"基板上に、陽極、燐光発光層を含む有機層及び陰極が積層されてなる有機電界発光素子において、発光層、電子輸送層及び正孔阻止層からなる群れから選ばれる少なくとも一つの有機層中に、一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。一般式1中、環Aは隣接環と任意の位置で縮合する式1aで表される芳香族環又は複素環を示し、環Bは隣接環と任意の位置で縮合する式1bで表される複素環を表す。一般式1、1a及び1b中、A1及びA2はそれぞれ独立して炭素数6~50の芳香族炭化水素基を表し、B1及びB2はそれぞれ独立して炭素数3~50の芳香族複素環基を表し、Xはメチン又は窒素を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に、水素、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基又は炭素数3~11の芳香族複素環基を示し、R3は水素、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基又は炭素数3~11の芳香族複素環基を示し、Xを含む環と縮合して縮合環を形成しても良い。mは1~3の整数を表し、nは0~3の整数を表す。m、nが2以上の場合、複数のB1及びB2はそれぞれ同一でも異なっていても良い。一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物が、一般式2~5のいずれかである請求項1に記載の有機電界発光素子。一般式2~5中、A1、A2、B1、B2、R1~R3、m及びnは一般式1と同意である。一般式2~5のいずれかで表されるインドロカルバゾール化合物が、一般式6~9のいずれかで表されるインドロカルバゾール化合物である請求項2に記載の有機電界発光素子。一般式6~9中、B1、B2、R1~R3、m及びnは一般式1と同意である。インドロカルバゾール化合物を含む有機層が、燐光発光ドーパントを含有する発光層であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の有機電界発光素子。インドロカルバゾール化合物を含む有機層が、440nm~510nmに最大発光波長を有する燐光発光ドーパントを含有し、かつ一般式4又は5で表されるインドロカルバゾール化合物を含有する発光層であることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。本発明の有機電界発光素子は、前記一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物を含有する。このインドロカルバゾール化合物の2つの窒素が芳香族炭化水素で置換され、更にそのうちの1つが少なくとも1つの芳香族複素環で置換された構造を有することにより、優れた効果をもたらすと考えられる。一般式1において、環Aは隣接環と任意の位置でと縮合する式1aで表される芳香族環又は複素環を示し、環Bは隣接環と任意の位置でと縮合する式1bで表される複素環を表す。一般式1において、A1及びA2はそれぞれ独立して炭素数6~50の芳香族炭化水素基を表す。好ましくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。A1はm1価の芳香族炭化水素基であり、A2はn1価の芳香族炭化水素基である。A1及びA2の具体例としてはベンゼン、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、フェナントレン、フルオランテン、ピレン、クリセン、又はこれらが複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じるm1価又はn1価の基が挙げられる。芳香族炭化水素基が複数連結されている場合、その総炭素数は10~50である。好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンが挙げられ、より好ましくはベンゼンが挙げられる。上記芳香族化合物が複数連結される場合、それらは同一でも異なっていてもよい。芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基である場合、連結される数は2~5が好ましく、より好ましくは2又は3である。上記複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる基の具体例としては、ビフェニル、ターフェニル、フェニルナフタレン、ジフェニルナフタレン、フェニルアントラセン、ジフェニルアントラセン、ジフェニルフルオレン等が挙げられる。A1と、インドロカルバゾール及びB1との連結位置は限定されず、末端の環であっても中央部の環であっても構わない。上記芳香族炭化水素基は置換基を有しても良く、置換基を有する場合、好ましい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基、アセチル基である。ここで、芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基は、2価の基の場合、例えば、次式11~13で表わされる。式11~13中、Ar1~Ar6は無置換の単環又は縮合環の芳香環を示すA1、A2、B1、B2及びR1~R3が、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は脂肪族炭化水素基であって、置換基を有する場合、置換基の総数は1~10である。好ましくは1~6であり、より好ましくは1~4である。また、2つ以上の置換基を有する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基又は脂肪族炭化水素基の炭素数の計算において、置換基を有する場合、その置換基の炭素数を含む。一般式1において、B1、B2はそれぞれ独立に1価の炭素数3~50の芳香族複素環基を表す。好ましくは炭素数3~30の芳香族複素環基であり、より好ましくは炭素数3~17の芳香族複素環基である。ただし、B1、B2はいずれもインドロカルバゾリル基となることはない。芳香族複素環が複数連結されている場合、その総炭素数は6~50である。B1、B2の具体例としてはピロール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ナフチリジン、カルバゾール、アクリジン、フラン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン又はこれらが複数連結された芳香族化合物より生じる1価の基が挙げられる。好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンより生じる1価の基が挙げられる。上記芳香族化合物が複数連結される場合、それらは同一でも異なっていてもよい。芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基である場合、連結される数は2~5が好ましく、より好ましくは2又は3である。上記複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる基の具体例としては、ビピリジン、ビピリミジン、ビトリアジン、ピリジルピリミジン、ピリジルカルバゾール、ピリミジルカルバゾール等が挙げられる。上記芳香族複素環は置換基を有しても良く、置換基を有する場合、好ましい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基、アセチル基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基である。より好ましくは、フェニル基、ナフチル基である。一般式1において、mは1~3の整数を表す。好ましくは、mは1又は2である。mが2以上の場合、B1は同一であっても異なっていても良い。nは0~3の整数を表す。好ましくは、nは0~2の整数である。nが2以上の場合、B2は同一であっても異なっていても良い。ここで、mnは1~3であることが好ましい。一般式1において、R1、R2はそれぞれ独立して水素、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基又は炭素数3~11の芳香族複素環基を示す。好ましくは水素、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、カルバゾリル基である。そして、より好ましくは水素、フェニル基、カルバゾリル基である。一般式1において、R3は水素、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基、炭素数3~11の芳香族複素環基、又はXを含む環と縮合する基を表す。式1a中のXを含む六員環に縮合する環である場合、この環は縮合環であってもよい。縮合環である場合はインドール環が好ましく、この場合、ジインドロカルバゾールを形成することになる。このとき、インドール環は、置換基を有してもよい。一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物の中でも、上記一般式2~5で表されるインドロカルバゾール化合物が好ましい化合物として挙げられ、上記一般式6~9で表されるインドロカルバゾール化合物がより好ましい化合物として挙げられる。一般式1~9において、それぞれ同一の記号及び式は特に断らない限り同一の意味を有すると解される。一般式1~9で表されるインドロカルバゾール化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。例えば、一般式2又は6で表されるインドロカルバゾール骨格は、ArchivderPharmazie,1987,320,p280-2に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。また、一般式3又は7で表されるインドロカルバゾール化合物のインドロカルバゾール骨格は、Synlett,2005,No.1,p42-48に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。また、一般式4、5、8又は9で表されるインドロカルバゾール化合物のインドロカルバゾール骨格は、TheJournalofOrganicChemistry,2007,725886ならびに、Tetrahedron,1999,55,p2371に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。前述の反応式で得られる各インドロカルバゾール骨格の窒素上の水素を、定法に従い、対応する芳香族基に置換させることで、一般式1~9で表されるインドロカルバゾール化合物を合成することができる。一般式1~9で表されるインドロカルバゾール化合物の具体例を以下に示すが、本発明の有機電界発光素子に用いられる材料はこれらに限定されない。一般式1又は一般式2~9のいずれかで表されるインドロカルバゾール化合物以下、本発明のインドロカルバゾール化合物又は一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物ともいうは、基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機EL素子の少なくとも1つの有機層に含有させることにより、優れた有機電界発光素子を与える。含有させる有機層としては、発光層、電子輸送層又は正孔阻止層である。より好ましくは、燐光発光ドーパントを含有する発光層のホスト材料として含有させることがよい。次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、基板上に積層された陽極と陰極の間に、少なくとも一つの発光層を有する有機層を有し、且つ発光層、電子輸送層又は正孔阻止層から選ばれる少なくとも一つの有機層は、本発明のインドロカルバゾール化合物を含む。有利には、燐光発光ドーパントと共に本発明のインドロカルバゾール化合物を発光層中に含む。次に、本発明の有機EL素子の構造について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機EL素子の構造は何ら図示のものに限定されるものではない。図1は本発明に用いられる一般的な有機EL素子の構造例を示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を各々表わす。本発明の有機EL素子では発光層と隣接して励起子阻止層を有してもよく、また、発光層と正孔注入層との間に電子阻止層を有しても良い。励起子阻止層は発光層の陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。本発明の有機EL素子では、基板、陽極、発光層及び陰極を必須の層として有するが、必須の層以外の層に、正孔注入輸送層、電子注入輸送層を有することがよく、更に発光層と電子注入輸送層の間に正孔阻止層を有することがよい。なお、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層のいずれか又は両者を意味し、電子注入輸送層は、電子注入層と電子輸送層のいずれか又は両者を意味する。なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板1上に陰極7、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、この場合も、必要により層を追加したり、省略したりすることが可能である。-基板-本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機EL素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英などからなるものを用いることができる。-陽極-有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。-陰極-一方、陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。-発光層-発光層は燐光発光層であり、燐光発光ドーパントとホスト材料を含む。燐光発光ドーパント材料としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。かかる有機金属錯体は、前記先行技術文献等で公知であり、これらが選択されて使用可能である。好ましい燐光発光ドーパントとしては、Ir等の貴金属元素を中心金属として有するIr3等の錯体類、2Iracac等の錯体類、Ptacac等の錯体類が挙げられる。これらの錯体類の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されない。前記燐光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、1~50重量の範囲にあることが好ましい。より好ましくは5~30重量である。発光層におけるホスト材料としては、前記一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることが好ましい。しかし、該インドロカルバゾール化合物を発光層以外の他の何れかの有機層に使用する場合は、発光層に使用する材料はインドロカルバゾール化合物以外の他のホスト材料であってもよい。また、インドロカルバゾール化合物と他のホスト材料を併用してもよい。更に、公知のホスト材料を複数種類併用して用いてもよい。使用できる公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する化合物であることが好ましい。このような他のホスト材料は、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することができる。ホスト材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8―キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリNビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。-注入層-注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。-正孔阻止層-正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層には一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物を用いることが好ましいが、インドロカルバゾール化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、公知の正孔阻止層材料を用いてもよい。また、正孔阻止層材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。-電子阻止層-電子阻止層とは、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料から成り、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。電子阻止層の材料としては、後述する正孔輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。電子阻止層の膜厚は好ましくは3~100nmであり、より好ましくは5~30nmである。-励起子阻止層-励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。励起子阻止層の材料としては、例えば、1,3-ジカルバゾリルベンゼンmCPや、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラトアルミニウムIIIBAlqが挙げられる。-正孔輸送層-正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。-電子輸送層-電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねる場合もあるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送層には一般式1で表されるインドロカルバゾール誘導体を用いることが好ましいが、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。以下、本発明を実施例によって更に詳しく説明するが、本発明は勿論、これらの実施例に限定されるものではなく、その要旨を越えない限りにおいて、種々の形態で実施することが可能である。以下に示すルートにより本発明に用いたインドロカルバゾール化合物を合成した。尚、化合物番号は、上記化学式に付した番号に対応する。合成例1化合物3-1の合成窒素雰囲気下、512ジヒドロインドロ[32a]カルバゾールIC-1100g0039mol、ヨードベンゼン398g020mol、銅62g0098mol、炭酸カリウム81g0059mol、テトラグライム200mlを加えて撹拌した。その後190°Cまで加熱し、24時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、銅、無機物をろ別した。ろ液に水200mlを加えて撹拌し、析出した結晶をろ別した。これを減圧乾燥した後、カラムクロマトグラフィーで精製して白色粉末の中間体A97g0029mol、収率75を得た。窒素雰囲気下、中間体A250g0075mol、426ジフェニルピリジン256g0066mol、ヨウ化銅255g013mol、炭酸カリウム310g022mol、13ジメチル2イミダゾリジノン500mlを加え、185°Cで45時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、無機物をろ別した。水4000mlに得られたろ液を加えて撹拌し、析出した結晶をろ別した。これを減圧乾燥した後、カラムクロマトグラフィーで精製して白色粉末の化合物3-1237g0037mol、収率56を得た。APCITOFMSmz638MH、1H-NMR測定結果測定溶媒:THFd8を図2に示す。合成例2化合物3-13の合成窒素雰囲気下、IC-199g0039mol、426ジフェニルピリジン146g0038mol、ヨウ化銅135g0071mol、炭酸カリウム166g012mol、13ジメチル2イミダゾリジノン350mlを加え、185°Cで30時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、無機物をろ別した。水4000mlに得られたろ液を加えて撹拌し、析出した結晶をろ別した。これを減圧乾燥した後、カラムクロマトグラフィーで精製して白色粉末の中間体B205g0036mol、収率94を得た。窒素雰囲気下、中間体B191g0034mol、426ジフェニルピリジン129g0034mol、ヨウ化銅122g0064mol、炭酸カリウム158g012mol、13ジメチル2イミダゾリジノン300mlを加え、185°Cで45時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後に、無機物をろ別した。水4000mlに得られたろ液を加えて撹拌し、析出した結晶をろ別した。これを減圧乾燥した後、カラムクロマトグラフィーで精製して白色粉末の化合物3-1383g0010mol、収率28を得た。APCITOFMSmz867MH、1H-NMR測定結果測定溶媒:THFd8を図3に示す。また、上記合成例及び明細書中に記載の合成方法に準じて、化合物111、115、26、230、33、323及び43を用意し、有機EL素子の作製に供した。実施例1膜厚110nmのITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度40×105Paで積層させた。まず、ITO上に銅フタロシアニンを25nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層として44ビスNNフェニルアミノビフェニルNPBを40nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、ホスト材料としての合成例1で得た化合物3-1と、燐光発光ドーパントとしてのトリス2‐フェニルピリジンイリジウムIIIIr3とを異なる蒸着源から、共蒸着し、40nmの厚さに発光層を形成した。発光層中のIr3の濃度は100wtであった。次に、電子輸送層としてトリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムIIIAlq3を20nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウムLiFを10nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてアルミニウムAlを70nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。実施例2発光層のホスト材料として、化合物1-11を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例3発光層のホスト材料として、化合物1-15を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例4発光層のホスト材料として、化合物2-6を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例5発光層のホスト材料として、化合物2-30を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例6発光層のホスト材料として、化合物3-3を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例7発光層のホスト材料として、化合物3-13を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例8発光層のホスト材料として、化合物3-23を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例9発光層のホスト材料として、化合物4-3を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。比較例1発光層のホスト材料として、44ビスビフェニルCBPを用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。比較例2発光層のホスト材料として、下記化合物H-1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。比較例3発光層のホスト材料として、下記化合物H-2を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例1~9及び比較例1~3で得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表1のような発光特性を有することが確認された。表1において、輝度、電圧及び発光効率は、10mAcm2での値を示す。なお、素子発光スペクトルの極大波長はいずれも530nmであり、Ir3からの発光が得られていると同定された。表1より、本発明の有機EL素子で使用するインドロカルバゾール化合物は、燐光ホストとして一般的に知られているCBPに対して良好な発光特性を示すことが判る。また、インドロカルバゾールに直接芳香族複素環が結合するH-1や、分子中に芳香族複素環化合物を持たないH-2と比較して、良好な発光特性を示し、上記インドロカルバゾール化合物の優位性が明らかである。実施例10膜厚110nmのITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度20×105Paで積層させた。まず、ITO上に正孔注入層として、銅フタロシアニンCuPCを25nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層としてNPBを90nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、発光層のホスト材料としての化合物3-1とドーパントとしての青色燐光材料であるイリジウム錯体イリジウムビスピリジネートNC2ピコリネートFIrpicとを異なる蒸着源から、共蒸着し、30nmの厚さに発光層を形成した。FIrpicの濃度は10wtであった。次に、電子輸送層としてAlq3を30nm厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてLiFを10nm厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてAlを70nm厚さに形成した。得られた有機EL素子は、図1に示す有機EL素子において、陰極と電子輸送層の間に、電子注入層が追加された層構成を有する。実施例11発光層のホスト材料として、化合物3-4を用いた以外は実施例10と同様にして有機EL素子を作製した。実施例12発光層のホスト材料として、化合物3-23を用いた以外は実施例10と同様にして有機EL素子を作製した。比較例4発光層のホスト材料として、CBPを用いた以外は実施例10と同様にして有機EL素子を作製した。比較例5発光層のホスト材料として、H-1を用いた以外は実施例10と同様にして有機EL素子を作製した。実施例10~12及び比較例4~5で得られた有機EL素子について、外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表2のような発光特性を有することが確認された。表2において、輝度、電圧、及び発光効率は、25mAcm2での値を示す。なお、素子発光スペクトルの極大波長はいずれも475nmであり、FIrpicからの発光が得られていると同定された。表2からも、実施例の有機EL素子は比較例の有機EL素子に対して良好な発光特性を示すことが判り、本発明の優位性が示される。本発明による有機EL素子は、発光特性、駆動寿命ならびに耐久性において、実用上満足できるレベルにあり、フラットパネルディスプレイ携帯電話表示素子、車載表示素子、OAコンピュータ表示素子やテレビ等、面発光体としての特徴を生かした光源照明、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源、表示板や標識灯等への応用において、その技術的価値は大きいものである。"