"アノード、カソード、前記アノード及び前記カソードの間に配置される発光層を含む発光装置であり、前記発光層は発光化合物を含み、前記化合物は金属錯体及びXを含み、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されるリン原子並びに前記リン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換されている発光装置であって、Xはアリール又はヘテロアリール基を含むことを特徴とする発光装置。Arsは前記アリール又はヘテロアリール基に共役結合している、請求項1に記載の発光装置。Xがポリマー又はオリゴマーを含む請求項1又は2に記載の発光装置。Arsはポリマー又はオリゴマーの主鎖からのペンダントである、請求項3に記載の発光装置。Arsはポリマー又はオリゴマーの主鎖の一部である請求項3に記載の発光装置。Mはデンドリマーの核中に含まれる請求項1又は2に記載の発光装置。Arsはフェニル基である請求項1ないし6のいずれか一項に記載の発光装置。前記リン原子はさらにR及び選択的にR’に結合され、R及びR’はそれぞれ独立して置換又は未置換アリール又はヘテロアリール基である、請求項1ないし7のいずれか一項に記載の発光装置。Rは置換又は未置換フェニル基であり、R’は独立して置換又は未置換フェニル基である、請求項8に記載の発光装置。Mがレニウム又はイリジウムである請求項1ないし9のいずれか一項に記載の発光装置。前記発光層が前記アノードと前記カソードの間に配置されるように、前記アノード、前記カソード及び前記発光層を形成する工程を含む、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の発光装置を製造する方法。前記発光層が溶液プロセスによって形成される請求項11に記載の方法。発光装置における発光化合物を製造するための反応性化合物であって、前記反応性化合物は金属錯体を含み、前記金属錯体は金属M及びPArsRR’を含み、ここでPはMに直接配位されており、Arsはアリール又はヘテロアリール基であり、R及びR’は独立して、H、ハロゲン基又は置換若しくは未置換のアルキル、アリール若しくはヘテロアリール基であり、Arsは1又は2以上の反応基で置換され、前記又は各反応基はトリフレート基、ハロゲン基、ボロン酸基、ボロン酸エステル基及びボラン基から構成される群から選ばれる反応性化合物。Arsはフェニル基である請求項13に記載の反応性化合物。Rは置換又は未置換フェニル基であり、R’は独立して置換又は未置換フェニル基である、請求項13又は14に記載の反応性化合物。前記又は各反応基は臭素である請求項13ないし15のいずれか一項に記載の反応性化合物。発光装置の発光化合物を製造する方法における、請求項13ないし16のいずれか一項に記載の反応性化合物の使用。発光装置における発光化合物であり、前記化合物は金属錯体及びXを含み、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されるリン原子並びに前記リン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換されている発光化合物であって、Xはアリール又はヘテロアリール基を含み、Arsは前記アリール又はヘテロアリール基に共役結合していることを特徴とする発光化合物。Xがポリマー又はオリゴマーを含む請求項18に記載の化合物。Arsはポリマー又はオリゴマーの主鎖からのペンダントである、請求項19に記載の化合物。Arsはポリマー又はオリゴマーの主鎖の一部である請求項19に記載の化合物。Mはデンドリマーの核中に含まれる請求項18に記載の化合物。Arsはフェニル基である請求項18ないし22のいずれか一項に記載の化合物。前記リン原子はさらにR及び選択的にR’に結合され、R及びR’はそれぞれ独立して置換又は未置換アリール又はヘテロアリール基である、請求項18ないし23のいずれか一項に記載の化合物。Rは置換又は未置換フェニル基であり、R’は独立して置換又は未置換フェニル基である、請求項24に記載の化合物。Mがレニウム又はイリジウムである請求項18ないし25のいずれか一項に記載の化合物。金属錯体及びXを含む化合物の使用であり、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されるリン原子並びに前記リン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換されている使用であって、Xは発光のためにアリール又はヘテロアリール基を含むことを特徴とする使用。前記化合物は請求項18ないし26のいずれか一項に定義された通りである、請求項27に記載の使用。PPh3配位子を有するものを含めた金属錯体に関連する1つの問題は、凝集に関係し、これは3重項のクエンチを導き、励起子移動の効率も減少させる。その上、PPh3配位子を有する多くの金属錯体は、溶液処理できない。これは、溶液処理により装置の層をキャスティングできることが利点となる、発光装置の製造の際に問題を生じさせる。他の問題は、別個のホスト材料が使用される場合の金属錯体とホスト材料の相分離に関連する。上記の観点から、その多くがPPh3配位子を含み、発光装置に使用するための公知の金属錯体を改良する必要性が存在することが理解されよう。したがって、本発明の第1の側面は、アノード、カソード、前記アノード及び前記カソードの間に配置される発光層を含む発光装置であって、前記発光層は発光化合物を含み、前記化合物は金属錯体及びXを含み、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されるリン原子並びに前記リン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換されており、Xはアリール又はヘテロアリール基を含むことを特徴とする発光装置を提供する。本発明の第2の側面は、前記請求項のいずれか一項に記載の発光装置を製造する方法を提供し、発光層がアノードとカソードの間に配置されるように、アノード、カソード及び発光層を形成する工程を含む。本発明の第3の側面は、発光装置における発光化合物を製造するための反応性化合物を提供し、前記反応性化合物は金属錯体を含み、前記金属錯体は金属M及びPArsRR’を含み、PはMに直接配位されており、Arsはアリール又はヘテロアリール基であり、R及びR’は独立して、H、ハロゲン基又は置換若しくは未置換アルキル、アリール若しくはヘテロアリール基を表し、Arsは1又は2以上の反応基で置換され、前記又は各反応基はトリフレート基、ハロゲン基、ボロン酸基、ボロン酸エステル基及びボラン基から構成される群から選ばれる。本発明の第4の側面は、本発明の第3の側面に関連して定義される反応性化合物を使用して、発光装置における発光化合物を製造するための方法を提供する。本発明の第5の側面は、発光装置における発光化合物であり、前記化合物は金属錯体及びXを含み、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されているリン原子並びにリン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換されている発光化合物であって、Xはアリール又はヘテロアリール基を含み、Arsはアリール又はヘテロアリール基に共役結合していることを特徴とする発光化合物を提供する。本発明の第6の側面は、発光化合物が金属錯体及びXを含み、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されるリン原子並びに前記リン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換されている発光化合物の使用であって、Xはアリール又はヘテロアリール基を含むことを特徴とする使用を提供する。本発明の第1の側面の装置の発光層に含まれる化合物についてさらに詳細に説明する。場合により、Xはアリール又はヘテロアリール基を含み、Arsは前記アリール又はヘテロアリール基に共役結合している。本発明によれば、官能基Xは非発光配位子上に導入される。これは、Xを発光配位子上に導入する場合に比べて、発光色又は光出力及び発光に関連する他の特性に影響を与えないので有利である。Arsはさらに置換され得る。リン原子はMに直接的に配位されるので、金属錯体はリン含有配位子を含むと理解され得る。リン原子は酸化状態が3又は5であり得る。どちらの場合も通常リン原子は、Arsに加えて2つのさらなる基R及びR’に結合される。好ましくは、前記2つのさらなる基R及びR’は、それぞれ独立してH、ハロゲン基好ましくはF又は置換若しくは未置換アルキル好ましくはCH3、アリール若しくはヘテロアリール基を含む。1つの態様において、好ましくは、R及びR’の少なくとも1つは置換若しくは未置換アリール又はヘテロアリール基である。より好ましくは、R及びR’はそれぞれ独立して置換又は未置換アリール又はヘテロアリール基である。さらに好ましくは、Rは置換又は未置換フェニル基であり、R’は独立して置換又は未置換フェニル基である。他の態様において、R及びR’の少なくとも1つはH、ハロゲン基好ましくはF又はメチル基である。混雑を回避するために、Xが大きな基であるときはこれらの小さいR及びR’基が好ましい。PVの場合、典型的には、リン原子が酸素P=Oにも結合される。本発明の化合物の場合、Xは金属錯体を効果的に官能化する。したがって、ホスフィン配位子又は他のPArsRR’含有配位子を含む従来技術で開示された金属錯体を官能化することにより、ホスフィン配位子のフェニル基の1つの上又は他のPArsRR’含有配位子の場合、Ars上へXを導入することによって本発明の化合物を得ることができる。このような錯体は、レニウム、タングステン、白金、パラジウム、銅、クロム、モリブデン、ロジウム、イリジウム、金、ルテニウム及びオスミウム錯体を含む。前記錯体はまた、Mがガリウム、アルミニウム、ベリリウム、亜鉛、水銀又はカドミウムである蛍光錯体を含む。これらは、一般式I~Xに関連してより詳細に説明される。この一般式において少なくとも1つのLは上記で定義されるようにPArsRR’を含む。発光層に含まれる本発明の化合物は低分子、オリゴマー、ポリマー又はデンドリマーであることができる。XはArs上の官能基とみなされ得る。この点において、Xの機能は、例えば、全体として化合物の溶解性を改良し、電子輸送を促進し、及び/又は装置における正孔輸送を促進することでもよい。これら機能にとって適切な基は当業者に公知である。例えば、好ましい可溶化基はアルキル及びアルコキシ基を含む。さらに、電子及び/又は正孔輸送のための好ましい基は、2,7-結合9,9二置換フルオレン、p-結合ジアルキルフェニレン、p-結合二置換フェニレン、フェニレンビニレン、2,5-結合ベンゾチアジアゾール、2,5-結合置換ベンゾチアジアゾール、2,5-結合二置換ベンゾチアジアゾール、2,5-結合置換又は未置換チオフェン、置換又は未置換トリアリールアミン及び未置換又は置換カルバゾールから構成される群から選択される基が挙げられる。未置換及び置換カルバゾールが特に好ましい。本発明の第1の側面の第1の態様において、Xはポリマー又はオリゴマーを含む。下記に説明するように、ポリマーは部分的又は完全に共役されていてもよい。第1の態様において、Arsはポリマー又はオリゴマーの主鎖からのペンダントであり得る。あるいは、Arsはポリマー又はオリゴマーの主鎖の一部であり得る。この意味において、金属錯体はポリマー又はオリゴマーにおける繰返し単位、側鎖置換基又は末端基であり得る。Arsがポリマー又はオリゴマーの主鎖の一部であるとき、Arsは2つの場所において主鎖に結合することになるため二官能化されていると見なし得る。Arsがポリマー又はオリゴマーの主鎖からのペンダントであり側鎖置換基を形成する場合、又は末端基を形成する場合、Arsは単官能化されていると考えられてよい。凝集及び相分離のような形態変化に関連する問題は、本発明の第1の態様による化合物で回避される。化合物の制御された構造とは金属錯体の位置及び移動性が空間的に制御されることを意味する。この空間的な制御は、ポリマー又はオリゴマーと金属錯体間の相互作用の制御を可能にする。これは、ポリマー又はオリゴマーと金属錯体の相乗効果により、金属錯体がポリマー又はオリゴマーに共役結合しているときの励起状態における材料のエネルギーレベルをある程度操作可能にする。金属錯体がポリマー又はオリゴマーに共役結合しているとき、これは、WO03/091355その内容は参照により本明細書に組み込まれるに記載されるようにエネルギーレベルの混合を導き得る。エネルギーレベルのこの混合はポリマー又はオリゴマーから配位子へのエネルギー移動を助けることができる。ポリマー又はオリゴマーから有機金属基への電荷輸送も、有機金属化合物及びポリマーの従来技術の混合物に比較して高め得る。一般に、材料中の共役度の増加はその材料の3重項エネルギーレベルを低下させると言うことができる。このように、本化合物の共役度の制御は3重項エネルギーレベルを少なくとも部分的に制御する有益な方法となり得る。この点において、1つの態様において、ポリマー又はオリゴマーの主鎖は部分的に共役し、より好ましくは実質的又はさらには完全に共役している。ポリマー又はオリゴマーの共役度の制御のために、ポリマー又はオリゴマーはアリール又はヘテロアリール繰返し単位、例えば、カルバゾール、トリアリールアミン、フルオレン又はフェニレンビニレン基のようなフェニル基を含むことが好ましい。したがって、1つの実施態様において、Xは、好ましくはカルバゾール、トリアリールアミン、フルオレン又はフェニレン系のポリマーを含む。カルバゾール及びトリアリールアミン系ポリマーが最も好ましい。他の有益なアリール又はヘテロアリール繰返し単位は、置換又は未置換ベンゾチアジアゾール及び置換又は未置換チオフェンである。化合物が発光できるようにそのエネルギーレベルが金属錯体に相補的であるcomplimentary限り、いかなるポリマー又はオリゴマーも使用され得る。ポリマー又はオリゴマーは発光装置において機能性になり得る。例えば、ポリマー又はオリゴマーは電子輸送性又は正孔輸送性になり得る。この目的のために、本発明者らはポリマー又はオリゴマーは好ましくは導電体又は半導体、より好ましくは半導体であることを発見した。材料の溶解性を改良するためにポリマー又はオリゴマーが可溶化基を含むことが好ましいことがある。好ましい可溶化基はアルキル及びアルコキシ基を含む。この点において、材料は溶液処理可能であることが好ましい。本発明の第1の側面の第1の態様において、本材料は2以上の金属錯体を含んでもよい。この場合、材料における金属錯体の空間的分離はより重要である。空間的分離は下記により詳細に示される製造方法、又はポリマー又はオリゴマーの主鎖からのペンダントとなる金属錯体を選択することによって制御され得る。材料の特性をさらに制御する観点から、材料の共役を遮断するためにスペーサー基が使用され得る。したがって、Xは選択的に置換されたC1-C10アルキレン基のような非共役スペーサー基を含んでもよい。アルキレン基は、ポリマー又はオリゴマー及び金属錯体間の距離を制御するのに役立ち、これによって電荷のトラップを改良する。これに関して、アルキル基及びアルキルエーテル基が適切なスペーサー基である。スペーサー基の長さは、ポリマー又はオリゴマー主鎖からの金属錯体の分離をある程度制御するために使用することもできる。したがって、スペーサー基は適切にはCH2基の鎖であり得る。本発明の第1の側面の第2の態様においては、Mはデンドリマーの核に含まれる。したがって、第2の態様は核の一部として金属イオンを有するデンドリマーに関する。デンドリマーの特性によって、デンドリマーは溶液処理にとって理想的になり、金属錯体を溶液処理可能な系に組み込むことが可能になる。WO02/066552この内容が参照により本明細書に組み込まれるは適切なデンドリマー構造についてある情報を提供する。デンドリマーは典型的には一般式XIを有する。ここで、核は金属イオン又は金属イオンを含む基を表し、nは1又は2以上の整数を表し、それぞれ同じか異なってもよい各デンドロンは、アリール及び/又はヘテロアリール構造単位を含む少なくとも部分的に共役された構造を表す。好ましいアリール及びヘテロアリール構造単位は次のものである。置換及び未置換カルバゾール、置換及び未置換トリアリールアミン、置換及び未置換フルオレン、置換及び未置換フェニレン、置換及び未置換ベンゾチアジアゾール及び置換又は未置換チオフェンである。次に、発光層の金属錯体に移ると、好ましい錯体は中性である。この目的のため、Mは、非配位アニオンが存在しないように錯体を中性化するために、好ましくは荷電が十分な配位子によって囲まれる。第1又は第2の態様において、適切なArs基はアリール又は5若しくは6員環を含むヘテロアリール基を含む。適切なヘテロアリール基はヘテロアリール環において2以上のヘテロ原子を含むことができる。適切なArs基の例は、フェニル及びピリジルである。上述したように、通常、リン原子は、Arsに加えて、2つの他の基R及びR’に結合される。好ましくは、この2つの他の基は、それぞれ独立して、H、ハロゲン基、又は置換若しくは未置換アルキル、アリール又はヘテロアリール基を含む。1つの実施態様において、好ましくは、R及びR’の少なくとも1つは置換又は未置換アリール又はヘテロアリール基である。より好ましくは、R及びR’はそれぞれ独立して置換又は非置換のアリール又はヘテロアリール基である。よりさらに好ましくは、Rは置換又は未置換フェニル基であり、R’は独立して置換又は未置換フェニル基である。他の態様において、R及びR’の少なくとも1つは、H,ハロゲン基好ましくはF又はメチル基である。混雑を避けるために、Xが大きい基であるときは、これらの小さなR及びR’基が好ましい。錯体における金属Mについては、適切な金属Mは次のものを含む。セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、タリウム、エルビウム及びネオジウムなどのランタニド金属、及びd-ブロック金属、特に、その第2及び第3列のもの、即ち、39~48番及び72~80番の元素、特に、レニウム、タングステン、白金、パラジウム、銅、クロム、モリブデン、ロジウム、イリジウム、金、ルテニウム及びオスミウム。金属Mについては、好ましい金属は、レニウム、イリジウム、タングステン、オスミウム、白金及び金、最も好ましくは、レニウム及びイリジウムを含む。典型的には、金属錯体は上述したリン含有配位子に加えて、他の配位子配位基を含む。もちろん、金属錯体は上記の2以上のリン含有配位子を含んでもよく、その場合各Lは同じか異なり得る。金属錯体における他の配位子上述したリン含有配位子以外の他のものの性質は、Xとの金属錯体の適合性をさらに最適化するために選択し得る。この目的のため、配位子は、1電子輸送配位子、2正孔輸送配位子及び3半導電性配位子のカテゴリーから適切に選択され得る。配位子の選択においては、起こり得る立体障害に注意しなければならない。典型的には、好ましい配位子には、共役配位子、2座配位子、及び金属と配位する少なくとも1つの窒素原子を含む配位子が挙げられる。上述したように、PPh3及び実際に他のPArsRR’を含有する配位子は、通常、発光/電子受容配位子ではない。したがって、その化合物がLEDにおける発光に適するためには、発光配位子も金属錯体中のMに配位すべきである。この目的のため、好ましくは、Mは次の2座発光配位子、又は次の2つの単座発光配位子に追加的に配位される。金属錯体中の配位子リン含有配位子以外のは、単座L、2座L2又は3座L3であり得る。2座及び3座配位子においては、Mに配位されるとき7、6、5又は4員環を形成するように、配位原子が配位子中で結合され得る。6員環が好ましく、5員環が最も好ましい。有益な3座配位子の例は、次のものである。ここで、X1、X2及びX3は、N,C,O及びSから独立して選ばれる。好ましくは、X1=X2=X3=N。Mに配位される好ましい基はフェノール基である。したがって、特に好ましい2座配位子はキノリネートである。f-ブロック金属に適切な他の配位基は、カルボン酸、1,3-ジケトネート、ヒドロキシカルボン酸、アシルフェノール及びイミノアシル基を含むシッフ塩基のような酸素又は窒素ドナー系を含む。公知のように、発光ランタニド金属錯体は、金属イオンの第1の励起状態より高い3重項励起エネルギーレベルを有する感光性基を要求する。発光は金属のf-f遷移から行われ、したがって発光色は金属の選択によって決められる、鋭い発光は、通常狭く、ディスプレイの応用に有益な純粋色の発光をもたらす。d-ブロック金属は、好ましくは、ポルフィリン又は一般式XIIの2座配位子のような炭素又は窒素ドナーと錯体を形成する。ここで、Ar2及びAr3は同じか異なってもよく、選択的に置換されるアリール又はヘテロアリールから独立して選ばれる。Y1及びYは同じか異なってもよく、炭素又は窒素から独立して選ばれる。Ar2及びAr3は共に縮合され得る。Yが炭素でありY1が窒素である、又はY及びY1が共に窒素である配位子が特に好ましい。2座配位子の例は下記に示される。Ar2及びAr3の一方又は両方は、1又は2以上の置換基を有してもよい。好ましい置換基は上述した通りである。d-ブロック元素との使用に適切な他の配位子は、ジケトネート、特にアセチルアセトネートacac、キノリネート、トリアリールホスフィン及びピリジンを含み、それぞれは置換され得る。Xで官能化できる最も関心の高い化合物は、一般式Iを有する。M=イリジウム、レニウム、タングステン、白金又はオスミウム。A,Bは結合され得る発光配位子である。少なくとも1つのLはPArsRR’、好ましくはホスフィンを含む。LがPArsRR’を含まない場合は、好ましくは強配位子場の配位子であり、最も好ましくはカルボニルである。L基は結合され得る。mはMの原子価を満たすのに必要な数である。レニウムI、イリジウムIII、タングステン0、オスミウムII及び白金IVにおいてmは好ましくは4である。白金IIにおいては、mは好ましくは2である。nは0又は整数である。nが整数である場合、対イオンZが存在する。特定の例は次のとおりである。Xで官能化できる他の関心高い錯体は、一般式II又はIIIで下記に示されるレニウム錯体を含む。一般式IIIが最も好ましい。少なくとも1つのLはPArsRR’、好ましくはホスフィンを含む。Aは中性の発光配位子である。残りの配位子Lは中性配位子である。レニウムの場合、残りの配位子Lは好ましくは強配位子場の配位子であり、例えば、C=O又はPR3であり、各Rは独立して選択的に置換されるアルキル、アリール又はヘテロアリール基を表す。2又は3以上のL基は結合されることができ、例えば、2つのPR3基は次のものを形成してもよい。上式において、少なくとも1つのLはPArsRR’、好ましくはホスフィンを含む。A及びBは選択的に結合されていてもよい中性の発光配位子、例えば、ビピリジル又はフェナントロリンを表す。Lは一般式I又はIIに関して上記で定義した通りである。Xで官能化できるさらに他の関心高い錯体は、一般式IV、V,VI、VII又はVIIIを有するイリジウム錯体を含む。これらの一般式において、少なくとも1つの配位子は上記に定義されるPArsRR’、好ましくはホスフィンを含む。イリジウムについては、一般式IV及びVにおける残りのLに適切な基は、単座、2座又は3座配位子、例えば、ビピリジル、フェナントロリン、トリアリールホスフィンを含む。また、好ましくは残りのLの少なくとも1つは強配位子場の配位子を含む。少なくとも1つのLは荷電配位子L’例えば、塩化物である。好ましい態様において、1つの荷電配位子L’があり、これは一般式VIIIに示されるように中性配位子に結合されている例えば、L-L’=フェニルピリジン。Xで官能化できる好ましいオスミウム錯体は、一般式IXを有するもの、及び一般式IV~VIIIにおける上記イリジウム錯体に類似する他の錯体である。上述のように、金属錯体は燐光性又は蛍光性でもよい。Xの導入により本発明の錯体を得るために官能化できる公知の蛍光性錯体の例は、前述したIr及びOs錯体のAl類縁物質、特に次のものを含む。上式において、L及びL’は上記のいずれかで定義したとおりである。好ましくは、AlについてはL’-Lは、キノリネート、特に、8-キノリネート、すなわち下記のものである。ベリリウム、ガリウム水銀、カドミウム及び亜鉛は蛍光性錯体を形成する他の金属である。したがって、本発明の他の蛍光性錯体はこれら金属を含むことができる。一般式IV~Xにおいて、少なくとも1つの配位子は金属から電荷を受け入れることができ、MLCTによって発光することができなければならない。発光は蛍光又は燐光のいずれでもよい。好ましくは、発光は燐光である。化合物は発光層において他の材料と任意選択で混合されることができる。化合物は発光層においてホスト材料と共に存在することが望ましいことがある。1つの好ましい態様において、化合物は発光層においてホスト材料と共に混合される。ホスト材料はまた電荷輸送特性を有することができる。正孔輸送ホスト材料は、次の一般式を有する選択的に置換された正孔輸送アリールアミンのようなものが特に好ましい。ここで、Ar5はフェニル又は次のような選択的に置換された芳香族基であり、またはAr6,Ar7、Ar8及びAr9は選択的に置換された芳香族又は複素環式芳香族基であるShietalUS5554450VanSlykeetalUS5061569SoetalUS5853905。Arは好ましくはビフェニルである。Ar6、Ar7、Ar8及びAr9の少なくとも2つは、チオール基、又は反応性不飽和炭素-炭素結合含有基のどちらかに結合され得る。Ar6とAr7及び/又はAr8とAr9は、選択的に結合し合って、例えば、Nが、例えば次のカルバゾール単位の一部を形成するようにN含有環を形成する。ホスト材料は、代わりに電子輸送特性を有することができる。電子輸送ホスト材料の例は、アゾール、ジアゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、ベンゾキサゾール、ベンズアゾール及びフェナントロリンであり、これらはそれぞれ選択的に置換されることができる。特に好ましい置換基はアリール基、特に、フェニルオキサジアゾール、特にアリール置換オキサジアゾールである。これらホスト材料は低分子の形で存在してもよく、又はポリマーの繰返し単位、特に、ポリマー主鎖に位置する繰返し単位又はポリマー主鎖からのペンダント置換基として供給されてもよい。電子輸送ホスト材料の特定の例は、3-フェニル-4-1-ナフチル-5-フェニル-1,2,4-トリアゾール及び2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-フェナントロリンを含む。ホスト材料は双極性、すなわち、正孔及び電子を輸送できてもよい。適切な双極性材料は好ましくは少なくとも2つのカルバゾール単位ShirotaJMaterChem200010125を含む。1つの好ましい化合物においては、上記のAr6及びAr7並びにAr8及びAr9の両方はカルバゾール環を形成するために結合し、Ar5はフェニルである。あるいは、双極性ホスト材料は正孔輸送セグメント及び電子輸送セグメントを含む材料であり得る。そのような材料の例としては、正孔輸送がポリマー主鎖内に位置するトリアリールアミン繰返し単位により供給され、電子輸送がポリマー主鎖内の共役ポリフルオレン鎖により供給される、国際公開00/55927号パンフレットに開示されるような、正孔輸送セグメント及び電子輸送セグメントを含むポリマーである。あるいは、正孔輸送及び電子輸送特性は共役又は非共役ポリマー主鎖からのペンダント繰返し単位により供給されてもよい。低分子ホストの特定の例は、CBPとして知られる4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニル、及びIkaietalに開示されるTCTAとして知られる4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、並びにMTDATAとして知られるトリス-4-N-3-メチルフェニル-N-フェニルフェニルアミンのようなトリールアミンを含む。ホモポリマー及びコポリマーはホストとして使用してもよく、正孔輸送層に関して上記したポリフルオレン、ポリスピロフルオレン、ポリインデノフルオレン又はポリフェニレンのような選択的に置換されたポリアリーレンを含む。従来技術において開示されるホストポリマーの特定の例は、例えば、ApplPhysLett2000772280に開示されているポリビニルカルバゾール、SynthMet2001116379PhysRevB200163235206及びApplPhysLett2003821006に開示されるポリフルオレン、AdvMater199911285に開示されるポリ[4-N-4-ビニルベンジルオキシエチル,N-メチルアミノ-N-2,5-ジ-tert-ブチルフェニルナプタルイミド]、JMaterChem2003135055におけるポリパラ-フェニレン、JChemPhys11828532864に開示されるfac-トリス2-フェニルピリジンイリジウムIII及び2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II両方のホストとしてポリ[9,9’-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-alt-1,4-2,5-ジ-n-へキシルオキシフェニレン]、MatResSympSpringMeeting2003BookofAbstractsHeegerp214におけるジオクチルフルオレン及びジシアノ-ベンゼンのランダムコポリマーホストを含み、フルオレン繰返し単位とフェニレン繰返し単位のABコポリマーは、MatResSocSympProc7082002131に開示されている。ホスト材料中の化合物の濃度は薄膜が高い電子発光効率を有するような濃度とすべきである。発光化合物の濃度が高すぎると、発光のクエンチが生じ得る。濃度範囲は0.01~49wtであり、より好ましくは0.5~10wt、最も好ましくは1-3wtとするのが通常適当である。第1の側面においては、図1を参照すると、本発明の有機発光ダイオードは、基板1、アノード2好ましくは、インジウム錫酸化物、有機正孔注入材料の層3、電子発光層4及びカソード5を含み得る。図1に示されるように、本発明のLEDにおいて、通常、アノードは基板上に供給される。光学装置は湿気と酸素に敏感な傾向がある。したがって、基板は、好ましくは、湿気と酸素の装置への侵入の防止について良好なバリヤー特性を有する。基板は、一般的にガラスであるが、特に、装置の柔軟性が必要な場合は他の基板が使用され得る。例えば、プラスチックバリヤー交互層の基板を開示する米国6268695号明細書にあるようなプラスチック、又は欧州特許0949850に開示されるような薄いガラスとプラスチックのラミネートを含むことができる。必須ではないが、アノードから発光層への正孔の注入を促進するので、アノードと発光層の間に正孔注入層が存在することも望ましい。有機正孔注入材料の例は、欧州特許0901176号明細書及び欧州特許0947123号明細書に開示されるポリスチレンスルホネートのような適当な対イオンを有するポリエチレンジオキシチオフェンPEDT、又は米国5723873号明細書及び米国5798170号明細書に開示されるようなポリアニリンを含む。半導体材料を含む電荷輸送層図示しないを供給することもできる。正孔輸送層はアノードと発光層の間に供給され得、電子輸送層はカソードと発光層の間に供給され得る。カソードは、電子が効率的に装置に注入されるように選択され、したがってアルミニウム層のような単一の導電材料を含んでもよい。あるいは、それは複数の金属、例えば、国際公開98/10621号パンフレットに開示されるようなカルシウムとアルミニウムの2層を有することができる。例えば、国際公開00/48258号パンフレットに開示されるように、電子注入を促進するためにフッ化リチウムのような誘電材料の薄膜層を発光層とカソードの間に任意選択で供給してもよい。装置は、湿気と酸素の侵入を防止するために好ましくは封止材で封止される。適切な封止材は、ガラスシート、例えば国際公開01/81649号明細書に開示されるようなポリマーと誘電体との交互積層体などの適切なバリヤー特性を有する薄膜、又は国際公開01/19142号明細書に開示されるような選択的に乾燥剤を有する密封容器を含む。実用的な装置において、電極の少なくとも1つは光が放射されるように半透明である。アノードが透明である場合、典型的にはインジウム錫酸化物を含む。透明カソードの例は例えば、GB2348316に開示されている。本発明の第2の側面は、第1の側面に関して定義したような発光装置の製造方法を提供する。この方法は、発光層がアノードとカソードの間に位置するようにアノード、カソード及び発光層を形成する工程を含む。好ましくは、発光層は溶液処理によって形成される。適切な技術は当業者によく知られている。発光層に含まれる発光化合物の製造に関して、この化合物は本発明の第3の側面に関して定義した中間反応性化合物を介して製造され得る。したがって、本発明の第3の側面は、発光装置における発光化合物を製造するための反応性化合物を提供する。言い換えると、本発明の第3の側面は、本発明の第5の側面に関連して上記に定義した発光化合物を製造するための反応性化合物を提供する。反応性化合物は金属錯体を含む。金属錯体は金属M及びPArsRR’を含み、PはMに直接配位されており、Arsはアリール又はヘテロアリール基であり、R及びR’は本発明の第1の側面に関して上記に定義した通りであり、Arsは1又は2以上の好ましくは1又は2の反応基で置換されており、ここで前記又は各反応基Y,Y’は、トリフレート基、ハロゲン基、ボロン酸基、ボロン酸エステル基及びボラン基から構成される群から選択される。好ましくは、前記又は各反応基は臭素である。したがって、第3の側面の反応性化合物は一般式XII又はXIIIで示される構造を有してもよく、ここでArs、R及びR’は上記で定義された通りであり、R2は金属M及び配位している配位子を表し、PはMに直接配位される。Y及びY’は上記で定義される反応基である。第3の側面の中間反応性化合物は、例えば、下記の合成方法に従って製造できる。ジフェニルホスフィン塩化物と1,4-ジブロモベンゼンとの反応による反応性ホスフィン4-ブロモフェニルジフェニルホスフィンの合成を開示するOrganicSyntheses49669についても引用し得る。次いで、本発明の第3の側面の中間反応性化合物を形成するために、上記ホスフィンが金属錯体に組み入れられ得る。当業者に知られるように、示されたホスフィンを金属錯体中に組み込む通常の方法は不安定結合を有する前駆体錯体の利用である。ホスフィンはπアクセプター配位子が加えられる前又はこの後に加えられ得る。他の方法は、配位子の酸化的又は還元的付加、配位子の光化学的若しくは化学的置換を利用する。本発明の第3の側面の中間反応性化合物を製造するための一般的な合成方法は下記に示されるとおりである。前述したように、次いで、本発明の第1の側面の装置の発光層に使用される発光化合物を形成するために、これら反応性化合物例えば、一般式XII又はXIIIを有する反応性化合物はデンドリマー構造及び/又はポリマーに組み込まれ得る。したがって、本発明の第4の側面は、本発明の第1の側面に関して定義した発光装置の発光層の使用に適する化合物を製造する方法における、本発明の第3の側面に関して定義した反応性化合物の使用を提供する。本発明の第4の側面に移ると、本発明の発光化合物は公知のスズキ重合によって有利に製造できる。概略的には、この方法は、触媒の存在下の反応混合物中において、ボロン酸、ボロン酸エステル好ましくは、C1-C6、ボラン好ましくは、C1-C6基から選ばれる少なくとも2つの反応基を有するモノマーと、ジハライド若しくはジトリフレート官能性モノマーとを、又は1つの反応性ボロン酸、ボロン酸エステル好ましくはC1-C6、ボラン好ましくはC1-C6基及び1つの反応性トリフレート若しくはハライド官能基を有するモノマーを互いに重合させる工程を含む。この方法は米国特許5,777,070号明細書に記載されており、また、この誘導体は国際公開00/53656に記載されている。他の方法は、Macromolecules3110991103に開示されるヤマモト重合であり、全てのモノマーは反応性ハロゲン基を備えている。これら文献の内容は参照により本明細書に組み込まれる。大まかに言って、金属錯体は、末端キャップ基の一部又はモノマー残基の一部として本化合物中に最終的に含まれ得ることは上記の方法から明らかであろう。これら2つの種類の方法内においては、金属錯体は、反応混合物に最初に加えられるとき末端キャップ試薬又はモノマー中に存在することができる。あるいは、終端されたポリマー又はオリゴマーが形成された後又は形成され始めた後すなわち、反応中に導入されてもよい。適当な方法は、化合物中の金属錯体の望ましい性質、位置及び割合によって選択し得る。本発明の第5の側面は、発光装置における発光化合物を提供し、前記化合物は金属錯体及びXを含み、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されるリン原子並びにリン原子に直接結合されるアリール又はヘテロアリール基Arsを含み、ArsはXで置換され、Xはアリール又はヘテロアリール基を含むことを特徴とする。本発明の第5の側面においては、第5の側面の化合物においてXはアリール又はヘテロアリール基を含み、Arsは前記アリール又はヘテロアリール基に共役結合している限り、前記化合物は、本発明の第1の側面の発光装置における発光化合物に関して前述したいずれかの好ましい特徴を有することができる。本発明の第6の側面は、発光化合物の使用を提供し、前記化合物は金属錯体及びXを含み、前記金属錯体は金属M及びMに直接配位されるリン原子を含み、アリール又はヘテロアリール基Arsはリン原子に直接結合され、ArsはXで置換され、Xはアリール又はヘテロアリール基を含むことを特徴とする。本発明の第6の側面においては、前記化合物は、本発明の第1の側面の発光装置における発光化合物に関して前述したいずれかの好ましい特徴を有することができる。"