平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、導電率が35×106S/m以上の金属メッキ層を、波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さに形成することにより得られる、輝度上昇用偏光板に用いるための金属メッキナノワイヤからなる偏光性材料。前記誘電体は、屈折率1.47~2.2である、請求項1に記載の偏光性材料。前記誘電体は、コア層とその表面に形成されたコート層とを有し、前記コア層の屈折率は1.47~2.2であり、前記コート層の屈折率は、前記コア層の屈折率をncとし、nc±0.4以内である、請求項1に記載の偏光性材料。前記金属メッキ層は、金、銀、銅及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属のメッキ層である、請求項1に記載の偏光性材料。請求項1に記載の偏光性材料を含有する、偏光膜製造用塗料。前記塗料は、樹脂を含有し、前記樹脂の屈折率は、前記誘電体の屈折率をndとし、nd±0.4以内である、請求項5に記載の塗料。請求項3に記載の偏光性材料及び樹脂を含有し、前記樹脂の屈折率は、前記コア層の屈折率をncとし、nc±0.4以内である、偏光膜製造用塗料。前記塗料は、メタアクリル樹脂及び架橋剤を含む、請求項5に記載の塗料。基材フィルムの表面に請求項5に記載の塗料を塗工した後、乾燥させることにより得られる偏光膜。前記塗工は塗工バーを用いたバーコート法による塗工であり、1前記塗工は、前記塗工バーの円周部と前記基材フィルムとの接触長さPが、P≧1000×LL:金属メッキナノワイヤの平均長さとなる条件下での塗工であり、2前記塗工バーは、少なくとも前記塗工バーと前記基材フィルムとが接触する領域に均等に溝が設けられており、前記溝の幅Wが、50×φ≦W≦10000×φφ:金属メッキナノワイヤの平均太さである、請求項9に記載の偏光膜。輝度上昇用偏光板として用いる、請求項9に記載の偏光膜。本発明は、光の利用効率が高く且つ生産性が良好な、輝度上昇用偏光板に用いるための偏光性材料及びそれを含む偏光膜製造用塗料並びに偏光膜を提供することを目的とする。本発明者は上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の金属メッキナノワイヤが偏光性材料として使用でき、光の利用効率が高く、しかも生産性良く基材上に配向させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は下記の輝度上昇用偏光板に用いるための偏光性材料、偏光膜製造用塗料及び偏光膜に関する。1.平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、導電率が35×106S/m以上の金属メッキ層を、波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さに形成することにより得られる、輝度上昇用偏光板に用いるための金属メッキナノワイヤからなる偏光性材料。2.前記誘電体は、屈折率1.47~2.2である、上記項1に記載の偏光性材料。3.前記誘電体は、コア層とその表面に形成されたコート層とを有し、前記コア層の屈折率は1.47~2.2であり、前記コート層の屈折率は、前記コア層の屈折率をncとし、nc±0.4以内である、上記項1に記載の偏光性材料。4.前記金属メッキ層は、金、銀、銅及びアルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種の金属のメッキ層である、上記項1に記載の偏光性材料。5.上記項1に記載の偏光性材料を含有する、偏光膜製造用塗料。6.前記塗料は、樹脂を含有し、前記樹脂の屈折率は、前記誘電体の屈折率をndとし、nd±0.4以内である、上記項5に記載の塗料。7.上記項3に記載の偏光性材料及び樹脂を含有し、前記樹脂の屈折率は、前記コア層の屈折率をncとし、nc±0.4以内である、偏光膜製造用塗料。8.前記塗料は、メタアクリル樹脂及び架橋剤を含む、上記項5に記載の塗料。9.基材フィルムの表面に上記項5に記載の塗料を塗工した後、乾燥させることにより得られる偏光膜。10.前記塗工は塗工バーを用いたバーコート法による塗工であり、1前記塗工は、前記塗工バーの円周部と前記基材フィルムとの接触長さPが、P≧1000×LL:金属メッキナノワイヤの平均長さとなる条件下での塗工であり、2前記塗工バーは、少なくとも前記塗工バーと前記基材フィルムとが接触する領域に均等に溝が設けられており、前記溝の幅Wが、50×φ≦W≦10000×φφ:金属メッキナノワイヤの平均太さである、上記項9に記載の偏光膜。11.輝度上昇用偏光板として用いる、上記項9に記載の偏光膜。以下、先ず金属ナノワイヤと偏光性との関係について説明し、次に本発明の偏光性材料金属メッキナノワイヤ及び偏光膜製造用塗料並びに偏光膜について説明する。金属ナノワイヤと偏光性との関係光は、進行方向に垂直な面内で互いに直角な方向に振動する2つの偏光本明細書ではp偏光及びs偏光と言うに分けることができる。偏光膜は、2つの偏光のうち、一方の偏光を透過し、他方の偏光を遮断吸収又は反射する機能を有する。本明細書では、図1に示される通り、透過性の偏光をp偏光とし、遮断される偏光をs偏光とする。最近、幅及び長さがナノメーターサイズである棒状金属が、光などの電磁波に対して異方性を示すことが報告されている。なお、長さ1μm以上の棒状金属を金属ナノワイヤ、長さ1μm未満の棒状金属を金属ナノロッドと呼ぶ場合があるが、以下、本明細書では、両者をまとめて長さ0.4μm以上の棒状金属を金属ナノワイヤと呼ぶ。以下、電磁波の例として光を挙げて説明する。金属ナノワイヤの長さが光の波長より長く、幅が光の波長より充分細い場合を考える。金属ナノワイヤに光が入射すると、金属ナノワイヤの長さ方向に電場振動面を持つ偏光は、金属ナノワイヤの自由電子を振動させることにより吸収又は反射される。他方、金属ナノワイヤの幅方向に電場振動面を持つ偏光は、金属ナノワイヤの自由電子が光に共鳴した振動を起こし難いため透過する正確には前方散乱するという表現が正しいが、以下、簡略的に透過すると言う。ことが知られている。金属が光を吸収又は反射するのは、光が電磁波であり、金属中の自由電子が光の電場に共鳴して振動し、光のエネルギーが運動エネルギーに変わるからである。よって、金属が光を吸収又は反射するためには、光の進行方向と垂直な方向に、金属中の自由電子が振動できるだけの金属の幅が必要である。ミーの理論及びレイリーの散乱の理論では、金属の幅が10nm程度以下になると自由電子が振動できなくなり、光の吸収又は反射は起こらず透過すると考えられている。また、逆に金属の幅が光の波長以上ならば効率良く吸収又は反射すると考えられている。よって、金属ナノワイヤの場合には、長さが光の波長より長く、幅が10nm程度以下であれば良好な偏光性材料になると考えられる。次に、金属ナノワイヤの長さが光の波長より長く、幅が10nm程度の場合における、光の吸収反射の違いについて図1を参照しながら説明する。なお、電場振動面が金属ナノワイヤの長さ方向と一致する光をs偏光とし、電場振動面が金属ナノワイヤの幅方向と一致する光をp偏光とする。図1には、光の進行方向と直角に四角柱状の金属ナノワイヤを並べた場合におけるs偏光及びp偏光の電場の振動方向と、金属ナノワイヤの長さ方向、幅方向及び厚み方向との関係が示されている。p偏光は、金属ナノワイヤの幅が10nm程度以下であれば、金属ナノワイヤの自由電子を振動させない。よって、金属ナノワイヤの長さ、厚みに拘わらず、p偏光は吸収も反射もせず透過する。s偏光は、金属ナノワイヤの長さが光の波長より長ければ、金属ナノワイヤの自由電子を振動させる。この時、幅が10nm以下でも光は吸収又は反射される。なお、光が吸収されるか反射されるかは、金属ナノワイヤの厚みによって決まる。入射した光の強度が自然対数の2乗分の1=約1/7.5になる厚みは表皮深さと呼ばれ、表皮深さは2/ωμσの1/2乗である。なお、ωは光の角振動数、μは金属の透磁率、σは金属の導電率である。よって、波長550nmの可視光の場合は、ωμは4.3×109でほぼ一定であり、金属の導電率σS/mは、金:45.5×106、銀:61.4×106、銅:59.0×106、アルミニウム:37.4×106であるから、表皮深さはそれぞれ、金:3.19nm、銀:2.75nm、銅:2.81nm、アルミニウム:3.52nmとなる。即ち、導電率が35×106S/m程度以上の導電性の良い金属に光を入射させた場合、金属の厚みが波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さであれば、電磁場が金属の下層に反対の電流を起こし、反射光を生じるため光の反射が起きる。即ち、金属ナノワイヤの厚みが波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さならば効率的に反射されることになる。このことは、金属ナノワイヤの形状が四角柱から多角柱に変わった場合でも同様である。即ち、金属ナノワイヤの長さが400nm0.4μm以上で厚みが波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さならば、p偏光は透過し、s偏光は反射されることが分かる。よって、このサイズの金属ナノワイヤを配向すれば、輝度上昇用偏光板が得られる。しかしながら、偏光性及び配向性を高くするには、金属ナノワイヤは直線であることが要求されるが、幅が数nmで直線性が良く、生産性の良い金属ナノワイヤの製造法は殆ど知られていない。また、金属ナノワイヤの幅が細いほど、取り扱い中に曲がったり凝集したりするため、生産上も問題がある。よって、本発明では、金属ナノワイヤに代えて、平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、導電率が35×106S/m以上の金属メッキ層を、波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さに形成することにより得られる金属メッキナノワイヤを偏光性材料として用いる。この金属メッキナノワイヤであれば、平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上である誘電体は直線性の良いものを生産性良く製造することができるため、直線性及び配向性の良い金属メッキナノワイヤを生産性良く製造することができる。また、導電率が35×106S/m以上であって、波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さの金属メッキ層を形成することにより、厚さ方向の光を透過し、長さ方向の光を効率的に反射一部反射も含むするため、輝度上昇用偏光板に用いるための偏光性材料として用いることができる。本発明の偏光性材料本発明の偏光性材料は、平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上である誘電体からなるナノワイヤの表面に、導電率が35×106S/m以上の金属メッキ層を、波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さに形成することにより得られる、輝度上昇用偏光板に用いるための金属メッキナノワイヤである。本発明では、平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上である誘電体からなるナノワイヤを用いる。なお、平均は、電子顕微鏡像においてナノワイヤを任意に10本選び出したときの太さ及び長さのそれぞれの平均値である。誘電体の平均太さは20~300nmであり、好ましくは50~200nmである。なお、誘電体が円柱状又は擬円柱状の場合には太さ=厚さであるが、そうでない場合、例えば、多角柱状又は多角柱がねじれた形状である場合にも太さ=厚さとする。なお、多角柱の一辺の長さは光の波長よりも十分短いことが好ましい。誘電体のアスペクト比は限定的ではないが、10以上が好ましい。誘電体の長さが20μmを超える場合には、誘電体の直線性が失われ易くなるおそれがある。また、アスペクト比が10未満の場合には、偏光性と配向性が低下するおそれがある。誘電体からなるナノワイヤとしては、エレクトロスピニング法により得られるナノワイヤとして、メタアクリル樹脂のナノワイヤ、シリカのナノワイヤ等が合成されている。また、気相法により得られるナノワイヤとして、アルミナなどのナノワイヤが合成されている。また、Langmuir2004204784~4786頁及びCrystalGrowthandDesign200661504~1508頁には、水熱法により得られるナノワイヤとして、太さ30~120nmであり長さ数μm~50μmのヒドロキシアパタイト又はフルオロアパタイトのナノワイヤいずれも屈折率は1.64程度が報告されている。更に、Langmuir2007239850~9859頁には、ベーマイトのナノワイヤ屈折率1.7程度の合成法が報告されている。その他、誘電体からなるナノワイヤとして、珪素、アルミニウム等の酸化物又は水酸化物からなるナノワイヤ、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、亜鉛及びカリウムのいずれかの金属のリン酸塩、硫酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩又はフェニルリン酸塩からなるナノワイヤも知られている。本発明では、これらの誘電体に限定されず、誘電体の屈折率ndが1.47~2.2であるナノワイヤであれば好適に使用できる。この中でも、屈折率ndは1.47~1.8がより好ましい。本発明では、これらの誘電体の中でも、ポリメタアクリル酸メチルなどのメタアクリル樹脂、炭酸カルシウム、フルオロアパタイト、チタン酸カリウム、硫酸マグネシウム等を特に好適に使用できる。誘電体が結晶からなる場合には、通常、多角柱状又は多角柱がねじれた形状を有する。よって、必要に応じて、誘電体の表面を同程度の屈折率を有する同一又は別の誘電体でコートし、表面を曲面とした円柱状又は擬円柱状のナノワイヤにしてから使用してもよい。この場合には、コート後のナノワイヤが、平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上であり、好ましくはアスペクト比が10以上となるように設定する。具体的には、誘電体がコア層とその表面に形成されたコート層とを有し、コア層の屈折率が1.47~2.2であり、コート層の屈折率は、コア層の屈折率をncとし、nc±0.4以内であることが好ましい。この中でも、コア層の屈折率ncは1.47~1.8がより好ましく、コート層の屈折率はnc±0.2以内であることがより好ましい。コート層としては、コア層と同一の化合物を同一の析出反応で結晶化時間をかけないように時間を短縮して析出させたものが挙げられるが、これに限定されない。コア層としては、例えば、メタアクリル樹脂、シリコン樹脂等が好ましい。また、必要に応じて、メタアクリル樹脂、シリコン樹脂等に架橋剤例えば、チタン系架橋剤、ジルコニウム系架橋剤を添加してコア層としてもよい。架橋剤を添加することにより、コア層の屈折率を調整したり、最終的に得られる偏光性材料の配向性を高めたりすることができる。上記コア層の表面にメタアクリル樹脂、シリコン樹脂等の非晶性樹脂でコート層を形成して表面が曲面からなるナノワイヤを作製することが、JAmChemSoc2005年12716040~16041頁、CrystalGrowthandDesign2006年62422~2426頁、JPhysChemB2006年110807~811頁等に記載されている。また、シリカを用いてコート層を形成することが、JPhysChemB2005年109151~154頁及びJPhysChemB2006年110807~811頁等に記載されている。誘電体からなるナノワイヤの表面に形成する金属メッキ層は、導電率が35×106S/m以上の金属メッキ層であって、厚さは波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍とする。導電率が35×106S/m以上の金属としては、例えば、金、銀、銅及びアルミニウムの少なくとも1種が好ましく、この中でも導電率が50×106S/m以上の銀及び銅の少なくとも1種が好ましい。これらの金属を用いることにより、特定のメッキ厚さにおいて、p偏光の透過率が高くなり即ちp偏光の反射率及び吸収率は低い且つs偏光の反射率が高くなり即ちs偏光の透過率及び吸収率は低い、輝度上昇用偏光板に適した偏光性材料となる。金属メッキ層の厚さは、各金属において、波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍であればよい。この厚さの範囲内であれば、p偏光の透過率を高く確保するとともにs偏光の反射率を高く確保することができる。下記表1に各金属の導電率と波長550nmの光における表皮深さを示す。なお、表1中、Ag、Cu、Au及びAlは本発明で規定する導電率の要件を満たす金属であり、Be、W、Ni、Pt、Pd、Cr及びTiは本発明で規定する導電率の要件を満たさない比較品の金属である。比較品の金属では、金属メッキ層を形成した際にs偏光の反射率が小さく且つs偏光の吸収率が大きいため、輝度上昇用偏光板に用いるための偏光性材料として十分な性能を発揮できない。表1を踏まえて各金属メッキ層の厚さを説明すると、金メッキ層の場合には、3.83~19.1nmの厚さであれば良く、その中でも8.5~14.5nm表皮深さの2.7~4.5倍の厚さが好ましい。銀メッキ層の場合には、3.30~16.5nmの厚さであれば良く、その中でも8.5~15nm表皮深さの3.1~5.5倍の厚さが好ましい。銅メッキ層の場合には、3.37~16.9nmの厚さであれば良く、その中でも8~15.5nm表皮深さの2.8~5.5倍の厚さが好ましい。また、アルミニウムメッキ層の場合には、4.22~21.1nmの厚さであれば良く、その中でも4.5~10.5nm表皮深さの1.3~3.0倍の厚さが好ましい。金属メッキ層を形成する際は、例えば、1液層中の反応で析出し易いもの、2腐食し難いもの、3表面に不動態層又はそれに準じた保護層を形成することにより腐食し難い金属であれば、無電解メッキにより形成することが好ましい。また、アルミニウムメッキ層を形成する際は、メシチレン中でシクロペンタジエニルアルミニウムの熱分解により析出させることが、ChemMater2006181634に報告されており、この反応液中でアルミニウムメッキしてもよい。アルミニウムの場合には、金属メッキ層の無着色性を確保する点で有利である。本発明では、金属メッキ層の表面が不動態被膜で覆われている場合には、不動態被膜の厚みは金属メッキ層の厚みよりも薄いことが好ましい。また、金属メッキ層と不動態被膜を合わせた厚みは金属メッキ層の厚みの2倍以下であることが好ましい。なお、不動態被膜を意図的に形成する際は、金属メッキナノワイヤを溶剤中で加熱するか又は酸化剤で表面処理することにより形成することができる。数nm程度の金属メッキ層を形成する場合には、メッキ液の溶剤として金属との親和性が高いものを使うと、溶剤の中で金属が凝集し、均一な金属メッキ層が得られ難いことが知られている。この点、JPhysChemB2004年1089745~9751頁、JPhysChemC2008年1124042~4048頁には、数nm程度の金属メッキ層を形成する場合には、配位性の低い溶剤を用いるか又は溶剤の沸点付近で反応させることが好ましいことが報告されている。よって、このような溶剤を選ぶか、又は、ナノワイヤの表面をカップリング剤で処理して金属との親和性を高めてから金属メッキすることが好ましい。本発明では、必要に応じて、金属メッキナノワイヤの表面を、更に50nm以下の誘電体被膜でコートしてもよい。コートに用いる誘電体は、屈折率が前記ndに対して±0.4以内のものが好ましく、nd±0.2以内のものがより好ましい。コート材料としては、例えば、アルコキシシランとアルコキシジルコニウムとを酸又はアルカリで加水分解して得られるアルコキシシランとアルコキシチタンと共重合体や、アルコキシシランとアルコキシジルコニウムとを酸又はアルカリで加水分解して得られるアルコキシシランとアルコキシジルコニウムの共重合体が挙げられる。このように、金属メッキナノワイヤの表面を更に誘電体被膜でコートする場合には、偏光性材料の屈折率を調整できるとともに、偏光性材料の配向性を更に高めることができる。本発明の偏光性材料は、屈折率nrがnd±0.4以内の樹脂中に分散配向させることにより輝度上昇用偏光板として使用することができる。屈折率nrとしては、nd±0.2以内がより好ましい。樹脂中に分散させる場合の偏光性材料の含有量は、樹脂及び偏光性材料の合計量を100重量とし、10~70重量程度が好ましく、30重量~50重量程度がより好ましい。また、樹脂中に分散させた後に効率的に配向させるには、分散後に一軸延伸することが好ましい。これにより、偏光膜が得られる。本発明の偏光性材料の光学的挙動については、次の通りである。s偏光は、偏光性材料の長さが400nm0.4μm以上で金属メッキ層の厚みが波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さであれば、金属メッキ層内の自由電子の振動により効率的に反射されて透過しない。p偏光は、金属メッキ層の厚さが光の波長よりも充分短ければ、金属メッキ層内の自由電子の運動は起こらず、金属は誘電体と同様の光学的挙動を示し、入射した光は、分子に束縛された電子の双極子振動によって散乱する。この場合、散乱が前方散乱=透過になるか否かの確認が必要である。また、この光が内部の誘電体層でも同様に散乱されるため、この散乱方向も確認する必要がある。以下、散乱方向を検証する。分子中の電子による双極子振動では、入射光と同じ光が弾性散乱される。均一層中では光は直進するが、誘電率の異なる物質の界面では、界面が光の波長より十分大きい平面のときは、反射光又はエバネッセント波が生じる。これは、界面を挟んで、波長に相当する長さの界面で分子群が共鳴して双極子振動することに基づく。しかしながら、p偏光の場合は、金属メッキナノワイヤの厚さ方向に波長に相当する界面の長さが無いため、反射光及びエバネッセント波は生じない。従って、p偏光については金属メッキナノワイヤを透過する光の方向を調べれば良いことになる。以下、樹脂中に本発明の偏光性材料金属メッキナノワイヤが分散配向しており、偏光性材料が誘電体層誘電体は1層と金属メッキ層とからなるものを考え、散乱の方向=波面法線の方向単位ベクトルをsであらわす。を図2により確認する。図2で、樹脂層1→境界a→金属メッキ層2→境界b→誘電体層3の順に光が進行し、樹脂層1内の磁場をH1、光の速度をv1、屈折率をn1、波面法線の単位ベクトルをs1、金属メッキ層2内の磁場をH2、光の速度をv2、屈折率をn2、波面法線の単位ベクトルをs2、誘電体層3内の磁場をH3、光の速度をv3、屈折率をn3、波面法線の単位ベクトルをs3、時間をt、境界aの位置ベクトルをra、境界bの位置ベクトルをrbとする。この時、境界aでの樹脂層1内の磁場H1、金属メッキ層2内の磁場H2はそれぞれH1=H01expiωt-ras1/v1及びH2=H02expiωt-ras2/v2である。境界aにおける磁場成分の接線成分及び法線成分が連続であることから、s1/v1=s2/v2で、このためには、s1x/v1=s2x/v2になり、v1n1=v2n2、s1x/s2x=sinθ1/sinθ2からn1sinθ1=n2sinθ2となり、振幅はそのままで、進行方向はスネルの法則と同様に屈折する。境界bでは同様に、振幅は変わらず、n3sinθ3=n2sinθ2=n1sinθ1となる。n3=n1なら、θ3=θ1で、金属メッキナノワイヤに入射した光は、金属メッキ層2前後で光の強度も光の進行方向も変わらないことになる。同様に、誘電体層3→金属メッキ層2→樹脂層1の順に出て行く光も、強度も進行方向も変わらない。従って、p偏光は進行方向を保ったまま金属メッキナノワイヤ中を透過する。これは、反射が起こらないことで前方散乱が起きていることに基づく。更に、金属メッキ層の表面に、光吸収度の低い数nmの不動態被膜がある場合は、被膜の厚みは一定とみなせる。樹脂層と誘電体層の屈折率が同じならば、同様に光の振幅と進行方向は変わらないことになり、p偏光は透過することになる。つまり、s偏光は効率的に反射され、p偏光は透過することになる。なお、偏光度を高くするためには、図2において、p偏光の振動方向の幅wが短いほど良く、先に掲げた特開2006-201540号公報及びNIKKEIMICRODEVICE2005年12月号156~157頁等から、wは100nm以下が好ましい。偏光膜製造用塗料及び偏光膜本発明には、上記偏光性材料を含有する偏光膜製造用塗料が包含される。偏光膜製造用塗料は上記偏光性材料を含有し、塗料として用いるために樹脂バインダー、溶剤等の少なくとも1種を含有する。金属ナノワイヤを生産性良く配向させる方法として、特開2008-279434号公報に金属ナノワイヤの配向塗工法が公開されており、本発明ではこの塗工法を用いて塗料を塗工し、偏光性材料を基板上に配向させることが好ましい。上記塗工法は、偏光性材料を含有する塗料を塗工バーにより塗工するものであり、偏光性材料を配向させるために、塗工中の偏光性材料のブラウン運動が穏やかであることが必要である。ここで、ブラウン運動は偏光性材料が重く、長いほど穏やかである。本発明の偏光性材料は、大きさ、比重とも小さい。そのため、効率的に配向するには、ブラウン運動を抑える目的で増粘用の樹脂を溶解した、少なくとも数百mPas以上の粘度の塗料とすることが好ましい。この場合、増粘用の樹脂が、塗膜乾燥後、塗膜中で偏光性材料を囲む樹脂層となる。この樹脂層の屈折率は、p偏光の透過率を良くするため、前記の通り、ナノワイヤの屈折率ndとの差が±0.4以内であることが好ましく、±0.2以内であることがより好ましい。樹脂層の屈折率は、例えば、メタアクリル樹脂又はアクリルアミド樹脂を主成分とし、必要に応じて、架橋剤例えばチタン系架橋剤、ジルコニウム系架橋剤等を併用することにより1.47~2.2に調整することができる。好適には、沸点150°C以下の溶剤にメタアクリル樹脂又はアクリルアミド樹脂と、必要に応じて架橋剤例えばチタン系架橋剤、ジルコニウム系架橋剤等を添加して粘度300mPas以上とした樹脂溶液に、偏光性材料を分散させて塗料とする。そして、上記塗料を塗工バーを用いたバーコート法で基材フィルムに塗工するに際し、1前記塗工は、前記塗工バーの円周部と前記基材フィルムとの接触長さPが、P≧1000×LL:金属メッキナノワイヤの平均長さとなる条件下での塗工であり、2前記塗工バーは、少なくとも前記塗工バーと前記基材フィルムとが接触する領域に均等に溝が設けられており、前記溝の幅Wが、50×φ≦W≦10000×φφ:金属メッキナノワイヤの平均太さであることが好ましい。溝の幅Wは金属メッキナノワイヤの平均太さより充分広い必要が有るが、あまりに溝の幅が広いか、接触長さPが短いと配向性が不充分になる。本発明において、溝を設けた塗工バーとしては、一定の径を有するワイヤーを塗工バーの表面に密に巻きつけたものいわゆるワイヤーバー、又は、塗工バー自体の表面に一定の幅、深さを有する溝を一定ピッチで設けたものいわゆるメイヤーバーが用いられる。なお、ワイヤーバーについては、隣接するワイヤーの間隙が溝となる。上記溝は、溝の幅Wが50×φ≦W≦10000×φφ:金属メッキナノワイヤの平均太さになるように設定する。50×φ>Wであると、溝の幅Wよりも金属メッキナノワイヤの平均太さφ×50の方が大きくなって、金属メッキナノワイヤの短軸が溝に入らないため配向できない。また、W>10000×φであると、金属メッキナノワイヤの短軸が配向しにくくなる。溝の幅Wが上記条件を満たすと、各溝において金属メッキナノワイヤに剪断流が起こって、金属メッキナノワイヤが塗工方向に配向する。溝の深さについては、金属メッキナノワイヤの平均太さφよりも大きければ特に限定されない。本発明において、塗工バーの円周部と基材フィルムとの接触長さPは、P≧1000×LL:金属メッキナノワイヤの平均長さの条件を満たすように設定する。接触長さPが上記条件を満たさないと、充分に剪断流が起こらず、金属メッキナノワイヤを配向率80以上で配向させることが難しい。上記接触長さPは、使用する塗工バーの直径Rに応じて、抱き角θを調整することにより、上記条件を満たせるよう設定する。つまり、πR×θ/360≧150×Lを満たすように、各々調整すればよい。塗工バーの直径Rは15~200mmであることが好ましい。塗工バーの直径を15mmより細くすると、基材の曲げ弾性の影響で塗工バーと基材フィルムとの密着が不良となりやすい。また、200mm以上であると、塗工バーが重くなり、塗工機のモーターに負荷がかかるため好ましくない。抱き角θについては、πR×θ/360≧150×Lを満たせるならば、特に限定されず、塗工装置等に合わせて適宜決定されればよい。乾燥塗膜の厚さは限定的ではないが、望ましい偏光特性を発揮させるためには、0.1μm~10μm程度が好ましい。配向後の偏光性材料金属メッキナノワイヤは、隣接する偏光性材料どうしの間隙が光の波長未満となることが好ましい。また、塗料に用いる溶剤は、沸点が150°Cより低いものが好ましく、脂肪族アルコール、脂肪族エーテル、脂肪族ケトン、脂肪酸エステル、脂肪族ハロゲン化物、芳香族アルコール、芳香族エーテル、芳香族ケトン、芳香族エステル、芳香族ハロゲン化物等のうち、沸点が150°C以下のものが好ましい。塗料を塗工する基材フィルムとしては、本発明の偏光性材料の偏光特性を発揮できるものであれば、特に限定はないが、例えば、ガラスや樹脂製のフィルムが挙げられる。また、配向性を高めるために、塗工後、フィルムを2倍以下で延伸してもよい。基材となるフィルムは、可視光透過性が高く、耐水、耐熱性のフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルフィルム、未ケン化の酢酸セルロース等のセルロースエステルフィルム、環状ポリオレフィン樹脂フィルム、ポリカーボネート樹脂フィルム、ポリサルホン樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン樹脂フィルム等が好ましい。本発明の偏光性材料を用いた偏光膜は、輝度上昇用偏光板として用いる。輝度上昇用偏光板は通常の偏光板ほど偏光度が高くないため、一般には輝度上昇用偏光板の出射側に、偏光軸を一致させた態様で通常の偏光板を併用して用いることができる。更に、偏光性材料に対する水分や酸素の影響を無くす目的や、フィルムのカールを防止するために、塗料を塗工して偏光性材料を配向させた後、樹脂系の接着剤を用いてポリエステルフィルム、セルロースエステルフィルム、環状ポリオレフィン樹脂フィルム、ポリカーボネート樹脂フィルム、ポリサルホン樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン樹脂フィルム等のフィルムを貼り合せて保護してもよい。また、液晶セルの上に貼るために、このフィルムに無機酸化物などの無機層と有機ポリマー層を積層し、ガスバリア性のフィルムとしても良い。本発明の金属メッキナノワイヤであれば、平均太さ20~300nmであり平均長さ0.4μm以上である誘電体は直線性の良いものを生産性良く製造することができるため、直線性及び配向性の良い金属メッキナノワイヤを生産性良く製造することができる。また、導電率が35×106S/m以上であって、波長550nmの光における表皮深さの1.2~6.0倍の厚さの金属メッキ層を形成することにより、厚さ方向の光を透過し、長さ方向の光を効率的に反射一部反射も含むするため、輝度上昇用偏光板に用いるための偏光性材料として用いることができる。以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されない。実施例1銀メッキ層平均太さ100nm、平均長さ20μmの円柱状のポリメタクリル酸メチルPMMAのナノワイヤの表面に銀メッキ層を形成した金属メッキナノワイヤをアクリル系樹脂屈折率1.49の塗膜中に分散、配向させた図3参照。なお、PMMAナノワイヤの屈折率は1.49である。塗膜は乾燥させて偏光膜とした。以下、塗膜と略記する。塗膜の断面を走査型電子顕微鏡JEOL社6700Fで観察した結果、平均太さ100nmのナノワイヤが200nm厚みの塗膜に平均ピッチ200nmで平行に配向していることが確認できた。偏光膜の透過率及び反射率は分光光度計島津製作所UV-3101PCに付属の積分球を設置して測定した。リファレンス側及びサンプル側に偏光膜を配置してベースライン測定を行い、サンプル側の偏光膜の出射側にサンプルを配置してサンプル測定を行った。偏光膜の透過軸の方向を変えることでs偏光及びp偏光の測定を行った。透過率と反射率の値を100から差し引くことで吸収率の値とした。なお、測定は波長380~780nmで行ったが、以下の値は波長550nmにおける値である。偏光度は、p偏光の透過率をTxとし、s偏光の透過率をTyとし、これらから計算される単体透過率T、パラ透過率Tp及びクロス透過率Tcを用いて算出した。具体的には、次の通りであり、他の実施例及び比較例についても同様である。単体透過率T=TxTy/2パラ透過率Tp=Tx2Ty2/2クロス透過率Tc=TxTy銀メッキ層の厚さを変えた結果、厚さ8.5~15nm表皮深さの3.1~5.5倍の場合に輝度上昇用偏光板として好ましい特性が得られた。実施例2銅メッキ層金属メッキ層を銅メッキ層に変えた以外は実施例1と同様にして偏光膜を作製した。銅メッキ層の厚さを変えた結果、厚さ8~15.5nm表皮深さの2.8~5.5倍の場合に輝度上昇用偏光板として好ましい特性が得られた。実施例3金メッキ層金属メッキ層を金メッキ層に変えた以外は実施例1と同様にして偏光膜を作製した。金メッキ層の厚さを変えた結果、厚さ8.5~14.5nm表皮深さの2.7~4.5倍の場合に輝度上昇用偏光板として好ましい特性が得られた。実施例4アルミニウムメッキ層金属メッキ層をアルミニウムメッキ層に変えた以外は実施例1と同様にして偏光膜を作製した。アルミニウムメッキ層の厚さを変えた結果、厚さ4.5~10.5nm表皮深さの1.3~3.0倍の場合に輝度上昇用偏光板として好ましい特性が得られた。実施例5銀メッキ層誘電体ナノワイヤをチタン酸カリウム屈折率2.2、金属を銀としてアクリル系樹脂屈折率1.53の塗膜中に分散、配向させた。メッキ厚を変化させたところ、厚さ12~16.5nm表皮深さの4.4~6.0倍のとき輝度上昇用偏光板として好ましい特性が得られた。比較例1~7Be、W、Ni、Pt、Pd、Cr、Tiメッキ層金属メッキ層を、比較例1ベリリウムメッキ層、比較例2タングステンメッキ層、比較例3ニッケルメッキ層、比較例4白金メッキ層、比較例5パラジウムメッキ層、比較例6クロムメッキ層、比較例7チタンメッキ層に変えた以外は実施例1と同様にして偏光膜を作製した。図9~図15の偏光特性の結果から明らかなように、s偏光の反射率が小さく且つs偏光の吸収率が大きいため、輝度上昇用偏光板として好ましい特性は得られなかった。