絶縁層を挟む両面にそれぞれ金属パターンを設けた絶縁基板上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂にてモールドし、前記絶縁基板の半導体を実装した面と反対側の面に設けた前記金属パターンが前記モールドから外側へ露出したパワー半導体モジュールの構造において、前記絶縁基板上に、高さ方向に弾性変形が可能で、かつ前記パワー半導体モジュールのモールド成形時の型に設けた押圧棒を受けるための押圧棒受け弾性部材を、接合した、ことを特徴とするパワー半導体モジュールの構造。請求項1に記載の半導体モジュールの構造において、前記押圧棒受け弾性部材は、前記絶縁基板に接続される端子の一部で形成した、ことを特徴とする半導体モジュールの構造。絶縁層を挟む両面にそれぞれ金属パターンを設けた絶縁基板上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂にてモールドし、前記絶縁基板の前記半導体を実装した面と反対側の面に設けた前記金属パターンが前記モールドから外側へ露出したパワー半導体モジュールの製造方法であって、前記絶縁基板上に、高さ方向に弾性変形が可能で、かつ前記パワー半導体モジュールのモールド成形時の型に設けた押圧棒を受けるための押圧棒受け弾性部材を接合し、該押圧棒受け弾性部材を接合した前記絶縁基板を一方の型内に入れて、他方の型に設けた押圧棒により、両型の型締め時に、前記押圧棒受け弾性部材を弾性変形させて前記絶縁基板の底面から前記押圧棒受け弾性部材の上面までの高さを決めた状態で樹脂を両型内に注入し、樹脂モールドで樹脂封止してパワー半導体モジュールを得るようにした、ことを特徴とするパワー半導体モジュールの製造方法。しかしながら、上記従来の半導体モジュールの製造方法にあっては、押し棒あるいは可動棒で放熱部あるいは載置片を押しつけてこれらの裏面と下側モールド用金型の載置片との間の隙間を無くそうとするものであるが、基板の厚さ等によっては、以下に説明するような問題がある。すなわち、半導体モジュールでは、セラミックを焼成して得たセラミック基板絶縁基板上に、アルミニウムパターンや銅パターンを溶湯接合により、あるいは物理蒸着や化学蒸着を利用した薄膜形成によるメタライズ活性金属による接合により接合することが多いが、この場合、基板全体の厚さ公差が比較的大きくなってしまう。この場合、従来の方法のように、押し棒だけで押圧してばらつきを吸収しようとすると、基板の変形が大きくなって破損してしまうといった問題がある。また、特許文献1に記載のように、可動棒にてばねを介して弾力的に押すようにすることで基板の大きな変形を避けることも可能となるが、製造装置が複雑で高価になる上、装置のメインテナンス工数の増加や押し棒やばねの交換頻度の増加を避けることができず、生産性が悪くなってしまうといった問題があった。本発明は、上記問題に着目してなされたもので、その目的とするところは、比較的大きな厚さ公差を有する絶縁基板であっても、簡単な構造でかつメインテナンスが容易な製造装置でありながら、絶縁基板等の樹脂モールド成形時に押し棒の押圧により絶縁基板を破損することなく、また絶縁基板側露出面における樹脂のバリの発生をなくすことができるパワー半導体モジュールの構造およびその製造方法を提供することにある。この目的のため、本発明による半導体モジュールの構造は、絶縁層を挟む両面にそれぞれ金属パターンを設けた絶縁基板上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂にてモールドし、絶縁基板の半導体を実装した面と反対側の面に設けた金属パターンが前記モールドから外側へ露出したパワー半導体モジュールの構造において、絶縁基板上に、高さ方向に弾性変形が可能で、かつパワー半導体モジュールのモールド成形時の型に設けた押圧棒を受けるための押圧棒受け弾性部材を、接合した、ことを特徴とする。また、この目的のため、本発明による半導体モジュールの製造方法は、絶縁層を挟む両面にそれぞれ金属パターンを設けた絶縁基板上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂にてモールドし、絶縁基板の半導体を実装した面と反対側の面に設けた金属パターンが前記モールドから外側へ露出したパワー半導体モジュールの製造方法であって、絶縁基板上に、高さ方向に弾性変形が可能で、かつパワー半導体モジュールのモールド成形時の型に設けた押圧棒を受けるための押圧棒受け弾性部材を接合し、この押圧棒受け弾性部材を接合した絶縁基板を一方の型内に入れて、他方の型に設けた押圧棒により、両型の型締め時に、押圧棒受け弾性部材を弾性変形させて基板の底面から押圧棒受け弾性部材の上面までの高さを決めた状態で樹脂を両型内に注入し、樹脂モールドで樹脂封止してパワー半導体モジュールを得るようにした、ことを特徴とする。本発明半導体モジュールの構造にあっては、樹脂モールド成形時に、型の押圧棒が当接することで弾性変形して絶縁基板の底面から押圧棒受け弾性部材の上面までの高さを厚さ公差内にした状態で樹脂を注入できるようにしたので、簡単な構造でかつメインテナンスが容易な製造装置でありながら、絶縁基板等の樹脂モールド成形時に押し棒の押圧により絶縁基板を破損することなく、また絶縁基板側露出面における樹脂のバリの発生をなくすことができる。本発明半導体モジュールの製造方法にあっては、絶縁基板上に押圧棒受け弾性部材を設け、樹脂モールド成形時に、型の押圧棒が当接することで弾性変形して絶縁基板の底面から押圧棒受け弾性部材の上面までの高さを厚さ公差内にした状態で樹脂を注入できるようにしたので、簡単な構造でかつメインテナンスが容易な製造装置でありながら、絶縁基板等の樹脂モールド成形時に押し棒の押圧により絶縁基板を破損することなく、また絶縁基板側露出面における樹脂のバリの発生をなくすことができる。以下、本発明の実施の形態を、図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。まず、実施例1のパワー半導体モジュールは、たとえば電気自動車の走行用三相交流モータをパルス幅変調PWM:PulseWidthModulation駆動するインバータの各相U相、V相、W相に対応するインバータ回路の上下アーム直列回路を形成して同一モジュールとして内蔵したものである。このような3つのパワー半導体モジュールを組み合わせて三相インバータ回路が形成される。図1に、実施例1のパワー半導体モジュール1を示す。同図は、図2、3に示すパワー半導体モジュール組付体1を樹脂モールド成形した後に型から取り出し、その上面の樹脂2を削り終えた状態を示す。なお、その下面は、後述するように、樹脂2のバリ等が発生しないように樹脂モールド成形するので、上面のように削る必要はない。また、図1は不要箇所を切り落す前のパワー半導体モジュール1の状態を示し、これらの作業を終えることで、完成したパワー半導体モジュール1が得られる。パワー半導体モジュール1は、セラミックを基材として焼成したロアセラミック基板1aおよびアッパセラミック基板1dの両面にアルミニウムパターンや銅パターンなどの金属パターン1b、1cおよび1e、1fをそれぞれ溶湯接合により、あるいは活性金属によるメタライズなどにより接合するとともに、ロアセラミック基板1a上に絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT:InsulatedGateBipolarTransistorチップやダイオードチップ等が高温はんだで接合されている。ロアセラミック基板1aとアッパセラミック基板1dとの間には複数のスペーサ7が介装され、IGBTチップ、ダイオードチップ、金属パターン1eなどに高温はんだで接合されている。なお、以後、ロアセラミック基板1aおよびこの両面の金属パターン1b、1cを合わせてロア基板1A、またアッパセラミック基板1dおよびこの両面の金属パターン1e、1fを合わせてアッパ基板1Bと言う。ロアセラミック基板1aおよびアッパセラミック基板1dは本発明の絶縁層に相当し、ロア基板1A、アッパ基板1Bは本発明の絶縁基板に相当し、IGBTチップおよびダイオードチップは、本発明の半導体に相当する。また、ロアセラミック基板1aの上面の金属パターン1cには、図1中、それぞれ横方向両側へ突出する端子9、また図1中の上下方向へそれぞれ突出するアウトリード端子3a、Nリード端子3b、Pリード端子3cが接合されるとともに、ロアゲート端子4aとアッパゲート端子4bとが設けられる。ロアゲート端子4aとアッパゲート端子4bは、ボンディングワイヤ8図2参照を介してIGBTチップに接合されている。さらに、実施例1のパワー半導体モジュール1には、樹脂モールド前のパワー半導体モジュール組付体1が描かれた図1、2に示すように、ロアセラミック基板1aの上面側の金属パターン1cの四隅Pにピン受け弾性部材5がはんだ6で接合されている。このピン受け弾性部材5は、パワー半導体モジュール1の樹脂モールド成形工程において、後述する型と一体のピン図3の11aの押圧力を受けるとともに、このときピン受け弾性部材5が下方へ弾性変形して、ロア基板1Aの厚さに起因してその公差厚さが大きい場合でも、パワー半導体モジュール組付体1におけるロア基板1Aの底面からピン受け弾性部材5の上面までの高さが許容公差範囲内に収まるようにしてある。ここで、許容公差範囲は、ピン11aでピン受け弾性部材5が押圧されている時、ロア基板1Aの底面とモールド用の下型の内底面との間に樹脂が流れ込む隙間を形成することなく、またピン11aの押圧力によりロア基板1Bが過大変形して破損することがない範囲に設定されている。また、ロア基板1Aの底面からピン受け弾性部材5の上面までの高さは、樹脂モールド成形工程前にあっては、上記許容公差範囲よりわずか大きめになるようにされる。ピン受け弾性部材5は、本発明の押圧棒受け弾性部材に相当する。上記のようにピン受け弾性部材5をはんだ6で4か所接合したパワー半導体モジュール組付体1は、樹脂モールド成形工程へと進められる。樹脂モールド成形工程では、図3に示すように、パワー半導体モジュール組付体1を下型10の内底面に載置し、上型11を下型10に向けて相対移動させる。このとき、上型11aに一体的に設けられて下方へ伸びる4つのピン11aがそれぞれパワー半導体モジュール組付体1のピン受け弾性部材5の上面に当接し、これを下方に押す。この押圧力により、ピン受け弾性部材5のピン11aの当接部分は、下方へ弾性変形され、ロア基板1Aの底面からピン受け弾性部材5の上面までの高さが許容公差範囲内に収まる高さになって、下型10および上型11の型締めの間、上記高さを維持する。この状態で、トランスファーモールド法により、下型10と上型11の隙間から、樹脂たとえば、エポキシ樹脂にシリカの充填剤を充填したモールド樹脂2を充填してパワー半導体モジュール組付体1の隙間を樹脂封止する。この結果、ロア基板1Aの底面からピン受け弾性部材5の上面までの高さは、樹脂2により許容公差範囲内に維持される。このようにして、上型11がピン11aとともにパワー半導体モジュール組付体1および下型10から離された後、樹脂封止されたパワー半導体モジュール組付体1が下型10から取り出される。この樹脂モールド工程により、ロア基板1Aとアッパ基板1Bとの間の隙間が、樹脂封止されるが、このとき、ロア基板1Aと下型12の内底面には隙間がないようにしていたので、ロア基板1Aの底面側の金属パターン1bには樹脂2が付着していない。一方、アッパ基板1Bの上面側の金属パターン1f上は、樹脂2で覆われている。また、パワー半導体モジュール組付体1の樹脂2には、4つのピン11aの跡としてのピン孔が残っている。樹脂モールド成形工程後、下型10から取り出したパワー半導体モジュール組付体1は、アッパ基板1Bの上面側に設けた金属パターン1f上の樹脂2を削り取って金属パターン1fが露呈するようにする。また図1に示すように、端子11の不要な端部部分を一点鎖線C1に沿ってそれぞれ切り離すなどして、完成品としてのパワー半導体モジュール1を得る。以上のように、実施例1のパワー半導体モジュール1にあっては、ロア基板1A上に、パワー半導体モジュール組付体1の樹脂モールド成形時に使用する型に設けたピン11aを受けるためのピン受け弾性部材5をはんだ6で接合したので、樹脂モールド成形時におけるピン11aの押圧力でピン受け弾性部材5を弾性変形させて、ロア基板1Aの底面からピン受け弾性部材5の上面までの高さを許容範囲内に維持した状態で樹脂モールド成形を実行することが可能となる。したがって、比較的大きな厚さ公差を有するロア基板1Aであっても、ロア基板1A等の樹脂モールド成形時におけるピン11aの押圧に起因したロア基板1Aの過大変形による破損を防止するとともに、ロア基板1A等の樹脂モールド成形に伴う樹脂2のバリの発生をなくすことができる。また、その製造装置は、繰り返し使用するため高耐久性が必要なばね付きの可動棒等が不要となって構造が簡単でメインテナンスが容易になる。一方、実施例1のパワー半導体モジュール1のピン受け弾性部材5は、耐久性について考慮する必要はなく、樹脂成モールド成形時にのみ持てばよいので、安価なもので済む。次に、他の実施例について説明する。この他の実施例の説明にあたっては、前記実施例1と同様の構成部分については図示を省略し、もしくは同一の符号を付けてその説明を省略し、相違点についてのみ説明する。次に、本発明に係る実施例2のパワー半導体モジュールにつき、説明する。実施例2のパワー半導体モジュールでは、実施例1のピン受け弾性部材5の形状を、図4に示すように、横に寝させたU字状のピン受け弾性部材12としたものである。その他の構成は、実施例1と同様である。したがって、実施例2も、実施例1と同様の作用効果を有する。次に、本発明に係る実施例3のパワー半導体モジュールにつき、説明する。実施例3のパワー半導体モジュールでは、実施例1のピン受け弾性部材5の形状を、図4に示すように、逆U字の両端をそれぞれ水平方向に突出した形状のピン受け弾性部材13としたものである。その他の構成は、実施例1と同様である。したがって、実施例3も、実施例1と同様の作用効果を有する。次に、本発明に係る実施例3のパワー半導体モジュールにつき、説明する。実施例3のパワー半導体モジュールでは、実施例1のピン受け弾性部材5の代わりに、端子9の一部を、図6、7、8に示すように、パワー半導体モジュール組付体1の端子9の四隅に近い部分をそれぞれ一部切り欠いて下方へ折り曲げて伸ばし、その先端部分を曲げてロア基板1Aの上面に平行にしてピン受け弾性部9aとする。このピン受け弾性部9aの下面は、はんだ6でロア基板1Aの上面に接合される。なお、ピン受け部9aは、本発明の押圧棒受け弾性部材に相当する。上記のように構成したパワー半導体モジュール組付体1は、樹脂モールド成形工程にて、実施例1の図3の場合と同様に、図示を省略した下型の内面上に載置し、上型と下型とを互いに型締めする。このとき、上型のピンがピン受け部9aに当接してこれらを下方へ押圧し、下型の内底面とロア基板1Aの底面との間の隙間をなくす。この状態で、樹脂2を上型と下型の間からパワー半導体モジュール組付体1の空隙へ流し込み、図9にその一部を示すように樹脂封止する。樹脂2が凝固したら、上型を下型から離してパワー半導体モジュール組付体1を取り出し、実施例1と同様に、アッパ基板1Bの上方を覆う樹脂2を削ってアッパ基板1Bの上面に設けた金属パターンが外に露出されるようにするとともに、端子9など不要な部分を切断して切り離し、パワー半導体モジュール1を得る。以上のように、実施例4では、実施例1の効果に加え、以下の効果がある。すなわち、ピン受け部9aを端子9と一体に形成したので、部品点数が減り、製造工数を削減できる。以上、本発明を上記各実施例に基づき説明してきたが、本発明はこれらの実施例に限られず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更等があった場合でも、本発明に含まれる。たとえば、樹脂封止したパワー半導体モジュールの、ピン9aを抜いた後にできたピン孔は、後で樹脂を入れて埋めるようにしてもよい。この場合、ピン受け部材5やピン受け部9aのピン孔の部分がさびなくなる。ピン受け部材5やピン受け部9aは、少なくともその表面がさびない材料で作るようにしてもよい。また、それらの数や位置は適宜設定可能である。パワー半導体モジュールは、アッパ基板1Bがないものであってもよい。