半導体基板の表面にフォトレジストを形成し、前記フォトレジストに、半導体素子を形成するためのレジストパターンを形成するのと同時に、前記半導体素子が形成される領域以外の領域に、前記レジストパターンの寸法の公差の幅を有するフォトマスクを用いて、凸型レジストパターン及び凹型レジストパターンをテストレジストパターンとして形成し、前記テストレジストパターンを検査することにより、前記レジストパターンの寸法が許容範囲内であるか否か判定するレジストパターンの検査方法。しかしながら、特許文献1に記載の技術では、レジストパターンの欠陥の検査のために、基板をエッチングし、エッチングした基板を検査する必要がある。検査の際には、基板の全面を、例えば走査型電子顕微鏡等を用いて検査する。よって特許文献1に記載の技術では測定時間が長く、また設備コストが高いという問題がある。本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、より検査時間の短いレジストパターンの検査方法を提供することを目的とする。本発明にかかるレジストパターンの検査方法は、半導体基板の表面にフォトレジストを形成し、フォトレジストに、半導体素子を形成するためのレジストパターンを形成するのと同時に、半導体素子が形成される領域以外の領域に、レジストパターンの寸法の公差の幅を有するフォトマスクを用いて、凸型レジストパターン及び凹型レジストパターンをテストレジストパターンとして形成し、テストレジストパターンを検査することにより、レジストパターンの寸法が許容範囲内であるか否か判定するものである。これにより、レジストパターンの寸法を直接測定することなく、レジストパターンの寸法が所定の寸法であるか否か検査することができる。本発明にかかる技術によれば、より簡易なレジストパターンの検査方法を提供することができる。以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態は、パターン基板の製造工程で、半導体素子を形成する際に用いられるレジストパターンを検査するものである。本実施の形態においては、露光された部分のレジストが現像液で溶解除去されるポジ型のフォトレジストを用いた場合について説明する。図1は、レジストパターンの検査方法の工程を示すフローチャートである。ここではレジストパターンを形成する工程の一例を説明する。まず、ウェハの上面に、ポジ型のフォトレジストを例えば1μmの厚みになるよう塗布するステップS1。次に、フォトレジストを塗布したウェハを、90°Cで5分間乾燥し、フォトレジストの溶媒を揮発させるステップS2。次に、フォトレジストが塗布されたウェハと、パターンを形成するためのフォトマスクとの位置を合わせ、例えば波長356nmのi線を射出する水銀灯を用いて露光するステップS3。フォトマスクには、半導体素子を形成する際のエッチングに用いる素子レジストパターンを形成するための素子パターンと、レジストパターン形成後に、素子レジストパターンの判定に用いる、凸型及び凹型テストレジストパターンを形成するための、凸型及び凹型テストパターンとが描画されている。次に、ウェハを2.38wtのTMAHTetraMethylAmmoniumHydroxide水溶液に浸し、露光した部分を溶かして現像し、純粋で洗浄するステップS4。次に、ウェハを110°Cで5分間加熱し、水分を除去して、素子レジストパターン及びテストレジストパターンを硬化するステップS5。次に、テストレジストパターンを検査し、半導体素子を形成するためのパターンである、素子レジストパターンが所望の寸法であるか否か判定するステップS6。ステップ6の後、形成された素子レジストパターンを用いてエッチングすることで、複数の半導体素子が形成される。テストレジストパターンは、素子レジストパターンの寸法公差の幅が描画されたフォトマスクを用いて形成され、凸型テストレジストパターンと、凹型テストレジストパターンとを有する。本実施の形態においては、素子レジストパターンが所望の寸法であるか否か、テストレジストパターンの検査をすることにより判定する。従来は、素子レジストパターンが所望の寸法であるか否か、走査型電子顕微鏡を用いて検査していた。しかし、本実施の形態では、テストレジストパターンの検査は、テストレジストパターンが良好に形成されているか否か検査すればよいため、走査型電子顕微鏡等を用いることなく、光学顕微鏡を用いて検査できる。従って、より測定時間の短縮、及び設備投資費の節約をすることができる。更に詳細に説明する。図2は、露光前のウェハ10を示す図である。ウェハ10は、半導体材料、例えば単結晶シリコンから切り出された円形のプレートの表面が加工されたものである。ウェハ10上において、エッチング加工されることにより半導体チップが形成される領域を、チップ領域11とする。チップ領域11は、素子パターンがマスクされた領域である素子領域11aと、テストパターンがマスクされた領域であるテスト領域11bとを有する。なお、ここでは、素子領域11aとテスト領域11bとを明確に分けているが、素子パターンが形成されない領域であれば、テストパターンはどこに形成されてもよい。図3は、図2に示す素子領域11aにおいて、ウェハ10上にフォトレジスト12を塗布し、素子パターン13を配置した状態を示す断面図である。ここでは一例として、半導体素子を形成するための素子パターン13の寸法は、3.3μmとして説明する。また、素子パターン13により形成される、半導体素子を形成するための素子レジストパターンは、3.3±0.1μmを許容範囲とする。すなわち、本実施の形態において、寸法公差は0.2μmであるものとする。図4aは、図2に示す素子領域11bにおいて、ウェハ10上にフォトレジスト12を塗布し、凸型テストパターン14を配置した状態を示す断面図である。本実施の形態では、半導体素子を形成するためのレジストパターンの寸法公差が0.2μmであるため、凸型テストパターン14の寸法は、0.2μmである。図4bは、図2に示す素子領域11bにおいて、ウェハ10上にフォトレジスト12を塗布し、凹型テストパターン15を配置した状態を示す断面図である。本実施の形態では、半導体素子を形成するためのレジストパターンの寸法公差が0.2μmであるため、凹型テストパターン15の寸法は、0.2μmである。ここで、フォトレジストに形成されるレジストパターンは、露光される時間により、形成される形状が変化する。ポジ型のフォトレジストでは、露光時間が短い場合、光量不足によってフォトレジストが十分に反応せず、レジストパターンの寸法は所望の寸法より大きくなる。一方、露光時間が長い場合、光量過多により、レジストパターンの寸法は所望の寸法より小さくなる。本実施の形態においては、テストレジストパターンの幅は、素子レジストパターンの寸法公差の幅に設定されている。また、テストレジストパターンは、素子レジストパターン18が形成されるのと同時に形成されるため、フォトレジストの厚さや露光時間等の条件は同じである。よって、テストレジストパターンの形成が良好か否か調べることにより、露光時間が最適であるか否か判断することができる。例えば、露光時間が長い場合には、凸型テストパターン14により形成される、凸型テストレジストパターンは、現像後に残っていない。一方、露光時間が短い場合には、凹型テストパターン15により形成される、凹型テストレジストパターンは、ウェハ10の表面まで、孔の深さが達しない。従って、テストレジストパターンが良好に形成されている場合、素子レジストパターンは所望の寸法で形成されていると判断できる。図5は、露光時間が325msecであった場合に形成される素子レジストパターンと、凸型及び凹型テストレジストパターンとを示す図である。図5aは、素子レジストパターン18を、図5bは、凸型テストレジストパターン16を、図5cは、凹型テストレジストパターン17を示す。図5において、凸型テストレジストパターン16は0.2μmより小さい寸法で形成され、凹型テストレジストパターン17は、チップ領域11の表面まで達していることが確認できる。つまり、テストレジストパターンは良好に形成されている。したがって、露光時間は適切であると判断できる。この際、素子レジストパターン18は、目的の寸法である3.2~3.4μmで形成されている。図6は、露光時間が200msecであった場合に形成される素子レジストパターンと、凸型及び凹型テストレジストパターンとを示す図である。図6aは、素子レジストパターン18を、図6bは、凸型テストレジストパターン16を、図6cは、凹型テストレジストパターン17を示す。図6において、凹型テストレジストパターン17は、チップ領域11の表面まで達していない。つまり、露光時間が短いと判断できる。この際、素子レジストパターン18は、露光時間が短かったために、寸法が3.4μmより大きく形成されている。図7は、露光時間が400msecであった場合に形成される素子レジストパターンと、凸型及び凹型テストレジストパターンとを示す図である。図7aは、素子レジストパターン18を、図7bは、凸型テストレジストパターン16を、図7cは、凹型テストレジストパターン17を示す。図7において、凸型テストレジストパターン16は、現像の際にレジストパターンが残っていない。つまり、露光時間が長すぎると判断できる。この際、素子レジストパターン18は、露光時間が長かったために、寸法が3.2μmより小さく形成されている。以上より、凹型及び凸型のテストレジストパターンを検査することにより、素子レジストパターンが所定の寸法であるか否か、判断することができる。すなわち、テストレジストパターンが良好に形成されない場合、素子レジストパターンは所望の寸法に形成されていないものと判断でき、テストレジストパターンが良好に形成されていた場合、素子レジストパターンは所望の寸法で形成されていると判断できる。また、素子レジストパターンとテストレジストパターンの形成には、露光時間が影響するため、テストレジストパターンを検査することにより、最適な露光時間を定めることができる。なお、本実施の形態では、露光された部分のレジストが現像液で溶解除去されるポジ型のフォトレジストを例として説明したが、露光されなかった部分のレジストが現像液で融解除去されるネガ型のフォトレジストにも適用可能であることはもちろんである。ネガ型のフォトレジストに適用する場合には、図4aの場合に凹型テストレジストパターンが形成され、図4bの場合に凸型テストレジストパターンが形成される。そして、ネガ型のフォトレジストの場合、露光時間が短いと凸型テストレジストパターンが消滅し、露光時間が長いと凹型テストレジストパターンがチップ領域11の表面まで達しない。さらに、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。