"1以上のLEDチップと、上記LEDチップが搭載されており、上記LEDチップを囲む反射面を有する支持部材と、上記反射面によって囲まれた空間に充填されており、上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、を備えており、上記反射面は、上記LEDチップからの光を散乱させる凹凸面とされていることを特徴とする、LEDモジュール。上記基材のうち上記反射面を構成する部位は、樹脂によって形成されている、請求項1に記載のLEDモジュール上記樹脂は、白色である、請求項2に記載のLEDモジュール。上記反射面の粗さは、Ry最大高さが1~10μmである、請求項1ないし3のいずれかに記載のLEDモジュール。上記支持部材は、基材および配線パターンを有し、上記LEDチップが搭載された基板と、この基板上に形成されており上記反射面を有するリフレクタと、からなる、請求項1ないし4のいずれかに記載のLEDモジュール。上記支持部材は、いずれかに上記LEDチップが搭載された複数のリードと、これらのリードの一部ずつを覆い、上記反射面を有するリフレクタと、からなる、請求項1ないし4のいずれかに記載のLEDモジュール。上記LEDチップは、Siからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有している、請求項1ないし6のいずれかに記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する2つのワイヤを備えている、請求項7に記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する1つのワイヤを備えている、請求項7に記載のLEDモジュール。上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、2つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記支持部材と導通接合されている、請求項7に記載のLEDモジュール。上記LEDチップは、半導体層および上記支持部材に接合された2つの電極パッドからなる、請求項1ないし6のいずれかに記載のLEDモジュール。上記半導体層のうち上記支持部材とは反対側の面が、凹凸面とされている、請求項10または11に記載のLEDモジュール。上記半導体層の上記凹凸面の粗さは、Ry最大高さが1~10μmである、請求項12に記載のLEDモジュール。上記半導体層は、青色光または緑色光を発する、請求項7ないし13のいずれかに記載のLEDモジュール。上記封止樹脂には、上記LEDチップからの光によって励起されることにより、上記LEDチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体材料が混入されている、請求項14に記載のLEDモジュール。上記蛍光体材料は、黄色光を発する、請求項15に記載のLEDモジュール。本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化と高輝度化とを図ることが可能なLEDモジュールを提供することをその課題とする。本発明によって提供されるLEDモジュールは、1以上のLEDチップと、上記LEDチップが搭載されており、上記LEDチップを囲む反射面を有する支持部材と、上記反射面によって囲まれた空間に充填されており、上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、を備えており、上記反射面は、上記LEDチップからの光を散乱させる凹凸面とされていることを特徴としている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材のうち上記反射面を構成する部位は、樹脂によって形成されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂は、白色である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記反射面の粗さは、Ry最大高さが1~10μmである。本発明の好ましい実施の形態においては、上記支持部材は、基材および配線パターンを有し、上記LEDチップが搭載された基板と、この基板上に形成されており上記反射面を有するリフレクタと、からなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記支持部材は、いずれかに上記LEDチップが搭載された複数のリードと、これらのリードの一部ずつを覆い、上記反射面を有するリフレクタと、からなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記LEDチップは、Siからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有している。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する2つのワイヤを備えている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記支持部材とを接続する1つのワイヤを備えている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、2つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記支持部材と導通接合されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記LEDチップは、半導体層および上記支持部材に接合された2つの電極パッドからなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層のうち上記支持部材とは反対側の面が、凹凸面とされている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層の上記凹凸面の粗さは、Ry最大高さが1~10μmである。本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層は、青色光または緑色光を発する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂には、上記LEDチップからの光によって励起されることにより、上記LEDチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体材料が混入されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記蛍光体材料は、黄色光を発する。このような構成によれば、上記LEDチップから上記反射面へと進行した光は、上記反射面によって散乱される。この散乱された光は、上記封止樹脂の表面に対する入射角が臨界角よりも小さく、全反射されない光を含む。これにより、上記反射面に向かってきた光の一部を上記封止樹脂から確実に出射することが可能である。したがって、上記LEDモジュールの小型化を図りつつ、高輝度化を実現することができる。本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。図1~図4は、本発明の第1実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール101は、基板300、LEDチップ200、2つのワイヤ500、リフレクタ600、および封止樹脂700を備えている。なお、理解の便宜上、図1および図2においては、封止樹脂700を省略している。基板300は、基材310および基材310に形成された配線パターン320からなる。基材310は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン320は、たとえばCuまたはAgなどの金属からなり、ボンディング部321,322、迂回部323,324、および実装端子325,326を有する。ボンディング部321,322は、基材310の上面に形成されている。迂回部323,324は、ボンディング部321,322につながっており、基材310の両側面に形成されている。実装端子325,326は、基材310の下面に形成されており、迂回部323,324につながっている。実装端子325,326は、LEDモジュール101をたとえば回路基板に実装するために用いられる。LEDチップ200は、Siからなるサブマウント基板210とたとえばGaNからなるn型半導体層、活性層およびp型半導体層が積層された半導体層220とを有する構造とされており、たとえば青色光を発する。図4に示すように、半導体層220には、サブマウント基板210側に2つの電極パッド230が形成されている。これらの電極パッド230は、サブマウント基板210に形成された配線パターン図示略に導電性ペースト231によって接合されている。サブマウント基板210は、絶縁性ペースト251によってボンディング部321に接合されている。サブマウント基板210には2つの電極図示略が形成されている。これらの電極には、2つのワイヤ500それぞれの一端がボンディングされており、LEDチップ200は、いわゆる2ワイヤタイプとして構成されている。一方のワイヤ500の他端は、ボンディング部321にボンディングされており、他方のワイヤ500の他端は、ボンディング部322にボンディングされている。また、サブマウント基板210には、半導体層220に過大な逆電圧が印加されることを防止するためのツェナーダイオード図示略が作りこまれている。リフレクタ600は、たとえば白色のエポキシ樹脂または液晶ポリマLCP樹脂からなり、LEDチップ200を囲む枠状である。リフレクタ600には、反射面601が形成されている。反射面601は、LEDチップ200を囲んでいる。本実施形態においては、反射面601は、基板300の厚さ方向において基板300から離間するほど、基板300の厚さ方向に対して直角である方向においてLEDチップ200から遠ざかるように傾斜している。反射面601は、LEDチップ200からの光を散乱させる凹凸面とされている。この凹凸面の粗さは、たとえばRy最大高さが1~10μmである。好ましくは、この凹凸面の粗さは、Ry最大高さが1~6μmである。基板300とリフレクタ600とは、支持部材800を構成している。なお、Ry最大高さとは、JISB0601、JISB0031に定められており、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の山頂線と谷底線との間隔を粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値をマイクロメートルμmで表したものをいう。封止樹脂700は、LEDチップ200を覆っており、反射面601によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂700は、たとえば透明なエポキシ樹脂に蛍光体材料が混入された材質からなる。この蛍光体材料は、たとえばLEDチップ200の半導体層220から発せられる青色光によって励起されることにより黄色光を発する。これらの青色光と黄色光とを混色することにより、LEDモジュール101は、白色光を発する。なお、上記蛍光体材料としては、青色光によって励起されることにより赤色光を発するものと、緑色光を発するものを用いてもよい。LEDモジュール101の製造方法の一例を挙げる。まず、サブマウント基板210に半導体層220を接合する。ついで、基板300にリフレクタ600を金型を用いて形成する。この金型のうち、反射面601を形成するための面は、凹凸面とされている。この凹凸面の粗さは、たとえば最大高さが1~10μmである。好ましくは、この凹凸面の粗さは、Ry最大高さが1~6μmである。ついで、基板300にLEDチップ200を搭載する。ついで、LEDチップ200にワイヤ500をボンディングする。そして、封止樹脂700を形成することにより、LEDモジュール101が完成する。次に、LEDモジュール101の作用について説明する。本実施形態によれば、図3に示すように、LEDチップ200から側方に進行した光は、反射面601によって散乱される。この散乱された光は、封止樹脂700の上面に対する入射角が臨界角よりも小さく、全反射されない光を含む。これにより、反射面601に向かってきた光の一部を封止樹脂700から確実に出射することが可能である。したがって、LEDモジュール101の小型化を図りつつ、高輝度化を実現することができる。リフレクタを白色樹脂によって形成することにより、封止樹脂700から出射する光量を多くすることができる。発明者らの研究によれば、反射面601の粗さがRy最大高さが1~10μmである場合に、高輝度化の効果が顕著に高められることができるという知見が得られた。さらに高輝度化の効果を高めるためには、反射面601の粗さがRy最大高さが1~6μmであることが好ましい。図5~図23は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。図5~図7は、本発明の第2実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール102は、LEDチップ200の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したLEDモジュール101と異なっている。図7に示すように、本実施形態においては、LEDチップ200のサブマウント基板210には、1つのワイヤ500のみがボンディングされており、LEDチップ200は、いわゆる1ワイヤタイプとして構成されている。このワイヤ500は、ボンディング部322に接続されている。サブマウント基板210の下面には、図示しない電極が形成されている。この電極は、導電性ペースト252によって、ボンディング部321に導通接合されている。本実施形態においては、図6および図7に示すように、反射面601だけでなく、リフレクタ600の外面、基板300の外面および反射面601に囲まれた領域が、凹凸面とされている。このような構成のLEDモジュール102の製造方法の一例を説明する。まず、サブマウント基板210に半導体層220を接合する。ついで、基板300にリフレクタ600を金型を用いて形成する。ついで、リフレクタ600の反射面601に対してショットブラスト処理を施す。このとき、ショットブラスト処理においては、粒状の投射材が、反射面601だけでなくリフレクタ600や基板300の露出面に回り込むように衝突する。このため、リフレクタ600および基板300の露出している面のほとんどがショットブラスト処理を受ける格好となる。ついで、基板300にLEDチップ200を搭載する。ついで、LEDチップ200にワイヤ500をボンディングする。そして、封止樹脂700を形成することにより、LEDモジュール102が完成する。このような実施形態によっても、LEDモジュール102の小型化と高輝度化とを図ることができる。図8~図10は、本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール103は、LEDチップ200の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したLEDモジュール101,102と異なっている。図10に示すように、本実施形態においては、LEDチップ200のサブマウント基板210の下面には、2つの電極パッド232が形成されている。これらの電極パッド232は、サブマウント基板210内に形成された導通経路図示略を介して、2つの電極パッド230と導通している。2つの電極パッド232は、導電性ペースト252を介してボンディング部321,322に導通接続されている。このような構成のLEDチップ200は、いわゆるフリップチップタイプと称される。本実施形態においては、LEDモジュール102と同様に、リフレクタ600および基板300の大部分が凹凸面とされている。さらに、図10に示すように、LEDチップ200の上面をはじめとする露出面も、凹凸面とされている。このような構成のLEDモジュール103の製造方法の一例を説明する。まず、サブマウント基板210に半導体層220を接合する。ついで、基板300にリフレクタ600を金型を用いて形成する。ついで、基板300にLEDチップ200を搭載する。ついで、リフレクタ600の反射面601に対してショットブラスト処理を施す。このとき、ショットブラスト処理においては、粒状の投射材が、反射面601だけでなくリフレクタ600や基板300の露出面、さらにLEDチップ200に対して衝突する。このため、リフレクタ600、基板300、およびLEDチップ200の露出している面のほとんどがショットブラスト処理を受ける格好となる。そして、封止樹脂700を形成することにより、LEDモジュール103が完成する。LEDチップ200の上面の粗さは、Ry最大高さが1~10μmである。好ましくは、LEDチップ200の上面の粗さは、Ry最大高さが1~6μmである。このような実施形態によっても、LEDモジュール103の小型化と高輝度化とを図ることができる。また、図10に示すように、LEDチップ200の半導体層220内で発した光の一部は、半導体層220内を進行した後に半導体層220の上面に入射する。この上面が凹凸状であることにより、上面が平滑面である場合に入射角が大きいために全反射される光が、半導体層220から出射されうる。したがって、LEDモジュール103の高輝度化をさらに促進することができる。図11は、LEDモジュール103の変形例を示している。本変形例においては、LEDチップ200は、半導体層220によって構成されており、サブマウント基板210を備えていない。LEDチップ200は、フリップチップタイプとして構成されており、ワイヤを介することなく基板300に搭載されている。上述したLEDモジュール103の製造工程を経ることにより、本変形例においても、LEDチップ200の上面をはじめとする露出面のほとんどが凹凸面とされている。このような変形例によっても、LEDモジュール103の小型化と高輝度化とを促進することができる。なお、LEDモジュール101において、LEDモジュール102,103のLEDチップ200を用いてもよい。また、LEDモジュール102においてLEDモジュール101,103のLEDチップを用いてもよい。図12~図14は、本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール104は、リード410,420を備える点、およびリフレクタ600の構成が、上述したLEDモジュール101~103と異なる。リード410,420は、たとえばCuまたはCu合金からなるプレートに対して打ち抜き加工および曲げ加工を施すことによって形成されている。リード410は、ボンディング部411、迂回部412、実装端子413を有している。リード420は、ボンディング部421、迂回部422、実装端子423を有している。ボンディング部411には、LEDチップ200がボンディングされている。ボンディング部411と実装端子413とは互いに略平行であり、迂回部412によって互いに連結されている。ボンディング部421と実装端子423とは互いに略平行であり、迂回部422によって互いに連結されている。本実施形態のLEDチップ200は、図4に示された2ワイヤタイプとして構成されている。2つのワイヤ500の一方はボンディング部411にボンディングされており、他方はボンディング部421にボンディングされている。リフレクタ600は、枠状部602と土台部603とを有している。枠状部602は、反射面601が形成された部分であり、LEDチップ200を囲んでいる。土台部603は、枠状部602の下方につながっており、リード410,420によって抱え込まれた格好となっている。本実施形態においては、リフレクタ600のみによって支持部材800が構成されている。また、反射面601のみが凹凸面とされている点は、LEDモジュール101と同様であり、LEDモジュール104の製造方法は、LEDモジュール101の製造方法と類似している。このような実施形態によっても、LEDモジュール104の高輝度化と高輝度化とを図ることができる。また、金属プレートからなるリード410,420は、比較的熱伝導に優れる。このため、LEDチップ200から発せられた熱をより効率よくLEDモジュール104外へと放散することができる。図15は、本発明の第5実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール105は、LEDチップ200の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したLEDモジュール104と異なっている。本実施形態においては、LEDチップ200は、図7に示された1ワイヤタイプとして構成されている。また、本実施形態においては、LEDモジュール102と同様に、リフレクタ600の外面および封止樹脂700によって覆われている領域のほとんどが凹凸面とされている。LEDモジュール105の製造方法は、LEDモジュール102の製造方法と類似している。このような実施形態によっても、LEDモジュール105の小型化と高輝度化とを図ることができる。図16は、本発明の第6実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール106は、LEDチップ200の構成、および凹凸面とされている範囲が、上述したLEDモジュール104,105と異なっている。本実施形態においては、LEDチップ200は、図10に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。また、本実施形態においては、リフレクタ600およびLEDチップ200のほとんどの領域が凹凸面とされている。LEDモジュール106の製造方法は、LEDモジュール103の製造方法と類似している。また、図11に示されたLEDチップ200を用いてもよい。このような実施形態によっても、LEDモジュール106の小型化と高輝度化とを図ることができる。図17~図20は、本発明の第7実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール107は、3つのLEDチップ200,201を備えている点が、上述したLEDモジュール101~106と異なっている。LEDモジュール107は、リード430,431,432,433,434,435、3つのLEDチップ200,201、リフレクタ600、および封止樹脂700を備えている。なお、図17においては、理解の便宜上封止樹脂700を省略している。リード430,431,432,433,434,435は、たとえばCuまたはCu合金からなり、その一部ずつがリフレクタ600に覆われている。本実施形態においては、リード430,431,432,433,434,435およびリフレクタ600によって、支持部材800が構成されている。2つのLEDチップ200は、図4に示した2ワイヤタイプのものであり、一方が青色光を発し、他方が緑色光を発する。LEDチップ201は、本発明で言う追加のLEDチップの一例であり、赤色光を発する。3つのLEDチップ200,201は、リード430に一列に搭載されている。図17中上方のLEDチップ200にボンディングされた2つのワイヤ500は、リード431,432にボンディングされている。図17中下方のLEDチップ200にボンディングされた2つのワイヤ500は、リード433,434にボンディングされている。LEDチップ201は、下面が電極が形成された電極面とされており、リード430と導通接合されている。LEDチップ201の上面には、ワイヤ500の一端がボンディングされている。このワイヤ500の他端は、リード435にボンディングされている。封止樹脂700は、たとえば透明なエポキシ樹脂からなる。本実施形態においては、封止樹脂700には、蛍光体材料は混入されていない。本実施形態においては、リフレクタ600の反射面601のみが凹凸面とされている。LEDモジュール107の製造方法は、LEDモジュール101と類似している。このような実施形態によっても、LEDモジュール107の小型化と高輝度化とを図ることができる。また、3つのLEDチップ200,201からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。また、3つのLEDチップ200,201に流れる電流の大きさを個別に調整することにより、さまざまな色調の光を出射することができる。図21~図23は、本発明の第8実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール108は、支持部材800が基板300およびリフレクタ600によって構成されており、基板300に、ボンディングパッド451,452,453,454,455,456,457,458と、貫通導体部461,462,463,464,465,466,467,468貫通導体部464,465,466は図示略と、実装端子471,472とが形成されている点が、上述したLEDモジュール107と異なる。基板300は、たとえば積層された複数のセラミック材料シートを焼成することによって形成される、セラミック基板である。本実施形態においては、リフレクタ600の反射面601のみが凹凸面とされている。ボンディングパッド451,452,453,454,455,456,457,458は、たとえばAgまたはCuからなる。ボンディングパッド451,454には、2つのLEDチップ200が各別に搭載されている。ボンディングパッド452,453には、一方のLEDチップ200につながる2つのワイヤ500がボンディングされている。ボンディングパッド455,456には、他方のLEDチップ200につながる2つのワイヤ500がボンディングされている。ボンディングパッド457には、LEDチップ200が搭載されており、ボンディングパッド458には、LEDチップ200につながるワイヤ500がボンディングされている。このような実施形態によっても、LEDモジュール108の小型化と高輝度化とを図ることができる。また、3つのLEDチップ200,201からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。本発明に係るLEDモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るLEDモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。"