少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された光電変換素子と、前記光電変換素子を封入する保護部材と、前記保護部材の一面に形成された、前記光電変換素子の出力を昇圧又は降圧するコンバータ回路とを有し、前記コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置。少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された光電変換素子と、前記光電変換素子を封入する保護部材と、前記保護部材の一面に形成された、前記光電変換素子の出力を昇圧又は降圧するDC-DCコンバータとを有し、前記DC-DCコンバータは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置。少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された太陽電池と、前記太陽電池を封入する保護部材と、前記保護部材の一面に形成された、前記太陽電池の出力を昇圧又は降圧するコンバータ回路とを有し、前記コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置。少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された太陽電池と、前記太陽電池を封入する保護部材と、前記保護部材の一面に形成された、前記太陽電池の出力を昇圧又は降圧するDC-DCコンバータとを有し、前記DC-DCコンバータは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1又は請求項3において、前記コンバータ回路は、前記保護部材の内部の空間に形成されることを特徴とする光電変換装置。請求項2又は請求項4において、前記DC-DCコンバータは、前記保護部材の内部の空間に形成されることを特徴とする光電変換装置。請求項1又は請求項3において、前記保護部材のうち、前記光電変換素子の外光が入射される側に配置される部材は透光性を有し、該透光性部材の表面に前記コンバータ回路が形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項2又は請求項4において、前記保護部材のうち、前記光電変換素子の外光が入射される側に配置される部材は透光性を有し、該透光性部材の表面に前記DC-DCコンバータが形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1又は請求項3において、前記コンバータ回路は、コイル、ダイオード、及びコンデンサを有することを特徴とする光電変換装置。請求項2又は請求項4において、前記DC-DCコンバータは、コイル、ダイオード、及びコンデンサを有することを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記トランジスタは、トップゲート型トランジスタであり、かつ前記酸化物半導体膜の上面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記トランジスタは、トップゲート型トランジスタであり、かつ前記酸化物半導体膜の下面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記トランジスタは、ボトムゲート型トランジスタであり、かつ前記酸化物半導体膜の上面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記トランジスタは、ボトムゲート型トランジスタであり、かつ前記酸化物半導体膜の下面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする光電変換装置。上記問題を鑑み、開示される発明の一様態は、光電変換素子及びコンバータ回路の両方を有する光電変換装置の薄型化を課題の一とする。また開示される発明の一様態は、温度上昇による、コンバータ回路の変換効率低下の抑制を課題の一とする。また開示される発明の一様態は、コンバータ回路の作製コストを抑制することを課題の一とする。開示される発明の一様態において、光電変換素子の保護部材の一部であり、かつ透光性を有する基板の一面に、透光性を有する酸化物半導体膜を用いたコンバータ回路を作製する。また開示される発明の一様態において、該コンバータ回路は、薄膜である酸化物半導体膜を用いた薄膜回路で構成する。そのため、該コンバータ回路を有する光電変換装置の薄型化が可能である。また開示される発明の一様態において、上述のように該コンバータ回路を薄膜である酸化物半導体膜を用いた薄膜回路で構成するため、コンバータ回路の作製コストを抑制することが可能である。また開示される発明の一様態において、該酸化物半導体膜は、作動温度が上昇しても、特性が安定である。そのため該酸化物半導体膜を有するコンバータ回路、及び該コンバータ回路を有する光電変換装置も安定して動作する。開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された光電変換素子と、当該光電変換素子を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成された、当該光電変換素子の出力を昇圧又は降圧するコンバータ回路とを有し、当該コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された光電変換素子と、当該光電変換素子を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成された、当該光電変換素子の出力を昇圧又は降圧するDC-DCコンバータとを有し、当該DC-DCコンバータは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された太陽電池と、当該太陽電池を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成された、当該太陽電池の出力を昇圧又は降圧するコンバータ回路とを有し、当該コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、少なくとも一方の面から外光が入射するように配置された太陽電池と、当該太陽電池を封入する保護部材と、当該保護部材の一面に形成された、当該太陽電池の出力を昇圧又は降圧するDC-DCコンバータとを有し、当該DC-DCコンバータは、チャネル形成領域が酸化物半導体でなるトランジスタを含んで構成されていることを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態において、当該コンバータ回路は、当該保護部材の内部に形成されることを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該DC-DCコンバータは、当該保護部材の内部の空間に形成されることを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該保護部材のうち、当該光電変換素子の外光が入射される側に配置される部材は透光性を有し、該透光性部材の表面に当該コンバータ回路が形成されていることを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該保護部材のうち、当該光電変換素子の外光が入射される側に配置される部材は透光性を有し、該透光性部材の表面に当該DC-DCコンバータが形成されていることを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該コンバータ回路は、コイル、ダイオード、及びコンデンサを有することを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該DC-DCコンバータは、コイル、ダイオード、及びコンデンサを有することを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、トップゲート型トランジスタであり、かつ当該酸化物半導体膜の上面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、トップゲート型トランジスタであり、かつ当該酸化物半導体膜の下面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、ボトムゲート型トランジスタであり、かつ当該酸化物半導体膜の上面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該トランジスタは、ボトムゲート型トランジスタであり、かつ当該酸化物半導体膜の下面とソース電極及びドレイン電極が接することを特徴とする。開示される発明の一様態により、透光性を有する基板に、酸化物半導体膜を有する薄膜回路でコンバータ回路を作ることにより、光電変換装置の薄型化が可能となる。また開示される発明の一様態により、酸化物半導体膜を有する薄膜回路でコンバータ回路を作ることにより、該コンバータ回路及び該コンバータ回路を有する光電変換装置の作製コストを抑制することが可能である。また、開示される発明の一様態では、バンドギャップの大きい酸化物半導体膜で、コンバータ回路のようなパワーデバイスを製作することにより、温度特性が安定化する。これにより該コンバータ回路を有する光電変換装置の温度特性を、安定化させることが可能である。以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。[実施の形態1]本実施の形態では、光電変換素子及びコンバータ回路を有する光電変換装置について、図1A~図1B、図2A~図2B、図3A~図3C、図4A~図4B、図5A~図5B、図6A~図6E、図7A~図7Cを用いて説明する。本実施の形態の光電変換装置を、図1A及び図2Aに示す。比較として、従来の光電変換装置を、図1B及び図2Bに示す。本実施の形態で記載される光電変換装置の断面図を、図1Aに示す。図1Aに示される光電変換装置は、透光性を有する基板101上に、透光性を有する導電膜102、透光性を有する導電膜に接して設けられた光電変換素子103、光電変換素子103に接して設けられ、透光性を有する導電膜104を有している。また図1Aに示される光電変換装置は、透光性を有する基板111上に、透光性を有する材料で形成されたコンバータ回路112を有している。基板101上に設けられた光電変換素子103と、透光性を有する基板111上に設けられたコンバータ回路112は、配線121によって電気的に接続されている。これにより光電変換素子103で出力された直流電圧を、コンバータ回路112で変換することができる。配線121としては、例えば、導電ペーストや異方性導電材料を用いればよい。当該透光性を有する基板101、透光性を有する基板111、配線121は、光電変換素子103を封入し、かつ、外部からの衝撃や異物が混入するのを防ぐ保護部材110として機能する。すなわち保護部材110は、透光性を有する部材である基板101、透光性を有する部材である基板111、及び光電変換素子103及びコンバータ回路112を接続する配線121を有している。また保護部材110は、その内部の空間に光電変換素子103が配置される。すなわち保護部材110は、光電変換素子103を封入し、かつ、保護している。また、保護部材110は、その内部の空間にコンバータ回路112が配置されている。透光性を有する基板111の一面に形成されているコンバータ回路112は、保護部材110の一面に形成されていると言える。当該コンバータ回路112は、保護部材の一面に形成されているため、外部からの衝撃や異物の混入の影響を受けない。本実施の形態のコンバータ回路112は透光性を有する材料で形成される。よって、コンバータ回路112が形成され、かつ当該保護部材110の部材である基板111側から外光が入射しても、光電変換素子103に光が到達する。基板111側から入射した外光を効率よく使用することが可能なので、光電変換素子103の発電効率が向上する。また本実施の形態で記載される光電変換装置において、基板101側及び基板111側の両方から光を入射させてもよい。基板101側及び基板111側の両方から外光が入射するので、入射する外光の量を大きくすることができる。また光電変換素子103に接して設けられる導電膜104と、コンバータ回路112との間には、接着層122が設けられている。接着層122は、絶縁性を有する樹脂等を用いて形成すればよい。接着層122を導電膜104とコンバータ回路112との間に設けることで、導電膜104とコンバータ回路112との距離を固定することができる。また接着層122が絶縁性を有しているので、導電膜104とコンバータ回路112を絶縁することができる。図2Aは、図1Aに示す光電変換装置の上面図である。図2Aに示されるように、コンバータ回路112が透光性を有する材料で形成されているので、光電変換素子103とコンバータ回路112とを重畳させて形成することが可能である。ここで、重畳とは、平面図において互いに重なる領域を有することを言う。本明細書の他の記載においても同様とする。本明細書では、断面図において、互いに重なる領域同士の間に別の物質が存在している場合も、重畳という。コンバータ回路が透光性を有さない材料で形成された場合の光電変換装置を、図1B及び図2Bに示す。図1Bは光電変換装置の断面図、図2Bは光電変換装置の上面図である。なお図1B及び図2Bにおいて、図1A及び図2Aと同じものは同じ符号で表している。コンバータ回路を透光性を有さない材料で形成した場合、コンバータ回路が設けられている基板側から光が照射されると、コンバータ回路が光を遮り、光電変換層に光が到達しない。よって、図1Bに示されるように、コンバータ回路142と光電変換層133とを、重畳しないように形成する必要がある。コンバータ回路142と光電変換層133とを、重畳しないように形成すると、光電変換層133の占める面積が減少する図2B参照。光電変換層133が占める面積が減少するということは、受光面積が減少するということである。そのため光電変換層133の発電量が減少する。本実施の形態の光電変換素子の作製方法を、図3A~図3Cを用いて説明する。本実施の形態では、光電変換素子の一例として太陽電池について述べる。まず、基板201を用意する。基板201は、上記の基板101に相当する。基板201側から光電変換層211に光が入射することを想定して、基板201は太陽光に対して透光性を有する材料を用いる。透光性を有する基板201として、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガラス、セラミックガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケート酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板、石英基板、セラミック基板を用いることができる。透光性を有する基板201として、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板プラスチック基板を用いる場合は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。プラスチック基板として、ポリエステル、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリスルホンPSF、ポリエーテルイミドPEI、ポリアリレートPAR、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。ポリエステルとして、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETが挙げられる。まず、基板201上に、所定の形状に加工された導電膜210を形成する。導電膜210を所定の形状に加工するには、基板201の全面に導電膜を形成した後、エッチングやレーザ等で加工して形成してもよいし、最初から所定の形状に導電膜を形成してもよい。最初から所定の形状に導電膜を形成する方法については後述する。導電膜210は、基板201側から光が入射するので、太陽光に対して透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電材料として、例えば、インジウム錫酸化物IndiumTinOxide:ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛ZnO、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物IZOIndiumZincOxide、ガリウムGaをドープしたZnO、酸化スズSnO2、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などが好適である。導電膜210は、40nm以上800nm以下、好ましくは400nm以上700nm以下の膜厚となるように形成する。また、導電膜210のシート抵抗は、20Ω/□以上200Ω/□以下とすればよい。本実施の形態では、厚さ1.1mmのソーダガラスの基板201上に、膜厚150nmの酸化珪素膜と、表面に凹凸を有する膜厚約600nmの酸化スズSnO2を用いた導電膜とを、順に積層した旭硝子社製の基板商品名:Asahi-Uを用いる。そして、上記酸化スズを用いた導電膜を加工して、後に形成されるセル202間を電気的に接続する導電膜210を形成する図3A参照。なお、上述のように、導電膜210は、導電膜をエッチングやレーザ等で加工する方法でなく、最初から所定の形状に導電膜を形成する方法で形成してもよい。所定の形状を有する導電膜の形成方法としては、メタルマスクを用いた蒸着法、液滴吐出法などが挙げられる。なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出または噴出することで所定の形状の導電膜を形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。また、導電膜210の、光電変換層211側の面に凹凸を形成しておくことで、導電膜210において光が屈折または乱反射する。このため、光電変換層211内における光の吸収率を高め、変換効率を高めることができる。次に、導電膜210上に、n型半導体層213、真性半導体層214、p型半導体層215が順に積層された光電変換層211を形成する図3B参照。n型半導体層213、真性半導体層214、p型半導体層215は、スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により形成することができる。また、n型半導体層213、真性半導体層214、p型半導体層215は、非晶質半導体、多結晶半導体、微結晶半導体などを用いて形成することができる。また、n型半導体層213、真性半導体層214、p型半導体層215は、その界面にゴミなどが付着するのを防ぐため、あるいは酸化防止のために、大気に曝さずに連続して形成することが望ましい。または、SOI法で形成された単結晶半導体薄膜を、n型半導体層213、真性半導体層214、p型半導体層215として用いても良い。単結晶半導体薄膜を用いる場合、光電変換層211内において、キャリアの移動を阻害する要因となる結晶欠陥が少ないので、変換効率を高めることができる。本実施の形態では、n型半導体層213に珪素を有する微結晶半導体、真性半導体層214に珪素を有する非晶質半導体、p型半導体層215に炭化珪素を有する非晶質半導体を用いる。n型半導体層213に用いる、珪素を有する微結晶半導体の形成方法について、以下に述べる。珪素を有する微結晶半導体は、周波数が数十MHz乃至数百MHzの高周波プラズマCVD法、または周波数が1GHz以上のマイクロ波プラズマCVD法により形成することができる。代表的には、シラン、ジシランなどの水素化シリコン、フッ化シリコンまたは塩化シリコンを、水素で希釈して用いることで、微結晶半導体膜を形成することができる。また、水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガスで希釈してもよい。珪化水素などの珪素を含む化合物に対して、水素の流量比を5倍以上200倍以下、好ましくは50倍以上150倍以下、更に好ましくは100倍とする。またn型を付与する不純物元素を、珪素を含む気体に加えることで、n型の導電型を微結晶半導体に与えることができる。このようなn型を付与する不純物として、例えば、リンが挙げられる。n型を付与する不純物としてリンを用いる場合、珪素を含む気体にホスフィンを加えればよい。本実施の形態では、モノシラン、水素、ホスフィンを、それぞれ5sccm、950sccm、40sccmの流量とし、反応圧力133Pa、基板温度を250°C、高周波13.56MHzとして、プラズマCVD法で、珪素を有する微結晶半導体である、膜厚10nmのn型半導体層213を形成する。また、真性半導体層214に用いる、珪素を有する非晶質半導体の形成方法について、以下に述べる。珪素を有する非晶質半導体は、上述した珪素を含む気体を、グロー放電分解することにより、得ることができる。本実施の形態では、モノシラン、水素を、それぞれ25sccm、25sccmの流量とし、反応圧力40Pa、基板温度を250°C、高周波60MHzとして、プラズマCVD法で、珪素を有する非晶質半導体である、膜厚60nmの真性半導体層214を形成する。また、p型半導体層215に用いる、炭化珪素を有する非晶質半導体の形成方法について、以下に述べる。炭化珪素を有する非晶質半導体は、炭素を含む気体と珪素を含む気体とを、グロー放電分解することにより得ることができる。炭素を含む気体としては、CH4、C2H6などが挙げられる。珪素を含む気体としては、SiH4、Si2H6が挙げられる。珪素を含む気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。また、p型を付与する不純物元素を、炭素を含む気体と珪素を含む気体とに加えることで、p型の導電型を非晶質半導体に与えることができる。このようなp型を付与する不純物元素として、例えば、ホウ素が挙げられる。p型を付与する不純物元素としてホウ素を用いる場合、炭素を含む気体と珪素を含む気体とに、ボラン、ジボラン、三フッ化ホウ素のいずれか、あるいは、2つ以上を加えればよい。本実施の形態では、メタン、モノシラン、水素、ジボランを、それぞれ18sccm、6sccm、150sccm、40sccmの流量とし、反応圧力67Pa、基板温度を250°C、高周波13.56MHzとして、プラズマCVD法で、炭化珪素を有するp型の非晶質半導体である、膜厚10nmのp型半導体層215を形成する。なお、真性半導体層214を形成する前に、n型半導体層213の表面に水素を用いてプラズマ処理を施すことで、n型半導体層213と真性半導体層214の界面における結晶欠陥の数を減らし、変換効率を高めることができる。本実施の形態では、水素の流量を175sccmとし、反応圧力67Pa、基板温度を250°C、高周波13.56MHzとし、n型半導体層213の表面にプラズマ処理を行う。上記プラズマ処理において、水素にアルゴンを加えても良い。アルゴンを加える場合、その流量を、例えば60sccmとすることができる。また、光電変換層211に用いられる半導体の材料として、シリコン、炭化シリコンの他、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、リン化インジウム、セレン化亜鉛、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウムなどのような化合物半導体も用いることができる。また、多結晶半導体を用いて光電変換層211を形成する場合、非晶質半導体膜または微結晶半導体膜を、レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する触媒元素を用いた熱結晶化法等を単独で、或いは複数組み合わせて実施することで、形成することができる。また、多結晶半導体を、スパッタ法、プラズマCVD法、熱CVD法などを用いて、直接形成しても良い。なお、本実施の形態では、光電変換層211として、n型半導体層213、真性半導体層214、p型半導体層215が順に積層された例を示すが、積層の順番はp型半導体層、真性半導体層、n型半導体層の順でもよい。ただし、p型半導体層はn型半導体層よりも、光が入射される側に近くなるよう配置することが望ましい。ホールのキャリアとしての寿命は、電子のキャリアとしての寿命の約半分と短い。pin接合を有する光電変換層211に光が照射されると、真性半導体層内において多量の電子とホールが形成され、電子はn型半導体層側へ、ホールはp型半導体層側へ移動し、起電力を得ることができる。光の照射をp型半導体層側から行うと、電子とホールの形成が、真性半導体層内のn型半導体層よりもp型半導体層に近い側において多く行われる。そのため、寿命が短いホールがp型半導体層へ移動する距離を、短くすることができ、その結果、高い起電力を得ることができる。本実施の形態では、光はp型半導体層側及びn型半導体層側の両方から入射する。そのため、光電変換層211の積層の順番は、n型半導体層、真性半導体層、p型半導体層、あるいは、p型半導体層、真性半導体層、n型半導体層、のどちらでもよい。しかし、入射する光の強度がより強い側にp型半導体層を設けると、より高い起電力を得ることができる。なお、光電変換層211を形成する前に、導電膜210の表面における清浄度を向上させるため、ブラシ洗浄、具体的には、PVAポリビニルアルコール系の多孔質体などを用いた洗浄を行い、異物を除去しておいても良い。また、フッ酸などを含む薬液を用いて、表面を洗浄しておいてもよい。本実施の形態では、上記PVAポリビニルアルコール系の多孔質体を用いて導電膜210の表面を洗浄した後、0.5のフッ化水素水溶液を用いて導電膜210の表面を洗浄する。次いで、図3Bに示すように、n型半導体層213、真性半導体層214、p型半導体層215が順に積層された光電変換層211を、エッチング法やレーザ照射法等を用いて、各セル毎に分離する。切り離された複数の光電変換層211のそれぞれについて、各導電膜210が各n型半導体層213を介して電気的に接続されている。次に、図3Cに示すように、光電変換層211上に所定の形状を有する導電膜212を形成する。本実施の形態では、光電変換層211の上部からも光が入射する光電変換素子を例とする。よって、導電膜212は、導電膜210と同様に、透光性を有する上記導電材料を用いる。導電膜212は、40nm乃至800nm、好ましくは400nm乃至700nmの膜厚に形成する。また、導電膜212のシート抵抗は、20Ω/□乃至200Ω/□程度とすれば良い。本実施の形態では、酸化スズを用いて、膜厚約600nmの導電膜212を形成する。なお、導電膜212にインジウム錫酸化物を用いる場合、非晶質半導体であるp型半導体層215上に導電膜212を形成すると、p型半導体層215中に存在する水素が、導電膜212中のインジウム錫酸化物を還元してしまう。そのため、導電膜212の膜質が劣化する恐れがある。インジウム錫酸化物を導電膜212に用いる場合、インジウム錫酸化物が還元されるのを防ぐために、インジウム錫酸化物を用いた導電膜上に、酸化スズを用いた導電膜、または、酸化亜鉛と窒化アルミニウムとの混合材料を含む導電性材料を用いた導電膜を、数十nmの膜厚で積層したものを、導電膜212として用いることが好ましい。なお、所定の形状を有する導電膜212は、光電変換層211上の全面に導電膜を形成した後、該全面に形成された導電膜を加工して、形成することができる。なお、導電膜212は、全面に形成された導電膜をエッチングやレーザ等で所定の形状に加工する方法以外にも、メタルマスクを用いた蒸着法、液滴吐出法などを用いて形成することができる。導電膜212は、光電変換層211とp型半導体層215側において電気的に接続されている。そして、1つの光電変換層211の、n型半導体層213側において電気的に接続されている導電膜210は、上記1つの光電変換層211とは異なる光電変換層211の、p型半導体層215側において電気的に接続されている導電膜212と、電気的に接続されている。以上により切り離された各セルは、異なるセルと接続される。各セルが異なるセルと直列に接続されていると、出力電圧を上昇させることが可能である。以上により光電変換層211を有する光電変換素子を作製する。次いで、本実施の形態のコンバータ回路の一例を、図4A~図4Bを用いて説明する。本実施の形態で説明されるコンバータ回路は、直流電圧を直流電圧に変換するDC-DCコンバータである。なお、本実施の形態のコンバータ回路は、以下で述べられる構成に限定されず、透光性を有する材料で作製されたコンバータ回路であればどんな構成でもよい。図4Aに示すコンバータ回路301は、トランジスタ302、コイル303、ダイオード304、コンデンサ305を有する昇圧回路である。コイル303の一方の端子は、光電変換素子307のp型半導体層側の電極に電気的に接続されている。コイル303の他方の端子はトランジスタ302のソースあるいはドレインの一方と電気的に接続されている。トランジスタ302のソースあるいはドレインの一方は、コイル303の他方の端子及びダイオード304の入力端子と電気的に接続されている。トランジスタ302のソースあるいはドレインの他方は、光電変換素子307のn型半導体層側の電極及びコンデンサ305の一方の端子と電気的に接続されている。コンデンサ305の他方の端子は、ダイオード304の出力端子及び出力端子OUTに電気的に接続されている。なお、光電変換素子307のn型半導体層側の電極、トランジスタ302のソースあるいはドレインの他方、及びコンデンサ305の一方の端子は接地されている。なお、上記トランジスタのゲートとは、ゲート電極及びゲート配線の一部または全部のことをいう。ゲート配線とは、少なくとも一つのトランジスタのゲート電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。上記トランジスタのソースとは、ソース領域、ソース電極、及びソース配線の一部または全部のことをいう。ソース領域とは、半導体層のうち、抵抗値がチャネル形成領域より低い領域のことをいう。ソース電極とは、ソース領域に接続される部分の導電層のことをいう。ソース配線とは、少なくとも一つのトランジスタのソース電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。上記トランジスタのドレインとは、ドレイン領域、ドレイン電極、及びドレイン配線の一部または全部のことをいう。ドレイン領域とは、半導体層のうち、抵抗値がチャネル形成領域より低い領域のことをいう。ドレイン電極とは、ドレイン領域に接続される部分の導電層のことをいう。ドレイン配線とは、少なくとも一つのトランジスタのドレイン電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。また、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造や動作条件などによって互いに入れ替わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本書類明細書、特許請求の範囲または図面などにおいては、ソース及びドレインのいずれか一方をソース及びドレインの一方と表記し、他方をソース及びドレインの他方と表記する。トランジスタ302はスイッチング素子として機能する。またトランジスタ302のゲートは、コンバータ回路301の制御回路に接続されている。コンバータ回路301の制御回路からの信号により、トランジスタ302はオン状態あるいはオフ状態となる。スイッチング素子であるトランジスタ302がオン状態のとき、コイル303に流れ込む電流により、コイル303には励磁エネルギーが蓄えられる。トランジスタ302がオフ状態になると、コイル303に蓄えられた励磁エネルギーが放出される。コイル303から放出される励磁エネルギーに起因する電圧V2が、電圧V1に上積みされる。これによりコンバータ回路301は昇圧回路として機能する。スイッチング素子であるトランジスタ302がオン状態の時間をTon、トランジスタ302がオフ状態の時間をToffとする。出力電圧V2の値は、以下の式1で表される。V2=V1×TonToff/Toff式1トランジスタ302がオン状態の時間Tonが長く、コイル303に蓄えたエネルギーが大きいほど、大電力を取り出すことができる。なお本実施の形態において、トランジスタ302またはトランジスタ312として例えば電界効果トランジスタを用いることができる。電界効果トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインを少なくとも有する。電界効果トランジスタとしては、例えば薄膜トランジスタTFTともいうを用いることができる。また、電界効果トランジスタとしては、例えばトップゲート型、又はボトムゲート型のトランジスタを用いることができる。また、電界効果トランジスタは、n型の導電型にすることができる。また、本実施の形態における電界効果トランジスタは、チャネル形成領域としての機能を有する酸化物半導体膜を有するトランジスタである。なお、チャネル形成領域の水素濃度は、5×1019atoms/cm3以下、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。該水素濃度は、例えば二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyによる値である。またトランジスタのキャリア濃度は、1×1014/cm3以下、好ましくは1×1012/cm3以下とする。また本実施の形態において、コイル303として、基板上にコイル状に形成した配線を用いることができる。また本実施の形態において、ダイオード304として、例えばショットキーバリアダイオードを用いることができる。また、本実施の形態において、コンデンサ305として、例えば第1の電極と、第2の電極と、誘電体と、を有する構成のコンデンサを用いることができる。図4Bに示すコンバータ回路311は、トランジスタ312、コイル313、ダイオード314、コンデンサ315を有する降圧回路である。トランジスタ312のソースあるいはドレインの一方は、光電変換素子317のp型半導体層側の電極に電気的に接続されている。トランジスタ312のソースあるいはドレインの他方は、ダイオード314の出力端子及びコイル313の一方の端子と電気的に接続されている。ダイオード314の入力端子は、光電変換素子317のn型半導体層側の電極及びコンデンサ315の一方の端子に電気的に接続されている。ダイオード314の出力端子は、トランジスタ312のソースあるいはドレインの他方及びコイル313の一方の端子と電気的に接続されている。コイル313の一方の端子は、トランジスタ312のソースあるいはドレインの他方及びダイオード314の出力端子に電気的に接続されている。コイル313の他方の端子は、コンデンサ315の他方の端子及び出力端子OUTに電気的に接続されている。なお、光電変換素子317のn型半導体層側の電極、ダイオード314の入力端子、及びコンデンサ315の一方の端子は接地されている。トランジスタ312はスイッチング素子として機能する。またトランジスタ312のゲートは、コンバータ回路311の制御回路に接続されている。コンバータ回路311の制御回路からの信号により、トランジスタ312はオン状態あるいはオフ状態となる。スイッチング素子であるトランジスタ312がオン状態のとき、光電変換素子317のp型半導体層側の電極から出力OUTに流れる降圧回路の電流により、コイル313には励磁エネルギーが蓄えられる。トランジスタ312がオフ状態になると、コイル313は電流を保とうとして起電力を発生させ、ダイオード314をオン状態にする。ダイオード314を通じて電流が流れることによって、電圧がV2に低下する。電圧V1より電圧V2が低下するため、コンバータ回路311は降圧回路として機能する。なお本実施の形態において、トランジスタ312として例えば電界効果トランジスタを用いることができる。また本実施の形態において、コイル313として、基板上にコイル状に形成した配線を用いることができる。また本実施の形態において、ダイオード314として、例えばショットキーバリアダイオードを用いることができる。また、本実施の形態において、コンデンサ315として、例えば第1の電極と、第2の電極と、誘電体とを有する構成のコンデンサを用いることができる。上述のトランジスタ302あるいはトランジスタ312は、電界効果トランジスタであり、チャネル形成領域に酸化物半導体膜を有するトランジスタである。チャネル形成領域に酸化物半導体膜を有するトランジスタは、酸化物半導体膜が透光性を有するので好適である。上述のトランジスタ302あるいはトランジスタ312の例として、後述のトランジスタ410を挙げる。トランジスタ410の構造及びその作製方法について、図5A~図5B、図6A~図6Eを用いて説明する。まず、図5Aにトランジスタ410の平面、図5Bにその断面構造の一例を示す。図5Aはトップゲート構造のトランジスタ410の平面図であり、図5Bは図5Aの線A-A’における断面図である。トランジスタ410は、基板400上に、絶縁膜407、酸化物半導体膜412、ソース電極及びドレイン電極の一方である電極416、ソース電極及びドレイン電極の他方である電極417、ゲート絶縁膜402、及び、ゲート電極411を有し、電極416、電極417にはそれぞれ配線層414、配線層415が接して設けられ、電気的に接続されている。トランジスタ410は、ソース電極及びドレイン電極である電極416及び電極417が、チャネル形成領域である酸化物半導体膜412の上面で接しているので、トップコンタクト型のトランジスタと言える。酸化物半導体膜412はチャネル形成領域として機能する。また上述のように酸化物半導体膜412は透光性を有する。酸化物半導体膜412が透光性を有すると、光電変換層211に光が到達するので好適である。なお、図5Aに示すトランジスタ410はシングルゲート構造のトランジスタを示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されるものではなく、ゲート電極を複数有し、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。トランジスタ410のチャネル形成領域としての機能を有する酸化物半導体膜は、高純度の酸化物半導体膜であることが好適である。高純度の酸化物半導体膜を有するトランジスタの特徴及びその利点にについて、以下に説明する。高純度の酸化物半導体膜は、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性に悪影響を与える不純物が極めて少ないレベルにまで低減されたものである。電気特性に悪影響を与える不純物の代表例としては、水素が挙げられる。水素は、酸化物半導体膜中でキャリアの供与体ドナーとなり得る不純物であり、酸化物半導体膜中に水素が多量に含まれていると、酸化物半導体がn型化されてしまう。このように水素が多量に含まれた酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、ノーマリーオンとなってしまう。そして、トランジスタのオンオフ比を十分にとることができない。したがって、本明細書における高純度の酸化物半導体は、酸化物半導体膜における水素が極力低減されているものであって、真性又は実質的に真性な半導体膜を指す。高純度の酸化物半導体の一例としては、キャリア濃度が1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満、または6.0×1010/cm3未満である酸化物半導体膜が挙げられる。酸化物半導体膜に含まれる水素を徹底的に除去することにより得られる高純度の酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ等に比較して、オフ電流が非常に小さいという特徴を有している。また、本実施の形態においては、高純度の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、nチャネル型のトランジスタであるものとして以下説明する。なお、本明細書においてオフ電流リーク電流ともいうとは、nチャネル型のトランジスタでしきい値Vthが正である場合、室温において-20V以上-5V以下の範囲で任意のゲート電圧を印加したときにトランジスタのソース-ドレイン間を流れる電流のことを指す。なお、室温は、15度以上25度以下とする。本明細書に開示する酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、室温において、チャネル幅wあたりの電流値が100zA/μm以下、好ましくは10zA/μm以下である。なお、オフ電流とドレイン電圧との値が分かればオームの法則からトランジスタがオフ状態のときの抵抗値オフ抵抗Rを算出することができ、チャネル形成領域の断面積Aとチャネル長Lが分かればρ=RA/Lの式Rはオフ抵抗を表すからオフ抵抗率ρを算出することもできる。オフ抵抗率は1×109Ωm以上または1×1010Ωmが好ましい。ここで、断面積Aは、チャネル形成領域の膜厚をdとし、チャネル幅をWとするとき、A=dWから算出することができる。また、酸化物半導体膜のエネルギーギャップは、2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である。また、高純度の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは温度特性が良好である。代表的には、-25°Cから150°Cまでの温度範囲におけるトランジスタの電流電圧特性において、オン電流、オフ電流、電界効果移動度、S値、及びしきい値電圧の変動がほとんどなく、温度による電流電圧特性の劣化がほとんど見られない。次に、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのホットキャリア劣化について説明する。ホットキャリア劣化とは、高速に加速された電子がチャネル中のドレイン近傍でゲート酸化膜中に注入されて固定電荷となったり、高速に加速された電子がゲート絶縁膜界面にトラップ準位を形成することにより、しきい電圧の変動やゲートリーク等のトランジスタ特性の劣化が生じることであり、ホットキャリア劣化の要因としては、チャネルホットエレクトロン注入CHE注入とドレインアバランシェホットキャリア注入DAHC注入がある。シリコンはバンドギャップが1.12eVと小さいため、アバランシェ降伏によって雪崩的に電子が発生しやすく、ゲート絶縁膜への障壁を越えられるほど高速に加速される電子数が増加する。一方、本実施の形態で示す酸化物半導体膜は、バンドギャップが3.15eVと広いため、アバランシェ降伏が生じにくく、シリコンと比べてホットキャリア劣化の耐性が高い。なお、高耐圧材料の一つであるシリコンカーバイドのバンドキャップと酸化物半導体のバンドギャップは同等である。しかし、シリコンカーバイトよりも、酸化物半導体の方が移動度が小さいため、電子が加速されにくい。また、ゲート絶縁膜である酸化膜との障壁が、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコンよりも、酸化物半導体の方が大きいため、酸化膜に注入される電子が極めて少ない。酸化膜に注入される電子が極めて少ないため、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコンよりも、酸化物半導体の方がホットキャリア劣化が生じにくく、ドレイン耐圧が高いといえる。このため、チャネルとして機能する酸化物半導体と、ソース電極及びドレイン電極との間に、意図的に低濃度不純物領域を形成する必要が無く、トランジスタ構造が極めて簡単になり、製造工程数を低減できる。以上のように、酸化物半導体を用いたトランジスタはドレイン耐圧が高く、具体的には100V以上、好ましくは500V、好ましくは1kV以上のドレイン耐圧を有することが可能である。上述の酸化物半導体は、可視光の透過率に優れた半導体である。そのため、このような透光性を有する酸化物半導体膜をチャネル形成領域として有するトランジスタは、光電変換素子と重畳して形成されていても、光電変換素子に可視光が到達するのを阻害しない。次に、図6A~図6Eを用いて、トランジスタ410を作製する工程について説明する。まず、基板400を用意する。基板400は上述の基板111に相当する。基板400は、基板400側からトランジスタ410に光が入射することを想定して、基板400は太陽光に対して透光性を有している材料を用いる。透光性を有する基板400として、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガラス、セラミックガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケート酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板、石英基板、セラミック基板を用いることができる。透光性を有する基板400として、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板プラスチック基板を用いる場合は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。プラスチック基板として、ポリエステル、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリスルホンPSF、ポリエーテルイミドPEI、ポリアリレートPAR、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。ポリエステルとして、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETが挙げられる。基板400上に下地膜となる絶縁膜407を形成する。絶縁膜407としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの酸化物絶縁膜を用いると好ましい。絶縁膜407の形成方法としては、プラズマCVD法、スパッタリング法等を用いることができるが、絶縁膜407中に水素が多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法で絶縁膜407を成膜することが好ましい。本実施の形態においては、絶縁膜407としてスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する。具体的には、基板400を処理室へ搬送した後、水素及び水分を除去し、かつ高純度酸素を含むスパッタガスを導入し、シリコンまたはシリコン酸化物のターゲットを用いて、基板400上に絶縁膜407として酸化シリコン膜を成膜する。なお、成膜時の基板400は室温でもよいし、加熱されていてもよい。成膜条件の具体例としては、ターゲットとして石英好ましくは合成石英を用い、基板温度108°C、基板400とターゲット間の距離T-S間距離を60mm、圧力0.4Pa、高周波電源1.5kW、酸素及びアルゴン酸素流量25sccm:アルゴン流量25sccm=1:1雰囲気下でRFスパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する。膜厚は100nmとする。なお、ターゲットとして石英好ましくは合成石英に代えてシリコンターゲットを用いることもできる。また、スパッタガスとして酸素及びアルゴンの混合ガスに代えて酸素ガスを用いてもよい。ここで、絶縁膜407を成膜する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物の濃度がppmレベル、好ましくはppbレベルまで低減された高純度ガスを用いる。また、絶縁膜407の成膜時において、処理室内の残留水分を除去しつつ絶縁膜407を成膜することにより、絶縁膜407に水素、水、水酸基又は水素化物などが含まれないようにすることが好ましい。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いればよい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることができる。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを組み合わせて使用することが好ましい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、水素原子や、水H2O等の水素原子を含む化合物等が排気されるため、当該成膜室で成膜した絶縁膜407は、水素原子が極力取り込まれにくく好ましい。スパッタリング法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるRFスパッタリング法と、DCスパッタリング法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタリング法もある。RFスパッタリング法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタリング法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。また、材料の異なるターゲットを複数設置可能な多元スパッタ装置もある。多元スパッタ装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタリング法を用いるスパッタ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタリング法を用いるスパッタ装置を用いることができる。また、スパッタリング法を用いる成膜方法としては、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分とを化学反応させ、それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング法や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。また、絶縁膜407は単層構造に限定されず、積層構造でもよい。例えば、基板400側から窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜などの窒化物絶縁膜と、上記酸化物絶縁膜との積層構造としてもよい。例えば、基板上に高純度窒素を含むスパッタガスを導入し、シリコンターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜し、その後、スパッタガスを高純度酸素ガスに切り替えて、酸化シリコン膜を成膜する。この場合においても、先に説明したのと同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を成膜することが好ましい。また、成膜時に基板を加熱してもよい。次に、絶縁膜407上に酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する。酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分が極力含まれないようにするために、成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で絶縁膜407が形成された基板400を予備加熱し、基板400に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段は、水素原子や、水H2O等の水素原子を含む化合物等を排気するためクライオポンプが好ましい。また、この予備加熱は、後に形成するゲート絶縁膜402の成膜前の基板400に対して行うことが好ましい。また、後に形成する第1の電極416及び第2の電極417まで形成した基板400に対しても同様に行うことが好ましい。ただし、これらの予備加熱の処理は省略してもよい。なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜407の表面に付着しているゴミを除去することも好ましい。逆スパッタとは、アルゴン雰囲気下で基板に高周波電源を用いて電圧を印加することによって基板近傍にプラズマを形成し、表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素等を用いてもよい。酸化物半導体膜のターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。上記ターゲットとして、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1mol数比、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2mol数比、またはIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:4mol数比であるターゲットを用いることができる。また、In、Ga、及びZnを含むターゲットの充填率は90以上100以下、好ましくは95以上100未満である。充填率の高いターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。なお、酸化物半導体膜の成膜の際は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス及び酸素混合雰囲気下とすればよい。ここで、酸化物半導体膜を成膜する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物の濃度がppmレベル、好ましくはppbレベルまで低減された高純度ガスを用いる。酸化物半導体膜は、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、金属酸化物をターゲットとして基板400上に成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水H2Oなど水素原子を含む化合物より好ましくは炭素原子を含む化合物も等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、酸化物半導体膜成膜時に基板を室温状態のままとするか、または400°C未満の温度に加熱してもよい。酸化物半導体膜の成膜条件の一例としては、基板温度を室温、基板とターゲットの間との距離を110mm、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、酸素及びアルゴン酸素流量15sccm:アルゴン流量30sccm=1:2雰囲気下の条件が挙げられる。なお、パルス直流DC電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。酸化物半導体膜の膜厚は、膜厚2nm以上200nm以下とすればよく、好ましくは5nm以上30nm以下とする。なお、適用する酸化物半導体の材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すればよい。以上では、酸化物半導体として、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物を用いる例を示したが、その他にも、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系や、他の三元系金属の酸化物であるIn-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系や、二元系金属の酸化物であるIn-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Ga-O系、In-Mg-O系や、In-O系、Sn-O系、Zn-O系などの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体はSiを含んでいてもよい。また、これらの酸化物半導体は、非晶質であってもよいし、結晶質であってもよい。または、非単結晶であってもよいし、単結晶であってもよい。なお、本明細書において、三元系金属の酸化物とは、酸素Oの他に3つの金属元素を含む金属酸化物を指す。同様にして、四元系金属の酸化物とは、酸素Oの他に4つの金属元素を含む金属酸化物、二元系金属の酸化物とは、酸素Oの他に2つの金属元素を含む金属酸化物を指す。また、酸化物半導体膜として、InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることもできる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素である。例えば、Mとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoが挙げられる。次に、酸化物半導体膜を第1のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体膜412に加工する図6A参照。。なお、島状の酸化物半導体膜412を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。なお、酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。ドライエッチングを行う場合、平行平板型RIEReactiveIonEtching法や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等を適宜調節する。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス塩素系ガス、例えば塩素Cl2、三塩化硼素BCl3、四塩化珪素SiCl4、四塩化炭素CCl4などが好ましいが、フッ素を含むガスフッ素系ガス、例えば四弗化炭素CF4、六弗化硫黄SF6、三弗化窒素NF3、トリフルオロメタンCHF3など、臭化水素HBr、酸素O2、またはこれらのガスにヘリウムHeやアルゴンArなどの希ガスを添加したガス等を用いることもできる。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水31重量過酸化水素水:28重量アンモニア水:水=5:2:2などを用いることができる。また、ITO07N関東化学社製を用いてもよい。エッチングの条件エッチング液、エッチング時間、温度等については、酸化物半導体の材料に合わせて適宜調節すればよい。また、ウェットエッチングを行う場合、エッチング液はエッチングされた材料とともに洗浄によって除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体膜に含まれる材料例えば、インジウム等のレアメタルを回収して再利用することにより、資源を有効活用することができる。本実施の形態では、エッチング液として燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いたウェットエッチング法により、酸化物半導体膜を島状の酸化物半導体膜412に加工する。次に、酸化物半導体膜412に第1の加熱処理を行う。第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、好ましくは400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜412に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体膜412への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体膜412を得る。この第1の加熱処理によって酸化物半導体膜412から水素、水、及び水酸基等を除去することができる。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体としては、不活性ガス代表的には、アルゴン等の希ガスまたは窒素ガスを用いることができる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いることにより、短時間での高温加熱処理が可能となる。第1の加熱処理の際の雰囲気には、水、水素などが含まれないようにすることが好ましい。または、加熱処理装置の装置内に導入する窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等のガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。なお、第1の加熱処理の条件、または酸化物半導体膜の材料によっては、第1の加熱処理により島状の酸化物半導体膜412が結晶化し、微結晶化または多結晶化する場合もある。例えば、結晶化率が80以上の微結晶の酸化物半導体膜となる場合もある。ただし、第1の加熱処理を行っても島状の酸化物半導体膜412が結晶化せず、非晶質の酸化物半導体膜となる場合もある。また、非晶質の酸化物半導体膜の中に微結晶部粒径1nm以上20nm以下代表的には2nm以上4nm以下が混在する酸化物半導体膜となる場合もある。また、酸化物半導体膜に対する第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体膜に加工する前の酸化物半導体膜に行ってもよい。この場合、第1の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、第1のフォトリソグラフィ工程を行う。その他に、第1の加熱処理は、酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を積層した後、またはソース電極及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成した後、のいずれで行ってもよい。第1の加熱処理においては、酸化物半導体膜中から水素、水、及び水酸基等の不純物を除去することを主な目的としているが、この加熱処理の際に酸化物半導体膜中に酸素欠損が生じてしまうおそれがある。このため、第1の加熱処理の後に、加酸化処理を行うことが好ましい。加酸化処理の具体例としては、第1の加熱処理の後、連続して酸素雰囲気または窒素及び酸素を含む雰囲気例えば、窒素と酸素の体積比が4:1での加熱処理を行う方法が挙げられる。第1の加熱処理は、酸化物半導体膜に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する。次に、絶縁膜407及び酸化物半導体膜412上に、導電膜を形成する。導電膜は、スパッタリング法や真空蒸着法により形成すればよい。該導電膜は透光性を有する導電膜を用いて形成する必要がある。なぜなら基板400基板111に相当側から入射した光が、該導電膜を透過して、光電変換層に入射するからである。このような透光性を有する導電膜として、導電性を有する金属酸化物が挙げられる。導電性を有する金属酸化物膜としては、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたは前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、導電膜は、単層構造としてもよいし、2層以上の積層構造としてもよい。次に、第2のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行って第1の電極416及び第2の電極417を形成した後、レジストマスクを除去する図6B参照。。第1の電極416はソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、第2の電極417はソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。ここで、第1の電極416及び第2の電極417の端部がテーパとなるようにエッチングすると、上に積層するゲート絶縁膜の被覆性が向上するため好ましい。なお、第1の電極416、第2の電極417を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また基板400の大きさが大きければ、後述の工程で形成されるトランジスタが占める面積を大きくできるいう点で好適である。トランジスタが占める面積が大きいと、チャネル幅Wを広くすることが可能である。トランジスタのチャネル幅Wが広いと、電流能力を稼ぐことが可能である。次に、絶縁膜407、酸化物半導体膜412、第1の電極416、第2の電極417上にゲート絶縁膜402を形成する図6C参照。。ゲート絶縁膜402は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて形成する。またゲート絶縁膜402は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜を単層又は積層して形成することができる。ゲート絶縁膜402を形成する際は、水素が含まれないようにすることが好ましい。このため、成膜時の雰囲気に水素を極力減らすことが可能なスパッタリング法でゲート絶縁膜402を成膜することが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する場合には、ターゲットとしてシリコンターゲット又は石英ターゲットを用い、スパッタガスとして酸素、または酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。また、ゲート絶縁膜402は、基板400側から順に酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を積層した構造とすることもできる。例えば、第1のゲート絶縁膜として膜厚5nm以上300nm以下の酸化シリコン膜SiOxx>0を形成し、第1のゲート絶縁膜上に第2のゲート絶縁膜として膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン膜SiNyy>0を積層して、膜厚100nmのゲート絶縁膜としてもよい。本実施の形態では、圧力0.4Pa、高周波電源1.5kW、酸素及びアルゴン酸素流量25sccm:アルゴン流量25sccm=1:1雰囲気下でRFスパッタリング法により膜厚100nmの酸化シリコン膜を形成する。次に、第3のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってゲート絶縁膜402の一部を除去することにより、第1の電極416及び第2の電極417それぞれに達する開口418及び開口419を形成する図6D参照。。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成する場合、フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。次に、ゲート絶縁膜402、開口418、及び開口419上に導電膜を形成した後、第4のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極411、配線層414、配線層415を形成する。ゲート電極411、配線層414、配線層415は、透光性を有する導電膜を用いて形成する。ゲート電極411、配線層414、配線層415は、それぞれ、透光性を有する導電膜を用いて形成する必要がある。なぜなら基板400基板111に相当側から入射した光が、該導電膜を透過して、光電変換層に入射するからである。当該透光性を有する導電膜として、導電性を有する金属酸化物膜が挙げられる。導電性を有する金属酸化物としては、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたは前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、導電膜は、単層構造としてもよいし、2層以上の積層構造としてもよい。次に、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。本実施の形態では、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。なお、第2の加熱処理は、トランジスタ410上に保護絶縁膜や平坦化絶縁膜を形成してから行ってもよい。また、大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を更に行ってもよい。この加熱処理は、一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°Cの加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回繰り返して行ってもよい。以上の工程により、水素、水分、水素化物、水酸化物の濃度が低減された、高純度の酸化物半導体膜412を有するトランジスタ410を形成することができる図6E参照。また、トランジスタ410上に保護絶縁膜や、平坦化のための平坦化絶縁膜を設けてもよい。保護絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜を単層又は積層して形成することができる。また、平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることもできる。また、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで平坦化絶縁膜を形成してもよい。ここで、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたSi-O-Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基例えばアルキル基やアリール基やフルオロ基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有していても良い。平坦化絶縁膜の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等、ドクターナイフ、ロールコータ、カーテンコータ、ナイフコーター等を用いることができる。上述したように、酸化物半導体膜を成膜するに際し、反応雰囲気中の残留水分を除去することで、酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。以上のようにして、トランジスタ410を構成する、チャネル形成領域である酸化物半導体膜412、電極416、電極417、ゲート電極411、配線層414、配線層415はそれぞれ、透光性を有している。そのためトランジスタ410は透光性を有し、光が光電変換素子103に到達するのを阻害しない。またトランジスタ410は、チャネル形成領域である酸化物半導体膜412を用いているので、チャネル形成領域が光を吸収しない。チャネル形成領域に珪素を用いたトランジスタは、チャネル形成領域に含まれる珪素が光を吸収することにより、トランジスタが正しく機能しない恐れがある。しかしながら、チャネル形成領域に酸化物半導体膜412を有するトランジスタ410は、チャネル形成領域の酸化物半導体膜412が光を吸収しない。チャネル形成領域の酸化物半導体膜412が光を吸収しないので、トランジスタ410が正しく機能しない恐れがない。次に図5に示すトランジスタと異なる構造の例、高純度の酸化物半導体を用いたトランジスタの構造の他の例を、図7A~図7Cに示す。図7Aに示すトランジスタ420は、ボトムゲート型トランジスタである。トランジスタ420は、基板400上に形成されたゲート電極421と、ゲート電極421上のゲート絶縁膜422と、ゲート絶縁膜422上においてゲート電極421と重畳する酸化物半導体膜423と、酸化物半導体膜423上においてゲート電極421と重畳するチャネル保護膜424と、酸化物半導体膜423上に形成された導電膜425及び導電膜426とを有する。さらに、トランジスタ420は、酸化物半導体膜423上に形成された絶縁膜427を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ420は、ソース電極及びドレイン電極である導電膜425及び導電膜426が、チャネル形成領域である酸化物半導体膜423の上面で接しているので、トップコンタクト型のトランジスタと言える。チャネル保護膜424を設けることによって、酸化物半導体膜423のチャネル形成領域となる部分に対する、後の工程時におけるダメージエッチング時のプラズマやエッチング剤による膜減りなどを防ぐことができる。従ってトランジスタの信頼性を向上させることができる。チャネル保護膜424には、酸素を含む無機材料酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、または酸化窒化アルミニウムなどを用いることができる。チャネル保護膜424は、プラズマCVD法や熱CVD法などの気相成長法やスパッタリング法を用いて形成することができる。チャネル保護膜424は成膜後にエッチングにより形状を加工する。ここでは、スパッタ法により酸化珪素膜を形成し、フォトリソグラフィによるマスクを用いてエッチング加工することでチャネル保護膜424を形成する。また、酸化物半導体膜423に接してチャネル保護膜424を形成すると、酸化物半導体膜423中のチャネル保護膜424と接する領域が高抵抗化し、高抵抗化酸化物半導体領域となる。チャネル保護膜424の形成により、酸化物半導体膜423は、チャネル保護膜424との界面近傍に高抵抗化酸化物半導体領域を有することができる。なお、トランジスタ420は、絶縁膜427上に、バックゲート電極をさらに有していても良い。バックゲート電極は、酸化物半導体膜423のチャネル形成領域と重なるように形成する。バックゲート電極は、電気的に絶縁しているフローティングの状態であっても良いし、電位が与えられる状態であっても良い。後者の場合、バックゲート電極には、ゲート電極421と同じ高さの電位が与えられていても良いし、グラウンドなどの固定電位が与えられていても良い。バックゲート電極に与える電位の高さを制御することで、トランジスタ420の閾値電圧を制御することができる。図7Bに示すトランジスタ430は、ボトムゲート型トランジスタである。トランジスタ430は、基板400上に形成されたゲート電極431と、ゲート電極431上のゲート絶縁膜432と、ゲート絶縁膜432上の導電膜433及び導電膜434と、ゲート電極431と重なっている酸化物半導体膜435とを有する。さらに、トランジスタ430は、酸化物半導体膜435上に形成された絶縁膜437を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ430は、ソース電極及びドレイン電極である導電膜433及び導電膜434が、チャネル形成領域である酸化物半導体膜435の下面で接しているので、ボトムコンタクト型のトランジスタと言える。また、ボトムコンタクト型のトランジスタ430の場合、導電膜433及び導電膜434の膜厚は、後に形成される酸化物半導体膜435が段切れを起こすのを防ぐために、薄くするのが望ましい。具体的には、10nm~200nm、好ましくは50nm~75nmとする。なお、トランジスタ430は、絶縁膜437上に、バックゲート電極をさらに有していても良い。バックゲート電極は、酸化物半導体膜435のチャネル形成領域と重畳するように形成する。バックゲート電極は、電気的に絶縁しているフローティングの状態であっても良いし、電位が与えられる状態であっても良い。後者の場合、バックゲート電極には、ゲート電極431と同じ高さの電位が与えられていても良いし、グラウンドなどの固定電位が与えられていても良い。バックゲート電極に与える電位の高さを制御することで、トランジスタ430の閾値電圧を制御することができる。図7Cに示すトランジスタ440は、トップゲート型トランジスタである。トランジスタ440は、基板400上に形成された導電膜441及び導電膜442と、導電膜441及び導電膜442と重なっている酸化物半導体膜443と、酸化物半導体膜443上のゲート絶縁膜444と、ゲート絶縁膜444上において酸化物半導体膜443と重なっているゲート電極445とを有する。さらに、トランジスタ440は、ゲート電極445上に形成された絶縁膜447を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ440は、ソース電極及びドレイン電極である導電膜441及び導電膜442が、チャネル形成領域である酸化物半導体膜443の下面で接しているので、ボトムコンタクト型のトランジスタと言える。また、トップゲート型のトランジスタ440の場合、導電膜441及び導電膜442の膜厚は、後に形成される酸化物半導体膜443が段切れを起こすのを防ぐために、薄くするのが望ましい。具体的には、10nm~200nm、好ましくは50nm~75nmとする。なおコンバータ回路301のトランジスタ302又はコンバータ回路311のトランジスタ312の構造は、トランジスタ410、トランジスタ420、トランジスタ430、トランジスタ440の構造に限定されるものではない。トランジスタ302又はトランジスタ312として、例えばパワーMOSMISFETを用いると、より耐圧が高いので好適である。以上説明したように、透光性の材料でコンバータ回路112を作製すると、コンバータ回路112が作製された領域にも光が透過する。コンバータ回路112が作製された領域にも光が透過すると、光電変換素子103の受光面積が増える。光電変換素子103の受光面積が増えると、出力電流が増大する。出力電流が増大すると、光電変換装置の発電効率が向上する。なお、本実施の形態では、コンバータ回路112が作製された領域から光電変換素子103へ光を透過させたが、必要であれば光電変換素子103から光を入射させてもよい。光電変換素子103から光を入射させると、光起電力が増大し、光電変換装置の発電効率が向上する。またコンバータ回路112を構成するトランジスタを、高価な単結晶シリコン基板の代わりに、より安価な酸化物半導体膜を用いて作製する。これにより、コンバータ回路のコストを抑制することが可能である。本実施の形態により、透光性を有する基板に、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変換素子を作ることにより、光電変換装置の薄型化が可能となる。また本実施の形態により、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変換素子を作ることにより、該電力変換素子及び該電力変換素子を有する光電変換装置の作製コストを抑制することが可能である。また、本実施の形態では、バンドギャップの大きい酸化物半導体膜で、コンバータ回路のようなパワーデバイスを製作することにより、温度特性が安定化する。これにより該コンバータ回路を有する光電変換装置の温度特性を、安定化させることが可能である。[実施の形態2]本実施の形態では、実施の形態1で述べたコンバータ回路の回路構成の一例について、図8を用いて説明する。図8は電源回路601の構成例である。電源回路601は、コンバータ回路である電圧変換回路602、及び電圧変換回路602の制御回路603を有している。電圧変換回路602は、実施の形態1でも述べたDC-DCコンバータである。電圧変換回路602は、トランジスタ611、コイル612、ダイオード613、及びコンデンサ614を有している。制御回路603は、三角波発生回路621、デジタル制御方式の回路650、パルス幅変調出力ドライバ623、抵抗624、及び抵抗625を有している。また点線の矢印627は帰還回路のループを表している。抵抗624の出力電圧である帰還電圧Vfbは、デジタル制御方式の回路650に入力される。電圧変換回路602のトランジスタ611に、トランジスタ410、トランジスタ420、トランジスタ430、又はトランジスタ440を用いると、トランジスタ611が透光性を有するので好適である。さらにコイル612、ダイオード613、及びコンデンサ614の材料として、透光性を有する材料を用いると好適である。コイル612、ダイオード613、及びコンデンサ614の材料として、透光性を有する材料を用いると、電圧変換回路602を構成する素子が全て透光性となる。電圧変換回路602を構成する素子が全て透光性であると、実施の形態1で述べた光電変換素子に達する光を遮断しないので好適である。電圧変換回路602のトランジスタ611は、出力電圧が高いため、耐圧の高いトランジスタを用いると好適である。耐圧の高いトランジスタとしては、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタが好適である。デジタル制御方式の回路650は、コンパレータ651、デジタル演算処理回路652、パルス幅変調出力ドライバ653、及びローパスフィルタ654ローパスフィルタ:LowPassFilterLPFを有している。デジタル制御方式の回路650の内、デジタル演算処理回路652及びパルス幅変調出力ドライバ653はデジタル回路である。デジタル回路は、回路を流れる信号の基準に対する高低によって、1か0ゼロかを判断するためである。デジタル回路は、1か0ゼロかを判断するため、デジタル回路を構成する素子の特性がばらついても、正しく処理する事が可能である。またデジタル制御方式の回路650は、占有面積の大きい受動素子例えば、容量や抵抗の使用を抑制してるので、回路の占有面積を小さくすることが可能であるという点で好適である。コンパレータ651は、反転入力端子REFから入力される参照電圧Vrefと、非反転入力端子から入力される帰還電圧Vfbとを比較して、HハイレベルかLローレベル、すなわち1か0ゼロであるデジタル信号を出力する。デジタル演算処理回路652は、デジタル平均化積分器652a及びデジタルパルス幅変調器652bを有している。またデジタル演算処理回路652には、外部からクロック分割器655が接続され、クロック分割器655からのクロック信号が入力される。デジタル演算処理回路652は、コンパレータ651から出力されたデジタル信号を、平均化処理、積分化処理、及び、デジタルパルス幅変調処理を行う。デジタル演算処理回路652中のデジタル平均化積分器652aが平均化処理及び積分化処理を行い、デジタルパルス幅変調器652bがデジタルパルス幅変調処理を行う。デジタル演算処理回路652では、まず、コンパレータ651から出力されたデジタル信号HハイレベルまたはLローレベルをNビット保持し、HとLの回数を比較し、多い方の信号を出力する。これによりデジタル信号の平均化が行われる。平均化されたデジタル信号に応じて、Hであれば-1、Lであれば1を加えて積算する。これにより、平均化されたデジタル信号が積分される。積分されたデジタル信号に応じて、パルス幅変調の位相位置の設定を行う。これによりデジタルパルス幅変調処理化が行われる。デジタルパルス幅変調処理化されたパルス幅変調出力信号は、パルス幅変調出力ドライバ653に入力される。三角波発生回路621は、パルス幅変調生成信号に必要な三角波Voscを発生させる回路である。パルス幅変調出力ドライバ623の反転入力端子にはデジタル制御方式の回路650の出力信号Verrが入力され、非反転入力端子には三角波発生回路621が生成した三角波Voscが入力される。パルス幅変調出力ドライバ623は、デジタル制御方式の回路650の出力信号Verrと三角波Voscを比較し、三角波Voscの信号レベルがデジタル制御方式の回路650の出力信号Verrより大きい場合は、Hハイレベルをパルス幅変調信号としてトランジスタ611に出力する。一方、三角波Voscの信号レベルがデジタル制御方式の回路650の出力信号Verrより小さい場合は、Lローレベルをパルス幅変調信号としてトランジスタ611に出力する。以上説明したように、透光性の材料で電圧変換回路602を作製すると、電圧変換回路602が作製された領域にも光が透過する。電圧変換回路602が作製された領域にも光が透過すると、実施の形態1で述べた光電変換素子の受光面積が増える。光電変換素子の受光面積が増えると、出力電流が増大する。出力電流が増大すると、光電変換装置の発電効率が向上する。また電圧変換回路602を構成するトランジスタを、高価な単結晶シリコン基板の代わりに、より安価な酸化物半導体膜を用いて作製する。これにより、電圧変換回路のコストを抑制することが可能である。[実施の形態3]本実施の形態では、実施の形態1又は実施の形態2などにより得られる光電変換装置を用いて、太陽光発電モジュールを得る。得られた太陽光発電モジュールを車両に搭載する例について説明する。本実施の形態の太陽光発電モジュールの例を図9Cに示す。本実施の形態の太陽光発電モジュールは、実施の形態1又は実施の形態2に示す光電変換装置を用いて作製される。図9C示される太陽光発電モジュール5028は、透光性の基板101上に、透光性を有する導電膜102、透光性を有する導電膜102に接して設けられた光電変換素子103、光電変換素子103に接して設けられ、透光性を有する導電膜104を有している。また図9Cに示される太陽光発電モジュール5028は、透光性を有する基板111上に、透光性を有する材料で形成されたコンバータ回路112を有している。コンバータ回路112には、該太陽光発電モジュールと外部機器との電気的接続を担う配線151が接続される。また121は配線、122は接着層を示す。なお図9Cに示す太陽光発電モジュール5028及び実施の形態1で述べられた図1Aに示す光電変換装置において、同じものは同じ符号で示している。図9Aおよび図9Bに、図9Cで示した太陽光発電モジュール5028をルーフ部分に搭載した電動推進車両6000乗用自動車の例を示す。太陽光発電モジュール5028は、コンバータ6002を介してバッテリーまたはキャパシタ6004に接続されている。すなわち、バッテリーまたはキャパシタ6004は、太陽光発電モジュール5028から供給される電力を用いて充電される。また、エンジン6006の動作状況をモニタ6008で監視して、その状況に応じて充電及び放電を選択させる構成としても良い。太陽光発電モジュール5028は、熱によって光電変換効率が低下する傾向にある。このような光電変換効率の低下を抑制するために、太陽光発電モジュール5028内に冷却用の液体などを循環させる構成としても良い。例えば、ラジエータ6010の冷却水を循環ポンプ6012によって循環させる構成とすることができる。もちろん、冷却用の液体をラジエータ6010と共用することには限定されない。また、光電変換効率の低下が深刻でない場合には、液体を循環させる構成は不要である。本実施の形態により、透光性を有する基板に、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変換素子を作ることにより、光電変換装置の薄型化が可能となる。また本実施の形態により、酸化物半導体膜を有する薄膜回路で電力変換素子を作ることにより、該電力変換素子及び該電力変換素子を有する光電変換装置の作製コストを抑制することが可能である。また、本実施の形態では、バンドギャップの大きい酸化物半導体膜で、コンバータ回路のようなパワーデバイスを製作することにより、温度特性が安定化する。これにより該コンバータ回路を有する光電変換装置の温度特性を、安定化させることが可能である。本実施の形態では、車両の限定された領域に光電変換素子及びコンバータ回路を積層した光電変換装置、及び該光電変換装置を用いた太陽光発電モジュールを搭載することが可能なので好適である。車両の限定された領域に該太陽光発電モジュールを搭載すると、光電変換素子が生成した電圧を、効率よく車両の他の機器に用いることが可能である。