a表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されている半導体基板を準備する工程と、b前記半導体基板にレーザビームを照射して、前記相対的に浅い領域に添加された高濃度不純物は、該高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、前記半導体基板を溶融させて活性化させ、前記相対的に深い領域に添加された低濃度不純物は、前記半導体基板を、前記低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく活性化させる工程とを有するレーザアニール方法。前記工程aで準備する半導体基板は、前記相対的に高濃度で不純物が添加された領域の少なくとも一部がアモルファス化している請求項1に記載のレーザアニール方法。前記工程bにおいて、前記相対的に浅い領域に添加された不純物は、前記半導体基板に、パルス幅が相対的に短いパルスレーザビームを照射し、照射位置の前記半導体基板を溶融させて活性化させ、前記相対的に深い領域に添加された不純物は、前記半導体基板に、パルス幅が相対的に長いパルスレーザビームを照射して活性化させる請求項1または2に記載のレーザアニール方法。前記工程bにおいて、前記相対的に浅い領域に添加された不純物は、前記半導体基板に、パルス幅が相対的に長いパルスレーザビームを照射し、前記半導体基板を溶融しない温度まで加熱した状態で、パルス幅が相対的に短いパルスレーザビームを照射し、照射位置の前記半導体基板を溶融させて活性化させる請求項3に記載のレーザアニール方法。前記工程bにおいて、前記相対的に浅い領域に添加された不純物の活性化と、前記相対的に深い領域に添加された不純物の活性化とを別時に行う請求項1~3のいずれか1項に記載のレーザアニール方法。パルス幅が相対的に短い第1のパルスレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、パルス幅が相対的に長い第2のパルスレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加された半導体基板を保持するステージと、前記第1のレーザ光源を出射した第1のパルスレーザビーム、及び、前記第2のレーザ光源を出射した第2のパルスレーザビームを、前記ステージに保持された半導体基板上の同一領域に伝搬しうる伝搬光学系であって、前記第1のパルスレーザビームと前記第2のパルスレーザビームとを、同一光軸上に重畳するビーム重畳器を含み、前記第1のパルスレーザビームを、前記高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、前記半導体基板を溶融させるエネルギ密度で伝搬させることが可能であり、かつ、前記第2のパルスレーザビームを、前記半導体基板を、前記低濃度不純物の添加領域まで溶融させないエネルギ密度で伝搬させる伝搬光学系とを有するレーザアニール装置。更に、前記半導体基板に、前記第2のパルスレーザビームを照射し、前記半導体基板を溶融しない温度まで加熱した状態で、前記第1のパルスレーザビームを照射し、照射位置の前記半導体基板を溶融させるように、前記第1のレーザ光源からの前記第1のパルスレーザビームの出射、及び、前記第2のレーザ光源からの前記第2のパルスレーザビームの出射を制御する制御装置を含む請求項6に記載のレーザアニール装置。本発明の目的は、高品質のアニールを実現可能なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することである。本発明の一観点によると、a表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されている半導体基板を準備する工程と、b前記半導体基板にレーザビームを照射して、前記相対的に浅い領域に添加された高濃度不純物は、該高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、前記半導体基板を溶融させて活性化させ、前記相対的に深い領域に添加された低濃度不純物は、前記半導体基板を、前記低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく活性化させる工程とを有するレーザアニール方法が提供される。また、本発明の他の観点によると、パルス幅が相対的に短い第1のパルスレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、パルス幅が相対的に長い第2のパルスレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加された半導体基板を保持するステージと、前記第1のレーザ光源を出射した第1のパルスレーザビーム、及び、前記第2のレーザ光源を出射した第2のパルスレーザビームを、前記ステージに保持された半導体基板上の同一領域に伝搬しうる伝搬光学系であって、前記第1のパルスレーザビームと前記第2のパルスレーザビームとを、同一光軸上に重畳するビーム重畳器を含み、前記第1のパルスレーザビームを、前記高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、前記半導体基板を溶融させるエネルギ密度で伝搬させることが可能であり、かつ、前記第2のパルスレーザビームを、前記半導体基板を、前記低濃度不純物の添加領域まで溶融させないエネルギ密度で伝搬させる伝搬光学系とを有するレーザアニール装置が提供される。なお、相対的に高濃度で不純物が添加された領域は、アモルファス化していることがある。本発明によれば、高品質のアニールを実現可能なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することができる。図1は、実施例によるレーザアニール装置を示す概略図である。実施例によるレーザアニール装置は、レーザ光源10、20、アッテネータ11、21、テレスコープ12、22、ホモジナイザ13、23、折り返しミラー14、ダイクロイックミラー15、イメージングレンズ16、ステージ30、及び制御装置40を含んで構成される。レーザ光源10は、固体レーザ、たとえばNd:YAGレーザまたはNd:YLFレーザ、及び非線形光学結晶を含み、制御装置40からのトリガ信号に応じて、Nd:YAGレーザの第2高調波波長532nmまたはNd:YLFレーザの第2高調波波長527nmであるパルスレーザビーム10aを出射する。パルスレーザビーム10aは、入射するレーザビームの光強度を減衰率可変に減衰して出射するアッテネータ11で光強度を減衰され、テレスコープ12を通過してホモジナイザ13に入射する。ホモジナイザ13は入射するレーザビームを分割し、重ね合わせることにより、加工面レーザ照射面におけるパルスレーザビーム10aの形状を、たとえば矩形状に整形するとともに、面内における光強度を均一化する。ホモジナイザ13を出射したレーザビーム10aは、折り返しミラー14で反射されて、ダイクロイックミラー15を透過し、イメージングレンズ16で集光されて、たとえばXYステージであるステージ30に、2次元方向X軸方向及びY軸方向に移動可能に保持されたシリコンウエハ50に入射する。レーザ光源20は、たとえば半導体レーザを含み、制御装置40からパルス状の電力電流の供給を受けて、たとえば波長915nmのパルスレーザビーム20aを出射する。パルスレーザビーム20aは、アッテネータ21で減衰率可変に光強度を減衰され、テレスコープ22を経由してホモジナイザ23に入射する。ホモジナイザ23は加工面におけるパルスレーザビーム20aの形状を、たとえば矩形状に整形するとともに、面内における光強度を均一化する。ホモジナイザ23を出射したレーザビーム20aは、ダイクロイックミラー15で反射された後、イメージングレンズ16で集光されて、ステージ30に保持されたシリコンウエハ50に入射する。ダイクロイックミラー15は、パルスレーザビーム10a及び20aを同一光軸上に重畳するビーム重畳器である。両パルスレーザビーム10a、20aは、たとえば長軸方向X軸方向の長さが4mm、短軸方向Y軸方向の長さが0.25mmの矩形状の入射領域を形成して、シリコンウエハ50上の同一領域に入射する。制御装置40は、固体レーザ10からのパルスレーザビーム10aの出射、及び、半導体レーザ20からのパルスレーザビーム20aの出射を制御する。また、ステージ30の動作を制御することで、ステージ30に保持されたシリコンウエハ50上におけるパルスレーザビーム10a、20aの入射位置を制御する。パルスレーザビーム10aのパルス幅は相対的に短く、パルスレーザビーム20aのパルス幅は相対的に長い。パルスレーザビーム20aのパルス幅は、たとえばパルスレーザビーム10aのパルス幅の20倍以上である。なお、たとえばパルスレーザビーム20aのパルス幅は、制御装置40から半導体レーザ20へのパルス状電力の供給時間で制御することができる。シリコンウエハ50は、不純物が添加された半導体基板である。シリコンウエハ50のレーザ照射面から、相対的に深い領域、たとえば深さが1μmを超える領域には、相対的に低濃度で不純物がイオン注入されている。また、相対的に浅い領域、たとえば深さが1μm以下の領域には、相対的に高濃度で不純物がイオン注入されている。なお、高濃度で添加された不純物がリンPである場合、高濃度でリンPが添加された領域は、たとえばシリコンがアモルファス化する。シリコンウエハ50は、たとえば絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造に用いられる。シリコンウエハ50の厚さは、たとえば100μmである。シリコンウエハ50の表側の表層部には、IGBTのエミッタ領域及びゲート領域が画定されている。また裏側の表層部には、p型不純物、たとえばホウ素Bの注入によるコレクタ領域、及び、n型不純物、たとえばリンPの注入によるフィールドストップ領域が画定されている。図2に、シリコンウエハ50の不純物デプスプロファイルの一例を示す。グラフの横軸は、シリコンウエハ50の裏側表面からの深さを、リニアな目盛りにより単位μmで表す。グラフの縦軸は、添加された不純物の濃度を、対数目盛りにより単位atoms/ccで表す。ホウ素Bの濃度がピークとなる位置は、裏側表面から0.3μmの深さである。また、リンPの濃度がピークとなる位置は、裏側表面から1.8μmの深さである。更に、リンPの注入深さのテールは、裏面表面から3μmに及ぶ。パルスレーザビーム10a、20aは、シリコンウエハ50の裏側表面に照射される。パルスレーザビーム10a、20aの照射により、コレクタ領域レーザ照射面から相対的に浅い領域に注入された不純物B、及び、フィールドストップ領域レーザ照射面から相対的に深い領域に注入された不純物Pの活性化アニールが行われる。なお、IGBTの製造に用いられるシリコンウエハ50においては、アニールに際して表側表層部が高温になるのは好ましくない。シリコンウエハ50表面における矩形状ビーム入射領域の短軸方向Y軸方向にシリコンウエハ50を移動させることにより、ビーム入射領域の長軸方向X軸方向の長さを幅とする帯状の領域をアニールすることができる。パルスレーザビーム10a、20aをシリコンウエハ50の端部まで照射したところで、シリコンウエハ50を、ビーム入射領域の長軸方向X軸方向にずらす。その後、シリコンウエハ50上のY軸方向にビーム入射領域を移動させて、帯状の領域をアニールする処理を繰り返すことにより、シリコンウエハ50の裏側表面全体をアニールすることができる。アニールにおいて、パルスレーザビーム10a、20aは、たとえば50以上の重複率でシリコンウエハ50に照射される。相対的に深い領域、たとえば深さが1μmを超える領域に、相対的に低濃度で添加された不純物Pは、パルス幅が相対的に長いパルスレーザビーム20aにより活性化非溶融アニールが行われる。相対的に浅い領域、たとえば深さが1μm以下の領域に、相対的に高濃度で添加された不純物Bは、パルス幅が相対的に短いパルスレーザビーム10aにより活性化溶融アニールが行われる。パルスレーザビーム10aは、高濃度で不純物のイオン注入が行われている領域よりも深い位置まで、シリコンを溶融させるエネルギ密度でシリコンウエハ50に照射される。パルスレーザビーム10aの照射により、パルスレーザビーム10a入射位置のシリコンウエハ50は溶融し、高濃度で不純物Bが注入されている領域は、液相エピタキシャル成長によって、結晶欠陥が回復される過程で十分な不純物B活性化が行われる。図3及び図4を参照し、パルスレーザビーム20aの照射による、相対的に深い領域に、相対的に低濃度で添加された不純物の活性化について説明する。図3は、パルスレーザビーム20aを、シリコンウエハ50裏側表面レーザ照射面が融点約1690Kに達する条件で照射したときの、シリコンウエハ50裏側表面から深さ3μmの位置の最高到達温度、及び深さ100μmの位置表側表面の最高到達温度と、パルスレーザビーム20aのパルス幅との関係を示すグラフである。グラフの横軸は、パルスレーザビーム20aのパルス幅を、単位μsで表し、縦軸は、深さ3μm及び100μmの位置の最高到達温度を、単位Kで表す。曲線aは、パルスレーザビーム20aのパルス幅と、深さ3μmの位置の最高到達温度との関係を示し、曲線bは、パルスレーザビーム20aのパルス幅と、深さ100μmの位置の最高到達温度との関係を示す。曲線aを参照すると、パルス幅が5μs未満である場合、3μmの深さの温度上昇が不十分である。このため、5μs未満のパルス幅は、3μm超の深さに添加された不純物が十分に活性化されず、好ましくない。曲線bを参照すると、パルスレーザビーム20aのパルス幅が長いほど深い領域の温度は上昇し、不純物の活性化には有利であるが、シリコンウエハ50の表側表面レーザ非照射面の温度が上昇する点で好ましくなく、たとえば100μsを超えるパルス幅は望ましくないであろう。このため、半導体レーザ20から出射される波長915nmのパルスレーザビーム20aのパルス幅は5μs~100μsであることが好ましい。曲線a、bから、3μm深さの温度上昇が十分であり、かつ、100μm深さの温度上昇が著しくない40μs以下のパルス幅とすることが、より好ましいであろう。なお、実施例においては、レーザ光源20として、安価に高出力を得られる波長915nmの半導体レーザを用いたが、たとえば、常温でシリコンに対する侵入長が30μm程度である波長950nm以下のレーザビームを出力する半導体レーザその他のレーザを使用することができる。図4は、リンPを2MeVのエネルギ、3E13/cm2のドーズ量でイオン注入したシリコンウエハに、パルスレーザビーム20aを、パルス幅を20μs、照射面におけるパワー密度を420kW/cm2として照射して行ったアニールの結果を示すグラフである。グラフの横軸は、レーザ照射面からの深さを、リニアな目盛りにより単位μmで表す。グラフの縦軸は、不純物及びキャリアの濃度を、対数目盛りにより、たとえば単位ions/cm3で表す。曲線aは、不純物のデプスプロファイルを示し、曲線bは、キャリアのデプスプロファイルを示す。上記条件のパルスレーザビーム20aの照射により、相対的に深い領域に、相対的に低濃度で添加されたリンPの約70を活性化させることができることがわかる。図5~図8を参照し、パルスレーザビーム10aの照射による、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で添加された不純物の活性化について説明する。パルスレーザビーム10aのパルス幅は、たとえば30ns~250nsである。実施例においては、相対的にパルス幅の短いパルスレーザビーム10aとして、Nd:YAGレーザまたはNd:YLFレーザの第2高調波を用いるが、Nd:YAGレーザやNd:YLFレーザの基本波、その他のQスイッチ固体レーザの基本波や第2高調波を、好ましく使用することが可能である。更に、CO2レーザ等、30ns~250nsのパルス幅でレーザパルスを出射可能なレーザ光源を用いることができる。パルス幅が30nsよりも短い場合、レーザパルスのピーク強度が高くなりすぎて、半導体材料シリコンや注入不純物がアブレーションを起こしたり、蒸発して組成が変わるなどの問題が生じうる。パルス幅が250nsを超える場合、シリコンウエハを所望の深さまで溶融させるのに必要なエネルギ密度が高くなるため、ビームサイズ入射領域のサイズを小さくする必要があり、スループットが低下する。図5は、Nd:YAGレーザの第2高調波であるパルスレーザビーム10aをシリコンウエハに照射し、0.3μmの溶融深さを得るために必要なエネルギ密度を示すグラフである。グラフの横軸は、パルスレーザビーム10aのパルス幅を単位nsで表し、縦軸は、レーザ照射面から深さ0.3μmの位置まで溶融するのに必要なエネルギ密度を単位J/cm2で表す。パルスレーザビーム10aのパルス幅が30nsである場合、レーザ照射面から0.3μmの深さを溶融するのに必要なエネルギ密度は、1.8J/cm2である。レーザ照射面から0.3μmの深さの位置を溶融するのに必要なエネルギ密度は、パルス幅の増加に伴って増大し、パルス幅が250nsである場合、3.4J/cm2となる。図6は、不純物としてリンPを、100keVのエネルギ、2E15/cm2のドーズ量でイオン注入したシリコンウエハの断面TEM像である。本図に断面TEM像を示すシリコンウエハは、図2に不純物デプスプロファイルを示したシリコンウエハ50とは異なり、相対的に浅い領域シリコンウエハ表面から深さ約0.2μmまでの領域に、相対的に高濃度で不純物としてリンが注入されている。リンPが注入された領域の一部においては、シリコンの結晶がアモルファス化していることがわかる。なお、アモルファス化している領域は、本図に示すTEM像においては、白く写っている。図7は、図6に示すシリコンウエハに、パルス幅が相対的に短いレーザパルスを照射してアニールを行った後の、シリコンウエハの断面TEM像である。パルス幅130ns、パルスエネルギ密度1.6J/cm2のNd:YLFレーザの第2高調波を2ショット、500nsの遅延時間を設けてシリコンウエハに照射し、シリコンウエハの表層部を溶融した。アニールにより、アモルファス状態だった領域の結晶性が、TEM像では欠陥が観察されない程度に回復している様子が認められる。相対的に短いパルス幅のレーザ照射によって、アモルファス領域及び欠陥を多く含む層が溶融し、欠陥のない固液界面から、結晶がエピタキシャル成長によって成長するため、欠陥の極めて少ない結晶構造が得られると考えられる。図8は、図6に示すシリコンウエハに、パルス幅が相対的に長いレーザパルスを照射してアニールを行った後の、シリコンウエハの断面TEM像である。シリコンウエハを溶融させない条件パルス幅40μs、パワー密度300kW/cm2で、半導体レーザ波長808nmをシリコンウエハに照射した。相対的に長いパルス幅のレーザ照射による非溶融アニールでは、アモルファス化された領域の上下から結晶が成長し、アモルファス状態や結晶欠陥が残留する構造が形成されることが確認される。図6~図8に示すTEM像から、不純物が相対的に高濃度で添加された、相対的に浅い領域は、パルス幅が相対的に短いレーザパルスを用いた溶融アニールにより、良好な結晶構造を回復することがわかる。図9A~Cを参照し、第1の実施例によるレーザアニール方法を説明する。第1の実施例によるレーザアニール方法は、実施例によるレーザアニール装置を用い、制御装置40の制御の下で実施することができる。まず、レーザ照射面表層部のうち、相対的に深い領域、たとえば深さが1μmを超える領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域、たとえば深さが1μm以下の領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されたシリコンウエハ50を準備する。第1の実施例によるレーザアニール方法において用いるシリコンウエハ50は、次のようにして作製する。シリコンウエハに、不純物としてリンPを700keVのエネルギ、1E14/cm2のドーズ量でイオン注入した後、ウエハ表面にレジストを形成し、レジストの形成されていない領域に、ボロンBを、20keVのエネルギ、1E15/cm2のドーズ量でイオン注入する。レジストを除去した後、再度レジストを形成し、ボロンの注入領域以外の領域にリンを、50keVのエネルギ、2E15/cm2のドーズ量でイオン注入する。シリコンウエハ50表層部の相対的に深い領域には、相対的に低濃度でリンが添加され、相対的に浅い領域には、相対的に高濃度でボロンが添加されている。なお、シリコンウエハ50ではなく、相対的に浅い領域に相対的に高濃度でリンのイオン注入が行われたシリコンウエハをアニール対象とする場合は、たとえばリンの注入領域の少なくとも一部において、シリコンがアモルファス化している。このように作製されたシリコンウエハ50上の同一領域に、固体レーザ10からのパルスレーザビーム10aパルス幅が相対的に短いパルスレーザビームと、半導体レーザ20からのパルスレーザビーム20aパルス幅が相対的に長いパルスレーザビームとを、ダイクロイックミラー15で同一光軸上に重畳して照射し、シリコンウエハ50に添加されたリンとボロンとを活性化させるレーザアニールを行う。高濃度不純物の活性化は、シリコンウエハ50を、高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで溶融させて行う。低濃度不純物は、シリコンウエハ50を、低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく、活性化させる。図9Aは、パルスレーザビーム10a、20aの光強度の時間波形を示すグラフである。グラフの横軸は、パルスレーザビーム20aの出射時を基準とした経過時間を単位μsで表す。縦軸は、レーザビーム10a、20aの光強度を表す。第1の実施例によるレーザアニール方法においては、半導体レーザ20から、パルス幅15μsのパルスレーザビーム20aを出射させ、アッテネータ21で減衰率を調整して、400kW/cm2のパワー密度で、シリコンウエハ50上に入射させる。また、シリコンウエハ50へのパルスレーザビーム20aの照射開始後、14μs経過時点で、固体レーザ10から、パルス幅150nsのNd:YLFレーザの第2高調波であるパルスレーザビーム10aを出射させ、アッテネータ11で減衰率を調整して、0.7J/cm2のエネルギ密度で、シリコンウエハ50上に入射させる。図9Bは、シリコンウエハ50の温度変化を示すシミュレーション結果である。グラフの横軸は、パルスレーザビーム20aの出射時を基準とした経過時間を単位μsで表す。縦軸は、シリコンウエハ50の温度を単位Kで表す。曲線aは、シリコンウエハ50のレーザ照射面の表面温度を示す。曲線b~fは、それぞれレーザ照射面からの深さが1μm~5μmである位置の温度変化を示す。曲線gは、レーザ照射面からの深さが100μmである位置厚さ100μmのシリコンウエハ50のレーザ非照射面の温度変化を示す。パルスレーザビーム20aがシリコンウエハ50に照射されることで、ウエハ50は加熱され、照射が開始されて14μs後には、レーザ照射面の温度は、シリコンの融点に近い1660Kに達する。しかしこの時点では、まだシリコンは溶融されていない。この状態のシリコンウエハ50に、パルスレーザビーム10aが照射される。パルスレーザビーム10aの照射により、シリコンウエハ50の温度はシリコンの融点に到達する。図9Cは、シリコンウエハ50の溶融深さを示すグラフである。グラフの横軸は、パルスレーザビーム20aの出射時を基準とした経過時間を単位μsで表し、縦軸は、シリコンウエハ50のレーザ照射面からの溶融深さを、単位μmで表す。パルスレーザビーム20aの照射では未溶融のシリコンウエハ50は、パルスレーザビーム10aの照射により、レーザ照射面から約0.3μmの深さまで溶融することがわかる。シリコンウエハ50の温度が低下すると、イオン注入された不純物Bを含む、溶融したシリコンがエピタキシャル成長することによって、相対的に浅い領域において、結晶欠陥の回復と、不純物Bの活性化が行われる。他方、相対的に深い領域、たとえば深さが1μmを超える領域に、相対的に低濃度で添加された不純物Pは、固相の状態で加熱され、シリコンの格子位置に取り込まれて活性化される。たとえば図9Bの曲線b~fに示す温度履歴から、相対的に深い領域に注入されたリンは、パルスレーザビーム20aのエネルギにより活性化されるということができるであろう。図10A~Cを参照し、第2の実施例によるレーザアニール方法を説明する。第2の実施例によるレーザアニール方法は、シリコンウエハ50への不純物の添加態様、及び、シリコンウエハ50へのパルスレーザビーム10a、20aの照射態様において、第1の実施例と相違する。第2の実施例によるレーザアニール方法において用いるシリコンウエハ50は、次のようにして作製する。シリコンウエハに、不純物としてリンPを700keVのエネルギ、1E14/cm2のドーズ量でイオン注入した後、ウエハ表面にレジストを形成し、レジストの形成されていない領域に、ボロンBを、40keVのエネルギ、1E15/cm2のドーズ量でイオン注入する。レジストを除去した後、再度レジストを形成し、ボロンの注入領域以外の領域にリンを、100keVのエネルギ、2E15/cm2のドーズ量でイオン注入する。第2の実施例によるレーザアニール方法でアニール対象とするシリコンウエハ50のレーザ照射面表層部においても、相対的に深い領域には、相対的に低濃度でリンが添加され、相対的に浅い領域には、相対的に高濃度でボロンが添加されている。図10Aは、第2の実施例におけるパルスレーザビーム10a、20aの光強度の時間波形を示すグラフである。グラフの横軸及び縦軸の意味するところは、図9Aにおけるそれらと等しい。第2の実施例によるレーザアニール方法においては、半導体レーザ20から、パルス幅5μsのパルスレーザビーム20aを出射させ、アッテネータ21で減衰率を調整して、700kW/cm2のパワー密度で、シリコンウエハ50上に入射させる。また、シリコンウエハ50へのパルスレーザビーム20aの照射開始後、4.8μs経過時点で、固体レーザ10から、パルス幅80nsのNd:YAGレーザの基本波波長1064nmであるパルスレーザビーム10aを出射させ、アッテネータ11で減衰率を調整して、0.7J/cm2のエネルギ密度で、シリコンウエハ50上に入射させる。図10Bは、シリコンウエハ50の温度変化を示すシミュレーション結果である。グラフの両軸及び曲線a~gの意味するところは、図9Bにおけるそれらと等しい。パルスレーザビーム20aがシリコンウエハ50に照射されることで、ウエハ50は加熱され、照射が開始されて4.8μs後には、レーザ照射面の表面温度は、シリコンの融点近傍にまで達するが、シリコンは溶融されていない。この状態のシリコンウエハ50に、パルスレーザビーム10aが照射される。パルスレーザビーム10aの照射により、シリコンウエハ50の温度はシリコンの融点に到達する。図10Cは、シリコンウエハ50の溶融深さを示すグラフである。グラフの両軸の意味するところは、図9Cにおけるそれらと等しい。パルスレーザビーム20aの照射では未溶融のシリコンウエハ50は、パルスレーザビーム10aの照射により、レーザ照射面から約0.3μmの深さまで溶融する。シリコンウエハ50の温度が低下する。イオン注入された不純物Bを含む、溶融したシリコンがエピタキシャル成長することによって、相対的に浅い領域において、結晶欠陥の回復と、不純物Bの活性化が行われる。また、相対的に深い領域、たとえば深さが1μmを超える領域に、相対的に低濃度で添加された不純物Pは、固相の状態で加熱され、シリコンの格子位置に取り込まれて活性化される。図11A~Cを参照し、第3の実施例によるレーザアニール方法を説明する。第3の実施例によるレーザアニール方法は、シリコンウエハ50へのパルスレーザビーム10a、20aの照射態様において、第1の実施例と相違する。シリコンウエハ50への不純物の添加態様は、第1の実施例と等しい。図11Aは、第3の実施例におけるパルスレーザビーム10a、20aの光強度の時間波形を示すグラフである。グラフの横軸及び縦軸の意味するところは、図9Aにおけるそれらと等しい。第3の実施例によるレーザアニール方法においては、半導体レーザ20からのパルスレーザビーム20aの出射と、固体レーザ10からのパルスレーザビーム10aの出射とを連続して行う。半導体レーザ20からは、パルス幅15μsのパルスレーザビーム20aを出射させ、アッテネータ21で減衰率を調整して、340kW/cm2のパワー密度で、シリコンウエハ50上に入射させる。また、固体レーザ10からは、パルス幅150nsのNd:YLFレーザの第2高調波であるパルスレーザビーム10aを出射させ、アッテネータ11で減衰率を調整して、2.7J/cm2のエネルギ密度で、シリコンウエハ50上に入射させる。図11Bは、シリコンウエハ50の温度変化を示すシミュレーション結果である。グラフの両軸及び曲線a~gの意味するところは、図9Bにおけるそれらと等しい。パルスレーザビーム10aの照射により、シリコンウエハ50の表面温度はシリコンの融点に到達する。パルスレーザビーム10aの入射終了後、レーザ照射面近傍の温度は一旦低下する。シリコンウエハ50の温度は、パルスレーザビーム20aの照射により上昇する。図11Cは、シリコンウエハ50の溶融深さを示すグラフである。グラフの両軸の意味するところは、図9Cにおけるそれらと等しい。シリコンウエハ50は、パルスレーザビーム10aの照射により、レーザ照射面から約0.3μmの深さまで溶融する。パルスレーザビーム10aの照射で溶融したシリコンウエハ50の温度が低下し、イオン注入された不純物Bを含む、溶融したシリコンがエピタキシャル成長することによって、相対的に浅い領域において、結晶欠陥の回復と、不純物Bの活性化が行われる。相対的に深い領域、たとえば深さが1μmを超える領域に、相対的に低濃度で添加された不純物Pは、パルス幅15μsのパルスレーザビーム20aの照射によって、固相の状態で加熱され、シリコンの格子位置に取り込まれて活性化される。第3の実施例によるレーザアニール方法によって、第1の実施例によるレーザアニール方法と同等のアニール効果を得ることが可能である。しかしながら、第1の実施例によるレーザアニール方法においては、パルスレーザビーム20aの照射により、表面がシリコンの融点に近い温度に達した状態で、パルスレーザビーム10aを照射して、シリコンウエハ50を約0.3μmの深さまで溶融高濃度注入層を溶融したのに対し、第3の実施例においては、常温のシリコンウエハ50にパルスレーザビーム10aを照射して、シリコンウエハ50を約0.3μmの深さまで溶融するため、パルスレーザビーム10aに高いエネルギ密度、たとえば約4倍のエネルギ密度が要求される。このため、第3の実施例によるレーザ加工方法を実施するためには、レーザ光源10として高出力の光源を準備するか、ビームサイズ入射領域のサイズを小さくして、シリコンウエハ50に照射されるパルスレーザビーム10aのエネルギ密度を高くする必要があり、コスト増大またはスループット低下の問題を生じさせる可能性がある。したがって、第1の実施例を用いることで、より好ましくレーザアニールを行うことができるであろう。相対的に長いパルス幅のパルスレーザビーム20aを照射して、表面温度がシリコンの融点付近になるまで、シリコンウエハ50を加熱した状態で、相対的に短いパルス幅のパルスレーザビーム10aを入射させ、表面を溶融することで、パルスレーザビーム10aのエネルギ密度を小さくすることができる。第1及び第2の実施例においては、相対的に長いパルス幅のパルスレーザビーム20aの照射終了直前に、相対的に短いパルス幅のパルスレーザビーム10aをシリコンウエハ50に入射させたが、シリコンウエハ50へは、パルスレーザビーム20aの照射終了直後から、パルスレーザビーム10aを入射させるのが最もエネルギ効率が高いであろう。しかし、第1~第3の実施例によるレーザアニール方法のように、両パルスレーザビーム10a、20aの照射期間の一部が重複していてもよい。また、両パルスレーザビーム10a、20aの照射期間の間に間隔を設けることもできる。更に、第1~第3の実施例においては、パルスレーザビーム10a、20a入射領域において、相対的に深い領域に注入された相対的低濃度不純物を活性化させるとともに、相対的に浅い領域に注入された相対的高濃度不純物の活性化を行ったが、エネルギ効率は低下するものの、これら2つの不純物活性化を、全くの別時に行うことが可能である。たとえば、まずシリコンウエハ50全面について、相対的に深い領域に注入された相対的低濃度不純物の活性化を行い、その後、相対的に浅い領域に注入された相対的高濃度不純物の活性化を行うことができる。この場合、相対的に深い領域に注入された相対的低濃度不純物の活性化を先に、相対的に浅い領域に注入された相対的高濃度不純物の活性化を後に行ってもよいし、その逆でもよい。なお、実施例によるレーザアニール装置を用いる必要はない。たとえば、半導体レーザを光源とするレーザアニール装置と、固体レーザを光源とするレーザアニール装置の2つのレーザアニール装置を使用し、前者で、相対的に深い領域に相対的に低濃度で注入された不純物を活性化させ、後者で、相対的に浅い領域に相対的に高濃度で注入された不純物を活性化させることができる。相対的に深い領域と相対的に浅い領域とを別時に活性化させる場合は、パルスレーザビーム10aとしては、常温でもシリコンの吸収係数が大きいNd:YAGレーザ、Nd:YLFレーザ等のQスイッチ固体レーザの第2高調波や、それよりも波長の短いエキシマレーザからの出射光を用いるのが好ましい。実施例によるレーザアニール方法により、高品質のレーザアニールを行うことが可能である。本願発明者は、比較例によるレーザアニール方法として、第1及び第3の実施例と等しい態様で不純物を添加して作製したシリコンウエハ50に、パルス幅40μs、パワー密度300kW/cm2のパルスレーザビーム20aを照射して、レーザアニールを行った。アニール後のシリコンウエハ50は、シート抵抗値が低下し、注入した不純物の活性化は確認されたが、ウエハ断面を観察したところ、結晶欠陥が多く残留していた。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、実施例においては、相対的に深い領域に相対的低濃度でリンが添加され、相対的に浅い領域に相対的高濃度でボロンが添加されたシリコンウエハ50をアニール対象物としたが、添加される不純物はこれに限られない。たとえば、相対的に深い領域には相対的に低濃度で、相対的に浅い領域には相対的に高濃度で、双方の領域にリンが添加された半導体基板をアニール対象物とすることもできる。先に述べたように、このような半導体基板においては、たとえば相対的に浅いリンの注入領域の少なくとも一部において、半導体基板にアモルファス化が生じている。実施例によるレーザニール方法により、たとえばシリコンがアモルファス化している領域を含む相対的に浅い領域は、パルス幅が相対的に短いレーザパルスの照射で溶融され、液相エピタキシャル成長によって、結晶欠陥が回復される過程で十分な不純物P活性化が行われる。相対的に深い領域は、パルス幅が相対的に長いレーザパルスが照射され、非溶融アニールにより不純物Pの十分な活性化が行われる。このように、アモルファス化している領域、結晶欠陥がある領域は溶融アニールを行い、良好な結晶性を実現する。アモルファス化していない領域、結晶欠陥のない領域は、非溶融アニール固相アニールを行う。たとえばIGBTの製造に用いられるシリコンウエハのレーザアニールにおいては、表側表層部が高温になるのは好ましくないため、非溶融アニールは、良好なデバイス特性の実現に寄与することができる点においても好適である。その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。