接合面を有する第1及び第2の半導体基板の前記接合面同士を一点接触させて接合開始点を形成し、前記接合を前記接合開始点から周囲に進展させて前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを全面で接合する半導体製造装置であって、前記第1の半導体基板を保持する第1の部材と、前記第2の半導体基板の接合面を前記第1の部材に保持された前記第1の半導体基板の接合面と対向させて、前記第2の半導体基板を保持する第2の部材と、前記第1の部材に保持された前記第1の半導体基板の接合面と、前記第2の部材に保持された前記第2の半導体基板の接合面との距離を検出する距離検出手段と、前記距離検出手段の検出結果に基づいて前記第1及び第2の部材の少なくとも一方を移動させて、前記第1の半導体基板の接合面と前記第2の半導体基板の接合面との距離を予め定められた値に調整する調整手段と、前記第2の部材から予め定められた距離を離して設置され、前記第1及び第2の半導体基板の一方の前記接合面とは反対側の面の一点を加圧し、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板との間に前記接合開始点を形成する第3の部材と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記距離検出手段は、前記第1の部材に保持された前記第1の半導体基板の接合面と、前記第2の部材に保持された前記第2の半導体基板の接合面とは反対側との面との距離を測定する第1のセンサを含み、前記第1のセンサの測定結果と、前記第2の半導体基板の厚さ寸法として予め登録されている値とに基づいて、前記第1の部材に保持された前記第1の半導体基板の接合面と、前記第2の部材に保持された前記第2の半導体基板の接合面との距離を算出することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。前記距離検出手段は、前記第1部材に保持された前記第1の半導体基板の接合面と、前記第2の部材に保持された前記第2の半導体基板の接合面とは反対側との面との距離を測定する第1のセンサと、前記第2の半導体基板の厚さを測定する第2のセンサとを含み、前記第1のセンサの測定結果から、前記第2のセンサの測定結果を減算することにより、前記第1部材に保持された前記第1の半導体基板の接合面と、前記第2の部材に保持された前記第2の半導体基板の接合面との距離を算出することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。前記第2の部材は、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板との間に介在し、かつ前記第1の基板の外周部を複数個所で覆い、前記第1の半導体基板と対向する面と反対側に前記第2の半導体基板を載置して保持することを特徴とする請求項2又は3記載の半導体製造装置。前記第2の部材は、前記第2の半導体基板の接合面と反対側の面を吸着して前記第2の半導体基板を保持することを特徴とする請求項2又は3記載の半導体製造装置。前記第1のセンサは、前記第2の半導体基板の中央部と外周部とで前記第2の半導体基板の接合面とは反対側の面と前記第1の半導体基板の接合面との距離を測定し、前記調整手段は、前記第2の半導体基板の接合面と前記第1の半導体基板の接合面との距離が、前記第2の半導体基板の中央部において予め定められた値となるように、前記第2の部材を移動させることを特徴とする請求項4又は5記載の半導体製造装置。一つの実施形態は、接合歩留まりを向上することのできる半導体製造装置を提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態によれば、接合面を有する第1及び第2の半導体基板の接合面同士を一点接触させて接合開始点を形成し、接合を接合開始点から周囲に進展させて第1の半導体基板と第2の半導体基板とを全面で接合する半導体製造装置である。半導体製造装置は、第1の半導体基板を保持する第1の部材と、第2の半導体基板の接合面を第1の部材に保持された第1の半導体基板の接合面と対向させて、第2の半導体基板を保持する第2の部材と、第1の部材に保持された第1の半導体基板の接合面と、第2の部材に保持された第2の半導体基板の接合面との距離を検出する距離検出手段と、距離検出手段の検出結果に基づいて第1及び第2の部材の少なくとも一方を移動させて、第1の半導体基板の接合面と第2の半導体基板の接合面との距離を予め定められた値に調整する調整手段と、第2の部材から予め定められた距離を離して設置され、第1及び第2の半導体基板の一方の接合面とは反対側の面の一点を加圧し、第1の半導体基板と第2の半導体基板との間に接合開始点を形成する第3の部材とを備える。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。図2は、第1の実施形態に係る半導体製造装置の部分平面図である。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。半導体製造装置1は、第1の半導体基板としての第1の基板2と第2の半導体基板としての第2の基板6とを接合する装置である。半導体製造装置1は、第1の部材3、第2の部材4、可変機構5、第1のセンサ8、処理ユニット9及び第3の部材10を有する。第1の部材3は、上に第1の基板2が搭載される。第1の基板2は、例えばシリコンなどの半導体基板であっても良く、表面にはフォトダイオードやトランジスタが形成された活性層図示は省略や、活性層と電気接続された配線層図示は省略が形成され、その上は接合面2aとなる絶縁層で覆われている。接合面2aは、親水化処理が施されており、表面には水酸基が付着している。第2の部材4は、第1の基板2の接合面2aの外周を覆うように設置されている。第2の部材4には可変機構5が連結されている。さらに、第2の部材4上には、第2の基板6が接合面6aを第1の基板2の接合面2aと対向するように搭載される。これにより、第1の基板2と第2の基板6との間には間隙7が形成される。第2の基板6は、第1の基板2の補強体として機能させるための部材であり、例えばシリコンで形成される。接合面6aは、親水化処理が施されており、表面には水酸基が付着している。第2の部材4は、2箇所以上に設けられており、間隙7を一定に保つ。第2の部材4は、任意の複数個所で第2の基板6を載置して保持するように設置することが可能であるが、第2の基板6の重心を中心とした正多角形正三角形や図2に示すような正方形の頂点で第2の基板6を保持することで、接合時の第2の基板6の変形を対称とすることができる。第2の部材4の形状は、第1の基板2と第2の基板6との間に間隙7を形成することができるのであればどのような形状でも良い。一例を挙げると、第2の部材4は、板状、傾斜状、円柱状、円錐状などの形状に形成可能である。第2の部材4は、各基板の接合面2a、6aとの接触面積を極力低減するためには円錐形状であることが好ましい。また、第2の部材4の材質は、任意に選択可能であり、例えばアルミ等の金属やセラミック、樹脂材料例えば、SASシリコーンゴム-アクリロニトリル-スチレン共重合樹脂。等を使用可能である。接合対象の基板第1の基板2及び第2の基板6の金属汚染を防止するには、第2の部材4の材質としては金属以外を用いることが望ましく、例えば、フッ素樹脂やポリエーテルエーテルケトン等の樹脂材料を用いることで金属汚染を防止できる。間隙7は、第1のセンサ8によって、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとの距離Hとして測定される。具体的には、例えば、第1の部材3に第1の基板2が搭載された後、第1のセンサ8で第1の基板2の接合面2aとの距離h1を測定する。次に、第2の基板6が第2の部材4に保持された後、第1のセンサ8で第2の基板6の裏面6bとの距離h2が測定される。次に、処理ユニット9により、第2の基板6の厚さをtとして、H=h1-h2-tの演算により間隙7の距離Hが算出される。なお、tは所定値として予め処理ユニット9に設定される。このように、本実施形態においては、第1のセンサ8と処理ユニット9とによって距離検出手段が実現される。また、処理ユニット9は、可変機構5とも電気的に接続されており、可変機構5を動作させて間隙7が所望の距離となるように調整可能である。すなわち、本実施形態においては、処理ユニット9と可変機構5とによって調整手段が実現される。第1の部材3は、ステージ状の吸着機構を有していても良く、吸着方式は真空チャック多数穴、溝、多孔質やその組み合わせ、静電チャック等どのような方式でも良い。真空チャックの場合は、ステージ材質はガラス、石英、シリコンや無機材料、アルミナAl2O3などのセラミック材料や、PTFEpolytetrafluoroethyleneやポリエーテルエーテルケトン、カーボンが混入された導電性ポリエーテルエーテルケトンなどの樹脂材料や、ステンレス粒などで構成されても良いが、無機材料や樹脂材料で形成することで、第1の基板2の裏面へのCuなどの重金属汚染を無くすことができる。静電チャックの場合は、窒化アルミAlN、アルミナ、単結晶サファイヤなどを用いることができる。第1の部材3が平坦なステージ状の吸着機構を備えることにより、第1の基板2が歪んでいたとしても、これを平坦に矯正した上で接合を行える。第1の基板2がフォトダイオードやトランジスタに加えて配線が形成された基板である場合、配線を形成する金属の表面応力により、第1の基板2は薄くするほど反りが生じやすくなる。このため、第1の部材3に吸着させて第1の基板2の反りを矯正すれば、接合不良を発生しにくくできる。一方、補強体として機能させる第2の基板6は表面に保護膜などが設けられることはあるものの、基本的には単なる半導体ウェハ例えばベアシリコンウェハであるため、一般的に反りは小さい。したがって、フォトダイオードやトランジスタ、配線などが形成された第1の基板2を、平坦なステージ状の第1の部材3に吸着させた方が、補強体として機能させる第2の基板6を吸着させる場合よりも接合不良の発生を防止する効果は高くなる。図3は、接合開始時の半導体製造装置の断面図である。図3に示すように、第2の基板6の裏面6b側を第2の部材4から所定の距離離れて設置された第3の部材10によって加圧し、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとを一点接触させることで、接合面2aに付着している水酸基と接合面6aに付着している水酸基とが水素結合し、接合開始点11が形成される。水素結合が接合開始点11から周囲へ広がっていくことにより、等方的に接合界面12が進展し、第1の基板2と第2の基板6とが全面で接合される。なお、第3の部材10の先端形状は平面でも針状でも良いが、接合開始点11を再現性良く形成するには局所的な加圧が望ましいことと、耐摩耗性の観点から、所定曲率を持った半球状が好適である。接合開始点11を形成したタイミングで第2の部材4を第1の基板2と第2の基板6との間から退避させれば、第2の部材4が接合界面12の進展を妨げることはない。なお、第1の部材3が吸着機構を備える場合には、同じタイミングで吸着を停止させれば、接合界面12の進展を妨げることはない。また、図3では接合開始点11は、第1の基板2及び第2の基板6の中心で形成されている。接合開始点11は、第2の部材4と所定距離離間できればどこに形成しても良いが、第2の部材4を複数配置する場合は、接合時に第2の基板6を対称に変形し接合界面を等方的に進展させるためには、接合開始点11は第2の基板6の重心中心と同軸であることが好ましい。なお、第1の基板2や第2の基板6は、半導体製造装置1に搬入される前に、洗浄が施され、接合面2a、6aの表面のカーボンなどの有機物やCuやAlなどの金属汚染物が除去される。つまり、接合面2a、6aの表面状態のバラツキが低減されるため、接合界面12の進展速度の算出が容易となる。したがって、接合開始点11が形成されてから接合界面12が第2の部材4へ到達するまでの時間は予測可能であるから、処理ユニット9は、接合界面12が到達する前に可変機構5を駆動して第2の部材4を外周方向へ退避させ、空気層が巻き込まれてボイドが発生したり、接合界面の進展が途中で止まり未接合部が形成されてしまうことを防止する。洗浄工程は、例えば、アセトンやアルコール、オゾン水O3などを用いた有機洗浄や、フッ酸HF、希フッ酸DHF、硫酸過酸化水素水、アンモニア過酸化水素水、塩酸過酸化水素水などを用いた酸アルカリ洗浄などのウエットプロセスでも良い。また、水素、窒素、酸素、一酸化二窒素N2O、アルゴン、ヘリウムなどの単一ガス又は複数ガスで励起されるプラズマ処理などのドライプロセスでも良い。洗浄工程はウエットプロセスとドライプロセスとの組み合わせでも良い。洗浄工程では、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとの両面が処理されることが好適ではあるが、いずれか片方のみ処理されても良い。第1のセンサ8は、第1の基板2の接合面2aや第2の基板6の裏面6bとの距離が測定できれば、単波長レーザ、可視光、赤外光、X線、超音波などのいずれを用いるものも適用可能である。また、第2の基板6がシリコンのように可視光を透過しない場合、上記実施例のように、第2の基板6を設置する前に第1の基板2の接合面2aまでの距離h1を測定しておくことが望ましいが、赤外光など第2の基板6を透過可能な波長の光を用いて、第2の基板6の設置後に第2の基板6の裏面6bとの距離h2を同時測定しても良い。また、第2の基板6の接合面6aと第1のセンサ8との距離h3を直接測定しても良い。その場合、間隙7の距離Hは、H=h1-h3で算出され、第2の基板6の厚さを予め所定値として設定しておいたり、測定したりする必要がない。また、第1のセンサ8は接触式のセンサであっても良い。さらに本実施形態では、可変機構5を用いて第2の部材4の位置を変化させているが、第1の部材3の位置を可変として間隙7を所望の距離に調整できるように構成しても良い。また、第1の部材3及び第2の部材4の両方の位置を調整できるようにしても良い。本実施形態に係る半導体製造装置1によれば、第1の部材3で第1の基板2を保持し、第2の部材4で第2の基板6を保持し、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとを対向させるとともに、第3の部材10で加圧される第2の基板6の裏面6bと第1の基板2の接合面2aとの距離を第1のセンサ8で測定する。そして、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとの距離Hを算出し、第1の部材3と第2の部材4との少なくとも一方を移動させて、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6との接合面6aとの距離を小さく調整する。これにより、第3の部材10で加圧する際の第2の基板6の変形を低減できる。また、第3の部材10によって加圧変形される第2の基板6の反発力が小さくなるため、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとを加圧によって近接させやすくなり、接合界面12の形成タイミングのズレが小さくなる。このため、第2の部材4が接合界面12の進展を妨げることが無くなり、第1の基板2と第2の基板6との接合界面12に巻き込みボイドが形成されることなく良好な接合状態が得られる。また、接合後の第1、第2の基板2、6の歪みを低減することが可能となる。さらに、第2の部材4が、第1の基板2と第2の基板6との間に介在し、かつ第1の基板2の外周の少なくとも2箇所を覆うとともに、第1の基板2と対向する面と反対面に第2の基板6を搭載することで、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとの距離を容易に調整できる。ここで、裏面照射型イメージセンサに関して説明を補足する。裏面照射型イメージセンサでは、受光面に配線や余計な膜を形成する必要が無いため、表面照射型イメージセンサよりも高い感度を得ることができる。この際、裏面に入射した光を効率良くフォトダイオードに収集するためには、半導体基板の薄型化が必要になる。半導体基板の厚さは受光面で発生した電荷が拡散して、フォトダイオードに収集されるまでに解像度が損なわれないように、例えば可視光を入射する場合は20μmよりも薄くする必要がある。このような裏面照射型イメージセンサを備えた半導体装置は以下の方法で形成される。まず、表面にフォトダイオードや集積回路が形成された半導体基板が準備される。半導体基板の表面側にほぼ同径の支持基板を接合させる。この支持基板は、半導体基板の裏面側からフォトダイオード近傍まで薄化し受光面を形成する際の補強体として機能する。次に、受光面上に反射防止膜、カラーフィルタ及び集光用マイクロレンズを設けることで、裏面から照射される光や電子等のエネルギー線を受光してフォトダイオードに収集する、いわゆる裏面照射型イメージセンサとなる。さらに半導体基板の裏面に集積回路と電気的に接続された電極部を形成した後、半導体基板と支持基板との接合体はダイシングブレードにより切断され、チップに分割される。分割されたチップは、セラミックパッケージなどに接着され、ワイヤボンディングによりチップの電極部とセラミックパッケージに形成された配線と電気的に接続することで半導体装置となる。上記の半導体装置では、半導体基板の裏面から表面のフォトダイオードが形成されている層に向かって、途中まで機械研削や化学機械研磨で半導体基板が薄化されるが、より効率よくエネルギー線をフォトダイオードに収集するためには、半導体基板はできる限り薄くすることが望ましい。ところが、半導体基板を薄くすることで、半導体基板の表面への集積回路金属配線や絶縁膜で構成されるを形成時の残留応力が半導体基板と支持基板の接合面側に集中する。また、半導体基板の裏面に電極を形成する際に高温プロセスを必要とするため、半導体基板と支持基板との接合方法は、有機材料を介さないで直接、半導体基板の表面部と支持基板の表面部とを無機接続する直接接合方式が望ましい。本実施形態における直接接合方式は、親水化処理が施された接合面同士の所定の1点を加圧することで接合起点接合開始点が形成され、そこから水素結合による接合界面が自発的かつ等方的に進展する。しかしながら、加圧時に半導体基板や支持基板が変形していたり、半導体基板と支持基板との間隔のバラツキが大きいと、接合界面形成のタイミングがズレたり、接合界面の等方的な進展が損なわれ空気層が巻き込まれてボイドが発生したり、接合界面の進展が途中で止まり未接合部が形成されてしまう。接合界面に形成されるボイドや、未接合部はできる限り小さくしないと、半導体基板を薄化する際に、半導体基板と支持基板との分離や、薄い半導体基板が破断するなど、歩留まりが低下する。また、分離や破断がなくても、接合時の支持基板が変形の影響で、半導体基板に形成された集積回路が歪んでしまい、半導体基板の裏面にカラーフィルタやマイクロレンズを形成する際に合わせズレが発生し、撮像特性が劣化する。しかし、従来の半導体製造装置では、接合する基板同士間の間隔を小さくすると、意図せずに基板同士が接触して接合が開始されてしまう可能性があるため、基板の間隔を小さくすることが困難であった。本実施形態に係る半導体製造装置によれば、接合する基板同士の間隔を検出することが可能であるため、基板同士の間隔をできる限り小さくすることができる。よって、半導体基板と支持基板との接合時に支持基板の変形や、基板同士の間隙のバラツキを抑えることができるため、歩留まりが向上する。また、裏面照射型イメージセンサの製造に用いた場合には、撮像特性の劣化を防ぐことができる。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。第1の実施形態と同じの構成要素に関しては同一の符号を付し、説明は省略する。図4において、半導体製造装置20の第1の部材3上には、第1の基板2が搭載される。第1の基板2は、例えば半導体基板であっても良く、表面にはフォトダイオードやトランジスタが形成された活性層図示は省略や活性層と電気的に接続された配線層図示は省略が形成され、その上は接合面2aとなる絶縁層で覆われている。第2の基板6は、接合面6aを第1の基板2の接合面2aと対向するように配置される。第2の基板6の裏面6bの外周は、第2の部材21で吸着される。さらに、第2の部材21には可変機構5が連結されている。第2の部材21は、第1の実施形態と同様に、第2の基板6の重心を中心とした正多角形正三角形や正方形などの頂点で第2の基板6を保持すれば、接合時の第2の基板6の変形を対称とすることができるため望ましいが、複数の任意の場所でも良く、リング状でも良い。吸着方式は真空チャック多数穴、溝、多孔質やその組み合わせ、静電チャック等どのような方式でも良い。真空チャックの場合は、ステージ材質はガラス、石英、シリコンや無機材料、アルミナなどのセラミック材料や、PTFEやポリエーテルエーテルケトン、カーボンが混入された導電性ポリエーテルエーテルケトンなどの樹脂材料や、ステンレス粒などで構成されても良いが、無機材料や樹脂材料で形成することで、第1の基板2の裏面へのCuなどの重金属汚染を無くすことができる。静電チャックの場合は、窒化アルミ、アルミナ、単結晶サファイヤなどを用いることができる。また、第2の部材21は、ステージ状の吸着機構を有していても良い。第2の部材21が平坦なステージ状の吸着機構を有し、第2の基板6の裏面6bを全面的に吸着するようにすれば、中央部が垂れ下がるように第2の基板6が変形することを防止して第1の基板2と接合できる。この場合には、真空チャック方式を採用して、第2の部材21を石英やアクリルなどの透明材料で形成し、赤外光などの光を用いるセンサを第1のセンサ8として適用すれば、第1の実施形態と同様に間隙7の算出が可能である。また、第2の部材21にセンサ8での距離測定用の開口を設けておけば、シリコンなどの可視光を透過しない材料で第2の部材21を構成しても、可視光を用いる第1のセンサ8を適用可能となる。また、第3の部材10と対応する位置に開口を設けておくことで、第3の部材10で第2の基板6の接合面6aとは反対側の面を加圧できる。なお、第1の部材3が吸着機構を備える場合には、接合開始点を形成したタイミングで吸着を停止させれば、接合界面の進展を妨げることはない。なお、第1の部材3が吸着機構を備えない場合には、フォトダイオードやトランジスタ、配線などが形成された第1の基板2を、第2の部材21に吸着させた方が、補強体として機能させる第2の基板6を吸着させる場合よりも接合不良の発生を防止する効果は高くなる。なお、ここでは可変機構5を用いて第2の部材21の位置を変えることで、間隙7を所望の距離に調整する構成を示したが、第1の部材3に可変機構を設けて間隙7が所望の距離となるように調整しても良い。また、第1の部材3及び第2の部材21の両方の位置を調整できるようにしても良い。本実施形態に係る半導体製造装置20によれば、第1の実施形態と同様の効果に加え、第2の部材21が第2の基板6の裏面6bを吸着することで、第2の部材21の厚さに制限されることなく、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとの距離Hを小さく調整できる。すなわち、本実施形態においては間隙7を第2の部材21の厚さ以下とすることも可能である。第3の実施形態図5は、第3の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。第1の実施形態と同じ構成要素については同一の符号を付して説明は省略する。図5において、半導体製造装置30は、第2のセンサ31を有している。第2のセンサ31は、第2の基板6の厚さt1を測定可能なセンサである。また、半導体製造装置30は、第1のセンサ8によって第2の基板6の裏面6bと第1の基板2の接合面2aとの距離を測定可能である。間隙7は、第1のセンサ8及び第2のセンサ31によって、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとの距離Hとして測定される。具体的には、例えば、第1の部材3に第1の基板2が吸着された後、第1のセンサ8で第1の基板2の接合面2aとの距離h1を測定する。次に、第2の基板6が第2の部材4に保持された後、第1のセンサ8で第2の基板6の裏面6bとの距離h2が測定される。次に、第2のセンサ31で第2の基板6の厚さt1が測定される。次に、処理ユニット9により、間隙7の距離Hは、H=h1-h2-t1の演算によって算出される。すなわち、本実施形態においては、第1のセンサ8、第2のセンサ31及び処理ユニット9によって距離検出手段が構成される。第2のセンサ31は、例えば、単波長レーザ、可視光、赤外光、X線、超音波などのいずれを用いるものも適用可能であるが、第2の基板6がシリコンである場合は、赤外光を用いるものであることが望ましい。第2のセンサ31としては、例えば干渉縞方式で厚さを測定するセンサを適用可能である。なお、ここでは第1のセンサ8と第2のセンサ31とが別個の構成である場合を例としたが、同一のセンサユニットであっても構わない。本実施形態に係る半導体製造装置30によれば、第1の実施形態と同様の効果に加えて、第2のセンサ31で第2の基板6の厚さt1を測定することで、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとの間の間隙7の距離Hを正確に算出し、小さく調整できる。したがって、第3の部材10で第2の基板2を加圧する際の第2の基板6の変形を低減できる。さらに、加圧による接合界面の形成タイミングのズレがさらに小さくなる。このため、第2の部材4が接合界面の進展を妨げることが無くなり、第1の基板2と第2の基板6との接合界面に巻き込みボイドが形成されることなく良好な接合状態が得られるとともに、接合後の歪みを低減できる。第4の実施形態図6は、第4の実施形態に係る半導体製造装置の断面図である。図中、他の実施形態と同じ構成要素については同一の符号を付して説明は省略する。図6において、半導体製造装置40は、第1のセンサ8を有しており、第1のセンサ8を用いて第2の基板6の裏面6bの外周と中心付近との少なくとも2箇所で高さh2及びh4を測定し、第2の基板6の形状を測定する。仮に、h2≠h4の場合、つまり第2の基板6が変形していた場合、図6に示すように第1の基板2の接合面2aの中央部と第2の基板6の接合面6aの中央部との間隙7の距離Hと、第2の部材4で保持される高さ第1の基板2の接合面2aの外周部と第2の基板6の接合面6aの外周部との距離H2とが等しいとは限らない。第2の基板6が下向きに撓んでいる場合、距離H以上に第2の部材4の高さH2を下げると、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとが接触してしまう。そのため、第2の部材4が保持される高さH2は、Hh2-h4で制御されることで、接合面同士の接触を回避することができる。なお、ここではHはh1-h2-tで算出される値、具体的には、例えば、第1の部材3に第1の基板2が搭載された後、第1のセンサ8で第1の基板2の接合面2aとの距離h1を測定する。次に第2の基板6が第2の部材4に保持された後、第1のセンサ8で第2の基板6の第3の部材10で加圧される近傍、つまり、第2の基板6の重心付近の裏面6bとの距離h2が測定され、次に、第1のセンサ8で第2の基板6の外周第2の部材4で保持される近傍との距離h4が測定される。次に、処理ユニット9により、間隙7の距離Hは、H=h1-h2-tとして算出される。なお、tは所定値として予め処理ユニット9に設定される。さらに、処理ユニット9は、第2の基板6が撓んでいるか否かをh2、h4の値に基づいて判定し、第2の基板6が撓んでいる場合には第2の部材4が保持される高さH2を、Hh2-h4に制御する。処理ユニット9は、可変機構5と電気的に接続されており、可変機構5を動作させて間隔7が所望の距離となるように調整できる。なお、ここでは可変機構5で第2の部材4を移動させて間隙7が所望の距離となるように調整する構成を示したが、第1の部材3に可変機構5を設けて、第1の部材3を移動させることで間隙7を所望の距離に調整しても良い。本実施形態に係る半導体製造装置40は、第1の実施形態と同様の効果に加えて、第1のセンサ8が第2の基板6の裏面6bの外周と中心付近との少なくとも2箇所で第2の基板6との距離を測定することで、第2の部材4に保持された第2の基板6の撓みが算出されるため、第1の基板2の接合面2aと第2の基板6の接合面6aとを接触させることなく間隙7を調整できる。なお、可変機構5が第2の部材4の各々を独立して移動させることが可能である場合は、第1のセンサ8が第2の基板6の外周の複数個所で距離h4を測定可能としても良い。各第2の部材4の近傍において距離h4を測定して間隙7の距離Hを算出し、各第2の部材4を間隙7の算出結果に応じて個別に移動させることで、第2の基板6が歪んでいたとしても、これを平坦に矯正して保持した状態で第1の基板との接合を開始することが可能となる。これにより、接合開始点から等方的に接合界面を進展させることが可能となる。上記の各実施形態においては、第3の部材10は第2の基板6の接合面6aとは反対側の面を加圧するとしたが、第1の基板2の接合面2aとは反対側の面を加圧するように構成することも可能である。また、上記各実施形態では、第1の基板2がフォトダイオードやトランジスタ、配線などを備えた基板であり、第2の基板6は第1の基板2の補強体として機能する基板であるとしたが、これらは逆であっても良い。また、上記の各実施形態は、組み合わせて実施することも可能である。例えば、第2の基板の裏面を第2の部材で吸着して保持し、かつ第2のセンサで第2の基板の厚さを測定することなども可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。