"チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象を処理するプラズマ処理装置において、前記処理対象保持手段は、前記処理対象が載置される処理対象支持部材と、前記処理対象支持部材上に載置される前記処理対象の周囲に導電性材料からなるリング状のフォーカスリングが載置されるべきフォーカスリング載置領域の下部に設けられるリング状の石英製の下部インシュレータリングと、前記下部インシュレータリング上の前記フォーカスリング載置領域の外周に配置される上部インシュレータリングと、を備え、前記上部インシュレータリングは、イットリア製であり、前記下部インシュレータリング上の前記フォーカスリング載置領域以外の全面を覆うリング状の構造を有することを特徴とするプラズマ処理装置。前記フォーカスリング載置領域は、前記処理対象支持部材の外周部と前記下部インシュレータリングの内周部上にわたって配置されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記下部インシュレータリングは、前記フォーカスリング載置領域の外周部付近で、上面が低くなる段差部を有し、前記上部インシュレータリングは、前記下部インシュレータリングの前記段差部にはめ込まれるように載置されることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記上部インシュレータリングの外周部は、前記下部インシュレータリングの外周部よりも突出して形成されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。前記上部インシュレータリングは、半径方向で同じ厚さを有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。前記上部インシュレータリングは、外周部から前記フォーカスリング載置領域側に向けて厚さが厚くなることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。しかしながら、従来技術では、プラズマはフォーカスリングよりも広い領域に生成されるため、ウェハのエッチング時にカバーリングなどの基板保持部の構成部材がエッチングされてしまう。その結果、石英とエッチングガスとが反応したダスト石英系のダストが発生してしまうという問題点があった。また、上記のような構成のプラズマ処理装置で処理対象とするものはウェハ上に形成されたシリコン酸化膜などの酸化膜であり、これらの酸化膜のエッチング時に、石英で構成されるカバーリングなどもエッチングされてしまい、交換頻度が高くなっているという問題点もあった。本発明の一つの実施形態は、プラズマ処理中に生じる石英系のダストの発生を従来に比して抑制することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態によれば、チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象を処理するプラズマ処理装置が提供される。前記処理対象保持手段は、前記処理対象が載置される処理対象支持部材と、前記処理対象支持部材上に載置される前記処理対象の周囲に導電性材料からなるリング状のフォーカスリングが載置されるべきフォーカスリング載置領域の下部に設けられるリング状の石英製の下部インシュレータリングと、前記下部インシュレータリング上の前記フォーカスリング載置領域の外周に配置される上部インシュレータリングと、を備える。そして、前記上部インシュレータリングは、イットリア製であり、前記下部インシュレータリング上の前記フォーカスリング載置領域以外の全面を覆うリング状の構造を有する。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるプラズマ処理装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、プラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図2は、インシュレータリング付近の構造の一部拡大断面図であり、図3は、第1の実施形態によるインシュレータリングの構造の一例を示す斜視図であり、図4は、第1の実施形態によるインシュレータリングの構造の他の例を示す断面図である。ここでは、プラズマ処理装置10として、RIEReactiveIonEtching装置を例示している。プラズマ処理装置10は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ11を有している。チャンバ11内には、処理対象としてのウェハ100を水平に支持するとともに、下部電極として機能する処理対象支持部材である支持テーブル21が設けられている。支持テーブル21の表面上には、図示しないがウェハ100を静電吸着する静電チャック機構などの保持機構が設けられている。支持テーブル21の側面および底面の周縁部を覆うように絶縁材料からなるインシュレータリング22が設けられており、インシュレータリング22で覆われた支持テーブル21の上方の外周には、シリコンなどの導電性材料からなるフォーカスリング23が設けられている。このフォーカスリング23は、ウェハ100のエッチング時に、電界がウェハ100の周縁部で鉛直方向ウェハ面に垂直な方向に対して偏向しないように電界を調整するために設けられる部材である。また、支持テーブル21は、チャンバ11内の中央付近に位置するように、チャンバ11の中央付近の底壁から鉛直上方に筒状に突出する支持部12上に、インシュレータリング22を介して支持されている。インシュレータリング22とチャンバ11の側壁との間には、バッフル板24が配置されている。バッフル板24は、板の厚さ方向を貫通する複数のガス排出孔25を有する。また、支持テーブル21には、高周波電力を供給する給電線31が接続されており、この給電線31にブロッキングコンデンサ32、整合器33および高周波電源34が接続されている。高周波電源34からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル21に供給される。下部電極として機能する支持テーブル21に対向するように、支持テーブル21の上部に上部電極として機能するシャワーヘッド41が設けられている。シャワーヘッド41は、支持テーブル21と平行に対向するように、支持テーブル21から所定の距離を隔てたチャンバ11の上部付近の側壁に固定される。また、シャワーヘッド41は、支持テーブル21よりも広い面積を有している。このような構造によって、シャワーヘッド41と支持テーブル21とは、一対の平行平板電極を構成している。さらに、シャワーヘッド41には、板の厚さ方向に貫通する複数のガス供給路42が設けられている。チャンバ11の上部付近には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口13が設けられており、ガス供給口13には配管を通じて図示しないガス供給装置が接続されている。支持テーブル21とバッフル板24よりも下部のチャンバ11にはガス排気口14が設けられており、ガス排気口14には配管を通じて図示しない真空ポンプが接続されている。また、バッフル板24とシャワーヘッド41との間で区切られる領域のチャンバ11の側壁には、プラズマ処理時に発生する反応生成物のチャンバ11側壁への付着を防止するデポシールド45が設けられている。さらに、チャンバ11の所定の位置の側壁部には、ウェハ100を出し入れする開口部15が形成され、この開口部15に対応するデポシールド45の部分には、シャッタ46が設けられている。シャッタ46は、チャンバ11の外部と内部との間を仕切る役割を有し、ウェハ100を出し入れする際に、開口部15とチャンバ11内とを接続するように開かれる。このように、チャンバ11内の支持テーブル21およびバッフル板24と、シャワーヘッド41とで仕切られた領域は、プラズマ処理室61となり、シャワーヘッド41で仕切られたチャンバ11内の上部の領域は、ガス供給室62となり、支持テーブル21およびバッフル板24で仕切られたチャンバ11内の下部の領域はガス排気室63となる。ここで、図2に示されるように、インシュレータリング22は、フォーカスリング23を支持し、支持テーブル21の周囲に配置されるリング状の下部インシュレータリング221と、下部インシュレータリング221の周縁部上に載置されるリング状の上部インシュレータリング222と、を含む。下部インシュレータリング221は石英によって構成されており、その上面部には、フォーカスリング23を載置するフォーカスリング載置部221aと、上部インシュレータリング222を載置する上部インシュレータリング載置部221bと、を有する。フォーカスリング載置部221aと上部インシュレータリング載置部221bの上面は、それぞれ平坦化されており、この図の例では、上部インシュレータリング載置部221bの上面の方がフォーカスリング載置部221aの上面に比して低く構成され、両者の間には段差が設けられている。フォーカスリング載置部221a上には、フォーカスリング23が載置される。上部インシュレータリング載置部221b上には、上部インシュレータリング222が載置される。つまり、上部インシュレータリング222は、下部インシュレータリング221に設けられた段差に、はめ込まれるように載置される。このように、下部インシュレータリング221に設けられた段差に上部インシュレータリング222をはめ込むことで、上部インシュレータリング222の水平面内方向の意図しない変位が抑制される。上部インシュレータリング222は、下部インシュレータリング221上にただ載置されるだけでもよいし、固定部材で固定されてもよい。また、上部インシュレータリング222は、イットリアの焼結体で構成されるが、イットリア結晶粒子の中で、特にプラズマ耐性の高い結晶面がシャワーヘッド41側に配置されるように配向させた焼結体を形成してもよいし、焼結体内の気孔を少なくし、密度を高めてプラズマ耐性を高めるようにしてもよい。上部インシュレータリング222の幅は、下部インシュレータリング221の上部インシュレータリング載置部221bの幅よりも若干広く構成される。そのため、上部インシュレータリング222の側面部外周部は、下部インシュレータリング221の側面部外周部よりも外部に突出している。このような構成によって、プラズマ処理中に下部インシュレータリング221の側面までイオンやラジカルが飛来し難くすることができる。支持テーブル21の上面の外周部にも段差部211が設けられており、段差部211を構成する面は、下部インシュレータリング221のフォーカスリング載置部221aの上面と同じ高さとなっている。そして、フォーカスリング23は、支持テーブル21の段差部211と下部インシュレータリング221のフォーカスリング載置部221aとで支持される。また、フォーカスリング23は、上部インシュレータリング222の内周側の側面と、支持テーブル21の段差部211を構成する側面とによって半径方向の移動が抑制されるように固定される。つまり、フォーカスリング23は、フォーカスリング載置部221aの外周側に突出しないように、下部インシュレータリング221のフォーカスリング載置部221a上と支持テーブル21の段差部211上に載置されるように設計されている。なお、フォーカスリング23の下部に、石英製の下部インシュレータリング221だけでなく、たとえばイットリア製の上部インシュレータリング222が一部入り込むような構造とすると、プラズマ処理時に電界が乱れてしまう。そのため、フォーカスリング23の下部には、イットリア製のインシュレータリングを設けず、またイットリア製の上部インシュレータリング222が入り込まないような構造としている。また、支持テーブル21に載置したウェハ100の上面と、フォーカスリング23の上面と、上部インシュレータリング222の上面とは、面一つらいちとすることでプラズマ処理時の電界の乱れを抑制することができる。この場合、上部インシュレータリング222は、下部インシュレータリング221の段差部に載置されるため、上部インシュレータリング222の厚さはフォーカスリング23よりも厚くなっている。図3に示されるように、上部インシュレータリング222はリング状円筒状を有している。また、図1や図2に示されるように、断面は略同じ厚さを有する。なお、図1と図2では、外周部の上部は丸みを帯びた構造を有しているが、図4に示されるように、断面が矩形状であってもよい。一般的にイットリアの焼結体は割れやすいため、図1~図4に示されるように、細かな構造がない形状のものであることが望ましい。このように構成されたプラズマ処理装置10での処理の概要について説明する。まず、支持テーブル21上に処理対象であるウェハ100が載置され、たとえば静電チャック機構によって固定される。ついで、ガス排気口14に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ11内が真空引きされる。このとき、ガス排気室63とプラズマ処理室61との間は、バッフル板24に設けられたガス排出孔25によって接続されているので、ガス排気口14に繋がる真空ポンプによってチャンバ11内全体が真空引きされる。その後、チャンバ11内が所定の圧力に達すると、プラズマ処理室61とガス供給室62との間はシャワーヘッド41のガス供給路42によって接続されているので、図示しないガス供給装置からガス供給室62に処理ガスが供給され、シャワーヘッド41のガス供給路42を介してプラズマ処理室61に供給される。プラズマ処理室61内の圧力が所定の圧力に達すると、チャンバ11とシャワーヘッド41上部電極を接地した状態で、支持テーブル21下部電極に高周波電圧を印加して、プラズマ処理室61内にプラズマ110を生成させる。プラズマ110は、下部電極である支持テーブル21の上面とフォーカスリング23とが配置される領域上に生成される。ここで、下部電極側には高周波電圧による自己バイアスにより、プラズマ110とウェハ100との間に電位勾配が生じ、プラズマガス中のイオンがウェハ100へと加速されることになり、異方性エッチング処理が行われる。エッチング時に、ウェハ100だけでなくフォーカスリング23や上部インシュレータリング222もイオンやラジカルによってエッチングされる。酸化物のエッチングには一般的にF系ガスが用いられるが、たとえば一般的なプラズマ処理装置のようにインシュレータリングが石英で構成されている場合には、インシュレータリングのエッチングによってSiF4などの反応性生物が発生する。このSiF4は、蒸発し易く、たとえば一度チャンバ11内壁デポシールド45に付着した後蒸発し、ダストとして処理対象に付着してしまう虞がある。一方、第1の実施形態によるイットリア製の上部インシュレータリング222では、エッチングによってYF3などの反応生成物が発生するが、この反応生成物はチャンバ11内の構成部材、たとえばデポシールド45などに到達し付着する。YF3は蒸発し難いので、付着した反応生成物はチャンバ11内の構成部材に堆積され、再蒸発せずにチャンバ11内の構成部材を覆うようになり、エッチングされ難くなる。その結果、反応生成物がダストとしてたとえば処理対象に付着してしまうことを抑制することができる。このように、石英製のインシュレータリングではエッチング時にダストが発生してしまうので、第1の実施形態では、イットリア製の上部インシュレータリング222を用いてダストの発生を抑制している。以上のように、第1の実施形態では、インシュレータリング22を、フォーカスリング23を支持する下部インシュレータリング221と、フォーカスリング23の外周に設けられかつ下部インシュレータリング221がプラズマに暴露されないようにその上部に設けられるイットリア製の上部インシュレータリング222と、で構成した。これによって、プラズマ処理エッチング処理時に、石英製のインシュレータリングに比してダストの発生を抑制することができるという効果を有する。また、イットリアはプラズマ耐性の高い材料であるので、プラズマ処理時にエッチングされ難く、インシュレータリング22の寿命を石英製のインシュレータリングに比して延ばすことができるという効果も有する。一般的なプラズマ処理装置のようにインシュレータリングが石英で構成されている場合には、ウェハに形成された酸化膜のエッチングとともにインシュレータリングも略同じ割合でエッチングされてしまう。これに対して、第1の実施形態による石英製の下部インシュレータリング221上にイットリア製の上部インシュレータリング222を配置した構造のインシュレータリング22では、たとえばプラズマに1,000時間程度暴露した場合に数十μm程度しかエッチングされない。これは、石英製のインシュレータリングを使用した場合の数十分の一程度のエッチング量となる。そのため、石英製のインシュレータリングを使用する場合には、インシュレータリングの交換を頻繁に行わなければならないが、第1の実施形態による上部インシュレータリング222では、従来に比して数十倍の寿命を有し、交換頻度を数十分の一にすることが可能となる。また、イットリア製の上部インシュレータリング222を下部インシュレータリング221上に載せるだけでよいので、交換が容易であるという効果も有する。第2の実施形態一般的な石英製のインシュレータリングを用いてたとえばRIE装置で酸化膜をエッチングする場合には、ウェハ上に形成された酸化膜のエッチングとともに、インシュレータリングも同時にエッチングされてしまう。特に、半導体装置の製造においては、酸化膜としてシリコン酸化膜が多く用いられ、シリコン酸化膜をエッチングする際には、同じ組成SiO2のインシュレータリングも同様にエッチングされてしまうことになる。このとき、フォーカスリングに近い側ほどエッチング量が多くなり、プラズマ処理時間の経過とともに、インシュレータリングの上面の高さは、外周部からフォーカスリング側に向かって低くなる。つまり、エッチング量は、プラズマが生成される領域に近いほど多く、プラズマが生成される領域から離れるにしたがって少なくなる。図5は、第2の実施形態によるプラズマ処理装置のインシュレータリング付近の構造の一部拡大断面図である。第2の実施形態では、上部インシュレータリング222を、フォーカスリング23側ほど厚くなるように構成している。なお、第1の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。第2の実施形態によれば、エッチングされやすい箇所ほど上部インシュレータリング222の厚さを厚くしているので、第1の実施形態に比して、さらに上部インシュレータリング222の寿命を延ばすことができるという効果を有する。なお、上記した説明では、プラズマ処理装置10としてRIE装置を例に挙げて説明したが、アッシング装置、CDEChemicalDryEtching装置、CVDChemicalVaporDeposition装置などの処理装置全般や半導体製造装置全般に、上記した実施形態を適用することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"