"信号用レーザ光源から光増幅部にレーザ光をパルス発振する際に、第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させ、励起状態となっている前記光増幅部を通じて、前記信号用レーザ光源から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射するレーザ装置であって、前記第1励起用レーザ光源よりも低いレーザ出力を有する第2励起用レーザ光源と、該第2励起用レーザ光源よりも高いレーザ出力を有する第3励起用レーザ光源とを備え、前記第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させる前に、前記第2励起用レーザ光源及び前記第3励起用レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光によって前記光増幅部を予備励起させることを特徴とするレーザ装置。前記光増幅部の予備励起が、該予備励起の開始時から所定時間が経過するまでの期間、前記第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させるとともに、前記所定時間が経過して以降、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光のみによって前記光増幅部を励起させることで行われる請求項1に記載のレーザ装置。前記光増幅部の予備励起が、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させている途中で、前記第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を所定時間だけ励起させることで行われる請求項1に記載のレーザ装置。前記光増幅部の予備励起が、前記第2励起用レーザ光源及び前記第3励起用レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させつつ、前記第3励起用レーザ光源のレーザ出力を漸次低下させることで行われる請求項1に記載のレーザ装置。前記第3励起用レーザ光源のレーザ出力が、前記第1励起用レーザ光源のレーザ出力よりも高く設定されている請求項1~4のいずれか一項に記載のレーザ装置。前記信号用レーザ光源からのレーザ光の出射を開始するに際して、その第1パルスの出射が、前記第1励起用レーザ光源からレーザ光が出射されるよりも前に行われる請求項1~5のいずれか一項に記載のレーザ装置。前記第3励起用レーザ光源として前記第1励起用レーザ光源が流用される請求項1~6のいずれか一項に記載のレーザ装置。ところで、増幅光の初期パルスP20で十分な出力Lfを確保するためには、希土類ドープ光ファイバを、予備励起の段階で、ある程度のレベルまで励起させておく必要がある。ここで、第2励起用半導体レーザから出射されるレーザによって希土類ドープ光ファイバをある程度のレベルまで予備励起させるためには、先の図7に示すように、例えば時刻t10から時刻t11までの時間Ts1が必要となる。したがって、ユーザはスイッチを操作してからマーキングが開始されるまでに時間Ts1だけ待機しなければならないため、操作性の悪化が避けられず、なお改良の余地を残すものとなっている。なお、このような課題は、レーザ光の照射により加工対象物にマーキング、穴あけ、切断及び溶接等の加工を行うレーザ加工装置に限らず、希土類ドープ光ファイバ等の光増幅部を通じてレーザ光を増幅して出射する各種レーザ装置に共通する課題である。本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、操作性を向上させることのできるレーザ装置を提供することにある。上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、信号用レーザ光源から光増幅部にレーザ光をパルス発振する際に、第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させ、励起状態となっている前記光増幅部を通じて、前記信号用レーザ光源から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射するレーザ装置であって、前記第1励起用レーザ光源よりも低いレーザ出力を有する第2励起用レーザ光源と、該第2励起用レーザ光源よりも高いレーザ出力を有する第3励起用レーザ光源とを備え、前記第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させる前に、前記第2励起用レーザ光源及び前記第3励起用レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光によって前記光増幅部を予備励起させることを要旨とする。同構成によれば、第1励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって光増幅部が励起される前に、第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光、及び同第2励起用レーザ光源よりも高いレーザ出力を有する第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって光増幅部が予備励起される。よって、第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光のみによって光増幅部を予備励起させる場合と比較すると、光増幅部を、増幅光の第1パルスで十分な出力を確保することが可能な所定レベルまで短時間で励起させることができる。これにより、ユーザの待機時間を短縮することができるため、操作性が向上するようになる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のレーザ装置において、前記光増幅部の予備励起が、該予備励起の開始時から所定時間が経過するまでの期間、前記第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させるとともに、前記所定時間が経過して以降、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光のみによって前記光増幅部を励起させることで行われることを要旨とする。同構成によれば、光増幅部の予備励起の際に、まず、高いレーザ出力を有する第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって光増幅部が励起されるため、光増幅部を上記所定レベルまで、更に短時間で励起させることができる。よって、ユーザの待機時間を更に短縮することができるようになる。そしてこの場合、請求項3に記載の発明によるように、前記光増幅部の予備励起を、前記第2励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させている途中で、前記第3励起用レーザ光源から出射されるレーザ光によって前記光増幅部を所定時間だけ励起させることで行う、といった構成、あるいは、請求項4に記載の発明によるように、前記光増幅部の予備励起を、前記第2励起用レーザ光源及び前記第3励起用レーザ光源からそれぞれ出射されるレーザ光によって前記光増幅部を励起させつつ、前記第3励起用レーザ光源のレーザ出力を漸次低下させることで行う、といった構成を採用することも有効であり、これにより、光増幅部を上記所定レベルまで短時間で、しかも容易に励起させることができる。このため、請求項1に記載の発明を容易に実現することができるようになる。さらに、請求項5に記載の発明によるように、前記第3励起用レーザ光源のレーザ出力を、前記第1励起用レーザ光源のレーザ出力よりも高く設定する、といった構成を採用することも有効であり、これにより、光増幅部を上記所定レベルまで励起させるのに要する時間を一層短縮することができるため、ユーザの待機時間を一層短縮することができるようになる。請求項6に記載の発明は、請求項1~5のいずれか一項に記載のレーザ装置において、前記信号用レーザ光源からのレーザ光の出射を開始するに際して、その第1パルスの出射が、前記第1励起用レーザ光源からレーザ光が出射されるよりも前に行われることを要旨とする。同構成によるように、信号用レーザ光源からのレーザ光の第1パルスの出射を、第1励起用レーザ光源からレーザ光が出射されるよりも前に行うようにした場合、信号用レーザ光源から出射されたレーザ光の第1パルスは、予備励起の際に光増幅部に蓄積されたエネルギによって増幅されるため、増幅光の第1パルスで十分な出力を確保することが可能である。これにより、先の図7に例示したレーザ装置のように、第1励起用レーザ光源からのレーザ光の出射及び信号用レーザ光源からのレーザ光の出射を同時に行うレーザ装置と比較すると、十分な出力を有する増幅光をより早く出射することができるため、ユーザの待機時間を短縮することができるようになる。請求項7に記載の発明は、請求項1~6のいずれか一項に記載のレーザ装置において、前記第3励起用レーザ光源として前記第1励起用レーザ光源が流用されることを要旨とする。同構成によるように、第3励起用レーザ光源として第1励起用レーザ光源を流用することとすれば、新たなレーザ光源を設ける必要がないため、部品点数の増加を回避することができるようになる。本発明にかかるレーザ装置によれば、操作性を向上させることができるようになる。以下、本発明にかかるレーザ装置を適用したレーザ加工装置の一実施形態について図1~図3を参照して説明する。なお、本実施形態にかかるレーザ加工装置は、レーザ光の照射によりワークに文字や図形等をマーキングするものである。はじめに、図1を参照して、本実施形態にかかるレーザ加工装置の概要について説明する。図1に示すように、このレーザ加工装置では、ユーザが入力部3を操作して文字や図形等を入力すると、レーザ生成部1において生成されたレーザ光がヘッド部2を介してワークWに照射されて、文字や図形等がワークWにマーキングされる。レーザ生成部1は、赤外線レーザをパルス発振する信号用レーザ光源としての信号用半導体レーザ10と、同半導体レーザ10から出射されたレーザ光を増幅する増幅器20とを備えている。信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光は、光ファイバ26aを介して増幅器20に入力されて増幅された後、同増幅器20の後端に設けられた光ファイバ26dを介してヘッド部2に入射される。増幅器20は、例えば希土類元素であるイットリビウムYbを含むガラスファイバからなる希土類ドープ光ファイバ21と、該光ファイバ21をマーキングの可能な高励起状態に励起させることの可能なレーザ出力を有する第1励起用半導体レーザ22とを備えている。また、増幅器20は、第1励起用半導体レーザ22よりも低いレーザ出力を有する第2励起用半導体レーザ23を備えている。なお、本実施形態では、希土類ドープ光ファイバ21が光増幅部となっている。また、第1及び第2の励起用半導体レーザ22,23が第1及び第2の励起用レーザ光源となっている。第1励起用半導体レーザ22は、光ファイバ26cを介して希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を入射する。また、第2励起用半導体レーザ23は、光ファイバ26bを介して希土類ドープ光ファイバ21にレーザ光を入射する。なお、各半導体レーザ22,23のレーザ出力は、供給電流量に比例して変化する。一方、希土類ドープ光ファイバ21は、図示しないボビンに多数回巻回されることにより所要長の光路が確保された構造を有している。なお、同図では、希土類ドープ光ファイバ21の入射端21aから出射端21bに向かう方向を矢印aで示している。希土類ドープ光ファイバ21の入射端21a及び出射端21bには、第1及び第2の光結合部24,25がそれぞれ設けられている。第1光結合部24には、信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光が光ファイバ26aを介して入射されるとともに、第2励起用半導体レーザ23から出射されたレーザ光が光ファイバ26bを介して入射される。第1光結合部24は、信号用半導体レーザ10から出射されたレーザ光、及び第2励起用半導体レーザ23から出射されたレーザ光を希土類ドープ光ファイバ21の入射端21aに矢印aで示す方向にそれぞれ入射させる。そして、第2励起用半導体レーザ23から出射されたレーザ光が第1光結合部24を介して希土類ドープ光ファイバ21に入射されることにより、希土類ドープ光ファイバ21がマーキングの不可能な低励起状態にて予備励起される。一方、第2光結合部25には、希土類ドープ光ファイバ21の出射端21bから出射されたレーザ光が入射されるとともに、第1励起用半導体レーザ22から出射されたレーザ光が光ファイバ26cを介して入射される。第2光結合部25は、第1励起用半導体レーザ22から出射されたレーザ光を希土類ドープ光ファイバ21の出射端21bに矢印aで示す方向と逆の方向に入射させる。これにより、希土類ドープ光ファイバ21がマーキング可能な高励起状態に励起される。また、第2光結合部25は、希土類ドープ光ファイバ21の出射端21bから出射されたレーザ光増幅光を光ファイバ26dを介してヘッド部2に出射する。なお、光ファイバ26aには、レーザ光を矢印aで示す方向にのみ通過させる光アイソレータ27が設けられている。すなわち、この光アイソレータ27によって、光ファイバの接合部分やレーザ反射面で反射された光が信号用半導体レーザ10に逆流して同半導体レーザ10が損傷することが防止されている。一方、ヘッド部2は、レーザ生成部1の光ファイバ26dから出射される増幅光を平行光あるいは収束光に絞るコリメータレンズ40を備えている。コリメータレンズ40を通じて絞られた増幅光は、ヘッド部2に設けられた光走査機構41によって所要の方向に反射される。光走査機構41は、増幅光を反射する2つのガルバノミラーを有して構成されるものであって、各ガルバノミラーの傾斜角度を変化させることにより、コリメータレンズ40を通じて絞られた増幅光を所要の方向に走査させるものである。光走査機構41にて反射された増幅光は、集光レンズ42によりスポットレーザ光に絞り込まれる。そして、絞り込まれた増幅光がワークWの表面上を走査することにより所望のマーキングが行われる。また、入力部3は、上述のように、ワークWに印字する文字や図形等が入力される部分であるとともに、ユーザによってマーキングの開始及び停止などの操作が行われる部分でもある。入力部3は、文字や図形などが入力されると、その入力情報を出力する。また、入力部3は、マーキング開始操作及び停止操作が行われると、そのことを示す操作信号を出力する。そして、これら入力部3の出力は、マイクロコンピュータを中心に構成された制御部5に取り込まれる。制御部5は、入力部3の出力に基づきドライバ30~32を通じて半導体レーザ10,22,23の供給電流量をそれぞれ制御することで、各半導体レーザ10,22,23の駆動、停止、並びにレーザ出力を制御する。また、制御部5は、光走査機構41の駆動も制御する。具体的には、制御部5は、まず、入力部3から入力情報が送信されると、これを内蔵するメモリ5aに記憶させる。その後、入力部3から出力される操作信号に基づきマーキング開始操作が行われたことを検知すると、まず、ドライバ31,32を介して第1励起用半導体レーザ22及び第2励起用半導体レーザ23を駆動させることにより、希土類ドープ光ファイバ21を所定時間だけ予備励起させる。その後、メモリ5aに記憶された入力情報に基づき、ドライバ30,31を介して信号用半導体レーザ10及び第1励起用半導体レーザ22を駆動させるとともに、光走査機構41を駆動させることにより、文字や図形等をワークWにマーキングする。次に、図2を参照して、マーキングを行う処理の手順について説明する。なお、図2に示す処理は、入力部3から出力される操作信号に基づきマーキング開始操作が行われたことを検知したときに実行される。また、第1高レーザ出力La1は、増幅光の出力に応じて設定されるものであって、希土類ドープ光ファイバ21をマーキングの可能な高励起状態に励起させることの可能なレーザ出力を示す。同図2に示すように、この処理では、まず、ドライバ31を介して第1励起用半導体レーザ22から第2高レーザ出力La2でレーザ光を連続発振させるとともにステップS1、ドライバ32を介して第2励起用半導体レーザ23から低レーザ出力Lbでレーザ光を連続発振させるステップS2。なお、第2高レーザ出力La2は、上記第1高レーザ出力La1よりも大きい値に設定されている。また、低レーザ出力Lbは、上記第1高レーザ出力La1よりも低い値であって、希土類ドープ光ファイバ21をマーキングの不可能な低励起状態に励起させることの可能な値に設定されている。そして、続くステップS3の処理として、各半導体レーザ22,23においてレーザ光の発振を開始してから第1所定時間Taが経過したか否かが監視される。なお、第1所定時間Taは、ステップS1及びS2の処理を所定時間Taだけ実行してもマーキングが行われない十分短い長さに設定されている。そして、第1所定時間Taが経過した場合にはステップS3:YES、第1励起用半導体レーザ22においてレーザ光の発振が停止されるとともにステップS4、その時点から第2所定時間Tbが経過したか否かが監視されるステップS5。なお、第2所定時間Tbは、第1高レーザ出力La1の値に依存して決定されるものであって、増幅光の第1パルスで十分な出力を確保することのできる値に設定されている。そして、第2所定時間Tbが経過した場合にはステップS5:YES、メモリ5aに記憶された入力情報に基づいてマーキング動作が開始されるステップS6。具体的には、制御部5は、まず、ドライバ30を介して信号用半導体レーザ10をパルス発振させる。そして、信号用半導体レーザ10からレーザ光の出射が開始されたときにその第1パルスが出射されてから第2パルスが出射されるまでの間に、ドライバ31を介して第1励起用半導体レーザ22から第1高レーザ出力La1でレーザ光を連続発振させる。これにより、第1励起用半導体レーザ22から出射されたレーザ光が希土類ドープ光ファイバ21に入射されて、希土類ドープ光ファイバ21が高励起状態に励起される。よって、信号用半導体レーザ10から出射されたパルスレーザ光は、高励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ21を通過する際に増幅されて、ヘッド部2に入射される。そして、制御部5は、これら半導体レーザ10,22の駆動に併せて光走査機構41の駆動を制御することにより、ヘッド部2に入射されたレーザ光を所要の方向に走査させ、文字や図形等をワークW上にマーキングする。次に、図3を参照して、本実施形態にかかるレーザ加工装置の動作例作用について説明する。図3に示すように、例えば時刻t1でユーザが入力部3に対してマーキング開始操作を行ったとすると、図3aに示すように、第1励起用半導体レーザ22が第2高レーザ出力La2でレーザ光を連続発振するとともに、図3bに示すように、第2励起用半導体レーザ23が低レーザ出力Lbでレーザ光を連続発振する。そして、図3aに示すように、時刻t1から第1所定時間Taが経過した時刻t2の時点で、第1励起用半導体レーザ22においてレーザ光の発振が停止される。これにより、図3cに示すように、時刻t1から時刻t2までの期間は励起光源の総レーザ出力が特に強くなるため、希土類ドープ光ファイバ21が特に強く励起されることとなる。このため、希土類ドープ光ファイバ21は、高励起状態までは励起されないものの、ある程度のレベルまで即座に励起される。よって、時刻t2以降、第2励起用半導体レーザ23から出射されるレーザ光のみによって希土類ドープ光ファイバ21が励起されるときに、希土類ドープ光ファイバ21を、増幅光の第1パルスで十分な出力を確保することが可能な所定レベルまで、短時間で励起させることができる。具体的には、時刻t2から第2所定時間Tbが経過した時刻t3の時点で、希土類ドープ光ファイバ21が上記所定レベルまで励起される。そして、本実施形態のレーザ加工装置では、図3dに示すように、時刻t3で信号用半導体レーザ10がレーザ光のパルス発振を開始する。このとき、信号用半導体レーザ10から出射されるレーザ光の第1パルスP10は、予備励起の際に希土類ドープ光ファイバ21に蓄積されたエネルギによって増幅されるため、図3eに示すように、増幅光の第1パルスP1で十分なレーザ出力Lcを確保することができる。また、信号用半導体レーザ10からレーザ光の第1パルスP10が出射された直後の時刻t4の時点で、図3aに示すように、第1励起用半導体レーザ22が第1高レーザ出力La1でレーザ光を連続発振するため、時刻t4から希土類ドープ光ファイバ21が高励起状態に励起される。よって、時刻t4以降に信号用半導体レーザ10からパルス発振されるレーザ光は、高励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ21を通じて増幅されるため、図3eに示すように、同増幅光の第2パルス以降のパルスについても十分なレーザ出力Lcが確保される。したがって、時刻t3からワークWへのマーキングが適切に行われることとなる。このようなレーザ加工装置によれば、入力部3に対してマーキング開始操作を行った時点から実際にマーキングが開始されるまでに要する時間を、先の図7に例示した時間Ts1から、図3に示す時刻t1から時刻t4までの時間Ts2に短縮することができる。したがって、ユーザの待機時間を短縮することができるため、操作性が向上する。以上説明したように、本実施形態にかかるレーザ加工装置によれば、以下のような効果が得られるようになる。1第1励起用半導体レーザ22から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を励起させる前に、第1励起用半導体レーザ22及び第2励起用半導体レーザ23からそれぞれ出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させることとした。これにより、第2励起用半導体レーザ23から出射されるレーザ光のみによって希土類ドープ光ファイバ21を励起させる場合と比較すると、希土類ドープ光ファイバ21を上記所定レベルまで短時間で励起させることができるため、ユーザの待機時間を短縮することができる。よって、操作性が向上するようになる。2希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させるにあたり、予備励起の開始時から第1所定時間Taが経過するまでの期間、第1励起用半導体レーザ22からレーザ光を出射するとともに、第1所定時間Taが経過して以降、第2励起用半導体レーザ23のみからレーザ光を出射することとした。これにより、希土類ドープ光ファイバ21を上記所定レベルまで励起させるのに要する時間を更に短縮することができるため、ユーザの待機時間を更に短縮することができるようになる。3希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させる際に、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を第2高レーザ出力La2に、すなわち希土類ドープ光ファイバ21を高励起状態に励起させることの可能な第1高レーザ出力La1よりも高いレーザ出力に設定することとした。これにより、希土類ドープ光ファイバ21を上記所定レベルまで励起させるのに要する時間を一層短縮することができるため、ユーザの待機時間を一層短縮することができるようになる。4信号用半導体レーザ10からのレーザ光の出射を開始するに際して、その第1パルスの出射を、第1励起用半導体レーザ22から第1高レーザ出力La1でレーザ光が出射されるよりも前に行うこととした。これにより、十分な出力を有する増幅光をより早く出射することができるため、ユーザの待機時間を短縮することができるようになる。5第2励起用半導体レーザ23よりも高いレーザ出力を有する第3励起用レーザ光源として、第1励起用半導体レーザ22を流用することとした。これにより、新たなレーザ光源を設ける必要がないため、部品点数の増加を回避することができるようになる。なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させる際に、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を、第1高レーザ出力La1以下であって且つ、低レーザ出力Lbよりも低い範囲のレーザ出力に設定してもよい。このような構成であっても、従来のレーザ加工装置と比較すると、希土類ドープ光ファイバ21を上記所定レベルまで短時間で励起させることができるため、ユーザの待機時間を短縮することが可能である。希土類ドープ光ファイバ21を予備励起させる方法として、例えば図4~図6に示すような方法を採用することもできる。すなわち、図4a,bに示すように、第2励起用半導体レーザ23からレーザ光を連続発振している途中で、第1励起用半導体レーザ22から第2高レーザ出力La2で所定時間Tcだけレーザ光を連続発振してもよい。また、図5a,bに示すように、第1励起用半導体レーザ22及び第2励起用半導体レーザ23の双方からレーザ光を連続発振しつつ、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を第2高レーザ出力La2から階段状に低下させてもよい。あるいは図6a,bに示すように、第1励起用半導体レーザ22のレーザ出力を第2高レーザ出力La2から直線状に低下させてもよい。このような構成であっても、希土類ドープ光ファイバ21を上記所定レベルまで短時間で、しかも容易に励起させることができる。なお、これらの方法を採用する場合、第2高レーザ出力La2の値を適宜変更してもよい。信号用半導体レーザ10からレーザ光の出射を開始する時期を、第1励起用半導体レーザ22から第1高レーザ出力La1でレーザ光が出射されたとき、あるいはそれ以降に設定してもよい。上記実施形態では、第2励起用半導体レーザ23よりもレーザ出力が高い第3励起用レーザ光源として、第1励起用半導体レーザ22を流用することとしたが、半導体レーザを別途設けてもよい。なお、先の図5aに例示したように、レーザ光源のレーザ出力を階段状に漸次低下させる場合には、各レーザ出力に応じた複数の半導体レーザを設けてもよい。上記実施形態では、本発明にかかるレーザ加工装置を、2つの励起用半導体レーザを備えるレーザ加工装置に適用することとしたが、例えば3つ以上の励起用半導体レーザを備えるレーザ加工装置に適用することも可能である。上記実施形態では、本発明にかかるレーザ装置を、ワークにマーキングを行うレーザ加工装置レーザマーカーに適用することとしたが、例えばワークに穴あけ、切断、及び溶接等の加工を行うレーザ加工装置に適用することも可能である。また、レーザ加工装置に限らず、希土類ドープ光ファイバ21等の光増幅部を通じてレーザ光を増幅して出射する各種レーザ装置に適用することも可能である。"