ai第一送信情報をエンコードするように変調された光入力信号を受信し、ii前記光入力信号応じて、前記第一送信情報をエンコードするように変調された電気出力信号を生成するように配置された光検出器;bi第二送信情報をエンコードするように変調された電気入力信号を受信し、ii前記電気入力信号応じて、前記第二送信情報をエンコードするように変調された光出力信号を生成するように配置された光源であって、前記電気入力信号を受信する第一及び第二電気リードを有する光源;及びc前記電気入力信号の第一部分を前記光源の前記第一電気リードへ印加し、前記電気入力信号の第二部分を前記光源の前記第二電気リードへ印加するように配置された駆動回路を有し、前記電気入力信号の前記第二部分は、前記電気入力信号の前記第一部分の伸縮、反転された実質的レプリカである、双方向光電子装置。前記光源はレーザーダイオードから構成され、前記第一電気リードは前記レーザーダイオードの陰極から構成され、また前記第二電気リードは前記レーザーダイオードの陽極から構成される請求項1に記載の装置。前記電気入力信号は一つまたは複数の振幅変調RFキャリア信号、あるいは一つまたは複数のベースバンドデジタル振幅変調信号から構成される請求項1に記載の装置。前記電気出力信号は一つまたは複数の振幅変調RFキャリア信号、あるいは一つまたは複数のベースバンドデジタル振幅変調信号から構成される請求項1に記載の装置。前記光検出器はトランスインピーダンス増幅器と結合している請求項1に記載の装置。前記光検出器はpinフォトダイオードまたはアバランシェフォトダイオードから構成される請求項1に記載の装置。前記電気入力信号の前記第一部分に対する前記電気入力信号の前記第二部分の選択された倍率は、前記光検出器によって示される最小クロストークペナルティをもたらす請求項1に記載の装置。前記電気入力信号の前記第一部分に対する前記電気入力信号の前記第二部分の倍率は約1である請求項1に記載の装置。前記電気入力信号の前記第一部分と前記第二部分は互いに電気入力信号オフセット分だけ異なる請求項1に記載の装置。前記電気入力信号は前記光源とAC結合している請求項1に記載の装置。前記電気入力信号は前記光源とDC結合している請求項1に記載の装置。更に、前記光検出器と前記光源を封止するように配置された保護封止材料を有し、該保護封止材料は中空誘電微小球体を含み、該中空誘電微小球体は、前記保護封止材料中に存在する好ましくない電気信号から生ずるクロストークペナルティを、前記保護封止材料中に前記中空誘電微小球体を含まない前記双方向装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記保護封止材料の体積中に分散される、請求項1に記載の装置。前記封止材料は更に光吸収体を含み、該光吸収体は、前記封止材料中に存在する好ましくない光信号から生ずるクロストークペナルティを、前記封止材料中に前記光吸収体を含まない前記光電子装置によって示されるものよりも低いレベルに低減するように、前記封止材料の体積中に分散される、請求項12に記載の装置。前記光吸収体は、封止材料の減衰係数κが光電子装置の動作波長域に対して約1cm-1から約200cm-1の範囲となる量が存在する請求項13に記載の装置。前記光吸収体は前記封止材料中に分散された炭素粒子から構成される請求項13に記載の装置。前記封止材料は重量で約0.1から約2の炭素粒子を有する請求項15に記載の装置。前記誘電微小球体は、前記封止材料の誘電率が約1.7から約2.5の範囲となる量が存在する請求項12または13に記載の装置。前記誘電微小球体は、前記誘電微小球体を含む前記封止材料の平均誘電率が前記誘電微小球体を含まない前記封止材料の誘電率よりも約25から約50低くなる量が存在する請求項12または13に記載の装置。前記封止材料は体積で約25から約50の前記誘電微小球体を有する請求項12または13に記載の装置。前記誘電微小球体は約40μmから約70μmの範囲の中央径を有する請求項12または13に記載の装置。前記中空誘電微小球体は中空シリカ微小球体から構成される請求項12または13に記載の装置。前記封止材料はシリコーン、エポキシ、あるいはポリウレタンポリマーから構成される請求項12または13に記載の装置。前記光電子装置内の自由光路の一つまたは複数の区分を満たし、前記保護封止材料の下の前記光電子装置の部分を封止するように配置された光封止材料を、更に有する請求項12または13に記載の装置。前記光源と前記光検出器は、共通の基板上に互いに約2mm以内に配置された請求項1、12または13に記載の装置。前記光源と前記光検出器は、端から端の寸法が約10mm未満の共通の基板上に配置された請求項1、12または13に記載の装置。前記光源に印加される前記電気入力信号あるいは前記光源から発する前記光出力信号に対する前記光検出器の感度は、前記光源に印加される電気入力信号及び前記光源から発する光出力信号がない場合の前記光検出器の感度の約3dB以内である請求項1、12または13に記載の装置。前記光検出器は約3dBより小さいクロストークペナルティを示す請求項1、12または13に記載の装置。導波路基板;前記基板上の一層または複数の光導波路層のセット;一層または複数の光導波路層に形成された一つまたは複数の光導波路であって、それぞれの光導波路は対応する光導波モードを二つの左右面に実質上閉じ込めるように配置され、前記光源は前記基板上あるいは一層または複数の導波路層上に配置され、また前記光出力信号の第一部分が、対応する前記光導波モードの前記光導波路の一つに沿って伝播するように出射するよう配置される、前記一つまたは複数の光導波路;前記光導波路層に形成された一つまたは複数の集光器であって、それぞれの集光器は前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングを有する、前記一つまたは複数の集光器;及び前記光導波路層に形成された一つまたは複数のライトトラップであって、それぞれのライトトラップは前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングを有する、前記一つまたは複数のライトトラップとを更に有し、それぞれのライトトラップの側面は前記光導波路の対応する螺旋領域を規定するように配置され、該領域は前記ライトトラップの開口部及び閉口端を含み;そしてそれぞれの集光器の前記側面は前記光出力信号の第二部分の対応する部分が一つのライトトラップの開口部の中へ伝播するように方向を変えるよう配置され、該光出力信号の第二部分は、対応する前記光導波モードのいかなる光導波路による閉じ込めもなく、一層または複数の光導波路層の前記光源から伝播する、請求項1、12または13に記載の装置。前記基板はシリコンまたはドープシリコンから構成され、それぞれの光導波路層はシリカ、ドープシリカ、窒化シリコン、またはシリコン酸窒化物から構成される請求項28に記載の装置。前記光源はレーザーダイオードまたは発光ダイオードから構成される請求項28に記載の装置。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面は一層または複数の前記光導波路層のエッチング端から構成される請求項28に記載の装置。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面の前記実質上不透明のコーティングは金属層を含む請求項28に記載の装置。前記金属層は吸収性を有する請求項32に記載の装置。前記金属層は反射性を有する請求項32に記載の装置。前記金属層は吸収性を有し、前記実質上不透明のコーティングは前記側面と前記金属層の間に反射抑制層を含む請求項32に記載の装置。一つまたは複数の前記集光器の前記側面は、前記光源から発散する前記光信号の前記第二部分の対応する部分が、前記ライトトラップの一つに向けて収束するように方向を変えるよう、湾曲している請求項28に記載の装置。前記集光器の前記湾曲側面は、楕円の一つの焦点が前記光源にあり、前記楕円のもう一つの焦点が対応する前記ライトトラップの開口にある、前記楕円の一部によって近似される請求項36に記載の装置。一つまたは複数の前記集光器は一つまたは複数の実質上平らな側面を有し、前記光信号の前記第二部分の対応する部分が前記平らな側面による二回あるいはそれ以上の連続的な反射によって方向を変えるように配置されている請求項28に記載の装置。前記光信号の前記第一部分を導く前記光導波路は湾曲区分を含み、前記湾曲区分の手前では第一集光器と第二集光器の間を通るように配置され、前記湾曲区分の後では前記第一集光器と前記ライトトラップの前記開口部の間を通るように配置され、前記第二集光器は、前記光導波路層を経由する、前記第一集光器と前記ライトトラップの前記開口部の間に位置する前記光源からのほとんど全ての直線伝播経路を実質的に遮断するように、配置された請求項28に記載の装置。前記螺旋領域は約180°より大きい弧を成す請求項28に記載の装置。前記螺旋領域の少なくとも一部は角状螺旋領域である請求項28に記載の装置。前記光源と前記光検出器は、共通の基板上に互いに約2mm以内に配置された請求項28に記載の装置。前記光源と前記光検出器は、端から端の寸法が約10mm未満の共通の基板上に配置された請求項28に記載の装置。前記光源に加えられる前記電気入力信号あるいは前記光源から発する前記光出力信号に対する前記光検出器の感度は、前記光源に加えられる電気入力信号及び前記光源から発する光出力信号がない場合の前記光検出器の感度の約3dB以内である請求項28に記載の装置。前記光検出器は約3dBより小さいクロストークペナルティを示す請求項28に記載の装置。a第一送信情報をエンコードするように変調された光入力信号を光検出器で受信し、また前記光入力信号応じて、前記光検出器で前記第一送信情報をエンコードするように変調された電気出力信号を生成する工程;b第二送信情報をエンコードするように変調された電気入力信号を、前記電気入力信号を受信する第一及び第二電気リードを有する光源で受信し、また前記電気入力信号に応じて、前記光源で前記第二送信情報をエンコードするように変調された光出力信号を生成する工程;及びc駆動回路によって前記電気入力信号の第一部分を前記光源の前記第一電気リードへ印加し、また前記駆動回路によって前記電気入力信号の前記第一部分の伸縮、反転された実質的レプリカである前記電気入力信号の第二部分を前記光源の前記第二電気リードへ印加する工程を有する方法。前記光源はレーザーダイオードから構成され、前記第一電気リードは前記レーザーダイオードの陰極から構成され、また前記第二電気リードは前記レーザーダイオードの陽極から構成される請求項46に記載の方法。前記電気入力信号は一つまたは複数の振幅変調RFキャリア信号、あるいは一つまたは複数のベースバンドデジタル振幅変調信号から構成される請求項46に記載の方法。前記電気出力信号は一つまたは複数の振幅変調RFキャリア信号、あるいは一つまたは複数のベースバンドデジタル振幅変調信号から構成される請求項46に記載の方法。前記光検出器はトランスインピーダンス増幅器と結合している請求項46に記載の方法。前記光検出器はpinフォトダイオードまたはアバランシェフォトダイオードから構成される請求項46に記載の方法。前記電気入力信号の前記第一部分に対する前記電気入力信号の前記第二部分の選択された倍率は、前記光検出器によって示される最小クロストークペナルティをもたらす請求項46に記載の方法。前記選択された倍率を決定する最適化工程を実行する工程を、更に含む請求項52に記載の方法。前記電気入力信号の前記第一部分に対する前記電気入力信号の前記第二部分の倍率は約1である請求項46に記載の方法。前記電気入力信号の前記第一部分と前記第二部分は互いに電気入力信号オフセット分だけ異なる請求項46に記載の方法。前記電気入力信号は前記光源とAC結合している請求項46に記載の方法。前記電気入力信号は前記光源とDC結合している請求項46に記載の方法。保護封止材料は前記光検出器と前記光源を封止するように配置され、該保護封止材料は中空誘電微小球体を含み、該中空誘電微小球体は、前記保護封止材料中に存在する好ましくない電気信号から生ずるクロストークペナルティを、前記保護封止材料中に前記中空誘電微小球体を含まない前記双方向装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記保護封止材料の体積中に分散される、請求項46に記載の方法。前記封止材料は更に光吸収体を含み、該光吸収体は、前記封止材料中に存在する好ましくない光信号から生ずるクロストークペナルティを、前記封止材料中に前記光吸収体を含まない前記光電子装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記封止材料の体積中に分散される、請求項58に記載の方法。前記光吸収体は、封止材料の減衰係数κが前記光電子装置の動作波長域に対して約1cm-1から約200cm-1の範囲となる量が存在する請求項59に記載の方法。前記光吸収体は前記封止材料中に分散された炭素粒子から構成される請求項59に記載の方法。前記封止材料は重量で約0.1から約2の炭素粒子を含む請求項61に記載の方法。前記誘電微小球体は、前記封止材料の誘電率が約1.7から約2.5の範囲となる量が存在する請求項58または59に記載の方法。前記誘電微小球体は、前記誘電微小球体を含む前記封止材料の平均誘電率が、前記誘電微小球体を含まない前記封止材料の誘電率よりも約25から約50低くなる量が存在する請求項58または59に記載の方法。前記封止材料は体積で約25から約50の前記誘電微小球体を含む請求項58または59に記載の方法。前記誘電微小球体は約40μmから約70μmの範囲の中央径を有する請求項58または59に記載の方法。前記中空誘電微小球体は中空シリカ微小球体から構成される請求項58または59に記載の方法。前記封止材料はシリコーン、エポキシ、あるいはポリウレタンポリマーから構成される請求項58または59に記載の方法。前記光電子装置内の自由光路の一つまたは複数の区分を満たし、前記保護封止材料の下の前記光電子装置の部分を封止するように配置された光封止材料を、更に有する請求項58または59に記載の方法。前記光源と前記光検出器は、共通の基板上に互いに約2mm以内に配置された請求項46、58または59に記載の方法。前記光源と前記光検出器は、端から端の寸法が約10mm未満の共通の基板上に配置された請求項46、58または59に記載の方法。前記光源に印加される前記電気入力信号あるいは前記光源から発する前記光出力信号に対する前記光検出器の感度は、前記光源に印加される電気入力信号及び前記光源から発する光出力信号がない場合の前記光検出器の感度の約3dB以内である請求項46、58または59に記載の方法。前記光検出器は約3dBより小さいクロストークペナルティを示す請求項46、58または59に記載の装置。一つまたは複数の光導波路が導波路基板上の一層または複数の光導波路層に形成され、それぞれの光導波路は対応する光導波モードを二つの左右面に実質上閉じ込めるように配置され;前記光源は、前記基板上あるいは一層または複数の導波路層に配置され、また前記光出力信号の第一部分が対応する前記光導波モードの前記光導波路の一つに沿って伝播するように出射するよう、配置され;一つまたは複数の集光器が前記光導波路層に形成され、それぞれの集光器は前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングから構成され;一つまたは複数のライトトラップが前記光導波路層に形成され、それぞれのライトトラップは前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングから構成され;それぞれのライトトラップの側面は前記光導波路の対応する螺旋領域を規定するように配置され、該領域は前記ライトトラップの開口部及び閉口端を含み;そしてそれぞれの集光器の前記側面は、前記光出力信号の第二部分の対応する部分が一つのライトトラップの開口部の中へ伝播するように方向を変えるよう、配置され、前記光出力信号の該第二部分は、対応する前記光導波モードのいかなる光導波路による閉じ込めもなく、一層または複数の前記光導波路層における前記光源から伝播する、請求項46、58または59に記載の方法。前記基板はシリコンまたはドープシリコンから構成され、それぞれの光導波路層はシリカ、ドープシリカ、窒化シリコン、またはシリコン酸窒化物から構成される請求項74に記載の方法。前記光源はレーザーダイオードまたは発光ダイオードから構成される請求項74に記載の方法。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面は一層または複数の前記光導波路層のエッチング端から構成される請求項74に記載の方法。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面の前記実質上不透明のコーティングは金属層を含む請求項74に記載の方法。前記金属層は吸収性を有する請求項78に記載の方法。前記金属層は反射性を有する請求項78に記載の方法。前記金属層は吸収性を有し、前記実質上不透明のコーティングは前記側面と前記金属層の間に反射抑制層を含む請求項78に記載の方法。一つまたは複数の前記集光器の前記側面は、前記光源から発散する前記光信号の前記第二部分の対応する部分が前記ライトトラップの一つに向けて収束するように方向を変えるよう、湾曲している請求項74に記載の方法。前記集光器の前記湾曲側面は、楕円の一つの焦点が前記光源にあり前記楕円のもう一つの焦点が対応する前記ライトトラップの開口にある、前記楕円の一部によって近似される請求項82に記載の方法。一つまたは複数の前記集光器は一つまたは複数の実質上平らな側面から構成され、前記光信号の前記第二部分の対応する部分が前記平らな側面による二回あるいはそれ以上の連続的な反射によって方向を変えるように配置されている請求項74に記載の方法。前記光信号の前記第一部分を導く前記光導波路は湾曲区分を含み、前記湾曲区分の手前では第一集光器と第二集光器の間を通るように配置され、前記湾曲区分の後では前記第一集光器と前記ライトトラップの前記開口部の間を通るように配置され、前記第二集光器は、前記光導波路層を経由する、前記第一集光器と前記ライトトラップの前記開口部の間に位置する前記光源からのほとんど全ての直線伝播経路を実質的に遮断するように、配置される請求項74に記載の方法。前記螺旋領域は約180°より大きい弧を成す請求項74に記載の方法。前記螺旋領域の少なくとも一部は角状螺旋領域である請求項74に記載の方法。前記光源と前記光検出器は、共通の基板上に互いに約2mm以内に配置された請求項74に記載の方法。前記光源と前記光検出器は、端から端の寸法が約10mm未満の共通の基板上に配置された請求項74に記載の方法。前記光源に印加される前記電気入力信号あるいは前記光源から発する前記光出力信号に対する前記光検出器の感度は、前記光源に印加される電気入力信号及び前記光源から発する光出力信号がない場合の前記光検出器の感度の約3dB以内である請求項74に記載の方法。前記光検出器は約3dBより小さいクロストークペナルティを示す請求項74に記載の方法。二つまたはそれ以上の光電子部品;及び前記光電子部品を封止するように配置された保護封止材料を有し、それぞれの光電子部品は:ai対応する送信情報をエンコードするように変調された対応する光入力信号を受信するように、またii対応する前記光入力信号応じて、対応する前記送信情報をエンコードするように変調された対応する電気出力信号を生成するように配置された光検出器;またはbi対応する送信情報をエンコードするように変調された対応する電気入力信号を受信するように、またii対応する前記電気入力信号応じて、対応する前記送信情報をエンコードするように変調された対応する光出力信号を生成するように配置された光源を有し、また前記保護封止材料は中空誘電微小球体を含み、該中空誘電微小球体は、前記保護封止材料中に存在する好ましくない電気信号から生ずるクロストークペナルティを、前記保護封止材料中に前記中空誘電微小球体を含まない多チャンネル装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記保護封止材料の体積中に分散される、多チャンネル光電子装置。ai第一送信情報をエンコードするように変調された光入力信号を受信するように、またii前記光入力信号応じて、前記第一送信情報をエンコードするように変調された電気出力信号を生成するように配置された光検出器、を有する第一光電子部品;bi第二送信情報をエンコードするように変調された電気入力信号を受信するように、またii前記電気入力信号応じて、前記第二送信情報をエンコードするように変調された光出力信号を生成するように配置され、前記電気入力信号を受信する第一及び第二電気リードを備えた光源、を有する第二光電子部品;及びc前記光検出器と前記光源を封止するように配置された保護封止材料であって、該保護封止材料は中空誘電微小球体を含み、該中空誘電微小球体は、前記保護封止材料中に存在する好ましくない電気信号から生ずるクロストークペナルティが、前記保護封止材料中に前記中空誘電微小球体を含まない前記双方向光電子装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記保護封止材料の体積中に分散される保護封止材料、を有する双方向光電子装置。前記誘電微小球体は、前記封止材料の誘電率が約1.7から約2.5の範囲となる量が存在する請求項92または93に記載の装置。前記誘電微小球体は、前記誘電微小球体を含む前記封止材料の平均誘電率が、前記誘電微小球体を含まない前記封止材料の誘電率よりも約25から約50低くなる量が存在する請求項92または93に記載の装置。前記封止材料は体積で約25から約50の前記誘電微小球体を含む請求項92または93に記載の装置。前記誘電微小球体は約40μmから約70μmの範囲の中央径を有する請求項92または93に記載の装置。前記中空誘電微小球体は中空シリカ微小球体から構成される請求項92または93に記載の装置。前記封止材料はシリコーン、エポキシ、あるいはポリウレタンポリマーから構成される請求項92または93に記載の装置。前記光電子部品は、共通の基板上に互いに約2mm以内に配置された請求項92または93に記載の装置。前記光電子部品は、端から端の寸法が約10mm未満の共通の基板上に配置された請求項92または93に記載の装置。前記光電子装置内の自由光路の一つまたは複数の区分を満たし、前記保護封止材料の下の前記光電子装置の部分を封止するように配置された光封止材料を、更に有する請求項92または93に記載の装置。前記保護封止材料は更に光吸収体を含み、該光吸収体は、前記保護封止材料中に存在する好ましくない光信号から生ずるクロストークペナルティを、前記保護封止材料中に前記光吸収体を含まない前記光電子装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記保護封止材料の体積中に分散される、請求項92または93に記載の装置。前記光源及び前記光検出器は、共通の基板上に互いに約2mm以内に配置された請求項103に記載の装置。前記光源及び前記光検出器は、端から端の寸法が約10mm未満の共通の基板上に配置された請求項103に記載の装置。前記光源に印加される前記電気入力信号あるいは前記光源から発する前記光出力信号に対する前記光検出器の感度は、前記光源に印加される電気入力信号及び前記光源から発する光出力信号がない場合の前記光検出器の感度の約3dB以内である請求項103に記載の方法。前記光検出器は約3dBより小さいクロストークペナルティを示す請求項103に記載の装置。前記光電子装置内の自由光路の一つまたは複数の区分を満たし、前記保護封止材料の下の前記光電子装置の部分を封止するように配置された光封止材料を更に有する請求項103に記載の装置。前記光吸収体は、封止材料の減衰係数κが前記光電子装置の動作波長域に対して約1cm-1から約200cm-1の範囲となる量が存在する請求項103に記載の装置。前記光吸収体は前記封止材料中に分散された炭素粒子から構成される請求項103に記載の装置。前記封止材料は重量で約0.1から約2の炭素粒子を含む請求項110に記載の装置。導波路基板;前記基板上の一層または複数の光導波路層のセット;一層または複数の光導波路層に形成される一つまたは複数の光導波路であって、それぞれの光導波路は対応する光導波モードを二つの左右面に実質上閉じ込めるように配置され、前記光源は前記基板上あるいは一層または複数の導波路層上に配置され、また前記光出力信号の第一部分が、対応する前記光導波モードの前記光導波路の一つに沿って伝播するように出射するよう配置される、前記一つまたは複数の光導波路;前記光導波路層に形成される一つまたは複数の集光器であって、それぞれの集光器は前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングから構成される、前記一つまたは複数の集光器;及び前記光導波路層に形成される一つまたは複数のライトトラップであって、それぞれのライトトラップは前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングから構成される、前記一つまたは複数のライトトラップ、を更に有し、それぞれのライトトラップの側面は前記光導波路の対応する螺旋領域を規定するように配置され、該螺旋領域は前記ライトトラップの開口部及び閉口端を含み;またそれぞれの集光器の前記側面は、前記光出力信号の第二部分の対応する部分が一つのライトトラップの開口部の中へ伝播するように方向を変えるよう配置され、前記光出力信号の該第二部分は、対応する前記光導波モードのいかなる光導波路による閉じ込めもなく、一層または複数の光導波路層の前記光源から伝播する、請求項103に記載の装置。前記基板はシリコンまたはドープシリコンから構成され、それぞれの光導波路層はシリカ、ドープシリカ、窒化シリコン、またはシリコン酸窒化物から構成される請求項112に記載の装置。前記光源はレーザーダイオードまたは発光ダイオードから構成される請求項112に記載の装置。前記光源は第二基板上の光ファイバー、あるいは光導波路から構成される請求項112に記載の装置。前記光源は前記光導波路の区分の間に挿入された光導波路スプリッター、光導波路タップ、あるいは自由空間ビームスプリッターから構成される請求項112に記載の装置。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面は一層または複数の前記光導波路層のエッチング端から構成される請求項112に記載の装置。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面の前記実質上不透明のコーティングは金属層を含む請求項112に記載の装置。前記金属層は吸収性を有する請求項118に記載の装置。前記金属層は反射性を有する請求項118に記載の装置。前記金属層は吸収性を有し、前記実質上不透明のコーティングは前記側面と前記金属層の間に反射抑制層を含む請求項118に記載の装置。一つまたは複数の前記集光器の前記側面は、前記光源から発散する前記光信号の前記第二部分の対応する部分が前記ライトトラップの一つに向けて収束するように方向を変えるよう湾曲している請求項112に記載の装置。前記集光器の前記湾曲側面は、楕円の一つの焦点が前記光源にあり、前記楕円のもう一つの焦点が対応する前記ライトトラップの開口にある、前記楕円の一部によって近似される請求項122に記載の装置。一つまたは複数の前記集光器は一つまたは複数の実質上平らな側面から構成され、前記光信号の前記第二部分の対応する部分が前記平らな側面による二回あるいはそれ以上の連続的な反射によって方向を変えるように配置されている請求項112に記載の装置。前記光信号の前記第一部分を導く前記光導波路は湾曲区分を含み、前記湾曲区分の手前では第一集光器と第二集光器の間を通るように配置され、前記湾曲区分の後では前記第一集光器と前記ライトトラップの前記開口部の間を通るように配置され、前記第二集光器は、前記光導波路層を経由する、前記第一集光器と前記ライトトラップの前記開口部の間に位置する前記光源からのほとんど全ての直線伝播経路を実質的に遮断するように、配置される請求項112に記載の装置。前記螺旋領域は約180°より大きい弧を成す請求項112に記載の装置。前記螺旋領域の少なくとも一部は角状螺旋領域である請求項112に記載の装置。前記光源と前記光検出器は、共通の基板上に互いに約2mm以内に配置された請求項112に記載の装置。前記光源と前記光検出器は、端から端の寸法が約10mm未満の共通の基板上に配置された請求項112に記載の装置。前記光源に加えられる前記電気入力信号あるいは前記光源から発する前記光出力信号に対する前記光検出器の感度は、前記光源に加えられる電気入力信号及び前記光源から発する光出力信号がない場合の前記光検出器の感度の約3dB以内である請求項112に記載の装置。前記光検出器は約3dBより小さいクロストークペナルティを示す請求項112に記載の装置。導波路基板;前記基板上の一層または複数の光導波路層のセット;一層または複数の光導波路層に形成された一つまたは複数の光導波路であって、それぞれの光導波路は対応する光導波モードを二つの左右面に実質上閉じ込めるように配置された、前記一つまたは複数の光導波路;前記基板上あるいは一層または複数の導波路層に配置された光源であって、該光源は光信号を発し、前記光信号の第一部分を対応する前記光導波モードの前記光導波路の一つに沿って伝播するように出射するよう配置された、前記光源;前記光導波路層に形成された一つまたは複数の集光器であって、それぞれの集光器は前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングから構成される、前記一つまたは複数の集光器;及び前記光導波路層に形成された一つまたは複数のライトトラップであって、それぞれのライトトラップは前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上の実質上不透明なコーティングから構成される、前記一つまたは複数のライトトラップ、を有し、それぞれのライトトラップの側面は前記光導波路層の対応する螺旋領域を規定するように配置され、該螺旋領域は前記ライトトラップの開口部及び閉口端を含み;またそれぞれの集光器の前記側面は、前記光信号の第二部分の対応する部分が一つのライトトラップの開口部の中へ伝播するように方向を変えるよう配置され、前記光信号の該第二部分は、対応する前記光導波モードのいかなる光導波路による閉じ込めもなく、一層または複数の光導波路層の前記光源から伝播する、光学装置。前記基板はシリコンまたはドープシリコンから構成され、それぞれの光導波路層はシリカ、ドープシリカ、窒化シリコン、またはシリコン酸窒化物から構成される請求項132に記載の装置。前記光源はレーザーダイオードまたは発光ダイオードから構成される請求項132に記載の装置。前記光源は第二基板上の光ファイバー、あるいは光導波路から構成される請求項132に記載の装置。前記光源は前記光導波路の区分の間に挿入された光導波路スプリッター、光導波路タップ、あるいは自由空間ビームスプリッターから構成される請求項132に記載の装置。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面は一層または複数の前記光導波路層のエッチング端から構成される請求項132に記載の装置。前記集光器及び前記ライトトラップの前記側面の前記実質上不透明のコーティングは金属層を含む請求項132に記載の装置。前記金属層は吸収性を有する請求項138に記載の装置。前記金属層は反射性を有する請求項138に記載の装置。前記金属層は吸収性を有し、前記実質上不透明のコーティングは前記側面と前記金属層の間に反射抑制層を含む請求項138に記載の装置。一つまたは複数の前記集光器の前記側面は、前記光源から発散する前記光信号の前記第二部分の対応する部分が前記ライトトラップの一つに向けて収束するように方向を変えるよう湾曲している請求項132に記載の装置。前記集光器の前記湾曲側面は、楕円の一つの焦点が前記光源にあり、前記楕円のもう一つの焦点が対応する前記ライトトラップの開口にある、前記楕円の一部によって近似される請求項142に記載の装置。一つまたは複数の前記集光器は一つまたは複数の実質上平らな側双方向光電子装置は光検出器、光源、及び光源の駆動回路を有する。光検出器はi第一送信情報をエンコードするように変調された光入力信号を受信するように、またii前記光入力信号に応じて、前記第一送信情報をエンコードするように変調された電気出力信号を生成するように配置される。前記光源はi第二送信情報をエンコードするように変調された電気入力信号を受信するように、またii前記電気入力信号に応じて、前記第二送信情報をエンコードするように変調された光出力信号を生成するように配置される。前記双方向光電子装置を用いる方法は:前記光入力信号を光検出器で受信する工程;前記光入力信号に応じて、前記光検出器で前記電気出力信号を生成する工程;電気入力信号を前記光源で受信する工程;及び、前記電気入力信号に応じて、前記光源によって前記光出力信号を生成する工程、を有する。前記光源は前記電気入力信号を受信するため第一及び第二電気リードを有し、前記駆動回路は、前記電気入力信号の第一部分を前記光源の前記第一電気リードへ、前記電気入力信号の第二部分を前記光源の前記第二電気リードへ加えるように配置され、前記電気入力信号の前記第二部分は、伸縮、反転された前記電気入力信号の前記第一部分の実質的レプリカである。前記方法は、更に、前記装置の電気的クロストークを低減あるいは最小化する選択された倍率の最適化工程を実行する工程を含む。前記双方向光電子装置、あるいは多チャンネル光電子装置はそれらの部品を封止するように配置された保護封止材料を有する。前記保護封止材料は中空誘電微小球体を含み、前記保護封止材料中に存在する好ましくない電気信号から生ずるクロストークペナルティを、前記保護封止材料中に前記中空誘電微小球体を含まない前記光電子装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記中空誘電微小球体は前記保護封止材料の体積中に分散される。前記保護封止材料は更に光吸収体を含み、前記保護封止材料中に存在する好ましくない光信号から生ずるクロストークペナルティを、前記保護封止材料中に前記光吸収体を含まない前記光電子装置によって示されるクロストークペナルティよりも低いレベルに低減するように、前記光吸収体は前記保護封止材料の体積中に分散される。前記双方向光電子装置、あるいは多チャンネル光電子装置は、導波路基板上の光導波路層に形成された一つまたは複数の集光器あるいはライトトラップを有する。それぞれの集光器あるいはライトトラップは前記光導波路層の一つまたは複数の側面及び該側面上に堆積された実質上不透明なコーティングを有する。それぞれのライトトラップの前記側面は前記光導波路層の対応する螺旋領域を規定するように配置され;前記領域は前記ライトトラップの開口部及び閉口端を含む。それぞれの集光器の前記側面は、前記導波路層を伝播するが導波路を通らない光信号がライトトラップの開口部へ伝播するように方向を変えるよう配置される。更にi前記光源に加えられた前記電気入力信号に対する前記光検出器の感度は、前記光源に加えられる電気入力信号がない場合の前記光検出器の感度の約3dBm以内であり、ii前記光検出器は約3dBmより小さいクロストークペナルティを示し、あるいはiii前記電気入力信号の前記第二部分の前記電気入力信号の前記第一部分に対する選択された倍率が、前記光検出器に示される最小クロストークペナルティをもたらすように、前記双方向光電子装置は配置される。多チャンネルあるいは双方向光電子装置に関する目的や利点は、図面に示され、また、以下の記載や添付の請求項に開示された典型的な実施例を参照することによって明らかになるであろう。多チャンネルあるいは双方向光電子装置における電気的クロストークは、光検出器や、光源、光源の駆動回路、あるいは光検出器の増幅あるいはフィルター回路を含む、どのような数やメカニズム、あるいは経路によっても発生する。この様な電気的クロストークは、しばしば、これら二つのあるいは多数の要素間の容量結合あるいは誘導結合に起因するとされている。多チャンネルあるいは双方向光電子装置における光学的クロストークは光検出器や、光源、導波路、フィルター、光学スプリッターや光結合器、光タップ、あるいは他の光学的要素を含む、どのような数やメカニズム、あるいは経路によっても発生する。この様な光学的クロストークは、しばしば、これら二つのあるいは多数の要素間における、光の好ましくない散乱や、反射、あるいは伝送に起因するとされている。多チャンネルあるいは双方向光電子装置のサイズが小さくなるにつれて、電気的あるいは光学的クロストークは、通常、ますます深刻なものとなる。クロストーク光学的あるいは電気的を発生させる特定のメカニズムやメカニズムの結合とは無関係に、多チャンネルあるいは双方向光電子装置の適切な配置や適合によってクロストークを低減することは好ましいことである。双方向光電子装置の一例が図1及び図2に模式的に示され、信号光検出器114必ずしもそうではないが、通常、フォトダイオードと光源116必ずしもそうではないが、通常、レーザーダイオードから構成される。典型的な装置は更にモニター光検出器118を有するが、このようなモニター光検出器を有しない装置も本開示や添付の請求項の範囲に属する。図1は好ましい電気的及び光学的信号を図示し、図2はクロストークをもたらす、好ましくない電気的及び光学的信号を図示する。図1では、光入力信号14が光導波路104に沿って伝播し、信号光検出器114で受信される。信号光検出器114は光入力信号14から電気出力信号24を生成し、電気出力信号24は導体配線124及び導線リード134によって信号光検出器114から送信される。光入力信号14や電気出力信号24を送信するために、適切な光学的あるいは電気的素子が採用される。電気入力信号26は導線リード136及び導体配線126によって光源116へ送信される。光源116は電気入力信号26から、光導波路106に沿って伝播する光出力信号16を生成する。電気入力信号26あるいは光出力信号16を送信するために、適切な光学的あるいは電気的素子が採用される。モニター光検出器118を備えた装置においては、光出力信号16の一部がモニター光信号18図1及び図2の例では、光導波路108に沿って伝播する;他の適切な光学的素子を採用することができる;モニター光信号18を分離する適切な光学的配置については後記するを形成するため分離される。そのモニター光信号はモニター光検出器118で受信され、モニター光検出器118は、今度は、導体配線128及び導線リード138図1及び図2の例において;他の適切な導電要素を採用することができるに送信されるモニター電気信号28を生成する。モニター電気信号28は、通常、電気入力信号26を生成、修正、調整、あるいは制御する光源制御回路表示せずの入力の役目を果たす。通常、モニター電気信号28は、光出力信号16の望ましい出力レベルを維持するために適切なフィードバック配置をしたこのような制御回路と結合している。光検出器、光源、導波路、及び配線は、通常、基板10の上に配置される。基板10の上にはない追加的回路素子と電気的接続をするために、導線リードが使われる。ある例では、このような追加的回路素子は基板10に沿った回路基板上に配置される。多くの他の配置も採用可能である。図2においては、光源116あるいは導体配線導線126136から信号光検出器114あるいは導体配線導線124134へ伝播する、好ましくない電気入力信号46即ち、光源116へは届かず、代りに異なった好ましくない場所へ到着する電気入力信号26のある部分;好ましくないの言葉は、同じように、意図した目標へは届かず、代りに異なった好ましくない場所へ到着する電気的あるいは光学的信号のあらゆる部分を言うが示されている。モニター光検出器118存在する場合あるいは配線導線128138から信号光検出器114あるいは配線導線124134へ伝播する、好ましくないモニター電気信号48が同様に示されている。これらの好ましくない信号46あるいは48はどちらも、信号光検出器114による信号24の生成と干渉しあるいは配線導線124134による信号24の伝送と干渉して、電気出力信号24を歪める。更に、信号光検出器114あるいは配線導線124134から、光源116、配線導線126136、モニター光検出器118、あるいは配線導線128138へ伝播する、好ましくない電気出力信号44が示されている。これらの好ましくない信号44は、対応する配線導線による入力あるいはモニター電気信号2628の伝送と干渉し、モニター光検出器118によるモニター電気信号28の生成と干渉し、あるいは光源116による電気入力信号26の受信と干渉する。信号光検出器114、光源116、モニター光検出器118、及び対応する配線導線は、電気的に互いに直接に接続されるようには意図されていないので、上記の伝播は、通常、本来的に放射的であり、信号光検出器114、光源116、モニター光検出器118、対応する配線導線、光源116の駆動回路、あるいは信号光検出器114の増幅またはフィルター回路の、二つあるいは多数間の種々の電気的な容量結合あるいは誘導結合によって発生する。従って、好ましくない電気信号444648の伝播は基板10の上方、下方、及び基板中を通して発生する。図2は典型的なものであり、好ましくない電気信号の全ての可能な発生源や、このような信号の好ましくない全ての可能な到着場所を必ずしも示してはいない。図2には、また、光源116から信号光検出器114に向って伝播する、好ましくない光出力信号36が示されている。同様に、モニター光検出器118存在する場合から信号光検出器114へ伝播する、好ましくないモニター光信号38が示されている。これらの好ましくない信号36あるいは38はどちらも、信号光検出器114による光入力信号14の受信と干渉する即ち、それら自身が信号光検出器114によって受信され、好ましくない背景ノイズとして振舞うことによって。また、信号光検出器114から光源116及びモニター光検出器118へ伝播する、好ましくない光入力信号34が示されている。これらの好ましくない信号34は光出力信号116の生成即ち、光源116への好ましくない光フィードバックによってと、あるいはモニター光検出器118によるモニター光信号18の受信と干渉する。図1及び図2では光導波路104と106は分離されているので即ち、光学的結合は意図されていない、上記の伝播は、通常、いかなる光導波モードでもなく、様々な散乱や反射要素、構造、あるいは信号光検出器114近くの媒体、光源116、あるいはモニター光検出器118、または導波路104、106または108と信号光検出器114の間の不完全な光結合、光源116、あるいはモニター光検出器118の、それぞれから発生する。従って、好ましくない光信号343638の伝播は基板10の上方、下方、及び基板中を通して発生する。図2は典型的なものであり、好ましくない光信号の全ての可能な発生源や、このような信号の好ましくない全ての可能な到着場所を必ずしも示してはいない。光入力信号及び光出力信号の両方が共通の光導波路102に沿って伝播することを除いて、図1及び図2の装置と同様の双方向光電子装置の他の例を図3と図4に示す。光スプリッター結合器110は光導波路102からの光入力信号14を光導波路104に沿って伝播するように仕向け、光導波路106からの光出力信号16を光導波路102に沿って伝播するように仕向ける光入力信号14の方向の逆の方向へ。光スプリッター結合器110は、光入力及び光出力信号1416を仕向けるのに適した要素あるいは要素の組み合わせを有する。光スプリッター結合器110は、光導波路102、104、及び106即ち、共有米国特許No7031575、米国特許No7142772、米国特許No7366379、米国特許No7622708、あるいは米国特許公報No20100078547に開示されているように;それぞれは参照により本明細書に取り入れられているの端面間に位置する自由空間光ビームのビームスプリッターから構成され、また、光信号のいかなる自由空間伝播の間隙もない連結した光導波路102、104、及び106の中で実行される即ち、共有米国特許No7330619、米国特許No7813604、あるいは米国特許公報No20100272395に開示されているように;それぞれは参照により本明細書に取り入れられている。光出力信号16を分離し、モニター光信号18を形成するために同じような要素や配置を採用することが出来る。光スプリッター結合器110は、光信号のスペクトル分離即ち、二色ビームスプリッターや他のフィルター、あるいは回接格子または光信号の微分偏光に基づき、あるいは光信号を分離するための他の適切な原理に基づいて機能する。図4では、図2で既に説明した好ましくない信号に加えて、いくつかの追加的な好ましくない光信号がクロストークをもたらす。追加的な好ましくない光信号34及び36は、導波路外の信号として光スプリッター結合器110から発し、信号フォトダイオード114、光源116、あるいはモニターフォトダイオード118に向かって伝播する直接に、あるいは散乱または反射の結果として。更に、光導波路104及び106は両方とも光学的に光導波路102と結合しているので、サポート光モードとして導波路へ沿って伝播する、好ましくない光信号が発生する。好ましくない光入力信号54は導波路106に沿って光源116へ伝播する、あるいは光導波路108に沿ってモニターフォトダイオード118へ伝播する。同様に、好ましくない光出力信号56は導波路104に沿って信号フォトダイオード114へ伝播する。図2及び図4は典型的なものであり、そこでは、好ましくない光あるいは電気信号の可能な全ての源、あるいはそのような信号の可能な全ての到着場所を、必ずしも示していない。特に、レーザー源116とモニターフォトダイオード118の間の好ましくない光あるいは電気信号は示されていない。その様な好ましくない信号はしばしば発生するが、好ましくない光信号343638や好ましくない電気信号444648よりも問題は少ないクロストークの観点からは。何故なら、光源116とモニターフォトダイオード118は、光学的には導波路108を通じて結合され、また電気的には光源制御回路図示せずを通じて結合されるからである。しかしながら、存在してクロストークを惹き起こす恐れのあるあらゆる好ましくない光あるいは電気信号の影響を軽減するために、以下に記載する方法や装置は、明確に示され、または記載されたものだけでなく採用することが出来る。図1乃至図4は単一の光源116及び単一の信号光検出器114のみを示していると言う点で、また典型的なものであり、即ち、典型的な双方向光電子装置は、いわゆるダイプレクサーとして機能する。より一般的には、双方向光電子装置は希望する数の光源あるいは信号光検出器を有し、そしてそのような装置は本開示あるいは添付の請求項の範囲に属する。好ましくない光あるいは電気信号は、これらの多数の光源あるいは光検出器から発し、他の光源や光検出器に到達することによってクロストークをもたらす。例えば、いわゆるトリプレクサーが図5に模式的に図示されており詳細及び好ましくない信号は、解り易くするために省略、そこでは二つの独立の光入力信号14a14bが対応する信号光検出器114a114bによって受信され、対応する電気出力信号26a26bが生成される。更により一般的には、通常の多チャンネル光電子装置においては、他の入力や出力信号電気的あるいは光学的の好ましくない部分によって、クロストークペナルティはあらゆる入力や出力信号電気的あるいは光学的に対して発生する。上記の光学的クロストーク及び電気的クロストークは、多チャンネルあるいは双方向装置の全体のサイズが縮小するにつれて、より顕著になる傾向がある。特に、端から端の寸法が10mm以下の共通基盤に、光検出器、光源、導波路、及び配線が配置された多チャンネルあるいは双方向装置においては、そのクロストークは装置の性能を大幅に劣化させるのに十分な大きさになる。例えば、5mmの基板10即ち、そこでは光源や光検出器は互いに2ないし3mm以内であるの上に組み立てられた双方向装置においては、3dBより大きい電気的クロストークペナルティが観測され、及び3dBより大きい光学的クロストークペナルティが観測された。電気的あるいは光学的クロストークをもたらす特定のメカニズムやメカニズムの組合せとは無関係に、光電子装置の適切な配置や適応によって、電気的あるいは光学的クロストークを低減することは望ましいことである。光源駆動回路従来の双方向光電子装置が図6の機能ブロック図に示されており、光検出器114、光源116、及び光源116の駆動回路150を有する。光検出器114が配置されて、第一送信情報をエンコードするように変調された光入力信号14を受信し、それに応じて第一送信情報をエンコードするように変調された電気出力信号24を生成する。光検出器114はpinフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、あるいは他の適切な光検出器から構成される。pinフォトダイオード114は図6の例に示され、回路115と接続されてVPDに逆バイアスされている。電気出力信号24は、フォトダイオード114と直列の単一抵抗、あるいは適切なフィルタリング、インピーダンス整合、増幅器、あるいは他の能動または受動回路即ち、トランスインピーダンス増幅器及び関連部品や電圧源から構成される回路115を通るように示されている。従来の双方向光電子装置の光源116は、第二送信情報をエンコードするように変調された電気入力信号26をユニポーラ信号源23から受信し、それに応じて、第二送信情報をエンコードするように変調された光出力信号16を生成するように配置される。光源116は第一及び第二の電気入力リード126a126bを有し、そして図6の例では、レーザーダイオード116から構成される。光源116は駆動回路150によって加えられる電気入力信号26を電気入力リード126aで受信し、駆動回路150による印加電圧VLSに電気入力リード126bを通じて接続されている。電気入力信号26はDCオフセットを含む場合や含まない場合があり、また、回路152及び154を通じて光源116とAC結合あるいはDC結合することが出来る。回路152及び154は、それぞれ、電気入力信号26のDC結合のために配置された単純接続またはダイオード、電気入力信号26のAC結合のために配置された単一容量から構成され、あるいは適切なフィルタリング、インピーダンス整合、増幅、または電気入力信号26を光源116へ加えるための他の能動または受動回路から構成される。オペアンプAMPLS、フィードバックインピーダンスZLS、トランジスタTLS、及び抵抗RLSが図6の例に示されており、レーザーダイオード116によって放射される平均光パワーを調節するための制御回路から構成される。制御及びモニター電圧であるVcon及びVmonは、それぞれオペアンプAMPLSへ印加され、トランジスタTLSを通し、従ってレーザーダイオード116を通して、平均電流を調節する。制御及びモニター電圧は適切な方法即ち、光出力信号16の平均パワーをモニターすることによって、あるいは電気入力信号26の平均パワーをモニターすることによってによって生成される。多くの適切な配置が知られており、レーザーダイオード116を通して流れる平均電流を調節するために、これらを採用することが出来る、あるいはそのような調節は、望むなら、全く省略することができる従って、次の図面からは省かれている。本開示による典型的な双方向光電子装置は図7の機能ブロック図に示されており、光検出器114、光源116、及び光源116の駆動回路250から構成される。光検出器114はi第一送信情報をエンコードするように変調された光入力信号14を受信するように、及びii第一送信情報をエンコードするように変調された電気出力信号24を生成するように配置される。電気出力信号24はベースバンド振幅変調デジタル信号から構成され;他の適切な変調方式や周波数を採用できる。光検出器114はpinフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、あるいは他の適切な光検出器から構成される。光検出器114は図7の例に示され、回路115に接続されてVPDに逆バイアスされる。電気出力信号24は回路115を通り、回路115はフォトダイオード114と直列の単一抵抗を含む、あるいは適切なフィルタリング、インピーダンス整合、増幅、あるいは他の能動または受動回路即ち、トランスインピーダンス増幅器及び関連部品や電圧源を含む。双方向光電子装置の光源116はi第二送信情報をエンコードするように変調された電気入力信号を反転レプリカ信号26a26bとしてバイポーラ信号源25から受信するように、及びiiこれに応じて、第二送信情報をエンコードするように変調された光出力信号16を生成するように、配置される。バイポーラ電気入力信号26a26bは総称して電気入力信号26と呼ばれる。電気入力信号26はベースバンド振幅変調デジタル信号から構成され;他の適切な変調方式や搬送周波数を採用することができる。光源116は第一及び第二電気入力リード126a126bを有し、図7の例ではレーザーダイオード116から構成される。光源116は、駆動回路250によってそれぞれ第一及び第二電気入力リード126a126bの各々へ加えられた第一および第二部分27a27bとして電気入力信号26を受信し、また、供給電圧VLSは駆動回路250を経由して第二電気入力リード126bへ印加される。電気入力信号26はDCオフセットを含む場合や含まない場合があり、駆動回路250を通じて光源116とAC結合あるいはDC結合することができる第一および第二電気入力信号部分27a27bとして。駆動回路250は、以下に説明するように、電気入力信号26を受信し、これに応じて第一および第二部分27a27bを電気入力リード126a126bのそれぞれへ加えるために、電気あるいは電子技術の専門家によって考案された数えきれない配置を含み、本開示及び添付の請求項は、ここに開示されたように動作するあらゆる回路配置を包含するものと解釈される。回路250は、電気入力信号26を受信し、これに応じて、第一および第二部分27a27bを電気入力リード126a126bへ加えるための、あらゆる適切な受動素子、能動素子、電圧あるいは電流源、フィルター回路、インピーダンス整合回路、増幅回路、あるいは他の能動または受動回路を含む。駆動回路250は、更に、光源116図6のようにを通して流れる平均電流従って、そこからの平均光出力パワーを制御する追加的制御または調節回路を含むことが出来る。しかしながら、そのような回路は理解し易くするため図面から省かれている。光源116は電気入力信号26の第一および第二部分27a27bを受信する第一および第二電気入力リード126a126bを有している。図面の典型的実施例は電気入力信号26をバイポーラ信号26a26bとして示しているが、駆動回路250はユニポーラの電気入力信号26でも受信の実施、及び電気あるいは電子技術で知られた方法によって第一および第二部分27a27bを生成することが可能であり、ユニポーラ入力信号を用いたそのような実施は本開示あるいは添付の請求項の範囲内にある。上記のように、駆動回路250は電気入力信号26の第一部分27aを光源116の第一電気入力リード126aへ加え、電気入力信号26の第二部分27bを光源116の第二電気入力リード126bへ加えるように配置される。駆動回路250は、図8に模式的に図示されるように、電気入力信号の第二部分27bが第一部分27aの伸縮、反転された実質的レプリカとなるように構成される。電気入力信号26はDCオフセット図8の例には示されていないを含む場合や含まない場合がある。電気入力リード126a126bへ加えられる電気入力信号26の部分27a27bは、それぞれ、電気入力信号26a26bのDCオフセットそこに存在する場合はから導くことのできるDCオフセットを有し、駆動回路250によって追加または変更適切なレベルに、あるいは互いに異なるようにすることができる。典型的な実施例においては、光源116は半導体光源、通常、レーザーダイオードから構成される。そのような実施例では、第一電気入力リード126aはレーザーダイオード116の陰極から構成され、第二電気入力リード126bはレーザーダイオード116の陽極から構成される。従来のレーザー駆動回路図6に示されているようなでは、通常、ユニポーラ電気入力信号26がレーザーダイオード116の陽極にのみ加えられる入力リード126aを通じて。レーザーダイオード陰極の電圧は入力信号の時間的変動に従い、一方、レーザーダイオード陽極入力リード126bにおける電圧は、通常、はるかに小さな振幅で変動する。多くの従来のレーザー駆動回路においては、レーザーダイオード陽極は、実際に、比較的大きな容量でRF接地されてVLSと並列に且つVLSへの接続の近くに接地される即ち、図6では、回路154は単一の容量から構成される。対照的に、駆動回路250は電気入力信号26の反転、伸縮されたレプリカ27a27bをレーザーダイオード116の電気入力リード126a126bへ配信するように構成される。図7の装置では、レーザーダイオードの陽極及び陰極の両電圧は電気入力信号26に従って、より小さい逆の振幅で信号27a27bとして変動する;駆動回路250によって駆動されるレーザーダイオード116全体の電圧低下は従来の駆動回路150のものと似通っている。駆動回路250を備えた、本開示によって構成された双方向光電子装置は、駆動回路150を備えた従来の双方向光電子装置より低い電気的クロストークを示すことが観測された他の全ての要因は同じ、即ち、電気入力信号の振幅、光検出器及び光源のタイプ及び相対位置、その他;即ち、レーザーダイオード116のバイポーラ変調対ユニポーラ変調に関してのみ異なる。上で述べた電気的クロストークの低減は、ある条件下でのみ典型的に観測され、あるいは操作上重要であり、典型的には、レーザーダイオード116及び光検出器114が互いに十分接近して配置されたときである。例えば、光検出器114pinフォトダイオードと光源116レーザーダイオードが共通の基板上に4から5mm離れて配置された双方向光電子装置図6のように配置においては、レーザーダイオードの動作による約0.5dBmのみのクロストークペナルティが観測され、これは多くの一般的な動作計画では、通常、許容範囲である。しかしながら、光検出器114pinフォトダイオードと光源116レーザーダイオードが共通の基板上に2mm離れて配置された双方向光電子装置図6のように配置の他の例においては、レーザーダイオードの動作による光検出器性能の、より深刻な劣化が観測された。典型的には、約4-5dBmのクロストークペナルティが観測された。図9は典型的な駆動回路250の単純化した部分を示し、そこではR19、R77、R78、及びR88から構成される抵抗ネットワークが採用され、電気入力信号26から電気信号部分27a27bが生み出される。R77及びR78はその抵抗間に接地された分圧器を形成し、信号部分27a27bはそれぞれ抵抗R19とR88を通過する。抵抗R19とR88の値が変動するときR19R88≒22Ωを維持して、信号部分27a27bは、変動し且つ1R19=R88=11Ωの場合に近い最小倍率となる、相対的な絶対倍率を有する互いに反転された実質的レプリカである。この対称的配置では、電気入力信号が駆動回路250及び光源116に加えられたとき、クロストークペナルティは約3dBm以下となり、駆動回路150及び光源116が動作中の光検出器114について、4-5dBmクロストークペナルティからの改善が観測された。しかしながら、図9の対称的配置では図6の配置に対して大幅な改善は得られない。R19=12Ω及びR88=9Ωを有する駆動回路250の配置では、クロストークペナルティは約2.5dBmのみとなり、これは図9の典型的な配置に対して実現可能な最小クロストークペナルティと思われる。この様な配置では、レーザーダイオードリード126bの電圧変調の振幅は、レーザー陰極リード126a、変調は陽極の変調に対して反転されるの電圧変調よりも幾分大きいと思われる。所定のレーザーダイオードや他のレーザーダイオード116、フォトダイオードや他の光検出器114、光源や光検出器の空間的配置、及び駆動回路250の特定の配置に対して、信号部分27a27bの相対的振幅即ち、倍率は、電気入力信号が駆動回路250図10の図表に表示を通して光源116に加えられる時、最小クロストークペナルティを達成するように最適化される。図11は他の典型的駆動回路250の単純化した部分を示し、図9と似てはいるが、レーザーダイオード116R3435、C3031、L1011用のバイアス回路のRF等価物を含む追加的詳細が示されている。図9の例のように、R13、R16、R32、及びR33から構成される抵抗ネットワークが採用され、電気入力信号26から電気信号部分27a27bが得られる。R32及びR33はその抵抗間に接地された分圧器を形成し、信号部分27a27bはそれぞれ抵抗R13とR16を通過する。抵抗R13とR16の値が変動するときR13R16≒18Ωを維持して、信号部分27a27bは、変動し且つ1R13=R16=9Ωの場合に近い最小倍率となる、相対的な絶対倍率を有する互いに反転された実質的レプリカである。この対称的配置では、電気入力信号が駆動回路250及び光源116に加えられたとき、約0.3dB以下のクロストークペナルティとなり、駆動回路150及び光源116光源116のユニポーラ駆動を除いて、実質的に図11のように配置が動作中の光検出器114について、約0.8-1.0dBクロストークペナルティからの改善が観測された。この場合もまた、図11の対称的配置では図6の配置に対して大幅な改善は得られない。R13=11Ω及びR16=6.8Ωを有する駆動回路250の配置では、クロストークペナルティは約0.1-0.2dBのみとなり、これは図11の典型的な配置図12のプロットに表示に対して実現可能な最小クロストークペナルティと思われる。この様な配置では、レーザーダイオードリード126bの電圧変調の振幅は、レーザー陰極リード126a、変調は陽極の変調に対して反転されるの電圧変調よりも幾分大きいと思われる。所定のレーザーダイオードや他のレーザーダイオード116、フォトダイオードや他の光検出器114、光源や光検出器の空間的配置、及び駆動回路250の特定の配置に対して、信号部分27a27bの相対的振幅即ち、倍率は、電気入力信号が駆動回路250を通して光源116に加えられる時、光検出器感度の低下が最小となるように最適化される。図13及び14は典型的駆動回路250及びレーザーダイオード116を、より詳細に示す。図13の典型的駆動回路250は、レーザーダイオード116への電気入力信号26のAC結合を含んでおり、値を変動、即ち、抵抗R3及びR4を変動させることによって最小クロストークペナルティ即ち、レーザーダイオード116へ電気入力信号26を加えている間の最大フォトダイオード感度に最適化することが出来る。別の方法としては、R7及びR8、R1及びR2、あるいは上記三つの抵抗対の様々な組合せを、最小クロストークペナルティが達成されるように変えることが出来る。仮にR1R2、またはR7R8を変えると、当該周波数レンジに対して、レーザー陽極及び陰極電圧の適切な位相整合を維持するために、関連するリアクタンス素子もまた変えなければならなくなる。図14の典型的駆動回路250は、レーザーダイオード116への電気入力信号26のAC結合を含んでおり、値、即ち、抵抗R1及びR2を変化させることによって最小クロストークペナルティに最適化することが出来る。この場合、当該周波数レンジに対してレーザー陽極及び陰極電圧の適切な位相整合を維持するため、リアクタンス素子即ち、C1C2またはL1L2もまた変えなければならなくなる。繰り返し言うが、図7、9、11、13、及び14の実施例は典型的なものであり、より多くの、あるいはより少ない素子からなる回路、あるいは素子の配置が異なる回路であって、なおかつ、本開示あるいは添付の請求項の範囲に属する多くの回路が作製可能である。特に、典型的な実施例のある要素は選択が自由であり、それらは必ずしも必要ではない例えば、図8のダイオードD2やインダクターL4及びL5;図9のダイオードD2及びD3。ライトトラップ構造光電子装置の一般的な構成は基板10を有し、その上には一つまたは複数の光導波路が形成され、少なくとも一つの光源が基板上に実装、配置されて、少なくとも光出力信号のある部分が基板上の光導波路の中へ出射される。この様に出射された光信号は、二つの左右面に実質上閉じ込められた、対応する光導波モードの光導波路に沿って伝播する。光導波路は、通常、基板10の上に成長、堆積、あるいは他の方法で形成された適切なコアあるいはクラッド材料の一層または多層中に形成される;これらの層は、総称して、光導波路層20と呼ばれる。基板10は光導波路層20の構造的支持体としての役割をする。一層または複数の光導波路層20の空間的選択処理堆積、除去、あるいは材料の変更によるは光導波路を規定する;これらの処理された層あるいはこれらの層の処理された領域は、しばしば、導波路クラッデングとしての役割を果たす周囲の層よりも幾分高い屈折率を有する導波路コアの役割を果たす。典型的な導波路基板はクラッド層のみを有する領域と、クラッド層に加えて一層または複数のコア層を有する領域を含んでいる。マルチコア導波路を有する基板のある例では、違う領域は存在するコア層が異なった数を有し、導波路は、通常、全てのコア層が存在するこれらの領域よって規定されている。本開示の範囲内で、多くの他のコアクラッデング構成を採用することができる。光源116と光導波路106の間の光結合が不完全な場合がしばしばあり、光源から放射された光信号の一部が光出力信号16として光導波モードで伝播せず、代りに、好ましくない光信号36として周辺に逃げてしまう。逃げた一部である迷光信号は、対応する光モードのいかなる光導波路による閉じ込めも無く、一層または複数の光導波路層20の中を伝播する。光導波路層中を伝播する迷光信号は、光検出器や他の光源を含む導波路基板上の他の光学的部品の性能に対して干渉、あるいは妨害する恐れがある。特に、上で述べたように、多チャンネルあるいは双方向光電子装置例えば、双方向光電子トランシーバにおいては、光源から放射されて光導波路層中を伝播する迷光信号は光検出器114による入射光信号14の受信と干渉し、迷光信号36しばしば、いわゆるクロストークペナルティとして記載され、あるいは定量化されるの存在下では入射光信号14に対する光検出器114の感度を低下させる。光電子装置の性能への、迷光信号の負の影響を減らす一つの方法はライトブロッキング、あるいはライトトラッピング構造を導波路基板10の上に、あるいは導波路層20の中に備えることである。この様な構造のいくつかの例をここに開示する。Gamppの2002年7月9日発行のLateraltrenchingforcrosscouplingsuppressioninintegratedopticalchipsと名付けられた米国特許No6418246Steenbliketalの2005年10月25日発行のPlanaropticalwaveguideと名付けられた米国特許No6959138Steenbliketalの2007年5月22日発行のPlanaropticalwaveguideと名付けられた米国特許No7221845Goushchaetalの2007年10月2日発行のFastSidiodesandarrayswithhighquantumefficiencybuiltondielectricallyisolatedwafersと名付けられた米国特許No7276770Mihalakisの2009年5月12日発行のSingleMEMSimageropticalengineと名付けられた米国特許No7530693Weckstrom名の2002年9月26日発行のChemiluminescentgasanalyzerと名付けられた米国出願No20020137227Kitcheretal名の2004年8月5日発行のDeeptrenchesforopticalandelectricalisolationと名付けられた米国出願No20040151460Vonsovicietal名の2005年5月19日発行のIntegratedopticalarrangementと名付けられた米国出願No20050105842Steenbliketal名の2008年1月24日発行のPlanaropticalwaveguideと名付けられた米国出願No20080019652Pangetal名の2009年3月26日発行のBeamdumpforaveryhighintensitylaserbeamと名付けられた米国出願No20090080084図15乃至図20は、導波路基板10の上、あるいはその上の光導波路層20に形成された改良ライトトラッピング構造即ち、一つあるいは複数の集光器と一つあるいは複数のライトトラップを模式的に示す。図15及び16では、適切なタイプあるいは構成の光導波路106が導波路基板10の上の光導波路層20に形成されている。光導波路層20及び導波路基板10は、本開示あるいは添付の請求項の範囲内にある数多くの適切な材料から構成される。一般的には、基板10はシリコンから構成され、光導波路層20は一つあるいは複数のシリカ、ドープシリカ、窒化シリコン、またはシリコン酸窒化物を含む。光導波路のいくつかの適切な例が、共有米国特許No6975798713656471648387184643737306773949547397995または7646957に、あるいは共有出願No20100092144に開示されており、それらは参照によりここに取り入れられている。光源116は基板10の上に、あるいは導波路層20の一層または複数の層上に配置され、また、光信号または、少なくとも光信号の第一部分16、これ以降、出射光信号16と呼ぶが、実質的に導波路106によって二つの左右面に閉じ込められる光導波モードとして、光導波路106に沿って伝播するように出射されるよう配置される。光信号の第二の迷光部分36これ以降、迷光信号36と呼ぶは、光導波モードの導波路116によって閉じ込められることなく、光源116から光導波路層20の中を伝播する。光源116は光信号16あるいは36の源となり;基板10または光導波路層20の上に形成あるいは実装される、レーザーダイオードまたは発光ダイオード、光ファイバー、別の基板上の他の導波路、あるいはビームスプリッターまたはトラップを含み、且つ、これらには限定されない。ライトトラップ構造なしでは、光信号の迷光部分36は光導波路層20を通して伝播することが可能であって、基板20の上の他の光学部品の性能と干渉、あるいは妨害する恐れがある。図15及び16は集光器310a310b310c一般的に、集光器310x、あるいは総称的に集光器310と呼ぶとライトトラップ320を含むライトトラップ構造を模式的に示している。図の典型例には、三つの集光器310と一つのライトトラップ320が示されているが、一つまたは複数の集光器、あるいは一つまたは複数のライトトラップのうち適切な数を、本開示あるいは添付の請求項の範囲内で採用することが出来る。それぞれの集光器310xは、光導波路層20の一つまたは複数の側面312及び側面312図17A18A19Aの上の実質上不透明なコーティング330から構成される。それぞれのライトトラップ320は光導波路層20の一つまたは複数の側面322及び側面322図17B18B19Bの上の実質上不透明なコーティング330から構成される。側面312322は、通常、基板10及び光導波路層20に垂直であり、即ち、それらは水平な基板10に対してほぼ垂直である。水平及び垂直の表示は相対的なものであり、空間の絶対的な方向を指定することを意図するものではない。図17A18A19Aは導波路106の近くに形成された側面312を示しているが例えば、集光器310aの場合のように、集光器310xは、導波路から離れた位置従って、図17B18B19Bに類似しているを含む、基板10の上の適切な場所に形成することが出来る。同様に、図17B18B19Bは導波路から離れて形成された側面322を示しているが、ライトトラップ320は、導波路106近くの位置従って、図17A18A19Aに類似しているを含む、基板10上の適切な場所に形成することが出来る。迷光信号36は光源116から光導波路層20の中を伝播し、側面312及びその実質上不透明なコーティング330に行き当たり、その方向への更なる伝播が阻止される。コーティング330は、通常、入射光の一部を吸収し、残りを反射する。それぞれの集光器310xの側面312は、迷光信号の反射された部分をライトトラップ320に仕向ける直接に、あるいは他の集光器310xによる方向変更の後にように配置されている。ライトトラップ320の側面322及び実質上不透明のコーティング330は、光導波路層20の対応する螺旋領域を規定する。その螺旋領域は開口部324及び閉口端326を有する。光導波路層20の中を開口部324へと伝播する迷光信号36の各部分は、面322とコーティング330によって、閉口端326に到達するまで更に螺旋領域へと繰り返し反射さる図16に示すように。通常、それぞれの反射で、迷光信号36の一部は吸収され、残りが反射される。螺旋領域はいかなる適切な方法でも配置ことが出来、通常、約180°より大きい孤である。いくつかの実施例では、螺旋領域は角状螺旋領域である即ち、閉口端326へ向かって先の細ったテーパーの角状螺旋。実質上不透明なコーティング330は、通常、光源330の動作波長域に対して光を吸収するように配置され、側面312322で繰り返し反射されるときに迷光信号36が減衰するように配置される。金属コーティングは、充分な不透明性と適度の光吸収のために、しばしば採用される。一例では、クロムまたはチタンが、約1200-1700nmの動作波長域に対して使われており;他の適切な波長域に対して使用可能な他の適切な金属は、本開示あるいは添付の請求項の範囲に属する。約150nmを越えるコーティング330の厚みでは十分な不透明性が得られ、適正な不透明性を確実にするために更に厚い膜が採用される。クロムまたはチタン層が、例えばシリカ、窒化シリコン、あるいは同じような屈折率の誘電材料から構成される光導波路層20の側面312322の上に堆積された一例では、入射迷光信号36の約45が吸収され、入射迷光信号36の55が反射される。迷光信号36を示すそれぞれの光線は、ライトトラップ320の閉口端326へ到達する前に、4から6回あるいはそれ以上の反射を受け、その結果、ライトトラップ320の閉口端326へ到達したときには、当初の光パワーの約36回の反射後から約94回の反射後のみが迷光信号36へ残る。この様な低いレベルでは、迷光信号36が基板上の他の光デバイスの動作と干渉し、あるいは妨害する可能性は少ない。仮に、追加的な反射時に、迷光信号36の一部が開口部324を通してライトトラップから再出現した場合、通常、それは実質的に無視できるレベルに減衰する例えば、約1以下、あるいは更に約0.1以下に。反射抑制層即ち、反射防止コーティングを、側面312322と金属吸収層の間に、コーティング330の一部として採用することが出来る。面312322へ衝突する毎に反射される光の量の減少及び、付随する吸収量の増加は、面312322へ繰り返し衝突する時の迷光信号36の減衰を増進する。どのような適切な反射抑制層あるいは反射防止コーティングも採用可能である。いくつかの例が、参照によって本明細書に取り入れられている共有米国出願No20060251849に開示されている。図17A18B、18A18B、及び19A19Bの例における側面312322は、光導波路層20の全体にわたって延在しているが、導波路基板10の中へは延びていない。他の適切な深さも、本開示と添付の請求項の範囲で採用可能である。通常、側面312322は光導波路層20の全体にわたって延在することが望ましい。側面312322は導波路基板10の中へ延びることも可能である。光導波路層20、導波路106、面312322、及びコーティング330は、集光器及びトラップを数多くの導波路基板上へ同時に作るため、ウェーハ規模で形成、あるいは堆積されることがしばしば起こる。側面312322は、そのようなウェーハ規模の製作中、例えば、適切なドライまたはウエットエッチ工程によって、典型的には光導波路層20中への一つあるいは複数のトレンチ上記のように、たぶん基板10中へ延びているのエッチングによって形成される。図17A17B、18A18B、及び19A19Bの典型的な配置に示したように、層330に対して異なった配置を採用することが可能である。図17A17Bの配置では、コーティング330は側面312322のみを覆う。実用的には、これが必要な全てであるが、同時に実際には、この配置の実現は難しい、特に標準的なフォトリソの堆積技術を使って数多くの導波路基板上に集光器とトラップを同時に形成することは難しい。一様な堆積技術即ち、方向性の無いは特定方向の面のみの選択的被覆には適さず、方向性堆積技術は垂直面のみの選択的被覆には適さない。図18A18Bの配置は、導波路基板10や光導波路層20の露出面の全てを、あるいはほぼ全てを単純にコーティングすることによって実現が最も容易である。もし、導波路106、導波路基板10の他の場所、または光導波路層20上にコーティング330が存在しても問題がなく、少なくともある程度一様な堆積ができれば、この方法が採用できる。中間的な方法が図19A19Bの典型的な配置によって示されており、そこでは、コーティング330は導波路基板10の水平面あるいは光導波路層20に渡って部分的に延在している。基板10あるいは光導波路層20の部分は、望ましくない領域へのコーティング330の堆積を防止するためマスクすることが出来る。光導波路106及び光導波路層20の異なる配置が、図17A17B、18A18B、または19A19Bの典型的な配置に示されている。これらの例の導波路配置は、これらの配置においてコーティング330に対して示されたあらゆる配置の組合せに使うことが出来る。図17A17Bの例では、光導波路106は、上下の低屈折率クラッディング層間の、単一且つ高屈折率のコアより構成される。側面312は、図17Aの導波路106の近くに示され、一方、図17Bに示される側面322の近くには、二層のクラッディング層のみが存在する。図18A18Bに示された例では、光導波路106は、高屈折率のコアの対と上部、中部、下部の低屈折率クラッディング層より構成される。側面312は、図18Aの導波路106の近くに示され、一方、図18Bに示される側面322の近くには、三層のクラッディング層のみが存在する。図19A19Bに示された例では、光導波路106は、一つの高屈折率コアと二つの高屈折率コア層より構成され、クラッディングは上部、中部の上、中部の下、及び下部の低屈折率クラッディング層より構成される。側面312は、図19Aの導波路106の近くに示され、一方、図19Bに示される側面322の近くには、四層のクラッディング層と二層のコア層コア無しが存在する。クラッディング層に挟まれたコアやコア層の堆積やパターニングをするためにクラッディングの堆積が中断された箇所を示すため、種々のクラッディング層の間に境界が示されている、しかしながら、特に、異なるクラッディング層に対して同じ材料が使われる場合には、このような境界は完成品では容易に分る場合もあるし、分からない場合もある。図15及び16の典型的な実施例では、第一集光器310aは、光源116から発散する迷光信号36のある部分を反射あるいは方向を変えて、ライトトラップ320の開口部36に向けて収束させるように、湾曲している。集光器310aは、例えば、楕円の一つの焦点近くに配置された光源116、及びその楕円の他の焦点近くに配置されたライトトラップ320の開口部324を有する楕円の一部で近似される。集光器310aの配置は典型的なものであり;湾曲した集光器面の他の配置を採ることが可能である。また、図15及び16の典型的な例では、集光器310b及び310cは迷光信号36の方向を変えるために配置された一つまたは複数の平面312を有している集光器310bには、一つのそのような面312;集光器310cには、三つの異なった平坦部分。これらの種々の平面312は、迷光信号36の各部分を二回あるいはそれ以上の連続した反射により、ライトトラップ320の開口部324へ方向を変えるように配置される。集光器310b及び310cの配置は典型的なものであり;集光器平面の他の配置を採ることが出来る。集光器やライトトラップを逃れる迷光信号36の量を更に減らすために、光導波路106は湾曲部分を有することが出来る。光導波路は、湾曲部分より手前で、集光器310aと310bの間を通過する。光導波路は、その湾曲部分の後で、集光器310aとライトトラップ320の開口部324の間を通過する。集光器310bは、集光器310aとライトトラップ320の開口部324の間に位置する光導波路層20を経由する、光源116からのほぼ全ての直線伝播経路を実質的に遮断するように配置される。ここに開示された集光器及びライトトラップは、導波路基板上の光導波路を使って実現される多種多様の光電子装置に広く使うことが出来る。そのような例の一つが図20に模式的に示されており、ビームスプリッター110と111、及び光検出器114と118を有している。光源116は光導波路106に沿って伝播する出射光信号16を発する。部分18はビームスプリッター111によって分離され、光検出器118へ向けられる。光検出器118からの電気信号は、例えば、光源116のフィードバック制御に使うことが出来る。出射光信号16の残りの部分は、装置から離れるまで光導波路106に沿って伝播する。装置へ入ってくる入射光信号14は、ビームスプリッター110によって光検出器114へ向けられるまで光導波路106に沿って伝播する。光検出器114118のどちらの性能も、光導波路層20を伝播する迷光信号36によって影響され;これらの影響は集光器310やライトトラップ320の存在によって低減あるいは除去することが出来る。ビームスプリッター110111は、本開示及び添付の請求項の範囲で、様々な適切な方法で実施することが出来る。導波路ビームスプリッターあるいは導波路トラップを採用することが可能である例えば、すでに参照によって取り入れられている共有特許及び共有出願に開示。あるいは、光導波路106は、光信号14、16、あるいは18が自由空間光ビーム即ち、単一導波として伝播することのできる間隙を含むことが出来る。ビームスプリッターは、種々の自由空間光信号が他の導波路に沿って伝播するように仕向けるために、導波路の区分の間に挿入することが可能である例えば、すでに参照により取り入れられている共有特許及び共有出願に開示。ビームスプリッター110111は、実用に供されているが、それ自身が光源116として及び迷光信号36の源として作用することに注意すべきである。光導波路のビームスプリッターから生ずる迷光信号の伝播を低減するために、一つあるいは複数の集光器310あるいはライトトラップ320を備えることが望ましく、その実施は本開示及び添付の請求項の範囲に属する。多機能封止本開示による多チャンネルまたは双方向光電子装置の典型的な実施例では、多目的封止材料500は、一つあるいは複数の信号光検出器114、一つあるいは複数の光源116、一つあるいは複数のモニター光検出器118存在する場合、光導波路102存在する場合、104、106、及び108存在する場合、導体配線124、126、及び128存在する場合、及び導線リード134、136、及び138存在する場合を含む多チャンネルまたは双方向光電子装置を封止するのに使われる。もし、これらのリストアップされたものに代えてあるいは加えて、他の光学的あるいは電気的素子を使う場合には、これらも同様にあるいは代りに封入される。封止材料の一つの目的は、光検出器、光源、導波路、及び双方向装置の電気的接続に対して化学的及び機械的保護をすることであり;従って、封止材料500は保護封止材料と呼ばれる。装置の部品は比較的デリケートであり、比較的厳しい環境大きな温度変動、高い湿度、等々に配備されることもあり、あるいは、据え付けまたは配備の際の乱暴な取り扱いや処置にも耐えことができる。これらの一つまたは複数の理由により、このような装置の脆弱な部分を伝統的に封止していた。通常、保護封止材料は適切なポリマー例えば、シリコーン、エポキシ、あるいはポリウレタンポリマー;ある場合には、光透過ポリマーが望まれるから構成され、それは未硬化状態通常、液体または半液体で双方向装置の部品が配置された基板10の上に塗布される例えば、図21に模式的に示された双方向装置の側面図のように;理解し易くするため、構造の詳細及び全ての信号は省かれている。仮に、基板10が、更に大きい他の基板またはサーキットボードに実装される場合は、封止材料は基板10を越えて他の基板またはボード上に延在する。封止材料500は、双方向装置の特質や予定された配備環境に従って、その性質の多様性に基づき選択される。未硬化の封止材料は、望ましくは、双方向装置の構造を完全に埋めるのに充分に液状であり例えば、部品間の空間を埋めるために、リード線、その他の周囲に完全に流れるように、塗布や硬化時に所定の位置に留まるのに充分な粘性があり、硬化後は適正な機械的支持と保護を供するに充分硬く、硬化後に熱膨張あるいは熱収縮が装置やそれらの部品例えば、配線等の相互接続を含めてを過度に圧迫、あるいは破壊さえもしたりしないように充分にソフトであり、そして、使用環境下で遭遇し易い一連の物質に対して化学的に安定である例えば、湿った環境下での水蒸気。適切な封止材料の例として、シリコーンゴム、ジェル、エポキシ、あるいはポリウレタンがあるが、これらに限定されない。封止材料は更に光吸収体を含むことが出来る。光吸収体は、物理化学的性質の適合性を大きく妨害することなく硬化の前後においてカプセル剤に混ぜることのできる物質であれば何でもよい。吸収体は未硬化の封止材料中へ溶解され、懸濁され、あるいは分散されそして、塗布あるいは硬化後はそこにとどまる、そして光信号14及び16の一つあるいは複数の波長の光を吸収する。封止材料500中へのそのような吸収体の混合の結果、基板10の上方を伝播する即ち、封止材料500中好ましくない光信号343638の部分は減衰される。従って、光吸収体を含む保護封止材料500は、これらの好ましくない光信号からから生ずる光学的クロストークを低減する役割を果たすことが出来る。適切に選ばれた染料は封止材料500中に溶解され、光吸収体としての役割を果たす。代りに、あるいは加えて、光吸収体として不溶性粒子510を封止材料に懸濁させることが出来る図22及び24。適切な粒子の例として、望ましくは、約0.01μmから約50μmの平均粒子サイズを有する炭素粒子例えば、カーボンブラック、ランプブラック、あるいはアセチレンブラック、無機顔料例えば、ブラックフェライトまたはヘマタイト、ブラックスピネル、コバルトブラック、マンガンブラック、ミネラルブラック、あるいは黒土、金属粒子、あるいは半導体粒子がある。望ましい例としては、約20μmから約30μmの平均粒子サイズを有し、重量パーセントで封止材料組成の約0.1から約2の範囲のカーボンブラック粒子を含む。吸収体そのタイプあるいは組成が何であろうとは、約1-5cm-1から200cm-1の範囲の吸光係数κ当該動作波長域に対してを生ずる量であるここで、吸光係数κは透過光パワーをe-κLに等しい入射光パワーで割ったもので定義される、ここでLは封止材料中の光路長である。光吸収体が封止材料500に取り込まれた場合、約1dBから約5dBの光学的クロストークの減少が観測された光吸収体無しの同じ封止材料を備えた同じ装置で観測された光学的クロストークペナルティとの比較で。保護封止材料500の実効誘電率の平均を低減することによって、基板10の上方を伝播する好ましくない電気信号444648の部分から生ずる双方向装置における電気的クロストークの程度を、より高い誘電率を有する封止材料の電気的クロストークと比較して低減できる。封止材料500の平均誘電率を低減するために、懸濁された、中空の、誘電微小球体520図23及び24を含有することが出来る。この様な微小球体は、様々なサイズの市販品を得ることが出来、しばしば、シリカガラスから構成される。典型的な実施例においては、中央径が約60μmで直径の範囲が約30μmから約105μm10パーセンタイルから90パーセンタイル、または約10μmから120μm全ての範囲の中空シリカ微小球体が採用され;他の適切な材料やサイズも採用することができる例えば、中央径が約40μmから約70μm。微小球体は未硬化封止材料中に懸濁され、そして塗布中及び硬化後にはそこにとどまる。双方向装置中の電気的クロストークを適切に低減するために、微小球体は、体積で、封止材料組成の約25から約75を含むことが出来、これは封止材料実効誘電率の約25から約50の低減に相当する微小球体の無い封止材料との比較で。この様な体積分率範囲の微小球体を有するシリコーン封止材料は、微小球体無しの実効誘電率約2.8と比較して、それぞれ実効誘電率約2.5から1.7を示す。中空微小球体が封止材料500に取り込まれた場合、約0.1dBから約3dBの電気的クロストークペナルティの減少が観測された微小球体無しの同じ封止材料を有する同じ装置で観測された電気的クロストークペナルティとの比較で。中空微小球体に起因する電気的クロストークペナルティ減少の量は、様々な要因によって変化する。例えば、基板上への光電子部品及び導電要素の特定の配置;電気信号の光電子装置との結合の仕方や光電子装置からの送信方法、例えば、ユニポーラ、バイポーラ、あるいは微分結合など;あるいは電気的クロストークの低減のために、中空微小球体に加えて取られた他の方策、等の要因によって変化する。保護封止材料500の多くの例では、装置への塗布を容易にするため、未硬化ポリマーの粘性を上げるのにフィラーが必要となる。充分な粘性なしでは、未硬化ポリマーは塗布中に、予定の封止領域を超えて流れがちである例えば、約400-600cpsの粘性を有する未硬化カプセル製剤の場合のように。フィラーは、塗布における適切なレベルに未硬化ポリマーの粘性を上げるためにしばしば使われ、硬化後フィラーは封止材料に取り込まれてそこにとどまる。固体シリカ粒子がフィラーとして一般的に使われるが、比較的大きな誘電率を示す傾向がある特定の組成に応じて、約3から8。封止材料500中へのそのような高誘電率フィラー粒子の取込みは、実効誘電率を高める傾向があり、従って、また、封止された装置の電気的クロストークを高めることにもなるフィラーを含まない場合の封止材料500が示す電気的クロストーク値を超えて。しかしながら、中空微小球体520はフィラーとしての役割を果たし、未硬化ポリマーの粘性を塗布に好ましい程度まで増加させ、また、一方で、その実効誘電率及び封止装置の電気的クロストークを減少させる。約25から約50の中空微小球体の体積分率は、装置への塗布に適切な範囲の未硬化シリコーン封止材料混合物の粘度をもたらすことが観測された例えば、数千cpsから数万cpsまで;より粘性のある製剤を使うことが出来るが、遅い流れのため塗布には扱い難いかも知れない。そのような体積分率の範囲は、また、微小球体が低粘度カプセル製剤中に分散して留まることを可能にするように思われ;低粘度カプセル製剤中の、より低い体積分率では、微小球体は封止材料から分離する傾向がある。しかしながら、もし、結果として得られる混合物が、微小球体の望ましい体積分率で望ましい所を流れるようにすることが出来れば、異なった粘性より高いまたはより低い粘性を有する他の未硬化カプセル製剤と共に、別の体積分率より高い、またはより低い体積分率を使うことが出来る。低粘度封止材料が、好ましくない領域に流れるのを低減、あるいは避けるため、高速硬化の封止材料を採用することが出来る。ここに開示されあるいは請求項となった、中空誘電微小球体を含む封止材料の実効誘電率あるいは電気的クロストークの低減は、微小球体や他のいかなるフィラーをも含まない同じ封止材料と比較して表現したものである。クロストークのこの様な低減は、動作上重要であり価値がある。しかしながら、おそらく、より実際的な比較は、同様の粘性装置への塗布に対して適切な範囲のが得られるそれぞれの体積分率における、微小球体を含む封止材料と固体フィラー粒子を含む、同じ封止材料での比較であると思われる。このような観点から見ると、中空微小球体を用いて達成された実効誘電率と電気的クロストークの相対的低減は、ここに開示されたものよりもさらに大きい。固体フィラー粒子の中空微小球体による置換えは、微小球体の存在のよって生ずる実効誘電率の低減に加えて、フィラー粒子から生ずる実効誘電率の増加を無くす。中空微小球体の体積分率が高すぎると、装置上に正常に流れるには粘性が高すぎる未硬化封止材料混合物を生むこととなり、微小球体の取込みによって実効誘電率が低減される程度が限定されることになる。約400cpsから約600cpsの粘性を有する未硬化ポリマーは、約50に至る微小球体の体積分率を有し、装置の塗布に対して充分に流動性を維持する。より高い体積分率やより高い初期粘性では、装置の封入に際して充分良好には流れない封止材料混合物となり易い。装置の塗布においてはなお充分に流れつつ、より高い微小球体体積分率従って、より低い実効誘電率とするために、初期粘性の低い未硬化封止材料製剤を採用することが可能である。未硬化封止材料粘性と微小球体体積分率の組合せの範囲は、封止材料混合体の流れと封止材料実効誘電率の低減の望ましい組合せとなるように定められる。望ましい実施例では、光吸収体粒子510と中空誘電微小球体520の両方が、保護封止材料500の中へ取り込まれる図24。この様に、単一の封止材料500は、双方向光電子装置における電気的及び光学的クロストークの両方の低減効果がある。微小球体520の存在は、ある場合には、光散乱体として作用することによって光吸収体粒子510の効果を増進する。微小球体520から散乱された光は封止材料500を通ってより遠くまで伝播し、光吸収体粒子510と遭遇する公算が大きくなる。もし、中空微小球体と組合される場合、高誘電率あるいは導電吸収体粒子例えば、金属あるいは炭素粒子を避けることが望ましい。その理由は、これらは封止材料誘電率を増加させる傾向があるからである。一方、中空誘電微小球体は、そのような吸収体粒子から生ずる封止材料実効誘電率の増加を、少なくとも部分的に相殺するためあるいは完全に相殺、あるいは相殺を超えてに使われる。もし、導電吸収体が採用された場合は、封止材料の完全な硬化を確実にし、好ましくない凝集や導電体粒子の偏り及び付随する封止材料の実効誘電率の増加を低減、あるいは避けることが望ましい。保護封止材料500光封止材料600と組合せて使うときは第二層封止材料と呼ぶに加えて、光封止材料600ここでは、第一層封止材料と呼ぶ;図25を使うことが出来る。もし、双方向装置が、光信号14、16、あるいは18の通る光路の自由空間部分を含むならば、少なくともこれらの空間から保護封止材料を排除するために、通常、光封止材料600が必要となる。例えば、もし、導波路102、104、及び106の端面間に配置されたビームスプリッターから構成される光スプリッター結合器110が使われる場合、光封止材料は導波路とビームスプリッター間の光路を満たす。同様に、導波路端面と光検出器あるいは光源の間の間隙も光封止材料で満たされる。この様な封止材料600の使用によって、封止材料500や異物による光伝送面の汚染や光路の遮断を防ぐことが出来る。また、光封止材料600は、装置の好ましくない反射を低減するために、導波路、光検出器、光源、あるいは他の要素と適合する屈折率が選択される。そのような反射は、求められる光信号の光損失源となり、また、追加的光学的クロストークをもたらす好ましくない光信号源となる。また、第一層封止材料600は装置の環境による劣化、例えば、湿気による腐食から保護する。適切な材料の例としては、シリコーンやエポキシポリマーがあるが、これらに限定されない。光封止材料600を採用する場合、封止材料500の塗布及び硬化前に、双方向装置に塗布して硬化する。あるいは、光封止材料600を塗布し、硬化する前に封止材料500を塗布して、硬化前は封止材料500と600は所定の位置にとどまって実質的に混じることはないことを想定して、両方の封止材料は通常の硬化工程で一緒に硬化される。組合せここには、多チャンネルあるいは双方向光電子装置におけるクロストークを低減する三つの技術が開示される:光源のバイポーラ駆動のための駆動回路、導波路基板上の集光器及びライトトラップ、及び低減された誘電率を有する、または光吸収体として作用する封止材料。これらの技術はそれぞれ単独で使うことが出来る。しかしながら、単一の光電子装置において、どれか二つあるいは三つ全ての技術の組合せによる使用もまた、本開示あるいは添付の請求項の範囲に属する。一例として、光吸収封止材料の使用と組合せた集光器及びライトトラップの使用は、これらの技術の単独使用の場合より、更に大きく光学的クロストークを低減することが出来る。他の例では、バイポーラレーザー駆動回路と中空微小球体を含む封止材料の使用は、これらの技術の単独使用の場合より、更に大きく電気的クロストークを低減することが出来る。集光器やトラップ、バイポーラレーザー駆動回路、及び光吸収体と中空微小球体の両方を取り込んだ封止材料の使用は、幾つかの例において、更に低い電気的あるいは光学的クロストークを示している。開示された典型的な実施例や方法と同等のものは、本開示あるいは添付の請求項の範囲に属する。開示された典型的な実施例や方法及びその同等物は、本開示あるいは添付の請求項の範囲内で修正が可能である。上記の詳細説明において、種々の構成は、開示を整理するためいくつかの典型的な実施例にまとめることが可能である。開示のこの方法は、請求項となった実施例が、対応する請求項の記載よりも多くの構成を必要とするとの意図を反映すると解釈してはならない。むしろ、添付の請求項が反映するように、発明の主題は、開示された一つの典型的な実施例の全構成よりも少ない構成にある。このように、添付の請求項は、開示された別々の実施例として自立しているそれぞれの請求項と共に、詳細説明に取り込まれている。しかしながら本開示は、ここに明確には開示されていない一つまたは複数の構成のセットを含めて、本開示あるいは添付の請求項に現れる一つまたは複数の開示または請求項の構成即ち、互いに両立しない、あるいは互いに排他的な構成のセットの適切なセットを有する実施例を、暗に開示していると理解すべきである。ここに明確に開示された、あるいは請求項となった方法に加えて:i明確にあるいは暗に開示されたデバイスまたは装置の使用について;あるいはii明確にあるいは暗に開示されたデバイスまたは装置の製作について、本開示は、明確にあるいは暗に開示されたデバイスまたは装置の使用、あるいは製作の一般的な方法を暗に開示していると理解すべきである。更に、添付の請求項の範囲は、ここに開示された主題の全体を必ずしも網羅していないことに注意すべきである。本開示及び添付の請求項では、接続詞あるいは及びまたはは、下記のi、iiの場合ではない限り包含的例えば、犬あるいは猫は犬、または猫、または両方と解釈される;例えば、犬、猫、あるいは鼠は犬、または猫、または鼠、またはその内の二つ、または三つ全てと解釈されるに解釈されるべきものである:i明確に述べる、さもなければ、例えばいずれか一方、の内の一つのみ、あるいは同様の言葉を使う場合;あるいはii特定の文脈の中で二つあるいはそれ以上のリストアップされた選択肢が互いに排他的である場合。この場合あるいは及びまたはは、互いに排他的ではない選択肢の組合せのみを包含する。本開示及び添付の請求項では、用語から構成される、含めた、有する、及びこれらの変化形は特に断らない限りどんな場合も、あたかも語句少なくともがそれぞれの場合毎の後に添付されるのと同じ意味で、非制限的用語と理解すべきである。添付の請求項において、もし、35USC§112¶6の規定の装置請求項への適用を希望する場合、用語手段がその装置請求項に出現する。もし、これらの規定の方法請求項へ適用を希望する場合、用語の工程がその方法請求項に出現することになる。反対に、もし、用語手段や工程が請求項に出現しなければ、そのときは、その請求項に対して35USC§112¶6の規定の適用は想定されていない。特許文献中の特定の主題を探す手助けをするため、規定に従って要約を提出する。しかしながら、要約は、そこに記載された要素、構成、あるいは限定が必然的に特定の請求項に包含されていることを意味するものではない。それぞれの請求項に包含される主題の範囲は、その請求項のみの記載によって決定される。