窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有することを特徴とする積層基板。窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の積層基板。前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の積層基板。前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、前記サファイア基板のc面に形成されることを特徴とする請求項3に記載の積層基板。前記窒化ガリウム層と前記炭化アルミニウム層とは、前記窒化アルミニウム層を介して対向して形成されることを特徴とする請求項2乃至4の何れか一に記載の積層基板。第1の窒化アルミニウム層と、第2の窒化アルミニウム層とを有し、前記第1の窒化アルミニウム層と、前記第2の窒化アルミニウム層とは炭化アルミニウム層を介して対向して形成されることを特徴とする積層基板。窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有することを特徴とする半導体装置。窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置。前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、前記サファイア基板のc面に形成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。前記窒化ガリウム層と前記炭化アルミニウム層とは、前記窒化アルミニウム層を介して対向して形成されることを特徴とする請求項8乃至10の何れか一に記載の半導体装置。第1の窒化アルミニウム層と、第2の窒化アルミニウム層とを有し、前記第1の窒化アルミニウム層と、前記第2の窒化アルミニウム層とは炭化アルミニウム層を介して対向して形成されることを特徴とする半導体装置。窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する積層基板の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする積層基板の製造方法。窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに形成することを特徴とする請求項13に記載の積層基板の製造方法。窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する積層基板の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする積層基板の製造方法。前記炭化アルミニウム層は、有機金属気相成長法を用いて、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させることを特徴とする請求項13または14に記載の積層基板の製造方法。前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されることを特徴とする請求項14または16に記載の積層基板の製造方法。前記サファイア基板のc面に前記炭化アルミニウムの結晶を成長させることを特徴とする請求項17に記載の積層基板の製造方法。前記炭素を含むガスはメタンであり、前記アルミニウムを含むガスはトリメチルアルミニウムであることを特徴とする請求項13乃至18の何れか一に記載の積層基板の製造方法。前記トリメチルアルミニウムを33μmol/min以上66μmol/min以下、前記メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給して、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させることを特徴とする請求項19に記載の積層基板の製造方法。前記炭化アルミニウムの結晶を700°C以上で成長させることを特徴とする請求項20に記載の積層基板の製造方法。前記炭化アルミニウムの結晶を1100°C以上で成長させることを特徴とする請求項20に記載の積層基板の製造方法。窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する半導体装置の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに形成することを特徴とする請求項23に記載の半導体装置の製造方法。窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する積層基板の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記炭化アルミニウム層は、有機金属気相成長法を用いて、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させることを特徴とする請求項23または24に記載の半導体装置の製造方法。前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されることを特徴とする請求項24または26に記載の半導体装置の製造方法。前記サファイア基板のc面に前記炭化アルミニウムの結晶を成長させることを特徴とする請求項27に記載の半導体装置の製造方法。前記炭素を含むガスはメタンであり、前記アルミニウムを含むガスはトリメチルアルミニウムであることを特徴とする請求項23乃至28の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。前記トリメチルアルミニウムを33μmol/min以上66μmol/min以下、前記メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給して、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させることを特徴とする請求項29に記載の半導体装置の製造方法。前記炭化アルミニウムの結晶を700°C以上で成長させることを特徴とする請求項30に記載の半導体装置の製造方法。前記炭化アルミニウムの結晶を1100°C以上で成長させることを特徴とする請求項30に記載の半導体装置の製造方法。AlCを特にLEDの分野で利用するには、AlC層と、GaN層とを積層した積層基板が必要となるが、上述したように、従来はAlCを結晶薄膜とすることが困難であったことから、これまで、AlC層とGaN層との積層基板の開発がなされてこなかった。本発明は、結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供することを課題とする。本発明の一実施形態によると、窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有することを特徴とする積層基板が提供される。前記積層基板は、窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに含んでもよい。前記積層基板において、前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されてもよい。前記積層基板において、前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、前記サファイア基板のc面に形成されてもよい。前記積層基板において、前記窒化ガリウム層と前記炭化アルミニウム層とは、前記窒化アルミニウム層を介して対向して形成されてもよい。また、本発明の一実施形態によると、第1の窒化アルミニウム層と、第2の窒化アルミニウム層とを有し、前記第1の窒化アルミニウム層と、前記第2の窒化アルミニウム層とは炭化アルミニウム層を介して対向して形成されることを特徴とする積層基板が提供される。また、本発明の一実施形態によると、窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。前記半導体装置は、窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに含んでもよい。前記半導体装置において、前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されてもよい。前記半導体装置において、前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、前記サファイア基板のc面に形成されてもよい。前記半導体装置において、前記窒化ガリウム層と前記炭化アルミニウム層とは、前記窒化アルミニウム層を介して対向して形成されてもよい。また、本発明の一実施形態によると、第1の窒化アルミニウム層と、第2の窒化アルミニウム層とを有し、前記第1の窒化アルミニウム層と、前記第2の窒化アルミニウム層とは炭化アルミニウム層を介して対向して形成されることを特徴とする半導体装置が提供される。また、本発明の一実施形態によると、窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する積層基板の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする積層基板の製造方法が提供される。前記積層基板の製造方法において、窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに形成してもよい。また、本発明の一実施形態によると、窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する積層基板の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする積層基板の製造方法が提供される。前記積層基板の製造方法において、前記炭化アルミニウム層は、有機金属気相成長法を用いて、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させてもよい。前記積層基板の製造方法において、前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されてもよい。前記積層基板の製造方法において、前記サファイア基板のc面に前記炭化アルミニウムの結晶を成長させてもよい。前記積層基板の製造方法において、前記炭素を含むガスはメタンであり、前記アルミニウムを含むガスはトリメチルアルミニウムであってもよい。前記積層基板の製造方法において、前記トリメチルアルミニウムを33μmol/min以上66μmol/min以下、前記メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給して、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させてもよい。前記積層基板の製造方法において、前記炭化アルミニウムの結晶を700°C以上で成長させてもよい。前記積層基板の製造方法において、前記炭化アルミニウムの結晶を1100°C以上で成長させてもよい。また、本発明の一実施形態によると、窒化ガリウムの結晶を含む窒化ガリウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する半導体装置の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。前記半導体装置の製造方法において、窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層をさらに形成してもよい。また、本発明の一実施形態によると、窒化アルミニウムの結晶を含む窒化アルミニウム層と、炭化アルミニウムの結晶を含む炭化アルミニウム層とを有する半導体装置の製造方法であって、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、炭化アルミニウムの結晶を成長させて、前記炭化アルミニウム層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。前記半導体装置の製造方法において、前記炭化アルミニウム層は、有機金属気相成長法を用いて、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させてもよい。前記半導体装置の製造方法において、前記窒化ガリウム層、前記炭化アルミニウム層または前記窒化アルミニウム層が、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板に形成されてもよい。前記半導体装置の製造方法において、前記サファイア基板のc面に前記炭化アルミニウムの結晶を成長させてもよい。前記半導体装置の製造方法において、前記炭素を含むガスはメタンであり、前記アルミニウムを含むガスはトリメチルアルミニウムであってもよい。前記半導体装置の製造方法において、前記トリメチルアルミニウムを33μmol/min以上66μmol/min以下、前記メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給して、前記炭化アルミニウムの結晶を成長させてもよい。前記半導体装置の製造方法において、前記炭化アルミニウムの結晶を700°C以上で成長させてもよい。前記半導体装置の製造方法において、前記炭化アルミニウムの結晶を1100°C以上で成長させてもよい。本発明によると、結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法が提供される。以下に本発明の結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板、半導体装置及びその製造方法について、添付の図面を参照して詳細に説明する。本発明の結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板、半導体装置及びその製造方法は、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態及び後述する実施例で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。本発明者は、結晶性の炭化アルミニウム層以下、AlC層というを得るべく、原料、製造条件等を鋭意検討した結果、サファイア基板のc面に結晶性のAlC層を成長させることを実現した。本発明は、結晶性のAlC層を窒化ガリウム層以下、GaN層というや窒化アルミニウム層以下、AlN層というの上層に形成することにより積層基板を製造し、半導体分野、特にLEDの分野で利用可能とするものである。本発明に係る積層基板は、走査型電子顕微鏡SEM、X線回折XRD、エネルギー分散型X線分析EDX、カソードルミネッセンスCL、透過測定により評価することができる。実施形態1図1は、本発明の一実施形態に係る積層基板100を示す模式図である。図1aは本発明の一実施形態に係る積層基板100の断面図であり、図1bは図1aの丸で囲んだ一部分の拡大図である。積層基板100は、基板1、結晶性のGaN層10、結晶性のAlC層20を順次積層して配置した基板である。本実施形態において、基板1としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板を用いることができる。また、基板1としてサファイア基板を用いる場合には、サファイア基板のc面にGaN層10を形成するのが好ましい。本実施形態に係る積層基板100においては、GaN層10の膜厚は0.5μm以下が好ましく、より好ましくは膜厚が0.1μm以下である。膜厚が0.1μm以下のGaN層10においては、GaN結晶11が基板1の表面に点在するように配置される。一般にAl4C3は黄色味を帯びており、GaN層10の上面にAlC層20を形成すると、目視または光学顕微鏡観察により、黄色に変色していることが観察される。また、SEM観察において、GaN層10の上層に結晶の成長を認めることができ、その断面方向からのSEM像において、基板上にAlC層20が形成されていることを確認することができる。本実施形態に係る積層基板100は、XRDの2θ-ωモードでの測定において、35°付近にAlC層20のAl4C3結晶由来のピークを有する。また、積層基板100は、基板1、GaN層10に由来するピークも同時に検出することもある。例えば、サファイア基板10のc面上にGaN層10およびAlC層20を形成した場合、サファイアに由来する38°付近および42°付近のピークと、GaNに由来する31°付近および34°付近のピークとを検出することもある。本実施形態に係る積層基板100は、EDXにおいて、アルミニウムと炭素の存在をそれぞれAlC層20に確認することができる。アルミニウムと炭素をそれぞれ検出したEDX画像において、本実施形態に係るAlC層20は結晶性を有するため、アルミニウムと炭素とが分散した構造として検出される。本実施形態において、アルミニウムと炭素とは、AlC層20中に均一に分散していることが好ましい。本実施形態に係る積層基板100は、CL測定において、AlC層20のAl4C3結晶に由来する310nm以上413nm以下の範囲の波長で発光する。本実施形態に係るAlC層20は、340nm付近にピークを有し、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。透過測定において、本実施形態に係るAlC層20は、3.4eV以上4.3eV以下のバンドギャップを有する。また、本実施形態に係るAlC層20は、このバンドギャップの範囲、すなわち、発光するエネルギー領域では直接遷移型である。ここで、直接遷移型は、エネルギーに対して、Al4C3/基板の透過率を基板の透過率で割った値をプロットしたときに、透過率の2乗がエネルギーに比例する状態である。また、本発明に係るAlC層20は、製造温度を調整することにより、間接遷移型のバンドギャップを有するようにすることもできる。以上説明したように、従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、本発明に係る積層基板100は、以上のような特性を有する結晶性のAlC層20をGaN層10の上層に形成することができる。また、本発明に係る積層基板100は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。製造方法上述した積層基板100の製造方法について、以下に説明する。本実施形態に係る積層基板100の製造方法、特にAlC層20の形成においては、有機金属気相成長以下、MOCVDというを用いることが好ましい。本実施形態においては、GaN層10の上面にAlC結晶を成長させて、AlC層20を形成する。上述したように、基板1としては、半導体分野、特にLEDの分野において既知の基板を用いることができる。基板1としては、例えば、サファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板を用いることができる。基板1としてサファイア基板を用いる場合、GaN層10やAlC層20を形成するサファイア基板1の上面は、c面とすることが望ましい。GaN層の形成基板1の上面にGaN層10を形成する原料には、窒素を含むガスと、ガリウムを含むガスとを、それぞれ用いる。窒素を含むガスとしてはアンモニアNH3を、ガリウムを含むガスとしてはトリメチルガリウムGa3;以下、TMGというを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るGaN層10のGaN結晶の成長条件としては、TMGを10μmol/min以上100μmol/min以下、アンモニアを40mmol/min以上1mol/min以下で供給することが好ましい。また、GaN結晶の成長温度は900°C以上1100°C以下である。本実施形態に係る積層基板100の製造においては、GaN層10は0.5μm以下の膜厚が好ましく、より好ましくは膜厚が0.1μm以下である。GaN層10がこの範囲の膜厚よりも厚いとGaN結晶の転位が多くなり、AlC層20を形成するときに、原料ガスに含まれる炭素がGaN結晶の転位を介してGaN層10に混入し、好ましくない。本実施形態に係る積層基板100の製造においては、GaN層10を形成した基板1を用いて、GaN層10の上層にAlC層20を形成する。このとき、AlC結晶の成長温度に達するまでの間、TMGとアンモニアとを製造雰囲気中に供給することが好ましい。このように昇温中にTMGとアンモニアを供給することにより、GaN層10から窒素が抜けるのを防止することができる。AlC層の形成AlC層20を形成する原料には、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを、それぞれ用いる。炭素を含むガスとしてはメタンCH4を、アルミニウムを含むガスとしてはトリメチルアルミニウム3Al;以下、TMAというを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るAlC層20の成長条件としては、TMAを33μmol/min以上66μmol/min以下、メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給することが好ましい。また、AlC結晶の成長温度は700°C以上が好ましく、さらに好ましくは1100°C以上である。AlC結晶を成長させる時間は、原料の流量や、形成するAlC層20の厚さに依存するが、例えば、60分から120分程度である。本実施形態に係る積層基板は、以上の製造法を用いることで、従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、結晶性のAlC層を形成することができる。また、本発明に係る積層基板は、GaN層上に結晶性のAlC層を形成することができる。従って、上述のようなAlC層の特性を有する積層基板を実現することができる。また、本発明に係る積層基板は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。実施形態2実施形態1において説明したように、MOCVD法により1000°C以上の高温条件下でAlC層を形成すると、原料ガスの炭素がGaN層中に拡散する現象が見られる。本発明者は、AlC層20の上層にAlN層30を例えば20nmの膜厚で形成し、さらに、その上層にGaN層10を形成する場合、GaN層10の膜厚が1μm以下であれば積層基板200を形成可能であることを見出した。本実施形態においては、GaN層への炭素の拡散を防ぐため、GaN層10とAlC層20との間に結晶性の窒化アルミニウム層以下、AlN層という30を配置する例を説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る積層基板200を示す模式図である。積層基板200は、基板1、結晶性のAlC層20、結晶性のAlN層30、結晶性のGaN層10を順次積層して配置した基板である。ここで、本実施形態に係る積層基板200が製造可能となる原理について説明する。AlC層20の形成においてAlC結晶の成長温度は1200°Cであり、GaN層10の形成においてGaN結晶の成長温度は1050°C、AlN層30の形成においてAlN結晶の成長温度は1300°Cである。1000°C以上では炭素原子は、SP2とπ電子を持ち2次元の配列を有するため、GaN層10へ拡散する。GaN結晶の成長温度は1050°Cであり、AlC結晶の成長温度より低い。このため、AlC層20とGaN層10の界面ではC-N結合ができるが、炭素はSP3になるよりもSP2とπ電子を好む傾向があり、2次元配列を取りやすい。一方、AlN結晶は、成長温度が1300°Cと高く、AlN結晶中の窒素は安定である。このため、AlC層20の形成における原料ガスに含まれる炭素は、AlN結晶中には混入しにくい。一般にAl4C3は黄色味を帯びており、AlN層30の上面にAlC層20を形成すると、目視または光学顕微鏡観察により、黄色に変色していることが観察される。また、SEM観察において、AlN層30の上層に結晶の成長を認めることができ、その断面方向からのSEM像において、基板上にAlC層20が形成されていることを確認することができる。本実施形態に係る積層基板200は、XRDの2θ-ωモードでの測定において、35°付近にAlC層20のAl4C3結晶由来のピークを有する。また、積層基板200は、基板1、GaN層10に由来するピークも同時に検出することもある。例えば、サファイア基板10のc面上にGaN層10、AlN層30およびAlC層20を形成した場合、サファイアに由来する38°付近および42°付近のピークと、GaNに由来する31°付近および34°付近のピークを検出することもある。本実施形態に係る積層基板200は、EDXにおいて、アルミニウムと炭素の存在をそれぞれAlC層20に確認することができる。アルミニウムと炭素をそれぞれ検出したEDX画像において、本実施形態に係るAlC層20は結晶性を有するため、アルミニウムと炭素とが分散した構造として検出される。本実施形態において、アルミニウムと炭素とは、AlC層20中に均一に分散していることが好ましい。本実施形態に係る積層基板200は、CL測定において、AlC層20のAl4C3結晶に由来する310nm以上413nm以下の範囲の波長で発光する。本実施形態に係るAlC層20は、340nm付近にピークを有し、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。透過測定において、本実施形態に係るAlC層20は、3.4eV以上4.3eV以下のバンドギャップを有する。また、本実施形態に係るAlC層20は、このバンドギャップの範囲、すなわち、発光するエネルギー領域では直接遷移型である。ここで、直接遷移型は、エネルギーに対して、Al4C3/基板の透過率を基板の透過率で割った値をプロットしたときに、透過率の2乗がエネルギーに比例する状態である。また、本発明に係るAlC層20は、製造温度を調整することにより、間接遷移型のバンドギャップを有するようにすることもできる。従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、このようなGaN層10とAlC層20との間にAlN層30を配置した積層基板200は、実施形態1で説明したような特性を有する結晶性のAlC層20を形成することができる。また、本発明に係る積層基板200は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。製造方法上述した積層基板200の製造方法について、以下に説明する。本実施形態に係る積層基板100の製造方法においては、MOCVD法を用いることが好ましい。本実施形態においては、基板1、AlC層20、AlN層30、GaN層10を順次積層する。上述したように、基板1としては、半導体分野、特にLEDの分野において既知の基板を用いることができ、実施形態1と同様であるため説明は省略する。AlC層の形成基板1の上面にAlC層20を形成する原料には、実施形態1と同様に、炭素を含むガスとしてメタンを、アルミニウムを含むガスとしてTMAを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るAlC層20の成長条件としては、TMAを33μmol/min以上66μmol/min以下、メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給することが好ましい。また、AlC結晶の成長温度は700°C以上が好ましく、さらに好ましくは1100°C以上である。AlC結晶を成長させる時間は、原料の流量や、形成するAlC層20の厚さに依存するが、例えば、60分から120分程度である。AlN層の形成AlN層30を形成する原料には、窒素を含むガスとアルミニウムを含むガスとを、それぞれ用いる。窒素を含むガスとしてはアンモニアNH3を、アルミニウムを含むガスとしてはTMAを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るAlN層30の成長条件としては、TMAを33μmol/min以上66μmol/min以下、アンモニアを40mmol/min以上1mol/min以下で供給することが好ましい。また、AlN結晶の成長温度は1300°C以上が好ましい。AlN結晶を成長させる時間は、原料の流量や、形成するAlN層30の厚さに依存するが、例えば、6秒から1時間程度である。GaN層の形成GaN層10を形成する原料には、窒素を含むガスとしてアンモニアを、ガリウムを含むガスとしてTMGを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るGaN層10のGaN結晶の成長条件としては、TMGを20μmol/min以上80μmol/min以下、アンモニアを40mmol/min以上1mol/min以下で供給することが好ましい。また、GaN結晶の成長温度は900°C以上1100°C以下である。本実施形態に係る積層基板200の製造においては、GaN層10は1μm以下の膜厚が好ましく、より好ましくは膜厚が0.1μm以下である。本実施形態に係る積層基板は、以上の製造法を用いることで、従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、結晶性のAlC層を形成することができる。また、本発明に係る積層基板は、AlC層とGaN層との間にAlN層を形成することにより、GaN層中への炭素の拡散を防止することができる。従って、上述のようなAlC層の特性を有する積層基板を実現することができる。また、本発明に係る積層基板は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。実施形態3実施形態2においては、AlC層とGaN層との間にAlN層を形成することにより、GaN層中への炭素の拡散を防止した積層基板200について説明したが、本実施形態においては、積層基板200の上層に、さらに、AlN層及びAlC層を積層した積層基板300について説明する。図3は、本発明の一実施形態に係る積層基板300を示す模式図である。積層基板300は、基板1、結晶性のAlC層20、結晶性のAlN層30、結晶性のGaN層10、結晶性のAlN層30及び結晶性のAlC層20を順次積層して配置した基板である。本実施形態の基板1は、実施形態1と同様であるため、説明は省略する。本実施形態に係る積層基板300は、成長温度が1050°CのGaN結晶を成長させてGaN層10を形成した後に、成長温度が1300°CのAlN結晶を成長させてAlN層30を形成する。その後に成長温度が1200°CのAlC結晶を成長させてAlC層20を積層することにより、積層基板300を製造する。AlN結晶中の窒素は安定であるため、AlC層20の形成における原料ガスに含まれる炭素は、AlN層30及びGaN層10に混入することなく、積層基板300が製造可能となる。一般にAl4C3は黄色味を帯びており、基板1やAlN層30の上面にAlC層20を形成すると、目視または光学顕微鏡観察により、黄色に変色していることが観察される。また、SEM観察において、基板1やAlN層30の上層に結晶の成長を認めることができ、その断面方向からのSEM像において、基板上にAlC層20が形成されていることを確認することができる。本実施形態に係る積層基板300は、XRDの2θ-ωモードでの測定において、35°付近にAlC層20のAl4C3結晶由来のピークを有する。また、積層基板300は、基板1、GaN層10に由来するピークも同時に検出することもある。例えば、サファイア基板10のc面上にAlC層20、AlN層30、GaN層10、AlN層30およびAlC層20を形成した場合、サファイアに由来する38°付近および42°付近のピークと、GaNに由来する31°付近および34°付近のピークを検出することもある。本実施形態に係る積層基板300は、EDXにおいて、アルミニウムと炭素の存在をそれぞれAlC層20に確認することができる。アルミニウムと炭素をそれぞれ検出したEDX画像において、本実施形態に係るAlC層20は結晶性を有するため、アルミニウムと炭素とが分散した構造として検出される。本実施形態において、アルミニウムと炭素とは、AlC層20中に均一に分散していることが好ましい。本実施形態に係る積層基板300は、CL測定において、AlC層20のAl4C3結晶に由来する310nm以上413nm以下の範囲の波長で発光する。本実施形態に係るAlC層20は、340nm付近にピークを有し、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。透過測定において、本実施形態に係るAlC層20は、3.4eV以上4.3eV以下のバンドギャップを有する。また、本実施形態に係るAlC層20は、このバンドギャップの範囲、すなわち、発光するエネルギー領域では直接遷移型である。ここで、直接遷移型は、エネルギーに対して、Al4C3/基板の透過率を基板の透過率で割った値をプロットしたときに、透過率の2乗がエネルギーに比例する状態である。また、本発明に係るAlC層20は、製造温度を調整することにより、間接遷移型のバンドギャップを有するようにすることもできる。従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、このようなGaN層10とAlC層20との間にAlN層30を配置した積層基板300は、実施形態1で説明したような特性を有する結晶性のAlC層20を形成することができる。また、本発明に係る積層基板300は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。製造方法上述した積層基板300の製造方法について、以下に説明する。本実施形態に係る積層基板300の製造方法においては、MOCVD法を用いることが好ましい。本実施形態においては、基板1、第1のAlC層20、第1のAlN層30、GaN層10、第2のAlN層30及び第2のAlC層20を順次積層する。上述したように、基板1としては、半導体分野、特にLEDの分野において既知の基板を用いることができ、実施形態1と同様であるため説明は省略する。第1のAlC層の形成基板1の上面にAlC層20を形成する原料には、実施形態1と同様に、炭素を含むガスとしてメタンを、アルミニウムを含むガスとしてTMAを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るAlC層20の成長条件としては、TMAを33μmol/min以上66μmol/min以下、メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給することが好ましい。また、AlC結晶の成長温度は700°C以上が好ましく、さらに好ましくは1100°C以上である。AlC結晶を成長させる時間は、原料の流量や、形成するAlC層20の厚さに依存するが、例えば、60分から120分程度である。第1のAlN層の形成AlN層30を形成する原料には、窒素を含むガスとアルミニウムを含むガスとを、それぞれ用いる。窒素を含むガスとしてはアンモニアNH3を、アルミニウムを含むガスとしてはTMAを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るAlN層30の成長条件としては、TMAを33μmol/min以上66μmol/min以下、アンモニアを40mmol/min以上1mol/min以下で供給することが好ましい。また、AlN結晶の成長温度は1300°C以上が好ましい。AlN結晶を成長させる時間は、原料の流量や、形成するAlN層30の厚さに依存するが、例えば6秒から1時間程度である。GaN層の形成GaN層10を形成する原料には、窒素を含むガスとしてアンモニアを、ガリウムを含むガスとしてTMGを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るGaN層10のGaN結晶の成長条件としては、TMGを20μmol/min以上80μmol/min以下、アンモニアを40mmol/min以上1mol/min以下で供給することが好ましい。また、GaN結晶の成長温度は500°C以上1050°C以下である。本実施形態に係る積層基板300の製造においては、GaN層10は1μm以下の膜厚が好ましく、より好ましくは膜厚が0.1μm以下である。第2のAlC層及び第2のAlN層の形成第2のAlN層30及び第2のAlC層20の形成方法は、第1のAlC層及び第1のAlN層の形成方法と同様であるため、説明は省略する。本実施形態に係る積層基板は、以上の製造法を用いることで、従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、結晶性のAlC層を形成することができる。また、本発明に係る積層基板は、AlC層とGaN層との間にAlN層を形成することにより、GaN層中への炭素の拡散を防止することができる。従って、上述のようなAlC層の特性を有する積層基板を実現することができる。また、本発明に係る積層基板は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。実施形態4上述の実施形態においては、GaN層10を有する積層基板について説明したが、本実施形態においては、第1のAlN層と第2のAlN層とが、AlC層を介して対向して形成された積層基板400について説明する。図4は、本発明の一実施形態に係る積層基板400を示す模式図である。積層基板400は、基板1、結晶性のAlN層31、結晶性のAlC層20、結晶性のAlN層33を順次積層して配置した基板である。本実施形態の基板1は、実施形態1と同様であるため、説明は省略する。本実施形態に係る積層基板400は、基板1上に形成した第1のAlN層31に例えばケイ素Siをドープし、AlC層20上に形成した第2のAlN層33に例えばマグネッシウムMgをドープする。このようにドーピングすることにより、第1のAlN層31はn型半導体として機能し、第2のAlN層33はp型半導体として機能させることができる。一般にAl4C3は黄色味を帯びており、AlN層31の上面にAlC層20を形成すると、目視または光学顕微鏡観察により、黄色に変色していることが観察される。また、SEM観察において、AlN層31の上層に結晶の成長を認めることができ、その断面方向からのSEM像において、基板上にAlC層20が形成されていることを確認することができる。本実施形態に係る積層基板400は、XRDの2θ-ωモードでの測定において、35°付近にAlC層20のAl4C3結晶由来のピークを有する。また、積層基板400は、基板1に由来するピークも同時に検出することもある。例えば、サファイア基板10のc面上にAlN層31、AlC層20およびAlN層33を形成した場合、サファイアに由来する38°付近および42°付近のピークを検出することもある。本実施形態に係る積層基板400は、EDXにおいて、アルミニウムと炭素の存在をそれぞれAlC層20に確認することができる。アルミニウムと炭素をそれぞれ検出したEDX画像において、本実施形態に係るAlC層20は結晶性を有するため、アルミニウムと炭素とが分散した構造として検出される。本実施形態において、アルミニウムと炭素とは、AlC層20中に均一に分散していることが好ましい。本実施形態に係る積層基板400は、CL測定において、AlC層20のAl4C3結晶に由来する310nm以上413nm以下の範囲の波長で発光する。本実施形態に係るAlC層20は、340nm付近にピークを有し、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。透過測定において、本実施形態に係るAlC層20は、3.4eV以上4.3eV以下のバンドギャップを有する。また、本実施形態に係るAlC層20は、このバンドギャップの範囲、すなわち、発光するエネルギー領域では直接遷移型である。ここで、直接遷移型は、エネルギーに対して、Al4C3/基板の透過率を基板の透過率で割った値をプロットしたときに、透過率の2乗がエネルギーに比例する状態である。また、本発明に係るAlC層20は、製造温度を調整することにより、間接遷移型のバンドギャップを有するようにすることもできる。従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、積層基板400は、実施形態1で説明したような特性を有する結晶性のAlC層20を形成することができる。また、このようなn型半導体として機能する第1のAlN層31と、p型半導体として機能する第2のAlN層33との間にAlC層20を配置した本発明に係る積層基板400は、LEDとして用いたときに、310nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。製造方法上述した積層基板400の製造方法について、以下に説明する。本実施形態に係る積層基板400の製造方法においては、MOCVD法を用いることが好ましい。本実施形態においては、基板1、第1のAlN層31、AlC層20及び第2のAlN層33を順次積層する。上述したように、基板1としては、半導体分野、特にLEDの分野において既知の基板を用いることができ、実施形態1と同様であるため説明は省略する。第1のAlN層の形成基板1の上面にAlN層31を形成する原料には、窒素を含むガスとアルミニウムを含むガスとを、それぞれ用いる。窒素を含むガスとしてはアンモニアNH3を、アルミニウムを含むガスとしてはTMAを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るAlN層30の成長条件としては、TMAを33μmol/min以上66μmol/min以下、アンモニアを40mmol/min以上1mol/min以下で供給することが好ましい。また、AlN結晶の成長温度は1300°C以上が好ましい。AlN結晶を成長させる時間は、原料の流量や、形成するAlN層30の厚さに依存するが、例えば、6秒から1時間程度である。また、AlN層31には、ケイ素をドーピングする。ここで、ケイ素のドーピングは、公知の技術を用いることができる。AlC層の形成AlC層20を形成する原料には、実施形態1と同様に、炭素を含むガスとしてメタンを、アルミニウムを含むガスとしてTMAを用いることができる。また、キャリアガスとして水素H2を用いることができる。各原料は、半導体分野、特にLEDの分野において使用される市販の原料を用いることができる。本実施形態に係るAlC層20の成長条件としては、TMAを33μmol/min以上66μmol/min以下、メタンを13mmol/min以上27mmol/min以下で供給することが好ましい。また、AlC結晶の成長温度は700°C以上が好ましく、さらに好ましくは1100°C以上である。AlC結晶を成長させる時間は、原料の流量や、形成するAlC層20の厚さに依存するが、例えば、60分から120分程度である。第2のAlN層の形成第2のAlN層33の形成方法は、第1のAlN層の形成方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。なお、AlN層33には、マグネッシウムMgをドーピングする。ここで、マグネッシウムMgのドーピングは、公知の技術を用いることができる。本実施形態に係る積層基板は、以上の製造法を用いることで、従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、実施形態1で説明したような特性を有する結晶性のAlC層20を形成することができる。また、このようなn型半導体として機能する第1のAlN層31と、p型半導体として機能する第2のAlN層33との間にAlC層20を配置した本発明に係る積層基板400は、LEDとして用いたときに、310nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。実施形態5上述の実施形態においては、結晶性のAlC層を形成した積層基板について説明した。上述したようにこれらの積層基板は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。本実施形態においては、実施形態3で説明した積層基板300を半導体装置、特にLEDに適用する例について説明する。図5は、本発明の一実施形態に係る半導体装置1000であるLEDを示す模式図である。半導体装置1000は、基板1、N型の第1の結晶性のAlC層21、第1の結晶性のAlN層30、活性層である結晶性のGaN層10、第2の結晶性のAlN層30、及びP型の第2の結晶性のAlC層23を順次積層して配置した基板を有する。また、半導体装置1000はP電極91及びN電極93を有し、P電極91はP型の第2のAlC層20の上面の一部に配設され、N電極93はN型の第1のAlC層21の上面の一部に配設される。半導体装置1000において、基板1上に形成した第1のAlC層21に、例えばケイ素Siをドープし、第2のAlN層30上に形成した第2のAlC層23に、例えば亜鉛ZnやマグネシウムMgをドープする。このようにドーピングすることにより、第1のAlC層21はn型半導体として機能し、第2のAlC層23はp型半導体として機能させることができる。なお、本実施形態に係る半導体装置1000には、実施形態3で説明した積層基板300を適用できるため、積層基板の構成及び特性の説明は省略する。電極ここで、電極について説明する。本実施形態に係るP電極91としては、例えば、P型の第2のAlC層20の上面にニッケル、金を順次積層したAu/Ni電極パッドを用いることができる。また、N電極93としては、例えば、N型の第1のAlC層21の上面にチタン、アルミニウムを順次積層したAl/Ti電極パッドを用いることができる。本実施例に係る電極はこれらに限定されるものではない。製造方法本実施形態に係る半導体装置1000の製造において、例えば、基板1の上面にN型の第1のAlC層21を1μm、第1のAlN層30を10nm、GaN層10を10nm、第2のAlN層30を10nm、P型の第2のAlC層23を1μmとして形成することができる。積層基板300を形成する工程については実施形態3で説明したため、詳細な説明は省略するが、第1のAlC層21には、ケイ素をドーピングする。また、第2のAlC層23には、亜鉛やマグネシウムをドーピングする。ここで、ドーピングには、公知の技術を用いることができる。準備した積層基板300の一部分から第2のAlC層20、第2のAlN層30、GaN層10及び第2のAlN層30の一部分をそれぞれ除去する。さらに、P型の第2のAlC層23の一部分を平坦化する。この工程は、例えば、塩化ホウ素BCl3を用いた反応性イオンエッチングRIEにより行うことができる。このように平坦化されたP型の第2のAlC層23の一部分に、例えば、10nmのチタン層、10nmのアルミニウム層を順次積層して、N電極93を形成することができる。また、第2のAlC層20の上面に、例えば、10nmのニッケル層、10nmの金層を順次積層して、P電極91を形成することができる。本実施例に係る半導体装置は、以上の製造法を用いることで、従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、結晶性のAlC層を形成することができる。また、本発明に係る半導体装置は、AlC層とGaN層との間にAlN層を形成することにより、GaN層中への炭素の拡散を防止することができる。従って、上述のようなAlC層の特性を有する積層基板を実現することができる。また、本発明に係る半導体装置は、LEDとして用いたときに、300~350nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。実施形態6本実施形態においては、実施形態4で説明した積層基板400を半導体装置、特にLEDに適用する例について説明する。図6は、本発明の一実施形態に係る半導体装置2000であるLEDを示す模式図である。半導体装置2000は、基板1、N型の結晶性のAlN層31、活性層である結晶性のAlC層20、P型の結晶性のAlN層33を順次積層して配置した基板を有する。また、半導体装置2000はP電極91及びN電極93を有し、P電極91は第2のAlN層33の上面の一部に配設され、N電極93は第1のAlN層31の上面の一部に配設される。半導体装置2000において、基板1上に形成した第1のAlN層31に例えばケイ素Siをドープし、AlC層20上に形成した第2のAlN層33に例えばマグネッシウムMgをドープする。このようにドーピングすることにより、第1のAlN層31はn型半導体として機能し、第2のAlN層33はp型半導体として機能させることができる。なお、本実施形態に係る半導体装置2000には、実施形態4で説明した積層基板400を適用できるため、積層基板の構成及び特性の詳細な説明は省略する。電極ここで、電極について説明する。本実施形態に係るP電極91としては、例えば、第2のAlN層33の上面にニッケル、金を順次積層したAu/Ni電極パッドを用いることができる。また、N電極93としては、例えば、第1のAlN層31の上面にチタン、アルミニウムを順次積層したAl/Ti電極パッドを用いることができる。本実施例に係る電極はこれらに限定されるものではない。製造方法本実施形態に係る半導体装置2000の製造において、積層基板400を形成する工程については実施形態4で説明したため、説明は省略する。準備した積層基板400の一部分から第2のAlN層33及びAlC層20の一部分をそれぞれ除去する。さらに、第1のAlN層31の一部分を平坦化する。この工程は、例えば、塩化ホウ素BCl3を用いた反応性イオンエッチングRIEにより行うことができる。このように平坦化された第1のAlN層31の一部分に、例えば、10nmのチタン層、10nmのアルミニウム層を順次積層して、N電極93を形成することができる。また、第2のAlN層33の上面に、例えば、10nmのニッケル層、10nmの金層を順次積層して、P電極91を形成することができる。本実施例に係る半導体装置は、以上の製造法を用いることで、従来は非結晶薄膜しか報告されていなかったAlC薄膜に対して、実施形態1で説明したような特性を有する結晶性のAlC層20を形成することができる。また、このようなn型半導体として機能する第1のAlN層31と、p型半導体として機能する第2のAlN層33との間にAlC層20を配置した本発明に係る半導体装置は、LEDとして用いたときに、310nmの波長帯での外部取り出しを可能にするものである。上述の実施形態で説明した本発明に係る炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法について、具体例を挙げてさらに説明する。一例として、実施形態1と同様の構成の積層基板100について説明する。図7は、本実施例における積層基板100の製造条件を示す図である。製造方法本実施例においては、基板1の上面に0.5μmの膜厚のGaN層10を形成し、つづいてGaN層10の上面にAlC層20を形成した。ここで、GaN層10は、MOCVD法を用いて、製造雰囲気中に44μmol/minでTMGを、223mmol/minでアンモニアを供給し、15分間で基板1の上面にGaN結晶を成長させて形成した。つづいて、図7に示したように本実施例においては、昇温時に500°C以上からTMGとアンモニアとを製造雰囲気中に供給した。このとき、一例として、TMGは87μmol/min、アンモニアは223mmol/minで供給した。TMGとアンモニアの供給は、AlC結晶の成長温度である1100°Cまで行った。製造雰囲気の温度が1100°Cに達した時点でTMGとアンモニア供給を停止し、TMAとメタンとを製造雰囲気中に供給した。AlC結晶を1100°Cで、60分間成長させて、AlC層20を形成した。このとき、一例として、TMAは33μmol/min、メタンは26.8mmol/min供給した。この結果、1μmの膜厚のAlC層20が形成された。SEM像図8は、製造された積層基板100のSEM像である。aは積層基板100のAlC層20の上面図、bはaの一部の拡大図、cは積層基板100の鳥瞰図である。本実施例の積層基板100において、AlC層20が形成されたことが確認された。XRD分析上述のような条件で形成した積層基板100のAlC薄膜10について、XRDを2θ-ωモードで測定した。本実施例のおいては、XRD装置として、フィリップス社のX’pertMRDを用いた。CuKa、CuKβを入射X線として用いて測定した。図9は、XRDの測定結果を示す図である。比較のため、図9には、基板1として用いたサファイアを用い、GaN層10を形成したのみの基板と、本実施例に係る積層基板100の測定結果を示す。基板1として用いたサファイアに由来するピークは、38°および42°付近に検出された。また、GaN層10に由来する31°付近および34°付近に検出された。一方、積層基板100においては、AlC薄膜10のAl4C3結晶に由来するピークが35°付近に検出された。