半導体層と、前記半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して2次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第2導電型の界面領域と、前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域とを備えた固体撮像装置。前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第2導電型の不純物濃度が高い高濃度領域を有する請求項1記載の固体撮像装置。前記電荷蓄積領域間には、第2導電型の素子分離領域が設けられ、前記高濃度領域における第2導電型の不純物濃度は、前記素子分離領域と同程度以上である請求項2記載の固体撮像装置。前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる再結合不純物が導入された再結合領域を有する請求項1記載の固体撮像装置。前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第2導電型の不純物濃度が高い高濃度領域と、当該高濃度領域の内側に真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる再結合不純物を含有する再結合領域とを有する請求項1記載の固体撮像装置。前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる再結合不純物を含有し、前記再結合不純物の一部は前記高濃度領域内において析出している請求項1記載の固体撮像装置。前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる再結合不純物として、コバルトCo、亜鉛Zn、および金Auの少なくとも一つを含有している請求項1記載の固体撮像装置。前記電荷蓄積領域間には、第2導電型の素子分離領域が設けられ、前記電荷移動防止領域は、前記素子分離領域と平面視的に一致して設けられた請求項1記載の固体撮像装置。前記電荷移動防止領域は、少なくとも前記半導体層の表面から前記電荷蓄積領域までの深さを有する請求項1記載の固体撮像装置。前記界面領域および前記電荷移動防止領域は、前記半導体層における受光面側の界面から設けられている請求項1記載の固体撮像装置。前記半導体層における前記受光面と逆側の面には、配線層が設けられている請求項10記載の固体撮像装置。半導体層内の中間層に、当該半導体層の表面に対して2次元的に第1導電型の電荷蓄積領域を配列形成することと、前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域の形成部までの深さにわたって第2導電型の界面領域を形成することと、前記電荷蓄積領域を覆うマスク上から前記界面領域に対して不純物を追加で導入することにより、当該電荷蓄積領域を囲む位置に電荷移動防止領域を形成することとを含む固体撮像装置の製造方法。半導体層と、前記半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して2次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第2導電型の界面領域と、前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域と、前記電荷蓄積領域に入射光を導く光学系とを備えた電子機器。しかしながら結晶溶融層を設ける構成では、キャリア移動の抑止力が弱い。また、電荷蓄積領域に対向させてクロストーク防止領域を設けた構成では、電荷蓄積領域とクロストーク防止領域との間の深さ領域において、隣接する画素間で発生したキャリア移動に対する抑止力が弱い。したがって、画素間においての混色を十分に防止することができない。そこで本技術は、画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供すること、およびこのような固体撮像装置の製造方法、さらにはこのような固体撮像装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、半導体層と、半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して2次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域とを備えている。さらに半導体層の内部には、半導体層の界面から電荷蓄積領域までの深さにわたって第2導電型の界面領域が設けられている。特に、電荷蓄積領域を囲む位置には、界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域が設けられている。このような構成の固体撮像装置は、界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域が、電荷蓄積領域を囲む位置に設けられた構成である。このため、電荷蓄積領域よりも表面側の界面領域や電荷移動防止領域で発生した電荷は、電荷移動防止領域を越えて半導体層の面内方向に移動することが防止され、最近接の電荷蓄積領域に蓄積される。また本技術は、このような構成の固体撮像装置の製造方法、およびこの固体撮像装置を用いた電子機器でもある。以上説明したように本技術によれば、半導体層の界面側に電荷蓄積領域を囲む電荷移動防止領域を設けた構成としたことにより、半導体層内において電荷蓄積領域よりも界面側で発生した電荷を、最近接の電荷蓄積領域に蓄積させることが可能である。この結果、固体撮像装置における混色を防止でき、撮像特性の向上を図ることが可能である。以下、本技術の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。1.実施形態の固体撮像装置の概略構成例2.第1実施形態電荷移動防止領域として高濃度領域を設けた構成例3.第2実施形態電荷移動防止領域として高濃度領域内に再結合領域を設けた構成例4.第3実施形態再結合不純物の一部が析出した構成例5.第4実施形態電荷移動防止領域として再結合領域を設けた構成例6.第5実施形態固体撮像素子を用いた電子機器の例尚、各実施形態および変形例において共通の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。≪1.実施形態の固体撮像装置の概略構成例≫図1に、本技術の固体撮像装置の一例として、MOS型の固体撮像装置を用いた固体撮像装置の概略構成を示す。この図に示す固体撮像装置1は、支持基板2の一面上に光電変換領域を含む複数の画素3が2次元的に配列された画素領域4を有している。画素領域4に配列された各画素3には、光電変換領域と、フローティングディフュージョンと、読出ゲートと、その他の複数のトランジスタいわゆるMOSトランジスタおよび容量素子等で構成された画素回路とが設けられている。尚、複数の画素3で画素回路の一部を共有している場合もある。以上のような画素領域4の周辺部分には、垂直駆動回路5、カラム信号処理回路6、水平駆動回路7、およびシステム制御回路8などの周辺回路が設けられている。垂直駆動回路5は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動線9を選択し、選択された画素駆動線9に画素3を駆動するためのパルスを供給し、画素領域4に配列された画素3を行単位で駆動する。すなわち、垂直駆動回路5は、画素領域4に配列された各画素を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、画素駆動線9に対して垂直に配線された垂直駆動線10を通して、各画素3において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路6に供給する。カラム信号処理回路6は、画素の例えば列ごとに配置されており、1行分の画素3から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。すなわちカラム信号処理回路6は、画素固有の固定パターンノイズを除去するための相関二重サンプリングCDS:CorrelatedDoublesamplingや、信号増幅、アナログ/デジタル変換AD:AnalogDigitalConversion等の信号処理を行う。水平駆動回路7は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路6の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路6の各々から画素信号を出力させる。システム制御回路8は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置1の内部情報などのデータを出力する。すなわち、システム制御回路8では、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路5、カラム信号処理回路6、および水平駆動回路7などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、これらの信号を垂直駆動回路5、カラム信号処理回路6、および水平駆動回路7等に入力する。以上のような各周辺回路5~8と、画素領域4に設けられた画素回路とで、各画素を駆動する駆動回路が構成されている。尚、周辺回路5~8は、画素領域4に積層される位置に配置されていても良い。≪2.第1実施形態≫<固体撮像装置11の構成>電荷移動防止領域として高濃度領域を設けた構成例図2は、第1実施形態の固体撮像装置11の構成を示す図であり、図2Aは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての4画素分の要部平面図であり、図2Bは図2AのA-A断面に相当する要部断面図である。以下、これらの図面に基づいて第1実施形態の固体撮像装置11の構成を説明する。尚、以降の各実施形態の説明においては、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明を行うが、これらは逆であっても良い。図2に示すように、第1実施形態の固体撮像装置11は、支持基板2上に、配線層20、半導体層30、および光学層50がこの順に積層され、半導体層30において配線層20とは反対側の面を受光面30aとする裏面照射型の固体撮像装置11である。この固体撮像装置11においては、半導体層30内に設けた不純物領域が特徴的である。以下、半導体層30、半導体層30内に設けられた複数の不純物領域31~39、配線層20、光学層50の順に各層の構成を説明する。[半導体層30]半導体層30は、例えばn型の単結晶または多結晶シリコンで構成されている。このような半導体層30の内部には、以降に説明するp型またはn型の不純物領域31~39が、それぞれの不純物濃度を有して規則的に配置されている。尚、ここで示す不純物濃度とは、例えばn型の不純物濃度であれば、n型の不純物の含有濃度そのものではなく、実質的なn型の濃度、すなわちキャリア濃度であることとする。したがって、n型の不純物の含有濃度が高い領域であっても、その領域においてのp型の不純物の含有濃度が高ければ、実質的なn型濃度、すなわちキャリア濃度は低くなる。これは各実施形態においても同様であり、p型についても同様であることとする。[電荷蓄積領域31]電荷蓄積領域31は、半導体層30の内部において各画素3に対応して半導体層30の受光面30aに対して2次元的に配列された不純物領域である。これらの電荷蓄積領域31は、半導体層30よりもn型不純物濃度が濃いn型の不純物領域であって、半導体層30内で光電変換された電荷を蓄積するための領域である。[チャネル領域33]チャネル領域33は、半導体層30の内部において各電荷蓄積領域31に隣接する位置に配置された不純物領域である。これらのチャネル領域33は、p型の不純物領域であって、例えば2行2列で配列された4つの電荷蓄積領域31の中央側で、半導体層30において受光面30aとは逆の面30bに沿って設けられている。[素子分離領域35]素子分離領域35は、半導体層30の内部において電荷蓄積領域31間に設けられた不純物領域である。この素子分離領域35は、チャネル領域33よりもp型不純物濃度が濃いp型の不純物領域である。ただし、電荷蓄積領域31に隣接してチャネル領域33が設けられている部分においては、電荷蓄積領域31間にチャネル領域33を介して素子分離領域35が配置される。[フローティングディフュージョンFD]フローティングディフュージョンFDは、半導体層30の内部においてチャネル領域33で挟まれた位置に配置された不純物領域である。フローティングディフュージョンFDはn型の不純物領域であって、2行2列で配列された4つの電荷蓄積領域31の中央側で、受光面30aとは逆の面30bに沿って半導体層30内に設けられている。またフローティングディフュージョンFDは、2行2列で配列された4つの電荷蓄積領域31の中央で連続した領域として形成され、周囲に配置された4つの電荷蓄積領域31で共通に用いられる。[界面領域37]界面領域37は、半導体層30の内部において電荷蓄積領域31と受光面30aとの間に設けられた不純物領域である。この界面領域37は、p型の不純物領域であって、受光面30aにおける界面準位を抑制するための領域であり、電荷蓄積領域31から受光面30aにわたって設けられる。このようなp型の界面領域37は、例えばp型の不純物濃度が1018個/cm3以下である。[高濃度領域39]高濃度領域39は、本第1実施形態に特徴的な電荷移動防止領域であって、平面視的に電荷蓄積領域31を囲む位置において、界面領域37に対してp型の不純物濃度が高いp型の領域となる。例えば、このようなp型の高濃度領域39は、p型の不純物濃度が1018個/cm3以上である。また高濃度領域39は、界面領域37の深さと同程度、もしくはそれ以上の深さで設けられている。つまり、受光面30aから電荷蓄積領域31の配置深さと同程度、もしくはそれ以上に設けられていることになり、高濃度領域39は、受光面30a側の面に設けられた領域となる。このような高濃度領域39は、受光面30a側から見た平面視形状が素子分離領域35と一致していて良い。また高濃度領域39のp型不純物濃度は、素子分離領域35のp型不純物濃度に対して、これと同程度かそれ以上であって良い。したがって、高濃度領域39のポテンシャルは、この高濃度領域39に接して配置されたp型の界面領域37、p型の素子分離領域35、n型の電荷蓄積領域31のポテンシャル以上であり、どの領域よりも高くて良い。[正孔蓄積領域41]正孔蓄積領域41は、半導体層30の内部において電荷蓄積領域31と半導体層30の面30bとの間に設けられた不純物領域である。この正孔蓄積領域41は、p型の不純物領域であって、半導体層30の面30bにおける界面準位起因の暗電流を抑制するための界面領域の1つであり、半導体層30の面30bにおいて電荷蓄積領域31の大部分を覆う状態で設けられている。ここでは、電荷蓄積領域31がチャネル領域33と接合する付近を除いて、電荷蓄積領域31を覆う状態で正孔蓄積領域41が設けられていることとする。[配線層20]配線層20は、半導体層30の受光面30aとは逆側の面30b上に設けられた層である。この配線層20は、半導体層30の面30b上に転送ゲート23gおよびゲート電極23を備えている。このうち転送ゲート23gは、半導体層30に設けたチャネル領域33上に設けられている。またその他のゲート電極23は、アンプトランジスタ、リセットトランジスタ、および選択トランジスタのゲート電極であって、フローティングディフュージョンFDを共有する4つの画素3の外側に配置されている。これらの転送ゲート23gおよびゲート電極23は、層間絶縁膜25で覆われ、この層間絶縁膜25中に配線27が多層で設けられており、その一部が転送ゲート23g、ゲート電極23、およびフローティングディフュージョンFDに接続されている。[光学層50]光学層50は、半導体層30の受光面30aを覆う反射防止膜51を備えている。反射防止膜51上には、遮光膜53が設けられている。遮光膜53は、電荷蓄積領域31の上部を露出する開口形状にパターニングされている。反射防止膜51および遮光膜53上には、遮光膜53による段差を埋め込む平坦化絶縁膜55、各色カラーフィルタを画素3毎に配置したカラーフィルタ層57、およびオンチップレンズ59がこの順に積層されている。<固体撮像装置11の製造方法>図3~図5は、第1実施形態の固体撮像装置11の製造方法を説明するための断面工程図である。以下、これらの図面に基づいて固体撮像装置11の製造方法を説明する。[図3A]先ず図3Aに示すように、シリコン基板61上に酸化膜63を介して半導体層30を設けたSOIsilicononinsulator基板を用意する。酸化膜63は、例えば酸化シリコンからなり、半導体層30はn型シリコンからなる。この半導体層30は、酸化膜63側に向かう面が受光面30aとなる。また受光面30aの逆側の面が面30bとなる。[図3B]次に図3Bに示すように、半導体層30の面30b側の層に、p型のウェル301を形成する。このウェル301は、半導体層30の全面に形成して良い。また半導体層30の受光面30a側の層に、p型の界面領域37を形成する。この界面領域37は、半導体層30において画素3が配置される撮像領域に対応して形成する。以上のようなウェル301および界面領域37は、ホウ素のようなp型不純物のイオン注入と、その後のアニール処理によって形成する。一例として、界面領域37の形成であれば、膜厚4μmの半導体層30に対して、ホウ素イオンBを、注入エネルギー3MeV、濃度5×1012個/cm2でイオン注入し、その後1000°Cの温度でアニール処理を行う。[図3C]次に図3Cに示すように、半導体層30の各画素3部分にn型の電荷蓄積領域31を形成し、これに接合するチャネル領域33を形成すると共に、これらの電荷蓄積領域31間にp型の素子分離領域35を形成する。電荷蓄積領域31を形成する際には、画素3の中央部分を開口するレジストパターンをマスクに用い、注入エネルギーを調整した複数回のイオン注入を行う。これにより、画素3の中央にn型不純物として例えばリンPを導入した電荷蓄積領域31を、面30bから界面領域37にまで達する深さで形成する。チャネル領域33を形成する際には、電荷蓄積領域31の一部にp型不純物をイオン注入によって導入し、電荷蓄積領域31の端部における面30b側の一部をp型に反転させたチャネル領域33を形成する。素子分離領域35を形成する際には、画素3の中央部分を覆うレジストパターンをマスクに用い、注入エネルギーを調整した複数回のイオン注入を行う。これにより、電荷蓄積領域31およびチャネル領域33に接してこれらを囲む形状で、p型不純物として例えばホウ素Bを導入した素子分離領域35を、面30bから界面領域37にまで達する深さで形成する。以上のイオン注入はどの順番に行っても良く、イオン注入の後には1000°Cの温度でアニール処理を行うことにより、導入した不純物の活性化を行う。[図4A]次に図4Aに示すように、半導体層30の面30b上に、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜21を成膜し、この上部に転送ゲート23gおよびゲート電極23をパターン形成する。このうち転送ゲート23gは、チャネル領域33の上部に形成する。また、ゲート電極23は、2行2列で配列された4つの電荷蓄積領域31を有する4つの画素3の外側に形成される。これらの転送ゲート23gおよびゲート電極23の形成は、ポリシリコン膜の成膜と、レジストパターンを用いたポリシリコン膜のパターンエッチングとによって行う。このパターンエッチングにおいて、ゲート絶縁膜21がエッチングされても良い。また転送ゲート23gおよびゲート電極23の側壁には、絶縁性のサイドウォールsを形成する。サイドウォールsの形成は、例えばLP-TEOS膜を20nmの膜厚で成膜し、その後LP-SiN膜を100nmの膜厚で成膜した後、CF4系ガスにて全面ドライエッチングを行う。尚、LP-TEOS膜は、TEOStetraethoxysilaneガスを用いたLP-CVDlowpressurechemicalvapordeposition法で成膜された酸化シリコン膜である。またLP-SiN膜は、LP-CVDによって成膜された窒化シリコン膜である。[図4B]次に図4Bに示すように、電荷蓄積領域31の面30b側に、p型の正孔蓄積領域41を形成する。また転送ゲート23g間における素子分離領域35の表面層に、n型のフローティングディフュージョンFDを形成する。正孔蓄積領域41を形成する際には、転送ゲート23g、サイドウォールs、およびここでの図示を省略したレジストパターンをマスクに用いたイオン注入を行なう。これにより、電荷蓄積領域31の表面層に、p型不純物として例えばホウ素Bを導入する。またフローティングディフュージョンFDを形成する際には、転送ゲート23g、サイドウォールs、およびここでの図示を省略したレジストパターンをマスクに用いたイオン注入を行う。これにより、素子分離領域35の表面層にn型不純物としてヒ素Asを導入する。以上のイオン注入はどちらを先に行っても良く、イオン注入の後には1100°Cの温度で高速アニール処理を行うことにより、導入した不純物の活性化を行う。尚、フローティングディフュージョンFDを形成する工程では、ゲート電極23の両脇にn型のソース/ドレイン図示省略を同時に形成する。以上の後には、ここでの図示を省略したサリサイドブロック膜を形成する。[図4C]次に図4Cに示すように、転送ゲート23gおよびゲート電極23を覆う状態で、半導体層30の面30b上に層間絶縁膜25および配線27を成膜する。この際、層間絶縁膜25の成膜と、層間絶縁膜25への接続孔の形成、さらには配線27の形成を繰り返すことにより、転送ゲート23g、ゲート電極23、およびフローティングディフュージョンFDにそれぞれ接続された多層構造の配線27を形成する。最上層の配線27を形成した後には、これを覆う層間絶縁膜25を成膜して配線層20を得る。[図5A]次に図5Aに示すように、配線層20の層間絶縁膜25上に支持基板2を貼り合せる。この際、層間絶縁膜25上に、ここでの図示を省略した平坦化層を成膜し、次にこの上部に密着層を形成し、この密着層上に接着剤を介して支持基板2を貼り合わせる。その後、半導体層30の受光面30a側のシリコン基板61および酸化膜63を除去し、半導体層30の受光面30aを露出させる。尚、半導体層30の受光面30aを露出させた後で、界面領域37のp型不純物濃度を高めるための追加のイオン注入や、素子分離領域35の受光面30a側の部分を形成するためのイオン注入を行っても良い。また、界面領域37は、ここでのイオン注入のみで形成しても良い。尚、各イオン注入後には、アニール処理を行うことにより導入した不純物の活性化を行うことは同様である。ただし、受光面30a側からのイオン注入後のアニール処理は、配線27の融解を避けて行う必要があるため、極短時間、かつシリコン基板への吸収が大きい波長の電磁波で行う必要がある。このようなアニール処理の一例として主たる波長が1.1μm以下のスペクトラムをもつフラッシュランプやレーザーアニールを用いてのアニール処理が挙げられる。[図5B]その後、図5Bに示すように、半導体層30の受光面30a側の表面層に、電荷移動防止領域として高濃度領域39を形成する。ここでは、先ず、半導体層30上に電荷蓄積領域31上を覆うレジストパターン303を形成する。次に、このレジストパターン303をマスクに用いたイオン注入を行い、電荷蓄積領域31を囲むように、p型の界面領域37および必要に応じて素子分離領域35に対して追加でp型不純物例えばホウ素Bを導入する。次いでレジストパターン303を剥離し、その後、半導体層30に導入した不純物を活性化するためのアニール処理を行う。ここでのアニール処理も、上述したと同様に配線27の融解を避けて行う。これにより、p型の界面領域37に、p型不純物を追加で導入することにより、界面領域37よりもp型不純物濃度が高いp型の高濃度領域39を形成する。また素子分離領域35に対しても、p型不純物が追加で導入された場合であれば、高濃度領域39は素子分離領域35よりもp型不純物濃度の高い領域となる。尚、以上のようにして形成される高濃度領域39は、素子分離領域35と平面視的に一致した位置に形成される。このため、ここでの工程においては、素子分離領域35の一部を形成するための追加のイオン注入を行っても良い。[図2]以上の後には図2Bに示したように、必要に応じて半導体層30の受光面30a上に反射防止膜51を成膜し、この上部に遮光膜53を形成する。この遮光膜53は、電荷蓄積領域31上に開口部を有する形状に形成される。その後、遮光膜53を埋め込む状態で、平坦化絶縁膜55を形成し、この上部にカラーフィルタ層57およびオンチップレンズ59を形成し、固体撮像装置11を完成させる。<第1実施形態の効果>以上説明した構成の固体撮像装置11は、半導体層30における受光面30a側の表面層に、p型の界面領域37と、このp型の界面領域37にp型不純物を追加したp型の高濃度領域39からなる電荷移動防止領域とが設けられている。このような構成では、半導体層30における受光面30a側の表面層のポテンシャルは、界面領域37に対して高濃度領域39で高くなる。このため、半導体層30における受光面30a側の表面層で発生した電荷電子は、高濃度領域39を越えて半導体層30の表面層で移動することが防止される。ここで、高濃度領域39は、電荷蓄積領域31を平面視的に囲む位置に設けられている。したがって、半導体層30における受光面30a側の表面層で発生した電荷電子は、電荷の発生位置に最近接した電荷蓄積領域31に蓄積される。この結果、半導体層30の表面層で発生した電荷が、隣接画素の電荷蓄積領域31に蓄積されることによる混色を防止でき、撮像特性の向上を図ることが可能である。また本実施形態に特有の高濃度領域39は、半導体層30に対して歪発生させることなく、機械的強度損失を引き起こすことも無い。≪3.第2実施形態≫<固体撮像装置12の構成>電荷移動防止領域として高濃度領域内に再結合領域を設けた構成例図6は、第2実施形態の固体撮像装置12の構成を示す図であり、図6Aは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての4画素分の要部平面図であり、図6Bは図6AのA-A断面に相当する要部断面図である。これらの図に示す第2実施形態の固体撮像装置12が、第1実施形態の固体撮像装置と異なるところは、高濃度領域39内に再結合不純物を含有する再結合領域43を設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。このため、第1実施形態と同様の構成要素についての重複する説明は省略する。すなわち再結合領域43は、高濃度領域39内における受光面30a側の表面層に設けられた領域であり、高濃度領域39と共に電荷移動防止領域を構成する。この再結合領域43は、高濃度領域39に対して再結合不純物を追加で導入した領域であって、受光面30a以外においては周囲を高濃度領域39で囲まれた状態となっている。ここで再結合領域43に導入する再結合不純物は、半導体層30内で発生した電荷を再結合する際の再結合中心となる物質であり、特に真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる物質が用いられる。図7には、真性フェルミ準位Eiと、再結合中心となる物質のエネルギー準位Etとの準位差|Et-Ei|と、発生した電荷少数キャリアの再結合寿命τrとの関係を示すS.M.ジィー半導体デバイス、産業図書株式会社、p51参照、ただし横軸の単位は室温におけるkTを0.0259eVとして真性フェルミ準位との準位差|Et-Ei|eVに換算した。図7に示すように、準位差|Et-Ei|が±0.25eV以下の物質は、準位差|Et-Ei|が±0.25eVを越える物質と比較すると、電荷の再結合寿命τrが極めて短いことがわかる。尚、図7は、シリコン中におけるp型不純物濃度が1015個/cm3の場合であり、p型不純物の濃度が高いほど、再結合寿命τrが極めて短いエネルギー範囲をさらに広くすることもできる。このような準位差|Et-Ei|≦0.25eVとなる再結合不純物としては、パラジウムPd、ナトリウムNa、ベリリウムBe、亜鉛Zn、金Au、コバルトCo、バナジウムV、ニッケルNi、モリブデンMo、水銀Hg、ストロンチウムSr、ゲルマニウムGe、銅Cu、カリウムK、タングステンW、鉛Pb、酸素O、鉄Fe、セレンSe、クロムCr、タンタルTa、セシウムCs、バリウムBa、硫黄S、マンガンMn、銀Ag、カドミウムCd、プラチナPtが例示されるタウアニン、最新VLSIの基礎、丸善株式会社、p39参照。この中でも特にコバルトCo、亜鉛Zn、金Auが好ましく用いられる。尚、再結合領域43に導入する再結合不純物として金属元素を用いる場合、再結合不純物と共に、半導体層30内における再結合不純物の拡散を防止するためのゲッタリングを目的とした炭素、シリコン、ゲルマニウム等を導入しても良い例えば特開2010114409参照。また上述した電荷少数キャリアの再結合寿命τrは、半導体層30中の再結合不純物の濃度によって変化する。図8には、単結晶シリコンに再結合不純物として金Auを導入した場合における、再結合不純物の濃度と少数キャリアの再結合寿命τrとの関係を示す。S.M.ジィー半導体デバイス、産業図書株式会社p53参照、再結合寿命τpn-Siは、n型の単結晶シリコン中における少数キャリア正孔の再結合寿命である。再結合寿命τnp-Siは、p型の単結晶シリコン中のける少数キャリア電子の再結合寿命である。図8に示すように、半導体層単結晶シリコン中における再結合不純物Auの濃度を高くするほど、再結合寿命を短くできることがわかる。そこでここでは、発生した電荷の拡散長を、画素サイズよりも十分に小さくしたいため、再結合不純物の濃度を有る程度の大きさにすることが好ましい。例えば、再結合不純物として金Auを用いた場合、図8を参照して再結合領域43に対して再結合不純物Auを1018個/cm3の濃度で導入すれば、再結合寿命τp=0.1ナノ秒1010s程度になる。これにより、電荷の拡散長をnmオーダーとすることが可能である。尚、図7で示した準位差|Et-Ei|と再結合寿命τrとの関係は、再結合不純物の濃度によって縦軸の値がシフトするだけであり、グラフの形状が変わることがない。このため、準位差|Et-Ei|が0.25eV以下の物質は、他の物質よりも電荷の再結合寿命が極めて短いことは、物質再結合不純物の濃度に依存することはない。<固体撮像装置12の製造方法>図9は、第2実施形態の固体撮像装置12の製造方法の特徴部を説明するための断面工程図であり、第1実施形態の固体撮像装置の製造方法に対して追加となる部分を抜粋して示した図である。以下、この図面に基づいて固体撮像装置12の製造方法を説明する。先ず、第1実施形態において図3~図5を用いて説明したと同様の手順を行う。これにより、図9Aに示すように、半導体層30内の受光面30a側の層に、p型の界面領域37およびp型の高濃度領域39を形成するまでを行う。その後図9Bに示すように、高濃度領域39の表面層に再結合領域43を形成する。ここでは、先ず、半導体層30上に、電荷蓄積領域31と高濃度領域39の周縁上とを覆うレジストパターン305を形成する。次に、このレジストパターン305をマスクに用いたイオン注入またはプラズマドーピングにより、高濃度領域39の中央に再結合不純物を導入する。一例としては、イオン注入により、再結合不純物として亜鉛Znを50keVで1014個/cm2の濃度で導入する。この際、高濃度領域39よりも再結合領域43が浅くなるように注入エネルギーを調整する。尚、再結合不純物として金属元素を用いる場合には、再結合不純物と共に、半導体層30内における再結合不純物の拡散を防止するためのゲッタリングを目的とした炭素、シリコン、ゲルマニウム等を、高濃度領域39の表面層に一緒に導入してもよい。次いでレジストパターン305を剥離し、その後、半導体層30に導入した不純物を活性化するためのアニール処理を、配線27の溶融を避けて行う。尚、ここでのアニール処理は、高濃度領域39に導入したp型不純物の活性化および再結合領域43に導入した再結合不純物の活性化を同時に行うための処理であっても良い。しかしながら、p型不純物および再結合不純物の活性化は、それぞれのイオン注入の後に、それぞれに適する装置および温度で個別に行っても良い。これにより、p型の高濃度領域39の中央に、高濃度領域39よりも浅い再結合領域43を形成する。以上の後には、図6に示したように、第1実施形態と同様の光学層50を半導体層30の受光面30a上に形成し、固体撮像装置12を完成させる。<第2実施形態の効果>以上のようにして得られた固体撮像装置12は、第1実施形態と同様の高濃度領域39を備えている。このため、第1実施形態と同様に、半導体層30における受光面30a側の表面層で発生した電荷電子は、高濃度領域39を越えて半導体層30の表面層で移動することが防止され、混色を防止して撮像特性の向上を図ることが可能である。さらに本第2実施形態の固体撮像装置12は、高濃度領域39の表面層に再結合不純物を追加で導入した再結合領域43を設けた構成である。これにより、上述した効果に加えて、半導体層30における受光面30a側の表面層のうち、特に電荷蓄積領域31間で発生した電荷を、再結合領域43において極短時間に再結合させ、その移動を防止することが可能である。これによっても、画素間での電荷の移動による混色を防止することが可能になる。また本第2実施形態の構成は、再結合領域43を、高濃度領域39の内側に設けた構成としたことにより、再結合領域43に導入した再結合不純物コバルト、亜鉛、金などが、暗電流や白点の原因となることを防止できる構成である。≪4.第3実施形態≫<固体撮像装置13の構成>再結合不純物の一部が析出した構成例図10は、第3実施形態の固体撮像装置13の構成を示す図であり、図10Aは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての4画素分の要部平面図であり、図10Bは図10AのA-A断面に相当する要部断面図である。これらの図に示す第3実施形態の固体撮像装置13は、第2実施形態の固体撮像装置の変形例であり、再結合領域43に含有された再結合不純物の一部を析出させたところのみが第2実施形態とは異なり、他の構成は第2実施形態同様であることとする。すなわちp型の高濃度領域39における受光面30a側の表面層に設けられた再結合領域43内には、内部に導入した再結合不純物の一部が析出している。再結合領域43内における析出物Rは、再結合領域43内に導入した再結合不純物の一部であって、再結合領域43内には再結合寿命が十分に短く保たれる充分な濃度で再結合不純物が析出することなく含有されていることとする。この場合、再結合領域43に導入する再結合不純物としては、第2実施形態で例示した物質の中から、半導体層30内において析出可能な物質を選択して用いる。このような再結合不純物としては、コバルトCo、亜鉛Zn、金Auが例示される。また再結合不純物としては、析出可能な物質と共に、他の物質を合わせて複数種類用いても良い。<固体撮像装置13の製造方法>このような第3実施形態の固体撮像装置13の製造は、第2実施形態において図9Bを用いて説明した再結合領域43の形成工程におけるイオン注入後のアニール処理を、再結合不純物が析出する温度で行えば良い。このようなアニール処理は、配線27の溶融を避けて行う。<第3実施形態の効果>以上のようにして得られた固体撮像装置13は、第2実施形態の効果に加えて、再結合不純物を析出させた析出物Rを遮光材となる効果を得ることができる。このため、半導体層30内においての光の透過による混色を抑制する効果も見込まれる。≪5.第4実施形態≫<固体撮像装置14の構成>電荷移動防止領域として再結合領域を設けた構成例図11は、第4実施形態の固体撮像装置14の構成を示す図であり、図11Aは固体撮像装置における半導体層部分を受光面側から平面視的に見た場合についての4画素分の要部平面図であり、図11Bは図11AのA-A断面に相当する要部断面図である。これらの図に示す第4実施形態の固体撮像装置14が、第1実施形態の固体撮像装置と異なるところは、p型の高濃度領域39に換えて再結合不純物を含有する再結合領域43’を、電荷移動防止領域として設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。このため、第1実施形態と同様の構成要素についての重複する説明は省略する。すなわち、再結合領域43’は、本第4実施形態に特徴的な電荷移動防止領域であって、平面視的に電荷蓄積領域31を囲む位置において、界面領域37に対して再結合不純物を追加した不純物領域である。したがって、この再結合領域43’は、再結合不純物と共にp型不純物も含んでいる。また高濃度領域43’は、界面領域37の深さと同程度、もしくはそれ以上の深さで設けられている。つまり、受光面30aから電荷蓄積領域31の配置深さと同程度、もしくはそれ以上に設けられていることになり、再結合領域43’は、受光面30a側の面に設けられた領域となる。このような再結合領域43’を受光面30a側から見た平面視形状は、素子分離領域35と一致していて良い。このような再結合領域43’に含有させる再結合不純物は、第2実施形態の再結合領域と同様であって、半導体層30内で発生した電荷を再結合する際の再結合中心となる物質であり、特に真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下の物質を用いる。また、再結合領域43’に含有させる再結合不純物の濃度は、発生した電荷の拡散長を画素サイズよりも十分に小さくしたいため、再結合不純物の濃度を有る程度の大きさにすることが好ましく、例えば1018個/cm3の濃度で導入されていることとする。これにより、再結合寿命τ=0.1ナノ秒程度になり、電荷の拡散長がnmオーダーとなる。また例えば再結合不純物として金属元素を用いる場合であれば、再結合不純物と共に、半導体層30内における再結合不純物の拡散を防止するためのゲッタリングを目的とした炭素、シリコン、ゲルマニウム等を導入しても良い。<固体撮像装置14の製造方法>このような第4実施形態の固体撮像装置14の製造は、第1実施形態において図5Bを用いて説明した高濃度領域39の形成に換えて、再結合領域43’の形成を行えば良い。再結合領域43の形成は、先ず半導体層30上に電荷蓄積領域31上を覆うレジストパターン303を形成した後、このレジストパターン303をマスクに用いたイオン注入により、p型の界面領域37および必要に応じて素子分離領域35に対して、再結合不純物を導入する。一例としては、再結合不純物として亜鉛Znを50keVで1014個/cm2の濃度で導入する。次いでレジストパターン303を剥離し、その後、半導体層30に導入した不純物を活性化するためのアニール処理を行う。ここでのアニール処理も、上述したと同様に配線27の融解を避けて行う。以上により、半導体層30における受光面30a側の表面層に、平面視的に電荷蓄積領域31を囲む再結合領域43’を形成する。このようにして形成される再結合領域43’は、素子分離領域35と平面視的に一致した位置に形成される。以上の後には、図11に示したように、第1実施形態と同様の光学層50を半導体層30の受光面30a上に形成し、固体撮像装置14を完成させる。<第4実施形態の効果>以上のようにして得られた固体撮像装置14は、半導体層30における受光面30a側の表面層に、p型の界面領域37に対して再結合不純物を追加で導入した再結合領域43’が設けられている。これにより、半導体層30における受光面30a側の表面層で発生した電荷電子は、再結合領域43’においては、再結合不純物が再結合中心となって極短時間に再結合するため、半導体層30の表面層で移動することを防止できる。ここで、再結合領域43’は、電荷蓄積領域31を平面視的に囲む位置に設けられている。したがって、半導体層30における受光面30a側の表面層で発生した電荷電子は、再結合領域43をまたいで移動することはなく、電荷の発生位置に最近接の電荷蓄積領域31に蓄積される。この結果、半導体層30の表面層で発生した電荷が、隣接画素の電荷蓄積領域31に蓄積されることによる混色を防止でき、撮像特性の向上を図ることが可能である。尚、以上説明した第4実施形態は、第3実施形態と組み合わせ、再結合領域43’に導入した再結合不純物の一部を析出させても良い。この場合、再結合領域43’内においての再結合不純物の析出量は、再結合領域43’内に導入した再結合不純物Rの一部であって、再結合領域43’内には再結合寿命が十分に短く保たれる充分な濃度で再結合不純物が析出することなく含有されていることとする。これにより、再結合領域43’内において再結合不純物を析出させた析出物Rが遮光材となり、半導体層30内においての光の透過による混色を抑制する効果も見込まれる。また本第4実施形態においては、電荷移動防止領域としての再結合領域43’を、素子分離領域35と平面視的に一致した位置に設けた構成を説明した。しかしながら本第4実施形態の再結合領域43’は、素子分離領域35の中央で素子分離領域35よりも狭い幅で形成されても良い。これにより、再結合領域43’に導入した再結合不純物コバルト、亜鉛、金などが、暗電流や白点の原因となることを防止できる。≪6.第5実施形態≫固体撮像素子を用いた電子機器の例上述の実施形態で説明した本技術に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステム、さらには撮像機能を有する携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器などの電子機器用の固体撮像装置に設けることができる。図12は、本技術に係る電子機器の一例として、固体撮像素子を用いたカメラの構成図を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。このカメラ91は、固体撮像装置1と、固体撮像装置1の受光センサ部に入射光を導く光学系93と、シャッタ装置94と、固体撮像装置1を駆動する駆動回路95と、固体撮像装置1の出力信号を処理する信号処理回路96とを有する。固体撮像装置1は、上述した第1実施形態~第4実施形態で説明した構成の固体撮像装置である。光学系光学レンズ93は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置1の撮像面上に結像させる。この撮像面には、複数の画素が配列され、この画素を構成する固体撮像素子の光電変換領域に対して、光学系93からの入射光が導かれる。これにより、固体撮像装置1の光電変換領域内に、一定期間信号電荷が蓄積される。このような光学系93は、複数の光学レンズから構成された光学レンズ系としても良い。シャッタ装置94は、固体撮像装置1への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路95は、固体撮像装置1及びシャッタ装置94に駆動信号を供給し、供給した駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置1の信号処理回路96への信号出力動作の制御、およびシャッタ装置94のシャッタ動作を制御する。すなわち、駆動回路95は、駆動信号タイミング信号の供給により、固体撮像装置1から信号処理回路96への信号転送動作を行う。信号処理回路96は、固体撮像装置1から転送された信号に対して、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいは、モニタに出力される。以上説明した本実施形態に係る電子機器によれば、上述した各実施形態で説明した撮像特性の良好な固体撮像装置を備えたことにより、撮像機能を有する電子機器における高精彩な撮像を達成することが可能になる。尚、本技術は以下のような構成も取ることができる。1半導体層と、前記半導体層の内部に当該半導体層の表面に対して2次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第2導電型の界面領域と、前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域とを備えた固体撮像装置。2前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第2導電型の不純物濃度が高い高濃度領域を有する1記載の固体撮像装置。3前記電荷蓄積領域間には、第2導電型の素子分離領域が設けられ、前記高濃度領域における第2導電型の不純物濃度は、前記素子分離領域と同程度以上である2記載の固体撮像装置。4前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる再結合不純物が導入された再結合領域を有する1~3の何れかに記載の固体撮像装置。5前記電荷移動防止領域は、前記界面領域よりも第2導電型の不純物濃度が高い高濃度領域と、当該高濃度領域の内側に真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる再結合不純物を含有する再結合領域とを有する1~4の何れかに記載の固体撮像装置。6前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が0.25eV以下となる再結合不純物を含有し、前記再結合不純物の一部は前記高濃度領域内において析出している1~5の何れかに記載の固体撮像装置。7前記電荷移動防止領域は、真性フェルミ準位に対する準位差が0.25以下の再結合不純物として、コバルトCo、亜鉛Zn、および金Auの少なくとも一つを含有している1~6の何れかに記載の固体撮像装置。8前記電荷蓄積領域間には、第2導電型の素子分離領域が設けられ、前記電荷移動防止領域は、前記素子分離領域と平面視的に一致して設けられた1~7の何れかに記載の固体撮像装置。9前記電荷移動防止領域は、少なくとも前記半導体層の界面から前記電荷蓄積領域までの深さを有する1~8の何れかに記載の固体撮像装置。10前記界面領域および前記電荷移動防止領域は、前記半導体層における受光面側の界面から設けられている1~9の何れかに記載の固体撮像装置。11前記半導体層における前記受光面と逆側の面には、配線層が設けられている10記載の固体撮像装置。12半導体層内の中間層に、当該半導体層の界面に対して2次元的に第1導電型の電荷蓄積領域を配列形成することと、前記半導体層の表面から前記電荷蓄積領域の形成部までの深さにわたって第2導電型の界面領域を形成することと、前記電荷蓄積領域を覆うマスク上から前記界面領域に対して不純物を追加で導入することにより、当該電荷蓄積領域を囲む位置に電荷移動防止領域を形成することとを含む固体撮像装置の製造方法。13半導体層と、前記半導体層の内部に当該半導体層の界面に対して2次元的に配列された第1導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体層の表面から前記電荷蓄積領域までの深さにわたって当該半導体層の内部に設けられた第2導電型の界面領域と、前記電荷蓄積領域を囲む位置において、前記界面領域に対して不純物が追加で導入された電荷移動防止領域と、前記電荷蓄積領域に入射光を導く光学系とを備えた電子機器。