"凹部を有する基板をチャンバ内で加熱する工程と、前記加熱された基板の表面にZrBH44を供給する工程と、前記加熱された基板の表面に励起された水素を供給する工程とを備え、前記ZrBH44を供給する工程と前記励起された水素を供給する工程とを交互に繰り返すことによって前記凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成する半導体装置の製造方法であって、前記基板を加熱する工程では、前記基板の温度を、前記基板における前記ZrBH44の消費量が前記基板の温度が高くなるにつれて増加する温度領域に加熱し、前記励起された水素を供給する工程では、励起されたネオンをさらに供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記励起された水素を供給する工程では、水素ガスとネオンガスとの混合ガスを励起源によって励起した後に当該励起された混合ガスを前記基板の表面に供給することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記ZrBH44を供給する工程と、前記励起された水素を供給する工程とを繰り返する期間にわたり、前記混合ガスが前記励起源を通して連続的に前記基板に供給されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記ZrBH44を供給する工程と、前記励起された水素を供給する工程とが時間間隔をおいて実行されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記基板の温度を前記温度領域に維持しながら、前記励起された水素と前記励起されたネオンとを共通の供給路を介して同時に前記基板に供給することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。基板の凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成する成膜装置であって、凹部を有する基板を収容して当該基板を加熱する加熱源を有したチャンバと、前記加熱された基板の表面にZrBH44を供給すると前駆体供給部と、前記加熱された基板の表面に励起された水素を供給する励起種供給部と、前記ZrBH44の供給と前記励起された水素の供給とを交互に繰り返すことによって前記凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成すべく、前記加熱源、前記前駆体供給部及び前記励起種供給部を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記加熱源を制御して、前記基板の温度が高くなるにつれて前記ZrBH44の消費量が増加する温度領域に前記基板を加熱し、前記励起種供給部を制御して、前記励起された水素とともに、励起されたネオンをさらに供給することを特徴とする成膜装置。ところで、上記ZrBH44を用いて硼化ジルコニウムを生成するためには、反応式1に従ったZrBH44の分解反応を進行させることが必要となる。こうしたZrBH44の分解反応を進行させるエネルギーの一つには、基板からの熱エネルギーが挙げられるが、基板からの熱エネルギーのみによってこの分解反応を進行させるためには、成膜時における基板温度には550°C以上の高温が必要となってしまう。この点、特許文献1に記載されるように、改質工程において水素ラジカルを供給すれば、反応式2に従った反応も進行するため、成膜時における基板温度を下げることが可能となる。しかしながら上述する水素ラジカルの寿命は水素ラジカル同士の再結合等のため短い。そのため、単に水素ラジカルのみを改質工程において供給すると、活性な水素ラジカルが基板表面に到達し難く、基板温度を下げる効果も十分なものでなくなってしまう。そのため、基板温度の低下と相まって上述する反応式1及び反応式2の反応が十分に進行しなくなる結果、ZrBH44の分解反応が不十分な状態で硼化ジルコニウムが生成されてしまう。つまり硼化ジルコニウムにおける硼素の含有量が大幅に増加するために、バリア層の抵抗率が大幅に増加するといった問題が発生してしまう。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線に用いる硼化ジルコニウムの電気的特性を向上させる半導体装置の製造方法、及び成膜装置を提供することである。上記課題を解決するための手段及びその作用効果を以下に記載する。本発明の一側面は、凹部を有する基板をチャンバ内で加熱する工程と、前記加熱された基板の表面にZrBH44を供給する工程と、前記加熱された基板の表面に励起された水素を供給する工程とを備え、前記ZrBH44を供給する工程と前記励起された水素を供給する工程とが交互に繰り返されることによって前記凹部を覆う硼化ジルコニウム膜が形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記基板を加熱する工程では、前記基板の温度を、前記基板における前記ZrBH44の消費量が前記基板の温度が高くなるにつれて増加する温度領域に加熱し、前記励起された水素を供給する工程では、励起されたネオンをさらに供給する。基板の温度が高くなるにつれてZrBH44の消費量が増加する温度領域とは、基板に吸着したZrBH44が基板からの熱エネルギーを受けて熱的な分解反応を進行させる領域であるとともに、その分解反応が律速している領域である。この温度領域は、基板においてZrBH44の吸着と脱離とが略平衡になる温度、言い換えればALD法が一般に利用される温度と異なり、基板に対してZrBH44の供給が不足する温度、言い換えれば熱エネルギーのみで分解反応が進行する温度とも異なる。成膜時における基板温度を上述するような温度領域に制御することから、ZrBH44の吸着と脱離とが平衡となり得ないために、硼化ジルコニウム膜の成膜速度が高くなることは当然のこと、ZrBH44の熱的な分解反応が確実に進行するために、硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率も低減可能となる。またZrBH44の分解反応が基板からの熱エネルギーのみで進行しない温度でもあるために、過剰な基板温度の上昇が抑えられることにもなる。そして、このようなZrBH44の熱的な分解反応が進行する状況下に励起されたネオンを供給することから、エネルギー準位の高いネオンと水素との衝突を介してラジカル状態の水素が基板の表面まで到達し易くなるため、ZrBH44の分解反応がより効果的に進行することとなる。衝突による水素励起の点では、励起されたアルゴンと比較して、励起されたネオンの方が効果的に水素にエネルギーを与えることができる。また、電離電圧を用いた希ガス励起の点では、ヘリウムの励起と比較して、ネオンの励起の方が容易である。そのため、アルゴンやヘリウムを用いる方法と比較して、ネオンを用いる方法であれば、より確実に、水素をラジカル状態に保持することができる。その結果、ZrBH44の不十分な分解反応によって生じ得る硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率の増加が抑えられるため、ひいては硼化ジルコニウム膜の電気的特性が向上可能となる。好ましい例では、前記励起された水素を供給する工程では、水素ガスとネオンガスとの混合ガスを励起源によって励起した後に当該励起された混合ガスを前記基板の表面に供給する。この場合、励起された水素が励起源から基板に到達するまでの間、励起されたネオンが励起された水素と共に飛行することとなる。そのため、励起された水素と励起されたネオンとが基板の表面で混合される場合と比較して、ラジカル状態の水素がより高い確率で基板の表面に到達することになる。よって、ZrBH44の分解反応がより効果的に進行することとなる。好ましい例では、前記ZrBH44を供給する工程と、前記励起された水素を供給する工程とを繰り返す期間にわたり、前記混合ガスが前記励起源を通して連続的に前記基板に供給される。この場合、硼化ジルコニウム膜が形成される期間の全てで混合ガスが供給され続けるために、励起された水素の供給されるタイミングが、混合ガスの供給されるタイミング等に影響されることなく、励起源の動作によって一義的に決定される。そのため、励起された水素の供給不足が抑えられることとなるために、ZrBH44の分解反応がより確実なものとなる。好ましい例では、前記ZrBH44を供給する工程と、前記励起された水素を供給する工程とが時間間隔をおいて実行されることを要旨とする。この場合、ZrBH44の供給後に残存するZrBH44が励起された水素の供給前に排気されることとなる。それゆえに、基板からの熱エネルギーを受けて分解されるZrBH44にのみ励起された水素が供給されることから、硼化ジルコニウム膜における電気的特性の向上がより確実なものとなる。そのうえ残存するZrBH44と励起された水素との気相中での反応が抑制可能となるために、こうした反応生成物による埋め込み性の劣化が抑制可能にもなる。好ましい例では、前記基板の温度を前記温度領域に維持しながら、前記励起された水素と前記励起されたネオンとを共通の供給路を介して同時に前記基板に供給する。この場合、励起された水素と励起されたネオンが共通の供給路を介して同時に供給されるので、失活せずに基板の表面に到達する励起された水素の量を増やすことができる。本発明の他の側面は、基板の凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成する成膜装置を提供する。その成膜装置は、凹部を有する基板を収容して当該基板を加熱する加熱源を有したチャンバと、前記加熱された基板の表面にZrBH44を供給すると前駆体供給部と、前記加熱された基板の表面に励起された水素を供給する励起種供給部と、前記ZrBH44の供給と前記励起された水素の供給とを交互に繰り返すことによって前記凹部を覆う硼化ジルコニウム膜を形成すべく、前記加熱源、前記前駆体供給部及び前記励起種供給部を制御する制御装置とを備える。前記制御装置は、前記加熱源を制御して、前記基板の温度が高くなるにつれて前記ZrBH44の消費量が増加する温度に前記基板を加熱し、前記励起種供給部を制御して、前記励起された水素とともに、励起されたネオンをさらに供給する。以下、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法に使用される成膜装置について説明する。図1に示されるように、成膜装置10が有する有底筒状のチャンバ本体11には、チャンバ本体11の上部開口を開閉可能なリッド12が連結される。このリッド12がチャンバ本体11の上部開口を閉じると、チャンバ本体11とリッド12とに囲まれた成膜空間Sがチャンバ本体11の内部に形成される。成膜空間Sには、基板としてのシリコン基板Bを載置するステージ13が収容される。このステージ13の内部にはシリコン基板Bを加熱するための加熱源である抵抗加熱ヒータが内蔵されている。この抵抗加熱ヒータはヒータ駆動装置14と接続される。このヒータ駆動装置14が抵抗加熱ヒータに駆動電流を供給すると、ステージ13からの熱量によってシリコン基板Bが加熱される。チャンバ本体11には排気ポートP1を通してターボ分子ポンプやドライポンプ等の排気装置15が接続される。排気装置15が駆動すると、成膜空間Sが減圧される。上記リッド12には、成膜空間Sにガスを導入するためのシャワーヘッド16が搭載される。シャワーヘッド16は複数の前駆体供給孔H2と複数の水素供給孔H1とを有する。リッド12内において、前駆体供給路と水素供給路は互いに独立して形成されている。前駆体供給孔H2及び水素供給孔H1は、それぞれ前駆体供給路と水素供給路を通して前駆体ポートP2及び水素ポートP3に接続されている。前駆体ポートP2にはZrBH44を収容するキャニスタ17Aを通してマスフローコントローラMFC17Bが接続される。このMFC17Bが駆動すると、キャリアガスとしてのアルゴンがキャニスタ17Aに収容されたZrBH44を成膜空間Sへと搬送する。また水素ポートP3には2つのマスフローコントローラMFC17C,17Dが接続される。これらMFC17C,17Dが駆動すると、ネオンガスと水素ガスとからなる混合ガスが成膜空間Sに供給される。なお、上記キャニスタ17A、MFC17B、及び前駆体供給孔H2によって前駆体供給部が構成されている。リッド12の内部において水素ポートP3と各水素供給孔H1との間には石英管あるいはアルミナ管からなる耐熱性の円筒管である照射管18が内蔵される。水素ポートP3から供給されるネオンガス及び水素ガスは、この照射管18を通して各水素供給孔H1へ供給される。照射管18は導波管19Aを通して照射管18にマイクロ波を出力可能なマグネトロン等から構成されるマイクロ波発振器19Bと接続されている。このマイクロ波発振器19Bは当該マイクロ波発振器19Bにマイクロ波を出力させるためのマイクロ波電源19Cが接続されている。マイクロ波発振器19Bが出力したマイクロ波によって、上記照射管18を通過するネオンガス及び水素ガスが励起されて、ネオンラジカル及び水素ラジカルが生成する。ネオンラジカル及び水素ラジカルは、照射管18及び水素供給孔H1を含む共通の供給路を通して成膜空間Sに供給される。つまり水素ポートP3から照射管18に導入される混合ガスは、マイクロ波発振器19Bがマイクロ波を発振する期間オン期間だけラジカル状態として各水素供給孔H1から成膜空間Sに導入される。一方、マイクロ波発振器19Bがマイクロ波を発振しない期間オフ期間は、ノンラジカルの混合ガスが照射管18及び水素供給孔H1を含む共通の供給路から成膜空間Sに導入される。なお、これら照射管18、導波管19A、マイクロ波発振器19B、マイクロ波電源19Cによって励起源が構成されている。またこうした励起源、照射管18、及び水素供給孔H1によって励起種供給部が構成されている。照射管18内で生成される水素ラジカルの寿命は水素ラジカル同士の再結合等のため短い。もしもこうした水素ラジカルのみが照射管18から供給されるとなれば、照射管18から成膜空間Sまでの間で水素ラジカルの多くが失活してしまい、活性状態の水素が基板表面に到達し難くなってしまう。照射管18と基板表面との間の距離を短くすることで活性状態の水素を短時間で基板表面に輸送させることも可能であるが、活性状態の水素を基板表面に均一に到達させるためには、照射管18と基板表面との間にそれ相当の分岐の経路が必要となる。そのため、照射管18と基板表面との間の距離を単に短くして基板表面に対する到達確率を高めることにも限りがある。基板の大型化に対処するために、照射管18と基板表面との間の距離がむしろ拡大する傾向にある。そこで一実施形態では、水素ラジカルよりもエネルギー準位の高いネオンラジカルを水素ラジカルと同じタイミングで生成し、これらのラジカルが同じ通路を飛行する。ネオンラジカルと併走する水素ラジカルは、ネオンラジカルを添加せずに水素ラジカルのみを照射管18から供給する場合と比較しても、励起された水素と励起されたネオンとがシリコン基板Bの表面で混合されるように水素とネオンを別々に供給する場合と比較しても、より活性な状態でシリコン基板Bの表面に到達し易くなる。上記ヒータ駆動装置14、排気装置15、MFC17B,17C,17D、及びマイクロ波電源19Cには、これら各構成要素に制御信号を供給する制御装置20が接続されている。制御装置20には、成膜処理に必要とされる各種プログラムや各種データを格納する記憶部20Aと、これらのプログラムとデータとを読み出して各種の演算を実行する演算部20Bと、当該演算部が実行する成膜処理において利用されるタイマ20Cとが搭載されている。制御装置20における演算部20Bは、記憶部20Aが格納する成膜処理プログラム及び成膜処理条件を読み出し、読み出した成膜処理プログラムに従って、成膜処理条件に含まれる各種成膜パラメータやタイマ20Cが計時する時間に基づいて、吸着工程や改質工程等、複数の処理工程からなる成膜処理を制御する。次に、成膜装置10を使用する半導体装置の製造方法を説明する。まず、成膜処理プログラムに従って排気装置15を駆動するための駆動信号を制御装置20が出力する。当該駆動信号に基づいて排気装置15が成膜空間Sを減圧して成膜空間Sにおける圧力を所定値に維持する。次いでステージ13を昇温するための制御信号を制御装置20が出力する。当該制御信号に基づいてヒータ駆動装置14がステージ13を昇温させて同ステージ13の温度を成膜処理温度に維持する。この際、ステージ13に載置されるシリコン基板Bの温度が高くなるにつれて当該シリコン基板Bで消費されるZrBH44の量消費量が増加するように、上記成膜処理温度は設定されている。図2は、シリコン基板Bの温度に応じた当該シリコン基板におけるZrBH44の消費量を示すグラフである。ZrBH44の消費量は、上述する温度の制御に先立って取得されるか、あるいはシリコン基板Bに対するZrBH44の吸着確率やZrBH44の分解反応に必要とされる熱エネルギー等に基づいて推定されるものである。図2に示されるように、定量のZrBH44が供給される成膜空間Sにおいては、室温RTの近傍から基板温度が高くなるにつれて、シリコン基板Bの表面からのZrBH44の脱離が進行する結果、シリコン基板Bに消費されるZrBH44の消費量は自ずと低下することとなる。一方、シリコン基板Bの温度が温度T1に到達すると、当該シリコン基板Bの表面におけるZrBH44の吸着とZrBH44の脱離とが平衡となる結果、シリコン基板Bに消費されるZrBH44の消費量が略0になる。そしてシリコン基板Bの温度が温度T2に到達すると、シリコン基板Bの表面におけるZrBH44の熱的な分解反応が進行する結果、シリコン基板Bに消費されるZrBH44の消費量が基板温度の増加とともに増加することになる。そしてシリコン基板Bの温度が温度T3に到達すると、シリコン基板Bに吸着するZrBH44の殆どが熱的な分解反応を進行させる結果、シリコン基板Bに消費されるZrBH44の消費量が成膜空間Sに供給されるZrBH44に相等する値で一定となる。本明細書では、温度T1~温度T2の範囲をALD領域またはALD温度範囲と呼び、温度T2~温度T3の範囲をCVD領域またはCVD温度範囲と呼ぶ。上述するように、シリコン基板BにおけるZrBH44の消費量が当該シリコン基板Bの温度が高くなるにつれて増加する基板温度の領域、つまりCVD領域とは、シリコン基板Bに吸着したZrBH44がシリコン基板Bからの熱エネルギーを受けて熱的な分解反応を進行させる領域であって、ZrBH44の消費量が分解反応によって律速している領域である。CVD領域は、シリコン基板BにおいてZrBH44の吸着と脱離とが略平衡になるALD領域とは異なるとともに、シリコン基板Bの表面においてZrBH44の供給が不足する温度T3以上の領域とも異なる。一実施形態の成膜装置10では、制御装置20による基板温度の制御によって基板温度がCVD領域に制御される。その結果、ALD領域のようにZrBH44の吸着と脱離とがシリコン基板Bにおいて平衡になることがない。そのためZrBH44の熱的な分解反応から得られる硼化ジルコニウム膜の成膜速度が高くなることは当然のこと、ZrBH44の熱的な分解反応が確実に進行することとなるために、硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率も低減可能となる。他方、成膜空間Sに供給されるZrBH44の全てを基板温度によって熱的に分解する温度にまで基板温度が高くなることもない。つまりZrBH44の分解反応が基板からの熱エネルギーのみで進行しない温度でもあるために、過剰な基板温度の上昇が抑えられることにもなる。制御装置20がステージ13の温度をCVD領域に調整した状態で、各種のガスを供給するための制御信号を成膜処理条件に応じた所定のタイミングで制御装置20が出力し、当該制御信号に基づいて各MFC17B,17C,17Dが各種のガスを供給する。またマイクロ波を供給するための制御信号を成膜処理条件に応じた所定のタイミングで制御装置20が出力し、当該制御信号に基づいてマイクロ波電源19Cがマイクロ波発振器19Bを駆動させる。図3は、MFC17B,17C,17Dがガスを供給するタイミングと、マイクロ波電源19Cがマイクロ波を出力させるタイミングとを示すタイミングチャートである。ステージ13の温度がCVD領域に制御されると、図3に示されるように、MFC17C,17Dが、ネオンガス及び水素ガスを成膜処理条件に即した流量で成膜空間Sへ供給する。そして成膜処理が終了するまでの期間、これらMFC17C,17Dはネオンガスと水素ガスとを供給し続ける。成膜空間Sにネオンガスと水素ガスとが供給されると、次いで成膜処理条件に即した流量のアルゴンガスと、これに搬送されるZrBH44とを、MFC17Bが成膜空間Sへ供給する。このようにしてZrBH44が成膜空間Sに供給されると、成膜処理温度CVD領域に加熱されたシリコン基板Bでは、シリコン基板Bに吸着した前駆体としてのZrBH44がシリコン基板Bからの熱エネルギーを受けて熱的な分解反応を進行させる。こうしたZrBH44の吸着工程の期間Taは、例えば0.5秒間だけ実行される。上述する吸着工程が終了して所定の排気期間Tbだけ経過すると、次いで成膜処理条件に即した出力値のマイクロ波をマイクロ波電源19Cがネオンガスと水素ガスとに供給する。そしてマイクロ波によって励起されたネオンガス及び水素ガスの一部がネオンラジカル及び水素ラジカルとして吸着工程後のシリコン基板Bに供給されることとなる。この際、水素ラジカルよりもエネルギー準位の高いネオンラジカルが水素ラジカルと同じタイミングで生成され、これらのラジカルが同じ通路を飛行することになる。ネオンラジカルと併走する水素ラジカルは、ネオンラジカルを添加せずに水素ラジカルのみを照射管18から供給する場合と比較しても、励起された水素と励起されたネオンとがシリコン基板Bの表面で混合されるように水素とネオンを別々に供給する場合と比較しても、より活性な状態でシリコン基板Bの表面に到達し易くなる。ラジカル状態の水素を基板表面にまで到達させる希ガスとしては、ネオンの他、アルゴンやヘリウムも考えられる。ただし、衝突による水素励起の点では、励起されたアルゴンと比較して、励起されたネオンの方が効果的に水素にエネルギーを与えることができる。また、電離電圧を用いた希ガス励起の点では、ヘリウムの励起と比較して、ネオンの励起の方が容易である。そのため、アルゴンやヘリウムを用いる方法と比較して、ネオンを用いる方法であれば、より確実に、水素をラジカル状態に保持することができる。シリコン基板Bからの熱エネルギーを受けて分解反応を進行させつつあるZrBH44は、水素ラジカルが十分に供給されることによって、上記反応式2に従った反応をも進行させる結果、CVD領域といった比較的に低い基板温度においてZrBH44の分解反応をより効果的に進行させることとなる。ZrBH44の不十分な分解反応によって生じ得る硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率の増加が抑えられるため、硼化ジルコニウム膜の電気的特性が向上可能となる。こうした水素ラジカルによる改質工程の期間Tcは、例えば15秒だけ実行される。上述する改質工程が終了してマイクロ波の出力の停止から期間Tdだけ経過すると、ネオンガスとこれに搬送されるZrBH44とをMFC17Bが再び成膜空間Sへ供給することとなる。上述する吸着工程と改質工程を例えば4サイクルだけ繰り返すことによって、所望の膜厚の硼化ジルコニウム膜がシリコン基板Bに形成される。なお、これらZrBH44の吸着工程と水素ラジカルによる改質工程とが所定時間の間隔をおいて実行されることから、ZrBH44の供給後に成膜空間Sに残存する未吸着のZrBH44が励起された水素の供給前に排気されることとなる。また水素ラジカルの供給後に成膜空間Sに残存する水素ラジカルが次のサイクルのZrBH44の供給前に排気されることにもなる。それゆえに、シリコン基板Bからの熱エネルギーを受けて分解されるZrBH44に対してのみ励起された水素が供給されることから、硼化ジルコニウム膜における電気的特性の向上がより確実なものとなる。そのうえ残存するZrBH44と水素ラジカルとの気相中での反応、及び残存する水素ラジカルとZrBH44との気相中での反応が抑制可能となるために、こうした反応生成物による埋め込み性の劣化が抑制可能にもなる。また硼化ジルコニウム膜が形成される期間の全てでネオンガスと水素ガスとの混合ガスが定常的に供給され続けるために、水素ラジカルの供給タイミングがマイクロ波電源19Cの動作によって一義的に決定される。このようなマイクロ波の出力態様であれば、混合ガスの供給タイミング等に影響されることなく水素ラジカルの供給が可能となるために、水素ラジカルの過不足が抑えられて、ZrBH44の分解反応がより確実なものとなる。図4abcは、上述する成膜処理がデュアルダマシン法に用いられた例を示す工程図である。なお本実施形態では、配線層31とビア層41とが交互に積層されてなる配線構造において、下層となる配線層31に含まれる配線32に対して、その上層となるビア層41及び配線層31にビア配線42及び配線32を形成する例について説明する。図4aに示されるように、上記成膜装置10に投入されるシリコン基板B上には、シードレスバリア層SLB及びめっき層MLからなる配線32を含んで下層となる配線層31が設けられている。この下層となる配線層31上には、絶縁層43、エッチングストッパ44、及び絶縁キャップ45を含むビア層41が積層されている。このビア層41上には、絶縁層33及びCMPキャップ層34を含んで上層となる配線層31がさらに積層されている。上記ビア層41には、それを構成するエッチングストッパ44、絶縁層43、及び絶縁キャップ45を貫通して凹部を構成するビアホールVHが設けられている。上記上層となる配線層31には、それを構成する絶縁層33及びCMPキャップ層34を貫通してビアホールVHの上側に拡開される配線溝LHが設けられている。こうした構成からなるシリコン基板Bが成膜装置10に投入されると、成膜処理条件に即した流量のアルゴンガスと、これに搬送されるZrBH44とが上述する吸着工程において成膜空間Sに供給されて、配線溝LHの内表面とビアホールVHの内表面にZrBH44が吸着する。そしてCVD領域の温度に加熱されたシリコン基板Bでは吸着したZrBH44がシリコン基板Bからの熱エネルギーを受けて熱的な分解反応を進行させることとなる。次いで成膜処理条件に即した流量の水素ラジカルが改質工程においてネオンラジカルとともに成膜空間Sに供給されて、シリコン基板Bからの熱エネルギーを受けて分解反応を進行させつつあるZrBH44が上記反応式2に従った反応をも進行させる結果、CVD領域といった比較的に低い基板温度においてZrBH44の分解反応がより効果的に進行することとなる。その結果、ZrBH44と水素ラジカルとの気相反応が進行し難いために、ビアホールVHの開口縁では硼化ジルコニウム膜の張り出しが十分に抑えられて、ビアホールVHの内表面や配線溝LHの内表面に沿った均一な厚さのシードレスバリア層SLBが形成されることとなる。またZrBH44の不十分な分解反応によって生じ得る硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率の増加も抑えられるため、このようにして電気抵抗率の抑えられたシードレスバリア層SLBであれば、めっき層MLを形成するための電気抵抗率の低い層、すなわちシード層が不要になる。そして図4cに示されるように、シードレスバリア層SLBを下地とするめっき処理が施されるとすると、めっき液が十分に進入し得るビアホールVHにめっき層MLが形成される。このめっき層MLはビアホールVHだけでなく配線溝LHにも一体的に形成されることとなる。以下、上記成膜装置10を用いた実施例1と比較例1の成膜条件及び成膜結果を以下に示す。比較例1の成膜条件は、水素ガスとネオンガスとの混合ガスの流量を除き、実施例1のものと同じである。実施例1、比較例1基板温度:240°CZrBH44温度:5°C成膜圧力:27PaZrBH44分圧:5Paキャリアアルゴンガス流量:100sccm期間Ta/Tb/Tc/Td:1sec/10sec/5sec/2sec吸着工程及び改質工程のサイクル数:20回マイクロ波出力:200W混合ガス流量:表1参照表1に示されるように、実施例1の電気抵抗率が比較例1のものと比較して1/6程度にまで低くなっていることから、水素ラジカルと共にネオンラジカルが供給される系によって、ZrBH44の分解反応が進行し易くなっていることが分かった。つまりネオンラジカルが水素ラジカルと共に供給される系であれば、水素ラジカルのみが改質工程に供給される系と比較して水素ラジカルによる改質効果が向上可能となることが認められた。次いで、上記成膜装置10を用いた実施例2~4と比較例2の成膜条件及び成膜結果を以下に示す。実施例2~4及び比較例2の成膜条件は、工程期間Ta~Tdを除き同じである。実施例2~4、比較例2基板温度:300°CZrBH44温度:0°C成膜圧力:27PaZrBH44分圧:5Paキャリアアルゴンガス流量:100sccm混合ガス流量水素ガス/ネオンガス:10sccm/200sccm吸着工程及び改質工程のサイクル数:10回マイクロ波出力:200W期間Ta/Tb/Tc/Td:表2参照表2に示されるように、実施例2~4のシート抵抗値が比較例2のシート抵抗値と比較して約20も低くなっていることから、改質工程の期間Tcが長くなるにつれてZrBH44の分解反応がより進行していることが分かった。また実施例2~4を比較すると、吸着工程と改質工程とが時間間隔をおいて実施されることによっても、シート抵抗値が少しずつ低くなっていることから、こうした時間間隔Tb,Tdをおいた処理の態様によっても硼化ジルコニウム膜の電気的特性を向上可能であることが認められた。以上説明したように、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法、及び成膜装置によれば以下の効果を得ることができる。1成膜時の基板温度がCVD領域に制御されていることから、ZrBH44の分解反応が熱的に確実に進行する結果、硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率も低減可能となる。またZrBH44の分解反応が基板温度からの熱エネルギーのみで進行しない温度でもあるために、過剰な基板温度の上昇が抑えられることにもなる。そして、このようなZrBH44の熱的な分解反応が進行する状況下において水素ラジカルとネオンラジカルとが供給されることから、エネルギー準位の高いネオンラジカルによって水素ラジカルが基板表面に到達し易くなる。ZrBH44の分解反応がより効果的に進行することとなる。その結果、ZrBH44の不十分な分解反応によって生じ得る硼化ジルコニウム膜の電気抵抗率の増加が抑えられるため、硼化ジルコニウム膜の電気的特性が向上可能となる。2そのうえ、水素ガスとネオンガスとが混合ガスとしてマイクロ波発振器19Bによって励起されることから、水素ガスとネオンガスとが異なる系にて励起されて混合される態様と比較して、ラジカル状態の水素がより高い確率で基板表面に到達することになる。3硼化ジルコニウム膜が形成される期間の全てにおいて、水素ガスとネオンガスとからなる混合ガスが照射管18に供給され続けるために、マイクロ波電源19Cの動作のみによって一義的に水素ラジカルが生成されることとなる。そのため、水素ガスの供給及び停止が繰り返されて水素ラジカルが生成される態様と比較して、水素ラジカルの供給不足や供給タイミングのズレが抑えられることとなる。4吸着工程と改質工程とが時間間隔をおいて実行されることから、ZrBH44の供給後に残存するZrBH44が水素ラジカルの供給前に排気されることとなる。それゆえに、シリコン基板Bからの熱エネルギーを受けて分解されるZrBH44に対してのみ水素ラジカルが供給されることから、硼化ジルコニウム膜における電気的特性の向上がより確実なものとなる。そのうえ残存するZrBH44と水素ラジカルとの気相中での反応が抑制可能となるために、こうした反応生成物による埋め込み性の劣化が抑制可能にもなる。なお、上記実施形態は以下のように変更して実施することもできる。吸着工程の直後においてZrBH44の排気が十分となるのであれば、また改質工程の直後において水素ラジカルの排気が十分となるのであれば、上述するような吸着工程と改質工程とが時間間隔をおかずに実行される構成であってもよい。ネオンガスと水素ガスとからなる混合ガスが励起される構成であれば、硼化ジルコニウム膜の成膜期間において混合ガスが間欠的に供給される、例えば混合ガスが改質工程にのみ供給される構成であってもよく、こうした構成であっても、上記1、2に類する効果が得られることとなる。ネオンラジカルが水素ラジカルと共に供給される構成であれば、例えば先行して励起されたネオンラジカルと水素との混合ガスが別途励起される構成であってもよく、また先行して励起された水素ラジカルとネオンガスとの混合ガスが別途励起される構成であってもよい。これらの構成であっても、上記1に類する効果が得られることとなる。改質工程で水素ラジカルと共に供給されるラジカルとしては、ネオンラジカルとアルゴンラジカルとの混合系を利用することも可能である。こうした硼化ジルコニウム膜の成膜対象は、ビアホール及び配線溝からなる凹部に限られず、例えばビアホールのみからなる凹部や配線溝のみからなる凹部であってもよい。こうした硼化ジルコニウム膜の適用対象は、シード層を兼ねたバリア層に限られず、例えば図5に示されるバリア層であってもよい。こうした構成であっても、少なくともバリア層における埋め込み性及び電気的特性が向上可能になるとともに、上記1~4に類する効果が得られることとなる。またこうした硼化ジルコニウム膜の適用対象が、シード層であってもよく、こうした構成であっても、これもまた上記のような効果が得られることとなる。ZrBH44の供給態様としては、キャリアガスであるアルゴンガスをネオンガスに変更してもよい。こうした構成であっても、上記のような効果が得られることとなる。さらに、キャリアガスにアルゴンガスを用いる場合と比較して、硼化ジルコニウム膜の成膜過程に利用されるガス種が簡便な構成となるために、特に成膜条件におけるガス流量や成膜温度等の設定や管理が容易なものとなる。"