"液浸機構を用いて基板上に液浸領域を形成するとともに、該液浸領域の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板を露光する露光方法において、前記基板の露光条件を決定するために、前記液浸機構を用いて計測部材上に液浸領域を形成するとともに、該液浸領域の液体を介して計測光を受光する計測を実行し、前記計測時と前記露光時との前記液体の圧力差、及び前記計測結果を考慮して、前記基板を露光する露光方法。前記液体の圧力差は、前記計測部材の表面及び前記基板の表面それぞれの前記液体との接触角の違いに起因し、前記計測部材の表面及び前記基板の表面それぞれの前記液体との接触角に応じて前記基板を露光する請求項1記載の露光方法。前記液体の圧力差は、前記計測時の前記計測部材の移動速度と前記露光時の前記基板の移動速度との違いに起因し、前記計測時における前記計測部材の移動速度と前記露光時における前記基板の移動速度とに応じて前記基板を露光する請求項1又は2記載の露光方法。前記液体の圧力差、及び前記計測結果を考慮して、前記基板上に投影されるパターン像の結像状態が調整され、該結像状態が調整されたパターン像で前記基板を露光する請求項1~3のいずれか一項記載の露光方法。前記露光光は投影光学系を介して前記基板上に照射され、前記投影光学系を調整することによって、前記パターン像の結像状態が調整される請求項4記載の露光方法。前記計測の結果に基づいて、前記基板を露光するための露光条件を求め、前記圧力差に基づいて前記露光条件を補正して、該補正された露光条件の下で前記基板が露光される請求項1~3のいずれか一項記載の露光方法。前記露光条件の補正量と前記圧力差との関係が予め求められている請求項6記載の露光方法。前記露光条件は、前記基板上にパターン像を投影する投影光学系の結像特性を含む請求項6又は7記載の露光方法。前記液体の圧力を変化させながら前記計測を実行し、前記露光時の液体の圧力に対応する計測結果に基づいて前記基板を露光する請求項1~5のいずれか一項記載の露光方法。前記露光時に、前記液体は、前記露光光が通過する光学部材と前記基板との間に保持され、前記計測時に、前記液体は、前記光学部材と前記計測部材との間に保持され、前記液体の圧力によって、前記光学部材が変動する請求項1~9のいずれか一項記載の露光方法。前記液体の圧力差に関する情報を得るために、前記計測時及び前記露光時における前記液体の圧力をそれぞれ検出する請求項1~10のいずれか一項記載の露光方法。請求項1~11のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。基板上に液浸領域を形成するとともに、該液浸領域の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板を露光する露光装置において、物体上に液浸領域を形成する液浸機構と、計測部材を有し、前記液浸機構を用いて前記計測部材上に形成された液浸領域の液体を介して計測光を受光して、前記基板の露光条件を決定するための計測を行う計測装置と、前記液浸機構を用いて前記基板上に液浸領域を形成するとともに、前記計測装置で計測された計測結果と、前記計測時と前記露光時との前記液体の圧力差とを考慮して、前記基板を露光する露光制御装置とを備えた露光装置。前記露光制御装置は、前記計測装置の計測結果に基づいて決定された露光条件を前記圧力差に基づいて補正し、該補正された露光条件の下で前記基板を露光する請求項13記載の露光装置。前記露光条件の補正量と前記圧力差との関係を記憶した記憶装置を更に備えた請求項14記載の露光装置。前記露光光が通過する投影光学系と、前記投影光学系の結像特性を調整する調整装置とを備え、前記露光制御装置は、前記計測装置で計測された計測結果と、前記計測時と前記露光時との前記液体の圧力差とに基づいて、前記調整装置を制御する請求項13~15のいずれか一項記載の露光装置。前記液体の圧力差を求めるために、前記計測時及び前記露光時のそれぞれにおいて前記液体の圧力を検出する圧力センサを備えた請求項13~16のいずれか一項記載の露光装置。前記液体の圧力を調整するための圧力調整機構をさらに備え、前記圧力調整機構を使って前記液体の圧力を変化させながら前記計測装置による計測が実行される請求項13~17のいずれか一項記載の露光装置。請求項13~18のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。液浸露光装置においては、基板を液浸露光する前に、所定の計測部材上に液体の液浸領域を形成し、その液体を介して光を受光して、所定の計測を行い、その計測結果に基づいて基板を露光することが考えられる。ところが、計測時における液体の圧力と露光時における液体の圧力との間に差異があると、計測部材を用いた計測結果に基づいて基板を露光した場合、基板を良好に露光できない可能性がある。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板を良好に露光できる露光方法及び露光装置、その露光方法及び露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。本発明の第1の態様に従えば、液浸機構12などを用いて基板P上に液浸領域LRを形成するとともに、液浸領域LRを形成する液体LQを介して基板P上に露光光ELを照射することによって、基板Pを露光する露光方法において、液浸機構12などを用いて計測部材65上に液浸領域LRを形成するとともに、液浸領域LRを形成する液体LQを介して計測光を受光して、基板Pの露光条件を決定するための計測を行い、計測時と露光時との液体LQの圧力差、及び計測結果を考慮して、基板Pを露光する露光方法が提供される。本発明の第1の態様によれば、計測時における液体の圧力と露光時における液体の圧力との間に差異があっても、計測時と露光時との液体の圧力差、及び計測部材を用いた計測結果を考慮して、基板を露光することにより、基板を良好に露光することができる。本発明の第2の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。本発明の第2の態様によれば、基板を良好に露光できる露光方法を用いてデバイスを製造することができる。本発明の第3の態様に従えば、液浸機構12などを用いて基板P上に液浸領域LRを形成するとともに、液浸領域LRを形成する液体LQを介して基板P上に露光光ELを照射することによって、基板Pを露光する露光装置において、計測部材65を有し、液浸機構1を用いて計測部材65上に液浸領域LRを形成するとともに、液浸領域LRを形成する液体LQを介して計測光を受光して、基板Pの露光条件を決定するための計測を行う計測装置60と、計測装置60で計測された計測結果と、計測時と露光時との液体LQの圧力差とに基づいて、基板Pを露光する露光制御装置CONTとを備えた露光装置EXが提供される。本発明の第3の態様によれば、計測時における液体の圧力と露光時における液体の圧力との間に差異があっても、計測装置で計測された計測結果と、計測時と露光時との液体の圧力差とに基づいて、基板を露光することにより、基板を良好に露光することができる。本発明の第4の態様に従えば、上記態様の露光装置EXを用いるデバイス製造方法が提供される。本発明の第4の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。本発明によれば、計測時における液体の圧力と露光時における液体の圧力との間に差異があっても、基板を良好に露光できる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。<第1の実施形態>露光装置EXの一実施形態について図1を参照しながら説明する。図1は露光装置EXの一実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHと、基板Pを保持した基板ホルダPHを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。制御装置CONTには、露光処理に関する各種情報を記憶した記憶装置MRYが接続されている。更に露光装置EXは、露光条件として、投影光学系PLの結像特性光学特性を決定するための計測を行う空間像計測装置60を備えている。空間像計測装置60は、投影光学系PLの像面側に配置されたスリット部61を有するスリット板65と、光電変換素子からなる受光素子73と、スリット板65を通過した光を受光素子73に導く光学系74とを備えている。受光素子73は、スリット板65及び光学系74を介して投影光学系PLを通過した光露光光ELを受光する。本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系PLの像面側における露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすための液浸機構1を備えている。液浸機構1は、投影光学系PLの像面側近傍に設けられ、液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有するノズル部材70と、ノズル部材70に設けられた供給口12を介して投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する液体供給機構10と、ノズル部材70に設けられた回収口22を介して投影光学系PLの像面側の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。ノズル部材70は、基板P基板ステージPSTの上方において、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1を囲むように環状に形成されている。露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に投影している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。具体的には、露光装置EXは、液浸機構1を用いて、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1と、基板ホルダPHに保持され、投影光学系PLの像面側に配置された基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターン像で基板Pを露光する。制御装置CONTは、液浸機構1の液体供給機構10を用いて基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収機構20を用いて基板P上の液体LQを所定量回収することで、投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとをそれぞれの走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置所謂スキャニングステッパを使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向走査方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向非走査方向、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう基板は、半導体ウエハ等の基材上に感光材レジストを塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。照明光学系ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。本実施形態においては、液体LQとして純水が用いられている。純水は、ArFエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光も透過可能である。マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能である。マスクステージMSTは、マスクMを真空吸着又は静電吸着により保持する。マスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDの駆動により、マスクMを保持した状態で、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。マスクステージMST上には移動鏡41が設けられている。また、移動鏡41に対向する位置にはレーザ干渉計42が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角はレーザ干渉計42によりリアルタイムで計測される。なお、レーザ干渉計42で、θX、θY方向の回転角も計測してもよい。レーザ干渉計42の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計42の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、マスクステージMSTに保持されているマスクMの位置制御を行う。投影光学系PLは、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率βで基板Pに投影する。マスクMを通過した露光光ELは、投影光学系PL及び液浸領域LRの液体LQを通過して基板P上に到達する。投影光学系PLは、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、本実施形態においては、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1は、鏡筒PKより露出している。投影光学系PLには、例えば特開昭60-78454号公報、特開平11-195602号公報、国際公開第03/65428号パンフレット等に開示されているような、投影光学系PLの結像特性を調整可能な結像特性調整装置LCが設けられている。結像特性調整装置LCは、投影光学系PLを構成する複数の光学素子の一部を移動可能な光学素子駆動機構3を含む。光学素子駆動機構3は、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち特定の光学素子を光軸AX方向Z軸方向に移動したり、光軸AXに対して傾斜させたりすることができる。結像特性調整装置LCは、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち特定の光学素子を動かすことで、投影光学系PLの各種収差投影倍率、ディストーション、球面収差等及び像面位置焦点位置等を含む結像特性を調整することができる。また、結像特性調整装置LCとして、鏡筒PKの内部に保持されている一部の光学素子間の空間の気体の圧力を調整する圧力調整機構が含まれていてもよい。結像特性調整装置LCは、制御装置CONTにより制御される。基板ステージPSTは、投影光学系PLの像面側で移動可能であって、基板Pを基板ホルダPHで保持するZチルトステージ52と、Zチルトステージ52を支持するXYステージ53とを備えている。XYステージ53はベースBP上に移動可能に支持されている。基板ステージPSTは基板ステージ駆動機構PSTDにより駆動される。基板ステージ駆動機構PSTDは、例えばリニアモータ等を含み、XYステージ53をベースBP上でX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向に移動するXY駆動機構56と、例えばボイスコイルモータ等を含み、Zチルトステージ52をZ軸方向、θX方向、及びθY方向に移動するZ駆動機構58とを備えている。Z駆動機構58は3つ設けられており但し、紙面奥側のZ駆動機構58は不図示、Zチルトステージ52は、3つのZ駆動機構58によってXYステージ53上に3点で支持されている。基板ステージ駆動機構PSTDは制御装置CONTにより制御される。これにより、Zチルトステージ52は基板ホルダPHに保持されている基板PをZ軸方向、θX方向、及びθY方向に移動可能であり、XYステージ53は基板ホルダPHに保持されている基板PをZチルトステージ52を介してXY方向、及びθZ方向に移動可能である。したがって、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。なお、ZチルトステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。Zチルトステージ52基板ステージPST上には凹部50が設けられており、基板ホルダPHは凹部50に配置されている。そして、Zチルトステージ52の凹部50の周囲の上面51は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ面一になるような平坦面となっている。基板ステージPSTの上面51は液体LQに対して撥液性を有している。基板Pの周囲に基板Pの表面とほぼ面一の上面51を設けたので、基板Pの表面の周縁領域を液浸露光するときにおいても、投影光学系PLの像面側の光路空間K1を液体LQで満たし続けることができ、液浸領域LRを良好に形成することができる。なお、投影光学系PLの像面側の光路空間K1を液体LQで満たし続けることができるならば、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面と基板ステージPSTの上面51との間に段差があっても構わない。Zチルトステージ52の側面には移動鏡43が設けられている。また、移動鏡43に対向する位置にはレーザ干渉計44が設けられている。基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計44によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計44の計測結果に基づいて、レーザ干渉計44で規定される2次元座標系内で、基板ステージ駆動機構PSTDXY駆動機構56を介してXYステージ53を駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。また、露光装置EXは、基板Pの表面の面位置情報を検出するフォーカス検出系不図示を有している。フォーカス検出系は、投光部と受光部とを有し、投光部から基板Pの表面露光面に斜め方向から検出光を投射するとともに、その基板Pからの反射光を受光部で受光することによって、基板Pの表面の面位置情報を検出する。制御装置CONTは、フォーカス検出系の動作を制御するとともに、受光部の受光結果に基づいて、投影光学系PLの像面に対する基板Pの表面の位置を検出する。制御装置CONTは、基板ステージ駆動機構PSTDZ駆動機構58を介して基板ステージPSTのZチルトステージ52を駆動することにより、Zチルトステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置フォーカス位置、及びθX、θY方向における位置を制御する。すなわち、Zチルトステージ52は、フォーカス検出系の検出結果に基づく制御装置CONTからの指令に基づいて動作し、基板Pのフォーカス位置Z位置及び傾斜角θX、θYを制御して、基板Pの表面露光面を投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像面に合わせ込む。投影光学系PLの先端近傍には、基板P上のアライメントマークあるいはZチルトステージ52上に設けられた基準部材上の第1基準マークを検出する基板アライメント系350が設けられている。なお本実施形態の基板アライメント系350では、例えば特開平4-65603号公報対応米国特許第5,493,403号公報に開示されているような、基板ステージPSTを静止させてマーク上にハロゲンランプからの白色光等の照明光を照射して、得られたマークの画像を撮像素子により所定の撮像視野内で撮像し、画像処理によってマークの位置を計測するFIAフィールドイメージアライメント方式が採用されている。また、マスクステージMSTの近傍には、マスクMと投影光学系PLとを介してZチルトステージ52上に設けられた基準部材上の第2基準マークを検出するマスクアライメント系360が設けられている。なお本実施形態のマスクアライメント系360では、例えば特開平7-176468号公報に開示されているような、マークに対して光を照射し、CCDカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するVRAビジュアルレチクルアライメント方式が採用されている。次に、液浸機構1の液体供給機構10及び液体回収機構20について説明する。液体供給機構10は、液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその第1端部を接続する供給管13とを備えている。供給管13の第2端部はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、供給管13の第2端部と供給口12とを接続する内部流路供給流路が形成されている。液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体LQの温度を調整する温度調整機構、及び液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。なお、液体供給機構10のタンク、加圧ポンプ、温度調整機構、フィルタユニット等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその第1端部を接続する回収管23とを備えている。回収管23の第2端部はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、回収管23の第2端部と回収口22とを接続する内部流路回収流路が形成されている。液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。なお、液体回収機構20の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。図2は投影光学系PLと基板Pとの間に液体LQが保持されている状態を示す図である。液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22はノズル部材70の下面70Aに形成されている。ノズル部材70の下面70Aは、基板Pの表面基板ステージPSTの上面51と対向する位置に設けられている。ノズル部材70は、第1光学素子LS1の側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口12は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの第1光学素子LS1投影光学系PLの光軸AXを囲むように複数設けられている。また、回収口22は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、第1光学素子LS1に対して供給口12よりも外側に離れて設けられており、第1光学素子LS1及び供給口12を囲むように設けられている。なお、供給口12は、第1光学素子LS1の側面と対向するノズル部材70の内側面に設けてもよい。また、図1においては、第1光学素子LS1の下面とノズル部材70の下面とがほぼ面一になっているが、段差があってもよい。また、ノズル部材70のうち、液浸領域LRの液体LQと接触する位置には、液浸領域LRの液体LQの圧力を検出可能な圧力センサ80が設けられている。本実施形態においては、圧力センサ80はノズル部材70の下面70Aに設けられている。図2に示すように、基板Pは、半導体ウエハシリコンウエハ等の基材Wの表面上面に感光材レジストからなる膜Fを被覆したものであり、液浸領域LRの液体LQは、基板Pの膜Fと接触する。すなわち、基板Pの膜Fが液浸領域LRの液体LQと接触する液体接触面となる。なお基板Pによっては、基材Wの表面に被覆された感光材を更に覆う第2の膜が形成される場合もある。この第2の膜はトップコート膜と呼ばれ、感光材を保護するために設けられる。基板Pが第2の膜を有している場合には、第2の膜が液体接触面となる。液体LQの液浸領域LRを形成する際、制御装置CONTは、液体供給部11及び液体回収部21のそれぞれを動作させる。制御装置CONTの制御のもとで液体供給部11から液体LQが送出されると、その液体供給部11から送出された液体LQは、供給管13を流れた後、ノズル部材70の供給流路を介して、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。また、制御装置CONTのもとで液体回収部21が動作すると、投影光学系PLの像面側の液体LQは回収口22を介してノズル部材70の回収流路に流入し、回収管23を流れた後、液体回収部21に回収される。基板Pを液浸露光するときには、制御装置CONTは、液浸機構1を使って投影光学系PLと基板ホルダPHに保持されている基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、投影光学系PL光路空間K1に対して基板Pを移動しつつ、投影光学系PLと液体LQとを介して基板P上に露光光ELを照射する。次に、空間像計測装置60について説明する。図1において、空間像計測装置60は、投影光学系PLの結像特性光学特性の計測に用いられるものであって、Zチルトステージ52に設けられているスリット板65と、Zチルトステージ52の内部空間52Kにおいてスリット板65に近い位置に配置された第1光学素子66と、第1光学素子66を通過した光の光路を折り曲げるミラー67と、ミラー67からの光が入射する第2光学素子68と、第2光学素子68を通過した光をZチルトステージ52外部に送る第3光学素子69と、Zチルトステージ52外部に設けられ、第3光学素子69からの光の光路を折り曲げるミラー71と、ミラー71からの光を受ける第4光学素子72と、第4光学素子72を通過した光を受光する光電変換素子からなる受光素子光センサ73とを備えている。スリット板65を通過した光を受光素子73に導く光学系74は、第1光学素子66、ミラー67、第2光学素子68、第3光学素子69、ミラー71、及び第4光学素子72を含む。受光素子73には、微弱な光を精度良く検出可能な光電変換素子、例えばフォトマルチプライヤチューブPMT、光電子増倍管等が用いられる。受光素子73は、スリット板65及び光学系74を介して投影光学系PLを通過した光露光光ELを受光する。受光素子73からの光電変換信号は、信号処理装置等を介して制御装置CONTに送られる。また、スリット板65の上面表面は、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面、及び基板ステージPSTZチルトステージ52の上面51とほぼ同じ高さ面一に設けられている。なお、空間像計測装置60の具体的な構成及びその計測動作は、例えば特開2002-14005号公報、あるいは特開2002-198303号公報に開示されているものを用いることができる。図3は投影光学系PLとスリット板65との間に液体LQが保持されている状態を示す図である。スリット板65は、平面視長方形状のガラス板部材64の上面中央部に設けられたクロム等からなる遮光膜62と、その遮光膜62の周囲、すなわちガラス板部材64の上面の遮光膜62以外の部分に設けられたアルミニウム等からなる反射膜63と、遮光膜62の一部に形成された開口パターン光透過部であるスリット部61とを備えている。スリット部61においては透明部材であるガラス板部材64が露出しており、光はスリット部61を透過可能である。また、スリット部61は、遮光膜62の一部に凹部を形成している。ガラス板部材64の形成材料としては、ArFエキシマレーザ光あるいはKrFエキシマレーザ光に対する透過性の良い合成石英あるいは螢石などが用いられる。スリット部61は、遮光膜62を例えばエッチング処理することで形成可能である。なお、スリット部61を形成する凹部と遮光膜62とを、光透過性の材料例えばSiO2などで被覆するようにしてもよい。図3に示すように、Zチルトステージ52の上面51の一部には開口部51Kが形成されており、スリット板65は開口部51Kに嵌め込まれている。また、Zチルトステージ52の内部には、開口部51Kに接続する内部空間52Kが形成されており、空間像計測装置60の光学系74の一部は内部空間52Kに配置されている。光学系74の一部を構成する第1光学素子66は、Zチルトステージ52の内部空間52Kにおいてスリット部61の下方にガラス板部材64と一体的に配置されている。したがって、液浸用の投影光学系PLの開口数NAが1以上の場合であっても、投影光学系PLからの光を、気体部分を通過することなしに、液体LQ、スリット部61、及びガラス板部材64を介して第1光学素子66に入射させることができる。投影光学系PLとスリット板65との間を液体LQで満たした場合、投影光学系の開口数NAが向上するため、投影光学系PLの開口数NAに応じて、空間像計測装置60の第1光学素子66の開口数NAも向上させないと、第1光学素子66は、投影光学系PLを通過した光を良好に全て取り込むことができない可能性がある。本実施形態においては、スリット板65のスリット部61を通過した光が、気体空間を通過しないように第1光学素子66を配置しているので、第1光学素子66は投影光学系PLからの光を液体を介して良好に取り込むことができる。本実施形態において、遮光膜62の一部に形成されたスリット部61は、Y軸方向を長手方向とする矩形状長方形状のラインパターンであって、所定幅を有し、所定長さを有している。なお、スリット部はラインパターンに限られず、ラインパターンの数、形状、大きさなどは、空間像計測装置60による計測内容に応じて適宜変更することができる。ここで、本実施形態においては、スリット板65の上面は、遮光膜62の上面及び反射膜63の上面を含む。したがって、遮光膜62の上面と、反射膜63の上面と、基板ステージPSTの上面51とがほぼ面一となっており、空間像計測装置60のスリット部61は、基板ステージPSTの上面51及びスリット板65の上面を含む所定面内に形成されている。また、液浸領域LRの液体LQは、スリット板65の遮光膜62及び反射膜63等と接触する。すなわち、スリット板65の遮光膜62等が液浸領域LRの液体LQと接触する液体接触面である。図4は基板Pを保持している基板ステージPSTZチルトステージ52を上方から見た平面図である。基板ステージPSTZチルトステージ52上の、基板P近傍の所定位置には、上述したような空間像計測装置60の、スリット部61を有するスリット板65が設けられている。また、基板ステージPST上の、基板P近傍の所定位置には基準部材300が配置されている。基準部材300には、基板アライメント系350により検出される第1基準マークPFMと、マスクアライメント系360により検出される第2基準マークMFMとが所定の位置関係で設けられている。基準部材300の上面300Aはほぼ平坦面となっており、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面、及び基板ステージPSTZチルトステージ52の上面51とほぼ同じ高さ面一に設けられている。基準部材300の上面300Aは、フォーカス検出系の基準面としての役割も果たすことができる。また、基板ステージPST上の、基板P近傍の所定位置には、例えば特開昭57-117238号公報対応米国特許第4,465,368号に開示されているような照度ムラセンサ400の一部を構成する上板401が配置されている。上板401の上面401Aはほぼ平坦面となっており、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面、及び基板ステージPSTの上面51とほぼ同じ高さ面一に設けられている。上板401の上面401Aには、光を通過可能なピンホール部470が設けられている。上面401Aのピンホール部470の周囲はクロムなどの遮光膜で覆われている。また、基板ステージPST上の、基板P近傍の所定位置には、例えば特開平11-16816号公報に開示されているような、照射量センサ照度センサ600を構成する上板601が配置されている。上板601の上面601Aもほぼ平坦面となっており、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面、及び基板ステージPSTの上面51とほぼ同じ高さ面一に設けられている。次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法について図5のフローチャート図を参照しながら説明する。基板Pの露光を行う前に、制御装置CONTは、デバイスを製造するための基板Pとは別のテスト露光用のテスト基板Ptに対するテスト露光を実行し、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力と、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性を最適にするための投影光学系PLの結像特性に関する補正量との関係を導出するステップSA1。具体的には、制御装置CONTは、投影光学系PLと基板ホルダPHに保持されたテスト基板Ptとの間の光路空間K1を液体LQで満たしてテスト基板Pt上に液浸領域LRを形成するとともに、その液浸領域LRの液体LQの圧力を変化させながら、テスト基板Ptに対するテスト露光を実行する。テスト基板Ptはデバイスを製造するための基板Pとほぼ同じものであって、テスト基板Ptの基材W上には感光材あるいはトップコート膜からなる膜Fが被覆されている。テスト基板Ptを露光するとき、マスクステージMSTにはテストパターンを有したテストマスクが保持される。テスト基板Ptを露光しているときの液浸領域LRの液体LQの圧力は圧力センサ80に検出されており、圧力センサ80の検出結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、液体LQの複数の圧力条件のそれぞれの下で、複数のテスト基板Ptを順次露光する。液体LQの複数の圧力条件のそれぞれの下でテスト露光されたテスト基板Ptは現像処理され、そのテスト基板Ptに形成されたパターン形状が所定のパターン形状計測装置によって計測される。制御装置CONTは、テスト露光が実行されたときの液体LQの圧力圧力センサ80の検出結果と、その圧力の下で露光されたテスト基板Pt上に形成されたパターン形状パターン形状計測装置の計測結果とに基づいて、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力変化と、投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像の変動量との関係を導出することができる。制御装置CONTは、この結果に基づいて、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力変化と、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性を最適にするための投影光学系PLの結像特性の補正量との関係関係式、テーブルデータ、マップデータなどを導出することができる。ここで、テスト基板Ptを露光するときの液体LQの圧力を変化させる方法を説明する。液浸領域LRを形成する液体LQの圧力は、第1光学素子LS1と対向して配置され、液体LQに接触する物体の液体接触面の液体LQとの接触角に応じて変化する。例えば、物体の液体接触面の液体LQとの接触角が大きい場合、換言すれば、物体の液体接触面が撥液性である場合、その物体に接触する液浸領域LRの液体LQの圧力は高くなりやすい。一方、物体の液体接触面の液体LQとの接触角が小さい場合、換言すれば、物体の液体接触面が親液性である場合、その物体に接触する液浸領域LRの液体LQの圧力は低くなりやすい。したがって、液浸領域LRの液体LQの圧力を変化させながらテスト露光を行うために、液体LQとの接触角が互いに異なる膜液体接触面Fを有する複数のテスト基板Ptのそれぞれを液浸露光すればよい。この場合、テスト基板Ptの液体接触面を形成する膜は、感光剤レジストであってもよいし、感光剤の保護などに使用される保護膜トップコート膜であってもよい。また、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力は、その液体LQに接触する物体の移動速度に応じても変化する。したがって、液浸領域LRの液体LQの圧力を変化させながらテスト露光を行うために、光路空間K1に満たされた液体LQに対するテスト基板Ptの移動速度スキャン速度を変えながら液浸露光してもよい。また、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力は、液体供給量及び液体回収量の少なくとも一方を調整することによっても変化する。したがって、液浸領域LRの液体LQの圧力を変化させながらテスト露光を行うために、液体供給機構10による液体供給量と液体回収機構20による液体回収量との少なくとも一方を変えながら液浸露光してもよい。なお、本実施形態においては、複数のテスト基板Ptを液体LQの圧力条件を変えて露光しているが、一つのテスト基板Pt上の複数の異なる領域を、液体LQの圧力条件を変えて露光するようにしてもよい。こうして、制御装置CONTは、液体LQの圧力変化と、投影光学系PL及び液体LQを介して形成されるパターン像の結像特性を最適にするための投影光学系PLの結像特性に関する補正量との関係を導出し、記憶装置MRYに記憶するステップSA2。次に、制御装置CONTは、空間像計測装置60を用いて、露光条件として投影光学系PL及び液体LQを介して形成されるパターン像の計測を行うステップSA3。空間像計測装置60を用いた計測を行うに際し、マスクステージMSTには、空間像計測用パターンが形成された計測用マスクが保持される。なお、計測用マスクを使わずに、マスクステージMSTの一部に設けられた計測用のパターンを使用してもよい。また、基板ステージPST基板ホルダPH上には、デバイスを形成するための基板Pが予め保持ロードされている。空間像計測装置60を用いた計測時においては、制御装置CONTは、液浸機構1を用いて投影光学系PL第1光学素子LS1とスリット板65との間の光路空間K1を液体LQで満たし、スリット板65上に液体LQの液浸領域LRを形成する。すなわち、空間像計測装置60を用いた計測時においては、液体LQは投影光学系PL第1光学素子LS1とスリット板65との間に保持される。液浸機構1は、スリット部61が液体LQで覆われるようにスリット板65上に液浸領域LRを形成する。第1光学素子LS1とスリット板65との間の光路空間K1を液体LQで満たした状態で、制御装置CONTは、照明光学系ILより露光光ELを射出する。露光光ELは、計測用マスク、投影光学系PL、及び液浸領域LRの液体LQを通過した後、スリット板65に照射される。スリット板65のスリット部61を通過した光は、光学系74の第1光学素子66に入射する。第1光学素子66で集光された光は、この第1光学素子66を含む光学系74によって受光素子73に導かれる。このように、空間像計測装置60の受光素子73は、投影光学系PL、液浸領域LRを形成する液体LQ、及びスリット部61を介して露光光ELを受光する。受光素子73は、受光量に応じた光電変換信号光量信号を信号処理装置を介して制御装置CONTに出力する。制御装置CONTは、受光素子73の受光結果に基づいて所定の演算処理を行い、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性を求める。また、制御装置CONTは、空間像計測装置60を用いた計測時における液浸領域LRの液体LQの圧力を圧力センサ80を使って検出している。制御装置CONTは、空間像計測装置60を用いた計測時における液浸領域LRの液体LQの圧力情報圧力センサ80の検出結果を記憶装置MRYに記憶する。次に、制御装置CONTは、基板ステージPSTをXY方向に移動し、投影光学系PLの像面側に形成されている液体LQの液浸領域LRをスリット板65上より照度ムラセンサ400の上板401上に移動する。そして、制御装置CONTは、投影光学系PL及び液浸領域LRの液体LQを介して上板401に露光光ELを照射し、照度ムラセンサ400を使って投影領域ARにおける露光光ELの照度ムラを求める。また、照度ムラセンサ400による計測処理が完了した後、制御装置CONTは、基板ステージPSTをXY方向に移動し、投影光学系PLの像面側に形成されている液体LQの液浸領域LRを、照射量センサ600の上板601上に移動する。そして、制御装置CONTは、投影光学系PL及び液浸領域LRの液体LQを介して上板601に露光光ELを照射し、照射量センサ600を使って露光光ELの照度を求める。また、照射量センサ600による計測処理が完了した後、制御装置CONTは、基板ステージPSTをXY方向に移動し、投影光学系PLの像面側に形成されている液体LQの液浸領域LRを、基準部材300上に移動する。そして、制御装置CONTは、マスクアライメント系360を使って、投影光学系PL及び液浸領域LRの液体LQを介して基準マークMFMを計測する。また、制御装置CONTは、基板アライメント系350を使って基準マークPFMを計測し、基板アライメント系350の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係ベースライン量を、基板Pを露光する前に予め求めておく。なおここでは、空間像計測装置60のスリット板65上、照度ムラセンサ400の上板401上、照射量センサ600の上板601上、及び基準部材300上の順に液体LQの液浸領域AR2を移動して計測処理を順次行うように説明したが、計測する順序は上述の順序に限られず、任意に設定可能である。また、空間像計測装置60、照度ムラセンサ400、照射量センサ600、基準部材300の一部のみの計測動作を行うこともできるし、一部の計測動作を液体LQの液浸領域LRを形成せずに実行してもよい。そして、制御装置CONTは、空間像計測装置60を使った計測処理、照度ムラセンサ400、あるいは照射量センサ600を使った計測処理に基づいて、基板Pを液浸露光するときの露光条件として、投影光学系PL及び液体LQを介して形成されるパターン像の結像特性を決定するステップSA4。具体的には、制御装置CONTは、空間像計測装置60の計測結果に基づいて、投影光学系PL及び液体LQを介して形成されるパターン像の結像特性を調整するための結像特性調整装置LCの駆動量補正量を決定する。次に、制御装置CONTは、デバイスを製造するための基板Pを露光するために、基板ステージPSTをXY方向に移動し、投影光学系PLの像面側に形成されている液体LQの液浸領域LRを基板P上に移動する。これにより、基板Pの露光時においては、液体LQは投影光学系PL第1光学素子LS1と基板Pとの間に保持される。デバイス製造のために基板Pを露光するときには、当然のことながら、マスクステージMSTにはデバイスを形成するためのマスクMが保持される。液体LQの液浸領域LRを基板P上に移動して、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで満たした状態で、制御装置CONTは、照明光学系ILより露光光ELを射出し、マスクMを露光光ELで照明し、投影光学系PLと基板P上に形成された液浸領域LRの液体LQとを介して基板P上にマスクMのパターン像を投影する。上述のように、本実施形態の露光装置EXは、所謂スキャニングステッパであるため、制御装置CONTは、光路空間K1に満たされた液体LQに対して基板Pを移動しつつ、基板Pを露光する。ここで、上述のように、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力は、その液体LQに接触する物体の液体接触面の液体LQとの接触角に応じて変化する。したがって、スリット板65の表面液体接触面の液体LQとの接触角と、基板Pの表面液体接触面の液体LQとの接触角とが異なる場合、スリット板65上に形成された液浸領域LRの液体LQの圧力と、基板P上に形成された液浸領域LRの液体LQの圧力とが互いに異なる場合がある。すなわち、空間像計測装置60を用いた計測時における液浸領域LRの液体LQの圧力と、基板Pの露光時における液浸領域LRの液体LQの圧力とが互いに異なる可能性がある。このように、スリット板65の表面及び基板Pの表面それぞれの液体LQとの接触角の違いに起因して、空間像計測装置60を使った計測時の液体LQと基板Pの露光時の液体LQとに圧力差が生じる可能性がある。液体LQの圧力によって、露光光ELが通過する第1光学素子LS1が変動したり変形したりする可能性があり、液体LQの圧力の値によって、その第1光学素子LS1の変動量あるいは変形量が変化する可能性がある。第1光学素子LS1の変動及び/又は変形は、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性を変化させるため、ステップSA4において、空間像計測装置60の計測結果に基づいて結像特性調整装置LCを用いて投影光学系PLの結像特性を調整しても、基板Pの露光時には、投影光学系PL及び液体LQを介して形成されるパターン像の結像状態が最適とはならない可能性がある。そこで、制御装置CONTは、基板Pの露光時における液浸領域LRの液体LQの圧力を圧力センサ80を用いて検出し、その圧力検出結果から計測時と露光時との液体LQの圧力差を導出する。ステップSA3において、空間像計測装置60を用いた計測時の液体LQの圧力は圧力センサ80によって検出されているため、制御装置CONTは、ステップSA3で検出した空間像計測装置60を用いた計測時における液浸領域LRの液体LQの圧力と、基板Pの露光時における液浸領域LRの液体LQの圧力とに基づいて、空間像計測装置60を使った計測時と基板Pの露光時との液体LQの圧力差を求めることができる。また、ステップSA2において、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力変化に応じた、投影光学系PLの結像特性に関する補正量が予め記憶されているため、制御装置CONTは、空間像計測装置60で計測された計測結果と、計測時と露光時との液体LQの圧力差とに基づいて、結像特性調整装置LCを制御することにより、最適な結像状態で基板Pにパターン像を投影することができる。すなわち、制御装置CONTは、ステップSA4の空間像計測装置60の計測結果に基づいて決定された投影光学系PLの結像特性その結像特性を得るための結像特性調整装置LCの補正量を、計測時と露光時との圧力差に基づいて補正し、その補正された結像特性の下で基板Pを露光するステップSA5。なお、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力は、その液体LQに接触する物体の移動速度に応じても変化する。したがって、空間像計測装置60を使った計測時における光路空間K1の液体LQに対するスリット板65の移動状態と、基板Pの露光時における光路空間K1の液体LQに対する基板Pの移動状態とが互いに異なる場合、スリット板65上に形成された液浸領域LRの液体LQの圧力と、基板P上に形成された液浸領域LRの液体LQの圧力とが互いに異なる可能性がある。この場合も、制御装置CONTは、基板Pの露光時における液浸領域LRの液体LQの圧力を圧力センサ80を用いて検出し、その圧力検出結果から計測時と露光時との液体LQの圧力差を求めることができる。そして、制御装置CONTは、空間像計測装置60で計測された計測結果と、計測時と露光時との液体LQの圧力差とに基づいて、結像特性調整装置LCを制御することにより、最適な結像状態で基板Pにパターン像を投影することができる。以上説明したように、空間像計測装置60を用いた計測時における液体LQの圧力と基板Pの露光時における液体LQの圧力との間に差異があっても、計測時と露光時との液体LQの圧力差、及びスリット板65を用いた計測結果を考慮して、基板Pを露光することにより、基板Pを良好に露光することができる。基板Pの膜Fの種類物性は、デバイスを製造するときの各種プロセス条件に応じて種々変更される可能性が高く、それに伴って基板Pの液体LQとの接触角も変化する。また、基板Pを露光するときの基板Pの移動状態速度なども各種プロセス条件に応じて種々変更される可能性が高い。一方、空間像計測装置60スリット板65は露光装置EXに設置されるものであり、スリット板65の液体LQとの接触角を、基板Pに応じて変更することは困難である。本実施形態においては、計測時と露光時との液体LQの圧力差に着目し、空間像計測装置60の計測結果に基づいて決定された結像特性露光条件を、計測時と露光時との液体LQの圧力差に基づいて補正することで、露光時の液体LQの圧力に応じた最適な結像特性を得ることができる。なお、上述の実施形態において、空間像計測装置60の計測時の液体LQの圧力は変動が少ない再現性が高いので、空間像計測装置60の計測時の液体LQの圧力を基準圧力として、上述のステップSA1において、その基準圧力に対する圧力変化と結像特性の変動量との関係を求め、ステップSA2において、その基準圧力に対する圧力変化と結像特性の補正量との関係を記憶装置MRYに記憶するようにしてもよい。また、本実施形態においては、液体LQの圧力を圧力センサ80を使って検出し、圧力センサ80の検出結果に基づいて、計測時と露光時との液体LQの圧力差に起因する露光誤差を低減するように、投影光学系PLの結像特性を結像特性調整装置LCを使って調整しつつ基板Pを露光しているが、例えば、基板Pに露光光ELを照射する前に、光路空間K1に満たされた液体LQに対して基板Pあるいは、基板Pと同一の膜が表面に形成された計測用の基板を移動しつつ液体LQの圧力を圧力センサ80を使って検出し、その検出結果に基づいて、ステップSA4で決定された結像特性を補正するための補正量を導出するようにしてもよい。この場合、基板Pに露光光ELを照射して基板Pを露光するときにおいては、圧力センサ80を用いずに、投影光学系PLの結像特性を結像特性調整装置LCを使って調整して、基板Pに露光光ELを照射することができる。また、液体LQの圧力が既知である場合には、制御装置CONTは、圧力センサ80を用いることなく、空間像計測装置60の計測結果と、既知である計測時の液体LQの圧力情報と、既知である露光時の液体LQの圧力情報とに基づいて、投影光学系PL及び液体LQを介して形成されるパターン像の結像状態が最適となるように、結像特性調整装置LCの駆動量補正量を導出するようにしてもよい。具体的には、使用するスリット板65及び基板Pの液体LQとの接触角情報が既知である場合には、その接触角情報に応じた液体LQの圧力情報を実験及び/又はシミュレーションで求めることができるため、スリット板65の表面及び基板Pの表面それぞれの液体LQとの接触角に応じて、結像特性調整装置LCを使って、投影光学系PLの結像特性を調整することによって所望のパターン像で基板Pを露光することができる。同様に、スリット板65及び基板Pの移動情報速度情報などが既知である場合には、その移動情報に応じた液体LQの圧力情報を求めることができるため、計測時におけるスリット板65の移動状態と露光時における基板Pの移動状態とに応じて、結像特性調整装置LCを使って、投影光学系PLの結像特性を調整することによって所望のパターン像で基板Pを露光することができる。なお、本実施形態においては、空間像計測装置60の計測結果に基づいて決定された結像特性を、計測時と露光時との液体LQの圧力差に基づいて補正し、その補正された結像特性の条件の下で基板Pを露光しているが、空間像計測装置60の計測結果を計測時と露光時との圧力差に基づいて補正し、その補正された計測結果に基づいて決定された露光条件結像特性の下で基板Pを露光するようにしてもよい。<第2実施形態>第2実施形態について図6を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、露光装置EXが、光路空間K1に満たされた液体LQの圧力を調整可能な圧力調整機構90を備えている点にある。以下の説明において上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図6において、露光装置EXは、光路空間K1に満たされた液体LQの圧力を調整可能な圧力調整機構90を備えている。圧力調整機構90は、液体供給機構10から供給された液体LQに更に液体LQを追加可能な圧力調整用液体供給部91と、液体LQの一部を回収可能な圧力調整用液体回収部92とを備えている。圧力調整機構90の動作は制御装置CONTにより制御される。圧力調整用液体供給部91には供給管93の第1端部が接続されており、供給管93の第2端部はノズル部材70の内部に形成されている供給流路を介して、圧力調整用供給口97に接続されている。圧力調整用液体供給部91は液体LQを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えている。圧力調整用供給口97は、ノズル部材70の下面70Aに設けられており、光路空間K1に対して液体供給機構10の供給口12よりも近くに配置されている。圧力調整用液体供給部91が駆動されることにより、圧力調整用供給口97を介して液体LQを供給することができる。圧力調整用液体回収部92には、回収管95の第1端部が接続されており、回収管95の第2端部はノズル部材70の内部に形成されている回収流路を介して、圧力調整用回収口98に接続されている。圧力調整用液体回収部92は、例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。圧力調整用回収口98は、ノズル部材70の下面70Aに設けられており、光路空間K1に対して液体供給機構10の供給口12よりも近くに配置されている。圧力調整用液体回収部92が駆動されることにより、圧力調整用回収口98を介して液体LQを回収することができる。次に、基板Pを露光する方法について図7のフローチャート図を参照しながら説明する。制御装置CONTは、基板Pの露光を行うに際し、空間像計測装置60を用いて、露光条件として投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像の結像特性の計測を行うステップSB1。このとき、制御装置CONTは、圧力調整機構90を使って、投影光学系PLとスリット板65との間に満たされた液体LQの圧力を変化させながら、空間像計測装置60を用いた計測を実行する。これにより、液体LQの複数の圧力条件のそれぞれに応じた結像特性の計測が行われる。制御装置CONTは、空間像計測装置60を使って計測したときの液体LQの圧力圧力センサ80の検出結果と、その圧力に対応する結像特性空間像計測装置60の計測結果との関係を記憶装置MRYに記憶するステップSB2。制御装置CONTは、ステップSB1で求めた、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力と、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性との関係に基づいて、液体LQの複数の圧力条件のそれぞれに応じた、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性を最適にするための投影光学系PLの結像特性に関する補正量を導出する。すなわち、制御装置CONTは、液浸領域LRを形成する液体LQの圧力と、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性との関係に基づいて、液体LQの複数の圧力条件のそれぞれに応じた、投影光学系PL及び液体LQを介して形成されるパターン像の結像状態が最適となるような結像特性調整装置LCの駆動量補正量を導出する。制御装置CONTは、液体LQの複数の圧力条件のそれぞれに応じた、投影光学系PL及び液体LQを介した結像特性を最適にするための投影光学系PLの結像特性に関する補正量に関する情報を記憶装置MRYに記憶する。次に、制御装置CONTは、基板ステージPSTをXY方向に移動し、投影光学系PLの像面側に形成されている液体LQの液浸領域LRをスリット板65上から移動し、上述の第1実施形態同様、照度ムラセンサ400及び/又は照射量センサ600を使った計測処理、あるいは、基板アライメント系350の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係ベースライン量を、基板Pを露光する前に予め求めておく。次に、制御装置CONTは、デバイスを製造するための基板Pを露光するために、基板ステージPSTをXY方向に移動し、投影光学系PLの像面側に形成されている液体LQの液浸領域LRを基板P上に移動する。これにより、基板Pの露光時においては、液体LQは投影光学系PL第1光学素子LS1と基板Pとの間に保持される。デバイス製造のために基板Pを露光するときには、当然のことながら、マスクステージMSTにはデバイスを形成するためのマスクMが保持される。制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで満たし、その液体LQの圧力を圧力センサ80を使って検出するステップSB3。圧力センサ80を使って液体LQの圧力を検出するときには、制御装置CONTは、基板Pを露光するときと同じ条件で、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで満たした状態で、光路空間K1に対して基板Pを移動させながら、液体LQの圧力を検出する。制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1に満たされた液体LQの圧力、すなわち基板Pの露光時の液体LQに対応する空間像計測装置60の計測結果に基づいて、その露光時の液体LQの圧力に最適な結像特性を決定する。すなわち、ステップSB2において、記憶装置MRYには、液体LQの複数の圧力条件のそれぞれに応じた結像特性の計測結果が記憶されている。制御装置CONTは、記憶装置MRYを参照することにより、露光時の液体LQの圧力に応じた最適な結像特性を求めることができる。そして、制御装置CONTは、その求められた結像特性に基づいて、投影光学系PLの結像特性を結像特性調整装置LCを用いて調整する。そして、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで満たした状態で、照明光学系ILより露光光ELを射出し、マスクMを露光光ELで照明し、投影光学系PLと基板P上に形成された液浸領域LRの液体LQとを介して基板P上にマスクMのパターン像を投影するステップSB4。以上説明したように、液体LQの圧力を変化させながら計測を実行し、露光時の液体LQの圧力に対応する計測結果に基づいて基板Pを露光することができる。なお、上述の第2実施形態においては、基板Pの露光を開始する前に投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQの圧力を検出するようにしているが、基板Pの露光中に、液体LQの圧力を検出して、その検出結果に基づいて、結像特性調整装置LCを制御するようにしてもよい。また、本実施形態のステップSB3において、露光時の液体LQの圧力を圧力センサ80を用いて検出しているが、露光時の液体LQの圧力が既知である場合には、圧力センサ80を用いることなく、既知である露光時の液体LQの圧力に対応する空間像計測装置60の計測結果に基づいて基板Pを露光することができる。なお、上述の各実施形態においては、液体LQの圧力をノズル部材70に設けられた圧力センサ80を用いて計測しているが、液浸領域LRの圧力変動に伴って、Z駆動機構58を構成する例えばボイスコイルモータの駆動電力が変動するため、その駆動電力に基づいて、液体LQの圧力を検出することも可能である。また、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの結像特性を調整する結像特性調整装置LCを制御して、基板P上におけるパターン像の結像状態を調整するようにしているが、マスクMを動かしたり、露光光ELの波長を調整したりするようにしてもよい。また、露光時と計測時との液体LQの圧力差が投影光学系PLと液体LQとを介して形成される像面位置に影響する場合には、液体LQの圧力差を考慮して、Zチルトステージ52を制御するようにしてもよい。なお、上述の各実施形態においては、液浸領域LRが形成される計測部材を有する計測装置として空間像計測装置60を例にして説明したが、例えば、国際公開第99/60361号パンフレット対応US特許第6,819,414号、US特許第6650399号公報などに開示されている波面収差計測装置での計測実行時の液体LQの圧力と基板Pの露光時の液体LQの圧力との差を考慮して、パターン像の結像状態を調整し、基板Pを露光するようにしてもよい。なお、上述の実施形態においては、計測実行時の液体LQの圧力と基板Pの露光時の液体LQの圧力との差を考慮して、パターン像の結像状態を調整し、基板Pを露光するようにしているが、計測実行時の液体LQの圧力と基板Pの露光時の液体LQの圧力とに差が生じないようにしてもよい。上述したように、本実施形態における液体LQは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジスト、光学素子レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水水の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光波長193nmを用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子LS1が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差球面収差、コマ収差等の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテルPFPE、フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PL及び基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの例えばセダー油を用いることも可能である。なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、特開平10-163099号公報、特開平10-214783号公報、特表2000-505958号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。更に、特開平11-135400号公報、特開2000-164504号公報などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び各種の光電センサ空間像計測装置、波面収差計測装置などを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6-124873号公報、特開平10-303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCDあるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にラインアンドスペースパターンを露光するマスクレス露光装置リソグラフィシステムにも本発明を適用することができる。以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図8に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する処理を含むステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む205、検査ステップ206等を経て製造される。"