表面に半導体素子が接合されるNi又はNi合金で形成されたNi層と、前記Ni層の片側に積層状に配置されたTi又はTi合金で形成されたTi層とが放電プラズマ焼結法により接合されるとともに、前記Ti層と、前記Ti層の前記Ni層配置側とは反対側に積層状に配置されたAl又はAl合金で形成されたAl層とが放電プラズマ焼結法により接合されていることを特徴とする絶縁基板用積層材。前記Al層と、前記Al層の前記Ti層配置側とは反対側に積層状に配置されたろう材層とが放電プラズマ焼結法により接合されている請求項1記載の絶縁基板用積層材。前記Ni層と前記Ti層との接合界面に、前記Ni層のNiと前記Ti層のTiとが合金化してなる厚さ7μm以下の第1合金層が形成されている請求項1又は2記載の絶縁基板用積層材。前記Ti層と前記Al層との接合界面に、前記Ti層のTiと前記Al層のAlとが合金化してなる厚さ5μm以下の第2合金層が形成されている請求項1~3のいずれかに記載の絶縁基板用積層材。前記Al層は、純度4N以上の純Alで形成されている請求項1~4のいずれかに記載の絶縁基板用積層材。表面に半導体素子が接合されるNi又はNi合金で形成されたNi層と、前記Ni層の片側に積層状に配置されるTi又はTi合金で形成されたTi層とを放電プラズマ焼結法により接合する第1接合工程と、前記第1接合工程の後で、前記Ti層と、前記Ti層の前記Ni層配置側とは反対側に積層状に配置されるAl又はAl合金で形成されたAl層とを放電プラズマ焼結法により接合する第2接合工程と、を含んでいることを特徴とする絶縁基板用積層材の製造方法。前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層とを、これらの層の接合界面に前記Ni層のNiと前記Ti層のTiとが合金化してなる厚さ7μm以下の第1合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により接合する請求項6記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層とを、これらの層の接合界面に前記Ti層のTiと前記Al層のAlとが合金化してなる厚さ5μm以下の第2合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により接合する請求項6又は7記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合する請求項6~8のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合する請求項6~9のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層との第1未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第1未接合積層体を互いに隣り合う各第1未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記各第1未接合積層体のNi層とTi層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する請求項6~8のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層との第1未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第1未接合積層体を互いに隣り合う各第1未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記複数の第1未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で前記各第1未接合積層体のNi層とTi層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する請求項6~8のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する請求項6~8、11及び12のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記複数の第2未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する請求項6~8、11及び12のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と、前記Al層と、前記Al層の前記Ti層配置側とは反対側に積層状に配置されるろう材層とを放電プラズマ焼結法により同時に接合する請求項6又は7記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層とを、前記Ti層と前記Al層との接合界面に前記Ti層のTiと前記Al層のAlとが合金化してなる厚さ5μm以下の第2合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により同時に接合する請求項15記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により同時に接合する請求項15又は16記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とろう材層とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合する請求項15又は16記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記複数の第2未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とろう材層とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合する請求項15又は16記載の絶縁基板用積層材の製造方法。前記Al層は、純度4N以上の純Alで形成されている請求項6~19のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。請求項1~5のいずれかに記載の積層材を備えていることを特徴とする絶縁基板。請求項1~5のいずれかに記載の積層材のNi層の表面に半導体チップがはんだ付けにより接合されていることを特徴とする半導体モジュール。しかし、Al層ははんだ接合性が悪い。そのため、半導体素子をはんだ付けにより接合できるように、Al層の表面にNi層としてNiめっき層を形成することが行われるが、この場合には、Al層とNiめっき層との接合界面に強度の弱い合金層が形成されてしまう。その結果、冷熱サイクルに伴い発生する熱応力熱歪みによってこの合金層で割れや剥離が生じ易くなり、またはNi層の表面の変形凹凸が生じ易くなる。本発明は、上述した技術背景に鑑みてなされたもので、その目的は、絶縁基板に用いられる積層材であって、はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離及びNi層の表面の変形凹凸の発生を防止できる積層材、その製造方法、絶縁基板及び半導体モジュールを提供することにある。本発明は以下の手段を提供する。[1]表面に半導体素子が接合されるNi又はNi合金で形成されたNi層と、前記Ni層の片側に積層状に配置されたTi又はTi合金で形成されたTi層とが放電プラズマ焼結法により接合されるとともに、前記Ti層と、前記Ti層の前記Ni層配置側とは反対側に積層状に配置されたAl又はAl合金で形成されたAl層とが放電プラズマ焼結法により接合されていることを特徴とする絶縁基板用積層材。[2]前記Al層と、前記Al層の前記Ti層配置側とは反対側に積層状に配置されたろう材層とが放電プラズマ焼結法により接合されている前項1記載の絶縁基板用積層材。[3]前記Ni層と前記Ti層との接合界面に、前記Ni層のNiと前記Ti層のTiとが合金化してなる厚さ7μm以下の第1合金層が形成されている前項1又は2記載の絶縁基板用積層材。[4]前記Ti層と前記Al層との接合界面に、前記Ti層のTiと前記Al層のAlとが合金化してなる厚さ5μm以下の第2合金層が形成されている前項1~3のいずれかに記載の絶縁基板用積層材。[5]前記Al層は、純度4N以上の純Alで形成されている前項1~4のいずれかに記載の絶縁基板用積層材。[6]表面に半導体素子が接合されるNi又はNi合金で形成されたNi層と、前記Ni層の片側に積層状に配置されるTi又はTi合金で形成されたTi層とを放電プラズマ焼結法により接合する第1接合工程と、前記第1接合工程の後で、前記Ti層と、前記Ti層の前記Ni層配置側とは反対側に積層状に配置されるAl又はAl合金で形成されたAl層とを放電プラズマ焼結法により接合する第2接合工程と、を含んでいることを特徴とする絶縁基板用積層材の製造方法。[7]前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層とを、これらの層の接合界面に前記Ni層のNiと前記Ti層のTiとが合金化してなる厚さ7μm以下の第1合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により接合する前項6記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[8]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層とを、これらの層の接合界面に前記Ti層のTiと前記Al層のAlとが合金化してなる厚さ5μm以下の第2合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により接合する前項6又は7記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[9]前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合する前項6~8のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[10]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合する前項6~9のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[11]前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層との第1未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第1未接合積層体を互いに隣り合う各第1未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記各第1未接合積層体のNi層とTi層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する前項6~8のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[12]前記第1接合工程では、前記Ni層と前記Ti層との第1未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第1未接合積層体を互いに隣り合う各第1未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記複数の第1未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で前記各第1未接合積層体のNi層とTi層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する前項6~8のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[13]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する前項6~8、11及び12のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[14]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記複数の第2未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合する前項6~8、11及び12のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[15]前記第2接合工程では、前記Ti層と、前記Al層と、前記Al層の前記Ti層配置側とは反対側に積層状に配置されるろう材層とを放電プラズマ焼結法により同時に接合する前項6又は7記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[16]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層とを、前記Ti層と前記Al層との接合界面に前記Ti層のTiと前記Al層のAlとが合金化してなる厚さ5μm以下の第2合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により同時に接合する前項15記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[17]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により同時に接合する前項15又は16記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[18]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とろう材層とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合する前項15又は16記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[19]前記第2接合工程では、前記Ti層と前記Al層と前記ろう材層との第2未接合積層体を複数準備するとともに、前記複数の第2未接合積層体を互いに隣り合う各第2未接合積層体間に導電性離型板を介して積層し、次いで、前記複数の第2未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で前記各第2未接合積層体のTi層とAl層とろう材層とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合する前項15又は16記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[20]前記Al層は、純度4N以上の純Alで形成されている前項6~19のいずれかに記載の絶縁基板用積層材の製造方法。[21]前項1~5のいずれかに記載の積層材を備えていることを特徴とする絶縁基板。[22]前項1~5のいずれかに記載の積層材のNi層の表面に半導体チップがはんだ付けにより接合されていることを特徴とする半導体モジュール。本発明は以下の効果を奏する。前項[1]記載の絶縁基板用積層材は、Ni層を備えているので、はんだ接合性が良好である。したがって、半導体素子をこのNi層の表面にはんだ付けにより確実に接合することができる。さらに、Ni層とAl層との間にTi層が配置されているので、次の効果を奏する。すなわち、もしNi層とAl層との間にTi層を配置しないでNi層とAl層とを直接接合した場合には、Ni層とAl層との接合界面に強度の弱い合金層が形成されてしまい、その結果、冷熱サイクルに伴い発生する熱応力熱歪みによってこの合金層で割れや剥離が生じ易くなる。これに対して、前項[1]記載の積層材では、Ni層とAl層との間にTi層が配置されているので、そのような強度の弱い合金層は形成されない。これにより、熱応力による積層材の接合界面での割れや剥離の発生を防止できるし、更にはNi層の表面の変形凹凸の発生も防止することができる。しかも、Ni層とTi層とを放電プラズマ焼結法により接合することによって、Ni層とTi層との接合界面にはNi層のNiとTi層のTiとが合金化してなる第1合金層が形成される。この第1合金層は、Ni-Ti系超弾性合金相を含み、しかもNiとTiとの組成比が厚さ方向に徐々に変化する傾斜材料構造を採る。したがって、この第1合金層は熱応力を確実に緩和吸収する役割を果たす。そのため、積層材の接合界面での割れや剥離の発生及びNi層の表面の変形の発生を確実に防止することができる。その上、Ni層とTi層との接合手段と、Ti層とAl層との接合手段がいずれも放電プラズマ焼結法であることにより、接合前後の各層の寸法変化を少なくすることができる。これにより、高い寸法精度を有する積層材を得ることができる。さらに、Ti層とAl層との接合手段として放電プラズマ焼結法を採用することにより、接合手段としてクラッド接合を採用する場合に比べて、厚さの厚いAl層をTi層と接合することが可能となる。そのため、Al層を配線層として確実に機能させることができる。前項[2]記載の積層材では、Al層とろう材層とが接合されているので、このろう材層を、積層材と絶縁基板の所定の層例:セラミック層とを接合する際のろう材として用いることができる。そのため、積層材と絶縁基板の所定の層とを容易に接合することができる。前項[3]記載の積層材では、Ni層とTi層との接合界面に形成される第1合金層は、一般に熱電導率が低いが、この第1合金層の厚さが7μm以下であることにより、第1合金層が形成されることによる積層材の熱伝導率の低下を防止することができる。前項[4]記載の積層材では、Ti層とAl層との接合界面に形成される第2合金層は、当該積層材において一番脆弱な相を含む層となるが、この第2合金層の厚さが5μm以下であることにより、Ti層とAl層との接合界面での割れや剥離の発生を防止することができる。前項[5]記載の積層材では、Al層が純度4N以上の純Alで形成されることにより、Al層を配線層として好適に用いることができる。前項[6]記載の絶縁基板用積層材の製造方法では、前項[1]記載の積層材を製造することができる。前項[7]記載の積層材の製造方法によれば、Ni層とTi層とを、これらの層の接合界面に厚さ7μm以下の第1合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により接合することにより、第1合金層が形成されることによる積層材の熱伝導率の低下を防止することができる。前項[8]記載の積層材の製造方法によれば、Ti層とAl層とを、これらの層の接合界面に厚さ5μm以下の第2合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により接合することにより、第2合金層が形成されることによる接合界面での割れや剥離の発生を防止することができる。前項[9]記載の積層材の製造方法によれば、Ni層とTi層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合することにより、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの層のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置についての設備費の低減を図ることができる。前項[10]記載の積層材の製造方法によれば、Ti層とAl層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合することにより、前項[9]記載の積層材の製造方法と同じく、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの層のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置についての設備費の低減を図ることができる。前項[11]記載の積層材の製造方法によれば、各第1未接合積層体のNi層とTi層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合することにより、Ni層とTi層との接合体を大量に製造することができる。これにより、積層材の製造コストを引き下げることができる。前項[12]記載の積層材の製造方法によれば、各第1未接合積層体のNi層とTi層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合することにより、Ni層とTi層との接合体を大量に製造することができる。これにより、積層材の製造コストを引き下げることができる。さらに、複数の第1未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法による接合を行うことにより、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの第1未接合積層体のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置についての設備費の低減を図ることができる。前項[13]記載の積層材の製造方法によれば、各第2未接合積層体のTi層とAl層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合することにより、積層材を大量に製造することができる。これにより、積層材の製造コストを引き下げることができる。前項[14]記載の積層材の製造方法によれば、各第2未接合積層体のTi層とAl層とを放電プラズマ焼結法により一括して接合することにより、積層材を大量に製造することができる。これにより、積層材の製造コストを引き下げることができる。さらに、複数の第2未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法による接合を行うことにより、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの第2未接合積層体のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置についての設備費の低減を図ることができる。前項[15]記載の積層材の製造方法によれば、Ti層とAl層とろう材層とを放電プラズマ焼結法により同時に接合することにより、ろう材層を備えた積層材を作業能率良く得ることができる。また、こうして得られた積層材によれば、ろう材層を、積層材と絶縁基板の所定の層例:セラミック層とを接合する際のろう材として用いることができ、そのため、積層材と絶縁基板の所定の層とを容易に接合することができる。前項[16]記載の積層材の製造方法によれば、Ti層とAl層とろう材層とを、Ti層とAl層との接合界面に厚さ5μm以下の第2合金層が形成されるように、放電プラズマ焼結法により接合することにより、第2合金層が形成されることによる接合界面での割れや剥離の発生を防止することができる。前項[17]記載の積層材の製造方法によれば、Ti層とAl層とろう材層とを、これらの層の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合することにより、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの層のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置についての設備費の低減を図ることができる。前項[18]記載の積層材の製造方法によれば、各第2未接合積層体のTi層とAl層とろう材層とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合することにより、積層材を大量に製造することができる。これにより、積層材の製造コストを引き下げることができる。前項[19]記載の積層材の製造方法によれば、各第2未接合積層体のTi層とAl層とろう材層とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合することにより、積層材を大量に製造することができる。これにより、積層材の製造コストを引き下げることができる。さらに、複数の第2未接合積層体の周囲を放電プラズマ焼結用筒状ダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法による接合を行うことにより、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの第2未接合積層体のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置についての設備費の低減を図ることができる。前項[20]記載の積層材の製造方法によれば、Al層が純度4N以上の純Alで形成されることにより、Al層を配線層として好適に用いることができる。前項[21]記載の絶縁基板は、上記[1]~[5]のいずれかに記載の積層材と同様の利点を有する。前項[22]記載の半導体モジュールは、上記[1]~[5]のいずれかに記載の積層材と同様の利点を有する。次に、本発明の幾つかの実施形態について図面を参照して以下に説明する。なお、以下の説明において、各図面の上下を上下というものとする。また、各図面には、全図面を通じて同一部材には同一符号が付されている。図1において、20は本発明の第1実施形態に係る半導体モジュールである。この半導体モジュール20は、IGBTモジュール、MOSFETモジュール、サイリスタモジュール、ダイオードモジュール等であり、半導体素子21と絶縁基板15と放熱部材17とを備えている。絶縁基板15は、半導体素子21と放熱部材17との間に配置されており、半導体素子21から発生した熱を放熱部材17に伝達する役割を果たす。そのため、絶縁基板15は、優れた電気絶縁性と高い熱伝導性とを兼ね備えることが要求される。半導体素子21は、IGBTチップ、MOSFETチップ、サイリスタチップ、ダイオードチップ等である。放熱部材17は、空冷式又は水冷式のヒートシンクや冷却器などであり、金属製であり、具体的には例えばAl又はAl合金製である。本第1実施形態では、放熱部材17は例えば放熱フィンを有するヒートシンクである。図2に示すように、絶縁基板15は、本発明の第1実施形態に係る積層材1Aを用いて製造されたものであり、詳述すると、本第1実施形態の積層材1Aと、セラミック層10と、金属ベース層12とを含んでいる。セラミック層10は、絶縁基板15における電気絶縁層として機能するセラミックで形成されたものであり、好ましくはAlN、Al2O3、Si3N4、Y2O3、CaO、BN及びBeOからなる群より選択される1種又は2種以上のセラミックで形成されたものである。このセラミック層10は、セラミック板から提供されて形成されたものである。セラミック層10の厚さは例えば300~1000μmである。因みに、セラミック層10を形成するセラミックの融点又は分解点は、AlN:2200°C、Al2O3:2050°C、Si3N4:1900°C、Y2O3:2400°C、CaO:2570°C、BN:3000°C、BeO:2570°Cである。なお、セラミック層10の大きさは、電気絶縁性を確実に確保するため他の層よりも若干大きく設定されるのが望ましい。金属ベース層12は、セラミック層10と放熱部材17との間に配置されるものであり、熱応力の緩和を図ることを目的とするものである。この金属ベース層12は、金属板から提供されて形成されたものであり、例えばAl又はAl合金で形成されている。そして、この金属ベース層12がセラミック層10の下面側に積層状にセラミック層10とろう付けにより接合されている。金属ベース層12とセラミック層10との接合界面には、金属ベース層12とセラミック層10とを接合したろう材層11が形成されている。金属ベース層12の下面側には放熱部材17が金属ベース層12とろう付け等により接合される。本第1実施形態の積層材1Aは、セラミック層10の片面側本第1実施形態ではセラミック層10の上面側に積層状にセラミック層とろう付けにより接合されるものであり、Ni層2、Ti層4、Al層6、ろう材層7などを備えている。なお図面では、ろう材層7は他の層と区別し易くするためドットハッチングで図示されている。Ni層2は、その表面2a上面に半導体素子21がはんだ付けにより接合されるものである。このNi層2は、Ni又はNi合金で形成されており、詳述すると、Ni板又はNi合金板から提供されて形成されたものである。Ti層4は、Ni層2の表面2a側とは反対側即ち下側に積層状に配置されている。そして、Ni層2とTi層4とが放電プラズマ焼結法により接合されている。このTi層4は、Ti又はTi合金で形成されており、詳述するとTi板又はTi合金板から提供されて形成されたものである。さらに、Ni層2とTi層4との接合界面には、Ni層2のNiとTi層4のTiとが合金化してなる第1合金層3が形成されている。この第1合金層3は、Ni層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により接合した時に形成されたものであり、Ni-Ti系超弾性合金相を含んでいる。しかも、この第1合金層3は、NiとTiとの組成比が厚さ方向に徐々に変化する傾斜材料構造を採る。そのため、この第1合金層3は、熱応力熱歪みを確実に緩和吸収する役割を果たす。これにより、積層材1Aの接合界面での割れや剥離の発生及び積層材1AのNi層2の表面2aの変形凹凸の発生を確実に防止することができる。Ni-Ti系超弾性合金相は、詳述すると例えばNiTi超弾性合金相である。Al層6は、Ti層4のNi層2配置側とは反対側即ち下側に積層状に配置されている。そして、Ti層4とAl層6とが放電プラズマ焼結法により接合されている。このAl層6は、Al又はAl合金で形成されており、詳述すると例えばAl板又はAl合金板から提供されて形成されたものである。特に、このAl層6は、絶縁基板15の配線層として機能するとともに応力緩和機能を有するものであり、そのため純度4N以上即ち純度99.99質量以上の純アルミニウムで形成されるのが良い。さらに、Ti層4とAl層6との接合界面には、Ti層4のTiとAl層6のAlとが合金化してなる第2合金層5が形成されている。この第2合金層5は、Ti層4とAl層6とを放電プラズマ焼結法により接合した時に形成されたものであり、Ti-Al系合金相を含んでいる。ここで、上述したように第1合金層3はNi-Ti系超弾性合金相を含んでおり、このNi-Ti系超弾性合金相は熱応力を緩和吸収する。しかし、Ni-Ti系超弾性合金の熱伝導率は12.1W/mKであり、この値はAlの熱伝導率236W/mKと比べて著しく低い。したがって、第1合金層3の厚さはなるべく薄い方が積層材1A更には絶縁基板15の熱伝導率の低下を防止できる点で望ましく、特に7μm以下であることが良い。第1合金層3の厚さの下限は限定されるものではないが、特に2μmであることが熱応力を確実に緩和吸収しうる点で特に望ましい。第2合金層5の厚さはなるべく薄い方が積層材1A更には絶縁基板15の接合界面での割れや剥離の発生を防止できる点で望ましく、特に5μm以下であることが良い。第2合金層5の厚さの下限は限定されるものではないが、特に0.8μmであることが特に望ましい。Ni層2及びTi層4の厚さは限定されるものではない。しかし、Niの熱伝導率は90.7W/mK、Tiの熱伝導率は21.9W/mKであり、これらの熱伝導率はAlの熱伝導率236W/mKと比べて著しく低い。したがって、Ni層2及びTi層4の厚さはなるべく薄い方が、積層材1A更には絶縁基板15の熱伝導率の低下を防止できる点で望ましい。そこで、Ni層2の厚さは150μm以下、及び、Ti層4の厚さは100μm以下であることが特に望ましい。一方、Ni層2の厚さの下限は5μm、Ti層4の厚さの下限は2μmであることが各層2、4の特性を確実に発揮しうる点で特に望ましい。Al層6の厚さは限定されるものではないが、Al層6を絶縁基板15の配線層及び応力緩和層として確実に機能させるため、なるべく厚い方が望ましい。しかるに、本第1実施形態では、Al層6はTi層4とクラッド接合により接合されるのではなく放電プラズマ焼結法により接合されるので、厚さ0.1~2.0mmという厚いAl層6をTi層4と接合することができる。そのため、Al層6を配線層及び応力緩和層として確実に機能させることができる。ろう材層7は、積層材1Aとセラミック層10とをろう付けにより接合する際に用いられるものであり、積層材1AのAl層6のTi層4配置側とは反対側即ち下側に積層状に配置されている。そして、Al層6とろう材層7とが放電プラズマ焼結法により接合されている。このろう材層7は、Al系ろう材板例:Al-Si系合金のろう材板から提供されて形成された層であることが望ましい。このろう材層7の厚さは限定されるものではないが、積層材1Aとセラミック層10とをろう付けにより確実に接合できるようにするため、更には、熱伝導率の低下を防止するため、10~70μmの範囲に設定されるのが特に望ましい。次に、本第1実施形態の積層材1A及び絶縁基板15の製造方法の一例について、図3~5を参照して以下に説明する。図3に示すように、Ni層2とTi層4とを互いに隣接させて放電プラズマ焼結法により積層状に接合する。この工程を第1接合工程という。この第1接合工程では、Ni層2とTi層4とを、Ni層2とTi層4との接合界面に厚さ7μm以下の第1合金層3が形成されるように放電プラズマ焼結法により接合することが特に望ましい。ここで、放電プラズマ焼結SparkPlasmaSintering:SPS法は、一般に、粉体を焼結するため又は部材同士を接合するために適用されるものであり、本第1実施形態では部材同士を接合するために適用されている。なお、この放電プラズマ焼結法は、SPS接合法、パルス通電圧接法PulsedCurrentHotPressing:PCHP等とも呼ばれている。図3において、SPS法とは放電プラズマ焼結法を意味している。第1接合工程においてNi層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により接合する場合には、図4に示すように、まず、放電プラズマ焼結装置30に備えられた筒状ダイ31内にNi層2とTi層4とを積層状に配置する。これにより、Ni層2とTi層4との未接合積層体8当該未接合積層体8を説明の便宜上第1未接合積層体8という。以下同じ。の周囲がダイ31で包囲される。ダイ31は導電性を有するものであり、例えば黒鉛製である。次いで、第1未接合積層体8をその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。各パンチ32は導電性を有するものであり、例えば黒鉛製である。また、各パンチ32の基部には電極33が電気的に接続されている。そして、例えば1~10Paの真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチ32、32で第1未接合積層体8をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ32、32間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで第1未接合積層体8を加熱し、これによりNi層2とTi層4とを接合する。こうして得られたNi層2とTi層4との接合体8Zを、説明の便宜上第1接合体8Zという図3参照。また、この接合により、第1接合体8ZのNi層2とTi層4との接合界面に第1合金層3が形成される。この第1合金層3は、上述したようにNi-Ti系超弾性合金相を含み、しかもNiとTiとの組成比が厚さ方向に徐々に変化する傾斜材料構造を採る。この接合では、厚さ7μm以下の第1合金層3が形成されるように接合条件例:加熱温度、加熱温度の保持時間、昇温速度、加圧力を設定するのが望ましい。この接合条件について具体的に例示すると、加熱温度は600~700°C、加熱温度の保持時間は5~20min、室温から加熱温度への昇温速度は5~50°C/min、第1未接合積層体8への加圧力は10~20MPaである。次いで、図3に示すように、第1接合体8ZのTi層4と、Al層6と、ろう材層7とを、Ti層4とAl層6とを隣接させ且つAl層6とろう材層7とを隣接させて放電プラズマ焼結法により積層状に同時に接合する。この工程を第2接合工程という。この第2接合工程では、Ti層4とAl層6とろう材層7とを、Ti層4とAl層6との接合界面に厚さ5μm以下の第2合金層5が形成されるように放電プラズマ焼結法により接合することが特に望ましい。第2接合工程においてTi層4とAl層6とろう材層7とを放電プラズマ焼結法により同時に接合する場合には、図5に示すように、まず、筒状ダイ31内にTi層4とAl層6とろう材層7とを積層状に配置する。これにより、Ti層4とAl層6とろう材層7との未接合積層体9当該未接合積層体9を説明の便宜上、第2未接合積層体9という。以下同じ。の周囲がダイ31で包囲される。次いで、第2未接合積層体9をその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。そして、例えば1~10Paの真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチ32、32で第2未接合積層体9をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ32、32間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで第2未接合積層体9を加熱し、これによりTi層4とAl層6とろう材層7とを同時に接合する。また、この接合により、Ti層4とAl層6との接合界面に第2合金層5が形成される。この第2合金層5は上述したようにTi-Al系合金相を含んでいる。この接合では、厚さ5μm以下の第2合金層5が形成されるように接合条件例:加熱温度、加熱温度の保持時間、昇温速度、加圧力を設定するのが望ましい。この接合条件について具体的に例示すると、加熱温度は500~560°C、加熱温度の保持時間は5~20min、室温から加熱温度への昇温速度は5~50°C/min、第2未接合積層体9への加圧力は10~20MPaである。以上の工程を経ることで、本第1実施形態の積層材1Aが得られる。この積層材1Aを用いて絶縁基板15が製造される。その製造方法について例示すると次のとおりである。図3に示すように、この積層材1Aとセラミック層10と金属ベース層12とをろう付けにより接合する。これにより、絶縁基板15が得られる。ここで、積層材1Aはろう材層7を備えているので、このろう材層7をろう材として用いることにより積層材1Aとセラミック層10とを容易に接合することができる。なお本発明では、積層材1Aとセラミック層10と金属ベース層12とを炉内ろう付けにより同時に接合しても良い。こうして得られた絶縁基板15では、図1及び2に示すように、その金属ベース層12の下面に放熱部材17がろう付け等により接合されるとともに、Ni層2の表面2aに半導体素子21がはんだ付けにより接合される。これにより半導体モジュール20が得られる。本第1実施形態の積層材1A及びその製造方法は、次の利点を有している。本第1実施形態の積層材1Aは、Ni層2を備えているので、はんだ接合性が良好である。したがって、半導体素子21をこのNi層2の表面2aにはんだ付けにより確実に接合することができる。さらに、Ni層2とAl層6との間にTi層4が配置されているので、次の効果を奏する。すなわち、もしNi層2とAl層6との間にTi層4を配置しないでNi層2とAl層6とを直接接合した場合には、Ni層2とAl層6との接合界面に強度の弱い合金層が形成されてしまい、その結果、冷熱サイクルに伴い発生する熱応力熱歪みによってこの合金層で割れや剥離が生じ易くなる。これに対して、本第1実施形態の積層材1Aでは、Ni層2とAl層6との間にTi層4が配置されているので、そのような強度の弱い合金層は形成されない。これにより、熱応力熱歪みによる積層材の接合界面での割れや剥離の発生を防止できるし、更にはNi層2の表面2aの変形凹凸の発生も防止することができる。しかも、Ni層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により接合することによって、Ni層2とTi層4との接合界面に第1合金層3が形成される。この第1合金層3は、Ni-Ti系超弾性合金相を含み、しかもNiとTiとの組成比が厚さ方向に徐々に変化する傾斜材料構造を採る。したがって、この第1合金層3は、積層材1Aや絶縁基板15に発生する熱応力を確実に緩和吸収する役割を果たす。ここで、積層材1Aや絶縁基板15に発生する熱応力について具体的に例示すると、次のとおりである。すなわち、絶縁基板15の金属ベース層12と放熱部材17との接合が例えばろう付けにより行われる場合、このろう付けの際に絶縁基板15の温度は室温から約600°Cに上昇し、ろう付け後に室温に戻る。また、積層材1AのNi層2の表面2aに半導体素子21がはんだ付けにより接合される際に絶縁基板15の温度は室温から約300°Cに上昇し、はんだ付け後に室温に戻る。さらに、半導体モジュール20の動作の際に半導体素子21の温度は室温から150~300°C程度に上昇し、その動作の停止後に室温に戻る。このような冷熱サイクルによって積層材1Aや絶縁基板15に熱応力熱歪みが発生する。しかるに、本第1実施形態の積層材1Aや絶縁基板15では、この熱応力は第1合金層3により緩和吸収される。これにより、積層材1Aの接合界面での割れや剥離の発生及びNi層2の表面2aの変形の発生を確実に防止することができる。その上、Ni層2とTi層4との接合手段、及び、Ti層4とAl層6とろう材層7との接合手段がいずれも放電プラズマ焼結法であることにより、接合前後の各層の寸法変化を少なくすることができる。これにより、高い寸法精度を有する積層材1Aを得ることができる。しかも、図4に示すように、第1接合工程では、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8の周囲を放電プラズマ焼結用ダイ31で包囲した状態で第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により接合しているので、両パンチ32、32間の通電を確実に確保することができ、もって安定した温度制御を行うことができる。これにより、この接合を確実に行うことができる。これと同様に、図5に示すように、第2接合工程では、Ti層4とAl層6とろう材層7との第2未接合積層体9の周囲をダイ31で包囲した状態で第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とを放電プラズマ焼結法により接合しているので、両パンチ32、32間の通電を確実に確保することができ、もって安定した温度制御を行うことができる。これにより、この接合を確実に行うことができる。さらに、Ti層4とAl層6との接合手段として放電プラズマ焼結法を採用することにより、接合手段としてクラッド接合を採用する場合に比べて、厚さの厚いAl層6をTi層4と接合することが可能となる。具体的に示すと、Ti層4とAl層6との接合手段としてクラッド接合を採用し、厚さ100μm以下のTi層4を用いた場合、安定した接合を行うためにはTi層4の厚さと同じ程度の厚さのAl層6しかTi層4と接合することができない。これに対して、接合手段として放電プラズマ焼結法を採用する場合には、厚さ0.1~2.0mmという厚いAl層6をTi層4と接合することができる。そのため、Al層6を配線層及び応力緩和層として確実に機能させることができる。さらに、Al層6とろう材層7とが接合されているので、このろう材層7を、積層材1Aとセラミック層10とをろう付けにより接合する際のろう材として用いることができる。そのため、積層材1Aとセラミック層10とを容易に接合することができる。さらに、Ti層4とAl層6とろう材層7とを放電プラズマ焼結法により同時に接合することにより、ろう材層7を備えた積層材1Aを作業能率良く得ることができる。ここで、上記第1実施形態の積層材1Aでは全ての層2、4、6、7が導電性を有している。そのため、放電プラズマ焼結用ダイ31を必ずしも用いなくても上下両パンチ32、32間の通電を確保し得て、放電プラズマ焼結法による接合を行うことができる。以下に、その接合方法を含め、上記第1実施形態の積層材1Aの製造方法の幾つかの変形例を説明する。図6は、第1接合工程においてNi層2とTi層4とをダイ31を用いないで放電プラズマ焼結法により接合する場合を示す断面図である。同図に示した第1接合工程では、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8の周囲はダイで包囲されていない。次いで、第1未接合積層体8をその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。そして、真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチ32、32で第1未接合積層体8をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ32、32間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで第1未接合積層体8を加熱し、これによりNi層2とTi層4とを接合する。また、この接合により、Ni層2とTi層4との接合界面に第1合金層3が形成される。この接合に適用される接合条件は、上記第1実施形態の第1接合工程で適用した接合条件と同じである。同図に示した第1接合工程では、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8を、第1未接合積層体8の周囲をダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合するので、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの層2、4のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置30についての設備費の低減を図ることができる。図7は、第1接合工程において各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とをダイ31を用いて放電プラズマ焼結法により一括して接合する場合を示す断面図である。同図に示した第1接合工程では、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8を複数準備する。同図では、準備した第1未接合積層体8の個数は例えば3個である。なお本発明では、第1未接合積層体8の個数は3個であることに限定されるものではなく、2~40個であっても良いし、40個を超えても良い。次いで、ダイ31内において、複数の第1未接合積層体8を互いに隣り合う各第1未接合積層体8、8間に導電性離型板35を介して積層する。つまり、ダイ31内において、互いに隣り合う2個の第1未接合積層体8、8の間に導電性離型板35が介在されるように、複数の第1未接合積層体8を積層する。これにより、複数の第1未接合積層体8の周囲がダイ31で包囲される。導電性離型板35は、互いに隣り合う第1未接合積層体8、8同士が接合しないようにする役割を有するものであり、更に、第1未接合積層体8とは接合しないものである。この導電性離型板35は、導電性を有し更に接合時に溶融しない耐熱性を有する板であることが望ましく、例えばカーボン板グラファイト板シートを含むからなるものである。次いで、複数の第1未接合積層体8を一括してその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。そして、真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチ32、32で複数の第1未接合積層体8をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ32、32間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで複数の第1未接合積層体8を加熱し、これにより各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを一括して接合する。また、この接合により、各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4との接合界面に第1合金層3が形成される図3参照。この接合に適用される接合条件は、上記第1実施形態の第1接合工程で適用した接合条件と同じである。同図に示した第1接合工程では、各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により一括して接合するので、Ni層2とTi層4との第1接合体8Zを大量に製造することができる。これにより、積層材1Aの製造コストを引き下げることができる。図8は、第1接合工程において各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とをダイ31を用いないで放電プラズマ焼結法により一括して接合する場合を示す断面図である。同図に示した第1接合工程では、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8を複数準備する。同図では、準備した第1未接合積層体8の個数は例えば3個である。なお本発明では、第1未接合積層体8の個数は3個であることに限定されるものではなく、2~40個であっても良いし、40個を超えても良い。次いで、複数の第1未接合積層体8を互いに隣り合う各第1未接合積層体8、8間に導電性離型板35を介して積層する。つまり、互いに隣り合う2個の第1未接合積層体8、8の間に導電性離型板35が介在されるように、複数の第1未接合積層体8を積層する。このとき、複数の第1未接合積層体8の周囲はダイで包囲されていない。次いで、複数の第1未接合積層体8を一括してその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。そして、真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチ32、32で複数の第1未接合積層体8をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ32、32間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで複数の第1未接合積層体8を加熱し、これにより各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを一括して接合する。また、この接合により、各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4との接合界面に第1合金層3が形成される図3参照。この接合に適用される接合条件は、上記第1実施形態の第1接合工程で適用した接合条件と同じである。同図に示した第1接合工程では、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8を、第1未接合積層体8の周囲をダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合するので、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの層2、4のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置30についての設備費の低減を図ることができる。さらに、各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により一括して接合するので、Ni層2とTi層4との第1接合体8Zを大量に製造することができる。これにより、積層材1Aの製造コストを引き下げることができる。図9は、第2接合工程において第1接合体8ZのTi層4と、Al層6と、ろう材層7とをダイ31を用いないで放電プラズマ焼結法により接合する場合を示す断面図である。同図に示した第2接合工程では、Ti層4とAl層6とろう材層7との第2未接合積層体9の周囲はダイで包囲されていない。次いで、第2未接合積層体9をその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。そして、真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチ32、32で第2未接合積層体9をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ32、32間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで第2未接合積層体9を加熱し、これによりTi層4とAl層6とろう材層7とを同時に接合する。また、この接合により、Ti層4とAl層6との接合界面に第2合金層5が形成される図3参照。この接合に適用される接合条件は、上記第1実施形態の第2接合工程で適用した接合条件と同じである。同図に示した第2接合工程では、Ti層4とAl層6とろう材層7との第2未接合積層体9を、第2未接合積層体9の周囲をダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合するので、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの層4、6、7のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置30についての設備費の低減を図ることができる。図10は、第2接合工程において各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とをダイ31を用いて放電プラズマ焼結法により一括して接合する場合を示す断面図である。同図に示した第2接合工程では、Ti層4とAl層6とろう材層7との第2未接合積層体9を複数準備する。同図では、準備した第2未接合積層体9の個数は例えば3個である。なお本発明では、第2未接合積層体9の個数は3個であることに限定されるものではなく、2~40個であっても良いし、40個を超えても良い。次いで、ダイ31内において、複数の第2未接合積層体9を互いに隣り合う各第2未接合積層体9、9間に導電性離型板35を介して積層する。つまり、ダイ31内において、互いに隣り合う2個の第2未接合積層体9、9の間に導電性離型板35が介在されるように、複数の第2未接合積層体9を積層する。これにより、複数の第2未接合積層体9の周囲がダイ31で包囲される。次いで、複数の第2未接合積層体9を一括してその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。そして、真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチで複数の第2未接合積層体をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで複数の第2未接合積層体9を加熱し、これにより各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7を一括して同時に接合する。また、この接合により、各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6との接合界面に第2合金層5が形成される図3参照。この接合に適用される接合条件は、上記第1実施形態の第2接合工程で適用した接合条件と同じである。同図に示した第1接合工程では、各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合するので、積層材1Aを大量に製造することができる。これにより、積層材1Aの製造コストを引き下げることができる。図11は、第2接合工程において各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とをダイ31を用いないで放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合する場合を示す断面図である。同図に示した第2接合工程では、Ti層4とAl層6とろう材層7との第1未接合積層体9を複数準備する。同図では、準備した第2未接合積層体9の個数は例えば3個である。なお本発明では、第2未接合積層体9の個数は3個であることに限定されるものではなく、2~40個であっても良いし、40個を超えても良い。次いで、複数の第2未接合積層体9を互いに隣り合う各第2未接合積層体9、9間に導電性離型板35を介して積層する。つまり、互いに隣り合う2個の第2未接合積層体9、9の間に導電性離型板35が介在されるように、複数の第2未接合積層体9を積層する。このとき、複数の第2未接合積層体9の周囲はダイで包囲されていない。次いで、複数の第2未接合積層体9を一括してその厚さ方向に上下一対のパンチ32、32で挟む。そして、真空雰囲気中、又は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて、両パンチ32、32で複数の第2未接合積層体9をその厚さ方向に加圧しつつ、両パンチ32、32間の通電を確保した状態で両パンチ32、32間にパルス電流を通電することで複数の第2未接合積層体9を加熱し、これにより各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とを一括して同時に接合する。また、この接合により、各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6との接合界面に第2合金層5が形成される図3参照。この接合に適用される接合条件は、上記第1実施形態の第2接合工程で適用した接合条件と同じである。同図に示した第2接合工程では、Ti層4とAl層6とろう材層7との第2未接合積層体8を、第2未接合積層体8の周囲をダイで包囲しない状態で放電プラズマ焼結法により接合するので、放電プラズマ焼結法による接合の際にこれらの層4、6、7のセッティング作業及び接合後における取り出し作業を容易に行うことができる。これにより、接合作業を迅速に行うことができるし、放電プラズマ焼結装置30についての設備費の低減を図ることができる。さらに、各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合するので、積層材1Aを大量に製造することができる。これにより、積層材1Aの製造コストを引き下げることができる。図12は、本発明の第2実施形態に係る積層材1Bの製造工程の一例を示す概略断面図である。同図には、上記第1実施形態の積層材1Aの構成要素と同一又は対応する構成要素に同一の符号が付されている。本第2実施形態の積層材1Bは、上記第1実施形態の積層材1Aからろう材層7を除いたものである。すなわち、この積層材1Bは、Ni層2とTi層4とAl層6とを備える一方、ろう材層7を備えていないものである。そして、この積層材1Bは、セラミック層10の片面側に積層状にセラミック層10とろう付けにより接合されるものである。このろう付けの際には、積層材1Bとは別体のろう材層7がろう材として用いられる。本第2実施形態の積層材1Bの製造方法は、Al層6にろう材層7が接合されないことを除いて上記第1実施形態の積層材1Aの製造方法と同じである。以上で本発明の幾つかの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で様々に変更可能である。また、本発明は、上記第1実施形態及び第2実施形態で適用した技術的思想を組み合わせて構成して良い。本発明の具体的な幾つかの実施例を以下に示す。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。<実施例1>本実施例1では、図12に示した上記第2実施形態の積層材1Bを製造した。Ni層2、Ti層4及びAl層6として、それぞれ次の円盤状の板を準備した。Ni層2:直径100mm×厚さ0.02mmの純Ni板Ti層4:直径100mm×厚さ0.1mmの純Ti板Al層6:直径100mm×厚さ0.6mmの純Al板。Ni層2を形成するNi板の純度はJIS日本工業規格1種である。Ti層4を形成するTi板の純度はJIS1種である。Al層6を形成するAl板の純度は4N即ち99.99質量である。次いで、第1接合工程では、Ni層2とTi層4とを、黒鉛製の円筒状ダイ31を用いて放電プラズマ焼結法により積層状に接合した。すなわち、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8の周囲をダイ31で包囲した状態で、3Paの真空雰囲気中にて第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により接合した。これにより、Ni層2とTi層4との第1接合体8Zを得た。また、この接合により、Ni層2とTi層4との接合界面にNi層2のNiとTi層4のTiとが合金化してなる厚さ2μmの第1合金層3が形成された。この第1合金層3は、NiTi超弾性合金相を含み、しかもNiとTiとの組成比が厚さ方向に徐々に変化する傾斜材料構造を採る。この第1接合工程では、直径100mmの黒鉛製の上下各パンチ32、32を用いた。第1接合工程で適用した接合条件は、加熱温度650°C、加熱温度の保持時間5min、昇温速度35°C/min、加圧力20MPaである。次いで、第2接合工程では、第1接合体8ZのTi層4と、Al層6とを、黒鉛製の円筒状ダイ31を用いて放電プラズマ焼結法により積層状に接合した。すなわち、Ti層4とAl層6との第2未接合積層体8の周囲をダイ31で包囲した状態で、3Paの真空雰囲気中にて第2未接合積層体8のTi層4とAl層6とを放電プラズマ焼結法により接合した。これにより、所望する積層材厚さ0.72mm1Bを得た。また、この接合により、Ti層4とAl層6との接合界面にTi層4のTiとAl層6のAlとが合金化してなる厚さ1μmの第2合金層5が形成された。この第2合金層5はTiAl合金相を含んでいる。この第2接合工程では、直径100mmの黒鉛製の上下各パンチ32、32を用いた。第2接合工程で適用した接合条件は、加熱温度530°C、加熱温度の保持時間5min、昇温速度35°C/min、加圧力20MPaである。なお、Ti層4とAl層6とを接合する前に、Al層6が接合されるTi層4の表面をブラシ研磨して当該表面上の酸化皮膜を予め除去した。次いで、こうして得られた積層材1Bを縦70mm×横70mmの大きさに切断後、積層材1Bと、ろう材層7と、セラミック層10と、ろう材層11と、金属ベース層12とを炉内ろう付けにより積層状に同時に接合した。この工程をろう付け工程という。これにより、絶縁基板15を得た。このろう付け工程では、セラミック層10としてAlN板縦70mm×横70mm×厚さ1mmと、各ろう材層7、11としてAl-8質量Siのろう材板縦70mm×横70mm×厚さ0.04mmと、金属ベース層12として純度が4Nの純Al板縦70mm×横70mm×厚さ0.6mmとを用いた。ろう付け工程で適用したろう付け条件は、加熱温度600°C、加熱温度の保持時間15min、印加荷重6g/cm2である。次いで、こうして得られた絶縁基板15に対して-40~125°Cの冷熱サイクル試験を1000回繰り返して実施したところ、絶縁基板15の各接合界面での割れや剥離及び絶縁基板15のNi層2の表面2aの変形は発生しなかった。<実施例2>本第2実施例では、図3に示した上記第1実施形態の積層材1Aを製造した。Ni層2、Ti層4、Al層6及びろう材層7として、それぞれ次の円盤状の板を準備した。Ni層2:直径100mm×厚さ0.02mmの純Ni板Ti層4:直径100mm×厚さ0.1mmの純Ti板Al層6:直径100mm×厚さ0.6mmの純Al板ろう材層7:直径100mm×厚さ0.04mmのろう材板。Ni層2を形成するNi板の純度はJIS1種である。Ti層4を形成するTi板の純度はJIS1種である。Al層6を形成するAl板の純度は4Nである。ろう材層7を形成するろう材板の組成はAl-8質量Siである。次いで、第1接合工程では、図6に示すように、Ni層2とTi層4とを、放電プラズマ焼結用ダイを用いないで放電プラズマ焼結法により積層状に接合した。すなわち、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8の周囲をダイで包囲しない状態で、3Paの真空雰囲気中にて第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により接合した。これにより、Ni層2とTi層4との第1接合体8Zを得た図3参照。また、この接合により、Ni層2とTi層4との接合界面にNi層2のNiとTi層4のTiとが合金化してなる厚さ2μmの第1合金層3が形成された。この第1合金層3は、NiTi超弾性合金相を含み、しかもNiとTiとの組成比が厚さ方向に徐々に変化する傾斜材料構造を採る。この第1接合工程では、直径100mmの黒鉛製の上下各パンチ32、32を用いた。第1接合工程で適用した接合条件は、加熱温度650°C、加熱温度の保持時間5min、昇温速度35°C/min、加圧力20MPaである。次いで、第2接合工程では、図9に示すように、第1接合体8ZのTi層4と、Al層6と、ろう材層7とを、ダイを用いないで放電プラズマ焼結法により積層状に同時に接合した。すなわち、Ti層4とAl層6とろう材層7との第2未接合積層体9の周囲をダイで包囲しない状態で、3Paの真空雰囲気中にて第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とを放電プラズマ焼結法により同時に接合した。これにより、所望する積層材厚さ0.76mm1Aを得た図3参照。また、この接合により、Ti層4とAl層6との接合界面にTi層4のTiとAl層6のAlとが合金化してなる厚さ1μmの第2合金層5が形成された。この第2合金層5はTiAl合金相を含んでいる。この第2接合工程では、直径100mmの黒鉛製の上下各パンチを用いた。第2接合工程で適用した接合条件は、加熱温度530°C、加熱温度の保持時間5min、昇温速度35°C/min、加圧力20MPaである。なお、Ti層4とAl層6とを接合する前に、Al層6が接合されるTi層4の表面をブラシ研磨して当該表面上の酸化皮膜を予め除去した。次いで、図3に示すように、こうして得られた積層材1Aを縦70mm×横70mmの大きさに切断後、積層材1Aと、セラミック層10と、ろう材層11と、金属ベース層12とを炉内ろう付けにより積層状に同時に接合した[ろう付け工程]。これにより、絶縁基板15を得た。このろう付け工程では、セラミック層10としてAlN板縦70mm×横70mm×厚さ1mmと、ろう材層11としてAl-8質量Siのろう材板縦70mm×横70mm×厚さ0.04mmと、金属ベース層12として純度が4Nの純Al板縦70mm×横70mm×厚さ0.6mmとを用いた。ろう付け工程で適用したろう付け条件は、加熱温度600°C、加熱温度の保持時間15min、印加荷重6g/cm2である。次いで、こうして得られた絶縁基板15に対して-40~125°Cの冷熱サイクル試験を1000回繰り返して実施したところ、絶縁基板15の各接合界面での割れや剥離及び絶縁基板15のNi層2の表面2aの変形は発生しなかった。<実施例3>本第3実施例では、図3に示した上記第1実施形態の積層材1Aを製造した。Ni層2、Ti層4、Al層6及びろう材層7として、それぞれ次の円盤状の板を準備した。Ni層2:直径100mm×厚さ0.02mmの純Ni板Ti層4:直径100mm×厚さ0.1mmの純Ti板Al層6:直径100mm×厚さ0.6mmの純Al板。ろう材層7:直径100mm×厚さ0.04mmのろう材板。Ni層2を形成するNi板の純度はJIS1種である。Ti層4を形成するTi板の純度はJIS1種である。Al層6を形成するAl板の純度は4Nである。ろう材層7を形成するろう材板の組成はAl-8質量Siである。次いで、第1接合工程では、Ni層2とTi層4との第1未接合積層体8を30個準備した。そして、図8に示すように、これらの第1未接合積層体8を互いに隣り合う各第1未接合積層体8、8間に導電性離型板35を介して積層した。導電性離型板35は、直径100mm×厚さ2mmの円盤状のカーボン板からなるものである。そして、各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを、ダイを用いないで放電プラズマ焼結法により積層状に一括して接合した。すなわち、これらの第1未接合積層体8の周囲をダイで包囲しない状態で、3Paの真空雰囲気中にて各第1未接合積層体8のNi層2とTi層4とを放電プラズマ焼結法により一括して接合した。これにより、Ni層2とTi層4との第1接合体8Zを30個得た。また、この接合により、各第1接合体8ZのNi層2とTi層4との接合界面にNi層2のNiとTi層4のTiとが合金化してなる厚さ2μmの第1合金層3が形成された。この第1合金層3は、NiTi超弾性合金相を含み、しかもNiとTiとの組成比が厚さ方向に徐々に変化する傾斜材料構造を採る。この第1接合工程では、直径100mmの黒鉛製の上下各パンチ32、32を用いた。第1接合工程で適用した接合条件は、加熱温度650°C、加熱温度の保持時間5min、昇温速度35°C/分、加圧力20MPaである。次いで、第2接合工程では、第1接合体8ZのTi層4とAl層6とろう材層7との第2未接合積層体9を30個順次した。そして、図11に示すように、これらの第2未接合積層体9を互いに隣り合う各第2未接合積層体9、9間に導電性離型板35を介して積層した。導電性離型板35は、直径100mm×厚さ2mmの円盤状のカーボン板からなるものである。そして、各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とを、ダイを用いないで放電プラズマ焼結法により積層状に一括して同時に接合した。すなわち、これらの第2未接合積層体9の周囲をダイで包囲しない状態で、3Paの真空雰囲気中にて各第2未接合積層体9のTi層4とAl層6とろう材層7とを放電プラズマ焼結法により一括して同時に接合した。これにより、所望する積層材厚さ0.76mm1Aを30個得た。また、この接合により、各積層材1AのTi層4とAl層6との接合界面にTi層4のTiとAl層6のAlとが合金化してなる厚さ1μmの第2合金層5が形成された。この第2合金層5はTiAl合金相を含んでいる。この第2接合工程では、直径100mmの黒鉛製の上下各パンチ32、32を用いた。第2接合工程で適用した接合条件は、加熱温度530°C、加熱温度の保持時間5min、昇温速度35°C/分、加圧力20MPaである。なお、Ti層4とAl層6とを接合する前に、Al層6が接合されるTi層4の表面をブラシ研磨して当該表面上の酸化皮膜を除去した。次いで、これらの積層材1Aの中から任意に選択した一個の積層材1Aを縦70mm×横70mmの大きさに切断後、積層材1Aと、セラミック層10と、ろう材層11と、金属ベース層12とを炉内ろう付けにより積層状に同時に接合した[ろう付け工程]。これにより、絶縁基板15を得た。このろう付け工程では、セラミック層10としてAlN板縦70mm×横70mm×厚さ1mmと、ろう材層11としてAl-8質量Siのろう材板縦70mm×横70mm×厚さ0.04mmと、金属ベース層12として純度が4Nの純Al板縦70mm×横70mm×厚さ0.6mmとを用いた。ろう付け工程で適用したろう付け条件は、加熱温度600°C、加熱温度の保持時間15min、印加荷重6g/cm2である。次いで、こうして得られた絶縁基板15に対して-40~125°Cの冷熱サイクル試験を1000回繰り返して実施したところ、絶縁基板15の各接合界面での割れや剥離及び絶縁基板15のNi層2の表面2aの変形は発生しなかった。<比較例1>Ni層2、Ti層4、Al層6、AlN層10、金属ベース層12及び複数のろう材層として、それぞれ次の板を準備した。Ni層2:縦70mm×横70mm×厚さ0.02mmの純Ni板Ti層4:縦70mm×横70mm×厚さ0.1mmの純Ti板Al層6:縦70mm×横70mm×厚さ0.6mmの純Al板AlN層10:縦70mm×横70mm×厚さ1mmのAlN板金属ベース層12:縦70mm×横70mm×厚さ0.6mmの純Al板各ろう材層:縦70mm×横70mm×厚さ0.04mmのろう材板。Ni層2を形成するNi板の純度はJIS1種である。Ti層4を形成するTi板の純度はJIS1種である。Al層6を形成するAl板の純度は4Nである。金属ベース層12を形成するAl板の純度は4Nである。ろう材層を形成するろう材板の組成はAl-8質量Siである。次いで、Ni層2とろう材層とTi層4とろう材層とAl層6とろう材層とAlN層10とろう材層と金属ベース層12とをこの順に積層した。そして、これらの層を炉内ろう付けにより積層状に同時に接合した[ろう付け工程]。これにより、絶縁基板を得た。このろう付け工程で適用したろう付け条件は、加熱温度600°C、加熱温度の保持時間15min、印加荷重6g/cm2である。こうして得られた絶縁基板では、Ni層2とTi層4との接合界面に介在するろう材層と、Ti層4とAl層6との接合界面に介在するろう材層とに、それぞれろう付け時の熱応力により割れが発生した。