"第1基板と、前記第1基板と互いに対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記ギャップの寸法を変化させて、前記ギャップの寸法を設定するギャップ寸法設定手段と、を備え、前記第1反射膜および前記第2反射膜は、一層の透明膜と、一層の金属膜とが積層されてそれぞれ形成され、前記透明膜の膜厚および金属膜の膜厚は、あらかじめ設定された参照波長における反射膜の反射率が、あらかじめ設定された目標反射率となるとともに、透過波長範囲における短波長域に設定される設定波長の反射率が、前記金属膜のみで反射膜を構成して前記参照波長の反射率を目標反射率にした場合の前記設定波長における反射率よりも低くなる膜厚に設定され、前記ギャップ寸法設定手段により設定される前記ギャップの寸法に応じた波長の光を透過させることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第1反射膜は、前記第1基板側から順に一層の前記透明膜と、一層の前記金属膜とが積層されて形成され、前記第2反射膜は、前記第2基板側から順に一層の前記透明膜と、一層の前記金属膜とが積層されて形成されたことを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1または請求項2に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記金属膜は、銀Agを主成分とするAg合金膜であることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項3のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記透明膜は、二酸化チタンTiO2膜であることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項4のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第1基板および前記第2基板はガラス基板であり、前記透明膜の屈折率は、前記第1基板および前記第2基板の屈折率よりも高いことを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項5のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光部とを備えることを特徴とする光モジュール。請求項6に記載の光モジュールと、前記光モジュールの前記受光部により受光された光に基づいて、前記検査対象光の光特性を分析する分析処理部とを備えることを特徴とする光分析装置。ところで、可視光域での分析を行う場合、光源としては、一般にタングステン光源が用いられる。このタングステン光源のスペクトルは長波長成分が多く、シリコンフォトダイオードなどの受光器ディテクターも長波長側の感度が高い。また、通常、各波長域におけるバンドパスフィルター波長可変干渉フィルターの特性は、ほぼ同等な透過率透過光量を持つように設計される。しかしながら、前述の光源および受光器の特性から、短波長側の光量に対して長波長側の光量は10~数10倍程度まで大きくなる。これにより、特に短波長側において、受光器出力をアンプによって大幅に増幅する必要があり、このことが結果としてS/N比を下げることになり、測定精度が低下していた。本発明の目的は、光分析装置に組み込んだ際にS/N比を高くできて高精度の測定を行うことができる波長可変干渉フィルター、光モジュールと、高精度の測定を行うことができる光分析装置を提供することにある。本発明の波長可変干渉フィルターは、第1基板と、前記第1基板と互いに対向する第2基板と、前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1反射膜と、前記第2基板に設けられ、前記第1反射膜とギャップを介して対向する第2反射膜と、前記ギャップの寸法を変化させて、前記ギャップの寸法を設定するギャップ寸法設定手段と、を備え、前記第1反射膜および前記第2反射膜は、一層の透明膜と、一層の金属膜とが積層されてそれぞれ形成され、前記透明膜の膜厚および金属膜の膜厚は、あらかじめ設定された参照波長における反射膜の反射率が、あらかじめ設定された目標反射率となるとともに、透過波長範囲における短波長域に設定される設定波長の反射率が、前記金属膜のみで反射膜を構成して前記参照波長の反射率を目標反射率にした場合の前記設定波長における反射率よりも低くなる膜厚に設定され、前記ギャップ寸法設定手段により設定される前記ギャップの寸法に応じた波長の光を透過させることを特徴とする。ここで、透過波長範囲とは、本発明の波長可変干渉フィルターを用いて透過させる波長の設定範囲である。たとえば、可視光を透過させるために、400~700nmの波長を透過させるように設定されている場合には、前記400~700nmの範囲となる。従って、透過波長範囲の短波長域とは、前記範囲の下限を含む所定範囲を意味する。透過波長範囲が400~700nmの範囲に設定されている場合、短波長域は、たとえば400~450nmの範囲などに設定すればよい。また、参照波長とは、前記透過波長範囲内で設定される膜厚設定時の参照用の波長であり、たとえば、前記透過波長範囲の中央値などが設定される。さらに、設定波長とは、透過波長範囲における短波長域に設定される波長であり、たとえば、短波長域の下限値などが設定される。本発明によれば、各反射膜における透明膜の膜厚および金属膜の膜厚を、透過波長範囲の短波長域における反射率が金属膜単膜よりも低くなる膜厚に設定している。波長可変干渉フィルターでは、可視光領域たとえば400~700nmにおいて、短波長側たとえば400~450nmの反射率が低く、長波長側たとえば650~700nmの反射率が高い傾向にある。このため、一般的な波長可変干渉フィルターは、下地に干渉膜を用いることで金属膜単膜の場合に比べて短波長域の反射率を高くして、可視光領域における反射率の変化が小さくなるように設定していた。これに対し、本発明は、従来とは逆に、金属膜単膜の場合に比べて短波長域の反射率を低くし、短波長域での透過光量を増やしている。これにより、短波長域に比べて長波長域の成分が多いタングステン光源などの一般的な光源と、長波長域の感度が高い受光器とを、本発明の波長可変干渉フィルターと組み合わせて光分析装置を構成した場合、短波長側および長波長側の出力の差を10倍未満と従来に比べて小さくできる。従って、本発明の波長可変フィルターを用いて光分析装置を構成すれば、短波長側の出力の増幅比を小さくできてS/N比を高くでき、高精度の測定を行うことができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第1反射膜は、前記第1基板側から順に一層の前記透明膜と、一層の前記金属膜とが積層されて形成され、前記第2反射膜は、前記第2基板側から順に一層の前記透明膜と、一層の前記金属膜とが積層されて形成されたことが好ましい。本発明によれば、前述の効果を奏する他、各反射膜は、それぞれ、基板側から順に、一層の透明膜と、一層の金属膜とが積層されて形成されるので、反射膜を基板に直接成膜して形成することができる。これにより、反射膜を基板に対して安定して成膜でき、撓み等を抑制できる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記金属膜は、銀Agを主成分とするAg合金膜であることが好ましい。本発明によれば、金属膜はAg合金膜により構成される。干渉フィルターとして、高分解能、高透過率を実現する必要があり、この条件を満たす素材として、反射特性及び透過特性に優れたAg膜を用いることが好ましい。一方、Ag膜は、環境温度や、製造プロセスにおいて劣化しやすい。これに対して、Ag合金膜を用いることで、環境温度や製造プロセスでの劣化も抑えられ、かつ高分解能、高透過率を実現することができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記透明膜は、二酸化チタンTiO2膜であることが好ましい。本発明によれば、透明膜には、屈折率の高いTiO2膜が用いられている。このため、所望の半値幅が変動してしまうことを抑制できる。これにより、光の透過率を高めることができ、干渉フィルターの分解能をより向上できる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第1基板および前記第2基板はガラス基板であり、前記透明膜の屈折率は、前記第1基板および前記第2基板の屈折率よりも高いことが好ましい。本発明によれば、各基板の材料は透明膜の屈折率よりも低い屈折率を有するガラスで形成されるので、光の透過率が低下することなく、高透過率を実現できる。本発明の光モジュールは、上述の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光部とを備えることを特徴とする。本発明によれば、光モジュールは、上述した透過波長範囲における短波長域から長波長域における出力レンジ変動幅を小さくでき、S/N比を高くできて高精度の測定を行うことができる。本発明の光分析装置は、上述の光モジュールと、前記光モジュールの前記受光部により受光された光に基づいて、前記検査対象光の光特性を分析する分析処理部とを備えることを特徴とする。本発明によれば、光分析装置は、上述した波長可変干渉フィルターを有する光モジュールを備えるので、精度の高い光量の測定を実施でき、この測定結果に基づいて光分析処理を実施することで、正確な分光特性を測定できる。本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。1.測色装置の概略構成図1は、本実施形態の測色装置1光分析装置の概略構成を示すブロック図である。測色装置1は、図1に示すように、検査対象Aに光を射出する光源装置2と、測色センサー3光モジュールと、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備える。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Aの色を分析して測定する装置である。2.光源装置の構成光源装置2は、光源21、複数のレンズ22図1には1つのみ記載を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。光源21は、たとえばタングステンランプである。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。3.測色センサーの構成測色センサー3は、図1に示すように、エタロン5波長可変干渉フィルターと、エタロン5を透過する光を受光する受光素子31受光部と、エタロン5で透過させる光の波長を可変する電圧制御部6とを備える。また、測色センサー3は、エタロン5に対向する位置に、検査対象Aで反射された反射光検査対象光を、内部に導光する図示しない入射光学レンズや凹面鏡を備えている。そして、この測色センサー3は、エタロン5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、測定波長である所定波長の光を分光し、分光した光を受光素子31にて受光する。受光素子ディテクター31は、複数の光電交換素子たとえばシリコンフォトダイオードにより構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。3-1.エタロンの構成図2は、本実施形態におけるエタロン5の概略構成を示す断面図である。エタロン5は、例えば、平面視略正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば10mmに形成されている。このエタロン5は、図2に示すように、第1基板51と、第2基板52とを備える。そして、これらの基板51,52は、例えば、プラズマ重合膜を用いたシロキサン接合などにより接合層53を介して互いに接合されて一体的に構成される。ここで、第1基板51及び第2基板52は、後述する透明膜であるTiO2膜57の屈折率nよりも低い屈折率を有する材料で形成される。具体的には、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスなどが例示できる。また、第1基板51と、第2基板52との間には、固定ミラー54第1反射膜及び可動ミラー55第2反射膜が設けられる。ここで、固定ミラー54は、第1基板51における第2基板52に対向する面に固定され、可動ミラー55は、第2基板52における第1基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー54及び可動ミラー55は、ギャップGを介して対向配置されている。さらに、第1基板51と第2基板52との間には、固定ミラー54及び可動ミラー55の間のギャップGの寸法を調整するための静電アクチュエーター56が設けられている。静電アクチュエーター56は、第1基板51側に設けられる第1電極561、及び第2基板52側に設けられる第2電極562を有し、これらの電極は対向して配置される。第1電極561及び第2電極562は、それぞれ図示しない電極引出部を介して電圧制御部6図1参照に接続されている。そして、電圧制御部6から出力される電圧により、第1電極561及び第2電極562の間に静電引力が働き、ギャップGの寸法が調整され、ギャップGに応じて、エタロン5を透過する光の透過波長が決定される。すなわち、静電アクチュエーター56によりギャップGを適宜調整することで、エタロン5を透過する光が決定されて、エタロン5を透過した光が受光素子31で受光される。従って、静電アクチュエーター56により、エタロン5におけるギャップ寸法設定手段が構成される。本実施形態のギャップ寸法設定手段は、ギャップGの寸法を、140~300nmの範囲で可変可能に構成されている。これにより、エタロン5は、透過波長範囲として、可視光領域である400~700nmの光を透過できるように設定されている。次に、固定ミラー54及び可動ミラー55について説明し、エタロン5の詳細な構成については、後述する。3-1-1.固定ミラー及び可動ミラーの構成固定ミラー54及び可動ミラー55は、各基板51,52の基板側から順に、一層の二酸化チタンTiO2膜57透明膜、及び一層の銀Ag合金膜58金属膜が積層される2層構造にそれぞれ形成される。本実施形態のAg合金膜58は、銀Ag、サマリウムSm、及び銅Cuを含有するAgSmCu合金膜である。また、図示を省略したが、Ag合金膜58の上には、保護膜として、ケイ素Siの酸化膜が覆われている。なお、本実施形態では、保護膜として、ケイ素Siの酸化膜を用いたが、アルミニウムAlの酸化膜や、マグネシウムMgのフッ化膜などを用いることができる。Ag合金膜58およびTiO2膜57の膜厚寸法S,Tは、以下に説明する膜構成の単板の反射率に基づいて設定される。単板とは、各基板51,52と同様に、ガラス基板上に、TiO2膜57、Ag合金膜58を積層したものである。なお、この単板のガラス基板の厚さは2mmに設定した。Ag合金膜58の膜厚寸法Sは、参照波長λ0を560nmとし、この光の上記単板における反射率が91になるように設定した。ここで、参照波長λ0は膜厚設定用に任意に決めた波長であり、本実施形態では可視光領域400~700nmのほぼ中間の波長である560nmを選択した。なお、参照波長λ0としては560nmに限定されず、550nmや570nmなどでもよく、測色装置1における透過波長範囲の中間値などに設定すればよい。また、反射率91は、エタロン5で設定する半値幅に基づいて決めている。すなわち、単板の反射率とエタロン5になったときの半値幅には相関があり、本実施形態では半値幅が約20nmとなるように前記反射率を91に設定している。従って、反射率の設定値も、本実施形態の91に限らず、90や92等、エタロン5における半値幅の設定に基づいて決定すればよい。上記条件に基づき、ガラス基板上にAg合金膜58のみを積層した場合、つまりTiO2膜57が設けられていない場合には、Ag合金膜58の膜厚寸法Sは41nmに設定される。一方、TiO2膜57が積層される場合には、TiO2膜57の膜厚寸法TによってAg合金膜58の膜厚寸法Sも変化する。たとえば、TiO2膜57の膜厚寸法Tが0.2Qの場合には、Ag合金膜58の膜厚寸法Sは44nmに設定される。同様に、TiO2膜57の膜厚寸法Tが、0.4Q、0.6Q、0.8Q、1.0Q、1.2Q、1.4Q、1.6Q、1.8Q、2.0Q、2.2Q、2.4Q、2.6Q、2.8Q、3.0Q、3.2Q、3.4Qの場合、Ag合金膜58の膜厚寸法Sは、それぞれ、44、48、49、47、44、40、38、37、38、40、43、47、49、48、45、41、38nmに設定される。これらはいずれも、560nmの参照波長λ0の光が単板に入射した際に、反射率がほぼ91になるように設定したものである。ここで、Q=λ/4nである。λは参照波長λ0であり、nはTiO2膜57の屈折率である。0.2~3.4は係数である。本実施形態では、0.2Q=11312nmであり、0.4Qはその2倍の22624nmであり、3.4Qは約192nmとなる。図3に、TiO2膜57の膜厚寸法Tを変化させた場合の、単板における分光反射率を示す。図3から明らかなように、全体としては短波長側で反射率が低く、長波長側で高くなっている。また、短波長側では、TiO2膜57の膜厚寸法Tによって、Ag合金膜58のみの場合に比べて、反射率が低くなる場合と、高くなる場合とがあることが分かる。図4に、設定波長である400nmの光の反射率と、TiO2膜57の各膜厚寸法Tとの関係を示す。本実施形態では、透過波長範囲である400~700nmの下限値である400nmを設定波長とした。図4に示すように、400nmの反射率は、TiO2膜57の膜厚寸法に応じて周期的に変化する。図4において、左端のAg合金膜58のみに比べて反射率が低くなる部分は、0.2Q部分、1.6Q部分、3.0Q部分である。そこで、第1基板51、第2基板52の反射膜として、TiO2膜57およびAg合金膜58を積層し、TiO2膜57の膜厚寸法Tを0.2Qとした場合と、1.6Qとした場合の、エタロン5の透過光量を、Ag合金膜58のみを用いた場合TiO2膜57無しと比較したものを図5に示す。なお、膜厚寸法Tが3.0Qのものは、0.2Q、1.6Qに比べて利用するメリットが小さいため、記載しなかった。すなわち、3.0Qは、約192nmと膜厚が厚くなる。膜厚が厚いと、Ag合金膜58の重さも大きくなり、可動ミラー55に用いると、ギャップGの可変動作に影響する。図4に示すように、3.0Qの場合は反射率の低減効果が小さいため、前記膜厚が厚くなるデメリットを考慮すると実際に用いられる可能性は低い。図5に示すように、TiO2膜57無しの場合に比べ、0.2Q、1.6Qの場合は、より短波長側で透過光量が多い傾向が見られる。このため、TiO2膜57の膜厚寸法を0.2Qや1.6Qに設定すれば、Ag合金膜58のみの場合に比べて短波長側での透過光量を多くできる。従って、長波長側の成分が多い光源21と、長波長側の感度が高い受光素子31を用いた測色装置1において、受光素子31の出力レンジを短波長域から長波長域まで小さく抑えることができる。そこで、本実施形態では、図6に示すように、TiO2膜57の膜厚寸法Tを、400nmでの反射率がAg合金膜58のみの場合図6においてTiO2の厚み=0に比べて低くなる寸法に設定すればよい。本実施形態では、大きく3つの膜厚範囲に設定することができる。第1範囲は、0.2Qを含む範囲である。ただし、膜厚があまりにも小さいと膜厚のコントロールが難しため、本実施形態では第1範囲で最も反射率が低くなる0.2Q=約11nmを下限とし、11~19nmの範囲を第1範囲とした。また、第2範囲は、1.6Qを含む範囲であり、具体的には73~104nmの範囲である。さらに、第3範囲は、3.0Qを含む範囲であり、具体的には162~177nmの範囲である。なお、本実施形態では、本発明の透明膜として、TiO2膜57を用いたが、第1基板51や第2基板52よりも屈折率が高い膜を使用すればよく、例えば、窒化チタン、ジルコニア、タンタルTaの酸化膜、ニオブNbの酸化膜等を用いることができる。この中でも、屈折率が高く、かつ可視光域の光に対して、良透過特性を示すTiO2膜が好ましい。Ag合金膜58の膜厚寸法Sは、前述のとおり、37~49nmの範囲で、TiO2膜57の膜厚に応じて設定される。特に、Ag合金膜58の膜厚寸法Sが30nm未満であると、膜厚寸法Sが小さすぎてAg合金膜58の反射率が低く、さらに、プロセス加工や経時変化による反射率低下も大きくなる。また、Ag合金膜58をスパッタリング法で成膜する場合、Ag合金膜58のスパッタリング速度が速いため、膜厚のコントロールが難しくなり、製造安定性の低下を招くおそれもある。一方、Ag合金膜58の膜厚寸法Sが60nmを超えると、光透過率が低下し、エタロン5の固定ミラー54及び可動ミラー55としての機能も低下する。このような観点から、固定ミラー54、及び可動ミラー55を形成するAg合金膜58の膜厚寸法Sは、30nm以上、60nm以下に設定することが好ましい。本実施形態の前記第1~3範囲はこの範囲内に含まれているため、問題ない。また、Ag合金膜58としては、銀Ag、サマリウムSm、及び銅Cuを含有するAgSmCu合金膜を用いていたが、以下の合金膜を用いてもよい。すなわち、Ag合金膜58としては、銀、及び炭素を含有するAgC合金膜、銀、パラジウム、及び銅を含有するAgPdCu合金膜、銀、ビスマス、及びネオジムを含有するAgBiNd合金膜、銀、ガリウム、及び銅を含有するAgGaCu合金膜、銀、及び金を含有するAgAu合金膜、銀、インジウム、及びスズを含有するAgInSn合金膜、銀、及び銅を含有するAgCu合金膜等を用いてもよい。また、本発明の金属膜としては、Ag以外を用いた金属膜であってもよく、例えば、純金Au膜、金Auを含有する合金膜、純銅Cu膜、銅Cuを含有する合金膜を用いてもよい。ただし、可視光域を測定対象波長域とする場合、透過特性、反射特性に優れ、かつ、劣化しにくい点でAg合金膜が最適である。なお、前記ミラー54,55が配置される空間を真空にすれば、Ag膜など酸化により劣化しやすい材質でも用いることができる。3-1-2.第1基板の構成第1基板51は、厚みが例えば500μmのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。この第1基板51には、図2に示すように、電極形成溝511及びミラー固定部512がエッチングにより形成される。電極形成溝511は、ミラー固定部512の外周縁から、電極形成溝511の内周壁面までの間に、リング状の電極固定面511Aが形成される。この電極固定面511Aには、上述した第1電極561がリング状に形成される。ミラー固定部512は、上述したように、電極形成溝511と同軸で、かつ電極形成溝511よりも小さい径寸法となる円柱状に形成される。そして、ミラー固定部512の第2基板52に対向するミラー固定面512Aが、電極固定面511Aよりも第2基板52に近接して形成される。このミラー固定面512Aには、上述した固定ミラー54が形成される。3-1-3.第2基板の構成第2基板52は、例えば厚み寸法が200μmのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、第2基板52には、基板厚み方向に見る平面視以下、エタロン平面視で、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり、エタロン平面視で円環状に形成されて可動部521を第2基板52の厚み方向に移動可能に保持する連結保持部522とを備える。可動部521は、連結保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第2基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。また、可動部521の第1基板51に対向する側の可動面521Aには、上述した可動ミラー55が形成される。連結保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成されている。この連結保持部522の第1基板51に対向する面には、上述した第2電極562がリング状に形成される。3-2.電圧制御部の構成電圧制御部6は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター56の第1電極561及び第2電極562に印加する電圧を制御する。4.制御装置の構成制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、及び測色処理部43分析処理部などを備えて構成されている。光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出させる制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部6は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター56への印加電圧を設定する。測色処理部43は、測色センサー制御部42を制御して、エタロン5のミラー間ギャップを変動させて、エタロン5を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部43は、受光素子31から入力される受光信号に基づいて、エタロン5を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部43は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、検査対象Aにより反射された光の色度を算出する。5.本実施形態の作用効果本実施形態によれば、各ミラー54,55の透明膜であるTiO2膜57の膜厚および金属膜であるAg合金膜58の膜厚を、設定波長400nmにおける反射率が金属膜単膜よりも低くなる膜厚に設定している。よって、エタロン5において、短波長域での透過光量を増やすことができる。これにより、短波長域に比べて長波長域の成分が多いタングステン光源などの一般的な光源21と、長波長域の感度が高い受光素子31とを、エタロン5と組み合わせて測色装置1を構成した場合、短波長側および長波長側の出力の差を10倍未満と従来に比べて小さくできる。従って、測色装置1において、受光素子31の短波長側の出力の増幅比を小さくできてS/N比を高くでき、高精度の測定を行うことができる。本実施形態によれば、各ミラー54,55は、それぞれ、基板側から順に、一層のTiO2膜57と、一層のAg合金膜58とが積層されて形成される。このような構成では、例えば、基板上に金属膜のみが形成される構成や、基板上に誘電多層膜を形成し、その上に金属膜を設ける構成に比べて、金属膜による特定波長の吸光性を抑えることができ、透過光の光量低下やエタロン5の分解能の低下を抑制できる。これにより、近赤外光の長波長域の光の透過光量が低下することがなく、エタロン5の分解能を向上できる。また、金属膜はAg合金膜58により構成される。エタロン5として、高分解能、高透過率を実現する必要があり、この条件を満たす素材として、反射特性及び透過特性に優れたAg膜を用いることが好ましい。一方、Ag膜は、環境温度や、製造プロセスにおいて劣化しやすい。これに対して、Ag合金膜58を用いることで、環境温度や製造プロセスでの劣化も抑えられ、かつ高分解能、高透過率を実現することができる。さらに、Ag合金膜58の膜厚寸法Sが30nm以上60nm以下であるので、Ag合金膜58に入射する光の透過率が低下することなく、十分な透過性を維持できる。また、透明膜には、屈折率の高いTiO2膜57が用いられている。このため、所望の半値幅が変動してしまうことを抑制できる。これにより、光の透過率を高めることができ、エタロン5の分解能をより向上できる。さらに、TiO2膜57は参照波長λ0における反射率が約91となるように設定しているので、所定の波長可変域において所望の半値幅たとえば20nmでほぼ一定にすることができる。これにより、長波長域における透過率の低下を抑制でき、エタロン5の分解能を向上できる。各基板51,52の材料は、TiO2膜57の屈折率よりも屈折率が小さなガラスで形成されるので、光の透過率が低下することなく、高透過率を実現できる。[実施形態の変形]なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。前記実施形態では、ギャップ寸法設定手段として、静電アクチュエーター56により、ミラー間ギャップGを調整可能な構成を例示したが、例えば、電磁コイルと永久磁石とを有する電磁アクチュエーターや、電圧印加により伸縮可能な圧電素子を設ける構成としてもよい。前記実施形態において、各基板51,52は、接合層53により接合されるとしたが、これに限られない。例えば、接合層53が形成されず、各基板51,52の接合面を活性化し、活性化された接合面を重ね合わせて加圧することにより接合する、いわゆる常温活性化接合により接合させる構成などとしてもよく、いかなる接合方法を用いてもよい。前記実施形態では、第2基板52の厚み寸法を例えば200μmとしたが、第1基板51と同じ500μmとしてもよい。この場合には、可動部521の厚み寸法も500μmとなって厚くなるため、可動ミラー55の撓みを抑制でき、各ミラー54,55をより平行に維持できる。前記実施形態では、本発明の光モジュールとして、測色センサー3を例示し、光分析装置として、測色センサー3を備えた測色装置1を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光モジュールとして用いてもよく、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の光分析装置としてもよい。さらに、光分析装置は、このような光モジュールを備えた分光カメラ、分光分析器などであってもよい。また、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光モジュールに設けられたエタロン5により特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光モジュールを備えた光分析装置により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。次に、本発明の実施例1,2を、比較例1,2と比較した評価結果を図7,8に示す。なお、いずれの例も参照波長λ0=560nmにおける反射率が91となるように膜厚寸法を設定している。実施例1実施例1は、固定ミラー54、可動ミラー55のTiO2膜57の膜厚を0.2Qとした例である。具体的には、TiO2膜57の膜厚寸法Tを11nm、Ag合金膜AgSmCu合金膜58の膜厚寸法Sを44nmに設定してエタロンを製造した。実施例2実施例2は、固定ミラー54、可動ミラー55のTiO2膜57の膜厚を1.6Qとした例である。具体的には、TiO2膜57の膜厚寸法Tを90nm、Ag合金膜AgSmCu合金膜58の膜厚寸法Sを37nmに設定してエタロンを製造した。比較例1比較例1は、Ag合金膜58の単膜を形成した例である。すなわち、ガラス基板の上に、Ag-Sm-Cu合金膜の単膜を形成し、その膜厚寸法Sを41nmとしてエタロンを製造した。比較例2比較例2は、従来の反射膜の構成である。すなわち、基板側からTiO2膜及び二酸化ケイ素SiO2膜の積層体、及び前記積層体の上にAg-Sm-Cu合金膜を順に形成した例である。この際、TiO2膜の膜厚寸法を23nmとし、SiO2膜の膜厚寸法を37nmとし、Ag-Sm-Cu合金膜の膜厚寸法を41nmとしてエタロンを製造した。評価実施例1、2、比較例1、2の各膜構成における光量を図7、400nmの光量を基準とした光量比を図8に示す。図8に示すように、比較例2では、400nmの光量に比べて700nmの光量比は約21倍と大きく異なる。これに対し、比較例1では約6.9倍、実施例2も約6.9倍に抑えることができ、さらに実施例1では約4.5倍と抑えることができる。従って、実施例1,2によれば、短波長域から長波長域の範囲における受光素子31の出力受光強度の変化割合を小さくでき、出力が低い短波長域でのアンプの倍率を、前記比較例2に比べて下げることができ、ノイズ成分の増加を抑えてS/N比の高い高精度な測定結果を得ることができる。また、実施例1のように、0.2Qの膜厚を用いれば、比較例1に比べても変化割合を小さくでき、ノイズを抑えてより高精度の測定結果を得ることができる。なお、実施例2の1.6Qの膜厚の光量比は、620nm付近までは0.2Qよりも小さいが、それよりも長波長域側となると、光量比が急激に上がっている。これは、図5にも示すように、実施例2では、600nm付近から透過光量が増えていることに起因する。ただし、実施例2は、400nmにおける光量が図7に示すように多めに確保されている。従って、600nm以上の波長領域では光量調整フィルターを使い、全体の光量差を小さくすることもできる。このようにすれば、可視光領域における光量比の差を、比較例1に比べてもより小さくでき、ノイズを抑えてより高精度の測定結果を得ることができる。"