主面内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板と、前記支持基板の主面側に配置されている単結晶膜と、を含み、前記単結晶膜が前記単結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板を準備する工程と、前記複合基板における前記単結晶膜の主面上にGaN系膜を成膜する工程と、を含むGaN系膜の製造方法。前記複合基板における前記単結晶膜の主面の面積が45cm2以上である請求項1に記載のGaN系膜の製造方法。前記複合基板における前記支持基板は、酸化物を含む焼結体である請求項1または請求項2に記載のGaN系膜の製造方法。前記複合基板における前記支持基板は、アルミナとシリカとで形成されるAl2O3-SiO2複合酸化物と、イットリア安定化ジルコニアと、を含む請求項1から請求項3のいずれかに記載のGaN系膜の製造方法。前記Al2O3-SiO2複合酸化物および前記イットリア安定化ジルコニアの全体に対する前記イットリア安定化ジルコニアの含有率は、20質量以上40質量以下である請求項4に記載のGaN系膜の製造方法。前記イットリア安定化ジルコニアに対するイットリアの含有率は、5モル以上である請求項5に記載のGaN系膜の製造方法。前記GaN系膜を成膜する工程は、前記単結晶膜の主面上にGaN系バッファ層を形成するサブ工程と、前記GaN系バッファ層の主面上にGaN系単結晶層を形成するサブ工程と、を含む請求項1から請求項6のいずれかに記載のGaN系膜の製造方法。上記の特開平04-297023号公報特許文献1においては、GaN結晶成長中に転位などの結晶欠陥が会合消滅するためか、結晶成長方向に凹に反りながらGaN結晶が成長する。しかし、上記のようにサファイア基板の熱膨張係数はGaN結晶の熱膨張係数に比べて非常に大きいため、成長したGaN結晶は結晶成長後の冷却時に結晶成長方向に凸に大きく反り、結晶成長方向に凸に大きく反ったGaN膜が得られる。ここで、サファイア基板の主面の直径を大きくするほど、そのGaN結晶の上記冷却時における反りが大きくなる具体的には、得られるGaN膜の反りは、サファイア基板における主面の直径の2乗にほぼ比例する。このため、主面の直径が大きくなるほど、反りの小さいGaN膜を得ることは困難である。また、上記の特表2007-523472号公報特許文献2に開示された複合支持基板は、その熱膨張係数がGaN結晶の熱膨張係数とほぼ同一であるため、その上に成長させるGaN層の反りを小さくすることができる。しかしながら、かかる複合支持基板は、その構造が複雑であるため、その構造の設計が難しく、またその構造の形成が難しいことから、設計および製造のためのコストが非常に高くなり、GaN膜を製造するコストが非常に高くなる。本発明は、上記問題点を解決して、主面の面積が大きく反りの小さいGaN系膜を製造することが可能なGaN系膜の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、主面内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板と、支持基板の主面側に配置されている単結晶膜と、を含み、単結晶膜が単結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板を準備する工程と、複合基板における単結晶膜の主面上にGaN系膜を成膜する工程と、を含むGaN系膜の製造方法である。本発明にかかるGaN系膜の製造方法において、複合基板における単結晶膜の主面の面積を45cm2以上とすることができる。また、複合基板における支持基板を、酸化物を含む焼結体とすることができる。また、複合基板における支持基板は、アルミナとシリカとで形成されるAl2O3-SiO2複合酸化物と、イットリア安定化ジルコニアと、を含むことができる。ここで、Al2O3-SiO2複合酸化物およびイットリア安定化ジルコニアの全体に対するイットリア安定化ジルコニアの含有率を20質量以上40質量以下とすることができる。さらに、イットリア安定化ジルコニアに対するイットリアの含有率を5モル以上とすることができる。また、GaN系膜を成膜する工程は、単結晶膜の主面上にGaN系バッファ層を形成するサブ工程と、GaN系バッファ層の主面上にGaN系単結晶層を形成するサブ工程と、を含むことができる。本発明によれば、主面の面積が大きく反りの小さいGaN系膜を製造することが可能なGaN系膜の製造方法を提供することができる。図1を参照して、本発明にかかるGaN系膜の製造方法の一実施形態は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13は単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板10を準備する工程図1Aと、複合基板10における単結晶膜13の主面13m上にGaN系膜20を成膜する工程図1Bと、を含む。ここで、GaN系膜とは、III族元素としてGaを含むIII族窒化物で形成されている膜をいい、たとえばGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1が挙げられる。本実施形態のGaN系膜の製造方法によれば、主面内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板と、支持基板の主面側に配置されている単結晶膜と、を含み、単結晶膜が結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板を用いることにより、主面の面積が大きくすなわち大口径で反りの小さいGaN系膜が得られる。複合基板の準備工程図1Aを参照して、本実施形態のGaN系膜の製造方法は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13が単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板10を準備する工程を含む。上記の複合基板10は、主面11m内の熱膨張係数がGaN結晶のa軸方向の熱膨張係数と一致または近似する具体的には、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13が単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有しているため、複合基板10の単結晶膜13の主面13m上に反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜を成長させることができる。複合基板10の単結晶膜13上に、反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜を成長させる観点から、上記の複合基板10に含まれる支持基板11は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さいことが必要であり、0.9倍より大きく1.15倍より小さいことが好ましく、0.95倍より大きく1.1倍より小さいことがより好ましい。ここで、支持基板11は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8より大きく1.2倍より小さい基板であれば特に制限はなく、単結晶であっても、多結晶であっても、非結晶であってもよい。支持基板11は、その原料の種類と比率とを変動することによりその熱膨張係数の調整が容易で上記の範囲内にある熱膨張係数が容易に得られること、GaN系薄膜成長雰囲気に対して耐性を持つこと、およびGaN系薄膜成長後にフッ化水素酸フッ酸などの溶剤で選択的にエッチングすることが可能である観点から、酸化物を含む焼結体であることが好ましい。たとえば、Al2O3-SiO2系焼結体、MgO-SiO2焼結体、ZrO2-SiO2焼結体、ZrO2-Al2O3-SiO2焼結体、Y2O3-Al2O3-SiO2焼結体、Y2O3-ZrO2-Al2O3-SiO2焼結体などが好ましく挙げられる。また、支持基板11は、アルミナAl2O3とシリカSiO2で形成されるAl2O3-SiO2複合酸化物と、イットリア安定化ジルコニアY2O3安定化ZrO2、以下YSZともいうと、を含むことが特に好ましい。Al2O3-SiO2複合酸化物とYSZイットリア安定化ジルコニアとを含む支持基板11は、フッ化水素酸フッ酸に溶解するとともに、複合基板10の支持基板11の主面側に配置されている単結晶膜13上に結晶性の良好なGaN系膜を成長させることができる。ここで、Al2O3-SiO2複合酸化物には、特に制限はなく、ムライト3Al2O32SiO2~2Al2O32SiO2またはAl6O13Si2などが好適である。Al2O3-SiO2複合酸化物とYSZイットリア安定化ジルコニアとを含む支持基板11において、単結晶膜13上に結晶性の良好なGaN系膜を成長させる際にGaN系膜に発生するクラックを抑制する観点から、Al2O3-SiO2複合酸化物およびYSZの全体に対するYSZの含有率は、20質量以上40質量以下が好ましく、25質量以上35質量以下がより好ましい。さらに、上記と同様の観点から、YSZに対するイットリアY2O3の含有率は、5モル以上が好ましく、6モル以上50モル以下がより好ましい。このとき、支持基板11およびGaN結晶の熱膨張係数は、一般に、それらの温度により大きく変動することから、如何なる温度または温度領域における熱膨張係数によって決めるかが重要である。本発明においては、複合基板上に反りの小さいGaN系膜を製造することを目的とするものであり、室温から昇温させてGaN系膜の成膜温度で複合基板上にGaN系膜を成膜した後室温まで降温させて複合基板上に成膜されたGaN系膜を取り出すことから、室温からGaN系膜の成膜温度までにおける支持基板およびGaN結晶の平均熱膨張係数を、それぞれ支持基板およびGaN結晶の熱膨張係数として取り扱うことが適正と考えられる。しかしながら、GaN結晶は、不活性ガス雰囲気中においても、800°Cを超えると分解が起こる。このため、本発明においては、支持基板およびGaN結晶の熱膨張係数は、室温具体的に25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数により決定することにする。また、複合基板10の単結晶膜13上に、反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜を成長させる観点から、上記の複合基板10に含まれる支持基板11の主面11m側に配置される単結晶膜13は、単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有することが必要であり、主面13mが0001面であるサファイア膜、主面13mが0001面であるSiC膜、主面13mが111面であるSi膜、主面13mが111面であるGaAs膜などが好ましく挙げられる。ここで、単結晶膜が単結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有するとは、結晶幾何学的に厳密な3回対称性を有していることを意味するのではなく、実際のその単結晶膜において実質的な3回対称性を有していることを意味し、具体的には、その単結晶膜の結晶幾何学的に厳密な3回対称軸とその単結晶膜の主面に垂直な軸とのなす角度の絶対値が10°以下であれば足りるという意味である。なお、複合基板10において、反りを小さく転位密度を低くする観点から、支持基板11の主面11mと単結晶膜13の主面13mとは実質的に平行であることが好ましい。ここで、2つの面が実質的に平行とは、それらの2つの面がなす角度の絶対値が10°以下であることをいう。また、複合基板10の支持基板11の主面11m側に単結晶膜13を配置する方法には、特に制限はなく、支持基板11の主面11mに直接単結晶膜13を成長させる方法第1の方法、支持基板11の主面11mに、下地基板の主面上に成膜させた単結晶膜13を貼り合わせた後下地基板を除去する方法第2の方法、支持基板11の主面11mに単結晶図示せずを貼り合わせた後その単結晶を貼り合わせ面から所定の深さの面で分離することにより支持基板11の主面11m上に単結晶膜13を形成する方法第3の方法などが挙げられる。支持基板が多結晶の焼結体である場合には、上記の第1の方法が困難であるため、上記の第2および第3のいずれかの方法が好ましく用いられる。上記の第2の方法において、支持基板11に単結晶膜13を貼り合わせる方法には、特に制限はなく、支持基板11の主面11mに直接単結晶膜13を貼り合わせる方法、支持基板11の主面11mに接着層12を介在させて単結晶膜13を貼り合わせる方法などが挙げられる。上記の第3の方法において、支持基板11に単結晶を貼り合わせる方法には、特に制限はなく、支持基板11の主面11mに直接単結晶を貼り合わせる方法、支持基板11の主面11mに接着層12を介在させて単結晶を貼り合わせる方法などが挙げられる。上記の複合基板10を準備する工程は、特に制限はないが、効率的に品質の高い複合基板10を準備する観点から、たとえば、図2を参照して、上記の第2の方法においては、支持基板11を準備するサブ工程図2Aと、下地基板30の主面30n上に単結晶膜13を成膜するサブ工程図2Bと、支持基板11と単結晶膜13とを貼り合わせるサブ工程図2Cと、下地基板30を除去するサブ工程図2Dと、含むことができる。図2Cでは、支持基板11と単結晶膜13とを貼り合わせるサブ工程において、支持基板11の主面11m上に接着層12aに形成し図2C1、下地基板30の主面30n上に成長させられた単結晶膜13の主面13n上に接着層12bを形成した図2C2後、支持基板11上に形成された接着層12aの主面12amと下地基板30上に成膜された単結晶膜13上に形成された接着層12bの主面12bnとを貼り合わせることにより、接着層12aと接着層12bとが接合して形成された接着層12を介在させて支持基板11と単結晶膜13とが貼り合わされる図2C3。しかし、支持基板11と単結晶膜13とが互いに接合可能なものであれば、支持基板11と単結晶膜13とを、接着層12を介在させることなく直接貼り合わせることができる。支持基板11と単結晶膜13とを貼り合わせる具体的な手法としては、特に制限はないが、貼り合わせ後高温でも接合強度を保持できる観点から、貼り合わせ面を洗浄しそのまま貼り合わせた後600°C~1200°C程度に昇温して接合する直接接合法、貼り合わせ面を洗浄しプラズマやイオンなどで活性化させた後に室温たとえば25°C~400°C程度の低温で接合する表面活性化法などが好ましく用いられる。GaN系膜の成膜工程図1Bを参照して、本実施形態のGaN系膜の製造方法は、複合基板10における単結晶膜13の主面13m上にGaN系膜20を成膜する工程を含む。上記の複合基板の準備工程において準備された複合基板10は、主面11m内の熱膨張係数がGaN結晶のa軸方向の熱膨張係数と一致または近似する具体的には、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13が単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有しているため、複合基板10の単結晶膜13の主面13m上に反りが小さく転位密度が低い大口径のGaN系膜20を成膜することができる。GaN系膜を成膜する方法には、特に制限はないが、転位密度が低いGaN系膜を成膜する観点から、MOCVD有機金属化学気相堆積法、HVPEハイドライド気相成長法、MBE分子線エピタキシ法、昇華法などの気相法、フラックス法、高窒素圧溶液法などの液相法などが好ましく挙げられる。GaN系膜を成膜する工程は、特に制限はないが、転位密度が低いGaN系膜を成膜する観点から、複合基板10の単結晶膜13の主面13m上にGaN系バッファ層21を形成するサブ工程と、GaN系バッファ層21の主面21m上にGaN系単結晶層23を形成するサブ工程と、を含むことが好ましい。ここで、GaN系バッファ層21とは、GaN系膜20の一部分であり、GaN系膜20の別の一部分であるGaN系単結晶層23の成長温度に比べて低い温度で成長させられる結晶性が低いまたは非結晶の層をいう。GaN系バッファ層21を形成することにより、GaN系バッファ層21上に形成されるGaN系単結晶層23と単結晶膜13との間の格子定数の不整合が緩和されるため、GaN系単結晶層23の結晶性が向上しその転位密度が低くなる。この結果、GaN系膜20の結晶性が向上しその転位密度が低くなる。なお、単結晶膜13上にGaN系膜20として、GaN系バッファ層21を成長させることなく、GaN系単結晶層23を成長させることもできる。かかる方法は、単結晶膜13とその上に成膜するGaN系膜20との間の格子定数の不整合が小さい場合に好適である。実施例11.GaN結晶の熱膨張係数の測定HVPE法により成長させた、転位密度が1×106cm2、Si濃度が1×1018cm2、酸素濃度が1×1017cm2、炭素濃度が1×1016cm2のGaN単結晶から、サイズが2×2×20mm長手方向がa軸、長手方向に平行な面がc面およびm面のいずれかで構成され、面方位の精度は±0.1°以内の評価用サンプルを切り出した。上記の評価用サンプルについて、室温25°Cから800°Cまで昇温したときの平均熱膨張係数をTMA熱機械分析により測定した。具体的には、株リガク製TMA8310を用いて示差膨張方式により窒素ガス流通雰囲気下で評価サンプルの熱膨張係数を測定した。かかる測定により得られたGaN結晶のa軸方向の25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αGaNaは、5.84×106/°Cであった。2.複合基板の準備工程1支持基板を準備するサブ工程図2Aを参照して、支持基板11の材料として、Al2O3とSiO2との所定のモル比の混合物をアルゴンガス雰囲気下一軸方向に50MPaの圧力をかけて1700°Cで1時間焼結させた市販の13種類のAl2O3-SiO2系焼結体A~Mを準備した。かかる13種類のAl2O3-SiO2系焼結体A~Mには、X線回折により確認したところ、いずれについても、Al6O13Si2ムライト、Al2O3およびSiO2が存在していた。また、上記13種類のAl2O3-SiO2系焼結体のそれぞれからサイズが2×2×20mm長手方向は焼結体から切り出される支持基板の主面に実質的に平行な方向の測定用サンプルを切り出した。ここで、Al2O3-SiO2系焼結体は方向特異性がないため、切り出し方向は任意とした。それらの測定用サンプルについて、上記と同様にして、室温25°Cから800°Cまで昇温下時の平均熱膨張係数αSを測定した。Al2O3-SiO2系焼結体Aは、Al2O3とSiO2とのモル比が53:47であり、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αS以下、単に平均熱膨張係数αSというが4.2×106/°Cであり、GaN結晶のa軸方向の25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αGaNa以下、単に平均熱膨張係数αGaNaというに対する焼結体の熱膨張係数αSの比以下、αS/αGaNa比というが0.719であった。Al2O3-SiO2系焼結体Bは、Al2O3とSiO2とのモル比が45:55であり、平均熱膨張係数αSが4.7×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.805であった。Al2O3-SiO2系焼結体Cは、Al2O3とSiO2とのモル比が40:60であり、平均熱膨張係数αSが5.2×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.890であった。Al2O3-SiO2系焼結体Dは、Al2O3とSiO2とのモル比が36:64であり、平均熱膨張係数αSが5.4×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.925であった。Al2O3-SiO2系焼結体Eは、Al2O3とSiO2とのモル比が35:65であり、平均熱膨張係数αSが5.5×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.942であった。Al2O3-SiO2系焼結体Fは、Al2O3とSiO2とのモル比が34:66であり、平均熱膨張係数αSが5.6×106/°Cであり、αS/αGaNaが0.959であった。Al2O3-SiO2系焼結体Gは、Al2O3とSiO2とのモル比が32:68であり、平均熱膨張係数αSが5.7×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.976であった。Al2O3-SiO2系焼結体Hは、Al2O3とSiO2とのモル比が26:74であり、平均熱膨張係数αSが6.1×106/°Cであり、αS/αGaNa比が1.045であった。Al2O3-SiO2系焼結体Iは、Al2O3とSiO2とのモル比が24:76であり、平均熱膨張係数αSが6.4×106/°Cであり、αS/αGaNa比が1.096であった。Al2O3-SiO2系焼結体Jは、Al2O3とSiO2とのモル比が20:80であり、平均熱膨張係数αSが6.6×106/°Cであり、αS/αGaNa比が1.130であった。Al2O3-SiO2系焼結体Kは、Al2O3とSiO2とのモル比が16:84であり、平均熱膨張係数αSが7.0×106/°Cであり、αS/αGaNa比が1.199であった。Al2O3-SiO2系焼結体Lは、Al2O3とSiO2とのモル比が14:86であり、平均熱膨張係数αSが7.2×106/°Cであり、αS/αGaNa比が1.233であった。Al2O3-SiO2系焼結体Mは、Al2O3とSiO2とのモル比が9:91であり、平均熱膨張係数αSが7.5×106/°Cであり、αS/αGaNa比が1.284であった。上記13種類のAl2O3-SiO2系焼結体A~Mから、直径4インチ101.6mmで厚さ1mmの支持基板をそれぞれ切り出して、それぞれの支持基板の両主面を鏡面に研磨して、支持基板A~Mとした。すなわち、支持基板A~Mの25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数は、それぞれ対応するAl2O3-SiO2系焼結体A~Mの25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数に等しい。結果を表1にまとめた。2下地基板上に単結晶膜を成膜するサブ工程図2Bを参照して、下地基板30として、鏡面に研磨された111面の主面30nを有する直径5インチ127mmで厚さ0.5mmのSi基板を準備した。上記のSi基板下地基板30の主面30n上に、単結晶膜13として厚さ0.4μmのSiC膜をCVD化学気相堆積法により成膜した。成膜条件は、原料ガスとしてSiH4ガスおよびC3H8ガスを使用し、キャリアガスとしてH2ガスを使用し、成膜温度1300°C、成膜圧力は大気圧とした。なお、こうして得られたSiC膜単結晶膜13の主面13mは、0001面からのオフ角が±1°以内の面方位を有しており、Si原子面0001面とC原子面000-1面がモザイク状に混在していた。3支持基板と単結晶膜とを貼り合わせるサブ工程図2C中のC1を参照して、図2Aの支持基板A~M支持基板11のそれぞれの主面11m上に厚さ2μmのSiO2膜をCVD法により成膜した。次いで、支持基板A~M支持基板11のそれぞれの主面11m上の厚さ2μmのSiO2膜を、CeO2スラリーを用いて研磨することにより、厚さ0.2μmのSiO2層だけ残存させて、接着層12aとした。これにより、支持基板A~M支持基板11のそれぞれの主面11mの空隙が埋められ、平坦な主面12amを有する厚さ0.2μmのSiO2層接着層12aが得られた。また、図2C中のC2を参照して、図2BのSi基板下地基板30上に成膜されたSiC膜単結晶膜13の主面13nを酸素雰囲気下1000°Cで酸化させてSiC膜単結晶膜13の主面13n上に厚さ0.2μmのSiO2層接着層12bを形成した。次いで、図2C中のC3を参照して、支持基板A~M支持基板11のそれぞれに形成されたSiO2層接着層12aの主面12amおよびSi基板下地基板30上に成膜されたSiC膜単結晶膜13上に形成されたSiO2層接着層12bの主面12bnをアルゴンプラズマにより清浄化および活性化させた後、SiO2層接着層12aの主面12amとSiO2層接着層12bの主面12bnとを貼り合わせて、窒素雰囲気下300°Cで2時間熱処理した。4下地基板を除去するサブ工程図2Dを参照して、支持基板A~M支持基板11の裏側単結晶膜13が貼り合わされていない側の主面および側面をワックス40で覆って保護した後、フッ化水素酸フッ酸および硝酸の混酸水溶液を用いて、エッチングによりSi基板下地基板30を除去した。こうして、支持基板A~M支持基板11のそれぞれの主面11m側にSiC膜単結晶膜13が配置された複合基板A~Mが得られた。3.GaN系膜の成膜工程図1Bを参照して、複合基板A~M複合基板10のSiC膜単結晶膜13の主面13mかかる主面は0001面、000-1面またはそれらの面が混在したものである。上および直径4インチ101.6mmで厚さ1mmのサファイア基板の主面かかる主面は0001面である上に、それぞれMOCVD法によりGaN膜GaN系膜20を成膜した。GaN膜GaN系膜20の成膜においては、原料ガスとしてTMGトリメチルガリウムガスおよびNH3ガスを使用し、キャリアガスとしてH2ガスを使用し、500°Cで厚さ0.1μmのGaNバッファ層GaN系バッファ層21を成長させ、次いで1050°Cで厚さ5μmのGaN単結晶層GaN系単結晶層23を成長させた。ここで、GaN単結晶層の成長速度は1μm/hrであった。その後、複合基板A~Mおよびサファイア基板のそれぞれにGaN膜が成膜されたウエハA~MおよびRを10°C/minの速度で室温25°Cまで冷却した。室温まで冷却後に成膜装置から取り出されたウエハA~MおよびRについて、ウエハの反り、GaN膜のクラック本数密度および転位密度を測定した。ここで、ウエハの反りの形状および反り量は、GaN膜の主面をCorningTropel社のFM200EWaferにより観察される光干渉縞により測定した。GaN膜のクラック本数密度は、ノマルスキー顕微鏡を用いて単位長さ当りのクラック本数を測定し、1本/mm未満を極少、1本/mm以上5本/mm未満を少、5本/mm以上10本/mm未満を多、10本/mm以上を極多と評価した。GaN膜の転位密度は、CLカソードルミネッセンスによる暗点の単位面積当たりの個数を測定した。なお、本実施例においてGaN膜に発生したクラックは、膜を貫通しない微小なものであった。ウエハAは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が700μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多であった。ウエハBは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が650μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度が4×108cm2であった。ウエハCは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が400μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度が3×108cm2であった。ウエハDは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が350μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度が2.5×108cm2であった。ウエハEは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が320μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハFは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が230μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少であり、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハGは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が200μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少であり、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハHは、GaN膜側が凹状に反り、反り量が10μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少であり、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハIは、GaN膜側が凸状に反り、反り量が20μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少であり、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハJは、GaN膜側が凸状に反り、反り量が110μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハKは、GaN膜側が凸状に反り、反り量が230μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度が3×108cm2であった。ウエハLは、GaN膜側が凸状に反り、反り量が740μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度が4×108cm2であった。ウエハMは、支持基板Mに割れが発生し、十分なGaN膜が得られなかった。ウエハRは、GaN膜側が凸状に反り、反り量が750μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少であり、GaN膜の転位密度は4×10cm2であった。これらの結果を表1にまとめた。表1において、-は、その物性値が未測定であることを示す。表1を参照して、主面内の熱膨張係数αSがGaN結晶のa軸方向の熱膨張係数αGaNaの0.8倍より大きく1.2倍より小さいすなわち、0.8<αS/αGaNa比<1.2支持基板を有する複合基板を用いることによりウエハB~K、サファイア基板を用いる場合ウエハRに比べて、反りが極めて小さなGaN膜を成膜することができた。また、ウエハにおけるGaN膜の反りおよび転位密度をさらに低減する観点から、複合基板の支持基板の主面内の熱膨張係数αSは、GaN結晶のa軸方向の熱膨張係数αGaNaの0.9倍より大きく1.15倍より小さいことすなわち、0.9<αS/αGaNa比<1.15ウエハD~Jが好ましく、GaN結晶のa軸方向の熱膨張係数αGaNaの0.95倍より大きく1.10倍より小さいことすなわち、0.95<αS/αGaNa比<1.10ウエハF~Iがより好ましい。実施例21.GaN結晶の熱膨張係数の測定実施例1と同様にして測定したところ、GaN結晶のa軸方向の25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αGaNaは、5.84×106/°Cであった。2.複合基板の準備工程1支持基板を準備するサブ工程図2Aを参照して、支持基板11の材料として、1気圧、1700°Cで10時間焼結する常圧焼結および2000気圧、1700°Cで1時間焼結するHIP熱間等方位圧プレスにより製造された57種類のYSZイットリア安定化ジルコニア-ムライト系焼結体A0、B1~B8、C1~C8、D1~D8、E1~E8、F1~F8、G1~G8およびH1~H8のそれぞれのX線回折によりY2O3、ZrO2およびムライト3Al2O32SiO2~2Al2O32SiO2、具体的にはAl6O13Si2の存在の有無および比率を確認した。また、上記57種類のYSZ-ムライト系焼結体のそれぞれから、サイズが2×2×20mm長手方向は焼結体から切り出される支持基板の主面に実質的に平行な方向の測定用サンプルを切り出した。ここで、YSZ-ムライト系焼結体は方向特異性がないため、切り出し方向は任意とした。それらの測定用サンプルについて、上記と同様にして、室温25°Cから800°Cまで昇温下時の平均熱膨張係数αSを測定した。YSZ-ムライト系焼結体A0は、YSZおよびムライトの全体に対するYSZの含有率以下、YSZ含有率というが0質量、25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αS以下、単に平均熱膨張係数αSというが未測定であり、GaN結晶のa軸方向の25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数αGaNa以下、単に平均熱膨張係数αGaNaというに対する焼結体の熱膨張係数αSの比以下、αS/αGaNa比というが非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体B1は、YSZ含有率が20質量、YSZに対するY2O3イットリアの含有率以下、Y2O3含有率というが0モル、平均熱膨張係数αSが4.40×106/°C、αS/αGaNa比が0.753であった。YSZ-ムライト系焼結体B2は、YSZ含有率が20質量、Y2O3含有率が3モル、平均熱膨張係数αSが4.58×106/°C、αS/αGaNa比が0.784であった。YSZ-ムライト系焼結体B3は、YSZ含有率が20質量、Y2O3含有率が5モル、平均熱膨張係数αSが4.68×106/°C、αS/αGaNa比が0.801であった。YSZ-ムライト系焼結体B4は、YSZ含有率が20質量、Y2O3含有率が6モル、平均熱膨張係数αSが4.69×106/°C、αS/αGaNa比が0.803であった。YSZ-ムライト系焼結体B5は、YSZ含有率が20質量、Y2O3含有率が10モル、平均熱膨張係数αSが4.72×106/°C、αS/αGaNa比が0.808であった。YSZ-ムライト系焼結体B6は、YSZ含有率が20質量、Y2O3含有率が20モル、平均熱膨張係数αSが4.81×106/°C、αS/αGaNa比が0.823であった。YSZ-ムライト系焼結体B7は、YSZ含有率が20質量、Y2O3含有率が50モル、平均熱膨張係数αSが5.06×106/°C、αS/αGaNa比が0.866であった。YSZ-ムライト系焼結体B8は、YSZ含有率が20質量、Y2O3含有率が100モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体C1は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が0モル、平均熱膨張係数αSが4.48×106/°C、αS/αGaNa比が0.767であった。YSZ-ムライト系焼結体C2は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が3モル、平均熱膨張係数αSが4.62×106/°C、αS/αGaNa比が0.791であった。YSZ-ムライト系焼結体C3は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が5モル、平均熱膨張係数αSが5.26×106/°C、αS/αGaNa比が0.901であった。YSZ-ムライト系焼結体C4は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が6モル、平均熱膨張係数αSが5.27×106/°C、αS/αGaNa比が0.903であった。YSZ-ムライト系焼結体C5は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が10モル、平均熱膨張係数αSが5.31×106/°C、αS/αGaNa比が0.909であった。YSZ-ムライト系焼結体C6は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が20モル、平均熱膨張係数αSが5.40×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.925であった。YSZ-ムライト系焼結体C7は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が50モル、平均熱膨張係数αSが5.69×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.974であった。YSZ-ムライト系焼結体C8は、YSZ含有率が25質量、Y2O3含有率が100モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体D1は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が0モル、平均熱膨張係数αSが4.56×106/°C、αS/αGaNa比というが0.781であった。YSZ-ムライト系焼結体D2は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が3モル、平均熱膨張係数αSが4.65×106/°C、αS/αGaNa比が0.796であった。YSZ-ムライト系焼結体D3は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が5モル、平均熱膨張係数αSが5.55×106/°C、αS/αGaNa比が0.950であった。YSZ-ムライト系焼結体D4は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が6モル、平均熱膨張係数αSが5.56×106/°C、αS/αGaNa比が0.952であった。YSZ-ムライト系焼結体D5は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が10モル、平均熱膨張係数αSが5.60×106/°C、αS/αGaNa比が0.959であった。YSZ-ムライト系焼結体D6は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が20モル、平均熱膨張係数αSが5.70×106/°C、αS/αGaNa比が0.976であった。YSZ-ムライト系焼結体D7は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が50モル、平均熱膨張係数αSが6.00×106/°C、αS/αGaNa比が1.027であった。YSZ-ムライト系焼結体D8は、YSZ含有率が30質量、Y2O3含有率が100モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体E1は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が0モル、平均熱膨張係数αSが4.77×106/°C、αS/αGaNa比が0.816であった。YSZ-ムライト系焼結体E2は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が3モル、平均熱膨張係数αSが4.86×106/°Cであり、αS/αGaNa比が0.832であった。YSZ-ムライト系焼結体E3は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が5モル、平均熱膨張係数αSが5.80×106/°C、αS/αGaNa比が0.993であった。YSZ-ムライト系焼結体E4は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が6モル、平均熱膨張係数αSが5.81×106/°C、αS/αGaNa比が0.995であった。YSZ-ムライト系焼結体E5は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が10モル、平均熱膨張係数αSが5.85×106/°C、αS/αGaNa比が1.002であった。YSZ-ムライト系焼結体E6は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が20モル、平均熱膨張係数αSが5.96×106/°C、αS/αGaNa比が1.020であった。YSZ-ムライト系焼結体E7は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が50モル、平均熱膨張係数αSが6.27×106/°C、αS/αGaNa比が1.074であった。YSZ-ムライト系焼結体E8は、YSZ含有率が35質量、Y2O3含有率が100モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体F1は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が0モル、平均熱膨張係数αSが4.97×106/°C、αS/αGaNa比というが0.851であった。YSZ-ムライト系焼結体F2は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が3モル、平均熱膨張係数αSが5.07×106/°C、αS/αGaNa比が0.868であった。YSZ-ムライト系焼結体F3は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が5モル、平均熱膨張係数αSが6.05×106/°C、αS/αGaNa比が1.036であった。YSZ-ムライト系焼結体F4は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が6モル、平均熱膨張係数αSが6.06×106/°C、αS/αGaNa比が1.038であった。YSZ-ムライト系焼結体F5は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が10モル、平均熱膨張係数αSが6.10×106/°C、αS/αGaNa比が1.045であった。YSZ-ムライト系焼結体F6は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が20モル、平均熱膨張係数αSが6.21×106/°C、αS/αGaNa比が1.064であった。YSZ-ムライト系焼結体F7は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が50モル、平均熱膨張係数αSが6.54×106/°C、αS/αGaNa比が1.120であった。YSZ-ムライト系焼結体F8は、YSZ含有率が40質量、Y2O3含有率が100モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体G1は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が0モル、平均熱膨張係数αSが4.99×106/°C、αS/αGaNa比が0.854であった。YSZ-ムライト系焼結体G2は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が3モル、平均熱膨張係数αSが5.09×106/°C、αS/αGaNa比が0.872であった。YSZ-ムライト系焼結体G3は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が5モル、平均熱膨張係数αSが6.07×106/°C、αS/αGaNa比が1.039であった。YSZ-ムライト系焼結体G4は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が6モル、平均熱膨張係数αSが6.08×106/°C、αS/αGaNa比が1.041であった。YSZ-ムライト系焼結体G5は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が10モル、平均熱膨張係数αSが6.12×106/°C、αS/αGaNa比が1.048であった。YSZ-ムライト系焼結体G6は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が20モル、平均熱膨張係数αSが6.23×106/°C、αS/αGaNa比が1.067であった。YSZ-ムライト系焼結体G7は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が50モル、平均熱膨張係数αSが6.56×106/°C、αS/αGaNa比が1.123であった。YSZ-ムライト系焼結体G8は、YSZ含有率が70質量、Y2O3含有率が100モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H1は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が0モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H2は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が3モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H3は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が5モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H4は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が6モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H5は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が10モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H6は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が20モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H7は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が50モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。YSZ-ムライト系焼結体H8は、YSZ含有率が100質量、Y2O3含有率が100モル、平均熱膨張係数αSが未測定であり、αS/αGaNa比が非算出であった。上記57種類のYSZ-ムライト系焼結体から、直径4インチ101.6mmで厚さ1mmの支持基板をそれぞれ切り出して、それぞれの支持基板の両主面を鏡面に研磨して、57種類の支持基板A0、B1~B8、C1~C8、D1~D8、E1~E8、F1~F8、G1~G8およびH1~H8とした。すなわち、上記57種類の支持基板についてのYSZおよびムライトの全体に対するYSZの含有率YSZ含有率、YSZに対するY2O3イットリアの含有率Y2O3含有率25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数は、それぞれ上記57種類のYSZ-ムライト系焼結体についてのYSZ含有率、Y2O3含有率および25°Cから800°Cまでにおける平均熱膨張係数にそれぞれ等しい。結果を表2~8にまとめた。表2~8において、-は、その物性値が未測定または非算出であることを示す。2下地基板上に単結晶膜を成膜するサブ工程図2Bを参照して、下地基板30として、鏡面に研磨された111面の主面30nを有する直径5インチ127mmで厚さ0.5mmのSi基板を準備した。上記のSi基板下地基板30の主面30n上に、単結晶膜13として厚さ0.4μmのGaN膜をMOCVD法により成膜した。成膜条件は、原料ガスとしてTMGガスおよびNH3ガスを使用し、キャリアガスとしてH2ガスを使用し、成膜温度1000°C、成膜圧力は1気圧とした。なお、こうして得られたGaN膜単結晶膜13の主面13mは、0001面からのオフ角が±1°以内の面方位を有しており、Ga原子面であった。3支持基板と単結晶膜とを貼り合わせるサブ工程図2C中のC1を参照して、図3Aの57種類の支持基板A、B1~B8、C1~C8、D1~D8、E1~E8、F1~F8、G1~G8、H1~H8支持基板11のそれぞれの主面11m上に厚さ300nmのSiO2膜をCVD化学気相堆積法により成膜した。次いで、上記57種類の支持基板支持基板11のそれぞれの主面11m上の厚さ300nmのSiO2膜を、CeO2スラリーを用いて研磨することにより、厚さ270nmのSiO2層を残存させて、接着層12aとした。これにより、上記57種類の支持基板支持基板11のそれぞれの主面11mの空隙が埋められ、平坦な主面12amを有する厚さ270nmのSiO2層接着層12aが得られた。また、図2C中のC2を参照して、図2BのSi基板下地基板30上に成膜されたGaN膜単結晶膜13の主面13n上に厚さ300nmのSiO2膜をCVD法により成膜した。次いで、この厚さ300nmのSiO2膜を、CeO2スラリーを用いて研磨することにより、厚さ270nmのSiO2層だけ残存させて、接着層12bとした。次いで、図2C中のC3を参照して、上記57種類の支持基板支持基板11のそれぞれに形成されたSiO2層接着層12aの主面12amおよびSi基板下地基板30上に成膜されたGaN膜単結晶膜13上に形成されたSiO2層接着層12bの主面12bnをアルゴンプラズマにより清浄化および活性化させた後、SiO2層接着層12aの主面12amとSiO2層接着層12bの主面12bnとを貼り合わせて、窒素雰囲気下300°Cで2時間熱処理した。4下地基板を除去するサブ工程図2Dを参照して、上記57種類の支持基板支持基板11の裏側単結晶膜13が貼り合わされていない側の主面および側面をワックス40で覆って保護した後、10質量のフッ化水素酸フッ酸および5質量の硝酸を含む混酸水溶液を用いて、エッチングによりSi基板下地基板30を除去した。こうして、上記57種類の支持基板支持基板11のそれぞれの主面11m側にGaN膜単結晶膜13が配置された57種類の複合基板A、B1~B8、C1~C8、D1~D8、E1~E8、F1~F8、G1~G8、H1~H8複合基板10が得られた。3.GaN系膜の成膜工程図1Bを参照して、上記57種類の複合基板複合基板10のGaN膜単結晶膜13の主面13mかかる主面は0001面である。上および直径4インチ101.6mmで厚さ1mmのサファイア基板の主面かかる主面は0001面である。上に、それぞれMOCVD法によりGaN膜GaN系膜20を成膜した。GaN膜GaN系膜20の成膜においては、原料ガスとしてTMGトリメチルガリウムガスおよびNH3ガスを使用し、キャリアガスとしてH2ガスを使用し、500°Cで厚さ50nmのGaNバッファ層GaN系バッファ層21を成長させ、次いで1050°Cで厚さ50nmのGaN単結晶層GaN系単結晶層23を成長させた。ここで、GaN単結晶層の成長速度は1μm/hrであった。その後、上記57種類の複合基板のそれぞれにGaN膜が成膜された57種類のウエハA、B1~B8、C1~C8、D1~D8、E1~E8、F1~F8、G1~G8およびH1~H8を10°C/minの速度で室温25°Cまで冷却した。室温まで冷却後に成膜装置から取り出された上記57種類のウエハについて、ウエハの反り、GaN膜のクラック本数密度および転位密度を測定した。ここで、ウエハの反りの形状および反り量は、GaN膜の主面をCorningTropel社のFM200EWaferを用いて観察される光干渉縞により測定した。GaN膜のクラック本数密度は、ノマルスキー顕微鏡を用いて単位長さ当りのクラック本数を測定し、1本/mm未満を極少、1本/mm以上5本/mm未満を少、5本/mm以上10本/mm未満を多、10本/mm以上を極多と評価した。GaN膜の転位密度はCLカソードルミネッセンスによる暗点の単位面積当たりの個数を測定した。なお、本実施例においてGaN膜に発生したクラックは、膜を貫通しない微小なものであった。ウエハA0は、GaN膜のクラック本数密度が極多であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表2にまとめた。ウエハB1は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が670μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハB2は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が660μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハB3は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が655μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハB4は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が650μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハB5は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が645μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハB6は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が610μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハB7は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が480μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハB8は、GaN膜のクラック本数密度が少であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表2にまとめた。ウエハC1は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が665μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハC2は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が657μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハC3は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が390μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハC4は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が385μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハC5は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が380μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハC6は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が350μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハC7は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が180μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハC8は、GaN膜のクラック数密度が少であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表3にまとめた。ウエハD1は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が660μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハD2は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が650μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハD3は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が250μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハD4は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が240μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハD5は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が230μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハD6は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が180μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハD7は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が10μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハD8は、GaN膜のクラック数密度が少であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表4にまとめた。ウエハE1は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が630μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハE2は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が520μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハE3は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が150μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハE4は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が120μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハE5は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が1μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極少、GaN膜の転位密度が1×108cm2であった。ウエハE6は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が7μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハE7は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が12μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハE8は、GaN膜のクラック数密度が少であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表5にまとめた。ウエハF1は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が500μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハF2は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が480μmであり、GaN膜のクラック本数密度が多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハF3は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が10μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハF4は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が10μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハF5は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が11μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハF6は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が12μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハF7は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が110μmであり、GaN膜のクラック本数密度が少、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハF8は、GaN膜のクラック数密度が少であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表6にまとめた。ウエハG1は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が510μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハG2は、GaN膜側が凹状に反り、反り量が490μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多、GaN膜の転位密度が5×108cm2であった。ウエハG3は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が10μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハG4は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が11μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハG5は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が11μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハG6は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が12μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハG7は、GaN膜側が凸状に反り、反り量が110μmであり、GaN膜のクラック本数密度が極多、GaN膜の転位密度が2×108cm2であった。ウエハG8は、GaN膜のクラック数密度が極多であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表7にまとめた。ウエハH1~H8は、いずれも、GaN膜のクラック数密度が極多であり、反り形状、反り量およびGaN膜の転位密度が未測定であった。結果を表8にまとめた。表2~8を参照して、主面内の熱膨張係数αSがGaN結晶の熱膨張係数αGaNaの0.8倍より大きく1.2倍より小さいすなわち、0.8<αS/αGaNa比<1.2支持基板を有する複合基板を用いることによりウエハB3~B7、C3~C7、D3~D7、E1~E7、F1~F7およびG1~G7、反りが小さく転位密度が低く結晶性の良好なGaN膜を成膜することができた。また、GaN膜の反りおよび転位密度をさらに低減する観点から、複合基板の支持基板の主面内の熱膨張係数αSは、GaN結晶の熱膨張係数αGaNaの0.9倍より大きく1.15倍より小さいことすなわち、0.9<αS/αGaNa比<1.15ウエハC3~C7、D3~D7、E3~E7、F3~F7およびG3~G7が好ましく、GaN結晶の熱膨張係数αGaNaの0.95倍より大きく1.1倍より小さいことすなわち、0.95<αS/αGaNa比<1.1ウエハC7、D3~D7、E3~E7、F3~F6およびG3~G6がより好ましい。また、表2~表8から、上記57種類の複合基板10の上記57種類の支持基板11のYSZ含有率およびY2O3含有率と上記57種類の複合基板のGaN単結晶層GaN系単結晶層23上に成長させるGaN膜GaN系膜20のクラック本数密度との関係を表9にまとめた。表9を参照して、複合基板の支持基板に含まれるムライトAl2O3-SiO2複合酸化物およびYSZイットリア安定化ジルコニアの全体に対するYSZの含有率が20質量以上40質量以下のとき、より好ましくは25質量以上35質量以下のとき、複合基板のGaN膜単結晶膜上に成膜したGaN膜GaN系膜のクラック本数密度が著しく減少した。さらに、YSZに対するY2O3イットリアの含有率が5モル以上のとき、より好ましくは6モル以上50モル以下のとき、複合基板のGaN膜単結晶膜上に成膜したGaN膜GaN系膜のクラック本数密度が極めて著しく減少した。なお、上記実施例においては、複合基板上に非ドーピングのGaN膜を成膜した例を示したが、ドーピングによりn型またはp型の導電性が付与されたGaN膜を成膜した場合、ドーピングにより比抵抗が高められたGaN膜を成膜した場合にも、上記実施例とほぼ同一の結果が得られた。また、GaN膜に替えてGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1などのGaN系膜を成膜した場合にも上記実施例と同様の結果が得られた。特に、GaN膜に替えてGaxInyAl1xyN膜x>0.5、y≧0、xy≦1を成膜する場合には、上記実施例とほぼ同一の結果が得られた。また、GaN系膜具体的にはGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1などは、Ga、In、AlなどのIII族元素の組成比を変えて複数成膜することもできる。すなわち、GaN膜に替えてGaxInyAl1xyN膜x>0、y≧0、xy≦1などのGaN系膜を、Ga、In、AlなどのIII族元素の組成比を変えて、複数成膜することができる。本発明の実施においては、GaN系膜の成膜の際にELOEpitaxialLateralOvergrowth;ラテラル成長技術などの公知の転位低減技術を適用できる。また、複合基板にGaN系膜を成膜した後に、複合基板の支持基板のみまたは複合基板全体支持基板および単結晶膜をエッチングにより除去してもよい。このとき、GaN系膜を別の支持基板に転写してもよい。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。