"基板と、前記基板表面に形成されたAlN層を含むテンプレート層と、当該テンプレート層上にAlGaN系半導体層を積層して形成された素子構造部と、を含む構造体に対して、前記AlN層が前記基板から圧縮応力を受けている状態で、前記基板を透過するとともに前記AlN層が吸収する波長のレーザ光を、前記基板側から前記AlN層に照射し、少なくとも前記AlN層及び前記基板の界面で、前記AlN層を前記基板表面よりも大きく膨張させて前記圧縮応力を増大させることで、前記AlN層から前記基板を剥離するリフトオフ工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記基板がサファイアであるとともに、前記基板表面が{0001}面であり、前記レーザ光の波長が、200nm以下であり、前記レーザ光の照射前に、前記AlN層が前記基板から受ける圧縮応力が、10MPa以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記リフトオフ工程前に、ウエハ状態の前記構造体を素子単位に分割する分割工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記リフトオフ工程前に、ウエハ状態の前記構造体の少なくとも前記テンプレート層及び前記素子構造部を、ウエハ状態を維持したまま素子単位に分割する分割工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記リフトオフ工程前に、前記構造体の前記素子構造部の表面を、所定の支持材の表面に固定する固定工程を有することを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記固定工程が、前記構造体の前記素子構造部の表面と前記支持材の表面とを、少なくとも一部に空隙が含まれるように接続する接続工程と、前記空隙に充填剤を充填する充填工程と、を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記AlN層が、凹凸加工された前記基板表面にAlNを横方向成長させて得られたものであることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記テンプレート層が、前記AlN層の表面を凹凸加工した後、当該AlN層表面にAlNまたはAlGaNを横方向成長させて得られた横方向成長層を含むことを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記リフトオフ工程前に、前記テンプレート層形成時の横方向成長により生じる空洞に溶媒を侵入させて、当該空洞を拡張させる空洞拡張工程を有することを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。前記リフトオフ工程が、前記レーザ光を照射して、前記AlN層から前記基板の少なくとも一部を剥離する照射工程と、当該照射工程後に、前記AlN層から剥離していない一部の前記基板と接続する前記AlN層の界面部分をエッチングすることで、前記AlN層から前記基板を剥離するエッチング工程と、を有することを特徴とする請求項1~9の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記リフトオフ工程で、前記基板が剥離して露出する表面が、粗面であることを特徴とする請求項1~10の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。非特許文献1の方法では、基板をリフトオフするために特殊な層を形成する必要があり、製造工程の複雑化を招来するため、問題となる。そのため、このような特殊な層を形成することなく、基板を容易にリフトオフすることができる半導体装置の製造方法が望まれる。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を容易にリフトオフ可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。本願発明者は、鋭意研究の結果、GaN層とは異なるために従来では不可能であると言われてきたAlN層からの基板のリフトオフを、応力を利用することで可能になることを見出した。上記目的を達成するために、本願発明者の上記新知見に基づく本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板と、前記基板表面に形成されたAlN層を含むテンプレート層と、当該テンプレート層上にAlGaN系半導体層を積層して形成された素子構造部と、を含む構造体に対して、前記AlN層が前記基板から圧縮応力を受けている状態で、前記基板を透過するとともに前記AlN層が吸収する波長のレーザ光を、前記基板側から前記AlN層に照射し、少なくとも前記AlN層及び前記基板の界面で、前記AlN層を前記基板表面よりも大きく膨張させて前記圧縮応力を増大させることで、前記AlN層から前記基板を剥離するリフトオフ工程を有することを特徴とする。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記基板がサファイアであるとともに、前記基板表面が{0001}面であり、前記レーザ光の波長が、200nm以下であり、前記レーザ光の照射前に、前記AlN層が前記基板から受ける圧縮応力が、10MPa以上であることが好ましい。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記リフトオフ工程前に、ウエハ状態の前記構造体を素子単位に分割する分割工程を有することが好ましい。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記リフトオフ工程前に、ウエハ状態の前記構造体の少なくとも前記テンプレート層及び前記素子構造部を、ウエハ状態を維持したまま素子単位に分割する分割工程を有しても良い。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記リフトオフ工程前に、前記構造体の前記素子構造部の表面を、所定の支持材の表面に固定する固定工程を有することが好ましい。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記固定工程が、前記構造体の前記素子構造部の表面と前記支持材の表面とを、少なくとも一部に空隙が含まれるように接続する接続工程と、前記空隙に充填剤を充填する充填工程と、を有することが好ましい。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記AlN層が、凹凸加工された前記基板表面にAlNを横方向成長させて得られたものであることが好ましい。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記テンプレート層が、前記AlN層の表面を凹凸加工した後、当該AlN層表面にAlNまたはAlGaNを横方向成長させて得られた横方向成長層を含んでも良い。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記リフトオフ工程前に、前記テンプレート層形成時の横方向成長により生じる空洞に溶媒を侵入させて、当該空洞を拡張させる空洞拡張工程を有することが好ましい。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記リフトオフ工程が、前記レーザ光を照射して、前記AlN層から前記基板の少なくとも一部を剥離する照射工程と、当該照射工程後に、前記AlN層から剥離していない一部の前記基板と接続する前記AlN層の界面部分をエッチングすることで、前記AlN層から前記基板を剥離するエッチング工程と、を有しても良い。更に、上記特徴の半導体装置の製造方法は、前記リフトオフ工程で、前記基板が剥離して露出する表面が、粗面であることが好ましい。上記特徴の半導体装置の製造方法によれば、GaN層から基板をリフトオフするメカニズムGaの析出及び融解とは異なるメカニズム圧縮応力の増大を利用して、AlN層から基板をリフトオフすることができる。さらに、基板表面に形成されたAlN層から基板をリフトオフすることができるため、リフトオフのための特殊な層を、テンプレート層や素子構造部内に形成することが不要になる。そのため、基板を容易にリフトオフすることができる。本発明に係る半導体装置の製造方法の実施形態について、以下図1~図28を参照して説明する。なお、以下の説明において記載する材料や数値等は一例に過ぎず、本発明に係る半導体装置の製造方法は、種々の変更を加えて実施することができる。また、模式的に示した図面では、図示の明確化のために、図中のそれぞれの部材の相対的な大きさを、実際のものとは異ならせている場合がある。また、SEM写真を示した図面では、国際出願用に階調を二値化処理しているため、実際のSEM写真より不鮮明となっている。また、以下では説明の具体化のため、主として発光ダイオードの製造方法について例示するが、本発明を適用可能な半導体装置は発光ダイオードに限られず、レーザ装置等の発光装置や、発光装置以外の各種装置にも適用可能である。また、以下では説明の具体化のため、半導体層の成長方法としてMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を適用する場合について例示するが、HVPEHydrideVaporPhaseEpitaxy法やMBEMolecularBeamEpitaxy法など、任意の公知の成長方法も適用可能である。<<半導体装置の概略構造>>本発明に係る半導体装置の製造方法の各実施形態について説明する前に、本発明に係る半導体装置の製造方法が適用され得る半導体装置の概略構造について、図1を参照して説明する。図1は、半導体装置の概略構成の一例を示す模式的な側面図である。図1に示すように、半導体装置1は、テンプレート層12と、テンプレート層12の所定の表面に形成される積層部21と、積層部21の所定の表面に形成される電極22,23と、を備える。テンプレート層12は、基板11の所定の表面に形成される。ただし、本発明に係る半導体装置の製造方法には、基板11のリフトオフ工程が含まれるため、製造の過程で、テンプレート層12から基板11がリフトオフされる。なお、図1において、最終的に得られる半導体装置1には存在しない基板11を、破線で表示している。以下の説明において、基板11のテンプレート層12が形成される表面に対して平行な方向を横方向、当該表面に対して垂直な方向を上下方向とする。さらに、基板11に対してテンプレート層12が存在する方向、及び、テンプレート層12に対して積層部21が存在する方向を、上方向とする。さらに、以下では、基板11とテンプレート層12とを合わせたものをテンプレート10とし、積層部21及び電極22,23を合わせたものを素子構造部20とする。また、テンプレート層12には、少なくとも、基板11の上記所定の表面上面上に直接的に形成されるAlNの層が含まれる。また、例えば基板11はサファイアから成り、基板11の上記所定の表面上面は{0001}面である。積層部21は、テンプレート層12上に少なくとも1つのAlGaN系半導体層を積層することで、形成される。また、積層部21は、必要に応じて加工される。例えば、図1の半導体装置1では、積層部21の一部が、上側から所定の層に到達するまでエッチング等により除去されている。電極23は、当該加工により形成された表面に形成され、電極22は、当該加工が施されていない積層部21の上面に形成される。そして、電極22及び電極23間に電流を通じることで、積層部21内の所定の層で発光が生じる。なお、テンプレート層12の少なくとも一部特に、電極22の真下部分をエッチング等により除去し、それにより露出した積層部21の下面に接触するように電極23を形成しても良い即ち、縦型構造としても良い。半導体装置1を縦型構造にすると、積層部21の上下方向に電流が流れるため、横方向にも電流を流す必要がある図1の半導体装置と比較して、電気抵抗を低減することが可能になる。またこの場合、積層部21の一部を上側から除去する上記の加工が、不要となる。また、図1に示す半導体装置1の構造は一例に過ぎず、本発明に係る半導体装置の製造方法は他の構造の半導体装置にも適用され得る。ただし、以下に示す半導体装置の製造方法の各実施形態では、その説明の具体化のため、原則的に図1に示した構造の半導体装置1を製造するための方法を例示する。<<半導体装置の製造方法>><第1実施形態>テンプレート製造工程半導体装置の製造方法の第1実施形態について、以下図面を参照して説明する。はじめに、上述したテンプレート10の製造工程について、図2~図4を参照して説明する。図2~図4は、第1例~第3例のテンプレートの製造工程について示す模式的な側面図である。なお、図2~図4は、図1に示した側面と同様の側面を示すものである。また、図2~図4のそれぞれは、a~dの順に工程の進行を示すものである。[第1例]図2a及び図2bに示すように、本例では、基板の{0001}面上に、AlNを面状にエピタキシャル成長二次元成長させることで面状成長層121を形成して、第1例のテンプレート10Aを得る。本例では、面状成長層121が、図1のテンプレート層12に相当する。面状成長層121を成長させる基板11の上面の大きさは、一辺5mmの正方形程度の大きさ以上、直径4インチ略10mmの円形程度の大きさ以下であると好ましい。また、基板11の厚さは、100μm以上1000μm以下であると好ましい。面状成長層121を基板11上に成長させるための原料として、例えばTMAトリメチルアルミニウム及びNH3を適用することができる。この場合、成長温度を1000°C以上1400°C以下にすると好ましく、圧力を10torr以上760torr以下にすると好ましい。また、基板11上に形成する面状成長層121の厚さは、1μm以上20μm以下であると好ましい。なお、面状成長層121の形成途中から形成終了までの任意のタイミングで、AlGaNなどの他の組成の層を形成しても良い。例えば、本例においてAlGaNから成る層を形成する場合、AlNを形成するための原料例えばTMA及びNH3にTMGトリメチルガリウムやTEGトリエチルガリウム等の原料を加えて、結晶の成長を行えば良い。また、TMAの代わりに、TEAトリエチルアルミニウムを適用することも可能である。[第2例]図3aに示すように、本例では、まず基板の{0001}面上に、AlNをエピタキシャル成長させて初期層122を形成する。そして、形成した初期層122の上面に、例えば紙面奥方向に伸びるストライプ状のマスクM1を、公知のフォトリソグラフィ技術等を利用して形成する。マスクM1は、NiやTi等を用いて形成すると好ましい。なお、基板11の好ましい条件は、第1例のテンプレート10Aと同様である。また、初期層122の好ましい条件は、第1例のテンプレート10Aの面状成長層121と同様である。次に、RIEReactiveIonEtching、特にICPInductiveCoupledPlasmaによるエッチングにより、初期層122の、上面にマスクM1が形成されていない部分を除去する。これにより、図3bに示すように、初期層122に、ストライプ状の凹部122a及び凸部122bが形成される。凹部122a及び凸部122bの大きさマスクM1の間隔及びストライプ幅は、100nm以上10μm以下であると好ましい。また、凹部122aの上下方向の大きさエッチング深さは、300nm以上3μm以下であると好ましい。なお、図3bでは、エッチング深さが初期層122の厚さよりも小さい場合を例示しているが、初期層122の厚さ以上であっても基板11の上面がエッチングされても良い。そして、図3c及び図3dに示すように、図3bに示す基板11及び初期層122の上面に、AlNをエピタキシャル成長させることでELOEpitaxialLateralOvergrowth層123を形成して、テンプレート10Bを得る。本例では、初期層122及びELO層123が、図1のテンプレート層12に相当する。上述のような凹凸を設けた構造に対して、ELO層123を成長させると、凸部122bの上面から成長した部分123bが、凹部122aの上方を覆うことで、最終的にELO層123の上面が平坦になる。ただし、ELO層123の、隣接する凸部122bの上面から成長した部分123bは、当該凸部122bの間に存在する凹部122aの上方で会合する際に、会合する部分と当該凹部122aから成長した部分123aとの間で、ストライプ状の空洞ボイドV1を形成し得る。なお、ELO層123の好ましい条件は、第1例のテンプレート10Aの面状成長層121と同様である。結晶中の転位は、結晶の成長方向に沿って伝搬する。そのため、ELO層123において、横方向に成長した部分の上方の転位密度は、単純に上方向に成長させた場合の転位密度よりも減少する。したがって、ELO層123を形成することで、テンプレート10Bの上面の結晶性を改善することが可能になり、ひいては当該上面に形成する積層部21の結晶性を改善することが可能になる。なお、図3aでは、ストライプ状のマスクM1を形成する場合を例示したが、矩形や六角形などの他の形状のマスクを形成しても良い。また、凹部122a及び凸部122bのそれぞれの大きさは、等しくしても良いし、異ならせても良い。また、初期層122の形成途中から形成終了までの任意のタイミングや、ELO層123の形成開始から形成終了までの任意のタイミングで、AlGaNなどの他の組成の層を形成しても良い。例えば、本例においてAlGaNから成る層を形成する場合、AlNを形成するための原料例えばTMAまたはTEAとNH3にTMGまたはTEG等の原料を加えて、結晶の成長を行えば良い。[第3例]図4aに示すように、本例では、まず基板の{0001}面上に、例えば紙面奥方向に伸びるストライプ状のマスクM2を、公知のフォトリソグラフィ技術等を利用して形成する。マスクM2は、NiやTi等を用いて形成すると好ましい。なお、この状態での基板11の好ましい条件は、上述の第1例のテンプレート10Aと同様である。次に、RIE、特にICPによるエッチングにより、基板11の、上面にマスクM2が形成されていない部分を除去する。これにより、図4bに示すように、基板11に、ストライプ状の凹部11a及び凸部11bが形成される。凹部11a及び凸部11bの好ましい条件は、第2例のテンプレート10Bの凹部121a及び凸部121bと同様である。そして、図4c及び図4dに示すように、図4bに示す基板11の上面に、AlNをエピタキシャル成長させることでELO層124を形成して、テンプレート10Cを得る。本例では、ELO層124が、図1のテンプレート層12に相当する。上述のような凹凸を設けた構造に対して、ELO層124を成長させると、第2例のテンプレート10BのELO層123と同様と同様の成長が生じる。即ち、ELO層124は、最終的に上面が平坦になるとともに、ストライプ状の空洞ボイドV2を含み得る。なお、ELO層124の好ましい条件は、第1例のテンプレート10Aの面状成長層121と同様である。本例のテンプレート10Cも、第2例のテンプレート10Bと同様に、ELO層124を形成する。そのため、テンプレート10Cの上面の結晶性を改善することが可能になり、ひいては当該上面に形成する積層部21の結晶性を改善することが可能になる。なお、図4aでは、ストライプ状のマスクM2を形成する場合を例示したが、矩形や六角形などの他の形状のマスクを形成しても良い。また、凹部11a及び凸部11bのそれぞれの大きさは、等しくしても良いし、異ならせても良い。また、ELO層124の形成途中から形成終了までの任意のタイミングで、AlGaNなどの他の組成の層を形成しても良い。例えば、本例においてAlGaNから成る層を形成する場合、AlNを形成するための原料例えばTMAまたはTEAとNH3にTMGまたはTEG等の原料を加えて、結晶の成長を行えば良い。また、上述の第1例~第3例のテンプレート10A~10Cは、いずれも基板11の上面に、AlNから成る層面状成長層121、初期層122及びELO層124の全部または一部が形成される点で、共通している。以下の説明において、このAlNから成る層を総称して、AlN層とする。素子構造部製造工程次に、図1に示したテンプレート10の上面に形成される素子構造部20の製造工程について、図5及び図6を参照して説明する。図5は、素子構造部の製造工程に含まれる積層工程の一例を示す模式的な側面図である。また、図6は、素子構造部の製造工程に含まれる電極形成工程及びチップ分割工程の一例を示す模式的な側面図である。まず、図5に示すように、テンプレート層12の上面に、n型AlGaNをエピタキシャル成長させることでn型クラッド層211を形成する。次に、n型クラッド層211の上面に、AlGaNから成るバリア層と、バリア層とはAlの組成比が異なるAlGaNから成る井戸層と、を交互にエピタキシャル成長させることで多重量子井戸活性層212を形成する。この多重量子井戸活性層212は、最下層及び最上層がバリア層であり、例えば4つのバリア層と3つの井戸層とから成る。次に、多重量子井戸活性層212の上面に、p型AlGaNをエピタキシャル成長させることで電子ブロック層213を形成する。さらに、電子ブロック層213の上面に、p型AlGaNをエピタキシャル成長させることでp型クラッド層214を形成する。また、p型クラッド層214の上面に、p型GaNをエピタキシャル成長させることでコンタクト層215を形成する。各層211~215の膜厚やAl組成比は、出射させる光の特性に応じて適宜設定可能である。ただし、n型クラッド層211のAl組成比はバリア層のAl組成比よりも大きく、バリア層のAl組成比は井戸層のAl組成比よりも大きいと、好ましい。また、電子ブロック層213及びp型クラッド層214のAl組成比はバリア層のAl組成比よりも大きく、コンタクト層215のAl組成比はp型クラッド層214のAl組成比よりも小さいと、好ましい。一例を挙げると、n型クラッド層の膜厚2μm及びAl組成比70、多重量子井戸活性層212のバリア層の膜厚8nm及びAl組成比50、井戸層の膜厚3nm及びAl組成比40、電子ブロック層213の膜厚20nm及びAl組成比60、p型クラッド層214の膜厚200nm及びAl組成比60、コンタクト層215の膜厚10nm及びAl組成比0である。また、AlGaN系半導体層をn型にするためのドーパントとして、例えばSiを適用すると、好ましい。この場合、n型にすべきAlGaN系半導体層の成長時に、例えばSiH4シランを供給すれば良い。また。AlGaN系半導体層をp型にするためのドーパントとして、例えばMgを適用すると、好ましい。この場合、p型にすべきAlGaN系半導体層の成長時に、例えばCp2Mgシクロペンタジエニルマグネシウムを供給すれば良い。次に、図6aに示すように、図5の積層構造の一部の領域に対して、コンタクト層215からn型クラッド層211に達するまで下方向にエッチングを行うことで、n型クラッド層211を露出させる。このとき、テンプレートの製造工程と同様のエッチングRIE、特にICPを適用すると、好ましい。そして、図6bに示すように、上記のエッチングを行っていない領域の上面コンタクト層215に、p側電極アノード電極22を形成する。また、上記のエッチングを行った領域の上面n型クラッド層211に、n側電極カソード電極23を形成する。例えば、p側電極22として、コンタクト層215側からNi、Auの順に成膜することで得られるNi/Au多層膜を採用しても良い。また例えば、n側電極23として、露出させたn型クラッド層211からTi、Al、Ti、Auの順に成膜することで得られるTi/Al/Ti/Au多層膜を採用しても良い。なお、p側電極22及びn側電極23は、EBElectronBeam蒸着やスパッタ等の公知の成膜技術を適用することができる。なお、p側電極22及びn側電極23は、上記のような多層膜に限られず、単層膜であっても良いし、複数種類の元素を混合例えば、合金化した合成膜であっても良い。例えば、p側電極22及びn側電極23が、Ti、Al、Ni、Au、Pt、Pd、Cr、Mo、Rhの少なくとも1つを含むものであっても良いし、ITO酸化インジウムスズ、IZO酸化インジウム亜鉛またはAPCAg,Pd,Cuの合金を含むものであっても良い。また、p側電極22及びn側電極23を形成した後、必要に応じてチップ分割工程ダイシングを行う。チップ分割工程は、ウエハ状態の構造体テンプレート10及び素子構造部20を含む構造。以下同じ。を、素子単位で上下方向に切断して分割する工程であり、図6bに示す例では図中の破線の位置隣接するn側電極23の間で切断が行われる。なお、図6bに示す切断位置は一例に過ぎず、チップ分割工程により得られる1つのチップ30にp側電極22及びn側電極23が少なくとも1つずつ含まれれば、どのように切断しても良い。なお、上記のチップ分割工程は、例えばダイヤモンドを用いた刃を有するスクライバ等により、行うことが可能である。また、上記のチップ分割工程は、構造体を完全に分断しない例えば、基板11の一部を切断せず、ウエハ状態が維持されるようにハーフカットを行い、テンプレート層12及び素子構造部20を素子単位に切断するものであっても良い。また、チップ分割工程を、後述する固定工程及び基板11のリフトオフ工程の後に行っても良い。また、後述する基板11のリフトオフ工程後に、基板11を除く構造体をチップに分割する場合、当該構造体を劈開により切断しても良い。固定工程次に、チップの固定工程について、図7を参照して説明する。図7は、固定工程の一例を示す模式的な側面図である。また図7は、実装基板41に対してチップ30をフリップチップ実装する固定工程を示すものである。図7に示すように、実装基板41の所定の表面図7中上側の面。以下、実装面とする。には、チップ30のp側電極22に接続するp側バンプ42と、チップ30のn側電極23に接続するn側バンプ43とが備えられる。そして、実装基板41、p側バンプ42及びn側バンプ43のそれぞれを介して、電源不図示からチップ30のp側電極22及びn側電極23に対して電力が供給される。また、チップ30のp側電極22及びn側電極23と、実装基板41の実装面上のp側バンプ42及びn側バンプ43とは、例えばダイボンディングにより接続される。これにより、チップ30が、実装基板41に固定される。なお、p側バンプ42及びn側バンプ43は、Auを含むものであると、好ましい。また、チップ30のp側電極22及びn側電極23と実装基板41とをワイヤボンディングによって電気的に接続しても良いし、チップ30を実装基板41にフェースアップ実装しても良い。また、実装基板41以外の支持材に、チップ30を固定しても良い。例えば、一時的な固定用のテープ等に、チップ30を固定しても良い。また、ウエハ状態の構造体を、実装基板41や固定用のテープ等の支持材に、固定しても良い。基板のリフトオフ工程以下、第1実施形態における基板11のリフトオフ工程について、図面を参照して説明する。なお、以下では説明の具体化のため、図7に示したようなチップ30を実装基板41に固定し、基板11をリフトオフして得られる半導体装置について例示する。上述のように、基板11の上面には、AlN層が形成されている図2~図4参照。本実施形態における基板11のリフトオフ工程は、チップ30の基板11側から、基板11を透過するとともにAlNが吸収する波長のレーザ光を照射する。例えば、基板11がサファイアから成る場合、当該レーザ光の波長は200nm以下であると、好ましい。なお、このようなレーザ光は、例えばArFのエキシマレーザ波長:193nmが照射可能である。また、F2のエキシマレーザ波長:157nmも照射可能である。また、光源の発光波長が200nm以上であっても、高調波変換を利用可能なレーザ装置であれば、200nm以下の波長のレーザ光を照射可能である。上記レーザ光をチップ30の基板11側から照射すると、基板11の上面図7中の下側の面に形成されたAlN層が、当該レーザ光を吸収する。このとき、AlN層は、吸収したエネルギーにより発熱する。すると、少なくともAlN層及び基板11の界面で、AlN層が基板11の上面よりも大きく膨張する。このとき、レーザ光の照射前から、AlN層が基板11から圧縮応力を受けていると、AlN層の熱膨張に伴い圧縮応力がさらに増大する。そして、この圧縮応力が、AlN層及び基板11の接合が維持できなくなるまで増大すると、基板11がAlN層からリフトオフされる。具体的に例えば、基板11が、熱膨張率がAlNと比べて大きいサファイアから成る場合、基板11の上面にAlN層を形成した後の降温により、基板11がAlN層よりも大きく収縮するため、基板11がAlN層に10MPa以上の圧縮応力を与えるようになる。そして、チップ30の基板11側からAlN層に上記レーザ光を照射すると、AlN層が基板11から受ける圧縮応力は2GPa以上にまで増大する。これにより、AlN層及び基板11の接合が維持できなくなり、基板11がAlN層からリフトオフされる。本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、GaN層から基板をリフトオフするメカニズムGaの析出及び融解とは異なるメカニズム圧縮応力の増大を利用して、AlN層から基板11をリフトオフすることができる。さらに、基板11の上面に形成されたAlN層から基板11をリフトオフすることができるため、リフトオフのための特殊な層を、テンプレート層12や積層部21内に形成することが不要になる。そのため、基板11を容易にリフトオフすることができる。そして、基板11をリフトオフすることで、例えば、素子構造部20の放熱性を改善したり、素子構造部20で発生した光の取り出し効率を改善したり、縦型構造を実現したりすることが可能になる。なお、上記の基板11のリフトオフ工程で照射するレーザ光の出力エネルギー密度は、0.6J/cm2以上4J/cm2以下であると、基板11を好適にリフトオフすることができるため、好ましい。また、第1実施形態の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置の具体例について、図8~図13を参照して説明する。図8及び図9は、第1例のテンプレート10A図2参照を有するチップに対して、基板のリフトオフ工程を行った結果を示すものである。図8は、第1例のテンプレートを有するチップから基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層である面状成長層が露出した状態を示すものである。また、図9は、図8に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図9aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図9bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。図8に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部に致命的なダメージを与えることなく、AlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図9に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。図10及び図11は、第2例のテンプレート10B図3参照を有するチップに対して、基板のリフトオフ工程を行った結果を示すものである。図10は、第2例のテンプレートを有するチップから基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層である初期層が露出した状態を示すものである。また、図11は、図10に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図11aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図11bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。図10に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部に致命的なダメージを与えることなく、AlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図11に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。図12及び図13は、第3例のテンプレート10C図4参照を有するチップに対して、基板のリフトオフ工程を行った結果を示すものである。図12は、第3例のテンプレートを有するチップから基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層であるELO層が露出した状態を示すものである。また、図13は、図12に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図13aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図13bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。図12に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部に致命的なダメージを与えることなく、AlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図13に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。<第2実施形態>半導体装置の製造方法の第2実施形態について、以下図面を参照して説明する。なお、第1実施形態において説明した基板のリフトオフ工程以外の工程は、本実施形態でも同様である。そのため、当該工程については第1実施形態の説明を参照するものとして、詳細な説明は省略する。空洞拡張工程本実施形態の半導体装置の製造方法では、基板11のリフトオフ工程を行う前に、空洞V1,V2図3及び図4参照を拡張する空洞拡張工程が行われる。この空洞拡張工程は、例えば所定の溶媒を用いたエッチングウェットエッチングにより行われる。なお、上述のように空洞V1,V2がストライプ状であると、チップの端面に空洞V1,V2の端部が露出することで溶媒が空洞V1,V2に容易に入り込み、効果的なエッチングが可能になるため、好ましい。空洞拡張工程では、基板11の上面に達するまで空洞V1,V2を拡張すると、好ましい。また、空洞拡張工程を行うための溶媒として、例えばKOHを用いると好ましい。また、KOHの濃度を1mol/l以上8mol/l以下、浸漬温度を室温以上150°C以下、浸漬時間を30秒以上1日以下にすると、空洞V1,V2を十分に拡張することができるため、好ましい。基板のリフトオフ工程本実施形態における基板11のリフトオフ工程も、第1実施形態と同様であり、チップ30の基板11側から基板11を透過するとともにAlNが吸収する波長のレーザ光を照射するものである。なお、本実施形態のリフトオフ工程について、第1実施形態と同様となる部分については、第1実施形態の説明を参照するものとして、詳細な説明を省略する。本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、GaN層から基板をリフトオフするメカニズムGaの析出及び融解とは異なるメカニズム圧縮応力の増大を利用して、AlN層から基板11をリフトオフすることができる。さらに、基板11の上面に形成されたAlN層から基板11をリフトオフすることができるため、リフトオフのための特殊な層を、テンプレート層12や積層部21内に形成することが不要になる。そのため、基板11を容易にリフトオフすることができる。そして、基板11をリフトオフすることで、例えば、素子構造部20の放熱性を改善したり、素子構造部20で発生した光の取り出し効率を改善したり、縦型構造を実現したりすることが可能になる。さらに、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、基板11をリフトオフするだけで、空洞拡張工程によって表面が粗面モスアイ構造となるテンプレート層12を表出させることができる。テンプレート層12の表面をモスアイ構造にすると、テンプレート層12の表面を平面とした時よりも、積層部21で発生しテンプレート層12を透過して外部に出射されようとする光の反射が、抑制される。即ち、光の取り出し効率を改善することが可能になる。また、テンプレート層12の表面をモスアイ構造にすると、テンプレート層12と基板11との接合面積を小さくすることができる。そのため、基板11をテンプレート層12から容易にリフトオフすることが可能になる。また、基板11をリフトオフする時に素子構造部20にかかる衝撃を、低減することが可能になる。なお、本実施形態における基板11のリフトオフ工程で照射するレーザ光の出力エネルギー密度は、0.3J/cm2以上4J/cm2以下であると、基板11を好適にリフトオフすることができるため、好ましい。また、第2実施形態の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置の具体例について、図14~図19を参照して説明する。図14~図16は、第2例のテンプレート10B図3参照を有するチップに対して、空洞拡張工程と基板のリフトオフ工程とを行った結果を示すものである。図14は、第2例のテンプレートを有するチップの空洞拡張工程前後の状態を示すSEM写真側面図である。また、図15は、第2例のテンプレートを有するチップから基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層である初期層が露出した状態を示すものである。また、図16は、図15に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図16aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図16bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。また、本具体例では、空洞拡張工程が、80°CのKOHに60分間浸漬するものである。図14に示すように、空洞拡張工程によって、テンプレート層の一部がエッチングされて空洞が拡張する。特に、当該空洞は、基板の上面に到達するまで拡張している。そのため、図15に示すように基板をリフトオフすると、モスアイ構造を有するテンプレート層が表出する。また、図15に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部に致命的なダメージを与えることなく、AlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図16に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。図17~図19は、第3例のテンプレート10C図4参照を有するチップに対して、空洞拡張工程と基板のリフトオフ工程とを行った結果を示すものである。図17は、第3例のテンプレートを有するチップの空洞拡張工程前後の状態を示すSEM写真側面図である。また、図18は、第3例のテンプレートを有するチップから基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層であるELO層が露出した状態を示すものである。また、図19は、図18に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図19aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図19bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。また、本具体例では、空洞拡張工程が、80°CのKOHに15分間浸漬するものである。図17に示すように、空洞拡張工程によって、テンプレート層の一部がエッチングされて空洞が拡張する。特に、当該空洞は、基板の上面に到達するまで拡張している。そのため、図18に示すように基板をリフトオフすると、モスアイ構造を有するテンプレート層が表出する。また、図18に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部に致命的なダメージを与えることなく、AlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図19に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。<第3実施形態>半導体装置の製造方法の第3実施形態について、以下図面を参照して説明する。なお、第1実施形態において説明した基板のリフトオフ工程以外の工程は、本実施形態でも同様である。そのため、当該工程については第1実施形態の説明を参照するものとして、詳細な説明は省略する。基板のリフトオフ工程本実施形態のリフトオフ工程には、第1実施形態と同様にチップ30の基板11側から基板11を透過するとともにAlNが吸収する波長のレーザ光を照射する照射工程と、照射工程後に所定の溶媒によりAlN層をエッチングするエッチング工程と、が含まれる。照射工程は、第1実施形態のリフトオフ工程と同様であるが、基板11の一部を剥離させるべく、レーザ光の出力を小さくする点で異なる。例えば、当該照射工程で照射するレーザ光の出力エネルギー密度は、0.01J/cm2以上1J/cm2以下であると、好ましい。エッチング工程は、照射工程で剥離しなかった基板11及びAlN層の界面部分を、エッチングすることで剥離するものである。このとき、照射工程により基板11がAlN層から部分的に剥離しているため、当該剥離部分から溶媒が侵入して、基板11及びAlN層の界面部分を効果的にエッチングすることができる。なお、照射工程を行わない場合、基板11及びAlN層の界面に溶媒が侵入し難いため、エッチングのみによる基板11のリフトオフは困難である。エッチング工程を行うための溶媒として、例えばKOHを用いると好ましい。また、KOHの濃度を1mol/l以上8mol/l以下、浸漬温度を室温以上150°C以下、浸漬時間を30秒以上1日以下にすると、基板11をAlN層から容易に剥離することができるため、好ましい。本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、GaN層から基板をリフトオフするメカニズムGaの析出及び融解とは異なるメカニズム圧縮応力の増大を利用して、AlN層から基板11をリフトオフすることができる。さらに、基板11の上面に形成されたAlN層から基板11をリフトオフすることができるため、リフトオフのための特殊な層を、テンプレート層12や積層部21内に形成することが不要になる。そのため、基板11を容易にリフトオフすることができる。そして、基板11をリフトオフすることで、例えば、素子構造部20の放熱性を改善したり、素子構造部20で発生した光の取り出し効率を改善したり、縦型構造を実現したりすることが可能になる。さらに、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、段階的に基板11をAlN層から剥離することができる。そのため、基板11をリフトオフする時に素子構造部20にかかる衝撃を、低減することが可能になる。また、第3実施形態の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置の具体例について、図20~図25を参照して説明する。図20及び図21は、第1例のテンプレート10A図2参照を有するチップに対して、基板のリフトオフ工程を行った結果を示すものである。図20は、第1例のテンプレートを有するチップから基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層である面状成長層が露出した状態を示すものである。また、図21は、図20に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図21aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図21bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。図20に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部を保護しつつ、第1実施形態図8参照と同様にAlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図21に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。図22及び図23は、第2例のテンプレート10B図3参照を有するチップに対して、基板のリフトオフ工程を行った結果を示すものである。図22は、第1例のテンプレートが有する基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層である初期層が露出した状態を示すものである。また、図23は、図22に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図23aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図23bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。図22に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部を保護しつつ、第1実施形態図10参照と同様にAlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図23に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。図24及び図25は、第3例のテンプレート10C図4参照を有するチップに対して、基板のリフトオフ工程を行った結果を示すものである。図24は、第3例のテンプレートが有する基板をリフトオフした状態を示すSEM写真俯瞰図であり、リフトオフによってAlN層図中上側の層であるELO層が露出した状態を示すものである。また、図25は、図24に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図25aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図25bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。図24に示すように、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部を保護しつつ、第1実施形態図12参照と同様にAlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、図25に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。<変形例>上述の第1~第3実施形態の半導体装置の製造方法の各種変形例について、以下図面を参照して説明する。最初に、固定工程の変形例について、図26~図28を参照して説明する。図26は、固定工程の変形例を示す模式的な側面図である。図26に示すように、各実施形態の固定工程において、チップ30と実装基板41の実装面との空隙に、アンダーフィル50を充填しても良い。例えば、流動性があるアンダーフィル50を用いる場合、当該空隙にアンダーフィル50の一部を近づけ、チップ30及び実装基板41の実装面の少なくとも一方に接触させるだけで、毛細管現象によりアンダーフィル50を当該空隙に充填することができる。そして、その後に加熱することで、アンダーフィル50を硬化させる。このアンダーフィル50は、例えば半導体装置が出射する光に対して耐性がある材料であると、好ましい。具体的に例えば、紫外領域の波長の光を出射する半導体装置に対しては、シリコーン系の樹脂を適用すると、好ましい。上記のように、チップ30と実装基板41の実装面との空隙に、アンダーフィル50を充填すると、基板11をリフトオフする時に素子構造部20にかかる衝撃を、低減することが可能になる。図27は、図26に示す固定工程の後、チップから基板をリフトオフした状態を示す光学顕微鏡写真平面図である。また。また、図28は、図27に示す半導体装置を駆動させた時の光学特性及び電気特性を示すグラフである。なお、図27aは、印加電流に応じた印加電圧及び光出力の大きさをそれぞれ示したグラフであり、図中の実線が印加電圧、破線が光出力を示している。また、図27bは、半導体装置の駆動により出射される光の強度の波長特性を示したグラフである。なお、図27は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を用いて製造したものであり、第2例のテンプレート10B図3参照を有するチップから基板をリフトオフした状態を示したものである。図26に示すように、アンダーフィル50を用いることで、素子構造部の割れや欠けを防止することができる。即ち、上述のリフトオフ工程を採用することで、素子構造部を効果的に保護しつつ、AlN層から基板をリフトオフすることが可能である。そのため、得られる半導体装置発光ダイオードを、精度良く図27に示すように正常に駆動発光させることが可能になる。また、テンプレート層12を、サファイア基板の{0001}面に形成する場合について例示したが、{0001}面以外の面例えば、{11-20}面、{10-10}面、{10-12}面に形成しても良い。また、サファイア以外の基板例えば、スピネルを用いても良い。ただし、上述のように、AlN層が吸収する波長のレーザ光を透過し得るものであり、かつ上面に形成したAlN層に対して圧縮応力を生じ得る基板であると、好ましい。また、実装基板41にチップを固定後、基板11をリフトオフする場合を例示して説明したが、基板11をリフトオフするタイミングは、この例の限りではない。例えば上述のように、ウエハ状態の構造体をチップに分割する前に、基板11のリフトオフを行っても良い。このとき、構造体はハーフカットであると好ましい。さらにこのとき、レーザ光を素子単位で順次照射することで、基板11をAlN層から素子単位で徐々に剥離しても良いし、レーザ光のスポットを大きくするとともに複数の素子単位を含む範囲に対して一度に照射することで、基板11をAlN層から一度にまたは徐々に剥離しても良い。"