"EUVリソグラフィ装置で用いるコンポーネントであって、該コンポーネントは、少なくとも部分的に金属製であり、使用中は近真空の環境に配置されかつ該環境に対して上昇した温度で動作され、前記金属の露出表面は、動作前に空気環境内の前記金属の酸化物の形成を抑えるように処理されており、それによって、前記上昇温度での動作中における前記酸化物の後続の蒸発による前記環境の汚染を防ぐ、コンポーネント。前記金属は、タングステン、タングステン合金、モリブデンまたはモリブデン合金である、請求項1に記載のコンポーネント。前記金属は、異なる材料でコーティングすることによって処理されており、該異なる材料は、前記上昇温度にて揮発性の酸化物を形成しない、請求項1または2に記載のコンポーネント。前記異なる材料は、酸化の影響を受けにくい異なる金属を含み、前記異なる金属は、例えば、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムおよびプラチナのうちの1つを含む、請求項3に記載のコンポーネント。前記異なる材料は、前記金属自体の酸化物より安定的な酸化物、例えば、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムのうちの1つを含む、請求項3に記載のコンポーネント。前記異なる材料は、窒化物、炭化物、ダイヤモンド状炭素および金属ケイ化物のうちの1つを含む、請求項3に記載のコンポーネント。前記金属は、異なる材料を形成するように前記金属を前記露出表面で修正することによって処理されている、請求項1または2に記載のコンポーネント。前記異なる材料は、前記金属の窒化物または炭化物である、請求項3に記載のコンポーネント。前記金属は合金を含んでおり、該合金は、少なくとも1つの構成要素が前記表面で偏析する傾向があり、それによって前記金属の組成を前記露出表面で変化させる、請求項1または2に記載のコンポーネント。前記構成要素は、酸化の影響を受けにくい異なる金属であり、該異なる金属は、例えば、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムおよびプラチナのうちの1つを含む、請求項9に記載のコンポーネント。前記構成要素は、酸化物が蒸発の影響を受けにくい異なる金属、例えば、アルミニウム、酸化ジルコニウムおよびハフニウムのうちの1つである、請求項9に記載のコンポーネント。極端紫外線を透過させるように構成されたスペクトル純度フィルタの形態を有するコンポーネントであって、該スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させかつ第2タイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含み、該フィルタ部分は、前記金属で加工されるかまたはキャリア材料で加工されかつ前記金属によって少なくとも部分的にコーティングされる、請求項1~11のうちのいずれかに記載のコンポーネント。原子状ガス、例えば原子状水素、の生成のために前記環境内のガス状分子を加熱するための加熱要素の形態を有する、請求項1~12のうちのいずれかに記載のコンポーネント。極端紫外線を含む放射を生成するように構成された放射源と、前記放射を放射ビームに調整するように構成された照明システムと、前記放射ビームをパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、パターン付き放射ビームをターゲット材料上に投影するように構成された投影システムとを備え、前記放射源、前記照明システムおよび前記投影システムのうちの少なくとも1つは、請求項1~13のうちのいずれかに記載のコンポーネントとともに近真空環境内に収容される、リソグラフィ装置。EUVリソグラフィ装置で用いる金属コンポーネントを製造する方法であって、少なくとも部分的に金属の前記コンポーネントを形成することと、その後、動作前に空気環境内の前記金属の酸化物の形成を抑えるように前記金属の露出表面を処理することとを含む、方法。0031図1は、本発明の一実施形態による放射源コレクタ装置SOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示している。この装置は、0032放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、0033パターニングデバイス例えば、マスクまたはレチクルMAを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されているパターニングデバイスサポートまたはサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、0034基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結されている基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、0035パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、反射投影レンズシステムPSとを備える。0036照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。0037パターニングデバイスサポートMTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0038パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。0039パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0040投影システムは、照明システムと同様に、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。EUV放射に対しては真空を使用することが望ましい場合がある。なぜなら、他のガスは放射を吸収しすぎる場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。0041本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものであってもよい。0042リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0043図1を参照すると、イルミネータILは、放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線ビームを受ける。EUV光を生成する方法としては、材料を、EUV範囲内の1つ以上の輝線を有するキセノン、リチウム、スズなどの少なくとも1つの要素を有するプラズマ状態に変えることを含むが、必ずしもこれに限定されない。そのような一方法では、レーザ生成プラズマLPPと称することが多い所要のプラズマは、所要の発光要素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起させるレーザビームを提供するためのレーザ図1に図示せずを含むEUV放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、放射源コレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて集光される出力放射例えば、EUV放射を放出する。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにCO2レーザを使用した場合、レーザおよび放射源コレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。0044そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がDPP源と称されることが多い放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0045イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、ファセット視野および瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0046放射ビームBは、パターニングデバイスサポート例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0047例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00481.ステップモードにおいては、パターニングデバイスサポート例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。00492.スキャンモードにおいては、パターニングデバイスサポート例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。パターニングデバイスサポート例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。00503.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、パターニングデバイスサポート例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0051上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0052図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムILおよび投影システムPSを含む装置100をより詳細に示している。放射源コレクタモジュールSOは、真空環境が放射源コレクタモジュールSOの閉鎖構造220内で維持できるように構築および配置される。EUV放射放出プラズマ210は、放電生成プラズマ源によって形成されてよい。EUV放射は、ガスまたは蒸気、例えばXeガス、Li蒸気またはSn蒸気によって生成されてよい。このガスまたは蒸気では、電磁スペクトルのEUV範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマ210が生成される。非常に高温のプラズマ210は、例えば、少なくとも部分電離プラズマを引き起こす放電によって生成される。例えば、10PaのXe、Li、Sn蒸気あるいは他のあらゆる適切なガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。一実施形態では、EUV放射を生成するために励起されたスズSnのプラズマが提供される。0053高温のプラズマ210によって放出された放射は、放射源チャンバ211から、放射源チャンバ211における開口部内またはその後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ230場合によっては、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれているを介してコレクタチャンバ212へと進む。汚染物資トラップ230は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ230は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。本明細書中にさらに述べる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア230は、当該技術分野で公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。0054コレクタチャンバ211は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタCOを含むことができる。放射コレクタCOは、上流放射コレクタ側251および下流放射コレクタ側252を有する。コレクタCOを通り抜けた放射は、格子スペクトルフィルタ240から反射して仮想光源点IFで合焦することができる。仮想光源点IFを一般的に中間焦点と呼び、放射源コレクタモジュールは、中間焦点IFが閉鎖構造220内の開口部221にまたはその近くに配置されるように構成される。仮想光源点IFは、放射放出プラズマ210のイメージである。0055その後、放射は照明システムILを通り抜け、この照明システムILは、パターニングデバイスMAにて放射ビーム21の所望の角分布ならびにパターニングデバイスMAにて放射強度の所望の均一性を提供するように構成されたファセット視野ミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含んでよい。パターニングデバイスサポートMTによって保持されるパターニングデバイスMAにて放射ビーム21が反射すると、パターン付きビーム26が形成され、このパターン付きビーム26は、投影システムPSによって反射要素28および30を介してウェーハステージまたは基板テーブルWTによって保持された基板W上に結像される。0056通常、示されているものよりも多くの要素が照明光学ユニットILおよび投影システムPS内に存在してよい。格子スペクトルフィルタ240は、リソグラフィ装置の種類によって任意に存在してよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図2に示す投影システムPS内に存在する反射要素より1~6個多くの反射要素が存在してもよい。0057図2に示すように、集光系COは、単なるコレクタまたは集光ミラーの一例として、かすめ入射リフレクタ253、254および255を有する入れ子化されたコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ253、254および255は、光軸Oの周りで軸対称に配置され、この種の集光系COは、DPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。0058あるいは、図3に示すように、放射源コレクタモジュールSOは、LPP放射システムの一部分であってもよい。レーザLAは、キセノンXe、スズSnまたはリチウムLiなどの燃料にレーザエネルギーを堆積させるように構成され、数十eVの電子温度を有する高電離プラズマ210を生成する。これらのイオンの逆励起および再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近法線入射集光系COによって集光されて閉鎖構造220内の開口部221上で合焦される。0059図4は、スペクトル純度フィルタSPF260が反射格子ではなく透過型であるEUVリソグラフィ装置のための別の構成を示している。この場合、放射源コレクタモジュールSOからの放射は、コレクタから中間焦点IF仮想光源点への直線路をたどる。別の実施形態図示せずでは、スペクトル純度フィルタ260は、仮想光源点12に位置決めされてもよく、またはコレクタ10と仮想光源点12との間のあらゆる箇所に位置決めされてもよい。フィルタは、放射経路内の他の場所、例えば、仮想光源点12の下流などに置くこともできる。多数のフィルタを配置することもできる。先の例のように、コレクタCOは、かすめ入射型図2または直接反射型図3であってもよい。0060上記したように、ガスバリアを含む汚染物質トラップ230は、放射源室に設けられている。ガスバリアは、本明細書中に参照により援用される例えば米国特許第6,614,505号および米国特許第6,359,969号などに詳細に説明されるチャネル構造を含んでよい。この汚染物質トラップの目的は、光学システムの要素に衝突する燃料材料または副生成物の入射およびその要素の経時的な性能の低下を防ぐかまたは少なくとも減少させることである。ガスバリアは、汚染物質との化学的相互作用によっておよび/または荷電粒子の静電または電磁偏向によって流体逆流によって物理的バリアとして機能することができる。実際、できる限り大きな範囲でプラズマ材料を遮断する一方、照明システムへの放射伝達を可能とするためにこれらの方法の組み合わせが用いられる。水素または他のガスは、リソグラフィ装置における他の箇所で汚染物質粒子に対するバリアまたはバッファとして提供されてよい。特に、放射源コレクタモジュールSOの近真空環境への水素の流れは、投影システム内へと中間焦点アパーチャ221を通過しようとする粒子を妨げるように構成することができる。さらに、水素ガスは、iレチクルを汚染するシステムからの汚染物質に対するバッファとしてパターニングデバイス例えば、レチクルサポートMTの付近およびiiシステム内のより大きい真空空間に入るウェーハからの汚染物質に対するバッファとしてウェーハサポートWTの付近に配置されてもよい。水素はEUV光学環境で使用することができる唯一のガスではない。汚染物質トラップで使用することができる別のガスとしてヘリウムが知られている。0061これら全ての目的のために、水素源HSおよび水素ラジカルジェネレータHRGは、装置の様々な箇所に配置される一部を概略的に示し、一部を図示せず。放射源HSは、単純なバッファまたはガスロックとして分子水素ガスH2を供給する。水素ラジカルジェネレータHRGは、ミラー、スペクトル純度フィルタ以下参照およびセンサ表面を含む特定の光学コンポーネントのよりアクティブな洗浄のために原子状水素IIを生成する。一部のユニットは、両方の機能を同時にまたは別々のときに果たすことができる。炭素系の汚染に対しては、ジェネレータからの水素ガス流が次いで原子状水素を汚染された表面に向かって移動させ、その汚染された表面では原子状水素が炭素と反応し、ポンプを用いて除去することができる揮発性炭化水素CII4およびその他のものを形成する。図5aがスペクトル純度フィルタグリッドの一実施形態の一部の概略正面図である一方、図5bは同じグリッドの断面図である。グリッドは、例えば、リソグラフィ装置の上記のフィルタ260として適用することができる。本フィルタは、極端紫外線EUVを透過させるように構成されているが、放射源によって生成される第2タイプの放射例えば赤外線IR、例えば約1μmより大きい波長、特に約10μmより大きい波長の赤外線を実質的に遮断する。特に、透過されるEUV放射および遮断される第2タイプの放射は、例えばリソグラフィ装置のLPP源などといった同じ放射源から発散することができる。0062記載する例におけるスペクトル純度フィルタ100は、実質的に平面のフィルタ部分262F例えば、フィルタ膜またはフィルタ層を含む。そのようなフィルタ部分262Fをフィルタ基板と呼ぶことができる。フィルタ部分262Fは、極端紫外線を透過させかつ第2タイプの放射の透過を抑制するために複数の好ましくは平行のアパーチャ264を有する。放射源SOから放射が衝突する面を正面と呼ぶ一方、放射が照明システムILへと出て行く面を後面と呼ぶことができる。上記したように、例えば、放射の方向を変更することなくEUV放射をスペクトル純度フィルタによって透過させることができる。第1の好ましい実施形態では、各アパーチャ264は、アパーチャを画定しかつ正面から後面まで全体的に延在する平行の側壁を有する。0063フィルタ製造方法の一実施形態は、金属膜を基板上に堆積させることと、その後シリコングリッドSPFの生成に用いられるものと同様の異方性エッチングを適用することとを含む。フォトリソグラフィパターニングおよび異方性エッチングプロセスは、半導体製造から十分に理解されている。十分に制御された断面を有する深いアパーチャに対しては、深反応性イオンエッチングDRIEが有望である。2008年12月22日に出願した米国出願第61/193,769号は、シリコングリッドSPFの生成で適用可能でありかつ金属グリッドSPFに対しても適合することができる様々な製造方法を開示している。その出願の内容は本明細書中に参照により援用される。0064典型的な動作状況下において、大量の力がSPFに入射されることによってSPFは非常に高温となり得る。シリコンがSPF製造のための有望材料である一方、シリコンより高い動作温度に耐えることができる高融点金属または合金から製造されるグリッドも考慮されている。例えば、2010年4月27日に出願した米国出願第61/328,426号は、例えばタングステンWまたはモリブデンMoなどの高融点金属または合金に基づくグリッドSPFを開示している。その出願の内容は本明細書中に参照により援用される。0065フィルタ部分262Fの壁の最密六面構造は非常に耐久性があって開放型構成を提供するが、唯一の可能な構成ではない。有利なことに、著しい角拡散を有するEUV透過を可能にするように十分に低いアパーチャのアスペクト比を保つために、EUV放射は、好ましくは比較的薄いフィルタ260を利用してアパーチャ104を直接透過される。フィルタ部分262Fの厚さhすなわち、各々のアパーチャ264の長さは、例えば20μmより小さく、例えば2~10μmの範囲内にある。さらに、各々のアパーチャ264は、約1.5~6μmの範囲、例えば2~5μmの範囲内の直径を有してよい。フィルタアパーチャ264とフィルタアパーチャ264との間の壁の厚さtは、1μmより小さく、例えば約0.2~0.6μmの範囲内、特に約0.5μmであってよい。アパーチャ264は、約2~6μmの範囲内、特に3~5μmの範囲内、例えば5μmの周期を有してよい。結果的に、アパーチャは、フィルタ正面全体の約70~80の開口領域を提供し得る。0066有利なことに、フィルタ100は、最大5の赤外線IR透過を提供するように構成されている。さらに有利なことに、フィルタ100は、入射するEUV放射の少なくとも60を法線入射で透過するように構成されている。そのうえ、特に、フィルタ100は、10°の垂直方向に対する入射角を有するEUV放射の透過の少なくとも40を提供することができる。序文で説明したように、シリコン製のSPFグリッド部分が提案されている。任意的に、SPFグリッド部分は、IR反射率を改善するために金属によってコーティングされてよい。この例のグリッド部分262Fは、シリコンベースのSPFより高い動作温度に耐えるように全体的に高融点金属または合金から作られているが、本発明はシリコングリッド上のメタルコーティングに適用されてもよい。グリッドが作られる高融点金属またはシリコングリッド上に使用される金属コーティングは良好なIR反射率を有する必要がありほとんどの金属は有している、高温および水素で安定しているべきである。したがって、モリブデンおよびタングステンの両方は適切な候補であるが、両方の材料が空気に露出されたときに薄い酸化層を形成する。動作中、フィルタは非常に高い温度、1000°Cさえにも到達し得る。それらの温度では、酸化物は揮発性となってフィルタから脱着される。脱着された材料は、図2、図3および図4に示すミラーなどのシステムのより冷たい部分で収縮し得る。これは、これらのミラーの反射率および寿命を減少させ、それによって高価なリソグラフィ装置の生産性を下げる。SPFを空気に露出することなくSPFを製造および設置することは実用的ではない。0067酸化層がかなり薄い約1nm可能性が高くそれによって脱着材料の量が少なくなるが、システムがサービスのために通気される度に再生し得る。これは、潜在的に非常に重要な問題となる。さらに、ミラー上で耐えることができる堆積材料の量は非常に少ない。性能を著しく低下させるには単層の汚染の小部分が十分であり得る。揮発性酸化物の形成が防がれるように薄いコーティングをグリッドに追加するかまたはグリッドの表面を修正することを提案する。これらの酸化物が形成されない場合、脱着をすることはできない。コーティングは、EUV装置内の動作温度および水素雰囲気の両方に耐えることができるべきである。0068図6は、金属部分262Mが保護コーティング262Pでコーティングされている修正グリッド部分262Fを示している。図7は、シリコングリッド部分262Sが初めに反射金属層262M’によってコーティングされ、その後、金属表面が保護コーティング262Pによってコーティングされているシリコンベースのグリッド構造を示している。これらの層の相対的な厚さは、あまり縮尺通りではない。図示しやすくするために、層262M’およびコーティング262Pは誇張した厚さで示されている。0069数種類のコーティング262Pを、例えばタングステングリッド材料の酸化を防ぐために使用することができる。第1組の実施形態では、コーティングは、酸化物を形成しない貴金属層を含む。高温で安定するべきであると同時に、高融点も有するべきであることが好ましい。したがって、コーティングは、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムまたはプラチナから成ってもよい。有利なことに、これらのコーティングは、良好なIR反射率を有しかつ水素雰囲気に耐えることができることも期待されている。0070第2組の実施形態では、コーティング262Pは、動作状態であっても揮発性にならない非常に安定した酸化物を含むか形成する。可能な酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムが挙げられる。さらなる組の実施形態では、窒化物または炭化物例えば、SiCは、別の可能性であり、さらにダイヤモンド状炭素および様々な金属ケイ化物例えば、MoSi2も別の可能性である。0071例えばHfO2などの酸化物コーティングのさらなる利点は、タングステンの表面拡散を減速させ、それによって再結晶による寿命問題を防ぐか減少させることができることである。例えば、Schlemmerら、Procofthe5thconferenceonThermoPhotovoltaicGenerationofElectricity、p164を参照。0072異物をグリッド上に堆積させる代わりに、グリッド金属部分262Mまたは金属層262M’の表面は、揮発性酸化物が形成されることを防ぐために修正されてもよい。例えば、材料が窒化物形成または炭化物形成によって修正されてもよい。あるいは、要素が貴金属第1組の実施形態のようにであるかまたは安定的な酸化物第2組の実施形態のようにを形成する、表面に偏析する傾向がある要素とともに合金を使用してもよい。例えば、W-Hf合金ではHfは表面に偏析し得る例えば、Golubevら、TechnicalPhysics48776779を参照。httpwwwspringerlinkcomindex15L4201812058521pdfも参照。0073グリッドの開放領域部分、したがってEUV透過、を維持するために、コーティング262Pは十分に薄くあるべきである。これは、厚い層は赤外線の吸収の増加へと繋がることによって温度の上昇へと繋がることがあるため、特に酸化物および他の非金属コーティングに対して当てはまる。さらに、コーティングは、グリッド壁全体をコーティングして穴を全く含まないことが好ましい。IR反射金属コーティングの厚さが好ましくは<100nmである一方、非反射コーティングの厚さは好ましくは<20nmである。0074コーティングはPVD物理蒸着法、スパッタ堆積、CVD化学蒸着法またはALD原子層堆積などのいくつかの技術によって堆積されてよい。CVDまたはALDは最良の側壁適用範囲を与えることが予想されるため、それらを使用することが最も好ましい。ALDは、原子層を1層ずつ堆積させるために自己限定性の表面反応の交互のステップを用いる。堆積されるべき材料は、前駆物質を介して提供される。ALD方法は、例えば、Mo,Ti,Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,FeおよびNiなどのいくつかの金属に対して知られている。上記した酸化物などの複合材料は、一度に堆積されるか、または、金属膜例えば、アルミニウムおよび酸化層として堆積されてよい。0075図8は、金属フィラメントワイヤ300Mの形態の加熱要素を含む水素ラジカルジェネレータHRG300を概略的な形で示している。電源302からの電流を用いてフィラメントを加熱することによって、フィラメントは、水素分子を分離させて原子状水素を形成するのに十分な温度に上昇される。この温度は、例えば1700~1900°Cであるか、またはフィラメント材料が蒸発しない場合はさらに高くてもよい。図2および図4に示すように、そのようなHRGをリソグラフィ装置内のいくつかの箇所に配置することができる。ジェネレータからの水素ガス流が次いで原子状水素を汚染された表面に向かって移動させ、その汚染された表面では原子状水素が炭素と反応してポンプを用いて除去することができる揮発性炭化水素CH4およびその他のものを形成する。実際には、当然、HRG300の加熱要素に1つより多いフィラメントが存在してもよく、かつフィラメントの形状は回旋状でありおよび/またはグリッドとなってもよい。異なる形態の金属加熱要素は、フィラメントの代わりまたはフィラメントに加えて用いられてもよく、フィラメントの形態は重要ではない。例えば、HRGとして用いられる加熱要素は、リボン、グリッドまたはメッシュの形態を有して使用される導体から成ってもよい。これらは、プレスされるかまたはシートから切り取られてもよい。ここで使用されるフィラメント300Mは、単に一例として使用している。0076使用中のコンポーネントが、制御された近真空の非酸化雰囲気を含有する真空容器で動作される一方で、システム製造および移動中のフィラメントの空気露出を防ぐことはできない。装置が完全に作動され且つ運転可能とされた後であっても、不定期のサービス動作が、コンポーネントの環境に空気を再び導入させる通気動作を必要とする。タングステンフィラメントHRG内のこの汚染源を緩和させるためには、還元性水素雰囲気内でフィラメントの蒸発温度以下の制御温度にてフィラメントをある期間動作させることを提案している、2010年6月10日に出願された同時係属出願第61/353,359号を参照されたい。この同時係属出願は、本明細書中に参照により援用される。00770078SPF金属グリッド262Mの場合のように、適切な金属としてはタングステンおよびモリブデンが挙げられる。この議論の便宜上、タングステンを例とする。不都合なことに、フィラメント300Mが酸素ガスまたは他の酸化剤と接触した後、金属酸化物この例の場合、酸化タングステンWOxの薄層が表面上に形成される。このWOx層は、フィラメントが事前注意なしに動作温度に加熱された場合に蒸発することができ、そして蒸発するであろう。この蒸発したWOxは、その後、EUVミラーおよびセンサを含む近くの表面上に堆積され、反射損失をもたらす。HRG洗浄ユニットが3ヶ月の空気露出の後の一回目のターンオンでEUVミラーに対する~0.7の相対反射損失を誘導し得ることが実験で分かった。そのような損失は重大であるが、フィラメントの空気露出は製造、移動および設置中に防ぐことができない。0079装置SO、ILまたPS内の真空環境が通気された場合、空気露出はサービス中にも生じる。通気時間を短縮することは、酸化を少なくさせるが1時間の通気動作でさえもEUVミラー上への許容できないタングステン堆積をもたらし得る。0080したがって、揮発性酸化物の形成を防ぐようにフィラメント300Mに薄いコーティングを追加するかまたはフィラメントの表面を修正することが提案されている。これらの酸化物が形成されない場合、それらは脱着することができない。コーティングは、EUV装置内の動作温度および水素雰囲気の両方に耐えることができるべきである。0081図9は、フィラメント300Mの表面上に適用または形成されるコーティング300Pによって修正されたHRG300を示している。コーティング材料の選択およびその材料を適用または形成することができる方法に関する考察は、図6および図7のスペクトル純度フィルタグリッド262F上のコーティング262Pに関して検討したものと同じである。抗酸化コーティングを有するスペクトル純度フィルタおよび/またはHRGフィラメントなどの金属コンポーネントを組み込む図1~図4の装置がリソグラフィ製造プロセスに用いられてもよいことが理解されるであろう。そのようなリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられてもよい。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0082上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。0083本発明の実施形態は、放電生成プラズマ源DPP源またはレーザ生成プラズマ源LPP源を含むがそれらに限定されない、あらゆるタイプのEUV源に対して使用されてもよいことが理解されるであろう。しかしながら、本発明の一実施形態は、特に、典型的にはレーザ生成プラズマ源の一部を形成するレーザ源からの放射を抑制するために適していてよい。これは、そのようなプラズマ源が、多くの場合、レーザから発生する二次放射を出力するからである。0084スペクトル純度フィルタは、実際には放射経路のあらゆる箇所に配置されてもよい。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、EUV放射源からEUV含有放射を受けてEUV放射を適切な下流のEUV放射光学システムへと運ぶ領域内に配置されている。ここで、EUV放射源からの放射は、光学システムに入る前にスペクトル純度フィルタを通過するように構成されている。一実施形態では、スペクトル純度フィルタはEUV放射源内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、EUVリソグラフィ装置内、例えば照明システムまたは投影システム内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、放射経路内でプラズマの後でコレクタの前に配置される。0085フィラメントHRGは、原子状水素の洗浄作用を効果的に適用できる全ての場所といった装置内のあらゆるまたは多数の箇所に配置することができる。0086揮発性酸化物形成の問題が生じるといったSPFグリッドおよびHRGフィラメントの形態を有する金属コンポーネントが特定の例として示されたが、本発明はそれらのタイプのコンポーネントに限定されない。通常、そのようなコーティングは、EUVリソグラフィ装置の動作中に上昇した温度に露出されるあらゆる金属コンポーネント上の揮発性酸化物の形成を防ぐために適用することができる。必要に応じて、同じ技術をEUVリソグラフィ装置の分野外のコンポーネントに適用することができる。この文脈における揮発性の定義は、実際、個々のコンポーネントの予想動作温度に依存する。当然、酸化物の蒸発温度はコンポーネントが作られる金属に依存し、実施形態の酸化タングステンより高くても低くてもよい。0087以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。"