{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を有する半導体基板の表面上に第一セルを形成する工程と、前記第一セル上に第二セルを形成する工程と、第二セル上に組成変成バッファ層を形成する工程と、前記組成変成バッファ層上に第三セルを形成する工程と、を含み、前記第一セルは、第一のIII-V族化合物半導体層を有し、前記第二セルは、前記第一のIII-V族化合物半導体層よりもバンドギャップエネルギが小さい第二のIII-V族化合物半導体層を有し、前記第三セルは、前記第二のIII-V族化合物半導体層よりもバンドギャップエネルギが小さく、かつ前記半導体基板と格子定数が異なる第三のIII-V族化合物半導体層を有し、前記組成変成バッファ層は、前記第二のIII-V族化合物半導体層よりもバンドギャップエネルギが大きく、格子定数が段階的に変化する第四のIII-V族化合物半導体層を有する、III-V族化合物半導体太陽電池の製造方法。前記半導体基板は、GaAsまたはGeを含む、請求項1に記載のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第一のIII-V族化合物半導体層は、InGaPまたはAlInGaPを含む、請求項1または2に記載のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第二のIII-V族化合物半導体層は、GaAsまたはInGaAsを含む、請求項1から3のいずれかに記載のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第三のIII-V族化合物半導体層は、InGaAsまたはAlInGaAsを含む、請求項1から4のいずれかに記載のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法。III-V族化合物半導体太陽電池としては、従来からInGaP/InGaAs/Ge太陽電池が知られているが、InGaP/InGaAs/Ge太陽電池よりもさらに高効率の化合物半導体太陽電池として、InGaP/GaAs/InGaAs化合物半導体太陽電池が知られている。InGaP/GaAs/InGaAs化合物半導体太陽電池は、通常の化合物半導体太陽電池と異なり、GaAsまたはGeからなる半導体基板上に、InGaP太陽電池セル、GaAs太陽電池セル、およびInGaAs太陽電池セルをこの順に成長させ、InGaAs太陽電池セル側の面を支持基板と接合し、半導体基板を除去することによって作製される。そして、半導体基板の除去により露出したInGaP太陽電池セル側の面に太陽光が入射することによって発電する。このような半導体基板が除去されたInGaP/GaAs/InGaAs化合物半導体太陽電池においては、太陽電池セルに発生するピンホールなどの欠陥によって、上部電極および/または下部電極が、太陽電池セルのpn接合を短絡して、その特性が低下することが問題となっている。ピンホールは、半導体層の成長前に半導体基板の表面に存在するゴミ、半導体層の結晶欠陥、またはエピタキシャル成長条件などによって半導体層の表面に発生する微小な突起であるヒロックなどの欠陥が、その発生原因に挙げられるが、これらの原因を完全になくすことは極めて困難である。また、InGaP/GaAs/InGaAs化合物半導体太陽電池のInGaAs太陽電池セル側の面は、半導体基板との格子定数差が大きいことから、表面に凹凸のクロスハッチが発生しやすい。そのため、InGaAs太陽電池セル側の面を支持基板と接合する際に接触面積が小さくなることから、支持基板が剥がれやすいという問題が生じていた。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、支持基板が剥がれにくく、かつ優れた特性を有するIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明は、{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を有する半導体基板の表面上に第一セルを形成する工程と、第一セル上に第二セルを形成する工程と、第二セル上に組成変成バッファ層を形成する工程と、組成変成バッファ層上に第三セルを形成する工程と、を含み、第一セルは、第一のIII-V族化合物半導体層を有し、第二セルは、第一のIII-V族化合物半導体層よりもバンドギャップエネルギが小さい第二のIII-V族化合物半導体層を有し、第三セルは、第二のIII-V族化合物半導体層よりもバンドギャップエネルギが小さく、かつ半導体基板と格子定数が異なる第三のIII-V族化合物半導体層を有し、組成変成バッファ層は、第二のIII-V族化合物半導体層よりもバンドギャップエネルギが大きく、格子定数が段階的に変化する第四のIII-V族化合物半導体層を有するIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法である。ここで、本発明のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法において、半導体基板は、GaAsまたはGeを含むことが好ましい。また、本発明のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法において、第一のIII-V族化合物半導体層は、InGaPまたはAlInGaPを含むことが好ましい。また、本発明のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法において、第二のIII-V族化合物半導体層は、GaAsまたはInGaAsを含むことが好ましい。さらに、本発明のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法において、第三のIII-V族化合物半導体層は、InGaAsまたはAlInGaAsを含むことが好ましい。本発明によれば、支持基板が剥がれにくく、かつ優れた特性を有するIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。<構造>図1に、実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池の模式的な断面構成図を示す。実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池においては、支持基板1上に、金属層2、たとえばp型InGaAsからなるコンタクト層3、たとえばp型InGaPからなる第三セルBSF層31、たとえばp型InGaAsからなる第三セルベース層32、たとえばn型InGaAsからなる第三セルエミッタ層33、およびたとえばn型InGaPからなる第三セル窓層34がこの順序で積層されている。ここで、支持基板1としては、支持基板1上のIII-V族化合物半導体層の積層体を支持することができるものであれば特に限定なく用いることができるが、たとえば、金属基板または半導体基板などを用いることができる。また、第三セルベース層32と第三セルエミッタ層33との接合体から第三セル30が構成されている。なお、第三セル窓層34の格子定数および第三セルエミッタ層33の格子定数は、それぞれ、たとえば第三セルベース層32の格子定数と同等程度とすることができる。また、図1に示すように、第三セル窓層34上には、たとえば厚さ2.25μmのn型InxGa1xPからなる組成変成バッファ層4が積層されている。ここで、組成変成バッファ層4は、そのIn組成xがたとえば所定の厚さごとに減少するなどの段階的に変化するようにして、第三セル窓層34上に積層されている。また、図1に示すように、組成変成バッファ層4上には、p/nトンネルダイオード層5が積層されている。また、図1に示すように、p/nトンネルダイオード層5上には、たとえばp型In048Ga052Pからなる第二セルBSF層21、たとえばp型GaAsからなる第二セルベース層22、たとえばn型GaAsからなる第二セルエミッタ層23、およびたとえばn型In048Ga052Pからなる第二セル窓層24がこの順序で積層されている。ここで、第二セルベース層22と第二セルエミッタ層23との接合体から第二セル20が構成されている。また、図1に示すように、第二セル窓層24上には、p/nトンネルダイオード層6が積層されている。また、図1に示すように、p/nトンネルダイオード層6上には、たとえばp型AlInPからなる第一セルBSF層11、たとえばp型In048Ga052Pからなる第一セルベース層12、たとえばn型In048Ga052Pからなる第一セルエミッタ層13およびたとえばn型AlInPからなる第一セル窓層14がこの順に積層されている。ここで、第一セルベース層12と第一セルエミッタ層13との接合体から第一セル10が構成されている。また、図1に示すように、第一セル窓層14上には、たとえばn型GaAsからなるコンタクト層7、たとえばn型GaAsからなるコンタクト層8、および金属層9がこの順に積層されている。また、第一セル窓層14上には、反射防止膜50が形成されている。なお、図1に示す実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池においては、第三セル30を構成する第三のIII-V族化合物半導体層InGaAs、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層GaAsおよび第一セル10を構成する第一のIII-V族化合物半導体層In048Ga052Pの順にバンドギャップエネルギが大きくなっている。<製造方法>以下、図2~図4の模式的断面構成図を参照して、図1に示す実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。まず、たとえば直径2インチの{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を有するようにオフしたGaAsからなる半導体基板41をMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置内に設置する。本実施の形態においては、半導体基板41としてGaAs基板を用いる場合について説明するが、半導体基板41としては、GaAs基板またはGe基板を用いることが好ましい。半導体基板41としてGaAs基板またはGe基板を用いた場合には、半導体基板41上にエピタキシャル成長する化合物半導体層の結晶性が向上するため、特性に優れたIII-V族化合物半導体太陽電池を得ることができる傾向にある。半導体基板41としてGaAs基板を用いた場合には、第一セル10を構成する第一のIII-V族化合物半導体層としてはAlInGaPまたはInGaPを用いることが好ましく、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層としてはGaAsを用いることが好ましく、第三セル30を構成する第三のIII-V族化合物半導体層としてはInGaAsまたはAlInGaAsを用いることが好ましい。この場合には、第一セル10を構成する第一のIII-V族化合物半導体層、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層および第三セル30を構成する第三のIII-V族化合物半導体層のそれぞれの結晶性が向上するため、より特性に優れたIII-V族化合物半導体太陽電池を得ることができる傾向にある。半導体基板41としてGe基板を用いた場合には、第一セル10を構成する第一のIII-V族化合物半導体層としてはAlInGaPまたはInGaPを用いることが好ましく、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層としてはInGaAsを用いることが好ましく、第三セル30を構成する第三のIII-V族化合物半導体層としてはInGaAsまたはAlInGaAsを用いることが好ましい。この場合には、第一セル10を構成する第一のIII-V族化合物半導体層、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層および第三セル30を構成する第三のIII-V族化合物半導体層のそれぞれの結晶性が向上するため、より特性に優れたIII-V族化合物半導体太陽電池を得ることができる傾向にある。また、半導体基板41としては、{100}面から<011>方向に10°以上20°以下のオフ角を有する表面を有するものを用いることが好ましい。この場合には、半導体基板41の当該表面上にエピタキシャル成長するIII-V族化合物半導体層の表面の凹凸の高さを低くすることができるとともに、III-V族化合物半導体層の表面に発生するヒロック数を低減することができる。そのため、支持基板がより剥がれにくく、かつより特性に優れたIII-V族化合物半導体太陽電池を得ることができる傾向にある。次に、図2に示すように、{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を有するGaAsからなる半導体基板41の表面上に、たとえばGaAsと選択エッチングが可能なn型In048Ga052Pからなるエッチングストップ層42、たとえばn型GaAsからなるコンタクト層8、たとえばn型GaAsからなるコンタクト層7、たとえばn型AlInPからなる第一セル窓層14、たとえばn型In048Ga052Pからなる第一セルエミッタ層13、たとえばp型In048Ga052Pからなる第一セルベース層12およびたとえばp型AlInPからなる第一セルBSF層11をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。これにより、第一セルエミッタ層13と第一セルベース層12との接合体からなる第一セル10が形成される。次に、第一セルBSF層11上に、p/nトンネルダイオード層6をMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、p/nトンネルダイオード層6上に、たとえばn型In048Ga052Pからなる第二セル窓層24、たとえばn型GaAsからなる第二セルエミッタ層23、たとえばp型GaAsからなる第二セルベース層22、およびたとえばp型In048Ga052Pからなる第二セルBSF層21をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。これにより、第二セルエミッタ層23と第二セルベース層22との接合体からなる第二セル20が形成される。次に、第二セルBSF層21上に、p/nトンネルダイオード層5をMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、p/nトンネルダイオード層5上に、たとえばn型InxGa1xPからなる組成変成バッファ層4をMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。ここで、組成変成バッファ層4は、In組成xが段階的に変化するようにエピタキシャル成長させられる。次に、組成変成バッファ層4上に、たとえばn型InGaPからなる第三セル窓層34、たとえばn型InGaAsからなる第三セルエミッタ層33、たとえばp型InGaAsからなる第三セルベース層32、たとえばp型InGaPからなる第三セルBSF層31およびたとえばp型InGaAsからなるコンタクト層3をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。これにより、第三セルエミッタ層33と第三セルベース層32との接合体からなる第三セル30が形成される。なお、上記において、GaAsの形成には、たとえばAsH3アルシンおよびTMGトリメチルガリウムを用いることができ、InGaPの形成には、たとえばTMIトリメチルインジウム、TMGおよびPH3ホスフィンを用いることができ、InGaAsの形成には、たとえばTMI、TMGおよびAsH3を用いることができ、AlInPの形成には、たとえばTMAトリメチルアルミニウム、TMIおよびPH3を用いることができ、AlGaAsの形成には、たとえばTMA、TMGおよびAsH3を用いることができる。次に、図3に示すように、たとえばp型InGaAsからなるコンタクト層3の表面上に、たとえばAu/Agの積層体からなる金属層2を介して、支持基板1を貼り付ける。次に、図4に示すように、GaAsからなる半導体基板41をアルカリ水溶液にてエッチングした後に、たとえばn型In048Ga052Pからなるエッチングストップ層42を酸水溶液にてエッチングする。次に、半導体基板41およびエッチングストップ層42のエッチングにより露出したn型GaAsからなるコンタクト層8上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、コンタクト層7およびコンタクト層8の一部をそれぞれアルカリ水溶液を用いたエッチングにより除去する。そして、残されたコンタクト層8の表面上に再度フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、抵抗加熱蒸着装置およびEBElectronBeam蒸着装置を用いて、図1に示すように、たとえばAuGe12/Ni/Au/Agの積層体からなる金属層9を形成する。次に、図1に示すように、たとえばEB蒸着法により、たとえばTiO2膜とAl2O3膜との積層体からなる反射防止膜50を第一セル窓層14の表面上に形成する。これによって、受光面がIII-V族化合物半導体層の成長方向と反対側に位置する図1に示す実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池を得ることができる。なお、実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池において、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層GaAsは、第一セル10を構成する第一のIII-V族化合物半導体層In048Ga052Pよりもバンドギャップエネルギが小さくなっている。また、実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池において、第三セル30を構成する第三のIII-V族化合物半導体層InGaAsは、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層GaAsよりもバンドギャップエネルギが小さく、かつ半導体基板41GaAsと格子定数が異なっている。さらに、実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池において、組成変成バッファ層4を構成する第四のIII-V族化合物半導体層InxGa1xPは、第二セル20を構成する第二のIII-V族化合物半導体層GaAsよりもバンドギャップエネルギが大きく、かつ格子定数が段階的に変化している。また、第一セル10、第二セル20および第三セル30において、エミッタ層および窓層の厚さは、それぞれ、ベース層の厚さに対して非常に薄いため、エミッタ層および窓層の存在は、上記の格子定数差比にほとんど影響を与えないものと考えられる。また、本明細書において、化合物の化学式において化合物を構成する元素の組成比が記載されておらず、その組成について特に言及されていないものについては、その組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能であることを意味している。また、本明細書において、化合物の化学式において化合物を構成する元素の組成比が記載されている場合でも、その組成比に限定されるものではない。<作用効果>実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池は、{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を有するようにオフした半導体基板41の表面上に、MOCVD法により、化合物半導体層を順次エピタキシャル成長させて形成されているため、支持基板が剥がれにくく、かつ優れた特性を有するものとすることができる。これは、本発明者が鋭意検討した結果、導き出したものである。表1に、半導体基板41のオフ角°と、コンタクト層3の表面の凹凸の高さnmと、コンタクト層3と支持基板1との接合強度との関係を示す。ここで、表1のデータは、以下のようにして得たものである。まず、直径2インチのGaAsからなる半導体基板41の{100}面から<011>方向に様々なオフ角でオフした半導体基板41の表面上に、実施の形態と同様にして、III-V族化合物半導体層を順次エピタキシャル成長させ、最表面がコンタクト層3となる試料を作製する。次に、コンタクト層3の表面の凹凸の高さをAFMAtomicForceMicroscopeを用いて測定し、その後、当該コンタクト層3の表面と支持基板1とを金属層2で貼り合わせたときのコンタクト層3と支持基板1との接合強度の評価を目視により以下の基準に基づいて行なった。A...支持基板1がコンタクト層3から剥離しなかった。B...支持基板1がコンタクト層3から剥離した。表1に示すように、オフ角が2°~15°の範囲では、オフ角の増大に伴って、コンタクト層3の表面の凹凸の高さが低くなる傾向が見られた。しかしながら、オフ角を15°よりも大きくした場合でも、コンタクト層3の表面の凹凸の高さに変化が見られなかった。また、表1に示すように、コンタクト層3と支持基板1との接合強度の評価においてはコンタクト層3の表面の凹凸が最も高くなるオフ角が2°のときに、支持基板1がコンタクト層3から剥離する割合が最も高かった。図5に、半導体基板41のオフ角°と、上記のようにして作製した試料のコンタクト層3の表面に形成されたヒロックの個数個/直径2インチとの関係を示す。図5に示すように、半導体基板41の表面が{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を有する場合にはヒロック数が少なくなり、オフ角が15°のときにヒロック数は最小となっていた。半導体基板41の表面にオフ角を設けることにより、半導体基板41の表面のテラスと呼ばれる平坦部分が狭くなり、キンクと呼ばれる階段部分が多くなる。これにより、原子が整然と成長しやすくなり、半導体基板41の表面上にエピタキシャル成長するIII-V族化合物半導体層の欠陥が低減するものと考えられる。また、半導体基板41の表面にオフ角を設けた場合でも、半導体基板41の表面にオフ角が小さすぎると、半導体基板41の表面にオフ角を設けたことによる効果が得られない。一方、半導体基板41の表面のオフ角が大きすぎると、{511}面または{411}面が表面に現れることにより、半導体基板41の表面上にエピタキシャル成長するIII-V族化合物半導体層の欠陥が再度増加するものと考えられる。図6に、上記のようにして作製した実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池の開放電圧VocVと、ヒロック数個/直径2インチとの関係を示す。図6に示すように、ヒロック数が40個/直径2インチ未満である場合には、実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池の開放電圧VocVの値が飛躍的に高くなることがわかる。図5に示されるように、ヒロック数が40個/直径2インチ未満となるのは、半導体基板41の表面が{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を有する場合である。さらに、表1に示す支持基板1の接合強度の結果を考慮すると、半導体基板41の表面に{100}面から<011>方向に5°以上25°以下のオフ角を設けた場合には、支持基板1が剥がれにくく、かつ優れた特性を有するIII-V族化合物半導体太陽電池を得ることができると考えられる。また、図6に示す結果からは、ヒロック数が少なくなるにしたがって実施の形態のIII-V族化合物半導体太陽電池の開放電圧VocVの値が高くなる傾向を読み取ることができる。さらに、図5に示す結果からは、ヒロック数が大きく減少するのは、半導体基板41の表面に{100}面から<011>方向に10°以上20°以下のオフ角を設けた場合である。さらに、表1に示す支持基板1の接合強度の結果を考慮すると、半導体基板41の表面に{100}面から<011>方向に10°以上20°以下のオフ角を設けた場合には、支持基板1がより剥がれにくく、かつより優れた特性を有するIII-V族化合物半導体太陽電池を得ることができると考えられる。なお、半導体基板41としてGaAs基板以外のたとえばGe基板を用いた場合、および半導体基板41の直径が2インチ以外の場合にも上記と同様の結果が得られるものと考えられる。また、上記の結果から、たとえば以下のiおよびiiの場合には、支持基板1が剥がれにくく、かつ優れた特性を有するIII-V族化合物半導体太陽電池を好適に得ることができるものと考えられる。i半導体基板41:GaAs/第三セル30:InGaAs/組成変成バッファ層4:InxGa1xP/第二セル20:GaAs/第一セル10:InGaPまたはAlInGaPii半導体基板41:Ge/第三セル30:InGaAs/組成変成バッファ層4:InxGa1xP/第二セル20:InGaAs/第一セル10:InGaPまたはAlInGaP今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。