"a複数のチップ搭載部、および前記複数のチップ搭載部のそれぞれの周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームを準備する工程と、b前記複数のチップ搭載部のそれぞれの上面上に複数の半導体チップを搭載する工程と、c前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に配置された複数のパッドと前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、d前記複数の半導体チップを封止体により一括封止する工程と、e前記封止体および前記複数のリードを切断し、個片化する工程と、を有し、前記d工程は、前記封止体の下面から前記複数のリードのそれぞれの下面が露出するように行い、前記e工程は、さらにe1前記封止体の上面を保持する工程と、e2前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第1ブレードにより切断する工程と、e3前記e2工程で形成された第1溝内に前記第1ブレードの厚さよりも薄い第2ブレードを進入させ、前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有し、前記第1ブレードの砥粒の保持力は、前記第2ブレードの砥粒の保持力よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記e3工程は、前記第1溝内に水を溜めた状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記e3工程は、前記封止体のみを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは、前記複数のリードが連結されたタイバーをさらに有し、前記e2工程は、前記複数のリードと前記タイバーとを切り分ける工程であって、前記タイバーの幅は、前記第1ブレードの幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記e2およびe3工程は、前記第2ブレードで切断する前記封止体の厚さが、前記第1ブレードで切断する前記封止体の厚さと同等もしくはそれ以上となるように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1ブレードの前記砥粒と前記砥粒を保持するボンド材とは焼結により結合しており、前記第2ブレードの前記砥粒と前記砥粒を保持するボンド材とは分子間力により結合していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1ブレードはレジンブレードであって、前記第2ブレードは電鋳ブレードであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記e1工程は、ダイシングテープに前記封止体の上面を貼り付けることにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1ブレードの砥粒径は、前記第2ブレードの砥粒径よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ブレードの送り速度は、前記第1ブレードの送り速度よりも速いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ブレードの回転数は、前記第1ブレードの回転数よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記c工程は、金属ワイヤにより前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12に記載の半導体装置の製造方法において前記複数の金属ワイヤは、金ワイヤもしくは銅ワイヤもしくはアルミワイヤであることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記d工程は、前記封止体の下面から前記チップ搭載部の下面が露出するように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項14に記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは、前記チップ搭載部を支持する吊りリードを有し、前記吊りリードの下面はハーフエッチングされており、前記d工程は、前記吊りリードの下面を前記封止体で覆うように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1溝内に溜められた水は、前記e2工程で前記第1ブレードを用いた切断時に前記第1ブレードに対して吹き付けた水であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ブレードを用いた切断で形成される第2溝の深さは、前記第1溝の深さと同等もしくはそれより深いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ブレードを用いた切断では、前記ダイシングテープに到達するまで切り込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。a複数のチップ搭載部、および前記複数のチップ搭載部のそれぞれの周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームを準備する工程と、b前記複数のチップ搭載部のそれぞれの上面上に複数の半導体チップを搭載する工程と、c前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に配置された複数のパッドと前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、d前記複数の半導体チップを封止体により一括封止する工程と、e前記封止体および前記複数のリードを切断し、個片化する工程と、を有し、前記d工程は、前記封止体の下面から前記複数のリードのそれぞれの下面が露出するように行い、前記e工程は、さらにe1前記封止体の上面を保持する工程と、e2前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第1ブレードにより切断する工程と、e3前記e2工程で形成された第1溝内に前記第1ブレードの厚さよりも薄い第2ブレードを進入させ、前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有し、前記第1ブレードの摩耗速度は、前記第2ブレードの摩耗速度よりも速いことを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置の組み立てにおいて、リードフレームを用いるMAPMatrixArrayPackage方式の半導体装置の組み立てでは、リードフレームの複数のデバイス領域を一括して樹脂封止して封止体を形成した後、パッケージダイシング個片化を行っている。したがって、パッケージダイシング時には、リードの金属部分と封止体の樹脂部分とを一緒に切断しなければならない。つまり、このことは、異なった複数の材料ここでは、金属と樹脂を一緒に切断することを意味する。一般的に、ダイシング装置で使用されている切断用のブレード刃物としては、電鋳ブレード、メタルブレード及びレジンブレード等が知られており、それぞれの特徴に応じて使い分けされている。例えば、各ブレードの摩耗速度や切れ味等の特性、さらには被切断物の材質等に応じて使い分けが行われているが、前述のようにパッケージダイシングでは、従来のウエハダイシングとは異なり、金属と樹脂とが混在した部材を切れ味良く、かつ摩耗速度を考慮しつつ切断を行わなければならないため、何れのブレードを用いてパッケージダイシングを行うかが重要になっている。近年、半導体装置の小型化もしくは多ピン化の影響により、半導体装置のリード間ピッチが狭くなる傾向にあり例えば、0.5mmピッチから0.4mmピッチに狭ピッチ化される、パッケージダイシング時に発生する金属の切削バリが、リード間ショートを引き起こすことが課題となっている。前述の3種類のブレードの場合、ブレードが硬くなると硬度が上がると、ブレード自身の摩耗は少なくなって、切り残しが発生するという懸念は低減するが、その反面、切削バリが発生し易くなり、リード間ショートや実装不良を引き起こすことになる。これに対してブレードが軟らかくなる硬度が下がると、切削バリは低減する一方、ブレード自身の摩耗が速くなって切り残しが発生し易くなる。このように、ブレードの硬度一つを取ってみても、メリットデメリットが有り、パッケージダイシングにおいては、ブレードの選択が非常に難しいものとなっている。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、パッケージダイシングにおける切削バリの発生を抑制することができる技術を提供することにある。また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを封止体により一括封止し、その後、前記封止体および複数のリードを切断して個片化する際に、前記封止体の上面を保持する工程と、前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第1ブレードにより切断する工程と、前記切断工程で形成された第1溝内に前記第1ブレードの厚さよりも薄い第2ブレードを進入させて前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有しており、前記第1ブレードの砥粒の保持力は、前記第2ブレードの砥粒の保持力よりも低い。また、代表的な他の実施の形態による半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを封止体により一括封止し、その後、前記封止体および複数のリードを切断して個片化する際に、前記封止体の上面を保持する工程と、前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第1ブレードにより切断する工程と、前記切断工程で形成された第1溝内に前記第1ブレードの厚さよりも薄い第2ブレードを進入させて前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有しており、前記第1ブレードの摩耗速度は、前記第2ブレードの摩耗速度よりも速い。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。パッケージダイシング時の切削バリの発生を抑制することができる。また、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数など個数、数値、量、範囲などを含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。また、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、以下の実施の形態において、構成要素等について、Aからなる、Aよりなる、Aを有する、Aを含むと言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態図1は本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す斜視図、図2は図1に示す半導体装置の構造の一例を示す平面図、図3は図1に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図4は図3のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図5は図3のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。図1~図5に示す本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ1を搭載するための板状のダイパッドチップ搭載部、タブ2dの上面2e上に搭載された半導体チップ1が樹脂製の封止体4によって樹脂封止され、かつ半導体チップ1が金属製のリード2aと金属ワイヤ5を介して電気的に接続されて成るリードフレームタイプの半導体パッケージである。さらに、半導体チップ1の周囲に配置された複数のリード2aは、それぞれ外部端子として封止体4の下面4bの周縁部に露出している。本実施の形態では、前述のような半導体装置の一例として、QFNQuadFlatNonleadedPackage6を取り上げて説明する。QFN6は、MAP方式を採用して組み立てられたものである。つまり、QFN6は、その組み立てにおいて、複数の半導体チップ1が一括して樹脂封止され、その後、パッケージダイシングブレードダイシング、個片切削を行うことにより組み立てられたものである。図4に示すようにQFN6に組み込まれた半導体チップ1は、内部に半導体集積回路が組み込まれている。半導体チップ1は、例えば、銀ペースト等のダイボンド材を介してダイパッド2dの上面2e上に配置され、固着固定、接着されている。言い換えると、半導体チップ1の裏面1bとダイパッド2dの上面2eとが前述のダイボンド材を介して接合されている。さらに、半導体チップ1の表面1aには、前述の半導体集積回路の一部と電気的に接続された複数の電極パッド1cが形成されている。これら複数の電極パッド1cと複数のリード2aとは、それぞれ複数の金属ワイヤ5によって電気的に接続されている。複数のリード2aのそれぞれは、上面2bとその反対側の下面2cを有しており、上面2bに金属ワイヤ5が接続され、一方、下面2cは、図3に示すように封止体4の下面4bの周縁部に露出している。また、ここでは、半導体チップ1が固着されたダイパッド2dについても、上面2eの反対側の下面2fが封止体4の下面4bから露出している。すなわち、QFN6は、ダイパッド露出型タブ露出型の半導体装置である。また、図5に示すように、QFN6には、ダイパッド2dを支持する吊りリード2gが設けられている。ここでは、4本の吊りリード2gがダイパッド2dの角部を支持している。これらの吊りリード2gは、ハーフエッチングによって、そのリード厚さが薄くなっている。つまり、吊りリード2gの下面2hは、ハーフエッチングによって形成された面である。4本の吊りリード2gのそれぞれは、下面2h側がハーフエッチング加工により削られて、ダイパッド2dの約1/2程度の厚さになっている。そのため、4本の吊りリード2gのそれぞれは、下面2hが封止体4によって覆われており、図3及び図5に示すように封止体4の下面4bには露出していない。また、本実施の形態のQFN6の封止体4は、基板等に対する実装面となる下面4bと、図2及び図4に示すような、その反対側の平坦な上面4aと、さらにこれら上面4aと下面4bとの間に位置する4つの側面とを有している。前記4つの側面のそれぞれは、第1側面4cと、第1側面4cよりも内側に位置する第2側面4dとを有する。図1に示すように、各第1側面4cは樹脂3のみから構成される。さらに、各第2側面4dは、複数のリード2aそれぞれの切断面2kと、これら切断面2kを挟むように両端に配置された複数の吊りリード2gの切断面2mとが露出している。つまり、封止体4の4つの側面のぞれぞれは、段差形状となっている。封止体4の上面4aから繋がる第1側面4cと、この第1側面4cよりパッケージ内方に向かって引っ込んだ位置に形成された第2側面4dとから成り、第2側面4dは下面4bに繋がる。各第2側面4dには、各リード2a及び各吊りリード2gの切断面2k,2mが露出している。なお、第1側面4cと第2側面4dは、第2下面4kにも繋がっている。第2下面4kは、上面4aと下面4bとの間に位置する面である。このように4つの側面それぞれが段差形状になっているため、上面4aに比べて下面4bが小さくなっている。つまり、平面視において、下面4bの面積は、上面4aの面積よりも小さい。ここで、QFN6に組み込まれた半導体チップ1は、例えば、シリコンによって形成され、さらに金属ワイヤ5は、例えば、金Auワイヤ、銅Cuワイヤ、もしくはアルミAlワイヤ等である。また、封止体4を形成するレジンである樹脂3は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。さらに、各リード2aや吊りリード2g及びダイパッド2dは、鉄-ニッケル系の合金もしくは銅合金等である。次に、本実施の形態のQFN6の組み立て製造方法について説明する。図6は図1に示す半導体装置の組み立て手順におけるワイヤボンドまでを示す平面図、図7は図6に示す組み立て手順におけるワイヤボンドまでを示す断面図、図8は図1の半導体装置の組み立て手順における樹脂封止~組み立て完了までを示す平面図及び斜視図、図9は図8に示す組み立て手順における組み立て完了までを示す断面図、図10は図8に示す組み立て手順における個片切断の詳細を示す平面図である。本実施の形態のQFN6の組み立ては、MAP方式を採用したものである。まず、図6及び図7のステップS1のフレーム投入に示すように、半導体装置の形成領域であるデバイス領域2jが複数個マトリクス配列で形成された薄板状のリードフレーム2を準備し、QFN6の組み立てラインに投入する。なお、各デバイス領域2jは、タイバー2iによって区分けされており、さらに、各デバイス領域2jには、その中央付近に設けられたダイパッド2dと、ダイパッド2dの周囲に配置された複数のリード2aと、ダイパッド2dをその角部で支持する4本の吊りリード2gとが設けられている。また、4本の吊りリード2gは、それぞれダイパッド2d側と反対側の先端付近で二股に分岐し、タイバー2iに連結している。さらに、それぞれの吊りリード2gは、図5に示すように、それぞれの下面ハーフエッチング加工によって薄く形成されており、下面2hが形成されている。吊りリード2gのリード厚は、ダイパッド2dの約1/2程度の厚さになっている。また、複数のリード2aは、それぞれタイバー2iによって支持されているタイバー2iに連結されている。なお、リードフレーム2は、例えば、鉄-ニッケル系の合金もしくは銅合金等から成る金属フレームである。その後、ステップS2に示すダイボンドを行う。すなわち、図7のステップS2に示すように、リードフレーム2の複数のダイパッド2dのそれぞれの上面2e上に図示していないダイボンド材を介して半導体チップ1を搭載する。その後、図6及び図7のステップS3に示すワイヤボンドを行う。本ワイヤボンド工程では、複数の半導体チップ1のそれぞれの表面1aに配置された複数の電極パッド1cと複数のリード2aとをそれぞれ金属ワイヤ5により電気的に接続する。これにより、半導体チップ1とリード2aとが金属ワイヤ5によって電気的に接続される。なお、前記複数の金属ワイヤ5は、金ワイヤ、銅ワイヤ、もしくはアルミワイヤ等である。その後、図8及び図9のステップS4に示す樹脂封止モールドを行う。すなわち、複数の半導体チップ1を封止体4hにより一括封止する。また、封止時には、図9に示すように、封止体4hの下面4iからダイパッド2dの下面2fが露出するように行う。さらに、図5に示すように、それぞれの吊りリード2gの下面がハーフエッチング加工によって薄く形成されているため、樹脂を吊りリード2gの下面2h側に回り込ませて、吊りリード2gの下面2hを封止体4h4で覆うように樹脂封止する。これにより、一括封止後は、図10のステップS4に示すように、封止体4hの下面4i側にダイパッド2dダイパッド2dの下面2fや複数のリード2a複数のリード2aの下面2c、及びタイバー2iが露出した状態となっている。その後、図8及び図9のステップS5に示す個片切削を行う。ここでは、封止体4h及び複数のリード2aを切断して個片化を行う。本実施の形態では、個片切削工程で用いられるブレードの特性とその用い方に特徴がある。そのため、最初にパッケージダイシングブレードダイシングにおいて発生する切削バリ切断バリともいうの発生メカニズムについて説明する。図11はパッケージダイシングにおける切削バリの発生メカニズムを示す概念図、図12は図11の切削バリの発生メカニズムを示す概念図、図13は図11の切削バリの発生メカニズムを示す概念図、図14はパッケージダイシングにおいてブレードの目詰まり無しの状態を示す概念図、図15はパッケージダイシングにおいてブレードの目詰まり有りの状態を示す概念図である。図11に示すように、ブレード20を用いてワーク23を切削する際に、ブレード20の回転Pとワーク23の進行Qによって切削が行われ、ブレード20の砥粒21によりワーク23の表面が削られて、砥粒21を保持するボンド材22やワーク23の切削屑切り粉24が発生する。その際、切削屑24は、チップポケットと呼ばれるC部の窪みに引っ掛かり、ブレード20の回転Pに伴って排出される。切削が進むと、図12に示すように、ブレード20では切削時に古い砥粒21がボンド材22の摩耗及び切削抵抗によって脱落し、新しい砥粒21が現れることにより切れ味を持続している。これを模式的に表した例が図14であり、ブレード20に目詰まりが無い正常な切削状態を示している。すなわち、図14の切削状態に示すように、ブレード20の回転とともにブレード20の表面の砥粒21から成る凹凸により、リード2a端子や封止体4h樹脂は切断され、その際に発生する金属屑24aや樹脂屑24b等の切削屑24は排出され、その結果、図14のブレード状態向かって右側の図に示すように、ブレード20の摩耗とともに古くなった砥粒21が脱落し、新しい砥粒21が露出して切れ味を持続する。一方、図13に示すように、ブレード20において砥粒21を保持する力である砥粒21の保持力が高い場合ボンド材22が硬い場合は、古い砥粒21の脱落が発生しにくい。また、ボンド材22が硬いことにより、ブレード20自体が摩耗しにくくなるため、前述のチップポケットも形成されにくいD部においてチップポケットが押しつぶされた状態となりやすい。その結果、ブレード20の目詰まりや目つぶれE部において劣化した砥粒21が脱落しない状態が続くが発生し、ブレード20の表面の凹凸が少なくなる。これを模式的に表した例が図15であり、ブレード20が目詰まりした状態で切削を行っている様子を示している。すなわち、図15のブレード状態向かって右側の図に示すように、砥粒21の保持力が高い摩耗しにくいと、砥粒21の脱落が発生しにくくなるため、ブレード20の表面に切削屑24が付着して表面の凹凸が少なくなり、これにより、ブレード20の切れ味が低下する特に延性の高い端子等の金属屑24aが付着しやすい。その結果、図15の切削状態向かって左側の図に示すように、ブレード20の表面の凹凸が少なくなるので、リード2aの金属屑24aは確実に切断されずに延びて切削バリ30が形成される。以上のようなメカニズムで切削バリ30が発生する。したがって、パッケージダイシングで用いられるブレード20の特性が非常に重要な要素となる。次に、電鋳ブレードとレジンブレードメタルブレードの製造方法とこれらのブレードの特徴について説明する。図16は本発明の実施の形態で用いられる各ブレードの製造方法の一例を示す概念図、図17は各ブレードの特徴の一例を示す概念図である。まず、図16に示すレジンブレード第1ブレード11の製造方法について説明する。レジンブレード11は、砥粒11aとボンド材11bの混合粉末を金型17を用いて圧縮成形して焼き固めること焼結により製造する。したがって、金型17を用いた圧縮による結合であるため、砥粒11aとこの砥粒11aを保持するボンド材11bとの粒子間の結合力は差程強力にはならない。一般的に、レジンブレード11のボンド材11bの砥粒11aの保持力は、後述する電鋳ブレードに比べて強力ではない低い場合が多い。これにより、レジンブレード11の特徴としては、金型17を用いた圧縮成形による焼き固めであるため、製造が容易であること、かつ大量に生産が可能であるため、製造コストも安価となる。また、ブレード本体の摩耗が速いため、切れ味を持続させることができる。なお、メタルブレードについても、その製造方法と特徴についてはレジンブレード11と同様である。一方、図16に示す電鋳ブレード第2ブレード12の製造方法について説明すると、槽14内に収容された、砥粒12aとボンド材12bが含まれる溶解液13中に、整流器16に電気的に接続された2つの電極15一方は、台座が設けられ、この状態で電流を流して電気分解を行い、前記台座となる一方の電極15に砥粒12aとこの砥粒12aを保持するボンド材12bとを化学成長させて製造を行う。したがって、化学成長による結合であるため、ボンド材12bの粒子間に分子間力が働き、非常に硬い結合となり、ブレード本体が硬質に形成される。一般的に、電鋳ブレード12のボンド材12bの砥粒12aの保持力は、前述したレジンブレードメタルブレードに比べて強力である高い場合が多い。これにより、電鋳ブレード12の特徴は、強固で摩耗しにくいことである。以上、レジンブレード11と電鋳ブレード12のそれぞれの製造方法についてこれまで説明してきた。図17に電鋳ブレード12とレジンブレード11及びメタルブレードの特徴を纏めたものを示す。主な特徴として、ボンド材11b,12bの硬さについては、電鋳ブレード12の方が、レジンブレード11に比べて硬い。また、砥粒11a,12aの保持力については、電鋳ブレード12の方が、レジンブレード11に比べて強い高い。さらに、摩耗の速度については、電鋳ブレード12の方が、レジンブレード11に比べて遅い。また、ブレード本体の切れ味については、電鋳ブレード12の方が、レジンブレード11に比べて鈍い。したがって、切れ味が鋭いレジンブレード11は、図25に示すような切削バリ30が発生しにくいという特徴を有しているため、金属部材や樹脂部材を切削するのに適している。一方、切れ味が鈍い電鋳ブレード12は、切削バリ30は発生し易いが、摩耗の速度が遅いという特徴を有しているため、図26に示すような切り残し31が発生しにくい。したがって、電鋳ブレード12は、主に樹脂部材を切削するのに適している。これにより、レジンブレード11に求められる性能は、金属フレームに対する目詰まり防止であり、一方、電鋳ブレード12に求められる性能は、樹脂に対する目詰まり防止や耐摩耗性である。なお、メタルブレードは、電鋳ブレード12とレジンブレード11との中間的な特徴を有する場合が多い。以上の各ブレードの特徴を活かしてQFN6の組み立ての個片切削を行う。本実施の形態の半導体装置QFN6の組み立ての個片切削工程では、樹脂封止後の構造体、すなわちリード2a金属と封止体4h樹脂の主に2種類の材料が混ざった部材を切削切断しなければならない。その際、QFN6の構造では、図1,4及び5に示すように、切断される金属部材であるリード2aや吊りリード2gは、封止体4の下面4bもしくは厚さ方向の下面4b寄りの位置に配置されている。したがって、本実施の形態のQFN6の組み立ての個片切削工程では、まず、リード2aや吊りリード2gを含み、かつその周囲の封止体4hを該封止体4hの厚さ方向の途中の部分まで切削する第1切削工程。この切削には、レジンブレード第1ブレード11を使用する。その後、レジンブレード11による切削で切り残した樹脂のみの部分図9の切断残存部4fを電鋳ブレード12によって切削して第2切削工程切断を完了する。すなわち、本実施の形態の個片切削工程は、切削工程を2段階に分け、それぞれ特性に応じて異なったブレードを使用することで、図25の切削バリ30や図26の切り残し31の発生を防ぐことに大きな特徴がある。本実施の形態のQFN6では、前述のように金属部材であるリード2aや吊りリード2gは、封止体4の下面4bもしくは厚さ方向の下面4b寄りの位置に配置されている。そこで、個片切削工程において、図9のステップS5に示すように樹脂封止後の封止体4hの下面4iを上方に向けて支持し、この状態で上方から各ブレードを進入させて切削を行う。その際、上方、すなわち下面4i側からブレードを進入させるため、第1段階の切削としてレジンブレード第1ブレード11を用いて封止体4hの厚さ方向のおおよそ中央付近もしくはそれより手前まで切り込み、金属部材である複数のリード2aや吊りリード2g、及びその周囲の封止体4hを切断する。第1段階の切削終了後、ブレードをレジンブレード11から電鋳ブレード第2ブレード12に切り替え、この電鋳ブレード12を使用して第2段階の切削を行う。つまり、第2段階の切削では、第1段階の切削で切り残した封止体4hの一部樹脂部分のみである切断残存部4fを電鋳ブレード12によって切削して切断個片切削を完了する。ここで、図18を用いて、本実施の形態の個片切削で使用される第1ブレードと第2ブレードの仕様と切削条件について説明する。図18は本発明の実施の形態で用いられる各ブレードの仕様と切削条件の一例を示す概念図である。図18のブレードの仕様に示すように、第1段階の切削で用いる第1ブレードレジンブレード11は、樹脂とともにリード2aや吊りリード2g等の金属を切断するため、第1ブレードの切れ味は鋭い方が好ましい。一方、第2段階の切削で用いる第2ブレード電鋳ブレード12は、第1段階で切り残した樹脂部分のみ切断残存部4fを切削するため、切れ味は第1段階の第1ブレードに比較して鈍くてもよい。したがって、第1ブレードの切れ味を向上させるために、砥粒径を第2ブレードの砥粒径よりも大きくする。例えば、第1ブレードの砥粒径は150~300程度とし、第2ブレードの砥粒径は260~420程度とするのが好ましい。砥粒径の組み合わせの一例としては、第1ブレードの砥粒径は160であり、第2ブレードの砥粒径は325である。また、図18に示すブレードの仕様のうち、ボンド材の硬さ砥粒の保持力については、第1段階の切削では、切削時の金属の切削バリ30の発生を抑えるために、砥粒の保持力が弱い低い、小さいブレードを用いる。すなわち、ボンド材の硬さが軟らかい、つまり、摩耗速度が速いブレードを用いる。一方、第2段階の切削では、樹脂部分の切削であるとともに、図26に示すような切り残し31の発生を防ぐ必要があるために、摩耗速度が遅いブレードを用いる。すなわち、ボンド材の硬さが硬く、砥粒の保持力が強い高い、大きいブレードを用いる。したがって、第1段階の切削で用いる第1ブレードの砥粒の保持力は、第2段階の切削で用いる第2ブレードの砥粒の保持力よりも低い。つまり、第1ブレードとしてレジンブレード11、第2ブレードとして電鋳ブレード12を用いるとよい。別の表現に言い換えると、第1段階の切削で用いる第1ブレードレジンブレード11の摩耗速度は、第2段階の切削で用いる第2ブレード電鋳ブレード12の摩耗速度よりも速い。以上のことから、第1段階の切削ではレジンブレード11を用いることにより、電鋳ブレード12に比べて、砥粒11aの保持力が弱く、ブレードの摩耗が速いため、切れ味が鋭くなり、金属の切削バリ30の発生を抑えることができる。一方、第2段階の切削では電鋳ブレード12を用いることにより、レジンブレード11に比べて、砥粒12aの保持力が強く、ブレードが摩耗しにくくなるので、封止体4hの切り残し31の発生を抑えることができる。また、図18に示すブレードの仕様のうち、ブレード厚については、第2段階の切削で用いる第2ブレード電鋳ブレード12の厚さが、第1段階の切削で用いる第1ブレード電鋳ブレード12の厚さよりも薄くなるようにする。これにより、図9のステップS5の個片切削に示すように、第2段階の切削で電鋳ブレード12を用いて切削する際に、第1段階の切削で形成された図1に示す第2側面4dに露出するリード2aの切断面2kや吊りリード2gの切断面2mに電鋳ブレード12が接触することを防止でき、切削バリ30の発生を抑えることができる。例えば、第1ブレードレジンブレード11の厚さは、0.25~0.4mm程度であり、第2ブレード電鋳ブレード12の厚さは、0.2~0.25mm程度である。これらの厚さの範囲内でレジンブレード11の厚さ>電鋳ブレード12の厚さとなるようにブレード厚を選択するのが好ましい。次に、図18に示すブレードの切削条件について説明する。第1段階の切削では金属も切削するため、樹脂のみを切削する第2段階の切削に比較して切削抵抗が大きい。したがって、切削条件としては、第1段階の切削におけるブレード側の動作送り速度や回転数において、第1段階の切削における切削抵抗を下げて切削バリ30の発生を抑えるようにすることが好ましい。したがって、第2段階の切削で用いる第2ブレード電鋳ブレード12の送り速度を、第1段階の切削で用いる第1ブレードレジンブレード11の送り速度よりも速くする。言い換えると、第1ブレードレジンブレード11の送り速度を第2ブレード電鋳ブレード12の送り速度より遅くすることにより、第1段階の切削における切削抵抗を下げることができ、金属の引きずりによる切削バリ30の発生を抑えることができる。また、第2ブレード電鋳ブレード12の送り速度を第1ブレードレジンブレード11の送り速度より速くすることにより、樹脂のみを切削する第2段階の切削におけるスループットの向上を図ることができる。また、ブレードの切削条件として、第2ブレード電鋳ブレード12の切削回転数を、第1ブレードレジンブレード11の切削回転数よりも大きくすることが好ましい。前述の送り速度と同様に、第1ブレードレジンブレード11の切削回転数を第2ブレード電鋳ブレード12の切削回転数より小さくすることで、第1段階の切削における切削抵抗を下げることができ、金属による切削バリ30の発生を抑えることができる。同様に、第2ブレード電鋳ブレード12の切削回転数を第1ブレードレジンブレード11の切削回転数より大きくすることにより、樹脂のみを切削する第2段階の切削におけるスループットの向上を図ることができる。次に、本実施の形態のレジンブレード11と電鋳ブレード12を用いた個片切削工程の具体例について説明する。図19は本発明の実施の形態の個片切削工程の第1ブレードレジンブレード11による切削時の状態の一例を示す斜視図、図20は本発明の実施の形態の個片切削工程の第2ブレード電鋳ブレード12による切削時の状態の一例を示す斜視図、図21は図19の第1ブレードによる切削後の構造の一例を示す平面図、図22は図20の第2ブレードによる切削後の構造の一例を示す平面図である。まず、実施の形態の個片切削工程における第1段階の切削について説明する。前述のように、第1段階の切削では、レジンブレード11第1ブレードを用いる。個片切削工程では、図9のステップS5に示すように、封止体4hの上面4jをダイシングテープ7に貼り付けることにより封止体4hを支持し、封止体4hの下面4iを上方に向けた状態で第1ブレードや第2ブレードを封止体4hの下面4i側上方側から進入させて切削を行う。なお、ここでは、封止体4hをダイシングテープ7で固定支持する例を挙げたが、これに限定されない。治具ダイシング方式ステージ治具の上に封止体4hを吸着固定する方式においても、同様である。その際、図10のステップS5-1に示す第1ブレード切削第1段階の切削では、図9のステップS5に示すように、まず、封止体4hの上面4jをダイシングテープ7によって支持した状態で封止体4hの下面4i側からレジンブレード11を進入させ、複数のリード2aと図10に示すタイバー2iとを切断するとともに、封止体4hの一部を切削する。すなわち、封止体4hの下面4i側からレジンブレード11を進入させて複数のリード2aとタイバー2iとを切り分ける。この時、タイバー2iの幅は、レジンブレード11の幅より狭い。言い換えると、図10のステップS5-1に示すように、タイバー2iの幅Aより幅Bが広いA<Bレジンブレード11を用いて第1ブレード切削を行う。なお、一例として、タイバー2iの幅は、0.15mm程度であり、レジンブレード11の幅は、0.25~0.4mm程度である。このようにレジンブレード11の幅をタイバー2iの幅よりも広くすることにより、タイバー2iを図21に示すように確実に切り落とすことができる。また、レジンブレード11で切削する第1ブレード切削と、第1ブレード切削後に電鋳ブレード12で切削する第2ブレード切削とでは、電鋳ブレード12で切断する封止体4hの厚さが、レジンブレード11で切断する封止体4hの厚さと同等もしくはそれ以上となるように行う。つまり、図19に示すレジンブレード11で切断する封止体4hの厚さEが、図20に示す電鋳ブレード12で切断する封止体4hの厚さFと同等かそれより小さい。すなわち、第1ブレード切削では金属であるタイバー2iを切削するため、切削抵抗も高く、したがって、タイバー2iの厚さより僅かに切り込んだ箇所まで切削する程度とし、第2ブレード切削で比較的厚さの厚い図19に示す切断残存部4fを電鋳ブレード12で切削するようにすることが好ましい。なお、図19に示すように切削工程では、レジンブレード11とその切断箇所に向けてノズル9から水10を吹き付けながら切削を行う。これにより、切削抵抗を軽減するとともに、切削屑を排出させることができる。これについて、以下詳しく説明する。第1ブレード切削が行われたことで、図8のステップS5や図19及び図21に示すように封止体4hに幅Dの第1溝4eが形成され、さらに、図19に示すようにその際吹き付けられた水10がこの第1溝4eに入って溜まった状態となる。その後、第1溝4e内に水10を溜めた状態で図10及び図20に示す第2ブレード切削第2段階の切削を行う。つまり、図19に示す第1ブレード切削工程での切断時にレジンブレード11及び切断箇所に対して吹き付けた水10が第1溝4e内に溜まった状態で電鋳ブレード12を用いた第2ブレード切削を行う。これにより、第1溝4eに溜まった水10が潤滑水となるため、電鋳ブレード12と樹脂の摩擦抵抗切削抵抗を低減することができる。これにより、電鋳ブレード12と樹脂の摩擦熱による焼けを低減することができる。なお、第2ブレード切削では、レジンブレード11の厚さよりも薄い電鋳ブレード12を第1溝4e内に進入させて、封止体4hのみから成る切断残存部4fを切断する。言い換えると、図10のステップS5-2の第2ブレード切削に示すように、第1溝4eの幅Dより幅Cが狭いC<D電鋳ブレード12を用いて図19の切断残存部4fを切削して幅Gの第2溝4gを形成する。これにより、第1ブレード切削で形成されたリード2aの切断面2kや吊りリード2gの切断面2mに電鋳ブレード12が接触することを防止でき、切削バリ30の発生を抑えることができる。なお、第2ブレード切削工程においても、図20に示すように電鋳ブレード12とその切断箇所に向けてノズル9から水10を吹き付けながら切削を行う。これにより、電鋳ブレード12と樹脂の摩擦抵抗切削抵抗を軽減するとともに、切削屑を排出させることができる。また、図20に示すように電鋳ブレード12を用いた切断では、ダイシングテープ7に到達するまで切り込む。これにより、図8のステップS5や図20及び図22に示すよう幅Dの第1溝4eより狭い幅Gの第2溝4gが形成される。また、電鋳ブレード12で切断するのは樹脂のみであるため、電鋳ブレード12で切断する封止体4hの厚さは、レジンブレード11で切断する封止体4hの厚さと同等もしくはそれ以上である。したがって、電鋳ブレード12を用いた切断で形成される第2溝4gの深さは、第1溝4eの深さと同等もしくはそれより深くなる。ここで、第2ブレード切削において、第1ブレード切削で形成された第1溝4e内に水10を溜めた状態で切削を行うことの重要性について説明する。本実施の形態では、前述のように第2ブレード切削で切断する封止体4hの厚さは、第1ブレード切削で切断する封止体4hの厚さより厚い。したがって、切削時の摩擦抵抗による摩擦熱を考慮すると、第1ブレード切削で形成された第1溝4e内に水10を溜めた状態で第2ブレード切削を行うことは、半導体装置の品質を確保する上で非常に有効である。このことは、従来のウエハSiダイシングにおけるステップダイシングとは、大きく意味が異なるものと言える。通常ウエハは、裏面研削工程BackGrind工程を経て、ダイシングされる。このときのウエハ厚は、通常400μm0.4mm以下程度である。これに対し、パッケージダイシングで切断されるパッケージ厚は、約1000μm1.0mm前後と倍以上である。したがって、切削屑の量は、ウエハをダイシングする場合に比べて圧倒的に多い。切削屑をきちんと排出できないと、切断屑を巻き込んだ状態で切断することになるので、切削屑により切断面が荒れ、半導体装置の品質に影響が出る。また、切断される部分の厚みが大きいことは、ブレードと接触する面も大きい広いことを意味し、ブレードと樹脂との間に生じる摩擦熱による樹脂切断面の焼けも無視できなくなる。さらに、切断される部分の厚みが大きいと、切削水がブレードと樹脂とが接触している点奥下の方まで回り込みにくくなるので、摩擦熱もさらに上昇することとなる。そのため、上述した第1溝4e内に水10を溜めた状態で第2ブレード切削を行うといった特徴は、パッケージダイシングにおいて、半導体装置の外形精度向上、切断面の品質確保といった面で重要なポイントとなる。もう1点、これまで本実施の形態で説明してきた主な特徴は、封止体4hをダイシングテープ7で固定支持したときの切り残しの発生防止に特に有効である。ダイシングテープ7の厚さは、通常約100μm前後である場合が多い。第2ブレード切削では、前述の通りダイシングテープ7に到達するまで切り込み深さを設定するが、ダイシングテープ7を完全に切ってしまうと、個片化されたQFN6を保持できなくなるため、切り込み深さをダイシングテープ7の厚さ内つまり100μm内に収めなければならない。つまり、QFN6から抜けているブレード部分は100μmもない。仮に、第2ブレードがレジンブレード11の様に摩耗が速いブレードであった場合は、摩耗が進むとQFN6からブレードが抜けずに切り残し31が即座に発生する。そのため、第2ブレードに摩耗が少ない電鋳ブレード12を使う特徴は、切り残しの発生防止に対してメリットがある。以上により、図10のステップS5-2の第2ブレード切削を終了する。その後、洗浄収納を行い、図8のステップS6及び図9のステップS6に示すQFN6の組み立て完了となる。次に、図23及び図24を用いて、電鋳ブレード12とレジンブレード11における切削バリの発生量Tの評価結果について説明する。図23は電鋳ブレードとレジンブレードで測定した切削バリの発生量Tの比較図、図24は図23の測定における切削バリを示す概念図である。なお、図23に示す評価データは、電鋳ブレード12及びレジンブレード11とも、約500m程度の切削を行ったブレードに対して取得したものである。また、QFN6では、図24に示すリード2a間のピッチPが0.5mmの場合、リード2a間の隙間Sが0.38mmであり、リード2a間のピッチPが0.4mmの場合、リード2a間の隙間Sが0.28mmである。したがって、切削バリ30によるリード2a間ショートを発生させないためには、量産マージンも考慮してリード2a間の隙間Sの1/2で管理することが望ましい。図23に示すように、電鋳ブレード12で切削を行った場合、切削バリ発生量Tが3σで0.14mmを越えているため、リード2a間のピッチPが0.4mmのQFN6では上限オーバーとなってしまう。したがって、本実施の形態の個片切削の2段階で行う切削のうち、金属切断タイバー2i及びリード2aが伴う第1ブレード切削第1段階の切削においては、レジンブレード11を用いることが適切であることがわかる。つまり、これまで説明してきた本実施の形態の主な特徴は、半導体装置の多ピン化小型化の流れの中で、リード間ピッチを狭くする狭ピッチ化上において、切削バリ導電性バリによる隣接リードのショートを防止するのに有効な技術であるといえる。本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、パッケージダイシング個片切削時に、まず、第1段階の切削第1ブレード切削として、軟らかいレジンブレード第1ブレード11を用いてタイバー2iやリード2aを含む金属部分と封止体4hの一部の切断を行うことで、図25に示す金属部分での切削バリ30の発生を抑制することができる。その後、第2段階の切削第2ブレード切削として、硬い電鋳ブレード12を用いて第1段階の切削で切り残した切断残存部4fである樹脂部の切断を行うことで、ブレード本体の摩耗の進展も遅いため、図26に示すような切り残し31の発生も低減できる。これにより、QFN半導体装置6の信頼性の向上を図ることができる。以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、前記実施の形態では、半導体装置の一例として、QFN6を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、その組み立てにおいてリードフレームが用いられ、かつMAP方式の樹脂封止を行った後、ブレードを用いてパッケージダイシング個片切削を行うものであれば、QFN以外の半導体装置であってもよい。"