"下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Ar1は水素、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、R1乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値を取り、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G2で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R1乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G3で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R2、R3、R6、R7、R10、R11及びR13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R18、R20及びR21はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G4で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R2、R3、R6、及びR7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G5で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G6で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R1乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G7で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R2、R3、R6、R7、R10、R11及びR13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R18、R20及びR21はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G8で表されるカルバゾール化合物。但し、式中R2、R3、R6、及びR7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G9で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G10で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Q1は酸素又は硫黄を表す。下記一般式G11で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Q1及びQ2は酸素又は硫黄を表す。下記構造式で表されるカルバゾール化合物。下記構造式で表されるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む有機半導体材料。請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子用材料。一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であって、前記有機化合物を含む層に、請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子。請求項16に記載の発光素子を含む発光装置。請求項16に記載の発光素子を含む照明装置。請求項16に記載の発光素子と前記発光素子を制御する手段を備えた電子機器。そこで、本発明の一態様では、発光素子の輸送層やホスト材料、発光材料として用いることが可能な新規カルバゾール化合物を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、上記新規カルバゾール化合物を用いた、発光素子用材料を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、上記新規カルバゾール化合物を用いた、有機半導体材料を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、消費電力の小さい発光装置又は照明装置又は電子機器を提供することを課題とする。なお、本発明の一態様では上記課題のいずれか一を解決すればよい。本発明者らは、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格の2位がカルバゾール骨格の3位に結合したカルバゾリル基の窒素が、アントラセン骨格の9位または10位に直接又はフェニレン基を介して結合したカルバゾール化合物を合成することができた。そして当該カルバゾール化合物が良好なキャリア輸送性を有し、発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来ることを見出した。すなわち、本発明の一態様は、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格の2位がカルバゾール骨格の3位に結合したカルバゾリル基の窒素が、アントラセン骨格の9位または10位に直接又はフェニレン基を介して結合したカルバゾール化合物である。なお、上述のカルバゾール化合物において、アントラセン骨格及びジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基としてはそれぞれ独立に炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかが挙げられる。また、上述のカルバゾール化合物におけるカルバゾール骨格は6位にさらにジベンゾフラン-2-イル基もしくはジベンゾチオフェン-2-イル基を有していても良い。ジベンゾフラン-2-イル基もしくはジベンゾチオフェン-2-イル基はさらに置換基を有していても良く、当該置換基としては、それぞれ独立に炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを選択することができる。これら置換基がアリール基の場合は、アモルファス性が向上し、熱物性が向上するため、好ましい。また、これら置換基がアルキル基の場合、溶剤への溶解性が向上し、精製が容易となり、好ましい。ただし、合成法の簡便さから、これら置換基は有さないほうが好ましい。このような構造を有するカルバゾール化合物は、良好なキャリア輸送性を有し、発光素子のホスト材料やキャリア輸送層として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が良好なキャリア輸送性を有することによって、駆動電圧の小さい発光素子を作製することが可能となる。また、当該カルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有することから、青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するホスト材料として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップを有することで、ホスト材料で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。また、広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、青色の蛍光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層にも、発光中心物質の励起エネルギーを失活させることなく好適に利用することができる。そのため、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。また、当該カルバゾール化合物は、良好な量子収率で蛍光を発する。そのため、発光材料として用いることができる。そのため発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。上述のようなカルバゾール化合物をより具体的に説明する。すなわち、本発明の他の一態様は下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Ar1は水素、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、R1乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値を取り、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。ここで、一般式G1中nが1であるとバンドギャップの広い材料となるため好ましい構成である。また、一般式G1中、Ar2が水素である方がバンドギャップが広い材料となり好ましい。またAr2が炭素数6乃至13のアリール基及び上記一般式g1で表される基であるほうがキャリア輸送性が優れ、好ましい。とくに上記一般式g1で表される基であるほうがより好ましい。また、一般式G1中、Q1やQ2は酸素であるほうがよりバンドギャップが広くなり、好ましい。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G2で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R1乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、アントラセン骨格が置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR2、R3、R6、R7のいずれか一もしくは複数であることが、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格が置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR10、R11、R13、R18、R20及びR21のいずれか一もしくは複数であることが、合成の容易さや、原料調達のしやすさから、安価に製造できるため、好ましい構造である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G3で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R2、R3、R6、R7、R10、R11及びR13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R18、R20及びR21はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格は置換基を有さないほうが、溶媒への溶解性が増し、合成が容易となるため好ましい構成である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G4で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R2、R3、R6、及びR7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、合成の容易さや、原料調達のしやすさなどの観点から、R1乃至R22はすべて水素であることがさらに好ましい構造である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G5で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、一般式G1中、αは上記構造式α-1で表されるパラ置換のフェニレン基であると、キャリア輸送性が良好となり、また、熱物性Tgも向上するため好ましい構成である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G6で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R1乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、アントラセン骨格が置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR2、R3、R6、R7のいずれか一もしくは複数であることが、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格が置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR10、R11、R13、R18、R20及びR21のいずれか一もしくは複数であることが、合成の容易さや、原料調達のしやすさから、安価に製造できるため、好ましい構造である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G7で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R2、R3、R6、R7、R10、R11及びR13はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R18、R20及びR21はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格は置換基を有さないほうが、溶媒への溶解性が増し、合成が容易となるため好ましい構成である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G8で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中R2、R3、R6、及びR7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、合成の容易さや、原料調達のしやすさなどの観点から、R1乃至R22はすべて水素であることがさらに好ましい構造である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G9で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、Q2は酸素又は硫黄を表す。また、非対称性の構造であることが、蒸着レートが安定するため、好ましい構成である。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G10で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Q1は酸素又は硫黄を表す。また、正孔の注入性向上の観点からは、カルバゾール基の3位及び6位両方にジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格が結合していることが好ましい。すなわち、本発明の他の構成は、下記一般式G11で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Q1及びQ2は酸素又は硫黄を表す。また、本発明の他の構成は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の構成は、下記構造式で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の構成は、上記カルバゾール化合物を含む有機半導体材料である。また、本発明の他の構成は、上記カルバゾール化合物を含む発光素子用材料である。また、本発明の他の構成は、一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であって、当該有機化合物を含む層に、上記カルバゾール化合物を含む発光素子である。また、本発明の他の構成は、上記発光素子を含む発光装置である。また、本発明の他の構成は、上記発光素子を含む照明装置である。また、本発明の他の構成は、上記発光素子と当該発光素子を制御する手段を備えた電子機器である。上記構成を有するカルバゾール化合物は、優れたキャリア輸送性と広いエネルギーギャップとを併せ持つ物質であり、発光素子の輸送層やホスト材料、発光物質として好適に用いることが可能である。また、当該カルバゾール化合物を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、発光効率の高い発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物は有機半導体材料として用いることもできる。以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態におけるカルバゾール化合物は、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格の2位がカルバゾール骨格の3位に結合したカルバゾリル基の窒素が、アントラセン骨格の9位または10位に直接又はフェニレン基を介して結合したカルバゾール化合物である。このカルバゾール化合物において、アントラセン骨格及びジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基としてはそれぞれ独立に炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを選択することができる。また、上述のカルバゾール化合物におけるカルバゾール骨格は6位にさらにジベンゾフラン-2-イル基もしくはジベンゾチオフェン-2-イル基を有していても良い。ジベンゾフラン-2-イル基もしくはジベンゾチオフェン-2-イル基はさらに置換基を有していても良く、当該置換基としては、それぞれ独立に炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを選択することができる。以上のようなカルバゾール化合物は良好なキャリア輸送性を有し、発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来る。発光素子の材料として使用する場合、当該カルバゾール化合物は良好なキャリア輸送性を有することから、発光素子のホスト材料やキャリア輸送層として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が良好なキャリア輸送性を有することによって、駆動電圧の小さい発光素子を作製することが可能となる。また、当該カルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有することから、青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するホスト材料としても好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップを有することで、ホスト材料で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。なお、青より長波長の蛍光を発する発光中心物質を分散するホスト材料としても用いることが可能である。また、広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、青色の蛍光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても、発光中心物質の励起エネルギーを失活させることなく好適に利用することができる。そのため、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。もちろん、青より長波長の蛍光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても用いることが可能である。上述のようなカルバゾール化合物は下記一般式G1のように表すこともできる。但し、式中Ar1は水素、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、R1乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値を取り、αは下記構造式α-1又はα-2で表される基である。また、Ar2は水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。Q1は酸素又は硫黄を表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。また、Q2は酸素又は硫黄を表す。なお、一般式G1中nは1であることで、アントラセン骨格からカルバゾール骨格への共役の広がりをより抑制することができ、バンドギャップの広い物質とすることができる。また、アントラセン骨格が置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR2、R3、R6、R7のいずれか一もしくは複数であることが、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格が置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR10、R11、R13、R18、R20及びR21のいずれか一もしくは複数であることが、合成の容易さや、原料調達のしやすさから、安価に製造できるため、好ましい構造である。同様の理由により、R1乃至R22はすべて水素であることがさらに好ましい構造である。また、上記置換基はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。アルキル基の場合、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。アリール基の場合、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等が挙げられる。これら置換基がある方が、分子構造がより立体的になりアモルファス性が向上するため好ましい構成である。当該置換基がアルキル基の場合、有機溶剤への溶解性が増し、合成が容易となる、湿式での成膜が容易となるなどの効果があるため好ましい構成である。一般式G1中、αは上記構造式α-1で表されるパラ置換のフェニレン基であると、キャリア輸送性が良好となり、また、熱物性Tgも向上するため好ましい構成である。また一般式G1中、αは上記構造式α-2で表されるメタ位置換のフェニレン基であると、パラ位よりも立体的な構造となり、アモルファス性が向上し、また、溶解性も向上するため好ましい構成である。また、式中Ar2に置換基を有する場合、Q1とQ2は同じ元素であることがカルバゾール骨格の3、6位に同様の置換基が結合しているほうが、合成の容易さから好ましい構造である。また、式中Ar2におけるR16乃至R22がすべて水素である構成は、有機溶剤への溶解性が良好となり、合成が容易となるため好ましい構造である。また、Ar2が置換基を有する場合は、当該置換基はアルキル基であることが、有機溶剤への溶解性が良好であり好ましい構成である。なお、一般式G1で表されるカルバゾール化合物は、分子内の対称性が低い材料である。これにより、蒸着を行う際の蒸着レートの安定化が図れ、膜厚の制御がしやすく、安定した品質の発光素子を提供することができるようになる。また、一般式G1で表されるカルバゾール化合物は、電子輸送性と正孔輸送性の両方の性質を併せ持つ、いわゆるバイポーラ性の材料である。バイポーラ性の材料を発光素子の発光層に用いることによって、発光領域の偏りを防ぎ、発光効率の高い発光素子を得ることができるようになる。上記一般式G1として表されるカルバゾール化合物の具体的な構造の例としては、下記構造式100乃至141で表される物質などが挙げられる。以上のようなカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れていることからキャリア輸送材料やホスト材料として好適である。これにより、駆動電圧の小さい発光素子を提供することもできる。また、本実施の形態におけるカルバゾール化合物は、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。このことから、このようなカルバゾール化合物を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。また、発色団であるアントラセン骨格を有するため、発光材料としても用いることができる。実施の形態2続いて、本実施の形態では、一般式G1で表されるカルバゾール化合物の合成方法について説明する。カルバゾール化合物の合成方法としては種々の反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。<一般式G1で表されるカルバゾール化合物の合成方法1>実施の形態1に記載のカルバゾール化合物G1は、下記合成スキームA-1のように合成することができる。すなわち、アントラセン誘導体のハロゲン化物化合物Aと、カルバゾール誘導体化合物Bとを、塩基存在下で金属触媒、金属、または金属化合物によりカップリングさせることにより、本実施の形態で示すカルバゾール化合物G1を得る。合成スキームA-1において、Q1は酸素又は硫黄を表す。またR1乃至R15は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。なお、nは、0又は1である。また、Ar1は水素、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は、水素又は炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。又、Q2は酸素又は硫黄を表す。合成スキームA-1において、ハートウィックブッフバルト反応を行う場合、X1はハロゲン又はトリフラート基を表す。ハロゲンとしては、ヨウ素又は臭素が好ましい。当該反応では、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、酢酸パラジウムII等のパラジウム錯体又は化合物と、それに配位するトリtert-ブチルホスフィンや、トリn-ヘキシルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子を用いるパラジウム触媒を利用する。塩基としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。また、溶媒を使用する場合、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等を用いることができる。また、合成スキームA-1において、ウルマン反応を行う場合、X1はハロゲンを表す。ハロゲンとしては、ヨウ素又は臭素が好ましい。触媒としては、銅もしくは銅化合物を用いる。銅化合物を触媒として用いる場合、式A-1中における、R23、R24は、それぞれ、ハロゲンやアセチル基等を表し、ハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。なお、R23がヨウ素であるヨウ化銅I、又はR24がアセチル基である酢酸銅IIを用いることが好ましい。用いる塩基としては、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。また、溶媒は、1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-21HピリミジノンDMPU、トルエン、キシレン、ベンゼン等を用いる。但し、上記溶媒はこれらに限られるものでは無い。ウルマン反応では、反応温度が100°C以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、沸点の高いDMPU、キシレンを用いることが好ましい。また、反応温度は150°C以上のより高い温度が更に好ましいため、より好ましくはDMPUを用いることとする。<一般式G1で表されるカルバゾール化合物の合成方法2>実施の形態1に記載のカルバゾール化合物G1は、nが1である場合、下記合成スキームA-2のようにも合成することができる。すなわち、アントラセン誘導体のハロゲン化物化合物Cと、カルバゾール化合物化合物Dの有機ホウ素化合物とを、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦反応によりカップリングすることで、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を得ることができる。合成スキームA-2において、X2はハロゲンを表し、ハロゲンとしては、ヨウ素又は臭素が好ましい。合成スキームA-2において、R33及びR34は、水素、又は炭素数1乃至6のアルキル基を表し、R33とR34は同じであっても異なっていても良く、互いに結合して環を形成していても良い。また、Q1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R6及びR25乃至R32は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。なお、nは1である。また、Ar3は水素、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表し、Ar2は、水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基及び下記一般式g1で表される基のいずれかを表す。式中、R16乃至R22はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。又、Q2は酸素又は硫黄を表す。合成スキームA-2の反応においては、酢酸パラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0等のパラジウム化合物又はパラジウム錯体と、それに配位するトリオルト-トリルホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子を用いるパラジウム触媒を使用する。塩基としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を用いることができる。溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、1,2-ジメトキシエタン等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒がより好ましい。また上記スキームA-2では、アントラセン誘導体のハロゲン化物化合物Cと、カルバゾール化合物化合物Dの有機ホウ素化合物とを反応させたが、化合物Cと化合物Dの反応基を入れ替えたハロゲン基とホウ素化合物基を入れ替えた化合物同士を反応させても、同様に合成することができる。以上のように、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を合成することができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を有機半導体素子の一種である縦型トランジスタSITの活性層として用いる形態を例示する。素子の構造としては、図2に示すように、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む薄膜状の活性層1202をソース電極1201およびドレイン電極1203で挟み、ゲート電極1204が活性層1202に埋め込まれた構造を有する。ゲート電極1204は、ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極1201およびドレイン電極1203は、ソース-ドレイン間の電圧を制御するための手段に電気的に接続されている。このような素子構造において、ゲート電圧を印加しない状態においてソース-ドレイン間に電圧を印加すると、電流が流れるON状態となる。そして、その状態でゲート電圧を印加するとゲート電極1204周辺に空乏層が発生し、電流が流れなくなるOFF状態となる。以上の機構により、トランジスタとして動作する。縦型トランジスタにおいては、発光素子と同様、キャリア輸送性と良好な膜質を兼ね備えた材料が活性層に求められるが、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物はその条件を十分に満たしており、好適に用いることができる。実施の形態4本実施の形態では実施の形態1に示したカルバゾール化合物を用いた発光素子の一態様について図1Aを用いて以下に説明する。本実施の形態における発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第2の電極104と、第1の電極102と第2の電極との間に設けられた有機化合物を含む層103とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、発光が得られる構成となっている。基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極102としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、グラフェン、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。有機化合物を含む層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層または正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、有機化合物を含む層103は、第1の電極102の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料における正孔輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を用いることもできる。また実施の形態1に記載のカルバゾール化合物も、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素として用いることができる。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、上述の複合材料として用いることができる正孔輸送性の高い物質として挙げたものを同様に用いることができる。なお、繰り返しとなるため詳しい説明は省略する。複合材料の記載を参照されたい。発光層113は、発光性の物質を含む層である。発光層113は、発光物質単独の膜で構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質を分散された膜で構成されていても良いが、本実施の形態では、実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物をホスト材料として用いたホスト-ゲスト型の発光層について説明する。発光層113において、上記発光中心物質として用いることが可能な材料としては、青より波長の長い蛍光発光を呈する広範囲な物質が適用可能である。上記発光中心物質としては例えば、以下のようなものが挙げられる。N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPA、N,N’’-2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレンビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]略称:DPABPA、N,9-ジフェニル-N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPPA、N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPPA、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhA、クマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン略称:DPQd、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPT、2-2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、2-{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMなどが挙げられる。また、実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物も量子収率の良い蛍光発光材料であるため、発光中心物質として用いることができる。実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物は、バンドギャップが広いため、青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するホスト材料としても好適に用いることができる。もちろん、青より長波長の蛍光を発する発光中心物質を分散するホスト材料としても用いることができる。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップを有することで、ホスト材料で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。また、上記ホスト材料として一般式G1で表されるカルバゾール化合物を用いない場合、ホスト材料としては、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N,9-ジフェニル-N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光中心物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。なお、発光層113は2層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第1の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層113とする場合、第1の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。以上のような構成を有する発光層は、複数の材料で構成されている場合、真空蒸着法での共蒸着や、混合溶液としてインクジェット法やスピンコート法やディップコート法などを用いて作製することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に1×10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物を電子輸送層114として適用することもできる。広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、青色の蛍光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても、発光中心物質の励起エネルギーを失活させることなく好適に利用することができる。そのため、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。もちろん、青より長波長の蛍光を発する発光中心物質を含む発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料としても用いることが可能である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、電子輸送層と第2の電極104との間に、第2の電極104に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。第2の電極104を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極104と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、有機化合物を含む層103の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。以上のような構成を有する発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。また、層の積層順もこれに限定されず、基板側から第2の電極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、第1の電極といった、図1Aとは反対の順番に積層された積層構造であっても良い。また、直接発光層に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのエネルギーギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含まれる発光中心物質が有するエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。本実施の形態における発光素子は、ホスト材料及び/又は電子輸送層として、エネルギーギャップの大きい実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が用いられていることから、発光中心物質がエネルギーギャップの大きい、青色の蛍光を呈する物質であっても、効率良く発光させることができ、発光効率の良好な発光素子を得ることができるようになる。このことで、より低消費電力の発光素子を提供することが可能となる。また、ホスト材料やキャリア輸送層を構成する材料からの発光が起こりにくいため、色純度の良い発光を得ることができる発光素子を提供することができるようになる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することが可能となる。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタTFTを形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。実施の形態5本実施の形態は、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子ともいうの態様について、図1Bを参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態4で示した有機化合物を含む層103と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態4で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。図1Bにおいて、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502はそれぞれ実施の形態4における第1の電極102と第2の電極104に相当し、実施の形態4で説明したものと同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態4で示した複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が1×10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図1Bにおいて、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。本実施の形態の発光素子は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことから、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、駆動電圧の小さな発光素子とすることができる。また、寿命の長い発光素子とすることができる。又、当該カルバゾール化合物が含まれる発光ユニットは発光中心物質由来の光を色純度良く得られるため、発光素子全体としての色の調製が容易となる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いた発光装置について説明する。本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、有機化合物を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、有機化合物を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。有機化合物を含む層616は、実施の形態1で示したカルバゾール化合物を含んでいる。また、有機化合物を含む層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物オリゴマー、デンドリマーを含むであっても良い。さらに、有機化合物を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、MgAg、MgIn、AlLi等を用いることが好ましい。なお、有機化合物を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いるのが良い。なお、第1の電極613、有機化合物を含む層616、第2の電極617でもって、発光素子が形成されている。当該発光素子は実施の形態4乃至実施の形態5いずれかの構成を有する発光素子である。なお、画素部は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態4乃至実施の形態5で説明した構成を有する発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。本実施の形態における発光装置は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態1で示したカルバゾール化合物はエネルギーギャップや三重項励起エネルギーが大きく、発光物質からのエネルギーの移動を抑制することが可能であることから、発光効率の良好な発光素子を提供することができ、もって、消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができることから、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いた発光素子は寿命の長い発光素子であることから、信頼性の高い発光装置を提供することができる。以上のように、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図4には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板951上には、電極952と電極956との間には有機化合物を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する実施の形態4乃至実施の形態5のいずれかに記載の、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を有することによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むために発光効率の高い実施の形態4乃至実施の形態5のいずれかに記載の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む実施の形態4乃至実施の形態5のいずれかに記載の発光素子を有することによって信頼性の高い発光装置とすることが可能となる。実施の形態7本実施の形態では、実施の形態6に示す発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態6に記載の発光装置は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を含むことから、消費電力が低減された発光装置であり、その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が低減された表示部を有する電子機器とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい電子機器とすることが可能である。また、信頼性の高い電子機器とすることが可能である。発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。図5Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、表示部7103は、実施の形態4乃至実施の形態5いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7103を有するテレビ装置は消費電力の低減されたテレビ装置とすることができる。また、駆動電圧の小さいテレビ装置とすることが可能である。また、信頼性の高いテレビ装置とすることが可能である。テレビジョン装置の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図5Bはコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態4乃至実施の形態5いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して表示部7203に用いることにより作製される。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7203を有するコンピュータは消費電力の低減されたコンピュータとすることができる。また、駆動電圧の小さいコンピュータとすることが可能である。また、信頼性の高いコンピュータとすることが可能である。図5Cは携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には、実施の形態4乃至実施の形態5いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5Cに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段操作キー7309、接続端子7310、センサ7311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン7312等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、または一方に実施の形態4乃至実施の形態5いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図5Cに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5Cに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。上述のような表示部7304を有する携帯型遊技機は、表示部7304に用いられている発光素子が、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、良好な発光効率を有することから、消費電力の低減された携帯型遊技機とすることができる。また、表示部7304に用いられている発光素子が実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、低い駆動電圧で駆動させることができることから、駆動電圧の小さい携帯型遊技機とすることができる。また、表示部7304に用いられている発光素子が、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって高い信頼性を有することから、信頼性の高い携帯型遊技機とすることができる。図5Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態4乃至実施の形態5いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7402を有している。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7402を有する携帯電話機は消費電力の低減された携帯電話機とすることができる。また、駆動電圧の小さい携帯電話機とすることが可能である。また、信頼性の高い携帯電話機とすることが可能である。図5Dに示す携帯電話機は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き縦か横かを判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態1乃至実施の形態6に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。以上の様に、実施の形態4又は実施の形態5で説明したような、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。また、駆動電圧の小さい電子機器を得ることができる。また、信頼性の高い電子機器を得ることができる。また、実施の形態6に記載の発光装置は、照明装置として用いることもできる。実施の形態6に記載の発光装置を照明装置として用いる一態様を、図6を用いて説明する。図6は、実施の形態6に記載の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、実施の形態6に記載の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。実施の形態6に記載の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、実施の形態6に記載の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態6に記載の発光装置は薄型であるため、表示装置の薄型化も可能となる。図7は、実施の形態6に記載の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、実施の形態6に記載の発光装置が用いられている。図8は、実施の形態6に記載の発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。実施の形態6に記載の発光装置は消費電力の低減された発光装置であるため、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態6に記載の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態6に記載の発光装置は、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。実施の形態6に記載の発光装置は、自動車のフロントガラスやダッシュボードにも用いることができる。図9に実施の形態6に記載の発光装置を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表示5000乃至表示5005は実施の形態6に記載の発光装置を用いて設けられた表示である。表示5000と表示5001は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態6に記載の発光装置である。実施の形態6に記載の発光装置は、第1の電極と第2の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。表示5002はピラー部分に設けられた表示装置である。表示5002には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示5003は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示5004や表示5005はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示5000乃至表示5003にも設けることができる。また、表示5000乃至表示5005は全面を発光させることによって照明としても用いることが可能である。実施の形態6に記載の発光装置は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、駆動電圧の小さい発光装置とすることができ、もしくは消費電力の小さい発光装置とすることができ、大きな画面を数多く設けても、バッテリーに負荷をかけることを低減し、快適に使用することができる。≪合成例1≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール化合物である、3-ジベンゾフラン-2-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:FrCPAの合成方法について説明する。FrCPAの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:2-ヨードジベンゾフランの合成>500mL三口フラスコ中で、ジベンゾフラン8.4g50mmol、ヨウ素6.2g25mmol、オルト過よう素酸5.7g25mmol、氷酢酸150mL、水30mL、硫酸500μLの懸濁液を、60°Cにて4.5時間加熱撹拌した後、16時間室温で撹拌した。生じた析出物をろ取し、このろ物をトルエン150mLに溶かしてトルエン溶液を作製し、このトルエン溶液を水にて3回洗浄した。洗浄後のトルエン溶液に硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。これをろ過し、得られたろ液を濃縮した後、ヘキサンを加えて超音波を照射し再結晶を行ったところ、白色粉末の目的物を11.3g、収率77で得た。ステップ1の合成スキームをa-1に示す。<ステップ2:ジベンゾフラン-2-ボロン酸の合成>500mLの三口フラスコに5.0g17mmolの2-ヨードジベンゾフランを入れ、フラスコ内を窒素置換した。このフラスコに150mLのテトラヒドロフランTHFを加えて、この溶液を-80°Cに冷却した。この溶液に13mL20mmolのn-ブチルリチウム1.6mol/Lヘキサン溶液を、シリンジにより滴下して加えた。滴下終了後、溶液を同温度で1時間攪拌した。攪拌後、この溶液へ2.8mL25mmolのホウ酸トリメチルを加え、室温に戻しながら15時間攪拌した。攪拌後、この溶液に約50mLの希塩酸1.0mol/Lを加えて、1時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層を酢酸エチルで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾燥後、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮したところ、淡褐色固体を得た。この固体をトルエン/ヘキサンで再結晶したところ、目的物の白色粉末を2.0g、収率55で得た。ステップ2の合成スキームをa-2に示す。<ステップ3:3-ジベンゾフラン-2-イル-9H-カルバゾールの合成>300mL三口フラスコに2.3g9.4mmolの3-ブロモ-9H-カルバゾールと、2.0g9.4mmolのジベンゾフラン-2-ボロン酸と、0.42g1.4mmolのトリス2-メチルフェニルホスフィンを入れた。この混合物に30mLのエタノールと、50mLのトルエンと、10mLの炭酸カリウム水溶液2.0mol/Lを加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。この混合物に63mg0.28mmolの酢酸パラジウムIIを加えた。この混合物を90°Cで5時間攪拌し、室温まで冷却してから15時間放置したところ、褐色固体が析出した。析出した固体を吸引ろ過して回収した。回収した固体を約30mLの熱したトルエンに溶解し、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して白色固体を得た。この固体をトルエン/ヘキサンで再結晶したところ、白色粉末を0.87g、収率27で得た。ステップ3の合成スキームをa-3に示す。<ステップ4:3-ジベンゾフラン-2-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:FrCPAの合成>200mL三口フラスコに1.0g2.6mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、0.86g2.6mmolの3-ジベンゾフラン-2-イル-9H-カルバゾールと、0.50g5.2mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。このフラスコ内を窒素置換した後、50mLのトルエンと、0.20mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した後、この混合物に75mg0.13mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで2時間攪拌した。攪拌後、この混合物をセライト、アルミナ、フロリジールを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して淡黄色油状物を得た。この油状物をトルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、淡黄色粉末を1.4g、収率80で得た。ステップ4の合成スキームをa-4に示す。得られた淡黄色粉末状固体0.98gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力10Pa、アルゴンガスを流量4.0mL/minで流しながら、320°CでFrCPAを加熱することによって行った。昇華精製後、淡黄色固体を0.87g、回収率88で得た。得られた物質の1HNMRを測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.37-7.56m,10H,7.58-7.67m,4H,7.68-7.79m,7H,7.82-7.90m,6H,8.08d,J=7.8Hz,1H,8.29d,J=4.8Hz,1H,8.31s,1H,8.49sd,J=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図10に示す。図10Bは図10Aにおける7.2ppmから8.6ppmの範囲を拡大して表示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール化合物であるFrCPAが得られたことがわかった。得られたFrCPAの熱重量測定-示差熱分析TG-DTA:Thermogravimetry-DifferentialThermalAnalysisを行った。測定には高真空差動型示差熱天秤ブルカーエイエックスエス株式会社製、TG-DTA2410SAを用いた。常圧、昇温速度10°C/min、窒素気流下流速200mL/minの条件で測定したところ、重量と温度の関係熱重量測定から、5重量減少温度は477.9°Cであり、FrCPAは良好な耐熱性を有することがわかった。次に、FrCPAのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図11A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図11Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、FrCPAのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、FrCPAを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、FrCPAのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、FrCPAを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、FrCPAのトルエン溶液における最大発光波長は422nm付近励起波長299nm、薄膜における最大発光波長は452nm付近励起波長400nmにあることがわかった。これらのことから、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物であるFrCPAは、青色の発光を呈することが分かった。青色の発光材料として用いることが出来ることがわかった。また、薄膜状態のFrCPAのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、FrCPAのHOMO準位は-5.73eVであった。図11Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたFrCPAの吸収端は2.93eVであった。従って、FrCPAの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.93eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、FrCPAのLUMO準位が-2.80eVと見積もることができる。このように、FrCPAは固体状態において2.93eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。これらのことから、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物であるFrCPAは、広いバンドギャップを有し、青色の発光材料のホスト材料として青色より長波長の可視光のいずれでも用いることが出来ることがわかった。また、FrCPAの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.189Vから1.05Vまで変化させた後、1.05Vから0.189Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果を図12に示す。これより、100サイクル測定後でも、酸化ピークは初期状態の88を保っており、FrCPAは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、FrCPAのHOMO準位を算出した。まず、使用する参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは-4.94eV、FrCPAの酸化ピーク電位Epaは0.94Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.74Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.84Vと算出できる。このことは、FrCPAは0.84[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、FrCPAのHOMO準位は、-4.94-0.84=-5.78[eV]であることがわかった。なお、参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、Ag/Ag電極のフェルミ準位に相当し、その算出は、真空準位からのポテンシャルエネルギーが既知の物質を当該参照電極Ag/Ag電極を用いて測定した値から行えば良い。本実施例で用いる参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーeVの算出方法を具体的に説明する。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して0.610[Vvs.SHE]であることが知られている参考文献;ChristianR.Goldsmithetal.,J.Am.Chem.Soc.,Vol.124,No.1,83-96,2002。一方、本実施例で用いる参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、0.11[Vvs.Ag/Ag]であった。したがって、この参照電極のポテンシャルエネルギーは、標準水素電極に対して0.50[eV]低くなっていることがわかった。ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは-4.44eVであることが知られている参考文献;大西敏博小山珠美著、高分子EL材料共立出版、p.64-67。以上のことから、用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.44-0.50=-4.94[eV]であると算出できる。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である、3-ジベンゾフラン-2-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:FrCPAを、青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子発光素子1について説明する。また、比較例として、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAをFrCPAの代わりに用いた発光素子比較素子1も同時に作製し、評価した。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i~vに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子1、比較素子1の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデン=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、発光素子1では、正孔輸送層112上に上記構造式で表される実施形態1で説明したカルバゾール化合物であるFrCPAと上記構造式iiiで表されるN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnをFrCPA:1,6FLPAPrn=1:0.05質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。比較素子1では、正孔輸送層112上に上記構造式iiで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと1,6FLPAPrnをCzPA:1,6FLPAPrn=1:0.05質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式ivで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIIIを10nm、さらに上記構造式vで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子1及び比較素子1を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子1及び比較素子1の動作特性≫以上により得られた発光素子1及び比較素子1を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子1及び比較素子1は、同一基板上に形成しており、発光層113以外は同一工程で形成している。各発光素子の輝度-電圧特性を図13、電流効率-輝度特性を図14、電流-電圧特性を図15、パワー効率-輝度特性を図16及び外部量子効率-輝度特性を図17に示す。図14及び図16から、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子1は、良好な電流効率-輝度特性及びパワー効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図13から、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子1は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。また、図17から、発光素子1は良好な外部量子効率-輝度特性を示している。なお、類似の構造を有するCzPAをFrCPAの代わりに用いた比較素子1と比較しても有意な差が現れていることがわかる。また、図15より、発光素子1は比較素子1と同等の良好な電流-電圧特性を示した。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図18に示す。図18では縦軸が発光波長nm、横軸が発光強度を示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図18より発光素子1、比較素子1のいずれも、発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図19に各発光素子の規格化輝度-時間特性を示す。図19から、発光素子1及び比較素子1共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物であるFrCPAは、蒸着成膜時に、蒸着レートが非常に安定していた。そのため、蒸着レートの制御がしやすく、成膜生産性の良い材料であることが分かった。対して、化合物CzPAは、素子特性の良好な材料の一つではあるが、蒸着レートが安定しにくく、素子の作成を困難にしていた。参考例1上記実施例で用いたN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viの合成方法について具体的に説明する。1,6FLPAPrnの構造を以下に示す。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法]100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g50mmol減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニル12g50mmolをゆっくり滴下した後、2.5時間撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノンを10g40mmol、ジエチルエーテルを100mL、を500mL三口フラスコに入れ、系内を窒素置換した。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合液をろ過してろ物を得た。得られたろ物を酢酸エチル150mLに溶かし、ここに1M-塩酸を酸性になるまで加えて、酸性にした後2時間撹拌した。この混合物の有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この混合物をろ過し、得られたろ液を濃縮し油状物を得た。500mLなすフラスコに、得られた油状物と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌した。反応後、この反応混合物をろ過してろ物を得た。得られたろ物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥したところ、目的物の白色粉末を収量11g、収率69で得た。上記ステップ1の合成スキームを下記E1-1に示す。[ステップ2:4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPAの合成法]9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレン5.8g14.6mmol、アニリン1.7mL18.6mmol、ナトリウムtert-ブトキシド4.2g44.0mmolを200mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン147.0mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.4mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム066.1mg0.1mmolを加え3.5時間攪拌した。攪拌後、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=2:1により精製し、得られたフラクションを濃縮し、目的物の白色固体6.0gを収率99で得た。上記ステップ2の合成スキームを下記E1-2に示す。[ステップ3:N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnの合成法]1,6-ジブロモピレン0.4g1.2mmol、参考例1のステップ2で得た4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPA1.0g2.4mmol、ナトリウムtert-ブトキシド0.3g3.6mmolを50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン11.5mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.20mLを加えた。この混合物を70°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム031.1mg0.05mmolを加え4.0時間攪拌した。攪拌後、フロリジール、セライト、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はクロロホルムにより精製し、得られたフラクションを濃縮し、黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンとヘキサンの混合溶媒により洗浄した後、吸引ろ過をおこない黄色固体を得た。得られた黄色固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で洗浄したところ、淡黄色粉末状固体0.8gを、収率68で得た。得られた淡黄色固体0.8gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、360°Cで加熱した。昇華精製後、目的物を0.4g、収率56で得た。上記ステップ3の合成スキームを下記E2-Aに示す。核磁気共鳴法NMR及びMSスペクトルによって、得られた化合物がN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnであることを確認した。1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=6.88-6.91m、6H、7.00-7.03m、8H、7.13-7.40m、26H、7.73-7.80m、6H、7.87d、J=9.0Hz、2H、8.06-8.09m、4H"