"略截頭円錐形状のスルーホールが設けられ、該スルーホールの小径側に接続されるストリップラインが設けられた第1の誘電体基板と、この第1の誘電体基板が層間接続されるものであって、前記スルーホールの大径側が接続される前記ストリップラインと同一インピーダンス特性を有し、前記ストリップラインに比してライン幅が幅広で、順に幅広に設定された複数のマイクロストリップラインが連設された前記第1の誘電体基板と異なる材料で形成される第2の誘電体基板と、を具備することを特徴とする回路基板。前記ストリップラインのライン幅、前記スルーホールの小径側の内径及び大径側の外径、前記複数のマイクロストリップラインのライン幅は、順に大きく設定されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。前記複数のマイクロストリップラインは、前記ストリップラインに比してライン幅が幅広な前記スルーホールの大径側に接続される第1のマイクロストリップラインと、該第1のマイクロストリップラインのライン幅に比して幅広なライン幅を有する第2のマイクロストリップラインで形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の回路基板。前記第1の誘電体基板は、電気部品を構成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の回路基板。以上のように、従来の回路基板では、インピーダンス特性が不連続となり、反射特性が劣化されるという問題を有する。そこで、目的は、簡便にして、容易に反射特性の最適化を図り得るようにした回路基板を提供することにある。本実施の形態によれば、回路基板は、ストリップラインの設けられる第1の誘電体基板がマイクロストリップラインの設けられる材料の異なる第2の誘電体基板に層間接続されて構成される。第1の誘電体基板には、略截頭円錐形状のスルーホールが設けられ、該スルーホールの小径側が前記ストリップラインに接続されている。前記第2の誘電体基板は、前記スルーホールの大径側が接続される前記ストリップラインと同一インピーダンス特性を有し、前記ストリップラインに比してライン幅が幅広で、順に幅広に設定された複数のマイクロストリップラインが連設されている。以下、実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、一実施形態に係る回路基板を示すもので、第1及び第2の誘電体基板10,11は、異なる材料で形成されて層間接続される。この第1及び第2の誘電体基板10,11には、それぞれ外面側となる一方の面にグランド層12が形成される。第1の誘電体基板10は、例えば電気部品を構成し、図2に示すように50Ωのストリップライン101が形成される。そして、この第1の誘電体基板10のストリップライン101の接続部位には、略截頭円錐形状のスルーホール102が、その小径側が接続されて形成される。このスルーホール102は、その小径側内径がストリップライン101のライン幅より、径大に形成され、その大径側が第1の誘電体基板10の他方の面に接続可能に配置されている。他方の第2の誘電体基板11には、例えばマイクロストリップラインを構成する第1のマイクロストリップライン111が形成される。この第1のマイクロストリップライン111のライン幅は、上記第1の誘電体基板10のスルーホール102の大径側より幅広に形成され、該第1の誘電体基板10のスルーホール102の大径側が、例えば半田接続されて層間接続される。そして、この第1のマイクロストリップライン111の基端には、上記第2の50Ωのマイクロストリップライン112が連設されて段形状のライン構造が形成される。この第2のマイクロストリップライン112は、ライン幅が上記第1のマイクロストリップライン111のライン幅より幅広に形成されている。ここで、上記第1の誘電体基板10のストリップライン101、スルーホール102、第2の誘電体基板11の第1及び第2のマイクロストリップライン111,112の各設定寸法の関係について説明する。例えば図3に示すように第1の誘電体基板10のストリップライン101のライン幅を1とすると、スルーホール102の小径側内径寸法が3.14、大径側外径寸法が3.92、第2の誘電体基板11の第1のマイクロストリップライン111のライン幅が19.61、第2のマイクロストリップライン112のライン幅が41.18の比率に設定される。上記構成により、第1及び第2の誘電体基板10,11は、スルーホール102の大径側が第1のマイクロストリップライン111に半田接続されて層間接続されると、第1の誘電体基板10のストリップライン101及びスルーホール102、第2の誘電体基板11の第1及び第2のマイクロストリップライン111,112の接続部位のインピーダンス特性が均一な連続構造に設定される。これにより、第1及び第2の誘電体基板10,11は、層間接続された状態において、最適な反射特性VSWRを有した高周波回路が形成される。このように、上記回路基板は、層間接続する一方の第1の誘電体基板10にストリップライン101を形成して、このストリップライン101の接続部位に略截頭円錐形状のスルーホール102の小径側が接続されて設けられ、層間接続する他方の材料の異なる第2の誘電体基板11に上記スルーホール102の大径側が半田接続されるスルーホールの大径側外径よりライン幅が幅広で、順に幅広に設定した第1及び第2のマイクロストリップライン111,112を連設して形成するように構成した。上記構成によれば、第1の誘電体基板10のストリップライン101及びスルーホール102、第2の誘電体基板11の第1及び第2のマイクロストリップライン111,112の各接続部位のインピーダンス特性が均一な連続構造を実現することができることにより、容易に最適な反射特性が得られる。従って、本実施形態によれば、簡便にして、容易に反射特性の最適化を図り得るようにした回路基板を提供することができる。なお、上記実施形態では、第2の誘電体基板11にライン幅を順に幅広に設定した2段のライン構造を有した第1及び第2のマイクロストリップライン111,112を設け、この第2の誘電体基板11とストリップライン101を配した第1の誘電体基板10とを層間接続するように構成した場合について説明したが、このライン構造に限ることなく、その他、第2の誘電体基板11にライン幅を順に幅広に設定した3段以上の複数段形状のライン構造を有するマイクロストリップラインを設けて層間接続するように構成することも可能であり、同様の効果が期待される。以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。この新規な実施形態は、その他のいろいろな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"