SiC基板に対し、トレンチを形成する工程と、前記トレンチの底に絶縁膜を光CVDで形成する工程と、前記絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項1において、前記光CVDの原料ガスは、TEOSTetraethylorthosilicate、OMCTSOctomethylcyclotetrasiloxane、BTBASBisTertiarybutylaminosilane、HMDSOHexamethyldisiloxane、MHDSAHexamethyldisilazane、若しくは、HMCTSNHexamethylcyclotrisilazaneのいずれかであることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項1において、前記光CVDでは、真空紫外光を用いることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項1において、前記絶縁膜を形成する工程の後の工程で、前記絶縁膜は、前記トレンチ内においてエッチバックされないことを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項1において、前記ゲート電極のゲート絶縁膜が前記トレンチの側面及び底面に形成され、前記ゲート絶縁膜は前記絶縁膜を含み、前記トレンチの底面のゲート絶縁膜の膜厚は、前記トレンチの側面のゲート絶縁膜の膜厚よりも50nm以上厚いことを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項1において、前記SiC基板にはMOSFETのn型ドレイン層と前記n型ドレイン層とpn接合するp型ベース領域とが設けられ、前記ゲート電極の下端は前記pn接合よりも前記SiC基板の裏面側に位置することを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項1において、前記絶縁膜を形成する工程は、真空紫外光を照射するランプを備えたCVD装置に前記トレンチを形成したSiC基板を導入し、前記CVD装置に所定の原料ガスを導入することで前記絶縁膜を形成する工程であることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。SiC基板に対し、トレンチを形成する工程と、前記トレンチの側面及び底面に、酸化又は酸窒化、若しくは、熱CVDにより第一絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチの底面に光CVDにより第二絶縁膜を形成する工程と、前記第一および第二絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項8において、前記光CVDの原料ガスは、TEOSTetraethylorthosilicate、OMCTSOctomethylcyclotetrasiloxane、BTBASBisTertiarybutylaminosilane、HMDSOHexamethyldisiloxane、MHDSAHexamethyldisilazane、若しくは、HMCTSNHexamethylcyclotrisilazaneのいずれかであることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項8において、前記光CVDでは、真空紫外光を用いることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項8において、前記第一および第二絶縁膜を形成する工程の後の工程で、前記第一および第二絶縁膜は、前記トレンチ内においてエッチバックされないことを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項8において、前記ゲート電極のゲート絶縁膜が前記トレンチの側面及び底面に形成され、前記ゲート絶縁膜は前記第一および第二絶縁膜を含み、前記トレンチの底面のゲート絶縁膜の膜厚は、前記トレンチの側面のゲート絶縁膜の膜厚よりも50nm以上厚いことを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項8において、前記SiC基板にはMOSFETのn型ドレイン層と前記n型ドレイン層とpn接合するp型ベース領域とが設けられ、前記ゲート電極の下端は前記pn接合よりも前記SiC基板の裏面側に位置することを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項8において、前記第二絶縁膜を形成する工程は、真空紫外光を照射するランプを備えたCVD装置に前記トレンチを形成したSiC基板を導入し、前記CVD装置に所定の原料ガスを導入することで前記絶縁膜を形成する工程であることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。SiC基板に対し、トレンチを形成する工程と、前記トレンチの側面及び底面に、酸化又は酸窒化により第一絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチの底面であって、前記第一絶縁膜の上方に、光CVDにより第二絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチの側面及び底面であって、前記第二絶縁膜の上方に、熱CVDにより第三の絶縁膜を形成する工程と、前記第三絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項15において、前記光CVDの原料ガスは、TEOSTetraethylorthosilicate、OMCTSOctomethylcyclotetrasiloxane、BTBASBisTertiarybutylaminosilane、HMDSOHexamethyldisiloxane、MHDSAHexamethyldisilazane、若しくは、HMCTSNHexamethylcyclotrisilazaneのいずれかであることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項15において、前記光CVDでは、真空紫外光を用いることを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項15において、前記第一~第三絶縁膜を形成する工程の後の工程で、前記第一~第三絶縁膜は、前記トレンチ内においてエッチバックされないことを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。請求項15において、前記ゲート電極のゲート絶縁膜が前記トレンチの側面及び底面に形成され、前記ゲート絶縁膜は前記第一~第三絶縁膜を含み、前記トレンチの底面のゲート絶縁膜の膜厚は、前記トレンチの側面のゲート絶縁膜の膜厚よりも50nm以上厚いことを特徴とするトレンチ型SiC半導体装置の製造方法。特許文献1の発明によるトレンチの底面と側面のゲート絶縁膜の厚さを変える方法では、酸化速度の差に依存しゲート絶縁膜の厚さが決まるため、側面と底面のゲート絶縁膜の厚さを独立して制御するのは困難であった。特に、ゲート絶縁膜がある程度厚くなり酸化速度に面方位の依存性が無くなると、酸化速度がゲート絶縁膜中の酸素の拡散速度で決まるようになり、底面と側面でゲート絶縁膜の厚さの差をある一定以上に大きくするのは困難であった。また、酸化膜厚さをある程度以上厚くすると、界面準位が増えるため、移動度の劣化が顕著になり、オン抵抗の低減という観点から酸化膜は一定の厚さに抑制することが有効であることがわかってきた。すなわち、面方位依存の酸化レートの差により、側面と底面の絶縁膜厚さに所望の差をつけることは、高い耐圧とオン抵抗の低減との両立という観点から望ましくない。また、段差に対してほぼ均一な膜厚分布が得られる化学気相成長などによる堆積膜を組み合わせても、側面と底面の絶縁膜厚さを独立して制御することは不可能である。したがって、C面にトレンチを形成し、面方位依存の酸化により、側面に対して底面の絶縁膜を厚くする方法ではオン抵抗の低減と高耐圧の両立は困難である。一方、底面のゲート絶縁膜を側面のゲート絶縁膜よりも厚くする方法として、エッチバックを利用する方法が提案されている特許文献2。この方法では、トレンチを形成した後に、トレンチを絶縁膜で覆い、平坦化と絶縁膜のエッチバックによりトレンチの底部にだけ絶縁膜を残した上で、トレンチに対しSiCを酸化、あるいは化学気相成長などで堆積することでゲート絶縁膜を形成している。ところが、この方法ではプラズマでエッチバックを行うため、SiCトレンチ側面にプラズマによる損傷が入る。また、エッチング後にはエッチングの副生成物がSiCトレンチ側面に付着していると考えられるため、エッチバック後には希フッ酸などでトレンチ側面の損傷層を除去したり、副生成物を除去したりする必要がある。その除去には通常希フッ酸などによる処理が不可欠である。希フッ酸などを用いてトレンチ面からエッチングの副生成物を除去するときに、底面の絶縁膜にピンホールが形成される可能性がある。このピンホールは耐圧を低下させる要因になる。このように、エッチバックを用いて底面の絶縁膜を厚くする方法でも、オン抵抗の低減と高耐圧の両立は困難である。そこで本発明の目的はオン抵抗の低減と高耐圧を両立させる方法を提供することである。上記課題を解決する本願発明の代表的なものを挙げると以下のとおりである。本願発明は、SiC基板に対し、トレンチを形成する工程と、トレンチの底に絶縁膜を光CVDで形成する工程と、絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程とを備えるトレンチ型SiC半導体装置の製造方法である。また、別の本願発明は、SiC基板に対し、トレンチを形成する工程と、トレンチの側面及び底面に、酸化又は酸窒化、若しくは、熱CVDにより第一絶縁膜を形成する工程と、トレンチの底面に光CVDにより第二絶縁膜を形成する工程と、第一および第二絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程とを備えるトレンチ型SiC半導体装置の製造方法である。また、別の本願発明は、SiC基板に対し、トレンチを形成する工程と、トレンチの側面及び底面に、酸化又は酸窒化により第一絶縁膜を形成する工程と、トレンチの底面であって、第一絶縁膜の上方に、光CVDにより第二絶縁膜を形成する工程と、トレンチの側面及び底面であって、第二絶縁膜の上方に、熱CVDにより第三の絶縁膜を形成する工程と、第三絶縁膜の上方にゲート電極を形成する工程とを備えるトレンチ型SiC半導体装置の製造方法である。上記方法により、トレンチの上面に対して、トレンチの底面の膜堆積速度が大きな光CVDを用いて成膜された絶縁膜をトレンチの底近傍のみに選択的に配備し、この膜と酸化膜又は酸窒化膜、若しくは、トレンチの上面に対してトレンチの底面の膜厚がほぼ一定の堆積膜を組み合わせることにより、トレンチ側面のゲート絶縁膜の厚さとトレンチ底面の絶縁膜厚さを独立に制御できる。本願発明により、オン抵抗の低減と高耐圧を実現するトレンチ型SiC半導体装置を製造することができる。本発明の実施例1によるトレンチ型SiC-MOSFETの断面図を図1により説明する。図において、符号1はnドレイン、2はn-ドリフト層、3はp型ベース領域、4はpコンタクト領域、5はnソース、6aは酸化又は酸窒化によって形成されたゲート絶縁膜、6bは光CVDによってトレンチ底部に堆積された絶縁膜、6cは主として熱エネルギーを利用して化学反応を促進させる化学気相成長以下、熱CVDというによって堆積された絶縁膜6c、7はゲート電極、8はソース/ゲート間を電気的に絶縁するための層間絶縁膜、9はソース電極、10はドレイン電極である。本トレンチ型SiC-MOSFETにおいては、ゲート絶縁膜6は、酸化又は酸窒化によって形成されたゲート絶縁膜6aと光CVDによってトレンチ底部に堆積された絶縁膜6bと熱CVDによって堆積された絶縁膜6cの3種の絶縁膜を組み合わせて構成されている。チャネルとなる側面のゲート絶縁膜は酸化又は酸窒化によって形成されたゲート絶縁膜6aと熱CVDによって堆積された絶縁膜6cを積層で構成させ、一方、底面のゲート絶縁膜は6aと6cの絶縁膜と光CVDによってトレンチ底部に堆積された絶縁膜6bの積層で構成されている。したがって、トレンチ側面のゲート絶縁膜の厚さはトレンチ底面のゲート絶縁膜の厚さよりも薄くなっている。ゲート絶縁膜6aは基板を1000度以上に保ちつつ、酸素O2と水蒸気、又は水素H2と酸化窒素N2OあるいはNOの混合ガスを用いて酸化又は酸窒化して形成された膜であり、トレンチ側面における厚さが5nmである。6cはSiC基板温度を750度に保った状態で、シランSiH4と酸化窒素N2OあるいはNOを原料として供給することにより、化学気相成長により堆積した膜であり、トレンチ側面の厚さが60nmである。一方、6bは光CVDで堆積した膜で、底面における膜厚は100nmである。この膜6bは、真空紫外光を照射するランプを備えたCVD装置にトレンチを形成したSiC基板を導入し、CVD装置に所定の原料ガスを導入することで形成される。具体的には、真空容器中に膜を堆積したいトレンチを加工したSiC基板を配備し、SiC基板の温度を100度以下に保ち、TEOSTetraethyorthosilicateを原料ガスとして供給するとともに、172nmの波長のXe2のエキシマ光をSiC基板に照射することによってトレンチの底面に絶縁膜を堆積したものである。原料ガスのTEOSにはエチル基が多く含まれているが、真空紫外光を照射されるとSi-Oの結合が切れ、流動性を持った分子がトレンチの底面に堆積すると考えられている。したがって、トレンチ内においては、トレンチの側面には実質的には絶縁膜が堆積することなく、底面に選択的に絶縁膜が堆積する。結果として、トレンチの底面にのみ絶縁膜を堆積することができる。このようにトレンチ溝あるいは穴の底に対して選択的に堆積する手法をボトムアップフィルと呼ぶ。上記の例では、TEOSを原料ガスとしたボトムアップフィルの例を示したが、OMCTSOctomethylcyclotetrasiloxane、BTBASBisTertiarybutylaminosilane、HMDSOHexamethyldisiloxane、MHDSAHexamethyldisilazane、HMCTSNHexamethylcyclotrisilazane等を用いてもボトムアップフィルの絶縁膜堆積が可能である。また、真空紫外光の光源としては、Xe2のエキシマランプ、水銀ランプ、XeCl、KrF、ArFのエキシマレーザ、F2、Ar2のレーザなどを用いてもよいが、ランプの寿命などを考えると、Xe2のエキシマランプを用いるのが実用的である。選択的にトレンチの底面に堆積する絶縁膜6b厚さは50ないし100nmである。光CVD法は、化学気相成長法による膜堆積なので、トレンチの底面の膜厚は、原料ガスの濃度、全圧、プロセス時間を制御することで、5nm以下の精度での堆積膜厚制御は十分に可能である。また、絶縁膜6bの主成分は珪素、酸素、窒素、水素である。一般に、酸化珪素の耐圧は他の固体酸化物の耐圧に比べて高いことが知られており、絶縁膜6bは酸化珪素に加え、原料ガスに含まれる窒素、炭素、水素を主成分とするのが望ましい。以上のような絶縁膜形成方法により、トレンチ側面のゲート絶縁膜の厚さに対しトレンチ底面の絶縁膜を厚くすることが可能になる。具体的には、トレンチ底面のゲート絶縁膜の膜厚は、トレンチ側面のゲート絶縁膜の膜厚よりも50nm以上厚くすることができる。さらに望ましくは、100nm以上厚くすることができる。本手法では、トレンチの側面のゲート絶縁膜の厚さとトレンチ底面の絶縁膜の厚さを独立して制御することができるので、トレンチ側面のゲート絶縁膜は一様な電界に対して信頼性が確保できる程度に薄くし、トレンチ底面のゲート絶縁膜は集中電界を緩和するのに必要なだけ厚くすることができる。したがって、反転層の電子濃度を高く保ちつつ、すなわちチャネルのオン抵抗を小さく保ちつつ、絶縁耐性の高いトレンチ型SiC-MOSFETが実現できる。特に光CVDによるボトムアップフィルの絶縁膜に関しては、チャネルの移動度などに悪影響を及ぼす不純物元素や正負の電荷が含まれていてもかまわない。なぜなら、チャネル底部の絶縁膜は絶縁耐性を高めるために必要な絶縁膜であり、トレンチ型SiC-MOSFETのチャネル抵抗には影響を及ぼさないためである。実際に、同じTEOSを原料ガスとして堆積される絶縁膜でも光CVDで堆積されるSiOは熱CVDで堆積されるSiOよりも密度が低い。ただし、熱処理後には6MV/cm以上の絶縁破壊耐性を持つことが実験的に確かめられている。次に、図1のトレンチ型SiC-MOSFETを製造する方法を図2~図11を用いて示す。まず、n型の六方晶系SiC基板の0001Si面を表面とし、基板の裏面に高濃度のリンPあるいは砒素Asをイオン注入により導入し、表面側にp型のSiCのベース層3をエピタキシャル成長させる図2。次に、パターニングとイオン注入と1700度程度の熱処理により、p型のエピタキシャル層3の表面に高濃度のn型領域5および高濃度のp型領域4を形成する図3。トレンチを形成するためのハードマスクとして、絶縁膜8を堆積し、トレンチの形成するためのリソグラフィーを行い、所望の位置にのみレジスト41を残す図4。このレジスト41を用いて、絶縁膜8とSiCをエッチングし、形成されたトレンチの底面をドリフト層2内に存在させ、アッシングによりレジスト41を除去する図5。エッチングによる損傷層を除去するため、SiCトレンチの表面を酸化し、表面酸化膜を希フッ酸などで除去する。次にSiCの表面を1000度ないし1300度の温度で酸化又は酸窒化する。このときに形成する酸化膜6a又は酸窒化膜6aは10nm以下、望ましくは5nmがよい図6。次に、光CVDにより絶縁膜6bを堆積する図7。この光CVDにおいては、原料ガスと照射する光の波長を適切に選択し、基板温度、原料ガス供給時間などの条件を制御することで、トレンチや穴の底に対して選択的に所望の膜を堆積することが可能である。すなわち、トレンチの側面には膜を堆積することなく、トレンチの底面に膜を堆積することが可能である。たとえば、CVD反応室に図6のようなトレンチが形成されたSiC基板を配備し、原料ガスのTEOSを導入し、172nmの波長の光を照射すると、トレンチの底に選択的にSiO膜が堆積する。この膜の堆積速度は、導入する原料ガスの濃度や圧力などで制御できる。トレンチの底に選択的に膜を堆積する方法としては、SOGSpinonGlassと呼ばれる塗布膜を利用することも考えられる。ただし、100nm程度あるいはそれ以下の厚さの塗布膜を制御性良く塗布するのは困難である。さらに、塗布で形成される絶縁膜は光CVDで形成される絶縁膜比べて、残留不純物が多い。そのため、その後の熱処理において、膜が収縮し、不純物を多く放出し、すでに形成した絶縁膜6aの表面に不純物を導入する原因となり好ましくない。したがって、光CVDによって底面にのみ厚い絶縁膜を堆積する必要がある。光CVDによりトレンチの底に選択的に絶縁膜を堆積したのちに、熱エネルギーを利用した化学気相成長熱CVDにより、絶縁膜6cを堆積する図8。このとき、基板の温度を800度に保ち、原料ガスをシランSiH4と一酸化に窒素N2Oを導入して、酸化シリコン膜を30nmないし100nm堆積させる。光CVDで堆積した膜には、カーボンなどの不純物が含まれており、通常、その後の熱処理により、内包する不純物などを除去し、膜を焼き締める必要があるが、熱CVDの間に、不純物が除去され、絶縁膜6bが焼き締められる。なお、熱CVDの代わりにプラズマCVDで絶縁膜6cを形成することも考えられるが、プラズマCVDは熱CVDに比べ、膜の均一性が悪いので熱CVDで絶縁膜6cを形成し、トレンチ側面の絶縁膜の膜厚の均一性を確保する必要がある。次に、CVD法により多結晶シリコン7と必要に応じて絶縁膜91を堆積する図9。リソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極7のパターニングを行い、ゲート電極7を形成する図10。この後、ゲート電極7表面に絶縁分離用の層間絶縁膜11を堆積する図11。そして、リソグラフィーとエッチングにより、層間絶縁膜11、ゲート絶縁膜6a、6c、絶縁膜8を加工し、pコンタクト領域4及びnソース領域5が表出するコンタクトホールを形成し、シリサイド反応によりソース電極9を形成する図示せず。層間絶縁膜11に対し別のパターンでリソグラフィーとエッチングを行い、ゲートのためのコンタクトホールを形成し、n基板1の裏面にドレイン電極10を形成する図示せず。以上のように、トレンチ内に光CVDにより形成された絶縁膜を用いることで、トレンチ底面のゲート絶縁膜を側面より厚く形成できるので、オン抵抗の低減と高耐圧を実現するトレンチ型SiC半導体装置を製造することができる。また、この光CVDにより形成された絶縁膜を形成した後の工程で、当該絶縁膜をエッチバックしていないので、エッチバックの際に生じるトレンチ側壁の損傷も生じることがない。実施例1では、ゲート絶縁膜は酸化膜あるいは酸窒化膜6a、光CVDにより堆積した絶縁膜6b、熱CVDにより堆積した絶縁膜6cの順に積層した絶縁膜であったが、実施例2では別の形態について説明する。別の形態として、図12に図示するように、酸化膜又は酸窒化膜6a、熱CVDによる堆積した絶縁膜6c、光CVDにより堆積した絶縁膜6bの順に積層したりすることもできる。重要なのは、光CVDにより堆積した絶縁膜6bと、酸化膜又は酸窒化膜6aと、熱CVDにより堆積した絶縁膜6cとを適宜組み合わせることにより、トレンチの側面のゲート絶縁膜に対し、トレンチの底面のゲート絶縁膜が厚くなるようにトレンチ型SiC-MOSFETを製造することである。製造方法において、図2~11と違うのは、ゲート絶縁膜の形成方法である。すなわち図12では、まず、酸化又は酸窒化による絶縁膜6aを形成し、その後、熱CVDにより絶縁膜6cを堆積し、光CVDにより絶縁膜6bを堆積させる。絶縁膜6bを堆積後には、400度以上の酸化雰囲気での熱処理を施したのちに、ゲート電極7を堆積する。また、別の形態として、図13に図示するように、酸化膜又は酸窒化膜6aの代わりに熱CVDにより堆積した絶縁膜6bを、光CVDにより堆積した絶縁膜6bの上下に積層したりしてもよい。重要なのは、光CVDにより堆積した絶縁膜6bと熱CVDにより堆積した絶縁膜6cを適宜組み合わせることにより、トレンチの側面のゲート絶縁膜に対し、トレンチの底面のゲート絶縁膜が厚くなるようにトレンチ型SiC-MOSFETを製造することである。なお、熱CVDの中には、二種類以上の原料ガスを交互に供給して、原子層毎に膜を堆積させる原子層堆積法を含んでもよい。高い耐圧を維持しつつ、閾値電圧を制御するために金属酸化物からなる絶縁膜を原子層堆積法により堆積してもよい。製造方法において、図2~11と違うのは、ゲート絶縁膜の形成方法である。すなわち図13では、図6における酸化又は酸窒化による絶縁膜6aを熱CVDにより形成される絶縁膜6cで置き換えればよい。また、図示はしないが、熱酸化膜6aを形成し、熱CVD膜6cを堆積し、次に光CVD膜6bを堆積し、さらに別の熱CVD膜6c2を堆積するなどして4層の絶縁膜構造としてもよい。以上のような絶縁膜形成方法により、実施例1と同様に、トレンチ側面のゲート絶縁膜の厚さに対しトレンチ底面の絶縁膜を厚くすることが可能になる。具体的には、トレンチ底面のゲート絶縁膜の膜厚は、トレンチ側面のゲート絶縁膜の膜厚よりも50nm以上厚くすることができる。さらに望ましくは、100nm以上厚くすることができる。本手法では、トレンチの側面のゲート絶縁膜の厚さとトレンチ底面の絶縁膜の厚さを独立して制御することができるので、トレンチ側面のゲート絶縁膜は一様な電界に対して信頼性が確保できる程度に薄くし、トレンチ底面のゲート絶縁膜は集中電界を緩和するのに必要なだけ厚くすることができる。したがって、反転層の電子濃度を高く保ちつつ、すなわちチャネルのオン抵抗を小さく保ちつつ、絶縁耐性の高いトレンチ型SiC-MOSFETが実現できる。また、この光CVDにより形成された絶縁膜を形成した後の工程で、当該絶縁膜をエッチバックしていないので、エッチバックの際に生じるトレンチ側壁の損傷も生じることがない。以上、実施例1及び2について説明した。これらから分かるように、本願発明で重要なことは、トレンチ内のゲート絶縁膜の一部をボトムアップフィルによって形成すること、すなわち、光CVDによる堆積膜6bによって形成することである。