波長範囲1550nmにおける使用のための光ファイバストレッチャモジュールであって、相対分散勾配、RDS、および相対分散曲率、RDC、を備え、前記勾配の前記曲率に対する比が約30nmよりも小さく、かつ約1550nmにおいて約-10ps/nmkmよりも小さい分散値を備える第一のファイバを有する光ファイバストレッチャモジュール。前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記RDSが、約0.004nm-1と約0.03nm-1との間である、請求項1に記載の光ファイバストレッチャモジュール。前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記RDCが、約0.0001nm-2と約0.002nm-2との間である、請求項1に記載の光ファイバストレッチャモジュール。前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記分散が、約-20ps/nmkmと約-100ps/nmkmとの間である、請求項1に記載の光ファイバストレッチャモジュール。約1550nmにおいて、約ゼロであるRDC、0.002nm-1より大きいRDSの値、および約10ps/nmkmよりも大きい分散値を備える第二のファイバをさらに有する、請求項1に記載の光ファイバストレッチャモジュール。前記第二のファイバが、約1550nmにおいて、約20ps/nmkmである分散値、および約0.003nm-1である相対分散勾配を備える超大有効断面積ファイバからなる請求項5に記載の光ファイバストレッチャモジュール。前記1550nmの範囲において、前記光ファイバストレッチャモジュールが約0.005nm-1と約0.06nm-1との間のRDSを備える、請求項5に記載の光ファイバストレッチャモジュール。前記1550nmの範囲において、前記光ファイバストレッチャモジュールが約0.042nm-1であるRDS、および約0.00295nm-1であるRDCを備える、請求項7に記載の光ファイバストレッチャモジュール。1550nmの波長範囲においてパルスを生成するパルス発生器と、前記1550nmの波長範囲における使用のための光ファイバストレッチャモジュールであって、相対分散勾配、RDS、および相対分散曲率、RDC、を備え、前記勾配の前記曲率に対する比が約30nmよりも小さく、かつ約1550nmにおいて約-10ps/nmkmよりも小さい分散値を備える第一のファイバを有する光ファイバストレッチャモジュールとを有するチャープパルス増幅システム。前記1550nmの範囲において前記第一のファイバの前記分散が、約-20ps/nmkmと約-100ps/nmkmとの間である、請求項9に記載のチャープパルス増幅システム。前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記RDSが、約0.004nm-1と約0.03nm-1との間である、請求項9に記載のチャープパルス増幅システム。前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記RDCが、約0.0001nm-2と約0.002nm-2との間である、請求項9に記載のチャープパルス増幅システム。前記光ファイバストレッチャモジュールが、約1550nmにおいて、約ゼロであるRDC、0.002nm-1より大きいRDSの値、および約10ps/nmkmよりも大きい分散値を備える第二のファイバをさらに有する、請求項9に記載のチャープパルス増幅システム。前記第二のファイバが、超大有効断面積ファイバからなる、請求項13に記載のチャープパルス増幅システム。前記1550nmの範囲において、前記光ファイバストレッチャモジュールが約0.005nm-1と約0.06nm-1との間のRDSを備える、請求項13に記載のチャープパルス増幅システム。前記1550nmの範囲において、前記光ファイバストレッチャモジュールが約0.042nm-1であるRDS、および約0.00295nm-1であるRDCを備える、請求項13に記載のチャープパルス増幅システム。1550nmの波長範囲においてチャープパルス増幅システムを動作させる方法であって、前記1550nmの波長範囲においてパルスを生成可能なパルス発生器を提供し、前記1550nmの波長範囲における使用のためのファイバストレッチャモジュールであって、相対分散勾配、RDS、および相対分散曲率、RDC、を備え、前記勾配の前記曲率に対する比が約30nmよりも小さく、かつ約1550nmにおいて約-10ps/nmkmよりも小さい分散値を備える第一のファイバを有するファイバストレッチャモジュールを提供し、前記1550nmの波長範囲内においてパルス発生器から入力パルスを発生するチャープパルス増幅システムを動作させる方法。前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記分散値が、約-20ps/nmkmと約-100ps/nmkmとの間であり、前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記相対分散勾配が、約0.004nm-1と約0.03nm-1との間であり、かつ前記1550nmの範囲における前記第一のファイバの前記相対分散曲率が、約0.0001nm-2と約0.002nm-2との間である、請求項17に記載の方法。前記光ファイバストレッチャモジュールが、約1550nmにおいて、約ゼロであるRDC、0.002nm-1より大きいRDSの値、および約10ps/nmkmよりも大きい分散値を備える第二のファイバをさらに有する、請求項17に記載の方法。前記1550nmの範囲における前記光ファイバストレッチャモジュールが約0.005nm-1と約0.06nm-1との間のRDSを備える、請求項19に記載の方法。β2、およびβ3は目標値に非常に近いことがわかるが、β4は所望の回折格子の適合する値の~50である。そのために、ストレッチャモジュールと選択される回折格子との間に望まれる整合を達成するために新しい解決方法が必要とされている。本発明の実施形態は、一般的に、1550nmの波長範囲における使用のためのファイバストレッチャモジュールに関連する。より具体的には、本発明の実施形態は、短パルスレーザシステムにおける分散管理のためのファイバストレッチャモジュールに関する。本発明の一実施形態において、1550nmの波長範囲における使用のためのファイバストレッチャモジュールは、約30nmよりも小さい値である相対分散勾配RelativeDispersionSlope、RDSと相対分散曲線RelativeDispersionCurve、RDCの比、および約1550nmにおいて約-10ps/nmkmよりも小さい分散値、D、を備える第一のファイバと、約ゼロのRDC値、0.002nm-1よりも大きい相対RDS値、および約1550nmにおいて約10ps/nmkmよりも大きい分散、D、の値を備える第二のファイバとを有し、第一および第二のファイバの長さは、対応する圧縮回折格子または他の形式の圧縮デバイスとの最良の可能性のある分散整合を得るように調整されて、Erドープされたファイバ増幅器およびレーザの波長範囲で動作し、それは一般に約1520nmと約1620nmすなわち、1550nmの範囲の間であってよい。本発明の他の実施形態において、チャープパルス増幅システムは、1550nmの波長範囲においてパルスを生成するパルス発生器と、この範囲における使用のためのファイバストレッチャモジュールと、増幅要素と、圧縮回折格子または他の圧縮デバイスとを有し、ファイバストレッチャモジュールは、約30nmよりも小さい値である相対分散勾配と相対分散曲率RDS/RDCの比、および約1550nmにおいて約-10ps/nmkmよりも小さい分散、D、の値を有する第一のファイバと、約ゼロのRDC値、0.002nm-1よりも大きいRDSの値、および約1550nmにおいて約10ps/nmkmよりも大きい分散の値からなる第二のファイバとを有し、第一および第二のファイバの長さは、約1550nmにおいて対応する圧縮回折格子との最良の可能性のある分散整合を得るように調整される。本発明のさらに他の実施形態において、1550nmの波長範囲においてチャープパルス増幅システムを動作させる方法は、1550nmの波長範囲においてパルスを生成するパルス発生器を提供し、1550nmの波長範囲における使用のためのファイバストレッチャモジュール、増幅段、および圧縮回折格子を提供し、1550nmの波長範囲における使用のためのファイバストレッチャモジュールは、約30nmよりも小さい値である相対分散曲率と相対分散勾配の比RDS/RDC、および約1550nmにおいて約-10ps/nmkmよりも小さい分散の値を備える第一のファイバと、約ゼロの相対分散曲率の値、0.002nm-1よりも大きい相対分散勾配の値、および約1550nmにおいて約10ps/nmkmよりも大きい分散の値を備える第二のファイバとを有し、第一および第二のファイバの長さは、約1550nmにおいて対応する圧縮回折格子または他の圧縮デバイスとの最良の可能性のある分散整合を得るように調整される。上に列挙された本発明の特徴が詳細に理解され得る方法として、上に大まかに要約された本発明の実施形態のより具体的な記述が実施形態の参照によってなされてよく、それは添付される図面に図解される。しかし、添付される図面は本発明の範囲内に包含される実施形態の単に代表的な実施形態を図解し、したがって限定するものと考えられるべきでなく、本発明のために他の同様に有効な実施形態に通用してよい。本発明の実施形態は、一般的に、1550nm波長範囲における使用のためのファイバストレッチャモジュールに関連する。より具体的には、本発明の実施形態は、パルスを伸張するためにバルクの光学系またはチャープされたファイバブラッグ回折格子を用いることなく、ファイバベースのフェムト秒チャープパルス増幅システムのための別方式の解決方法を提供するファイバストレッチャモジュールに関する。ここで用いられるように、用語約about、あるいはおおよそapproximately、またはそれらの派生語は、数値を参照するとき、その数値はどちらかの方向に当該の数値の10以内を含むと見なされるべきである。さらに、そのような用語が絶対値例えば、ゼロを表現するために使われるとき、当業者によって普通に使われるように、絶対値はどちらかの方向に妥当な測定の一単位以内を含むと見なされるべきである。本発明の多くの実施形態において、ファイバストレッチャモジュールは1550nmの範囲で動作するどのような光ファイバシステムにも適していてよい。一実施形態において、ファイバストレッチャモジュールは、1550nmの波長範囲で動作するどのようなチャープパルス増幅の構成とともに使われてよい。そのような実施形態において、パルス発生器は1550nmの波長範囲でシステムにパルスを提供してよい。さらに、本発明の実施形態により、ファイバストレッチャモジュールは、そのマルチモード設計にもかかわらずシングルモード動作が可能である。一般に、それは高次モードの高い曲げ損失を経てそのような可能性を得る。本発明の実施形態により作られるファイバストレッチャモジュールは、より少ない振幅のリップルだけでなく、より少ない群遅延リップルを提供することにより、バルクの光学系またはチャープされたFBGを用いる現状のモジュールよりも優れた利点を与える。さらに、ファイバストレッチャモジュールは、他のファイバによる解決方法よりも優れたより小さい寸法、より良好な安定性、より長寿命、およびより低いコストによってより望ましいものである。本発明の一実施形態において、ファイバストレッチャモジュールは第一のファイバと第二のファイバとを有し、結合されるとき、1550nmにおいて目標とするβ2、β3、およびβ4の値としてそれぞれ約57.4ps2、-3.17ps3、および0.291ps4を生じる。そのような値を得るために、多くの実施形態において、ファイバストレッチャモジュールは、現在知られているモジュール、例えば、上に述べられたUHS-DCFモジュールと比較して増加したRDCを備える。本発明の実施形態により、二つのファイバ、すなわち第一のファイバF1、および第二のファイバF2の組み合わせを構成する、組み合わせられた分散補償ファイバDispersionCompensatingFiberCombined、DCFCのRDCCは以下の式から計算できる。一実施形態において、F2は、RDSF2=0.003nm-1、RDCF2=0であるSLAファイバである。そのような実施形態において、RDSC=0.0420nm-1、およびRDCC=0.00295nm-2である結合されたモジュールの目標とするRDS、およびRDCの値を用いることにより、F1について、所望の、あるいは目標とするRDC、およびRDSの間の比が計算できる。図1は、RDC対RDSの目標とする曲線、ならびに公知のファイバUHS、および本発明の実施形態により設計された例示的なファイバ設計9の実験結果のグラフを示す。また、図1は、固定されたRDS/RDCの比を例示する線を示す。目標とする曲線は設計9の15nmRDS/RDCの線に密接しているが、それに対して、実在のUHSファイバは32nmのRDS/RDC比によって特徴付けられる。記述された実施形態の中の上記の関係に基づいて、第一のファイバすなわち、F1は意図された性能特性を達成するように設計されてよい。他の実施形態において、第一のファイバ、F1、はさらに次の制限のそれぞれを包含してよい。1ファイバは、現行もしくは公知のファイバ設計と同等、またはよりよいマイクロベンド損失を備え、2ファイバは、波長1550nmにおいて0.0002nm-2よりも大きいRDCの値を備え、および/または3ファイバは、1550nmにおいて-40から-70ps/nmkmの範囲の分散を備える。そのような特性の組み合わせが本発明の実施形態に適するファイバ設計をもたらす。上記の要求に基づき、シミュレーション実験が異なるファイバ設計を用いて行われ、その結果がここに提示される。図2は、本発明の実施形態によるファイバの所望の屈折率プロファイルを公知のUHSファイバと比較して示すグラフを示す。両方のファイバは、三つの重要な特性を備えることを特徴としている。外側のクラッドと比較して正のΔnを有する中心部コアは、外側のクラッドと比較して負のΔnを有するトレンチに取り囲まれ、さらに外側のクラッドと比較して正のΔnを有するリングに取り囲まれ、外側のクラッドが続く。図2に示されるファイバの物理的な実物において、通常、コアはゲルマニウムがドープされたシリカからなり、トレンチはフッ素および任意の少量のゲルマニウムがドープされたシリカからなり、かつ、リングはゲルマニウムおよび任意の少量のフッ素がドープされたシリカからなる。外側のクラッドは純シリカから作られたものであってよい。リングと外側のクラッドとの間には、フッ素がドープされ、さらにリンおよび/またはゲルマニウムがドープされたシリカからなる純シリカクラッドと同じくらいのΔnを有する内側のクラッド層があってよい。公知のUHSファイバと比較して、このファイバの屈折率プロファイルは、より広いトレンチ、および外側のクラッドに比較してより高いΔnを備えるリングを有することによって主として区別されるということが注目される。図3および図4は、公知のUHSファイバ、および本発明の実施形態による設計9のファイバの分散およびRDSの値のモデル化した特性を比較するグラフをそれぞれ示す。図5および図6は、公知のUHSファイバ、および本発明の実施形態による目標とする設計9のファイバのRDCの値のモデル化した特性を示すグラフをそれぞれ示す。示されるように、設計9は、1550nmの動作範囲付近で著しく高いRDCの値を提供する。設計9のファイバの分散、RDS、およびRDCをUHS設計のそれらと比較すると、さらに高いRDS/RDCの比は、同時により深くなっている負の分散のピークの波長範囲を減少させることによって得られるということが注目される。これは、UHS設計のそれと比較して設計9のより広いトレンチ、およびリングのより高いΔnの結果である。図7および図8は、公知のUHSファイバ、および設計9のファイバに対する最初の三つの高次モードLP02、LP11、およびLP21についてと同様に基底モードLP01についてモデル化された有効屈折率をそれぞれ示す。図8には、1550nmにおいて、LP01に加えてLP02、LP11、およびLP21モードは実質的に有効な屈折率を備えるように見えることが観察され、それは設計9のファイバがシングルモードでないことを示している。しかし、設計9のファイバの曲げ損失を示すグラフを示す図9に示されるように、このファイバの高次モードは実質的により高い曲げ損失を備え、その結果、シングルモードでの動作を保証する。二つの異なるプリフォームが製造され、ファイバに線引きされた。図10は、目標とする設計9のファイバの屈折率プロファイルと比較した、本発明の実施形態による二つの物理的な実物の屈折率プロファイルの例を示すグラフを示す。二つのプリフォームから線引きされたファイバのそのような測定された特性の結果がそれぞれ表1および表2で以下に示される。図11は、表1および表2で上に議論された実験テストについて測定されたRDCおよびRDSの値の間の関係を示すグラフを示す。示されるように、実験値の大きな広がりにもかかわらず、設計されたファイバである実物1、および実物2は目標とする線に接近して収まるRDS/RDCの比の値を生じる。上記実験テストに加えて、長尺のファイバのシングルモード動作が得られるかどうかを調査するために、特別なカットオフ測定が実行された。実験は、ボビンの半径90mmのスプールに巻かれて、ファイバ10kmを伝播した後、Φ40mmの心棒によるファイバの減衰を測定することを含んだ。図12は、特別なカットオフ測定の解析結果を示すグラフを示している。図に示されるように、与えられた巻き付け条件で、ファイバは10km伝播の後、1480nmにわたってシングルモードである。ここに上記されるように、実施された全ての実験を考慮して、本発明の実施形態による例示的なファイバは、本発明の実施形態により、ストレッチャファイバモジュールを生成するためにSLAファイバと結合されてよい。他の例示的な実施形態により、ストレッチャファイバモジュールは、ここに上記されるようなファイバを用いて作られ、より具体的には表1に記述されるようなファイバが、表3で以下に示される特性を備えるストレッチャファイバモジュールを生成するために、公知のSLAファイバと結合された。表3のデータを解析すると、公知のUHS/SLAモジュールと比較すると、四次分散パラメータ、β4、に対するよりよい整合が得られるということが見られる。実験テストは、挿入損失が若干大きいすなわち、6.0dB結果となったが、そのような結果は、恐らく、ファイバが長尺であること、および/または目標設計と比較して例えば、図11を図1と比較して表1に示されるように、実物のファイバのより低いRDSの結果によるものである。さらに、多経路干渉MultipathInterference、MPI測定は非常に低くすなわち、設備の検知限界以下、一般的にはシングルモードでのモジュールの動作を裏付ける。本発明の実施形態を通して、ファイバストレッチャモジュールを設計するために用いられる設計技術、かつ具体的には、その中の第一のファイバは、関連する用途のために同様に有効なファイバ組立体を開発するために通常の当業者達によって利用されてよいということが評価されるべきである。そういうものとして、本発明の実施形態は、当業者によって理解されるように、そのような変更を含むと見なされるべきである。先に述べられたことは本発明の実施形態に向けられているが、本発明の他の、かつ更なる実施形態が、その基本的な範囲から逸脱することなく考案されてよい。ここに述べられるいろいろな実施形態は、ここに包含される範囲から逸脱することなく、記述される他の任意の実施形態と組み合わせて利用されてよい、ということもまた理解される。さらに、本発明の実施形態は、特定の用途が必要とするかもしれないように、より拡張可能であってよい。