第1の表面を有する第1の半導体材料と、前記第1の半導体材料の前記第1の表面から離れて面する第2の表面を有する第2の半導体材料と、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料との間の活性領域であって、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体部材が、合わせて、前記第1の表面と前記第2の表面との間の距離に等しい積層の厚さを有する活性領域と、前記第1の半導体材料の前記第1の表面と接触する第1の電極と、前記第2の半導体材料の前記第2の表面と接触する第2の電極であって、少なくとも前記積層の厚さだけ前記第1の電極から離間配置される第2の電極と、を備え、前記第2の電極の一部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出する、発光ダイ。前記第1の電極および前記第2の電極の両方が、前記発光ダイの同じ側から接近可能である、請求項1に記載の発光ダイ。前記第2の電極が、第1の部分と、前記第1の部分から延在する第2の部分とを含み、前記第2の電極の前記第1の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料によって覆われ、前記第2の電極の前記第2の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出する、請求項1に記載の発光ダイ。前記第2の電極が、第1の部分と、前記第1の部分から延在する第2の部分と、を含み、前記第2の電極の前記第1の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料によって覆われ、前記第2の電極の前記第2の部分が、前記第2の半導体材料、前記活性領域、および前記第1の半導体材料を越えて横方向に延在する、請求項1に記載の発光ダイ。前記第2の電極が、第1の部分と、前記第1の部分から延在する第2の部分と、を含み、前記第2の電極の前記第1の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料によって覆われ、前記第2の電極の前記第2の部分が、互いに離間配置される複数の個々の区間を含み、前記第2の部分の前記個々の区間が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を越えて横方向に延在する、請求項1に記載の発光ダイ。第1の半導体材料と、前記第1の半導体材料から離間配置される第2の半導体材料と、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料との間の活性領域と、前記第2の半導体材料および前記活性領域を完全に通り、前記第1の半導体材料の一部分のみに延在する開口と、前記開口の側壁を内張りする第1のパッシベーション部分と、前記開口の外部に前記第1の不動態化部分に対して横方向に延在する第2のパッシベーション部分と、を有する、パッシベーション材料と、前記開口中にあり、前記第1のパッシベーション部分に隣接する第1の電極と、前記第2の半導体材料と前記パッシベーション材料の前記第2のパッシベーション部分との間の、前記開口の外部の第2の電極であって、一部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出する、第2の電極と、を備える、発光装置。前記発光装置が、前記第2の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、前記第1の電極が、前記導電性基板と直接接触する、請求項6に記載の発光装置。前記発光装置が、前記第2の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、前記第1の電極が、前記導電性基板と直接接触し、前記第2のパッシベーション部分が、前記導電性基板から前記第2の電極を電気的に絶縁する、請求項6に記載の発光装置。前記発光装置が、前記第2の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、前記第1の電極が、前記第1の半導体材料に近接する第1の端部と、前記第2の半導体材料に近接する第2の端部と、を有し、前記第2のパッシベーション部分が、第1の表面と、前記第1の表面と反対側の第2の表面と、を有し、前記第1の表面が、前記第2の電極と接触し、前記第2のパッシベーション部分の前記第2の表面が、前記第1の電極の前記第2の端部と概ね共面にある、請求項6に記載の発光装置。前記発光装置が、前記第2の半導体材料に近接する導電性基板を更に含み、前記第1の電極が、前記第1の半導体材料に近接する第1の端部と、前記第2の半導体材料に近接する第2の端部と、を有し、前記不動態化材料の前記第2のパッシベーション部分が、第1の表面と、前記第1の表面と反対側の第2の表面と、を有し、前記第1の表面が、前記第2の電極と接触し、前記第2のパッシベーション部分の前記第2の表面が、前記第1の電極の前記第2の端部と概ね共面にあり、前記第2のパッシベーション部分の前記第2の表面および前記第1の電極の前記第2の端部の両方が、前記導電性基板と接触する、請求項6に記載の発光装置。前記第1の電極が、前記開口中の第1の導電性部分と、前記開口の外部の第2の導電性部分と、を有し、前記第2の導電性部分が、前記第2の電極を越えて横方向に延在する、請求項6に記載の発光装置。前記第1の電極が、前記開口中の第1の導電性部分と、前記開口の外部の第2の導電性部分と、を有し、前記パッシベーション材料の前記第1のパッシベーション部分が、前記活性領域および前記第2の半導体材料から前記第1の導電性部分を電気的に絶縁し、前記第2の導電性部分が、前記第2の電極を越えて横方向に延在する、請求項6に記載の発光装置。前記第1の電極が、前記開口中の第1の導電性部分と、前記開口の外部の第2の導電性部分と、を有し、前記パッシベーション材料の前記第1のパッシベーション部分が、前記活性領域および前記第2の半導体材料から前記第1の導電性部分を電気的に絶縁し、前記第2の導電性部分が、前記第2のパッシベーション部分と接触し、前記第2の導電性部分が、前記第2のパッシベーション部分および前記第2の電極を越えて横方向に延在する、請求項6に記載の発光装置。前記発光装置が、基板と、前記基板上の絶縁材料と、を更に含み、前記第1の電極が、前記開口中の第1の導電性部分と、前記開口の外部の第2の導電性部分と、を有し、前記パッシベーション材料の前記第1のパッシベーション部分が、前記活性領域および前記第2の半導体材料から前記第1の導電性部分を電気的に絶縁し、前記第2の導電性部分が、前記絶縁材料と前記第2のパッシベーション部分との間にあり、前記第2の導電性部分が、前記第2のパッシベーション部分および前記第2の電極を越えて横方向に延在する、請求項6に記載の発光装置。発光ダイオードLEDのダイであって、第1の半導体材料と、前記第1の半導体材料から離間配置される第2の半導体材料と、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料との間の活性領域と、前記第2の半導体材料、前記活性領域、および前記第1の半導体材料の一部分を通って延在する第1の電極であって、前記第1の半導体材料に電気的に結合され、前記第2の半導体材料および前記活性領域から電気的に絶縁される、第1の電極と、前記第2の半導体材料と接触し、前記第1の電極の少なくとも一部分を囲繞する第2の電極であって、前記第1の電極から電気的に絶縁され、その一部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出する、第2の電極と、を備える、発光ダイオードLEDのダイ。前記第2の電極が、第1の部分と、前記第1の部分から延在する第2の部分と、を含み、前記第2の電極の前記第1の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料によって覆われ、前記第2の電極の前記第2の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出する、請求項15に記載のLEDダイ。前記第2の電極が、第1の部分と、前記第1の部分から延在する第2の部分と、を含み、前記第2の電極の前記第1の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料によって覆われ、前記LEDダイが、前記第2の電極の前記第1の部分を通って延在する開口を有し、前記第2の電極の前記第2の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出し、前記第1の電極が、前記開口中の第1の導電性部分と、前記開口の外部の第2の導電性部分と、を有し、前記第2の導電性部分が、前記第2の電極の前記第2の部分を越えて横方向に延在する、請求項15に記載のLEDダイ。前記第2の電極が、第1の部分と、前記第1の部分から延在する第2の部分と、を含み、前記第2の電極の前記第1の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料によって覆われ、前記LEDダイが、前記第2の電極の前記第1の部分を通って延在する開口を有し、前記第2の電極の前記第2の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出し、前記第1の電極が、前記開口中の第1の導電性部分と、前記開口の外部の第2の導電性部分と、を有し、前記第2の導電性部分が、前記第2の電極の前記第2の部分を越えて横方向に延在し、前記第2の導電性部分および前記第2の電極の前記第2の部分が、前記LEDダイの同じ側から接近可能である、請求項15に記載のLEDダイ。前記第2の電極が、第1の部分と、前記第1の部分から延在する第2の部分と、を含み、前記第2の電極の前記第1の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料によって覆われ、前記LEDダイが、前記第2の電極の前記第1の部分を通って延在する開口を有し、前記第2の電極の前記第2の部分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って露出し、前記第1の電極が、前記開口中の前記第1の導電性部分と、前記開口の外部の第2の導電性部分と、を有し、前記第2の導電性部分が、前記第2の電極の前記第2の部分を越えて横方向に延在し、前記LEDダイが、前記導電性材料の前記第2の導電性部分と前記第2の電極との間に、パッシベーション材料を更に含む、請求項15に記載のLEDダイ。固体照明SSLダイであって、第1の半導体材料と、前記第1の半導体材料から離間配置される第2の半導体材料と、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料との間の活性領域と、前記活性領域を通って、前記第2の半導体材料から前記第1の半導体材料へ延在する開口と、前記開口中の第1の部分と、前記開口の外部の第2の部分と、を有する、第1の電極と、前記第2の半導体材料によって覆われる第1の区分と、前記第1の区分から横方向に延在する第2の部分と、を有する、第2の電極と、を備え、前記第1の電極の前記第2の部分および前記第2の電極の前記第2の区分が、両方とも、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って少なくとも部分的に露出する、SSLダイ。前記第1の電極の前記第2の部分が、前記第2の電極の前記第2の区分を越えて横方向に延在する、請求項20に記載のSSLダイ。前記第2の電極の前記第2の区分が、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を越えて横方向に延在し、前記第1の電極の前記第2の部分が、前記第2の電極の前記第2の区分を越えて横方向に延在する、請求項20に記載のSSLダイ。前記SSLダイが、前記開口中の第1の不動態化部分と、前記開口の外部の第2の不動態化部分と、を有する、不動態化材料を更に含み、前記第1の不動態化部分が、前記開口の側壁に概ね適合し、前記第2の不動態化部分が、前記第1の電極の前記第2の部分と前記第2の電極の前記第2の区分との間にある、請求項20に記載のSSLダイ。前記SSLダイが、前記開口中の第1の不動態化部分と、前記開口の外部の第2の不動態化部分と、を有する、不動態化材料を更に含み、前記第2の不動態化部分が、前記第1の電極の前記第2の部分と前記第2の電極の前記第2の区分との間にあり、前記第1の電極の前記第2の部分が、前記第2の電極の前記第2の区分および前記第2の不動態化部分の両方を越えて、横方向に延在する、請求項20に記載のSSLダイ。前記第1の電極の前記第2の部分に近接する基板と、前記基板と前記第1の電極の前記第2の部分との間の絶縁体材料と、を更に備える、請求項20に記載のSSLダイ。第1の半導体材料と、前記第1の半導体材料から離間配置される第2の半導体材料と、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料との間の活性領域と、を有する発光装置を形成する方法であって、前記第2の半導体材料および前記活性領域を完全に通り、前記第1の半導体材料の一部分のみに延在する開口を形成することと、前記開口の側壁を内張りする第1のパッシベーション部分と、前記開口の外部に前記第1のパッシベーション部分に対して横方向に延在する第2の不動態化部分と、を有するパッシベーション材料を前記発光装置上に堆積させることと、前記開口中にあり、前記第1のパッシベーション部分に隣接する第1の電極を形成することと、前記第2の半導体材料上の前記開口の外部に第2の電極を形成することと、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料を通って、前記第2の電極の一部分を露出させることと、を含む、方法。前記第2の半導体材料上で前記第2のパッシベーション部分に導電性基板を取り付けることと、前記導電性基板を前記第1の電極と接触させることと、を更に含む、請求項26に記載の方法。前記第2の電極の一部分を露出させることが、前記第1の半導体材料、前記活性領域、および前記第2の半導体材料の一部分を取り除くことを含む、請求項26に記載の方法。発光ダイ、発光ダイを具備するSSL装置、および製造方法の様々な実施形態が、下に記載される。本明細書の以下で使用されるように、SSL装置という用語は、概ね、LED、レーザーダイオードLD、および/または電気的フィラメント、プラズマ、または気体以外の他の好適な照明源等の1つ以上の固体発光ダイを具備する装置のことを指す。当業者は、また、本技術が追加的な実施形態を有してもよく、かつ本技術が、図2A~6Bを参照して、下に記載される実施形態の詳細のいくつかのものを伴わずに実践されてもよいことを理解するであろう。図2Aは、発光ダイ100の概略断面図であり、図2Bは、図2Aに示される発光ダイ100の上部平面図である。図2Aに示されるように、発光ダイ100は、SSL構造体111と、第1の電極120と、第2の電極122と、間で絶縁材料103を具備するSSL構造体111を担持する基板102と、を含む。発光ダイ100のある構成要素のみが、図2Aおよび2Bに示され、発光ダイ100が、他の実施形態において、レンズ、鏡、および/または他の好適な光学的および/または電気的構成要素をも含み得ることが理解されるであろう。一実施形態において、基板102は、金属、合金、ドープシリコン、および/または他の導電性基板材料を含み得る。例えば、一実施形態において、基板102は、銅、アルミニウム、および/または他の好適な金属を含み得る。他の実施形態において、基板102は、セラミック材料、シリコン、ポリシリコン、および/または他の概ね非導電性の基板材料をも含み得る。例えば、基板102は、固有シリコンおよび/またはポリシリコン材料を含み得る。たとえ1つのSSL構造体111のみが基板102上に示されても、実際上は、2つ、3つ、またはその他の所望な数のSSL構造体111が、基板102上に形成されてもよい。ある実施形態において、絶縁材料103は、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSi3N4、および/または熱酸化、化学蒸着CVD、原子層堆積ALD、および/または他の好適な技術によって基板102上に形成される、他の好適な非導電性材料を含み得る。他の実施形態において、絶縁材料103は、ポリマー例えば、ポリ4フッ化エチレンおよび/または他のテトラフルオロエチレンのフルオロポリマー、エポキシ、および/または他のポリマー材料を含み得る。一実施例では、ポリマー材料は、固体対固体結合、接着剤、および/または他の好適な技術によって基板102に取り付けられ得る予備成形されたシートまたはテープとして構成されてもよい。別の実施例において、ポリマー材料は、基板102に塗布され、その後硬化することができる糊剤または液体として構成されてもよい。更なる実施形態において、絶縁材料103は、基板102が電子的に絶縁性であれば、省略されてもよい。SSL構造体111は、印加された電圧に応答して、光および/または他の型の電磁放射を発するように構成される。例示の実施形態において、SSL構造体111は、発光ダイ100の第1の側111aに近接する第1の表面113aを有する第1の半導体材料104と、活性領域106と、発光ダイ100の第2の側111bに近接する第2の表面113bを有する第2の半導体材料108と、を含む。SSL構造体111は、第1の半導体材料104と、活性領域106と、第2の半導体材料108との厚さの合計に等しい厚さを有する。図2Aに示されるSSL構造体111の積層の厚さは、例えば、第1の表面113aと第2の表面113bとの間の距離である。他の実施形態において、SSL構造体111は、窒化シリコン、窒化アルミニウムAlN、および/または他の好適な中間材をも含み得る。ある実施形態において、第1の半導体材料104は、例えば、シリコンSiでドープされたN型GaNを含み得、第2の半導体材料108は、例えば、マグネシウムMgでドープされたP型GaNを含み得る。他の実施形態において、第1の半導体材料104は、P型GaNを含み得、第2の半導体材料108は、N型GaNを含み得る。更なる実施形態において、第1の半導体材料104および第2の半導体材料108は、個々に、ガリウムヒ素GaAs、アルミニウムガリウムヒ素AlGaAs、ガリウムヒ素リンGaAsP、リン化ガリウムIIIGaP、セレン化亜鉛ZnSe、窒化ホウ素BN、AlGaN、および/または他の好適な半導体材料のうちの少なくとも1つを含み得る。活性領域106は、単一量子井戸SQW、MQW、および/またはバルク半導体材料を含み得る。以下の本明細書中で使用されるように、バルク半導体材料は、概ね、約10ナノメートルから超~約500ナノメートルの厚さを具備する、単一のグレーン半導体材料例えば、InGaNのことを指す。ある実施形態において、活性領域106は、InGaNSQW、GaN/InGaNMQW、および/またはInGaNバルク材料を含み得る。他の実施形態において、活性領域106は、アルミニウムガリウムインジウムリンAlGaInP、窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInN、および/または他の好適な材料または構成を含み得る。ある実施形態において、第1の半導体材料104、活性領域106、および第2の半導体材料108のうちの少なくとも1つは、金属有機化学蒸着MOCVD、分子線エピタキシーMBE、液相エピタキシーLPE、および水素化物気相エピタキシーHVPEによって、基板材料102上に形成され得る。他の実施形態において、前述の構成要素のうちの少なくとも1つおよび/またはSSL構造体111の他の好適な構成要素図示せずが、他の好適なエピタキシャル成長技術によって形成されてもよい。図2Aおよび2Bに示されるように、第1の電極120は、SSL構造体111全体の縦方向の厚さ分だけ、第2の電極122から離間して配置される。ゆえに、本実施形態における第1の電極と第2の電極との間の最短距離は、第1の表面113aから第2の表面113bへの距離である。例示される実施形態において、第1の電極120は、交差部材123によって互いに結合される、複数の電極フィンガー121説明の目的のために3つが示されるを含む。電極フィンガー121は、SSL構造体111の軸105図2Bに概ね平行に延在し、交差部材123は、電極フィンガー121に概ね垂直である。ある実施形態において、電極フィンガー121および/または交差部材123は、酸化インジウムスズITO、アルミニウム酸化亜鉛AZO、フッ素ドープ酸化スズFTOおよび/または他の好適な透明導電性酸化物TCOを含み得る。他の実施形態において、電極フィンガー121および/または交差部材123は、銅Cu、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、プラチナPt、および/または他の好適な材料を含み得る。更なる実施形態において、電極フィンガー121および/または交差部材123は、TCOと1つ以上の金属との組合せを含み得る。電極フィンガー121および/または交差部材123を形成するための技術としては、MOCVD、MBE、噴霧熱分解、パルスレーザー堆積法、スパッタリング、電気めっき、および/または他の好適な堆積技術が挙げられ得る。第2の電極122は、反射性および導電性材料例えば、銀またはアルミニウムを含み得、少なくともその一部分は、SSL構造体111を通って露出し得る。例えば、図2Aおよび2Bに示されるように、第2の電極122は、覆われた第1の部分122aと、SSL構造体111を越えて横方向に延在する、露出する第2の部分122bと、を含む。結果として、露出する第2の部分122bは、ワイヤボンドおよび/または他の好適なカプラを介して、外部の構成要素図示せずと相互接続するための接続地点126を形成し得る。ある実施形態において、基板102は、製造中に、SSL構造体111の第2の横方向の寸法LDより大きい第1の横方向の寸法LSを有するように選択されてもよい。絶縁材料103および第2の電極122例えば、アルミニウム、銀、または他の反射性または導電性材料は、次いで、順番に基板102上に形成され得る。一実施形態において、SSL構造体111は、第2の電極122と第2の半導体材料108との間の固体対固体結合例えば、銅対銅結合、ニッケル対スズ結合、および金対スズ結合によって、基板102上で第2の電極122に取り付けられてもよい。別の実施形態において、結合材料例えば、金対スズ、図示せずは、第2の半導体材料108上に形成されてもよい。なお別の実施形態において、反射性材料例えば、銀、図示せずは、結合材料を形成する前に、第2の半導体材料108上に形成されてもよい。SSL構造体111は、次いで、第2の電極122と結合材料との間の固形対固形結合によって、基板102に結合され得る。更なる実施形態において、SSL構造体111は、他の好適な機構によって基板102に取り付けられてもよい。他の実施形態において、基板102は、概ね、SSL構造体111の横方向の寸法LDと同じである、第1の横方向の寸法LSを有するように選択されてもよい。SSL構造体111を基板102に取り付けた後、SSL構造体111の一部分は、第2の電極122の露出する第2の部分122bを形成するように除去されてもよい。SSL構造体111の一部分を除去する技術としては、部分的ダイシング例えば、ダイの鋸で、レーザー爆蝕、ウェットエッチング、ドライエッチング、および/または他の好適な技術が挙げられ得る。更なる実施形態において、部分的に露出する第2の電極122は、他の好適な技術によって形成されてもよい。発光ダイ100のいくつかの実施形態は、図1Bの発光ダイ10’の電流拡がり特性と概ね類似である電流拡がり特性を具備する図1Aの発光ダイ10の接続接近可能性を有し得る。図2Aおよび2Bに示されるように、第2の電極122の露出する第2の部分122bは、外部接続のための容易な接近性を提供する。結果として、第1の電極120および第2の電極122の両方は、SSL構造体111の同じ側すなわち、第1の側111aから接近され得る。一方、第2の電極122の覆われた第1の部分122aは、第1の電極120に関してSSL構造体111と反対側に縦方向に配列され、したがって、図1Aの横方向の装置と比較して、SSL構造体111全体にわたってより良好な電流分布を提供する。結果として、発光ダイ100のいくつかの実施形態は、図1Aの発光ダイ10の接続接近可能性を提供する一方で、高い効率性で作動し得る。たとえ、第2の電極122の露出する第2の部分122bが、軸105に沿ってSSL構造体111の奥行きD図2Bのほぼ全体に延在しているものとして図2Bに示されていても、他の実施形態において、第2の部分122bは、SSL構造体111の軸105に沿って部分的にのみ延在してもよい。例えば、図3Aおよび3Bに示されるように、第2の部分122bは、絶縁材料103で基板102上に形成されるSSL構造体111のノッチ128を通って露出してもよい。ノッチ128は、SSL構造体111の奥行きD図2B未満である、奥行きd図3Bを有する。他の実施形態において、第2の部分122bは、互いに離間配置される複数の個々の区間をも含んでもよい。例えば、個々に、第1、第2、および第3の区間122b、122b’、および122bとして特定される3つの区間が、説明の目的のために図3Bに示される。3つの区間122b、122b’、および122bのそれぞれは、外部の構成要素図示せずに接続するための接続地点126を形成してもよい。結果として、発光ダイ100は、1つ以上の構成要素に/から信号および/または電源を受信/送信する、複数の接続地点126を提供し得る。更なる実施形態において、絶縁材料103は、発光ダイ100から省略されてもよい。発光ダイ100のいくつかの実施形態は、従来の装置以上に改善された熱分散特性を具備するSSL装置に実装され得る。例えば、図4は、本技術の実施形態による図2A~3Bの発光ダイ100を組み入れるSSL装置150の例示の概略図である。図4に示されるように、SSL装置150は、複数の発光ダイ100を担持する担体152を含み得る。4つの発光ダイ100が、説明の目的のために図4に示される。他の実施形態において、SSL装置150は、その他の所望の数の発光ダイ100を含み得る。担体152は、金属、合金、および/または他の型の熱伝導性構造体を含み得る。SSLアセンブリ150は、担体152上で第2の端子156から横方向に離間配置される第1の端子154をも含み得る。第1の端子154および第2の端子156は、絶縁性パッド155および157上に、それぞれ成形される。絶縁性パッド155および157は、酸化シリコン、窒化シリコン、および/または他の好適な型の電気絶縁性材料を含み得る。図4に示されるように、第1の端子154、複数の発光ダイ100、および第2の端子156は、第1の電極120および第2の電極122が、両方とも、個々の発光ダイ100の前側にあるので、直列にワイヤボンド158と電気的に結合する。結果として、発光ダイ100の後側は、担体152の表面152aに直接に接触し得る。作動中、そのような直接の接触は、発光ダイ100が熱伝導性担体152に容易に熱を転送することを可能にし、したがって、発光ダイ100から熱を離して効率的に分散させる。図5Aは、本技術の別の実施形態による埋め込まれた電極を具備する発光ダイ200の概略断面図であり、図5Bは、図5Aの発光ダイ200の上部平面図である。発光ダイ200は、図2A~3Bの発光ダイ100の構造および機能と構造および機能において概ね類似する構成要素を含み得る。例えば、発光ダイ200は、SSL構造体111を担持する基板102と露出する第2の電極122を含み、それらは、図2A~3Bを参照して上で論じられた基板と電極と概ね類似する、露出する第2の電極122と、を含み得る。そのようにして、共通の作用および構造が、同じ参照番号によって特定され、動作および構造における著しい相違のみが、下に記載される。図5Aに示されるように、SSL構造体111は、第2の電極122からSSL構造体111の第1の半導体材料104に延在する、複数の開口130明瞭さのために、充填された後の1つのみが、図5Aに示されるを含む。パッシベーションpassivation材料125例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンは、開口130中の第1の部分125aと、開口130の外部の第2の部分125bと、を有する。第1の部分125aは、概ね、開口130の側壁131に適合し、誘電性ライナーを形成する。第2の部分125bは、第2の電極122と接触する第1の表面127aと、基板102と接触する第2の表面127bと、を有する。第1の電極120は、開口130中のパッシベーション材料125に隣接する導電性材料132を含み得る。例示される実施形態において、導電性材料132は、パッシベーション材料125と概ね共面である第1の端部132aを有し、したがって、導電性材料132の第1の端部132aが基板102と直接接触する。導電性材料132は、第1の半導体材料104と接触する第2の端部132bをも含む。結果として、導電性材料132は、第1の半導体材料104を基板102に電気的に結合する。発光ダイ200のいくつかの実施形態は、従来の埋め込まれた電極装置よりも接近可能な電気的接続を有し得る。例えば、図5Aに示されるように、第1の電極120は、基板102に電気的に結合される。結果として、ある実施形態において、基板102は、導電性であり、外部の構成要素図示せずを電気的に結合する接続地点/経路として使用されることができる。したがって、外部の導体との精密な整合は、避けられることができ、生産の複雑さおよびコストを低減する。他の実施形態において、基板102は、図5Cに示されるように、電気絶縁性であってもよく、電気カプラ136例えば、半田バンプ、半田ボール、および/またはピラーバンプに個々の第1の電極120をそれぞれルート選定する、信号ルーチングの構成要素例えば、金属ルーチング層134を含んでもよい。更なる実施形態において、基板102は、部分的に導電性であり、部分的に電気絶縁性であってもよい。なお更なる実施形態において、発光ダイ200は、図6Aおよび6Bを参照して、下で更に詳細に論じられるように、他の好適な構成を含んでもよい。図6Aは、埋め込まれた電極を具備する発光ダイ300の概略断面図であり、図6Bは、図6Aに示される発光ダイ300の概略上部平面図である。図6Aに示されるように、発光ダイ300は、基板102と、基板102上の絶縁材料103と、露出する第1の電極120および第2の電極122を具備するSSL構造体111と、を含む。第2の電極122は、図5Aを参照して、上で論じられたそれに概ね類似し得る。他の実施形態において、絶縁材料103は、省略されてもよい。第1の電極120は、導電性材料132を含む。導電性材料132の第1の部分133aは、開口130中の不動態化材料125に隣接する。導電性材料132の第2の部分133bは、開口130の外部にある。例示の実施形態において、第2の部分133bの一部分は、パッシベーション材料125の第2の部分125bおよび第2の電極122の第2の部分122bを越えて、横方向に延在する。結果として、導電性材料132の第2の部分133b概ね、接続区域135として指定されるは、SSL構造体111を通って少なくとも部分的に露出する。他の実施形態において、第2の電極122の第2の部分122bは、接続区域135に対して、横方向に反対側にあり、および/または他の配列を有してもよい。更なる実施形態において、導電性材料132は、複数の導電性材料の積層図示せずを含んでもよい。図6Bに示されるように、第1の電極120および第2の電極122の両方は、SSL構造体111の同じ側から接近可能である。たとえ、図5Bおよび6Bに示される発光ダイ200および300が、基板102の奥行きD全体に延在している第1電極120および/または第2の電極122を含んでいても、他の実施形態において、第1の電極120および/または第2の電極122は、また、図3Bを参照して、上に論じられた発光ダイ100に概ね類似する、基板102の奥行きDの一部分に延在してもよい。更なる実施形態において、第1の電極120および/または第2の電極122は、複数の電極の要素図示せずを含んでもよい。前述から、本技術の具体的な実施形態が本明細書で例証の目的で記載されているが、本開示から逸脱することなく種々の修正が行われてもよいことが理解されるであろう。更に、一実施形態の要素の多くは、他の実施形態の要素に加えてまたはその代わりに、他の実施形態と組み合わされてもよい。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲による限定を除いて、限定されない。