"以下の工程を含む半導体装置の製造方法:a相互に対向する第1および第2の長辺を有する長方形の配線基板の第1の主面上において、長手方向に沿って設けられた第1領域および第2領域であって、それぞれが有する複数の単位デバイス領域の各々に、一つ又は複数の半導体チップをダイボンディングする工程;b前記工程aの後、第1の金型と第2の金型の間に形成された第1のキャビティ部および第2のキャビティ部に、前記第1領域および前記第2領域のそれぞれが対応するように前記配線基板を前記第1の金型と第2の金型の間に収容した状態で、前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部の各々に、レジンを注入することにより、前記第1領域および前記第2領域のそれぞれを一括して封止する工程;c前記工程bの後、前記配線基板を切断することにより、前記複数の単位デバイス領域を相互に分割する工程、ここで、前記工程bにおいて、前記第1の金型と前記第2の金型の間には、以下が形成されている:b1前記配線基板の前記第1の長辺に沿って設けられ、第1のランナー部および第1のゲートにより前記第1のキャビティ部と連結された第1のカル部;b2前記配線基板の前記第1の長辺に沿って設けられ、第2のランナー部および第2のゲートにより前記第2のキャビティ部と連結された第2のカル部;b3前記第1のキャビティ部と前記第2のキャビティ部とを相互に連結する第1の連結部、更に、ここで、前記第1の連結部は前記配線基板の前記第1の長辺と前記第2の長辺の中間よりも前記配線基板の前記第1の長辺に近い位置に設けられている。前記1項の半導体装置の製造方法において、前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部のそれぞれには、前記第2の長辺に沿って、複数のエアベント部が設けられている。前記1項の半導体装置の製造方法において、前記第1のカル部に対応して設けられた第1のプランジャ、および前記第2のカル部に対応して設けられた第2のプランジャは、共通の支持部材に固定されており、モータにより一括して駆動される。前記1項の半導体装置の製造方法において、前記工程bにおける前記第1の金型と前記第2の金型間の前記第1の金型の表面には離型シートが敷かれている。前記1項の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記第1のキャビティ部と記第2のキャビティ部の間に対応する位置には、前記第1のキャビティ部と記第2のキャビティ部の一対の近接辺に沿って、スリットが設けられている。前記5項の半導体装置の製造方法において、前記第1の連結部は前記スリットよりも前記配線基板の前記第1の長辺から遠い位置に設けられている。配線基板にマトリクス状に配置された多数の単位デバイス領域単一又は複数の半導体チップがダイボンディングされ、封止後に単一の半導体装置として分離されるべき単位領域を一括してキャビティ部内に収容して、レジンでトランスファーモールドするMAP方式の半導体装置の製造方法の開発が盛んに進められている。この場合、最終的デバイス取得数を確保するために、一般に長方形の基板が使用される。ところが、基板と略相似形の単一キャビティ部で封止すると、基板とレジンの熱膨張係数の相違から、モールド後に著しい反りが発生する。これを回避するために、日本特開2001-044324号公報特許文献1に示されたごとく、多数の単位デバイス領域を複数群に分割して、ほぼ正方形またはそれに近い正方形の平面形状を有する複数のキャビティ部に収容して、各々を一括封止するこころみが行われている。しかしながら、本願発明者らが検討したところによると、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、この場合、キャビティ部ごとにそれ専用の複数の相互に独立してキャビティ部に連結されたポット部を使用するのが、一般的である。そうすると、レジンタブレットには量的ばらつきがあるので、複数のキャビティ部間でレジン充填のバランスが崩れ、全キャビティ部に均一に充填できない結果となる。本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造プロセスを提供することにある。本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、本願発明は複数のキャビティ部を使用するMAP方式の封止プロセスにおいて、キャビティ部間を連結する連結通路を有する金型を使用するものである。本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、本願発明は複数のキャビティ部を使用するMAP方式の封止プロセスにおいて、キャビティ部間を連結する連結通路を有する金型を使用することにより、連結通路を通して各キャビティ部間でレジンが再配分されるので、すべてのキャビティ部に均一にレジンを充填することができる。実施の形態の概要先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。1.以下の工程を含む半導体装置の製造方法:a長方形の配線基板の第1の主面上において、長手方向に沿って設けられた第1領域および第2領域であって、それぞれが有する複数の単位デバイス領域の各々に、一つ又は複数の半導体チップをダイボンディングする工程;b前記工程aの後、上金型と下金型の間に形成された第1のキャビティ部および第2のキャビティ部に、前記第1領域および前記第2領域のそれぞれが対応するように前記配線基板を前記上金型と下金型の間に収容した状態で、前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部の各々に、レジンを注入することにより、前記第1領域および前記第2領域のそれぞれを一括して封止する工程;c前記工程bの後、前記配線基板を切断することにより、前記複数の単位デバイス領域を相互に分割する工程、ここで、前記工程bにおいて、前記上金型と前記下金型の間には、以下が形成されている:b1前記配線基板の前記第1の長辺に沿って設けられ、前記第1のキャビティ部と連結された第1のカル部;b2前記配線基板の前記第1の長辺に沿って設けられ、前記第2のキャビティ部と連結された第2のカル部;b3前記第1のキャビティ部と前記第2のキャビティ部とを相互に連結する第1の連結部。2.前記1項の半導体装置の製造方法において、前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部のそれぞれには、前記第2の長辺に沿って、複数のエアベント部が設けられている。3.前記1または2項の半導体装置の製造方法において、前記上金型の前記第1の連結部には突起が設けられている。4.前記3項の半導体装置の製造方法において、前記突起部は前記第1の連結部のほぼ中央に設けられている。5.前記1から4項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のカル部に対応して設けられた第1のプランジャ、および前記第2のカル部に対応して設けられた第2のプランジャは、共通の支持部材に固定されており、モータにより一括して駆動される。6.前記1から5項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程bにおける前記上金型と前記下金型間の前記上金型の表面には離型シートが敷かれている。7.前記1から6項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記第1のキャビティ部と記第2のキャビティ部の間に対応する位置には、前記第1のキャビティ部と記第2のキャビティ部の一対の近接辺に沿って、スリットが設けられている。8.前記7項の半導体装置の製造方法において、前記第1の連結部は前記スリットよりも前記配線基板の前記第1の長辺から遠い位置に設けられている。9.前記1から8項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1の連結部は前記配線基板の前記第1の長辺と前記第2の長辺の中間よりも前記配線基板の前記第1の長辺から遠い位置に設けられている。10.前記1から9項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1の連結部は前記配線基板の前記第2の長辺に近接する位置に設けられている。11.以下の工程を含む半導体装置の製造方法:a相互に対向する第1および第2の長辺を有する長方形の配線基板の第1の主面上において、長手方向に沿って設けられた第1矩形領域および第2矩形領域であって、それぞれが有する複数の単位デバイス領域の各々に、一つ又は複数の半導体チップをダイボンディングする工程;b前記工程aの後、上金型と下金型の間に形成された第1のキャビティ部および第2のキャビティ部に、前記第1矩形領域および前記第2矩形領域のそれぞれが対応するように前記配線基板を前記上金型と下金型の間に収容した状態で、前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部の各々に、レジンを注入することにより、前記第1矩形領域および前記第2矩形領域のそれぞれを一括して封止する工程;c前記工程bの後、前記配線基板を切断することにより、前記複数の単位デバイス領域を相互に分割する工程、ここで、前記工程bにおいて、前記上金型と前記下金型の間には、以下が形成されている:b1前記配線基板の前記第1の長辺に沿って設けられ、第1のランナー部および第1のゲートにより前記第1のキャビティ部と連結された第1のカル部;b2前記配線基板の前記第1の長辺に沿って設けられ、前記第1のランナー部および第1のゲートと独立して設けられた第2のランナー部および第2のゲートにより前記第2のキャビティ部と連結された第2のカル部;b3前記第1のキャビティ部と前記第2のキャビティ部との対向する一対の近接辺間で、前記第1のキャビティ部と前記第2のキャビティ部とを相互に連結する第1の連結部、更に、ここで、前記第1の連結部は前記配線基板の前記第1の長辺と前記第2の長辺の中間よりも前記配線基板の前記第1の長辺から遠い位置に設けられている。12.前記11項の半導体装置の製造方法において、前記第1の連結部は前記配線基板の前記第2の長辺に近接する位置に設けられている。13.前記10または11項の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記第1のキャビティ部と記第2のキャビティ部の間に対応する位置には、前記近接辺に沿って、スリットが設けられている。14.前記13項の半導体装置の製造方法において、前記第1の連結部は前記スリットよりも前記配線基板の前記第1の長辺から遠い位置に設けられている。15.前記11から14項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程bにおける前記上金型と前記下金型間の前記上金型の表面には離型シートが敷かれている。16.前記11から15項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のカル部に対応して設けられた第1のプランジャ、および前記第2のカル部に対応して設けられた第2のプランジャは、共通の支持部材に固定されており、モータにより一括して駆動される。17.前記11から16項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記上金型の前記第1の連結部には突起が設けられている。18.前記17項の半導体装置の製造方法において、前記突起部は前記第1の連結部のほぼ中央に設けられている。19.前記11から18項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部のそれぞれには、前記配線基板の前記第2の長辺に沿って、複数のエアベント部が設けられている。20.前記11から19項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のキャビティ部と前記第2のキャビティ部間においては、前記第1の連結部以外の連結部を持たない。21.前記11から20項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記連結部は前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部の前記第2の長辺側の端部に近接している。22.前記11から21項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程bにおける封止は、マルチプランジャ方式のトランスファーモールドにより行われる。23.前記11から22項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のランナー部および第2のランナー部は、それぞれ前記第1のキャビティ部および前記第2のキャビティ部に向けてほぼ直線状に伸びている。24.前記11から23項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のランナー部および第2のランナー部は、それぞれ前記第1のカル部および前記第2のカル部に対して複数本、独立して設けられている。25.前記11から24項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のカル部および第2のカル部はそれぞれ複数個、独立して設けられている。26.前記11から25項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第1のカル部および第2のカル部の下端部の水平断面はほぼ円形である。本願における記載形式基本的用語用法の説明1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。2.同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、AからなるX等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、A以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、Aを主要な成分として含むX等の意味である。たとえば、シリコン部材等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。3.同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。4.さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。5.ウエハというときは、通常は半導体装置半導体集積回路装置、電子装置も同じをその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、SOIウエハ、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。最終的な分離前の半導体装置は本願では、単位デバイス領域と呼ぶことがある。6.チップまたはダイというときは、一般的にはウエハ分割工程後の完全分離したものを指すが、本願では便宜上、分離前のチップ領域も同じ用語で示す。たとえば、いわゆるDBGプロセスでは、ハーフカットダイシング後にグラインディングして最終的にチップに分離して、その状態でチップ裏面を保持用の粘着テープに貼り付けた後、剥離工程に進む。このような場合を含めて、たとえばウエハは分離されれば厳密にはすでにウエハではなく、チップ等も分離される前はチップ領域であってチップではないが、いつ分離されるかは個々のプロセスに依存するので、分離の前後を問わず、これらを包括してウエハ、チップまたはダイという。ここでは主としてシリコン系のチップを、例にとって説明するが、GaAs系のチップであってもよい。7.配線基板というときは、一般的にはフレキシブル配線基板等を含む有機配線基板、セラミック配線基板、金属リードフレーム等の外、他のチップ、ウエハその他の薄膜状集積回路装置を指す。チップは配線基板上の単位デバイス領域内に設けられたダイボンディング領域内に直接または他のチップを介して、ダイボンディングされる。8.本願で主に取り扱うトランスファーモールドでは、金型は上金型と下金型が閉じたときにできる空間にできた各種の空間領域を用いてレジンを溶融、転送、注入、キュアー進行によって、レジン封止物を形成する。この過程を説明する際、前記各種の空間領域、すなわち、レジンタブレットを収容するポット部、このポット部に対向して設けられたスプルー部またはカル部、カル部とキャビティ部をつなぐランナー部、ランナー部とキャビティ部の境界領域に形成されたゲート等の金型に関する部分と、封止レジンによる封止体配線基板上の領域を含むのそれらに対応する部分の間で参照番号を共用している。なお、基板上の領域のように明らかである場合を除き、封止体側を指す場合は、ランナー部のレジン等のように明示している。また、封止技術においては、金型の金属部分が意味を持つのではなく、その空隙部に意味があるので、図に表示する場合に、一部で、金型の金属部分を省略して、充填部材のみを明示した。また、マルチプランジャー方式またはマルチポット方式とは、単位配線基板に対して複数のポットカル部と対向して設けられたレジンタブレットを収容するためのシリンダー状のくぼみが対応するものである。シングルポット方式と比較して、各キャビティに対する注入条件を比較的均一にできる外、モールドサイクルを短縮できる等のメリットがある。なお、カル部を相互に独立して設けるとは、キャビティに至る前には連結されていないことを言う。またランナー部を独立して設けるとは、相互に共有しているカル部以外では、キャビティに至る前には連結されていないことを言う。9.MAP方式とは、配線基板の主面上のマトリクス上の単位デバイス領域内のダイボンディング領域に単一又は複数のチップを直接または積層して固定して、多数の単位デバイス領域を一括して、キャビティ部に収容して、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂熱可塑性樹脂でもよいを主要な成分の一つとする封止レジンでトランスファーモールドするものである。パッケージサイズが同じであれば、異なる品種でも同一の金型でモールド可能である等、数々の利点を有している。一つの配線基板に対して、単一のキャビティを用いるシングルキャビティ方式と複数のキャビティを用いるマルチキャビティ方式がある。マルチキャビティ方式は長方形の配線基板を用いて、多くの単位デバイス領域を配置したい場合に、レジンと配線基板の基板材料の熱膨張率の相違による基板のそりを緩和するために、用いられることが多い。実施の形態の詳細実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。実施の形態1.本実施の形態におけるレジン封止プロセスの概要説明主に図1から5、および図21参照図1に基づいて、本実施の形態におけるレジン封止プロセスの概要を説明する。図1は、本実施の形態におけるレジン封止プロセスにより、マトリクス上に配置された多数のチップボンディング領域8図21を一括してレジン封止するため、トランスファーモールド方式でレジンをキャビティ部34a、34bに充填したときの様子を示す模式上面図である。分かりやすくするために、上金型を取り払っている。下金型31上に、位置決め孔4等で位置決めされて、配線基板1が置かれている。配線基板1は一般にガラスエポキシ系有機基板が使用されるが、他の有機系又は無機系の配線基板でもよい。また、配線基板1は一般に多層表裏2層または3層以上配線基板が使用されるが、単層配線基板でもよい。配線基板1の中央に長手方向と直交して設けられたスリット2a、2bは、レジンと配線基板1の熱膨張率の差に起因して、配線基板1が長手方向において反ることを緩和するためのものである。カル部のレジン32aから32dはランナー部のレジン33aから33hと図示のように連結されている。更にこれらは配線基板1の第1の長辺側でキャビティ部のレジン3aおよび3bとそれぞれ連結されている。配線基板1の第1の長辺側と対向する第2の長辺側にはエア抜き用のエアベント部34aおよび34bが設けられている。このようにエアベントを複数設けるのは、キャビティを横断する複数のレジンの流れができるだけ配線基板の長辺と平行な方向の流動成分をできるだけ少なくして直線的に進行して、キャビティを満たした後、不所望な気泡等を速やかに排出しやすくするためである。ここで、連結部のレジン5aは両側のキャビティ部におけるレジン充填のアンバランスを補償するために相互にレジンを再配分されたものである。連結部は連結部5bのように連結部5aと異なる場所に単独で、または、他の連結部とともに複数の連結部設けてもよい。図2は図1におけるA-A’断面のキャビティ内の様子、すなわち、封止体の状態を示す模式断面図である。金型の内面キャビティ面等と封止体の外面は原則として一致するので、明確さを確保するため、特に必要でないときは金型側を表示しないようにする以下同じ。キャビティ部3aおよび3bの間には連結部のレジン5aが形成されている。図3は図2の連結部のレジン5aの周辺の拡大図である。連結部のレジン5aのほぼ中央部には連結部5a上金型の連結部のほぼ中央部に設けられた突起6に対応するレジンの凹部6が形成されている。この凹部6は複数も受けてもよい。ただし、複数個設けるとモールド後の後処理時にレジン浮遊片を生じるので、レジン片による不良等を避けるためには、レジン浮遊片を生じない単一凹部にするか、レジン浮遊片を生じない形状を工夫することが望ましい。なお、ブレークのしやすさを考慮すると、突起6は連結部5a等を横断していることが望ましい。図4は図1のB-B’断面のキャビティ内の様子、すなわち、封止体の状態を示す模式断面図である。配線基板1の第1領域3aと第2領域3bの間には、単一又は複数のスリット2aが、第1領域と第2領域の最近接辺に沿って設けられている。このスリットは、先と同様な理由による配線基板のそりを緩和するために設けられている。スリットを複数にするとそり防止効果は幾分弱くなるが、基板の強度を維持して、基板変形を緩和する利点がある。図5は図1のC-C’断面のキャビティ内の様子、すなわち、封止体の状態を示す模式断面図である。第1領域3a第1のキャビティ部のレジン一方の端部にはゲート部のレジン7およびランナー部のレジン33bがある。2.本実施の形態におけるレジン封止プロセスに使用する金型の説明主に図6および7参照図6および図7に基づいて、本実施の形態におけるレジン封止プロセスに使用する金型の構造を説明する。図6は下金型31の上面図である。中央のキャビティブロック35上金型との間にキャビティ部を構成するの一方の長辺に沿って配線基板1の位置合わせようの位置合わせピン36が設けられている。キャビティブロック35の他方の長辺の外部には、この長辺に沿ってレジンタブレットを収容するポット部40aから40dが設けられている。図7は下金型31と対向することにより配線基板1を収容する上金型41の下面図である。キャビティ部3aおよび3bの間には、注入レジンを再配分するための連結部5aおよび5bが設けられている。キャビティ部3aに対しては、二つのカル部32aおよび32bが設けられている。これらのカル部32aおよび32bは各々二つのランナー部33a,33bおよび33c,33dを介してキャビティ部3aと直線的に連結されている。また、キャビティ部3bに対しては、二つのカル部32cおよび32dが設けられている。これらのカル部32cおよび32dは各々二つのランナー部33e,33fおよび33g,33hを介してキャビティ部3bと直線的に連結されている。一つのキャビティに対して複数のポット部やカル部があるのは、キャビティ部が比較的広いので、単一のポット等では広いキャビティ部全体を空間的時間的に均一にレジン充填するのが困難だからである。各ポット部に対して複数のランナーがあるのも、ほぼ同じ理由で、広いキャビティ部全体にできるだけ均一にキャビティのゲート側端辺と垂直なレジン流れを形成するためである。なお、一つのキャビティ部について複数のポット部を設けることは、レジンタブレットの体積ばらつきを緩和する上でも有利である。ここで、連結部は連結部5aおよび5bのように複数個設けてもよいが、一つだけ設けてもよい。数が多いほど、レジン再分配の効果は大きい。しかし、連結部の数は多いほど、レジンの再分配により、キュアの程度が異なるレジンが混ざる機会が多くなる結果、層状構造等の欠陥が導入されたり、主レジン流と直交する流れが会合する際に気泡が導入される等の問題がある。また、一つだけ設けた場合には、連結部5bのように、ゲート側に設ける考え方と、連結部5aのようにゲートと反対側に設ける考え方がある。ゲート側に設けると、注入初期の頃からレジン再配分の効果が享受できるメリットがある反面、先と同様に、キュアの程度が異なるレジンが混ざる機会が多くなる結果、層状構造等の欠陥が導入されたり、主レジン流と直交する流れが会合する際に気泡が導入される等の問題がある。一方、ゲートと反対側に設けると、レジン再配分の効果は注入の最終段階だけであるが、ほぼ同程度のキュア段階のレジンが再配分されるので、層状構造等の欠陥が導入される可能性は低い。また、この段階で気泡が導入されても、充填後の加圧でエアベントから容易に排出される。また、このような効果を期待する場合は連結部をできるだけ、ゲートと反対側のキャビティ端部ゲートと反対側の配線基板の長辺に平行な辺に近接して設けることが望ましい。少なくとも、キャビティの幅の中間より、ゲートと反対側に設けることが望ましいすなわち、キャビティの幅が、たとえば60ミリメートルととき、連結部の中心位置をゲートと反対側のキャビティ端部から幅の13すなわち20ミリメートル以内に配置する。更に、ボイド等の問題が更に厳しい場合には、連結部の中心位置をゲートと反対側のキャビティ端部から幅の16すなわち10ミリメートル以内、更に望ましくは幅の112すなわち5ミリメートル以内とすべきである。なお、レジンの再分配のために、カル部を相互に連結するという考え方カル部連結方式もあるが、本発明者らの検討したところによると、そうするとカル部で配線基板の長辺と平行な方向のレジン流れが生じる結果、多くの気泡が混入して、ボイドが多発する結果となるカル部起因のボイド。この原因はカル部がレジンで充填完了される前にキャビティ部にレジンが充填されるため、カル部が完全充填される際にカル部に残留している空気又はその他のガスがキャビティ部に持ち込まれるからである一般にカル部の表面積が大きいほど気泡も入りやすくなる。また、カル部連結方式はカル部連結部含むのレジン量廃棄するレジンが、カル部を連結しない場合と比べて、100程度多い。また、ボイド発生が多い場合には、高信頼性の製品ではX線等による検査を必要とする。すなわち、カル部は相互に独立させることが望ましい。少なくとも、異なるキャビティに属するカル部は独立させることが望ましい。ランナー部についても、相互に独立させることが望ましい。相互に連結すると、配線基板の長辺と平行な方向のレジン流れが生じる結果、多くの気泡が混入して、ボイドが多発する結果となるからである。また、カル部下端部水平断面は円形が望ましい。ポットとの形状一致により、不要なレジンが少なくなるからである。また、円形が表面積の点からも有利である。3.本実施の形態におけるレジン封止プロセスの封止装置の動作説明主に図8から11参照図8から11に基づいて、セクション2で説明した金型を用いて、セクション1に説明したレジン封止体の形成プロセスを説明する。図8は図1のC-C’断面図10までこれと同じに対応し、金型が開いた状態で、複数のチップ9がダイボンディングされた配線基板1が下金型31の下キャビティブロック35上に収容されたところを示す側断面図である。下基台37上に下金型31が置かれており、下金型31は、下キャビティブロック35の外、ポットブロック45を含む。ポットブロック45には、ポット部40があり、その中にレジンタブレット38とプランジャー39が収容されている。上金型41の下面にはポット部40に対向してカル部32a、ランナー部33b、およびキャビティ部3aが形成されている。また、これらの下面の表面には離型シート10が張られている。レジンタブレット38はBステージのエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、硬化剤、触媒、シリカ粉末等の充填剤、シリコーン等の可とう剤、カップリング剤、内部離型剤、難燃剤、および着色剤等の組成物である。MAP方式ではキャビティが広いので、比較的粘性率の低いものが使われる。図9はプランジャー39が上昇してレジン38の注入が開始されたときの様子を示す側断面図である。なお、このとき金型の温度は、たとえば摂氏170度から180度の間の所定の温度たとえば摂氏175度に保たれているポット部、カル部、ランナー部、ゲート部、およびキャビティ部も同じ。図10はレジン38の注入がほぼ完了した時点の様子を示す側断面図である。注入がほぼ完了すると比較的高い注入圧が加えられ、充填が完全なものとされる。レジンのキュアが一定のレベルに達した段階たとえばキュア時間100秒、粘性率が低い分キュア時間は若干長いで、下金型31および上金型41が開かれる。このとき、離型シート10があるので、比較的容易に金型から取り出すことができる。図11は図6のD-D’断面に対応する四個のプランジャー40aから40dの駆動方式を説明する模式側断面図である。本実施の形態においては、ポットブロック45内のポット部40aから40dに先端部が収容された各プランジャー39aから39dは、一体のプランジャホルダ91に保持され、プランジャ駆動機構92により一体に駆動される。この方式は、ポットに供給されたレジンタブレットに量的な不均一があると、最大量のレジンタブレットに対応するキャビティが充填完了した時点で、それ以上、プランジャーが上昇しなくなるという問題がある。しかし、この方式は、メンテナンスおよびプロセスの安定性の高さという量産に適合したメリットがある。また、本実施の形態のようにキャビティ間に連結部を設けることで、相互にレジンのアンバランスを補償することで、このような弱点もほとんど解消することができる。マルチプランジャ方式におけるプランジャの駆動は、本方式のように完全一括駆動直動式とも言うのほか、個別に駆動してもよいし、キャビティ部に対応して単独でまたは一括して個別に駆動してもよい。また、一括駆動でも、プランジャーとプランジャホルダの間にバネを介在させてもよいバネ方式。ただし、バネを使用すると、バネの弾性が経時的に変化する外、バネが弱ることで、そこに間隙ができ、その間隙に異物が蓄積して、プランジャーの動きが悪くなる等の問題がある。なお、バネ方式においても、キャビティ部間に連結部を設けることにより、注入速度が比較的速い場合のバネたわみ等による充填不良を緩和する効果がある。4.本実施の形態におけるレジン封止プロセスの封止後処理の説明主に図12から17参照図12から17正面図15および16はそれぞれ側面図12および13にタイミング的に対応しているに基づいて、セクション3で説明したモールドプロセス後処理、いわゆるゲートブレイク工程について説明する。図12に示すように、封止体はモールドからゲートブレイクステージ83へ移送され、ゲートブレイクステージ83に置かれる。図13に示すように、封止体は配線基板1がゲートブレイクステージ83上に来るように、位置合わせガイド93aおよび93bまたは基板ガイドによってガイドされる。位置合わせガイド93aはゲートランナー部のレジン7と干渉しないように若干低めに設定されている。ゲートランナー部のレジン7は、その大部分がゲートブレイクステージ83から外部へ突出した状態でパッケージ押さえ82により、固定される。次に、図14に示すように、その状態でゲートブレイク万1が降下してゲートランナー部のレジン7を封止体本体キャビティ部のレジン3a等から分離する。次に図12を右手正面から見た図15配線基板1のゲート部のレジンと反対側の長辺側から見たものに示すように、封止体はモールドからゲートブレイクステージ83へ移送され、ゲートブレイクステージ83に置かれる。ゲートブレイクステージ83の正面中央部には、連結部クラック用突起95この図では寸法は誇張されているがもうけられている。この図16に示すように、前記説明のようにゲートブレーク前のパッケージ固定のためにパッケージ押さえ82が降りてくる。そうすると、図17図16の要部96の拡大図に示すように、配線基板1が連結部クラック用突起95にあたってそることにより、連結部のレジン5aの切り込み部6にクラックが入る。この段階で、連結部にクラックを入れることにより、二つの封止体3aおよび3bを機械的に分離するのは、この連結部を介して、そり応力が長手方向に連結するのを防止するためである。それが残っていると、後のボール付け工程やダイシング工程で、基板のフラット化がうまく行かないためである。ゲートブレイク処理等が完了すると、最終硬化のために通常摂氏170度から180度たとえば摂氏175度で数時間程度たとえば5時間の最終硬化処理が施される。5.本実施の形態におけるレジン封止プロセスの全体のフロー説明主に図18から21参照図18から21に基づいて、半導体装置の製造プロセス全体の流れを説明する。図19に本実施の形態における半導体装置最終形態の一つであるSOCデバイスの構造を示す。また、図20に本実施の形態における半導体装置最終形態の他の一つであるSIPデバイスの構造を示す。ここに示したように、SIPデバイスにおいては、長方形のチップが交互に90度回転して積層されている。他に相互の平行移動させて積層する方法もある。また、必ずしも積層する必要はなく、デバイス面積を大きくしてもよい場合は、旧来のMCPデバイスのように、平面的に別の位置にダイボンディングしてもよい。図21に示すように、レジン封止プロセスの封止後処理が完了した配線基板1封止体は、第1の主面上に実効的に分離した二つのレジン封止体3aおよび3bを有している。図18に示すように、図20にようなSIPデバイスを製造するには、まず、3種類のウエハ工程を実行するウエハ処理工程61。次に、バックグラインディング62を実行する。その後、各ウエハの裏面にダイボンディングフィルムすなわち、DAFDieAttachFilmを貼り付けるダイボンディングフィルム貼り付け工程63。その後、ダイシングにより各ウエハを個々のチップに分割するウエハダイシング工程64。次に、チッ9Xおよび9Yを配線基板1上のいずれかのチップボンディング領域8図21内に重ねてダイボンディングする1段目チップ9Xおよび2段目チップ9Yのダイボンディング工程65。重ねてダイボンディングされた状態で、各チップのボンディングパッドと配線基板1上の外部パッドを金線11金を主成分とするボンディングワイヤによりボールウエッジボンディングする1段目チップおよび2段目チップのワイヤボンディング工程。このワイヤボンディングが終わった2段目チップ9Y上に三段目チップ9Zをダイボンディングする三段目チップ9Zのダイボンディング工程67。そして、この三段目チップ9Zについて、同様にワイヤボンディングする三段目チップ9Zについてのダイボンディング工程68。目標とするすべてのチップボンディング領域にすべてのチップのダイボンディングが完了すると、セクション1から4で説明したモールド工程69を実行する。次に、バンプ電極14を取り付けするボール付け工程70。すなわち、配線基板1の裏面のランド上にフラックスで仮止めされた半田ボールを溶融させてランドとの間に金属結合を形成する。その後、フラックスを除去する洗浄工程71を実行する。この工程が完了したとき、配線基板1の表面側から見ると、図21のような状態になっている。ここで、各ダイシングラインDijijの範囲は図示のとおりに沿って、ダイシングブレード等により縦横に切断することによって、個々の単位デバイス領域18に分割して、多数の半導体装置に分離する配線基板切断工程73。これらの半導体装置にレーザーマーキング等によってマークを付けるマーキング工程74。その後、選別用のトレーにつめるトレー詰め工程75。トレーの状態で選別装置にかける選別工程76。選別が終わると良品のみ梱包される梱包工程77。その後、出荷される出荷工程78。6.サマリ以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、前記実施の形態においては、主にSIPまたはMCPについて説明したが、本願発明はそれに限定されることなく、SOCその他の単チップデバイス等にも適用できることは言うまでもない。"