物理的パラメータを測定するための外在光ファイバデバイス1であって、-目標物の方向に光ビームを生成するための中心波長λの光源10と、-前記光ビームを目標物の方に移送および導波するための、測定ファイバと呼ばれる光ファイバ13であり、前記目標物に面して配置される前記光ファイバの一方の端部が前記目標物とともに光キャビティを形成する、光ファイバ13と、-干渉信号を検出する手段15であり、前記干渉信号が、決定される前記物理的パラメータに関する情報を含み、参照光ビームと測定ビームとの間の干渉によって生成され、前記参照光ビームが、前記ファイバの前記端部によって反射される前記光源からの前記光ビームのごく一部分に相当し、前記測定光ビームが、前記目標物によって反射されて前記光キャビティ中の光路を移動する前記光源からの前記光ビームのごく一部分に相当し、前記光路の変動が、決定される前記物理的パラメータに依存する手段15と、-前記光源によって放出される信号を変調する手段17と、-前記検出手段15によって測定された前記干渉信号に基づいて前記物理的パラメータを計算する手段18とを備える外在光ファイバデバイス1において、前記光源がレーザ源からなり、前記光源10からの前記変調信号が、前記変調手段によって生成された二重周波数変調を含む交流成分を含むことを特徴とする外在光ファイバデバイス1。前記レーザ源がダイオードレーザである、請求項1に記載の外在光ファイバデバイス1。前記二重周波数変調が第1の高周波変調と第2の低周波変調とを含む、請求項1または2に記載の外在光ファイバデバイス1。前記第1の高周波変調が前記光源の電流の低変調振幅を含む、請求項3に記載の外在光ファイバデバイス1。前記第2の低周波変調が前記光源の電流の高変調振幅を含む、請求項3または4に記載の外在光ファイバデバイス1。前記計算手段18が、前記検出手段によって測定された前記信号を多重分離する手段181と、前記多重分離手段181から来る前記多重分離信号を振幅補償する手段184とを含む、請求項1~5に記載の外在光ファイバデバイス1。前記計算手段18が、前記補償手段184からの出力部で得られる信号を復調する手段182と、前記復調手段182からの出力部で得られる前記信号を変換する手段183とを含む、請求項6に記載の外在光ファイバデバイス1。目標物2の変位を軸XX’に沿って測定するための外在光ファイバデバイス1であって、-目標物の方向に光ビームを生成するための中心波長λの光源10と、-前記光ビームを目標物の方に移送および導波するための、測定ファイバと呼ばれる光ファイバ13であり、前記目標物に面して配置される前記光ファイバの一方の端部が前記目標物とともに光キャビティを形成する、光ファイバ13と、-干渉信号を検出する手段15であり、前記干渉信号が、決定される前記変位に関する情報を含み、参照光ビームと測定ビームとの間の干渉によって生成され、前記参照光ビームが、前記ファイバの前記端部によって反射される前記光源からの前記光ビームのごく一部分に相当し、前記測定光ビームが、前記目標物によって反射されて前記光キャビティ中の光路を移動する前記光源からの前記光ビームのごく一部分に相当し、前記光路の変動が、決定される物理的パラメータに依存する手段15と、-前記光源10によって放出される信号を変調する手段17と、-前記検出手段15によって測定された前記干渉信号に基づいて前記変位を計算する手段18とを備える外在光ファイバデバイス1において、前記光源がレーザ源からなり、前記光源10からの前記変調信号が、前記変調手段によって生成された二重周波数変調を含む交流成分を含むことを特徴とする外在光ファイバデバイス1。前記レーザ源がダイオードレーザである、請求項8に記載の外在光ファイバデバイス1。前記二重周波数変調が第1の高周波変調と第2の低周波変調とを含む、請求項7または8に記載の外在光ファイバデバイス1。前記第1の高周波変調が前記光源の電流の低変調振幅を含む、請求項10に記載の外在光ファイバデバイス1。前記第2の低周波変調が前記光源の電流の高変調振幅を含む、請求項10または11に記載の外在光ファイバデバイス1。N個の物理的パラメータを測定するためのシステムであって、-中心波長λの光源10と、-測定ファイバと呼ばれるN個の光ファイバ13であり、ここで、Nが2以上であり、前記光源からのビームがN個のビームに分割され、各ビームが測定ファイバ13およびファブリペロー光キャビティに伝搬する、N個の光ファイバ13と、-干渉信号を検出するためのN個の手段15であり、各干渉信号が、決定される物理的パラメータに関する情報を含む手段15と、-前記光源によって放出される信号を変調する手段17と、-前記N個の検出手段15によって測定された干渉信号に基づいて前記物理的パラメータを計算する手段18とを備えるシステムにおいて、前記光源がレーザ源からなり、前記光源10からの前記変調信号が、前記変調手段によって生成された二重周波数変調を含む交流成分を含むことを特徴とするシステム。前記レーザ源がダイオードレーザである、請求項13に記載のシステム。したがって、本発明の目的は、物理的パラメータが光源の半波長未満の変動の振幅を有する場合であっても、物理的パラメータとその方向を決定することができるデバイスを提案することである。このために、本発明の主題は物理的パラメータを測定するための外在光ファイバデバイスであり、外在光ファイバデバイスは、-目標物の方向に光ビームを生成するための中心波長λの光源と、-光ビームを目標物の方に移送および導波するための測定ファイバと呼ばれる光ファイバと、-決定される物理的パラメータに関する情報を含む干渉信号を検出する手段と、-光源によって放出される信号を変調する手段と、-検出手段によって測定された干渉信号に基づいて物理的パラメータを計算する手段とを備える。自由端部と呼ばれる、測定ファイバの一方の端部は目標物に面して置かれ、ファブリペローキャビティと呼ばれるキャビティを前記目標物とともに形成する。光源から来る光ビームはファブリペローキャビティ中の光路を移動し、光路の変動は決定される物理的パラメータに依存する。光路は、光ビームが移動する媒体の屈折特性による光ビーム移動の幾何学的距離として、すなわち、この幾何学的距離に媒体の屈折率を乗算することによって定義される。したがって、媒体が空気である一例では、光路は測定ファイバの自由端部と目標物との間の往復距離に相当する。決定される物理的パラメータは、ファブリペローキャビティ中のビームの光路を変更し、例えば、目標物が配置されている媒体の屈折率変動、および好ましくは、移動時の目標物の変位である。本発明によれば、光源は物理的パラメータを決定するために波長変調信号wavelengthmodulatedsignalを放出する。波長変調を生じさせるために、光源の電流の振幅が変えられる。実際には、所与の温度で、光源の波長は光源の電流に実質的に比例する。しかし、光源の信号電流変調には、前記光源のパワーの変動が伴い、それは、検出手段によって検出される電流の振幅の変動、すなわち寄生変動をもたらし、寄生変動は好適な手段によって克服されなければならない。この変調信号は直流成分と交流成分とを含み、前記交流成分は、変調手段によって生成された二重波長変調と同等である二重周波数変調を含む。光源によって放出された変調信号の交流成分の二重変調は、-光源の電流の高周波数で低変調振幅の第1の変調と、-光源の電流の低周波数で高変調振幅の第2の変調とからなる。この二重変調により、変動の振幅にかかわらず物理的パラメータおよびその方向を測定することができるようになる。実際には、物理的パラメータおよびその方向を復調によって再構成するには、パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minを得なければならない。物理的パラメータの変動の振幅が光源の半波長を超える一般的な場合には、検出手段によって検出された干渉信号に少なくとも1つの完全な干渉縞が含まれるので、第1の高周波変調はそれ自体で十分である。パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minは直接測定することができ、このようにして目標物の変位およびその方向を再構成することができる。物理的パラメータの変動の振幅が光源の半波長未満である特別な場合には、検出手段によって検出された干渉信号に完全な干渉縞が含まれない。パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minは直接測定することができない。変調信号の第2の低周波変調により、少なくとも1つの人工的に完全な干渉縞を生成して、パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minを取得し、次に、目標物の変位およびその方向を再構成することができることになる。第2の変調は、獲得の初めにまたは獲得の間に、連続的にまたは断続的に出すことができる。目標物の実際の変位を決定するには、測定した変位から人工的変位を減じるだけで十分である。この説明を踏まえると、光源は単一であり、信号の二重周波数および同等の波長変調が光源に適用され、前記光源によって放出された光ビームが、光源に面して置かれた光ファイバに導入される前に、つまり、測定ファイバに導入される前に二重変調されることは明らかである。光源は変調光ビームを放出し、変調光ビームは目標物の方向に測定ファイバを通ってその自由端部まで導波され、自由端部は参照ビームと呼ばれる変調光ビームのごく一部分を反射する。測定ビームと呼ばれる光ビームの残りのごく一部分がファブリペロー光キャビティ中で目標物まで伝搬する。測定ビームは目標物によって反射され、測定ファイバに完全にまたは部分的に再注入され、測定ファイバ中で参照ビームとともに干渉を生成する。したがって、変動の振幅にかかわらずデバイスが物理的パラメータおよびその方向を測定できるように二重変調を光源に直接に適用する場合、追加の光学構成要素例えば、音響光学または電気光学変調器などおよび/または機械的構成要素例えば、圧電変換器などを使用する必要がない。したがって、この測定デバイスにより、コスト、寸法、頑健性脆弱な構成要素がなく、さらにこれらの構成要素の熱-機械的絶縁のない、および実現の簡易さの点で利益が得られる。有利なことには、二重変調により、変動の振幅が光源の半波長を超えるかまたは未満かに関係なく、物理的パラメータの変動のあらゆる振幅が測定できるようになる。特に、光源に断続的または連続的に適用することができる第2の変調により、光源のパワーの変動に起因するパワー変動、および/または例えば、光源、光ファイバ、コネクタ、光学系コリメートレンズなどの使用する構成要素の経年変化や目標物の表面状態の劣化に起因するパワー変動、すなわち、第2の変調の周波数よりも非常に低い周波数、一般に1ヘルツ未満を有する変動を克服できるようになる。したがって、前述のパラメータVx_max、Vy_max、Vx_min、Vy_minを好適に検出して、ある時間にわたりより正確な復調を行うことができる。好ましくは、光源はダイオードレーザ、例えば、DBRDistributedBraggReflector分布ブラッグ反射器の頭文字タイプ、またはDFBDistributedFeedBack分布帰還の頭文字タイプであるが、例えばスーパルミネセントダイオードなどの任意の他のタイプの光源、または例えばチューナブルレーザなどの別のレーザ源が使用可能である。レーザ源とは、共振器と呼ばれる光キャビティに関連する光増幅器を含む光源を明白に意味する。レーザは誘導放出の原理に基づく。レーザ源からの出力部のビームは可干渉性ビームである。ファブリペロー光キャビティ中で測定ビームが移動する光路が変化する場合、参照ビームと測定ビームとは干渉し、目標物の変位に起因する光強度の変動を表す多重干渉信号が生成される。検出手段、好ましくは光検出器は光強度の変動を検出し、それを、目標物の変位に応じた電気変調信号に変換する。この変換された信号は、例えば、電圧信号とすることができる。次に、計算手段は、検出手段によって測定された信号と、変調手段によって生成された光源の高周波変調信号とを獲得し、それらを処理して物理的パラメータの測定値をその方向とともに得る。計算手段は、-2つの多重分離信号VxおよびVyを得るために、検出手段によって測定された信号を、第1の変調と同期して、多重分離する手段と、-多重分離信号VxおよびVyを振幅補償する手段と、-補償手段からの出力部で得られる信号を復調する手段と、-物理的パラメータの振幅変動にかかわらず物理的パラメータおよびその方向を得るために、復調手段からの出力部で得られる信号を変換する手段とを備える。好ましい実施形態では、外在光ファイバデバイスは軸XX’に沿った目標物の変位の測定を可能にする。前記測定デバイスは、-中心波長λの光源と、-光ファイバと、-決定される変位に関する情報を含む干渉信号を検出する手段と、-光源によって放出される信号を変調する手段と、-検出手段によって測定された干渉信号に基づいて変位を計算する手段とを備える。好ましくは、光源はレーザ源からなる。一実現例では、レーザ源はダイオードレーザである。光源からの変調信号は、変調手段によって生成された二重波長変調と同等の二重周波数変調を含む交流成分を含む。信号の二重変調は、有利には、光源に適用される。本発明は、さらに、N個の物理的パラメータまたは1つの物理的パラメータをN回連結して測定するシステムに関し、ここで、Nは2以上である。測定システムは、-中心波長λの光源と、-N個の光ファイバと、-干渉信号を検出するためのN個の手段であり、各干渉信号が、決定される物理的パラメータに関する情報を含む手段と、-光源によって放出される信号を変調する手段と、-N個の検出手段によって測定された干渉信号に基づいて物理的パラメータを計算する手段とを備える。光源からのビームはN個のビームに分割され、各ビームは、測定ファイバおよび壁の一方が測定ファイバの端部によって形成されるファブリペロー光キャビティに伝搬する。光源からの変調信号は、変調手段によって生成された、二重波長変調と同等の二重周波数変調を含む交流成分を含む。信号の二重変調は、有利には、光源に適用される。このシステムでは、有利には、光源および変調手段は単一であり、N個の物理的パラメータの測定、または物理的パラメータのN回の測定に共通である。この測定システムは、1つまたはN個の物理的パラメータの連結測定のためにN個の実質的に平行または異なる軸に沿って位置づけられたN個の光キャビティで形成される。本発明の特徴および利点は、本出願の非限定の例で本発明の特徴を説明する以下の説明を通して明らかになるであろう。説明は添付図に基づく。図2は、本発明の特定の実施形態による目標物2の変位を測定するための外在光ファイバデバイス1を概略的に示す。測定デバイスの実現の例が目標物2の変位を測定する場合への適用で詳細に説明される。この選択は限定ではなく、本発明は、例えば、目標物が配置されている媒体の屈折率の変動などの他の物理的パラメータにも適用できる。以下の説明は、空気中における目標物2の変位の特定の場合を測定できるようにする本発明によるデバイスの手段の物理的な、操作上の、およびレイアウトの特徴をより具体的に説明する。本発明による外在光ファイバデバイス1は、図2に示されるように、-光ビームを放出するための光源10と、-光源10を制御するための電流源16と、-光ビームを移送および導波するための、光源10からの出力部における第1の光ファイバ11と、-3ポート光ファイバカプラ12であり、第1の光ファイバ用の入力ポート121、測定ファイバ13と呼ばれる第2の光ファイバ用の第1の出力ポート122、第3の光ファイバ14用の第2の出力ポート123を備える、3ポート光ファイバカプラ12と、-第3の光ファイバ14に接続された検出手段15と、-光源10の電流源16に接続および関連する変調手段17と、-目標物2の変位を計算するための手段18とを備える。自由端部131と呼ばれる測定ファイバの一方の端部は、変位が測定される目標物2に面している。測定ファイバ13の自由端部131は光軸XX’に実質的に垂直であり、目標物2から距離dの位置に置かれる。自由端部131と目標物2とはファブリペローキャビティを形成する。図2に示されるような単一の光源10は、中心波長λの光ビームを放出するように設計される。好ましくは、光源10はDFBタイプダイオードレーザである。ダイオードレーザ10は電流源16によって制御され、ある時間にわたって直流で電力供給される。ダイオードレーザ10は、好ましくは、電流安定化される。本発明の一実施形態では、ダイオードレーザ10は、本質的に既知であるサーボシステムによって温度安定化される。したがって、所与の温度で、波長はダイオードレーザ電流に実質的に比例する。次に、変調手段17によって生成された交流成分が、ダイオードレーザを変調するためにダイオードレーザ10の直流に重畳される。変調手段17は、-ダイオードレーザ10の電流の高周波数で低変調振幅の第1の変調171を生成することができる第1の変調手段と、-ダイオードレーザ10の電流の低周波数で高変調振幅の第2の変調172を生成することができる第2の変調手段とを含む。光ファイバ11に導入される前に、ダイオードレーザ10からの出力部で放出されたビームは、波長変調されたビームである。しかし、ダイオードレーザの信号電流変調には、さらに、前記ダイオードレーザのパワーの変動が伴い、それにより、検出手段によって検出される電流の振幅が変動し、すなわち、寄生変動が生じ、その寄生変動は計算手段18に含まれる補償手段によって克服される。ダイオードレーザからのビームの二重変調を使用すると、変位の振幅にかかわらず、すなわち、ダイオードレーザの半波長を超えるかまたはそれ未満であるかどうかに関係なく目標物の変位およびその方向にも関する情報の取得が可能になることになる。したがって、各変調の周波数および振幅の選択は重要である。a第1の変調の電流振幅および周波数の選択信号VxおよびVyを取得し、それらから目標物の変位およびその方向に関する情報を導き出すために、本発明で開発された変調技法は、高周波数で低振幅の電流変調の操作により、レーザ源の波長を中心波長λを中心とする2つの波長λ1からλ2に変調することからなる。周波数の選択周波数の選択は妥協からもたらされる。一方では、周波数は、第1に、目標物の迅速な変位を測定することができるように、第2に、可能な限り最も正確な時間多重分離を行うように可能な限り最も高いことが好ましい。他方では、ダイオードレーザのスペクトル応答時間を考慮に入れなければならない。したがって、周波数の選択はダイオードレーザのスペクトル応答時間、一般に、数十マイクロ秒によって技術的に制限される。実現の一例では、Modulight登録商標ML1354タイプDFBダイオードレーザの場合、周波数は25kHzである。変調電流振幅の選択この変調の振幅は、位相直角状態を得るように調整しなければならない。次に、本質的に既知である、2つの信号用の位相直角復調技法を使用して、目標物の変位の方向に関する曖昧さを取り除くことができる。直角位相状態の決定2つの信号VxおよびVyは、検出手段によって測定される信号に時間多重されている。前提として、多重分離された後に求められる信号VxおよびVyと、それぞれに対応するλ1およびλ2は、次のように表される。[式7]ここで、[式8a]および[式8b]である。したがって、θ2-θ1は、[式9]で与えられる。放出された中心波長λに対してΔλ=λ2-λ1が非常に小さいと見なされる場合、λ1λ2≒λ2で近似することができる。したがって、直角位相状態を得るには、[式10]すなわち、[式11]が必要である。したがって、直角位相状態は、[式12]で与えられる。所与の温度で、波長はダイオードレーザの電流に実質的に比例することから、変調電流振幅を導き出すことができる。b第2の変調の電流振幅および周波数の選択先行技術で説明した制限を克服するために、すなわち、ダイオードレーザの半波長未満の目標物の変位の振幅を検出するために、本発明で開発された変調技法の本質は、低周波数でのダイオードレーザからの信号の高振幅の電流変調にある。この変調により、ダイオードレーザの半波長を超える振幅の人工的変位が生じ、それにより、ダイオードレーザの半波長未満の目標物の変位の振幅の場合でさえ信号の極値を測定できるようになる。周波数の選択低周波数は、好ましくは、第1の高周波変調の周波数よりも非常に低くなければならない。変調の低周波数の上限は、例えば、第1の変調の周波数の少なくとも1/10から1/1000の低さであり、好ましくは、2つの周波数を分離することができるように約1/1000の低さである。変調の低周波数の下限は、例えば、ダイオードレーザのパワーの変動に起因するパワー変動、および/または例えば、ダイオードレーザ、光ファイバ、コネクタ、光学系コリメートレンズなどの使用される構成要素の経年変化、および目標物の表面状態の劣化に起因するパワー変動の周波数を超える周波数である。これらの変動は、一般に、1ヘルツよりも非常に小さい周波数を有する。変調の低周波数のこの下限により、パワー変動からのこれらの周波数を分離することができる。周波数を選択する主な基準は、信号Vx、VyのパラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minに対して最大限の精度を探すことである。したがって、この低周波数は、目標とする用途ならびに前述のパワー変動に応じた測定条件によって本質的に決まる。一実施形態では、周波数は約1Hzである。変調電流振幅の選択したがって、この人工的変位を生成するには、低周波変調の電流振幅は、目標物からの距離dに対して次の条件を満たさなければならない。[式13]すなわち、[式14]したがって、波長変動に関する条件は、[式15]で与えられる。所与の温度で、波長はダイオードレーザの電流に実質的に比例することから、変調電流振幅を導き出すことができる。提案する実現例では、第1の高周波変調は矩形波変調であり、第2の低周波変調は三角波変調である。しかし、他の形状の変調を使用することができる。したがって、高周波変調は正弦波または三角波変調とすることもでき、低周波変調は正弦波変調とすることができる。変調手段17は本質的に既知であるため説明しない。光ファイバ11、13、14は、好ましくは、ダイオードレーザの波長で単一モードである。光ファイバ11、13、14、カプラ12、および様々な要素を互いに連結するための手段コネクタのすべては標準タイプであるため、ここでは説明しない。コリメータ19は、ファイバの端部と目標物との間に介在される。好ましくは、コリメータ19は、数ミリメートルを超える距離dの位置に配置された目標物の変位測定に使用される。数ミリメートル未満の距離dの場合は必要ない。好ましくは反射防止処理を有するコリメータ19は、第1に、測定ファイバ13から来るビームを受け取り、目標物2の方向に前記ビームをコリメートし、第2に、目標物で反射されたビームのごく一部分を受け取り、それを測定ファイバ13の方に合焦するように選ばれる。コリメータの好ましい例では、前記コリメータは複レンズである。別の例では、ファイバの端部131がレンズであり、コリメータとして働く。目標物2は、一例として矢印22によって概略的に示されるように光軸XX’に沿って移動中である。したがって、本発明による測定デバイス1は、光軸XX’の方向に沿った目標物の変位の投影を測定するように設計される。目標物2は、測定ファイバ13から来る光ビームの少なくとも一部を受け取るように設計され、前記光ビームを反射するための表面21を備える。好ましくは、目標物2の表面21は、最大限の精度を得るために実質的に平坦でかつ光軸XX’に実質的に垂直である。しかし、平坦な表面と光軸に対する垂直性は、本発明による目標物の変位の測定を達成するのに必須ではない。測定ファイバの方に測定ビームの少なくとも一部を反射するならば他の形態の表面を使用することができる。変位が垂直でない場合には、目標物の変位の測定は、光軸XX’に沿った投影に従って行われることになる。一実現例では、目標物2は、変位が測定されなければならない物体の一部とすることができる。代替として、目標物2は、物体から離れて取り付けられていてもよく、その場合、目標物の変位の測定は物体の変位の測定と同等である。目標物2が光軸XX’に沿って移動している場合、ダイオードレーザから来るビームが移動する光路は変化し、第1に、参照ビームと呼ばれるビームファイバの端部で反射されたビームのごく一部分と、第2に、測定ビームと呼ばれるビーム目標物で反射されたビームのごく一部分とは干渉し、目標物の変位に起因する光強度の変動を表す多重干渉信号が生成される。測定手段15は光強度の変動を検出し、それは、次に、検出された変動が目標物の変位に応じた電気変調信号に変換される。この信号は、例えば、電圧信号とすることができる。測定手段15は、好ましくは、光検出器である。次に、計算手段18は、光検出器15によって測定された信号と、変調手段17によって生成されたダイオードレーザ10の変調信号とを獲得し、処理して変位測定値を得る。計算手段18は、-2つの信号VxおよびVyを得るために光検出器15によって検出された信号を多重分離する手段181と、-信号VxおよびVyを振幅補償する手段184と、-位相差θを得るための復調手段182と、-変位を再構成する変換手段183とを含む。多重分離手段181は本質的に既知であるため説明しない。多重分離手段181により、2つの信号VxおよびVyは、第1の変調171の高周波数と同期して得られるようになる。補償手段184により、ダイオードレーザの信号の電流変調の間のパワー変動に起因する振幅の寄生変動を補償することができるようになる。次に、位相差θが、2つの振幅補償された信号VxおよびVyに基づいて復調手段182によって計算される。一実現例では、復調手段182は、目標物2の変位およびその方向を再構成するために逆正接復調法を使用する。2つの振幅補償された信号VxおよびVyは、[式16]として表される。[式17]の場合、θは、[式18]で計算される。パラメータV0x、Vmx、V0y、Vmyは関係式6aから6dで与えられる式から計算される。したがって、パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minを得る必要がある。物理的パラメータの変動の振幅が光源の半波長を超える場合には、検出手段によって検出される干渉信号には少なくとも1つの完全な干渉縞が含まれ、それにより、パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minを決定することができる。物理的パラメータの変動の振幅が光源の半波長未満である場合には、検出手段によって検出された干渉信号には完全な干渉縞は含まれない。パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minを直接測定することができない。変調信号の第2の低周波変調により、少なくとも1つの人工的に完全な干渉縞を生成してパラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minを得ることができるようになる。第2の変調は、獲得の初めにまたは獲得の間に、連続的にまたは断続的に出すことができる。目標物の実際の変位を決定するには、測定した変位から人工的変位を減じるだけで十分である。次に、目標物2の変位およびその方向が変換手段183によって計算される。一実現例では、変換手段183は、復調手段によって計算された位相差θから目標物の変位を再構築するのに位相トラッキング復調と呼ばれる増分法を使用する。したがって、θnがステップnで測定された位相差を表し、θn-1がステップn-1で測定された位相差を表す場合、対応する再構成された増分位相差は次の関係式[式19]で与えられ、ここで、Δ=θn-θn-1およびδ=4πn/λである。上述の関係式19により、相対変位のみを計算でき、ここでθ0=0およびd0=0であることに留意されたい。本発明による測定デバイス1から再構築された目標物2の変位を示すために、一実施例ではダイオードレーザの半波長を超える振幅の目標物の変位の再構成を示し、別の実施例ではダイオードレーザの半波長未満の振幅の目標物の変位の再構成を示す。これらの2つの実施例では、-レーザ光源10は、1310nmの中心波長λを放出するModulight登録商標ML1354タイプDFBダイオードレーザである。ダイオードレーザは30mAの注入電流で電力供給され、6mWの最大出力パワーを有する。-ファイバ11、13、14はCorning登録商標SMF-28タイプファイバである。-光カプラ12はChinaDahengGroupからの1×2SMF28カプラである。-目標物2は測定ファイバ13の端部から50mmの距離に位置づけられ、その変位は、PhysikInstrumente登録商標PIP-753.2CDタイプの圧電変換器によって生成される。この圧電変換器は、圧電変換器の変位を2nmの静的精度で直接測定するために静電容量センサに結合される。第1の高周波変調は25kHzの周波数の矩形波変調である。第2の低周波変調は周波数1.2Hzの三角波変調である。注入電流に対するレーザ源のスペクトル応答は約9.2pm/mA以下で測定されている。位相直角を得るのに必要とされる第1の変調の振幅は、測定ファイバ/目標物距離d=50mm、および屈折率n=1の媒体、すなわち、空気の場合、ΔI≒0.466mA以下したがって、Δλ=4.29pmと同等である。ダイオードレーザの半波長を超える振幅の目標物の変位結果を図3aから図3fに示す。信号は190ミリ秒の測定範囲にわたって示される。図3aは、光検出器によって検出された多重信号を示す。図3bは、ダイオードレーザの第1の高周波変調を表す信号を示す。図3cは、光検出器によって検出された信号を多重分離および補償するための手段で処理した後の多重分離信号Vxを示す。図3dは、光検出器によって検出された信号を多重分離および補償するための手段で処理した後の多重分離信号Vyを示す。図3eは、目標物の再構成された変位信号を示す。図3fは、目標物の変位の参照信号を示す。図4aから図4fは、それぞれ図3aから図3fの測定範囲の区域の拡大図である。信号は2ミリ秒の測定時間にわたって示される。目標物の再構成された変位信号が参照信号に非常に近いことが分かる。図5は、図3cおよび図3dの信号Vx-Vyを示すリサージュ図形である。この図形により、目標物の変位を示すことができる。実際には、目標物の変位がダイオードレーザの半波長と同等な振幅を有する場合、Vy-Vxリサージュ図における表示はトレース51で示され、完全な円と同等である。トレース52は目標物の変位の振幅を表す。このトレース52は円の少なくとも1回転を示すことが分かる。したがって、目標物の変位の振幅はダイオードレーザの半波長以上である。ダイオードレーザの半波長未満の振幅の目標物の変位結果を図6aから図6cに示す。信号は2時間46分40秒の測定時間にわたって示される。図6aは、光検出器によって検出された信号を多重分離および補償するための手段で処理した後の多重分離信号Vxを示す。図6bは、光検出器によって検出された信号を多重分離および補償するための手段で処理した後の多重分離信号Vyを示す。図6cは、目標物の再構成された変位信号を示す。図7aから図7cは、それぞれ図6aから図6cの測定範囲の区域の拡大図である。信号は5秒の測定時間にわたって示される。図8は、図6aおよび図6bの信号VxおよびVyを表すリサージュ図形である。この図形により目標物の小さい変位が明確に示される。実際には、目標物の変位がダイオードレーザの半波長と同等な振幅を有する場合、Vy-Vxリサージュ図における表示はトレース71で示され、完全な円と同等である。トレース72は目標物の変位の振幅を表す。このトレース72は四分円すら示していないことが分かる。したがって、目標物の変位の振幅はダイオードレーザの半波長未満である。不連続の点線で示されたトレース73は、パラメータVx_max、Vx_min、Vy_max、Vy_minを決定するための第2の低周波変調によって生成された人工的変位を表す。上記2つの実施例によって、本発明による測定デバイスは、変位の振幅にかかわらず、目標物の変位およびその方向を再構成できることが証明される。実現化の変形例では、1つの単一目標物またはN個の目標物の連結測定のためにN個の実質的に平行または異なる軸に沿って位置づけられたN個の光キャビティで形成された測定システムを想定することができる。このシステムの共通基盤はダイオードレーザ10および変調手段17である。共通のダイオードレーザ10からのビームは、1×Nポートカプラ12’を介してN個のビームに分割され、各ビームはファイバ11を介してカプラ12に伝搬し、次に、測定ファイバ13およびファブリペロー光キャビティに伝搬する。光キャビティの目標物の変位によって生成された干渉信号は光検出器15で検出される。各光検出器15で測定された信号は計算手段18によって獲得され、それにより、処理の後にファブリペロー光キャビティごとに1つまたは複数の目標物の探し求める1つまたは複数の変位が再構成される。システムの第1の実施形態では、目標物2はファブリペロー光キャビティごとに異なる。N個のファブリペロー光キャビティが、異なる軸に沿って、または実質的に平行な軸に沿って位置づけられる。システムの別の実施形態では、目標物2はN個のファブリペロー光キャビティのすべてに共通である。この態様により目標物の変位の冗長測定が可能になる。N個のファブリペロー光キャビティは、目標物の横変位の連結測定のための異なる軸に沿って、または実質的に平行な軸に沿って位置づけられる。システムが2つのファブリペロー光キャビティを含む図9に示すような特定の例では、前記ファブリペロー光キャビティは同じ軸に沿って目標物2の両側に位置づけられる。このシステムは前記目標物の変位の差動測定を可能にする。このシステムは、さらに、ダイオードレーザの波長の小さい変動を補償するという利点を有する。