金属板、金属箔、及び前記金属板と前記金属箔との間に配置された樹脂層を備える金属ベース基板のうち前記樹脂層の形成に用いる樹脂組成物であって、A重量平均分子量が4.0×104~4.9×104のビスフェノールA型フェノキシ樹脂と、B無機充填剤と、Cシランカップリング剤と、を含み、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記Cシランカップリング剤の含有量を、c質量とし、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記B無機充填剤の含有量をb質量としたとき、5×10-2<c-b×1/100<11を満たす樹脂組成物。請求項1に記載の樹脂組成物において、前記金属板がアルミニウム板である、樹脂組成物。請求項1または2に記載の樹脂組成物において、前記無機充填剤が水酸化アルミニウムまたはアルミナである、樹脂組成物。請求項1から3のいずれか1項に記載の樹脂組成物において、前記フェノキシ樹脂の含有量は、前記樹脂組成物の合計値100質量に対して10重量以上40重量以下である、樹脂組成物。請求項1から4のいずれか1項に記載の樹脂組成物において、エポキシ樹脂をさらに含む、樹脂組成物。請求項5に記載の樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂がDビスフェノールA型エポキシ樹脂である、樹脂組成物。金属板、金属箔、及び前記金属板と前記金属箔との間に配置された樹脂層を備え、前記樹脂層が請求項1から6のいずれか1項に記載の樹脂組成物である、金属ベース基板。請求項7に記載の金属ベース基板において、121°C、湿度100、96時間の条件でのPCT処理後の絶縁抵抗値/PCT処理前の絶縁抵抗値が10-3以上10-1以下である、金属ベース基板。シランカップリング剤で表面処理されていない金属板を準備する工程と、前記シランカップリング剤で表面処理されていない金属板の少なくとも一面上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に金属箔を形成する工程と、を有し、前記樹脂層は、A重量平均分子量が4.0×104~4.9×104のビスフェノールA型フェノキシ樹脂と、B無機充填剤と、Cシランカップリング剤と、を含み、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記Cシランカップリング剤の含有量を、c質量とし、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記B無機充填剤の含有量をb質量としたとき、5×10-2<c-b×1/100<11を満たす、金属ベース基板の製造方法。請求項9に記載の金属ベース基板の製造方法において、前記B無機充填剤が、平均粒径D50が3μm以上5μm以下である単分散のアルミナを含む、金属ベース基板の製造方法。発明者らが検討した結果、上記の先行技術の金属ベース基板においては、金属板と樹脂層との密着性、ヒートサイクル性及び絶縁抵抗性のバランスに改善の余地を有していることが見出された。本発明は、以下のものを含む。[1]金属板、金属箔、及び前記金属板と前記金属箔との間に配置された樹脂層を備える金属ベース基板のうち前記樹脂層の形成に用いる樹脂組成物であって、A重量平均分子量が4.0×104~4.9×104のビスフェノールA型フェノキシ樹脂と、B無機充填剤と、Cシランカップリング剤と、を含み、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記Cシランカップリング剤の含有量を、c質量とし、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記B無機充填剤の含有量をb質量としたとき、5×10-2<c-b×1/100<11を満たす樹脂組成物。[2][1]に記載の樹脂組成物において、前記金属板がアルミニウム板である、樹脂組成物。[3][1]または[2]に記載の樹脂組成物において、前記無機充填剤が水酸化アルミニウムまたはアルミナである、樹脂組成物。[4][1]から[3]のいずれか1項に記載の樹脂組成物において、前記フェノキシ樹脂の含有量は、前記樹脂組成物の合計値100質量に対して10重量以上40重量以下である、樹脂組成物。[5][1]から[4]のいずれか1項に記載の樹脂組成物において、エポキシ樹脂をさらに含む、樹脂組成物。[6][5]に記載の樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂がDビスフェノールA型エポキシ樹脂である、樹脂組成物。[7]金属板、金属箔、及び前記金属板と前記金属箔との間に配置された樹脂層を備え、前記樹脂層が[1]から[6]のいずれか1項に記載の樹脂組成物である、金属ベース基板。[8][7]に記載の金属ベース基板において、121°C、湿度100、96時間の条件でのPCT処理後の絶縁抵抗値/PCT処理前の絶縁抵抗値が10-3以上10-1以下である、金属ベース基板。[9]シランカップリング剤で表面処理されていない金属板を準備する工程と、前記シランカップリング剤で表面処理されていない金属板の少なくとも一面上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に金属箔を形成する工程と、を有し、前記樹脂層は、A重量平均分子量が4.0×104~4.9×104のビスフェノールA型フェノキシ樹脂と、B無機充填剤と、Cシランカップリング剤と、を含み、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記Cシランカップリング剤の含有量を、c質量とし、前記樹脂組成物の合計量100質量に対する前記B無機充填剤の含有量をb質量としたとき、5×10-2<c-b×1/100<11を満たす、金属ベース基板の製造方法。[10][9]に記載の金属ベース基板の製造方法において、前記B無機充填剤が、平均粒径D50が3μm以上5μm以下である単分散のアルミナを含む、金属ベース基板の製造方法。本発明によれば、金属板と樹脂層との密着性、ヒートサイクル性、及び絶縁抵抗性のバランスに優れた金属ベース基板が実現される。本発明の樹脂組成物について説明する。本発明の樹脂組成物は、金属板、金属箔、及びこれらの金属板と金属箔との間に配置された樹脂層を備える金属ベース基板のうち当該樹脂層の形成に用いる樹脂組成物である。このような樹脂組成物は、A重量平均分子量が4.0×104~4.9×104のビスフェノールA型フェノキシ樹脂、B無機充填剤、及びCシランカップリング剤を含み、かつ、5×10-2<c-b×1/100<11を満たすことにより特定される。以下、詳述する。A重量平均分子量が4.0×104~4.9×104のビスフェノールA型フェノキシ樹脂以下、単にAフェノキシ樹脂ということがある。とは、Aフェノキシ樹脂の構造中にジフェニルプロパン構造を有する化合物であって、重量平均分子量が4.0×104~4.9×104であれば特に限定されない。Aフェノキシ樹脂を樹脂層に含むことにより、樹脂層と金属板との密着性が向上するだけでなく、プレス時に、流動性が改善され、ボイド等なく成形することが可能となる。また分子量が4.0×104~4.9×104であることにより、次の効果が得られる。第1に、低弾性率化が可能となり、金属ベース基板に用いると応力緩和性にも優れることになる。例えば、本発明の樹脂組成物を用いた金属ベース基板を利用して、電子部品等を実装した半導体装置を製造した場合、当該半導体装置は、急激な加熱/冷却の環境下においても、電子部品と金属ベース基板を接合する半田接合部、またはその近傍で、クラック等の不良が発生することが抑制されることになる。また、Aフェノキシ樹脂の重量平均分子量を4.0×104以上とすることにより、充分に低弾性率化することができるとともに、半導体装置に用いた場合、急激な加熱/冷却下で、半田接合部、またはその近傍でのクラックが発生しにくくなる。このように金属ベース基板のヒートサイクル特性を向上させることができる。また、Aフェノキシ樹脂の重量平均分子量を4.9×104以下とすることにより、粘度上昇により、プレス時の流動性が悪化し、ボイド等が発生することが抑制されて、金属ベース基板の絶縁信頼性を高めることが可能となる。このように金属ベース基板の絶縁特性を向上させることができる。Aフェノキシ樹脂の含有量は、樹脂組成物全体の10~40重量であることが好ましい。Aフェノキシ樹脂の含有量を10重量以上とすることにより、弾性率を下げる効果を十分に得られ、金属ベース基板に用いたときの応力緩和性に優れ、急激な加熱/冷却を受けても半田或いはその近傍でのクラックが発生することを抑制することができる。Aフェノキシ樹脂の含有量を40重量以下とすることにより、プレス時の流動性が悪化し、ボイド等が発生することが抑制され、金属ベース基板の絶縁信頼性を高めることができる。なお、樹脂組成物全体とは、例えば、溶剤等を用いたワニスの場合は、溶剤を除く固形を意味し、液状エポキシ、カップリング剤等の液状成分は、樹脂組成物に含まれる。B無機充填剤は、特に限定されないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、炭化ケイ素などが挙げられる。これらの中でも、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカが、高熱伝導性の観点から好ましい。さらに好ましくは、アルミナである。アルミナを用いた場合、高熱伝導性に加え、耐熱性、絶縁性の点で好ましい。また、結晶性シリカまたは非晶性シリカは、イオン性不純物が少ない点で好ましい。絶縁信頼性に優れる金属ベース基板を製造することができる。結晶性シリカまたは非晶性シリカは、プレッシャークッカテスト等の水蒸気雰囲気下で絶縁性が高く、金属、アルミ線、アルミ板等の腐食が少ない点で好適である。一方、難燃性の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。さらに、溶融粘度調整やチクトロピック性の付与の目的においては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。B無機充填剤の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の40~70重量であることが好ましい。B無機充填剤の含有量を40重量以上とすることにより、熱抵抗を低減させ、十分な放熱性を得ることができる。一方、B無機充填剤の含有量を70重量以下とすることにより、プレス時の流動性が悪化し、ボイド等が発生することを抑制することができる。Cシランカップリング剤の含有量は、下記式を満たすことが好ましい。すなわち、5×10-2<c-b×1/100<11。上記中、c質量は、樹脂組成物の合計量100質量に対するCシランカップリング剤の含有量を示し、b質量は、樹脂組成物の合計量100質量に対するB無機充填剤の含有量を示すものとする。上記式中[c-b×1/100]は、B無機充填剤の表面に付着せずに、樹脂組成物中に存在しているCシランカップリング剤すなわち、樹脂組成物中の遊離しているCシランカップリング剤の含有量を示す。以下、この点を説明する。まず、Cシランカップリング剤は、分子内に有機材料及び無機材料と結合する官能基を合わせ持っている。このCシランカップリング剤を介して、無機材料と有機材料とが結合されることになる。Cシランカップリング剤は、本技術分野において、B無機充填剤と樹脂組成物との接着に用いられており、B無機充填剤の表面に処理されることになる。このため、Cシランカップリング剤の処理量Cシランカップリング剤の樹脂組成物全体に対する含有量は、B無機充填剤の含有量に応じて、決定されることになる。通常、Cシランカップリング剤の処理量は、B無機充填剤の合計量100質量に対して0.5~1質量程度であることが知られている。したがって、上記式中のb×1/100は、B無機充填剤に対するCシランカップリング剤の一般的な処理量を示す。そして、Cシランカップリング剤の全量cから、Cシランカップリング剤の処理量b×1/100を差し引くことにより、前述のとおり、樹脂組成物中の遊離しているCシランカップリング剤の含有量[c-b×1/100]を見積もることができる。このような樹脂組成物中の遊離しているCシランカップリング剤は、B無機充填剤の表面に付着せずに、樹脂組成物中に存在している。こうしたCシランカップリング剤は、無機材料である金属板に作用して、樹脂層と金属板との密着性を高めることができる。本発明において、樹脂組成物中の遊離しているCシランカップリング剤の含有量を特定の範囲とすることにより、金属板と樹脂層との密着性、及びヒートサイクル特性のバランスを実現することができる。すなわち、樹脂組成物中の遊離しているCシランカップリング剤の含有量として、下限値は好ましくは5×10-2質量以上、より好ましくは1×10-1質量以上、さらに好ましくは5×10-1質量以上であり、上限量は、特に限定されないが、例えば、好ましくは11質量以下であり、より好ましくは10質量以下であり、さらに好ましくは9質量以下である。樹脂組成物中の遊離しているCシランカップリング剤の含有量を下限値以上とすることにより、B無機充填剤から得られる効果を充分に引き出すとともに、金属板と樹脂層との密着性を高め、金属ベース基板の絶縁性特性を向上させることが可能となる。また、樹脂組成物中の遊離しているCシランカップリング剤の含有量を上限値以下とすることにより、シランカップリング剤が加水分解されて、半田耐熱性が低下することが抑制される。従来において、たとえば、[c-b×1/100]が0以下となるのは、Cシランカップリング剤の処理量がB無機充填剤の合計量100質量に対して1質量程度である場合、言い換えると、Cシランカップリング剤の一般的な処理量を用いた場合であることを示すと言える。この種の樹脂組成物を用いた金属ベース基板には、金属板と樹脂層との密着性の改善において、相当の余地を有していた。これに対して、本発明においては、[c-b×1/100]>0.05となる。これにより、金属板と樹脂層との密着性を高め、金属ベース基板の絶縁性特性を向上させることが可能となる。樹脂組成物は、改質剤として、エポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂を添加することにより、樹脂組成物の耐湿性、耐熱性、特に吸湿後の耐熱性が改善される。エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば、特に限定されず、例えば、ビスフェノールA系、ビスフェノールF系、ビフェニル系、ノボラック系、多官能フェノール系、ナフタレン系、脂環式系及びアルコール系等のグリシジルエーテル、グリシジルアミン系並びにグリシジルエステル系等が挙げられ、1種又は2種以上を混合して使用することができる。これらの中で、耐熱性、耐湿性、金属接着性およびプレス成形時の流動性の点から、ビスフェノールAエポキシ樹脂が好ましく、特に常温で液状のビスフェノールAエポキシ樹脂が好ましい。常温で液状のビスフェノールAエポキシ樹脂は、プレス成形時の流動性が特に優れる上、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂との相溶性に優れ、樹脂組成物が相分離等を起こさないため、耐熱性に優れる。本発明の樹脂組成物は、さらに、エポキシ樹脂の硬化剤を含んでも良い。硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、酸無水物、アミン化合物及びフェノール化合物等が挙げられる。本発明の樹脂組成物は、必要に応じて、硬化促進剤を用いても良い。硬化促進剤は、特に限定されないが、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、第三級アミン類及び第四級アンモニウム塩等が挙げられる。本発明の樹脂組成物は、その他必要に応じ、任意に公知の熱可塑性樹脂、エラストマー、難燃剤及び充填剤、色素、紫外線吸収剤等の併用ができる。次に、樹脂付き金属箔について説明する。前述した樹脂組成物を用いた樹脂付き金属箔は、樹脂組成物からなる樹脂層を金属箔上に形成することにより得られる。まず、樹脂層を形成するため本発明の樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。樹脂ワニス中の樹脂組成物の含有量は、特に限定されないが、45~85重量が好ましく、特に55~75重量が好ましい。次に樹脂ワニスを、各種塗工装置を用いて、金属箔上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスをスプレー装置により金属箔に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これらの方法により樹脂付き金属箔を作製することができる。塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁層の厚みを有する樹脂付き金属箔を効率よく製造することができる。樹脂層の厚さは、50μm~250μmの範囲が好ましい。樹脂層の厚さを50μm以上とすることにより、金属ベース基板に用いる、例えば、アルミニウム板等の金属板と樹脂層との熱膨張率差による熱応力の発生を絶縁接着層で緩和することが十分にできる。このような金属ベース基板に半導体素子、抵抗部品等を表面実装した場合、部材間の歪が大きくなることを抑制し、十分な熱衝撃信頼性を得ることができる。また、樹脂層の厚さを250μmとすることにより、金属ベース基板の表面実装部分における歪量が少なくなり、良好な熱衝撃信頼性を得ることができるとともに、熱抵抗が低減し十分な放熱性を得ることができる。金属箔は、特に限定されないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等の金属箔が挙げられる。これらの中でも、金属箔をエッチングにより導体回路として用いることができる点で銅箔が好ましい。また、低熱膨張の観点から、鉄-ニッケル合金が好ましい。尚、前記金属箔の製造方法は、電解法または圧延法のいずれでもよい。また、金属箔上にはNiメッキ、Ni-Auメッキ、半田メッキなどの金属メッキがほどこされていてもかまわないが、絶縁接着層との接着性の点から導体回路の絶縁接着層に接する側の表面はエッチングやメッキ等により予め粗化処理されていることが一層好ましい。前記金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.5μm以上105μm以下であることが好ましく、さらには1μm以上70μm以下が好ましく、とくに好ましくは9μm以上35μm以下が好ましい。金属箔の厚さを下限値以下とすることにより、ピンホールの発生を抑制し、金属箔をエッチングし導体回路として用いた場合、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する虞を回避することができる。また、金属箔の厚さを上限値以下とすることにより、金属箔の厚みバラツキを小さくして、金属箔粗化面の表面粗さバラツキを抑制することができる。また、金属箔としては、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで絶縁層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。次に、金属ベース基板について説明する。本発明の金属ベース基板は、金属板、金属箔及び、これらの金属板と金属箔との間に配置された樹脂層を備え、当該樹脂層は上記の樹脂組成物で構成されるものである。このような金属ベース基板は、例えば、121°C、湿度100、96時間の条件でのPCT処理後の絶縁抵抗値/PCT処理前の絶縁抵抗値が10-3以上10-1以下であることにより特定されてもよい。前述の通り樹脂組成物がAフェノキシ樹脂を有しているので、本発明の金属ベース基板は絶縁特性に優れることになる。本発明に係る金属ベース基板の製造方法は、特に限定されないが、例えば、金属板の片面又は両面に前記樹脂付き金属箔の樹脂面が接するように積層し、プレス等を用い加圧加熱硬化させて樹脂層を形成することにより金属ベース基板を得ることができる。金属ベース基板は、金属箔をエッチングすることにより、回路形成して、回路基板として用いることができる。多層にする場合は、前記金属ベース基板に回路形成後、さらに樹脂付き金属箔を積層し、前記同様エッチングすることにより回路形成することにより多層の金属ベース基板を得ることができる。なお、最外層にソルダーレジストを形成し、露光現像により半導体素子や電子部品が実装できるよう接続用電極部を露出させても良い。前記金属板の厚みは、特に限定されないが、厚み0.5~5.0mmであることが好ましい。熱放散性に優れ、しかも経済的であるからである。金属ベース基板を作製する別の方法としては、金属板に前記樹脂ワニスを塗工し、その後、金属箔を積層し加熱加圧する方法が挙げられる。前記同様エッチングにより回路形成して用いることもできる。尚、前記において金属板に前記樹脂ワニスを塗工し、樹脂を硬化させた後、無電解めっき、および電解めっきにより回路形成を行っても良い。また、本実施の形態の金属ベース基板の製造方法としては、シランカップリング剤で表面処理されていない金属板を準備する工程と、シランカップリング剤で表面処理されていない金属板の少なくとも一面上に樹脂層を形成する工程と、当該樹脂層上に金属箔を形成する工程と、を有してもよい。樹脂層は、上記の樹脂組成物を用いることができる。このように、本発明は、樹脂組成物中に遊離しているCシランカップリング剤の含有量を充分に確保し、さらに高分子のAフェノキシ樹脂を併用することにより、金属板にシランカップリング剤を処理する工程を省略することができるので、工程の簡略化を図ることができる。また、本実施の形態の金属ベース基板の製造方法において、B無機充填剤が、平均粒径D50が3μm以上5μm以下である単分散のアルミナを含む樹脂組成物を用いることが好ましい。これにより、製品間において、樹脂組成物中の遊離するCシランカップリング剤の含有量のバラツキが抑制され、製品間の特性バラツキが抑制される。以上から、本発明によれば、金属ベース基板との密着性、ヒートサイクル性に優れる、十分な絶縁抵抗を有する金属ベース基板を実現することができる。また、本発明の樹脂組成物は、金属板との密着性に優れるため、長期絶縁信頼性試験において、良好な絶縁抵抗を示し、絶縁信頼性を有することができる。加えて、本発明の樹脂組成物は、無機充填剤を含有させていることで従来からの熱放散性が優れる点、耐電圧等の電気絶縁性に優れる点等が良好のままに維持されていながら、応力緩和性が改善されている。本発明の樹脂組成物、樹脂付き金属箔、及び金属ベース基板は自動車のエンジンル-ム等過酷な環境化で用いられる基板にでも使用することができ、産業上非常に有用である。以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。<実施例A>実施例及び比較例において用いた原材料は以下の通りである。1ビスフェノールA型フェノキシ樹脂三菱化学製、1255、重量平均分子量4.8×1042ビスフェノールA型フェノキシ樹脂新日鐵化学製、YP-55U、重量平均分子量4.2×1043ビスフェノールA型エポキシ樹脂DIC製、850S、エポキシ当量1904ビスフェノールA型エポキシ樹脂三菱化学製、1001、エポキシ当量4755ジシアンジアミドデグサ製6フェノールノボラック樹脂DIC製、TD-2010、水酸基当量10572-フェニルイミダゾール四国化成製、2PZ8γ-グリシドキシプロピルトリトメキシシラン信越シリコーン製、KBM-4039水酸化アルミニウム昭和電工製、HP-36010アルミナ電気化学工業製、AS-5011窒化ホウ素電気化学工業製、SPG-312ビスフェノールA型フェノキシ樹脂新日鐵化学製、YD-020H、重量平均分子量1.0×10413ビスフェノールA型フェノキシ樹脂新日鐵化学製、YP-50、重量平均分子量5.0×10414シリコーン樹脂モメンティブパフォーマンズ製XE14-A0425A、ポリアルキルアルケニルシロキサン15シリコーン樹脂モメンティブパフォーマンズ製XE14-A0425B、ポリアルキル水素シロキサン実施例A11樹脂ワニスの調製ビスフェノールA型フェノキシ樹脂三菱化学製、1255、重量平均分子量4.8×10422.0重量、ビスフェノールA型エポキシ樹脂DIC製、850S、エポキシ当量19010.0重量、ビスフェノールA型エポキシ樹脂三菱化学製、1001、エポキシ当量47515.0重量部、2-フェニルイミダゾール四国化成製2PZ1.0重量部、シランカップリング剤としてγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン信越シリコーン製KBM-4032.0重量部、水酸化アルミニウム昭和電工製、HP-360、粒径3.0μm50.0重量部をシクロヘキサノンに溶解混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70重量のワニスを得た。2樹脂付き金属箔の作製金属箔として、厚さ70μmの銅箔古河サーキットホイル製、GTSMPを用い、銅箔の粗化面に樹脂ワニスをコンマコーターにて塗布し、100°Cで3分、150°Cで3分加熱乾燥し、樹脂厚100μmの樹脂付き銅箔を得た。3金属ベース基板の作製前記樹脂付き銅箔と金属板として2mm厚のアルミニウム板を張り合わせ、真空プレスで、プレス圧30kg/cm2で80°C30分、200°C90分の条件下で、プレスし金属ベース基板を得た。実施例A2~A11、および比較例A1~A6表1、及び表2に記載の配合表に従い樹脂ワニスを調製した以外は、実施例A1と同様に樹脂ワニスを調製し、樹脂付き銅箔、金属ベース基板を作製した。また、各実施例および比較例により得られた金属ベース基板について、次の各評価を行った。評価結果を表1、及び表2に示す。<実施例B>実施例及び比較例において用いた原材料は以下の通りである。1ビスフェノールA型フェノキシ樹脂三菱化学製、1255、重量平均分子量4.8×1042ビスフェノールA型フェノキシ樹脂新日鐵化学製、YP-55U、重量平均分子量42×1043ビスフェノールA型エポキシ樹脂DIC製、850S、エポキシ当量1904ビスフェノールF型エポキシ樹脂DIC製、830S、エポキシ当量1705ジシアンジアミドデグサ製62-フェニルイミダゾール四国化成製、2PZ7γ-グリシドキシプロピルトリトメキシシラン信越シリコーン製、KBM-4038アルミナ日本軽金属製、LS-210、平均粒径3.6μm9ビスフェノールA型フェノキシ樹脂新日鐵化学製、YD-020H、重量平均分子量10×10410ビスフェノールA型フェノキシ樹脂新日鐵化学製、YP-50、重量平均分子量50×104実施例B11樹脂ワニスの調製ビスフェノールA型フェノキシ樹脂三菱化学製、1255、重量平均分子量4.8×1046.7重量、ビスフェノールA型エポキシ樹脂DIC製、850S、エポキシ当量1908.4重量、ジシアンジアミドデグサ製0.4重量、2-フェニルイミダゾール四国化成製2PZ0.1重量、シランカップリング剤としてγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン信越シリコーン製KBM-4031.0重量、アルミナ日本軽金属製、LS-210B、粒径3.6μm83.4重量をシクロヘキサノンに溶解混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、樹脂組成物が固形分基準で70重量のワニスを得た。2樹脂付き金属箔の作製金属箔として、厚さ70μmの銅箔古河サーキットホイル製、GTSMPを用い、銅箔の粗化面に樹脂ワニスをコンマコーターにて塗布し、100°Cで3分、150°Cで3分加熱乾燥し、樹脂厚100μmの樹脂付き銅箔を得た。3金属ベース基板の作製前記樹脂付き銅箔と金属板として2mm厚のアルミニウム板を張り合わせ、真空プレスで、プレス圧30kg/cm2で80°C30分、200°C90分の条件下で、プレスし金属ベース基板を得た。実施例B2~B6、および比較例B1~B6表3、及び表4に記載の配合表に従い樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニスを調製し、樹脂付き銅箔、金属ベース基板を作製した。また、各実施例および比較例により得られた金属ベース基板について、次の各評価を行った。評価結果を表3、及び表4に示す。評価方法上述の各評価について、評価方法を以下に示す。1ピール強度前記実施例、及び比較例で得られた金属ベース基板から100mm×20mmの試験片を作製し、23°Cにおける金属ベース基板と樹脂層とのピール強度を測定した。尚、ピール強度測定は、JISC6481に準拠して行った。2半田耐熱性得られた金属ベース基板を50mm×50mmにグラインダーソーでカットした後、エッチングにより銅箔を1/4だけ残した試料を作製し、JISC6481に準拠して評価した。評価は、前処理をしない場合と、前処理をしない場合と、121°C、100、PCT処理を4時間行った後の場合において、288°Cの半田槽に30秒間浸漬した後で外観の異常の有無を調べた。評価基準:異常なし:膨れあり全体的にフクレの箇所がある3絶縁抵抗測定前記金属ベース基板の樹脂層の絶縁抵抗値を、絶縁抵抗測定器を用いて測定した。測定は、室温において交流電圧を銅箔とアルミニウム板間に印加し、行った。評価は、前処理をしないで測定する場合、および121°C、100、PCT処理を96時間行った後に測定する場合の2種類で行った。4熱伝導率得られた金属ベース基板の密度を水中置換法により測定し、また、比熱をDSC示差走査熱量測定により測定し、さらに、レーザーフラッシュ法により熱拡散率を測定した。そして、熱伝導率を以下の式から算出した。熱伝導率W/mK=密度kg/m3×比熱kJ/kgK×熱拡散率m2/S×10005ヒ-トサイクル試験得られた金属ベース配線基板を、-40°C7分~125°C7分を1サイクルとして5000回のヒートサイクル試験を行った後、顕微鏡で半田部分のクラックの有無を観察した。半田部分のクラックの発生が10以上あるものは不良とし、半田クラックの発生が10未満のものを良好と判定した。評価基準:良好:不良クラック発生率10以上実施例A1~A11及びB1~B6で得られた金属ベース基板は、金属板と樹脂層との密着性、ヒートサイクル特性及び絶縁特性のバランスが良好な結果であった。この出願は、2010年6月22日に出願された日本出願特願2010-141169号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。