基板上部に、ゲート配線と、前記ゲート配線に連結されるゲート電極と、前記ゲート配線の一端のゲートパッドとを形成する第1マスク工程段階と;前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上部にゲート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上部に、その境界が前記ゲート電極内に配置される半導体層を形成する第2マスク工程段階と;前記ゲート配線と交差するデータ配線と、前記データ配線に連結されるソース電極と、前記ソース電極と離隔されるドレイン電極と、前記ドレイン電極から延長される画素電極と、前記ゲートパッドに接触するゲートパッド電極と、前記データ配線に連結されるデータパッド電極とを形成して、前記データ配線、ソース電極及びドレイン電極上部に保護パターンを形成する第3マスク工程段階とを含み、前記第3マスク工程段階は、前記半導体層上部に第1及び第2導電物質層を連続的に形成する段階と;前記第2導電物質層上部に、第1部分と、前記第1部分より大きい厚さを有する第2部分を含んで、前記ゲート電極に対応する前記第2導電物質層を露出する第1感光パターンを形成する段階と;前記第1感光パターンをエッチングマスクとして利用して前記第2導電物質層と前記第1導電物質層をエッチングして、前記データ配線と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、画素電極パターンとを形成する段階と;前記第1感光パターンを部分的に除去して、前記画素電極パターンに対応する第2感光パターンを形成する段階と;前記第2感光パターン、データ配線、ソース電極及びデータ電極上部に保護層を形成する段階と;前記第2感光パターンと、前記第2感光パターン上部の保護層とを除去して保護パターンを形成する段階と;前記画素電極パターンの前記第2導電物質層を除去して前記画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記保護パターンはスパターリング法によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記第1感光パターンを形成する段階は、前記第2導電物質層上部に感光層を形成する段階と;前記感光層上部に、前記半導体層の中央部に対応する透過部と、前記画素電極に対応する遮断部と、前記データ配線、ソース電極及びドレイン電極に対応して、透過率が前記遮断部より大きくて前記透過部より小さい半透過部を含むマスクを配置する段階と;前記マスクを介して前記感光層を露光する段階と;前記感光層を現像して前記第1感光パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記第1マスク工程段階は、前記基板上部にデータパッドを形成する段階をさらに含み、そして、前記第2マスク工程段階は、前記ゲート絶縁膜にデータパッドコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記データパッド電極は、前記データパッドコンタクトホールを介して前記データパッドと接触することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記第2マスク工程段階は、前記ゲート絶縁膜上部に純粋シリコーン層及び不純物シリコーン層を連続的に形成する段階と;前記不純物シリコーン層上部に、第1部分と、前記第1部分より大きい厚さを有する第2部分を含んで、前記ゲートパッド及びデータパッドに対応するゲート絶縁膜を露出する第1感光パターンを形成する段階と;前記第1感光パターンをエッチングマスクとして利用して前記不純物シリコーン層と前記純粋シリコーン層をパターニングする段階と;前記第1感光パターンを部分的に除去して前記ゲート電極に対応する第2感光パターンを形成する段階と;前記第2感光パターンをエッチングマスクとして利用して前記不純物シリコーン層、純粋シリコーン層及びゲート絶縁膜をパターニングして前記半導体層を形成し、前記ゲートパッドを露出するゲートパッドコンタクトホールを前記ゲート絶縁膜に形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記第1感光パターンを形成する段階は、前記不純物シリコーン層上部に感光層を形成する段階と;前記感光層上部に、前記ゲートパッド及びデータパッドに対応する透過部と、前記ゲート電極に対応する遮断部と、透過率が前記遮断部より大きくて前記透過部より小さい半透過部を含むマスクを配置する段階と;前記マスクを介して前記感光層を露光する段階と;前記感光層を現像して前記第1感光パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記第1マスク工程段階を通じて、前記基板上部に共通配線を形成する段階と;前記第3マスク工程段階を通じて共通電極を形成する段階とをさらに含み、前記共通電極は、前記共通配線に連結され、前記画素領域で前記画素電極と交互に配置されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記第2マスク工程段階は、前記共通配線を露出する共通コンタクトホールを、前記ゲート絶縁膜に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。基板上部に、ゲート配線と、前記ゲート配線に連結されるゲート電極と、前記ゲート配線の一端のゲートパッドとを形成する第1マスク工程段階と;前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上部にゲート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上部に、その境界が前記ゲート電極内に配置される半導体層を形成する第2マスク工程段階と;前記ゲート配線と交差するデータ配線と、前記データ配線に連結されるソース電極と、前記ソース電極と離隔されるドレイン電極と、前記ドレイン電極から延長される画素電極と、前記ゲートパッドに接触するゲートパッド電極と、前記データ配線に連結されるデータパッド電極とを形成して、前記データ配線、ソース電極及びドレイン電極上部に保護パターンを形成する第3マスク工程段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。しかし、4マスク工程で製作された液晶表示装置用アレイ基板では、データ配線30、ソース及びドレイン電極32、34と半導体層42を同一マスクで形成する過程で前記半導体層42、特にアクティブ層40がデータ配線30とソース及びドレイン電極32、34の下部でその外部に突出した形態で構成されることが一般的である。このような構成は前記薄膜トランジスタTのアクティブ層40がデータ配線30下部のアクティブ層40と連結されるので、ゲート電極25によって遮られないで下部のバックライトの光に露出して光電流を誘発することができ、前記光電流は薄膜トランジスタTで漏れ電流で作用して薄膜トランジスタTの駆動に致命的な副作用を引き起こす。そして、データ配線30の下部に位置したアクティブ層40はデータ配線30から突出しており、データ配線30下部のアクティブ層40と画素電極70間のカップリングキャップが予想外に大きくなり、これにより液晶の再配列に悪影響を及ぼし、表示映像に波形の線が現われるウエイビーノイズwavynoiseが発生する。また、従来の4マスク工程はマスク数の増加をもたらしたのであり、前記マスク数の増加は装備初期投資額と製造原価を上昇させる問題を引き起こす。本発明は前述した問題を解決するために案出されたことで、3マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上することを目的にする。また、マスク数の減少のために3マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができることをまた他の目的にする。前述した目的を達成するために、本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、基板と;前記基板上部のゲート配線と;前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と;前記ゲート配線及びデータ配線に連結されて、前記ゲート配線に連結されるゲート電極と、その境界が前記ゲート電極内に配置される半導体層と、前記データ配線に連結されるソース電極と、前記ソース電極と離隔されたドレイン電極を含む薄膜トランジスタと;前記データ配線と前記薄膜トランジスタを覆う保護パターンと;前記ドレイン電極から延長される画素電極を含む。前記液晶表示装置用アレイ基板は前記データ配線の一端のゲートパッドと、前記ゲート配線の一端のデータパッドをさらに含んで、前記ゲートパッドは前記データパッドと同一物質及び同一層で構成されることを特徴とする。そして、前記液晶表示装置用アレイ基板は前記ゲートパッドと接触するゲートパッド電極と、前記データパッドに接触するデータパッド電極をさらに含んで、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極は前記保護パターンを介して露出することを特徴とする。また、前記液晶表示装置用アレイ基板は前記ゲート配線に平行に離隔される共通配線と;前記画素領域に形成されて、前記画素電極と離隔される共通電極をさらに含む。前記データ配線と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極はそれぞれ第1導電物質層と、前記第1導電物質層上部の第2金属層の二重層構造であることを特徴としており、前記画素電極は前記保護パターンを介して露出する前記第1導電物質層を含むことを特徴としており、前記第1導電物質層はインジウム-スズ-オキサイドITOとインジウム-ジンク-オキサイドIZOで構成される透明物質グループのうちから選択された一つで構成されることを特徴とする。この時、前記液晶表示装置用アレイ基板は前記半導体層と前記ソース電極間と、前記半導体層と前記ドレイン電極間に形成されるバッファー金属層をさらに含んで、前記半導体層は純粋非晶質シリコーンで構成されたアクティブ層と、不純物非晶質シリコーンで構成されたオーミックコンタクト層を含むことを特徴として、前記バッファー金属層はモリブデンで構成されることを特徴としており、前記第2導電物質層は銅、モリブデン、モリブデン合金、アルミニウム、アルミニウム合金、クロムで構成される不透明物質グループのうちから選択された一つで構成されることを特徴とする。そして、前記画素電極は前記ドレイン電極から延長された延長部と、前記延長部から垂直に分岐した複数の垂直部を含んで、前記共通電極は前記画素電極の複数の垂直部と交互に配置される複数の垂直部を含むことを特徴として、前記液晶表示装置用アレイ基板は前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜をさらに含んで、前記共通電極は前記ゲート絶縁膜に形成された共通コンタクトホールを介して前記共通配線に連結されることを特徴とする。また、前記画素電極及び共通電極はそれぞれ前記保護パターンを介して露出する第1導電物質層を含むことを特徴として、前記第1導電物質層はインジウム-スズ-オキサイドITOとインジウム-ジンク-オキサイドIZOで構成される透明物質グループのうちから選択された一つまたはモリブデン合金で構成される不透明物質グループのうちから選択された一つで構成されることを特徴としており、前記第2導電物質層は銅、モリブデン、モリブデン合金、アルミニウム、アルミニウム合金、クロムで構成される不透明物質グループのうちから選択された一つで構成されることを特徴とする。そして、前記画素電極は隣接した画素領域の隣接したゲート配線に重なって、前記隣接したゲート配線の重畳部を第1キャパシタ電極として含んで前記画素電極の重畳部を第2キャパシタ電極として含むストレージキャパシタを定義する。一方、本発明による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板上部に、ゲート配線と、前記ゲート配線に連結されるゲート電極と、前記ゲート配線の一端のゲートパッドを形成する第1マスク工程段階と;前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上部にゲート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上部に、その境界が前記ゲート電極内に配置される半導体層を形成する第2マスク工程段階と;前記ゲート配線と交差するデータ配線と、前記データ配線に連結されるソース電極と、前記ソース電極と離隔されるドレイン電極と、前記ドレイン電極から延長される画素電極と、前記ゲートパッドに接触するゲートパッド電極と、前記データ配線に連結されるデータパッド電極を形成して、前記データ配線、ソース電極及びドレイン電極上部に保護パターンを形成する第3マスク工程段階を含む。そして、前記第1マスク工程段階は前記基板上部にデータパッドを形成する段階をさらに含んで、前記第2マスク工程段階は前記ゲート絶縁膜にデータパッドコンタクトホールを形成する段階をさらに含んで、前記データパッド電極は前記データパッドコンタクトホールを介して前記データパッドと接触することを特徴とする。また、前記第2マスク工程段階は、前記ゲート絶縁膜上部に純粋シリコーン層及び不純物シリコーン層を連続的に形成する段階と;前記不純物シリコーン層上部に、第1部分と、前記第1部分より大きい厚さを有する第2部分を含んで、前記ゲートパッド及びデータパッドに対応するゲート絶縁膜を露出する第1感光パターンを形成する段階と;前記第1感光パターンをエッチングマスクとして利用して前記不純物シリコーン層と前記純粋シリコーン層をパターニングする段階と;前記第1感光パターンを部分的に除去して前記ゲート電極に対応する第2感光パターンを形成する段階と;前記第2感光パターンをエッチングマスクとして利用して前記不純物シリコーン層、純粋シリコーン層及びゲート絶縁膜をパターニングして前記半導体層を形成して前記ゲートパッドを露出するゲートパッドコンタクトホールを前記ゲート絶縁膜に形成する段階をさらに含むことを特徴とする。ここで、前記第1感光パターンを形成する段階は、前記不純物シリコーン層上部に感光層を形成する段階と;前記感光層上部に、前記ゲートパッド及びデータパッドに対応する透過部と、前記ゲート電極に対応する遮断部と、透過率が前記遮断部より大きくて前記透過部より小さい半透過部を含むマスクを配置する段階と;前記マスクを介して前記感光層を露光する段階と;前記感光層を現像して前記第1感光パターンを形成する段階を含むことを特徴とする。そして、前記第3マスク工程段階は、前記半導体層上部に第1及び第2導電物質層を連続的に形成する段階と;前記第2導電物質層上部に、第1部分と、前記第1部分より大きい厚さを有する第2部分を含んで、前記ゲート電極に対応する前記第2導電物質層を露出する第1感光パターンを形成する段階と;前記第1感光パターンをエッチングマスクとして利用して前記第2導電物質層と前記第1導電物質層をエッチングして前記データ配線と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、画素電極パターンを形成する段階と;前記第1感光パターンを部分的に除去して前記画素電極パターンに対応する第2感光パターンを形成する段階と;前記第2感光パターン、データ配線、ソース電極及びデータ電極上部に保護層を形成する段階と;前記第2感光パターンと、前記第2感光パターン上部の保護層を除去して保護パターンを形成する段階と;前記画素電極パターンの前記第2導電物質層を除去して前記画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする。この時、前記第1感光パターンを形成する段階は、前記第2導電物質層上部に感光層を形成する段階と;前記感光層上部に、前記半導体層の中央部に対応する透過部と、前記画素電極に対応する遮断部と、前記データ配線、ソース電極及びドレイン電極に対応して、透過率が前記遮断部より大きくて前記透過部より小さい半透過部を含むマスクを配置する段階と;前記マスクを介して前記感光層を露光する段階と;前記感光層を現像して前記第1感光パターンを形成する段階を含むことを特徴とする。一方、前記保護パターンはスパターリング法によって形成されることを特徴として、前記液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、前記第1マスク工程段階を通じて、前記基板上部に共通配線を形成する段階と;前記第3マスク工程段階を通じて、前記共通配線に連結されて、前記画素領域で前記画素電極と交互に配置される共通電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。この時、前記第2マスク工程段階は、前記共通配線を露出する共通コンタクトホールを前記ゲート絶縁膜に形成する段階をさらに含むことを特徴とする。他の一方、本発明による液晶表示装置は、カラーフィルター基板と、第1項のアレイ基板と、前記カラーフィルター基板と前記アレイ基板間に介在された液晶層を含む。本発明では第一に、スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することを介してリフトオフ工程による不良を最小化することができる長所がある。第二に、半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状に構成することによって、光漏れ電流による画質不良を防止して画質を改善することができる効果がある。第三に、前述した半導体層及びデータ配線の構造は過度に設計されたブラックマトリックスの線幅を減らすことができて開口率が改善される長所がある。第四に、誘電体層としてゲート絶縁膜が利用されるのでストレージキャパシタの面積を最小化することができる長所がある。第五に、本発明ではデータ配線と薄膜トランジスタを包む保護膜パターンにより信頼性を向上することができる効果がある。以下、添付した図面を参照して本発明による液晶表示装置について説明する。本発明の第1実施形態では、3マスク工程で製作された液晶表示装置用アレイ基板で、アクティブ層とオーミックコンタクト層とバッファーパターンを含む半導体層を島状に構成することを特徴とする。また、3マスク工程時、リフトオフ工程の不良を最小化するためにスパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することを特徴とする。図3は、本発明の第1実施形態による液晶表示装置用アレイ基板の単位画素を示した平面図である。図示したように、基板100上に一方向にその終端にゲートパッド152を有するゲート配線120と前記ゲート配線120から延長されたゲート電極125を構成する。前記ゲート配線120と垂直交差して画素領域Pを定義し、その終端にデータパッド162を有するデータ配線130と、前記データ配線130から延長されたU字状のソース電極132と、前記ソース電極132と離隔して互いに噛み合うようにドレイン電極134を構成する。この時、前記データ配線130とソース及びドレイン電極132、134は透明な導電性金属と不透明な導電性金属が順に積層された二重層で構成される。前記ゲートパッド152とデータパッド162は前記ゲート配線120と同一層同一物質で構成されて、前記ゲート及びデータパッド152、162はこれらの一部をそれぞれ露出するゲート及びデータパッドコンタクトホールCH4、CH5を介してゲートパッド電極154及びデータパッド電極164にそれぞれ接触する。この時、前記ゲートパッド電極154とデータパッド電極164は透明な導電性金属物質で構成される。前記ゲート配線120とデータ配線130の交差地点には薄膜トランジスタTが構成されるので、前記薄膜トランジスタTは、ゲート電極125と、前記ゲート電極125とその一部が重なった半導体層図4Kの143と、前記半導体層図4Kの143と接触して互いに離隔されたソース及びドレイン電極132、134を含んで構成される。前記半導体層図4Kの143は純粋非晶質シリコーンa-Si:Hで構成されたアクティブ層140と、不純物非晶質シリコーンna-Si:Hで構成されたオーミックコンタクト層図4Kの141を含む。前記半導体層図4Kの143は、データ配線130、ソース及びドレイン電極132、134と別途のマスクを利用して前記ゲート電極125上部でゲート電極125内部に配置されるように島状に構成する。したがって、半導体層図4Kの143は、下部のバックライト図示せずの光に露出しなく、薄膜トランジスタTには光電流が生成されない。その結果光電流による薄膜トランジスタTの電気的特性低下が防止される。この時、前記ソース及びドレイン電極132、134として透明な導電性金属と不透明な導電性金属が順に積層されて用いられる場合、前記不透明な導電性金属に比べて仕事関数が大きい透明な導電性金属がオーミックコンタクト層図4Kの141と直接的に接触するようになるが、透明な導電性金属層とオーミックコンタクト層図4Kの141との仕事関数差によって薄膜トランジスタTのコンタクト抵抗が大きくなって、透明な導電性金属層とオーミックコンタクト層図4Kの141がオーミックコンタクトではない整流rectifying接触を形成するようになる。したがって、本発明では、透明な導電性金属とオーミックコンタクト層図4Kの141間のコンタクト抵抗を低めてオーミックコンタクトを形成するために、前記ソース及びドレイン電極132、134とオーミックコンタクト層図4Kの141間に金属物質のバッファー金属層図4Kの142を構成する。前記バッファー金属層図4Kの142はモリブデンを50Åの厚さに構成することが望ましい。ところが、他の実施形態で、ソース及びドレイン電極132、134とオーミックコンタクト層図4Kの141間を低い接触抵抗のオーミックコンタクトに作ることができるならば、バッファー金属層図4Kの142は省略することができる。例えば、オーミックコンタクト層図4Kの141を形成した後、プラズマ処理を行ってオーミックコンタクト層図4Kの141上部に非常に薄いシリコーン窒化層SiNxを形成してバッファー離隔層として利用することができる。その場合、ソース及びドレイン電極132、134はバッファー離隔層上部に形成されてオーミックコンタクト層図4Kの141と直接接触しないでバッファー離隔層と接触するので、バッファー金属層を用いなくても低い接触抵抗とオーミックコンタクトを得ることができる。そして、前記ソース及びドレイン電極132、134の離隔された間に露出されたバッファー金属層図4Kの142とオーミックコンタクト層図4Kの141を順に除去してその下部のアクティブ層140をオーバーエッチングしてこの部分をチャネル図示せずで活用する。ここで、前記データ配線130とソース及びドレイン電極132、134を覆う保護層図4Lの158aを構成するので、前記保護層図4Lの158aはスパターリング法のような物理気相蒸着physicalvapordeposition:PVD法で構成されたことを特徴とする。前記ドレイン電極134と同一パターンで延長された画素電極172を画素領域Pに対応して構成する。この時、前記画素電極172は不透明な導電性金属は除去されて透明な導電性金属だけが存在する状態である。そして、前記画素電極172は前段のゲート配線120と重なるように延長構成して、前記前段のゲート配線120を第1電極として、これに重なった前記画素電極172を第2電極とするストレージキャパシタCstを構成する。前述した構成は3マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で半導体層を島状に構成することを特徴とする。また、前記保護膜パターンをスパターリング法で構成したことを特徴とするので、これに対しては、以下本発明の第1実施形態による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を介して詳細に説明するようにする。本発明の第1実施形態による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は3マスク工程段階に進める。図4Aないし図4Mは図3のIV-IV線に沿ってそれぞれ切断して工程順序によって示した工程断面図である。図4Aは第1マスク工程段階を示した断面図である。図4Aに示したように、基板100上には画素領域P、ゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPが定義される。前記複数の領域P、GP、DPが定義された基板100上に銅Cu、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd及びクロムCrのような導電性金属グループのうちから選択された一つでゲート金属層図示せずを形成してこれを第1マスク図示せずを利用してパターニングすることによって、前記ゲート領域Gの一方向にゲート配線120と、前記ゲート配線120から延長されたゲート電極125と、前記ゲート配線120の一端に位置したゲートパッド領域GPにゲートパッド152を形成する。これと同時に、前記データ領域Dの一端に位置したデータパッド領域DPに対応してデータパッド162を形成する。この時、前記データパッド162は電気的に絶縁された状態である。ここで、前記データパッド162の場合、後続工程で形成されるデータ配線図5の230と同一層同一物質で形成することができる。次に、前記ゲート電極125、ゲート配線120とゲート及びデータパッド152、162が形成された基板100上に窒化シリコーンSiNxと酸化シリコーンSiO2等のような無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着してゲート絶縁膜145を形成する。図4Bは第2マスク工程段階を示した断面図である。図4Bに示したように、前記ゲート絶縁膜145が形成された基板100上に純粋非晶質シリコーンa-Si:Hで構成された純粋非晶質シリコーン層140aを形成して、前記純粋非晶質シリコーン層140a上に不純物非晶質シリコーン層141aを形成する。この時、一例で前記純粋及び不純物非晶質シリコーン層140a、141aはプラズマ化学気相蒸着法で前記ゲート絶縁膜145と同じチャンバー内で連続的に形成することができる。次に、前記純粋及び不純物非晶質シリコーン層140a、141aが形成された基板100上にモリブデンMoを50Åの厚に蒸着してバッファー金属物質層142aを形成する。図4Cに示したように、前記バッファー金属物質層142aが形成された基板100上にフォトレジストを塗布して第1感光層180を形成して、これとは離隔された上部に透過部Aと半透過部Bと遮断部Cで構成された第2マスクM12を配置整列する段階を行う。前記第2マスクM12は、前記半透過部Bに半透明膜またはスリットパターンを形成して光の強度を低めたり光の透過量を低めて前記第1感光層180が不完全露光されることができるようにする機能をする。また、前記遮断部Cは光を完全に遮断する機能をして、前記透過部Aは光を透過させて光に露出した第1感光層180が化学的変化を起こして完全露光されることができるようにする機能をする。この時、前記ゲート電極125に対応して遮断部Cが位置して、前記ゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPそれぞれに対応して透過部Aが位置して、そしてこれらを除いた全領域は半透過部Bが位置するようにする。次に、図4Dに示したように、前記第2マスク図4CのM12を利用して前記第1感光層180を露光した後、現像して、第1感光パターン182を形成する。第1感光パターン182は、前記第2マスク図4CのM12の半透過部図4CのBに対応する第1部分182aと、第2マスク図4CのM12の遮断部図4CのCに対応する第2部分182bで構成される。すなわち、第1感光層180の露光及び現像によって、ゲート電極125に対応した第1感光層図4Cの180はそのまま存在して第1感光パターン182の第2部分182bになって、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPに対応した第1感光層図4Cの180は全て除去されてその下部のバッファー金属物質層142aが露出され、これを除いた全領域に対応する第1感光層図4Cの180はその一部が除去されて高さが半分程度に低くなった状態で第1感光パターン182の第1部分182aになる。次に、図4Eに示したように、前記第1感光パターン182をエッチングマスクとして利用して、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPそれぞれの一部に対応して露出したバッファー金属物質層142aと不純物及び純粋非晶質シリコーン層141a、140aとゲート絶縁膜145を順に除去する段階を行う。この時、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPそれぞれに対応したゲート絶縁膜145は一部分が除去されてその下部に一部分が残る。例えば、残されたゲート絶縁膜145の厚さは最初形成された厚さの半分以下であることができる。ゲート絶縁膜145が一部除去されるので、後続するゲートパッド及びデータパッド152、162のパッドオープニング工程が安定的に進められることができる。例えば、シリコーン窒化膜SiNxやシリコーン酸化膜SiO2のようなゲート絶縁膜145のエッチング率etchrateは不純物及び純粋非晶質シリコーン層141a、140aのエッチング率より低いので、ゲート絶縁膜145をあらかじめ一部除去しない場合、後続するパッドオープニング工程でゲート絶縁膜145が一部残ってゲートパッド及びデータパッド152、162が露出されなかったりパッドオープニング工程の工程時間が過度に長くなる。また、ゲート絶縁膜145をあらかじめ完全に除去する場合、後続するパッドオープニング工程でゲートパッド及びデータパッド152、162が劣化する。次に、図4Fに示したように、前記第1感光パターン182をアッシングする段階を行うと、前記第1感光パターン182の第1部分182aは全て除去されてその下部のバッファー金属物質層142aが露出されて、第1感光パターン182の第2部分182bは一部除去されてその高さが半分程度に低くなった第2感光パターン184になる。次に、図4Gに示したように、前記第2感光パターン184をエッチングマスクとして利用して、前記露出したバッファー金属物質層142aと不純物非晶質シリコーン層141aと純粋非晶質シリコーン層140aを一括的にパターニングする段階を通じて、前記ゲート電極125の内部で重なった島状の半導体パターン144とバッファーパターン142bが形成される。この時、前記半導体パターン144は、純粋非晶質シリコーンで構成されたアクティブ層140と、不純物非晶質シリコーンで構成されたオーミックコンタクトパターン141bを含む。これと同時に、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPに対応して残された一部ゲート絶縁膜145が共に除去されて、前記ゲート及びデータパッド152、162それぞれの一部を露出するゲートパッドコンタクトホールCH4とデータパッドコンタクトホールCH5が形成される。本発明の第1実施形態では、第2マスク工程段階で前記ゲート電極125とその一部が重なった半導体パターン144を島状に構成することを特徴とするので、このような構成はバックライトに半導体パターン144の露出に起因した光漏れ電流を防止して、画質不良を防止することができる長所がある。また、図1のような従来技術では、データ配線30とソース及びドレイン電極32、34の下部で、これら外部に突出して構成されたアクティブ層40を遮るためにアレイ基板と対向合着されるカラーフィルター基板図示せずに構成されたブラックマトリックス図示せずの線幅を過度に設計するしかない構造であったが、本発明では、データ配線130とソース及びドレイン電極132、134の下部に半導体パターン244が存在しないため、ブラックマトリックス図示せずの線幅を最小化することができてその結果開口率を改善することができる長所がある。次に、前記残された第2感光パターン184をストリップ工程で除去することを介して第2マスク工程段階が完了する。図4Hないし図4Mは第3マスク工程段階を示した断面図である。図4Hに示したように、前記半導体パターン144とゲート及びデータパッドコンタクトホール図4GのCH4、CH5を含む基板100上にインジウム-スズ-オキサイドITOまたはインジウム-ジンク-オキサイドIZOのような透明な導電性金属グループのうちから選択された一つで透明導電物質層170aを形成する。連続的に、前記透明導電物質層170aが形成された基板100上に銅Cu、モリブデンMo、モリブデン合金MoTi、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd及びクロムCrのような導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上に不透明導電物質層175を形成するので、抵抗が低く電気伝導度が優秀な銅を利用することが望ましい。次に、前記透明導電物質層170aと不透明導電物質層175とが形成された基板100上にフォトレジストを塗布して第2感光層190を形成して、これと離隔された上部に第3マスクM13を配置整列する段階を行う。この時、第3マスクM13は透過部A、半透過部B、遮断部Cを含み、前記画素領域Pとゲート及びデータパッド領域GP、DPに対応して遮断部Cが位置し、前記半導体パターン144に対応して両端の半透過部B及び半透過部B間の透過部Aが位置し、後続される工程でデータ配線図3の130が形成される領域に対応して半透過部Bが位置し、そしてこれらを除いた残り領域には透過部Aが位置するように整列される。次に、図4Iに示したように、前記第3マスク図4HのM13を利用して第2感光層図4Hの190を露光した後現像して、第3感光パターン192を形成する。第3感光パターン192は、第3マスク図4HのM13の半透過部図4HのBに対応する第1部分192aと、第3マスク図4HのM13の遮断部図4HのCに対応する第2部分192bを含む。すなわち、第2感光層図4Hの190の露光現像によって、前記半導体パターン144両端の半透過部図4HのB間の透過部図4HのAに対応した第2感光層図4Hの190は完全に除去されてその下部の不透明導電物質層175が露出され、前記両端の半透過部図4HのBに対応した第2感光層図4Hの190は、その一部が除去されて高さが低くなった状態で第3感光パターン192の第1部分192aになる。そして、前記画素領域Pと前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPで前記遮断部Cに対応した第2感光層図4Hの190はそのまま存在して第3感光パターン192の第2部分192bになり、後続工程で形成されるデータ配線図3の130に対応した第2感光層図4Hの190は、その一部が除去されて高さが低くなった状態で第3感光パターン192の第1部分192aになり、これを除いた残り領域の第2感光層図4Hの190は全て除去されてその下部の不透明導電物質層175が露出される。次に、図4Jに示したように、前記第3感光パターン192をエッチングマスクとして利用して、前記露出した不透明導電物質層175とその下部の透明導電物質層170aを一括的にパターニングする段階を行う。この時、等方性を有する湿式エッチングを利用して第3感光パターン192の下部に位置する不透明導電物質層175と透明導電物質層170aがオーバーエッチングされるようにして、前記第3感光パターン192の縁下部面が部分的に露出するようにする。上のような構成は、前記第3感光パターン192の露出した下部面上部に保護層を形成した後、前記第3感光パターン192とこれを覆う前記保護層を同時に除去する後続リフトオフlift-off工程で、前記第3感光パターン192の露出した縁下部面にストリッパーstripperが容易に浸透することができるように誘導するためである。以後、前記第3感光パターン192をエッチングマスクとして利用して、等方性を有する湿式エッチングを利用したパターニング工程を行って、前記半導体パターン144に対応して両側に離隔されたソース電極132とドレイン電極134を形成して、前記画素領域Pに対応して画素電極パターン172aを形成する。これと同時に、前記ソース電極132に連結されるデータ配線130を形成して、前記ゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPには前記ゲートパッド152と接触するゲートパッド電極パターン154aと、データパッド162と接触するデータパッド電極パターン164aをそれぞれ形成する。ここで、前記ソース及びドレイン電極132、134、画素電極パターン172a、データ配線130とゲート及びデータパッド電極パターン154a、164aは、透明導電物質層170aと不透明導電物質層175が積層された二重層で形成される。そして、前記画素電極パターン172aは前段のゲート配線120と重なるように延長された状態である。この時、前記ソース及びドレイン電極132、134、画素電極パターン172a、データ配線130とゲートパッド電極パターン及びデータパッド電極パターン154a、164aは、前述した等方性を有する湿式エッチング工程により各配線の両側終端の一部がオーバーエッチングされ、前記第3感光パターン192は、前記両端にオーバーエッチングされた部分により第3感光パターン192の縁下部面が部分的に露出した状態である。次に、図4Kに示したように、前記第3感光パターン図4Jの192をエッチングマスクとして利用して、前記ソース及びドレイン電極132、134の離隔区間を介して露出したバッファーパターン142bとオーミックコンタクトパターン141bをパターニングする段階を行う。前述したパターニング工程を行うと、前記ソース及びドレイン電極132、134と等しい幅でバッファーパターン142bとオーミックコンタクトパターン141bが両側に分離されて、それぞれバッファー金属層142とオーミックコンタクト層141になる。この時、前記両側に分離されたオーミックコンタクト層141下部に露出したアクティブ層140の一部をオーバーエッチングしてこの部分をチャネルchで活用し、前記アクティブ層140及びオーミックコンタクト層141を半導体層143として定義できる。ここで、前記ゲート電極125と、ソース及びドレイン電極132、134と、バッファー金属層142とアクティブ層及びオーミックコンタクト層140、141は薄膜トランジスタTを形成する。この時、前記ソース及びドレイン電極132、134と前記オーミックコンタクト層141間に形成されたバッファー金属層142は、前記ソース及びドレイン電極132、134の透明導電物質層170aとオーミックコンタクト層141との仕事関数差を低める役割をするので、薄膜トランジスタTの駆動特性が改善される長所がある。次に、前記第3感光パターン図4Jの192をアッシングashingする段階を行う。前述したアッシング工程を行うと、前記画素領域Pとゲート及びデータパッド領域GP、DPに対応した第3感光パターン図4Jの192の第2部分図4Jの192bは高さが半分程度低くなった状態で第4感光パターン194にり、前記薄膜トランジスタTとデータ配線130に対応した第3感光パターン図4Jの192の第1部分図4Jの192aは全て除去され、下部のソース及びドレイン電極132、134とデータ配線130がそれぞれ露出される。次に、図4Lに示したように、前記第4感光パターン194を含む基板100上に酸化シリコーンと窒化シリコーンを含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つで保護層158aを形成する段階を行う。前記保護層158aを、無機絶縁物質グループのうちから選択された一つをプラズマ化学気相蒸着plasmachemicalvapordeposition:PCVD法を利用して形成する場合、前記プラズマ化学気相蒸着法を利用した蒸着工程時350°C以上の高温工程を必要とするので、前記保護層158aの下部に感光特性を有する有機絶縁物質で形成された第4感光パターン194の耐熱性が150°C程度までしかなく、前記第4感光パターン194がつぶれたり、変形する問題が生じることがある。前述した問題が生じた状態で前記保護層158aを続いて蒸着して行くと、結局、第4感光パターン194が前記保護層158aにより完全に覆われる結果をもたらし、リフトオフlift-off工程時ストリッパーが円滑に浸透することができず、前記第4感光パターン194と保護層158aが残留するリフトオフ不良を引き起こす。また、液晶表示装置用アレイ基板を完成した状態で前述した問題が生じる場合、残留する第4感光パターン194が液晶と反応して残像のような画質不良が発生する。これを防止するために、本発明では、スパターリング法sputteringmethodのような物理気相蒸着法physicalvapordeposition:PVD法を利用して保護層158aを形成することを特徴とする。前記スパターリング法を利用する場合、前記第4感光パターン194を150°C以下の低温工程で形成することができるので、前記第4感光パターン194がつぶれたり変形する心配がなく、副次的にはガラス基板ではないプラスチックのようなフレキシブルな基板に適用することができる長所がある。この時、前記保護層158aは、前記第4感光パターン194それぞれに対応してその上部面の一部分を覆って、前記第4感光パターン194の段差により両側面縁に対応した部分と、これらの縁下部面には保護層158aが連結されて形成されなくて断絶された状態である。そして、前記保護層158aは、前記第4感光パターン194が形成されていない前記データ配線130とソース及びドレイン電極132、134を覆って形成される。次に、図4Mに示したように、ストリッパーstripperを利用したリフトオフ工程を行うと、前記第4感光パターン194の縁下部面の露出部にストリッパーが浸透して、第4感光パターン194と、第4感光パターン194を覆う保護層158aが共に除去されて画素電極パターン172aとゲートパッド電極パターン及びデータパッド電極パターン154a、164aがそれぞれ露出される。そして、前記データ配線130とソース及びドレイン電極132、134を覆って形成された前記保護層158aは除去されなくてそのまま残って保護パターン158になる。以後、保護パターン158をエッチングマスクとして利用して画素電極パターン172a、ゲートパッド電極パターン154a、データパッド電極パターン164aの不透明導電物質層175を除去することによって、透明導電物質層170aの単一層で構成される画素電極172、ゲートパッド電極154、データパッド電極164を形成する。したがって、本発明では、3マスク工程で製作されながら、保護パターン158により前記データ配線130と、ソース及びドレイン電極132、134が覆われる構造で、異物からの不良を事前に防止することができて信頼性が改善される長所がある。この時、前記画素電極172とゲート及びデータパッド電極154、164は、透明導電物質層170aと不透明導電物質層175が積層された状態である。次に、前記保護パターン158をエッチングマスクとして利用して、前記画素電極172とゲート及びデータパッド電極154、164それぞれの最上層である不透明導電物質層175を除去する段階を行う。前述した不透明導電物質層175を除去する段階を通じて、前記画素電極172と、ゲート及びデータパッド電極154、164は透明な導電性金属で構成された単一層で形成される。言い換えると、前記ドレイン電極134は、不透明導電物質層175と透明導電物質層170aが積層された状態であって、前記ドレイン電極134から延長された前記画素電極172は透明な導電性金属層が存在する状態である。この時、前記画素電極172は、前段のゲート配線120と重なるように延長されて、前記前段のゲート配線120を第1電極として、これと重なった前記画素電極172を第2電極として、前記第1及び第2電極間に介在されたゲート絶縁膜145を誘電体層とするストレージキャパシタCstが構成される。前述したストレージキャパシタCstの構成は、従来と違い、第1及び第2電極間に介在されたゲート絶縁膜145が誘電体層として利用されるので、誘電体層の厚さ減少による第1及び第2電極の重畳面積を縮小設計することができる長所がある。以上で、前述した工程を介して本発明の第1実施形態による液晶表示装置用アレイ基板を製作することができる。上述のように、本発明の第1実施形態では、半導体層を島状に形成することを介して薄膜トランジスタの素子特性と開口率を改善することができ、前記データ配線とソース及びドレイン電極の上部を覆う保護膜パターンにより信頼性を確保することができる。また、スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することを介してリフトオフ工程による不良を最小化することができる長所がある。しかし、本発明の第1実施形態の場合、画素領域に対応して大面積に形成された画素電極の場合ストリッパーが浸透することができる空間上の制約が伴う。これで対し、横電界方式の場合、アレイ基板上の画素領域に共通電極と画素電極を棒状で交互に構成することが一般的であるので、前述したスパターリング法を利用したリフトオフ工程に最適化した画素設計と言える。以下、添付した図面を参照して、本発明の第2実施形態による横電界方式液晶表示装置ついて説明する。本発明の第2実施形態では、画素領域に対応して共通電極と画素電極が棒状で互い違いに構成された画素設計でリフトオフ工程をさらに效率的に行うことができることを特徴とする。また、前記画素電極と共通電極を透明な導電性金属で製作することを介して輝度を改善することができることをまた他の特徴とする。図5は、本発明の第2実施形態による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の単位画素を示した平面図である。図示したように、基板200上に一方向にその終端にゲートパッド252を有するゲート配線220と前記ゲート配線220から延長されたゲート電極225と、前記ゲート配線220と平行に離隔された共通配線250を構成する。前記ゲート配線220及び共通配線250と垂直交差して画素領域Pを定義し、その終端にデータパッド262を有するデータ配線230と、前記データ配線230から延長されたU字状のソース電極232と、前記ソース電極232と離隔して互いに噛み合うようにドレイン電極234を構成する。この時、前記データ配線230とソース及びドレイン電極232、234は透明な導電性金属と不透明な導電性金属が順に積層された二重層で構成される。前記ゲートパッド252とデータパッド262は、前記ゲート配線220と同一層同一物質で構成され、前記ゲート及びデータパッド252、262は、これらの一部をそれぞれ露出するゲート及びデータパッドコンタクトホールCH6、CH7を介してゲートパッド電極254及びデータパッド電極264にそれぞれ接触する。この時、前記ゲートパッド電極254とデータパッド電極264は透明な導電性金属物質で構成される。前記ゲート配線220とデータ配線230の交差地点に薄膜トランジスタTを構成するので、前記薄膜トランジスタTは、ゲート電極225と、前記ゲート電極225とその一部が重なった半導体層図6Kの243と、前記半導体層図6Kの243と接触して互いに離隔されたソース及びドレイン電極232、234を含んで構成される。前記半導体層図6Kの243は、純粋非晶質シリコーンa-Si:Hで構成されたアクティブ層240と、不純物非晶質シリコーンna-Si:Hで構成されたオーミックコンタクト層図6Kの241を含む。前記半導体層図6Kの243は、データ配線230、ソース及びドレイン電極232、234と別途のマスクを利用して前記ゲート電極225とその一部が重なるように島状パターンで構成する。したがって、半導体層図6Kの243は下部のバックライト図示せずの光に露出しなく、薄膜トランジスタTには光電流が生成されない。その結果光電流による薄膜トランジスタTの電気的特性低下が防止される。この時、前記ソース及びドレイン電極232、234が透明な導電性金属と不透明な導電性金属が順に積層されて用いられる場合、前記不透明な導電性金属に比べて仕事関数が大きい透明な導電性金属がオーミックコンタクト層図6Kの241と直接的に接触するようになるが、前記透明な導電性金属とオーミックコンタクト層図6Kの241との仕事関数差によって薄膜トランジスタTのコンタクト抵抗が大きくなって、透明な導電性金属層とオーミックコンタクト層図6Kの241がオーミックコンタクトではない整流rectifying接触を形成するようになる。したがって、本発明では、透明な導電性金属とオーミックコンタクト層図6Kの241間のコンタクト抵抗を低めてオーミックコンタクトを形成するために、前記ソース及びドレイン電極232、234とオーミックコンタクト層図6Kの241との間に金属物質のバッファー金属層図6Kの242を構成する。前記バッファー金属層図6Kの242はモリブデンを50Åの厚さに構成することが望ましい。ところが、他の実施形態でソース及びドレイン電極232、234とオーミックコンタクト層図6Kの241との間を低い接触抵抗のオーミックコンタクトに作ることができるならば、バッファー金属層図6Kの242は省略することができる。例えば、オーミックコンタクト層図6Kの241を形成した後、プラズマ処理を行ってオーミックコンタクト層図6Kの241上部に非常に薄いシリコーン窒化層SiNxを形成してバッファー離隔層として利用することができる。その場合、ソース及びドレイン電極232、234は、バッファー離隔層上部に形成されてオーミックコンタクト層図6Kの241と直接接触しないでバッファー離隔層と接触するので、バッファー金属層を用いなくても低い接触抵抗とオーミックコンタクトを得ることができる。そして、前記ソース及びドレイン電極232、234の離隔された間に露出されたバッファー金属層図6Kの242とオーミックコンタクト層図6Kの241を順に除去してその下部のアクティブ層240をオーバーエッチングしてこの部分をチャネル図示せずで活用する。ここで、前記データ配線230とソース及びドレイン電極232、234の上部にはこれを覆う保護層図6Lの258aが構成されるので、前記保護層図6Lの258aはスパターリング法のような物理気相蒸着physicalvapordeposition:PVD法で構成されたことを特徴とする。この時、前記ドレイン電極234と同一パターンで延長された画素電極272を画素領域Pに対応して構成する。前記画素電極272は、前記ドレイン電極234から延長された延長部272bと、前記延長部272bから画素領域Pに垂直に分岐した複数の垂直部272cと、前記複数の垂直部272cを一つに連結する連結部272dを含む。そして、前記共通配線250の一部を露出する共通コンタクトホールCMHを介して前記共通配線250と接触した複数の共通電極260を構成するので、前記共通電極260は前記画素電極垂直部272cと互いに交互に一定間隔で平行するように離隔して構成する。前記画素電極272と共通電極260は透明な導電性金属だけが存在する状態である。そして、前記共通配線250を第1電極として、これに重なった前記画素電極連結部272dを第2電極とするストレージキャパシタCstを構成する。前述した構成は、3マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で半導体層を島状に構成することを特徴とする。また、前述した構成は画素領域に対応して共通電極と画素電極が平行するように離隔して棒状で構成されるので、このような構成は棒状のコーナー部にストリッパーの浸透が容易であってリフトオフ工程に最適化した画素設計と言える。これに対して、以下本発明の第2実施形態による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を介して詳細に説明するようにする。本発明の第2実施形態による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板は、3マスク工程段階で製作される。図6Aないし図6Mは図5のVI-VI線に沿ってそれぞれ切断して工程順序によって示した工程断面図である。図6Aは第1マスク工程段階を示した断面図である。図6Aに示したように、画素領域P、ゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPが定義された基板200上に銅Cu、銅合金AlNd、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd及びクロムCrのような導電性金属グループのうちから選択された一つでゲート金属層図示せずを形成して第1マスク図示せずを利用してパターニングすることによって、ゲート配線220と、前記ゲート配線220から延長されたゲート電極225を形成して、前記ゲート配線220の一端に位置したゲートパッド領域GPにはゲートパッド252を形成する。これと同時に、前記データパッド領域DPにはデータパッド262を形成して、前記画素領域Pに隣接した領域には共通配線250を形成する。この時、前記共通配線250の一部分は画素領域Pに延長された状態である。ここで、前記データパッド262は、後続工程で形成されるデータ配線図5の230と同一層同一物質で形成することができる。次に、前記ゲート電極225、ゲート配線220、共通配線250とゲートパッド252とデータパッド262が形成された基板200上に窒化シリコーンSiNxと酸化シリコーンSiO2等のような無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着してゲート絶縁膜245を形成する。図6Bは第2マスク工程段階を示した断面図である。図6Bに示したように、前記ゲート絶縁膜245が形成された基板200上に純粋非晶質シリコーンa-Si:Hで構成された純粋非晶質シリコーン層240aを形成して、前記純粋非晶質シリコーン層240a上に不純物非晶質シリコーン層241aを形成する。この時、一例では、前記純粋及び不純物非晶質シリコーン層240a、241aはプラズマ化学気相蒸着法で前記ゲート絶縁膜245と同じチャンバー内で連続的に形成することができる。次に、前記純粋及び不純物非晶質シリコーン層240a、241aが形成された基板200上にモリブデンMoを50Åの厚に蒸着してバッファー金属物質層242aを形成する。図6Cに示したように、前記バッファー金属物質層242aが形成された基板200上にフォトレジストを塗布して第1感光層280を形成して、これとは離隔された上部に第2マスクM22を配置整列する段階を行う。第2マスクM22は、透過部A、半透過部B、遮断部Cを含んで、前記ゲート電極225に対応して遮断部Cが位置して、前記ゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPと共通配線250の一部に対応して透過部Aが位置して、これらを除いた残りの領域には半透過部Bが位置するように整列される。次に、図6Dに示したように、前記第2マスク図6CのM22を利用して第1感光層280を露光した後、現像して、第1感光パターン282を形成する。第1感光パターン282は、前記第2マスク図6CのM22の半透過部図6CのBに対応する第1部分282aと、第2マスク図6CのM22の遮断部図6CのCに対応する第2部分282bで構成される。すなわち、第1感光層280の露光及び現像によって、ゲート電極225に対応した第1感光層図6Cの280はそのまま存在して第1感光パターン282の第2部分282bになり、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPに対応した第1感光層図6Cの280は全て除去されてその下部のバッファー金属物質層242aが露出されて、これを除いた全領域に対応する第1感光層図6Cの280はその一部が除去されて高さが半分程度に低くなった状態で第1感光パターン282の第1部分282aになる。次に、図6Eに示したように、前記第1感光パターン282をエッチングマスクとして利用して、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPと前記共通配線250それぞれの一部に対応して露出したバッファー金属物質層242aと不純物及び純粋非晶質シリコーン層241a、240aとゲート絶縁膜245を順に除去する段階を行う。この時、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPと共通配線250それぞれに対応したゲート絶縁膜245は一部分が除去されてその下部に一部分が残る。例えば、残されたゲート絶縁膜245の厚さは最初形成された厚さの半分以下であることができる。ゲート絶縁膜245が一部除去されるので、後続するゲートパッド及びデータパッド252、262のパッドオープニング工程が安定的に進められることができる。例えば、シリコーン窒化膜SiNxやシリコーン酸化膜SiO2のようなゲート絶縁膜245のエッチング率etchrateは不純物及び純粋非晶質シリコーン層241a、240aのエッチング率より低いので、ゲート絶縁膜245をあらかじめ一部除去しない場合後続するパッドオープニング工程でゲート絶縁膜245が一部残ってゲートパッド及びデータパッド252、262が露出されなかったりパッドオープニング工程の工程時間が過度に長くなる。また、ゲート絶縁膜245をあらかじめ完全に除去する場合後続するパッドオープニング工程でゲートパッド及びデータパッド252、262が劣化する。次に、図6Fに示したように、前記第1感光パターン282をアッシングする段階を行うと、前記第1感光パターン282の第1部分280aは全て除去されてその下部のバッファー金属物質層242aが露出されて、第1感光パターン282の第2部分282bは一部除去されてその高さが半分程度に低くなった第2感光パターン284になる。次に、図6Gに示したように、前記第2感光パターン284をエッチングマスクとして利用して、前記露出したバッファー金属物質層242aと不純物非晶質シリコーン層241aと純粋非晶質シリコーン層240aを順に除去する段階を通じて、前記ゲート電極225とその一部が重なった島状の半導体パターン244とバッファーパターン242bが形成される。この時、前記半導体パターン244は、純粋非晶質シリコーンで構成されたアクティブ層240と、不純物非晶質シリコーンで構成されたオーミックコンタクトパターン241bを含む。これと同時に、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPと共通配線250に対応して残したゲート絶縁膜245が共に除去されて、前記ゲート及びデータパッド252、262それぞれの一部を露出するゲートパッドコンタクトホールCH6とデータパッドコンタクトホールCH7と、前記共通配線250の一部を露出する共通コンタクトホールCMHがそれぞれ形成される。本発明の第2実施形態では、第2マスク工程段階で前記ゲート電極225とその一部が重なった半導体パターン244を島状に構成することを特徴とするので、このような構成はバックライトに半導体パターン244の露出に起因した光漏れ電流を防止して、画質不良を防止することができる長所がある。データ配線230とソース及びドレイン電極232、234の下部に半導体パターン244が存在しないため、ブラックマトリックス図示せずの線幅を最小化することができて、その結果開口率を改善することができる長所がある。次に、前記残された第2感光パターン284をストリップ工程で除去することを介して第2マスク工程段階が完了する。図6Hないし図6Mは第3マスク工程段階を示した断面図である。図6Hに示したように、前記半導体パターン244とゲート及びデータパッドコンタクトホール図6GのCH6、CH7と共通コンタクトホールCMHが形成された基板200上にインジウム-スズ-オキサイドITOまたはインジウム-ジンク-オキサイドIZOのような透明な導電性金属グループのうちから選択された一つで透明導電物質層270aを形成する。連続的に、前記透明導電物質層270aが形成された基板200上に銅Cu、モリブデンMo、モリブデン合金MoTi、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd及びクロムCrのような導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上に不透明導電物質層275を形成するので、抵抗が低く電気伝導度が優秀な銅を利用することが望ましい。次に、前記透明導電物質層270aと不透明導電物質層275が形成された基板200上にフォトレジストを塗布して第2感光層290を形成して、これと離隔された上部に第3マスクM23を配置整列する段階を行う。この時、第3マスクM23は、透過部A、半透過部B、遮断部Cを含んで、前記画素領域Pに対応して一定間隔で遮断部Cと透過部Aが交互に位置し、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPに対応して透過部Aが位置し、前記共通配線250に対応して両端の遮断部A及び遮断部A間の透過部Cが位置し、前記半導体パターン144に対応して両端の半透過部B及び半透過部B間の透過部Aが位置して、後続される工程でデータ配線図5の230が形成される領域に対応して半透過部Bが位置し、これらを除いた残り領域には透過部Aが位置するように整列される。次に、図6Iに示したように、前記第3マスク図6HのM23を利用して第2感光層図6Hの290を露光した後、現像して、第3感光パターン292を形成する。第3感光パターン292は、第3マスク図6HのM23の半透過部図6HのBに対応する第1部分292aと、第3マスク図6HのM23の遮断部図6HのCに対応する第2部分292bを含む。すなわち、第2感光層図6Hの290の露光現像によって、前記半導体パターン244両端の半透過部図6HのB間の透過部図6HのAに対応した第2感光層図6Hの290は完全に除去されてその下部の不透明導電物質層275が露出されて、前記両端の半透過部図6HのBに対応した第2感光層図6Hの290はその一部が除去されて高さが低くなった状態で第3感光パターンの第1部分292aになる。そして、前記画素領域Pと共通配線250それぞれの透過部Aに対応した第2感光層図10Fの290は全て除去されてその下部の不透明導電物質層275が露出されて、前記画素領域Pと共通配線250それぞれの遮断部Cに対応した第2感光層図6Hの290はそのまま存在して一定間隔で離隔された第3感光パターンの第2部分292bになる。また、前記ゲート及びデータパッド領域GP、DPで前記遮断部Cに対応した第2感光層図6Hの290はそのまま存在して第3感光パターンの第2部分292bになって、前記データ配線図5の230に対応した第2感光層図6Hの290はその一部が除去されて高さが低くなった状態で第3感光パターンの第1部分292aになって、これを除いた全領域の第2感光層図6Hの290は全て除去されてその下部の不透明導電物質層275が露出される。次に、図6Jに示したように、前記第3感光パターン292をエッチングマスクとして利用して、前記露出した不透明導電物質層275とこの下部の透明導電物質層270aを一括的にパターニングする段階を行う。この時、等方性を有する湿式エッチングを利用して第3感光パターン292の下部に位置する不透明導電物質層275と透明導電物質層270aがオーバーエッチングされるようにして、前記第3感光パターン292の縁下部面が部分的に露出するようにする。上のような構成は、前記第3感光パターン292の露出した下部面上部に保護層を形成した後、前記第3感光パターン292とこれを覆う前記保護層を同時に除去するリフトオフlift-off工程で、前記第3感光パターン292の露出した縁下部面にストリッパーstripperが容易に浸透することができるように誘導するためである。以後、第3感光パターン292をエッチングマスクとして利用して、等方性を有する湿式エッチングを利用したパターニング工程を行って、前記半導体パターン244に対応して両側に離隔されたソース電極232とドレイン電極234を形成して、画素領域Pに対応して互いに交互に配置された画素電極パターン272aと共通電極パターン260bを形成する。これと同時に、ソース電極232に連結されるデータ配線230を形成して、前記ゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPには前記ゲートパッド252と接触したゲートパッド電極パターン254aと、データパッド262と接触したデータパッド電極パターン264aをそれぞれ形成する。ここで、前記ソース及びドレイン電極232、234、画素電極パターン272a、共通電極パターン260b、データ配線230とゲートパッド電極パターン及びデータパッド電極パターン252a、264aは、透明導電物質層270aと不透明導電物質層275が積層された二重層で形成される。この時、前記ソース及びドレイン電極232、234、画素電極パターン272a、共通電極パターン260b、データ配線230とゲートパッド電極パターン及びデータパッド電極パターン252a、264aは、前述した等方性を有する湿式エッチング工程により各配線の両側終端の一部がオーバーエッチングされて、前記第3感光パターン292は、前記両端にオーバーエッチングされた部分により第3感光パターン292の縁下部面が部分的に露出した状態である。次に、図6Kに示したように、前記第3感光パターン292をマスクとして利用して、ソース及びドレイン電極232、234の離隔区間を介して露出したバッファーパターン242bとオーミックコンタクトパターン241bをパターニングする段階を行う。前述したパターニング工程を行うと、前記ソース及びドレイン電極232、234と等しい幅でバッファーパターン242bとオーミックコンタクトパターン241bが両側に分離されてそれぞれバッファー金属層242とオーミックコンタクト層241になる。この時、前記両側に分離されたオーミックコンタクト層241下部に露出したアクティブ層240の一部をオーバーエッチングしてこの部分をチャネルchで活用し、前記アクティブ層240及びオーミックコンタクト層241を半導体層243として定義できる。ここで、前記ゲート電極225と、ソース及びドレイン電極232、234と、バッファー金属層242とアクティブ及びオーミックコンタクト層240、241は薄膜トランジスタTを形成する。この時、前記ソース及びドレイン電極232、234と前記オーミックコンタクト層241間に形成されたバッファー金属層242は前記ソース及びドレイン電極232、234の透明導電物質層270aとオーミックコンタクト層241との仕事関数差を低める役割をするので、薄膜トランジスタTの駆動特性が改善される長所がある。次に、第3感光パターン292をアッシングashingする段階を行う。前述したアッシング工程を行うと、前記画素領域P及び共通配線250とゲート及びデータパッド領域GP、DPに対応した第3感光パターン292の第2部分292bは高さが半分程度低くなった状態で第4感光パターン294になって、前記薄膜トランジスタTとデータ配線230に対応した第3感光パターン292の第1部分292aは全て除去されて下部のソース及びドレイン電極232、234とデータ配線230がそれぞれ露出される。次に、図6Lに示したように、第4感光パターン294を含む基板200上に酸化シリコーンと窒化シリコーンを含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つで保護層258aを形成する段階を行う。前記保護層258aを無機絶縁物質グループのうちから選択された一つをプラズマ化学気相蒸着PCVD法を利用して形成する場合、前記プラズマ化学気相蒸着法を利用した蒸着工程時350°C以上の高温工程を必要とするので、保護層258aの下部に感光特性を有する有機絶縁物質で形成された第4感光パターン294の耐熱性が150°C程度までしかなく、前記第4感光パターン294がつぶれたり、変形する問題が生じる。前述した問題が生じた状態で前記保護層258aを続いて蒸着して行くと、結局には第4感光パターン294が前記保護層258aにより完全に覆われる結果をもたらして、リフトオフlift-off工程時ストリッパーが円滑に浸透することができず、前記第4感光パターン294と保護層258aが残留するリフトオフ不良を引き起こす。また、液晶表示装置用アレイ基板を完成した状態で、前述した問題が生じる場合残留する第4感光パターン294が液晶と反応して残像のような画質不良が発生する。これを防止するために、本発明ではスパターリング法sputteringmethodのような物理気相蒸着法PVDを利用して保護層258aを形成することを特徴とする。前記スパターリング法を利用する場合第4感光パターン294を150°C以下の温度で形成することができるので、前記第4感光パターン294が変形する心配がなくて、副次的にはガラス基板ではないプラスチックのようなフレキシブルな基板に適用することができる長所がある。この時、前記保護層258aは、前記第4感光パターン294それぞれに対応してその上部面の一部分を覆って、前記第4感光パターン294の段差により両側面縁に対応した部分と、これらの縁下部面には保護層284aが連結できなくて断絶された状態である。そして、前記保護層258aは、前記第4感光パターン294が形成されていないデータ配線230とソース及びドレイン電極232、234を覆って形成される。次に、図6Mに示したように、ストリッパーstripperを利用したリフト-オフ工程を行うと、第4感光パターン294の縁下部面の露出部にストリッパーが浸透して、第4感光パターン294と、第4感光パターン294を覆う第1ないし保護層258aが共に除去されて画素電極パターン272a、共通電極パターン260bとゲートパッド電極パターン及びデータパッド電極パターン254a、264aがそれぞれ露出される。そして、前記第4感光パターン294なくデータ配線230とソース及びドレイン電極232、234を覆っていた保護層258aはそのまま残って保護パターン258になる。以後、保護パターン258をエッチングマスクとして利用して画素電極パターン272a、共通電極パターン260b、ゲートパッド電極パターン254a、データパッド電極パターン264aの不透明導電物質層275を除去することによって、透明導電物質層270aの単一層で構成される画素電極272、ゲートパッド電極254、データパッド電極264を形成する。ここで、図5に示したように、画素電極272は、ドレイン電極234から延長された延長部272bと、前記延長部272bから垂直に複数個分岐した垂直部272cと、前記複数の垂直部272cを一つに連結する連結部272dを含む。そして、前記共通電極260は複数の垂直部260aを含んで、共通電極260の複数の垂直部260aそれぞれは共通コンタクトホールCMHを介して共通配線250とそれぞれ接触して、画素電極272の垂直部272cと平行するように離隔して互いに交互に配置される。また、共通配線250を第1電極として、これと重なった前記画素電極連結部270dを第2電極として、前記第1及び第2電極間に介在されたゲート絶縁膜245を誘電体層とするストレージキャパシタCstが形成される。前述したストレージキャパシタCstの構成は、従来と違い、第1及び第2電極間に介在されたゲート絶縁膜245が誘電体層として利用されるので、誘電体層の厚さ減少による第1及び第2電極の重畳面積を縮小設計することができる長所がある。したがって、本発明の第2実施形態では、3マスク工程で製作されながら、前記第4保護膜パターン258により前記データ配線230と、ソース及びドレイン電極232、234が覆われる構造で、異物からの不良を事前に防止することができて信頼性が改善される長所がある。また、本発明の第2実施形態では、画素領域図3のPに対応して板状の画素電極図5の172を形成する第1実施形態と別に、前記共通電極260と画素電極272を棒状のパターンで平行するように交互に配置されるように構成するので、リフトオフ工程時ストリッパーの浸透をさらに容易に誘導することができてリフトオフ不良を最小化することができる長所がある。以上で、前述した工程を介して本発明の第2実施形態による液晶表示装置用アレイ基板を製作することができる。したがって、本発明の第2実施形態は第1実施形態と同じ効果を得ることができて、これにさらに棒状の共通電極と画素電極の画素設計でリフトオフ工程をさらに效率的に進行することを介して生産収率を改善することができる長所がある。本発明の第3実施形態は第2実施形態を多少変形したことであって、共通電極と画素電極を不透明な導電性金属で形成することを介してコントラスト比contrastratioを改善することに関する。図7は、本発明の第3実施形態による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の単位画素を示した平面図であって、図8は図7のVIII-VIII線に沿って切断した断面図である。図7及び図8に示したように、基板300上に一方向にその終端にゲートパッド352を有するゲート配線320と前記ゲート配線320から延長されたゲート電極325と、前記ゲート配線320と平行に離隔された共通配線350を構成する。前記ゲート配線320及び共通配線350と垂直交差して画素領域Pを定義し、その終端にデータパッド362を有するデータ配線330と、前記データ配線330から延長されたU字状のソース電極332と、前記ソース電極332と離隔して互いに噛み合うようにドレイン電極334を構成する。前記ゲートパッド352とデータパッド362は前記ゲート配線320と同一層同一物質で構成されて、前記ゲート及びデータパッド352、362はこれらの一部をそれぞれ露出するゲート及びデータパッドコンタクトホールCH8、CH9を介してゲートパッド電極354とデータパッド電極364にそれぞれ接触する。この時、前記ゲートパッド電極354とデータパッド電極364はモリブデン合金MoTiのような第1不透明導電物質からなる。前記ゲート配線320とデータ配線330の交差地点に薄膜トランジスタTを構成するので、前記薄膜トランジスタTはゲート電極325と、前記ゲート電極325とその一部が重なった半導体層344と、前記半導体層344と接触して互いに離隔されたソース及びドレイン電極332、334を含んで構成される。前記半導体層344は、純粋非晶質シリコーンa-Si:Hで構成されたアクティブ層340と、不純物非晶質シリコーンna-Si:Hで構成されたオーミックコンタクト層341を含む。本発明では、前記半導体層344を別途のマスクを利用して前記ゲート電極325とその一部が重なるように島状パターンで構成することを特徴とする。また、ソース及びドレイン電極332、334の下部層を仕事関数が比較的低い不透明導電物質で形成するので、オーミックコンタクト層341とソース及びドレイン電極332、334間の仕事関数差がそんなに大きくなくて別途の層や処理がなくてもオーミックコンタクトを確保することができる。そして、前記ソース及びドレイン電極332、334の離隔された間に露出されたオーミックコンタクト層341を除去してその下部のアクティブ層340をオーバーエッチングしてこの部分をチャネル図示せずで活用する。前記ドレイン電極334と同一パターンで延長された画素電極372を画素領域Pに対応して構成する。この時、前記画素電極372は前記ドレイン電極334から延長された延長部372bと、前記延長部372bから画素領域Pに垂直に複数個分岐した垂直部372cと、前記複数の垂直部372cを一つに連結する連結部372dを含む。この時、前記共通配線350の一部を露出する共通コンタクトホールCMHを介して前記共通配線350と接触した共通電極360を構成するので、前記共通電極360は複数の垂直部360aを含んで、共通電極360の複数の垂直部360aは前記画素電極垂直部370cと互いに交互に一定間隔で平行に離隔されて配置される。この時、データ配線330とソース及びドレイン電極332、334は、第1不透明導電物質層370aと第2不透明導電物質層375を順に積層した後パターニングして形成される反面、画素電極372と共通電極360は、第1不透明導電物質層370aと第2不透明導電物質層375を順に積層した後パターニングして最終工程段階で上部の第2不透明導電物質層375を除去することによって形成される。したがって、画素電極372と共通電極360は第1不透明導電物質層375の単一層で構成される。ここで、第1不透明導電物質層375はモリブデン合金MoTiで構成することができて、第2不透明導電物質層375は銅Cu、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd及びクロムCrのような導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上で構成することができるが、抵抗が低く電気伝導度が優秀な銅を利用することが望ましい。前記画素電極372と共通電極360が不透明な物質からなるので、液晶表示装置のブラック輝度が低くなって、その結果液晶表示装置のコントラスト比contrastratioが改善される。そして、前記前段の共通配線350を第1電極として、これに重なった前記画素電極連結部370dを第2電極とするストレージキャパシタCstが構成される。本発明の第3実施形態による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、前述した第2実施形態の製造方法と大きい差を見せないので、残りの詳細な説明は省略するようにする。したがって、本発明の第3実施形態では、画素電極と共通電極を不透明な導電性物質層で構成することを介してコントラスト比が改善される長所がある。しかし、本発明は前記実施形態に限定されないし、本発明の趣旨を外れない限度内で多様に変形及び変更することができるということは自明な事実であることである。