2つの基板1、2、2a、2b、...、2iの一方上に液状接着剤の少なくとも1つの液滴8、8a、8b、...、8iを配置するステップと、前記2つの基板1、2、2a、2b、...、2iを接触させて前記液状接着剤を広がらせ、それに続いて、前記2つの基板1、2、2a、2b、...、2i間に固化接着剤の層7、7a、7b、...、7iを形成するステップと、を備えた、少なくとも2つの前記基板1、2、2a、2b、...、2i同士を結合するための方法であって、前記2つの基板1、2、2a、2b、...、2iの一方が、少なくとも1つのスリット4が形成された少なくとも1つの突出したリム3、3a、3b、...、3iを前記一方の基板の表面上に備えることと、前記2つの基板1、2、2a、2b、...、2iの前記一方上に配置される前記液状接着剤の体積が、前記基板1、2、2a、2b、...、2iが接触したときに前記リム3、3a、3b、...、3iによって画定される結合空間の容積よりも大きく、それによって、余分な前記液状接着剤が、前記2つの基板1、2、2a、2b、...、2iが接触したときに、前記リム3、3a、3b、...、3iに形成された前記スリット4を介して除去され、さらに、前記2つの基板1、2、2a、2b、...、2iの前記一方上に配置された前記液状接着剤の液滴8、8a、8b、...、8iが、前記リム3、3a、3b、...、3iの高さH1よりも正確に高い高さH2を有することと、を特徴とする方法。前記2つの基板1、2、2a、2b、...、2iを接触させるステップが、前記基板1、2、2a、2b、...、2iの一方または他方に圧力を加えずに行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記液状接着剤の少なくとも1つの液滴の配置が、前記リム3、3a、3b、...、3iを備えた前記基板1、2、2a、2b、...、2i上において行われることを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の方法。前記液状接着剤の少なくとも1つの液滴の配置が、前記リムを備えていない前記基板1、2、2a、2b、...、2i上において行われることを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の方法。前記方法が、第1の基板1と、少なくとも1つのダイシング経路9によって分離された同一平面上に存在する複数の第2の基板2a、2b、...、2iとを結合するための方法であることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記リム3が、前記第1の基板1の表面に形成されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。第2の基板2a、2b、...、2iの各々が、その表面に、少なくとも1つのスリット4が形成された、突出したリム3a、3b、...、3iを備え、前記リム3a、3b、...、3iは、当該リムに対応する前記第2の基板2a、2b、...、2iの周辺部に配置されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記第1の基板1および/または前記第2の基板2a、2b、...、2iが、薄化された基板であることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、少なくとも2つの基板、とりわけ、半導体材料から作られた少なくとも2つの基板同士を結合するための方法を提案し、従来技術の欠点を除去することである。より詳細には、本発明の目的は、-2つの基板の一方上に、液状接着剤の少なくとも1つの液滴を配置するステップと、-2つの基板を接触させて液状接着剤を広がらせ、それに続いて、2つの基板間に固化接着剤層を形成し、得られたその固化接着剤層は、欠陥のない均一な制御された厚さを有するステップと、を備えた少なくとも2つの基板同士を結合するための方法を提案することである。本発明によれば、この目的は、添付の請求項によって達成される。その他の利点および特徴が、以下に限定するものではない単なる例として説明されかつ添付の図面に示される本発明の特定の実施形態からより明確なものとなる。表面から突き出ており、かつベントventとも呼ばれる少なくとも1つのスリットが形成されたリムrimを2つの基板の一方に提供することによって、それらの少なくとも2つの基板をお互いに結合するためにそれらの基板間に形成された固化接着剤層の厚さを制御することが提案される。そのようなリムは、結合空間bondingspace、すなわち、基板を接触させたときに固化接着剤層が形成および配置される空間を画定する。有利には、リムは、このリムに配置された1つまたは複数のスリットを除けば、閉じた周辺部を形成するリブとして一方の基板の表面上に形成される。したがって、このリムは、その基板の表面において、基板を接触させたときに結合空間を形成するように設計されたハウジングまたは、空洞を画定する。さらに、リムは、その結合空間内に配置される固化接着剤層に必要な厚さに応じて選択された特定の高さを有する。有利には、この高さは、一定である。さらにまた、2つの基板の一方上に配置される接着剤液の体積は、結合空間の容積よりも大きい。したがって、基板を接触させたとき、余分な液状接着剤を、そのリムから溢れ出る代わりに、リムに形成されたスリットを介して除去することができる。さらに、一方または他方の基板上に配置された液状接着剤の液滴は、厳密には、リムの高さよりも高い高さを有する。したがって、基板を接触させたとき、2つの基板の一方上に配置された接着剤の液滴は、リムよりも前に他方の基板と接触する第1のエレメントである。さらにまた、毛管現象のため、液状接着剤は、結合空間内において、とりわけ、この結合空間を画定するリムの近傍において、良好なぬれ性wettabilityを有する。その場合、結合空間内における液状接着剤の広がりは、接着剤の液滴が他方の基板と接触すれば、自動的に発生する。接着剤の液滴の高さは、有利には、リムの高さよりも10倍も高い。さらにまた、リムに形成されたスリットの寸法は、有利には、使用される接着剤の種類に応じて、とりわけ、接着剤の粘度に基づいて選択される。接着剤の粘度が高くなればなるほど、スリットの寸法はより大きいものとなる。エポキシ系接着剤の場合、スリットは、有利には、10μm以上の幅、および、2μm以上の高さを有し、これは、約200cPo~約300cPoの粘度を有する接着剤に対し、20μm2の表面を有するスリットを得るのを可能にする。その場合に、結合界面全体にわたって、欠陥のない均一な厚さの固化接着剤層を得ることができる。固化接着剤層は、有利には、2つの基板間の界面のほぼ全体にわたって、数μmの厚さ、典型的には1μmから3μmまでの厚さを有し、この界面は、数mm2から数cm2までの範囲で変化してもよい。さらにまた、少なくとも一方の基板の表面から突き出たリムは、その基板を強化するのを可能にする。これは、柔らかい固定膜securingfilmの影響、より詳細には、柔らかい固定膜が発生させることのある起伏の影響を制限するために、基板の裏面がこの柔らかい固定膜を備えている場合にとりわけ有益である。この場合、接着剤層の厚さの均一性は、リムを備えた基板上に配置されるであろう基板の表面状態平坦状態だけに依存する。実際に、固定膜を備えた基板がリムを備えていなければ、固定膜の起伏は基板の起伏を発生させ、その基板の起伏自身が接着剤層の起伏を発生させる。この場合には、完全に平坦なアドオン基板addedonsubstrateを備えたとしても、均一な接着剤膜を得ることはできない。このような結合方法は、様々な種類の基板に適用されてもよく、より詳細には、例えば、円形のウェーハのように、マイクロエレクトロニクス分野において使用される半導体材料によって基部が形成された基板に適用されてもよい。その場合、それぞれの基板は、主として、シリコンのような半導体材料によって形成される。さらに、これらの基板は、例えば500μmから1000μmまでの範囲に存在する厚さを備えたバルク基板であってもよく、あるいは、それらの基板は、マイクロエレクトロニクス分野において知られているあらゆる種類の技術によっても薄化されてよく、最終的な厚さは、例えば、15μmから35μmまでの範囲に存在する。さらにまた、基板の一方および/または他方は、受動的なもの、すなわち、部品を備えていないものであってもよく、および/または、能動的なもの、すなわち、CMOS回路のようなマイクロエレクトロニクス回路を備えたものであってもよい。最終的に、それぞれの基板は、従来の形で、例えばパイレックス登録商標から作られた保護層上に配置されてもよく、この保護層の熱膨張率は、対応する基板を形成する半導体材料の熱膨張率に等しい。それらの基板は、例えば、100mmから300mmまでの範囲に存在する直径を有する。図1~図3に示される特定の実施形態によれば、例えばシリコンから作られた2つの基板1および2が、お互いに結合される。図1~図3において符号2を備えた基板は、突出したリム3を備え、このリム3には、4つの均等に配置されたスリット4が形成されている。さらにまた、この実施形態においては、最大限に大きな容積を有する結合空間を得るために、リム3は、周辺リム、すなわち、基板2の表面2bの周辺部に配置されたリムである。リム3は、マイクロエレクトロニクス分野において従来使用されているあらゆる種類の技術によって形成されてもよい。したがって、リム3は、例えば、リム3が形成される面の反対側に存在する基板2の表面2aを事前に保護することによって、例えば、柔らかい接着材料アクリル系であり、紫外線に感光性を有し、かつ、温度上昇またはBrewer社から市販されているような一時的架橋結合樹脂を必要としないによって形成される薄い保護膜5を成膜することによって形成されてもよい。その場合、基板2は、表面2bに少なくとも1つのスリット4を備えたリム3を形成するために、裏返しにされる。リムは、例えば、フォトリソグラフィーによって事前に作られたフォトレジストマスクを介したドライエッチング処理またはウェットエッチング処理によって作られてもよい。その後、マスクが除去される。リムは、また、事前に作られたマスクによって保護されていない基板の部分を除去するためのレーザビームを用いたエッチングによって作られてもよい。そして、図1において、周辺リム3は、ハウジングまたは空洞6を基板2に画定し、このハウジングの底面は実質的に平坦である。さらに、ハウジング6の底面からのリム3の高さH1は、接着剤層7が固化したときに2つの基板1および2同士の結合を行うように設計された最終的な接着剤層7に要求される厚さに対応するように、このリムが作られるときに制御される。周辺リム3の高さの制御は、例えば、リムの上述した実施形態におけるエッチングパラメータを制御することによって達成される。さらにまた、図1において、液状接着剤の液滴8は、基板2上に、すなわち、ハウジング6の底面に配置され、2つの基板1および2を接触させるために、基板1が、基板2に徐々に近づけられる矢印F1。この接触ステップは、例えば、組立ベンチassemblybenchを用いて行われてもよい。接着剤の液滴8の高さH2は、リム3の高さH1よりも高いので、基板1の実質的に平坦な表面1aが基板2の周辺リム3で停止する前に、基板1は、まず、接着剤の液滴8と接触する。したがって、基板1の表面1aが液状接着剤の液滴8と接触することによって、液状接着剤がハウジング6内に広がる。さらにまた、基板1の表面1aと液状接着剤の液滴8とが接触した状態によって生成されるメニスカスmeniscusは、有利には、接着剤が広がるのを可能にし、その結果として、広がっている最中の液状接着剤がリム3の高さに到達する直前に、基板1はリム3で停止する。さらに、スリット4の存在は、余分な接着剤が、リム3上へ溢れ出るのではなく、これらの通路を介して排出されるのを可能にする。リム3は、このリム3の上面を接着剤に対して疎水性のあるものにするような表面処理によって、処理されてもよい。これは、表面平坦性が乏しい場合、とりわけ、興味のあることである。最後に、基板1の表面1aが、きわめて小さい凸凹を備えた状態で実質的に平坦であるという事実は、有利には、スリット4の位置を除けば、貼り合わせられた組立品の気密性を保証する。例えば、基板1の表面1aにおける平坦性の欠如は、150mmの直径を備えた基板の場合、典型的には、10μmよりもはるかに小さい。さらにまた、液状接着剤の液滴8の体積は、結合空間の容積よりも大きくなるように選択される。そのために、スリット4がリムに存在することは、2つの基板1および2を接触させたときに、余分な液状接着剤を除去するのを可能にし、それによって、接着剤層7が固化すると、ハウジング6内において均一な厚さを有するさらには、リムの高さH1に対応する接着剤層7を得るのを可能にする。このように、スリット4は、ハウジング6内に存在する余分な接着剤および気泡が逃げるのを可能にする。したがって、液状接着剤の液滴8の体積は、余剰分を出さずに結合空間の容積を満たすために高い精度で較正されなくてもよい。接着剤の最終的な体積、したがって、最終的な接着剤層の厚さを決定するのは、リム3に配置されたスリットの存在に関係する結合空間の容積であるので、液状接着剤の液滴8の体積は多すぎてもよい。さらにまた、基板を接触させることは、基板の一方または他方に圧力を加えることを必要とせずに行われてもよい。これは、基板を接触させるときに基板の一方または他方に圧力を加えることが、基板そのものまたはこれらの基板上に形成された部品または回路例えば、基板の前面上に形成されたろう付けボールbrazingballを物理的に傷つけることがある限りにおいて、とりわけ、興味のあることである。図1~図3に基づいた結合方法においては、基板1の重量によって基板2に加えられる圧力は、実際に、結合を行うのに十分なものである。接着剤は、有利には、エポキシまたはポリイミドのような有機接着剤であるが、シリコーンのような無機接着剤であってもよい。接着剤は、液体の形で配置され、そして、2つの基板が接触させられたならば、この接着剤は、リムによって画定された2つの基板間の空間結合空間とも呼ばれる内において2つの基板間の界面に配置された固体層7の形で固化する。この結合空間は、基板1および2がお互いに接触させられたときに基板2に配置されるハウジング6に対応する。接着剤の固化は、有利には、結合空間内に存在しうる排出されるべき気泡がすべてなくなる緩和時間の後に、架橋ステップcrosslinkingstepによって達成され、例えば、2つの基板の組立ベンチ上において直接に実行される。例えば、エポキシ接着剤の場合の典型的な網状化温度reticulationtemperatureは、室温から150°Cまでの範囲に存在する。この架橋ステップは、適切な温度-時間対TemperatureTimepairによって行われてもよい。この実施形態においては、液状接着剤の液滴8は、基板2上に配置され、この基板2はリム3を備えた基板である。一方、別の実施形態においては、液状接着剤の液滴8は、他方の基板すなわち基板1上に配置されてもよい。この場合、液状接着剤の液滴8は基板1の表面1a上に配置され、そして、リム3を備えた基板2は基板1の上方に配置され、リム3を備えた表面2bは、基板1の表面1a上へ搬送されるように、基板1の表面1aに面して配置される。図1~図3に示される実施形態は、2つの基板間における結合方法を説明するものである。一方、上述した2つの実施形態において説明されたように、いくつかの基板の結合を行うことも可能であり、より詳細には、第1の基板と、少なくとも1つのダイシング経路dicingpathによって分離された同一平面上に存在する複数の基板との結合を行うことも可能である。したがって、図4~図14に示される実施形態においては、第1の基板1、例えば、バルク基板は、1つ以上のダイシング経路によってお互いに分離されかつ有利には薄化された同一平面上に存在する複数の第2の基板2a、2b、...、2iに結合させられることによって、搬送される。リム、より詳細には、少なくとも1つのスリットを備えた周辺リムが、第2の基板のそれぞれに形成される。より詳細には、ダイシング経路9によって分離された同一平面上に存在する複数の基板2a、2b、...、2iは、マイクロエレクトロニクス分野において知られているあらゆる種類の技術によって形成されてもよい。とりわけ、これらの基板は、プラスチックまたは金属から作られた固定フレーム11に支持膜10によってしっかりと固定されたバルク基板から開始して、DBG研削する前にダイシングするDicingBeforeGrindingことを意味するという頭字語としても知られているダイシング方法によって形成されてもよい。バルク基板は、図4に示されるように、第2の基板2a、2b、...、2iに要求される最終的な厚さよりもわずかに厚い深さにまで薄化ステップを施され、第2の基板2a、2b、...、2iを画定しかつそれらの基板をお互いから絶縁するために、ダイシング経路9が形成される。例えば、最終的な厚さが30μmである場合、薄化ステップ中に行われるダイシングの深さは、35μmから40μmまでの範囲に存在する。さらにまた、薄化されるべきバルク基板を支持膜10上へ搬送することは、この支持膜を、固定フレーム11上とバルク基板の前面上とに同時に積層することによって、行われてもよい。そして、図5~図10に示されるように、リム3a、3b、...、3iが、基板2a、2b、...、2iの自由表面freesurfaceそれぞれの周辺部に形成される。より詳細には、フォトリソグラフィー図6に示される矢印F2によってエッチングマスク13を形成するために、フォトレジスト層12が、例えば、スパッタリングによって、基板2a、2b、...、2iの自由表面上に成膜される図5。エッチングマスク13は、基板2a、2b、...、2iのそれぞれの表面上における周辺領域を被覆し、この周辺領域は、それぞれの周辺リム3a、3b、...、3iが形成されるべき位置に対応している。このエッチングマスク13は、さらに、ダイシング経路9を満たしている。フォトレジストが現像されると図7、それぞれの基板のエッチングマスク13によって被覆されていない部分を予め定められた深さリムに要求される高さに対応するまで除去するために図9、エッチングマスク13を介した局部的エッチングステップ図8に示される矢印F3が行われる。この処理は、リム3a、3b、...、3iをそれらのスリット4とともに形成するのを可能にする。エッチングステップは、湿式の方法またはガスによる方法によって、あるいは、レーザによって行われてもよい。その後、エッチングマスク13は除去される図10。図14は、ダイシング経路9によってお互いに分離された、長方形断面を有する同一平面上に存在する複数の基板2a、2b、...、2iの特定の例となる実施形態を示す。4つのスリット4を備えた周辺リム3a、3b、...、3iが、それぞれの基板に形成されており、それぞれのスリットは、その周辺リムの辺の中央に配置されている。しかしながら、スリット4の数は、実施形態ごとに異なっていてもよく、有利には、1から4までの範囲に存在する。さらにまた、スリット4は、貫通したものpassthroughであってもよく、あるいはそうでなくてもよい。周辺リム3a、3b、...、3iは、有利には、すべてが同じ高さを有する。これまでに説明された実施形態と同様に、リムが、第2の基板2a、2b、...、2iのそれぞれに作成されると、液状接着剤の液滴8a、8b、...、8iが、それぞれのリム3a、3b、...、3iによって画定されたそれぞれのハウジング5a、5b、...、5iの底面に配置される。そして、バルク基板1が、複数の基板2a、2b、...、2iによって形成された組立品の上へ搬送され、その結果として、基板1の表面1aは、リム3a、3b、...、3iで停止する前に、まず、接着剤の液滴8a、8b、...、8iと接触する。余分な液状接着剤と、リム3a、3b、...、3iによって画定されたハウジング内に存在するかもしれない気泡とは、図12に示されるように、結合空間からスリット4を介して逃げることができ、余分な液状接着剤は、ダイシング経路9内に流れ込むことができる。接着剤層7a、7b、...、7iが、例えば熱処理ステップによって固化すると、基板2a、2b、...、2iをお互いに分離するために、ダイシング処理が行われてもよい。図13における破線は、それぞれの基板の周辺リムを除去することにある特定のダイシングストラテジーdicingstrategyを示す。一方、変形例によれば、これらの周辺リムを保持することを選択することも考えられる。図15~図19に示される第3の実施形態においては、有利にはバルク基板である第1の基板1が、同様に、有利には薄化されかつ1つ以上のダイシング経路9によって分離された同一平面上に存在する複数の基板2a、2b、...、2iに結合される。一方、この場合においては、それぞれが少なくとも1つのスリットを備えかつ固化接着剤層のための結合空間を画定するように設計されたリムは、基板2a、2b、...、2iのそれぞれの上に形成されるのではなく、第1のバルク基板1の表面1a上に形成される。これらのリムは、より詳細には、第1の基板1の表面1aにリブを形成することによって得られる。リブの位置は、制御された形で、特定の位置を選択され、それによって、結合された後には、あるいは、最終的にダイシングされた後には、それぞれの第2の基板2a、2b、...、2iの周辺部に対応するリムが形成される。例として、図19は、それぞれがスリット4を備えたリム3を形成するように設計された複数のリブを表面に備えたバルク基板1の特定の実施形態を示している。そのために、基板1は複数のリム3を備え、それぞれのリム3は、その表面に4つのスリット4を備え、それぞれのスリットは、図19において上方からみて長方形形状を有するリムの辺の中央に配置されている。しかしながら、スリット4の数は、実施形態ごとに異なっていてもよく、有利には、1から4までの範囲に存在する。さらにまた、スリット4は、貫通したものであってもよく、あるいはそうでなくてもよい。リム3a、3b、...、3iも、有利には、すべてが同じ高さを有する。リム3が形成されると、液状接着剤の液滴8a、8b、...、8iが、この実施形態においては、基板2a、2b、...、2iの実質的に平坦なそれぞれの自由表面上に配置される。そして、バルク基板1が、複数の基板2a、2b、...、2iによって形成された組立品の上へ搬送され、その結果として、リム3を備えた基板1の表面1aは、リム3a、3b、...、3iで停止する前に、まず、接着剤の液滴8a、8b、...、8iと接触する図16および図17。これまでに説明された実施形態の場合と同様に、余分な液状接着剤と、結合空間内に存在するかもしれない気泡とは、このハウジングからスリット4を介して逃げることができる。この場合、余分な液状接着剤は、ダイシング経路内へ流れ込むことができる。接着剤7a、7b、...、7iが、例えば熱処理ステップによって固化すると、基板2a、2b、...、2iをお互いに分離するために、ダイシング処理が行われてもよい。図18における破線は、ダイシング経路に沿って進むことにある特定のダイシングストラテジーを示し、その結果として、第1の基板1の一部分と第2の基板2a、2b、...、または2iとによって形成されたそれぞれの組立品は、ダイシングされた後には、周辺部となるリムを保持している。一方、変形によれば、ダイシング処理は、リム3を除去するように行われてもよい。本発明は、これまでに説明された実施形態に限定されることはない。とりわけ、リムに形成されたスリットは、他方の基板に接触するように設計されたそのリムの自由表面から、そのリムによって画定されたハウジングの底面まで、そのリムを貫通する通路の形を有していてもよい。したがって、この場合には、スリットは、リムの高さに等しい長さを有する。別の実施形態によれば、それらのスリットは、より短いものであってもよい。一方、それらのスリットは、必ず、他方の基板に接触するように設計された自由表面から形成される。さらにまた、結合界面における接着性の品質を向上させるために、接着剤を配置する前に、例えば、酸素プラズマベース活性化処理oxygenplasmabasedactivationtreatmentが、接触するように設計された2つの表面に対して行われてもよい。さらにまた、空洞によって形成されるリムに余計な接着剤膜が付着するのを防止するために、接着剤に対する抗ぬれ成膜antiwettingdepositionを、リムに対して選択的に行うことも考えることができる。これは、とりわけ、初期の接着剤配置が多すぎる場合に興味のあることである。