"トランスと、給電部である前記トランスの1次コイルに高周波電圧を給電する高周波電圧発生回路と、前記トランスの2次コイルの両端又は2次コイルにつながる回路のうち高電圧が掛かる素子の両端の電圧を所定の電圧比に分圧する分圧回路とを備え、前記分圧回路は、第1のインピーダンス素子および第2のインピーダンス素子の直列回路であり、前記トランスの2次コイルの両端又は2次コイルにつながる回路のうち高電位側につながるインピーダンス素子を第1のインピーダンス素子、前記2次コイルの両端又は2次コイルにつながる回路のうち低電位側につながるインピーダンス素子を第2のインピーダンス素子とし、前記第1のインピーダンス素子のインピーダンスをZa、前記第2のインピーダンス素子のインピーダンスをZpで表すと、前記第2のインピーダンス素子のインピーダンスに対する前記第1のインピーダンス素子のインピーダンスの比Za/Zpが、前記高電位側の第1の等価対接地容量Caに対する、前記低電位側の第2の等価対接地容量Cpの比Cp/Caにほぼ等しい、高周波電力装置。請求項1に記載の高周波電力装置を有し、互いに誘導結合する電力送電装置および電力受電装置を備えた電力伝送システムにおいて、前記トランスの1次コイルは前記電力送電装置に設けられた電力送電用コイルであり、前記トランスの2次コイルは前記電力受電装置に設けられた電力受電用コイルである電力伝送システム。請求項1に記載の高周波電力装置を有し、互いに容量結合する電力送電装置および電力受電装置を備えた電力伝送システムに用いられる電力送電装置おいて、前記高電位側に前記電力送電装置側の容量結合用のアクティブ電極が接続され、前記低電位側に前記電力送電装置側の容量結合用のパッシブ電極が接続された、電力送電装置。前記第1のインピーダンス素子は前記アクティブ電極と前記給電部との間の第1の装荷容量であり、前記第2のインピーダンス素子は前記パッシブ電極と前記給電部との間の第2の装荷容量である、請求項3に記載の電力送電装置。前記第1の装荷容量は、前記アクティブ電極と前記給電部との間に接続された容量素子と寄生容量との合成容量、又は寄生容量自体であり、前記第2の装荷容量は、前記パッシブ電極と前記給電部との間に接続された容量素子と寄生容量との合成容量、又は寄生容量自体であり、前記アクティブ電極と前記給電部との間、又は前記パッシブ電極と前記給電部との間の少なくとも一方に接続される前記容量素子は可変容量素子を含む、請求項4に記載の電力送電装置。前記給電部と前記高周波電圧を発生する回路の回路グランドとの間の電流を検出し、検出結果に基づいて、前記可変容量素子の容量を制御する容量制御回路を備えた、請求項5に記載の電力送電装置。前記トランスの2次コイルは引出端子を備え、前記第1のインピーダンス素子は、前記2次コイルの引出端子と前記アクティブ電極側の端との間の第1のインダクタであり、前記第2のインピーダンス素子は、前記2次コイルの引出端子と前記パッシブ電極側の端との間の第2のインダクタであり、前記第1のインダクタのインダクタンスをLa、前記第2のインダクタのインダクタンスをLpで表すと、La/Lpが、前記第1の等価対接地容量に対する前記第2の等価対接地容量の比にほぼ等しい、請求項3乃至6に記載の電力送電装置。前記第2のインダクタの両端電圧を分圧し、分圧出力端を接地する副分圧回路を備える、請求項7に記載の電力送電装置。前記副分圧回路は、前記引出端子と分圧出力端との間に接続された第1の抵抗素子と前記パッシブ電極側の端と前記分圧出力端との間に接続された第2の抵抗素子の直列回路であり、前記第1のインダクタのインダクタンスをLa、前記第2のインダクタのインダクタンスをLpで表し、前記第1の抵抗素子の抵抗値をRa、前記第2の抵抗素子の抵抗値をRpで表すと、LaLp×Ra/RaRpに対する、Lp×Rp/RaRpの比が、前記第2の等価対接地容量に対する前記第1の等価対接地容量の比にほぼ等しい、請求項8に記載の電力送電装置。前記副分圧回路は、前記引出端子と分圧出力端との間に接続された第1のキャパシタと前記パッシブ電極側の端と前記分圧出力端との間に接続された第2のキャパシタの直列接続回路であり、前記第1のインダクタのインダクタンスをLa、前記第2のインダクタのインダクタンスをLpで表し、前記第1のキャパシタのキャパシタンスをCDa、前記第2のキャパシタのキャパシタンスをCDpで表すと、LaLp×CDp/CDaCDpに対する、Lp×CDa/CDaCDpの比が、前記第2の等価対接地容量に対する前記第1の等価対接地容量の比にほぼ等しい、請求項8に記載の電力送電装置。前記給電部と前記高周波電圧を発生する回路の回路グランドとの間の電流を検出する電流検出回路を備え、前記副分圧回路は前記電流検出回路の検出結果に基づいて分圧比を制御する分圧比制御回路を備えた、請求項8に記載の電力送電装置。請求項3乃至11の何れかに記載の電力送電装置及び電力受電装置を備え、前記電力受電装置は、前記電力受電装置のアクティブ電極と前記電力受電装置のパッシブ電極との間に誘起される電力を受ける負荷回路を備えた、電力伝送システム。しかし、特許文献1に示されている構造の電力伝送システムでは、次に述べるような解決すべき課題があった。図2は、図1に示した高周波高電圧発生器1の構成を示すものである。この例では、高周波高電圧発生器は、パッシブ電極2とアクティブ電極3との間に高周波の高電圧を給電する昇圧トランス11と、このトランス11へ高周波を印加する高周波電圧発生回路10とで構成される。そして、通常、電力送電装置のパッシブ電極2と電力送電装置高周波電圧発生回路10の回路グランドとは互いに等価的に接続される。トランス11の1次コイルの一端と2次コイルの一端とが共通接続されて高周波電圧発生回路10のグランドに接続されている。トランス11の1次コイルと2次コイルはアンバランス接続されている。ところが、このようにトランス11の1次コイルと2次コイルがアンバランス接続された場合には、トランス11の給電部1次コイルの電位と高周波電圧発生回路10の回路グランドとの間に電位差が生じ、高周波電圧発生回路10の電力供給ラインに不要ノイズ電流コモンモード電流であるグランド漏洩電流が流れる。グランド漏洩電流は周囲に誘導磁界を誘起させる。電力送電装置に静電シールドを施したとしてもこの誘導磁界は容易には抑制できない。また、それ以外に下記の特有の問題を有する。図3Aは、前記パッシブ電極2、アクティブ電極3及び高周波高電圧発生器1による電気双極子ED及びその大きさを表している。図3Bは電気双極子EDと大容量の導体基準グランドGNDとの関係を表している。前記グランド漏洩電流が除去されないと、図3Bのように、高周波高電圧発生器1及びパッシブ電極2が電力供給ラインを介して大容量の離れた基準グランドGNDに等価的に接続されていることになる。そのため、基準グランドGNDがパッシブ電極として作用し、アクティブ電極3とパッシブ電極との距離が増大して、アクティブ電極3とパッシブ電極とが構成する電気双極子の等価的な大きさがあたかもに増大したかのように作用する。すなわち、電気双極子の両電極間の振動電流の少なくとも一部が、離れた基準グランドへ電力供給ラインを介して流れる。そのため、電気双極子の実効的なサイズが増大し、不要電磁界ノイズが増大する。図3Aに示した本来の電気双極子のサイズと同等のサイズを維持するためには、トランス11の電位と高周波高電圧発生回路10の回路グランド電位とを等しくする必要がある。トランス11の給電部の電位と高周波高電圧発生回路10の回路グランドとの電位を等しくするには、フロートバランス接続のトランスを用い、電力送電装置側アクティブ電極と電力送電装置側パッシブ電極との間にトランスの2次コイルをフロートバランス接続し、さらに1次コイルを高周波電圧発生回路にフロートバランス接続すればよい。図4は、高インピーダンス分圧回路を高周波高電圧発生回路1の両端に接続し、所定の分圧点を接地した回路図である。完全にフロートバランスされた場合、図4のように、分圧点を開放しても電圧が発生せず、分圧点を接地しても電流が流れない。すなわち電力供給ラインを介して基準グランドへ流れる振動電流が発生しない。このことは等価回路的に電力供給ラインが存在しないのと同等である。そのため電気双極子サイズは小さいままに維持される。ところが、高周波高電圧発生回路の高インピーダンス部分では浮遊容量が大きな影響を与える。理想的には図5Aのように表される回路が、実際には図5Bに示すように表され、それぞれの電極とグランドとの間の浮遊容量の大きさが異なる。そのため、実質的にアンバランスとなって、前記グランド漏洩電流が流れる。そこで、この発明の目的は、それぞれの電極とグランドとの間の浮遊容量の影響を各電極に接続したインピーダンス素子によりバランスさせ、高周波電圧発生回路の電力供給ラインに流れる不要なグランド漏洩電流を低減し、電気双極子の実効的サイズを増大しないで電力伝送効率の向上された電力送電装置及び電力伝送システムを提供することにある。1この発明の高周波電力装置は次のように構成する。トランスと、給電部である前記トランスの1次コイルに高周波電圧を給電する高周波電圧発生回路と、前記トランスの2次コイルの両端又は2次コイルにつながる回路のうち高電圧が掛かる素子の両端の電圧を所定の電圧比に分圧する分圧回路とを備え、前記分圧回路は、第1のインピーダンス素子および第2のインピーダンス素子の直列回路であり、前記トランスの2次コイルの両端又は2次コイルにつながる回路のうち高電位側につながるインピーダンス素子を第1のインピーダンス素子、前記2次コイルの両端又は2次コイルにつながる回路のうち低電位側につながるインピーダンス素子を第2のインピーダンス素子とし、前記第1のインピーダンス素子のインピーダンスをZa、前記第2のインピーダンス素子のインピーダンスをZpで表すと、前記第2のインピーダンス素子のインピーダンスに対する前記第1のインピーダンス素子のインピーダンスの比Za/Zpが、前記高電位側の第1の等価対接地容量Caに対する、前記低電位側の第2の等価対接地容量Cpの比Cp/Caにほぼ等しい。この構成により、給電部の電位を接地電位に略等しくすることができる。そのため、高周波電圧発生回路の電力供給ラインに不要なグランド漏洩電流が流れにくくなり、不要電磁界の発生漏洩が抑制される。また、双極子サイズが拡大されない。2この発明の電力伝送システムは、に記載の高周波電力装置を有し、互いに誘導結合する電力送電装置および電力受電装置を備えた電力伝送システムにおいて、前記トランスの1次コイルは前記電力送電装置に設けられた電力送電用コイルであり、前記トランスの2次コイルは前記電力受電装置に設けられた電力受電用コイルである。3この発明の電力送電装置は、に記載の高周波電力装置を有し、互いに容量結合する電力送電装置および電力受電装置を備えた電力伝送システムに用いられる電力送電装置おいて、前記高電位側に前記電力送電装置側の容量結合用のアクティブ電極が接続され、前記低電位側に前記電力送電装置側の容量結合用のパッシブ電極が接続されている。4において、例えば前記第1のインピーダンス素子は前記アクティブ電極と前記給電部との間の第1の装荷容量C1であり、前記第2のインピーダンス素子は前記パッシブ電極と前記給電部との間の第2の装荷容量C2である。5において、例えば、前記第1の装荷容量C1は、前記アクティブ電極と前記給電部との間に接続された容量素子と寄生容量との合成容量、又は寄生容量自体であり、電力送電装置側パッシブ電極と前記給電部との間の容量C2は、前記パッシブ電極と前記給電部との間に接続された容量素子と寄生容量との合成容量、又は寄生容量自体であり、前記アクティブ電極と前記給電部との間、又は前記パッシブ電極と前記給電部との間の少なくとも一方に接続される前記容量素子は可変容量素子を含むものとする。この構成により、前記アクティブ電極と前記給電部との間の容量C1及び/又はパッシブ電極と前記給電部との間の容量C2の容量値を調整して、前記C1に対するC2の比を、前記Caに対するCpの比に容易にほぼ等しくできる。6において例えば、前記給電部と前記高周波電圧発生回路の回路グランドとの間に流れるグランド漏洩電流を検出し、検出結果に基づいて、前記可変容量素子の容量を制御する容量制御回路を備える。この構成により、前記容量比を実際の使用環境下で適正な値に調整できる。7~において例えば、前記アクティブ電極と前記パッシブ電極との間にトランスの2次コイルが接続されていて、前記給電部は前記トランスの1次コイルであり、前記トランスの2次コイルは引出端子を備え、前記第1のインピーダンス素子は、前記2次コイルの引出端子と前記アクティブ電極側の端との間の第1のインダクタであり、前記第2のインピーダンス素子は、前記2次コイルの引出端子と前記パッシブ電極側の端との間の第2のインダクタであり、前記第1のインダクタのインダクタンスをLa、前記第2のインダクタのインダクタンスをLpで表すと、La/Lpが、前記第1の等価対接地容量Caに対する前記第2の等価対接地容量Cpの比Cp/Caにほぼ等しい。8また、において前記第2のインダクタの両端電圧を分圧し、分圧出力端を接地する副分圧回路を備える。9において例えば、前記副分圧回路は、前記引出端子と分圧出力端との間に接続された第1の抵抗素子と前記パッシブ電極側の端と前記分圧出力端との間に接続された第2の抵抗素子の直列回路であり、前記第1のインダクタのインダクタンスをLa、前記第2のインダクタのインダクタンスをLpで表し、前記第1の抵抗素子の抵抗値をRa、前記第2の抵抗素子の抵抗値をRpで表すと、LaLp×Ra/RaRpに対する、Lp×Rp/RaRpの比が、前記第2の等価対接地容量Cpに対する前記第1の等価対接地容量Caの比にほぼ等しい。10また、において例えば前記副分圧回路は、前記引出端子と分圧出力端との間に接続された第1のキャパシタと前記パッシブ電極側の端と前記分圧出力端との間に接続された第2のキャパシタの直列接続回路であり、前記第1のインダクタのインダクタンスをLa、前記第2のインダクタのインダクタンスをLpで表し、前記第1のキャパシタのキャパシタンスをCDa、前記第2のキャパシタのキャパシタンスをCDpで表すと、LaLp×CDp/CDaCDpに対する、Lp×CDa/CDaCDpの比が、前記第2の等価対接地容量Cpに対する前記第1の等価対接地容量Caの比にほぼ等しい。11また、において前記給電部と前記高周波電圧を発生する回路の回路グランドとの間の電流を検出する電流検出回路を備え、前記分圧回路は前記前記電流検出回路の検出結果に基づいて分圧比を制御する分圧比制御回路を備える。12本発明の電力伝送システムは、~の何れかに記載の電力送電装置及び電力受電装置を備え、前記電力受電装置は、前記電力受電装置のアクティブ電極と前記電力受電装置のパッシブ電極との間に誘起される電力を受ける負荷回路を備える。この発明によれば、次のような効果を奏する。分圧回路の出力電圧が給電部の電位と一致することにより、給電部の電位を仮想的に接地電位に設定することができ、電力供給ラインへの不要なグランド漏洩電流を低減して、電力送電装置からの不要電磁界の漏洩も抑制できる。《第1の実施形態》第1の実施形態に係る電力伝送システムの構成を図6A,図6B,図6C,図7を参照して説明する。図6Aは第1の実施形態に係る電力伝送システムの回路図、図6Bはその等価回路図、図6Cはさらに簡略化した等価回路図である。電力伝送システム301は、電力送電装置101と電力受電装置201とで構成され、両者は発生電極と起電電極および周囲の誘電性媒質を介して容量結合している。電力送電装置101は、アクティブ電極3、パッシブ電極2、昇圧トランス11、及び高周波電圧発生回路10を備えている。昇圧トランス11の1次コイルは給電部であり、昇圧トランス11は、アクティブ電極3とパッシブ電極2との間に高周波の高電圧を給電する。高周波電圧発生回路10は昇圧トランス11の1次コイルNpに高周波電圧を印加する。昇圧トランス11は、その1次コイルNpに高周波電圧発生回路10からの高周波電圧が印加されることによって、2次コイルNsに高周波高電圧を発生し、アクティブ電極3とパッシブ電極2との間に高周波の高電圧を給電する。高周波電圧発生回路10へは、通常のコンセントからACアダプタなどにより給電される。そのため、電力送電装置の回路グランドは接地グランドアースに強く結合している。トランス11の1次側低圧側と2次側高圧側の間の結合は、理想的にはトランス11の1次コイルNpと2次コイルNsとの間の磁気結合のみである。しかし、実際には、コイル間の静電容量寄生容量や磁性体コアとの間の容量によってもトランス11の1次側と2次側は弱く結合している。図6Aに示すように、パッシブ電極2と回路グランドとは直接DC的に接続していなくて、装荷容量C1,C2で容量結合している。装荷容量C1,C2は構造上存在する取り除けない寄生容量も含まれる。この装荷容量C1,C2は特許請求の範囲に記載の分圧回路に相当する。また、装荷容量C1は第1のインピーダンス素子、装荷容量C2は第2のインピーダンス素子にそれぞれ相当する。電力受電装置201は、アクティブ電極6、パッシブ電極7、及び負荷回路5で構成されている。負荷回路5は、例えば降圧トランスを備え、低抵抗回路が負荷として接続されている。電力送電装置101も電力受電装置201も、それぞれのアクティブ電極3,6、パッシブ電極2,7は非対称形状に形成されている。そして、アクティブ電極3,6に高電圧が掛かり、パッシブ電極2,7に、アクティブ電極3,6に対して相対的に低い低電圧が掛かる。図6Aには表れていないが、アクティブ電極3,6、及びパッシブ電極2,7のそれぞれの表面には絶縁層が形成されていて、導体面が露出しないように構成されている。図6Bは無負荷状態電力受電装置201を載置していない状態での等価回路図である。電力受電装置201を電力送電装置101に載置すれば、等価容量が変化するが、本発明の原理を先ず無負荷状態で説明する。図6Bにおいて、等価対接地容量Caはアクティブ電極3と接地電位間の等価容量第1の等価容量、等価対接地容量Cpはパッシブ電極2と接地電位間の等価容量第2の等価容量である。一方、装荷容量C1はアクティブ電極3と給電部トランス11の1次コイルNpとの間の結合容量、装荷容量C2はパッシブ電極2と給電部との間の結合容量である。高周波電圧発生回路10及びトランス11の1次コイルNpは低インピーダンスであり、その取扱電圧は数10V程度の低電圧であるので、装荷容量C1はアクティブ電極3と回路グランドとの間の容量、装荷容量C2はパッシブ電極2と回路グランドとの間の容量と見なせる。したがって、容量C1,C2,Ca,Cpの接続関係は図6Cに示すように表せる。このように、アクティブ電極3及びパッシブ電極2は接地グランドアースに対して、それぞれ等価的な対接地容量Ca,Cpをもつと考えられる。この等価回路における装荷容量C1,C2の値によって、グランド漏洩電流Igが最小になればよい。図6Cにおいて、トランスの1次コイル中点の電圧V1は、トランスの2次コイルNsの両端電圧Va--Vpが容量C1,C2で容量分圧された電圧である。同様に、容量Ca,Cpの接続点の電圧V2は、トランスの2次コイルNsの両端電圧Va--Vpが容量Ca,Cpで容量分圧された電圧である。V1=V2となるための条件は次のとおりである。C2/C1=Cp/Ca...11式の左辺は、分圧回路の第2のインピーダンス素子C2のインピーダンスZp=1/C2に対する第1のインピーダンス素子C1のインピーダンスZa=1/C1の比Za/Zp=C2/C1である。ここで、等価対接地容量Ca=5pF,Cp=20pF容量比Cp/Ca=4、周波数300kHz、電圧1kVとした場合、図2のようにパッシブ電極2を回路グランドに直接接続した場合のグランド漏洩電流Igは9.4mAである。図7に、装荷容量C1,C2の比率を変化させたときのグランド漏洩電流Igの計算結果を示す。この図7に表れているようにグランド漏洩電流Igの極小値最適値が存在する。つまり、容量比C2/C1=4のときにグランド漏洩電流はゼロになる。この比は等価対接地容量の容量比Cp/Caに一致している。このように、本発明によれば、装荷容量C1,C2を適切に設定することにより、グランド漏洩電流Igを低減することが可能である。実際には、構造に起因する寄生容量や負荷の影響により必ずしも電流を0にすることができるとは限らない。各種摂動により、最適な容量比C2/C1も若干シフトする可能性があるが、各構成に応じて最適な容量比C2/C1を設定すればよい。《第2の実施形態》図8A、図8B、図8Cは、第2の実施形態に係る3つの電力伝送システムの構成例である。いずれも、グランド漏洩電流Igが流れる経路に電流検出容量制御回路12を設けている。電流検出容量制御回路12はグランド漏洩電流Igを検出する回路例えば、抵抗を直列に挿入して、両端電圧を測定する回路と、その検出結果を基に、装荷容量C1,C2の何れか又は両方を変化させる容量制御回路とで構成されている。図8Aの例では、電力送電装置102Aのパッシブ電極2と給電部との間の装荷容量C2を可変容量素子で構成し、電流検出容量制御回路12が装荷容量C2の容量値を制御する。図8Bの例では、電力送電装置102Bのアクティブ電極3と給電部との間の装荷容量C1を可変容量素子で構成し、電流検出容量制御回路12が装荷容量C1の容量値を制御する。図8Cの例では、電力送電装置102Cの前記装荷容量C1,C2共に可変容量素子で構成し、電流検出容量制御回路12が装荷容量C1,C2の容量値をそれぞれ制御する。これらの装荷容量C1,C2の何れか又は両方に可変容量素子を組込む場合、素子の耐圧などを考慮して、挿入位置や容量値を決定すればよい。第2の実施形態によれば、グランド漏洩電流Igを検出し、その電流値が減少するようにフィードバック制御されるので、負荷変動に対する追従制御、周囲環境変動に対する追従制御が可能である。《第3の実施形態》図9Aは第3の実施形態に係る電力送電装置104の主要部を概念的に表した図、図9Bはその等価回路図である。電力送電装置104は、アクティブ電極3、パッシブ電極2、昇圧トランス11、及び高周波電圧発生回路10を備えている。昇圧トランス11の1次コイルは給電部であり、昇圧トランス11は、アクティブ電極3とパッシブ電極2との間に高周波の高電圧を給電する。高周波電圧発生回路10は昇圧トランス11の1次コイルNpに高周波電圧を印加する。昇圧トランス11は、その1次コイルNpに高周波電圧発生回路10からの高周波電圧が印加されることによって、2次コイルNsに高周波高電圧を発生し、アクティブ電極3とパッシブ電極2との間に高周波の高電圧を給電する。トランス11の2次コイルNsには引出端子11Tを備えていて、その引出端子11Tは電力送電装置の回路グランドに接地されている。図9Bにおいて、等価対接地容量Caはアクティブ電極3と接地電位間の等価容量第1の等価容量、等価対接地容量Cpはパッシブ電極2と接地電位間の等価容量第2の等価容量である。また、2次コイルNsのうち、引出端子11Tからアクティブ電極3側までのコイル部分のインダクタンスをLa、引出端子11Tからパッシブ電極2側までのコイル部分のインダクタンスをLpで表すと、引出端子11Tの電圧は、トランス11の2次コイルNsの両端電圧Va--VpがインダクタンスLa,Lpで分圧された電圧である。図9Aに示した2次コイルNsに対する引出端子11Tの引出位置は可変である。この引出位置の設定により、インダクタンスLa,Lpの比が定められる。引出端子11Tは高周波電圧発生回路10のグランドに接続されている。高周波電圧発生回路10のグランドラインを流れるグランド漏洩電流Igが0になるように、インダクタンス比La/Lpが調整される。換言すると、グランド漏洩電流Igが最小になるように、引出端子11Tの引出位置を定めればよい。通常は、このインダクタンス比La/Lpが、次式で表されるように、第1の等価対接地容量Caに対する第2の等価対接地容量Cpの比にほぼ等しければ、グランド漏洩電流Igが最小になる。La/Lp=Cp/Ca...3《第4の実施形態》図10Aは第4の実施形態に係る電力送電装置105の主要部を概念的に表した図、図10Bはその等価回路図である。電力送電装置105は、アクティブ電極3、パッシブ電極2、昇圧トランス11、及び高周波電圧発生回路10を備えている。昇圧トランス11の1次コイルは給電部であり、昇圧トランス11は、アクティブ電極3とパッシブ電極2との間に高周波の高電圧を給電する。高周波電圧発生回路10は昇圧トランス11の1次コイルNpに高周波電圧を印加する。昇圧トランス11は、その1次コイルNpに高周波電圧発生回路10からの高周波電圧が印加されることによって、2次コイルNsに高周波高電圧を発生し、アクティブ電極3とパッシブ電極2との間に高周波の高電圧を給電する。トランス11の2次コイルNsには引出端子11Tを備えていて、その引出端子11Tとパッシブ電極2との間に副分圧回路14が設けられている。この副分圧回路14の出力は電力送電装置の回路グランドに接地されている。副分圧回路14は、図10Bに示す例では可変抵抗素子である。2次コイルNsのうち、引出端子11Tからアクティブ電極3側までのコイル部分のインダクタンスをLa、引出端子11Tからパッシブ電極2側までのコイル部分のインダクタンスをLpで表し、可変抵抗素子の引出端子11T側の端と出力端子14Tとの間の抵抗値をRa、出力端子14Tとパッシブ電極2側の端との間の抵抗値をRpで表すと、2次コイルNsと副分圧回路14による分圧比は、{Lp×Rp/RaRp}/{LaLp×Ra/RaRp}である。したがって、次式の関係が成り立つときグランド漏洩電流Igが最小になる。Ca/Cp={Lp×Rp/RaRp}/{LaLp×Ra/RaRp}...4《第5の実施形態》図11Aは第5の実施形態に係る電力送電装置106の主要部を概念的に表した図、図11Bはその等価回路図である。第5の実施形態は、トランス11の2次コイルNsの引出端子の位置が固定されている点とこの引出端子とパッシブ電極2との間に副分圧回路が設けられた点で第4の実施形態と同様である。第5の実施形態の副分圧回路は、固定容量第1のキャパシタCDaと可変容量第2のキャパシタCDpの直列回路である。この固定容量と可変容量の接続点が電力送電装置の回路グランドに接地されている。2次コイルNsのうち、引出端子11Tからアクティブ電極3側までのコイル部分のインダクタンスをLa、引出端子11Tからパッシブ電極2側までのコイル部分のインダクタンスをLpで表し、固定容量CDaのキャパシタンスをCDa、可変容量CDpのキャパシタンスをCDpで表すと、2次コイルNsと副分圧回路による分圧比は、{Lp×CDa/CDaCDp}/{LaLp×CDp/CDaCDp}である。したがって、次式の関係が成り立つときグランド漏洩電流Igが最小になる。Ca/Cp={Lp×CDa/CDaCDp}/{LaLp×CDp/CDaCDp}...5《第6の実施形態》図12は第6の実施形態に係る電力送電装置107の主要部を概念的に表した図である。第6の実施形態は、トランス11の2次コイルNsの引出端子の位置が固定されている点とこの引出端子とパッシブ電極2との間に副分圧回路が設けられた点で第4第5の実施形態と同様である。第6の実施形態の副分圧回路14は、ダイオードDa、キャパシタCDp、及びオペアンプ16を備えている。このオペアンプ16の出力端が電力送電装置の回路グランドに接地されている。グランド漏洩電流Igが流れる経路には電流検出回路15が設けられている。この電流検出回路15は例えばコモンモードリジェクションコイル素子であり、コモンモードリジェクションコイル素子を通ってグランド漏洩電流が流れることにより、結果的に生じるジェネレータを供給する2本の電力線を横切って微小なコモンモード電流を出力するように構成されている。コモンモードリジェクションコイルは、磁性体コアに巻回された第1第2の巻線からなり、差動電流が磁場を打ち消し、そして、コモンモード電流を検出する特別な第3の巻線を備えている。オペアンプ16は電流検出回路15の出力電圧を差動増幅することによって出力電圧を制御する。オペアンプ16はキャパシタCDpの充電電圧を電源電圧として動作する。したがって、オペアンプ16の出力電位は、[パッシブ電極2の電位]を最低電位、[パッシブ電極2の電位キャパシタCDpの電圧]を最高電位とする電圧レンジ内で変化する。このオペアンプ16の動作によって副分圧回路14は分圧比可変の分圧回路として作用する。そして、グランド漏洩電流Igが0に近づくようにフィードバック制御される。このようにして、給電部の電位を接地電位に略等しくすることができる。そのため、高周波電圧発生回路の電力供給ラインに不要なグランド漏洩電流が流れにくくなり、不要電磁界結合が抑制される。また、電気双極子サイズが拡大されないので高効率の電力伝送ができる。《第7の実施形態》第7の実施形態では、以上に示した各実施形態における電力受電装置201の内部に備えられている負荷回路5の具体例を示す。図13は第7の実施形態に係る電力受電装置201の回路図である。負荷回路5は整流平滑回路30及び低電圧回路部29を備えている。整流平滑回路30は、降圧トランスT、整流ダイオードD1,D2及び平滑コンデンサCを備えている。トランスTの一次巻線の一端はアクティブ電極6に接続され、他端はパッシブ電極7に接続されている。トランスTの二次巻線には整流ダイオードD1,D2及び平滑コンデンサCによる全波整流回路が構成されている。前記整流平滑回路30には共振回路を構成してもよい。又は整流平滑回路30の前段又は後段に共振回路を設けてもよい。この例では電力受電装置201は非接触充電装置を構成していて、低電圧回路部29は、整流平滑回路30によって整流平滑された電圧を電源にして動作する制御回路31及び二次電池32を備えている。制御回路31は二次電池32の充電制御及び二次電池32を電源にして充電制御及びその他の所定の回路動作を行う。《第8の実施形態》第8の実施形態では、トランスを備えた高周波電力装置の例を示す。図14は高周波電力装置の主要部の回路図である。高周波電圧発生回路10はトランス11の1次コイルNpに高周波電圧を印加する。トランス11は、その1次コイルNpに高周波電圧発生回路10からの高周波電圧が印加されることによって、2次コイルNsに高周波電圧を発生する。そして、負荷回路5に2次コイルNsの高周波電圧が印加される。図14において、等価対接地容量Caはトランス11の2次コイルNsの高電位側と接地電位間の等価容量第1の等価容量、等価対接地容量Cpは2次コイルNsの低電位側と接地電位間の等価容量第2の等価容量である。一方、装荷容量C1は2次コイルNsの高電位側と給電部トランス11の1次コイルNpとの間の結合容量、装荷容量C2は2次コイルNsの低電位側と給電部との間の結合容量である。このように、トランスを備えた高周波電力装置において、トランスの2次コイルの高電位側及び低電位側と接地グランドアースとの間の等価的な対接地容量Ca,Cpに応じて、グランド漏洩電流Igが最小になるように前記装荷容量C1,C2を定めればよい。そのための条件は1式で示したとおりである。《第9の実施形態》第9の実施形態ではトランスを備えた電界発生装置の例を示す。図15は電界発生装置の回路図である。高周波電圧発生回路10はトランス11の1次コイルNpに高周波電圧を印加する。トランス1の2次コイルNsには電界発生用の対向電極が接続されている。図15において、等価対接地容量Caはトランス11の2次コイルNsの高電位側前記対向電極の一方と接地電位間の等価容量、等価対接地容量Cpは2次コイルNsの低電位側前記対向電極の他方と接地電位間の等価容量である。一方、装荷容量C1は2次コイルNsの高電位側と給電部トランス11の1次コイルNpとの間の結合容量、装荷容量C2は2次コイルNsの低電位側と給電部との間の結合容量である。このように、トランスを備えた高周波電力装置において、トランスの2次コイルの高電位側及び低電位側と接地グランドアースとの間の等価的な対接地容量Ca,Cpに応じて、グランド漏洩電流Igが最小になるように前記装荷容量C1,C2を定めればよい。そのための条件は1式で示したとおりである。《第10の実施形態》第10の実施形態では容量結合型の電力伝送システムの例を示す。図16は共振回路同士が容量結合して電力伝送する電力伝送システムの回路図である。この電力伝送システムは電力送電装置108と電力受電装置208とで構成されている。電力送電装置108と電力受電装置208はそれぞれ発生電極および起電電極を構成するパッシブ電極とアクティブ電極を備えて、電力送電装置108のアクティブ電極と電力受電装置208のアクティブ電極とが強い場の領域に囲まれている。電力送電装置108の容量Csと電力受電装置208の容量Crとが発生電極と起電電極および周囲の誘電性媒質を介して容量結合している。ここで、結合係数kは相互容量CMとCs、Crを用いて次式であらわされる。kCM√容量Cs,Crは、トランス11の二次コイルNsと,トランス17の一次コイルに並列に接続される容量である。トランス11の2次コイルNsと容量Csとによる共振回路の共振周波数と、トランス17の1次コイルNpと容量Crとによる共振回路の共振周波数とはほぼ等しく設定されていて、互いに共振状態で容量結合する。図16において、電力送電装置108の等価対接地容量Caはトランス11の2次コイルNsの高電位側に接続されるアクティブ電極と接地電位間の等価容量、等価対接地容量Cpは2次コイルNsの低電位側に接続されるパッシブ電極と接地電位間の等価容量である。装荷容量C1は2次コイルNsの高電位側と給電部トランス11の1次コイルNpとの間の結合容量、装荷容量C2は2次コイルNsの低電位側と給電部との間の結合容量である。このように、共振回路を構成する容量結合型電力伝送システムにおいて、トランスの2次コイルの高電位側及び低電位側と接地グランドアースとの間の等価的な対接地容量Ca,Cpに応じて、グランド漏洩電流Igが最小になるように前記装荷容量C1,C2を定めればよい。そのための条件は1式で示したとおりである。《第11の実施形態》第11の実施形態では誘導結合型の電力伝送システムの例を示す。図17に示す電力伝送システムは電力送電装置109と電力受電装置209とで構成されている。電力送電装置109は電力送電用コイルNp、電力受電装置209は電力受電用コイルNsをそれぞれ備えて、これらのコイル同士が磁界で結合する。電力受電装置209の等価対接地容量Caは電力受電用コイルNsの高電位側と接地電位間の等価容量、等価対接地容量Cpは電力受電用コイルNsの低電位側と接地電位間の等価容量である。装荷容量C1は電力受電用コイルNsの高電位側と給電部電力送電装置の電力送電用コイルNpとの間の結合容量、装荷容量C2は電力受電用コイルNsの低電位側と給電部との間の結合容量である。このように、共振回路を構成する誘導結合型電力伝送システムにおいて、電力受電用コイルNsの高電位側及び低電位側と接地グランドアースとの間の等価的な対接地容量Ca,Cpに応じて、グランド漏洩電流Igが最小になるように前記装荷容量C1,C2を定めればよい。そのための条件は1式で示したとおりである。《第12の実施形態》第12の実施形態では誘導結合型の電力伝送システムにおいてグランド漏洩電流Igが最小になるように装荷容量C2を自動調整するようにした例である。図18に示す電力伝送システムは電力送電装置110と電力受電装置210とで構成されている。電力送電装置110は電力送電用コイルNp、電力受電装置210は電力受電用コイルNsをそれぞれ備えて、これらのコイル同士が磁界で結合する。また、電力送電装置110には電極18、電力受電装置210には電極19が形成されていて、両者の対向によって、容量を生じさせる。電力送電装置110には前記電極と電力送電用コイルNpの低電位側との間に可変容量CC2が設けられている。また、グランド漏洩電流Igが流れる経路に電流検出容量制御回路12が設けられている。この電流検出容量制御回路12はグランド漏洩電流Igを検出する回路と、その検出結果を基に、可変容量CC2を変化させる容量制御回路とで構成されている。このように、誘導結合型の電力伝送システムにおいても、装荷容量をフィードバック制御して、グランド漏洩電流Igを常に低減することができる。《第13の実施形態》第13の実施形態では磁界共鳴による電力伝送システムの例を示す。図19に示す電力伝送システムは電力送電装置111と電力受電装置211とで構成されている。電力送電装置111は、高周波電圧発生回路10、トランス11を備え,トランス11の2次コイルNsに、電力送電用コイルである共振コイルLsおよび共振コンデンサCsが接続されている。電力受電装置211は電力受電用コイルである共振コイルLr、共振コンデンサCr、トランス17、負荷回路5を備えている。電力送電装置111のトランス11の2次コイルNs、共振コイルLs、および共振コンデンサCsは共振回路を構成している。また、電力受電装置211のトランス17の1次コイルNp、共振コイルLr、および共振コンデンサCrは共振回路を構成している。この電力送電装置111側の共振回路と電力受電装置211側の共振回路とが結合して磁界共鳴で結合する。電力送電装置111のトランス11の2次コイルNsにつながる回路共振回路のうち共振コンデンサCsの両端に高電圧が掛かる。この共振コンデンサCsの高電位側につながる第1のインピーダンス素子である装荷容量C1と、共振コンデンサCsの低電位側につながる第2のインピーダンス素子である装荷容量C2とで分圧回路を構成している。そして、共振コンデンサCsの高電位側と接地との間に等価対接地容量Caが生じ、共振コンデンサCsの低電位側と接地との間に等価対接地容量Cpが生じる。このように、磁界共鳴による電力伝送システムにおいても、共振コンデンサCsの高電位側及び低電位側と接地グランドアースとの間の等価的な対接地容量Ca,Cpに応じて、グランド漏洩電流Igが最小になるように前記装荷容量C1,C2を定めればよい。そのための条件は1式で示したとおりである。《第14の実施形態》第14の実施形態では磁界共鳴による電力伝送システムの電力受電装置側においてグランド漏洩電流を抑制する例を示す。図20に示す電力伝送システムは電力送電装置111と電力受電装置212とで構成されている。電力送電装置111の構成は図19に示したものと同じである。電力受電装置212は電力受電用コイルである共振コイルLr、共振コンデンサCr、トランス17、負荷回路5を備えている。電力受電装置212のトランス17の1次コイルNpにつながる回路共振回路のうち共振コンデンサCrの両端に高電圧が掛かる。この共振コンデンサCrの高電位側につながる第1のインピーダンス素子である装荷容量C1’と、共振コンデンサCrの低電位側につながる第2のインピーダンス素子である装荷容量C2’とで分圧回路を構成している。そして、共振コンデンサCrの高電位側と接地との間に等価対接地容量Ca’が生じ、共振コンデンサCrの低電位側と接地との間に等価対接地容量Cp’が生じる。このように、磁界共鳴による電力伝送システムの受電装置側においても、共振コンデンサCrの高電位側及び低電位側と接地グランドアースとの間の等価的な対接地容量Ca’,Cp’に応じて、グランド漏洩電流Igが最小になるように前記装荷容量C1’,C2’を定めればよい。そのための条件は1式で示したとおりである。《他の実施形態》以上に示したいつかの実施形態のうち容量結合型の電力伝送システムおよびその電力受電装置の例では、電力受電装置201のパッシブ電極7を電力送電装置から離れた位置に配置したが、電力受電装置201のパッシブ電極の形状はこれに限らない。例えば、パッシブ電極7が負荷回路5の周囲を囲むとともに、アクティブ電極6の近傍を開口させた形状にしてもよい。"