液体を貯留し、液層を形成する貯留槽と、基板を回転可能に水平に支持し、前記貯留槽に対する離間距離を増減可能な基板支持部と、前記貯留槽の外周側に設けられ、前記基板支持部が前記貯留槽から離間した位置において前記基板を回転することにより前記基板から振り払われる液体を受けるカップ部とを備える基板処理装置。前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた貯留部材底部と前記貯留部材底部の外周側に該貯留部材底部を囲むように設けられた貯留部材堰部とを含み、該貯留部材底部と該貯留部材堰部との相対的な位置関係を変化させることによって形成される、ことを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。前記貯留部材底部は、該貯留部材底部の中央に前記貯留槽または前記基板の表面に液体を供給するベースプレートノズルを含むことを特徴とする、請求項2に記載の基板処理装置。前記貯留部材底部は、前記貯留槽の液層に浸漬された基板に振動を付与する超音波振動板を含むことを特徴とする、請求項2または3に記載の基板処理装置。前記基板支持部は、前記基板の表面に対向する位置に円環形状のトッププレート部材を有することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記基板支持部は、前記基板及び前記基板の表面上の液体を加熱する加熱部を有することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板処理装置。基板支持部により基板を水平に支持する基板支持工程と、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた貯留部材底部と前記貯留部材底部の外周側に該貯留部材底部を囲むように設けられた貯留部材堰部とにより形成された貯留槽に第1の処理液を貯留し、前記第1の処理液の液層を形成する貯留工程と、前記基板支持部と前記貯留部材底部との離間距離を減少させることにより、前記基板を前記液層に浸漬する浸漬工程と、前記基板支持部と前記貯留部材底部との離間距離を増加させることにより、前記基板を前記液層から離間する離間工程と、前記基板支持部を回転することにより、前記基板を回転する回転工程と、前記回転している基板に第2の処理液を供給して、前記回転している基板の表面上に液膜を形成する液膜形成工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。前記離間工程は、前記貯留部材堰部の外周側に、前記貯留部材堰部を囲むように設けられた環状の第1の液収容部に、前記貯留部材底部と前記貯留部材堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記第1の処理液を排液する工程を含み、前記液膜形成工程は、前記第1の液収容部より外周側に設けられた環状の第2の液収容部に、前記回転している基板から振り切られた前記第2の処理液を収容する工程を含む、ことを特徴とする、請求項7に記載の基板処理方法。前記第2の処理液は、洗浄液及び/またはリンス液であることを特徴とする、請求項7または8に記載の基板処理方法。前記浸漬工程は、前記貯留部材底部に設けられた超音波振動板により、前記液層を介して、前記基板に振動を付与する工程を含むことを特徴とする、請求項7乃至9のいずれか一項に記載の基板処理方法。前記液膜形成工程は、前記基板支持部と前記基板との間隙、及び、前記基板と前記貯留部材底部との間隙に不活性ガスを供給する工程を含むことを特徴とする、請求項7乃至10のいずれか一項に記載の基板処理方法。基板を液処理する工程においては、処理液で基板の表面を洗浄し、リンス処理し、乾燥する場合がある。特許文献1の基板処理装置においては、処理液として洗浄液を用いることで基板の表面を洗浄することができる。しかし、洗浄後、その表面をリンス処理するためには、洗浄液とリンス液を置換する工程を要する。また、その表面を乾燥するためには、供給したリンス液を排液する工程を要する。特許文献2の基板処理装置においては、基板を搬出し、リンス処理等を他の基板処理装置で行うことも可能であるが、搬出等に時間を要する場合がある。このような工程数の増加及び処理時間の増加は、製造コストの増加を招く。このため、基板の液処理から洗浄及び乾燥までの工程数処理時間を減少させるため、基板を液層に浸漬する処理DIPによる処理及び基板を回転し、液を供給して振り切る液膜処理を一つの処理ユニットでできるものが望まれている。本発明は、このような事情の下に為され、基板を液層に浸漬して洗浄した後、回転して液膜処理することが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。本発明の一の態様によれば、液体を貯留し、液層を形成する貯留槽と、基板を回転可能に水平に支持し、前記貯留槽に対する離間距離を増減可能な基板支持部と、前記貯留槽の外周側に設けられ、前記基板支持部が前記貯留槽から離間した位置において前記基板を回転することにより前記基板から振り払われる液体を受けるカップ部とを備える基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、基板支持部により基板を水平に支持する基板支持工程と、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた貯留部材底部と前記貯留部材底部の外周側に該貯留部材底部を囲むように設けられた貯留部材堰部とにより形成された貯留槽に第1の処理液を貯留し、前記第1の処理液の液層を形成する貯留工程と、前記基板支持部と前記貯留部材底部との離間距離を減少させることにより、前記基板を前記液層に浸漬する浸漬工程と、前記基板支持部と前記貯留部材底部との離間距離を増加させることにより、前記基板を前記液層から離間する離間工程と、前記基板支持部を回転することにより、前記基板を回転する回転工程と、前記回転している基板に第2の処理液を供給して、前記回転している基板の表面上に液膜を形成する液膜形成工程とを含むことを特徴とする基板処理方法が提供される。本発明の実施形態によれば、基板を液層に浸漬して洗浄した後、回転して液膜処理することが可能な基板処理装置及び基板処理方法が提供される。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきである。基板処理装置の構成始めに、図1を参照しながら、本発明の実施形態による基板処理装置について説明する。本実施形態においては、処理する基板として、半導体ウエハ以下、ウエハという。を用いる。図示のとおり、基板処理装置100は、ウエハWを支持する基板支持部10と、支持されたウエハWの下面に対向するように設けられた貯留部材底部20と、貯留部材底部20の外周側に貯留部材底部20を囲むように設けられた貯留部材堰部21と、基板支持部10と貯留部材底部20との離間距離を調整する駆動部30と、を有する。また、基板処理装置100には、貯留部材堰部20の周囲を取り囲み、ウエハWに供給された液体を回収し、排液口41c等に排出するカップ部40が設けられている。基板支持部10は、トッププレートノズル10nを含む円環形状のトッププレート部材10aと、トッププレート部材10aの下方でウエハWを挟持する爪部10sと、液体処理液等を加熱する加熱部10Lとを有する。基板支持部10は、ウエハWの表面パターン面が下方に向いた姿勢で、ウエハWを支持する。トッププレート部材10aは、ウエハWの表面に対向する位置に配置されている。トッププレートノズル10nは、トッププレート部材10aの中央に配置され、ウエハWの上面に液体を供給する。爪部10sは、3個の爪部を等間隔で設けることができる。加熱部10Lは、ウエハW表面上の液体の液温を均一に保つため、ウエハW及び液体を所定の温度に加熱する。加熱部10Lは、例えば、LEDを用いることができる。貯留部材底部20は、ベースプレートノズル20n及び複数の吐出口20m図4bを含む円環形状のベースプレート部材20aと、後述する超音波振動板20s図4bを有する。ベースプレートノズル20nは、ベースプレート部材20aの中央に配置されている。複数の吐出口20mは、ベースプレート部材20aの中心部から外周部に向けて配置されている。ベースプレートノズル20n及び吐出口20mは、ウエハWの下面に液体を供給する。貯留部材堰部21は、ベースプレート部材20aの外周側を囲むように設けられた円筒形状の部材である。貯留部材堰部21は、ベースプレート部材20aと相対的な位置関係を変化させるように移動することができ、ベースプレート部材20aの上端より、貯留部材堰部21の上端の位置を高くした場合に、ベースプレート部材20aと貯留部材堰部21とによって、液体を貯留することができる貯留槽を形成する。このとき、貯留槽に貯留された液体がベースプレート部材20aと貯留部材堰部21との間隙から漏洩するのを防止するため、ベースプレート部材20aと貯留部材堰部21との摺動部に例えばOリングなどのシール部材23が設けられている。ここで、ベースプレート部材20aと貯留部材堰部21との相対的な位置関係を変化させる方法は、ベースプレート部材20a若しくは貯留部材堰部21のいずれか一方を移動させる方法、または、ベースプレート部材20a及び貯留部材堰部21の両方を相対的に移動させる方法でもよい。駆動部30は、基板支持部10のトッププレート部材10aを回転可能に支持するモータ30Mと、基板支持部10トッププレート部材10aと貯留部材底部20との離間距離を変化させるプレート駆動部30aと、ベースプレート部材20aを昇降させるベースプレート駆動部30bと、を有する。モータ30Mは、トッププレート部材10aとトッププレート部材10aに支持されたウエハWとを回転することができる。プレート駆動部30aは、基板支持部10と貯留部材底部20との離間距離を減少させることができる。このとき、基板支持部10トッププレート部材10aに支持されたウエハWは、貯留槽に貯留された液体洗浄液などの液層に浸漬される。ベースプレート駆動部30bは、ベースプレート部材20aの上端表面と堰部21の上端表面との相対的な位置関係を変化させることができる。このとき、ベースプレート部材20aと貯留部材堰部21とによって、液体を貯留することができる貯留槽の形成及び貯留槽に貯留された液体の排液をすることができる。カップ部40は、貯留槽に貯留された液体を排出する環状の第1の液収容部40aと、第1の液収容部40aより外周側に設けられ、回転しているウエハWに供給した液体のうち、遠心力により振り切られた液体を収容する環状の第2の液収容部40bと、第1の液収容部40aと第2の液収容部40bとを仕切る可動式の仕切りガイド40gと、を有する。また、カップ部40は、第1の液収容部40aに流入した液体を排液する排液口41cと、第2の液収容部40bに流入した液体を排液する排液口41dと、基板処理装置100内の雰囲気ガスを換気する排気口41eと、を有する。ここで、仕切りガイド40gは、上方のガイド位置Gup図1で実線で示す位置では、排液口41cに液体を排液し、下方のガイド位置Gdw図1で破線で示す位置では、排液口41dに液体を排液することができる。基板処理装置100の液体供給系は、ベースプレートノズル20nに液体供給源50を接続する。液体供給源50は、本実施形態では、4本の配管51~54を有する。供給する液体処理液は、洗浄液として配管52からSC1が供給され、リンス液として配管51から常温の脱イオン水CDIW及び配管53から高温の脱イオン水HDIWが供給され、レジスト剥離の処理液として配管54からの硫酸H2SO4が供給される。また、配管51~54に対して、集合弁56が設けられている。集合弁56の入口は配管51~54に接続し、集合弁56の出口は供給管57に接続する。また、集合弁56は、配管51~54に対応して三方弁が設けられている。ここで、三方弁とは、択一的に弁を開閉することによって、所望の液体を供給管57に択一的に供給する。具体的には、三方弁51aが開くと、配管51を流れる脱イオン水CDIWが供給管57に流入する。一方、閉まっている他の三方弁においては、対応する配管52~54を流れる液体は、そのまま配管52~54を流れ、供給管57には流入しない。なお、このような構成を有する集合弁56の代わりに複数の個別の弁を配管51~54に設けることにより、液体を択一的に供給管57に供給する構成としても良い。供給管57は、図示しない流量制御器及び供給弁を介して、ベースプレートノズル20nに接続する。また、供給管57は図示しないドレイン管に接続する。ドレイン管は開閉弁を有する。さらに、供給管57には、後述する乾燥工程図9bで使用する不活性ガスとして、窒素ガスを供給する配管が開閉弁を介して接続されている。一方、ベースプレート部材20aの中心部から螺旋状に配置された複数の吐出口20m図4bからは、開閉弁を介して後述するSPMの処理図4aで使用する処理液として、過酸化水素水を吐出する。また、基板支持部10のトッププレートノズル10nからは、液体及び窒素ガスを供給する。配管及び弁などの構成は、ベースプレートノズル20nの場合と同様のため、説明を省略する。基板処理の動作次に、図2~図9を参照しながら、上記の基板処理装置100において実施される基板処理方法の一例について説明する。図2は、本実施形態の基板処理方法を説明するフローチャートである。図3~図9は、実施される基板処理の各工程を説明する説明図である。図2を参照しながら、図3~図9の各工程について説明する。始めに、図2のステップS101及び図3において、基板処理装置100は、搬送機構61図3により、基板処理装置100内にウエハWを搬入し、基板支持部10の下方に配置される。ここで、図示しない受け渡し機構により、搬送機構61から基板支持部10にウエハWが受け渡され、爪部10sスピンチャックによってウエハWを支持する。本実施例では、ウエハWは、パターン面を下方に向けて支持される。その後、ステップS102に進む。なお、ウエハWは、パターン面を上方に向けて支持されても良い。図2のステップS102及び図4において、基板処理装置100は、ウエハWの表面に形成されているレジストを剥離する処理をする。具体的には、まず、図4aにおいて、基板処理装置100は、駆動部30のプレート駆動部30aにより、基板支持部10を下方に移動するM1。また、駆動部30のモータ30Mにより、ウエハWトッププレート部材10aを、所定の回転速度例えば、500rpmで回転する。次に、配管54の三方弁を開き、ベースプレートノズル20nから硫酸H2SO4を吐出する。また、吐出口20mから過酸化水素水H2O2を吐出する。このとき、硫酸および過酸化水素水の混合液が生成される。また、混合液では、硫酸と過酸化水素水との化学反応H2SO4H2O2→H2SO5H2Oが生じ、強い酸化力を有するH2SO5を含むSPMが生成される。ウエハWの表面上のSPMは、ウエハWの回転による遠心力を受け、ウエハWの表面上で表面中央から外周縁に向けて拡がる。このとき、SPMは、ウエハWの表面上にSPMの液膜を形成する。このため、ウエハWの表面に残存している不要なレジストを、SPMの酸化反応により、剥離することができる。また、ウエハW表面上のSPMの温度は、ウエハWの外周に向かって低下する。そのため、基板処理装置100は、加熱部10Lにより、ウエハWの表面上の液温を均一に保つように制御する。さらに、基板処理装置100は、ウエハWの表面上のSPMの液膜が遠心力によりウエハWの外周縁から飛散するため、カップ部40の第1の液収容部40aにより、飛散したSPMを排液口41cに排液する。ここで、図4bに、過酸化水素水を吐出する吐出口20mの位置を説明する平面図を示す。本実施形態では、5つの吐出口20m1~20m5を有する。吐出口20m1~20m5は、ベースプレート部材20aの円形表面の中心部から螺旋状に配置することができる。吐出口20mから吐出する過酸化水素水は、図示しない開閉弁により、その流量を制御することができる。以上より、ウエハWの表面に形成されているレジストを剥離する基板処理をする完了すると、ステップS103に進む。図2のステップS103及び図5において、基板処理装置100は、レジスト剥離の後処理として、ウエハWを回転したままベースプレートノズル20nから硫酸を吐出する。この場合、吐出口20mから過酸化水素水を吐出しない。また、その他の条件は、ステップS102と同様のため、説明を省略する。基板処理装置100は、ウエハWの表面上にあるステップS102において生成されたSPMの液膜を硫酸の液膜に置換する。以上より、置換を完了すると、ウエハWの回転を停止し、ステップS104に進む。図2のステップS104及び図6において、基板処理装置100は、ウエハWをHDIWに浸漬する処理以下、DIP処理という。をする。具体的には、まず、基板処理装置100は、貯留部材堰部21の上端の位置をベースプレート部材20aの上端の位置より高くしM1、液体を貯留することができる貯留槽を形成する。次に、配管53の三方弁を開き、ベースプレートノズル20nからHDIWを供給し、貯留槽にHDIWの液層を生成する。次に、基板処理装置100は、プレート駆動部30aにより、基板支持部10を下方に移動しM2、貯留槽に生成されたHDIWの液層にウエハWを浸漬し、所定の時間、DIP処理を行う。ここで、DIP処理では、連続的にHDIWを供給し、排液口41cに液体を排液しながら洗浄オーバーフロー洗浄する。このとき、基板処理装置100は、DIP処理により、ウエハWの表面を均一に洗浄することができる。また、ステップS102及びS103において使用した処理液SPM等が付着したベースプレート部材20a等を同時に洗浄することができる。なお、DIP処理中に、基板処理装置100は、モータ30Mにより、ウエハWトッププレート部材10aを低回転の回転速度で回転してもよい。以上より、DIP処理を完了すると、ステップS105に進む。図2のステップS105及び図7aにおいて、基板処理装置100は、ウエハWを回転しながら、ウエハWをSC1で洗浄回転洗浄する処理をする。具体的には、まず、基板処理装置100は、プレート駆動部30aにより、基板支持部10を上方に移動しM1、貯留槽のHDIWの液層からウエハWを離間する。また、基板処理装置100は、ベースプレート駆動部30bにより、ベースプレート部材20aの上端の位置を貯留部材堰部21の上端の位置より高くしM2、ステップS104のHDIWを第1の液収容部40aの排液口41cから排液する。このとき、ステップS104のDIP処理において使用したHDIWの液層の排出と後述の回転洗浄の準備を同時にすることができる。次に、基板処理装置100は、仕切りガイド40gを下方に移動G1する。また、基板処理装置100は、モータ30Mにより、ウエハWトッププレート部材10aを、所定の回転速度例えば、1000rpmで回転し、回転しているウエハWの表裏にトッププレートノズル10n及びベースプレートノズル20nからSC1を吐出する。このとき、ウエハWの表面上に吐出されたSC1は、ウエハWの回転による遠心力を受け、ウエハWの表面上に液膜を形成する。そのため、ウエハWの表面に残存している不要な前処理の処理液を洗浄することができる。また、基板処理装置100は、ウエハWの表面上のSC1の液膜が遠心力によりウエハWの外周縁から飛散するため、カップ部40の第2の液収容部40bにより、飛散したSC1を排液口41dに排液する。以上より、ウエハWの回転洗浄が完了すると、ステップS106に進む。図2のステップS106及び図7bにおいて、基板処理装置100は、SC1の回転洗浄の後処理として、ウエハWの表面上にCDIWを吐出することにより、ウエハWを洗浄する処理をする。処理の内容は、ステップS105と同様のため、説明を省略する。基板処理装置100は、洗浄を完了すると、ステップS107に進む。図2のステップS107及び図8において、基板処理装置100は、ウエハWを超音波振動板20sにより、超音波洗浄する処理をする。具体的には、まず、基板処理装置100は、ステップS104と同様に貯留槽を形成し、貯留槽にCDIWを貯留するM1。また、基板処理装置100は、モータ30Mにより、ウエハWトッププレート部材10aを低回転の回転速度で回転する。次に、基板処理装置100は、プレート駆動部30aにより、基板支持部10を下方に移動しM2、貯留槽に生成されたCDIWの液層にウエハWを浸漬する。このとき、基板処理装置100は、所定の時間、超音波洗浄を行う。本実施形態では、連続的にCDIWを供給し、排液口41dに液体を排液しながら洗浄オーバーフロー洗浄する。このとき、基板処理装置100は、超音波振動板20sにより、ウエハW等に振動を付与し、ウエハW表面を物理的に洗浄することができる。また、基板処理装置100は、ステップS105において使用した処理液SC1等が付着したベースプレート部材20a等を同時に洗浄することができ、基板処理装置100の洗浄に係る工程時間を削減することができる。ここで、超音波洗浄を行う超音波振動板20sを図4bに示す。本実施形態では、超音波振動板20sは、5つの超音波振動素子20s1~20s5を有する。超音波振動素子20m1~20m5は、ベースプレート部材の円形表面の中心部から外周部に向けて配置することができる。また、超音波振動素子20m1~20m5は、図示しない制御手段により、その出力を個別に制御することができる。以上より、超音波洗浄による処理を完了すると、ステップS108に進む。図2のステップS108及び図9aにおいて、基板処理装置100は、ウエハWを回転しながら、ウエハWをリンス処理をする。具体的には、まず、基板処理装置100は、プレート駆動部30aにより、基板支持部10を上方に移動M1し、貯留槽のCDIWの液層からウエハWを離間する。また、基板処理装置100は、ベースプレート駆動部30bにより、ベースプレート部材20aの上端の位置を貯留部材堰部21の上端の位置より高くしM2、ステップS107のCDIWの液層を第1の液収容部40bの排液口41dから排液する。このとき、ステップS107の超音波洗浄する処理で使用したCDIWの液層の排出と後述のリンス処理を同時にすることができ、基板処理装置100の超音波洗浄の液層の排出に係る時間を削減することができる。次に、基板処理装置100は、モータ30Mにより、ウエハWトッププレート部材10aを所定の回転速度例えば、1000rpmで回転し、回転しているウエハWにトッププレートノズル10n及びベースプレートノズル20nからCDIWを吐出する。このとき、ウエハWの表面上に吐出されたCDIWは、ウエハWの回転による遠心力を受け、ウエハWの表面上に液膜を形成する。そのため、ウエハWの表面に残存している不要な前処理の処理液等を洗浄し、リンス処理することができる。また、基板処理装置100は、ウエハWの表面上のCDIWの液膜が遠心力によりウエハWの外周縁から飛散するため、カップ部40の第2の液収容部40bにより、飛散したCDIWを排液口41dに排液する。以上より、リンス処理をする完了すると、ステップS109に進む。図2のステップS109及び図9bにおいて、基板処理装置100は、ウエハWを回転しながら、ウエハWを乾燥する処理をする。具体的には、まず、基板処理装置100は、トッププレートノズル10n及びベースプレートノズル20nからのCDIWの吐出を停止する。次に、基板処理装置100は、トッププレートノズル10n及びベースプレートノズル20nから不活性ガスN2ガスを放出する。このとき、ウエハWの表面上に残存したCDIWは乾燥し、ウエハWの表面は乾燥する。以上より、乾燥する処理をする完了すると、ステップS110に進む。図2のステップS110において、基板処理装置100は、搬送機構61図3により、処理済みのウエハWを基板処理装置100外に搬出する。搬出方法は、ステップS101の逆手順と同様のため、説明を省略する。搬出を完了すると、図中のENDに進み、基板処理の動作を終了する。以上、実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明はこれに限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更することが可能である。また、使用する液体として、H2SO4、SC1、及びDIW等を例示したが、これらに限らず、実施する液処理に応じた液体を用いて良いことは勿論である。上述の実施形態においては、ウエハを基板処理する場合を例に説明したが、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板などの基板を製造する工程で、基板に対して液処理する場合においても、本発明を用いることができる。