"第1の反応ガスと、該第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスとの反応生成物による膜を成膜する成膜方法であって、基板に形成される凹部の内面に所望の分布で水酸基を吸着させるステップと、前記凹部の内面に前記所望の分布で前記水酸基が吸着された前記基板に対して前記第1の反応ガスを供給するステップと、前記第1の反応ガスが吸着した前記基板に対して前記第2の反応ガスを供給することにより、前記第1の反応ガスと前記第2の反応ガスと反応させて前記反応生成物を生成するステップとを含む成膜方法。前記吸着させるステップにおいて前記基板が酸素プラズマに曝される、請求項1に記載の成膜方法。前記酸素プラズマが水素含有ガスを含むガスから生成される、請求項2に記載の成膜方法。前記吸着させるステップにおいて前記水素含有ガスの供給量が制御される、請求項3に記載の成膜方法。前記吸着させるステップにおいて前記酸素プラズマを生成する高周波電力が制御される、請求項2から4のいずれか一項に記載の成膜方法。前記供給するステップにおいて、前記第1の反応ガスを供給するガス供給部から当該第1の反応ガスを供給しつつ当該ガス供給部と相対的に前記基板を移動しながら、当該基板に対して前記第1の反応ガスが供給され、前記ガス供給部に対する前記基板の移動速度が制御される、請求項1から5のいずれか一項に記載の成膜方法。前記供給するステップにおいて前記第1の反応ガスの供給量が制御される、請求項1から6のいずれか一項に記載の成膜方法。第1の反応ガスと、該第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスとの反応生成物による膜を成膜する成膜方法であって、基板の表面に形成される凹部の内面に、前記反応生成物の膜を前記凹部の底面側で厚くさせ得る第1の分布で水酸基を吸着させる第1の吸着ステップ、前記凹部の内面に前記水酸基が前記第1の分布で吸着された前記基板に対して前記第1の反応ガスを供給する第1の供給ステップ、及び前記第1の反応ガスが吸着した前記基板に対して前記第2の反応ガスを供給することにより、前記第1の反応ガスと前記第2の反応ガスと反応させて前記反応生成物を生成する第1の生成ステップを有する第1の工程と、前記反応生成物の膜を前記凹部の開口側で厚くさせ得る第2の分布で水酸基を吸着させる第2の吸着ステップ、前記凹部の内面に前記水酸基が前記第2の分布で吸着された前記基板に対して前記第1の反応ガスを供給する第2の供給ステップ、及び前記第1の反応ガスが吸着した前記基板に対して前記第2の反応ガスを供給することにより、前記第1の反応ガスと前記第2の反応ガスと反応させて前記反応生成物を生成する第2の生成ステップを有する第2の工程とを含む成膜方法。前記第1の吸着ステップ及び前記第2の吸着ステップにおいて前記基板が酸素プラズマに曝される、請求項8に記載の成膜方法。前記第1の吸着ステップ及び前記第2の吸着ステップのいずれか又は双方において前記酸素プラズマが水素含有ガスを含むガスから生成される、請求項9に記載の成膜方法。前記第1の吸着ステップ及び前記第2の吸着ステップのいずれか又は双方において前記水素含有ガスの供給量が制御される、請求項10に記載の成膜方法。前記第1の吸着ステップ及び前記第2の吸着ステップのいずれか又は双方において前記酸素プラズマを生成する高周波電力が制御される、請求項9から11のいずれか一項に記載の成膜方法。前記供給するステップにおいて、前記第1の反応ガスを供給するガス供給部から当該第1の反応ガスを供給しつつ当該ガス供給部と相対的に前記基板を移動しながら、当該基板に対して前記第1の反応ガスが供給され、前記ガス供給部に対する前記基板の移動速度が制御される、請求項8から12のいずれか一項に記載の成膜方法。前記供給するステップにおいて前記第1の反応ガスの供給量が制御される、請求項8から13のいずれか一項に記載の成膜方法。前記水素含有ガスがアンモニア及び水素のいずれか一方又は双方である、請求項1から12のいずれか一項に記載の成膜方法。前記第1の反応ガスが有機アミノ系のガスである、請求項1から15のいずれか一項に記載の成膜方法。前記第1の反応ガスが有機アミノシランである、請求項16に記載の成膜方法。前記第2の反応ガスがオゾンである、請求項17に記載の成膜方法。ところで、互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを基板に対して交互に供給することにより、両反応ガスの反応生成物を基板に成膜する原子層成膜ALD法分子層成膜MLD法と呼ばれる成膜方法が知られている。この成膜方法では、下地層に吸着した一方の原料ガスが他方の原料ガスと反応し、反応生成物が生成されるため、CVD法に比べて、コンフォーマルな下地層の断面形状を反映した成膜を実現することができる。すなわち、オーバーハングやボイドの形成を低減することができる。しかしながら、ICの高集積度化の要請から、トレンチ等のアスペクト比はますます大きくなりつつあるため、ALD法においても更にコンフォーマルな成膜が求められるようになってきた。また、ボイドが形成されないようにトレンチ等を埋め込むだけでなく、トレンチ等の内面に成膜される薄膜の膜厚分布まで制御することが求められつつある。本発明は、上述の事情に照らしてなされ、基板に形成される凹部へ膜を成膜する際に、その膜厚の分布を制御することが可能な成膜方法を提供する。本発明の一態様によれば、第1の反応ガスと、該第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスとの反応生成物を成膜する成膜方法であって、基板の表面に形成される凹部の内面に所望の分布で水酸基を吸着させるステップと、前記凹部の内面に前記水酸基が吸着された前記基板に対して前記第1の反応ガスを供給するステップと、前記凹部の内面に吸着した前記第1の反応ガスを前記第2の反応ガスと反応させることにより前記内面に前記反応生成物を生成するステップとを含む成膜方法が提供される。上記の水酸基の所望の分布は、凹部内に成膜される膜の所望の膜厚分布に応じた分布であり、その膜厚分布を実現できるように制御される。例えば、半導体集積回路の製造プロセスにおいて、凹部の底面側で厚くなり開口側で薄くなるように膜を成膜することにより凹部をボイドなく埋め込む場合には、そのような成膜を実現できるような分布で水酸基が吸着される。また、凹部の内面のほぼ全体において等しい膜厚を実現すべき場合には、そのような膜厚分布を実現できるような分布で水酸基が吸着される。また、第1の反応ガスと第2の反応ガスの反応により生成され、凹部の内面に吸着した水酸基を選択的に除去することによっても、凹部の内面に水酸基を所望の分布で吸着させることができる。また、本発明の他の態様によれば、第1の反応ガスと、該第1の反応ガスと反応する第2の反応ガスとの反応生成物を成膜する成膜方法であって、基板の表面に形成される凹部の内面に、前記反応生成物を前記凹部の底面側で厚く成膜させ得る分布で水酸基を吸着させるステップ、前記水酸基が吸着された前記凹部の内面に前記第1の反応ガスを供給するステップ、及び前記凹部の内面に吸着する前記第1の反応ガスを前記第2の反応ガスと反応させることにより前記反応生成物を生成するステップを有する第1の工程と、前記反応生成物を前記凹部の開口側で厚く成膜させ得る分布で水酸基を吸着させるステップ、前記水酸基が吸着された前記凹部の内面に前記第1の反応ガスを供給するステップ、及び前記凹部の内面に吸着する前記第1の反応ガスを前記第2の反応ガスと反応させることにより前記反応生成物を生成するステップを有する第2の工程とを含む成膜方法が提供される。なお、上記の第1の工程の第1と第2の工程の第2とは、両工程を区別するために用いており、これらの工程の順番を示すものではない。すなわち、第2の工程を行ってから第1の工程を行っても良い。本発明の実施形態によれば、基板に形成される凹部へ膜を成膜する際に、その膜厚の分布を制御することが可能な成膜方法が提供される。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。成膜装置始めに、本発明の実施形態による成膜方法を実施するのに好適な成膜装置について説明する。図1から図3までを参照すると、この成膜装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な真空容器1と、この真空容器1内に設けられ、真空容器1の中心に回転中心を有する回転テーブル2と、を備えている。真空容器1は、有底の円筒形状を有する容器本体12と、容器本体12の上面に対して、例えばOリングなどのシール部材13図1を介して気密に着脱可能に配置される天板11とを有している。回転テーブル2は、中心部にて円筒形状のコア部21に固定され、このコア部21は、鉛直方向に伸びる回転軸22の上端に固定されている。回転軸22は真空容器1の底部14を貫通し、その下端が回転軸22図1を鉛直軸回りに回転させる駆動部23に取り付けられている。回転軸22及び駆動部23は、上面が開口した筒状のケース体20内に収納されている。このケース体20はその上面に設けられたフランジ部分が真空容器1の底部14の下面に気密に取り付けられており、ケース体20の内部雰囲気と外部雰囲気との気密状態が維持されている。回転テーブル2の表面部には、図2及び図3に示すように回転方向周方向に沿って複数図示の例では5枚の基板である半導体ウエハ以下ウエハというWを載置するための円形状の凹部24が設けられている。なお図3には便宜上1個の凹部24だけにウエハWを示す。この凹部24は、ウエハWの直径よりも僅かに例えば4mm大きい内径と、ウエハWの厚さにほぼ等しい深さとを有している。したがって、ウエハWが凹部24に収容されると、ウエハWの表面と回転テーブル2の表面ウエハWが載置されない領域とが同じ高さになる。凹部24の底面には、ウエハWの裏面を支えてウエハWを昇降させるための例えば3本の昇降ピンが貫通する貫通孔いずれも図示せずが形成されている。図2及び図3は、真空容器1内の構造を説明する図であり、説明の便宜上、天板11の図示を省略している。図2及び図3に示すように、回転テーブル2の上方には、各々例えば石英からなる反応ガスノズル31、反応ガスノズル32、分離ガスノズル41,42、及びガス導入ノズル92が真空容器1の周方向回転テーブル2の回転方向図3の矢印Aに互いに間隔をおいて配置されている。図示の例では、後述の搬送口15から時計回り回転テーブル2の回転方向に、ガス導入ノズル92、分離ガスノズル41、反応ガスノズル31、分離ガスノズル42、及び反応ガスノズル32がこの順番で配列されている。これらのノズル92、31、32、41、42は、各ノズル92、31、32、41、42の基端部であるガス導入ポート92a、31a、32a、41a、42a図3を容器本体12の外周壁に固定することにより、真空容器1の外周壁から真空容器1内に導入され、容器本体12の半径方向に沿って回転テーブル2に対して水平に伸びるように取り付けられている。なお、ガス導入ノズル92の上方には、図3において、破線にて簡略化して示すようにプラズマ発生源80が設けられている。プラズマ発生源80については後述する。本実施形態においては、反応ガスノズル31は、不図示の配管及び流量制御器などを介して、第1の反応ガスとしてのSiシリコン含有ガスの供給源図示せずに接続されている。反応ガスノズル32は、不図示の配管及び流量制御器などを介して、第2の反応ガスとしての酸化ガスの供給源図示せずに接続されている。分離ガスノズル41、42は、いずれも不図示の配管及び流量制御バルブなどを介して、分離ガスとしての窒素N2ガスの供給源図示せずに接続されている。本実施形態においては、Si含有ガスとして有機アミノシランガスが用いられ、酸化ガスとしてO3オゾンガスが用いられている。反応ガスノズル31、32には、回転テーブル2に向かって開口する複数のガス吐出孔33が、反応ガスノズル31、32の長さ方向に沿って、例えば10mmの間隔で配列されている。反応ガスノズル31の下方領域は、Si含有ガスをウエハWに吸着させるための第1の処理領域P1となる。反応ガスノズル32の下方領域は、第1の処理領域P1においてウエハWに吸着されたSi含有ガスを酸化させる第2の処理領域P2となる。図2及び図3を参照すると、真空容器1内には2つの凸状部4が設けられている。凸状部4は、分離ガスノズル41、42とともに分離領域Dを構成するため、後述のとおり、回転テーブル2に向かって突出するように天板11の裏面に取り付けられている。また、凸状部4は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有し、本実施形態においては、内円弧が突出部5後述に連結し、外円弧が、真空容器1の容器本体12の内周面に沿うように配置されている。図4は、反応ガスノズル31から反応ガスノズル32まで回転テーブル2の同心円に沿った真空容器1の断面を示している。図示のとおり、天板11の裏面に凸状部4が取り付けられているため、真空容器1内には、凸状部4の下面である平坦な低い天井面44第1の天井面と、この天井面44の周方向両側に位置する、天井面44よりも高い天井面45第2の天井面とが存在する。天井面44は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有している。また、図示のとおり、凸状部4には周方向中央において、半径方向に伸びるように形成された溝部43が形成され、分離ガスノズル42が溝部43内に収容されている。もう一つの凸状部4にも同様に溝部43が形成され、ここに分離ガスノズル41が収容されている。また、高い天井面45の下方の空間に反応ガスノズル31、32がそれぞれ設けられている。これらの反応ガスノズル31、32は、天井面45から離間してウエハWの近傍に設けられている。なお、説明の便宜上、図4に示すように、反応ガスノズル31が設けられる、高い天井面45の下方の空間を参照符号481で表し、反応ガスノズル32が設けられる、高い天井面45の下方の空間を参照符号482で表す。また、凸状部4の溝部43に収容される分離ガスノズル41、42には、回転テーブル2に向かって開口する複数のガス吐出孔41h図4参照が、分離ガスノズル41、42の長さ方向に沿って、例えば10mmの間隔で配列されている。天井面44は、狭隘な空間である分離空間Hを回転テーブル2に対して形成している。分離ガスノズル42の吐出孔42hからN2ガスが供給されると、このN2ガスは、分離空間Hを通して空間481及び空間482へ向かって流れる。このとき、分離空間Hの容積は空間481及び482の容積よりも小さいため、N2ガスにより分離空間Hの圧力を空間481及び482の圧力に比べて高くすることができる。すなわち、空間481及び482の間に圧力の高い分離空間Hが形成される。また、分離空間Hから空間481及び482へ流れ出るN2ガスが、第1の領域P1からのSi含有ガスと、第2の領域P2からの酸化ガスとに対するカウンターフローとして働く。したがって、第1の領域P1からのSi含有ガスと、第2の領域P2からの酸化ガスとが分離空間Hにより分離される。よって、真空容器1内においてSi含有ガスと酸化ガスとが混合し、反応することが抑制される。なお、回転テーブル2の上面に対する天井面44の高さh1は、成膜時の真空容器1内の圧力、回転テーブル2の回転速度、供給する分離ガスN2ガスの供給量などを考慮し、分離空間Hの圧力を空間481及び482の圧力に比べて高くするのに適した高さに設定することが好ましい。一方、天板11の下面には、回転テーブル2を固定するコア部21の外周を囲む突出部5図2及び図3が設けられている。この突出部5は、本実施形態においては、凸状部4における回転中心側の部位と連続しており、その下面が天井面44と同じ高さに形成されている。先に参照した図1は、図3のI-I線に沿った断面図であり、天井面45が設けられている領域を示している。一方、図5は、天井面44が設けられている領域を示す断面図である。図5に示すように、扇型の凸状部4の周縁部真空容器1の外縁側の部位には、回転テーブル2の外端面に対向するようにL字型に屈曲する屈曲部46が形成されている。この屈曲部46は、凸状部4と同様に、分離領域Dの両側から反応ガスが侵入することを抑制して、両反応ガスの混合を抑制する。扇型の凸状部4は天板11に設けられ、天板11が容器本体12から取り外せるようになっていることから、屈曲部46の外周面と容器本体12との間には僅かに隙間がある。屈曲部46の内周面と回転テーブル2の外端面との隙間、及び屈曲部46の外周面と容器本体12との隙間は、例えば回転テーブル2の上面に対する天井面44の高さと同様の寸法に設定されている。容器本体12の内周壁は、分離領域Dにおいては図4に示すように屈曲部46の外周面と接近して垂直面に形成されているが、分離領域D以外の部位においては、図1に示すように例えば回転テーブル2の外端面と対向する部位から底部14に亘って外方側に窪んでいる。以下、説明の便宜上、概ね矩形の断面形状を有する窪んだ部分を排気領域と記す。具体的には、第1の処理領域P1に連通する排気領域を第1の排気領域E1と記し、第2の処理領域P2に連通する領域を第2の排気領域E2と記す。これらの第1の排気領域E1及び第2の排気領域E2の底部には、図1から図3に示すように、それぞれ、第1の排気口610及び第2の排気口620が形成されている。第1の排気口610及び第2の排気口620は、図1に示すように各々排気管630を介して真空排気手段である例えば真空ポンプ640に接続されている。なお図1中、参照符号650は圧力制御器である。回転テーブル2と真空容器1の底部14との間の空間には、図1及び図4に示すように加熱手段であるヒータユニット7が設けられ、回転テーブル2を介して回転テーブル2上のウエハWが、プロセスレシピで決められた温度例えば450°Cに加熱される。回転テーブル2の周縁付近の下方側には、回転テーブル2の上方空間から排気領域E1、E2に至るまでの雰囲気とヒータユニット7が置かれている雰囲気とを区画して回転テーブル2の下方領域へのガスの侵入を抑えるために、リング状のカバー部材71が設けられている図5。このカバー部材71は、回転テーブル2の外縁部及び外縁部よりも外周側を下方側から臨むように設けられた内側部材71aと、この内側部材71aと真空容器1の内壁面との間に設けられた外側部材71bと、を備えている。外側部材71bは、分離領域Dにおいて凸状部4の外縁部に形成された屈曲部46の下方にて、屈曲部46と近接して設けられ、内側部材71aは、回転テーブル2の外縁部下方及び外縁部よりも僅かに外側の部分の下方において、ヒータユニット7を全周に亘って取り囲んでいる。ヒータユニット7が配置されている空間よりも回転中心寄りの部位における底部14は、回転テーブル2の下面の中心部付近におけるコア部21に接近するように上方側に突出して突出部12aをなしている。この突出部12aとコア部21との間は狭い空間になっており、また底部14を貫通する回転軸22の貫通穴の内周面と回転軸22との隙間が狭くなっていて、これら狭い空間はケース体20に連通している。そしてケース体20にはパージガスであるN2ガスを狭い空間内に供給してパージするためのパージガス供給管72が設けられている。また真空容器1の底部14には、ヒータユニット7の下方において周方向に所定の角度間隔で、ヒータユニット7の配置空間をパージするための複数のパージガス供給管73が設けられている図5には一つのパージガス供給管73を示す。また、ヒータユニット7と回転テーブル2との間には、ヒータユニット7が設けられた領域へのガスの侵入を抑えるために、外側部材71bの内周壁内側部材71aの上面から突出部12aの上端部との間を周方向に亘って覆う蓋部材7aが設けられている。蓋部材7aは例えば石英で作製することができる。また、真空容器1の天板11の中心部には分離ガス供給管51が接続されていて、天板11とコア部21との間の空間52に分離ガスであるN2ガスを供給するように構成されている。この空間52に供給された分離ガスは、突出部5と回転テーブル2との狭い隙間50を介して回転テーブル2のウエハ載置領域側の表面に沿って周縁に向けて吐出される。空間50は分離ガスにより空間481及び空間482よりも高い圧力に維持され得る。したがって、空間50により、第1の処理領域P1に供給されるSi含有ガスと第2の処理領域P2に供給される酸化ガスとが、中心領域Cを通って混合することが抑制される。すなわち、空間50又は中心領域Cは分離空間H又は分離領域Dと同様に機能することができる。さらに、真空容器1の側壁には、図2、図3に示すように、外部の搬送アーム10と回転テーブル2との間で基板であるウエハWの受け渡しを行うための搬送口15が形成されている。この搬送口15は図示しないゲートバルブにより開閉される。また回転テーブル2におけるウエハ載置領域である凹部24はこの搬送口15に臨む位置にて搬送アーム10との間でウエハWの受け渡しが行われることから、回転テーブル2の下方側において受け渡し位置に対応する部位に、凹部24を貫通してウエハWを裏面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン及びその昇降機構いずれも図示せずが設けられている。次に、図6から図8までを参照しながら、プラズマ発生源80について説明する。図6は、回転テーブル2の半径方向に沿ったプラズマ発生源80の概略断面図であり、図7は、回転テーブル2の半径方向と直交する方向に沿ったプラズマ発生源80の概略断面図であり、図8は、プラズマ発生源80の概略を示す上面図である。図示の便宜上、これらの図において一部の部材を簡略化している。図6を参照すると、プラズマ発生源80は、高周波透過性の材料で作製され、上面から窪んだ凹部を有し、天板11に形成された開口部11aに嵌め込まれるフレーム部材81と、フレーム部材81の凹部内に収容され、上部が開口した略箱状の形状を有するファラデー遮蔽板82と、ファラデー遮蔽板82の底面上に配置される絶縁板83と、絶縁板83の上方に支持され、略八角形の上面形状を有するコイル状のアンテナ85とを備える。天板11の開口部11aは複数の段部を有しており、そのうちの一つの段部には全周に亘って溝部が形成され、この溝部に例えばO-リングなどのシール部材81aが嵌め込まれている。一方、フレーム部材81は、開口部11aの段部に対応する複数の段部を有しており、フレーム部材81を開口部11aに嵌め込むと、複数の段部のうちの一つの段部の裏面が、開口部11aの溝部に嵌め込まれたシール部材81aと接し、これにより、天板11とフレーム部材81との間の気密性が維持される。また、図6に示すように、天板11の開口部11aに嵌め込まれるフレーム部材81の外周に沿った押圧部材81cが設けられ、これにより、フレーム部材81が天板11に対して下方に押し付けられる。このため、天板11とフレーム部材81との間の気密性がより確実に維持される。フレーム部材81の下面は、真空容器1内の回転テーブル2に対向しており、その下面の外周には全周に亘って下方に回転テーブル2に向かって突起する突起部81bが設けられている。突起部81bの下面は回転テーブル2の表面に近接しており、突起部81bと、回転テーブル2の表面と、フレーム部材81の下面とにより回転テーブル2の上方に空間以下、内部空間Sが画成されている。なお、突起部81bの下面と回転テーブル2の表面との間隔は、分離空間H図4における天井面11の回転テーブル2の上面に対する高さh1とほぼ同じであって良い。また、この内部空間Sには、突起部81bを貫通したガス導入ノズル92が延びている。ガス導入ノズル92には、本実施形態においては、図6に示すように、アルゴンArガスが充填されるアルゴンガス供給源93aと、酸素O2ガスが充填される酸素ガス供給源93bと、アンモニアNH3ガスが充填されるアンモニアガス供給源93cとが接続されている。アルゴンガス供給源93a、酸素ガス供給源93b、及びアンモニアガス供給源93cから、対応する流量制御器94a、94b、及び94cにより流量制御されたArガス、O2ガス、及びNH3ガスが、所定の流量比混合比で内部空間Sに供給される。また、ガス導入ノズル92には、その長手方向に沿って所定の間隔例えば10mmで複数の吐出孔92hが形成されており、吐出孔92hから上述のArガス等が吐出される。吐出孔92hは、図7に示すように、回転テーブル2に対して垂直な方向から回転テーブル2の回転方向の上流側に向かって傾いている。このため、ガス導入ノズル92から供給されるガスは、回転テーブル2の回転方向と逆の方向に、具体的には、突起部81bの下面と回転テーブル2の表面との間の隙間に向かって吐出される。これにより、回転テーブル2の回転方向に沿ってプラズマ発生源80よりも上流側に位置する天井面45の下方の空間から反応ガスや分離ガスが、内部空間S内へ流れ込むのが抑止される。また、上述のとおり、フレーム部材81の下面の外周に沿って形成される突起部81bが回転テーブル2の表面に近接しているため、ガス導入ノズル92からのガスにより内部空間S内の圧力を容易に高く維持することができる。これによっても、反応ガスや分離ガスが内部空間S内へ流れ込むのが抑止される。ファラデー遮蔽板82は、金属などの導電性材料から作製され、図示は省略するが接地されている。図8に明確に示されるように、ファラデー遮蔽板82の底部には、複数のスリット82sが形成されている。各スリット82sは、略八角形の平面形状を有するアンテナ85の対応する辺とほぼ直交するように延びている。また、ファラデー遮蔽板82は、図7及び図8に示すように、上端の2箇所において外側に折れ曲がる支持部82aを有している。支持部82aがフレーム部材81の上面に支持されることにより、フレーム部材81内の所定の位置にファラデー遮蔽板82が支持される。絶縁板83は、例えば石英ガラスにより作製され、ファラデー遮蔽板82の底面よりも僅かに小さい大きさを有し、ファラデー遮蔽板82の底面に載置される。絶縁板83は、ファラデー遮蔽板82とアンテナ85とを絶縁する一方、アンテナ85から放射される高周波を下方へ透過させる。アンテナ85は、平面形状が略八角形となるように銅製の中空管パイプを例えば3重に巻き回すことにより形成される。パイプ内に冷却水を循環させることができ、これにより、アンテナ85へ供給される高周波によりアンテナ85が高温に加熱されるのが防止される。また、アンテナ85には立設部85aが設けられており、立設部85aに支持部85bが取り付けられている。支持部85bにより、アンテナ85がファラデー遮蔽板82内の所定の位置に維持される。また、支持部85bには、マッチングボックス86を介して高周波電源87が接続されている。高周波電源87は、例えば13.56MHzの周波数を有する高周波を発生することができる。このような構成を有するプラズマ発生源80によれば、マッチングボックス86を介して高周波電源87からアンテナ85に高周波電力を供給すると、アンテナ85により電磁界が発生する。この電磁界のうちの電界成分は、ファラデー遮蔽板82により遮蔽されるため、下方へ伝播することはできない。一方、磁界成分はファラデー遮蔽板82の複数のスリット82sを通して内部空間S内へ伝播する。この磁界成分により、ガス導入ノズル92から所定の流量比混合比で内部空間Sに供給されるArガス、O2ガス、及びNH3ガス等のガスからプラズマが発生する。このようにして発生するプラズマによれば、ウエハW上に堆積される薄膜への照射損傷や、真空容器1内の各部材の損傷などを低減することができる。また、本実施形態による成膜装置には、図1に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部100が設けられており、この制御部100のメモリ内には、制御部100の制御の下に、後述する成膜方法を成膜装置に実施させるプログラムが格納されている。このプログラムは後述の成膜方法を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの媒体102に記憶されており、所定の読み取り装置により記憶部101へ読み込まれ、制御部100内にインストールされる。成膜方法次に、本発明の実施形態による成膜方法について上述の成膜装置を用いて行う場合を例にとり説明する。本実施形態では、ウエハWとしてシリコンウエハを使用することとし、そのシリコンウエハには、図9aに示すように、トレンチTが形成されている。また、反応ガスノズル31から有機アミノシランガスが供給され、反応ガスノズル32から酸化ガスとしてO3ガスが供給され、ガス導入ノズル92からArガス及びO2ガスの混合ガス以下、Ar/O2ガスと記すが供給されることとする。先ず、図示しないゲートバルブを開き、外部から搬送アーム10図3により搬送口15図2及び図3を介してウエハWを回転テーブル2の凹部24内に受け渡す。この受け渡しは、凹部24が搬送口15に臨む位置に停止したときに凹部24の底面の貫通孔を介して真空容器1の底部側から不図示の昇降ピンが昇降することにより行われる。このようなウエハWの受け渡しを、回転テーブル2を間欠的に回転させて行い、回転テーブル2の5つの凹部24内に夫々ウエハWを載置する。続いてゲートバルブを閉じ、真空ポンプ640により到達可能真空度にまで真空容器1内を排気した後、分離ガスノズル41、42から分離ガスであるN2ガスを所定の流量で吐出し、分離カス供給管51及びパージガス供給管72、72からもN2ガスを所定の流量で吐出する。これに伴い、圧力制御手段650図1により真空容器1内を予め設定した処理圧力に制御する。次いで、回転テーブル2を時計回りに例えば20rpmの回転速度で回転させながらヒータユニット7によりウエハWを例えば450°Cに加熱する。この後、反応ガスノズル31図2及び図3から有機アミノシランガスを供給し、反応ガスノズル32からO3ガスを供給する。また、ガス導入ノズル92からAr/O2ガスを供給し、プラズマ発生源80のアンテナ85に対して13.56MHzの周波数を有する高周波を例えば1400Wの電力で供給する。これにより、プラズマ発生源80図6と回転テーブル2との間の内部空間Sにおいて酸素プラズマが生成される。この酸素プラズマ中には、酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性種や、高エネルギー粒子が生成されている。回転テーブル2の回転により、ウエハWは、第1の処理領域P1、分離領域D、第2の処理領域P2、内部空間Sの下方の領域、及び分離領域Dをこの順に繰り返して通過する図3参照。第1の処理領域P1において、図9bに示すように、ウエハWの表面UやトレンチTの内面に有機アミノシランガスの分子Msが吸着し、有機アミノシランの分子層61が形成される。分離領域Dを通過した後、第2の処理領域P2において、図9cに示すように、ウエハWの表面UやトレンチTの内面に吸着した有機アミノシランガスがO3ガス分子Moにより酸化され、図9dに示すように、トレンチTの内面に沿って酸化シリコン膜62が成膜される。有機アミノシランガスが酸化される際には、副生成物としてOH基Hyが生成され、生成されたOH基Hyは酸化シリコン膜62の表面に吸着することとなる。次いで、プラズマ発生源80の内部空間SにウエハWが至ると、ウエハWは、図9eに示すように酸素プラズマPlに曝される。このとき、酸化シリコン膜62に吸着したOH基Hyの一部は、酸素プラズマPl中の例えば高エネルギー粒子の衝突により酸化シリコン膜62から脱離する。酸素プラズマPlは、ウエハWの表面Uや、トレンチTの開口付近には到達するものの、トレンチTの底部付近までは到達し難い。このため、ウエハWの表面UとトレンチTの開口付近の側面とにおいて、比較的多量のOH基Hyが脱離する。その結果、図9eに示すように、トレンチTの底部及び底部付近の側面においてOH基Hyの密度が高く、トレンチTの開口及びウエハWの表面Uに向かって密度が低くなるようにOH基Hyが分布することとなる。次に、回転テーブル2の回転によりウエハWが第1の処理領域P1に再び至ると、反応ガスノズル31から供給される有機アミノシランガスの分子MsがウエハWの表面UやトレンチTの内面に吸着する。このとき、有機アミノシランガスの分子Msは、OH基Hyに吸着され易いため特許文献2、図9fに示すように、OH基Hyの分布に従った分布でウエハWの表面UやトレンチTの内面に吸着する。すなわち、トレンチTの内面に、トレンチTの底部及び底部付近の側面において密度が高く、トレンチTの開口に向かって密度が低くなるように有機アミノシランガスの分子Msが吸着する。続けて、ウエハWが第2の処理領域P2を通過する際、ウエハWの表面UやトレンチTの内面に吸着した有機アミノシランガスがO3ガスにより酸化され、図10aに示すように、酸化シリコン膜62が更に成膜される。ここで、酸化シリコン膜62の膜厚分布には、トレンチTの内面に吸着した有機アミノシランガスの密度が反映されることとなる。すなわち、酸化シリコン膜62は、トレンチTの底部及び底部付近の側面において厚くなり、トレンチTの開口に向かって薄くなっている。そして、有機アミノシランガスの酸化により生成されたOH基が酸化シリコン膜62の表面に吸着する。次いで、ウエハWが再びプラズマ発生源80の内部空間Sに至ると、上述のとおり、トレンチTの底部及び底部付近の側面においてOH基の密度が高く、トレンチTの開口に向かって密度が低くなるようにOH基が分布することとなる。この後、上述のプロセスが繰り返されると、図10bに示すように酸化シリコン膜62はトレンチTの底部から厚くなっていく。酸化シリコン膜62が更に厚くなっていくと、図10cのようにボイドができることなくトレンチTが酸化シリコンで埋め込まれ、図10dに示すようにトレンチTの埋め込みが完了する。以上のとおり、本実施形態の成膜方法によれば、有機アミノシランガスの酸化により生成され酸化シリコン膜62に吸着したOH基は、プラズマ発生源80により生成された酸素プラズマによって、トレンチTの底部及び底部付近の側面において密度が高く、トレンチTの開口に向かって密度が低くなるように分布する。OH基は、有機アミノシランガスの吸着サイトとして働き、OH基の分布に応じて有機アミノシランガスが吸着するため、有機アミノシランガスもまたトレンチTの底部及び底部付近の側面において密度が高く、トレンチTの開口に向かって密度が低くなるように分布する。したがって、酸化シリコン膜62は、トレンチTの底部及び底部付近の側面において厚くなり、トレンチTの開口に向かって薄くなるように成膜される。一般的なCVD法やALD法によりトレンチを酸化シリコン等で埋め込む場合には、プレカーサがトレンチの底部まで拡散する前に気相中で反応したり、トレンチ側面に吸着したりするため、トレンチの開口付近での膜厚が大きくなる。このため、開口が封止される一方、トレンチ内には空洞ボイドが残る場合が殆どである。これとの比較により、本実施形態による成膜方法の利点が理解される。変形例1上述の成膜方法において、Ar/O2ガスに加えて水素含有ガスを導入ガスノズル92から供給しながら酸素プラズマを生成しても良い。ウエハWが、第1の処理領域P1、分離領域D、及び第2の処理領域P2を通過した後には、図11aに示すように、ウエハWの表面UやトレンチTの内面には酸化シリコン膜62が成膜され、この酸化シリコン膜62の表面にはOH基Hyが吸着している。次いで、ウエハWが内部空間Sに至り、ウエハWが酸素プラズマPlに曝される。このとき、図11bに示すように、酸素プラズマPl中には水素含有ガスから生成されたOH基Hyが含まれている。このため、酸化シリコン膜62に吸着しているOH基Hyが酸素プラズマPlにより脱離したとしても、酸素プラズマPlにより生成されたOH基Hyが再び吸着し得る。したがって、図9eを参照しながら説明したAr/O2ガスのみの場合に比べ、ウエハWの表面UやトレンチTの開口付近におけるOH基Hyの減少が抑えられ、よって、OH基Hyの分布は、トレンチTの内面において均一化される。このため、ウエハWが第1の処理領域Pに再び至ると、図11cに示すように、反応ガスノズル31からの有機アミノシランガスの分子MsもまたトレンチTの内面において均一に吸着する。したがって、図11dに示すように、吸着した有機アミノシランガスがO3ガスにより酸化されて成膜される酸化シリコン膜62もトレンチTの内面において均一に成膜され得る。ここで、水素含有ガスの供給量かつ/又は高周波電力を制御すれば、トレンチTの内面特に開口付近におけるOH基Hyの分布を制御することができるため、トレンチTの内面に成膜される酸化シリコン膜の膜厚分布を自在に制御することも可能となる。変形例2また、回転テーブル2の回転速度によってもトレンチ内の酸化シリコン膜の膜厚分布を制御することができる。図12に模式的に示すように、回転速度が比較的遅い場合図12aには、プラズマ発生源80の下方の内部空間SにウエハWが滞在する時間が長いため、酸素プラズマPlは、トレンチTの底面側まで深く進入することができる。したがって、例えば酸素プラズマPlをAr/O2ガスから生成した場合酸素プラズマPl中でOH基が生成されない場合、トレンチTの底面側においてもOH基Hyの密度が減少し易くなる。換言すると、OH基Hyの密度が減少する領域が底面側に広がりやすくなる。その結果、トレンチTの内面に成膜される酸化シリコン膜62は、図12bに示すように、トレンチTのより底面側において厚くなる。これに対し回転速度を大きくすると、ウエハWがプラズマ発生源80の下方の内部空間Sを短時間で通過するため、酸素プラズマPlがトレンチTの底面側へ拡散し難くなる。このため、図12cに示すように、トレンチTの開口により近い部分において、OH基Hyが脱離し、その部分でのOH基Hyの密度が低下する。その結果、図12dに示すように、トレンチTの開口により近い部分において、酸化シリコン膜62が薄く、それよりも下の底面側の部分では膜厚が比較的厚くなる。その一方で、回転速度が大きくなると、第1の処理領域P1にて供給される有機アミノシランガスもトレンチTの底面側へ拡散し難くなるため、OH基Hyに吸着する有機アミノシランガスの量が低下する。したがって、底面側での酸化シリコン膜が薄くなる。すなわち、回転テーブル2の回転速度により相反する効果がもたらされる。しかし、一方の効果を顕著に発揮させることにより、トレンチTの底面側での酸化シリコン膜62の厚さを制御することが可能となる。例えば、有機アミノシランガスの供給量が十分に多い場合には、トレンチTの底面側へ拡散する有機アミノシランガスが確保されるため、酸化シリコン膜の膜厚分布はOH基の分布に支配され、トレンチの底面側での酸化シリコン膜を厚くすることができる。変形例3また、上述の説明からも明らかなように、反応ガスノズル31からの有機アミノシランガスの供給量によっても酸化シリコン膜の膜厚分布を制御することができる。例えば変形例1のように、トレンチTの内面にOH基Hyを均一に分布させる場合において、有機アミノシランガスの供給量が十分なときは、有機アミノシランガスがトレンチTの底面側にまで拡散し、OH基Hyのほぼ全てに吸着し得る。その結果、図13aに示すように、トレンチ内の酸化シリコン膜の膜厚分布は、吸着OH基の分布をほぼ反映してほぼ均一となる。一方、トレンチTの内面にOH基Hyを均一に分布させる場合において、有機アミノシランガスの供給量が十分でないときは、トレンチTの底面側にまで拡散できる有機アミノシランガスが足りないため、図13bに示すように、トレンチTの底面側よりも開口部付近において酸化シリコン膜を厚くすることができる。これは、従来のCVD法などを用いた成膜方法における典型的な膜厚分布とも言えるが、本実施形態の成膜方法は、このような膜厚分布も、図10bのようにトレンチTの底面側で膜厚が厚くなるような膜厚分布も自在に実現できる点で、従来法と大きく異なる。変形例4また、上述の成膜方法の変形例4として、図9を参照しながら説明した成膜方法と変形例3との組み合わせも考えられる。すなわち、まず、Ar/O2ガスのみから生成した酸素プラズマでトレンチTの内面に吸着するOH基Hyの分布を制御することにより、トレンチTの底面側で厚く、開口側で薄くなるように酸化シリコン膜62を成膜する。これにより、所定の膜厚まで酸化シリコン膜62を成膜すると、図14aに示す膜厚分布が得られる。次に、例えばAr/O2ガスに加えて水素含有ガスを用いて生成した酸素プラズマでトレンチTの内面にOH基Hyを均一に吸着させるとともに、有機アミノシランガスの供給量を低下させることにより、トレンチTの底面側で薄く、開口側で厚くなるように酸化シリコン膜62を成膜する。このような成膜のみを行ったとすれば、図14bに示す膜厚分布が得られる。したがって、変形例4においては、図14aとbに示す膜厚分布が組み合わされた図14cに示す、トレンチTの内面においてほぼ均一な膜厚で成膜された酸化シリコン膜62を得ることができる。以上説明したように、本発明の実施形態変形例1~4を含むによる成膜方法によれば、ウエハWに形成されたトレンチの内面に吸着するOH基の分布を制御することによりトレンチの内面に吸着する有機アミノシランガスの分布を制御することができ、ひいてはトレンチの内面に成膜される酸化シリコン膜の膜厚分布を制御することが可能となる。OH基の分布は、プラズマ発生源30のアンテナ85へ供給する高周波電力、ガス導入ノズル92から内部空間Sへ供給される水素含有ガスの供給量、回転テーブル2の回転速度などにより制御することが可能である。また、OH基の分布を制御した上で、有機アミノシランガスの供給量を制御することによって、酸化シリコン膜の膜厚分布を更に制御することも可能である。また、本発明の実施形態変形例1~4を含むによれば、成膜された酸化シリコン膜が酸素プラズマに曝されるため、有機アミノシランガスの分解により生じた酸化シリコン膜中に取り込まれた水分や有機不純物を酸素プラズマにより除去することができ、酸化シリコン膜を高密度することができる。また、酸素プラズマ中の高エネルギー粒子の衝撃により、酸化シリコン膜中の原子が再配列され得るため、膜質の向上が期待される。次に、本発明の実施形態による成膜方法の効果を確認するために行った実験とその結果について説明する。実験1この実験においては、プラズマ発生用の高周波電力、水素含有ガスとしてのアンモニアガスNH3の供給量、有機アミノシランガスの供給量、及び回転テーブル2の回転速度が、シリコンウエハ直径300mmに形成されたホール内に成膜される酸化シリコン膜の膜厚分布に与える影響について調べた。ここでのホールは、図15に示すように、約0.22μmの内径と約8.8μmの深さとを有する円柱形状を有しており、アスペクト比深さ/内径は40である。また、図15中には、この実験において走査型電子顕微鏡SEMで測定した、酸化シリコン膜の膜厚の測定位置を示している。すなわち、シリコンウエハ表面のホールH近傍TOP、ホールHの開口付近の側面上TOPサイド、ホールHの深さ方向中間付近CTR、及びホールHの底面近くの側面上BTMの4箇所で酸化シリコン膜の膜厚を測定した。以下の説明において、TOPサイド、CTR、及びBTMにおける膜厚は、TOPにおける膜厚で規格化しているTOPにおける膜厚と等しい場合に100。また、ホールH内での膜厚を測定するだけでなく、シリコンウエハの中央における膜厚を測定し、成膜速度を求めた。なお、目標膜厚は、ホールHが埋め込まれない程度の膜厚に調整した。また、この実験には上述の成膜装置を用いた。1高周波電力依存性図16aに、ホールH内に成膜した酸化シリコン膜の膜厚分布の高周波電力依存性を示す。高周波電力以外の主な成膜条件は以下のとおりである。反応ガスノズル31からの有機アミノシランガス供給量:900sccm反応ガスノズル32からのオゾンガス供給量:1.8g/mim回転テーブル2の回転速度:20rpmガス導入ノズル92からのアンモニアガス供給量:0sccm及び30sccmウエハ温度:400°Cなお、上記のオゾンガスは、反応ガスノズル32に接続される所定のオゾン発生器に対して6標準リットル/minslmの供給量で酸素ガスを供給し、オゾン発生器にて300g/Nm3の濃度でオゾンを発生させることにより得た。図16aを参照すると、ガス導入ノズル92からNH3ガスを供給せずに成膜した場合において、プラズマ発生源80に高周波電力を印加しなかったときは、TOPサイド開口付近の側面上での膜厚がTOPにおける膜厚よりも大きく、CTRホールHの深さ方向中間付近及びBTM底面付近の側面上での膜厚は、TOPにおける膜厚よりも小さいことが分かる。したがって、この条件で更に成膜していくと、ホールHの開口が酸化シリコンで封止され、ホールH内にボイドが形成される可能性がある。一方、ガス導入ノズル92からNH3ガスを供給せずに成膜した場合において、プラズマ発生源80に1400Wの高周波電力を印加したときは、TOPサイド、CTR、及びBTMのいずれの位置においても、TOPにおける膜厚よりも大幅に厚くなっていることが分かる。また、酸化シリコン膜の成膜速度図中×印参照、右縦軸も、高周波電力を印加しなかった場合に比べ、大きく低下している。このような結果は、プラズマ発生源80により生成された酸素プラズマにより、成膜された酸化シリコン膜に吸着したOH基が除去され、有機アミノシランガスが吸着しにくくなったことによるものと考えられる。また、TOPサイドに比べてCTR及びBTMでの膜厚が大きくなっている点は注目に値する。これは、TOPやTOPサイドにおいて、より多量のOH基が脱離しているためと考えられる。また、ガス導入ノズル92からNH3ガスを30sccm供給して成膜した場合には、高周波電力を大きくしていくと成膜速度が低下してことが分かる。すなわち、酸素プラズマの強度が大きくなるに従って、成膜された酸化シリコン膜に吸着したOH基が除去され、有機アミノシランガスが吸着し難くなったことにより成膜速度が低下したと考えられる。また、高周波電力が1400Wの場合には、TOPサイドに比べてCTR及びBTMでの膜厚が有意に大きくなるという結果が得られている。NH3ガス供給量依存性図16bに、ホールH内に成膜した酸化シリコン膜の膜厚分布のNH3ガス供給量依存性を示す。NH3ガス供給量以外の主な成膜条件は以下のとおりである。反応ガスノズル31からの有機アミノシランガス供給量:900sccm反応ガスノズル32からのオゾンガス供給量:1.8g/mim回転テーブル2の回転速度:20rpm高周波電力:1400Wウエハ温度:400°C。図16bから、NH3ガス供給量を増やしていくと、TOPにおける膜厚に対し、TOPサイド、CTR、及びBTMにおける膜厚が相対的に薄くなっていく換言すると、ホールH内での膜厚分布が均一化していくことが分かる。これは、NH3ガス供給量の増加の伴い、プラズマ発生源80により生成される酸素プラズマ中のOH基濃度が増加し、特にTOPにおいて酸化シリコン膜に吸着したOH基の脱離が抑制されたためと考えられる。有機アミノシランガス供給量依存性図16cに、ホールH内に成膜した酸化シリコン膜の膜厚分布の有機アミノシランガス供給量依存性を示す。有機アミノシランガス供給量以外の主な成膜条件は以下のとおりである。反応ガスノズル32からのオゾンガス供給量:1.8g/mim回転テーブル2の回転速度:20rpm高周波電力:1400WNH3ガス供給量:30sccmウエハ温度:400°C。図16cから、有機アミノシランガスの供給量を増やしていくと、成膜速度が増加していくことが分かる。また、有機アミノシランガスの供給量の増加に伴い、TOPサイドでの膜厚に比べてCTRやBTMでの膜厚が厚くなっていくことが分かる。これは、ホールHの底面側にまで有機アミノシランガスが十分に到達した結果と考えることができる。回転テーブル2の回転速度依存性図16dに、ホールH内に成膜した酸化シリコン膜の膜厚分布についての回転テーブル2の回転速度依存性を示す。回転速度以外の主な成膜条件は以下のとおりである。反応ガスノズル31からの有機アミノシランガス供給量:900sccm反応ガスノズル32からのオゾンガス供給量:1.8g/mim高周波電力:1400WNH3ガス供給量:30sccmウエハ温度:400°C。図16cから、回転テーブル2の回転速度を速くしていくと、成膜速度が低下していくことが分かる。これは、シリコンウエハが有機アミノシランガスに曝される時間が短くなり、有機アミノシランガスの吸着量が減少するためと考えられる。また、吸着量の低下は、ホールHの底面側で顕著と考えられ、実験結果においても、回転速度の増大とともに、TOPサイドでの膜厚に比べCTR及びBTMでの膜厚が相対的に厚くなっている。すなわち、回転速度の増大とともに、ホールH内に成膜される酸化シリコン膜の膜厚は、開口側で薄く底面側で厚いという分布から、内面全体において均一化された分布へと変化していく。以上のとおり、プラズマ発生源30のアンテナ85へ供給する高周波電力、ガス導入ノズル92から内部空間Sへ供給される水素含有ガスの供給量、回転テーブル2の回転速度、及び有機アミノシランガスの供給量により、ホール内に成膜される酸化シリコン膜の膜厚分布を自在に制御できることが確かめられた。また、高周波電力、水素含有ガス供給量、回転速度、及び有機アミノシランガス供給量を更に調整した結果、図17に示すように、ホール内の酸化シリコン膜の膜厚をほぼ等しくできることが分かった。実験2次に、本発明の実施形態による成膜方法の効果を確認するために行った実験とその結果について説明する。この実験は、上述の変形例4に従って行った。すなわち、ホールの開口側での膜厚が厚くなる第1段階の成膜と、ホールの底面側での膜厚が厚くなる第2段階の成膜とを行った。第1段階の成膜と、第2段階の成膜とにおける成膜条件は以下のとおりである。なお、この実験では、ガス導入ノズル92から供給される水素含有ガスとして水素H2ガスを用いた。<第1段階の成膜>反応ガスノズル31からの有機アミノシランガス供給量:900sccm反応ガスノズル32からのオゾンガス供給量:1.8g/mimガス導入ノズル92からのH2ガス:45sccm回転テーブル2の回転速度:20rpm高周波電力:1400Wウエハ温度:400°C成膜時間:16分TOPでの目標膜厚32nmに対応<第2段階の成膜>反応ガスノズル31からの有機アミノシランガス供給量:75sccm反応ガスノズル32からのオゾンガス供給量:1.8g/mimガス導入ノズル92からのH2ガス:45sccm回転テーブル2の回転速度:240rpm高周波電力:1400Wウエハ温度:400°C成膜時間:3.7分TOPでの目標膜厚18nmに対応。図18は、実験2の結果を示すSEM像である。各画像の下の数値は、TOPでの膜厚で規格化した各測定位置での膜厚を示している。なお、図18aは第1段階の成膜のみを行った結果を示し、図18bは第2段階の成膜のみを行った結果を示している。第1段階の成膜においては、図18aに示すように、TOPサイド、CTR、及びBTMにおける膜厚が、TOPにおける膜厚よりも大きくなっており、しかも、TOPサイド、CTR、及びBTMの順に膜厚が厚くなっているホールの底面側での膜厚が厚い。これに対して、第2段階の成膜においては、第1段階の成膜の場合に比べて、有機アミノシランガスの供給量を低減し、回転テーブル2の回転速度を増大した影響により、図18bに示すように、TOPサイド、CTR、及びBTMの順に膜厚が薄くなっているホールの底面側での膜厚が薄い。図18cは、第1段階の成膜と第2段階の成膜とを続けて行った場合の結果を示している。図示のとおり、TOPサイド、CTR、及びBTMにおける規格化膜厚は98から102までの範囲に収まっている。これは、TOPウエハの表面のホール近傍での膜厚と、ホールの内面の各位置TOPサイド、CTR、及びBTMにおける膜厚とがほぼ50nmとなっていることを示している。すなわち、上述の変形例4の成膜方法によれば、ホール内だけでなくウエハ表面における膜厚を均一化することも可能となる。以上、幾つかの実施形態及び実施例を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。例えば、上述の実施形態において、プラズマ発生源80は、アンテナ85を有するいわゆる誘導結合プラズマICP源であるが、互いに平行に延びる2本のロッド電極の間に高周波を印加することによりプラズマを発生させる容量性結合プラズマCCP源であっても良い。CCP源であっても、酸素プラズマを生成できるため、上述の効果が発揮される。また、反応ガスノズル31から供給されるSi含有ガスは、OH基に吸着し得る限りにおいて上述の有機アミノシランガスに限定されることなく、有機ケイ素化合物ガスであっても良い。また、反応ガスノズル32から供給される酸化ガスは、O3ガスに限定されることなく、例えばO2酸素ガス又はO2とO3の混合ガスを用いることができる。また、OH基に吸着し得る限り、反応ガスノズル31から例えば有機金属ガスを供給しても良い。有機金属ガスとして、例えばジルコニウムZr含有する有機金属ガスを反応ガスノズル31から供給し、反応ガスノズル32からO3ガス等を供給することにより、酸化ジルコニウムZrOを成膜することができる。この場合であっても、トレンチ等の内面に成膜されるZrOの膜厚を制御することが可能である。なお、Zr含有有機金属ガスとしては、例えばテトラキスエチルメチルアミノジルコニウムTEMAZを好適に使用することができる。また、有機金属ガスとして、アルミニウムAlを含有する有機金属ガスを用いることもできる。反応ガスノズル31からAl含有有機金属ガスを供給し、反応ガスノズル32からO3ガス等を供給することにより、酸化アルミニウムAlOを成膜することができる。Al含有有機金属ガスとしては、例えばトリメチルアルミニウムTMAやジメチルエチルアミンアランを好適に使用することができる。また、Zr含有有機金属ガスとAl含有有機金属ガスとを反応ガスノズル31から相補的に供給することにより、ZrAlO膜を成膜することも可能である。また、ガス導入ノズル92を通してプラズマ発生源80の内部空間Sへ供給される水素含有ガスとしては、NH3ガスとH2ガスの双方を用いても良い。さらに、OH基を生成し得るガスである限り、NH3ガスやH2ガスに限定されることなく、例えばH2O水、H2N-NH2ヒドラジン、H2O2過酸化水素、炭化水素ガスなどを用いても良い。また、酸素プラズマの効果として、成膜される酸化シリコン膜の高密度と高品質化を挙げたが、高密度化や高品質化のために酸素プラズマを生成するプラズマ発生源を、OH基の分布制御のためにプラズマを生成するプラズマ発生源と別個に設けても良い。この場合、OH基の分布制御のためのプラズマ発生源においては、吸着したOH基を脱離させることができ、またプラズマ中でOH基を生成することができるならば、酸素プラズマを生成する必要はない。トレンチだけでなく、ラインアンドスペースにおけるスペースや、ビアホール、トレンチビアなどの内面に成膜する場合又は、これらを埋め込む場合にも適用可能である。"