"物体の表面に設けられた複数のマークの位置情報を検出するマーク検出方法において、複数のマーク検出系の複数の検出領域と前記物体とを相対移動することと、前記物体の相対移動中に、前記複数のマーク検出系と前記物体の表面との第1のデフォーカス量を計測し、該計測結果に基づいて前記物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御することと、前記複数のマークが前記複数の検出領域内に達したときに、前記検出領域と前記物体とを相対的に静止させて、前記複数のマーク検出系のうち少なくとも2個の第1組のマーク検出系で対応する1組のマークの位置情報を検出することと、を含むことを特徴とするマーク検出方法。前記検出領域と前記物体とを相対的に静止させたときに、前記複数のマーク検出系と前記物体の表面との第2のデフォーカス量を計測することと、前記第2のデフォーカス量に基づいて前記第1組のマーク検出系と前記物体との合焦を行うように、前記物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御することと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のマーク検出方法。前記複数のマーク検出系は少なくとも3個で、前記第1組のマーク検出系は2個であり、前記第1組のマーク検出系で対応する前記1組のマークの位置情報を検出した後、他の第2組のマーク検出系に対して前記物体の表面が合焦されるように前記物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御して、前記第2組のマーク検出系で対応する1組のマークの位置情報を検出すること、を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のマーク検出方法。前記複数のマーク検出系は5個で、前記第2組のマーク検出系は2個であり、前記第2組のマーク検出系で対応する前記1組のマークの位置情報を検出した後、他の一つのマーク検出系に対して前記物体の表面が合焦されるように前記物体の面位置を制御して、前記他の一つマーク検出系で対応するマークの位置情報を検出すること、を含むことを特徴とする請求項3に記載のマーク検出方法。前記複数のマーク検出系の前記検出領域はほぼ一列に配置されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のマーク検出方法。前記物体の表面に設けられた前記マークは、第1方向に配列された複数の第1ライン部と、前記第1方向に直交する第2方向に、前記第1ライン部よりも少ない数で配列されるとともに、前記第1ライン部よりも長い複数の第2ライン部とを有することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のマーク検出方法。露光光でパターンを介して物体を露光する露光方法において、請求項1~6のいずれか一項に記載のマーク検出方法を用いて前記物体の表面の複数のマークの位置情報を検出する工程と、該検出結果に基づいて、前記物体と前記パターンとの位置合わせを行う工程と、を含むことを特徴とする露光方法。物体の表面に設けられた複数のマークの位置情報を検出するマーク検出装置において、それぞれ前記マークの位置情報を検出するとともに前記物体の表面に対するデフォーカス量を計測可能な複数のマーク検出系と、前記複数のマーク検出系の検出領域と前記物体とを相対移動する移動機構と、前記物体の面位置及び傾斜角を制御可能な面位置制御装置と、前記マーク検出系、前記移動機構、及び前記面位置制御装置を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記移動機構による前記物体の相対移動中に、前記複数のマーク検出系によって計測される第1のデフォーカス量に基づいて、記面位置制御装置を駆動して前記物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、前記複数のマークが前記複数の検出領域内に達したときに、前記検出領域と前記物体とを相対的に静止させて、前記複数のマーク検出系のうち少なくとも2個の第1組のマーク検出系で対応する1組のマークの位置情報を検出させることを特徴とするマーク検出装置。前記制御装置は、前記検出領域と前記物体とを相対的に静止させたときに、前記複数のマーク検出系に前記物体の表面との第2のデフォーカス量を計測させ、前記第2のデフォーカス量に基づいて前記第1組のマーク検出系と前記物体との合焦を行うように、前記面位置制御装置を駆動して前記物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項8に記載のマーク検出装置。前記複数のマーク検出系は少なくとも3個で、前記第1組のマーク検出系は2個であり、前記制御装置は、前記第1組のマーク検出系で対応する前記1組のマークの位置情報を検出させた後、他の第2組のマーク検出系に対して前記物体の表面が合焦されるように前記ステージを駆動して前記物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御して、前記第2組のマーク検出系で対応する1組のマークの位置情報を検出させることを特徴とする請求項8又は9に記載のマーク検出装置。前記複数のマーク検出系は5個で、前記第2組のマーク検出系は2個であり、前記制御装置は、前記第2組のマーク検出系で対応する前記1組のマークの位置情報を検出させた後、他の一つのマーク検出系に対して前記物体の表面が合焦されるように前記面位置制御装置を駆動して前記物体の面位置を制御して、前記他の一つマーク検出系で対応するマークの位置情報を検出させることを特徴とする請求項10に記載のマーク検出装置。前記複数のマーク検出系の前記検出領域はほぼ一列に配置されていることを特徴とする請求項8~11のいずれか一項に記載のマーク検出装置。露光光でパターンを介して物体を露光する露光装置において、請求項8~12のいずれか一項に記載のマーク検出装置を備え、前記マーク検出装置の前記複数のマーク検出系の検出結果に基づいて前記移動機構を駆動して前記物体と前記パターンとの位置合わせを行うことを特徴とする露光装置。請求項7に記載の露光方法を用いて物体に感光パターンを形成することと、前記露光された物体を前記感光パターンに基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法。請求項13に記載の露光装置を用いて物体に感光パターンを形成することと、前記露光された物体を前記感光パターンに基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法。従来のウエハアライメントにおいては、複数軸のアライメント系を用いているため、ウエハの多くのアライメントショットに付設されたマークの位置を効率的に計測できる。しかしながら、複数軸のアライメント系の検出領域内に被検マークが入ってからそれぞれデフォーカス量を計測し、この計測結果に基づいて各アライメント系に対する被検マークの合焦を行っていたため、各アライメント系に対して被検マークを合焦させるまでの時間が長いという問題があった。本発明は、このような事情に鑑み、ウエハ等の物体に設けられた複数のマークの位置情報をより短時間に高精度に検出できるようにすることを目的とする。本発明の第1の態様によれば、物体の表面に設けられた複数のマークの位置情報を検出するマーク検出方法が提供される。このマーク検出方法は、複数のマーク検出系の複数の検出領域とその物体とを相対移動することと、その物体の相対移動中に、その複数のマーク検出系とその物体の表面との第1のデフォーカス量を計測し、該計測結果に基づいてその物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御することと、その複数のマークがその複数の検出領域内に達したときに、その検出領域とその物体とを相対的に静止させて、その複数のマーク検出系のうち少なくとも2個の第1組のマーク検出系で対応する1組のマークの位置情報を検出することと、を含むものである。また、第2の態様によれば、露光光でパターンを介して物体を露光する露光方法が提供される。この露光方法は、本発明のマーク検出方法を用いてその物体の表面の複数のマークの位置情報を検出する工程と、この検出結果に基づいて、その物体とそのパターンとの位置合わせを行う工程と、を含むものである。また、第3の態様によれば、物体の表面に設けられた複数のマークの位置情報を検出するマーク検出装置が提供される。このマーク検出装置は、それぞれそのマークの位置情報を検出するとともにその物体の表面に対するデフォーカス量を計測可能な複数のマーク検出系と、その複数のマーク検出系の検出領域とその物体とを相対移動する移動機構と、その物体の面位置及び傾斜角を制御可能な面位置制御装置と、そのマーク検出系、その移動機構、及びその面位置制御装置を制御する制御装置と、を備え、その制御装置は、その移動機構によるその物体の相対移動中に、その複数のマーク検出系によって計測される第1のデフォーカス量に基づいて、その面位置制御装置を駆動してその物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、その複数のマークがその複数の検出領域内に達したときに、その検出領域とその物体とを相対的に静止させて、その複数のマーク検出系のうち少なくとも2個の第1組のマーク検出系で対応する1組のマークの位置情報を検出させるものである。また、第4の態様によれば、露光光でパターンを介して物体を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、本発明のマーク検出装置を備え、そのマーク検出装置のその複数のマーク検出系の検出結果に基づいてその物体とそのパターンとの位置合わせを行うものである。また、第5の態様によれば、本発明の露光方法又は露光装置を用いて物体に感光パターンを形成することと、その露光された物体をその感光パターンに基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明によれば、その物体の相対移動中に、その複数のマーク検出系とその物体の表面との第1のデフォーカス量を計測し、この計測結果に基づいて例えばその複数のマーク検出系のうちの第1組のマーク検出系に合焦されるようにその物体の面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御することができる。この後、その検出領域とその物体とを相対的に静止させて、その第1組のマーク検出系で対応する1組のマークの位置情報を検出するときにはほぼ合焦が行われている。従って、その複数のマーク検出系に対する合焦を短時間に行うことができ、物体に設けられた複数のマークをより短時間に高精度に検出できる。本発明の実施形態の一例につき図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置EXの概略構成を示す。露光装置EXは、一例としてスキャニングステッパースキャナーよりなる走査露光型の投影露光装置走査型露光装置である。後述するように本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行にZ軸を取り、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向にY軸を、Z軸及びY軸に直交する方向にX軸を取り、X軸、Y軸、及びZ軸の回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。図1において、露光装置EXは、露光用の照明光露光光ILによりレチクルRを照明する照明系10、レチクルRを保持して移動するレチクルステージRST、レチクルRから射出された照明光ILをウエハWの表面に投射する投影光学系PLを含む投影ユニットPU、ウエハWを保持して移動するウエハステージWST、及びこれらの制御系等を備えている。さらに、露光装置EXは、ウエハWの表面に設けられたアライメントマークとしてのウエハマークの検出を行うウエハアライメント装置80を備えている。照明系10は、例えば特開2001-313250号公報対応する米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、照明光学系とを有し、照明光学系は、一例として回折光学素子または空間光変調器等を含む光量分布形成光学系と、オプティカルインテグレータフライアイレンズ又はロッドインテグレータなどと、レチクルブラインド等いずれも不図示とを有する。照明系10は、レチクルブラインドで規定されたレチクルRのパターン面レチクル面のスリット状の照明領域IARを照明光ILによりほぼ均一な照度分布で照明する。照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられている。なお、照明光としては、KrFエキシマレーザ光波長248nm、YAGレーザの高調波、固体レーザ半導体レーザなどの高調波、又は水銀ランプの輝線i線等なども使用できる。レチクルステージRSTの上面には、回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により保持されている。レチクルステージRSTは、XY平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向Y方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージRSTの移動面内の位置情報X方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含むは、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計116によって、移動鏡15を介して例えば0.5~0.1nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、図5の主制御装置20に送られる。主制御装置20は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系11を制御することで、レチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。図1において、レチクルステージRSTの下方に配置された投影ユニットPUは、鏡筒40と、該鏡筒40内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系PLとを含む。投影光学系PLは、例えば両側又はウエハ側に片側テレセントリックで所定の投影倍率β例えば1/4倍、1/5倍などを有する。投影光学系PLを介して照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの像が、ウエハWの一つのショット領域の露光領域IA照明領域IARに共役な領域に形成される。ウエハW半導体ウエハは、例えば直径が200mmから450mm程度の円板状のシリコン等よりなる基材の表面に、感光剤感光層であるフォトレジストを所定の厚さ例えば数10~200nm程度で塗布したものを含む。本実施形態のウエハWの各ショット領域には、これまでのパターン形成工程によって所定の単層又は複数層の回路パターン及び対応するウエハマークが形成されている。なお、露光装置EXでは、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系PLを構成する最も像面側ウエハW側の光学素子である先端レンズ191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように、局所液浸装置8の一部を構成するノズルユニット32が設けられている。ノズルユニット32は、露光用の液体Lqを供給可能な供給口と、液体Lqを回収可能な回収口とを有する。その供給口は、供給管31Aを介して、液体Lqを送出可能な液体供給装置5図5参照に接続されている。その回収口は、回収管31Bを介して、液体Lqを回収可能な液体回収装置6図5参照に接続されている。図5の液体供給装置5から送出された露光用の液体Lqは、図1の供給管31A、及びノズルユニット32の供給流路を流れた後、その供給口より照明光ILの光路空間に供給される。また、ノズルユニット32の回収口から回収された液体Lqは、回収管31Bを介して液体回収装置6に回収される。この動作によって、走査露光中、先端レンズ191とウエハWとの間の照明光ILの光路空間を含む液浸領域14図2参照が液体Lqで満たされる。図1において、ベース盤12の上面にウエハステージWSTが配置され、ウエハステージWSTの位置情報を計測するY軸干渉計16を含む干渉計システム118図5参照が設けられている。なお、ベース盤12の上面には、投影光学系PLの結像特性を計測する装置等を有する計測用ステージ不図示も配置されている。ウエハステージWSTは、X方向、Y方向に移動するXYステージ93XY図5参照を有するステージ本体91と、ステージ本体91の上面に搭載されたウエハテーブルWTBと、ステージ本体91内に設けられて、ステージ本体91に対してZ方向、θx方向、及びθy方向にウエハテーブルWTBウエハWを相対的に微小駆動するZステージ93Z図5参照とを備えている。XYステージ93XY及びZステージ93Zは、それぞれ図5のステージ駆動系124A及びZステージ駆動系124Bによって駆動される。ウエハテーブルWTBの中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ不図示が設けられている。また、ウエハテーブルWTBの上面には、ウエハホルダ上に載置されるウエハの表面とほぼ同じ高さの、液体Lqに対して撥液化処理された表面撥液面を有し、かつ外形輪郭が矩形でその中央部にウエハホルダウエハの載置領域よりも一回り大きな円形の開口が形成された低熱膨張率のプレート撥液板28が設けられている。プレート28の一部には、ベースライン計測用の基準マークが形成されるとともに、レチクルRのパターンの像の位置を計測するためのスリットが形成された基準部材FM図2参照が設けられている。基準部材FMの底面には、そのスリットを通過した光束を受光する空間像計測装置45図5参照が設けられている。図2に示すように、プレート28の周囲の枠状の領域には後述のエンコーダシステムのための1対のYスケール39Y1,39Y2及び1対のXスケール39X1,39X2が形成されている。Yスケール39Y1,39Y2はそれぞれY方向に所定ピッチの回折格子であり、スケール39X1,39X2はそれぞれX方向に所定ピッチの回折格子である。その所定ピッチは例えば138nm~4μm程度である。図1において、ウエハテーブルWTBの-Y方向及び-X方向の端面は、それぞれ鏡面加工が施されて反射面とされている。干渉計16等はこれらの反射面にそれぞれ測長ビームを投射して、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報X方向、Y方向の位置、θx方向、θy方向、θz方向の角度を例えば0.5~0.1nm程度の分解能で計測し、この計測値を主制御装置20に供給する。但し、本実施形態では、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのXY平面内の位置情報は、主として、上述のYスケール及びXスケールなどを含む、後述するエンコーダシステムによって計測され、干渉計16等の計測値は、そのエンコーダシステムの計測値の長期的変動を補正する場合などに補助的に用いられる。また、干渉計16は、ウエハ交換のため、アンローディングポジション及びローディングポジション付近においてウエハテーブルWTBのY方向の位置等を計測するのにも用いられる。また、ウエハテーブルWTBの上面又は不図示の計測用ステージの上面には、図3に示すように、断面矩形の低熱膨張率の棒状部材から成る基準部材としてのコンフィデンシャルバー以下、CDバーと略述する46がX方向に延設されている。このCDバー46の上面には、所定の配置で複数の基準マークMが形成されている。各基準マークMとしては、後述するプライマリ及びセカンダリのアライメント系によって検出可能な2次元マークが用いられている。これらの基準マークMの位置関係は予め高精度に計測されており、その位置関係の情報が主制御装置20の記憶部に記憶されている。本実施形態の露光装置EXでは、図1では図面の錯綜を避ける観点から図示が省略されているが、実際には、図2に示すように、投影光学系PLの光軸AXを通りかつY軸と平行な直線LV上で、光軸AXから-Y方向側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系AL1が配置されている。不図示のメインフレームに支持されるプライマリアライメント系AL1を挟んで、X方向の両側に、その直線LVに関してほぼ対称に検出中心が配置される2眼のセカンダリアライメント系AL21,AL22、及び2眼のセカンダリアライメント系AL23,AL24がそれぞれ設けられている。すなわち、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24はその検出領域検出中心がX方向に沿って配置されている。各セカンダリアライメント系AL21~AL24は、それぞれ回転中心例えば中心Oを中心として回動可能なアーム56の先端回動端に固定されている。各アーム56は、それぞれバキュームパッド58を介して不図示のメインフレームに固定可能である。本実施形態では、各セカンダリアライメント系AL21~AL24は、その一部例えば、アライメント光を検出領域に照射し、かつ検出領域内の被検マークから発生する光を受光素子に導く光学系を少なくとも含む部分がアーム56に固定され、残りの一部はメインフレームに設けられる。主制御装置20の制御のもとで、回転駆動機構60図5参照を介してセカンダリアライメント系AL21~AL24のアーム56をそれぞれ回動することで、各検出領域のX位置が調整される。各検出領域のX位置は不図示のエンコーダによって計測されている。本実施形態では、アライメント系AL1,AL21~AL24として、それぞれ例えば画像処理方式のFIAFieldImageAlignment系が用いられている。このFIA系では、ウエハのレジストを感光させないブロードバンドな検出光を被検マークに照射し、その被検マークからの反射光により受光面に結像された被検マークの像を撮像素子CCD型又はCMOS型等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する。この場合、例えば撮像素子内の所定画素の位置を基準として被検マークの像の位置を検出する。図4Aは、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24がそれぞれ図3AのCDバー46上の基準マークM1,M21,M22,M23,M24図3Aの基準マークMのいずれかに対応するを検出している状態を示している。図4Aにおいて、プライマリアライメント系AL1は、被検マークからの反射光を受光する第1対物レンズ系5aと、その反射光を分岐するビームスプリッタ5bと、開口絞り不図示と、第1対物レンズ系5aからの反射光を集光して被検マークの拡大像を形成する第2対物レンズ系5cと、その像を撮像する2次元の撮像素子5dとを含んでいる。実際には、例えば第2対物レンズ系5cとビームスプリッタ5bとの間に、不図示の光源からのアライメント光ALを被検マークに導くビームスプリッタ不図示が備えられている。また、撮像素子5dの撮像面と共役な被検面上の視野が、プライマリアライメント系AL1の検出領域ALF1である。セカンダリアライメント系AL21~AL24も、基本的な構成はプライマリアライメント系AL1と同様であり、被検マークの拡大像を形成する対物レンズ系と、その像を撮像する2次元の撮像素子5dとを含んでいる。また、セカンダリアライメント系AL21~AL24の各撮像素子の撮像面と共役な被検面上の視野が検出領域ALF21~ALF24図7A参照である。さらに、一例として、アライメント系AL1,AL21~AL24の撮像素子5dの中心の画素原点に対応する被検面上の点がアライメント系AL1,AL21~AL24の検出中心である。アライメント系AL1,AL21~AL24の撮像素子5dからの撮像信号はそれぞれ検出信号処理部131A,131B,131C,131D,131Eに供給される。検出信号処理部131A~131Eでは、各撮像素子5dの撮像信号を所定範囲で被検面上でのY方向、X方向に対応する方向に積算して、それぞれX方向及びY方向に周期的なマークの像の撮像信号SX,SYを生成し、撮像信号SX,SYをアライメント制御部132に供給する。アライメント制御部132では、それぞれの撮像信号SX,SYを例えば所定の閾値でスライスして、対応するマークの検出中心に対するX方向、Y方向の位置ずれ量を求める。この位置ずれ量は主制御装置20を介して図5のEGA演算部134に供給される。EGA演算部134では、その位置ずれ量、各アライメント系のベースライン、及びウエハステージWSTの座標X,Yより、被検マークのステージ座標系X,Yでの座標値を求める。また、各アライメント系AL1,AL21~AL24のベストフォーカス位置と被検面とのZ方向のずれ量デフォーカス量を計測するために、アライメント系AL1,AL21~AL24には、それぞれ同一構成のオートフォーカス系以下、AF系という6A,6B~6Eが装着されている。一例として、AF系6Aは、プライマリアライメント系AL1のビームスプリッタ5b又は部分反射ミラー等で分岐又は反射された焦点検出光FLを瞳面近傍で2分割して反射する瞳分割用のミラー6bと、ミラー6bからの光を集光して被検面のパターンの2つの拡大像を形成する集光レンズ系6cと、その2つの拡大像を撮像する1次元のラインセンサ2次元の撮像素子でもよい6dとを含んで構成されている。実際には、AF系6Aには、不図示の光源からの焦点検出光FLによって照明された焦点検出用パターンスリットパターン等を通過した光をビームスプリッタ5b側に送光する光学部材不図示が組み込まれており、そのラインセンサ6d上にはその焦点検出用パターンの2つの像が形成される。ラインセンサ6dの検出信号は検出信号処理部131Aに供給される。この場合、被検面がZ方向にデフォーカス量δFだけ変位すると、ラインセンサ6d上の2つのパターン像の間隔が変化するため、検出信号処理部131Aでは、その間隔に対応する図4Bのフォーカス信号FSをアライメント制御部132に供給する。他のAF系6B~6EもAF系6Aと同様に構成され、AF系6B~6Eのラインセンサからの検出信号が供給された検出信号処理部131B~131Eは、それぞれセカンダリアライメント系AL21~AL24撮像素子5dのベストフォーカス位置に対する被検面のデフォーカス量に対応するフォーカス信号をアライメント制御部132に供給する。なお、AF系6A~6Eとしては、瞳面のほぼ半面の光束を用いるオートフォーカス系等も使用可能である。アライメント制御部132は、それらのフォーカス信号に予め求められている係数を乗じて得られるアライメント系AL1,AL21~AL24毎のデフォーカス量図4Aでは、δF1,δF21~δF24の情報を主制御装置20に供給する。主制御装置20は、そのデフォーカス量の情報を用いて、後述のように被検面がそれぞれアライメント系AL1,AL21~AL24のベストフォーカス位置に合焦されるように、Zステージ駆動系124Bを介してウエハステージWST内のZステージ93Zを駆動する。ウエハアライメント装置80は、AF系6A~6Eを備えたアライメント系AL1,AL21~AL24、主制御装置20、XYステージ93XY、及びZステージ93Zを含んで構成されている。本実施形態では5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24を設けているため、アライメントを効率的に行うことができる。しかしながら、アライメント系の数は5つに限られるものでなく、2つ以上かつ4つ以下、あるいは6つ以上でも良いし、奇数ではなく偶数でも良い。本実施形態の露光装置EXでは、図2に示すように、前述したノズルユニット32の周囲を四方から囲む状態で、エンコーダシステムの4つのヘッドユニット62A~62Dが配置されている。これらのヘッドユニット62A~62Dを構成する複数のYヘッド64及びXヘッド66は、メインフレーム不図示の底面に固定されている。図2において、ヘッドユニット62A,62Cは、投影ユニットPUの±X方向側に、それぞれ投影光学系PLの光軸AXを通りかつX軸と平行な直線LH上にX方向に所定間隔で配置された複数のYヘッド64を備えている。Yヘッド64は、それぞれYスケール39Y1又は39Y2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのY方向の位置をレーザ干渉計と同じ程度の分解能で計測する。また、ヘッドユニット62B,62Dは、投影ユニットPUの±Y方向側にそれぞれ光軸AXを通りかつY軸と平行な直線LV上にY方向にほぼ所定間隔で配置された複数のXヘッド66を備えている。Xヘッド66は、それぞれXスケール39X1又は39X2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのX方向の位置をレーザ干渉計と同じ程度の分解能で計測する。Yヘッド64及びXヘッド66の構成の一例は、国際公開第2008/029757号パンフレット及びこれに対応する米国特許出願公開第2008/094593号明細書に開示されている。図2のヘッドユニット62A及び62Cは、それぞれYスケール39Y1及び39Y2を用いて、ウエハステージWSTのY位置を計測する多眼のY軸のリニアエンコーダ以下、Yエンコーダと略述する70A及び70C図5参照を構成する。Yエンコーダ70A,70Cはそれぞれ複数のYヘッド64の計測値の切り替えを行う切り替え制御部を備えている。また、ヘッドユニット62B及び62Dは、それぞれXスケール39X1及び39X2を用いて、ウエハステージWSTのX位置を計測する、多眼のX軸のリニアエンコーダ以下、Xエンコーダと略述する70B及び70D図5参照を構成する。Xエンコーダ70B,70Dはそれぞれ複数のXヘッド66の計測値の切り替えを行う切り替え制御部を備えている。さらに、本実施形態では、後述するセカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、ウエハステージWSTのY位置を計測するためのYヘッド不図示によって構成されるリニアエンコーダであるY軸エンコーダ70E,70F図5参照も設けられている。上述した6つのエンコーダ70A~70Fの計測値は、主制御装置20及びEGA演算部134に供給され、主制御装置20は、エンコーダ70A~70Fの計測値に基づいて、ウエハステージWST等のXY平面内の位置を制御する。本実施形態の露光装置EXは、図2に示すように、照射系90a及び受光系90bから成る、例えば特開平6-283403号公報対応する米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系以下、多点AF系と略述するが設けられている。本実施形態では、一例として、前述のヘッドユニット62Cの-Y方向側に照射系90aが配置され、これに対向する状態で、前述のヘッドユニット62Aの-Y方向側に受光系90bが配置されている。図2の多点AF系90a,90bの複数の検出点は、被検面上でX方向に延びる細長い検出領域AF内にX方向に沿って所定間隔で配置される。本実施形態では、その複数の検出点は、例えば1行M列Mは検出点の総数又は2行N列Nは検出点の総数の1/2のマトリックス状に配置される。その検出領域AFは、X方向の長さがウエハWの直径と同程度に設定されているので、ウエハWをY方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ方向の位置情報面位置情報を計測できる。また、検出領域AFは、Y方向に関して、前述の液浸領域14露光領域IAとアライメント系AL1,AL21~AL24の検出領域との間に配置されているため、多点AF系とアライメント系とでその検出動作を並行して行うことが可能となっている。多点AF系は、投影ユニットPUを保持するメインフレームに設けても良い。さらに、前述したヘッドユニット62C及び62Aは、複数のYヘッド64を結ぶ直線LHを挟むX軸に平行な2本の直線にそれぞれ沿って且つ所定間隔で配置された複数のZセンサ74及び76を備えている。各Zセンサ74,76としては、例えばCDピックアップ方式のセンサが用いられている。Zセンサ74,76は計測フレーム21の底面に固定されている。また、この図2において、符号78は、多点AF系90a,90bのビーム路近傍に所定温度に温度調整されたドライエアーを、図2中の白抜き矢印で示されるように、例えばダウンフローにて送風する局所空調システムを示す。また、符号UP及びLPは、それぞれ投影光学系PLに対して-Y方向に所定間隔で並行に配置され、ウエハテーブルWTBに対してウエハのアンロード及びロードが行われるアンロードポジション及びローディングポジションを示す。図5には、露光装置EXの制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するコンピュータから成る主制御装置20を中心として構成されている。上述のようにして構成された本実施形態の露光装置EXでは、前述したようなウエハテーブルWTBのXスケール、Yスケールの配置及び前述したようなXヘッド、Yヘッドの配置を採用したことから、図6Bなどに例示されるように、ウエハステージWSTの有効ストローク範囲では、必ず、Xスケール39X1,39X2とヘッドユニット62B,62DXヘッド66とがそれぞれ対向し、かつYスケール39Y1,39Y2とヘッドユニット62A,62CYヘッド64又は不図示のYヘッドとがそれぞれ対向するようになっている。このため、主制御装置20は、前述のウエハステージWSTの有効ストローク範囲では、エンコーダ70A~70Fの少なくとも3つの計測値に基づいて、ステージ駆動系124Aを構成する各モータを制御することで、ウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転角を含むを、高精度に制御することができる。エンコーダ70A~70Fの計測値が受ける空気揺らぎの影響は、干渉計に比べては無視できるほど小さいので、空気揺らぎに起因する計測値の短期安定性は、干渉計に比べて格段に良い。以下、本実施形態の露光装置EXにおいて、主制御装置20の制御のもとで1ロットのウエハに順次レチクルRのパターンの像を露光する際のアライメント及び露光動作の一例につき、図10のフローチャートを参照して説明する。先ず図10のステップ302において、図1のレチクルステージRSTにレチクルRをロードし、主制御装置20は、不図示の露光データファイルより露光対象のウエハのショット配列の情報を読み出し、このショット配列の情報から、ウエハの各ショット領域に付設されているウエハマークのX方向の間隔設計上の間隔を求める。ウエハのショット配列は、一例として図6Cに示すように設定され、ウエハWの全部のショット領域から選ばれた例えば黒色で区別される16個のアライメントショットサンプルショットASに付設されたウエハマーク不図示をアライメント系AL1,AL21~AL24で計測するものとする。この場合、アライメントショットASは、Y方向から順にX方向に4つのショット領域の幅を配列ピッチとして、3つのファーストアライメントショット、2列の5つのセカンド及びサードアライメントショット及び3つのフォースアライメントショットから構成されている。なお、ウエハマークは、ショット領域内に形成されていてもよいが、本実施形態では、ウエハマークはショット領域間のストリートラインに形成されているものとする。主制御装置20は、検出対象のウエハマークのX方向の間隔に合わせて、図3に示すように、回転駆動機構60を介してセカンダリアライメント系AL21~AL24のX方向の位置を調整する。その後、ウエハステージWST又は不図示の計測ステージを駆動して、図3に示すように、CDバー46の複数の基準マークM1,M21~M24図4参照をアライメント系AL1,AL21~AL24の検出領域に移動する。この状態で、アライメント系AL1,AL21~AL24で基準マークM1,M21~M24の位置ずれ量を検出し、検出結果をEGA演算部134に供給する。この際に、図4Aに示すように、各アライメント系AL1,AL21~AL24において、例えばCDバー46をZ方向に移動して撮像素子5dで検出される被検マークの像の検出信号のコントラストが最大になるときのZ位置をそれぞれのベストフォーカス位置としてもよい。さらに、各ベストフォーカス位置でフォーカス信号FSが0になるようにフォーカス信号のキャリブレーションを行ってもよい。また、本実施形態では、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24のベストフォーカス位置は一直線上にはなく、さらに、3眼のアライメント系のベストフォーカス位置が一直線上にあることもないとする。次のステップ304において、EGA演算部134では、その基準マークの位置ずれ量及び主制御装置20から供給された既知の基準マークM1,M21~M24の配列座標から、プライマリアライメント系AL1の検出中心に対するセカンダリアライメント系AL21~AL24の検出中心のX方向の間隔SBL1~SBL4及びY方向の間隔よりなるセカンダリベースラインを算出する。次のステップ306において、未露光のウエハWをウエハステージWSTにロードする。次のステップ308において、ウエハステージWSTをY方向に駆動し、図2に示すように、基準マーク部材FM中の所定の基準マークをプライマリアライメント系AL1の検出領域に移動し、プライマリアライメント系AL1でその基準マークの位置ずれ量を検出する。この位置ずれ量及びその基準マークの位置情報から、EGA演算部134はプライマリアライメント系AL1のベースラインを求める。なお、本実施形態では、レチクルRのレチクルマークの像の検出が後で行われるため、その検出後にそのベースラインが補正される。次のステップ310で、例えばアライメント系AL1,AL22,AL24でウエハWの複数のサーチアライメントマーク不図示を検出することによって、ウエハWのおおまかなショット配列の算出サーチアライメントが行われる。次のステップ312において、ウエハステージWSTのXYステージ93XYの駆動によりウエハWのY方向への移動が開始される。この後、ウエハWの移動中に、ステップ314において、図7Aに示すように、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24のAF系6A~6Eによって、ウエハW又はプレート28の表面のベストフォーカス位置からのデフォーカス量δF1,δF21~δF24を計測し、計測結果を主制御装置20に供給する。この計測はウエハWの移動中に行われるため、デフォーカス量のラフ計測とも呼ぶ。ウエハWの移動中の次のステップ316において、主制御装置20は、この段階では内側の2つのセカンダリアライメント系AL22,AL23のデフォーカス量δF22,δF23を用いて、ウエハWの表面が2つのセカンダリアライメント系AL22,AL23のベストフォーカス位置に合致するように、ウエハステージWSTのZステージ93Zを駆動して、ウエハWの傾斜角及びZ位置線形成分を補正する。次のステップ318で、サーチアライメントの結果を用いて、複数のファーストアライメントショットのウエハマークがアライメント系AL1,AL22,AL23の検出領域に入ったかどうかを判定する。複数のウエハマークが対応する検出領域に入っていない場合には、ステップ314及び316が繰り返される。ステップ318で複数のウエハマークが対応する検出領域に入ったときには、ステップ320に移行して、図6Aに示すようにウエハステージWSTウエハWを停止させる。このようにウエハWが停止した状態では、ステップ316のウエハWの線形成分の補正動作によって、図7Bに示すように、ウエハWの表面は内側の2眼のセカンダリアライメント系AL22,AL23のベストフォーカス位置にほぼ合致している。次のステップ322において、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24のAF系6A~6Eによって焦点検出光FLを照射して、ウエハWの表面のベストフォーカス位置からの残存しているデフォーカス量を計測し、計測結果を主制御装置20に供給する。この計測はウエハWの停止中に行われるため、デフォーカス量のファイン計測とも呼ぶ。次のステップ322において、主制御装置20は、そのファイン計測の結果を用いてウエハステージWSTのZステージ93Zを駆動して、ウエハWの表面を2眼のセカンダリアライメント系AL22,AL23のベストフォーカス位置に合焦させる。この際に、デフォーカス量のラフ計測によって、ウエハWの表面はほぼセカンダリアライメント系AL22,AL23のベストフォーカス位置に合焦していたため、ステップ322のデフォーカス量のファイン計測及びステップ324の合焦は極めて短時間に行われる。従って、アライメント時間が短縮される。そのように合焦した状態で、主制御装置20の制御のもとで、図7Bに示すように、2眼のセカンダリアライメント系AL22,AL23は、アライメント光ALを照射して、ウエハWの表面の対応するウエハマークWMC1,WMD1の位置ずれ量を検出する。検出結果はEGA演算部134に供給される以下同様。次のステップ326において、同一列ここではファーストアライメントショット中で計測されていないウエハマークが一つかどうかを判定する。この段階では、計測されていないのは中央のウエハマークWMA1だけであるため、動作はステップ328に移行して、ウエハステージWSTZステージ93ZをZ方向に駆動してウエハWの表面をプライマリアライメント系AL1のベストフォーカス位置A1に合焦させる。そして、プライマリアライメント系AL1によってウエハマークWMA1の位置ずれ量を検出する。次のステップ330で、計測対象のウエハマークアライメントショットが残っているかどうかを判定する。この段階では計測対象のウエハマークが残っているため、動作はステップ312に戻り、ウエハWのY方向への移動が開始され、デフォーカスのラフ計測ステップ314、この段階では外側の2眼のセカンダリアライメント系AL21,AL24に対するウエハWの合焦ステップ316が行われる。そして、セカンドアライメントショットのウエハマークがアライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域内に入ったときに、ウエハWが停止されステップ320、デフォーカス量のファイン計測が行われるステップ322。次のステップ324では、図8Aに示すように、主制御装置20は、そのファイン計測の結果を用いて、ウエハWの表面を外側の2眼のセカンダリアライメント系AL21,AL24のベストフォーカス位置に合焦させて、2眼のセカンダリアライメント系AL21,AL24に対応するウエハマークWMB2,WME2の位置ずれ量を検出させる。次のステップ326において、同一列ここではセカンドアライメントショット中で計測されていないウエハマークは3つであるため、動作はステップ324に戻る。そして、主制御装置20は、上述のファイン計測の結果を用いて、ウエハWの表面を内側の2眼のセカンダリアライメント系AL22,AL23のベストフォーカス位置に合焦させて、図8Bに示すように、2眼のセカンダリアライメント系AL22,AL23に対応するウエハマークWMC2,WMD2の位置ずれ量を検出させる。次のステップ326において、計測されていないのは中央のウエハマークWMA2だけである。そのため動作はステップ328に移行し、図9に示すように、ウエハWの表面をプライマリアライメント系AL1のベストフォーカス位置に合焦させ、プライマリアライメント系AL1によってウエハマークWMA2の位置ずれ量を検出させる。同様にして、ステップ312~328を繰り返すことで、図6Bに示すように、アライメント系AL1,AL22~AL24によってサードアライメントショットの5つのウエハマークの位置ずれ量が検出される。一例としてこの途中で、レチクルRのレチクルマークの空間像を空間像計測装置45で計測することで、プライマリアライメント系AL1のベースラインが補正される。さらに、ステップ312~328を繰り返すことで、アライメント系AL1,AL22,AL23によってフォースアライメントショットの3つのウエハマークの位置ずれ量が検出される。その後、計測対象のウエハマークがなくなってから、動作はステップ330からステップ332に移行して、EGA演算部134は、全部のアライメントショットASのウエハマークの座標から例えばEGA方式でウエハWの全部のショット領域の配列座標を算出する。さらに、アライメントと並行して、多点AF系90a,90bによってウエハWの表面のZ位置の分布が計測されている。その配列座標及びZ位置の分布を用いて、次のステップ334でウエハWの各ショット領域に対してレチクルRのパターンの像が走査露光される。次のステップ336で次のウエハに対する露光が同様に行われる。このように、本実施形態では、ウエハステージWSTをY方向に移動させ、その移動経路上における4箇所にウエハステージWSTを位置決めすることにより、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24を用いて合計16箇所のアライメントショットASにおけるウエハマークの位置情報を検出できる。この際に、ウエハステージWSTをX方向に移動させる必要が無いため、単一のアライメント系を用いてウエハステージをX方向、Y方向に駆動して順次ウエハマークを検出する場合などに比べて、格段に短時間に多数のウエハマークの位置情報を得ることができる。従って、短時間にアライメントを行うことができる。上述のように本実施形態のウエハアライメント装置80は、ウエハWの表面に設けられたウエハマークWMA2~WME2等の位置ずれ量を検出するとともにウエハWの表面に対するデフォーカス量を計測可能な5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24と、これらのアライメント系の検出領域ALF1,ALF21~ALF24に対してウエハWをY方向に移動するXYステージ93XY移動機構と、ウエハWのZ位置面位置並びにθx方向及びθy方向の傾斜角を制御可能なZステージ93Z面位置制御装置と、主制御装置20と、を備えている。そして、主制御装置20は、XYステージ93XYによるウエハWの移動中にステップ312、アライメント系AL1,AL22~AL24によって計測されるデフォーカス量に基づいて、Zステージ93Zを駆動してウエハWのZ位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御しステップ314,316、ウエハマークWMA2等が検出領域ALF1,ALF21~ALF24内に達したときに、ウエハWを静止させて、アライメント系AL1,AL22~AL24のうち1組のセカンダリアライメント系AL21,AL24で対応する1組のウエハマークWMB2,WME2の位置情報を検出させているステップ324。本実施形態によれば、ウエハWの移動中に、アライメント系AL1,AL22~AL24とウエハWの表面とのデフォーカス量が計測され、この計測結果に基づいて例えばセカンダリアライメント系AL21,AL24に合焦されるようにウエハWのZ位置及び傾斜角の少なくとも一方が制御される。この後、ウエハWを静止させて、セカンダリアライメント系AL21,AL24で対応するウエハマークWMB2,WME2の位置情報を検出するときにはほぼ合焦が行われている。従って、セカンダリアライメント系AL21,AL24に対する合焦を短時間に行うことができ、ウエハWに設けられた複数のウエハマークをより短時間に高精度に検出できる。また、本実施形態では、ウエハWを静止させたときに、アライメント系AL1,AL22~AL24とウエハWの表面とのデフォーカス量を計測しステップ322、この計測結果に基づいてセカンダリアライメント系AL21,AL24に対するウエハWの表面の合焦を行うように、ウエハWのZ位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御しているステップ324の一部。従って、被検マークをより高精度にセカンダリアライメント系AL21,AL24に合焦させることができる。なお、ステップ316における合焦動作で、ウエハWの表面がセカンダリアライメント系AL21,AL24に対して許容範囲内の精度で合焦しているときには、ステップ322のデフォーカス量の計測及びステップ324の前半での合焦動作を省略してもよい。また、本実施形態では、そのセカンダリアライメント系AL21,AL24によるマーク検出に続いて、セカンダリアライメント系AL22,AL23に対してウエハWの表面が合焦されるようにウエハWのZ位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、セカンダリアライメント系AL22,AL23によって対応するウエハマークWMC2,WMD2の位置情報を検出しているステップ324。その後、プライマリアライメント系AL1に対してウエハWの表面が合焦されるようにウエハWのZ位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、プライマリアライメント系AL1によって対応するウエハマークWMA2の位置情報を検出しているステップ328。従って、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24によるウエハマークの検出を効率的に行うことができる。また、本実施形態の露光装置EXは、照明光ILでレチクルRのパターンを介してウエハWを露光する露光装置であって、ウエハアライメント装置80を備え、ウエハアライメント装置80のアライメント系AL1,AL22~AL24の検出結果に基づいてXYステージ93XYウエハステージWSTを駆動してウエハWとレチクルRのパターンとの位置合わせを行っている。また、露光装置EXによる露光方法は、ウエハアライメント装置80を用いたアライメント方法を用いてウエハWの表面の複数のウエハマークの位置情報を検出するステップ308~330と、この検出結果に基づいて、ウエハWとレチクルRのパターンとの位置合わせを行いながらウエハWを走査露光するステップ334とを含んでいる。これらの露光装置EX及び露光方法によれば、多数のウエハマークの位置情報を効率的に検出できるため、露光工程のスループットを向上できる。なお、本実施形態では、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24が用いられている。しかしながら、偶数個例えば4眼又は6眼等のアライメント系が用いられている場合には、2眼のアライメント系ずつ対応する被検マークに対する合焦及び位置情報の検出を行うようにしてもよい。さらに、本実施形態では、2眼のアライメント系に対する合焦を行っているが、例えば3眼のアライメント系のベストフォーカス位置が一直線状に配置されている場合には、これらの3眼のアライメント系に対して一度に被検面の合焦を行って、同時に被検マークの位置情報を検出するようにしてもよい。また、本実施形態では、アライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域に対してウエハステージWSTによってウエハWをY方向に移動相対移動している。しかしながら、例えばアライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域をY方向に移動する機構を設け、ウエハWに対してアライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域をY方向に移動してもよい。また、上記の実施形態のウエハマークとして、図11Bに示すような2次元のウエハマーク22を使用してもよい。図11Aはウエハの一部の複数のショット領域SAを示す。図11Aにおいて、ショット領域SAのY方向及びX方向の間のスクライブライン領域SLAの幅は50μm以下で、例えば40μmと従来よりも狭く設定されている。従来の2次元のウエハマークをスクライブライン領域SLAに形成することは困難である。そこで、この変形例では、図11Bの拡大図で示すように、全体としてスクライブライン領域SLAの長手方向に沿って細長い格子状のウエハマーク22を使用している。ウエハマーク22は、X方向長手方向に所定の線幅の凸部凹部でもよいよりなる多数のライン部22Xを配列し、Y方向短手方向に所定の線幅の凸部凹部でもよいよりなる複数のX方向に細長いライン部22Yを配列したものである。ライン部22Xの長さは40μmよりも僅かに短く、ライン部22Yの長さは100~300μm程度例えば200μm程度である。ライン部22Xは、中央のスペース部をX方向に挟むように10~20個程度ずつが対称に設けられ、ライン部22Yは、中央のスペース部をY方向に挟むように数個例えば3個程度ずつが対称に設けられている。ウエハマーク22の位置情報を画像処理方式のアライメント系で検出する場合、一例としてウエハマーク22の像を図11Cの像22Pとして、図11BのX方向、Y方向に対応する方向を図11CのX方向、Y方向とする。図11Cには、スクライブライン領域SLAの像SLAPも示されている。一例として、撮像素子の受光面内で、全部のライン部22Xの像22XPをX方向に含む積算領域24X内で、撮像信号をY方向に積算することによって、X軸の積算信号SXを求め、積算信号SXを所定の閾値でスライスし、そのX方向の中央の位置をウエハマークの像22PのX方向の位置Xiとする。一方、全部のライン部22Yの像22YPをY方向に含む積算領域24Y内で、撮像信号をX方向に積算することによって、Y軸の積算信号SYを求め、積算信号SYを所定の閾値でスライスし、そのY方向の中央の位置をウエハマークの像22PのY方向の位置Yiとする。そして、例えばその撮像素子の中心画素とその位置Xi,Yiとの位置ずれ量に、アライメント系の倍率の逆数を乗ずることによって、ウエハマーク22の中心のX方向、Y方向の位置ずれ量を求めることができる。このように細長い格子型のウエハマーク22を用いることによって、ショット領域間のスクライブライン領域SLAの幅が狭くなっても、そのスクライブライン領域SLAに2次元のウエハマークを容易に配置できる。さらに、そのウエハマークの像22Pの撮像信号をY方向及びX方向に積算することによって、像22Pの位置、ひいてはウエハマーク22の位置ずれ量を高精度に求めることができる。また、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイスマイクロデバイスを製造する場合、電子デバイスは、図12に示すように、電子デバイスの機能性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ222、デバイスの基材である基板ウエハを製造するステップ223、前述した実施形態の露光装置EX露光方法によりレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱キュア及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて基板物体を露光することと、その露光された基板を現像することと、を含んでいる。この際に、複数のアライメント系を用いて効率的に基板のアライメントウエハマークの検出を行うことができるため、デバイスを高いスループットで量産することができる。なお、上記の実施形態において、上述の走査露光型の露光装置スキャナの他に、ステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパー等も使用できる。さらに、液浸型露光装置以外の、ドライ露光型の露光装置も同様に使用することができる。また、上記の実施形態は、半導体デバイス製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子やプラズマディスプレイなどを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックスウエハ上に転写する露光装置、並びに撮像素子CCDなど、有機EL、マイクロマシーン、MEMS、及びDNAチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などの電子デバイスマイクロデバイスだけでなく、光露光装置及びEUV露光装置などで使用されるマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。"