半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置において該加熱ヘッドには、吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている半導体製造装置。更に、加熱ヘッドの周囲に、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー外部供給機構が設けられている請求項1記載の半導体製造装置。エネルギー外部供給機構が、加熱気体又はUVをはみ出た接着剤に供給するものである請求項2記載の半導体製造装置。請求項1記載の半導体製造装置を用いて、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法において:配線基板の端子に接着剤を適用する工程;吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている加熱ヘッドに、半導体チップをバキュームチャックし、バキュームチャックしたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置する工程;バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップを、半導体製造装置の加熱ヘッドで熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤に対し、この接着剤を硬化させる紫外線を、エネルギー供給路としての紫外線導波路から照射してはみ出た接着剤を硬化させる工程;及び熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップから加熱ヘッドを離隔させる工程を有する製造方法。請求項4記載の製造方法で製造された半導体装置。半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置において該加熱ヘッドには、脱着可能な半導体チップ押圧部材が装着されており、半導体チップ押圧部材の半導体チップ接触面の中央部には、半導体チップをバキュームチャックするためのバキュームチャック口が形成され、そのバキュームチャック口の周囲には、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー供給口が形成されており、加熱ヘッドには、半導体チップ押圧部材に形成されたバキュームチャック口に連通したバキューム引き用通路と、エネルギー供給口に連通したエネルギー供給路とが形成されている半導体製造装置。接着剤を硬化させるためのエネルギーが加熱気体であり、加熱ヘッドのエネルギー供給路が加熱気体通路である請求項6記載の半導体製造装置。接着剤を硬化させるためのエネルギーがUVであり、加熱ヘッドのエネルギー供給路が紫外線導波路である請求項6記載の半導体製造装置。更に、加熱ヘッドの周囲に、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー外部供給機構が設けられている請求項6記載の半導体製造装置。エネルギー外部供給機構が、加熱気体又はUVをはみ出た接着剤に供給するものである請求項9記載の半導体製造装置。半導体チップ押圧部材が、同時に複数の半導体チップを押圧できるように、複数のバキュームチャック口と複数のエネルギー供給口とを有する請求項6~10のいずれかに記載の半導体製造装置。請求項6記載の半導体製造装置を用いて、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法において:配線基板の端子に接着剤を適用する工程;半導体チップを、半導体チップ押圧部材が脱着可能に装着された加熱ヘッドにバキュームチャックし、バキュームチャックしたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置する工程;バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップを、半導体製造装置の加熱ヘッドで熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤に対し、この接着剤を硬化させるエネルギーを、半導体チップ押圧部材のエネルギー供給口から供給してはみ出た接着剤を硬化させる工程;及び熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップから加熱ヘッドを離隔させる工程を有する製造方法。接着剤を硬化させるためのエネルギーが加熱気体であり、加熱ヘッドのエネルギー供給路が加熱気体通路である請求項12記載の製造方法。接着剤を硬化させるためのエネルギーがUVであり、加熱ヘッドのエネルギー供給路が紫外線導波路である請求項12記載の製造方法。半導体チップ押圧部材として、同時に複数の半導体チップを押圧できるように、複数のバキュームチャック口と複数のエネルギー供給口とを有するものを使用し、複数の半導体チップを一括して同時に熱圧着する請求項12~14のいずれかに記載の製造方法。請求項12~15のいずれかの製造方法で製造された半導体装置。しかしながら、特許文献1に記載された技術の場合、半導体チップの周囲に押し拡げられた接着剤は、加熱ヘッドからの熱が供給され難くなるため十分に硬化せず、べたつきや汚れの付着などが生じるという問題があった。しかも、半導体チップの側面が、十分に硬化した接着剤で覆われないため、半導体チップの接着強度や接続信頼性の向上が望めないという問題もあった。更に、加熱ヘッドにおいて、空気を噴出する穿孔の位置が固定されているため、異なるサイズの半導体チップを使用すると、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で空気を噴出させることができないという問題もあった。従って、本発明が解決すべき課題は、1半導体チップを配線基板に接着剤を介してフリップチップ実装する際の熱圧着時に、流動した接着剤が加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入しないようにすると共に、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤が過度に拡がらず、且つ半導体チップの側面が十分に硬化した接着剤で覆われるようにすること、2異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で空気を噴出させること、である。よって、第1の本発明の目的は、上記1の課題を解決する半導体製造装置を提供することであり、第2の本発明の目的は、上記1及び2の課題を同時に解決する半導体製造装置を提供することである。本発明者は、フリップチップ実装の際の熱圧着時に、配線基板と半導体チップとの間からはみ出した接着剤に対し、半導体チップの周囲に過度に拡がりすぎず且つ半導体チップの側面を十分に被覆している間に硬化させるための紫外線を、バキュームチャック口が設けられた加熱ヘッドの熱圧着面の周縁部から照射することにより、上記1の課題を解決できること、即ち、流動した接着剤を加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入させることなく、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤を過度に拡がらないようにでき、しかも、半導体チップの側面を十分に硬化した接着剤で覆うことができること、を見出した。また、本発明者は、加熱ヘッドの先端に、半導体チップの大きさに応じて取り替え可能なセラミックスアタッチメントであって、その押圧面にバキュームチャック口とエネルギー供給口を設けたセラミックアタッチメントを設けることにより、上記2の課題を解決できること、即ち、異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で硬化のためのエネルギーを供給できること、を見出した。以上の知見に基づき、第1の本発明は、上記1の課題を解決する以下の半導体製造装置を提供し、また、第2の本発明は、上記1及び2の課題を同時に解決する以下の半導体製造装置を提供する。第1の本発明半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置において該加熱ヘッドには、吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている半導体製造装置。また、第1の本発明は、上述の半導体製造装置を用いて、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法において:配線基板の端子に接着剤を適用する工程;吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている加熱ヘッドに、半導体チップをバキュームチャックし、バキュームチャックしたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置する工程;バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップを、半導体製造装置の加熱ヘッドで熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤に対し、この接着剤を硬化させる紫外線を、エネルギー供給路としての紫外線導波路から照射してはみ出た接着剤を硬化させる工程;及び熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップから加熱ヘッドを離隔させる工程を有する製造方法、並びにこの製造方法で製造された半導体装置を提供する。第2の本発明半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置において該加熱ヘッドには、脱着可能な半導体チップ押圧部材が装着されており、半導体チップ押圧部材の半導体チップ接触面の中央部には、半導体チップをバキュームチャックするためのバキュームチャック口が形成され、そのバキュームチャック口の周囲には、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー供給口が形成されており、加熱ヘッドには、半導体チップ押圧部材に形成されたバキュームチャック口に連通したバキューム引き用通路と、エネルギー供給口に連通したエネルギー供給路とが形成されている半導体製造装置。また、第2の本発明は、上述の半導体製造装置を用いて、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法において:配線基板の端子に接着剤を適用する工程;半導体チップを、半導体チップ押圧部材が脱着可能に装着された加熱ヘッドにバキュームチャックし、バキュームチャックしたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置する工程;バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップを、半導体製造装置の加熱ヘッドで熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤に対し、この接着剤を硬化させるエネルギーを、半導体チップ押圧部材のエネルギー供給口から供給してはみ出た接着剤を硬化させる工程;及び熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップから加熱ヘッドを離隔させる工程を有する製造方法、並びにこの製造方法で製造された半導体装置を提供する。第1の本発明の半導体製造装置は、配線基板と半導体チップとの間からはみ出した接着剤に対し、半導体チップの周囲に過度に拡がりすぎず且つ半導体チップの側面を十分に被覆している間に硬化させるための紫外線を照射することができる。従って、流動した接着剤を加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入させることなく、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤を過度に拡がらないようにでき、且つ半導体チップの側面を十分に硬化した接着剤で覆うことができる。また、第2の本発明の半導体チップは、第1の本発明の効果に加えて、加熱ヘッドの先端の押圧面にバキュームチャック口とエネルギー供給口を設けた着脱可能なセラミックアタッチメントを設けるので、異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で硬化のためのエネルギーを供給できる。以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。第1及び第2の本発明の半導体製造装置は、それぞれ図1及び図4に示すように、半導体チップ1を、ステージ30上に載置された配線基板2に接着剤3を介して熱圧着するためのものであって、以下に説明するように、特殊な加熱ヘッド10、40を有することを特徴とするものである。まず、第1の本発明について説明する。<第1の本発明>図1に示すように、第1の本発明の半導体製造装置においては、加熱ヘッド10の半導体チップを加熱押圧する面に、吸引口10aと、その吸引口10aに連通したバキューム引き用通路10bと、吸引口10aの周囲に形成されたエネルギー供給路10cとしての紫外線導波路とが形成されている。従って、熱圧着により半導体チップ1と配線基板2との間からはみ出した接着剤3に対し、エネルギー供給路10cとしての紫外線導波路から紫外線を照射して硬化させることができ、流動した接着剤3を加熱ヘッド10のバキュームチャック機構に進入させることなく、半導体チップ1の周囲に硬化が不十分な接着剤を過度に拡がらないようにでき、且つ半導体チップ1の側面を十分に硬化した接着剤で覆うことができる。加熱ヘッド10としては、ステンレススチール等の金属やアルミナなどのセラミックスから形成したものを使用することができる。また、図2に示すように、加熱ヘッド10の周囲に、熱圧着の際に半導体チップ1と配線基板2との間からはみ出た接着剤3を硬化させるためのエネルギー紫外線、加熱気体等を当該接着剤3に供給するためのエネルギー外部供給機構15を設けることができる。このようなエネルギー外部供給機構15としては、加熱気体又は電磁波をはみ出た接着剤に供給するものを挙げることができる。具体的には、熱気体ブロワー装置、UV照射装置等を挙げることができる。前記熱気体ブロワー装置における加熱気体の温度としては、具体的には50~150°Cの範囲である。第1の本発明の半導体製造装置は、以上説明した加熱ヘッド10を有することを特徴とし、他の構成は従来の半導体製造装置と同様の構成とすることができる。第1の本発明の半導体製造装置は、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法に好ましく適用することができる。このような半導体装置の製造方法は、以下の工程1~工程4を有する。工程毎に図面を参照しながら説明する。工程1先ず、図3Aに示すように、半導体製造装置のステージ30上に載置された、リジッド又はフレキシブルな配線基板200の端子に接着剤210を適用する。配線基板200を構成する基板材料としては、ガラス、セラミックス、ガラスエポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン等を挙げることができる。また、配線基板200の配線材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル、ITO、金、銀などを挙げることができる。配線の形成は、公知の手法により形成することができ、例えば、スクリーン印刷法、フォトリソグラフ法などにより形成することができる。接着剤210としては、半導体装置を製造する際に使用されている公知の熱硬化性あるいは光硬化性の絶縁性接着剤や導電性粒子を含有する異方性導電接着剤を使用することができる。これらは、液状、ペースト状、フィルム状の形態で使用することができる。特に、従来は使用できなかった低粘度例えば、レオメーター10rpm、25°Cの条件で測定したときに30~50Pasec程度の粘度の絶縁性ペースト状の接着剤も適用できる。接着剤210の適用方法としては、接着剤の形態に応じて公知の手法の中から適した方法を採用することができる。工程2次に、図3Bに示すように、半導体チップ220を、加熱ヘッド10にバキュームチャックし、続いて、図3Cに示すように、バキュームチャックしたまま、接着剤210を介して配線基板200に仮設置する。バキュームチャックの具体的な手順の例としては、まず、加熱ヘッド10を、半導体チップ220に対し初期の位置関係を維持しつつ、当該半導体チップ220に接触させ、続いて加熱ヘッド10のバキューム引き用通路10bを負圧とする。その結果、吸引口10aで半導体チップ220がバキュームチャックされる図3B。また、半導体チップ220の仮設置は、接着剤210が粘着性を有するものであれば、加熱することなく加熱ヘッド10で押圧すればよく、また、粘着性が弱い場合や常温で粘着性を示さない場合には、本硬化する温度より、通常50~100°C程低い温度に加熱しながら押圧すればよい。工程3次に、図3Dに示すように、バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップ220を、半導体製造装置の加熱ヘッド10で熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップ220と配線基板200との間からはみ出した接着剤210aに対し、この接着剤210を硬化させる紫外線を、エネルギー供給路10cとしての紫外線導波路から照射し、それによりはみ出した接着剤210aを硬化させる。なお、エネルギー供給路10cとしての紫外線導波路から紫外線を照射し始めるタイミングは、熱圧着前でもなく、熱圧着開始直後でもなく、加熱ヘッド10が最大押し込み量0.5mmの90を超えて押し込んだ時が好ましい。それ以前から紫外線を照射すると、十分な押圧が困難になる。なお、紫外線の照射条件は、接着剤210の種類等に対応して適宜選択すればよい。工程4熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップ220から加熱ヘッド10を離隔させる。これにより図3Eに示す半導体装置300が得られる。この半導体装置も本発明の一つの態様である。次に第2の本発明について説明する。<第2の本発明>図4に示すように、第2の本発明の半導体製造装置において、加熱ヘッド40には、脱着可能な半導体チップ押圧部材20が装着されている。このような脱着可能な半導体チップ押圧部材20を採用することにより、異なるサイズの半導体チップを使用しても、加熱ヘッド40を交換せずに半導体チップ押圧部材20を交換することにより、熱圧着により半導体チップと配線基板との間からはみ出した接着剤に対し、適正な位置関係で硬化のためのエネルギーを供給することが可能となる。従って、半導体チップ押圧部材20を用いることにより、幅が異なる半導体チップ、種々の形状の電子部品の熱圧着に対応することができる。加熱ヘッド40としては、ステンレススチール等の金属やアルミナなどのセラミックスから形成したものを使用することができる。また、半導体チップ押圧部材20としては、ステンレススチール等の金属やアルミナなどのセラミックスから形成したものを使用することができる。また、半導体チップ押圧部材20の半導体チップ接触面を耐熱性エラスマーから構成してもよい。半導体チップ押圧部材20の加熱ヘッド40への着脱様式には、特に制限はなく、ねじ止め、スクリューキャップ式等を適宜採用することができる。このような半導体チップ押圧部材20は、1~20mm厚の円盤状あるいは矩形状の部材であり、その半導体チップ接触面20aの中央部に半導体チップをバキュームチャックするためのバキュームチャック口20bを有し、そのバキュームチャック口20bの周囲に、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー供給口20cを有している。半導体チップ押圧部材20の半導体チップ接触面20aは、JISB0601による表面粗さRaが0.4以下の平坦に加工されていることが好ましい。バキュームチャック口20bの大きさと形状としては、バキュームチャックすべき半導体チップの大きさやバキューム度等により異なるが、通常、直径0.1~1.0mmの円形状や、一辺0.2~1.0mmの正方形状を挙げることができる。また、エネルギー供給口20cは、硬化させる接着剤により使用すべきエネルギーの形態、予定される接着はみ出し量等により、口の形状、大きさ、個数を適宜決定する。ここで、接着剤が熱硬化性樹脂組成物であれば、エネルギーの形態として加熱気体例えば、熱空気流あるいは熱線を採用する。紫外線硬化型樹脂組成物であれば、エネルギーの形態として紫外線を採用する。電子線硬化型樹脂組成物であれば、エネルギーの形態として電子線を採用する。それらを組み合わせてもよい。例えば、エネルギー供給口20cの大きさと形状としては、直径0.1~1.0mmの円形状を挙げることができる。また、このような円形状の供給口の複数をリング状、矩形輪郭形状に配置することができ、複数の半導体チップを一括で押圧することができる。他方、加熱ヘッド40には、半導体チップ押圧部材20のバキュームチャック口20bに連通した吸引口40a及びバキューム引き用通路40bと、エネルギー供給口20cに連通したエネルギー供給路40cとが形成されている。通常、エネルギー供給路40cは、エネルギー供給口20cに1:1で連通しているが、一つのエネルギー供給路40cは、複数のエネルギー供給口20cと連通していてもよい。なお、接着剤を硬化させるためのエネルギーが加熱気体である場合、加熱ヘッド40のエネルギー供給路40cは加熱気体通路となる。この場合の加熱気体の温度は80~200°Cが好ましい。また、接着剤を硬化させるためのエネルギーがUV等の電磁波である場合、加熱ヘッド40のエネルギー供給路40cは、電磁波導波路となる。また、図5に示すように、加熱ヘッド40の周囲に、熱圧着の際に半導体チップ1と配線基板2との間からはみ出た接着剤3を硬化させるためのエネルギー紫外線、加熱気体等を当該接着剤3に供給するためのエネルギー外部供給機構45を設けることができる。このようなエネルギー外部供給機構45としては、加熱気体又は電磁波をはみ出た接着剤に供給するものを挙げることができる。具体的には、熱気体ブロワー装置、UV照射装置等を挙げることができる。前記熱気体ブロワー装置における加熱気体の温度としては、エネルギー供給路40cを通過する加熱気体の温度以下であることが好ましく、具体的には50~150°Cの範囲である。なお、図4及び図5で示した半導体チップ押圧部材20は、一つの半導体チップを熱圧着する例であるが、図7に示すように、一つの半導体チップ押圧部材20が、同時に複数の半導体チップを押圧できるように、複数のバキュームチャック口20bと複数のエネルギー供給口20cとを有していてもよい。第2の本発明の半導体製造装置は、以上説明した半導体チップ押圧部材20が装着された加熱ヘッド40を有することを特徴とし、他の構成は従来の半導体製造装置と同様の構成とすることができる。第2の本発明の半導体製造装置は、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法に好ましく適用することができる。このような半導体装置の製造方法は、以下の工程を有する。工程毎に図面を参照しながら説明する。工程I先ず、図6Aに示すように、半導体製造装置のステージ30上に載置された、リジッド又はフレキシブルな配線基板600の端子図示せずに接着剤610を適用する。ここで、配線基板600並びに接着剤610としては、図3Aで説明した配線基板200並びに接着剤210と同様の構成を採用することができ、また、同様に形成することができる。この場合も、従来は使用できなかった低粘度例えば、レオメーター10rpm、25°Cの条件で測定したときに30~50Pasec程度の粘度の絶縁性ペースト状の接着剤も適用できる。工程II次に、図6Bに示すように、半導体チップ620を、加熱ヘッド40と半導体チップ押圧部材20とを有する加熱ヘッド40にバキュームチャックし、続いて、図6Cに示すように、バキュームチャックしたまま、接着剤610を介して配線基板600に仮設置する。バキュームチャックの具体的な手順の例としては、まず、加熱ヘッド40を、半導体チップ620に対し初期の位置関係を維持しつつ、当該半導体チップ620に接触させ、続いて加熱ヘッド40のバキューム引き用通路40bを負圧とする。その結果、半導体チップ押圧部材20のバキュームチャック口20bで半導体チップ620がバキュームチャックされる図6B。また、半導体チップ620の仮設置は、接着剤610が粘着性を有するものであれば、加熱することなく加熱ヘッド40で押圧すればよく、また、粘着性が弱い場合や常温で粘着性を示さない場合には、本硬化する温度より、通常50~100°C程低い温度に加熱しながら押圧すればよい。工程III次に、図6Dに示すように、バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップ620を、半導体製造装置の加熱ヘッド40で熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップ620と配線基板600との間からはみ出した接着剤610aに対し、この接着剤610を硬化させるエネルギーを、半導体チップ押圧部材20のエネルギー供給口20cから供給し、それによりはみ出した接着剤610aを硬化させる。はみ出した接着剤610aの硬化の具体的な手順の例としては、熱圧着によりはみ出した接着剤610aに対し、加熱ヘッド10のエネルギー供給路10cにエネルギーを供給し、それに連通する半導体チップ押圧部材20のエネルギー供給口20cからエネルギーを放出する。これにより、はみ出した接着剤610aを硬化させることができる。なお、エネルギー供給口20cからエネルギーを供給し始めるタイミングは、熱圧着前でもなく、熱圧着開始直後でもなく、加熱ヘッドが最大押し込み量mmの90を超えて押し込んだ時が好ましい。それ以前からエネルギーを供給すると、十分な押圧が困難になる。なお、エネルギーの供給条件は、供給するエネルギーの種類に対応して適宜選択すればよい。工程IV熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップ620から加熱ヘッド40を離隔させる。これにより図6Eに示す半導体装置700が得られる。この半導体装置も本発明の一つの態様である。