"炭化水素系プラズマと水素プラズマを開口部幅が変化する開口部を有するマスクが形成された半導体表面に照射して、半導体表面を異なる複数の深さにエッチングする半導体素子の作製方法であって、前記開口部幅の異なる領域毎に、前記半導体表面のエッチングが進行する第1の状態か、前記半導体表面にポリマーが生成される第2の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有する第一のマスクを前記半導体表面に形成すると共に、前記第一のマスクの周辺に前記第一のマスクの前記開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第1の工程と、前記炭化水素系プラズマおよび前記水素プラズマを前記第一のマスクおよび前記第二のマスクが形成された前記半導体表面に照射する第2の工程を有することを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項1に記載の半導体素子の作製方法において前記第1の工程において前記半導体表面に堆積した前記ポリマーを、酸素を有するプラズマ照射により除去する第3の工程を有することを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項2に記載の半導体素子の作製方法において前記第3の工程に引き続き、前記第2の工程における、前記開口部幅の異なる領域のうち少なくとも1つの領域において発現する前記状態を、前記第1の状態および前記第2の状態のいずれかに変化させるように、プラズマ条件を変化させる第4の工程をさらに有し、前記第4の工程の後に前記第2の工程をさらに行うことを特徴とする半導体素子の作製方法。上述の選択エッチングにより加工される深さ形状は、同一ウエハ面内ではプラズマ条件ガス流量、圧力、パワーなどが同じなので、マスク形状が素子ごとに同一であればウエハ面内で深さ形状も素子ごとに同一になる。ウエハ面内で素子ごとにマスクごとに異なる深さで加工するには、マスクごとに異なる開口部幅を設定しなくてはならない。ここで開口部幅はマスクから開口部への水素プラズマの拡散距離を考慮して決める必要がある。しかしながら、水素プラズマの拡散距離はプラズマ条件の僅かな変動に影響されるので開口部幅により加工する深さを同一ウエハ面内で変化させるのは簡単ではない。また、プラズマ条件の僅かな変動により加工される形状が設計値からずれるので、作製マージンが低下することも問題になる。以上のことから、本発明は上述したような課題を解決するために為されたものであって、同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる半導体素子の作製方法を提供することを目的としている。前述した課題を解決する本発明に係る半導体素子の作製方法は、炭化水素系プラズマと水素プラズマを開口部幅が変化する開口部を有するマスクが形成された半導体表面に照射して、半導体表面を異なる複数の深さにエッチングする半導体素子の作製方法であって、前記開口部幅の異なる領域毎に、前記半導体表面のエッチングが進行する第1の状態か、前記半導体表面にポリマーが生成される第2の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有する第一のマスクを前記半導体表面に形成すると共に、前記第一のマスクの周辺に前記第一のマスクの前記開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第1の工程と、前記炭化水素系プラズマおよび前記水素プラズマを前記第一のマスクおよび前記第二のマスクが形成された前記半導体表面に照射する第2の工程を有することを特徴とする。また、前述した課題を解決する本発明に係る半導体素子の作製方法は、上述した半導体素子の作製方法において、前記第1の工程において前記半導体表面に堆積した前記ポリマーを、酸素を有するプラズマ照射により除去する第3の工程を有することを特徴とする。また、前述した課題を解決する本発明に係る半導体素子の作製方法は、上述した半導体素子の作製方法において、前記第3の工程に引き続き、前記第2の工程における、前記開口部幅の異なる領域のうち少なくとも1つの領域において発現する前記状態を、前記第1の状態および前記第2の状態のいずれかに変化させるように、プラズマ条件を変化させる第4の工程をさらに有し、前記第4の工程の後に前記第2の工程をさらに行うことを特徴とする。本発明に係る半導体素子の作製方法によれば、同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる。これにより、高速半導体光素子を提供することができる。本発明に係る半導体素子の作製方法を実施するための形態について、各実施例にて具体的に説明する。本発明の第1の実施例に係る半導体素子の作製方法について、図1~図6を参照して具体的に説明する。図1は本実施例において作製される同一面内で層厚が変化する導波路層の断面図である。半導体素子は、図1に示すように、n型InP1800と、n型InP1800上に設けられたInGaAsP組成波長:1.2μm導波路層1801と、この導波路層1801上に設けられたInPクラッド層1802とを有する。本実施例に係る半導体素子の作製方法について以下に説明する。まず、図2に示すように、n型InP1800上に積層したInGaAsP組成波長:1.2μm導波路層1801の表面にマスク開口部1901の開口部幅1905が変化するマスク1900を形成する。マスク1900の材料は、通常のドライエッチングに用いるSiO2、SiNx、TiO2などでよい。マスク開口部1901は、第一の開口部1902と、この開口部1902よりも幅広の第二の開口部1903と、この開口部1903よりも幅広の第三の開口部1904とで構成される。ここで、マスク開口部1901の開口部幅1905は、第一の開口部1902の幅が1.8μm、第二の開口部1903の幅が3.7μm、第三の開口部1904の幅が7.5μmである。マスク開口部外部のマスク幅1906は40μmで一定である。導波路長1907は600μmである。ウエハの表面において、上述のマスク1900の周辺における所定の領域に第二のマスク周辺マスクを配する。具体的には、図3aおよび図3bに示すように、上述の第一のマスク1900の周辺における第一のマスク1900の輪郭に沿う100μmの幅1911の領域に、第二のマスク1905を複数配する。なお、本実施例では、周辺マスク1910の材料は、上述のマスク1900と同様、通常のドライエッチングに用いるSiO2としている。各周辺マスク1910は1辺が20μmの正方形である。図3aにおいては、隣接する第二のマスク1910間の間隔d1が5μmである。また、第一のマスク1900と第二のマスク1910の間隔も5μmとしている。図3bにおいては、隣接する第二のマスク1910間の間隔d2が40μmである。また、第一のマスク1900と第二のマスク1910の間隔も40μmとしている。参考のため、図3cにウエハの表面において、上述の第一のマスク1900の周辺に上述の第二のマスク1910を配さない場合を示す。図3aおよび図3bに示すように第二のマスク1910を配した試料表面ウエハ表面に炭化水素系プラズマと水素プラズマを照射した場合、炭化水素系プラズマはマスク上で互いが反応してポリマーを形成するが、第二のマスク1910上に飛来した水素プラズマはマスクと反応せずInP表面上に拡散するので、その分余剰の水素プラズマが第一のマスク1900周辺に存在する。一方、図3cに示すように第二のマスク1910を配さない試料表面に炭化水素系プラズマと水素プラズマを照射した場合、周辺に飛来した水素プラズマはInPと反応するので、第一のマスク1900周辺に存在する水素プラズマは図3aおよび図3bの場合よりも少ない。図3aに示す第二のマスク1910を配した場合と図3bに示す第二のマスク1910を配した場合を比較すると、図3aの方が図3bよりも高密度で第二のマスク1910が配されているので第一のマスク1900周辺に存在する水素プラズマが多い。さらに、第一のマスク1900の周辺のInP表面をマスクで完全に覆ってしまえば図示せず、図3aの場合に比べて第一のマスク1900周辺に存在する水素プラズマが多くなる。このように、第二のマスク1910を配することによって第一のマスク1900周辺に存在する水素プラズマの量濃度を制御できる。したがって、素子ごとにマスクごとに第二のマスク1910の配置を変化させることによって選択エッチングに寄与する水素プラズマの量濃度を容易に変化させることができる。よって、同一ウエハ面内で素子ごとにマスクごとに異なる深さ形状に加工することができる。図4a~eに本実施例において作製される同一ウエハ面内で素子ごとに層厚が変化する導波路層の作製工程を示す。InGaAsP組成波長:1.2μm導波路層1801はn型InP1800上に設けられ、図4aの左右方向にて同一の層厚で形成されている。図4aに示すように、導波路層1801表面に上述のSiO2マスク1900を形成する。ここで、図中には示さないが、マスク1900の周辺には、図3aや図3bに示すような第二のマスク1910が素子ごとマスクごとに配される。この試料について、初めにメタンと酸素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングRIEをメタン流量40sccm、水素流量5sccm、放電電力が100W、ガス圧力が10Paで施すと、図4bに示すように、幅が1.8μmの第一の開口部においてエッチングが進行し、第二の開口部幅:3.7μmと第三の開口部幅:7.5μmの表面はポリマー1811が生成され凹凸はほとんど生じない。図5aに図4bの上面を示し、図5bに図5aのb-b断面を示し、図5cに図5aのc-c断面を示し、図5dに図5aのd-d断面を示す。第二の開口部1903と第三の開口部1904においてほとんどの領域にポリマー1811が堆積するが、マスク1900との境界部分付近部分でのみエッチングが進行する。引き続き、酸素プラズマを酸素流量10sccm、ガス圧力10Pa、放電電力400Wで1分間照射すると、図4cに示すように、堆積したポリマーが除去される。次に、メタン流量、ガス圧力、放電電力を一定にして、水素流量を10sccmにして施すと、図4dに示すように、幅が3.7μm以下の第一、第二の開口部においてエッチングが進行し、第三の開口部幅:7.5μmの表面はポリマー1812が生成され凹凸はほとんど生じない。引き続き、酸素プラズマを酸素流量10sccm、ガス圧力10Pa、放電電力400Wで1分間照射すると、堆積したポリマーが除去される。したがって、幅が1.5μmの第一の開口部においては初めのRIEによるエッチングの後にさらに2度目のRIEによるエッチングが進行するので、第二の開口部の深さよりも深くなる。次に、メタン流量、ガス圧力、放電電力を一定にして、水素流量を20sccmにして施すと、図4eに示すように、幅が7.5μm以下の第一、第二、第三の開口部においてエッチングが進行する。この結果、エッチング深さは第一、第二、第三の開口部の順に深くなる。上述のエッチング過程において、図3aに示すように第二のマスク1910が配された素子におけるエッチング深さが最も深くなり、次に図3bに示すように第二のマスク1910が配された素子におけるエッチング深さが深く、図3cに示すように第二のマスクが配されず、第一のマスク1900のみが配された素子におけるエッチング深さが最も浅い。このように、第二のマスクを配することにより、同一ウエハ面内で素子毎に異なるエッチング深さに加工することができる。その後、マスクを除去し、表面上に有機金属気相成長法MOVPEによりInP層を積層することにより同一ウエハ面内で素子ごとに層厚が変化する導波路構造が作製される。図3aに示すように第一のマスク1900と第二のマスク1910が配された場合には、図6aに示すように、素子における導波路構造1821が得られる。図3bに示すように第一のマスク1900と第二のマスク1910が配された場合には、図6bに示すように、素子における導波路構造1822が得られる。図3cに示すように第二のマスクを配せず第一のマスク1900のみ配した場合には、図6cに示すように、素子における導波路構造1820が得られる。本実施例において、3つの開口部幅を有すマスク開口部が形成されマスクを用いて深さが3段階変化するエッチングについて説明したが、より多数の開口部幅を有すマスク開口部が形成されたマスクを用いて、その開口部幅に応じたプラズマ条件下でメタン/水素の混合ガスを用いたRIEを施すことにより、より多段で深さが変化するエッチングを行うことができる。本発明に係る第2の実施例に係る半導体素子の作製方法について、図7を参照して具体的に説明する。図7aに、本実施例に係る層厚が変化する導波路構造をスポットサイズ変化部に用いた半導体レーザ素子の構造の断面を示し、図7bに図7aにおけるb-b断面を示す。本実施例に係る半導体レーザ素子は出射光部分にスポットサイズ変換部を有することを特徴とする。スポットサイズ変換部とは素子からの出射光の光ファイバに入射する効率結合効率を向上させるために発光ビーム径を広げるものである。このスポットサイズ変換部では導波層の厚みを徐々に薄くすることにより光分布をクラッド層に染み出させてスポットサイズを大きくする。本実施例に係る半導体レーザ素子は、図7aおよび図7bに示すように、n型InP基板2800、n型InPバッファ層2801、活性層2802、スポットサイズ変換用InGaAsP組成波長:1.2μmガイド層2803、InGaAsP組成波長:1.1μmガイド層2804、p型InP埋込み層2805、n型InP埋込み層2806、p型InPクラッド層2807、p型InGaAs組成波長:1.65μmコンタクト層2808、SiO2層2809、n型オーミック電極2810、p型オーミック電極2811を備える。活性層2802はInGaAsP組成波長:1.1μmガイド層、6層のInGaAsP歪量子井戸歪量:0.8層と5層のInGaAsP組成波長:1.1μm障壁層の多重量子井戸層からなる活性層発光波長:1.3μm、InGaAsP組成波長:1.1μmガイド層からなる。このレーザ構造におけるスポットサイズ変換部の作製方法を説明する。活性層2802に隣接するスポットサイズ変換用InGaAsP組成波長:1.2μmガイド層2803の表面に第1の実施例と同様に開口部幅の異なる複数の開口部を有するSiO2マスクを形成する。このマスクは、活性層との境界側のマスク幅が広く出射端側のマスク幅が狭い形状を有する。同時に活性層表面は全面マスクで覆われている。この試料について第1の実施例で示すドライエッチングを施すと、エッチング深さは活性層の境界側で浅く出射端側で深くなる。次に、マスクを除去し、InPクラッド層を積層した後に、メサ形成用ストライプマスクを形成してメサ構造に加工することによりスポットサイズ変換部が形成される。この構造について、pn構造埋め込み層の成長、クラッド層とコンタクト層の成長後に、電極形成することにより本実施例に係る半導体レーザ素子の構造が作製される。このように、本実施例に係る半導体素子の作製方法によれば、簡易に層厚が変化する導波路層スポットサイズ変換部を作製することができる。作製された素子は導波路層スポットサイズ変換部での光損失が低減され、室温におけるしきい値電流が6.7mA、効率が0.42W/Aである良好な特性を示す。上述したように、本実施例に係る半導体素子の作製方法によれば、同一ウエハ面内で素子毎に層厚が異なる導波路構造を有するスポットサイズ変換部付き半導体レーザ素子を作製することができる。したがって、同一ウエハ面内で出力光のファーフィールドパターンが異なる素子を作製することができる。また、このことは、特定のファーフィールドパターン特性を有する素子を作製する場合その作製マージンを向上できることを示す。本発明の第3の実施例に係る半導体素子の作製方法について、図8~図13を参照して説明する。図8に、本実施例に係る半導体素子の作製方法により作製される同一ウエハ面内で素子ごとに層厚が変化する回折格子を作製するために使用する第一のマスクを示す。図8に示すように、第一のマスク3900の開口部幅回折格子部分3905の幅は、第1の実施例と同様に設定する。すなわち、本実施例では、第一のマスク3900には、複数の第一の開口部3902と、第一の開口部3902よりも幅広の第二の開口部3903と、第二の開口部3903よりも幅広の第三の開口部3904とが形成されている。回折格子外部のマスク幅3906は一定である。このマスクを用いて第1の実施例と同様に圧力を変化させながらエッチングを施すことにより深さが変化する回折格子が作製できる。図9a~図9eに、本実施例に係る回折格子の作製工程を示す。図9aに示すように、試料3801の表面に上述の第一のマスク3900を形成する。ここで、図中には示さないが、第一のマスク3900の周辺には、図3aや図3bに示すような第二のマスク1910が素子ごとマスクごとに配される。この試料について、初めに、第一のマスク3900上からメタンと水素の混合ガスを用いたRIEをメタン流量40sccm、水素流量5sccm、ガス圧力が10Pa、放電電力が100Wで施すと、図9bに示すように、幅が1.8μmの第一の開口部3902においては、ポリマーが堆積することなくエッチングが進行する。一方、幅が1.8μmより広い第二の開口部3903開口部幅:3.7μmおよび第三の開口部3904開口部幅:7.5μmにおいては、ポリマー3811が堆積してエッチングが進行しない。引き続き、酸素プラズマを酸素流量10sccm、ガス圧力10Pa、放電電力400Wで1分間照射すると、図9cに示すように、堆積したポリマーが除去される。次に、水素流量を変化させた条件水素流量:10sccmでRIEを施すと、図9dに示すように、幅が3.7μm以下の第一の開口部3902および第二の開口部3903においては、ポリマーが堆積することなくエッチングが進行する。一方、幅が7.5μmの第三の開口部3904においては、ポリマー3812が堆積してエッチングが進行しない。したがって、幅が1.8μm以下の第一の開口部3902においては初めのRIEによるエッチングの後にさらに2度目のRIEによるエッチングが進行するので、その深さは第二の開口部3903の深さよりも深くなる。引き続き酸素プラズマを照射によりポリマーを除去した後に、圧力を変化させてRIE、酸素プラズマ照射を交互に繰り返すことにより、図9eに示すように、深さの異なる回折格子を形成することができる。その後、マスクを除去して、メサ構造加工を行い、次に、この回折格子上に有機金属気相成長法MOVPEにより積層することにより図11に示す素子構造が作製される。上述のエッチング過程において、図3aに示す第二のマスク1910が配された素子におけるエッチング深さが最も深くなり、次に図3bに示す第二のマスク1910が配された素子におけるエッチング深さが深く、図3cに示すように第二のマスクが配されなかった素子におけるエッチング深さが最も浅くなる。このように、上述の第一のマスク3900と第二のマスク1910を配することにより、同一ウエハ面内で素子毎に異なるエッチング深さ形状に加工することができる。上述の第一のマスク3900にて5種類の開口部幅とし、このような形状の第一のマスクの周辺に図3aに示すように第二のマスク1910を配した場合には、図10aに示すような回折格子3822が得られる。上述の第一のマスク3900にて5種類の開口部幅とし、このような形状の第一のマスクの周辺に図3bに示すように第二のマスク1910を配した場合には、図10bに示すような回折格子3822が得られる。上述の第一のマスク3900にて5種類の開口部幅とし、このような形状の第一のマスクの周辺に図3cに示すように第二のマスクを配しない場合には、図10cに示すような回折格子3820が得られる。その後、マスク除去、メサ構造加工後に、この回折格子上に有機金属気相成長法MOVPEにより積層することにより素子構造が作製される。図11に、本発明の第3の実施例に係る回折格子を用いたDBR半導体レーザの構造を示す。本実施例に係る半導体素子の作製方法により作製された深さの異なる回折格子を有する試料表面のSiO2マスクを除去した後、この回折格子上に有機金属気相成長法MOVPEにより積層することにより、図11に示す深さの変化する回折格子を用いたDBR半導体レーザ構造が作製される。本実施例に係る回折格子を用いたDBR半導体レーザは、図11に示すように、n型InP基板150、n型InPバッファ層151、回折格子152、InGaAsP組成波長:1.1μmガイド層153、8層のInGaAsP歪量子井戸歪量:1.0層と5層のInGaAsP組成波長:1.3μm障壁層の多重量子井戸層からなる活性層発光波長:1.55μm、活性層長:400μm154、DBR回折格子領域InGaAsP組成波長:1.4μmガイド層回折格子長は活性層の前後それぞれ400μm155、InGaAsP組成波長:1.3μmガイド層156、p型InPクラッド層157、p型InGaAs組成波長:1.85μmコンタクト層158、n型オーミック電極1591、p型オーミック電極1592を備える。素子の発振波長は1.55μmである。素子の長さは1500μmである。回折格子152のピッチ周期は240nm凸部:120nm、凹部:120nmであり、深さは素子両端面で浅くなっており30nm、素子中央部で深くなっており65nmである。図12aおよび図12bに、図11に示すDBR半導体レーザにおける回折格子により得られる反射特性を示す。図12aは、この回折格子の一端からの距離と結合係数κとの関係を示す図である。回折格子の深さが素子両端部で30nm、中央部で65nmとなるように変化させることにより、図12aに示すように、結合係数κは素子両端部で50cm1、中央部で100cm1と変化する。図12bのL1にこの回折格子を用いた場合の反射スペクトルを示す。比較のため、図12bのL2に結合係数が100nm1一定の場合の反射スペクトルを示す。回折格子の深さ、すなわち、結合係数を変化させることにより反射スペクトルのサイドモードが抑制されることがわかる。このことは、この回折格子を用いたDBR半導体レーザを動作させたときの発振スペクトルにおけるサイドモードが抑制されることを示唆する。このように、本実施例を用いれば、簡易に深さ結合係数が変化する回折格子を作製することができる。図13aに、図3a、bに示す第二のマスクを用いて作製された各素子における回折格子により得られる結合係数と反射特性を、それぞれ曲線a、bで示す。また、図13aにて、第二のマスクを配せずに第一のマスクのみを用いて作製された素子における回折格子により得られる結合係数と反射特性を曲線cで示す。図3aに示す第二のマスク1910を用いた場合、回折格子の深さが素子両端部で45nm、中央部で90nmとなるように変化させることにより、図13aに示すように、結合係数κは素子両端部で70cm1、中央部で150cm1と変化する。図3bに示す第二のマスク1910を用いた場合、回折格子の深さが素子両端部で30nm、中央部で65nmとなるように変化させることにより、図13aに示すように、結合係数κは素子両端部で40cm1、中央部で100cm1と変化する。また、第二のマスクを配せずに第一のマスクのみを用いた場合、回折格子の深さが素子両端部で20nm、中央部で35nmとなるように変化させることにより、図13aに示すように、結合係数κは素子両端部で30cm1、中央部で50cm1と変化する。図13bに、図13aに用いた上記の回折格子それぞれの反射スペクトルを曲線a,b,cに示す。図13bに示すように、曲線aでは、反射率が高く反射率;1、ストップバンドが広くなる。曲線bでは反射率が高いが反射率;1、ストップバンドが曲線aに比べて狭くなる。曲線cでは反射率が低下してストップバンドが曲線a,bと比べて狭くなる。このことは、本実施例に係る半導体素子の作製方法によれば、素子毎に発振スペクトルにおける可変波長範囲が異なるDBR半導体レーザを1回のプロセスにより作製できることを示唆する。また、上述の結果は複数のパターンのマスクを配することにより作製マージンが増加することを示唆する。本発明によるエッチング方法においてはエッチングされるか、ポリマーが生成されるかが水素の供給量の敏感であるため、水素の供給量等の条件が不安定になると歩留り、再現性が低下するので問題となる。例えば、本発明によらず第二のマスクを配さない場合パターンcの場合、当初設計された形状に加工するようにエッチングを施したとしても、エッチング条件がずれる変化すると設計した形状が得られない。一方、上述のように複数の第二のマスクを配すれば、例えば水素供給量が減少する方向に条件がずれた場合にはパターンaまたはbにおいて水素供給量が補填されるので設計された回折格子が得られる。さらに、パターンbの第二のマスクを用いて設計された形状を加工すれば、エッチング条件がずれた場合、例えば水素供給量が減少する方向に条件がずれた場合にはパターンaにおいて水素供給量が補填されるので設計された回折格子が得られる。逆に水素供給量が増加する方向に条件がずれた場合にはパターンcにおいて水素供給量が減少されるので設計された回折格子が得られる。このように、本発明によれば、複数のパターンの第二のマスクを配することにより作製マージンを向上できる。本実施例において、第一のマスク周辺に3種類の第二のマスクのパターンを配したが、より多くの種類のパターンの第二のマスクを配すればより多くの異なる可変波長範囲が得られ、作製マージンも増加する。本実施例では第二のマスクに正方形を用いたが他の形状でもよく、また、他の大きさでも、間隔でもよい。本実施例において、回折格子の開口部の両端部には第一のマスク上で反応に寄与しなかった水素プラズマが流入する。この水素プラズマ分だけメタンが反応してエッチングが進行する。したがって、ポリマーが堆積する開口部においても両端の一部分のみでエッチングが進行する。このように、開口部全域のおいて深さが均一にならないという問題が生じる場合がある。しかしながら、実際のデバイスにおいてはメサ構造が採用されるため、開口部の両端部はメサ形成時に切り落とされるので、実際のデバイス作製上における問題とはならない。本実施例では第一のマスクにおける開口部の外部のマスク幅を一定としたが、開口部に拡散する水素プラズマが第一のマスク上を拡散する距離が無視できる程度の長さ幅であればマスク幅は一定である必要はない。例えば、図14に示すような形状の第一のマスク4900でもよい。第一のマスク4900は、マスク開口部4901の開口部幅4905が導波路長4907に対し変化し、第一の開口部4902と、この開口部4902よりも幅広の第二の開口部4903と、この開口部4903よりも幅広の第三の開口部4904とを有する。第一のマスク4900におけるマスク開口部外部のマスク幅4906は導波路長4907に対し変化している。本実施例では、回折格子の深さを5nm-30nmに設定したが、この深さに限られることはなく素子内で回折格子の深さが一定でなく変化していれば同様の効果が得られる。この際、回折格子の深さが素子長方向に対称である必要もない。この深さに対応して変化する結合係数も5cm1-80cm1に設定したが、この値に限られることはない。また、本実施例では素子用半導体結晶として化合物半導体InP結晶を用いたが、GaAs、SiGeなどの化合物半導体結晶やInGaAsP、AlGaInAs、InGaN、GaInNAs、AlGaSbなどの混晶結晶を用いても可能である。また、本発明による装置が対応するレーザ光の波長として1.55μmを用いたが、InGaAsP結晶の組成などの構造、回折格子のピッチ周期を変えることにより波長が1.0μmから1.7μmまでの長波長帯にも対応でき、活性層に他の材料InGaAlN、AlGaInP、AlGaSbなどを用いることにより波長が1.0μm未満の短波長帯や1.7μm以上の長波長帯にも対応できる。また、活性層における多重量子井戸構造には、8層、5nm厚のInGaAsP歪量子井戸層歪量:1.0、5層、10nm厚のInGaAsP障壁層組成波長:1.1μmを用いたが、歪量、層数、層厚、結晶組成などの構造因子は変化させてもかまわない。また、本実施例では、回折格子等の半導体の加工のためのドライエッチングにおいて、エッチングガスとしてメタンを用いたが、エタン等の他の炭化水素系ガスを用いても構わない。また、エッチングガスとして混合ガスを用いる際の希釈ガスには水素ガスだけではなく水素ガスと共に窒素やアルゴンを用いても構わない。また、ポリマーを除去するために酸素プラズマを照射したが、酸素を含むプラズマでもよい。例えば、酸素と窒素、アルゴン等不活性ガスとの混合ガス、酸素と水素の混合ガス等でもよい。また、ドライエッチング法にRIBE、RIE法を用いたが、イオンビームアシストエッチングなどを用いても加工できる。レジストパターン作製には電子ビーム露光法以外にも干渉露光法を用いることができる。エッチングの際に半導体表面に形成する第二のマスクには酸化シリコンSiO2を用いたが、窒化シリコン、酸化チタンなどの誘電体や、金やチタンなどの金属を用いることもできる。"