"素子基板と、該素子基板の上面に位置している励振電極と、前記素子基板の上面に位置して前記励振電極に電気的に接続されている複数の電極パッドと、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で位置して前記電極パッドに接続されている、導電性材料からなる複数の支持部材と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に重なっており、該支持部材の一部を露出させる貫通孔を有している絶縁性材料からなる蓋体と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞いでいる、絶縁性材料からなる封止部材とを備えた弾性波装置。前記貫通孔を埋めている貫通導体をさらに備えた請求項1に記載の弾性波装置。前記蓋体は、平面透視したときに内周面が全ての前記支持部材に渡って重なっている凹部を上面側に有しており、該凹部を埋めている、金属材料からなる補強層をさらに備えた請求項2に記載の弾性波装置。前記蓋体の上面のうち少なくとも前記貫通孔と前記凹部との間の領域に位置している、絶縁性材料からなる仕切部材をさらに備えた請求項3に記載の弾性波装置。請求項1に記載の弾性波装置と、上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記蓋体の前記貫通孔から露出している前記支持部材とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されている電子部品。請求項2~4のいずれか1項に記載の弾性波装置と、上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記貫通導体とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されている電子部品。素子基板の上面に励振電極および該励振電極に電気的に接続された複数の電極パッドを形成する工程と、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で配置されて前記電極パッドに接続された、導電性材料からなる複数の支持部材を形成する工程と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に感光性の絶縁性材料からなるフィルムを重ねた後、該フィルムを露光および現像することによって、前記支持部材の一部を露出させる貫通孔を有した蓋体を形成する工程と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞ぐように絶縁性材料からなる封止部材を形成する工程とを含む弾性波装置の製造方法。前記貫通孔を埋める貫通導体をめっき法によって形成する工程をさらに含む請求項7に記載の弾性波装置の製造方法。上述した従来のWLP型の弾性波装置においては、カバーが樹脂からなる枠体および蓋体によって構成されているため、励振電極が外部からの電磁波の影響を受けやすくフィルタ特性等の電気的な特性が劣化しやすい。弾性波装置の電気特性が劣化すると、それを搭載した電子部品の電気特性も劣化することとなる。したがって励振電極が外部からの電磁波の影響を受けにくい弾性波装置の提供が望まれている。本発明の一態様としての弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の上面に位置している励振電極と、前記素子基板の上面に位置して前記励振電極に電気的に接続されている複数の電極パッドと、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で位置して前記電極パッドに接続されている、導電性材料からなる複数の支持部材と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に重なっており、該支持部材の一部を露出させる貫通孔を有している絶縁性材料からなる蓋体と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞いでいる、絶縁性材料からなる封止部材とを備えたものである。本発明の一態様としての電子部品は、上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記蓋体の前記貫通孔から露出している前記支持部材とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されているものである。本発明の一態様としての弾性波装置の製造方法は、素子基板の上面に励振電極および該励振電極に電気的に接続された複数の電極パッドを形成する工程と、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で配置されて前記電極パッドに接続された、導電性材料からなる複数の支持部材を形成する工程と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に感光性の絶縁性材料からなるフィルムを重ねた後、該フィルムを露光および現像することによって、前記支持部材の一部を露出させる貫通孔を有した蓋体を形成する工程と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞ぐように絶縁性材料からなる封止部材を形成する工程とを含むものである。上記の構成からなる弾性波装置は、これまで樹脂によって形成していた枠体に相当する部分を導電性材料で形成することによって励振電極が外部からの電磁波の影響を受けにくくなりフィルタ特性等の電気的な特性が向上する。以下、本発明の実施形態に係るSAW装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。SAW装置の構成図1aは、本発明の実施形態に係るSAW装置1の平面図であり、図1bは図1aにおけるSAW装置1の蓋体4等を取り除いた状態の平面図素子基板3の平面図である。また、図2aは図1aのA-A’線における断面図、図2bは図1のB-B’線における断面図、図2cは図1のC-C’線における断面図である。SAW装置1は、素子基板3と、素子基板3の上面3a上に設けられた励振電極5と、励振電極5に接続された電極パッド7と、電極パッド7に接続され、全体として励振電極5を取り込むようにして素子基板3の上面3aに配置された複数の支持部材2と、励振電極5を覆うようにして支持部材2に重ねられた蓋体4と、隣接する支持部材2の間の隙間を塞いでいる封止部材10と、蓋体4の上面に形成された仕切部材16とを主な構成部材とする。なお、図1aでは、構成部材の位置をわかりやすくするため、仕切部材16に図2の断面図において付した斜線と同じ種類の斜線を付すとともに、支持部材2の位置を点線で示している。SAW装置1には、端子として機能する複数の貫通導体9のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極5等によってフィルタリングされる。そして、SAW装置1は、フィルタリングした信号を複数の貫通導体9のいずれかを介して出力する。すなわちSAW装置1は、特定の周波数の信号のみを通過させるフィルタとして機能する。素子基板3は、圧電基板によって構成されている。具体的には、素子基板3は、タンタル酸リチウム単結晶,ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。素子基板3は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な上面3aおよび下面3bを有している。素子基板3の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さZ方向は0.2mm~0.5mmであり、1辺の長さX方向またはY方向は0.5mm~3mmである。図1bに示すように素子基板3の上面3aには励振電極5が配置されている。励振電極5は、いわゆるIDTInterdigitalTransducerであり、一対の櫛歯状電極を有している。各櫛歯状電極は、素子基板3におけるSAWの伝搬方向に延びるバスバーと、バスバーから弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に伸びる複数の電極指とを有している。2つの櫛歯状電極同士は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように設けられている。なお、図1等は模式図であることから、数本の電極指を有する1対の櫛歯状電極を示しているが、実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数の励振電極5が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型SAWフィルタが構成されてもよいし、複数の励振電極5が弾性表面波の伝搬方向に配列された2重モードSAW共振器フィルタが構成されてもよい。電極パッド7は、上面3aに形成されている。電極パッド7の平面形状は適宜に設定されてよく、例えば、その平面形状は円形である。電極パッド7の数および配置位置は、励振電極5によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。SAW装置1では、6つの電極パッド7が上面3aの外周に沿って配列されている場合を例示している。6つの電極パッド7のうち、紙面上側の中央に配置された電極パッド7は、信号入力用のパッドであり、例えば、この電極パッド7から不平衡信号が励振電極5に入力される。また紙面下側の両端に配置された2つの電極パッド7は、信号出力用のパッドであり、例えば、励振電極5からの平衡信号がこれら2つの電極パッド7から出力される。残りの3つの電極パッド7は、例えば、基準電位用のパッドである。励振電極5と電極パッド7とは互いに配線15によって接続されている。配線15は素子基板3の上面3aに形成され、励振電極5のバスバーと電極パッド7とを接続している。なお、配線15は、上面3aに形成された部分だけでなく、異なる信号が流れる2つの配線15同士を間に絶縁体を介在させた状態で立体交差させるようにしてもよい。励振電極5、電極パッド7および配線15は、例えば、互いに同一の導電性材料によって形成されている。導電性材料は、例えば、AlまたはAl-Cu合金等のAl合金である。また、励振電極5、電極パッド7および配線15は、例えば、互いに同一の厚さで形成されており、これらの厚さは、例えば、100~500nmである。また配線15同士を立体交差させる場合は、上面3a側の配線15を例えばAl-Cu合金で形成し、その上に絶縁体を介して配置される配線15を例えば下から順にCr/Ni/Au、あるいはCr/Alとした多層構造の配線によって形成する。電極パッド7の上面には、電極パッド7とその上に配置される支持部材2との接続を強化することを主な目的とする接続強化層6が設けられている。接続強化層6は、例えば、電極パッド7に重ねられたニッケルの層と、ニッケルの層に重ねられた金の層とからなる。素子基板3の上面3aには、図2に示すように励振電極5を覆う保護膜8が形成されている。保護膜8は素子基板3の上面3aのほぼ全体にわたって形成されているが、電極パッド7上には開口部が設けられており、その開口部から電極パッド7および接続強化層6が露出している。接続強化層6を露出させるための保護膜8の開口部は、接続強化層6と同一の形状および面積としてもよいし、接続強化層6よりも大きくてもよい。また、保護膜8の開口を接続強化層6より小さくてもよく、この場合は、保護膜8の開口周囲の部分が接続強化層6の外周部を覆うこととなる。保護膜8は、励振電極5を覆うことによって励振電極5の酸化防止等に寄与するものである。保護膜8は、例えば、SiO2等の酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、または、シリコン等からなる。保護膜8の厚さは、例えば、励振電極5の厚さの1/10程度10~30nm、または励振電極5よりも厚く、200nm~1500nmである。保護膜8から露出している電極パッド7あるいは接続強化層6の上には支持部材2が配置されている。支持部材2は、導電性高分子材料、金属粒子を含有した導電性の樹脂材料、金属材料等の導電性を有する材料からなる。図3に素子基板3の上面3aに支持部材2を配置した状態の斜視図を示す。支持部材2は、電極パッド7の上に1つずつ合計6個設けられている。これら6個の支持部材2は全体として励振電極5を取り囲むような形状および配置とされている。したがって励振電極5は導電性材料からなる支持部材2によって囲まれた状態となる。これにより、励振電極5が外部からの電磁波の影響を受けにくくなり、SAW装置1の電気的な特性が向上する。また支持部材2は、電極パッド7と接続されることによって、励振電極5への電気信号の入出力用の配線または基準電位用の配線としても機能する。そのため異なる種類の電気信号が流れる支持部材2同士、あるいは電気信号が流れる支持部材2と基準電位用の支持部材2とは絶縁されている必要がある。SAW装置1では、隣接する支持部材2同士を所定の隙間を有した状態で配置することによって、隣接する支持部材2を絶縁している。隣接する支持部材2の間の間隔は、例えば、50μm~250μmである。また、支持部材2の厚さは、例えば、数μm~30μmである。これら支持部材2には、図4aに示すように励振電極5を覆うようにして蓋体4が重なっている。蓋体4は、概ね一定の厚さの層により構成されており、その厚さは、例えば、数μm~30μmである。蓋体4の平面形状は、例えば、概ね矩形状である。蓋体4の平面視における大きさは6個の支持部材2をひとまとまりにみたときの大きさとほぼ同じであり、蓋体4の側面と各支持部材2の側面とは同一面内に位置している。蓋体4は、例えば、絶縁性を有する感光性の樹脂材料などからなる。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。その他、ポリイミド系の樹脂なども用いることができる。蓋体4には、図2aに示すように蓋体4を厚み方向に貫く貫通孔4hが形成されている。この貫通孔4hは蓋体4のうち各支持部材2の上に6個形成されている。すなわち、貫通孔4hの底面は、貫通孔4hから露出する支持部材2の上面である。SAW装置1ではこの貫通孔4を埋めるようにして貫通導体9が設けられている。貫通導体9の上端は蓋体4の上面に露出している。貫通導体9は例えば円柱状であるが、形状はこれに限らず、四角柱状などでもよい。また貫通導体9の形状として、貫通導体9の上端側に向かうほど径が狭くなるように側面が傾斜していてもよいし、逆に貫通導体9の下端側に向かうほど径が狭くなるように側面が傾斜している形状であってもよい。貫通孔4は支持部材2の上に形成されているため、その貫通孔4を埋めるようにして形成された貫通導体9はその下の支持部材2と接続されることとなる。したがって貫通導体9は励振電極5と電気的に接続されている。この貫通導体9は、SAW装置1を他の基板に実装する際に端子として機能する。すなわち、他の基板の実装パッドと半田等の接合材を介して接続される。貫通導体9は、金属を主成分とする材料からなる。SAW装置1では貫通導体9は、銅めっきによって形成されている。なお、SAW装置1では、スパッタリング法などによって貫通孔4hの内面にめっき下地層を形成した後、電解めっき法によってめっきを成長させている。めっき下地層は、例えば、チタンや銅等からなる。蓋体4には貫通孔4hの他にも図2aおよび図2bに示すように凹部4cが形成されている。そして凹部4cには、凹部4cを埋める補強層17が設けられている。この補強層17は、蓋体4の強度を補強するためのものである。例えば、SAW装置1を外部の実装基板などに実装した後、SAW装置1全体を樹脂モールドすることがあるが、樹脂モールドの方法によってはその際に大きな圧力がSAW装置1に印加される。このような場合であっても、補強層17を設けておくことによって、蓋体4が変形するのを抑制することができる。これによって封止空間6の形状が大きく歪むのを防ぐことができるため、SAW装置1の信頼性向上に供することができる。補強層17は、蓋体4を構成する材料よりもヤング率が高い材料により形成されている。例えば、蓋体4のヤング率が0.5~1.0GPaであるのに対し、補強層17のヤング率は100~250GPaである。具体的には、補強層17は銅などの金属を主成分とする材料からなる。補強層17は蓋体4の上面に形成した凹部4cに埋め込まれているため、凹部4cを設けずに補強層17を蓋体4の上面に形成した場合に比べて、SAW装置1の低背化に供することができる。補強層17の厚さ凹部4cの深さは、例えば、1μm~50μmである。補強層17は、蓋体4の比較的広い範囲に亘って矩形状に形成されている。図1aにおいて点線で示した支持部材2と凹部4cの内周面との位置関係からわかるように、凹部4cの内周面が全ての支持部材2にわたって重なるようにして凹部4cは形成されている。したがってこの凹部4cを埋めている補強層17は、その外周縁が全ての支持部材2にわたって重なるようにして形成されることとなる。このように補強層17を形成することによって補強層17が支持部材2に支えられる状態となり、蓋体4がより変形しにくくなる。図1aに示すように、蓋体4の上面には全体にわたって仕切部材16が形成されている。仕切部材16は絶縁性の材料からなる。絶縁性の材料としては、例えば、感光性の樹脂を使用することができる。このような絶縁性材料からなる仕切部材16が貫通孔4hと凹部4cとの間の領域に形成されていることによって、端子として機能する貫通導体9と補強層17とが短絡するのを抑制することができる。仕切部材16は、蓋体4の上面のうち少なくとも貫通孔4hと凹部4cとの間の領域に形成されていればよいが、SAW装置1のように蓋体4の上面全体にわたって形成しておけば、仕切部材16が蓋体4の上面から剥がれるのを抑制できるとともに隣接する貫通導体間における短絡の発生も抑制することができる。仕切部材16の厚みは、例えば、5μm~20μmである。支持部材2および蓋体4が設けられていることによって、図2aおよび図2bに示すように、支持部材2の励振電極5に面している面、蓋体4の下面および素子基板3の上面3aによって囲まれた空間である振動空間21が形成されることとなる。そして振動空間21に励振電極5が配置されていることにより励振電極5で励起されたSAWの振動が他の部材によって妨げられるのを抑制することができる。振動空間21の平面形状は、適宜に設定されてよいが、SAW装置1では、概ね矩形状である。また振動空間21の中に外部の水分等が浸入すると、励振電極5の腐食要因となる。そのため振動空間21は出来る限り気密に封止されている必要がある。SAW装置1では、隣接する支持部材2の間に隙間があいているため、そのままでは振動空間21が隙間を介して外気と直接繋がった状態となり振動空間21の気密性が保たれない。そこでSAW装置1では、支持部材2の間の隙間を塞ぐ封止部材10が設けられている。隣接する支持部材2の間の隙間を封止部材10で塞ぐことによって振動空間21が外部と遮断された状態となり振動空間21の気密性を長期にわたって保持することができる。封止部材10は、絶縁性の材料からなる。絶縁性の材料としては、例えば、感光性の樹脂材料を使用することができる。SAW装置1では、封止部材10は仕切部材16と同一の材料からなり、同一の製造工程によって一体的に形成されている。封止部材10の水平方向における厚みt図2aは、例えば、20μm~100μmである。図4aに封止部材10が設けられていない状態におけるSAW装置1の斜視図、図4bに封止部材10を設けた状態におけるSAW装置1の斜視図をそれぞれ示す。なお、図4では封止部材10等をわかりやすくするため、封止部材10、貫通導体9、仕切部材16、補強層17のそれぞれに図2の断面図においてそれらの部材に付したのと同じ種類の斜線を付している。封止部材10は隣接する支持部材2の間の隙間を塞ぐ態様であればどのような形状でもよいが、図4bに示すように、SAW装置1では支持部材2および蓋体4の側面全体を覆うことによって隣接する支持部材2の間の隙間を塞いでいる。すなわち、SAW装置1における封止部材10は、支持部材2および蓋体4の側面に沿って一続きの枠状に形成されている。封止部材10をこのような形状とすることによって封止部材10が支持部材2および蓋体4の側面から剥がれにくくなり、振動空間21の気密性をより長期にわたって保持することができる。なお、封止部材10の形状は図4bに示したもの以外にも、例えば、隣接する支持部材2の隙間の部分にだけ、部分的に設けてもよい。また、隙間の中に封止部材10の一部が入りこむようにしてもよい。素子基板3の下面3bには図2に示すように裏面部11が設けられている。裏面部11は、例えば、素子基板3の下面3bの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。温度変化等により素子基板3表面には電荷がチャージされることがあるが、裏面電極が設けられていることによってチャージされた電荷を放電することができ、励振電極5の静電気による破壊等を抑制することができる。また、保護層は素子基板3の損傷を抑制する。図5は、SAW装置1が実装された電子部品51の一部を示す断面図である。なお、図5のSAW装置1の断面図は、図1のA-A’線で切断したときの断面に相当する。電子部品51は、実装基板53と、実装基板53に実装されたSAW装置1と、SAW装置1を被覆する外装樹脂59とを備えている。SAW装置1は、実装基板53の上面53a上に設けられた実装パッド55とSAW装置1の貫通導体9とを、導電性の接合材57を介して接合することにより実装基板53に実装されている。電子部品51は、この他に実装基板53に実装され外装樹脂59によってSAW装置1とともに封止されたICなどの能動部品やコンデンサなどの受動部品を有し、モジュールを構成している。実装基板53は、例えば、プリント配線板により構成されている。プリント配線板は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。また、プリント配線板は、1層板であってもよいし、2層板であってもよいし、2層以上の多層板であってもよい。また、プリント配線板の基材、絶縁材料および導電材料は適宜な材料から選択されてよい。接合材57は、SAW装置1の貫通導体9および実装基板53の実装パッド55の両方に当接している。接合材57は、加熱によって溶融して貫通導体9に接着される金属によって形成されている。接合材57は、例えば、はんだからなる。はんだは、Pb-Sn合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Au-Sn合金はんだ、Au-Ge合金はんだ、Sn-Ag合金はんだ、Sn-Cu合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。外装樹脂59は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。外装樹脂59は、SAW装置1を裏面部11側および側方から覆うだけでなく、SAW装置1と実装基板53との間にも充填されている。具体的には、外装樹脂59は、蓋体4の上面と実装基板53の上面53aとの間および接合材57の周囲にも充填されている。SAW装置の製造方法図6a~図8cは、SAW装置1の製造方法を説明する断面図図1のA-A’線に対応である。製造工程は、図6aから図8cまで順に進んでいく。SAW装置1の製造方法に対応する図6a~図8bの工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板3となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、複数個のSAW装置1が並行して形成される。ただし、図6a~図8cでは、1つのSAW装置1に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。図6aに示すように、まず、素子基板3の上面3aに励振電極5を形成する。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはCVDChemicalVaporDeposition法等の薄膜形成法によって、上面3a上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機ステッパーとRIEReactiveIonEtching装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。金属層をパターニングすることによって励振電極5が形成される。なお、励振電極5と同時に配線15および電極パッド7が形成される。なお、素子基板3の下面3bには裏面部11が形成されている。励振電極5等が形成されると、図6bに示すように、保護膜8が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護膜8となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはCVDである。次に、電極パッド7および接続強化層6が露出するように、RIE等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護膜8が形成される。保護膜8が形成されると、図6cに示すように支持部材2が形成される。支持部材2は例えばフォトリソグラフィ法によってパターニングすることが可能な導電性高分子材料からなる。具体的には、塗布等の方法によって素子基板3上に導電性高分子材料等からなる層導電層を形成した後、導電層上にフォトマスクを配置し、露光、現像を行うことによって図3に示したような複数の支持部材2が得られる。なお、導電層がフォトリソグラフィ法が適用でないような導電性樹脂材料等からなる場合は、まず導電層上に所定の形状にパターニングされたレジスト層を形成する。その後、導電層のうちレジスト層から露出する部分をウェットエッチング等の方法によって除去し、レジスト層を除去することによって支持部材2を形成することができる。次に蓋体4を形成する。具体的には、まず、図7aに示すように蓋体4となるフィルム状の第1レジスト層25を支持部材2の上に載置し、この第1レジスト層25に対し、第1フォトマスク30を介して紫外線などの光L1を照射する。第1レジスト層25は、例えば、ネガ型のフォトレジストからなる。第1フォトマスク30は、第1透明基板28に第1遮光部29が形成されることにより構成されている。第1遮光部29は、第1フォトマスク30を素子基板3上にセットしたときに、第1レジスト層25を除去すべき部分に対応する位置に形成されている。すなわち、SAW装置1の製造方法においては、貫通孔4hおよびダイシングラインに対応する位置に第1遮光部29が形成されている。その後、図7bに示すように現像処理を行い、第1レジスト層25のうち、光L1が照射された部分を残し、光L1が照射されなかった部分を除去する。これにより、貫通孔4hを有する蓋体4が完成する。また支持部材2の開口が蓋体4によって閉じられることにより振動空間21も同時に形成される。ただし、この状態においては隣接する支持部材2の間の隙間が塞がれていないため、振動空間21は密閉されていない。次に封止部材10および仕切部材16を形成する。具体的には、まず、図7cに示すように封止部材10および仕切部材16となる第2レジスト層26を素子基板3の上面側全体にわたって塗布し、この第2レジスト層26に対し、第2フォトマスク33を介して紫外線などの光L2を照射する。第2レジスト層26は、例えば、ネガ型のフォトレジストからなる。第2フォトマスク33は、第2透明基板31に第2遮光部32が形成されることにより構成されている。第2遮光部32は、第2フォトマスク33を素子基板3上にセットしたときに、第2レジスト層26を除去すべき部分に対応する位置に形成されている。すなわち、SAW装置1の製造方法においては、貫通孔4h、凹部4cとなる部分およびダイシングラインに対応する位置に第2遮光部32が形成されている。その後、図8aに示すように現像処理を行い、第2レジスト層26のうち、光L2が照射された部分を残し、光L2が照射されなかった部分を除去し、150°C程度の温度で加熱硬化する。これにより、図4bに示したような封止部材10および仕切部材16が得られる。すなわちSAW装置1の製造方法においては、封止部材10と仕切部材16とが同時に一体形成されることとなる。次に図8bに示すようにドライエッチングなどのエッチング法により蓋体4の上面に凹部4cを形成する。その後、貫通孔4hを埋める貫通導体9および凹部4cを埋める補強層17を形成する。貫通導体9および補強層17は、例えば、めっき法によって形成される。めっき法のうち電解めっき法によって貫通導体9および補強層17を形成する場合は、予め貫通孔4hの内面および凹部4cの内面にスパッタリング法などによってめっき下地層を形成しておき、このめっき下地層を起点としてめっきを成長させる。従来のWLP型のSAW装置のように貫通導体が蓋体および枠体を貫通するものである場合、貫通導体を形成するための貫通孔は枠体の分だけ深くなるが、このように深い貫通孔にめっきを成長させるとボイドが形成されやすい。これに対しSAW装置1の製造方法によれば、貫通孔4hの深さは蓋体4の厚み分だけであり、比較的浅いものである。よってこの貫通孔4hにめっきを成長させてもボイドが形成されにくく、SAW装置1を他の基板に実装したときの接続信頼性を高めることができる。その後、必要に応じて仕切部材16の上面をCMP法などによって研磨することによって、SAW装置1が完成する。本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。弾性波装置は、SAW装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。また、SAW装置において、貫通導体9、接続強化層6、保護膜8、裏面部11、補強層17などは必須の要件ではなく、省略されてもよい。また上述した実施形態では、蓋体4の平面視における大きさは複数の支持部材2をひとまとまりにみたときの大きさとほぼ同じであり、蓋体4の側面と各支持部材2の側面とは同一面内に位置しているSAW装置について説明したが、蓋体4の大きさはこれに限らず、例えば、複数の支持部材2をひとまとまりにみたときの大きさよりも一回り小さくなるように蓋体4を形成してもよい。この場合、蓋体4の側面と支持部材2の側面との間に支持部材2の上面によって形成される段差部ができるが、この段差部を被覆するように封止部材10を形成すれば、封止部材10の支持部材2または蓋体4からの剥がれを抑制することができる。また上述した実施形態に係る電子部品は、SAW装置1の貫通導体9と実装基板53の実装パッド55とを接合材57を介して接続するようにしたが、貫通導体9を設けずに貫通孔4hから露出する支持部材2の上面と実装基板53の実装パッド55とを接合材57を介して接続するようにしてもよい。"