"パターン描画装置であって、基板を支持する支持部と、前記基板に空間変調された光を照射する光照射部と、前記基板を前記光照射部に対して相対的に移動する移動機構と、前記光照射部および前記移動機構を制御するためのデータを生成する描画データ生成部と、を備え、前記光照射部が、光源と、複数の格子要素が一列に配列された回折格子型かつ反射型の空間光変調器と、を備え、前記基板の前記移動機構による相対移動方向が、前記複数の格子要素の配列方向に対応する前記基板上の方向に対して交差する方向であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記配列方向に垂直な方向に延びる1つの固定反射面と1つの可動反射面との組み合わせであり、前記可動反射面が、前記可動反射面に垂直な方向に移動可能であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記可動反射面を経由する光路と前記固定反射面を経由する光路との光路長差が前記光の波長の0倍以上の整数倍に半波長を加えた長さとなる第1の状態、前記光路長差が前記光の波長の前記整数倍となる第2の状態、前記第2の状態と前記第1の状態との間の第3の状態、および、前記第3の状態と前記第2の状態との間の第4の状態になることが可能であり、前記描画データ生成部が、前記複数の格子要素にそれぞれ対応づけられた複数の指示値において、前記第1の状態を格子要素に指示する指示値と、前記第3の状態を格子要素に指示する指示値と、前記第2の状態を格子要素に指示する指示値とがこの順に並ぶ場合に、前記第3の状態を指示する前記指示値に連続する少なくとも1つの前記第2の状態を指示する指示値を、前記第4の状態を指示する指示値へと変更することを特徴とするパターン描画装置。請求項1に記載のパターン描画装置であって、前記第3の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/4であることを特徴とするパターン描画装置。請求項2に記載パターン描画装置であって、前記第4の状態を指示する指示値に変更される指示値の数が、3であることを特徴とするパターン描画装置。請求項3に記載のパターン描画装置であって、前記第4の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/6であることを特徴とするパターン描画装置。請求項1ないし4のいずれかに記載のパターン描画装置であって、前記基板が半導体基板であることを特徴とするパターン描画装置。パターン描画方法であって、a基板を光照射部に対して相対的に移動する工程と、b前記a工程と並行して、前記光照射部から前記基板に空間変調された光を照射する工程と、を備え、前記光照射部が、光源と、複数の格子要素が一列に配列された回折格子型かつ反射型の空間光変調器と、を備え、前記基板の前記光照射部に対する相対移動方向が、前記複数の格子要素の配列方向に対応する前記基板上の方向に対して交差する方向であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記配列方向に垂直な方向に延びる1つの固定反射面と1つの可動反射面との組み合わせであり、前記可動反射面が、前記可動反射面に垂直な方向に移動可能であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記可動反射面を経由する光路と前記固定反射面を経由する光路との光路長差が前記光の波長の0倍以上の整数倍に半波長を加えた長さとなる第1の状態、前記光路長差が前記光の波長の前記整数倍となる第2の状態、前記第2の状態と前記第1の状態との間の第3の状態、および、前記第3の状態と前記第2の状態との間の第4の状態になることが可能であり、前記b工程において、前記第1の状態の格子要素と、前記第3の状態の格子要素と、前記第4の状態の格子要素とがこの順で並ぶことを特徴とするパターン描画方法。請求項6に記載のパターン描画方法であって、前記第3の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/4であることを特徴とするパターン描画方法。請求項7に記載パターン描画方法であって、前記第4の状態の3つの格子要素が連続して並ぶことを特徴とするパターン描画方法。請求項8に記載のパターン描画方法であって、前記第4の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/6であることを特徴とするパターン描画方法。請求項6ないし9のいずれかに記載のパターン描画方法であって、前記基板が半導体基板であることを特徴とするパターン描画方法。回折格子型の空間光変調器を使用する場合において、位置分解能をさらに上げるために、あるいは、光ビームを僅かにシフトさせるために、感光材料に光を照射する格子要素と、光を照射しない格子要素との間の格子要素から、半分の強度の光を感光材料に照射する手法を採用しようとすると、基板の上下の振れに対して描画されるパターン線幅が大きく変化するという問題が生じる。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、空間光変調器を用いて高い位置分解能にて描画を行う場合であっても、光軸方向における描画面の位置の許容範囲の減少を抑制することを目的としている。請求項1に記載の発明は、パターン描画装置であって、基板を支持する支持部と、前記基板に空間変調された光を照射する光照射部と、前記基板を前記光照射部に対して相対的に移動する移動機構と、前記光照射部および前記移動機構を制御するためのデータを生成する描画データ生成部とを備え、前記光照射部が、光源と、複数の格子要素が一列に配列された回折格子型かつ反射型の空間光変調器とを備え、前記基板の前記移動機構による相対移動方向が、前記複数の格子要素の配列方向に対応する前記基板上の方向に対して交差する方向であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記配列方向に垂直な方向に延びる1つの固定反射面と1つの可動反射面との組み合わせであり、前記可動反射面が、前記可動反射面に垂直な方向に移動可能であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記可動反射面を経由する光路と前記固定反射面を経由する光路との光路長差が前記光の波長の0倍以上の整数倍に半波長を加えた長さとなる第1の状態、前記光路長差が前記光の波長の前記整数倍となる第2の状態、前記第2の状態と前記第1の状態との間の第3の状態、および、前記第3の状態と前記第2の状態との間の第4の状態になることが可能であり、前記描画データ生成部が、前記複数の格子要素にそれぞれ対応づけられた複数の指示値において、前記第1の状態を格子要素に指示する指示値と、前記第3の状態を格子要素に指示する指示値と、前記第2の状態を格子要素に指示する指示値とがこの順に並ぶ場合に、前記第3の状態を指示する前記指示値に連続する少なくとも1つの前記第2の状態を指示する指示値を、前記第4の状態を指示する指示値へと変更する。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のパターン描画装置であって、前記第3の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/4である。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載パターン描画装置であって、前記第4の状態を指示する指示値に変更される指示値の数が、3である。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のパターン描画装置であって、前記第4の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/6である。請求項5に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれかに記載のパターン描画装置であって、前記基板が半導体基板である。請求項6に記載の発明は、パターン描画方法であって、a基板を光照射部に対して相対的に移動する工程と、b前記a工程と並行して、前記光照射部から前記基板に空間変調された光を照射する工程とを備え、前記光照射部が、光源と、複数の格子要素が一列に配列された回折格子型かつ反射型の空間光変調器とを備え、前記基板の前記光照射部に対する相対移動方向が、前記複数の格子要素の配列方向に対応する前記基板上の方向に対して交差する方向であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記配列方向に垂直な方向に延びる1つの固定反射面と1つの可動反射面との組み合わせであり、前記可動反射面が、前記可動反射面に垂直な方向に移動可能であり、前記複数の格子要素のそれぞれが、前記可動反射面を経由する光路と前記固定反射面を経由する光路との光路長差が前記光の波長の0倍以上の整数倍に半波長を加えた長さとなる第1の状態、前記光路長差が前記光の波長の前記整数倍となる第2の状態、前記第2の状態と前記第1の状態との間の第3の状態、および、前記第3の状態と前記第2の状態との間の第4の状態になることが可能であり、前記b工程において、前記第1の状態の格子要素と、前記第3の状態の格子要素と、前記第4の状態の格子要素とがこの順で並ぶ。請求項7に記載の発明は、請求項6に記載のパターン描画方法であって、前記第3の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/4である。請求項8に記載の発明は、請求項7に記載パターン描画方法であって、前記第4の状態の3つの格子要素が連続して並ぶ。請求項9に記載の発明は、請求項8に記載のパターン描画方法であって、前記第4の状態と前記第2の状態との間における前記可動反射面を経由する光路の光路長差が、前記波長の1/6である。請求項10に記載の発明は、請求項6ないし9のいずれかに記載のパターン描画方法であって、前記基板が半導体基板である。本発明によれば、高い位置分解能にてパターンを描画する場合において、光軸方向における描画面の位置の許容範囲の減少を抑制することができる。図1は、本発明の一の実施の形態に係るパターン描画装置100の正面図であり、図2は平面図である。図3は、パターン描画装置100の電気的構成を示すブロック図である。パターン描画装置100は、レジスト等の感光材料の層が形成された半導体の基板9の上面である描画面に光を照射して、パターンを描画する装置である。なお、基板9は、プリント基板、カラーフィルタ用基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置に具備されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板等の他の様々な基板であってもよい。図1の例では円形の半導体基板の表面に形成された下地パターンに重ねてパターンが描画される。描画パターンは、例えば、集積回路を外部と接続するために集積回路から延びる配線パターンである。パターン描画装置100では、本体フレーム101の骨格の天井面および周囲面にカバーパネル図示省略が取り付けられることによって本体内部が形成され、本体内部および本体外部に、各種の構成要素が配置される。パターン描画装置100の本体内部は、処理領域102と受け渡し領域103とに区分される。これらの領域のうち処理領域102には、ステージ10、ステージ移動機構20、ステージ位置計測部30、光学ユニット40、アライメントユニット361および制御部60が配置される。なお、図2では制御部60を外に描いている。受け渡し領域103には、処理領域102に対する基板9の搬出入を行う搬送ロボット等の搬送装置110が配置される。制御部60は、パターン描画装置100が備える装置各部描画エンジンと電気的に接続されて、これら各部の動作を制御する。パターン描画装置100の本体外部には、照明ユニット362が配置される。照明ユニット362は、アライメントユニット361に照明光を供給する。パターン描画装置100の本体外部で、受け渡し領域103に隣接する位置には、カセット載置部104が配置される。カセット載置部104には、カセット90が載置される。搬送装置110は、カセット載置部104に対応する位置に設けられ、カセット載置部104に載置されたカセット90に収容された未処理の基板9を取り出して処理領域102に搬入ローディングするとともに、処理領域102から処理済みに基板9を搬出アンローディングしてカセット90に収容する。カセット載置部104に対するカセット90の受け渡しは、図示しない外部搬送装置によって行われる。未処理基板9のローディングおよび処理済基板9のアンローディングは制御部60からの指示に応じて搬送装置110が動作することで行われる。ステージ10は、平板状の外形を有し、その上面に載置された基板9を水平姿勢にて支持する支持部である。ステージ10の上面には、複数の吸引孔が形成されており、この吸引孔に負圧吸引圧を付与することによって、ステージ10上に載置された基板9をステージ10の上面に固定保持する。基板9を支持する機構としては他の様々なものが採用されてもよい。ステージ10はステージ移動機構20により水平方向に移動する。ステージ移動機構20は、ステージ10を主走査方向Y軸方向、副走査方向X軸方向および回転方向Z軸周りの回転方向θ軸方向に移動する。これにより、ステージ10に支持される基板9が、光学ユニット40に対して移動する。ステージ移動機構20は、ステージ10を回転させる回転機構21と、回転機構21を支持する支持プレート22と、支持部プレートを副走査方向に移動する副走査機構23と、副走査機構23を支持するベースプレート24と、ベースプレート24を主走査方向に移動させる主走査機構25とを備える。回転機構21は、支持プレート22上で、基板9の上面に垂直な回転軸を中心としてステージ10を回転させる。図3に示すように、回転機構21、副走査機構23および主走査機構25は、制御部60の照射制御部61に電気的に接続され、照射制御部61からの指示に応じてステージ10を移動する。副走査機構23は、リニアモータ23aを有する。リニアモータ23aは、支持プレート22の下面に取り付けられた移動子とベースプレート24の上面に敷設された固定子とを備える。支持プレート22とベースプレート24との間には、副走査方向Xに延びる一対のガイド部23bが設けられる。リニアモータ23aが動作すると、ガイド部23bに沿って支持プレート22が副走査方向Xに移動する。主走査機構25は、リニアモータ25aを有する。リニアモータ25aは、ベースプレート24の下面に取り付けられた移動子とパターン描画装置100の基台106上に敷設された固定子とを備える。ベースプレート24と基台106との間には、主走査方向に延びる一対のガイド部25bが設けられる。リニアモータ25aが動作すると、基台106上のガイド部25bに沿ってベースプレート24が主走査方向Yに移動する。ステージ位置計測部30は、ステージ10の位置を計測する。ステージ位置計測部30は、制御部60の照射制御部61と電気的に接続され、制御部60からの指示に応じてステージ10の位置を計測する。ステージ位置計測部30は、例えば、ステージ10に向けてレーザ光を照射し、その反射光と出射光との干渉を利用して、ステージ10の位置を計測する。ステージ位置計測部30の構成および動作はこれに限定されるものではない。本実施の形態では、ステージ位置計測部30は、レーザ光を出射する出射部31と、ビームスプリッタ32と、ビームベンダ33と、第1干渉計34と、第2干渉計35とを備える。出射部31および各干渉計34、35は、制御部60と電気的に接続されており、制御部60からの指示に応じてステージ10の位置を計測する。出射部31から出射されたレーザ光は、ビームスプリッタ32に入射し、ビームベンダ33に向かう第1分岐光と、第2干渉計35に向かう第2分岐光とに分岐される。第1分岐光は、第1干渉計34によるステージ10の第1の部位に対応した位置パラメータを求めるために利用される。第2分岐光は、第2干渉計35によるステージ10の第2の部位ただし、第2の部位は、第1の部位とは異なる位置である。に対応した位置パラメータを求めるために利用される。照射制御部61は、第1干渉計34および第2干渉計35から、ステージ10の第1および第2の部位の位置に対応した位置パラメータを取得する。そして、各位置パラメータに基づいて、ステージ10の位置を算出する。アライメントユニット361は、基板9の上面に形成された基準マークを撮像する。アライメントユニット361は、照明ユニット362のほか、鏡筒、対物レンズ、および、CCDイメージセンサ364図3参照を備える。CCDイメージセンサ364は、例えば、エリアイメージセンサ二次元イメージセンサである。照明ユニット362は、ファイバ363を介してアライメントユニット361に接続され、アライメントユニット361に照明用の光を供給する。ファイバ363によって導かれる光は、鏡筒を介して基板9の上面に導かれ、その反射光は、対物レンズを介して図3に示すCCDイメージセンサ364で受光される。これにより、基板9の上面が撮像される。CCDイメージセンサ364は、制御部60の描画データ生成部62と電気的に接続され、制御部60からの指示に応じて撮像データを取得し、撮像データを制御部60に送信する。アライメントユニット361はオートフォーカス可能なオートフォーカスユニットをさらに備えてもよい。図4は、光学ユニット40の構成を示す図である。光学ユニット40は、光源部41と、2つの光学ヘッド42とを備え、空間変調された光を基板9に照射する光照射部である。光学ヘッド42は光源部41から与えられるレーザ光を空間変調する。光源部41は、レーザ駆動部411と、光源であるレーザ発振器412と、照明光学系413とを備える。これらの構成要素は、各光学ヘッド42に対応して設けられる。レーザ駆動部411の作動によりレーザ発振器412からレーザ光が出射され、照明光学系413を介して光学ヘッド42に導入される。光学ヘッド42は、入射部421と、空間光変調器422と、光学系423と、照射位置シフト機構424と、投影光学系425とを備える。入射部421は、光源部41からの光を光学ヘッド42内に導入する。空間光変調器422は、導入された光を空間変調する。光学系423は、入射部421からの光を空間光変調器422へと導く。照射位置シフト機構424は、一対のウェッジプリズムを備え、一対のウェッジプリズムの間の距離を変更することにより光軸401をシフトさせ、基板9の上面において描画位置を副走査方向に相対的にシフトさせる。投影光学系425は、照射位置シフト機構424からの光を基板9の上面に導く。空間光変調器422は、回折格子型かつ反射型であり、格子の深さを変更することができる回折格子である。空間光変調器422は、半導体装置製造技術を利用して製造される。本実施の形態に用いられる回折格子型の光変調器は、例えば、GLVグレーティングライトバルブシリコンライトマシーンズサニーベール、カリフォルニアの登録商標である。GLVを使用することにより、照射制御部61から与えられる照射制御データに応じて、画素単位で光の照射量を多段階に変更することができる。図5は、空間光変調器422の拡大図である。空間光変調器422では、可動リボン51および固定リボン52が所定の配列方向に交互に平行に配列される。各リボン51,52は、配列方向に垂直な方向に細長い形状を有する。可動リボン51と固定リボン52とはほぼ同じ幅であり、一定のピッチにて配列される。可動リボン51は背後の基準面に対して相対的に昇降可能であり、固定リボン52は基準面に対して固定される。空間光変調器422において1つの格子要素5は、1組の可動リボン51および固定リボン52により構成される。したがって、格子要素5は、副走査方向に対応する一方向以下、格子配列方向という。に一列に配列される。空間光変調器422では、例えば、8000個の格子要素5が配列される。光学系423からの光の光束断面は、格子配列方向に長い線状であり、複数の格子要素5上に照射される。可動リボン51の上面は、基準面に平行かつ格子配列方向に垂直な方向に細長い帯状の可動反射面511である。固定リボン52の上面も、基準面に平行かつ格子配列方向に垂直な方向に細長い帯状の固定反射面521である。したがって、各格子要素5は、本質的には、固定反射面521と可動反射面511との組み合わせである。可動リボン51の両端は支持されており、可動リボン51と基準面との間における電位差電圧が変更されることにより、可動リボン51の撓み量が変化する。すなわち、可動反射面511は、可動反射面511に垂直な上下方向に移動可能である。これにより、基準面に垂直な方向における可動反射面511と固定反射面521との間の距離が変化する。図6は、空間光変調器422から±1次回折光L1が出射される状態を示す図である。±1次回折光L1が出射される状態では、可動反射面511にて反射される光の光路、すなわち、可動反射面511を経由する光の光路と、固定反射面521にて反射される光の光路、すなわち、固定反射面521を経由する光の光路との光路長差が、波長の0倍以上の整数倍に半波長を加えた長さとなる。これにより、可動反射面511にて反射された光と固定反射面521にて反射された光とが回折方向において強め合い、0次回折光または正反射光は出射されない。例えば、光が空間光変調器422に垂直に入射すると仮定した場合、可動反射面511と固定反射面521との高さの差d1がn1/2λ/2であることにより、光路長差がn1/2λとなる。ただし、nは0以上の整数である。実際には、入射光は格子配列方向に垂直、かつ、可動反射面511および固定反射面521に対して傾斜した方向から入射するため、可動反射面511と固定反射面521との高さの差は、n1/2λ/2ではない。後述の図7のd2、図11のd11、図14のd13,d14に関しても同様である。図7は、左側の5つの格子要素5から0次回折光L2が出射される様子を示す図である。0次回折光L2を出射する格子要素5では、可動リボン51が撓むことにより可動反射面511が基準面501に近づき、可動反射面511を経由する光の光路と、固定反射面521を経由する光の光路との光路長差が、波長の0倍以上の整数倍となる。これにより、可動反射面511にて反射された光と固定反射面521にて反射された光とが強め合い、1次回折光は出射されない。例えば、光が空間光変調器422に垂直に入射すると仮定した場合、可動反射面511と固定反射面521との高さの差d2がnλ/2であることにより、光路長差がnλとなる。ただし、nは0以上の整数である。空間光変調器422がi線用の場合、可動リボン51は90nm以上移動する。描画に用いられる光は、i線には限定されない。光学ユニット40では、1次回折光は遮光板にて遮光され、基板9へは導かれない。一方、0次回折光は、照射位置シフト機構424および投影光学系425を介して基板9へと導かれる。以下の説明では、1次回折光が出射される際の各格子要素5の第1の状態をOFF状態と呼び、0次回折光が出射される際の各格子要素5の第2の状態をON状態と呼ぶ。図3に示すように、制御部60は、照射制御部61と描画データ生成部62とを有する。描画データ生成部62は、ストライプデータを生成する。ストライプデータは、光学ユニット40の空間光変調器422およびステージ移動機構20を制御するためのデータであり、基板9上の1ストライプ1スワス分の描画データである。ストライプデータは照射制御部61に入力され、光学ユニット40の光学ヘッド42およびステージ移動機構20によるパターン描画が行われる。描画データ生成部62はCPUCentralProcessingUnitや記憶部625等を有するコンピュータであり、照射制御部61と共に電装ラック図示省略内に配置される。描画データ生成部62のCPUが所定のプログラムに従って演算処理を実行することにより、ランレングスデータ生成部621、補正量算出部622およびデータ補正部623が実現される。図8は、パターン描画装置100の使用者による準備作業、および、パターン描画装置100の動作の流れを示す図である。パターン描画装置100を稼動させる際には、使用者により、予め外部のCAD等によりベクトル形式の設計データ601が生成される。設計データ601が示す描画パターンは、例えば、下地パターンに重ね合わせて描画するパターンであり、設計データ601は、描画パターンの各部の照射量を示す。設計データ601は、描画データ生成部62に入力されて記憶部625に保存される。設計データ601が準備されると、ランレングスデータ生成部621により設計データ601がラスタライズされ、ラスタデータであるランレングスデータ602が生成されるステップS11。ランレングスデータ602は記憶部625に保存される。通常、ラスタライズ処理では、画素値が0および1のいずれかであるランレングスデータ602が生成される。パターン描画装置100では、描画位置の高い分解能が必要な場合に、画素値が0、0.5および1のいずれかであるランレングスデータも生成可能である。使用者は、ラスタライズ前に、いずれの形式のデータを生成するか指定する。具体的には、ベクトルデータである設計データ601の属性に、ラスタライズ後の画素値の階調数を示す情報が与えられる。副走査方向に対応する方向に並ぶ画素の各画素値は、格子要素5の可動リボン51の移動量を指示する指示値である。画素値はさらに他の値にも設定可能である。すなわち、各格子要素5は、画素値により階調制御される。また、画素値0.5の画素が存在する場合は、ランレングスデータ生成部621は、この画素の副走査方向に隣接する画素値1の画素の画素値を変更するが、この処理の詳細については後述する。ランレングスデータ602が生成されると、または、ランレングスデータ602の生成と並行して、カセット90に収納されている未処理の基板9が搬送装置110により搬出され、ステージ10に載置されるステップS12。そして、描画データ生成部62から与えられる基準マークアライメントマークの設計位置情報に基づいてステージ移動機構20が制御され、基板9上のいずれかの基準マークがアライメントユニット361のCCDイメージセンサ364の直下に移動する。CCDイメージセンサ364は、基準マークを撮像する。CCDイメージセンサ364から出力される画像信号は電装ラック内の画像処理回路により処理され、基準マークのステージ10上の位置が正確に求められるステップS13。上記動作は、基板9上の複数の基準マークのそれぞれに対して行われる。全ての基準マークの計測位置情報が求められると、回転機構21が制御されてステージ10を鉛直軸回りに微小回転させ、基板9へのパターン描画に適した向きに基板9がアライメント位置合わせされるステップS14。なお、ステージ10を光学ヘッド42の直下位置に移動させた後で当該アライメントが行われてもよい。補正量算出部622は、基準マークの計測位置情報、および、基板9の向きの修正量を取得し、アライメント後の基準マークの位置を求める。さらに、設計データ601で記述された描画パターンの下地パターンに対する基準マークの位置ズレを求め、その位置ズレを解消するための描画パターンの補正量を算出する。データ補正部623は、ランレングスデータをブロック単位、つまり1ストライプの一部に対応するブロックランレングスデータ単位で読み出し、ブロックランレングスデータ毎に補正量に基づいて補正を行うステップS15。ブロックランレングスデータの補正では、各画素の画素値が、画素単位で主走査方向および副走査方向の少なくともいずれかの方向にシフトする処理が行われる。このとき、適宜、隣接するブロックランレングスデータの画素の画素値が参照される。データ補正部623は、主走査方向に並ぶ補正後のブロックランレングスデータを連結し、1つのストライプに相当するストライプデータを生成する。ストライプデータは、照射制御部61に出力され、照射制御部61がストライプデータに従って光学ヘッド42およびステージ移動機構20を制御する。具体的には、主走査機構25により基板9が、その主面に平行な主走査方向への移動を開始し、基板9の光学ユニット40に対する相対移動に並行して、2つの光学ヘッド42からの空間変調された光の基板9への照射が、2つのストライプに対応する領域以下、ストライプ領域という。の先頭から開始される。これにより、パターンの描画が開始される。空間光変調器422では、画素値が可動リボン51と基準面との間の電位差に変換され、画素値に応じた量だけ可動リボン51が基準面に向かって移動する。したがって、画素値が0および1以外の多階調の値を取ることにより、格子要素5から基板9へと出射される光の強度は、様々に変更される。ストライプ領域の最後まで描画が行われるとステップS16、光学ヘッド42からの光の出射が一時的に停止され、基板9の主走査方向への移動も停止され、副走査機構23により基板9が主走査方向に垂直かつ基板9の主面に平行な副走査方向にストライプ領域の幅だけ移動する。そして、基板9が前回の主走査とは逆方向に移動しつつ2つの光学ヘッド42により2つのストライプ領域への描画が行われる。基板9の副走査方向への移動および主走査方向への移動が繰り返されて全ストライプの描画が完了するとステップS17、搬送装置110により基板9が搬出され、カセット90に収納されるステップS18。各光学ヘッド42は、基板9の半分の描画を担う。図9は、ステップS11にて生成されるランレングスデータの一部を示す図である。図9の上下方向が主走査方向に対応し、左右方向が副走査方向、すなわち、格子配列方向に対応する。2本の破線721は、ベクトルデータにおける線を示し、2本の破線721の間の領域が描画すべき領域である。ベクトルデータは、ラスタライズにより各画素に値を付与したデータとなる。平行斜線を付さない画素722は、基板9上において光が照射されない位置を示し、画素値0が付与される。平行斜線を付す画素723は、基板9上において光を照射する位置を示し、画素値1が付与される。すなわち、1つの格子要素5が基板9上において画素722に対応する位置に位置する時点で、この格子要素5はOFF状態となり、画素723に対応する位置に位置する時点でON状態となる。図9は、ラスタライズの際に、画素値が0および1のいずれかになるように使用者により指定された場合の例を示している。一方、使用者により、画素値が0、0.5および1のいずれかになるように指定された場合、ラスタライズ直後のデータは、図10に示すようになる。ただし、図10では、ランレングスデータ生成部621による後述の画素値の補正が行われる前の状態を示している。図10において、平行斜線を付さない画素722は、基板9上において光が照射されない位置を示し、画素値0が付与される。密な平行斜線を付す画素723は、基板9上において光を照射する位置を示し、画素値1が付与される。粗い平行斜線を付す画素724は、基板9上において画素722の場合の約半分の強度の光を照射する位置を示し、画素値0.5が付与される。画素値0.5の画素では、ベクトルデータが示す描画すべき面積が、例えば、1/3以上2/3未満または、1/3よりも大きく2/3以下である。図11は、ON状態の格子要素5とOFF状態の格子要素5の簡易表示を示す図である。以下の説明の図では、格子要素5を簡易表示し、ON状態の場合、可動反射面511と固定反射面521とを同じ高さに示し、OFF状態の場合、可動反射面511と固定反射面521との高さの差d11が、波長の1/4であるものとして示す。すなわち、ON状態の場合、可動反射面511を経由する光の光路と固定反射面521を経由する光の光路との光路長差が0であり、OFF状態の場合、光路長差が波長の1/2であるものとする。図12は、簡易表示にて図9の位置731に対応する格子要素5の様子を示す図である。位置731において副走査方向に並ぶ画素では、8個の画素の画素値が1であり、他の画素の画素値が0である。これに対応して、図12では、8個の格子要素5がON状態であり、他の格子要素5がOFF状態である。図13は、簡易表示にて図10の位置732に対応する格子要素5の様子を示す図である。ただし、後述する画素値の補正が行わる前の様子を示している。図10では、7個の画素の画素値が1であり、これらの画素の両側に隣接する画素の画素値が0.5であり、他の画素の画素値が0である。これに対応して、図13では、7個の格子要素5がON状態であり、これらの格子要素5に隣接する格子要素5が、OFF状態とON状態との間の第3の状態以下、中間状態という。であり、他の格子要素5がOFF状態である。図14の左側に示すように、中間状態では、可動反射面511と固定反射面521との高さの差d13が、波長の1/8となる。すなわち、ON状態の場合に可動反射面511を経由する光の光路と、中間状態の場合に可動反射面511を経由する光の光路との光路長差が波長の1/4となる。これにより、中間状態の格子要素5に対応する基板9上の領域に、理論上、ON状態の半分の強度の光が照射される。その結果、基板9上において、感光領域の境界が、中間状態の格子要素5に対応する領域上に位置する。すなわち、ON状態の格子要素5に対応する領域と、OFF状態の格子要素5に対応する領域との間に、感光領域の境界が位置する。図15は、簡易表示にて図10の位置732に対応する実際の格子要素5の様子を示す図である。すなわち、ランレングスデータ生成部621による画素値の補正が行われた後の様子を示している。図15の場合、1個の画素の画素値が1であり、この画素の両側に3個ずつ隣接する画素の画素値が0.5よりも大きく、かつ、1よりも小さく、これらの画素に隣接する画素の画素値が0.5であり、他の画素の画素値が0である。これに対応して、1個の格子要素5がON状態であり、この格子要素5の両側に3個ずつ隣接する格子要素5が、中間状態とON状態の間の第4の状態以下、不完全ON状態という。であり、これらの格子要素5に隣接する格子要素5が中間状態であり、他の格子要素5がOFF状態である。図14の右側に示すように、不完全ON状態では、可動反射面511と固定反射面521との高さの差d14が、波長の1/12となる。すなわち、ON状態の場合に可動反射面511を経由する光の光路と、不完全ON状態の場合に可動反射面511を経由する光の光路との光路長の差が波長の1/6となる。パターン描画装置100では、ラスタデータにおける画素値が各格子要素5の状態を指示する指示値として機能し、図11および図14に示すように、格子要素5が画素値に従ってOFF状態、ON状態、中間状態および不完全ON状態になることが可能である。そして、描画データ生成部62では、ラスタライズ直後のデータにおいて、複数の格子要素5にそれぞれ対応づけられた複数の指示値である画素値において、OFF状態を格子要素5に指示する画素値0と、中間状態を格子要素5に指示する画素値0.5と、ON状態を格子要素5に指示する画素値1とがこの順に並ぶ場合に、ランレングスデータ生成部621により、中間状態を指示する画素値に連続する少なくとも1つのON状態を指示する画素値が、不完全ON状態を指示する画素値へと変更される。換言すれば、描画すべきパターンのエッジに交差する方向に対応して、OFF状態、中間状態およびON状態となる予定の格子要素5がこの順で並ぶ場合に、中間状態の格子要素5から連続するON状態となるべき格子要素5の少なくとも一部が不完全ON状態とされてOFF状態、中間状態、不完全ON状態の格子要素5がこの順で並ぶ。これにより、光軸方向における描画面の位置以下、描画面の高さという。の許容範囲の減少が抑制される。以下、パターン描画装置100においてこのような効果が得られる事実について詳説する。図16は、中間状態の格子要素5が存在する場合に焦点深度が狭くなり、描画面の高さの許容範囲が減少する様子を示す図である。図16のグラフにおいて、横軸は設計上の描画面の光軸方向の位置以下、描画基準高さという。からの光軸方向のずれ量を示し、縦軸は10μmの線幅の主走査方向に延びる複数の線状パターンを副走査方向に並べて描画した場合に実際に描画されるパターンの線幅を演算により求めた結果を示す。線と線との間の距離も10μmであり、いわゆる、10μmのラインアンドスペースを描画した場合を示している。横軸の値が大きいほど、描画面は光学ヘッド42から遠ざかる。ここで、±0.3μmが線幅の許容範囲であるものとする。描画面上における副走査方向の画素のピッチは1μmである。符号801は、図12に示すように、格子要素5をON状態およびOFF状態のいずれかのみに制御した場合に得られる線幅を示す。この場合、描画基準高さから±50μmの範囲において、許容範囲内の線幅のパターンが描画される。すなわち、少なくとも横軸に示す全範囲が、描画面の高さの許容範囲となる。符号810は、図13に示すように、OFF状態、中間状態およびON状態の格子要素5がこの順で並ぶ場合に得られる線幅を示す。この場合、許容範囲内の線幅のパターンを得るためには、描画基準高さから±12.5μmしかずれが許容されない。すなわち、許容範囲は25μmであり、描画途上において、基板9は上下に±12.5μmしか変動が許容されない。このように、中間状態を利用して高い位置分解能にて描画を行う場合、描画面の高さの許容範囲が大幅に減少する。符号812は、中間状態の格子要素5に隣接する2つのON状態の格子要素5を不完全ON状態に変更した場合を示し、符号813は、図15に示すように、中間状態の格子要素5に隣接する3つのON状態の格子要素5を不完全ON状態に変更した場合を示し、符号819は、全てのON状態の格子要素5を不完全ON状態に変更した場合を示す。符号812,813,819に示すように、いずれの場合においても、描画面の高さの許容範囲が不完全ON状態を設けない符号810の場合よりも広いことが判る。特に、符号813の場合において、許容範囲が最も広くなる。図17は、空間光変調器422において、連続する3つのON状態と連続する3つの中間状態とを交互に設定した場合の正反射方向の位置における副走査方向の光の強度分布を示す図である。符号821は、描画基準高さにおける強度分布を示し、符号822,823,824,825,826,827は、それぞれ、描画基準高さから、光学ヘッド42から遠ざかる方向に向かって、10μm、20μm、30μm、-10μm、-20μm、-30μmだけずれが高さにおける強度分布を示す。図17に示すように、ON状態の格子要素5とOFF状態の格子要素5とが混在する場合、光学ヘッド42に近づく場合と離れる場合とにおいて、強度分布が非対称に変化する。このように、中間状態の格子要素5からの光は、ON状態の格子要素5からの光に大きな影響を与える。図16においても、ON状態の格子要素5からの光に中間状態の格子要素5からの光が影響して、符号801,810にて示すように、ON状態およびOFF状態のみの場合と、中間状態が存在する場合とで、描画面の高さの許容範囲が大きく異なる。一方、符号812,813,819に示すように、シミュレーションにより、不完全ON状態の格子要素5を中間状態の格子要素5に隣接させると許容範囲が広がることが見いだされ、パターン描画装置100では、この現象を利用することにより、基板9の搬送時の上下動の許容範囲の減少を抑制している。図18は、線幅が20μmの主走査方向に延びる複数の線状パターンを、20μmのラインアンドスペースにて描画する場合における図16に対応する図であり、図19は、線幅が30μmの複数の主走査方向に延びる線状パターンを、30μmのラインアンドスペースにて描画する場合における図16に対応する図である。横軸は描画基準高さからのずれ量を示し、縦軸は実際に描画されるパターンの線幅を示す。線幅の許容範囲は±0.3μmであるものとする。これらのシミュレーションにおいても、描画面上おける副走査方向の画素のピッチは1μmである。図18において、符号830は、描画される線の両側に、OFF状態、中間状態およびON状態の格子要素5がこの順で並ぶ場合に得られる線幅を示す。線幅が20μmの場合、19個のON状態の格子要素5の両側に中間状態の格子要素5が位置する。符号831,832,833,834,835は、それぞれ、OFF状態、中間状態の格子要素5に続いて、1個、2個、3個、4個、5個の不完全ON状態の格子要素5が並び、さらに、ON状態の格子要素5が並ぶ場合を示している。符号839は、一対の中間状態の格子要素5の間の全ての格子要素5が不完全ON状態の場合を示す。これらのグラフから、不完全ON状態の格子要素5の数が3の場合に、最も描画面の高さの許容範囲が広いことが判る。図19において、符号840は、描画される線の両側に、OFF状態、中間状態およびON状態の格子要素5がこの順で並ぶ場合に得られる線幅を示す。線幅が30μmの場合、29個のON状態の格子要素5の両側に中間状態の格子要素5が位置する。符号841,842,843,844,845,846は、それぞれ、OFF状態、中間状態の格子要素5に続いて、1個、2個、3個、4個、5個、6個の不完全ON状態の格子要素5が並び、さらに、ON状態の格子要素5が並ぶ場合を示している。これらのグラフからも、不完全ON状態の格子要素5の数が3の場合に、最も描画面の高さの許容範囲が広いことが判る。図16、図18および図19から、一般的に、OFF状態、中間状態の格子要素5に続く不完全ON状態の格子要素5の数、すなわち、ラスタライズ時にON状態を指示する画素値から不完全ON状態を指示する画素値に変更される画素の数は、3が好ましいといえる。例えば、図12に示すように、OFF状態の格子要素5の間にN個のON状態の格子要素5が連続して存在する場合において、描画される線を副走査方向に格子要素5のピッチすなわち、画素のピッチの半分だけずらす、または、ピッチの半分だけずれた線を描画する場合、図13に示すように、端に位置する1つのON状態の格子要素5aが中間状態へと変更され、反対側の1つのOFF状態の格子要素5bが中間状態へと変更される。この段階でON状態の格子要素5の数はN-1となる。したがって、図15に示すように、両側に3個ずつ不完全ON状態の格子要素5を設定すると、ON状態の格子要素5は、中央のN-7個となる。次に、中間状態の格子要素5に隣接する不完全ON状態の格子要素5の数が3の場合に、可動反射面511の高さをどのように設定することが最も好ましいか検討した結果について説明する。図20は、主走査方向に延びる複数の線を、10μmのラインアンドスペースにて描画する場合において、描画基準高さからのずれ量と線幅との関係を示す図である。符号852は、ON状態の格子要素5の可動反射面511を経由する光の光路長と、不完全ON状態の格子要素5の可動反射面511を経由する光の光路長との差が、光の波長に対する位相差20°に等しい場合を示す。符号853,854,855,856,857,858,859は、それぞれ、上記光路長差が位相差30°、40°、50°、60°、70°、80°、90°である場合を示す。なお、位相差90°は波長の1/4であることから、この場合、中間状態の格子要素5に連続してさらに3つの中間状態の格子要素5が並ぶ。図21は、主走査方向に延びる複数の線にて20μmのラインアンドスペースを描画した場合を示す。符号862,863,,869は、それぞれ、ON状態と不完全ON状態との間における可動反射面511を経由する光の光路長差が位相差20°、30°、、90°である場合を示す。図22は、主走査方向に延びる複数の線にて30μmのラインアンドスペースを描画した場合を示す。符号872,873,,879は、それぞれ、上記光路長差が位相差20°、30°、...、90°である場合を示す。図20ないし図22において、通常、描画基準高さにおける各グラフの傾きが小さいほど、描画面の高さの許容範囲が広くなる。図23は、位相差と、各グラフの上記傾きとの関係を示す図である。符号881,882,883は、それぞれ図20ないし図22、すなわち、10μm、20μm、30μmのラインアンドスペースに対応する。いずれのグラフにおいても、位相差が60°で傾きがほぼ0となる。このことから、不完全ON状態とON状態との間における可動反射面511を経由する光路の光路長差は、波長の1/6であることが好ましいことが判る。このような不完全ON状態の格子要素からは、理論上、ON状態の75の光が正反射方向に出射される。パターン描画装置100では、上記検討結果に基づいて、OFF状態、中間状態、ON状態の格子要素5がこの順で並ぶ場合に、中間状態の格子要素5に連続する3つの格子要素5が不完全ON状態へと変更される。実際には、ステップS11にてベクトルデータから画素値が0、0.5、1のみのラスタデータが生成された後、画素値が0.5の画素から副走査方向に並ぶ画素値が1の3個の画素の画素値が、例えば、0.67に変更される。不完全ON状態を指示する画素値は、電圧と可動反射面511の撓み量との関係を測定して正確に決定されることが好ましい。なお、一対の画素値0.5の画素の間に画素値1の画素の数が6以下の場合、画素値1の全ての画素の画素値が不完全ON状態の画素値に変更される。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。中間状態とON状態との間における可動反射面511を経由する光路の光路長差は、ON状態とOFF状態との間であれば、波長の1/4以外でもよい。なお、上記光路長差を波長の1/4とすることにより、中間状態の格子要素5から出射される光の強度がON状態の0.5倍となり、ラスタライズ時の処理が単純となる。ON状態を指示する画素値から不完全ON状態を指示する画素値に変更される画素の数は、少なくとも1つであればよく、また、一対の中間状態を指示する画素値の間の全てのON状態を指示する画素値が、不完全ON状態を指示する画素値に変更されてもよい。ラスタライズ直後において、ON状態を指示する画素値の画素列の片側のみに中間状態を指示する画素値が設定されてもよい。この場合、ON状態を指示する画素列の片側のみにおいてON状態を指示する画素値が不完全ON状態を指示する画素値へと変更される。不完全ON状態とON状態との間において、可動反射面511を経由する光の光路の光路長差は厳密に波長の1/6でなくてもよい。実質的に波長の1/6であれば、高い効果を得ることができる。不完全ON状態を指示する画素値は1つの値のみでなくてもよい。例えば、ON状態と中間状態との間の第1不完全ON状態を指示する画素値、ON状態と第1不完全ON状態との間の第2不完全ON状態を指示する画素値が、中間状態を指示する画素値から連続して並んでもよい。上記実施の形態では、下地に対する描画位置の微細なシフトに中間状態を指示する画素値が利用されてもよい。このような描画位置のシフトは、空間光変調器422の格子要素5の配列の一部のみにおいて行われてもよい。上記実施の形態では、格子要素5を中間状態とすることにより、副走査方向における位置分解能の向上が図られるが、主走査方向に関しては、基板9の移動速度を落としたり、描画タイミングをずらす等の様々な手法により、位置分解能が向上されてよい。基板9の光学ユニット40に対する移動方向は格子配列方向に対して垂直でなくてもよい。すなわち、基板9の光学ユニット40に対する相対移動方向は、格子配列方向に対応する基板9上の方向に対して交差する方向であればよい。また、基板9の位置が固定され、光学ユニット40が移動してもよい。主走査方向または副走査方向の一方に関して基板9の位置が固定され、他方に関して光学ユニット40の位置が固定されてもよい。このように、基板9を光照射部である光学ユニット40に対して相対的に移動する機構は、様々な態様にて設けることができる。空間光変調器422において、格子要素5は、ON状態にて可動反射面511と固定反射面521とが同じ高さに位置してもよい。また、OFF状態において、固定反射面521が可動反射面511よりも基準面から高い位置に位置してもよい。上記実施形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。"