リードを備えている半導体装置を収容するダイと、前記リードを、前記ダイの外側面との間に挟んで成形するパンチと、前記パンチをガイドするとともに、前記リードのうち、前記パンチによって成形されない部分を前記ダイとの間に挟むパンチガイドと、前記パンチガイドを持ち上げる持上手段と、前記ダイと前記パンチが前記リードを挟んだ状態で前記パンチガイドを持ち上げるように前記持上手段を制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置。前記持上手段は、エアシリンダである請求項1に記載の半導体装置の製造装置。リードを備えている半導体装置をダイ上に位置決めセットするセット工程と、パンチガイドを下降させ、かつ前記パンチガイドに沿ってパンチを下降させることによって、前記リードを前記パンチとダイとによって成形するとともに、前記リードのうち、前記パンチによって成形されない部分を前記ダイと前記パンチガイドとの間に挟む固定工程と、前記パンチと前記ダイとの間に前記リードを挟んだまま、前記パンチガイドのみを押し上げる押し上げ工程と、前記パンチを上昇させる工程と、を有している半導体装置の製造方法。半導体装置の製造装置に設けられているパンチガイドにリードが圧着してしまった場合、半導体装置がパンチガイドに付着したまま持ち上げられてしまうことがある。これによって、製造装置の稼働が中断すること、金型内に半導体装置が落下して破損してしまうこと、といった問題が生じている。本発明によれば、リードを備えている半導体装置を収容するダイと、上記リードを、上記ダイの外側面との間に挟んで成形するパンチと、上記パンチをガイドするとともに、上記リードのうち、上記パンチによって成形されない部分を上記ダイとの間に挟むパンチガイドと、上記パンチガイドを持ち上げる持上手段と、上記ダイと上記パンチが上記リードを挟んだ状態で上記パンチガイドを持ち上げるように上記持上手段を制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置が提供される。さらに、本発明によれば、リードを備えている半導体装置をダイ上に位置決めセットするセット工程と、パンチガイドを下降させ、かつ上記パンチガイドに沿ってパンチを下降させることによって、上記リードを上記パンチとダイとによって成形するとともに、上記リードのうち、上記パンチによって成形されない部分を上記ダイと上記パンチガイドとの間に挟む固定工程と、上記パンチと上記ダイとの間に上記リードを挟んだまま、上記パンチガイドのみを押し上げる押し上げ工程と、上記パンチを上昇させる工程と、を有している半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、カット、および押し曲げ加工後のリードが、半導体装置の製造装置に備わっているダイおよびパンチによってクランプ固定されている。この状態を保ったままパンチガイドを、エアシリンダによって持ち上げる。このため半導体装置とパンチガイドとを引き離すことができる。本発明によれば、半導体装置に備わっているリードをフォーミングした後、リードがパンチガイドに圧着することなく、半導体装置とパンチガイドを引き離すことができる。このため、半導体装置がパンチガイドに付着したまま持ち上がることを原因とする、製造装置の稼働が中断すること、金型内に半導体装置が落下して破損してしまうこと、といった問題を防ぐことができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、本実施形態による半導体装置の製造装置を示す断面図である。図1に示すように、リード110を備えている半導体装置を収容するダイ90と、リード110を、ダイ90の外側面との間に挟み込むパンチ10と、パンチ10をガイドするとともに、リード110のうち、パンチ10によって成形されない部分をダイ90との間に挟むパンチガイド40と、パンチガイド40を持ち上げる持上手段80と、ダイ90とパンチ10がリード110の根元を挟み、かつ固定した状態でパンチガイド40を持ち上げる持上手段80を制御する制御部130と、を備えている。なお、持上手段80は、エアシリンダであることが好ましい。既存の製造装置に、エアシリンダ等の持上手段80を取り付けることで、本実施形態に係る製造装置を実現できる。また、パット20におけるどの箇所においても均等に持ち上げられるよう、持上手段80は設けられている。持上手段80の先端には、上下動可能なつば付きピン70が取り付けられている。このつば付きピン70は、規定の高さに達したら上昇が停止する。なぜなら、つば72が規定の高さ以上上昇しないように、ガイド溝76が設けられているからである。なお、つば付きピン72の設置個所や本数は、金型の重量、面積、および重心によって変更する必要がある。また、パンチガイド40を有するパット20は、ポスト30によってガイドされている。さらに、パット20自体も本体25との間に圧縮バネ50を有し、吊りボルト60によって本体に保持されている。このため、パット20は上下動可能である。なお、パンチ10は、本体に固定され、さらにパンチガイド40によって位置決めされている。次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態によれば、リード110を備えている半導体装置をダイ90上に位置決めし、セットするセット工程と、パンチガイド40を下降させ、かつパンチガイド40に沿ってパンチ10を下降させることによって、リード110をパンチ10とダイ90とによって成形するとともに、リード110のうち、パンチ10によって成形されない部分をダイ90とパンチガイド40との間に挟む固定工程と、パンチ10とダイ90との間にリード110を挟んだまま、パンチガイド40のみを押し上げる押し上げ工程と、パンチ10を上昇させる工程と、を有している。半導体装置の製造方法における各工程について具体的に述べる。図1に示すように、セット工程ではダイ90上に半導体装置がセットされる。このとき、半導体装置の製造装置に備わっている金型は開いた状態である。図2は、本実施形態による固定工程を説明するための断面図、図3は拡大断面図である。図2に示すように、固定工程では、パット20を下降させ、パンチガイド40とダイ90によってリード110の根元をクランプする。このとき図3に示すように、クランプ箇所120でリード110は固定されている。しかしながら、パンチ10が下降していないため、リード110のフォーミングは行われない。図4は、本実施形態によるリードの成形を説明するための断面図、図5は拡大断面図である。図4に示すように、リードの成形は、本体25が下降を続けることによって、本体25とパット20の隙間が縮まる。つまり上型28は、圧縮バネ50が縮むことによって、本体25とパット20の間隔を保っている。これと同時に、本体25とパット20の間隔が縮んだ分だけ、パンチ10も下降する。このとき図5に示すように、パンチガイド40はダイ90に押し付けられた状態で維持されている。このため、本体25とパット20の間隔が縮んだ分だけ下降したパンチ10によって、リード110はカット、およびフォーミングされる。すなわち、パンチ10とダイ90によって、リード110は所望の形状に仕上る。また、所望の形状に仕上ったリード110は、パンチ10とダイ90によって曲げ部をクランプされている。つまり、半導体装置はダイ90に固定されている状態となる。図6は、本実施形態による押し上げ工程を説明するための断面図、図7は、拡大断面図である。図6に示すように、押し上げ工程では、パンチ10とダイ90でリード110の曲げ部をクランプしたまま、パンチガイド40を有するパット20を持上手段80によって、押し上げている。これによって、リード110の根元は、ダイ90とパンチガイド40によってクランプされているため、パンチガイド40はリード110の根元から引き離される。このとき図7に示すように、パット20の押し上げ量は、持上手段80の先端に取り付けられたつば付きピン70の上昇した高さに依存する。つば付きピン70に備わっているつば72は、ガイド溝76に沿って規定の高さまで上昇できる。ここで述べる既定の高さとは、つば72がパット20の接していた面と同じ高さである。なお、つば72が通過するガイド溝76の最終端には、つばが当接停止する段差を設けることが好ましい。また、パット20の押し上げ量が少なすぎると、パンチガイド40とリード110を引き離す効果が得られない。一方、パット20の押し上げ量が多すぎると、作業効率に影響を及ぼす。このため、半導体装置の大きさやリードの本数などで適度な押し上げ量は変わるものの、約0.1mm~0.5mm押し上げる程度で効果は得ることができる。なお、パンチ10を上昇させる時に、パンチ10がリード110曲げ部と付着して持ち上げられたとしても、先に持ち上げられているパンチガイド40にリード110の根元が引っ掛かる。このため、半導体装置をダイ90に落下着座させることが可能である。次に、縮ませていた圧縮バネ50を元の状態に戻すことによって、パンチ10が持ち上がるとともに、上型28における本体25とパット20の間隔も元に戻る。すなわち、半導体装置の製造装置は図1の状態に戻るため、ダイ90からリード110の加工をした半導体装置を取り出すことができる。次に、本実施形態による効果について述べる。本実施形態では、リード110をフォーミングした後、リード110がパンチガイド40に圧着することなく、半導体装置とパンチガイド40を引き離すことができる。このため、半導体装置がパンチガイド40に付着したまま持ち上がることを原因とする、製造装置の稼働が中断すること、金型内に半導体装置が落下して破損してしまうこと、といった問題を防ぐことができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。