Cuと、Al、In及びGaからなる群より選ばれる少なくとも一つのIIIb族元素と、S或いはSeとを含みカルコパイライト型構造を有する光吸収層と、Znと、O或いはSから成るバッファー層を具備し、前記バッファー層のS/SOで表されるモル比が0.7以上、1.0以下であり、かつ結晶粒径が、10nm以上、100nm以下であることを特徴とする光電変換素子。前記光吸収層のGa/IIIb族元素のモル比が、0.5以上1.0以下であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。前記光吸収層の伝導帯下端と前記バッファー層の伝導帯下端の差が、0以上0.4以下であることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記バッファー層は、単相であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光電変換素子。請求項1乃至請求項4いずれか1項記載の光電変換素子を用いてなることを特徴とする太陽電池。実施形態は、高い変換効率の光電変換素子および太陽電池を提供することを目的とする。実施形態の光電変換素子は、Cuと、Al、In及びGaからなる群より選ばれる少なくとも一つのIIIb族元素と、S或いはSeとを含みカルコパイライト型構造を有する光吸収層と、Znと、O或いはSから成るバッファー層を具備し、前記バッファー層のS/SOで表されるモル比が0.7以上、1.0以下であり、かつ結晶粒径が、10nm以上、100nm以下であることを特徴とする。また、他の実施形態の太陽電池は、前記実施形態の光電変換素子を用いてなることを特徴とする。以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。実施例1A基板11として青板ガラス基板を用い、スパッタ法により裏面電極12となるMo薄膜を700nm程度堆積する。スパッタは、Moをターゲットとし、Arガス雰囲気中でRFで200W印加することにより行う。裏面電極12となるMo薄膜を堆積後、光吸収層14となるCuIn0.3Ga0.7Se2薄膜を2μm程度堆積する。製膜はセレン化法で行う。まず、CuIn0.3Ga0.7の合金膜をスパッタ法で堆積し、その後、H2Se雰囲気、500°Cで加熱処理を行う。得られた光吸収層14の上にバッファー層15aとしてn型化合物半導体層ZnO0.3S0.7を100nm程度、室温で堆積する。成膜はRF高周波スパッタを用いたが、界面でのプラズマダメージを考慮して、50Wの出力で行う。その後、150°Cで加熱処理を行うことで、結晶粒径は50nm程度となる。このバッファー層15a上にバッファー層15bとして、ZnO薄膜を堆積し、続いて、透明電極16となるアルミナAl2O3を2wt含有するZnO:Alを1μm程度堆積する。取り出し電極13、17として、Alを蒸着法にて堆積する。膜厚はそれぞれ100nm及び300nmとする。最後に反射防止膜18としてMgF2をスパッタ法により堆積することにより、実施形態の光電変換素子を得ることができる。得られた光電変換素子の結晶粒径、バッファー層のS量xおよび光吸収層のGa量y、伝導帯オフセットΔEceV、バッファー層のバンドギャップEgneV、光吸収層のバンドギャップEgpeV、開放端電圧Voc、短絡電流密度Jscおよび剥離耐性を測定した。照射損傷の少ない低エネルギーでのイオンエッチングと正逆光電子分光測定の繰り返しにより、バッファー層15aから光吸収層14までの電子状態を評価できる。紫外線光電子分光により、VBMを、逆光電子分光法により、CBMを見積もり、その差からバンドギャップバッファー層でのバンドギャップEgneV、光吸収層でのバンドギャップEgpeVを算出することができる。また、上述の繰り返し測定から、VBM及びCBMをエッチング時間に対してプロットすることで、pn接合を横切る膜厚方向での電子状態の変化を評価でき、光吸収層14とバッファー層15aでのCBMの差から、伝導体オフセットΔEceVを見積もることができる。ソーラーシミュレータによりAM1.5の擬似太陽光照射下で、電圧源とマルチメータを用い、電圧源の電圧を変化させ、擬似太陽光照射下での電流が0mAとなる電圧を測定して開放端電圧Vocを得て、電圧を印加しない時の電流を測定して短絡電流密度Jscを得た。実施例2A光吸収層14にCuIn0.5Ga0.5Se2薄膜を用いること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。実施例3A光吸収層14にCuIn0.7Ga0.3Se2薄膜を用いることと以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。実施例4A光吸収層14にCuInSe2薄膜を用いることと以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。実施例5Aバッファー層15aとしてn型化合物半導体層ZnO0.1S0.9を用いること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。実施例6A光吸収層14にCuGaSe2薄膜を用いることと、バッファー層15aとしてn型化合物半導体層ZnSを用いること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。比較例1A光吸収層14にCuInSe2薄膜を用いることと、バッファー層15aとしてn型化合物半導体層ZnOを用いること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。比較例2A光吸収層14にCuIn0.7Ga0.3Se2薄膜を用いることと、バッファー層15aとしてn型化合物半導体層ZnO0.7S0.3を用いること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。比較例3A光吸収層14にCuIn0.7Ga0.3Se2薄膜を用いることと、バッファー層15aとしてn型化合物半導体層ZnO0.5S0.5を用いること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。比較例4A光吸収層14にCuIn0.5Ga0.5Se2薄膜を用いることと、バッファー層15aとしてn型化合物半導体層ZnO0.5S0.5を用いること以外は実施例1と同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。比較例1B-比較例6Bバッファー層15aの製膜で、製膜後の加熱処理を行わないこと以外は、実施例1Aから実施例6Aと同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。結晶粒径は5nm程度となる。比較例1C-比較例6Cバッファー層15aの製膜で、製膜後、300°Cで加熱処理を行うこと以外は、実施例1Aから実施例6Aと同じ方法で化合物薄膜太陽電池を製造する。結晶粒径は150nm程度となる。表1に実施例1Aから6Aと、比較例1Aから4A、比較例1Bから6B及び比較例1Cから6Cで得られる化合物薄膜太陽電池の性能比較を示す。上述したように、ΔEcは0eV以上0.4eV以下であることが好ましく、開放端電圧Vocの性能に効果がある。また、バッファー層のバンドギャップEgnは、バッファー層での短波長の光吸収を抑制できるため、大きい方が好ましい。さらに、p型光吸収層のバンドギャップEgpは、1.4eVに近い方が好ましい。このバンドギャップの大きさは短絡電流密度Jscの性能に効果がある。n型バッファー層の結晶粒径も短絡電流密度Jscの性能に影響する。結晶粒径が5nmでは、キャリア移動度の低下により、結晶粒径が150nmでは、シャントパス形成等により、短絡電流密度Jscが低下する。変換効率を劣化させる。VocとJscから、変換効率ηの性能比較ができる。n型バッファー層の結晶粒径は、pn接合界面での剥離耐性にも影響し、結晶粒径が150nmでは、空隙形成により、剥離耐性が低下する。本発明の光電変換素子を太陽電池に用いることにより、変換効率の高い太陽電池を得ることができる。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定解釈されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成することができる。例えば、変形例の様に異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い