平板粒子を含む分散液を基板に塗布し、前記分散液を乾燥させて被膜を形成する成膜方法であって、前記平板粒子は、アスペクト比が1:10以上であるとともに、前記分散液に対する接触角が20°以下であり、前記分散液には、全平板粒子の最大投影面積の和と前記分散液が塗布された基板領域の面積との比が0.5以下の量の前記平板粒子が含まれており、前記分散液は、乾燥速度が膜厚の変化速度で2cm/秒以下であることを特徴とする成膜方法。前記平板粒子の厚さをδcmとし、前記分散液の乾燥速度をVcm/sとするとき、前記平板粒子の厚さδと前記分散液の乾燥速度Vとの比率δ/Vで表わされる時間Tは、T>2.5×10-7sである請求項1に記載の成膜方法。特許文献1、2には、扁平粒子を用いることは開示されているものの、単に扁平粒子を用いているだけであって、この扁平粒子を、基板上に重なることなく配置し、所定の機能を発現する機能膜を形成するものではない。近年では、基板上に扁平粒子または平板粒子が重さならいように、かつ均一に配置して、所定の機能を発現させることが試みられている。例えば、特許文献3には、CIS、CIGS、CAISの平板粒子を含む分散液を用いて塗布法により光電変換半導体層を形成することが開示されている。特許文献3では、光電変換半導体層が密に充填された膜となっており、光電変換効率が高くなったと推定されている。しかしながら、LB膜のように液面上に粒子を整列させて引き上げる手法はあるものの、基板上に直接塗布して、基板上に粒子を重なることなく配置し、所定の機能を発現する機能膜を得る技術は確立されていない。また、球状粒子では十分な被覆率を得るためには粒子数を増やさねばならず、凝集して均一な膜が得られないという問題があり、粒径を大きくすると凝集しにくくなるが、膜が厚くなってしまい、薄膜化できないという問題がある。本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、基板上に複数の平板粒子を、互いに重なることを抑制して配置させることができる成膜方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、平板粒子を含む分散液を基板に塗布し、前記分散液を乾燥させて被膜を形成する成膜方法であって、前記平板粒子は、アスペクト比が1:10以上であるとともに、前記分散液に対する接触角が20°以下であり、前記分散液には、全平板粒子の最大投影面積の和と前記分散液が塗布された基板領域の面積との比が0.5以下の量の前記平板粒子が含まれており、前記分散液は、乾燥速度が膜厚の変化速度で2cm/秒以下であることを特徴とする成膜方法を提供するものである。前記平板粒子の厚さをδcmとし、前記分散液の乾燥速度をVcm/sとするとき、前記平板粒子の厚さδと前記分散液の乾燥速度Vとの比率δ/Vで表わされる時間Tは、T>2.5×10-7sであることが好ましい。本発明によれば、基板上に、アスペクト比が1:10以上の平板粒子が複数、互いに重なることが抑制された状態で配置された被膜を形成することができる。以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の成膜方法を詳細に説明する。本発明の成膜方法は、平板粒子を含む分散液が用いられ、この分散液を基板に塗布した後、分散液を乾燥させて被膜を形成する方法である。本発明の成膜方法は、平板粒子が塗布前の分散液中ではランダムに配向しており、分散液、塗布後、乾燥終了までに平板粒子に働く毛管力をある範囲にすることで、平板粒子が重なり合って基板表面と非平行な状態になることを防ぎ、規則性の高い層状構造を作るものである。なお、分散液の塗布方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコート法、キャスト法、ロールコート法、フローコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法などを用いることができる。本発明において、平板粒子は、アスペクト比が1:10以上である。また、平板粒子は、分散液に対する接触角が20°以下である。また、平板粒子は、分散液中に、全平板粒子の最大投影面積の和と分散液が塗布された基板領域の面積との比で0.5以下となる量含まれる。また、本発明において、分散液は、乾燥速度が膜厚の変化速度で2cm/秒以下であることが好ましい。なお、分散液の乾燥方法は、好ましくは膜厚の変化速度で2cm/秒以下とすることができれば、特に限定されるものではなく、自然乾燥、公知の乾燥方法などを適宜利用することができる。平板粒子のアスペクト比は、平板粒子の厚さ:平板粒子の代表径で規定される。この平板粒子を代表径とは、内接円の直径である。なお、平板粒子に針状粒子は含まれない。平板粒子のアスペクト比が1:10未満では、平板粒子が重くなり、分散液内において平板粒子を移動させるに必要な加速度が得られない。また、平板粒子は、アスペクト比が1:30以上のものは生成が難しい。このため、アスペクト比の上限は1:30とする。なお、平板粒子の厚さは、5~50nmであることが好ましい。本発明において、分散液中に含まれる平板粒子、全平板粒子の最大投影面積の和と分散液が塗布された基板領域の面積との比を、被覆率とする。上述のように、平板粒子は分散液に被覆率が0.5以下となる量含まれている。被覆率が0.5を超えると、平板粒子が極めて密集した状態であるため、本発明の成膜方法の他の規定を満たしても、平板粒子の重なりを回避できない。例えば、分散液中の平板粒子が配置状態のままで、分散液が厚み方向に収縮すると、配置のランダム性のために重なりが生じるものがある。ここで、図1aに示すように、基板10に分散液が塗布される場合、この分散液が塗布される塗布領域12のことを基板領域という。分散液が基板10の全面に塗布される場合には、基板10全面が、塗布領域12、すなわち、基板領域となる。また、被覆率が0.05以下であると、分散液中で、よく分散している限り、ランダム性に起因する重なりは生じない。このため、被覆率の下限値は、0.05とする。なお、平板粒子の形状が、三角形、四角形または六角形であれば、全平板粒子の最大投影面積の和が、分散液が塗布された基板領域に占める割合が、重なりのない1層では100が理論最大である。平板粒子の形状が、円形であれば、全平板粒子の最大投影面積の和が、分散液が塗布された基板領域に占める割合は、重なりのない1層では83が理論最大である。分散液は、図1bに示すように、基板10の表面10aに塗布されて液膜14となる。この液膜14は、膜厚dの変化速度で2cm/秒以下であることが好ましい。この膜厚dの変化速度が乾燥速度である。なお、膜厚dとは、基板10の表面10aから液膜14の表面14aまでの距離のことである。本発明においては、例えば、図1bに示すように、基板10の表面10aに、上述の規定の分散液を塗布して液膜14とし、その後、分散液で構成される液膜14を乾燥させる。このとき、液膜14内では、平板粒子16がランダムに配向している。上述の規定の分散液および平板粒子とすることにより、塗布後から乾燥終了迄の間に液面14aが時間とともに下がっていく際、各平板粒子16には重なりが外れる方向に力が作用し、平板粒子16が重なり合って基板10の表面10aと非平行な状態になることが抑制される。これにより、例えば、図2に示すように、平板粒子16が複数互いに重なることなく、基板10の表面10aに配置された層を1層有する被膜20を形成することができる。なお、本発明においては、平板粒子が重なっている場合、その重なり部分の面積が、全平板粒子の最大投影面積の和の5までは、平板粒子が重なっていないとして扱う。この平板粒子が重なる割合をスタック率という。すなわち、スタック率が5までは、平板粒子が重なっていないとして扱う。以下、本発明の数値限定理由について詳細に説明する。まず、接触角の数値限定理由について詳細に説明する。図3aに示すように、例えば、液膜14の内で2つの四角の平板粒子16が重なっており、かつ上側の平板粒子16が液膜14の液面14aから一部が突出している状態において、上側の平板粒子16に作用する力と、接触角との関係を調べた。図3aに示すように、上側の平板粒子16は斜めに傾いている。図3bに示すように、上側の平板粒子16の端面16aにメニスカスM1が生じており、この端面16aにおいて液面14aと接する部分には、接触角φに沿う力F1が作用する。この力F1の分力F11が平板粒子16を引っ張る方向に作用し、分力F12が平板粒子16を下げる方向に作用する。また、図3cに示すように、上側の平板粒子16の上面16bにメニスカスM2が生じており、この上面16bにおいて液面14aと接する部分には、接触角φに沿う力F2が作用する。この力F2の分力F21が平板粒子16を上げる方向に作用し、分力F22が平板粒子16を上面16bに沿う方向に作用する。分力F11と分力F22が、平板粒子16の重なりが外れる方向に作用する力である。このように、上側の平板粒子16には種々の力が作用するが、これらの総和として、平板粒子16には重なりが外れるように引張力が作用する。この上側の平板粒子16に作用する引張力Fは、下記数式1により表わされる。なお、下記数式1において、lエルは濡れ辺長、σは表面張力、φは接触角である。上記数式1において、引張力Fをσlで割って無次元化すると、上側の平板粒子16に作用する力は、接触角φに依存する。その結果を図4に示す。図4に示すように、接触角φが45°以下で、平板粒子16の重なりが外れる方向に力が働く。接触角が20°以下になると平板粒子16の重なりが外れる方向に力がより働く。このため、本発明において、平板粒子16の液膜14、すなわち、分散液との接触角を20°以下とする。このように、接触角を20°以下とすることにより、平板粒子16を移動させる力がより働き、平板粒子16の重なりを回避することができる。なお、接触角は、平板粒子の組成と、分散液の組成との組み合わせにより、接触角を調整することができる。分散液が水の場合には、接触角を小さくするために、PVAポリビニルアルコール、PVPポリビニルピロリドンなどを表面に吸着させる。また、分散液が溶剤の場合、接触角が小さいオレフィンを選択することが好ましい。ここで、図3aに示すように、上側の平板粒子16は斜めに傾いており、端面16aにできるメニスカスM1図3b参照により、上述のように下側の平板粒子16と重なる方向に平板粒子16を引張る力が働き、平板粒子16の上面16bにできるメニスカスM2図3c参照により平板粒子16を下側の平板粒子16から離す方向に作用する力が働く。下側の平板粒子16から離す方向に作用する力は、液膜14が平板粒子16の厚さの1~2倍のところで働くことから、液膜14がその厚さの間だけ上側の平板粒子16に下側の平板粒子16から離す方向に力が働く。そこで、平板粒子16の厚さをδcmとし、液膜14分散液の乾燥速度をVcm/sとするとき、平板粒子16の厚さδと液膜14分散液の乾燥速度Vとの比率δ/Vで表わされる時間Tsは、平板粒子16の厚さδが10nmのとき、好ましい乾燥速度は2cm/s以下であることから、時間T=10nm/2cm/s=5×10-7sが限度になる。よって、時間T>5×10-7s、すなわち、時間T>50μsとなる。なお、時間Tsの上限および下限は、平板粒子16の厚さの上限および下限により規定される。ここで、平板粒子16の厚さは、上述のように5~50nmが好ましい。平板粒子16の厚さが5nm未満では、メニスカスが形成されない。一方、平板粒子の厚さが50nmを超えると、平板粒子のアスペクト比が1:10以上であるため、粒子径が500nmを超える大きなものとなる。このとき、図1bに示すように液膜14を基板10の表面10aに形成した初期状態で、平板粒子の一部が基板10の表面10aに接し、一部が液膜14から突出したような直立状態であると、ブラウン運動で斜めに傾くこともなく、毛管力で引きずられることなく液膜14が乾いてしまうことがある。このような場合、平板粒子の重なりが解消されにくい。このように、平板粒子16の厚さの上限値最大値は50nmであり、時間T=25×10-7s、すなわち、時間T=250μsが上限値となる。一方、平板粒子16の厚さの下限値最小値は5nmであり、時間T=2.5×10-7s、すなわち、時間T=25μsが下限値となる。さらに、接触角について、四角の平板粒子を用い、この四角の平板粒子の接触角を変えたサンプル1、2を用いて、数値解析により、被膜形成時の重なりを調べた。その結果を図5a、bに示す。数値解析には、メソシミュレーションコンソーシアムが配布した、SNAP-Lver2.2.1というシミュレーター財総合研究奨励会を用いた。下記数式2に示すような熱揺動項を追加したナビエストークスの式と、それぞれの粒子に働く、粘弾性接触力、トルク、毛管力、静電力、分子間力、粘性抵抗による運動方程式を組み合わせて解いた。下記数式2ナビエストークスの式は、時間偏微分方程式であり、その計算時間ステップを10-12秒とした。粒子は、大きさが10nm厚さ×110nm辺の長さ×110nm辺の長さの金属平板とし、比重を10とした。この金属平板は、アスペクト比が11である。なお、計算可視化上、粒子の結合で表現される。数値解析の計算領域は、550nm×550nm×100nm深さとした。すなわち、分散液の体積が550nm×550nm×100nm深さである。乾燥速度は、計算領域の高さの変化速度とした。分散液は、比重を1とし、表面張力を20mN/mとし、粘度を1mPasとし、ゼーター電位を80mVとした。数値解析条件のうち、被覆率、乾燥速度、接触角、摩擦係数は下記表1に示す条件とした。分散液の含まれる粒子数は、被覆率に比例しており、被覆率が0.5のとき11ヶであり、初期条件では配置は3次元的に同一のものから計算を開始する。なお、被覆率が0.3では粒子数は6ヶ、被覆率が0.7では粒子数は15ヶである。図5aは接触角が45°の結果であり、bは接触角が20°の結果である。図5aに示すように接触角が45°では、平板粒子が重なっている。一方、図5bに示すように接触角が20°では、平板粒子の重なっていない。このように、接触角を20°とすることにより、平板粒子の重なりが回避されている。次に、被覆率の数値限定理由について詳細に説明する。本発明においては、被覆率を0.5以下としている。そこで、四角の平板粒子を用い、この四角の平板粒子の被覆率を変えたサンプル10~12について、数値解析により、被膜形成時の重なりを調べた。その結果を図6a~cに示す。数値解析については、上述の接触角の数値解析と同様の解析方法を用い、同様の解析条件とした。このため、数値解析についての詳細な説明は省略する。なお、数値解析条件のうち、被覆率、乾燥速度、接触角、摩擦係数は下記表2に示す条件とした。図6aは被覆率が0.3の結果であり、bは被覆率が0.5の結果であり、cは被覆率が0.7の結果である。図6a~cに示すように、被覆率が0.7では、重なりが多い。一方、被覆率が0.5では、被覆率が0.7のものよりも、重なりが大幅に改善されている。さらには、被覆率が0.3では、平板粒子が重なっていない。このように、被覆率を0.5以下とすることにより、平板粒子の重なりを改善することができる。なお、上記表2に示すように、接触角が45°であることから、図4によると、平板粒子を動かす力が、ほとんど働かない。このため、被覆率を0.5では重なってしまったと考えられる。次に、乾燥速度の数値限定理由について詳細に説明する。本発明においては、乾燥速度図1bに示す液膜14の膜厚dの変化速度を2cm/s以下としている。そこで、四角の平板粒子を用い、この四角の平板粒子の被覆率を変えたサンプル20~22について、数値解析により、被膜形成時の重なりを調べた。その結果を図7a~cに示す。数値解析については、上述の接触角の数値解析と同様の解析方法を用い、同様の解析条件とした。このため、数値解析についての詳細な説明は省略する。なお、数値解析条件のうち、被覆率、乾燥速度、接触角、摩擦係数は下記表3に示す条件とした。図7aは乾燥速度が10cm/sの結果であり、bは乾燥速度が5cm/sの結果であり、cは乾燥速度が2cm/sの結果である。図7a~cに示すように、乾燥速度が5cm/s、および10cm/sでは、平板粒子の重なりが多い。一方、乾燥速度が2cm/sでは、平板粒子が重なっていない。このように、乾燥速度を2cm/s以下とすることにより、平板粒子の重なりを改善することができる。本発明の成膜方法によれば、複数の平板粒子を基板上に、互いに重なることが抑制されて配置された一層構造の被膜を形成することができる。この被膜については、平板粒子の組成等を機能膜の機能に応じたものが適宜選択することにより、波長選択して吸収または反射する光学機能、光学的吸収により電荷を生成する機能を有する光電変換機能、またはフィルター機能を備えた、種々の機能を有する機能膜または機能層とすることができる。このフィルター機能を有するものとしては、例えば、色フィルター、赤外反射フィルター、プロジェクションスクリーン等である。本発明の成膜方法により、例えば、磁気記録媒体層を形成することができる。この場合、平板粒子には平板状磁性体が用いられ、この平板状磁性体としては、六方晶フェライトが用いられる。六方晶フェライトとしては、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライト、鉛フェライト、カルシウムフェライトの各置換体、Co置換体等がある。具体的にはマグネトプランバイト型のバリウムフェライト及びストロンチウムフェライト、スピネルで粒子表面を被覆したマグネトプランバイト型フェライト、更に一部スピネル相を含有したマグネトプランバイト型のバリウムフェライト及びストロンチウムフェライト等が挙げられ、その他所定の原子以外にAl、Si、S、Sc、Ti、V、Cr、Cu、Y、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、Au、Hg、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、P、Co、Mn、Zn、Ni、Sr、B、Ge、Nb、Zrなどの原子を含んでもかまわない。一般にはCo-Zn、Co-Ti、Co-Ti-Zr、Co-Ti-Zn、Ni-Ti-Zn、Nb-Zn-Co、Sb-Zn-Co、Nb-Zn等の元素を添加した物を使用することができる。原料製法によっては特有の不純物を含有するものもある。平板状磁性体層においては、基板に非磁性支持体が用いられる。この非磁性体支持体としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが用いられる。また、本発明の成膜方法に用いられる平板粒子は、金属化合物で構成することができる。この金属化合物としては、例えば、金属塩、金属錯体、有機金属化合物などである。金属化合物における金属としては、例えば、銀、金、白金、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、などが挙げられ、これらの中でも、銀、金が特に好ましい。前記金属塩を形成する酸としては、無機酸及び有機酸のいずれであってもよい。前記無機酸としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸;塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化水素酸などが挙げられる。前記有機酸としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルボン酸、スルホン酸などが挙げられる。カルボン酸としては、例えば、酢酸、酪酸、シュウ酸、ステアリン酸、ベヘン酸、ラウリン酸、安息香酸などが挙げられる。スルホン酸としては、例えば、メチルスルホン酸などが挙げられる。前記金属塩としては、例えば、硝酸銀、塩化金酸、塩化白金酸などが挙げられる。金属錯体を形成するキレート剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アセチルアセトナート、EDTAなどが挙げられる。また、上記の金属塩と配位子とで錯体を形成してもよく、該配位子としては、例えば、イミダゾール、ピリジン、フェニルメチルスルフィドなどが挙げられる。なお、金属化合物には、金属イオンのハロゲン化錯体の酸例えば、塩化金酸、塩化白金酸など、アルカリ金属塩例えば、塩化金酸ナトリウム、テトラクロロパラジウム酸ナトリウムなども含まれる。上述の金属化合物で構成された平板粒子は、可視域から近赤外域に表面プラズモン共鳴由来の吸収を有しており、鮮やかな発色を示すため、インクジェット、カラーフィルタ等の色材もしくは着色剤、赤外線吸収材料、または電磁波遮蔽材料等として利用することができる。さらには、本発明の成膜方法により、例えば、光電変換層を形成することができる。この場合、平板粒子には、CuAu型構造を有し、短周期型周期律表第Ib族、第IIIb族および第VIb族の元素を成分として有するものが用いられる。第Ib族の具体的な元素としては、例えば、CuおよびAgから選ばれる少なくとも1種の元素である。第IIIb族の元素としては、例えば、In、GaおよびAlから選ばれる少なくとも1種の元素である。第VIb族の元素としては、例えば、S、SeおよびTeから選ばれる少なくとも1種の元素である。これらの中で、好ましくは、Cu-In-S、Cu-In-Ga-S、Cu-In-Al-S、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Al-Se、Ag-In-S、Ag-In-Se、Ag-In-Ga-Se、Ag-In-Al-Se、Ag-Ga-TeおよびAg-Ga-Al-Teの組合せである。平板粒子を塗布するための有機溶媒としては、疎水性のアルカン類、アルケン類、シクロアルカン類、ベンゼン類、アミン類およびアルコール類などが用いられる。好ましくは、塗布中は乾燥しにくく、塗布後に乾燥が比較的容易である、沸点100°C~180°Cのものが望ましい。具体的には、オクタン、ノナン、デカン、ジメチルシクロヘキサン、イソプロピルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、トルエン、キシレン、p-エチルトルエン、エチルベンゼン、2-オクタンアミン、1-ブタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2-アミノ-1-ブタノールなどを用いることができる。平板粒子を含む塗布剤が塗布される基板としては、ガラス基板、ステンレス基板、フレキシブル基板などが用いられる。また、ロールツーロール製造を可能とするためフレキシブル基板であることが好ましく、この場合、400°C程度までの温度に耐えられるポリイミドベース、500°C程度までの温度に耐えられる肉薄のアルミニウムを主成分とした金属基材の陽極酸化基板などが用いられる。基板上に平板粒子を含む塗布剤を塗布し、不活性ガス雰囲気下、200°C~470°Cで加熱処理後、5MPa~20MPaでプレスすることにより、光電変換半導体層が形成される。本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の成膜方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。