光電変換層と、入射した光のうち特定の色の光を選択的に前記光電変換層に導くように配された多層干渉フィルターと、を備え、前記多層干渉フィルターは、第1の屈折率を有する第1の層と第2の屈折率を有する第2の層とが繰り返し積層された積層構造と、前記積層構造の下面に接しており、第3の屈折率を有する第3の層と、を有し、前記積層構造の最下層は、前記第2の層であり、前記第3の屈折率は、前記第1の屈折率と異なるとともに、前記第2の屈折率より高いことを特徴とする固体撮像装置。前記第3の層は、光学的膜厚が200nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第3の層は、シリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、前記第3の層の膜厚は、100nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。前記第2の屈折率は、前記第1の屈折率より低く、前記第3の屈折率は、前記第1の屈折率より低く、前記第2の屈折率より高いことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。第2の光電変換層と、入射した光のうち前記特定の色と異なる第2の色の光を選択的に前記第2の光電変換層に導くように配された第2の多層干渉フィルターと、をさらに備え、前記第2の多層干渉フィルターは、前記第1の層と前記第2の層とが繰り返し積層された第2の積層構造と、前記第2の積層構造の下面に接しており、第4の屈折率を有する第4の層と、を有し、前記第2の積層構造の最下層は、前記第2の層であり、前記第4の屈折率は、前記第1の屈折率と異なるとともに、前記第2の屈折率と均等であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。1つの実施形態は、例えば、クロストーク混色を改善できる固体撮像装置を提供することを目的とする。1つの実施形態によれば、光電変換層と多層干渉フィルターとを有する固体撮像装置が提供される。多層干渉フィルターは、入射した光のうち特定の色の光を選択的に光電変換層に導くように配されている。多層干渉フィルターは、積層構造と第3の層とを有する。積層構造では、第1の層と第2の層とが繰り返し積層されている。第1の層は、第1の屈折率を有する。第2の層は、第2の屈折率を有する。第3の層は、積層構造の下面に接している。第3の層は、第3の屈折率を有する。積層構造の最下層は、第2の層である。第3の屈折率は、第1の屈折率と異なるとともに、第2の屈折率より高い。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる固体撮像装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態第1の実施形態にかかる固体撮像装置1について図1を用いて説明する。図1は、実施形態にかかる固体撮像装置1における3画素分の断面構成を例示的に示す図である。固体撮像装置1は、光電変換層11r、11g、11b、多層配線構造30r、30g、30b、多層干渉フィルター20r、20g、20b、平坦化層40r、40g、40b、及びマイクロレンズ50r、50g、50bを備える。光電変換層11r、11g、11bは、半導体基板10におけるウエル領域12内に配されている。光電変換層11r、11g、11bは、それぞれ、赤色R、緑色G、青色Bの波長領域の光を受光する。光電変換層11r、11g、11bは、それぞれ、受けた光に応じた電荷を発生させて蓄積する。光電変換層11r、11g、11bは、例えば、フォトダイオードであり、電荷蓄積領域を含む。ウエル領域12は、第1導電型例えば、P型の不純物を低い濃度で含む半導体例えば、シリコンで形成されている。P型の不純物は、例えば、ボロンである。光電変換層11r、11g、11bにおける電荷蓄積領域は、それぞれ、第1導電型と反対導電型である第2導電型例えば、N型の不純物を、ウエル領域12における第1導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体例えば、シリコンで形成されている。N型の不純物は、例えば、リン又は砒素である。多層配線構造30r、30g、30bは、半導体基板10の上に配されている。多層配線構造30r、30g、30bは、層間絶縁膜中を複数層の配線パターンが延びている。これにより、多層配線構造30r、30g、30bは、それぞれ、光電変換層11r、11g、11bに対応した開口領域ORr、ORg、ORbを規定する。層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成されている。配線パターンは、例えば金属を主成分とする材料で形成されている。多層干渉フィルター20rは、光電変換層11rの上方に配されている。これにより、多層干渉フィルター20rは、入射した光のうち赤色Rの波長領域の光を選択的に光電変換層11rに導く。すなわち、多層干渉フィルター20rは、赤色R用のカラーフィルターとして機能する。多層干渉フィルター20rは、無機物で形成されている。多層干渉フィルター20rは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が積層されたフォトニック結晶型の赤用のフィルターとしての積層構造29rを含む。具体的には、多層干渉フィルター20rは、積層構造29r及び第3の層26rを有する。積層構造29rは、上部積層構造24r、干渉層23r、及び下部積層構造25rを有する。上部積層構造24r及び下部積層構造25rは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造24r及び下部積層構造25rは、可視領域例えば、400nm~700nmの波長領域の中央部の波長例えば、550nmを中心波長すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長として有する。干渉層23rは、上部積層構造24r及び下部積層構造25rの界面に配され、上部積層構造24r及び下部積層構造25rの反射面で多重反射した光の干渉多光束干渉を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター20rは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。上部積層構造24rでは、互いに屈折率の異なる第1の層21r-3、21r-4と第2の層22r-3、22r-4とが交互に積層されている。上部積層構造24rでは、例えば、第1の層21r-3、第2の層22r-3、第1の層21r-4、及び第2の層22r-4が順に積層されている。下部積層構造25rでは、互いに屈折率の異なる第1の層21r-1、21r-2と第2の層22r-1、22r-2とが交互に積層されている。上部積層構造24rでは、例えば、第1の層21r-1、第2の層22r-1、第1の層21r-2、及び第2の層22r-2が順に積層されている。第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4の屈折率は、例えば、第2の層22r-1、22r-2、22r-3、22r-4の屈折率より高い。第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4は、例えば、チタン酸化物TiO2を主成分とする材料で形成されており、第1の屈折率n1例えば、2.5を有する。第2の層22r-1、22r-2、22r-3、22r-4は、例えば、シリコン酸化物SiO2を主成分とする材料で形成されており、第2の屈折率n2例えば、1.46を有する。干渉層23rの屈折率は、第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4の屈折率より低い。干渉層23rは、例えば、シリコン酸化物SiO2、屈折率1.46を主成分とする材料で形成されている。積層構造29rにおいて、上部積層構造24rの積層数と下部積層構造25rの積層数とは、等しく、例えばともに3である。すなわち、積層構造29rでは、干渉層23r以外の層数が6層である。上部積層構造24rの最下層干渉層23rの上面に接している層と下部積層構造25rの最上層干渉層23rの下面に接している層とは、いずれも第1の層21r-3、21r-2である。積層構造29rにおいて、上部積層構造24rと下部積層構造25rとは、両者における対応する複数の層のうち一部の層が残りの層より薄くなっている。すなわち、上部積層構造24rと下部積層構造25rとは、両者における複数の第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4のうち2つの第1の層21r-2、21r-3の膜厚例えば、20nm-45nmが残りの第1の層21r-1、21r-4の膜厚例えば、50nm-60nmより薄くなっている。残りの第1の層21r-1、21r-4同士は互いに均等な膜厚例えば、中心波長λの1/4の光学的膜厚に相当する膜厚を有する。上部積層構造24rと下部積層構造25rとは、両者における複数の第2の層22r-1、22r-2、22r-3、22r-4が互いに均等な膜厚例えば、中心波長λの1/4の光学的膜厚に相当する膜厚を有する。第3の層26rは、積層構造29rの下面29r1に下側から接している。すなわち、積層構造29rの最下層が第2の層22r-1であり、第3の層26rは、第2の層22r-1の下面に接している。第3の層26rは、例えば、シリコン窒化物SiNを主成分とする材料で形成されており、第3の屈折率n3例えば、2.0を有する。第3の屈折率n3は、第1の屈折率n1と異なるとともに、第2の屈折率n2より高い。例えば、第2の屈折率n2が第1の屈折率n1より低い場合、第3の屈折率n3例えば、2.0は、第1の屈折率n1例えば、2.5より低く、第2の屈折率n2例えば、1.46より高くてもよい。これにより、入射した光のうち混色成分赤色R以外の波長領域の光を積層構造29rと第3の層26rとの界面で選択的に反射させて除去することができる。多層干渉フィルター20gは、光電変換層11gの上方に配されている。これにより、多層干渉フィルター20gは、入射した光のうち緑色Gの波長領域の光を選択的に光電変換層11gに導く。すなわち、多層干渉フィルター20gは、緑色G用のカラーフィルターとして機能する。多層干渉フィルター20gは、無機物で形成されている。多層干渉フィルター20gは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が積層されたフォトニック結晶型の赤用のフィルターとしての積層構造29gを含む。具体的には、多層干渉フィルター20gは、積層構造29g及び第3の層26gを有する。積層構造29gは、上部積層構造24g、干渉層23g、及び下部積層構造25gを有する。上部積層構造24g及び下部積層構造25gは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造24g及び下部積層構造25gは、可視領域例えば、400nm~700nmの波長領域の中央部の波長例えば、550nmを中心波長すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長として有する。干渉層23gは、上部積層構造24g及び下部積層構造25gの界面に配され、上部積層構造24g及び下部積層構造25gの反射面で多重反射した光の干渉多光束干渉を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター20gは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。上部積層構造24gでは、互いに屈折率の異なる第1の層21g-3、21g-4と第2の層22g-3、22g-4とが交互に積層されている。上部積層構造24gでは、例えば、第1の層21g-3、第2の層22g-3、第1の層21g-4、及び第2の層22g-4が順に積層されている。下部積層構造25gでは、互いに屈折率の異なる第1の層21g-1、21g-2と第2の層22g-1、22g-2とが交互に積層されている。上部積層構造24gでは、例えば、第1の層21g-1、第2の層22g-1、第1の層21g-2、及び第2の層22g-2が順に積層されている。第1の層21g-1、21g-2、21g-3、21g-4の屈折率は、例えば、第2の層22g-1、22g-2、22g-3、22g-4の屈折率より高い。第1の層21g-1、21g-2、21g-3、21g-4は、例えば、チタン酸化物TiO2を主成分とする材料で形成されており、第1の屈折率n1例えば、2.5を有する。第2の層22g-1、22g-2、22g-3、22g-4は、例えば、シリコン酸化物SiO2を主成分とする材料で形成されており、第2の屈折率n2例えば、1.46を有する。干渉層23gの屈折率は、第1の層21g-1、21g-2、21g-3、21g-4の屈折率より低い。干渉層23gは、例えば、シリコン酸化物SiO2、屈折率1.46を主成分とする材料で形成されている。積層構造29gにおいて、上部積層構造24gの積層数と下部積層構造25gの積層数とは、等しく、例えばともに3である。すなわち、積層構造29gでは、干渉層23g以外の層数が6層である。上部積層構造24gの最下層干渉層23gの上面に接している層と下部積層構造25gの最上層干渉層23gの下面に接している層とは、いずれも第1の層21g-3、21g-2である。積層構造29gにおいて、上部積層構造24gと下部積層構造25gとは、両者における対応する複数の層のうち一部の層が残りの層より薄くなっている。すなわち、上部積層構造24gと下部積層構造25gとは、両者における複数の第1の層21g-1、21g-2、21g-3、21g-4のうち2つの第1の層21g-2、21g-3の膜厚例えば、20nm-45nmが残りの第1の層21g-1、21g-4の膜厚例えば、50nm-60nmより薄くなっている。残りの第1の層21g-1、21g-4同士は互いに均等な膜厚例えば、中心波長λの1/4の光学的膜厚に相当する膜厚を有する。上部積層構造24gと下部積層構造25gとは、両者における複数の第2の層22g-1、22g-2、22g-3、22g-4が互いに均等な膜厚例えば、中心波長λの1/4の光学的膜厚に相当する膜厚を有する。第3の層26gは、積層構造29gの下面29g1に下側から接している。すなわち、積層構造29gの最下層が第2の層22g-1であり、第3の層26gは、第2の層22g-1の下面に接している。第3の層26gは、例えば、シリコン窒化物SiNを主成分とする材料で形成されており、第3の屈折率n3例えば、2.0を有する。第3の屈折率n3は、第1の屈折率n1と異なるとともに、第2の屈折率n2より高い。例えば、第2の屈折率n2が第1の屈折率n1より低い場合、第3の屈折率n3例えば、2.0は、第1の屈折率n1例えば、2.5より低く、第2の屈折率n2例えば、1.46より高くてもよい。これにより、入射した光のうち混色成分緑色G以外の波長領域の光を積層構造29gと第3の層26gとの界面で選択的に反射させて除去することができる。多層干渉フィルター20bは、光電変換層11bの上方に配されている。これにより、多層干渉フィルター20bは、入射した光のうち青色Bの波長領域の光を選択的に光電変換層11bに導く。すなわち、多層干渉フィルター20bは、青色B用のカラーフィルターとして機能する。多層干渉フィルター20bは、無機物で形成されている。多層干渉フィルター20bは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が積層されたフォトニック結晶型の赤用のフィルターとしての積層構造29bを含む。具体的には、多層干渉フィルター20bは、積層構造29b及び第3の層26bを有する。積層構造29bは、上部積層構造24b、及び下部積層構造25bを有する。上部積層構造24b及び下部積層構造25bは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造24b及び下部積層構造25bは、可視領域例えば、400nm~700nmの波長領域の中央部の波長例えば、550nmを中心波長すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長として有する。多層干渉フィルター20bは、上部積層構造24b及び下部積層構造25bの界面に膜厚ゼロの干渉層23bが仮想的に配されているとみなすことができ、上部積層構造24b及び下部積層構造25bの反射面で多重反射した光の干渉多光束干渉を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター20bは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。上部積層構造24bでは、互いに屈折率の異なる第1の層21b-3、21b-4と第2の層22b-3、22b-4とが交互に積層されている。上部積層構造24bでは、例えば、第1の層21b-3、第2の層22b-3、第1の層21b-4、及び第2の層22b-4が順に積層されている。下部積層構造25bでは、互いに屈折率の異なる第1の層21b-1、21b-2と第2の層22b-1、22b-2とが交互に積層されている。上部積層構造24bでは、例えば、第1の層21b-1、第2の層22b-1、第1の層21b-2、及び第2の層22b-2が順に積層されている。第1の層21b-1、21b-2、21b-3、21b-4の屈折率は、例えば、第2の層22b-1、22b-2、22b-3、22b-4の屈折率より高い。第1の層21b-1、21b-2、21b-3、21b-4は、例えば、チタン酸化物TiO2を主成分とする材料で形成されており、第1の屈折率n1例えば、2.5を有する。第2の層22b-1、22b-2、22b-3、22b-4は、例えば、シリコン酸化物SiO2を主成分とする材料で形成されており、第2の屈折率n2例えば、1.46を有する。積層構造29bにおいて、上部積層構造24bの積層数と下部積層構造25bの積層数とは、等しく、例えばともに3である。すなわち、積層構造29bでは、干渉層23b以外の層数が6層である。上部積層構造24bの最下層干渉層23bの上面に接している層と下部積層構造25bの最上層干渉層23bの下面に接している層とは、いずれも第1の層21b-3、21b-2である。積層構造29bにおいて、上部積層構造24bと下部積層構造25bとは、両者における対応する複数の層のうち一部の層が残りの層より薄くなっている。すなわち、上部積層構造24bと下部積層構造25bとは、両者における複数の第1の層21b-1、21b-2、21b-3、21b-4のうち2つの第1の層21b-2、21b-3の膜厚例えば、20nm-45nmが残りの第1の層21b-1、21b-4の膜厚例えば、50nm-60nmより薄くなっている。残りの第1の層21b-1、21b-4同士は互いに均等な膜厚例えば、中心波長λの1/4の光学的膜厚に相当する膜厚を有する。上部積層構造24bと下部積層構造25bとは、両者における複数の第2の層22b-1、22b-2、22b-3、22b-4が互いに均等な膜厚例えば、中心波長λの1/4の光学的膜厚に相当する膜厚を有する。第3の層26bは、積層構造29bの下面29b1に下側から接している。すなわち、積層構造29bの最下層が第2の層22b-1であり、第3の層26bは、第2の層22b-1の下面に接している。第3の層26bは、例えば、シリコン窒化物SiNを主成分とする材料で形成されており、第3の屈折率n3例えば、2.0を有する。第3の屈折率n3は、第1の屈折率n1と異なるとともに、第2の屈折率n2より高い。例えば、第2の屈折率n2が第1の屈折率n1より低い場合、第3の屈折率n3例えば、2.0は、第1の屈折率n1例えば、2.5より低く、第2の屈折率n2例えば、1.46より高くてもよい。これにより、入射した光のうち混色成分青色B以外の波長領域の光を積層構造29bと第3の層26bとの界面で選択的に反射させて除去することができる。平坦化層40r、40g、40bは、それぞれ、多層干渉フィルター20r、20g、20bを覆っている。これにより、平坦化層40r、40g、40bは、多層干渉フィルター20r、20g、20b間の段差を緩和し平坦な表面を提供する。平坦化層40r、40g、40bは、例えば所定の樹脂又は酸化膜例えば、SiO2で形成されている。マイクロレンズ50r、50g、50bは、それぞれ、平坦化層40r、40g、40bの上に配されている。これにより、マイクロレンズ50r、50g、50bは、それぞれ、入射した光を多層干渉フィルター20r、20g、20b経由で光電変換層11r、11g、11bに集める。マイクロレンズ50r、50g、50bは、例えば、所定の樹脂で形成されている。なお、多層干渉フィルター20r、20g、20bでは、上部積層構造と下部積層構造との界面における干渉層の有無及び干渉層の膜厚の違いによってその透過帯域をそれぞれ変化させる。例えば、干渉層がない場合も仮想的に膜厚0nmの干渉層があるものとみなす場合、多層干渉フィルター20r、20g、20bでは、例えば、それぞれ、干渉層の膜厚を85nm、35nm、0nmとすると、赤色、緑色、青色の波長帯域に分光透過率のピークを有するようになる図2a、b参照。ここで、各多層干渉フィルター20r、20g、20bにおける第3の層26r、26g、26bの光学的膜厚は、125nm以上225nm以下であることが好ましく、125nm以上200nm以下であることがさらに好ましく、125nm以上175nm以下であることが好ましく、125nm以上150nm以下であることがさらに好ましい。第3の層26r、26g、26bがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成されている場合、第3の屈折率が例えば2.0であるので、第3の層26r、26g、26bの膜厚は、112nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがさらに好ましく、88nm以下であることが好ましく、75nm以下であることがさらに好ましい。例えば、第3の層26r、26g、26bの光学的膜厚が225nm以下である場合例えば、第3の層26r、26g、26bがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が112nm以下である場合、900nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29r、29g、29bと第3の層26r、26g、26bとの界面で選択的に反射させて除去することができる。例えば、第3の層26r、26g、26bの光学的膜厚が200nm以下である場合例えば、第3の層26r、26g、26bがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が100nm以下である場合、800nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29r、29g、29bと第3の層26r、26g、26bとの界面で選択的に反射させて除去することができる。例えば、第3の層26r、26g、26bの光学的膜厚が175nm以下である場合例えば、第3の層26r、26g、26bがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が88nm以下である場合、700nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29r、29g、29bと第3の層26r、26g、26bとの界面で選択的に反射させて除去することができる。例えば、第3の層26r、26g、26bの光学的膜厚が150nm以下である場合例えば、第3の層26r、26g、26bがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が75nm以下である場合、600nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29r、29g、29bと第3の層26r、26g、26bとの界面で選択的に反射させて除去することができる。仮に、各多層干渉フィルター20r、20g、20bにおける第3の層26r、26g、26bの光学的膜厚が125nmより小さいと、反射すべき中心波長が短くなりすぎて、長波長側のクロストークを低減することが困難になる。あるいは、仮に、各多層干渉フィルター20r、20g、20bにおける第3の層26r、26g、26bの光学的膜厚が225nmより大きいと、反射すべき中心波長が長くなりすぎて、長波長側のクロストークを低減することが困難になる。なお、固体撮像装置においてパッシベーション膜に用いられるシリコン窒化物の膜と比較した場合、第3の層26r、26g、26bの膜厚は、パッシベーション膜に用いられるシリコン窒化物の膜の膜厚例えば、光学的膜厚:250nm以上、膜厚:125nm以上よりも薄い。パッシベーション膜に用いられるシリコン窒化物の膜では、シリコン酸化物の膜との界面における可視領域の光の反射を抑えるために、その光学的膜厚が250nm以上にされることが多い。また、第3の層26r、26g、26bの膜密度は、パッシベーション膜に用いられるシリコン窒化物の膜の膜密度よりも小さい。パッシベーション膜に用いられるシリコン窒化物の膜では、シリコン酸化物の膜との界面における可視領域の光の反射を抑えるために、その膜密度が大きくなるように調整されることが多い。さらに、第3の層26r、26g、26bの酸素濃度は、パッシベーション膜に用いられるシリコン窒化物の膜の酸素濃度より低い。パッシベーション膜に用いられるシリコン窒化物の膜では、シリコン酸化物の膜との界面における可視領域の光の反射を抑えるために、その酸素濃度が高くなるように調整されることが多い。また、各多層干渉フィルター20r、20g、20bの積層構造29r、29g、29bにおいて、上部積層構造と下部積層構造とは、両者における複数の第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4のうち2つの第1の層21r-2、21r-3の膜厚例えば、20nm-45nmが残りの第1の層21r-1、21r-4の膜厚例えば、50nm-60nmより薄くなっている。このとき、2つの第1の層21r-2、21r-3の膜厚が均等であってもよい。すなわち、上部積層構造と下部積層構造とは、上部積層構造と下部積層構造との界面に対して互いに対称な構造を有していてもよい。次に、第1の実施形態にかかる固体撮像装置1の製造方法について図3、図4、及び図1を用いて説明する。図3a~c、図4a、b、及び図5a、bは、第1の実施形態にかかる固体撮像装置1の製造方法を示す工程断面図である。図1は、図5bに続く工程断面図として流用する。図3aに示す工程では、半導体基板10のウエル領域12内に、イオン注入法などにより、電荷蓄積領域をそれぞれ含む光電変換層11r、11g、11bを形成する。ウエル領域12は、第1導電型例えば、P型の不純物を低い濃度で含む半導体例えば、シリコンで形成する。光電変換層11r、11g、11bにおける電荷蓄積領域は、例えば、第1導電型と反対導電型である第2導電型例えば、N型の不純物を、半導体基板10のウエル領域12内に、ウエル領域12における第1導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で注入することにより形成する。半導体基板10を覆う層間絶縁膜を、CVD法などにより、例えばSiO2を堆積して形成する。そして、層間絶縁膜の上に配線パターンをスパッタ法及びリソグラフィ法などにより例えば金属で形成し、層間絶縁膜及び配線パターンを覆う層間絶縁膜をCVD法により例えばSiO2で形成する処理を繰り返し行う。これにより、多層配線構造30r、30g、30bを形成する。図3bに示す工程では、多層配線構造30r、30g、30bの上に、多層干渉フィルター20r、20g、20bの積層構造29r、29g、29bの下面に接すべき第3の層26r、26g、26bを同時に堆積して形成する。第3の層26r、26g、26bは、CVD法などにより、例えば、シリコン窒化物を主成分とする材料で形成する。第3の層26r、26g、26bは、例えば、その光学的膜厚=1/4×λfが100nm~200nm程度になるような膜厚で形成する。例えば、材料例えば、SiNの屈折率をn3とし、反射すべき中心波長をλfとしたとき、第3の層26r、26g、26bは、数式1を満たす膜厚d3で形成する。n3×d3=1/4×λf数式1例えば、n3=2.0、λf=900nmを数式1に代入すると、d3=112nmになる。例えば、n3=2.0、λf=800nmを数式1に代入すると、d3=100nmになる。例えば、n3=2.0、λf=700nmを数式1に代入すると、d3=88nmになる。例えば、n3=2.0、λf=600nmを数式1に代入すると、d3=75nmになる。そして、積層構造29r、29g、29bの下部となるべき下部積層構造25r、25g、25bを形成する。具体的には、第2の層22r-1、22g-1、22b-1を同時に堆積し、第1の層21r-1、21g-1、21b-1を同時に堆積し、第2の層22r-2、22g-2、22b-2を同時に堆積し、第1の層21r-2、21g-2、21b-2を同時に堆積する処理を順に行って形成する。各第1の層21r-1~21b-2は、スパッタ法などにより、例えば、チタン酸化物TiO2を主成分とする材料で形成する。各第2の層22r-1~22b-2は、CVD法などにより、例えば、シリコン酸化物SiO2を主成分とする材料で形成する。第2の層22r-1、22g-1、22b-1は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4程度になるような膜厚例えば、80nm~90nm程度で形成する。例えば、材料例えば、SiO2の屈折率をn2とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第2の層22r-1、22g-1、22b-1は、数式2を満たす膜厚d2で形成する。n2×d2=1/4×λ数式2例えば、n2=1.46、λ=550nmを数式2に代入すると、d2=94nmになる。第1の層21r-1、21g-1、21b-1は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4程度になるような膜厚例えば、50nm~60nm程度で形成する。例えば、材料例えば、TiO2の屈折率をn1とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第1の層21r-1、21g-1、21b-1は、数式3を満たす膜厚d1で形成する。n1×d1=1/4×λ数式3例えば、n1=2.5、λ=550nmを数式3に代入すると、d1=55nmになる。第2の層22r-2、22g-2、22b-2は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4程度になるような膜厚例えば、80nm~90nm程度で形成する。例えば、材料例えば、SiO2の屈折率をn2とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第2の層22r-2、22g-2、22b-2は、数式2を満たす膜厚d2で形成する。第1の層21r-1、21g-1、21b-1は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4より薄くなるような膜厚例えば、30~45nm程度で形成する。例えば、材料例えば、TiO2の屈折率をn1とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第1の層21r-2、21g-2、21b-2は、数式3を満たす膜厚d1より薄い膜厚で形成する。これにより、第2の層22r-1、第1の層21r-1、第2の層22r-2、及び第1の層21r-2が順に積層された下部積層構造25rが形成される。第2の層22g-1、第1の層21g-1、第2の層22g-2、及び第1の層21g-2が順に積層された下部積層構造25gが形成される。第2の層22b-1、第1の層21b-1、第2の層22b-2、及び第1の層21b-2が順に積層された下部積層構造25bが形成される。図3cに示す工程では、CVD法などにより、第1の層21r-1、21g-1、21b-1の上に、干渉層23r、23gとなるべき層23iを形成する。この層23iは、赤色の波長帯に対応した膜厚例えば、85nmで形成する。リソグラフィー法により、層23iにおける光電変換層11rの上方に対応した部分干渉層23rを覆うレジストパターンRP1を形成する。このとき、層23iにおける光電変換層11g、11bの上方に対応した部分23iaは露出されている。図4aに示す工程では、ドライエッチング法により、レジストパターンRP1をマスクとして層23i1における光電変換層11g、11bの上方に対応した部分23ia1を緑色の波長帯に対応した膜厚例えば、35nmまでエッチングハーフエッチングして薄膜化する。これにより、層23i1において、光電変換層11gに対応した部分に干渉層23gが形成される。その後、レジストパターンRP1を除去する。図4bに示す工程では、リソグラフィー法により、層23i1における光電変換層11r、11gの上方に対応した部分干渉層23r及び干渉層23gを覆うレジストパターンRP2を形成する。このとき、層23i1における光電変換層11bの上方に対応した部分23ib1は露出されている。図5aに示す工程では、ドライエッチング法により、レジストパターンRP2をマスクとして層23i1における光電変換層11bの上方に対応した部分23ib1をエッチングして除去する。これにより、層23i2において、干渉層23r及び干渉層23gを残しながら、光電変換層11bに対応した部分に膜厚が0nmの仮想的な干渉層23bが形成される。その後、レジストパターンRP2を除去する。図5bに示す工程では、多層干渉フィルター20r、20g、20bにおける積層構造29r、29g、29bの上部となるべき上部積層構造24r、24g、24bを形成する。具体的には、第1の層21r-3、21g-3、21b-3を同時に堆積し、第2の層22r-3、22g-3、22b-3を同時に堆積し、第1の層21r-4、21g-4、21b-4を同時に堆積し、第2の層22r-4、22g-4、22b-4を同時に堆積する処理を順に行って形成する。各第1の層21r-3~21b-4は、スパッタ法などにより、例えば、酸化チタンTiO2で形成する。各第2の層22r-3~22b-4は、CVD法などにより、例えば、シリコン酸化物SiO2を主成分とする材料で形成する。第1の層21r-3、21g-3、21b-3は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4より薄くなるような膜厚例えば、30~45nm程度で形成する。例えば、材料例えば、TiO2の屈折率をn1とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第1の層21r-2、21g-2、21b-2は、数式3を満たす膜厚d1より薄い膜厚例えば、55nmより薄い膜厚で形成する。第2の層22r-3、22g-3、22b-3は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4程度になるような膜厚例えば、80nm~90nm程度で形成する。例えば、材料例えば、SiO2の屈折率をn2とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第2の層22r-3、22g-3、22b-3は、数式2を満たす膜厚d2例えば、d2=94nmで形成する。第1の層21r-4、21g-4、21b-4は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4程度になるような膜厚例えば、50nm~60nm程度で形成する。例えば、材料例えば、TiO2の屈折率をn1とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第1の層21r-4、21g-4、21b-4は、数式3を満たす膜厚d1例えば、d1=55nmで形成する。第2の層22r-4、22g-4、22b-4は、例えば、その光学的膜厚が多層干渉フィルターの中心波長例えば、550nmの1/4程度になるような膜厚例えば、80nm~90nm程度で形成する。例えば、材料例えば、SiO2の屈折率をn2とし、多層干渉フィルターの中心波長をλとしたとき、第2の層22r-4、22g-4、22b-4は、数式2を満たす膜厚d2例えば、d2=94nmで形成する。これにより、第1の層21r-3、第2の層22r-3、第1の層21r-4、及び第2の層22r-4が順に積層された上部積層構造24rが干渉層23rの上に形成される。すなわち、第3の層26r及び積層構造29rを有する多層干渉フィルター20rが形成される図1参照。第1の層21g-3、第2の層22g-3、第1の層21g-4、及び第2の層22g-4が順に積層された上部積層構造24gが干渉層23gの上に形成される。すなわち、第3の層26g及び積層構造29gを有する多層干渉フィルター20gが形成される図1参照。第1の層21b-3、第2の層22b-3、第1の層21b-4、及び第2の層22b-4が順に積層された上部積層構造24bが第1の層21b-2の上に膜厚が0nmの仮想的な干渉層23bの上に形成される。すなわち、第3の層26b及び積層構造29bを有する多層干渉フィルター20bが形成される図1参照。図1に示す工程では、多層干渉フィルター20r、20g、20bを覆う膜を例えば所定の樹脂又は酸化膜例えば、SiO2を堆積して形成し、形成された膜の表面をCMP法により平坦化する。これにより、平坦な表面を有する平坦化層40r、40g、40bが形成される。そして、平坦化層40r、40g、40bの上に、マイクロレンズ50r、50g、50bを例えば、所定の樹脂で形成する。このようにして、第1の層と第2の層とが繰り返し積層された積層構造の下面に第3の層が下側から接する構造を有する多層干渉フィルター20r、20g、20bを備えた固体撮像装置1が形成される。ここで、仮に、図15aに示すように、固体撮像装置に備えられた多層干渉フィルター920が第3の層26図2a参照を有しない場合について考える。この場合、長波長側のクロストーク混色成分の光が下に透過してしまう傾向にある。例えば、図15bの領域R901、R902に示されるように、長波長側例えば、600nm~800nmのクロストーク混色が高くなる傾向にある。それに対して、第1の実施形態では、固体撮像装置1に備えられた多層干渉フィルター20が第3の層26を有する。すなわち、図2aに示すように、多層干渉フィルター20において、第3の層26が積層構造29の下面291に下側から接している。このとき、積層構造29の最下層が第2の層22-1であり、第3の層26の屈折率n3が第2の層22-1の屈折率n2より高い。これにより、入射した光のうちクロストーク混色成分を積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。この結果、図2bの領域R1、R2に示されるように、長波長側例えば、600nm~800nm程度のクロストーク混色を容易に低減できる。すなわち、クロストーク混色を改善できる。また、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26図2a参照は、光学的膜厚が225nm以下である。この場合、900nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。あるいは、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26の光学的膜厚が200nm以下である。この場合、800nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。あるいは、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26の光学的膜厚が175nm以下である。この場合、700nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。あるいは、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26の光学的膜厚が150nmである。この場合、600nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。また、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26がシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、第3の層26の膜厚は、112nm以下である。この場合、900nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。あるいは、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26がシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、第3の層26の膜厚が100nm以下である。この場合、800nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。あるいは、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26がシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、第3の層26の膜厚が88nm以下である。この場合、700nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。あるいは、第1の実施形態では、例えば、多層干渉フィルター20における第3の層26がシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、第3の層26の膜厚が75nm以下である。この場合、600nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29と第3の層26との界面で選択的に反射させて除去することができる。これにより、長波長側例えば、600nm~900nmのクロストーク混色を容易に低減できる。また、第1の実施形態では、第2の層の屈折率n2が第1の層の屈折率n1より低く、第3の層の屈折率n3が、第1の層の屈折率n1より低く、第2の層の屈折率n2より高い。これにより、第3の層として上記のように厚く形成することが容易なシリコン窒化物の膜を用いることができる。また、第1の実施形態では、上部積層構造と下部積層構造とは、両者における複数の第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4のうち2つの第1の層21r-2、21r-3の膜厚例えば、20nm-45nmが残りの第1の層21r-1、21r-4の膜厚例えば、50nm-60nmより薄くなっている。このとき、2つの第1の層21r-2、21r-3の膜厚が例えば均等である。すなわち、上部積層構造と下部積層構造とは、上部積層構造と下部積層構造との界面に対して互いに対称な構造を有している。この構成において、干渉層23の厚さを例えば0nm、35nm、85nmにすると、それぞれ、図2bに示すように、多層干渉フィルター20の分光透過率の1次のピークが青色B、緑色G、赤色Rの波長帯域に現れる。すなわち、干渉層23を設けなかった場合仮想的に厚さを0nmにした場合、多層干渉フィルター20の分光透過率の1次のピークが青色Bの波長帯域に現れる。このように、中心波長より短波長側に分光透過率のピークを持たせようとした場合、分光透過率のピークとして、1次のピークを用いることができるため、透過率のスペクトル幅を広くできる。これにより、固体撮像装置1において、中心波長より短波長側の色例えば、青色の多層干渉フィルターに対応した光電変換層は、要求される感度に対して十分な量の光を受光でき、感度を向上できる。すなわち、中心波長より短波長側の色例えば、青色の多層干渉フィルターに対応した光電変換層の感度を向上できる。なお、各多層干渉フィルター20における第3の層26の材料は、積層構造29の最下層、すなわち第2の層22-1例えば、SiO2より屈折率が高く比較的厚めに容易に成膜できる膜材であれば、なんでもよく、例えばHfOでもよい。また、各多層干渉フィルター20の積層構造29図2a参照において、上部積層構造と下部積層構造とは、上部積層構造と下部積層構造との界面に対して互いに非対称な構造を有していてもよい。例えば、各多層干渉フィルター20の積層構造29において、上部積層構造と下部積層構造とは、両者における複数の第1の層21-1、21-2、21-3、21-4のうち2以上の第1の層が残りの第1の層より薄くなっていてもよい。例えば、膜厚は、上部積層構造における最下の第1の層21-3の膜厚<下部積層構造における最上の第1の層21-2の膜厚<上部積層構造及び下部積層構造の両者における残りの各第1の層21-1、21-4の膜厚であってもよい。あるいは、例えば、膜厚は、下部積層構造における最上の第1の層21-2の膜厚<上部積層構造における最下の第1の層21-3の膜厚<上部積層構造及び下部積層構造の両者における残りの各第1の層21-1、21-4の膜厚であってもよい。あるいは、例えば、各多層干渉フィルター20の積層構造29において、上部積層構造と下部積層構造とは、両者における複数の第1の層21-1、21-2、21-3、21-4のうち1つの第1の層21r-3の膜厚例えば、20nm-45nmが残りの第1の層21-1、21-2、21-4の膜厚例えば、50nm-60nmより薄くなっていてもよい。この構成においても、干渉層23の厚さを例えば0nm、35nm、85nmにすると、それぞれ、図2bに示すように、多層干渉フィルター20の分光透過率の1次のピークが青色B、緑色G、赤色Rの波長帯域に現れる。すなわち、干渉層23を設けなかった場合仮想的に厚さを0nmにした場合、多層干渉フィルター20の分光透過率の1次のピークが青色Bの波長帯域に現れる。このように、中心波長より短波長側に分光透過率のピークを持たせようとした場合、分光透過率のピークとして、1次のピークを用いることができるため、透過率のスペクトル幅を広くできる。これにより、固体撮像装置1において、中心波長より短波長側の色例えば、青色の多層干渉フィルターに対応した光電変換層は、要求される感度に対して十分な量の光を受光でき、感度を向上できる。すなわち、中心波長より短波長側の色例えば、青色の多層干渉フィルターに対応した光電変換層の感度を向上できる。あるいは、例えば、各多層干渉フィルター20の積層構造29において、上部積層構造と下部積層構造とは、両者における複数の第1の層21-1、21-2、21-3、21-4のうち1つの第1の層21r-2の膜厚例えば、20nm-45nmが残りの第1の層21-1、21-3、21-4の膜厚例えば、50nm-60nmより薄くなっていてもよい。この構成においても、干渉層23の厚さを例えば0nm、35nm、85nmにすると、それぞれ、図2bに示すように、多層干渉フィルター20の分光透過率の1次のピークが青色B、緑色G、赤色Rの波長帯域に現れる。すなわち、干渉層23を設けなかった場合仮想的に厚さを0nmにした場合、多層干渉フィルター20の分光透過率の1次のピークが青色Bの波長帯域に現れる。このように、中心波長より短波長側に分光透過率のピークを持たせようとした場合、分光透過率のピークとして、1次のピークを用いることができるため、透過率のスペクトル幅を広くできる。これにより、固体撮像装置1において、中心波長より短波長側の色例えば、青色の多層干渉フィルターに対応した光電変換層は、要求される感度に対して十分な量の光を受光でき、感度を向上できる。すなわち、中心波長より短波長側の色例えば、青色の多層干渉フィルターに対応した光電変換層の感度を向上できる。また、第1の実施形態では、表面照射型の固体撮像装置について例示的に説明したが、第1の実施形態の考え方は、裏面照射型の固体撮像装置の場合も適用可能である。この場合、図3a以降の工程の後に、半導体基板10の裏面を研磨した後、研磨された裏面に対して、図3b以降の工程で形成されるものと同様の層を形成することで、例えば、図6に示すような裏面照射型の固体撮像装置1iを得ることができる。第2の実施形態次に、第2の実施形態にかかる固体撮像装置100について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第1の実施形態では、長波長のスペクトルについて赤外側赤外あるいは近赤外付近までクロストークを低減するために、赤色R、緑色G、青色Bの多層干渉フィルター20r、20g、20bにおいて例えば均等な膜厚で第3の層26r、26g、26bを設けている。一方、第2の実施形態では、赤色側では赤外カットをしなくてもよい場合を考慮して、赤色Rの多層干渉フィルター120rにおいて第3の層26r図1参照を設けない。具体的には、図7に示すように、固体撮像装置100において、赤色Rの多層干渉フィルター120rは、第3の層26r図1参照に代えて第4の層127rを有する。第4の層127rは、積層構造29rの下面29r1に下側から接している。すなわち、積層構造29rの最下層が第2の層22r-1であり、第4の層127rは、第2の層22r-1の下面に接している。第4の層127rは、例えば、シリコン酸化物SiO2を主成分とする材料で形成されており、第4の屈折率n4例えば、1.46を有する。第4の屈折率n4は、第1の屈折率n1と異なるとともに、第2の屈折率n2と均等である。これにより、積層構造29rを透過した赤色Rの波長帯域の光を下側へそのまま透過させることができる。すなわち、固体撮像装置100では、緑色Gの多層干渉フィルター20g及び青色Bの多層干渉フィルター20bにおける積層構造29g、29bの最下層第2の層、例えば、SiO2より屈折率の高い第3の層26g、26bと、赤色Rの多層干渉フィルター120rにおける積層構造29rの最下層第2の層、例えば、SiO2に対して屈折率の均等な第4の層127rとを、例えば互に均等な膜厚で設ける。また、固体撮像装置100の製造方法が、図8に示すように、次の点で第1の実施形態と異なる。すなわち、図3aに示す工程を行った後、図8aに示す工程を行う。図8aに示す工程では、多層配線構造30r、30g、30bの上に、第3の層26g、26bとなるべき層26iを堆積して形成する。リソグラフィー法により、層26iにおける光電変換層11g、11bの上方に対応した部分第3の層26g、26bを覆うレジストパターンRP3を形成する。このとき、層26iにおける光電変換層11rの上方に対応した部分26iaは露出されている。図8bに示す工程では、ドライエッチング法により、レジストパターンRP3をマスクとして層26i1における光電変換層11rの上方に対応した部分26iaをエッチングして除去する。その後、レジストパターンRP3を除去する。図8cに示す工程では、第4の層127rとなるべき層127riを、層26i1及び多層配線構造30rを覆うように形成する。そして、層26i1の表面が露出するまで平坦化して第4の層127rを形成する。そして、図3bに示す工程と同様にして、下部積層構造25r、25g、25bの各層を形成する。その後、図3c以降の工程を行う。以上のように、第2の実施形態によれば、緑色Gの多層干渉フィルター20g及び青色Bの多層干渉フィルター20bについて長波長側例えば、600nm~800nm程度のクロストーク混色を容易に低減できるとともに、赤色Rの多層干渉フィルター120rについて赤色Rの波長帯域の光を効率的に透過できる。第3の実施形態次に、第3の実施形態にかかる固体撮像装置200について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第1の実施形態では、赤色R、緑色G、青色Bの多層干渉フィルター20r、20g、20bにおいて例えば均等な膜厚で第3の層26r、26g、26bを設けている。一方、第2の実施形態では、赤色Rの多層干渉フィルター220rの第3の層226rの膜厚を、緑色G、青色Bの多層干渉フィルター20g、20bの第3の層26g、26bの膜厚より薄くする。具体的には、図9に示すように、固体撮像装置200において、赤色Rの多層干渉フィルター220rは、第3の層26r図1参照に代えて第4の層227r及び第3の層226rを有する。第4の層227rは、積層構造29rの下面29r1に下側から接している。すなわち、積層構造29rの最下層が第2の層22r-1であり、第4の層227rは、第2の層22r-1の下面に接している。第4の層227rは、例えば、シリコン酸化物SiO2を主成分とする材料で形成されており、第4の屈折率n4例えば、1.46を有する。第4の屈折率n4は、第1の屈折率n1と異なるとともに、第2の屈折率n2と均等である。これにより、積層構造29rを透過した赤色Rの波長帯域の光を第3の層226r側へそのまま透過させることができる。第3の層226rは、第4の層227rの下面227r1に下側から接している。第3の層226rは、例えば、シリコン窒化物SiNを主成分とする材料で形成されており、第3の屈折率n3例えば、2.0を有する。第3の屈折率n3は、第4の屈折率n2より高い。これにより、入射した光のうち混色成分、すなわち短波長側400~500nmのクロストーク成分を第4の層227rと第3の層226rとの界面で選択的に反射させて除去することができる。ここで、赤色Rの多層干渉フィルター220rにおける第3の層226rの光学的膜厚は、100nm以上125nm以下であることが好ましく、100nm以上117nm以下であることがさらに好ましい。例えば、第3の層226rの光学的膜厚が125nm以下である場合例えば、第3の層226rがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が62nm以下である場合、500nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、第4の層227rと第3の層226rとの界面で選択的に反射させて除去することができる。例えば、第3の層226rの光学的膜厚が117nm以下である場合例えば、第3の層226rがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が58nm以下である場合、470nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、第4の層227rと第3の層226rとの界面で選択的に反射させて除去することができる。仮に、赤色Rの多層干渉フィルター220rにおける第3の層226rの光学的膜厚が100nmより小さいと、反射すべき中心波長が短くなりすぎて、短波長側400~500nmのクロストークを低減することが困難になる。あるいは、仮に、赤色Rの多層干渉フィルター220rにおける第3の層226rの光学的膜厚が125nmより大きいと、反射すべき中心波長が長くなりすぎて、短波長側400~500nmのクロストークを低減することが困難になる。また、固体撮像装置200の製造方法が、図10に示すように、次の点で第1の実施形態と異なる。すなわち、図3aに示す工程を行った後、図10aに示す工程を行う。図10aに示す工程では、多層配線構造30r、30g、30bの上に、第3の層26g、26bとなるべき層26iを堆積して形成する。リソグラフィー法により、層26iにおける光電変換層11g、11bの上方に対応した部分第3の層26g、26bを覆うレジストパターンRP3を形成する。このとき、層26iにおける光電変換層11rの上方に対応した部分26iaは露出されている。図10bに示す工程では、レジストパターンRP3をマスクとして層26i2における光電変換層11rの上方に対応した部分26ia図10a参照を、例えば100nm以上125nm以下の光学的膜厚に相当する膜厚例えば、50~62nm程度までエッチングハーフエッチングして薄膜化する。これにより、第3の層226rが形成される。その後、レジストパターンRP3を除去する。図10cに示す工程では、第4の層227rとなるべき層227riを、層26i2及び第3の層226rを覆うように形成する。そして、層26i2の表面が露出するまで平坦化する。そして、図3bに示す工程と同様にして、下部積層構造25r、25g、25bの各層を形成する。その後、図3c以降の工程を行う。以上のように、第3の実施形態によれば、緑色Gの多層干渉フィルター20g及び青色Bの多層干渉フィルター20bについて長波長側例えば、600nm~800nm程度のクロストーク混色を容易に低減できるとともに、赤色Rの多層干渉フィルター220rについて短波長側400~500nmのクロストーク混色を容易に低減できる。第4の実施形態次に、第4の実施形態にかかる固体撮像装置300について説明する。以下では、第3の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第3の実施形態では、赤色Rの多層干渉フィルター20rについて短波長側400~500nmのクロストーク混色を低減することを目指しているが、第4の実施形態では、さらに、緑色Gの多層干渉フィルター320gについても短波長側400~500nmのクロストーク混色を低減することを目指す。具体的には、図11に示すように、固体撮像装置200において、緑色Gの多層干渉フィルター320gは、第5の層328gをさらに有する。第5の層328gは、積層構造29gの上面29g2に上側から接している。すなわち、積層構造29gの最上層が第2の層22g-4であり、第5の層328gは、第2の層22g-4の上面に接している。第5の層328gは、例えば、シリコン窒化物SiNを主成分とする材料で形成されており、第5の屈折率n5例えば、2.0を有する。第5の屈折率n5は、第1の屈折率n1と異なるとともに、第2の屈折率n2より高い。例えば、第2の屈折率n2が第1の屈折率n1より低い場合、第5の屈折率n5例えば、2.0は、第1の屈折率n1例えば、2.5より低く、第2の屈折率n2例えば、1.46より高くてもよい。これにより、入射した光のうち混色成分、すなわち短波長側400~500nmのクロストーク成分を第5の層328gと積層構造29gとの界面で選択的に反射させて除去することができる。ここで、緑色Gの多層干渉フィルター320gにおける第5の層328gの光学的膜厚は、100nm以上125nm以下であることが好ましく、100nm以上117nm以下であることがさらに好ましい。例えば、第5の層328gの光学的膜厚が125nm以下である場合例えば、第5の層328gがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が62nm以下である場合、500nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、第5の層328gと積層構造29gとの界面で選択的に反射させて除去することができる。例えば、第3の層226rの光学的膜厚が117nm以下である場合例えば、第5の層328gがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が58nm以下である場合、470nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、第5の層328gと積層構造29gとの界面で選択的に反射させて除去することができる。仮に、緑色Gの多層干渉フィルター320gにおける第5の層328gの光学的膜厚が100nmより小さいと、反射すべき中心波長が短くなりすぎて、短波長側400~500nmのクロストークを低減することが困難になる。あるいは、仮に、緑色Gの多層干渉フィルター320gにおける第5の層328gの光学的膜厚が125nmより大きいと、反射すべき中心波長が長くなりすぎて、短波長側400~500nmのクロストークを低減することが困難になる。また、固体撮像装置300の製造方法が、図12に示すように、次の点で第1の実施形態と異なる。すなわち、図5bに示す工程を行った後、図12aに示す工程を行う。図12aに示す工程では、積層構造29r、29g、29b図1参照の上に、第5の層328gとなるべき層328giを堆積して形成する。図12bに示す工程では、リソグラフィー法により、層328giにおける光電変換層11gの上方に対応した部分を覆うレジストパターンRP4を形成する。このとき、層328giにおける光電変換層11r、11bの上方に対応した部分は露出されている。図12cに示す工程では、レジストパターンRP4をマスクとして層328giにおける光電変換層11r、11bの上方に対応した部分をエッチングして除去する。これにより、第5の層328gが形成される。その後、レジストパターンRP4を除去する。以上のように、第4の実施形態によれば、緑色Gの多層干渉フィルター320g及び青色Bの多層干渉フィルター20bについて長波長側例えば、600nm~800nm程度のクロストーク混色を容易に低減できるとともに、赤色Rの多層干渉フィルター20r及び緑色Gの多層干渉フィルター320gについて短波長側400~500nmのクロストーク混色を容易に低減できる。第5の実施形態次に、第5の実施形態にかかる固体撮像装置400について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第1の実施形態では、赤色R、緑色G、青色Bの多層干渉フィルター20r、20g、20bにおいて例えば均等な膜厚で第3の層26r、26g、26bを設けている。一方、第5の実施形態では、赤色Rの多層干渉フィルター420rの第3の層426rの膜厚を、緑色G、青色Bの多層干渉フィルター20g、20bの第3の層26g、26bの膜厚より薄くする。具体的には、図13に示すように、固体撮像装置400において、赤色Rの多層干渉フィルター420rは、第3の層26r図1参照に代えて第3の層426r及び第4の層427rを有する。第3の層426rは、積層構造29rの下面29r1に下側から接している。すなわち、積層構造29rの最下層が第2の層22r-1であり、第3の層426rは、第2の層22r-1の下面に接している。第3の層426rは、例えば、シリコン窒化物SiNを主成分とする材料で形成されており、第3の屈折率n3例えば、2.0を有する。第3の屈折率n3は、第2の屈折率n2より高い。これにより、入射した光のうち混色成分、すなわち短波長側400~500nmのクロストーク成分を積層構造29rと第3の層426rとの界面で選択的に反射させて除去することができる。第4の層427rは、第3の層426rの下に配されている。第3の層426rの膜厚と第4の層427rの膜厚との合計は、例えば、第3の層26gの膜厚と均等であり、例えば、第3の層26bの膜厚と均等である。これにより、第3の層426rの上面の高さを第3の層26g、26bの上面の高さにそろえることができる。ここで、赤色Rの多層干渉フィルター420rにおける第3の層426rの光学的膜厚は、100nm以上125nm以下であることが好ましく、100nm以上117nm以下であることがさらに好ましい。例えば、第3の層426rの光学的膜厚が125nm以下である場合例えば、第3の層426rがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が62nm以下である場合、500nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29rと第3の層426rとの界面で選択的に反射させて除去することができる。例えば、第3の層426rの光学的膜厚が117nm以下である場合例えば、第3の層426rがシリコン窒化物を主成分とする材料で形成され、膜厚が58nm以下である場合、470nm以下を中心波長とする波長帯域の光を、積層構造29rと第3の層426rとの界面で選択的に反射させて除去することができる。仮に、赤色Rの多層干渉フィルター420rにおける第3の層426rの光学的膜厚が100nmより小さいと、反射すべき中心波長が短くなりすぎて、短波長側400~500nmのクロストークを低減することが困難になる。あるいは、仮に、赤色Rの多層干渉フィルター420rにおける第3の層426rの光学的膜厚が125nmより大きいと、反射すべき中心波長が長くなりすぎて、短波長側400~500nmのクロストークを低減することが困難になる。また、固体撮像装置400の製造方法が、図14に示すように、次の点で第1の実施形態と異なる。すなわち、図3aに示す工程を行った後、図14aに示すように、図8a~cに示す工程と同様にして、層26i3の表面が露出するまで平坦化して第4の層427rを形成する。このとき、層26i3の膜厚は、第3の層26g、26bの目標膜厚に対して、後に形成すべき第3の層426rの膜厚に相当する分、薄くしておく。図14bに示す工程では、第4の層427r及び層26i3の上に、第3の層426rとなるべき層426を堆積して形成する。これにより、光電変換層11r、11g、11bの上方に、それぞれ、第3の層426r、26g、26bが形成される。図14cに示す工程では、図3bに示す工程と同様にして、下部積層構造25r、25g、25bの各層を形成する。その後、図3c以降の工程を行う。以上のように、第5の実施形態によれば、緑色Gの多層干渉フィルター20g及び青色Bの多層干渉フィルター20bについて長波長側例えば、600nm~800nm程度のクロストーク混色を容易に低減できるとともに、赤色Rの多層干渉フィルター420rについて短波長側400~500nmのクロストーク混色を容易に低減できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。