半導体装置であって、半導体基板を有しており、半導体基板が、縦型の半導体素子が形成されている素子領域と、その素子領域の周囲に配置されている周辺領域を有しており、素子領域内に、第1導電型を有しており、半導体基板の上面に露出している第1半導体領域が形成されており、周辺領域内に、第1導電型を有しており、第1半導体領域よりも第1導電型不純物濃度が低く、半導体基板の上面に露出しており、直接または第1導電型を有する他の半導体領域を介して第1半導体領域と繋がっている第2半導体領域と、第2導電型を有しており、第2半導体領域に対して下方から接している第3半導体領域と、第2導電型を有しており、第3半導体領域よりも第2導電型不純物濃度が低く、第3半導体領域に対して下方から接している第4半導体領域、が形成されており、第3半導体領域が、エピタキシャル層である、ことを特徴とする半導体装置。周辺領域内に、第2導電型を有しており、第3半導体領域よりも第2導電型不純物濃度が低く、半導体基板の上面に露出しており、第2半導体領域と半導体基板の端面の間に配置されており、第2半導体領域に対して側方から接している第5半導体領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。第2半導体領域の中における第1導電型不純物の最大濃度が、第3半導体領域の中における第2導電型不純物の最大濃度よりも高いことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。素子領域内に、第2導電型を有しており、第1半導体領域の下方に配置されている第6半導体領域が形成されており、第6半導体領域が、エピタキシャル層である、ことを特徴とする半導体装置。縦型の半導体素子が形成されている素子領域と、その素子領域の周囲に配置されている周辺領域を有する半導体装置の製造方法であって、第2導電型を有するベース半導体層上に、第2導電型を有し、ベース半導体層よりも第2導電型不純物濃度が高いエピタキシャル層を成長させる工程と、周辺領域内のエピタキシャル層に第1導電型不純物を注入することによって、第1導電型を有しており、エピタキシャル層の上面に露出しており、下端がベース半導体層に達しない第2半導体領域を周辺領域内に形成する工程と、素子領域内のエピタキシャル層に第1導電型不純物を注入することによって、第1導電型を有しており、エピタキシャル層の上面に露出している第1半導体領域を素子領域内に形成する工程、を有しており、第1半導体領域と第2半導体領域は、第1半導体領域の第1導電型不純物濃度よりも第2半導体領域の第1導電型不純物濃度が低くなるように形成される、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。下端がベース半導体層に達しないように第1半導体領域を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。図13に示すように、周辺領域650の上面に電荷680が付着することで、周辺領域650の上面近傍のリサーフ領域652内の電界分布が乱されることがある。リサーフ領域652の上端において高い電界が発生している状態において周辺領域650の上面に電荷が付着すると、電界の乱れによってリサーフ領域652内で局所的に高い電界が発生し易い。このため、周辺領域650の構造は、リサーフ領域652の上端で高い電界が発生し難い構造が好ましい。図14はIGBTがオフしているときに図13の半導体装置内に生じることが予測される電界分布を示している。図14は、図13のA-A線に沿って見たときのすなわち、半導体基板の厚さ方向に沿って見たときの、リサーフ領域652、n型領域654、及び、ドリフト領域656内の電界の分布を示している。図14に示すように、リサーフ領域652とn型領域654の間のpn接合658で電界が最大値Ep2となる。n型領域654のn型不純物濃度が高いと、pn接合658で生じる電界Ep2が大きくなる。すなわち、pn接合658で生じる電位差がより大きくなる。IGBTへの印加電圧が一定であればA-A線の上端の位置と下端の位置の間の電位差は略一定であるので、pn接合658で生じる電位差が大きくなると、A-A線上のその他の領域に生じる電位差が小さくなる。このため、リサーフ領域652の上端に生じる電界Eu2図14参照も小さくなる。その結果、周辺領域650の上面に電荷が付着したときにリサーフ領域652内に局所的な高電界が発生し難くなる。つまり、n型領域654のn型不純物濃度が高いと、周辺領域650の上面に電荷が付着したときに、リサーフ領域652内で局所的な電界集中が生じ難くなる。しかしながら、n型領域654の深さにn型不純物を注入してn型不純物濃度が高いn型領域654を形成する場合には、高エネルギーでn型不純物を注入することになるので、周辺領域650内に多数の結晶欠陥が形成されてしまう。このため、周辺領域650で電流がリークし易くなる。また、半導体基板の表面近傍の領域にn型不純物を注入し、注入した不純物を拡散させることでn型領域654を形成する場合には、n型領域654のn型不純物濃度をそれほど高くすることはできない。なお、上記の例では、素子領域にIGBTが形成されている半導体装置について説明したが、素子領域にMOSFET、または、ダイオードが形成されている半導体装置においても、周辺領域内にリサーフ領域を形成することができる。この場合にも、図13の半導体装置と同様の問題が生じる。したがって、本明細書では、周辺領域にそれほど多くの結晶欠陥を形成することなく、周辺領域の表面領域上記の例ではリサーフ領域の下に不純物濃度が高い領域を形成することが可能な半導体装置の構造、及び、その製造方法を提供する。本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板を有している。半導体基板は、縦型の半導体素子が形成されている素子領域と、その素子領域の周囲に配置されている周辺領域を有している。素子領域内には、第1導電型を有しており、半導体基板の上面に露出している第1半導体領域が形成されている。周辺領域内には、第2半導体領域、第3半導体領域、及び、第4半導体領域が形成されている。第2半導体領域は、第1導電型を有しており、第1半導体領域よりも第1導電型不純物濃度が低く、半導体基板の上面に露出しており、直接または第1導電型を有する他の半導体領域を介して第1半導体領域と繋がっている。第3半導体領域は、第2導電型を有しており、第2半導体領域に対して下方から接している。第4半導体領域は、第2導電型を有しており、第3半導体領域よりも第2導電型不純物濃度が低く、第3半導体領域に対して下方から接している。第3半導体領域は、エピタキシャル層である。なお、上記の第1導電型及び第2導電型の何れか一方がn型を意味し、他方がp型を意味する。つまり、第1導電型がn型を意味するときは第2導電型がp型を意味する。第1導電型がp型を意味するときは第2導電型はn型を意味する。また、本明細書において半導体基板の上面に露出しているとは、半導体基板の上面に形成されている半導体以外の部分電極や絶縁層等を無視したときに対象の領域が半導体基板の上面に露出していることを意味する。したがって、対象の領域が電極や絶縁層に覆われている場合でも、半導体基板の上面に露出しているに該当する。上述した本明細書が開示する半導体装置においては、第2半導体領域が周辺領域において上面に露出している領域である第2半導体領域の一例は、リサーフ領域である。。この半導体装置では、第2半導体領域の下の第3半導体領域第2導電型不純物濃度が高い領域がエピタキシャル層である。エピタキシャル成長によれば、周辺領域内に結晶欠陥をほとんど形成することなく、第2導電型不純物濃度が高い第3半導体領域を形成することができる。したがって、この半導体装置は、周辺領域の上面に電荷が付着した場合でも耐圧特性が低下し難い。上述した半導体装置は、周辺領域内に、第2導電型を有しており、第3半導体領域よりも第2導電型不純物濃度が低く、半導体基板の上面に露出しており、第2半導体領域と半導体基板の端面の間に配置されており、第2半導体領域に対して側方から接している第5半導体領域が形成されていることが好ましい。このように、第2半導体領域に対して側方から接している第5半導体領域第2導電型の領域の第2導電型不純物濃度が低いと、これらの間のpn接合で高い電界が生じ難い。このpn接合は周辺領域の上面近傍に存在する。したがって、このpn接合で生じる電界が抑制されることで、周辺領域の上面への電荷の付着による耐圧特性の低下がより起こり難くなる。上述した半導体装置は、第2半導体領域の中における第1導電型不純物の最大濃度が、第3半導体領域の中における第2導電型不純物の最大濃度よりも高いことが好ましい。このような構成によれば、第2半導体領域と第3半導体領域の間のpn接合から生じる空乏層が、第3半導体領域側に伸びやすくなり、耐圧特性が向上する。上述した半導体装置においては、素子領域内に、第2導電型を有しており、第1半導体領域の下方に配置されている第6半導体領域が形成されていることが好ましい。そして、第6半導体領域がエピタキシャル層であることが好ましい。このように第1半導体層の下の第6半導体領域がエピタキシャル層であると、第6半導体領域の第2導電型不純物濃度を高くすることができる。このため、第6半導体領域の周囲の領域の不純物濃度が第6半導体領域の特性に影響し難くなり、第6半導体領域を安定して形成することが可能となる。したがって、半導体装置を量産するときに、量産される半導体装置の間で半導体素子の特性のばらつきが少なくなる。また、本明細書は、新たな半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、縦型の半導体素子が形成されている素子領域と、その素子領域の周囲に配置されている周辺領域を有する半導体装置を製造する。この製造方法は、第2導電型を有するベース半導体層上に、第2導電型を有し、ベース半導体層よりも第2導電型不純物濃度が高いエピタキシャル層を成長させる工程と、周辺領域内のエピタキシャル層に第1導電型不純物を注入することによって、第1導電型を有しており、エピタキシャル層の上面に露出しており、下端がベース半導体層に達しない第2半導体領域を周辺領域内に形成する工程と、素子領域内のエピタキシャル層に第1導電型不純物を注入することによって、第1導電型を有しており、エピタキシャル層の上面に露出している第1半導体領域を素子領域内に形成する工程を有している。第1半導体領域と第2半導体領域は、第1半導体領域の第1導電型不純物濃度よりも第2半導体領域の第1導電型不純物濃度が低くなるように形成される。この製造方法では、第2半導体領域が、第2半導体領域の下端がベース半導体層に達しないように形成される。したがって、第2半導体領域の下すなわち、第2半導体領域とベース半導体層の間に、第2導電型のエピタキシャル層が残る。この第2半導体領域の下のエピタキシャル層は、ベース半導体層よりも第2導電型不純物濃度が高い。すなわち、この製造方法によれば、第1導電型の第2半導体領域の下に第2導電型のエピタキシャル層が配置されており、そのエピタキシャル層の下に第2導電型不純物濃度が低い第2導電型のベース半導体層が配置されている構造が得られる。したがって、この製造方法によれば、周辺領域内に結晶欠陥をほとんど形成することなく、周辺領域の上面への電荷の付着の影響を受け難い半導体装置を製造することができる。上述した製造方法においては、下端がベース半導体層に達しないように第1半導体領域を形成することが好ましい。このような構成によれば、第1半導体領域の下に第2導電型のエピタキシャル層が残る。このため、半導体装置を量産するときに、量産される半導体装置の間で半導体素子の特性のばらつきが少なくなる。また、エピタキシャル層を成長させる工程では、ベース半導体層上に、第2導電型を有する第1のエピタキシャル層を成長させるステップと、第1のエピタキシャル層上に、第2導電型を有し、第1エピタキシャル層と異なる第2導電型不純物濃度を有する第2のエピタキシャル層を成長させるステップを実行してもよい。このように、ベース半導体層上に2つのエピタキシャル層を形成してもよい。図1に示すように、半導体装置10は、半導体基板12を備えている。半導体基板12は、素子領域100と周辺領域200を備えている。素子領域100は、半導体基板12を平面視したときに半導体基板12の中央部に形成されている。周辺領域200は、素子領域100の周囲を取り囲むように形成されている。すなわち、周辺領域200は、素子領域100と半導体基板12の端面14との間に形成されている。素子領域100には、縦型のIGBTが形成されている。周辺領域200は、素子領域100と端面14の間の耐圧を確保するための領域である。半導体基板12の上面16には、エミッタ電極50と外周電極60が形成されている。エミッタ電極50は、素子領域100内に形成されている。外周電極60は、周辺領域200内に形成されている。外周電極60は、半導体基板12の端面14に沿って伸びている。エミッタ電極50と外周電極60の間の半導体基板12の上面16には、絶縁層40が形成されている。半導体基板12の下面18には、コレクタ電極70が形成されている。コレクタ電極70は、下面18の全体に亘って形成されている。素子領域100内の半導体基板12の上面16には、複数のトレンチが形成されている。各トレンチの内面は、ゲート絶縁膜82によって覆われている。各トレンチ内には、ゲート電極80が形成されている。各ゲート電極80の上面は、層間絶縁膜84に覆われている。ゲート電極80は、エミッタ電極50から絶縁されている。素子領域100内の半導体基板12の内部には、エミッタ領域102、ボディコンタクト領域104、上部ボディ領域106、ストッパ領域108、下部ボディ領域110、ドリフト領域112、及び、コレクタ領域114が形成されている。エミッタ領域102は、半導体基板12の上面16に露出する範囲に形成されている。各エミッタ領域102は、ゲート絶縁膜82に接する範囲に形成されている。各エミッタ領域102は、高濃度のn型不純物を含有するn型領域である。各エミッタ領域102は、エミッタ電極50に対してオーミック接続されている。ボディコンタクト領域104は、半導体基板12の上面16に露出する範囲に形成されている。ボディコンタクト領域104は、エミッタ領域102に隣接している。ボディコンタクト領域104は、高濃度のp型不純物を含有するp型領域である。各ボディコンタクト領域104は、エミッタ電極50に対してオーミック接続されている。上部ボディ領域106は、エミッタ領域102及びボディコンタクト領域104の下に形成されている。上部ボディ領域106は、ゲート絶縁膜82と接している。上部ボディ領域106は、ボディコンタクト領域104よりも低い濃度のp型不純物を含有するp型領域である。ストッパ領域108は、上部ボディ領域106の下に形成されている。ストッパ領域108は、上部ボディ領域106によって各エミッタ領域102から分離されている。ストッパ領域108は、ゲート絶縁膜82と接している。ストッパ領域108は、エミッタ領域102よりも低い濃度のn型不純物を含有するn型領域である。下部ボディ領域110は、ストッパ領域108の下に形成されている。下部ボディ領域110は、ストッパ領域108によって上部ボディ領域106から分離されている。下部ボディ領域110は、ボディコンタクト領域104よりも低い濃度上部ボディ領域106と略同じ濃度のp型不純物を含有するp型領域である。ドリフト領域112は、下部ボディ領域110の下に形成されている。ドリフト領域112は、下部ボディ領域110によってストッパ領域108から分離されている。ドリフト領域112は、周辺領域200内まで横方向に伸びている。上述したトレンチは、上部ボディ領域106、ストッパ領域108、及び、下部ボディ領域110を貫通してドリフト領域112に達する深さまで形成されている。したがって、ドリフト領域112は、ゲート絶縁膜82の下端に接している。ドリフト領域112は、エミッタ領域102及びストッパ領域108よりも低い濃度のn型不純物を含有するn型領域である。コレクタ領域114は、ドリフト領域112の下に形成されている。コレクタ領域114は、半導体基板12の下面18に露出する範囲に形成されている。コレクタ領域114は、周辺領域200内まで横方向に伸びている。コレクタ領域114は、高濃度のp型不純物を含有するp型領域である。コレクタ領域114は、コレクタ電極70に対してオーミック接続されている。上述したエミッタ電極50、コレクタ電極70、ゲート電極80、ゲート絶縁膜82、エミッタ領域102、ボディコンタクト領域104、上部ボディ領域106、ストッパ領域108、下部ボディ領域110、ドリフト領域112、及び、コレクタ領域114によって、下面18から上面16に向かって電流が流れる縦型のIGBTが形成されている。周辺領域200内の半導体基板12の内部には、終端領域202、リサーフ領域204、周辺n型領域206、外周コンタクト領域208が形成されている。終端領域202は、半導体基板12の上面16から下部ボディ領域110の下端よりも深い位置までの深さ範囲内に形成されている。終端領域202は、素子領域100と周辺領域200の境界に沿って伸びている。終端領域202は、上部ボディ領域106、ストッパ領域108、及び、下部ボディ領域110と接している。終端領域202は、上部ボディ領域106よりも高い濃度のp型不純物を含有するp型領域である。リサーフ領域204は、半導体基板12の上面16に露出する範囲に形成されている。リサーフ領域204は、終端領域202に隣接している。リサーフ領域204は、上部ボディ領域106よりも低い濃度のp型不純物を含有するp型領域である。リサーフ領域204は、終端領域202と上部ボディ領域106いずれも、p型の領域を介して、ボディコンタクト領域104エミッタ電極50と導通するp型領域と繋がっている。周辺n型領域206は、リサーフ領域204の下方及び側方に形成されている。周辺n型領域206は、リサーフ領域204の隣の位置において半導体基板12の上面16に露出している。また、周辺n型領域206は、半導体基板12の端面14に露出している。周辺n型領域206の下端の位置は、ストッパ領域108の下端の位置と略等しい。周辺n型領域206の下には、上述したドリフト領域112、及び、コレクタ領域114が形成されている。周辺n型領域206は、エピタキシャル成長により形成された領域である。周辺n型領域206は、ドリフト領域112よりも高い濃度のn型不純物を含有するn型領域である。外周コンタクト領域208は、半導体基板12の上面16の端に露出するように形成されている。外周コンタクト領域208は、高濃度のn型不純物を含有するn型領域である。外周コンタクト領域208は、外周電極60に対してオーミック接続されている。次に、IGBTの動作について説明する。IGBTをオンさせる場合には、コレクタ電極70とエミッタ電極50の間にコレクタ電極70がプラスとなる電圧が印加されている状態で、ゲート電極80に閾値チャネルを形成するのに必要な最小限の電位以上の電位を印加する。すると、ゲート電極80への電位の印加によって、ゲート絶縁膜82と接する範囲の上部ボディ領域106と下部ボディ領域110がn型に反転し、その範囲にチャネルが形成される。すると、エミッタ電極50から、エミッタ領域102、上部ボディ領域106のチャネル、ストッパ領域108、下部ボディ領域110のチャネル、ドリフト領域112、及び、コレクタ領域114を介して、コレクタ電極70に向けて電子が流れる。また、コレクタ電極70から、コレクタ領域114を介して、ドリフト領域112内にホールが流入する。ドリフト領域112内に流入したホールは、下部ボディ領域110、ストッパ領域108、上部ボディ領域106、及び、ボディコンタクト領域104を介して、エミッタ電極50へ流れる。ドリフト領域112内にホールが流入すると、ドリフト領域112内で伝導度変調現象が起こり、ドリフト領域112の電気抵抗が低下する。したがって、電子はドリフト領域112内を低損失で流れることができる。これによって、コレクタ電極70からエミッタ電極50に向けて電流が流れる。すなわち、IGBTがオンする。特に、このIGBTでは、ストッパ領域108と上部ボディ領域106の間のpn接合がホールの流れの障壁となるので、ホールがストッパ領域108から上部ボディ領域106に流れ難い。このため、多くのホールがドリフト領域112内に蓄積され、ドリフト領域112の電気抵抗がより低くなる。したがって、このIGBTはオン抵抗が低い。ゲート電極80の電位を閾値以下に低下させると、上部ボディ領域106内のチャネルと下部ボディ領域110内のチャネルが消滅する。これによって、IGBT内の電子及びホールの流れが停止し、IGBTがオフする。素子領域100内では、IGBTがオフしている状態では、コレクタ電極70とエミッタ電極50の間に印加されている電圧が、下部ボディ領域110とドリフト領域112の境界のpn接合に印加される。すると、そのpn接合からドリフト領域112内に空乏層が広がる。空乏層によって、オフ時のIGBTの耐圧が確保される。周辺領域200内では、IGBTがオフしている状態では、コレクタ電極70とエミッタ電極50の間に印加されている電圧が、リサーフ領域204と周辺n型領域206の間のpn接合210に印加される。すると、pn接合210から空乏層が広がる。空乏層は、周辺n型領域206とドリフト領域112内に広がる。また、空乏層は、リサーフ領域204内にも広がる。リサーフ領域204によって、空乏層が半導体基板12の端面14側に向かって伸びることが促進される。これによって、素子領域100の近傍で局所的に空乏層が薄くなることが抑制される。すなわち、素子領域100の近傍における局所的な電界の集中が抑制される。上述したように、IGBTがオフしている状態において、周辺領域200では、リサーフ領域204、周辺n型領域206、及び、ドリフト領域112が空乏化される。したがって、これらの領域内に電界が生じる。図2は、図1のII-II線に沿って見たときのリサーフ領域204、周辺n型領域206、及び、ドリフト領域112内の電界分布を示している。図示するように、リサーフ領域204の上端すなわち、半導体基板12の上面16における電界は電界Eu1である。その上端から下側に向かうに従って電界が上昇し、リサーフ領域204と周辺n型領域206の間のpn接合210で電界がピーク値Ep1となる。pn接合210から下側の領域では、下側に向かうに従って電界が低下する。この電界が低下する割合は、周辺n型領域206よりもドリフト領域112で小さくなっている。これは、ドリフト領域112内のn型不純物濃度が低いためである。リサーフ領域204の上端で生じる電界Eu1が大きいと、周辺領域200の上面に電荷等が付着したときに、リサーフ領域204内で大きな電界の乱れが生じるため問題となる。しかしながら、この半導体装置10では、リサーフ領域204の上端で生じる電界Eu1が抑制されている。以下に、その理由を説明する。図3は、図1のII-II線に沿って見たときのリサーフ領域204、周辺n型領域206、及び、ドリフト領域112内の不純物濃度分布を示している。線Npがp型不純物の濃度を示しており、線Nnがn型不純物の濃度を表している。図示するように、ドリフト領域112内では、n型不純物の濃度Nnが低い値で略一定となっている。これは、ドリフト領域112は、ベースとなるn型の半導体ウエハにより構成された領域であるためである。また、リサーフ領域204及び周辺n型領域206内では、n型不純物の濃度Nnが比較的高い値で略一定となっている。これは、リサーフ領域204及び周辺n型領域206は、ベースとなる半導体ウエハ上にn型のエピタキシャル層を成長させることで形成された領域であるためである。エピタキシャル成長により形成することで、リサーフ領域204及び周辺n型領域206内のn型不純物濃度Nnを高い値で一定とすることができる。p型不純物の濃度Npは、リサーフ領域204の上端で最大であり、下側に向かうほどp型不純物の濃度Npは低くなる。これは、成長させたエピタキシャル層の表面近傍の領域にp型不純物を注入し、そのp型不純物を拡散させることでリサーフ領域204を形成するためである。上述したように、周辺n型領域206内のn型不純物濃度Nnは高い。周辺n型領域206内のn型不純物濃度Nnが高いと、IGBTがオフしているときにリサーフ領域204と周辺n型領域206の間のpn接合210に生じる電界が大きくなる。すなわち、図2に示されている電界のピーク値Ep1が大きくなる。このため、pn接合210近傍に生じる電位差が大きくなる。pn接合210近傍に生じる電位差が大きくなると、II-II線上のその他の領域に生じる電位差は小さくなる。このため、この半導体装置10では、リサーフ領域204の上端に生じる電界Euが小さい。したがって、周辺領域200の表面に電荷等が付着した場合でも、リサーフ領域204内で生じる電界の乱れが小さく、リサーフ領域204内で局所的な電界の集中が発生し難い。次に、半導体装置10の製造方法について説明する。半導体装置10は、ドリフト領域112と同じn型不純物濃度を有する半導体ウエハから製造される。最初に、図4に示すように、半導体ウエハ300上にn型のエピタキシャル層310を成長させる。エピタキシャル層310は、周辺n型領域206及びストッパ領域108と同じn型不純物濃度を有するn型層である。次に、イオン注入と熱拡散によって、図5に示すように、エミッタ領域102、ボディコンタクト領域104、上部ボディ領域106、下部ボディ領域110、終端領域202、リサーフ領域204、及び、外周コンタクト領域208を形成する。なお、リサーフ領域204は、エピタキシャル層310の上面近傍にp型不純物を注入し、そのp型不純物を熱拡散させることによって形成される。これによって、リサーフ領域204内のp型不純物の濃度分布が、図3に示す分布となる。リサーフ領域204は、その下端が半導体ウエハ300に達しないように形成される。上部ボディ層106は、その下端が半導体ウエハ300に達しないように形成される。素子領域100内のエピタキシャル層310の中で、エミッタ領域102、ボディコンタクト領域104、上部ボディ領域106の何れにもならなかった領域が、ストッパ領域108となる。また、周辺領域200内のエピタキシャル層310の中で、終端領域202、リサーフ領域204、及び、外周コンタクト領域208の何れにもならなかった領域が、周辺n型領域206となる。次に、エピタキシャル層310の上面にトレンチを形成し、そのトレンチ内にゲート絶縁膜82とゲート電極80を形成する。次に、層間絶縁膜84と絶縁層40を形成する。次に、エミッタ電極50と外周電極60を形成する。これによって、半導体装置10の上面側の構造が完成する。次に、コレクタ領域114をイオン注入と熱拡散により形成する。次に、半導体ウエハ300の下面にコレクタ電極70を形成する。その後、半導体ウエハをダイシングすることで、図1に示す半導体装置10が完成する。なお、上記の製造方法における工程の順序は、適宜変更することができる。例えば、ゲート電極80を形成した後にイオン注入工程を行ってもよいし、一部のイオン注入工程をゲート電極80を形成する前に行い、残りのイオン注入工程をゲート電極80を形成した後に行ってもよい。以上に説明したように、この半導体装置10では、リサーフ領域204の下の周辺n型領域206がエピタキシャル成長により形成される。エピタキシャル成長によれば、周辺n型領域206内のn型不純物濃度を高くすることができる。これにより、リサーフ領域204の上端に生じる電界Euが抑制される。したがって、半導体装置10は、周辺領域200の上面に電荷が付着しても、周辺領域200内の電界分布が乱れ難く、局所的な電界の集中が発生し難い。また、周辺領域200内の深い位置にイオンを注入すること無くリサーフ領域204の下にn型不純物濃度が高い周辺n型領域206が形成されているので、周辺領域200内の結晶欠陥が少ない。したがって、この半導体装置10では、周辺領域200でリーク電流が生じ難い。このように、この半導体装置10は、周辺領域200の耐圧特性が優れている。また、上述したように、ストッパ領域108は、IGBTがオンしているときにドリフト領域112内にホールを蓄積させるための障壁として機能する。このため、ストッパ領域108のn型不純物濃度は、IGBTのオン電圧に大きく影響する。また、ストッパ領域108のn型不純物濃度は、ゲート電圧の閾値チャネルを形成するために必要な最小限のゲート電圧や帰還容量等、IGBTの種々の特性に影響する。上述したように、ストッパ領域108は、エピタキシャル成長により形成されている。エピタキシャル成長によれば、ストッパ領域108内のn型不純物濃度が高くすることが可能である。このため、周囲の領域の不純物濃度の影響が少なくなり、ストッパ領域108を安定して形成することができる。したがって、半導体装置10を量産するときに、量産される半導体装置10の間でIGBTの特性にばらつきが生じ難い。次に、第2実施形態の半導体装置について説明する。図6は、第2実施形態の半導体装置の縦断面図を示している。なお、図6において、図1と同様の機能を有する部分には図1と同様の参照番号を付している。図6に示すように、第2実施形態の半導体装置では、周辺領域200内であって、半導体基板12の上面16に露出する範囲内に、第2の周辺n型領域207が形成されている。周辺n型領域207は、リサーフ領域204の端面14側に形成されており、リサーフ領域204に対して側方から接している。周辺n型領域207のn型不純物濃度は、周辺n型領域206のn型不純物濃度よりも低い。このように、周辺n型領域207のn型不純物濃度が低いので、IGBTがオフしているときにリサーフ領域204と周辺n型領域207の間のpn接合250に生じる電界は小さい。図6に示すように、pn接合250は、半導体基板12の上面16に達している。したがって、pn接合250における電界を抑制することで、周辺領域200の上面近傍における電界を抑制することができる。これによって、周辺領域200の上面への電荷の付着による電界の乱れをさらに抑制することができる。第2実施形態の半導体装置は、第1実施形態の半導体装置10と同様に、n型の半導体ウエハ300から製造される。第2実施形態の半導体装置の製造方法では、図7に示すように、半導体ウエハ300上にn型のエピタキシャル層360を成長させた後に、そのエピタキシャル層360上にn型のエピタキシャル層370を成長させる。エピタキシャル層360のn型不純物濃度は周辺n型領域206と同等であり、エピタキシャル層370のn型不純物濃度は周辺n型領域207と同等である。その後、第1実施形態と同様にして、各領域と、各電極、各絶縁層を形成することで、第2実施形態の半導体装置を製造することができる。図8は、図6のVIII-VIII線に沿って見たときのリサーフ領域204、周辺n型領域206、及び、ドリフト領域112内の不純物濃度分布を示している。n型不純物濃度が低いエピタキシャル層370にp型不純物を注入することでリサーフ領域204が形成されているので、リサーフ領域204内のn型不純物濃度が低くなっている。第2実施形態の半導体装置でも、リサーフ領域204の下の周辺n型領域206のn型不純物濃度が高い。したがって、この半導体装置は、周辺領域200の表面に電荷が付着しても、局所的な電界の集中が発生し難い。なお、第2実施形態の半導体装置では、図9に示すように、エピタキシャル層360とエピタキシャル層370の境界n型不純物濃度が急激に変化している部分で、p型不純物濃度Npのグラフとn型不純物濃度Nnのグラフが交差していてもよい。また、第2実施形態の製造方法によれば、周辺n型領域206内のn型不純物濃度を、リサーフ領域204内のp型不純物濃度のピーク値よりも高くするが可能であるが、周辺n型領域206内のn型不純物濃度はリサーフ領域204内のp型不純物濃度のピーク値よりも低いことが好ましい。このように、周辺n型領域206内のn型不純物濃度を低くすることで、周辺n型領域206内に空乏層が広がり易くなり、好適な耐圧特性が得られる。以上、第1実施形態及び第2実施形態の半導体装置について説明したが、以下に説明するように上記の実施形態を変形してもよい。上述した実施形態では、素子領域100と周辺領域200との境界に沿って、終端領域202が形成されていたが、終端領域202は形成されていなくてもよい。この場合には、リサーフ領域204を上部ボディ領域106に隣接させることができる。上述した実施形態では、下部ボディ領域110とドリフト領域112が接していたが、図10に示すように、下部ボディ領域110とドリフト領域112の間にn型領域120エピタキシャル層であり、イオン注入を受けていない領域が形成されていてもよい。すなわち、素子領域100内において、ストッパ領域108以外の領域がエピタキシャル層により構成されていてもよい。また、上述した実施形態では、IGBTが下部ボディ領域110を有していた。しかしながら、下部ボディ領域110が省略されていてもよい。この場合、ストッパ領域108に接するようにドリフト領域112を形成することができる。さらに、ストッパ領域108を省略してもよい。この場合、ボディ領域106に接するようにドリフト領域112を形成することができる。また、上述した実施形態では、素子領域100内にIGBTが形成されている半導体装置について説明したが、素子領域内にFETやダイオード等の他の縦型の半導体素子半導体基板の上面から下面に向かって、又は、下面から上面に向かって電流が流れる半導体素子が形成されていてもよい。図11は、素子領域100内にMOSFETが形成されている例を示している。図11の半導体装置では、ソース電極402、ドレイン電極404、ゲート電極406、ゲート絶縁膜408、ソース領域410、ボディ領域412、ドリフト領域414、及び、ドレイン領域416によって、縦型のMOSFETが構成されている。MOSFETがオフしている状態では、リサーフ領域420と周辺n型領域422エピタキシャル成長により形成されたドリフト領域414よりもn型不純物濃度が高い領域の間のpn接合に逆電圧が印加され、周辺領域200内の電位分布が第1実施形態の半導体装置10と同様となる。また、図12は、素子領域100内にダイオードが形成されている例を示している。図12の半導体装置では、アノード電極502、カソード電極504、アノード領域506、ドリフト領域508、及び、カソード領域510によってダイオードが構成されている。ダイオードに逆電圧が印加されると、リサーフ領域520と周辺n型領域522エピタキシャル成長により形成されたドリフト領域508よりもn型不純物濃度が高い領域の間のpn接合に逆電圧が印加され、周辺領域200内の電位分布が第1実施形態の半導体装置10と同様となる。このように、素子領域に形成されている素子がFETやダイオードであっても、第1実施形態の半導体装置10と同様の効果を得ることができる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。