"ガラス基板の一表面側に固定接点の対が設けられたベース基板と、前記ガラス基板の前記一表面側で前記ベース基板に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された可動部形成基板とを備え、前記可動部形成基板は、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に支持された可動ブロックとを有し、前記可動ブロックは、前記固定接点の対に接離する可動接点が設けられた接点保持部を有し、前記接点保持部に、前記ガラス基板の他表面側からレーザビームを照射可能なターゲット部が設けられてなることを特徴とするMEMSリレー。前記可動ブロックは、前記フレーム部に第1ばね部を介して支持された可動部と、前記可動部に第2ばね部を介して支持された前記接点保持部とを有し、前記ガラス基板の前記一表面から前記ターゲット部までの高さと前記一表面から前記第2ばね部における前記接点保持部側の端部までの高さとが略同じであることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記固定接点の幅寸法よりも前記接点保持部の幅寸法を大きく設定してあることを特徴とする請求項1または請求項2記載のMEMSリレー。前記ターゲット部は、前記接点保持部よりも前記レーザビームに対する反射率の高い材料により形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のMEMSリレー。前記接点保持部の複数箇所に前記ターゲット部が設けられてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のMEMSリレー。上述のマイクロリレーでは、接合補助部材225と磁性体板224との溶着に伴う残留応力に起因して磁性体保持部223aに反りが生じることがあった。このため、上述のマイクロリレーでは、可動接点227と一対の固定接点214,214との距離や、可動接点227と一対の固定接点214,214との接触圧が、それぞれの設計値からばらついて、動作特性や寿命がばらついてしてしまう懸念があった。そこで、本願発明者らは、アーマチュアブロック202とボディ201およびカバー203とをそれぞれ結合した後の検査として、可動接点227の変位を測定することを考えた。しかしながら、上述のマイクロリレーでは、カバー203の凹部がサンドブラスト法により形成されているので、凹部の内底面が、すりガラス状の粗面になっている。このため、上述のマイクロリレーでは、レーザ変位計などの検査装置を利用して可動接点227の変位の測定を行なおうとしても、レーザビームが乱反射してしまうから、可動接点227の変位を測定することができず、信頼性を高めることが難しかった。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、可動接点の変位を検査可能なMEMSリレーを提供することにある。本発明のMEMSリレーは、ガラス基板の一表面側に固定接点の対が設けられたベース基板と、前記ガラス基板の前記一表面側で前記ベース基板に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された可動部形成基板とを備え、前記可動部形成基板は、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に支持された可動ブロックとを有し、前記可動ブロックは、前記固定接点の対に接離する可動接点が設けられた接点保持部を有し、前記接点保持部に、前記ガラス基板の他表面側からレーザビームを照射可能なターゲット部が設けられてなることを特徴とする。このMEMSリレーにおいて、前記可動ブロックは、前記フレーム部に第1ばね部を介して支持された可動部と、前記可動部に第2ばね部を介して支持された前記接点保持部とを有し、前記ガラス基板の前記一表面から前記ターゲット部までの高さと前記一表面から前記第2ばね部における前記接点保持部側の端部までの高さとが略同じであることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記固定接点の幅寸法よりも前記接点保持部の幅寸法を大きく設定してあることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記ターゲット部は、前記接点保持部よりも前記レーザビームに対する反射率の高い材料により形成されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記接点保持部の複数箇所に前記ターゲット部が設けられてなることが好ましい。本発明のMEMSリレーにおいては、可動接点の変位を検査可能となるという効果がある。以下では、図1~図5に基づいて本実施形態のMEMSリレーについて説明する。MEMSリレーは、ガラス基板10の一表面側に固定接点14の対が設けられたベース基板1と、ガラス基板10の上記一表面側でベース基板1に対向配置されたカバー基板3と、ベース基板1とカバー基板3との間に配置された可動部形成基板2とを備えている。可動部形成基板2は、ベース基板1とカバー基板3との間に介在するフレーム部21と、フレーム部21の内側に配置されフレーム部21に支持された可動ブロック2aとを有している。可動ブロック2aは、固定接点14の対に接離する可動接点27が設けられた接点保持部28を有し、接点保持部28に、ガラス基板10の他表面側からレーザビームLB図6参照を照射可能なターゲット部5が設けられている。MEMSリレーは、電磁駆動式のマイクロリレーであり、可動部形成基板2に、磁性体板からなるアーマチュア24が設けられ、アーマチュア24を駆動する電磁石装置4を備えている。この電磁石装置4は、ベース基板1に形成された収納部16に収納されている。MEMSリレーは、アーマチュア24を電磁石装置4によって駆動することにより、ベース基板1の上記一表面側に設けられた固定接点14の対と可動部形成基板2に設けられた可動接点27とが接離する。なお、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1およびカバー基板3の外形サイズを、可動部形成基板2の外形サイズと同じ外形サイズに設定してある。以下、MEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、ガラス基板10以下、第1のガラス基板10とも称するが矩形板状に形成されており、外周形状が矩形状となっている。第1のガラス基板10のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。上述のベース基板1は、第1のガラス基板10の上記一表面側において、第1のガラス基板10の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線13,13が形成されている。ここで、各一対の信号線13,13は、第1のガラス基板10の上記一表面側において、第1のガラス基板10の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板1は、各信号線13の各々の一端部に、上述の固定接点14が設けられ、各信号線13の各々の他端部が、第1のガラス基板10の厚み方向に貫設された貫通孔配線15と電気的に接続されている。また、信号線13は、金属層例えば、Au層により構成されている。信号線13の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用することができるが、それ以外の材料を採用してもよい。また、固定接点14の材料としては、信号線13と同じ材料を採用することができるが、それ以外の材料を採用してもよい。また、固定接点14は、単層膜に限らず、多層積層膜でもよい。また、ベース基板1において上述の貫通孔配線15が内側に設けられた貫通孔12図5参照は、第1のガラス基板10の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線15は、貫通孔12の内面に沿って形成され第1のガラス基板10の上記一表面側において貫通孔12を閉塞している。また、ベース基板1は、電磁石装置4を収納する収納部16が形成されている。ここで、ベース基板1は、第1のガラス基板10の中央部に、電磁石装置4が挿入される開口部17が貫設されている。また、ベース基板1は、第1のガラス基板10の上記一表面側に、開口部17を閉塞する薄膜状の蓋体部18が接合されている。要するに、ベース基板1は、開口部17の内周面と蓋体部18とで囲まれた空間が収納部16を構成している。これにより、本実施形態のMEMSリレーは、ベース基板1と可動部形成基板2のフレーム部21とカバー基板3とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となっている。なお、蓋体部18の材料としては、Siを採用している。蓋体部18の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部18の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。上述の開口部17は、第1のガラス基板10の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、ベース基板1は、可動部形成基板2側とは反対側から電磁石装置4を挿入し易く、且つ、第1のガラス基板10の上記一表面における開口部17の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部17および貫通孔12は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。電磁石装置4は、U字状のヨーク40と、ヨーク40に巻回された2つのコイル42,42とを備えている。ヨーク40は、両コイル42,42が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部40aと、コイル巻回部40aの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部40aの厚み方向に延設された側片40b,40bとを有している。そして、ヨーク40は、コイル42,42への励磁電流に応じて一対の側片40b,40bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク40は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片40b,40bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの間でコイル巻回部40aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石41を備えている。しかして、電磁石装置4は、永久磁石41とヨーク40の側片40b,40bとによって、コイル巻回部40aの長手方向への各コイル42,42の移動が規制される。電磁石装置4は、2つのコイル42,42に励磁電流を通電したときに電磁力を発生する。電磁石装置4は、この電磁力によって、矩形板状のアーマチュア24の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。永久磁石41は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク40のコイル巻回部40aに当接し、他方の磁極面がヨーク40の両側片40b,40bの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部18に当接する形で収納部16に収納されている。これにより、MEMSリレーは、永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40b,40bの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置4とアーマチュア24との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置4は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板43を備えている。このプリント基板43は、絶縁性基板43aの一表面における長手方向の両端部それぞれに導体パターン43b,43bが形成されており、各導体パターン43b,43bにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極43ba,43baを構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部43bb,43bbを構成している。ここにおいて、コイル接続部43bb,43bbには、コイル42,42の端末が接続される。コイル42,42は、外部接続用電極43ba,43ba間に電源を接続してコイル42,42へ励磁電流を流したときにヨーク40の両側片40b,40bの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。可動部形成基板2は、シリコン基板からなる半導体基板20を用いて形成されている。半導体基板20は、シリコン基板に限らず、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板や、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いてもよい。可動部形成基板2は、ベース基板1とカバー基板3との間に介在するフレーム部21と、フレーム部21の内側に配置されフレーム部21に4つの第1ばね部支持ばね部22を介して揺動自在に支持された可動部23とを有している。また、可動部形成基板2は、可動部23における一面側電磁石装置4側に配置され電磁石装置4とともに磁気回路を構成する上述のアーマチュア24と、アーマチュア24の中央部との間に可動部23を挟んで配置されたプレート25とを有している。ここで、プレート25は、可動部23の厚み方向に貫通した貫通孔29を通してアーマチュア24に溶接されている。プレート25をアーマチュア24に溶接するにあたっては、可動部23の上記一面側にアーマチュア24を配置し他面側にプレート25を配置した状態で、プレート25において貫通孔29に対応する部分にレーザ光を照射してプレート25を局所的に溶融させてアーマチュア24に溶接させるようにしている。要するに、プレート25は、アーマチュア24にレーザ溶接法により溶接されている。なお、レーザ溶接法により溶接する際のレーザ光源としては、例えば、YAGレーザを用いればよいが、これに限定するものではなく、例えば、プレート25の材料に応じて適宜変更してもよい。アーマチュア24を構成する磁性体板の材料としては、鉄-コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。また、プレート25の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるSUS430を採用しているが、これに限らず、例えば、SUS430以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。可動部形成基板2は、可動部23の厚みがフレーム部21の厚みよりも薄く、アーマチュア24の厚み寸法を、可動部形成基板2とベース基板1とを固着した状態においてアーマチュア24とベース基板1との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、プレート25の厚み寸法は、可動部23とカバー基板3との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。本実施形態では、フレーム部21の厚さを200μm、可動部23の厚さを50μm、アーマチュア24の厚さを100μm、プレート25の厚さを100μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、半導体基板20としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、50μm~1000μm程度の範囲で設定してもよく、半導体基板20の厚さ寸法に基づいて、可動部23の厚さ、アーマチュア24の厚さ、およびプレート25の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。ただし、アーマチュア24の厚さ寸法は、電磁石装置4による所望の吸引力を確保するように設定する必要がある。これに対して、可動部23およびプレート25それぞれの厚さ寸法は、MEMSリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。上述の可動部形成基板2は、フレーム部21が、矩形枠状に形成され、可動部23が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア24は、可動部23よりも小さな矩形板状に形成されている。また、プレート25は、長手方向の寸法が可動部23の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート25は、可動部23の長手方向の中央部において、当該プレートの長手方向を可動部23の短手方向に合わせて配置されている。なお、プレート25の形状は、特に限定するものではなく、例えば、長方形状でもよいし、菱形状でもよい。第1ばね部22は、可動部23の短手方向の両側縁側の各々において可動部23の長手方向に離間した2箇所に形成されている。各第1ばね部22は、一端部が可動部23に連結され他端部がフレーム部21の内周面に連結されている。各第1ばね部22は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、可動部形成基板2は、可動部23が揺動する際に各第1ばね部22の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第1ばね部22が破損するのを抑制することが可能となる。また、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。また、可動部形成基板2は、フレーム部21の内周面において可動部23の各第1突片23aの各々に対応する各部位から、矩形状の第2突片21aが1つずつ延設されている。すなわち、可動部形成基板2は、1対1で対応する第1突片23aと第2突片21aとの、互いの先端面同士が対向している。可動部23から延設された各第1突片23aの各々の先端面には、凸部23bが形成されている。一方、フレーム部21から延設された各第2突片21aの各々の先端面には、凸部23bが入り込む凹部21bが形成されている。したがって、可動部形成基板2は、凸部23bが凹部21bの内周面に当接することにより、フレーム部21の厚み方向に直交する面内における可動部23の移動が規制される。可動部23の同一の側縁側にある2つの第1ばね部22は、同一の側縁から延設されている第1突片23aの両側に位置している。可動部形成基板2は、可動部23の各第1突片23aにおけるベース基板1との対向面に、支点突起23c図2参照が突設されている。支点突起23cは、可動部23が当該可動部23に一体化されているアーマチュア24とともに揺動回動する際の支点として機能する。要するに、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向において離間して配置された2つの支点突起23cがベース基板1に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。また、可動部形成基板2は、可動部23の4隅から当該可動部23の短手方向の両側に向かって矩形状の第3突片23dが延設され、各第3突片23dにおけるベース基板1との対向面には、可動部23の揺動範囲を規制するストッパ部23e図2参照が形成されている。これらのストッパ部23eは、ベース基板1の上記一表面と接触することにより、可動部23の変位量を制限する。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア24と蓋体部18とが接触することを回避することが可能となり、アーマチュア24や蓋体部18が破損するのを防止することが可能となる。また、可動部形成基板2は、可動部23の長手方向の両側に接点保持部28,28が配置されている。各接点保持部28は、一対の第2ばね部接圧ばね部26,26を介して可動部23に支持されている。各接点保持部28には、ベース基板1の厚み方向において対向する一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられている。可動接点27の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用することができるが、それ以外の材料を採用してもよい。可動接点27は、単層膜でもよいし、多層積層膜でもよい。各接点保持部28の厚さ寸法は、フレーム部21の厚さ寸法よりも小さく且つ可動部23の厚さ寸法よりも大きな値に設定してある。また、接点保持部28の厚み方向において重なる接点保持部28と可動接点27とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部28は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部23の長手方向に一致するように配置されている。各第2ばね部26は、一方の端部が可動部23の長手方向に沿った側縁に連結され、他方の端部が接点保持部28の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一方の端部と上記他方の端部との間の中間部の一部を、可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各第2ばね部26の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、各第2ばね部26の長さを適当な長さとして各第2ばね部26のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。可動部形成基板2は、フレーム部21が、ベース基板1およびカバー基板3と接合されている。これにより、可動部形成基板2は、各可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に対向し当該一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。ここで、説明を簡単にするために、図1aにおいて右側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、第1固定接点14a,14aに対応する可動接点27を第1可動接点27a、図1aにおいて左側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、第2固定接点14b,14bに対応する可動接点27を第2可動接点27bと称することもある。可動部形成基板2は、アーマチュア24の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。ここで、可動部形成基板2の基礎となる半導体基板20として、上述のダブルSOI基板を用いれば、可動部23とベース基板1との距離をベース基板1側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、MEMSリレーは、可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが開放されている状態での可動接点27と一対の固定接点14,14との間の距離絶縁距離を高精度に設定することが可能となり、また、アーマチュア24と電磁石装置4との距離磁気ギャップ長を高精度に設定することが可能となる。また、カバー基板3は、ガラス基板30以下、第2のガラス基板30とも称するを用いて形成されている。カバー基板3は、第2のガラス基板30の代わりに、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板を用いてもよい。第2のガラス基板30のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。カバー基板3は、第2のガラス基板30における可動部形成基板2との対向面に、可動部23の揺動空間を確保する凹所図示せずが形成されている。この凹所は、例えば、サンドブラスト法などにより形成することができる。ここで、本実施形態のMEMSリレーの動作について説明する。本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア24の長手方向の一端部がヨーク40の一方の側片40bに吸引される。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。また、本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア24の長手方向の上記他端部がヨーク40の他方の側片40bに吸引され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。なお、本実施形態のMEMSリレーは、アーマチュア24を動かす電磁石装置4として、永久磁石41を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレーマイクロリレーを構成している。ただし、MEMSリレーは、電磁石装置4として永久磁石41を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。上述の可動部形成基板2のフレーム部21とベース基板1およびカバー基板3とは、それぞれ、陽極接合法により接合されている。また、可動部23には、上述の貫通孔29が2つ形成されている。これら2つの貫通孔29は、可動部23の長手方向の中央部において可動部23の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各貫通孔29は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート25は、長手方向の寸法が、可動部23の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート25は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、貫通孔29の内径よりも大きな値に設定されている。なお、各貫通孔29の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート25の短手方向の寸法は、可動部23の上記他面における貫通孔29の最大寸法可動部23の長手方向における貫通孔29の最大寸法よりも大きな値であればよい。そして、プレート25は、可動部23の各貫通孔29を通してアーマチュア24に溶接されている。要するに、プレート25は、アーマチュア24に2箇所が溶接されている。なお、溶接箇所は、2箇所に限定するものではない。可動部形成基板2は、可動部23とアーマチュア24とプレート25とを含む部分が、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、可動部23に対するアーマチュア24およびプレート25それぞれの配置領域が規定されている。要するに、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部23の重心とアーマチュア24およびプレート25各々の重心とが一直線上に位置するように上記各配置領域を規定している。さらに、可動部形成基板2は、フレーム部21の内側の可動ブロック2aが、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、各第1ばね部22、各第2ばね部26、各接点保持部28の形状および配置を規定してある。また、可動部形成基板2は、可動部23に、可動部23の上記一面から突設されアーマチュア24を位置決めする第1突起23gと、可動部23の上記他面から突設されプレート25を位置決めする第2突起23fとが一体に設けられている。第1突起23gの突出寸法は、第1突起23gがアーマチュア24の揺動範囲を狭めないように、アーマチュア24の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、アーマチュア24の厚さ寸法が100μmの場合、第1突起23gの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、第2突起23fの突出寸法は、第2突起23fがプレート25の揺動範囲を狭めないように、プレート25の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、プレート25の厚さ寸法が100μmの場合、第2突起23fの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、可動部形成基板2は、第1突起23gおよび第2突起23fをそれぞれ複数備えている。可動部形成基板2は、複数の第1突起23gが、可動部23の上記一面側においてアーマチュア24の規定の配置領域を囲むように配置され、複数の第2突起23fが、可動部23の上記他面側においてプレート25の規定の配置領域を囲むように配置されていることが好ましい。要するに、可動部形成基板2は、複数の第1突起23gが、アーマチュア24の外周に沿って配置され、複数の第2突起23fが、プレート25の外周に沿って配置されている。本実施形態では、第1突起23gの数を8個、第2突起23fの数を6個としてあるが、これらの数は特に限定するものではない。ただし、第1突起23gは、可動部23の上記一面側において、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。また、第2突起23fは、可動部23の上記他面側において、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。各第1突起23gおよび各第2突起23fは、各々、平面形状を矩形状としてあるが、これらの形状は矩形状に限らず、例えば、円形状、三角形状、多角形状でもよい。また、複数の第1突起23gは、全てが同じ形状である必要はない。また、複数の第2突起23fは、全てが同じ形状である必要はない。また、第1突起23gについては、可動部23の上記一面側においてアーマチュア24の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第2突起23fについては、可動部23の上記他面側においてプレート25の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第1突起23gは、アーマチュア24の規定の配置領域との間に所定の第1隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、アーマチュア24の配置が容易になるとともに、アーマチュア24の寸法公差などに起因してアーマチュア24を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。また、第2突起23fは、プレート25の規定の配置領域との間に所定の第2隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、プレート25の配置が容易になるとともに、プレート25の寸法公差などに起因してプレート25を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。上述のアーマチュア24およびプレート25については、各々、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。なお、アーマチュア24およびプレート25は、真空チャックなどにより、可動部23に対して配置する。一方、可動部形成基板2は、アーマチュア24およびプレート25以外の構成要素を、マイクロマシニング技術を利用して形成してある。つまり、可動部形成基板2のフレーム部21、可動部23、各第1ばね部22、各第1突片23a、各第2突片21a、各第2ばね部26、各接点保持部28、各第1突起23gおよび各第2突起23fは、半導体基板20半導体基板20の基礎となるウェハを、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体プロセス技術を利用して加工することにより形成してある。したがって、可動部23に対する各第1突起23gの位置精度は、主に、各第1突起23gをフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して形成する際の、露光工程における重ね合わせ検出マークの重ね合わせ精度overlayaccuracyと、エッチング工程での寸法シフトmeasureshiftとにより決まる。アーマチュア24とプレート25とを溶接するためには、例えば、まず、可動部23に対して先にアーマチュア24を位置決めしてから、真空チャックなどによってアーマチュア24あるいは可動部23を吸引し、その後、可動部23に対してプレート25を位置決めする。続いて、プレート25において可動部23の貫通孔29に対応した部位にレーザ光を照射してプレート25を局所的に溶融させてプレート25とアーマチュア24とを溶接すればよい。接点保持部28には、上述のように、ガラス基板10の他表面側からレーザビームLB図6参照を照射可能なターゲット部5が設けられている。ここで、接点保持部28は、図1cに示すように、ベース基板1における対をなす固定接点14,14それぞれの投影領域、およびベース基板1における対をなす固定接点14,14間の部分の投影領域を避けた部位に、ターゲット部5が設けられている。より具体的には、平面視で対をなす固定接点14,14の並設方向に直交する方向において、各固定接点14,14の幅寸法よりも接点保持部28の幅寸法を大きく設定してあり、接点保持部28において上述の各投影領域を避けた部位に、ターゲット部5を設けてある。また、接点保持部28において、ターゲット部5を設ける部位は、接点保持部28において可動接点27が設けられている部位よりも厚みが薄く、第2ばね部26と同じ厚さで且つ第2ばね部26と同じ高さ位置に設けてある。ターゲット部5は、レーザビームLBを効率良く反射可能なミラー面を有する反射膜により構成することが好ましい。レーザビームLBとして例えば赤色レーザビームを想定している場合には、反射膜として、例えば、Al-Si膜を採用することができるが、反射膜の材料は特に限定するものではない。要するに、ターゲット部5は、接点保持部28の材料本実施形態では、シリコンよりもレーザビームLBに対する反射率の高い材料により形成されていることが好ましい。ただし、ターゲット部5は、ミラー面を有していればよく、例えば、可動部形成基板2の元となる半導体基板20を加工する際に、ミラー面の形成が可能なエッチング液によるエッチングを行うことによって、接点保持部28において上述の各投影領域を避けた部位にミラー面を形成し、接点保持部28自体がターゲット部5を兼ねるようにしてもよい。レーザビームLBを利用して基準位置から固定接点14およびターゲット部5それぞれまでの変位を測定する測定装置としては、レーザ変位計レーザ式変位センサとも呼ばれるを用いることができる。レーザ変位計のレーザ光源としては、例えば、赤色光を出射する半導体レーザを用いることができる。半導体レーザの出射光の色は、赤色に限らず、可視光であればよい。また、レーザ変位計としては、図6aに示すようにレーザビームLBをターゲット部5に斜め入射させるタイプのものを用いてもよいし、図6bに示すようにレーザビームLBをターゲット部5に垂直入射させるタイプのものを用いてもよい。なお、ガラス基板10とターゲット部5との距離は、レーザ変位計の分解能の観点から、50μm以上に設定することが好ましい。図6a,bには、ガラス基板10と接点保持部28においてターゲット部5が形成されている部位との距離をL1として記載してある。本実施形態のMEMSリレーでは、可動接点27の厚み方向における可動接点27とターゲット部5を含む平面との距離は、半導体基板20の加工精度により決まる。したがって、固定接点14に対する可動接点27の変位を検査するには、可動接点27の厚み方向における可動接点27とターゲット部5を含む平面との距離が設計値通りであると仮定すれば、レーザビームLBを利用して基準位置から固定接点14およびターゲット部5それぞれまでの変位を測定し、その測定結果に基づいて固定接点14に対する可動接点27の変位を演算することができる。したがって、MEMSリレーの検査では、固定接点14に対する可動接点27の変位が所定範囲内にある場合のみ良品と判定し、所定範囲外に有る場合には不良品と判定するようにすれば、MEMSリレーの信頼性の向上を図ることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、レーザ変位計により基準位置から固定接点14およびターゲット部5それぞれまでの変位を測定することによって、可動接点27の動作を間接的に確認することが可能となる。以上説明した本実施形態のMEMSリレーは、ガラス基板10の一表面側に固定接点14の対が設けられたベース基板1と、ガラス基板10の上記一表面側でベース基板1に対向配置されたカバー基板3と、ベース基板1とカバー基板3との間に配置された可動部形成基板2とを備えている。可動部形成基板2は、ベース基板1とカバー基板3との間に介在するフレーム部21と、フレーム部21の内側に配置されフレーム部21に支持された可動ブロック2aとを有している。可動ブロック2aは、固定接点14の対に接離する可動接点27が設けられた接点保持部28を有し、接点保持部28に、ガラス基板10の他表面側からレーザビームを照射可能なターゲット部5が設けられている。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、可動接点27の変位を検査可能となり、信頼性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、可動ブロック2aが、フレーム部21に第1ばね部22を介して支持された可動部23と、可動部23に第2ばね部26を介して支持された接点保持部28とを有している。そして、MEMSリレーは、ガラス基板10の上記一表面からターゲット部5までの高さと上記一表面から第2ばね部26における接点保持部28側の端部までの高さとが略同じである。これにより、MEMSリレーは、固定接点14と可動接点17との距離に関わらず、ターゲット部5の変位を測定することが可能となる。また、ガラス基板10の上記一表面からターゲット部5までの高さと上記一表面から可動接点27までの高さとを同じとする場合に比べて、固定接点14,14と可動接点27との接触信頼性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、平面視で対をなす固定接点14,14の並設方向に直交する方向において、各固定接点14,14の幅寸法よりも接点保持部28の幅寸法を大きく設定してある。これにより、MEMSリレーは、接点保持部28において、対をなす固定接点14,14それぞれの投影領域およびベース基板1における対をなす固定接点14,14間の部分の投影領域を避けた部位に、ターゲット部5を設けることができる。また、本実施形態のMEMSリレーは、ターゲット部5が、接点保持部28よりもレーザビームLBに対する反射率の高い材料により形成されていることが好ましい。これにより、本実施形態のMEMSリレーでは、レーザ変位計によるターゲット部5の変位の測定精度を向上させることが可能となり、結果的に、可動接点27の変位の検査精度を向上させることが可能となる。また、MEMSリレーは、図7に示すように、接点保持部28の複数箇所にターゲット部5が設けられたものとしてもよい。これにより、本実施形態のMEMSリレーでは、レーザ変位計によりターゲット部5の変位をより確実に測定することが可能となる。また、レーザ変位計による測定にあたっては、複数のターゲット部5それぞれの変位を測定して平均値を求めるようにしてもよい。上述の実施形態で説明したMEMSリレーは、2つの可動接点27と、各可動接点27の各々に対して対応する一対の固定接点14,14が設けられているが、対応する可動接点27と固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよい。また、可動接点27と対応する固定接点14との組も2組に限らず、1組でもよい。また、上述の実施形態では、MEMSリレーとして、電磁駆動式のMEMSリレーを例示したが、これに限らず、例えば、静電駆動式のMEMSリレーや、圧電駆動式のMEMSリレーでもよい。"