p型半導体層、活性層、及びn型半導体層を順次積層した半導体積層体と、前記半導体積層体の前記p型半導体層側に接合された導電性の支持基板と、を含む半導体発光素子と、前記半導体積層体を覆う透光性封止樹脂と、前記透光性封止樹脂内に含有された蛍光体粒子と、を含む半導体発光装置であって、前記半導体積層体は、前記p型半導体層、前記活性層、及び前記n型半導体層を貫通する溝によって少なくとも2つの半導体ブロックに分割されており、前記溝の幅は、前記蛍光体粒子の平均粒径より狭いことを特徴とする半導体発光装置。前記溝の幅と、前記蛍光体粒子の平均粒径との比率が、1:1.2~1:10であることを特徴とする請求1に記載の半導体発光装置。前記溝の上における前記蛍光体粒子の密度が、前記半導体積層体の上における前記蛍光体の密度よりも大きいことを特徴とする請求1又は2に記載の半導体発光装置。さらに、平均粒径の異なる第2の蛍光体粒子が、前記蛍光体粒子の上に堆積していることを特徴とする請求1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。p型半導体層、活性層、及びn型半導体層が積層された半導体積層体と、前記半導体積層体の前記p型半導体層側に接合された導電性の支持基板と、を含む半導体発光素子と、前記半導体積層体を覆う透光性封止樹脂と、前記透光性封止樹脂内に含有された蛍光体粒子と、を含む半導体発光装置の製造方法であって、前記半導体発光素子を製造する素子製造工程と、前記半導体発光素子を、前記蛍光体粒子を含む前記透光性封止樹脂で覆う被覆工程と、を含み、前記積層体半導体は、前記被覆工程より前に、溝によって少なくとも2つの半導体ブロックに分割されており、前記溝の幅は、前記蛍光体粒子の平均粒径より狭いことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記被覆工程は、前記透光性封止樹脂が固化する前に、遠心分離により前記蛍光体粒子を沈降させる過程を含むことを特徴とする請求5に記載の半導体発光装置の製造方法。前記被覆工程は、前記透光性封止樹脂が固化する前に、超音波振動により前記蛍光体粒子に振動を与える過程を含むことを特徴とする請求5又は6に記載の半導体発光装置の製造方法。前記溝の幅と、前記蛍光体粒子の平均粒径との比率が、1:1.2~1:10であることを特徴とする請求5乃至7のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法。前記被覆工程は、前記蛍光体粒子を含む第1の透光性樹脂を前記半導体積層体に塗布する第1塗布過程と、前記第1の透光性樹脂が固化する前に、平均粒径の異なる第2の蛍光体粒子を含む第2透光性樹脂を前記第1の透光性樹脂に塗布する第2塗布工程と、を含むことを特徴とする請求5乃至8のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法。前記素子製造工程は、成長基板の上に前記n型半導体層、前記活性層、及び前記p型半導体層を順次成長させて、前記半導体積層体を形成する成長工程と、前記p型半導体層と前記支持基板とを接合する接合工程と、前記成長基板を除去する成長基板除去工程と、前記支持基板を前記半導体発光素子に分割するチップ化工程と、を含み、前記半導体積層体は、前記分割工程より前に、前記複数の半導体ブロックに分割されており、前記チップ化工程では、前記溝に沿って前記支持基板を分割して、少なくとも2つの前記半導体ブロックを含んだ前記半導体発光素子を得ることを特徴とする請求5乃至9のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法。小型素子を複数含んだ半導体発光素子を形成し、それを波長変換用の蛍光体粒子と共に用いて白色発光装置を形成しようとすると、小型素子の間に蛍光体粒子が充填されて、そこから出射される光が、蛍光体粒子によって遮光される。その結果、光取り出し効率が悪化する。また、半導体発光素子が大型化したときの問題として、光取出し効率の低下の問題がある。半導体積層体の活性層で発生した光の一部は、半導体積層体の上下面で反射しながら横方向に伝搬する。半導体積層体の側面まで達した光は、素子外側に出射される。大型の半導体発光素子では、光が側面に達するまでの平均距離が長くなるので、反射回数が増える。光が反射する時特に、半導体積層体と基板との間の界面で反射する時に、光の吸収が起こるため、反射回数が増えると、取り出される光の強度が低下する。特に、窒化物半導体積層体を用いた貼合せ半導体発光素子では、活性層と基板との間の距離p型半導体層の厚さが短いので、活性層で発生した光のうち、外部に取り出されずに反射を繰り返す光が、半導体積層体と基板との界面で吸収される傾向にあり、そのため、半導体発光素子の大型化による光り取り出し効率を向上させることが望まれている。そこで、本発明は、大型の貼合せ半導体発光素子を用いた半導体発光装置において、光取出し効率を向上させたもの及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体発光装置は、p型半導体層、活性層、及びn型半導体層を順次積層した半導体積層体と、前記半導体積層体の前記p型半導体層側に接合された導電性の支持基板と、を含む半導体発光素子と、前記半導体積層体を覆う透光性封止樹脂と、前記透光性封止樹脂内に含有された蛍光体粒子と、を含む半導体発光装置であって、前記半導体積層体は、前記p型半導体層、前記活性層、及び前記n型半導体層を貫通する溝によって少なくとも2つの半導体ブロックに分割されており、前記溝の幅は、前記蛍光体粒子の平均粒径より狭いことを特徴とする。本発明の半導体発光装置の製造方法は、p型半導体層、活性層、及びn型半導体層が積層された半導体積層体と、前記半導体積層体の前記p型半導体層側に接合された導電性の支持基板と、を含む半導体発光素子と、前記半導体積層体を覆う透光性封止樹脂と、前記透光性封止樹脂内に含有された蛍光体粒子と、を含む半導体発光装置の製造方法であって、前記半導体発光素子を製造する素子製造工程と、前記半導体発光素子を、前記蛍光体粒子を含む前記透光性封止樹脂で覆う被覆工程と、を含み、前記積層体半導体は、前記被覆工程より前に、溝によって少なくとも2つの半導体ブロックに分割されており、前記溝の幅は、前記蛍光体粒子の平均粒径より狭いことを特徴とする。本発明の半導体発光装置は、半導体積層体が複数の半導体ブロックに分割されているので、活性層で発光した光が、側面に達するまでの平均距離を短くできる。よって、半導体積層体内での反射回数を低減でき、光取出し効率を向上できる。そして、溝の幅は、前記蛍光体粒子の平均粒径より狭いので、半導体発光装置を製造しているときに、蛍光体粒子が溝内に堆積するのを抑制できる。よって、光取出し効率を向上させることができる。本発明の製造方法によれば、溝の幅を、前記蛍光体粒子の平均粒径より狭くしているので、被覆工程において、蛍光体粒子が溝内に堆積するのを抑制できる。よって、光取出し効率が向上した半導体発光装置を製造することができる。本発明の半導体発光装置によれば、溝内に蛍光体粒子が堆積されにくいので、光取出し効率を向上させた大型の貼合せ半導体発光素子を用いた半導体発光装置となる。また、本発明の製造方法によれば、光取出し効率を向上させた大型の貼合せ半導体発光素子を用いた半導体発光装置を製造することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語例えば、上、下、右、左及び、それらの用語を含む別の用語を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。<実施の形態1>図1A~図1Cは本実施の形態の半導体発光装置90を示しており、ハウジング91の凹部内に実装された半導体発光素子1と、半導体積層体1を覆う透光性封止樹脂92とを含んでいる、透光性封止樹脂92には、蛍光体粒子93が含まれており、半導体発光素子1の周囲に堆積している。図1Bおよび2Bには、蛍光体粒子93が球状粒子として図示されているが、蛍光体粒子93は、球状でなくてもよい。例えば、蛍光体粒子93は、不規則な形状であってもよい。その形状にかかわらず、蛍光体粒子の各々は個々の平均粒径を有している。図2A及び図2Bは半導体発光素子1を示しており、導電性の支持基板10の上面には、接合層20、保護層80と、反射層30と、半導体積層体40とが積層されている。半導体積層体40は、溝2により複数図1では4つに分割されて、半導体ブロック40a~40dを形成している。各半導体ブロック40a~40dは、図2に示すように、p型半導体層4343a、43d、活性層4242a、42d、及びn型半導体層4141a、41dを順次積層して構成されている。半導体ブロック40a~40dのn型半導体層41a~41dには、n側パッド5050a~50dが形成されている。半導体ブロック40a~40dの表面は、n側パッド50の一部を除いて、透光性の外側保護膜60で覆われている。支持基板10の裏面には、裏面メタライズ層70が形成されている。裏面メタライズ層70は、支持基板10のオーミック電極として機能する。反射層30のうちn側パッド50の直下の領域には反射層30を形成せず、代わりに絶縁膜例えばSiO2膜を配置するのが好ましい。すなわち、図2の反射膜30のうちn側パッド50の直下に絶縁膜を配置し、その周囲に反射膜30を設ける形態になる。これにより、n側パッド50の直下のみに電流が流れるのを防止することができる。また、n側パッド50と電気的に接続されている延伸電極後述を設ける場合には、n側パッド50及び延伸電極の全てがn型半導体層41と接していなくてもよい。例えば、n型半導体層41とn側パッド50及び延伸電極との間の一部分例えば、n側パッド50とn型半導体層41との間に絶縁膜を配し、その他の部分例えば、延伸電極がn型半導体層41と接触していてもよい。この場合には、p型半導体層43の全面に反射層30を設けていてもよい。なお、本実施の形態では、保護層80を設け、そして保護層80に貫通孔81aを形成しているが、貫通孔81aは、n側パッド50の直下に形成しないのが好ましい。また、保護層80及び貫通孔81aは必須ではなく、省略してもよい。貫通孔81を形成する場合、接合層を形成する際に接合層の材料が貫通層81に充填される。本発明の半導体発光装置90は、溝2の幅W図2Aが、蛍光体粒子93の平均粒径より狭いので、蛍光体粒子93が、溝2の中に堆積するのを抑制できる図1C。また、溝2により、蛍光体粒子9393aを配列させることができる。よって、溝2から取り出される光の殆どは、蛍光体粒子93aによる波長変換を受けて蛍光を発する。一方、溝2以外に堆積した蛍光体粒子9393bは粗密があるので、半導体発光素子1の上面からの光の一部は、蛍光体粒子93bの隙間から、波長変換されずに外部に取り出される。溝2からの蛍光と、半導体発光素子1の上面からの発光波長変換を受けていない光とを混色することにより、バランスのよい白色光を得ることができる。溝2の幅Wと、蛍光体粒子93の平均粒径との比率が1:1.2~1:10であると、蛍光体粒子93は、溝2に沿って効率よく配列するので好ましい。また、溝2の上における蛍光体粒子93の密度が、半導体発光素子1の半導体積層体40の上における蛍光体粒子93の密度よりも大きいのが好ましい。これにより、溝2からの蛍光と、半導体発光素子1の上面からの発光とをバランスよく混色して、白色光を得ることができる。また、平均粒径の異なる第2の蛍光体粒子が、前記蛍光体粒子の上に堆積しているのが好ましい。第2の蛍光体粒子の平均粒径は、蛍光体粒子93の平均粒径より小さくてもよい。さらに、第2の蛍光体粒子の平均粒径は、溝幅より小さくてもよい。これにより、蛍光体粒子93の隙間に第2の蛍光体粒子を堆積させることができるので、蛍光体粒子から成る蛍光体層の厚さが比較的均一になりやすい。よって、色度ムラの少ない半導体発光装置90を得ることができる。なお、製造工程において、平均粒径の大きい蛍光体粒子93が先に沈降して溝2を封止するので、その後に、平均粒径の小さい第2の蛍光体粒子が沈降しても、溝2の中に堆積されにくい。図2A及び図2Bを参照しながら、本実施の形態の半導体発光装置90に適した半導体発光素子1を詳細に説明する。本実施の形態の半導体発光素子1は、支持基板10が、半導体ブロック40a~40dのp型半導体層43a、43d側に、保護層80と反射層30とを介して接合されているといえる。そして、半導体積層体40a、40dは、p型半導体層43a、43d、活性層42a、42d、及びn型半導体層41a、41dを貫通する溝2によって、複数の半導体ブロック40a~40dに分割されている。半導体積層体40が溝2によって複数の半導体ブロック40a~40dに分割されていると、活性層42a、42dから横方向に伝搬する光は、半導体ブロック40a~40dの側面のうち、外側に面した外側面45a~45d及び溝2に面した内側面46a~46dのいずれからでも出射することができる。内側面46a~46dから出射された光は、溝2の中で反射例えば、半導体ブロック40a、40bの間の溝2に出射された光は、内側面46a、46bの間で反射して、溝2の外側に取り出される。溝2が存在しない大型の半導体発光素子では、半導体積層体中を横方向に伝搬する光は、半導体積層体の上下面で反射されながら、外側面図1の外側面45a~45dに相当から外部に出射する。一方、図1に示した本発明の半導体発光素子1では、光は、外側面45a~45dだけでなく、内側面46a~46dからも外部に出射することもできる。よって、本発明の半導体発光素子1は、従来の大型半導体発光素子に比べて、発光してから出射するまでの平均伝搬距離は約1/2に減少する。したがって、半導体積層体40の内部で反射される回数も、約1/2に減少する。半導体積層体40の内部での反射の際に光の吸収が起こるので、反射回数が減少すると、外部に取り出される光の強度は高くなる。このように、半導体積層体40を複数の半導体ブロック40a~40dに分割することにより、活性層42で発光した光が側面45a~45d、46a~46dに達するまでの平均距離を短くできるので、半導体積層体40の内部での反射回数を低減でき、光取出し効率を向上できる。本実施の形態では、支持基板10と半導体積層体40との間に反射層30を含んでいるのが好ましい図2。光の吸収は、半導体積層体40と支持基板10との間の界面で反射する時に大きいが、これは、支持基板10による光の吸収が起こりやすいためである。そこで、本実施の形態のように、半導体積層体40から支持基板10方向に向かう光を効率よく反射して、光の吸収を抑制できる。反射層30を含むことにより、半導体積層体40の中を伝搬する光強度を高く維持でき、光取出し効率を向上させることができる。本発明の半導体発光素子では、p型半導体層43とn型半導体層41との厚さの比率を1:3~1:50と、p型半導体層43を比較的薄くすることができる。本発明は、貼合せ半導体発光素子であるので、p型半導体層43が薄いと、活性層42が支持基板10に近づくことになる図2。つまり、活性層42で発光した光が、近接する支持基板10により吸収されやすいので、光取出し効率が悪化しやすい。しかしながら、本発明では、半導体積層体40を溝2で複数の半導体ブロック40a~40dに分割しているので、光が外部に出射されるまでの吸収を抑えることができるので、光取出し効率の悪化を緩和することができる。p型半導体層43が薄い場合には、支持基板10と半導体積層体40との間に反射層30を設けると特に好ましい。活性層42で発光した光が、近接する支持基板10により吸収される前に反射層30で反射されるので、支持基板10での光吸収を効果的に抑制できる。反射層30は、金属膜から形成することができる。これにより、反射層30を、p型半導体層43と支持基板10との間を導通させるためのp側電極としても機能させることができる。特に、金属膜がAg膜又はAl膜であると、光の反射率が高いので、半導体発光素子1の光取出し効率を向上させることができる。図2のようには、支持基板10と半導体積層体40との間に、支持基板10側から順に、絶縁性の保護膜80と、反射層30とをさらに含んでいるのが好ましい。活性層42と支持基板10との間に反射層30を配置することにより、半導体積層体40の内部を伝搬する光の吸収を抑制することができる。そして、支持基板10と反射層30との間に絶縁性の保護膜80を配置すると、反射層30と支持基板10との間の導通が阻害される。そこで、保護膜80に貫通孔8181a~81dを設けてそれらの間の導通を確保する必要がある。この貫通孔81の形状、寸法、及び形成位置を適切に設計することにより、半導体積層体40の中を流れる電流の経路を制御することができる。例えば、図1の矩形の半導体ブロック40aでは、n側パッド50aと貫通孔81aとが対角に位置するように形成すれば、半導体ブロック40a内の広い範囲に電流を流すことができる。溝2の底部2bにも保護膜80を含んでいると、半導体ブロック40a~40dの間を絶縁することができる。なお、反射層30がマイグレーションを起こしやすい材料例えばAgなどから成る場合に、溝2の底部2bまで反射層30を形成すると、半導体ブロック40a~40dの間や、半導体ブロック40a~40d内のp型半導体層43、活性層42及びn型半導体層41の間が、マイグレーションにより短絡を起こす恐れがある。しかしながら、本実施の形態のように、溝2の底部2bには保護膜80を形成するのみとすることにより、短絡の問題を抑制することができる。保護膜80を誘電体多層膜から形成して、光を反射する反射部材としての機能を備えることもできる。例えば、図2の半導体発光素子1では、溝2の底部2bに保護膜80は形成されているが、反射層30は形成されていない。半導体ブロック40a~40dの内側面46a~46dから出射した光の一部は、溝2の底部2bに向かって、保護膜80に照射される。ここで保護膜80を誘電体多層膜から形成することにより、光を保護膜80で反射して、溝2の外側に取り出すことができる。よって、保護膜80を誘電体多層膜から形成することにより、半導体発光素子1の光取出し効率を向上させることができる。溝2の幅W図1は、25μm以下であるのが好ましい。大型の半導体発光素子では、電流が全体に流れず、発光面が均一に発光しない問題がある。そこで、延伸電極を長く張り巡らせることにより、素子全体に電流を流していた。延伸電極は、通常は幅5~50μmの金属膜から形成しており、延伸電極の形成部分は光が遮光される。本発明では、溝2により半導体ブロック40a~40dに分割することにより、延伸電極を使用しないで、又は短い延伸電極で、比較的均一な発光を実現できる。しかしながら、溝2を形成した領域は、半導体積層体40が除去されるため、非発光領域となる。光取出し効率の観点で比較すると、溝2の幅を25μm以上とすると、長い延伸電極を設けた大型の半導体発光素子1よりも光取出し効率が低下するので好ましくない。なお、溝2の幅は、通常は3μm以上で形成される。現在のエッチング技術ウェットエッチング及びドライエッチングを用いた場合、3μm未満の幅の溝を正確に形成することが困難なためである。図示された溝2は、細長く伸びた断面矩形の溝となるように、垂直な側壁を有している。しかしながら、他の形状の溝にすることもできる。例えば、溝2は、細長く伸びた断面V字状の溝となるように、傾斜した側壁を有することもできる。その場合、幅とは、溝の最大幅を指している。当然ながら、溝2の断面形状は、溝2を形成する方法に依存する。半導体発光素子1の上面視の形状が矩形であり、矩形の一辺の長さAと、その辺と直交する方向に延びる溝2の幅Wとの比率が100:25以下であるのが好ましい。溝2を形成することにより、半導体ブロック40a~40dの内側面46a~46dから光が出射するため、光取出し効率が上昇する。しかしながら、溝2を形成した領域は、半導体積層体40が除去されるため、非発光領域となる。光取出し効率の観点で比較すると、半導体発光素子1の一辺の長さAと溝2の幅Wとの比率が100:25以上であると、溝2を形成しない場合よりも光取出し効率が低下するので好ましくない。なお、半導体発光素子1の一辺の長さAと溝2の幅Wとの比率は、通常は100:0.28以上である。これは、一辺の長さA=1.4mmで、溝の幅W=3μmとしたときの下限である。また、各半導体ブロック40a~40dの上面視の形状が矩形であり、一辺の長さBと、その辺と直交する方向に延びる溝2の幅Wとの比率は10:1以下であるのが好ましい。比率が10:1以上であると、溝2を形成しない場合よりも光取出し効率が低下するので好ましくない。半導体ブロック40a~40hの上面視の形状が、正方形図2、矩形例えば、図3A又は三角形のような絶縁性基板、SiC、ZnS、ZnO、GaAsおよび窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、窒化物半導体を成長させることが可能で、従来から知られている基板材料を用いることができる。2反射層形成工程図5B半導体積層体40のp型半導体層側の表面p型半導体層側表面40uに、反射層30を形成する。反射層30は、例えばマグネトロンスパッタ法を用いて形成された金属膜Ag膜、Al膜等が好ましい。3保護膜形成工程図5C反射膜30の表面に絶縁性の保護膜80を形成する。保護膜80は、誘電体単層膜、又は誘電体多層膜から形成するのが好ましい。保護膜30は、例えば、スパッタリング法、ECRスパッタリング法、CVD法、ECRCVD法、ECR一プラズマCVD法、蒸着法、EB法等の公知の方法で形成することができる。なかでも、ECRスパッタリング法、ECRCVD法、ECR一プラズマCVD法等で形成することが好ましい。4半導体側接合層21の形成工程図5D保護膜80の表面に、支持基板への接合用の半導体側接合層21を形成する。また、支持基板10には、基板側接合層を形成する図示せず。5接合工程図5E~図5F支持基板10の基板側接合層22を、基板側接合層22と半導体側接合層21に対向させて図5E、基板側接合層22と半導体側接合層21とを貼り合わせることにより、p型半導体層43と支持基板10とを接合する図5F。基板側接合層22と半導体側接合層21が融合して、接合層20が形成される。接合工程において、後に形成される溝2の延伸方向と、支持基板10の結晶方向とが一致するように、p型半導体層43と支持基板10とを接合するのが好ましい。これにより、後のチップ化工程において、支持基板10を分割するときに、分割線が支持基板10の劈開方向と一致する。よって、支持基板10の分割が容易になり、また分割後の支持基板10の側面が滑らかになる。5成長基板除去工程図5G支持基板10を接合した後に、成長基板100を除去する。これにより、半導体積層体40のn型半導体層側の表面40tが露出する。6研磨工程図5H半導体成長用基板100を剥離した後に、支持基板10が下になるように裏返しにすることで、最上面となった半導体積層体40のn型半導体層側の表面n側表面40tをCMPにより研磨する。またこのCMPによる研磨工程は、RIE反応性イオンエッチングにより表面を除去してもよい。7粗面化工程研磨した半導体積層体40のn側表面40tに微細な凹凸を形成して、粗面化する。粗面化には、ドライエッチング法又はウェットエッチング法を用いることができる。ウェットエッチング法の溶液としては、異方性のエッチング溶液として、KOH水溶液、4メチル水酸化アンモニウムやエチレンジアミンピロカテコールなどを用いることができる。ドライエッチング法の場合、RIEが利用できる。8ブロック分割工程図5I半導体積層体40を、溝2によって複数の半導体ブロック40a~40dに分割する。溝2は、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により形成すると、幅の狭い溝2を正確に形成することができる。半導体積層体40の内部には、支持基板10との熱膨張係数の差に起因する応力が加わっている。その結果、半導体積層体40と支持基板10の全体に反り半導体積層体40側が凸になるを生じる。大型の半導体発光素子の場合には、素子にチップ化した後にも反りが残り、ワイヤボンディング等において問題になる。しかしながら、本発明では、溝2により半導体積層体40を分割することにより、半導体積層体40内の反りが緩和され、反りを解消することができる。半導体積層体40に溝2を形成するときに、半導体積層体40と支持基板10との間に形成された反射層30まで除去することができる。これにより、溝2の形成と同時に、溝2の底部2bから反射層30を除去することができる。また、後のチップ化工程において、どの溝2で分割しても、半導体発光素子1の外周に反射層30が露出することがない。これにより、半導体発光素子1での反射層30のマイグレーションを抑制することができる。9チップ化工程図5J支持基板10を、溝2に沿って複数の半導体発光素子1に分割する。各半導体発光素子1には、少なくとも2つの半導体ブロック例えば、図1のように4つの半導体ブロック40a~40dを含んでいる。分割には、スクライブ、ダイシング、レーザスクライブなどの方法が利用できる。チップ化工程において、各半導体ブロック40a~40dの少なくとも1つの辺が半導体発光素子1の外周と近接するように、半導体ブロック40a~40dがチップ化されているのが好ましい。チップ化工程では、所望の個数及び所望の配列の半導体ブロック40a~40dを含めばよい。よって、例えば図1のように、4つの半導体ブロックを2行×2列に配列する場合、不良な半導体ブロック40Xを避けて、3つの良品の半導体発光素子1A~1Cを得ることができる図6。一方、溝2を形成しない大型の半導体発光素子の場合、不良な半導体領域を避けることができないので、2つの半導体発光素子1C’、1D’は不良品になり、2つの良品の半導体発光素子1A’、1B’しか得られない図7。すなわち、本発明のように、複数の半導体ブロック40a~40dから半導体発光素子1を形成することにより、不良領域を半導体ブロック40a~40d単位で回避することができるので、半導体発光素子1の歩留まりを向上させることができる。10n側パッド形成工程図5K半導体ブロック40a~40dのn側表面40tに、n側パッド50を形成する。n側パッド50が、各半導体ブロック40a~40dの当該1つの辺に隣接して配置されるのが好ましい図1、図3A~図3B。11外側保護膜形成工程図5L表面の一部ワイヤボンディングされる領域を除いたn側パッド50と、半導体積層体40の上面40t、外側面45a~45d及び内側面46a~46dとを保護膜60で被覆する。外側保護膜60は、例えば、スパッタリング法、ECRスパッタリング法、CVD法、ECRCVD法、ECR一プラズマCVD法、蒸着法、EB法等の公知の方法で形成することができる。なかでも、ECRスパッタリング法、ECRCVD法、ECR一プラズマCVD法等で形成することが好ましい。12裏面メタライズ層形成工程支持基板10の裏面側に、オーミック電極としての裏面メタライズ層70を形成する。13実装工程図1Aハウジング91の凹部の底部に設けられた第1の端子図示せずの上に、半導体発光素子1の裏面メタライズ層70をダイボンドする。また、ハウジング91の凹部の底部に設けられた第2の端子と、n側パッド50との間を、導電ワイヤ51により接続する。13被覆工程図1A蛍光体粒子93を含む透光性封止樹脂92をハウジング91の凹部にポッティングして、半導体発光素子1を、透光性封止樹脂92で覆う。透光性封止樹脂92全体に分散されていた蛍光体粒子93は、透光性封止樹脂92が固化するまでの間に沈降して、半導体発光素子1の周囲に堆積する。蛍光体粒子93の平均粒径よりも、溝2の幅Wが狭くされているので、蛍光体粒子93は、溝2の中には堆積されにくい図1C。なお、蛍光体粒子93の中には、平均粒径よりも小さい粒子が含まれており、そのような小粒子の平均粒径のほうが、溝2の幅Wより小さい場合もありうる。しかしながら、平均粒径の大きい蛍光体粒子93が先に沈降して、溝2の入口を封止するので、その後に沈降する小粒子が溝2に入るのを阻害することもできる。被覆工程では、透光性封止樹脂92が固化する前に、遠心分離により蛍光体粒子93を沈降させる遠心分離過程を含むのが好ましい。これにより、透光性封止樹脂92の固化前に、蛍光体粒子93を半導体発光素子1の周囲に堆積させることができる。また、透光性封止樹脂92が固化する前に、超音波振動により蛍光体粒子93に振動を与える超音波過程を含むのが好ましい。これにより、蛍光体粒子93に横方向の振動を与えることができるので、蛍光体粒子93を溝2に配列させるのに有効である。遠心分離過程と、超音波過程とは、いずれか一方のみ行ってもよいが、遠心分離過程の後に、超音波過程を行うのが好ましい。溝2の幅Wと、蛍光体粒子93の平均粒径との比率が1:1.2~1:10であると、蛍光体粒子93は、溝2に沿って効率よく配列するので好ましい。被覆工程は、蛍光体粒子93を含む第1の透光性樹脂を半導体発光素子1の半導体積層体40に塗布する第1塗布過程と、第1の透光性樹脂が固化する前に、平均粒径の異なる第2の蛍光体粒子を含む第2透光性樹脂を、第1の透光性樹脂に塗布する第2塗布工程と、を含むことができる。本実施の形態で得られた半導体発光装置90は、色度ムラが少なく、ホワイトバランスのよい発光を発することができる。<実施の形態2>本実施の形態では、溝2の底部2bまで反射層30を形成する点で、実施の形態1と異なる図8。反射層30がマイグレーションを起こしにくい材料などから成る場合には、本変形例が好ましい。反射層30は、一般的に誘電体多層膜よりも反射率が高いので、溝2の底部2bに向かった光を効率よく反射して、溝2の外側に取り出すことができる。よって、溝2の底部2bまで反射層30を形成することにより、半導体発光素子1の光取出し効率をさらに向上させることができる。本実施の形態の半導体発光素子1を製造する場合には、実施の形態1に記載した製造方法の8ブロック分割工程図5Iを変更する。具体的には、半導体積層体40に溝2を形成するときに、半導体積層体40と支持基板10との間に形成された反射層30は除去しないことにより、溝2の底部2bに反射層30を残すことができる。なお、その他の工程については、実施の形態1と同様である。<実施の形態3>本実施の形態では、前記支持基板と前記半導体積層体との間に、反射膜30を設けずに、保護膜80のみを設けている点で、実施の形態1と異なる図9。実施の形態1と同様に、保護膜80を溝2の底部2bにも設けることができる。反射膜30の材料が、マイグレーションしやすい材料である場合や、半導体積層体40に反射層30が拡散することが問題になる場合には、反射層30を形成しないほうが好ましい。反射層30の代わりに、保護膜80を形成し、その保護膜80を誘電体多層膜から形成することにより、半導体積層体40から支持基板10方向に向かう光を反射して、光の吸収を抑制できる。誘電体多層膜から成る保護膜80を含むことにより、半導体積層体40の中を伝搬する光強度を高く維持でき、光取出し効率を向上させることができる。本実施の形態の半導体発光素子1を製造する場合には、実施の形態1に記載した製造方法の2反射層形成工程図5Bを行わない。また、3保護膜形成工程図5Cでは、保護膜80は、誘電体多層膜から形成する。その他の工程については、実施の形態1と同様である。<実施の形態4>本実施の形態では、実施の形態1と異なる製造方法により、半導体発光素子1を形成するものである。得られる半導体発光素子1は、図溝2の底部2bに、保護膜80及び反射膜30が存在しない点で、実施の形態1~3の半導体発光素子1と異なる。本実施の形態の製造方法を以下に説明する。1成長工程図10A実施の形態1と同様に、成長基板100の上にn型半導体層41、活性層42、及びp型半導体層43を順次成長させて、半導体積層体40を形成する。1’ブロック分割工程図10B実施の形態1とは異なり、半導体積層体40の成長工程の次に、ブロック分割工程を行う。ブロック分割工程の詳細は、実施の形態1と同様である。すなわち、ブロック分割工程では、半導体積層体40を、溝2によって複数の半導体ブロック40a~40dに分割する。溝2は、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により形成すると、幅の狭い溝2を正確に形成することができる。また、溝2により半導体積層体40を分割することにより、半導体積層体40内の応力が緩和され、反りを解消することができる点も、実施の形態1と同様である。2反射層形成工程図10C、3保護膜形成工程図10D、4半導体側接合層21の形成工程図10Eこれらの工程は、実施の形態1とほぼ同様である。しかしながら、半導体積層体40が、既に溝2によって分割されているので、反射膜40、保護膜80及び半導体側接合層21も、溝2で分割された状態で形成される点が、実施の形態1と異なる。5接合工程図10F~図10Gこれらの工程は、実施の形態1とほぼ同様である。しかしながら、半導体側接合層21が、溝2で分割された状態なので、半導体積層体40と支持基板10との接合は、溝2を除く領域のみで形成される点が、実施の形態1と異なる。5成長基板除去工程図10H、6研磨工程図10I、7粗面化工程これらの工程は、実施の形態1と同様である。9チップ化工程図10K本実施の形態では、1’ブロック分割工程を含んでいる代わりに、実施の形態1における8ブロック分割工程を含まない。よって、7粗面化工程の次に、チップ化工程を行う。それ以外の点については、実施の形態1と同様である。10n側パッド形成工程図5K、11外側保護膜形成工程図5L、12裏面メタライズ層形成工程これらの工程は、実施の形態1と同様である。本実施の形態の製造方法により形成すると、支持基板10に接合する前に半導体積層体40の内部の応力を緩和できるので、接合後の半導体発光素子1の中の応力緩和効果が高いと期待される。<実施の形態5>本実施の形態は、1~2の工程の順番が実施の形態4と異なる。3~12の工程は、実施の形態4と同様である。以下に、実施の形態4と異なる点を説明する。1成長工程図11A実施の形態1及び4と同様に、成長基板100の上にn型半導体層41、活性層42、及びp型半導体層43を順次成長させて、半導体積層体40を形成する。2反射層形成工程図11B実施の形態1と同様である。2’ブロック分割工程図11C実施の形態1及び4とは異なり、反射層形成工程の次に、ブロック分割工程を行う。ブロック分割工程の詳細は、実施の形態1及び4と同様である。すなわち、ブロック分割工程では、半導体積層体40を、溝2によって複数の半導体ブロック40a~40dに分割する。溝2は、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により形成すると、幅の狭い溝2を正確に形成することができる。また、溝2により半導体積層体40を分割することにより、半導体積層体40内の応力が緩和され、反りを解消することができる点も、実施の形態1と同様である。本実施の形態の製造方法により形成すると、実施の形態4と同様に、支持基板10に接合する前に半導体積層体40の内部の応力を緩和できるので、接合後の半導体発光素子1の中の応力緩和効果が高いと期待される。<実施の形態6>本実施の形態は、1~3の工程の順番が実施の形態4と異なる。4~12の工程は、実施の形態4と同様である。以下に、実施の形態4と異なる点を説明する。1成長工程図11A実施の形態1、4及び5と同様に、成長基板100の上にn型半導体層41、活性層42、及びp型半導体層43を順次成長させて、半導体積層体40を形成する。2反射層形成工程図11B実施の形態1及び5と同様である。3保護膜形成工程図11C、実施の形態1と同様である。3’ブロック分割工程図11D実施の形態1、4及び5とは異なり、保護膜形成工程の次に、ブロック分割工程を行う。ブロック分割工程の詳細は、実施の形態1、4及び5と同様である。すなわち、ブロック分割工程では、半導体積層体40を、溝2によって複数の半導体ブロック40a~40dに分割する。溝2は、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により形成すると、幅の狭い溝2を正確に形成することができる。また、溝2により半導体積層体40を分割することにより、半導体積層体40内の応力が緩和され、反りを解消することができる点も、実施の形態1と同様である。本実施の形態の製造方法により形成すると、実施の形態4及び5と同様に、支持基板10に接合する前に半導体積層体40の内部の応力を緩和できるので、接合後の半導体発光素子1の中の応力緩和効果が高いと期待される。<実施の形態7>本実施の形態は、1成長工程において、p型半導体層、活性層、及びn型半導体層を複数に分割した状態で成長させて、複数の半導体ブロックを得る点で、実施の形態4と異なる。すなわち、本実施の形態では、成長工程において、図10Bのような半導体ブロックが得られる。したがって、本実施の形態では、実施の形態4の1’ブロック分割工程を含まない。そして、2~12の工程は、実施の形態4と同様である。本実施の形態の製造方法により形成すると、実施の形態4と同様に、支持基板10に接合する前に半導体積層体40の内部の応力を緩和できるので、接合後の半導体発光素子1の中の応力緩和効果が高いと期待される。また、ブロック分割工程を省略できるので、工程数を減らすことができる。本発明の半導体発光装置90と、半導体発光装置90に用いられる半導体発光素子1に適した材料について以下に詳述する。蛍光体粒子93蛍光体粒子93としては、半導体発光素子1からの発光を吸収して、異なる波長の光に波長変換するものが選択される。例えば半導体発光素子1に発光スペクトルのピーク波長が365nm~470nmの範囲のものを使用した場合には、蛍光体には、銅で付括された硫化カドミ亜鉛やセリウムで付括されたYAG系蛍光体およびLAG系蛍光体が挙げられる。特に、高輝度かつ長時間の使用時においては、Re1-xSmx3Al1-yGay5O12:Ce0≦x<1、0≦y≦1、但し、Reは、Y、Gd、La、Luからなる群より選択される少なくとも一種の元素である。等が好ましい。またYAG、LAG、BAM、BAM:Mn、CCA、SCA、SCESN、SESN、CESN、CASBN及びCaAlSiN3:Euからなる群から選択される少なくとも1種を含む蛍光体を使用することができる。蛍光体粒子93は、平均粒径が例えば10~50μmのものを用いることができる。透光性封止樹脂92透光性封止樹脂92は、ハウジング91の凹部内に実装された半導体発光素子1を封止するように塗布されており、エポキシ、シリコーン、変性アクリル樹脂等の透光性を有する絶縁樹脂を用いることができる。ハウジング91ハウジング91は、半導体発光素子1等を保護することができるものであれば、どのような材料によって形成されていてもよい。なかでも、セラミックや乳白色の樹脂等、絶縁性及び遮光性を有する材料であることが好ましい。樹脂材料としては、芳香族ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂が利用でき、公知の方法例えば、熱可塑性樹脂は射出成形、熱硬化性樹脂はトランスファー成形などによって成形できる。また、ハウジング91は、リードフレームをベースにしたタイプ例えば、表面実装タイプや、砲弾タイプ等が挙げられるの他に、電極が配線されているセラミック基板や、ガラスエポキシ基板タイプのものが使用できる。導電ワイヤ51導電ワイヤ51は、適切なワイヤボンディングが可能であればどのような金属材料から形成することもできるが、ワイヤボンディングの結合力が高く、信頼性の高い発光装置1を得るには、Au、Cu、Al、W及びステンレスから成る群から選択された1種を含む金属材料から形成するのが好ましい。特に、Au又はAu合金は、半導体発光素子1のn側パッド50とのオーミック性が良好で、機械的接続性ボンディング性が良好で、そして、電気伝導性及び熱伝導性が良好な金属材料であるので、導電ワイヤ51に好適である。基板10基板10は、シリコンから構成される。なお、Siのほか、例えば、GeSiCGaNGaAsGaPInPZnSeZnSZnO等の半導体から成る半導体基板、または、金属単体基板、または、相互に非固溶あるいは固溶限界の小さい2種以上の金属の複合体から成る金属基板を用いることができる。このうち、金属単体基板として具体的にはCuを用いることができる。また、金属基板の材料として具体的にはAgCuAuPt等の高導電性金属から選択された1種以上の金属と、WMoCrNi等の高硬度の金属から選択された1種以上の金属と、から成るものを用いることができる。半導体材料の基板10を用いる場合には、それに素子機能、例えばツェナーダイオードを付加した基板10とすることもできる。さらに、金属基板としては、CuWあるいはCuMoの複合体を用いることが好ましい。接合層20接合層20は、この半導体発光素子1を製造する工程において、2つの基板を貼り合わせる共晶である。詳細には、図5Dに示す半導体側接合層21と、図5Eに示す基板側接合層22とを貼り合わせて構成される。このうち半導体側接合層21の材料としては、例えば、図5Dにおいて下から保護膜80側からチタン白金金錫金の順番に積層したものが挙げられる。また、基板側接合層22の材料としては、例えば、図5Eにおいて下支持基板10と反対側から金白金二ケイ化チタン、または、二ケイ化チタン白金パラジウムの順番に積層したものが挙げられる。反射層30反射層30は、光の反射率が高く、かつ電極として用いることができる材料が用いられる。例えば、銀、アルミニウム、亜鉛、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、コバルト、鉄、マンガン、モリブデン、クロム、タングステン、ランタン、銅、イットリウム等の金属を用いることができる。特に、反射率の高い銀、アルミニウムが好ましい。保護膜80保護膜80は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。保護膜80は、例えば、二酸化ケイ素やZr酸化膜から形成することができる。保護膜80を誘電体多層膜から形成する場合には、SiO2とその他の酸化物とを繰り返し積層した膜、例えば、ZrO2やTiO2と、SiO2とを繰り返し積層した膜から形成することができる。半導体積層体40半導体積層体40は、一般式がInxAlyGa1xyNで示される窒化ガリウム系化合物半導体から成る。具体的には、例えば、GaN、AlGaN、InGaN、AlGaInN等である。特に、エッチングされた面の結晶性がよいなどの点でGaNであることが好ましい。n型半導体層41は、例えば、n型不純物としてSiやGe、O等を含むGaNから構成される。また、n型半導体層41は、複数の層で形成されていてもよい。発光層42は、例えば、InGaNから構成される。p型半導体層43は、例えば、p型不純物としてMgを含むGaNから構成される。n側パッド50n側パッド50は、ワイヤボンディングにより外部と接続される。n側パッド50は、n型半導体層41の上面側から、例えば、TiPtAu、TiPtAuNi、TiAl、TiAlPtAu、WPtAu、VPtAu、TiTiNPtAu、TiTiNPtAuNiのような複数の金属を含む多層膜で構成される。なお、n側パッド50は、オーミック電極とパッド電極とから構成されるようにしてもよい。外部保護膜60外部保護膜60は、n型半導体層41よりも屈折率が低く透明な材料から構成され、n側パッド50の上表面のワイヤボンディングされる領域を除いた表面と、n型半導体層41の表面及び側面とを被覆している。外部保護膜60は、絶縁膜からなるものであって、特に酸化膜からなるものが好ましい。外部保護膜60は、例えば、二酸化ケイ素やZr酸化膜からなる。裏面メタライズ層70裏面メタライズ層70は、支持基板10の接合層20が形成されている面と反対側に形成されオーミック電極として機能する。裏面メタライズ層70の材料としては、例えば、図2において上支持基板10側から、二ケイ化チタン白金金の順番に積層したものが挙げられる。