凍結乾燥処理の間の脱水工程の制御装置であって、-減圧ラインに接続される凍結乾燥筐体1と、-前記凍結乾燥筐体1に含まれるガスを分析するガス分析装置とが組み込まれ、前記ガス分析装置は、-前記ガスからプラズマを発生させるのに適応される発生器15が結合され、前記ガスと接触するプラズマ源13を有するガスイオン化システム8と、-前記プラズマの発生領域に近接して配置され、前記プラズマから放出される放射スペクトルの変化を分析する機器18に接続される放射センサ17を有し、イオン化された前記ガスを分析するガス分析システムとを備え、前記ガス分析装置は、前記プラズマ源13を繰り返し駆動および停止させる手段16を含むことを特徴とする脱水工程の制御装置。前記繰り返し駆動および停止させる手段16は、前記発生器15を駆動または停止させるようになっていることを特徴とする請求項1記載の脱水工程の制御装置。前記繰り返し駆動および停止させる手段16は、前記プラズマを発生する前記ガスの流量または圧力の変更に適応していることを特徴とする請求項1記載の脱水工程の制御装置。さらに、前記ガスイオン化システム8と前記凍結乾燥筐体1との間に配置される光学ゲート25を備えていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の脱水工程の制御装置。前記光学ゲート25は、クイック継手20の中に挿入された金属部品であることを特徴とする請求項4記載の脱水工程の制御装置。前記プラズマは、誘導結合により生成されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の脱水工程の制御装置。筐体1内での凍結乾燥処理の間の脱水工程の制御方法において、前記筐体1内に存在するガスが、プラズマ源13を有するガスイオン化システムによりイオン化される間、前記プラズマ源13が駆動されている状態と、前記プラズマ源13が停止されている状態とを選択することを特徴とする凍結乾燥処理における脱水工程の制御方法。前記プラズマ源13が駆動されている前記状態と、前記プラズマ源13が停止されている前記状態とは、周期的に連続していることを特徴とする請求項7記載の脱水工程の制御方法。前記プラズマ源13が停止されている状態の期間は、2~40分であることを特徴とする請求項7または8記載の脱水工程の制御方法。前記プラズマ源13が駆動されている状態の期間は、1~60秒であることを特徴とする請求項7~9のいずれか1項に記載の脱水工程の制御方法。前記プラズマ源13が駆動されている状態の期間は、5~30秒であることを特徴とする請求項10記載の脱水工程の制御方法。前記プラズマ源13の駆動または停止は、前記プラズマ源13の高周波発生器15の監視装置により制御されることを特徴とする請求項7~11のいずれか1項に記載の脱水工程の制御方法。しかしながら、凍結乾燥処理が施される基質の不活性化が見られる。この不活性化は、特に、ビタミンC、蔗糖、一定の酵素グルタミン酸脱水素酵素、乳酸脱水素酵素、リンゴ酸脱水素酵素等のような薬剤の基質のタイプで観察される。一度脱水された基質の触媒能力の低下は、反応速度の減少を導く劣化した酵素構造につながる。この活性の喪失は、基質の効力を最小とし、末端での使用に対する基質の品質を低下させる。薬剤の基質では、活性素の濃度は非常に低く、残りは添加物である。結局、基質のこの不活性化は、患者に使用されるときの薬品の活性に大きな影響を与える。本発明の目的は、従来技術の欠点を解消した凍結乾燥処理の間の脱水工程の制御装置を提案することにある。特に、本発明は、脱水後に保存される基質を活性させることができる制御装置を提案するものである。本発明の他の目的は、不活性化を最小にし、より多くの活性部分を維持した基質を生成する凍結乾燥処理の間の脱水工程の制御方法を提案することにある。本発明は、凍結乾燥処理の間の脱水工程の制御装置において、-減圧ラインに接続される凍結乾燥筐体と、-前記凍結乾燥筐体に含まれるガスを分析するガス分析装置とが組み込まれ、ガス分析装置は、-前記ガスからプラズマを発生させるようになっている発生器が結合され、前記ガスと接触するプラズマ源を有するガスイオン化システムと、-前記プラズマの発生領域に近接して配置され、前記プラズマから放出される放射スペクトルの変化を分析する機器に接続される放射センサを有し、イオン化された前記ガスを分析するガス分析システムとを備えている。本発明によれば、前記ガス分析装置は、さらに、前記プラズマ源を、繰り返し駆動したり停止させたりする手段を含んでいる。脱水工程の制御装置はその特徴として、次の要件の中の1つ、または、その組み合わせを備えている。-繰り返し駆動手段および停止させる手段は、前記発生器の駆動または停止に適応する。-前記繰り返し駆動したり停止させたりする手段は、前記プラズマを発生するガスの流量または圧力の変更に適応している。-光学ゲートは、前記ガスイオン化システムと前記凍結乾燥筐体との間に配置されている。-前記光学ゲートは、クイック継手の中に挿入されている金属部品である。-前記プラズマは、誘導結合により生成される。凍結乾燥処理の間に放出され、前記プラズマ源によりイオン化された水分水蒸気の分子は、酸化遊離基を生成する。これらの酸化遊離基の一部は、前記凍結乾燥筐体に浸入し、脱水される基質と反応して、その構造を劣化させ、活性を低下させることがある。酸化遊離基が、長期間連続して生成されるために、酸化遊離基の前記筐体内の濃度が非常に高くなり、製剤の基質に接触しやすくなる。酸化遊離基が製剤の基質に接触すると、製剤の基質と化学反応を起こし、酸化および不活性化が引き起こされる可能性がある。従って、本発明は、前記プラズマ源が駆動される期間を減少させることにより、酸化遊離基の生成を抑制するという利点を有する。さらに、前記光学ゲートの存在により、酸化遊離基が生成されたとしても、大半の酸化遊離基が、脱水されるべき製剤の基質に接触することが阻止される。また、本発明は、筐体内での凍結乾燥処理の間の脱水工程の制御方法において、前記筐体内に存在するガスが、プラズマ源を有するガスイオン化システムにより分析されることを提案する。さらに本発明の方法は、前記プラズマ源が駆動されている状態と、前記プラズマ源が停止されている状態とを変化させるようになっている。脱水工程の制御方法の特徴として、以下の1つ、または、その組み合わせを備えている。-前記プラズマ源が駆動されている状態と、プラズマ源が停止されている状態とは、周期的に連続する。-前記プラズマ源が停止されている状態の期間は、2~40分である。-前記プラズマ源が駆動されている状態の期間は、1~60秒である。-前記駆動されている状態の期間は、5~30秒である。-前記プラズマ源は、手動により駆動および停止されられる。-前記プラズマ源の駆動または停止は、プラズマ源の高周波発生器の監視装置により制御される。従って、本発明は、凍結乾燥筐体内の酸化遊離基の濃度を最小とし、それにより、脱水される基質の不活性化を制限するという利点を有する。本発明の他の特徴および利点は、添付の図面、および限定されない実施形態に関する以下の説明から明らかとなると思う。図1に示す本発明の実施形態では、装置は、脱水される基質2が入れられた真空筐体15.103~3mbarを備え、その中で凍結乾燥処理が実施される。筐体1は、例えば、積層板の中に組み込まれた熱源3を有し、水蒸気回収トラップ4、主真空ポンプ5および調整弁7が装着された窒素供給パイプ6が接続されている。また、装置は、ステンレス鋼ISO2852のクイック継手11を介して、弁10および筐体1の内部に直接連通する開口端を有する、石英管9により、筐体1の上部に接続されているガスイオン化システム8を備えるガス分析装置を備えている。石英管9の閉塞端12には、石英、光学ガラスまたはサファイアが設けられ、好ましくは、光を十分に集光することのできる非球面レンズが設けられている。凍結乾燥筐体1に直接接触しているガス分析装置の全ての要素8、9、10、11、12は、SIPSterilizationInPlace:定所滅菌サイクルにより滅菌される。ガスイオン化システム8では、石英管9の外側に巻回された誘導コイル14、または、励起アンテナの位置に設定された領域で減圧<3mbarされた石英管9の中でプラズマが発生する。この領域は、電離箱を構成している。電離箱およびそれを囲む誘導コイル14は、プラズマ源13を構成している。誘導コイル14は、プラズマ源13を停止させ、次いで、駆動させることを繰り返すことのできる反復ON/OFF切換手段16が連結された440MHz4WICPRFタイプの高周波発生器15によって励磁される。プラズマから放出された光は、光ファイバとすることができるセンサ17により、石英管9の閉塞端12で検出される。次いで、この光は、例えば、光ファイバにより、光学放射分光計18に伝達され、そこで分析される。情報は、光学放射分光計18に接続されているコンピュータ19に記憶させて処理することができる。放出された光は、プラズマの中に存在する物質を特定し、かつ凍結乾燥筐体1の中に存在する物質を特徴付ける。この実施形態では、脱水工程の間、水素例えば、656nmおよび窒素例えば、337nmを特徴付ける特性線が追跡される。情報は、コンピュータ19に記憶されて処理される。水を含む基質、特に、薬剤の基質から凍結乾燥工程の間に解放される殆どの水分子は、凍結乾燥筐体1を通って主真空ポンプ5に吸引される。主真空ポンプ5の性能を低下させる水蒸気を凝結させ、かつ水蒸気が主真空ポンプ5に到達するのを阻止する表面を提供するため、凍結乾燥筐体1を、主真空ポンプ5に接続されているパイプに凝縮領域を設けることも可能である。凝縮領域の温度は、一般には、-50°Cよりも低い。水分子の一部は、ガス分析装置に向かう。それらは、高周波発生器15からのエネルギにより励起され、プラズマとして知られる光を放出する。下方遷移では、水分子は、光を発生し、脱水される非常に敏感な薬剤の基質2と酸化化学反応を起こしやすい酸化遊離基を生成する。本発明の一実施形態では、反復ON/OFF切換手段16は、いわゆる不連続モードでのプラズマの発生を可能とするようになっている。このモードは、プラズマ源13が駆動されている間の状態と、それに引き続き、プラズマ源13が停止されている間の状態とを意味する。この不連続動作のモードでは、プラズマ源13は、2~40分毎に約5~30秒間駆動される。ON状態とOFF状態の間隔は、脱水される製剤の基質2の感度の関数として変更することができる。これにより、プラズマ源13が駆動される全時間は減少させられる。また、これにより、生成される酸化遊離基の量は減少し、脱水される基質2の酸化の進行は最小となる。ある一実施形態では、プラズマ源13を、手動により駆動および停止させることが可能である。他の実施形態では、監視装置、例えば、ソフトウエアは、プラズマ源13のON、OFF状態の期間を適切にすることにより、反復ON/OFF切換手段16の制御に適応させている。さらなる実施形態では、反復ON/OFF切換手段16は、プラズマを発生させるガスの流量または圧力の変更に適応している。例えば、反復ON/OFF切換手段16は、ガスの流量を変更するための中性ガス注入手段を備えている。例えば、プラズマ源13が駆動され、プラズマ源13が停止されるまでガスを増加させるために、流量は制御される。他の例では、反復ON/OFF切換手段16は、ガスの圧力を変更させるために、プラズマ源13の上流の弁10の開口を制御する手段を備えている。ガスの流量または圧力を変更させるための反復ON/OFF切換手段16は、実装が簡単であり、かつ比較的に安価であるという利点を有する。図2は、2方向のステンレス鋼のクイック継手20、例えば、ISO-KF25タイプのクイック継手、または、クオリティコントロールQUALITYCONTROLS社によりトリクランプTRICLAMP登録商標の名で販売されているクイック継手の一例を示す。このクイック継手20は、凍結乾燥筐体1に連結するように設計され、かつフッ素処理された弾性シール22を有する入口21と、ガスイオン化システム8につながる石英管9の開口端に接続しうるようになっている出口23とを備えている。固定部材24は、クイック継手20を凍結乾燥筐体1に締結しうるようになっている。本発明によれば、光学ゲート25は、例えば、図3に示すように、3つの固定突起26によりクイック継手20に装着されている。一方、光学ゲート25は、酸化遊離基が凍結乾燥筐体1に浸入のことを防止するため、酸化遊離基を阻止することができる。他方、光学ゲート25は、凍結乾燥筐体1の内部で酸化遊離基を発生しやすいプラズマからの光の放射を阻止することができる。光学ゲート25は、クイック継手20の入口21の形状に適応する形状の例えば金属の部品である。本発明によれば、光学ゲート25は、図4に示すように、凍結乾燥筐体1に接続されるクイック継手20の入口21に配置されている。光学ゲート25は、クイック継手20と凍結乾燥筐体1との間のシール22によるシール接続に干渉しないように、クイック継手20の入口21に挿入されている。光学ゲート25の開口部は、光学ゲート25の外周縁部と、クイック継手20の入口21の内径部との間の空間27によって形成されている。光学ゲート25の開口は、水含有量の測定値の精度と酸化反応との関係によって変化する。基質の凍結乾燥は、基質を凍結する工程から開始される。次いで、基質に含まれる水は、固体と液体の相が共存できる最も低い温度である三重点よりも低い温度まで冷却される。凝固点は、-50°C~-80°Cである。凍結工程が正しく実行されない場合、基質の品質が低下する可能性があるため、凍結工程は、極めて重要である。凍結乾燥筐体1の外部または内部のいずれかで凍結工程が一旦完了すると、基質2には、図5に概略的に示す脱水工程を実施する。基質2に含まれる水の昇華は、熱源3の手段による誘導または放射の熱の入力により実施される。融解は、筐体1の温度を三重点よりも低く維持することにより、防止される。次いで、発生した水蒸気を、トラップ4により回収する。脱水工程が開始されると、主真空ポンプ5は起動し、凍結乾燥筐体1の内部の圧力は低下する。主真空ポンプ5による凍結乾燥筐体1の内部に含まれるガスの吸引は、最初は、筐体1の内部の全圧力を減少させることを目的とする。その後、吸引は、脱水工程の間、筐体1の内部の圧力を昇華に必要な条件に適合する低い値に維持することを目的として行われる。一次乾燥ステップ50の間、圧力は、数mbar程度の量で減少し、十分な熱が基質2に供給され、それに含まれる水の約95が昇華される。必要な熱量は、水分子の昇華潜熱を使用して計算することが可能である。もしも、過剰な熱を素早く加えると、基質の構造が変化する可能性があるため、一次乾燥ステップ50は、例えば、工業規模の処理の場合、数日をかけてゆっくりと行う。このステップの間、凍結乾燥筐体1の圧力を部分的に減圧して制御する。凍結乾燥筐体1の低い圧力は、凍結乾燥筐体1に接続されている窒素供給パイプ6の調整弁7により安定化される。昇華速度が低下することにより、圧力が低下すると期間51、凍結乾燥筐体1の中にさらに窒素を注入するため、調整弁7を開けられる。水が大量に昇華する期間52の間は、窒素は殆ど注入されない。脱水工程は、一般に、0.005mbar~0.5mbarの減圧で推進される。従って、誘導結合によって発生するコールドプラズマInductiveCoupledPlasma:ICPのプラズマ源は、その動作圧力の範囲が0.005mbar~10mbarであるため、非常に適している。氷の状態で存在する全ての水が除去されると点53、一次乾燥ステップ50は終了する。二次乾燥ステップ54は、凍結していない水分子を除去することを目的としている。氷の状態で存在する水分子は、一次乾燥ステップ51の間に除去されている。凍結乾燥の工程であるこのステップは、基質2の吸収等温線により管理される。この二次乾燥ステップ54では、水分子と凍結した基質2との間のいかなる物理化学的相互作用も無いため、一次乾燥ステップ50よりも温度が高く、0°Cを超えていてもよい。また、圧力は、除去を促進するため、通常、この段階でさらに低くされる典型的には、μbarの範囲、または1パスカルの数分の1。なお、圧力を増加させることが有利である基質もある。凍結乾燥工程が終了すると、基質2の残留水の最後の濃度は非常に低く、その重量の約1~から約4となる。凍結乾燥工程が終了した後、通常、基質2が密閉包装される前に、窒素のような不活性ガスを用いて減圧が解放される。凍結乾燥が行われる製剤の基質2の酸化に関して、本発明の利点を評価するための試験を実施した。この実施形態では、酵素の活性を、反復ON/OFF切換手段16の有る場合と、無い場合とで実行した凍結乾燥処理の後に測定した。この試験では、プラズマ源13を、10分毎に30秒間駆動した。活性は、凍結乾燥前の酵素の初期活性のパーセンテージとして示した。初期活性および最終活性の比較ができるように、結果は、特定の活性、すなわち、基質2のmg当たりの活性について行った。得られた結果は、分光光度計を使用する活性の測定の実施に必要な全ての希釈度を考慮している。さらに、凍結乾燥後の活性を測定するために、凍結乾燥処理される前と同じ容量を得るために、凍結乾燥された酵素が再水和させた。基質2の活性の測定の第1シリーズを、制御装置を使用しない基質2の凍結乾燥処理の前後で実施した。測定は、筐体1の上部、中間部および底部におけるプレート上に配置された基質2に対して実施した。このシリーズは、測定値Aのシリーズを構成している。基質2の活性の測定の第2シリーズは、反復ON/OFF切換手段16、および光学ゲート25を含まない制御装置を使用した基質2の凍結乾燥処理の前後で実施した。このシリーズは、測定値Bのシリーズを構成している。基質2の活性の測定の第3シリーズは、プラズマ源13を繰り返しON、OFFすることによりプラズマ源13の不連続工程を行うことのできる手段16を含む制御装置を使用した基質2の凍結乾燥処理の前後で実施した。このシリーズは、測定値Cの系列を構成している。基質2の活性の測定の第4シリーズは、プラズマ源13を繰り返しON、OFFする手段16と光学ゲート25を含む制御装置を使用した基質2の凍結乾燥処理の前後で実施した。このシリーズは、測定値Dのシリーズを構成している。試験の第1の部分は、凍結乾燥処理が遂行された後の製剤の基質2にまだ存在している生物活性に関するものであった。aとして示されている基質2の残余の活性は、測定値の各系列に対して、次の式から計算した。凍結乾燥後の活性/凍結乾燥前の活性×100表1に示す結果は、上記で規定された測定値AおよびBの系列に対する残余の活性の比較である。表1の分析の結果は、凍結乾燥処理後の基質2の残余の活性は、凍結乾燥処理が、反復ON/OFF切換手段16および光学ゲート25を含まない制御装置により実行された場合、非常に低かったことを示す系列B。このことは、制御装置が、凍結乾燥処理が施される基質2の特性に影響を与える酸化遊離基を生成するものと解釈することができる。さらに、扱われた酵素の生物活性の喪失は、凍結乾燥筐体1の内部における基質2の位置に依存しないことが分かる。換言すると、筐体1における基質2の位置に対する制御装置の位置は、製剤の基質2の酸化の強度に影響しない。表1の測定値AおよびBの系列の比較結果は、筐体1における基質2の位置が残余の活性に重大な影響を与えないことを示しており、従って、測定値CおよびDの他の系列では、筐体1の中間部に配置された基質2においてのみ実施した。表2に示す結果は、上記で規定された測定値AおよびCの系列に対する残余の活性の比較である。表2の分析の結果は、系列Cに対する残余の活性は、系列Bに対するものよりも大きいと考えられることを示す。従って、凍結乾燥処理された製剤の基質2の生物活性は、プラズマ源13の不連続工程を行うことのできる反復ON/OFF切換手段16を含む制御装置が使用される状況において、より良好に保存される。結果として、プラズマ源13を繰り返しON、OFFする手段16を含む制御装置を使用して処理を実施したとき系列Cの凍結乾燥処理後の基質2に存在する活性は、処理が制御装置を使用しないで処理が実施されたとき系列Aの凍結乾燥処理後の残余の活性に非常に近い。表3に示す結果は、上記で規定された測定値AおよびDの系列に対する残余の活性の比較である。表3の分析の結果は、系列Dに対する残余の活性は、光学ゲート25の存在により改善されることを示す。従って、この状況では、光学ゲート25が、酸化遊離基が凍結乾燥筐体1に浸入することを阻止するシールドの機能を果たした。結果として、凍結乾燥処理後の基質2に存在する活性は、プラズマ源13を繰り返しON、OFFする手段16と光学ゲート25とを含む制御装置を使用して処理を実施したとき系列D、初期の活性から殆ど低下しない。さらに、この状況における残余の活性は、処理が制御装置を使用しないで実施されたとき系列Aの残余の活性と同程度であることが分かる。検討の第2の部分は、凍結乾燥処理後の製剤の基質2で測定された酸化のレベルに関するものであった。表4は、上記で規定された測定値A~Dの系列に対してaとして表される酸化率を示す。表4の分析の結果は、試験の第1の部分から導出された結論を追認する。表4の分析の結果は、製剤の基質2の酸化率は、凍結乾燥処理が、プラズマ源13の不連続工程を行うことのできる反復ON/OFF切換手段16を含む制御装置の存在において実行されたときに、より低くなると考えることができ測定値Cの系列、制御装置がない状態で観察される酸化率に近い測定値Aの系列ことを示す。凍結乾燥処理が、酸化遊離基が凍結乾燥筐体1に接近することを阻止できる反復ON/OFF切換手段16、および光学ゲート25を含む制御装置の存在のもとで実行された測定値Dの系列の場合、酸化率は、むしろ低く、如何なる制御装置も存在しない場合に観察される酸化率と同程度である測定値Aの系列。