"レーザ加工方法に於いて、Aレーザソース30、80,82により、一連のレーザーパルス10から構成される700-1200nmの範囲の波長を有するレーザビームを生成するステップと、B非線形結晶材料の手段により前記レーザビームの一部12の周波数を倍増するステップと、C前記レーザパルスを放出する放出期間の間、放出されるパワーを変化させるステップとを有し、前記Cステップにおいて、前記レーザーパルスの放出期間の初期期間T1において、初期波長のパワープロファイルは、最大ピークパワー或いは最大パワーのパルスの一部を有し、前記初期期間T1の後でそれよりも長い中期期間T2に於いて、前記最大パワーよりも低いパワーが与えられ、前記最大パワーは、前記レーザーパルスの放出期間を通したパワーの平均値の2倍以上の値を有し、前記レーザパルスの開始時から前記最大パワーに至るまでの増加時間は、0.3ms以下であることを特徴とするレーザ加工方法。前記初期期間T1の持続時間は、2ms以下であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。前記各レーザパルスのパワーの変動は、前記増加時間が0.05ms以下となるよう行われることを特徴とする請求項1または2記載のレーザ加工方法。前記最大パワーは、200W以上であり、前記レーザソースは、QCWモードで動作することを特徴とする請求項1-3のいずれかに記載のレーザ加工方法。前記レーザビームを集光する集光手段を更に具備し、前記集光手段により、焦点において、前記倍増周波数光の光スポット20の直径は、前記初期波長の光の光スポット22のそれよりも小さくなることを特徴とする請求項1-4のいずれかに記載のレーザ加工方法。前記レーザ加工方法は、高い反射率の金属を溶接する方法であることを特徴とする請求項1-5のいずれかに記載のレーザ加工方法。最大パワーの初期周波数の光と組み合わせた前記倍増周波数光の強度は、被溶接材料を融点以上に上げることができることを特徴とする請求項6記載のレーザ加工方法。前記倍増周波数光の強度は、焦点に於いて、0.1MW/cm2以上であることを特徴とする請求項7記載のレーザ加工方法。前記初期波長の光の強度は、被溶接材料を融点以上に上げることができないことを特徴とする請求項7または8記載のレーザ加工方法。前記初期周波数の光の強度は、焦点に於いて、0.1MW/cm2以下であることを特徴とする請求項9記載のレーザ加工方法。前記被溶接材料は、銅、金、銀、アルミ又はそれ等の合金のいずれかであることを特徴とする請求項6-10のいずれかに記載のレーザ加工方法。前記レーザーパルスの放出期間は、前記中期期間T2の後に終期期間T3を有し、前記終期期間T3に於いては、前記レーザパルスのパワーは、形成された溶接を冷却するように、減少することを特徴とする請求項6-11のいずれかに記載のレーザ加工方法。レーザ加工装置に於いて、A700-1200nmの範囲の波長を有するレーザビーム34を生成するコヒーレントな光源30;80と、B前記レーザビーム34の周波数を部分的に倍増する非線形結晶材料36;92と、Cレーザパルス10を生成する為に、前記光源を制御する制御手段38;82とを有し、前記制御手段38;82は、前記レーザーパルスの放出期間の初期期間T1において、最大ピークパワー或いは最大パワーのパルスの一部を有するパワープロファイルのレーザーパルスを形成し、前記初期期間T1の後でそれよりも長い中期期間T2に於いて、前記最大パワーよりも低いパワーのパワープロファイルのレーザーパルスを形成し、前記最大パワーは、前記レーザーパルスの放出期間を通したパワーの平均値の2倍以上の値を有し、前記レーザパルスの開始時から前記最大パワーに至るまでの増加時間は、0.3ms以下であることを特徴とするレーザ加工装置。前記コヒーレントな光源30;80は、ダイオードでポンプされ且つQCWモードで動作することを特徴とする請求項13記載のレーザ加工装置。前記コヒーレントな光源30;80は、ファイバレーザー80で構成されることを特徴とする請求項13または14記載のレーザ加工装置。前記初期期間T1の持続時間は、2ms以下であることを特徴とする請求項13-15のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記増加時間は、0.05ms以下であることを特徴とする請求項13-16のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記レーザビームを集光する集光手段を更に具備し、前記集光手段により、焦点において、前記倍増周波数光の光スポット20の直径は、前記初期波長の光の光スポット22のそれよりも小さくなることを特徴とする請求項13-17のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記レーザ加工装置は、高い反射率の金属を溶接する装置であることを特徴とする請求項13-18のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記倍増周波数光の強度は、焦点に於いて、0.1MW/cm2以上であることを特徴とする請求項19記載のレーザ加工装置。前記初期周波数の光の強度は、焦点に於いて、0.1MW/cm2以下であることを特徴とする請求項19-20のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記制御手段は、前記レーザーパルスの放出期間は、前記中期期間T2の後に終期期間T3を形成し、前記終期期間T3に於いて、前記レーザパルスのパワーは、形成された溶接を冷却するように減少するよう、制御することを特徴とする請求項19-21のいずれかに記載のレーザ加工装置。センサー94を更に有し、前記センサー94は、倍増周波数光のパワーを測定し、前記センサー94は、前記制御手段に接続され、リアルタイムで前記倍増周波数光のパワーの測定値に従って前記レーザパルスを変化させることを特徴とする請求項13-22のいずれかに記載のレーザ加工装置。センサー100を更に有し、前記センサー100は、前記レーザービームで機械加工された材料の表面の温度を測定するか或いは前記機械加工された材料の表面により反射された光を測定し、前記センサー100は、前記制御手段に接続され、リアルタイムで前記測定された温度或いは反射された光の測定値に従って前記レーザパルスを変化させることを特徴とする請求項13-23のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記制御手段は、前記増加時間が0.1ms以下となるよう、制御することを特徴とする請求項13-24のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記倍増周波数光の強度は、焦点に於いて、0.1MW/cm2以上であることを特徴とする請求項19-20のいずれかに記載のレーザ加工装置。前記Cステップにおいて、前記レーザーパルスののパワーを前記増加時間が0.1ms以下となるよう、制御することを特徴とする請求項1-12のいずれかに記載のレーザ加工方法。前記倍増周波数光の強度は、焦点に於いて、0.1MW/cm2以上であることを特徴とする請求項7記載のレーザ加工方法。本発明の目的は、上記の従来技術の問題点を解決することである。本発明のレーザー装置は、制御手段を具備し、これにより、各レーザーパルスの継続時間の間、所定のパワープルファイルを具備したレーザパルスを形成する。このパワープロファイルは、パルスの持続時間を3つの期間初期、中期、終期に分けて制御される。初期では、最大パワーピークを有するか或いは最大パワーを一部に有するパルスが与えられる。特に初期の間隔は、2ms以下好ましくは1ms以下である。中期初期よりも長い期間では、前記の最大パワーよりも小さなパワーが与えられる。この最大パワーの値はレーザパルスの持続時間の平均パワーの2倍以上である。更にレーザパルスの開始点から最大パワーまで上昇するのに必要な時間は、300μs以下好ましくは100μs以下である。終期では、レーザパルスのパワーは急速に減少し、好ましくは溶接の冷却を最適にするよう制御しながら急速に減少する。本発明は請求項1に記載したレーザー加工方法である。この本発明の更なる特徴は請求項1の従属請求項に記載されている。更に本発明は請求項13に記載したレーザー加工装置である。本発明の更なるレーザー加工装置とその特徴は、請求項13の従属請求項に記載されている。本発明は、各レーザパルスの間放出される光パワーを制御し、パルスの初期に於いては高いパワーのパワープロファイルを形成し、この初期以降はパワーを減らす。初期の間、大量の倍周波数光が得られ、その後、レーザソースの初期周波数における光の吸収が、機械加工された材料の表面温度の増加に伴い増加し、放出される光パワーは、吸収さるエネルギー量を制限すべく、大幅に減少し、好ましくは、レーザパルスの中間期の間、吸収された光パワーを一時的に制御する。初期の各レーザパルスのパワープロファイルの制御は、倍増周波数光の生成を最適化するよう行われる。倍増周波数光緑光は初期周波長光赤外線よりも吸収率が高い。初期に於いては、溶接される材料の温度は溶融温度よりも低い。かくして、最大パワーは、倍増周波数光のパワーを得るために急激に増加させる。これは溶接される材料を急速に加熱するのに十分なものである。本発明によれば、最大パワーまでの上昇時間は0.3ms以下好ましくは0.1ms以下である。初期ピークの最大パワーは、倍増周波数光のエネルギーを被溶接材料に最適に加えるのに十分なものでなければならないが、高すぎてもいけない。それは、好ましい変換率で、倍増周波数光緑光の量が多すぎたり過剰になり過ぎたりするからである。逆に次の中期では、材料に伝えられるエネルギーは、溶接を行う初期周波長光赤外線で制御される。この期間に於いては、パワーは減少し、倍増周波数光に変換されるパワーは二次的であり、あまり重要な役割を演じない。初期のパワーピークは、初期の倍増周波数光のパルスを生成し、その後初期周波長パルスが続く。各生成されたレーザパルスには、2つのパルスの組み合わせがある。第1パルスの周波数は第2のパルスの周波数の2倍である。これら2つのパルスは、溶接プロセスの間の被溶接材料の温度変化と被溶接材料の熱吸収に適合する。その為、初期のピークは、初期の倍増周波数光のパルスを得るのに用いられ、そのパワーは被溶接材料の温度を急激に上げる。前記初期のパワーピークは、本発明によれば、パルスの平均よりも2倍以上高い。その理由は、非線形結晶材料の変換比率が100よりも遙かに低く、非線形結晶材料が受光する光強度に依存するからである。ハイパワーの期間を初期に限定することにより、初期のパワーは中期のパワーとは異なる形態で制御される。初期倍増周波数光は大部分吸収されるのパワーは、中期実際の溶接が行われ初期の波長の光が十分吸収させるとは異なるよう制御される。かくして、高いパワーが初期の間与えられ、非線形結晶材料の変換率が向上する。この変換率は入射光の強度に比例して増加して、その結果、倍増周波数光のパワーは、初期のパワーの二乗に比例する。斯して、初期に倍増周波数光の最大パワーを得るためには、初期に高い光パワーを提供するのが好ましい。初期に放出された光パワーは、後続の期間放出される光パワーを規定しないために、機械加工例、レーザー溶接の品質に何ら問題を生じさせない。斯して、高いパワーのピークが初期に与えられる。これにより、機械加工された材料の表面の急速なあるいは効率的な加工が開始される。これは又別の利点がある。ある比率の倍増周波数光を得るために、レーザーキャビティ内に非線形結晶材料を組み込むことは必ずしも必要ではない点である。斯して、従来のレーザー装置を用い、そのレーザー装置に非線形結晶材料をこの従来のレーザー装置のレーザビームの光軸上に組み込むような熱調整ユニットを配置することができる。本発明のレーザ加工方法は、Aレーザソース30、80,82により、一連のレーザーパルス10から構成される700-1200nmの範囲の波長を有するレーザビームを生成するステップと、B非線形結晶材料の手段により前記レーザビームの一部12の周波数を倍増するステップと、Cレーザパルスを放出する放出期間の間、放出されるレーザーパワーを変化させるステップとを有する。前記レーザーパルスの放出期間の初期期間T1において、初期波長のパワープロファイルは、最大ピークパワー或いは最大パワーのパルスの一部を有し、前記初期期間T1の後でそれよりも長い中期期間T2に於いて、前記最大パワーよりも低いパワーが与えられる。前記最大パワーは、前記レーザーパルスの放出期間を通したパワーの平均値の2倍以上の値を有し、前記レーザパルスの開始時から前記最大パワーに至るまで時間は、0.3ms以下である。図3は、本発明のレーザパルスのパワープルファイルを正規化した関係最大値を1にするを表す図である。この図3に於いて、カーブ10は、パルスの放出期間の間放出された全レーザーパワーを表す。非線形結晶材料を通過した後、レーザソースからの初期周波数光の一部は倍増周波数光に変換される。倍増周波数光のパワーはカーブ12で表される。残りの初期周波数光のパワーはカーブ14で与えられる。ハッチング部分16は、周波数が2倍になったレーザー光の部分を表す。倍増周波数光のパワーは、初期周波数光パワーの2乗に比例する。初期周波数光パワーを1で正規化すると、0.330の倍増周波数光が得られる。初期パワーが1/2に即ち0.550になると、倍増周波数光のパワーは1/4に0.0757.5に減る。30の変換率は、標準の工業用フラッシュランプまたはダイオードでポンピングされたレーザーで、10kW以下のピークパワーを有し数ミリ秒のポンピングパルス用では、最大となる。この種のレーザーは、共振器の外部に配置される倍増周波数ユニットに取り付けられる図5、6で説明する。ファイバーレーザーではより高い変換率を得ることができる。このファイバーレーザーは、極めて高い品質のレーザービーム1.0に近いM2を与えることができる。初期に於いては、レーザソースは最大パワーに早く到達するよう制御される。その結果、最適な倍増周波数光が短い時間に得られる。一般的に最大パワーまで増加する期間は0.3ms以下である。好ましい変形例に於いては、パワーはレーザパルスのスタート時にできるだけ早く増加させて、できるだけ早く倍増周波数光の最大量を得る。最大パワーまで増加する期間は、0.1ms以下である。更に変形例に於いては、この期間は、0.05ms以下である。レーザーパルスは、終期T3で終了する。この終期T3では、レーザパルスのパワーは、好ましくはゼロに向けて、溶接の冷却に影響を及ぼすよう減らし、金属組織を最適化する。本発明のパワープロファイルのレーザパルスにより得られた物理的メカニズムを正しく理解する為に、図3を参照して説明する。同図は、赤外線光106nmまたは1070nmの波長で、銅製部品をレーザー溶接する場合である。パワーが最大の初期T1に於いては、赤外線光の20が、緑光532nmまたは535nmに変換されるとする。その為赤外線光の80は金属表面に留まる当たる。そして緑光の20-40のエネルギーが吸収され、赤外線光の5-10のエネルギーのみが吸収される。その為、金属に緑光が吸収されるのは、全エネルギーの4-8であり、これは金属に加えられる緑光の割合でもある。斯して、初期期間T1に於いては、緑光は、赤外線光と同程度に金属を溶融する。他方で非線形結晶材料の変換効率は僅か20である。初期期間T1のスタート時には、被溶接金属の温度はエネルギー供給によっては十分には上がっていないが、金属に吸収される初期周波数の光のエネルギーの量は、倍増周波数光その後溶接で収容な役目を演じるのそれよりもはるかに低い。金属の温度が十分上がると、2つの結合されたエネルギーの間の比率が変わり、吸収される赤外線光のエネルギーの量が支配的となる。吸収された赤外線光のエネルギーの量が急激に上がると、光パワーは減少する。この期間が、本発明のレーザパルスの中期期間T2となる。本発明では、レーザパルスは、フラッシュランプでポンピングしたレーザー又はダイオードでポンピングしたレーザーで得られる。その動作モードは、第1変形例では変調したCWモードで、第2変形例ではQCWモードで行われる。例えばレーザーが、固体Nd:YAGレーザーあるいはこれに類似のレーザーの場合には、ポンピング手段は第1変形例ではフラッシュランプで、別の変形例ではダイオードである。一実施例に於いては、ダイオードでポンピングされたファイバレーザーが用いられる。このファイバレーザーは、良好な品質のビームを与え、これは十分よく集光し、非線形結晶材料の変換効率を上げることができる。初期期間T1に於いて、最大パワーは50Wと20kWの間で変動する。これは、特に機械加工された材料の表面上のレーザースポットの直径に依存する。レーザパルスの期間は、限定はないが、一般的には0.1ms-100msの間である。一変形例に於いては、特に溶接のアプリケーションに於いては、初期期間T1は2ms以下である。中期期間T2は、1ms-5msの間である。但し本発明では、中期期間T2は初期期間T1よりも大きい。本発明の方法によれば、レーザパルスの時間プロファイルの最大パワーの値は、レーザパルスの持続時間を通しての平均パワーよりも2倍以上高い。一変形例に於いては、最大パワーは、200W以上である。後者の場合、レーザソースは、QCWモード、フラッシュランプモード、ダイオードパルスモードで動作する。変調したCWモードに於いては、初期期間T1に於いては、最大パワーは最大CWパワーに一致し、CWパワーはその後中期期間T2で減少する。本発明の方法は、特に金属、硬い材料例えばセラミックス、CBN、PKDを、連続溶接、スポット溶接、切断、エッチング等を行う応用例に採用できる。特定のモードに於いて、レーザビームを集光する手段が具備され、全部の色の光を集光できるか否かを問わず、初期波長光のスポットよりも小さな直径のスポット焦点でを有する倍増周波数光を得ることができる。斯して、この実施例においては、倍増周波数光の分散は、初期周波数光のそれとは例えば2倍異なる。図4Aに示すように、機械加工される材料への入射ビームにより、光スポット22が形成される。光スポット22の中央領域20には2種類の混合光放射初期周波数光と倍増周波数光が集まり、環状領域24には初期周波数光のみが集まる。光スポット22は、中央領域20を規定する倍増周波数光の光スポットよりも大きな直径を有する。この特徴により、レーザーの初期におけるエネルギーの吸収は、中央領域20でもっぱら起こり、機械加工が効率的に行われる。それは、倍増周波数光はこの中央領域20に集まり、その強度は倍増周波数光が光スポット22の全てをカバーする場合よりもはるかに大きいからである。この実施例は金属を溶接する応用に向いている。以下の本発明の方法は、高い反射率の材料の溶接に適したもので、特に溶接すべき金属は、銅、金、銀、アルミあるいはそれ等の合金である。図4を参照して、本発明を溶接に応用した一実施例を説明する。倍増周波数光は中央領域20に集中する。この倍増周波数光は金属により比較的良く吸収されるために、ある量のエネルギーが、中央領域20の金属に注入され、その局部の温度を溶融温度まで上昇させる。斯して、最大パワーの初期周波数光と組み合わされた倍増周波数光の強度は、溶接中の材料の溶融しきい値よりも高くなる。金属の溶融は光強度に依存する。即ち光パワーの密度と光強度の持続時間に依存する。斯して、固定レーザーNd:YAG又はファイバレーザードープしたYbの場合、倍増周波数光緑光の中心に集中したパワーにより、低いパワーのレーザーでも融点のしきい値に達することが出来る。これは、赤外線光の周波数が、2倍即ちこの実施例では2つの所定のレーザーになったためだけではなく、緑光倍増周波数光は、赤外線光初期周波数光で得られた光スポットの1/4程度の小さな光スポットに集めることができるからである。かくして4倍の光強度が得られる。図1に示す高い反射率の金属による光の吸収特性に基づくと、光のエネルギーは最初は中央領域20で吸収される。中央領域20で金属は或る時間経過後溶融し始める図4Aに示すハッチング領域。このエネルギーは周囲領域に急速に拡散する。例えば銅の場合、熱の拡散は、1ms当たり0.3mmで拡散する。これは図4Aの矢印で表される。その為、温度は環状領域24で上昇し、最終的に初期周波数光即ち、赤外線は、光スポット22全体に亘って大量に吸収される。これにより光スポット22で規定される表面領域で金属が溶融しはじめる図4Bに示す。その為、溶融は、溶接すべき金属の表面上にレーザービームが入射する中央領域から開始される。レーザパルスの持続時間と中期期間T2における赤外線光の光強度に依存して、金属が溶融する最終領域は、光スポット22よりも広く又は狭くなったりするが、これは金属が良好な熱伝導体だからである。レーザーのパワーは、溶接を最適化するために、中期期間T2で制御される。特に光強度は、溶接領域の溶けた材料の温度を一定に維持するよう、制御される。少なくとも中期期間T2の最初の方では制御される。中期期間T2のパワープロファイルは、リアルタイムで、センサー或いは経験則特に試行錯誤に基づいて制御される。様々な制御方法は当業者に公知である。一変形例に於いて、初期期間T1における倍増周波数光の強度は、溶接予定の焦点に於いて、0.1MW/cm2以上である。好ましくは所定のレーザーに対する光パルスの最大パワーは、できるだけ高くするが、溶接のアプリケーションの場合には穿孔する穴が開くのを回避しなけらばならない。この変形例に於いては、初期期間T1における倍増周波数光の強度は、焦点において1.0MW/cm2よりも高いパワーピークを有する。所定の溶接に対するレーザー装置のパワーを最適化する変形例に於いては、初期波長光赤外線光におけるパワーピーク或いは最大パワーのあるパルスの部分における光強度は、被溶接金属の融点よりも低くなるよう、設定される。特に、初期波長の光強度は、焦点に於いて10MW/cm2以下である。本発明のレーザー装置の2つの実施例を以下に説明する。図5に於いて、レーザ加工装置30は、初期波長が700-1200nmのレーザビーム34を生成するコヒーレント光源32と、前記レーザビームの周波数を部分的に2倍にする非線形結晶材料36と、前記レーザパルスを生成する前記レーザソースを制御する制御手段38とを有する。前記制御手段38は、前記レーザーパルスの放出期間の初期期間T1において、最大ピークパワー或いは最大パワーのパルスの一部を有するパワープロファイルのレーザーパルスを形成し、前記初期期間T1の後でそれよりも長い中期期間T2に於いて、前記最大パワーよりも低いパワーのパワープロファイルのレーザーパルスを形成する。前記最大パワーは、前記レーザーパルスの放出期間を通したパワーの平均値の2倍以上の値を有し、前記レーザパルスの開始時から前記最大パワーに至るまでの増加時間は、0.3ms以下である。コヒーレントな光ソースレーザソースは、活性材料40から形成される。この活性材料40はポンピング手段42により光学的にポンピンがされる。第1変形例では、このポンピング手段42は1個或いは複数個のフラッシュランプで形成され、第2変形例では、活性材料40は複数のダイオードで形成される。レーザソースは全反射性のミラー44と半反射性の出口ミラー46とで形成される共鳴キャビティを有する。この半反射性の出口ミラー46は、所定の送信波長Nd:YAGに対しては1064nmにおいて半反射性である。ポラライザー48とダイアフラム50が共鳴キャビティ内に配置される。非線形結晶材料36はレーザビーム34の周波数を2倍にする。この非線形結晶材料36は防塵ケース52内に配置される。この防塵ケース52は、特にペルティエモジュール54を用いて温度調節が可能で、ポンプ56の手段により防塵ケース52内に真空が形成される。防塵ケース52への入口点に光学焦点システム60を配置して、非線形結晶材料36に入る光強度を増加させる。その効率は入射光の強度に依存する。光学システム62は、532nmと1064nmの波長の光に対し透明であり、レーザビーム64をコリメートする。このレーザビーム64は、初期周波数1064nm波長と倍増周波数532nm波長の2種類の放射光を混合する装置を有する。このレーザビーム64を、その後光ファイバ70内に光学焦点システム66とコネクタ68を介して導入する。光ファイバ70は、レーザビーム64を加工ヘッド72へと導く。制御手段38はポンピング手段42を制御する。制御手段38はポンピング手段42に電力を供給する電源に接続され、単一の機能ユニット或いは同一のモジュールを形成してもよい。この制御手段38は制御ユニット74に接続される。これにより、ユーザーは、調整可能なパラメーターの所定の値を入力して、コヒーレント光源32により生成されるレーザパルスのパワープルファイルを規定して、本発明のレーザー加工方法を実行する。制御ユニット74は、レーザー装置に組み込まれるか或いは外部装置例えばコンピュータとして構成してもよい。特に制御手段38は、初期のレーザパルスを形成するよう配置され、その期間初期にパルスの最大パワーが発生させ、初期よりも長い中期期間と終期期間で放出されたパワーをゼロまでに減少させる。好ましい実施例の於いて、初期の持続時間は2ms以下である。この制御手段38は、300μs以下の短時間で、被溶接部材を最大温度まで増加させることができる。第1実施例に於いて、コヒーレント光源32は、QCWモード特定のダイオードポンピングで動作して、初期に比較的高いピークパワーを生成する。このピークパワーは、レーザーの平均パワーより遙かに高く、比較的長いパルスである。第2実施例に於いては、コヒーレント光源32は、変調したCWモードでダイオードポンピングで動作する。第3実施例に於いては、レーザソースは、フラッシュランプでポンピングされる。即ちパルスモードで動作する。特に溶接に応用した実施例によれば、レーザー機械加工装置は、非線形結晶材料36の下流側に、レーザビームの光学集光要素を有し、焦点に於いて、初期波長光の光スポットライトの直径よりも小さな直径を有する倍増周波数光の光スポットを得る。レーザ加工装置30は、銅又は金のような高反射率の材料の溶接装置である。レーザ加工装置30は、焦点に於いて、0.1MW/cm2以上の光強度を有する倍増周波数光を得る。好ましくは、初期期間T1における倍増周波数光の強度のピークパワーは、焦点に於いて、1.0MW/cm2以上である。レーザソースのパワーを制限するために、好ましい変形例は、初期波長における光強度は、10MW/cm2以下である。図に示す他の実施例に於いては、非線形結晶材料が、レーザソースの共鳴キャビティ内に組み込まれる。しかしこの配列構成は好ましくない。その理由は、本発明に特有なレーザー装置を必要とするからであり、レーザー装置の後で共鳴キャビティの外部に非線形結晶材料を配置することにより、標準のレーザー装置を用いることが出来る。これは重要な経済的利点である。図6において、コヒーレント光が、ダイオードにより光学的にポンピンがされるファイバレーザ80により生成される。ファイバレーザ80はQCWモードで動作する。ファイバレーザ80は、制御手段82に接続されて、本発明により、レーザパルスを生成する。この制御手段82が、特定のパワープロファイルを有するレーザパルスを形成する手段を構成する。制御ユニット84にユーザーインターフェイスが接続される。初期周波数のレーザパルスは、光ケーブル88を介して処理ユニット86に送られる。処理ユニット86で、パルスから構成されるレーザービームを処理する。この制御手段82は、直接加工ヘッド98に組み込まれる。処理ユニット86は、コリメータ90を有し、倍増ユニット92に組み込まれた非線形結晶材料に光ビームを集光する或いはコリメートする。この倍増ユニット92は、初期周波数のレーザー光の一部の周波数を倍増させる。倍増ユニット92は、倍増周波数光の変換の効率を最適化するための光学システムを含む。1070nmの波長のレーザー光を放出するドープしたファイバレーザーの場合には、倍増周波数は緑光である。一変形例において周波数倍増器の下流側に、センサー94が配置される。このセンサー94は、初期周波数光のパワーを測定する、或いは倍増周波数光のパワーを測定する。次に選択的事項として、ズーム装置96が配置され、これによりレーザビームが加工ヘッド98に入る前にレーザビームの横方向の断面を拡大する。この加工ヘッド98は、センサー100を具備し、レーザビームの当たる領域における被加工材料102の表面温度を測定する或いは前記表面で反射される光を測定する。センサー94とセンサー100は、制御手段82に接続され、レーザパルスのパワープロファイルを、リアルタイムで行われた測定値の基づいて、変更する。以上の説明は、本発明の一実施例に関するもので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々の変形例を考え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。特許請求の範囲の構成要素の後に記載した括弧内の番号は、図面の部品番号に対応し、発明の容易なる理解の為に付したものであり、発明を限定的に解釈するために用いてはならない。また、同一番号でも明細書と特許請求の範囲の部品名は必ずしも同一ではない。これは上記した理由による。用語又はに関して、例えばA又はBは、Aのみ、Bのみならず、AとBの両方を選択することも含む。特に記載のない限り、装置又は手段の数は、単数か複数かを問わない。"