1枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、少なくとも1つの発光部と、前記少なくとも1つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも1つの金属パッドと、を備え、前記少なくとも1つの金属パッドは、平面視において、前記ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法よりも長いことを特徴とする光デバイス。前記ヘキ開された部分に近い辺は、平面視において、非直線形状の辺であることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記ヘキ開された部分に近い辺は、平面視において、凹凸形状の辺であることを特徴とする請求項2に記載の光デバイス。前記ヘキ開された部分に近い辺は、平面視において、のこぎり刃形状の辺であることを特徴とする請求項2に記載の光デバイス。1枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、少なくとも1つの発光部と、前記少なくとも1つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも1つの金属パッドと、前記少なくとも1つの金属パッドと、前記ヘキ開された部分との間に配置された少なくとも1つのパターンと、を備える光デバイス。前記少なくとも1つのパターンの表面は、前記半導体基板の面に直交する方向に関して、前記半導体基板からの距離が前記少なくとも1つの金属パッドの表面と同じかあるいはそれ以上であることを特徴とする請求項5に記載の光デバイス。平面視において、前記ヘキ開された部分に平行な方向に関して、前記少なくとも1つのパターンの長さは、前記少なくとも1つの金属パッドの長さよりも短いことを特徴とする請求項5又は6に記載の光デバイス。前記少なくとも1つのパターンは、複数のパターンであり、該複数のパターンは、前記ヘキ開された部分に平行な方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項7に記載の光デバイス。平面視において、前記ヘキ開された部分に平行な方向に関して、前記少なくとも1つのパターンの長さは、前記少なくとも1つの金属パッドの長さよりも長いことを特徴とする請求項5又は6に記載の光デバイス。前記ヘキ開された部分を複数有し、前記少なくとも1つのパターンは、前記ヘキ開された複数の部分に個別に対応する複数のパターンであることを特徴とする請求項9に記載の光デバイス。前記複数のパターンは、平面視において、辺縁を取り囲んでいることを特徴とする請求項10に記載の光デバイス。前記少なくとも1つの発光部は、垂直共振器型の面発光レーザであることを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の光デバイス。前記少なくとも1つの発光部は、複数の発光部であり、前記少なくとも1つの金属パッドは、前記複数の発光部に個別に対応する複数の金属パッドであることを特徴とする請求項1~12のいずれか一項に記載の光デバイス。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項1~13のいずれか一項に記載の光デバイスを有する光源と、前記光源からの光を偏向する光偏向器と、前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する請求項14に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項15に記載の画像形成装置。発明者等は、複数の発光部を有する面発光レーザアレイを含む光デバイスを、ヘキ開によって歩留まり良く、そして効率良く分離する方法の開発を進めている。そして、開発を進める中で、1mm角程度の光デバイスのヘキ開において、保護シート表面のシリコーンが、光デバイスにおける厚さ1μm程度の金属パッド電極パッド端に付着する現象を見出した。金属パッド端に付着したシリコーンは、その後の工程において、金属パッドの表面や光の射出面に移動し、製造歩留まりを低下させていた。図41に、金属パッドに付着したシリコーンの顕微鏡写真平面視が示されている。この図41から、シリコーンは、金属パッドの端部で掻き取られたように付着していることがわかる。また、金属パッドへのシリコーンの付着は、一次ヘキ開及び二次ヘキ開ともに、ヘキ開対象のスクライブラインから離れたほうの端部に発生する傾向があることも確認した。ところで、チップ上に保護シートからシリコーンからなる異物が付着するのは次の2つの点で不都合がある。1つは、異物がチップ表面を移動して光開口部を覆うと、光出力が低下する点である。もう1つは、シリコーンが金属パッドに付着すると、ワイヤーボンディングが不良となる点である。異物はチップ上を移動する可能性があり、また、ワイヤーボンディングの際には密着不良の原因となるので、金属パッドのみならず、チップ表面にあるのは好ましくない。本発明は、上述した発明者等の得た新規知見に基づいてなされたもので、第1の観点からすると、1枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、少なくとも1つの発光部と、前記少なくとも1つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも1つの金属パッドと、を備え、前記少なくとも1つの金属パッドは、平面視において、前記ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法よりも長いことを特徴とする光デバイスである。これによれば、ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる。本発明は、第2の観点からすると、1枚の半導体基板上に複数個が形成され、ヘキ開によって個々に分離された光デバイスであって、少なくとも1つの発光部と、前記少なくとも1つの発光部における一の電極と電気的に接続されている少なくとも1つの金属パッドと、前記少なくとも1つの金属パッドと、前記ヘキ開された部分との間に配置された少なくとも1つのパターンと、を備える光デバイスである。これによれば、ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる。本発明は、第3の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の光デバイスを有する光源と、前記光源からの光を偏向する光偏向器と、前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。これによれば、光走査の精度を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。本発明は、第4の観点からすると、少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する本発明の光走査装置と、を備える画像形成装置である。これによれば、画像品質を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。以下、本発明の一実施形態を図1~図30に基づいて説明する。図1には、一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ1000の概略構成が示されている。このレーザプリンタ1000は、光走査装置1010、感光体ドラム1030、帯電装置1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034、クリーニングユニット1035、トナーカートリッジ1036、給紙コロ1037、給紙トレイ1038、レジストローラ対1039、定着ローラ1041、排紙ローラ1042、排紙トレイ1043、通信制御装置1050、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置1060などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体1044の中の所定位置に収容されている。通信制御装置1050は、ネットワークなどを介した上位装置例えばパソコンとの双方向の通信を制御する。プリンタ制御装置1060は、CPU、該CPUにて解読可能なコードで記述されたプログラム及び該プログラムを実行する際に用いられる各種データが格納されているROM、作業用のメモリであるRAM、アナログデータをデジタルデータに変換するAD変換回路などを有している。そして、プリンタ制御装置1060は、上位装置からの要求に応じて各部を制御するとともに、上位装置からの画像情報を光走査装置1010に送る。感光体ドラム1030は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム1030の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム1030は、図1における矢印方向に回転するようになっている。帯電装置1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034及びクリーニングユニット1035は、それぞれ感光体ドラム1030の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム1030の回転方向に沿って、帯電装置1031→現像ローラ1032→転写チャージャ1033→除電ユニット1034→クリーニングユニット1035の順に配置されている。帯電装置1031は、感光体ドラム1030の表面を均一に帯電させる。光走査装置1010は、帯電装置1031で帯電された感光体ドラム1030の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム1030の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム1030の回転に伴って現像ローラ1032の方向に移動する。なお、この光走査装置1010の構成については後述する。トナーカートリッジ1036にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ1032に供給される。現像ローラ1032は、感光体ドラム1030の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ1036から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した像以下では、便宜上トナー像ともいうは、感光体ドラム1030の回転に伴って転写チャージャ1033の方向に移動する。給紙トレイ1038には記録紙1040が格納されている。この給紙トレイ1038の近傍には給紙コロ1037が配置されており、該給紙コロ1037は、記録紙1040を給紙トレイ1038から1枚ずつ取り出し、レジストローラ対1039に搬送する。該レジストローラ対1039は、給紙コロ1037によって取り出された記録紙1040を一旦保持するとともに、該記録紙1040を感光体ドラム1030の回転に合わせて感光体ドラム1030と転写チャージャ1033との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ1033には、感光体ドラム1030の表面のトナーを電気的に記録紙1040に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム1030の表面のトナー像が記録紙1040に転写される。ここで転写された記録紙1040は、定着ローラ1041に送られる。定着ローラ1041では、熱と圧力とが記録紙1040に加えられ、これによってトナーが記録紙1040上に定着される。ここで定着された記録紙1040は、排紙ローラ1042を介して排紙トレイ1043に送られ、排紙トレイ1043上に順次、積み重ねられる。除電ユニット1034は、感光体ドラム1030の表面を除電する。クリーニングユニット1035は、感光体ドラム1030の表面に残ったトナー残留トナーを除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム1030の表面は、再度帯電装置1031に対向する位置に戻る。次に、前記光走査装置1010の構成について説明する。この光走査装置1010は、一例として図2に示されるように、光源14、カップリングレンズ15、開口板16、シリンドリカルレンズ17、反射ミラー18、ポリゴンミラー13、第1走査レンズ11a、第2走査レンズ11b、及び走査制御装置図示省略などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング30の所定位置に組み付けられている。なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を主走査対応方向と略述し、副走査方向に対応する方向を副走査対応方向と略述する。カップリングレンズ15は、光源14から射出された光束を略平行光とする。開口板16は、開口部を有し、カップリングレンズ15を介した光束のビーム径を規定する。シリンドリカルレンズ17は、開口板16の開口部を通過した光束を、反射ミラー18を介してポリゴンミラー13の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。光源14とポリゴンミラー13との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ15と開口板16とシリンドリカルレンズ17と反射ミラー18とから構成されている。ポリゴンミラー13は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に6面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー13は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー18からの光束を偏向する。第1走査レンズ11aは、ポリゴンミラー13で偏向された光束の光路上に配置されている。第2走査レンズ11bは、第1走査レンズ11aを介した光束の光路上に配置されている。そして、この第2走査レンズ11bを介した光束が、感光体ドラム1030の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー13の回転に伴って感光体ドラム1030の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム1030上を走査する。このときの光スポットの移動方向が主走査方向である。また、感光体ドラム1030の回転方向が副走査方向である。ポリゴンミラー13と感光体ドラム1030との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、第1走査レンズ11aと第2走査レンズ11bとから構成されている。なお、第1走査レンズ11aと第2走査レンズ11bの間の光路上、及び第2走査レンズ11bと感光体ドラム1030の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも1つの折り返しミラーが配置されても良い。光源14は、一例として図3に示されるように、2次元的に配列されている32個の発光部140、及び該32個の発光部140の周囲に設けられ、各発光部に対応した32個の電極パッド150を有するレーザチップ100を有している。また、各電極パッドは、対応する発光部と配線部材によって電気的に接続されている。なお、本明細書では、各発光部からの光の射出方向をZ軸方向、このZ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2つの方向をX軸方向及びY軸方向として説明する。32個の発光部140は、図4に示されるように、全ての発光部をX軸方向に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく図4ではd1なるように配置されている。なお、本明細書では、発光部間隔とは2つの発光部の中心間距離をいう。ここでは、各発光部は、発振波長が780nm帯の垂直共振器型の面発光レーザVerticalCavitySurfaceEmittingLaser:VCSELである。すなわち、レーザチップ100は、いわゆる面発光レーザアレイチップである。各発光部は、一例として図5に示されるように、基板101、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109、p側電極113、及びn側電極114などを有している。なお、図5は、1つの発光部をXZ面に平行に切断したときの切断面を示す図である。基板101は、n-GaAs単結晶基板である。バッファ層102は、基板101のZ側の面上に積層され、n-GaAsからなる層である。下部半導体DBR103は、バッファ層102のZ側に積層され、n-AlAsからなる低屈折率層と、n-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを40.5ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ/4のとき、その層の実際の厚さDは、D=λ/4n但し、nはその層の媒質の屈折率である。下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103のZ側に積層され、ノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。活性層105は、下部スペーサ層104のZ側に積層され、3層の量子井戸層と4層の障壁層とを有する3重量子井戸構造の活性層である。各量子井戸層は、0.7の圧縮歪みを誘起する組成であるGaInAsPからなり、バンドギャップ波長が約780nmである。また、各障壁層は、0.6の引張歪みを誘起する組成であるGaInPからなる。上部スペーサ層106は、活性層105のZ側に積層され、ノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが1波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。また、共振器反射率は99以上となるように設計されている。上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106のZ側に積層され、p-Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とp-Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを25ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。上部半導体DBR107における低屈折率層の1つには、p-AlAsからなる被選択酸化層108が厚さ33nmで挿入されている。この被選択酸化層108の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層105から3番目となる節に対応する位置である。コンタクト層109は、上部半導体DBR107のZ側に積層され、p-GaAsからなる層である。次に、レーザチップ100の製造方法について簡単に説明する。なお、上記のように、基板101上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上積層体ともいう。1上記積層体を有機金属気相成長法MOCVD法あるいは分子線エピタキシャル成長法MBE法による結晶成長によって作成する図6参照。ここでは、MOCVD法の場合には、III族の原料には、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIを用い、V族の原料には、フォスフィンPH3、アルシンAsH3を用いている。また、p型ドーパントの原料には四臭化炭素CBr4を用い、n型ドーパントの原料にはセレン化水素H2Seを用いている。2積層体の表面の発光部となる複数の部分を、それぞれ一辺が25μmの正方形状のレジストパターンでマスクする。また、各レーザチップにおける周囲領域も、エッチングされないようにレジストパターンでマスクする。3Cl2ガスを用いるECRエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとしてメサ構造体以下では、便宜上メサと略述するを形成する。ここでは、エッチングの底面は下部スペーサ層104中に位置するようにした。4フォトマスクを除去する図7参照。5積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層108中のAlアルミニウムがメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Alの酸化物108aによって囲まれた酸化されていない領域108bが残留する図8参照。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域108bが電流通過領域電流注入領域である。このようにして、例えば幅4μm程度の略正方形状の電流通過領域が形成される。6気相化学堆積法CVD法を用いて、SiNからなる保護層111を形成する図9参照。7レーザ光の射出面となるメサ上部にp側電極コンタクトの窓開けを行うためのエッチングマスクを作成する。8BHFにて保護層111をエッチングし、p側電極コンタクトの窓開けを行う。9マスクを除去する図10参照。10メサ上部の光射出部となる領域射出領域に一辺10μmの正方形状のレジストパターンを形成し、p側の電極材料の蒸着を行う。p側の電極材料としてはCr/AuZn/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜が用いられる。このとき、同時に電極パッド及び配線部材となる部分にもp側の電極材料が蒸着される。11光射出部となる領域に蒸着された電極材料をリフトオフし、p側電極113を形成する図11参照。このp側電極113で囲まれた領域が射出領域である。このとき、同時に電極パッド150及び配線部材も形成される図12参照。電極パッド150は、一例として図13に示されるように、平面視によると、X側の辺が凹凸形状となっている。そこで、電極パッド150のX側の辺の長さは、電極パッド150のY軸方向の寸法dよりも長くなる。また、電極パッド150の厚さは、約1μmである。12基板101の裏側を所定の厚さ例えば、200μm程度まで研磨した後、n側電極114を形成する図14参照。ここでは、n側電極114はAuGe/Ni/Auからなる多層膜である。13アニールによって、p側電極113とn側電極114のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となり、基板101上に複数のレーザチップが形成されたこととなる。なお、以下では、基板101上に複数のレーザチップが形成されたものを、便宜上チップ形成基板200という。そして、チップ形成基板200では、p側電極113側Z側の面を表面、n側電極114側-Z側の面を裏面という。14チップ形成基板200の裏面にダイシングフィルム210に貼り付ける。このダイシングフィルム210は、厚さが75μmの塩化ビニルフィルムであり、その片面にアクリル系粘着剤が10μmの厚さで均一に塗布されている。15ダイシングフィルム210を外径が6インチの金属リング212に貼り付ける図15参照。16チップ形成基板200の表面に、隣接するレーザチップの間隙にダイヤモンドペンを用い、X軸方向及びY軸方向にスクライブラインを形成する図16参照。ここでは、スクライブラインは、X軸方向及びY軸方向ともに等間隔で形成され、該間隔を分離ピッチwという。17チップ形成基板200の表面に、保護シート214を貼り付ける図17参照。この保護シート214は、厚さが25μmのPETフィルムである。この保護シート214のチップ形成基板200側の面には、帯電防止剤が塗布され、さらにその上に離型剤としてシリコーンが塗布されている。帯電防止剤が塗布されていないと、200V以上の静電気が発生し、レーザチップが静電破壊されるおそれがある。なお、保護シート214には粘着性がないため、ダイシングフィルム210の粘着面に貼り付けて固定される。18チップ形成基板200を、分離ピッチwの2倍より狭い溝を有する受け刃220に、ヘキ開対象のスクライブラインが受け刃220の溝の中央に位置するように載置する図18参照。19ヘキ開対象のスクライブラインの真後ろから、セラミック製のカッタの刃230を押し当てる図19参照。ヘキ開対象のスクライブラインの-X側にあるレーザチップをチップAとし、ヘキ開対象のスクライブラインのX側にあるレーザチップをチップBとする。20カッタの刃230を所定量押し込んでチップ形成基板200をヘキ開する。なお、以下では、カッタの刃230の押し込み量をカット深さという。21同様にして、すべてのスクライブラインに対して、一次ヘキ開及び二次ヘキ開を行う。22保護シート214をはがす。2350°C程度に暖めた拡張器を用いて、ダイシングフィルム210を360度全ての方向に均等に引き伸ばす。これにより、複数のレーザチップは、互いに分離されることとなる。24複数のレーザチップを、個々にダイシングフィルム210からはがす。そして、いくつかの後工程を経て、レーザチップ100となる。ところで、前述したように、発明者らは、1mm角程度の光デバイスのヘキ開において、保護シート表面のシリコーンが、光デバイスにおける厚さ1μm程度の電極パッド端に付着する現象以下、シリコーン付着現象と略述するを見出した。そして、発明者らは、シリコーン付着現象の発生メカニズムを、以下のように推測した。チップ形成基板200は、カッタの刃230が裏面から押し込まれると、その押し込み荷重によって変形する。このとき、チップ形成基板200の裏面に圧縮応力が発生し、チップ形成基板200の表面に引張り応力が発生する。その引張り応力はヘキ開対象のスクライブラインの底部に集中する。さらにカッタの刃230が押し込まれ、上記底部における引張り応力が、基板101の引張り強さ以上になると、該底部に亀裂が発生する。この亀裂は、チップ形成基板200の裏面まで直ちに進行する。一例として図20に示されるように、ヘキ開対象のスクライブラインの裏側から荷重Pがかけられると、保護シート214における受け刃直上の部分は、それぞれP/2の力でチップ形成基板200に押し付けられることとなる。すなわち、保護シート214における受け刃直上の部分は、他のどの部分よりもチップ形成基板200に強く押し付けられ、密着している。この状態で、さらにカッタの刃230が押し込まれると、一例として図21に示されるように、保護シート214も押し下げられ、保護シート214の移動が起こる。その結果、チップBでは、一例として図22及び図23に示されるように、ヘキ開対象のスクライブラインから遠いほうにある電極パッドの端部以下では、便宜上、外側端部ともいうが保護シート214の移動量に対応するシリコーンを掻き取ると考えられる。その後、保護シート214を取り除くと、一例として図24に示されるように、シリコーンの一部がレーザチップに残ってしまう。一方、チップAは、一例として図25及び図26に示されるように、ヘキ開直後、保護シート214に対して自由になり、保護シート214の密着力が小さくなるため、チップAでは、電極パッドの端部にシリコーンの付着が起こらないと考えられる。次に、保護シート214とチップ形成基板200との密着力について、詳しく検討し、該密着力を試算する。ヘキ開プロセスは、材料力学でいうところの両端単純支持梁における中央集中荷重問題と考えられる。荷重Pが加わる物体の断面形状を長方形と仮定すると、その破壊荷重Pmaxは次の1式で求められる。Pmax=2bh2/3Lσ......1ここで、bはヘキ開面の幅であり、一次ヘキ開の場合には最大で基板101の直径、二次ヘキ開の場合にはレーザチップの辺の長さである。hはヘキ開面の高さ、Lは受け刃220における溝の間隔、σは該物体の引張り強さである。また、二次ヘキ開の場合は、L=2bとおけるので、上記1式は次の2式のように表せる。Pmax=h2/3σ......2ヘキ開時には上記1式あるいは2式で求まる破断荷重Pmaxがチップ形成基板200に加わり、受け刃220上の保護シートには-Z方向にPmax/2の力が作用することになる。一例として、3インチのGaAsウエハh=240μm上に、1.2mm角のレーザチップが複数形成されている場合について、ヘキ開時のチップ形成基板と保護シートとの密着力を試算する。なお、GaAsの引張り強さσとして、138Mpaを用いる。また、受け刃220における間隔Lを2mmとする。一次ヘキ開での最大の破断荷重b=ウエハ半径の場合は200N20.4Kg、二次ヘキ開での破断荷重は2.65N270gと見積もられる。つまり、一次ヘキ開時及び2次ヘキ開時には、1個のレーザチップあたり135g程度の荷重が加わり、保護シート214とチップ形成基板200とが密着していることになる。次に、保護シート214の移動量を見積もるために、まず、カッタの刃230の押し込み量、つまりカット深さDを検討する。上記両端単純支持梁に中央荷重Pを加えた場合の撓み量dは、次の3式で求められる。ここで、Eはヤング率である。GaAsのヤング率Eとして83GPaを用いる。d=PL3/4Ebh3......3上記3式を変形すると、次の4式が得られる。P=4dbh3E/L3......4一次ヘキ開及び二次ヘキ開での破断加重Pmaxから、各ヘキ開での撓み量dを求めると、一次ヘキ開b=76.2mmではd=4.5μm、二次ヘキ開b=1.2mmではd=3.8μmとなる。3インチのウエハでも、5μm程度撓めば、ヘキ開することが予測される。しかし、実際にはスクライブラインに応力集中が起こるため、試算された撓み量よりも小さな撓み量でヘキ開すると思われる。実際のカット深さDを設定するには、カッタの刃230とチップ形成基板200の平行度の差、チップ形成基板200を貼り付けているダイシングフィルム210における厚さのばらつき、ウエハにおける厚さの面内でのばらつき、保護シート214における厚さの面内でのばらつきなどを考慮する必要がある。カッタの刃230とチップ形成基板200の平行度を20μm、ダイシングフィルム210の厚さを85μmうち10μm粘着層、そのばらつきを±10μm、保護シート214の厚さを25μm、そのばらつきを±10とすると、確実にヘキ開するには、約50μm以上のカット深さが必要となる。さらに、ヘキ開装置の機械精度なども考慮して、カット深さDとしては80μm程度が選ばれる。すなわち、安定してヘキ開するためには、ヘキ開に必要な撓み量より20倍以上のオーバードライブが必要になる。その結果、チップ形成基板200及び保護シート214は、ヘキ開後もカッタの刃230で押し下げられ、保護シート214の移動量Δl図27参照が増加する。ここで、保護シート214の移動量Δlは、次の5式を用いて算出した。Δl=2Dh/L......5上記5式から、保護シート214の移動量を少なくするには、カット深さDを浅くすること、及びチップ形成基板200の厚さhを薄くすることが効果的なことがわかる図28参照。チップ形成基板200の厚さhが240μm、カット深さDが80μm、受け刃における間隔Lが2mmの場合、保護シート214の移動量Δlは約19μmと予測される。図29には、カット深さDを80μm、チップ形成基板200の厚さhを240μmとし、受け刃における間隔Lを変化させた場合の保護シート214の密着力Fとその移動量Δlを計算した結果が示されている。以上の考察から、シリコーン付着現象のメカニズムをまとめると、1ヘキ開の際に、カット深さDが大きくなるとともに、保護シート214のチップ形成基板200への密着力Fが増加し、保護シート214の移動が起こる。そして、2ヘキ開直後において、カッタの刃230のオーバードライブにより、密着力及び保護シート214の移動量lが更に増加し、電極パッド150の外側端部にシリコーンが掻き取られる。そして、電極パッドの外側端部へのシリコーンの付着を低減するには、Aカッタの刃230のオーバードライブ量を小さくする、Bヘキ開時の保護シート214の密着力Fを小さくする、ことが考えられる。上記Aのオーバードライブ量を小さくするため、及び保護シート214の移動量を減少させるためには、チップ形成基板200の厚さhを薄くすることが効果的だが、ハンドリング時にわれが発生する割合が増えるという不都合がある。そこで、本実施形態では、上記Bの密着力Fを小さくするため、電極パッド150の外側端部の形状を、平面視において、凹凸形状としている。このように、電極パッド150の外側端部近傍に、保護シート214が密着しない空隙領域を意図的に形成することで、ヘキ開時の密着力を低減することが可能になり、シリコーンの付着を低減することができる。本実施形態における電極パッド150がヘキ開時の保護シート214の密着力を低減できる理由を説明する。保護シート214に受け刃220からの力が加わると、電極パッド150の表面での密着力が最も高く、その周囲は段差があるため空隙が形成される。本実施形態では、平面視において、電極パッド150の外側端部の形状を凹凸形状としているため、一例として図30に示されるように、凹部に積極的に空隙領域を形成することが可能となり、保護シート214の密着力を低下させることができる。そこで、ヘキ開時に、電極パッド150の外側端部が保護シート214のシリコーンを掻き取ることを抑制することができる。なお、平面視において、電極パッド150の外側端部の形状は、凹凸形状に限定されるものではなく、一例として図31に示されるように、のこぎり刃形状であっても良いし、一例として図32に示されるように、欠落部を有する形状であっても良い。要するに、電極パッドの外側端部の形状が、平面視において非直線形状であれば良い。また、一例として図33に示されるように、電極パッド150の外側端部とヘキ開された部分との間に複数のパターン240が離散的に配置されても良い。この場合、Z軸方向に関する位置として、該複数のパターン240の表面は、電極パッド150の表面と同じかあるいはそれよりもZ側である図34A及び図34B参照。具体的には、電極パッド150を形成する際に、5μm離れた場所に、幅10μm、長さ20μmのパターン240を2個同時に形成する。該2個のパターン240同士は、10μm離して配置されている。以上説明したように、本実施形態に係るレーザチップ100によると、1つの基板上に形成された32個の発光部140と、該32個の発光部140におけるp側電極113と電気的に接続されている32個の電極パッド150とを備えている。そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド150は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法dよりも長くなるように設定されている。この場合は、チップ形成基板200の厚さhが従来よりも厚い場合であっても、保護シート214の密着力を低下させることができ、ヘキ開工程で、各電極パッドにシリコーンが付着するのを低減することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。すなわち、レーザチップ100の単価を下げることができる。そして、光走査装置1010は、光源14がレーザチップ100を有しているため、光走査の精度を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。また、レーザプリンタ1000は、光走査装置1010を備えているため、その結果として、画像品質を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。なお、上記実施形態では、レーザチップ100が32個の発光部を有する場合について説明しているが、これに限定されるものではない。例えば、レーザチップ100が40個の発光部を有していても良い。また、上記実施形態において、一例として図35及び図36に示されるように、電極パッド150がエッチング底面に形成されても良い。この場合、ヘキ開工程において、保護シート214の密着力を低減させることができる。また、上記実施形態において、一例として図37に示されるように、電極パッド150の外側端部とヘキ開された部分との間に、Y軸方向における長さが電極パッド150よりも長いパターン242が配置されても良い。この場合、Z軸方向に関する位置として、該パターン242の表面は、電極パッド150の表面と同じかあるいはそれよりもZ側である。また、一例として図38に示されるように、パターン242が、平面視において、電極パッド150のY側及び-Y側の少なくとも一方に、更に配置されても良い。また、一例として図39に示されるように、4つのパターン242が、平面視において、辺縁を取り囲んでいても良い。また、上記実施形態では、発光部の発振波長が780nm帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。また、上記レーザチップ100は、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、650nm帯、850nm帯、980nm帯、1.3μm帯、1.5μm帯等の波長帯であっても良い。この場合に、活性層を構成する半導体材料は、発振波長に応じた混晶半導体材料を用いることができる。例えば、650nm帯ではAlGaInP系混晶半導体材料、980nm帯ではInGaAs系混晶半導体材料、1.3μm帯及び1.5μm帯ではGaInNAsSb系混晶半導体材料を用いることができる。また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ1000の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、レーザ光によって発色する媒体例えば、用紙に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。例えば、媒体が、CTPComputertoPlateとして知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置1010は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示/消去を可逆的に行うものである。透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、110°C以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、80°Cから110°Cの消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。また、媒体が、紫外光を当てるとCシアンに発色し、可視光のRレッドの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとMマゼンタに発色し、可視光のGグリーンの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとYイエローに発色し、可視光のBブルーの光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、RGBの光を当てる時間や強さで、YMCに発色する3種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、RGBの強力な光を当て続ければ3種類とも消色して真っ白にすることもできる。このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。また、一例として図40に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ2000であっても良い。このカラープリンタ2000は、4色ブラック、シアン、マゼンタ、イエローを重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション感光体ドラムK1、帯電装置K2、現像装置K4、クリーニングユニットK5、及び転写装置K6と、シアン用のステーション感光体ドラムC1、帯電装置C2、現像装置C4、クリーニングユニットC5、及び転写装置C6と、マゼンタ用のステーション感光体ドラムM1、帯電装置M2、現像装置M4、クリーニングユニットM5、及び転写装置M6と、イエロー用のステーション感光体ドラムY1、帯電装置Y2、現像装置Y4、クリーニングユニットY5、及び転写装置Y6と、光走査装置2010と、転写ベルト2080と、定着ユニット2030などを備えている。各感光体ドラムは、図40中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置2010により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト2080上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット2030により記録紙に画像が定着される。光走査装置2010は、前記レーザチップ100と同様にして製造されたレーザチップを含む光源を、色毎に有している。そこで、上記光走査装置1010と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ2000は、この光走査装置2010を備えているため、上記レーザプリンタ1000と同様の効果を得ることができる。ところで、カラープリンタ2000では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。