"所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層と、前記一対の導電体層の間に介装された弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記一対の導電体層に直交する方向で且つ前記一対の導電体層にそれぞれ届くように前記誘電体層を貫通して形成された多数の孔と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の一方と接続された第1の電極と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の他方と接続された第2の電極と、前記第1の電極と前記導電体層の他方との間を電気的に絶縁するとともに前記第2の電極と前記導電体層の一方との間を電気的に絶縁する絶縁部とを備え、前記誘電体層の前記導電体層に平行な断面において観察される、前記孔の直径の大きさが、前記誘電体層の一端側の断面位置から前記誘電体層の他端側の断面位置にいくにしたがってしだいに大きくなるように形成したことを特徴とするコンデンサ。所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層と、前記一対の導電体層の間に介装された弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記一対の導電体層に直交する方向で且つ前記一対の導電体層にそれぞれ届くように前記誘電体層を貫通して形成された多数の孔と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の一方と接続された第1の電極と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の他方と接続された第2の電極と、前記第1の電極と前記導電体層の他方との間を電気的に絶縁するとともに前記第2の電極と前記導電体層の一方との間を電気的に絶縁する絶縁部とを備え、前記誘電体層の前記導電体層に平行な断面において観察される、前記孔の直径の大きさが、前記誘電体層の一端側の断面位置よりも前記誘電体層の他端側の断面位置が大きくなるように形成したことを特徴とするコンデンサ。前記のとおり、先行技術は、サイズを大きくすることなく、容量Cを増加できるという優れた利点を得ることができるが、本件発明者らの検討によって、部品の接続信頼性の点で改善すべき余地があることが判明した。すなわち、コンデンサなどの電子部品は多くの場合、半田付けで基板に固定されるため、特に半田付け後の冷却の際に、電子部品と基板材料典型的にはプラスチックとの熱収縮の違いによって応力が発生し、その応力によって半田がはがれてしまうことがあり、電子部品の接続信頼性が損なわれるという問題点がある。発明者らの検討により、前記の先行技術におけるポーラスコンデンサにおいても、同様の問題が発生することが見い出された。図を用いて説明する。図7は、先行技術におけるポーラスコンデンサの構造図である。この図において、ポーラスコンデンサ1は、所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層以下、第1の導電体層2及び第2の導電体層3の間に誘電体層4を介装し、その誘電体層4に、第1の導電体層2及び第2の導電体層3に直交する方向の、同一直径且つ直線的な管形状以下、直管形状というの多数の孔5を形成するとともに、それらの孔5に電極材料を充填して第1の電極6と第2の電極7を形成し、さらに、第1の電極6を一方の導電体層ここでは第1の導電体層2のみに電気的に接続し、且つ、第2の電極7を他方の導電体層ここでは第2の導電体層3のみに電気的に接続して構成されている。図8は、先行技術におけるポーラスコンデンサの基板実装図である。この図に示すように、ポーラスコンデンサ1は、両端に形成された対向する一対の外部電極8と基板9の電極10との間を半田11で接続して実装されている。図9は、先行技術におけるポーラスコンデンサの応力説明図である。この図は、基板9への半田付けの際の高温環境下から冷却されていくときの熱収縮に伴って発生する応力を表しており、具体的には、白抜き矢印12の方向でポーラスコンデンサ1の熱収縮の方向を表すとともに、同白抜き矢印12の長さでポーラスコンデンサ1の熱収縮の量を表し、また、白抜き矢印13の方向で基板9の熱収縮の方向を表すとともに、同白抜き矢印13の長さで基板9の熱収縮の量を表している。なお、熱収縮はポーラスコンデンサ1のあらゆる方向に生じ得るが、ここでは、電子部品の接続信頼性に影響を与える方向の熱収縮、すなわち、対向する一対の外部電極8の並び方向に生じる熱収縮に着目する。さて、白抜き矢印12と白抜き矢印13の向き熱収縮の方向は同じであるが、長さが異なっている。つまり、ポーラスコンデンサ1の熱収縮量よりも基板9の熱収縮量の方が大きく白抜き矢印12<白抜き矢印13なっている。この理由は、基板9の材料は典型的にはプラスチックであり、このプラスチックの熱膨張係数がポーラスコンデンサ1の熱膨張係数よりも大きいからである。したがって、この熱収縮量の違いにより、ポーラスコンデンサ1と基板9との接続箇所半田11に応力が発生し、この応力によって半田11がはがれてしまうことがあり、電子部品ポーラスコンデンサ1の接続信頼性が損なわれるという課題があった。本発明は、この課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、接続信頼性の向上を意図したコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。請求項1記載のコンデンサは、所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層と、前記一対の導電体層の間に介装された弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記一対の導電体層に直交する方向で且つ前記一対の導電体層にそれぞれ届くように前記誘電体層を貫通して形成された多数の孔と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の一方とそれぞれ接続された第1の電極と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の他方とそれぞれ接続された第2の電極と、前記第1の電極と前記導電体層の他方との間を電気的に絶縁するとともに前記第2の電極と前記導電体層の一方との間を電気的に絶縁する絶縁部とを備え、前記誘電体層の前記導電体層に平行な断面において観察される、前記孔の直径の大きさが、前記誘電体層の一端側の断面位置から前記誘電体層の他端側の断面位置にいくにしたがってしだいに大きくなるように形成したことを特徴とする。請求項2記載のコンデンサは、所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層と、前記一対の導電体層の間に介装された弁金属の酸化物からなる誘電体層と、前記一対の導電体層に直交する方向で且つ前記一対の導電体層にそれぞれ届くように前記誘電体層を貫通して形成された多数の孔と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の一方とそれぞれ接続された第1の電極と、前記孔に電極材料を充填して形成され前記導電体層の他方とそれぞれ接続された第2の電極と、前記第1の電極と前記導電体層の他方との間を電気的に絶縁するとともに前記第2の電極と前記導電体層の一方との間を電気的に絶縁する絶縁部とを備え、前記誘電体層の前記導電体層に平行な断面において観察される、前記孔の直径の大きさが、前記誘電体層の一端側の断面位置よりも前記誘電体層の他端側の断面位置が大きくなるように形成したことを特徴とする。本発明によれば、誘電体層の前記導電体層に平行な断面において観察される、前記孔の直径の大きさ、すなわち当該孔に充填された電極の直径の大きさが、前記誘電体層の一端の断面位置から前記誘電体層の他端の断面位置にいくにしたがってしだいに大きくなるように形成した。または、誘電体層の前記導電体層に平行な断面において観察される、前記孔の直径の大きさ、すなわち当該孔に充填された電極の直径の大きさが、前記誘電体層の一端側の断面位置よりも前記誘電体層の他端側の断面位置が大きくなるように形成した。したがって誘電体層の前記他端が半田付けする基板側になるように実装することでポーラスコンデンサ本体と基板の熱膨張係数の差に伴って発生する基板固定箇所への応力を緩和でき、半田のはがれを防止できるので接続信頼性を向上したポーラスコンデンサを提供することができる。以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、実施形態に係わるコンデンサの構成図である。以下、冒頭の先行技術に合わせて実施形態のコンデンサについてもポーラスコンデンサと称することにする。実施形態のポーラスコンデンサ20も、所定の距離を隔てて対向する一対の導電体層以下、第1の導電体層21及び第2の導電体層22の間に誘電体層23を介装し、その誘電体層23に、第1の導電体層21及び第2の導電体層22に直交する方向の多数の孔24を形成するとともに、それらの孔24に電極材料を充填して第1の電極25と第2の電極26を形成し、さらに、第1の電極25を一方の導電体層ここでは第1の導電体層21のみに電気的に接続し、且つ、第2の電極26を他方の導電体層ここでは第2の導電体層22のみに電気的に接続して構成する点で、冒頭先行技術のポーラスコンデンサ1と共通する。ここで、図面の三軸方向X、Y、Zの各軸方向を定義する。X軸は第1の導電体層21及び第2の導電体層22の一側辺に沿った方向、Y軸は第1の導電体層21及び第2の導電体層22の一側辺に直交する他側辺に沿った方向であり、Z軸は第1の導電体層21と第2の導電体層22の対向方向である。なお、図1において、第1の電極25の第2の導電体層22と接続されていない側の孔24は空隙24aとして残されており、同様に、第2の電極26の第1の導電体層21と接続されていない側の孔24も空隙24bとして残されている。これらの空隙24a、24bは、第1の電極25を一方の導電体層ここでは第1の導電体層21のみに電気的に接続し、且つ、第2の電極26を他方の導電体層ここでは第2の導電体層22のみに電気的に接続するためのものである。つまり、空隙24a、24bはかかる選択的接続を行うための絶縁部として機能する。前記の先行技術との相違点は孔24の形状にある。すなわち、先行技術図7参照のポーラスコンデンサ1の孔5は直管形状になっている。具体的には、誘電体層4の両面に形成された導電体層第1の導電体層2及び第2の導電体層3に平行な断面において観察される孔5の直径の大きさが、誘電体層4の一端側の断面位置図7の第1の導電体層2と接する付近の誘電体層4の断面から誘電体層4の他端側の断面位置図7の第2の導電体層3と接する付近の誘電体層4の断面までほぼ同一径を有する形状になっており、要するに、孔5の電極伸長方向に平行な断面が矩形状になっている。これに対して、図1に示す本実施形態の孔24の形状は、以下に詳述するように、直管形状ではなく、テーパー状または略テーパー状若しくはテーパー状とみなせる類似形状になっている点で相違する。つまり、誘電体層23の両面に形成された導電体層第1の導電体層21及び第2の導電体層22に平行な断面において観察される孔24の直径が、前記誘電体層23の一端側の断面位置図1の第2の導電体層22と接する付近の誘電体層の断面から前記誘電体層23の他端側の断面位置図1の第1の導電体層21と接する付近の誘電体層の断面にかけて徐々に大きくなっている点で相違し、要するに、図1の孔24の電極方向に平行なZ方向の断面の形状がテーパー状または略テーパー状若しくはテーパー状とみなせる類似形状になっている点で前記の先行技術と相違している。なお、ここでいう略テーパー状という表現は、片側だけにテーパーがついているものや、テーパーが不均一だが両端位置を直線で結べばテーパー形状になるもののことをいう。また、テーパー状とみなせる類似形状とは、緩やかな段差をもって徐々に孔の径が小さくなる形状が含まれる。また、上記の孔24に電極材料を充填して、一方の導電体層ここでは第1の導電体層21のみに電気的に接続する第1の電極25と、他方の導電体層ここでは第2の導電体層22のみに電気的に接続する第2の電極26とを形成し、それらの第1の電極25と第2の電極26とを交互またはランダムに配置している。このため、結局のところ、これらの第1の電極25及び第2の電極26の形状についても、孔24と同様の形状となる。すなわち、誘電体層23の両面に形成された導電体層第1の導電体層21及び第2の導電体層22に平行な断面において観察される、電極第1の電極25と第2の電極26の直径が、前記誘電体層23の一端側の断面位置図1の第2の導電体層22と接する付近の誘電体層の断面から前記誘電体層23の他端側の断面位置図1の第1の導電体層21と接する付近の誘電体層の断面にかけて徐々に径が大きくなっている。要するに、図1の第1の電極25または第2の電極26のZ方向の断面形状もテーパー状または略テーパー状若しくはテーパー状とみなせる類似形状になっている点で前記の先行技術と相違している。なお、各部の好ましい材料を列挙すると、第1の導電体層21と第2の導電体層22には金属全般Cu,Ni,Cr,Ag,Au,Pd,Fe,Sn,Pb,Pt,Ir,Rh,Ru,Alなどを用いることができる。誘電体層23には基材として弁金属Al,Ta,Nb,Ti,Zr,Hf,Zn,W,Sbなどを陽極酸化して形成した酸化物および/またはそれらを含む合金を陽極酸化して形成した酸化物を用いることができる。第1の電極25と第2の電極26にはメッキ可能な金属全般Cu,Ni,Co,Cr,Ag,Au,Pd,Fe,Sn,Pb,Ptなどやこれらの合金を用いることができる。また、図示の構造では、第1の電極25を一方の導電体層ここでは第1の導電体層21のみに電気的に接続し、且つ、第2の電極26を他方の導電体層ここでは第2の導電体層22のみに電気的に接続するために、第1の電極25と第2の導電体層22との間に空隙24a孔24の一部を空にしたものを設けるとともに、第2の電極26と第1の導電体層21との間にも同様の空隙24bを設けているが、この態様に限定されない。要は、第1の電極25と第2の導電体層22との間の電気的な接続を遮断絶縁できるとともに、第2の電極26と第1の導電体層21との間の電気的な接続を遮断絶縁できる絶縁態様になっていればよい。たとえば、空隙24a、24bを任意の絶縁体誘電体を含むで埋める態様であってもよい。また、ポーラスコンデンサ20の各部の寸法の一例を示すと、第1の導電体層21と第2の導電体層22の間隔誘電体層23の厚さでもあるは数100nm~数100μm、第1の導電体層21及び第2の導電体層22の厚さは数10nm~数μmである。また、第1の電極25及び第2の電極26は、最小径が約30nm程度で最大径が数50nm程度、長さが数100nm~数100μm、隣接する電極との間隔が数10nm~数100nm程度となっている。また、空隙24a、24bのZ軸方向の厚みが数10nm~数10μm程度となっている。図2は、外部電極を含むポーラスコンデンサ20の構造図である。この図に示すように、ポーラスコンデンサ20は、全体が絶縁フィルム27外装保護材で被覆され、さらに、この絶縁フィルム27の所定位置に設けられた開口から引き出されたリード線28、29を、ポーラスコンデンサ20の両端に形成された外部電極30、31に接続している。絶縁フィルム27には、たとえば、SiO2、SiN、樹脂、金属酸化物などを用いることができ、その厚さは数10nm~数10μm程度とすることができる。次に、誘電体層23の両面に形成された前記導電体層第1の導電体層21及び第2の導電体層22に平行な断面において観察される、前記孔24の直径の大きさが、前記誘電体層23の一端側の断面位置から前記誘電体層23の他端側の断面位置にいくにしたがって大きくなる形状は、次のような方法で確認することができる。図3は、孔24の形状を確認する方法を説明する図である。まず、aに示すように、図1のポーラスコンデンサ20をXY面に沿った平面で機械研磨すると、第1の導電体層21の厚みが徐々に減っていく。そして、ある時点に達するとbに示すように、第1の導電体層21の厚みがゼロとなって誘電体層23の表面が露出するので、この時点で一端研磨を止め、この時点の断面を誘電体層23の一端側の断面位置とし、Z軸上方から断面を俯瞰して走査型電子顕微鏡などによって孔24の最大径を測定する。この際注意すべきことは、前記孔24が同一方向に歪んだ楕円形状になっていないことである。もし、このような形状であったときは、断面の方向が傾いている可能性があるので再度研磨をおこなって調整する。同一面内の任意の孔をn個nは統計的に測定面を代表するように定めればよい。たとえば、n=300測定する。明らかに研磨の不備などの特殊な要因があって、孔24がつぶれていたり平均的でない大きな孔24となっていたりする形状のものは測定値から除外する。1回目図3bの測定後、同一の試料をさらに同じ方向から同じ方法で研磨再開する。そして、cに示すように、第2の導電体層22に達する直前、なおかつ前記の孔24が研磨面の全域に露出した時点で研磨を止め、この時点の断面を誘電体層23の他端側の断面位置とし、Z軸上方から断面を俯瞰して走査型電子顕微鏡などによって孔24の最大径を測定する。測定箇所はn=300としこれを2回目の測定とする。この際注意すべきことは1回目の測定と同様である。1回目に測定を行った孔24が存在していた付近の孔24を測定するのが望ましいが、かならずしも1対1に対応させる必要はない。また、機械研磨をしていく方向は第2の導電体層22の側から始めてもよい。次いで、得られた測定データのそれぞれの平均値を算出する。1回目図3bと2回目図3cの測定値の平均値の差、またはその差の絶対値を算出すれば孔24の直径の大きさが誘電体層23の一方向にいくにしたがって大きくなることが確認できる。なお、孔24の直径の大きさが誘電体層23の一方向にいくにしたがって小さくなる場合は、その反対方向から研磨を開始して断面観察を進めたものとみなせばよい。この測定をおこなうポーラスコンデンサ20のサンプル数は、たとえば5個程度でもよい。データを測定した後、得られた5つのデータのなかで最大値と最小値のデータを除外した3個のデータに限定して評価すれば、間違えて不良品を測定するなどの特殊な要因を排除することができる。具体的に得られたデータの一例を以下の表に示す。孔24が大きくなったかどうかの判定がつきにくいときは、標準偏差や分散値を算出し、平均値の差の有無について有意差検定危険率5などにより判定すればよい。なお、図1のZ軸に平行な面でポーラスコンデンサ20を切断し、その切断面にある孔24を、断面の垂直方向上方から走査型電子顕微鏡などによって観察するようにしてもよい。同顕微鏡画像から、孔24またはそこに充填された電極第1の電極25及び第2の電極26の形状として、テーパー状または略テーパー状若しくはテーパー状とみなせる類似形状になっていることを目視確認することができる。実施形態のポーラスコンデンサ20は、その後、通常その対向する2つの主面を覆うように外部電極図2の外部電極30、31参照を形成し、基板図4の基板34参照に半田付け実装して実用される。このような実用の際に、以下の理由により、接続信頼性の向上を図ることができる。たとえば、誘電体層23の材料を熱膨張係数が4ppm/KのAl2O3とし、また、電極第1の電極25及び第2の電極26の材料を熱膨張係数が13ppm/KのNiとする。さらに、基板34の材料を熱膨張係数が数10~数100ppm/Kのプラスチックとする。ここで、ppmは、100万分のいくらであるかという割合を示す単位パーツパーミリオンである。図2において、ポーラスコンデンサ20に形成された孔24には、当該孔24の内部に、たとえば、Ni電極第1の電極25及び第2の電極26が充填される。ポーラスコンデンサ20において、これらのNi電極第1の電極25及び第2の電極26は、他端側第1の導電体層21の側で最も多くの体積を占有し、一端側第2の導電体層22の側で最も少ない体積を占有している。誘電体層23がAl2O3である場合、熱膨張係数は上記のように金属であるNi電極第1の電極25及び第2の電極26のほうが大きいので、高温環境下から冷えるときにポーラスコンデンサ20に生じる熱収縮量は、一端側第1の導電体層21の側で最大、他端側第2の導電体層22の側で最小となる。この様子を図2において白抜き矢印32、33で示した。つまり、白抜き矢印32は、一端側第1の導電体層21の側の大きな熱収縮量を示し、白抜き矢印33は、他端側第2の導電体層22の側の小さな熱収縮量を示している。図4は、実施形態のポーラスコンデンサ20の実装図である。この図に示すように、実施形態のポーラスコンデンサ20は、熱収縮量が大きい側の面を基板34への実装面としている。つまり、基板34に実装する際には、図2のポーラスコンデンサ20を上下逆さまにした状態で、その両端の外部電極30、31と基板34の電極35との間を半田36で接続する。図4のように基板34に実装した場合、半田36が高温で固着したあと冷却していくときの一対の外部電極30、31の方向における熱収縮量を考えてみる。ブラスチックからなる基板34の熱収縮量は最も大きい白抜き矢印37参照から、ポーラスコンデンサ20に対して収縮する方向の応力が発生する。しかし、白抜き矢印32、33で示すようにポーラスコンデンサ20は、基板34への実装面側でNi電極の体積の占有が多いため、基板34への実装面側の熱収縮量が大きくなっている白抜き矢印32>白抜き矢印33。したがって、図4と図9とを比べてみても明らかなように、ポーラスコンデンサ20の基板34への実装面側では、従来のポーラスコンデンサ1に比べて、実装相手の基板34との熱収縮量の差異が少なくなるので、両者を固着する半田36に生じる応力は小さくなる。よって、本実施形態のポーラスコンデンサ20は熱収縮量の差異による応力で生じる半田36のはがれなどによる接続不良を改善することができ、接続信頼性を向上することができる。したがって、実施形態における構成上のポイントは、誘電体層23の両面に形成された前記導電体層第1の導電体層21及び第2の導電体層22に平行な断面に露出する、前記孔24の直径の大きさが、前記誘電体層23の一端側の断面位置から前記誘電体層23の他端側の断面位置にいくにしたがって大きくなっていることにあるといえる。このポイントを備えることによって、誘電体層23の一端側の断面位置における熱収縮量に対して、誘電体層23の他端側の断面位置における熱収縮量を大きくすることができ、この熱収縮量が大きい方の面を基板34への実装面とすることにより、基板34の熱収縮量との差を縮め、基板34との接続箇所半田36への応力を緩和して接続不良の解消を図ることができる。なお、上記のポイントでは、前記孔24の直径の大きさが前記誘電体層23の一端側の断面位置から前記誘電体層23の他端側の断面位置にいくにしたがって大きくなっているとしているが、これは、実施形態のベストモードである。これ以外にも、たとえば、前記孔24の直径の大きさが前記誘電体層23の一端側の断面位置よりも前記誘電体層23の他端側の断面位置が大きくなっているという態様、すなわち、孔24の径が段階的に変化する態様であってもよい。一般にポーラスコンデンサの製造方法としては特許文献1の実施例1などが知られている。以下に本発明のポイントとなる構成を実現するための製造方法について説明する。図5aは、アルミ基体などに対して陽極酸化によって孔を形成する際の製造方法の一部概念図である。誘電体層23の両面に形成された前記導電体層第1の導電体層21及び第2の導電体層22に平行な断面に露出する、前記孔24の直径の大きさが、前記誘電体層23の一端側の断面位置から前記誘電体層23の他端側の断面位置にいくにしたがって大きくなるという形状は、断面の方向を変えると図5aのような形状となる。すなわち、図5aに示すように、孔24の形状は孔24の深さ方向の断面からみるとテーパー状であるといえる。このような形状にするためには、誘電体層23に孔24を形成する際の陽極酸化条件を制御すればよい。たとえば、陽極酸化条件として溶液を高温にして陽極酸化をすれば全体に反応速度は速くなる。その一方で、早くなった陽極酸化の反応速度に対して液の循環が間に合わない。この傾向は孔24の位置が深くなるほど顕著になり、溶液とアルミ基材との接触プロセスが反応律速となるので孔24の深さ方向の断面がテーパー形状となる。具体的には、陽極酸化条件としてシュウ酸0.1mol/l、30°C、40V、溶液浸漬時間12時間などとしてやればよい。図5bは、陽極酸化による孔形成の実施形態における他の製造方法の一部概念図である。一旦、孔24の形状を孔24の深さ方向の断面からみてテーパーのない状態実線の状態に形成した後、孔の表面に存在するAl2O3を溶解する溶液に浸漬すると、溶液の循環が反応律速となるので、孔24の入り口ほど溶解が早く進行する矢印39~44参照。このようにして孔24の形をテーパー形状に形成することが可能となる。具体的にはまず、孔24をテーパーのない状態に形成するために、陽極酸化条件としてシュウ酸0.3mol/l、10°C、40V、溶液浸漬時間24時間とすればよい。その後孔24の入り口ほど溶解が早く進行するように、たとえば5wtの燐酸溶液に浸漬して前記Al2O3を溶解すればよい。このようにして、誘電体層23に孔24を形成する際の陽極酸化条件などを制御することにより、孔24の深さ方向の断面形状をテーパー状にすることができる。すなわち、誘電体層23の両面に形成された前記導電体層第1の導電体層21及び第2の導電体層22に平行な断面において観察される、孔24の直径の大きさが、前記誘電体層23の一端側の断面位置図1の第2の導電体層22と接する付近の誘電体層の断面から前記誘電体層23の他端の断面位置図1の第1の導電体層21と接する付近の誘電体層の断面にかけて徐々に径が大きくなるようにできる。なお、前述したとおり、孔24の形状は断面テーパー状に限定されない。略テーパー状やテーパー状とみなせる類似形状であってもよい。略テーパー状とは断面から見たときに片側だけにテーパーがついている形状を含むものであり、類似形状としては、たとえば、段差をもって徐々に径が小さくなる形状が考えられる。製造のしやすさなどを考慮して適切な形状を選択すればよい。また、基板34に当該部品ポーラスコンデンサ20を実装するときに図1の第1の導電体層21の側が基板34側になるように方向を決めて実装する方法としては、次のような方法がある。たとえば、外部電極30、31を形成した後に、第1の導電体層21の主面にあるリード線28の形状を、対向する面にあるリード線29と違ったものにして、実装時にこのリード線28、29の差異を判断して、基板実装方向を決めてもよい。また、たとえば、第1の導電体層21と第2の導電体層22を形成するときのスパッタ条件を変えて、第1の導電体層21と第2の導電体層22の各々の反射率をそれぞれ異なるものにしておいもよい。こうすることによって、センサーによる自動認識で方向を整えた後に基板34に適正な方向で実装することができる。また、たとえば、基板34への実装面側のみに外部電極を形成してもよい。図6は、片面の外部電極を形成したポーラスコンデンサ20を示す図である。この図に示すように、外部電極30a、31aは、ポーラスコンデンサ20の一方面側第1の導電体層21の面側にだけ形成されており、この一方面側は、前記のとおり、基板34への実装面であるから、基板34へのポーラスコンデンサ20の実装工程において、どちらの面を実装面とすべきか戸惑うことがない。図6のような片面配置の外部電極30a、31aは、一般的に知られる方法。すなわち、外部電極用ペースト中にポーラスコンデンサの一端部をディップしてペーストを付着させ、乾燥し、焼成することによって形成することができる。"