"基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくすることを特徴とする基板処理方法。基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理容器内に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記処理容器内に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給する不活性ガスまたは水素含有ガス供給系と、前記処理容器内を排気する排気系と、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、基板を収容した前記処理容器内にCVD反応が生じる条件下で前記原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる処理とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする処理を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する処理を行い、前記所定元素含有層を形成する処理では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする処理において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくするように、前記ヒータ、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記不活性ガスまたは水素含有ガス供給系、前記排気系および前記圧力調整部を制御する制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置。SiN絶縁膜を形成する場合、膜を形成する際に使用する原料中に含まれる水素Hは、成膜温度の低温化により膜中に不純物として残る傾向にある。膜中に残留した水素はSi-H結合やN-H結合といった形をとり、電子や正孔の授受、再結合により容易に乖離し、電荷捕獲構造となり、欠陥密度が高くなってしまう問題があった。TDS昇温脱離法によると、膜中水素は成膜温度以上、特に800°C以上の温度で脱離が行われることから、成膜温度の高温化によって膜中水素の低減が可能であると分かるが、成膜温度の高温化に伴い、SiN絶縁膜の膜厚均一性の悪化が顕著になり、生産に適用することが難しかった。従って本発明の目的は、上記課題を解決し、高温領域において、膜中の水素濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供することにある。本発明の一態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする基板処理方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理容器内に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記処理容器内に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給する不活性ガスまたは水素含有ガス供給系と、前記処理容器内を排気する排気系と、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、基板を収容した前記処理容器内にCVD反応が生じる条件下で前記原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる処理とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする処理を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する処理を行い、前記所定元素含有層を形成する処理では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする処理において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくするように、前記ヒータ、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記不活性ガスまたは水素含有ガス供給系、前記排気系および前記圧力調整部を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。本発明によれば、高温領域において、膜中の水素濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供できる。発明者等は、高温領域における絶縁膜の形成方法について鋭意研究を行った。その結果、大気圧未満の圧力に設定されると共に加熱された状態の処理容器内に、基板を収容した状態で、所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで基板上に所定元素含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定されると共に加熱された状態の処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内に不活性ガスを供給し排気して処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する場合に、所定元素含有層を形成する工程において、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルから基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給することで、基板の表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、パージの際に基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくすることで、高温領域において、膜中の水素濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成することが可能であるとの知見を得た。所定元素含有層を形成する工程は、CVD反応が生じる条件下で行う。このとき基板上に1原子層未満から数原子層程度の所定元素含有層としての所定元素層を形成する。所定元素含有層は所定元素を含む原料ガス以下、単に原料ガスともいうの吸着層であってもよい。ここで、所定元素層とは、所定元素により構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできる薄膜をも含む総称である。なお、所定元素により構成される連続的な層を薄膜という場合もある。また、原料ガスの吸着層とは原料ガスのガス分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、1原子層未満の層とは不連続に形成される原子層のことを意味している。原料ガスが自己分解する条件下では基板上に所定元素が堆積することで所定元素層、すなわち、所定元素の堆積層が形成される。原料ガスが自己分解しない条件下では、基板上に原料ガスが吸着することで原料ガスの吸着層が形成される。なお、基板上に原料ガスの吸着層を形成するよりも、所定元素層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ好ましい。また、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程では、大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内で窒素含有ガスを熱で活性化させるか熱分解させて窒素を含む窒化種を生成し、この窒化種により所定元素含有層を窒化して窒化層に変化させる改質する。すなわち、この窒化種と所定元素含有層とを反応させて、所定元素含有層を窒化層に変化させる。所定元素含有層を窒化層に変化させる工程はノンプラズマの減圧雰囲気下で行うことができる。なお、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程では、窒素含有ガスをプラズマで活性化させて用いることもできる。そして、所定元素含有層を形成する工程において、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルから基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給することで、基板の表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、パージの際に基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。このように、基板の表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を高めることで、基板上への所定元素含有層の堆積または吸着を阻害抑制させつつ基板上に所定元素含有層を形成することができるようになり、所定元素含有層の堆積または吸着中心を基板のエッジ側からセンタよりに移動させることが可能となる。その結果として、高温領域において、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成することが可能となることが判明した。本発明は、発明者等が得たかかる知見に基づいてなされたものである。以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面で示している。また、図2は本実施の形態で好適に用いられる縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を図1のA-A線断面図で示している。なお、本発明は、本実施形態にかかる基板処理装置に限らず、枚葉式、HotWall型、ColdWall型の処理炉を有する基板処理装置にも好適に適用できる。図1に示されているように、処理炉202は加熱手段加熱機構としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース図示せずに支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応容器処理容器を構成する反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英SiO2または炭化シリコンSiC等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には処理室201が形成されており、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。処理室201内には、第1ガス導入部としての第1ノズル233aと、第2ガス導入部としての第2ノズル233bとが、反応管203の下部側壁を貫通するように設けられている。第1ノズル233a、第2ノズル233bには、第1ガス供給管232a、第2ガス供給管232bが、それぞれ接続されている。このように、反応管203には2本のノズル233a、233bと、2本のガス供給管232a、232bが設けられており、処理室201内へ複数種類、ここでは2種類のガスを供給することができるように構成されている。第1ガス供給管232aには上流方向から順に流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241a、及び開閉弁であるバルブ243aが設けられている。また、第1ガス供給管232aのバルブ243aよりも下流側には、第1不活性ガス供給管232dが接続されている。この第1不活性ガス供給管232dには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241d、及び開閉弁であるバルブ243dが設けられている。また、第1ガス供給管232aの先端部には、上述の第1ノズル233aが接続されている。第1ノズル233aは、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第1ノズル233aは、ウエハ200が配列されるウエハ配列領域の側方に設けられている。第1ノズル233aはL字型のロングノズルとして構成されている。第1ノズル233aの側面にはガスを供給するガス供給孔248aが設けられている。ガス供給孔248aは反応管203の中心を向くように開口しており、ウエハ200に向けてガスを供給することが可能となっている。このガス供給孔248aは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第1ガス供給管232a、マスフローコントローラ241a、バルブ243aにより第1ガス供給系が構成される。なお、第1ノズル233aを第1ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に、第1不活性ガス供給管232d、マスフローコントローラ241d、バルブ243dにより、第1不活性ガス供給系が構成される。第1不活性ガス供給系はパージガス供給系としても機能する。第2ガス供給管232bには上流方向から順に流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241b、及び開閉弁であるバルブ243bが設けられている。また、第2ガス供給管232bのバルブ243bよりも下流側には、第2不活性ガス供給管232eが接続されている。この第2不活性ガス供給管232eには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241e、及び開閉弁であるバルブ243eが設けられている。また、第2ガス供給管232bの先端部には、上述の第2ノズル233bが接続されている。第2ノズル233bは、ガス分散空間であるバッファ室237内に設けられている。バッファ室237は反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203内壁の下部より上部にわたる部分に、ウエハ200の積載方向に沿って設けられている。すなわち、バッファ室237は、ウエハ配列領域の側方に設けられている。バッファ室237のウエハ200と隣接する壁の端部にはガスを供給するガス供給孔248cが設けられている。ガス供給孔248cは反応管203の中心を向くように開口しており、ウエハ200に向けてガスを供給することが可能となっている。このガス供給孔248cは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。第2ノズル233bは、バッファ室237のガス供給孔248cが設けられた端部と反対側の端部に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、第2ノズル233bは、ウエハ配列領域の側方に設けられている。第2ノズル233bはL字型のロングノズルとして構成されている。第2ノズル233bの側面にはガスを供給するガス供給孔248bが設けられている。ガス供給孔248bはバッファ室237の中心を向くように開口している。このガス供給孔248bは、バッファ室237のガス供給孔248cと同様に、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられている。この複数のガス供給孔248bのそれぞれの開口面積は、バッファ室237内と処理室201内の差圧が小さい場合には、上流側下部から下流側上部まで、それぞれ同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって、それぞれ開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。本実施形態においては、第2ノズル233bのガス供給孔248bのそれぞれの開口面積や開口ピッチを、上流側から下流側にかけて上述のように調節することで、まず、ガス供給孔248bのそれぞれから、流速の差はあるものの、流量がほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこのガス供給孔248bのそれぞれから噴出するガスを、一旦、バッファ室237内に導入し、バッファ室237内においてガスの流速差の均一化を行うこととしている。すなわち、第2ノズル233bのガス供給孔248bのそれぞれよりバッファ室237内に噴出したガスはバッファ室237内で各ガスの粒子速度が緩和された後、バッファ室237のガス供給孔248cより処理室201内に噴出する。これにより、第2ノズル233bのガス供給孔248bのそれぞれよりバッファ室237内に噴出したガスは、バッファ室237のガス供給孔248cのそれぞれより処理室201内に噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとなる。主に、第2ガス供給管232b、マスフローコントローラ241b、バルブ243bにより第2ガス供給系が構成される。なお、第2ノズル233bおよびバッファ室237を第2ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に、第2不活性ガス供給管232e、マスフローコントローラ241e、バルブ243eにより第2不活性ガス供給系が構成される。第2不活性ガス供給系はパージガス供給系としても機能する。第1ガス供給管232aからは、所定元素を含む原料ガス、すなわち、所定元素としてのシリコンSiを含む原料ガスシリコン含有ガスとして、例えばヘキサクロロジシランSi2Cl6、略称:HCDガスが、マスフローコントローラ241a、バルブ243a、第1ノズル233aを介して処理室201内に供給される。すなわち、第1ガス供給系は原料ガス供給系シリコン含有ガス供給系として構成される。このとき同時に、第1不活性ガス供給管232dから、堆積吸着阻害ガスとしての不活性ガスが、マスフローコントローラ241d、バルブ243dを介して第1ガス供給管232a内に供給される。ここで、堆積吸着阻害ガスとは、ウエハ200表面上へのシリコンの堆積またはHCDガスの吸着を阻害させるためのガスのことである。第1ガス供給管232a内に供給された堆積吸着阻害ガスとしての不活性ガスは、第1ノズル233aを介してHCDガスと一緒に処理室201内に供給される。なおこのとき、堆積吸着阻害ガスとして、不活性ガスの代わりに水素含有ガスを第1ガス供給管232a内に供給するようにしてもよい。この場合、第1不活性ガス供給系を水素含有ガス供給系に置き換えればよい。すなわちこの場合、水素含有ガス供給系は、水素含有ガス供給管232d、マスフローコントローラ241d、バルブ243dにより構成されることとなる。このように、第1不活性ガス供給系は堆積吸着阻害ガス供給系としても構成され、水素含有ガス供給系に置き換えることも可能となっている。第2ガス供給管232bからは、窒素を含むガス窒素含有ガスとして、例えばアンモニアNH3ガスが、マスフローコントローラ241b、バルブ243b、第2ノズル233b、バッファ室237を介して処理室201内に供給される。すなわち、第2ガス供給系は窒素含有ガス供給系として構成される。このとき同時に、第2不活性ガス供給管232eから、不活性ガスが、マスフローコントローラ241e、バルブ243eを介して第2ガス供給管232b内に供給されるようにしてもよい。バッファ室237内には、図2に示すように、細長い構造を有する第1の電極である第1の棒状電極269及び第2の電極である第2の棒状電極270が、反応管203の下部より上部にわたりウエハ200の積層方向に沿って配設されている。第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれは、第2ノズル233bと平行に設けられている。第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれは、上部より下部にわたって各電極を保護する保護管である電極保護管275により覆われることで保護されている。この第1の棒状電極269又は第2の棒状電極270のいずれか一方は整合器272を介して高周波電源273に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間のプラズマ生成領域224にプラズマが生成される。主に、第1の棒状電極269、第2の棒状電極270、電極保護管275、整合器272、高周波電源273によりプラズマ発生器プラズマ発生部としてのプラズマ源が構成される。なお、プラズマ源は、後述するようにガスをプラズマで活性化させる活性化機構として機能する。電極保護管275は、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれをバッファ室237の雰囲気と隔離した状態でバッファ室237内に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管275の内部は外気大気と同一雰囲気であると、電極保護管275にそれぞれ挿入された第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270はヒータ207による熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管275の内部には窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第1の棒状電極269又は第2の棒状電極270の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられている。反応管203には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には処理室201内の圧力を検出する圧力検出器圧力検出部としての圧力センサ245および圧力調整器圧力調整部としてのAPCAutoPressureControllerバルブ244を介して真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。なお、APCバルブ244は弁を開閉して処理室201内の真空排気真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能なように構成されている開閉弁である。真空ポンプ246を作動させつつ、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいてAPCバルブ244の弁の開度を調節することにより、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。主に、排気管231、APCバルブ244、真空ポンプ246、圧力センサ245により排気系が構成される。反応管203の下方には、反応管203の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は反応管203の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には反応管203の下端と当接するシール部材としてのOリング220が設けられている。シールキャップ219の処理室201と反対側には、後述する基板保持具としてのボート217を回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255はシールキャップ219を貫通してボート217に接続されている。回転機構267は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、反応管203の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ115は、シールキャップ219を昇降させることで、ボート217を処理室201内に対して搬入搬出することが可能なように構成されている。基板支持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ200を水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に支持するように構成されている。なお、ボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材218が設けられており、ヒータ207からの熱がシールキャップ219側に伝わりにくくなるように構成されている。なお、断熱部材218は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これら断熱板を水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。反応管203内には温度検出器としての温度センサ263が設置されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、第1ノズル233a及び第2ノズル233bと同様に、L字型に構成されており、反応管203の内壁に沿って設けられている。制御部制御手段であるコントローラ121は、マスフローコントローラ241a、241b、241d、241e、バルブ243a、243b、243d、243e、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ263、ボート回転機構267、ボートエレベータ115、高周波電源273、整合器272等に接続されている。コントローラ121により、マスフローコントローラ241a、241b、241d、241eによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a、243b、243d、243eの開閉動作、APCバルブ244の開閉及び圧力センサ245に基づく圧力調整動作、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、真空ポンプ246の起動停止、ボート回転機構267の回転速度調節動作、ボートエレベータ115によるボート217の昇降動作等の制御や、高周波電源273の電力供給制御、整合器272によるインピーダンス制御が行われる。次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて、半導体装置デバイスの製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜としての窒化膜を成膜する方法の例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。図3に、本実施形態における成膜フロー図を、図4、図5に本実施形態の成膜シーケンスにおけるガス供給のタイミング図を示す。本実施形態の成膜シーケンスでは、大気圧未満の圧力に設定されると共に加熱された状態の処理容器内に、基板を収容した状態で、所定元素としてのシリコンを含む原料ガスを供給し排気することで基板上に所定元素含有層すなわちシリコン含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定されると共に加熱された状態の処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで基板上に形成されたシリコン含有層を窒化層すなわちシリコン窒化層に変化させる工程とを、その間に、処理容器内に不活性ガスを供給し排気して処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の窒化膜すなわちシリコン窒化膜を形成する。そして所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルから基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、原料ガスと一緒に堆積吸着阻害ガスとして不活性ガスまたは水素含有ガスを供給することで、基板の表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、パージの際に基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。以下、これを具体的に説明する。なお、本実施形態では、原料ガスとしてHCDガスを、窒素含有ガスとしてNH3ガスを、堆積吸着阻害ガスとしてN2ガスを、パージガスとしてN2ガスを用い、図3の成膜フロー、図4、図5の成膜シーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン窒化膜Si3N4膜、以下、単にSiN膜ともいうを形成する例について説明する。複数枚のウエハ200がボート217に装填ウエハチャージされると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートロードされる。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される圧力調整。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される温度調整。続いて、回転機構267によりボート217が回転されることでウエハ200が回転される。その後、後述する4つのステップを順次実行する。[ステップ1]第1ガス供給管232aのバルブ243a、第1不活性ガス供給管232dのバルブ243dを開き、第1ガス供給管232aにHCDガス、第1不活性ガス供給管232dに堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスを流す。N2ガスは、第1不活性ガス供給管232dから流れ、マスフローコントローラ241dにより流量調整される。HCDガスは、第1ガス供給管232aから流れ、マスフローコントローラ241aにより流量調整される。流量調整されたHCDガスは、流量調整されたN2ガスと第1ガス供給管232a内で混合されて、第1ノズル233aのガス供給孔248aから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され排気管231から排気されるHCDガスN2ガス供給。このとき、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、大気圧未満、例えば10~1000Paの範囲内の圧力に維持する。マスフローコントローラ241aで制御するHCDガスの供給流量は、例えば20~1000sccm0.02~1slmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241dで制御する堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量は、HCDガスの供給流量よりも大流量とし、例えば1000~20000sccm1~20slmの範囲内の流量とする。HCDガスをウエハ200に晒す時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。ヒータ207の温度は、上述の圧力帯において処理室201内でCVD反応が生じるような温度となるように設定する。すなわちウエハ200の温度が、例えば350~950°C、好ましくは700~950°C、より好ましくは750~950°C、さらに好ましくは800~950°Cの範囲内の温度となるようにヒータ207の温度を設定する。なお、ウエハ200の温度が350°C未満となるとウエハ200上においてHCDが分解、吸着しにくくなる。また、ウエハ200の温度が950°Cを超えるとCVD反応が強くなり過ぎ、堆積吸着阻害ガスの作用が十分に働かず、膜厚均一性の悪化を改善するのが困難となる。一方、ウエハ200の温度が700°C未満の場合、膜厚均一性は比較的良好となり、700°C以上の高温領域において膜厚均一性の悪化が顕著となり、堆積吸着阻害ガスを用いる本発明が特に有効となる。また、ウエハ200の温度が800°C未満、特に750°C未満の場合、膜中に取り込まれた水素が残留し易く、かつ、水素の吸着サイトの多い欠陥の多い低密度な膜が形成される。以上のことから、ウエハ200の温度は350~950°C、好ましくは700~950°C、より好ましくは750~950°C、さらに好ましくは800~950°Cとするのがよい。なお、ウエハ200の温度を750~950°C、さらに好ましくは800~950°Cとすれば、堆積吸着阻害ガスの作用を十分に生じさせることができ、さらに、膜中に取り込まれた水素が残留し難く脱離し易くなり、かつ、水素の吸着サイトの少ない欠陥の少ない高密度な膜を形成することが可能となる。すなわち、この温度帯においては、膜中の水素濃度が極めて低く、膜厚均一性が極めて良好な膜を形成することが可能となる。上述の条件、すなわちCVD反応が生じる条件下でHCDガスを処理室201内に供給することで、ウエハ200表面の下地膜上に1原子層未満から数原子層程度のシリコン含有層としてのシリコン層Si層が形成される。シリコン含有層はHCDガスの吸着層であってもよい。ここでシリコン層とは、シリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできるシリコン薄膜をも含む総称である。なお、シリコンにより構成される連続的な層をシリコン薄膜という場合もある。また、HCDガスの吸着層とは、HCDガスのガス分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、1原子層未満の層とは不連続に形成される原子層のことを意味している。HCDガスが自己分解する条件下では、ウエハ200上にシリコンが堆積することでシリコン層が形成される。HCDガスが自己分解しない条件下では、ウエハ200上にHCDガスが吸着することでHCDガスの吸着層が形成される。ウエハ200上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ3での窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ200上に形成可能なシリコン含有層の最小値は1原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは1原子層未満から数原子層程度とするのが好ましい。なお、ウエハ200上にHCDガスの吸着層を形成するよりも、ウエハ200上にシリコン層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ好ましい。このとき、上述のように、HCDガスを供給する第1ノズル233aと同じノズルからHCDガスと一緒に堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスを大流量でウエハ200に向けて供給することで、HCDガスの流速、特にウエハ200表面と平行方向に流れるウエハ200表面を横切るHCDガスの流速を速くする。すなわち、HCDガスのウエハ200表面と平行方向への吹き付けを強くする。これにより、ウエハ200上へのシリコンの堆積効率またはHCDガスの吸着効率を下げ、堆積または吸着を抑制させつつウエハ200上にシリコン含有層を形成することができるようになる。この堆積吸着阻害ガスの作用により、図10に示すようにシリコン含有層の堆積または吸着中心をウエハ200のエッジ側からセンタよりに移動させることが可能となり、また、シリコン含有層の最も厚い部分と最も薄い部分との差を小さくすることができ、例えば700°C以上の高温領域において吸着反応が崩れる領域、すなわちシリコン含有層の堆積または吸着が過剰となる領域においても、均一にシリコン含有層を形成することが可能となる。なお、図10aはウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速が小さい場合におけるシリコンの堆積またはHCDガスの吸着の様子を模式的に示す図である。また、図10bはウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速が大きい場合におけるシリコンの堆積またはHCDガスの吸着の様子を模式的に示す図である。なお、図10における白抜き矢印は、HCDガスとN2ガスとの流れる方向を示しており、ウエハ200上の白丸○は、ウエハ200上に堆積したSi原子またはウエハ200上に吸着したHCDガス分子を示している。また、図10では、便宜上、ウエハ200の左半分のみを示している。図10に示すように、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を大きくすることにより、シリコン含有層の厚さを全体的に薄くしつつ、シリコン含有層の堆積または吸着中心をウエハ200のエッジ側からセンタよりに移動させることが可能となる。また、シリコン含有層の最も厚い部分と最も薄い部分との差を小さくすることができ、ウエハ200面内にわたり均一にシリコン含有層を形成することが可能となる。なお、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量は、上述のように1~20slmの範囲内の流量とするのが好ましく、HCDガスの供給流量よりも大流量とするのが好ましい。このようにN2ガスの供給流量を設定し、N2ガスの体積流量を、HCDガスの体積流量よりも大流量とすることで、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を、HCDガスを単独で流す場合よりも速くする。すなわち、HCDガスを単独で流す場合よりも強くHCDガスをウエハ200表面と平行方向に吹き付ける。また、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量は、後述するステップ3において処理室201内に供給するNH3ガスの供給流量よりも大流量とするのが好ましい。このようにN2ガスの供給流量を設定し、N2ガスの体積流量を、NH3ガスの体積流量よりも大流量とすることで、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を、ウエハ200表面と平行方向に流れるNH3ガスの流速よりも速くする。すなわち、NH3ガスをウエハ200表面と平行方向に吹き付けるよりも強く、HCDガスをウエハ200表面と平行方向に吹き付ける。さらには、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量は、後述するステップ2、4において処理室201内に供給するパージガスとしてのN2ガスの供給流量よりも大流量とするのが好ましい。このように堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量を設定し、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの体積流量を、パージガスとしてのN2ガスの体積流量よりも大流量とすることで、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を、ウエハ200表面と平行方向に流れるパージガスとしてのN2ガスの流速よりも速くする。すなわち、パージガスとしてのN2ガスをウエハ200表面と平行方向に吹き付けるよりも強く、HCDガスをウエハ200表面と平行方向に吹き付ける。具体的には、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの体積流量は、HCDガスの体積流量の10~30倍程度であって、パージガスとしてのN2ガスの体積流量の5~30倍程度とするのが好ましい。堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの体積流量をHCDガスの体積流量の10~30倍程度とすることで、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速をより十分に高めることが可能となり、シリコン含有層の堆積または吸着をより十分に抑制でき、堆積または吸着中心をウエハ200のエッジ側からセンタよりにすることが容易となる。また、シリコン含有層の最も厚い部分と最も薄い部分との差を小さくすることも容易となる。結果、膜厚均一性をより十分に改善できることとなる。また、HCDガスの流速が速くなり過ぎ、シリコン含有層の堆積または吸着を抑制し過ぎて、実用的な成膜速度が得られなくなることを防止することができる。Siを含む原料としては、HCDの他、TCSテトラクロロシラン、SiCl4、DCSジクロロシラン、SiH2Cl2、SiH4モノシラン等の無機原料だけでなく、アミノシラン系の4DMASテトラキスジメチルアミノシラン、Si[NCH32]4、3DMASトリスジメチルアミノシラン、Si[NCH32]3H、2DEASビスジエチルアミノシラン、Si[NC2H52]2H2、BTBASビスターシャリーブチルアミノシラン、SiH2[NHC4H9]2などの有機原料を用いてもよい。堆積吸着阻害ガスとしての不活性ガスとしては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いてもよい。また、堆積吸着阻害ガスとしては、水素含有ガスを用いてもよい。水素含有ガスとしては、例えば水素H2ガスや重水素D2ガス等を用いることができる。図5に、堆積吸着阻害ガスとして水素含有ガスであるH2ガスを用いた成膜シーケンス例を示す。堆積吸着阻害ガスとしてのH2ガスの供給流量は、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量と同様、1000~20000sccm1~20slmの範囲内の流量とする。なお、例えば750°C以上、好ましくは800°C以上の高温下では、膜中に取り込まれた水素は残留し難く脱離し易くなることから、吸着阻害ガスとして水素含有ガスを用いても、膜中の水素濃度低減効果に影響を与えることはない。この場合においても水素の吸着サイトの少ない欠陥の少ない高密度な膜が形成される。なお、HCDガス供給時にH2ガスを供給することで、HCDガス中のClを引き抜くことが考えられ、成膜レートの向上、膜中Cl不純物の低減効果が考えられる。[ステップ2]ウエハ200上にシリコン含有層が形成された後、第1ガス供給管232aのバルブ243aを閉じ、HCDガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、残留したHCDガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243dは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。このときバルブ243eを開くようにしてもよい。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のHCDガスを処理室201内から排除する効果を更に高めることができる残留ガス除去。このときのヒータ207の温度は、ウエハ200の温度がHCDガスの供給時と同じく350~950°C、好ましくは700~950°C、より好ましくは750~950°C、さらに好ましくは800~950°Cの範囲内の温度となるように設定する。パージガスとしてのN2ガスの供給流量は、200~1000sccm0.2~1slmの範囲内の流量とする。なお、パージガスとしてのN2ガスの体積流量は、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの体積流量ほど大きくする必要はなく、それより小流量で十分なパージ効果が得られる。逆にいうと、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの体積流量は、パージガスとしてのN2ガスの体積流量よりも大きくする必要がある。すなわちシリコン含有層の堆積吸着抑制効果を得るには、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの体積流量を、パージ効果が十分に得られるだけのN2ガスの体積流量よりも大流量とする必要がある。よって、パージにより処理室201内の残留ガスを除去する際は、マスフローコントローラ241dを制御して、第1不活性ガス供給管232dから供給するN2ガスの供給流量を1~20slmから0.2~1slmへと変更し、N2ガスの体積流量を減少させることとなる。なお、パージガスとしては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いてもよい。[ステップ3]処理室201内の残留ガスを除去した後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを開き、第2ガス供給管232bにNH3ガスを流す。NH3ガスは第2ガス供給管232bから流れ、マスフローコントローラ241bにより流量調整される。流量調整されたNH3ガスは第2ノズル233bのガス供給孔248bから加熱された減圧状態のバッファ室237内に供給される。このとき、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電力を印加しない。これにより、バッファ室237内に供給されたNH3ガスは、熱で活性化されて、バッファ室237のガス供給孔248cから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され排気管231から排気されるNH3ガス供給。このとき、第2不活性ガス供給管232eのバルブ243eを開き、第2不活性ガス供給管232eから不活性ガスとしてN2ガスを供給するようにしてもよい。N2ガスはマスフローコントローラ241eにより流量調整されて、第2ガス供給管232b内に供給される。この場合、第2ノズル233bからは、NH3ガスとN2ガスの混合ガスが供給されることとなる。なお、不活性ガスとしては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いてもよい。このとき、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、大気圧未満、例えば1~3000Paの範囲内の圧力に維持する。マスフローコントローラ241bで制御するNH3ガスの供給流量は、例えば100~10000sccm0.1~10slmの範囲内の流量とする。NH3ガスをウエハ200に晒す時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。ヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば350~1200°Cの範囲内の温度となるように設定する。なお、この範囲内の温度であれば減圧雰囲気下でのNH3ガスによる窒化の効果、すなわち、シリコン含有層の窒化反応が得られることを確認した。また、ウエハ200の温度が低すぎると窒化の効果が得られないことも確認した。ただしスループットを考慮すると、ウエハ200の温度が、シリコン含有層の窒化反応が生じる程度の温度であってステップ1のHCDガスの供給時と同様な温度帯となるように、すなわちステップ1とステップ3とで処理室201内の温度を同様な温度帯に保持するようにヒータ207の温度を設定するのが好ましい。この場合、ステップ1とステップ3とでウエハ200の温度、すなわち処理室201内の温度が350~950°C、好ましくは700~950°C、より好ましくは750~950°C、さらに好ましくは800~950°Cの範囲内の一定の温度となるようにヒータ207の温度を設定する。さらには、ステップ1~ステップ4後述にかけて処理室201内の温度を同様な温度帯に保持するようにヒータ207の温度を設定するのがより好ましい。この場合、ステップ1~ステップ4後述にかけて処理室201内の温度が350~950°C、好ましくは700~950°C、より好ましくは750~950°C、さらに好ましくは800~950°Cの範囲内の一定の温度となるようにヒータ207の温度を設定する。なお、処理室201内の温度を550°C以上とすることで、減圧雰囲気下でのNH3ガスによる窒化力向上効果を得ることができる。この窒化力向上効果をより高めようとする場合、処理室201内の温度を600°C以上とするのが好ましく、さらには700°C以上とするのがより好ましい。なお、NH3ガスはプラズマで活性化させて供給するよりも、熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。上述の条件にてNH3ガスを処理室201内に供給することで、NH3ガスは加熱された減圧雰囲気下においてノンプラズマで熱的に活性化されるか、もしくは熱分解して窒素を含む窒化種が生成される。このとき、処理室201内にはHCDガスは流していないので、NH3ガスは気相反応を起こすことはなく、NH3ガスが熱的に活性化されるかもしくは熱分解することで得られた窒化種は、ステップ1でウエハ200上に形成されたシリコン含有層の少なくとも一部と反応する。これにより、シリコン含有層に対して窒化処理が行われ、この窒化処理により、シリコン含有層はシリコン窒化層Si3N4層、以下、単にSiN層ともいう。へと変化させられる改質される。なお、このとき、NH3ガスをプラズマで活性化させて流すこともできる。NH3ガスをプラズマで活性化させて流すことで、よりエネルギーの高い窒化種を生成することができ、この窒化種により窒化処理を行うことで、デバイス特性が向上する等の効果も考えられる。NH3ガスをプラズマで活性化させる場合、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加することで、バッファ室237内に供給されたNH3ガスはプラズマ励起され、活性種としてガス供給孔248cから処理室201内に供給され排気管231から排気される。このとき、高周波電源273から第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に印加する高周波電力は、例えば50~1000Wの範囲内の電力となるように設定する。その他の処理条件は、上述の処理条件と同様とする。なお、上述の温度帯では、NH3ガスは熱で十分に活性化され、十分な量の窒化種が生成される。よって、NH3ガスをノンプラズマで熱的に活性化させても十分な窒化力が得られる。なお、NH3ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、上述の窒化処理をソフトに行うことができる。窒素含有ガスとしては、NH3ガスの他、ジアジンN2H2ガス、ヒドラジンN2H4ガス、N3H8ガスやアミン系のガス等を用いてもよい。[ステップ4]シリコン含有層をシリコン窒化層へと変化させた後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを閉じ、NH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、残留したNH3ガスを処理室201内から排除する。このとき、バルブ243d,243eを開き、不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン窒化層形成に寄与した後のNH3ガスを処理室201内から排除する効果を更に高めることができる残留ガス除去。このときのヒータ207の温度は、ウエハ200の温度がNH3ガスの供給時と同じく350~950°C、好ましくは700~950°C、より好ましくは750~950°C、さらに好ましくは800~950°Cの範囲内の温度となるように設定する。パージガスとしてのN2ガスの供給流量は、200~1000sccm0.2~1slmの範囲内の流量とする。なお、上述のようにパージガスとしてのN2ガスの体積流量は、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの体積流量ほど大きくする必要はなく、それより小流量で十分なパージ効果が得られる。パージガスとしては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いてもよい。上述したステップ1~4を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回、好ましくは複数回実施することにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン窒化膜Si3N4膜、以下、単にSiN膜ともいう。を成膜することが出来る。所定膜厚のシリコン窒化膜が成膜されると、バルブ243d,243eを開き、第1不活性ガス供給管232d、第2不活性ガス供給管232eのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスが処理室201内から除去されるパージ。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される大気圧復帰。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に保持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出ボートアンロードされる。その後、処理済みのウエハ200はボート217より取り出されるウエハディスチャージ。本実施形態のステップ1では、第1ノズル233aからHCDガスと一緒に堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスを上述のような大流量で処理室201内に供給することより、HCDガスの流速、特に第1ノズル233aのガス供給孔248aからウエハ200に向けて噴出されウエハ200表面と平行方向に流れるウエハ200表面を横切るHCDガスの流速を速くする。これにより、ウエハ200上へのシリコンの堆積効率またはHCDガスの吸着効率を下げることができ、シリコンの堆積またはHCDガスの吸着を抑制させつつウエハ200上にシリコン含有層を形成することができるようになる。この堆積吸着阻害ガスの作用により、シリコン含有層の堆積または吸着中心をウエハ200のエッジ側からセンタよりに移動させることが可能となり、例えば700°C以上の高温領域において吸着反応が崩れる領域、すなわちシリコン含有層の堆積または吸着が過剰となる領域においても、均一にシリコン含有層を形成することが可能となる。また、本実施形態のステップ3では、加熱された減圧雰囲気下においてNH3ガスを活性化もしくは熱分解させて得た窒化種を用いて、シリコン含有層をシリコン窒化層へと変化させることにより、窒化種の持つエネルギーが、Si-H結合だけでなく、Si-H結合よりも高い結合エネルギーを持つN-H結合をも乖離させることでH水素が除去され、H2等として排出される。水素との結合が切り離されたSiやNは、それぞれN、Siと結びつき、新たなSi-N結合を形成する。本実施形態の成膜シーケンスにより形成したSiN膜は、膜中水素濃度がCVD-SiN膜よりも1桁少なく、極めて良質な膜となることを確認した。また、本実施形態の成膜シーケンスによりシリコン窒化膜を形成すれば、ウエハ面内における膜厚均一性は、一般的なCVD法によりシリコン窒化膜を形成する場合よりも良好なものとなることを確認した。なお、一般的なCVD法とは、無機原料であるDCSとNH3とを同時に供給してCVD法によりシリコン窒化膜を形成する方法のことを指している。また、本実施形態の成膜シーケンスにより形成したシリコン窒化膜の膜中の水素等の不純物の濃度は、一般的なCVD法により形成したシリコン窒化膜よりも極めて低くなることを確認した。また、本実施形態の成膜シーケンスにより形成したシリコン窒化膜の膜中の水素濃度は、有機系シリコン原料を用いてCVD法により形成したシリコン窒化膜よりも極めて低くなることを確認した。また、本実施形態の成膜シーケンスによれば、有機系シリコン原料を用いた場合であっても、ウエハ面内における膜厚均一性、膜中の水素濃度が良好なものとなることを確認した。上述のように本実施形態の成膜シーケンスによれば、水素濃度が極めて低いシリコン窒化膜以下、水素フリーSiN膜ともいう。を形成することができ、この水素フリーSiN膜をSACSelfAlignContactとして使用すれば、NBTINegativeBiasTemperatureInstability特性を向上させることができる。また、この水素フリーSiN膜をゲート絶縁膜として使用すれば、絶縁破壊耐性を高めることが可能となる。Si-H結合はSi-N結合と比べて結合力の弱いボンドであり、正孔-電子の再結合によって脱離する確率が高い。水素が取れたSi-未結合手ダングリングボンドは電荷トラップとなり、電流電導に寄与し、絶縁破壊耐性を弱くする。このため、膜中水素特にSi-H結合がない極めて少ない水素フリーSiN膜をゲート絶縁膜として用いることで高い絶縁破壊耐性が得られることとなる。また、本実施形態の成膜シーケンスによれば、応力が極めて低いシリコン窒化膜以下、応力フリーSiN膜ともいう。を形成することができ、この応力フリーSiN膜をSTIShallowTrenchIsolation工程に用いれば、次のようなメリットがある。すなわち、STIの形成にはSiN膜をマスクにSiエッチングが行なわれるが、SiN膜の応力は高く、ウエハ上に直接成膜するとウエハチャネル部に欠陥が入る等ダメージを与えるため、通常は、ウエハ上に10nm程度の犠牲酸化膜を形成した上にSiN膜を形成している。これに対して応力フリーSiN膜をSTI工程に用いれば、ウエハ上に応力フリーSiN膜を直接成膜してもウエハチャネル部へのダメージが生じないことから、犠牲酸化膜を形成する必要がなく、犠牲酸化膜を成膜する工程と犠牲酸化膜を除去する工程の2つの工程を削減できる。また、通常、マスク加工後のSiN膜はウエハ裏面のみ応力が大きくかかる状態になり、ウエハ全体としてゆがんでしまうが、応力フリーSiN膜をマスクとして用いれば、マスク加工後におけるウエハのゆがみがなくなり、研磨のあたりが均一になり、より効率よく研磨が可能となる。また上述の実施形態では、堆積吸着阻害ガスの作用により、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を上げることでウエハ200上へのシリコンの堆積またはHCDガスの吸着を抑制し、膜厚均一性を向上させる例について説明したが、HCDガスの流速を上げる方法はこれに限らない。例えば、反応管203内部の流動抵抗をウエハ200間の流動抵抗と同程度とすることにより、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を高めることができる。例えば、反応管203上部や下部の空間を、ダミーウエハや断熱板などで充填することにより、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を高め、ウエハ200上へのシリコンの堆積またはHCDガスの吸着を抑制し、膜厚均一性を向上させることができる。また例えば、HCDガスを供給するノズル233aとウエハ200との間のコンダクタンスを、ウエハ200間のコンダクタンスと同程度とすることにより、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を高めることができる。例えば、ノズル233aの径を大きくしたり、また、反応管203の径を小さくすることにより、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を高め、ウエハ200上へのシリコンの堆積またはHCDガスの吸着を抑制し、膜厚均一性を向上させることができる。また例えば、HCDガスの供給と排気を繰り返すことにより、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を高めることができる。例えば、反応管203内のウエハ配列領域とノズル233a内バッファ室237内との圧力差を大きくすることにより、ウエハ200表面と平行方向に流れるHCDガスの流速を高め、ウエハ200上へのシリコンの堆積またはHCDガスの吸着を抑制し、膜厚均一性を向上させることができる。また上述の実施形態では、ステップ1、ステップ2、ステップ3、ステップ4をこの順に行い、これを1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回、好ましくは複数回実施することにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン窒化膜を成膜する例について説明したが、ステップ1とステップ3とを入れ替えてもよい。すなわち、ステップ3、ステップ2、ステップ1、ステップ4をこの順に行い、これを1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回、好ましくは複数回実施することにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン窒化膜を成膜することもできる。また、上述の実施形態では、基板上に窒化膜として半導体元素であるシリコンSiを含むシリコン窒化膜SiN膜を形成する例について説明したが、本発明は基板上に窒化膜としてチタンTi、タンタルTa、アルミニウムAl等の金属元素を含む金属窒化膜を形成する場合にも適用することができる。この場合、原料ガスおよび堆積吸着阻害ガス供給による基板上への金属元素含有層の形成ステップ1と、パージによる残留ガスの除去ステップ2と、窒素含有ガス供給による金属元素含有層の金属窒化層への変換ステップ3と、パージによる残留ガスの除去ステップ4と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回、好ましくは複数回実施することにより、基板上に所定膜厚の金属窒化膜を形成する。例えば、基板上にチタンTiを含む金属窒化膜としてチタン窒化膜TiN膜を形成する場合、原料ガスおよび堆積吸着阻害ガス供給による基板上へのチタン含有層の形成ステップ1と、パージによる残留ガスの除去ステップ2と、窒素含有ガス供給によるチタン含有層のチタン窒化層への変換ステップ3と、パージによる残留ガスの除去ステップ4と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回、好ましくは複数回実施することにより基板上に所定膜厚のチタン窒化膜を形成する。原料ガスとしては、例えばTiCl4四塩化チタンガスやTDMATTetrakisdimethylaminotitanium:Ti[NCH32]4ガスを用いることができる。窒素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様、NH3ガスを用いることができる。この場合、上述の実施形態における基板処理装置の第1ガス供給系原料ガス供給系をチタン含有ガス供給系として構成する。また処理条件は、例えば上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とする。なお、TiN膜は導電性の金属窒化膜である。また例えば、基板上にタンタルTaを含む金属窒化膜としてタンタル窒化膜TaN膜を形成する場合、原料ガスおよび堆積吸着阻害ガス供給による基板上へのタンタル含有層の形成ステップ1と、パージによる残留ガスの除去ステップ2と、窒素含有ガス供給によるタンタル含有層のタンタル窒化層への変換ステップ3と、パージによる残留ガスの除去ステップ4と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回、好ましくは複数回実施することにより基板上に所定膜厚のタンタル窒化膜を形成する。原料ガスとしては、例えばPETPentaethoxytantalum:TaOC2H55ガスや、TaCl5五塩化タンタルガスを用いることができる。窒素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様、NH3ガスを用いることができる。この場合、上述の実施形態における基板処理装置の第1ガス供給系原料ガス供給系をタンタル含有ガス供給系として構成する。また処理条件は、例えば上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とする。なお、TaN膜は導電性の金属窒化膜である。また例えば、基板上にアルミニウムAlを含む金属窒化膜としてアルミニウム窒化膜AlN膜を形成する場合、原料ガスおよび堆積吸着阻害ガス供給による基板上へのアルミニウム含有層の形成ステップ1と、パージによる残留ガスの除去ステップ2と、窒素含有ガス供給によるアルミニウム含有層のアルミニウム窒化層への変換ステップ3と、パージによる残留ガスの除去ステップ4と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回、好ましくは複数回実施することにより基板上に所定膜厚のアルミニウム窒化膜を形成する。原料ガスとしては、例えばTMATrimethyl-aluminium:AlCH33ガスを用いることができる。窒素含有ガスとしては、上述の実施形態と同様、NH3ガスを用いることができる。この場合、上述の実施形態における基板処理装置の第1ガス供給系原料ガス供給系をアルミニウム含有ガス供給系として構成する。また処理条件は、例えば上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とする。なお、AlN膜は絶縁性の金属窒化膜である。このように、本実施形態の成膜シーケンスは、TiN膜やTaN膜等の導電性金属窒化膜を形成する工程や、AlN膜等の絶縁性金属窒化膜を形成する工程にも適用できる。すなわち、本実施形態の成膜シーケンスは、所定元素が半導体元素である場合だけでなく金属元素である場合にも適用できる。このように、本発明を金属窒化膜の形成に適用した場合においても、本発明をシリコン窒化膜の形成に適用した場合と同様な効果が得られる。第1実施例次に第1実施例について説明する。本実施形態の成膜シーケンスによりウエハ上にSiN膜を形成し、膜厚およびウエハ面内膜厚均一性を測定した。成膜温度ウエハ温度は、膜厚均一性の悪化が顕著となることが判明している800~950°Cの範囲内の温度とした。堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量は2~8slmの間で3通りに変化させた。3通りのN2ガスの供給流量は、ある流量値を基準、すなわち1として比率で表すと、A2.5、B5.0、C7.5となり、以下、それぞれを流量条件A、流量条件B、流量条件Cと称することとする。それ以外の成膜条件各ステップでの処理条件は、上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とした。その結果を図6、7に示す。図6は、堆積吸着阻害ガスN2の供給流量の違いによるSiN膜の膜厚のウエハ中心からの距離への依存性を示す図である。図6の横軸はウエハ面内におけるウエハ中心からの距離任意単位a.u.、すなわちウエハ中心からウエハエッジ方向半径方向に向かう位置を示している。横軸の0がウエハ中心位置を示しており、100がウエハエッジ位置を示している。図6の縦軸はSiN膜の膜厚a.u.を示している。なお、膜厚は、ウエハ中心における膜厚値を基準、すなわち1とした比率で示している。図6の白丸○、白三角△、黒丸●は、それぞれ堆積吸着阻害ガスN2の流量を、流量条件A、流量条件B、流量条件Cとした場合の膜厚を示している。図6より、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量が大きくなるほど、ウエハ外周における膜厚が減少し、ウエハ中心方向に膜厚の厚い部分が移動することが分かる。また、SiN膜の最も厚い部分と最も薄い部分との膜厚差を小さくできることが分かる。すなわち、N2ガスの供給流量を大流量にするほど、シリコンの堆積中心またはHCDガスの吸着中心をウエハのエッジ側からセンタよりに移動させることができ、均一にシリコン含有層を形成することが可能となり、その結果、均一にSiN膜を形成できるようになることが分かる。図7は、SiN膜のウエハ面内膜厚均一性の堆積吸着阻害ガスN2の供給流量への依存性を示す図である。図7の横軸は堆積吸着阻害ガスN2の供給流量a.u.を示している。なお、N2ガスの供給流量は、上述のように、ある流量値を基準、すなわち1とした比率で示している。図7の縦軸はウエハ面内膜厚均一性a.u.を示している。なお、ウエハ面内膜厚均一性は、堆積吸着阻害ガスN2の供給流量を流量条件Aとしたときのウエハ面内膜厚均一性を基準、すなわち1とした比率で示している。図7の黒丸●は、左から順に、それぞれ堆積吸着阻害ガスN2の供給流量を流量条件A、流量条件B、流量条件CとしたときのSiN膜のウエハ面内膜厚均一性を示している。なお、ウエハ面内膜厚均一性は、ウエハ面内における膜厚分布のばらつきの度合を示しており、その値が小さいほどウエハ面内における膜厚均一性が良好なことを示している。図7より、堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量が大きくなるほど、SiN膜のウエハ面内膜厚均一性が向上することが分かる。なお、堆積吸着阻害ガスN2の供給流量が、流量条件A、流量条件B、流量条件Cのいずれの場合においても、SiN膜のウエハ面内膜厚均一性は10程度以下となり、流量条件Cに至ってはSiN膜のウエハ面内膜厚均一性は5程度以下となり、膜厚均一性の悪化が顕著となることが判明した800~950°Cの高温領域においても、ウエハ面内膜厚均一性が極めて良好なSiN膜を形成できることが判明した。第2実施例次に第2実施例について説明する。本実施形態の成膜シーケンスによりウエハ上にSiN膜を形成し、形成されたSiN膜の水素濃度と膜密度を測定した。成膜温度ウエハ温度は、600°C~900°Cの間で3通りに変化させた。堆積吸着阻害ガスとしてのN2ガスの供給流量は2~8slmの範囲内のある流量とした。それ以外の成膜条件各ステップでの処理条件は、上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の条件とした。また、SiN膜の水素濃度は、TDSThermalDesorptionSpectroscopy、昇温脱離法により測定し、膜密度は、XRRX-rayReflection、X線反射率測定法により測定した。その結果を図8、図9に示す。図8は、本実施例におけるSiN膜の成膜温度とSiN膜中の水素濃度TDSによる脱離水素量との関係を示す図である。図8の横軸は成膜温度ウエハ温度°Cを示しており、縦軸はSiN膜中の水素濃度水素積算数atoms/cm3を示している。図8の黒丸●は、それぞれ成膜温度を600°C、800°C、900°CとしたときのSiN膜中の水素濃度を示している。なお、図8の白丸○は、700°C~800°Cの温度帯でSiH2Cl2ガスとNH3ガスとを用いて通常のCVD法により成膜したSiN膜CVD-SiN膜の水素濃度を比較例として示している。図8より、本実施例におけるSiN膜中の水素濃度は、成膜温度が高くなるほど低減し、少なくとも700°C~800°C以上の温度帯においては、比較例におけるCVD-SiN膜中の水素濃度よりも低くなることが分かる。また、比較例におけるCVD-SiN膜中の水素濃度は10の21乗オーダー1.0×1021atoms/cm3であるのに対し、本実施例におけるSiN膜中の水素濃度は10の20乗オーダー900°Cにおいて1.0×1020atoms/cm3であり、比較例におけるCVD-SiN膜中の水素濃度よりも一桁低くできることが分かる。図9は、本実施例におけるSiN膜の成膜温度とSiN膜の膜密度との関係を示す図である。図9の横軸は成膜温度ウエハ温度°Cを示しており、縦軸はSiN膜の膜密度Densitya.u.を示している。図9の黒丸●は、それぞれ成膜温度を600°C、800°C、900°CとしたときのSiN膜の膜密度を示している。なお、図9の白丸○は、700°C~800°Cの温度帯でSiH2Cl2ガスとNH3ガスとを用いて通常のCVD法により成膜したSiN膜CVD-SiN膜の膜密度を比較例として示している。図9より、本実施例におけるSiN膜の膜密度は、成膜温度が高くなるほど高くなり、少なくとも700°C~800°C以上の温度帯においては、比較例におけるCVD-SiN膜の膜密度よりも高くなることが分かる。第3実施例次に第3実施例について説明する。堆積吸着阻害ガスを使用した場合の本実施形態の成膜シーケンス、および、堆積吸着阻害ガスを使用しない場合の本実施形態の成膜シーケンスによりウエハ上にSiN膜をそれぞれ形成し、それぞれのSiN膜のウエハ面内膜厚均一性を測定した。堆積吸着阻害ガスを使用した場合の本実施形態の成膜シーケンスにおける成膜温度は800~900°Cの間で変化させた。堆積吸着阻害ガスを使用しない場合の本実施形態の成膜シーケンスにおける成膜温度は600~900°Cの間で変化させた。それ以外の成膜条件各ステップでの処理条件は、上述の実施形態に記載の条件範囲内の条件とした。その結果を図11に示す。図11は、ウエハ面内膜厚均一性と成膜温度ウエハ温度との関係を表す図である。図11の横軸は成膜温度°Cを示しており、縦軸はウエハ面内膜厚均一性任意単位a.u.を示している。なお、ウエハ面内膜厚均一性は、堆積吸着阻害ガスを使用しない場合の本実施形態の成膜シーケンスにより成膜温度を900°Cとして成膜したSiN膜のウエハ面内膜厚均一性を基準、すなわち1とした比率で示している。図11の黒丸●は、堆積吸着阻害ガスを使用しない場合の本実施形態の成膜シーケンスにより成膜したSiN膜のウエハ面内膜厚均一性を表している。また、白丸〇は、堆積吸着阻害ガスを使用した場合の本実施形態の成膜シーケンスにより成膜したSiN膜のウエハ面内膜厚均一性を表している。なお、ウエハ面内膜厚均一性は、ウエハ面内における膜厚分布のばらつきの度合を示しており、その値が小さいほどウエハ面内における膜厚均一性が良好なことを示している。図11より、堆積吸着阻害ガスを使用した場合の本実施形態の成膜シーケンスにより形成されたSiN膜のウエハ面内膜厚均一性は、堆積吸着阻害ガスを使用しない場合の本実施形態の成膜シーケンスにより形成されたSiN膜のウエハ面内膜厚均一性よりも良好となることが分かる。特に、成膜温度を800~900°Cとした場合においては、本実施形態の成膜シーケンスにより形成されたSiN膜のウエハ面内膜厚均一性は、堆積吸着阻害ガスを使用しない場合の本実施形態の成膜シーケンスにより形成されたSiN膜のウエハ面内膜厚均一性の1/2以下となることが分かる。すなわち、本実施形態の成膜シーケンスにより、堆積吸着阻害ガスを使用してSiN膜を形成することで、高温領域においてウエハ面内膜厚均一性を大幅に改善することが可能となることが分かる。以下に、本発明の好ましい態様について付記する。本発明の一態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする半導体装置の製造方法が提供される。好ましくは、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記ノズルを介して前記原料ガスと一緒に供給する不活性ガスまたは水素含有ガスの流量を、前記処理容器内をパージする工程において前記ノズルを介して供給する不活性ガスの流量よりも大きくする。また好ましくは、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記ノズルを介して前記原料ガスと一緒に供給する不活性ガスまたは水素含有ガスの流量を、前記原料ガスの流量よりも大きくする。また好ましくは、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記ノズルを介して前記原料ガスと一緒に供給する不活性ガスまたは水素含有ガスの流量を、前記原料ガスの流量の10~30倍とする。また好ましくは、前記流量が体積流量である。また好ましくは、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記ノズルを介して前記原料ガスと一緒に供給する不活性ガスまたは水素含有ガスの作用により、前記所定元素含有層の堆積または吸着を阻害させつつ前記所定元素含有層を形成する。また好ましくは、前記ノズルを介して前記原料ガスと一緒に前記基板に向けて供給する不活性ガスまたは水素含有ガスは、前記ノズルに接続され前記ノズル内に前記原料ガスを供給する原料ガス供給管に接続された供給管から、前記原料ガス供給管内に供給する。また好ましくは、前記窒化膜を形成する工程では、前記基板の温度を350°C以上950°C以下とする。また好ましくは、前記窒化膜を形成する工程では、前記基板の温度を700°C以上950°C以下とする。また好ましくは、前記窒化膜を形成する工程では、前記基板の温度を750°C以上950°C以下とする。また好ましくは、前記窒化膜を形成する工程では、前記基板の温度を800°C以上950°C以下とする。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記処理容器内をパージする工程において不活性ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付けるよりも強く、前記原料ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付ける半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下でシリコンを含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上にシリコン含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記シリコン含有層をシリコン窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚のシリコン窒化膜を形成する工程を有し、前記シリコン含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする半導体装置の製造方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下でシリコンを含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上にシリコン含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記シリコン含有層をシリコン窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚のシリコン窒化膜を形成する工程を有し、前記シリコン含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記処理容器内をパージする工程において不活性ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付けるよりも強く、前記原料ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付ける半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする基板処理方法が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記処理容器内をパージする工程において不活性ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付けるよりも強く、前記原料ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付ける基板処理方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理容器内に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記処理容器内に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給する不活性ガスまたは水素含有ガス供給系と、前記処理容器内を排気する排気系と、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、基板を収容した前記処理容器内にCVD反応が生じる条件下で前記原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる処理とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする処理を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する処理を行い、前記所定元素含有層を形成する処理では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする処理において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくするように、前記ヒータ、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記不活性ガスまたは水素含有ガス供給系、前記排気系および前記圧力調整部を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、前記処理容器内に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系と、前記処理容器内に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給する不活性ガスまたは水素含有ガス供給系と、前記処理容器内を排気する排気系と、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、基板を収容した前記処理容器内にCVD反応が生じる条件下で前記原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する処理と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる処理とを、その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする処理を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する処理を行い、前記所定元素含有層を形成する処理では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記処理容器内をパージする処理において不活性ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付けるよりも強く、前記原料ガスを前記基板の表面と平行方向に吹き付けるように、前記ヒータ、前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記不活性ガスまたは水素含有ガス供給系、前記排気系および前記圧力調整部を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。また好ましくは、前記ノズルには、前記ノズル内に前記原料ガスを供給する原料ガス供給管が接続されており、前記原料ガス供給管には、前記ノズルを介して前記原料ガスと一緒に前記基板に向けて供給する不活性ガスまたは水素含有ガスを前記原料ガス供給管内に供給する供給管が接続されている。"