"次の段階、すなわちa基材上にフォトレジストの塗膜を形成する段階、b上記フォトレジスト上に、バリヤコート液からバリヤコートを形成する段階、c液浸リソグラフィを用いて上記フォトレジスト及びバリヤコートを像様露光する段階、この際、この液浸リソグラフィは、バリヤコートと露光装置との間に液浸用液体を含むものであり、及びd各塗膜を水性アルカリ性溶液で現像する段階、を含む、フォトレジストに像を形成する方法。バリヤコートが、液浸用液体中に不溶性である、請求項1の方法。液浸用液体が水を含む、請求項1の方法。バリヤコートが水性アルカリ性溶液中に可溶性である、請求項1の方法。フォトレジストが150nm~450nmの範囲の露光波長に感度を示すものである、請求項1の方法。バリヤコートが、アルキルアルコールもしくはカルボキシレート溶剤と、イオン化可能な基を含むポリマーとを含んでなるものである、請求項1の方法。イオン化可能な基を含む上記ポリマーが、約-9~約11の範囲のpKaを有するものである、請求項6の方法。上記ポリマーが、以下の構造式[式中、Rはポリマー性主鎖であり、Wはスペーサー基であり、ZHはイオン化可能な基であり、そしてtは0~5である]を有する、請求項6の方法。Rが、多環式ポリマー性主鎖、単環式主鎖、線状脂肪族主鎖、分枝状脂肪族主鎖、芳香族主鎖、フッ素化アルキル主鎖、及びこれらの混合物から選択されるものである、請求項8の方法。ZHが、-CCnF2n12OHn=1~8、-PhOH、SO22NH、SO23CH、CO2NH、SO3H、PO3H及びCO2Hから選択される、請求項8の方法。バリヤコートが、更に、光活性化合物を含む、請求項6の方法。アルキルアルコールが、HOCnH2n1nは3~12であるの構造式を有する、請求項6の方法。溶剤が、更に、CnH2n2nは3~12であるの構造式を有するn-アルカン溶剤を含む、請求項6の方法。水性アルカリ性溶液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む、請求項1の方法。液浸リソグラフィで像形成されるフォトレジスト用のバリヤコート液であって、アルキルアルコールもしくはカルボキシレート溶剤と、イオン化可能な基を含むポリマーとを含んでなり、そして前記イオン化可能な基のpKaが約-9~約11の範囲である、前記バリヤコート液。前記ポリマーが、次の構造式[式中、Rはポリマー性主鎖であり、Wはスペーサー基であり、ZHはイオン化可能な基であり、そしてtは0~5である]を有する、請求項15の組成物。Rが、多環式ポリマー性主鎖、単環式主鎖、線状脂肪族主鎖、分枝状脂肪族主鎖、芳香族主鎖、フッ素化アルキル主鎖、及びこれらの混合物から選択される、請求項16の組成物。ZHが、-CCnF2n12OHn=1~8、-PhOH、SO22NH、SO23CH、CO2NH、SO3H、PO3H及びCO2Hから選択される、請求項16の組成物。溶剤が、HOCnH2n1nは3~7であるの構造を有するアルキルアルコールから選択される、請求項15の組成物。溶剤が、更に、CnH2n2nは3~7であるの構造を有するn-アルカン溶剤を含む、請求項15の組成物。更に、光活性化合物を含む、請求項15の組成物。次の段階、すなわちa基材上にフォトレジストの塗膜を形成する段階、b上記フォトレジスト上に、バリヤコート液からバリヤコートを形成する段階、c上記フォトレジスト及びバリヤコートをガス環境中で像様露光する段階、及びd各塗膜を水性アルカリ性溶液で現像する段階、を含み、更に前記バリヤコート液が、酸性フルオロアルコール基を有する少なくとも一種の単位を含むポリマーと、溶剤組成物とを含んでなるものである、環境からの塩基汚染を防ぐための深紫外線フォトレジストの像形成方法。前記ポリマーが、9未満のpKaを有する、請求項22の方法。前記バリヤコート液が、更に、光活性化合物を含む、請求項22の方法。露光段階が空気中で行われる、請求項22の方法。露光が193nmまたは157nmで行われる、請求項22の方法。水性アルカリ性溶液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む、請求項22の方法。溶剤が、アルコール、アルカン及びカルボキシレートから選択される、請求項22の方法。例1:バリヤコート1用のポリマーの合成ポリマーF-1BNCDUVCOR38544141,オハイオ州,ブレックスビル,ブレックスビル通り9921、ビルディングB在のPromerus社から入手可能を、乾燥粉末として、マグネティックスターラーバーを入れた丸底フラスコに加えた。このフラスコに、ストップコックの入口を据え付け、そして少なくと5torrの減圧をゆっくりとかけた。次いで、このフラスコを油浴中に浸け、そして攪拌した。次いで、この油浴を180°Cの温度に加熱し、そしてその中の粉末をこの温度で2時間攪拌した。冷却後、この粉末を回収した。NMR及び赤外IR分光分析により、ポリマー中のt-ブチル基が完全に除かれたことが確認されたC=OバンドのIRシフト、及びエステルのCHバンド及びC-Oバンドの消失、及びtert-ブチルエステルCH3ピークの消失。この材料は95の収率で回収された。この手順の反応式を以下に示す。例2バリヤコート2のF-1tert-ブトキシカルボニルメチルBOCME前駆体の合成ポリマーF-1ポリ3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルプロパン-2-オール,Mw10,000,44141,オハイオ州,ブレックスビル,ブレックスビル通り9921、ビルディングB在のPromerus社から入手可能4.0g,14.59mmolを、テトラヒドロフランTHF15ml中に溶解し、そして固形のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH.5H2O0.793g,4.38mmolを攪拌しながら加えた。30分後、この溶液にt-ブチルブロモアセテート1.71g,8.76mmolを加え、そしてこれを25°Cで更に16時間攪拌した。反応混合物中に生じた析出物を濾過して取り除いた。ロータリーエバポレータで、得られた濾液から溶剤を除去した。得られた残渣を、濃塩酸を1.0g含むMeOH20ml中に再溶解した。この溶液を、水-メタノール混合物8:1180ml中で析出させた。濾過してポリマーを単離した後、これをMeOH中に溶解し、次いで前記水-メタノール混合物中で再析出することによって更に精製した。次いで、この最終の析出物を濾過し、水で洗浄し、そして減圧25Hg下に55°Cで一晩乾燥した。単離されたポリマーの収率は91であった。t-ブチル基1.48ppm及びメチレン基4.27ppmの存在が、1HNMRで確認された。BOCME基による保護の程度は、28モルであることが確認された。例3F-1-CH2CO2Hバリヤコート2の合成例2で製造したポリマーF-1-BOCMEを、乾燥粉末として、マグネティックスターラーバーを入れた丸底フラスコに加えた。このフラスコにストップコックの入口を据え付け、そして少なくとも5torrの減圧をゆっくりとかけた。次いで、このフラスコを油浴に浸け、そして攪拌した。次いで、この油浴を140°Cの温度に加熱し、そしてその中の粉末をこの温度で1時間攪拌した。油浴温度を180°Cに高め、そして粉末をこの温度で更に1時間、攪拌及び加熱した。冷却後、粉末を回収した。赤外IR分光分析により、ポリマー中のt-ブチル基が完全に除かれたことが確認されたC=OバンドのIRシフト、及びエステルのCHバンド及びC-Oバンドの消失、及びtert-ブチルエステルCH3ピークの消失。この材料は、95の収率で回収された。この手順の反応式は次の通りである。コーティング及びパターン露光及び分析に使用した機器193nmでの露光は、輪帯照明を用いてニコン製193nmスキャナーで行ったNA=0.75A0.50。コーティング、ベーク処理及び現像は、前記ニコン製ツールに接続されたTELRACT12トラックで行った。トップダウンSEM写真は、KLA8100CD-SEMで得た。各々のデータポイントは、二つの測定値の平均として採取した。CDは、20nmオフセットで50の閾値で測定した。例4バリヤコート1イソプロピルアルコールIPA中に溶解した例1のポリマー脱保護したF-1BNC7重量からなる溶液を調製した。この溶液を、1000rpmでシリコンウェハ上にスピンコートして、均一な膜を得た。この膜は、水中には不溶性であるが30秒間のパドル現像後、0.26Nテトラメチルアンモニウムヒドロキシド中には非常に良く溶けることが確認された30秒間のパドル現像で膜が除去された。例5バリヤコート2例4に類似して、例3-バリヤコート2からのポリマーの膜が、水中には不溶性であるが30秒間のパドル現像後、0.26Nテトラメチルアンモニウムヒドロキシド中には非常に良く溶けることが確認された30秒間のパドル現像後に膜が除去された。例6バリヤコート3ポリ3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルプロパン-2-オールMw10,00044141,オハイオ州,ブレックスビル,ブレックスビル通り9921、ビルディングB在のPromerus社から入手の2.13重量溶液を、1-ブタノール中に得、そしてシリンジを用いて0.2ミクロンPTFEフィルターMillexベントフィルターユニット,カタログナンバーSLFG05010,Millipore社に通して濾過した。この溶液を1000rpmでシリコンウェハにスピンコートして、均一な膜を得た。この膜は、水中には不溶性であるが30秒間のパドル現像後、0.26Nテトラメチルアンモニウムヒドロキシド中には非常に良く溶けることが確認された30秒間のパドル現像後に膜が除去された。例7バリヤコート3のリソグラフィ実験該バリヤコートの使用が193nmレジストの像形成能力を妨げないことを示すために三種の実験を行った。これらの実験は次の通りに行った。137nmの膜厚の底面反射防止膜AZRArFTM1C5D;ニュージャージー州,ソマービル在のクラリアントコーポレーションの製品を、ケイ素基材上にコーティングし、そして175°Cで60秒間ベーク処理した。フォトレジストAZR1120P;ニュージャージー州,ソマービル在のクラリアントコーポレーションから入手可能を、前記底面反射防止膜上にコーティングして200nmの膜厚を得たスピン速度2,500rpm、ベーク処理120°C、90秒間。193nmで像様露光した後、膜を120°Cで90秒間ベーク処理し、その後、300MIF0.26NTMAH中で23°Cで60秒間現像した。237nmの膜厚の底面反射防止膜AZRArFTM1C5D;ニュージャージー州,ソマービル在のクラリアントコーポレーションの製品をケイ素基材上にコーティングし、次いで175°Cで60秒間ベーク処理した。フォトレジストAZR1120P;ニュージャージー州,ソマービル在のクラリアントコーポレーションから入手可能を上記底面反射防止膜上にコーティングして200nmの膜厚を得たスピン速度2,500rpm、ベーク処理120°C、90秒間。第二のソフトベーク処理を行った120°C、90秒間。193nmで像様露光した後、膜を120°Cで90秒間ベーク処理して、その後、300MIF0.26NTMAH中で23°Cで60秒間現像した。337nmの膜厚を有する底面反射防止膜AZRArFTM1C5Dをケイ素基材上にコーティングし、次いで175°Cで60秒間ベーク処理した。フォトレジストAZR1120Pを、上記底面反射防止膜上にコーティングして200nmの膜厚を得たスピン速度2,500rpm、ベーク処理120°C、90秒間。バリヤコート液3例6を、3000rpmでスピンコートして37nm厚の膜を得、そして120°Cで90秒間ベーク処理した。193nmで像様露光した後、膜を120°Cで90秒間ベーク処理して、その後、300MIF0.26NTMAH中で23°Cで60秒間現像した。上記三種の試験から得られた像を、走査電子顕微鏡を用いて検査した。具体的には、193nmで像形成された100nm1:1ライン/スペース図形は、これらの三種の試験の全てにおいて、同じ線量35.5mJ/cm2においてその外観に大きな差異は示さなかった。それゆえ、フォトレジスト上にコーティングしたバリヤコートが、リソグラフィプロセスに悪影響をおよぼさないことが示された。例8:環境制御のためのトップバリヤコート液の調製ポリテトラフルオロエチレン-co-2-フルオロ,3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルエタン-1-オール日本国大阪府梅田センタービルディング在のダイキン工業株式会社から入手可能;FRC-001を、酢酸アミル4.58g中に溶解して溶液を得た。次いで、この溶液に、デカン25.37gを加えた。この溶液を一晩混合した後に、0.2ミクロンフィルターに通して濾過した。例9:環境制御のためのトップバリヤコート液の調製ポリ1,1,2,3,3-ペンタフルオロ-4-トリフルオロメチル-4-ヒドロキシ-1,6-ヘプタジエンPPTHH旭硝子社から入手可能,AsahiFPR100,Mw24,600,Mn124000.6115gを、酢酸アミル4.58g中に溶解することによって溶液を調製した。次いで、この溶液に、デカン25.37gを加えた。この溶液を一晩混合した後に、0.2ミクロンフィルターに通して濾過した。例10:環境制御のためのトップバリヤコートポリ1,1,2,3,3-ペンタフルオロ-4-トリフルオロメチル-4-ヒドロキシ-1,6-ヘプタジエンPPTHH旭硝子社,AsahiFPR500,FPR100の低分子量バージョン,MW0.6115gを、酢酸アミル4.58g中に溶解することによって溶液を調製した。次いでこの溶液にデカン25.37gを加えた。この溶液を一晩混合した後、0.2ミクロンフィルターに通して濾過した。フォトレジスト溶液の調製及び157nmでの像形成像形成作業は、テキサス州オースチン在のインターナショナルセマテックInternationalSEMATECHにおいて、フェーズシフトマスクσ0.3を用いてExitech157nmスモールフィールド1.5_1.5mm2ミニステッパ0.6NAで行った。走査電子顕微鏡写真を得るためにJEOLJWS-7550を使用した。横断面データを得るためにHitachi4500顕微鏡を使用した。レジスト膜のコーティング、ベーク処理及び現像にはFSIPolaris2000トラックを使用した。レジスト厚の測定にはPrometrix干渉計を使用した。例11:25水性TMAHを使用した、メトキシメチルMOMで保護されたポリ1,1,2,3,3-ペンタフルオロ-4-トリフルオロメチル-4-ヒドロキシ-1,6-ヘプタジエンPPTHHからの、MOM19及びtert-ブトキシカルボニルメチルBOCME9で保護されたポリ1,1,2,3,3-ペンタフルオロ-4-トリフルオロメチル-4-ヒドロキシ-1,6-ヘプタジエンの合成19MOM保護化ポリマー10g,30mmolを、THF60ml中に溶解し、そして25水性TMAH5.47g,15mmolを攪拌しながら加えた。次いで、t-ブチルブロモアセテート0.71g,3.6mmolをこの反応溶液に加え、そして室温で三日間攪拌した。ロータリーエバポレータを用いて、減圧下に40°Cで溶剤を除去し、そして残渣をMeOH80ml中に溶解した。この溶液を、室温で氷酢酸15mlで処理し、そして水-メタノール-酢酸210105ml混合物中で析出させた。析出物を濾過し、水-メタノール10545ml、水1.5Lで洗浄し、そして乾燥した。得られたポリマーをMeOH中に溶解し、そして水中で析出させることによって更に精製し、そして減圧下70°Cで16時間乾燥した。ポリマーの収率は92であった。t-ブチル基1.48ppm及びメチレン基4.27ppmの存在が1HNMRで確認された。ポリマー中に組み込まれたBOCME基の割合は9モルであった。例12:19のMOM及び9のBOCMEで保護されたPPTHHのフォトレジスト溶液の調製19のMOM及び9のBOCMEで保護されたPPTHH例116.787g、PGMEA89.05g、PGMEA中のテトラブチルアンモニウムアセテートの0.4溶液3.9583g、及びトリフェニルスルホニウムノナフレート0.19692gからなる溶液を調製した。この溶液を一晩混合し、次いで0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過した。例13:フォトレジストの像形成例12のフォトレジスト溶液を、反射防止膜をコーティングした複数のシリコンウェハ上に2,200rpmでスピンコートし、そして135°Cでベーク処理した。これらのフォトレジスト膜のうちの一つに、例8のバリヤコートを3,500rpmでスピンコートして塗布し、他のものはそのままにした。得られた膜を、SematechExitechツール上記参照を用いて露光し、その後遅れなく、115°Cで90秒間露光後ベーク処理PEBした。これらの膜を、0.26NTMAH水性溶液中で30秒間現像した。他の二つの組の実験を上記と同様に行った。一方は、上記のフォトレジスト膜のみを用い、他方は上記のバリヤコートでコーティングしたフォトレジスト膜を用い、ただし露光後にベーク処理する前に7分間及び14分間の遅れをおいた。遅れなくベーク処理したサンプルでは、70nmの1:1.5の図形を解像するために、バリヤコートがないサンプルは52mJ/cm2の線量を要し、他方、バリヤコートを施したサンプルは、幾らかより多量の線量64mJ/cm2を要したが、これはより良好な解像が可能で、より良好な露光後ベーク処理後の遅れ寛容度delaylatitudeを有していた。ベーク処理前に遅れをおきかつバリヤコートを施さなかったサンプルは、52mJ/cm2の露光線量だけで1:1.5ライン:スペースl:s70nm図形を解像したが、バリヤコートを施しかつ遅れなくベーク処理したサンプルは、64mJ/cm2の露光線量だけで1:1ライン:スペース70nm図形を解像した。ベーク処理前に7分間の遅れをおいたサンプルでは、1:1l:s及び1:1.5l:s70nm図形は、バリヤコートを施していないサンプルでは52mJ/cm2の露光線量において両方とも閉じてclosedしまったが、バリヤコートを施したサンプルでは同一の図形が、64mJ/cm2の露光線量で完全に解像された。同様に、ベーク処理前に14分間の遅れをおいた場合には、1:1l:s及び1:1.5l:s70nm図形は、バリヤコートを施していないサンプルでは52mJ/cm2の露光線量において両方とも閉じてしまったが、バリヤコートを施したサンプルでは、同じ図形が64mJ/cm2の露光線量で完全に解像された。例14:バリヤコート4ポリ3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルプロパン-2-オールMw10,00044141,オハイオ州,ブレックスビル,ブレックスビル通り9921、ビルディングB在のPromerus社から入手したものの1.75重量溶液を1-ペンタノール中で調製し、そしてシリンジを用いてMillipore社製の0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過した。例15:バリアコート5ポリテトラフルオロエチレン-co-2-フルオロ,3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルエタン-1-オール日本国大阪府梅田センタービルディング在のダイキン工業株式会社から入手可能,FRC-001の1.75重量溶液を1-ペンタノール中で調製し、そしてシリンジを用いてMillipore社製の0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過した。例16:バリヤコート6ポリ3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルプロパン-2-オールMw10,00044141,オハイオ州,ブレックスビル,ブレックスビル通り9921、ビルディングB在のPromerus社から入手したもの及び0.6固形物基準のトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートからなる1.75重量溶液を1-ペンタノール中で調製し、そしてシリンジを用いてMillipore社製の0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過した。例17:バリヤコート7ポリテトラフルオロエチレン-co-2-フルオロ,3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルエタン-1-オール日本国大阪府梅田センタービルディング在のダイキン工業株式会社から入手可能,FRC-001及び0.6固形物基準のトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートからなる1.75重量溶液を1-ペンタノール中で調製し、そしてシリンジを用いてMillipore社製の0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過した。バリヤコート4~7のリソグラフィバリヤコート4~7の露光は、全て、ローチェスター工科大学RochesterInstituteofTechnologyにおいて、193nm液浸マイクロステッパExitechPS3000/1.05NACorningTropel社製AquaCATを用いて行った。9×15の配列を、クワド-露光quadexposuresc=0.818,sr=0.15によりバイナリL/Sレチクルを用いて使用した。露光用の基材は次のように用意した。全ての膜は、AZRArF1C5DAZRエレクトロニックマテリアルズ社の製品をコーティングした4インチSi基材上に、1,200rpmのスピン速度及び200°Cでの60秒間の塗布後ベーク処理PABによって、スピンコートした。例18:バリアコートなしのフォトレジストの用意及び像形成AZRArF1C5Dをコーティングした4インチSiウェハに、1,560rpmのスピン速度でAZREXPIRC1500米国ニュージャージー州ソマービル在のAZエレクトロニックマテリアルズ社から入手可能な、アクリレート/スルホニウム塩に基づくフォトレジストをコーティングして、次いで130°Cで60秒間PABすることによって、100nmの膜厚を得た。このウェハを、193液浸マイクロステッパを用いて上記の通り露光した。露光後、膜を105°Cで60秒間ベーク処理し、そして0.26NTMAH中で60秒間現像した。この膜は、100nmL/S図形まで解像することができたが、その解像線量66mJ/cm2では、現像中の未露光部侵食によってフォトレジストラインの上部を実質的に約20損失した。例19バリヤコート4を用いたフォトレジストの用意及び像形成AZRArF1C5Dを塗布した4インチSiウェハに、AZREXPIRC1500米国ニュージャージー州ソマービル在のAZエレクトロニックマテリアルズ社から入手可能なアクリレート/スルホニウム塩に基づくフォトレジストを1,560rpmのスピン速度でコーティングし、そして130°Cで60秒間PABして100nmの膜厚を得た。このレジストの塗布後、例14のバリヤコート4を1866rpmのスピン速度で塗布して、32nmの厚さのトップバリヤコートを得たトップコートにはPABは行わなかった。このウェハを、193nm液浸マイクロステッパを用いて上記のように露光した。露光後、得られた膜を105°Cで60秒間ベーク処理し、そして0.26NTMAH中で60秒間現像した。この膜は、100nmL/S図形まで解像することができたが、その解像線量72mJ/cm2では、なお、現像中の浸食によりライン上部の実質的な損失約20を示した。例14のバリヤコート4の使用は、現像中のフォトレジストの未露光部膜減りを解消しなかった。例20:バリヤコート5を用いたフォトレジストの用意及び像形成AZRArF1C5Dを塗布した4インチSiウェハに、AZREXPIRC1500米国ニュージャージー州ソマービル在のAZエレクトロニックマテリアルズ社から入手可能なアクリレート/スルホニウム塩に基づくフォトレジストを1,560rpmのスピン速度でコーティングし、そして130°Cで60秒間PABして100nmの膜厚を得た。このレジストの塗布後、例16のバリヤコート5PAG添加剤を含むを1805rpmのスピン速度で塗布して、32nmの厚さを有するトップコートバリヤを得たこのトップコートにはPABは行わなかった。このウェハを、193nm液浸マイクロステッパで上記のように露光した。露光後、膜を105°Cで60秒間ベーク処理し、そして0.26NTMAH中で60秒間現像した。この膜は、100nmL/S図形まで解像することができ、そしてその解像線量68mJ/cm2において、フォトレジスト上部の実質的な損失を起こさず、そして良好な四角形のプロフィルを有するラインを与えた。それゆえ、フォトレジストが未露光部膜減りを起こす傾向があり、そしてバリヤコート単独では未露光部膜減りを減少できない場合において、PAGを含むバリヤコート5の使用が、フォトレジストのリソグラフィ性能をかなり向上した。例21:バリヤコート6を用いたフォトレジストの用意及び像形成AZRArF1C5Dを塗布した4インチSiウェハに、AZREXPIRC1500米国ニュージャージー州ソマービル在のAZエレクトロニックマテリアルズ社から入手可能なアクリレート/スルホニウム塩に基づくフォトレジストを1,560rpmのスピン速度でコーティングし、そして130°Cで60秒間PABして100nmの膜厚を得た。このレジストの塗布後、例16のバリヤコート6を、1700rpmのスピン速度で塗布して、32nmの厚さのトップバリヤコートを得たトップコートのPABは行わなかった。このウェハを、193nm液浸マイクロステッパで上記のように露光した。露光後、膜を105°Cで60秒間ベーク処理し、そして0.26NTMAH中で60秒間現像した。この膜は、100nm/LS図形まで解像することができ、そしてその解像線量65mJ/cm2において、現像中の未露光部の浸食によるライン上部の実質的な損失を起こさず、良好な四角形のプロフィルを与えた。例22:バリヤコート7を用いたフォトレジストの用意及び像形成AZRArF1C5Dを塗布した4インチSiウェハに、AZREXPIRC1500米国ニュージャージー州ソマービル在のAZエレクトロニックマテリアルズ社から入手可能なアクリレート/スルホニウム塩に基づくフォトレジストを1,560rpmのスピン速度でコーティングし、そして130°Cで60秒間PABを行い、100nmの膜厚を得た。このレジストの塗布後、例17のバリヤコート7を1700rpmのスピン速度で塗布して、32nmの厚さのトップバリヤコートを得たトップコートにはPABは行わなかった。このウェハを、193nm液浸マイクロステッパを用いて上記のように露光した。露光後、膜を105°Cで60秒間ベーク処理し、そして0.26NTMAH中で60秒間現像した。このフォトレジスト膜は、100nmL/S図形まで解像することができ、そしてその解像線量78mJ/cm2において、現像中の浸食によるフォトレジストライン上部の大きな未露光部膜減りを起こさなかった。それゆえ、バリヤコートポリマーが単独で未露光部膜減りを減少させる場合において、PAGの添加は負のリソグラフィ効果は持たない。例23:バリヤコート8ポリ3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルプロパン-2-オールMw10,00044141,オハイオ州,ブレックスビル,ブレックスビル通り9921、ビルディングB在のPromerus社から入手及び0.6固形物基準のトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートを含む1.75重量溶液を1-ペンタノール中で調製し、そしてシリンジを用いてMillipore製0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過した。例24:バリヤコート9ポリ3-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチルプロパン-2-オールMw10,00044141,オハイオ州,ブレックスビル,ブレックスビル通り9921、ビルディングB在のPromerus社から入手及び1.1固形物基準のトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートを含む1.75重量溶液を1-ペンタノール中で調製し、そしてシリンジを用いてMillipore製0.2ミクロンPTFEフィルターに通して濾過した。例25:フォトレジストの上にコーティングされたバリヤコート4、8及び9の非連結トラック及び露光ツールでのリソグラフィ実験ベーク処理トラック及び露光ツールが連結しておらず、それゆえ、トラック及び露光ツール間を移動する間に塗膜が空気中のアミン汚染に曝される条件において、PAGを含むかまたは含まないバリヤコートを用いて193nmフォトレジストの安定性を評価するために実験を行った。これらの実験の手順は次の通りである。137nmの膜厚の底面反射防止膜AZRArFTM1C5D、ニュージャージー州ソマービル在のクラリアントコーポレーションの製品を、ケイ素基材上にコーティングして、175°Cで60秒間ベーク処理した。フォトレジストAZR1120P、ニュージャージー州ソマービル在のクラリアントコーポレーションから入手可能を、上記反射防止膜上にコーティングしてスピン速度2,500rpm、ベーク処理130°C/90秒、200nmの膜厚を得た。例14のバリヤコート4を、1700rpmでスピンコートして、フォトレジストの表面に32nm厚のバリヤコートを形成した。193nmで像様露光した後、膜を130°Cで90秒間ベーク処理し、次いで300MIF0.26NTMAH中で23°Cで60秒間現像した。237nmの膜厚の底面反射防止膜AZRArFTM1C5D、ニュージャージー州ソマービル在のクラリアントコーポレーションの製品をケイ素基材上にコーティングし、そして175°Cで60秒間ベーク処理した。フォトレジストAZR1120P,ニュージャージー州ソマービル在のクラリアントコーポレーションから入手可能を上記底面反射防止膜上にコーティングしてスピン速度2,500rpm、ベーク処理130°C/90秒間、200nmの膜厚を得た。例24のバリヤコート8を1700rpmでスピンコートして、上記フォトレジストの表面上に32nm厚のバリヤコートを形成した。193nmで像様露光した後、膜を130°Cで90秒間ベーク処理し、次いで300MIF0.26NTMAH中で23°Cで60秒間現像した。337nmの膜厚の底面反射防止膜AZRArFTM1C5D、ニュージャージー州ソマービル在のクラリアントコーポレーションの製品をケイ素基材上にコーティングし、次いで175°Cで60秒間ベーク処理した。フォトレジストAZR1120P、ニュージャージー州ソマービル在のクラリアントコーポレーションから入手可能を上記底面反射防止膜上にコーティングしてスピン速度2,500rpm、ベーク処理130°C/90秒間、200nmの膜厚を得た。例25のバリヤコート9を、1700rpmでスピンコートして、上記フォトレジストの表面上に32nm厚のバリヤコートを形成した。193nmで像様露光した後、膜を130°Cで90秒間ベーク処理し、次いで300MIF0.26NTMAH中で23°Cで60秒間現像した。上記の三つの試験から得られた像を、走査型電子顕微鏡で検査した。PAG添加剤を含まないバリヤコート4を施したフォトレジストは、100nm1:1ライン/スペース図形間に、アミン汚染に対する感受性の指標であるフォトレジストのウェビングwebbingを形成する若干の傾向を示した。このウェビングの形成傾向は、PAGを含むバリヤコート8もしくは9のいずれかを使用することによって除去することができ、これらは鮮明な100nmL/S図形を示した。"