"トリハロシランを作製する方法であって、iRe、iiReと、Pd、Ru、Mn、Cu、及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、iiiIrと、Pd及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、ivMn、vMnとRhとを含む混合物、viAg、viiMg、並びにviiiRhから選択される金属を含む触媒の存在下、300~800°Cで、式RSiX3I式中、Rが、C1~C10ヒドロカルビルであり、それぞれのXが、独立して、ハロであるに従うオルガノトリハロシランを水素と接触させて、式HSiX3式中、Xは先に定義した通りのトリハロシランを形成する工程であって、前記オルガノトリハロシランと水素とのモル比が、0.009:1~1:2300である工程を含む方法。前記方法が、iRe、iiReと、Pd、Ru、Mn、Cu、及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、iiiIrと、Pd及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、ivMn、vMnとRhとを含む混合物、viAg、並びにviiMgから選択される金属を含む触媒の存在下、300~800°Cで、式RSiX3I式中、Rが、C1~C10ヒドロカルビルであり、それぞれのXが、独立して、ハロであるに従うオルガノトリハロシランを水素と接触させて、式HSiX3式中、Xは先に定義した通りのトリハロシランを形成する工程であって、前記オルガノトリハロシランと水素とのモル比が、1:3~1:2300である工程を含む、請求項1に記載の方法。前記トリハロシランを回収する工程を更に含む、請求項1又は2に記載の方法。RがC1~C10アルキルであり、それぞれのXがクロロである、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。Rがメチルであり、それぞれのXがクロロである、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記接触が、0超~2,900キロパスカルゲージの反応圧力において行われる、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記接触が、摂氏500~700度°Cで行われる、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記触媒が、担体を更に含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記担体が、活性炭である、請求項8に記載の方法。前記触媒が、前記活性炭上にReを、前記活性炭上にRe及びPdを、前記活性炭上にRh及びReを、前記活性炭上にRu及びReを、前記活性炭上にMn及びReを、前記活性炭上にRe及びCuを、前記活性炭上にAgを、前記活性炭上にMn及びRhを、前記活性炭上にMgを、前記活性炭上にRh及びIrを、前記活性炭上にIr及びPdを、又は前記活性炭上にRhを含む、請求項9に記載の方法。前記触媒が、前記活性炭上にRhを含み、前記接触が、摂氏700~800度°Cで行われる、請求項1に記載の方法。前記触媒が、0.1~35w/wの前記金属又は前記金属の混合物を含む、請求項9、10、又は11に記載の方法。前記オルガノトリハロシランと前記水素との前記モル比が、1:3~1:2300、0.010:1~10、又は1:43~1:300である、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。前記オルガノトリハロシラン及び水素が、0.01秒~10分の滞留時間を有する、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。前記触媒の存在下、前記水素と前記オルガノトリハロシランとを接触させた後に、前記触媒を再生する工程を更に含む、請求項1又は2に記載の方法。前記触媒の存在下、前記水素と前記オルガノトリハロシランとを接触させる前に、前記触媒を活性化させる工程を更に含む、請求項1又は2に記載の方法。接触が、前記オルガノシラン及び水素と接触する接触部分を有する反応装置中で実施され、前記接触部分が、20重量パーセント未満の鉄含量を有する、請求項1~16のいずれか一項に記載の方法。前記接触工程で、ジハロシランを作製する工程を更に含み、前記ジハロシランが、式H2SiX2式中、Xはトリハロシランに関して定義された通りのものである、請求項1又は2に記載の方法。前記接触が、水素を希釈ガスで希釈することを更に含み、>1380~3450キロパスカルゲージの圧力で実施される、請求項18に記載の方法。前記方法が、前記接触工程で作製される全シランの総重量に基づき、少なくとも50重量パーセントのトリハロシラン及びジハロシランを作製するための組み合わせた選択性によって特徴付けられる、請求項18又は19に記載の方法。したがって、ゼロ価ケイ素の直接的使用を避ける、より経済的なトリハロシランの製造方法が必要である。要約は、参照により本明細書に組み込まれる。本発明は、iRe、iiReと、Pd、Ru、Mn、Cu、及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、iiiIrと、Pd及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、ivMn、vMnとRhとを含む混合物、viAg、viiMg、並びにviiiRhから選択される金属を含む触媒の存在下、300~800°Cで、式RSiX3I式中、Rが、C1~C10ヒドロカルビルであり、それぞれのXが、独立して、ハロであるに従うオルガノトリハロシランを水素と接触させて、式HSiX3式中、Xは先に定義した通りのトリハロシランを形成する工程であって、前記オルガノトリハロシランと水素とのモル比が、0.009:1~1:2300である、トリハロシランを作製する方法を対象とする。本発明の方法は、トリハロシランを作製するためにゼロ価ケイ素を直接利用しないため、本方法は、より経済的であり、トリハロシランの製造に関して、当該技術分野における他の方法ほどエネルギーを必要としない。本発明の方法に従って製造されたトリハロシランは、太陽電池又は電子チップに使用される高純度ポリシリコン、即ち高純度多結晶ケイ素を作製するために使用され得るか、又は多くの工業及び応用に用途が見いだされるポリシロキサンを製造するために、公知のプロセスで加水分解され得る。課題を解決するための手段は、参照により本明細書に組み込まれる。幾つかの実施形態では、本方法は、トリハロシランを作製する方法であってもよく、本方法は、iRe、iiReと、Pd、Ru、Mn、Cu、及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、iiiIrと、Pd及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、ivMn、vMnとRhとを含む混合物、viAg、並びにviiMgから選択される金属を含む触媒の存在下、300~800°Cで、式RSiX3I式中、Rは、C1~C10ヒドロカルビルであり、それぞれのXが、独立して、ハロであるに従うオルガノトリハロシランを水素と接触させて、式RSiX3式中、Xは先に定義した通りのトリハロシランを形成する工程であって、該オルガノトリハロシランと水素とのモル比が、1:3~1:2300である工程を含む。トリハロシランは、式HSiX3式中、Xは上記に定義した通りのものであってもよい。本明細書の任意の及びすべての実施例は、限定されない。本方法は、接触工程で、ジハロシランを作製することを更に含んでもよく、ジハロシランは、式H2SiX2式中、Xはトリハロシランに関して定義された通りのものである。本方法は、接触工程で、モノハロシランを作製することを更に含んでもよく、モノハロシランは、式H3SiX式中、Xはトリハロシランに関して定義された通りのものである。本方法は、接触工程で、副産物としてテトラハロシランを作製することを更に含んでもよく、テトラハロシランは、式SiX4式中、Xはトリハロシランに関して定義された通りのものである。トリハロシラン、あるいはトリハロシラン及びジハロシランを作製する接触工程は、後で記載するように、水素を希釈ガス即ち不活性ガス、例えば窒素ガスで希釈する工程を更に含んでもよい。本方法は、接触工程における方法によって作製された全シランの総重量に基づき、少なくとも50重量パーセントのトリハロシラン及びジハロシラントリハロシランの重量とジハロシランの重量の合計を作製するための組み合わせた選択性によって特徴付けられ得る。特定の触媒、反応条件、反応装置材料、及び利用される滞留時間により、作製されたシランは、トリハロシラン、並びに所望によりジハロシラン、モノハロシラン、テトラハロシラン、式RHSiX2のシラン、式RH2SiXのシラン、及び式RH3Siのシランのうちの任意の1つ以上であってもよい。あるいは、作製されたシランは、トリハロシラン、ジハロシラン、及びテトラハロシラン、あるいはトリハロシラン及びジハロシラン、あるいはトリハロシラン及びモノハロシラン、あるいはトリハロシランを含んでもよい。作製されたシランは、式RHSiX2のシランを更に含んでもよい。前述の全SiH選択性において、RはメチルMeであってもよく、Xはクロロであってもよい。オルガノトリハロシランは、式RSiX3I式中、RがC1~C10ヒドロカルビルであり、それぞれのXは、独立して、ハロであるに従う。それぞれのハロ、即ちハロゲン原子は、独立して、クロロ、ブロモ、フルオロ、又はヨードである。それぞれのXは、クロロ、即ち塩素原子であってもよい。Rで表されるヒドロカルビル基は、典型的に、1~10個の炭素原子、あるいは1~6個の炭素原子、あるいは1~4個の炭素原子、あるいは1~3個の炭素原子、あるいは1個の炭素原子を有する。少なくとも3個の炭素原子を含有する非環式ヒドロカルビル基は、分枝鎖又は非分枝鎖構造を有し得る。ヒドロカルビル基の例としては、C1~C10アルキル、C1~C6アルキル、C1~C4アルキル、C1~C3アルキル、メチル、エチル、プロピル、1-メチルエチル、ブチル、1-メチルプロピル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルエチル、ペンチル、1-メチルブチル、1-エチルプロピル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、及びデシル等のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びメチルシクロヘキシル等のシクロアルキル、フェニル及びナフチル等のアリール、トリル及びキシリル等のアルカリル、ベンジル及びフェネチル等のアラルキル、ビニル、アリル、及びプロペニル等のアルケニル、スチリル及びシンナミル等のアラルケニル、並びにエチニル及びプロイニルproynyl等のアルキニルが挙げられる。オルガノトリハロシランの例としては、C1~C10アルキルトリクロロシラン、C1~C6アルキルトリクロロシラン、C1~C4アルキルトリクロロシラン、C1~C3アルキルトリクロロシラン、メチルトリクロロシランCH3SiCl3、メチルトリブロモシラン、メチルトリフルオロシラン、メチルトリヨードシラン、エチルトリクロロシラン、エチルトリブロモシラン、エチルトリフルオロシラン、エチルトリヨードシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリブロモシラン、プロピルトリフルオロシラン、プロピルトリヨードシラン、ブチルトリクロロシラン、ブチルトリブロモシラン、ブチルトリフルオロシラン、ブチルトリヨードシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリブロモシラン、フェニルトリフルオロシラン、フェニルトリヨードシラン、ベンジルトリクロロシラン、ベンジルトリブロモシラン、ベンジルトリフルオロシラン、及びベンジルトリヨードシランが挙げられる。一実施形態では、オルガノトリハロシランは、メチルトリクロロシランである。オルガノトリハロシランは、少なくとも2つの異なるオルガノトリハロシランの混合物、例えばCH3SiCl3及びCH3SiBr3、又はCH3SiCl3及びCH3CH2SiCl3、又はCH3SiCl3及びCH3SiCl2Br、又はCH3SiCl3及びCH3CH2SiBr3を含む混合物を含んでもよい。オルガノトリハロシランを作製する方法は、当該技術分野において既知である。これらの化合物の多くは、商業的に入手可能である。触媒は、iRe、iiReと、Pd、Ru、Mn、Cu、及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、iiiIrと、Pd及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、ivMn、vMn及びRhを含む混合物、viAg、viiMg、並びにviiiRhから選択される金属を含む。あるいは、触媒は、iRe、iiReと、Pd、Ru、Mn、Cu、及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、iiiIrと、Pd及びRhから選択される少なくとも1つの元素とを含む混合物、ivMn、vMn及びRhを含む混合物、viAg、並びにviiMgから選択される金属を含む。触媒金属は、i、iv、vi、及びvii、あるいはii、iii、及びv、あるいはi、あるいはii、あるいはiii、あるいはiv、あるいはv、あるいはvi、あるいはviiから選択され得る。あるいは、触媒金属は、ii、iii、v、及びviii、あるいはii、iii、及びviii、あるいはii、v、及びviii、あるいはiii、v、及びviii、あるいはii及びviii、あるいはiii及びviii、あるいはv及びviii、あるいはviiiから選択され得る。ii、iii、及びvにおける混合物は、典型的に、混合物の総重量に基づき、0.1~100w/w未満、あるいは50~100w/w未満、あるいは70~100w/w未満、あるいは80~99.9w/wのRe、Ir、又はMnをそれぞれ含み、残りは、ii、iii、及びvにおいて上述される混合物の他の元素のうちの少なくとも1つである。触媒は、担体を更に含んでよい。担体の例としては、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、及びケイ素の酸化物;活性炭;カーボンナノチューブ;フラーレン、グラフェン及び炭素の他の同素形が挙げられる。1つの実施形態においては、担体は、活性炭である。例えば、触媒は、活性炭上にReを、活性炭上にRe及びPdを、活性炭上にRh及びReを、活性炭上にRu及びReを、活性炭上にMn及びReを、活性炭上にRe及びCuを、活性炭上にAgを、活性炭上にMn及びRhを、活性炭上にMgを、活性炭上にRh及びIrを、活性炭上にIr及びPdを、又は活性炭上にRhを含んでよい。触媒は、今言及した触媒のうちのいずれか1つであってよい。触媒のいずれか、例えば活性炭上のRhは、対応するRHSiX2例えばCH3HSiCl2の量より多い量例えば、≧2xw/w、あるいは≧4xw/w、あるいは≧10xw/wでHSiX3例えば、HSiCl3をもたらすような反応温度及び圧力の条件下で利用され得る。幾つかの実施形態では、触媒は、RHSiX2をもたらすことなくHSiX3をもたらす。直前の担持多金属触媒ii、iii、又はvにおいて、少なくとも2つの金属のそれぞれは、活性炭上にあってよい。更に、多金属触媒は、少なくとも2つの金属のうちの2番目に列挙されるもののw/wと比較して、少なくとも2つの金属のうちの最初に列挙されるものが高いw/wを有してよい。触媒が担体を含む場合には、触媒は、担体及び金属又は混合物の総合重量に基づき、典型的に、0.1~100w/w未満、あるいは0.1~50w/w、あるいは0.1~35w/wの金属又は金属の混合物を含む。本明細書において使用するとき、用語金属は、ゼロ価金属、金属化合物、又はゼロ価金属と金属化合物との組み合わせを指す。金属の酸化数は、例えば0から元素周期表の金属の族数と等しい酸化数まで変動し得る。一実施形態では、金属の酸化数は、0である。触媒は、塊、顆粒、フレーク、及び粉末を含む、種々の物理形状を有することができる。非担持触媒の例としては、Re、Re及びPd、Re及びRu、Re及びMn、Re及びCu、Re及びRh、Ir及びPd、Ir及びRh、Mn、Mn及びRh、Ag、Mg、及びRhが挙げられ、Mgを除く金属のそれぞれは、0の酸化数を有し、Mgは、2の酸化数を有する。つまり、MgはMgIIである。担持触媒の例としては、活性炭担体上の上述の非担持触媒の金属複数可が挙げられる。非担持及び担持触媒は、当該技術分野において既知のプロセスにより作製することができる。例えば、非担持触媒を作製するために、ゼロ価金属を混合して、触媒を形成することができる。例えば、ゼロ価Re及びPdを混合して、非担持触媒を形成してもよい。あるいは、ハロゲン化物、酢酸塩、硝酸塩、及びカルボン酸塩を含む金属塩を望ましい組み合わせ及び割合で混合し、次いで典型的に500°C前後の高温で水素により還元してもよい。担持触媒を作製するための1つのそのような還元プロセスを以下に述べる。担持触媒は、塩化レニウム等の金属塩、又は塩化レニウムと塩化パラジウム等の異なる金属の少なくとも2つの可溶性塩を水又は酸等の溶媒に溶解し、この金属塩溶液を担体に適用し、担体の表面上の塩を還元することにより調製され得る。例えば、ReCl3を水又は塩酸に溶解し、活性炭と混合してもよい。次いで、過剰のReCl3溶液を除去し、活性炭-ReCl3混合物を乾燥させてもよい。次いで、ReCl3を、水素により典型的に約500°Cの高温で活性炭上で還元し、担持レニウム触媒を得てもよい。担持触媒を調製するために、添加及び還元の順序並びに塩の多段階添加とそれに続く還元もまた行うことができる。担持多金属触媒は、同じ担体の同じ粒子を含む、同じ担体上に堆積される少なくとも2つの金属のそれぞれを有してもよい。少なくとも2つの金属は、同時に又は順次堆積されてもよく、それぞれの堆積後に乾燥工程を伴う。加えて、又はあるいは、別個の担体上の別個の金属を別個に還元し、次いで別個に担持された金属を混合して担持多金属触媒を形成することにより、担持多金属触媒が調製できると、想定される。担持触媒を作製する方法は、以下の実施例の項にも詳細に記載されている。これらの触媒の幾つかは、市場でも購入できる。本発明の方法における反応装置は、ガスと固体を混合するのに適した任意の反応装置であり得る。例えば、反応装置の形体は、充填床、撹拌床、振動床、移動床、流動床、又は反応装置管であってよい。反応を促進するために、反応装置には、反応領域の温度を制御する手段が必要である。反応装置は、カーボン又はステンレススチールを含む、本方法と共に使用するのに適した任意の材料から作製され得る。反応装置は、相互に操作接触する接触部分と非接触部分とを有する。接触部分は、反応中にオルガノトリハロシラン及び水素、並びに所望により触媒のうちの少なくとも1つと接触し、一方、非接触部分例えば、外側部分は接触しない。接触部分及び非接触部分の材料は、同一であるか、又は異なってもよい。予想外に、反応装置の接触部分の材料が本方法の前述する選択性に影響を及ぼす場合がある。高鉄含量は、低選択性をもたらすことが分かった。そのような選択性に対する任意のそのような有害な反応装置材料の作用を避ける又は低減するために、反応装置の接触部分は、鉄に乏しいか、あるいは鉄含量が低くてもよい。本明細書における低鉄含量とは、20重量パーセントwt未満、あるいは<11重量、あるいは≦10重量、あるいは≦5重量、あるいは≦1重量を有する材料を意味し、すべて材料の総重量に基づく。例えば、スチールは、>50重量のFe含量例えばステンレススチールFe含量は約60~約70重量であるを有するため、接触部分の材料は、スチール例えば炭素鋼又はステンレススチール以外である。接触部分及び所望する場合、反応装置全体における選択性保存反応装置材料の例としては、鉄含量の低い石英ガラス、INCONEL合金SpecialMetalsCorporation,Huntington,WestVirginiaUSA、及びHASTELLOY合金HaynesInternational,Kokomo,IndianaUSAである。HASTALLOY合金は、Niと、次の元素:Co≦3重量、Cr≦1~30重量、Mo5.5~28.5重量、W0~4重量、Fe以下を参照、Si≦0.08~1重量、Mn0~≦3重量、及びC≦0.01重量のうちの少なくとも幾つかとを含む、合計100重量のNi系合金である。HASTALLOY合金は、次の合金:B-2Fe≦2重量、B-3Fe≦1.5重量、≧65重量Ni、Al≦0.5重量、及びTi≦0.2重量、C-4Fe≦3重量及びTi≦0.7重量、C-2000Fe≦3重量及びCu1.6重量、C-22Fe3重量及びV0.35重量、C-276Fe5重量及びV0.35重量、NFe≦5重量、Al0.5重量、Ti0.5重量、及びCu0.35重量、及びWFe6重量及びV0.6重量のうちの任意の1つであってよい。INCONEL合金は、72重量のNi、14~17重量のCr、6~10重量のFe、1重量のMn、及び0.5重量のCu、及び所望により他の元素を含む合金を含み、合計は100重量である。接触部分は、非接触部分の内側にライニング例えば石英ガラス内張ステンレススチール反応装置を含んでもよい。よって、接触は、オルガノシラン及び水素並びに所望により触媒と接触する接触部分を有する反応装置中で実施され得、接触部分は、12重量パーセント未満例えば10重量以下、あるいは0重量の鉄含量を有する。触媒の存在下、水素とオルガノトリハロシランとが接触する温度は、典型的に、300~800°C、あるいは400~700°C、あるいは500~700°C、あるいは500~600°C、あるいは700~800°Cである。例えば、触媒は活性炭上のRhであってよく、接触は700~800°Cで行われてもよい。水素とオルガノトリハロシランとが触媒と接触する圧力反応圧力は、亜大気圧、大気圧、又は超大気圧であってもよい。例えば、圧力は、典型的に、>0~2,900キロパスカルゲージkPag、あるいは>0~1000kPag、あるいは>0~830kPag、あるいは>0~500kPag、あるいは>0~120kPagである。圧力は、超大気圧であってよく、これは、>120~2,900kPag、あるいは>120~1,100kPag、あるいは>120~900kPag、あるいは>120~830kPagであってもよい。触媒の存在下、接触するオルガノトリハロシランと水素とのモル比は、0.009:1~1:2300であってもよい。典型的に、モル比は、後に表20~23のいずれか1つに列挙されるモル比の少なくともいずれか1つより低いモル比数値、例えば少なくとも0.010:1、あるいは少なくとも0.10:1、あるいは少なくとも2.1:1、あるいは少なくとも4.2:1、あるいは少なくとも10:1を有する。触媒の存在下、接触するオルガノトリハロシランと水素とのモル比は、典型的に、1:3~1:2300、あるいは1:10~1:2000、あるいは1:20~1:1000、あるいは1:43~1:300である。あるいは、オルガノトリハロシランと水素とのモル比は、0.009:1~<1:3、あるいは10:1~<1:3であってもよい。あるいは、モル比は、RSiCl3/H2のモル比、あるいはMeSiX3/H2のモル比、あるいはMeSiCl3/H2のモル比式中、R及びXは、Xは上述で定義された通りであってよい。水素及びオルガノトリハロシランの滞留時間は、トリハロシランを形成するのに十分である。例えば、水素及びオルガノトリハロシランの十分な滞留時間は、典型的には、少なくとも0.01秒s、あるいは少なくとも0.1秒、あるいは0.1秒~10分min、あるいは0.1秒~1分、あるいは1秒~10秒である。本明細書において使用するとき、滞留時間は、反応ガス即ち、水素及びオルガノトリハロシランの1反応装置容量が触媒を充填した反応装置を通過する時間即ち接触時間を指す。望ましい滞留時間は、水素及びオルガノトリハロシランの流量を調節することにより達成できる。水素及びオルガノトリハロシランは、典型的に、反応装置中へ同時に供給されるが、別個のパルスなどによる他の混合方法も想定される。水素は希釈ガスで希釈され得、得られたガス混合物は反応装置に供給され得る。希釈ガスは、窒素、アルゴン、又はヘリウムガス等の不活性ガスである。希釈ガスは、水素と希釈ガスのモル比が7:2~2:7、あるいは5:2~2:5であるような量で使用され得る。希釈ガスの使用は、HSiX3、又はHSiX3及びH2SiX2を作製するための方法の選択性を増加してもよい。オルガノトリハロシラン及び水素、又は水素/希釈ガス混合物は、同じ又は異なる流量例えばsccmで測定されるで反応装置に供給され得る。水素及び希釈ガスは、水素/希釈ガス混合物例えばH2/N2を作製するために、同じ又は異なる流量で供給され得る。例えば、水素の流量と希釈ガスの流量の比は、7:1~1:7、あるいは6:1~2:5、あるいは5:1~3:4に調節され得る。希釈ガスが本方法において利用されるとき、オルガノトリハロシランと水素とのモル比例えばMeSiCl3/H2のモル比は、有利に高くてもよく即ち、H2の使用量を下げてもよい、反応圧力例えば反応装置圧力は、希釈ガスを利用しない方法の実施形態において、対応するモル比及び反応装置圧力より高くてもよい。希釈ガスを利用しない方法の実施形態における反応圧力は、100~200psig690~1380kPag、例えば150psig1040kPagであってもよい。希釈ガスを利用する方法の実施形態における反応圧力は、>200~500psig>1380kPag~3450kPag、あるいは225~450psig1550kPag~3100kPag、あるいは250~400psig1730kPag~2800kPag、あるいは>200~300psig>1380kPag~2100kPagであってもよい。オルガノトリハロシランの水素に対するより高いモル比は、有利に、H2の使用量を低減する。より高い反応圧力は、有利に、トリハロシラン、又はトリハロシラン及びジハロシランの転換又は収率を増加させる。よって、希釈ガス及び高反応圧力を利用する方法の実施形態のトリハロシラン、あるいはトリハロシラン及びジハロシランを作製するための選択性は、したがって、希釈ガス又は高反応圧力を利用しない方法の実施形態の選択性よりも高くてもよい。触媒は、触媒有効量で存在する。本明細書において使用するとき、触媒有効量は、触媒の存在下、水素とオルガノトリハロシランとが接触するとき、以下に記載されるトリハロシランを形成するのに十分な触媒量である。例えば、触媒の触媒有効量は、少なくとも触媒0.01mg/反応装置容積cm3、あるいは少なくとも触媒0.5mg/反応装置容積cm3、あるいは触媒1~10,000mg/反応装置容積cm3である。本発明の方法は、バッチ、半連続、連続、又は任意の他のプロセスレジームとして行われ得る。本方法は、典型的に、連続的又は半連続的に行われる。本明細書において使用するとき、連続的は、オルガノトリハロシラン流及び水素流が触媒を含有する反応装置に常に供給されることを意味し、一方で、トリハロシラン生成物、未反応オルガノトリハロシラン、及び水素、並びに任意の副産物は取り除かれる。本発明の方法は、典型的に、トリハロシラン生産率が既定の制限を下回るまで行われ、その時点で、触媒は交換又は再生され得る。例えば、本方法は、典型的に、トリハロシラン生産率が同一実験において初期のトリハロシラン生産率の95を下回る、あるいは85を下回る、あるいは10~85を下回るまで行われる。初期のトリハロシラン生産率は、同一実験における初期時点からのトリハロシラン生産率であり、特定の実験からの最初のトリハロシラン生産率と異なってよい。本発明の方法は、触媒の存在下、水素とオルガノトリハロシランとを接触させた後、例えば、触媒がオルガノトリハロシラン及び水素と接触した後に、触媒を再生する工程も含むことができる。触媒は、触媒を、例えばHCl若しくはCl2又はCOCl2等の塩化水素化剤又は塩素化剤と接触させることにより再生され得る。触媒を塩化水素化剤と接触させる工程は、典型的に、100~800°Cで、あるいは200~600°Cで、あるいは250~550°Cで、及び大気圧から超大気圧反応圧力において、あるいは0~2000kPagにおいて、あるいは5~500pKagにおいて行われる。再生は、上述され、上記に例示されるように、反応装置中で行われ得る。再生は、典型的に、塩化水素化剤の触媒との接触からケイ素種がほとんど又は全く生成されなくなるまで行われる。本発明の方法は、水素とオルガノトリハロシランとの接触前にパージする工程も含むことができる。本明細書において使用するとき、パージは、触媒を含有する反応装置にガス流を導入し、望ましくない材料を除去することを意味する。望ましくない材料は、例えばO2及びH2Oである。パージは、アルゴン、窒素、若しくはヘリウム等の不活性ガス、又は水分と反応し、それによってそれを除去する四塩化ケイ素等の活性ガス、又は水素ガスを用いて達成され得る。本発明の方法は、触媒の存在下、水素とオルガノトリハロシランとを接触させる前に、触媒を活性化させる工程も含むことができる。触媒の活性化は、典型的には500°C前後の高温で、典型的には1~3時間の時間期間、触媒を水素で処理することにより達成される。本方法は、触媒の存在下、水素と接触させる前に、既知の方法によりオルガノトリハロシランを予備加熱し、ガス化することを更に含むことができる。あるいは、プロセスは、触媒と接触させる前に、オルガノトリハロシランを通して水素を気泡させて、オルガノトリハロシランを気化させる工程を更に含むことができる。本プロセスは、トリハロシランを回収する工程を更に含むことができる。トリハロシランは、例えば、ガス状トリハロシラン及び任意の他のガスを反応装置から取りだし、次いでトリハロシランを蒸留により分離して回収することができる。トリハロシランは、式HSiX3式中、Xはオルガノトリハロシランに関して定義された通りを有する。本プロセスに従って調製されるトリハロシランの例としては、HSiCl3、HSiBr3、及びHSiI3が挙げられる。更なる例は、HSiCl2Brである。本発明の方法は、水素及びオルガノトリハロシランからトリハロシランを製造する。本方法は、ゼロ価ケイ素を直接使用しないため、本方法は、ゼロ価ケイ素を使用する方法より少ないエネルギーを使用し、より経済的にトリハロシランを製造することができる。本発明のプロセスは、高純度ポリシリコンの作製に使用できる、又はポリシロキサンの製造のために公知の方法により加水分解できるトリハロシランを製造する。高純度ポリシリコンは、例えば、太陽電池及びコンピュータチップに用途が見いだされ、ポリシロキサンは多くの工業及び応用に用途が見いだされる。以下の実施例は、本発明の方法をよりよく説明するために示されるものであり、添付の特許請求の範囲内において示される発明を制限するものと考えられるべきではない。特に断りのない限り、実施例に記録されるすべての部及び百分率は重量による。次の表1において、実施例で使用される略語を説明する。触媒を製造する方法:金属塩化物、又は2つの異なる金属塩化物を水又は塩酸に溶解した。活性炭担体を混ぜ入れ、真空下、20~30分間引いた。過剰な液体をデカントし、触媒を120~150°Cのオーブンで乾燥させた。約0.5gのオーブン乾燥させた触媒を、両側に石英ウールを用いて定位置に保持された開口ガラス管の中に充填した。管を流れ反応装置に接続した。Lindberg/BlueMinimiteの1インチ2.54cmの管炉中で、触媒を500°Cで2時間、30~40sccmのH2と、又は450°Cで約15時間、5~10sccmのH2と接触させた。AirgasのH2は、超高純度であった。水素の流量は、MKS1179A質量流量制御装置を用いて制御された。H2及びRSiCl3が、ある温度で触媒の上を流された合計時間は、実施例の表に後に記録される。反応装置。実施例1~17及び24の反応装置は、触媒を定位置に保持するための石英ウールを備えた開口石英ガラス管からなる。管は接触部分を有し、Lindberg/BlueMinimiteの1インチの管炉を備える流れ反応装置、及びガス流を制御するためのMKS1179A質量流量制御装置に接続された。高圧実験において、ガラス管は、ガラス管が嵌まるのに十分な程良い大きさの内径のスチール管の中に挿入された。外部周辺へのガスの流れを防止するために、oリングを入口でガラス管上に嵌めた。GORegulatorの背圧調整器0~500psi0~3447kPaは、管炉の出口で反応装置に取り付けられた。実施例18~23及び25の反応装置の接触部分は、例が後述され得るが、石英ガラス、ステンレススチール、又はINCONEL合金から作製された。試薬。水素は、AirgasRadnor,PAの超高純度水素であった。活性炭及び金属塩は、SigmaAldrichMilwaukee,WIから購入した。生成物の分析。生成物及び副生成物を含む反応装置からの流出物を、廃棄前に、100μLの一定量の注入ループを有する6方作動バルブViciを通した。注入バルブを作動させて試料を反応流から採取し、分析のために100μLの試料を注入口におけるスプリット比を5:1として、Agilentの6890A型GCの注入口に直接通した。GCには出口でスプリットする、単一の30mのRtx-DCAカラムRestek、内径320μm、厚さ1μmのフィルムが取り付けられていた。1つの流路は反応生成物の定量のためにTCDに繋がり、他の流路は水素炎イオン化検出器に繋がっていた。流量。メチルトリクロロシランの流量比は、気化可能な液体を含有するバブラーの操作、並びに標準温度及び圧力での水素の流量を調節する既知の熱力学的原理を使用して決定された。実施例1:炭素上のRe。流れ反応装置に、炭素上に5.9w/wのReを含む約0.6gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を200°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表2に列挙される条件及び収率で生成された。実施例2:炭素上にRe及びPd。7.5w/wのRe及び0.2w/wのPdの両方を炭素上に含む約0.5グラムの触媒を流れ反応装置に充填した。500°Cで約3時間、20sccmのH2流量で触媒を処理した。触媒の処理後、反応装置の温度を300°Cに下げ、H2及びメチルトリクロロシランを、最初にメチルトリクロロシランを含有するバブラーを通してH2を通し、反応装置の管の中に通すことにより、反応装置の管に導入した。反応温度、圧力、流量、及び流量比を変更し、トリハロシラン収率に対するその影響を判定した。生成物流から試料を定期的に採取し、GCにより分析した。分析結果及び条件を表3に列挙する。実施例3:炭素上のRe及びPd。流れ反応装置に、8.1w/wのRe及び1.0w/wのPdの両方を炭素上に含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を400°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表4に列挙される条件で生成された。実施例4:炭素上のPd及びRe。流れ反応装置に、15.4w/wのPd及び5.2w/wのReの両方を炭素上に含む約0.4gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表5に列挙される条件で生成された。実施例5:炭素上のRh及びRe。流れ反応装置に、5.0w/wのRh及び1.7w/wのReの両方を炭素上に含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、500°Cで2時間、30sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより、反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、MeSiCl3バブラーの温度、及び圧力、を変更しながら行った。HSiCl3は、下の表6に列挙される条件で生成された。実施例6:炭素上のRh及びRe。流れ反応装置に、4.7w/wのRh及び4.7w/wのReの両方を炭素上に含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、500°Cで2時間、40sccmのH2で行われた。反応装置の温度を550°Cに上げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、ほぼ一定条件で行われた。HSiCl3は、下の表7に列挙される条件で生成された。実施例7:炭素上のRu及びRe。流れ反応装置に、5.1w/wのRu及び5.1w/wのReの両方を炭素上に含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度及びMeSiCl3バブラーの温度を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表8に列挙される条件で生成された。実施例8:炭素上のMn及びRe。流れ反応装置に、2.7w/wのMn及び2.6w/wのReの両方を炭素上に含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表9に列挙される条件で生成された。実施例9:炭素上のRe及びCu。流れ反応装置に、6.5w/wのRe及び0.9w/wのCuの両方を炭素上に含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、500°Cで3時間、30sccmのH2で行われた。反応装置の温度を400°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、圧力、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。HSiCl3は、下の表10に列挙される条件で生成された。実施例10:炭素上のRe。流れ反応装置に、炭素上に7.1w/wのReを含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、500°Cで3時間、20sccmのH2で行われた。反応装置の温度を400°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、MeSiCl3バブラーの温度、及びH2の流量を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表11に列挙される条件で生成された。実施例11:炭素上のAg。流れ反応装置に、炭素上に15.7w/wのAgを含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約2.5時間、50sccmのH2で行われた。反応装置の温度を400°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表12に列挙される条件で生成された。実施例12:炭素上のMn及びRh。流れ反応装置に、3.5w/wのMn及び2.5w/wのRhの両方を炭素上に含む約0.4gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を400°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表13に列挙される条件で生成された。実施例13:炭素上のMg。流れ反応装置に、4.1w/wのMgIIを炭素上に含む約0.5gの触媒MgCl2の水性溶液として充填をガラス管に充填した。触媒の活性化は、500°Cで2.5時間、20sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、MeSiCl3バブラーの温度、及び圧力、を変更しながら行った。HSiCl3は、下の表14に列挙される条件で生成された。実施例14:炭素上のRh及びIr。流れ反応装置に、3.3w/wのRh及び2.7w/wのIrの両方を炭素上に含む約0.4gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表15に列挙される条件で生成された。実施例15:炭素上のIr及びPd。流れ反応装置に、4.1w/wのIr及び1.5w/wのPdの両方を炭素上に含む約0.5gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、500°Cで3時間、20sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、圧力、及びMeSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。HSiCl3は、下の表16に列挙される条件で生成された。実施例16:炭素上のRh及びRe。流れ反応装置に、4.7w/wのRh及び4.7w/wのReの両方を炭素上に含む約0.4gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化は、500°Cで2時間、50sccmのH2で行われた。プロピルトリクロロシランバブラーを通してH2を通すことにより、反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、圧力、及びPrSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。HSiCl3は、下の表17に列挙される条件で生成された。実施例17:炭素上のRh及びReEtSiCl3。流れ反応装置に、3.6w/wのRh及び3.7w/wのReの両方を炭素上に含む約0.45gの触媒をガラス管に充填した。触媒の活性化を、600°Cで3時間、50sccmのH2で行った。エチルトリクロロシランバブラーを通してH2を通すことにより、反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにそれらをGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、圧力、及びEtSiCl3バブラーの温度、を変更しながら行った。HSiCl3は、下の表18に列挙される条件で生成された。実施例18:HSiCl3の生成に対する圧力の影響。この実施例は、本方法の反応性転換又は収率及び選択性に対する反応圧力の作用を例示する。ステンレススチール製の反応装置内側寸法:内径0.75インチ1.9cmid、長さ18インチ46cmに、4.7w/wのRh及び4.7w/wのReの両方を炭素上に含む約2.0gの触媒を充填した。500°Cで2時間、200sccmのH2で触媒を活性化した。次いで、反応装置の温度を600°Cに上げ、1時間当り2.0ミリリットルmL/hの流量で、シリンジポンプを介してMeSiCl3を反応装置に供給した。ドライアイスで冷却したコンデンサに試料を2時間かけて収集し、ガスクロマトグラフGCにより分析した。この結果を下の表19に示す。Me=メチル;SiH=H2SiCl2HSiCl3、ステンレススチール製反応装置、MeSiCl3/H2モル比=0.071。表19に見られるように、高反応圧力は、高MeSiCl3転換及び高HSiCl3TCS、H2SiCl2DCS選択性、高DCS/TCS比を支持し、MeHSiCl2を最小限に抑える。300psig2068.4kPaより上の反応圧力で大幅なSiHの改善は観察されなかった。実施例19:RSiCl3/H2モル比の作用。この実施例は、本方法の反応性転換又は収率及び選択性に対するRSiCl3/H2モル比の作用を例示する。INCONEL合金製の反応装置内側寸法:0.375インチ0.95cmid、長さ18インチ46cmに、1.0w/wのRh及び1.0w/wのReの両方を炭素上に含む約2.0gの触媒を充填した。500°Cで2時間、200sccmのH2で触媒を活性化した。次いで、反応装置の温度を600°Cに上げ、2.0mL/時間~175mL/時間の流量で、シリンジポンプを介してMeSiCl3を反応装置に供給した。MeSiCl3/H2モル比を0.010~10の範囲で変更するために、30sccm~700sccm範囲の範囲で水素流を使用した。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。この結果を下の表20に示す。Me=メチル;SiH=H2SiCl2HSiCl3表20に見られるように、高H2流及び低MeSiCl3/H2モル比は、高MeSiCl3転換、及び高SiH収率を支持し、SiCl4及びMeHSiCl2の選択性を減少させた。実施例20:H2希釈の作用。この実施例は、MeSiCl3/H2比を減少させるためにN2ガスを用いたH2希釈の本方法の反応性転換又は収率及び選択性に対する作用を例示する。INCONEL合金製の反応装置内側寸法:0.375インチ0.95cmid、長さ18インチ46cmに、1.0w/wのRh及び1.0w/wのReの両方を炭素上に含む約2.0gの触媒を充填した。500°Cで2時間、200sccmのH2で触媒を活性化した。次いで、反応装置の温度を600°Cに上げ、2.0mL/時間の流量で、シリンジポンプを介してMeSiCl3を反応装置に供給した。200sccm~700sccm範囲の範囲でH2ガス流、及び0sccm~500sccm範囲の範囲でN2ガス流が使用され、総ガス流は、N2ガスでH2を希釈し、150psig1034.2kPaの反応圧力で反応を行うことにより、700sccmに維持された。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入され、結果平均4~6の実験を下の表21に示す。Me=メチル;SiH=H2SiCl2HSiCl3表21に示すように、結果は、類似する反応圧力でN2によるH2希釈がMeSiCl3転換及びHSiCl3TCS、H2SiCl2DCS選択性を減少させ、SiCl4及びMeHSiCl2を増加させたことを示す。実施例21:H2希釈反応に対する反応圧力の作用。この実施例は、H2希釈反応に対する圧力の作用を例示する。INCONEL合金製の反応装置内側寸法:0.375インチ0.95cmid、長さ18インチ46cmに、1.0w/wのRh及び1.0w/wのReの両方を炭素上に含む約2.0gの触媒を充填した。500°Cで2時間、200sccmのH2で触媒を活性化した。次いで、反応装置の温度を600°Cに上げ、2.0mL/時間の流量で、シリンジポンプを介してMeSiCl3を反応装置に供給した。100sccm~700sccm範囲の範囲でH2ガス流、及び0sccm~600sccm範囲の範囲でN2ガス流が使用され、総ガス流は、N2ガスでH2を希釈し、150psig1034.2kPaの反応圧力で成分を接触させることにより、700sccmに維持された。反応圧力は、150psig~400psig1034.2kPa~2757.9kPaまで変動した。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入され、結果平均4~6の実験を下の表22a及び22bに示す。Me=メチル;SiH=H2SiCl2HSiCl3;反応圧力;N/dは、判定されなかったことを意味する。表22a及び22bにおいて、結果は、実施例20に示される、H2希釈反応におけるMeSiCl3転換及びSiHHSiCl3H2SiCl2選択性の減少が、反応圧力を増加することによって実施例21において改善され得る表22のエントリー1をエントリー2~4と比較ことを示す。例えば、700sccmのH2流MeSiCl3/H2比=0.0100でのMeSiCl3転換及びSiH選択性は、N2希釈条件下、反応圧力を約250psig約1723.7kPaに増加することにより、低H2流500sccm及び高MeSiCl3/H2比0.0140で達成され得る。同様の反応能力は、更に高い反応圧力>400psig>2757.9kPaで、更に低いH2流及び高MeSiCl3/H2比で達成され得る。実施例22:反応装置の構成材料の作用。この実施例は、本方法の反応性転換又は収率及び選択性に対する反応装置の構成材料MOCの作用を例示する。反応装置MOCaINCONEL合金反応装置、b石英ガラス内張り反応装置、又はcステンレススチール製反応装置、の3つの異なる型の反応装置のうちの1つすべて、内側寸法:0.375インチ0.95cmid、長さ18インチ46cmを有するを使用した。別個の実施例において、各反応装置に4.7w/wのRh及び4.7w/wのReの両方を炭素上に含む約2.0gの触媒を充填した。500°Cで2時間、200sccmのH2で触媒を活性化した。次いで、反応装置の温度を600°Cに上げ、2.0mL/時間の流量で、シリンジポンプを介してMeSiCl3を反応装置に供給した。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、5~6時間続いた。この手順は、異なる反応装置のそれぞれを使用して、異なるMeSiCl3/H2モル比で繰り返され、結果を下の表23に示す。Me=メチル;SiH=H2SiCl2HSiCl3表23に示すように、結果は、高鉄含量Fe含量≧50重量の反応装置が高SiH選択性を好まないことを示唆する。好適な反応装置材料は、低い鉄含量を含有する。実施例23:炭素上にRh。この実施例は、反応装置の反応性及び選択性に対する4.7のRh/C触媒の作用を例示する。ステンレススチール製の反応装置内側寸法:内径0.75インチ1.9cmid、長さ18インチ46cmに、4.7w/wのRhを炭素上に含む約2.0gの触媒を充填した。500°Cで2時間、100sccmのH2で触媒を活性化した。次いで、反応装置の温度は、500°Cに保たれるか、又は600°Cに上げられるかのいずれかであり、MeSiCl3は、2.0mL/時間の流量で、シリンジポンプを介して反応装置に供給された。反応圧力は、100~120psig689.8~827.4kPaであった。試料を2時間かけてドライアイスで冷却したコンデンサに収集し、ガスクロマトグラフにより分析し、結果を下の表24に示す。実施例24:炭素上にRh。流れ反応装置に、約0.3gの炭素上の7.3重量のRhをガラス管に充填した。触媒の活性化は、450°Cで約15時間、10sccmのH2で行われた。反応装置の温度を300°Cに下げ、MeSiCl3バブラーを通してH2を通すことにより反応を開始させた。試料を反応流から採取し、オンラインスイッチ弁を使用して、分析のためにGCに注入した。反応は、次の条件:反応温度、水素の流量、MeSiCl3バブラーの温度、及びMeSiCl3の流量、を変更しながら行った。触媒の活性化及び反応は、システムに背圧を適用することなく行われた。HSiCl3は、下の表25に列挙される条件で生成された。表25の結果は、Rh/Cが選択的にHSiCl3を生じさせることができ、比較的ほとんど又は全くAlkylHSiCl2を生じないことを示す。実施例25:H2希釈反応に対する反応圧力の作用。この実施例は、反応圧力が400psig2757.9kPaではなく300psig2068.4kPaであったことを除き、実施例21のエントリー1の再現であった。MeSiCl3転換は99.5重量であり、SiH選択性は65.6重量Si=H2SiCl2HSiCl3であり、N/dは、判定されなかったことを意味するであった。結果は、実施例20に示される、H2希釈反応におけるMeSiCl3転換及びSiHHSiCl3H2SiCl2選択性の減少が反応圧力を増加させることにより実施例21で改善され得ることを示す。"