"光起電デバイスであって、基板と、前記基板の上の第1の電極と、前記基板の上の第2の電極と、第1の連続した副層が第2の連続した副層と接触し、半導体二層が、前記第1の電極と前記第2の電極との間の基板の上に配置され、前記第1の副層が、前記第2の副層よりも第1の電極に近い位置にある、半導体二層と、前記第2の副層と前記第2の電極との間の電子輸送層とを備え、前記第1の副層が、メタロフタロシアニンを含み、前記第2の副層が、同じメタロフタロシアニンの異なる多形を含む、光起電デバイス。光起電デバイスであって、基板と、前記基板の上のアノードと、第1の連続した副層が第2の連続した副層と接触し、前記第1の副層が、前記第2の副層よりも前記アノードに近い、半導体二層と、前記第2の副層の上の電子輸送層と、前記電子輸送層の上の正孔遮蔽層と、前記正孔遮蔽層の上のカソードとをこの順序で備え、前記第1の副層が、メタロフタロシアニンの第1の多形を含み、前記第2の副層が、メタロフタロシアニンの第2の多形を含む、光起電デバイス。光起電デバイスであって、光学的に透明な基板と、前記基板の上のインジウムスズオキシド電極と、塩化インジウムメタロフタロシアニンの第1の多形を含む第1の連続した半導体副層と、塩化インジウムメタロフタロシアニンの第2の多形を含む第2の連続した半導体副層と、C60フラーレンを含む電子輸送層と、バトクプロインを含む正孔遮蔽層と、前記正孔遮蔽層の上に堆積させたアルミニウム電極とをこの順序で備える、光起電デバイス。日光に存在する光エネルギーをもっと多く捕捉でき、もっと多くの電気を発生させ、デバイスの電力変換効率を高めることができる光起電デバイスを提供することが望ましいことになる。本明細書の種々の実施形態において、全体的な電力変換効率PCEが改良された光起電デバイスが開示されている。一般的にいうと、光起電デバイスは、第1の電極例えば、アノードと、2個の連続した副層を含む半導体二層と、第2の電極例えば、カソードを備えている。片方の副層は、メタロフタロシアニンを含み、他方の副層は、同じメタロフタロシアニンの異なる多形を含む。さらなる実施形態では、基板と、基板の上のアノードと、第1の連続した副層が第2の連続した副層に接触している半導体二層と、電子輸送層と、カソードとを備える光起電デバイスが開示されている。半導体二層は、アノードとカソードとの間に配置されており、第1の副層は、第2の副層よりもアノードに近い位置に配置されている。電子輸送層は、第2の副層とカソードとの間に配置されている。第1の副層は、メタロフタロシアニンの第1の多形を含む。第2の副層は、メタロフタロシアニンの第2の多形を含む。いくつかの実施形態では、メタロフタロシアニンは、式Iを有しており、式中、Mは、二価、三価、または四価の金属原子であり、Xは、ヒドロキシル、酸素、またはハロゲンであり、nは、0~2の整数であるか、またはXnが=Oであり、それぞれのmは、フェニル環の上にあるR置換基の数をあらわし、独立して、0~6の整数であり、それぞれのRは、独立して、ハロゲン、アルキル、置換されたアルキル、アルコキシ、置換されたアルコキシ、フェノキシ、フェニルチオ、アリール、置換されたアリール、ヘテロアリール、-CN、-NO2からなる群から選択され、pは、0または1である。特定の実施形態では、メタロフタロシアニンは、塩化インジウムフタロシアニンである。半導体二層の第1の副層と第2の副層との接合部は、表面粗さが1ナノメートル~6ナノメートルであってもよい。第1の電極は、インジウムスズオキシド、フッ素スズオキシド、ドープされた亜鉛オキシド、PEDOT:PSS、カーボンナノチューブ、またはグラフェンを含んでいてもよい。第2の電極は、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム、またはこれらのアロイを含んでいてもよい。電子輸送層は、C60フラーレン、[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルエステルPCBM、C70フラーレン、[6,6]-フェニル-C71-酪酸メチルエステルPC[71]BM、または任意の他のフラーレン誘導体を含んでいてもよい。光起電デバイスは、電子輸送層と第2の電極との間に配置された正孔遮蔽層をさらに含んでいてもよい。正孔遮蔽層は、バトクプロイン、フッ化リチウム、またはバソフェナントロリンを含んでいてもよい。光起電デバイスは、第1の電極と、半導体二層の第1の副層との間に電子遮蔽層をさらに含んでいてもよい。電子遮蔽層は、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSS、MoO3、またはV2O5を含んでいてもよい。また、基板と、基板の上のアノードと、第1の連続した副層が第2の連続した副層と接触しており、第1の副層が、第2の副層よりもアノードに近い構成の半導体二層と、第2の副層の上の電子輸送層と、電子輸送層の上の正孔遮蔽層と、正孔遮蔽層の上のカソードとを、この順序で備える光起電デバイスが開示されている。第1の副層は、メタロフタロシアニンの第1の多形を含む。第2の副層は、メタロフタロシアニンの第2の多形を含む。さらに、本明細書では、光学的に透明な基板と、基板の上のインジウムスズオキシド電極と、塩化インジウムメタロフタロシアニンの第1の多形を含む第1の連続した半導体副層と、塩化インジウムメタロフタロシアニンの第2の多形を含む第2の連続した半導体副層と、C60フラーレンを含む電子輸送層と、バトクプロインを含む正孔遮蔽層と、正孔遮蔽層の上に堆積させたアルミニウム電極とをこの順序で備える光起電デバイスが開示されている。本明細書に開示されている要素、プロセス、装置のもっと完全な理解は、添付の図面を参照することによって得ることができる。これらの図は、簡便に、本開発内容を示しやすくすることに基づく単なる模式図であり、したがって、デバイスまたはその要素の相対的な大きさおよび寸法を示したり、および/または例示的な実施形態の範囲を規定または限定したりすることを意図したものではない。明確にするために、以下の記載で特定の用語を使用するが、これらの用語は、図面で説明するために選択された実施形態の特定の構造のみを指すことを意図しており、本開示の範囲を規定したり、または限定したりすることを意図したものではない。図面および以下の記載において、同様の数字による表示は、同様の機能を有する要素を指すことを理解されたい。量と組み合わせて用いられる修飾語句約は、述べられている値を含み、その内容によって示されている意味を有する例えば、特定の量の測定値に関連する誤差の程度を少なくとも含む。ある範囲に関して用いられる場合、修飾語句約は、2つの終点値の絶対値によって定義される範囲も開示しているものと考えるべきである。例えば、約2~約4の範囲は、2~4の範囲も開示している。用語~を含むは、述べられている要素の存在を必須とし、他の要素が存在してもよいものとして本明細書で用いられる。用語~を含むは、用語~からなるを含むものと解釈されるべきであり、用語~からなるは、述べられている要素の製造によって生じ得る任意の不純物を伴い、述べられている要素のみが存在することが許される。用語~の上は、本明細書で使用される場合、第1の要素について、第2の要素に対する位置を記述しているものと解釈されるべきである。この用語は、第1の要素が第2の要素に直接的に接触している必要があると解釈されるべきではないが、この直接的な接触も、この用語を使用することで包含される。本開示は、半導体二層を含む光起電デバイスに関する。片方の副層は、フタロシアニンを含み、他方の副層は、同じフタロシアニンの異なる多形を含む。図1は、例示的な光起電デバイス100の垂直断面図である。基板110が与えられている。第1の電極例えば、アノード120は、基板110の上に配置されている。半導体二層140は、アノード120の上に配置されている。半導体二層140は、第1の副層142と、第2の副層144とを含む。第1の副層142は、第2の副層144よりもアノード120に近い位置に配置されている。接合部145は、第1の副層142と第2の副層144との間に形成されている。任意要素である電子遮蔽層130は、所望な場合、アノード120と第1の副層142との間に配置されていてもよい。電子輸送層150は、半導体二層140の第2の副層144に接している。任意要素の正孔遮蔽層160は、電子輸送層150の上に配置されている。最後に、第2の電極例えば、カソード170は、基板110の上、かつ正孔遮蔽層160の上に配置されている。半導体二層140の第2の副層144は、第1の副層142よりもカソード170に近い。さらに、アノード120は、カソード170よりも基板110に近いことを注記しておくべきである。図2に示されるように、機能する光起電デバイスを製造するために、必須なのは、基板110、アノード120、半導体二層140、電子輸送層150、カソード170のみである。しかし、効率の高い光起電デバイスを得るのに、さらなる層も役立つ。他の言い方で記載すると、半導体二層140は、アノード120とカソード170との間に配置されている。さらに、電子輸送層150は、第2の副層144とカソード170との間に配置されている。正孔遮蔽層160は、同様に、第2の副層144とカソード170との間に配置されている。電子輸送層および正孔遮蔽層の両方が存在する場合、正孔遮蔽層160は、電子輸送層150とカソード170との間に配置されている。半導体二層の第1の副層142は、メタロフタロシアニンを含有している。半導体二層の第2の副層144は、同じメタロフタロシアニンの多形を含有している。言い換えると、第1の副層は、メタロフタロシアニンの第1の多形を含み、第2の副層は、メタロフタロシアニンの第2の多形を含む。メタロフタロシアニンの第1の多形と、第2の多形は、互いに異なっている。多形は、フタロシアニンの特定の結晶構造であり、フタロシアニンは、複数の結晶構造を有している場合があり、言い換えると、2種類以上の多形形態を有している場合がある。さらに、半導体二層は、異形と呼ばれてもよい。メタロフタロシアニンは、正孔輸送分子であり、完全に共役しており、並外れた安定性と色堅牢度を有する。メタロフタロシアニンの構造によって、結合した種が面から突出し、封入構造および結晶構造を変える。メタロフタロシアニンは、一般的に、ピーク吸光度での吸収係数が高いα>105cm-1。また、メタロフタロシアニンは、NIR範囲で強い光電性を有し、この性質により、光起電デバイスで有用である。これらのメタロフタロシアニンは、光子受容体および電子供与体と考えることができる。メタロフタロシアニンは、ベンゼン環を3個しかもたないサブフタロシアニンを含まないことを注記しておくべきであり、一方、メタロフタロシアニンは、その構造に4個のベンゼン環を含む。いくつかの実施形態では、メタロフタロシアニンは、式Iを有しており、式中、Mは、二価、三価、または四価の金属原子であり、Xは、ヒドロキシルまたはハロゲンであり、nは、0~2の整数であるか、またはXnが=Oでありすなわち、二重結合した酸素原子であり、オキソとも呼ばれる、それぞれのmは、フェニル環の上にあるR置換基の数をあらわし、独立して、0~6の整数であり、それぞれのRは、独立して、ハロゲン、アルキル、置換されたアルキル、アルコキシ、置換されたアルコキシ、フェノキシ、フェニルチオ、アリール、置換されたアリール、ヘテロアリール、-CN、-NO2からなる群から選択され、pは、0または1である。用語アルキルは、完全に炭素原子と水素原子で構成され、完全に飽和であり、式CnH2n1を有する基を指す。アルキル基は、直鎖、分枝鎖、または環状であってもよい。用語アルコキシは、酸素原子に結合したアルキル基、すなわち、-O-CnH2n1を指す。用語アリールは、完全に炭素原子と水素原子で構成される芳香族基を指す。アリールが、炭素原子の数値範囲と組み合わせて記述される場合、置換された芳香族基を含むと解釈すべきではない。例えば、句6~10個の炭素原子を含有するアリールは、フェニル基6個の炭素原子またはナフチル基10個の炭素原子のみを指すと解釈されるべきであり、メチルフェニル基7個の炭素原子を含むと解釈されるべきではない。用語ヘテロアリールは、基の炭素原子に代えて少なくとも1個のヘテロ原子を含む芳香族基を指す。ヘテロ原子は、一般的に、窒素、酸素または硫黄である。用語置換されたは、述べられている基の少なくとも1つの水素原子が、別の官能基、例えば、ハロゲン、-CN、-NO2、-COOH、-SO3Hで置換されていることを指す。例示的な置換されたアルキル基は、ペルハロアルキル基であり、この場合、アルキル基の1個以上の水素原子が、ハロゲン原子、例えば、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素と置き換わっている。一般的に、アルキル基およびアルコキシ基は、それぞれ独立して、1~30個の炭素原子を含有する。同様に、アリール基は、独立して、6~30個の炭素原子を含有する。特定の実施形態では、二価の金属原子Mは、銅、亜鉛、マグネシウム、スズ、鉛、ニッケル、コバルト、アンチモン、鉄、またはマンガンからなる群から選択されてもよい。三価の金属原子Mは、インジウムIII、ガリウムIII、アルミニウムIIIからなる群から選択されてもよい。四価の金属原子Mは、バナジウムIVおよびチタンIVからなる群から選択されてもよい。例示的なメタロフタロシアニンとしては、塩化インジウムフタロシアニンClInPc、塩化アルミニウムフタロシアニンClAlPc、塩化ガリウムフタロシアニンClGaPc、バナジウムオキシドフタロシアニンVOPc、チタンオキシドフタロシアニンTiOPc、銅フタロシアニンCuPcが挙げられる。pが0の場合、上述の化合物は、二水素フタロシアニンH2Pcである。これらのフタロシアニンを、ここで式1~7として示す。特定の実施形態では、メタロフタロシアニンは、塩化インジウムフタロシアニンである。ClInPcは、任意のメタロフタロシアニンの中で最も高い開回路電圧を有する。他の実施形態では、フタロシアニンは、メタロフタロシアニンであり、p=1である。メタロフタロシアニンの2種類の多形の吸収プロフィールは、互いに相補的であり、その結果、1種類の多形のみを使用するデバイスと近い電圧を保持しつつ、電流の発生が改良される。同じ材料の多形の二層を組み込むことにより、必要な原材料の数も減る。さらに、この異形構造によって、別個の多形の望ましい性質間で最適な折衷点が可能となり、単相材料の中間の性能範囲にある特徴を有するすべてのスペクトルを有するデバイスを製造することができる。半導体二層と電子輸送層との間の接合点で遊離電荷が生成する。半導体二層自体は正孔輸送層として作用し、その結果、正孔および電子が、それぞれの電極に移動する。一般的に、半導体二層は、両方の副層について同じコーティングを用いて作られる。コーティング組成物は、第2の多形の形態でメタロフタロシアニンを含有している。第1の副層を堆積させ、次いで、化学処理を施し、メタロフタロシアニンを第1の多形に変換する。次いで、第2の副層を堆積させる化学処理を施さない。一般的に、第1の副層ではなく、第2の副層に化学処理を施すことは望ましくない。特に、第2の副層に対して化学処理を行うときに、第1の副層が損傷しやすいか、または変換しやすい。第2の副層を堆積させる前に第1の副層の多形を変えることによって、副層間のこのような混成を防ぐ。それに加え、第1の副層について特定の化学処理を行い、第1の副層の表面をテクスチャリングし、第1の副層と第2の副層との界面面積を大きくする。この観点で、第1の副層を、化学処理した後にでも連続的な膜であるのに十分な厚みで堆積させる。薄膜約2nm以下の場合、膜は、単離された結晶子の中で凝集し、膜に孔が残る場合がある。このことは望ましくない。ここで、半導体二層の副層は、連続膜を製造する組成物およびプロセスから製造される。いくつかの実施形態では、半導体二層の第1の副層は、厚みが少なくとも3ナノメートルである。半導体二層の第2の副層は、厚みが少なくとも3ナノメートルであってもよい。半導体二層全体は、厚みが少なくとも6ナノメートルであってもよい。2つの副層間の接合部145での第1の副層の表面粗さは、二乗平均平方根rms法で決定される。簡単にいうと、接合部の数点で表面粗さを測定する。報告されている表面粗さは、測定した値の二乗の算術平均平均の平方根である。いくつかの実施形態では、2つの副層間の接合部は、表面粗さが1ナノメートル~6ナノメートルである。半導体二層の2つの副層は、連続した副層であることを注記しておくべきである。言い換えると、半導体二層の第2の副層は、第1の副層の他面の上にあるデバイスの要素と接触していない。この2つの副層は、別個の連続した膜である。2つの副層間の接合部145での表面粗さは、第2の副層によっても得られており、その結果、第2の副層と電子輸送層との接合部も表面粗さを有することも想定されている。化学的に処理すると、多形が変化する異なるメタロフタロシアニンがいくつか知られている。いくつかの異なる化学処理を用い、メタロフタロシアニンをある多形から別の多形に変えることができる。方法のひとつは、溶媒処理によるものである。溶媒の蒸気例えば、テトラヒドロフランTHFの蒸気にさらすと、メタロフタロシアニンのいくつかの部分の構造および性質が変わることが示されている。同様に、いくつかのメタロフタロシアニンは、異なる多形に簡単に変換される。溶媒によってメタロフタロシアニン膜を膨潤させ、緩和させると、非常に感光性で、二種類の形態を有する構造が得られる。また、この構造により、ある多形の吸収プロフィールが、900nmを超える範囲まで広がる。別の方法は、熱処理であり、温度およびアニーリング時間を変えることによって結晶構造が変わる。半導体二層の2つの副層にメタロフタロシアニンの異なる多形が存在することは、X線回折XRDおよび当該技術分野で既知の他の手段を含む技術によって確認することができる。メタロフタロシアニンを含有する副層は、典型的には、真空物理蒸着を用いて堆積し、この方法は、産業的に一般的な薄膜製造技術である。他の堆積技術としては、液相成長例えば、スピンコーティング、浸漬コーティング、ブレードコーティング、ロッドコーティング、スクリーン印刷、スタンピング、インクジェット印刷および当該技術分野で既知の他の従来のプロセスを挙げることができる。異形の二層構造により、メタロフタロシアニンの2つの多形の相補的な吸収プロフィールに起因して光子の吸収率を大きくすることができ、さらに、層間の界面面積も大きくなる。2つの二層の界面は、溶媒処理中に第1の二層を溶媒テクスチャリングすることによって改良される。第2の二層は、第1の二層の表面粗さを保持している。第1の二層を、溶媒処理した後にも連続的な膜であるのに十分なほど厚く堆積させる。その結果は、2種類の多形形態でのメタロフタロシアニンの2個の別個の膜である。光起電デバイスの基板110は、光起電デバイスの他の要素を支持している。また、基板は、半導体二層を光が通過し、この層に接するように、スペクトルのNIR範囲では少なくとも光学的に透明であるべきである。いくつかの実施形態では、基板は、限定されないが、ガラス、シリコン、またはプラスチックの膜またはシートを含む材料で構成される。構造的に可とう性のデバイスの場合、プラスチック基板例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドのシードなどを用いてもよい。基板の厚みは、約10マイクロメートルから、10ミリメートルを超えてもよく、例示的な厚みは、特に、可とう性プラスチック基板の場合、約50マイクロメートル~約5ミリメートルであり、ガラスまたはシリコンのような剛性基板の場合、約0.5~約10ミリメートルである。第1の電極120および第2の電極170は、導電性材料で構成されている。電極に適した例示的な材料としては、アルミニウム、金、銀、マグネシウム、カルシウム、クロム、ニッケル、白金、インジウムスズオキシドITO、亜鉛オキシドZnO、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSS、カーボンナノチューブ、グラフェンなどが挙げられる。電極の1つ、特にアノード120は、ITOまたはZnOのような光学的に透明な材料で作られる。特定の実施形態では、アノードはITOであり、カソードはアルミニウムである。電極に典型的な厚みは、例えば、約40ナノメートル~約1マイクロメートルであり、もっと特定的な厚みは、約40~約400ナノメートルである。電子輸送層150は、半導体二層140とカソード170との間に配置されている。この層は、一般的に、電子を効果的に移動させることが可能な材料から作られ、ある光の波長を吸収してもよい。電子輸送層に例示的な材料としては、C60フラーレン、[6,6]-フェニル-C61-酪酸メチルエステルPCBM、C70フラーレン、[6,6]-フェニル-C71-酪酸メチルエステルPC[70]BM、または任意のフラーレン誘導体が挙げられる。電子輸送層は、厚みが約5ナノメートル~約100ナノメートルであってもよい。電子遮蔽層130は、アノード120と半導体二層140との間に存在していてもよい。この層は、電子がアノードに移動するのを抑制することによって、アノードでの再結合を防ぐ。例示的な材料としては、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSS、MoO3、V2O5が挙げられる。電子遮蔽層は、厚みが約1~約100ナノメートルであってもよい。また、正孔遮蔽層160は、電子輸送層150とカソード170との間に配置されていてもよい。この層に例示的な正孔遮蔽層としては、バトクプロインBCP、フッ化リチウム、バソフェナントロリンが挙げられる。正孔遮蔽層は、厚みが約0.1ナノメートル~約100ナノメートルであってもよい。以下の例は、本開示の方法にしたがって作られた有機光起電デバイスを示す。実施例は、単なる実例であり、実施例に記載されている材料、条件、またはプロセスパラメータに関し、本開示を限定することを意図していない。すべての部は、他に示されていない限り、重量パーセントである。実施例実施例1インジウムスズオキシドITOでコーティングされたアルミノシリケートガラス基板50mm×50mmが与えられた。ITOは、シート抵抗15Ω/sqを達成するのに十分な量で存在した。基板の洗浄手順は、石鹸溶液、脱イオン水、メタノール、イソプロパノールを用いた洗浄、次いで、UV-オゾンにさらすことを含んでいた。堆積させるために、複数のボートと、複数のマスクを備えるサーマルエバポレーターに基板を置いた。減圧度が4×10-4Pa未満に達した後、物質の蒸発が始まった。ITO層の上に、塩化インジウムフタロシアニンClInPcの半導体層を真空物理蒸着によって堆積させた。半導体層は、厚みが16ナノメートルであった。この半導体層には、溶媒処理を行わなかった。C60の電子輸送層を堆積させ厚み30nm、次いで、バトクプロインBCPの正孔遮蔽層厚み10nmを堆積させた。最後に、アルミニウムカソードを堆積させ、デバイスを完成させた厚み50nm。このデバイスは、本明細書では未処理と呼ばれる。実施例2実施例1と同様にデバイスを完成させた。しかし、半導体層をITO層の上に堆積させた後に、この構造を、隔離されたチャンバに移し、そこでTHF蒸気に数時間までの期間さらした。次いで、残りの層C60、BCP、アルミニウムを、実施例1に記載したように真空下で堆積させた。これにより、実施例1と比較して、異なる多形の塩化インジウムフタロシアニンを有する光起電デバイスが得られた。このデバイスは、本明細書では、完全に処理済と呼ばれる。実施例3実施例1と同様にデバイスを完成させが、但し、半導体層をITO層の上に堆積させた後に、ClInPcの第1の副層を真空物理蒸着によって堆積させた。第1の副層は、厚みが10ナノメートルであった。この構造を、隔離されたチャンバに移し、そこでTHF蒸気に数時間までの期間さらした。次いで、ClInPcの第2の副層を第1の副層に上に真空下で堆積させた。第2の副層は、厚みが6nmであった。次いで、残りの層C60、BCP、アルミニウムを、実施例1に記載したように真空下で堆積させた。これにより、半導体二層を有し、2つの副層が塩化インジウムフタロシアニンの異なる多形を有する光起電デバイスが得られる。このデバイスは、本明細書では異形と呼ばれる。比較例2つの異なる多形を有する光起電デバイスの効率を、1種類の多形のみを有するデバイスに対して比較するために、実施例1~3によって、異なるデバイスを与えた。種々の層の寸法および厚みは同じであり、そのため、得られた電気特性は、多形の組み合わせによるものであることを注記しておくべきである。デバイスに、ITO電極を介して、AM1.5Gスペクトルフィルタを備えたOriel96000太陽光シミュレーターを用いて100mW/cm2の人工日光をあてた。Newport818-UV/CM検出器およびNewport1830-C光パワーメータで入力パワーをモニタリングした。Keithley238ソース-メジャーユニットおよびPCによって、J-Vデータを集めた。有効なデバイスの面積は、シャドーマスクによって規定される7mm2であった。外部量子効率EQEの測定は、PhotonTechnologyInternational製の較正済モノクロメーターおよびKeithley6485ピコ電流計を用いて行い、短絡回路電流を入射光の波長の関数として測定した。この性質は、光に対するデバイスの電気感受性を測定するものであり、特定の波長が照射された場合に所与のデバイスで作られるであろう電流に関する情報を与える。3種類の実施例の外部量子効率EQEを図3に示している。ここからわかるように、実施例3は、実施例1および2の吸収プロフィールを反映したものである。また、図3には、実施例1および2未処理のデバイスおよび完全に処理済のデバイスの吸収プロフィールが示されており、ここでは、波長に対する吸光度として示されている。これらの2つの線は、2つの多形の異なる相補的な吸収プロフィールを示す。これらの組み合わせによって、太陽光スペクトルのうち、より広い部分のエネルギーが吸収され、その結果、光起電デバイスの性能が向上する。実施例2の完全に処理済のデバイスは、THF蒸気にさらした後に、近赤外波長に対する吸収範囲が明らかに広がっていることが示された。実施例3のEQEは、組み合わせの結果として、より広い範囲にわたって高い値を有している。このことは、実施例3のデバイスが、実施例1および2のデバイスよりも光を多く捕捉することができることを示す。実施例2および3溶媒で処理において、Q帯の吸収範囲内で電流の発生量が増えた。実施例2は、実施例1と比較した場合、広範囲の吸収スペクトルを示しており、すなわち、約600nm~900nmで、より広い範囲で高い吸光度を示し、850nm未満の波長で電流が発生した。さらに、実施例3のEQEは、725nmで高い中心ピークを示しており、このことは、第2の副層からの電流への寄与を示している。この領域は、典型的には、実施例2の吸収プロフィールの谷部分である。図4は、3種類の実施例について、印加した電圧に対し、電流密度を示すグラフである。電流密度は、電流を有効面積で割ることによって算出した。実施例3の開回路電圧VOC電流がゼロのときのデバイスの電圧は、実施例2の場合と比較して大きいが、両方とも実施例1未処理の場合より小さかった。しかし、この低下は、JSCがかなり大きくなったことによるものであった。短絡回路電流JSCは、電圧がゼロのときの電流である。ここからわかるように、実施例3異形デバイスは、最良のJSC値を有していたゼロからの最大差で決定した場合。JSCは、実施例1のJSC4.08ミリアンペア/cm2から、実施例2のJSC6.16mA/cm2まで大きくなっており、実施例3のJSC7.09mA/cm2まで大きくなった。このことは、2つの副層の界面面積が大きくなったことによるものであり、もっと長い波長での光電活性が向上したことによるものであった。言い換えると、実施例3において、JSCは、VOCと関係なく大きくなった。電力変換効率は、最適負荷でデバイスによって与えられる効率であるため、このことと関連がある。一般的に、短絡回路電流が大きく、開回路電圧が高いほど、よい。電力が以下の式:P=IVによって決定されるからである。これにより、実施例3において、実施例1および2よりも優れた最適なJ-V応答が得られた。全体的な電力変換効率は、実施例1で1.50、実施例2で2.14、実施例3で2.35であった。これらの効率の向上は、実施例1と2を単純に組み合わせた場合に予想されるよりも大きく、この構造の利点を示した。真空蒸着した薄膜は、典型的には、その下にある層の構造と一致するため、実施例3において、a半導体二層の第1の副層と第2の副層との界面の接触が向上し、b第2の副層と、C60の電子輸送層との界面の接触が向上していると想像することができる。実施例4ClInPcの薄膜を2つのガラス基板に堆積させた。第1のガラス基板の上の薄膜は、THF蒸気にさらさなかった。第2のガラス基板の上の薄膜は、THF蒸気にさらした。2つの膜のX線回折スペクトルを取得した。図5は、THFで処理された膜について、未処理の膜のスペクトルを引いた後のX線回折スペクトルを示す。明らかな回折パターンがみられ、これは、膜の結晶度と、新しい異なる相すなわち、多形を示す。ピークは、強度が大きい順に、27.7°、25.1°、23.4°、21.6°にあった。"