第1基板上に形成された半導体層を第2基板に移設して半導体装置を製造する方法であって、フォトレジストを前記第2基板上の前記半導体層よりも広い領域に塗布する塗布工程と、前記半導体層を前記フォトレジストに接着する接着工程と、前記フォトレジストに接着された前記半導体層から前記第1基板を除去する除去工程と、前記フォトレジストを露光する露光工程と、前記露光されたフォトレジストをパターニングするパターニング工程とを含み、前記接着工程において、前記半導体層の前記フォトレジスト側の面の全面が、前記フォトレジストに接着され、かつ、前記接着後において、前記フォトレジストの上面は、前記半導体層が接着されていない露出部分を有するように、前記半導体層を前記フォトレジストに接着し、前記露光工程において、前記フォトレジストの前記露出部分の少なくとも一部を露光し、前記パターニング工程によって、前記第2基板と接合している前記フォトレジストの下面の縁部から前記フォトレジストの上面の縁部にわたって、前記上面の縁部に近づくにつれて前記フォトレジストの厚さが増大する傾斜した側面を前記フォトレジストに生成することを特徴とする方法。前記半導体層は、前記第1基板上に互いに隔離されて複数形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記露光工程において、少なくとも前記半導体層の上面の全てを遮光するマスクを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。前記半導体層は前記露光工程における露光光を遮光することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。前記接着工程は、130°C以下の温度、かつ0.5~1.0kgf/cm2の圧力下で行われることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法。前記第2基板上には回路が形成されており、前記パターニング工程の後、スパッタ又は蒸着により金属薄膜を形成して前記半導体層と前記回路を結線する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法。前記第2基板はSiを含み、前記半導体層はAlGaAs又はGaAsで形成されることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法。基板上にフォトレジストを介して半導体層が形成された半導体装置であって、前記フォトレジストは、前記基板と接合している前記フォトレジストの下面の縁部から前記フォトレジストの上面の縁部にわたって、前記上面の縁部に近づくにつれて前記フォトレジストの厚さが増大する傾斜した側面を有することを特徴とする半導体装置。しかし、特許文献1記載の方法では、半導体層を第2基板にボンディングする際、半導体層を一旦第1基板から分離しているため、作業性及びボンディングの精度の確保が困難である。また、特許文献1の一つの実施形態では、半導体層を第2基板上に形成されたメタル層上にボンディングしているが、この場合、半導体層を第2基板にボンディングする際に高い圧力を必要とし、膜にダメージを与えやすくなる。さらに、特許文献1の他の実施形態では、半導体層を第2基板上に形成された接着層を介してボンディングしているが、この場合、接着層の表面の状態が後の工程で問題となりうる。具体的には、接着層上あるいはその縁部に鋭い凹凸が存在すると、半導体層から第2基板へ至る配線を形成する際に接着層上で断線してしまう虞れがあるが、その対策については言及されていない。そこで、本発明は、半導体層を効率的に、かつ十分な接合力で基板上に接合し、断線することなく半導体層から基板へ至る配線を形成できる半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明によれば、第1基板上に形成された半導体層を第2基板に移設して半導体装置を製造する方法であって、フォトレジストを前記第2基板上の前記半導体層よりも広い領域に塗布する塗布工程と、前記半導体層を前記フォトレジストに接着する接着工程と、前記フォトレジストに接着された前記半導体層から前記第1基板を除去する除去工程と、前記フォトレジストを露光する露光工程と、前記露光されたフォトレジストをパターニングするパターニング工程とを含み、前記接着工程において、前記半導体層の前記フォトレジスト側の面の全面が、前記フォトレジストに接着され、かつ、前記接着後において、前記フォトレジストの上面は、前記半導体層が接着されていない露出部分を有するように、前記半導体層を前記フォトレジストに接着し、前記露光工程において、前記フォトレジストの前記露出部分の少なくとも一部を露光し、前記パターニング工程によって、前記第2基板と接合している前記フォトレジストの下面の縁部から前記フォトレジストの上面の縁部にわたって、前記上面の縁部に近づくにつれて前記フォトレジストの厚さが増大する傾斜した側面を前記フォトレジストに生成することを特徴とする方法が提供される。本発明によれば、半導体層を効率的に、かつ十分な接合力で基板上に接合し、断線することなく半導体層から基板へ至る配線を形成できる半導体装置が提供される。以下、第1基板1上に形成された半導体層半導体薄膜3を第2基板6に移設して半導体装置を製造する、本発明を適用できる好適な実施例について、添付図面を参照しながら、さらに具体的かつ詳細に説明する。なお、既に説明した部分には同一符号を付し重複説明を省略する。<第1工程>第1工程では、図1に示すように、積層用基板1上に犠牲層2を介して半導体層3を形成する。本実施形態では、GaAsからなる積層用基板1上にAlAsからなる犠牲層2をエピタキシャル成長により形成し、AlGaAsからなる半導体層3を形成する。ここで、積層用基板1はGaAsに限らずサファイヤ、Si等により形成されていてもよい。犠牲層2はAlAsに限らず、InGaP等の、フッ酸、希フッ酸又は塩酸等によるウェットエッチングあるいはドライエッチングを行うことにより除去することができる膜を材料として用いることができる。半導体層3は、GaAs、さらにはLED特性、圧電特性、誘電特性、磁性特性等など機械的、電気的、磁気的、光学的な機能などを発揮する半導体接合を有する領域あるいは素子であれば本実施形態で用いたものに限らない。<第2工程>第2工程では、積層用基板1上に形成した半導体層3を互いに隔離された複数の領域に分割する。以下に本実施形態における本工程の具体的な内容について説明する。まず、図2aに示すように、感光性のレジスト4をスピンコーティング法、スプレーコーティング法等の方法で塗布し、レジスト4を必要な部分上記半導体層3の複数の領域にあたる部分に残すようにレジスト4を露光して、パターニング現像処理する。次に、積層用基板1をエッチング液に浸漬し、上面にレジスト4が形成されていない半導体層3の部分を除去する。本工程により図2bに示すように半導体層3は互いに隔離されて複数形成される。本実施形態では犠牲層2も複数の領域に分割されているが、必ずしも犠牲層2は分割されている必要はない。その後、N-メチル-2-ピロリドンNMPを高圧スプレーする等の方法により、レジスト4を除去する。レジスト4の除去後の積層用基板1の状態を図2cに示す。なお、レジスト4は印刷等により形成することも可能であり、また、エッチングはレジスト4の材料によってはドライエッチング法を用いてもよい。さらに本実施形態の他に、エッチングを行わずに、ハーフダイシング等により機械的に半導体層3を分割する方法を用いることもできる。<第3工程>第3工程では、図3に示すように、粘着面51を有する第1基板5と半導体層3とを、粘着面51と半導体層3の上面が対向するように接合する。なお、粘着面51に用いる粘着剤は第4工程で用いる犠牲層2のエッチング液で粘着力が低下しないものが望ましい。ここで、第1基板5が可視光を透過するものであれば、本工程及び半導体層3を第2基板6に接合する第6工程におけるアライメントが容易になる。<第4工程>第4工程では、エッチングを行って犠牲層2を除去することにより、半導体層3と積層用基板1とを分離する。本実施形態では、エッチング液として、10wtHF水溶液を用いたが、犠牲層2を除去できるものであればこれに限らない。本工程により、図4に示すように、互いに隔離された半導体層3が複数形成された第1基板5が得られる。<第5工程>第5工程では、図5に示すように、フォトレジスト7を第2基板6上の半導体層3よりも広い領域に塗布する。本実施形態では、第2基板6は回路61が形成されたSi基板であり、フォトレジスト7は感光性ポリイミドである東レ社製フォトニース登録商標PW-1210で、これをスピンコーターで塗布する。なお、フォトレジスト7は感光性を有し、かつ半導体層3と接着できるものであれば、本実施形態のものにかぎらず、また、塗布方法は、スピンコートに限らない。この後、第2基板6を125°Cで3分間加熱し、フォトレジスト7に含まれる溶媒を除去する。なお、本実施形態では、加熱後で、フォトレジスト7中に残存する溶媒成分は10で、溶媒成分が残存していると、次の工程で、半導体層3との接着力が得られやすい。<第6工程>第6工程では、図6に示すように、半導体層3をフォトレジスト7に接着する。本工程において、半導体層3のフォトレジスト7側の面の全面が、フォトレジスト7に接着される。さらに、接着後において、フォトレジスト7の上面は、半導体層3が接着されていない露出部分71を有する。なお、接着条件は、本実施形態では、130°C以下の温度、かつ0.5~1.0kgf/cm2の圧力下で2分間かけて接着が行われる。このとき、温度が高すぎると本実施形態では140°C以上でフォトレジスト7の感光性が失われる。<第7工程>第7工程では、図7に示すように、フォトレジスト7に接着された半導体層3から第1基板5を除去する。このとき、粘着面51により接合されている半導体層3から第1基板5を引き剥がすが、常温では接合力が強い場合、40°C以上に加熱し、粘着面51の粘着剤を軟化させた状態で引き剥がす。<第8工程>第8工程では、フォトレジスト7を露光する。本実施形態において、図8aに示すように、少なくとも半導体層3の上面の全てを遮光するマスク8を用いて、フォトレジスト7の露出部分71の少なくとも一部を露光する。なお、半導体層3が露光光を遮光できるものであればマスク8を用いずに露光してもよく、この場合を図8bに示す。<第9工程>第9工程では、第8工程において露光したフォトレジスト7をパターニングする。本実施形態では、フォトレジスト7の反応した部分を2.38wtテトラメチルハイドロオキサイドTMAH水溶液に溶解して除去する。本工程により、図9aに示すように、フォトレジスト7の下面の縁部72から上面の縁部73にわたって、上面の縁部73に近づくにつれてフォトレジスト7の厚さが増大する傾斜した側面74がフォトレジスト7に生成される。なお、第8工程においてマスク8を用いずに、半導体層3で露光光を遮光した場合は図9bに示すように、フォトレジスト7の上面の縁部73は半導体層3の下面の縁部と重なる。さらに、本工程のパターニング後、第2基板6上に残ったフォトレジスト7を350°Cで1時間置くことで硬化させる。<第10工程>第10工程では、半導体層3を半導体装置として機能させるために第2基板6に形成された回路61とを結線する配線を形成させる。本実施形態では、まず、図10aに示すように、半導体層3をエッチング加工し、Pコンタクト領域3aと、Nコンタクト領域3bを形成させる。次に、図10bに示すように、この両領域及び、第2基板の接続領域を露出させるように、絶縁層9を形成する。その後、図10cに示すように、スパッタ又は蒸着により金属薄膜10をリフトオフ法により形成して半導体層3と回路61を結線する。<その他の実施形態>以上の実施形態において、第1工程から第4工程で説明した通り、積層用基板1上で半導体層3を形成した後、半導体層3を第1基板5に移設したが、この手順に限らず、本発明は、以下の方法によっても実施可能である。まず、第1基板5上に犠牲層2を介して半導体層3を形成し、上記第2工程と同様の手順で半導体層3を複数の領域に分割する。次に、第1基板5に形成された半導体層3を第2基板6作製方法は第5工程の通りに塗布されたフォトレジスト7に接着する。さらに、エッチングにより犠牲層2を除去し、第1基板5を分離し、除去する。この後は第8工程から第10工程を行う。<上記実施形態の効果>上記実施形態は何れも、半導体層3はフォトレジスト7を介して第2基板6上に接着される。さらに、フォトレジスト7を露光、パターニングすることにより、フォトレジスト7の下面の縁部72から上面の縁部73にわたって、上面の縁部73に近づくにつれてフォトレジスト7の厚さが増大する傾斜した側面74がフォトレジスト7に生成される。この構成では、側面74はオーバーハング形状が無い。したがって、側面74の全面を第2基板6上へ投影できることから、傾斜した側面74上において断線することなくスパッタ又は蒸着により金属薄膜10を形成することができる。以上より、上記実施形態は何れも、半導体層を効率的に、かつ十分な接合力で基板上に接合し、断線することなく半導体層から基板へ至る配線を形成できる半導体装置の製造方法を提供することができる。さらに、上記の実施形態の方法は、低コストで高性能なLEDアレイ、LEDプリンタヘッド、ディスプレイ等の表示装置等、あるいは、光送受信用素子や受光素子などの製造にも適用することができる。