"入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第1の遮光膜により被覆された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第2の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、を有する画素領域と、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第2の遮光膜に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備えることを特徴とする固体撮像装置。前記第1の遮光膜と第2の遮光膜とは、分離領域を介して電気的に分離されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。前記分離領域からの光の入射を遮る遮光手段を備えることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。前記遮光手段は、前記分離領域の上方に形成された第3の遮光膜であることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第1の遮光膜により被覆された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第2の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、を備え、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第2の遮光膜に正電圧のパルスを印加することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。上述した従来の固体撮像素子例えばCCDは、受光センサ部110から垂直転送レジスタ部120へ信号電荷の読み出しを行う際に、通常、転送電極130aには13V程度の正電圧パルスを印加している図4a参照。このとき、受光センサ部110のP濃度が高いOB画素領域200の画素構造特有の問題として、図16bに示すように、読み出しパルス印加時に、受光センサ部110と垂直転送レジスタ部120間に、有効画素よりも強い電界が発生してしまう有効画素電位差<OB画素電位差。さらに、遮光膜500は、通常GND電位であるのが一般的であるため、開口部510図15参照がないOB領域においては、受光センサ部110が基板表面側よりGND電位に固定されている図16a参照。そのため、読み出しパルス印加時には、垂直転送レジスタ部120と受光センサ部110との電位差が大きくなり、電界の強化が助長されてしまうことになる。そうなると、OB画素領域200のみで生じるかかる強電界によってソフトブレイクダウンが起きてしまう虞が生じる。ソフトブレイクダウンが発生すると、図16bに示すように、微小な電子が発生して垂直転送レジスタ部120へ混入してしまう。発生した電子は、OB画素領域200の出力信号のノイズ成分となってしまい、これによって、クランプレベルがずれ、出力画像が黒く沈む、あるいは色付く等といった問題が発生してしまう。なお、最近のCCDでは、モニタリングモード等で信号加算動作を行うことが一般的であるが、この場合、前述のOB画素領域200のノイズ成分も同時に加算されてしまうため、クランプレベルのずれがさらに強調される可能性もある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、強電界によるソフトブレイクダウンで生じる電子が、転送レジスタへノイズ信号として混入することを抑制することのできる固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を提供することにある。そこで、上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第1の遮光膜により被覆された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第2の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、を有する画素領域と、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第2の遮光膜に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える固体撮像装置とした。また、請求項2に係る本発明では、請求項1記載の固体撮像装置において、前記第1の遮光膜と第2の遮光膜とは、分離領域を介して電気的に分離されていることを特徴とする。また、請求項3に係る本発明では、請求項2記載の固体撮像装置において、前記分離領域からの光の入射を遮る遮光手段を備えることを特徴とする。また、請求項4に係る本発明では、請求項3記載の固体撮像装置において、前記遮光手段は、前記分離領域の上方に形成された第3の遮光膜であることを特徴とする。また、請求項5に係る本発明は、入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部と、前記受光センサ部から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部と、前記受光センサ部に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極と、が設けられ、前記受光センサ部の上方に開口部が形成された第1の遮光膜により被覆された有効画素領域と、この有効画素領域に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第2の遮光膜により被覆されたオプティカルブラック画素領域と、を備え、前記受光センサ部から前記垂直転送レジスタ部へ信号電荷を読み出す際に、前記転送電極へ印加する読み出しパルスと同期して、前記第2の遮光膜に正電圧のパルスを印加する固体撮像装置の駆動方法とした。本発明によれば、読み出しクロック印加時において、OB領域に発生する強電界を緩和することができるため、オプティカルブラック部のソフトブレイクダウンが生じ難くなり、ソフトブレイクダウン発生時に転送レジスタへ電子が混入することを防ぐことができる。したがって、クランプレベルのずれが軽減され、出力画像が黒く沈む、あるいは色付くといった問題の発生を抑止することが可能となり、複合映像信号や輝度信号などの信号処理を、より正確に行ない易くすることができる。以下、本発明に係る固体撮像装置の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の説明では、固体撮像素子であるCCDChargeCoupledDeviceを備えた例で説明するが、これに限定されるものではなく、受光センサ部から読み出した信号電荷を垂直-水平転送パラレル-シリアル転送する構造の固体撮像装置全般に適用可能である。図1は、固体撮像素子の一例であるCCDChargeCoupledDeviceの画素領域を示し、図2はCCDの画素領域を構成する有効画素領域とOB画素領域とを示している。図1に示すように、本実施形態におけるCCDの画素領域には、背景技術で説明したCCD同様に、有効画素領域10とオプティカルブラック画素領域以下、OB画素領域ともいう20とが形成されている。図1において、符号11は被写体からの入射光に応じた信号電荷を生成して撮像信号を得る受光センサ部を示しており、マトリクス状に配置されている。また、符号40は、受光センサ部11で光電変換された信号電荷を出力する出力部30に転送する水平転送レジスタを示している。また、図2に示すように、有効画素領域10及びOB画素領域20には、信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部12が設けられている。有効画素領域10の垂直転送レジスタ部12は、図示するように、受光センサ部11に蓄積された信号電荷を前記垂直転送レジスタ部12に読み出す転送電極13a,13bを備えている。転送パルスよりも高電圧の読み出しパルスが受光センサ部11に隣接する転送電極13aのみに印加され、転送パルスは転送電極13aと転送電極13bの両方に印加され、読み出された信号電荷は1走査線1ラインに相当する部分ずつ順に垂直方向に転送される。なお、OB画素領域20は、光学的黒レベルの基準信号を得る領域であって受光センサ部11は設けられておらず、単に基準信号となる電荷を転送する電荷転送用の垂直転送レジスタ部12のみが形成されている。また、本実施形態に係るCCDでは、有効画素領域10とOB画素領域20とは、画素領域を遮光している金属膜からなる第1の遮光膜31と第2の遮光膜32とが電気的に分離する構造となっている。これは、有効画素領域10を被覆する有効領域遮光膜としての第1の遮光膜31とOB画素領域20を被覆するOB領域遮光膜としての第2の遮光膜32とを、別々の電位にすることを目的としている。図2中、符号51は第1の遮光膜31に形成された開口部を示し、受光センサ部11の上方に位置している。また、図3は、本実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す模式的説明図であり、図示するように、CCDの受光センサ部11から垂直転送レジスタ部12へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第2の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する電圧印加部を備えている。本実施形態に係る電圧印加部は、CCDの外部に設けたタイミングジェネレータTGと、転送電極13に接続されて、タイミングジェネレータTGによるタイミングに応じて読み出しパルスや転送パルスが印加される端子V1~V4と、これら端子V1~V4と独立して第2の遮光膜32に正電圧のパルスが印加されるOB遮光膜用外部端子VOBを備えている。OB遮光膜用外部端子VOBは第2の遮光膜32に接続しており、タイミングジェネレータによって、読み出しパルスと同期したタイミングで同程度の正電圧のパルスが独立して入力されるようになっている。すなわち、通常のCCDにおいては、図4aに示すように、転送電極に読み出し時には正電圧の読み出しパルスが印加され、転送時には負の転送パルスが印加される。一方、本実施形態に係るCCDでは、図4bに示すように、有効画素領域10の第1の遮光膜31有効領域遮光膜はGND電位にしているため、従来と同様の特性が得られるようになっている。しかも、図4cに示すように、OB画素領域20の第2の遮光膜32OB領域遮光膜には、読み出しパルスと同期した正電圧のパルスを印加するようにしている。これによって、従来構造のOB画素領域では、読み出しパルス印加時には遮光膜下のセンサ領域がGND電位に固定されていたのに対し、本実施形態のように、正電圧パルスを印加すれば、図5a~図5cに示すように、受光センサ部11と垂直転送レジスタ部12との電位差の差がつきにくくなる。この結果として、読み出し電圧印加時の強電界を緩和させることができる。OB画素領域20の第2の遮光膜32に正電圧パルスを印加する方法として、本実施形態では、上述したように、CCDの外部に設けたタイミングジェネレータTGと、読み出しパルスや転送パルスが印加される端子V1~V4と別に、独立したOB遮光膜用外部端子VOBを備える電圧印加部を具備させた簡単な手段を採用した。しかし、第2の遮光膜32に読み出しパルスと同期した正電圧のパルスを印加することができるのであれば、電圧印加部の構成は何ら限定されるものではないところで、本実施形態では、有効画素領域10の第1の遮光膜31とOB画素領域20の第2の遮光膜32とを電気的に分離する構造を、図6に示すような構成としている。これは、同一層の遮光膜をスリット33を介して分離した単純な構成である。この場合、層間絶縁膜14を介して、後に第1、第2の遮光膜31,32となる金属を化学気相成長ChemicalVaporDeposition:CVD等で堆積させ、その後、ドライエッチング等でスリット33を空けることによって互いに絶縁させる方法を採用することができる。図6において、符号51は、受光センサ部11の上方に位置するように第1の遮光膜31に形成された開口部を示している。また、受光センサ部11は、p型不純物層11aと、p型不純物層11aの下に形成されたn型不純物層11bとから構成されている。p型不純物層11aは、受光センサ部11の表面電位を固定して暗電流を防ぐ機能を有している。そして、受光センサ部11で発生した信号電荷は、n型不純物層11bに蓄積される。また、第1の遮光膜31と第2の遮光膜32とを電気的に分離する構造の変形例として、例えば、図7に示す構成とすることもできる。これは、第1の遮光膜31と第2の遮光膜32とを別の層で形成したものである。この場合、例えば、有効画素領域10の第1の遮光膜31のみを前述同様にCVDなどの方法で堆積させた後、透過性の高い絶縁膜34を生成し、その後、OB画素領域20の第2の遮光膜32を別の層として生成することができる。図6及び図7のいずれの構成であっても、有効画素領域10の第1の遮光膜31とOB画素領域20の第2の遮光膜32との間には物理的な隙間が形成されるため、光の混入が懸念される。そこで、光混入の対策として、第1の遮光膜31と第2の遮光膜32との間の間隙部分は、OB画素領域20において、光電変換が行われる可能性の無い箇所である非光電変換領域に設けるとよい。例えば、図6に示した構成であれば、図8に示すように、スリット33は非光電変換領域を設けるのである。あるいは、図9に示すように、隙間の上層に、更に別層の第3の遮光膜35を形成することもできる。図9においては、例えば、図6に示す構成となるように、遮光膜をドライエッチング等でスリットを形成した後、このスリット及び第1の遮光膜31の開口部51を埋めるように透過性の高い絶縁膜34を生成し、その後、スリット上方位置に別途、第3の遮光膜35を形成するのである。また、図7で示したように、第1の遮光膜31と第2の遮光膜32とを別の層として生成する場合、図10に2つの遮光膜31,32が重なる長さである重合部長さLを増やすことでも、光の混入を抑制することもできる。このように、遮光手段としては、第1の遮光膜31と第2の遮光膜32との間の間隙の位置であったり、あるいは別途形成された遮光膜であったり、種々の手段が考えられる。図11~図13は、転送電極13へのパルスを印加するタイミングの説明図である。OB画素領域20の第2の遮光膜32に入力するパルスは正電圧である必要があり、電圧が高いほど、読み出しパルス印加時に発生する強電界を緩和する効果がある。ただし、電圧が高すぎる場合、第2の遮光膜32と、当該第2の遮光膜32を介して隣接している垂直転送レジスタ部12上の転送電極13との耐圧が問題となる。例えば、図11に示すように、従来の技術を使用したデバイスで使用している電圧値が、遮光膜は0VGND、読み出しパルスは13V、転送パルスが-6.5Vであるとすれば、遮光膜と、読み出しパルスを印加する転送電極Aとの最大電位差は13Vとなる。本実施形態のCCDにおいて、このような電圧印加を前提とした場合、図12に示すように、読み出しパルス、及び転送電極13の印加バイアスは変更せず、OB画素領域20の第2の遮光膜32にOB遮光膜用外部端子VOBを介して印加するパルス電圧を6.5Vにすれば、電極間耐圧特性が、従来技術のデバイスと同程度のままであっても、静電破壊等の問題は生じないものと考えられる。なお、本実施形態では、読み出しパルスと、OB画素領域20の第2の遮光膜32に印加する正電圧パルスを完全に同期させた場合として説明した図4、図12を参照。しかし、読み出しパルスと、OB画素領域20の第2の遮光膜32に印加する正電圧パルスは、図13に示すように、完全に同期していない場合であってもソフトブレイクダウンの抑制は可能である。なぜなら、ソフトブレイクダウン起因で発生するノイズ信号は、受光センサ部11と垂直転送レジスタ部12との間発生する強電界の時間に比例するため、図示するように、読み出し用の電圧パルスと、第2の遮光膜32を印加する正電圧パルスとが時間的にある程度重なっていれば、ノイズ信号の発生は抑制可能である。上述してきた実施形態より、以下の固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法が実現される。1入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部11と、受光センサ部11から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部12と、受光センサ部11に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ部12に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極13と、が設けられ、受光センサ部11の上方に開口部51が形成された第1の遮光膜31により被覆された有効画素領域10と、この有効画素領域10に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第2の遮光膜32により被覆されたオプティカルブラック画素領域20と、を有する画素領域と、受光センサ部11から垂直転送レジスタ部12へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第2の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える固体撮像装置例えば、CCD。2上記1において、第1の遮光膜31と第2の遮光膜32とは、分離領域例えば、スリット33を介して電気的に分離されている固体撮像装置例えば、CCD。3上記2において、分離領域例えば、スリット33からの光の入射を遮る遮光手段を備える固体撮像装置例えば、CCD。4上記固体撮像装置において、前記遮光手段は、前記分離領域の上方に形成された第3の遮光膜35である固体撮像装置例えば、CCD。5入射された光に応じた撮像信号を得るための受光センサ部11と、受光センサ部11から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送レジスタ部12と、受光センサ部11に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ部12に読み出す際に所定電圧の読み出しパルスが印加される転送電極13と、が設けられ、受光センサ部11の上方に開口部51が形成された第1の遮光膜31により被覆された有効画素領域10と、この有効画素領域10に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第2の遮光膜32により被覆されたオプティカルブラック画素領域20と、を備え、受光センサ部11から垂直転送レジスタ部12へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第2の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する固体撮像装置の駆動方法。"