"環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、式1[式中、R5は、水素原子又はメチル基を表す。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表し、nは、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。]で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物AとタングステンVアルコキサイドBとを含む電子デバイス絶縁層材料。前記環状エーテル構造を有する繰り返し単位が、式2[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表す。]で表される繰り返し単位、及び、式3[式中、R12は、水素原子又はメチル基を表す。R13、R14、R15、R16、及びR17は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rddは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。dは、0又は1の整数を表す。]で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位である請求項1に記載の電子デバイス絶縁層材料。前記高分子化合物Aが、更に、以下の第1の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物である請求項1又は2に記載の電子デバイス絶縁層材料。第1の官能基:活性水素と反応しうる第2の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である請求項3に記載の電子デバイス絶縁層材料。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式5[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R7及びR8は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項4に記載の電子デバイス絶縁層材料。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式6[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R9、R10及びR11は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項4に記載の電子デバイス絶縁層材料。前記高分子化合物Aが、更に、式4[式中、R6は、水素原子又はメチル基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rccは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0又は1の整数を表し、mは、1~5の整数を表す。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも1個のRfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基である。]で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である請求項1~6のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である請求項1~7のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料。請求項1~8のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;及び該塗布層に熱を印加する工程;を包含する電子デバイス絶縁層の形成方法。請求項1~8のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料を用いて形成した電子デバイス絶縁層を有する電子デバイス。前記電子デバイス絶縁層が有機薄膜トランジスタゲート絶縁層である請求項10に記載の電子デバイス。請求項10又は11に記載の電子デバイスを含むディスプレイ用部材。請求項12に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。しかしながら、プラスチック基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子有機EL素子等の発光素子と有機薄膜トランジスタとを形成したディスプレイにおいて、上記従来の電子デバイス絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタの絶縁層を形成するための温度が高く、実用的ではない。本発明の目的は、低温で絶縁層を形成しうる電子デバイス絶縁層材料を提供することである。即ち、本発明は、環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、式1[式中、R5は、水素原子又はメチル基を表す。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表し、nは、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。R’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。]で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物AとタングステンVアルコキサイドBとを含む電子デバイス絶縁層材料。ある一形態においては、前記環状エーテル構造を有する繰り返し単位が、式2[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表す。]で表される繰り返し単位、及び、式3[式中、R12は、水素原子又はメチル基を表す。R13、R14、R15、R16、及びR17は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rddは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。dは、0又は1の整数を表す。]で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位である。ある一形態においては、前記高分子化合物Aが、更に、以下の第1の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物である。第1の官能基:活性水素と反応しうる第2の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基ある一形態においては、前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である。ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式5[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R7及びR8は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式6[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R9、R10及びR11は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、前記高分子化合物Aが、更に、式4[式中、R6は、水素原子又はメチル基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rccは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0又は1の整数を表し、mは、1~5の整数を表す。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも1個のRfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基である。]で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。ある一形態においては、前記電子デバイス絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である。また、本発明は、上記電子デバイス絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;及び該塗布層に熱を印加する工程;を包含する電子デバイス絶縁層の形成方法を提供する。また、本発明は、上記電子デバイス絶縁層材料を用いて形成した電子デバイス絶縁層を有する電子デバイスを提供する。ある一形態においては、前記電子デバイス絶縁層が有機薄膜トランジスタゲート絶縁層である。また、本発明は、上記電子デバイスを含むディスプレイ用部材を提供する。また、本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いることで薄膜有機トランジスタ絶縁層を低温で形成できる。本明細書において、高分子化合物とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる2量体もこれに含まれる。一方、低分子化合物とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。電子デバイスとは、電子の働きを利用した能動素子を意味する。電子デバイス絶縁層材料とは、電子デバイスに含まれる絶縁層の形成に用いられる材料を意味し、例えば、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料、有機エレクトロルミネッセンス素子絶縁層材料、電子ペーパー絶縁層材料、RFIDタグ絶縁層材料、及び、液晶ディスプレイ絶縁層材料が挙げられる。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料とは、ゲート絶縁層やオーバーコート絶縁層などの有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。有機エレクトロルミネッセンス素子絶縁層材料とは、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる密着性を向上させるためのプライマー層、平坦化層、及び、オーバーコート絶縁層などの絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。電子ペーパー絶縁層材料とは、電子ペーパーに含まれる密着性を向上させるためのプライマー層、平坦化層、及び、オーバーコート絶縁層などの絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。RFIDタグ絶縁層材料とは、RFIDタグに含まれる密着性を向上させるためのプライマー層、及び、オーバーコート絶縁層などの絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。液晶ディスプレイ絶縁層材料とは、液晶ディスプレイに含まれる絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。本発明の電子デバイス絶縁層材料は高分子化合物Aを含み、該高分子化合物Aは、分子内に、環状エーテル構造を有する繰り返し単位と酸により脱離しうる有機基を含む式1で表される繰り返し単位とを含有する。環状エーテル構造は、酸の存在下、カチオンを生成し、環状エーテル構造を含む化合物がカチオン重合する。また、環状エーテル構造は、酸の存在下、式1で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる有機基が脱保護されて生成する水酸基と反応する。そのため、高分子化合物Aは、酸の存在下で架橋反応し、架橋構造を形成することができる。タングステンVアルコキサイドBは、加水分解することでタングステン酸を生成し、低温でも高分子化合物Aの架橋反応を促進するため、本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いて形成した絶縁層の架橋密度が高くなる。絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、絶縁層に含まれる化合物中の分子の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、例えば、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層として用いた場合にヒステリシスが低下して、有機薄膜トランジスタの動作精度が向上する。式1中、R5は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R5はメチル基である。式1中、Rbbは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の電子デバイス絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。該連結部分としては、例えば、炭素数1~20の二価の有機基からなる結合、エーテル結合-O-、ケトン結合-CO-、エステル結合-COO-、-OCO-、アミド結合-NHCO-、-CONH-、ウレタン結合-NHCOO-、-OCONH-及びこれらの結合が組み合わされた結合が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、bは0である。Rbbで表される炭素数1~20の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。該炭素数1~20の二価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数1~6の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、二価の分岐状脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基及びエチルアンスリレン基が挙げられる。式1中、R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R’で表される炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基及び炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基及び炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基及び炭素数3~20の環状炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーtertブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。式1中、Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。このことは、式1中、OR基に対して酸が作用した場合に、R基が脱離してフェノール性水酸基が生成することを意味する。フェノール性水酸基は環状エーテル構造と反応して架橋構造を形成することができる。また、フェノール性水酸基は、連鎖移動により、高分子化合物Aのカチオン重合を停止させたり、カチオン重合の速度を低下させる場合があり、酸の存在下における高分子化合物Aのカチオン重合が過度に進行するのを抑制することができる。酸により脱離しうる有機基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数2~20のアルコシキアルキル基、アダマンチル基などの炭素数3~20の環状炭化水素構造を有する基、三級アルキル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、及び4-メトキシテトラヒドロピラニル基が挙げられる。炭素数2~20のアルコシキアルキル基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基及びハロゲン原子が挙げられる。置換されていてもよい炭素数2~20のアルコシキアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基、ビス2-クロロエトキシメチル基、1-メチル-1-メトキシエチル基、及び、1-イソプロポキシエチル基が挙げられる。炭素数3~20の環状炭化水素構造を有する基としては、例えば、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、及び、2メチル-2-アダマンチル基が挙げられる。三級アルキル基としては、例えば、ターシャリーブチル基が挙げられる。該環状エーテル構造を有する繰り返し単位としては、式2で表される繰り返し単位、及び、式3で表される繰り返し単位が好ましい。式2中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R1はメチル基である。式2中、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R2、R3及びR4で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、R’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。R2、R3及びR4で表される炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。式2中、Raaは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Raaで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例は、Rbbで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例と同じである。aは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、aは1である。式3中、R12は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R12はメチル基である。式3中、R13、R14、R15、R16、及びR17は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R13、R14、R15、R16、及びR17で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、R’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。R13、R14、R15、R16、及びR17で表される炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。式3中、Rddは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Rddで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例は、Rbbで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例と同じである。dは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、dは1である。本発明の高分子化合物Aの一態様は、式1で表される繰り返し単位、及び、式2で表される繰り返し単位又は式3で表される繰り返し単位を含み、更に、式4で表される繰り返し単位、及び、第1の官能基を含有する繰り返し単位を含有する繰り返し単位であって、該第1の官能基が、活性水素と反応しうる第2の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基である繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有する高分子化合物である。ここで、活性水素とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。式4中、R6は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R6はメチル基である。式4中、Rccは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Rccで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例は、Rbbで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例と同じである。cは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、cは0である。式4中、Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数1~20の一価の有機基を表す。ある一形態では、Rfはフッ素原子である。mは、1~5の整数を表す。ある一形態では、mは5である。Rfで表される炭素数1~20の一価の有機基は、フッ素原子を有していてもよく、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基及び炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられる。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。Rfがフッ素原子を有さない炭素数1~20の一価の有機基である場合、フッ素原子を有さない炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。フッ素原子を有さない炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。Rfがフッ素原子を有する炭素数1~20の有機基である場合、フッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、2-パーフルオロブチルエチル基、ペンタフルオロフェニル基及びトリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。Rfで表されるフッ素原子を有していてもよい炭素数1~20の一価の有機基としては、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。式4中、少なくとも1個のRfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基である。好ましくは、mが5であり、5個のRfがフッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基である。電子デバイス絶縁層材料にフッ素が導入されることにより、該材料から形成される絶縁層は極性が低く、絶縁層の分極が抑制される。フッ素原子は高分子化合物の主鎖の水素原子を置換するのではなく、側鎖又は側基ペンダント基の水素原子を置換することが好ましい。フッ素原子が側鎖又は側基に置換していると有機半導体化合物のような他の有機材料に対する親和性が低下せず、該有機材料を含む層の形成において、有機材料が絶縁層の露出面に接し、層を形成し易くなる。前記第1の官能基は活性水素と反応しないが、該第1の官能基に電磁波を照射する又は熱が作用させると第2の官能基が生成し、該第2の官能基が活性水素と反応する。つまり、前記第1の官能基は電磁波の照射又は熱の作用により脱保護されて、活性水素と反応しうる第2の官能基を生成しうる。第2の官能基は、電子デバイス絶縁層材料が含有する活性水素含有基と反応して活性水素含有基と結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。また、上記活性水素含有基が第2の官能基と反応することにより、絶縁層に含まれる活性水素の量が低減して絶縁層の分極が抑制される。電子デバイス絶縁層材料が含有する活性水素含有基としては、酸の存在下で環状エーテル構造を含む高分子化合物が重合する際に環状エーテル構造から生成する水酸基、及び式1で表される繰り返し単位から、酸の作用により有機基Rが脱離して生成する水酸基等が挙げられる。本発明の電子デバイス絶縁層材料には、更に、分子内に活性水素を2個以上含有する低分子化合物である活性水素化合物及び分子内に活性水素を2個以上含有する高分子化合物である活性水素化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の活性水素化合物を含有させてもよい。電子デバイス絶縁層の形成工程において、前記第2の官能基は、電磁波又は熱が加えられるまで保護ブロックされており、前記第1の官能基の形態で電子デバイス絶縁層材料中に存在する。その結果、電子デバイス絶縁層材料の貯蔵安定性が向上する。前記第1の官能基の好ましい例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基は、イソシアナト基と反応しうる活性水素を1分子中に1個だけ有するブロック化剤とイソシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基は、イソチオシアナト基と反応しうる活性水素を1分子中に1個だけ有するブロック化剤とイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後に、170°C以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ-ル系化合物、フェノ-ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。ブロック化剤は、単独使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ-ル系化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、2-エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、及び、シクロヘキサノールが挙げられる。フェノール系化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、及び、ヒドロキシ安息香酸エステルが挙げられる。活性メチレン系化合物としては、例えば、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、及び、アセチルアセトンが挙げられる。メルカプタン系化合物としては、例えば、ブチルメルカプタン、及び、ドデシルメルカプタンが挙げられる。酸アミド系化合物としては、例えば、アセトアニリド、酢酸アミド、ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、及び、γ-ブチロラクタムが挙げられる。酸イミド系化合物としては、例えば、コハク酸イミド、及び、マレイン酸イミドが挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、イミダゾール、及び、2-メチルイミダゾールが挙げられる。尿素系化合物としては、例えば、尿素、チオ尿素、及び、エチレン尿素が挙げられる。オキシム系化合物としては、例えば、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、及び、シクロヘキサノンオキシムが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、ジフェニルアミン、アニリン、及び、カルバゾールが挙げられる。イミン系化合物としては、例えば、エチレンイミン、及び、ポリエチレンイミンが挙げられる。重亜硫酸塩としては、例えば、重亜硫酸ソーダが挙げられる。ピリジン系化合物としては、例えば、2-ヒドロキシピリジン、及び、2-ヒドロキシキノリンが挙げられる。ピラゾール系化合物としては、例えば、3,5-ジメチルピラゾール、及び、3,5-ジエチルピラゾールが挙げられる。本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチアシアナト基としては、前記式5で表される基及び前記式6で表される基が好ましい。式5及び式6中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R7、R8、R9、R10及びR11は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。R7、R8、R9、R10及びR11で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例は、R’で表される炭素数1~20の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。R7、R8、R9、R10及びR11で表される炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。ある一形態では、R7、R8、R9、R10及びR11は水素原子である。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、及び、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルカルボニルアミノ基が挙げられる。ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、及び、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルチオカルボニルアミノ基が挙げられる。第1の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。高分子化合物Aは、例えば、前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、前記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー又は前記式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、前記式4で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー又は第1の官能基を含有する重合性モノマーとを含む重合性モノマー混合物を、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、4-メトキシメトキシスチレン、4-メトキシエトキシメトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-2-エトキシエトキシスチレン、4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン、4-シクロプロピルメトキシスチレン基、及び、4-シクロヘキシルオキシスチレンが挙げられる。前記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、2-グリシジルエチルアクリレート、及び、2-グリシジルエチルメタクリレートが挙げられる。前記式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、3-アクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、及び、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタンが挙げられる。前記式4で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、2-トリフルオロメチルスチレン、3-トリフルオロメチルスチレン、4-トリフルオロメチルスチレン、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン、及び、4-フルオロスチレンが挙げられる。前記第1の官能基を含有する重合性モノマーとしては、例えば、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーは、イソシアナト基とイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物としては、例えば、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、及び、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物としては、例えば、2-アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、及び、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソチオシアネートが挙げられる。前記第1の官能基を含有する重合性モノマーの製造には、前記ブロック化剤を好適に用いることが出来る。イソシアナト基とイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させて、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーを製造する反応においては、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、4-イソプロピル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチルo-ベンゾイルベンゾエート、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-エトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-o-ベンゾイルオキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、360nm以上、好ましくは360~450nmである。前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスイソバレロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、4,4’-アゾビス4-シアノバレリックアシッド、1、1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロパン、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオンアミジン2塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、2,4-ジクロロベンゾイルパーオキシド、o-メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、p-クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、2,4,4-トリメチルペンチル-2-ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、tert-ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、tert-ブチルクミルパーオキシド、ジ-tert-ブチルパーオキシド、トリスtert-ブチルパーオキシトリアジン等のジアルキルパーオキシド類、1,1-ジ-tert-ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2-ジtert-ブチルパーオキシブタン等のパーオキシケタール類、tert-ブチルパーオキシピバレート、tert-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシイソブチレート、ジ-tert-ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ-tert-ブチルパーオキシアゼレート、tert-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシアセテート、tert-ブチルパーオキシベンゾエート、ジ-tert-ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシジカーボネート、tert-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。高分子化合物Aは、前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式3で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式4で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第1の官能基を含有する重合性モノマー以外の他の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。追加して使用される重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体等、不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体が挙げられる。追加して使用される重合性モノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。溶媒に対する優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように、これらの化合物を含む膜において、分子の密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の絶縁層の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、高分子化合物Aに可塑性を付与するモノマーが選択される。アクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のアクリレートであっても、使用量に制約は出てくるものの、多官能のアクリレートであってもよい。アクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸-n-プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸-n-ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸-sec-ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸-2-エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-2-ヒドロキシブチル、アクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルアクリレート、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、及び、N-アクリロイルモルフォリンが挙げられる。メタアクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のメタアクリレートであってもよく、使用量に制約は出てくるものの、多官能のメタアクリレートであってもよい。メタアクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸-n-プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸-n-ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸-sec-ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸-2-エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルメタアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、及び、N-アクリロイルモルフォリンが挙げられる。スチレン及びその誘導体としては、例えば、スチレン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレン、2,6-ジメチルスチレン、3,4-ジメチルスチレン、3,5-ジメチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、2,4,5-トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o-エチルスチレン、m-エチルスチレン、p-エチルスチレン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、o-メトキシスチレン、m-メトキシスチレン、p-メトキシスチレン、o-ヒドロキシスチレン、m-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、2-ビニルビフェニル、3-ビニルビフェニル、4-ビニルビフェニル、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、4-ビニル-p-ターフェニル、1-ビニルアントラセン、α-メチルスチレン、o-イソプロペニルトルエン、m-イソプロペニルトルエン、p-イソプロペニルトルエン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、2,3-ジメチル-α-メチルスチレン、3,5-ジメチル-α-メチルスチレン、p-イソプロピル-α-メチルスチレン、α-エチルスチレン、α-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、及び、4-アミノスチレンが挙げられる。有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル及びアジピン酸ジビニルが挙げられる。有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル及びフタル酸ジアリルが挙げられる。フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ-sec-ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ-n-ブチル、フマル酸ジ-2-エチルヘキシル及びフマル酸ジベンジルが挙げられる。マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ-sec-ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ-n-ブチル、マレイン酸ジ-2-エチルヘキシル及びマレイン酸ジベンジルが挙げられる。イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ-sec-ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ-n-ブチル、イタコン酸ジ-2-エチルヘキシル及びイタコン酸ジベンジルが挙げられる。有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体としては、例えば、N-メチル-N-ビニルアセトアミドが挙げられる。末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、例えば、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル及びアリルアルコールが挙げられる。不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体としては、例えば、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム及びトリエチルビニルゲルマニウムが挙げられる。有機薄膜トランジスタ絶縁層の特性を向上させる観点からは、追加して使用される重合性モノマーとしては、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、及び、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。例えば、追加して使用される重合性モノマーとしてニトリル類を用いると、有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部にシアノ基が導入され、絶縁層の耐溶剤性及び強靭性等が向上する。また、この場合、絶縁層の誘電率も向上する。高分子化合物Aが第1の官能基を含有する繰り返し単位を含有する場合、第1の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは5モル以上50モル以下であり、より好ましくは5モル以上40モル以下である。第1の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。高分子化合物Aのポリスチレン換算の重量平均分子量は、3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましい。高分子化合物Aは、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよく、環状であってもよい。高分子化合物Aとしては、例えば、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-シクロプロピルメチルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-ペンタフルオロスチレン、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-2-エトキシエトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-メトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-メトキシエトキシメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-テトラヒドロピラニルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-シクロプロピルメトキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-グリシジルメタクリレート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリル、及び、ポリ4-シクロヘキシルオキシスチレン-コ-3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アクリロニトリルが挙げられる。本発明の電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステンVアルコキサイドBとしては、例えば、タングステンVメトキサイド、タングステンVエトキサイド、タングステンVイソプロポキサイド、及び、タングステンVブトキサイドが挙げられる。本発明の電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステンVアルコキサイドBの添加量は、高分子化合物Aの重量に対して0.1重量~30重量が好ましく、1重量~25重量がより好ましく、5重量~20重量がさらに好ましい。タングステンVアルコキサイドBの添加量が高分子化合物Aの重量に対して0.1重量未満では、硬化反応が進行しない場合があり、30重量を超えると、電子デバイス絶縁層材料の保存安定性が低下することがある。<電子デバイス絶縁層材料>本発明の電子デバイス絶縁層材料は、混合や粘度調節のための溶媒や、高分子化合物Aを架橋させるために用いる架橋剤、該架橋剤と組み合わせて用いられる添加剤、タングステンVアルコキサイドの安定化剤などを含有していてもよい。該溶媒としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン溶媒、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、例えば、架橋反応を促進するための触媒、増感剤、レべリング剤及び粘度調節剤が挙げられる。また、安定化剤としては、例えば、アセチルアセトンが挙げられる。本発明の電子デバイス絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料、及び、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料が好ましく、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料がより好ましい。<絶縁層の形成>電子デバイスの絶縁層の形成は、電子デバイス絶縁層材料に溶媒を添加して絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、基材に塗布し、必要に応じて乾燥し、硬化させることにより行う。ここで、基材とは、その上に絶縁層が配置されることになる電子デバイスの構成部材をいう。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、電子デバイス絶縁層材料を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が100°C~200°Cの有機溶媒である。該有機溶媒の例としては、2-ヘプタノン沸点151°C、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート沸点146°Cが挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。該絶縁層塗布液はスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法により、基材上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物に含まれる溶媒を除去することを意味する。乾燥は常温で行ってよく、加熱して行ってもよい。乾燥を加熱して行う場合、加熱温度は120°C以下、好ましくは60~110°Cである。乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は電子デバイス絶縁層材料が架橋することを意味する。この場合の架橋は、タングステンVアルコキサイドが加水分解して生成したタングステン酸により、式1で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる有機基が脱離してフェノール性水酸基が生成し、該フェノール性水酸基と、高分子化合物A中の環状エーテルとが反応すること、及び/又は、該タングステン酸により、高分子化合物A中の環状エーテルが開環し、高分子化合物Aが重合して重合体を形成することを意味する。そうすると、電子デバイス絶縁層材料が架橋するためには、電子デバイス絶縁層材料中に、架橋反応を開始するタングステン酸が存在する必要がある。それゆえ、電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステンVアルコキサイドは、予め加水分解させてタングステン酸を生成させておく。タングステンVアルコキサイドは水に接触することで容易に加水分解する。そのため、電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステンVアルコキサイドの加水分解は、電子デバイス絶縁層材料に水を含有させることで行うことができる。電子デバイス絶縁層材料に水を含有させるためには、電子デバイス絶縁層材料を吸湿させたり、電子デバイス絶縁層材料に水を添加すればよい。電子デバイス絶縁層材料に水を含有させるための操作の一例として、上記絶縁層塗布液の乾燥を水分が存在する雰囲気下、例えば大気中で行うことが挙げられる。この場合、乾燥は常温で行ってよく、例えば、上記の温度に加熱して行ってもよい。加えて、電子デバイス絶縁層材料が架橋するためには、タングステンVアルコキサイドが加水分解して生成したタングステン酸の作用によって、式1で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる有機基が脱離するか、及び/又は、高分子化合物A中の環状エーテルが開環する必要がある。水を含有させた電子デバイス絶縁層材料を加熱するための操作の一例として、大気中で乾燥させた上記絶縁塗布層を加熱することが挙げられる。絶縁塗布層の加熱温度は通常80~250°C、好ましくは100~150°Cとする。絶縁塗布層の加熱時間は通常5~120分、好ましくは10~60分とする。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層中の高分子化合物の架橋が不十分になる場合がある。加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。<有機薄膜トランジスタ>図1は、本発明の電子デバイスの一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。図2は、本発明の電子デバイスの一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6上に形成された有機半導体層4と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。基板1、ゲート電極2、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層4は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法で電極を形成する。有機半導体層4を形成するための有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリP-フェニレンビニレン類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジエチレンボロネートと、2,6-ジブロモ-4,4-ビス-ヘキサデカニル-4H-シクロペンタ2,1-b;3,4-b’-ジチオフェンとの縮合物、9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-2,7-ジエチレンボロネートと、5,5’-ジブロモ-2,2’-バイチオフェンとの縮合物等があげられる。有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が50°C~200°Cの溶媒である。該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、2-ヘプタノン、及び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。ゲート絶縁層3及びオーバーコート層7は、前述の電子デバイスの絶縁層の形成方法で同じ方法で形成することができる。ゲート絶縁層上に、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を1~10重量溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランが挙げられる。本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートしてもよい。本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを作製できる。本発明の電子デバイス絶縁層材料は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例により限定されるものではないことは言うまでもない。合成例1高分子化合物1の合成50ml耐圧容器エース製に、4-1-エトキシエトキシスチレン東ソー有機化学製を2.25g、グリシジルメタクリレート和光純薬製を2.50g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを2.81g、アクリロニトリル和光純薬製を0.62g、4-ビニルアニソール和光純薬製を0.79g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.04g、2-ヘプタノン東京化成製を21.04g入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。60°Cのオイルバス中で20時間重合させ、高分子化合物1が溶解している粘稠な2-ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物1は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物1得られた高分子化合物1の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、114000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例2高分子化合物2の合成2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジエチレンボロネートを1.88g、及び2,6-ジブロモ-4,4-ビス-ヘキサデカニル-4H-シクロペンタ2,1-b;3,4-b’-ジチオフェンを3.81g含む80mLのトルエン中に、窒素雰囲気下において、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを0.75g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドAldrich製、商品名Aliquat336登録商標を1.0g、及び2Mの炭酸ナトリウム水溶液を24mL加えた。得られた混合物を激しく攪拌し、加熱して24時間還流させた。得られた粘稠な反応混合物をアセトン500mLに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過して集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて60°Cで一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物2とよぶ。高分子化合物2は、下記繰り返し単位を有している。nは繰り返し単位の数を示している。高分子化合物2高分子化合物2の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、32000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。実施例1有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の調製及び有機薄膜トランジスタ絶縁層の耐溶剤性測定10mlのサンプル瓶に、合成例1で得た高分子化合物1の2-ヘプタノン溶液を1.00g、タングステンVエトキサイドゲレスト製を0.05g、アセチルアセトン和光純薬製を0.04g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成工業製を1.00g入れ、攪拌しながらタングステンVエトキサイドを溶解させ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液1を調製した。得られた塗布溶液1を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、シリコンウェハー上にスピンコートした後、大気雰囲気中で、ホットプレート上で100°Cで1分間乾燥した。その後、ホットプレート上で120°Cで30分間焼成して有機薄膜トランジスタ絶縁層を得た。有機薄膜トランジスタ得られた絶縁層を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに1分間浸漬させ、浸漬前後での膜べりを測定した。結果を表1に示す。膜べりがなかった場合を○、膜べりがあった場合を×で示した。実施例2電界効果型有機薄膜トランジスタの製造及びトランジスタ特性の評価得られた塗布溶液1を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、大気雰囲気中で、ホットプレート上で100°Cで1分間焼成した。その後、ホットプレート上で120°Cで30分間焼成してゲート絶縁層を得た。次に、高分子化合物2を溶媒であるキシレンに溶解させ、濃度が0.5重量である溶液有機半導体組成物を作製し、該溶液をメンブランフィルターで濾過して塗布液を調製した。得られた塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約30nmの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、酸化モリブデン及び金を蒸着し、チャネル長20μm、チャネル幅2mmのソース電極及びドレイン電極を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ソース電極及びドレイン電極は、活性層側から、酸化モリブデンと金が積層した構造を有する。作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20~-40V、ソースドレイン間電圧Vsdを0~-40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ-バBCT22MDC-5-HT-SCU;NagaseElectronicEquipmentsServiceCoLTD製を用いて測定した。結果を表2に示す。電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソースドレイン間電圧Vsdが-40Vで、ゲート電圧Vgを20V→-40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを-40V→20Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。比較例1有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の調製及び有機薄膜トランジスタ絶縁層の耐溶剤性測定タングステンVエトキサイドを添加しない以外は、実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を調製し、有機薄膜トランジスタ絶縁層の耐溶剤性を測定した。結果を表1に示す。有機薄膜トランジスタ絶縁層は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに完全に溶解した。120°Cで有機薄膜トランジスタ絶縁層材料で加熱した場合、耐溶剤性が高いゲート絶縁層を形成することができなかった。"