"基板と、前記基板の主面上に実装されている電子部品と、前記基板の主面及び前記電子部品を覆う絶縁体層であって、主面に凹部が設けられている絶縁体層と、前記絶縁体層の主面及び前記凹部の内周面を覆っている導電性材料からなるシールド層と、を備えていること、を特徴とする回路モジュール。前記凹部は、溝であること、を特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。前記凹部の深さは、前記絶縁体層の厚み以上の大きさであること、を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の回路モジュール。前記基板は、グランド導体層を含んでおり、前記シールド層は、前記グランド導体層に接続されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の回路モジュール。前記凹部は、前記絶縁体層の主面に複数設けられており、前記複数の凹部の深さは、複数種類存在していること、を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の回路モジュール。前記基板は、前記凹部の底面に設けられている前記導電性材料と対向する導体層を含んでいること、を特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の回路モジュール。前記基板には、異なる機能を有する複数の回路ブロックが設けられており、前記凹部は、前記複数の回路ブロックの境界に設けられていること、を特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の回路モジュール。基板を準備する第1の工程と、前記基板の主面上に、複数の電子部品を実装する第2の工程と、前記基板の主面及び前記複数の電子部品を覆うように絶縁体層を形成する第3の工程と、前記絶縁体層の主面に凹部を形成する第4の工程と、前記絶縁層の主面及び前記凹部の内周面に導電性材料を塗布して、シールド層を形成する第5の工程と、を備えていること、を特徴とする回路モジュールの製造方法。前記第4の工程では、ダイサーにより前記絶縁体層の主面に前記凹部としての溝を形成すること、を特徴とする請求項8に記載の回路モジュールの製造方法。そこで、本発明の目的は、良好なアイソレーション特性を有する回路モジュール及びその製造方法を提供することである。本発明の一形態に係る回路モジュールは、基板と、前記基板の主面上に実装されている電子部品と、前記基板の主面及び前記電子部品を覆う絶縁体層であって、主面に凹部が設けられている絶縁体層と、前記絶縁体層の主面及び前記凹部の内周面を覆っている導電性材料からなるシールド層と、を備えていること、を特徴とする。前記回路モジュールの製造方法は、基板を準備する第1の工程と、前記基板の主面上に、複数の電子部品を実装する第2の工程と、前記基板の主面及び前記複数の電子部品を覆うように絶縁体層を形成する第3の工程と、前記絶縁体層の主面に凹部を形成する第4の工程と、前記絶縁層の主面及び前記凹部の内周面に導電性材料を塗布して、シールド層を形成する第5の工程と、を備えていること、を特徴とする。本発明によれば、回路モジュール及びその製造方法において良好なアイソレーション特性を得ることができる。以下に、本発明の実施形態に係る回路モジュール及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。回路モジュールの構成以下に、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュール10の外観斜視図である。図2は、図1の回路モジュール10を上方から透視した図である。図3は、図2の回路モジュール10のX-Xにおける断面構造図である。以下では、略直方体状をなす回路モジュール10において、高さ方向をz軸方向と定義する。また、z軸方向から平面視したときの長辺方向をx軸方向と定義し、短辺方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸、z軸は、互いに直交している。回路モジュール10は、図1ないし図3に示すように、回路基板12、電子部品14図2及び図3参照、絶縁体層16図2及び図3参照及びシールド層18を備えている。回路基板12は、主面S1,S2を有する長方形状の多層プリント基板である。よって、回路基板12は、複数の長方形上の絶縁体層例えば、誘電体セラミック層が積層されることにより構成されている。主面S1は、主面S2よりもz軸方向の正方向側に位置している。また、回路基板12は、回路及び外部電極を含んでいる。回路は、回路基板12に内蔵されている。外部電極は、主面S1,S2に設けられている。ただし、図3では、回路基板12が内蔵している回路の内、グランド導体Gのみを記載してある。また、外部電極は、図3では省略されている。電子部品14は、例えば、半導体集積回路やチップ型電子部品等であり、図2及び図3に示すように、回路基板12の主面S1上に実装される。なお、図2及び図3では、図面が煩雑になることを防止するために、代表的な電子部品14にのみ参照符号を付してある。ここで、図2及び図3に示すように、回路基板12には、複数の回路ブロックA,Bが設けられている。回路ブロックAは、回路ブロックBのx軸方向の負方向側において回路ブロックBに隣接している。回路ブロックAは、該回路ブロックA内に存在する電子部品14及び回路基板12により構成され、所定の機能を発揮する。同様に、回路ブロックBは、回路ブロックB内に存在する電子部品14及び回路基板12により構成され、所定の機能を発揮する。ただし、回路ブロックAが発揮する機能と回路ブロックBが発揮する機能とは異なる機能である。回路ブロックA,Bの組み合わせは、例えば、無線通信における送信ブロックと受信ブロックとの組み合わせ、DC-DCコンバータを含むブロックとベースバンド信号を処理するブロックとの組み合わせ等が挙げられる。絶縁体層16は、絶縁性樹脂例えば、エポキシ樹脂からなり、図1及び図2に示すように、回路基板12の主面S1及び電子部品14を覆っている。絶縁体層16は、回路基板12の主面S1及び電子部品14を保護すると共に、電子部品14と後述するシールド層18とを絶縁する役割を果たしている。更に、絶縁体層16のz軸方向の正方向側に位置する主面S3には、図3に示すように、主面S3がz軸方向の負方向側に窪むようにして形成された溝20が設けられている。より詳細には、溝20は、図2に示すように、回路ブロックA,Bの境界に設けられている。回路モジュール10では、回路ブロックA,Bは、x軸方向に並んでいる。そのため、溝20は、z軸方向から平面視したときに、回路ブロックA,Bの間においてy軸方向に延在している。また、溝20の底面は、図3に示すように、回路基板12の主面S1よりもz軸方向の上側に位置している。これにより、回路ブロックA内の絶縁体層16と回路ブロックB内の絶縁体層16とは、溝20よりもz軸方向の負方向側においてつながっている。シールド層18は、絶縁体層の主面S3及び溝20の内周面を覆っている導電性樹脂からなる。回路モジュール10では、溝20は、導電性樹脂により充填されている。また、シールド層18は、図2及び図3に示すように、絶縁体層16のx軸方向の両側及びy軸方向の両側に位置する側面を覆っている。更に、シールド層18は、図3に示すように、回路基板12のx軸方向の両端及びy軸方向の両端に位置する側面の一部を覆っている。具体的には、回路基板12の主面S1のx軸方向の両端及びy軸方向の両端には、図3に示すように段差が設けられている。すなわち、主面S1のx軸方向の両端及びy軸方向の両端の一部が削り取られることにより、図3に示すように、主面S1よりもz軸方向の負方向側に位置し、かつ、z軸方向の正方向側を向く面S4,S5が形成されている。面S4,S5はそれぞれ、回路基板12のx軸方向の負方向側及び正方向側の短辺に沿って延びている。また、主面S1と面S4とを繋ぐように面S6が形成されていると共に、主面S1と面S5を繋ぐように面S7が形成されている。面S6,S7は、x軸方向に直交する面である。なお、面S6と絶縁体層16のx軸方向の負方向側の側面との間は段差が存在しない面一の状態である。同様に、面S7と絶縁体層16のx軸方向の正方向側の側面との間は段差が存在しない面一の状態である。なお、回路基板12のy軸方向の両端の構造は、回路基板12のx軸方向の両端の構造と同様であるので説明を省略する。グランド導体Gは、図3に示すように、これら面S4,S5において回路基板12から露出している。そして、シールド層18は、面S4~S7を覆っている。これにより、シールド層18とグランド導体Gとは接続されている。すなわち、グランド導体Gには、接地電位が印加される。その結果、シールド層18は、回路モジュール10外にノイズが放射されたり、回路モジュール10内にノイズが侵入したりすることを防止している。回路モジュールの製造方法次に、回路モジュール10の製造方法について図面を参照しながら説明する。図4は、回路モジュール10の工程断面図である。まず、図4aに示すマザー基板112を準備する。マザー基板112は、複数の回路基板12がマトリクス状に配置された集合基板であり、例えば樹脂多層基板やセラミック多層基板などである。なお、マザー基板112は、作製することにより準備してもよいし、完成品を購入することにより準備してもよい。なお、マザー基板112は、一般的なものであるので、その製造方法の説明については省略する。次に、図4aに示すように、マザー基板112の主面S1上に、複数の電子部品14をはんだ実装する。なお、電子部品14は、ワイヤボンディング実装又ははんだバンプ実装により実装されてもよい。次に、図4bに示すように、マザー基板112の主面S1及び複数の電子部品14を覆うように絶縁体層116を形成する。具体的には、マザー基板112の主面S1及び複数の電子部品14上にディスペンサにより絶縁性樹脂を塗布する。そして、絶縁性樹脂を加熱して硬化させる。なお、絶縁体層116の形成は、ディスペンサ以外の方法によって、樹脂を塗布してもよい。次に、図4cに示すように、絶縁体層116の主面S3に溝20,22を形成する。具体的には、回路ブロックA,Bの境界に沿って、ダイサーをy軸方向に通過させる。この際、ダイサーは、マザー基板112まで到達しない。これにより、溝20が形成される。また、個別の回路基板12にマザー基板112をカットする際のカットラインに沿って、ダイサーを通過させる。この際、ダイサーは、マザー基板112のグランド導体Gまで到達している。これにより、溝20よりも深い溝22が形成される。そして、溝22の底面では、グランド導体Gが露出している。次に、図4dに示すように、絶縁体層116の主面S3上及び溝20,22の内周面に導電性樹脂を塗布して、シールド層118を形成する。導電性樹脂の塗布をスピンコート法により行う。具体的には、マザー基板112を回転台上に配置し、所定角速度でマザー基板112を回転させる。そして、絶縁体層116の中心に対して、スラリー状の導電性樹脂を滴下する。これにより、導電性樹脂は、遠心力により絶縁体層116の主面S3全体に薄く広がる。なお、シールド層118は、導電性ペーストを用いて形成してもよいし、スパッタ又は蒸着等の真空成膜法により形成されてもよい。次に、図4eに示すように、絶縁体層116及びシールド層118が形成されたマザー基板112を分割して、複数の回路モジュール10を得る。具体的には、溝22の形成に用いたダイサーの幅よりも狭い幅を有するダイサーを、カットラインに沿って通過させて、マザー基板112をカットする。以上の工程を経て、図1ないし図3に示す回路モジュール10が完成する。効果以上のような回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路ブロックA,B間において良好なアイソレーション特性を得ることができる。より詳細には、回路モジュール10では、回路ブロックA,Bは、x軸方向に並んでいる。また、溝20は、z軸方向から平面視したときに、回路ブロックA,Bの間においてy軸方向に延在している。すなわち、溝20は、回路ブロックA,Bの境界に設けられている。そして、溝20内には、シールド層18を構成している導電性樹脂が充填されている。そのため、回路ブロックAから放射されるノイズや磁界は、溝20内の導電性樹脂すなわち、シールド層18により吸収され、回路ブロックBには到達しにくくなる。同様に、回路ブロックBから放射されるノイズや磁界は、溝20内の導電性樹脂すなわち、シールド層18を介して接地されるため、回路ブロックAには到達しにくくなる。よって、回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路ブロックA,B間において良好なアイソレーション特性を得ることができる。また、回路モジュール10及びその製造方法によれば、回路モジュール10に反りが発生することが抑制される。より詳細には、図12に示す従来の回路モジュール500では、基板502の主面の全面が封止樹脂層506により覆われている。この場合、封止樹脂層506が硬化する際に、封止樹脂層506が基板502よりも大きく収縮する。そのため、基板502は、中央部分が下側に突出するように反ってしまう。特に、回路モジュール500が無線通信モジュールに適用された場合には、複数の回路ブロックが内蔵されるので、実装される電子部品の数が多くなり、基板502も大型化する。基板502が大型化すると、封止樹脂量も多くなり封止樹脂層506の収縮量が大きくなり、更に、基板502の剛性が低下して基板502が変形しやすくなる。よって、回路モジュール500が大きく反ってしまう。その結果、回路モジュール500をマザーボードに実装する際に、接続不良が発生する。そこで、回路モジュール10では、絶縁体層16に溝20が設けられている。溝20が設けられた部分では、絶縁体層16の硬化時に、絶縁体層16の収縮が殆ど発生しない。よって、回路モジュール10の回路ブロックA及び回路モジュール10の回路ブロックBのそれぞれにおいて、絶縁体層16の収縮が別々に発生し、回路基板12の反りが別々に発生する。ただし、回路ブロックA,Bのそれぞれにおける絶縁体層16の収縮量は、回路モジュール10と回路モジュール500が同じサイズである場合には、回路モジュール500の封止樹脂層506の収縮量に比べて小さい。更に、回路ブロックA,Bはそれぞれ、回路モジュール10と回路モジュール500が同じサイズである場合には、回路モジュール500よりも小型であるので、回路モジュール500に比べて変形しにくい。よって、回路モジュール10の回路ブロックA,Bでは、回路モジュール500に比べて、小さな反りしか発生しない。その結果、回路モジュール10全体において発生する反りは、回路モジュール500全体において発生する反りよりも小さくなる。また、回路モジュール10では、溝20は、絶縁体層16にのみ設けられており、回路基板12には設けられていない。そのため、溝20が設けられることによって回路基板12の強度が低下することが防止される。また、回路モジュール10では、溝20の底面は、回路基板12の主面S1よりもz軸方向の正方向側に位置している。よって、回路モジュール10では、溝20のz軸方向の負方向側の領域にも配線等を形成することが可能となる。第1の変形例以下に、第1の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図5は、第1の変形例に係る回路モジュール10aの断面構造図である。回路モジュール10aでは、溝20の底面は、回路基板12の主面S1と一致している。そして、溝20内は、シールド層18を構成する導電性樹脂が充填されている。これにより、回路モジュール10aでは、回路モジュール10に比べて、回路ブロックA,B間におけるアイソレーション特性がより良好となる。第2の変形例以下に、第2の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図6は、第2の変形例に係る回路モジュール10bの断面構造図である。回路モジュール10bでは、溝20の底面は、回路基板12内のグランド導体Gと一致している。すなわち、回路モジュール10bの溝20の深さは、絶縁体層16の厚み以上の大きさを有している。そして、溝20内は、シールド層18を構成する導電性樹脂が充填されている。これにより、回路モジュール10bでは、回路モジュール10に比べて、回路ブロックA,B間におけるアイソレーション特性がより良好となる。更に、シールド層18がグランド導体Gに接触しているので、シールド層18の電位がより接地電位に近づくようになる。第3の変形例以下に、第3の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図7は、第3の変形例に係る回路モジュール10cの断面構造図である。回路モジュール10cでは、回路基板12は、溝20の底面と対向する導体層24を含んでいる。溝20内には導電性樹脂が充填されており、回路基板12内部のグランド電極と接続されているので接地電位となる。そのため、導体層24と溝20の底面との間には一方の電極が接地されたコンデンサが形成される。そのため、回路基板12内に設けられていた接地コンデンサを回路基板12外に配置することが可能となるので、回路基板12内のコンデンサが1つ不要になる。その結果、回路基板12内に空きスペースが形成され、該空きスペースに他の回路素子を配置することが可能となる。よって、回路モジュール10cでは、回路基板12の設計自由度が高くなる。第4の変形例以下に、第4の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図8は、第4の変形例に係る回路モジュール10dの断面構造図である。回路モジュール10dでは、複数の溝20a,20bが絶縁体層16の主面S3に設けられている。溝20a,20bの深さは異なっている。すなわち、溝20は、絶縁体層16において複数設けられていてもよく、複数の溝20の深さは、複数種類存在していてもよい。この場合には、溝20が形成される位置に応じて、溝20の深さが変更される。具体的には、アイソレーション特性を相対的に良好にしなければならない回路ブロック間に設けられる溝20の深さは、相対的に深く設定される。アイソレーション特性を相対的に良好にしなければならない回路ブロックとは、例えば、コイルやアイソレータ等の周囲に磁界を発生させる電子部品を含む回路ブロックが挙げられる。一方、アイソレーション特性を相対的に良好にしなくてもよい回路ブロック間に設けられる溝20の深さは、相対的に浅く設定される。第5の変形例以下に、第5の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図9は、第5の変形例に係る回路モジュール10eの断面構造図である。回路モジュール10eでは、溝20が導電性樹脂により充填されておらず、溝20の内周面が導電性樹脂により覆われている。よって、溝20内には導電性樹脂が存在しない空間が設けられている。これにより、回路モジュール10eでは、回路モジュール10に比べて、より効果的に反りの発生を抑制できる。また、図9に示すように、溝20が回路モジュール10eのx軸方向の中心から正方向側にずれて配置されていることにより、回路モジュール10eをマザー基板等に実装するときに回路モジュール10eの方向識別を容易に行うことができる。第6の変形例以下に、第6の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図10は、第6の変形例に係る回路モジュール10fの断面構造図である。回路モジュール10fでは、溝20が導電性樹脂により充填されておらず、溝20の内周面が導電性樹脂により覆われている。よって、溝20内には導電性樹脂が存在しない空間が設けられている。これにより、回路モジュール10fでは、回路モジュール10に比べて、より効果的に反りの発生を抑制できる。更に、回路モジュール10fでは、溝20の底面は、回路基板12内のグランド導体Gと一致している。すなわち、回路モジュール10fの溝20の深さは、絶縁体層16の厚み以上の大きさを有している。これにより、回路モジュール10fでは、回路モジュール10に比べて、回路ブロックA,B間におけるアイソレーション特性がより良好となる。更に、シールド層18がグランド導体Gに接触しているので、シールド層18の電位がより接地電位に近づくようになる。第7の変形例以下に、第7の変形例に係る回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図11は、第7の変形例に係る回路モジュール10gを上方から透視した図である。回路モジュール10,10a~10fでは、絶縁体層16の主面S3には、溝20が設けられるものとした。しかしながら、絶縁体層16の主面S3には、図11に示すように、溝20の変わりに穴20が設けられていてもよい。すなわち、絶縁体層16の主面S3には、穴20等の凹部が設けられており、該凹部の内周面がシールド層18を構成する導電性樹脂により覆われていればよい。その他の実施形態本発明に係る回路モジュールは、前記実施形態に係る回路モジュール10,10a~10gに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。シールド層18は、導電性樹脂により作製されているとしたが、導電性材料により作製されていればよく、金属がめっきされることにより形成されてもよいし、カーボンを含有する樹脂が塗布されることにより形成されてもよい。"