"平面視において略方形形状を呈する半導体チップが、ダイシング領域を介して複数個形成された半導体ウェーハの第1の面に接着層を形成し、前記半導体チップの中央寄りに位置する第1の領域を避けて、前記半導体チップの外縁に沿った第2の領域の少なくとも一部で前記接着層に剥離剤を塗布し、前記半導体ウェーハの前記第1の面にダイシングテープを貼り付け、前記半導体ウェーハを前記ダイシング領域に沿ってダイシングして前記半導体チップを個片化し、前記半導体チップを前記ダイシングテープから剥離し、前記接着層を介して前記半導体チップを基板上に接着させる半導体装置の製造方法。前記剥離剤を、前記第1の領域のうち前記半導体チップの角部に塗布する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記剥離剤を、前記第2の領域の全域に塗布する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体チップは、前記基板上に階段状に複数個積層して接着され、前記半導体チップのうち上段の半導体チップにおいて、前記剥離剤を、前記第2の領域のうち下段に積層された半導体チップと重ならない領域の少なくとも一部にのみ塗布する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。平面視において略方形形状を呈する複数の半導体チップが、ダイシング領域を介して形成された半導体ウェーハの第1の面に接着層を形成し、前記半導体ウェーハの第1の面に貼り付けられるダイシングテープに、前記半導体ウェーハに貼り付けられた際に前記半導体チップの中央寄りに位置する第1の領域を避けて、前記半導体チップの外縁に沿った第2の領域の少なくとも一部と重なるように剥離剤を塗布し、剥離剤が塗布された前記ダイシングテープを前記半導体ウェーハに貼り付け、前記半導体ウェーハを前記ダイシング領域に沿ってダイシングして半導体チップを個片化し、前記半導体チップを前記ダイシングテープから剥離し、前記接着層を介して前記半導体チップを基板上に接着させる半導体装置の製造方法。本発明の実施の形態は、上記に鑑みてなされたものであって、剥離のキッカケを作ることにより、半導体チップがダイシングテープから容易に剥離することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。実施の形態の半導体装置の製造方法は、平面視において略方形形状を呈する半導体チップが、ダイシング領域を介して複数個形成された半導体ウェーハの第1の面の裏側に接着層を形成する。半導体チップの中央寄りに位置する第1の領域を避けて、半導体チップの外縁に沿った第2の領域の少なくとも一部で接着層に剥離剤を塗布する。半導体ウェーハの第1の面の裏側にダイシングテープを貼り付ける。半導体ウェーハをダイシング領域に沿ってダイシングして半導体チップを個片化する。半導体チップをダイシングテープから剥離し、接着層を介して半導体チップを基板上に接着させる。以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図2は、半導体ウェーハを表面側から見た図である。図3~図9は、図2に示すA-A線に沿った矢視断面図である。図2および図3に示すように、半導体回路等が形成された半導体ウェーハ1を用意する。半導体ウェーハ1には、チップ領域を有する複数の半導体チップ2が、ダイシング領域3を介して形成されている。このダイシング領域3に沿って半導体ウェーハ1を切断することによって、半導体チップ2を個片化することができる。ここで、半導体ウェーハ1の表面とは回路素子や金属パッドなどが配置された面であり、裏面とは半導体ウェーハ1の表面と反対側の面である。また、半導体ウェーハ1の裏面は研磨された面を指す場合もある。また、半導体ウェーハ1の裏面と半導体チップ2の裏面は同じ面を意味する。半導体装置50を製造するにあたって、まず図4に示すように、研削済み半導体ウェーハ1の裏面1aに接着剤を塗布して接着層10を形成するステップS1。接着剤は、例えば樹脂と溶媒とを含むものが用いられる。接着剤に用いられる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。接着層10は、後の工程において、ダイシングテープ11や基板51に対して半導体ウェーハ1や半導体チップ2を接着させる。次に、図5に示すように、接着層10に剥離剤12を塗布するステップS2。剥離剤12としては、例えばシリコーン系、アルキッド系、またはフッ素系の剥離剤が用いられる。図10は、半導体チップ2部分の平面図である。図10に示すように、半導体チップ2の裏面1aは、仮想的に第1の領域P1と第2の領域P2とに区分されている。第1の領域P1は、半導体チップ2の裏面1aの中央寄りに位置する領域である。第2の領域P2は、半導体チップ2の裏面1aの外縁に沿って設けられる領域であり、第1の領域P1を囲むように設けられている。第2の領域P2の領域の幅は、半導体チップ2の裏面1aの外縁から内側に0.5mm前後が望ましい。図11は、半導体チップ2部分の平面図であって、剥離剤12が塗布された状態を示す図である。図11に示すように、半導体チップ2の裏面第1の面1aのうち、領域P1を避けるとともに、領域P2に剥離剤12が塗布される。なお、剥離剤12の塗布は、後に詳説する塗布装置によって行われる。なお、接着層10は半導体チップ2の裏面1aの領域P1及び領域P2のほぼ全領域に塗られている。その結果、半導体チップ2の接着力を大きくすることができる。すなわち領域P2において、半導体チップ2の裏面1aに接着層10と剥離剤12が積層するように形成されている。次に、図6に示すように、半導体ウェーハ1の裏面1aにダイシングテープ11を貼り付けるステップS3。すなわち、ダイシングテープ11は、剥離剤12が塗布された接着層10に貼り付けられることとなる。なお、図7~9では、図3~図6と上下を反転させて半導体ウェーハ1を図示している。次に、図7、図8に示すように、半導体ウェーハ1を、表面1b側からダイシング領域3に沿って切断するステップS4。例えば、ダイシング領域3の幅に応じた刃厚を有するブレード図示せずを用いて半導体ウェーハ1を切断する。これにより、半導体ウェーハ1から半導体チップ2が個片化される。なお、ステップS4では、半導体ウェーハ1と接着層10を切断するが、ダイシングテープ11は切断しない。これにより、個片化された半導体チップ2がばらけずに、ダイシングテープ11上で全体としてウェーハ形状が維持される。次に、図9に示すように、個片化された半導体チップ2を個々にダイシングテープ11から剥離してピックアップするステップS5。より具体的には、ダイシングテープ11の半導体ウェーハ1が接着された側の裏面から、突上げピン13で1つの半導体チップ2を突上げるとともに、コレット14で突上げられた半導体チップ2を吸着する。図12は、半導体チップ2部分の断面図であって、突上げピン13によって突上げられた状態を示す図である。図12に示すように、ダイシングテープ11のうち突上げピン13に突上げられた部分が半導体チップ2側に盛り上がる。これにより、半導体チップ2の外縁側から接着層10とダイシングテープ11との剥離が始まる。そして、ある程度の領域で半導体チップ2が剥離したところで、半導体チップ2を吸着させたコレット14で持ち上げることで、半導体チップ2をピックアップすることができる。なお、ダイシングテープ11から半導体チップ2を剥離させる際に、突上げピン13以外のものを用いてもよく、例えば多段ブロックでダイシングテープ11を突上げて半導体チップ2を剥離させてもよい。図13は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の断面構成を模式的に示す図である。図13に示すように、ピックアップされた半導体チップ2を、配線パターンが形成された基板51上に接着しステップS6、半導体チップ2に設けられた電極パッド図示せずと基板51に設けられた接続パッドとを金属ワイヤ41でワイヤボンディングするステップS7そして、基板51の表面を樹脂モールドすることでステップS8、半導体装置50が製造される。次に、半導体ウェーハ1に接着剤や剥離剤12を塗布するための塗布装置について説明する。図14は、半導体製造装置としての塗布装置の側面図である。図15は、図14に示すD-D線に沿った矢視図である。塗布装置30には、基台31、移動部32、載置部33、支持部34、吐出部35などが設けられている。基台31は、略直方体形状を呈し、その底面には脚部31aが設けられている。また、底面に対向する側の面にはベース板31bが設けられている。移動部32には、軌道レール32a、移動ブロック32b、取付部32c、駆動部32dなどが設けられている。軌道レール32aは、略矩形の断面形状を呈し、ベース板31bの上面に設けられている。また、軌道レール32aは、図14に示すようにベース板31bの長手方向に延在しており、図15に示すように基台31の両端側にそれぞれ設けられている。移動ブロック32bは、略逆U字状の断面形状を呈し、図示しない複数のボールを介して軌道レール32aに取り付けられている。そして、移動ブロック32bが軌道レール32aを跨るようにして軌道レール32a上を往復自在に移動できるようになっている。取付部32cは、平板状を呈し、移動ブロック32bの上面に設けられている。駆動部32dには、ボールネジ部32e、ナット部32f、駆動モータ32gなどが設けられている。ボールネジ部32eは、図14に示すようにベース板31bの長手方向に延在して設けられ、その両端部が基台31に回転自在に取り付けられている。ナット部32fは、図15に示すように取付部32cの下面に設けられ、ボールネジ部32eと螺合するようになっている。ボールネジ部32eの一端には、サーボモータなどの駆動モータ32gが接続されている。そのため、駆動モータ32gによりボールネジ部32eが回転駆動されれば、取付部32cが図14に示す矢印Xの方向に往復駆動されるようになっている。載置部33には図示しない静電チャックや真空チャックなどが内蔵され、その載置面に半導体ウェーハ1を載置、保持することができるようになっている。また、載置部33にはヒータなどの加熱部33aが内蔵され、保持された半導体ウェーハ1に塗布した接着剤を加熱することができるようになっている。なお、加熱部33aは接着剤を加熱することができるものであればよく、例えば、熱媒体を循環させて加熱を行うようにしたものであってもよい。また、載置部33と離隔させて加熱部33aを設けるようにすることもできる。例えば、載置部33に保持された半導体ウェーハ1を照射可能な位置に赤外線ヒータなどを設けるようにすることもできる。すなわち、加熱部は、半導体ウェーハ1上に塗布された接着剤を加熱して、Bステージ化させる。支持部34は、略逆U字状を呈し、一対の軌道レール32aを跨ぐようにしてベース板31b上から立設されている。また、支持部34の架設部34aからは取付部34bが突出するようにして設けられている。この取付部34bには吐出部35が取り付けられる。吐出部35は、接着剤や剥離剤12を半導体ウェーハ1に向けて吐出させる。吐出部35は、インクジェット法により接着剤や剥離剤12を半導体ウェーハ1に向けて吐出させるものである。インクジェット法には、加熱により気泡を発生させ膜沸騰現象を利用して液体を吐出させるサーマル式と、圧電素子の屈曲変位を利用して液体を吐出させる圧電式などがあるが、どちらの方式を採用してもよい。なお、吐出部35としては、インクジェット法により液体を吐出させる既知のインクジェットヘッドを採用することができる。そのため、その詳細な構成については説明を省略する。吐出部35には、配管35bを介して収納部35aが接続されている。収納部35aには、接着剤や剥離剤12が収納され、吐出部35に対して供給可能となっている。収納部35aから吐出部35への接着剤や剥離剤12の供給は、位置水頭などを利用したものであってもよいし、ポンプなどの送液手段を用いたものであってもよい。また、吐出部35からの吐出タイミングや吐出量などを制御する制御部38が設けられている。例えば、圧電式の吐出部35の場合には、圧電素子に印加する電圧を変えて圧電素子の作動量を制御することで、各圧電素子が対向する吐出ノズルから吐出される接着剤や剥離剤12の液滴の大きさ、つまり吐出量を制御するようになっている。そのため、接着剤や剥離剤12を膜状に付着させた際の厚みを1μmマイクロメートル以下とすることができる。また、制御部38は、駆動モータ32gの駆動や吐出部35からの接着剤や剥離剤12の吐出タイミングを制御することで、半導体ウェーハ1上の所望の領域に接着剤や剥離剤12を塗布させることができる。制御部38は、記憶部39に格納されたプログラムにしたがって、上述した接着剤の塗布を塗布装置に実行させる。例えば、記憶部39に格納されたプログラムには、領域P1,P2の範囲を示す情報や、剥離剤12の吐出量を示す情報が記述されていてもよい。または、領域P1,P2の範囲や剥離剤12の吐出量を示すテーブル情報が記憶部39に格納され、プログラムの記述にしたがって制御部38が記憶部39から必要な情報を読み出して、駆動モータ32gや吐出部35を制御してもよい。以上説明したように、半導体チップ2の裏面1aのうち外縁に沿った第2の領域P2に剥離剤12が塗布されているので、図12に示すように接着層10とダイシングテープ11との剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ11から半導体チップ2が剥離しやすくなる。このように、ダイシングテープ11から半導体チップ2を容易に剥離する部分以下、キッカケと称する場合があるができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなる。その結果、剥離時に半導体チップ2の欠けの発生を抑えることができる。また、半導体チップ2の裏面1aの中央寄りに位置する第1の領域P1を避けた上で、外縁に沿った第2の領域P2に剥離剤12が塗布されるので、剥離剤12を蒸発させやすくなる。剥離剤12が蒸発せずに接着層10上に残存していると、基板51に接着させた半導体チップ2が剥がれやすくなってしまう。また、基板51と半導体チップ2の接着力が低下し、例えば、ステップS7のワイヤボンディング工程で半導体チップ2が動くことにより、金属ワイヤ41が半導体チップ2の金属パッドと接着できない場合以下、ボンディング不良と称する場合があるがある。一方、本実施の形態では、半導体チップ2を基板51に接着させた際に、外縁部から剥離剤12が蒸発しやすくなる。その結果、基板51と半導体チップ2の接着性を向上させることができる。半導体チップ2を接着させる際に、接着層10を硬化させるために加熱を行う場合がある。この場合には、より一層剥離剤12が蒸発しやすくなる。また、剥離剤12を蒸発させる熱工程を用いなくても、上記接着層10を硬化させるための加熱により剥離剤12を蒸発させることもできる。その結果、製造工程を省略することができる。また、剥離剤12は、半導体チップ2の裏面1aの中央寄りに位置する第1の領域P1を避けて塗布されているので、第1の領域P1に塗布された接着層10によって、ダイシングテープ11への接着強度を確保しやすくなる。したがって、半導体ウェーハ1のハンドリング時や、ブレードによる切断時に、半導体ウェーハ1がダイシングテープ11からずれてしまうのを抑えることができる。第2の領域P2の領域の幅は、半導体チップ2の裏面1aの外縁から内側に0.5mm前後が望ましい。特に、第1の領域P1が方形である場合には、半導体チップ2のダイシングテープ11への接着強度を確保しやすくなる。また、第1の領域P1の面積が第2の領域P2の面積より大きい場合には、さらに半導体チップ2のダイシングテープ11への接着強度を確保しやすくなる。また、インクジェット法によって剥離剤12を塗布するので、接着剤や剥離剤12の吐出量や、塗布範囲を細かく設定することができる。そのため、本実施の形態のように、半導体チップ2の裏面1aの一部の領域第2の領域P2にのみ剥離剤12を正確に塗布することが可能となる。図16は、第1の実施の形態の変形例1にかかる半導体チップ2部分の平面図であって、剥離剤12が塗布された状態を示す図である。本変形例1では、図16に示すように、第2の領域P2のうち、半導体チップ2の裏面1aのそれぞれの角部に剥離剤12を塗布している。また、剥離剤12は、第1の領域P1を避けて塗布されている。このように、半導体チップ2の裏面1aの一部角部のみに剥離剤12aを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。本変形例1では、半導体チップ2をダイシングテープ11から剥離する場合に、剥離剤12が塗布された角部部分が容易に剥離する。この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ2での欠けの発生を抑えることができる。また、第2の領域P2全体に剥離剤12を塗布する場合に比べて、剥離剤12の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。なお、本変形例1では、半導体チップ2の裏面1aにある4箇所の角部のすべてに剥離剤12を塗布しているが、一部の角部のみに剥離剤12を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の角部に剥離剤12を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ11から半導体チップ2が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。図17は、第1の実施の形態の変形例2にかかる半導体チップ2部分の平面図であって、剥離剤12が塗布された状態を示す図である。本変形例2では、図17に示すように、第2の領域P2のうち、半導体チップ2の裏面1aの辺であって角部から離れた部分に剥離剤12を塗布している。また、剥離剤12は、第1の領域P1を避けて塗布されている。このように、半導体チップ2の裏面1aの一部辺の一部のみに剥離剤12aを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。本変形例2では、半導体チップ2をダイシングテープ11から剥離する場合に、剥離剤12が塗布された辺部分が容易に剥離する。この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ2での欠けの発生を抑えることができる。また、第2の領域P2全体に剥離剤12を塗布する場合に比べて、剥離剤12の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。なお、本変形例2では、半導体チップ2の裏面1aにある4箇所の辺のすべてに剥離剤12を塗布しているが、一部の辺のみに剥離剤12を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の一辺に剥離剤12を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ11から半導体チップ2が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。図18は、第1の実施の形態の変形例3にかかる半導体装置50の断面構成を模式的に示す図である。図19は、図18に示す半導体装置50が備える半導体チップ2の平面図である。本変形例3では、図18に示すように、基板51上に複数の半導体チップ2が階段状に積層されて接着される。変形例3では半導体チップ2の大きさは全て同じである。また、階段状に積層するとは、半導体チップ2の表面に配置された金属パッドPAを露出するように半導体チップ2をずらして積層することをいう。また、金属パッドPAには金属ワイヤ41が接続されている。変形例3では半導体チップ2は3層積層されているが、2層以上積層されていれば良い。そして、図19に示すように、第2の領域P2のうち、下段の半導体チップ2と重ならない部分に剥離剤12を塗布している。また、剥離剤12は、第1の領域P1を避けて塗布されている。本変形例3では、半導体チップ2をダイシングテープ11から剥離する場合に、剥離剤12が塗布された部分が容易に剥離する。この場合も、半導体チップ2の外縁部分の一部に剥離のキッカケを作ることで、ダイシングテープ11から半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなる。その結果、剥離時に半導体チップ2での欠けの発生を抑えることができる。また、図18に示すように剥離剤12が蒸発せずに接着層10上に残存してしまった場合であっても、下段の半導体チップ2と重ならない部分に剥離剤12が塗布されている。その結果、半導体チップ2同士の剥がれ、または、半導体チップ2同士の接着力低下によるボンディング不良が生じる可能性を小さくすることができる。また、第2の領域P2全体に剥離剤12を塗布する場合に比べて、剥離剤12の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、剥離剤12を蒸発させる熱工程を省略することもできる。また、最下層の半導体チップ2は変形例1や変形例2のように剥離剤12を形成し、最下層の半導体チップ12より上層の半導体チップ12は変形例3のように接着剤12を塗布しても良い。図20は、第2の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。なお、上記実施の形態と同様の構成については同様の符号を用いて説明する。第1の実施の形態のステップS2図1を参照で接着層10に剥離剤12を塗布しているが、本実施の形態では、ステップS2に代えたステップS22において、ダイシングテープ11に剥離剤12を塗布する。なお、剥離剤12の塗布は、第1の実施の形態で説明した塗布装置30図14および図15も参照によって行われる。ここで、ステップS22における剥離剤12の塗布工程では、ダイシングテープ11を半導体ウェーハ1に貼り付けた場合に、半導体チップ2の第2の領域P2と重なる部分に対して剥離剤12が塗布される。また、第1の領域P1は避けて剥離剤12が塗布される。したがって、ダイシングテープ11を半導体ウェーハ1に貼り付ければ、半導体チップ2の第2の領域P2に剥離剤12を塗布したのと同様の構成、効果を得ることができる。そして、ダイシングテープ11を半導体ウェーハ1に貼り付けるステップS3以降は、その工程および構成は第1の実施の形態と同様に行われる。以上説明したように、本実施の形態では、半導体チップ2の裏面1aのうち外縁に沿った第2の領域P2に剥離剤12を塗布したのと同様に、接着層10とダイシングテープ11との剥離が始まる外縁部分で、半導体チップ2が剥離しやすくなる。このように、半導体チップ2の一部に剥離のキッカケを作ることにより、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ2での欠けの発生を抑えることができる。また、剥離剤12を蒸発させやすくなる。剥離剤12が蒸発せずに接着層10上に残存していると、基板51に接着させた半導体チップ2が剥がれやすくなってしまう。また、基板51と半導体チップ2の接着力が低下し、例えば、ボンディング不良が発生する場合がある。一方、本実施の形態では、半導体チップ2を基板51に接着させた際に、外縁部から剥離剤12が蒸発しやすくなる。その結果、基板51と半導体チップ2の接着性を向上させることができる。半導体チップ2を接着させる際に、接着層10を硬化させるために加熱を行う場合がある。この場合には、より一層剥離剤12が蒸発しやすくなる。また、剥離剤12を蒸発させる熱工程を用いなくても、上記接着層10を硬化させるための加熱により剥離剤12を蒸発させることもできる。その結果、製造工程を省略することができる。また、第1の領域P1を避けて剥離剤12を塗布したのと同様に、第1の領域P1に塗布された接着層10によって、ダイシングテープ11への接着強度を確保しやすくなる。したがって、半導体ウェーハ1のハンドリング時や、ブレードによる切断時に、半導体ウェーハ1がダイシングテープ11からずれてしまうのを抑えることができる。特に、第1の領域P1が方形である場合には、半導体チップ2のダイシングテープ11への接着強度を確保しやすくなる。また、第1の領域P1の面積が第2の領域P2の面積より大きい場合には、さらに半導体チップ2のダイシングテープ11への接着強度を確保しやすくなる。また、インクジェット法によって剥離剤12を塗布するので、接着剤や剥離剤12の吐出量や、塗布範囲を細かく設定することができる。そのため、本実施の形態のように、ダイシングテープ11の所望の領域に正確に剥離剤12を塗布することが可能となる。また、ダイシングテープ11に剥離剤12を塗布するので、剥離剤12の塗布工程を半導体ウェーハ1への接着層10の形成工程とは別個に進めることができる。したがって、半導体ウェーハ1に塗布した接着剤の乾燥などを待たずに剥離剤12の塗布工程を進めることができるため、工期の短縮化や、製造効率の向上を図ることができる。なお、同様の理由により、剥離剤12を塗布するステップS22は、ダイシングテープ11を半導体ウェーハ1に貼り付ける前であればいつ行っても構わない。また、上記第1の実施の形態の変形例1と同様に、第1の領域P1を避けるとともに、第2の領域P2のうち、半導体チップ2の裏面1aのそれぞれの角部に剥離剤12を塗布してもよい。このように、半導体チップ2の裏面1aの一部角部のみに剥離剤12aを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。この場合も、半導体チップ2の外縁部分の一部に剥離のキッカケを作ることで、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ2での欠けの発生を抑えることができる。また、第2の領域P2全体に剥離剤12を塗布する場合に比べて、剥離剤12の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。また、一部の角部のみに剥離剤12を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の角部に剥離剤12を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ11から半導体チップ2が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。また、上記第1の実施の形態の変形例2と同様に、第1の領域P1を避けるとともに、第2の領域P2のうち、半導体チップ2の裏面1aの辺であって角部から離れた部分に剥離剤12を塗布してもよい。このように、半導体チップ2の裏面1aの一部辺の一部のみに剥離剤12aを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ2での欠けの発生を抑えることができる。また、第2の領域P2全体に剥離剤12を塗布する場合に比べて、剥離剤12の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。また、一部の辺のみに剥離剤12を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の一辺に剥離剤12を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ11から半導体チップ2が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ2を基板51に接着させた後に、剥離剤12がより蒸発しやすくなる。また、上記第1の実施の形態の変形例3と同様に、第1の領域P1を避けるとともに、第2の領域P2のうち、下段の半導体チップ2と重ならない部分に剥離剤12を塗布してもよい。この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ2が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ2での欠けの発生を抑えることができる。また、剥離剤12が蒸発せずに接着層10上に残存してしまった場合であっても、下段の半導体チップ2と重ならない部分に剥離剤12が塗布されているので、半導体チップ2同士の剥がれ、または、半導体チップ2同士の接着力低下によるボンディング不良が生じる可能性を小さくすることができる。また、第2の領域P2全体に剥離剤12を塗布する場合に比べて、剥離剤12の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。なお、上記実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。"