"ガス状の前駆体混合物を生成するために、シリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合すること;化学気相成長法の条件下でガス状の前駆体混合物を基板上に流すこと;及びエピタキシャルSiGeのブランケット層を基板上に堆積することを包含し、該エピタキシャルSiGeが、ガス状の前駆体混合物の少なくともいくつかの成分から形成される、SiGe膜をブランケット堆積するための方法。下地underlyingブランケット層が基板上に位置し、エピタキシャルSiGeのブランケット層が、下地ブランケット層上に堆積する、請求項1に記載の方法。基板が、誘電材料により作られた単結晶材料のウィンドウでパターン化されている、請求項1に記載の方法。基板が、誘電材料により作られた単結晶材料のウィンドウでパターン化され、ここで、該誘電材料が酸化物である、請求項1に記載の方法。基板が、誘電材料内の単結晶材料のウィンドウでパターン化され、ここで、該誘電材料が窒化物である、請求項1に記載の方法。基板が、シャロートレンチ分離スキームshallowtrenchisolationschemeでパターン化されている、請求項1に記載の方法。エピタキシャルSiGeのブランケット層が、約40Årmsより小さい表面粗さを有する、請求項1に記載の方法。エピタキシャルSiGeのブランケット層が、約20Årmsより小さい表面粗さを有する、請求項1に記載の方法。基板が、ベア単結晶シリコン基板を含む、請求項1に記載の方法。エピタキシャルSiGe膜が、基板との界面interfaceにおいて、膜中の他のポイントよりも大きなシリコン含有量を有する、請求項1に記載の方法。シリコンソースが、シラン、ジシラン、トリシラン、クロロシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、及びテトラクロロシランからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。ゲルマニウムソースが、ゲルマン、ジゲルマン、トリゲルマン、クロロゲルマン、ジクロロゲルマン、トリクロロゲルマン、及びテトラクロロゲルマンからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。エッチャントが塩化水素を含む、請求項1に記載の方法。エッチャントが、重量ベースでシリコンソース及びゲルマニウムソースの合計量よりも少ない量で存在する、請求項1に記載の方法。エピタキシャルSiGeのブランケット層が、エッチャントを欠如する以外は同等の条件下で堆積されたエピタキシャルSiGeのリファレンスブランケット層と比較して、より優れた平坦性を有する、請求項1に記載の方法。エピタキシャルSiGeのブランケット層が、エッチャントを欠如する以外は同等の条件下で堆積されたエピタキシャルSiGeのリファレンスブランケット層と比較して、減少した欠陥密度を有する、請求項1に記載の方法。エピタキシャルSiGeのブランケット層が、107欠陥/cm2より小さいエッチピット密度を有する、請求項1に記載の方法。エピタキシャルSiGeのブランケット層が、105欠陥/cm2より小さいエッチピット密度を有する、請求項1に記載の方法。単結晶シリコン基板を化学気相成長チャンバー内に供給すること;チャンバー内へある量のシリコン前駆体を供給すること;チャンバー内へある量のゲルマニウム前駆体を供給すること;チャンバー内へある量のエッチャントを供給することここで、供給されるエッチャントの量は、シリコン前駆体の量及びゲルマニウム前駆体の量の合計より少ない;及び基板上にSiGe膜を堆積することを包含する、方法。SiGe膜が、ブランケット堆積として堆積される、請求項19に記載の方法。基板が、ベアウェハである、請求項19に記載の方法。基板が、誘電材料内に、単結晶材料のウィンドウでパターン化されている、請求項19に記載の方法。基板が、その上に堆積された第1のブランケット層を持つウェハであり、ここで、SiGe膜が、第2のブランケット層として第1のブランケット層上に堆積される、請求項19に記載の方法。化学気相成長チャンバーが、シングルウェハチャンバーである、請求項19に記載の方法。SiGe膜が、基板との界面において、膜中の他のポイントよりも大きなシリコン含有量を有する、請求項19に記載の方法。シリコン前駆体が、シラン、ジシラン、トリシラン、クロロシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、及びテトラクロロシランからなる群より選択される、請求項19に記載の方法。ゲルマニウムソースが、ゲルマン、ジゲルマン、トリゲルマン、クロロゲルマン、ジクロロゲルマン、トリクロロゲルマン、及びテトラクロロゲルマンからなる群より選択される、請求項19に記載の方法。エッチャントが塩化水素を含む、請求項19に記載の方法。ブランケットSiGe膜のゲルマニウム含有量が、約20~約100である、請求項19に記載の方法。SiGe膜のゲルマニウム含有量が、約40~約80である、請求項19に記載の方法。エッチャントが、約25sccm~50sccmの速度でチャンバーへ供給される、請求項19に記載の方法。チャンバーが、SiGe膜の堆積中に約350°C~約1100°Cの温度を有する、請求項19に記載の方法。チャンバーが、SiGe膜の堆積中に約800°C~約900°Cの温度を有する、請求項19に記載の方法。チャンバーが、SiGe膜の堆積中に約0.200Torr~約850Torrの圧力を有する、請求項19に記載の方法。チャンバーが、SiGe膜の堆積中に約1Torr~約100Torrの圧力を有する、請求項19に記載の方法。SiGe膜が、約40Årmsより小さい表面粗さを有する、請求項19に記載の方法。SiGe膜が、約30Årmsより小さい表面粗さを有する、請求項19に記載の方法。SiGe膜が、約20Årmsより小さい表面粗さを有する、請求項19に記載の方法。シリコンソースガス及びゲルマニウムソースガスを混合すること;ガス状の前駆体混合物を形成するために、混合されたソースガスにエッチャントを添加すること;化学気相成長法の条件下で、基板上にガス状の前駆体混合物を流すこと;及び基板上にエピタキシャルSiGeのブランケット層を堆積すること;を包含し、ここで、混合されたソースガスに添加されるエッチャントの量が、選択的な堆積プロセスにおいて混合されたソースガスに添加されるエッチャントの量より少ない、SiGe膜をブランケット堆積する方法。混合されたソースガスに添加されるエッチャントの量が、混合されたソースガスの量より小さい、請求項39に記載の方法。基板が、化学気相成長チャンバー内に配置される、請求項39に記載の方法。基板が、化学気相成長チャンバー内に配置され、ここで、エッチャントが約1sccm~約200sccmで該化学気相成長チャンバーに供給される、請求項39に記載の方法。基板が、化学気相成長チャンバー内に配置され、エッチャントが約25sccm~約50sccmで該化学気相成長チャンバーに供給される、請求項39に記載の方法。発明の要約エピタキシャルSiGe膜が、単結晶シリコン膜上に堆積される場合、歪みは層間の界面interfaceで生じる。堆積されたエピタキシャル層が歪んでいるとは、該エピタキシャル層が、少なくとも二つのディメンションにおいて、下地単結晶基板の格子構造と同じであるが、該エピタキシャル層固有の格子定数とは異なる格子構造を有するよう強いられている場合を言う。1つの材料の、他の材料上へのエピタキシャル堆積は、しばしばヘテロエピタキシャル堆積と称される。堆積された膜中の原子が、歪みのないfree-standingバルク材料の格子構造中で通常占める位置を離れることにより、格子歪みが生じる。歪みの程度は、堆積される層の厚さ、及び、堆積される材料と下地基板との間の格子不整合の程度に依存する。歪んだSiGe膜の厚さが、臨界厚さとして知られる、一定の厚さを超えて増加するとき、膜/基板界面における不適合転位、及び膜内における貫通転位の形成のように、膜はその本来の格子定数に緩む傾向があり、エネルギー的に有利になる。垂直に広がる例えば、貫通、パイルアップ転位は、減少したキャリア移動度、電流漏洩、減少したデバイス性能、及びデバイスの故障に結びつき得る。このような転位は、得られる膜表面の平坦性の欠陥の一因にもなり得る。その結果、複数の方法が、減少された欠陥密度及び改善された平坦性を持つSiGe層をブランケット堆積するために開発された。本発明の1つの実施形態において、SiGe膜をブランケット堆積させるための方法は、ガス状の前駆体混合物を形成するために、シリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを包含する。該方法はさらに、化学気相成長法の条件下で、基板上にガス状の前駆体混合物を流すことを包含する。該方法はさらに、エピタキシャルSiGeのブランケット層を基板上に堆積することを包含する。本発明の他の実施形態において、方法は、化学気相成長チャンバー内に単結晶シリコン基板を供給することを包含する。該基板は、その上に形成された表面パターンを有する。該方法はさらに、チャンバー内にある量のシリコン前駆体を供給することを包含する。該方法はさらに、チャンバー内にある量のゲルマニウム前駆体を供給することを包含する。該方法はさらに、チャンバー内にある量のエッチャントを供給することを包含する。供給されるエッチャントの量は、シリコン前駆体の量と、ゲルマニウム前駆体の量の合計より少ない。該方法はさらに、基板及びその上に形成された表面パターン上にブランケットSiGe膜を堆積することを包含する。好ましい実施形態の詳細な説明減少した欠陥密度を有するブランケットSiGe層は、基板を含むCVDチャンバーに、シリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを含む前駆体ガス混合物を供給することによりシリコン基板上で形成され得る。ブランケット非選択的堆積は、ベアウェハ上またはパターン化された基板例えば、ウィンドウを有し、別に選択的堆積プロセスにおいて使用し得る上で生じ得る。結晶欠陥は、ブランケットSiGe堆積中にエッチャントガスによって優先的に除去され、それによって、前駆体ガス混合物中のエッチャント無しで堆積されたSiGe材料と比較して、より少ない欠陥を持つより滑らかなSiGe表面が得られる。好ましい実施形態において、ブランケットSiGe層は、約107欠陥/cm2より少ないエッチピット密度を有するように形成される。さらに好ましくは、ブランケットSiGe層は、約105欠陥/cm2より少ないエッチピット密度を有するように形成される。本明細書中に開示される方法によって生産される典型的なSiGe膜は、図1において図解される。特に図1は、その上に形成されたシャロートレンチ分離shallowtrenchisolationSTIスキームと一般に呼ばれる表面パターン20を持つシリコン基板10を図解する。例えば、表面パターン20は、基板10の表面上に複数の別個のウィンドウ25を形成する、相互に接続した誘電材料を含み得る。表面パターン20を形成するために使用することができる典型的な材料は、窒化シリコン及び酸化シリコンを含む。ブランケットSiGe膜30は、基板10及び表面パターン20上に配置され、比較的滑らかなSiGe表面35を基板10上に形成する。そのような実施形態において、エピタキシャルSiGe参照番号34で示されるが基板10上の領域で生じるのに対し、非晶質SiGe及び/または多結晶SiGe参照番号32によって示されるは、表面パターン20上の領域で生じる。塩化水素のようなエッチャントは、生じるブランケットSiGe膜の表面を滑らかにするために堆積チャンバーに供給され得る。供給されるエッチャントの量は、通常、選択的な堆積プロセスにおいて供給されるエッチャントの量より少ないが、該量は、表面パターン20上に減少した堆積速度を与えるのに十分である。本明細書中において使用されるように、用語ブランケットは、あらゆる表面パターン20の有効なカバレージがSiGeで覆われることを示す。他の実施形態において、ブランケットSiGe膜30が、ベア基板上、または如何なる表面パターンも含まない、介在するブランケット層を備えた基板上に直接堆積されることが、理解されるはずである。典型的なシリコンソースは、シラン、ジシラン、トリシラン、クロロシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、及びテトラクロロシランを含むがこれらに制限されない。典型的なゲルマニウムソースは、ゲルマン、ジゲルマン、トリゲルマン、クロロゲルマン、ジクロロゲルマン、トリクロロゲルマン、及びテトラクロロゲルマンを含むが、これらに制限されない。典型的なエッチャントは、フッ化水素及び塩化水素を含むが、これらに制限されない。典型的な実施形態において、シリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントは前駆体ガス状混合物を形成するために、特定の用途に適したような、及び、常套の実験によって決定することができるような種々の比率で混合される。特に、そのような実施形態において、前駆体ガス混合物中のシリコンソース及びゲルマニウムソースの相対量は、所望のSiGe比率を有するエピタキシャルSiGe層を得るために選択される。好ましくは、本明細書中に述べられた方法によって成長されたSiGe膜のゲルマニウム含有量は、約10~約100である。さらに好ましくは、本明細書中に述べられた方法によって成長されたSiGe膜のゲルマニウム含有量は、約20~約100である。最も好ましくは、本明細書中に述べられた方法によって成長されたSiGe膜のゲルマニウム含有量は、約40~約80である。特定の実施形態において、本明細書中に述べられた方法によって成長されたSiGe膜のゲルマニウム含有量は、約20~約50である。前駆体ガス混合物中のエッチャントの相対量が増加するに従い、得られるSiGe膜の平坦性及び/または欠陥密度は、通常、改善される。しかしながら、過大な量のエッチャントは、不都合なことに、SiGe膜の堆積速度を減少させ得る。1つの実施形態において、エッチャントは塩化水素を含む。好ましい実施形態において、エッチャントは堆積チャンバーへ約1sccm~約200sccmで供給される。例えば、エッチャントが単一ウェハの堆積チャンバーに供給される1つの実施形態において、エッチャントは、約1sccm~約100sccmで供給される。改変された実施形態において、エッチャントは、SiGe膜の成長の一部の期間、堆積チャンバーに供給される;即ち、そのような実施形態においては、所望の平坦性が得られた場合、エッチャントのフローを停止することができる。一旦エッチャントのフローが停止されれば、この構成は好都合なことに、増加したSiGe膜成長速度をもたらす。他の改変された実施形態において、エッチャントは、SiGeが一定の厚さに成長した後にのみ、堆積チャンバーに供給される。1つの実施形態において前駆体ガス混合物は、重量ベースで測定して、シリコンソース及びゲルマニウムソースの合計量より少ない量のエッチャントを含む。例えば、1つのそのような実施形態において、塩化水素エッチャントは約25sccm~約50sccmで堆積チャンバー内へ供給され、ジクロロシランは約20sccmで堆積チャンバー内へ供給され、そしてゲルマンは約5sccmで堆積チャンバー内へ供給される。他の実施形態において、前駆体ガス混合物は、重量ベースで測定して、シリコンソース及びゲルマニウムソース合計量の約1~約50の量のエッチャントを含む。本明細書中に記載されるように、常套の実験は、表面の滑らかさ、エッチピット密度のような、特定の適用において望まれる膜パラメータを得るための、特定の堆積条件を決定するために使用され得る。実験的に決定可能な堆積条件は、堆積温度及び堆積圧力を含む。好ましい実施形態において、堆積温度は、シリコン及びゲルマニウムソースの性質に依存し、約350°C~約1200°Cである。特に、堆積温度範囲は特定のシリコン及びゲルマニウムソースに依存し、ソースの熱的安定性が減少するにつれて、より低い温度がより好適である。例えば、ジクロロシラン、ゲルマン、及び塩化水素が堆積チャンバーに供給される1つの実施形態において、堆積温度は約500°C~約1000°Cである。最も好ましくは、そのような堆積条件下において、堆積温度は約800°C~約900°Cである。表Aは、所定の堆積温度の単一ウェハ堆積チャンバーに対する好ましい塩化水素エッチャントの流速の範囲を表す。CVDチャンバー内の全圧は、好ましくは約0.200Torr~約850Torrの範囲、さらに好ましくは約1Torr~約760Torrの範囲、よりさらに好ましくは約1Torr~約100Torrの範囲、そして最も好ましくは約1Torr~約60Torrの範囲である。好ましい実施形態において、40Årmsより小さい表面粗さを有する約1~2μm厚のSiGe膜が堆積される。さらに好ましくは、30Årmsより小さい表面粗さを有する約1~2μm厚のSiGe膜が堆積される。最も好ましくは、20Årmsより小さい表面粗さを有する約1~2μm厚のSiGe膜が堆積される。所定の前駆体及び所定のリアクターに対するプロセスレシピの立案において、エッチャント無しで特定のシリコン及びゲルマニウムソースを用いるエピタキシャルSiGeを堆積するための既存の方法は、コントロールとして用い得る。これらのコントロール条件下で堆積された、ブランケット堆積エピタキシャルSiGe層の平坦性及び欠陥密度は、既知の方法により測定することができ、エッチャントが前駆体ガス混合物に添加された際にもたらされる改善を評価するための基準として使用することができる。改善されたエピタキシャルSiGe層の、実質的に基板全体上への堆積は、選択された堆積条件下での、基板上の堆積ガスフローとして生じる。1つの実施形態において、基板は単結晶シリコンのような単結晶材料を含む。他の実施形態において、傾斜エピタキシャルSiGe膜は、堆積時間の関数として、基板上を流れるシリコンソース及びゲルマニウムソースの相対量を変化させることにより製造される。典型的な実施形態において、好適なマニホールドは、SiGe膜堆積が実施されるCVDチャンバーにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを供給するために使用される。1つの実施形態において、シリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントは堆積チャンバー内へ導入される前に混合され、他の実施形態において、これらの前駆体ガスは堆積チャンバー内で混合される。特定の実施形態のためのガス流速は、常套の実験により決定することができ、堆積チャンバーの大きさ及び他のパラメータに依存する。1つの実施形態において、堆積チャンバーは、放射加熱されるradiativelyheated、単一ウェハ、水平ガスフローリアクターである。このタイプの好適なリアクターは市販されており、1つの典型的なそのようなリアクターは、ASMAmerica,Inc.Phoenix,AZから購入可能な、単一ウェハエピタキシャルリアクターのEpsilon登録商標シリーズであり、そのさらなる詳細は2002年11月21日に発行された米国特許出願公開US2002/0173130A1において提供され、その全内容は本明細書中に参照によって組込まれる。本明細書中に記載されたプロセスは、シャワーヘッドガス分配機構showerheadgasdistributionconfigurationsを備えたリアクターのような他のリアクターにおいても実行することができるが、向上した均一性及び堆積速度における利点は、Epsilonチャンバーの水平、単一パス、層流ガスフロー装置において特に効果的であることが見出された。発明の範囲上記の詳細な説明は、本発明のいくつかの実施形態を開示しているが、この開示は例証となるのみであり、本発明を制限しないことが理解されるはずである。開示された特定の構成及び実施が、上記に記載されるものと異なり得、本明細書中に記載された方法がSiGe膜の堆積とは異なった状況において使用し得ることは、認識されるはずである。"