両電極間に所定電圧を印加して積層間にある発光層で発光する発光素子において、該両電極および該両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜が設けられ、該透明保護膜には透明な光散乱材が混合されている発光素子。前記透明保護膜は、透明溶媒材料に前記透明な光散乱材が混合されて硬化されている請求項1に記載の発光素子。前記透明保護膜は、前記透明溶媒材料および前記透明な光散乱材は共に非導電性材料である請求項2に記載の発光素子。前記透明光散乱材は、前記透明溶媒材料に比べて屈折率の高い透明材である請求項2に記載の発光素子。前記溶媒材料は、SiO2材料またはガラス材料である請求項2または3に記載の発光素子。前記光散乱材は、発光素子製造プロセスのサファイヤ基板の研磨工程で発生するサファイヤ屑である請求項2または3に記載の発光素子。前記光散乱材は、前記透明溶媒材料に比べて屈折率の高いガラス材料である請求項2または3に記載の発光素子。前記透明光散乱材は光を屈折させて光の方向を変えて光を散乱する請求項3に記載の発光素子。前記光散乱材の粒子サイズは、前記透明保護膜の表面から該光散乱材が露出することがないように、膜厚の1/10以上膜厚以下である請求項1に記載の発光素子。前記透明保護膜の膜厚が75nmの場合に、前記光散乱材の粒子サイズは7.5nm~75nmである請求項9に記載の発光素子。基板上に一導電型コンタクト層が形成され、該一導電型コンタクト層上に前記発光層が形成され、該発光層上に他導電型コンタクト層が形成され、該他導電型コンタクト層上に透光性導電膜が形成され、該透光性導電膜の一部表面上に上部電極が形成され、該一導電型コンタクト層の部分的に露出した表面上に下部電極が形成され、前記透明保護膜は、該透光性導電膜から該上部電極、さらに各積層の側面から該一導電型コンタクト層の部分的に露出した表面、さらにその一部表面上の下部電極上にかけて連続的に形成されている請求項1に記載の発光素子。請求項11に記載の発光素子の製造方法において、前記透光性導電膜、前記上部電極、前記下部電極および前記一導電型コンタクト層の露出表面、さらに各積層のエッチング除去側面に前記透明保護膜を形成する保護層形成工程を有する発光素子の製造方法。前記保護層形成工程は、前記光散乱材を、液状化した透明溶媒材料に混合して撹拌した後に、ウエハの中央部上にノズルから所定量だけ吐出し、テーブルと共にこれに搭載した該ウエハを回転させて該光散乱材が混合された透明保護膜を該ウエハ上に塗布する請求項12に記載の発光素子の製造方法。前記保護層形成工程において、前記透明保護膜の塗布後に、アニール処理により前記透明保護膜は前記ウエハ上で焼結して硬化する請求項13に記載の発光素子の製造方法。上記従来のGaN系LED200のデバイス表面には透明保護膜208が形成されているが、透明保護膜208は外部要因による傷および破損や耐湿度性などから内部を保護する目的で要求性能に伴った一定の膜厚が必要となる。このため、透明保護膜208の保護用の膜厚と、光の減衰を抑えるため、発光層からの光の波長のピーク値にマッチングした膜厚との両方を満足させることは困難であった。よって、発光層からの光の波長の影響により透明保護膜208の厚みに起因して光出力が低下することから、透明保護膜208の膜厚の管理を行う必要があった。図8に示すように、活性層203で発光した光が、デバイス表面を保護する透明保護膜208の膜厚によっては光出力を減衰させていた。しかも、電極材料の影響により光が遮蔽されてその部分が影となって均一な面発光ができずに光出力が低下していた。また、図9に示すように、従来のGaN系LED300においても、上記従来のGaN系LED200の場合と同様であり、基板301上で、n型GaN系半導体層302とp型GaN系半導体層304間の活性層303からの光は、p型GaN系半導体層304から透光性導電膜305を通して透明保護膜308から光出力されるが、透明保護膜308の膜厚によってはその光出力を減衰させてしまう。また同様に、電極材料の影響により光が遮蔽されて影となって均一な面発光ができずに光出力が低下していた。本発明は、上記従来の問題を解決するもので、透明保護膜の膜厚に左右されずに発光層からの光の、透明保護膜の膜厚による減衰を抑制または防止して、電極やパッドといった光を遮蔽させるパターンの影響をも最小化することができて、光出力の向上とより均一な面発光を実現することができる発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の発光素子は、両電極間に所定電圧を印加して積層間にある発光層で発光する発光素子において、該両電極および該両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜が設けられ、該透明保護膜には透明な光散乱材が混合されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の発光素子における透明保護膜は、透明溶媒材料に前記透明な光散乱材が混合されて硬化されている。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における透明保護膜は、前記透明溶媒材料および前記透明な光散乱材は共に非導電性材料である。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における透明光散乱材は、前記透明溶媒材料に比べて屈折率の高い透明材である。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における溶媒材料は、SiO2材料またはガラス材料である。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における光散乱材は、発光素子製造プロセスのサファイヤ基板の研磨工程で発生するサファイヤ屑である。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における光散乱材は、前記透明溶媒材料に比べて屈折率の高いガラス材料である。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における透明光散乱材は光を屈折させて光の方向を変えて光を散乱する。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における光散乱材の粒子サイズは、前記透明保護膜の表面から該光散乱材が露出することがないように、膜厚の1/10以上膜厚以下である。さらに、好ましくは、本発明の発光素子における透明保護膜の膜厚が75nmの場合に、前記光散乱材の粒子サイズは7.5nm~75nmである。さらに、好ましくは、本発明の発光素子において、基板上に一導電型コンタクト層が形成され、該一導電型コンタクト層上に前記発光層が形成され、該発光層上に他導電型コンタクト層が形成され、該他導電型コンタクト層上に透光性導電膜が形成され、該透光性導電膜の一部表面上に上部電極が形成され、該一導電型コンタクト層の部分的に露出した表面上に下部電極が形成され、前記透明保護膜は、該透光性導電膜から該上部電極、さらに各積層の側面から該一導電型コンタクト層の部分的に露出した表面、さらにその一部表面上の下部電極上にかけて連続的に形成されている。本発明の発光素子の製造方法は、透光性導電膜、前記上部電極、前記下部電極および前記一導電型コンタクト層の露出表面、さらに各積層のエッチング除去側面に前記透明保護膜を形成する保護層形成工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の発光素子の製造方法における保護層形成工程は、前記光散乱材を、液状化した透明溶媒材料に混合して撹拌した後に、ウエハの中央部上にノズルから所定量だけ吐出し、テーブルと共にこれに搭載した該ウエハを回転させて該光散乱材が混合された透明保護膜を該ウエハ上に塗布する。さらに、好ましくは、本発明の発光素子の製造方法における保護層形成工程において、前記透明保護膜の塗布後に、アニール処理により前記透明保護膜は前記ウエハ上で焼結して硬化する。上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。本発明においては、両電極間に所定電圧を印加して積層間にある発光層で発光する発光素子において、両電極および両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜が設けられ、透明保護膜には透明な光散乱材が混合されている。これによって、透明保護膜の膜厚が薄くても、透明保護膜の膜厚に左右されずに発光層からの光の、透明保護膜の膜厚による減衰を抑制または防止して、電極やパッドといった光を遮蔽させるパターンの影響をも最小化することができて、光出力の向上とより均一な面発光を実現することが可能となる。以上により、本発明によれば、透明保護膜の膜厚が薄くても、透明保護膜の膜厚に左右されずに発光層からの光の、透明保護膜の膜厚による減衰を抑制または防止して、電極やパッドといった光を遮蔽させるパターンの影響をも最小化することができて、光出力の向上とより均一な面発光を実現することができる。以下に、本発明の発光素子の実施形態としてGaN系LEDに適用した場合を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。実施形態1図1は、本発明の実施形態1におけるGaN系LEDの要部構成例を模式的に示す縦断面図である。図1において、本実施形態1の発光素子としてのGaN系LED1は、サファイア基板2上にn型コンタクト層であるn型GaN系半導体層3が形成され、n型GaN系半導体層3上に単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の発光層である活性層4が形成され、活性層4上にp型コンタクト層であるp型GaN系半導体層5が形成され、p型GaN系半導体層5上にITO膜である透光性導電膜6が形成され、透光性導電膜6上に上部電極であるp型パッド電極7が形成され、n型GaN系半導体層3の部分的に露出した表面上には、下部電極であるn型パッド電極8が形成されて、p型パッド電極7およびn型パッド電極8の両電極間に所定電圧を印加して積層間にある活性層4で発光する。透明保護膜9は、以上の透光性導電膜6からp型パッド電極7、さらに各積層の側面からn型GaN系半導体層3の部分的に露出した表面、さらにその上のn型パッド電極8上にかけて連続的に形成されている。このように、両電極およびこの両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜9が設けられ、この透明保護膜9には発光を光散光光散乱材が混合されている。ここで、本実施形態1の発光素子の特徴構成としての透明保護膜9についてさらに詳細に説明する。透明保護膜9は多数の光散乱材9aが混合されている。光散乱材9aの形状は球状ではなく不定形であることが望ましい。光散乱材9aは、図2に示すように光散乱材9aに入射した光はマイクロレンズのように光散乱材9aの界面で屈折して方向を変えて光を散乱させる。光散乱材9aの粒子サイズは、透明保護膜9の表面から光散乱材9aが露出することがないように、膜厚の1/10以上膜厚以下であることが望ましく、透明保護膜9の膜厚が例えば75nmの場合には、光散乱材9aの粒子サイズは7.5nm~75nmとなる。光散乱材9aの粒子サイズが、透明保護膜9の膜厚よりも大きくて表面から露出する場合には、温度差によって透明保護膜9にひび割れが生じる虞もある。一方、光散乱材9aの粒子サイズが透明保護膜9の膜厚の1/10よりも小さい場合には乱反射の効果が少なくなる。また、光散乱材9aの材質は、光出力の関係から光遮蔽材であってはならず、光透過性材料である。光散乱材9aは、発光素子製造プロセスのサファイヤ基板の研磨工程で発生するサファイヤ屑であってもよい。このサファイヤ屑は、光透過性材料で高屈折率であり硬くて重いので、底に沈む傾向があることから、比重によって研磨材と容易に選別することができる。透明保護膜9はその透明溶媒材料SOGまたはSiO2材料も透明な光散乱材9a例えばサファイヤ屑も、p型パッド電極7とn型パッド電極8がショートしないように非導電性材料である必要がある。ここでは、その溶媒材料としてSiO2材料などのガラス材を用いる。サファイヤ屑の他に、透明で屈折率の高いガラス材を用いてもよい。次に、本実施形態1の発光素子としてのGaN系LED1を製造する発光素子の製造方法について説明する。本実施形態1の発光素子の製造方法は、ステップS1でサファイヤ基板2を所定位置に受け入れるサファイヤ基板2の基板受け入れ工程と、ステップS2でサファイヤ基板2の表面に凹凸を形成するサファイヤ表面凹凸加工工程と、ステップS3でMOCVD法により結晶膜をエピタキシャル成長させて、サファイヤ基板2の表面凹凸加工面上に、n型コンタクト層であるn型GaN系半導体層3、多重量子井戸構造の発光層である活性層4およびp型コンタクト層であるp型GaN系半導体層5をこの順に順次形成するMOCVD工程と、ステップS4でp型GaN系半導体層5上に透光性薄膜ITOに対応する透光性導電膜6を形成する透明性導電膜形成工程と、ステップS5で、基板端部をn型GaN系半導体層3の途中までエッチング除去してn型GaN系半導体層3の端部を露出させ、n型GaN系半導体層3の端部表面上に下部電極であるn型パッド電極8を形成すると共に、透光性導電膜6の一部表面上に上部電極であるp型パッド電極7を形成するn電極およびp電極形成工程と、ステップS6で、透光性導電膜6、p型パッド電極7、n型パッド電極8およびn型GaN系半導体層3の露出表面、さらに各積層のエッチング除去側面に耐湿用などの透明保護膜9を形成する保護層形成工程と、ステップS7で、p型パッド電極7およびn型パッド電極8の直上の透明保護膜9をそれぞれ開口する電極開口部形成工程とを有している。ここで、この透明保護膜9を積層上に形成する保護層形成工程を図2を用いて詳細に説明する。図3は、図1の発光素子としてのGaN系LED1の保護層形成工程を説明するための模式図である。図3に示すように、この透明保護膜9を積層上に形成する保護層形成工程において、透明保護膜9は、所定粘度で液状化した透明溶媒材料9Aとしての透明なコート材例えばSOGスピンオングラス膜であるSiO2膜、この他にPIQ膜などであり、パウダ状のサファイヤ屑などの光散乱材9aを、液状化した透明溶媒材料9Aのコート材に混合して十分に撹拌した後に、ウエハ10の中央部上にノズル11から所定量だけ吐出し、ウエハ10を図示しないテーブルと共に回転させて、多数の光散乱材9aが混合された透明保護膜9を塗布する。ウエハ10は、透光性導電膜6上にp型パッド電極7を形成し、n型GaN系半導体層3の部分的に露出した表面上にn型パッド電極8を形成している。透明保護膜9の塗布は、ウエハ10をその下のステージと共に高速回転させるスピンコートにより、ウエハ10の中央部に塗布された透明保護膜9としてある程度粘度がある液体化材料をその遠心力で外側に均一に塗布することができる。このようにして、多数の光散乱材9aが混合された透明保護膜9をウエハ10上に均一な薄膜として塗布することができる。保護層形成工程において、透明保護膜9の塗布後に、次の高温アニール処理例えば摂氏300度により、透明保護膜9はウエハ10上で焼結して硬化する。このようにして、透明保護膜9中に透明な光散乱材9aの粒子を形成する。このとき、酸化膜は一般的なCVD法で形成する必要はない。液状化した溶剤の形態を持ち、更にマイクロレンズの役目を果たす光散乱材9aサファイア屑等が混合されている。これにより、熱処理などにより保護膜マイクロレンズが形成される。以上により、本実施形態1によれば、両電極間に所定電圧を印加して積層間にある活性層4である発光層で発光する発光素子としてのGaN系LED1において、両電極および両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜9が設けられ、この透明保護膜9には透明な光散乱材9aが混合されている。一方、透明保護膜9は外部要因による傷および破損や耐湿度性などから内部を保護する目的で要求性能に伴った一定の膜厚が必要になる。また、この透明保護膜9の膜厚とは別に、出射光の減衰を抑えるために、活性層4である発光層からの光の波長のピーク値にマッチングした膜厚を満足させる必要がある。このため、透明保護膜9中に形成された光散乱材9aにより光が散乱することから、透明保護膜9中の光の経路が稼げるため、傷および破損や耐湿度性など内部保護機能が満足すれば、透明保護膜9の膜厚を薄くすることができる。透明保護膜9の膜厚を薄くしても、光出力が透明保護膜9の厚みに影響されないため、デバイス表面を保護する透明保護膜9の目的と共に、光の出射を面に均等にコントロールして光出力を向上させることができる。また、発光した光が透明保護膜9中の光散乱材9aで散乱して、図4に示すように、従来では電極で光遮蔽されていた領域にも、透明保護膜9を介して電極の上側まで配光することにより、光遮蔽物であった電極上にも光を出力することができて電極領域が暗くなるという弊害も解消して発光面の均一性を向上させて発光量を向上させることができる。なお、本実施形態1では、p型パッド電極7およびn型パッド電極8の上方の透明保護膜9を開口したが、これに限らず、図5に示すようにp型パッド電極17およびn型パッド電極18の上方の透明保護膜19を開口しない場合にあっても、上記した場合と同様に、従来では電極で光遮蔽されていた領域にも、透明保護膜19を介して電極の上側まで配光することにより、光遮蔽物であった電極上にも光を出力することができて電極領域が暗くなるという弊害も完全に解消して発光面の均一性を向上させて発光量を向上させることができる。なお、本実施形態1では、発光素子としてGaN系LED1を一例に説明したが、これに限らず、他の発光ダイオードLEDであってもよいし、レーザダイオードLDおよびフォトカプラなどの発光素子であってもよい。以上のように、本発明の好ましい実施形態1を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。