絶縁基板と、前記絶縁基板の内部又は少なくとも一主面上に形成された配線層とを含む回路基板であって、前記絶縁基板が、25°Cで1GHzにおける誘電正接tanδが0.004~0.01の基板であり、前記配線層が、配線幅が40μm以下の部分を有し、かつ、絶縁基板と接する面の表面粗さRzが、1.5μm以下の層である、回路基板。前記配線層が、絶縁基板と接する面の表面粗さRzが、1μm以下の層である、請求項1に記載の回路基板。前記配線層が、2以上の配線からなり、該配線間の間隔が25μm以下の部分を有する層である、請求項1又は2に記載の回路基板。マイクロストリップライン構造、又はストリップライン構造を有する、請求項1~3のいずれかに記載の回路基板。2GHz以上の周波数の信号が伝送される回路基板である、請求項1~4のいずれかに記載の回路基板。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、高周波信号の伝送損失を低減でき、かつ、クロストークノイズを抑制できる回路基板を提供することを課題とする。本発明者らは上記課題を解決すべく、絶縁基板と、前記絶縁基板の内部又は少なくとも一主面上に形成された配線層とを含む回路基板について鋭意検討した。その結果、高周波信号の伝送においては、誘電損失を低減するよりも、導体損失を低減することがより有効であり、特に、回路の高密度化のために、配線幅が小さくなるほど、その傾向が高まることを見出した。そして、配線層の、絶縁基板と接する面を平坦化することで導体損失を低くし、合わせて、絶縁基板の誘電正接をある程度高くすることで、伝送損失を従来の水準に維持するとともに、クロストークノイズを抑制できることを見出し、以下の1~5に記載の発明を完成するに至った。1絶縁基板と、前記絶縁基板の内部又は少なくとも一主面上に形成された配線層とを含む回路基板であって、前記絶縁基板が、25°Cで1GHzにおける誘電正接tanδが0.004~0.01の基板であり、前記配線層が、配線幅が40μm以下の部分を有し、かつ、絶縁基板と接する面の表面粗さRzが、1.5μm以下の層である、回路基板。2前記配線層が、絶縁基板絶と接する面の表面粗さRzが、1μm以下の層である、1に記載の回路基板。3前記配線層が、2以上の配線からなり、該配線間の間隔が25μm以下の部分を有する層である、1又は2に記載の回路基板。4マイクロストリップライン構造、又はストリップライン構造を有する、1~3のいずれかに記載の回路基板。52GHz以上の周波数の信号が伝送される回路基板である、1~4のいずれかに記載の回路基板。本発明によれば、高周波信号の伝送損失を低減でき、かつ、クロストークノイズを抑制できる回路基板が提供される。本発明の回路基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の内部又は少なくとも一主面上に形成された配線層とを含む回路基板であって、前記絶縁基板が、25°Cで1GHzにおける誘電正接tanδが0.004~0.01の基板であり、前記配線層が、配線幅が40μm以下の部分を有し、かつ、絶縁基板と接する面の表面粗さRzが、1.5μm以下の層である、回路基板である。本発明に用いる絶縁基板は、25°Cで1GHzにおける誘電正接が、0.004~0.01であり、好ましくは、0.008~0.01のものである。誘電正接を上記範囲とすることで、本発明の回路基板においては、クロストークノイズが抑制される。絶縁基板としては、無機材料からなる無機基板、樹脂材料からなる樹脂基板、繊維材料と樹脂材料との複合材からなる基板等が挙げられる。無機材料としては、シリカ、アルミナ、フォルステライト、及びホウ珪酸ガラスなどが挙げられる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂、スチレン樹脂、オレフィン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂、及びトリアジン樹脂などが挙げられる。複合材としては、上記樹脂材料をガラスクロス等の無機又は有機繊維材料に含浸させて得られる複合材が挙げられる。絶縁基板には、充填剤を含有させることができる。充填剤を含有させることで、誘電正接を調整することができる。充填剤は無機系充填剤、有機系充填剤のいずれであってもよく、2種以上組み合わせて用いてもよい。充填剤の種類や配合量は特に制限されず、所望の誘電正接が得られるように適宜選択することができる。配線層は、導体で形成された配線からなる層であって、配線幅が40μm以下、好ましくは25μm以下、より好ましくは20μm以下の部分を有するものである。配線層は、絶縁基板と接する面の表面粗さRzが、1.5μm以下、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.4μm以下である。表面粗さRzの下限は、通常、0.03μmである。1.5μm以下であることで、導体損失を十分に低減できる。なお、表面粗さRzは、JISB0601-1994に従って得られる十点平均粗さをいう。本来、配線幅を狭くすると、導体損失の増加に伴い、伝送損失もまた増加するため、好ましくない。しかしながら、本発明においては、配線層の絶縁基板と接する面の表面粗さRzを小さくすることで、導体損失を大きく低下させることができるため、配線幅が狭いほど、本発明の効果導体損失低減効果がより発揮される。また、配線幅が上記範囲であることで、回路の高密度化を達成し易くなる。配線層が、2以上の配線からなる場合、配線層は、該配線間の間幅が25μm以下、好ましくは20μm以下の部分を有する層であることが、本発明の効果がより顕著に得られる観点から、好ましい。配線間の間幅の下限は、通常、5μmである。本来、2つの配線の間幅を狭くすると、クロストークノイズが発生しやすくなるため、好ましくない。しかしながら、本発明においては、上記のように、絶縁基板の誘電正接を高くすることで、クロストークノイズを抑制することができる。これにより、回路の高密度化を達成することができる。配線層の厚さは、通常、1~50μm、好ましくは3~30μm、より好ましくは5~20μmである。配線層を構成する導体の材料は特に制限されず、例えば銅を用いることができる。配線層の形成方法は、特に制限されない。例えば、サブトラクティブ法を採用することで、配線層を形成することができる。具体的には、表面粗さRzが1.5μm以下の金属箔を絶縁層上に積層させ、次いで、前記金属箔上に、所定の配線パターンを有するエッチングレジスト膜を形成し、エッチング液を用いて不要部分の金属膜を除去し、最後に、エッチングレジスト膜を剥離することで、所定の配線パターンを有する配線層を形成することができる。表面粗さRzが1.5μm以下の金属箔は、金属箔の表面を平滑処理することによって得ることができる。平滑処理としては、機械的研磨処理、プラズマ処理、化学的研磨処理、電気化学的溶解処理、めっき処理等が挙げられる。機械的研磨処理としては、例えば、バフ研磨、砥石研磨、ブラシ研磨、研磨剤による研磨等が挙げられる。機械的研磨処理は、湿式研磨、乾式研磨のどちらでも良い。プラズマ処理としては、例えば、グロー放電等が挙げられる。化学的研磨処理としては、酸処理やアルカリ処理等の公知の方法を利用することができる。酸処理においては、通常、硫酸、塩酸、リン酸、硝酸等の酸を含む酸性処理液が用いられ、アルカリ処理においては、通常、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基や、シアン塩、ピロリン酸塩等の塩を含むアルカリ性処理液が用いられ、これら処理液を金属箔表面に接触させることで、化学的研磨処理が行われる。処理の効率や処理液の管理の容易性の観点から、処理温度は、10~70°Cが好ましい。電気化学的溶解処理は、金属箔を陽極アノードとして処理液が満たされた電解槽に浸すことで行われる。電解槽内には、通常、金属箔面の対面に、導電性を有する材質の板カソードをセットする。カソードの材質としては、電解液に溶解しにくいものが好ましく、白金、チタン、ステンレス等が挙げられる。また、処理液としては、上記の化学研磨処理で挙げたものを用いることができる。電流密度は、1~100A/dm2の範囲が好ましい。めっき処理は、金属箔の表面に金属を付着させて平滑性めっき被膜を形成する方法である。例えば、硫酸銅めっき浴、シアン化銅めっき浴、ほうフッ化銅めっき浴、ピロリン酸銅めっき浴、スルファミン酸銅めっき浴を用いてめっき処理を行うことができる。めっき処理においては、0.01μm以上の厚みのめっき被膜を形成することが好ましい。また、表面粗さを小さくするため、表面に付着させる結晶粒の大きさは、20μm以下が好ましい。なお、表面粗さRzが1.5μm以下の金属箔は、市販品として入手することも可能である。本発明の回路基板は、上記構成を有する限り、その構造は制限されず、例えば、図1に示すマイクロストリップライン構造を有する回路基板、図2に示すストリップライン構造を有する回路基板、図3に示す2以上の配線層を有する多層回路基板が挙げられる。本発明の回路基板は、上記特性を有するため、高周波例えば、2GHz以上、好ましくは、5~20GHzの信号が伝送される回路基板として好適に用いられる。以下、本発明を実施例に基づき、より具体的に説明する。本発明の回路基板の特性を示すため、3次元電磁界シミュレータSonnet12.56SonnetSoftwareInc.製を用いて以下のように計算を行った。シミュレーション設定は以下の通りに設定した。CellSize:X;0.2mm、Y;5.0e-4mmBoxSize:X;10.0mm、Y;0.4mm絶縁基板厚:上下とも0.0305mm配線厚:0.009mm配線厚を考慮した計算を行うためにThickMetalModelを選択し、Num.Sheetsを18とした。同シミュレーションソフトでは導体表面の粗さを直接入力することはできないため、表面の粗さによって変化する導電率の実効的な値を代用し入力することにした。第1表は、AllenFHornetalConductorProfileEffectsonthePropagationConstantofMicrostripTransmissionLinesIMS2010Digpp868871Jun2010、小林、吉冨、馬、銅層形成COP基板のμ波特性評価、エレクトロニクス実装学会Vol9No3pp14、および日立化成技法No4620061等の文献資料をもとに、表面の粗さによる各周波数での実効的な導電率の変化を示したものである。第2表は、第1表から導き出した実効導電率であり、かかる値を各周波数での導電率として入力した。実施例1実施例1のモデルの透視図を図4aに、その断面図を図4bに、それぞれ示す。配線32aの幅は20μm、厚さは9μm、長さは10mmである。信号は入力ポート134から入力され、出力ポート235から出力される。また、入力ポート134と出力ポート235をつなぐ配線32aに平行して、ポート336とポート437をつなぐ配線32bが配置されている。配線32aと配線32bの間隔は20μmである。また、絶縁基板は、誘電体層31a、および誘電体層31bから形成され、これらの誘電体層はともに、25°Cで1GHzの条件において、比誘電率が4.3、tanδが0.004である。この絶縁基板の上下には、接地層として機能する導体層33a、33bが配置されている。ここで誘電体層31a、31bの厚さは、ポート134、ポート235、ポート336、ポート437の特性インピーダンスが全て50Ωとなる厚さである30.5μmに設定した。配線32a及び32b、並びに導体層33a及び33bの、誘電体層31a、31bと接する表面の粗さRzは0.4μm以下である。実施例2実施例1のモデルにおいて、誘電体層31a及び31bを、それぞれ、比誘電率を4.3、tanδを0.01に変更したこと以外は、実施例1と同様にした。実施例3実施例1のモデルにおいて、配線32a及び32b、並びに導体層33a及び33bの誘電体層31a、31bと接する表面の粗さRzを、それぞれ、1.5μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にした。実施例4実施例1のモデルにおいて、誘電体層31a及び31bを、それぞれ、比誘電率を4.3、tanδを0.01に変更し、配線32a及び32b、並びに導体層33a及び33bの、誘電体層31a、31bと接する表面の粗さRzを、それぞれ、1.5μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にした。比較例1実施例1のモデルにおいて、配線32a及び32b、並びに導体層33a及び33bの、誘電体層31a、31bと接する表面の粗さRzを、それぞれ、3μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にした。比較例2実施例1のモデルにおいて、誘電体層31a及び31bを、それぞれ、比誘電率を4.3、tanδを0.003に変更し、配線32a及び32b、並びに導体層33a及び33bの、誘電体層31a、31bと接する表面の粗さRzを、それぞれ、1.5μmに変更したこと以外は、実施例1と同様にした。比較例3実施例1のモデルにおいて、誘電体層31a及び31bを、それぞれ、比誘電率を4.3、tanδを0.003に変更し、配線32a及び32b、並びに導体層33a及び33bの、誘電体層31a、31bと接する表面の粗さRzを、それぞれ、0.4μm以下に変更したこと以外は、実施例1と同様にした。第3表に、実施例1~4と比較例1~3のシミュレーション結果を示す。周波数は2、5、10、20GHzにて計算を行った。S11はポート1での反射電力であり、値が小さいほど50Ωに整合が取れていることになる。S21はポート1から2への電力の伝送比であり、値が大きいほど伝送損失が小さく伝送されている。S41は入力ポート1へ入力された電力がポート4へ漏れて出力された電力比であり、値が小さいほど、クロストークノイズが抑えられていることになる。第3表より、実施例1~4においては、従来技術に相当する比較例1に対して、いずれも各周波数において、S21の値が大きく、S41の値が小さい。すなわち、伝送損失が小さくクロストークノイズが抑えられていることがわかる。また、実施例3においては、比較例2に対して、伝送損失は僅かに大きいが、クロストークノイズが大きく抑えられている。また、実施例1においては、比較例3に対して、伝送損失は僅かに大きいが、クロストークノイズが大きく抑えられている。なお、実施例1の条件にて、配線及び導体層を銅箔で形成し、誘電体層をシクロオレフィン樹脂で形成してなる絶縁基板を用い、同様の実験を行ったところ、概して実施例1の結果と同様の結果が得られることを確認した。