L10規則構造を有したFePt合金と、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物と、を含む磁気記録層を備えた磁気記録媒体。前記金属の、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf°が-800kJmol以上、-500kJmol以下である、請求項1に記載の磁気記録媒体。前記金属の酸化物がZnOである、請求項1または2に記載の磁気記録媒体。前記FePt合金と前記ZnOとの合計量に対して、2.5体積以上20体積以下の前記ZnOが前記磁気記録層に含有されている、請求項3に記載の磁気記録媒体。FePt合金と、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物と、を含む薄膜を形成する薄膜形成工程、及び、前記薄膜を所定の温度まで加熱する加熱工程を経て、L10規則構造を有した前記FePt合金と前記金属の酸化物とを含有した磁気記録層を形成する、磁気記録媒体の作製方法。前記金属の、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf°が-800kJmol以上、-500kJmol以下である、請求項5に記載の磁気記録媒体の作製方法。前記金属の酸化物がZnOである、請求項5または6に記載の磁気記録媒体の作製方法。前記FePt合金と前記ZnOとの合計量に対して、2.5体積以上20体積以下の前記ZnOを前記磁気記録層に含有させる、請求項7に記載の磁気記録媒体の作製方法。前記加熱工程が、毎秒30°C以上の加熱速度で所定の温度まで前記薄膜を加熱する工程である、請求項5~8のいずれかに記載の磁気記録媒体の作製方法。前記加熱工程が、400°C以上500°C以下の温度まで前記薄膜を加熱する工程である、請求項5~9のいずれかに記載の磁気記録媒体の作製方法。上記のように、従来、L10FePt薄膜を形成する際には、Feとの置換を狙って金属を添加したり、元素の拡散を早めることを目的として、Si、B、Mgなどの軽元素の酸化物を添加したりしていた。そして、これらの添加物を用いることで、ある程度の効果は得られていた。しかしながら、従来の製法では、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を低温度で作製することが困難であった。そこで本発明は、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を備えた磁気記録媒体を低温度で製造できる方法、並びに、該方法によって得られるL10FePt薄膜を備えた磁気記録媒体を提供することを課題とする。本発明者らは、FePt合金に特定の酸化物を添加して急速加熱することによって、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜が得られることを見出し、以下の本発明を完成した。第一の本発明は、L10規則構造を有したFePt合金と、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物と、を含む磁気記録層を備えた磁気記録媒体である。第一の本発明及び以下に示す本発明以下、これらを単に本発明という。において100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物とは、金属酸化物を構成する金属の融点が100°C以上500°C以下であることを意味し、金属酸化物の融点が100°C以上500°C以下という意味ではない。第一の本発明の磁気記録媒体において、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf°が-800kJmol以上、-500kJmol以下であることが好ましい。なお、本発明において、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf°とは、書名:ThermochemicalDataofPureSubstance、著者:IhsanBarin、出版社:VCH、1989年出版に記載の、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf°を用いてO2分子あたりの酸化物生成自由エネルギーに換算したものである。また、第一の本発明の磁気記録媒体において、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物がZnOであることが好ましい。また、第一の本発明の磁気記録媒体において、磁気記録層にZnOが含有される場合、FePt合金とZnOとの合計量に対して、2.5体積以上20体積以下のZnOが磁気記録層に含有されていることが好ましい。第二の本発明は、FePt合金と、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物と、を含む薄膜を形成する薄膜形成工程、及び、該薄膜を所定の温度まで加熱する加熱工程を経て、L10規則構造を有したFePt合金と金属の酸化物とを含有した磁気記録層を形成する、磁気記録媒体の作製方法である。第二の本発明の磁気記録媒体の作製方法において、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf°が-800kJmol以上、-500kJmol以下であることが好ましい。また、第二の本発明の磁気記録媒体の作製方法において、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物がZnOであることが好ましい。また、第二の本発明の磁気記録媒体の作製方法において、磁気記録層にZnOを含有させる場合、FePt合金とZnOとの合計量に対して、2.5体積以上20体積以下のZnOを磁気記録層に含有させることが好ましい。また、第二の本発明の磁気記録媒体の作製方法において、加熱工程が、毎秒30°C以上の加熱速度で所定の温度まで薄膜を加熱する工程であることが好ましい。また、第二の本発明の磁気記録媒体の作製方法において、加熱工程が、400°C以上500°C以下の温度まで薄膜を加熱する工程であることが好ましい。第一の本発明の磁気記録媒体は、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物を含有させることによって、低温プロセスで短時間に、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を備えた磁気記録媒体とすることができる。また、ガラスなどの多結晶材料を基板に用いることができるため、一般に使用されているアルミニウム基板やガラス基板を用いることができ、エピタキシャル成長などの高温プロセスやバッファー層などの特殊な製膜工程を経ることなく得られる。さらに、ZnOなどを添加するには、該ZnOなどをターゲットに用いてスパッタリングで製膜できるので、容易に作製可能で経済性が高い。さらに、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を短時間の急速加熱で得られるので、実用化が容易で、経済性が高い。加熱を最短とする場合、数秒程度のランプ加熱でL10FePt薄膜を得ることも可能なため、製膜プロセスが簡単で、時間的、経済的効率が高い。第二の本発明の磁気記録媒体の作製方法によれば、低温プロセスで短時間に、L10FePt薄膜を備えた磁気記録媒体を作製することができる。また、ガラスなどの多結晶材料を基板に用いることができるため、一般に使用されているアルミニウム基板やガラス基板を用いることができ、エピタキシャル成長などの高温プロセスやバッファー層などの特殊な製膜工程を必要としない。さらに、ZnOなどを添加するには、該ZnOなどをターゲットに用いてスパッタリングで製膜できるので、技術的に容易で経済性が高い。さらに、短時間の急速加熱で高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を得られるので、実用化が容易で、経済性が高い。加熱を最短とする場合、数秒程度のランプ加熱でL10FePt薄膜を得ることも可能なため、製膜プロセスが簡単で、時間的、経済的効率が高い。本発明者らは、FePt合金に特定の金属酸化物を添加するとともに急速加熱することによって、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜が得られることを見出した。室温でスパッタ製膜したFePt合金の膜は、fcc微細結晶の集合体である。このFePt膜を数100°Cに加熱すると、該膜が再結晶化し、粒成長を起こす。fcc相は準安定相であり、L10相は熱平衡相であるため、原子拡散が十分に起これば、この再結晶化過程において、fcc相からL10相に変態する。さらに再結晶化過程において、微結晶粒子間に膜面内方向に引っ張り応力が作用すると、歪みを緩和するために形成されるL10相は、膜面垂直方向に[001]配向する。この引っ張り応力は時間の経過とともに次第に緩和されるが、急速加熱処理によって引っ張り応力が緩和しない間に再結晶化プロセスを進行させれば、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を形成できる。ところで、金属酸化物をスパッタ製膜すると、スパッタによって乖離した金属原子、酸素原子、酸化物分子が基板上に飛来する。このとき、基板を室温として金属酸化物とFePt合金とを同時にスパッタで製膜すれば、形成された薄膜は金属原子、酸素原子、金属酸化物分子、及びFePt合金の混合物になる。この薄膜を加熱すると、金属原子は母相のFePt合金中を移動し、酸素原子と再結合して酸化物を形成する。もしもスパッタ時に添加された金属原子の拡散係数が低温で十分大きければ、低温でも該金属原子はFePt合金中を移動しやすくなるため、低温で再結晶化過程が誘起される。また、再結合した酸化物は、上述したように、加熱時の薄膜の結晶成長過程を制御することによって高[001]配向性を有する膜の形成を促進する。しかしながら、添加する金属原子の酸化物生成自由エネルギーがFeの酸化物生成自由エネルギーよりも高ければ、Fe酸化物が形成され、添加した金属原子がL10FePt中に固溶もしくは粒界析出する。そのため、L10FePtの特性が劣化する。また、酸化物生成自由エネルギーが低く、酸化物の安定性が高すぎると、スパッタ時の金属原子の乖離が十分に起こらず、拡散を促進することができない。このような観点から、本発明者らは、以下に説明するように、FePt合金に添加する金属酸化物を特定し、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を得る方法を発明した。以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本実施形態は、本発明を実施するための一形態に過ぎず、本発明は本実施形態によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更実施の形態が可能である。<磁気記録媒体の作製方法>図1に本発明の磁気記録媒体の作製方法の一例のフローチャートを示す。また、図2aには作製途中の本発明の磁気記録媒体の一例の断面を概略的に示し、図2bには加熱工程S2の一例を概略的に示す。図1に示すように、本発明の磁気記録媒体の作製方法は、薄膜形成工程S1及び加熱工程S2を備えている。これらの工程を経ることによって、高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を備えた磁気記録媒体を低温度で作製することができる。以下、各工程について説明する。薄膜形成工程S1工程S1は、基板1上にFePt合金と、後に説明する所定の金属の酸化物とを含有した薄膜2を形成する工程である図2a参照。本発明に用いることができる基板1は、磁気記録媒体の作製に用いることができるものであれば特に限定されない。例えば、金属製の基板やガラス製の基板を基板1として用いることができる。ただし、実用的な磁気記録媒体を作製する場合には、薄膜2の下部にソフト磁性層保磁力の小さな材料、Co系アモルファスなどを積層することが好ましい。工程S1で得られる薄膜2中のFeとPtとの含有比率が、モル比でFe:Pt=1:1から外れると、後の加熱工程S2を経たときに得られるFePt合金のL10規則度が落ちることとなる。そのため、工程S1で得られる薄膜中のFeとPtとの含有比率は、モル比でFe:Pt=45~55:55~45程度であることが好ましい。FePt合金と所定の金属の酸化物とを含有した薄膜2を基板1上に形成する方法は特に限定されない。例えば、Fe、Pt、及び所定の金属の酸化物をそれぞれターゲットとして同時スパッタリング製膜する方法が考えられる。Fe及びPtにかえてFePt合金をターゲットとしてスパッタリング製膜することもできる。あらかじめFePt合金に所定の金属の酸化物を混合した材料をターゲットとしてスパッタリング製膜してもよい。なお、FePt合金をターゲットとしてスパッタリング製膜する場合は、FePtの組成比を固定することが容易である。本発明に用いることができる所定の金属酸化物を構成する金属は、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属である。磁気記録媒体としての実用化を考慮すれば、100°C以上500°C以下程度の低温度でL10規則化を進行させるとともに、高[001]配向性を達成することが望ましいからである。合金の拡散係数は、該合金を構成する元素の拡散係数の和によって与えられるが、最も大きな拡散係数を持つ元素が拡散過程を支配する。金属元素の拡散係数は、概ね融点で概算することができる。Fe、Ptの融点は1500°C以上であり、室温近傍での拡散係数は低い。したがって、100°C以上500°C以下程度の温度で拡散を起こすためには、100°C以上500°C以下の融点を持つ物質を添加することが必要である。このような金属元素としては、例えば、Li、Zn、Se、Sn、In、Bi等を挙げることができる。また、本発明に用いる所定の金属酸化物を構成する金属は、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf°が-800kJmol以上、-500kJmol以下であることが好ましい。添加する金属の酸化物生成自由エネルギーがFeの酸化物生成自由エネルギーよりも高ければ、Fe酸化物が形成され、添加した金属がL10FePt中に固溶もしくは粒界析出するため、L10FePtの特性が発現しない虞がある。一方、酸化物生成自由エネルギーが低く酸化物の安定性が高すぎると、スパッタ時の金属原子の乖離が十分に起こらず、拡散を促進することができない。上記融点の範囲と酸化物生成自由エネルギーの範囲とを満足する金属の酸化物としては、ZnO、SnO2、In2O3、Na2O等を挙げられる。なお、これらの酸化物の中で使いやすさや安全性の観点から、ZnOが好ましい。薄膜2を構成する材料にFePt合金とZnOとを用いる場合、ZnOの含有量は、FePt合金とZnOとの合計量に対して、2.5体積以上20体積以下であることが好ましい。薄膜2を構成する材料中のZnOの割合が少な過ぎても多すぎても、後の加熱工程S2を経て得られるL10FePt合金の[001]配向性が低く、磁気異方性が劣る傾向にある。加熱工程S2工程S2は、工程S1で得られた薄膜2を所定の温度まで加熱する工程である。工程S2を経ることによって、薄膜2を磁気記録層2’図2b参照。とすることができる。工程S2において薄膜2を所定の温度まで加熱する際の加熱速度は、30°C/秒以上であることが好ましく、50°C/秒以上であることがより好ましい。加熱速度を速くすると、L10FePt合金が高[001]配向性、および高L10規則度を有するようになり、磁気異方性が向上する。工程S2における加熱方法は特に限定されない。加熱方法としては、例えば、図2bに示したように、赤外線照射装置20による赤外線加熱を挙げることができる。なお、工程S2での所定の温度は、400°C以上500°C以下であることが好ましい。この温度が低すぎればL10FePt合金の[001]配向性が低下する傾向にあり、高すぎれば生産性の観点から好ましくない。その他の工程本発明の磁気記録媒体の作製方法は、少なくとも上記工程S1及び工程S2を備えており、さらに工程S2の後に磁気記録層2’上に薄い保護層を形成する工程を備えていてよい。この保護層は、例えばDLCダイヤモンド型カーボンによって構成されるものとすることができる。保護層を形成する方法は特に限定されず、例えば、プラズマ気相成長法等で製膜することができる。これまでに説明したように、本発明の磁気記録媒体の作製方法によれば、低温プロセスで短時間にL10FePt薄膜を備えた磁気記録媒体を作製することができる。また、ガラスなどの多結晶材料を基板に用いることができるため、一般に使用されているアルミニウム基板やガラス基板を用いることができ、エピタキシャル成長などの高温プロセスやバッファー層などの特殊な製膜工程を必要としない。さらに、ZnOなどを添加するには、該ZnOなどをターゲットに用いてスパッタリングで製膜できるので、技術的に容易で経済性が高い。さらに、短時間の急速加熱でしかも短い保持時間で高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を得られるので、実用化が容易で、経済性が高い。特に最短時間では数秒程度のランプ加熱でL10FePt薄膜を得ることも可能なため、製膜プロセスが簡単で、時間的、経済的効率が高い。<磁気記録媒体>本発明の磁気記録媒体は、上記した本発明の磁気記録媒体の作製方法によって得られる。すなわち、本発明の磁気記録媒体は、L10規則構造を有したFePt合金と、100°C以上500°C以下の融点を持つ金属の酸化物と、を含む磁気記録層を備えている。当該金属は、室温での酸化物生成自由エネルギーΔGf0が-800kJ/mol以上、-500kJ/mol以下であることが好ましい。このような金属酸化物として、ZnOが特に好ましい。また、ZnOを磁気記録層にZnOを含ませる場合、ZnOの含有量は、L10FePt合金とZnOとの合計量に対して、2.5体積以上20体積以下であることが好ましい。以下に、実施例にて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。なお、ここで用いるは、特に断らない限り、磁気記録層薄膜全体に対する体積を意味する。試料作製方法以下に説明する手順で複数の試料を作製した。まず、合金膜作製用スパッタ装置Arガス圧:0.5Paを用いて、Fe、Pt、及びZnO全てフルウチ化学株式会社製をそれぞれターゲットとして、熱酸化SiSi基板の表面がSiO2の酸化膜で覆われている。の基板上に、FePt合金に所定量のZnOが添加された薄膜を製膜した。得られた薄膜の膜厚は、ZnOの添加量によって異なり、6.9nmZnO添加分となるようにした。すなわち、薄膜の膜厚は、6.9×1xnmとなるようにしたxは、薄膜全体におけるFePt合金に対するZnOの割合。製膜後、赤外線急速加熱装置真空理工株式会社製、VHC-P45C-Sを用いて、真空雰囲気2.0×10-4Paで上記薄膜を所定の温度以下、熱処理温度という。まで56°C/秒で昇温し、その熱処理温度で10分間保持した。評価方法上記手順で作製した試料について、X線解析装置日本電子株式会社製、JDX―3530、以下XRDという。を用いた構造解析と、振動試料型磁力計株式会社東栄科学産業製、VSM5s型-15、以下VSMという。を用いた磁化測定と、走査プローブ顕微鏡SIIナノテクノロジー社、E-Sweep、以下SPMという。を用いた表面形状の観察とを行った。ZnOの添加量が0、5、10、15、20、25、30であり、熱処理温度が400°C、500°C、600°Cである試料を、上記した手順に従って作製した。XRDで構造解析を行った結果を図3に示す。図3は、横軸を回折角2θ、縦軸を回折強度としたグラフであり、ZnOの添加量が0、5、10、20、30である試料のXRDによる解析結果を示している。図3aは熱処理温度が400°Cの場合を示しており、図3bは熱処理温度が500°Cの場合を示している。図4は、XRDによる解析結果に基づいて、ピーク強度のZnO添加量依存性を示したグラフである。図4では、横軸をZnOの添加量、縦軸を001面の回折強度として、熱処理温度が400°C、500°C、600°Cの試料について、001面の回折強度のZnO添加量依存性を示している。また、同様の試料についてVSMで磁化測定を行った結果を図5に示す。図5では、ZnOの添加量が5である試料についてのみ測定結果を示している。図5では、横軸が磁界HkOe、縦軸が磁化の値Memu/cm3である。図5aは熱処理温度が400°Cの場合を示しており、図5bは熱処理温度が500°Cの場合を示している。図3及び図4に示した結果より以下のことがわかる。001面の回折強度は、ZnOの添加量が5~10程度のとき、特に高[001]配向性と高L10規則度とを有するL10FePt薄膜を得られる。また、熱処理温度が400°Cの場合は、[001]回折線にサテライトピークが観察され、平滑度も高い。なお、ZnOの添加量が5である試料と、ZnOの添加量が10である試料のL10規則度は、全回折線を用いたフィッティングによって算出すると98程度であった。また、図5の磁化曲線を見ると、面内方向と垂直方向とで磁化曲線に明瞭な差があり、大きな磁気異方性を有していることがわかる。また、熱処理温度が400°Cの場合、8kOe以上の保磁力があり、微細加工によってパターン化すれば、高い保持力が得られることがわかる。さらに、SPMで表面形状を観察したところ、ZnOを5添加して熱処理温度が400°Cであった試料では表面粗さRaが0.31nmであり、ZnOを10添加して熱処理温度が400°Cであった試料では表面粗さRaが0.30nmであり、どちらも表面状態が良好であった。以上、現時点において実践的で好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではない。請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能である。そのような変更を伴う磁気記録媒体、及び磁気記録媒体の作製方法も本発明の技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。