トランジスタであって、第1の導電型の基板であって、上面を有する前記基板、前記基板に位置する第2の導電型のウェルであって、上面を有する前記ウェル、前記基板の前記上面及び前記ウェルの前記上面に接するバッファ層であって、上面を有する前記バッファ層、前記バッファ層の前記上面に接するチャネル層であって、III族窒化物を含み上面を有する、前記チャネル層、前記チャネル層の前記上面に接するバリア層であって、III族窒化物を含む、前記バリア層、及び前記チャネル層に接触する、離間された金属ソース領域及び金属ドレイン領域であって、前記ウェルの直上にある、前記金属ドレイン領域、を含む、トランジスタ。請求項1のトランジスタであって、前記金属ドレイン領域が前記ウェルから間隔を空けて配される、トランジスタ。請求項1のトランジスタであって、前記バッファ層に接し、且つ、前記チャネル層及び前記バリア層の領域に接し且つそれらの横方向の間にある、インプラント隔離領域を更に含む、トランジスタ。請求項1のトランジスタであって、前記基板に位置する整合マーク開口を更に含み、前記金属ドレイン領域が前記整合マーク開口に対し所定の空間的関係を有する、トランジスタ。請求項1のトランジスタであって、前記バリア層に接する、又は絶縁性層により前記バリア層から分離される、金属ゲートを更に含む、トランジスタ。請求項1のトランジスタであって、前記バッファ層が、前記基板の上面及び前記ウェルの前記上面に接する第1のバッファ層、前記第1のバッファ層に位置する前記第2の導電型の領域、及び前記第1のバッファ層に接する第2のバッファ層であって、前記チャネル層が前記第2のバッファ層の上面に接する、前記第2のバッファ層、を含む、トランジスタ。請求項6のトランジスタであって、前記第1のバッファ層が前記第2のバッファ層より薄い、トランジスタ。請求項6のトランジスタであって、前記第1のバッファ層に位置する前記第2の導電型の前記領域が、前記ウェルの直上にあり且つ前記ウェルに接する、トランジスタ。請求項6のトランジスタであって、前記第1のバッファ層に位置する前記第1の導電型の領域を更に含む、トランジスタ。請求項9のトランジスタであって、前記第1のバッファ層に位置する前記第1の導電型の前記領域が、前記第1のバッファ層に位置する前記第2の導電型の前記領域に接する、トランジスタ。トランジスタを形成する方法であって、第1の導電型の、上面を有する基板を形成すること、前記基板に第2の導電型の、上面を有するウェルを形成すること、前記基板の前記上面及び前記ウェルの前記上面に接するようにバッファ層を形成することであって、前記バッファ層が上面を有すること、前記バッファ層の前記上面に接するようにチャネル層を形成することであって、前記チャネル層がIII族窒化物を含み且つ上面を有すること、前記チャネル層の前記上面に接するようにバリア層を形成することであって、前記バリア層がIII族窒化物を含むこと、及び前記チャネル層に接触する、離間された金属ソース領域及び金属ドレイン領域を形成することであって、前記金属ドレイン領域が前記ウェルの直上にあること、を含む、方法。請求項11に記載の方法であって、前記金属ドレイン領域が前記ウェルから間隔を空けて配される、方法。請求項11に記載の方法であって、開口を形成するように前記バリア層及び前記チャネル層の一部を取り除くことを更に含み、前記開口の底部が前記バッファ層の一部を露出させ、前記開口の側壁が前記チャネル層及び前記バリア層の一部を露出させる、方法。請求項11に記載の方法であって、前記基板に整合マーク開口を形成することを更に含み、前記金属ドレイン領域が前記整合マーク開口に対し所定の空間的関係を有する、方法。請求項11に記載の方法であって、前記バリア層に接するように、又は絶縁性層により前記バリア層から分離されるように、金属ゲートを形成することを更に含む。請求項11に記載の方法であって、前記バッファ層を形成することが、前記基板の前記上面及び前記ウェルの前記上面に接するように第1のバッファ層を形成することであって、前記第1のバッファ層が上面を有すること、前記第1のバッファ層に前記第2の導電型の領域を形成すること、及び前記第1のバッファ層の前記上面に接するように第2のバッファ層を形成することであって、前記チャネル層が前記第2のバッファ層の上面に接すること、を含む、方法。請求項16に記載の方法であって、前記第1のバッファ層が前記第2のバッファ層より薄い、方法。請求項16に記載の方法であって、前記第1のバッファ層の前記第2の導電型の前記領域が、前記ウェルの直上にあり且つ前記ウェルに接する、方法。請求項16に記載の方法であって、前記第1のバッファ層に前記第1の導電型の領域を形成することを更に含む、方法。請求項19に記載の方法であって、前記第1のバッファ層の前記第1の導電型の前記領域が、前記第1のバッファ層の前記第2の導電型の前記領域に接する、方法。図2~図6は、本発明に従ったIII族窒化物のHEMT200を形成する方法の一例を例示する一連の断面図を示す。以下により詳細に述べるように、本発明の方法は、ドレイン下のシリコン基板内にPN接合を形成して、直列に動作し、それによりバッファ降伏電圧を増加させる、接合隔離バリアを形成する。図2に示すように、本発明の方法は、従来通り形成される単結晶の低濃度にドープされたP型のSi基板220例えば<111>を用いる。更に図2に示すように、本発明の方法は、パターニングされたフォトレジスト層212を基板210の上面上に形成することにより開始する。パターニングされたフォトレジスト層212は従来の方式で形成され、この方式は、フォトレジストの層を堆積すること、マスクとして知られるパターニングされた黒/透明ガラスプレートを介して光を投射して、光に曝されたフォトレジスト領域を軟化させるフォトレジストの層上に、パターニングされた画像を形成すること、及び軟化されたフォトレジスト領域を取り除くことを含む。パターニングされたフォトレジスト層212が形成された後、基板210の露出された領域はエッチングされて、整合マーク216を含むHEMT構造214を形成する。パターニングされたフォトレジスト層212はその後取り除かれる。図3に図示するように、パターニングされたフォトレジスト層212の除去の後、従来の方式で、パターニングされたフォトレジスト層220が基板210の上面上に形成される。パターニングされたフォトレジスト層220が形成された後、リン及び/又はヒ素などのN型ドーパントが、パターニングされたフォトレジスト層220内の開口を介して基板210にインプラントされる。次に、インプラントを拡散及び活性化するためにアニールが実行され、それにより、基板210にNウェル232を含む中間HEMT構造230が形成される。パターニングされたフォトレジスト層220はその後取り除かれる。図4に図示するように、パターニングされたフォトレジスト層220が取り除かれると、基板210上に層状領域240が形成される。層状領域240は、バッファ層242、チャネル層244、及びバリア層246を含む。バッファ層242、チャネル層244、及びバリア層246は、各々、In、Ga及びAlのうちの1つもしくは複数を含むIII族を有する、1つもしくは複数の連続的なIII族窒化物の層で実装され得る。例えば、バッファ層242は、AlN熱的に安定した材料、AlGaN、及びGaNの連続した層で実装され得る。また、チャネル層244は、例えばGaNで実装され得、バリア層246は、例えばAlGaNで実装され得る。層状領域240は、従来の方法で形成され得、この方法では、例えば、MOCVDリアクタに中間HEMT構造230を配置し、基板構造210の上面にバッファ層242、バッファ層242の上面にチャネル層244、チャネル層244の上面にバリア層246をエピキャシタル成長させる。図5に図示するように、層状領域240の従来通りの形成に続いて、この方法は、Nウェル232の直上に金属ドレイン領域254を配置するために整合マーク216が用いられることを除き従来の方式で、金属ゲート領域250、金属ソース領域252、及び金属ドレイン領域254を形成することによって、III族窒化物のHEMT200の形成を完了する。金属ゲート領域250は、ショットキー接触するように形成され、他方、金属ソース領域252及び金属ドレイン領域254は、チャネル層244とオーミック接触するよう形成される。代替的に、図5の点線で示されるように、ゲート250は、絶縁層ISOによってバリア層246から絶縁され得る。また、この方法は、整合マーク216及び非デバイス領域の上にあるバリア層246及びチャネル層244を取り除くことにより、隣接するデバイスを隔離する。バリア層246及びチャネル層244が、整合マーク216及び非デバイス領域の上から取り除かれるとき、この除去は開口256を形成し、開口256の底部がバッファ層242の一部を露出させ、開口256の側壁がチャネル層244及びバリア層246の一部を露出させる。代替的に、図6に示すように、この方法は、整合マーク216及び非デバイス領域の上にあるバリア層246及びチャネル層244の領域に窒素など隔離種をインプラントすることにより、隣接するデバイスを隔離することができる。このインプラントは更に、隔離種をバッファ層242へ途中まで駆動する。バリア層246及びチャネル層244がインプラントされるとき、このインプラントは、バッファ層242より上にあり、チャネル層244及びバリア層246の領域に接し且つそれらの横方向の間にある、インプラント隔離領域258を形成する。図7A及び図7Bは、本発明に従ったIII族窒化物のHEMT200の動作を例示する断面図を示す。図7Aは、単一のIII族窒化物HEMT200の動作を示す。図7Aに示すように、ドレイン対ソースが降伏したとき、降伏通路部分A、B、及びCを含む、金属ドレイン領域254から金属ソース領域252までの通路を降伏電流が流れる。しかし、P基板210内のNウェル232の形成は、経路部分Bを遮断する空乏領域260を備えたPN接合を形成する。降伏経路Aはまだアクティブであるが、それがオンにされると、PN接合を逆方向バイアスさせ、それにより、降伏経路B及びCをオフにする。これは、バッファ降伏電圧を増大させるPN接合の逆方向バイアスされた降伏電圧であるため、Nウェル232を形成するために用いられるドーパント濃度は、逆方向バイアスされた降伏電圧を最大化させるように選択される。それ故、本発明の効果の1つは、金属ドレイン領域254下にPN接合を形成することによって、薄いバッファ層例えば、2~3μm厚みがSi基板上に成長されるときにバッファ降伏電圧が実質的に増大され得る点である。改良されたバッファ降伏電圧は、III族窒化物HEMT200に対し一層高い降伏電圧を提供する。図7Bは、一対の隣り合ったIII族窒化物HTMT200の動作を示す。図7Bに示すように、III族窒化物HEMT200の各ドレイン254は、対応するNウェル232の上の中央に置かれる。Nウェル232は、III族窒化物HEMT200のソース252程度に遠くまで左へ、及び、図7Bに示すように、III族窒化物HEMT200の隣接する対のゲート間の中間点にほぼ一致する地点までの等価的距離右へ、横方向に延長し得る。Nウェル232の幅は、ドレイン254からバッファ層242へ及び基板210へ流れ、それにより、対応するNウェル232のPN接合あたりへ行く任意の降伏電流が、Nウェル232の逆方向バイアスされた降伏電圧とほぼ同等である電圧を低下させたことを確実にするよう実験的に決定される。III族窒化物HEMT200は、横方向寸法より比較的小さい垂直の寸法を有する横型高電圧トランジスタであるため、トランジスタはNウェル232の幅に対応するよう充分大きな横方向寸法を有する。図7Bに更に示すように、PN接合は、Nウェル232を電気的にフローティングとさせ、P型基板210を電気的にグランド接地させることを可能にする。そのため、本発明の別の利点は、P型基板210をグランドさせることが、隣接するデバイス間のクロストークを減らす点である。また、P型基板210をグランドさせることで、非導電性エポキシよりも良好な熱伝導率を提供する導電性エポキシが、III族窒化物のHEMT200をパッケージに取り付けるのに使用され得る。図8~図12は、本発明の第1の代替的な実施例によるIII族窒化物のHEMT800の形成する方法の一例を例示する一連の断面図を示す。III族窒化物HEMT800を形成する方法は、パターニングされたフォトレジスト層212の除去までは、III族窒化物HEMT200を形成する方法と同じであるため、両方の方法に共通の構造を示すために同様の参照符号を用いる。図8に図示するように、パターニングされたフォトレジスト層212が取り除かれると、例えば、MOCVDリアクタ内に中間HEMT構造214を配置することにより、及び従来の方式で基板210の上面上に第1のバッファ層810をエピタキシャル成長させることにより、第1のバッファ層810が形成される。バッファ層242より実質的に薄い第1のバッファ層810の成長は、中間HEMT構造812を形成する。第1のバッファ層810は、In、Ga及びAlのうちの1つもしくは複数を含むIII族を有する、1つもしくは複数の連続的なIII族窒化物の層で実装され得る。第1のバッファ層810は、AIN又は高Al組成例えば、50を上回るを有する頂部層を備えた1つ又は複数のIII族窒化物材料のシーケンスなど、熱的に安定した材料で実装されることが好ましい。図9に図示するように、第1のバッファ層810が形成された後、中間HEMT構造812がリアクタから取り除かれ、パターニングされたフォトレジスト層814が従来の方式で第1のバッファ層810の上面上に形成される。パターニングされたフォトレジスト層814が形成された後、リンおよび/またはヒ素のようなN型のドーパントが、パターニングされたフォトレジスト層814内の開口を介して及び第1のバッファ層810を介してインプラントされて、基板210内のN型インプラントされた領域を形成する。インプラントのドーパント濃度は、Nウェル232を形成するために用いられるドーパント濃度にほぼ等しくなるよう選択され得る。これに続き、SiなどのN型ドーパントが、パターニングされたフォトレジスト層814内の開口を介して第1のバッファ層810にインプラントされて、第1のバッファ層810内にN型インプラントされた領域を形成する。インプラントのドーパント濃度は、Nウェル232を形成するために用いられるドーパント濃度にほぼ等しくなるように選択され得る。パターニングされたフォトレジスト層814はその後、中間HEMT構造816を形成するように取り除かれる。図10に図示するように、パターニングされたフォトレジスト層814が取り除かれると、中間HEMT構造816がリアクタに戻され、インプラントされたドーパントを拡散及び活性化するためにアニールが実行され、それにより、基板210にNウェル820を、及びNウェル820より上にありNウェル820に接する第1のバッファ層810にN型領域822を形成する。Nウェル820及びN型領域822は、代替的に個別のマスクを用いて形成されてもよい。例えば、Nウェルは、図9に示すパターニングされたフォトレジスト層814のみがN型領域822を形成するために用いられるように、第1のバッファ層810が図3に図示するようなパターニングされたフォトレジスト層220を用いて形成される前に、形成され得る。アニールに続いて、第2のバッファ層824が、従来の方式で第1のバッファ層810の上面上に第2のバッファ層824をエピタキシャル成長することにより形成される。第1のバッファ層810の厚み及び第2のバッファ層824の厚みは、バッファ層242の厚みにほぼ等しい。第2のバッファ層824が形成されると、従来の方式で、第2のバッファ層824上にチャネル層826がエピタキシャル成長され、チャネル層826上にバリア層828がエピタキシャル成長される。第2のバッファ層824、チャネル層826、及びバリア層828は、In、Ga及びAlのうちの1つもしくは複数を含むIII族を有する、1つもしくは複数の連続的なIII族窒化物の層で実装され得る。例えば、第2のバッファ層824は、AlGaN及びGaNの連続した層で実装され得、チャネル層826はGaNで実装され得、バリア層828はAlGaNで実装され得る。第1のバッファ層810、第2のバッファ層824、チャネル層826、及びバリア層828は、層状領域830を形成する。図11に図示するように、バリア層828の従来の形成に続き、この方法は、金属ドレイン領域844をNウェル820及びN型領域822の直上に配置するために整合マーク216が用いられることを除き、従来の方式で、金属ゲート領域840、金属ソース領域842、及び金属ドレイン領域844を形成することにより、III族窒化物HEMT800の形成を終了する。金属ゲート領域840はショットキー接触をするように形成され、他方で金属ソース領域842および金属ドレイン領域844は、チャネル層826とオーミック接触するよう形成される。代替的に、図11の点線で示されるように、ゲート840は、絶縁層ISOによってバリア層828から絶縁され得る。また、この方法は、整合マーク216及び非デバイス領域上にあるバリア層828及びチャネル層826を取り除くことにより、隣接するデバイスを隔離させる。バリア層828及びチャネル層826が整合マーク216及び非デバイス領域の上から取り除かれるとき、この除去は開口846を形成し、開口846の底部がバッファ層824の一部を露出させ、開口846の側壁がチャネル層826及びバリア層828の一部を露出させる。代替的に、図12に示すように、この方法は、整合マーク216及び非デバイス領域の上にあるバリア層828及びチャネル層826の領域に、窒素などの隔離種をインプラントすることにより、隣接するデバイスを隔離することができる。このインプラントはまた、隔離種をバッファ層824へ途中まで駆動する。バリア層828及びチャネル層826がインプラントされるとき、このインプラントは、バッファ層824より上にあり、且つ、チャネル層826及びバリア層828の領域に接し且つそれらの横方向の間にあるインプラント隔離領域848を形成する。そのため、本発明の第1の代替実施例の利点の一つは、基板210とバッファ層との間のインタフェースに存在し得る如何なる漏れ電流も最小化するNウェル820の直上の第1のバッファ層810内にN型領域822を形成することである。それ以外は、III族窒化物HEMT800は、III族窒化物HEMT200と同じく動作する。図13~図16は、本発明の第2の代替的な実施例によるIII族窒化物1300を形成する方法の一例を例示する一連の断面図を示す。III族窒化物HEMT1300を形成する方法は、パターニングされたフォトレジスト層814の除去までは、III族窒化物HEMT800を形成する方法と同じであるため、両方の方法に共通の構造を示すために同様の参照符号を用いる。図13に図示するように、パターニングされたフォトレジスト層814の除去に続いて、パターニングされたフォトレジスト層1310が、従来の方式で第1のバッファ層810上に形成される。パターニングされたフォトレジスト層1310が形成された後、MgなどのP型ドーパントが、パターニングされたフォトレジスト層1310内の開口を介して第1のバッファ層810にインプラントされて、第1のバッファ層810内にインプラントされた領域を形成する。インプラントされた領域を形成するために用いられるドーパント濃度は、P型基板210を形成するために用いられるドーパント濃度にほぼ等しくなるように選択される。パターニングされたフォトレジスト層1310は、その後取り除かれて、中間HEMT構造1314を形成する。パターニングされたフォトレジスト層1310は、任意選択で、パターニングされたフォトレジスト層814が形成される前に形成されてもよい。図14に図示するように、パターニングされたフォトレジスト層1310が取り除かれた後、中間HEMT構造1314がリアクタに戻され、インプラントされたドーパントを拡散及び活性化するためにアニールが実行され、それにより、基板210にNウェル820を、Nウェル820より上にあり且つNウェル820に接する第1のバッファ層810にN型領域822を、及び第1のバッファ層810にP型領域1316を形成する。この拡散に続いて、図14に示すように、P型領域1316はN型領域822に接し、それにより、第1のバッファ層810内にPN接合を形成する。図15に図示するように、アニールが終了した後、この方法は、III族窒化物HEMT1300を形成するための第1の代替実施例に関連して説明したように、即ち、第2のバッファ層824、チャネル層826、及びバリア層828、及び金属コンタクト840、842、及び844を形成することにより、継続する。そのため、本発明の第2の代替実施例の利点の一つは、P型領域1316及びN型領域822を備えた第1のバッファ層810にPN接合を形成することが、基板210とバッファ層との間のインタフェースに存在し得る如何なる漏れ電流をも更に最小化する点である。代替的に、図16に示すように、アニール後に、拡散されたP型ドーパントが、N型領域822を形成する拡散されたN型ドーパントに接するように伸張しないように、パターニングされたフォトレジスト層1310が配置され得、それにより、P型領域1316とN型領域822との間にギャップ1320を形成するようにしてもよい。それ以外は、III族窒化物HEMT1300の変形はいずれも、III族窒化物HEMT800と同じく動作する。上記説明が本発明の例示であり、本明細書に記載された発明の様々な代替物が発明を実施するにあたり採用され得ることが理解されるべきである。例えば、III族窒化物のHMTは、デプレーションモードのデバイスとして従来通り形成されるが、エンハンスメントモードのデバイスとしても形成され得る。本発明は、デバイスの基板とバッファ層の構造が同じであるため、エンハンスメントモードのデバイスにも均等に十分に適用される。それゆえ、以下の請求項が発明の範囲を規定し、これらの請求項の範囲内の構造および方法とその均等物とがカバーされることが意図される。