"方法であって:構造体を提供するステップであり、該構造体は:複数の半導体発光デバイスを含むウェハーであり、それぞれの発光デバイスはn型領域とp型領域との間に配置された発光層を含むウェハーと;前記半導体発光デバイスの少なくとも一つの側面上に配置されたパッシベーション層と;二つの半導体発光デバイスの間の前記ウェハー上に配置された第1の材料と;を含む、ステップと;前記構造体とマウントとの間に第2の材料を配置するステップであり、前記第1の材料は前記第2の材料に対して接着するように構成されているステップと;前記構造体を前記マウントに対して取り付けるステップと;を含むことを特徴とする方法。前記方法は、さらに前記第1の材料が配置された領域において、前記ウェハーを単一化することにより、前記二つの半導体発光デバイスを分離するステップ、を含む請求項1に記載の方法。前記第1の材料は、絶縁層、誘電体層、AIN、TiN,SiO2、SiNxOy、SiNx、そしてSi3N4のうちの一つである、請求項1に記載の方法。前記第1の材料は、前記パッシベーション層である、請求項1に記載の方法。前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、請求項1に記載の方法。前記パッシベーション層は、多重層誘電体スタックである、請求項1に記載の方法。前記パッシベーション層は、コンタミネーションが前記半導体発光デバイスと接触することを防ぐように構成されている、請求項1に記載の方法。前記パッシベーション層は、前記第2の材料である、請求項1に記載の方法。前記単一化は、鋸切断、レーザースクライビング、破断、のうちの一つを含む、請求項1に記載の方法。デバイスであって:n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と;前記半導体構造体の側壁の少なくとも部分の上に配置されたパッシベーション層と;前記半導体構造体のエッチングされた表面上に配置された材料であり、該材料はアンダーフィルに対して接着するように構成されている材料と;を含むことを特徴とするデバイス。前記デバイスは、さらに前記半導体構造体に取り付けられたマウントを含み、前記アンダーフィルは前記半導体構造体と前記マウントとの間に配置される、請求項10に記載のデバイス。前記材料は、絶縁層、誘電体層、AIN、TiN,SiO2、SiNxOy、SiNx、そしてSi3N4のうちの一つである、請求項10に記載のデバイス。前記材料は、前記パッシベーション層である、請求項10に記載のデバイス。前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、請求項10に記載のデバイス。前記パッシベーション層は、多重層誘電体スッタクである、請求項10に記載のデバイス。前記パッシベーション層は、コンタミネーションが前記半導体発光デバイスと接触することを防ぐように構成されている、請求項10に記載のデバイス。前記デバイスは、さらに成長基板を含み、前記半導体構造体は前記成長基板の上で成長する、請求項10に記載のデバイス。構造体であって:複数の半導体発光デバイスを含むウェハーであり、それぞれの発光デバイスはn型領域とp型領域との間に配置された発光層を含むウェハーと;前記半導体発光デバイスの少なくとも一つの側面上に配置されたパッシベーション層と;二つの半導体発光デバイスの間の前記ウェハー上に配置された材料であり、該材料はアンダーフィルに対して接着するように構成されている材料と;を含むことを特徴とする構造体。前記材料は、前記パッシベーション層の一部分である、請求項18に記載の構造体。前記パッシベーション層は、前記発光層によって発せられた光を反射するように構成されている、請求項18に記載の構造体。本発明の目的は、半導体発光デバイスのためのパッシベーション層を提供することである。いくつかの実施例に従った方法において、構造体が提供される。構造体は、複数の半導体発光デバイスを含んだウェハーを有しており、それぞれの発光デバイスは、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含んでいる。構造体は、さらに、少なくとも一つの半導体発光デバイスの側面上に配置されたパッシベーション層と二つの半導体発光デバイスの間のウェハー上に配置された第1の材料を含んでいる。本方法は、さらに構造体とマウントの間に第2の材料を配置することを含んでいる。第1の材料は第2の材料に接着するように構成されている。構造体は、マウントに取り付けられる。本発明のいくつかの実施例において、デバイスは、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体を有している。パッシベーション層が、半導体構造体の側面の少なくとも一部の上に配置される。アンダーフィルに対して接着するように構成された材料が、半導体構造体のエッチングされた表面上に配置される。本発明のいくつかの実施例において、構造体は、複数の半導体発光デバイスを含んだウェハーを有しており、それぞれの発光デバイスは、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含んでいる。パッシベーション層が、少なくとも一つの半導体発光デバイスの側面上に配置される。アンダーフィルに対して接着するように構成された材料が、二つの半導体発光デバイスの間のウェハー上に配置される。いくつかの実施例において、パッシベーション層は、アンダーフィル、誘電体層、または多重層スタックであり得る。パッシベーション層は、コンタミネーションが半導体発光デバイスに接触することを防ぐように構成することができ、それによりデバイスのパフォーマンスを改善し、デバイス故障を避け得る。二つの半導体発光デバイスの間のウェハー上に配置された材料は、アンダーフィルのウェハーに対する接着性を改善し、デバイスの不導態化を改善し得る。以下の実施例において、半導体発光デバイスは、青色または紫外線を発光する第3族窒化物のLEDであり、LEDのほかにレーザーダイオードといった半導体デバイス、および他の第3族から第5族の材料、第3族ひ化物、第2族から第6族の材料、またはシリコン基盤の材料といった別の材料システムから構成される半導体デバイスが使用され得る。図1は、薄膜のフリップチップ型発光デバイスに係るウェハーの一部分を示している。図1に示される構造体を形成するために、成長基板の上に第1の半導体構造体20が成長する。半導体構造体20は、n型領域22とp型領域26に挟まれた発光または活性領域24を含んでいる。n型領域22は、典型的には成長基板の上に第1に成長し、例えば、バッファー層またはニュークリーションnucleation層といった準備層を含む、組成およびドーパント密度が異なる多重層を含むことができ、それらはn型であり、もしくは意図的にドープされないこともある。n型、もしくはp型のデバイス層でさえ、発光領域が効率的に発光するのに望ましい、特定の光学的または電気的な特性をもつように設計されている。発光または活性領域24は、n型領域22の上で成長する。好適な発光領域の実施例は、単一の厚い、または薄い発光層を含み、もしくはバリア層によって隔てられた多重の厚い、または薄い発光層を含む多重量子井戸型発光領域を含み得る。p型領域26は、発光領域24に上に成長する。n型領域22と同様に、p型領域26は、組成、厚み、そしてドーパント密度が異なる多重層を含み、意図的にドープされず、またはn型層である層を含むことができる。例えば、銀といった一つまたはそれ以上のp型接点金属28が、p型領域26の上に配置される。そして、後にn型接点40が形成されるn型層の領域35を露出するために、p型領域および活性領域のある領域は、エッチングで取り除かれる。p型接点28は、p型接点28の側面および上面に配置された一つまたはそれ以上のガード層30および32によってシールされ得る。ガード層30および32は、例えば、p型接点28を露出する開口部をもった誘電体層、または、図1に示されるように、チタン-タングステンTiWといった一つまたはそれ以上の金属層であり得る。例えば、プラズマエンハンスト化学気相形成PECVDによって形成された、例えば、Si3N4といった一つまたはそれ以上の誘電体層が、p型領域p型接点28およびガード層30と32を含むとn型接点40に接続された伝導性構造体を電気的に分離するために、ガード層30の上に配置される。誘電体層34中の、n型接点40が電気的にn型領域22と接触する領域35において開口部が形成され、次に、例えば、アルミニウムといった、n型接点金属40が形成される。例えば、金といった、ボンディング金属42が、それぞれのデバイスのマウント56へのボンディングおよびマウントとの電気的な接触を促進するために、n型接点40の上に形成される。p型接点28とn型接点40は、半導体構造体の同じ側に形成されている。いくつかの実施例においては、n型接点40とp型接点28は反射的であり、図1におけるデバイスの上部を通じて光が引き出されるようにデバイスが設置される。いくつかの実施例においては、接点は範囲が制限され、または透過的にされ、そして接点が形成されている表面を通じて光が引き出されるように、デバイスがマウントされ得る。デバイスに係るウェハーはマウント56に取り付けられる。例えば、ボンディング層42を、超音波ボンディング、サーモソニックボンディング、または熱圧着ボンディングによって、マウント56の上に形成されたボンディング層図1において図示なしに対して取り付ける。ウェハー10をマウント56に対して取り付ける前、最中、そして後において、アンダーフィル58が、半導体デバイスウェハー10とマウント56との間で、ボンディング層によって保持されていないあらゆる領域に配置される。アンダーフィル58は、例えば、ウェハー10またはマウント56の上に配置され、パターン化された誘電体層もしくは他のソリッド層であり、シリコン、エポキシ、もしくはボンディングの後でウェハー10とマウント56との間に注入し、キュアして硬化するのに好適なあらゆる材料が使用される。アンダーフィル58は、半導体デバイスの処理と操作の最中、特には、成長基板を除去する際に、ウェハー10を保持するものである。例えば、基板と直接に接触している半導体材料の層を溶かすために基板を通してレーザーをあてることによってサファイア製基板を除去することができるが、半導体構造体におけるストレスを生成し得る。いくつかの実施例においては、成長基板の除去によって露出された半導体層はパターン化、または粗くされ、それによりデバイスからの光の引き出しが改善され得る。いくつかの実施例においては、成長基板はデバイスの一部として残っている。図1に示すように、二つのデバイスの間の領域36は、ストリートstreetとして知られており、上述の誘電体層34に係る領域38が残される。図1に示すように、ストリートにおける誘電体層34に係る領域38は、半導体構造体20のエッチングされた表面上に露出される。例えば、メサmesaをエッチングすることにより露出されたn型領域22の表面である。ストリートは、例えば、1から10ミクロンの間の幅であり、しばしば約5ミクロンの幅である。ストリートは、例えば、鋸切断、レーザースクライビングlaserscribing、またはレーザースクライビングと破断によって切断され、単一のウェハーが個々のダイスへと切り出される。ウェハーは、例えば、デバイスがマウントに対して取り付けられた後、または、その前でも切断され得る。誘電体層38は、特に、半導体材料n型領域22とアンダーフィル58との間の境界面において、アンダーフィル58のウェハー10に対する接着性を改善し得る。アンダーフィルのウェハーに対する接着性を改善することは、デバイスに到達するコンタミネーションを防ぐシールの形成によって半導体構造体の信頼性を改善し得るし、ダメージを減じ、もしくはウェハー10の保持が十分でないことより生じる故障を避けることができる。図2は、薄膜のフリップチップ型発光デバイスに係るウェハーの一部分を示している。図2に示される構造体は、パッシベーションpassiation層44を含んでいる。図1に関して上述したように、半導体構造体20が成長し、次にp型接点28、ガード層30と32、誘電体層34、n型接点40、そしてボンディング層42が形成され、パターン化される。パッシベーション層44はボンディング層42の上に配置される。パッシベーション層44は、例えば、絶縁層または誘電体層であり、AIN、TiN,SiO2、SiNxOy、SiNx、またはSi3N4といった、あらゆる好適な材料であり、例えば、スパッタリング、電子ビーム蒸着、CVD、PECVD,またはスピンコーティングもしくはディップコーティングといったものを含むあらゆる好適な方法によって形成される。半導体構造体を好適なプリカーサprecursor材料によってスピンコーティングもしくはディップコーティングし、次に高密度な絶縁性誘電体を形成するためにキュアされる。パッシベーション層は、単一層でも多重層構造でもよい。パッシベーション層44は、一つまたはそれ以上の開口部を形成するために通常のフォトリソグラフィー技術によってパターン化される。開口部により、例えば、図1に関して上述したように、マウント上に形成されたボンディング層に対してボンディング層42を取り付けることで、半導体構造体をマウント図2では図示なしに接続することができる。パッシベーション層44は、隣接するデバイス間におけるストリート36に残され得る。パッシベーション層44は、マウント上の電極に取り付けるために導電性のパスが必要とされる領域を除いて、デバイスをカバーする。パッシベーション層44は、ボンディング層42とn型接点40の側面をコーティングcoatingすることによりデバイスの側面をシールしている。パッシベーション層が形成された領域においては、パッシベーション層は、腐食、エッッチング、酸化、そして動作または処理の最中にデバイスにダメージを与える得る他のプロセスから、デバイスを保護することにより半導体構造体を不動態化パッシベーションする。例えば、パッシベーション層44は、水蒸気といった腐食性物質の侵入を減じ、もしくは防ぐことができ、それによりデバイスのパフォーマンスを改善し、及び/又は故障率を減じることができる。いくつかの実施例において、パッシベーション層44の厚みは、活性領域24によって発せられ、パッシベーション層44上に投射される、あらゆる光を反射するように選択される。パッシベーション層44は、図1に関して上述のように、アンダーフィルのウェハーに対する接着性を改善し得る。図3は、図2に係るパッシベーション層44が、多重誘電体スタック48に置き換わったものである。多重誘電体スタック48は、屈折率が異なる二つの材料50と52が交互に重なる層のいくつかのペアを含み得る。好適な材料の例としては、例えば、SiNx、Si3N4、またはSiO2があり、例えば、図2に係るパッシベーション層44を形成するための上述の技術によって、または他のあらゆる好適な技術によって形成される。材料50と52は、スタック48上に投射される、活性領域24からのあらゆる光を反射するスタック48を形成するように選択される。スタック48において開口部54が、電気的及び/又は物理的にボンディング層42と接触する必要がある場所に形成される。多重層スタック48は、図1に関して上述のように、アンダーフィルのウェハーに対する接着性を改善し得る。いくつかの実施例においては、図3で示すように、ストリ-ト36において、またはストリ-トに隣接して、成長基板図3で図示なしを露出するために、半導体構造体の全部もしくは一部分35は、メサエッチングが除去された後も残っている。パッシベーション層図1におけるアンダーフィル58、図2におけるパッシベーション層44、図3におけるスタック48は、図3に示すように、半導体構造体20の全ての厚みが除去された半導体構造体の側面上に広がっている。パッシベーション層を半導体構造体の端面上に拡張することは、n型領域22とスタック48との間の境界面における発光を反射することによって、半導体構造体のパッシベーションとデバイスからの引き出しをさらに改善し得る。本発明について詳細を述べてきたが、本開示が与えられれば、ここにおいて述べられた本発明の範囲から逸脱することなく、本発明に対する変更が可能であることを当業者は正しく理解するであろう。従って、本発明の範囲は、図示され、説明された特定の実施例に限定されるものではない。"