"量子ドットを利用した量子ドット型光検出装置であって、複数の前記量子ドットを含んで、入射した赤外線を吸収することにより光電流を出力する光検出ユニットと、前記光検出ユニットに前記赤外線が入射するか否かを制御するシャッタ装置と、を備えて、前記光検出ユニットに前記赤外線が入射する場合に出力される第1の電流と、前記光検出ユニットに前記赤外線が入射しない場合に出力される第2の電流との差分である前記光電流の検出を行うことを特徴とする量子ドット型光検出装置。請求項1に記載の量子ドット型光検出装置であって、前記光検出ユニットに、量子井戸層又は障壁層が設けられていることを特徴とする量子ドット型光検出装置。量子ドットを利用した量子ドット型光検出装置であって、複数の前記量子ドットを含んで、入射した赤外線を吸収することにより光電流を出力する光検出ユニットと、前記光検出ユニットと上下関係をなして形成されて、少なくとも前記量子ドットを含まない対照ユニットと、を備えて、前記赤外線が前記光検出ユニットと前記対照ユニットとに入射した際に出力される電流の差分に基づき前記光電流の検出を行うことを特徴とする量子ドット型光検出装置。請求項3に記載の量子ドット型光検出装置であって、前記光検出ユニット及び前記対照ユニットに、量子井戸層又は障壁層が設けられていることを特徴とする量子ドット型光検出装置。請求項3又は4に記載の量子ドット型光検出装置であって、前記対照ユニットが、前記量子ドットを含んで前記光検出ユニットと同一仕様に形成され、かつ、当該対照ユニットと前記光検出ユニットとの間に、前記光検出ユニットを透過する赤外線が前記対照ユニットに入射しないように当該光検出ユニットに向けて反射させる分布ブラッグ反射鏡を設けたことを特徴とする量子ドット型光検出装置。請求項3乃至5のいずれか1項に記載の量子ドット型光検出装置であって、前記光検出ユニット及び前記対照ユニットが、複数の基本膜を交互に積層して形成された多層膜で、かつ、前記光検出ユニットと前記対照ユニットとの前記多層膜の積層順序が逆順であることを特徴とする量子ドット型光検出装置。しかしながら、上述した特許文献1にかかる構成では、下部多重量子井戸層と上部多重量子井戸層のエネルギーバリヤやドープ濃度が異なるため、暗電流の補償は近似的なものに過ぎず、その効果は限定的であった。また、特許文献2にかかる構成では、光結合構造を含む第1画素を形成するためのプロセスが別途必要になるのでコストアップの要因となり、またこの第1画素と並設して第2画素を形成するために、チップサイズが大きくなる問題がある。また、特許文献3及び特許文献4にかかる構成では、十分に暗電流を補償できない問題があった。そこで、本発明の主目的は、十分に暗電流が補償でき、かつ、安価な量子ドット型光検出装置を提供することである。上記課題を解決するために、複数の量子ドットを含んで、入射した赤外線を吸収することにより光電流を出力する光検出ユニットと、光検出ユニットに赤外線が入射するか否かを制御するシャッタ装置と、を備えて、光検出ユニットに赤外線が入射する場合に出力される第1の電流と、光検出ユニットに赤外線が入射しない場合に出力される第2の電流との差分に基づき光電流の検出を行うことを特徴とする。シャッタにより赤外線が入射する場合と入射しない場合の電流を検出するので、安価に、かつ、完全に暗電流を補償した光電流の検出が行えるようになる。<第1の実施形態>本発明の第1の実施形態を説明する。図1は、本実施形態にかかる量子ドット型光検出装置10Aの斜視図である。また、図2は、図1における量子ドット型光検出装置10AのA-A-A断面図である。量子ドット型光検出装置10Aは、半導体基板11に形成された光検出ユニット20Aと、シャッタ装置12とを備える。なお、図2において、半導体基板11の基板成長軸は、上下方向に設定されている。半導体基板11は、母材基板11aとバッファ層11bとからなる。シャッタ装置12は、遮蔽部材12a、この遮蔽部材12aに形成された開口部12b、この開口部12bを開閉するシャッタ12cを含んでいる。光検出ユニット20Aは、検出側下電極21aと検出側上電極21bとからなる検出側電極部21、検出側下コンタクト層22aと検出側上コンタクト層22bとからなる検出側コンタクト部22、検出側中間層23と複数の量子層24とからなる量子部25、を含んでいる。そして、半導体基板11の上に、検出側下コンタクト層22a、検出側中間層23、量子層24、検出側上コンタクト層22b、検出側上電極21bが順次積層されている。この積層体に隣接する検出側下コンタクト層22aの上には、検出側下電極21aが形成されている。なお、図1等においては、光検出ユニット20Aは、円柱体をなす場合について図示しているが、本発明は円柱体に限定するものではないことを予め付言する。量子層24は、濡れ層24aとキャップ層24bとの2層構造である。濡れ層24aは、自分より直下層のキャップ層24b又は検出側中間層23との格子ミスマッチによる歪みエネルギーを減少させるために、自分より直上層のキャップ層24b側に複数の量子ドット24cを生成する。このような量子ドット型光検出装置10Aの詳細な構成及び製造方法を図2及び図3に示すフローチャートを参照して説明する。ステップS1:半導体基板11は、母材基板11aにバッファ層11bの2層構造である。バッファ層11bは、母材基板11aに分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法を用いて結晶成長させて製造される。以下、各種の膜の製法においては、このような分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法が用いられる。母材基板11aとして、例えばIII-V族半導体のGaAsが例示できる。また、バッファ層11bの組成は、母材基板11aと同一組成であることが望ましい。例えば、母材基板11aがGaAsの場合には、バッファ層11bもGaAsにすることが好ましい。以下の説明においては、母材基板11aとしてGaAs基板を例に説明する。ステップS2:次に、バッファ層11bの上に、厚さ数100nmの検出側下コンタクト層22aを形成する。この検出側下コンタクト層22aは、例えばGaAsにSi等のn型不純物を適当な濃度例えば、1018cm-3で添加して形成する。これにより、検出側下コンタクト層22aは、真性半導体である検出側中間層23に対してn型又はp型の不純物を高濃度で含む半導体層となり、検出側下電極21aとオーミック接合するようになる。一般に金属電極と半導体との界面にはショットキー障壁が形成されるが、半導体の不純物濃度が高いほど実効的な障壁厚さは薄くなって、トンネル電流が大きくなる。本実施形態のように不純物量が、約1018cm-3と高濃度の場合には、実効的に金属半導体オーミック接合として取り扱うことができる。ステップS3,S4:次に、検出側下コンタクト層22aの上に検出側中間層23を形成する。その後、検出側中間層23の上に量子層24を複数層形成する。検出側中間層23は、GaAs、AlAs等のIII-V族の半導体材料又はそれらの混晶が好適である。また、量子層24の濡れ層24aは、検出側中間層23よりもバンドギャップが狭い、InSb、InAs、InGaAs等のIII-V族の半導体材料が好ましい。S-Kモードの量子ドットは、例えばGaAsの検出側中間層23の上に、GaAsより格子定数の大きなInAsの濡れ層を数モノレイヤだけ積層することで形成される。さらに、キャップ層24bは、例えば検出側中間層23と同じGaAs、AlAs等のIII-V族の半導体材料又はそれらの混晶を用いることができる。ステップS5:量子層24の層数は、要求される感度等に応じて設定される。そこで、量子層24の積層数が設定数に達したか否かを判断する。設定数に達しない場合には、ステップS4に戻り、設定数に達した場合にはステップS6に進む。本実施形態は、量子層24が1層だけの場合を排除するものではない。量子層24を積層する際に、量子層24の上層、下層又は内層にAlGaAs障壁層やInGaAs量子井戸層等を設けても良い。このような量子井戸層を設けることにより感度が向上するV.M.Ustinovetal.APPLIEDPHYSICSLETTERSVol74,No19,2815-28171999を参照。ステップS6,S7:次に、検出側下コンタクト層22aと同様に、高濃度の不純物がドープされた検出側上コンタクト層22bを形成する。そして、このようにして形成された積層体に対して、露光、現像、エッチング等の技術を用いてパターニングする。以下、便宜上、パターニングされた積層体を中間積層体と記載する。ステップS8:中間積層体に対して、検出側上電極21b及び検出側下電極21aを形成する。検出側上電極21b及び検出側下電極21aは、それぞれ検出側上コンタクト層22b及び検出側下コンタクト層22aとオーミック接合する。検出側上電極21b及び検出側下電極21aが検出側上コンタクト層22b及び検出側下コンタクト層22aとn型コンタクトするための検出側上電極21b及び検出側下電極21aの材料として、Ti/Au等を用いることができる。逆に、p型コンタクトするためには、検出側上電極21b及び検出側下電極21aの材料として、Ti/Zn/Au等を用いることができる。なお、本明細書では、Ti/Au等のように記載したときは、Tiの上にAuを積層した膜であることを意味するものとする。検出側上電極21b及び検出側下電極21aの形成には、リフトオフ法等の種々の方法が利用できる。リフトオフ法を用いる場合は、先ず中間積層体の上にレジストを塗布する。そして、電子線又は紫外線リソグラフィーによって検出側上電極21b及び検出側下電極21aの形状に対応した潜像を形成し、現像液で現像してレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、検出側上電極21b及び検出側下電極21aの形状に対応する領域のレジストが抜けたパターンとする。その後、検出側上電極21b及び検出側下電極21aとなる金属を電子線金属蒸着等により成膜する。この状態で、レジストの剥離を行う。これにより、レジストの上に蒸着された金属は、レジストの剥離と同時に除去されて、検出側上電極21b及び検出側下電極21aの領域に金属膜が残る。この残った金属膜が検出側上電極21b及び検出側下電極21aとなる。以上により、メサ構造の光検出ユニット20Aが形成される。光検出ユニット20Aは、半導体基板11に複数個同時形成されるので、光検出ユニット20A毎に切り出す処理ダイシングが行われ、所定の支持基材等にマウントされる。この支持基材としては、例えばセラミックやSi基板等が例示できる。そして、ワイヤーボンディング等により、検出側上電極21b及び検出側下電極21aは、電圧印加のための直流電圧源や読み出し用のIC回路等に接続される。結線材として、Au、Cu又はAlで、太さ約100μm以下の金属細線が利用できる。次に、シャッタ装置12について説明する。先ず、所定厚みの遮蔽部材12aとしてフォトレジスト等の有機高分子膜を用いる場合には、紫外線リソグラフィー技術等を適宜用いて開口部12bを形成し、例えば約200度の高温で焼結する。そして、シャッタ12cを遮蔽部材12aに取り付ける。以下の説明では、シャッタ12cは、機械的に駆動されて、開口部12bを開閉する場合について説明するが、例えば、互いに直交する直線偏光の偏光子間のなす角度をパラメータとした光学的なシャッタや、電圧印加で粒子の配向を制御して光の透過率を制御する液晶を用いたシャッタ等が適用可能である。また、検出する赤外光の入射方向が、図2において下から上方向である場合には、シャッタ装置12を半導体基板11側に設けることも可能である。次に、このような量子ドット型光検出装置10Aの動作を説明する。量子ドット型光検出装置10Aに赤外線が入射すると、この量子ドット型光検出装置10Aには電流が流れる。この電流は、赤外線が入射したことによる光電流と、暗電流とを含んでいる。そして、量子ドット型光検出装置を初めとする光検出装置においては、暗電流が小さいことが望まれる。暗電流は、[1]バイアス印加によるバイアス電流、[2]ドーパントに起因した熱励起による暗電流成分、[3]量子ドット層間のトンネル電流による暗電流成分の3種類に大別されるA.Rogaisketal.JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS105,0911012009を参照。[1]バイアス電流図4を参照しながらキャリアが電子の場合のバイアス電流について説明する。なお、キャリアが正孔の場合も同様の議論が成り立つ。図4は、一般的な量子ドット型光検出装置におけるバイアス電圧印加時の伝導帯CBのバンドダイヤグラムである。量子ドット型光検出装置は、n型の上電極コンタクト層を含むPa及び下電極コンタクト層を含むPbの間に量子ドットを含む量子部Pが設けられたn-i-n構造で、電流を取出すためにバイアス電圧が印加されている。フェルミ面マッチングにより伝導帯Cvのn-i界面にはポテンシャルバリアが形成されるが、電流を取り出すために上下のn型コンタクト層に電圧を印加すると、電子は高バイアス側のn-i界面のバリアを乗り越えて流れ始める。この時の電流がバイアス電流である。バイアス電流は、量子ドット内のサブバンド間遷移に起因する光電流に対する雑音成分となるものの光検出後の量子ドットにキャリアを再捕獲させるためには必須である。バイアス電流の大きさは、量子部Pの有無よりもn-i界面のポテンシャルバリアにより決まり、また量子井戸層や障壁層が存在する場合には、その組成や膜厚に応じて決まる。[2]ドーパントに起因した熱励起による暗電流成分この暗電流成分は、ドーパントに起因して生成される熱励起電子によるものである。量子ドット型光検出装置では、コンタクト層以外にも量子ドットの荷電状態をコントロールするために、低濃度のn型又はp型の不純物を添加している。このようなドナー例えば、GaAs基板に対するSi原子中の電子、又は、アクセプター例えば、GaAs基板に対するBe原子中の正孔は、母材半導体の伝導帯又は価電子帯に対して弱く束縛されていて、それらが熱エネルギーを獲得してフリーキャリアとなる割合は温度によって変化する。従って、量子ドット型光検出装置では、環境温度変化に応じてドーパントに起因した暗電流成分が増減する。なお、量子ドットのサブバンド間のエネルギーは、100meV程度であり、室温程度の熱エネルギーと比較してずっと大きい。[3]量子ドット層間のトンネル電流による暗電流成分S-Kモードの量子ドット積層構造では、量子ドットの直上に格子歪みのエネルギーが蓄積するために、量子ドット層間の距離が小さい場合には、次層の量子ドットも同一の場所に連なって成長する傾向にある。このため量子ドット層間の距離が小さい典型的には20~30nm以下程度と、各々の量子ドット中のキャリアの波動関数の重なりにより、キャリアがトンネルして、暗電流となる。このような暗電流による検出感度の低下を抑制又は補償するために、本実施形態では、シャッタ12cを開閉させて、2つの状態における検出電流値から暗電流成分を除去する。即ち、バイアス印加条件を変えずに、シャッタ12cを開いた場合と、シャッタ12cを閉じた場合との電流値を計測する。シャッタ12cを開いた場合には、赤外線は光検出ユニット20Aに入射するが、シャッタ12cを閉じた場合には、赤外線は光検出ユニット20Aに入射しない。暗電流は、赤外線が入射するか否かにかかわらず発生するので、シャッタ12cの開閉時における電流値の差分は、赤外線による光電流に相当する。より具体的に説明する。量子ドット型光検出装置が、時刻tからδt秒の間に出力した電流値Iの平均値を<It:δt>と記載する。このとき、シャッタ12cを開けた状態で、時刻tdからδt秒間だけ電流値Iを測定し、その平均値第1の電流値を<Itd:δt>とする。この電流値<Itd:δt>は、赤外線による光電流Ieと、暗電流Idとの和である。その後、シャッタ12cを閉じた状態で、時刻trからδt秒間だけ電流値Iを測定し、その平均値第2の電流値を<Itr:δt>とする。この電流値<Itr:δt>は、暗電流Idのみである。従って、光電流Ieは、Ie=<Itd:δt>-<Itr:δt>となる。以上説明したように、暗電流を補償した光電流を得ることができるので、信号雑音比の高い量子ドット型光検出装置を提供することができる。<第2の実施形態>次に、本発明の第2の実施形態を説明する。なお、第1の実施形態と同一構成に関しては同一符号を用いて説明を適宜省略する。第1の実施形態においては、シャッタを開閉した際の電流の差分から暗電流を補償して、赤外線により発生する光電流のみが検出できるようにした。これに対し、本実施形態では、シャッタを閉じた状態に対応する電流と、シャッタを開けた状態に対応する電流とを同時に計測できるように対照ユニットを設けた。図5は、本実施形態にかかる量子ドット型光検出装置10Bの斜視図である。また、図6は、図5におけるB-B断面図である。量子ドット型光検出装置10Bは、半導体基板11の上に形成された光検出ユニット20Aと、この光検出ユニット20Aの上に形成された対照ユニット30Bとを備える。なお、図5においては、光検出ユニット20Aの上に対照ユニット30Bが重ねて設けられた構成を示しているが、本発明はこの順序に限定するものではなく、対照ユニット30Bの上に光検出ユニット20Aを設けた構成であっても良い。しかし、図5に示すように、光検出ユニット20Aの上に対照ユニット30Bを形成する構成では、土台となる光検出ユニット20Aの径が対照ユニット30Bより大きくなるので、感度を稼ぐ意味で好ましい配置である。以下の説明では、光検出ユニット20Aの上に対照ユニット30Bを重ねて設けた構成を例に説明する。このとき光検出ユニット20Aと対照ユニット30Bとの基板成長軸に垂直方向の断面積比は、詳細に分かっているものとする。対照ユニット30Bは、複数のダミー層34により形成されたダミー部35、対照側上コンタクト層32a及び対照側下コンタクト層を含む対照側コンタクト部32、対照側上電極31a及び対照側下電極を含む対照側電極部31、を備える。ダミー部35は、光検出ユニット20Aの検出側上コンタクト層22bの上に形成され、このダミー部35の上に対照側中間層33、対照側上コンタクト層32a、対照側上電極31aが順次形成されている。なお、本実施形態においては、対照側下コンタクト層及び対照側下電極は、光検出ユニット20Aの検出側上コンタクト層22bと検出側上電極21bにより兼ねられている。そこで、以下の説明においては、対照側下電極を兼ねる検出側上電極21bを共通電極21b、対照側下コンタクト層を兼ねる検出側上コンタクト層22bを共通コンタクト層22bと記載する。しかしながら、本発明は、このように対照側下コンタクト層及び対照側下電極を、検出側上コンタクト層と検出側上電極により兼ねる構成に限定するものではない。光検出ユニット20Aと対照ユニット30Bとの製造は、第1の実施形態における光検出ユニット20Aの製造方法と同様の手順を繰り返すことにより行われる。即ち、母材基板11aにバッファ層11b、検出側下コンタクト層22a、検出側中間層23を順次形成し、所定数の量子層24を形成する。そして、最上層の量子層24の上に共通コンタクト層検出側上コンタクト層22bを形成する。これにより、光検出ユニット20Aの母体が形成される。この共通コンタクト層22bの厚さは、プロセスの容易さを勘案して、約200nm以上が好ましい。次に、共通コンタクト層22bの上に所定層数のダミー層34が形成され、その上に対照側中間層33及び対照側上コンタクト層32aが順次形成される。なお、対照側中間層33及びダミー層34は、検出側中間層23と同じ材質で形成されている。また、ダミー層34は光検出ユニット20Aにおける量子層24の厚みと同じ寸法に設定され、またその層数は量子層24と同じ数に設定されている。これにより、対照ユニット30Bの母体が形成される。このように光検出ユニット20Aは量子ドット24cを含むが、対照ユニット30Bは量子ドット24cを含まない点で相違している。次に、レジストを塗布し、リソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてレジストパターンを形成する。この段階で形成されるレジストパターンは、光検出ユニット20Aの形状に対応している。そこで、このレジストパターンをエッチングマスクとして光検出ユニット20Aの積層体を形成する。その後、同じようにレジストを塗布し、リソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてレジストパターンを形成する。この段階で形成されるレジストパターンは、対照ユニット30Bの形状に対応している。そこで、このレジストパターンをエッチングマスクとして対照ユニット30Bの積層体を形成する。光検出ユニット20A及び対照ユニット30Bの積層体が形成されると、対照側上電極31a、共通電極21b及び検出側下電極21aとなる金属膜を形成する。このとき、リフトオフ法を用いる場合には、対照側上電極31a、共通電極21b及び検出側下電極21aの形状に対応した開口を持つレジストパターンを形成し、その上からTi/Au等やTi/Zn/Au等の金属膜を電子線金属蒸着等により形成する。そして、レジスト剥離を行うことにより、レジスト上の金属膜が除去されて、対照側上電極31a、共通電極21b及び検出側下電極21aが形成される。このようにして製造された量子ドット型光検出装置10Bの対照側上電極31aと検出側下電極21aに同電位の電圧を印加し、共通電極21bをグランドとする。これにより、光検出ユニット20Aと対照ユニット30Bとには同じバイアスが印加される。検出側下電極21a及び対照側上電極31aと、共通電極21bとの間には、それぞれ光検出ユニット20A及び対照ユニット30Bで発生した電流が流れる。そこで、光検出ユニット20Aからの電流値と、対照ユニット30Bからの電流値との差分を、これらの断面積比を勘案して求めることにより、暗電流成分が補償された電流値が得られる。この電流値が光電流となる。このように、対照ユニットと光検出ユニットとが上下関係を成すように形成したので、単位画素を構成する素子面積が小さくなり、量子ドット型光検出装置の小型化が行える。また、対照ユニットは半導体の製造技術をそのまま利用できるので、新規設備の導入等が不要になる利点がある。さらに、光検出ユニットと対照ユニットとは、一体化されているので、光検出ユニットと対照ユニットとの温度は、常に概ね等しくなり、かつ、温度分布の変化幅も小さくできるので、光電流の検出精度が向上する。なお、量子ドット型光検出装置は、量子井戸層や障壁層を含んでいても良い。以下、量子井戸層を含む場合を、図7を参照して説明する。図7において光検出ユニット20Aの量子層24は、濡れ層24a、キャップ層24b、量子ドット24cを備えると共に、濡れ層24aとキャップ層24bに挟まれるように量子井戸層24dを備えている。また、対照ユニット30Bのダミー部35は、中間層35a、量子井戸層35bを備えている。光検出ユニット20Aにおいては、濡れ層24aの上に量子井戸層24dが配置されているが、対照ユニット30Bにおいては量子井戸層35bの上に中間層35aが配置されている。このように、光検出ユニット20Aと対照ユニット30Bとは、量子層24に濡れ層24aと量子ドット24cが含まれている点のみが相違している。なお、量子井戸層35bの順序が逆になる理由は、光検出ユニット20Aと対照ユニット30Bとに加えられるバイアスの向きに対応させているからである。従って、光検出ユニット20Aを流れる電流値と、対照ユニットを流れる電流値との差分を求めることにより、暗電流成分を含まない赤外線の入射による光電流のみを検出することができる。なお、上述した量子ドット型光検出装置10Bの構成は、光検出ユニット20A及び対照ユニット30Bは、複数の基本膜を交互に積層して形成された多層膜で、かつ、光検出ユニット20Aと対照ユニット30Bとの基本膜の積層順序が逆順であると表現できる。即ち、例えば図7において、光検出ユニット20Aにおける基本膜は、濡れ層24a、量子井戸層24d、キャップ層24bに相当し、対照ユニット30Bにおける基本膜は、中間層35a、量子井戸層35bに相当する。そして、量子井戸層に注目すると、量子井戸層24dの上にキャップ層24b、濡れ層24aが順次位置し、この量子井戸層24dに対応する量子井戸層35bの下にキャップ層24b及び濡れ層24aに対応する中間層35aが位置している。これにより、光検出ユニット20A及び対照ユニット30Bにおける基本膜の積層順序は、逆順と表現できる。<第3の実施形態>次に、本発明の第3の実施形態を説明する。なお、第2の実施形態と同一構成に関しては、同一符号を用いて説明を適宜省略する。第2の実施形態においては、暗電流を補償するために対照ユニットを設けた。この対照ユニットには赤外線が入射するので、量子ドットは形成されていなかった。これに対し、本実施形態では、光検出ユニットと同じように量子ドットを含む構成とし、断面積のみが異なる対照ユニットを設けた。そして、この対照ユニットに赤外線が入射しないように、光検出ユニットと対照ユニットとの間に分布ブラッグ反射鏡を設けた構成とした。このような構成を、図8を参照して説明する。図8は、本実施形態にかかる量子ドット型光検出装置10Cの断面図である。図6に示す第2の実施形態にかかる量子ドット型光検出装置10Bとの比較において、対照ユニットのダミー層34が量子層36により形成されている点が相違する。量子層36は、濡れ層36a、キャップ層36bを備えると共に、複数の量子ドット36cを有している。また、共通コンタクト層22bは光検出ユニット20Aの検出側上コンタクト層22bと、対照ユニット30Cの対照側下コンタクト層32bに分割され、共通電極21bは光検出ユニット20Aの検出側上電極21bと、対照ユニット30Cの対照側下電極31bに分割されている。そして、検出側上コンタクト層22bと対照側下コンタクト層32bとの間に、分布ブラッグ反射鏡40が設けられている。分布ブラッグ反射鏡40は、例えば検出側中間層23と同質の膜と、この膜に対して屈折率の異なる半導体層とを交互に複数積層して形成された多層膜である。このような膜として、例えば、GaAsとAlGaAsとを対として、複数対が積層された膜が例示できる。このとき、膜厚は量子ドット型光検出装置10Cの検出エネルギーにおける各々の材質中での波長の4分の1に設定されている。そして、充分な性能反射率を得るためには、多層膜の数は20から30以上が好ましい。なお、光検出ユニット20Aと対照ユニット30Cの基板成長軸と垂直方向の断面積比は、設計仕様であり、詳細に分かっているものとする。以下の説明において、赤外線は、図8の紙面下側から上方に向かって入射されるものとする。そして、光検出ユニット20Aに入射した赤外線の一部は量子層24で吸収され、残りは分布ブラッグ反射鏡40で略完全反射される。このため、対照ユニット30Cに赤外線は入射しない。従って、光検出ユニット20Aにおいて検出された電流と、対照ユニット30Cにおいて検出された電流との差分を求めることにより、暗電流成分を含まない光電流のみが検出できるようになる。特に、対照ユニット30Cにおいても、量子ドット36cが形成されているので、この量子ドット36cに起因したドット間トンネル電流も差し引かれる。従って、得られる光電流は、赤外線の吸収により発生した光電流のみとすることができ、高い信号雑音比が達成できる。なお、上述した量子ドット型光検出装置10Cにおける光検出ユニット20A及び対照ユニット30Cの積層順序に関しても、第2の実施形態と同様に、光検出ユニット20A及び対照ユニット30Cは、複数の基本膜を交互に積層して形成された多層膜で、かつ、光検出ユニット20Aと対照ユニット30Cとの基本膜の積層順序が逆順であると表現できる。即ち、例えば図8において、光検出ユニット20Aにおける基本膜は、濡れ層24a、キャップ層24bに相当し、対照ユニット30Bにおける基本膜は、濡れ層36a、キャップ36bに相当する。そして、濡れ層24aの上にキャップ層24bが位置しているのに対し、キャップ36bの下に濡れ層36aが位置している。これにより、光検出ユニット20A及び対照ユニット30Cにおける基本膜の積層順序は、逆順と表現できる。"