ケイ素原子の含有量が03質量ppm以下であり、また、酸素原子の含有物が50質量ppm以下であり、炭化水素化合物の含有物が50質量ppm以下であり、且つケイ素原子以外の金属原子の合計含有量が030質量ppm以下あることを特徴とする、高純度トリアルキルインジウム。請求項1記載のケイ素原子以外の金属原子が、カルシウム原子、カドミウム原子、クロム原子、銅原子、鉄原子、マグネシウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、マンガン原子及び亜鉛原子である請求項1記載の高純度トリアルキルインジウム。一般式1式中、Xは、ハロゲン原子を示す。で示されるトリハロゲノインジウム、一般式2式中、R1は、炭素原子数1~6のアルキル基を示す。で示されるトリアルキルアルミニウム及び一般式3式中、R2は、炭素原子数6~12のアルキル基を示す。で示されるトリアルキルアミンを反応させて、副生するアルミニウム-アミン錯体を形成させて高沸点化し、次いで、反応混合物から一般式4式中、R1は、前記と同義である。で示されるトリアルキルインジウムを留出させた後、更に、トリアルキルアミンを反応させた後にトリアルキルインジウムを昇華又は蒸留させることを特徴とする、高純度トリアルキルインジウムの製法。トリハロゲノインジウムが、トリクロロインジウムである請求項1記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。トリアルキルアルミニウムが、トリメチルアルミニウム又はトリエチルアルミニウムである請求項1記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。トリアルキルアミンが、トリnオクチルアミンである請求項1記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。トリアルキルインジウムが、トリメチルインジウム又はトリエチルインジウムである請求項1記載の高純度トリアルキルインジウムの製法。本発明の課題は、上記問題点を解決し、簡便な方法によって、高純度トリアルキルインジウム及びその方法を提供することにある。本発明の課題は、ケイ素原子の含有量が03質量ppm以下、酸素原子の含有量が50質量ppm以下、炭化水素化合物の含有量が50質量ppm以下であることを特徴とする、高純度トリアルキルインジウムによって解決される。本発明の課題は、又、一般式1式中、Xは、ハロゲン原子を示す。で示されるトリハロゲノインジウム、一般式2式中、R1は、炭素原子数1~6のアルキル基を示す。で示されるトリアルキルアルミニウム及び一般式3式中、R2は、炭素原子数6~12のアルキル基を示す。で示されるトリアルキルアミンを反応させて副生あるいは未反応のアルミニウム-アミン錯体を形成させて高沸点化し、次いで、反応混合物から、一般式4式中、R1は、前記と同義である。で示されるトリアルキルインジウムを留出させた後、更に、トリアルキルアミンを反応させた後にトリアルキルインジウムを昇華又は蒸留させることを特徴とする、高純度トリアルキルインジウムの製法によっても解決される。本発明により、エピタキシャル成長法による高機能の化合物半導体の製造原料として有用な高純度トリアルキルインジウム及びその製法を提供することができる。本発明の反応において使用するトリハロゲノインジウムは、前記の一般式1で示される。その一般式1において、Xは、ハロゲン原子を示し、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、好ましくは塩素原子である。本発明に反応において使用するトリアルキルアルミニウムは、前記の一般式1で示される。その一般式1において、R1は、炭素数1~6のアルキル基を示し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられるが、好ましくはメチル基、エチル基である即ち、トリアルキルアルミニウムが、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム。なお、これらの基は、各種異性体も含む。前記トリアルキルアルミニウムの使用量は、トリハロゲノインジウム1モルに対して、好ましくは28~35モル、更に好ましくは30~32モルである。本発明に反応において使用するトリアルキルアミンは、前記の一般式2で示される。その一般式2において、R2は、炭素数6~12のアルキル基であり、例えば、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基が挙げられるが、好ましくはnオクチル基である即ち、トリアルキルアミンが、トリnオクチルアミン。なお、これらの基は、各種異性体も含む。前記トリアルキルアミンの使用量は、トリアルキルアルミニウム1モルに対して、好ましくは06~15モル、更に好ましくは08~12モルである。なお、これらのトリアルキルアミンは、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。本発明の反応は、例えば、例えば、トリハロゲノインジウム、トリアルキルアルミニウム及びトリアルキルアミンとを混合し、攪拌させながら反応させる等の方法によって行われる。その際の温度は、好ましくは30~150°C、更に好ましくは50~110°Cであり、圧力は特に制限されない。本発明では、先に得られた反応混合物からトリアルキルインジウムを、適当な温度好ましくは80~200°C、更に好ましくは100~160°C及び適当な圧力好ましくは01~20kPa、更に好ましくは05~5kPaで留出させることでトリアルキルインジウムを取得することができるが、本発明においては、更に、トリアルキルアミントリアルキルインジウム1モルに対して、005モルから05モル、更に好ましくは01モルから02モルを加えて反応させた後にトリアルキルインジウムを適当な温度好ましくは30~90°C、更に好ましくは50~85°C及び適当な圧力好ましくは01~10kPa、更に好ましくは05~5kPaにて昇華又は蒸留させることで高純度トリアルキルインジウムを得ることができる。次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。なお、トリアルキルインジウムの金属原子の分析は、誘導プラズマ発光分析法ICPOES法にて行った。実施例1高純度トリメチルインジウムの合成攪拌装置、ヴィグリュー型蒸留塔2つの受器を付属及び滴下漏斗を備えた内容積500mlの反応容器に、窒素雰囲気にて、トリnオクチルアミン147gを加え、予め乾燥させたトリクロロインジウム30g及びトリメチルアルミニウム30gをゆるやかに加え、攪拌しながら130°Cで2時間攪拌させて、アルミニウム-アミン錯体を形成させた。次いで、得られた反応混合物を減圧下で昇華100~160°C、05kPaAし、初期留出分不純物をドライアイスで冷却した受器に捕集した後、トリメチルインジウム19gを受器に得た。更に、これにトリオクチルアミン57gを加え、100°Cで反応させた後、昇華50~85°C、05kPaAすることでトリメチルインジウム11g得た単離収率;51。なお、得られたトリメチルインジウムは、ケイ素原子が03質量ppm以下、酸素不純物が50質量ppm以下、炭化水素化合物が50質量ppm以下、ケイ素原子以外の金属原子の合計含有量が030質量ppm以下カルシウム原子;002質量ppm以下、カドミウム原子;003質量ppm以下、クロム原子;005質量ppm以下、銅原子;003質量ppm以下、鉄原子;005質量ppm以下、マグネシウム原子;002質量ppm以下、マンガン原子;002質量ppm以下、ナトリウム原子;01質量ppm未満、亜鉛原子;005質量ppm以下しか混入していない高純度品であった。実施例2高純度トリエチルインジウムの合成実施例1において、トリメチルアルミニウムの代わりにトリエチルアルミニウムを用いたこと以外、実施例1と同様に反応を行うと、ケイ素原子が03質量ppm以下、酸素不純物が50質量ppm以下、炭化水素化合物が50質量ppm以下の高純度トリエチルインジウムが得られる。