"絶縁性の基板と、前記基板上に形成され、一方向に沿って配置された第1島状電極と、前記基板上に形成され、前記第1島状電極が配置された方向と交差する方向に沿って配置された第2島状電極と、前記第1島状電極同士を接続する第1接続部と、前記第1接続部上に形成された金属膜と、前記金属膜の全体を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、前記第2島状電極同士を接続する第2接続部とを備え、前記第1島状電極、第2島状電極、第1接続部、および第2接続部は、透明導電膜で形成されている、タッチパネル。前記金属膜の端部は、前記絶縁膜の端部よりも前記絶縁膜の内側に位置する、請求項1に記載のタッチパネル。前記金属膜の端部は、前記絶縁膜の端部よりも0.1μm以上、前記絶縁膜の内側に位置する、請求項2に記載のタッチパネル。前記絶縁膜が開口部を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載のタッチパネル。前記金属膜の厚さは、前記第2接続部の厚さよりも厚く、前記第2接続部は、前記絶縁膜の開口部によって、分断された領域を有する、請求項4に記載のタッチパネル。前記絶縁膜は、黒色樹脂で形成されている、請求項1~5のいずれか一項に記載のタッチパネル。前記金属膜は、モリブデンニオブ/アルミニウム/モリブデンニオブを積層させたものである、請求項1~6のいずれか一項に記載のタッチパネル。前記金属膜と同じ材料で形成された配線をさらに備える、請求項1~7のいずれか一項に記載のタッチパネル。画像を表示可能な表示装置と、請求項1~8のいずれか一項に記載のタッチパネルとを備える、タッチパネル付き表示装置。絶縁性の基板上に、第1の透明導電膜を成膜する工程と、前記第1の透明導電膜上に、金属膜を成膜する工程と、前記第1の透明導電膜および金属膜をパターニングする工程と、前記基板および金属膜の一部を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記金属膜の少なくとも前記絶縁膜に覆われていない部分をエッチングする工程と、前記基板、第1の透明導電膜、金属膜、および絶縁膜を覆って、第2の透明導電膜を成膜する工程と、前記第2の透明導電膜をパターニングする工程とを含む、タッチパネルの製造方法。タッチパネルは、表示装置に重ねて使用されるため、電極パターンがユーザから視認されにくいことが好ましい。特許文献1に記載のタッチパネルでは、第1電極および第2電極が同一面上に形成されるため、第1電極と第2電極との間の反射率差が少なく、電極パターンが視認されにくい。特許文献1には、以下の製造方法が記載されている。まず、透明基板上に第1導通部を形成する。次に、第1導通部の一部を覆って中間絶縁層を形成する。その後、第1電極、第2電極および第2導通部を一括して形成する。上記の方法によれば、第1導通部を形成するためのパターニングと、中間絶縁層を形成するためのパターニングと、第1電極、第2電極および第2導通部を形成するためのパターニングとの、少なくとも3回のパターニングが必要となる。これらに加え、配線および保護膜を形成する場合は、さらに2回のパターニングが必要となり、計5回のパターニングが必要となる。ここで、工程数を削減するために、例えば、第1導通部と配線とを、同一材料で同時に形成する方法が考えられる。しかしながら、電極パターン第1電極、第2電極、第1導通部および第2導通部は、ユーザから視認される位置に形成されるため、透光性材料例えば透明導電膜で形成され、膜厚も薄い例えば10~50nmことが好ましい。一方、配線は、通常はユーザから視認されない位置に形成されるため、透光性は要求されない。そのため、配線には一般的に、電気抵抗の低い金属膜等が用いられる。したがって、第1導通部と、配線とを同一材料で同時に形成しようとすると、次のような問題が生じる。すなわち、第1導通部と配線とを、ともに金属膜で形成すれば、金属膜は反射率が高いため、第1導通部がユーザから視認され易くなり、タッチパネルの表示品位が悪化する。一方、第1導通部と配線とを、ともに透明導電膜で形成すれば、配線の電気抵抗が大きくなり、タッチパネルの感度が低下する。また、特許文献1に記載のタッチパネルの様に、電極パターンの上に光学糊等の粘着層を介して保護シートを貼着することは、光透過率が減少することと、製造時の工程数が増加することとの両面から、好ましくない。本発明の目的は、電極パターンが視認されにくいタッチパネルの構成を得ることである。ここに開示するタッチパネルは、絶縁性の基板と、前記基板上に形成され、一方向に沿って配置された第1島状電極と、前記基板上に形成され、前記第1島状電極が配置された方向と交差する方向に沿って配置された第2島状電極と、前記第1島状電極同士を接続する第1接続部と、前記第1接続部上に形成された金属膜と、前記金属膜の全体を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、前記第2島状電極同士を接続する第2接続部とを備える。前記第1島状電極、第2島状電極、第1接続部、および第2接続部は、透明導電膜で形成されている。本発明によれば、電極パターンが視認されにくいタッチパネルの構成が得られる。本発明の一実施形態にかかるタッチパネルは、絶縁性の基板と、前記基板上に形成され、一方向に沿って配置された第1島状電極と、前記基板上に形成され、前記第1島状電極が配置された方向と交差する方向に沿って配置された第2島状電極と、前記第1島状電極同士を接続する第1接続部と、前記第1接続部上に形成された金属膜と、前記金属膜の全体を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、前記第2島状電極同士を接続する第2接続部とを備える。前記第1島状電極、第2島状電極、第1接続部、および第2接続部は、透明導電膜で形成されている第1の構成。上記の構成によれば、第1接続部上であって、かつ、絶縁膜に覆われた部分にのみ金属膜が形成されている。そのため、金属の面積を小さくできる。したがって、電極パターンを視認されにくくできる。上記第1の構成において、前記金属膜の端部は、前記絶縁膜の端部よりも前記絶縁膜の内側に位置することが好ましい第2の構成。上記の構成によれば、金属膜の面積を、より小さくできる。したがって、電極パターンを、より視認されにくくできる。上記第2の構成において、前記金属膜の端部は、前記絶縁膜の端部よりも0.1μm以上、前記絶縁膜の内側に位置することが好ましい第3の構成。上記第1~第3の構成において、前記絶縁膜が開口部を有することが好ましい第4の構成。上記の構成によれば、金属膜の面積を、より小さくできる。上記第4の構成において、前記金属膜の厚さは、前記第2接続部の厚さよりも厚く、前記第2接続部は、前記絶縁膜の開口部によって、分断された領域を有していても良い第5の構成。上記第1~第5のいずれかの構成において、前記絶縁膜は、黒色樹脂で形成されていることが好ましい第6の構成。上記の構成によれば、黒色樹脂が金属膜を覆っており、金属膜からの光の反射を低減する。これにより、電極パターンを、より視認されにくくできる。上記第1~第6の構成において、前記金属膜は、モリブデンニオブ/アルミニウム/モリブデンニオブを積層させたものであることが好ましい第7の構成。上記第1~第7のいずれかの構成において、前記金属膜と同じ材料で形成された配線をさらに備えていていも良い第8の構成。上記の構成によれば、金属膜と配線とを同時に作製できるので、製造工程を簡略化できる。本発明の一実施形態にかかるタッチパネル付き表示装置は、画像を表示可能な表示装置と、上記第1~第8のいずれかの構成にかかるタッチパネルとを備えるタッチパネル付き表示装置の第1の構成。本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、絶縁性の基板上に、第1の透明導電膜を成膜する工程と、前記第1の透明導電膜上に、金属膜を成膜する工程と、前記第1の透明導電膜および金属膜をパターニングする工程と、前記基板および金属膜の一部を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記金属膜の少なくとも前記絶縁膜に覆われていない部分をエッチングする工程と、前記基板、第1の透明導電膜、金属膜、および絶縁膜を覆って、第2の透明導電膜を成膜する工程と、前記第2の透明導電膜をパターニングする工程とを含む製造方法の第1の態様。[実施の形態]以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。全体の構成図1は、本発明の一実施形態にかかるタッチパネル1を備えたタッチパネル付き表示装置100の概略構成を示す断面図である。タッチパネル付き表示装置100は、スイッチ液晶パネル71と、液晶表示パネル72とを備えている。スイッチ液晶パネル71と液晶表示パネル72とは、貼付材73により貼り合わされている。スイッチ液晶パネル71は、偏光板711、タッチパネル1、アクティブマトリクス基板712、液晶713、シール材714、および対向基板715を備えている。液晶713は、アクティブマトリクス基板712およびこれに対向して配置された対向基板715に挟持されており、両基板の周縁部に形成されたシール材714により閉じ込められている。アクティブマトリクス基板712には、ストライプ状の透明電極と、TFTThinFilmTransistorとが形成されている。対向基板715には、全面に透明電極が形成されている。アクティブマトリクス基板712の前面には、タッチパネル1が貼り合わされている。タッチパネル1は、その詳しい構成は後述するが、絶縁性の基板と、格子状に形成された電極とを備える。タッチパネル1は、これらの電極と、タッチパネル1に近接した指等との間に形成される静電容量の変化に基づいて、指等の位置を検出する。タッチパネル1は、いわゆる静電容量方式のタッチパネルである。タッチパネル1の前面には、偏光板711が貼り合わされている。液晶表示パネル72は、偏光板721、カラーフィルタ基板722、液晶723、シール材724、アクティブマトリクス基板725、および偏光板726を備えている。液晶723は、カラーフィルタ基板722およびこれに対向して配置されたアクティブマトリクス基板725に挟持されており、両基板の周縁部に形成されたシール材724により閉じ込められている。アクティブマトリクス基板725には、画素電極とTFTとがマトリクス状に形成されている。カラーフィルタ基板722には全面に共通電極と、アクティブマトリクス基板725の画素電極に対応する位置に配置されたカラーフィルタとが形成されている。カラーフィルタ基板722の前面には、偏光板721が貼り合わされている。アクティブマトリクス基板725の背面には、偏光版726が貼り合わされている。液晶表示パネル72は、アクティブマトリクス基板725に形成されたTFTを制御することにより、任意の画素電極上の液晶723の配向を変化させる。これにより、液晶表示パネル72は、任意の画像を表示できる。スイッチ液晶パネル71は、2次元表示モードと、3次元表示モードとを切り替える。2次元表示モードでは、スイッチ液晶パネル71の液晶713は、アクティブマトリクス基板712および対向基板715に形成された配向膜によって、一様に配向している。これにより、液晶表示パネル72に表示された画像が、そのまま表示される。3次元表示モードでは、スイッチ液晶パネル71は、アクティブマトリクス基板712のTFTを制御して、液晶713の配向を、一定間隔で変化させる。配向の変化に伴う屈折率差により、液晶713はレンズとして作用する。この間隔に対応して、液晶表示パネル72に、多方向から撮影した画像をストライプ状に表示させる。そうすると、これらの画像は、液晶713によって分離される。最適な位置でタッチパネル付き表示装置100を観察すると、左右の眼に異なる画像が届く。すなわち、タッチパネル付き表示装置100は、3次元表示モードでは、いわゆる視差方式による3次元表示を行う。以上、本実施形態にかかるタッチパネル付き表示装置100の概略構成を説明した。タッチパネル付き表示装置100では、タッチパネル1を、スイッチ液晶パネル71の一部として構成した。タッチパネル1は、液晶表示パネル72の一部として構成されていても良い。例えば、タッチパネル1が、液晶表示パネル72のカラーフィルタ基板722の前面に貼り合わされていても良い。また、タッチパネル1を、偏光板711または721の前面に貼り合わせた、いわゆるアウトセル型の構成としても良い。[タッチパネルの構成]以下、タッチパネル1の構成について詳しく述べる。[第1の実施形態]図2は、本発明の第1の実施形態にかかるタッチパネル1の、概略構成を示す平面図である。図3は、図2におけるC-C’線、D-D’線、E-E’線、F-F’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル1は、絶縁性の基板10、X電極11、Y電極12、端子13、配線14、グランド配線141、絶縁膜15,16、保護膜18、および導電膜19,191を備えている。なお、図2では、図を見易くするために、配線14およびグランド配線141にハッチングを付して示している。図2に示すように、複数のX電極11と、複数のY電極12とは、互いに直交して、一定間隔で整列している。X電極11とY電極12とが交差する箇所には、絶縁膜16が設けられていて、X電極11とY電極12とが絶縁されている。なお、図2には図示していないが、X電極11とY電極12とが交差する箇所には、金属膜17が形成されている図4、図5等を参照。詳しくは後述する。X電極11およびY電極12の周りには、配線14およびグランド配線141が形成されている。配線14およびグランド配線141と同じ位置には、同形状の導電膜19および191が、基板10側に形成されている。換言すれば、配線14およびグランド配線141は、導電膜19および191に重畳して形成されている。配線14およびグランド配線141は絶縁膜15により覆われている。絶縁膜15は、タッチパネル1の製造工程におけるエッチング等のプロセスから配線14およびグランド配線141を保護し、配線14およびグランド配線141の信頼性を向上させる。絶縁膜15には、コンタクトホール15aが形成されている。X電極11およびY電極12と配線14とが、コンタクトホール15aを介して接続されている。図3に示すように、コンタクトホール15aの部分には配線14が形成されていない。E-E’線に沿った断面では、配線14の厚さにより段差が生じている。この段差によってY電極12は途切れており、Y電極12と導電膜19は、E-E’線に沿った断面では接触していない。一方、F-F’線に沿った断面では、コンタクトホール15aの開口は配線14の幅よりも大きく、配線14による段差は生じていない。そのため、Y電極12と導電膜19とはF-F’線に沿った断面では接触している。これにより、Y電極12、導電膜19、および配線14が、互いに電気的に接続されている。X電極11、導電膜19、および配線14についても同様である。配線14およびグランド配線141に接触している導電膜19および191は、絶縁膜15の外側へ引き出されている。そして、絶縁膜15の外側に引き出された導電膜19および191に重畳して、端子13が形成されている。このような構成によって、X電極11、配線14、導電膜19、および端子13が、互いに電気的に接続されている。同様に、Y電極12、配線14、導電膜19、および端子13が、互いに電気的に接続されている。グランド配線141は、端子13とは接続されているが、X電極11およびY電極12とはいずれにも接続されていない。グランド配線141は、電磁波による干渉防止用のシールドとして機能する。保護膜18は、X電極11、Y電極12、配線14、グランド配線141、絶縁膜15,16を覆って形成されている。保護膜18は、基板10の一部と端子13の一部とも覆って形成されている。図2に示すように、端子13の一部は保護膜18で覆われずに露出している。端子13は、FPCFlexiblePrintedCircuit等を介して駆動回路等と接続される。図4は、タッチパネル1の構成から、X電極11およびY電極12の付近を拡大して示した図である。図5は、X電極11とY電極12とが交差する箇所図4における矩形領域Sをさらに拡大して示した図である。図6は、図5のA-A’線およびB-B’線の各線に沿った断面図である。図4および図5では、金属膜17にハッチングを付して模式的に表示している。図4に示すように、X電極11は、複数の島状電極111と、隣接する島状電極111同士を接続する接続部112とを備える。Y電極12は、複数の島状電極121と、隣接する島状電極121同士を接続する接続部122とを備える。図5に示すように、X電極11の接続部112と、Y電極12の接続部122とが交差する箇所には、間に絶縁膜16が形成されている。さらに、Y電極12の接続部122と、絶縁膜16とが平面視で重畳する箇所に、金属膜17が形成されている。厳密には、金属膜17の端面は、絶縁膜16の端面よりも、長さd1だけ、絶縁膜16の内側にある。図6に示すように、金属膜17は、接続部122の上であって、かつ、絶縁膜16の下に形成されている。絶縁膜16には、複数の開口部16aが形成されている。開口部16aに対応する位置には、金属膜17は形成されていない。換言すれば、絶縁膜16の開口部16aは、金属膜17まで貫通している。厳密には、金属膜17の開口の大きさは、絶縁膜16の開口部16aの大きさよりも大きい。図6に示すように、金属膜17の開口の内壁面は、絶縁膜16の開口部16aの内壁面よりも、長さd1だけ開口部16aの外側にある。X電極11の接続部112は、絶縁膜16上を経由して、島状電極111同士を接続する。このとき、接続部112は、絶縁膜16の開口部16aにも重畳して形成される。しかしながら、前述のように開口部16aに対応する位置には金属膜17が形成されていないため、図6に示すように、この箇所では金属膜17の厚さにより段差が生じている。この段差によって、接続部112は分断されている。図6では、接続部112のうち、開口部16a内に形成されて分断されたものに、112aという符号を付して表している。また、金属膜17の開口の大きさが絶縁膜16の開口部16aの大きさよりも大きいため、接続部112と金属膜17とは接触していない。このような構成によって、開口部16aによらず、X電極11とY電極12とは絶縁されている。上記の構成でX電極11とY電極12とが絶縁されるためには、金属膜17の厚さが、接続部112の厚さよりも厚いことが必要である。これに加え、X電極11とY電極12とが確実に絶縁されるためには、長さd1は0.1μm以上であることが好ましい。より好ましくは0.3μm以上である。長さd1が0.1μm未満であると、接続部112と金属膜17とが接触する場合があるためである。長さd1が0.3μm未満の場合、接続部112の成膜条件や膜厚によっては、接続部112と金属膜17とが接触する場合があるためである。[タッチパネル1の製造方法]以下、図7A~図7Dを参照して、タッチパネル1の製造方法を説明する。図7A~図7Dは、図5におけるA-A’線、図2におけるC-C’線およびD-D’線の各線に沿った断面図である。まず、絶縁性の基板10を準備する。基板10は、例えば、ガラス基板である。絶縁性の基板10の全面に、スパッタリングまたはCVDChemicalVaporDeposition法により、一様な透明電極膜を成膜する。透明電極膜は、例えばITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZirconOxideである。透明電極膜の厚さは特に限定されないが、例えば10~50nmである。この透明電極膜に重畳して、スパッタリングまたは蒸着により、共通金属膜を製膜する。共通金属膜は、例えばAl等の低抵抗金属の膜である。下層や上層との密着性、および耐食性を向上させるため、複数の金属を積層させた構造とすることが好ましい。例えば、MoNb、Al、およびMoNbをこの順で積層させた膜を用いることができる。共通金属膜の厚さは、特に限定されないが、例えば0.3~1.0μmである。基板10の全面に成膜した透明電極膜/共通金属膜の積層膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングによって、Y電極12の接続部122、金属膜170、配線14、および導電膜19を形成する図7A参照。なお、図7Aには図示していないが、グランド配線141および導電膜191図2参照も、このパターニングによって形成される。パターニングは具体的には、まず、接続部122、金属膜170、配線14、および導電膜19等を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。エッチング方法は任意であるが、例えば、燐酸/酢酸/硝酸の混酸を用いることにより、透明導電膜と共通金属膜とを一度にエッチングすることが可能である。接続部122と金属膜170とは、同一のマスクによってパターニングされるため、平面視で同一箇所に同一形状で形成される。配線14と導電膜19と、およびグランド配線141と導電膜191とについても、同様である。パターニングの終了後に、200~250°Cの温度範囲でアニールを行う。このアニールで、アモルファスであった透明電極膜接続部122、導電膜19および191が多結晶化する。続いて、絶縁膜15および16を形成する。絶縁膜15および16として、例えばアクリル樹脂、ノボラック樹脂等を含むフォトレジストを用いることができる。なお、絶縁膜15および16として、黒色樹脂を用いることが好ましい。黒色樹脂は、例えば上記のフォトレジストに黒色顔料を分散させることによって得られる。基板10の全面に、スピンコータまたはスリットコータによって、フォトレジストを均一に塗布する。塗布するフォトレジストの厚さは、特に限定されないが、1.5~3.0μmである。フォトレジストは、感光すると現像液に対する溶解性が減少するポジ型、および感光すると現像液に対する溶解性が増大するネガ型の、どちらでも良い。フォトレジストを塗布後、プレベーク仮焼成、露光、現像、ポストベーク後焼成等を行って、所定の位置に絶縁膜15および16を形成する。このとき、コンタクトホール15aや、開口部16aも形成する。絶縁膜15および16として、無機膜を用いることも可能である。この場合、基板10の全面に、CVD法によって、SiN、SiO2、SiON等の均一な無機膜を成膜する。無機膜の厚さは、特に限定されないが、共通金属膜よりも厚いことが必要である。基板10の全面に成膜した無機膜を、フォトリソグラフィによってパターニングし、絶縁膜15および16を形成する。このとき、このとき、コンタクトホール15aや、開口部16aも形成する。具体的には、絶縁膜15および16を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成し、残部をエッチングにより除去する。エッチング方法は任意であるが、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。絶縁膜15および16の形成に続いて、金属膜170、配線14およびグランド配線141のエッチングを行う。このとき、絶縁膜15および16がマスクとなるため、金属膜170、配線14およびグランド配線141のうち、絶縁膜15および16で覆われていない部分コンタクトホール15aや、開口部16aを含むだけがエッチングにより除去される。これにより、金属膜17が形成される図7B参照。また、配線14およびグランド配線141にうち、端子13が重畳する箇所が除去される。エッチングは、多結晶化した透明導電膜接続部122、導電膜19および191を腐食しないエッチャントを用いることが好ましい。このようなエッチャントを用いることにより、接続部122および導電膜19を残したまま、金属膜170、配線14およびグランド配線141のみを除去することができる。エッチングは、例えば燐酸/酢酸/硝酸の混酸を用いることができる。このとき、金属膜170等は、膜厚方向だけでなく、膜厚方向と垂直な方向にもエッチングされるサイドエッチングされることが好ましい。具体的には、エッチャントの混合比を変えてエッチングレートを大きくしたり、処理時間を長くすることで、サイドエッチングを行うことができる。好ましくは、金属膜170等を、膜厚方向に完全に除去するエッチングジャストエッチングの条件に対して、100以上のオーバーエッチングを行うことが好ましい。例えば、処理時間をジャストエッチングの2倍以上にすることが好ましい。サイドエッチングを行うことで、金属膜17の端面は、絶縁膜16の端面よりも、長さd1だけ、絶縁膜16の内側に位置することになる。同様に、金属膜17の開口の大きさは、絶縁膜16の開口部16aの大きさよりも大きくなり、金属膜17の開口の内壁面は、絶縁膜16の開口部16aの内壁面よりも、長さd1だけ開口部16aの外側に位置することになる。続いて、X電極11の島状電極111、接続部112、Y電極12の島状電極121、および端子13を形成する。まず、基板10の全面に、スパッタリングまたはCVD法により、ITOまたはIZO等の透明電極膜を均一に成膜する。透明電極膜の厚さは、例えば10~50nmである。そして、フォトリソグラフィによるパターニングを行って、接続部112、島状電極121、および端子13を形成する図7C参照。図7Cには図示していないが、島状電極111図4参照も同時に形成する。パターニングは、まず、X電極11の島状電極111、接続部112、Y電極12の島状電極121、および端子13を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。エッチング方法は任意であるが、例えばシュウ酸を用いることで、多結晶質の透明電極膜接続部122および金属膜17を残したまま、アモルファスの透明電極膜のみを除去することができる。最後に、スピンコータまたはスリットコータにより、保護膜18を均一に塗布する図7D参照。この際、端子13の一部をマスクして、保護膜18を形成しないようにする。保護膜18は、例えばアクリル樹脂である。保護膜18の厚さは、特に限定されないが、例えば2~3μmである。以上、本発明の第1の実施形態にかかるタッチパネル1の構成、および製造方法を説明した。本実施形態にかかるタッチパネル1は、接続部122、金属膜170、導電膜19,191、配線14およびグランド配線141を形成するためのパターニング図7Aと、絶縁膜15,16および金属膜17等を形成するためのパターニング図7Bと、島状電極111,121、接続部112および端子13を形成するためのパターニング図7Cと、保護膜18を形成すためのパターニング図7Dとの、計4枚のマスクによるプロセスで製造できる。すなわち、本実施形態では、接続部122と配線14とを同一のマスクで製造できる。したがって、接続部122と配線14とを別のマスクで作製することが必要な構成と比較して、製造工程を簡略化できる。金属膜17は、接続部122上であって、絶縁膜16に覆われた部分にのみ形成されている。そのため、例えば接続部122の全体が金属で構成されている場合と比較して、金属の面積が小さくなっている。したがって、電極パターンが視認されにくくなっている。金属膜17の面積は、絶縁膜16に複数の開口部16aが形成されていることで、さらに小さくなっている。金属膜17の面積は、サイドエッチングを行うことで、絶縁膜16の面積よりもさらに小さくすることが可能である。絶縁膜16を黒色樹脂で形成すれば、金属膜17による光の反射が抑制され、電極パターンをより視認されにくくできる。図4等に示すように、Y電極12の接続部122の面積は、島状電極121の面積と比べて小さい。そのため、Y電極12は接続部122の部分で電気抵抗が高くなっている。この部分に電気抵抗の低い金属膜17を重畳することにより、Y電極12全体の導電性を改善する効果も得られる。第1比較例ここで、本実施形態にかかるタッチパネル1の効果を説明するため、仮想的な2つの比較例について述べる。図8は、第1比較例にかかるタッチパネル8の、概略構成を示す平面図である。図9は、図8におけるC-C’線、D-D’線、E-E’線、およびF-F’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル8は、基板10、X電極81、Y電極82、端子83、配線14、グランド配線141、絶縁膜85,86、および保護膜18を備えている。なお、図8では、図を見易くするために、配線14およびグランド配線141にハッチングを付して示している。タッチパネル1と同様に、絶縁膜85にはコンタクトホール85aが形成されている。X電極81およびY電極82は、コンタクトホール85aを介して配線14と接続されている。図9に示すように、タッチパネル1とは異なり、コンタクトホール85aの部分にも配線14が形成されている。そのため、E-E’線に沿った断面およびF-F’線に沿った断面の両方において、Y電極82と配線14とは、コンタクトホール85aの部分で接触している。X電極81と配線14とについても同様である。タッチパネル8では、タッチパネル1と異なり、配線14およびグランド配線141の下基板10側に導電膜が存在しない。図9に示すように、端子83は配線14と重畳して形成され、これにより、端子83と配線14とが電気的に接続されている。このような構成によって、X電極81、配線14、および端子83が、互いに電気的に接続されている。同様に、Y電極82、配線14、および端子83が、互いに電気的に接続されている。図10は、タッチパネル8の構成から、X電極81およびY電極82の付近を拡大して示した図である。図11は、X電極81とY電極82とが交差する箇所図10における矩形領域Sをさらに拡大して示した図である。図12は、図11のA-A’線およびB-B’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル1のX電極11と同様に、タッチパネル8のX電極81は、複数の島状電極811と、隣接する島状電極811同士を接続する接続部812とを備える。Y電極82は、複数の島状電極821と、隣接する島状電極821同士を接続する接続部822とを備える。X電極81の接続部812と、Y電極82の接続部822とが交差する箇所には、間に絶縁膜86が形成されている。タッチパネル1とは異なり、タッチパネル8では、X電極81とY電極82とが交差する箇所に、金属膜は存在しない。[タッチパネル8の製造方法]以下、図13A~図13Eを参照して、タッチパネル8の製造方法の概略を説明する。図13A~図13Eは、図11におけるA-A’線、図8におけるC-C’線およびD-D’線の各線に沿った断面図である。絶縁性の基板10の全面に、スパッタリングまたはCVD法により、一様な透明電極膜を形成する。フォトリソグラフィによるパターニングを行い、接続部822、端子83を形成する図13A参照。パターニング後、アニールを行って、接続部822および端子83を、多結晶化させる。続いて、基板10の全面に、スパッタリングまたは蒸着により、共通金属膜を製膜する。フォトリソグラフィによるパターニングを行い、配線14を形成する図13B参照。なお、図13Bには図示していないが、グランド配線141図8参照も同時に形成する。続いて、絶縁膜85および86を形成する図13C参照。タッチパネル1の場合と同様に、絶縁膜85および86は、フォトレジストで形成しても良いし、無機膜で形成しても良い。なお、図13Cには図示していないが、コンタクトホール85a図8参照も同時に形成する。続いて、基板10の全面に、スパッタリングまたはCVD法により、一様な透明電極膜を形成する。フォトリソグラフィによるパターニングを行い、接続部812および島状電極821を形成する図13D参照。なお、図13Dには図示していないが、島状電極811図10参照も同時に形成する。最後に、スピンコータまたはスリットコータにより、保護膜18を均一に塗布する図13E参照。この際、端子83の一部をマスクして、保護膜18を形成しないようにする。以上、第1比較例にかかるタッチパネル8の構成、および製造方法を説明した。タッチパネル8では、X電極81とY電極82とが交差する箇所に、金属膜が存在しない。そのため、電極パターンが視認されにくい。しかしながら、タッチパネル8の構成を得るためには、接続部822および端子83を形成するためのパターニング図13Aと、配線14およびグランド配線141を形成するためのパターニング図13Bと、絶縁膜85および86を形成するためのパターニング図13Cと、X電極81の島状電極811、接続部812、およびY電極82の島状電極821を形成するためのパターニング図13Dと、保護膜18を形成するためのパターニング図13Eとの、計5枚のマスクによるプロセスが必要となる。本実施形態にかかるタッチパネル1の構成によれば、接続部122と配線14とを同一のマスクで製造できる。したがって、タッチパネル8の構成と比較して、製造工程を簡略化できる。第2比較例図14は、第2比較例にかかるタッチパネル9の、概略構成を示す平面図である。図15は、図14におけるC-C’線、D-D’線、E-E’線、およびF-F’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル9は、基板10、X電極91、Y電極92、端子93、配線14、グランド配線141、絶縁膜95,96、および保護膜18を備えている。なお、図14では、図を見易くするために、配線14およびグランド配線141にハッチングを付して示している。また、後述するように、Y電極92の一部は配線14等と同じ金属材料で形成されており、当該部分にもハッチングを付して模式的に表示している。絶縁膜95にはコンタクトホール95aが形成されている。X電極91およびY電極92は、コンタクトホール95aを介して配線14と接続されている。図15に示すように、E-E’線に沿った断面およびF-F’線に沿った断面の両方において、Y電極92と配線14とは、コンタクトホール95aの部分で接触している。X電極91と配線14とについても同様である。絶縁膜95にはさらに、コンタクトホール95bが形成されている。配線14およびグランド配線141と、端子93とは、コンタクトホール95bを介して接続されている。図14および図15に示すように、端子93は絶縁膜95の一部およびコンタクトホール95bに重畳するように形成されており、コンタクトホール95bの部分で配線14およびグランド配線141と接触している。このような構成によって、X電極91、配線14、および端子93が、互いに電気的に接続されている。同様に、Y電極92、配線14、および端子93が、互いに電気的に接続されている。図16は、タッチパネル9の構成から、X電極91およびY電極92の付近を拡大して示した図である。図17は、X電極91とY電極92とが交差する箇所図16における矩形領域Sをさらに拡大して示した図である。図18は、図17におけるA-A’線およびB-B’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル1のX電極11と同様に、タッチパネル9のX電極91は、複数の島状電極911と、隣接する島状電極911同士を接続する接続部912とを備える。Y電極92は、複数の島状電極921と、隣接する島状電極921同士を接続する接続部922とを備える。X電極91の接続部912と、Y電極92の接続部922とが交差する箇所には、間に絶縁膜96が形成されている。タッチパネル1とは異なり、タッチパネル9では、Y電極92の接続部922は、配線14等と同じ金属材料で形成されている。[タッチパネル9の製造方法]以下、図19A~図19Dを参照して、タッチパネル9の製造方法の概略を説明する。図19A~図19Dは、図17におけるA-A’線、図14におけるC-C’線およびD-D’線の各線に沿った断面図である。絶縁性の基板10の全面に、スパッタリングまたは蒸着により、共通金属膜を製膜する。フォトリソグラフィによるパターニングを行い、接続部922および配線14を形成する図19A参照。なお、図19Aには図示していないが、グランド配線141図14参照も同時に形成する。続いて、絶縁膜95および96を形成する図19B参照。タッチパネル1の場合と同様に、絶縁膜95および96は、フォトレジストで形成しても良いし、無機膜で形成しても良い。このとき、コンタクトホール95a図14参照、コンタクトホール95bも同時に形成する。続いて、基板10の全面に、スパッタリングまたはCVD法により、一様な透明電極膜を形成する。フォトリソグラフィによるパターニングを行い、接続部912、島状電極921、および端子93を形成する図19C参照。なお、図19Cには図示していないが、島状電極911図16参照も同時に形成する。最後に、スピンコータまたはスリットコータにより、保護膜18を均一に塗布する図19D参照。この際、端子93の一部をマスクして、保護膜18を形成しないようにする。以上、第2比較例にかかるタッチパネル9の構成、および製造方法を説明した。タッチパネル9は、接続部922、配線14およびグランド配線141を形成するためのパターニング図19Aと、絶縁膜95および96を形成するためのパターニング図19Bと、X電極91の島状電極911、接続部912、Y電極92の島状電極922、および端子93を形成するためのパターニング図19Cと、保護膜18を形成するためのパターニング図19Dとの、計4枚のプロセスで製造できる。しかしながら、Y電極92の接続部922は、反射率の高い金属材料で形成されているため、電極パターンが視認され易い。本実施形態にかかるタッチパネル1の構成によれば、金属膜17は、接続部122上であって、絶縁膜16に覆われた部分にのみ形成されている。金属膜17の面積は、絶縁膜16に複数の開口部16aが形成されていることで、さらに小さくなっている。また、金属膜17の面積は、サイドエッチングを行うことで、絶縁膜16の面積よりもさらに小さくすることが可能である。したがって、タッチパネル9の構成と比較して、電極パターンが視認されにくい。[第2の実施形態]タッチパネル付き表示装置100は、タッチパネル1に代えて、以下に説明するタッチパネル2~4のいずれかを備えていても良い。図20は、本発明の第2の実施形態にかかるタッチパネル2の、概略構成を示す平面図である。タッチパネル2は、基板10、X電極21、Y電極22、端子13、配線14、グランド配線141、絶縁膜15,26、導電膜膜19,191および保護膜18を備えている。タッチパネル2は、タッチパネル1と比較して、X電極、Y電極、およびX電極とY電極とが交差する箇所の構成が異なっている。なお、図20では、図を見易くするために、配線14およびグランド配線141にハッチングを付して示している。図21は、タッチパネル2の構成から、X電極21およびY電極22の付近を拡大して示した図である。図22は、X電極21とY電極22とが交差する箇所図21における矩形領域Sをさらに拡大して示した図である。図23は、図22におけるA-A’線およびB-B’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル2は、タッチパネル1と同様に、金属膜27を有している。図21および図22では、金属膜27にハッチングを付して模式的に表示している。タッチパネル1のX電極11と同様に、タッチパネル2のX電極21は、複数の島状電極211と、隣接する島状電極211同士を接続する接続部212とを備える。Y電極22は、複数の島状電極221と、隣接する島状電極221同士を接続する接続部222とを備える。図22に示すように、X電極21の接続部212と、Y電極22の接続部222とが交差する箇所には、間に絶縁膜26が形成されている。さらに、X電極21の接続部212と、絶縁膜26とが平面視で重畳する箇所に、金属膜27が形成されている。厳密には、金属膜27の端面は、絶縁膜26の端面よりも、長さd2だけ、絶縁膜26の内側にある。図23に示すように、金属膜27は、接続部212の上であって、かつ、絶縁膜26の下に形成されている。絶縁膜26には、複数の開口部26aが形成されている。開口部26aに対応する位置には、金属膜27は形成されていない。換言すれば、絶縁膜26の開口部26aは、金属膜27まで貫通している。厳密には、金属膜27の開口の大きさは、絶縁膜26の開口部26aの大きさよりも大きい。図23に示すように、金属膜27の開口の内壁面は、絶縁膜26の開口部26aの内壁面よりも、長さd2だけ開口部26aの外側にある。Y電極22の接続部222は、絶縁膜26上を経由して、島状電極221同士を接続する。このとき、接続部222は、絶縁膜26の開口部26aにも重畳して形成される。しかしながら、前述のように開口部26aに対応する位置には金属膜27が形成されていないため、図23に示すように、この箇所では金属膜27の厚さにより段差が生じている。この段差によって、接続部222は分断されている。図23では、接続部222のうち、開口部26a内に形成されて分断されたものに、222aという符号を付して表している。さらに、金属膜27の開口の大きさが絶縁膜26の開口部26aの大きさよりも大きいため、接続部222と金属膜17とは接触していない。このような構成によって、開口部26aによらず、X電極21とY電極22とは絶縁されている。上記の構成でX電極21とY電極22とが絶縁されるためには、金属膜27の厚さが、接続部222の厚さよりも厚いことが必要である。これに加え、X電極21とY電極22とが確実に絶縁されるためには、長さd2は0.1μm以上であることが好ましい。より好ましくは0.3μm以上である。長さd2が0.1μm未満であると、接続部222と金属膜27とが接触する場合があるためである。長さd2が0.3μm未満であると、接続部222の成膜条件や膜厚によっては、接続部222と金属膜27とが接触する場合があるためである。[タッチパネル2の製造方法]以下、図24A~図24Dを参照して、タッチパネル2の製造方法の概略を説明する。図24A~図24Dは、図22におけるA-A’線、図20におけるC-C’線およびD-D’線の各線に沿った断面図である。絶縁性の基板10の全面に、スパッタリングまたはCVD法により、一様な透明電極膜を形成する。この透明電極膜に重畳して、スパッタリングまたは蒸着により、共通電極膜を成膜する。基板10の全面に成膜した透明電極膜/共通金属膜の積層膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングによって、X電極21の接続部212、Y電極22の島状電極221、金属膜270、配線14、および導電膜19を形成する図24A参照。なお、図24Aには図示していないが、X電極21の島状電極211、グランド配線141、および導電膜191図20参照も、このパターニングによって形成される。X電極21の島状電極211と金属膜270とは、同一のマスクによってパターニングされるため、平面視で同一箇所に同一形状で形成される。X電極21の接続部212と金属膜270と、Y電極22の島状電極221と金属膜270と、導電膜19と配線14と、および、導電膜191とグランド配線141とについても、同様である。パターニングの終了後に、200~250°Cの温度範囲でアニールを行う。このアニールで、アモルファスであった透明電極膜島状電極211、221、接続部212、導電膜19および191が多結晶化する。続いて、絶縁膜15および26を形成する。タッチパネル1の場合と同様に、絶縁膜15および26は、フォトレジストで形成しても良いし、無機膜で形成しても良い。このとき、絶縁膜15のコンタクトホール15aおよび絶縁膜26の開口部26aも同時に形成する。続いて、絶縁膜15および26をマスクとして、金属膜270および配線24等のエッチングを行う。これにより、金属膜27が形成される図24B参照。このとき、タッチパネル1の場合と同様に、サイドエッチングを行うことが好ましい。サイドエッチングを行うことで、金属膜27の端面は、絶縁膜26の端面よりも、長さd2だけ、絶縁膜26の内側に位置することになる。同様に、金属膜27の開口の大きさは、絶縁膜26の開口部26aの大きさよりも大きくなり、金属膜27の開口の内壁面は、絶縁膜26の開口部26aの内壁面よりも、長さd2だけ開口部26aの外側に位置することになる。続いて、基板10の全面に、スパッタリングまたはCVD法により、一様な透明電極膜を形成する。フォトリソグラフィによるパターニングを行い、接続部222および端子13を形成する図24C参照。最後に、スピンコータまたはスリットコータにより、保護膜18を均一に塗布する図24D参照。この際、端子13の一部をマスクして、保護膜18を形成しないようにする。以上、本発明の第2の実施形態にかかるタッチパネル2の構成、および製造方法を説明した。本実施形態にかかるタッチパネル2は、島状電極211,221、接続部212、導電膜19,191、金属膜270、配線14、およびグランド配線141を形成するためのパターニング図24Aと、絶縁膜15,26および金属膜27等を形成するためのパターニング図24Bと、接続部222および端子13を形成するためのパターニング図24Cと、保護膜18を形成するためのパターニング図24Dとの、計4枚のマスクによるプロセスで製造できる。金属膜27は、接続部212上であって、絶縁膜26に覆われた部分にのみ形成されている。金属膜27の面積は、絶縁膜26に複数の開口部26aが形成さていることで、さらに小さくなっている。また、金属膜27の面積は、サイドエッチングを行うことで、絶縁膜26の面積よりもさらに小さくすることが可能である。以上から、本実施形態によっても、少ない工程で作製でき、かつ、電極パターンが視認されにくいタッチパネルの構成が得られる。[第3の実施形態]図25は、本発明の第3の実施形態にかかるタッチパネル3の、概略構成を示す平面図である。タッチパネル3は、基板10、X電極31、Y電極32、端子13、配線14、グランド配線141、絶縁膜15,36、導電膜膜19,191および保護膜18を備えている。タッチパネル3は、タッチパネル1と比較して、X電極、Y電極、およびX電極とY電極とが交差する箇所の構成が異なっている。なお、図25では、図を見易くするために、配線14およびグランド配線141にハッチングを付して示している。図26は、タッチパネル3の構成から、X電極31およびY電極32の付近を拡大して示した図である。図27は、X電極31とY電極32とが交差する箇所図26における矩形領域Sをさらに拡大して示した図である。図28は、図27におけるA-A’線およびB-B’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル3は、タッチパネル1と同様に、金属膜37を有している。図26および図27では、金属膜37にハッチングを付して模式的に表示している。タッチパネル1のX電極11と同様に、タッチパネル3のX電極31は、複数の島状電極311と、隣接する島状電極311同士を接続する接続部312とを備える。Y電極32は、複数の島状電極321と、隣接する島状電極321同士を接続する接続部322とを備える。図27に示すように、X電極31の接続部312と、Y電極32の接続部322とが交差する箇所には、間に絶縁膜36が形成されている。さらに、Y電極32の接続部322と、絶縁膜36とが平面視で重畳する箇所に、金属膜37が形成されている。厳密には、金属膜37の端面は、絶縁膜36の端面よりも、長さd3だけ、絶縁膜36の内側にある。図28に示すように、金属膜37は、接続部322の上であって、かつ、絶縁膜36の下に形成されている。タッチパネル3では、タッチパネル1と異なり、絶縁膜36に開口部は形成されていない。これにより、金属膜37にも開口部は形成されていない。本実施形態によっても、少ない工程で作製でき、かつ、電極パターンが視認されにくいタッチパネルの構成が得られる。本実施形態にかかるタッチパネル3は、タッチパネル1とを比較すると、絶縁膜36に開口部が形成されておらず、接続部322が分断されていない分だけ、接続部322の電気抵抗を低くできる。一方、開口部がない分だけ金属膜37の面積は大きくなる。そのため、タッチパネル3の構成では、タッチパネル1の場合よりもサイドエッチングを強く行って、長さd3をできるだけ長くすることが好ましい。[第4の実施形態]図29は、本発明の第4の実施形態にかかるタッチパネル4の、概略構成を示す平面図である。タッチパネル4は、基板10、X電極41、Y電極42、端子13、配線14、グランド配線141、絶縁膜15,46、導電膜膜19,191および保護膜18を備えている。タッチパネル4は、タッチパネル1と比較して、X電極、Y電極、およびX電極とY電極とが交差する箇所の構成が異なっている。なお、図29では、図を見易くするために、配線14およびグランド配線141にハッチングを付して示している。図30は、タッチパネル4の構成から、X電極41およびY電極42の付近を拡大して示した図である。図31は、X電極41とY電極42とが交差する箇所図30における矩形領域Sをさらに拡大して示した図である。図32は、図30におけるA-A’線およびB-B’線の各線に沿った断面図である。タッチパネル4は、タッチパネル1と同様に、金属膜47を有している。図30および図31では、金属膜47にハッチングを付して模式的に表示している。タッチパネル1のX電極11と同様に、タッチパネル4のX電極41は、複数の島状電極411と、隣接する島状電極411同士を接続する接続部412とを備える。Y電極42は、複数の島状電極421と、隣接する島状電極421同士を接続する接続部422とを備える。図31に示すように、X電極41の接続部412と、Y電極42の接続部422とが交差する箇所には、間に絶縁膜46が形成されている。さらに、X電極41の接続部412と、絶縁膜46とが平面視で重畳する箇所に、金属膜47が形成されている。厳密には、金属膜47の端面は、絶縁膜46の端面よりも、長さd4だけ、絶縁膜46の内側にある。図32に示すように、金属膜47は、接続部412の上であって、かつ、絶縁膜46の下に形成されている。タッチパネル4では、タッチパネル2と異なり、絶縁膜46に開口部は形成されていない。これにより、金属膜47にも開口部は形成されていない。本実施形態によっても、少ない工程で作製でき、かつ、電極パターンが視認されにくいタッチパネルの構成が得られる。本実施形態にかかるタッチパネル4は、タッチパネル2とを比較すると、絶縁膜46に開口部が形成されておらず、接続部422が分断されていない分だけ、接続部422の電気抵抗を低くできる。一方、開口部がない分だけ金属膜47の面積は大きくなる。そのため、タッチパネル4の構成では、タッチパネル2の場合よりもサイドエッチングを強く行って、長さd4をできるだけ長くすることが好ましい。[その他の実施形態]以上、本発明についての実施形態を説明したが、本発明は上述の各実施形態のみに限定されず、発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、本実施形態では、絶縁膜を平面視で矩形に形成した。しかし、絶縁膜は多角形形状でも良く、また、不定形状でも良い。"