"パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を検出するレーザと、を備える露光装置であって、前記マスクと前記基板のアライメントは、前記レーザによって検出される、他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光装置。パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を検出するレーザと、をそれぞれ備える複数の露光装置を備え、該複数の露光装置を用いて、前記各マスクのパターンを前記基板に順次露光することで、前記基板に複数層のパターンを形成する露光ユニットであって、二層目以降の前記露光装置では、前記マスクと前記基板のアライメントは、前記レーザによって検出される、当該露光装置での露光より前に前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光ユニット。三層目以降の前記露光装置のうち、いずれかの層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークと、該いずれかの層より前の層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークとは、前記基板のパターンのコーナー部から前記所定の距離オフセットした位置となるように前記各マスクにそれぞれ描画されており、且つ、前記いずれかの層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークは、前記前の層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークに重ね合わせたとき、当該アライメントマークを覆うように、当該アライメントマークよりも大きく形成されることを特徴とする請求項2に記載の露光ユニット。パターン及びアライメントマークを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を検出すると、を備える露光装置の露光方法であって、他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記マスクのアライメントマークとを前記によって検出する工程と、検出された前記基板のパターンのコーナー部と前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけオフセットした位置となるように、前記マスクと前記基板をアライメントする工程と、前記アライメントされた前記基板を露光する工程と、を有することを特徴とする露光方法。ところで、近年、スマートフォンのような小型のタッチパネルを形成する液晶ディスプレイ基板が多く使用されてきている。タッチパネルでは、使用者が基板に触れる回数が多くなるため、該基板には繰り返し疲労に耐えうるように、該基板に対して熱処理を施す。このような基板としては、例えば、アルミノケイ酸ガラス化学強化ガラスが利用されている。しかしながら、このようなガラス基板を、熱処理後に露光して多面取りすると、切断した部分では熱処理が施されていないため、繰り返し疲労に耐えられない可能性がある。このため、スマートフォンなどのような製品に実装される小型の基板の場合には、該基板のサイズで熱処理を行った後、露光が施されることが好ましい。しかし、基板には、マスクのパターンが転写される領域の外側にブラックマトリクスが形成されるため、この位置に形成されたアライメントマークと、マスクのアライメントマークとを重ね合わせてアライメントすることは非常に困難であった。このため、スマートフォンのなどに使用される小型のガラス基板に露光転写する際には、基板とマスクのアライメントマークを重ね合わせる特許文献1及び2に記載の方法を適用することができなかった。本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製品に実装されるサイズの基板を露光転写する際に、基板にアライメントマークを形成しにくい小型の基板であってもアライメントを精度良く行うことができる露光装置、及びその露光方法、並びに露光ユニットを提供することにある。本発明の目的は、下記のように構成される。1パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を検出するレーザと、を備える露光装置であって、前記マスクと前記基板のアライメントは、前記レーザによって検出される、他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光装置。2パターンを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を検出するレーザと、をそれぞれ備える複数の露光装置を備え、該複数の露光装置を用いて、前記各マスクのパターンを前記基板に順次露光することで、前記基板に複数層のパターンを形成する露光ユニットであって、二層目以降の前記露光装置では、前記マスクと前記基板のアライメントは、前記レーザによって検出される、当該露光装置での露光より前に前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されることを特徴とする露光ユニット。3三層目以降の前記露光装置のうち、いずれかの層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークと、該いずれかの層より前の層の前記露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークとは、前記基板のパターンのコーナー部から前記所定の距離オフセットした位置となるように前記各マスクにそれぞれ描画されており、且つ、前記いずれかの層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークは、前記前の層の露光装置で使用される前記マスクのアライメントマークに重ね合わせたとき、当該アライメントマークを覆うように、当該アライメントマークよりも大きく形成されることを特徴とする2に記載の露光ユニット。4パターン及びアライメントマークを有するマスクを保持するマスクステージと、被露光材としての基板を保持する基板ステージと、前記マスクのパターンを介して前記基板に露光光を照射する照明光学系と、前記基板と前記マスクの一部を検出するレーザと、を備える露光装置の露光方法であって、他の露光装置によって前記基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、前記マスクのアライメントマークとを前記レーザによって検出する工程と、検出された前記基板のパターンのコーナー部と前記基板のパターンの外側に位置する前記マスクのアライメントマークとが所定の距離だけオフセットした位置となるように、前記マスクと前記基板をアライメントする工程と、前記アライメントされた前記基板を露光する工程と、を有することを特徴とする露光方法。本発明の露光装置、及びその露光方法、並びに露光ユニットによれば、マスクと基板のアライメントは、レーザによって検出される、他の露光装置によって基板に露光転写されたパターンのコーナー部と、マスクのアライメントマークとが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行されるので、製品に実装されるサイズの基板を露光転写する際に、基板にアライメントマークを形成しにくい基板であってもアライメントを精度良く行うことができる。また、マスクのアライメントマークは、基板のパターンの外側に位置するので、マスクのアライメントマークが基板の品質に影響を及ぼすことがない。以下、本発明の一実施形態に係る露光ユニットを図面に基づいて詳細に説明する。図1に示す一実施形態の露光ユニット1は、基板W0に第1層を露光する第1の近接露光装置2と、基板W1に第2層を露光する第2の近接露光装置3と、基板W2に第3層を露光する第3の露光装置4と、基板W3に第4層を露光する第4の近接露光装置5と、を有する。なお、コーター、プリアライメント、現像などの前処理及び後処理工程に使用される装置、及び基板を搬送する搬送装置などは、図示省略している。各近接露光装置2~5は、パターンP1~P4をそれぞれ有するマスクM1~M4をそれぞれ保持するマスクステージ10と、被露光材としての基板W0~W3をそれぞれ保持する基板ステージ11と、マスクM1~M4のパターンP1~P4を介して基板W0~W3に露光光を照射する照明光学系図示せずと、基板W0~W3とマスクM1~M4の一部を上方から検出する手段としてのレーザ図示せずと、を備える。なお、マスクステージ10、基板ステージ11、照明光学系、レーザは、公知のものが適用可能である。また、図1において、基板W0~W3の対角線に配置された一点鎖線12a,12bは、レーザによってそれぞれ検出されることを示している。また、図2aに示す、被露光材としての基板は、パターンが露光転写される過程に応じて基板W0~W4としているが、同一のガラス基板であることから、単に基板Wとも称する。これら近接露光装置2~5は、各マスクM1~M4のパターンP1~P4を基板W0~W3に順次露光することで、基板W4に複数層のパターンWP1~WP4を形成する。また、マスクステージ10や基板ステージ11には、ボールねじ機構とモータとの組合せやリニアモータによる公知のステージ移動機構がそれぞれ設けられており、基板W0~W3を露光する際には、レーザによって検出された領域に基づいて、基板W0~W3とマスクM1~M4とを相対移動させることでアライメントを行っている。そして、アライメント完了後、基板W0~W3とマスクM1~M4とを所定のギャップに対向配置した状態で、照明光学系から露光光を照射することで、露光動作が行われる。以下、図1、図2を参照して、第1~第4の近接露光装置2~5を用いて、基板Wに複数層のパターンを露光転写する過程を説明する。まず、第1の露光装置2では、ブラックマトリクスパターンP1が形成されたマスクM1をマスクステージ10に、素ガラスW0を基板ステージ11にそれぞれ載置する。そして、互いに重ね合わされる素ガラスW0とマスクM1の対角線上に位置する、素ガラスW0の端面のコーナー部とマスクM1の端面のコーナー部とをレーザによって同一領域内に捕らえながら、両コーナー部を合わせこむようにして、マスクM1と素ガラスW0とのアライメントが行われる。なお、素ガラスW0の端面のコーナー部と対応する、マスクM1の位置にアライメントマークを設けて、素ガラスW0の端面のコーナー部とマスクM1のアライメントマークを用いて、アライメントを行ってもよい。このようにして、マスクM1のブラックマトリクスパターンP1が素ガラスW0に露光転写され、図2aに示すガラス基板W1に、一層目のブラックマトリクスパターンWP1が形成される。次に、第2の露光装置3では、パターンP2が形成されたマスクM2をマスクステージ10に、ガラス基板W1を基板ステージ11にそれぞれ載置する。そして、図3aに示すように、互いに重ね合わされる基板W1とマスクM2の対角線上に位置する、基板W1に形成されたブラックマトリクスパターンWP1のコーナー部cと、ブラックマトリクスパターンWP1の外側に位置するマスクM2のアライメントマークA1とをレーザによって同一領域内に捕らえながら、コーナー部cとアライメントマークA1との中心が所定の距離、即ち、X方向に距離a、Y方向に距離bだけ互いにオフセットした位置となるようにして、マスクM2と基板W1とのアライメントが行われる。従って、露光転写する際に、マスクM2のアライメントマークA1がパターン領域WP1の内側に形成されることはなく、また、レーザは、コーナー部cとアライメントマークA1とを容易に検出することができる。アライメント完了後、マスクM2のパターンP2が基板W2に露光転写され、図2aに示す基板W2に、二層目のパターンWP2が露光転写される。また、基板W2のブラックマトリクスパターンWP1が露光転写されている外側の領域には、マスクM2のアライメントマークA1が露光転写され、基板W2にマークWA1が形成される。このマークWA1は、レーザでは確認されるものの、製品に影響を与えるものではない。次に、第3の露光装置4では、パターンP3が形成されたマスクM3をマスクステージ10に、ガラス基板W2を基板ステージ11にそれぞれ載置する。そして、図3bに示すように、互いに重ね合わされる基板W2とマスクM3の対角線上に位置する、基板W2に形成されたブラックマトリクスパターンWP1のコーナー部cと、ブラックマトリクスパターンWP1の外側に位置するマスクM3のアライメントマークA2とをレーザによって同一領域内に捕らえながら、コーナー部cとアライメントマークA2との中心が所定の距離、即ち、X方向に距離a、Y方向に距離bだけ互いにオフセットした位置となるようにして、マスクM3と基板W2とのアライメントが行われる。また、マスクM3のアライメントマークA2と、マスクM2のアライメントマークA1とは、基板W2のブラックマトリクスパターンWP1のコーナー部cから同じ所定の距離オフセットした位置となるように各マスクM2,M3にそれぞれ描画されており、且つ、マスクM3のアライメントマークA2は、マスクM2のアライメントマークA1に重ね合わせたとき、アライメントマークA1を覆うように、アライメントマークA1よりも大きく形成されている。従って、図3bに示すように、マスクM2のアライメントマークA2を確認する際に、アライメントマークA1によって基板W2に形成されたマークWA1を覆い隠すことができる。従って、露光転写する際に、マスクM3のアライメントマークA2がパターン領域WP1の内側に形成されることはなく、また、レーザは、コーナー部cとアライメントマークA2とを容易に検出することができる。アライメント完了後、マスクM3のパターンP3が基板W3に露光転写され、図2aに示す基板W3に、三層目のパターンWP3が露光転写される。また、基板W3のブラックマトリクスパターンWP1が露光転写されている外側の領域には、マスクM3のアライメントマークA2が露光転写され、基板W3にマークWA2が形成される。このマークWA2も、レーザでは確認されるものの、製品に影響を与えるものではない。さらに、第4の露光装置5では、パターンP4が形成されたマスクM4をマスクステージ10に、ガラス基板W3を基板ステージ11にそれぞれ載置する。そして、互いに重ね合わされる基板W3とマスクM4の対角線上に位置する、基板W3に形成されたブラックマトリクスパターンWP1のコーナー部cと、ブラックマトリクスパターンWP1の外側に位置するマスクM4のアライメントマークA3とをレーザによって同一領域内に捕らえながら、コーナー部cとアライメントマークA3との中心が所定の距離、即ち、X方向に距離a、Y方向に距離bだけ互いにオフセットした位置となるようにして、マスクM4と基板W3とのアライメントが行われる。また、マスクM4のアライメントマークA3と、マスクM3のアライメントマークA2とは、基板W3のブラックマトリクスパターンWP1のコーナー部cから同じ所定の距離オフセットした位置となるように各マスクM3,M4にそれぞれ描画されており、且つ、マスクM4のアライメントマークA3は、マスクM3のアライメントマークA2に重ね合わせたとき、アライメントマークA2を覆うように、アライメントマークA2よりも大きく形成されている。つまり、マスクM2~M4の各アライメントマークA1~A3は、後の工程で露光転写に使用されるマスクM2~M4ほど大きく設定されている。従って、マスクM4のアライメントマークA3を確認する際に、アライメントマークA2によって基板W3に形成されたマークWA2を覆い隠すことができる。従って、露光転写する際に、マスクM4のアライメントマークA3がパターン領域WP1の内側に形成されることはなく、また、レーザは、コーナー部cとアライメントマークA3とを容易に検出することができる。アライメント完了後、マスクM4のパターンP4が基板W4に露光転写され、図2aに示す基板W4に、四層目のパターンWP4が露光転写される。また、基板W4のブラックマトリクスパターンWP1が露光転写されている外側の領域には、マスクM4のアライメントマークA3が露光転写され、基板W4にマークWA3が形成される。このマークWA3も、レーザでは確認されるものの、製品に影響を与えるものではない。このように、本実施形態の近接露光装置3~5及び露光方法によれば、パターンP2~P4を有するマスクM2~M4を保持するマスクステージ10と、被露光材としての基板W1~W3を保持する基板ステージ11と、マスクM2~M4のパターンP2~P4を介して基板W1~W3に露光光を照射する照明光学系と、基板W1~W3とマスクM2~M4の一部を検出するレーザと、を備え、マスクM2~M4と基板W1~W3のアライメントは、レーザによって検出される、一層目の近接露光装置2によって基板W1に露光転写されたブラックマトリクスパターンWP1のコーナー部cと、基板W1~W3のブラックマトリクスパターンWP1の外側に位置するマスクM2~M4のアライメントマークA1~A3とが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行される。従って、露光転写する際に、マスクM2~M4のアライメントマークA1~A3がパターン領域WP1の内側に形成されることはなく、マスクM2~M4のアライメントマークA1~A3が基板Wの品質に影響を及ぼすことがない。また、レーザは、コーナー部cとアライメントマークA1~A3とを容易に検出することができる。特に、タッチパネルのような、製品に実装されるサイズの化学強化ガラス基板Wを露光転写する際に、基板Wにアライメントマークを形成しにくい基板であってもアライメントを精度良く行うことができる。また、本実施形態の露光ユニット1によれば、パターンP1~P4を有するマスクM1~M4を保持するマスクステージ10と、被露光材としての基板W0~W3を保持する基板ステージ11と、マスクM1~M4のパターンP1~P4を介して基板W0~W3に露光光を照射する照明光学系と、基板W0~W3とマスクM1~M4の一部を検出するレーザと、をそれぞれ備える複数の近接露光装置2~5を備え、複数の近接露光装置2~5を用いて、各マスクM1~M4のパターンP1~P4を基板W0~W3に順次露光することで、基板W0~W3に複数層のパターンP1~P4を形成する。そして、二層目以降の近接露光装置3~5では、マスクM2~M4と基板W1~W3のアライメントは、レーザによって検出される、近接露光装置3~5での露光より前に基板W1~W3に露光転写されたパターンWP1のコーナー部cと、基板W1~W3のパターンWP1の外側に位置するマスクM2~M4のアライメントマークA1~A3とが所定の距離だけ互いにオフセットした位置となるようにして実行される。従って、露光転写する際に、マスクM2~M4のアライメントマークA1~A3がパターン領域WP1の内側に形成されることはなく、マスクM2~M4のアライメントマークA1~A3が基板Wの品質に影響を及ぼすことがない。また、レーザは、コーナー部cとアライメントマークA1~A3とを容易に検出することができる。特に、タッチパネルのような、製品に実装されるサイズの化学強化ガラス基板Wを露光転写する際に、基板Wにアライメントマークを形成しにくい基板であってもアライメントを精度良く行うことができる。また、三層目以降の近接露光装置4,5のうち、いずれかの層の近接露光装置4,5で使用されるマスクM3,M4のアライメントマークA2,A3と、いずれかの層より前の層の近接露光装置3,4で使用されるマスクM2,M3のアライメントマークA1,A2とは、基板W2,W3のパターンWP1のコーナー部cから所定の距離オフセットした位置となるように各マスクM3,M4にそれぞれ描画されており、且つ、いずれかの層の近接露光装置4,5で使用されるマスクM3,M4のアライメントマークA2,A3は、前の層の近接露光装置3,4で使用されるマスクM2、M3のアライメントマークA1,A2に重ね合わせたとき、アライメントマークA1,A2を覆うように、アライメントマークA1,A2よりも大きく形成される。従って、マスクM3,M4のアライメントマークA2,A3を確認する際に、アライメントマークA1,A2によって基板W2,W3に形成されたマークWA1、WA2を覆い隠すことができる。また、露光転写する際に、マスクM3、M4のアライメントマークA2,A3がパターン領域WP1の内側に形成されることはなく、また、レーザは、コーナー部cとアライメントマークA2,A3とを容易に検出することができる。尚、本発明は、前述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。本実施形態では、ブラックマトリクスパターンWP1のコーナー部cは、2辺が直角に交差して形成されているが、本発明のコーナー部はこれに限らず、例えば、図4aに示すような湾曲したものや、図4bに示すような切欠かれたものであってもよい。これらの場合には、2辺から算出される直交位置c ́をコーナー部として使用すればよい。本発明の露光装置は、本実施形態の近接露光装置に限定されるものでなく、密着式露光装置や、投影露光装置など、任意の露光装置に適用可能である。"