テープ状の金属製の基材と、その上に設けられた中間層および酸化物超電導層と、該酸化物超電導層上に設けられた厚さ10μm以下のAgの安定化層とを備えて酸化物超電導積層体が構成され、該酸化物超電導積層体の外方に前記安定化層を介し前記酸化物超電導層に導通する高抵抗材からなる高抵抗層が形成され、前記高抵抗層の0°Cにおける体積抵抗率が0.1μΩm以上、かつ、前記高抵抗層の熱伝導率が20W/mK以上であり、前記酸化物超電導積層体の周囲が前記安定化層または高抵抗層あるいはコーティング層により囲まれてなることを特徴とする高抵抗材複合酸化物超電導線材。前記酸化物超電導積層体の全周が高抵抗層で囲まれてなることを特徴とする請求項1に記載の高抵抗材複合酸化物超電導線材。前記酸化物超電導積層体の全周を前記安定化層で覆って被覆酸化物超電導積層体が形成され、該被覆酸化物超電導積層体の外方に高抵抗材からなるテープ導体が貼り合わされてなることを特徴とする請求項1に記載の高抵抗材複合酸化物超電導線材。前記安定化層上に該安定化層よりも厚いテープ導体を積層して酸化物超電導複合積層体が形成され、該酸化物超電導複合積層体の全周が導電性のコーティング層により覆われてなることを特徴とする請求項1に記載の高抵抗材複合酸化物超電導線材。前記高抵抗材が、Ge、Si、Ni、Cr、Mnまたはそれらの合金からなることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の高抵抗材複合酸化物超電導線材。前記高抵抗層がめっきまたは溶射で形成されたことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の高抵抗材複合酸化物超電導線材。前記めっきまたは溶射で形成された高抵抗層の膜厚が30μm以下であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の高抵抗材複合酸化物超電導線材。しかし、特許文献1に記載された従来技術の酸化物超電導線材に適用されているNi-Cr合金は高抵抗ではあるものの、熱伝導率は低い材料とされている。また、高抵抗材であるNi-Cr合金テープを貼り合わせる構造では、Agの安定化層の表面を被覆することはできても、酸化物超電導層の側面側は露出するため、長時間放置すると環境雰囲気中の水分が浸入し、超電導特性が経年劣化するおそれがある。また、抵抗を高くするために、高抵抗材は薄い層であることが好ましいが、先の特許文献1に記載の実施例においてNi-Cr合金テープは40μm厚のものを使用しているが、薄くすればするほど取り扱いが困難になると思われ、取り扱い性の面においても優れている構造が望まれる。本発明は、以上のような従来の実情に鑑みなされたものであり、酸化物超電導層上にAgの安定化層を形成した上に高抵抗層を設けることにより、酸化物超電導層が常電導状態となった場合の抵抗を高めることができ、超電導限流器用として有用な高抵抗材複合酸化物超電導線材の提供を目的とする。本発明は、上記課題を解決するために、テープ状の金属製の基材と、その上方に設けられた中間層および酸化物超電導層と、該酸化物超電導層上に設けられた厚さ10μm以下のAgの安定化層とを備えて酸化物超電導積層体が構成され、該酸化物超電導積層体の外方に前記安定化層を介し前記酸化物超電導層に導通する高抵抗材からなる高抵抗層が形成され、前記高抵抗層の0°Cにおける体積抵抗率が0.1μΩm以上、かつ、前記高抵抗層の熱伝導率が20W/mK以上であり、前記酸化物超電導積層体の周囲が前記安定化層または高抵抗層あるいは他のコーティング層により囲まれてなることを特徴とする。上述の構造は、酸化物超電導層と安定化層を備え、0°Cにおける体積抵抗率が0.1μΩm以上、かつ、前記高抵抗層の熱伝導率が20W/mK以上である高抵抗層を備え、酸化物超電導層が常電導状態となって高抵抗層に電流が流れた場合に安定化層のみの構造に比べて高い抵抗値を示すので、超電導限流器用として好適な抵抗特性を得ることができ、安定した限流動作が可能となる。また、熱伝導率が20W/mK以上であるので、積層構造の酸化物超電導線材であっても熱はけが良く、線材内部に熱を溜めることが少ない特徴を有する。以上のことから、限流器用途に用いた場合、繰り返し限流動作を行っても、酸化物超電導層と高抵抗層及び周囲構造に熱を溜めるおそれが少なく、酸化物超電導層の焼損や損傷に至ることがない構造を提供できる。また、酸化物超電導積層体の周囲を安定化層、高抵抗層あるいは他の層で囲んでいるので、使用環境雰囲気から酸化物超電導積層体側への水分の浸入を防止することができ、超電導特性の劣化を防止できる特徴がある。本発明において、前記酸化物超電導積層体の全周が高抵抗層で囲まれてなることが好ましい。この構造により、使用環境雰囲気から酸化物超電導積層体側への水分の浸入を防止することができ、超電導特性の劣化を防止できる特徴がある。本発明において、前記酸化物超電導積層体の全周を前記安定化層で覆って被覆酸化物超電導積層体が形成され、該被覆酸化物超電導積層体の外方に高抵抗材からなるテープ導体が貼り合わされてなることが好ましい。超電導線材において高抵抗層を設ける位置は、基材上に中間層と酸化物超電導層と安定化層を備える積層構造において、積層構造全体を取り囲むように設けることができ、その場合、高抵抗層で酸化物超電導層を含めた積層構造全体を取り囲むことができるので、酸化物超電導層に対し雰囲気中の水分の浸入を阻止することができ、酸化物超電導層の経時的な劣化を抑制できる。超電導線材において高抵抗層を設ける構造として、基材上に中間層と酸化物超電導体と安定化層を備えた積層構造において、高抵抗材のテープ導体を貼り合わせることができ、成膜法やめっき法などに比べ簡便に必要な厚さと体積の高抵抗材を酸化物超電導層の近傍に安定化層を介して配置することができ、上述の限流器用途として好適な抵抗値と熱伝導性を兼ね備えた酸化物超電導線材を提供できる。本発明において、前記安定化層上に該安定化層よりも厚い高抵抗層を積層して酸化物超電導複合積層体が形成され、該酸化物超電導複合積層体の全周が導電性のコーティング層により覆われてなることが好ましい。前記テープ導体を配置した構造において、酸化物超電導層に導通状態で設けられている安定化層にテープ導体を貼り合わせた上に、全周を導電性のコーティング層で覆うことで、酸化物超電導層の全体を確実に保護できるので、酸化物超電導層に対し雰囲気中の水分の浸入を阻止することができ、酸化物超電導層の経時的な劣化を抑制できる。本発明において、前記高抵抗層が、Ge、Si、Ni、Cr、Mnまたはそれらの合金からなることが好ましい。これらの材料からなるならば、体積抵抗率が0.1μΩm以上、かつ、前記高抵抗層の熱伝導率が20W/mK以上の高抵抗層を具体的に備えることになるので、安定した限流動作が可能で熱はけの良い高抵抗材複合酸化物超電導線材を提供できる。本発明において、前記高抵抗層がめっきまたは溶射で形成されたことが好ましい。めっきまたは溶射によれば、必要な厚さの高抵抗層を酸化物超電導積層体の外周に確実に形成でき、酸化物超電導積層体の周囲を囲むことも確実にできる。本発明において、前記めっきまたは溶射で形成された高抵抗層の膜厚が30μm以下であることが好ましい。高抵抗層の膜厚がこの範囲であるならば、めっきや溶射で形成した高抵抗層が必要以上に硬くなることがないので、超電導線材として必要な可撓性を損なうことが無く、超電導線材としての巻線加工などに支障を生じない。本発明により、限流器用として用いた場合に安定した限流動作が可能な高抵抗材複合酸化物超電導線材を提供できる。また、本発明の高抵抗材複合酸化物超電導線材により熱はけに優れ、酸化物超電導層の焼損や損傷に至ることがない構造を提供できる。以下、本発明に係る酸化物超電導線材の実施形態について図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る第1実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材1を模式的に示す概略断面図であり、図2は該高抵抗材複合酸化物超電導線材1に組み込まれている酸化物超電導積層体2の積層構造の詳細を示す構成図である。酸化物超電導積層体2は、テープ状の基材3の上に、中間層5と酸化物超電導層6とAgの安定化層8を積層してなり、その酸化物超電導積層体2を中心部に備え、その全周面を覆うように高抵抗材からなる高抵抗層9が形成されることにより高抵抗材複合酸化物超電導線材1が構成されている。なお、本実施形態においてAgの安定化層8は中間層5の側面、酸化物超電導層6の側面、基材3の側面を覆って基材3の裏面も覆うように形成されているが、安定化層8は少なくとも酸化物超電導層6の上に形成されていれば良い。本実施形態に適用されている酸化物超電導積層体2は、より詳細には図2に示す如く、テープ状の基材3の上面に、拡散防止層11とベッド層12と配向層15とキャップ層16からなる中間層5が積層され、その上に酸化物超電導層6とAgの安定化層8を積層して構成されているが、図1では図示の簡略化のために中間層5を簡略化して描いている。なお、拡散防止層11とベッド層12は必須ではなく、場合によっては略しても良い。前記基材3は、通常の超電導線材の基材として使用することができ、高強度であれば良く、長尺のケーブルとするためにテープ状であることが好ましく、耐熱性の金属からなるものが好ましい。例えば、ステンレス鋼、ハステロイ等のニッケル合金等の各種耐熱性金属材料、もしくはこれら各種金属材料上にセラミックスを配したもの、等が挙げられる。各種耐熱性金属の中でも、ニッケル合金が好ましい。なかでも、市販品であれば、ハステロイ米国ヘインズ社製商品名が好適であり、ハステロイとして、モリブデン、クロム、鉄、コバルト等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等のいずれの種類も使用できる。基材3の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は、10~500μmの範囲とすることができる。なお、基材3はNi合金などに集合組織を導入した配向性基材を用い、その上に中間層5と酸化物超電導層6を形成しても良い。拡散防止層11は、基材3の構成元素拡散を防止する目的で形成されたもので、窒化ケイ素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、アルミナとも呼ぶ、あるいは、GZOGd2Zr2O7等から構成される単層構造あるいは複層構造でも良く、厚さは例えば10~400nmである。拡散防止層11の厚さが10nm未満となると、基材3の構成元素の拡散を十分に防止できなくなる虞がある。一方、拡散防止層11の厚さが400nmを超えると、拡散防止層11の内部応力が増大し、これにより、他の層を含めて全体が基材3から剥離しやすくなる虞がある。また、拡散防止層11の結晶性は特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すれば良い。ベッド層12は、耐熱性が高く、界面反応性を低減するためのものであり、その上に配される膜の配向性を得るために用いる。このようなベッド層12は、例えば、イットリアY2O3などの希土類酸化物であり、組成式α1O22xβ2O31-xで示されるものが例示できる。より具体的には、Er2O3、CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Ho2O3、La2O3等を例示することができ、これらの材料からなる単層構造あるいは複層構造でも良い。ベッド層12は、例えばスパッタリング法等の成膜法により形成され、その厚さは例えば10~100nmである。また、ベッド層12の結晶性は特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すれば良い。配向層15は、単層構造あるいは複層構造のいずれでも良く、その上に積層されるキャップ層16の結晶配向性を制御するために2軸配向する物質から選択される。配向層15の好ましい材質として具体的には、Gd2Zr2O7、MgO、ZrO2-Y2O3YSZ、SrTiO3、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等の金属酸化物を例示することができる。この配向層15をIBADIonBeamAssistedDeposition法により良好な結晶配向性例えば結晶配向度15 ゚以下で成膜するならば、その上に形成するキャップ層16の結晶配向性を良好な値例えば結晶配向度5 ゚前後とすることができ、これによりキャップ層16の上に成膜する酸化物超電導層6の結晶配向性を良好なものとして優れた超電導特性を発揮できる酸化物超電導層6を得るようにすることができる。例えば、Gd2Zr2O7、MgO又はZrO2-Y2O3YSZからなる配向層15は、IBAD法における結晶配向度を表す指標であるΔφFWHM:半値全幅の値を小さくできるため、特に好適である。前記IBAD法による配向層15は例えば図3に示す装置により成膜される。図3に示す装置は、拡散防止層11とベッド層12を備えたテープ状の基材3をその長手方向に走行するための走行系図示略と、その表面が基材3の表面に対して斜めに向いて対峙されたターゲット21と、ターゲット21にイオンを照射するスパッタビーム照射装置22と、基材3の表面に対して斜め方向からイオン希ガスイオンと酸素イオンの混合イオンを照射するイオン源23とを有しており、これらの各装置は真空容器図示略内に配置されている。図3に示す装置によって基材3のベッド層12上に配向層15を形成するには、真空容器の内部を減圧雰囲気とし、スパッタビーム照射装置22及びイオン源23を作動させる。これにより、スパッタビーム照射装置22からターゲット21にイオンを照射し、ターゲット21の構成粒子を叩き出すか蒸発させてベッド層12上に堆積する。これと同時に、イオン源23から、希ガスイオンと酸素イオンとの混合イオンを放射し、基材3の表面ベッド層12に対して所定の入射角度θで照射する。このように、ベッド層12の表面に、ターゲット21の構成粒子を堆積させつつ、所定の入射角度でイオン照射を行うことにより、形成されるスパッタ膜の特定の結晶軸がイオンの入射方向に固定され、結晶のc軸が金属基板の表面に対して垂直方向に配向するとともに、結晶のa軸及びb軸が面内において一定方向に配向する。このため、IBAD法によってベッド層12上に形成された配向層102は、高い面内配向度、例えばΔφ=12~16 ゚程度を得ることができる。次に、キャップ層16は、上述のように面内結晶軸が配向した配向層15表面に成膜されることによってエピタキシャル成長し、その後、横方向に粒成長して、結晶粒が面内方向に自己配向し得る材料、であれば特に限定されないが、好ましいものとして具体的には、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、ZrO2、Ho2O3、Nd2O3等が例示できる。キャップ層の材質がCeO2である場合、キャップ層は、Ceの一部が他の金属原子又は金属イオンで置換されたCe-M-O系酸化物を含んでいても良い。例えばCeO2によって構成される。キャップ層16は、上述のように自己配向していることにより、配向層15よりも更に高い面内配向度、例えばΔφ=4~6 ゚程度を得ることができる。例えば、CeO2層は、PLD法パルスレーザ蒸着法、スパッタリング法等で成膜することができるが、大きな成膜速度を得られる点でPLD法を用いることが望ましい。PLD法によるCeO2層の成膜条件としては、基材温度約500~1000°C、約0.6~100Paの酸素ガス雰囲気中で行うことができる。CeO2層の膜厚は、50nm以上であればよいが、十分な配向性を得るには100nm以上が好ましい。但し、厚すぎると結晶配向性が悪くなるので、50~5000nmの範囲、より好ましくは100~5000nmの範囲とすることができる。酸化物超電導層6は公知のもので良く、具体的には、REBa2Cu3OyREはY、La、Nd、Sm、Er、Gd等の希土類元素を表すなる材質のものを例示できる。この酸化物超電導層6として、Y123YBa2Cu3O7-X又はGd123GdBa2Cu3O7-Xなどを例示することができる。酸化物超電導層6は、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学気相成長法CVD法等の物理的蒸着法;熱塗布分解法MOD法等で積層することができ、なかでも生産性の観点から、PLDパルスレーザー蒸着法、TFA-MOD法トリフルオロ酢酸塩を用いた有機金属堆積法、塗布熱分解法又はCVD法を用いることができる。ここで前述のように、良好な配向性を有するキャップ層16上に酸化物超電導層6を形成すると、このキャップ層16上に積層される酸化物超電導層6もキャップ層16の配向性に整合するように結晶化する。よって前記キャップ層16上に形成された酸化物超電導層6は、結晶配向性に乱れが殆どなく、この酸化物超電導層6を構成する結晶粒の1つ1つにおいては、基材10の厚さ方向に電気を流しにくいc軸が配向し、基材10の長さ方向にa軸どうしあるいはb軸どうしが配向している。従って得られた酸化物超電導層6は、結晶粒界における量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性の劣化が殆どないので、基材10の長さ方向に電気を流し易くなり、十分に高い臨界電流密度が得られる。前記酸化物超電導積層体2の酸化物超電導層6上、あるいは、酸化物超電導積層体2の全周面に被覆されている安定化層8はAgなどの良電導性かつ酸化物超電導層6と接触抵抗が低くなじみの良い金属材料からなる層として形成される。なお、酸化物超電導層6の上に形成する安定化層をAgから構成する理由として、酸化物超電導層6に酸素をドープするアニール工程においてドープした酸素を酸化物超電導層6から逃避し難くする性質を有する点を挙げることができる。Agの安定化層8を成膜するには、スパッタ法などの成膜法を採用し、その厚さを10μm以下程度、例えば1~10μmの厚さに形成できる。Agの安定化層8を酸化物超電導積層体2の全周面に形成するには、例えば、スパッタ法などの成膜法により安定化層8を形成する場合は、成膜装置のチャンバの内部で酸化物超電導積層体2を回転させながら成膜するか、酸化物超電導積層体2を成膜装置の内部で移動させながら成膜する場合に複数の方向からAgのスパッタ粒子が堆積するように成膜する。あるいは溶射法あるいはめっき法によりAgコーティングを行ってAgの安定化層8を酸化物超電導積層体2の全周に形成すればよい。図1に示す構造の酸化物超電導積層体2は、酸化物超電導層6の上面及び側面をAgの安定化層8で覆ってカバーしているが、酸化物超電導層6の上面及び側面を安定化層8で覆って保護することにより、酸化物超電導層6が湿気などにより特性が劣化するおそれを無くすること、酸化物超電導層6に露出部分があると、後工程の処理でダメージを与えると超電導特性が劣化する場合があること、などを考慮し酸化物超電導積層体2の全周面を安定化層8で覆っている。本実施形態においては、超電導線材に常電導時の高抵抗性を付与するために、Agの安定化層8の全周面を以下に説明する高抵抗層9で覆って構成する。高抵抗層9は良電導性の安定化層8を介し酸化物超電導層6に接しているので、本実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材1を超電導限流器用として用い、超電導状態から常電導状態に転位した場合、酸化物超電導層6に通電していた電流分を高抵抗層9に流して高抵抗を得るための主体となる。高抵抗層9を構成する高抵抗材とは、0°Cにおける体積抵抗率が0.1μΩm以上、かつ、前記高抵抗層の熱伝導率が20W/mK以上であり、より具体的には、Ge、Si、Cr、Mnを含む合金、もしくは、Niを含む合金であることが好ましい。高抵抗材として用いる金属元素において、例示すると、Crは0°Cにおける体積抵抗率0.13μΩm、熱伝導率130W/mKであり、Mnは0°Cにおける体積抵抗率1.6μΩm、熱伝導率157W/mKであり、Siは0°Cにおける体積抵抗率2.3×108μΩm、熱伝導率168W/mKである。また、Geは0°Cにおける体積抵抗率8.9×104μΩm、熱伝導率67W/mKである。また、電気抵抗合金として知られるカーマロイニッケル76質量、Cr19質量、その他5質量は0°Cにおける体積抵抗率1.33μΩm、熱伝導率21W/mKである。その他、コンスタンタンなども適用できる。また、高抵抗層9はめっき層であるか、あるいは、溶射や塗布などのコーティング法によるコーティング層として構成されていることが好ましい。高抵抗層9は10μm以上の厚さとすることが好ましい。また、高抵抗層9をめっきにより形成する場合のことを考慮すると、めっき装置の規模の増大に鑑み、高抵抗の状態を維持するために厚さ30μm以下とすることが好ましい。従って、高抵抗層9の厚さについて10μm以上30μm以下の膜厚とすることにより、超電導特性の経年劣化の生じない限流器用の酸化物超電導線材として有用な酸化物超電導線材1を提供できる。高抵抗層9を形成する方法の具体例として、GeやCrを用いためっき法、Ge、Siを用いた溶射法などを例示できる。なお、高抵抗層9の下地となる厚さ10μm以下のAgの安定化層8をスパッタ法などの成膜法あるいはめっき法で形成する場合、下地となる部分の状態により安定化層8の付着性が悪く、めっきとする場合はめっきの付きが悪く、膜が十分に付着しないなどの理由により下地の酸化物超電導層6を完全には覆っていない状態が生じることがある。例えば、酸化物超電導積層体2の製造工程についてこれまで説明してきたように、テープ状の長尺の基材3の上に、拡散防止層11、ベッド層12、配向層15、キャップ層16などの各層を成膜する過程においては、真空雰囲気において雰囲気を制御して行う成膜法を駆使し、テープ状の長尺の基材3を成膜装置の内部で移動させながら、必要に応じて数100°Cの高温度に繰り返し加熱しながら各層を成膜するが、このため、基材3の側面側と裏面側は、繰り返し成膜雰囲気に曝されながら、成膜する層によっては数100°Cの高温に加熱される。このため、基材3の側面側と裏面側には、拡散防止層11、ベッド層12、配向層15、キャップ層16を成膜する工程を経る内に、不要な堆積物や高温生成物などが僅かに付着することが原因となるとともに、基材3を構成する材料がハステロイである場合、電解めっきの付きが特に悪い問題がある。これらが原因となって、基材3に膜厚10μm以下のAgの安定化層8を形成する場合、酸化物超電導層6の表面部分については完全に覆っていても、その他の部分、例えば、酸化物超電導層6の側面部分、基材1の側面や裏面部分において、安定化層8が付着していない部分あるいは必要厚みが確保されていない部分、あるいは、安定化層8の形成後のハンドリング時に安定化層8が部分的に損傷したり、部分的に剥離を生じる場合がある。高抵抗層9は、これら安定化層8の剥離部分や損傷部分も含めて酸化物超電導積層体2の全周を完全に覆い、環境雰囲気中に存在する水分が酸化物超電導層6に到達しないように被覆する必要がある。このため、高抵抗層9は、上述の如く10μm以上の膜厚として酸化物超電導積層体2の全周換言すると酸化物超電導層6の表面と側面を完全に覆っていることが好ましい。このような事情に鑑み、高抵抗層9を形成する場合、上述の如く体積抵抗率として0.1μΩm以上を確保し、熱伝導率が20W/mK以上を確保するという要求を満足する上に、高抵抗層9を形成する方法がめっき法や溶射法、塗布法に限らず、いずれの方法で高抵抗層9を形成するとしても、その膜厚を10μm以上確保することが好ましい。高抵抗層9を必要な膜厚形成することで、安定化層8の被覆に上述の如く多少の問題が生じていたとしても、酸化物超電導層6を完全に被覆できるので、高温多湿環境下で長期間使用しても、水分が超電導層側に浸入するおそれがなくなり、超電導特性の劣化は生じない。図4は高抵抗層9をめっき法により安定化層8の全周に被覆形成する場合の一例方法について説明する図である。Geめっきを行うには、一例として、図4に示す如くGe酸化物などのGe化合物を添加した電解液31を電解槽30に収容し、一方の電極として電極ローラ32を電解液31中に配置し、他方の電極として固定電極33を電解液31の内部に浸漬する形で設け、酸化物超電導積層体2を電解液31に浸漬し、電極ローラ32を介して低速で引き上げる間に電解処理を行えばよい。Geめっきを行う場合の具体例として、Ge酸化物をアルカリ塩に溶解後、この溶液に硫酸を加えてPH調整し、浴温度30~50°C程度として電流密度0.1~1.0Amp/dm2程度で電解することでGeめっきを施すことができる。また、Geコーティング層を成膜法により形成する場合は、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などを用い、ターゲットとして4N程度のGeターゲットを用い真空チャンバーの内部においてて成膜時間10数秒~数100秒程度で必要な膜厚のGeコーティング層を成膜できる。なお、上述したGeめっき、Geスパッタリングについては従来から公知の方法であり、例えば、Geめっきについては特開2009-52130号公報に詳細条件の一例が開示されており、Geスパッタリングの詳細については実用新案登録第3116820号に詳細条件の一例が記載されているので、これらの公報に開示されている従来公知の方法を一例として採用することで、GeめっきやGeコーティング層を形成できる。勿論、GeめっきやGeコーティング層の形成方法はこれら公報に記載の技術に限らず、従来公知の他の方法を採用し、必要な厚さのGeコーティング層を形成すれば良く、本願ではGeめっきやコーティング層の形成方法自体について何ら制限するものではない。図1に示す構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材1にあっては、酸化物超電導層6と安定化層8を備え、0°Cにおける体積抵抗率が0.1μΩm以上、かつ、前記高抵抗層の熱伝導率が20W/mK以上である高抵抗層9を備えているので、酸化物超電導層6が常電導状態となって高抵抗層に電流が流れた場合に安定化層のみの構造に比べて高い抵抗値を示すので、超電導限流器用として好適な抵抗特性を得ることができ、安定した限流動作が可能となる。また、高抵抗層9の熱伝導率が20W/mK以上であるので、積層構造の酸化物超電導線材1であっても熱はけが良く、線材内部に熱を溜めることが少ない特徴を有する。以上のことから、限流器用途に用いた場合、繰り返し限流動作を行っても、酸化物超電導層6と高抵抗層9及び周囲構造に熱を溜めるおそれが少なく、限流動作を繰り返し行っても酸化物超電導層6の焼損や損傷に至ることがない構造を提供できる。また、図1に示す構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材1において高抵抗層9を設ける位置は、基材上に中間層5と酸化物超電導層6と安定化層8を備える酸化物超電導積層体2を備えた構造において、積層構造全体を取り囲むように設けることができ、その場合、安定化層8と高抵抗層9で酸化物超電導層6を含めた積層構造全体を取り囲むことができるので、酸化物超電導層6に対し雰囲気中の水分の浸入を阻止することができ、酸化物超電導層6の経時的な劣化を抑制できる。図5は本発明に係る高抵抗材複合酸化物超電導線材の第2実施形態の横断面構造を示すもので、この第2実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材40は、先の第1実施形態と同等構造の酸化物超電導積層体2の全周面を覆ってAgからなる安定化層8が形成され、被覆酸化物超電導積層体42が構成されるとともに、酸化物超電導積層体2に形成した安定化層8の表面のうち、酸化物超電導層6に近い側の表面を覆うようにテープ状の高抵抗材からなるテープ導体高抵抗層43が貼り付けられて構成されている。本実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材40において、テープ導体43はめっきにより形成された層ではなく、圧延や押出などの塑性加工によりテープ状に加工された高抵抗材からなる導体層であり、このテープ状の高抵抗材を半田層などの接着層を介し安定化層8の一面側に貼り付けることで高抵抗材からなるテープ導体43が安定化層8に一体化されている。このテープ導体43を構成する高抵抗材については、先の第1実施形態で用いた高抵抗材と同じもので良いが、加えて以下の材料から選択して使用しても良い。テープ導体43を構成する材料として、コンスタンタン0°Cにおける体積抵抗率0.49μΩm、熱伝導率22W/mK、カーマロイ0°Cにおける体積抵抗率1.3μΩm、熱伝導率21W/mKなどの中から選択して使用できる。図5に示す構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材40にあっては、酸化物超電導層6の上方に安定化層8を介し酸化物超電導層6と導通状態で設けられたテープ導体43を備えているので、このテープ導体43の存在により高抵抗材複合酸化物超電導線材40の常電導時の高抵抗化をなし得、超電導限流器用の超電導線材として先の第1実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材1と同様、優れた効果を奏する。なお、図5に示す構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材40において、先の高抵抗材複合酸化物超電導線材1と異なる点は、テープ状の高抵抗材からなるテープ導体43を備えているので、高抵抗層をめっきや蒸着などの成膜法で形成するよりも遙かに簡便に設けることができ、製造時間も成膜法を用いる方法よりも短縮できる。勿論、テープ導体43であれば、高抵抗層としての厚さを大きくする場合もめっきや蒸着などの成膜法で形成するよりも遙かに簡便に厚いものを適用できる。なお、テープ導体43の厚さの制限については先の実施形態の高抵抗層9の場合と同等であり、あまりに厚いと超電導線材自体の可撓性を阻害するので、その面においても上述の厚さ範囲を選択することが好ましい。超電導線材の可撓性が損なわれるとコイル巻き加工などにより超電導コイルを製造する場合に製造が困難となる。図6は本発明に係る高抵抗材複合酸化物超電導線材の第3実施形態の横断面構造を示すもので、この実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材45は、先の第2実施形態と同様に安定化層8の表面側にテープ導体43を備えて被覆酸化物超電導積層体42が形成され、テープ導体43の上面と側面および安定化層8の底面と側面を覆うように、即ち、先の実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材40の全周面を覆うように導電性のコーティング層44を被覆し構成されている。なお、この導電性のコーティング層44は、テープ導体43が安定化層8に対し部分的に密着性不良箇所や導通不良箇所が生じたとしてもこれらをカバーしてテープ導体43と被覆酸化物超電導積層体42を一体化するために形成されている。コーティング層44は、導電性を有する金属材料からなることが好ましく、良導電性のAgやCuなどの金属材料からなるもの、あるいは、上述した高抵抗層9を構成する高抵抗材からなるめっき層、蒸着層、スパッタ層、塗布層、溶射層などのいずれからなるものでも良い。コーティング層44を高導電性の金属材料から形成した場合は、酸化物超電導層6とテープ導体43の導通を図る層として設けることができ、コーティング層44を高抵抗材から形成した場合は、高抵抗材からなるテープ導体43の高抵抗を補う層として設けることができる。本実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材45において、テープ導体43はめっきにより形成された層ではなく、圧延や押出などの塑性加工によりテープ状に加工された高抵抗材からなる層であり、このテープ状の高抵抗材をはんだなどの接着層を介し安定化層8の表面側に貼り付けることでテープ導体43が安定化層8の一面側に一体化されている。図6に示す構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材45においても先に説明した第2実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材40と同等の作用効果を得ることができる。図7は本発明に係る高抵抗材複合酸化物超電導線材の第4実施形態の横断面構造を示すもので、この実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材50は、先の第1実施形態と同等構造の酸化物超電導積層体2の表面側のみを覆うようにAgからなる安定化層7を積層して酸化物超電導複合積層体46が構成され、安定化層7の表面側を覆うようにテープ状の高抵抗材からなるテープ導体高抵抗層43が貼り付けられ、更に酸化物超電導複合積層体46の底面および側面とテープ導体43の上面および側面を覆うように導電材料からなるコーティング層44が形成されている。本実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材50において、テープ導体43はめっきにより形成された層ではなく、圧延や押出などの塑性加工によりテープ状に加工された高抵抗材からなる導体層であり、このテープ状の高抵抗材をはんだなどの接着層を介し安定化層7の表面側に貼り付けることでテープ導体43が安定化層7に一体化されている。前記テープ導体43は先の実施形態において適用されたものと同等であり、コーティング層44も先の実施形態において適用されたものと同等である。図7に示す第4実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材50は、酸化物超電導積層体46の全周を安定化層8で覆うのではなく、酸化物超電導積層体46の酸化物超電導層6の上面側のみに安定化層7を形成した構造である。図7に示す構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材50においても先の第3実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材45と同様な作用効果を得ることができる。図8は本発明に係る高抵抗材複合酸化物超電導線材の第5実施形態の横断面構造を示すもので、この実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材60は、先の第1実施形態と同等構造の酸化物超電導積層体2の表面側のみを覆うようにAgからなる安定化層7を積層して酸化物超電導複合積層体56が構成され、この酸化物超電導複合積層体56の全周面を覆うように導電材料からなるコーティング層57が形成され、このコーティング層57の一面表面を覆うようにテープ状の高抵抗材からなるテープ導体高抵抗層43が貼り付けられている。図8に示す構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材60においても先の第3実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材40と同等の作用効果を得ることができる。図9は本発明に係る高抵抗材複合酸化物超電導線材の第6実施形態の横断面構造を示すもので、この実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材70は、先の高抵抗材複合酸化物超電導線材60の全周面を覆うように導電材料からなるコーティング層58が形成されている。図9に示す構造においても先の第3、第4実施形態の高抵抗材複合酸化物超電導線材と同等の作用効果を得ることができる。実施例1ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ1000mmのテープ状の表面平滑な基材を用意し、表面を洗浄してから以下に説明するイオンビームアシストスパッタ法を用いてテープ基材の表面に厚さ1.0μmのGZOGd2Zr2O7の配向層を形成した。図3に示す構造のイオンビームアシストスパッタ装置を用いてIBAD法を実施し、アシストイオンビームの入射角度は、テープ状基材成膜面の法線に対し、55 ゚とした。IBAD法の実施にあたりテープ状の基材はスパッタ装置の内部においてリールに巻回しておき、一方のリールから他方のリールに繰り出す間に成膜できるようにしてテープ状基材の全長にわたり、GZOの配向層を形成した。続いてパルスレーザー蒸着法PLD法を用いてGZOの配向層上にCeO2の厚さ1.0μmのキャップ層を形成した。更に、このキャップ層上にパルスレーザー蒸着法によりGdBa2Cu3O7-xの厚さ1.0μmの酸化物超電導層を形成した。パルスレーザー蒸着法の実施にあたり成膜装置内部でテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜するようにした。以上の方法により、テープ状の長尺の基材上に配向層とキャップ層と酸化物超電導層を備えた構造の酸化物超電導積層体を形成した。次に、スパッタ法により酸化物超電導積層体の全周面に厚さ8μmのAgの安定化層を形成した。このスパッタ法においてもテープ状の基材をリールからリールへ供給する間に成膜できるようにしている。次に、酸素アニールを500°Cで行い、Agの安定化層を介し酸化物超電導層に酸素を供給する処理を施した後、スパッタ装置から取り出した。前記酸化物超電導積層体をリールに巻き込み、このリールから送り出しながら酸化物超電導積層体2の全周面に溶射法により厚さ20μmのSi層を形成し、高抵抗材複合酸化物超電導線材を得た。また、酸化物超電導積層体2の全周面にSi層を溶射する際、層厚を5μm、10μm、25μmに変更してそれぞれ複数の酸化物超電導積層体2に溶射層を形成し、複数の高抵抗材複合酸化物超電導線材試料を得た。この高抵抗材複合酸化物超電導線材試料の断面構造は図1に示す構造に対応する。各高抵抗材複合酸化物超電導線材について、高温120°C、高湿湿度100、高圧2気圧下の環境に20時間あるいは120時間放置した後、超電導特性の低下率を調べた。この試験はプレッシャークッカー試験に相当する。その結果を以下の表1に示す。表1に示す結果の如くSi層の膜厚を10μm以上とするならば、超電導特性劣化を防止できることが分かる。また、Si層の膜厚が20μm以上であれば、超電導電流低下率が極めて少ないか、生じない。これは、長時間高温高湿の過酷な環境下に設置しても十分な厚さの溶射層で酸化物超電導積層体を覆っているので、確実に酸化物超電導層の露出を防止できていると思われる。ここで、Si層を高抵抗材として複合した酸化物超電導線材に対する比較例として、厚さ0.1mmの銅テープを貼った酸化物超電導線材を作成し、液体窒素中に浸漬し、電気抵抗を測定した結果を以下の表2に示す。表2においてI/Icは1以上のとき、過電流を流して電圧が発生した限流動作状態を示す。以上のように表2に示す結果から、Si溶射層を安定化層の周囲に設けた場合、酸化物超電導層の露出が無く、限流特性に優れた高抵抗材複合酸化物超電導線材を提供できることが明らかになった。次に、図1に示す高抵抗材複合酸化物超電導線材試料の構造から図6に示す構造に変更して試験した。上述の実施例において、酸化物超電導積層体にAgの安定化層を全周面に形成する方法までは同等として試料作成し、この後、安定化層の表面に厚さ30μmのコンスタンタン製のテープ導体を半田付けにより接合し、最後に、高抵抗材として厚さ10μmのクロムめっき層を形成した。クロムのめっき浴は、CrO3:200~250g/L、硫酸:2.0~2.5g/L、三価クロム:3~6g/Lの組成で知られるサージェント浴を用いて厚さ20μmのクロムめっき層を形成した。クロムめっき層の0°Cにおける体積抵抗率は13μΩcm、熱伝導率は93.9W/mKである。図6に示す高抵抗材複合酸化物超電導線材の構造を採用し、コンスタンタン製のテープ導体とクロムめっき層との複合により高抵抗層を構成した構造においても、優れた結果を得ることができた。次に、これらの試料について超電導限流器に組み込み限流試験を行った。試験対象として、実施例1で作成した膜厚20μmのSi溶射層を備えた試料、Si溶射層に代えて同等厚のNiCr合金層あるいはBi層を備えた試料、更に、Crめっき層とコンスタンタン製のテープ導体を備えた実施例8の試料について、個々に繰り返し限流試験を行った。その限流試験の結果、Si溶射層に代えて同等厚のNiCr合金層を備えた試料については3回目の限流試験時に酸化物超電導層が焼損する結果となり、同等厚のBi層を備えた試料については4回目の限流試験時に焼損に至ったが、実施例1の構造あるいは実施例8の構造の高抵抗材複合酸化物超電導線材は10回の限流試験まで焼損することはなかった。これは、熱伝導率と電気抵抗が複合して限流試験に影響を与えるためであり、NiCr合金とBiは、高抵抗という意味では限流器用に良好な材料であるものの、熱伝導性の面では不足があるので繰り返し限流試験において少ない回数で焼損に至ると思われる。