入力電圧が印加される入力ポートと、出力電流を出力する出力ポートと、振動子を備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートに接続された、N個Nは2以上の整数のMEMS共振部とを有し、前記N個のMEMS共振部は、前記入力ポートに対して直列に接続される、MEMS共振器。前記N個のMEMS共振部は、略同一の機械的共振周波数を有する、請求項1に記載のMEMS共振器。前記N個のMEMS共振部の振動子同士は結合部によって機械的に結合されている、請求項1に記載のMEMS共振器。前記結合部は、前記振動子の抵抗値よりも電気的に高インピーダンスである、請求項3に記載のMEMS共振器。前記MEMS共振部において、前記振動子と、前記振動子とギャップを介して対向する電極とによって入力側静電容量が形成され、前記N個のMEMS共振部の少なくとも1つのMEMS共振部の入力側静電容量は、他の1つのMEMS共振部の入力側静電容量と付加容量素子を介して接続され、前記少なくとも1つのMEMS共振部の入力側静電容量と前記他の1つのMEMS共振部の入力側静電容量とは、前記付加容量素子を介して、前記入力ポートに対して直列に接続され、前記付加容量素子の容量は、前記MEMS共振部の入力側静電容量よりも大きい、請求項1に記載のMEMS共振器。前記付加容量素子は、前記MEMS共振部と同一基板上に形成される、請求項5に記載のMEMS共振器。さらに、前記少なくとも1つのMEMS共振部の入力側静電容量と前記付加容量素子との結線部の直流電位を規定するインピーダンス素子を有し、該インピーダンス素子のインピーダンスは前記付加容量素子のインピーダンスよりも大きい、請求項5に記載のMEMS共振器。前記インピーダンス素子は、前記MEMS共振部と同一基板上に形成される、請求項7に記載のMEMS共振器。前記MEMS共振部において、前記振動子と、前記振動子とギャップを介して対向する入力電極とによって入力側静電容量が形成され、前記振動子と、前記振動子とギャップを介して対向する出力電極とによって出力側静電容量が形成され、前記N個のMEMS共振部の1つのMEMS共振部の入力電極が前記入力ポートに接続され、前記N個のMEMS共振部の1つのMEMS共振部の振動子が他の1つのMEMS共振部の入力電極と接続されて、前記N個のMEMS共振部は前記入力ポートに対して直列に接続され、前記N個のMEMS共振部の出力電極が前記出力ポートに接続される、請求項1に記載のMEMS共振器。前記MEMS共振部において、前記振動子と、前記振動子とギャップを介して対向する電極とによって静電容量が形成され、前記N個のMEMS共振部の1つのMEMS共振部の振動子および電極の一方が、前記入力ポートに接続され、前記1つのMEMS共振部振動子および電極の他方が他の1つのMEMS共振部の振動子および電極の一方と接続されて、前記N個のMEMS共振部は前記入力ポートに対して直列に接続される、請求項1に記載のMEMS共振器。前記N個のMEMS共振部は、前記出力ポートに対して並列に接続される、請求項1に記載のMEMS共振器。請求項1に記載のMEMS共振器を備えた発振器。前記実情に鑑み、MEMS共振器への入力電圧viが増大しても共振特性に非線形性があらわれにくい、すなわち、MEMS共振器に対する入力電圧viが増大された場合にMEMS共振器が非線形共振に至るまでの入力電圧マージンが大きい、MEMS共振器を提供する。一態様は、入力電圧が印加される入力ポートと、出力電流を出力する出力ポートと、振動子を備え、入力ポートおよび出力ポートに接続された、N個Nは2以上の整数のMEMS共振部とを有し、N個のMEMS共振部は、入力ポートに対して直列に接続される、MEMS共振器である。一態様においては、N個のMEMS共振部は、略同一の機械的共振周波数を有してよい。一態様においては、N個のMEMS共振部の振動子同士は結合部によって機械的に結合されてよい。一態様においては、結合部は、振動子の抵抗値よりも電気的に高インピーダンスであってよい。一態様においては、MEMS共振部において、振動子と、振動子とギャップを介して対向する電極とによって入力側静電容量が形成され、N個のMEMS共振部の少なくとも1つのMEMS共振部の入力側静電容量は、他の1つのMEMS共振部の入力側静電容量と付加容量素子を介して接続され、少なくとも1つのMEMS共振部の入力側静電容量と他の1つのMEMS共振部の入力側静電容量とは、付加容量素子を介して、入力ポートに対して直列に接続され、付加容量素子の容量は、MEMS共振部の入力側静電容量よりも大きくともよい。一態様においては、付加容量素子は、MEMS共振部と同一基板上に形成されてよい。一態様においては、さらに、少なくとも1つのMEMS共振部の入力側静電容量と付加容量素子との結線部の直流電位を規定するインピーダンス素子を有してよく、該インピーダンス素子のインピーダンスは付加容量素子のインピーダンスよりも大きくともよい。一態様においては、インピーダンス素子は、MEMS共振部と同一基板上に形成されてよい。一態様においては、MEMS共振部において、振動子と、振動子とギャップを介して対向する入力電極とによって入力側静電容量が形成され、振動子と、振動子とギャップを介して対向する出力電極とによって出力側静電容量が形成され、N個のMEMS共振部の1つのMEMS共振部の入力電極が入力ポートに接続され、N個のMEMS共振部の1つのMEMS共振部の振動子が他の1つのMEMS共振部の入力電極と接続されて、N個のMEMS共振部は入力ポートに対して直列に接続され、N個のMEMS共振部の出力電極が出力ポートに接続されてよい。一態様においては、MEMS共振部において、振動子と、振動子とギャップを介して対向する電極とによって静電容量が形成され、N個のMEMS共振部の1つのMEMS共振部の振動子および電極の一方が、入力ポートに接続され、1つのMEMS共振部振動子および電極の他方が他の1つのMEMS共振部の振動子および電極の一方と接続されて、N個のMEMS共振部は入力ポートに対して直列に接続されてよい。一態様においては、N個のMEMS共振部は、出力ポートに対して並列に接続されてよい。別の一態様は、上記一態様のMEMS共振器を備えた発振器である。MEMS共振器は、複数のMEMS共振部を入力側において入力ポートに対して直列に接続している。そうすることにより、各共振部が非線形動作に至るまでの入力電圧のマージンを拡大している。本MEMS共振器は、入力電圧viが増大しても共振特性に非線形性があらわれにくい、すなわち、MEMS共振器に対する入力電圧viが増大された場合にMEMS共振器が非線形共振に至るまでの入力電圧マージンが大きい、という格別な効果を奏する。第1の実施の形態以下、実施の形態について、詳細に説明する。キャパシティブバイファケーションについて先ず、キャパシティブバイファケーションについて、MEMS共振器を発振器として使用する場合を例に説明する。図1Aおよび1Bは、1つのMEMS共振部99を有し、発振器として動作するMEMS共振器の構成を示した図である。図1Aに示されるように、MEMS共振器の入出力端子間に、MEMS共振器の減衰を補うに十分なゲインGを有する増幅回路51と適切な位相調整回路φ53を挿入することで帰還ループを構成し、MEMS共振部99の機械的共振周波数における発振器を構成している。ここで発振器の1つの性能指数である発振信号のキャリア雑音比C/Nは、増幅回路51に入力される電力が増加するほど良化する。図1Bは、1つのMEMS共振部99を有するMEMS共振器を用いた発振器のブロック図である。MEMS共振部99は、入力ポート19に印加される入力電圧viで励振され、振動に伴い発生する電流ioを出力ポート21から出力する。すなわち、MEMS共振器は、電圧入力、電流出力型のデバイスであって、その入出力関係は伝達コンダクタンスgm=io/viで示される。ここで、ioは、MEMS共振器の出力電流、viはMEMS共振器への入力電圧である。増幅回路51アンプの入力インピーダンスをZとすれば、アンプ入力段の電圧はZioであり、電力はZio2である。仮に、MEMS共振器への入力電圧viを2倍にすれば、ioもまた2倍になり、従ってアンプ入力段の電力は4倍となり、C/Nは10log4=6dBだけ良化する。さらには、前述したが、図2のようにN個のMEMS共振部99を、入力側で並列に、すなわち、入力ポート19に対して並列に接続し、出力側でも並列に、すなわち、出力ポート21に対して並列に接続すれば、MEMS共振器全体81では、図1Aおよび1Bの例と比べて出力電流ioはN倍となる。従ってアンプ51の入力段での電力は、図1Aおよび1Bの例と較べてNの2乗倍となり、C/N比は図1Aおよび1Bの例に較べて20logNだけ良化する。ここで、図3Aおよび3Bは、図1Aおよび1Bに示したMEMS共振部99等の伝達コンダクタンスgmの入力電圧viの周波数に対するプロット共振曲線である。図3Aは、MEMS共振部99等が安定した共振特性を示す入力電圧viの振幅範囲における共振曲線である。図3Aに示すように、適当な大きさの振幅を有する入力電圧viに関する共振曲線MEMS共振部99等の伝達コンダクタンスgmは、入力電圧viをその周波数で掃引した場合に振動子の機械的共振周波数図中のピークを中心とした対称的なプロファイルとなり、掃引方向に依存したヒステリシスは見られない。しかしながら、過度に大きな振幅を有する入力電圧viを印加すると、図3Bのように共振曲線は非線形となり、掃引方向の違いによりヒステリシスを持つ。ここでの矢印55は、入力電圧viを低周波側から高周波側へ掃引した場合のgmの変化の辿るルートを示し、途中の点線部分は理論上のルートである。矢印57は、入力電圧viを高周波側から低周波側へ掃引した場合のgmの変化の辿るルートを示している。このようなヒステリシスが顕在化された状況が生じた場合、入力電圧viの所定の周波数範囲において発振回路における共振点が定まらず発振信号の周波数安定度は著しく劣化する。このような非線形現象は、恒常的な静電力、すなわち直流電位差Vpによる静電力が常に振動子に与えられている状況下で振動子と電極との距離が近づきすぎることで恒常的な静電力が過度に作用し、電極が振動子を引き込もうとする作用に起因する。この現象は例えば非特許文献1でキャパシティブバイファケーションCapacitiveBifurcationとして論じられている。このような現象が存在することにより、図1Aおよび1BのMEMS共振部99、および、図2のMEMS共振器全体81の入力ポート19に印加する入力電圧viの大きさは、MEMS共振器99等の動作安定性確保の点から限界が存在する。発明者は種々の実験を重ねた結果、MEMS共振器からの出力電流ioを大きく保つためにN個のMEMS共振部を用いてMEMS共振器を構成する場合、入力電圧viをN分圧することで、非線形共振に至るまでの入力電圧マージンを拡大できることに着目した。入力ポート19に印加される入力電圧viをN分圧してN個のMEMS共振器に配分するために本願の実施の形態においては複数のMEMS共振部の各入力電極を入力ポート19に対して直列に接続する。直列接続することで入力インピーダンスは高くなる。これは高周波回路での50Ωインピーダンス整合から大きく外れるので、概して広い周波数帯域の信号を伝送する場合に帯域内での伝送特性に周波数依存性を持つことから好ましくないとされているが、回路サイズが信号の波長に比べて十分小さく、かつ広帯域の信号伝送品質を問われないような用途、例えば発振回路やセンサ用途では50Ω整合が必須条件とはならなくなる。特にMEMS共振器は電圧駆動電流出力型のデバイスなので入力インピーダンスを高くして入力電圧レベルを確保することは出力電流を確保する必須条件である。図4は、本実施の形態であるN個のMEMS共振部99を有するMEMS共振器85を用いた発振回路の構成である。増幅器51の出力、すなわちMEMS共振器85への入力電圧はNviである。N個のMEMS共振部99の入力は、入力ポート19に対して直列に接続される。そのため、入力ポート19に印加された入力電圧Nviは、MEMS共振部99の個数Nに応じてN分圧され、個々の共振器99の入力への入力電圧はviとなる。このため、MEMS共振器85全体としての入力電圧viの大きさに対するマージンが拡大される。また、個々のMEMS共振部99の出力は、出力ポート21に対して並列に接続されている。このため、個々のMEMS共振部99からの出力電流ioはN倍され電流Nioが増幅器51へ入力される。N個のMEMS共振部99の機械的共振周波数は、略同一であることが望ましい。そうすることで、該機械的共振周波数と一致する周波数を有する入力電圧が印加されると出力電流を効率よく増大させることができる。ここでの、略同一とは、N個のMEMS共振部に含まれる任意の1つのMEMS共振部の機械的共振周波数半値幅が、当該任意の1つのMEMS共振部以外の少なくとも1つのMEMS共振部の共振周波数半値幅と重複する状態を指す。なお、共振周波数半値幅とは、共振周波数における伝達コンダクタンスから該伝達コンダクタンスよりも3dBダウンした伝達コンダクタンスまでを示す周波数の帯域を指すものとする。図4に示した本実施の形態にかかるMEMS共振器85においては、出力ポート21においてN個の共振部99からの出力電流ioが束ねられてNioとして出力されるため、図1Aおよび1Bの構成のMEMS共振器との比較において、増幅器51入力段での電力はN2倍され、発振器のC/Nは20logNだけ良化する。また、図2の構成のMEMS共振器81において入力ポート19に入力電圧Nviを入力すると個々のMEMS共振部99が非線形共振を起こすような、入力電圧Nviであっても、図4に示した本実施の形態にかかるMEMS共振器85では、入力ポート19に当該入力電圧Nviを入力しても、個々のMEMS共振部99に対する入力はviMEMS共振部99の個数がN個の場合となるので線形領域での動作が可能である。このようにして、図4に示した本実施の形態にかかるMEMS共振器85を有する発振器では、各MEMS共振部99の線形領域における共振現象を利用した低ノイズ発振器となる。また、入力電圧は、viのN倍された高い電圧レベルNviを有するので、シュミットトリガを用いた2値化処理等の波形成形処理を施しやすくなる。図5は本実施の形態にかかるMEMS共振器85の回路図である。本図において、MEMS共振部の個数Nは3としている。MEMS共振部11a、11b、および11cの断面は、図12Bと実質同一であってよい。MEMS共振部11a、11b、および、11cは、実質同一の構成を有してよいため、ここではMEMS共振部11aを例に共振部の構成を説明する。MEMS共振部11aは、入力電極3、振動子1、出力電極5を備え、入力電極3と振動子1との間、および、振動子1と出力電極5との間は、所定間隔のギャップで隔てられている。入力電極3と振動子1との間のギャップは、入力側静電容量7容量Ciを形成する。また、振動子1と出力電極5との間のギャップは、出力側静電容量9容量Coを形成する。MEMS共振部11aの振動子1とMEMS共振部11bの入力電極3は付加容量13a容量Ceを介して接続される。MEMS共振部11bの振動子とMEMS共振部11cの入力電極との間も同様に付加容量13b容量Ceを介して接続される。入力ポート19から最も遠い位置にあるMEMS共振部11cの振動子は付加容量13c容量Ceを介して接地される。付加容量13a等の容量Ceは入力側静電容量7の容量Ciよりも大きいことが望まれる。なおさらには、付加容量13a等の容量Ceは入力側静電容量7の容量Ciよりも十分に大きいことが望まれる。この構成によりMEMS共振器の個数分に入力電圧が分圧され、分圧された入力電圧が個々のMEMS共振部に対する入力電圧となる。付加容量13a等容量Ceのインピーダンスは入力側静電容量7容量Ciのインピーダンスに比べて無視できるほど小さく、よって、入力ポート19に印加される入力電圧3viNviは3分圧され、各共振部11a、11b、11cへは、それぞれ電圧viがかかる。よって、本実施の形態N=3の場合においては、入力ポート19にかかる入力電圧が3viNviである場合に各共振部11a、11b、11cに電圧vi入力電圧のN=3分の1がかかる。電圧viが、各共振部11a、11b、11cが線形領域で共振する非線形領域で共振しない最大電圧印加許容電圧以下であれば、全ての共振部11a、11b、11cは線形領域で安定的に動作する。よって、図4に示した本実施の形態にかかるMEMS共振器100は、入力ポート19に印加される電圧が3viNviを超えない限り安定的に動作する。つまり本実施の形態にかかるMEMS共振器100は、N個N:2以上の整数。のMEMS共振部11a等を備え、入力ポート19にかかる入力電圧がMEMS共振部11a等の印加許容電圧のN倍を超えない場合において安定的に動作することが可能である。また、各MEMS共振部11a等の振動子1と付加容量13a容量Ceとの間に位置する電気的接点に対しインダクタンス素子15aインダクタンスLを介してバイアス電圧Vpが印加される。該インダクタンス素子15a、b、cインダクタンスLはインピーダンス素子を構成し、インダクタンス素子15a、b、cインダクタンスLのインピーダンスは付加容量13a等容量Ceのインピーダンスよりも大きいことが望まれる。そうすることで、入力電圧viに応じて入力電極3から注入される電流は付加容量13a、b、c容量Ceを介して隣接する共振器の入力電極3に流れる。つまり、インダクタンス素子15a、b、cインダクタンスLのインピーダンスを付加容量13a、b、c容量Ceのインピーダンスよりも高くすることで、バイアス電圧源Vpへの漏洩電流を抑制することができる。これにより、MEMS共振器100の電力損失を抑制する効果が得られる。なお、インダクタンス素子15a、b、cインダクタンスLの代わりに、付加容量13a、b、c容量Ceのインピーダンスよりも十分大きな抵抗素子を用いても電流の漏洩を抑制しつつ振動子1にバイアスDC電圧を印加することができる。図5に示すように付加容量13a等容量Ceと高インピーダンス素子15a、b、c図中のインダクタンスLを個々のMEMS共振部11aに接続することにより、入力ポート19への印加電圧3viに伴う入力電流は図6の破線矢印のように流れる。つまり、個々のMEMS共振部11a等の振動子1には同じ電流値が流れる。これにより、電流に起因する振動子1の温度変化を同一にすることができるので、各共振部11a等の温度変化による機械的共振周波数のシフト量を同一に保つことができる。これに対し、図2に示した構成のMEMS共振器81では次のような不利点がある。図7は、図2に示したMEMS共振器81の部分図である。図7のように複数の共振部MEMSの入力段を入力ポート19に対して並列に接続すると、各共振部MEMSに入力される電流97の値は各共振部MEMSまでの配線抵抗の影響を受け、電流入力部位入力ポート19よりも遠い位置にある共振部MEMSほど入力される電流97の減衰があり、それに伴い各共振部MEMSの電流に起因する温度変化も一様ではなくなり、PLLなどの周波数補正技術の適用効果が低くなる。以上の理由から、本実施の形態にかかるMEMS共振器100は、複数の共振部における電流起因の温度変化による機械的共振周波数のシフト量を同一に保つことができる点で有利である。変形例次に、本実施の形態の変形例について説明する。図8は、本実施の形態によるMEMS共振器変形例100vの回路図である。MEMS共振器100vでは、各MEMS共振部11va、11vb、11vcにおいて、入力電圧を受ける電極として機能する入力電極3と対向する振動子1を各MEMS共振部からの出力電流を出力させる出力電極として機能させるように構成される。入力電極3と振動子1との間のギャップは、入力側静電容量7容量Ciを形成し、当該静電容量7は、共振器100における出力側静電容量9としても機能する。本変形例100vでは、図5に示す構成100におけるインダクタンス素子15a、b、cインダクタンスLの代わりに、各振動子1には増幅器63の入力端が接続される。そして、各増幅器63出力端は、出力ポート21に対して並列に接続され、各増幅器63からの電流が合算された電流が出力ポート21から出力される。ここでの増幅器63の入力インピーダンスは、付加容量Ceのインピーダンスよりも高いことが望まれる。そうすることで、各増幅器63は図5のインダクタンス素子Lと同等の機能漏洩電流の遮断作用を果たすことができる。また、増幅器63の入力端は増幅器63の内部で決定されるバイアスDC電位に吊り上げられているため、当該バイアス電位に応じて振動子1に対するバイアスDC電圧も決定される。ここで、増幅器63を駆動する電源電圧をVddとすると、概して増幅器の入力端バイアスDC電圧は約Vdd/2に設定されている。よって、この場合、振動子1に対して約Vdd/2の直流電圧が印加される。なお、図8に示すMEMS共振器100vの各MEMS共振部11va、b、cにおいて、振動子1と入力電極入力電極3の配置を交代させ、振動子1を入力電極として機能させつつ該振動子と対向する電極を出力電流を出力する出力電極としてもよい。つまり、図8における入力電極3を振動可能として振動子とし、同時に図8における振動子1を振動しない出力電極とした構成であってもよい。さらには、複数のN個のNは2以上の整数。MEMS共振部を有する単一のMEMS共振器100vにおいて、少なくとも1つのMEMS共振部においては振動子を入力電極として機能させつつ該振動子に対向する電極を出力電極として機能させるように構成され、かつ、その他のMEMS共振部においては振動子を出力電極として機能させつつ該振動子に対向する電極を入力電極として機能させるように構成されてもよい。第2の実施の形態図9は、第2の実施の形態によるMEMS共振器100aの斜視図である。MEMS共振器100aは3個のMEMS共振部を備え、各共振部の振動子1同士を結合梁61によって機械的に結合している。振動子1は、その梁の一方の固定端近辺同士を結合梁61によって結合されている。すなわち、結合梁61は、振動子1同士を機械的に結合するための結合部を構成する。結合梁61による振動子1同士の機械的結合としては密結合と疎結合が知られる。一般に、密結合とは、振動子1の振動モードの腹近辺同士を細い結合梁で結合する場合を指し、疎結合とは、また振動子1の振動モードの節近辺同士を細い結合梁で結合させたり、節近辺を共有化したりする場合を指す。図9に示す機械的結合は、上記した疎結合であるが、本実施の形態において密結合を採用することも可能である。疎結合の場合、振動子1の節近辺を共有化することだけで実現できる。ただし、振動子1の振動モードが多重にスプリットするために所望のモードを選択的に使用する工夫を加える必要がある場合もある。密結合の場合、振動子1の最も振動する腹の部位に結合梁61等のジョイント部材を橋渡しするので、振動を阻害しないような超極細のジョイント部材とするか、ジョイント部材の質量も加味した共振器設計をすればよい。図9のように振動子1同士を結合梁61で機械的に結合することにより、各振動子1は独立に動作せず、1つの連続体とみなせる。そして、当該1つの連続体とみなされる振動子群の機械的共振モードを適宜選択使用することができるようになる。図9に示される連結および駆動電極入力電極3の配置では、3本の振動子1が基板平面方向に同位相で振動するモードが強く励起される。それに伴い、同位相の出力電流ioが各共振器から出力され、束ねられて3ioとして出力ポート21から出力される。このように、複数のMEMS共振部の振動子1同士を結合梁61によって機械的に結合することで、複数の振動子1を1つの振動子としてみなせるようになる。よって、各共振部のQ値が高い場合であっても個々の共振部の機械的共振周波数のずれを無視することができるようになる。図9のように結合梁61を用いて振動子1同士を機械的に結合しない場合には、各振動子1の機械的共振周波数はその振動子寸法の加工誤差等によるずれ等に起因して、特に大気の粘性の少ない真空中などで各共振部のQ値が非常に高いすなわち共振ピークの先鋭度が高い場合、ある単一周波数の入力信号入力ポート19に印加される入力電圧によって示される信号を加えても、複数の振動子1のうち実際に激しく振動する振動子と機械的共振周波数からはずれて振動しない振動子が存在し、出力電極5から振動に伴って発生する電流を束ねて出力ポート21から出力することで得られる大電流出力効果が損なわれるおそれがある。なお、図9では、図6等におけるインダクタンス素子15a等インダクタンスLの代用として抵抗素子R1、R2、R3を用いている。また、同図におけるCe1、Ce2、Ce3は付加容量素子であり、図6等における付加容量素子13a容量Ceの役割を持つ。抵抗素子R1~R3、および付加容量素子Ce1~Ce3を振動子1が形成される基板の外に設置する形態も可能であるが、図9のように、振動子1が形成される同一基板上に形成することで、共振器100aそのものの小型化が可能となる。さらに、MEMS共振器を製造する過程において回路部品のあとづけが不要となる。図10は、図9のB-B’、すなわち付加容量素子Ce1および抵抗素子R1近辺の断面構造を示す図である。ここでは、シリコン基板209上に第1埋め込み酸化膜211を介してシリコンが形成されているSOI基板を用いてMEMS共振器100aを形成する例を示す。先ず最上のシリコン層を加工し、隙間に第2埋め込み酸化膜を埋め込む。次に、シリコン表面に堆積された埋め込み酸化膜不図示をエッチング除去もしくは研磨除去する。その上に、例えば高抵抗の多結晶シリコン膜と低抵抗の多結晶シリコン膜を堆積すると抵抗素子R1が形成される。また窒化シリコン等の絶縁膜と低抵抗多結晶シリコン膜を堆積すると付加容量素子Ce1が形成される。図11は、図9の共振器構造の振動子1のみの上面図である。3本の振動子1と、それを機械的に結合する結合梁61は同一レイヤーの同一材料でよい。振動子1は導電性のよい材料、すなわち金属や抵抗率の低いシリコンが好ましいが、結合梁61も導電性を有すると、振動子1同士が短絡し、図5の構成を実現できなくなる。従って、結合梁61は全体もしくは部分を絶縁性もしくは高い抵抗を有するものとすることが望まれる。振動子1同士の結合部が高インピーダンスの導体もしくは絶縁体であるため、複数の振動子同士の電気的短絡を回避し、複数個のMEMS共振部の入力電極の入力ポートに対する直列接続、出力電極の出力ポートに対する並列接続を実現できる。例えば、SOI基板の最上のシリコン層を抵抗率の高いシリコンとすると、結合梁部分も高抵抗となるが、振動子1、および抵抗素子R1~R3と付加容量付加容量素子Ce1~Ce3につながる振動子1支持部1sには、高濃度導電性の不純物を拡散して導電率を高めることで図9の構成を実現できる。まとめ実施の形態によるMEMS共振器は、入力電圧が印加される入力ポートと、出力電流を出力する出力ポートと、該入力ポートおよび該出力ポートに接続された複数のN個Nは2以上の整数。MEMS共振部を有する。各MEMS共振部は、入力ポートに接続される入力電極と、ギャップを介して入力電極と対向する振動子と、ギャップを介して振動子と対向する出力電極とを備える。そして、複数の入力電極は、入力ポートに対して直列に接続される。あるいは、実施の形態によるMEMS共振器においては、N個のMEMS共振部は、それぞれ、電極と、ギャップを介して電極と対向する振動子とを備える。そして、当該複数のMEMS共振部のうち少なくとも1つのMEMS共振部の電極、および、残りのMEMS共振部の振動子は、入力ポートに対して直列に接続される。すなわち、実施の形態によるMEMS共振器においては、N個のMEMS共振部は入力ポートに対して直列に接続される。このような構成により、各MEMS共振部にかかる電圧は、入力ポートに印加された入力電圧をN分圧した電圧にほぼ等しくなるので、MEMS共振部が非線形共振する最小の入力電圧を大きくすることができ、よって、MEMS共振器が非線形共振に至るまでの入力電圧マージンを拡大することができる。また、本実施の形態にかかるMEMS共振器を用いて発振器を構成すれば、ノイズ特性に優れ大電流出力による作用かつ波形成形も容易高電圧耐性による作用な発振器図4を構成することができる。なお、実施の形態によるMEMS共振器の振動子は、両端を固定された両持ち梁、片持ち梁でもよいし、ディスク型や、その他、リング型、スクエア型など多様であり、梁に限定されるものでもない。また、振動子1に静電力を印加することで、振動子を構成する梁のたわみ振動モードが励起される。だが、ねじり振動モードを利用することもできる。また、実施の形態によるMEMS共振器の製造方法はSOI基板を用いる方法に限定されない。実施の形態によるMEMS共振器は、共振器、フィルタ、発振器、ジャイロスコープ、圧力センサ、質量検出素子等に利用することができる。