"スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。前記スクリーニング試験時に、前記半導体集積回路装置の発熱量を監視し、所望の発熱量になるように前記半導体集積回路装置に設けた専用の端子および専用の外部信号により所定の回路動作を行った状態のまま周波数設定し、前記発熱量を所定範囲とすることで前記半導体集積回路装置を所望の温度に制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。前記周波数設定を、1/2分周倍にて複数種類の専用設定条件を有し、前記周波数設定にて発熱量の制御を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路装置の試験方法。前記周波数設定における最低周波数においても所望の温度範囲を超過する場合には、電源及び信号を遮断するとともに、前記周波数設定における最大周波数においても所望の温度範囲を満たせない場合には、電源及び信号を遮断することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の試験方法。サーミスタと、前記サーミスタの抵抗変化により温度換算を行う温度換算回路と、前記温度換算結果に基づいて、前記半導体集積回路装置の回路動作を行う周波数設定を変更する周波数設定変更手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。しかし、上述の特許文献7で提案されている方法の場合には、バーイン試験のたびに、被測定ICのジャンクション温度と入力パルス周波数との関係を繰り返し測定によって取得する必要があるため、周波数制御や温度制御が複雑になるという問題がある。そこで、半導体集積回路装置に複数の周波数制御端子例えば、FCIを設け、このFCIへの入力設定を変更することで、所定の回路動作を行ったまま内部の発振回路の周波数設定を変えることが考えられる。図15は、FCI端子による周波数制御方法の説明図である。ここでは、4本のFCI端子で説明するが、FCI端子の本数は任意である。半導体集積回路装置64にFCI端子65を設け、このFCI端子65にプログラム上で固定した入力を入力することにより、分周比の切り替えを行うことができ、周波数制御の操作が簡便になる。通常、半導体集積回路装置64は、周波数が高いほど、内部が高速で動作するため、電流が大きくなり、消費電力発熱量も大きくなる。ここで、Iを電流、fを周波数、Cを容量、Vを電圧とすると、電流Iは、I=fCVとなり、消費電力Pは、P=IVとなる。図16は、半導体集積回路装置内の動作周波数と、FCI端子に入力するコードの対応表の一例であり、ここでは、発振回路の基本周波数を128MHzとし、FCI端子を4本に設定して、9つのランクに分けた例を示している。なお、必要に応じて、24=16のランクに分けることも可能である。しかし、この制御方法の場合には、周波数をプログラム上で固定するため、一旦、周波数設定が決まってしまうと、試験装置のほうで冷却を行い、接合温度Tjの制御を行う必要がある。したがって、本発明は、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御することを目的とする。開示する一観点からは、スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法が提供される。また、開示する別の観点からは、サーミスタと、前記サーミスタの抵抗変化により温度換算を行う温度換算回路と、前記温度換算結果に基づいて、前記半導体集積回路装置の回路動作を行う周波数設定を変更する周波数設定変更手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置が提供される。開示の半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置によれば、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御することが可能になる。ここで、図1及び図2を参照して、本発明の実施の形態の半導体集積回路装置の試験方法を説明する。図1は、本発明の実施の形態の半導体集積回路装置の試験工程のフロー図である。まず、a.バーンイン試験所定の回路動作試験を開始する。b.スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかを書き込んだチップコードを読み込む。c.読み込んだチップコードから半導体集積回路装置全体或いは動作させる回路毎に予め設定した分周率を選択して、選択した分周率に応じた信号をFCI端子に入力して周波数設定を行う。d.温度センサ或いはサーミスタを用いてジャンクション温度Tjを監視する。e.測定した温度或いは換算した温度が、予め設定した温度範囲にあるか否かを判定する。f.予め設定した温度範囲であれば、予め設定した時間だけバーンイン試験を継続して、予め設定した時間が経過した場合には、再びジャンクション温度Tjを監視する。g.予め設定した温度範囲外の場合には、FCI端子に設定変更信号を入力して高温側にずれている場合には周波数を低減し、低温側にずれている場合には、周波数を増大するように、周波数を変更する。変更した周波数が予め定めた最小周波数以上で且つ予め定めた最大周波数以下の範囲であるか否かを判定する。h.変更した周波数が予め定めた最小周波数以上で且つ予め定めた最大周波数以下の範囲内の場合には、周波数の変更を実行し、再び、ジャンクション温度Tjを監視する。i.変更した周波数が予め定めた最小周波数以上で且つ予め定めた最大周波数以下の範囲外の場合には、電源及び信号を遮断する。j.最後に、バーンイン試験が完了して良品と判定した製品を出荷する。図2は、本発明の実施の形態のバーンイン試験によるスクリーニング工程の説明図であり、例えば、SCAN試験で発熱量が増加し所望の温度上限を超えようとした場合に、周波数を低周波数側に変更して温度上限を超えないようにする。次いで、SCAN試験中で回路動作率が低くて消費電力が小さくなり発熱量が低下した場合には、周波数を高周波数側に変更して温度下限を下回らないようにして試験を継続する。本発明では、予めバーンイン前の試験において、回路毎の動作電流を測定した電流値もしくは、電流レンジをチップコード内に書き込んだ情報により、半導体集積回路装置の周波数を可変することで発熱量を制御し所望の温度に制御することが可能になる。次に、図3乃至図5を参照して、本発明の実施例1の半導体集積回路チップの試験方法を説明する。図3は、本発明の実施例1の半導体集積回路チップの説明図であり、図3aはチップ構成の説明図であり、図3bは電流ランク例の説明図である。図3aに示すように、ウェーハ段階で半導体集積回路チップ12を形成した半導体ウェーハ11に対して1次試験或いは初期FT試験を行って電源電流を測定し、電源電流値或いはそれに基づく電流ランクをチップID13にコード化して書き込む。この場合の書き込みは、半導体集積回路チップ12の内部に設けたIDヒューズや不揮発性メモリを用いて書き込む。なお、電源電流としては、ダイナミック電流が望ましいが、スタティック電流でも良い。図3bは、電流ランクの一例を示す図であり、ここでは、100μA~20A以上の範囲を、上記の図14に示した周波数ランクに合わせて9ランクとして示している。図4は、周波数設定を試験装置により設定する場合の構成説明図であり、BIボード30の試験基板31に設けたICソケット32にパッケージ化された半導体集積回路チップ12を接続してバーンイン試験を行う。この時、半導体集積回路チップ12に設けたFCI端子14に金端子群33を介してチップID13に書き込んだ電流ランク或いは電源電流値に対応するランクコードを入力して、周波数切換回路15により周波数設定を行う。なお、図における符号16,17はそれぞれ電源である。試験中に温度が設定温度範囲を超えそうになった場合には、再び、FCI端子14に金端子群33を介して新たなランクコードを入力して周波数を変更する。なお、この場合のジャンクション温度Tjの測定は、半導体集積回路チップ12の表面に密着させた温度センサ図示は省略を用いて行う。図5は、周波数設定をチップ内で行う場合の構成説明図であり、チップID13に書き込んだランクコードを周波数切換回路15に直接入力して周波数を自動設定する。なお、試験中に温度が設定温度範囲を超えそうになった場合には、図4の場合と同様に、FCI端子14に金端子群33を介して新たなランクコードを入力して周波数を変更する。このように、本発明の実施例1においては、バーンイン試験の前に予め測定した電源電流値もしくはランクにより、適切な周波数設定を選択しているので、回路試験を行った状態で、半導体集積回路装置を所望の温度範囲となるように制御することが可能になる。次に、図6を参照して、本発明の実施例2の半導体集積回路チップの試験方法を説明する。図6は、本発明の実施例2の半導体集積回路チップの試験工程の概略的構成図であり、図6aはBIボードの概念的平面図であり、図6bはBIボードに当接させる温度制御ユニットの下側から見た概念的平面図である。図6aに示すように、半導体集積回路チップ12は、図6bに示した温度制御ユニット40の冷却水の巡回経路の上流側から順に発熱量の小さな半導体集積回路チップ12を配置したものである。なお、図における符号41,42,43はそれぞれボード,温度制御ブロック及び冷却パイプである。このように、本発明の実施例2においては周波数制御による温度制御の他に、冷却系の冷却水の循環経路を考慮して半導体集積回路チップ12の配置を決定しているので、より効果的な温度制御が可能になる。次に、図7を参照して、本発明の実施例3の半導体集積回路チップの試験方法を説明する。図7は、本発明の実施例3の半導体集積回路チップの試験方法の説明図であり、図7aは概観図であり、図7bは詳細図である。図7aに示すように、ここでは、発熱量が異なる2種類の半導体集積回路チップ121,122のバーンイン試験を行う。この時、図7bに示すように、2種類の半導体中関回路チップ121,122に対しては個別に周波数制御を行う。即ち、発熱量の大きな半導体集積回路チップ121においては、ランクコードを0111として試験を行い、ジャンクション温度Tjが設定温度範囲内であるのでそのまま試験2を行う。一方、発熱量の小さい半導体集積回路チップ122においては、ランクコードを0111として試験を行い、ジャンクション温度Tjが設定温度範囲外になってので、ランクコードを0101に変更して、周波数を1MHzから4MHzに変更して試験2を行う。このように、本発明の実施例3においては、半導体集積回路チップの試験内容による発熱量の差、半導体集積回路装置のバラツキによる発熱量の差を小さくするため、FCI信号の設定変更により、内部の発振回路の周波数を制御しているので、よりきめの細かい温度制御が可能になる。次に、図8を参照して、本発明の実施例4の半導体集積回路チップの試験方法を説明する。図8は、本発明の実施例4の半導体集積回路チップの試験方法に用いるチップ構成図であり、上記の図4に示した半導体集積回路チップ12にサーミスタ18を設け、サーミスタ18に定電流源19を接続する。サーミスタ18の抵抗変化をBIボード側で温度変化に変換して、変換した温度に対するランクコードをFCI端子14から周波数設定回路15に入力して周波数を変更し、それによって、温度を適正範囲に制御する。この本発明の実施例4においては、温度により抵抗値が変化するサーミスタ18を半導体集積回路チップ12内に設けているので、より正確なチップ温度の測定が可能になる。次に、図9を参照して、本発明の実施例5の半導体集積回路チップの試験方法を説明する。図9は、本発明の実施例5の半導体集積回路チップの試験方法に用いるチップ構成図であり、上記の図4に示した半導体集積回路チップ12にサーミスタ18と、Tj温度換算回路20を設けたものである。ここでは、サーミスタ18に定電流源19を接続するとともに、サーミスタ18の出力をTj温度換算回路20に入力し、その換算温度に応じたランクコードを周波数切換回路15に直接入力して周波数設定を行う。この本発明の実施例5においては、サーミスタの抵抗変化の値を温度に換算するTj温度換算回路20を設けているので、周波数設定を半導体集積回路チップ12内において自動的に行うことが可能になり、BIボード側の負担を軽減することができる。次に、図10を参照して、本発明の実施例6の半導体集積回路チップの試験方法を説明する。図10は、本発明の実施例6の半導体集積回路チップの試験方法に用いるチップ構成図であり、上記の図9に示した半導体集積回路チップ12に状態設定信号端子21、モニター状態設定信号端子22及び切換スイッチ23を設けたものである。ここでは、半導体集積回路チップ12の表面の温度で温度制御を行うか、サーミスタの抵抗の変化によって温度制御を行うかをBIボードからの外部信号、即ち、状態設定信号によって、任意の切り替えを可能とするものである。状態設定信号端子21からの状態設定信号を切換スイッチ23で判定して、状態設定信号が1であればサーミスタ18の制御を有効にし、状態設定信号が0であれば表面の温度制御が有効となるように切り替える。この場合、BIボード側にはサーミスタ制御になった場合は、外部からのFCI入力を止める必要があるため、それをBIボードが認識するためにモニター状態設定信号をモニター状態設定信号端子22から出力する。これは試験中にも変更できる構成であり、状態設定信号の切り替えで、温度制御の検出方法を容易に変更できる。このように、本発明の実施例6においては、状態設定信号端子21を設けているので、DUTとなる半導体集積回路チップの特性或いは試験を行う特定の回路特性に応じて温度モニター手段を適宜切り替えることが可能になり、汎用性が高まる。なお、状態設定信号が0の場合は、BIボードからの周波数設定の変更の他に、電圧の可変により電圧依存電圧上昇で、発熱量も上昇するを用いて発熱量を制御するようにしても良い。なお、半導体集積回路チップの素子設計上の汎用性を高めるためにサーミスタを設けない半導体集積回路チップの場合にも、状態設定信号端子21及びモニター状態設定信号端子22を設けても良い。その場合には、状態設定信号は常に0で制御する。次に、図11を参照して、本発明の実施例7の半導体集積回路チップの試験方法を説明する。図11は、本発明の実施例7の半導体集積回路チップの試験方法に用いるBIボードの説明図であり、ICソケット32の周囲にリレー34とリレー34に接続するLED35を設けたものである。バーンイン試験中に、周波数変更しようとする周波数が、予め設定した最大周波数を上回る場合或いは予め設定した最小周波数を下回る場合には、電源や信号を遮断し、その状態をリレー34を介してLED35で表示する。本発明の実施例7においては、電源及び信号遮断の状態を示すLEDを設けているので、各半導体集積回路チップの試験状況を目視により迅速に把握することが可能になる。ここで、実施例1乃至実施例7を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。付記1スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。付記2前記スクリーニング試験時に、前記半導体集積回路装置の発熱量を監視し、所望の発熱量になるように前記半導体集積回路装置に設けた専用の端子および専用の外部信号により所定の回路動作を行った状態のまま周波数設定し、前記発熱量を所定範囲とすることで前記半導体集積回路装置を所望の温度に制御することを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。付記3前記半導体集積回路装置の発熱量制御を回路動作周波数の変更により行うことで、前記所定範囲内における発熱量まで上昇及び下降の制御を行うことを特徴とする付記1または付記2に記載の半導体集積回路装置の試験方法。付記4前記周波数設定を、1/2分周倍にて複数種類の専用設定条件を有し、前記周波数設定にて発熱量の制御を行うことを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。付記5前記半導体集積回路装置に外部の定電流源から電流を与えて、前記半導体集積回路装置に設けたサーミスタの抵抗変化より温度変化を監視し、前記発熱量の制御を行うことを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。付記6前記半導体集積回路装置に外部の定電流源から電流を与えて、前記半導体集積回路装置に設けたサーミスタの抵抗変化を温度に換算し、換算した温度に基づいて前記周波数設定変更を自動的に行うこと特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。付記7前記周波数設定における最低周波数においても所望の温度範囲を超過する場合には、電源及び信号を遮断するとともに、前記周波数設定における最大周波数においても所望の温度範囲を満たせない場合には、電源及び信号を遮断することを特徴とする付記1乃至付記6のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。付記8前記スクリーニング試験前の工程にて測定された回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置をスクリーニング試験ボードに実装する位置を決定することを特徴とする付記1乃至付記7のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。付記9サーミスタと、前記サーミスタの抵抗変化により温度換算を行う温度換算回路と、前記温度換算結果に基づいて、前記半導体集積回路装置の回路動作を行う周波数設定を変更する周波数設定変更手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。付記10半導体集積回路装置の表面の発熱量を測定する温度測定手段と、サーミスタと、サーミスタの抵抗変化により温度変化を監視する手段と、前記温度測定手段と前記サーミスタのいずれかを選択する選択手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。"