"固浸レンズを用いて半導体デバイスの観察を行う半導体デバイス観察装置に用いられる吸着器であって、前記半導体デバイスが形成された半導体ウエハが配置される第1の面と、前記第1の面の反対側の面である第2の面とを有し、前記第1の面と前記第2の面とを貫通する貫通孔が形成された本体部と、前記半導体デバイスからの光が入射される光入射面と、前記光入射面から入射した光が出射される光出射面とを有し、前記光入射面が前記第1の面側に露出し、且つ、前記光出射面が前記第2の面側に露出するように前記貫通孔に嵌合された光透過部と、を備え、前記第1の面には、前記半導体ウエハを真空吸着して前記半導体デバイスを前記光入射面に固定するための第1の吸着溝が形成されており、前記第2の面には、前記固浸レンズを真空吸着して前記光出射面に固定するための第2の吸着溝が形成されていることを特徴とする吸着器。前記第2の面には前記固浸レンズを配置するための凹部が形成されており、前記貫通孔は前記凹部の底面に形成されており、前記光出射面は前記凹部の底面よりも前記第2の面側に位置しており、前記第2の吸着溝は、前記凹部の底面上における前記貫通孔の縁部に沿って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の吸着器。前記光透過部は、前記半導体デバイスの基板を構成する材料の屈折率と略同一の屈折率の材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の吸着器。前記本体部を冷却するための冷却手段をさらに備えることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載の吸着器。固浸レンズを用いて半導体デバイスの観察を行う半導体デバイス観察装置であって、請求項1~4の何れか一項に記載の吸着器と、前記光透過部を透過した光を導光する導光光学系と、前記導光光学系により導光された光を撮像する撮像手段と、を備えることを特徴とする半導体デバイス観察装置。前記導光光学系は、所定の倍率の第1の対物レンズと、前記所定の倍率よりも高い倍率の第2の対物レンズと、前記第1の対物レンズと前記第2の対物レンズとを切り替える対物レンズ切替手段と、を有し、前記第2の対物レンズには、その光軸の方向に沿って移動可能に前記固浸レンズが取り付けられていることを特徴とする請求項5に記載の半導体デバイス観察装置。前記半導体デバイスに電圧を印加するための電圧印加手段をさらに備えることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体デバイス観察装置。半導体ウエハに形成された半導体デバイスを観察する半導体デバイス観察方法であって、吸着器の光透過部の光入射面上に配置された前記半導体デバイスの所定の箇所に電圧を印加する電圧印加工程と、前記半導体デバイスから発せられ前記光透過部を透過する光を、前記光透過部の前記光入射面の反対側の光出射面側に配置した第1の対物レンズを用いて観察することにより、前記半導体デバイスにおける観察対象箇所を検出する検出工程と、前記第1の対物レンズの倍率よりも高い倍率の第2の対物レンズと、前記第2の対物レンズに取り付けられた固浸レンズとを、前記光出射面側において、前記検出工程で検出された前記観察対象箇所に位置合わせする位置合わせ工程と、真空吸着により前記固浸レンズを前記光出射面に固定する吸着固定工程と、前記第2の対物レンズの光軸方向に沿っての前記第2の対物レンズの位置を調整することにより前記第2の対物レンズのフォーカスを調整するフォーカス調整工程と、前記第2の対物レンズを用いて前記観察対象箇所の画像を取得する画像取得工程と、を含むことを特徴とする半導体デバイス観察方法。前記電圧印加工程では、前記半導体ウエハを真空吸着することにより前記半導体デバイスが前記光入射面に固定された状態で前記半導体デバイスに電圧を印加し、前記検出工程では、前記半導体デバイスからの光を前記第1の対物レンズと前記光透過部との位置関係を調節しながら観察することにより、前記観察対象箇所を検出することを特徴とする請求項8に記載の半導体デバイス観察方法。前記検出工程と前記位置合わせ工程との間において、前記吸着器からの空気の吹出によって前記半導体ウエハを前記吸着器に浮上保持し、前記吸着器を前記半導体デバイスに対して相対的に移動させて、前記光透過部を前記検出工程で検出された前記観察対象箇所に位置合わせし、前記半導体ウエハを真空吸着することにより前記半導体デバイスを前記光入射面に固定する吸着器移動工程をさらに備え、前記位置合わせ工程では、前記第2の対物レンズと前記固浸レンズとを前記光透過部が位置合わせされた前記観察対象箇所に位置合わせする、ことを特徴とする請求項8に記載の半導体デバイス観察方法。前記位置合わせ工程では、前記吸着器からの空気の吹出によって前記半導体ウエハを前記吸着器に浮上保持し、前記吸着器と第2の対物レンズと前記固浸レンズとを一体的に移動させることによって、前記光透過部と前記第2の対物レンズと前記固浸レンズとを前記観察対象箇所に位置合わせすることを特徴とする請求項8に記載の半導体デバイス観察方法。前記吸着固定工程では、前記固浸レンズを前記第2の対物レンズの光軸方向に移動させることにより前記固浸レンズを前記光出射面に接触させた後に、真空吸着により前記固浸レンズを前記光出射面に固定することを特徴とする請求項8~11の何れか一項に記載の半導体デバイス観察方法。ところで、半導体デバイスの故障解析を行う場合、先ず固浸レンズを用いない低倍率での半導体デバイスの観察を行って故障箇所を検出し、その後に固浸レンズを用いた高倍率での当該故障箇所の観察を行うことが望ましい。しかしながら、特許文献1に記載の故障解析装置においては、上述したように、半導体ウエハを載置するための解析用プレートと固浸レンズとが一体的に形成されているので、固浸レンズを着脱するためには、解析用プレート全体を着脱する必要がある。このため、この故障解析装置では、固浸レンズを用いない低倍率での観察と、固浸レンズを用いる高倍率での観察とを変更することが困難であった。そこで、本発明は、半導体デバイスの低倍率での観察と高倍率での観察との変更を容易に行うことを可能とする吸着器、半導体デバイス観察装置、及び半導体デバイス観察方法を提供することを課題とする。本発明の一側面は吸着器に関する。この吸着器は、固浸レンズを用いて半導体デバイスの観察を行う半導体デバイス観察装置に用いられる吸着器であって、半導体デバイスが形成された半導体ウエハが配置される第1の面と、該第1の面の反対側の面である第2の面とを有し、第1の面と第2の面とを貫通する貫通孔が形成された本体部と、半導体デバイスからの光が入射される光入射面と、光入射面から入射した光が出射される光出射面とを有し、光入射面が第1の面側に露出し、且つ、光出射面が第2の面側に露出するように貫通孔に嵌合された光透過部と、を備え、第1の面には、半導体ウエハを真空吸着して半導体デバイスを光入射面に固定するための第1の吸着溝が形成されており、第2の面には、固浸レンズを真空吸着して光出射面に固定するための第2の吸着溝が形成されていることを特徴とする。この吸着器によれば、第1の吸着溝を用いた真空吸着によって半導体デバイスを光入射面に吸着固定しつつ、第2の吸着溝を用いた真空吸着により固浸レンズを光出射面に吸着固定することができる。また、同様にして半導体デバイスを光入射面に吸着固定しつつ、第2の吸着溝を用いた真空吸着を止めることにより、固浸レンズの吸着固定を解除することもできる。このように、この吸着器によれば、観察対象となる半導体デバイスを光入射面に吸着固定しつつ固浸レンズの着脱を容易に行うことができる。したがって、この吸着器によれば、固浸レンズを用いない低倍率での半導体デバイスの観察と、固浸レンズを用いる高倍率での半導体デバイスの観察とを容易に変更可能となる。特に、半導体ウエハに形成された半導体デバイスの観察において有効である。本発明の一側面に係る吸着器においては、第2の面には固浸レンズを配置するための凹部が形成されており、貫通孔は凹部の底面に形成されており、光出射面は凹部の底面よりも第2の面側へ突出するように位置しており、第2の吸着溝は、凹部の底面上における貫通孔の縁部に沿って形成されているものとすることができる。この場合、固浸レンズと光出射面との距離を短くできるので、固浸レンズと光透過部との間におけるエバネッセント結合を確実に実現できる。また、真空吸着により固浸レンズを光出射面に固定したときに、固浸レンズの底面と凹部の底面とが離間するので即ち、第2の吸着溝が閉じられないので、真空吸着を止めることにより、固浸レンズの吸着固定を容易に解除できる。また、本発明の一側面に係る吸着器においては、光透過部は、半導体デバイスの基板を構成する材料の屈折率と略同一の屈折率の材料からなるものとすることができる。この場合、屈折率差から生じる収差を抑えることができる。さらに、本発明の一側面に係る吸着器は、本体部を冷却するための冷却手段をさらに備えることができる。この場合、半導体デバイス及び固浸レンズの過熱を防止することができる。その結果、半導体デバイスの正常動作を実現でき、尚且つ、固浸レンズの屈折率が変化することを防止できる。本発明の別の側面は、半導体デバイス観察装置に関する。この半導体デバイス観察装置は、固浸レンズを用いて半導体デバイスの観察を行う半導体デバイス観察装置であって、上記の吸着器と、光透過部を透過した光を導光する導光光学系と、導光光学系により導光された光を撮像する撮像手段と、を備えることを特徴とする。この半導体デバイス観察装置は、上記の吸着器を備えているので、固浸レンズを用いない低倍率での半導体デバイスの観察と、固浸レンズを用いる高倍率での半導体デバイスでの観察とを容易に変更できる。特に、半導体ウエハに形成された半導体デバイスの観察において有効である。本発明の別の側面に係る半導体デバイス観察装置においては、導光光学系は、所定の倍率の第1の対物レンズと、所定の倍率よりも高い倍率の第2の対物レンズと、第1の対物レンズと第2の対物レンズとを切り替える対物レンズ切替手段と、を有し、第2の対物レンズには、その光軸の方向に沿って移動可能に固浸レンズが取り付けられているものとすることができる。この場合、固浸レンズが、高倍率の第2の対物レンズに対して、その光軸方向に沿って移動可能とされている。このため、固浸レンズを吸着固定した後においても、第2の対物レンズを移動させてフォーカス位置を調整できる。また、本発明の別の側面に係る半導体デバイス観察装置は、半導体デバイスに電圧を印加するための電圧印加手段をさらに備えることができる。本発明の更なる別の側面は、半導体デバイス観察方法に関する。この半導体デバイス観察方法は、半導体ウエハに形成された半導体デバイスを観察する半導体デバイス観察方法であって、吸着器の光透過部の光入射面上に配置された半導体デバイスの所定の箇所に電圧を印加する電圧印加工程と、半導体デバイスから発せられ光透過部を透過する光を、光透過部の光入射面の反対側の光出射面側に配置した第1の対物レンズを用いて観察することにより、半導体デバイスにおける観察対象箇所を検出する検出工程と、第1の対物レンズの倍率よりも高い倍率の第2の対物レンズと、第2の対物レンズに取り付けられた固浸レンズとを、光出射面側において、検出工程で検出された観察対象箇所に位置合わせする位置合わせ工程と、真空吸着により固浸レンズを光出射面に固定する吸着固定工程と、第2の対物レンズの光軸方向に沿っての第2の対物レンズの位置を調整することにより第2の対物レンズのフォーカスを調整するフォーカス調整工程と、第2の対物レンズを用いて観察対象箇所の画像を取得する画像取得工程と、を含むことを特徴とする。この半導体デバイス観察方法では、固浸レンズを用いずに低倍率の第1の対物レンズにより半導体デバイスの観察を行って観察対象箇所を検出し、その後に、固浸レンズを吸着器の光出射面に吸着固定して、高倍率の第2の対物レンズにより半導体デバイスの観察対象箇所の観察を行う。このように、この半導体デバイス観察方法によれば、固浸レンズを用いない低倍率での半導体デバイスの観察と、固浸レンズを用いる高倍率での半導体デバイスの観察とを容易に変更できる。特に、半導体ウエハに形成された半導体デバイスの観察において有効である。本発明の更なる別の側面に係る半導体デバイス観察方法においては、電圧印加工程では、半導体ウエハを真空吸着することにより半導体デバイスが光入射面に固定された状態で半導体デバイスに電圧を印加し、検出工程では、半導体デバイスからの光を第1の対物レンズと光透過部との位置関係を調節しながら観察することにより、観察対象箇所を検出することができる。この場合、半導体デバイスが光入射面に吸着固定された状態で半導体デバイスに電圧を印加し、第1の対物レンズと光透過部との位置関係を調節しながら半導体デバイスを観察する。このため、この半導体デバイス観察方法は、光透過部の幅が半導体デバイスの幅に対して比較的大きい場合に、効果的に適用することができる。そして、そのような場合には、半導体デバイスの観察対象箇所を検出するときに、半導体デバイスと光透過部との間の位置関係を変更する必要がないので、観察対象箇所の特定が容易となる。また、本発明の更なる別の側面に係る半導体デバイス観察方法は、検出工程と位置合わせ工程との間において、吸着器からの空気の吹出によって半導体ウエハを吸着器に浮上保持し、吸着器を半導体デバイスに対して相対的に移動させて、光透過部を検出工程で検出された観察対象箇所に位置合わせし、半導体ウエハを真空吸着することにより半導体デバイスを光入射面に固定する吸着器移動工程をさらに備え、位置合わせ工程では、第2の対物レンズと固浸レンズとを光透過部が位置合わせされた観察対象箇所に位置合わせすることができる。この場合、半導体ウエハを吸着器に浮上保持し、光透過部を半導体デバイスに対して相対的に移動させて、光透過部を観察対象箇所に位置合わせする。このため、この半導体デバイス観察方法は、光透過部の幅が半導体デバイスの幅に対して比較的小さい場合に、効果的に適用することができる。そして、そのような場合には、光入射面と半導体デバイスとの接触面積や、光出射面と固浸レンズとの接触面積が比較的小さいので、半導体デバイス及び固浸レンズの吸着効率が高くなる。このため、半導体デバイスと光入射面との界面及び光出射面と固浸レンズとの界面において、確実にエバネッセント結合を実現することができる。また、本発明の更なる別の側面に係る半導体デバイス観察方法においては、位置合わせ工程では、吸着器からの空気の吹出によって半導体ウエハを吸着器に浮上保持し、吸着器と第2の対物レンズと固浸レンズとを一体的に移動させることによって、光透過部と第2の対物レンズと固浸レンズとを観察対象箇所に位置合わせすることができる。この場合、吸着器と第2の対物レンズと固浸レンズとを一体的に移動させて観察対象箇所に位置合わせするので、複数の観察対象箇所を容易に観察することができる。さらに、本発明の更なる別の側面に係る半導体デバイス観察方法においては、吸着固定工程では、固浸レンズを第2の対物レンズの光軸方向に移動させることにより固浸レンズを光出射面に接触させた後に、真空吸着により固浸レンズを光出射面に固定することができる。この場合、固浸レンズを光出射面に接触させた後に吸着固定するので、固浸レンズの位置ずれを防止することができる。本発明によれば、半導体デバイスの低倍率での観察と高倍率での観察との変更を容易に行うことを可能とする吸着器、半導体デバイス観察装置、及び半導体デバイス観察方法を提供することができる。以下、図面を参照しつつ本発明に係る吸着器、それを備える半導体デバイス観察装置、及び、半導体デバイス観察方法の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、各図面における各部の寸法比率は、必ずしも実際のものとは一致しない。[吸着器の実施形態]先ず、本発明に係る吸着器の実施形態について説明する。図1は、本発明に係る吸着器の一実施形態の構成を示す断面図であり、図2aは、図1に示された吸着器の第1の面の側から見た平面図であり、図2bは、図1に示された吸着器の第2の面の側から見た平面図である。また、図3は、図1に示された領域Aの拡大図である。なお、図2,3においては、半導体ウエハが省略されている。図1~3に示されるように、吸着器10は本体部11と光透過部12とを備えている。吸着器10は、例えば、固浸レンズSIL:SolidImmersionLensを用いて半導体デバイスの観察を行う半導体デバイス観察装置に用いることができる。本体部11は、半導体デバイスDが形成された半導体ウエハWが配置される第1の面13を有している。半導体ウエハWは、第1の面13上において、図2aの一点鎖線で示される配置位置P1に配置される。また、本体部11は、第1の面13の反対側に第2の面14を有している。さらに、本体部11には、第1の面13と第2の面14とを貫通する貫通孔15が形成されている。本体部11は円盤状をなしており、貫通孔15は本体部11の略中央部においてその内壁が円筒形状に形成されている。なお、本体部11の形状は円盤状に限らない。また、貫通孔15は、その内壁が円筒形状のものに限らない。光透過部12は、貫通孔15に嵌合され、接着剤等で固定されている。また、光透過部12は、第1の面13上に配置された半導体デバイスDからの光が入射される光入射面16と、光入射面16から入射した光が出射される光出射面17とを有している。光入射面16と光出射面17とは互いに対向している。したがって、光透過部12は、光入射面16及び光出射面17を両端面として規定される円柱形状をなしている。なお、光透過部12の形状は、円柱形状に限らない。光入射面16は、第1の面13側に露出している。また、光入射面16は、第1の面13と面一とされている。したがって、第1の面13上に半導体ウエハWが配置されると、その半導体ウエハWの所定の半導体デバイスDが、光入射面16上に配置されることとなる。光出射面17は、第2の面14側に露出している。したがって、半導体デバイスDからの光は、光透過部12を介して吸着器10を透過する。ここで、本体部11の第1の面13には、第1の面13に配置された半導体ウエハWを真空吸着して、半導体デバイスDを光入射面16に吸着固定するための第1の吸着溝13aが複数ここでは2つ形成されている。これらの第1の吸着溝13aは、第1の面13の縁部と同心の円環状に形成されている。第1の吸着溝13aの各々は、本体部11の外縁近傍において第2の面14上に設けられた複数の吸着口Bの少なくとも一つに連通しており、その吸着口Bに接続される真空ポンプ等によってその内部が真空引きされる。この場合、半導体ウエハWの形状や大きさに合わせて、真空吸着に用いる第1の吸着溝13aを選択できる構成にしてもよい。また、第1の吸着溝13aの形状は、円環状に限らない。また、本体部11の第2の面14には、固浸レンズSを配置するための第1の凹部18が形成されている。固浸レンズSは、図2bにおいて一点鎖線で示される配置位置P2に配置される。第1の凹部18は、第2の面14の縁部と同心の円柱形状に形成されている。第1の凹部18の底面18aには、同じく第2の面14の縁部と同心の円柱形状をなす第2の凹部19が形成されている。したがって、本体部11には、第1の凹部18の底面18aと、第2の凹部19の底面19aと、第2の凹部19の側面19bとによって、段差部20が形成されている。なお、上記の貫通孔15は、第2の凹部19の底面19aに形成されている。そして、貫通孔15に嵌合された光透過部12は、第2の凹部19の底面19aから第2の面14に向けて突出している。ここで、本体部11の第2の面14には、固浸レンズSを真空吸着することにより、固浸レンズSの平面部である底面Saを光出射面17に密着させて固定するための第2の吸着溝14aが形成されている。光透過部12は、第2の吸着溝14aの内側に配置されている。より具体的には、第2の吸着溝14aは、光透過部12の側面12aと、第2の凹部19の内面である底面19a及び側面19bとによって、貫通孔15の縁部に沿って環状に形成されている。このような第2の吸着溝14aは、第1の吸着溝13aが連通された吸着口Bとは異なる吸着口Bに連通しており、この吸着口Bに接続される真空ポンプ等によってその内部が真空引きされる。ここで、光透過部12は、第1の凹部18の底面18aから第2の面14に向けて突出している。詳細には、光出射面17は、第1の凹部18の底面18a、即ち段差部20の上面20aよりも、距離Tだけ第2の面14側に位置している。したがって、光出射面17に固浸レンズSを配置したとき、固浸レンズSの底面Saと第1の凹部18の底面18aとが離間する即ち、第2の吸着溝14aが閉じられないこととなる。このため、第2の吸着溝14aの内部を真空引きすることにより、第2の吸着溝14aの内部と外部との間に気圧差が生じて、固浸レンズSが光出射面17に吸着固定される。つまり、ここでの真空吸着は、気密に構成された溝の真空引きによる吸着に加えて、このように閉じられていない溝の真空引きによる吸着を含む。なお、本体部11は、例えば、熱伝導性が良く加工が容易なCuにより構成することができる。この場合、本体部11上に配置された半導体ウエハの発熱を吸熱放熱することができる。また、光透過部12は、半導体デバイスDの基板を構成する材料の屈折率と略同一の屈折率の材料半導体デバイスDの基板がSiの場合、例えばSi、GaP及びGaAs等からなるものとすることができる。ここで、屈折率が略同一とは、互いの屈折率の差が例えば5以内であることを意味するが、達成される開口数NAにより適宜変更されてもよい。このように、半導体デバイスDの基板の材料と略同一の屈折率の材料により光透過部12を構成すれば、開口数NAを高めることができる。特に、半導体デバイスDの基板がSiである場合には、光透過部12もSiからなることが好ましく、半導体デバイスDの基板がGaAsである場合には、光透過部12もGaAsからなることが好ましい。つまり、半導体デバイスDの基板を構成する材料と同じ材料により光透過部12を構成することが好ましい。なお、光透過部12及び固浸レンズSが共に屈折率3.2のGaPであって、Siからなる半導体デバイスDの基板の厚さが100μmの場合、全体の開口数NAが2.3となる。また、光透過部12及び固浸レンズSが共に屈折率3.45のGaAsであって、Siからなる半導体デバイスDの基板の厚さが800μmの場合、全体の開口数NAが2.45となる。以上説明したように、本実施形態に係る吸着器10によれば、第1の吸着溝13aを用いた真空吸着によって半導体デバイスDを光入射面16に吸着固定しつつ、第2の吸着溝14aを用いた真空吸着により固浸レンズSを光出射面17に吸着固定することができる。また、同様にして半導体デバイスDを光入射面16に吸着固定しつつ、第2の吸着溝14aを用いた真空吸着を止めることにより、固浸レンズSの吸着固定を解除して、固浸レンズSを光出射面17から取り外すことができる。このように、吸着器10によれば、観察対象となる半導体デバイスDを光入射面16に吸着固定しつつ固浸レンズSの着脱を容易に行うことができる。したがって、吸着器10によれば、固浸レンズSを用いない低倍率での半導体デバイスDの観察と、固浸レンズSを用いる高倍率での半導体デバイスDの観察とを容易に変更可能となる。ところで、固浸レンズSと光透過部12との間でエバネッセント結合を実現させるためには、固浸レンズSの底面Saと光出射面17との間の距離が、観察光の波長の10分の1以下となるように、固浸レンズSの底面Saと光出射面17とを密着させる必要がある。本実施形態に係る吸着器10においては、光出射面17が、第1の凹部18の底面18a即ち段差部20の上面20aよりも第2の面14側へ突出するように位置している。このため、第2の吸着溝14aを用いて固浸レンズSを光出射面17に吸着固定する際に、第2の吸着溝14aの縁部が固浸レンズSの底面Saに接触することが避けられる。その結果、固浸レンズSの底面Saと光出射面17とが十分に密着可能であり、エバネッセント結合を確実に実現することができる。また、固浸レンズSの底面Saと第1の凹部18の底面18aとが離間しているので即ち、第2の吸着溝14aが閉じられていないので、第2の吸着溝14aを用いた真空吸着を止めることにより、固浸レンズSの吸着固定を容易に解除できる。なお、吸着器10においては、段差部20を形成する替わりに、図4に示されるように、弾性を有する材料例えばゴム等からなる環状の封止部材21を第1の凹部18の底面18aに配置してもよい。このとき、封止部材21の上面21aは、光出射面17よりも第2の面14側に位置している。この場合、光出射面17に固浸レンズSを配置したときに第2の吸着溝14aの気密性が高まるので即ち、第2の吸着溝14aが閉じられるので、固浸レンズSを効率的に吸着可能となる。また、第2の吸着溝14aを用いた真空吸着を止めた際、固浸レンズSの底面Saが、封止部材21の弾性により第2の面14側に浮くため、固浸レンズSの吸着固定を容易に解除できる。また、吸着器10は、本体部11を冷却するための冷却手段をさらに備えることができる。この場合、半導体デバイスD及び固浸レンズSの過熱を防止することができる。その結果、半導体デバイスDの正常動作を実現でき、尚且つ、固浸レンズSの屈折率が変化することを防止できる。[半導体デバイス観察装置の実施形態]次に、本発明に係る半導体デバイス観察装置の実施形態について説明する。図5は、本発明に係る半導体デバイス観察装置の一実施形態の構成を模式的に示す図である。図5に示されるように、半導体デバイス観察装置100は、吸着装置部30とテスタ電圧印加手段40と光学装置部50とコントロール部70とを備えている。半導体デバイス観察装置100は、例えば、半導体デバイスの故障解析のために固浸レンズを用いて半導体デバイスを観察する場合等に用いることができる。吸着装置部30は、上述した吸着器10を有している。吸着器10には、当該半導体デバイス観察装置100の観察対象である半導体デバイスDが形成された半導体ウエハWが配置される。吸着装置部30は、吸着器10をX-Y方向光入射面16及び光出射面17の延在方向に駆動するための吸着器駆動機構31と、第1の面13上に配置された半導体ウエハWを吸着固定するためのウエハ吸着固定部32とをさらに有している。ウエハ吸着固定部32は、吸着器10に対する半導体ウエハWの位置決め等に用いることができる。また、吸着器10は、本体部11を冷却するための水冷ジャケット冷却手段22をさらに有している。水冷ジャケット22は、第2の面14上に設けられている。水冷ジャケット22は、環状に形成された冷媒流路22aを有しており、この冷媒流路22aに冷媒チラーCから供給される冷媒を流通させることにより、本体部11を冷却する。また、第1の吸着溝13a及び第2の吸着溝14aには、吸着口B及びバルブEを介して真空ポンプVが接続されている。また、ウエハ吸着固定部32についても、同様にバルブEを介して真空ポンプVが接続されている。さらに、第1の吸着溝13aには、バルブEを介してエアコンプレッサFが接続されている。これらのバルブEは、例えば電磁バルブとすることができる。テスタ40は、第1の面13に配置された半導体ウエハWの半導体デバイスDに対して電圧を印加する。より具体的には、テスタ40は、半導体デバイスDの観察に必要な電気信号を生成し、生成した電気信号をプローブカード41及びプローブ針42を介して半導体デバイスDに与える。光学装置部50は、光透過部12を透過した光を導光する導光光学系51と、導光光学系51により導光された光を検出撮像する検出器撮像手段52と、導光光学系51をX-Y方向及びそれに直交するZ方向導光光学系51の光軸Lに沿った方向に駆動するためのXYZステージ53と、を有している。導光光学系51は、光透過部12を透過した光が入射される低倍率対物レンズ第1の対物レンズ54a及び高倍率対物レンズ第2の対物レンズ54bと、低倍率対物レンズ54aと高倍率対物レンズ54bとを切り替えるためのレンズターレット対物レンズ切替手段55と、低倍率対物レンズ54a及び高倍率対物レンズ54bからの光を結像させる結像レンズ56と、を含む。高倍率対物レンズ54bは、低倍率対物レンズ54aの倍率よりも高い倍率を有している。また、高倍率対物レンズ54bには、少なくともその光軸Lに沿って移動可能に、固浸レンズSが取り付けられている。固浸レンズSが高倍率対物レンズ54bに取り付けられた様子を図6に示す。図6に示されるように、ここでの固浸レンズSは、略半球状の第1の部分S1と、テーパ形状を有する第2の部分S2とからなる。高倍率対物レンズ54bの先端部54cには、そのような固浸レンズSを保持するためのレンズホルダ60が取り付けられている。レンズホルダ60の先端部60aの内面60bは、固浸レンズSの第2の部分S2のテーパ形状に合わせて傾斜している。このため、レンズホルダ60に保持された固浸レンズSは、レンズホルダ60に対して固定されず、また、その底面Saがレンズホルダ60の先端部60aから突出された状態で保持され、高倍率対物レンズ54bの光軸Lにほぼ沿って移動可能となっている。さらに、レンズホルダ60には、固浸レンズSの高倍率対物レンズ54bに向かう方向への移動を規制するレンズカバー61が設けられている。したがって、固浸レンズSは、レンズホルダ60の先端部60aの内面60bとレンズカバー61との間に保持されることとなる。このレンズカバー61は、観察光を透過する材料からなる場合には、例えば、図7aに示されるような円盤状のものとすることができる。また、レンズカバー61は、観察光を透過しない材料からなる場合には、例えば、図7bに示されるように、円環状の縁部61aと縁部61aに架け渡された支持部61bとによって光透過口61cを設けた形状とすることができる。コントロール部70は、吸着装置部30、光学装置部50、及び各バルブEを制御するための電子制御ユニットである。このようなコントロール部70は、機能的には、図8に示されるように、バルブコントロール部71、ステージコントロール部72、検出器コントロール部73、SILコントロール部74、レンズターレットコントロール部75、及び、チャックコントロール部76を有している。バルブコントロール部71は、各バルブEの開閉を制御する。より具体的には、バルブコントロール部71は、半導体ウエハWを第1の面13に吸着固定する際には、第1の吸着溝13aと真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを開いて第1の吸着溝13a内を真空引きし、半導体ウエハWの吸着固定を解除する際にはこのバルブEを閉じる。また、バルブコントロール部71は、固浸レンズSを光出射面17に吸着固定する際には、第2の吸着溝14aと真空ポンプとの間に配置されたバルブEを開いて第2の吸着溝14a内を真空引きし、固浸レンズSの吸着固定を解除する際にはこのバルブEを閉じる。また、バルブコントロール部71は、ウエハ吸着固定部32を用いて半導体ウエハWを吸着固定する際には、ウエハ吸着固定部32と真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを開き、吸着固定を解除する際にはこのバルブEを閉じる。さらに、バルブコントロール部71は、半導体ウエハWを吸着器10から浮上させる際には、第1の吸着溝13aとエアコンプレッサFとの間のバルブEを開いて第1の吸着溝13aから圧縮空気を吹出させ、半導体ウエハWの浮上を止める際にはこのバルブEを閉じる。ステージコントロール部72は、XYZステージ53を制御し、導光光学系51をX-Y-Z方向に移動させる。チャックコントロール部76は、吸着器駆動機構31を制御し、吸着器10をX-Y方向に移動させる。検出器コントロール部73は、検出器52を制御する。より具体的には、検出器コントロール部73は、検出器52としてのカメラや、レーザスキャンイメージング装置の制御を行う。ここでのカメラとしては、例えば、CCDカメラ、InGaAsカメラ、MCTカメラ、及びCMOSカメラ等が挙げられる。また、この検出器コントロール部73では、検出器52で検出される光量に合わせてゲインやオフセット、或いは積算時間等をコントロールすることができる。SILコントロール部74は、高倍率対物レンズ54bに取り付けられた固浸レンズSの動作についての制御を行う。より具体的には、SILコントロール部74は、固浸レンズSを、光出射面17に真空吸着すべく光出射面17に押し当てる際に、固浸レンズSが損傷しないように固浸レンズSの移動量を制限したり、固浸レンズSが光出射面17に接触したことを感知して、バルブコントロール部71の制御により固浸レンズSの真空吸着を始められるようにしたりする。レンズターレットコントロール部75は、レンズターレット55を回転させることにより、低倍率対物レンズ54aと高倍率対物レンズ54bとを切り替えて、所望の倍率を選択する。レンズターレットコントロール部75は、レンズターレット55のどこにどの倍率の対物レンズが設けられているかを予め記憶することで、所望の倍率の選択を可能とする。また、レンズターレットコントロール部75は、レンズターレット55の回転方向を一定の方向に制限することにより、バックラッシュの影響に起因する位置制度の低下を防止する。以上説明したように、本実施形態に係る半導体デバイス観察装置100は、吸着器10を備えているので、コントロール部70の制御の下、固浸レンズSを用いない低倍率での半導体デバイスDの観察即ち低倍率対物レンズ54aによる観察と、固浸レンズSを用いる高倍率での半導体デバイスDの観察即ち高倍率対物レンズ54bによる観察とを容易に変更できる。なお、高倍率対物レンズ54bに固浸レンズSを移動可能に取り付けるための構成は、レンズホルダ60に限定されない。高倍率対物レンズ54bに固浸レンズSを取り付ける場合には、例えば、図9に示される構成とすることができる。この場合、高倍率対物レンズ54bの先端部54cには、レンズホルダ60に替えてレンズホルダ65が取り付けられている。このレンズホルダ65は、複数例えば3つの保持片67を有している。保持片67には、その先端部67aにおいて、固浸レンズSの第1の部分S1の曲率と略同一の曲率を有するレンズ受け面67bが形成されており、固浸レンズSは、このレンズ受け面67bに配置される。また、保持片67の先端部67aには、レンズ受け面67bに配置された固浸レンズSを係止するための係止片68が配設されている。係止片68は、その内面68aが固浸レンズSの第2の部分S2のテーパ形状に合わせて傾斜している。このため、固浸レンズSは、光透過部12の光出射面17に接触すると、その底面Saが光出射面17に倣うように回転しながら回りながら、保持片67により、固浸レンズSの中心軸が保持片67の半径の軸に保持されるように移動する。また、高倍率対物レンズ54bは、光軸Lに沿って移動可能となっており、半導体デバイスDの観察位置に対する焦点位置合わせを行う際、半導体デバイスDに対する高倍率対物レンズ54bの相対位置を変位させることで調整する。ここで、図10は、本発明に係る吸着器の他の実施形態の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体デバイス観察装置100は、上述した吸着器10に替えて、この図10に示される吸着器10Aを備えることができる。吸着器10Aは、本体部11Aと光透過部12Aとを備えている。本体部11Aは、吸着器10の本体部11と同様の材料例えばCuより構成することができる。光透過部12Aは、吸着器10の光透過部12と同様の材料例えばSi、GaP、GaAs等より構成することができる。本体部11Aは、吸着器10の本体部11と同様に、半導体デバイスDが形成された半導体ウエハWが配置される第1の面13を有している。本体部11Aは、第1の面13と反対側に第2の面14Aを有している。本体部11Aには、第1の面13と第2の面14Aとを貫通する貫通孔15Aが形成されている。本体部11Aは、円盤状をなしており、貫通孔15Aは本体部11Aの略中央部に配置されている。貫通孔15Aは、第1の面13から第2の面14Aに向かう方向に拡径する円錐台状を呈している。光透過部12Aは、貫通孔15Aに嵌合されて固定されている。光透過部12Aは、第1の面13上に配置された半導体デバイスDからの光が入射される光入射面16Aと、光入射面16Aから入射した光が出射される光出射面17Aとを有している。光入射面16Aと光出射面17Aとは互いに対向している。したがって、光透過部12Aは、光入射面16Aおよび光出射面17Aを両端面として規定される円錐台状を呈している。光入射面16Aは、第1の面13側に露出している。また、光入射面16Aは、第1の面13と面一とされている。したがって、第1の面13上に半導体ウエハWが配置されると、その半導体ウエハWの所定の半導体デバイスDが、光入射面16Aに配置されることとなる。光出射面17Aは、第2の面14A側に露出している。したがって、半導体デバイスDからの光は、光透過部12Aを介して吸着器10Aを透過する。なお、光出射面17Aは、第2の面14Aと面一とされている。この吸着器10Aを用いる場合には、固浸レンズSに替えて、図10に示される固浸レンズSAを用いることができる。固浸レンズSAは、半球状の本体部SA1と、平板状の鍔部SA2とからなる。鍔部SA2は、本体部SA1の側面の裾部において本体部SA1に固定されており、本体部SA1と一体に移動可能とされている。本体部SA1及び鍔部SA2は、半導体デバイスDからの光を透過する材料からなる。また、鍔部SA2の主面SA21及び裏面SA22は、鍔部SA2を透過する光束に歪を与えないように、鏡面様に研磨されている。鍔部SA2の形状は、例えば円盤状とすることができる。なお、固浸レンズSは高倍率低物レンズ54bに取り付けられていたが、固浸レンズSAは高倍率対物レンズ54bに取り付けられておらず、高倍率対物レンズ54bと別体とされている。吸着器10Aは、このような固浸レンズSAを第2の面14Aに吸着固定するための構成を有している。すなわち、本体部11Aの第2の面14Aには、固浸レンズSAを真空吸着して第2の面14A特に光出射面17Aに固定するための第2の吸着溝14Aaが複数例えば2つ~5つ形成されている。第2の吸着溝14Aaは、例えば、第1の吸着溝13aと対応する位置において、円環状に形成することができる。第2の吸着溝14Aaのそれぞれは、図示しない吸着口に連通しており、その吸着口に接続される真空ポンプV等によって、その内部が真空引きされる。吸着器10Aにおいては、第2の吸着溝14Aaの内部を真空引きすることにより、固浸レンズSAを第2の面14Aに吸着固定する。このような吸着器10Aを用いることにより、固浸レンズSAの吸着を鍔部SA2の全体で行うことができるので、第2の面14Aに対する固浸レンズSAの吸着固定を、比較的大きな力で確実に行うことができる。ここで、半導体デバイス観察装置100は、リニアステージつきの駆動モータMをさらに備えることができる。駆動モータMは、コントロール部70の制御の下で、吸着器10Aの第2の面14Aに沿って固浸レンズSAを移動させる。このように吸着器10A、固浸レンズSA、及び駆動モータMを用いる半導体デバイス観察装置100においては、例えば、以下のように半導体デバイスDの観察を行うことができる。まず、第2の面14Aに対する固浸レンズSAの吸着固定を解除した後に、図10bに示されるように、駆動モータMにより吸着器10Aの第2の面14Aに沿って図中の矢印方向に沿って固浸レンズSAを移動させ、固浸レンズSAの鍔部SA2を光透過部12Aの光出射面17Aに配置するすなわち、固浸レンズSAの本体部SA1を光出射面17Aから外す。その状態において、第2の吸着溝14Aa内を真空引きすることにより、固浸レンズSAを第2の面14Aに吸着固定する。そして、低倍率対物レンズ54aを用いて半導体デバイスDの観察を行う。このように低倍率での観察を行いつつ、半導体ウエハWを光透過部12Aに対して移動させて、半導体デバイスDの所望の観察位置を光透過部12Aの中心に配置する。続いて、第2の面14Aに対する固浸レンズSAの吸着固定を解除した後に、図10aに示されるように、駆動モータMにより吸着器10Aを移動させて、固浸レンズSAの本体部SA1を光透過部12Aの光出射面17Aに配置する。その状態において、第2の吸着溝14Aa内を真空引きすることにより、固浸レンズSAを第2の面14Aに吸着固定する。そして、固浸レンズSAの本体部SA1及び高倍率対物レンズ54bを用いて半導体デバイスDの観察を行う。このように、固浸レンズSAにおける半球状の本体部SA1を用いて観察を行うことにより、例えば顕微鏡観察での倍率NAともに3.5倍され、高分解能観察が可能となる。なお、半導体デバイスDにおける観察位置を移動させる場合は、固浸レンズSAの吸着固定を解除し、観察したい位置の上方図中の下方へと本体部SA1を移動させた後に、吸着固定し、観察を行う。この観察自体は、固浸レンズSAの移動中も常時行っていてもよい。また、対物レンズ位置を本体部SA1の直上として観察するのが最も収差を少なく広範囲で観察することができる。以上説明したように、吸着器10Aによれば、第1の吸着溝13aを用いた真空吸着によって半導体デバイスDを光入射面16Aに吸着固定しつつ、第2の吸着溝14Aaを用いた真空吸着により固浸レンズSAの本体部SA1を光出射面17Aに吸着固定することができる。また、同様にして半導体デバイスDを光入射面16Aに吸着固定しつつ、第2の吸着溝14Aaを用いた真空吸着を止めることにより、固浸レンズSAの吸着固定を解除して、固浸レンズSAの本体部SA1を光出射面17Aから外すことができる。このように、吸着器10Aによれば、観察対象となる半導体デバイスDを光入射面16Aに吸着固定しつつ固浸レンズSAの本体部SA1の移動を容易に行うことができる。したがって、吸着器10Aによれば、固浸レンズSAの鍔部SA2を用いる低倍率での半導体デバイスDの観察と、固浸レンズSAの本体部SA1を用いる高倍率での半導体デバイスDの観察とを容易に変更可能となる。したがって、吸着器10Aを備える半導体デバイス観察装置100によれば、コントロール部70の制御の下、固浸レンズSAの鍔部SA2及び低倍率対物レンズ54aを用いる低倍率での半導体デバイスDの観察と、固浸レンズSAの本体部SA1及び高倍率対物レンズ54bを用いる高倍率での半導体デバイスDの観察とを容易に変更できる。[半導体デバイス観察方法の第1実施形態]次に、本発明に係る半導体デバイス観察方法の第1実施形態について説明する。本実施形態に係る半導体デバイス観察方法は、上記の半導体デバイス観察装置100を用いて半導体デバイスを観察する方法である。図11は、この半導体デバイス観察方法の工程を示すフローチャートであり、図12は、この半導体デバイス観察方法における一部の工程を模式的に示す図である。先ず、半導体ウエハWを吸着器10を用いて真空吸着することにより、半導体ウエハWを第1の面13に吸着固定するステップS11。より具体的には、バルブコントロール部71が、第1の吸着溝13aと真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを開いて第1の吸着溝13aの内部を真空引きし、半導体ウエハWを第1の面13に吸着固定する。このとき、半導体ウエハWに形成された半導体デバイスDが、光入射面16に固定される。続いて、半導体デバイスDが光入射面16に固定された状態で、テスタ40が半導体デバイスDの所定の箇所にプローブ針42を当てて、当該所定の箇所に電圧を印加するステップS12:電圧印加工程。続いて、ステップS12における電圧の印加によって半導体デバイスDから発せられ、光透過部12を透過する光を、光出射面17側に配置した低倍率対物レンズ54aを用いて観察することにより、半導体デバイスDにおける観察対象箇所例えば故障箇所を検出するステップS13:検出工程。なお、半導体デバイスへの電圧の印加は、このステップS13の後に一旦止めて、後述するステップS18において観察対象箇所の画像を取得する際に再度行うことができる。このステップS13においては、ステージコントロール部72がXYZステージ53を制御し、図12aに示されるように、低倍率対物レンズ54aをX-Y方向に駆動させることによって、低倍率対物レンズ54aと光透過部12との位置関係を調節しながら、光透過部12を透過した光を観察して、観察対象箇所を検出する。なお、このステップS13においては、必要に応じて、複数の観察対象箇所を検出し、そのX-Y方向についての位置データをコントロール部70に記憶させておいてもよい。続いて、レンズターレットコントロール部75がレンズターレット55を制御回転することにより、対物レンズを低倍率対物レンズ54aから高倍率対物レンズ54bに切り替えるステップS14。続いて、ステージコントロール部72がXYZステージ53を制御して、高倍率対物レンズ54bと高倍率対物レンズ54bに取り付けられた固浸レンズSとを、光出射面17側においてX-Y方向に移動させ、ステップS13で検出された観察対象箇所に位置合わせするステップS15:位置合わせ工程。続いて、固浸レンズSを真空吸着することにより、固浸レンズSを光出射面17に吸着固定するステップS16:吸着固定工程。より具体的には、バルブコントロール部71が、第2の吸着溝14aと真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを開いて第2の吸着溝14aの内部を真空引きし、固浸レンズを光出射面17に吸着固定する。このステップS16においては、先ず、ステージコントロール部72がXYZステージ53を制御して、高倍率対物レンズ54bと固浸レンズSとをZ方向に移動させて固浸レンズSを光出射面17に接触させた後に、真空吸着により固浸レンズSを光出射面17に固定することができる。続いて、ステージコントロール部72がXYZステージ53を制御して、高倍率対物レンズ54bのZ方向の位置を調整することにより、高倍率対物レンズ54bのフォーカス位置を調整するステップS17:フォーカス調整工程。ここでは、固浸レンズSが高倍率対物レンズ54bに対して移動可能に保持されているので、ステップS16で固浸レンズSを吸着固定した後においても、高倍率対物レンズ54bの位置を調節できる。そして、検出器52が、図12bに示されるように高倍率対物レンズ54b及び固浸レンズSを用いて、ステップS13で検出された観察対象箇所の画像を取得するステップS18:画像取得工程。取得された画像は、検出器52に接続されたコンピュータ等に送られて表示される。この後、必要に応じて、他の観察対象箇所の画像を取得すべく、固浸レンズSの吸着固定を解除し、再び上記のステップS15以降のステップを繰り返して行うことができる。以上説明したように、本実施形態に係る半導体デバイス観察方法によれば、固浸レンズSを用いずに低倍率対物レンズ54aにより半導体デバイスDの観察を行って観察対象箇所を検出し、その後に、固浸レンズSを光出射面17に吸着固定して、高倍率対物レンズ54bにより観察対象箇所の観察を行う。このように、この半導体デバイス観察方法によれば、固浸レンズSを用いない低倍率での半導体デバイスDの観察と、固浸レンズを用いる高倍率での半導体デバイスDの観察とを容易に変更できる。また、本実施形態に係る半導体デバイス観察方法においては、半導体デバイスDが光入射面16に吸着固定された状態で半導体デバイスDに電圧を印加し、低倍率対物レンズ54aと吸着器10との位置関係を調節しながら半導体デバイスDを観察する。このため、この半導体デバイス観察方法は、光透過部12の幅が、半導体デバイスの幅に対して比較的大きい場合に、適用することができる。そして、そのような場合には、観察対象箇所を検出する際に、半導体デバイスDと吸着器10との位置関係を変更する必要がない即ち、光透過部12の位置合わせをする必要がないので、観察対象箇所の特定が容易となる。[半導体デバイス観察方法の第2実施形態]次に、本発明に係る半導体デバイス観察方法の第2実施形態について説明する。本実施形態に係る半導体デバイス観察方法も、上記の半導体デバイス観察装置100を用いて半導体デバイス観察する方法である。図13は、この半導体デバイス観察方法の工程を示すフローチャートであり、図14は、この半導体デバイス観察方法における一部の工程を模式的に示す図である。先ず、半導体ウエハWを吸着器10を用いて真空吸着することにより、半導体ウエハWを第1の面13に吸着固定するステップS21。より具体的には、バルブコントロール部71が、第1の吸着溝13aと真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを開いて第1の吸着溝13aの内部を真空引きし、半導体ウエハWを第1の面13に吸着固定する。このとき、半導体ウエハWに形成された半導体デバイスDが、光入射面16に固定される。続いて、半導体デバイスDが光入射面16に固定された状態で、テスタ40が半導体デバイスDの所定の箇所にプローブ針42を当てて、当該所定の箇所に電圧を印加するステップS22:電圧印加工程。続いて、ステップS22における電圧の印加によって半導体デバイスDから発せられ、光透過部12を透過する光を、光出射面17側に配置した低倍率対物レンズ54aを用いて観察することにより、半導体デバイスDにおける観察対象箇所を検出するステップS23:検出工程。このステップS23においては、必要に応じて、複数の観察対象箇所を検出し、そのX-Y方向についての位置データをコントロール部70に記憶させておいてもよい。また、半導体デバイスへの電圧の印加は、このステップS23の後に一旦止めて、後述するステップS31において観察対象箇所の画像を取得する際に再度行うことができる。続いて、吸着器10からの空気の吹出によって、半導体ウエハWを吸着器10に浮上保持するステップS24:吸着器移動工程。より具体的には、バルブコントロール部71が、第1の吸着溝13aと真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを閉じて第1の吸着溝13aの内部の真空引きを止めると共に、第1の吸着溝13aとエアコンプレッサFとの間に配置されたバルブEを開いて、第1の吸着溝13aから圧縮空気を吹出させることにより、第1の面13上に配置された半導体ウエハWを浮上させる。これにより、半導体ウエハWは、第1の面13とプローブ針42との間に浮上保持される。このとき、半導体ウエハWは、圧縮空気によりプローブ針42に押し当てられ、そのX-Y方向における位置が安定化される。なお、半導体ウエハWの浮上の度合いは、半導体ウエハWと光透過部12との境界からの反射光の干渉による干渉パターンにより判断できる。この干渉パターンは、吸着時には暗い一色になるが、半導体ウエハWが浮上するにつれて明るくなり、縞が出始める。続いて、図14aに示されるように、チャックコントロール部76が吸着器駆動機構31を制御し、吸着器10をX-Y方向に移動させると共に、ステージコントロール部72が低倍率対物レンズ54aをX-Y方向に移動させて、光透過部12の中央がステップS23で検出された観察対象箇所に合うように、光透過部12の位置合わせを行うステップS25:吸着器移動工程。なお、このステップS25においては、低倍率対物レンズ54a及び吸着器10を固定しておき、半導体デバイスD半導体ウエハWを移動させてもよい。この場合、半導体ウエハWの移動はウエハ吸着固定部32を用いて行われる。このように、ステップS25においては、低倍率対物レンズ54a及び吸着器10を、半導体デバイスDに対して相対的にX-Y方向に沿って移動させればよい。また、このステップS25においては、半導体デバイスDの反射像を観察しながら光透過部12を位置合わせすることで、光透過部12の中心を観察対象箇所に確実に位置合わせできる。さらには、このステップ25においては、光透過部12の位置合わせの後に、半導体デバイスDに再度電圧を印加して、光透過部12の中心が観察対象箇所に合っているかを確認することができる。これにより、光透過部12の位置合わせの精度を一層向上することができる。続いて、半導体ウエハWを真空吸着することにより、半導体デバイスDを光入射面16に吸着固定するステップS26:吸着器移動工程。より具体的には、バルブコントロール部71が、第1の吸着溝13aとエアコンプレッサFとの間に配置されたバルブEを閉じて圧縮空気の吹出を止め、さらに、第1の吸着溝13aと真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを開いて第1の吸着溝13aの内部を真空引きし、半導体ウエハを吸着固定する。続いて、レンズターレットコントロール部75がレンズターレット55を制御回転することにより、対物レンズを低倍率対物レンズ54aから高倍率対物レンズ54bに切り替えるステップS27。続いて、ステージコントロール部72がXYZステージ53を制御して、高倍率対物レンズ54bと高倍率対物レンズ54bに取り付けられた固浸レンズSとを、光出射面17側においてX-Y方向に移動させ、これらを光透過部12が位置合わせされた観察対象箇所に位置合わせするステップS28:位置合わせ工程。続いて、真空吸着により固浸レンズSを光出射面17に吸着固定するステップS29:吸着固定工程。より具体的には、バルブコントロール部71が、第2の吸着溝14aと真空ポンプVとの間に配置されたバルブEを開いて第2の吸着溝14aの内部を真空引きし、固浸レンズSを吸着固定する。このステップS29においては、先ず、ステージコントロール部72がXYZステージ53を制御して、高倍率対物レンズ54bと固浸レンズSとをZ方向に移動させて固浸レンズSを光出射面17に接触させた後に、真空吸着により固浸レンズSを光出射面17に固定することができる。続いて、ステージコントロール部72がXYZステージ53を制御して、高倍率対物レンズ54bのZ方向の位置を調整することにより、高倍率対物レンズ54bのフォーカス位置を調整するステップS30:フォーカス調整工程。ここでは、固浸レンズSが高倍率対物レンズ54bに対して移動可能に保持されているので、ステップS27で固浸レンズSを吸着固定した後においても、高倍率対物レンズ54bの位置が調節できる。そして、検出器52が、図14bに示されるように高倍率対物レンズ54b及び固浸レンズSを用いて、観察対象箇所の画像を取得するステップS31:画像取得工程。取得された画像は、検出器52に接続されたコンピュータ等に送られて表示される。この後、必要に応じて、他の観察対象箇所の画像を取得すべくステップS23で記憶された位置データを用いて、上記のステップS24以降のステップを繰り返して行うことができる。以上説明したように、本実施形態に係る半導体デバイス観察方法によれば、上記第1実施形態に係る半導体デバイス観察方法と同様に、固浸レンズSを用いない低倍率での半導体デバイスDの観察と、固浸レンズを用いる高倍率での半導体デバイスDの観察とを容易に変更できる。また、本実施形態に係る半導体デバイス観察方法は、半導体ウエハWを吸着器10に浮上保持し、低倍率対物レンズ54a及び吸着器10を、半導体デバイスDに対して相対的に移動させて、光透過部12を観察対象箇所に位置合わせする。このため、この半導体デバイス観察方法は、光透過部12の幅が、半導体デバイスDの幅に対して比較的小さい場合に適用することができる。そして、そのような場合には、光入射面16と半導体デバイスDとの接触面積や、光出射面17と固浸レンズSとの接触面積が比較的小さいので、半導体デバイスD及び固浸レンズSの吸着効率が高くなる。このため、半導体デバイスDと光透過部12との間、及び光透過部12と固浸レンズSとの間において、確実にエバネッセント結合を実現することができる。なお、本実施形態に係る半導体デバイス観察方法においては、ステップS23において観察対象箇所を検出した後、半導体ウエハWを吸着器10に浮上保持し、対物レンズを高倍率対物レンズ54bに切り替えて、吸着器10、高倍率対物レンズ54b、及び固浸レンズSを一体的に移動させることにより、光透過部12と高倍率対物レンズ54bと固浸レンズSとを、コントロール部70に記憶された位置データを用いて観察対象箇所に同時に位置合わせすることができる。その場合、後工程として、ステップS29において固浸レンズS及び半導体ウエハWを吸着固定した後に、ステップS30とステップS31とを行うこととなる。この場合、ステップS31において一の観察対象箇所の画像を取得した後に、固浸レンズSを吸着器10から切り離さずに、半導体ウエハWを吸着器10に浮上保持し、吸着器10、高倍率対物レンズ54b、及び固浸レンズSを一体的に移動させ、光透過部12と高倍率対物レンズ54bと固浸レンズSとを別の観察対象箇所に同時に位置合わせすることにより、複数の観察対象箇所を容易に観察することができる。また、上述した吸着器10、半導体デバイス観察装置100、及び各半導体デバイス観察方法は、電圧の印加による半導体デバイスDからの発光像の取得にも用いることができるし、半導体デバイスD中に形成された回路パターン像取得にも用いることができる。また、上述した吸着器10、半導体デバイス観察装置100、及び各半導体デバイス観察方法は、半導体デバイスDからの反射像である回路パターン像を用いて観察位置に焦点位置を合わせ、半導体デバイスDに電圧を印加することによって得られる発光像の取得や、レーザ光の走査によるOBIRCH像やOBIC像の取得にも用いることができる。"