"処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、前記処理チャンバー外の前記誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、前記誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、処理ガスを供給するガス供給機構とを有し、前記ガス供給機構は、前記誘電体窓の周縁に沿って配設された周縁側ガス流路と、当該周縁側ガス流路に基端部が接続され、前記誘電体窓の中央方向に向かって延在する板体からなり、内部に配設され前記周縁側ガス流路に接続されたガス流路と、当該ガス流路に接続された複数のガス吐出口とを有する複数のフィン状ガス供給部とを具備し、前記フィン状ガス供給部は、延在方向に沿った回転軸の回りに回転可能とされていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置であって、前記フィン状ガス供給部が、誘電体から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項2記載のプラズマ処理装置であって、前記フィン状ガス供給部が、石英又はセラミックスから構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~3いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記フィン状ガス供給部に導体部が配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項4記載のプラズマ処理装置であって、前記導体部が、切換手段により、接地、フローティング、所定電位のいずれかに設定可能とされていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項4又は5記載のプラズマ処理装置であって、前記導体部は、前記フィン状ガス供給部の表面に導電性膜を形成して構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項4又は5記載のプラズマ処理装置であって、前記導体部は、前記フィン状ガス供給部の内部に導体が収容されて構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~7いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記フィン状ガス供給部が、駆動機構により回転可能とされていることを特徴とするプラズマ処理装置。上述したとおり、従来のプラズマ処理装置では、ガスを噴出させる部位が制約されるため、処理ガスの供給状態を制御して処理の面内均一性を向上させることが難しいという問題があった。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供しようとするものである。本発明のプラズマ処理装置は、処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、前記処理チャンバー外の前記誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、前記誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、処理ガスを供給するガス供給機構とを有し、前記ガス供給機構は、前記誘電体窓の周縁に沿って配設された周縁側ガス流路と、当該周縁側ガス流路に基端部が接続され、前記誘電体窓の中央方向に向かって延在する板体からなり、内部に配設され前記周縁側ガス流路に接続されたガス流路と、当該ガス流路に接続された複数のガス吐出口とを有する複数のフィン状ガス供給部とを具備し、前記フィン状ガス供給部は、延在方向に沿った回転軸の回りに回転可能とされていることを特徴とする。本発明によれば、従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供することができる。以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置1の構成を模式的に示す図である。同図に示すように、プラズマエッチング装置1は、処理チャンバー10を具備している。処理チャンバー10は、表面を陽極酸化処理されたアルミニウム等から略円筒状に構成されており、上部に開口を有する容器状に形成された処理チャンバー本体11と、この処理チャンバー本体11の上部開口を覆うように配設された上蓋12とからその主要部が構成されている。上蓋12には、石英等からなる誘電体窓13が設けられており、処理チャンバー10の外側の、誘電体窓13の上部近傍に位置するように、高周波コイル14が設けられている。この高周波コイル14は、図示しない高周波電源に接続されており、この高周波電源から所定周波数例えば、13.56MHzの高周波電力が供給されるようになっている。処理チャンバー10の内部には、誘電体窓13の下方に位置するように、半導体ウエハW等の基板を載置するための載置台15が設けられている。載置台15の基板載置面には、半導体ウエハW等の基板を吸着するための図示しない静電チャック等が設けられている。また、この載置台15には、バイアス電圧印加のための図示しない高周波電源が接続されている。載置台15の周囲には、下方に向けて排気するための環状の排気空間16が設けられており、排気空間16は、排気装置図示せず。と連通されている。また、処理チャンバー本体11の側壁部分には、処理する半導体ウエハW等の基板を搬入、搬出するための図示しない搬入搬出口が設けられており、この搬入搬出口には、ゲートバルブ等の図示しない開閉機構が設けられている。誘電体窓13の内側には、処理ガス供給機構30が配設されている。この処理ガス供給機構30は、図2にも示すように、誘電体窓13の周縁に沿って配設され、円環状に構成された環状部材31を具備しており、この環状部材31の内部には、周方向に沿って周縁側ガス流路32a,32bが形成されている。本実施形態では、環状部材31の内部に同心状に2つの周縁側ガス流路32a,32bが形成された構成となっている。これは、例えば処理チャンバー10の中央部と周縁部とで、処理ガスの供給系を分けることができるようにするためである。しかし、周縁側ガス流路の数は、2つに限られるものではなく、1つとしても、3つ以上としてもよい。図3に示すように、周縁側ガス流路32a,32bには、ガス供給部40a,40bが夫々接続されている。また、これらのガス供給部40a,40bは、夫々図示しない処理ガス供給源に接続されている。図5は、ガス供給部40a,40bの構成を拡大して示すものである。図5に示すように、上蓋12内には、上蓋12の外側と内側とを連通するように2つのガス流路41図5には1つのみ示す。が形成されており、このガス流路41の外側開口部には、ガス供給部40a,40bが接続されている。また、ガス流路41の内側開口部には、接続機構42が配設されており、この接続機構42によって環状部材31と接続され、周縁側ガス流路32a,32bのいずれか一方とガス流路41とが連通されている。図1及び図2に示すように、環状部材31の内周側には、複数のフィン状ガス供給部33が配設されている。図4aに側面概略構成、図4bに下面概略構成を示すように、これらのフィン状ガス供給部33は、その全体形状が略長方形状の板体から構成されており、その基端側に円筒状に構成された基端部33aが配設されている。そして、この基端部33aが、環状部材31の内周面に配設された円穴39図3に示す。に挿入されて回転自在に係止され、先端側が誘電体窓13の中央方向に向かって延在するように配設されている。フィン状ガス供給部33の内部には、その長手方向に沿ってガス流路34が形成されており、このガス流路34は、基端部33aにおいて周縁側ガス流路32a,32bのいずれか一方又は双方と連通される構成となっている。本実施形態において、フィン状ガス供給部33は、誘電体、例えば、石英又はセラミックス等から構成されている。また、フィン状ガス供給部33の下側面には、複数のガス吐出口35が形成されており、ガス流路34は、これらのガス吐出口35と連通されている。さらに、基端部33aには、環状部材31との間を気密に封止するための複数3つのOリング36と、ガス流路34と周縁側ガス流路32a,32bとを連通させるための2つの連通用開口37が配設されている。なお、連通用開口37を1つのみ設け、周縁側ガス流路32a,32bのいずれか一方とのみと連通するように構成し、周縁側ガス流路32aにのみ連通するものと、周縁側ガス流路32bにのみ連通するものの2種類のフィン状ガス供給部33を配設した構成としてもよい。このような構成によって、ガス供給部40a,40bから周縁側ガス流路32a,32bに供給された処理ガスを、ガス流路34を介して、処理チャンバー10内に分散して配置されたガス吐出口35から吐出させ、処理チャンバー10内に均一に処理ガスを供給することができるようになっている。なお、各フィン状ガス供給部33は、高周波コイル14に対して直交する方向に延在するよう配設されているので、フィン状ガス供給部33の陰になることによって、載置台15上に載置された半導体ウエハに、プラズマ処理の不均一な部分が発生することを抑制することができる。また、図2aに上面構成、図2bに先端部の側面構成を拡大して示すように、フィン状ガス供給部33は、環状部材31に対して、その延在方向長手方向に沿った回転軸の回りに夫々独立に回転可能とされている。すなわち、図2a,bにおいて、左側部分には、各フィン状ガス供給部33をその側面が略垂直になった状態立てた状態を示し、右側部分には、各フィン状ガス供給部33をその側面が垂直から略45°回転させた状態寝かせた状態を示している。なお、各フィン状ガス供給部33の回転は、処理チャンバー10を大気開放した際に手作業によって行ってもよく、回転駆動機構を設けて随時行えるようにしてもよい。このように各フィン状ガス供給部33を回転させることにより、図2aに示すように、誘電体窓13の上部から処理チャンバー10の内部を見たときに、フィン状ガス供給部33によって遮られて見えない領域の面積を変更できるようになっている。すなわち、高周波コイル14から見たときに、載置台15上に載置された半導体ウエハWが見える部分高周波コイル14からの高周波に直接晒される部分の面積を変更することができるようになっている。また、各フィン状ガス供給部33を回転させることにより、ガス吐出口35から吐出させる処理ガスの噴き出し方向を変更することができる。したがって、この処理ガスの噴き出し方向を最適な状態に調整することによって、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。なお、図2aに示すように上側から見たときに、隣接するフィン状ガス供給部33が重なり合っているために、載置台15上の半導体ウエハWが見えない状態であっても、図2bに示すように、隣接するフィン状ガス供給部33の間には、間隙が形成されている。したがって、例えば、一枚の板状の誘電体で半導体ウエハWが見えないように覆った場合に比べて、高周波コイル14からの高周波は、処理チャンバー10内のプラズマが発生する空間内に入り易いようになっている。また、本実施形態では、フィン状ガス供給部33の表面に、導電性薄膜が形成されており、フィン状ガス供給部33がファラデーシールドとしての機能を果たすようになっている。このため、図6に示すように、上蓋12には、フィン電極配線50が埋設されており、フィン電極配線50の先端部には、固定継手51が配設されている。また、環状部材31の外周部には、各フィン状ガス供給部33の導電性薄膜と電気的に接続された環状のフィン連結板52が配設されており、このフィン連結板52の所定部位に電極端子53が配設されている。そして、固定継手51が押さえナット54によって、電極端子53に固定されることによって。各フィン状ガス供給部33の導電性薄膜とフィン電極配線50とが電気的に接続されている。このような機構によって、各フィン状ガス供給部33の表面に形成された導電性薄膜がフィン電極配線50と電気的に接続され、図示しない切換機構によって、フィン電極配線50を接地電位、フローティング、所定電位のいずれかに接続することによって、各フィン状ガス供給部33の表面に形成された導電性薄膜の電位を切り換えることができるようになっている。このような電位の切り替えと、各フィン状ガス供給部33の回転位置を調整することによって、ファラデーシールドとしての機能を、プラズマ処理に適した状態に設定できるようになっている。なお、本実施形態では、フィン状ガス供給部33の表面に導電性薄膜を形成した構成としたが、フィン状ガス供給部33の表面ではなく、内部に導電性薄膜を形成したり、内部に導電性部材を挟み込んだ構成としてもよい。この場合、石英等からなる2枚の板体の間に導電性部材を挟み込み、これらの板体を拡散接合等によって接合した構成とすることができる。なお、板体の一方又は双方の内側面に溝を形成しておくことによって、2枚の板体を接合してガス流路34等を形成することかできる。このようにフィン状ガス供給部33の内部に導電性の部分を設ければ、プラズマエッチングの際に、導電性材料による汚染が発生することを防止することができる。なお、フィン状ガス供給部33をファラデーシールドとして機能させない場合は、導電性薄膜の形成や、導電性部材の挟み込みは、行わなくてもよい。上記構成の処理ガス供給機構30では、高周波コイル14の直近にガス拡散室が無い構造となっているため、ガス拡散室内における放電の発生対策を行う必要がない。また、半導体ウエハWの中央部及び周辺部に限定されることなく、処理ガスの噴出位置を半導体ウエハWの径方向の任意の複数の位置に設定することができるので、処理ガスを半導体ウエハWの上方の処理空間に均一に供給して、処理の面内均一性の向上を図ることができる。また、所望により処理ガスを処理空間内に不均一に供給してプラズマ処理の状態を任意に制御することもできる。上記構成のプラズマエッチング装置1によって、半導体ウエハWのプラズマエッチングを行う場合、図示しない開閉機構を開き、図示しない搬入搬出口から処理チャンバー10内に半導体ウエハWを搬入し、載置台15に載置して静電チャックにより吸着する。次いで、図示しない開閉機構を閉じ、図示しない真空ポンプ等によって、処理チャンバー10内を所定の真空度となるまで真空引する。その後、所定流量の所定の処理ガスエッチングガスを、処理ガス供給機構30によって処理チャンバー10内に供給する。この際、処理ガス導入部40a,40bから導入された処理ガスが、周縁側ガス流路32a,32b、及びガス流路34を介して、処理チャンバー10内に分散して配置されたガス吐出口35から吐出する。そして、処理チャンバー10内の圧力が、所定の圧力に維持された後、高周波コイル14に所定の周波数の高周波電力が印加される。これにより、処理チャンバー10内の半導体ウエハWの上方の処理空間内には、エッチングガスのICPプラズマが発生する。また、必要に応じて、載置台15に、図示しない高周波電源からバイアス用の高周波電圧が印加され、ICPプラズマによる半導体ウエハWのプラズマエッチングが行われる。この時、処理ガス供給機構30により、処理チャンバー10内の分散された複数箇所から処理ガスを供給するので、半導体ウエハWに供給される処理ガスをより均一化することができる。また、処理ガス供給機構30のフィン状ガス供給部33は、高周波コイル14と直交する方向に延在するよう構成されているので、誘電体窓13を介して処理空間に誘導される電磁場が遮られて半導体ウエハWの処理状態が不均一になることも抑制することができる。これによって、プラズマの状態を均一化することができ、半導体ウエハWの各部に均一なエッチング処理を施すことができる。すなわち、処理の面内均一性を向上させることができる。そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の印加及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー10内から搬出される。次に、図7~9を参照して第2実施形態に係るプラズマエッチング装置1aについて説明する。第2実施形態では、上述した第1実施形態の処理ガス供給機構30を、処理ガス供給機構30aとした点が第1実施形態と相違している。図7に示すように、第2実施形態では、処理ガス供給機構30aが、第1実施形態と同様な大きさのフィン状ガス供給部33と、これより長さの短いフィン状ガス供給部133とを組み合わせて構成されている。すなわち、フィン状ガス供給部33と、長さの短いフィン状ガス供給部133とが交互に配設されて処理ガス供給機構30aが構成されている。図8aに側面概略構成、図8bに下面概略構成を示すように、フィン状ガス供給部133は、その全体形状が略長方形状の板体から構成されており、その基端側に円筒状に構成された基端部133aが配設されている。そして、この基端部133aが図7に示した環状部材31の内周面に配設された円穴39に挿入されて回転自在に係止され、先端側が誘電体窓13の中央方向に向かって延在するように配設されている。フィン状ガス供給部133の内部には、その長手方向に沿ってガス流路134が形成されている。また、フィン状ガス供給部133の下側面には、複数2つののガス吐出口135が形成されており、ガス流路134は、これらのガス吐出口135と連通されている。さらに、基端部133aには、環状部材31との間を気密に封止するための複数3つのOリング36と、ガス流路134と周縁側ガス流路32a,32bのうち内周側の周縁側ガス流路32bとを連通させるための連通用開口137が配設されている。一方、図9に示すように、長さの長いフィン状ガス供給部33は、基端部33aにおいて周縁側ガス流路32a,32bのうち、外側の周縁側ガス流路32aと連通用開口37を介して連通される構成となっている。このような構成とすることによって、フィン状ガス供給部133には、内周側の周縁側ガス流路32bから処理ガスを供給し、フィン状ガス供給部33には、外周側の周縁側ガス流路32aから処理ガスを供給するようになっている。なお、上記の構成以外は、前述した第1実施形態と同様に構成されているので、対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。第2実施形態では、長さの長いフィン状ガス供給部33の間に、長さの短いフィン状ガス供給部133を配設した構成となっている。したがって、第1実施形態よりもフィン状ガス供給部の数が多くなっており、それに従って、ガス吐出口135の数も多くなっている。これにより、より均一化して処理ガスを処理チャンバー10内に供給することができ、処理の面内均一性をより向上させることができる。また、フィン状ガス供給部33が周縁側ガス流路32aに接続され、フィン状ガス供給部133が周縁側ガス流路32bに接続されているので、フィン状ガス供給部33とフィン状ガス供給部133とによって、処理ガスの供給状態を異ならせるよう制御することができるので、よりきめ細かく処理ガスの供給状態を調整することができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、フィン状ガス供給部の種類は1又は2に限られるものではなく、3以上としてもよい。"