエンの200mL、飽和食塩水の400mLを加え、分液ロートを用いて抽出操作を行い、有機層を回収した。回収した有機層をメタノールの2L中に注ぎ込み、得られた白色沈澱を減圧ろ過によりろ取し、40°Cで8時間減圧乾燥し、7.8gの液晶性高分子化合物Aa-11収率52を得た。得られた液晶性高分子化合物Aa-11の数平均分子量Mnは12,000、分子量分布Mw/Mnは2.09であり、共重合組成比/HBVE/TFEは36/14/50モル比であった。なお、原料単量体の仕込み量比は、/HBVE/TFEで45/5/50モル比であった。また、Tgは42°C、Tcは170°Cであった。[合成例5]液晶性高分子化合物Ab-11の合成上記アクリロイル基を有するビニルエーテル系液晶性高分子化合物Ab-1に分類される、液晶性高分子化合物下記式Ab-11に平均組成の構造が示されるを以下のとおり作製した。環流装置、撹拌装置を備えた500mlの三ツ口フラスコに、合成例4で得られた液晶性高分子化合物Aa-11の2.0g、1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアナート商品名:カレンズBEI、昭和電工社製の0.64g、DBTDLの0.2g、およびトルエンの200mlを加え、60°Cで12時間撹拌した。反応液を2Lのメタノール中に注ぎ込み、得られた白色沈澱を、減圧ろ過によりろ取し、40°Cで8時間減圧乾燥した。こうして、側鎖にアクリロイル基を有する液晶性高分子化合物Ab-11を1.8g収率78得た。高分子化合物Aa-11中の水酸基の反応率は100であり、得られた液晶性高分子化合物Ab-11の数平均分子量Mnは12,000、分子量分布Mw/Mnは2.09であった。また、Tgは41°C、Tcは172°Cであった。[合成例6]液晶性高分子化合物Ba-11の合成上記水酸基を有するジエン系液晶性高分子化合物Ba-1に分類される、液晶性高分子化合物下記式Ba-11に平均組成の構造が示されるを以下のとおり作製した。フッ素ジエン化合物の合成還流装置、撹拌機を装備した2Lの4つ口フラスコに、WO2002/065212公報に記載された方法で合成された下記式22Aで表される化合物の35gと、前記式で表される化合物2R,4aR,6S,8aS-6-1r,4R-4-プロピルシクロヘキシルデカヒドロナフタレン-2-カルボン酸の60g、THF1000mL、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩の36g、およびジメチルアミノピリジンの2.4gを加え、室温で17時間撹拌して反応させた。反応終了後、水およびジエチルエーテルを加えて分液し、有機層を回収した。回収された有機層を、飽和塩化ナトリウム水溶液400mLで洗浄した後水洗し、再び有機層を回収した。次いで、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧ろ過によって無水硫酸マグネシウムを除去した。ろ液を濃縮することによって粉末結晶を得た。この粉末結晶に、酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒を加えてシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、下記式で表される化合物の77gを得た。収率は84質量であった。含フッ素液晶性高分子化合物Ba-11の合成上記で得られた含フッ素ジエン化合物および上記式22Aで示される含フッ素ジエン化合物を原料単量体として以下の方法で重合を行い、水酸基を有する液晶性高分子化合物Ba-11を製造した。すなわち、20mlの試験管に窒素を導入した後、WO2002/065212公報に記載された方法で合成された上記式22Aで表される化合物の41mgと、合成例1で得られた含フッ素ジエン化合物2MOx0の959mg、ジオキサンの1250mg、熱重合開始剤であるV40商品名、和光純薬社製の50mgを加え、窒素下80°Cで72時間撹拌して反応させて、640mgの液晶性高分子化合物Ba-11収率64を得た。得られた液晶性高分子化合物Ba-11の数平均分子量Mnは6,000、分子量分布Mw/Mnは1.64であり、共重合組成比/22Aは87/13モル比であった。なお、原料単量体の仕込み量比は、/22Aで90/10モル比であった。また、Tgは90°C、Tcは138°Cであった。[合成例7]液晶性高分子化合物Ba-12の合成合成例6で得られた含フッ素ジエン化合物および上記式22Aで示される含フッ素ジエン化合物を原料単量体として以下の方法で重合を行い、上記水酸基を有するジエン系液晶性高分子化合物Ba-1に分類される、液晶性高分子化合物下記式Ba-12に平均組成の構造が示されるを以下のとおり作製した。すなわち、20mlの試験管に窒素を導入した後、WO2002/065212公報に記載された方法で合成された上記式22Aで表される化合物の142mgと、合成例1で得られた含フッ素ジエン化合物2MOx0の859mg、ジオキサンの1250mg、熱重合開始剤であるV40商品名、和光純薬社製の50mgを加え、窒素下80°Cで72時間撹拌して反応させ650mgの液晶性高分子化合物Ba-12収率65を得た。得られた液晶性高分子化合物Ba-12の数平均分子量Mnは、3,400、分子量分布Mw/Mnは、2.05であり、共重合組成比/22Aは69/31モル比であった。なお、原料単量体の仕込み量比は、/22Aで70/30モル比であった。また、Tgは88°C、Tcは110°Cであった。[合成例8]含フッ素液晶性高分子化合物Bb-11の合成上記アクリロイル基を有するジエン系液晶性高分子化合物Bb-1に分類される、液晶性高分子化合物下記式Bb-11に平均組成の構造が示されるを以下のとおり作製した。環流装置、撹拌装置を備えた50mlのフラスコに窒素を導入した後、合成例6で得られた液晶性高分子化合物Ba-11の1000mg、1,1-ビスアクリロイルオキシメチルエチルイソシアナート商品名:カレンズBEI、昭和電工社製の110mg、DBTDLの20mg、およびジクロロメタンの20gを加え、室温で24時間撹拌した。反応液を3gになるまで濃縮した後50mlのメタノール中に注ぎ込み、得られた白色沈澱を、遠心分離により回収し、室温で8時間減圧乾燥した。こうして、原料単量体の組成比が以下の式Bb-11で表される、側鎖にアクリロイル基を有する液晶性高分子化合物含フッ素液晶性高分子化合物を980mg収率88得た。高分子化合物Ba-11中の水酸基の反応率は100であり、得られた液晶性高分子化合物Bb-11の数平均分子量Mnは3,900、分子量分布Mw/Mnは1.68であった。また、Tgは85°C、Tcは127°Cであった。上記各合成例で得られた液晶性高分子化合物、液晶性低分子化合物を用いて液晶性組成物の調製し、図2に示す光学素子の製造装置を用いて、以下の各例の光学異方性膜を作製するとともにこれを有する光学素子を得た。[例1]1液晶性組成物Aの調製合成例1で得られた液晶性高分子化合物Cb-21と、重合開始剤としてアデカオプトマーSP-172商品名、ADEKA社製を、100:1の質量比で混合して、液晶性組成物Aを得た。得られた液晶性組成物Aは、31°Cでネマチック相を示したTg=31°C。また、ネマチック相から等方相への相転移温度Tcは139°Cであった。2サンプル前駆体の作製ガラス基板縦10cm、横10cm、厚さ0.7mmを137°Cに加熱し、該ガラス基板の上へ、液晶性組成物Aを載置して溶融させた。この状態で3分間保持することにより液晶性組成物Aの脱気を行い、その後室温まで冷却して、サンプル前駆体Aを作製した。3光学異構成膜を有する光学素子の作製前記サンプル前駆体Aを、137°Cに加熱した、光学素子を製造する装置200の下ステージ第一の多孔質の部材204上へ載せ、ガラス基板を下ステージへ吸着固定させた。その後、上記と同サイズのガラス基板1枚を上ステージ第二の多孔質の部材210へ吸着固定した。下ステージを上昇させ、基板間のギャップが10μmになったところで10分間保持した。このときのロードセル216の圧力の表示は5.0Nであり、ガラス基板間のギャップと同じ厚さ10μmに形成された液晶性組成物Aの層にかかる圧力は500Paに相当した。上下ステージの温度を109°Cまで冷却した後、速度10mm/sで0.5秒の間、下ステージのみをX軸方向に動かし、液晶性組成物層へせん断応力100,000N/m2せん断速度1,0001/s×液晶性組成物層のせん断粘度100Ns/m2を印加した。この後、下ステージを下降させて、上側のガラス基板の真上から冷風をへ吹き当て、25°Cまで冷却した。このようにして配向処理がなされた液晶性組成物層に、下ステージを下降させたままの状態で、下ステージ上で90°Cに加温しながら、真上から上側のガラス基板を介して水銀灯により260mW/cm2の照度で5分間の照射条件で光を照射して、さらに90°Cにて12時間アニールすることで架橋反応を行い、2枚のガラス基板の間に光学異構成膜を有する光学素子Aを得た。4光学素子Aの評価4-1架橋点の密度上記で得られた光学素子Aが有する光学異方性膜の架橋点の密度を算出したところ、4.2×10-4個/gであった。4-2配向性得られた光学素子Aは、リタデーションの入射角依存性の測定により、せん断方向に水平配向していることがわかった。また、光学素子Aは可視光域で透明であり、散乱も認められなかった。配向性の評価は、この方法で得られた結果から、以下に示す基準で行った。配向性の評価基準○:可視光域で透明であり、散乱も認められない。△:可視光域で透明であるが、散乱が認められる。×:可視光域で不透明であり、散乱が認められる。4-3耐熱性信頼性1次に、上記で得られた光学素子Aのリタデーションの温度依存性測定を行った。測定波長は400nmで行った。架橋前サンプル前駆体Aのリタデーションが20低下する温度が93°Cであったのに対し、架橋後光学素子Aのリタデーションが20低下する温度は130°Cであった。リタデーションの温度依存性は、サンプルをメトラー社製のFP82HTの加熱ステージの温調部分の中心に載せ、リタデーション測定装置RETS-100、大塚電子社製に組み込み測定した。光学素子Aは信頼性に優れることが確認された。信頼性はこの方法で得られた結果から、以下に基準で行った。信頼性1の評価基準○:室温でのリタデーションが20低下する温度の、架橋による温度上昇が、30°C以上である。△:室温でのリタデーションが20低下する温度の、架橋による温度上昇が、10°C以上30°C未満である×:室温でのリタデーションが20低下する温度の、架橋による温度上昇が、10°C未満である[例2]1液晶性組成物Bの調製上記合成例7で得られた液晶性高分子化合物Ba-12と、多官能イソシアナート商品名:デスモジュールN3300;バイエル社製と、重合開始剤としてのDBTDLとを、100:7.8:0.0003の質量比で混合して、液晶性組成物Bを得た。得られた液晶性組成物Bは、70°Cでネマチック相を示したTg=70°C。また、ネマチック相から等方相への相転移温度Tcは120°Cであった。2サンプル前駆体の作製ガラス基板縦10cm、横10cm、厚さ0.7mmを110°Cに加熱し、該ガラス基板の上へ、液晶性組成物Bを載置して溶融させた。この状態で3分間保持することにより液晶性組成物Bの脱気を行い、その後室温まで冷却して、サンプル前駆体Bを作製した。3光学異構成膜を有する光学素子の作製前記サンプル前駆体Bを、110°Cに加熱した、光学素子を製造する装置200の下ステージ第一の多孔質の部材204上へ載せ、ガラス基板を下ステージへ吸着固定させた。その後、上記と同サイズのガラス基板1枚を上ステージ第二の多孔質の部材210へ吸着固定した。下ステージを上昇させ、ガラス基板間のギャップが10μmになったところで10分間保持した。このときのロードセル216の圧力の表示は5.0Nであり、ガラス基板間のギャップと同じ厚さ10μmに形成された液晶性組成物Bの層にかかる圧力は500Paに相当した。上下ステージの温度を100°Cまで冷却した後、速度10mm/sで0.5秒の間、下ステージのみをX軸方向に動かし、液晶性組成物層へせん断応力100,000N/m2せん断速度1,0001/s×液晶性組成物層のせん断粘度100Ns/m2を印加した。この後、下ステージを下降させて、上側のガラス基板の真上から冷風をへ吹き当て、25°Cまで冷却した。このようにして配向処理がなされた液晶性組成物層を、下ステージを下降させたままの状態で、下ステージ上で100°Cにて12時間アニールすることで架橋反応を行い、2枚のガラス基板の間に光学異構成膜を有する光学素子Bを得た。4光学素子Bの評価4-1架橋点の密度上記で得られた光学素子Bが有する光学異方性膜の架橋点の密度を算出したところ、7.3×10-4個/gであった。4-2配向性得られた光学素子Bは、リタデーションの入射角依存性の測定により、せん断方向に水平配向していることがわかった。また、光学素子Bは可視光域で透明であり、散乱も認められなかった。配向性の評価は、この方法で得られた結果から、以下に示す基準で行った。配向性の評価基準○:可視光域で透明であり、散乱も認められない。△:可視光域で透明であるが、散乱が認められる。×:可視光域で不透明であり、散乱が認められる。4-3耐光性信頼性2次に、上記で得られた光学素子Bに、Krレーザー波長407nm、413nmのマルチモードを照射し、青色レーザー光曝露加速試験を行った。照射条件は、温度80°C、積算曝露エネルギー700Wh/mm2とした。加速試験前の透過率に対する試験後の透過率の低下は2未満であったことから、光学素子Bは青色レーザー光に対する耐久性に優れることが確認された。耐光性はこの方法で得られた結果から、以下に示す加速試験前の透過率に対する試験後の透過率の低下率を基準に行った。信頼性2の評価基準○:透過率の低下が2未満である。△:透過率の低下が2以上5未満である。×:透過率の低下が10以上である。[例3]1液晶性組成物Cの調製上記合成例6で得られた液晶性高分子化合物Ba-11と、多官能イソシアナート商品名:デスモジュールN3300;バイエル社製と、重合開始剤としてのDBTDLとを、100:2.6:0.0001の質量比で混合して、液晶性組成物Cを得た。得られた液晶性組成物Cは、90°Cでネマチック相を示したTg=90°C。また、ネマチック相から等方相への相転移温度Tcは135°Cであった。2光学素子の作製例2において液晶性組成物Bのかわりに液晶性組成物Cを用い、液晶性組成物Cをガラス基板上で溶融させる際のガラス基板の温度を130°Cとした以外は同様にしてサンプル前駆体Cを作製した。さらに、例2においてサンプル前駆体Bのかわりにサンプル前駆体Cを用い、サンプル前駆体Cを、光学素子を製造する装置に載置する際の下ステージの加熱温度を130°Cとし、せん断応力印加時の上下ステージの温度を115°Cとした以外は同様にして光学素子Cを作製した。4光学素子Cの評価得られた光学素子Cの評価を例2と同様に行った。[例4]1液晶性組成物Dの調製上記合成例8で得られた液晶性高分子化合物Bb-11と、光重合開始剤としてのイルガキュア754商品名:チバスペシャリティケミカルズ社製とを、100:0.1の質量比で混合して、液晶性組成物Dを得た。得られた液晶性組成物Dは、83°Cでネマチック相を示したTg=83°C。また、ネマチック相から等方相への相転移温度Tcは125°Cであった。2光学素子の作製例1において液晶性組成物Aのかわりに液晶性組成物Dを用い、液晶性組成物Dをガラス基板上で溶融させる際のガラス基板の温度を120°Cとした以外は同様にしてサンプル前駆体Dを作製した。さらに、例1においてサンプル前駆体Aのかわりにサンプル前駆体Dを用い、サンプル前駆体Dを、光学素子を製造する装置に載置する際の下ステージの加熱温度を120°Cとし、せん断応力印加時の上下ステージの温度を105°Cとした以外は同様にして光学素子Dを作製した。3光学素子Dの評価得られた光学素子Dの評価を例2と同様に行った。[例5]上記例2において、せん断応力をかける操作を実施しない以外は、同様にして光学素子Eを作製した。上記4-2の方法で配向性の評価を行ったところ、結果は×であった。上記例1~例5で得られた光学素子A~Eについて、得られた評価結果を、製造に用いた液晶性組成物および製造方法とともに表1に示す。"