高電位側及び低電位側の出力電位の少なくとも一方を出力する電源供給部と、複数の発光画素がマトリクス状に配置され、前記電源供給部から電源供給を受ける表示部と、前記表示部内における少なくとも一つの発光画素に一端が接続され、マトリクス状に配置された前記複数の発光画素の行方向または列方向に沿って配置された、前記発光画素に印加される高電位側の電位または低電位側の電位を伝達するための検出線と、前記検出線の他端に接続され、前記高電位側の電位と基準電位との電位差、前記低電位側の電位と基準電位との電位差、及び、前記高電位側の電位と前記低電位側の電位との電位差のうち、いずれかが所定の電位差となるように、前記電源供給部から出力される高電位側及び前記低電位側の出力電位の少なくとも一方を調整する電圧調整部とを備える、表示装置。前記表示装置は、複数の前記検出線を備え、前記複数の検出線は、3以上の前記発光画素に印加される高電位側の電位をそれぞれ伝達するための3本以上の高電位検出線、及び、3以上の前記発光画素に印加される低電位側の電位をそれぞれ伝達するための3本以上の低電位検出線の少なくとも一方を含み、前記高電位検出線及び前記低電位検出線の少なくとも一方は、隣り合う検出線どうしの間隔が互いに同一となるよう配置されている、請求項1に記載の表示装置。前記複数の発光画素は、それぞれ、ソース電極及びドレイン電極を有する駆動素子と、第1の電極及び第2の電極を有する発光素子とを備え、前記第1の電極が前記駆動素子のソース電極及びドレイン電極の一方に接続され、前記ソース電極及びドレイン電極の他方と前記第2の電極との一方に前記高電位側の電位が印加され、前記ソース電極及びドレイン電極の他方と前記第2の電極との他方に前記低電位側の電位が印加される、請求項1に記載の表示装置。前記行方向及び列方向の少なくとも一つの方向において相互に隣接する発光画素の有する前記駆動素子の前記ソース電極及びドレイン電極の他方どうしを電気的に接続する第1の電源線と、前記行方向及び列方向において相互に隣接する発光画素の有する前記発光素子の前記第2の電極どうしを電気的に接続する第2の電源線とを具備し、前記複数の発光画素は、前記第1の電源線及び前記第2の電源線を介して前記電源供給部からの電源供給を受ける、請求項3に記載の表示装置。前記検出線は、前記第1の電源線と同一の層に形成されている、請求項4に記載の表示装置。さらに、前記検出線と同一の層に形成され、前記行方向及び列方向の少なくとも一つの方向に沿って配置された、前記発光画素を制御するための制御線を複数備え、前記検出線と当該検出線に隣り合う前記制御線との間隔は、隣り合う前記制御線どうしの間隔と同一となるように配置されている、請求項5に記載の表示装置。前記検出線は、前記制御線と同一の工程によって形成されたものである、請求項6に記載の表示装置。前記第1の電源線が形成された層と前記第2の電源線が形成された層との間には、絶縁層が形成されており、前記検出線の一端は、前記絶縁層に形成されたコンタクト部を介して前記第2の電極と接続されている、請求項5に記載の表示装置。さらに、前記第2の電源線に電気的に接続され、前記行方向または列方向に沿って配置された補助電極線を複数備え、前記検出線は、前記補助電極線と同一の層に形成され、前記検出線と前記第1の電源線との間には絶縁層が形成されている、請求項4に記載の表示装置。前記検出線は、前記第1の電極と同一の層に形成されている、請求項9に記載の表示装置。前記検出線と当該検出線に隣り合う前記補助電極線との間隔は、隣り合う前記補助電極線どうしの間隔と同一となるように配置されている、請求項10に記載の表示装置。前記検出線は、前記補助電極線と同一の工程によって形成されたものである、請求項11に記載の表示装置。前記検出線は、前記表示部内における少なくとも一つの発光画素と、前記表示部の周縁部に配置された給電部との距離が最短となるように配置されている、請求項4に記載の表示装置。前記検出線は、前記発光素子、前記第1の電源線及び前記第2の電源線が形成された層と異なる所定の層に形成されており、当該所定の層において、前記検出線の配線面積は、検出線以外の電気配線の配線面積よりも大きい、請求項4に記載の表示装置。前記発光素子は、有機EL素子である、請求項3に記載の表示装置。さて、有機EL素子は電流駆動素子であることから、電源配線には電流が流れ、配線抵抗に比例した電圧降下が発生する。そのため、ディスプレイに供給される電源電圧は、電圧降下を補う電圧降下マージンを上乗せして設定されている。電圧降下分を補う電圧降下マージンについても、上述の電源回路設計やバッテリ容量と同様に、ディスプレイの消費電力が一番大きくなる場合を想定して設定されることから、一般的な自然画に対して無駄な電力が消費されていることになる。モバイル機器用途を想定した小型ディスプレイでは、パネル電流が小さいので、電圧降下分を補う電圧降下マージンは発光画素で消費される電圧に比べて無視できるほど小さい。しかし、パネルの大型化に伴って電流が増加すると、電源配線で生じる電圧降下が無視できなくなる。しかしながら、上記特許文献1における従来技術においては、各発光画素における消費電力を低減することはできるが、電圧降下分を補う電圧降下マージンを低減することはできず、家庭向けの30型以上の大型表示装置における消費電力低減効果としては不十分である。本発明は上述の問題に鑑みてなされたものであり、消費電力低減効果の高い表示装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、高電位側及び低電位側の出力電位の少なくとも一方を出力する電源供給部と、複数の発光画素がマトリクス状に配置され、前記電源供給部から電源供給を受ける表示部と、前記表示部内における少なくとも一つの発光画素に一端が接続され、マトリクス状に配置された前記複数の発光画素の行方向または列方向に沿って配置された、前記発光画素に印加される高電位側の電位または低電位側の電位を伝達するための検出線と、前記検出線の他端に接続され、前記高電位側の電位と基準電位との電位差、前記低電位側の電位と基準電位との電位差、及び、前記高電位側の電位と前記低電位側の電位との電位差のうち、いずれかが所定の電位差となるように、前記電源供給部から出力される高電位側及び前記低電位側の出力電位の少なくとも一方を調整する電圧調整部とを備えることを特徴とする。本発明によれば、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。本発明に係る表示装置は、高電位側及び低電位側の出力電位の少なくとも一方を出力する電源供給部と、複数の発光画素がマトリクス状に配置され、前記電源供給部から電源供給を受ける表示部と、前記表示部内における少なくとも一つの発光画素に一端が接続され、マトリクス状に配置された前記複数の発光画素の行方向または列方向に沿って配置された、前記発光画素に印加される高電位側の電位または低電位側の電位を伝達するための検出線と、前記検出線の他端に接続され、前記高電位側の電位と基準電位との電位差、前記低電位側の電位と基準電位との電位差、及び、前記高電位側の電位と前記低電位側の電位との電位差のうち、いずれかが所定の電位差となるように、前記電源供給部から出力される高電位側及び前記低電位側の出力電位の少なくとも一方を調整する電圧調整部とを備えることを特徴とする。これにより、電源供給部から少なくとも一つの発光画素までに発生する電圧降下量に応じて、電源供給部の高電位側の出力電位及び電源供給部の低電位側の出力電位の少なくとも一方を調整することにより、消費電力を削減することができる。また、発光画素の電位を検出するための検出線が、発光画素の行方向または列方向に沿って配置されるので、複数の発光画素のマトリクス状配置に変更を加えることなく、発光画素の電位検出ができる。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記表示装置は、複数の前記検出線を備え、前記複数の検出線は、3以上の前記発光画素に印加される高電位側の電位をそれぞれ伝達するための3本以上の高電位検出線、及び、3以上の前記発光画素に印加される低電位側の電位をそれぞれ伝達するための3本以上の低電位検出線の少なくとも一方を含み、前記高電位検出線及び前記低電位検出線の少なくとも一方は、隣り合う検出線どうしの間隔が互いに同一となるよう配置されていてもよい。これにより、電源供給部の高電位側の出力電位及び電源供給部の低電位側の出力電位の少なくとも一方を、より適切に調整することが可能となり、表示部を大型化した場合であっても、消費電力を効果的に削減できる。また、検出線の間隔が等しくなるように配置されているので、表示部の配線レイアウトに周期性を持たせることができ、製造効率が向上する。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記複数の発光画素は、それぞれ、ソース電極及びドレイン電極を有する駆動素子と、第1の電極及び第2の電極を有する発光素子とを備え、前記第1の電極が前記駆動素子のソース電極及びドレイン電極の一方に接続され、前記ソース電極及びドレイン電極の他方と前記第2の電極との一方に前記高電位側の電位が印加され、前記ソース電極及びドレイン電極の他方と前記第2の電極との他方に前記低電位側の電位が印加されてもよい。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記行方向及び列方向の少なくとも一つの方向において相互に隣接する発光画素の有する前記駆動素子の前記ソース電極及びドレイン電極の他方どうしを電気的に接続する第1の電源線と、前記行方向及び列方向において相互に隣接する発光画素の有する前記発光素子の前記第2の電極どうしを電気的に接続する第2の電源線とを具備し、前記複数の発光画素は、前記第1の電源線及び前記第2の電源線を介して前記電源供給部からの電源供給を受けてもよい。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記検出線は、前記第1の電源線と同一の層に形成されていてもよい。これにより、検出線は、第1の電源線と同一の工程によって形成されるので、表示パネルの製造プロセスが複雑化されない。また、本発明に係る表示装置の一態様は、さらに、前記検出線と同一の層に形成され、前記行方向及び列方向の少なくとも一つの方向に沿って配置された、前記発光画素を制御するための制御線を複数備え、前記検出線と当該検出線に隣り合う前記制御線との間隔は、隣り合う前記制御線どうしの間隔と同一となるように配置されていてもよい。これにより、制御線は行方向、列方向、または格子状に配置されるので、例えば、列方向に配置された制御線のうち数列を検出線として転用できる。よって、検出線が接続された発光画素を配置したことで、発光画素の画素ピッチや配線幅といった規則的パターンは変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記検出線は、前記制御線と同一の工程によって形成されたものであってもよい。これにより、表示パネルの製造プロセスが複雑化されない。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記第1の電源線が形成された層と前記第2の電源線が形成された層との間には、絶縁層が形成されており、前記検出線の一端は、前記絶縁層に形成されたコンタクト部を介して前記第2の電極と接続されていてもよい。これによれば、第2の電源線の電位を検出する場合であって、第2の電源線が配置された層と同一の層に検出線を設けると発光画素の規則性が乱れ境界が視認されるような場合には、第2の電源線の電位を検出するための検出線を、第2の電源線が配置された層とは別層である第1の電源線が配置された層に配線する。つまり、上記検出線は、第1の電源線と同一の層に形成されている。なお、第2の電源線の電位の検出点と上記検出線とは、絶縁層に形成されたコンタクト部にて電気接続される。これにより、上記検出線は、第2の電源線が配置された層とは別の層に配線されるので、発光画素の規則性が乱れず、境界が視認されにくくなる。また、本発明に係る表示装置の一態様は、さらに、前記第2の電源線に電気的に接続され、前記行方向または列方向に沿って配置された補助電極線を複数備え、前記検出線は、前記補助電極線と同一の層に形成され、前記検出線と前記第1の電源線との間には絶縁層が形成されていてもよい。これによれば、補助電極線と同一の層に検出線を配置したことで、検出線用の層を別途設ける必要がなく、表示パネルの製造プロセスが複雑化されない。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記検出線は、前記第1の電極と同一の層に形成されていてもよい。これによれば、補助電極線及び第1の電極と同一の層に検出線を配置したことで、検出線用の層を別途設ける必要がなく、表示パネルの製造プロセスが複雑化されない。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記検出線と当該検出線に隣り合う前記補助電極線との間隔は、隣り合う前記補助電極線どうしの間隔と同一となるように配置されていてもよい。これにより、補助電極線は行方向または列方向に配置されるので、例えば、列方向に配置された補助電極線のうち数列を検出線として転用できる。よって、補助電極線が接続された発光画素を配置したことで、発光画素の画素ピッチや配線幅といった規則的パターンは変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記検出線は、前記補助電極線と同一の工程によって形成されたものであってもよい。これにより、検出線は、補助電極線と同一の工程によって形成されるので、表示パネルの製造プロセスが複雑化されない。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記検出線は、前記表示部内における少なくとも一つの発光画素と、前記表示部の周縁部に配置された給電部との距離が最短となるように配置されていてもよい。これにより、検出線による線欠陥が短くなり目立ちにくくなる。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記検出線は、前記発光素子、前記第1の電源線及び前記第2の電源線が形成された層と異なる所定の層に形成されており、当該所定の層において、前記検出線の配線面積は、検出線以外の電気配線の配線面積よりも大きくてもよい。これによれば、検出線を、発光素子、第1の電源線及び前記第2の電源線が形成された層と異なる所定の層に配置したことで、発光画素の画素ピッチや配線幅、あるいは、画素回路素子の面積や配線幅といった規則的パターンは変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。また、検出線レイアウトの自由度が高くなり、例えば、高電位側検出線と低電位側検出線とを同じ層に配置することも可能となる。また、本発明に係る表示装置の一態様は、前記発光素子は、有機EL素子であってもよい。これにより、消費電力が下がることにより発熱が抑えられるので、有機EL素子の劣化を抑制できる。以下、本発明の好ましい実施の形態を図に基づき説明する。なお、以下では、全ての図を通じて同一又は相当する要素には同じ符号を付して、その重複する説明を省略する。実施の形態1本実施の形態に係る表示装置は、高電位側の電位及び低電位側の電位を出力する電源供給部と、複数の発光画素がマトリクス状に配置され当該電源供給部から電源供給を受ける表示部と、当該表示部内における少なくとも一つの発光画素に一端が接続され、マトリクス状に配置された複数の発光画素の行方向または列方向に沿って配置された、発光画素に印加される高電位側の電位または低電位側の電位を伝達するための検出線と、当該検出線の他端に接続され、発光画素に印加される高電位側の電位と低電位側の電位との電位差が所定の電位差となるように、電源供給部から出力される高電位側及び低電位側の出力電位の少なくとも一方を調整する電圧調整部とを備える。これにより、本実施の形態に係る表示装置は、高い消費電力低減効果を実現する。以下、本発明の実施の形態1について、図を用いて具体的に説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す表示装置50は、有機EL表示部110と、データ線駆動回路120と、書込走査駆動回路130と、制御回路140と、信号処理回路165と、電位差検出回路170と、電圧マージン設定部175と、可変電圧源180と、モニタ用配線190とを備える。図2は、実施の形態1に係る有機EL表示部110の構成を模式的に示す斜視図である。なお、図中上方が表示面側である。同図に示すように、有機EL表示部110は、複数の発光画素111と、第1電源配線112と、第2電源配線113とを有する。発光画素111は、第1電源配線112及び第2電源配線113に接続され、当該発光画素111に流れる画素電流ipixに応じた輝度で発光する。複数の発光画素111のうち、予め定められた少なくとも一つの発光画素は、検出点M1でモニタ用配線190に接続されている。以降、モニタ用配線190に直接接続された発光画素111をモニタ用の発光画素111Mと記載する。モニタ用の発光画素111Mは、有機EL表示部110の中央付近に配置されている。なお、中央付近とは、中央とその周辺部とを含む。第1電源配線112は、網目状に形成された第1の電源線であり、可変電圧源180で出力された高電位側の電位に対応した電位が印加される。一方、第2電源配線113は、有機EL表示部110にベタ膜状に形成された第2の電源線であり、有機EL表示部110の周縁部から可変電圧源180で出力された低電位側の電位に対応した電位が印加される。図2においては、第1電源配線112及び第2電源配線113の抵抗成分を示すために、第1電源配線112及び第2電源配線113を模式的にメッシュ状に図示している。なお、第2電源配線113は、例えばグランド線であり、有機EL表示部110の周縁部で表示装置50の共通接地電位に接地されていてもよい。第1電源配線112には、水平方向の第1電源配線抵抗R1hと垂直方向の第1電源配線抵抗R1vが存在する。第2電源配線113には、水平方向の第2電源配線抵抗R2hと垂直方向の第2電源配線抵抗R2vとが存在する。なお、図示されていないが、発光画素111は、書込走査駆動回路130及びデータ線駆動回路120に接続され、発光画素111を発光及び消光するタイミングを制御するための走査線と、発光画素111の発光輝度に対応する信号電圧を供給するためのデータ線とも接続されている。図3は、モニタ用の発光画素111Mの具体的な構成の一例を示す回路図である。同図に示す発光画素111は、駆動素子と発光素子とを含み、駆動素子は、ソース電極及びドレイン電極を含み、発光素子は、第1の電極及び第2の電極を含み、当該第1の電極が前記駆動素子のソース電極及びドレイン電極の一方に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方と第2の電極との一方に高電位側の電位が印加され、ソース電極及びドレイン電極の他方と第2の電極との他方に低電位側の電位が印加される。具体的には、発光画素111は、有機EL素子121と、データ線122と、走査線123と、スイッチトランジスタ124と、駆動トランジスタ125と、保持容量126とを有する。この発光画素111は、有機EL表示部110に、例えばマトリクス状に配置されている。有機EL素子121は、本発明の発光素子であって、アノードが駆動トランジスタ125のドレインに接続され、カソードが第2電源配線113に接続され、アノードとカソードとの間に流れる電流値に応じた輝度で発光する。この有機EL素子121のカソード側の電極は、複数の発光画素111に共通して設けられた共通電極の一部を構成しており、該共通電極は、その周縁部から電位が印加されるように、可変電圧源180と電気的に接続されている。つまり、共通電極が有機EL表示部110における第2電源配線113として機能する。また、カソード側の電極は、金属酸化物からなる透明導電性材料で形成されている。なお、有機EL素子121のアノード側の電極は本発明の第1の電極であり、有機EL素子121のカソード側の電極は本発明の第2の電極である。データ線122は、データ線駆動回路120と、スイッチトランジスタ124のソース及びドレインの一方に接続され、データ線駆動回路120により映像データに対応する信号電圧が印加される。走査線123は、書込走査駆動回路130と、スイッチトランジスタ124のゲートに接続され、書込走査駆動回路130により印加される電圧に応じて、スイッチトランジスタ124をオン及びオフする。スイッチトランジスタ124は、ソース及びドレインの一方がデータ線122に接続され、ソース及びドレインの他方が駆動トランジスタ125のゲート及び保持容量126の一端に接続された、例えば、P型薄膜トランジスタTFTである。駆動トランジスタ125は、本発明の駆動素子であって、ソースが第1電源配線112に接続され、ドレインが有機EL素子121のアノードに接続され、ゲートが保持容量126の一端及びスイッチトランジスタ124のソース及びドレインの他方に接続された、例えば、P型TFTである。これにより、駆動トランジスタ125は、保持容量126に保持された電圧に応じた電流を有機EL素子121に供給する。また、モニタ用の発光画素111Mにおいて、駆動トランジスタ125のソースは、モニタ用配線190と接続されている。保持容量126は、一端がスイッチトランジスタ124のソース及びドレインの他方に接続され、他端が第1電源配線112に接続され、スイッチトランジスタ124がオフされたときの第1電源配線112の電位と駆動トランジスタ125のゲートの電位との電位差を保持する。つまり、信号電圧に対応する電圧を保持する。データ線駆動回路120は、映像データに対応する信号電圧を、データ線122を介して発光画素111に出力する。書込走査駆動回路130は、複数の走査線123に走査信号を出力することで、複数の発光画素111を順に走査する。具体的には、スイッチトランジスタ124を行単位でオン及びオフする。これにより、書込走査駆動回路130により選択されている行の複数の発光画素111に、複数のデータ線122に出力された信号電圧が印加される。よって、発光画素111が映像データに応じた輝度で発光する。制御回路140は、データ線駆動回路120及び書込走査駆動回路130のそれぞれに、駆動タイミングを指示する。信号処理回路165は、入力された映像データに対応する信号電圧をデータ線駆動回路120へ出力する。電位差検出回路170は、本実施の形態における本発明の電圧測定部であって、モニタ用の発光画素111Mについて、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を測定する。具体的には、電位差検出回路170は、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を、モニタ用配線190を介して測定する。つまり、検出点M1の電位を測定する。さらに、電位差検出回路170は、可変電圧源180の高電位側の出力電位を測定し、測定したモニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位と可変電圧源180の高電位側の出力電位との電位差ΔVを測定する。そして、測定した電位差ΔVを電圧マージン設定部175へ出力する。電圧マージン設定部175は、本実施の形態における本発明の電圧調整部であって、ピーク階調でのVELVTFT電圧と、電位差検出回路170で検出された電位差ΔVとから、モニタ用の発光画素111Mの電位を所定の電位にするように可変電圧源180を調整する。具体的には、電圧マージン設定部175は、電位差検出回路170で検出された電位差を元に、電圧マージンVdropを求める。そして、ピーク階調でのVELVTFT電圧と、電圧マージンVdropとを合計し、合計結果のVELVTFTVdropを第1基準電圧Vref1Aの電圧として可変電圧源180に出力する。可変電圧源180は、本実施の形態における本発明の電源供給部であって、高電位側の電位及び低電位側の電位を有機EL表示部110に出力する。この可変電圧源180は、電圧マージン設定部175から出力される第1基準電圧Vref1Aにより、モニタ用の発光画素111Mの高電位側の電位が所定の電位VELVTFTとなるような出力電圧Voutを出力する。モニタ用配線190は、一端がモニタ用の発光画素111Mに接続され、他端が電位差検出回路170に接続され、有機EL表示部110のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を伝達する検出線である。次に、この可変電圧源180の詳細な構成について簡単に説明する。図4は、実施の形態1に係る可変電圧源の具体的な構成の一例を示すブロック図である。なお、同図には可変電圧源に接続されている有機EL表示部110及び電圧マージン設定部175も示されている。同図に示す可変電圧源180は、比較回路181と、PWMPulseWidthModulation回路182と、ドライブ回路183と、スイッチング素子SWと、ダイオードDと、インダクタLと、コンデンサCと、出力端子184とを有し、入力電圧Vinを第1基準電圧Vref1に応じた出力電圧Voutに変換し、出力端子184から出力電圧Voutを出力する。なお、図示していないが、入力電圧Vinが入力される入力端子の前段には、AC-DC変換器が挿入され、例えば、AC100VからDC20Vへの変換が済んでいるものとする。比較回路181は、出力検出部185及び誤差増幅器186を有し、出力電圧Voutと第1基準電圧Vref1との差分に応じた電圧をPWM回路182に出力する。出力検出部185は、出力端子184と、接地電位との間に挿入された2つの抵抗R1及びR2を有し、出力電圧Voutを抵抗R1及びR2の抵抗比に応じて分圧し、分圧された出力電圧Voutを誤差増幅器186へ出力する。誤差増幅器186は、出力検出部185で分圧されたVoutと、電圧マージン設定部175から出力された第1基準電圧Vref1Aとを比較し、その比較結果に応じた電圧をPWM回路182へ出力する。具体的には、誤差増幅器186は、オペアンプ187と、抵抗R3及びR4とを有する。オペアンプ187は、反転入力端子が抵抗R3を介して出力検出部185に接続され、非反転入力端子が電圧マージン設定部175に接続され、出力端子がPWM回路182と接続されている。また、オペアンプ187の出力端子は、抵抗R4を介して反転入力端子と接続されている。これにより、誤差増幅器186は、出力検出部185から入力された電圧と電圧マージン設定部175から入力された第1基準電圧Vref1Aとの電位差に応じた電圧をPWM回路182へ出力する。言い換えると、出力電圧Voutと第1基準電圧Vref1Aとの電位差に応じた電圧をPWM回路182へ出力する。PWM回路182は、比較回路181から出力された電圧に応じてデューティの異なるパルス波形をドライブ回路183に出力する。具体的には、PWM回路182は、比較回路181から出力された電圧が大きい場合オンデューティの長いパルス波形を出力し、出力された電圧が小さい場合オンデューティの短いパルス波形を出力する。言い換えると、出力電圧Voutと第1基準電圧Vref1Aとの電位差が大きい場合オンデューティの長いパルス波形を出力し、出力電圧Voutと第1基準電圧Vref1Aとの電位差が小さい場合オンデューティの短いパルス波形を出力する。なお、パルス波形のオンの期間とは、パルス波形がアクティブの期間である。ドライブ回路183は、PWM回路182から出力されたパルス波形がアクティブの期間にスイッチング素子SWをオンし、PWM回路182から出力されたパルス波形が非アクティブの期間にスイッチング素子SWをオフする。スイッチング素子SWは、ドライブ回路183によりオン及びオフする。スイッチング素子SWがオンの間だけ、入力電圧VinがインダクタL及びコンデンサCを介して、出力端子184に出力電圧Voutとして出力される。よって、出力電圧Voutは0Vから徐々に20VVinに近づいていく。この時、インダクタL及びコンデンサCに充電がなされる。インダクタLの両端には電圧が印加されている充電されているので、その分だけ出力電圧Voutは入力電圧Vinより低い電位となる。出力電圧Voutが第1基準電圧Vref1Aに近づくにつれて、PWM回路182に入力される電圧は小さくなり、PWM回路182が出力するパルス信号のオンデューティは短くなる。するとスイッチング素子SWがオンする時間も短くなり、出力電圧Voutは緩やかに第1基準電圧Vref1Aに収束してゆく。最終的に、Vout=Vref1A付近の電位でわずかに電圧変動しながら出力電圧Voutの電位が確定する。このように、可変電圧源180は、電圧マージン設定部175から出力された第1基準電圧Vref1Aとなるような出力電圧Voutを生成し、有機EL表示部110へ供給する。次に、上述した表示装置50の動作について図5~図7を用いて説明する。図5は、本発明の表示装置100の動作を示すフローチャートである。まず、電圧マージン設定部175は、予め設定された、ピーク階調に対応するVELVTFT電圧をメモリから読み出すS10。具体的には、電圧マージン設定部175は、各色のピーク階調に対応するVTFTVELの必要電圧を示す必要電圧換算テーブルを用いて各色の階調に対応するVTFTVELを決定する。図6は、電圧マージン設定部175が参照する必要電圧換算テーブルの一例を示す図である。同図に示すように、必要電圧換算テーブルにはピーク階調255階調に対応するVTFTVELの必要電圧が格納されている。例えば、Rのピーク階調での必要電圧は11.2V、Gのピーク階調での必要電圧は12.2V、Bのピーク階調での必要電圧は8.4Vとなる。各色のピーク階調での必要電圧のうち、最大の電圧はGの12.2Vである。よって、電圧マージン設定部175は、VTFTVELを12.2Vと決定する。一方、電位差検出回路170は、検出点M1の電位を、モニタ用配線190を介して検出するステップS14。次に、電位差検出回路170は、可変電圧源180の出力端子184の電位と、検出点M1の電位との電位差ΔVを検出するステップS15。そして、検出した電位差ΔVを電圧マージン設定部175へ出力する。なお、ここまでのステップS10~S15は、本発明の電位測定処理に相当する。次に、電圧マージン設定部175は、電位差検出回路170から出力された電位差信号から、電位差検出回路170が検出した電位差ΔVに対応する電圧マージンVdropを決定するステップS16。具体的には、電圧マージン設定部175は、電位差ΔVに対応する電圧マージンVdropを示す電圧マージン換算テーブルを有する。図7は、電圧マージン設定部175が参照する電圧マージン換算テーブルの一例を示す図である。同図に示すように、電圧マージン換算テーブルには、電位差ΔVに対応する電圧マージンVdropが格納されている。例えば、電位差ΔVが3.4Vの場合、電圧マージンVdropは3.4Vである。よって、電圧マージン設定部175は、電圧マージンVdropを3.4Vと決定する。ところで、電圧マージン換算テーブルに示すように、電位差ΔVと電圧マージンVdropとは増加関数の関係となっている。また、可変電圧源180の出力電圧Voutは電圧マージンVdropが大きいほど高くなる。つまり、電位差ΔVと出力電圧Voutとは増加関数の関係となっている。次に、電圧マージン設定部175は、次のフレーム期間に可変電圧源180に出力させる出力電圧Voutを決定するステップS17。具体的には、次のフレーム期間に可変電圧源180に出力させる出力電圧Voutを、有機EL素子121と駆動トランジスタ125に必要な電圧の決定ステップS13で決定されたVTFTVELと電位差ΔVに対応する電圧マージンの決定ステップS15で決定された電圧マージンVdropとの合計値であるVTFTVELVdropとする。最後に、電圧マージン設定部175は、次のフレーム期間の最初に、第1基準電圧Vref1AをVTFTVELVdropとすることにより、可変電圧源180を調整するステップS18。これにより、次のフレーム期間において、可変電圧源180は、Vout=VTFTVELVdropとして、有機EL表示部110へ供給する。なお、ステップS16~ステップS18は、本発明の電圧調整処理に相当する。このように、本実施の形態に係る表示装置50は、高電位側の電位及び低電位側の電位を出力する可変電圧源180と、有機EL表示部110における、モニタ用の発光画素111Mについて、当該モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位、及び、可変電圧源180の高電位側の出力電圧Voutを測定する電位差検出回路170と、電位差検出回路170で測定されたモニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を所定の電位VTFTVELにするように可変電圧源180を調整する電圧マージン設定部175とを含む。また、電位差検出回路170は、さらに、可変電圧源180の高電位側の出力電圧Voutを測定し、測定した高電位側の出力電圧Voutと、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位との電位差を検出し、電圧マージン設定部175は、電位差検出回路170で検出された電位差に応じて可変電圧源を調整する。これにより、表示装置50は、水平方向の第1電源配線抵抗R1h及び垂直方向の第1電源配線抵抗R1vによる電圧降下を検出し、その電圧降下の程度を可変電圧源180にフィードバックすることで、余分な電圧を減らし、消費電力を削減することができる。また、表示装置50は、モニタ用の発光画素111Mが有機EL表示部110の中央付近に配置されていることにより、有機EL表示部110が大型化した場合にも、可変電圧源180の出力電圧Voutを簡便に調整できる。また、消費電力を削減することにより有機EL素子121の発熱が抑えられるので、有機EL素子121の劣化を防止できる。次に、上述の表示装置50において、第Nフレーム以前と第N1フレーム以降とで、入力される映像データが変わる場合の表示パターンの変遷について、図8及び図9を用いて説明する。最初に、第Nフレーム及び第N1フレームに入力されたと想定する映像データについて説明する。まず、第Nフレーム以前において、有機EL表示部110の中心部に対応する映像データは、有機EL表示部110の中心部が白く見えるようなピーク階調R:G:B=255:255:255とする。一方、有機EL表示部110の中心部以外に対応する映像データは、有機EL表示部110の中心部以外がグレーに見えるようなグレー階調R:G:B=50:50:50とする。また、第N1フレーム以降において、有機EL表示部110の中心部に対応する映像データは、第Nフレームと同様にピーク階調R:G:B=255:255:255とする。一方、有機EL表示部110の中心部以外に対応する映像データは、第Nフレームよりも明るいグレーに見えるようなグレー階調R:G:B=150:150:150とする。次に、第Nフレーム及び第N1フレームに上述のような映像データが入力された場合の、表示装置50の動作について説明する。図8は、第Nフレーム~第N2フレームにおける、実施の形態1に係る表示装置50の動作を示すタイミングチャートである。同図には、電位差検出回路170で検出された電位差ΔVと、可変電圧源180からの出力電圧Voutと、モニタ用の発光画素111Mの画素輝度とが示されている。また、各フレーム期間の最後には、ブランキング期間が設けられている。図9は、有機EL表示部に表示される画像を模式的に示す図である。時間t=T10において、信号処理回路165は第Nフレームの映像データを入力する。電圧マージン設定部175は、必要電圧換算テーブルを用いてGのピーク階調での必要電圧12.2VをVTFTVEL電圧と設定する。一方、このとき電位差検出回路170は、モニタ用配線190を介して検出点M1の電位を検出し、可変電圧源180から出力されている出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出する。例えば、時間t=T10においてΔV=1Vを検出する。そして、電圧マージン換算テーブルを用いて、第N1フレームの電圧マージンVdropを1Vと決定する。時間t=T10~T11は第Nフレームのブランキング期間であり、この期間において有機EL表示部110には、時間t=T10と同じ画像が表示される。図9aは、時間t=T10~T11において、有機EL表示部110に表示される画像を模式的に示す図である。この期間において、有機EL表示部110に表示される画像は、第Nフレームの映像データに対応して、中心部が白く、中心部以外がグレーとなっている。時間t=T11において、電圧マージン設定部175は、第1基準電圧Vref1Aの電圧を、上記VTFTVEL電圧と、電圧マージンVdropとの合計VTFTVELVdrop例えば、13.2Vとする。時間t=T11~T16にかけて、有機EL表示部110には、第N1フレームの映像データに対応する画像が順に表示されていく図9b~図9f。このとき、可変電圧源180からの出力電圧Voutは、常に、時間t=T11で第1基準電圧Vref1Aの電圧に設定したVTFTVELVdropとなっている。しかしながら、第N1フレームでは、有機EL表示部110の中心部以外に対応する映像データは、第Nフレームよりも明るいグレーに見えるようなグレー階調である。よって、可変電圧源180から有機EL表示部110に供給する電流量は、時間t=T11~T16にかけて徐々に増加し、この電流量の増加に伴い第1電源配線112の電圧降下が徐々に大きくなる。これにより、明るく表示されている領域の発光画素111である、有機EL表示部110の中心部の発光画素111の電源電圧が不足する。言い換えると、第N1フレームの映像データR:G:B=255:255:255に対応する画像よりも輝度が低下する。つまり、時間t=T11~T16にかけて、有機EL表示部110の中心部の発光画素111の発光輝度は徐々に低下する。次に、時間t=T16において、信号処理回路165は第N1フレームの映像データを入力する。電圧マージン設定部175は、必要電圧換算テーブルを用いて、Gのピーク階調での必要電圧12.2Vを、継続してVTFTVEL電圧と設定する。一方、このとき電位差検出回路170は、モニタ用配線190を介して検出点M1の電位を検出し、可変電圧源180から出力されている出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出する。例えば、時間t=T16においてΔV=3Vを検出する。そして、電圧マージン換算テーブルを用いて、第N1フレームの電圧マージンVdropを3Vと決定する。次に、時間t=T17において、電圧マージン設定部175は、第1基準電圧Vref1Aの電圧を、上記VTFTVEL電圧と、電圧マージンVdropとの合計VTFTVELVdrop例えば、15.2Vとする。よって、時間t=T17以降、検出点M1の電位は、所定の電位であるVTFTVELとなる。このように、表示装置50は、第N1フレームにおいて、一時的に輝度が低下するが、非常に短い期間であり、ユーザにとってほとんど影響はない。次に、本発明の特徴である、有機EL表示部110におけるモニタ用配線190の配線レイアウトについて説明する。まず、モニタ用配線が配置されていない従来の表示装置における各配線の配線レイアウトを示す。図10は、従来の表示装置における有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図には、有機EL表示部の上面から見た透視図が描かれている。マトリクス状に配置された複数の発光画素111の間に、データ線122が画素列ごとに配置され、走査線123が画素行ごとに配置され、第1電源配線112及び基準電位線が画素列ごとに、かつ、画素行ごとに配置されている。なお、図3に記載された発光画素の回路図では、基準電位線が配置されていないが、保持容量126の電極等に基準電位を与えるための基準電位線が別途配置される場合がある。ここでは、基準電位線に代表される制御線が画素回路として配置されているものとして説明する。第1電源配線112は、図2の模式図では、同一平面上において格子状に配置されているが、図10の配線レイアウト図では、第1層には第1メタルとして行方向に配置され、第1層とは別層の第2層には第2メタルとして列方向に配置されている。第1電源配線112の行方向配線と列方向配線とは層間の絶縁膜を貫通するコンタクトプラグで電気接続されている。基準電位線も、第1電源配線112と同じく、行方向配線と列方向配線とが別層で配置されており、両配線はコンタクトプラグにて電気接続されている。第1電源配線112及び基準電位線は、上記2層構造の配置により、図2に記載された格子状の配置を実現している。図11は、モニタ用配線を挿入した有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図の配線レイアウトに描かれているように、モニタ用の発光画素111Mの高電位側の電位を検出するため、検出点M1から、図面下方向にモニタ用配線が新たに配置されている。このため、モニタ用配線を設けた箇所ではスペースの都合上、画素回路モニタ用の発光画素111M及びその隣接する図面下方向の発光画素が他の部分と比較して不規則な形状を取らざるを得なくなる。これにより、画素容量が標準条件より少なくなる、トランジスタのサイズが小さくなる、寄生容量が増加する、などの悪影響が考えられる。そのため、モニタ用配線に沿って有機EL表示部に暗線あるいは明線が生じる不具合が出ることが予想される。特に、モニタ用配線が画素配列に沿わない場合、例えば、画素が行列に配置されているのに対して、モニタ用配線が斜めに配線されているなどの場合には、画素配列の周期性が大きく乱れるので、表示上の不具合がより強調されてしまう。上述したモニタ用配線による表示上の不具合の具体的原因としては、1平面構造が変わる、2光学距離が変わる膜厚等が変わる、3画素回路の電気的特性が変わる、ことにより輝度がずれることが考えられる。本発明の表示装置は、上記具体的原因を克服してモニタ用配線を配置している。以下、本発明の表示装置におけるモニタ用配線の配線レイアウトについて説明する。図12は、本発明の実施の形態1に係る有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図に描かれた配線レイアウトでは、列方向に配置された基準電位線の一部を領域A1で切り取って、モニタ用配線10Aに転用している。この切り離し点である領域A1から図面上側は、基準電位線として使用され、図面下側はモニタ用配線10Aとして使用される。モニタ用配線10Aは、領域A1で、隣接する第1電源配線112と接続される。さらに、モニタ用配線10Aは、検出対象の第1電源配線112以外とは切り離されていなければならないので、他の基準電位線とショートしないように、領域B1及び領域C1におけるコンタクトが除去されている。つまり、モニタ用配線10Aは、第1電源配線112と同一の層に形成され、モニタ用配線10Aと隣接する基準電位線との間隔は、隣り合う基準電位線どうしの間隔と同一となるように配置される。この配置構成により、領域A1における第1電源配線112の電位が測定され、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位が電位差検出回路170に伝達される。また、基準電位線は上述した2層構造により格子状に二次元配置されているので、例えば、列方向に配置された基準電位線のうち数列をモニタ用配線として転用しても、モニタ用の発光画素には行方向に配置された基準電位線を介して基準電位が供給される。よって、基準電位線を一部モニタ用配線10Aとして転用したことによる表示品質への影響は小さい。この配線レイアウトによれば、モニタ用の発光画素を配置したことで、発光画素の画素ピッチや配線幅といった規則的パターンは変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。また、モニタ用配線10Aは、基準電位線と同一の工程によって形成されたものであり、上記規則的パターンが維持されるので、表示パネルの製造プロセスも複雑化されない。また、設計上は既存の配線からの転用なので、新規にモニタ用配線を配置する必要が無く、設計変更が簡略化及び簡素化できる。図13は、本発明の実施の形態1の第1の変形例を示す有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図に記載された本発明の配線レイアウトは、ほぼ全ての画素回路に存在する電源配線の一部をモニタ用配線10Bとして転用するものである。マトリクス状に配置された複数の発光画素111の間に、データ線122が画素列ごとに配置され、走査線123が画素行ごとび配置され、第1電源配線112が画素列ごとに、かつ、画素行ごとに配置されている。図13の配線レイアウトのように、二次元配線の行方向と列方向とで第1電源配線112の配線層が異なる場合は、転用したモニタ用配線10Bにおいて、行方向と列方向との配線同士がショートしないように領域B2及び領域C2にてコンタクトを除去すればよい。つまり、モニタ用配線10Bは、第1電源配線112と同一の層に形成されている。この配線レイアウトによれば、第1電源配線112の明確な切り離し点は存在しない。この配置構成により、領域A2における第1電源配線112の電位が測定され、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位が電位差検出回路170に伝達される。この配線レイアウトによれば、モニタ用の発光画素を配置したことで、発光画素の画素ピッチや配線幅といった規則的パターンは変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。また、モニタ用配線10Bは、第1電源配線112と同一の工程によって形成されたものであり、上記規則的パターンが維持されることで、表示パネルの製造プロセスも複雑化されない。また、設計上は既存の配線からの転用なので、新規にモニタ線を配置する必要が無く、設計変更が簡略化及び簡素化できる。また、電源線は、ほぼ全ての画素回路に存在するので、回路構成に依存せずに上記配線レイアウトを実現することができる。図14は、本発明の実施の形態1の第2の変形例を示す有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図に記載された本発明の配線レイアウトは、モニタ用の発光画素に印加される低電位側の電位を検出するものであり、単層内に二次元配置された低電位側の電源配線の一部をモニタ用配線10Cとして転用するものである。マトリクス状に配置された複数の発光画素111R画素、G画素、B画素の間に、補助電極線が格子状に配置されている。補助電極線は、第2電源配線113に電気的に接続されている。ここでは、第2電源配線113は、ベタ膜形成された透明電極陰極である。補助電極線は、ITO等に代表される、電極材料としては抵抗率の高い材料からなる第2電源配線113の電位を補強する機能を有する。また、図14に示された断面図のように、本変形例に係る有機EL表示部は、駆動トランジスタ、スイッチトランジスタ及び保持容量などで構成される駆動回路層と、有機EL素子を構成する発光層との積層構造となっており、陰極である透明電極側へ向けて出射される、いわゆるトップエミッション型構造を例示している。駆動回路層と発光層とは、絶縁層である平坦化膜を介して積層されており、当該絶縁層内に形成されたコンタクトプラグにより電気接続されている。また、第1電源配線112は、駆動回路層内に形成されている。上記構造において、二次元配線の行方向と列方向とで配線層が同層である配線をモニタ用配線10Cとして転用する場合は、例えば、検出点より図面上側の補助電極線と、検出点より図面下側とは領域A3にて切り離しておく。また、モニタ用配線10Cとして転用した部分と本来の補助電極線とがショートしないように、領域B3及び領域C3にて、行方向あるいは列方向の接続箇所を切断された状態にしておく。つまり、モニタ用配線10Cは、補助電極線と同一の層に形成され、モニタ用配線10Cとモニタ用配線10Cに隣り合う補助電極線との間隔は、隣り合う補助電極線どうしの間隔と同一となるように配置されている。また、図示していないが、第1の電極である陽極とモニタ用配線10Cとの間には絶縁層である平坦化膜が形成されており、モニタ用配線10Cは、当該陽極と同一の層に形成されている。この配置構成により、領域A3における第2電源配線113の電位が測定され、モニタ用の発光画素111Mに印加される低電位側の電位が電位差検出回路170に伝達される。この配線レイアウトによれば、モニタ用の発光画素を配置したことで、発光画素の画素ピッチや配線幅といった規則的パターンは変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。また、モニタ用配線10Cは、補助電極線と同一の工程によって形成されたものであり、上記規則的パターンが維持されることで、表示パネルの製造プロセスも複雑化されない。また、設計上は既存の配線からの転用なので、新規にモニタ線を配置する必要が無く、設計変更が簡略化及び簡素化できる。なお、透明電極が全面に共通で配置されている場合は、補助電極線は一次元配線であっても、本配線レイアウトを適用することが可能である。これは、透明電極が、補助電極線が配線されていない方向においても、電源を供給する役割を果たすことによるものである。図15は、本発明の実施の形態1の第3の変形例を示す有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図に記載された本発明の配線レイアウトは、モニタ用の発光画素に印加される高電位側の電位を検出するものであり、駆動回路層に配置された電源配線に接続されたモニタ用配線10Dを、同じ駆動回路層に配置するものである。図15に示された断面図のように、本変形例に係る有機EL表示部は、駆動トランジスタ、スイッチトランジスタ及び保持容量などで構成される駆動回路層と、有機EL素子を構成する発光層との積層構造となっており、陰極である透明電極側へ向けて出射される、いわゆるトップエミッション型構造を例示している。駆動回路層と発光層とは、絶縁層である平坦化膜を介して積層されており、当該絶縁層内に形成されたコンタクトプラグにより電気接続されている。また、第1電源配線112は、駆動回路層内に形成されている。上記構造において、第1電源配線112とモニタ用配線10Dとを同じ駆動回路層に配置する。モニタ用配線10Dは、駆動回路層内において、第1電源配線112と検出点M1にて接続される。このとき、モニタ用配線10Dと第1電源配線112とは同層であり、膜厚もほぼ同じである。そうすると、その上の反射電極である陽極の平坦度、または、対向基板からの距離は、モニタ用配線10D上の画素と第1電源配線112上の画素とでほぼ変わらないことになる。つまり、対向基板面からの反射電極の距離は、全発光画素にわたりほぼ同等とみなせるので、光路長の違いによる発光波長のズレが発生しにくく、モニタ用配線10Dを配置したことによる境界は視認されにくい。この配置構成により、検出点M1における第1電源配線112の電位が測定され、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位が電位差検出回路170に伝達される。この配線レイアウトによれば、モニタ用の発光画素を配置したことで、発光画素の光学距離に影響は変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。図16は、本発明の実施の形態1の第4の変形例を示す有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図に記載された本発明の配線レイアウトは、モニタ用の発光画素に印加される低電位側の電位を検出するものであり、第2電源配線113である透明電極に接続されたモニタ用配線10Eを、第2電源配線113とは別層の駆動回路層に配置するものである。マトリクス状に配置された複数の発光画素111R画素、G画素、B画素が配置されている。第2電源配線113は、ベタ膜形成された透明陰極である。また、図16に示された断面図のように、本変形例に係る有機EL表示部は、駆動トランジスタ、スイッチトランジスタ及び保持容量などで構成される駆動回路層と、有機EL素子を構成する発光層との積層構造となっており、陰極である透明電極側へ向けて出射される、いわゆるトップエミッション型構造を例示している。駆動回路層と発光層とは、絶縁層である平坦化膜を介して積層されており、当該絶縁層内に形成されたコンタクトプラグにより電気接続されている。また、第1電源配線112は、駆動回路層内に形成されている。上記構造において、透明電極側に図14に示されたような補助電極線が設置されていない場合つまり、透明電極だけの場合、発光層にモニタ用配線を引くと明らかに規則性が乱れ境界が視認される。よって、本変形例に係る配線レイアウトでは、低電位側透明電極側の電位を検出するためのモニタ用配線10Eを、発光層より下層である駆動回路層において配線する。つまり、モニタ用配線10Eは、第1電源配線112と同一の層に形成されている。なお、発光層の検出点とモニタ用配線10Eとはコンタクトプラグにて電気接続される。この場合、モニタ用の発光画素111Mの第1の電極である陽極の一部を切り取って、透明電極陰極と反射電極陽極とを直接コンタクトさせる。そして、コンタクトさせた反射電極陽極の一部を、平坦化膜内に設けられたコンタクトプラグを介して駆動回路層に配置されたモニタ用配線10Eと接続する。つまり、モニタ用配線10Eの一端は、コンタクトプラグ及び反射電極を介して透明電極陰極と接続されている。そうすると、モニタ用配線10Eは、反射電極の下層に配線されるので、直接モニタ用配線10Eが眼に触れることは無いので、透明電極上に直接モニタ用配線を配置する場合に比べると、より境界が目立たなくなる。図17は、本発明の実施の形態1の第5の変形例を示す有機EL表示部の配線レイアウト図である。同図に記載された本発明の配線レイアウトは、モニタ用の発光画素に印加される高電位側の電位を検出するものであり、画素回路素子が配置された配線層とは別層において、第1電源配線112に接続されたモニタ用配線10Eを配置するものである。図17に示された断面図のように、本変形例に係る有機EL表示部は、駆動トランジスタ、スイッチトランジスタ及び保持容量などで構成される駆動回路層と、有機EL素子を構成する発光層との積層構造となっており、陰極である透明電極側へ向けて出射される、いわゆるトップエミッション型構造を例示している。また、駆動回路層と発光層との間には、モニタ用配線10Fが配置された検出線層が形成されている。駆動回路層と検出線層とは、絶縁層である平坦化膜Aを介して積層されており、検出線層と発光層とは、絶縁層である平坦化膜Bを介して積層されており、当該平坦化膜内に形成されたコンタクトプラグにより電気接続されている。また、第1電源配線112は、駆動回路層内に形成されている。つまり、モニタ用配線10Fは、透明電極と反射電極とを含む発光層及び第1電源配線112が形成された層と異なる検出線層に形成されており、当該検出線層において、モニタ用配線10Fの配線面積は、モニタ用配線10F以外の電気配線の配線面積よりも大きい。上記構造において、モニタ用配線10Fは、コンタクトプラグを介して、第1電源配線112と検出点にて接続される。このとき、モニタ用配線10Fと第1電源配線112とは別層に形成されている。このように、検出線専用の層を増やすことで、任意の場所の電位を検出することが可能となる。これにより、モニタ用配線の配線レイアウトの自由度が高くなり、例えば、高電位側モニタ配線と低電位側モニタ配線とを同じ層に配置することも可能となる。また、回路素子が配置されている駆動回路層に検出線を追加すると、モニタ配線の面積分だけ画素容量が小さくなったり、配線幅が細くなったりするため、電圧降下量の増加などを引き起こし易くなり表示品質が多少低下する。これは、検出線を増やすほど顕著になる。これに対し、本変形例のように検出線専用の層を備えることで、駆動回路層内に配置された画素回路には全く影響を与えずに検出線を配置することが可能となる。この配線レイアウトによれば、モニタ用配線10Fを発光層及び駆動回路層と別層に配置したことで、発光画素の画素ピッチや配線幅、あるいは、画素回路素子の面積や配線幅といった規則的パターンは変わらないので、表示上の違和感がなくなり境界が視認されにくい。上述した実施の形態1及びその第1~第5の変形例に係る表示装置の配線レイアウトによれば、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。なお、モニタ用配線を配置することにより、発光画素の境界部が線欠陥となって視認され得る場合であっても、有機EL表示部上においてモニタ用配線の配線長を最短にすることが望ましい。図18は、有機EL表示部におけるモニタ用配線の配線方向を比較する図である。検出点を、左図に示すように、縦方向にモニタ用配線を配置すると検出線が長くなり、その分線欠陥も目立ちやすくなる場合がある。そこで、右図のように、横方向にモニタ用配線を配置すれば線欠陥が短くなり目立ちにくくなる。つまり、線欠陥を目立ちにくくするため、検出点から周辺の給電部に対して最短距離となる様に、行方向または列方向に沿って画素配列に沿って、モニタ用配線を配置することが好ましい。実施の形態2本実施の形態に係る表示装置は、実施の形態1に係る表示装置と比較して、可変電圧源へ入力される基準電圧が、電位差検出回路で検出された電位差ΔVの変化に依存して変化するだけでなく、入力された映像データからフレームごと検出されたピーク信号にも依存して変化する点が異なる。以下、実施の形態1と同じ点は説明を省略し、実施の形態1と異なる点を中心に説明する。また、実施の形態1と重複する図面については、実施の形態1に適用された図面を用いる。以下、本発明の実施の形態2について、図を用いて具体的に説明する。図19は、本発明の実施の形態2に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す表示装置100は、有機EL表示部110と、データ線駆動回路120と、書込走査駆動回路130と、制御回路140と、ピーク信号検出回路150と、信号処理回路160と、電位差検出回路170と、可変電圧源180と、モニタ用配線190とを備える。有機EL表示部110については、実施の形態1の図2及び図3に記載された構成と同様である。ピーク信号検出回路150は、表示装置100に入力された映像データのピーク値を検出し、検出したピーク値を示すピーク信号を信号処理回路160へ出力する。具体的には、ピーク信号検出回路150は、映像データの中から最も高階調のデータをピーク値として検出する。高階調のデータとは、有機EL表示部110で明るく表示される画像に対応する。信号処理回路160は、本実施の形態における本発明の電圧調整部であって、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク信号と、電位差検出回路170で検出された電位差ΔVとから、モニタ用の発光画素111Mの電位を所定の電位にするように可変電圧源180を調整する。具体的には、信号処理回路160は、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク信号で発光画素111を発光させた場合に、有機EL素子121と駆動トランジスタ125とに必要な電圧を決定する。また、信号処理回路160は、電位差検出回路170で検出された電位差を元に、電圧マージンを求める。そして、決定した、有機EL素子121に必要な電圧VELと、駆動トランジスタ125に必要な電圧VTFTと、電圧マージンVdropとを合計し、合計結果のVELVTFTVdropを第1基準電圧Vref1の電圧として可変電圧源180に出力する。また、信号処理回路160は、ピーク信号検出回路150を介して入力された映像データに対応する信号電圧をデータ線駆動回路120へ出力する。電位差検出回路170は、本実施の形態における本発明の電圧測定部であって、モニタ用の発光画素111Mについて、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を測定する。具体的には、電位差検出回路170は、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を、モニタ用配線190を介して測定する。つまり、検出点M1の電位を測定する。さらに、電位差検出回路170は、可変電圧源180の高電位側の出力電位を測定し、測定したモニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位と可変電圧源180の高電位側の出力電位との電位差ΔVを測定する。そして、測定した電位差ΔVを信号処理回路160へ出力する。可変電圧源180は、本実施の形態における本発明の電源供給部であって、高電位側の電位及び低電位側の電位を有機EL表示部110に出力する。この可変電圧源180は、信号処理回路160から出力される第1基準電圧Vref1により、モニタ用の発光画素111Mの高電位側の電位が所定の電位VELVTFTとなるような出力電圧Voutを出力する。モニタ用配線190は、一端がモニタ用の発光画素111Mに接続され、他端が電位差検出回路170に接続され、有機EL表示部110のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を伝達する検出線である。次に、この可変電圧源180の詳細な構成について簡単に説明する。図20は、実施の形態2に係る可変電圧源の具体的な構成の一例を示すブロック図である。なお、同図には可変電圧源に接続されている有機EL表示部110及び信号処理回路160も示されている。同図に示す可変電圧源180は、実施の形態1で説明した可変電圧源180と同様である。誤差増幅器186は、出力検出部185で分圧されたVoutと、信号処理回路160から出力された第1基準電圧Vref1とを比較し、その比較結果に応じた電圧をPWM回路182へ出力する。具体的には、誤差増幅器186は、オペアンプ187と、抵抗R3及びR4とを有する。オペアンプ187は、反転入力端子が抵抗R3を介して出力検出部185に接続され、非反転入力端子が信号処理回路160に接続され、出力端子がPWM回路182と接続されている。また、オペアンプ187の出力端子は、抵抗R4を介して反転入力端子と接続されている。これにより、誤差増幅器186は、出力検出部185から入力された電圧と信号処理回路160から入力された第1基準電圧Vref1との電位差に応じた電圧をPWM回路182へ出力する。言い換えると、出力電圧Voutと第1基準電圧Vref1との電位差に応じた電圧をPWM回路182へ出力する。PWM回路182は、比較回路181から出力された電圧に応じてデューティの異なるパルス波形をドライブ回路183に出力する。具体的には、PWM回路182は、比較回路181から出力された電圧が大きい場合オンデューティの長いパルス波形を出力し、出力された電圧が小さい場合オンデューティの短いパルス波形を出力する。言い換えると、出力電圧Voutと第1基準電圧Vref1との電位差が大きい場合オンデューティの長いパルス波形を出力し、出力電圧Voutと第1基準電圧Vref1との電位差が小さい場合オンデューティの短いパルス波形を出力する。なお、パルス波形のオンの期間とは、パルス波形がアクティブの期間である。出力電圧Voutが第1基準電圧Vref1に近づくにつれて、PWM回路182に入力される電圧は小さくなり、PWM回路182が出力するパルス信号のオンデューティは短くなる。するとスイッチング素子SWがオンする時間も短くなり、出力電圧Voutは緩やかに第1基準電圧Vref1に収束してゆく。最終的に、Vout=Vref1付近の電位でわずかに電圧変動しながら出力電圧Voutの電位が確定する。このように、可変電圧源180は、信号処理回路160から出力された第1基準電圧Vref1となるような出力電圧Voutを生成し、有機EL表示部110へ供給する。次に、上述した表示装置100の動作について図21、図22及び図7を用いて説明する。図21は、本発明の表示装置100の動作を示すフローチャートである。まず、ピーク信号検出回路150は、表示装置100に入力された1フレーム期間の映像データを取得するステップS11。例えば、ピーク信号検出回路150は、バッファを有し、そのバッファに1フレーム期間の映像データを蓄積する。次に、ピーク信号検出回路150は、取得した映像データのピーク値を検出ステップS12し、検出したピーク値を示すピーク信号を信号処理回路160へ出力する。具体的には、ピーク信号検出回路150は、色ごとに映像データのピーク値を検出する。例えば、映像データが赤R、緑G、青Bのそれぞれについて0~255大きいほど輝度が高いまでの256階調で表されているとする。ここで、有機EL表示部110の一部の映像データがR:G:B=177:124:135、有機EL表示部110の他の一部の映像データがR:G:B=24:177:50、さらに他の一部の映像データがR:G:B=10:70:176の場合、ピーク信号検出回路150はRのピーク値として177、Gのピーク値として177、Bのピーク値として176を検出し、検出した各色のピーク値を示すピーク信号を信号処理回路160へ出力する。次に、信号処理回路160は、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク値で有機EL素子121を発光させた場合の駆動トランジスタ125に必要な電圧VTFTと、有機EL素子121に必要な電圧VELとを決定するステップS13。具体的には、信号処理回路160は、各色の階調に対応するVTFTVELの必要電圧を示す必要電圧換算テーブルを用いて各色の階調に対応するVTFTVELを決定する。図22は、信号処理回路160が有する必要電圧換算テーブルの一例を示す図である。同図に示すように、必要電圧換算テーブルには各色の階調に対応するVTFTVELの必要電圧が格納されている。例えば、Rのピーク値177に対応する必要電圧は8.5V、Gのピーク値177に対応する必要電圧は9.9V、Bのピーク値176に対応する必要電圧は6.7Vとなる。各色のピーク値に対応する必要電圧のうち、最大の電圧はGのピーク値に対応する9.9Vである。よって、信号処理回路160は、VTFTVELを9.9Vと決定する。一方、電位差検出回路170は、検出点M1の電位を、モニタ用配線190を介して検出するステップS14。次に、電位差検出回路170は、可変電圧源180の出力端子184の電位と、検出点M1の電位との電位差ΔVを検出するステップS15。そして、検出した電位差ΔVを信号処理回路160へ出力する。なお、ここまでのステップS11~S15は、本発明の電位測定処理に相当する。次に、信号処理回路160は、電位差検出回路170から出力された電位差信号から、電位差検出回路170が検出した電位差ΔVに対応する電圧マージンVdropを決定するステップS16。具体的には、信号処理回路160は、電位差ΔVに対応する電圧マージンVdropを示す電圧マージン換算テーブルを有する。図7に示すように、電圧マージン換算テーブルには、電位差ΔVに対応する電圧マージンVdropが格納されている。例えば、電位差ΔVが3.4Vの場合、電圧マージンVdropは3.4Vである。よって、信号処理回路160は、電圧マージンVdropを3.4Vと決定する。ところで、電圧マージン換算テーブルに示すように、電位差ΔVと電圧マージンVdropとは増加関数の関係となっている。また、可変電圧源180の出力電圧Voutは電圧マージンVdropが大きいほど高くなる。つまり、電位差ΔVと出力電圧Voutとは増加関数の関係となっている。次に、信号処理回路160は、次のフレーム期間に可変電圧源180に出力させる出力電圧Voutを決定するステップS17。具体的には、次のフレーム期間に可変電圧源180に出力させる出力電圧Voutを、有機EL素子121と駆動トランジスタ125に必要な電圧の決定ステップS13で決定されたVTFTVELと電位差ΔVに対応する電圧マージンの決定ステップS15で決定された電圧マージンVdropとの合計値であるVTFTVELVdropとする。最後に、信号処理回路160は、次のフレーム期間の最初に、第1基準電圧Vref1をVTFTVELVdropとすることにより、可変電圧源180を調整するステップS18。これにより、次のフレーム期間において、可変電圧源180は、Vout=VTFTVELVdropとして、有機EL表示部110へ供給する。なお、ステップS16~ステップS18は、本発明の電圧調整処理に相当する。このように、本実施の形態に係る表示装置100は、高電位側の電位及び低電位側の電位を出力する可変電圧源180と、有機EL表示部110における、モニタ用の発光画素111Mについて、当該モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位、及び、可変電圧源180の高電位側の出力電圧Voutを測定する電位差検出回路170と、電位差検出回路170で測定されたモニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を所定の電位VTFTVELにするように可変電圧源180を調整する信号処理回路160とを含む。また、電位差検出回路170は、さらに、可変電圧源180の高電位側の出力電圧Voutを測定し、測定した高電位側の出力電圧Voutと、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位との電位差を検出し、信号処理回路160は、電位差検出回路170で検出された電位差に応じて可変電圧源を調整する。これにより、表示装置100は、水平方向の第1電源配線抵抗R1h及び垂直方向の第1電源配線抵抗R1vによる電圧降下を検出し、その電圧降下の程度を可変電圧源180にフィードバックすることで、余分な電圧を減らし、消費電力を削減することができる。また、表示装置100は、モニタ用の発光画素111Mが有機EL表示部110の中央付近に配置されていることにより、有機EL表示部110が大型化した場合にも、可変電圧源180の出力電圧Voutを簡便に調整できる。また、消費電力を削減することにより有機EL素子121の発熱が抑えられるので、有機EL素子121の劣化を防止できる。次に、上述の表示装置100において、第Nフレーム以前と第N1フレーム以降とで、入力される映像データが変わる場合の表示パターンの変遷について、図8及び図9を用いて説明する。最初に、第Nフレーム及び第N1フレームに入力されたと想定する映像データについて説明する。まず、第Nフレーム以前において、有機EL表示部110の中心部に対応する映像データは、有機EL表示部110の中心部が白く見えるようなピーク階調R:G:B=255:255:255とする。一方、有機EL表示部110の中心部以外に対応する映像データは、有機EL表示部110の中心部以外がグレーに見えるようなグレー階調R:G:B=50:50:50とする。また、第N1フレーム以降において、有機EL表示部110の中心部に対応する映像データは、第Nフレームと同様にピーク階調R:G:B=255:255:255とする。一方、有機EL表示部110の中心部以外に対応する映像データは、第Nフレームよりも明るいグレーに見えるようなグレー階調R:G:B=150:150:150とする。次に、第Nフレーム及び第N1フレームに上述のような映像データが入力された場合の、表示装置100の動作について説明する。図8には、電位差検出回路170で検出された電位差ΔVと、可変電圧源180からの出力電圧Voutと、モニタ用の発光画素111Mの画素輝度とが示されている。また、各フレーム期間の最後には、ブランキング期間が設けられている。時間t=T10において、ピーク信号検出回路150は第Nフレームの映像データのピーク値を検出する。信号処理回路160は、ピーク信号検出回路150で検出されたピーク値からVTFTVELを決定する。ここで、第Nフレームの映像データのピーク値はR:G:B=255:255:255であるので、信号処理回路160は、必要電圧換算テーブルを用いて第N1フレームの必要電圧VTFTVELを、例えば12.2Vと決定する。一方、このとき電位差検出回路170は、モニタ用配線190を介して検出点M1の電位を検出し、可変電圧源180から出力されている出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出する。例えば、時間t=T10においてΔV=1Vを検出する。そして、電圧マージン換算テーブルを用いて、第N1フレームの電圧マージンVdropを1Vと決定する。時間t=T10~T11は第Nフレームのブランキング期間であり、この期間において有機EL表示部110には、時間t=T10と同じ画像が表示される。図9aは、時間t=T10~T11において、有機EL表示部110に表示される画像を模式的に示す図である。この期間において、有機EL表示部110に表示される画像は、第Nフレームの映像データに対応して、中心部が白く、中心部以外がグレーとなっている。時間t=T11において、信号処理回路160は、第1基準電圧Vref1の電圧を、決定した必要電圧VTFTVELと、電圧マージンVdropとの合計VTFTVELVdrop例えば、13.2Vとする。時間t=T11~T16にかけて、有機EL表示部110には、第N1フレームの映像データに対応する画像が順に表示されていく図9b~図9f。このとき、可変電圧源180からの出力電圧Voutは、常に、時間t=T11で第1基準電圧Vref1の電圧に設定したVTFTVELVdropとなっている。しかしながら、第N1フレームでは、有機EL表示部110の中心部以外に対応する映像データは、第Nフレームよりも明るいグレーに見えるようなグレー階調である。よって、可変電圧源180から有機EL表示部110に供給する電流量は、時間t=T11~T16にかけて徐々に増加し、この電流量の増加に伴い第1電源配線112の電圧降下が徐々に大きくなる。これにより、明るく表示されている領域の発光画素111である、有機EL表示部110の中心部の発光画素111の電源電圧が不足する。言い換えると、第N1フレームの映像データR:G:B=255:255:255に対応する画像よりも輝度が低下する。つまり、時間t=T11~T16にかけて、有機EL表示部110の中心部の発光画素111の発光輝度は徐々に低下する。次に、時間t=T16において、ピーク信号検出回路150は第N1フレームの映像データのピーク値を検出する。ここで検出される第N1フレームの映像データのピーク値はR:G:B=255:255:255であるので、信号処理回路160は第N2フレームの必要電圧VTFTVELを、例えば12.2Vと決定する。一方、このとき電位差検出回路170は、モニタ用配線190を介して検出点M1の電位を検出し、可変電圧源180から出力されている出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出する。例えば、時間t=T16においてΔV=3Vを検出する。そして、電圧マージン換算テーブルを用いて、第N1フレームの電圧マージンVdropを3Vと決定する。次に、時間t=T17において、信号処理回路160は、第1基準電圧Vref1の電圧を、決定した必要電圧VTFTVELと、電圧マージンVdropとの合計VTFTVELVdrop例えば、15.2Vとする。よって、時間t=T17以降、検出点M1の電位は、所定の電位であるVTFTVELとなる。このように、表示装置100は、第N1フレームにおいて、一時的に輝度が低下するが、非常に短い期間であり、ユーザにとってほとんど影響はない。また、本実施の形態においても、有機EL表示部110におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。実施の形態3本実施の形態に係る表示装置は、実施の形態2に係る表示装置100と比較して、電位差検出回路170を備えず、検出点M1の電位が可変電圧源に入力される点が異なる。また、信号処理回路は、可変電圧源に出力する電圧を必要電圧VTFTVELとする点が異なる。これにより、本実施の形態に係る表示装置は、電圧降下量に応じてリアルタイムに可変電圧源の出力電圧Voutを調整できるので、実施の形態1と比較して、画素輝度の一時的な低下を防止できる。図23は、本発明の実施の形態3に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す本実施の形態に係る表示装置200は、図19に示した実施の形態2に係る表示装置100と比較して、電位差検出回路170を備えず、モニタ用配線190に代わりモニタ用配線290を備え、信号処理回路160に代わり信号処理回路260を備え、可変電圧源180に代わり可変電圧源280を備える点が異なる。信号処理回路260は、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク信号から、可変電圧源280に出力する第2基準電圧Vref2の電圧を決定する。具体的には、信号処理回路260は、必要電圧換算テーブルを用いて、有機EL素子121に必要な電圧VELと駆動トランジスタ125に必要な電圧VTFTとの合計VTFTVELを決定する。そして、決定したVTFTVELを第2基準電圧Vref2の電圧とする。このように、本実施の形態に係る表示装置200の信号処理回路260が可変電圧源280に出力する第2基準電圧Vref2は、実施の形態2に係る表示装置100の信号処理回路160が可変電圧源180に出力する第1基準電圧Vref1と異なり、映像データのみに対応して決定される電圧である。つまり、第2基準電圧Vref2は、可変電圧源280の出力電圧Voutと検出点M1の電位との電位差ΔVに依存しない。可変電圧源280は、モニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を、モニタ用配線290を介して測定する。つまり、検出点M1の電位を測定する。そして、測定した検出点M1の電位と、信号処理回路260から出力された第2基準電圧Vref2とに応じて、出力電圧Voutを調整する。モニタ用配線290は、一端が検出点M1に接続され、他端が可変電圧源280に接続され、検出点M1の電位を可変電圧源280に伝達する。図24は、実施の形態3に係る可変電圧源280の具体的な構成の一例を示すブロック図である。なお、同図には可変電圧源に接続されている有機EL表示部110及び信号処理回路260も示されている。同図に示す可変電圧源280は、図20に示した可変電圧源180の構成とほぼ同じであるが、比較回路181に代わり、検出点M1の電位と第2基準電圧Vref2とを比較する比較回路281を備える点が異なる。ここで、可変電圧源280の出力電位をVoutとし、可変電圧源280の出力端子184から検出点M1までの電圧降下量をΔVとすると、検出点M1の電位はVout-ΔVとなる。つまり、本実施の形態において、比較回路281はVref2とVout-ΔVとを比較している。上述したように、Vref2=VTFTVELなので、比較回路281はVTFTVELとVout-ΔVとを比較していると言える。一方、実施の形態2において、比較回路181はVref1とVoutとを比較している。上述したように、Vref1=VTFTVELΔVなので、実施の形態2において、比較回路181はVTFTVELΔVとVoutとを比較していると言える。よって、比較回路281は、比較回路181と比較対象が異なるが、比較結果は同じである。つまり、実施の形態2と実施の形態3とで、可変電圧源280の出力端子184から検出点M1までの電圧降下量が等しい場合、比較回路181がPWM回路に出力する電圧と、比較回路281がPWM回路に出力する電圧とは同じである。その結果、可変電圧源180の出力電圧Voutと可変電圧源280の出力電圧Voutとは等しくなる。また、実施の形態3においても、電位差ΔVと出力電圧Voutとは増加関数の関係となっている。以上のように構成された表示装置200は、実施の形態2に係る表示装置100と比較して、出力端子184と検出点M1との電位差ΔVに応じて出力電圧Voutをリアルタイムに調整できる。なぜならば、実施の形態2に係る表示装置100においては、信号処理回路160から各フレーム期間の最初にだけ、当該フレームにおける第1基準電圧Vref1の変更がされていた。一方、本実施の形態に係る表示装置200においては、信号処理回路260を介さずに、可変電圧源280の比較回路181に直接ΔVに依存した電圧、つまりVout-ΔV、が入力されることにより、信号処理回路260の制御に依存せずにVoutを調整することができるからである。次に、このように構成された表示装置200において、実施の形態2と同様に、第Nフレーム以前と第N1フレーム以降とで、入力される映像データが変わる場合の、表示装置200の動作について説明する。なお、入力される映像データは実施の形態2と同様に、第Nフレーム以前の、有機EL表示部110の中心部がR:G:B=255:255:255、中心部以外がR:G:B=50:50:50とし、第N1フレーム以降の、有機EL表示部110の中心部がR:G:B=255:255:255、中心部以外がR:G:B=150:150:150とする。図25は、第Nフレーム~第N2フレームにおける、実施の形態2に係る表示装置200の動作を示すタイミングチャートである。時間t=T20において、ピーク信号検出回路150は第Nフレームの映像データのピーク値を検出する。信号処理回路260は、ピーク信号検出回路150で検出されたピーク値からVTFTVELを求める。ここで、第Nフレームの映像データのピーク値はR:G:B=255:255:255であるので、信号処理回路160は、必要電圧換算テーブルを用いて第N1フレームの必要電圧VTFTVELを、例えば12.2Vと決定する。一方、出力検出部185は、モニタ用配線290を介して検出点M1の電位を、常に検出している。次に、時間t=T21において、信号処理回路260は、第2基準電圧Vref2の電圧を、決定した必要電圧VTFTTEL例えば、12.2Vとする。時間t=T21~T22にかけて、有機EL表示部110には、第N1フレームの映像データに対応する画像が順に表示されていく。このとき、可変電圧源280から有機EL表示部110に供給する電流量は、実施の形態1で説明したように徐々に増加する。よって、電流量の増加に伴い第1電源配線112における電圧降下が徐々に大きくなる。つまり、検出点M1の電位が徐々に低下する。言い換えると、出力電圧Voutと検出点M1の電位との電位差ΔVが徐々に増大する。ここで、誤差増幅器186は、VTFTVELとVout-ΔVとの電位差に応じた電圧をリアルタイムに出力するので、電位差ΔVの増大に応じてVoutを上昇させるような電圧を出力する。よって、可変電圧源280は、電位差ΔVの増大に応じてVoutをリアルタイムに上昇する。これにより、明るく表示されている領域の発光画素111である、有機EL表示部110の中心部の発光画素111の電源電圧の不足は解消する。つまり、画素輝度の低下を解消する。以上のように、本実施の形態に係る表示装置200において、信号処理回路160と、可変電圧源280の誤差増幅器186、PWM回路182及びドライブ回路183は、出力検出部185で測定されたモニタ用の発光画素111Mの高電位側の電位と、所定の電位との電位差を検出し、検出した電位差に応じてスイッチング素子SWを調整する。これにより、本実施の形態に係る表示装置200は、実施の形態2に係る表示装置100と比較して、電圧降下量に応じてリアルタイムに可変電圧源280の出力電圧Voutを調整できるので、実施の形態1と比較して、画素輝度の一時的な低下を防止できる。なお、本実施の形態において、有機EL表示部110は本発明の表示部であり、出力検出部185は本発明の電圧測定部であり、図24において一点鎖線で囲まれている、信号処理回路160と、可変電圧源280の誤差増幅器186、PWM回路182及びドライブ回路183とは本発明の電圧調整部であり、図24において2点鎖線で囲まれている、スイッチング素子SW、ダイオードD、インダクタL及びコンデンサCは本発明の電源供給部である。また、本実施の形態においても、有機EL表示部110におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。実施の形態4本実施の形態に係る表示装置は、実施の形態2に係る表示装置100と比較して、2以上の発光画素111のそれぞれについて高電位側の電位を測定し、測定した複数の電位のそれぞれと可変電圧源180の出力電圧との電位差を検出し、その検出結果のうち、最大の電位差に応じて、可変電圧源180を調整する点が異なる。これにより、可変電圧源180の出力電圧Voutをより適切に調整することが可能となる。よって、有機EL表示部を大型化した場合であっても、消費電力を効果的に削減できる。図26は、本発明の実施の形態4に係る表示装置の概略構成の一例を示すブロック図である。同図に示す本実施の形態に係る表示装置300Aは、図19に示した実施の形態2に係る表示装置100とほぼ同じであるが、表示装置100と比較してさらに電位比較回路370Aを備え、有機EL表示部110に代わり有機EL表示部310を備え、モニタ用配線190に代わりモニタ用配線391~395を備える点が異なる。有機EL表示部310は、有機EL表示部110とほぼ同じであるが、有機EL表示部110と比較して、検出点M1~M5と1対1に対応して設けられ、対応する検出点の電位を測定するためのモニタ用配線391~395が配置されている点が異なる。検出点M1~M5は、有機EL表示部310内に均等に設けられていることが望ましく、図26に示すように、例えば、有機EL表示部310の中心と、有機EL表示部310を4分割した各領域の中心とが望ましい。なお、同図には、5つの検出点M1~M5が図示されているが、検出点は複数であればよく、2つでも、3つでもよい。モニタ用配線391~395は、それぞれ、対応する検出点M1~M5と、電位比較回路370Aとに接続され、対応する検出点M1~M5の電位を伝達する。これにより、電位比較回路370Aは、モニタ用配線391~395を介して検出点M1~M5の電位を測定できる。電位比較回路370Aは、モニタ用配線391~395を介して検出点M1~M5の電位を測定する。言い換えると、複数のモニタ用の発光画素111Mに印加される高電位側の電位を測定する。さらに、測定した検出点M1~M5の電位のうち最小の電位を選択し、選択した電位を電位差検出回路170へ出力する。電位差検出回路170は、実施の形態1と同様に入力された電位と可変電圧源180の出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出し、検出した電位差ΔVを信号処理回路160へ出力する。よって、信号処理回路160は電位比較回路370Aで選択された電位に基づいて可変電圧源180を調整する。その結果、可変電圧源180は、複数のモニタ用の発光画素111Mのいずれにおいても輝度の低下が生じないような出力電圧Voutを、有機EL表示部310に供給する。以上のように、本実施の形態に係る表示装置300Aは、電位比較回路370Aが、有機EL表示部310内における複数の発光画素111のそれぞれについて、印加される高電位側の電位を測定し、測定した複数の発光画素111の電位のうち最小の電位を選択する。そして、電位差検出回路170が、電位比較回路370Aで選択された最小の電位と、可変電圧源180の出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出する。そして、信号処理回路160が検出された電位差ΔVに応じて可変電圧源180を調整する。なお、本実施の形態に係る表示装置300Aにおいて、可変電圧源180は本発明の電源供給部であり、有機EL表示部310は本発明の表示部であり、電位比較回路370Aの一部は本発明の電圧測定部であり、電位比較回路370Aの他部、電位差検出回路170及び信号処理回路160は本発明の電圧調整部である。また、表示装置300Aでは電位比較回路370Aと電位差検出回路170とを別に設けていたが、電位比較回路370Aと電位差検出回路170の代わりに、可変電圧源180の出力電圧Voutと検出点M1~M5のそれぞれの電位とを比較する電位比較回路を備えてもよい。図27は、本発明の実施の形態4に係る表示装置の概略構成の他の一例を示すブロック図である。同図に示す表示装置300Bは、図26に示した表示装置300Aとほぼ同じ構成であるが、電位比較回路370Aと電位差検出回路170の代わりに、電位比較回路370Bを備える点が異なる。電位比較回路370Bは、可変電圧源180の出力電圧Voutと検出点M1~M5のそれぞれの電位とを比較することで、検出点M1~M5に対応する複数の電位差を検出する。そして、検出した電位差のうち、最大の電位差を選択し、当該最大の電位差である電位差ΔVを信号処理回路160へと出力する。信号処理回路160は、表示装置300Aの信号処理回路160と同様に、可変電圧源180を調整する。なお、表示装置300Bにおいて、可変電圧源180は本発明の電源供給部であり、有機EL表示部310は本発明の表示部であり、電位比較回路370Bの一部は本発明の電圧測定部であり、電位比較回路370Bの他部及び信号処理回路160は本発明の電圧調整部である。以上のように、本実施の形態に係る表示装置300A及び300Bは、複数のモニタ用の発光画素111Mのいずれにおいても輝度の低下が生じないような出力電圧Voutを有機EL表示部310に供給する。つまり、出力電圧Voutをより適切な値とすることで、消費電力をより低減し、かつ、発光画素111の輝度の低下を抑制する。以下、この効果について、図28A~図28Bを用いて説明する。図28Aは有機EL表示部310に表示される画像の一例を模式的に示す図であり、図28Bは図28Aに示す画像を表示している場合のx-x’線における第1電源配線112の電圧降下量を示すグラフである。また、図29Aは有機EL表示部310に表示される画像の他の一例を模式的に示す図であり、図29Bは図29Aに示す画像を表示している場合のx-x’線における第1電源配線112の電圧降下量を示すグラフである。図28Aに示すように、有機EL表示部310の全ての発光画素111が同じ輝度で発光している場合、第1電源配線112の電圧降下量は図28Bに示すようになる。従って、画面中心の検出点M1の電位を調べれば、電圧降下のワーストケースがわかる。よって、検出点M1の電圧降下量ΔVに対応する電圧マージンVdropをVTFTVELに加算することにより、有機EL表示部310内の全ての発光画素111を正確な輝度で発光させることができる。一方、図29Aに示すように、画面を上下方向に2等分割かつ横方向に2等分割した領域、つまり画面を4分割した領域、の中心部の発光画素111が同じ輝度で発光かつ他の発光画素111が消光している場合、第1電源配線112の電圧降下量は図29Bに示すようになる。従って、画面中心の検出点M1の電位のみを測定する場合は、検出した電位に、あるオフセット電位を加えた電圧を、電圧マージンとして設定する必要がある。例えば、画面中心の電圧降下量0.2Vに対して、常に1.3Vのオフセットを追加した電圧を、電圧マージンVdropとして設定するように電圧マージン換算テーブルを設定しておけば、有機EL表示部310内の全発光画素111を、正確な輝度で発光させることができる。ここで、正確な輝度で発光するとは、発光画素111の駆動トランジスタ125が飽和領域で動作しているということである。しかし、この場合、電圧マージンVdropとして常に1.3Vが必要になるので、消費電力低減効果が小さくなってしまう。例えば、実際の電圧降下量が0.1Vの画像の場合でも、電圧マージンとして0.11.3=1.4V持つことになるので、その分だけ出力電圧Voutが高くなり、消費電力の低減効果が小さくなる。そこで、画面中心の検出点M1だけでなく、図29Aに示すように、画面を四分割し、そのそれぞれの中心と、画面全体の中心との5箇所の検出点M1~M5の電位を測定する構成にすることにより、電圧降下量を検出する精度を高めることができる。よって、追加のオフセット量を少なくして、消費電力低減効果を高めることができる。例えば、図29A及び図29Bにおいて、検出点M2~M5の電位が1.3Vの場合、0.2Vのオフセットを追加した電圧を電圧マージンとして設定するようにすれば、有機EL表示部310内の全発光画素111を正確な輝度で発光させることができる。この場合は、実際の電圧降下量が0.1Vの画像の場合でも、電圧マージンVdropとして設定される値は0.10.2=0.3Vなので、画面中心の検出点M1の電位のみを測定した場合に比べてさらに1.1Vの電源電圧を低減することができる。以上のように、表示装置300A及び300Bは、表示装置100及び200と比較して、検出点が多く、測定した複数の電圧降下量の最大値に応じて出力電圧Voutを調整することが可能となる。よって、有機EL表示部310を大型化した場合であっても、消費電力を効果的に削減できる。また、本実施の形態においても、有機EL表示部110におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。実施の形態5本実施の形態に係る表示装置は、実施の形態4に係る表示装置300A及び300Bと同様に、2以上の発光画素111のそれぞれについて高電位側の電位を測定し、測定した複数の電位のそれぞれと可変電圧源の出力電圧との電位差を検出する。そして、その検出結果のうち、最大の電位差に応じて、可変電圧源の出力電圧が変化するように、可変電圧源を調整する。ただし、本実施の形態に係る表示装置は、表示装置300A及び300Bと比較して、電位比較回路で選択された電位が信号処理回路ではなく、可変電圧源に入力されている点が異なる。これにより、本実施の形態に係る表示装置は、電圧降下量に応じてリアルタイムに可変電圧源の出力電圧Voutを調整できるので、実施の形態3に係る表示装置300A及び300Bと比較して画素輝度の一時的な低下を防止できる。図30は、本発明の実施の形態5に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す表示装置400は、実施の形態4に係る表示装置300Aとほぼ同様の構成を有するが、可変電圧源180に代わり可変電圧源280を備え、信号処理回路160に代わり信号処理回路260を備え、電位差検出回路170を備えず、電位比較回路370Aで選択された電位が可変電圧源280に入力される点が異なる。これにより、可変電圧源280は、電位比較回路370Aで選択された最も低い電圧に応じて出力電圧Voutをリアルタイムに上昇する。よって、本実施の形態に係る表示装置400は、表示装置300A及び300Bと比較して、画素輝度の一時的な低下を解消できる。また、本実施の形態においても、有機EL表示部110におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。実施の形態6実施の形態1では、一の発光画素の高電位側または低電位側の電位をモニタすることにより、当該高電位側の電位と基準電位との電位差、または、当該低電位側の電位と基準電位との電位差を所定の電位差へと調整する表示装置を説明した。これに対し、本実施の形態では、一の発光画素の高電位側の電位と、当該発光画素とは異なる発光画素の低電位側の電位とをモニタすることにより、当該高電位側の電位と基準電位Aとの電位差を所定の電位差へと調整し、また、当該低電位側の電位と基準電位Bとの電位差を所定の電位差へと調整する表示装置を説明する。以下、本発明の実施の形態6について、図を用いて具体的に説明する。図31は、本発明の実施の形態6に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す表示装置500は、有機EL表示部510と、データ線駆動回路120と、書込走査駆動回路130と、制御回路140と、信号処理回路165と、高電位側電位差検出回路170Aと、低電位側電位差検出回路170Bと、高電位側電圧マージン設定部175Aと、低電位側電圧マージン設定部175Bと、高電位側可変電圧源180Aと、低電位側可変電圧源180Bと、モニタ用配線190A及び190Bとを備える。本実施の形態に係る表示装置500は、実施の形態1に係る表示装置50と比較して、高電位側及び低電位側の2つの電位差検出回路、2本のモニタ用配線、2つの可変電圧源を備える点が異なる。以下、実施の形態1と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。図32は、実施の形態6に係る有機EL表示部510の構成を模式的に示す斜視図である。なお、図中上方が表示面側である。同図に示すように、有機EL表示部510は、複数の発光画素111と、第1電源配線112と、第2電源配線113とを有する。複数の発光画素111のうち、予め定められた少なくとも一つの発光画素は、高電位側の検出点MAでモニタ用配線190Aに接続されている。また、複数の発光画素111のうち、予め定められた少なくとも一つの発光画素は、低電位側の検出点MBでモニタ用配線190Bに接続されている。以降、モニタ用配線190Aに直接接続された発光画素111をモニタ用の発光画素111MAと記し、モニタ用配線190Bに直接接続された発光画素111をモニタ用の発光画素111MBと記す。第1電源配線112は、マトリクス状に配置された発光画素111に対応させて、網目状に形成され、有機EL表示部510の周縁部に配置されている高電位側可変電圧源180Aに電気的に接続されている。高電位側可変電圧源180Aから高電位側の電源電位が出力されることにより、第1電源配線112には高電位側可変電圧源180Aから出力された高電位側の電源電位に対応した電位が印加される。一方、第2電源配線113は、有機EL表示部510にベタ膜状に形成され、有機EL表示部510の周縁部に配置されている低電位側可変電圧源180Bに接続されている。低電位側可変電圧源180Bから低電位側の電源電位が出力されることにより、第2電源配線113には低電位側可変電圧源180Bから出力された低電位側の電源電位に対応した電位が印加される。モニタ用の発光画素111MA及び111MBは、第1電源配線112及び第2電源配線113の配線方法、第1電源配線抵抗R1h及びR1vの値、ならびに第2電源配線抵抗R2h及びR2vの値に応じて、最適位置が決定される。本実施の形態では、高電位側の検出点MA及び低電位側の検出点MBを、異なる発光画素に配置している。これにより、検出点の最適化が可能となる。例えば、高電位側の電圧降下が大きい傾向にある発光領域に発光画素111MAを配置し、低電位側の電圧降下上昇が大きい傾向にある発光領域に発光画素111MBを配置することにより、不要な箇所に検出点を配置する必要がなくなり、検出点の総数を減らすことができる。第2電源配線113が有する共通電極の一部を構成している有機EL素子121のカソード電極は、シート抵抗の高い透明電極例えば、ITOを用いているので、第1電源配線112の電圧降下量よりも第2電源配線113の電圧上昇量が大きい場合がある。よって、モニタ用の発光画素に印加される低電位側の電位に応じて調整することにより、電源供給部の出力電位をより適切に調整でき、消費電力を一層削減することができる。図33A及び図33Bは、発光画素111の具体的な構成の一例を示す回路図である。具体的には、図33Aは、高電位側のモニタ用配線190Aに接続された発光画素111MAの回路構成図であり、図33Bは、低電位側のモニタ用配線190Bに接続された発光画素111MBの回路構成図である。発光画素111MAは、駆動素子のソース電極及びドレイン電極の他方にモニタ用配線190Aが接続されており、発光画素111MBは、発光素子の第2電極にモニタ用配線190Bが接続されている。具体的には、発光画素111、111MA及び111MBは、それぞれ、有機EL素子121と、データ線122と、走査線123と、スイッチトランジスタ124と、駆動トランジスタ125と、保持容量126とを有する。また、発光画素111MAは、有機EL表示部510に少なくとも1つ配置され、発光画素111MBも、有機EL表示部510に少なくとも1つ配置される。以下、図31に記載された各構成要素の機能について図32、図33A及び図33Bを参照しながら説明する。高電位側電位差検出回路170Aは、本実施の形態における本発明の電圧検出部であって、モニタ用の発光画素111MAについて、モニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位を測定する。具体的には、高電位側電位差検出回路170Aは、モニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位を、モニタ用配線190Aを介して測定する。さらに、高電位側電位差検出回路170Aは、高電位側可変電圧源180Aの出力電位を測定し、測定したモニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位と基準電位との電位差と、高電位側可変電圧源180Aの出力電位との電位差ΔVHを測定する。そして、測定した電位差ΔVHを高電位側電圧マージン設定部175Aへ出力する。低電位側電位差検出回路170Bは、本実施の形態における本発明の電圧検出部であって、モニタ用の発光画素111MBについて、モニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位を測定する。具体的には、低電位側電位差検出回路170Bは、モニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位を、モニタ用配線190Bを介して測定する。さらに、低電位側電位差検出回路170Bは、低電位側可変電圧源180Bの出力電位を測定し、測定したモニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位と基準電位との電位差と、低電位側可変電圧源180Bの出力電位との電位差ΔVLを測定する。そして、測定した電位差ΔVLを低電位側電圧マージン設定部175Bへ出力する。高電位側電圧マージン設定部175Aは、本実施の形態における本発明の高電位側電圧調整部であって、ピーク階調でのVELVTFT電圧と、高電位側電位差検出回路170Aで検出された電位差ΔVHとから、モニタ用の発光画素111MAの電位と基準電位Aとの電位差を所定の電圧にするように高電位側可変電圧源180Aを調整する。具体的には、高電位側電圧マージン設定部175Aは、高電位側電位差検出回路170Aで検出された電位差を元に、電圧マージンVHdropを求める。そして、ピーク階調でのVELVTFT電圧と、電圧マージンVHdropとを合計し、合計結果のVELVTFTVHdropの基準電位Aよりも高い電圧分を第1高電位側基準電圧VHref1として高電位側可変電圧源180Aに出力する。また、低電位側電圧マージン設定部175Bは、本実施の形態における本発明の低電位側電圧調整部であって、ピーク階調でのVELVTFT電圧と、低電位側電位差検出回路170Bで検出された電位差ΔVLとから、モニタ用の発光画素111MBの電位と基準電位Bとの電位差を所定の電圧にするように低電位側可変電圧源180Bを調整する。具体的には、低電位側電圧マージン設定部175Bは、低電位側電位差検出回路170Bで検出された電位差を元に、電圧マージンVLdropを求める。そして、ピーク階調でのVELVTFT電圧と、電圧マージンVLdropとを合計し、合計結果のVELVTFTVLdropの基準電位Bよりも低い電圧分を第1低電位側基準電圧VLref1として低電位側可変電圧源180Bに出力する。高電位側可変電圧源180Aは、本実施の形態における本発明の電源供給部であって、高電位側の電位を有機EL表示部310に出力する。この高電位側可変電圧源180Aは、高電位側電圧マージン設定部175Aから出力される第1高電位側基準電圧VHref1により、モニタ用の発光画素111MAの高電位側の電位と基準電位Aとの電位差が所定の電圧VELVTFT-基準電位Aとなるような高電位側出力電圧VHoutを出力する。基準電位Aとは、表示装置100において基準となる電位であればよい。低電位側可変電圧源180Bは、本実施の形態における本発明の電源供給部であって、低電位側の電位を有機EL表示部310に出力する。この低電位側可変電圧源180Bは、低電位側電圧マージン設定部175Bから出力される第1低電位側基準電圧VLref1により、モニタ用の発光画素111MBの低電位側の電位と基準電位Bとの電位差が所定の電圧基準電位B-VEL-VTFTとなるような低電位側出力電圧VLoutを出力する。モニタ用配線190Aは、一端がモニタ用の発光画素111MAに接続され、他端が高電位側電位差検出回路170Aに接続され、有機EL表示部110のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、モニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位を高電位側電位差検出回路170Aに伝達する高電位側の検出線である。モニタ用配線190Bは、一端がモニタ用の発光画素111MBに接続され、他端が低電位側電位差検出回路170Bに接続され、有機EL表示部110のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、モニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位を低電位側電位差検出回路170Bに伝達する低電位側の検出線である。また、本実施の形態に係る高電位側可変電圧源180A及び低電位側可変電圧源180Bの構成は、実施の形態1に係る可変電圧源180の構成と同様であり、低電位側可変電圧源180Bにおいて低電位側出力電圧VLoutが負である場合には、図20において、スイッチング素子SW、ダイオードD、インダクタL、及びコンデンサCの配置を変更することにより、低電位側可変電圧源180Bの回路が構成される。また、本実施の形態に係る表示装置500の動作フローについては、実施の形態1に係る表示装置50の動作フローを説明する図5において、ステップS14~ステップS18までの動作を、高電位側と低電位側とで並行して実行する。本実施の形態により、表示装置500は、高電位側の第1電源配線抵抗R1h及び第1電源配線抵抗R1vによる電圧降下、及び、低電位側の第2電源配線抵抗R2h及び第2電源配線抵抗R2vによる電圧上昇を検出し、その電圧降下及び電圧上昇の程度を、それぞれ、高電位側可変電圧源180A及び低電位側可変電圧源180Bにフィードバックすることで、余分な電圧を減らし、消費電力を削減することができる。また、消費電力を削減することにより有機EL素子121の発熱が抑えられるので、有機EL素子121の劣化を防止できる。さらに、本実施の形態に係る表示装置500は、モニタ発光画素の高電位側の電位と基準電位との電位差に基づいて電源供給部の出力電圧を調整する場合と比較して、低電位側電源線の配線抵抗に比例した電圧上昇も考慮に入れた電圧マージンの設定が可能となるので、低電位側電源線の電圧分布の変化が激しい表示態様においては、より効果的に消費電力を削減することが可能となる。なお、本実施の形態では、一の発光画素の高電位側の電位と、当該発光画素とは異なる発光画素の低電位側の電位とをモニタすることにより、当該高電位側の電位と基準電位との電位差を所定の電位差へと調整し、また、当該低電位側の電位と基準電位との電位差を所定の電位差へと調整する表示装置を説明したが、高電位側の電位が検出される発光画素と低電位側の電位が検出される発光画素とは、同一の発光画素であってもよい。この場合でも、高電位側可変電圧源180Aが当該高電位側の電位と基準電位との電位差を所定の電位差へと調整し、低電位側可変電圧源180Bが当該低電位側の電位と基準電位との電位差を所定の電位差へと調整する。また、本実施の形態では、一の発光画素の高電位側または低電位側の電位をモニタすることにより、当該高電位側の電位と基準電位との電位差、または、当該低電位側の電位と基準電位との電位差を所定の電位差へと調整する表示装置も、本発明に含まれる。この場合には、図31における表示装置500において、高電位側の電位を調整するための4つの構成要素は、モニタ用配線190A、高電位側電位差検出回路170A、高電位側可変電圧源180A及び高電位側電圧マージン設定部175Aであり、低電位側の電位を調整するための4つの構成要素は、モニタ用配線190B、低電位側電位差検出回路170B、低電位側可変電圧源180B及び低電位側電圧マージン設定部175Bでるが、高電位側の電位を調整するための4つの構成要素または低電位側の電位を調整するための4つの構成要素がなくてもよい。そして、発光画素111MAまたは発光画素111MBが、有機EL表示部510に配置される。また、本実施の形態においても、有機EL表示部510におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。実施の形態7本実施の形態では、複数の発光画素の高電位側の電位をモニタすることにより、モニタされた複数の高電位側の電位から特定された高電位側の電位と基準電位との電位差を、所定の電位差へと調整する表示装置を説明する。以下、本発明の実施の形態7について、図を用いて具体的に説明する。図34は、本発明の実施の形態7に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す表示装置600は、有機EL表示部610と、データ線駆動回路120と、書込走査駆動回路130と、制御回路140と、ピーク信号検出回路150と、信号処理回路160と、高電位側電位差検出回路170Aと、高電位側可変電圧源180Aと、モニタ用配線191、192及び193と、電位比較回路470とを備える。本実施の形態に係る表示装置600は、実施の形態2に係る表示装置100と比較して、複数のモニタ用配線及び電位比較回路470を備える点が異なる。以下、実施の形態2と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。有機EL表示部610は、有機EL表示部110とほぼ同じであるが、有機EL表示部110と比較して、検出点M1~M3と1対1に対応して設けられ、対応する検出点の電位を測定するためのモニタ用配線191~193が配置されている。モニタ用の発光画素111M1~111M3は、第1電源配線112の配線方法、第1電源配線抵抗R1h及びR1vの値に応じて、最適位置が決定される。モニタ用配線191~193は、それぞれ、対応する検出点M1~M3と、電位比較回路470とに接続され、対応する検出点M1~M3の電位を、電位比較回路470に伝達し、有機EL表示部610のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された検出線である。これにより、電位比較回路470は、モニタ用配線191~193を介して検出点M1~M3の電位を測定できる。電位比較回路470は、モニタ用配線191~193を介して検出点M1~M3の電位を測定する。言い換えると、複数のモニタ用の発光画素111M1~111M3に印加される高電位側の電位を測定する。さらに、測定した検出点M1~M3の電位のうち最小の電位を選択し、選択した電位を高電位側電位差検出回路170Aへ出力する。信号処理回路160は、電位比較回路470で選択された電位と基準電位との電位差に基づいて高電位側可変電圧源180Aを調整する。その結果、高電位側可変電圧源180Aは、複数のモニタ用の発光画素111M1~111M3のいずれにおいても輝度の低下が生じないような出力電圧Voutを、有機EL表示部610に供給する。以上のように、本実施の形態に係る表示装置600は、電位比較回路470が、有機EL表示部610内における複数の発光画素111のそれぞれについて、印加される高電位側の電位を測定し、測定した複数の高電位側の電位のうち最小の電位を選択する。そして、高電位側電位差検出回路170Aが、電位比較回路470で選択された最小の電位と基準電位との電位差と、高電位側可変電圧源180Aの出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出する。そして、信号処理回路160が検出された電位差ΔVに応じて高電位側可変電圧源180Aを調整する。これにより、高電位側可変電圧源180Aの出力電圧Voutをより適切に調整することが可能となる。よって、有機EL表示部を大型化した場合であっても、消費電力を効果的に削減できる。なお、本実施の形態に係る表示装置600において、高電位側可変電圧源180Aは本発明の電源供給部であり、有機EL表示部610は本発明の表示部であり、電位比較回路470の一部は本発明の電圧検出部であり、電位比較回路470の他部、高電位側電位差検出回路170A及び信号処理回路160は本発明の電圧調整部である。また、表示装置600では電位比較回路470と高電位側電位差検出回路170Aとを別に設けていたが、電位比較回路470と高電位側電位差検出回路170Aの代わりに、高電位側可変電圧源180Aの出力電圧Voutと検出点M1~M3のそれぞれの電位とを比較する電位比較回路を備えてもよい。次に、本実施の形態に係る表示装置600により奏される効果について説明する。図35は、本発明の実施の形態7に係る表示装置の電位分布及び検出点配置を表す図である。図35の左図では、高電位側の電源出力として15Vを、また低電位側には接地電位である0Vが印加された場合の電位分布が示されている。高電位側の電位分布は、第1電源配線抵抗R1hと第1電源配線抵抗R1vとの比が1:10と仮定しているため、表示パネルの垂直方向に激しい電位変化となっている。一方、低電位側の電位分布は、第2電源配線抵抗R2hと第2電源配線抵抗R2vとの比が10:1と仮定しているが、表示パネル全体にわたり、小さい電位変化となっている。つまり、低電位側の電位分布は面内でほぼ均一になる傾向となっている。このような傾向のある場合には、例えば、極端な分布を持つ高電位側の電位分布のみを測定し、低電位側の電圧降下上昇量は、高電位側の電位分布に基づいて設定することが考えられる。図35の例で言うと、高電位側の電位分布から検出される最大電圧降下量が3V15V-12Vであるのに対し、その検出降下量3Vの半分1.5Vを、常に低電位側の電圧降下上昇量とみなすことである。図35に表された特性を有する表示パネルでは、上述したように低電位側の電圧降下上昇量を測定せずとも大きなエラーは生じず、結果として低電位側の検出点を削減しつつ省電力効果が得られるメリットが有る。すなわち、設定した発光画素111M1~111M3のそれぞれについて、高電位側の電位及び低電位側の電位を測定せずとも、発光画素111M1~M3のそれぞれについて、高電位側の電位のみを測定すればよく、検出点が6点→3点に削減できる。これにより、モニタ用配線の配置を考慮に入れなければならない表示パネル内の設計が容易となり、また、モニタ用配線の追加による画質劣化を回避できる。さらに低電位側にはモニタ用配線が存在しなくなるので低電位側から光を射出するようなパネル形態の場合はモニタ用配線に起因する線欠陥が視認されにくくなるというメリットもある。なお、同図には、3つの検出点M1~M3が図示されているが、検出点は複数であればよく、電源配線の配線方法、配線抵抗の値に応じて、最適位置及び点数を決定すればよい。また、本実施の形態においても、有機EL表示部610におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。また、モニタ用配線191~193は、隣り合うモニタ用配線どうしの間隔が互いに同一となるよう配置されていることが好ましい。これにより、モニタ用配線の間隔が等しくなるように配置されるので、有機EL表示部610の配線レイアウトに周期性を持たせることができ、製造効率が向上する。実施の形態8本実施の形態に係る表示装置は、高電位側及び低電位側の出力電位を出力する電源供給部と、複数の発光画素がマトリクス状に配置され当該電源供給部から電源供給を受ける表示部と、当該表示部内における第1の発光画素または第2の発光画素に一端が接続され、上記マトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、発光画素に印加される高電位側の電位または低電位側の電位を伝達するための検出線と、第1の発光画素の高電位側の印加電位と第2の発光画素の低電位側の印加電位との電位差が所定の電位差となるように、電源供給部から出力される高電位側及び低電位側の出力電位の少なくとも一方を調整する信号処理回路とを備える。これにより、本実施の形態に係る表示装置は、高い消費電力低減効果を実現する。以下、本発明の実施の形態8について、図を用いて具体的に説明する。図36は、本発明の実施の形態8に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す表示装置700は、有機EL表示部510と、データ線駆動回路120と、書込走査駆動回路130と、制御回路140と、ピーク信号検出回路150と、信号処理回路160と、電位差検出回路170と、可変電圧源180と、モニタ用配線190A及び190Bとを備える。本実施の形態に係る表示装置700は、実施の形態2に係る表示装置100と比較して、異なる発光画素に配置された2本のモニタ用配線により、それぞれ高電位側の電位及び低電位側の電位を測定する点が異なる。以下、実施の形態2と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。本実施の形態に係る有機EL表示部510の構成は、図32に記載された実施の形態6に係る有機EL表示部510の構成と同じである。図37Aは、高電位側のモニタ用配線190Aに接続された発光画素111MAの回路構成図であり、図37Bは、低電位側のモニタ用配線190Bに接続された発光画素111MBの回路構成図である。マトリクス状に配置された発光画素のそれぞれは、駆動素子と発光素子とを含み、駆動素子は、ソース電極及びドレイン電極を含み、発光素子は、第1の電極及び第2の電極を含み、当該第1の電極が駆動素子のソース電極及びドレイン電極の一方に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方と第2の電極との一方に高電位側の電位が印加され、ソース電極及びドレイン電極の他方と第2の電極との他方に低電位側の電位が印加される。具体的には、モニタ用の発光画素111MAは、駆動素子のソース電極及びドレイン電極の他方にモニタ用配線190Aが接続されており、モニタ用の発光画素111Bは、さらに、発光素子の第2の電極にモニタ用配線190Bが接続されている。発光画素111MA及び111MBは、それぞれ、有機EL表示部110に少なくとも1つ配置される。また、モニタ用の発光画素111MAにおいて、駆動トランジスタ125のソース電極はモニタ用配線190Aと接続されている。一方、モニタ用の発光画素111MBにおいて、有機EL素子121のカソード電極は発光画素111MBの陰極であり、モニタ用配線190Bと接続されている。信号処理回路160は、本実施の形態における本発明の電圧調整部であって、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク信号と、電位差検出回路170で検出された電位差ΔVとから、モニタ用の発光画素111MAの高電位側の電位とモニタ用の発光画素111MBの低電位側の電位との電位差である画素間電位差を、所定の電位差にするように可変電圧源180を調整する。具体的には、信号処理回路160は、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク信号で発光画素111を発光させた場合に、有機EL素子121と駆動トランジスタ125とに必要な電圧を決定する。また、信号処理回路160は、電位差検出回路170で検出された電位差を元に、電圧マージンを求める。そして、決定した、有機EL素子121に必要な電圧VELと、駆動トランジスタ125に必要な電圧VTFTと、電圧マージンVdropとを合計し、合計結果のVELVTFTVdropを第1基準電圧Vref1の電圧として可変電圧源180に出力する。電位差検出回路170は、本実施の形態における本発明の電圧検出部であって、モニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位、及び、モニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位を測定する。具体的には、電位差検出回路170は、モニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位を、モニタ用配線190Aを介して測定し、モニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位を、モニタ用配線190Bを介して測定する。そして、電位差検出回路170は、測定されたモニタ用の発光画素111MAの高電位側の電位とモニタ用の発光画素111MBの低電位側の電位との電位差である画素間電位差を算出する。さらに、電位差検出回路170は、可変電圧源180の出力電圧を測定し、当該出力電圧と算出された画素間電位差との電位差ΔVを測定する。そして、測定した電位差ΔVを信号処理回路160へ出力する。可変電圧源180は、本実施の形態における本発明の電源供給部であって、高電位側の電位及び低電位側の電位の少なくとも一方を有機EL表示部110に出力する。この可変電圧源180は、信号処理回路160から出力される第1基準電圧Vref1により、モニタ用の発光画素111MA及び111MBから検出された画素間電位差が所定の電圧VELVTFTとなるような出力電圧Voutを出力する。モニタ用配線190Aは、一端がモニタ用の発光画素111MAに接続され、他端が電位差検出回路170に接続され、有機EL表示部510のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、モニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位を電位差検出回路170に伝達する高電位側の検出線である。モニタ用配線190Bは、一端がモニタ用の発光画素111MBに接続され、他端が電位差検出回路170に接続され、有機EL表示部510のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、モニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位を電位差検出回路170に伝達する低電位側の検出線である。次に、上述した表示装置700の動作について図21により説明する。まず、ピーク信号検出回路150は、表示装置700に入力された1フレーム期間の映像データを取得するステップS11。次に、ピーク信号検出回路150は、取得した映像データのピーク値を検出ステップS12し、検出したピーク値を示すピーク信号を信号処理回路160へ出力する。次に、信号処理回路160は、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク値で有機EL素子121を発光させた場合の駆動トランジスタ125に必要な電圧VTFTと、有機EL素子121に必要な電圧VELとを決定するステップS13。一方、電位差検出回路170は、検出点MA及びMBの電位を、それぞれ、モニタ用配線190A及び190Bを介して検出し、検出点MAの電位とMBの電位との電位差である画素間電位差を算出するステップS14。次に、電位差検出回路170は、可変電圧源180の出力端子184の出力電圧と、上記画素間電位差との電位差ΔVを検出するステップS15。そして、検出した電位差ΔVを信号処理回路160へ出力する。なお、ここまでのステップS11~S15は、本発明の電位測定処理に相当する。次に、信号処理回路160は、電位差検出回路170から出力された電位差信号から、電位差検出回路170が検出した電位差ΔVに対応する電圧マージンVdropを決定するステップS16。次に、信号処理回路160は、次のフレーム期間に可変電圧源180に出力させる出力電圧Voutを決定するステップS17。具体的には、次のフレーム期間に可変電圧源180に出力させる出力電圧Voutを、有機EL素子121と駆動トランジスタ125に必要な電圧の決定ステップS13で決定されたVTFTVELと電位差ΔVに対応する電圧マージンの決定ステップS15で決定された電圧マージンVdropとの合計値であるVTFTVELVdropとする。最後に、信号処理回路160は、次のフレーム期間の最初に、第1基準電圧Vref1をVTFTVELVdropとすることにより、可変電圧源180を調整するステップS18。これにより、次のフレーム期間において、可変電圧源180は、Vout=VTFTVELVdropとして、有機EL表示部110へ供給する。なお、ステップS16~ステップS18は、本発明の電圧調整処理に相当する。このように、本実施の形態に係る表示装置700は、高電位側の電位及び低電位側の電位の少なくとも一方を出力する可変電圧源180と、異なる2つのモニタ用の発光画素111MA及び111MBに印加される電位から画素間電位差を算出し可変電圧源180の出力電圧Voutを測定する電位差検出回路170と、上記画素間電位差を所定の電圧VTFTVELにするように可変電圧源180を調整する信号処理回路160とを含む。また、電位差検出回路170は、さらに、測定した高電位側の出力電圧Voutと上記画素間電位差との電位差を検出し、信号処理回路160は、電位差検出回路170で検出された電位差に応じて可変電圧源180を調整する。これにより、表示装置700は、水平方向の第1電源配線抵抗R1h及び垂直方向の第1電源配線抵抗R1vによる電圧降下、及び、水平方向の第2電源配線抵抗R2h及び垂直方向の第2電源配線抵抗R1vによる電圧上昇を検出し、その電圧降下及び電圧上昇の程度を可変電圧源180にフィードバックすることで、余分な電圧を減らし、消費電力を削減することができる。さらに、本実施の形態に係る表示装置700は、発光画素に印加される高電位側の電位及び低電位側の電位を、同一のモニタ用の発光画素から検出する場合と比較して、高電位側電源線の配線抵抗分布と低電位側電源線の配線抵抗分布が異なる表示態様においては、より効果的に消費電力を削減することが可能となる。また、消費電力を削減することにより有機EL素子121の発熱が抑えられるので、有機EL素子121の劣化を防止できる。また、本実施の形態においても、有機EL表示部510におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。実施の形態9本実施の形態に係る表示装置は、実施の形態8に係る表示装置700とほぼ同じであるが、電位差検出回路170を備えず、検出点MAと検出点MBとの電位差を算出する画素間電位差算出回路を備え、算出された画素間電位差が可変電圧源に入力される点が異なる。また、信号処理回路は、可変電圧源に出力する電圧を必要電圧VTFTVELとする点が異なる。これにより、本実施の形態に係る表示装置は、電圧降下量に応じてリアルタイムに可変電圧源の出力電圧Voutを調整できるので、実施の形態7と比較して、画素輝度の一時的な低下を防止できる。図38は、本発明の実施の形態9に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す本実施の形態に係る表示装置800は、図36に示した実施の形態8に係る表示装置700と比較して、電位差検出回路170を備えず、検出点MAと検出点MBとの電位差を算出する画素間電位差算出回路171を備え、信号処理回路160に代わり信号処理回路260を備え、可変電圧源180に代わり可変電圧源280を備える点が異なる。以下、実施の形態8と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。信号処理回路260は、ピーク信号検出回路150から出力されたピーク信号から、可変電圧源280に出力する第2基準電圧Vref2の電圧を決定する。具体的には、信号処理回路260は、必要電圧換算テーブルを用いて、有機EL素子121に必要な電圧VELと駆動トランジスタ125に必要な電圧VTFTとの合計VTFTVELを決定する。そして、決定したVTFTVELを第2基準電圧Vref2の電圧とする。このように、本実施の形態に係る表示装置800の信号処理回路260が可変電圧源280に出力する第2基準電圧Vref2は、実施の形態8に係る表示装置700の信号処理回路160が可変電圧源180に出力する第1基準電圧Vref1と異なり、映像データのみに対応して決定される電圧である。つまり、第2基準電圧Vref2は、可変電圧源280の出力電圧Voutと上記画素間電位差との電位差ΔVに依存しない。画素間電位差算出回路171は、モニタ用の発光画素111MAに印加される高電位側の電位を、モニタ用配線190Aを介して測定し、また、モニタ用の発光画素111MBに印加される低電位側の電位を、モニタ用配線190Bを介して測定する。そして、測定された検出点MAの電位と検出点MBの電位との電位差である画素間電位差を算出する。可変電圧源280は、上記画素間電位差を画素間電位差算出回路171から入力する。そして、入力された画素間電位差と、信号処理回路260から出力された第2基準電圧Vref2とに応じて、出力電圧Voutを調整する。モニタ用配線190Aは、一端が検出点MAに接続され、他端が画素間電位差算出回路171に接続され、有機EL表示部510のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、検出点MAの電位を画素間電位差算出回路171に伝達する高電位側の検出線である。モニタ用配線190Bは、一端が検出点MBに接続され、他端が画素間電位差算出回路171に接続され、有機EL表示部510のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された、検出点MBの電位を画素間電位差算出回路171に伝達する低電位側の検出線である。図39は、実施の形態9に係る可変電圧源280の具体的な構成の一例を示すブロック図である。なお、同図には可変電圧源に接続されている有機EL表示部510及び信号処理回路260も示されている。同図に示す可変電圧源280は、図20に示した可変電圧源180の構成とほぼ同じであるが、比較回路181に代わり、画素間電位差算出回路171から出力された画素間電位差と第2基準電圧Vref2とを比較する比較回路281を備える点が異なる。ここで、可変電圧源280の出力電圧をVoutとし、可変電圧源280の出力端子184から検出点MA及びMBでの電圧降下量をΔVとすると、検出点MA及びMBでの画素間電位差はVout-ΔVとなる。つまり、本実施の形態において、比較回路281はVref2とVout-ΔVとを比較している。上述したように、Vref2=VTFTVELなので、比較回路281はVTFTVELとVout-ΔVとを比較していると言える。一方、実施の形態8において、比較回路181はVref1とVoutとを比較している。上述したように、Vref1=VTFTVELΔVなので、実施の形態8において、比較回路181はVTFTVELΔVとVoutとを比較していると言える。よって、比較回路281は、比較回路181と比較対象が異なるが、比較結果は同じである。つまり、実施の形態8と実施の形態9とで、可変電圧源280の出力端子184から検出点MA及びMBまでの電圧降下量が等しい場合、比較回路181がPWM回路に出力する電圧と、比較回路281がPWM回路に出力する電圧とは同じである。その結果、可変電圧源180の出力電圧Voutと可変電圧源280の出力電圧Voutとは等しくなる。また、実施の形態9においても、電位差ΔVと出力電圧Voutとは増加関数の関係となっている。以上のように構成された表示装置800は、実施の形態8に係る表示装置700と比較して、出力端子184の出力電圧と検出点MA及びMBの画素間電位差との電位差ΔVに応じて出力電圧Voutをリアルタイムに調整できる。なぜならば、実施の形態8に係る表示装置700においては、信号処理回路160から各フレーム期間の最初にだけ、当該フレームにおける第1基準電圧Vref1の変更がされていた。一方、本実施の形態に係る表示装置200においては、信号処理回路260を介さずに、可変電圧源280の比較回路181に直接ΔVに依存した電圧、つまりVout-ΔV、が入力されることにより、信号処理回路260の制御に依存せずにVoutを調整することができるからである。よって、可変電圧源280は、電位差ΔVの増大に応じてVoutをリアルタイムに上昇する。これにより、明るく表示されている領域の発光画素111である、有機EL表示部510の中心部の発光画素111の電源電圧の不足は解消する。つまり、画素輝度の低下を解消する。以上のように、本実施の形態に係る表示装置800において、信号処理回路260と、可変電圧源280の誤差増幅器186、PWM回路182及びドライブ回路183は、出力検出部185で測定された画素間電位差算出回路171からの画素間電位差と、所定の電圧との電位差を検出し、検出した電位差に応じてスイッチング素子SWを調整する。これにより、本実施の形態に係る表示装置800は、実施の形態8に係る表示装置700と比較して、電圧降下量に応じてリアルタイムに可変電圧源280の出力電圧Voutを調整できるので、実施の形態8と比較して、画素輝度の一時的な低下を防止できる。なお、本実施の形態において、有機EL表示部510は本発明の表示部であり、画素間電位差算出回路171及び出力検出部185は本発明の電圧検出部であり、図39において一点鎖線で囲まれている、信号処理回路260と、可変電圧源280の誤差増幅器186、PWM回路182及びドライブ回路183とは本発明の電圧調整部であり、図39において2点鎖線で囲まれている、スイッチング素子SW、ダイオードD、インダクタL及びコンデンサCは本発明の電源供給部である。なお、実施の形態1~9では、発光画素に印加された電圧と、可変電圧源から出力された電圧との電位差に基づいて、可変電圧源からの出力電圧を調整している。この場合には、可変電圧源から発光画素までの電流径路は、表示領域外の配線経路と発光画素が配置された表示領域内の配線経路とを含んでいる。つまり、上述した実施の形態1~9では、発光画素に印加された電圧と可変電圧源から出力された電圧との電位差を検出することにより、表示領域内と表示領域外との双方における電圧降下量に応じて可変電圧源からの出力電圧を調整している。これに対し、発光画素に印加された電圧と、表示領域外の配線経路上における電圧との電位差を検出することにより、表示領域内のみにおける電圧降下量に応じて可変電圧源からの出力電圧を調整することが可能となる。これについて、以下、実施の形態6~9に係る表示装置を例示し、図40A及び図40Bを用いて説明する。図40Aは、本発明の表示装置が有する表示パネルの構成概略図である。また、図40Bは、本発明の表示装置が有する表示パネルの外周付近の構成を模式的に示す斜視図である。図40Aにおいて、複数の発光画素111がマトリクス状に配置された表示パネルの外周部には、書込走査駆動回路やデータ線駆動回路などのドライバーと、高電位側電源線と、低電位側電源線と、外部機器との電気接続をするインターフェイスであるフレキパッドとが配置されている。可変電圧源は、高電位側電源線とフレキパッド、及び、低電位側電源線とフレキパッド、を介して表示パネルに接続されている。図40Bに示すように、表示領域外にも抵抗成分が存在し、当該抵抗成分は上記フレキパッド、高電位側電源線及び低電位側電源線によるものである。前述した実施の形態6及び7では、例えば、発光画素MAの電圧と高電位側可変電圧源の出力点ZAの電圧との電位差を検出するものであるが、表示領域内のみの電圧降下量に応じた可変電圧源からの出力電圧調整を目的として、発光画素MAの電圧と、表示パネル及び高電位側電源線の接続点YAの電圧との電位差を検出することとしてもよい。これにより、表示領域内のみにおける電圧降下量に応じて、可変電圧源の出力電圧を調整することが可能となる。また、低電位側についても、発光画素MBの電圧と、表示パネル及び低電位側電源線の接続点YBの電圧との電位差を検出することとしてもよい。また、前述した実施の形態8及び9では、検出点MAの電位及び検出点MBの電位の画素間電位差と可変電圧源の高電位側の出力点ZAの電圧及び低電位側の出力点ZBの電源電位差とを検出し、当該画素間電位差と当該電源電位差との電位差ΔVにより、可変電圧源の出力電圧を調整するものである。これに対し、表示領域内のみの電圧降下量に応じた可変電圧源からの出力電圧調整を目的として、検出点MA及びMBの画素間電位差と、表示パネル及び高電位側電源線の接続点YA及び低電位側電源線の接続点YBの電位差である電流径路上電位差との電位差を検出することとしてもよい。これにより、表示領域内のみにおける電圧降下量に応じて、可変電圧源の出力電圧を調整することが可能となる。また、本実施の形態においても、有機EL表示部510におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。実施の形態10本実施の形態では、複数の発光画素の高電位側の電位をモニタすることにより、モニタされた複数の高電位側の電位から特定された高電位側の電位と低電位側の電位との電位差を、所定の電位差へと調整する表示装置を説明する。以下、本発明の実施の形態10について、図を用いて具体的に説明する。図41は、本発明の実施の形態10に係る表示装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示す表示装置900は、有機EL表示部910と、データ線駆動回路120と、書込走査駆動回路130と、制御回路140と、ピーク信号検出回路150と、信号処理回路160と、電位差検出回路170と、可変電圧源180と、モニタ用配線191A、191B、192A及び193Aと、電位比較回路370とを備える。本実施の形態に係る表示装置900は、実施の形態8に係る表示装置700と比較して、発光画素の高電位側の電位を検出するための複数のモニタ用配線及び電位比較回路370を備える点が異なる。以下、実施の形態8と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。有機EL表示部910は、有機EL表示部510とほぼ同じであるが、有機EL表示部510と比較して、検出点M1A、M2、M3の高電位側の電位を、それぞれ測定するためのモニタ用配線191A~193Aと、検出点M1Bの低電位側の電位を測定するためのモニタ用配線191Bとが配置されている。なお、検出点M1A及びM1Bは、例えば、同一のモニタ用の発光画素111M1における高電位側及び低電位側の電位測定点である。モニタ用の発光画素111M1~111M3は、第1電源配線112及び第2電源配線113の配線方法、第1電源配線抵抗R1h及びR1vならびに第2電源配線抵抗R2h及びR2vの値に応じて、最適位置が決定される。モニタ用配線191A、191B、192A及び193Aは、それぞれ、対応する検出点M1A、M1B、M2、M3と、電位比較回路370とに接続され、対応する検出点の電位を電位比較回路370に伝達し、有機EL表示部510のマトリクスの行方向または列方向に沿って配置された検出線である。電位比較回路370は、モニタ用配線191A、191B、192A及び193Aを介して、対応する上記検出点の電位を測定する。言い換えると、複数のモニタ用の発光画素111M1~111M3に印加される高電位側の電位及びモニタ用の発光画素111M1に印加される低電位側の電位を測定する。さらに、測定した検出点M1A、M2、M3の高電位側の電位のうち最小の電位を選択し、選択した電位を電位差検出回路170へ出力する。なお、測定した低電位側の電位が複数存在する場合には、これらのうち最大の電位を選択し、選択した電位を電位差検出回路170へ出力する。本実施の形態では、測定した低電位側の電位が1つであるため、当該電位をそのまま電位差検出回路170へ出力する。電位差検出回路170は、本実施の形態における本発明の電圧検出部であって、測定された検出点M1A、M2、M3の高電位側の電位のうち最小の電位、及び、検出点M1Bの低電位側の電位を電位比較回路370から入力する。そして、電位差検出回路170は、測定された検出点M1A、M2、M3の高電位側の電位のうち最小の電位と検出点M1Bの低電位側の電位との画素間電位差を算出する。さらに、電位差検出回路170は、可変電圧源180の出力電圧を測定し、当該出力電圧と算出された画素間電位差との電位差ΔVを測定する。そして、測定した電位差ΔVを信号処理回路160へ出力する。信号処理回路160は、上記電位差ΔVに基づいて可変電圧源180を調整する。その結果、可変電圧源180は、複数のモニタ用の発光画素111M1~111M3のいずれにおいても輝度の低下が生じないような出力電圧Voutを、有機EL表示部910に供給する。以上のように、本実施の形態に係る表示装置900は、電位比較回路370により有機EL表示部910内における複数の発光画素111のそれぞれについて、印加される高電位側の電位が測定され、測定された複数の高電位側の電位のうち最小の電位が選択される。また、電位比較回路370により、有機EL表示部910内における複数の発光画素111のそれぞれについて、印加される低電位側の電位を測定し、測定された複数の低電位側の電位のうち最大の電位が選択される。そして、電位差検出回路170が、電位比較回路370で選択された高電位側の最小の電位と低電位側の最大の電位との画素間電位差と、可変電圧源180の出力電圧Voutとの電位差ΔVを検出する。そして、信号処理回路160により、上記電位差ΔVに応じて可変電圧源180が調整される。これにより、可変電圧源180の出力電圧Voutをより適切に調整することが可能となる。よって、有機EL表示部を大型化した場合であっても、消費電力を効果的に削減できる。なお、本実施の形態に係る表示装置900において、可変電圧源180は本発明の電源供給部であり、有機EL表示部910は本発明の表示部であり、電位比較回路370の一部は本発明の電圧検出部であり、電位比較回路370の他部、電位差検出回路170及び信号処理回路160は本発明の電圧調整部である。また、表示装置900では、電位比較回路370と電位差検出回路170とを別に設けていたが、電位比較回路370と電位差検出回路170の代わりに、可変電圧源180の出力電圧Voutと検出点M1A、M2、M3のそれぞれの電位とを比較する電位比較回路を備えてもよい。次に、本実施の形態に係る表示装置900により奏される効果について説明する。図42は、本発明の実施の形態10に係る表示装置の電位分布及び検出点配置を表す図である。図42の左図では、高電位側の電源出力として15Vを、また低電位側には接地電位である0Vが印加された場合の電位分布が示されている。高電位側の電位分布は、第1電源配線抵抗R1hと第1電源配線抵抗R1vとの比が1:10と仮定しているため、表示パネルの垂直方向に激しい電位変化となっている。一方、低電位側の電位分布は、第2電源配線抵抗R2hと第2電源配線抵抗R2vとの比が10:1と仮定しているが、表示パネル全体にわたり、小さい電位変化となっている。つまり、低電位側の電位分布は面内でほぼ均一になる傾向となっている。また、発光画素を飽和動作させるために必要な電圧は10Vであると仮定する。このような表示傾向において、例えば、表示パネルの中央に配置された発光画素A0のみの高電位側と低電位側の電位差を検出することにより、可変電圧源の出力電圧を調整する場合を考える。図42の左図において、高電位側と低電位側の電位差が最小となる場所は、表示パネルの上下の端に近い位置となっており、これらの位置において当該電位差は略10.5V12V-1.5Vとなっている。よって、本来削減可能な電圧は0.5V10.5V-必要電圧10Vである。ところが、検出点が表示パネルの中心点に位置する発光画素A0のみの場合、測定される画素間電位差は、12.5V14V-1.5Vと検出され、その結果、削減できる電圧が2.5V12.5V-必要電圧10Vもあると誤検出をしてしまう。上記誤検出を防ぐためには、高電位側の電位を検出する発光画素を、図42の右図に表された発光画素A0~A2の3箇所とし、低電位側の電位を検出する発光画素を、発光画素A0の1箇所とし、これらの合計4箇所に検出点を配置していれば、最小の画素間電位差が解るので誤検出を防ぐことができる。また、上述した誤検出のない正確な削減電圧の検出を、従来手法により実施する場合、高電位側の電位と低電位側の電位とを、必ず同じ発光画素で検出するため、発光画素A0~A2のそれぞれについて高電位側の電位と低電位側の電位とを測定する必要があり、合計6点での測定が必要となる。これに対し、本発明の実施の形態10に係る表示装置900では、高電位側の電位を検出する複数の発光画素のうち一の発光画素と低電位側の電位を検出する発光画素とは別の発光画素であるので、理想的には、4箇所の検出点を設けるだけでよいというメリットを有する。よって、高電位側及び低電位側で別々の発光画素の電位をモニタすることにより誤検出による必要以上の電源電圧の低減を回避でき、少ない検出点で省電力制御の精度を高めることができる。なお、同図には、高電位側の電位測定点として3つの検出点が図示されているが、当該検出点は複数であればよく、電源配線の配線方法、配線抵抗の値に応じて、最適位置及び点数を決定すればよい。また、本実施の形態においても、有機EL表示部910におけるモニタ用配線のレイアウトについては、実施の形態1及びその第1~第5の変形例において説明した配線レイアウトが適用される。上記配線レイアウトにより、発光画素の電位を検出するためのモニタ用配線を、従来からのマトリクス状の発光画素配置に変更を加えることなく配置することができる。よって、モニタ用配線によって画素ピッチが変わらず、モニタ用配線が配置された部分における発光画素の境界部が線欠陥となって視認されないので、表示品質を維持しつつ、消費電力低減効果の高い表示装置を実現できる。また、モニタ用配線191A~193Aは、隣り合うモニタ用配線どうしの間隔が互いに同一となるよう配置されていることが好ましい。これにより、モニタ用配線の間隔が等しくなるように配置されるので、有機EL表示部910の配線レイアウトに周期性を持たせることができ、製造効率が向上する。以上、本発明に係る表示装置について実施に形態に基づき説明したが、本発明に係る表示装置は、上述した実施の形態に限定されるものではない。実施の形態1~10に対して、本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。例えば、有機EL表示部内のモニタ用配線が配置されている発光画素の発光輝度の低下を補償してもよい。図43は、映像データの階調に対応する、通常の発光画素の発光輝度及びモニタ用配線を有する発光画素の発光輝度を示すグラフである。なお、通常の発光画素とは、有機EL表示部の発光画素のうちモニタ用配線が配置されている発光画素以外の発光画素のことである。同図から明らかなように、映像データの階調が同じ場合、モニタ用配線を有する発光画素の輝度は、通常の発光画素の輝度よりも低下する。これは、モニタ用配線を設けたことにより、発光画素の保持容量126の容量値が減少してしまうからである。よって、有機EL表示部の全面を均一に同じ輝度で発光させるような映像データが入力されても、実際に有機EL表示部に表示される画像は、モニタ用配線を有する発光画素の輝度が他の発光画素の輝度より低くなるような画像となる。つまり、線欠陥が発生する。図44は、線欠陥が発生している画像を模式的に示す図である。線欠陥を防止するために、表示装置は、データ線駆動回路120から有機EL表示部に供給する信号電圧を補正してもよい。具体的には、モニタ用配線を有する発光画素の位置は設計時に分かっているので、該当する場所の画素に与える信号電圧を、予め輝度が低下する分だけ高めに設定しておけばよい。これにより、モニタ用配線を設けたことによる線欠陥を防止できる。また、信号処理回路は、各色の階調に対応するVTFTVELの必要電圧を示す必要電圧換算テーブルを有するとしたが、必要電圧換算テーブルに代わり駆動トランジスタ125の電流-電圧特性と有機EL素子121の電流-電圧特性とを有し、2つの電流-電圧特性を用いてVTFTVELを決定してもよい。図45は、駆動トランジスタの電流-電圧特性と有機EL素子の電流-電圧特性とをあわせて示すグラフである。横軸は、駆動トランジスタのソース電位に対して下がる方向を正方向としている。同図には、2つの異なる階調に対応する駆動トランジスタの電流-電圧特性及び有機EL素子の電流-電圧特性が示され、低い階調に対応する駆動トランジスタの電流-電圧特性がVsig1、高い階調に対応する駆動トランジスタの電流-電圧特性がVsig2で示されている。駆動トランジスタのドレイン-ソース電圧の変動に起因する表示不良の影響を無くすためには、駆動トランジスタを飽和領域で動作させることが必要である。一方、有機EL素子の発光輝度は駆動電流によって決定される。したがって、映像データの階調に対応して有機EL素子を正確に発光させるためには、駆動トランジスタのソースと有機EL素子のカソードとの間の電圧から有機EL素子の駆動電流に対応する有機EL素子の駆動電圧VELを差し引き、差し引いた残りの電圧が駆動トランジスタを飽和領域で動作させることが可能な電圧となっていればよい。また、消費電力を低減するためには、駆動トランジスタの駆動電圧VTFTが低いことが望ましい。よって、図45において、駆動トランジスタの線形領域と飽和領域との境界を示す線上で駆動トランジスタの電流-電圧特性と有機EL素子の電流-電圧特性とが交差する点を通る特性により求められるVTFTVELが、映像データの階調に対応して有機EL素子を正確に発光し、かつ、消費電力が最も低減できる。このように、図45に示したグラフを用いて、各色の階調に対応するVTFTVELの必要電圧を換算してもよい。これにより、消費電力を一層削減することができる。また、実施の形態2、4~8及び10において、信号処理回路は、フレームごとに第1基準電圧Vref1を変えずに、複数フレーム例えば、3フレームごとに第1基準電圧Vref1を変えてもよい。これにより、第1基準電圧Vref1の電位が変動するために可変電圧源180で生じる消費電力を低減できる。また、信号処理回路は複数フレームにわたって電位差検出回路又は電位比較回路から出力された電位差を測定し、測定した電位差を平均化し、平均化した電位差に応じて可変電圧源を調整してもよい。具体的には、図21に示すフローチャートにおいて検出点の電位の検出処理ステップS14及び電位差の検出処理ステップS15を複数フレームにわたって実行し、電圧マージンの決定処理ステップS16において、電位差の検出処理ステップS15で検出された複数フレームの電位差を平均化し、平均化した電位差に対応して電圧マージンを決定してもよい。また、信号処理回路は、有機EL素子121の経年劣化マージンを考慮して、第1基準電圧Vref1及び第2基準電圧Vref2を決定してもよい。例えば、有機EL素子121の経年劣化マージンをVadとすると、信号処理回路160は第1基準電圧Vref1の電圧をVTFTVELVdropVadとしてもよく、信号処理回路260は第2基準電圧Vref2の電圧をVTFTVELVadとしてもよい。また、上記実施の形態においては、スイッチトランジスタ124及び駆動トランジスタ125をP型トランジスタとして記載したが、これらをN型トランジスタで構成してもよい。また、スイッチトランジスタ124及び駆動トランジスタ125は、TFTであるとしたが、その他の電界効果トランジスタであってもよい。また、上記実施の形態1~10に係る表示装置に含まれる処理部は、典型的には集積回路であるLSIとして実現される。なお、上記表示装置に含まれる処理部の一部を、有機EL表示部と同一の基板上に集積することも可能である。また、専用回路又は汎用プロセッサで実現してもよい。また、LSI製造後にプログラムすることが可能なFPGAFieldProgrammableGateArray、又はLSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブルプロセッサを利用してもよい。また、本発明の実施の形態1~10に係る表示装置に含まれるデータ線駆動回路、書込走査駆動回路、制御回路、ピーク信号検出回路、信号処理回路及び電位差検出回路の機能の一部を、CPU等のプロセッサがプログラムを実行することにより実現してもよい。また、本発明は、上記表示装置が備える各処理部により実現される特徴的なステップを含む表示装置の駆動方法として実現してもよい。また、上記説明では、実施の形態1~10に係る表示装置がアクティブマトリクス型の有機EL表示装置である場合を例に述べたが、本発明を、アクティブマトリクス型以外の有機EL表示装置に適用してもよいし、電流駆動型の発光素子を用いた有機EL表示装置以外の表示装置、例えば液晶表示装置に適用してもよい。また、例えば、本発明に係る表示装置は、図46に記載されたような薄型フラットTVに内蔵される。本発明に係る画像表示装置が内蔵されることにより、映像信号を反映した高精度な画像表示が可能な薄型フラットTVが実現される。