"少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、前記針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94~98であるセラミックス焼結板。前記針状Si3N4粒子の面方向断面における面積率が、85~95であることを特徴とする請求項1に係るセラミックス焼結板。しかしながら、前述の特許文献1,2に開示されたようなSi3N4は高強度であるが、熱伝導率についてはAlN約170W/m°Cと比較して、低い約70W/m°Cため、高熱伝導性を得るためには基板の厚みを薄くする必要があり、その背反事項として強度が弱くなるという問題があった。また、特許文献2に開示されたセラミックス粒子を母材とするマトリックスと、このマトリックスに分散されるセラミックス球状粒子およびセラミックス板状粒子とから形成されたセラミックス焼結体では、機械的特性は改善されるものの焼結体中に多くの粒子界面が存在することになるため、熱伝導率が低下するという問題があった。さらに、特許文献3に開示されたセラミックスの製造方法によれば、配向性を高めることによりセラミックス焼結板そのものの熱伝導率を向上させることができるが、セラミックス焼結板と熱源である金属板との接触面における主結晶相と金属板との接触面積が減少するためパワーモジュールに適用したときに所望の熱伝導率を得ることができないという問題があった。そこで、本発明が解決しようとする技術的課題、すなわち、本発明の目的は、基板の厚みを低減させることなく熱伝導性を向上させたセラミックス焼結板を提供することである。前記目的を達成するために、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、本発明は、以下の手段を提案している。すなわち、本発明は、少なくとも針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Si3N4粒子がC軸配向し、かつ、相対密度が94~98であるセラミックス焼結板によって、前記の課題を解決するものである。さらに、本発明は、前記の構成に加えて、針状Si3N4粒子の面方向断面における面積率が、85~95であることによって、前記課題を一層解決するものである。本発明は、針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子を焼結してなるセラミックス焼結体で形成されたセラミックス基板の表面に回路層となる金属板を接合したパワーモジュール用基板において、前記セラミックス焼結体の構成要素である針状Si3N4粒子をC軸配向させるとともに、前記C軸が金属板の回路面に垂直となるようにセラミックス焼結板と金属板とが接合されていることを特徴とする。本発明に係るセラミックス焼結板は、針状Si3N4粒子のC軸方向の熱伝導率が垂直方向と比較して大きいことに着目しC軸方向:約180W/m°C、垂直方向:約70W/m°C、針状Si3N4粒子をC軸方向に配向させた成形体を焼結したものを金属板に対して垂直方向に設置することにより高い放熱性を有する基板を得ている。さらに、粒状非晶質Si3N4粒子を針状Si3N4粒子に混在させることにより、特に、セラミックス焼結板の表面、すなわち金属板との接触面において、粒状非晶質Si3N4粒子が針状Si3N4粒子と針状Si3N4粒子との間に生じる空間を塞ぎ、金属板との接触面積を増加させるので熱伝導性を向上させることができる。ここで、本発明において、セラミックス焼結板の相対密度が94より下回ると接合強度が低下するため好ましくなく、98を超えると微小粒状Si3N4粒子の存在割合が大きくなり、熱伝導率の低下を招くため好ましくない。そこで相対密度は、94~98と定めた。また、本発明において、針状Si3N4粒子の面方向断面における面積率が85より下回ると針状Si3N4粒子の存在割合が少なくなり、熱伝導率の低下を招くため好ましくなく、95を超えると相対密度が上がらず、接合強度、基板強度が低下するため好ましくない。そこで、針状Si3N4粒子の面方向断面における面積率は、85~95と定めた。本発明に係るセラミックス焼結板によれば、焼結板の厚みを低減させることなく高放熱性を有するセラミックス焼結板を得ることができることから、すぐれた機械的強度およびすぐれた熱伝導率を兼ね備えたパワーモジュール用基板が提供される。以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について説明する。図1は本発明のセラミックス焼結板を用いて構成したパワーモジュール用基板の一実施態様を示す概略斜視図である。本実施形態に係るパワーモジュール用基板10は、図1に示すように、矩形板状のセラミックス基板11しており、このセラミックス基板11のパワーモジュール用基板の表側に回路層となる回路層用金属板13が積層されるとともに、裏面側に放熱のための熱伝導層となる熱伝導層用金属板12が積層された構成である。例えば、これら回路層用金属板13および熱伝導層用金属板12は、純Alにより形成されている。セラミックス基板11は、後述する針状Si3N4と粒状非晶質Si3N4粒子とが成形焼結されたセラミックス焼結板によって構成されている。ここで、セラミックス基板11は、その厚さが例えば0.635mmとなっている。熱伝導層用金属板12は、例えば、Alアルミニウムのような高熱伝導率を有する金属により形成されており、ロウ材層16によってセラミックス基板11に接合固定されている。ここで、熱伝導層用金属板12の厚さは、例えば0.6mmとなっている。また、ロウ材層16は、例えばAl-Si珪素系例えばAl:93重量、Si:7重量、厚さ10μm以上15μmまたはAl-Geゲルマニウム系のロウ材により形成されている。回路層用金属板13は、熱伝導層用金属板12と同様に、例えば、Alのような高熱伝導率を有する金属により形成されており、間隔を適宜あけて配置されることで回路を構成する。そして、回路層用金属板13は、ロウ材層17によってセラミックス基板11に接合固定されている。ここで、回路層用金属板13の厚さは、例えば0.6mmとなっている。また、ロウ材層17は、例えば、Al-Si系またはAl-Ge系のロウ材により形成されている。また、回路層用金属板13の上面には、電子部品18がハンダ層19によって固着される。ここで、電子部品18としては、例えば、半導体チップが適用可能であり、半導体チップとしてIGBTInsulatedGateBipolarTransistorなどのパワーデバイスが挙げられる。また、本実施形態のパワーモジュール用基板10に用いられるセラミックス基板11は、以下に示す方法により製造することにより、構成要素である針状Si3N4粒子がC軸方向に配向したものとなっている。[C軸配向したセラミックス焼結体の製造方法]まず、窒化珪素粉末を準備する。窒化珪素粉末としては、主たるセラミック粉末として針状Si3N4粒子を、粒状非晶質Si3N4粒子を用いることができる。これは、粒状非晶質Si3N4粒子よりも針状Si3N4粒子が磁場中で配向しやすく、さらに、あらかじめ配向した粒状非晶質Si3N4粒子からなる種結晶を基にして結晶が成長し、針状Si3N4粒子からなる針状結晶が配向した組織が形成される。従って、高配向度を得るため、針状Si3N4粒子は85~95wt加えることが重要である。また、針状Si3N4粒子の平均粒子径は、少なくとも長径が0.4~2.5μm、特に0.6~2.0μm、さらには0.8~1.5μmであることが好ましい。この粒径範囲に制御することにより、主たる粒子自身がスラリー中で移動しやすく、磁場中での配向が効率よく行える。そして、針状Si3N4粒子に対して、Fe、Co、Ni等の磁性金属をコーティングする。コーティングの方法としては、例えば、スパッタリング、蒸着、湿式化学メッキが用いられる。そして、このコーティングされた針状Si3N4粒子と粒状非晶質Si3N4粒子とを混合した原料粉末に対して、エタノールやイソプロピルアルコール等の有機溶剤および所望によりバインダーを加えた後、公知の混練方法、例えば、ボールミル、振動ミル、回転ミル、バレルミル等により原料粉末を均一に混合粉砕してスラリーを作成する。これらの有機溶剤、バインダー自身が磁場中の配向に与える影響は小さいが、これらの添加率はスラリーの粘度が小さく、かつ固体含有率が大きくなるような組み合わせが、粒子配向を短時間で完了させ同時に成形時の粒子分散性を高めるために好ましい。例えば、スラリー粘度として100sec-1における粘度が1.0Pas以下、好ましくは0.5Pas以下であり、かつ固体含有率が30~60容量、好ましくは40~50容量が望ましい。次に、得られたスラリーを磁場中で成形する。磁場強度は、高配向度を得るために1T以上が必要で、特に5T以上、さらには9T以上が好ましい。スラリーは磁場発生装置の超伝導磁石中で成形するが、このとき磁場の印加方向は基板と水平な方向、即ち基板の面方向磁力線が基板の面方向と平行であることが重要である。その結果、針状Si3N4粒子のa軸は、磁場の印加方向に対して平行な方向に配向し、c軸は磁場の印加方向に垂直な方向に向く。即ち、図2に磁場の方向を矢印で示したように、磁場を基板の面方向に印加する。この磁場中における粒子の配向は短時間で完了するため、成形体を固化するためにスラリー中に紫外線硬化性の有機樹脂、例えば、アクリル系樹脂、メタクリレート、ポリカルボン酸アンモニウム、ポリジオレフィン系樹脂等を含有させておき、紫外線を照射させることにより固化を短時間に行って配向を成形体に凍結させることが重要である。また、紫外線硬化性樹脂の代わりに、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂を用いて、温度を上げたり、下げたりすることで成形体を得ることもできる。例えば、ポリジオレフィン系樹脂が熱可塑性樹脂として用いることができ、また、ポリジオレフィン系樹脂に硬化触媒としてケトンパーオキサイド類、パーオキシエステル類、パーオキシカーボネート類などの有機過酸化物等を添加して熱硬化性樹脂として用いることができる。成形方法としてはドクターブレード法、カレンダーロール法、圧延法、押し出し成形法、鋳込み成型法、射出成形法等の周知の成形方法でよいが、低粘度のスラリーを成形させるためにはドクターブレード法などいわゆるテープ成形法、石膏などの型を用いる鋳込み成形法または射出成形法が望ましい。その後、得られた成形体を弱酸化性雰囲気中にて脱バインダー処理した後、窒素などの非酸化性雰囲気中で、1500~2000°Cの温度で焼成することにより配向したセラミックス焼結板を作製することができる。さらに、粒状非晶質Si3N4粒子の粒径に制限はないが、磁場印加時に針状Si3N4粒子が回転しやすいように粒状非晶質Si3N4粒子もアスペクト比が3以下、特に2以下の小さいものを用いた方が良い。例えば、粒状非晶質Si3N4粒子の平均粒径が0.4~2.5μm、特に0.6~2.0μmであることが好ましい。平均粒径が2.5μmを超えると高磁場において主たる粒子である針状Si3N4粒子の配向の邪魔となり、粒子配向が妨げられやすくなる傾向がある。また、粒状非晶質Si3N4粒子および針状Si3N4粒子の比表面積はそれぞれ10m2/g以下、特に7m2/g以下、さらに5m2/g以下であることが好ましい。10m2/gを超えるとスラリーの粘度が高くなって粒子配向を阻害しやすくなる傾向がある。以下に、実施例に基づき本発明の一軸配向した針状Si3N4粒子を含有するセラミックス焼結板について、具体的に説明する。平均直径0.5μm、平均長さ1.0μm、比表面積8m2/gの針状Si3N4粒子東芝セラミックス社製、製品名:窒化ケイ素粉末に対し、無電解めっき法にて表面上に平均厚さ約0.1μmの層状Feめっきを施した。このコーティングされた針状Si3N4粒子と、アスペクト比2、平均粒径が10-20nm、比表面積115m2/gの粒状非晶質Si3N4粒子KFO社製、製品名:窒化ケイ素ナノ粉末とを表1に示した配合比で混合した原料粉末に対して、イソプロピルアルコールおよびバインダー本実施例では紫外線硬化性のアクリル系樹脂であるメタクリル酸アクリル酸共重合体を加えた後、公知の混練方法、ボールミルにより原料粉末を均一に混合粉砕してスラリーを作成した。スラリーの100sec-1における粘度および固体含有率は表1に記載のとおりであった。次に、得られたスラリーを磁場発生装置の超伝導磁石中磁場強度10Tで成形した。成形方法としてはドクターブレード法を用い、板状板厚0.635mm、一辺が30mmの正方形に成形した。磁場の印加方向は基板と水平な方向、即ち基板の面方向磁力線が基板の面方向と平行とした。成形体が磁場中にあるうちに紫外線を照射し、スラリー中に含まれる紫外線硬化性の有機樹脂を硬化させた。得られた成形体を弱酸化性雰囲気中にて脱バインダー処理した後、窒素雰囲気中で、1700°Cの温度で焼成することにより配向したセラミックス焼結板を得た。このようにして得られた本発明セラミックス焼結体実施例1~3に対して、相対密度、曲げ強度MPa、熱伝導率W/mk、接合強度ヒートサイクル剥離の有無をそれぞれ測定した。なお、相対密度は、Si3N4の理論密度に対する比率で算出した。また、曲げ強度の試験は、JISR1601で規定されるファインセラミックスの曲げ強さ試験方法により行い、熱伝導率の測定は、JISR1611で規定されるファインセラミックスのレーザーフラッシュ法による熱伝導率試験方法により行った。接合強度は、以下のように作成したパワーモジュールについて評価した。各実施例のセラミックス基板の両面に、Al-Si合金のろう材箔を介して28mm角のアルミニウム金属層回路層の厚み0.6mm、放熱層の厚み1.5mmを配置した。そして、各積層体の両面にカーボン製のクッションシートを積層してベース板と押圧板との間に配置して加熱処理650°C、2.5×105Paを施し、それぞれパワーモジュール用基板を得た。こうして得られたパワーモジュール用基板に、-40°C×30分→室温×10分→105°C×30°C→室温×10分を1サイクルとするヒートサイクルを1000回実施した。その後、超音波探傷により、焼結板の剥離を観察した。なお、比較のために針状Si3N4粒子の配合量を変化させ、相対密度が本発明で規定する94~98から外れるものを作成し、比較例セラミックス焼結体比較例1~2とした。また、針状Si3N4粒子と焼結助剤を原料として、針状Si3N4粒子を配向させて形成した相対密度が99以上のものを従来例セラミックス焼結体従来例1、同じく針状Si3N4粒子を配向させずに形成させた相対密度が99以上のものを従来例セラミックス焼結体従来例2とした。これらに対しても本発明セラミックス焼結体と同様の測定を行いその結果を、同じく表1に示した。表1に示す結果から明らかなように、本発明によるセラミックス焼結板は、接合強度および曲げ強度が高く、しかも熱伝導率も高いため、パワーモジュール用のセラミックス基板にきわめて適していることがわかる。一方、本発明の条件から外れる比較例、従来例のセラミックス焼結板は、接合強度、曲げ強度、熱伝導率の少なくとも1つにおいて不十分な値を示すため、本発明によるセラミックス焼結板に比べて、パワーモジュール用のセラミックス基板に適していないことがわかる。なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、本実施形態ではセラミックス焼結板をパワーモジュール用基板に用いる例について説明したが、これに限られず、高い接合強度と熱伝導率が要求される分野であれば、いかなる分野にも適用可能である。"