光を吸収し、吸収した前記光の量に応じて温度が上昇する吸収部と、前記吸収部から熱が伝達され、伝達された前記熱の量に応じて特性が変化する検出部と、を有し、前記吸収部の少なくとも一部は、金属で構成されたポーラス構造である、ことを特徴とする検出素子。前記金属が、窒化アルミニウムを含む、ことを特徴とする請求項1に記載の検出素子。前記検出部は、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する焦電体と、を含み、前記吸収部は、前記一対の電極のうちの一方の電極の前記焦電体側とは反対側に設けられている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の検出素子。前記一方の電極と前記吸収部との間に設けられ、前記吸収部を透過した前記光の少なくとも一部を前記吸収部側に反射させる反射膜と、前記吸収部の前記反射膜側とは反対側に設けられ、前記光の少なくとも一部を前記吸収部側に透過させ、且つ、前記反射膜側から前記吸収部を透過した前記光の少なくとも一部を前記吸収部側に反射させる半透過反射膜と、を有する、ことを特徴とする請求項3に記載の検出素子。前記吸収部は、前記窒化アルミニウムを含む前記金属を、スパッタリング法で柱状に堆積させることによって、構成されており、前記吸収部において、前記金属で構成された複数の柱状体の間に隙間が介在することによって、前記ポーラス構造が構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の検出素子。前記光が赤外線を含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の検出素子。複数の撮像素子が配列した撮像デバイスであって、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の検出素子を前記撮像素子として有する、ことを特徴とする撮像デバイス。請求項7に記載の撮像デバイスを有する、ことを特徴とする電子機器。上記特許文献1に記載された検出素子において、酸化シリコンや窒化シリコンなどの膜の厚みを増大させることによって、赤外線を吸収する能力を高めることができる。しかしながら、酸化シリコンや窒化シリコンなどでは、膜の厚みを増大させると、吸収部から出力素子への熱伝導が鈍くなるという課題がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。[適用例1]光を吸収し、吸収した前記光の量に応じて温度が上昇する吸収部と、前記吸収部から熱が伝達され、伝達された前記熱の量に応じて特性が変化する検出部と、を有し、前記吸収部の少なくとも一部は、金属で構成されたポーラス構造である、ことを特徴とする検出素子。この適用例の検出素子では、吸収部から伝達された熱の量に応じて、検出部の特性が変化する。このため、検出部の特性の変化から光の量を把握することができる。これにより、この検出素子では、光を検出することができる。この検出素子では、吸収部の少なくとも一部が、金属で構成されている。金属は、他の材質に比較して熱伝導率が高い。このため、吸収部からの熱を検出部に伝えやすくすることができる。また、吸収部の少なくとも一部は、ポーラス構造を有している。この構造により、金属を含む吸収部で光を吸収することができる。[適用例2]上記の検出素子であって、前記金属が、窒化アルミニウムを含む、ことを特徴とする検出素子。この適用例では、窒化アルミニウムを含む金属でポーラス構造を構成することができる。[適用例3]上記の検出素子であって、前記検出部は、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する焦電体と、を含み、前記吸収部は、前記一対の電極のうちの一方の電極の前記焦電体側とは反対側に設けられている、ことを特徴とする検出素子。この適用例では、検出部は、一対の電極と焦電体とを有している。そして、一対の電極のうちの一方の電極の焦電体側とは反対側に、吸収部が設けられている。この構成によれば、吸収部から一方の電極を介して伝達された熱の量に応じて、焦電体の自発分極量が変化する。焦電体の自発分極という特性の変化に基づいて、光を検出することができる。[適用例4]上記の検出素子であって、前記一方の電極と前記吸収部との間に設けられ、前記吸収部を透過した前記光の少なくとも一部を前記吸収部側に反射させる反射膜と、前記吸収部の前記反射膜側とは反対側に設けられ、前記光の少なくとも一部を前記吸収部側に透過させ、且つ、前記反射膜側から前記吸収部を透過した前記光の少なくとも一部を前記吸収部側に反射させる半透過反射膜と、を有する、ことを特徴とする検出素子。この適用例では、吸収部を透過して検出部側に向かう光の少なくとも一部を、反射膜で吸収部側に反射させることができる。これにより、反射膜で吸収部側に反射した光の少なくとも一部を吸収部で吸収することができる。また、反射膜側から吸収部を透過した光の少なくとも一部を、半透過反射膜で吸収部側に反射させることができる。これにより、半透過反射膜で吸収部側に反射した光の少なくとも一部を吸収部で吸収することができる。上記により、吸収部における光の吸収量を増大させることができる。[適用例5]上記の検出素子であって、前記吸収部は、前記窒化アルミニウムを含む前記金属を、スパッタリング法で柱状に堆積させることによって、構成されており、前記吸収部において、前記金属で構成された複数の柱状体の間に隙間が介在することによって、前記ポーラス構造が構成されている、ことを特徴とする検出素子。この適用例では、窒化アルミニウムを含む金属をスパッタリング法で柱状に堆積させることによって構成された吸収部において、金属で構成された複数の柱状体の間に隙間が介在することによって、ポーラス構造が構成されている。これにより、吸収部を構成することができる。[適用例6]上記の検出素子であって、前記光が赤外線を含む、ことを特徴とする検出素子。この適用例では、光に含まれる赤外線を検出することができる。[適用例7]複数の撮像素子が配列した撮像デバイスであって、上記の検出素子を前記撮像素子として有する、ことを特徴とする撮像デバイス。この適用例の撮像デバイスは、吸収部からの熱を検出部に伝えやすくすることができる検出素子を撮像素子として有する。これにより、撮像デバイスの撮像素子において、吸収部からの熱を検出部に伝えやすくすることができる。[適用例8]上記の撮像デバイスを有する、ことを特徴とする電子機器。この適用例の電子機器では、撮像デバイスの撮像素子において、吸収部からの熱を検出部に伝えやすくすることができる。電子機器の1つであるカメラを例に、実施形態について、図面を参照しながら説明する。本実施形態におけるカメラ1は、主要構成を示すブロック図である図1に示すように、光学系3と、撮像ユニット5と、画像処理部7と、制御部9と、記憶部11と、操作部13と、表示部15と、を含む。画像処理部7と、制御部9と、記憶部11と、操作部13と、表示部15とは、バス17を介して相互に接続されている。光学系3は、物体からの光を取り込み、その物体からの光を像面に集光することによって、像面に物体の像を結像させる。撮像ユニット5は、撮像デバイス19を有している。撮像デバイス19には、後述する複数の検出素子を有している。検出素子は、光を検出し、検出した光の量に応じた信号を出力する。上述した光学系3によって取り込まれた物体からの光は、撮像デバイス19に像として結像される。結像された像における光量の分布が、複数の検出素子によって検知される。結像された像における光量の分布は、画像として表現され得る。なお、撮像ユニット5は、撮像デバイス19によって検知された像における光量の分布を画像データVDとして画像処理部7に出力する。画像処理部7は、画像データVDに示される画像に対して、補正処理などの各種の画像処理を行う。制御部9は、カメラ1における各構成の動作を制御する。記憶部11は、各種の情報を記憶している。記憶部11には、カメラ1における動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する領域や、各種のデータを一時的に展開する領域などが設定されている。操作部13は、操作者がカメラ1を操作するためのインターフェースとなるものであり、各種の入力ボタンなどを有している。表示部15は、画像データVDに示される画像を表示するものである。上記の構成を有するカメラ1によれば、物体を撮像し、撮像した物体を画像として表示することができる。なお、本実施形態では、撮像デバイス19の検出素子として、光の一種である赤外線を検出することができる検出素子が採用されている。これにより、カメラ1をサーモグラフィーや、暗視装置などとして活用することができる。撮像ユニット5は、主要構成を示すブロック図である図2に示すように、撮像デバイス19と、選択回路21と、読み出し回路23と、A/D変換部25と、制御回路27と、を含む。撮像デバイス19には、複数の検出素子31が設けられている。複数の検出素子31は、図中のX方向及びY方向に配列している。そして、複数の検出素子31は、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスを構成している。本実施形態では、Y方向に沿って並ぶ複数の検出素子31が、1つの素子列CLを構成している。また、X方向に沿って並ぶ複数の検出素子31が、1つの素子行LNを構成している。本実施形態では、撮像デバイス19は、n本nは、1以上の整数の素子行LNと、m本mは、1以上の整数の素子列CLとを有している。つまり、本実施形態では、複数の検出素子31が、n行×m列のマトリクスを構成している。なお、以下において、n本の素子行LNが個々に識別される場合に、素子行LNiという表記が用いられる。iは、1以上且つn以下の整数である。また、m本の素子列CLが個々に識別される場合に、素子列CLjという表記が用いられる。jは、1以上且つm以下の整数である。ここで、撮像デバイス19は、等価回路図である図3に示すように、n本の選択線Tと、m本の信号線Sと、を有している。n本の選択線Tは、相互に間隔をあけてY方向に並んでいる。n本の選択線Tは、それぞれ、X方向に延在している。m本の信号線Sは、相互に間隔をあけてX方向に並んでいる。m本の信号線Sは、それぞれ、Y方向に延在している。選択線Tは、素子行LNごとに設けられている。また、信号線Sは、素子列CLごとに設けられている。つまり、1本の素子行LNが1本の走査線Tに対応し、1本の素子列CLが1本の信号線Sに対応している。このため、以下において、n本の選択線Tが個々に識別される場合に、選択線Tiという表記が用いられる。また、m本の信号線Sが個々に識別される場合に、信号線Sjという表記が用いられる。本実施形態では、検出素子31は、キャパシター37を有している。素子行LNごとに、キャパシター37の一方の電極は、対応する選択線Tに電気的に接続されている。また、素子列CLごとに、キャパシター37の他方の電極は、対応する信号線Sに電気的に接続されている。このため、検出素子31は、選択線Tと信号線Sとの交差に対応して設けられているともみなされ得る。図2に示す選択回路21は、撮像デバイス19の各選択線Tに電気的に接続されている。選択回路21は、n本の選択線Tに対して1本ずつ順次に選択信号を出力する選択処理。これにより、撮像デバイス19において、n本の素子行LNが1本ずつ順次に選択されることになる。読み出し回路23は、撮像デバイス19の各信号線Sに電気的に接続されている。読み出し回路23は、m本の信号線Sを介して、複数の検出素子31から選択されている素子行LN単位で検出信号を読み出す読み出し処理。検出信号には、検出素子31が検知した赤外線の光量に応じた信号値が反映されている。A/D変換部25は、読み出し回路23に電気的に接続されている。A/D変換部25は、読み出し回路23が読み出した検出信号のアナログデータをデジタルデータの画像データVDに変換して出力するA/D変換処理。制御回路27は、選択回路21、読み出し回路23、及びA/D変換部25のそれぞれの駆動を個別に制御する。制御回路27によって、選択処理、読み出し処理、及びA/D変換処理が制御される。検出素子31は、平面図である図4に示すように、素子基板51に設けられている。素子基板51は、図4中のA-A線における断面図である図5に示すように、基板53と、中間層55と、保護層57と、保護層59と、支持層61と、を有している。基板53は、例えばガラスや石英、シリコンなどで構成されており、検出素子31側に向く面である第1面53aと、第1面53aとは反対側に向く面である第2面53bとを有している。本実施形態では、基板53の材料としてシリコンが採用されている。以下において、基板53の第1面53a側を上側と呼び、基板53の第2面53b側を下側と呼ぶことがある。中間層55は、基板53の第1面53aに設けられている。中間層55には、第1面53a側とは反対側上側に、第1面53a側下側に向かって凹となる凹部56が設けられている。中間層55の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、中間層55の材料として、酸化シリコンが採用されている。保護層57は、中間層55の基板53側とは反対側に設けられている。保護層57は、凹部56を含めて、中間層55の基板53側とは反対側を覆っている。保護層59は、保護層57の中間層55とは反対側に設けられている。凹部56において、保護層59は、保護層57から離間している。凹部56において、保護層57と保護層59との間に、空洞部63が形成されている。保護層57及び保護層59の材料としては、それぞれ、白金、アルミニウム、酸化アルミニウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、鉄などや、これらの少なくとも1つを組成として含む合金などが採用され得る。本実施形態では、保護層57及び保護層59の材料として、それぞれ、酸化アルミニウムが採用されている。支持層61は、保護層59の保護層57側とは反対側に設けられている。支持層61の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、支持層61として、酸化シリコンの層と窒化シリコンの層とを積層した構成が採用されている。検出素子31は、支持層61の保護層59側とは反対側に設けられている。検出素子31は、支持層61の保護層59側とは反対側において、平面視で空洞部63に重なる領域に設けられている。検出素子31は、図5中のB部の拡大図である図6に示すように、キャパシター37と、絶縁膜73と、第1配線75と、第2配線77と、絶縁膜79と、吸収層81と、を有している。キャパシター37は、支持層61の上側に設けられており、第1電極85と、焦電体87と、第2電極89と、を有している。第1電極85は、支持層61の上側に設けられている。焦電体87は、第1電極85の支持層61側とは反対側、すなわち第1電極85の上側に設けられている。第2電極89は、焦電体87の第1電極85側とは反対側、すなわち焦電体87の上側に設けられている。本実施形態では、第1電極85及び第2電極89として、それぞれ、イリジウム、酸化イリジウム、及び白金をこの順に積層した構成が採用されている。また、焦電体87の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛PZTや、PZTにニオブNbを添加したPZTNなどが採用され得る。絶縁膜73は、キャパシター37の支持層61側とは反対側、すなわちキャパシター37の上側に設けられている。絶縁膜73は、キャパシター37を上側から覆っている。絶縁膜73の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。絶縁膜73には、第1電極85に重なる部位に、コンタクトホール74aが設けられている。また、絶縁膜73には、第2電極89に重なる部位に、コンタクトホール74bが設けられている。第1配線75及び第2配線77は、それぞれ、絶縁膜73のキャパシター37側とは反対側、すなわち絶縁膜73の上側に設けられている。第1配線75は、コンタクトホール74aを介して第1電極85に電気的に接続されている。第2配線77は、コンタクトホール74bを介して第2電極89に電気的に接続されている。なお、第1配線75及び第2配線77の材料としては、それぞれ、アルミニウムなどの金属が採用され得る。絶縁膜79は、第1配線75及び第2配線77の上側に設けられており、第1配線75、第2配線77及びキャパシター37を上側から覆っている。なお、第1配線75と第2配線77とは、互いに離間している。互いに離間している第1配線75と第2配線77との間には、絶縁膜79が介在している。このため、第1配線75と第2配線77との間の絶縁性が確保されている。絶縁膜79の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。吸収層81は、絶縁膜79の上側において、平面視でキャパシター37に重なる領域に設けられている。吸収層81は、検出素子31の上側から検出素子31に入射する赤外線を吸収する機能を有する。吸収層81の材料としては、酸化シリコンや窒化シリコンの他、窒化アルミニウムやチタンアルミニウムの窒化物などが採用され得る。本実施形態では、吸収層81の材料として、窒化アルミニウムが採用されている。第1配線75は、図5に示すように、凹部56に重なる領域から、凹部56に重なる領域よりも外側に延在している。第2配線77も、凹部56に重なる領域から、凹部56に重なる領域よりも外側に延在している。第1配線75は、ビア配線91aを介してパッド93aに電気的に接続されている。第2配線77は、ビア配線91bを介してパッド93bに電気的に接続されている。パッド93a及びパッド93bは、それぞれ、基板53の第2面53bに設けられている。ビア配線91aは、凹部56に重なる領域よりも外側に設けられており、素子基板51を支持層61から基板53の第2面53bまで貫通している。また、ビア配線91bも、凹部56に重なる領域よりも外側に設けられており、素子基板51を支持層61から基板53の第2面53bまで貫通している。ここで、検出素子31は、図4に示すように、梁97によって支持された島部98に設けられている。島部98の外側において、凹部56図5に重なる領域には、開口部99が設けられている。開口部99は、空洞部63図5に連通している。第1配線75は、図4中のC-C線における断面図である図7に示すように、1つの梁97の上側を通って、凹部56に重なる領域から、凹部56に重なる領域よりも外側に延在している。同様に、第2配線77も、他の1つの梁97の上側を通って、凹部56に重なる領域から、凹部56に重なる領域よりも外側に延在している。上記の構成を有する検出素子31では、検出素子31の上側から照射される赤外線を吸収層81が吸収する。赤外線を吸収した吸収層81は、吸収した赤外線の量に応じて発熱する。吸収層81が発した熱は、キャパシター37に伝達される。キャパシター37では、伝達された熱に応じて電気的な特性が変化する。この電気的な特性の変化によって、赤外線の量を検出することができる。本実施形態では、キャパシター37の焦電体87の分極量が変化する。つまり、本実施形態では、電気的な特性の1つである焦電体87の分極量の変化によって、赤外線の量が検出され得る。このような作用から、吸収層81としては、赤外線を吸収しやすく、且つ吸収した赤外線の量に応じて発する熱を伝達させやすいことが好ましい。本実施形態では、吸収層81の材料として、窒化アルミニウムが採用されているので、吸収層81を酸化シリコンや窒化シリコンなどで構成する場合に比較して、熱を伝達させやすくすることができる。本実施形態では、吸収層81として、窒化アルミニウムのポーラス構造が採用されている。ポーラス構造とは、図8に示すように、多孔質の構造を指す。吸収層81は、窒化アルミニウムをスパッタリング法で柱状に堆積させることによって、構成されている。この吸収層81において、窒化アルミニウムで構成された複数の柱状体の間に隙間が介在することによって、図8に示すポーラス構造が構成されている。このポーラス構造によって、吸収層81における赤外線の吸収能力が高められている。撮像デバイス19の製造方法について説明する。撮像デバイス19の製造方法では、まず、図9aに示すように、基板53の第1面53aに中間層55aを形成する。中間層55aは、CVDChemicalVaporDeposition法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。次いで、図9bに示すように、中間層55aの基板53側とは反対側に凹部56を形成する。これにより、中間層55aから中間層55が形成され得る。凹部56は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。次いで、図9cに示すように、中間層55の基板53側とは反対側、すなわち中間層55の上側に保護層57を形成する。保護層57は、CVD法やスパッタリング法などを活用して酸化アルミニウムの膜を形成することによって形成され得る。次いで、図9dに示すように、保護層57の中間層55側とは反対側、すなわち保護層57の上側に犠牲層103を形成する。犠牲層103は、CVD法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。このとき、凹部56は、犠牲層103によって埋められる。また、犠牲層103は、凹部56の深さを超える厚みに形成される。次いで、図10aに示すように、犠牲層103のうち凹部56内の犠牲層103aを残して、犠牲層103の他の部位103bを、CMPChemicalMechanicalPolishing法を活用して除去する。次いで、図10bに示すように、保護層57の基板53側とは反対側、すなわち保護層57の上側に保護層59を形成する。保護層59は、CVD法やスパッタリング法などを活用して酸化アルミニウムの膜を形成することによって形成され得る。次いで、図10cに示すように、保護層59の基板53側とは反対側、すなわち保護層59の上側に支持層61aを形成する。支持層61aは、CVD法を活用して酸化シリコンの層と窒化シリコンの層とを積層した膜を形成することによって形成され得る。次いで、図10dに示すように、平面視で凹部56に重なる領域よりも外側に、ビアホール105a及びビアホール105bを形成する。ビアホール105a及びビアホール105bは、それぞれ、支持層61aから基板53の第2面53bまで貫通している。ビアホール105a及びビアホール105bは、それぞれ、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。次いで、ビアホール105a及びビアホール105bのそれぞれの内側の側面に、CVD法を活用して酸化シリコンや窒化シリコンなどで図示しない絶縁膜を形成する。次いで、ビアホール105a及びビアホール105bのそれぞれに、アルミニウムなどの金属を埋め込むことによって、ビア配線91a及びビア配線91bを形成する。次いで、基板53の第2面53bに、パッド93a及びパッド93bを形成する。パッド93a及びパッド93bは、それぞれ、スパッタリング法、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。次いで、図11aに示すように、支持層61aの上側に第1電極85を形成する。第1電極85は、スパッタリング法で金属の膜を形成してから、この金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。次いで、図11bに示すように、第1電極85の上側に焦電体87を形成してから、焦電体87の上側に第2電極89を形成する。焦電体87及び第2電極89の形成では、まず、第1電極85の上側に、焦電体87の材料となる物質を塗布して加熱することにより、第1電極85を覆う膜を形成する。次いで、焦電体87の材料で形成した膜の上側に、スパッタリング法で金属の膜を形成する。次いで、焦電体87の材料で形成した膜とこの膜の上側に形成した金属の膜とを、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングする。これにより、焦電体87及び第2電極89が形成され、キャパシター37が形成され得る。次いで、図11cに示すように、キャパシター37の上側に絶縁膜73を形成する。絶縁膜73は、CVD法でキャパシター37を覆う膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。このパターニングのときに、コンタクトホール74a及びコンタクトホール74bも形成する。次いで、図12aに示すように、第1配線75及び第2配線77を形成する。第1配線75及び第2配線77は、スパッタリング法で金属の膜を形成してから、この金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。次いで、図12bに示すように、支持層61aに開口部99を形成する。なお、図12bは、図4中のC-C線における断面に相当する。これにより、開口部99と梁97とが形成され、支持層61aから支持層61が形成される。開口部99は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。次いで、図12cに示すように、第1配線75及び第2配線77の上側に、第1配線75、第2配線77及びキャパシター37を覆う絶縁膜79を形成する。絶縁膜79は、CVD法で第1配線75、第2配線77及びキャパシター37を覆う膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。次いで、絶縁膜79の上側において、平面視でキャパシター37に重なる領域に吸収層81を形成する。吸収層81は、スパッタリング法で窒化アルミニウムの膜を形成してから、この窒化アルミニウムの膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。次いで、凹部56内の犠牲層103aを除去することによって、図5及び図7に示す撮像デバイス19が製造され得る。犠牲層103aは、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって除去され得る。本実施形態では、吸収層81として、窒化アルミニウムの膜が採用されている。しかしながら、吸収層81の構成は、これに限定されない。吸収層81の構成としては、例えば、図13に示すように、窒化アルミニウムの膜106を、半透過反射膜107と、反射膜108とで挟持した構成も採用され得る。半透過反射膜107は、窒化アルミニウムの膜106のキャパシター37側とは反対側、すなわち窒化アルミニウムの膜106の上側に設けられている。反射膜108は、キャパシター37と窒化アルミニウムの膜106との間に介在している。本実施形態では、反射膜108は、窒化アルミニウムの膜106のキャパシター37側、すなわち窒化アルミニウムの膜106の下側に設けられている。半透過反射膜107及び反射膜108の材料としては、それぞれ、チタン、モリブデン、タングステン、チタンアルミニウム、クロムなどの金属や、これらの金属の窒化物などが採用され得る。また、半透過反射膜107及び反射膜108は、それぞれ、スパッタリング法、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。半透過反射膜107は、上側から照射される赤外線の少なくとも一部を窒化アルミニウムの膜106側に透過させる。反射膜108は、窒化アルミニウムの膜106を透過して窒化アルミニウムの膜106の下側に向かう赤外線の少なくとも一部を、窒化アルミニウムの膜106側に反射させる。これにより、窒化アルミニウムの膜106を透過した赤外線の少なくとも一部を窒化アルミニウムの膜106で吸収することができる。また、半透過反射膜107は、窒化アルミニウムの膜106を透過して窒化アルミニウムの膜106の上側に向かう赤外線の少なくとも一部を、窒化アルミニウムの膜106側に反射させることができる。これにより、窒化アルミニウムの膜106を透過した赤外線の少なくとも一部を窒化アルミニウムの膜106で吸収することができる。この結果、吸収層81における赤外線の吸収量を増大させることができる。これにより、この検出素子31では、赤外線の検出に対する感度を高めることができる。運転支援装置カメラ1を用いた電子機器の1つである運転支援装置について説明する。本実施形態における運転支援装置300は、主要構成を示すブロック図である図14に示すように、処理ユニットと111、カメラ1と、ヨーレートセンサー113と、車速センサー115と、ブレーキセンサー117と、スピーカー119と、表示装置121と、を有している。処理ユニット111は、運転支援装置300を制御するCPUCentralProcessingUnitを有している。カメラ1は、車両外部の所定の撮像領域における赤外線を検出する。ヨーレートセンサー113は、車両のヨーレートを検出する。車速センサー115は、車両の走行速度を検出する。ブレーキセンサー117は、運転者のブレーキ操作の有無を検出する。処理ユニット111は、例えば、カメラ1の撮像により得られる自車両周辺の赤外線画像に基づいて、自車両の周囲に存在する物体及び歩行者等の対象物を検出する。そして、処理ユニット111は、対象物の検出結果と、ヨーレートセンサー113、車速センサー115、及びブレーキセンサー117により検出される自車両の走行状態にかかる検出信号とに基づいて、自車両が対象物に接触する可能性があると判断したときに、スピーカー119や表示装置121を介して警報を出力する。なお、カメラ1は、図15に示すように、自動車123の前部において車幅方向の中心付近に配置されている。表示装置121は、フロントウィンドーにおいて運転者の前方視界を妨げない位置に各種情報を表示するHUDHeadUpDisplay125等を有する構成が採用され得る。セキュリティー機器カメラ1を用いた電子機器の1つであるセキュリティー機器について説明する。本実施形態におけるセキュリティー機器310は、主要構成を示すブロック図である図16に示すように、カメラ1と、人感センサー131と、動き検知処理部133と、人感センサー検知処理部135と、画像圧縮部137と、通信処理部139と、制御部141と、を有する。カメラ1は、監視エリアを撮像する。人感センサー131は、監視エリアへの侵入者を検知する。動き検知処理部133は、カメラ1から出力された画像データを処理して監視エリアに侵入した移動体を検知する。人感センサー検知処理部135は、人感センサー131の検知処理を行う。画像圧縮部137は、カメラ1から出力された画像データを所定の方式で圧縮する。通信処理部139は、圧縮された画像データや侵入者検知情報などの送信、及び、外部装置からセキュリティー機器310への各種設定情報等の受信を行う。制御部141は、セキュリティー機器310の各処理部に対して条件設定、処理コマンド送信、レスポンス処理を行うCPUを有している。動き検知処理部133は、図示しないバッファメモリーと、バッファメモリーの出力が入力されるブロックデータ平滑部と、ブロックデータ平滑部の出力が入力される状態変化検出部とを備える。そして、動き検知処理部133の状態変化検出部は、監視エリアが静止状態であれば動画で撮影した異なるフレームでも同一画像データとなるが、状態変化移動体の侵入があるとフレーム間の画像データで差が生じることを利用して状態変化を検知している。セキュリティー機器310は、図17に示すように、軒下にカメラ1及び人感センサー131が設置されている。そして、カメラ1は、監視エリア143を撮像し、人感センサー131は検知エリア145を検出する。ゲーム機器カメラ1を用いた電子機器の1つであるゲーム機器について説明する。本実施形態におけるゲーム機器320は、図18に示すように、コントローラー151と、本体153と、ディスプレイ155と、LEDモジュール157及びLEDモジュール158と、を有している。ゲーム機器320では、プレイヤー159が一方の手でコントローラー151を把持してゲームをプレイすることができる。コントローラー151は、図19に示すように、撮像情報演算ユニット161と、操作スイッチ163と、加速度センサー165と、コネクター167と、プロセッサー169と、無線モジュール171と、を有している。撮像情報演算ユニット161は、カメラ1と、カメラ1で撮像した画像データを処理するための画像処理回路173を有する。画像処理回路173は、カメラ1から得られた赤外線画像データを処理して、高輝度部分を検知し、それの重心位置や面積を検出してこれらのデータを出力する。プロセッサー169は、操作スイッチ163からの操作データと、加速度センサー165からの加速度データ及び高輝度部分データを一連のコントロールデータとして出力する。無線モジュール171は、所定周波数の搬送波をこのコントロールデータで変調し、アンテナ175から電波信号として出力する。なお、コントローラー151に設けられているコネクター167を通して入力されたデータもプロセッサー169によって上述のデータと同様に処理されてコントロールデータとして無線モジュール171とアンテナ175を介して出力される。ゲーム機器320では、コントローラー151のカメラ1をディスプレイ155の画面177に向けると、ディスプレイ155の近傍に設置された二つのLEDモジュール157及びLEDモジュール158から出力される赤外線をカメラ1が検知する。そして、コントローラー151は、二つのLEDモジュール157及びLEDモジュール158の位置や面積情報を高輝度点の情報として取得する。輝点の位置や大きさのデータがコントローラー151から無線で本体153に送信され、本体153で受信される。プレイヤー159がコントローラー151を動かすと、輝点の位置や大きさのデータが変化する。それを利用して、本体153はコントローラー151の動きに対応した操作信号を取得できる。そして、操作信号にしたがってゲーム機器320はゲームを進行させることができる。体温測定装置カメラ1を用いた電子機器の1つである体温測定装置について説明する。本実施形態における体温測定装置330は、図20に示すように、カメラ1と、体温分析装置181と、情報通信装置183と、ケーブル185と、を有している。カメラ1は、所定の対象領域を撮像し、撮像された対象者187の画像情報を、ケーブル185を介して体温分析装置181に送信する。体温分析装置181は、画像読取処理ユニット188と、体温分析処理ユニット189と、を含む。画像読取処理ユニット188は、カメラ1からの熱分布画像を読み取る。体温分析処理ユニット189は、画像読取処理ユニット188からのデータと、画像分析設定テーブルとに基づいて体温分析テーブルを作成する。体温分析処理ユニット189は、体温分析テーブルに基づいて体温情報送信用データを情報通信装置183へ送信する。この体温情報送信用データは体温異常であることに対応する所定のデータを含んでもよい。また、対象領域内に複数の対象者187を含んでいると判断した場合には、対象者187の人数と体温異常者の人数の情報を体温情報送信用データに含んでもよい。特定物質探知装置カメラ1を用いた電子機器の1つである特定物質探知装置について説明する。本実施形態における特定物質探知装置340は、図21に示すように、カメラ1と、制御ユニット191と、照射光ユニット193と、光学フィルター195と、表示部197と、を有している。特定物質探知装置340では、カメラ1の撮像デバイス19において、検出素子31の吸収層81によって吸収される赤外線の波長域がテラヘルツ域に設定されている。制御ユニット191は、特定物質探知装置340の全体を制御するシステムコントローラーを含んでいる。このシステムコントローラーは、制御ユニット191に含まれる光源駆動部及び画像処理ユニットを制御する。照射光ユニット193は、波長が100μm~1000μmの範囲にある電磁波であるテラヘルツ光を射出するレーザー装置と光学系を含み、テラヘルツ光を検査対象の人物198に照射する。人物198からの反射テラヘルツ光は、探知対象である特定物質199の分光スペクトルのみを通過させる光学フィルター195を介してカメラ1に受光される。カメラ1で生成された画像信号は、制御ユニット191の画像処理ユニットで所定の画像処理が施され、その画像信号が表示部197へ出力される。そして人物198の衣服内等に特定物質199が存在するか否かにより受光信号の強度が異なるので特定物質199の存在が判別できる。なお、本実施形態において、吸収層81が吸収部に対応し、キャパシター37が検出部に対応し、第1電極85及び第2電極89が一対の電極に対応し、第2電極89が一方の電極に対応している。