"下記一般式Iで表されるジカルボン酸化合物Iから選択され、互いに異なる2種類のジカルボン酸化合物I-1及びI-2式中、Xは炭素原子または窒素原子であり、Xが炭素原子の場合にYは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であり、Xが窒素原子の場合にYは存在しない。R1、R2及びR3はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子である。ジカルボン酸化合物I-1のXは炭素原子であり、Yは電子供与性基であり、ジカルボン酸化合物I-2のXは炭素原子または窒素原子であり、Xが炭素原子の場合にYは電子吸引性基である。と;周期表の2族及び第7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと;該金属に二座配位可能な有機配位子と;からなる金属錯体であって、ジカルボン酸化合物I-1とジカルボン酸化合物I-2とのモル比率が、1:99~30:70の範囲内である;ことを特徴とする金属錯体を用いる炭化水素系混合ガスの分離方法。ジカルボン酸化合物I-1とジカルボン酸化合物I-2との組み合わせが、5-メトキシイソフタル酸と5-ニトロイソフタル酸、5-メトキシイソフタル酸と5-ホルミルイソフタル酸、イソフタル酸と5-フルオロイソフタル酸、イソフタル酸と5-クロロイソフタル酸、イソフタル酸と5-ブロモイソフタル酸、イソフタル酸と5-ヨードイソフタル酸またはイソフタル酸と3,5-ピリジンジカルボン酸である金属錯体を用いる請求項1に記載の分離方法。該二座配位可能な有機配位子が1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピラジン、2,5-ジメチルピラジン、4,4’-ビピリジル、2,2’-ジメチル-4,4’-ビピリジン、1,2-ビス4-ピリジルエチン、1,4-ビス4-ピリジルブタジイン、1,4-ビス4-ピリジルベンゼン、3,6-ジ4-ピリジル-1,2,4,5-テトラジン、2,2’-ビ-1,6-ナフチリジン、フェナジン、ジアザピレン、トランス-1,2-ビス4-ピリジルエテン、4,4’-アゾピリジン、1,2-ビス4-ピリジルエタン、1,2-ビス4-ピリジル-グリコール及びN-4-ピリジルイソニコチンアミドから選択される少なくとも1種である金属錯体を用いる請求項1または2に記載の分離方法。該金属イオンが亜鉛イオンである金属錯体を用いる請求項1~3いずれかに記載の分離方法。該炭化水素系混合ガスがメタンとエタン、エチレンとエタン、エチレンとアセチレン、エタンとプロパン、プロパンとプロペンまたはメタンとエタンとプロパンである請求項1~4いずれかに記載の分離方法。該分離方法が金属錯体と炭化水素系混合ガスとを0.01~10MPaの圧力範囲で接触させる工程を含む請求項1~5いずれかに記載の分離方法。該分離方法が圧力スイング吸着法である請求項1~6いずれかに記載の分離方法。したがって、本発明の目的は、従来よりも優れた炭化水素系混合ガスの分離方法を提供することにある。本発明者らは鋭意検討し、特定のジカルボン酸化合物から選択される2種類のジカルボン酸化合物と、少なくとも1種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体を用いることにより、上記目的を達成することができることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明によれば、以下のものが提供される。1下記一般式Iで表されるジカルボン酸化合物Iから選択され、互いに異なる2種類のジカルボン酸化合物I-1及びI-2式中、Xは炭素原子または窒素原子であり、Xが炭素原子の場合にYは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であり、Xが窒素原子の場合にYは存在しない。R1、R2及びR3はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子である。ジカルボン酸化合物I-1のXは炭素原子であり、Yは電子供与性基であり、ジカルボン酸化合物I-2のXは炭素原子または窒素原子であり、Xが炭素原子の場合にYは電子吸引性基である。と;周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと;該金属に二座配位可能な有機配位子と;からなる金属錯体であって、ジカルボン酸化合物I-1とジカルボン酸化合物I-2とのモル比率が、1:99~30:70の範囲内である;ことを特徴とする金属錯体を用いる炭化水素系混合ガスの分離方法。2ジカルボン酸化合物I-1とジカルボン酸化合物I-2との組み合わせが、5-メトキシイソフタル酸と5-ニトロイソフタル酸、5-メトキシイソフタル酸と5-ホルミルイソフタル酸、イソフタル酸と5-フルオロイソフタル酸、イソフタル酸と5-クロロイソフタル酸、イソフタル酸と5-ブロモイソフタル酸、イソフタル酸と5-ヨードイソフタル酸またはイソフタル酸と3,5-ピリジンジカルボン酸である金属錯体を用いる1に記載の分離方法。3該二座配位可能な有機配位子が1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピラジン、2,5-ジメチルピラジン、4,4’-ビピリジル、2,2’-ジメチル-4,4’-ビピリジン、1,2-ビス4-ピリジルエチン、1,4-ビス4-ピリジルブタジイン、1,4-ビス4-ピリジルベンゼン、3,6-ジ4-ピリジル-1,2,4,5-テトラジン、2,2’-ビ-1,6-ナフチリジン、フェナジン、ジアザピレン、トランス-1,2-ビス4-ピリジルエテン、4,4’-アゾピリジン、1,2-ビス4-ピリジルエタン、1,2-ビス4-ピリジル-グリコール及びN-4-ピリジルイソニコチンアミドから選択される少なくとも1種である金属錯体を用いる1または2に記載の分離方法。4該金属イオンが亜鉛イオンである金属錯体を用いる1~3いずれかに記載の分離方法。5該炭化水素系混合ガスがメタンとエタン、エチレンとエタン、エチレンとアセチレン、エタンとプロパン、プロパンとプロペンまたはメタンとエタンとプロパンである1~4いずれかに記載の分離方法。6該分離方法が金属錯体と炭化水素系混合ガスとを0.01~10MPaの圧力範囲で接触させる工程を含む1~5いずれかに記載の分離方法。7該分離方法が圧力スイング吸着法である1~6いずれかに記載の分離方法。本発明により、特定のジカルボン酸化合物から選択される2種類のジカルボン酸化合物と、少なくとも1種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体を用いる炭化水素系混合ガスの分離方法を提供することができる。本発明の分離方法は、炭化水素系混合ガスの分離において、高い混合ガス分離能を発現する分離材として使用することができる。本発明に用いる金属錯体は、5位に電子供与性基を有してもよいイソフタル酸誘導体から選ばれるジカルボン酸化合物I-1、及び5位に電子吸引性基を有するイソフタル酸誘導体または3,5-ピリジンジカルボン酸誘導体から選ばれるジカルボン酸化合物I-2からなる2種類のジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる。金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iから選択され、互いに異なる2種類のジカルボン酸化合物I-1及びI-2と、周期表の2族及び7~12族に属する金属の塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とを、常圧下、溶媒中で数時間から数日間反応させ、析出させて製造することができる。例えば、金属塩の水溶液または有機溶媒溶液と、ジカルボン酸化合物Iから選択される2種類のジカルボン酸化合物及び二座配位可能な有機配位子を含有する有機溶媒溶液とを、常圧下で混合して反応させることにより得ることができる。本発明に用いられ、互いに異なるジカルボン酸化合物I-1及びI-2は、共に下記一般式I;で表される。式中、Xは炭素原子または窒素原子であり、Xが炭素原子の場合にYは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であり、Xが窒素原子の場合にYは存在しない。R1、R2及びR3はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子である。ジカルボン酸化合物I-1のXは常に炭素原子であり、Yは上記で挙げた基から選ばれる電子供与性の置換基または原子、具体的には、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、アミノ基などが挙げられる。ここで、電気陰性度は、炭素2.55、水素2.20であるので、本明細書では、水素原子は電子供与性の原子と定義する。ジカルボン酸化合物I-2のXは炭素原子または窒素原子であり、Xが炭素原子の場合にYは上記で挙げた基または原子から選ばれる電子吸引性の置換基または原子、具体的には、ホルミル基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アシルアミノ基、ハロゲン原子などが挙げられる。上記Yを構成することのできる基の内、アルキル基の炭素原子数は1~5が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基などの直鎖または分岐を有するアルキル基が、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基が、アシロキシ基の例としては、アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基が、アルコキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基が、アミノ基の例としては、N,N-ジメチルアミノ基が、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、それぞれ挙げられる。また、該アルキル基が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-O-CO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。アルキル基の置換基の数は、1~3個が好ましく、1個がより好ましい。上記R1、R2及びR3を構成することのできる置換基を有していてもよいアルキル基及びハロゲン原子の例としては、上記のYで挙げたものと同様である。Xとして炭素原子を有するジカルボン酸化合物I-1のYを構成する電子供与性の置換基としては、アルコキシ基が好ましい。ジカルボン酸化合物I-2のXが炭素原子の場合にYを構成する電子吸引性の置換基または原子としては、ホルミル基、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。ジカルボン酸化合物I-1とジカルボン酸化合物I-2との組み合わせとしては、5-メトキシイソフタル酸と5-ニトロイソフタル酸、5-メトキシイソフタル酸と5-ホルミルイソフタル酸、イソフタル酸と5-フルオロイソフタル酸、イソフタル酸と5-クロロイソフタル酸、イソフタル酸と5-ブロモイソフタル酸、イソフタル酸と5-ヨードイソフタル酸またはイソフタル酸と3,5-ピリジンジカルボン酸が好ましい。本発明に用いる金属錯体は、2種類のジカルボン酸化合物I-1及びI-2を有する。ここで、ジカルボン酸化合物I-1は、Yが電子供与性基である限り2種以上のジカルボン酸化合物I-1を含んでいてもよい。また、ジカルボン酸化合物I-2は、Yが電子吸引性基であるか、XがNである限り2種以上のジカルボン酸化合物I-2を含んでいてもよい。ジカルボン酸化合物Iから選択される2種類のジカルボン酸化合物の混合比率は、ジカルボン酸化合物I-1とジカルボン酸化合物I-2とのモル比で、ジカルボン酸化合物I-1:ジカルボン酸化合物I-2=1:99~30:70の範囲内が好ましく、5:95~30:70の範囲内がより好ましい。この範囲外では混合ガスの分離能が低下する。なお、ジカルボン酸化合物I-1が2種以上含まれる場合には、その合計のモル数が上記の範囲に含まれていればよい。同様に、ジカルボン酸化合物I-2が2種以上含まれる場合には、その合計のモル数が上記の範囲に含まれていればよい。周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンとしては、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、マンガンイオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオン及びカドミウムイオンを使用することができ、ニッケルイオン、銅イオン及び亜鉛イオンが好ましく、亜鉛イオンがより好ましい。金属錯体の製造に用いる周期表の2族及び7~12族に属する金属の塩としては、マグネシウム塩、カルシウム塩、マンガン塩、コバルト塩、ニッケル塩、銅塩、亜鉛塩及びカドミウム塩を使用することができ、ニッケル塩、銅塩及び亜鉛塩が好ましく、亜鉛塩がより好ましい。また、これらの金属塩としては、酢酸塩、ギ酸塩などの有機酸塩、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩などの無機酸塩を使用することができる。二座配位可能な有機配位子は、例えば、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピラジン、2,5-ジメチルピラジン、4,4’-ビピリジル、2,2’-ジメチル-4,4’-ビピリジン、1,2-ビス4-ピリジルエチン、1,4-ビス4-ピリジルブタジイン、1,4-ビス4-ピリジルベンゼン、3,6-ジ4-ピリジル-1,2,4,5-テトラジン、2,2’-ビ-1,6-ナフチリジン、フェナジン、ジアザピレン、トランス-1,2-ビス4-ピリジルエテン、4,4’-アゾピリジン、1,2-ビス4-ピリジルエタン、1,2-ビス4-ピリジル-グリコール及びN-4-ピリジルイソニコチンアミドを挙げることができ、中でも4,4’-ビピリジルが好ましい。ここで、二座配位可能な有機配位子とは非共有電子対で金属に対して配位する部位を2箇所持つ中性配位子を意味する。金属錯体を製造ときのジカルボン酸化合物I[ジカルボン酸化合物I-1及びI-2のモル数の合計]と二座配位可能な有機配位子との混合比率は、ジカルボン酸化合物I:二座配位可能な有機配位子=1:5~8:1のモル比の範囲内が好ましく、1:3~6:1のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下し、副反応も増えるために好ましくない。金属錯体を製造ときの金属塩と二座配位可能な有機配位子の混合比率は、金属塩:二座配位可能な有機配位子=3:1~1:3のモル比の範囲内が好ましく、2:1~1:2のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲では目的とする金属錯体の収率が低下し、また、未反応の原料が残留して得られた金属錯体の精製が困難になる。金属錯体を製造するための溶媒におけるジカルボン酸化合物Iのモル濃度[ジカルボン酸化合物I-1及びI-2のモル濃度の合計]は、0.01~5.0mol/Lが好ましく、0.05~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。金属錯体を製造するための溶媒における金属塩のモル濃度は、0.01~5.0mol/Lが好ましく、0.05~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では未反応の金属塩が残留し、得られた金属錯体の精製が困難になる。金属錯体を製造するための溶媒における二座配位可能な有機配位子のモル濃度は、0.01~5.0mol/Lが好ましく、0.05~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。金属錯体の製造に用いる溶媒としては、有機溶媒、水またはそれらの混合溶媒を使用することができる。具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、塩化メチレン、クロロホルム、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、水またはこれらの混合溶媒を使用することができる。反応温度としては、253~423Kが好ましい。結晶性の良い金属錯体は、純度が高くて吸着性能が良い。反応が終了したことはガスクロマトグラフィーまたは高速液体クロマトグラフィーにより原料の残存量を定量することにより確認することができる。反応終了後、得られた混合液を吸引濾過に付して沈殿物を集め、有機溶媒による洗浄後、373K程度で数時間真空乾燥することにより、本発明の金属錯体を得ることができる。以上のようにして得られる本発明に用いる金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iと金属イオン例えば、亜鉛イオンからなる一次元鎖が、二座配位子により連結された二次元シートが形成されている。そして、これらの二次元シートが集積することにより、細孔一次元チャンネルを有する三次元構造をとる。金属錯体における三次元構造は、合成後の結晶においても変化できるため、その変化に伴って、細孔の構造や大きさも変化する。この構造が変化する条件は、吸着される物質の種類、吸着圧力、吸着温度に依存する。すなわち、細孔表面と物質の相互作用の差に加え相互作用の強さは物質のLennard-Jonesポテンシャルの大きさに比例、吸着する物質により構造変化の程度が異なるため、高い選択性が発現する。本発明では、それぞれ単独で用いた場合に異なる吸着挙動を示す金属錯体を構築するジカルボン酸化合物を混合して用いることで、それぞれの特徴を併せ持たせることができる。例えば、混合ガスの分離能は低いが吸着除去したいガスの分圧が低い時の吸着量が多い金属錯体を構築するジカルボン酸化合物と、混合ガスの分離能は高いが吸着除去したいガスの分圧が低い時の吸着量が少ない金属錯体を構築するジカルボン酸化合物を混合して用いることで、高い混合ガスの分離能と吸着量を両立することができる。従って、吸着平衡型と速度分離型のいずれの方法においても優れたガス分離性能が発現する。吸着された物質が脱着した後は、元の構造に戻るので、細孔の大きさも元に戻る。前記の選択吸着メカニズムは推定ではあるが、例え前記メカニズムに従っていない場合でも、本発明で規定する要件を満足するのであれば、本発明の技術的範囲に包含される。本発明に用いる金属錯体は、吸着圧力または吸着温度を制御することで各種ガスを選択的に吸着することができるので、炭素数1~4の炭化水素メタン、エタン、エチレン、アセチレンなど系混合ガスを分離するための分離材として好ましく、特に、メタン中のエタン、エチレン中のエタン、エチレン中のアセチレン、エタン中のプロパン、プロパン中のプロペンまたはメタン中のエタンとプロパンなどを、圧力スイング吸着法や温度スイング吸着法により分離するのに適している。分離方法は、ガスが金属錯体に吸着できる条件でガスと本発明の金属錯体とを接触させる工程を含む。ガスが金属錯体に吸着できる条件である吸着圧力及び吸着温度は、吸着される物質の種類に応じて適宜設定することができる。例えば、吸着圧力は0.01~10MPaが好ましく、0.1~3.5MPaがより好ましい。また、吸着温度は195K~343Kが好ましく、273~313Kがより好ましい。分離方法は、圧力スイング吸着法または温度スイング吸着法とすることができる。分離方法が圧力スイング吸着法である場合は、分離方法はさらに、圧力を、吸着圧力からガスを金属錯体から脱着させることができる圧力まで昇圧させる工程を含む。脱着圧力は、吸着される物質の種類に応じて適宜設定することができる。例えば、脱着圧力は0.005~2MPaが好ましく、0.01~0.1MPaがより好ましい。分離方法が温度スイング吸着法である場合は、分離方法はさらに、温度を、吸着温度からガスを金属錯体から脱着させることができる温度まで昇温させる工程を含む。脱着温度は、吸着される物質の種類に応じて適宜設定することができる。例えば、脱着温度は303~473Kが好ましく、313~373Kがより好ましい。分離方法は、圧力スイング吸着法または温度スイング吸着法である場合、ガスと金属錯体とを接触させる工程と、ガスを金属錯体から脱着させることができる圧力または温度まで変化させる工程を、適宜繰り返すことができる。以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の実施例および比較例における分析および評価は次のようにして行った。1粉末X線回折パターンの測定X線回折装置を用いて、回折角2θ=5~50°の範囲を走査速度1°/分で走査し、対称反射法で測定した。分析条件の詳細を以下に示す。<分析条件>装置:株式会社リガク製RINT2400X線源:CuKαλ=1.5418Å40kV200mAゴニオメーター:縦型ゴニオメーター検出器:シンチレーションカウンターステップ幅:0.02°スリット:発散スリット=0.5°受光スリット=0.15mm散乱スリット=0.5°2単結晶X線結晶構造解析得られた単結晶をゴニオヘッドにマウントし、単結晶X線回折装置を用いて測定した。分析条件の詳細を以下に示す。<分析条件>装置:株式会社リガク製MERCURYX線源:MoKαλ=0.71073Å50kV100mA検出器:CCDコリメータ:Φ0.8mm解析ソフト:SHELXS-973吸脱着等温線の測定高圧ガス吸着装置を用いて容量法で測定を行った。このとき、測定に先立って試料を373K、50Paで10時間乾燥し、吸着水などを除去した。分析条件の詳細を以下に示す。<分析条件>装置:日本ベル株式会社製BELSORP-HP平衡待ち時間:500秒4破過曲線の測定ガス流量計とバルブ類を備えたステンレスチューブでボンベと接続した内容積10mLの耐圧ガラス容器を用意した。測定は、耐圧ガラス容器に試料を入れ、373K、7Paで3時間乾燥し、吸着水などを除去した後に、混合ガスを流通させることで行った。このとき、出口ガスを2分おきにサンプリングし、ガスクロマトグラフィーで分析することで出口ガスの組成を算出した入口ガスの組成はあらかじめガスクロマトグラフィーを用いて測定。測定条件の詳細を以下に示す。<測定条件>装置:株式会社島津製作所製GC-14Bカラム:ジーエルサイエンス株式会社製UnibeadsC60/80カラム温度:200°Cキャリアガス:ヘリウム注入量:1.0mL検出器:TCD<合成例1>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物12.6g42mmol、5-メトキシイソフタル酸0.829g4.2mmol、5-ニトロイソフタル酸8.03g38mmol及び4,4’-ビピリジル6.60g42mmolをN,N-ジメチルホルムアミド200mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、エタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体16.1g収率89を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図1に示す。また、得られた金属錯体について、メタン及びエタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果を図2に示す。図2より、本発明に用いる金属錯体は圧力の上昇と共にエタンを選択的に吸着し、かつ減圧にすることで吸着したエタンを放出するので、圧力スイング吸着法によるメタンとエタンの分離材料に適していることが分かる。<比較合成例1>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物12.6g42mmol、5-メトキシイソフタル酸8.29g42mmol及び4,4’-ビピリジル6.60g42mmolをN,N-ジメチルホルムアミド200mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。析出した結晶について、単結晶X線構造解析を行った結果を以下に示す。また、結晶構造を図3に、二次元シート中の亜鉛の配位環境を図4に示す。TriclinicP-1a=10.0733Åb=10.2024Åc=10.5265Åα=66.534°β=75.032°γ=77.062°V=949.486Å3Z=2R=0.0792Rw=0.2712析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、エタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体17.0g収率97を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図5に示す。また、得られた金属錯体について、メタン及びエタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果を図6に示す。<比較合成例2>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物12.6g42mmol、5-ニトロイソフタル酸8.92g42mmol及び4,4’-ビピリジル6.60g42mmolをN,N-ジメチルホルムアミド200mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。析出した結晶について、単結晶X線構造解析を行った結果を以下に示す。また、結晶構造を図7に、二次元シート中の亜鉛の配位環境を図8に示す。TriclinicP-1a=10.1123Åb=10.3491Åc=10.7301Åα=65.202°β=77.282°γ=79.332°V=989.043Å3Z=2R=0.0624Rw=0.1750析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、エタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体15.5g収率85を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図9に示す。また、得られた金属錯体について、メタン及びエタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果を図10に示す。<比較合成例3>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物5.00g17mmol、5-メトキシイソフタル酸1.27g6.5mmol、5-ニトロイソフタル酸2.05g9.7mmol及び4,4’-ビピリジル2.65g17mmolをN,N-ジメチルホルムアミド200mLに溶解させ、393Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、エタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体5.90g収率82を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図11に示す。また、得られた金属錯体について、二酸化炭素及びメタンの273Kにおける吸脱着等温線を容量法により測定した結果を図12に示す。<比較合成例4>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物297mg1.0mmol、5-メトキシイソフタル酸98.0mg0.50mmol及び5-ニトロイソフタル酸105mg0.50mmolをN,N-ジメチルホルムアミド20mLに298Kで溶解させたA液。次に、窒素雰囲気下、4,4’-ビピリジル156mg1.0mmolをメタノール20mLに298Kで溶解させたB液。窒素雰囲気下、A液の上部にB液を298Kで静かに加えて二層を形成させ、343Kで二日間静置した。析出した結晶について、単結晶X線構造解析を行った結果を以下に示す。また、結晶構造を図13に、二次元シート中の亜鉛の配位環境を図14に示す。図14より、5-メトキシイソフタル酸部位と5-ニトロイソフタル酸部位がディスオーダーしていることが分かる。TriclinicP-1a=10.04612Åb=10.4559Åc=10.51910Åα=65.325°β=76.245°γ=76.535°V=963.916Å3Z=2R=0.1122Rw=0.3256図1、図5、図9及び図11の比較より、合成例1及び比較合成例3で得られた金属錯体は、比較合成例1及び比較合成例2で得られた金属錯体の混合物ではないことが分かる。図4、図8及び図14の比較より、5-メトキシイソフタル酸と5-ニトロイソフタル酸を混合して得られる金属錯体は、その結晶構造内に5-メトキシイソフタル酸に由来する部位と5-ニトロイソフタル酸に由来する部位が連続的にランダムに存在することが分かる。<実施例1>合成例1で得た金属錯体について、容量比でメタン:エタン=90:10からなるメタンとエタンの混合ガスを用い、273K、0.7MPaG、空間速度6min-1における分離性能を測定した。結果を図15に示す。<比較例1>比較合成例1で得た金属錯体について、容量比でメタン:エタン=90:10からなるメタンとエタンの混合ガスを用い、273K、0.7MPaG、空間速度6min-1における分離性能を測定した。結果を図16に示す。<比較例2>比較合成例2で得た金属錯体について、容量比でメタン:エタン=90:10からなるメタンとエタンの混合ガスを用い、273K、0.7MPaG、空間速度6min-1における分離性能を測定した。結果を図17に示す。<比較例3>比較合成例3で得た金属錯体について、合成例1で得た金属錯体について、容量比でメタン:エタン=90:10からなるメタンとエタンの混合ガスを用い、273K、0.7MPaG、空間速度6min-1における分離性能を測定した。結果を図18に示す。図15と図16~図18の比較より、本発明の金属錯体はメタンを99.5以上にまで濃縮でき、かつエタンの破過時間が長いので、メタンとエタンの分離材として優れていることは明らかである。"