表面11を有する基板10と、前記基板10の表面11に設けられた下地犠牲層20と、前記下地犠牲層20に接触すると共に前記下地犠牲層20に接触する部分の面積が前記下地犠牲層20よりも大きい一面31を有するフレキシブル層30と、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層42cと、磁化の向きが固定されたピン磁性層42aと、を有し、前記フレキシブル層30に形成された複数の磁気抵抗素子部42と、を備え、前記複数の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きが前記フレキシブル層30の一面31に平行な面方向の一方向にそれぞれ向けられており、前記複数の磁気抵抗素子部42が外部の磁場の影響を受けたときの前記複数の磁気抵抗素子部42の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、前記基板10の表面11に平行な一方向をX軸とし、当該基板10の表面11において前記X軸に垂直な方向をY軸とし、これらX軸およびY軸に垂直な方向をZ軸とすると、前記複数の磁気抵抗素子部42のうちの一部のピン磁性層42aの磁化の向きが前記基板10の表面11に対して平行に向けられていることにより前記X軸方向もしくは前記Y軸方向の物理量が検出され、前記フレキシブル層30が前記下地犠牲層20との接触箇所を起点として反っていると共に、前記複数の磁気抵抗素子部42の一部とは異なる一部のピン磁性層42aの磁化の向きが前記X軸および前記Y軸に対して傾けられていることにより、前記Z軸方向の物理量が検出されることを特徴とする磁気センサ装置。前記フレキシブル層30は、半円筒状に反っていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ装置。前記フレキシブル層30は、円筒状に反っていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ装置。前記フレキシブル層30は、椀状に反っていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ装置。前記フレキシブル層30は、保護部材50により覆われていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の磁気センサ装置。表面11を有する基板10と、前記基板10の表面11に設けられた下地犠牲層20と、前記下地犠牲層20に接触すると共に前記下地犠牲層20に接触する部分の面積が前記下地犠牲層20よりも大きい一面31を有するフレキシブル層30と、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層42cと、磁化の向きが固定されたピン磁性層42aと、を有し、前記フレキシブル層30に形成された複数の磁気抵抗素子部42と、を備え、前記複数の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きが前記フレキシブル層30の一面31に平行な面方向の一方向にそれぞれ向けられており、前記複数の磁気抵抗素子部42が外部の磁場の影響を受けたときの前記複数の磁気抵抗素子部42の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置の製造方法であって、前記基板10を用意する工程と、前記基板10の表面11に下地層21を形成する工程と、前記下地層21の上に前記フレキシブル層30を形成し、このフレキシブル層30に前記複数の磁気抵抗素子部42を形成する工程と、磁場の向きが前記フレキシブル層30の一面31の面方向の一方向に設定された磁場中に前記複数の磁気抵抗素子部42を配置し、前記複数の磁気抵抗素子部42を加熱して磁場中アニールを行うことにより、前記複数の磁気抵抗素子部42を構成するピン磁性層42aの磁化の向きをそれぞれ前記一方向に着磁する工程と、前記下地層21のうち前記フレキシブル層30の一面31に接触する部分の面積が前記フレキシブル層30の一面31の面積よりも小さくなるように前記下地層21の一部を除去することにより、前記下地犠牲層20を形成する工程と、前記基板10の表面11に平行な一方向をX軸とし、当該基板10の表面11において前記X軸に垂直な方向をY軸とし、これらX軸およびY軸に垂直な方向をZ軸と定義し、前記フレキシブル層30を前記下地犠牲層20との接触箇所を起点として反らせることにより、前記複数の磁気抵抗素子部42のうちの一部のピン磁性層42aの磁化の向きを前記基板10の表面11に平行な面方向に向けると共に、前記複数の磁気抵抗素子部42の一部とは異なる一部のピン磁性層42aの磁化の向きを前記基板10の表面11に対して傾ける工程と、を含んでいることを特徴とする磁気センサ装置の製造方法。前記フレキシブル層30を反らせる工程では、前記フレキシブル層30を半円筒状に反らせることを特徴とする請求項6に記載の磁気センサ装置の製造方法。前記フレキシブル層30を反らせる工程では、前記フレキシブル層30を円筒状に反らせることを特徴とする請求項6に記載の磁気センサ装置の製造方法。前記フレキシブル層30を反らせる工程では、前記フレキシブル層30を椀状に反らせることを特徴とする請求項6に記載の磁気センサ装置の製造方法。前記フレキシブル層30を反らせる工程の後、前記フレキシブル層30を保護部材50で覆う工程を含んでいることを特徴とする請求項6ないし9のいずれか1つに記載の磁気センサ装置の製造方法。しかしながら、特許文献1では、基板に傾斜を形成し、その傾斜上に磁気センサを配置しなければならない。このような構造を形成することは非常に困難であるという問題がある。また、特許文献2についても同様に、基板に可動部を形成し、この可動部に機械的な力を加える必要がある。このため、構造が複雑になると共に製造も困難になるという問題がある。また、Z方向の磁場を検出するために、当該磁場を検出するチップを基板に対して垂直に立てて組み合わせる方法もあるが、当該方法も組み付けが複雑であり、コストアップにも繋がるため、1チップで3軸方向の検出が可能なセンサチップが求められている。本発明は上記点に鑑み、複数のチップを組み合わせることなく、3軸方向の検出が可能な磁気センサ装置とその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、表面11を有する基板10と、基板10の表面11に設けられた下地犠牲層20と、下地犠牲層20に接触すると共に下地犠牲層20に接触する部分の面積が下地犠牲層20よりも大きい一面31を有するフレキシブル層30と、を備え、さらに、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化するフリー磁性層42cと、磁化の向きが固定されたピン磁性層42aと、を有し、フレキシブル層30に形成された複数の磁気抵抗素子部42を備えている。また、複数の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きがフレキシブル層30の一面31に平行な面方向の一方向にそれぞれ向けられている。そして、複数の磁気抵抗素子部42が外部の磁場の影響を受けたときの複数の磁気抵抗素子部42の抵抗値の変化に基づいて物理量を検出する磁気センサ装置であって、基板10の表面11に平行な一方向をX軸とし、当該基板10の表面11においてX軸に垂直な方向をY軸とし、これらX軸およびY軸に垂直な方向をZ軸とし、以下の点を特徴としている。すなわち、複数の磁気抵抗素子部42のうちの一部のピン磁性層42aの磁化の向きが基板10の表面11に対して平行に向けられていることによりX軸方向もしくはY軸方向の物理量が検出される。また、フレキシブル層30が下地犠牲層20との接触箇所を起点として反っていると共に、複数の磁気抵抗素子部42の一部とは異なる一部のピン磁性層42aの磁化の向きがX軸およびY軸に対して傾けられていることにより、Z軸方向の物理量が検出されることを特徴とする。このように、複数の磁気抵抗素子部42が形成されたフレキシブル層30が反った状態とされているので、複数の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11の面方向であるX軸およびY軸方向だけでなく、基板10の表面11に垂直なZ軸方向にも向いた状態とすることができる。したがって、複数のチップを組み合わせることなく、3軸方向の検出を行うことができる。請求項2に記載の発明のように、フレキシブル層30は、半円筒状に反っていることを特徴とする。請求項3に記載の発明のように、フレキシブル層30は、円筒状に反っていることを特徴とする。請求項4に記載の発明のように、フレキシブル層30は、椀状に反っていることを特徴とする。請求項5に記載の発明では、フレキシブル層30は、保護部材50により覆われていることを特徴とする。これにより、保護部材50によってフレキシブル層30を保護することができる。請求項6に記載の発明では、まず、基板10を用意し、基板10の表面11に下地層21を形成する。また、下地層21の上にフレキシブル層30を形成し、このフレキシブル層30に複数の磁気抵抗素子部42を形成する。この後、磁場の向きがフレキシブル層30の一面31の面方向の一方向に設定された磁場中に複数の磁気抵抗素子部42を配置し、複数の磁気抵抗素子部42を加熱して磁場中アニールを行うことにより、複数の磁気抵抗素子部42を構成するピン磁性層42aの磁化の向きをそれぞれ一方向に着磁する。続いて、下地層21のうちフレキシブル層30の一面31に接触する部分の面積がフレキシブル層30の一面31の面積よりも小さくなるように下地層21の一部を除去することにより、下地犠牲層20を形成する。基板10の表面11に平行な一方向をX軸とし、当該基板10の表面11においてX軸に垂直な方向をY軸とし、これらX軸およびY軸に垂直な方向をZ軸と定義する。そして、フレキシブル層30を下地犠牲層20との接触箇所を起点として反らせることにより、複数の磁気抵抗素子部42のうちの一部のピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に平行な面方向に向けると共に、複数の磁気抵抗素子部42の一部とは異なる一部のピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に対して傾けることを特徴とする。このように、複数の磁気抵抗素子部42を形成したフレキシブル層30を反らせているので、複数の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に平行な面方向だけでなく、基板10の表面11に対して傾けることができる。したがって、複数のチップを組み合わせることなく、3軸方向の検出を行う磁気センサ装置を製造することができる。請求項7に記載の発明のように、フレキシブル層30を反らせる工程では、フレキシブル層30を半円筒状に反らせることができる。請求項8に記載の発明のように、フレキシブル層30を反らせる工程では、フレキシブル層30を円筒状に反らせることができる。請求項9に記載の発明のように、フレキシブル層30を反らせる工程では、フレキシブル層30を椀状に反らせることができる。請求項10に記載の発明では、フレキシブル層30を反らせる工程の後、フレキシブル層30を保護部材50で覆う工程を含んでいることを特徴とする。これにより、保護部材50によってフレキシブル層30を保護することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る磁気センサ装置は、例えば自動車用のエンジン回転数検出やハンドル回転角検出等に使用されるものである。本実施形態では、磁気センサ装置として回転角を検出する回転角センサを例に説明する。図1は本実施形態に係る磁気センサ装置の概略斜視図である。図1に示されるように、磁気センサ装置は基板10の表面11上に設けられた下地犠牲層20を介してフレキシブル層30が設けられた形態になっている。基板10として例えばSi基板が用いられる。ここで、基板10の表面11に平行な一方向図1では基板10の長手方向をX軸とし、当該基板10の表面11においてX軸に垂直な方向をY軸と定義する。また、これらX軸およびY軸に垂直な方向すなわち基板10の表面11に垂直な方向をZ軸と定義する。下地犠牲層20は、フレキシブル層30を支持する役割を果たすものであり、例えばSiO2等の絶縁材料で形成されている。本実施形態では、下地犠牲層20は、Y軸方向に沿った直方体をなしており、フレキシブル層30のX軸方向における中央に位置している。すなわち、下地犠牲層20はフレキシブル層30を線で支えている。フレキシブル層30は柔軟性を備えた層であり、下地犠牲層20に接触する一面31を有している。この一面31は、下地犠牲層20に接触する部分よりも広い。すなわち、フレキシブル層30の一面31の面積は、下地犠牲層20がフレキシブル層30に接触する部分の面積よりも大きい。また、フレキシブル層30は図1に示されるように半円筒状に反っている。半円筒状とは、円筒を軸に沿って割った形状である。また、断面が半円弧状のものであるとも言える。フレキシブル層30の材料としてはPDMSやSiNが用いられる。フレキシブル層30のうち下地犠牲層20に接触していない部分が反っている。そして、フレキシブル層30は3つのセンサ部40を備えている。センサ部40は、外部の磁場の影響を受けたときに抵抗値が変化する素子である。本実施形態に係るセンサ部40は、トンネル磁気抵抗素子TMR素子として構成されている。図2はセンサ部40の概略断面図である。この図に示されるように、センサ部40は、下部電極41と、下部電極41の上に設けられた磁気抵抗素子部42と、磁気抵抗素子部42の上に設けられた上部電極43と、を備えている。磁気抵抗素子部42は、下部電極41の上にピン磁性層42a、トンネル層42b、フリー磁性層42cが順に形成されてTMR素子が構成されたものである。ピン磁性層42aはフリー磁性層42cよりも下地犠牲層20側に位置すると共に磁化の向きが固定される強磁性金属層である。トンネル層42bはトンネル効果によりフリー磁性層42cからピン磁性層42aに電流を流すための絶縁層である。フリー磁性層42cは、外部の磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する強磁性金属層である。図1のようにフレキシブル層30が反らされる前では、複数の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きは、フレキシブル層30の一面31に平行な面方向の一方向X軸方向にそれぞれ向けられており、その状態で図1に示されるようにフレキシブル層30がU字型に反らされている。フレキシブル層30が反らされた後はピン磁性層42aの磁化の向きはフレキシブル層30の反り曲線の接線方向を向いていると言える。このようにフレキシブル層30が反らされていることにより、3つのピン磁性層42aのうちの一つは-Z軸方向に向けられ、一つはX軸方向に向けられ、一つはZ軸方向に向けられている。これによると、ピン磁性層42aの磁化の向きがX軸方向に向けられた磁気抵抗素子部42ではX-Y平面の磁界を検出することができ、ピン磁性層42aの磁化の向きが±Z軸方向に向けられた磁気抵抗素子部42ではZ軸方向の磁界を検出することができる。なお、センサ部40は、図1に示されるように円形にレイアウトされている。このようにセンサ部40の平面レイアウトを円形としているのは、磁化の特性が良くなるためである。完全な円形ではなく、楕円でも良い。もちろん、センサ部40の平面レイアウトは円形や楕円に限らず、多角形でも良い。下部電極41は、当該下部電極41に接続された図示しない下部電極用配線を介して基板10に形成された図示しない下部電極用パッドに接続されている。下部電極用配線は、下地犠牲層20を貫通するように形成されている。下部電極用パッドは図示しない信号処理用のチップに接続されている。また、上部電極43は、当該上部電極43に接続された図示しない上部電極用配線を介して図示しない上部電極用パッドに接続されている。上部電極用パッドは図示しない信号処理用のチップに接続されている。以上が、本実施形態に係る磁気センサ装置の構成である。次に、上記構成の磁気センサ装置の製造方法について、図3~図6を参照して説明する。なお、図3、図4、および図6aの各図では、2つの磁気抵抗素子部42を1つのセンサ部40とした構造の断面図を示している。また、図6bではフレキシブル層30内の構造を省略している。まず、図3aに示す工程では、基板10としてSi基板を用意する。そして、基板10の表面11側にイオン注入を行うことで下部電極用パッド41aや図示しない配線を形成する。図3bに示す工程では、基板10の表面11全体にCVDやスパッタ等の方法によりSiO2等の下地層21を形成する。続いて、図3cに示す工程では、下地層21の上にフレキシブル層30の下地膜32を形成する。フレキシブル層30の材料としてはPDMSを用い、下地層21の上に塗布スピンコートすることで下地層21を形成する。なお、フレキシブル層30の材料をSiNとする場合にはCVD法等で基板10の上にSiN膜を形成する。図3dに示す工程では、ドライエッチング等で下部電極用パッド41aに対応する位置に下地膜32と下地層21を貫通するコンタクトホール41bを形成し、このコンタクトホール41bにAlやCu等を埋めることで下部電極用配線41cを形成する。なお、下地膜32上の不要な金属層は除去する。この後、図3eに示す工程では、下地膜32の上に下部電極41となる金属層をスパッタ等で成膜する。そして、ミリング等でエッチングすることにより、下部電極41を形成する。下部電極41は下部電極用配線41cと接続される。図4aに示す工程では、下部電極41の上に磁気抵抗素子部42となる各層をスパッタ等で順に成膜する。そして、ミリング等でエッチングすることにより、各下部電極41の上に一対の磁気抵抗素子部42を形成する。図4bに示す工程では、各磁気抵抗素子部42の上にPDMSを塗布またはSiN膜をCVD法等で形成し、リフトオフの方法により各磁気抵抗素子部42上のPDMSまたはSiN膜を除去する。これにより、フレキシブル層30の一部である中間膜33が磁気抵抗素子部42の側面を覆う形態となる。そして、図4cに示す工程では、各磁気抵抗素子部42の上に金属層をスパッタ等で成膜し、当該金属層をミリング等でエッチングすることにより上部電極43を形成する。図4dに示す工程では、上部電極43を覆うようにPDMSを塗布またはSiN膜をCVD法等で形成し、フレキシブル層30の一部である保護膜34を形成する。つまり、フレキシブル層30は、下地膜32と中間膜33と保護膜34とで構成されている。続いて、図5に示す工程では、各磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの着磁を行う。具体的には、磁場の向きがフレキシブル層30の一面31の面方向の一方向X軸方向に設定された磁場中に各磁気抵抗素子部42を配置する。つまり、図4dの工程で得られたものを磁場中に配置する。そして、各磁気抵抗素子部42を加熱して磁場中アニールを行う。これにより、各磁気抵抗素子部42を構成するピン磁性層42aの磁化の向きをそれぞれX軸方向に沿って着磁する。このように、各磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きがそれぞれ異なるように着磁する必要はなく、まとめて着磁することができる。この後、図6aに示す工程では、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより下地層21のうちフレキシブル層30の一面31に接触する部分の面積がフレキシブル層30の一面31の面積よりも小さくなるように下地層21の一部を除去する。本実施形態では、上述のように、下地犠牲層20がフレキシブル層30のX軸方向における中央に位置すると共にY軸方向に沿った直方体となるように下地層21をエッチングする。このようにして下地層21から下地犠牲層20を形成する。このように、下地犠牲層20でフレキシブル層30を支持する形態とすると、図6aに示されるようにフレキシブル層30のうちX軸方向における一端部側と反対側の他端部側とが共に基板10に対して離間しており、浮いた状態となる。つまり、フレキシブル層30の一面31のうち下地犠牲層20を除いた部分と基板10の表面11との間に空間部が存在する。図6bに示す工程では、フレキシブル層30を下地犠牲層20との接触箇所を起点として反らせる。例えば、フレキシブル層30に熱処理を施すことによってフレキシブル層30に熱圧縮を起こさせる方法により、フレキシブル層30を半円筒状に反らせる。これにより、フレキシブル層30のうちX軸方向における一端部側と反対側の他端部側とが基板10から離れるようにフレキシブル層30がU字型に反った状態となる。このようにフレキシブル層30を反らせるのは、フレキシブル層30に形成した複数の磁気抵抗素子部42の少なくとも1つのピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に対して傾けるためである。すなわち、フレキシブル層30を反らせることにより、複数の磁気抵抗素子部42のうちの1つのピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に平行な面方向に向け、他の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に対して傾ける。こうして、図1に示された磁気センサ装置が完成する。次に、磁気センサ装置が外部の磁場の影響を受けたときに物理量として回転角度を検出する方法について説明する。回転角度を検出するため、下部電極用パッドおよび上部電極用パッドを介して磁気抵抗素子部42に電流を流す。そして、各磁気抵抗素子部42が外部の磁場の影響を受けたことにより、各磁気抵抗素子部42の抵抗値の変化に基づいて各磁気抵抗素子部42に流れる電流の大きさつまり抵抗値が変化する。ここで、複数の磁気抵抗素子部42のうちピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に平行な面方向X軸方向に向けられたものについては、X軸方向もしくはY軸方向の磁界X-Y平面の磁界を検出することができる。一方、フレキシブル層30が反っていることにより、複数の磁気抵抗素子部42のうちピン磁性層42aの磁化の向きが基板10の表面11つまりX軸およびY軸に対して傾けられたものについては、Z軸方向の磁化を検出することができる。したがって、複数のチップを組み合わせることなく、3軸方向の検出が可能となる。以上説明したように、本実施形態では、複数の磁気抵抗素子部42が形成されたフレキシブル層30が、下地犠牲層20を起点として半円筒状に反っていることが特徴となっている。これにより、複数の磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11の面方向であるX軸およびY軸方向だけでなく、基板10の表面11に垂直なZ軸方向にも向いた状態とすることができる。したがって、複数のチップを組み合わせることなく、3軸方向の検出を行うことができる。なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、ピン磁性層42aの磁化の向きがX軸方向に向いた磁気抵抗素子部42が特許請求の範囲の複数の磁気抵抗素子部のうちの一部に対応し、ピン磁性層42aの磁化の向きがZ軸方向に向いた磁気抵抗素子部42が特許請求の範囲の複数の磁気抵抗素子部の一部とは異なる一部に対応する。第2実施形態本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図7は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略斜視図である。この図に示されるように、フレキシブル層30は保護部材50で覆われている。保護部材50の材料としては例えば樹脂材料が用いられる。このように、フレキシブル層30を保護部材50で覆う構造を製造する場合はフレキシブル層30を反らせる工程図6bに示す工程の後にフレキシブル層30を保護部材50で覆う工程を行えば良い。このようにフレキシブル層30を保護部材50で覆うことによってフレキシブル層30を保護することができる。第3実施形態本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分について説明する。図8は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略斜視図である。この図に示されるように、フレキシブル層30は、円筒状に反っている。このような形態は、図6bに示す工程において、フレキシブル層30のうちX軸方向における一端部側と反対側の他端部側とが接触するまでフレキシブル層30を反らせることで実現することができる。このように、フレキシブル層30が円筒状に反っていることでフレキシブル層30に形成された複数の磁気抵抗素子部42のうちの少なくとも一つのピン磁性層42aの磁化の向きを基板10の表面11に対して傾けることができる。なお、本実施形態においても、第2実施形態で示された保護部材50で円筒状のフレキシブル層30を覆っても良い。第4実施形態本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図9は、本実施形態に係る磁気センサ装置の概略斜視図である。この図に示されるように、フレキシブル層30は椀状に反っている。ここで、椀状とは、球状体の殻の一部の形状であったり、コンタクトレンズの形状を指す。上述のように、フレキシブル層30は下地犠牲層20との接触箇所を起点として反っているため、フレキシブル層30を椀状に反らせるために下地犠牲層20はフレキシブル層30の一面31に対して点状に接触している。上述のように、フレキシブル層30のうち下地犠牲層20と接触していない部分が反るので、フレキシブル層30を下地犠牲層20で点で支えることで、フレキシブル層30が下地犠牲層20を中心とした椀状に沿っているのである。このような椀状のフレキシブル層30に複数の磁気抵抗素子部42が設けられている場合、フレキシブル層30のうちX軸方向における中央部分に位置している磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きはX軸方向に反っている。また、フレキシブル層30のうちX軸方向における一端部側と反対側の他端部側とにそれぞれ位置している磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きは、フレキシブル層30が反っていることにより基板10の表面11に対して傾けられている。このように、フレキシブル層30を椀状に反らせることによっても、3軸方向の検出を行うことができる。もちろん、本実施形態においても、第2実施形態で示された保護部材50で円筒状のフレキシブル層30を覆っても良い。他の実施形態上記各実施形態で示された磁気センサ装置の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、上記各実施形態では、磁気センサ装置は車両に適用されるものとして説明したが、もちろん車両に限らず回転角度を検出するものとして広く利用できる。上記各実施形態では磁気抵抗素子部42をTMR素子として構成していたが、GMR素子として構成しても良い。上記各実施形態で示されたフレキシブル層30における各センサ部40の位置はもちろん一例であり、どの方向にピン磁性層42aの磁化の向きを設定するかによって各センサ部40の位置を適宜設定すれば良い。上記各実施形態では、フレキシブル層30を半円筒状、円筒状、椀状に反らせていたが、これらの形状は一例であり、他の形状になっていても良い。例えば、第1実施形態では、フレキシブル層30は、当該フレキシブル層30のうちX軸方向における一端部側と反対側の他端部側とが基板10の表面11から離れるように反っていたが、当該フレキシブル層30のうちX軸方向における一端部側と反対側の他端部側とが基板10の表面11に近づくように反っていても良い。これは、第4実施形態で示された椀状のフレキシブル層30についても同様であり、フレキシブル層30が基板10に近づくように椀状に反っていても良い。上記各実施形態では、フレキシブル層30は下地膜32と中間膜33と保護膜34との3層の積層構造とされていたが、この構造は一例であり、フレキシブル層30は3層構成でなくても良い。例えば積層構造ではなく1層で構成されていても良い。上記各実施形態では、フレキシブル層30を反らせる方法として熱処理を行っていたが、フレキシブル層30の材料の選択により、フレキシブル層30の物性に任せて反らせても良い。また、MEMS技術を用いて反らせても良い。また、上記各実施形態では、1つの基板10で1つの磁気センサ装置を製造する場合について説明したが、各センサ部40のピン磁性層42aに対してすべて同じ方向に着磁することができるので、1枚のウェハに多数の磁気センサ装置となる部分を形成し、後の工程でウェハを分割することにより、1枚のウェハから多数の磁気センサ装置を製造する方法を採用しても良い。