半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、平坦部と該平坦部の両側に傾斜部を有したLOCOS絶縁膜と、前記LOCOS絶縁膜の全体を覆う第1の絶縁膜と、前記LOCOS絶縁膜の平坦部上を通って前記第1の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記第1の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記LOCOS絶縁膜の平坦部と重畳する領域内で、凸レンズ状の曲面を含んで前記導電体上を覆う凸部を有した第2の絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記第2の絶縁膜の平端部と前記凸部の側面を覆い、前記第2の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凸部の側面では、前記凸部の最上部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記第1の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記導電体と重畳する領域を含む領域で、凹レンズ状の曲面を含む凹部を有した第2の絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記第2の絶縁膜の平端部と前記凹部内の側壁を覆い、前記第2の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凹部内では、前記凹部の底部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記導電体と重畳する領域を含む領域で凸レンズ状の第1の曲面を含む凸部を有し、前記凸部の外縁部から外側に向かって隆起する第2の曲面を有し、前記第1の曲面と前記第2の曲面からなる環状の溝部を有した第2の絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の間に形成され、内壁に曲面が形成され底部で前記第1の絶縁膜の一部を露出する開口部を有した第3の絶縁膜と、を備え、前記導電体は、前記開口部の底部で露出する前記第1の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。レーザートリミングでは、レーザー光の照射レベルが小さい場合、導電体120に到達して吸収されるエネルギーが小さくなり、導電体120の発熱量が小さくなって、導電体120の溶断不良が生じていた。そこでレーザー光の照射レベルを高くして、導電体120の溶断不良を回避することも考えられる。しかしながら、レーザー光は、主に開口部113A内の導電体120に照準を合わせてスポット照射されるが、スポット径の制約により、導電体120の近傍、さらには開口部113Aの近傍の範囲にも照射される。つまり照射されたレーザー光は、第2の絶縁膜13における開口部113A内の平坦部において、導電体120と重畳しない領域では、第1の絶縁膜112及び第2の絶縁膜113を透過して、半導体基板110の表面に到達する。また、開口部113Aの外側の平坦部においても、レーザー光は、第1の絶縁膜112及び第2の絶縁膜113を透過して、半導体基板110の表面に到達する。半導体基板110の表面に到達したレーザー光は、半導体基板110に高いエネルギーを与えることになり、その箇所の半導体基板110にダメージを与えることになる。さらに、この半導体基板110のダメージを起因として、半導体基板110上の第1の絶縁膜112及び第2の絶縁膜113にクラックが生じ、そのクラックから水分が浸入するといった問題が生じてしまう。すなわち、導電体120の確実な溶断と、半導体基板110のダメージの回避を両立させることは困難であった。そこで本発明は、レーザートリミングの際に、半導体基板110のダメージを極力抑えながら導電体120を確実に溶断することが可能な半導体装置を提供するものである。本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、平坦部と該平坦部の両側に傾斜部を有したLOCOS絶縁膜と、前記LOCOS絶縁膜の全体を覆う第1の絶縁膜と、前記LOCOS絶縁膜の平坦部上を通って前記第1の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記第1の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記LOCOS絶縁膜の平坦部と重畳する領域内で、凸レンズ状の曲面を含んで前記導電体上を覆う凸部を有した第2の絶縁膜と、を備えることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記構成において、前記第2の絶縁膜の平端部と前記凸部の側面を覆い、前記第2の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凸部の側面では、前記凸部の最上部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記第1の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記導電体と重畳する領域を含む領域で、凹レンズ状の曲面を含む凹部を有した第2の絶縁膜と、を備えることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記構成において、前記第2の絶縁膜の平端部と前記凹部内の側壁を覆い、前記第2の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凹部内では、前記凹部の底部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記導電体と重畳する領域を含む領域で凸レンズ状の第1の曲面を含む凸部を有し、前記凸部の外縁部から外側に向かって隆起する第2の曲面を有し、前記第1の曲面と前記第2の曲面からなる環状の溝部を有した第2の絶縁膜と、を備えることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記構成において、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の間に形成され、内壁に曲面が形成され底部で前記第1の絶縁膜の一部を露出する開口部を有した第3の絶縁膜と、を備え、前記導電体は、前記開口部の底部で露出する前記第1の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする。本発明の半導体装置によれば、レーザートリミングの際に、半導体基板のダメージを極力抑えながら導電体を溶断することが可能となる。本発明の第1の実施形態による半導体装置について図1及び図2に基づいて説明する。図1は、シリコン基板である半導体基板10に形成された半導体装置のうち、レーザートリミングされる箇所の導電体20の近傍を示す平面図である。図2は、図1のA-A線に沿った断面図である。半導体基板10の表面上には、LOCOS絶縁膜11が形成されている。LOCOS絶縁膜11は、その中央に半導体基板10の表面と略平行な平坦部11Fを有し、その平坦部11Fの両側には、バーズビーク状の傾斜部11Sを有している。半導体基板10の表面及びLOCOS絶縁膜11を覆って、例えばシリコン酸化膜からなる第1の絶縁膜12が形成されている。第1の絶縁膜12上には、LOCOS絶縁膜11の平坦部11F上を通って、導電体20が形成されている。導電体20は、半導体装置に含まれるトランジスタのゲート配線、又は抵抗素子不図示と接続されたヒューズ配線であり、レーザートリミングによって溶断される部分を含んでいる。導電体20は、レーザートリミングにより溶断される部分では他の箇所よりも狭い幅で形成されている。この導電体20は、例えばポリシリコンからなるが、これ以外にも、アルミニウムや、タングステン等の高融点金属からなるものであってもよい。第1の絶縁膜12及び導電体20は、例えばシリコン酸化膜からなる第2の絶縁膜13に覆われている。第2の絶縁膜13は、LOCOS絶縁膜11の平坦部11Fと重畳する領域内で、導電体20上を覆う凸レンズ状の凸部13Cを有している。第2の絶縁膜13の凸部13Cは、導電体20の幅よりも広く形成され、図1の平面構成において曲線を含む平面パターンを有し、図2の断面図に示すように、半導体基板10の表面に対する垂直方向で外側に向かって突起する凸レンズ状の曲面を含んで構成される。レーザートリミングの際、LOCOS絶縁膜11の傾斜部11Sでは、第1の絶縁膜12及び第2の絶縁膜13を透過して入射するレーザー光が、半導体基板10の表面に斜めに入射するように反射される。これにより、半導体基板10の表面に対して垂直又は略垂直に入射するレーザー光が減少するため、レーザー光の高いエネルギーによって半導体基板10にダメージが与えられることが回避される。その結果、半導体基板10のダメージを起因として第1の絶縁膜12及び第2の絶縁膜13にクラックが生じることが回避され、そのクラックからの水分の浸入を回避することができる。一方、第2の絶縁膜13の凸部13Cは、その表面でレーザー光を屈折させて導電体20に集光させる凸レンズの機能を果たす。これにより、導電体20に吸収されるレーザー光のエネルギーが高くなって導電体20の発熱量が高くなるため、導電体20は効率的に、かつ確実に溶断される。このように、本実施形態によれば、レーザートリミングの際に、導電体20の確実な溶断と、半導体基板10のダメージの回避を両立させることが可能となる。以下に、本発明の第2の実施形態による半導体装置について図3に基づいて説明する。図3は、図2と同じ領域の半導体装置の断面図であり、第1の実施形態と共通する構成要素については同一の参照番号を付し、その説明は省略する。本実施形態では、第1の実施形態における第2の絶縁膜13の凸部13Cの側面と、凸部13Cの周囲の平端部13Fを覆って、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜14が形成されている。この絶縁膜14は、第2の絶縁膜13の平端部13F上では厚く形成され、凸部13Cの側面では、凸部13Cの最上部に近づくに従って薄く形成されている。導電体20と重畳する凸部13C上では、絶縁膜14は形成されていないか、殆ど形成されていない。この絶縁膜14は、例えばCVD法により、凸部13Cを含む第2の絶縁膜13の全体を覆って絶縁膜を一旦形成した後、その絶縁膜をエッチバックすることにより形成される。この構成により、導電体20の周囲では、第2の絶縁膜13の厚さに加えて、さらに絶縁膜14の厚さの分だけ、それらの絶縁膜を透過して半導体基板10の表面に到達するレーザー光が減衰することになる。従って、より確実に、レーザー光のエネルギーを起因とする半導体基板10のダメージを回避することができる。さらに、凸部13Cの側面曲面の絶縁膜14の表面や、その箇所の絶縁膜14と第2の絶縁膜13との界面において、レーザー光の一部を反射して、半導体基板10の表面に到達するレーザー光を少なく抑えることもできる。なお、本実施形態では、絶縁膜14の替わりに、第2の絶縁膜13の平端部13Fと凸部13Cの側面を覆って、例えばスパッタ法により、レーザー光を反射する金属材料からなる金属膜を形成してもよい。以下に、本発明の第3の実施形態による半導体装置について図4に基づいて説明する。図4は、図2と同じ領域の半導体装置の断面図である。ただし本実施形態では、この領域の半導体基板10の表面にはLOCOS絶縁膜11は形成されないものとする。半導体基板10の表面上には、例えばシリコン酸化膜からなる第1の絶縁膜32が形成され、第1の絶縁膜32上には、第1の実施形態と同様のレーザートリミングにより溶断される導電体20が形成されている。第1の絶縁膜32及び導電体20は、例えばシリコン酸化膜からなる第2の絶縁膜33に覆われている。第2の絶縁膜33は、導電体20と重畳する領域を含む領域で、凹レンズ状の凹部33Cを有している。第2の絶縁膜33の凹部33Cは、導電体20の幅よりも広く形成され、第1の実施形態における図1の凸部13Cと同様の曲線を含む平面パターンを有し、図4の断面図に示すように、半導体基板10の表面に対する垂直方向で半導体基板10側に向かって窪む凹レンズ状の曲面を含んで構成される。第3の絶縁膜55の開口部33Cは、例えばウェットエッチングや等方性のガスエッチングにより形成される。レーザートリミングの際、第2の絶縁膜33の凹部33Cは、特に凹部33C内の側壁に入射するレーザー光を、導電体20の周囲の半導体基板10の表面に対して斜めに向かって屈折させる凹レンズとして機能する。これにより、導電体20の周囲では、導体基板10の表面に対して垂直又は略垂直に入射するレーザー光が減少するため、レーザー光の高いエネルギーによって半導体基板10にダメージが与えられることが回避される。一方、凹部33C内の底部では、導電体20上の第2の絶縁膜33は他の領域よりも薄く形成されているため、レーザー光は第2の絶縁膜33を透過して殆ど減衰することなく導電体20に到達する。これにより、導電体20に吸収されるレーザー光のエネルギーが高くなって導電体20の発熱量が高くなるため、導電体20は効率的に、かつ確実に溶断される。このように本実施形態においても、レーザートリミングの際に、導電体20の確実な溶断と、半導体基板10のダメージの回避を両立させることが可能となる。以下に、本発明の第4の実施形態による半導体装置について図5に基づいて説明する。図5は、図4と同じ領域の半導体装置の断面図であり、第3の実施形態と共通する構成要素については同一の参照番号を付し、その説明は省略する。本実施形態では、第3の実施形態における第2の絶縁膜33の凹部33C内の側壁と、凹部33Cの周囲の平端部33Fを覆って、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜34が形成されている。この絶縁膜34は、第2の絶縁膜33の平端部33F上では厚く形成され、凹部33C内では、凹部33Cの底部に近づくに従って薄く形成されている。導電体20と重畳する凹部33Cの底部では、絶縁膜34は形成されていないか、殆ど形成されていない。この絶縁膜34は、例えばCVD法により、凹部33Cを含む第2の絶縁膜33の全体を覆って絶縁膜を一旦形成した後、その絶縁膜をエッチバックすることにより形成される。この構成により、導電体20の周囲では、第2の絶縁膜33の厚さに加えて、さらに絶縁膜34の厚さの分だけ、それらの絶縁膜を透過して半導体基板10の表面に到達するレーザー光が減衰することになる。従って、より確実にレーザー光のエネルギーを起因とする半導体基板10のダメージを回避することができる。さらに、凹部33C内の側壁曲面の絶縁膜34の表面や、その箇所の絶縁膜34と第2の絶縁膜33との界面において、レーザー光の一部を屈折又は反射させて、半導体基板10の表面に到達するレーザー光を少なく抑えることもできる。なお、本実施形態では、絶縁膜34の替わりに、第2の絶縁膜33の平端部33Fと凹部33C内の側壁を覆って、例えばスパッタ法により、レーザー光を反射する金属材料からなる金属膜を形成してもよい。以下に、本発明の第5の実施形態による半導体装置について図6に基づいて説明する。図6は、図2と同じ領域の半導体装置の断面図である。ただし本実施形態では、この領域の半導体基板10の表面にはLOCOS絶縁膜11は形成されないものとする。シリコン基板である半導体基板10の表面上には、例えばシリコン酸化膜からなる第1の絶縁膜52が形成され、第1の絶縁膜52上には、第1の実施形態と同様のレーザートリミングにより溶断される導電体20が形成されている。第1の絶縁膜52及び導電体20は、例えばシリコン酸化膜からなる第2の絶縁膜53に覆われている。第2の絶縁膜53は、導電体20と重畳する領域を含む領域で、凸レンズ状の第1の曲面S1を含む凸部53Cを有し、その凸部53Cの外縁部から外側に向かって隆起する第2の曲面S2を有し、第1の曲面S1と第2の曲面S2からなる環状の溝部53Gを有している。第2の絶縁膜53は、例えばCVD法により形成される。第2の絶縁膜53の凸部53Cは、導電体20の幅よりも広く形成され、第1の実施形態における図1の凸部13Cと同様の曲線を含む平面パターンを有し、図4の断面図に示すように、半導体基板10の表面に対する垂直方向で外側に向かって突起する凸レンズ状の曲面を含んで構成される。レーザートリミングの際、第2の絶縁膜53の凸部53Cの第1の曲面S1と、溝部53Gの第2の曲面S2は、その表面において、レーザー光を反射して、半導体基板10の表面に到達するレーザー光を少なく抑える機能を有する。また、第2の曲面S2は、第2の絶縁膜53を透過するレーザー光の成分を、半導体基板10の表面に斜めに向かって屈折させる機能も有する。これにより、半導体基板10の表面に対して垂直又は略垂直にレーザー光が入射することが回避されるため、レーザー光の高いエネルギーによって半導体基板10にダメージが与えられることが回避される。また、第2の絶縁膜53の凸部53Cは、その表面でレーザー光を屈折させて導電体20に集光させる凸レンズの機能も果たす。これにより、導電体20に吸収されるレーザー光のエネルギーが高くなって導電体20の発熱量が高くなるため、導電体20は効率的に、かつ確実に溶断される。このように、本実施形態においても、レーザートリミングの際に、導電体20の確実な溶断と、半導体基板10のダメージの回避を両立させることが可能となる。なお、本実施形態では、第1の絶縁膜52と第2の絶縁膜53の間に、例えばシリコン酸化膜を含む層間絶縁膜として、開口部55Aを有した第3の絶縁膜55が形成されてもよい。第3の絶縁膜55の開口部55Aの内壁は、例えばウェットエッチングや等方性のガスエッチングにより、曲面で形成され、開口部55Aの底部では第1の絶縁膜52の一部が露出され、その露出した第1の絶縁膜52の一部上に導電体20が配置される。第2の絶縁膜53がCVD法により形成される場合、第3の絶縁膜55の開口部55Aの窪みの深さに応じて、第2の絶縁膜53の溝部53Gの深さを調整することができる。なお、本発明は上述の各実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。例えば、上記第3乃至第5の実施形態では、LOCOS絶縁膜11は形成されないものとしたが、本発明はこれに限定されず、半導体基板10の表面にLOCOS絶縁膜が形成され、そのLOCOS絶縁膜と重畳する領域内に、導電体20が形成される場合についても適用される。また、上述の各実施形態における導電体20は、半導体装置に含まれるトランジスタのゲート配線や抵抗素子不図示と接続されたヒューズ配線であるとしたが、レーザートリミングの溶断の対象となるものであれば、上記以外の配線として形成されたものであってもよい。