"第1の半導体領域を第1の基板の上に成長する工程と、開口部を有する第1のマスク層を前記第1の半導体領域の上に形成する工程と、前記第1の半導体領域をエッチングするとともに、前記第1の半導体領域のエッチング量および前記第1のマスク層のエッチング量を測定する工程と、前記第1の半導体領域の前記エッチング量および前記第1のマスク層の前記エッチング量から選択比を得る工程と、前記第1の半導体領域と同じ材料の第2の半導体領域を第2の基板の上に成長する工程と、開口部を有する前記第1のマスク層と同じ材料の第2のマスク層を前記第2の半導体領域の上に形成する工程と、前記第2の半導体領域をエッチングするとともに、該エッチング期間中に前記第2のマスク層の厚さを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と前記選択比とを用いてエッチングの停止を判断する工程と、を備え、前記第1および第2の半導体領域の材料は前記第1および第2のマスク層の材料と異なる、半導体素子の製造方法。前記第2の半導体領域の厚さは5μm以上である、請求項1に記載された半導体素子の製造方法。前記第2の半導体領域の材料の屈折率は前記第2の基板の材料の屈折率と略等しい、請求項1又は請求項2に記載された半導体素子の製造方法。前記第2の基板は前記第2の半導体領域と同じ半導体からなる、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載された半導体素子の製造方法。半導体素子構造の微細化が進んでいる。設計通りの微細な構造を作製するには精度良い加工を行う必要がある。エッチングマスク形状の寸法と半導体層に形成された形状の寸法との寸法変換差を小さくするために、半導体素子の製造工程では例えば反応性イオンエッチングといったドライエッチングが用いられる。エッチングの終点は、半導体層のエッチングレートから算出されたエッチング時間により制御される。しかし、エッチングレートは経時変化が起り易いので、エッチング時間によるエッチングの制御を行うとき、エッチングの終点を適切に判断できない可能性がある。また、特許文献2に記載の方法においては、ドライエッチングの期間中に化合物半導体の膜厚をエリプソメトリにより測定する。エリプソメトリの測定値により、化合物半導体のエッチングの終点を判断している。しかしながら、エリプソメトリの測定値で半導体をエッチングする制御には以下のようなときに限界がある。例えば、基板上に基板との屈折率差が小さいエピ層を成長させたとき、エピ層の厚さを正確に測定できない。また、例えば半導体の厚さが5μmより大きいときは半導体の厚さを正確に測定できない。このようなプロセスでは、半導体のエッチングの終点を適切に判断できない可能性がある。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、エッチングの終点を適切に判断することが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る半導体素子の製造方法は、第1の半導体領域を第1の基板の上に成長する工程と、開口部を有する第1のマスク層を第1の半導体領域の上に形成する工程と、第1の半導体領域をエッチングするとともに、第1の半導体領域のエッチング量および第1のマスク層のエッチング量を測定する工程と、第1の半導体領域のエッチング量および第1のマスク層のエッチング量から選択比を得る工程と、第1の半導体領域と同じ材料の第2の半導体領域を第2の基板の上に成長する工程と、開口部を有する第1のマスク層と同じ材料の第2のマスク層を第2の半導体領域の上に形成する工程と、第2の半導体領域をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第2のマスク層の厚さを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と前記選択比とを用いてエッチングの停止を判断する工程と、を備える。第1および第2の半導体領域の材料は、第1および第2のマスク層の材料と異なる。この製造方法によれば、第1の半導体領域のエッチング量および第1のマスク層のエッチング量から選択比を得る。第2のマスク層を第2の半導体領域の上に形成する。第2の半導体領域の材料は第2のマスク層の材料と異なっているので、分光エリプソメトリにより第2のマスク層の厚さを測定できる。第2のマスク層の厚さの測定値および選択比から第2の半導体領域のエッチング量を見積もることができるので、エッチングの終点を適切に判断することができる。本発明に係る半導体素子の製造方法では、第2の半導体領域の厚さは5μm以上であってもよい。厚さ5μm以上である第2の半導体領域の厚さを分光エリプソメトリにより測定してエッチングの終点を検出する方法では、エッチングの停止を適切に判断できない可能性がある。この製造方法では、第2の半導体領域ではなく第2のマスク層の厚さを分光エリプソメトリにより測定するので、厚さ5μm以上の第2の半導体領域のエッチングにおける終点を適切に判断することができる。本発明に係る半導体素子の製造方法では、第2の半導体領域の材料の屈折率は第2の基板の材料の屈折率と略等しくてもよい。半導体層の材料の屈折率が基板の材料の屈折率と略等しい場合には、分光エリプソメトリにより半導体層の厚さを正確に測定できない可能性がある。この製造方法では、第2のマスク層の厚さを分光エリプソメトリにより測定している。第2のマスク層の厚さを測定するので、基板の材料の屈折率と略等しい屈折率を有する半導体層のエッチングにおける終点を適切に判断することができる。本発明に係る半導体素子の製造方法では、第2の基板は前記第2の半導体領域と同じ半導体からなっていてもよい。第2の半導体領域が第2の基板と同じ半導体からなる場合には、第2の半導体領域の屈折率が第2の基板の屈折率と等しくなるので、分光エリプソメトリにより第2の半導体領域の厚さを正確に測定できない場合がある。この製造方法では、第2のマスク層の厚さを分光エリプソメトリにより測定しているので、第2の基板と同じ半導体からなる第2の半導体領域のエッチングにおける終点を適切に判断することができる。本発明によれば、エッチングの終点を適切に判断することが可能な半導体素子の製造方法が提供される。以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体素子の製造方法の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付す。図1~図6を参照して、本発明による半導体素子の製造方法の一実施形態を説明する。図1~図6は、本実施形態に係る半導体素子の製造方法の主要な工程を示す図である。本実施形態では半導体素子として、トレンチ溝を備える半導体レーザ素子を説明する。図1のa部を参照すると、工程S101では第1の半導体領域32を第1の基板31の上に成長する。第1の基板31は、例えばシリコンをドープしたn型InP基板等のIII-V族化合物半導体からなる。第1の半導体領域32の成長には、例えば、有機金属気相成長法または分子線エピタキシー法等を用いることができる。第1の半導体領域32は、半導体層33,34,35,36を有する。半導体層34,半導体層35,および半導体層36を、半導体層33上にこの順に成長する。半導体層33は、例えばp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。半導体層34は、例えばn型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。半導体層35は、例えばp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。半導体層36は、例えばp型InGaAs等のIII-V族化合物半導体からなる。工程S102では、第1の絶縁層を第1の半導体領域32の上に成長する。第1の絶縁層の成長には、例えば化学気相成長CVD法を用いることができる。第1の絶縁層は、例えば酸化シリコンSiO2等の酸化物からなる。第1の絶縁層の初期膜厚を分光エリプソメトリにて測定する。第1の絶縁層の上にレジストマスクを形成する。該レジストマスクを用いた反応性イオンエッチングにより、第1の絶縁層のエッチングを行って、第1のマスク層37aを形成する。第1のマスク層37aは、開口部38a,38bを有する。図1のb部を参照すると、工程S103では、エッチング装置において、第1のマスク層37aを用いた反応性イオンエッチングにより、第1の半導体領域32をエッチングする。この反応性イオンエッチングのためのエッチングガスには、例えば塩素系ガスを用いることができる。工程S104では、第1のマスク層37aのエッチング量T1と、第1の半導体領域32のエッチング量T2とを測定する。第1のマスク層37aのエッチング量T1は、エッチング後の第1マスク層37aの膜厚を分光エリプソメトリで測定し、前記の測定した初期膜厚との差から算出する。第1の半導体領域32のエッチング量T2は、第1のマスク層37aをバッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去した後、段差計を用いて測定する。第1のマスク層37aのエッチング量T1の測定値と第1の半導体領域32のエッチング量T2の測定値とを用いて、選択比Kを算出する。選択比Kは以下に示す式1により算出される。K=T2/T1...1図2のa部を参照すると、工程S105では、第2の半導体領域24をメサ部21を形成した第2の基板11の上に成長する。第2の基板11は、例えばシリコンをドープしたn型InP基板等のIII-V族化合物半導体からなる。第2の半導体領域24は、メサ部21、第1の埋め込み層19、第2の埋め込み層20、上部クラッド層15、およびコンタクト層16を有する。メサ部21は、下部クラッド層12、活性層13、および上部クラッド層14を有する。図2のb部を参照すると、工程S106では、第2の絶縁層25を第2の半導体領域24の上に成長する。第2の絶縁層25の成長には、例えば化学気相成長CVD法を用いることができる。第2の絶縁層25は、例えば酸化シリコンSiO2等の酸化物からなる。レジスト層26を第2の絶縁層25の上に形成する。レジスト層26の形成には、例えばスピン塗布法を用いることができる。図3のa部を参照すると、工程S107では、フォトリソグラフィーを用いてレジスト層26を加工して、レジストマスク26aを第2の絶縁層25の上に形成する。レジストマスク26aは、開口部27a~27cを有する。ここで図4を参照して、マスク領域51を説明する。マスク領域51は、第2のマスク層の厚さを測定する測定領域を形成するために用いられる。レジストマスク26aは、マスク領域51を有する。マスク領域51は、ウェハ50の外周部に形成することができる。マスク領域51は、例えば一辺が5mm程度の四角形の形状を有する。図3のb部を参照すると、工程S108では、エッチング装置において、レジストマスク26aを用いた反応性イオンエッチングにより、第2の絶縁層25のエッチングを行って、第2のマスク層25aを形成する。第2のマスク層25aは、第2のマスク層25aの厚さを測定するための測定領域52と開口部28a~28cとを有する。エッチングガスは、例えばCF4を用いることができる。エッチングの終了後に、例えば酸素アッシング等によりレジストマスク26aを除去する。図5を参照すると、工程S109では、エッチング装置において、反応性イオンエッチングにより第2のマスク層25aを用いて第2の半導体領域24をエッチングして、トレンチ溝22a~22cを形成する。この反応性イオンエッチングの実施条件は、例えば第1の半導体領域32をエッチングした条件と同じように設定される。このエッチング期間中に、分光エリプソメトリにより測定領域52における第2のマスク層25aの厚さFを測定する。検出器42により検出した反射光L2の偏光状態を光源41から照射された入射光L1の偏光状態と比較することにより、第2のマスク層25aの厚さFを測定できる。エッチング開始前における第2のマスク層25aの厚さをBとすると、例えば第2のマスク層25aのエッチング量Dは、以下の式2により算出される。D=B-F...2工程S110では、第2のマスク層25aのエッチング量Dと既に測定されている選択比Kとを用いて第2の半導体領域24のエッチング量Eを見積る。第2の半導体領域24のエッチング量Eは、以下の3式により見積もられる。E=D×K...3エッチング量Eを第2の半導体領域24の目標エッチング量と比較して、所望のエッチング量が達成されたか否かを判断する。所望のエッチング量が達成されたと判断された場合は、エッチングを停止する。所望のエッチング量が達成されたと判断されない場合は、エッチングおよび第2のマスク層25aの厚さFの測定を継続する。図6を参照すると、工程S111では、保護層17をコンタクト層16の上に形成する。保護層17はコンタクトホール17aを有する。第1の電極18を保護層17の上に形成すると共に、第2の電極23を第2の基板11の裏面の上に形成する。これらの工程により複数の半導体レーザ素子を有するウェハが作製される。該ウェハをへき開し、半導体レーザバーを作製する。それらの2つのへき開面にそれぞれ反射率制御膜を形成し、反射率制御膜の一方を光出射面、反射率制御膜の他方を光反射面とする。該半導体レーザバーを切断してチップを形成する。以上の工程により半導体レーザ素子が作製される。ここで、図7を参照して、半導体レーザ素子1の説明をする。半導体レーザ素子1は、第2の基板11と、第2の基板11の上に設けられたメサ部21とを有する。メサ部21は、トレンチ溝22a,22bの間に設けられている。第2の基板11は、例えばシリコンをドープしたn型InP基板等のIII-V族化合物半導体からなる。メサ部21は、下部クラッド層12、活性層13、および上部クラッド層14を有する。下部クラッド層12、活性層13、および上部クラッド層14は、第2の基板11の上にこの順に設けられている。下部クラッド層12は、例えばn型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。活性層13は、例えば多重量子井戸構造MQWを含み、交互に積層された複数の井戸層および障壁層を有する。活性層13は、例えばAlGaInAs等のIII-V族化合物半導体からなる。上部クラッド層14は、例えばp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。第1の埋め込み層19はメサ部21の両側面および第2の基板11の上に設けられている。第1の埋め込み層19は、例えばp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。第2の埋め込み層20はメサ部21の両側面および第1の埋め込み層19の上に設けられている。第2の埋め込み層20は、例えばn型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。上部クラッド層15は上部クラッド層14および第2の埋め込み層20の上に設けられている。上部クラッド層15は、例えばp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。コンタクト層16は上部クラッド層15の上に設けられている。コンタクト層16は、例えばp型InGaAs等のIII-V族化合物半導体からなる。保護層17はコンタクト層16の上およびトレンチ溝22a,22bの上に設けられている。保護層17は、例えば酸化シリコンSiO2等の酸化物からなる。保護層17は、コンタクトホール17aを有する。半導体レーザ素子1は、第1の電極18と第2の電極23とを有する。第1の電極18はコンタクト層16の上および保護層17の上に設けられている。第1の電極18はコンタクトホール17aを通してコンタクト層16に接触している。第2の電極23は第2の基板11の裏面の上に設けられている。本実施形態によれば、第1の半導体領域32のエッチング量T2および第1のマスク層37aのエッチング量T1から選択比Kを得る。第2の半導体領域24の材料は第2のマスク層25aの材料と異なっているので、分光エリプソメトリにより第2のマスク層25aの厚さFを測定できる。エッチング装置において、第1の半導体領域32のエッチング条件が、第2の半導体領域24のエッチング条件と同じになるように設定したとき、発明者らの知見によれば、第1の半導体領域32をエッチングしたときの選択比Kは第2の半導体領域24をエッチングしたときの選択比Kから大きく変化しない。したがって、第2のマスク層25aの厚さFの測定値と選択比Kとを用いて第2の半導体領域24のエッチング量Eを見積もることができる。このため、エッチングの終点を適切に判断することができる。また、第2の半導体領域24の厚さは5μm以上であってもよい。本実施形態では、第2の半導体領域24ではなく第2のマスク層25aの厚さFを分光エリプソメトリにより測定するので、厚さ5μm以上の第2の半導体領域24であっても、エッチングにおける終点を適切に判断することができる。また、第2の半導体領域24の材料の屈折率は第2の基板11の材料の屈折率と略等しくてもよい。本実施形態では、第2のマスク層25aの厚さFを分光エリプソメトリにより測定している。第2のマスク層25aの厚さFを測定するので、第2の基板11の材料の屈折率と略等しい屈折率を有する第2の半導体領域24であっても、エッチングにおける終点を適切に判断することができる。第2の基板11の材料の屈折率が第2の半導体領域の材料の屈折率と略等しい範囲とは、例えば第2の基板11の屈折率と第2の半導体領域24の屈折率との差の絶対値が0.01以下の範囲である。また、第2の基板11と前記第2の半導体領域24とは、それぞれ同じ半導体からなっていてもよい。第2の半導体領域24が第2の基板11と同じ半導体からなる場合には、第2の半導体領域24の屈折率が第2の基板11の屈折率と略等しくなるので、分光エリプソメトリにより第2の半導体領域24の厚さを正確に測定できない場合がある。この製造方法では、第2のマスク層25aの厚さを分光エリプソメトリにより測定している。第2のマスク層25aの厚さを測定するので、第2の基板11と同じ半導体からなる第2の半導体領域24のエッチングにおける終点をより適切に判断することができる。なお、本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。上述した実施形態では、見積もられた第2の半導体領域24のエッチング量Eを、第2の半導体領域24の目標エッチング量と比較して、所望のエッチング量が達成されたか否かを判断する。第2の半導体領域24のエッチング量Eは、第2のマスク層25aのエッチング量Dと選択比Kとを用いて見積もることができる。しかし、判断の方法はこれに限定されるものではない。第2のマスク層25aのエッチング量Dを、第2のマスク層25aの目標膜減り量DMと比較して、所望のエッチング量が達成されたか否かを判断してもよい。第2のマスク層25aの目標膜減り量DMは、第2の半導体領域24の目標エッチング量EMと選択比Kとを用いて見積もることができる。目標膜減り量DMは、以下に示す式4により算出される。DM=1/K×EM...4また、本実施形態において例示したInP等のIII‐V族化合物半導体や、酸化シリコンだけではなく、半導体領域とマスク層の材料はこれ以外の材料であってもよい。これ以外の材料であっても、選択比Kを得るためのエッチングをしたときのエッチング条件が、半導体領域をエッチングしたときのエッチング条件と同じになるように設定されれば、選択比Kは大きく変化しない。例えば、半導体領域には、GaAs,GaN等のIII‐V族化合物半導体、ZnSe等のII-IV族化合物半導体、Si等の単元素半導体を用いることができる。マスク層には、窒化シリコンSiN等の窒化物を用いることができる。"