基板を準備するステップと、前記基板上に窒化物半導体ドットを形成するステップと、前記窒化物半導体ドット上に窒化物半導体層を成長させるステップと、を含む窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットが前記窒化物半導体層の成長の間に互いに連結されるストレス緩衝層が形成されるステップをさらに含む請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体層は、前記ストレス緩衝層以上の厚さを有する請求項2に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記ストレス緩衝層の厚さは、1μmないし100μmである請求項2に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体層は、HVPEHalideVaporPhaseEpitaxy法を使用して成長される請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記基板上にHVPEによる前記窒化物半導体層の成長時、元の位置に前記窒化物半導体ドットを形成する請求項5に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットは、一方向に整列される請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットのサイズによって、成長された前記窒化物半導体層の厚さを制限する請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4μm以上である請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4ないし0.8μmである請求項9に記載の窒化物半導体層の成長方法。成長された前記窒化物半導体層の厚さは、100ないし1000μmである請求項10に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4μm以内である請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体層の厚さは、10μm以下である請求項12に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体層及び前記窒化物半導体ドットは、GaNを含む請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットは、六角形の形態を有する請求項14に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記基板は、サファイア基板である請求項14に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体層は、レーザーリフトオフ法により前記基板から分離されて、窒化物半導体基板として使われる請求項1に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体基板は、GaN基板である請求項17に記載の窒化物半導体層の成長方法。前記窒化物半導体ドットは、前記窒化物半導体層面上や面に近接して位置する請求項17に記載の窒化物半導体層の成長方法。窒化物半導体ドットと、前記窒化物半導体ドット上に成長された窒化物半導体層と、を備える窒化物半導体基板。前記窒化物半導体ドットが前記窒化物半導体層の成長の間に互いに連結されるストレス緩衝層をさらに備える請求項20に記載の窒化物半導体基板。前記窒化物半導体層は、前記ストレス緩衝層以上の厚さを有する請求項21に記載の窒化物半導体基板。前記ストレス緩衝層の厚さは、1μmないし100μmである請求項21に記載の窒化物半導体基板。前記窒化物半導体ドットは、前記窒化物半導体層面上や面に近接した方向に配列された請求項20に記載の窒化物半導体基板。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4ないし0.8μmである請求項20に記載の窒化物半導体基板。前記成長された窒化物半導体層の厚さは、100μmないし1000μmである請求項25に記載の窒化物半導体基板。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4μm以上である請求項20に記載の窒化物半導体基板。前記窒化物半導体層の厚さは、約10μmである請求項27に記載の窒化物半導体基板。前記窒化物半導体ドットは、前記窒化物半導体層の面上に六角形の形態を有する請求項20に記載の窒化物半導体基板。本発明の目的は、基板上での窒化物半導体層の成長時、格子定数差や熱膨張係数差により界面で誘発されるストレインによるクラックのない窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板を提供するところにある。本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法は、基板を準備するステップと、前記基板上に窒化物半導体ドットを形成するステップと、前記窒化物半導体ドット上に窒化物半導体層を成長させるステップと、を含む。前記窒化物半導体ドットと窒化物半導体層との間にストレス緩衝層が形成されるステップをさらに含む。前記窒化物半導体層は、HVPE法を使用して成長される。前記基板上にHVPEによる前記窒化物半導体層の成長時、元の位置に前記窒化物半導体ドットを形成する。前記窒化物半導体ドットは、一方向に整列される。前記窒化物半導体ドットのサイズによって、成長された前記窒化物半導体層の厚さを制限する。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4μm以上である。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4ないし0.8μmである。この場合、成長された前記窒化物半導体層の厚さは、100μmないし1000μmである。前記窒化物半導体ドットのサイズは、ほとんどが0.4μm以内である。この場合、前記窒化物半導体層の厚さは、10μm以下である。前記窒化物半導体層及び前記窒化物半導体ドットは、GaNを含む。前記基板は、サファイア基板である。前記窒化物半導体層は、レーザーリフトオフ法により前記基板から分離されて、窒化物半導体基板として使われる。前記窒化物半導体基板は、GaN基板である。本発明の実施形態による窒化物半導体基板は、前記した窒化物半導体層の成長方法により成長された前記窒化物半導体ドットと前記窒化物半導体層とを基板から分離して得られる。この時、前記窒化物半導体層及び窒化物半導体ドットは、GaNを含み、前記窒化物半導体基板は、GaN基板である。前記窒化物半導体層は、成長の間に前記窒化物半導体ドットが互いに出合うストレス緩和厚さ以上の厚さを有する。本発明の実施形態による窒化物半導体基板は、窒化物半導体ドットと、前記窒化物半導体ドット上に成長された窒化物半導体層と、を備える。前記窒化物半導体ドットと前記窒化物半導体層との間に、成長の間にストレス緩衝層がさらに形成される。本発明の実施形態による窒化物半導体基板は、窒化物半導体層、及び前記窒化物半導体層の一面に六角形の形態の半導体ドットが含まれる。窒化物半導体ドットを核として窒化物半導体層を成長させるので、基板上での窒化物半導体層の成長時、格子定数差や熱膨張係数差により界面で誘発されるストレインによるクラックのない窒化物半導体層を成長させることができる。窒化物半導体のうち窒化ガリウムGaNは、バンドギャップエネルギーが約3.39eVであり、直接遷移型であるワイドバンドギャップ半導体物質として、短波長領域の発光素子の製作に有用な物質である。GaN単結晶は、融点で高い窒素蒸気圧のため、液相結晶成長は、約1500°C以上の高温及び約20000気圧の窒素雰囲気が必要であるので、大量生産が困難であるだけでなく、現在使用可能な結晶サイズも約100mm2の薄板型であるので、それを素子の製作に使用しがたい。これにより、GaN薄膜は、異種基板上にMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition、HVPEHydrideorHalideVaporPhaseEpitaxyなどの気相成長法により成長している。GaN薄膜製造用の異種基板としては、サファイアが最も多く使われているが、これは、サファイアがGaNのような六方晶系の構造であり、低価であり、高温で安定しているためである。しかし、サファイアは、GaNとの約16に達する格子定数差及び約35に達する熱膨張係数差のため、サファイア基板上に高い品質のGaN薄膜を成長させがたい。かかる差により、界面でストレインが誘発される。このストレインが結晶内の格子欠陥を発生させ、GaN薄膜上に製造された素子の寿命を短縮させる。また、サファイア基板上に製造される発光ダイオードの場合、GaN結晶でストレスを誘導する欠陥、及びサファイア基板とGaN薄膜との屈折率差のため、発光効率に限界が存在する。これを克服するために、GaN基板のようなGaN薄膜と同一または類似した特性を有する基板が必要であり、かかる窒化物半導体基板GaN基板上に、ホモエピタキシにより素子を製造することが要求される。本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によれば、例えば、HVPE法により基板と窒化物半導体層との格子定数及び熱膨張係数の差によるクラックが発生しないように、基板上に窒化物半導体層を成長させる。窒化物半導体層を成長させるために、まず、基板を準備する。そして、該基板上に窒化物半導体ドットを形成する。この時、窒化物半導体ドットは、一方向に整列されるように形成される。前記窒化物半導体ドットは、基板と厚膜の窒化物半導体層との格子不整合及び/または熱膨張係数差によるクラックを減らすことができる。窒化物半導体層は、この窒化物半導体ドットを核として単結晶として成長される。III-V族半導体物質の比率や成長温度などを調節して、垂直及び水平成長速度が調節される。窒化物半導体ドットが一方向に整列されるように形成されるので、窒化物半導体層は単結晶として成長される。この時、窒化物半導体層は、ストレス緩和厚さ以上の厚さを有するように成長させる。窒化物半導体層が単結晶として成長される間、前記窒化物半導体ドットが互いに出合う。窒化物半導体ドットと窒化物半導体層との間には、成長の間にストレス緩衝層が形成される。該ストレス緩衝層は、窒化物半導体層の成長と同じ温度で連続的に成長される。ストレス緩衝層において、窒化物半導体ドットと窒化物半導体層との界面に発生した電位は、互いに出合って一部がなくなる。該ストレス緩衝層は、例えば、約40ないし50μmの厚さを有する。ストレス緩衝層40の厚さは、窒化物半導体ドットが互いに出合うストレス緩和厚さに該当する。レーザーリフトオフ法のような広く知られている技術のうち一つの方法により、基板から厚膜の窒化物半導体層を分離すれば、フリースタンディング窒化物半導体基板が得られる。この時、フリースタンディング窒化物半導体基板は、窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の一面に含まれた窒化物半導体ドットとを備える。また、窒化物半導体層と窒化物半導体ドットとの間にストレス緩衝層が存在する。フリースタンディング窒化物半導体基板において、窒化物半導体層の一面、すなわち、基板から分離された面またはその近辺には、窒化物半導体ドットが存在するが、この時、窒化物半導体ドットは、六角形状を有する。かかる本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によれば、例えば、HVPEによりサファイア基板上に厚膜のGaNを成長して、GaN基板を製造できる。厚膜のGaNの成長のための異種基板としては、サファイア基板が使われる。これは、サファイアがGaNのような六方晶系構造であり、低価であり、高温で安定しているためである。しかし、サファイアは、前述したように、GaNとの格子定数差及び熱膨張係数差により界面でストレインが誘発され、該ストレインが結晶内の格子欠陥を発生させ、クラックを発生させる。すなわち、サファイア基板上にGaN層を形成する時、クラックが発生しうる。本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によれば、ストレスを誘導するクラックの形成の可能性を除去するように、一方向に整列されたGaNドットを使用する。厚膜のGaN層を得るために、該GaNドットからGaNを垂直及び水平方向に成長させる。GaNドットサイズによって、クラックのない厚膜のGaN層の厚さが決定される。図1は、本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によって、サファイア基板10上にGaNを成長させる過程を説明するための図である。図2は、図1の構造において、サファイア基板10から厚膜のGaN層50を分離して得られるフリースタンディングGaN基板を概略的に示す。図1を参照するに、窒化物半導体であるGaNを成長させるために、まず、サファイア基板10を準備する。サファイア基板10上にGaNドット30を形成する。GaNドット30は、サファイア基板10と厚膜のGaN層50との格子不整合や熱膨張係数差によるストレスを誘導するクラックを減らすことができる。GaNドット30は、GaNドット層として表現される。GaNドット30は、例えば、次の過程を通じて形成される。サファイア基板10をHVPE反応器に装着した後、高温でHClとGa金属とを反応させてGaClを得る。そして、GaClをNH3と反応させて、GaNドット30をサファイア基板10上に成長させる。かかるGaNドット30を形成するために、サファイア基板10をHVPE反応器に装着した状態で、サファイア基板10をHClNH3で処理して、サファイアの酸素を除去してGaNドットの核となるAlN核を先に形成する。かかる状態で、HClとGa金属とを反応させてGaClを形成し、それをNH3と反応させれば、AlN核からGaNが成長されて、サファイア基板上にGaNドット30が形成される。GaNドット30は、高温、例えば、約900°Cで成長できる。図3を参照するに、このように成長されたGaNドット30は、六方晶系の形態を有しているため、一方向、例えば、c軸によく整列される。図4A及び図4Bは、サファイア基板10に成長されたGaNドット30を示すSEMScanningElectronMicroscopeイメージである。SEMイメージから、c軸によく整列されたGaNドットを形成できるということが分かる。GaN層50が核として作用するGaNドット30上にGaN層50が成長され、垂直及び水平成長速度は、III-V族半導体物質の比率や成長温度などを調節して調節できる。GaNドット30は、六方晶系の形態を有して一方向に整列されるので、GaNは、単結晶として成長される。この時、GaN層50の成長の間に、GaNドット30が互いに出合うストレス緩和厚さ以上の厚さを有するように成長させる。GaNドット30とGaN層50との間には、GaN層50の成長の間にストレス緩衝層40図5参照が形成される。図5は、サファイア基板上にGaNドット30を核としてGaN層50を成長させる時、GaNドット30とGaN層50との間にストレス緩衝層40が存在することを示す。ストレス緩衝層40は、GaN層50の成長と同じ温度で連続的に成長されるものであって、GaNドット30上にGaN層50を成長させれば、GaNが成長されつつ、GaNドット30の界面で電位が発生する。GaNは、各GaNドット30から成長されて、電位が部分的に除去される地点で互いに連結されて、ストレス緩衝層40が形成される。ストレス緩衝層40は、前述したように、例えば、約40ないし50μmの厚さを有する。ストレス緩衝層40の厚さは、GaNドット30のサイズによって変わりうる。ほとんどが0.4μm以上のサイズを有するGaNドットを核としてGaNを成長させる場合、核が互いに出合うストレス緩和厚さcoalescenceは、約40ないし50μmとなる。ストレス緩衝層50の厚さは、ストレス緩和厚さに該当する。したがって、GaN層50の厚さが少なくとも約60ないし70μmである時、GaN層50は、ほぼミラーのような状態となりつつ、ストレスにより誘導されるクラックが発生しない。このように、ストレス緩和厚さ以上にGaN層50を成長させれば、結晶にクラックや欠陥のないGaN層50を所望の厚さの範囲に形成できる。図2を参照するに、GaN層50及びGaNドット30からなるフリースタンディングGaN基板は、レーザーリフトオフ法によりサファイア基板10から所望の厚さを有するGaN層50を分離することで得られる。かかるストレスにより誘導されるクラック及び欠陥なしにGaNドット30から形成されるフリースタンディングGaN基板上に、超高効率の発光ダイオードを製作できる。フリースタンディングGaN層は、サファイア基板10と初期に界面をなし、分離過程でオープンされた面となる面を含む。GaNドット30は、フリースタンディングGaN層の面上やその近辺に存在し、六角形態を有する。レーザーリフトオフ法において、波長が約360nmより短い波長のレーザービームが照射される。GaN層50は、サファイア基板10から分離されるように、レーザービームにより照射される。レーザーリフトオフのためのレーザー光源としては、波長が約1064nmであるNd:YAGレーザーの3次調和波約321nmを利用するか、または波長が約248nmであるKrFエキシマレーザーや、波長が約330nmであるXeClエキシマレーザーを利用できる。このように、約360nmより短い波長のレーザービームをサファイア基板10及びその基板10上に形成されたGaN層50上に照射すれば、サファイア基板との界面に存在するGaN層50で吸収が起きて、その界面でGaNはGa1/2N2となり、これにより、サファイア基板10からGaN層50が分離される。図1及び図2では、ストレス緩衝層は、GaNドット30上にGaNを成長させて所望の厚さを有するGaN層50を形成する間に生じるものであり、そのストレス緩衝層の厚さは、所望の厚さにGaN層50を成長させるために、適用されるGaNドット30のサイズによって変わり、別途の層として区分されないこともあるので、ストレス緩衝層の図示を省略した。前記のように、本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法において、窒化物半導体、例えば、GaNは、HVPE法を使用して成長される。この時、例えば、サファイア基板10上にHVPEによるGaNの成長時、元の位置にGaNドット30が成長できる。前述したように、GaNドット30を使用してサファイア基板10上にGaNを成長させる方法は、格子定数及び熱膨張係数差によるクラックや欠陥のない結晶品質が向上した高品質の厚膜のGaN層50を成長できる。図4A及び図4Bは、GaNの成長のためにサファイア基板上に形成されたGaNドットを示すSEMイメージであるが、図4Aにおいて、GaNドットのほとんど、例えば、約90が0.4μm以内のサイズを有する。図4Bにおいて、GaNドットのほとんど、例えば、約90が約0.4ないし0.8μmのサイズを有する。図4Aのように相対的に小さいサイズのGaNドットは、相対的に低い成長温度、例えば、約980ないし990°Cの成長温度で形成される。図4Bのように相対的に大きいサイズのGaNドットは、相対的に高い成長温度、例えば、約1040°Cの成長温度で形成される。所望のサイズのGaNドットを形成するための温度は、色々な成長条件により変わりうる。これは、GaNドットのサイズが多様な要素に依存するためである。図4Aのように、GaNドットが約0.4μm以内のサイズを有する時、該GaNドットを核として成長されたGaN層は、約10μmまたはそれ以上の厚さでミラーのような状態となる。したがって、0.4μm以内のサイズを有するGaNドットを核として、約10μmの厚さを有する相対的に薄型のGaN層を成長させることができる。図4Bのように、GaNドットが約0.4μm以上、例えば、約0.4μmないし0.8μmのサイズを有する時、この相対的に粗いサイズのGaNドットを核として成長されたGaN層は、例えば、約100μmないし1000μmの相対的に大きい厚さまで成長される。かかる相対的に厚い厚膜のGaN層は、高効率の発光ダイオードなどを製作できるフリースタンディングGaN基板として使われる。本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によれば、GaN層は、例えば、約300μm以上の厚さ、より具体的な例として、約300ないし400μmの厚さに成長させることができる。このように、約0.4μm以上、例えば、0.4μmないし0.8μmのサイズを有する相対的に粗いサイズのGaNドットを核としてGaNを成長させれば、300μm以上の厚さを有する厚いGaN層を形成することが可能である。このように厚く成長されたGaN層を基板から分離すれば、十分な厚さを有するフリースタンディングGaN基板が得られ、そこにデバイスを製造するのに使われる。必要に、GaN層を300μm以内の相対的に薄い厚さに、ストレスにより誘導されたクラック及び/または欠陥の発生なしに成長させることも可能である。したがって、所望の厚さに、フリースタンディングGaN基板だけでなく、高品質のGaN層が本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によってGaNドットを使用して得られる。ほとんどが0.4μm以上のサイズを有する相対的に粗いサイズのGaNドットを核としてGaNを成長させる場合、核が互いに出合うストレス緩和厚さは、約40ないし50μmとなる。したがって、相対的に粗いサイズを有するGaNドットを核としてGaNを成長させる場合、GaN層の厚さが相対的に薄い約60ないし70μmとなれば、GaN層は、クラックなしにミラーのような状態となる。このように、GaNドットサイズによって、ストレス緩和厚さ以上にGaNを成長させれば、クラックや欠陥のない高品質のGaN層を形成できる。図6は、本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によって、GaNドットバッファを使用して成長された直径3インチ、4インチの厚膜のGaN/サファイアを概略的に示すイメージである。図6から明確に分かるように、本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によれば、クラックなしに窒化物半導体層、例えば、GaN層を成長させることができる。以上では、本発明の実施形態による窒化物半導体層の成長方法によって、サファイア基板上にGaNを成長させる場合を説明したが、これは、具体的な例示を表しただけであり、本発明の実施形態がこれに限定されるものではなく、多様な変形及び他の実施形態が可能である。