"基板上に、第1の半導体多層膜と活性層および第2の半導体多層膜からなるアルミニウムを含む半導体層を有する面発光レーザ素子であって、前記半導体層を除去して前記基板にいたる深さまで形成された第1の分離溝と、前記半導体層を保護するよう形成された保護膜と、前記第1の分離溝における前記基板に予め定められた深さの第2の分離溝を形成したことを特徴とする面発光レーザ素子。請求項1に記載の面発光レーザ素子であって、前記第1の半導体多層膜にAlAs層を含むことを特徴とする面発光レーザ素子。請求項1もしくは請求項2のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、前記第2の分離溝が複数本形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。請求項1から請求項3のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、前記基板における前記第2の分離溝に対向する位置に形成された第3の分離溝を有することを特徴とする面発光レーザ素子。請求項1から請求項4のいずれかに記載の面発光レーザ素子が集積されてなることを特徴とする面発光レーザアレイ。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項1から請求項4のいずれかに記載の面発光レーザ素子を有する光源と、該光源からの光を偏向する光偏向器と、該光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系とを有することを特徴とする光走査装置。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項5に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、該光源からの光を偏向する光偏向器と、該光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系とを有することを特徴とする光走査装置。少なくとも1つの像担持体と、該像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの請求項6もしくは請求項7のいずれかに記載の光走査装置とを有することを特徴とする画像形成装置。請求項8に記載の画像形成装置であって、前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする画像形成装置。請求項1から請求項4のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項5に記載の面発光レーザアレイのいずれかと、該面発光レーザ素子もしくは面発光レーザアレイのいずれかを駆動する駆動回路と、レーザ光を受光して電気信号に変換して出力する受光素子とを有することを特徴とする光送受信モジュール。光信号を用いて情報の伝達を行う光通信装置であって、上記光信号を、請求項1から請求項4のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項5に記載の面発光レーザアレイのいずれかから出射される光ビームによって生成することを特徴とする光通信装置。アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、第1の半導体多層膜と活性層および第2の半導体多層膜からなるアルミニウムを含む半導体層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、前記半導体層を、前記基板にいたる深さまでエッチングして第1の分離溝を形成する工程と、前記半導体層に保護膜を形成する工程と、前記第1の分離溝の中心部における前記基板を予め定められた深さまでエッチングして第2の分離溝を形成する工程と、前記第2の分離溝に沿って前記面発光レーザ素子を分離する工程とを有することを特徴とする面発光レーザ素子製造方法。請求項12に記載の面発光レーザ素子製造方法であって、前記第2の分離溝を複数本形成することを特徴とする面発光レーザ素子製造方法。請求項12もしくは請求項13のいずれかに記載の面発光レーザ素子製造方法であって、前記基板における前記第2の分離溝に対向する位置に第3の分離溝を形成することを特徴とする面発光レーザ素子製造方法。解決しようとする問題点は、従来の、面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを製造する際の分離工程における基板表面をケガクといった技術では、スクライブ工程におけるパーティクルの発生、スクライブラインに沿わないブレーキング、ダイシング時のチッピングにより、歩留りが低下してしまうという点と、従来のレーザ光を用いた分離技術でも、Alアルミニウムを含む半導体多層膜に腐食が発生してしまう点である。本発明の目的は、これら従来技術の課題を解決し、製造工程における歩留りを向上させ、安価で品質の良いアルミニウムを含む半導体多層膜を有する面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを提供し、それらを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光ディスク装置等の電気機器や、光通信装置などの低価格化と高品質化を可能とすることである。上記目的を達成するため、本発明の面発光レーザ素子および面発光レーザアレイは、アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、第1の半導体多層膜と活性層および第2の半導体多層膜からなるアルミニウムを含む半導体層を有しており、半導体層を、基板にいたる深さまでエッチングして第1の分離溝を形成し、半導体層に保護膜を形成し、第1の分離溝の中心部における基板を予め定められた深さまでエッチングして第2の分離溝を形成し、第2の分離溝に沿って分離してなり、そして、プリンタや複写機等の画像形成装置に設けられる光走査装置の光源、ならびに光ディスク装置等の電気機器の光源、光通信装置の光源などとして用いられることを特徴とする。本発明によれば、Alアルミニウムを含む半導体多層膜を有する面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを、半導体多層膜を腐食させることなく、且つ、パーティクルの発生とブレーキングおよびチッピングによる歩留り低下を発生させることなく製造することができ、それらを用いた光走査装置と画像形成装置および光ディスク装置等の電気機器ならびに光通信装置の低価格化と高品質化が可能である。以下、図を用いて本発明を実施するための形態例を説明する。図1においては、本発明に係る製造方法により製造した面発光レーザ素子1の構成を示しており、本例の面発光レーザ素子1は、アルミニウムを含まない材料からなる基板1a上に、少なくともアルミニウムを含む材料を有する第1の半導体多層膜下部半導体DBR1bと活性領域1cおよび第2の半導体多層膜上部半導体DBR1dを含む半導体層1eが積層され、この半導体層1eをエッチングすることにより、基板1aにいたる深さを有する第1の分離溝1fが形成される。つまり、半導体層1eを除去し、基板1aにいたる深さを有するように第1の分離溝1fを形成すればよい。さらに、半導体層1eの腐食などを防止するための保護膜1gが形成され、この保護膜1g上に電極1hが形成される。なお、面発光レーザ素子1に隣接し、基板により連なっている他の面発光レーザ素子が存在する。そこで、第1の分離溝1fの中心部、つまり、面発光レーザ素子1と他の面発光レーザ素子の間に設けられた第1の分離溝1fの真ん中に、さらに第2の分離溝1iをエッチングなどにより形成された構成となっている。つまり、面発光レーザ素子1の単体で見ると、第1の分離溝1fの端に第2の分離溝1iが形成された構成となる。より詳しく説明すると、図2Bを参照すると、例えば、面発光レーザ素子を右側の素子とし、他の面発光レーザ素子を真ん中の素子とした場合、第1の分離溝1fは、互いの素子の間の基板に設けられた溝を指す。つまり、図2Bの21a、21bが、第1の分離溝1fの全体幅の真ん中に相当し、21a、21bが、第2の分離溝1iとなる。この面発光レーザ素子1の分離前の構成を図2に示す。図2Aにおいては、基板1a表面を上にした方向から見た構成を示しており、図2Bにおいては、図2AにおけるA-Aの断面図を示している。図2Bに示す第2の分離溝21a,21bにより、基板1aの表面をケガクといったスクライブ工程を行わずに、ブレーキング工程が可能であるため、スクライブ工程におけるパーティクルの発生を無くすことが可能である。これにより、チップ分離工程で歩留りを下げることがなく、安価な面発光レーザ素子を提供することができる。また、図3に示すように、第2の分離溝31a,31bを、複数本形成してもよい。さらに、図4に示すように、第2の分離溝41a,41b部分の基板の裏面部分に、第3の分離溝42a,42bを形成してもよい。また、このような面発光レーザ素子1と同様にして、後述の図10で示す面発光レーザアレイ500を製造することでも良い。すなわち、上述のように、アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、少なくともアルミニウムを含む材料を有する第1の半導体多層膜下部半導体DBRと活性領域および第2の半導体多層膜上部半導体DBRを含む半導体層を積層し、この半導体層をエッチングにより、基板にいたる深さを有する第1の分離溝を形成し、半導体層の腐食などを防止するための保護膜を形成し、この保護膜上に電極を形成し、そして、第1の分離溝の中心部にさらに第2の分離溝を形成する工程により、後述の図10で示す面発光レーザアレイ500を製造する。これにより、チップ分離工程で歩留りを下げることがなく、安価な面発光レーザアレイを提供することができる。また、図1~図4で示した面発光レーザ素子1もしくは図10に示す面発光レーザアレイ500を、光によって被走査面を走査する光走査装置における光源として用い、この光源からの光を偏向手段により偏向し、偏向手段で偏向された光を走査光学系により被走査面上に集光することにより、結果として安価な光走査装置を提供することができる。また、このような光走査装置を画像形成装置に設け、画像形成装置において、具備した少なくとも1つの像担持体に対して、光走査装置から、画像情報が含まれる光を走査する構成とすることにより、結果として安価な画像形成装置を提供することができる。また、図1~図4で示した面発光レーザ素子1もしくは図10に示す面発光レーザアレイ500を、光ディスク装置における光ピックアップ用の光源や光インターコネクションなどの光通信装置用の光源として用いることにより、光ディスク装置等の電気機器ならびに光通信装置を安価に提供することができる。以下、図5において、このように、基板上に設けたアルミニウムを含む下部半導体DBRと活性層および上部半導体DBRを有する半導体層を、アルミニウムを含まない材料からなる基板に至る深さまでエッチングして第1の分離溝を形成し、半導体膜に保護膜を形成した後、第1の分離溝の中心部にさらにエッチングにより第2の分離溝を形成する工程により製造した面発光レーザ素子を用いた光走査装置を具備した画像形成装置としてのレーザプリンタ1000の構成に関して説明する。図5に示すレーザプリンタ1000は、光走査装置1010と、感光体ドラム1030、帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034、クリーニングユニット1035、トナーカートリッジ1036、給紙コロ1037、給紙トレイ1038、レジストローラ対1039、定着ローラ1041、排紙ローラ1042、排紙トレイ1043、通信制御装置1050、および上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置1060などを備えている。尚、これらは、プリンタ筐体1044の中の所定位置に収容されている。通信制御装置1050は、ネットワークなどを介してパソコン等の上位装置1070との双方向の通信を制御する。感光体ドラム1030は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム1030の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム1030は、図5における矢印方向に回転するようになっている。帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034およびクリーニングユニット1035は、それぞれ感光体ドラム1030の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム1030の回転方向に沿って、帯電チャージャ1031→現像ローラ1032→転写チャージャ1033→除電ユニット1034→クリーニングユニット1035の順に配置されている。帯電チャージャ1031は、感光体ドラム1030の表面を均一に帯電させる。光走査装置1010は、帯電チャージャ1031で帯電された感光体ドラム1030の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム1030の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム1030の回転に伴って現像ローラ1032の方向に移動する。尚、この光走査装置1010の構成については後述する。トナーカートリッジ1036にはトナーが格納されており、このトナーは現像ローラ1032に供給される。現像ローラ1032は、感光体ドラム1030の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ1036から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像以下では、便宜上トナー像ともいうは、感光体ドラム1030の回転に伴って転写チャージャ1033の方向に移動する。給紙トレイ1038には記録紙1040が格納されている。この給紙トレイ1038の近傍には給紙コロ1037が配置されており、この給紙コロ1037は、記録紙1040を給紙トレイ1038から1枚ずつ取り出し、レジストローラ対1039に搬送する。レジストローラ対1039は、給紙コロ1037によって取り出された記録紙1040を一旦保持するとともに、記録紙1040を感光体ドラム1030の回転に合わせて感光体ドラム1030と転写チャージャ1033との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ1033には、感光体ドラム1030の表面のトナーを電気的に記録紙1040に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム1030の表面のトナー像が記録紙1040に転写される。ここで転写された記録紙1040は、定着ローラ1041に送られる。定着ローラ1041では、熱と圧力とが記録紙1040に加えられ、これによってトナーが記録紙1040上に定着される。ここで定着された記録紙1040は、排紙ローラ1042を介して排紙トレイ1043に送られ、排紙トレイ1043上に順次スタックされる。除電ユニット1034は、感光体ドラム1030の表面を除電する。クリーニングユニット1035は、感光体ドラム1030の表面に残ったトナー残留トナーを除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム1030の表面は、再度帯電チャージャ1031に対向する位置に戻る。次に、図6を用いて、光走査装置1010の構成と動作について説明する。図6に示すように、光走査装置1010は、偏向器側走査レンズ611a、像面側走査レンズ611b、ポリゴンミラー613、光源614、カップリングレンズ615、開口板616、シリンドリカルレンズ617、反射ミラー618、および走査制御装置図示省略などを備えている。そして、これらは、ハウジング630の中の所定位置に組み付けられている。以下、便宜上、主走査方向に対応する方向を主走査対応方向と略述し、副走査方向に対応する方向を副走査対応方向と略述して説明する。カップリングレンズ615は、光源614から出力された光束を略平行光とする。開口板616は、開口部を有し、カップリングレンズ615を介した光束のビーム径を規定する。シリンドリカルレンズ617は、開口板616の開口部を通過した光束を、反射ミラー618を介してポリゴンミラー613の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。光源614とポリゴンミラー613との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本例では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ615と開口板616とシリンドリカルレンズ617と反射ミラー618とから構成されている。ポリゴンミラー613は、一例として内接円の半径が18mmの6面鏡を有し、各鏡がそれぞれ偏向反射面となる。このポリゴンミラー613は、副走査対応方向に平行な軸の周りを等速回転しながら、反射ミラー618からの光束を偏向する。偏向器側走査レンズ611aは、ポリゴンミラー613で偏向された光束の光路上に配置されている。像面側走査レンズ611bは、偏向器側走査レンズ611aを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ611bを介した光束が、感光体ドラム1030の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー613の回転に伴って感光体ドラム1030の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム1030上を走査する。このときの光スポットの移動方向が主走査方向である。また、感光体ドラム1030の回転方向が副走査方向である。ポリゴンミラー613と感光体ドラム1030との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本例では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ611aと像面側走査レンズ611bとから構成されている。尚、偏向器側走査レンズ611aと像面側走査レンズ611bの間の光路上、および像面側走査レンズ611bと感光体ドラム1030の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも1つの折り返しミラーが配置されても良い。本例では、光源614として、図7に示す面発光レーザ素子100を有している。以下、図7において、レーザ発振方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な面内における互いに直交する2つの方向をX軸方向およびY軸方向として、面発光レーザ素子100の説明を行う。面発光レーザ素子100は、発振波長が780nm帯の面発光レーザ素子であり、基板101と、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109などを有している。基板101は、表面が鏡面研磨面であり、図8Aに示されるように、鏡面研磨面主面の法線方向が、結晶方位[100]方向に対して、結晶方位[111]A方向に向かって15度θ=15度傾斜したn-GaAs単結晶基板である。すなわち、基板101はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図8Bに示されるように、結晶方位[0-11]方向がX方向、結晶方位[01-1]方向が-X方向となるように配置されている。図7において、バッファ層102は、基板101のZ側の面上に積層され、n-GaAsからなる層である。下部半導体DBR103は、バッファ層102のZ側の面上に積層され、発振波長をλとしたとき、光学的厚さがλ/4となる膜厚のn-AlAsからなる低屈折率層と、光学的厚さがλ/4となる膜厚のn-Al0.33Ga0.67Asからなる高屈折率層のペアが37ペア積層されており、さらに、そのZ側に、光学的厚さが3λ/4となる膜厚のn-AlAsと、光学的厚さがλ/4となる膜厚のn-Al0.33Ga0.67Asが3ペア積層されている。この構成では、図9に示されるように、AlAs層の熱抵抗が、任意の組成により形成されるAlGaAs層の熱抵抗よりも小さいため、効率よく放熱を行うことが可能であり、発光時の発熱による素子特性の悪化の抑制や素子寿命の増大に効果がある。また、各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が設けられている。尚、各屈折率層の膜厚はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んでいる。また、光学的厚さがλ/4のとき、その層の実際の厚さDは、D=λ/4n但し、nはその層の媒質の屈折率である。また、下部半導体DBRは、上述のような例に限らず、光学的厚さが3λ/4となる膜厚のn-AlAsを含まなくてもよく、低屈折率層を全て光学的厚さがλ/4となる膜厚のn-AlAsで積層してもよい。また、同様に、低屈折率層を、全て、光学的厚さがλ/4となる膜厚のn―AlGaAs例えばn-Al0.93Ga0.07Asで積層してもよい。図7において、下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103のZ側に積層され、光学的厚さがλ/4となる厚さのノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。活性層105は、下部スペーサ層104のZ側に積層され、GaInAsP/Al0.33Ga0.67Asからなる3重量子井戸構造の活性層である。上部スペーサ層106は、活性層105のZ側に積層され、ノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、その厚さが1波長の光学的厚さとなるように設定されている。尚、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106のZ側に積層され、p-Al0.93Ga0.07Asからなる低屈折率層とp-Al0.31Ga0.69Asからなる高屈折率層のペアを23ペア有している。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。上部半導体DBR107における低屈折率層の1つには、AlAsからなる被選択酸化層が厚さ30nmで挿入されている。この被選択酸化層の挿入位置は、上部スペーサ層106から2ペア目の低屈折率層中である。コンタクト層109は、上部半導体DBR107のZ側に積層され、p-GaAsからなる層である。このように基板101上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上積層体ともいう。次に、面発光レーザ素子100の製造方法について説明する。面発光レーザ素子100の製造は下記の第1~第16の工程を含む。第1の工程:前述の積層体を有機金属気相成長法MOCVD法あるいは分子線エピタキシャル成長法MBE法による結晶成長によって形成する。ここでは、III族の原料には、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIを用い、V族の原料には、フォスフィンPH3、アルシンAsH3を用いている。また、p型ドーパントの原料には四臭化炭素CBr4、ジメチルジンクDMZnを用い、n型ドーパントの原料にはセレン化水素H2Seを用いている。第2の工程:積層体の表面に所望のメサ形状に対応する1辺が25μmの正方形状のレジストパターンを形成する。また、必要に応じて内周溝のレジストパターンも形成する。第3の工程:ICPドライエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとして四角柱のメサを形成する。第4の工程:フォトマスクを除去する。第5の工程:メサが形成された積層体を酸化対象物として、酸化処理を行う。ここでは、メサの外周部から被選択酸化層108中のAlアルミニウムが選択的に酸化される。そして、メサの中央部に、Alの酸化層108aによって囲まれた酸化されていない領域108bを残留させる。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域108bが電流通過領域電流注入領域である。第6の工程:酸化処理が完了した積層体に対して、外周部溝形成部のみを露出させるようリソグラフィによりレジストパターンを形成し、ICPドライエッチング法を用いて第1の分離溝116を形成し、レジストパターンを除去する。第7の工程:リソグラフィにより、第2の分離溝を形成するためのレジストパターンを形成し、ICPドライエッチング法を用いて深さがおよそ10μmの第2の分離溝117を形成し、レジストパターンを除去する。尚、第2の溝の深さは10μmでなくともよく、ヘキ開可能な深さであればよい。第8の工程:積層体を加熱チャンバーに入れ、窒素雰囲気中に380~400°Cの温度で3分間保持する。これにより、大気中で表面に付着した酸素や水、もしくは加熱処理用のチャンバー内の微量な酸素や水による自然酸化膜が、窒素雰囲気中での加熱処理により安定した不動態皮膜115になる。第9の工程:気相化学堆積法CVD法を用いて、SiN、SiONあるいはSiO2からなる保護層111を形成する。第10の工程:メサ上部にP側電極コンタクトの窓開けを行う。ここでは、フォトレジストによるマスクを施した後、メサ上部の開口部を露光してその部分のフォトレジストを除去し、BHFにて保護層111をエッチングして開口した。第11の工程:メサ上部の光射出部となる領域に一辺10μmの正方形状のレジストパターンを形成し、p側の電極材料の蒸着を行う。p側の電極材料としてはCr/AuZn/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜が用いられる。第12の工程:光射出部の電極材料をリフトオフし、p側の電極113を形成する。第13の工程:基板101の裏側を所定の厚さ例えば100μm程度まで研磨した後、n側の電極114を形成する。ここでは、n側の電極114はAuGe/Ni/Auからなる多層膜である。第14の工程:アニールによって、p側の電極113とn側の電極114のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。第15の工程:ブレーキングにより、チップ毎に切断する。第16の工程:そして、種々の後工程を経て、面発光レーザ素子100となる。尚、上述の製造方法は、面発光レーザ素子に限定されず、面発光レーザアレイでも、同様の各工程を含む方法で製造することが可能である。実際に、以上の製造方法によって面発光レーザアレイ3000個を製造したところ、チッピングやスクライブラインここでは第2の分離溝を指すに沿わないヘキ開は発生しなかった。さらに、図3に示すように、第2の分離溝を3本形成して分離することによって面発光レーザアレイ3000個を製造したところ、スクライブラインここでは、第2の分離溝を指すに沿わないヘキ開は発生しなかった。このように、複数形成した第2の分離溝は、何らかの影響例えば、基板上のパーティクルがハードマスクになることで発生するエッチング不良などで中心のスクライブラインに沿わずにヘキ開がなされようとするとき、予備のスクライブラインとしての効果があり、歩留りを下げることを防止することができる。また、図4に示すように、基板の裏面に、ドライエッチングにより分離溝120を1本形成した面発光レーザアレイを3000個製造したところ、スクライブラインここでは、第2の分離溝を指すに沿わないヘキ開は発生せず、裏面に溝を形成しない面発光レーザアレイの半分の圧力でヘキ開可能であった。すなわち、裏面に溝を形成することで、ブレーキング時の衝撃を小さくすることが可能であり、異種材料間の界面例えば半導体層と層間膜の応力が開放されることによる膜剥がれを抑制する効果がある。このような実例に対し、従来のスクライブブレーキング工程により、面発光レーザアレイを3000個製造したところ、スクライブラインここでは、基板表面をケガクといったスクライブ工程により形成したものを指すに沿わないヘキ開が4箇所発生した。また、Alアルミニウムを含まない材料からなる基板に達しない深さからなり、下部半導体DBR中で停止した第1の分離溝を形成したところ、Alが酸化されたことにより、第2の溝を形成するためのエッチング時に突起がウェハ全面に発生し、分離溝として機能しないという不都合があった。また、Alを含まない材料からなる基板に達しない深さからなり、下部半導体DBR中で停止した第1の分離溝は、AlAsの酸化速度が著しく大きいため、腐食が発生し、半導体素子として機能しなくなるといった極めて大きな不都合がある。このような結果から、本例の面発光レーザアレイは、従来の第2の溝を形成しない構造の面発光レーザアレイや、基板に達しない深さで第2の溝を形成した面発光レーザアレイよりも、歩留りを向上させることが可能であることが確認できる。このような面発光レーザアレイを、図5の光走査装置1010における図6に示す光源614として用いることもできる。すなわち、図6における光源614は、図7に示す面発光レーザ素子100に代えて、一例として図10に示されるように、面発光レーザ素子100の製造方法と同様な製造方法で製造された面発光レーザアレイ500を有していても良い。この面発光レーザアレイ500は、同一基板上に2次元的に配列されている複数ここでは16個の発光部501を有している。図10におけるM方向は主走査対応方向であり、S方向は副走査対応方向である。尚、発光部の数は16個に限定されるものではない。このような複数ここでは16個の発光部501は、図11に示されるように、全ての発光部をS方向に伸びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等間隔cとなるように配置されている。尚、本明細書では、発光部間隔とは2つの発光部501の中心間距離をいう。ここでは、間隔cは6μm、S方向の発光部間隔dは24μm、M方向の発光部間隔Xは30μmである。各発光部501は、図11のA-A断面図である図12に示されるように、前述の図7に示した面発光レーザ素子100と同様な構造を有している。すなわち、面発光レーザアレイ500は、面発光レーザ素子100が集積された面発光レーザアレイである。そこで、面発光レーザ素子100と同様な効果を得ることができる。この場合に、面発光レーザアレイ500では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔cであるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム1030上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。そして、前述の間隔cが6μmであるため、図5,図6における光走査装置1010の光学系の倍率を約1.8倍とすれば、2400dpiドット/インチの高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、前記間隔dを狭くして間隔cを更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。尚、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯タイミングで容易に制御できる。また、この場合には、図5におけるレーザプリンタ1000では、書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。尚、2つの発光部の間の溝は、各発光部の電気的および空間的分離のために、5μm以上とすることが好ましい。あまり狭いと製造時のエッチングの制御が難しくなるからである。また、メサの大きさ1辺の長さは10μm以上とすることが好ましい。あまり小さいと動作時に熱がこもり、特性が低下するおそれがあるからである。また、本例において、図5,図6に示す光走査装置1010における面発光レーザ素子100に代えて、この面発光レーザ素子100と同様の製造方法で製造され、当該面発光レーザ素子100と同様の発光部が1次元配列された面発光レーザアレイを用いても良い。また、本例では、画像形成装置として、図5に示すレーザプリンタ1000の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、図5に例示した光走査装置1010を備えた画像形成装置であれば良い。例えば、レーザ光によって発色する媒体例えば、用紙に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。また、図1~図4で示した面発光レーザ素子1もしくは図10に示す面発光レーザアレイ500を、電気機器としての光ディスク装置における光ピックアップ用の光源や、光インターコネクションなどの光通信装置の光源などとして用いることにより、当該電気機器光ディスク装置や光通信装置を安価に提供することが可能となる。また、図13に示されるように、図1~図4で示した面発光レーザ素子1もしくは図10に示す面発光レーザアレイ500を、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ2000であっても良い。この図13に示すカラープリンタ2000は、4色ブラック、シアン、マゼンタ、イエローを重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション感光体ドラムK1、帯電装置K2、現像装置K4、クリーニングユニットK5、および転写装置K6と、シアン用のステーション感光体ドラムC1、帯電装置C2、現像装置C4、クリーニングユニットC5、および転写装置C6と、マゼンタ用のステーション感光体ドラムM1、帯電装置M2、現像装置M4、クリーニングユニットM5、および転写装置M6と、イエロー用のステーション感光体ドラムY1、帯電装置Y2、現像装置Y4、クリーニングユニットY5、および転写装置Y6と、光走査装置2010と、転写ベルト2080と、定着ユニット2030などを備えている。各感光体ドラムは、図13中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置2010により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト2080上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット2030により記録紙に画像が定着される。この光走査装置2010は、図6に示す光源614と同様な光源を色毎に有しており、図5,図6における光走査装置1010と同様な効果を得ることができる。また、カラープリンタ2000は、光走査装置2010を備えているため、図5に示すレーザプリンタ1000と同様な効果を得ることができる。尚、カラープリンタ2000では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置2010の各光源が、図10に示す面発光レーザアレイ500と同様な面発光レーザアレイを有していると、点灯させる発光部501を変更することで、色ずれを低減することができる。次に、図14を用いて、本発明に係る面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを用いた光送受信モジュールおよび当該光送受信モジュールを用いた光通信装置について説明する。図14おいては、複数の面発光レーザ素子を同一の基板上に配置して構成した面発光レーザアレイ1401a,1402aと、面発光レーザアレイ1401a,1402aの各素子から出射されたレーザ光を受光して電気信号に変換出力する受光素子1401b,1402bを、ボード1401,1402上に設け、光送受信モジュールを構成している。また、ボード1401,1402上には、面発光レーザアレイ1401a,1402aを駆動する駆動回路、および、受光素子1401b,1402bからの出力の信号処理を行う制御回路等が搭載されている。ボード1401,1402上の面発光レーザアレイ1401a,1402aの各面発光レーザ素子と受光素子1401b,1402bのそれぞれは相互に、光ファイバ1403を介して、光信号の送受信を行う光通信装置構成となっている。ボード1401,1402は、さらに、図示していないコンピュータ装置等の通信装置に接続され、データ処理が行われる。このように、本例の面発光レーザ素子アレイを用いることにより、光送受信モジュールの低価格化と高品質化を図ることができ、かつ、それを用いた光通信装置の低価格化および高品質化を図ることができる。次に、図15を用いて、本発明に係る面発光レーザ素子もしくは面発光レーザアレイを用いた電気機器の例として、面発光レーザ素子を用いた光ディスク装置について説明する。図15において、本例の光ディスク装置は、光ディスク1501へのデータの書き込みや、光ディスク1501に書き込まれたデータの再生に、本発明に係る面発光レーザ素子からなるレーザ装置1502を用いている。光ディスク装置では、光ディスク1501へのデータの書き込み時、レーザ装置1502から光ディスク1501へ向けて信号光を出射し、この信号光を、コリメートレンズ1503により平行光とし、ビームスプリッタ1504を透過してλ/4偏光板1505で偏光状態を調節した後、レーザ光照射用対物レンズ1506により光ディスク1501の表面に集光させる。また、光ディスク1501に記録されたデータを読み出す際には、レーザ装置1502から、データ信号がのっていないレーザ光を書き込み時と同じ経路をたどって光ディスク1501の表面に照射し、光ディスク1501の表面で反射させたレーザ光を、レーザ光照射用対物レンズ1506、λ/4偏光板1505を経由し、ビームスプリッタ1504により光軸の方向を90°変えて、再生光用対物レンズ1507で信号検出用受光素子1508の表面に集光させ、この信号検出用受光素子1508において、レーザ光が示すデータ信号を電気信号に変換して信号光再生回路1509に出力する。そして、この信号光再生回路1509において、電気信号を元の信号に再生する。このように、本発明に係る面発光レーザ素子を光ディスク装置に用いることにより、光ディスク装置の低価格化と高品質化を図ることができる。以上、図1~図15を用いて説明したように、本例の面発光レーザ素子1,100および面発光レーザアレイ500は、アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、第1の半導体多層膜下部半導体DBRと活性層および第2の半導体多層膜上部半導体DBRからなるアルミニウムを含む半導体層を有しており、この半導体層を、基板にいたる深さまでエッチングして第1の分離溝1f,116を形成し、半導体層に保護膜1g,111を形成し、第1の分離溝の中心部における基板を予め定められた深さまでエッチングして、1以上の第2の分離溝1i,21a,21b,31a,31b,41a,41bを形成し、この第2の分離溝に沿って分離してなる。また、基板における第2の分離溝に対向する位置に、第3の分離溝42a,42bを形成し、これらの第2の分離溝と第3の分離溝に沿って分離してなる。そして、プリンタや複写機等の画像形成装置に設けられる光走査装置ならびに電気機器としての光ディスク装置、ならびに光送受信モジュールおよびそれを用いた光通信装置などの光源として用いられる。例えば、光送受信モジュールとしては、面発光レーザ素子1,100、もしくは、面発光レーザアレイ500のいずれかからなる光源と、これらの面発光レーザ素子1,100もしくは面発光レーザアレイ500のいずれかを駆動する駆動回路と、レーザ光を受光して電気信号に変換して出力する受光素子とにより構成する。また、光信号を用いて情報の伝達を行う光通信装置としては、当該光信号を、面発光レーザ素子1,100、もしくは、面発光レーザアレイ500のいずれかから出射される光ビームによって生成する構成とする。また、電気機器としての光ディスク装置は、面発光レーザ素子1,100、もしくは、面発光レーザアレイ500のいずれかを光源として、これらの面発光レーザ素子1,100もしくは面発光レーザアレイ500のいずれかを駆動する駆動回路を設けて構成する。これにより、従来技術の問題点スクライブ工程におけるパーティクルの発生、スクライブラインに沿わないブレーキング、ダイシング時のチッピングにより、歩留りが低下してしまうという点と、アルミニウムを含む半導体多層膜に腐食が発生してしまう点を解決し、Alアルミニウムを含む半導体多層膜を有する面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを、半導体多層膜を腐食させることなく、且つ、パーティクルの発生とブレーキングおよびチッピングによる歩留り低下を発生させることなく製造することができ、製造工程における歩留りを向上させ、安価で品質の良いアルミニウムを含む半導体多層膜を有する面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの提供が可能となり、それらを用いた光走査装置と画像形成装置、および光ディスク装置等の電気機器、ならびに光通信装置などの低価格化と高品質化が可能となる。このように、本例によれば、面発光レーザ素子や面発光レーザアレイにおける製造過程での歩留りを向上させることが可能であり、安価で高品質な面発光レーザ素子や面発光レーザアレイを提供することが可能である。そして、このような安価で高品質な面発光レーザ素子や面発光レーザアレイを用いた光走査装置は、高コスト化を招くことなく、高い精度の光走査を行うのに適している。さらに、この光走査装置を用いた画像形成装置は、高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成するのに適している。また、安価な面発光レーザ素子や面発光レーザアレイを光源として用いた光ディスク装置等の電気機器、ならびに光通信装の低コスト化と高品質化を図ることができる。尚、本発明は、図1~図15を用いて説明した例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。例えば、本例では、図8において、基板101の主面の法線方向が、結晶方位[100]方向に対して、結晶方位[111]A方向に向かって15度傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。傾斜基板を用いるときには、基板101の主面の法線方向が、結晶方位<100>の一の方向に対して、結晶方位<111>の一の方向に向かって傾斜していれば良い。さらに、本例では、基板101が傾斜基板である場合について説明したが、これに限定されるものではない。また、本例では、発光部の発振波長が780nm帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。また、面発光レーザ素子100は、画像形成装置以外の用途に用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、650nm帯、850nm帯、980nm帯、1.3μm帯、1.5μm帯等の波長帯であっても良い。"