所定の波長帯域を有する入射光に屈折率作用を及ぼす平面光学素子であって、前記所定の波長帯域を有する入射光を通過させる透過性基板の表面或いは裏面に、前記入射光の波長以下のピッチの凹部で形成された部分周期構造体が、複数配設されて集合周期構造体を形成し、前記部分周期構造体それぞれの屈折率を段階的に設定して、前記集合周期構造体が屈折型光学素子を形成することを特徴とする波長依存型平面光学素子。前記部分周期構造体は、前記入射光の半波長以下のピッチの前記凹部で形成されることを特徴とする請求項1記載の波長依存型平面光学素子。前記部分周期構造体を形成する前記凹部は、溝部又は穴部であることを特徴とする請求項1又は2記載の波長依存型平面光学素子。前記部分周期構造体の屈折率は、前記溝部の幅そして又は前記溝部のピッチにより、設定されることを特徴とする請求項3記載の波長依存型平面光学素子。前記部分周期構造体の屈折率は、前記穴部の表面積そして又は前記穴部のピッチにより、設定されることを特徴とする請求項3記載の波長依存型平面光学素子。前記部分周期構造体は、一定深さの前記凹部で構成されることを特徴とする請求項1~5の波長依存型平面光学素子。前記集合周期構造体は、前記透過性基板に同心円で形成された屈折型光学素子であることを特徴とする請求項1~6いずれか一つに記載の波長依存型平面光学素子。前記屈折型光学素子は、前記透過性基板に複数個の屈折型光学素子で屈折型光学素子アレイを形成していることを特徴とする請求項1~6いずれか一つに記載の波長依存型平面光学素子。前記入射光は赤外線であり、前記透過性基板が赤外線透過性基板である請求項1~8のいずれか一つに記載の波長依存型平面光学素子。請求項9に記載の波長依存型平面光学素子を、赤外線を検知する焦電素子の前面に配置したことを特徴とする焦電型赤外線センサ。前記入射光は炭酸ガスレーザ光であり、前記透過性基板が屈折型光学素子である請求項1~8のいずれか一つに記載の波長依存型平面光学素子。所定の波長帯域を有する入射光に屈折率作用を及ぼす平面光学素子の製造方法において、前記所定の波長帯域を有する入射光を通過させる透過性基板を用意する工程と、前記透過性基板の表面或いは裏面に、前記入射光の波長以下のピッチで形成された部分周期構造体が複数配設されて集合周期構造体を形成するための構造体マスクを取り付ける構造体マスク工程と、前記構造体マスクを用いたドライエッチングにより、前記部分周期構造体それぞれの屈折率が段階的に変化する複数の溝を形成するエッチング加工工程とを有することを特徴とする平面光学素子の製造方法。前記透過性基板の表面或いは裏面に、前記入射光の4分の一波長以下のピッチで、一様に形成された無反射構造体溝を形成するための無反射構造体マスクを取り付ける無反射構造体マスク工程と、前記無反射構造体マスクを用いて無反射構造体溝を形成するドライエッチング加工工程と、前記無反射構造体溝上に前記入射光の波長以下のピッチで形成された部分周期構造体が複数配設されて集合周期構造体を形成するための構造体マスクを取り付ける構造体マスク工程と、前記構造体マスクを用いたドライエッチングにより、前記無反射構造体溝上に、前記部分周期構造体それぞれの屈折率が段階的に変化する複数の溝を形成するドライエッチング加工工程とを有することを特徴とする請求項11に記載の平面光学素子の製造方法。しかしながら、従来技術における焦電型赤外線センサにフレネルレンズを用いるものにあっては、このフレネルレンズの赤外線に対する反射や吸収の影響により、赤外線の透過率は、約50であり、光の利用効率に問題があった。更に、焦電型赤外線センサの外側に、ドーム形状に形成されたフレネルレンズで包み込む形態で用いられているものにあっては、センサ全体の大きさが大きくなり、小型化を図るのは不可能であった。更に、フレネルレンズの輪環の形状は、球面形状、或いは、マルチレベルバイナリ型の8レベルの8段階の段の形状に形成せねばならず、加工が難しく、そして、製造工数が掛かり、高価になる問題があった。また、特許文献1に示す従来の焦電型赤外線センサは、赤外線透過フィルタの表面または裏面に回折光学レンズを形成し、波長依存型平面光学素子として小型化を図るものであるが、赤外線透過フィルタの平面上に溝を形成する2レベルの回折光学レンズは光利用効率が40程度と低く、感度に問題があり、光利用効率を80以上に向上するためには階段状に4レベルの4段階、或いは、8レベルの8段階の段を形成せねばならず、加工が難しく、そして、製造工数が掛かり、小型化が図れたとしても、高価になる問題がある等、波長依存型平面光学素子として十分に期待にこたえるものではなかった。すなわち、焦電型赤外線センサ等の薄型化小型化と安価のために、薄型でフィルタ効果と集光機能を有する波長依存型平面光学素子の開発が期待されていた。本発明の目的は、上記期待に答えようとするものであり、小型でありながら、光利用効率がよく、加工が容易であって安価な、波長依存型平面光学素子、及び、それを用いた焦電型赤外線センサを提供することにある。本発明の波長依存型平面光学素子は、上記目的を達成するために、下記記載の構成を採用するものである。所定の波長帯域を有する入射光に屈折率作用を及ぼす平面光学素子であって、所定の波長帯域を有する入射光を通過させる透過性基板の表面或いは裏面に、入射光の波長以下のピッチの凹部で形成された部分周期構造体が、複数配設されて集合周期構造体を形成し、部分周期構造体それぞれの屈折率を段階的に設定して、集合周期構造体が屈折型光学素子を形成することを特徴とする。なお、部分周期構造体は、入射光の半波長以下のピッチの凹部で形成されることが好ましい。また、部分周期構造体を形成する凹部は、溝部又は穴部であることが好ましい。また、部分周期構造体の屈折率は、溝部の幅そして又は溝部のピッチにより、設定されることが好ましい。また、部分周期構造体の屈折率は、穴部の表面積そして又は穴部のピッチにより、設定されることが好ましい。。また、部分周期構造体は、一定深さの凹部で構成されることが好ましい。また、集合周期構造体は、透過性基板に同心円で形成された屈折型光学素子であることが好ましい。また、屈折型光学素子は、透過性基板に複数個の屈折レンズで屈折型レンズアレイを形成してもよい。また、入射光は赤外線であり、透過性基板が赤外線透過性基板であってもよい。また、波長依存型平面光学素子は、赤外線を検知する焦電素子の前面に配置してもよい。また、入射光は炭酸ガスレーザ光であり、透過性基板が屈折型光学素子であることが好ましい。本発明の波長依存型平面光学素子の製造方法は、所定の波長帯域を有する入射光を通過させる透過性基板を用意する工程と、透過性基板の表面或いは裏面に、入射光の波長以下のピッチで形成された部分周期構造体が複数配設されて集合周期構造体を形成するための構造体マスクを取り付ける構造体マスク工程と、構造体マスクを用いたドライエッチングにより、部分周期構造体それぞれの屈折率が段階的に変化する複数の溝を形成するエッチング加工工程とを有することを特徴とする。また、透過性基板の表面或いは裏面に、入射光の4分の一波長以下のピッチで、一様に形成された無反射構造体溝を形成するための無反射構造体マスクを取り付ける無反射構造体マスク工程と、無反射構造体マスクを用いて無反射構造体溝を形成するドライエッチング加工工程と、無反射構造体溝上に入射光の波長以下のピッチで形成された部分周期構造体が複数配設されて集合周期構造体を形成するための構造体マスクを取り付ける構造体マスク工程と、構造体マスクを用いたドライエッチングにより、無反射構造体溝上に、部分周期構造体それぞれの屈折率が段階的に変化する複数の溝を形成するエッチング加工工程とを有することが好ましい。以上のように、本発明によれば、透過性基板の表面或いは裏面に入射光の波長以下のピッチの溝部や穴部を形成し、溝部の溝幅や穴部の表面積をパラメータとして、段階的に屈折率を設定して屈折率分布を形成するだけで、屈折型レンズの形成を可能としたので、小型薄型で、低価格の、光利用効率の高い、高感度の波長依存型平面光学素子及びそれを用いた焦電型赤外線センサ等を提供することが可能となる。以下、本発明の実施例を図面に基づいて具体的に説明する。なお、以下に説明する実施例1から実施例4において、人が発する赤外線、すなわち、波長約10μmの赤外線を検知する焦電型赤外線センサを例として説明する。[実施例1図1から図5は、本発明の実施例1の焦電型赤外線センサの構成を説明するための図面であり、図1は、この焦電型赤外線センサの外観の斜視図であり、図2は、この焦電型赤外線センサの断面図である。図3は、透過性基板の表面に、一定ピッチの溝部により形成された部分周期構造体を模式的に示す部分断面拡大図である。図4は、本発明の実施例1における波長依存型平面光学素子の屈折型レンズを説明するための模式的な断面図であり、図5は本発明の実施例1における波長依存型平面光学素子の屈折型レンズの平面図である。[焦電型赤外線センサの全体構成:図1~図2]まず、図1と図2を用いて実施例1の焦電型赤外線センサの全体構成を説明する。なお、各図において、同一の構成部材には同一の番号を付して重複する説明は省略する。図1に示すように、焦電型赤外線センサ1は、いわゆる、表面実装型であって、外径寸法は、幅4mm、奥行き4mm、厚さ3mmほどで、非常に小型の形状で形成されている。ケース12は、その内部に焦電素子と電子回路を内蔵し、ケース12のケース窓121には、シリコン基板からなる平板の波長依存型平面光学素子20が配置され、赤外線が入射する窓として形成されている。図2の焦電型赤外線センサ1の断面図に示すように、回路基板14は、BTレジン三菱ガス化学の商標名からなるガラス基材銅張積層板であって、その上面には、固定抵抗素子15と電界効果トランジスタ16が実装され、焦電素子の高い出力インピーダンスを下げる働きを担った電子回路を形成している。そして、下面には、端子図示せずが形成され、電子回路の駆動電源端子と検出信号の出力端子を備え、表面実装が可能なように配置されている。スペーサ基板13は、回路基板14と同様の材質からなり、回路基板14に接着固定され、銀ペーストにて電気的に接合されている。焦電素子10は、LiTaO3からなり、熱伝導の影響を極力小さくするため、構成部品との接触面積を小さくして、浮かした状態で配設するのが好ましく、スペーサ基板13の中段に、両端を銀ペーストで接合され、スペーサ基板13の配線パターン図示せずを経由して、電気的に電子回路14と接続されている。焦電素子10の上部には、波長依存型平面光学素子20がスペーサ基板13に位置決め接着され、銀ペーストで接合して配設されている。そして、その波長依存型平面光学素子20は、入射光に含まれる赤外線17を選択し、焦電素子10に赤外線17を集光する屈折型レンズの機能を備えている。この波長依存型平面光学素子20の構成と機能に付いては、図3~図5にて詳細に説明する。ケース12は、SPCC或いはSUSからなり、焦電素子10を外乱光から遮光すると共に電磁シールドする機能を有し、上述したように、波長依存型平面光学素子20に赤外線17の入射を可能にするように、ケース窓121を備えている。[透過性基板に形成された波長依存型平面光学素子屈折型レンズの説明:図3~図5]図3は、透過性基板の表面に、一定ピッチの凹部、すなわち、溝部からなる部分周期構造体を、模式的に示す部分断面拡大図である。図4は、透過性基板に形成された複数の部分周期構造体を配設して集合体をなした集合周期構造体の屈折型レンズを説明するための模式的な図であり、図5は、図4bで示された波長依存型平面光学素子の平面図である。図3において、本発明の基本的な考え方を説明する。入射光の波長以下のピッチの周期構造を持った構造体を物質表面に形成するモスアイ構造においては、空気側からその物質中に光が入射する際、物質表面の矩形の周期構造体により、光は空気とこの物質との中間の屈折率を持つ物質が、空気とこの物質との間に存在すると感じて、屈折率が低下する。このことは、一般的に良く知られていることである。従って、透過性基板上に、赤外線の波長以下のピッチで複数個の溝を加工し、矩形の部分周期構造体を形成することで、その部分周期構造体の屈折率が透過性基板本体の屈折率より低い屈折率に形成することが可能となる。以下詳細に説明する。図3の断面図に示すように、透過性基板11の表面に、凹部として、一定間隔のピッチPで一定深さLの溝幅Wを有する溝部21を形成し、そして、凸部である矩形部22が形成される。この溝部21と矩形部22の集合体で部分周期構造体23が形成されている。部分周期構造体23は、ピッチPが人の発する赤外線波長以下の10μm以下で形成され、入射光の波長よりも短い周期構造を持っている。従って、赤外線に対するこの部分周期構造体23の屈折率Nxは、溝部のピッチをP、溝の幅をW、物質の屈折率をN、空気の屈折率をnとすると、Nx=n×WN×P-W/Pで表される。上記の式により、部分周期構造体23の屈折率は、溝部21のピッチPを一定にして、溝部21の溝幅Wをパラメータとすることで、所定の屈折率を形成することが可能となり、また、溝部21の溝幅Wを一定にして、ピッチPをパラメータとすることで、所定の屈折率を形成することが可能となる。すなわち、透過性基板11の材質による屈折率Nから空気の屈折率=1まで、屈折率Nxを設定することが可能となる。従って、図4において詳細に説明するが、溝幅の異なる複数の部分周期構造体23を配列して、溝幅Wを順にそれぞれ段階的に減少すると、それぞれの部分周期構造体23の屈折率Nxがその配列順に応じて段階的に増加する。すなわち、屈折率の異なる複数の部分周期構造体23を配設して集合体をなした集合周期構造体を形成することで、平板の均一な屈折率を有する透過性基板に屈折率分布を形成することが可能となり、その屈折率分布の設定により透過性基板に屈折型光学素子の屈折型レンズすなわち波長依存型平面光学素子を形成することが可能となる。また、溝部21の溝幅Wを一定にして、溝部21のピッチの異なる部分周期構造体23を配列した集合周期構造体を形成しても、上記と同様に、透過性基板に屈折率分布を形成することが可能で、透過性基板に屈折型光学素子の屈折型レンズを形成することが可能となる。更に、複数の溝幅の異なる部分周期構造体23と溝部21のピッチの異なる部分周期構造体23を組み合わせて配列し集合周期構造体を形成して、透過性基板に屈折型レンズを形成することも可能である。以下、図4において、この屈折率分布を適用して集合周期構造体による屈折型光学素子の屈折型レンズの構成を詳細に説明する。図4は、本発明の実施例1における透過性基板に形成された複数の部分周期構造体を、屈折率の順に配設して集合体を形成した集合周期構造体が、屈折型レンズの機能を有することを説明するための模式的な断面図であり、図4aは、赤外線透過フィルタ上に、焦電素子に赤外線を集光するフレネルレンズマルチレベルバイナリ型フレネルレンズを配置した模式的な図の断面図であり、図4bは、実施例1における透過性基板の表面に集合周期構造体を形成し、波長依存型平面光学素子を形成した模式的な図の断面図であり、図4cは、図4aのフレネルレンズの輪環と、図4bの集合周期構造体の屈折型レンズを対比して説明するための部分拡大した模式的な断面図である。図4aに示すように、フレネルレンズ40は、赤外線透過フィルタ111の表面に、中心線Oを中心とした同心円状の複数の輪環41~47の集合体により構成され、焦電素子10に赤外線を集光可能に形成されている。すなわち、図2に示す波長依存型平面光学素子20と置き換えたとしても、赤外線透過フィルタ111とフレネルレンズ40を一体化した構成で、フレネルレンズの輪環41~47それぞれが、焦電素子10に赤外線を集光することが可能な構成になっている。図4bに示すように、透過性基板11の表面に、中心線Oを中心として、集合周期構造体31~37が同心円状に形成されている。集合周期構造体31は、詳細は図4cで説明するが、図3で説明した部分周期構造体23の溝幅を8段階に分割して形成し、段階的に配列した集合体で構成されている。そして、透過性基板11の表面に形成した集合周期構造体31~37それぞれは、後述するように、フレネルレンズ40の輪環41~47のそれぞれに対応して入射した赤外線を屈折して焦電素子に集光する機能を有し、波長依存型平面光学素子20を形成する。以下その機能を、詳細に説明する。図4cにおいて一番外側のフレネルレンズの輪環41と透過性基板11の一番外側の集合周期構造体31との対比を例として、透過性基板11の屈折型レンズとしての構成、機能を説明する。図4cの上段に示すように、フレネルレンズの輪環41は、マルチレベルバイナリ型フレネルレンズで形成され、8段階に量子化されて形成されている。すなわち、輪環41の上部からa部、b部、c部、d部、e部、f部、g部、h部の8段階で形成されている。そして、それぞれ各部分の長さは、図では一部代表だけを示しているが、la、lb、lc、ld、le、lf、lg、lhである。従って、光路長は、a部がn×la、b部がn×lb、c部がn×lc、d部がn×ld、e部がn×le、f部がn×lf、g部がn×lg、h部がn×lhである。すなわち、フレネルレンズの輪環41は、光路長のn×la:n×lb:n×lc:n×ld:n×le:n×lf:n×lg:n×lhの比と、振幅光路長の値で、入射赤外線を焦電素子に集光する機能を持っている。このフレネルレンズの輪環41の光路長n×la~n×lhのそれぞれの比に対して、透過性基板11に形成されたそれぞれの部分周期構造体の屈折率の比を一致させて部分周期構造体を配列し、集合周期構造体31を形成することで、透過性基板11の集合周期構造体31が、フレネルレンズの輪環41と同様に、赤外線を集光する機能を有することが可能となる。図4cの下段に示す部分周期構造体は、ピッチ一定で溝部の幅をパラメータとして屈折率を形成した例である。すなわち、透過性基板11の表面に構成した部分周期構造体において、ピッチ一定で溝部の幅の異なる部分周期構造体のA部、B部、C部、D部、E部、F部、G部、H部からなる集合周期構造体31は、構成する部分周期構造体A部~H部の屈折率Na、Nb、Nc、Nd、Ne、Nf、Ng、Nhと、溝深さLから、それぞれの光路長は、Na×L、Nb×L、Nc×L、Nd×L、Ne×L、Nf×L、Ng×L、Nh×Lである。従って、フレネルレンズの輪環41のマルチレベルバイナリのa部~h部の8段階の光路長の比に対し、透過性基板11に構成された集合周期構造体31の部分周期構造体A部~H部の光路長の比を、n×la:n×lb:n×lc:n×ld:n×le:n×lf:n×lg:n×lh=Na×L:Nb×L:Nc×L:Nd×L:Ne×L:Nf×L:Ng×L:Nh×Lとすることで、フレネルレンズの輪環41の曲率と透過性基板11の集合周期構造体31の曲率が同じくなる。すなわち、n×la:n×lb:n×lc:n×ld:n×le:n×lf:n×lg:n×lh=Na:Nb:Nc:Nd:Ne:Nf:Ng:Nhとなるように透過性基板11のそれぞれの部分周期構造体A部~H部の溝部21図3参照の溝幅を調整して、部分周期構造体A部~H部の屈折率をNa~Nhに設定することでレンズとしての曲率がフレネルレンズの輪環41と同一に形成される。シリコン基板である透過性基板11の屈折率は約3.5であるから屈折率Na~Nhは1~3.5まで設定させることが可能である。故に、光路長の比率が1~3.5の割合で設計されたマルチレベルバイナリ型フレネルレンズの輪環41に対応して部分周期構造体A部~H部の溝部の溝幅を調整し屈折率を設定するだけで、集合周期構造体31を屈折型レンズとして形成することが可能となる。すなわち、シリコン基板からなる透過性基板の表面に、検知する赤外線の波長以下のピッチで溝部を形成した複数の部分周期構造体に、それぞれ異なった溝幅を設定して、段階的に異なる屈折率を有する部分周期構造体を順に配設し、集合周期構造体を形成することで、フレネルレンズと同様の機能を有する屈折型レンズ、すなわち、波長依存型平面光学素子を、形成することが可能となる。更に、Na×L:Nb×L:Nc×L:Nd×L:Ne×L:Nf×L:Ng×L:Nh×Lの比は変えずに、溝深さLによりNa×L~Nh×Lの光路長の値振幅から焦点距離を設定することが可能となる。すなわち、溝深さLをより深くすることで、より短い焦点距離の屈折型レンズを形成することが可能となる。部分周期構造体の溝部のピッチは、人の発する赤外線が溝として感じ得ない赤外線の波長10μm以下で形成することが必須であるが、実用上では、溝部のピッチのバラツキおよび溝幅のバラツキが加工上必ず存在するから、部分周期構造体としての効果を明確に発揮するのは半波長の5μm程度が良好であり、また、そのピッチの最小値は、溝部を形成するアクセプト比の実用値からおのずと限界があることは自明のことである。図5に示すように、図4bに示した波長依存型平面光学素子20は、その表面に、中心点Oを中心として、集合周期構造体31~37が同心円で形成されている。すなわち、マルチレベルバイナリ型フレネルレンズの輪環41~47それぞれの光路長の比に対して、上述した輪環41と集合周期構造体31の対比と同様な手法で、集合周期構造体31~37それぞれの曲率と振幅を設定することによって、透過性基板11に波長依存型平面光学素子20を形成し、焦電素子の中央部に赤外線を集光することが可能となる。上記説明から明らかなように、透過性基板11に形成された集合周期構造体31~37は赤外線には屈折型レンズとしての機能を有するが、赤外線の波長より短い可視光線は、部分周期構造体の溝部、矩形部を認識するから、透過し、屈折せず集光することはない。従って、透過性基板に形成された屈折型光学素子の屈折型レンズは、赤外線に対してだけ集光作用を有する赤外線透過フィルタとしての機能も有する波長依存型平面光学素子20を形成している。故、本発明の実施例1における透過性基板は、波長依存型平面光学素子として、赤外線透過フィルタと屈折型レンズの2つの機能を有して、焦電素子に赤外線を集光する焦電型赤外線センサを形成することが可能であるから、小型で、低価格の、光利用効率の高い、高感度の焦電型赤外線センサを提供することが可能となる。[実施例2]次に、本発明に係る波長依存型平面光学素子を用いた焦電型赤外線センサの実施例2について説明する。実施例2は、実施例1に対して、透過性基板の表面又は裏面に形成する集合周期構造体の配置が異なるだけで、それ以外の構成については、実施例1と構造、材質、機能は同じである、従って、波長依存型平面光学素子だけを示して説明する。[実施例2の波長依存型平面光学素子の構成:図6]図6は、本発明の実施例2における波長依存型平面光学素子は、透過性基板の表面又は裏面に形成された屈折型レンズが、放射状に複数個形成された屈折型レンズアレイの構成を説明するための平面図である。図6に示すように、透過性基板11上のO、O1、O2それぞれを中心点として同心円状の集合周期構造体の51~54により屈折型レンズが形成されている。そして、中心点O1、O2の屈折型レンズそれぞれは中心点Oを中心として同心円上に放射状に形成されている。集合周期構造体51~54は、前述したように、部分周期集合体の屈折率を設定することで、屈折レンズと赤外線透過フィルタの2つの機能を有した波長依存型平面光学素子20として、焦電素子の複数個所に赤外線を集光するように形成されている。このように赤外線を焦電素子の複数個所に集光することで、赤外線を検知する領域範囲内で、その赤外線の視野を複数に分離することになる。従って、検知する領域範囲内で検知対象物のわずかな動きであっても、複数領域の集光の差分が大きくなり、センサ出力が大きくなって、検知対象物を確実に検知することが可能であり、特に、検知対象物が移動する場合に最適となる機能を有する焦電型赤外線センサが提供可能となる。[実施例3]次に、本発明に係る焦電型赤外線センサの実施例3について説明する。実施例3は、実施例1に対して、透過性基板の表面又は裏面に形成する部分周期構造体の形状が異なるだけで、それ以外の構成については、実施例1と構造、材質、機能は同じである、従って、透過性基板の部分周期構造体の一部を示して説明する。[実施例3の部分周期構造体の構成:図7]図7は、本発明の実施例3における透過性基板に形成された部分周期構造体の一部を拡大して示す図であり、実施例1に説明した溝部の替わりに穴部を形成した部分周期構造体の一部分の図である。図7aは、透過性基板の表面に穴部で形成された部分周期構造体の一部を抜き出して模式的に示す部分的な斜視図であり、実際は、この斜視図の周囲に同様の構造体が連続して形成されている。図7bは、この部分周期構造体の一部を更に拡大して示した平面図でる。図7aに示すように、透過性基板11の表面に形成された部分周期構造体24は、凹部として、実施例1の溝部に相当する六角柱形状の穴部25が、赤外線の波長以下のピッチで連続して形成され、そして、穴部25の周囲の壁部26と共に、いわゆる、ハニカム構造の形状で構成されている。穴部25の周囲の壁部26は、実施例1で説明した矩形部22に相当し凸部を形成している。図7bに示すように、部分周期構造体24は、穴部25とその周囲の六角形の壁部26二点差線で示すからなるセル27の集合体により形成される。隣り合った六角形のセル27は、赤外線の波長以下の一定ピッチPで配列している。従って、この部分周期構造体24の屈折率Nxは、平面図上の穴部25の表面積をS1、壁部26の表面積をS2、および、透過性基板の屈折率をN、穴部の屈折率をnとすると、Nx=n×S1N×S2/S1S2で表される。上記の式により、部分周期構造体24の屈折率Nxは、一定ピッチで形成された穴部25の表面積S1をパラメータとすることで、すなわち、壁部26の外形形状を一定にして穴部の形状をパラメータとして、所定の屈折率を形成することが可能であり、他方、一定表面積で形成された穴部25のピッチを、赤外線の波長以下の値で、パラメータとすること、すなわち、壁部26の外形形状をパラメータとして、所定の屈折率を形成することも可能である。故に、図3で説明したと同様に、一定ピッチで形成された穴部25の、その表面積S1の異なる複数の部分周期構造体24を配列して、表面積S1を順にそれぞれ段階的に減少すると、それぞれの部分周期構造体24の屈折率Nxがその配列順に応じて段階的に増加する。すなわち、屈折率の異なる複数の部分周期構造体24を配設して、集合体をなした集合周期構造体を形成することで、平板の本来均一な屈折率を有する透過性基板に屈折率分布を形成し、実施例1と同様に波長依存型平面光学素子を形成することが可能となる。また、上記とは逆に、穴部25の表面積S1を一定にして、穴部25の配列のピッチの異なる部分周期構造体24を配列することより集合周期構造体を形成して、透過性基板に屈折率分布を形成し、透過性基板に屈折型光学素子である屈折型レンズを形成することも可能となる。更に、この穴部25と壁部26は、ハニカム構造を形成するから、壁部26が非常に薄く形成されたとしても構造が安定で強度に優れた屈折型レンズの提供が可能となる。[波長依存型平面光学素子の製造方法:図8、図9]次に、波長依存型平面光学素子の製造方法として、透過性基板に赤外線の無反射周期構造体を有する部分周期構造体を製造する方法を、図8と図9を用いて説明する。無反射周期構造体は、部分周期構造体を形成する凹凸の矩形の構造体を、更に先の尖った錐形にすることで形成される。すなわち、この錐形構造の反射率は、空気と物質間との屈折率が穏やかに変化するようになるので、更に低下することがよく知られている。図8は、本発明の焦電型赤外線センサの透過性基板に赤外線の無反射周期構造体の製造工程を模式的に示して説明するための工程図である。図9は、図8の続きの工程で、集合周期構造体を形成する複数の部分周期構造体の一部を模式的に示して製造方法を説明するための工程図である。各図において、同一の構成部材には同一の番号を付して重複する説明は省略する。図8に示すように、製造工程ST―01において、透過性基板を用意する工程であって、シリコン基板からなる透過性基板11を製造装置に投入し、セットする。次に、製造工程ST-02から製造工程ST-04は無反射構造体マスク工程であって、初めの製造工程ST-02拡散工程において、透過性基板11の表面にSiO2の酸化皮膜61を形成する。次に、製造工程ST-03レジスト形成において、透過性基板11のSiO2酸化皮膜61表面に、ネガ型レジストを塗布後、露光、エッチングをして、無反射周期構造体を形成するマスクパターン、すなわち、赤外線の1/4波長以下のピッチで形成されたネガ型レジストの無反射用マスク62を形成する。次に、製造工程ST-04異方性エッチングにおいて、ネガ型レジストの無反射用マスク62によりSiO2をドライエッチングで除去し、透過性基板11にSiO2の無反射用SiO2マスク63を形成する。次に、製造工程ST-05から製造工程ST-06は、ドライエッチング加工工程であって、製造工程ST-05等方性エッチングにおいて、ネガ型レジストの無反射用マスク62の剥離を行い、無反射用SiO2マスク63によって、透過性基板11にドライ又はウェットエッチングでSiにオーバーエッチングを行い、尖った先端が形成された無反射周期構造体28を形成する。次に、製造工程ST-06SiO2の除去において、透過性基板11の無反射周期構造体28の形成に用いた無反射用SiO2マスク63を、反応性薬液希フッ酸を用いて溶解する。続いて、部分周期構造体及び集合周期構造体を形成する製造工程に移行し、図9に示す製造工程ST-07から製造工程ST-10は、構造体マスク工程であって、初めに、製造工程ST-07SiO2再形成において、透過性基板11の無反射周期構造体28の上にCVD法ChemicalVaperDepositionにより、SiO264を再び形成する。次に、製造工程ST-08表面研磨において、再形成されたSiO264の表面をフォトリソによるエッチングが可能な平面を形成するため、CMPChemicalMechanicalPolishにより、凹凸面を平滑にする。次に、製造工程ST-09レジスト形成において、再形成されたSiO264の表面にポジ型レジストを塗布後、露光、エッチングをして、赤外線の波長以下のピッチの凹部、すなわち、溝部を有する部分周期構造体を形成するため、部分周期構造体用マスク65を形成する。次に、製造工程ST-10異方性エッチングにおいて、ポジ型レジストの部分周期構造体用マスク65でSiO2をドライエッチングして除去し、透過性基板11にSiO2の部分周期構造体用SiO2マスク66を形成する。次に、製造工程ST-11から製造工程ST-12は、ドライエッチング加工工程であって、製造工程ST-11反応性イオンエッチングにおいて、ポジ型レジストの部分周期構造体用マスク65の剥離を行った後、SiO2の部分周期構造体用SiO2マスク66を用いて、透過性基板11に、Deep-RIEDeepReactiveIonEtchingによりアクセプト比の大きい、すなわち、深さのある溝部21と、矩形部22を形成する。次に、製造工程ST-12SiO2の除去において、透過性基板11に形成されていたSiO2酸化皮膜61と部分周期構造体用SiO2マスク66をHF-Etchingフッ酸エッチングにより除去し、透過性基板11に部分周期構造体が形成される。上記製造工程によって、同一のドライエッチングの製造装置を用いながら、透過性基板11に無反射周期構造体28と部分周期構造体である溝部21、矩形部22を形成する波長依存型平面光学素子の製造方法は、単に平板に溝部をドライエッチングで形成するだけの2レベルの容易な加工であり、製造工数も掛からず安価に製造することが可能となる。なお、穴部を形成する製造方法も、同一の製造装置で同一の製造工程であることは言うまでもない。[実施例4]次に、本発明に係る波長依存型平面光学素子の実施例4について説明する。実施例4は、上記製造工程によって透過性基板に形成された波長依存型平面光学素子であって、実施例1と異なる点は、透過性基板に形成された部分周期構造体の表面に無反射周期構造体が形成されているだけで、それ以外の構成については、実施例1と構造、材質、機能は同じである。[実施例4の波長依存型平面光学素子の構成:図10]図10は、透過性基板に形成した集合周期構造体の模式的な断面図とその部分拡大図であり、上述した製造工程により無反射周期構造体を形成した透過性基板11を説明するための模式的な断面図である。図において、同一の構成部材には同一の番号を付して重複する説明は省略する。図10aに示すように、実施例1の図4cの下段の図と同様に、透過性基板11の表面に形成された部分周期構造体A部、B部、C部、D部、E部、F部、G部、H部のそれぞれは、赤外線の波長以下のピッチで溝部が形成され、段階的に溝幅が変えられ、その溝幅に応じた屈折率を有している。従って、平板の透過性基板11は、部分周期構造体A部~H部からなる屈折率分布を形成して、集合周期構造体31をなし、赤外線を集光する屈折型光学素子の屈折型レンズの機能を備えている。そして、部分拡大図の図10bの部分周期構造体A部、B部、C部の上面に示すように、図8で説明した製造工程ST01~ST06で形成された無反射周期構造体28が赤外線の1/4波長以下のピッチで形成されている。この無反射周期構造体28を分かり易く示すため、部分周期構造体A、B、Cの部分を拡大図にしたが、集合周期構造体の全体に無反射周期構造体28が形成されていることは言うまでもない。従って、透過性基板11に形成された集合周期構造体、更には、波長依存型平面光学素子が、赤外線を無反射で入射が可能な機能を有している。この無反射周期構造体28のピッチは、部分周期構造体で説明したように赤外線の半波長においても機能を有するが、実用上、無反射の機能を確実に有するには、赤外線の4分の一波長でより好ましい結果を得ている。従って、本実施例4に示す透過性基板は、赤外線だけが無反射で入射可能な、そして、赤外線だけが焦電素子に集光可能であって、赤外線透過フィルタの機能も有する波長依存型平面光学素子を形成することが可能となっている。すなわち、シリコン基板からなる透過性基板の均質な平板に、ドライエッチング製造装置を用いた製造工程によって、透過性基板が、赤外線に対して透過フィルタ及び屈折型レンズの二つの機能を有する、波長依存型平面光学素子を形成するから、小型でありながら赤外線利用効率の高い、高感度で、安価な焦電型赤外線センサを提供することが可能となる。以上、本発明の好ましい実施の態様を説明してきたが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば、シリコン基板からなる透過性基板は、ゲルマニュウム基板であっても同様の製造工程で、赤外線に対して透過フィルタ及び屈折型レンズの二つの機能を有する波長依存型平面光学素子が形成可能となる。更に、透過性基板に形成される集合周期構造体は、部分周期構造体の凹部の形成が、一定ピッチで形成される部分周期構造体の部分と、凹部の溝部および穴部が一定形状で、異なるピッチで形成される部分周期構造体の部分と、混成して形成し、屈折型レンズの形成が可能であることは言うまでもない。そして、穴部の形状を六角形形状で説明したが、円形であっても同等の効果があることは言うまでもない。[実施例5]次に、本発明に係る波長依存型平面光学素子の実施例5について説明する。実施例5は、上述した焦電型赤外線センサにおける人の赤外線の波長約10μmに対し、ほぼ同等の波長である炭酸ガスレーザの波長10.6μmを有する炭酸ガスレーザ装置に、集光レンズとして適用した波長依存型平面光学素子であって、その波長依存型平面光学素子は、上述した実施例と同様な製造方法で形成されており、そして、同様な機能を有するものである。[炭酸ガスレーザ装置の構成:図11]図11は、実施例5の炭酸ガスレーザ装置の全体構成を説明するための模式的な図である。炭酸ガスレーザ装置は、電子部品が高密度に集積化して実装された集積回路基板等を切断して分離する切断装置として広く用いられている。そして、もともと小型軽量な炭酸ガスレーザ装置は、ロボットに装着し素早い動作で集積回路基板を切断する量産性の優れた装置であるが、更なる量産性の向上に、炭酸ガスレーザ装置の小型化と軽量化が要望されている。図11の模式的な図で示すように、炭酸ガスレーザ装置7は、炭酸ガスレーザ本体71、筒状筐体72、全反射ミラー73、波長依存型平面光学素子屈折型レンズ20、ステージ74からなり、切断加工される被加工物の集積回路基板75が、ステージ74に真空吸着等で位置決め載置されている。そして、炭酸ガスレーザ本体71から出射したレーザビームLaは、全反射ミラー73で直角方向に光路を変更して波長依存型平面光学素子20で集積回路基板75上の切断部Pに集光される。切断加工に際しては、アシストガスGaN2、Ar、O2、空気等が、矢印方向から筒状筐体72に流入し、波長依存型平面光学素子20で絞られるレーザビームに沿って切断部Pに排気され、気化した基板材料に微粉末の付着、基板の熱変形、マイクロクラックの発生を押える機能を有している。すなわち、レーザビームLaを集光するための波長依存型平面光学素子20は、実施例4と同様に炭酸ガスレーザ光に無反射の機能と屈折型レンズの機能を有し、かつ、薄い平板で形成されているから、レンズ系の薄型、軽量化が可能となる。従って、炭酸ガスレーザ装置の軽量化小型化を図ることが可能となる。なお、本発明は、上述した実施例に限定されることはなく、それらの全てを行う必要もなく、特許請求の範囲の各請求項に記載した内容の範囲で種々変更や省略をすることが出来ることは言うまでもない。