n型窒化ガリウムからなる基板と、前記基板上に設けられ、窒化物インジウムアルミニウムInxAl1-xN、0.15≦x≦0.2からなる第1バッファ層と、前記第1バッファ層上に設けられ、厚さ1nm以上10nm以下の窒化アルミニウムからなるスペーサ層と、前記スペーサ層上に設けられた能動層と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記能動層は、チャネル層と、前記チャネル層上に設けられた電子供給層とを備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記基板と前記第1バッファ層との間に設けられ、i型窒化ガリウム又は半絶縁性窒化ガリウムからなる第2バッファ層を具備することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。前記第2バッファ層の厚さは10μm以上、100μm以下であることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。前記基板の不純物濃度は1×1016cm3以上、1×1019cm3以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記電子供給層は、窒化アルミニウムガリウム又は窒化インジウムアルミニウムからなることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。n型窒化ガリウムからなる基板と、前記基板上に設けられ、i型窒化ガリウム又は半絶縁性窒化ガリウムからなる第2バッファ層と、前記第2バッファ層上に設けられ、窒化物インジウムアルミニウムInxAl1-xN、0.15≦x≦0.2からなる第1バッファ層と、前記第1バッファ層上に設けられた能動層と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記能動層は、チャネル層と、前記チャネル層上に設けられた電子供給層とを備えることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。前記第2バッファ層の厚さは10μm以上、100μm以下であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。前記第1バッファ層上に設けられ、厚さ1nm以上10nm以下の窒化アルミニウムからなるスペーサ層を具備することを特徴とする請求項7記載の半導体装置。半導体基板の材料に窒化ガリウムGaNを用いると、基板はn-GaN基板となる。n-GaN基板のコンダクションバンドのエネルギーは低いため、リーク電流が発生しやすくなる。そこで基板とチャネル層との間に、高い障壁を有するバッファ層を形成することが求められる。バッファ層の材料に窒化アルミニウムガリウムAlGaN等を用いた場合、GaNとAlGaNとの格子不整合によりチャネル層の結晶性が悪化し、トラップが形成される可能性がある。また、バッファ層とチャネル層との接合界面の平坦性が低下することがある。本願発明は上記課題に鑑み、格子整合したバッファ層、及び高い平坦性を有する接合界面を得ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、n型窒化ガリウムからなる基板と、前記基板上に設けられ、窒化物インジウムアルミニウムInxAl1-xN、0.15≦x≦0.2からなる第1バッファ層と、前記第1バッファ層上に設けられ、厚さ1nm以上10nm以下の窒化アルミニウムからなるスペーサ層と、前記スペーサ層上に設けられた能動層と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、格子整合したバッファ層、及び高い平坦性を有する接合界面を得ることが可能である。上記構成において、前記能動層は、チャネル層と、前記チャネル層上に設けられた電子供給層とを備える構成とすることができる。上記構成において、前記基板と前記第1バッファ層との間に設けられた、i型窒化ガリウム又は半絶縁性窒化ガリウムからなる第2バッファ層を具備する構成とすることができる。上記構成において、前記第2バッファ層の厚さは10μm以上、100μm以下である構成とすることができる。上記構成において、前記基板の不純物濃度は1×1016cm3以上、1×1019cm3以下である構成とすることができる。上記構成において、前記電子供給層は、窒化アルミニウムガリウム又は窒化インジウムアルミニウムからなる構成とすることができる。本発明は、n型窒化ガリウムからなる基板と、前記基板上に設けられ、i型窒化ガリウム又は半絶縁性窒化ガリウムからなる第2バッファ層と、前記第2バッファ層上に設けられ、窒化物インジウムアルミニウムInxAl1-xN、0.15≦x≦0.2からなる第1バッファ層と、前記第1バッファ層上に設けられた能動層と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、格子整合したバッファ層、及び高い平坦性を有する接合界面を得ることが可能である。上記構成において、前記能動層は、チャネル層と、前記チャネル層上に設けられた電子供給層とを備える構成とすることすることができる。上記構成において、前記第2バッファ層の厚さは10μm以上、100μm以下である構成とすることができる。上記構成において、前記第1バッファ層上に設けられ、厚さ1nm以上10nm以下の窒化アルミニウムからなるスペーサ層を具備する構成とすることができる。本発明によれば、格子整合したバッファ層、及び高い平坦性を有する接合界面を得ることが可能な半導体装置を提供することができる。比較例について説明する。比較例はバッファ層が設けられていない例である。図1aは比較例に係るHEMTを例示する断面図である。図1aに示すように、比較例に係るHEMT100Rにおいて、基板110上にチャネル層116が設けられている。チャネル層116上に電子供給層118が設けられている。電子供給層118上にキャップ層120が設けられている。キャップ層120に形成されたリセス121から露出した電子供給層118上にソース電極124、及びドレイン電極126が設けられている。キャップ層120上にはゲート電極128が設けられている。保護層122は、電子供給層118及びゲート電極128上に設けられている。基板110は、例えば不純物濃度1×10-17cm3、厚さ100μmのn型GaNn-GaNからなり、導電性を有する。ドーパントは例えばシリコンSiである。チャネル層116はi-GaNからなる。電子供給層118は、例えば厚さ22nm、アルミニウムAl組成比25の窒化アルミニウムガリウムAlGaNからなる。キャップ層120は、例えば厚さ5nm、キャリア濃度が1×1018cm-3のn-GaNからなる。保護層122は例えば窒化シリコンSiN等の絶縁体からなる。ソース電極124及びドレイン電極126は、電子供給層118に近い方から例えばチタン層及びアルミニウム層Ti/Alを積層したオーミック電極である。ゲート電極128は、キャップ層120に近い方から例えばニッケル層及び金層Ni/Auを積層した電極である。図1bは比較例に係るHEMTのエネルギーバンド図である。横軸はHEMTの積層方向における深さを表し、右端は基板110の下面、左端はキャップ層120の上面を表す。縦軸はエネルギーを表す。点線はフェルミエネルギーEfを表す。実線はコンダクションバンドのエネルギーEcを表す。図1bにおいて、HEMT100Rの各部位に対応する領域は、破線で区切り、図1aと同じ符号で示す。また格子斜線の領域は2DEGを示す。図1bに示すように、基板10とチャネル層116との間においてエネルギーEcは連続的に変化し、かつ基板10のエネルギーEcは低い。このため、2DEGの電子は基板110側に移動しやすい。従ってリーク電流が大きくなる。また基板110には不純物等によりトラップが形成される。2DEGの電子が基板110中のトラップに捕獲されることにより、2DEG付近のEcが上昇し、2DEGの電子濃度が低下する。この結果、ドレイン電流が減少する。実施例1はバッファ層を設ける例である。図2aは実施例1に係るHEMTを例示する断面図である。図2bは実施例1に係るHEMTのエネルギーバンド図である。図1aと同じ構成については説明を省略する。図2aに示すように、実施例1に係るHEMT100半導体装置において、基板10上に第1バッファ層12が設けられている。第1バッファ層12上にスペーサ層14が設けられている。スペーサ層14上には下から順にチャネル層16及び電子供給層18からなる能動層が積層され、電子供給層18上には下から順にキャップ層20、及び保護層22が積層されている。第1バッファ層12は基板10の上面に、スペーサ層14は第1バッファ層12の上面に、チャネル層16はスペーサ層14の上面に、それぞれ接触している。電子供給層18はチャネル層16の上面に、キャップ層20は電子供給層18の上面に、それぞれ接触している。ソース電極24及びドレイン電極26は電子供給層18の上面に接触している。ゲート電極28はキャップ層20の上面に接触している。ソース電極24及びドレイン電極26は、キャップ層20に近いほうからTi/Alを積層した電極であり、ゲート電極28は、キャップ層20に近いほうからNi/Auを積層した電極である。基板10は、例えば不純物濃度1×10-18cm3、厚さ100μmのn-GaNからなり、ドーパントはシリコンSiである。基板10にはn-GaN以外に、i-GaNを用いてもよい。第1バッファ層12は、例えば厚さ0.3μm、インジウム組成比18の窒化インジウムアルミニウムInxAl1-xN、x=0.18からなる。スペーサ層14は、例えば厚さ5nmの窒化アルミニウムAlNからなる。チャネル層16は、例えば厚さ0.3μmのi-GaNからなる。他の構成は比較例と同じである。図2bに示すように、第1バッファ層12により、基板10とチャネル層16との間に高い障壁が形成される。これにより2DEGの電子が障壁を越えて基板10に移動することは困難となる。従って、リーク電流は抑制される。また2DEGの電子が基板10中のトラップに捕獲されることが抑制されるため、2DEG付近のEcの上昇による電子濃度の低下も抑制される。この結果、ドレイン電流の減少が抑制される。第1バッファ層12には、GaNからなるチャネル層16よりバンドギャップが大きい材料を用いる。例えばAlGaNを用いた場合、格子不整合によりトラップが生じる。そこでバンドギャップが大きく、かつGaNからなるチャネル層16と格子整合をとることができるInAlNを用いる。第1バッファ層12とチャネル層16との格子整合を得ることにより、チャネル層16の結晶性が良好になり、トラップが生じにくい。その結果、HEMT100の特性が改善する。格子整合を得るためには、第1バッファ層12を形成するInxAl1-xNのInの組成比は15以上20以下0.15≦x≦0.2が好ましい。またInの組成比を16以上19以下、17以上18以下としてもよいし、15より大きく20未満としてもよい。In組成比を15未満、又は20より大きくした場合、格子整合を得るのが困難となるためである。有効な障壁を形成するためには、第1バッファ層12の厚さを0.1μm以上1μm以下とすることが好ましい。第1バッファ層12は、厚さが1μmより厚い場合、表面に荒れが発生し、結晶性が低下するためである。上記条件のInAlNを設けることで、GaNからなるチャネル層16と格子整合を得られるが、第1バッファ層12と接触するようにチャネル層16を設けた場合、第1バッファ層12のチャネル層16との接合界面に荒れが生じ、チャネル層16の結晶性が低下する。接合界面の荒れは、成長温度の低い第1バッファ層12と成長温度の高いチャネル層16との成長温度の違いによって生じる、第1バッファ層12の結晶の不均一性に起因する。これは、成長温度の高いチャネル層16を成長する際に、第1バッファ層12のInが蒸発することでInAlN表面が荒れてしまうからである。実施例1では、第1バッファ層12とチャネル層16との間にスペーサ層14を設け、第1バッファ層12とチャネル層16との接合界面の荒れを抑制する。第1バッファ層12とスペーサ層14との間、及びスペーサ層14とチャネル層16との間において、高い平坦性を有する接合界面が形成される。この結果、チャネル層16の結晶性が向上する。ただし、スペーサ層14が厚すぎるとスペーサ層14とチャネル層16との格子不整合が生じ、トラップが形成される。スペーサ層14が薄すぎると平坦な接合界面を得ることが難しくなる。従って、スペーサ層14の厚さは1nm以上10nm以下とすることが好ましく、2nm以上8nm以下、3nm以上7nm以下、1nmより大きく10nm未満としてもよい。基板10を形成するn-GaN中の不純物濃度は1×1016cm3以上1×1019cm3以下、1×1017cm3以上1×1018以下、又は1×1016cm3より大きく1×1019cm3未満等とすることもできる。キャップ層20は設けてもよいし、設けなくてもよい。キャップ層20を設けない場合、ソース電極24、ドレイン電極26及びゲート電極28は電子供給層18上面に接触するように設けられる。キャップ層20を設ける場合、図2aの例以外に、ソース電極24及びドレイン電極26がキャップ層20の上面に接触するように設けられてもよい不図示。電極は単層、又は三層以上の構造でもよいし、上記の材料以外の金属により形成してもよい。電子供給層18はInAlGaN以外の窒化物半導体からなるとしてもよい。キャップ層20はn-GaN以外の窒化物半導体からなるとしてもよい。窒化物半導体とは、窒素Nを含む半導体であり、例えば窒化インジウムガリウムInGaN、窒化インジウムInN、及び窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaN等がある。電子供給層18は、窒化物半導体のうちInAlN、AlInGaN等からなるとしてもよい。実施例1に係るHEMT100の製造方法について説明する。MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition:有機金属気相成長法により、基板10上に第1バッファ層12を形成する。成長条件は以下の通りである。原料:トリメチルアルミニウムTriMethylAluminum:TMA、トリメチルインジウムTriMethylIndium:TMI、アンモニアNH3キャリアガス:窒素N2、水素H2TMAの流量:10~500sccm1.69×10-2~8.45×10-1Pam3/sTMIの流量:10~500sccmNH3の流量:0.1~100slm1.69×10-1~1.69×102Pam3/s炉内圧力:大気圧101.3Pa~100Torr13.3MPa成長温度成長時の基板の温度:500~1000°C第1バッファ層12に上にスペーサ層14を形成する。以下に示す成長条件を使用する。上記と共通する成長条件は省略する。原料:TMA、NH3成長温度:500~1200°Cスペーサ層14上にチャネル層16を形成する。原料:トリメチルガリウムTriMethylGallium:TMG、NH3TMGの流量:20~1000sccm3.38×10-2~1.69Pam3/s成長温度:800~1200°Cチャネル層16上に電子供給層18を形成する。原料:TMA、TMG、NH3成長温度:700~1400°C電子供給層18上にキャップ層20を形成する。原料:TMG、NH3成長温度:800~1200°Cキャップ層20上に、例えば第1SiN層を形成する。第1SiN層をパターニングして、電子供給層18を露出させる。露出した電子供給層18上に、例えば蒸着法を用いてオーミック電極を形成する。オーミック電極はソース電極24及びドレイン電極26として機能する。その後、アニール処理を行う。第1SiN層をさらにパターニングして、電子供給層18を露出させる。例えば蒸着法を用いて、電子供給層18上にショットキー電極を形成する。ショットキー電極はゲート電極28として機能する。ショットキー電極の形成後、アニール処理を行う。第1SiN層、電子供給層18及びゲート電極28上に、第2SiN層を設ける。第1SiN層と第2SiN層とで、保護層22が形成される。以上によりHEMT100が形成される。実施例2は第2バッファ層を設けた例である。図3は実施例2に係るHEMTを例示する断面図である。図3に示すように、実施例2に係るHEMT200においては、基板10と第1バッファ層12との間に第2バッファ層30が設けられている。第2バッファ層30は基板10の上面に接触し、第1バッファ層12は第2バッファ層30の上面に接触する。第2バッファ層30は、例えば厚さ10μm以上100μm以下のi-GaNからなる。第1バッファ層12の上のエピタキシャル構造は図2aと同様であるため、説明は省略する。実施例2によれば、第2バッファ層30が設けられているため、基板10とチャネル層16との間の絶縁性が向上する。また、基板10とチャネル層16との距離が大きくなる。このため高周波動作、高出力時のHEMT200の特性が改善する。第1バッファ層12を厚くすることも可能である。しかし第1バッファ層12を形成するInAlNの成長速度は例えば1μm/h程度と遅いため、HEMTを効率的に製造することが困難である。これに対し、第2バッファ層30を形成するi-GaNの成長速度は例えば10μm/h程度と速い。このため、HEMTの製造工程が効率的になり、HEMTの低コスト化が可能となる。第2バッファ層30の厚さは20μm以上90μm以下、30μm以上80μm以下、又は10μmより大きく100μm未満としてもよい。第2バッファ層30は、例えば半絶縁性窒化ガリウムSemiinsulatingGaN:SI-GaNからなるとしてもよい。SI-GaNとはGaNに例えば鉄Feをドープしたものである。またスペーサ層14を設けてもよいし、設けなくてもよい。実施例2において、実施例1と同様にスペーサ層14を設けることで、第1バッファ層12とチャネル層16との接合界面の荒れを抑制することができ、結晶性の良いチャネル層16を形成することができる。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。