"半絶縁性のGaAsからなる基板と、前記基板の表面に結合しており炭素原子を含む物質と、を備え、前記物質は、炭化水素を含む、HEMTエピタキシャル成長用半絶縁性GaAs基板。前記炭化水素は、芳香族炭化水素である、請求項1に記載のHEMTエピタキシャル成長用半絶縁性GaAs基板。半絶縁性のGaAsからなる基板と、前記基板の表面に結合しており炭素原子を含む物質と、を備え、前記物質は、脂肪酸又は脂肪酸誘導体を含む、HEMTエピタキシャル成長用半絶縁性GaAs基板。請求項1~3のいずれか一項に記載の半絶縁性GaAs基板と、前記半絶縁性のGaAs基板おける前記基板の前記表面上に設けられたIII-V族化合物半導体層と、を備える、HEMTエピタキシャル基板。しかしながら、特許文献1に記載された方法では、清浄に研磨洗浄されたウェハであっても、研磨洗浄後にクリーン室の雰囲気に晒されることによって汚染される可能性がある。例えば、汚染により、ウェハの表面に不純物が堆積してしまうことが考えられる。さらに、クリーン室の雰囲気等の空気中にはSOx、NOx等の無機物質とアルコール等の有機物とが不純物として含まれている。かかる不純物がウェハ表面に付着すると、不純物の種類、不純物の付着量等によってはウェハ表面の電気的特性が変化してしまう可能性がある。このようなウェハ表面上にエピタキシャル膜を形成すると、当該エピタキシャル膜の電気的特性に異常を来たすおそれがある。また、特許文献2に記載された方法では、硫黄の蒸気圧が高いため、例えばウェハ上にエピタキシャル膜を形成する時にウェハを加熱することによって、ウェハ表面に残存した硫黄が蒸発してしまう。その結果、ウェハ表面の硫黄濃度が低くなるので、ウェハ表面の安定化の効果は低下してしまう。そこで本発明は、表面において所望の電気的特性を有する化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法を提供することを目的とする。上述の課題を解決するため、本発明の化合物半導体基板は、p型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しておりp型の不純物原子を含む物質とを備える。本発明の化合物半導体基板では、p型の不純物原子を含む物質が基板の表面に結合しているため、例えば雰囲気中に存在するn型の不純物が基板の表面に付着しても、基板の表面において電気的特性が殆ど変動しない。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。また、前記物質は、前記不純物原子として亜鉛を含むことが好ましい。さらに、前記物質は、前記不純物原子としてマグネシウムを含むことが好ましい。また、本発明の化合物半導体基板は、n型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており、n型の不純物原子としてシリコンを含む物質とを備える。さらに、本発明の化合物半導体基板は、n型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており、n型の不純物原子としてスズを含む物質とを備える。本発明の化合物半導体基板では、n型の不純物原子としてシリコン又はスズを含む物質が基板の表面に結合している。このため、例えば雰囲気中に存在するp型の不純物が基板の表面に付着しても、基板の表面において電気的特性は殆ど変動しない。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。本発明の化合物半導体基板は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており炭素原子を含む物質とを備える。また、前記物質は、炭化水素を含むことが好ましい。前記炭化水素は、芳香族炭化水素であることが好ましい。さらに、前記物質は、脂肪酸又は脂肪酸誘導体を含むことが好ましい。また、本発明の化合物半導体基板は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており鉄原子を含む物質とを備える。さらに、本発明の化合物半導体基板は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しておりクロム原子を含む物質とを備える。本発明の化合物半導体基板では、炭素原子、鉄原子又はクロム原子を含む物質が基板の表面に結合しているため、例えば雰囲気中に存在するp型又はn型の不純物が基板の表面に付着しても、基板の表面において電気的特性が殆ど変動しない。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。具体的には、本発明の化合物半導体基板では、高抵抗の表面が得られる。特に、鉄原子又はクロム原子を含む物質は基板の表面と強固に結合するため、所望の電気的特性に制御し易い。本発明の化合物半導体基板は、第1導電型の化合物半導体からなる基板と、前記基板の表面に結合しており、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物原子を含む物質とを備える。本発明の化合物半導体基板では、第2導電型の不純物原子を含む物質が基板の表面に結合しているため、例えば基板の表面上に第2導電型のエピタキシャル層を形成すると、基板とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いpn界面が得られる。したがって、本発明の化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。また、前記表面における前記物質の濃度が5×1011個/cm2以上5×1015個/cm2以下であることが好ましい。表面における物質の濃度が上述の範囲内であると、表面において所望の電気的特性を容易に得ることができる。また、前記基板がGaAs、InP、GaN又はAlNからなることが好ましい。本発明のエピタキシャル基板は、上述した本発明の化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板における前記基板の前記表面上に設けられたIII-V族化合物半導体層とを備える。本発明のエピタキシャル基板では、基板の表面において所望の電気的特性が得られることから、基板とIII-V族化合物半導体層との界面においても所望の電気的特性が得られる。本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられたp型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しておりp型の不純物原子を含む物質とを備える。本発明のエピタキシャル基板では、p型の不純物原子を含む物質が化合物半導体層の表面に結合しているため、例えば雰囲気中に存在するn型の不純物が化合物半導体層の表面に付着しても、化合物半導体層の表面において電気的特性が殆ど変動しない。したがって、本発明のエピタキシャル基板は、表面において所望の電気的特性を有する。また、前記物質は、前記不純物原子として亜鉛を含むことが好ましい。さらに、前記物質は、前記不純物原子としてマグネシウムを含むことが好ましい。本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられたn型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しており、n型の不純物原子としてシリコンを含む物質とを備える。また、本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられたn型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しており、n型の不純物原子としてスズを含む物質とを備える。本発明のエピタキシャル基板では、n型の不純物原子としてシリコン又はスズを含む物質が化合物半導体層の表面に結合している。このため、例えば雰囲気中に存在するp型の不純物が化合物半導体層の表面に付着しても、化合物半導体層の表面において電気的特性は殆ど変動しない。したがって、本発明のエピタキシャル基板は、表面において所望の電気的特性を有する。本発明のエピタキシャル基板は、支持基板上に設けられた第1導電型の化合物半導体層と、前記化合物半導体層の表面に結合しており、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物原子を含む物質とを備える。本発明のエピタキシャル基板では、第2導電型の不純物原子を含む物質が化合物半導体層の表面に結合しているため、例えば化合物半導体層の表面上に第2導電型のエピタキシャル層を形成すると、化合物半導体層とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いpn界面が得られる。したがって、本発明のエピタキシャル基板は、表面において所望の電気的特性を有する。また、前記化合物半導体層は、III-V化合物半導体からなることが好ましい。また、前記表面における前記物質の濃度が5×1011個/cm2以上5×1015個/cm2以下であることが好ましい。表面における物質の濃度が上述の範囲内であると、表面において所望の電気的特性を容易に得ることができる。本発明の化合物半導体基板の製造方法は、化合物半導体からなる基板の表面を研磨した後に洗浄を施す工程と、前記洗浄が施された基板の表面を、炭素原子を含む物質で処理する工程とを含む。本発明の化合物半導体基板の製造方法によれば、洗浄が施された基板の表面に炭素原子を含む物質が付着する。この物質により、得られる化合物半導体基板は、表面において所望の電気的特性を有する。また、基板の表面を研磨した後に洗浄を施すので、所望の電気的特性を得やすい。また、本発明の化合物半導体基板の製造方法では、不純物原子を含む化合物半導体からなる基板の表面を、前記化合物半導体のエッチング速度が前記不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いてウェットエッチングする。本発明の化合物半導体基板の製造方法によれば、ウェットエッチングにより基板の表面に不純物原子を含む物質が残存する。この物質により、得られる化合物半導体基板は表面において所望の電気的特性を有する。また、本発明のエピタキシャル基板の製造方法では、支持基板上に設けられ不純物原子を含む化合物半導体からなる化合物半導体層の表面を、前記化合物半導体のエッチング速度が前記不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いてウェットエッチングする。本発明のエピタキシャル基板の製造方法によれば、ウェットエッチングにより化合物半導体層の表面に不純物原子を含む物質が残存する。この物質により、得られるエピタキシャル基板は表面において所望の電気的特性を有する。本発明によれば、表面において所望の電気的特性を有する化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法が提供される。以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。図1aは、実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図1aに示される化合物半導体基板10は、p型の化合物半導体からなる基板12と、基板12の表面12aに結合しておりp型の不純物原子を含む物質14とを備える。化合物半導体基板10では、例えば雰囲気中に存在するn型の不純物が基板12の表面12aに付着しても、基板12の表面12aにおいて電気的特性が殆ど変動しない。したがって、化合物半導体基板10は、表面12aにおいて所望の電気的特性を有する。物質14は、不純物原子として亜鉛Zn又はマグネシウムMgを含むことが好ましい。また、物質14は、例えば亜鉛化合物又はマグネシウム化合物であってもよい。例えばZnを含む物質14を得るためには、アミン、KOH又はNaOHが含まれた水溶液場合によっては過酸化水素水等の酸化剤を含む、アンモニア水をZnがドープされた基板12の表面に接触させることが好ましい。また、例えばZnを含む物質14を得るためには、硝酸亜鉛水溶液、塩化亜鉛水溶液、塩化アンモニウム亜鉛水溶液、有機酸と亜鉛との化合物の水溶液例えば蓚酸亜鉛等、ジメチル亜鉛、脂肪酸と亜鉛との化合物の水溶液例えばラウリン酸亜鉛等を基板12の表面に接触させてもよい。また、例えば、Mgを含む物質14を得るためには、水酸化炭酸マグネシウム水溶液、硝酸マグネシウム、有機酸とマグネシウムとの化合物の水溶液例えば安息香酸マグネシウム等を基板12の表面に接触させることが好ましい。図1bは、別の実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図1bに示される化合物半導体基板20は、n型の化合物半導体からなる基板22と、基板22の表面22aに結合した物質24とを備える。物質24は、n型の不純物原子としてシリコンSi又はスズSnを含む。物質24は、Si又はSnに代えて、テルルTeを含んでもよい。また、物質24は、例えばシリコン化合物又はスズ化合物であってもよい。化合物半導体基板20では、例えば雰囲気中に存在するp型の不純物が基板22の表面22aに付着しても、基板22の表面22aにおいて電気的特性が殆ど変動しない。ここで、同一温度において、Si及びSnの蒸気圧は、いずれも硫黄Sの蒸気圧よりも低い。物質24はSではなくSi又はSnを含むので、例えばエピタキシャル成長の際に化合物半導体基板20を加熱しても物質24が蒸発し難い。したがって、化合物半導体基板20は、表面22aにおいて所望の電気的特性を有する。また、物質24に起因してエピタキシャル炉を汚染することも抑制できる。例えば、Siを含む物質24を得るためには、基板22の表面22aをシリコン化合物ガス、ヘキサフルオロケイ酸水溶液、ケイ酸ナトリウム水溶液に晒すことが好ましい。また、例えばSnを含む物質24を得るためには、基板22の表面22aを塩化スズ水溶液、有機酸とスズとの化合物の水溶液例えば蓚酸スズ、酢酸スズ等に接触させることが好ましい。図1cは、別の実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図1cに示される化合物半導体基板30は、半絶縁性の化合物半導体からなる基板32と、基板32の表面32aに結合した物質34とを備える。物質34は、炭素原子C、鉄原子Fe又はクロム原子Crを含む。物質34は、例えば芳香族炭化水素等の炭化水素を含むことが好ましい。また、物質34は、脂肪酸又は脂肪酸誘導体を含んでもよい。例えばCを含む物質34を得るためには、芳香族炭化水素化合物が添加された超純水を基板32の表面32aに接触させることが好ましい。また、例えば脂肪酸エステル等の脂肪酸誘導体を基板32の表面32aに接触させてもよい。また、例えばFeを含む物質34を得るためには、燐酸第2鉄水溶液、水酸化第2鉄水溶液、有機酸と鉄との化合物の水溶液例えば蓚酸鉄、クエン酸鉄等を基板32の表面32aに接触させることが好ましい。また、例えばCrを含む物質34を得るためには、塩化クロム水溶液、クロム酸塩の水溶液例えばクロム酸アンモニウム等、硝酸クロム水溶液、有機酸のクロム化合物水溶液例えば酢酸クロム等を基板32の表面32aに接触させることが好ましい。化合物半導体基板30では、例えば雰囲気中に存在するp型又はn型の不純物が基板32の表面32aに付着しても、基板32の表面32aにおいて電気的特性が殆ど変動しない。したがって、化合物半導体基板30は、表面32aにおいて所望の電気的特性を有する。具体的には、化合物半導体基板30では、高抵抗の表面32aが得られる。図1dは、別の実施形態に係る化合物半導体基板を模式的に示す断面図である。図1dに示される化合物半導体基板40は、第1導電型の化合物半導体からなる基板42と、基板42の表面42aに結合しており、第1導電型とは異なる第2導電型の不純物原子を含む物質44とを備える。一実施例において、基板42はn型のGaN基板であり、物質44はMgを含む物質である。化合物半導体基板40では、例えば基板42の表面42a上に第2導電型のエピタキシャル層を形成すると、基板42とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いpn界面が得られる。したがって、化合物半導体基板40は、表面42aにおいて所望の電気的特性を有するといえる。化合物半導体基板10,20,30,40では、表面12a,22a,32a,42aにおける物質14,24,34,44の濃度が、それぞれ5×1011個/cm2以上5×1015個/cm2以下であることが好ましい。表面12a,22a,32a,42aにおける物質14,24,34,44の濃度がそれぞれ上述の範囲内であると、表面12a,22a,32a,42aにおいて所望の電気的特性をそれぞれ容易に得ることができる。物質14の濃度は、例えば全反射蛍光X線法TREX又はTXRFを用いて測定される。物質14,24,34,44の濃度が5×1011個/cm2以上であると、例えば、雰囲気中の不純物の影響を受け難くなる。一方、物質14,24,34,44の濃度が5×1015個/cm2以下であると、例えば、物質14,24,34,44が表面12a,22a,32a,42aの電気的特性に与える影響を抑制できると共に、エピタキシャル炉を汚染する可能性を低減することができる。また、基板12,22,32,42は、GaAs、InP、GaN又はAlNからなることが好ましい。基板12,22,32,42はバルク基板である。また、基板12,22,42は、5×1014個/cm3以上のp型又はn型の不純物を含むことが好ましい。図2aは、実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図2aに示されるエピタキシャル基板10eは、化合物半導体基板10と、化合物半導体基板10における基板12の表面12a上に設けられたIII-V族化合物半導体層50とを備える。図2bは、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図2bに示されるエピタキシャル基板20eは、化合物半導体基板20と、化合物半導体基板20における基板22の表面22a上に設けられたIII-V族化合物半導体層50とを備える。図2cは、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図2cに示されるエピタキシャル基板30eは、化合物半導体基板30と、化合物半導体基板30における基板32の表面32a上に設けられたIII-V族化合物半導体層50とを備える。図2dは、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図2dに示されるエピタキシャル基板40eは、化合物半導体基板40と、化合物半導体基板40における基板42の表面42a上に設けられたIII-V族化合物半導体層50とを備える。上述のエピタキシャル基板10e,20e,30e,40eでは、基板12,22,32,42の表面12a,22a,32a,42aにおいて所望の電気的特性がそれぞれ得られることから、基板12,22,32,42とIII-V族化合物半導体層50との界面においても所望の電気的特性がそれぞれ得られる。特に、エピタキシャル基板30eでは、化合物半導体基板30とIII-V族化合物半導体層50との間に高抵抗の界面が形成される。よって、エピタキシャル基板30eを用いてHEMT等の化合物半導体デバイスを作製すると、当該化合物半導体デバイスのリーク電流は大幅に低下する。III-V族化合物半導体層50は、III族元素としてガリウムGa、インジウムIn及びアルミニウムAlのうち少なくとも1つを含み、V族元素としてヒ素As、リンP及び窒素Nのうち少なくとも1つを含むことが好ましい。図3aは、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図3aに示されるエピタキシャル基板60は、支持基板66上に設けられたp型の化合物半導体層62と、化合物半導体層62の表面62aに結合しておりp型の不純物原子を含む物質64とを備える。物質64としては、物質14と同様のものが挙げられる。エピタキシャル基板60では、例えば雰囲気中に存在するn型の不純物が化合物半導体層62の表面62aに付着しても、化合物半導体層62の表面62aにおいて電気的特性が殆ど変動しない。したがって、エピタキシャル基板60は、表面62aにおいて所望の電気的特性を有する。図3bは、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図3bに示されるエピタキシャル基板70は、支持基板76上に設けられたn型の化合物半導体層72と、化合物半導体層72の表面72aに結合した物質74とを備える。物質74としては、物質24と同様のものが挙げられる。エピタキシャル基板70では、例えば雰囲気中に存在するp型の不純物が化合物半導体層72の表面72aに付着しても、化合物半導体層72の表面72aにおいて電気的特性は殆ど変動しない。また、物質74はSではなくSi又はSnを含むので、例えばエピタキシャル成長の際にエピタキシャル基板70を加熱しても物質74が蒸発し難い。したがって、エピタキシャル基板70は、表面72aにおいて所望の電気的特性を有する。図3cは、別の実施形態に係るエピタキシャル基板を模式的に示す断面図である。図3cに示されるエピタキシャル基板80は、支持基板86上に設けられた第1導電型の化合物半導体層82と、化合物半導体層82の表面82aに結合しており、第1導電型とは異なる第2導電型の不純物原子を含む物質84とを備える。物質84としては、物質44と同様のものが挙げられる。エピタキシャル基板80では、例えば化合物半導体層82の表面82a上に第2導電型のエピタキシャル層を形成すると、化合物半導体層82とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いpn界面が得られる。したがって、エピタキシャル基板80は、表面82aにおいて所望の電気的特性を有する。また、化合物半導体層62,72,82は、III-V族化合物半導体からなることが好ましい。さらに、エピタキシャル基板60,70,80では、表面62a,72a,82aにおける物質64,74,84の濃度が、それぞれ5×1011個/cm2以上5×1015個/cm2以下であることが好ましい。表面62a,72a,82aにおける物質64,74,84の濃度が上述の範囲内であると、表面62a,72a,82aにおいて所望の電気的特性を容易に得ることができる。図4は、実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法は、研磨洗浄工程S1と、研磨洗浄工程S1の後に実施される表面処理工程S2とを含む。表面処理工程S2の後に、エピタキシャル工程S3を実施してもよい。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法によれば、図1cに示される化合物半導体基板30及び図2cに示されるエピタキシャル基板30eを好適に製造することができる。以下、化合物半導体基板30及びエピタキシャル基板30eの製造方法について説明する。研磨洗浄工程S1では、化合物半導体からなる基板の表面を研磨した後に洗浄を施す。洗浄は、酸又はアルカリを用いて行うことが好ましい。表面処理工程S2では、洗浄が施された基板の表面を、炭素原子を含む物質で処理する。これにより、洗浄が施された基板32の表面32aに炭素原子を含む物質34が付着する。その結果、化合物半導体基板30が得られる。炭素原子を含む物質としては、例えば、芳香族炭化水素化合物等の炭化水素化合物、脂肪酸、脂肪酸エステル等の脂肪酸誘導体等が挙げられる。エピタキシャル工程S3では、図2cに示されるように、化合物半導体基板30における基板32の表面32a上にIII-V族化合物半導体層50を形成する。図5は、別の実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法は、ウェットエッチング工程S11を含む。ウェットエッチング工程S11の後に、エピタキシャル工程S12を実施してもよい。本実施形態に係る化合物半導体基板の製造方法によれば、図1a及び図1cに示される化合物半導体基板10,20を好適に製造することができる。以下、一例として、化合物半導体基板10の製造方法について説明する。なお、化合物半導体基板20についても化合物半導体基板10と同様に製造することができる。ウェットエッチング工程S11では、不純物原子を含む化合物半導体からなる基板の表面を、エッチング液を用いてウェットエッチングする。エッチング液としては、化合物半導体のエッチング速度が不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いる。これにより、基板の表面に不純物原子を含む物質14が残存する。よって、化合物半導体基板10が得られる。例えばZnを含む物質14を得るためには、Znを含む化合物半導体からなる基板の表面を、アンモニア水を用いてウェットエッチングすることが好ましい。エピタキシャル工程S12では、化合物半導体基板10における基板12の表面12a上にIII-V族化合物半導体層50を形成する。同様に、実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法は、ウェットエッチング工程S11を含む。ウェットエッチング工程S11の後に、エピタキシャル工程S12を実施してもよい。本実施形態に係るエピタキシャル基板の製造方法によれば、図3a及び図3bに示されるエピタキシャル基板60,70を好適に製造することができる。以下、一例として、エピタキシャル基板60の製造方法について説明する。なお、エピタキシャル基板70についてもエピタキシャル基板60と同様に製造することができる。ウェットエッチング工程S11では、支持基板66上に設けられ不純物原子を含む化合物半導体からなる化合物半導体層の表面を、エッチング液を用いてウェットエッチングする。エッチング液としては、化合物半導体のエッチング速度が不純物原子のエッチング速度よりも大きくなるエッチング液を用いる。これにより、化合物半導体層62の表面62aに不純物原子を含む物質64が残存する。その結果、エピタキシャル基板60が得られる。例えばZnを含む物質64を得るためには、Znを含む化合物半導体からなる化合物半導体層の表面を、アンモニア水を用いてウェットエッチングすることが好ましい。エピタキシャル工程S12では、エピタキシャル基板60における化合物半導体層62の表面62a上にIII-V族化合物半導体層を形成する。これにより、化合物半導体層62とIII-V族化合物半導体層との間において高抵抗の界面が形成される。以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1Znがドープされたp型のGaAsからなるウェハの一方の面表面を塩素系研磨剤で研磨した。これにより、ウェハの表面を鏡面に仕上げた。このウェハの表面を、アンモニア水及び過酸化水素を含むエッチング液でウェットエッチングした。ここで、Znはアンモニア水に溶解し難いので、ウェハの表面に残留し易い。これにより、表面にZnを含む物質が結合した実施例1の化合物半導体基板を得た。実施例1の化合物半導体基板の表面におけるZn濃度は、通常の化合物半導体基板の表面におけるZn濃度に比べて1桁上昇しており、5×1011atoms/cm2であった。なお、単位[atoms/cm2]は[個/cm2]と同じ単位を示す。Zn濃度は、全反射蛍光X線分析装置株テクノス製TREX610を用いて測定された。続いて、得られた実施例1の化合物半導体基板の表面上にn型のエピタキシャル層を形成したところ、化合物半導体基板とエピタキシャル層との間において、空乏層の薄いpn界面を容易に形成することができた。実施例2濃度5×1018atoms/cm3のSiがドープされたn型のGaAsからなるウェハの一方の面表面を研磨後、洗浄した。その後、ウェハをシリコン化合物ガス中に放置した。これにより、表面にシリコン化合物が付着した実施例2の化合物半導体基板が得られた。続いて、得られた実施例2の化合物半導体基板の表面上にAlGaInP層をエピタキシャル成長させ、エピタキシャル基板を得た。このエピタキシャル基板のフォトルミネッセンス測定PL測定を行ったところ、図6に示される結果が得られた。図6は、化合物半導体基板の表面におけるSi濃度とPL強度との関係を示すグラフである。グラフに示されるように、表面におけるSi濃度が高いほどPL強度が大きくなる傾向にあることが分かった。Si濃度は、Zn濃度と同様に測定された。実施例3Cが不純物として添加されており、抵抗値が1×107~1×109ΩcmのGaAsインゴットを準備した。このインゴットをワイヤーソーでスライスすることによってGaAsからなる半絶縁性のウェハを得た。このウェハの一方の面表面を、表面の凹凸が認識されなくなるまで研磨した。具体的には、10μm角で表面粗さRqRmsともいう。が0.3μm未満になるまで研磨を行った。次に、ウェハの表面を酸又はアルカリで処理することによって、ウェハの表面に残存した研磨剤又は微粒子等を除去した。その後、30ppbの芳香族炭化水素化合物が添加された超純水を用いてウェハの表面を処理した。これにより、表面に芳香族炭化水素化合物が付着した実施例3の化合物半導体基板を得た。得られた化合物半導体基板の表面におけるC濃度は、1×1016atoms/cm2であった。C濃度は、ホリバジョバンイボン製マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置GD-OESJY-5000RFを用いて測定された。また、C濃度は、X線光電子分光法XPSを用いると10程度であった。XPSでは光電子取り出し角を90°に設定し、検出される全元素の強度比からC原子個数のパーセンテージを算出した。続いて、MBE法を用いて実施例3の化合物半導体基板の表面上にGaAs層を形成してエピタキシャル基板を得た。化合物半導体基板とGaAs層との界面近傍のC濃度をSIMSで測定したところ、C濃度は、通常の化合物半導体基板とGaAs層との界面近傍のC濃度に比べて1桁上昇しており、1×1019atoms/cm3であった。このように、化合物半導体基板とGaAs層との間に高抵抗の界面を形成することができた。さらに、得られたエピタキシャル基板を用いてHEMTを作製したところ、HEMTのリーク電流を大幅に低減することができた。実施例4Cが不純物として添加されたGaAsからなる半絶縁性のウェハを準備した。ウェハのC濃度は、1×1015atoms/cm3であった。このウェハの一方の面表面を研磨した後、有機洗浄、アルカリ洗浄及び酸洗浄を行った。洗浄後、ウェハの表面を水洗乾燥した。その後、ウェハを高級脂肪酸の蒸気中に放置した。これにより、表面に高級脂肪酸が付着した実施例4の化合物半導体基板が得られた。得られた化合物半導体基板の表面におけるC濃度は、5×1015atoms/cm2であった。C濃度は、ホリバジョバンイボン製マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置GD-OESJY-5000RFを用いて測定された。続いて、MBE法を用いて実施例4の化合物半導体基板の表面上にエピタキシャル層を形成してエピタキシャル基板を得た。化合物半導体基板とエピタキシャル層との界面近傍のC濃度をSIMSで測定したところ、C濃度は、1×1019atoms/cm3であった。このように、化合物半導体基板とエピタキシャル層との間に高抵抗の界面を形成することができた。実施例5Feが不純物として添加された高抵抗のInPインゴットから半絶縁性のウェハを切り出した後、ウェハの両面を研磨した。その後、ウェハの片面表面を、2μm角で表面粗さRqが0.2μm未満になるまで研磨を行った。次に、ウェハの表面の有機洗浄、酸洗浄及びアルカリ洗浄を行った。洗浄後、ウェハの水洗スピン乾燥を行った。続いて、脂肪酸エステルの蒸気中にウェハを所定時間放置した。これにより、表面に脂肪酸エステルが付着した実施例5の化合物半導体基板が得られた。得られた化合物半導体基板の表面におけるC濃度は、5×1015atoms/cm2であった。C濃度は、ホリバジョバンイボン製マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置GD-OESJY-5000RFを用いて測定された。続いて、有機金属気相成長法を用いて実施例5の化合物半導体基板の表面上にエピタキシャル層を形成してエピタキシャル基板を得た。その結果、化合物半導体基板とエピタキシャル層との界面におけるリーク電流を低減することができた。実施例6Oが不純物として添加されたn型のGaN基板を準備した。このGaN基板に鏡面研磨を施した後、GaN基板を酸又はアルカリで洗浄した。洗浄後、GaN基板を純水で清浄に洗浄した。次に、水酸化炭酸マグネシウム水溶液でGaN基板の表面を処理した後、超純水でリンスし、乾燥した。これにより、表面に水酸化炭酸マグネシウムが付着した実施例6の化合物半導体基板を得た。得られた化合物半導体基板の表面におけるMg濃度は1×1013atoms/cm2であった。Mg濃度は、Zn濃度と同様に測定された。続いて、実施例6の化合物半導体基板の表面上に、MgがドープされたGaN層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル基板を得た。GaN層のMg濃度は5×1019atoms/cm3であった。その結果、化合物半導体基板とGaN層との間において、空乏層の薄いpn界面が形成された。"