共振器を構成する部分反射ミラーおよび全反射ミラーと、前記部分反射ミラーと全反射ミラーの間のレーザビーム光軸上に直列に並んで配置された偶数個のロッド型の固体レーザ媒質と、この固体レーザ媒質を側方から励起する複数の励起光源とを備え、前記偶数個の固体レーザ媒質の中央の間隙に仮想的に設けられた前記レーザビーム光軸に垂直な仮想平面に対し、前記複数の励起光源および偶数個の固体レーザ媒質が面対称となるように配置されたことを特徴とする固体レーザ装置。前記部分反射ミラーおよび全反射ミラーを同じ曲率とし、前記仮想平面を前記共振器の光学的中央に一致させることで、この共振器を対称型共振器としたことを特徴とする請求項1に記載の固体レーザ装置。前記複数の励起光源は、前記レーザビーム光軸を含む第1の平面の一方の面側のみに配置されたことを特徴とする請求項1または2いずれかに記載の固体レーザ装置。前記複数の励起光源は、各励起光源から出射される励起光の前記レーザビーム光軸を含む第1の平面に対する入射角が二種類以上となるように配置されたことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の固体レーザ装置。前記固体レーザ媒質の内一つの固体レーザ媒質を励起する前記励起光源がn個の場合、各励起光源から出射される励起光の前記第1の平面に対する入射角が、180度をnで割った商の値ずつ角度がずれるように、前記励起光源が配置されたことを特徴とする請求項4に記載の固体レーザ装置。前記レーザビーム光軸を含みかつ前記第1の平面に垂直な第2の平面に対して、前記一つの固体レーザ媒質を励起する励起光源の励起光の前記第2の平面に対する入射角が、レーザビーム光軸方向から見て対称になるように、前記励起光源が配置されたことを特徴とする請求項5に記載の固体レーザ装置。前記固体レーザ媒質の長手方向の1箇所には一つの励起光源のみを配置したことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の固体レーザ装置。前記固体レーザ媒質の中の同一の固体レーザ媒質を励起する前記複数の励起光源において、隣り合う励起光源は前記レーザビーム光軸を含みかつ前記第1の平面に垂直な第2の平面に対しそれぞれ反対の面側に配置し、これらの隣接した励起光源間の距離が前記励起光源の幅よりも狭いことを特徴とする請求項3に記載の固体レーザ装置。前記仮想平面に対し、対称な位置に配置された固体レーザ媒質の一方の固体レーザ媒質の中心を他方の固体レーザ媒質の中心に転写する転写光学系を、前記偶数個の固体レーザ媒質の中央の間隙に配置したことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の固体レーザ装置。前記偶数個の固体レーザ媒質の中央の間隙に2枚のレンズを配置し、この2枚のレンズを用いて前記仮想平面に対し対称な位置に配置された各固体レーザ媒質の一方の固体レーザ媒質の中心を他方の固体レーザ媒質の中心に転写する転写光学系を構成した場合に比べ、このレンズと隣り合う固体レーザ媒質間の距離は変えず2枚のレンズ間距離のみを転写光学系よりも短くしたことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の固体レーザ装置。前記偶数個の固体レーザ媒質の中央の間隙に、90度偏光ローテータを配置したことを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の固体レーザ装置。従来の固体レーザ装置では、固体レーザ媒質の軸を中心とした励起分布の均一性のみを考慮しており、固体レーザ装置全体での光軸方向の励起分布の対称性については考慮されていなかったため、高出力の高品質レーザビームを高効率に発生することができないという問題があった。共振器の中央付近に偶数個の励起モジュールをレーザビーム光軸に沿って並べて配置し、それぞれの励起モジュールに配置される励起光源および固体レーザ媒質を、これら偶数個の励起モジュールの中央にある間隙に設けた仮想対称面に対し、面対称になるように配置する。これにより、固体レーザビームが固体レーザ媒質の各励起部を通過する際に感じる熱レンズおよび励起分布を、仮想対称面に対し略対称とすることができる。その結果、固体レーザビームの伝搬の対称性が崩れる場合、特にレーザビームが高出力な場合に生じる、固体レーザ媒質通過時に固体レーザ媒質の熱歪の非対称性の影響を受けて固体レーザビームが歪んでビーム品質が悪化するという状況の発生を抑え、高出力なレーザビームの品質を高めることができる。実施の形態1.図1~図3は、本発明の実施の形態1による固体レーザ装置を示す。図1は斜視図であり、図2は上面図である。図3aは図2中のA-A断面図、図3bは図2中のB-B断面図、図3cは図2中のC-C断面図、図3dは図2中のD-D断面図、図3eは図2中のE-E断面図、図3fは図2中のF-F断面図、図3gは図2中のG-G断面図、図3hは図2中のH-H断面図である。図1に示したように、固体レーザ装置は、共振器を構成する全反射ミラー13と、部分反射ミラー14を備え、その間には直列に配置された二つの励起モジュール51、52が配置されている。ここでは、全反射ミラー13側に配置された励起モジュールを第1の励起モジュール51とし、部分反射ミラー14側に配置された励起モジュールを第2の励起モジュール52とする。第1の励起モジュール51は、ロッド型の第1の固体レーザ媒質11と、この固体レーザ媒質を側方から励起する励起光源としてレーザビーム18の光軸に沿って並べられ、発光部を含む半導体レーザバーとヒートシンクからなる複数の半導体レーザ21~24とを備える。ここでは4つの半導体レーザを備え、全反射ミラー13側から第1の半導体レーザ21、第2の半導体レーザ22、第3の半導体レーザ23、第4の半導体レーザ24とする。また、第1の固体レーザ媒質11を支えると共に各半導体レーザ21~24をそれぞれ支える四つの半導体レーザ基台31~34と、この四つの半導体レーザ基台31~34を支える第1の基台41を備える。ここでは、四つの半導体レーザ基台を各半導体レーザに対応させ、第1の半導体レーザ基台31、第2の半導体レーザ基台32、第3の半導体レーザ基台33、第4の半導体レーザ基台34とする。同様に、第2の励起モジュール52は、ロッド型の第2の固体レーザ媒質12と励起光源としての四つの第5~第8の半導体レーザ25~28と、固体レーザ媒質12を支えると共に各半導体レーザ25~28を支える第5~第8の半導体レーザ基台35~38と、この四つの半導体レーザ基台35~38を支える第2の基台42を備える。ここでは、全反射ミラー13側から第5の半導体レーザ25第5の半導体レーザ基台~第8の半導体レーザ28第8の半導体レーザ基台とする。なお、本実施の形態における励起モジュールとは、固体レーザ媒質毎に設定されるものであり、図1においては固体レーザ媒質が二つ存在しているので、励起モジュールも二つ存在していることとなる。仮に、図1において、第1の基台41と第2の基台42が同じ部材で一体成形されていたとしても、すなわち一つの基台に二つの固体レーザ媒質が配置されていたとしても、二つの励起モジュールが存在していることとなる。全反射ミラー13は第1のホルダ43に、部分反射ミラー14は第2のホルダ44にそれぞれ固定されている。第1および第2の固体レーザ媒質11、12は、内部に活性媒質を含み、励起光の照射によって反転分布を形成して、光を増幅する機能を有する部材であり、例えば、Nd:YAGネオジウムヤグ等からなり、ロッド型、好ましくは円柱状の形状を有する。なお、第1および第2の固体レーザ媒質11、12は、同一の形状長さや形等である。第1~第8の半導体レーザ21~28は、第1および第2の固体レーザ媒質11、12を励起するための励起光を発生する機能を有し、本発明では第1および第2の固体レーザ媒質11、12の側方から励起光を照射する側方励起の配置を採用している。また、第1~第8の半導体レーザ21~28は、各半導体レーザのヒートシンクを介してそれぞれ第1~第8の半導体レーザ基台31~38上に固定されている。第1~第8の半導体レーザ21~28と第1~第8の半導体レーザ基台31~38の間には、図示はしていないが、例えばインジウムなどの柔軟な金属や熱伝導率の高い樹脂シートやセラミックなどが配置されており、第1~第8の半導体レーザの各ヒートシンクと第1~第8の半導体レーザ基台31~38間の熱伝達が良くなるようにしている。第1~第8の半導体レーザ基台31~38は、良好な放熱性を有する金属材料、例えば、銅で形成されている。また、図3a~h等で示すように、第1~第8の半導体レーザ21~28を所定の高さ、角度に設置するための台座と、第1および第2の固体レーザ媒質11、12を格納するための第1~第8の円筒穴71~78と、半導体レーザ21~28からの励起光を反射し、円筒穴71~78の内部に励起光を閉じ込めるための部分円筒状の集光面とがそれぞれ一体に形成されている。また、第1~第8の半導体レーザ基台31~38は、図3a~hに示すように、第1~第8の半導体レーザ21~28の励起光出射面に対する対向面には、第1~第8の半導体レーザ21~28からの励起光を通過させるために各半導体レーザ21~28にそれぞれ対応した第1~第8のスリット81~88が形成されている。第1~第8の半導体レーザ基台31~38の少なくとも円筒状の集光面および第1~第8のスリット81~88の壁面には、例えば、金メッキ等の高反射膜が施されており、第1~第8の半導体レーザ21~28からの励起光を効率よく反射できる。第1および第2の固体レーザ媒質11、12は、第1~第8の半導体レーザ基台31~38のそれぞれの円筒穴71~78内に、図示はしていないが、第1~第8の半導体レーザ21~28からの励起光に対してほぼ透明な、例えばポッティング剤や接着剤などで固定されている。このポッティング剤や接着剤などは、第1および第2の固体レーザ媒質11、12を支える以外に、第1および第2の固体レーザ媒質11、12で発生した熱を第1~第8の半導体レーザ基台31~38に伝達する機能も有している。また、第1~第8の半導体レーザ基台31~38は、第1または第2の基台41、42上に配置されている。第1~第8の半導体レーザ基台31~38と第1または第2の基台41、42の間には、図示はしていないが、例えばインジウムなどの柔軟な金属や熱伝導率の高い樹脂シートやセラミックなどが配置されており、第1~第8の半導体レーザ基台31~38と第1または第2の基台41、42間の熱伝達が良くなるようにしている。また、第1および第2の基台41、42は、良好な放熱性を有する金属材料、例えば、銅で形成され、内部に水を流す、電子冷却素子ペルチェ素子上に配置されるなどして冷却されており、熱を発生する第1~第8の半導体レーザ21~28や第1および第2の固体レーザ媒質11、12を第1~第8の半導体レーザ基台31~38を介して冷却する機能を有している。このような固体レーザ装置において、第1および第2の励起モジュール51、52から発生した固体レーザビーム18は、全反射ミラー13と部分反射ミラー14からなる共振器を往復するうちに第1および第2の励起モジュール51、52を通過する毎に増幅され、共振器を往復する固体レーザビーム18の一部は部分反射ミラー14を透過して固体レーザ装置の外部に取り出される。本実施の形態における固体レーザ装置において、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52にそれぞれ配置される第1~第4の半導体レーザ21~24と第5~第8の半導体レーザ25~28は、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52の間隙にあるレーザビーム18光軸に垂直な仮想対称面61に対し面対称になるように配置されている。また、第1の固体レーザ媒体11と第2の固体レーザ媒体12は、同一の形状であるので、第1の固体レーザ媒体11と第2の固体レーザ媒体12も、仮想対称面61に対し面対称な構成となっている。また、全反射ミラー13と部分反射ミラー14は同じ曲率のミラーを用いており、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52は、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52の間隙にある仮想対称面61が全反射ミラー13と部分反射ミラー14からなる共振器の光学的中央になるように配置されている。すなわち、全反射ミラー13、部分反射ミラー14および2つの励起モジュール51、52は対称型共振器を構成している。図4は、図3の2つの固体レーザ媒質11、12の中心軸を含み、基台41、42の表面と平行な第1の平面62に沿った断面図である。なお、図4は、固体レーザ装置から各固体レーザ媒質11、12、全反射ミラー13、部分反射ミラー14、および、固体レーザビーム18のみを抜き出して記載した図であり、固体レーザビーム18は光軸に垂直な方向のビーム径も考慮して記載している。また、第1の平面62を基台41、42の表面と平行としたが、これは便宜的に設定したものであり、特にこれに限定される訳ではなく、固体レーザ媒質11、12の中心軸、すなわちレーザビーム18の光軸を含む平面であれば任意の平面で良い。図4に示したように、対称型共振器の中央付近に2つの励起モジュール11、12を配置した場合、共振器の中央でもある仮想対称面61に対し面対称になるように固体レーザビーム18のビーム径は変化する。したがって、図2のA-A断面とH-H断面、図2のB-B断面とG-G断面、図2のC-C断面とF-F断面、および、図2のD-D断面とE-E断面それぞれの位置での固体レーザビーム18のビーム径は同じとなる。これにより、図2のA-A断面とH-H断面、図2のB-B断面とG-G断面、図2のC-C断面とF-F断面、および、図2のD-D断面とE-E断面それぞれの位置での励起分布、ビーム径が同じになるので、固体レーザビーム18は同じ強度分布の固体レーザ媒質の熱レンズ、熱歪の影響を受けることになる。以上説明したように、本実施の形態においては、対称型共振器の中央付近に二つの励起モジュール51、52を配置し、それぞれの励起モジュール51、52に配置される励起光源21~28を、二つの励起モジュール51、52の間隙にある仮想対称面61に対し面対称になるように配置した。これにより、固体レーザビーム18が固体レーザ媒質11、12の各励起部を通過する際に感じる熱レンズおよび励起分布が仮想対称面61に対し対称となり、固体レーザビーム18が対称型共振器において理想的なビーム伝搬状況、すなわち仮想対称面61に対し面対称なビーム伝搬状況になるようにすることができる。その結果、固体レーザビームの伝搬の対称性が崩れた場合、特にレーザビームが高出力な場合に生じる、固体レーザ媒質通過時に固体レーザ媒質の熱歪の非対称性の影響を受けて固体レーザビームが歪んでビーム品質が悪化するという状況が発生せず、高出力なレーザビームの品質を高めることができる。また、対称型共振器の中央付近に二つの励起モジュール51、52を配置したので、共振器内を伝搬する固体レーザビーム18のビーム径が、共振器の中央でもっとも太く、かつ、全反射ミラー13と部分反射ミラー14上でもっとも細くなる光軸方向に中心対称な形状にでき、固体レーザ媒質11、12の利用効率を高くできる。その結果、高出力で高品質なレーザビームの発生効率をより高効率にすることができる。また、本実施の形態においては、図1もしくは図3に示したように、それぞれの励起モジュール51、52内における半導体レーザ21~28からの励起光の入射方向、言い換えるならば、固体レーザ媒質11、12の中心軸を含む第1の平面62に対する入射角が、2種類以上となるように配置した。これにより、固体レーザ媒質11、12を均一に励起することができ、その結果、高出力なレーザビームのビーム品質をより高めることができる。また、図3に示したように、固体レーザ媒質11、12の中心軸を含む第1の平面62に対して片方の面側に半導体レーザ21~28を配置したので、この第1の平面62が基台41、42の表面にほぼ平行であれば、半導体レーザ基台を基台に取り付ける際、および、励起光源を半導体レーザ基台に取り付ける際に一方向からアクセスすることができる。これにより、高出力で高品質なレーザビームを高効率に発生することができる固体レーザ装置を簡単な構成にでき、かつ、組立も簡単にできる。また、図3に示すように、固体レーザ媒質11、12の長手方向の1箇所には1個の半導体レーザが配置するようにしたので、固体レーザ媒質の長手方向の熱密度を小さくできるため、簡単な冷却構成で、高出力で高品質なレーザビームを高効率に発生することができる固体レーザ装置を得ることができる。なお、本実施の形態においては、図1から3に示したように、二つの励起モジュールにて対称型共振器を構成する場合について説明を行ったが、それよりも多くの励起モジュールで構成しても良い。ただし、複数の励起モジュールの中央の間隙に設ける仮想対称面61に対して、複数の励起モジュールを対称に配置するので、励起モジュールの数は偶数となる。すなわち、例えば仮想対称面61に対し、励起モジュールを片側に1個、計2個と配置する場合、片側に2個、計4個の場合、片側に3個、計6個の場合等が考えられる。当然ながら、各励起モジュールの励起光源は、仮想対称面61に対し面対称に配置しておく必要がある。これは、他の実施の形態においても同様である。また、本実施の形態においては、4個の半導体レーザで1つの励起モジュールを構成する例を示したが、2個、3個あるいは5個以上の半導体レーザで1つの励起モジュールを構成してもよい。当然ながら、各半導体レーザは仮想対称面61に対して面対称に配置されることは必須である。これも、他の実施の形態においても同様である。また、上述した、励起光の入射方向を二種類以上とする構成、励起光源を第1の平面62の片側に配置する構成、および1箇所に1個の励起光源を配置する構成は、それぞれ、励起光源を仮想対称面61に対し面対称に配置する構成による効果を更に向上させるための構成であり、本実施の形態においては必須ではなく、より望ましい構成である。これも、他の実施の形態においても同様である。また、本実施の形態においては、対称型共振器にて説明したが、これに限るものでは無く対称型発振器でなくても良い。これは、レーザビーム光軸に沿って並んだ複数の励起モジュールの中央の間隙に設けられた仮想対称面61に対して、励起モジュールを対称に配置することは必須であるが、例えば、全反射ミラー13と部分反射ミラー14の曲率が異なる場合や、全反射ミラー13と励起モジュールとの間隔と部分反射ミラー14の間隔とが異なっていても良い、との意味である。この場合、仮想対称面61に対しての対称位置でのビーム径が同じではなくなるため、対称位置での熱レンズ、熱歪が同じになるという効果がやや弱まる。これも、他の実施の形態においても同様である。さらに、本実施の形態では、それぞれの半導体レーザ21~28と半導体レーザ基台31~38と、基台41、42をそれぞれ別々の部材として構成したが、励起モジュール毎に半導体レーザ基台と基台を一体形成しても良く、また、全励起モジュールの半導体レーザ基台と基台を一体形成しても良く、この場合コンパクトな構成により高出力で高品質なレーザビームを高効率に発生することができる。これも、他の実施の形態においても同様である。次に、本実施の形態による具体的な実施例1を説明する。実施例1.2つの励起モジュール51、52を共振器内に配置し、それぞれの励起モジュールに4個ずつの半導体レーザ21~24および半導体レーザ25~28を配置した。具体的な半導体レーザ21~28の配置を、図3により説明する。第1の励起モジュール51に配置された第1の半導体レーザ21の励起光の、基台41、42の表面に平行な第1の平面62に対する入射角は、図3aに示したように右上方から67.5度である。同じく、第2の半導体レーザ22の励起光の第1の平面62に対する入射角は、図3bに示したように右下方から22.5度、第3の半導体レーザ23の励起光の第1の平面62に対する入射角は、図3cに示したように右上方から22.5度、第4の半導体レーザ24の励起光の第1の平面62に対する入射角は、図3dに示したように右下方から67.5度となるように配置した。また、第2の励起モジュール52に配置された第5の半導体レーザ25の励起光の、第1の平面62に対する入射角は、図3eに示したように右下方から67.5度である。同じく、第6の半導体レーザ26の励起光の第1の平面62に対する入射角は、図3fに示したように右上方から22.5度、第7の半導体レーザ27の励起光の第1の平面62に対する入射角は、図3gに示したように右下方から22.5度、第8の半導体レーザ28の励起光の第1の平面62に対する入射角は、図3hに示したように右上方から67.5度となるように配置した。このような配置とすることにより、第1の半導体レーザ21の励起光に対する第2の半導体レーザ22の励起光の入射角、第3の半導体レーザ23の励起光に対する第4の半導体レーザ24の励起光の入射角、第5の半導体レーザ25の励起光に対する第6の半導体レーザ26の励起光の入射角、第7の半導体レーザ27の励起光に対する第8の半導体レーザ28の励起光の入射角、それぞれが90度となるようにしている。また、図3に示すように、第1の半導体レーザ21と第8の半導体レーザ28、第2の半導体レーザ22と第7の半導体レーザ27、第3の半導体レーザ23と第6の半導体レーザ26、第4の半導体レーザ24と第5の半導体レーザ25、それぞれが同方向に励起光を発生するように配置されており、図2に示すように、第1~第4の半導体レーザ21~24と第5~第8の半導体レーザ25~28は、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52の間隙にある仮想対称面61に対し、面対称になるように配置されていることになる。図5は、第1および第2の固体レーザ媒質11、12の断面励起分布であり、外側の円が固体レーザ媒質の外形を示し、斜線で示した部分が断面内の励起強度が強い部分を示している。図5aは図2中のA-A断面における励起分布、図5bは図2中のB-B断面における励起分布、図4cは図2中のC-C断面における励起分布、図5dは図2中のD-D断面における励起分布、図5eは図2中のE-E断面における励起分布、図5fは図2中のF-F断面における励起分布、図5gは図2中のG-G断面における励起分布、図4hは図2中のH-H断面における励起分布を示している。図2において、固体レーザビーム18が共振器内を仮想対称面61から左方向に進行して、第1の固体レーザ媒質11を通過する時には、図5d、図5c、図5b、図5aの励起分布による熱レンズをこの順に感じることになる。一方、固体レーザビーム18が共振器内を仮想対称面61から右方向に進行して、第2の固体レーザ媒質12を通過する時には、図5e、図5f、図5g、図5hの励起分布による熱レンズをこの順に感じることになる。また、図4に示したように、図2のA-A断面とH-H断面、図2のB-B断面とG-G断面、図2のC-C断面とF-F断面、および、図2のD-D断面とE-E断面、それぞれの位置での固体レーザビーム18のビーム径は同じとなるので、図5aと図5h、図5bと図5g、図5cと図5f、および、図5dと図5eそれぞれの熱レンズを感じる際の固体レーザビーム18のビーム径は同じとなり、したがって、固体レーザビーム18が共振器内を進行するときに感じる熱レンズおよび励起強度の方向性も仮想対称面61に対して対称となり、高出力で高品質なレーザビームを高効率に発生することができる。また、本実施例においては、一つの固体レーザ媒質に対して四つの半導体レーザにて励起を行っているが、各半導体レーザを図3に示したように、固体レーザ媒質の軸方向から見て45度ずつ角度をずらして配置しているので、固体レーザ媒質を軸中心対称に励起することができる。これは、図5のaからdを重ね合わせると、図6に示したように、各半導体レーザ21~24からの励起光による四つの励起分布が軸対称な分布になると言うことである。四つ以外の場合は、例えば、三つの半導体レーザで励起する場合には、固体レーザ媒質の軸方向から見て60度ずつ角度をずらして配置すれば良いし、五つの場合は36度ずつずらして配置すれば良い。これを一般的に拡張するならば、n個の半導体レーザを用いる場合には、固体レーザ媒質の軸方向から見て、180度をnで割った商の値ずつ角度をずらして半導体レーザを配置すれば良いと言うことである。更に、本実施例においては、図3に示したように、第1の平面62に垂直でレーザビーム18光軸を含む第2の平面63に対して、レーザビーム18光軸方向から見て各半導体レーザを対称に配置している。すなわち、レーザビーム18光軸方向から見て、四つの半導体レーザを45度ずつ角度をずらして、かつ平面63に対して対称に配置すべく、図6に示したように、平面63に対して、±22.5度の位置例えば、第1の半導体レーザ21と第4の半導体レーザ24と±67.5度の位置例えば、第2の半導体レーザ22と第3の半導体レーザ23に配置している。このように配置することで、図3から明らかなように、第1の半導体レーザ基台31と第4の半導体レーザ基台34は、同一部材を単に逆向きに配置しただけとなり、また、第2の半導体レーザ基台32と第3の半導体レーザ基台33も、同一部材を単に逆向きに配置しただけとなる。これは、第5から第8の半導体レーザ基台35~38も同様である。従って、本実施例においては、半導体レーザは全部で八つ使用するが、半導体レーザ基台は二種類の部材のみでよいこととなり、部品の種類を大幅に削減することができる。実施の形態2.図7は、本発明の実施の形態2による固体レーザ装置を示す斜視図である。図7において、図1と同一符号は同一または相当部分を示している。本実施の形態における固体レーザ装置では、実施の形態1で示した固体レーザ装置に加えて、レーザビーム18の偏光方向を光軸中心に90度回転させる90度偏光ローテータ15を備えている。90度偏光ローテータ15は、ホルダ45に固定され、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52との間に配置されて、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52との間で、固体レーザビーム18の偏光方向が90度異なるように構成されている。以上説明したように、90度偏光ローテータ15を二つの励起モジュール間に配置し、二つの励起モジュールそれぞれで固体レーザビーム18の偏光方向が90度異なるようにしたので、偏光方向により異なる固体レーザ媒質の熱レンズを、共振器全体を通して均一化することができる。その結果、より高品質なレーザビームを高出力かつ高効率に発生することができる。なお、実施の形態1でも述べたように、励起モジュールは偶数個であれば二つ以上でも構成することができる。この場合、並んだ複数の励起モジュールの中央の間隙に、90度偏光ローテータを配置することで、90度偏光ローテータより部分反射ミラー側に配置された励起モジュールと、全反射ミラー側に配置された励起モジュールとの間で、固体レーザビーム18の偏光方向が90度異なるようにできる。これにより、偏光方向により異なる固体レーザ媒質の熱レンズを、共振器全体を通して均一化することができる。実施の形態3.図8、9は、本発明の実施の形態3による固体レーザ装置を示し、図8は斜視図であり、図9は上面図ある。図8、9において、図7と同一符号は同一または相当部分を示している。本実施の形態における固体レーザ装置では、実施の形態2で示した固体レーザ装置に加えて、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52間に、レーザビーム18に沿って2枚のレンズ16、17を備えており、全反射ミラー13側の第1のレンズ16は第1のホルダ46に、部分反射ミラー14側の第2のレンズ17は第2のホルダ47にそれぞれ固定されている。ここで、2枚のレンズの配置については、固体レーザ媒質の熱レンズの強さによって二種類の構成が考えられる。熱レンズが弱い場合には、2枚のレンズ16、17は、第1の固体レーザ媒質11の中央を、第2の固体レーザ媒質12の中央に像転写する光学系となるような焦点距離および配置とする。このように、二つの励起モジュール51、52の間に、第1の固体レーザ媒質11の中央を第2の固体レーザ媒質12の中央に像転写する光学系を配置することで、固体レーザ媒質11、12の熱レンズが弱い状態において、一方の固体レーザ媒質の励起分布を他方の固体レーザ媒質上に像転写されるようになり、固体レーザ媒質の断面それぞれにおける励起分布をより均一にすることができる。その結果、低励起強度、すなわち低出力時に、より高品質なレーザビームをより高効率に発生することができる。一方、上述した構成で安定型共振器として動作する熱レンズの強さを超えた熱レンズに対しては、上述した像転写光学系となる焦点距離と配置から2枚のレンズ間距離のみを短くした配置、すなわち、第1の固体レーザ媒質11と第1のレンズ16間距離と、第2の固体レーザ媒質12と第2のレンズ17間距離は像転写光学系と同距離で、第1のレンズ16と第2のレンズ17間の距離を像転写光学系より短くした配置とする。このように、複数の励起モジュールの間に像転写光学系におけるレンズ間の距離を短くした光学系を配置することで、より高励起強度、すなわち、固体レーザ媒質の熱レンズがより強い状態において、1つの固体レーザ媒質の励起分布を他の固体レーザ媒質上に像転写されるようになり、固体レーザ媒質の断面それぞれにおける固体レーザ媒質の励起分布をより均一にすることができる。その結果、より高励起強度、すなわち、より高出力時に、より高品質なレーザビームをより高効率に発生することができる。なお、実施の形態1でも述べたように、励起モジュールは偶数個であれば二つ以上でも構成することができる。この場合、並んだ複数の励起モジュールの中央の間隙に、二つのレンズ16、17を配置することで、二つのレンズ16、17より部分反射ミラー側に配置された固体レーザ媒質の励起分布と、全反射ミラー側に配置された固体レーザ媒質の励起分布とが、それぞれ反対側の固体レーザ媒質上に像転写されるようにできる。これにより、励起分布をより均一にすることができる。次に、本実施の形態による具体的な実施例2を説明する。実施例2.本実施例における固体レーザ装置の構成は、図8および図9に示すものである。2つの励起モジュール51、52は実施例1と同一または相当のものであり、具体的な半導体レーザ21~28の配置は、実施例1と同じく図3に示すような配置としている。また、2枚のレンズ16、17は、第1の固体レーザ媒質11と第1のレンズ16間距離と、第2の固体レーザ媒質12と第2のレンズ17間距離とは像転写光学系と同距離で、2枚のレンズ16、17間の距離を像転写光学系より短くなるように配置している。このような固体レーザ装置において、固体レーザ媒質の断面励起分布は、実施例1と同じく図5に示すものとなり、図9のA-A断面~H-H断面における励起分布はそれぞれ図5a~、図5hになる。2枚のレンズ16、17からなる光学系により、高入力時に図2のE-E断面はほぼA-A断面の位置に像転写され、図2のF-F断面はほぼB-B断面の位置に像転写され、図2のG-G断面はほぼC-C断面の位置に像転写され、図2のH-H断面はほぼD-D断面の位置に像転写される。像転写により励起分布も像転写されるので、像転写された位置では、その位置での励起分布と像転写元の位置での励起分布を合成した励起分布となっているとみなすことができる。図10は、像転写された固体レーザ媒質の断面励起分布を合成した励起分布である。図10aは、図9のE-E断面とA-A断面での励起分布を合成した励起分布、図10bは、図9のF-F断面とB-B断面での励起分布を合成した励起分布、図10cは、図9のG-G断面とC-C断面での励起分布を合成した励起分布、図10dは、図9のH-H断面とD-D断面での励起分布を合成した励起分布である。図10に示すように、像転写で合成された励起分布は、図5で示すそれぞれの断面での励起分布よりも励起強度が強い部分の面積が広がっていることから、より均一に近い励起分布となっており、固体レーザ媒質のそれぞれの断面における励起分布をより均一にすることができていることがわかる。その結果、より品質を高めた高出力なレーザビームをより高効率に発生することができる。なお、本実施の形態においては、複数の励起モジュールの間に90度偏光ローテータ15と2枚のレンズ16、17を備える固体レーザ装置を例として示したが、複数の励起モジュールの間にレンズ16、17のみを備える固体レーザ装置でもよく、本実施の形態の固体レーザ装置と同等の効果がある。実施の形態4.図11は、本発明の実施の形態4による固体レーザ装置を示す上面図である。図11において図9と同符号は同一または相当部分を示している。本実施の形態による固体レーザ装置は、図9の構成に加え、レーザビーム18の光軸に沿って、第3の固体レーザ媒質111を励起する第3の励起モジュール151を、全反射ミラー13と第1の励起モジュール51との間に備え、第4の固体レーザ媒質112を励起する第4の励起モジュール152を、部分反射ミラー14と第2の励起モジュール52との間に備える。第3の励起モジュール151は、第3の固体レーザ媒質111と励起光源としての四つの第9~第12の半導体レーザ121~124と、第9~第12の半導体レーザ121~124と第3の固体レーザ媒質111を支える第9~第12の半導体レーザ基台131~134と、第9~第12の半導体レーザ基台131~134を支える第3の基台141を備えている。また、第1の励起モジュール51と同一または相当の方向に第9~第12の半導体レーザ121~124が配置されており、第1の励起モジュール51と全反射ミラー13との間に第1の励起モジュール51に近接されて配置されている。同様に、第4の励起モジュール152は、第4の固体レーザ媒質112と励起光源として四つの第13~第16の半導体レーザ125~128と、第13~第16の半導体レーザ125~128と第4の固体レーザ媒質112を支える第13~第16の半導体レーザ基台135~138と、第13~第16の半導体レーザ基台135~138を支える基台142を備えている。また、第2の励起モジュール52と同一または相当の方向に第13~第16の半導体レーザ125~128が配置されており、第2の励起モジュール52と部分反射ミラー14との間に第2の励起モジュール52に近接されて配置されている。第1の励起モジュール51に配置される第1~第4の半導体レーザ21~24と、第2の励起モジュール52に配置される第5~第8の半導体レーザ25~28とは、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52との間隙にある仮想対称面61に対し、面対称になるように配置されている。更に、第3の励起モジュール151に配置される第9~第13の半導体レーザ121~124と、第4の励起モジュール152に配置される第13~第16の半導体レーザ125~128とは、第1の励起モジュール51と第2の励起モジュール52との間隙にある仮想対称面61に対し、面対称になるように配置されている。以上説明したように、複数の励起モジュールに配置される励起光源を複数の励起モジュールの中央の間隙にある仮想対称面61に対し面対称になるように配置したので、固体レーザビーム18が固体レーザ媒質11、12、111、112の各励起部を通過する際に感じる熱レンズおよび励起分布が仮想対称面61に対し対称となり、固体レーザビーム18が仮想対称面61に対し面対称な伝搬状況になるようにすることができる。その結果、固体レーザビームの伝搬の対称性が崩れた場合、特にレーザビームが高出力な場合に生じる、固体レーザ媒質通過時に固体レーザ媒質の熱歪の非対称性の影響を受けて固体レーザビームが歪んでビーム品質が悪化するという状況が発生せず、高出力なレーザビームの品質を高めることができる。なお、本実施の形態では、第1の励起モジュール51と全反射ミラー13との間に、第1の励起モジュール51に近接させて第3の励起モジュール151を配置し、第2の励起モジュール52と部分反射ミラー14との間に、第2の励起モジュール52に近接させて第4の励起モジュール152を配置する固体レーザ装置を例として示したが、これに限るものでない。例えば、第1の励起モジュール51と全反射ミラー13の間に、第1の励起モジュール51に近接させて第4の励起モジュール152を配置し、第2の励起モジュール52と部分反射ミラー14との間に、第2の励起モジュール52に近接させて第3の励起モジュール151を配置してもよく、要は、複数の励起モジュールに配置される励起光源を複数の励起モジュールの中央の間隙にある仮想対称面61に対し、面対称になるように配置すれば、同等の効果が得られる。また、本実施の形態では、同数の励起光源を備える励起モジュールを4つ用いる固体レーザ装置を例として示したが、これに限るものでない。例えば、同数の励起光源を備える励起モジュールの数は6つでも、8つでもよく、また、1つの励起モジュールに備えられる励起光源の数は異なっていてもよく、要は、複数の励起光源を複数の励起モジュールの中央の間隙にある仮想対称面61に対し面対称になるように配置すれば、同等の効果が得られる。なお、図11においては、実施の形態2で説明したような、複数の励起モジュールの中央の間隙に、90度偏光ローテータを配置する構成や、実施の形態3で説明したような、複数の励起モジュールの中央の間隙に、二つのレンズ16、17を配置する構成を適用したが、これにより、実施の形態2や実施の形態3で説明した効果と同様の効果を得られる。当然ながら、これらの構成がない場合も、複数の励起光源を複数の励起モジュールの中央の間隙にある仮想対称面61に対し面対称になるように配置したことによる効果は得られる。実施の形態5.図12、13は、本発明の実施の形態5による固体レーザ装置を示す。図12は上面図であり、図13aは図12中のA-A断面図、図13bは図12中のB-B断面図、図13cは図12中のC-C断面図、図13dは図12中のD-D断面図、図13eは図12中のE-E断面図、図13fは図12中のF-F断面図、図13gは図12中のG-G断面図、図13hは図12中のH-H断面図である。図12、13に示すとおり、本実施の形態の固体レーザ装置は、二つの固体レーザ媒質211、212を備えた二つの励起モジュール251、252と、全反射ミラー13と部分反射ミラー14などを備える。また、一方の励起モジュール251は、固体レーザ媒質211と励起光源としての四つの半導体レーザ221~224と、各半導体レーザ221~224と固体レーザ媒質211を支える四つの半導体レーザ基台231~234と、この四つの半導体レーザ基台を支える基台241を備える。同様に、他方の励起モジュール252は、固体レーザ媒質12と励起光源としての四つの半導体レーザ225~228と、各半導体レーザ225~228と固体レーザ媒質212を支える四つの半導体レーザ基台235~238と、この四つの半導体レーザ基台を支える基台242を備える。また、一方の励起モジュール251に配置される四つの半導体レーザ221~224と、他方の励起モジュール252に配置される四つの半導体レーザ225~228とは、一方の励起モジュール251と他方の励起モジュール252との間隙にある仮想対称面61に対し、面対称になるように配置されている。このような構成において、図13に示すように、一方の励起モジュール251内に配置された四つの半導体レーザ221~224は、固体レーザ媒質211の中心軸を含み基台41の表面に略平行な第1の平面62に対し、基台41が存在する側とは反対側に配置されている。また、四つの半導体レーザ221~224のうち隣り合う半導体レーザは、第1の平面62に垂直で固体レーザ媒質211、212の中心軸を含む第2の平面63に対し交互になるように、それぞれ反対の面側に配置されている。他方の励起モジュール252においても、仮想対称平面61に対し一方の励起モジュール251と対称になるように、半導体レーザや半導体レーザ基台が同様に配置されている。図14は、図12に示す励起モジュール251から固体レーザ媒質211、半導体レーザ221、および、半導体レーザ基台231を取り出して詳細に示した図であり、図14aは側面図、図14bは上面図である。半導体レーザ221は、発光部を含む半導体レーザバー221aとヒートシンク221bからなっており、半導体レーザ基台231は半導体レーザ支持部231bと固体レーザ媒質支持部231aからなっている。なお、半導体レーザ基台231の半導体レーザ支持部231bと固体レーザ媒質支持部231aは一体に成形されている。半導体レーザ基台231の半導体レーザ支持部231bの大きさは、半導体レーザ221を搭載できる大きさで決定され、半導体レーザ基台231の固体レーザ媒質支持部231aの大きさは、半導体レーザ221から発せられる励起光を固体レーザ媒質211に伝送できる幅として決定される。したがって、半導体レーザ基台231の半導体レーザ支持部231bの横方向の幅は、半導体レーザ221のヒートシンク221bより広い幅とする必要があり、半導体レーザ基台231の固体レーザ媒質支持部231aの横方向の幅は、半導体レーザ221の半導体レーザバー221aより広くする必要がある。ここで、一般的に半導体レーザバー221aの幅はヒートシンク221bの幅より狭く、例えば半導体レーザバー221aの幅が10mmで、ヒートシンク221bの幅が25mmのものが多いので、図14bに示したように、半導体レーザ基台231の固体レーザ媒質支持部231aは半導体レーザ支持部231bよりも幅を半分程度に狭くできる。これらの構成により、それぞれの励起モジュール内に配置された半導体レーザ221~224および半導体レーザ225~228は、固体レーザ媒質の軸方向に半導体レーザ221~224および半導体レーザ225~228のヒートシンクの幅より狭い間隔で設置されている。言い換えれば、半導体レーザ基台の距離、例えば図12においてはA-A断面とB-B断面の距離やE-E断面とF-F断面の距離等、は半導体レーザ支持部よりも狭くできると言うことである。なお、A-A断面等は図12に示したように、各半導体レーザ基台の上面図における中心線に沿った断面である。以上説明したように、複数の励起モジュールに配置される励起光源を複数の励起モジュールの中央の間隙にある仮想対称面61に対し面対称になるように配置し、また、1つの励起モジュール内における隣り合う励起光源をレーザビーム18の光軸方向により近接して配置したので、固体レーザ媒質11、12を高密度に励起することができ、固体レーザ媒質11、12のゲインを高めることができるようになる。その結果、高出力でより高品質なレーザビームを発生する効率をより高めることができる。なお、実施の形態2で説明したような、複数の励起モジュールの中央の間隙に、90度偏光ローテータを配置する構成や、実施の形態3で説明したような、複数の励起モジュールの中央の間隙に、二つのレンズ16、17を配置する構成を、本実施の形態に適用しても良い。この場合、実施の形態2や実施の形態3で説明した効果と同様の効果を得られる。実施の形態6.図15は、本発明の実施の形態6による固体レーザ装置を示す斜視図である。本実施の形態における固体レーザ装置は、実施の形態1による固体レーザ装置の励起光源の配置を、二つの固体レーザ媒質の軸に対し全周方向から励起するように変更したものである。図15に示すとおり、本実施の形態における固体レーザ装置は、二つの固体レーザ媒質311、312を備えた二つの励起モジュール351、352と、全反射ミラー13と部分反射ミラー14などを備える。また、一方の励起モジュール351は、固体レーザ媒質311と励起光源としての四つの半導体レーザ321~324と、各半導体レーザ321~324と固体レーザ媒質311を支える四つの半導体レーザ基台331~334と、この四つの半導体レーザ基台を支える基台341を備える。同様に、他方の励起モジュール352は、固体レーザ媒質312と励起光源としての四つの半導体レーザ325~328と、各半導体レーザ325~328と固体レーザ媒質312を支える四つの半導体レーザ基台335~338と、この四つの半導体レーザ基台を支える基台342を備える。当然ながら、二つの励起モジュールは、その中央の間隙にある仮想対称面61に対し、面対称となるように半導体レーザや固体レーザ媒体が配置されている。これらの構成は、実施の形態1と同様であるが、各励起モジュールの四つの半導体レーザ基台の形状が異なり、各半導体レーザの固体レーザ媒質への励起光の照射方向が全周方向となっている点が異なる。具体的には、図15に示すように、固体レーザ媒質の光軸方向から見て12時、3時、6時、9時の方向から励起光が照射されるように、四つの半導体レーザが配置されている。これにより、実施の形態1による固体レーザ装置の効果のうち、固体レーザ装置を簡単な構成にでき、かつ、組立も簡単にできるという効果はなくなるが、より均一に固体レーザ媒質を励起できるという効果が高まり、より高品質で高出力なレーザビームを高効率に発生することができる。