"ガラス基板の洗浄工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄工程は、濃度が0.05重量以上2重量以下のグルコン酸塩が添加されたpH9以上11以下のアルカリ水溶液にガラス基板を接触させる処理を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記グルコン酸塩は、グルコン酸ナトリウム又はグルコン酸カリウムであることを特徴とする請求項1に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記アルカリ水溶液は、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記アルカリ水溶液と前記ガラス基板を接触させることにより、前記ガラス基板上の鉄系金属汚染物を除去することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。ガラス基板の洗浄工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄工程は、ガラス基板表面の表面粗さを大きくすることのない範囲内でアルカリ性とされ且つグルコン酸塩が添加された水溶液と、前記ガラス基板とを接触させることにより、前記ガラス基板に付着した金属系汚染物質に含まれる金属とグルコン酸イオンとの錯体を生成させて、前記金属系汚染物質を除去することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記洗浄工程は、化学強化されたガラス基板を洗浄する工程であることを特徴とする請求項1または5に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記ガラス基板が、ステンレス製の材質を含む化学強化装置により化学強化されることを特徴とする請求項6に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。ところで、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程においては、特許文献1に示すように研削装置、研磨装置にステンレス製の部材が用いられる場合がある。また、化学強化工程においてもステンレス製の材料が用いられる場合がある。つまり、ステンレス製の装置を用いる工程を行う場合には、これらの装置からステンレスに起因する金属系汚染物質特に、鉄系汚染物質が発生してガラス基板に付着するおそれがある。ガラス基板に影響を及ぼす汚染の中でも特に金属系の微粒子が付着した汚染は、磁性層の成膜後の表面に凹凸が生じてしまい、製品の記録再生等の電気的特性や歩留まりを低下させる原因となるため、磁気記録ディスク用ガラス基板の製造工程において除去する必要がある。特に、記録密度の向上に伴い益々磁気ヘッドの磁気ディスクからの浮上量が小さくなることを考慮すると、装置の材質に起因した汚染物についても考慮する必要が生じる。しかしながら、ステンレス由来の金属系汚染物質は腐食され難く、洗浄工程で一般的に用いられる酸性水溶液やアルカリ性水溶液等の洗浄液では除去することが難しく、これらの金属系汚染物質を除去するには、強力な反応性を有する酸性溶液例えば、王水等を使用する必要がある。一方で、強力な反応性を有する酸性溶液を洗浄液として用いた場合には、ガラス基板の表面も影響を受け、表面粗さが大きくなるという問題がある。そのため、ガラス基板表面の平滑性や清浄度をより一層向上させるためには、ガラス基板に強固に付着した金属系汚染物質を効果的に除去でき且つガラス基板に影響を与えない洗浄液を用いた洗浄処理が求められる。また、近年、記録密度をより一層向上させるために、ヘッドにDFH技術を搭載するHDDが開発されている。この技術によってヘッド素子部を従来以上に媒体表面に近づけて磁気的スペーシングを低減することが可能となるが、他方、DFHヘッドを用いる場合には、磁気ディスクの主表面を従来以上に平滑かつ異物等の欠陥が少なく清浄とすることが必要であることがわかってきた。DFHヘッドでは、ヘッド本体の浮上量を下げて磁気ディスク表面に近づけるのではなく、ヘッド素子部周辺のみを突き出して媒体表面に近づけるため、僅かな表面凹凸の乱れや異物との接触でもヘッド素子部が影響を受けてしまうためと考えられる。例えば、2.5インチの磁気ディスク一枚あたり500GB以上の記録密度を達成するためには、突き出したヘッド素子部と磁気ディスクとの間隔を1nm以下とすることが求められる。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、磁気ディスク用ガラス基板において、ガラス基板表面の粗さを大きくすることなく、ガラス基板表面に付着した金属系汚染物質を効果的に除去することを目的の一とする。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の洗浄工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、洗浄工程は、濃度が0.05重量以上2重量以下のグルコン酸塩が添加されたpH9以上11以下のアルカリ水溶液にガラス基板を接触させる処理を有することを特徴とする。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、グルコン酸塩は、グルコン酸ナトリウム又はグルコン酸カリウムであることが好ましい。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、アルカリ水溶液は、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムであることが好ましい。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、アルカリ水溶液とガラス基板を接触させることにより、ガラス基板上の鉄系金属汚染物を除去する。本発明の一態様によれば、ガラス基板表面の粗さを大きくすることなく、ガラス基板表面に付着した金属系汚染物質を効果的に除去することができる。以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。ガラス基板のより一層の平滑化及び清浄度の向上を図るべく本発明者が研究を行ったところ、磁気ディスク用ガラス基板の製造装置の材質に起因して生じる金属系汚染物質例えば、鉄系汚染物質がガラス基板に付着し、通常の洗浄処理では十分に除去できないという問題に直面した。そこで、ガラス基板の表面粗さを大きくすることなく、ステンレスに起因する金属系汚染物質を除去する方法について鋭意研究した結果、より低アルカリ性の条件下で優れた錯体形成能力をもつ添加剤をアルカリ溶液に添加することにより、ガラス基板の表面に影響を与えずに金属系汚染物質を効果的に除去できる方法を見出した。具体的には、アルカリ性溶液にグルコン酸塩を添加することにより、金属系汚染物質を効果的に溶解させると共に、安定な錯体を生成することにより溶解した金属系汚染物質のガラス基板への再付着を抑制できることを発見した。以下に、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の具体例について説明する。本実施の形態で示す磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板表面の表面粗さを大きくすることのない範囲内でアルカリ性とされ且つグルコン酸塩が添加された水溶液に、ガラス基板を接触させる処理を有する洗浄処理工程を行うことを特徴の一とする。これにより、ガラス基板に付着した金属系汚染物質に含まれる金属とグルコン酸イオンとの錯体を生成させて、金属系汚染物質を除去することができる。なお、表面粗さは原子間力顕微鏡で測定することができる。より具体的には、本実施の形態で示す磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、濃度が0.05重量以上2重量以下のグルコン酸塩が添加されたpH9以上11以下のアルカリ水溶液にガラス基板を接触させる処理を有する洗浄工程を行うことを特徴とする。グルコン酸塩としては、グルコン酸ナトリウム、グルコン酸カリウム等を用いることができる。アルカリ性洗剤又はアルカリ性溶液にグルコン酸ナトリウムを添加することで、洗剤又は溶液の洗浄能力を向上させることができる。特に、ガラス基板表面に付着した金属汚染物に対しては、金属汚染物を溶解した後に、除去した金属の錯体化により金属汚染物がガラス基板へ再付着することを抑制することができる。グルコン酸ナトリウムは、水中で以下のように解離し、グルコン酸基グルコン酸イオンを水中に多量に安定して供給することができる。そのため、ガラス基板上の微小な汚染に対しては、微量のグルコン酸ナトリウムの添加でも十分な洗浄能力が期待できる。さらに、グルコン酸ナトリムの添加量が微量であれば、ガラス基板の表面の粗さが大きくなることも抑制することができる。なお、グルコン酸ナトリウムを添加するアルカリ性溶液アルカリ性洗剤としては、水酸化カリウムKOHや水酸化ナトリウムNaOHを適用することができる。また、洗浄液となるアルカリ水溶液のpHが9以上11以下となるように調整する。pHが9未満であると、ガラス基板表面の金属汚染物を充分に除去できず、pHが11を超えると、ガラス基板表面の粗さを大きくする。また、洗浄液中のグルコン酸ナトリウムの濃度は、0.05重量以上2重量以下とすることが好ましい。濃度が0.05重量未満であると、ガラス基板表面の金属汚染物を充分に除去できず、2重量を超えてもそれ以上の効果が得られない。以下に、ガラス基板に付着した鉄系汚染物質を除去するメカニズムについて説明する。上述した化1によって生成したグルコン酸イオンが鉄系金属に対して錯体を形成する。本発明のようなアルカリ溶液中では、グルコン酸ナトリウムは金属との間に優れた錯体形成能力を持つため、一旦溶液中に溶解した鉄系金属を安定なグルコン酸錯体として捕捉することができる。また、他の要因で水中に既に存在している鉄系金属イオンに対しても安定な錯体を形成する。これによって、ガラス基板への再付着を抑制し、汚染を防止することが可能になる図1参照。以下に、磁気ディスク用基板の製造工程の各工程について説明する。なお、各工程の順序は適宜入れ替えてもよい。1素材加工工程及び第1ラッピング工程まず、素材加工工程においては、板状ガラスを用いることができる。この板状ガラスは、例えば、溶融ガラスを材料として、プレス法やフロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法など、公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの方法うち、プレス法を用いれば、板状ガラスを廉価に製造することができる。第1ラッピング工程においては、ディスク状のガラスの両主表面をラッピング加工し、主にガラス基板の平坦度、板厚を調整する。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行うことができる。具体的には、ディスク状ガラスの両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液をディスク状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得ることができる。2形状加工工程穴部を形成するコアリング工程、端部外周端部及び内周端部に面取り面を形成するチャンファリング工程面取り面形成工程コアリング工程においては、例えば、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とする。チャンファリング工程においては、内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施す。3第2ラッピング工程第2ラッピング工程においては、得られたガラス基板の両主表面について、第1ラッピング工程と同様に、第2ラッピング加工を行う。この第2ラッピング工程を行うことにより、例えば前工程である形状加工工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。4端面研磨工程端面研磨工程においては、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行う。このとき、研磨砥粒としては、例えば、酸化セリウム砥粒を含むスラリー遊離砥粒を用いることができる。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止でき、また、サーマルアスペリティ等の発生原因となるパーティクルの発生およびその端面部分への付着を抑制しうる鏡面状態になる。5主表面研磨工程第1研磨工程主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を施す。第1研磨工程は、前述のラッピング工程で両主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とする工程である。この第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の研磨を行う。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いることができる。第1研磨工程を終えたガラス基板は、中性洗剤、純水、IPA等で洗浄する。6化学強化工程化学強化工程においては、前述のラッピング工程及び研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施す。化学強化に用いる化学強化液としては、例えば、硝酸カリウム60と硝酸ナトリウム40の混合溶液などを用いることができる。化学強化においては、化学強化液を300°C~400°Cに加熱し、洗浄済みのガラス基板を200°C~300°Cに予熱し、化学強化溶液中に3時間~4時間浸漬することによって行う。この浸漬の際には、ガラス基板の両表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行うことが好ましい。このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中の相対的にイオン半径の大きなナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。化学強化されたガラス基板は、硫酸で洗浄した後に、純水、IPA等で洗浄する。7主表面研磨工程最終研磨工程次に、最終研磨工程として、第2研磨工程を施す。第2研磨工程は、両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする工程である。第2研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、両主表面の鏡面研磨を行う。スラリーとしては、第1研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカなどを用いることがきる。8洗浄工程最終研磨工程後にガラス基板に洗浄工程を施す。洗浄工程は、化学強化工程及び最終研磨工程によりにガラス基板の表面に付着したパーティクルを除去することを目的とする工程である。洗浄工程としては、少なくとも濃度が0.05重量以上2重量以下のグルコン酸塩が添加されたpH9以上11以下のアルカリ水溶液にガラス基板を接触させる洗浄処理を行う。具体的には、洗浄液として、水酸化ナトリウムにグルコン酸ナトリウムを添加したアルカリ水溶液にガラス基板を浸漬させる。アルカリ水溶液のpHは9以上11以下となるように調整する。この洗浄処理により、ガラス基板表面の粗さを大きくすることなく、ガラス基板表面に付着した装置の材質ステンレスに起因する鉄系汚染物質を効果的に除去することができる。また、化学強化工程により、鉄系汚染物質がガラス基板に強固に付着している場合であっても、上記洗浄処理を行うことにより、効果的に鉄系汚染物質を除去することができる。特に、化学強化工程に用いる装置がステンレス製の材質を含んでいる場合には、上記洗浄処理が有効となる。なお、洗浄工程としては、上記の処理の他に他の洗浄処理を組み合わせて行ってもよい。例えば、酸洗浄を組み合わせることにより、酸およびアルカリのいずれかでは溶解し切れない金属系汚染物質を、より確実に除去できるという効果を奏する。また、ここでは、アルカリ水溶液にグルコン酸塩が添加された洗浄液を用いる洗浄工程を最終研磨工程後に行う構成を示したが、最終研磨工程前や最終研磨工程前と後の双方に行ってもよい。例えば、第1ラッピング工程及び/又は第2ラッピング工程の後に、アルカリ水溶液にグルコン酸塩が添加された洗浄液を用いた洗浄処理を行うことができる。<磁気ディスク製造工程記録層等形成工程>上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板の主表面に、例えば、付着層、軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁気記録層、保護層、及び潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録ディスクを製造することができる。付着層を構成する材料としては、Cr合金などを挙げることができる。軟磁性層を構成する材料としては、CoTaZr基合金などを挙げることができる。非磁性下地層としては、グラニュラー非磁性層などを挙げることができる。垂直磁気記録層としては、グラニュラー磁性層などを挙げることができる。保護層を構成する材料としては、水素化カーボンなどを挙げることができる。潤滑層を構成する材料としては、フッ素樹脂などを挙げることができる。例えば、これらの記録層等は、より具体的には、インライン型スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の上に、CrTiの付着層、CoTaZr/Ru/CoTaZrの軟磁性層、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層、CoCrPt-SiO2TiO2のグラニュラー磁性層、水素化カーボン保護膜を順次成膜し、さらに、ディップ法によりパーフルオロポリエーテル潤滑層を成膜することができる。なお、CoCrSiO2の非磁性グラニュラー下地層の替わりにRuの下地層を用いてもよい。また、軟磁性層と下地層の間にNiWのシード層を追加してもよい。また、グラニュラー磁性層と保護層の間にCoCrPtBの磁性層を追加してもよい。次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。実施例、比較例1素材加工工程溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。なお、アルミノシリケートガラスとしては、SiO2:58重量~75重量、Al2O3:5重量~23重量、Li2O:3重量~10重量、Na2O:4重量~13重量を主成分として含有するガラスを使用した。なお、Li2Oは0重量より大きく7重量以下であってもよい。2第1研削ラッピング工程次に、ディスク状のガラス基板の両主表面をラッピング加工した。このラッピング加工は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置により、アルミナ系遊離砥粒を用いて行った。具体的には、ガラス基板の両面に上下から定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液を板状ガラスの主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行った。このラッピング加工により、平坦な主表面を有するガラス基板を得た。3形状加工工程コアリング、チャンファリング次に、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、このガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板としたコアリング。そして内周端面及び外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施したチャンファリング。4第2ラッピング工程次に、得られたガラス基板の両主表面について、第1ラッピング工程と同様に、第2ラッピング加工を行った。この第2ラッピング工程を行うことにより、前工程である切り出し工程や端面研磨工程において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができ、後続の主表面に対する研磨工程を短時間で完了させることができるようになる。5端面研磨工程次に、ガラス基板の外周端面及び内周端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー遊離砥粒を用いた。そして、端面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、ナトリウムやカリウムの析出の発生を防止できる鏡面状態に加工された。6主表面研磨工程第1研磨工程主表面研磨工程として、まず第1研磨工程を施した。この第1研磨工程は、前述のラッピング工程において主表面に残留したキズや歪みの除去を主たる目的とするものである。この第1研磨工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、硬質樹脂ポリッシャを用いて、主表面の研磨を行った。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。この第1研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、IPAイソプロピルアルコール、の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。7化学強化工程次に、主表面研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化処理イオン交換処理を施した。化学強化は、硝酸カリウム60と硝酸ナトリウム40を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を400°Cに加熱しておくとともに、洗浄済みのガラス基板を300°Cに予熱し、化学強化溶液中に約3時間浸漬することにより行った。この浸漬の際には、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保持されるように、ホルダに収納した状態で行った。このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化された。8主表面研磨工程最終研磨工程次に、主表面研磨工程として、第2研磨工程を施した。この第2研磨工程は、ガラス基板に形成された圧縮応力層に対して所定の膜厚だけ減じるように研磨加工を行い、当該ガラス基板の両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。本実施例では、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により、軟質発泡樹脂ポリッシャを用いて、主表面の鏡面研磨を行った。研磨剤としては、第1研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細なコロイダルシリカ砥粒平均粒子径5nm~80nmを使用した。9洗浄工程化学強化処理を終えたガラス基板を、20°Cの水槽に浸漬して急冷し、約10分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板に上記最終研磨工程を行った後に、複数の金属Fe、Ni、Cr、Cu、Znの酸化物を分散、一部溶解した水溶液に浸漬し擬似汚染基板を作製した。この擬似汚染基板を表1に示す各条件のアルカリ水溶液にグルコン酸塩が添加された洗浄液に浸漬させて洗浄処理を行った。擬似汚染基板の異物の初期カウントは平均して約10,000となった。洗浄を終えたガラス基板を、さらに純水、IPAの各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。欠陥評価実施例、比較例で得られたそれぞれのガラス基板について、光学式欠陥検査装置KLA-Tencor社製、商品名:OSA6100で欠陥を検査した。このとき、測定条件としては、レーザパワ25mWのレーザ波長405nm、レーザスポット径5μmとし、ガラス基板の中心から15mm~31.5mmの間の領域を測定した。1.0μm未満のサイズとして検出された欠陥のうち、固着している欠陥の個数24cm2当たりを表1に示す。なお、欠陥の個数は、洗浄工程前にガラス基板の表面における欠陥を基準として、洗浄工程後に同じ位置に残存している欠陥の個数をカウントすることにより測定した。なお、本実施例における欠陥とは、ガラス基板表面に付着している金属系汚染物質より具体的には、微粒子をいう。ガラス基板の表面測定実施例、比較例で得られたそれぞれのガラス基板について、原子間力顕微鏡を用いて2μm×2μm角で256×256ピクセルの解像度で測定して表面粗さ算術平均粗さRaを求めた。結果を表1に示す。表1より、pHが11を超える洗浄液を用いた場合比較例9~13では、ガラス基板の欠陥個数を低減できたが、ガラス基板の表面粗さが大きくなることが確認された。また、pHが9未満の洗浄液を用いた場合比較例4~8では、ガラス基板の粗さは大きくならなかったが、ガラス基板の欠陥個数が多く、ガラス基板に付着した異物を十分に除去できなかった。また、グルコン酸塩を適量添加させたpH9~11の洗浄液実施例、参考例を用いた場合には、ガラス基板表面の粗さを大きくすることなく、ガラス基板表面に付着した金属系汚染物質を効果的に除去することができた。DFHタッチダウン試験次に、上記表1に示した実施例2、4、6、9、比較例5、10の条件で、新たに疑似汚染を行わずに洗浄工程を行ったガラス基板を用いて磁気ディスクを作製し、クボタコンプス社製HDFテスターを用いて、DFHヘッド素子部のタッチダウン試験を行った。この試験は、DFH機構によって素子部を徐々に突き出していき、AEセンサーによって磁気ディスク表面との接触を検知することによって、ヘッド素子部が磁気ディスク表面と接触するときの距離を評価するものである。ヘッドは320GB/P磁気ディスク2.5インチサイズ向けのDFHヘッドを用いた。素子部の突き出しがない時の浮上量は10nmである。また、その他の条件は以下の通り設定した。磁気ディスク:2.5インチ内径20mm、外径65mm、板厚0.8mmのガラス基板を製造し、当該ガラス基板に記録層等を成膜。評価半径:22mm磁気ディスクの回転数:5400RPM温度:25°C湿度:60また、ガラス基板に対する記録層の成膜は以下の通り行った。まず、真空引きを行った成膜装置を用い、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、基板上に付着層/軟磁性層/前下地層/下地層/主記録層/補助記録層/保護層/潤滑層を順次成膜した。なお、断らない限り成膜時のArガス圧は0.6Paで行った。付着層としては、Cr-50Tiを10nm成膜した。軟磁性層としては、0.7nmのRu層を挟んで、92Co-3Ta-5Zrをそれぞれ20nm成膜した。前下地層としては、Ni-5Wを8nm成膜した。下地層としては、0.6PaでRuを10nm成膜した上に5PaでRuを10nm成膜した。主記録層としては、3Paで9072Co-10Cr-18Pt-5SiO2-5TiO2を15nm成膜した。補助記録層としては、62Co-18Cr-15Pt-5Bを6nm成膜した。保護層としては、CVD法によりC2H4を用いて4nm成膜し、表層を窒化処理した。潤滑層としては、ディップコート法によりPFPEを用いて1nm形成した。DFHタッチダウン試験の結果を表2に示す。なお、表2において、ヘッド素子部と磁気ディスクが接触した距離xとするに応じて以下の通り評価した。◎:x≦0.9nm○:0.9nm<x≦1.0nm△:1.0nm<x表2より、実施例11~14では、ヘッド素子部と磁気ディスクが接触した距離を1.0nm以下と小さくできた。特に、実施例11、12ではヘッド素子部と磁気ディスクが接触した距離をさらに小さくできた。このため、洗浄液のpHを9以上10未満とすることがより好ましいといえる。一方で、比較例14、15ではヘッド素子部と磁気ディスクが接触した距離が1.0nmより大きく、1nm以下とすることができなった。また、上記表1及び表2より、ガラス基板の表面粗さは0.26nm未満とすることが好ましく、0.24nmとすることはさらに好ましく、0.21nm以下とすることはよりいっそう好ましい。また、ガラス基板の欠陥個数は、204個未満とすることが好ましく、170以下とすることがより好ましい。なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順、検査方法などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。本出願は、2010年3月31日出願の特願2010-082453に基づく。この内容はすべてここに含めておく。"