"CBD法により、少なくともZn、Mg、及び、OHを含有する前駆体膜を製膜するCBD工程と、製膜した前記前駆体膜を、280°C以上330°C以下の温度で焼成する焼成工程と、を有する、ZnO系膜の製造方法。OH基を有する、請求項1に記載のZnO系膜の製造方法で製造したZnO系膜。特許文献1にも記載されているように、ZnOやZnMgOはウルツ鉱型結晶であり、C軸配向しやすくロッド状に成長しやすいため、隙間のある膜構造になることがある。これを解決するために、特許文献1に開示されている技術では、まずZnOのナノ粒子を塗布し隙間を埋めた後、CBD法により結晶成長させている。しかしながら、微粒子を塗布してからCBD法により結晶成長させる技術は、工程数が増大するため、時間及びコストが増大しやすい。また、微粒子を塗布しても隙間を完全になくすことは困難であるため緻密なZnO系膜を製造することは困難であり、下地とZnOとを完全に接合することも困難であった。そこで本発明は、緻密なZnO系膜及びその製造方法を提供することを課題とする。本発明者らは、鋭意研究の結果、CBD法でZn,MgOH2を製膜した後、所定の温度範囲で焼成することにより、ZnOやZnMgOの隙間に水酸化物が存在する緻密な膜ZnMgOを含む緻密なZnO系膜を製造可能であることを知見した。本発明は、当該知見に基づいて完成させた。上記課題を解決するために、本発明は以下の手段をとる。すなわち、本発明の第1の態様は、CBDChemicalBathDeposition法により、少なくともZn、Mg、及び、OHを含有する前駆体膜を製膜するCBD工程と、製膜した前駆体膜を、280°C以上330°C以下の温度で焼成する焼成工程と、を有する、ZnO系膜の製造方法である。ここで、少なくともZn、Mg、及び、OHを含有する前駆体膜としては、Zn,MgOH2等を例示することができる。ここで、Zn,MgOH2とは、ZnOH2とMgOH2との混合物をいう。以下においても同様である。また、本発明において、ZnO系膜とは、ZnO及び/又はZnMgOを含有する膜をいう。本発明の第2の態様は、OH基を有する、上記本発明の第1の態様にかかるZnO系膜の製造方法で製造したZnO系膜である。本発明では、CBD法で製造した前駆体膜を280°C以上330°C以下の温度で焼成する過程を経て、ZnO系膜を製造する。このような過程を経て製造することにより、緻密なZnO系膜を製造することが可能になる。したがって、本発明によれば、緻密なZnO系膜及びその製造方法を提供することができる。以下、図面を参照しつつ、本発明について説明する。なお、以下に示す形態は本発明の例示であり、本発明は以下に示す形態に限定されない。図1は、本発明のZnO系膜の製造方法以下において、本発明の製造方法ということがある。を説明するフローチャートである。図1に示したように、本発明の製造方法は、CBD工程S1と、焼成工程S2と、を有している。CBD工程以下において、S1ということがある。は、CBDChemicalBathDeposition法により、少なくともZn、Mg、及び、OHを含有する前駆体膜を製膜する工程である。S1は、このような前駆体膜をCBD法により製膜可能であれば、その形態は特に限定されない。S1は、例えば、水及びアンモニア水を入れた容器に、酢酸亜鉛及び酢酸マグネシウムを入れて攪拌することによりこれらを溶解させた後、石英ガラス基板等の下地材を容器に入れ、この容器を、所定の温度に加温した恒温器に入れて所定の時間に亘って保持した後、容器から下地材を取り出して乾燥することにより、前駆体膜を製膜する工程、とすることができる。酢酸亜鉛及び酢酸マグネシウムを用いて製膜した前駆体膜Zn,MgOH2のバンドギャップは、ZnOやZnMgOのバンドギャップよりも大きい。そのため、後述する焼成工程を経て製造したZnO系膜にこの前駆体膜が残存していても、ZnO系膜をバッファ層等に用いた光電変換素子には無害である。焼成工程以下において、S2ということがある。は、上記S1で製膜した前駆体膜を、280°C以上330°C以下の温度で焼成することにより、OHを有するZnO系膜を製造する工程である。S1及びS2を経てZnO系膜を製造することによって、後述するように、ZnOやZnMgOの隙間に水酸化物が存在するような緻密なZnO系膜例えば、ZnMgOのバンドギャップを有し、可視光透過率が90以上であり、OH及びZnMgOを含む、緻密なZnO系膜を製造することができる。以下に、実施例及び比較例を示して本発明についてさらに具体的に説明する。1.実験方法水180ml及び10アンモニア水5~30mlをビーカーに入れ、さらに、モル比が酢酸亜鉛:酢酸マグネシウム=9:1となるように原料酢酸亜鉛及び酢酸マグネシウムを秤量して、これらをビーカーに入れた。続いて、上記ビーカーに回転子を入れ、スターラー上で良く攪拌させることにより原料を溶解させた。次に、上記ビーカーに石英ガラス基板を投入し、このビーカーを、60°Cに加熱したウォーターバスに浸けて30分間に亘って保持した。その後、石英ガラス基板をビーカーから取り出して乾燥した後、200°C以上400°C以下の間において10°C刻みで焼成温度を変更した焼成を行うことにより、ZnO系膜を作製した。2.評価方法焼成前の前駆体膜に対し、示差熱-熱重量同時測定を行った。また、作製した膜が緻密であるか疎であるかを確認するために、SEM観察を行った。焼成温度200°Cの膜のSEM像を図2に、焼成温度400°Cの膜のSEM像を図3に、それぞれ示す。また、作製した膜が疎になると白濁するので、これを数値化するために、紫外可視分光光度計V-570、日本分光株式会社製により、透過率を測定した。結果を図4に示す。また、作製した膜の成分を確認するため、紫外可視分光光度計V-570、日本分光株式会社製により、バンドギャップを測定した。結果を図4に示す。また、所望の性質を有していた膜の成分を確認するため、XRD分析装置SmartLab、株式会社リガク製により、XRD分析を実施した。結果を図5に示す。3.結果示差熱-熱重量同時測定の結果、200°Cよりも高温側且つ400°Cよりも低温側の領域において脱水反応が進行し、膜が疎になることが分かった。それゆえ、図2に示したように、200°Cで焼成した膜は白濁していないが、図3に示したように、400°Cで焼成した膜は白濁していた。また、図4に示したように、焼成温度が330°C以下であった膜は、可視光透過率が90以上であったが、焼成温度が340°C以上になると可視光透過率が90未満になり、焼成温度を370°C以上にすると可視光透過率は20程度にまで低下した。焼成温度を高くした膜の可視光透過率が低下したのは、膜が白濁したためであり、白濁した膜は疎な構造をしている。それゆえ、緻密な膜を製造するために、本発明では、焼成温度を330°C以下とする。また、図4に示したように、焼成温度が270°C以下であった膜は、ZnMgOのバンドギャップが確認されず、焼成温度を280°C以上にすると、ZnMgOのバンドギャップが確認された。また、図5に示したように、300°Cで焼成した膜には、ZnMgOのピークが確認された。これらの結果から、焼成温度を280°C以上にすることにより、化合物薄膜太陽電池のバッファ層として機能するZnMgOを作製可能であることが分かった。以上より、280°C以上330°C以下の温度で焼成する本発明によれば、緻密なZnO系膜が得られることが確認された。"