電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、当該電気的終端用中心導体と抵抗膜を介して接続される電気的終端用接地導体とを備え、前記抵抗膜は、前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に沿って複数個形成されていることを特徴とする光変調器モジュール。前記抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向における両側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。前記基板が半導体基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器モジュール。以上のように、従来技術では電気的終端用中心導体に伝搬した高周波電気信号のうち、漏れた高周波電気信号が電気的終端用中心導体の端部で反射し、反射戻り信号としてドライバーまで戻り、ドライバーから光変調器モジュールを見た際の電気的反射S11を劣化させることになる。そのため、これらの問題を解決して特性的に充分な電気的反射S11を実現できる光変調器モジュールの実現が望まれていた。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、高周波電気信号の電気的反射S11が小さな光変調器モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器モジュールは、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、当該電気的終端用中心導体と抵抗膜を介して接続される電気的終端用接地導体とを備え、前記抵抗膜は、前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に沿って複数個形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の光変調器モジュールは、請求項1に記載の光変調器モジュールにおいて、前記抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向における両側に形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光変調器モジュールは、請求項1または2に記載の光変調器モジュールにおいて、前記基板が半導体基板であることを特徴としている。本発明によれば、電気的終端からドライバーへの高周波電気信号の戻り量を著しく小さくできるので、結果良好な電気的反射S11を実現することができる。以下、本発明の実施形態について説明するが、図4~図7に示した従来の実施形態と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を省略する。[第1の実施形態]図1に、本発明における実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部についてその模式的な上面図を示す。ここで、従来と同様の抵抗膜24a’、24b’に加え、新たに抵抗膜28a、28bを設けている。なお、抵抗膜24a’、24b’、28a、28bの材料は、例えばニクロムや窒化タンタルなどをあげることができるが、その他の材料でも良いことは言うまでもない。電気的終端用中心導体22に高周波電気信号30が入射すると、図6に示した従来技術と同様にその大部分は抵抗膜24a’、24b’を伝搬することによりジュール熱に変換されるが、漏れた高周波電気信号41は、本発明において新たに設けられた抵抗膜28a、28bを伝搬することにより、さらにジュール熱に変換される。なお、図1では抵抗膜24a’、24b’に伝搬した高周波電気信号を26a、26bとして、また抵抗膜28a、28bに伝搬した高周波電気信号を29a、29bとして示している。従って、本発明では電気的終端用中心導体22の端部40による電気的反射がほとんど生じないので、図2に示すように、不図示のドライバーから不図示のLN変調器モジュールを見た際に良好な電気的反射S11特性を実現できる。なお、図1に示した実施形態では抵抗膜が24a’、24b’と28a、28bの2段構成であるが、3段以上の構成でも良く、それらの構成をとることにより、特性がより改善されることは言うまでもない。[第2の実施形態]図3に、本発明における実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、第1の実施形態の変形形態を示す。この第2の実施形態においては、抵抗膜28cが電気的終端用中心導体22に対して一方側のみに設けられており、この抵抗膜28cを高周波電気信号29cが伝搬するようになっている。抵抗膜28cの電気的終端用中心導体22に沿う方向の幅は、インピーダンス整合のために第1の実施形態の抵抗膜28bの幅の略2倍の大きさとなっている。この変形態様においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。[各種実施形態]以上においては、進行波電極としてはCPW電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップACPSや対称コプレーナストリップCPSなどの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。そしてDQPSK型の光変調器などマッハツェンダ型光導波路をネスト状に組み合わせた構造や、シングル電極、あるいはDual電極などについても本発明は勿論有効である。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器や直線など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。さらに、以上の実施形態はx-カット、y-カットもしくはz-カットの面方位、即ち、基板表面カット面に対して垂直な方向に結晶のx軸、y軸もしくはz軸を持つ基板にも適用可能であるし、以上に述べた各実施形態での面方位を主たる面方位とし、これらに他の面方位が副たる面方位として混在しても良い。また、基板が半導体の場合についても本発明を適用できる。