"半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化して太陽電池用ウェーハを製造する方法であって、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に低級アルコール液を接触させる第1工程と、該第1工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に金属イオンを含むフッ化水素酸を接触させる第2工程と、を有することを特徴とする太陽電池用ウェーハの製造方法。前記半導体ウェーハがシリコンウェーハであり、前記金属イオンがSiより貴な金属のイオンである請求項1に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。前記第2工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に前記金属イオンを含まないフッ化水素酸を接触させる第3工程をさらに有する請求項1または2に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。前記第2工程および/または第3工程は、光照射環境下にて行う請求項1乃至3のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。前記第2工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に、前記金属イオンから析出した金属を前記片面から除去する溶液を接触させる工程を有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。前記金属の濃度が、10ppm以上1000ppm以下である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。前記第2工程における浸漬時間が、30分以下である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法における工程に加えて、該太陽電池用ウェーハで太陽電池セルを作製する工程をさらに有する太陽電池セルの製造方法。請求項8に記載の太陽電池セルの製造方法における工程に加えて、該太陽電池セルから太陽電池モジュールを作製する工程をさらに有する太陽電池モジュールの製造方法。しかしながら、特許文献1の陽極化成処理による方法では、大型かつ高価な直流電源が必要であり、また、有機溶媒とフッ化水素酸の混合溶液を使用するため、リンス処理時の操作性、安全性に課題が残る。特許文献2の反応性イオンエッチングによる方法では、プロセス専用のイオン注入装置を確保する必要があり、コスト面で問題がある。また、特許文献3に記載の方法の場合、混合水溶液中に酸化剤を含有させることが必須であるが、酸化剤は一般に高価であり、試薬コストが高くなるという問題がある。特に酸化剤として過酸化水素水を用いる場合、廃液規制により過酸化水素水は生態系への影響を考慮した特殊廃液処理が必須であるため、コスト面のみならず、排水処理が複雑になるという問題もある。このため、入射光の反射ロスを低減するためにシリコン表面を多孔質化する手法は、これまで実用化されていないのが実状である。シリコン表面を多孔質化することによって入射光の反射ロスを低減する手法は、通常のテクスチャ構造を形成するよりさらに反射ロスを低減できることが期待されるため、安全面やコスト面の問題が解消された新規な多孔質化の方法が求められている。そこで本発明は、上記課題に鑑み、安全かつ安価に、シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を多孔質化して、表面における光の反射ロスを低減することが可能な太陽電池用ウェーハを製造する方法、ならびに、この方法を含む太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するべく、本発明者が鋭意検討し、様々な多孔質化処理方法で試行錯誤をくり返した結果、以下に示す方法によれば、半導体ウェーハ表面にサブミクロンオーダーの凹凸を形成し、効果的に表面における光の反射ロスを低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、上記の知見および検討に基づくものであり、その要旨構成は以下の通りである。1半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化して太陽電池用ウェーハを製造する方法であって、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に低級アルコール液を接触させる第1工程と、該第1工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に金属イオンを含むフッ化水素酸を接触させる第2工程と、を有することを特徴とする太陽電池用ウェーハの製造方法。2前記半導体ウェーハがシリコンウェーハであり、前記金属イオンがSiより貴な金属のイオンである上記1に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。3前記第2工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に前記金属イオンを含まないフッ化水素酸を接触させる第3工程をさらに有する上記1または2に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。4前記第2工程および/または第3工程は、光照射環境下にて行う上記1乃至3のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。5前記第2工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に、前記金属イオンから析出した金属を前記片面から除去する溶液を接触させる工程を有する上記1乃至4のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。6前記金属の濃度が、10ppm以上1000ppm以下である上記1乃至5のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。7前記第2工程における浸漬時間が、30分以下である上記1乃至6のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法。8上記1乃至7のいずれか1項に記載の太陽電池用ウェーハの製造方法における工程に加えて、該太陽電池用ウェーハで太陽電池セルを作製する工程をさらに有する太陽電池セルの製造方法。9上記8に記載の太陽電池セルの製造方法における工程に加えて、該太陽電池セルから太陽電池モジュールを作製する工程をさらに有する太陽電池モジュールの製造方法。本発明によれば、直流電源やイオン注入装置といった大掛かりな装置を必要とせず、かつ、フッ化水素酸を有機溶媒と混合させたり、フッ化水素酸ともに酸化剤を用いる必要がない。よって、従来技術に比べて安全かつ安価に、シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を多孔質化して、表面における光の反射ロスを低減した太陽電池用ウェーハを得ることが可能となった。以下、図面を参照しつつ本発明をより詳細に説明する。図1は、本発明に従う代表的な太陽電池用ウェーハの製造方法のフロー図である。まず、本発明に用いる半導体ウェーハは特に限定されないが、以下では、本発明の一実施形態として、単結晶または多結晶シリコンウェーハ以下、まとめて単にウェーハともいう。を用いて、これらに多孔質化処理を施し、単結晶または多結晶シリコン太陽電池用ウェーハを製造する方法を説明する。単結晶シリコンウェーハは、チョクラルスキ法CZ法などにより育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。また、ウェーハ表面の面方位についても、100,001および111など、必要に応じて選択することができる。多結晶シリコンウェーハは、多結晶シリコンインゴットからスライス加工により得ることができる。単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハいずれの場合も、インゴットから切り出したウェーハ表面にはスライス加工によりシリコン層へ導入されたクラックや結晶歪などのダメージが生じている。このため、スライス加工後、ウェーハを洗浄し、酸またはアルカリでウェーハ表面にエッチング処理を施し、ダメージが生じている表面を除去することが好ましい。スライス加工由来の上記ダメージの侵入深さは、スライス加工条件により決定される因子であるが、概ね10μm以下の深さである。よって、KOHなどのアルカリもしくはフッ化水素酸HF/硝酸HNO3混合酸により一般的に実施されているエッチング処理で対応可能である。本発明は、ウェーハの少なくとも片面を多孔質化して太陽電池用ウェーハとする方法である。すなわち、本明細書において太陽電池用ウェーハとは、ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理した状態のウェーハを意味するものである。この片面は、太陽電池セルにおいて受光面となる面である。そして、本発明の特徴的工程は、ウェーハの少なくとも片面に低級アルコール液を接触させる第1工程ステップS1と、この第1工程の後に、このウェーハの少なくとも前記片面に金属イオンを含むフッ化水素酸を接触させる第2工程ステップS2と、を有することである。以下、本発明の上記特徴的工程を採用したことの技術的意義を、作用効果とともに具体例で説明する。詳細な工程は実施例で後述するが、本発明者は、酸エッチング処理後、風乾したp型100単結晶シリコンウェーハを2-プロパノールイソプロピルアルコール;IPAなどの低級アルコール中に所定時間浸漬させ、その後銅Cuを溶解させたフッ化水素酸中に所定時間浸漬させたところ、外観上ウェーハ表面が黒くなり、可視光全域の波長において反射率が低くなることを見出した。また、ウェーハ表面の走査型電子顕微鏡SEM像を確認したところ、数μm程度の凹凸表面上にさらに微細な多数の凹凸が形成されていた。本発明者はこの知見に基づき、本発明を完成するに至った。このような表面処理によってウェーハ表面を多孔質化できる理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は以下のような反応メカニズムで多孔質化されたと推定している。第2工程で、Cuを溶解させたフッ化水素酸にウェーハを浸漬させると、ウェーハ表面の何らかの核を基点として、Cuが微粒子として多数析出する。この反応は、Cu22e-→Cuの還元反応であり、この際の電荷移動に伴い、ウェーハ表面のSiから電子が奪われ、Cu微粒子の析出箇所ではSiの溶解が発生する。ここで、フッ化水素酸の役割については、Siの溶解箇所でSiが水と反応して生成したSiO2をその都度瞬間的に溶解して、多孔質構造を作るとのモデル大見モデルと、フッ素イオンがSiを直接酸化するとのモデルChemlaモデルが考えられる。このような反応の詳細は、JElectrochemSoc1443275TheRoleofMetalInducedOxidationforCopperDepositiononSiliconSurfaceおよびJElectrochemSoc1444175ElectrochemicalandradiochemicalstudyofcoppercontaminationmechanismfromHFsolutionontosiliconsubstratesに詳細に記載されている。そして、本発明においては、第1工程で無極性溶媒である低級アルコールで処理することにより、ウェーハ表面の表面電位を制御し、フッ化水素酸浸漬時に金属析出が進行しやすい状態にすることができ、第2工程におけるSi溶解反応を均一に促進させることができるものと考えられる。さらに、低級アルコールで処理することにより、ウェーハ表面の有機物を除去して、上記反応が進行するようにする作用もあると考えられる。本発明では、直流電源やイオン注入装置といった大掛かりな装置を必要とせず、かつ、フッ化水素酸を有機溶媒と混合させたり、フッ化水素酸ともに酸化剤を用いる必要がない。よって、従来技術に比べて安全かつ安価に、シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を多孔質化して、表面における光の反射ロスを低減した太陽電池用ウェーハを得ることが可能となった。本実施形態では、第2工程の後に、このウェーハの少なくとも前記片面に金属イオンを含まないフッ化水素酸を接触させる第3工程ステップS3をさらに行うことが好ましい。具体的には、第2工程後のウェーハを、金属イオンを含まないフッ化水素酸に所定時間浸漬させることができる。この工程により、第2工程で形成された表面凹凸の深さを制御することができる。また、第2工程および/または第3工程は、光照射環境下にて行うことが好ましい。第2工程を光照射環境化にて行うことにより、上記の反応メカニズムによる表面の多孔質化がより促進されるためである。また、第3工程を光照射環境下にて行い、この照射条件を制御することによりウェーハ表面を所望の表面状態とすることができるためである。光照射環境は、具体的には蛍光灯光、ハロゲン光などを反応表面に照射することにより作り出す。さらに、少なくとも第2工程の後、本実施形態では第3工程の後に、このウェーハの少なくとも前記片面に、前記金属イオンから析出した金属微粒子をこの片面から除去する溶液を接触させる工程ステップS4をさらに行うことが好ましい。例えば、第2工程でCuを溶解させたフッ化水素酸を用いる場合、前記片面に残留したCu微粒子を除去するべく、前記片面に硝酸溶液を接触させる。この工程により、ウェーハ表面に残存して付着している金属粒子を除去することができる。本実施形態では、このような工程を経て、ウェーハ表面が多孔質化された太陽電池用ウェーハとなる。以下、各工程について好ましい態様について説明する。なお、第1工程の低級アルコール処理、第2工程の金属イオン含有フッ化水素酸処理、および第3工程の金属イオン非含有フッ化水素酸処理を合わせて、本明細書においては多孔質化処理工程と称する。第1工程:低級アルコール処理本明細書において低級アルコールとは、炭素数10以下の直鎖または分岐の任意のアルコールを意味する。炭素数が10を超えると、アルコールの粘性が高くなり、ウェーハ表面をアルコールでコーティングすることになってしまう。炭素数が10以下であれば、粘性が低い無極性溶媒としてウェーハ表面を無極性状態にすることができる。典型的には、メタノール、エタノール、2-プロパノール、N-メチルピロリドン、エチレングリコール、グリセリン、ベンジルアルコール、フェニルアルコールなどが挙げられるが、毒性面、価格面を考慮すると、エタノールおよび2-プロパノールイソプロピルアルコール;IPAを用いることが好ましい。処理時間、すなわちウェーハに低級アルコール液を接触させる時間以下、各工程において処理液との接触時間を処理時間というは、特に制限されないが、0.5分以上10分以下とすることが好ましく、3分以下とすることがより好ましい。0.5分以上であれば本発明の反射率の低減効果を十分に得ることができ、10分を超えて処理しても反射率の低減効果は飽和するためである。低級アルコール液の温度は、アルコールが蒸発または凝固しない温度であれば問題なく、常温とすればよい。第2工程:金属イオン含有フッ化水素酸処理本実施形態において、金属イオンはSiより貴な金属、例えばCu,Ag,Pt,Auなどのイオンであることが好ましい。これにより、第2工程において、ウェーハ表面への金属の微粒子の析出およびSiの溶出が効率的に起こるからである。価格面を考慮すれば、Cuのイオンとすることが好ましい。本発明の反射率の低減効果を十分に得る観点から好ましい条件を以下に挙げる。金属を溶解させたフッ化水素酸において、金属濃度は、10ppm以上1000ppm以下とすることが好ましく、100ppm以上400ppm以下とすることがより好ましい。また、フッ化水素酸の濃度は、好ましくは2質量以上50質量以下、より好ましくは10質量以上40質量以下、さらに好ましくは20質量以上30質量以下である。さらに、処理時間は、好ましくは0.5分以上30分以下、より好ましくは1分以上10分以下、さらに好ましくは3分以下である。金属含有フッ化水素酸の温度は、処理時間や蒸発損失などを考慮して適宜選択すればよく、常温~100°Cとすることが好ましい。第3工程:金属イオン非含有フッ化水素酸処理本実施形態において、ウェーハ表面に残留する金属を効果的に除去するために、フッ化水素酸の濃度は、好ましくは2質量以上50質量以下、より好ましくは20質量以上30質量以下である。また、本明細書において金属イオンを含まないフッ化水素酸とは、厳密に金属イオンの含有量がゼロの場合のみならず、不純物として10ppm未満の金属が含まれている場合をも含むものとする。例えばCu,Ag,Pt,AuなどのSiより貴な金属のイオンが10ppm未満であれば、これらの金属微粒子が新たに析出して、ウェーハ表面に新たな凹凸が形成されるよりも、第2工程ですでに形成された凹凸をより深くする反応が支配的になる。処理時間は、プロセスタクトタイムに合わせて設定すればよく、好ましくは0.5分以上60分以下である。金属非含有フッ化水素酸の温度は、処理時間や蒸発損失などを考慮して適宜選択すればよく、常温~100°Cとすることが好ましい。金属除去溶液処理本実施形態において、第2工程において金属としてCuを用いる場合、Cu微粒子の除去を硝酸HNO3溶液で行うことができる。このとき、硝酸濃度は、好ましくは0.001~70の範囲であり、より好ましくは0.01~0.1の範囲内である。処理時間は、プロセスタクトタイムに合わせて設定すればよく、好ましくは0.5分以上10分以下であり、より好ましくは1分以上3分未満である。硝酸溶液の温度は、処理時間や蒸発損失などを考慮して適宜選択すればよく、常温~100°Cとすることが好ましい。この工程で用いる処理液は硝酸に限定されず、除去する対象の金属に合わせて、これを溶解可能な溶液を選択すればよい。例えば、Ag,Pt,Auの場合は、王水HCl/HNO3やヨウ化カリウム溶液KIなどを用いることができる。好適な濃度および処理時間は、Cuの場合と同様である。各工程において、ウェーハ表面に処理液を接触させる方法としては、例えば浸漬法、スプレー法が挙げられる。また、受光面となるウェーハの片面に処理液を滴下させるキャスト法を用いてもよい。また、多孔質化処理工程は、第1~第3工程の少なくとも1工程の後に、水による洗浄工程を行ってもよい。以上、本発明の太陽電池用ウェーハの製造方法について、作用効果も含めて説明してきたが、この製造方法の付加的な効果として、以下の2点が挙げられる。第1は、本発明が単結晶シリコンウェーハのみならず、多結晶シリコンウェーハにも適用可能であることである。既述のとおり、テクスチャ構造を形成する方法は、単結晶シリコンに適した方法であり、表面に様々な面方位が出現している多結晶シリコンについては、ウェーハ全面に均一なテクスチャ構造を形成することが困難であった。しかし、本発明の多孔質化処理によって、これまでのテクスチャ構造よりも微細な凹凸をウェーハ表面に形成できるため、多結晶シリコンウェーハの表面の反射率も安全かつ安価な方法で十分に抑制することができる。第2は、本発明では処理液として過酸化水素などの酸化剤を用いる必要がないことである。これにより、排水処理の複雑さを回避することができる。また、これまで単結晶または多結晶シリコンウェーハから結晶系シリコン太陽電池に用いるための太陽電池用ウェーハを製造することについて述べてきたが、本発明は結晶系シリコンに限られることはなく、アモルファスシリコン太陽電池や薄膜系太陽電池に用いるための太陽電池用ウェーハにも適用可能であることは勿論である。太陽電池セルの製造方法本発明に従う太陽電池セルの製造方法は、これまで説明した本発明に従う太陽電池用ウェーハの製造方法における工程に加えて、この太陽電池用ウェーハで太陽電池セルを作製する工程をさらに有する。セル作製工程は、ドーパント拡散熱処理でpn接合を形成する工程と、電極を形成する工程とを少なくとも含む。ドーパント拡散熱処理は、p基板に対してはリンを熱拡散させる。なお、pn接合形成工程は、本発明における多孔質化処理工程の前に行ってもよい。すなわち、スライス加工によるダメージ除去のためのエッチング処理後、ドーパント熱拡散処理でpn接合を形成したウェーハの状態で、本発明における多孔質化処理を行う。こうして得た太陽電池用ウェーハに対して電極を形成して、太陽電池セルとすることもできる。本発明に従う太陽電池セルの製造方法によれば、セルの受光面における入射光の反射ロスを抑制し、高い変換効率の太陽電池セルを得ることができる。太陽電池モジュールの製造方法本発明に従う太陽電池モジュールの製造方法は、上記太陽電池セルの製造方法における工程に加えて、この太陽電池セルから太陽電池モジュールを作製する工程をさらに有する。モジュール作製工程は、複数の太陽電池セルを配列し、電極を配線する工程と、強化ガラス基板上に配線された太陽電池セルを配置し、樹脂と保護フィルムで封止する工程と、アルミフレームを組み立てて、端子ケーブルを配線と電気的に接続する工程とを含む。本発明に従う太陽電池モジュールの製造方法によれば、太陽電池セルの受光面における入射光の反射ロスを抑制し、高い変換効率の太陽電池モジュールを得ることができる。以上、本発明を説明したが、これらは代表的な実施形態の例を示したものであって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内で種々の変更が可能である。本発明の効果をさらに明確にするため、以下に説明する実施例比較例の実験を行った比較評価について説明する。実験例1:低級アルコール処理<試料の作製>実施例1まず、20mm角のp型100単結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。このウェーハを100質量の2-プロパノールイソプロピルアルコール;IPAに10分間浸漬させた。その後、このウェーハを、Cuを1000ppm含む硝酸銅溶液10mLと、50質量フッ化水素酸10mLと、水10mLとの混合液に10分間浸漬させた。なお、この工程は、通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった。その後、このウェーハを0.1質量硝酸に5分間浸漬させ、太陽電池用ウェーハを製造した。実施例2100質量の2-プロパノールに替えて、同じく低級アルコールである99質量エタノールETOHとした点以外は、実施例1と同じ方法で太陽電池用ウェーハを製造した。比較例1100質量の2-プロパノールに10分間浸漬させる工程を行わなかった本発明における第1工程を無処理とした以外は、実施例1と同じ方法で太陽電池用ウェーハを製造した。比較例2100質量の2-プロパノールに替えて、低級アルコールではない30質量過酸化水素水とした点以外は、実施例1と同じ方法で太陽電池用ウェーハを製造した。<評価1:外観写真>ウェーハの被処理面を目視にて観察した。図2aは、酸性溶液によるエッチング後、本発明による多孔質化処理の前のシリコンウェーハの表面を撮影した写真である。図2bは、比較例1のシリコンウェーハの表面を撮影した写真である。図2cおよび図2dは、それぞれ実施例1および実施例2のシリコンウェーハの表面を撮影した写真である。ここに示すように、実施例1および実施例2では外観上真っ黒な状態であった。このことから、実施例1,2の表面では可視光域で反射率が減少していることが予想される。一方、比較例1では外観上ほとんど変化が見られなかった。比較例2不図示も同様であった。<評価2:SEM>ウェーハの被処理面を走査型電子顕微鏡ScanningElectronMicroscope:SEMにより観察した。図3a~dは、それぞれ図2a~dにおけるシリコンウェーハ表面のSEM像である。図3aのように、本発明による多孔質化処理の前のシリコンウェーハの表面には、数μm程度の凹凸が存在した。これは、酸エッチング処理にて形成された凹凸形状である。比較例1図3bおよび比較例2不図示では、フッ化水素酸により凹凸表面が多少荒れている様子が観察された。一方、実施例1図3cおよび実施例2図3dでは、数μm程度の凹凸表面上にさらに微細な多数の凹凸構造が形成されていることがわかった。<評価3:反射率測定>反射率測定器島津製作所社製:SolidSpec3700により、ウェーハの被処理面における反射スペクトルを300~1200nmの範囲で測定した。太陽光には波長500~700nmの光が多く含まれるため、この波長領域で反射率が低いことが望ましい。そこで、波長600nmと700nmの相対反射率を表1に示した。表1中asETとあるのは、図2aおよび図3aに示した、酸性溶液によるエッチング後、本発明による多孔質化処理の前のシリコンウェーハの表面である。表1より、比較例1,2は処理前に比べて反射率がわずかに増加した。一方、実施例1,2では処理前に比べて顕著に反射率を低減することができた。これは、図3c,dに示したように、表面を多孔質化したことによるものである。この結果から、従来よりも安全かつ安価なこの方法で多孔質化処理を行うと、入射光の反射ロスを低減することができ、変換効率の高い太陽電池を作ることができることがわかった。実験例2:低級アルコール処理時間と反射率との関係<試料の作製>まず、20mm角のp型100単結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。このウェーハを99質量エタノールETOHに所定時間浸漬させた。その後、このウェーハを、Cuを1000ppm含む硝酸銅溶液10mLと、50質量フッ化水素酸10mLと、水10mLとの混合液に10分間浸漬させた。なお、この工程は、通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった。その後、このウェーハを0.1質量硝酸に5分間浸漬させ、太陽電池用ウェーハを製造した。上記所定時間を0分、1分、3分、5分、10分として5種類の試料を作製した。なお、0分は当該工程を行わないことを意味する。<評価:反射率測定>実験例1と同様にして、5種類の試料の反射スペクトルを測定し、波長600nmと700nmの相対反射率を表2に示した。表2より、エタノール処理時間は1分で十分であり、10分以下の範囲で反射率低減効果は持続することがわかった。実験例3:金属の種類と反射率との関係<試料作製>まず、20mm角のp型100単結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。このウェーハを99質量エタノールETOHに1分間浸漬させた。その後、このウェーハを、所定の金属を1000ppm含む硝酸塩溶液Crの場合のクロム酸カリウム溶液10mLと、50質量フッ化水素酸10mLと、水10mLとの混合液に3分間浸漬させた。なお、この工程は、通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった。その後、このウェーハを0.1質量硝酸に5分間浸漬させ、太陽電池用ウェーハを製造した。上記所定の金属を、Al,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cuとして7種類の試料を作製した。<評価:反射率測定>実験例1と同様にして、7種類の試料の反射スペクトルを測定し、波長600nmと700nmの相対反射率を表3に示した。なお、表3中asETとあるのは、図2aおよび図3aに示した、酸性溶液によるエッチング後、本発明による多孔質化処理の前のシリコンウェーハの表面である。表3より、Cu以外の金属の場合、反射率低減効果はほとんど得られなかった。実験例4:Cu濃度と反射率との関係<試料作製>まず、20mm角のp型100単結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。このウェーハを99質量エタノールETOHに1分間浸漬させた。その後、このウェーハを、Cuを所定濃度溶解させた硝酸銅溶液10mLと、50質量フッ化水素酸10mLと、水10mLとの混合液に3分間浸漬させた。なお、この工程は、通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった。その後、このウェーハを0.1質量硝酸に5分間浸漬させ、太陽電池用ウェーハを製造した。上記所定濃度ppmを333,833,1667,2500,3333,5000,6667として7種類の試料を作製した。<評価:反射率測定>実験例1と同様にして、7種類の試料の反射スペクトルを測定し、波長600nmと700nmの相対反射率をぞれぞれ図4aおよび図4bに示した。図4a,bともに、Cu濃度が100~400ppmの範囲で反射率が最小となり、400ppmを超えると多少反射率低減効果が小さくなることがわかった。このことから、Cu濃度が100~400ppmの範囲で高い反射率低減効果が得られることがわかった。実験例5:フッ化水素酸の濃度と反射率との関係<試料作製>まず、20mm角のp型100単結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。このウェーハを99質量エタノールETOHに1分間浸漬させた。その後、このウェーハを、Cuを1000ppm溶解させた硝酸銅溶液5mLと、所定濃度になるように調合されたフッ化水素酸と、水との混合液25mLの混合溶液に3分間浸漬させた。なお、この工程は、通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった。その後、このウェーハを0.1硝酸に5分間浸漬させ、太陽電池用ウェーハを製造した。上記所定濃度質量を17,83,167,250,333として5種類の試料を作製した。<評価:反射率測定>実験例1と同様にして、5種類の試料の反射スペクトルを測定し、波長600nmと700nmの相対反射率をぞれぞれ図5aおよび図5bに示した。図5a,bともに、フッ化水素酸の濃度が10以上の場合に、高い反射率低減効果が得られることがわかった。実験例6:第2工程処理時間と反射率との関係<試料作製>まず、20mm角のp型100単結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。このウェーハを99エタノールETOHに1分間浸漬させた。その後、このウェーハを、Cuを1000ppm溶解させた硝酸銅溶液10mLと、50質量フッ化水素酸10mLと、水10mLとの混合液に所定時間浸漬させた。なお、この工程は、通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった。その後、このウェーハを0.1質量硝酸に5分間浸漬させ、太陽電池用ウェーハを製造した。上記所定時間を0分、1分、3分、5分、10分、20分、30分として7種類の試料を作製した。なお、0分は当該工程を行わないことを意味する。<評価:反射率測定>実験例1と同様にして、7種類の試料の反射スペクトルを測定し、波長600nmと700nmの相対反射率をぞれぞれ図6aおよび図6bに示した。図6a,bともに、処理時間が1~30分の範囲で0分よりも低い反射率を得ることができ、特に処理時間が1~10分の範囲で高い反射率低減効果が得られることがわかった。実験例7:第3工程金属イオン非含有フッ化水素酸処理工程による凹凸深さの制御試料1実施例まず、20mm角のp型100単結晶シリコンウェーハを用意し、50質量フッ化水素酸/70質量硝酸/水=1:4:5体積比にて調合した酸性溶液を用いて、室温で3分間エッチング処理を施し、その後ウェーハを乾燥させた。以降の工程は全て室温で行った。このウェーハを100質量の2-プロパノールイソプロピルアルコール;IPAに10分間浸漬させた。さらにこのウェーハを、Cuを1000ppm含む硝酸銅溶液10mLと、50質量フッ化水素酸10mLと、水10mLとの混合液に3分間浸漬させた。なお、この工程は、通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった。この状態のシリコンウェーハ表面のSEM像を図7aに示す。これは、本発明における多孔質化処理の第2工程までが終了した段階である。試料2実施例試料1と同様の工程のあと、本発明における第3工程として、このウェーハを、Cuを溶解させていない50質量フッ化水素酸15mLと水15mLとの混合液に1時間浸漬させた。なお、この工程は、光を遮断すべく暗室内にておこなった。その後、このウェーハを0.1質量硝酸に5分間浸漬させ、太陽電池用ウェーハを製造した。この状態のシリコンウェーハ表面のSEM像を図7bに示す。試料3実施例第3工程を通常の室内環境すなわち光照射環境下にておこなった以外は、試料3と同様の方法で試料3にかかる太陽電池用ウェーハを製造した。この状態のシリコンウェーハ表面のSEM像を図7cに示す。図7b,cより、第3工程金属イオン非含有フッ化水素酸処理工程を1時間行うことにより、図7aで観察されていた数μmの凹凸と比較し、ウェーハ表面にさらに微細な凹凸構造のみを形成することができた。また、光照射有無にて表面状態を制御することが可能であり、光照射条件を制御した環境にて第3工程を行うことで、所望の表面状態へ改質させることが可能であることが確認できた。"