チャンバ内には、凹み有する第1の凹部と前記第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部とが設けられた支持台上に載置された基板が収容され、前記支持台の裏面側にアウトヒータとインヒータを備え、前記支持台上に載置された前記基板上に成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置を用い、前記基板上に半導体層を気相成長する際に、前記第2の凹部の深さを前記基板の厚さより低く構成することにより前記基板上の、前記第1流路からのガスの流れを均一にし、前記チャンバ内の真空度、前記基板温度及び前記基板を回転する回転速度を制御して、前記半導体層の膜厚を均一にし、前記成膜するための反応ガスは、トリクロロシランであって、キャリアガスは水素で、前記チャンバ内圧力を6.7~10.6×104Paにし、前記基板の回転数を500~1500min-1にし、前記基板の温度を1100°C~1140°Cにすることによって、前記半導体層を成長させ、前記半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にすることを特徴とする気相成長方法。前記支持台には、前記基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する複数の第一の凸部が設けられ、且つ、前記基板と接触する面に複数の第2の凸部が設けられ、その第2の凸部の頂面で前記基板を支持するようにし、前記基板上に、前記第1流路からのガスを流して前記半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長方法。前記支持台には、前記基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する複数の第一の凸部を設け、さらに、前記基板と接触する面に複数の第2の凸部を設けて、その第2の凸部の頂面で前記基板を支持するようにして、前記基板上の、前記第1流路からのガスの流れを均一にし、前記半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にしたことを特徴とする請求項1記載の気相成長方法。ところで、上述したシリコンウェハ200の直径より若干大きめの径のザグリ穴が形成されているホルダ210にシリコンウェハ200を載置して回転させると、その遠心力からシリコンウェハ200は、シリコンウェハ面と平行な方向に移動し、ザグリ穴の側面の一部分に寄ってしまう。ここで、IGBT等のパワー半導体の製造に必要な数10μm以上、例えば、50μm以上の膜厚のシリコンエピタキシャル膜を形成する場合、上述したホルダ210では、シリコンウェハ200の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜とホルダ210のザグリ穴の側面に堆積した膜とが接触し、くっ付いて接着してしまい、シリコンウェハ200を搬送する際にシリコンウェハ200がホルダ210に貼り付いてしまうといった現象が発生する問題があった。本発明者らは上記問題を解決するために、ザグリ穴を駆使したり、また、シリコンウェハ200を支えるところを駆使したりした発明について、先に特許出願例えば特願2006-6013号、特願2006-5523号を行っている。しかしながら、上述した解決手段においても、シリコンウェハ200の外周面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜が厚くなり、成長膜厚が不均一なったりしてしまい、その外周面付近を捨てざるを得ないという場合もあった。本発明は、上記した点に対処し、成長条件とを駆使し、成長膜厚を均一にする方法を提供することにある。本発明の気相成長方法は、チャンバ内に、支持台上に載置された基板が収容され、この基板上に成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にすることを特徴とする。上述した、成膜するための反応ガスは、トリクロロシランであって、キャリアガスは水素で、チャンバ内のトリクロロシランの濃度調整を3以内にし、そしてチャンバ内圧力を8×104Pa~11×104Paにし、基板の回転数を500~1100rpmにし、基板の温度を1100°C~1140°Cにすることによって、成長速度8μm/min以上で前記半導体層を成長させ、半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にすることが望ましい。また、支持台には、凹み有する第1の凹部と、この第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部が設けられ、この第2の凹部の深さは、基板の厚さより低く構成することにより基板上の、第1流路からのガスの流れを均一にし、半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にすることが望ましい。さらにまた、支持台には、基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する複数の第一の凸部が設けられ、且つ、基板と接触する面に複数の第2の凸部が設けられ、その第2の凸部の頂面で基板を支持するようにし、基板上の、第1流路からのガスの流して半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にすることが望ましい。また、支持台には、凹み有する第1の凹部と、この第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部が設けられ、この第2の凹部の深さは、基板の厚さより低く構成され、且つ前記基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する複数の第一の凸部を設けられ、さらに、基板と接触する面に複数の第2の凸部を設けて、その第2の凸部の頂面で基板を支持するようにして、基板上の、第1流路からのガスの流れを均一にし、半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にすることが望ましい。かかる方法により、基板上に成膜する半藤体層周囲の膜厚も均一になり、略ウェハ全体を利用可能となる。また、万一、基板が第2の凹部の側面を乗り越えた場合でも第1の凹部の側面で基板が支持部の外側に飛んでしまうことを防止することができ、さらに、基板の周囲に第1の凹部で溝を形成することで、第1の凹部の底面である溝の底面に堆積するデポ膜の厚さを薄くすることができる。なお、支持台に設けられる第1の凹部の深さは、前記基板の厚みより低く構成することが望ましい。このようにすれば、基板上の、第1流露からのガスの流れを均一にすることが可能となる。また、支持台には、基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する複数の第一の凸部が設けられ、基板裏面と接触する面で基板を支持するようにすることが望ましい。このようにすれば、基板が基板面と同方向に移動してある方向に寄ってしまう場合でも、基板の側面と接触する部分が複数の第一の凸部のいずれかとなるため、例え、基板の側面部分に成長した膜と凸部の先端部分に堆積した膜とが接触しても接触領域を小さくすることができる。さらに、本発明における第一の凸部は、基板の中心方向に向かって延び、第一の凸部の中心方向に向かう長さが前記所定のガスにより基板表面に成膜される膜の膜厚の2倍以上の寸法に形成することが望ましい。この場合、第一の凸部以外の位置において、基板の側面から成長してくる膜と凸部以外部分の基板側に成長してくる膜との膜厚は同程度となる。よって、凸部の中心方向に向かう長さが所定のガスにより基板表面に成膜される膜の膜厚の2倍以上の寸法に形成されることにより、第一の凸部以外の位置において、基板の側面から成長してきた膜と第一の凸部以外の部分の基板側に成長してきた膜との接触を回避することができる。また、本発明を実施するときの気相成長装置は、チャンバ内には支持台上に載置された基板が収容され、チャンバには成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置において、支持台は、基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する面が基板側に向かって凸のR状に形成され、基板裏面と接触する面で基板を支持するように構成することが望ましい。この場合、基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する面が基板側に向かって凸のR状に形成されることから、基板が基板面と同方向に移動してある方向に寄ってしまう時でも、基板の側面と接触する部分がR状の面の先端部分となるため、例え、基板の側面部分に成長した膜とR状の面に堆積した膜とが接触しても接触領域を小さくすることができる。さらに、上記した気相成長装置において、上述した特徴の他に、ガス濃度低減と基板温度増加を条件に加えることも好適である。かかる構成により基板の支持部への貼り付きをさらに低減することができる。さらにまた、本発明を実施するときの気相成長装置は、チャンバ内には支持台上に載置された基板が収容され、チャンバには成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置において、支持台には、基板と接触する面に複数の第2の凸部が設けられ、その第2の凸部の頂面で基板が支持されていることが望ましい。このようにすることにより、基板の裏面における支持台と貼り付きも殆どなくなり、50μm以上のエピタキシャル成長も可能となる。ここで、第2の凸部は、3個から10個であることが望ましく、10より多くなると基板裏面における接触面積が多くなり、従来との差異が殆ど無くなっています。また、3個未満になれば、基板自身が不安定となり、エピタキシャル成長には好ましくない。さらに、上記した第2の凸部は、高さが01mmから05mm、幅が05mmから3mmであることが望ましい。この数値は成膜装置によって変ることもある。また、第2の凸部の頂面は、平坦、円弧状又は細かい凹凸状であって良く、極力接触面が少ない方が望ましい。本発明の他の態様の気相成長装置は、チャンバ内には支持台上に載置された基板が収容され、チャンバには成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置において、支持台には、基板に対し基板面と同方向の移動を拘束する複数の第一の凸部が設けられ、且つ、基板と接触する面に複数の第2の凸部が設けられ、その第2の凸部の頂面で基板を支持されていることを特徴とする。このように構成することにより、基板の側面及び裏面における支持台と貼り付きも殆どなくなり、60nm以上のエピタキシャル成長も可能となった。本発明のように、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御することにより、半導体層の膜厚を均一にすることが可能で、具体的には、成膜するための反応ガスを、トリクロロシランとし、キャリアガスを、水素とし、チャンバ内のトリクロロシランの濃度調整を3以内にし、そしてチャンバ内圧力を8×104Pa~11×104Paにし、基板の回転数を500~1100rpmにし、基板の温度を1100°C~1140°Cにすることによって、成長速度8μm/min以上で前記半導体層を成長させることにより、半導体層の面内の膜厚分布を0.5以内にすることが可能となる。また、本発明の実施形態によれば、例え、基板の側面部分に成長した膜と凸部の先端部分に堆積した膜とが接触しても接触領域を小さくすることができるので、基板の支持部への貼り付きを低減することができる。或いは、基板の側面部分に成長した膜とR状の面の先端に堆積した膜とが接触しても接触領域を小さくすることができるので、基板の支持部への貼り付きを低減することもできる。さらに、基板の裏面における支持台と貼り付きも殆どなくなり、50nm以上のエピタキシャル成長も可能となる。実施の形態1.図1は、実施の形態1におけるエピタキシャル成長装置の構成を示す概念図である。図1において、気相成長装置の一例となるエピタキシャル成長装置100は、支持台の一例となるホルダサセプタとも言う。110、チャンバ120、シャワーヘッド130、真空ポンプ140、圧力制御弁142、アウトヒータ150、インヒータ160、回転部材170を備えている。チャンバ120には、ガスを供給する流路122とガスを排気する流路124が接続されている。そして、流路122は、シャワーヘッド130に接続されている。図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成以外を省略している。また、縮尺等も、実物とは一致させていない以下、各図面において同様である。ホルダ110は、外周が円形に形成され、所定の内径の貫通する開口部が形成される。そして、ホルダ110の上面から第1の深さで掘り込んだ第1の凹部の一例となる第1のザグリ穴と、第1のザグリ穴の底面から第2の深さで掘り込んだ第1のザグリ穴の径よりも小さな径の第2の凹部の一例となる第2のザグリ穴とが形成されている。そして、前記第2のザグリ穴の底面で基板の一例となるシリコンウェハ101の裏面と接触してシリコンウェハ101を支持する。ホルダ110は、図示していない回転機構によりシリコンウェハ101面と直交するシリコンウェハ101面の中心線を軸に回転させられる回転部材170上に配置される。そして、ホルダ110は、回転部材170と共に900min-1で回転することで、シリコンウェハ101を回転させることができる。なお、回転は、500~1500min-1:500~1500rpmであることが望ましい。ホルダ110の裏面側には、アウトヒータ150とインヒータ160が配置されている。アウトヒータ150によりシリコンウェハ101の外周部とホルダ110とを加熱することができる。そして、インヒータ160は、アウトヒータ150の下部に配置され、インヒータ160によりシリコンウェハ101の外周部以外を加熱することができる。この時のウェハ温度は1120°Cであった。インヒータ160とは別に、ホルダ110へと熱が逃げやすいシリコンウェハ101の外周部の加熱にアウトヒータ150を設け、2重ヒータとすることで、シリコンウェハ101の面内均一性を図ることができる。なお、ウェハ温度は1100~1140°Cであれば良い。そして、ホルダ110、アウトヒータ150、インヒータ160、シャワーヘッド130、回転部材170は、チャンバ120内に配置される。回転部材170は、チャンバ120内から図示していない回転機構へとチャンバ120外に延びている。シャワーヘッド130は、チャンバ120内からチャンバ120外へと配管が延びている。そして、反応容器となるチャンバ120内を常圧或いは真空ポンプ140により所定の真空度例えば9.3×104Pa700Torrの真空雰囲気に保持した状態で、シリコンウェハ101をアウトヒータ150とインヒータ160とで加熱し、ホルダ110の回転によりシリコンウェハ101を所定の回転数で回転させながら、シャワーヘッド130からシリコン源となる原料ガスをチャンバ120内に供給する。なお、所定の真空度は、6.7~10.6×104Pa:500~800Torrであれば良い。そして、加熱されたシリコンウェハ101の表面で原料ガスの熱分解或いは水素還元を行なって、シリコンウェハ101の表面にシリコンエピタキシャル膜を成長させる。チャンバ120内の圧力は、例えば、圧力制御弁142を用いて常圧或いは所定の真空度の真空雰囲気に調整すればよい。或いは常圧で用いる場合には、真空ポンプ140若しくは圧力制御弁142がない構成でも構わない。シャワーヘッド130では、チャンバ120外から配管で供給された原料ガスをシャワーヘッド130内部のバッファを介して、複数の貫通孔から排出するようにしているため均一に原料ガスをシリコンウェハ101上に供給することができる。さらに、ホルダ110や回転部材170の圧力を内外同一シリコンウェハ101の表面側雰囲気の圧力と裏面側雰囲気の圧力とを同じにすることで、原料ガスが回転部材170の内側、若しくは回転機構内部へと廻り込むことを防止することができる。同様に、図示していない回転機構側のパージガス等が、チャンバ内シリコンウェハ101の表面側雰囲気に漏れることを防止することができる。例えば、シリコン源として、トリクロルシランSiHCl3を水素H2で25に希釈したガスを34Pam3/s20SLM、キャリアガスとして、H2を85Pam3/s50SLMをシャワーヘッド130から供給する。すなわち、ガス全体でのSiHCl3濃度を7.2とする。そして、インヒータ160を1100°C、アウトヒータ150を1098°Cに設定する。また、シリコンウェハの回転数は、500~1500min-1500~1500rpmとする。チャンバ内圧力は、9.3×104Pa700Torrとする。かかるプロセス条件によりIGBT等のパワー半導体の製造に必要な数10μm以上、例えば、50μm以上の膜厚のシリコンエピタキシャル膜を形成することができる。また、膜厚分布は0.49を実現することができる。図2は、エピタキシャル成長装置システムの外観の一例を示す図である。図2に示すように、エピタキシャル成長装置システム300は、筺体により全体が囲まれている。図3は、エピタキシャル成長装置システムのユニット構成の一例を示す図である。エピタキシャル成長装置システム300内では、カセットステージC/S310或いはカセットステージC/S312に配置されたカセットにセットされたシリコンウェハ101が、搬送ロボット350によりロードロックL/Lチャンバ320内に搬送される。そして、トランスファーチャンバ330内に配置された搬送ロボット332によりL/Lチャンバ320からシリコンウェハ101がトランスファーチャンバ330内に搬出される。そして、搬出されたシリコンウェハ101がエピタキシャル成長装置100のチャンバ120内に搬送され、エピタキシャル成長法によりシリコンウェハ101表面にシリコンエピタキシャル膜が成膜される。シリコンエピタキシャル膜が成膜されたシリコンウェハ101は、再度、搬送ロボット332によりエピタキシャル成長装置100からトランスファーチャンバ330内に搬出される。そして、搬出されたシリコンウェハ101は、L/Lチャンバ320に搬送された後、搬送ロボット350によりL/Lチャンバ320からカセットステージC/S310或いはカセットステージC/S312に配置されたカセットに戻される。図3に示すエピタキシャル成長装置システム300では、エピタキシャル成長装置100のチャンバ120とL/Lチャンバ320とが2台ずつ搭載されており、スループットを向上させることができる。図4は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の一例を示す上面図である。図5は、図4に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ110には、2段ザグリ穴が形成される。すなわち、シリコンウェハ101の径よりも大きい径でシリコンウェハ101の厚さの半分強の深さまで掘り込んだ第1のザグリ穴114が形成され、第1のザグリ穴114の底面から、シリコンウェハ101の径よりも若干大きい径で、かつ第1のザグリ穴114の径より小さい径でシリコンウェハ101の厚さの半分より小さい値の深さまで掘り込んだ第2のザグリ穴116が形成されている。そして、第2のザグリ穴116の底面でシリコンウェハ101が支持されている。ホルダ110が回転し、その遠心力からシリコンウェハ101がシリコンウェハ面と平行な方向に移動した場合、第2のザグリ穴116の側面の上端部が、シリコンウェハ101外周部のベベル部下部の面に当接することで、シリコンウェハ101が、外れることを抑制することができる。万が一、シリコンウェハ101が、第2のザグリ穴116の側面の上端部を乗り越えて移動した場合には、第1のザグリ穴114の側面がシリコンウェハ101の側面に当接することで、シリコンウェハ101が、外れることを抑制することもできる。ここで、第2のザグリ穴116の底面には滑りとめ加工を施すと好適である。第2のザグリ穴116の底面に滑りとめ加工を施すことにより、シリコンウェハ101の裏面と第2のザグリ穴116の底面との摩擦力を高めることができる。例えば、ブラスト処理を行うことが挙げられる。或いは、ヤスリの歯型のように形成すると好適である。シリコンウェハ101の裏面と第2のザグリ穴116の底面との摩擦力を高めることで、シリコンウェハ101がホルダ110から外れることを抑制することができる。図6は、シリコンウェハ外周部と第1と第2のザグリ穴とを示す断面図である。図6に示すように、第1のザグリ穴114の底面の高さが、シリコンウェハ101のベベル部下面側に位置するように第2のザグリ穴116を掘り込む深さλ1を設定することが望ましい。例えば、図6における寸法λ1は、シリコンウェハ101の厚さの20~40が望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、λ1=0.2±0.05mmが望ましい。また、第1のザグリ穴114を掘り込む深さλ2は、シリコンウェハ101の厚さの50~65が望ましい。また、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、λ2=0.4±0.05mmが望ましい。また、λ1:λ2≒1:2が望ましい。そして、シリコンウェハ101の裏面に接触して保持する第2のザグリ穴116の底面の半径方向長さL2は、従来より若干長くして1~4mmが望ましい。また、第2のザグリ穴116の底面の半径方向長さL1は、原料ガスによりシリコンウェハ101表面に成膜されるシリコンエピタキシャル膜の膜厚の2倍以上の寸法に形成されることが望ましい。例えば、120μm成膜する場合には、240μm、すなわち、0.24mm以上とすることが良い。シリコンウェハ101表面に成膜されるシリコンエピタキシャル膜の膜厚の2倍以上の寸法に形成することにより、シリコンウェハ101の側面から成長してきた膜と第1のザグリ穴114の側面からシリコンウェハ101側に成長してくる膜との接触を回避することができる。例えば、L1は、1mmとする。図7は、2段ザグリ穴を形成していないホルダを用いた場合の成膜後の状態を説明するための図である。図8は、本実施の形態における2段ザグリ穴を形成したホルダを用いた場合の成膜後の状態を説明するための図である。図7に示すように、2段ザグリ穴を形成していないホルダを用いた場合、シリコンウェハの側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜402とホルダのザグリ穴の側面に堆積したデポ膜404とが接触し、くっ付いて接着してしまい、シリコンウェハがホルダに貼り付いてしまう。これに対し、図8に示すように、本実施の形態における2段ザグリ穴を形成したホルダ110を用いた場合、ホルダ110が回転し、その遠心力からシリコンウェハ101がシリコンウェハ面と平行な方向に移動した場合、第2のザグリ穴116の側面の上端部が、シリコンウェハ101外周部のベベル部下部の面に当接することで、ベベル部が屋根となって、デポ膜404の堆積を防ぐ、或いは少なくすることができる。その結果、当接箇所では、膜どうしが接着してないか、張りついても微小なため、シリコンウェハ101とホルダ110との貼り付きを防止することができる。さらに、第1のザグリ穴114によりシリコンウェハ101の周囲に第1のザグリ穴114の側面で囲まれた溝ができ、かかる溝を設けることにより、溝底部へのデポ膜の堆積量を低減することができる。実施の形態2.実施の形態2では、第1のザグリ穴を形成する代わりに支柱となる複数のピン112を配置した。図9は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の他の一例を示す上面図である。図10は、図9に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ110には、シリコンウェハ101の径よりも若干大きい径で、シリコンウェハ101の厚さの半分より小さい値の深さまで掘り込んだ第2のザグリ穴116が形成されている。そして、第2のザグリ穴116の底面でシリコンウェハ101が支持されている。そして、ホルダ110の上面には、シリコンウェハ101の外周から所定の隙間を空けて、3個以上のピン112を均等に配置する。図9では、一例として8個のピン112を均等に配置した。ホルダ110が回転し、その遠心力からシリコンウェハ101がシリコンウェハ面と平行な方向に移動した場合、第2のザグリ穴116の側面の上端部が、シリコンウェハ101外周部のベベル部下部の面に当接することで、シリコンウェハ101が、外れることを抑制することができる。万が一、シリコンウェハ101が、第2のザグリ穴116の側面の上端部を乗り越えて移動した場合には、3個以上のピン112ここでは、8個のピン112のいくつかにシリコンウェハ101の側面が当接することで、シリコンウェハ101が、外れることを抑制することができる。そして、ホルダ110が回転し、その遠心力からシリコンウェハ101がシリコンウェハ面と平行な方向に移動した場合、第2のザグリ穴116の側面の上端部が、シリコンウェハ101外周部のベベル部下部の面に当接することで、ベベル部が屋根となって、デポ膜の堆積を防ぐことができる点は、実施の形態1と同様である。よって、当接箇所では、膜どうしが接着していないので、シリコンウェハ101とホルダ110との貼り付きを防止することができる。実施の形態3.図11は、実施の形態3におけるエピタキシャル成長装置の構成を示す概念図である。図11において、図1と同様に、気相成長装置の一例となるエピタキシャル成長装置200は、支持台の一例となるホルダサセプタとも言う。210、チャンバ2圧力制御弁242、アウトヒータ250、インヒータ260、回転部材270を備えている。チャンバ220には、ガスを供給する流路222とガスを排気する流路124が接続されている。そして、流路222は、シャワーヘッド130に接続されている。図11ではシャワーヘッド230、真空ポンプ240、実施の形態3を説明する上で必要な構成以外を省略している。また、縮尺等も、実物とは一致させていない以下、各図面において同様である。ホルダ210は、外周が円形に形成され、所定の内径の貫通する開口部が形成される。そして、上面側から所定の深さに掘り込まれた面で基板の一例となるシリコンウェハ201の裏面と接触してシリコンウェハ201を支持する。そして、シリコンウェハ201に対しシリコンウェハ201面と同方向の移動を拘束する複数の第一の凸部212が形成されている。第一の凸部212は、根元となる面からホルダ210の中心に向かって凸に延びるように形成される。ホルダ210は、図示していない回転機構によりシリコンウェハ201面と直交するシリコンウェハ201面の中心線を軸に回転させられる回転部材270上に配置される。そして、ホルダ210は、回転部材270と共に回転することで、シリコンウェハ201を例えば900min-1で回転させることができる。なお、本実施形態3においても回転は、500~1500min-1:500~1500rpmであることが望ましい。ホルダ210の裏面側には、アウトヒータ250とインヒータ160が配置されている。アウトヒータ250によりシリコンウェハ201の外周部とホルダ210とを加熱することができる。そして、インヒータ260は、アウトヒータ250の下部に配置され、インヒータ260によりシリコンウェハ201の外周部以外を加熱することができる。インヒータ260とは別に、ホルダ210へと熱が逃げやすいシリコンウェハ201の外周部の加熱にアウトヒータ250を設け、2重ヒータとすることで、シリコンウェハ201の面内均一性も図ることができる。そして、ホルダ210、アウトヒータ250、インヒータ260、シャワーヘッド230、回転部材270は、チャンバ220内に配置される。回転部材270は、チャンバ220内から図示していない回転機構へとチャンバ120外に延びている。シャワーヘッド230は、チャンバ220内からチャンバ220外へと配管が延びている。そして、反応容器となるチャンバ220内を常圧或いは真空ポンプ240により所定の真空度の真空雰囲気に保持した状態例えば9.3×104Pa700Torrで、シリコンウェハ201をアウトヒータ250とインヒータ260とで加熱し、ホルダ210の回転によりシリコンウェハ201を所定の回転数で回転900min-1させながら、シャワーヘッド230からシリコン源となる原料ガスをチャンバ220内に供給する。なお、この時のウェハ温度は1100~1140°Cであれば良い。さらに、加熱されたシリコンウェハ201の表面で原料ガスの熱分解或いは水素還元を行なって、シリコンウェハ201の表面にシリコンエピタキシャル膜を成長させる。チャンバ220内の圧力は、例えば、圧力制御弁242を用いて常圧或いは所定の真空度の真空雰囲気に調整すればよく、その時の、所定の真空度は、実施形態1と同様、6.7~10.6×104Pa:500~800Torrであれば良い。シャワーヘッド230では、チャンバ220外から配管で供給された原料ガスをシャワーヘッド230内部のバッファを介して、複数の貫通孔から排出するようにしているため均一に原料ガスをシリコンウェハ201上に供給することができる。また、ホルダ210や回転部材270の圧力を内外同一シリコンウェハ201の表面側雰囲気の圧力と裏面側雰囲気の圧力とを同じにすることで、原料ガスが回転部材270の内側、若しくは回転機構内部へと廻り込むことを防止することができる。同様に、図示していない回転機構側のパージガス等が、チャンバ内シリコンウェハ201の表面側雰囲気に漏れることを防止することができる。図12は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の一例を示す上面図である。図13は、図12に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ210に形成された第一の凸部212は、シリコンウェハ201の裏面が接触する面と接続する側面からホルダ210中心に向かって延びており、その先端は、平面に形成されている。ここでは、8個の凸部212が均等に配置されている。ホルダ210が回転し、その遠心力からシリコンウェハ201がシリコンウェハ面と平行な方向に移動したとしてもシリコンウェハ201の側面の一部が8個の凸部212のいくつかに接触するだけなので、第一の凸部212を設けずにホルダ210の側面の広い領域で接触する場合に比べ、接触面積を小さくすることができる。その結果、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と凸部212の先端部分に堆積した膜とが接触しても接触領域が小さいため、シリコンウェハ201のホルダ210への貼り付きを低減することができる。ここでは、8個の凸部212が均等に配置されているが、これに限るものではなく、3個以上であれば構わない。凸部212の数が多いほど、シリコンウェハ201のセンターリング精度を向上させることができる。逆に、第一の凸部212の数が少ないほど、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と第一の凸部212の先端部分に堆積した膜との接触領域を小さくすることができる。図14は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の他の一例を示す上面図である。図15は、図14に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ210に形成された凸部213は、シリコンウェハ201の裏面が接触する面と接続する側面からホルダ210中心に向かって延びており、その先端は、上面から見た場合にR状の曲面に形成されている。ここでは、8個の第一の凸部213が均等に配置されている。ホルダ210が回転し、その遠心力からシリコンウェハ201がシリコンウェハ面と平行な方向に移動したとしてもシリコンウェハ201の側面の一部が8個の凸部213のいくつかに接触するだけなので、第一の凸部213を設けずにホルダ210の側面の広い領域で接触する場合に比べ、接触面積を小さくすることができる。さらに、ここでは、第一の凸部213の先端がR状の曲面に形成されているため、シリコンウェハ201の側面と接触する場合でも線接触或いは点接触にすることができる。その結果、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と第一の凸部213の先端部分に堆積した膜とが接触しても、さらに接触領域を小さくすることができるため、シリコンウェハ201のホルダ210への貼り付きをさらに低減することができる。ここでは、8個の凸部213が均等に配置されているが、これに限るものではなく、3個以上であれば構わない点は、第一の凸部212の数の説明と同様なので説明を省略する。図16は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の他の一例を示す上面図である。図17は、図16に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ210に形成された第一の凸部217は、シリコンウェハ201の裏面が接触する面と接続する側面からなだらかな曲線でつながりながらホルダ210中心に向かって続いて延びており、その先端は、上面から見た場合にR状の曲面に形成されている。その他は、図14、図15と同様であるため説明を省略する。図18は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の他の一例を示す上面図である。図19は、図18に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ210に形成された凸部214は、シリコンウェハ201の裏面が接触する面と接続する側面からホルダ210中心に向かって延びており、その先端は、断面を見た場合にR状の曲線に形成されている。言い換えれば、ホルダ210の表面側から裏面側に向けて曲面に形成されている。ここでは、8個の凸部214が均等に配置されている。ホルダ210が回転し、その遠心力からシリコンウェハ201がシリコンウェハ面と平行な方向に移動したとしてもシリコンウェハ201の側面の一部が8個の凸部214のいくつかに接触するだけなので、第一の凸部214を設けずにホルダ210の側面の広い領域で接触する場合に比べ、接触面積を小さくすることができる。さらに、ここでは、第一の凸部214の先端がR状の曲面に形成されているため、シリコンウェハ201の側面と接触する場合でも線接触或いは点接触にすることができる。その結果、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と第一の凸部214の先端部分に堆積した膜とが接触しても、さらに接触領域を小さくすることができるため、シリコンウェハ201のホルダ210への貼り付きをさらに低減することができる。ここでは、8個の凸部214が均等に配置されているが、これに限るものではなく、3個以上であれば構わない点は、凸部212の数の説明と同様なので説明を省略する。図20は、シリコンウェハ外周部と凸部とを示す断面図である。図20に示すように、シリコンウェハ201の側面先端と第一の凸部214の先端とが同じ高さになるように凸部214を形成することが望ましい。例えば、図20における寸法X1は、シリコンウェハ201の厚さの1/2が望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、X1=0.3625mmが望ましい。しかし、これに限るものではなく、X1≒0.3625mmでも構わない。また、寸法X2は、シリコンウェハ101の厚さと同等、或いは若干大きな値とすることが望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、X2=0.725~1.5mmが望ましい。また、寸法R1は、シリコンウェハ101の厚さの1/2と同等、或いは若干大きな値とすることが望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、R1=3625~0.75mmが望ましい。図21は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の他の一例を示す上面図である。図22は、図21に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ210に形成された凸部215は、シリコンウェハ201の裏面が接触する面と接続する側面からホルダ210中心に向かって延びており、その先端は、球状の曲面に形成されている。ここでは、8個の凸部215が均等に配置されている。ホルダ210が回転し、その遠心力からシリコンウェハ201がシリコンウェハ面と平行な方向に移動したとしてもシリコンウェハ201の側面の一部が8個の第一の凸部215のいくつかに接触するだけなので、第一の凸部215を設けずにホルダ210の側面の広い領域で接触する場合に比べ、接触面積を小さくすることができる。さらに、ここでは、凸部215の先端が球状の曲面に形成されているため、シリコンウェハ201の側面と接触する場合でも点接触にすることができる。その結果、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と凸部215の先端部分に堆積した膜とが接触しても、さらに接触領域を小さくすることができるため、シリコンウェハ201のホルダ210への貼り付きをさらに低減することができる。ここでは、8個の凸部215が均等に配置されているが、これに限るものではなく、3個以上であれば構わない点は、凸部212の数の説明と同様なので説明を省略する。図23は、シリコンウェハ外周部と第一の凸部とを示す断面図である。図23に示すように、シリコンウェハ201の側面先端と第一の凸部215の先端とが同じ高さになるように凸部215を形成することが望ましい。例えば、図23における寸法X3は、シリコンウェハ201の厚さの1/2が望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、X3=0.3625mmが望ましい。しかし、これに限るものではなく、X3≒0.3625mmでも構わない。また、寸法X4は、シリコンウェハ201の厚さと同等、或いは若干大きな値とすることが望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、X4=0.725~1.5mmが望ましい。また、寸法R2は、シリコンウェハ201の厚さの1/2と同等、或いは若干大きな値とすることが望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、R2=0.3625~0.75mmが望ましい。これは、実施形態1と同様である。図24は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の他の一例を示す上面図である。図25は、図24に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ210に形成された第一の凸部216は、シリコンウェハ201の裏面が接触する面に球を溶着することで形成される。よって、シリコンウェハ201側面に向かうその先端は、球状の曲面に形成されている。ここでは、8個の凸部216が均等に配置されている。ホルダ210が回転し、その遠心力からシリコンウェハ201がシリコンウェハ面と平行な方向に移動したとしてもシリコンウェハ201の側面の一部が8個の凸部216のいくつかに接触するだけなので、第一の凸部216を設けずにホルダ210の側面の広い領域で接触する場合に比べ、接触面積を小さくすることができる。さらに、ここでは、凸部216の先端が球状の曲面に形成されているため、シリコンウェハ201の側面と接触する場合でも点接触にすることができる。その結果、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と凸部216の先端部分に堆積した膜とが接触しても、さらに接触領域を小さくすることができるため、シリコンウェハ201のホルダ210への貼り付きをさらに低減することができる。ここでは、8個の凸部216が均等に配置されているが、これに限るものではなく、3個以上であれば構わない点は、凸部212の数の説明と同様なので説明を省略する。図26は、シリコンウェハ外周部と凸部とを示す断面図である。図26に示すように、シリコンウェハ201の側面先端と第一の凸部216の先端とが同じ高さになるように凸部216を形成することが望ましい。例えば、図26における寸法Φ1は、シリコンウェハ201の厚さより埋め込む分だけ若干大きな値とすることが望ましい。具体的には、例えば、直径200mmのシリコンウェハの場合、厚さtが0.725mmなので、Φ1=1~1.5mmが望ましい。また、寸法X5は、球体の凸部116の位置決めができる程度に掘り込んでいればよい。具体的には、X5=0.1375~0.6375mmが望ましい。図27は、第一の凸部を形成していないホルダを用いた場合の成膜後の状態を説明するための図である。図28は、本実施の形態における第一の凸部を形成したホルダを用いた場合の成膜後の状態を説明するための図である。図27に示すように、第一の凸部を形成していないホルダを用いた場合、シリコンウェハの側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜402とホルダのザグリ穴の側面に堆積したデポ膜404とが接触し、くっ付いて接着してしまい、シリコンウェハがホルダに貼り付いてしまう。これに対し、図28aに示すように、本実施の形態における凸部を形成したホルダを用いた場合、凸部以外の位置では、シリコンウェハの側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜402とホルダの底面および側面に堆積したデポ膜404とを接触させないようにすることができる。ここで、図28bに示すように、シリコンウェハの中心方向に向かって延びる凸部の中心方向に向かう長さLは、原料ガスによりシリコンウェハ表面に成膜される膜の膜厚の2倍以上の寸法に形成されるようにすることが望ましい。凸部以外の位置において、シリコンウェハの側面から成長してくる膜と前記凸部以外部分のシリコンウェハ側に成長してくる膜との膜厚は同程度となる。よって、前記凸部の中心方向に向かう長さLが成膜される膜の膜厚の2倍以上の寸法に形成されることにより、前記凸部以外の位置において、シリコンウェハの側面から成長してきたシリコンエピタキシャル膜402と前記凸部以外の側面部分からシリコンウェハ側に成長してきたデポ膜404との接触を回避することができる。例えば、シリコンエピタキシャル膜を120μm成膜する場合、寸法Lを240μm以上、すなわち、0.24mm以上とすることが望ましい。図29は、各ホルダ形状におけるシリコンエピタキシャル膜の膜厚とホルダへの貼り付き具合との関係の一例を示す図である。ここでは、シリコン源として、トリクロルシランSiHCl3を水素H2で25に希釈したガスを34Pam3/s20SLM、キャリアガスとして、H2を85Pam3/s50SLMをシャワーヘッド130から供給した。すなわち、ガス全体でのSiHCl3濃度を7.2とした。そして、インヒータ160を1100°C、アウトヒータ150を1098°Cに設定した。また、シリコンウェハの回転数は、500min-1500rpmとした。チャンバ内圧力は、9.3×104Pa700Torrとした。図29に示すように、本実施の形態における第一の凸部を設けずに、凸部を形成していないホルダを用いた場合単なるザグリ穴の場合、シリコンエピタキシャル膜を28μm成膜した場合にはシリコンウェハがホルダに貼り付かなかったが、40μm成膜した場合にはシリコンウェハとホルダとの間に軽微な貼り付きが起こった。一方、本実施の形態における凸部の先端を平面にした凸部シリコンウェハとの接触幅3mmを設けた場合、シリコンエピタキシャル膜を63μm成膜した場合にはシリコンウェハがホルダに貼り付かなかったが、100μm成膜した場合にはシリコンウェハとホルダとの間に軽微な貼り付きが起こった。さらに、本実施の形態における凸部の先端をR状或いは球状にした凸部シリコンウェハとは点接触を設けた場合点接触1、シリコンエピタキシャル膜を70μm成膜した場合にはシリコンウェハがホルダに貼り付かなかったが、90μm成膜した場合にはシリコンウェハとホルダとの間に軽微な貼り付きが起こった。以上のように、本実施の形態における第一の凸部を設けることにより凸部を設けない場合に比べ、許容できる膜厚を厚くすることができる。さらに、凸部を設ける場合でも面接触より点接触にすることにより、許容できる膜厚をより厚くすることができる。さらに、プロセス条件を変更する、言い換えれば、シリコン源となるトリクロルシランSiHCl3の濃度を下げ、シリコンウェハの温度を上げることで、許容できる膜厚をさらに厚くすることができる。具体的には、H2を85Pam3/s50SLM増量し、ガス全体でのSiHCl3濃度を7.2から4.2に下げた。そして、インヒータ160を1200°C、アウトヒータ150を1126°Cに上げた。かかるプロセス条件を変更し、本実施の形態における凸部の先端をR状或いは球状にした凸部シリコンウェハとは点接触を設けた場合点接触2、シリコンエピタキシャル膜を120μm成膜した場合でもシリコンウェハがホルダに貼り付かなかった。実施の形態4.実施の形態3では、第一の凸部を設けて、前記基板の側面部分に成長した膜とホルダ側に堆積した膜との接触領域を小さくしたが、実施の形態2では、効果は劣るが、従来よりは接触領域を小さくしたホルダの形状について説明する。図30は、実施の形態2におけるホルダにシリコンウェハが支持された状態の一例を示す上面図である。図31は、図30に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。ホルダ210には、シリコンウェハ201の径より大きいザグリ穴が形成され、かかるザグリ穴に断面が円形に形成されたリング218を配置する。言い換えれば、ホルダ110は、シリコンウェハ201に対しシリコンウェハ201面と同方向の移動を拘束する面がシリコンウェハ201側に向かって凸のR状に形成されたリング218を備えている。そして、リング218の内側に、シリコンウェハ201を配置する。ホルダ210とリング218は溶着してもよい。かかる構成により、シリコンウェハ201側面に向かうその先端は、球状の曲面に形成されている。よって、ホルダ210が回転し、その遠心力からシリコンウェハ201がシリコンウェハ面と平行な方向に移動してある方向に寄ってしまう場合でも、シリコンウェハ201の側面の一部がリング218の先端部分に線接触で接触させることができる。よって、上述した凸部やリング218を設けずにホルダ210の側面の広い領域で接触する場合に比べ、接触面積を小さくすることができる。その結果、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜とリング218の先端部分に堆積した膜とが接触しても、接触領域が小さいため、シリコンウェハ201のホルダ110への貼り付きを従来にくらべ低減することができる。図32は、ホルダ支持台210にシリコンウェハ201が支持された状態の一例を示す上面図で、第一の凸部212、第2の凸部221が個々に複数設けて一例を示したもである。この例では、第一の凸部が8個、第2の凸部が4個設けて例を示してある。できれば、第一の凸部が8個であれば、第2の凸部も8個の方が望ましく、3個から10個位あれば、充分である。図33は、第2の凸部121の一部を拡大して示した斜視図である。本実施形態の場合の第2の凸部121は、厚さ0.1mm、幅1mmの場合であるが、その大きさは、成長するシリコンエピタキシャル膜にも依存し、また、シリコンウェハ101の大きさにも依存する。さらに、第2の凸部の頂部は、球状でも、細かい凹凸であっても良いが、シリコンウェハ101との接触面積が少ない方が望ましい。このように第2の凸部を設けることにより、基板の裏面における支持台と貼り付きも殆どなくなり、例えばIGBTの絶縁分離用のトレンチ溝を埋め込む30nm程度のエピタキシャル成長が可能で、また、IGBTのn-ベースの厚さである50nm以上のエピタキシャル成長も可能となった。また、パワーMOSにおいて、高耐圧化を図るために、トレンチ溝に、30nm以上のp型の半導体層を埋め込む時のも使用可能である。具体的には、ホルダ210に形成された凸部212は、シリコンウェハ201の裏面が接触する面第2の凸部と接続する側面からホルダ210中心に向かって延びており、その先端は、平面に形成されている。ここでは、8個の凸部212が均等に配置されている。ホルダ210が回転し、その遠心力からシリコンウェハ201がシリコンウェハ面と平行な方向に移動したとしてもシリコンウェハ201の側面の一部が8個の凸部212のいくつかに接触するだけなので、凸部212を設けずにホルダ210の側面の広い領域で接触する場合に比べ、接触面積を小さくすることができる。その結果、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と凸部212の先端部分に堆積した膜とが接触しても接触領域が小さいため、シリコンウェハ201のホルダ210への貼り付きを低減することができる。ここでは、8個の凸部212が均等に配置されているが、これに限るものではなく、3個以上であれば構わない。凸部212の数が多いほど、シリコンウェハ201のセンターリング精度を向上させることができる。逆に、凸部212の数が少ないほど、シリコンウェハ201の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜と凸部212の先端部分に堆積した膜との接触領域を小さくすることができる。さらに、シリコンウェハ201と接触する面に複数本実施形態では4個の第2の凸部221が設けられ、その第2の凸部221の頂面でシリコンウェハ201が支持すされている。このように第1の凸部の他、第2の凸部を設けることにより、シリコンウェハ201の裏面における支持台と貼り付きも殆どなくなり、n-ベースの厚さである60nm以上のエピタキシャル成長も可能となった。なお、当然ながら、IGBTに限らず、パワー半導体で、高耐圧を必要とする、パワーMOSの他、電車などのスイッチング素子として使用される、GTOゲートターンオフサイリスタや一般的なサイリスタSCRの厚いベースのエピタキシャル層形成に適用可能である。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、気相成長装置の一例として、エピタキシャル成長装置について説明したが、これに限るものではなく、試料面に所定の膜を気相成長させるための装置であれば構わない。例えば、ポリシリコン膜を成長させる装置であっても構わない。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、エピタキシャル成長装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての気相成長装置、及び支持部材の形状は、本発明の範囲に包含される。