"第1の半導体チップが形成される複数のチップ形成領域、及び複数の前記チップ形成領域を区画するダイシング領域を有する半導体基板と、該半導体基板の第1の面のうち、複数の前記チップ形成領域に形成された第1の回路素子層と、前記第1の回路素子層の表面に形成された第1のバンプ電極と、前記第1の面の反対側に位置する前記半導体基板の第2の面に形成され、前記第1のバンプ電極と電気的に接続される第2のバンプ電極と、を有し、複数の前記第1の半導体チップが連結された半導体チップ形成用母基板を準備する工程と、前記第2のバンプ電極が設けられた側に位置する前記半導体チップ形成用母基板の面に、前記第2のバンプ電極を覆う絶縁樹脂層を介して、接着層を有したダイシングテープを貼着する工程と、前記第1のバンプ電極が形成された側から、前記ダイシング領域に沿って、前記ダイシングテープに貼着された前記半導体チップ形成用母基板及び前記絶縁樹脂層を切断することで、前記第1の半導体チップを個片化する工程と、前記絶縁樹脂層と共に、個片化された前記第1の半導体チップを、前記ダイシングテープからピックアップする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半導体チップ形成用母基板を準備する工程は、前記第1の回路素子層の表面に、前記第1のバンプ電極を露出し、かつ絶縁樹脂よりなる保護膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記半導体チップ形成用母基板を準備する工程は、前記半導体チップ形成用母基板の前記保護膜が形成された面に、接着部材を介して、支持基板を接着する工程と、前記第2のバンプ電極を形成する前に、前記半導体基板を薄板化する工程と、前記第1の回路素子層及び前記半導体基板のうち、前記第1のバンプ電極と対向する部分を貫通し、前記半導体基板と電気的に絶縁され、かつ一端が前記第1のバンプ電極と接続される貫通電極を形成する工程と、前記貫通電極の他端に、前記第2のバンプ電極を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。前記ダイシングテープを貼着する工程と前記第1の半導体チップを個片化する工程との間に、前記接着部材及び前記支持基板を除去する工程を有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。半導体基板の第1の面に形成された第2の回路素子層、及び該第2の回路素子層の表面に形成された第3のバンプ電極を有する第2の半導体チップを準備する工程と、前記第2の半導体チップ上に、前記絶縁樹脂層を介して前記第1の半導体チップを対向配置し、その後、前記第1の半導体チップを押圧して、前記第2のバンプ電極と前記第3のバンプ電極とを熱圧着することで、積層された第1及び第2の半導体チップよりなるチップ積層体を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項1ないし4のうち、いずれか1項記載の半導体装置の製造方法。前記チップ積層体を形成する工程では、前記第2の半導体チップ上に、複数の前記第1の半導体チップを積層して実装することで前記チップ積層体を形成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。前記第1の半導体チップとしてメモリ用半導体チップを用い、前記第2の半導体チップ上に実装された複数の前記第1の半導体チップのうち、最上層に配置された最上層チップとしてインターフェイス用半導体チップを用い、前記最上層チップ以外のチップとしてメモリ用半導体チップを用いることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。配線基板本体、該配線基板本体の表面に配置された接続パッド、及び前記配線基板本体の裏面に配置され、かつ前記接続パッドと電気的に接続された外部接続用パッドを有する配線基板を準備する工程と、アンダーフィル樹脂を介して、前記チップ積層体を構成する前記最上層チップの前記第1のバンプ電極と前記接続パッドとを接続することで、前記配線基板に前記チップ積層体を実装する工程と、を有することを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。前記配線基板の表面に、前記チップ積層体を封止する封止樹脂を形成する工程と、前記封止樹脂を形成後に、前記外部接続用パッドに外部接続端子を配置する工程と、を有することを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1~4では、貫通電極を有し、薄板化された半導体チップ機械的強度の弱い半導体チップをダイシングテープから剥離させて、ピックアップすることは考慮されていない。そのため、特許文献1に記載の半導体チップの剥離方法を用いて、貫通電極を有し、かつ薄板化された半導体チップをダイシングテープから剥離させると、ダイシングテープの接着層に埋め込まれた一方のバンプ電極がアンカーとして機能して、バンプ電極が該接着層に引っかかるため、半導体チップの破損例えば、貫通電極を起点にしたチップクラック等や、半導体チップのピックアップミスが発生する恐れがあった。本発明の一観点によれば、第1の半導体チップが形成される複数のチップ形成領域、及び複数の前記チップ形成領域を区画するダイシング領域を有する半導体基板と、該半導体基板の第1の面のうち、複数の前記チップ形成領域に形成された第1の回路素子層と、前記第1の回路素子層の表面に形成された第1のバンプ電極と、前記第1の面の反対側に位置する前記半導体基板の第2の面に形成され、前記第1のバンプ電極と電気的に接続される第2のバンプ電極と、を有し、複数の前記第1の半導体チップが連結された半導体チップ形成用母基板を準備する工程と、前記第2のバンプ電極が設けられた側に位置する前記半導体チップ形成用母基板の面に、前記第2のバンプ電極を覆う絶縁樹脂層を介して、接着層を有したダイシングテープを貼着する工程と、前記第1のバンプ電極が形成された側から、前記ダイシング領域に沿って、前記ダイシングテープに貼着された前記半導体チップ形成用母基板及び前記絶縁樹脂層を切断することで、前記第1の半導体チップを個片化する工程と、前記絶縁樹脂層と共に、個片化された前記第1の半導体チップを、前記ダイシングテープからピックアップする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。本発明の半導体装置の製造方法によれば、第2のバンプ電極が設けられた側に位置する半導体チップ形成用母基板の面に、第2のバンプ電極を覆う絶縁樹脂層を介して、接着層を有したダイシングテープを貼着することにより、ダイシングテープを構成する接着層に第2のバンプ電極が埋め込まれることがなくなるため、個片化された第1の半導体チップをダイシングテープからピックアップする際、第1の半導体チップの破損や、第1の半導体チップのピックアップミスの発生を抑制できる。また、絶縁樹脂層と共に、個片化された第1の半導体チップを、ダイシングテープからピックアップすることで、絶縁樹脂層が第1の半導体チップの支持板として機能するため、第1の半導体チップの反りを抑制可能となる。これにより、第1の半導体チップが薄板化された半導体チップの場合でも、ピックアップする際に第1の半導体チップが破損することを抑制できる。以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施の形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体チップ形成用母基板及び半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。実施の形態図1~図24は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。図1~図24を参照して、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。始めに、図1に示す工程では、図1には図示していない第1の半導体チップ27後述する図4参照が形成される複数のチップ形成領域A、及び複数のチップ形成領域Aを区画するダイシング領域Bを有する半導体基板11を準備する。半導体基板11は、平坦な面である第1の面11aと、第1の面11aの反対側に位置し、かつ平坦な面である第2の面11bと、を有する。半導体基板11としては、例えば、単結晶シリコンウェハを用いることができる。次いで、半導体基板11の第1の面11aのうち、複数のチップ形成領域Aに第1の回路素子層12を形成する。第1の回路素子層12は、トランジスタ素子、積層された複数の層間絶縁層、及び該複数の層間絶縁層に形成された配線パターン配線及びビア等等を有した多層配線構造とされている。図4に示す第1の半導体チップ27としては、メモリ用半導体チップを用いることができる。該メモリ用半導体チップとしては、例えば、DRAMDynamicRandomAccessMemoryを用いることができる。第1の半導体チップ27としてDRAMを用いる場合、第1の回路素子層12には、図示していないDRAM素子が形成される。なお、本実施の形態では、第1の半導体チップ27としてメモリ用半導体チップを用いた場合を例に挙げて、以下の説明を行う。次いで、第1の回路素子層12の表面12aに、第1のバンプ電極15の形成領域を露出する開口部14Aを有した保護膜14パッシベーション膜を形成する。保護膜14は、第1の回路素子層12を保護するための膜であり、絶縁樹脂例えば、ポリイミド樹脂を用いて形成する。次いで、開口部14Aにより露出された第1の回路素子層12の表面12aに、メモリ用回路素子と電気的に接続される第1のバンプ電極15を形成する。このとき、第1のバンプ電極15は、保護膜14の表面から突出する高さとなるように形成する。具体的には、第1のバンプ電極15の高さは、例えば、20μmとすることができる。第1のバンプ電極15は、表面電極として機能する電極であり、その表面には、図示していないはんだ層が形成されている。第1のバンプ電極15は、第1の回路素子層12に設けられたトランジスタ素子図示せずと電気的に接続されている。第1のバンプ電極15の材料としては、例えば、Cuを用いることができる。これにより、後述する図4に示す半導体チップ形成用母基板20の構成要素の一部となる構造体19が形成される。次いで、図2に示す工程では、図1に示す構造体19を上下反転させた後、保護膜14が形成された側の構造体19の面に、接着部材16を介して、支持基板17を接着する。接着部材16の材料としては、特定の光源例えば、レーザ光或いはUV光紫外線に反応することで、発砲或いは接着力の低下するものを用いるとよい。支持基板17としては、例えば、光透過性の基板例えば、ガラス基板を用いることができる。接着部材16は、その厚さが第1のバンプ電極15を完全に埋め込むことの可能な厚さとなるように形成する。具体的には、第1のバンプ電極15の高さが20μmの場合、接着部材16の厚さは、例えば、50μmとすることができる。このように、接着部材16の厚さを、第1のバンプ電極15を完全に埋め込むことの可能な厚さにすることで、第1のバンプ電極15を損傷させることなく、支持基板16により、構造体19を支持することができる。次いで、図3に示す工程では、図2に示す半導体基板11の第2の面11b側から、半導体基板11を研削或いは研磨することで、半導体基板11を薄板化する。このとき、例えば、構造体19の厚さが50μm以下となるように、半導体基板11を薄板化する。薄板化された構造体19は、支持基板17に支持されているため、薄板化された後の構造体19の取り扱い例えば、半導体製造装置間の搬送等を容易に行なうことができる。次いで、図4に示す工程では、第1の回路素子層12及び半導体基板11のうち、第1のバンプ15と対向する部分を貫通する貫通孔22を形成する。貫通孔22は、第1のバンプ15が形成された図示しない電極パッドを露出するように形成する。次いで、貫通孔22の側面、及び半導体基板11の第2の面11bを覆う絶縁層図示せずを形成する。次いで、半導体基板11の第2の面11bに形成された該絶縁層上に、貫通孔22を露出する開口部を有しためっき用マスク図示せずを形成する。次いで、貫通孔22の内面、めっき用マスクの表面開口部の側面も含む、及び該開口部に露出された該絶縁層の上面を覆う図示していないシード層例えば、Cu層を形成し、該シード層を給電層とする電解めっき法により、貫通孔22、及び開口部を埋め込む図示していないめっき膜例えば、Cuめっき膜を形成する。次いで、めっき用レジスト膜を除去し、その後、該めっき膜に覆われていないシード層を除去することで、貫通孔22内に配置され、一端が第1のバンプ電極15と接続された貫通電極24と、貫通電極24の他端と一体に構成され、絶縁層図示していないから突出する第2のバンプ25と、が一括形成される。貫通電極24及び第2のバンプ25は、該絶縁層により、半導体基板11に対して電気的に絶縁されている。これにより、薄板化された半導体基板11、第1の回路素子層12、保護膜14、第1のバンプ電極15、図示していない絶縁層、貫通電極24、及び第2のバンプ電極25を有し、を有し、複数のチップ形成領域Aに第1の半導体チップ27が形成された半導体チップ形成用母基板20が形成される。これにより、半導体チップ形成用母基板20が準備される。また、この段階では、複数の第1の半導体チップ27は、連結されており、個片化されていない。次いで、図5に示す工程では、第2のバンプ電極25が設けられた側に位置する半導体チップ形成用母基板20の面に、第2のバンプ電極25を覆う絶縁樹脂層29接着性を有した絶縁樹脂層を形成する。具体的には、第2のバンプ電極25が設けられた側に位置する半導体チップ形成用母基板20の面に、絶縁樹脂層29としてNCFNonConductiveFilmを貼り付ける。このように、第2のバンプ電極25が設けられた側に位置する半導体チップ形成用母基板20の面に、絶縁樹脂層29を形成することにより、保護膜14に起因する半導体チップ形成用母基板20の反りを低減することができる。次いで、図6に示す工程では、ダイシングテープ本体33及び接着層34よりなるダイシングテープ32を準備し、絶縁樹脂層29の表面29aに、ダイシングテープ32の接着層34を介して、ダイシングテープ本体33を貼り付ける。このように、第2のバンプ電極25を覆うように絶縁樹脂層29を形成後、絶縁樹脂層29の表面29aに、リング状の治具に張り渡されたダイシングテープ32を貼着することで、第2のバンプ電極25が接着層34に埋め込まれることがなくなる。これにより、半導体チップ形成用母基板20を構成する複数の第1の半導体チップ27を個片化後述する図8に示す工程参照後に、ダイシングテープ32から第1の半導体チップ27をピックアップする際後述する図10~図12に示す工程参照に、第2のバンプ電極25が接着層34に引っかかることがなくなるため、不要な応力が薄板化された第1の半導体チップ27に付与されることがない。よって、ダイシングテープ32から第1の半導体チップ27をピックアップする際に、薄板化された第1の半導体チップ27の破損例えば、貫通電極24を起点とするチップクラックや第1の半導体チップ27のピックアップミスが発生することを抑制できる。また、ダイシングテープ32から第1の半導体チップ27をピックアップする際に、絶縁樹脂層29と共に、個片化された第1の半導体チップ27をピックアップすることで、絶縁樹脂層29が第1の半導体チップ27の支持板として機能するため、ピックアップされた第1の半導体チップ27薄板化された半導体チップに反りが発生することを抑制可能となる。これにより、第1の半導体チップ27が破損することを抑制できる。ダイシングテープ32を構成する接着層34としては、例えば、紫外線UV照射により粘着材の成分中に化学反応を起こし、粘着力が低下する特性を有するものを用いる。なお、ダイシングテープ32の接着層34に絶縁樹脂層29を貼り付けた後、絶縁樹脂層29を介して、第2のバンプ電極25が設けられた側に位置する半導体チップ形成用母基板20の面に、絶縁樹脂層29を介して、ダイシングテープ32を貼り付けてもよい。このように、ダイシングテープ32を貼着することで、第2のバンプ電極25が設けられた側に位置する半導体チップ形成用母基板20の面に、スピンナ法を用いて絶縁樹脂層29を形成する場合と比較して、半導体チップ形成用母基板20に付与されるストレスを低減できる。次いで、図7に示す工程では、図6に示す構造体を上下反転させた後、支持基板17を介して、特定の光源から照射された光例えば、レーザ光或いはUV光紫外線を接着部材16に照射することで、接着部材16を発泡或いは接着力を低下させることで、接着部材16及び支持基板17を除去する。これにより、半導体チップ形成用母基板20を構成する保護膜14及び第1のバンプ電極15が露出される。次いで、図8に示す工程では、図示していないダイシング装置のステージ上に、図7に示す構造体を保持し、次いで、ダイシングブレード図示せずにより、第1のバンプ電極15が形成された側から、ダイシング装置が認識したダイシング領域Bに沿って、ダイシングテープ32に貼着された半導体チップ形成用母基板20及び絶縁樹脂層29を切断することで、複数の第1の半導体チップ27を個片化する。このとき、ダイシング領域Bに対応するダイシングテープ32の一部を切断する。これにより、図8に示すように、第1の半導体チップ27を構成する半導体基板11個片化された半導体基板11の第2の面11b側に、第1の半導体チップ27の外形に対応した絶縁樹脂層29が形成される。このように、絶縁樹脂よりなる保護膜14に起因する半導体チップ形成用母基板20の反りを低減する絶縁樹脂層29を形成した状態で、ダイシングテープ32に貼着された半導体チップ形成用母基板20及び絶縁樹脂層29を切断することにより、複数の第1の半導体チップ27を精度よく個片化することができる。また、第1の回路素子層14が形成された側から半導体チップ形成用母基板20を切断することにより、赤外線カメラ等の特殊な認識手段を使用することなく、ダイシング領域Bを精度よく認識することができる。次いで、紫外線UV照射機構図示せずにより、図8に示す構造体の下面側から、ダイシングテープ本体33を介して、接着層34にUV光を照射することで、接着層34の粘着力を低下させる。これにより、ダイシングテープ32の接着層34から絶縁樹脂層29を容易に剥がすことが可能となる。次いで、図9に示す工程では、ダイシング装置36を準備する。ここで、図9を参照して、ピックアップ装置36の概略構成について説明する。ピックアップ装置36は、吸着ステージ37と、吸着コレット38と、を有する。吸着ステージ37は、ステージ本体41と、第1の吸着部42と、チップ突き上げ機構44と、第2の吸着部45と、を有する。ステージ本体41は、図8に示す構造体に設けられたダイシングテープ32具体的には、ダイシングテープ本体33が載置される平坦な吸着面41aと、チップ突き上げ機構44を収容する収容部41Aと、を有する。第1の吸着部42は、ステージ本体41に複数形成された貫通孔であり、吸着面41aから露出されている。第1の吸着部42は、図示していない真空ポンプと接続されており、ステージ本体41の吸着面41aに載置される図8に示す構造体を吸着する。チップ突き上げ機構44は、第1の突き上げ部材47と、第2の突き上げ部材48と、第3の吸着部49と、を有する。第1の突き上げ部材47は、収容部41Aの中央に配置されている。第1の突き上げ部材47は、矩形とされ、かつ平坦な面とされた第1の突き上げ面47aを有する。第1の突き上げ面47aは、第1の半導体チップ27の中央部を突き上げ可能な形状とされている。第1の突き上げ部材47は、図示していない駆動手段により、上下方向に移動可能な構成とされている。図9に示す状態具体的には、ステージ本体41の吸着面41aに対して第1の突き上げ面47aが略面一とされた状態から第1の突き上げ部材47を上方に移動させることで、第1の突き上げ面47aは、ダイシングテープ32及び絶縁樹脂層29を介して、第1の半導体チップ27の中央部を突き上げる。第2の突き上げ部材48は、枠形状とされており、第1の突き上げ部材47の配設位置よりも外側に位置する収容部41Aに配置されている。第2の突き上げ部材48は、枠形状とされ、かつ平坦な面とされた第2の突き上げ面48aを有する。第2の突き上げ面48aは、第1の半導体チップ27の外周部を突き上げ可能な形状とされている。第2の突き上げ部材48は、図示していない駆動手段により、上下方向に移動可能な構成とされている。図9に示す状態具体的には、ステージ本体41の吸着面41aに対して第2の突き上げ面48aが略面一とされた状態から第2の突き上げ部材48を上方に移動させることで、第2の突き上げ面48aは、ダイシングテープ32及び絶縁樹脂層29を介して、第1の半導体チップ27の外周部を突き上げる。また、第2の突き上げ部材48の外形は、ピックアップする第1の半導体チップ27の外形のサイズよりも少し小さくなるように構成されている。これにより、後述する図10に示す工程において、第2の突き上げ部材48を突き上げた際に、第1の半導体チップ27に設けられた絶縁樹脂層29のうち、第2の突き上げ部材48よりも外側に位置する部分を、ダイシングテープ32から剥離させることができる。第3の吸着部49は、第1の突き上げ部材47と第2の突き上げ部材48との間に形成された溝状の吸着部であり、図示していない真空ポンプと接続されている。これにより、第3の吸着部49は、第1の半導体チップ27の中央部と対向する位置に配置されたダイシングテープ32を吸着する。第2の吸着部45は、第1の突き上げ部材47と第2の突き上げ部材48との間に形成された溝状の吸着部であり、図示していない真空ポンプと接続されている。これにより、第2の吸着部45は、第1の半導体チップ27の外周部と対向する位置に配置されたダイシングテープ32を吸着する。吸着コレット38は、吸着ステージ37の上方に配置されている。吸着コレット38は、図示していない駆動手段と接続されており、上下方向、及び上下方向と直交する平面方向に移動可能な構成とされている。吸着コレット38は、保護膜14が形成された側の第1の半導体基板27の面と対向する平坦な吸着面38aと、吸着面38aから露出された吸着部38Aを有する。吸着部38Aは、図示していない真空ポンプと接続されている。これにより、吸着部38Aは、保護膜14が形成された側の第1の半導体基板27の面を吸着する。次いで、ダイシング装置36の吸着ステージ37の上面具体的には、同一平面上に配置された吸着面41a、第1の突き上げ面47a、及び第2の突き上げ面48aに、第1のバンプ15が形成された側が上面側となるように言い換えれば、図8に示す構造体に設けられたダイシングテープ32が吸着ステージ37の上面と接触するように、図8に示す構造体を載置する。このとき、チップ突き上げ機構44の上方に、ピックアップしたい第1の半導体チップ27が配置されるように、図8に示す構造体を載置する。次いで、第1乃至第3の吸着部42,45,49により、図8に示す構造体に設けられたダイシングテープ32を吸着することで、吸着ステージ37の上面に図8に示す構造体を保持する。次いで、チップ突き上げ機構44の上方に配置された第1の半導体チップ27と対向するように、該第1の半導体チップ27の上方に吸着コレット38を移動させる。次いで、図10に示す工程では、図9に示した吸着ステージ37の状態から第1及び第2の突き上げ部材47,48を同じ突き上げ量で突き上げることで、第1及び第2の突き上げ面47a,48aを上方に移動させる。これにより、第1の半導体チップ27のうち、チップ突き上げ機構44と対向する部分が、ダイシングテープ32及び絶縁樹脂層29を介して突き上げられ、第1の半導体チップ27に設けられた絶縁樹脂層29のうち、第2の突き上げ部材48よりも外側に位置する部分がダイシングテープ32から剥離される。このとき、薄板化された第1の半導体チップ27は、第1の半導体チップ27の一方の面第2のバンプ電極25が形成された第1の半導体チップ27の裏面を覆う絶縁樹脂層29と共に、突き上げられるため、第1及び第2の突き上げ部材47,48の突き上げにより、第1の半導体チップ27が破損することを抑制できる。次いで、図11に示す工程では、図10に示した吸着ステージ37の状態から第1の突き上げ部材47をさらに突き上げることで、第1の突き上げ面47aを上方に移動させる。これにより、第1の半導体チップ27のうち、第1の突き上げ面47aと対向する部分が、ダイシングテープ32及び絶縁樹脂層29を介して、突き上げられ、第1の半導体チップ27に設けられた絶縁樹脂層29のうち、第1の突き上げ部材48よりも外側に位置する部分がダイシングテープ32から剥離される。このとき、ダイシングテープ32は、図10に示す初期剥離箇所から第1の半導体チップ27の中央部に向かう方向に剥離され、絶縁樹脂層29とダイシングテープ32との接触面積は小さくなる。この段階で、吸着コレット38により、保護膜14が形成された側の第1の半導体基板27の面表面を吸着する。次いで、図12に示す工程では、図11に示した吸着ステージ37の状態から、第1及び第2の突き上げ面47a,48aがステージ本体41の吸着面41aに対して略面一となるように、第1及び第2の突き上げ面47a,48aを下方に移動させる。これにより、第1の半導体チップ27の中央部に形成された絶縁樹脂層29からダイシングテープ32が剥離し、絶縁樹脂層29と共に、第1の半導体チップ27言い換えれば、絶縁樹脂層29が形成された第1の半導体チップ27がピックアップされる。先に説明したように、第2のバンプ電極25を埋め込む絶縁樹脂層29が形成された第1の半導体チップ27を、絶縁樹脂層29と共に、ピックアップすることで、第2のバンプ電極25がダイシングテープ32の接着層34に埋め込まれることがなくなる。これにより、個片化された第1の半導体チップ27をダイシングテープ32からピックアップする際に、第1の半導体チップ27が破損例えば、貫通電極24を起点とするチップクラック等したり、第1の半導体チップ27のピックアップミスが発生したりすることを抑制できる。また、第1の半導体チップ27をピックアップする際、絶縁樹脂層29が第1の半導体チップ27の支持板として機能するため、ピックアップされた第1の半導体チップ27の反りを低減することが可能となるので、第1の半導体チップ27の破損を抑制できる。次いで、図13に示す工程では、図9~図12に示す工程を順次行うことで、絶縁樹脂層29が形成された第1の半導体チップ27を複数形成する。次いで、図14に示す工程では、ボンディング装置55に設けられたステージ56の基板載置面61aに、予め準備しておいた第2の半導体チップ58を吸着させる。このとき、半導体基板11の第2の面11bが基板載置面61aと接触するように、第2の半導体チップ58を吸着する。ここで、図14を参照して、ボンディング装置55のステージ56の構成について説明する。ステージ56は、ステージ本体61と、第1の吸着孔62と、第1の加熱機構63と、を有する。ステージ本体61は、第2の半導体チップ58が載置される平坦な基板載置面61aを有する。第1の吸着孔62は、ステージ本体61に複数設けられており、基板載置面61aから露出されている。第1の吸着孔62は、図示していない真空ポンプと接続されており、基板載置面61aに載置された第2の半導体チップ58を吸着する。第1の加熱機能63は、ステージ本体61に内設されている。第1の加熱機能63は、ステージ本体61に吸着された第2の半導体チップ58を所定の温度に加熱する。第1の加熱機能63としては、例えば、カートリッジヒーターを用いることができる。次に、図14を参照して、第2の半導体チップ58の構成について説明する。第2の半導体チップ58は、図13に示す第1の半導体チップ27に設けられた第1の回路素子層12の替わりに第2の回路素子層65を設けると共に、第1の半導体チップ27に設けられた第1のバンプ電極15の替わりに第3のバンプ電極66を設け、さらに、第1の半導体チップ27に設けられた貫通電極24及び第2のバンプ電極25を構成要素から除いた以外は、第1の半導体チップ27と同様に構成される。第2の回路素子層65は、半導体基板11の第1の面11aに形成されている。第2の回路素子層65は、トランジスタ素子、積層された複数の層間絶縁層、及び該複数の層間絶縁層に形成された配線パターン配線及びビア等を有した多層配線構造とされている。第3のバンプ電極66は、保護膜14の開口部14Aから露出された第2の回路素子層65の表面65aに形成されている。第3のバンプ電極66は、第2の回路素子層65に設けられたトランジスタ素子図示せずと電気的に接続されている。上記構成とされた第2の半導体チップ58は、半導体基板11の第2の面11b基板載置面61aと接触する面にバンプ電極が設けられておらず、基板載置面61aと接触する第2の半導体チップ58の面が平坦な面とされているため、ステージ56の基板載置面61aに第2の半導体チップ58をしっかりと吸着させることができる。第2の半導体チップ58としては、メモリ用半導体チップを用いることができる。該メモリ用半導体チップとしては、例えば、DRAMDynamicRandomAccessMemoryを用いることができる。第2の半導体チップ58としてDRAMを用いる場合、第2の回路素子層65には、図示していないDRAM素子が形成される。なお、本実施の形態では、第2の半導体チップ58としてメモリ用半導体チップを用いた場合を例に挙げて、以下の説明を行う。次いで、図15に示す工程を説明する前に、図15を参照して、図5に示すボンディング装置55のボンディングツール71ボンディング装置55の構成要素の1つの構成について説明する。ボンディングツール71は、ツール本体72と、第2の吸着孔73と、第2の加熱機構75と、を有する。ツール本体72は、吸着した半導体チップを押圧する押圧面72aを有する。第2の吸着孔73は、ツール本体72に複数設けられており、押圧面72aから露出されている。第2の吸着孔73は、図示していない真空ポンプと接続されている。これにより、第2の吸着孔73は、押圧面72aと対向する半導体チップを吸着する。第2の加熱機構75は、ボンディングツール71に吸着された半導体チップを所定の温度例えば、80~100°Cに加熱する。第2の加熱機構75としては、例えば、カートリッジヒーターを用いることができる。次いで、図15に示す工程では、ボンディングツール71により、押圧面72aが図13に示す第1の半導体チップ27以下の説明では、この第1の半導体チップ27を、説明の便宜上、第1の半導体チップ27-1というに設けられた第1のバンプ電極15と接触するように第1の半導体チップ27-1を吸着し、第2の加熱機構75により、第1の半導体チップ27-1が所定の温度例えば、200°C程度となるように加熱する。次いで、ステージ56に吸着された第2の半導体チップ58の第3のバンプ電極66と第1の半導体チップ27-1の第2のバンプ電極25とが対向するように、第1の半導体チップ27-1を吸着したボンディングツール71を第2の半導体チップ58上に移動させる。次いで、ボンディングツール71を下方ステージ56側に移動させて、第1の半導体チップ27-1に設けられた絶縁樹脂層29と第2の半導体チップ58の第2のバンプ電極25とを接触させる。その後、押圧面72aにより、第1の半導体チップ27-1を押圧することで、第2のバンプ電極25と第3のバンプ電極66とが熱圧着この段階では、仮圧着され、第2の半導体チップ58に対して第1の半導体チップ27-1がフリップチップ接続されると共に、加熱により溶融した絶縁樹脂層29が第1の半導体チップ27-1と第2の半導体チップ58との隙間に広がることで、第1の半導体チップ27-1と第2の半導体チップ58との隙間が絶縁樹脂層29により封止される。このように、絶縁樹脂層29が設けられた第1の半導体チップ27-1を、絶縁樹脂層29を介して、第2の半導体チップ58に押圧して、第2のバンプ電極25と第3のバンプ電極66とを熱圧着することで、絶縁樹脂層29が薄板化された第1の半導体チップ27-1の反りを抑制する支持板として機能するため、押圧した際に、第1の半導体チップ27-1の破損を抑制できると共に、第3のバンプ電極66に対して位置精度よく第2のバンプ電極25を接続することができる。また、絶縁樹脂層29が設けられた第1の半導体チップ27-1を、絶縁樹脂層29を介して、第2の半導体チップ58に押圧して、第2のバンプ電極25と第3のバンプ電極66とを熱圧着することで、溶融された絶縁樹脂層29が第1の半導体チップ27-1と第2の半導体チップ58との隙間を封止するアンダーフィル樹脂として機能するため、別途、第1の半導体チップ27-1と第2の半導体チップ58との隙間を封止するアンダーフィル樹脂を形成する工程を設ける必要がないため、半導体装置110図24参照の製造工程を簡略化することができる。次いで、図16に示す工程では、ボンディングツール71により、図13に示す絶縁樹脂層29が設けられた第1の半導体チップ27この第1の半導体チップ27を、説明の便宜上、第1の半導体チップ27-2というを吸着させた後、図15に示す工程と同様な処理を行なうことで、熱圧着により、第1の半導体チップ27-1の第1のバンプ電極15と第1の半導体チップ27-2の第2のバンプ電極25とを仮圧着すると共に、第1の半導体チップ27-2に設けられた絶縁樹脂層29により、第1の半導体チップ27-1と第1の半導体チップ27-2との隙間を封止する。これにより、第2の半導体チップ58上に、第1の半導体チップ27-1,27-2が積層される。次いで、ボンディングツール71により、図13に示す絶縁樹脂層29が設けられた第1の半導体チップ27この第1の半導体チップ27を、説明の便宜上、第1の半導体チップ27-3というを吸着させた後、図15に示す工程と同様な処理を行なうことで、熱圧着により、第1の半導体チップ27-2の第1のバンプ電極15と第1の半導体チップ27-3の第2のバンプ電極25とを仮圧着すると共に、第1の半導体チップ27-3に設けられた絶縁樹脂層29により、第1の半導体チップ27-2と第1の半導体チップ27-3との隙間を封止する。これにより、第2の半導体チップ58上に、第1の半導体チップ27-1,27-2,27-3が積層される。ここで、図16を参照して、第1の半導体チップ27-3上に、積層される第1の半導体チップ78の構成及び製造方法について説明する。第1の半導体チップ78は、インターフェイスInterface用半導体チップである。第1の半導体チップ78は、第2の半導体チップ27-1に設けられた第1の回路素子層12、第1のバンプ電極15、及び第2のバンプ電極25の替わりに、第1の回路素子層81、第1のバンプ電極82、及び第2のバンプ電極84を設けた以外は、第2の半導体チップ27-1と同様に構成される。第1の回路素子層81は、半導体基板11の表面11aに形成されている。第1の回路素子層81には、インターフェイス回路素子図示せずが形成されている。第1のバンプ電極82は、保護膜14に形成された開口部14Aから露出された第1の回路素子層81の表面81aに設けられている。第2のバンプ電極84は、図示していない絶縁層を介して、半導体基板11の第2の面11bに設けられている。第2のバンプ電極84は、貫通電極24或いは図示していない配線パターンを介して、第1のバンプ電極82と電気的に接続されている。また、第1及び第2のバンプ電極82,84は、第1の回路素子層81に形成されたインターフェイス回路素子図示せずと電気的に接続されている。上記構成とされた第1の半導体チップ78は、先に説明した図1~図13に示す工程と同様な処理を行なうことで形成される。そのため、図13に示す第1の半導体チップ27と同様に、第1の半導体チップ78の第2のバンプ電極84が形成された面裏面は、絶縁性樹脂29で覆われている。また、第1の半導体チップ78に設けられた絶縁性樹脂29は、第2のバンプ電極84を覆うように形成されている。次いで、ボンディングツール71により、絶縁樹脂層29が設けられた第1の半導体チップ78を吸着させた後、図15に示す工程と同様な処理を行なうことで、熱圧着により、第1の半導体チップ27-3の第1のバンプ電極15と第1の半導体チップ78の第2のバンプ電極84とを仮圧着すると共に、第1の半導体チップ78に設けられた絶縁樹脂層29により、第1の半導体チップ27-3と第1の半導体チップ78との隙間を封止する。次いで、積層された第1の半導体チップ27-1,27-2,27-3,78及び第2の半導体チップ58を300°C程度に加熱した状態で、ボンディングツール71により、第1の半導体チップ78を押圧して荷重を印加することで、仮圧着された第1の半導体チップ27-1,27-2,27-3,78及び第2の半導体チップ58間を本圧着する。これにより、第2の半導体チップ58と、第1の半導体チップ27-1と、第1の半導体チップ27-2と、第1の半導体チップ27-3と、第1の半導体チップ78とが順次積層されたチップ積層体86が形成される。なお、図16において、第1の半導体チップ78は、最上層に配置された最上層チップである。次いで、図17に示す工程では、複数の配線基板90が連結された配線母基板91を準備する。ここで、図17を参照して、配線母基板91の構成について説明する。配線母基板91は、複数の配線基板90が連結された構成とされており、基板本体93と、接続パッド94と、配線パターン95と、外部接続用パッド96と、貫通電極97と、第1のソルダーレジスト99と、第2のソルダーレジスト101と、を有する。基板本体93は、ダイシングラインDにより区画され、配線基板90が形成される配線基板形成領域Cを複数有する。基板本体93としては、例えば、ガラスエポキシ基板を用いることができる。接続パッド94は、基板本体93の表面93aのうち、配線基板形成領域Cの中央部に設けられている。接続パッド94は、図16に示すチップ積層体86を構成する第1の半導体チップ78に設けられた第1のバンプ電極82と接続される電極である。配線パターン95は、接続パッド94と一体に構成されており、配線基板形成領域Cに対応する基板本体93の表面93aに設けられている。配線パターン95は、再配線用のパターンである。外部接続用パッド96は、配線基板形成領域Cに対応する基板本体93の裏面93bに設けられている。貫通電極97は、配線基板形成領域Cに対応する基板本体93を貫通するように設けられている。貫通電極97の上端は、配線パターン95と接続されており、貫通電極97の下端は、外部接続用パッド96と接続されている。これにより、貫通電極97は、外部接続用パッド96と接続パッド94とを電気的に接続している。第1のソルダーレジスト99は、接続パッド94を露出するように、配線基板形成領域C及びダイシングラインDに対応する基板本体93の表面93aに設けられている。第1のソルダーレジスト99は、配線パターン95の一部を覆うように設けられている。第1のソルダーレジスト99は、配線パターン95を保護する機能を有する。第2のソルダーレジスト101は、外部接続用パッド96を露出するように、配線基板形成領域C及びダイシングラインDに対応する基板本体93の裏面93bに設けられている。配線基板90は、接続パッド94と、配線パターン95と、外部接続用パッド96と、貫通電極97と、配線基板形成領域Cに対応する基板本体93、第1のソルダーレジスト99、及び第2のソルダーレジスト101と、を有した構成とされている。次いで、図18に示す工程では、接続パッド94上に、ワイヤバンプ103を形成する。具体的には、ワイヤバンプ103は、例えば、AuやCu等よりなるワイヤの先端に溶融したボールが形成されたものを、ワイヤボンディング装置図示せずを用いて、超音波により接続パッド94の上面に圧着後、ワイヤの後端を引き切ることで形成する。次いで、図19に示す工程では、各配線基板形成領域Cの中央部に、ワイヤバンプ103を覆うように、液状とされたアンダーフィル樹脂105を配置する。具体的には、液状とされたアンダーフィル樹脂105は、ディスペンサー図示せずから液状とされたNCPNonconductivePasteを供給することで形成する。次いで、図20に示す工程では、ボンディングツール図示せずを用いて、図16に示すボンディング装置55から取り出したチップ積層体86をピックアップして、チップ積層体86を構成する第1の半導体チップ78の第1のバンプ電極82と、配線基板90の接続パッド94と、を対向配置させる。次いで、ボンディングツール図示せずにより、チップ積層体86を高温例えば、300°C程度で加熱した状態で、加熱された配線基板90配線母基板91に押し当てることで、ワイヤバンプ103を介して、第1のバンプ電極82と接続パッド94とを熱圧着すると共に、チップ積層体86と配線基板90との間に形成される隙間をアンダーフィル樹脂105で封止する。これにより、チップ積層体86は、配線基板90に対してフリップチップ接続され、チップ積層体86と配線基板90とが電気的に接続される。なお、図20に示す工程では、配線母基板91を構成する全ての配線基板90に対して、チップ積層体86を実装する。次いで、図21に示す工程では、配線母基板91上に実装された複数のチップ積層体86を一括して封止し、かつ上面107aが平坦な面とされたモールド樹脂107を形成する。モールド樹脂107は、例えば、トランスファーモールド法により形成する。具体的には、上部金型と下部金型との間に形成された空間内に、図20に示す構造体を収容し、その後、該空間内に加熱溶融されたモールド樹脂107を注入する。次いで、溶融したモールド樹脂107を所定の温度例えば、180°C程度で加熱キュアし、その後、所定の温度でベークすることで、モールド樹脂107を完全に硬化させる。これにより、複数のチップ積層体86を一括封止するモールド樹脂107が形成される。モールド樹脂107としては、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。次いで、図22に示す工程では、図21に示す構造体の上下を反転させ、その後、配線基板90に形成された複数の外部接続用パッド96に外部接続端子109を形成する。これにより、配線基板90、チップ積層体86、アンダーフィル樹脂105、モールド樹脂107、及び外部接続端子109を有し、かつ連結された複数の半導体装置110が形成される。外部接続端子109としては、例えば、はんだボールを用いることができる。この場合、図示していない複数の吸着孔を有するボールマウンターのマウントツールにより、複数のはんだボールを吸着保持しながら、複数のはんだボールにフラックスを転写形成する。次いで、配線基板90に形成された複数の外部接続用パッド96に、はんだボールを載置し、その後、はんだボールが形成された配線母基板91を熱処理リフロー処理する。これにより、複数の配線基板90に設けられた外部接続用パッド96にはんだボールが固定される。次いで、図23に示す工程では、モールド樹脂107の上面107aにダイシングテープ112を貼着する。次いで、ダイシングブレード113により、ダイシングラインDに沿って、図22に示す配線母基板91及びモールド樹脂107を切断することで、複数の半導体装置110が個片化される。このとき、配線基板90も個片化される。次いで、図24に示す工程では、図23に示す構造体を上下反転させた後、ダイシングテープ112を剥離することで、CoC型ChiponChipの半導体装置110が複数製造される。本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、第2のバンプ電極25が設けられた側に位置する半導体チップ形成用母基板91の面に、絶縁樹脂層29を介して、ダイシングテープ32を貼着することにより、ダイシングテープ32を構成する接着層34に第2のバンプ電極25が埋め込まれることがなくなるため、個片化された第1の半導体チップ27をダイシングテープ32からピックアップする際の第1の半導体チップ27の破損具体的には、貫通電極97を起点とするチップクラック等の破損や第1の半導体チップ27のピックアップミスの発生を抑制できる。また、絶縁樹脂層29と共に、個片化された第1の半導体チップ27を、ダイシングテープ32からピックアップすることで、絶縁樹脂層29が第1の半導体チップ27の支持板として機能するため、第1の半導体チップ27が薄板化された半導体チップの場合でも、ピックアップ時に第1の半導体チップ27に反りが発生することを抑制できる。なお、第1の半導体チップ27と同様な手法により形成され、第2のバンプ電極84が形成された面が絶縁樹脂層29に覆われた第1の半導体チップ78を、ダイシングテープからピックアップする場合、第1の半導体チップ27と同様な効果を得ることができる。また、絶縁樹脂層29が設けられた第1の半導体チップ27-1を、絶縁樹脂層29を介して、第2の半導体チップ58に押圧して、第2のバンプ電極25と第3のバンプ電極66とを熱圧着することで、絶縁樹脂層29が薄板化された第1の半導体チップ27-1の反りを抑制する支持板として機能するため、押圧した際に、第1の半導体チップ27-1の破損を抑制できると共に、第3のバンプ電極66に対して位置精度よく第2のバンプ電極25を接続することができる。なお、上記効果は、絶縁樹脂層29に覆われた第1の半導体チップ78の第2のバンプ電極84を、第1の半導体チップ27-3の第1のバンプ電極15に熱圧着させる際にも得ることができる。また、絶縁樹脂層29が設けられた第1の半導体チップ27-1を、絶縁樹脂層29を介して、第2の半導体チップ58に押圧して、第2のバンプ電極25と第3のバンプ電極66とを熱圧着することで、溶融された絶縁樹脂層29が第1の半導体チップ27-1と第2の半導体チップ58との隙間を封止するアンダーフィル樹脂として機能するため、別途、第1の半導体チップ27-1と第2の半導体チップ58との隙間を封止するアンダーフィル樹脂を形成する工程を設ける必要がないため、半導体装置110図25参照の製造工程を簡略化することができる。なお、上記効果は、絶縁樹脂層29に覆われた第1の半導体チップ78の第2のバンプ電極84を、第1の半導体チップ27-3の第1のバンプ電極15に熱圧着させる際にも得ることができる。以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。例えば、本実施の形態では、第1の半導体チップ27-1,27-2,27-3,27-4,78の裏面側第2のバンプ電極25,84が形成された側を覆うように絶縁樹脂層29を設け、絶縁樹脂層29を介して、他の半導体チップに実装する場合を例に挙げて説明したが、裏面に絶縁樹脂層29が形成された第1の半導体チップ27-1,27-2,27-3,27-4,78を、絶縁樹脂層29を介して、配線基板90に実装してもよい。"