耐熱温度が800°C以上である材料から選択されるハンドル基板上に貼り合わせ法により単結晶シリコン層を形成し貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板の単結晶シリコン層上にアモルファスシリコンを堆積する工程と、800°C以上の熱処理を加える工程とを含むSOIウェーハの製造方法。前記ハンドル基板が、石英基板であり、前記熱処理温度が、1200°C未満であることを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。前記ハンドル基板が、サファイア基板であり、前記熱処理温度が、1300°C未満であることを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。前記ハンドル基板の材料が、シリコン、酸化膜付きシリコン、炭化ケイ素または窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。前記アモルファスシリコンの堆積が、低圧化学気相成長法、物理気相成長法またはプラズマ化学気相成長法により行われることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のSOIウェーハの製造方法。しかしながら、この様な低温処理で作製されたSOQ、SOSにしてもプロセス中の応力等で誘起され発現した欠陥ピット、微小なクラックなどはシリコン層内部には残存しており、これらの欠陥がデバイス特性に悪影響を与える懸念がある。市販されているSOIウェーハと同等の単結晶シリコン層を得るのは困難となっている。さらに貼り合わせ法において単結晶シリコン層形成のためにイオン注入法を採用した場合、剥離後形成された単結晶シリコン層の表面が損傷しやすい。一般にイオン注入などで生じたダメージを回復する為に熱処理を加えることはよく知られている。例えば、シリコンウェーハに酸素イオンを注入し、然る後に高温1300°C程度の熱を長時間加えるSIMOX法などである。しかしこの方法では、長時間6時間~12時間高温のプロセスが必要であり、石英はその温度に耐えられないガラス転移温度は1050°C程度。また、サファイアは耐熱性に優れるものの、900°C以上の熱処理を長時間加えることに起因してサファイアからのアルミの拡散が懸念される。本発明は、上記現状に鑑み、貼り合わせ法により単結晶シリコン層の表面および内部に生じた欠陥を比較的低温かつ短時間の処理で低減する方法を提供することを目的とする。この問題を解決するために、本発明者は以下のような方法を考案した。すなわち、本発明にかかる貼り合わせ基板の製造方法は、耐熱温度が800°C以上である材料から選択されるハンドル基板上に貼り合わせ法により単結晶シリコン層を形成し貼り合わせ基板を得る工程と、該貼り合わせ基板の単結晶シリコン層上にアモルファスシリコンを堆積する工程と、800°C以上の熱処理を加える工程とを含む方法である。本発明の貼り合わせ基板の製造方法により、特に、SOQ、SOSなどのシリコンと熱膨張率が大きく異なる材料との貼り合わせ基板において、貼り合わせ法により単結晶シリコン層の表面および内部に生じた欠陥を比較的低温かつ短時間の処理で低減することができる。以下に、本発明を、図面を参照して詳細に説明する。同じ部材には同じ符号を付して表した。なお、本発明は以下に説明する形態に制限されるものではない。本発明の方法の一連の工程を図1に示す。まず、貼り合わせ法により、サファイア、石英等の耐熱温度が800°C以上の材料から選択されるハンドル基板3上に単結晶シリコン層5が形成された貼り合わせ基板10をそれぞれ用意する工程a。貼り合わせ基板の製造方法としては特に限定されないが、例えば、ハンドル基板と単結晶シリコン基板とを貼り合わせた後、1不活性ガス雰囲気下500°C程度で熱処理を行い、結晶の再配列効果と注入した水素の気泡の凝集効果により熱剥離を行う方法;2貼り合わせ基板の両面間で温度差をつけることにより、水素イオン注入界面で剥離を行う方法;3単結晶シリコンに水素イオンHまたは水素分子イオンH2を注入したのち、該単結晶シリコンのイオン注入した表面またはハンドル基板の表面をオゾン水処理、UVオゾン処理、イオンビーム処理またはプラズマ処理によって活性化処理して貼り合わせ、イオン注入層界面にて機械的剥離および/または光照射剥離好ましくは400nm以上700nm以下のレーザー光または該波長域に極大強度を有するハロゲンランプ光やキセノンランプ光を行う方法等により得ることができる。耐熱温度が800°C以上の材料とは、800°Cの熱処理を経ても、大きな変形を伴わない状態である材料をいう。石英などの非晶質の材料ではガラス転移温度などで定義することも可能である石英のガラス転移温度は1050°C付近である。サファイアのような結晶材料は融点と置き換えることも可能であるサファイアの融点は2050°C付近である。ハンドル基板3は、可視光域400nm以上700nmにおいて透明であっても不透明であってもよく、上述したサファイア、石英のほかにも例えば、シリコン、酸化膜付きシリコン、炭化ケイ素、窒化アルミニウムを採用することができる。単結晶シリコン層5の好ましい層厚の目安としては、後述の研磨工程を経る場合は、研磨代を考慮して例えば、20nm~500nmとすることができ、研磨工程を経ない場合は、50nm~600nmとすることができる。貼り合わせ法を採用した場合、上記単結晶シリコン層5の表面には、150nm程度のダメージ層が残存するので、後述するアモルファスシリコン層7の積層に先立ち、CMP研磨を施すことが好ましい。ダメージ層全てを研磨で取り除くことは膜厚バラツキを増大させることになるので、実際のプロセスでは、大部分を化学的なエッチング方法で除去し、然る後に鏡面仕上げ研磨で表面を鏡面化するという方法が合理的である。表面のダメージ層を可能な限り取り去ることが重要であり、ダメージ層の除去方法CMP、エッチングもしくは両方法の併用には本発明の有効性は左右されないことが経験的に判明している。CMP研磨は、表面を鏡面化するために行うので、通常は30nm以上の研磨を行うのが一般的である。上記CMP研磨および鏡面仕上げ研磨の後、RCA洗浄やスピン洗浄等のウェットプロセスによる洗浄、および/または、UV/オゾン洗浄やHFベーパー洗浄等のドライプロセスによる洗浄を施してもよい。上記工程を経て得られた貼り合わせ基板10の単結晶シリコン層5には欠陥が残存している。そこで単結晶シリコン層5上にアモルファスシリコン7を被覆堆積する工程b。アモルファスシリコン7を堆積する方法は特に限定はされない。例えば、LPCVD法などは一度に100枚~200枚のウェーハを処理できるためにコスト的に有利と考えられるが、スパッタ法PVDやPECVD法を採用しても問題はない。ここで重要なことは、下地となる層が貼り合わせ法で形成された単結晶シリコンであることと、その上に形成されるシリコン層は完全なアモルファス非晶質であることが望ましい点である。堆積されるシリコンにポリシリコン多結晶が含まれていると、堆積層はランダムな方位で微小な結晶が存在しているため、このプロセスは上手く働かない。堆積時の温度条件としては、ポリシリコン層が形成されないように600°C以下であることが好ましい。より好ましい温度上限は、580°Cであり、好ましい温度下限は、540°Cである。堆積すべきアモルファスシリコンの厚みは好ましくは、20nm~500nmの範囲である。用いるガス種は、特に限定されないが、例えば、LPCVD法やPECVD法ではSiH4等が挙げられる。スパッタPVD法ではシリコンターゲットを用いることが出来る。成膜の圧力は、ガス種にもよるが、LPCVDの場合は200mTorr程度である。然る後に800°C以上の熱処理を加えることでアモルファスシリコン層7が結晶化し単結晶シリコン層5とともに単結晶シリコン被覆層9となる工程c。この過程で、単結晶シリコン層5の表面に存在していたピットや微小クラックなどの欠陥が埋まり回復し、欠陥数の低減を図ることができる。熱処理温度の好ましい上限は、ハンドル基板の耐熱性を考慮して定められるが、ハンドル基板が石英の場合ではおよそ1200°C未満、サファイアの場合ではおよそ1300°C未満とすることができる。熱処理時間としては、ハンドル基板に含まれる原子のマイグレーションを抑制する観点等から、例えば、0.5時間~6時間とすることができる。本発明にかかる方法では下地となる単結晶シリコン層5とアモルファスシリコン層7とが明確に分かれていることで、アモルファスシリコン層7の結晶化が下地となる単結晶シリコン層5の配向に従って容易に起こり、高い品質の単結晶シリコン被覆層9を比較的低温800°C~1200°Cで得ることができる。比較例1貼り合わせ法により作製されたSOQ基板を用意した。単結晶シリコン層の厚さは100nmとした。ウェーハの口径は150mmで厚さは625umである。このウェーハを49のフッ化水素HFに5分間浸漬し、然る後に純水でリンスを行い、光学顕微鏡倍率50倍で3.0mm×3.0mmの区画における欠陥数を目視計数したところ、平均して面内13箇所を観察した、6.5個/cm2の欠陥が観察された。比較例2貼り合わせ法により作製されたSOS基板を用意した。単結晶シリコン層の厚さは100nmとした。BOX層の厚さを200nmとした。ウェーハの口径は150mmで厚さは600umである。このウェーハを49のフッ化水素HFに5分間浸漬し、然る後に純水でリンスを行い、光学顕微鏡で欠陥数を数えたところ、平均して面内13箇所を観察した、14.1個/cm2の欠陥が観察された。実施例1比較例1で用いたSOQウェーハを複数枚用意した。単結晶シリコン膜厚を60nmとなるように鏡面研磨CMPを行い、洗浄乾燥の後、200mTorrの圧力で560°CでSiH4ガスによりアモルファスシリコンを40nm堆積した。然る後に700°C、800°C、900°C、1000°C、1100°C、1200°Cの温度で熱処理を1時間加えた。これらのウェーハを比較例1と同様のHF浸漬処理を行い、欠陥数を数えた。結果を図2および表1に示す。結果として700°Cでは欠陥数低減に効果は無いが、800°C以上では効果があることが判明した。但し、1200°C処理のものはウェーハに変形が観察されたので、この温度は不適と判断した。実施例2比較例2で用いたSOSウェーハを複数枚用意した。単結晶シリコン膜厚を60nmとなるように鏡面研磨CMPを行い、洗浄乾燥の後、200mTorrの圧力で560°CでSiH4ガスによりアモルファスシリコンを40nm堆積した。然る後に700°C、800°C、900°C、1000°C、1100°C、1200°C、1300°Cの温度で熱処理を1時間加えた。これらのウェーハを比較例2と同様のHF浸漬処理を行い、欠陥数を数えた。結果を図3および表2に示す。結果として700°Cでは欠陥数低減に効果は無いが、800°C以上では効果があることが判明した。但し、1300°C処理のものはシリコン層表面の高いアルミニウムの汚染が観察された>1×1013atoms/cm2。その他のものは1×1012atoms/cm2未満であった。測定方法は、ICP-MS法を採用した。なお、1時間程度の処理で1300°C以上の熱処理によっても欠陥は回復するが、サファイアからのアルミニウムがシリコン層に到達するものと考えられ、不適と判断した。比較例3比較例1で用いたSOQウェーハを1枚用意した。単結晶シリコン膜厚を60nmとなるように鏡面研磨CMPを行い、洗浄乾燥の後、200mTorrの圧力で620°CでSiH4ガスによりポリシリコンを40nm堆積した。1000°Cの温度で熱処理を1時間加えた。これらのウェーハを比較例1と同様のHF浸漬処理を行い、欠陥数を数えた。結果を図4に示す。結果として実施例1の1000°C処理のものと比較し、欠陥数が高いことが観察された。堆積する膜はポリシリコンでは不適であることが判明した。比較例4比較例2で用いたSOSウェーハを1枚用意した。単結晶シリコン膜厚を60nmとなるように鏡面研磨CMPを行い、洗浄乾燥の後、200mTorrの圧力で620°CでSiH4ガスによりポリシリコン平均粒径:0.1μm以下を40nm堆積した。1000°Cの温度で熱処理を1時間加えた。これらのウェーハを比較例1と同様のHF浸漬処理を行い、欠陥数を数えた。結果を図5に示す。結果として実施例2の1000°C処理のものと比較し、欠陥数が高いことが観察された。堆積する膜はポリシリコンでは不適であることが判明した。