"三相変圧器及び系統電源間に接続された遮断器を制御する励磁突入電流抑制装置において、前記三相変圧器の各相電圧及び前記系統電源の各相の系統電圧を計測する電圧計測部と、前記電圧計測部により計測された各相電圧をそれぞれ積分して前記三相変圧器の鉄心の各相の磁束を算出する鉄心磁束算出部と、前記電圧計測部により計測された各相電圧の三相全ての瞬時値がゼロ値に収束したタイミング又は前記鉄心磁束算出部により算出された磁束値が各相ともに一定値に達するタイミングを実効遮断タイミングとして算出する実効遮断タイミング算出部と、前記鉄心磁束算出部により算出した各相の磁束のうち前記実効遮断タイミングにおける各相の磁束を実効残留磁束として当該各相の実効残留磁束を算出する実効残留磁束算出部と、前記実効残留磁束算出部により算出された前記各相の実効残留磁束に基づき、前記遮断器に対する投入位相角を算出する投入位相角算出部と、前記電圧計測部により計測された各相の系統電圧と前記投入位相角算出部により算出された投入位相角とに基づき、前記遮断器を投入する投入位相角制御部と、を備えることを特徴とする励磁突入電流抑制装置。前記請求項1に記載の励磁突入電流抑制装置において、前記投入位相角算出部が、前記実効残留磁束算出部により算出された前記各相の実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1及び下記式1に基づき、当該実効残留磁束のベクトル正三角形のフェーサー値Φrを算出するフェーサー値算出部と、前記実効残留磁束算出部により算出された前記各相の実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1及び前記フェーサー値算出部により算出されたフェーサー値Φr、及び、下記式2に基づき、前記投入位相角θcloseθa、θb、θcを特定する投入位相角特定部と、を備えることを特徴とする励磁突入電流抑制装置。数1Φr=√{2/3×{φaθopen1}2{φbθopen1}2{φcθopen1}2}数2θa=sin-1φaθopen1/Φrθb=sin-1φbθopen1/Φrθc=sin-1φcθopen1/Φr前記請求項1に記載の励磁突入電流抑制装置において、前記投入位相角が、前記系統電圧が定常状態で前記三相変圧器に印加された場合における当該三相変圧器の鉄心の各相の励磁磁束の極性と当該各相の励磁磁束にそれぞれ対応する各相の前記実効残留磁束の極性とがそれぞれ同一であり、前記各相の励磁磁束のうち任意の一相である第1相の励磁磁束の磁束値と当該第1相の励磁磁束に対応する第1相の前記実効残留磁束の磁束値とが同一になる位相角度であることを特徴とする励磁突入電流抑制装置。前記請求項1又は3に記載の励磁突入電流抑制装置において、前記投入位相角算出部が、前記各相の実効残留磁束のうち任意の一相である第1相の実効残留磁束の磁束値及び極性がそれぞれ同一になる2つの位相角を当該第1相の投入位相角の候補として算出する投入位相角候補算出部と、前記2つの投入位相角候補に対して2π/3ラジアン又は-2π/3ラジアンの位相をずらした位相角をそれぞれ算出し、当該位相をずらした一の位相角における第2相の前記励磁磁束の磁束値と当該第2相の励磁磁束に対応する第2相の前記実効残留磁束の磁束値との差の絶対値が、前記位相をずらした他の位相角における第2相の前記励磁磁束の磁束値と当該第2相の励磁磁束に対応する第2相の前記実効残留磁束の磁束値との差の絶対値より大きい場合に、前記他の位相角に対応する前記第1相の投入位相角候補を当該第1相の投入位相角として決定する投入位相角決定部と、を備えることを特徴とする励磁突入電流抑制装置。前記請求項1又は3に記載の励磁突入電流抑制装置において、前記投入位相角算出部が、前記各相の励磁磁束を角度0度~360度の範囲でパラメータとして変更して、前記励磁磁束及び実効残留磁束の対応する相における当該励磁磁束の磁束値と当該実効残留磁束の磁束値との差の絶対値を角度毎に演算し、各相の当該差の絶対値を角度毎に加算した値のうち最小値になる角度を投入位相角として決定することを特徴とする励磁突入電流抑制装置。しかしながら、従来の変圧器保護制御装置や従来の3相変圧器の励磁突入電流抑制装置は、前述した無負荷励磁状態で運転中の三相変圧器が解列された場合、遮断瞬時における励磁磁束の瞬時値がそのまま鉄心に残留磁束として残る。ことを前提にして、遮断器の投入位相を制御している。これに対し、本願発明者は、三相変圧器における各相の鉄心内の磁束が、無負荷励磁状態で運転中の三相変圧器を解列した瞬間以降も過渡的変化を経て少し遅れたタイミングで一定値に収束することを現地試験の結果で確認し、残留磁束の過渡現象を理論的に明らかにした。特に、残留磁束の過渡現象は、三相変圧器の低圧側にあるサージ吸収装置や浮遊キャパシタンスなどの影響により、過渡的変化が大きくなる。すなわち、従来の変圧器保護制御装置や従来の3相変圧器の励磁突入電流抑制装置は、変圧器の残留磁束として変圧器が解列した瞬間における変圧器の磁束を用い、変圧器の各端子に設けられた遮断器が開放された時点における変圧器端子電圧位相と電源電圧位相とが一致するように遮断器を制御しているため、励磁突入電流を抑制するうえで不十分であるという課題がある。この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、無負荷励磁状態で運転中の三相変圧器を解列した瞬間の磁束をもって残留磁束になるとする安易な理論やその理論に基づく制御装置は誤りであるとの前提に立ち、真の残留磁束として新たな技術概念を導入して励磁突入電流を抑制することが可能な励磁突入電流抑制装置を提供するものである。この発明に係る励磁突入電流抑制装置においては、三相変圧器の各相電圧及び系統電源の各相の系統電圧を計測する電圧計測部と、電圧計測部により計測された各相電圧の三相全ての瞬時値がゼロ値に収束したタイミングを実効遮断タイミングとして算出する実効遮断タイミング算出部と、電圧計測部により計測された各相電圧をそれぞれ積分して三相変圧器の鉄心の各相の磁束を算出する鉄心磁束算出部と、鉄心磁束算出部により算出した各相の磁束のうち実効遮断タイミングにおける各相の磁束を実効残留磁束として当該各相の実効残留磁束を算出する実効残留磁束算出部と、実効残留磁束算出部により算出された各相の実効残留磁束に基づき、遮断器に対する投入位相角を算出する投入位相角算出部と、電圧計測部により計測された各相の系統電圧と投入位相角算出部により算出された投入位相角とに基づき、遮断器を投入する投入位相角制御部と、を備える。この発明に係る励磁突入電流抑制装置においては、三相変圧器の残留磁束を精度よく算出することができ、励磁突入電流を抑制することができる励磁突入電流抑制装置に関する。本発明の第1の実施形態本実施形態に係る励磁突入電流抑制装置10を説明するにあたり、系統側遮断器21が開放されて、無負荷励磁状態負荷側遮断器22:開放状態、系統側遮断器21:投入状態で運転中の三相変圧器以下、変圧器23と称すが電力系統から解列された場合に、変圧器23の鉄心内に残される残留磁束について、図1及び図2を用いて説明する。なお、以下の説明においては、電圧v、電流i及び磁束φの添え字a,b,cは、a相、b相又はc相の値であることを示す。運転中の変圧器23を電力系統から解列する場合には、初めに、変圧器23の二次側低圧側、負荷側の負荷側遮断器22が開放されて、変圧器23が無負荷励磁状態になる。この段階無負荷励磁状態では、変圧器23の一次巻線高圧側コイルには、励磁電圧である一次電圧vHat、vHbt、vHctが印加されており、励磁電流である一次電流iHat、iHbt、iHctが流れている。また、変圧器23の二次巻線低圧側コイルには、二次電圧vLat、vLbt、vLctが生じているが、二次電流iLat、iLbt、iLctは流れていないゼロである。また、変圧器23の鉄心内には、磁束φat、φbt、φctが存在する。ここで、系統電圧vat、vbt、vct又は変圧器23の一次電圧若しくは二次電圧と、変圧器23の鉄心内の磁束φat、φbt、φctとは、次式1の関係があり、定常状態及び過渡状態の区別なく成立する。数1φat=∫vatdtφbt=∫vbtdt1φct=∫vctdtまた、系統電圧vat、vbt、vct並びに変圧器23の一次電圧及び二次電圧は、三相平衡状態の正弦波の定常状態であるため、無負荷励磁状態の系統電圧一次電圧、二次電圧は次式2で表現することができ、式1及び式2に基づき、無負荷励磁状態における変圧器23の鉄心内の磁束は次式3で表現することができる。数2vat=Vcostvbt=Vcost-2π/32vct=Vcost2π/3数3φat=Φcost-π/2=Φsintφbt=Φcost-2π/3-π/2=Φsint-2π/33φct=Φcost2π/3-π/2=Φsint2π/3このように、定常状態における変圧器23の鉄心内の磁束は、三相平衡状態の正弦波であり、同相の電圧系統電圧、一次電圧、二次電圧に対して90度の位相差角があると表現することができ、例えば、図2a上図に示す二次電圧vLat、vLbt、vLctの波形に対して、図2a下図に示す磁束φat、φbt、φctの波形を得ることができる。なお、変圧器23の一次電圧の各相の電圧波形と変圧器23の二次電圧の各相の電圧波形とは、計器用変圧器VoltageTransformer:VTを用いて、直接的な観測実測が可能であるが、変圧器23の鉄心内の磁束φat、φbt、φctの波形は、直接的な観測は不可能である実測した電圧の積分値による。ここで、図2a及び図2bに示す時間topen0は、系統側遮断器21が開放されて無負荷励磁状態の変圧器23が電力系統から解列される場合に、系統側遮断器21の遮断動作時間や系統側遮断器21の固定接触子及び可動接触子間に生じる発弧の時間を経て、変圧器23の一次巻線への励磁電流の供給が実際に遮断された瞬間以下、遮断時間topen0と称すである。また、変圧器23の二次側には、図1に示すように、図示しない避雷器を備えたサージ吸収装置24や低圧側計器用変圧器25aなどが配設され、微小負荷回路として変圧器23の二次巻線に接続されて、閉回路を構成している。また、変圧器23と負荷側遮断器22とを接続する架空導体やケーブルの漏れキャパシタンスなどもこの閉回路の構成要素となる。このため、遮断時間topen0以降において、変圧器23の一次巻線には、電流が流れないのであるゼロであるが、変圧器23の二次巻線には、変圧器23の二次側の閉回路を通して、過渡電流が流れることになる。なお、この過渡電流は、アンペアターンと相殺される形で、局所的な電流が変圧器23の鉄心内に渦電流として流れ、熱として消費されることになるために、短時間で減衰し、所定の時間以下、実効遮断時間topen1と称すで、電流値がゼロ値に収束する。また、変圧器23の二次電圧も同様に、各相の電圧波形は、図2a上図に示すように、遮断時間topen0の直後も、過渡電流に伴って過渡電圧として自由振動的に減衰し、変圧器23内において、数ms~十数ms程度の過渡現象が続いた後、実効遮断時間topen1で、各相の電圧値がゼロ値に収束する。また、変圧器23の鉄心内の磁束も同様に、各相の磁束波形は、図2a下図に示すように、過渡的に変化し、過渡時間帯における各相の過渡電圧の積分値として連続的に演算される各相の鉄心内の磁束φat、φbt、φctの過渡値瞬時波形は、過渡電圧及び過渡電流の過渡現象が収束する実効遮断時間topen1で、各相の磁束値が同時に一定値に収束する。このように、実効遮断時間topen1における変圧器23の鉄心内の磁束φatopen1、φbtopen1、φctopen1は、電力系統から変圧器23を解列した場合に、変圧器23の鉄心内に直流的に残存する真の残留磁束φra、φrb、φrcであり、次式4で表現することができる。なお、以下の説明においては、変圧器23の鉄心内に残される真の残留磁束を実効残留磁束と称して説明する。数4φra=φatopen1φrb=φbtopen14φrc=φctopen1ところで、電力系統から変圧器23の各相が解列系統側遮断器21の各相が開放されて変圧器23への励磁電流の供給が遮断されるタイミングは、各相間でずれることがなく、各相とも同時の遮断時間topen0であり、以下の理由によるものである。遮断器は、一般的に、交流通電電流がその電流ゼロ点になるタイミングで遮断消弧され、三相平衡回路の三相遮断する場合には、各相の電流位相電流ゼロ点になるタイミングが異なるため、三相のうち、系統側遮断器21の最初に電流ゼロ点になる相が遮断され、続いて他の相が電流ゼロ点になるタイミングでそれぞれ遮断される。すなわち、負荷電流や故障電流による遮断現象では、一般的に、各相電流の遮断タイミングに時間差が生ずることになる。しかしながら、本発明が励磁突入電流の抑制対象としている、無負荷励磁状態の変圧器23への励磁電流の供給を遮断する場合には、この励磁電流が1A程度の極端な微小電流であるために、系統側遮断器21の固定接触子と可動接触子とが機械的に開離する瞬間に電流ゼロ点でなくても、系統側遮断器21が開放される電流裁断、チョッピング現象。また、系統側遮断器21の各固定接触子と各可動接触子との機械的開離のタイミングは、事実上、同時のタイミングである。つまり、変圧器23の各相への励磁電流の供給を遮断する時タイミングは、事実上、同時の遮断時間topen0で行われるといえる。他方、前述した過渡現象を生じさせる変圧器23と変圧器23の二次側の閉回路との微小負荷回路は、一般に、三相平衡回路である。また、電力系統からの系統電圧による変圧器23への課電電圧励磁電圧については、系統側遮断器21の開放直前まで三相平衡状態である。したがって、遮断時間topen0から始まる過渡現象の回路条件は、全て三相平衡条件にあると理論的に判断することができる。つまり、各相の過渡現象が生じる過渡時間帯遮断時間topen0から実効遮断時間topen1までの時間帯では、変圧器23における全ての電気量及び磁気量が、過渡時間帯の初め遮断時間topen0から終わり実効遮断時間topen1まで、三相平衡状態の過渡現象として推移するはずである。ここで、図2a上図に示す二次電圧の波形は、例えば、図2b上図に示すベクトル図で表すことができ、図2a下図に示す磁束の波形は、例えば、図2b下図に示すベクトル図で表すことができる。変圧器23の各相の二次電圧は、図2b上図に示すように、過渡時間帯遮断時間topen0から実効遮断時間topen1までの時間帯を通じて三相平衡状態の過渡現象として振る舞い、やがて消滅する。なお、二次電圧のベクトルとしては、この過渡時間帯に、三相平衡のベクトル正三角形を保持したままで位相回転スリップを伴いつつ縮小していき、やがて実効遮断時間topen1でゼロ値に至り消滅する。同様に、変圧器23の鉄心内の各相の磁束は、図2b下図に示すように、過渡現象遮断時間topen0から実効遮断時間topen1までの時間帯を通じて三相平衡の過渡現象として振る舞う。なお、鉄心内の磁束のベクトルとしては、この過渡時間帯に、三相平衡のベクトル正三角形を保持しつつ位相回転スリップを伴うが、その回転速度を徐々に緩めて、やがて実効遮断時間topen1で位相回転スリップを静止する。この静止時点で一定値となった変圧器23の各相の鉄心内の磁束が、真の残留磁束実効残留磁束として、変圧器23の停止時間中も保持されることになる。なお、この過渡時間帯において、磁束エネルギーの一部は変圧器23の鉄心等で熱消費されるために、三相磁束ベクトルは正三角形のままでその大きさは若干縮小すると考えられる。但し、過渡現象中における磁束の変化は、各相の残留磁束の絶対値が必ずしも縮小することを意味しない。また、実効遮断時間topen1における任意の相例えば、a相の実効残留磁束φra=φatopen1が、遮断時間topen0における磁束φatopen0に対して極性が変化する場合や、実効遮断時間topen1における変圧器23の鉄心内の磁束の絶対値が、遮断時間topen0における変圧器23の鉄心内の磁束の絶対値よりも増大する場合があり得ることを理論的に示している。つぎに、励磁突入電流を抑制する基本的な考え方について説明する。系統電圧又は変圧器23の各相電圧の瞬時値を、適宜、サンプルして実測し、必要に応じて、実測値を電圧波形として描くことが可能である。また、この電圧の実測値を刻々積分すれば、各相の磁束値を刻々の瞬時値として算出することができ、必要に応じて、積分値を磁束波形として描くことも可能である。そして、変圧器23への励磁電流の供給を遮断する場合には、遮断時間topen0の前後を連続して、磁束の瞬時値の演算積分を続ければ、積分値が一定値として収束した値が、実効残留磁束φra、φrb、φrcである。また、この各相の実効残留磁束φra、φrb、φrcは、正又は負の値の絶対値として得られること、その磁束値がベクトル的に正三角形を構成することになる。また、実効遮断時間topen1は、過渡現象が続いた後、磁束の瞬時値が一定値に収束するタイミングとして演算的に知ることができる。ここで、実効残留磁束φra、φrb、φrcのベクトルとしての姿は、三相平衡であり、その三相平衡の位相角度も磁束演算の結果として判明している。一方、系統側遮断器21を再投入して変圧器23を併入再励磁する場合には、系統電圧による励磁磁束の初期値も当然ベクトル的に三相平衡である。このため、系統側遮断器21を再投入して変圧器23を併入再励磁する位相角以下、投入位相角θcloseと称す又は時間以下、投入時間tcloseと称すにおける、変圧器23の鉄心の各相の励磁磁束以下、初期励磁磁束と称すφaθclose、φbθclose、φcθclose又はφatclose、φbtclose、φctcloseは、三相平衡である。そこで、残留磁束φra、φrb、φrcの三相平衡と初期励磁磁束φaθclose、φbθclose、φcθcloseの三相平衡とが、同一位相角で重なる関係になるように投入位相角θcloseを制御すれば投入位相角θcloseを実効遮断位相角θopen1実効遮断時間topen1をラジアン表示に換算した位相角に一致するように制御すれば、各相の励磁突入電流を理想的に抑制することができるはずである。例えば、図2cにおいては、残留磁束φra、φrb、φrcと初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctcloseとを示すベクトルの各相の位相関係が比較的に合致している場合であり、特に、両者の位相角度大きさ、極性を完全に一致させることができれば、三相全ての励磁突入電流を、事実上、ほぼゼロに近い値まで極限させることになる。逆に、残留磁束の三相平衡と初期励磁磁束の三相平衡との位相関係がずれれば、各相の初期励磁磁束と残留磁束の絶対値的な差が大きくなり、変圧器23の磁束密度が高くなり、励磁突入電流が生じ易い状況になる。例えば、図2dにおいては、残留磁束φra、φrb、φrcと初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctcloseとを示すベクトルの各相の位相関係が同一相同士で逆位相に近い状態の場合であり、特に、両者の各相が逆位相になると、最大級の励磁突入電流を発生させることになる。なお、図2c及び図2dのベクトル図の右側に示す両向き矢印は、残留磁束φra、φrb、φrcと初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctcloseとのずれの大きさを示している。特に、図2cに示す場合は、各相の初期励磁磁束及び実効残留磁束が理論的にほぼ完全に一致する理想的な投入位相角になるが、図2dに示す場合は、a相の初期励磁磁束φatclose及び実効残留磁束φatopen1は一致するものの、b相の初期励磁磁束φbtclose及び実効残留磁束φbtopen1並びにc相の初期励磁磁束φctclose及び実効残留磁束φctopen1が極端な不一致になり、変圧器23の鉄心が極度に飽和する最悪の投入位相角になる。つぎに、本実施形態に係る励磁突入電流抑制装置10について、図1及び図3aを用いて説明する。励磁突入電流抑制装置10は、大別すると、電圧計測部1と、実効遮断タイミング算出部2と、鉄心磁束算出部3と、実効残留磁束算出部4と、投入位相角算出部5と、投入位相角制御部6と、を備える。また、励磁突入電流抑制装置10は、必要に応じて、遮断時間算出部2bと、見かけ残留磁束算出部4aと、投入動作時間算出部7と、投入位相角実績値算出部8と、瞬時電圧低下量算出部9と、を備える。電圧計測部1は、変圧器23の各相電圧及び系統電源の各相の系統電圧を計測する。すなわち、電圧計測部1は、系統側計器用変圧器25b及び低圧側計器用変圧器25aから得られる各相電圧の瞬時値を刻々サンプリング実測して、その瞬時値の大きさ、極性及び波形を実測する機能を有する。また、電圧計測部1は、変圧器23の二次側と負荷側遮断器22との間に接続された低圧側計器用変圧器25aを介して変圧器23の各相電圧vLat、vLbt、vLctを計測する第1の電圧計測部1aと、系統電源と系統側遮断器21との間に接続された系統側計器用変圧器25bを介して系統電源の各相の系統電圧vat、vbt、vctを計測する第2の電圧計測部1bと、を備える。なお、本実施形態に係る第1の電圧計測部1aは、変圧器23の二次側の各相電圧vLat、vLbt、vLctを計測する構成であるが、変圧器23の一次側と系統側遮断器21との間に高圧側計器用変圧器を接続し、この高圧側計器用変圧器を介して変圧器23の一次側の各相電圧vHat、vHbt、vHctを計測する構成であってもよい。実効遮断タイミング算出部2は、電圧計測部1第1の電圧計測部1aにより計測された各相電圧vLat、vLbt、vLctの三相全ての瞬時値がゼロ値に収束したタイミングを実効遮断タイミング実効遮断時間topen1又は実効遮断位相角θopen1として算出する。なお、ラジアン表示換算部2aは、実効遮断時間topen1をラジアン表示実効遮断位相角θopen1に換算する。遮断時間算出部2bは、電圧計測部1第1の電圧計測部1aにより計測された各相電圧vLat、vLbt、vLctに基づき、各相電圧の正弦波の波形が乱れた瞬間、すなわち、事前に流れていた励磁電流が各相同時にゼロに消滅した瞬間を遮断時間topen0として算出する。鉄心磁束算出部3は、電圧計測部1第1の電圧計測部1aにより計測された各相電圧vLat、vLbt、vLctをそれぞれ積分して変圧器23の鉄心の各相の磁束φat、φbt、φctを算出する。すなわち、鉄心磁束算出部3は、実測した各相電圧vLat、vLbt、vLctの瞬時値を刻々積分し、変圧器23の鉄心の各相の磁束の時間波形値φat、φbt、φctとして算出する機能を有する。なお、鉄心磁束算出部3は、系統側遮断器21により各相同時に励磁電流が遮断される遮断時間topen0の前後においても、継続的に演算を行なうものとする。実効残留磁束算出部4は、鉄心磁束算出部3により算出した各相の磁束φat、φbt、φctのうち実効遮断タイミング実効遮断時間topen1又は実効遮断位相角θopen1における各相の磁束φatopen1、φbtopen1、φctopen1又はφaθopen1、φbθopen1、φcθopen1を実効残留磁束φra、φrb、φrcとして当該各相の実効残留磁束を算出する。見かけ残留磁束算出部4aは、鉄心磁束算出部3により算出した各相の磁束φat、φbt、φctのうち遮断時間topen0における各相の磁束を見かけ上偽の残留磁束φatopen0、φbtopen0、φctopen0として算出する。なお、見かけ残留磁束算出部4aは、見かけ上の残留磁束φatopen0、φbtopen0、φctopen0を出力部表示装置、印刷装置、記憶媒体などに出力し、励磁突入電流抑制装置10の操作者が確認することができる。投入位相角算出部5は、実効残留磁束算出部4により算出された各相の実効残留磁束φra、φrb、φrcに基づき、系統側遮断器21に対する投入位相角θcloseを算出する。特に、本実施形態に係る投入位相角算出部5は、図3aに示すように、フェーサー値算出部5a及び投入位相角特定部5bを備える。フェーサー値算出部5aは、実効残留磁束算出部4により算出された各相の実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1及び次式5に基づき、実効残留磁束のベクトル正三角形の重心と各頂点とを結ぶ線分の大きさ以下、フェーサー値と称すΦrを算出する。数5Φr=√{2/3×{φaθopen1}2{φbθopen1}2{φcθopen1}2}5投入位相角特定部5bは、実効残留磁束算出部4により算出された各相の実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1、フェーサー値算出部5aにより算出されたフェーサー値Φr、及び、次式6に基づき、投入位相角θcloseθa、θb、θcを特定する。数6θa=sin-1φaθopen1/Φrθb=sin-1φbθopen1/Φr6θc=sin-1φcθopen1/Φr投入位相角制御部6は、電圧計測部1第2の電圧計測部1bにより計測された各相の系統電圧vat、vbt、vctと投入位相角算出部5により算出された投入位相角θcloseとに基づき、系統側遮断器21を投入する。投入動作時間算出部7は、電圧計測部1第1の電圧計測部1aにより計測された各相電圧vLat、vLbt、vLctに基づき、各相電圧がゼロ値から変化した実時間を算出する。また、投入動作時間算出部7は、投入位相角制御部6から系統側遮断器21への投入信号を出力した指令時間に関する情報を投入位相角制御部6から受信して、指令時間から実時間までの系統側遮断器21の投入動作時間を算出し、投入位相角制御部6にフィードバックする。投入位相角実績値算出部8は、電圧計測部1第1の電圧計測部1aにより計測された各相電圧vLat、vLbt、vLctに基づき、各相電圧がゼロ値から変化した時間における電圧計測部1第2の電圧計測部1bにより計測された各相電圧の位相角の実績値を算出する。なお、投入位相角実績値算出部8は、各相電圧の位相角の実績値を出力部表示装置、印刷装置、記憶媒体などに出力し、励磁突入電流抑制装置10の操作者が確認することができる。瞬時電圧低下量算出部9は、電圧計測部1第2の電圧計測部1bにより計測された各相の系統電圧vat、vbt、vctの電圧波形に基づき、系統側遮断器21を投入する前の系統電圧の実効値と系統側遮断器21を投入した後の系統電圧の実効値とを算出して、瞬時電圧低下量を算出する。なお、瞬時電圧低下量算出部9は、瞬時電圧低下量を出力部表示装置、印刷装置、記憶媒体などに出力し、励磁突入電流抑制装置10の操作者が確認することができる。つぎに、本実施形態に係る励磁突入電流抑制装置10の処理動作について、図3bを用いて説明する。まず、無負荷励磁状態の変圧器23を電力系統から解列する場合について説明する。励磁突入電流抑制装置10は、操作者による系統側遮断器21の切指令を受信するとステップS1、第1の電圧計測部1aが、変圧器23の二次側における各相電圧の瞬時値vLat、vLbt、vLctの計測を開始し、計測値を刻々記録するステップS2。系統側遮断器21は、系統側遮断器21の切指令を検出すると、固定接触子と可動接触子とを機械的に開離して遮断を完了する。この瞬間に、変圧器23は、運転機能を停止して、電力系統から解列されるステップS3。実効遮断タイミング算出部2は、第1の電圧計測部1aで測定された各相電圧の刻々の瞬時値vLat、vLbt、vLctに基づき、実効遮断時間topen1を算出して記録するステップS4。また、実効遮断タイミング算出部2のラジアン表示換算部2aは、実効遮断時間topen1をラジアン表示実効遮断位相角θopen1に換算する。すなわち、実効遮断タイミング算出部2ラジアン表示換算部2aは、第1の電圧計測部1aで測定された各相電圧の刻々の瞬時値vLat、vLbt、vLctに基づき、実効遮断タイミング実効遮断時間topen1、実効遮断位相角θopen1を算出するステップS4。なお、遮断時間算出部2bは、第1の電圧計測部1aで測定された各相電圧の刻々の瞬時値vLat、vLbt、vLctに基づき、系統側遮断器21が開放した瞬間の遮断時間topen0を算出して記録するが、本発明に必須のステップではない。鉄心磁束算出部3は、第1の電圧計測部1aにより測定された各相電圧の刻々の瞬時値vLat、vLbt、vLctを積分し、磁束値を刻々の瞬時値φat、φbt、φctとして算出するステップS5。実効残留磁束算出部4は、鉄心磁束算出部3で算出した磁束値φat、φbt、φctに基づき、実効遮断タイミング実効遮断時間topen1、実効遮断位相角θopen1における磁束値を実効残留磁束φra、φrb、φrcとして算出するステップS6。なお、見かけ残留磁束算出部4aは、鉄心磁束算出部3で算出した磁束値φat、φbt、φctに基づき、遮断時間topen0における磁束値を見かけ残留磁束φatopen0、φbtopen0、φctopen0として算出するが、本発明に必須のステップではない。投入位相角算出部5は、電力系統に変圧器23を併入して変圧器23を再励磁する場合に、投入位相角θclose又は投入時間tcloseにおける投入各相の初期励磁磁束φaθclose、φbθclose、φcθclose又はφatclose、φbtclose、φctcloseの位相関係が、実効残留磁束算出部4で算出した実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1又はφatopen1、φbtopen1、φctopen1の位相関係と三相共にほぼ一致するように、理想的な投入位相角θcloseを決定するステップS7。すなわち、投入位相角算出部5は、実効残留磁束算出部4で算出した実効残留磁束の三相ベクトル正三角形と、変圧器23の併入再励磁による初期励磁磁束の三相ベクトル正三角形の位相関係が一致するような投入位相角θcloseを1サイクル1周期:0度~360度0[rad]~2π[rad]の中から抽出する。なお、投入位相角θcloseを決定するステップS7は、以下に示すステップS7a及びステップS7bからなる。投入位相角算出部5のフェーサー値算出部5aは、実効残留磁束算出部4により算出された各相の実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1及び前式5に基づき、実効残留磁束のフェーサー値Φrを算出するステップS7a。そして、投入位相角算出部5の投入位相角特定部5bは、実効残留磁束算出部4により算出された各相の実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1、フェーサー値算出部5aにより算出されたフェーサー値Φr、及び、前式6に基づき、投入位相角θcloseθa、θb、θcを特定するステップS7b。つぎに、停止中の変圧器23を電力系統に併入する場合について説明する。励磁突入電流抑制装置10は、操作者による系統側遮断器21の入指令を受信するとステップS8、第2の電圧計測部1bが、系統電圧の各相電圧の瞬時値vat、vbt、vctの計測を開始し、計測値を刻々記録するステップS9。投入位相角制御部6は、操作者による系統側遮断器21の入指令を検出すると、第2の電圧計測部1bが測定した系統電圧の各相電圧の瞬時値vat、vbt、vctに基づき、現在の系統電圧の各相電圧の位相角を判断するステップS10。そして、投入位相角制御部6は、投入動作時間算出部7から入力される系統側遮断器21の投入動作時間を考慮して、系統電圧が投入位相角θcloseで変圧器23に印加するように、系統側遮断器21に入指令を出力するステップS11。系統側遮断器21は、投入位相角制御部6からの入指令を受信すると、固定接触子と可動接触子とを機械的に接触して、投入位相角θcloseで系統電圧を変圧器23に印加させ、変圧器23を無負荷励磁状態にするステップS12。特に、本実施形態においては、図4aに示すように、実効残留磁束のベクトル正三角形フェーサー値Φrと初期励磁磁束のベクトル正三角形フェーサー値Φとの三相の位相関係が一致する位相角タイミングを、目標とする理想的な投入位相角θcloseとして、系統側遮断器21の投入を制御する。すなわち、投入位相角制御部6は、実効遮断位相角θopen1例えば、a相の実効遮断位相角θopen1に投入位相角θcloseここでは、a相の投入位相角θcloseを一致させるような制御を行なうことにより、実効残留磁束のベクトル正三角形と初期励磁磁束のベクトル正三角形の位相関係を一致させることができる。なお、実効残留磁束例えば、φaθopen1と初期励磁磁束例えば、φaθcloseとの位相関係を一致させる制御としては、図4bに示すように、以下の手法も考えられる。第1の手法としては、実効残留磁束φaθopen1と初期励磁磁束φaθcloseとのスカラー積φaθopen1φaθclose=|φaθopen1||φaθclose|cosδをゼロ0にする。なお、δはφaθopen1及びφaθcloseのベクトル同士のなす角である。第2の手法としては、実効残留磁束φaθopen1及び初期励磁磁束φaθcloseを二辺とする三角形の辺のうち残りの一辺の長さをゼロ0にする。第3の手法としては、実効残留磁束φaθopen1及び初期励磁磁束φaθcloseを二辺とする三角形の面積Sa又は、ベクトル積φaθopen1×φaθclose=|φaθopen1||φaθclose|sinδをゼロ0にする。第4の手法としては、各相の実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1と各相の初期励磁磁束φaθclose、φbθclose、φcθcloseとの差ベクトル又はスカラー値を一致させる|φaθopen1-φaθclose|=|φbθopen1-φbθclose|=|φcθopen1-φcθclose|。なお、ステップS12の後に以下の各処理を必要に応じて追加してもよい。投入動作時間算出部7は、第1の電圧計測部1aにより計測された各相電圧vLat、vLbt、vLctに基づき、各相電圧がゼロ値から変化した実時間を算出する。また、投入動作時間算出部7は、投入位相角制御部6から系統側遮断器21への投入信号を出力した指令時間に関する情報を投入位相角制御部6から受信して、指令時間から実時間までの系統側遮断器21の投入動作時間を算出し、投入位相角制御部6に投入動作時間を出力する。この処理により、投入位相角制御部6は、投入動作時間算出部7から入力される投入動作時間を考慮して、次回の投入操作時に反映することができる。投入位相角実績値算出部8は、第1の電圧計測部1aにより計測された各相電圧vLat、vLbt、vLctに基づき、各相電圧がゼロ値から変化した時間における第2の電圧計測部1bにより計測された各相電圧の位相角の実績値を算出する。瞬時電圧低下量算出部9は、第2の電圧計測部1bにより計測された各相の系統電圧vat、vbt、vctの電圧波形に基づき、系統側遮断器21を投入する前の系統電圧の実効値と系統側遮断器21を投入した後の系統電圧の実効値とを算出して、瞬時電圧低下量を算出する。以上のように、本実施形態に係る励磁突入電流抑制装置10は、変圧器23の鉄心内の残留磁束の過渡現象を考慮して、真の残留磁束実効残留磁束を算出し、この実効残留磁束に基づき、変圧器23の投入位相角を算出する。そして、本実施形態に係る励磁突入電流抑制装置10は、算出した投入位相角に基づき、系統側遮断器21を制御することにより、励磁突入電流を抑制することができるという作用効果を奏する。本発明の第2の実施形態図5aは第2の実施形態に係る投入位相角算出部の概略構成を示すブロック図であり、図5bは図5aに示す投入位相角算出部による図3に示すステップS7の詳細な処理を示すフローチャートである。図5において、図1乃至図4と同じ符号は、同一又は相当部分を示し、その説明を省略する。本実施形態に係る投入位相角算出部5は、実効残留磁束算出部4により算出された各相の実効残留磁束φra、φrb、φrcの大きさ絶対値及び極性に基づき、系統側遮断器21に対する投入位相角θcloseを算出する。なお、投入位相角θcloseは、系統電圧vat、vbt、vctが定常状態で変圧器23に印加された場合における当該変圧器23の鉄心の各相の初期励磁磁束φaθclose、φbθclose、φcθcloseの極性と当該各相の初期励磁磁束にそれぞれ対応する各相の実効残留磁束φra、φrb、φrcの極性とがそれぞれ同一であり、各相の初期励磁磁束のうち任意の一相である第1相の初期励磁磁束の磁束値と当該第1相の初期励磁磁束に対応する第1相の実効残留磁束の磁束値とが同一になる位相角度である。特に、本実施形態に係る投入位相角算出部5は、図5aに示すように、投入位相角候補算出部11及び投入位相角決定部12を備える。投入位相角候補算出部11は、各相の実効残留磁束のうち任意の一相である第1相の実効残留磁束の磁束値及び極性がそれぞれ同一になる2つの位相角θα,θβを当該第1相の投入位相角θcloseの候補として算出する。投入位相角決定部12は、2つの投入位相角候補θα,θβに対して2π/3ラジアン又は-2π/3ラジアンの位相をずらした位相角をそれぞれ算出し、当該位相をずらした一方の位相角における第2相の励磁磁束の磁束値と当該第2相の励磁磁束に対応する第2相の実効残留磁束の磁束値との差の絶対値が、位相をずらした他方の位相角における第2相の励磁磁束の磁束値と当該第2相の励磁磁束に対応する第2相の実効残留磁束の磁束値との差の絶対値より大きい場合に、他方の位相角に対応する第1相の投入位相角候補を当該第1相の投入位相角として決定する。また、投入位相角決定部12は、励磁磁束演算部12a、基準相決定部12b及び非基準相比較部12cを備える。励磁磁束演算部12aは、電圧計測部1第2の電圧計測部1bにより計測された系統電圧の各相電圧vat、vbt、vctをそれぞれ積分して定常状態の各相の励磁磁束Φat、Φbt、Φctを算出し、ラジアン表示Φaθ、Φbθ、Φcθに換算したうえで、一辺の長さを10とする励磁磁束Φaθ、Φbθ、Φcθのベクトル正三角形を算出する。基準相決定部12bは、励磁磁束演算部12aにより算出された励磁磁束と実効残留磁束とを比較するための基準相を決定する。非基準相比較部12cは、基準相決定部12bにより決定された基準相以外の相であり、投入位相角候補における励磁磁束と実効残留磁束とを比較して、投入位相角θcloseを決定する。つぎに、本実施形態に係る投入位相角算出部5による投入位相角θcloseを決定するステップS7について、図5bを用いて詳細に説明する。まず、投入位相角候補算出部11は、実効残留磁束算出部4で算出した実効残留磁束φaθopen1、φbθopen1、φcθopen1に基づき、実効残留磁束の大きさがベクトル正三角形の重心と各頂点とを結ぶ線分フェーサー値をなす位相角度θα,θβ0[rad]~2π[rad]のうちの2値、すなわち、各相の実効残留磁束のうち任意の一相である第1相の実効残留磁束の磁束値及び極性がそれぞれ同一になる2つの位相角θα,θβを、当該当該第1相の投入位相角θcloseの候補として算出し、投入位相角の候補として決定するステップS7a。投入位相角決定部12の励磁磁束演算部12aは、第2の電圧計測部1bにより計測された系統電圧の各相電圧vat、vbt、vctをそれぞれ積分して定常状態の各相の励磁磁束Φat、Φbt、Φctを算出し、ラジアン表示Φaθ、Φbθ、Φcθに換算する。そして、励磁磁束演算部12aは、次式7により、一辺の長さを10とする励磁磁束Φaθ、Φbθ、Φcθのベクトル正三角形を算出するステップS7b。数7Φa=ΦcosθΦb=Φcosθ-2π/37Φc=Φcosθ2π/3また、励磁磁束演算部12aは、次式8により投入位相角候補θαにおける励磁磁束のベクトル正三角形、又は、次式9により投入位相角候補θβにおける励磁磁束のベクトル正三角形を計算するステップS7c。数8Φaθα=ΦcosθαΦbθα=Φcosθα-2π/38Φcθα=Φcosθα2π/3数9Φaθβ=ΦcosθβΦbθβ=Φcosθβ-2π/39Φcθβ=Φcosθβ2π/3そして、投入位相角決定部12の基準相決定部12bは、励磁磁束演算部12aにより算出された励磁磁束と実効残留磁束とを比較するための基準相を決定するステップS7d。具体的には、基準相決定部12bは、|Φaθα-φaθopen1|、|Φbθα-φbθopen1|及び|Φcθα-φcθopen1|のうち最小値になる相を基準相に決定する。又は、基準相決定部12bは、|Φaθβ-φaθopen1|、|Φbθβ-φbθopen1|及び|Φcθβ-φcθopen1|のうち最小値になる相を基準相に決定する。なお、本実施形態に係る基準相決定部12bは、最小値になる相を基準相として決定したが、最大値となる相、中間値となる相又は予め定めた任意の一相を基準相として決定してもよい。しかしながら、最小値になる相を基準相とすることは、基準相以外の相における、最悪の投入位相角になる場合の初期励磁磁束及び実効残留磁束の差が大きくなり、最善の投入位相角と最悪の投入位相角との判別がし易くなるために好ましい。また、以下の説明においては、基準相決定部12bによる比較結果が最小値になる相がa相であるとして、a相を基準相として決定した場合について説明する。投入位相角決定部12の非基準相比較部12cは、基準相決定部12bにより決定された基準相以外の相であり、投入位相角候補における励磁磁束と実効残留磁束とを比較して投入位相角θcloseを決定するステップS7e。具体的には、非基準相比較部12cは、比較1として、|Φbθα-φbθopen1|<|Φbθβ-φbθopen1|であれば投入位相角候補θαを投入位相角θcloseとして決定し、|Φbθα-φbθopen1|>|Φbθβ-φbθopen1|であれば投入位相角候補θβを投入位相角θcloseとして決定する。又は、非基準相比較部12cは、比較2として、|Φcθα-φcθopen1|<|Φcθβ-φcθopen1|であれば投入位相角候補θαを投入位相角θcloseとして決定し、|Φcθα-φcθopen1|>|Φcθβ-φcθopen1|であれば投入位相角候補θβを投入位相角θcloseとして決定する。なお、比較1又は比較2による投入位相角θcloseの決定は、理論的に一致する。そして、投入位相角制御部6は、投入位相角算出部5により算出された投入位相角θcloseを、電力系統に変圧器23を併入する際の目標とする投入位相として記録する。なお、この第2の実施形態においては、投入位相角算出部5の構成が異なるところのみが第1の実施形態と異なるところであり、第1の実施形態と同様の作用効果を奏する。本発明の第3の実施形態図6aは第3の実施形態に係る投入位相角算出部の概略構成を示すブロック図である。図6aにおいて、図1乃至図5と同じ符号は、同一又は相当部分を示し、その説明を省略する。本実施形態に係る投入位相角算出部5は、投入位相角を決定するうえで基準となる相を決定する基準相決定部5cと、投入位相角の2つの候補を決定する投入位相角候補算出部5dと、投入位相角候補のうち最善の位相角例えば、図2cの場合を選定して最悪の位相角例えば、図2dの場合を棄却する投入位相角決定部5eと、を備える。基準相決定部5cは、各相の実効残留磁束φatopen1、φbtopen1、φctopen1又はφaθopen1、φbθopen1、φcθopen1の絶対値大きさ、スカラー量の大小関係を比較して、その絶対値が最小値となる相例えば、a相を基準相として決定する。なお、基準相決定部5cは、実効残留磁束の絶対値が最大値となる相、実効残留磁束の絶対値が中間値となる相又は予め定めた任意の一相を基準相として決定してもよい。しかしながら、実効残留磁束の絶対値が最小値になる相を基準相とすることは、基準相以外の相における、最悪の投入位相角になる場合の初期励磁磁束及び実効残留磁束の差が大きくなり、最善の投入位相角と最悪の投入位相角との判別がし易くなるために好ましい。そして、投入位相角候補算出部5dは、基準相決定部5cが決定した相ここでは、a相の初期励磁磁束φatclose又はφaθclose並びに実効残留磁束φatopen1又はφaθopen1の大きさ及び極性が一致する位相角タイミング1サイクル中で2度存在するを投入位相角の候補として決定する。そして、投入位相角決定部5eは、投入位相角候補算出部5dが決定した投入位相角候補のうち、基準相例えば、a相以外の一の相例えば、b相における初期励磁磁束φbtclose又はφbθclose及び実効残留磁束φbtopen1又はφbθopen1の極性が一致し、他の相例えば、c相における初期励磁磁束φctclose又はφcθclose及び実効残留磁束φctopen1又はφcθopen1の極性が一致する場合を、理想的な投入位相角の場合として決定する。すなわち、実効残留磁束φatopen1、φbtopen1、φctopen1又はφaθopen1、φbθopen1、φcθopen1のベクトル正三角形と、初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctclose又はφaθclose、φbθclose、φcθcloseのベクトル正三角形とにおける、a相、b相又はc相のいずれか一相の大きさ及び極性が一致するタイミングが1サイクル中に2度存在し、その2度のタイミングのうち一方が、実効残留磁束及び初期励磁磁束のベクトル正三角形の位相角度をほぼ一致させる理想的なタイミングになる。このため、投入位相角決定部5eは、投入位相角候補算出部5dが決定した投入位相角候補のうち、最善の投入位相角と最悪の投入位相角との分別を、基準相以外の二相における実効残留磁束及び初期励磁磁束の極性の比較により行なう。なお、この第3の実施形態においては、投入位相角算出部5の構成が異なるところのみが第1の実施形態と異なるところであり、第1の実施形態と同様の作用効果を奏する。本発明の第4の実施形態図6bは第4の実施形態に係る投入位相角算出部の概略構成を示すブロック図である。図7は投入位相角を0度~360度で変化させた場合の初期励磁磁束と実効残留磁束との関係を示す説明図である。図6bにおいて、図1乃至図5と同じ符号は、同一又は相当部分を示し、その説明を省略する。本実施形態に係る投入位相角算出部5は、各相の励磁磁束を角度0度~360度0[rad]~2π[rad]の範囲でパラメータとして変更するパラメータ変更部5fと、励磁磁束及び実効残留磁束の対応する相における当該励磁磁束の磁束値と当該実効残留磁束の磁束値との差の絶対値を角度毎に演算する磁束比較部5gと、各相の当該差の絶対値を角度毎に加算した値のうち最小値になる角度を投入位相角として決定する投入位相角決定部5hと、を備える。パラメータ変更部5fは、図7に示すように、投入時間tclose投入位相角θcloseを0度~360度0[rad]~2π[rad]の範囲でパラメータとして変更して、初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctclose又はφaθclose、φbθclose、φcθcloseを算出する換言すれば、励磁磁束のベクトル正三角形を回転して計算する。そして、磁束比較部5gは、パラメータ変更部5fにより算出した初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctclose又はφaθclose、φbθclose、φcθcloseと実効残留磁束φatopen1、φbtopen1、φctopen1又はφaθopen1、φbθopen1、φcθopen1とを各相毎に比較して、初期励磁磁束と実効残留磁束との差分φatclose-φatopen1、φbtclose-φbtopen1、φctclose-φctopen1又はφaθclose-φaθopen1、φbθclose-φbθopen1、φcθclose-φcθopen1を演算する。そして、投入位相角決定部5hは、磁束比較部5gによる演算結果に基づき、初期励磁磁束と実効残留磁束との各相の差の絶対値を角度毎に加算した値のうち最小値になる角度を投入位相角θcloseとして決定する。なお、この第4の実施形態においては、投入位相角算出部5の構成が異なるところのみが第1の実施形態と異なるところであり、第1の実施形態と同様の作用効果を奏する。本発明のその他の実施形態投入位相角算出部5は、実効残留磁束φatopen1、φbtopen1、φctopen1又はφaθopen1、φbθopen1、φcθopen1及び初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctclose又はφaθclose、φbθclose、φcθcloseのベクトル正三角形を求め、両者の面積差が最小にあるタイミング投入時間tclose、投入位相角θcloseを投入位相角θcloseとして算出する構成であってもよい。また、投入位相角算出部5は、実効残留磁束φatopen1、φbtopen1、φctopen1又はφaθopen1、φbθopen1、φcθopen1及び初期励磁磁束φatclose、φbtclose、φctclose又はφaθclose、φbθclose、φcθcloseのベクトル正三角形を求める。そして、投入位相角算出部5は、ベクトルφatopen1-φatclose又はφaθopen1-φaθcloseが最小になるタイミング位相θacloseを求め、同様に、他の二相のタイミング位相θbclose,θccloseを求める。そして、投入位相角算出部5は、タイミング位相θaclose,θbclose,θccloseの相互に約120度2π/3[rad]の位相差があることを確認し、許容精度内の位相を投入位相角θcloseとして決定する構成であってもよい。"