レーザーが照射される側とは反対側の基板の表面の前記レーザーが透過する領域に、前記基板を透過したレーザーにより加工される薄膜が形成された薄膜付き基板であって、前記基板と前記薄膜との間に、前記レーザーを透過可能な中間層が介在していることを特徴とする薄膜付き基板。前記中間層は、前記レーザーの透過率が前記基板と同じかそれよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の薄膜付き基板。前記中間層は、前記レーザーに対する加工閾値が前記基板よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜付き基板。前記中間層は、前記レーザーの屈折率が前記基板よりも小さいことを特徴とする請求項1~3の何れか1つに記載の薄膜付き基板。前記基板はシリコンで構成され、前記中間層は二酸化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項4に記載の薄膜付き基板。基板の表面に形成された薄膜を前記基板を透過したレーザーにより加工する薄膜の加工方法であって、請求項1~5の何れか1つに記載の薄膜付き基板の前記薄膜が形成された側とは反対側の表面にレーザーを照射して透過させ、透過したレーザーを前記薄膜付き基板と前記薄膜との間に介在する中間層を介して前記薄膜に焦点を結ぶように照射することで前記薄膜を加工することを特徴とする薄膜の加工方法。前記レーザーは、パルス幅が50~1000fsのパルスレーザーであることを特徴とする請求項6に記載の薄膜の加工方法。少なくともベース基板と蓋部材とで構成されたパッケージの内部に圧電振動子が収納されると共に、前記パッケージの内面に前記圧電振動子の周波数を調整するための周波数調整用の薄膜が形成された圧電デバイスであって、前記パッケージと前記周波数調整用の薄膜との間に、前記パッケージを透過するレーザーを透過可能な中間層が介在していることを特徴とする圧電デバイス。前記中間層は、前記レーザーの透過率が前記パッケージと同じかそれよりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の圧電デバイス。前記中間層は、前記レーザーに対する加工閾値が前記パッケージよりも大きいことを特徴とする請求項8又は9に記載の圧電デバイス。前記中間層は、前記レーザーの屈折率が前記パッケージよりも小さいことを特徴とする請求項8~10の何れか1つに記載の圧電デバイス。前記パッケージはシリコンで構成され、前記中間層は二酸化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項11に記載の圧電デバイス。少なくともベース基板と蓋部材とで構成されたパッケージの内部に収納された圧電振動子の周波数を、前記パッケージの内面に形成された周波数調整用の薄膜を前記パッケージを透過したレーザーにより飛散させて前記圧電振動子に付着させることで調整する圧電振動子の周波数調整方法であって、請求項8~12の何れか1つに記載の圧電デバイスの前記パッケージの外表面にレーザーを照射して透過させ、透過したレーザーを前記パッケージと前記周波数調整用の薄膜との間に介在する中間層を介して前記周波数調整用の薄膜に焦点を結ぶように照射して前記周波数調整用の薄膜を飛散させ、飛散した前記周波数調整用の薄膜を前記圧電振動子に付着させることで前記圧電振動子の周波数を調整することを特徴とする圧電振動子の周波数調整方法。前記レーザーは、パルス幅が50~1000fsのパルスレーザーであることを特徴とする請求項13に記載の圧電振動子の周波数調整方法。図12は、従来の薄膜の加工方法の問題点を示す図である。基板2の表面に形成された薄膜3は、そこに照射されるレーザー1のエネルギー密度が薄膜3の加工閾値を上回った時点で初めて加工されるが、薄膜3は基板2に密接しているため、薄膜3に焦点を結ぶようにレーザー1を照射すると、図12に示すように、薄膜3との界面近傍に存在する基板2にも高密度のレーザー1が照射されることとなり、基板2の加工閾値が薄膜3と同等かそれよりも小さい場合には、薄膜3が加工されるのと同時かそれよりも前に、基板2にダメージダメージ発生領域4が発生する虞がある。また、基板2にダメージが発生すると、レーザー1の基板2への吸収が促進されるため、レーザー1が薄膜3に到達する前に減衰して、本来の加工対象物である薄膜3の加工効率が低下するか加工自体が行えなくなる。これらの対策として、基板2の材料をレーザー1に対する加工閾値が大きいものにすることが考えられるが、製品設計上、必ずしもそれが許されるとは限らない。本発明は、以上の問題点に鑑みて成されたものであり、レーザーによる基板のダメージを抑えつつ、基板の表面に形成された薄膜を、基板を透過したレーザーにより効率的に加工することが可能な、薄膜付き基板、薄膜の加工方法、圧電デバイス、及び圧電振動子の周波数調整方法を提供することを目的とする。レーザーが照射される側とは反対側の基板の表面の前記レーザーが透過する領域に、前記基板を透過したレーザーにより加工される薄膜が形成された薄膜付き基板であって、前記基板と前記薄膜との間に、前記レーザーを透過可能な中間層が介在している薄膜付き基板とする。前記中間層は、前記レーザーの透過率が前記基板と同じかそれよりも大きい薄膜付き基板とする。前記中間層は、前記レーザーに対する加工閾値が前記基板よりも大きい薄膜付き基板とする。前記中間層は、前記レーザーの屈折率が前記基板よりも小さい薄膜付き基板とする。前記基板はシリコンで構成され、前記中間層は二酸化シリコンで構成されている薄膜付き基板とする。基板の表面に形成された薄膜を前記基板を透過したレーザーにより加工する薄膜の加工方法であって、上記何れか1つの薄膜付き基板の前記薄膜が形成された側とは反対側の表面にレーザーを照射して透過させ、透過したレーザーを前記薄膜付き基板と前記薄膜との間に介在する中間層を介して前記薄膜に焦点を結ぶように照射することで前記薄膜を加工する薄膜の加工方法とする。前記レーザーは、パルス幅が50~1000fsのパルスレーザーである薄膜の加工方法とする。少なくともベース基板と蓋部材とで構成されたパッケージの内部に圧電振動子が収納されると共に、前記パッケージの内面に前記圧電振動子の周波数を調整するための周波数調整用の薄膜が形成された圧電デバイスであって、前記パッケージと前記周波数調整用の薄膜との間に、前記パッケージを透過するレーザーを透過可能な中間層が介在している圧電デバイスとする。前記中間層は、前記レーザーの透過率が前記パッケージと同じかそれよりも大きい圧電デバイスとする。前記中間層は、前記レーザーに対する加工閾値が前記パッケージよりも大きい圧電デバイスとする。前記中間層は、前記レーザーの屈折率が前記パッケージよりも小さい圧電デバイスとする。前記パッケージはシリコンで構成され、前記中間層は二酸化シリコンで構成されている圧電デバイスとする。少なくともベース基板と蓋部材とで構成されたパッケージの内部に収納された圧電振動子の周波数を、前記パッケージの内面に形成された周波数調整用の薄膜を前記パッケージを透過したレーザーにより飛散させて前記圧電振動子に付着させることで調整する圧電振動子の周波数調整方法であって、上記何れか1つの圧電デバイスの前記パッケージの外表面にレーザーを照射して透過させ、透過したレーザーを前記パッケージと前記周波数調整用の薄膜との間に介在する中間層を介して前記周波数調整用の薄膜に焦点を結ぶように照射して前記周波数調整用の薄膜を飛散させ、飛散した前記周波数調整用の薄膜を前記圧電振動子に付着させることで前記圧電振動子の周波数を調整する圧電振動子の周波数調整方法とする。前記レーザーは、パルス幅が50~1000fsのパルスレーザーである圧電振動子の周波数調整方法とする。本発明によれば、レーザーによる基板のダメージを抑えつつ、基板の表面に形成された薄膜を、基板を透過したレーザーにより効率的に加工することができる。以下、具体的な実施例を挙げて本発明について説明をする。図1は、本発明の薄膜付き基板の一実施例を示す断面図である。ここに示す本発明の薄膜付き基板においては、シリコンSiから成る平板状の基板11の一表面下面に、二酸化シリコンSiO2から成る中間層12を介して、クロムCrから成る第一の薄膜13と、金Auから成る第二の薄膜14が順次積層されている。図2は、本発明の薄膜の加工方法の一実施例を示す断面図である。図1に示した本発明の薄膜付き基板において、第一の薄膜13と第二の薄膜14を、基板11を透過したレーザー1により加工する際には、図2に示すように、まず、第一の薄膜13と第二の薄膜14が形成された側とは反対側の基板11の表面上面に、レーザー1を集光光学系により集光した上で照射する。照射されたレーザー1は、レーザー照射空間大気空間、真空空間等15と基板11とので界面で、集光範囲が広がる方向へ屈折した上で基板11を透過し、中間層12に達する。中間層12に達したレーザー1は、基板11と中間層12におけるレーザー1の屈折率の大小関係基板11の屈折率>中間層12の屈折率により、基板11と中間層12との界面で、集光範囲が狭まる方向へ屈折した上で中間層12を透過し、第一の薄膜13に達する。第一の薄膜13に達したレーザー1は、第一の薄膜13の膜厚範囲内の任意の点で焦点を結び、エネルギー密度が第一の薄膜13の加工閾値を上回ることで第一の薄膜13の加工が始まり、それと同時に、第一の薄膜13が加工される際の衝撃や熱により、第二の薄膜14の加工が連鎖的に始まる。ここで、本発明においては、基板11と第一の薄膜13との間に中間層12が設けられていることから、その中間層12の厚みの分だけレーザー1の焦点位置第一の薄膜13の位置が基板11から遠ざかり、基板11がレーザー1の高密度領域に晒されることがなくなるため、レーザー1による基板11へのダメージと、それに伴うレーザー1の基板11への吸収減衰が抑制される。また、その結果として、基板11にダメージが無い範囲でレーザー1の出力を上げ、第一の薄膜13と第二の薄膜14の加工効率を上げることもできるようになる。また、中間層12は、レーザー1の屈折率が基板11よりも低く、基板11を透過したレーザー1は基板11と中間層12との界面で屈折して集光されるため、レーザー1のエネルギー密度の立ち上がり方がより急峻となって、第一の薄膜13と第二の薄膜14の加工性が向上する。尚、中間層12自体は、基板11よりもレーザーに対する加工閾値が大きいため、レーザー1のエネルギー密度が高くても加工され難い。図3、4は、本発明の薄膜の加工方法の変形例を示す断面図である。前述のように基板11と中間層12との界面でレーザー1の集光作用を得る意味では、中間層12はレーザー1の屈折率が基板11よりも小さい材料で構成されているのが好ましいが、それに限定されるものではなく、レーザー1の屈折率が基板11と同じかそれよりも大きい材料で構成されていてもよい。ここで、仮に中間層12がレーザー1の屈折率が基板11と同じ材料で構成されていた場合には、図3中に点線で示すように、基板11を透過したレーザー1は、基板11と中間層12との界面で屈折しないことから、基板11を透過した時点の角度を保ったまま中間層12を透過することとなり、一方で、仮に中間層12がレーザーの屈折率が基板11よりも大きい材料で構成されていた場合には、図4中に点線で示すように、基板11を透過したレーザー1は、基板11と中間層12との界面で集光範囲が広がる方向へ屈折した上で中間層12を透過することとなる。これらの場合には、レーザー1が基板11と中間層12との界面で集光されない分、レーザー1の焦点位置は第二の薄膜側14へ移動するが、移動する分については、レーザー1の出射位置等を調節して、図3、4中に実線で示すように、焦点位置が第一の薄膜13の膜厚範囲内に収まるようにしたり、中間層12の厚みを増加させて、レーザー1の焦点位置を基板11側へ相対的に移動させるなどして、補正をする。逆に、レーザー1の焦点位置を第二の薄膜14側へ移動させる場合には、それらとは逆の操作をすることになるが、いずれにしても、各界面における光の屈折を考慮した上で、基板11を透過したレーザー1が第一の薄膜13に焦点を結ぶように制御する。中間層12は、レーザー1が焦点を結ぶ第一の薄膜13の位置を基板11から物理的に遠ざける役割を果たすもので、少なくとも、レーザー1を透過させることが理論上可能な材料が選択されるが、レーザー1の透過を極力妨げないようにする意味では、レーザー1の透過率が基板11と同じかそれよりも高い材料が好ましく、この条件を数式で表すと、レーザー1の透過率を基板11と中間層12についてそれぞれTs、Tmとした場合に、Ts<=Tm条件Aとなる。また、中間層12は、特に不都合がないのであれば、第一の薄膜13及び第二の薄膜14と共にレーザー1により加工されても構わないが、それを避ける意味では、中間層12は、レーザー1に対する加工閾値が基板11よりも大きい材料であるのが好ましく、この条件を数式で表すと、レーザー1に対する加工閾値を基板11と中間層12についてそれぞれFs、Fmとした場合に、Fs<Fm条件Bとなる。また、基板11を透過したレーザー1を基板11と中間層12との界面で光の屈折により集光させる意味では、中間層12は、レーザー1の屈折率が基板11よりも小さい材料であるのが好ましく、この条件を数式で表すと、レーザーの屈折率を基板11と中間層12についてそれぞれDs、Dmとした場合に、Ds>Dm条件Cとなる。図1に示した本発明の薄膜付き基板において、基板11を構成するシリコンSiと中間層12を構成する二酸化シリコンSiO2は、以上の条件A~Cを全てを満たす材料の組み合わせであるが、基板11と中間層12の材料の組み合わせは、それに限定されるものではない。尚、中間層12は、CVD法等の成膜技術を用いて微粒子を基板11の表面に薄膜状に堆積させたり、基板11自体の表層を化合物化酸化等したり、予め別体として作製された薄板状のものを基板11の表面に接合することなどにより形成することが可能であり、形成する領域についても、少なくとも、レーザー1を照射する側とは反対側の基板11の表面下面の、レーザー1が透過する領域にのみ形成されていればよい。また、加工対象物である薄膜は、平坦に形成されたものに限らず、複雑な立体形状を有するようなものであってもよく、材料についても、レーザーにより加工することが理論上可能なものであればよく、例えば、図1に示した実施例において、第一の薄膜13を省略して第二の薄膜14のみの単層膜とするようなことも可能である。また、使用するレーザーの種類は特に限定されないが、基板へ与えるダメージが小さいものとしては、パルス幅が50~1000fsのパルスレーザーである所謂フェムト秒レーザーが好適である。図5は、基礎実験の方法を示す模式図である。本願出願人は、本発明の薄膜の加工方法が有効であることを確認するために基礎実験を行った。基礎実験としては、図5に示すように、平板状の基板21の一表面下面に中間層22を介して第一の薄膜23と第二の薄膜24を形成したものを評価サンプルとして用い、その評価サンプルを第一の薄膜23と第二の薄膜24が下となるようにサンプル設置面に0.99°傾けた状態で配置し、その状態で基板21の他表面上面に焦点を合わせるようにレーザー1を照射すると共に、そのまま焦点距離を変えずに傾斜した評価サンプルの高位側に向けて0.5mm/sの速度で十数mmに亘ってに直線的に走査した。尚、レーザー1の焦点距離は一定であるが、評価サンプルが傾いているため、レーザー1の焦点位置は、走査が進むに連れて第一の薄膜23側へ相対的に移動する。評価サンプルの仕様は、以下の通りである。基板の材料:シリコンSi基板の厚さ:300μm基板の外形サイズ:20mm角中間層の材料:二酸化シリコンSiO2中間層の厚さ:1μm、5μm、10μm第一の薄膜の材料:クロムCr第一の薄膜の厚さ:250Å第二の薄膜の材料:金Au第二の薄膜の厚さ:1200Åレーザーの仕様は、以下の通りである。種類:ファイバーレーザー波長:1552nmパルス幅:800fsフェムト秒繰り返し周波数:500kHzパルスエネルギー:2μJ出力:1W図6~8は、評価サンプルを薄膜形成面側から観察したSEM画像で、それぞれ中間層22の厚さが1μm、5μm、10μmの場合の評価サンプルを示している。図6~8を参照すると、中間層22の厚さが1μm、5μm、10μmと厚くなるに連れて薄膜第一の薄膜23、第二の薄膜24の加工痕が拡大していることから、中間層22の影響により薄膜の加工性が向上しているのが分かる。図9は、本発明の圧電デバイスの一実施例を示す断面図である。ここに示す本発明の圧電デバイスは、シリコンSiから成る箱型のベース基板31に同じくシリコンSiから成る平板状の蓋部材32が接合されることで形成されたパッケージの内部に平板状の圧電振動子33が収納された所謂パッケージ型の圧電デバイスで、ベース基板31の内底面上に実装された圧電振動子33が、ベース基板31の底部に設けられた2つの貫通配線341つは不図示やベース基板の内底面又は外底面に設けられた引回し配線不図示等を介して、ベース基板31の外底面に設けられた2つの外部端子35に電気的に接続されると共に、圧電振動子33と対向する蓋部材32の表面内表面に、二酸化シリコンSiO2から成る中間層36を介して、金Auから成る周波数調整用の薄膜37が形成されている。図10は、本発明の圧電振動子の周波数調整方法の一実施例を示す断面図である。図9に示した本発明の圧電デバイスにおいて、圧電振動子33の周波数を調整する際には、予め製作段階で圧電振動子33の周波数を目標値よりも高周波側に設定した上で、図10に示すように、蓋部材32を透過する波長帯域1200~4000nm程度のレーザー1を蓋部材32の外表面に照射して透過させ、透過したレーザー1を中間層36を介して周波数調整用の薄膜37に焦点を結ぶように照射することで薄膜37を飛散させ、飛散した粒子38を圧電振動子33の表面に付着させて質量を増加させることにより、周波数を低周波側へと変移させる。尚、周波数調整用の薄膜37は、それを飛散させて圧電振動子33の表面に付着させることができるのであれば、蓋部材32の内表面に限らず、ベース基板31の内底面や内側面に形成されていてもよく、材料についても、金Auの単層膜に限らず、図1に示したようなクロムCrと金Auの積層膜などであってもよく、特に限定されない。また、ベース基板31と蓋部材32の形状は、ベース基板31が平板状で、蓋部材32が箱型であってもよく、材料についても、シリコンSi同士の組み合わせに限らず、その他種々の材料の組み合わせが適宜選択可能である。