"部材を基板上に配置する方法であって、以下の工程を具備する:前記基板および第1の液体を準備する工程、ここで、前記基板は、撥水性領域および親水性領域を具備しており、前記撥水性領域は、フッ素化合物により被覆された表面を具備しており、前記撥水性領域は、前記親水性領域を囲んでおり、前記第1の液体は親水性であり、前記部材および第2の液体を含有する部材含有液を準備する工程、ここで、第2の液体は、第1の液体に溶解せず、前記部材は親水性の表面を具備しており、前記親水性領域に前記第1の液体を配置する工程、前記親水性領域に配置された前記第1の液体に前記部材含有液を接触させる工程、前記基板から、前記第1の液体および第2の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性領域に配置する工程、ここで、前記親水性領域は、部材配置領域および液体捕捉領域から構成されており、前記部材配置領域には、前記部材が配置され、前記液体捕捉領域は、前記部材配置領域の周辺に形成されており、前記液体捕捉領域は、下記の化学式Iで表される表面を具備する。XはNR3QQはCl、Br、またはI、OR、またはハロゲン原子であり、Rは低級アルキル基であり、nは1以上3以下の自然数であり、YはCOOH、またはOHであり、mは1以上22以下の自然数である。前記液体捕捉領域は、前記部材配置領域の周囲の一部に形成されている、請求項1に記載の部材の配置方法。前記液体捕捉領域は、前記部材配置領域の周囲の全部に形成されている、請求項1に記載の部材の配置方法。前記第1の液体が水であり、前記第2の液体が塩素系溶媒である、請求項1に記載の部材の配置方法。前記第2の液体が、前記第1の液体よりも小さい極性を具備する、請求項1に記載の部材の配置方法。前記第1の液体を配置する工程よりも前に、前記部材の表面を親水性にする工程をさらに具備する、請求項1に記載の部材の配置方法。特許文献1に記載の方法は、部材400を基板100に配置する優れた方法である。しかし、この方法では、親水性領域101を形成する工程において、親水性領域101にわずかなフォトレジストが残存し得る。大気中に存在する疎水性物質が親水性領域101に付着し得る。これらの理由のため、親水性領域101に配置される水201の量が少なくなり得る。その結果、部材含有液600が水201と接触する前に急速に蒸発する。このことは、部材400を配置する効率を著しく低下させる。親水性領域101に配置される水201の量を増大させるために親水性領域101の面積を大きくすると、1つの親水性領域101に複数の部材400が配置され得る。または、部材400が平面視において傾いた状態歪んだ状態で配置され得る。本発明の目的は、部材が基板上に配置される際に、部材を所定の位置に正確に配置する方法を提供することにある。本発明は、部材を基板上に配置する方法であって、以下の工程を具備する:前記基板および第1の液体を準備する工程、ここで、前記基板は、撥水性領域および親水性領域を具備しており、前記撥水性領域は、フッ素化合物により被覆された表面を具備しており、前記撥水性領域は、前記親水性領域を囲んでおり、前記第1の液体は親水性であり、前記部材および第2の液体を含有する部材含有液を準備する工程、ここで、第2の液体は、第1の液体に溶解せず、前記部材は親水性の表面を具備しており、前記親水性領域に前記第1の液体を配置する工程、前記親水性領域に配置された前記第1の液体に前記部材含有液を接触させる工程、前記基板から、前記第1の液体および第2の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性領域に配置する工程、ここで、前記親水性領域は、部材配置領域および液体捕捉領域から構成されており、前記部材配置領域には、前記部材が配置され、前記液体捕捉領域は、前記部材配置領域の周辺に形成されており、前記液体捕捉領域は、下記の化学式Iで表される表面を具備する。XはNR3QQはCl、Br、またはI、OR、またはハロゲン原子であり、Rは低級アルキル基であり、nは1以上3以下の自然数であり、YはCOOH、またはOHであり、mは1以上22以下の自然数である。本明細書における用語配置は実装を含む。本明細書における部材の例は、電子部品である。本発明の方法は、化学式Iで表される表面を有する液体捕捉領域のため、部材を配置する精度を損なわず、かつ、部材を配置する効率を格段に向上させ得る。本発明の実施の形態が、以下、図面を参照しながら説明される。図面においては、本明細書の理解を促進するため、ハッチングが省略され得る。図1A~図1Dは、撥水性領域120および複数の親水性領域110の例を示す斜視図である。図2A~図2Eは、親水性領域110および撥水性領域120の他の例を示す上面図である。以下の説明では、第1の液体は水である。まず、図1A~図1Dまたは図2A~図2Eに示す基板100を用意する。当該基板100は、親水性領域110および撥水性領域120を具備する。撥水性領域120は、親水性領域110を囲んでいる。各親水性領域110は、部材配置領域111および液体捕捉領域112を具備する。液体捕捉領域112は、部材配置領域111の周辺に形成されている。部材配置領域111および液体捕捉領域112の水に対するぬれ性は、撥水性領域120の水に対するぬれ性よりも高い。具体的には、部材配置領域111および液体捕捉領域112は親水性である。撥水性領域120は撥水性である。液体捕捉領域112は、化学式Iで表される表面を具備する。XはNR3QQはCl、Br、またはI、OR、またはハロゲン原子であり、Rは低級アルキル基であり、nは1以上3以下の自然数であり、YはCOOH、またはOHであり、mは1以上22以下の自然数である。図3は、容器700に入れられた部材含有液600を模式的に示す。部材含有液600は、第2の液体300および第2の液体300中に分散させた部材400を含有する。第2の液体300には、水が実質的に溶解しない。第2の液体300の例は、ヘキサンのような炭化水素である。第2の液体300の他の具体例は後述される。本明細書における用語分散とは、部材400が第2の液体300中で凝集していない状態を意味する。部材含有液600は攪拌され得、部材400を分散する。図4Aは、部材配置領域111と、液体捕捉領域112と、撥水性領域120とを具備する表面を有する基板100の斜視図である。図4Bは、部材を配置する装置およびその動作を模式的に示す。図4Bに示すように、本発明の配置装置は、第1のスキージ510および第2のスキー520を具備する。第1のスキージ510は、水に基板100を曝すために用いられる。第2のスキージは、部材含有液600に基板100を曝すために用いられる。第1のスキージ510と第2のスキージ520との間では、一定の間隔が維持されている。当該一定の間隔が維持されたまま、第1のスキージ510および第2のスキージ520が移動する。本実施の形態では、まず、第1のスキージ510を用いて基板100に水が供給される。部材配置領域111および液体捕捉領域112は親水性であり、かつ撥水性領域120によって囲まれている。そのため、部材配置領域111および液体捕捉領域112上のいずれにも水が配置される。撥水性領域120には水は配置されない。部材配置領域111に配置された水211および液体捕捉領域112に配置された水212は、部材配置領域111および液体捕捉領域112からはみ出しにくい。図4Bにおける矢印は、第1のスキージ510および第2のスキージ520の走査方向を指し示す。本実施の形態では、図4Bに示すように、第1のスキージ510を用いて部材配置領域111および液体捕捉領域112に水を配置させている。これに代えて、水に基板100を浸漬して引き上げてもよい。部材配置領域111および液体捕捉領域112に水をより安定に配置するためには、親水性領域110と、撥水性領域120との間で、水に対するぬれ性の差が大きいことが好ましい。次に、図4Cに示すように、第2のスキージ520が基板100の一端側から他端側に、すなわち、図4Cの奥から手前に移動し、基板100に部材含有液600を供給する。これにより、部材含有液600は水211および水212に接触する。水は第2の液体300に実質的に溶解しないので、部材配置領域111上に存在する水211は安定に留まる。液体捕捉領域112上に存在する水212もまた、安定にとどまる。この過程では、部材400に働く界面張力により、部材400は、水211と、水212の内部に移動する。あるいは、第2の液体300と水211とによって形成される界面または第2の液体300と水212とによって形成される界面に部材400は移動する。次に、基板100の表面から、水211、水212および第2の液体300が除去される。この過程において、部材400は、図4Dに示すように、部材配置領域111に配置される。上記の説明においては、第1スキージ510および第2スキージ520が移動し、基板100は移動しない。これに代えて、第1スキージ510および第2スキージ520が移動せず、基板100が移動し得る。または、第1スキージ510および第2スキージも基板100も移動し得る。本明細書では、これらをまとめて相対的移動と言う。すなわち、スキージが基板上を相対的に移動するという句は、a第1スキージ510および第2スキージが移動するが基板は移動しない、b第1スキージ510および第2スキージは移動しないが基板が移動する、ならびにc第1スキージ510および第2スキージおよび基板の全てが移動する、これらa~cの3態様を含む。以上のように、部材配置領域111、化学式Iで表される表面を有する液体捕捉領域112、および撥水性領域120が基板100の表面に形成されるため、水211および水212は、それぞれ部材配置領域111および液体捕捉領域112に正確に配置される。その結果、部材400が、効率よく正確に基板100上に配置される。すなわち、1つの部材400が1つの部材配置領域111に配置される。以下、液体捕捉領域112および部材配置領域111をさらに詳細に説明する。本発明の配置方法は、親水性領域110が部材配置領域111および液体捕捉領域112を具備することによって特徴付けられる。図1A~図1Dおよび図2A~図2Eに示すように、1つの親水性領域110は、1または2以上の液体捕捉領域112を具備し得る。液体捕捉領域112の形状は、矩形、三角形、台形、円形、楕円形、または多角形であり得る。図1A~図1Dおよび図2A~図2Eは、液体捕捉領域112の形状を例示する。これらの図面に表された複数の形状を組み合わせてもよい。1つの親水性領域110が2以上の液体捕捉領域112を具備する場合、各液体捕捉領域112は異なる形状を有し得る。図1A、図1D、図2D、および図2Eに示すように、液体捕捉領域112は、部材配置領域111を完全に囲む。図1B、図1C、図2A、図2B、および図2Cに示すように、液体捕捉領域112は、部材配置領域111の一部の周辺に形成される。1つの部材配置領域111の面積がS2、当該1つの部材配置領域111の周辺に形成される1または2以上の液体捕捉領域112の面積の合計がS3と定義される場合、S3/S2の値は0.8以上3.5以下であることが好ましい。本実施形態では、液体捕捉領域112は、化学式Iで表される表面を具備する。以下、化学式Iで表される表面を説明する。本実施形態では、チオール化合物が基板100の表面に供給され、化学式Iで表される表面が形成される。基板100の表面は、金属を有することが好ましい。当該チオール化合物の例は、2-メルカプトエタノール、3-ヒドロキシプロパンチオール、HO-CH2CH221-SH、11-メルカプトウンデカン酸、3-メルカプトプロピオン酸、2-クロロエタンチオール、2-メトキシエタンチオール、2-エトキシエタンチオール、およびN,N,N-トリメチル-2-メルカプトエチルアンモニウムクロライドである。当該金属の例は、金、銀、銅、白金、パラジウム、および鉄の遷移金属、ならびにこれらの合金である。次に、部材配置領域111を説明する。部材配置領域111の形状は、当該部材配置領域111に配置される部材400の形状に応じて決定される。部材配置領域111の形状は、例えば、三角形、四角形、および六角形のような多角形、円形、または楕円形である。部材配置領域111は、配置する部材400の所定の面基板に配置された状態で基板と対向する面の形状と同一の形状を有していることが好ましい。句同一の形状を有するとは、部材配置領域111の形状と、配置する部材400の所定の面基板に配置された状態で基板と対向する面が数学的概念における合同または相似関係にあることを意味する。配置される部材400の所定の面の面積、すなわち、基板に配置された状態において基板と対向する部材400の面の面積がS1と定義される。S2/S1の値は、0.64以上1.44以下の値を有することが好ましい。S2/S1の値が、0.64よりも小さい場合、親水性領域110が著しく少ない水を有するため、部材400が配置される確率が小さくなり得る。S2/S1の値が1.44よりも大きい場合、親水性領域110が著しく多くの水を有する。そのため、1つの部材配置領域111に複数の部材400が配置され得る。部材配置領域111、液体捕捉領域112、および撥水性領域120は、フォトリソグラフィー法により、親水性の基板に撥水膜を選択的に形成することによって作製され得る。基板100を作製する方法の一例を、図面を参照しながら説明する。図5A~図5Gは、基板を作製する方法の例を示す。まず、図5Aに示すように、親水性の基板100を用意する。基板100上に金属膜801が形成される。次に、図5Bに示すように、ポジレジスト膜802のような保護膜が形成されて液体捕捉領域112となる部分を覆う。次に、図5Cに示すように、保護膜802で覆われていない金属膜801の部分が除去されて、液体捕捉領域112となる部分に金属膜803が形成される。次に、図5Dに示すように、ポジレジスト膜802が除去される。ポジレジスト膜804が形成されて、部材配置領域111となる部分を覆う。次に、図5Eに示すように、撥水膜805が形成されて、金属膜803以外の部分を覆う。次に、図5Fに示すように、2-メルカプトエタノール、3-ヒドロキシプロパンチオール、HO-CH2CH221-SH、11-メルカプトウンデカン酸、3-メルカプトプロピオン酸、2-クロロエタンチオール、2-メトキシエタンチオール、2-エトキシエタンチオール、およびN,N,N-トリメチル-2-メルカプトエチルアンモニウムクロライドのようなチオール化合物が、金属膜803上に供給される。この過程で、液体捕捉領域112が形成される。液体捕捉領域112を形成する方法を詳細に説明する。2~3volの濃度の2-メルカプトエタノール、3-ヒドロキシプロパンチオール、HO-CH2CH221-SH、11-メルカプトウンデカン酸、3-メルカプトプロピオン酸、2-クロロエタンチオール、2-メトキシエタンチオール、2-エトキシエタンチオール、およびN,N,N-トリメチル-2-メルカプトエチルアンモニウムクロライドのようなチオール化合物を含有するクロロホルム、アルカン、アルコール、またはシリコーンオイルに、基板100が浸漬される。浸漬後に基板100を溶媒で洗浄し、化学式Iで表される表面を具備する液体捕捉領域112が形成される。当該基板100は、活性水素を表面に有することが好ましい。当該基板の材料の例は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、ステンレス、銅、ニッケル、および表面を活性化した樹脂である。活性水素の代表例は、水酸基-OHに含有される水素である。最後に、図5Gに示すように、ポジレジスト膜804が除去されて、部材配置領域111と、液体捕捉領域112と、撥水性領域120とが形成される。次に、撥水性領域120を説明する。固体表面の水に対するぬれ性は、固体の表面エネルギーだけでなく、水の表面張力も関係する。撥水性である固体の表面エネルギーの値は特に限定されないが、5mJ/m2以上40mJ/m2未満であることが好ましい。より好ましくは、5mJ/m2以上25mJ/m2以下である。部材配置領域111および液体捕捉領域112よりも低いぬれ性を有する有機膜を基板上に形成して、撥水性領域120を形成し得る。ぬれ性とは、水に対するぬれ性である。当該有機膜の例は、フルオロアルキル鎖を有する高分子膜、フルオロアルキル鎖を有するシランカップリング剤またはチオール分子によって形成される膜、およびゾル-ゲル法で形成されたフルオロアルキル鎖を含む有機無機ハイブリッド膜である。フルオロアルキル鎖を有する高分子膜の例は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリジフルオロエチレンおよびそれらの誘導体である。シランカップリング剤を用いて撥水膜を形成する方法は以下の通りである。2~3volの濃度のフルオロアルキル鎖を有するシランカップリング剤を含有するクロロホルム、アルカン、アルコール、またはシリコーンオイルに、基板が浸漬される。次いで、基板が溶媒で洗浄され、単分子膜を形成する。フルオロアルキル基を有するシランカップリング剤は、一般式CF3CF2nCH2mSiX3により表される。ここで、nは10以下の自然数、mは10以下の自然数、Xはハロゲン好ましくはClまたはアルコキシ基である。シランカップリング剤の例は、CF3CF27C2H4SiCl3およびCF3C2H4SiCl3である。当該基板は、活性水素を表面に有することが好ましい。当該基板の材料の例は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、ステンレス、銅、ニッケル、および表面を活性化した樹脂である。撥水膜のみが特異的に付着するような表面が、撥水性領域120となる部分に形成され得る。例えば、撥水性領域120となる部分のみに金Auが形成された基板を準備し、次いでチオールを含有する有機溶液にその基板が浸漬される。これによって、金が形成された部分のみが撥水性領域120に変化する。具体的には、2~3volの濃度のフルオロアルキル鎖を有するチオール分子を含有するエタノールまたはプロパノール溶液に基板が浸漬される。その後、アルコールを用いて基板が洗浄される。金に代え、銀または銅も用いられ得る。ゾル-ゲル法によって撥水膜を形成する方法は以下の通りである。酸化シリコンの前駆体であるテトラエトキシシラン、フルオロアルキル鎖を有するアルコキシシラン、酸触媒、および水が溶解したアルコール溶液が、スピンコート法またはディッピング法で基板に塗布される。次いで、100°C以上で基板が加熱される。この撥水膜は、ほとんどの基板に形成され得る。インクジェット法、スクリーンプリント法、凸版印刷法、凹版印刷法、またはマイクロコンタクトプリント法によっても、撥水性領域120が形成され得る。最後に、水211、水212および第2の液体300が基板100から除去される。水211、水212および第2の液体300が除去される順序に拘わらず、部材400は所定の位置に配置される。水211、水212および第2の液体300は、公知の方法により除去される。公知の乾燥方法が用いられ得る。例えば、自然乾燥、真空デシケータによる乾燥、空気またはガスを吹き付けての乾燥、加熱および/または減圧による乾燥が用いられ得る。乾燥の前に基板100は洗浄され得る。第1の液体200および第2の液体300は、第1の液体200と第2の液体300との間の界面に働く界面張力、および、部材400の表面に対する第1の液体200と第2の液体300に対するそれぞれのぬれ性を考慮して、適切に選択され得る。第1の液体200は第2の液体300に実質的に溶解しないことを必要とする。第1の液体200が第2の液体300に実質的に溶解しないので、第1の液体200に第2の液体300が接触したときに、第1の液体200は部材配置領域111に安定にとどまる。そして、界面張力により部材400は第1の液体200の中に移動する。句実質的に溶解しないとは、第2の液体100ml中に溶解する第1の液体の重量によって定義される溶解度が10g以下、より好ましくは1g以下であることを意味する。第1の液体200および第2の液体300の組み合わせは、例えば、第1の液体200として極性が大きい液体、および第2の液体300として第1の液体200よりも極性の小さい液体の組み合わせである。すなわち、第1の液体200は親水性であり、かつ第2の液体300は疎水性である。第1の液体200の例は、水である。水に代え、メタノール、エタノール、エチレングリコールおよびグリセリンのようなアルコール、水とアルコールとの混合液が用いられ得る。水は、大きい表面張力を有しており、従って部材400を部材配置領域111に強固に保持することができるため、より好ましい。第2の液体300の例は、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカンのようなアルカン、トルエン、ベンゼン、キシレンのような芳香族炭化水素類、クロロメタン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、モノクロロブタン、ジクロロブタン、モノクロロペンタンおよびジクロロペンタンのような塩素系溶媒、ジエチルエーテル、石油エーテルのようなエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、シリコーンオイル、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、または、これらの混合液である。第2の液体300は、塩素系溶媒であることが望ましい。基板100の材質は限定されない。無機材料、高分子樹脂材料、または、無機材料と高分子樹脂材料との複合材料から形成される基板が用いられ得る。無機材料として、アルミナのようなセラミックス、シリコンおよびガラスが挙げられる。高分子樹脂材料として、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、およびポリカーボネート樹脂が挙げられる。無機材料と高分子樹脂材料との複合材料は、例えば、ガラス、セラミックスまたは金属からなるファイバーと高分子樹脂材料とを含む複合材料である。SOI基板および化合物半導体基板も使用され得る。公知の方法を用いて部材400および部材含有液600が調製され得る。特許文献1は、当該公知の方法を開示している。第1の液体200として水のような大きい極性を有する液体が用いられる場合、部材400は高い表面エネルギーを有することが好ましい。より具体的には、当該表面エネルギーは40mJ/m2以上である。部材400が小さい表面エネルギーを有する場合、部材400の表面を処理して、その表面エネルギーを増大することが好ましい。部材400が表面にシリコンを有する場合には、オゾン雰囲気中で紫外線を当該表面に照射し、その表面エネルギーを増大する。部材400の表面に、第1の液体200に対して親和性を有する薄膜を形成し、部材400の表面エネルギーを増大させ得る。第1の液体200が水である場合には、当該薄膜の例は、親水膜である。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸化チタンの親水膜が、真空スパッタリング法または熱CVD法によって部材400の表面に形成され得る。親水膜が形成された後、部材400の表面にオゾン雰囲気で紫外線が照射され得る。末端にアミノ基、カルボキシル基、または水酸基を有するシランカップリング剤で部材400の表面が修飾され、部材400の表面エネルギーを増大し得る。部材400の表面が金属を有する場合には、末端にアミノ基、カルボキシル基または水酸基を有するチオールで表面が修飾され得る。部材配置領域111、化学式Iで表される液体捕捉領域112、および撥水性領域120が基板100の表面に形成され、水を部材配置領域111および液体捕捉領域112に正確に配置することができる。その結果、部材400を、効率よく正確に基板100上に配置することができる。実施例以下の実施例は、本発明の配置方法をさらに詳細に説明する。実施例1<部材を配置する基板の作製>まず、図5A~5Gに示す方法により、撥水性領域120に囲まれた親水性領域110をシリコン基板上に形成した。本実施例では、部材配置領域111は20μm×40μmのサイズを有していた。その周囲に設けられる液体捕捉領域112は、10μmの幅を有していた。部材配置領域111と液体捕捉領域112の純水に対する静的接触角を測定するために、2つの領域を基板110上に設けた。各領域の形状は1cm×1cmの正方形であった。525μmの厚みを有する4インチシリコン基板の表面を、酸素を含有する雰囲気中でプラズマ処理により酸化し、当該表面に親水性を付与した。その後、電子ビーム蒸着法を用いて、50nmの厚みを有するニッケル膜を形成した。さらに、当該ニッケル膜の上に、150nmの厚みを有する金膜を形成した。続いて、フォトリソグラフィー法を用いて、20μm×40μmの矩形の周囲の全部図1A参照に、幅10μmのポジ型レジストパターンを形成した。金のエッチング液およびニッケルのエッチング液に基板を順次浸漬し、レジストで覆われていない部分の金膜およびニッケル膜を除去した。その後、基板を真空中で酸素プラズマ雰囲気に曝すことで、レジストを除去し、複数の金属パターンを形成した。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、大きさの20μm×40μmの矩形ポジ型レジストパターンを形成した。乾燥雰囲気中で、1volの濃度のCF3CF27C2H4SiCl3以下、FS-17を含有するパーフルオロオクタン溶液中に、基板を20分間浸漬した。その後、基板を純粋なパーフルオロオクタン中で洗浄し、溶媒を除去した。次に、10mMの濃度の2-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中にこの基板を24時間浸漬した。その後、基板を純粋なエタノール中で洗浄し、溶媒を除去した。このようにして、10μmの幅を有する液体捕捉領域112図5Fの領域806を基板上に形成した。さらに、N-メチルピロリドン、アセトン、およびイロプロピルアルコールを順に用いてレジストを除去した。これにより、20μm×40μmのサイズを有する部材配置領域111図5Gの領域807を基板上に形成した。このようにして、撥水性領域120に囲まれた親水性領域110を基板100上に形成した。1cm×1cmの正方形の2つの領域を用いて純水に対する静的接触角が測定された。部材配置領域111の静的接触角は15°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は60°であった。撥水性領域120の純水に対する静的接触角は107°であった。<部材含有液>酸化シリコンからなる部材400を含有する部材含有液600は、以下の方法によって調製された。まず、525μmの厚みを有するシリコン基板に、電子ビーム蒸着法により100nmの厚みを有するアルミニウム薄膜を形成した。続いて、プラズマCVD法により200nmの厚みを有する酸化シリコン薄膜を形成した。さらに、得られた基板上にフォトリソグラフィー法を用いて20μm×40μmの矩形のレジストパターンを形成した。ドライエッチングにより、レジストパターンをマスクとして用いて酸化シリコンの一部を除去した。酸素プラズマアッシャー処理によって残余のレジスト膜を剥離し、縦20μm×横40μm×高さ0.2μmの酸化シリコン以下、酸化シリコンプレートを形成した。続いて、50°Cのリン酸および硝酸の混合液以下、熱リン酸により、アルミニウム薄膜をエッチングし、酸化シリコンプレートをリフトオフした。次に、熱リン酸に分散した酸化シリコンプレートはフィルターで吸引ろ過された。酸化シリコンプレートが付着したフィルターを乾燥雰囲気中で終夜乾燥した。その後、1volの濃度の1-クロロエチル-トリクロロシランを含有する1,4-ジクロロブタン溶液中に、当該フィルターを2時間浸漬した。乾燥窒素雰囲気中で吸引によってろ過し、未反応の1-クロロエチル-トリクロロシランを洗浄によって除去した。このようにして、化学修飾された表面を有する酸化シリコンプレートをフィルター上に得た。当該フィルターを1,4-ジクロロブタン中に浸漬し、超音波を印加して、フィルターに付着した酸化シリコンプレートを1、4-ジクロロブタン中に分散した。このようにして、部材分散液を得た。水を基板100に配置する第1のスキージ510はステンレス製であった。第1のスキージ510の最前面は、20mmの長さおよび0.5mmの幅を有するスリットを有した。水を安定に保持するために、スリットは内部に脱脂綿を有した。部材含有液600を基板100に配置する第2スキージ520は、ポリエチレンからなり、ナイフの形状を有していた。<配置方法>第1のスキージ510および第2のスキージ520は、スキージのエッジ面が基板100の長手方向と直交するように、基板100の一端側に配置された。これらのスキージのエッジ面と基板100との間隔は、およそ0.2mmに設定した。第1のスキージ510と第2のスキージ520との間隔は1mmとした。次に、第2のスキージ520と基板100との間に、およそ50μLの酸化シリコンプレート分散液をガラスピペットにより配置した。その後、速度10mm/秒で第1スキージ510および第2のスキージ520を移動させた。この操作を10回繰り返した。実施例2撥水性領域120を形成するために、CF3C2H4SiCl3以下、FS-3に用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は16°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は26°であった。撥水性領域120の静的接触角は104°であった。実施例32-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中に代えて、3-ヒドロキシプロパンチオールを含有するエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は15°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は42°であった。実施例42-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中に代えて、HO-CH2CH221-SHを含有するエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は14°であった。液体捕捉領域112静的接触角は35°であった。実施例52-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中に代えて、11-メルカプトウンデカン酸を含有するエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は14°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は38°であった。実施例6FS-17に代えてCF3C2H4SiCl3以下、FS-3を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の純水に対する静的接触角は14°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は37°であった。撥水性領域120の静的接触角は103°であった。実施例72-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中に代えて、3-メルカプトプロピオン酸を含有するエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は15°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は31°であった。実施例82-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中に代えて、2-クロロエタンチオールを含有するエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は16°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は53°であった。実施例92-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中に代えて、2-メトキシエタンチオールを含有するエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は14°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は48°であった。実施例102-メルカプトエタノールを含有するエタノール溶液中に代えて、N,N,N-トリメチル-2-メルカプトエチルアンモニウムクロライドを含有するエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。部材配置領域111の静的接触角は16°であった。液体捕捉領域112の静的接触角は33°であった。比較例1液体捕捉領域112を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。すなわち、比較例1では、液体捕捉領域112を形成するためのレジストパターンを形成せず、かつ、2-メルカプトエタノールによる処理を行わなかった。部材配置領域111および撥水性領域120のみが形成された。部材配置領域111の純水に対する静的接触角は15°であった。比較例2比較例2では、2-メルカプトエタノールによる処理しなかったこと以外は、実施例1と同様に実験を行った。すなわち、部材配置領域111を拡張した。部材配置領域111の純水に対する静的接触角は13°であった。液体捕捉領域112の純水に対する静的接触角は68°であった。表1は、実施例1~10および比較例1~2における各領域の表面処理剤および純水に対する静的接触角を示す。本発明者は、基板100への酸化シリコンプレートの配置の状態を顕微鏡で視認し、実施例1~10および比較例1~2を評価した。具体的には、36カ所の親水性領域が選択された。選択された36箇所の親水性領域の中から、1個の酸化シリコンプレートが正確に配置された親水性領域の数Npが数えられた。さらに、複数の酸化シリコンプレートが配置した親水性領域の数N1が数えられた。1つの酸化シリコンプレートが歪んで配置された親水性領域の数N2も数えられた。NcはN1およびN2の和である。Nc/Npの値が0以上0.1未満の範囲であれば配置状態は極めて良好、0.1以上0.2未満の範囲であれば良好、0.2以上の場合は不良、と決められた。Nc/Npの値が高いほど、精度が低い。表2は、実施例1~10および比較例1~2におけるNpおよびNc/Npの値を示す。表2に示されるように、実施例1~10のNpは17以上24以下であった。実施例1~10のNc/Npの値は0.2より小さかった。一方、比較例1および比較例2のNpの値はそれぞれ9および13であった。さらに比較例2のNc/Npの値は0.84であり、実施例1~10と比較して著しく悪かった。以上の結果より、本発明の方法は、部材を配置する精度を損なわずに、部材を配置する効率の格段の向上を達成することが理解される。"