凹部を含むパターンが形成された複数の基板を多段にして反応管に搭載するステップと、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを前記反応管へ供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜する成膜ステップと、フッ酸ガス及びアンモニアガスを前記反応管へ供給することにより、前記成膜ステップにおいて成膜された前記酸化シリコン膜をエッチングするエッチングステップと、を含み、前記成膜ステップと前記エッチングステップとが交互に繰り返される成膜方法。前記エッチングステップにおいて、前記成膜ステップにおいて前記凹部の側壁の上端部に成膜された前記酸化シリコン膜に対するエッチング速度が、前記凹部の底部に成膜された前記酸化シリコン膜に対するエッチング速度よりも速くなるようにエッチングされる、請求項1に記載の成膜方法。前記成膜ステップから前記エッチングステップへ切り替える際に、エッチングステップに適したエッチング条件を設定するための条件変更ステップを更に含む、請求項1又は2に記載の成膜方法。前記エッチングステップから前記成膜ステップへ切り替える際に、成膜ステップに適した成膜条件を設定するための他の条件変更ステップを更に含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の成膜方法。凹部を含むパターンが形成される複数の基板を多段に支持するウエハ支持部と、下部に開口部を有する有蓋形状を有し、前記ウエハ支持部が前記開口部から挿入可能な反応管と、前記反応管内において前記ウエハ支持部により支持される前記複数の基板に対し、シリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給部、酸素含有ガスを供給する酸素ガス供給部、フッ酸ガスを供給するフッ酸ガス供給部、及びアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給部と、前記複数の基板に対してシリコン含有ガス及び酸素含有ガスを供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜し、前記酸化シリコン膜が成膜された前記複数の基板に対してフッ酸ガス及びアンモニアガスを供給することにより、前記酸化シリコン膜をエッチングするように、前記シリコン含有ガス供給部、前記酸素ガス供給部、前記フッ酸ガス供給部、及びアンモニアガス供給部を制御する制御部とを備える成膜装置。前記凹部の側壁の上端部に成膜された前記酸化シリコン膜に対するエッチング速度が、前記凹部の底部に成膜された前記酸化シリコン膜に対するエッチング速度よりも速くなるようにエッチングされる、請求項5に記載の成膜装置。このような問題を解決するため、高密度プラズマHDP-化学堆積CVD法を用いて成膜とスパッタエッチとを同時に進行させることにより、良好な埋込特性を得ることが試みられている特許文献1。しかし、このようなHDP-CVD法は、枚葉式のCVD装置には適用可能であるが、スループットの点で有利なバッチ式のCVD装置においてHDP-CVD法を行おうとすると、高い均一性が得られないおそれがある。本発明は、上記の事情を考慮し、良好な埋込特性が得られるバッチ式の成膜装置及び成膜方法を提供する。本発明の第1の態様によれば、凹部を含むパターンが形成された複数の基板を多段にして反応管に搭載するステップと、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを前記反応管へ供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜する成膜ステップと、フッ酸ガス及びアンモニアガスを前記反応管へ供給することにより、前記成膜ステップにおいて成膜された前記酸化シリコン膜をエッチングするエッチングステップと、を含み、前記成膜ステップと前記エッチングステップとが交互に繰り返される成膜方法が提供される。本発明の第2の態様によれば、凹部を含むパターンが形成される複数の基板を多段に支持するウエハ支持部と、下部に開口部を有する有蓋形状を有し、前記ウエハ支持部が前記開口部から挿入可能な反応管と、前記反応管内において前記ウエハ支持部により支持される前記複数の基板に対し、シリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給部、酸素含有ガスを供給する酸素ガス供給部、フッ酸ガスを供給するフッ酸ガス供給部、及びアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給部と、前記複数の基板に対してシリコン含有ガス及び酸素含有ガスを供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜し、前記酸化シリコン膜が成膜された前記複数の基板に対してフッ酸ガス及びアンモニアガスを供給することにより、前記酸化シリコン膜をエッチングするように、前記シリコン含有ガス供給部、前記酸素ガス供給部、前記フッ酸ガス供給部、及びアンモニアガス供給部を制御する制御部とを備える成膜装置が提供される。本発明の実施形態によれば、良好な埋込特性が得られるバッチ式の成膜装置及び成膜方法が提供される。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態によるALD装置を模式的に示す縦断面図であり、図2は、図1のALD装置の横断面図である。図1に示すように、成膜装置80は、下端が開口された有天井の円筒体状を有する、たとえば石英により形成される処理容器1を有している。処理容器1内の上方には、石英製の天井板2が設けられている。また、処理容器1の下端開口部には、例えばステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド3がOリング等のシール部材4を介して連結されている。マニホールド3は処理容器1の下端を支持する支持部材として働くとともに、側面に設けられた複数の貫通孔にそれぞれ接続される配管から所定のガスを処理容器1内へ供給する。マニホールド3の下部には、マニホールド3の下端開口部を開閉する例えばステンレススチール製の蓋部9が例えばOリングよりなるシール部材12を介して連結されている。蓋部9は中央に開口を有しており、この開口を回転シャフト10が気密に貫通している。回転シャフト10の上端部にはテーブル8が取り付けられ、テーブル8の上には石英製の保温筒7を介してウエハボート5が設けられている。ウエハボート5は3本の支柱6を有し図2参照、支柱6に形成された溝により多数枚のウエハWが支持される。回転シャフト10が図示しない回転機構により中心軸の周りに回転することにより、ウエハボート5もまた回転することができる。回転シャフト10の下端部は、図示しない昇降機構により上下動可能に支持されるアーム13に取り付けられている。アーム13の上下動により、ウエハボート5が処理容器1内へ搬入され、搬出される。なお、回転シャフト10と蓋部9の開口との間には磁性流体シール11が設けられ、これにより処理容器1が密閉される。また、成膜装置80は、処理容器1内へ酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給機構14と、処理容器1内へSi含有ガスを供給するSi含有ガス供給機構15と、処理容器1内へフッ酸HFガスを供給するHF供給機構210と、処理容器1内へアンモニアNH3ガスを供給するNH3供給機構240とを有している。酸素含有ガス供給機構14とSi含有ガス供給機構15は、処理容器1内のウエハW上に酸化シリコン膜を成膜するために使用され、HF供給機構210とNH3供給機構240は、ウエハWに成膜された酸化シリコン膜の一部をエッチングするために使用される。酸素含有ガス供給機構14は、酸素含有ガス供給源17と、酸素含有ガス供給源17からの酸素含有ガスを導く酸素含有ガス配管17Lと、酸素含有ガス配管17Lに接続され、マニホールド3の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなる酸素含有ガス分散ノズル19とを有している。酸素含有ガス分散ノズル19の垂直部分には、複数のガス吐出孔19aが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス吐出孔19aから水平方向にほぼ均一に酸素含有ガスを吐出することができる。また、酸素含有ガス配管17Lには、開閉バルブ17aと、酸素含有ガスの流量を制御する流量制御器17bとが設けられている。これらにより、酸素含有ガスの供給の開始/停止、および流量が制御される。Si含有ガス供給機構15は、Si含有ガス供給源20と、Si含有ガス供給源20からのSi含有ガスを導くSi含有ガス配管20Lと、Si含有ガス配管20Lに接続され、マニホールド3の側壁を内側へと貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなるSi含有ガス分散ノズル22とを有している。図示の例では、2本のSi含有ガス分散ノズル22が設けられており図2参照、各Si含有ガス分散ノズル22には、その長さ方向に沿って複数のガス吐出孔22aが所定の間隔を隔てて形成されている。これにより、各ガス吐出孔22aから水平方向に処理容器1内にほぼ均一にSi含有ガスを吐出することができる。なお、Si含有ガス分散ノズル22は1本のみであってもよい。また、Si含有ガス配管20Lには、開閉バルブ20a、流量制御器20b、バッファータンク180、および開閉バルブ20cが設けられている。例えば開閉バルブ20cを閉じたまま開閉バルブ20aを開け、Si含有ガス源20からSi含有ガスを所定の流量で流すことにより、バッファータンク180内にSi含有ガスを一時的に溜めることができる。その後、開閉バルブ20aを閉じて開閉バルブ20cを開けば、所定の量のSi含有ガスを処理容器1内へ供給することが可能となる。これらにより、Si含有ガスの供給の開始/停止、および流量が制御される。HFガス供給機構210は、HFガス供給源21と、HFガス供給源21と接続され、HFガスを導くHFガス配管21Lと、HFガス配管21Lに接続され、マニホールド3の側壁を内側へと貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる例えばセラミック管よりなるHFガス分散ノズル45とを有している。HFガス分散ノズル45には、その長さ方向に沿って図2に示すガス吐出孔45aが複数個、所定の間隔を隔てて形成されている。これにより、各ガス吐出孔45aから水平方向に処理容器1内にほぼ均一にHFガスを吐出することができる。また、HFガス配管21Lには、開閉バルブ21aと、HFガスの流量を制御する流量制御器21bとが設けられている。これらにより、HFガスの供給の開始/停止、および流量が制御される。NH3ガス供給機構240は、NH3ガス供給源24と、NH3ガス供給源24と接続され、NH3ガスを導くNH3ガス配管24Lと、NH3ガス配管24Lに接続され、マニホールド3の側壁を内側へと貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなるNH3ガス分散ノズル46とを有している。NH3ガス分散ノズル46には、その長さ方向に沿って図2に示すガス吐出孔46aが複数個、所定の間隔を隔てて形成されている。これにより、各ガス吐出孔46aから水平方向に処理容器1内にほぼ均一にNH3ガスを吐出することができる。また、NH3ガス配管24Lには、開閉バルブ24aと、NH3ガスの流量を制御する流量制御器24bとが設けられている。これらにより、NH3ガスの供給の開始/停止、および流量が制御される。処理容器1の側壁の一部には、酸素含有ガスのプラズマを形成するプラズマ生成機構30が形成されている。このプラズマ生成機構30は、処理容器1の側壁に上下に細長く形成された開口31と、開口31を外側から覆うように処理容器1の外壁に気密に溶接されたプラズマ区画壁32とを有している。プラズマ区画壁32は、断面凹部状をなし上下に細長く形成され、例えば石英で形成されている。プラズマ区画壁32により、処理容器1の側壁の一部が凹部状に外側へ窪んでおり、プラズマ区画壁32の内部空間は処理容器1の内部空間に連通する。また、開口31は、ウエハボート5に保持されている全てのウエハWを高さ方向においてカバーできるように上下方向に十分に長く形成されている。また、プラズマ生成機構30は、このプラズマ区画壁32の側壁の外面に上下方向に沿って互いに対向するようにして配置された細長い一対のプラズマ電極33、33と、プラズマ電極33、33に給電ライン34を介して接続されプラズマ電極33、33へ高周波電力を供給する高周波電源35とを有している。そして、高周波電源35からプラズマ電極33、33に対し例えば13.56MHzの高周波電圧を印加することにより酸素含有ガスのプラズマを発生させることができる。なお、この高周波電圧の周波数は、13.56MHzに限定されず、他の周波数、例えば400kHz等であってもよい。プラズマ区画壁32の内部空間には、処理容器1内を上方向に延びる途中で処理容器1の半径方向外方へ屈曲された酸素含有ガス分散ノズル19が、プラズマ区画壁32の直立面に沿って上方に向けて伸びている。このため、高周波電源35からプラズマ電極33、33間に高周波電圧が印加され、両電極33、33間に高周波電界が形成されると、酸素含有ガス分散ノズル19のガス吐出孔19aから吐出された酸素含有ガスがプラズマ化されて処理容器1の中心に向かって流れる。プラズマ区画壁32の外側には、これを覆うようにして例えば石英よりなる絶縁保護カバー36が取付けられている。また、この絶縁保護カバー36の内側には、図示しない冷媒通路が設けられており、例えば冷却された窒素ガスを流すことによりプラズマ電極33、33を冷却することができる。なお、上述の2本のSi含有ガス分散ノズル22は、処理容器1の側壁の開口31の両側に起立して設けられており、Si含有ガス分散ノズル22に形成された複数のガス吐出孔22aから処理容器1の中心方向に向けてSi含有ガスを吐出することができる。Si含有ガスとしては、ジクロロシランDCSSiH2Cl2、ヘキサクロロジシランHCDガス、モノシランSiH4、ジシランSi2H6、ヘキサメチルジシラザンHMDS、テトラクロロシランTCS、ジシリルアミンDSA、トリシリルアミンTSA、ビスターシャルブチルアミノシランBTBAS、ジイソプロピルアミノシランDIPAS等を用いることができる。また、酸素含有ガスとしては、亜酸化窒素N2Oガス、酸素O2ガス、オゾンガスO3等を用いることができる。一方、処理容器1の開口31に対向する部分には、処理容器1内を排気するための排気口37が設けられている。この排気口37は処理容器1の側壁を上下に細長く削り取ることによって形成されている。処理容器1の外側には、図2に示すように、排気口37を覆うように断面凹部状に成形された排気口カバー部材38が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材38は、処理容器1の側壁に沿って上方に延びており、処理容器1の上方にガス出口39を画定している。そして、ガス出口39は、処理容器1の主弁MVおよび圧力調整器PCを介して真空ポンプVPに接続され、これにより処理容器1内が排気される。真空ポンプVPは、例えばメカニカルブースタポンプとターボ分子ポンプを含んで良い。また、処理容器1の外周を囲むように、処理容器1およびその内部のウエハWを加熱する筐体状の加熱ユニット40が設けられている図2においては、加熱ユニット40を省略している。成膜装置80の各構成部の制御、例えば開閉バルブ17a、20a、20c、21a、24aの開閉による各ガスの供給/停止、流量制御器17b、20b、21b、41bによるガス流量の制御、および高周波電源35のオン/オフ制御、加熱ユニット40の制御等は例えばマイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ50により行われる。コントローラ50には、工程管理者が成膜装置80を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置80の稼働状況を表示するディスプレイ等からなるユーザインターフェース51が接続されている。また、コントローラ50には、成膜装置80で実行される各種処理をコントローラ50の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置80の各構成部に処理を実行させるための各種のプログラムまたはレシピが格納された記憶部52が接続されている。プログラムには、後述する成膜方法を成膜装置80に実行させる成膜プログラムが含まれる。また、各種のプログラムは記憶媒体52aに記憶され、記憶部52に格納され得る。記憶媒体52aは、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CD-ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを記憶部52へ適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース51からの指示等にて任意のプログラムを記憶部52から呼び出してコントローラ50に実行させることで、コントローラ50の制御下で、成膜装置80での所望の処理が行われる。すなわち、成膜プログラムが実行される場合、コントローラ50は、成膜装置80の各構成部を制御して、成膜方法を実行する制御部として機能する。第2の実施形態次に、図3及び図4Aを参照しながら、本発明の第2の実施形態による成膜方法を、上述の成膜装置80を用いて実施する場合を例にとり説明する。図3は、本実施形態の成膜方法を示すタイムチャートであり、図4Aは、本実施形態の成膜方法により酸化シリコン膜が成膜されるウエハWの断面図を主要ステップごとに模式的に示す断面図である。図4Aaを参照すると、ウエハWには、例えば約30nmの幅を有する複数のラインLが形成され、隣り合う2つのラインLの間には、例えば約30nmの幅を有するスペースSが形成されている。このようなラインスペースパターンは、例えばダブルパターニングDP技術により形成することができる。なお、ラインLは、図示の例では、シリコンにより形成されているが、これに限らず、金属で形成されていても良い。まず、上述の図4Aaに示すパターンを有するウエハWがウエハボート5に搭載され、アーム13によりウエハボート5が処理容器1内に収容される。その後、処理容器1内にいずれのガスも供給しないで処理容器1の主弁MVを開き、圧力制御器PCの圧力調整弁を全開にして、真空ポンプVPにより、処理容器1内を到達真空度まで排気する。また、加熱ユニット40により例えば10°Cから700°Cまでの範囲内の温度にウエハWを加熱する。次に、成膜ステップS1図3において酸化シリコンがウエハW上に成膜される。具体的には、図1に示す酸素ガス配管17Lの開閉バルブ17aが開き、酸素含有ガス供給源17に貯留されたN2Oガスが流量制御器17bにより制御されて酸素含有ガス分散ノズル19へ供給される。酸素含有ガス分散ノズル19へ供給されたN2Oガスは、複数のガス吐出孔19aからウエハWへ向かって流れる。一方、Siガス配管20Lの開閉バルブ20a及び20cが開き、Si含有ガス供給源20に貯留されたDCSガスが、流量制御器20bにより制御されてSi含有ガス分散ノズル22へ供給され、ガス吐出孔22aから吐出され、ウエハWに向かって流れる。これらのガスがウエハWの表面近傍において反応し、図4Abに示すように、ラインスペースパターンを覆うように酸化シリコン膜61がウエハW上に成膜される。酸化シリコン膜61の膜厚が例えば15nm程度となった時点で、DCSガス及びN2Oガスの供給を停止することにより、成膜ステップS1が終了する。なお、15nm程度の膜厚となるのに要する時間は、例えば予備実験において求めた成膜レートに基づいて決定することができる。また、DCSガス及びN2Oガスを用いて成膜する酸化シリコンHTO膜61は、図4Abに強調して図示するように、ラインLの側壁の上端において膜厚が厚くなり、いわゆるオーバーハング形状を呈するbreadloaf形状とも言う。次に、加熱ユニット40を調整することにより、例えば25°Cから300°Cまでの範囲内にウエハWの温度を変更する条件変更ステップS2図3。温度が変更され、安定した後、CORChemicalOxideRemovalステップS3が行われる。具体的には、図1に示すHFガス配管21Lの開閉バルブ21aを開くと、流量調整器21bにより制御される流量例えば10sccmから5000sccm、好ましくは200sccmから1000sccmでHFガス供給源21からHFガス分散ノズル45へHFガスが供給される。そして、HFガス分散ノズル45のガス吐出孔45aからHFガスが吐出され、ウエハWへ向かって流れる。これに合わせて、NH3ガス配管24Lの開閉バルブ24aを開くと、流量調整器24bにより制御される流量例えば10sccmから5000sccm、好ましくは200sccmから1000sccmでNH3ガス供給源24からNH3ガス分散ノズル46へNH3ガスが供給される。そして、NH3ガス分散ノズル46のガス吐出孔46aからHFガスが吐出され、ウエハWへ向かって流れる。また、このとき、圧力制御器PCにより処理容器1内が例えば10Paから13300Paまでの範囲内の圧力に調整される。HFガス及びNH3ガスにより、ウエハWに成膜した酸化シリコン膜61の表層部は、HFガス及びNH3ガスと反応してケイフッ化アンモニウムNH42SiF6に変性する。ケイフッ化アンモニウムは、約130°C以上の温度において容易に昇華するため、図4Acに示すように、酸化シリコン膜61がエッチングされて薄くなる。また、上述の条件HFガス供給量、NH3ガス供給量、処理容器1内の圧力、ウエハWの温度などは、図4Acに示すように、ラインLの上面及び側壁上端部における酸化シリコン膜61に対するエッチング速度は速く、スペースSの底部における酸化シリコン膜61に対するエッチング速度は遅くなるように設定されている。具体的には、予備実験やシミュレーション等により、そのような条件を設定することが好ましい。このため、ラインLの側壁上端におけるオーバーハングHはほぼ消失する。しかも、スペースSにおける酸化シリコン膜61で画成される開口は、スペースSの底部において狭く、上方に向かうに従って広くなっている。次に、開閉バルブ21aと開閉バルブ24aとを閉めることによりHFガス及びNH3ガスの供給を停止して、処理容器1内を到達真空度まで排気しつつ、加熱ユニット40を調整することにより、ウエハWの温度を再び成膜時の温度に変更する条件変更ステップS4。温度が変更され、安定した後、再び成膜ステップS1が行われる。このとき、CORステップS3においてエッチングされて開口の上方が広がった酸化シリコン膜61に対して酸化シリコンが更に成膜されるため、図4Adに示すように、オーバーハング形状にはなり難くなる。この後、条件変更ステップS2、CORステップS3、条件変更ステップS4、及び成膜ステップS1を繰り返していくと、酸化シリコン膜61上へ酸化シリコンが更に成膜され、また、酸化シリコン膜61におけるラインLの側壁の上端部側が速いエッチング速度でエッチングされるため、図4Aeに示すように、スペースSにおける酸化シリコン膜61の断面形状は、ほぼV字形状となる。酸化シリコンが更に成膜されると、V字形状が浅くなるようにして、スペースSが埋め込まれていく。このようにして、ウエハW上の酸化シリコン膜61が所定の膜厚ラインLの上面における膜厚に達するまで成膜ステップS1、条件変更ステップS2、CORステップS3、及び条件変更ステップS4をこの順に繰り返すと、図4Afに示すように、スペースSが酸化シリコン膜16により埋め込まれる。以上のとおり、本実施形態による成膜方法によれば、Si含有ガスとしてのDCSガスと酸素含有ガスとしてのN2Oガスとによる酸化シリコン膜61の成膜成膜ステップS1と、HFガスとNH3ガスとによる酸化シリコン膜61のエッチングCORステップS3とが、同一の処理容器1内において交互に行われる。CORステップS3では、例えばラインLの側壁の上端部側においてエッチング速度が速いため、スペースSにおける酸化シリコン膜16の開口は上端に向かって広がる形状を有する。このため、スペースSはボイドが生じることなく埋め込まれる。仮に、CORステップS3を行うことなく、DCSガスとN2Oガスによる成膜のみを行う場合には、図4Baからcに示すようにオーバーハングHが大きくなっていき、隣り合うオーバーハングHが接してしまい、図4Bdに示すようにスペースSを埋め込む酸化シリコン膜610にはボイド62が生じることとなる。このことから、本実施形態の効果が理解される。第3の実施形態次に、図5Aを参照しながら、本発明の第3の実施形態による成膜方法を説明する。本実施形態による成膜方法おいても上述の成膜装置80が用いられる。また、本実施形態による成膜方法においては、第3の実施形態による成膜方法と同様に、図3に示す成膜ステップS1、条件変更ステップS2、CORステップS3、及び条件変更ステップS4がこの順に繰り返される。また、成膜ステップS1においてSi含有ガスとしてのビスターシャリブチルアミノシランBTBASガスと、酸素含有ガスとしての酸素O2ガスとが用いられ、いわゆる原子層堆積ALD法により酸化シリコンが成膜される。以下、相違点を中心に説明する。まず、第2の実施形態と同様に、図5Aaに示すようなラインスペースパターンを有するウエハWが処理容器1内に収容され、処理容器1内を到達真空度まで排気するとともに、加熱ユニット40により例えば10°Cから500°Cまでの範囲内の温度にウエハWを加熱する。この間、Si含有ガス供給源20と処理容器1とを繋ぐSi含有ガス配管20Lの開閉バルブ20cを閉じたまま開閉バルブ20aを開けて、Si含有ガス供給源20からのBTBASガスを流量制御器20bで流量制御しつつ流し、バッファータンク180内にBTBASガスを溜めておく。このとき、バッファータンク180内に溜められるBTBASガスの量BTBASガス分子数は、ウエハボート5に支持されるウエハWの表面をBTBASガス分子で覆うことができるように設定され、具体的には予備実験から決定して良い。次に、開閉バルブ20aを閉じたまま開閉バルブ20cを開けることにより、バッファータンク180内に溜められていたBTBASガスが、Si含有ガス配管20L及びSi含有ガス分散ノズル22を通して処理容器1内に供給される。これにより、ウエハWの表面にBTBASガスが吸着する。続けて、開閉バルブ20cを閉じて、酸素含有ガス配管17Lの開閉バルブ17aを開くことにより、流量制御器17bで流量制御されたO2ガスが、酸素含有ガス配管17L及び酸素含有ガス分散ノズル19を通して処理容器1内に供給される。このとき、プラズマ生成機構30の高周波電源35から高周波電力を電極33、33へ供給し、O2ガスをプラズマ化する。これにより、プラズマにより活性化されたO2ガス酸素ラジカル、酸素イオン等を含むが、ウエハWへ供給される。そして、半導体ウエハWに吸着されたBTBASガスが酸化され、一分子層又は複数分子層の酸化シリコン膜61が成膜される。以下、BTBASガスのウエハWの表面への吸着と、吸着したBTBASガスのO2プラズマによる酸化とが複数回繰り返されて、図5Abに示すように、所定の膜厚を有する酸化シリコン膜61が得られる。このようなALD法によれば、酸化シリコン膜61は、下地のラインスペースパターンのラインLの側面及び上面、並びにスペースSの底部においてほぼ等しい膜厚を有し、下地のパターンを反映した断面形状コンフォーマル形状を有することになる。次に、第2の実施形態と同様に、条件変更ステップS2を経て、CORステップS3が行われる。これにより、ラインLの側壁の上端部及び上面に成膜された酸化シリコン膜61が速いエッチング速度でエッチングされ、図5Acに示すように、スペースSにおいて、酸化シリコン膜61は上端に向かって開口が広がるような形状となる。なお、CORステップS3においては、例えば第2の実施形態において説明したのと同様に決定することが好ましい。続けて、条件変更ステップS4から、条件変更ステップS4、成膜ステップS1、条件変更ステップS2、が繰り返されることにより、図5Ad及び図5Aeのように酸化シリコン膜61が厚くなっていく。そして、図5Afに示すように、スペースSが、酸化シリコン膜61によりボイドが生じることなく、埋め込まれる。仮に、CORステップS3を行うことなく、BTBASガスとO2プラズマとを用いて酸化シリコン膜のALDを行うと、図5Bb及び図5Bcに示すように、コンフォーマル形状を維持しつつ、酸化シリコン膜610が厚くなっていく。この場合、スペースSにおいては、両側のラインLの側壁から、これらの側壁とほぼ平行な垂直方向に延びる酸化シリコン膜61の表面が互いに近づくこととなり、その間の隙間が徐々に狭くなる。特に、両側から酸化シリコン膜61が接する直前においては極めて狭い隙間が生じているに過ぎず、副生成物例えばBTBASガス分子中の有機物等が外部へ排気され難くなる。そのため、副生成物が酸化シリコン膜61中に取り込まれてしまう可能性がある。そうすると、互いに接触した界面63シームにおいては不純物濃度が高くなっているおそれがある。また、シーム63においては酸素原子とシリコン原子との間の結合手が形成されず、欠陥が多数含まれている可能性もある。すなわち、このようなシーム63においては、酸化シリコン膜61の膜質が悪化している可能性がある。このような場合、後続のエッチング工程において、シーム63が過剰にエッチングされてしまうといった問題が生じ得る。しかし、本実施形態による成膜方法によれば、CORステップS3において、HFガスとNH3ガスとを用いたエッチングにより、図5Ac及びeに示すように、スペースSにおける酸化シリコン膜16の開口は上端に向かって広がり、ほぼV字状の形状を有することとなる。このような形状を有する酸化シリコン膜16に対して成膜ステップS1とCORステップS3を交互に行うと、スペースSにおけるV字形状が浅くなっていく。すなわち、ラインLの側壁とほぼ平行な表面を有する酸化シリコン膜が互いに近づく場合と異なり、シームが形成されることがない。すなわち、本実施形態によれば、不純物が局所的に蓄積したり、欠陥密度が局所的に高くなったりするが殆どなく、高品質な酸化シリコン膜61が得られる。以上、幾つかの実施形態及び実施例を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。例えば、DCSガスとN2Oガスを用いたHTOと、BTBASガスとO2プラズマとを用いてALD-oxideとを例示したが、成膜ステップS1において利用できる成膜法は、これらに限られない。例えば、モノシランガスとN2Oガスとを用いた成膜法を利用しても良く、テトラエトキシシランTEOSとオゾンO3を用いた酸化シリコン膜の成膜法を利用しても良い。この場合、例えば成膜装置18の酸素含有ガス配管17Lにオゾナイザを設けることにより、O3ガスを供給することができる。また、Si含有ガス及び酸素含有ガスは、成膜法に応じて適宜選択して良い。例えばALD法における酸素含有ガスとしては、O2ガスの他、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスを使用してよい。また、Si含有ガスとして上述のDIPASを使用し、酸素含有ガスとしてO2プラズマを使用する場合には、例えば室温約25°Cから約100°Cの温度にて酸化シリコン膜を堆積することができる。さらに、Si含有ガスとして上述のDIPASを使用し、酸素含有ガスとしてO3ガスを使用する場合の酸化シリコン膜の成膜温度は例えば約200°Cから約500°Cである。また、上述の実施形態においてはCORステップS3にてHFガスとNH3ガスを用いたが、他の実施形態においては、NF3ガスとNH3ガスを用いても良い。ただし、これらのガスを用いる場合にはウエハWの温度を約600°Cとする必要がある。一方、DCSガスとN2Oガスを用いたHTOにおいては成膜温度を約700°Cから850°Cとすることができるため、成膜ステップS1においてDCSガスとN2Oガスを用いれば、条件変更ステップS2及びS4において変更すべき温度の差を小さくすることができる。このため、条件変更ステップS2及びS4に要する時間を短縮することができ、スループットの向上に寄与する。逆に、CORステップS3においてHFガスとNH3ガスを用いる場合には、ウエハWの温度は約25°Cから約300°Cとなるため、このCORの温度に近い成膜温度を実現可能なBTBASガスとO2プラズマ、又はDIPASと及びO2プラズマを成膜ステップS1において用いることが好ましい。なお、CORステップS3においてHFガスとNH3ガスを用いる場合には、CORステップS3の後の条件変更ステップS4において温度を変更昇温中に、ケイフッ化アンモニウムが昇華するように、CORステップS3におけるCOR温度と成膜ステップS1ALDステップにおける成膜温度とを設定することが好ましい。すなわち、ケイフッ化アンモニウムの昇華温度約130°Cよりも低い温度にCOR温度を設定し、高い温度に成膜温度を設定することが好ましい。また、ラインスペースパターンに酸化シリコン膜を成膜し、ボイドを発生させることなくスペースを埋め込む場合を説明したが、ウエハWに形成されたホールを酸化シリコン膜で埋め込む場合にも本発明を適用することができる。