"不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合され、積層膜状構造を形成していることを特徴とする半導体微粒子膜。前記シリコン微粒子が、分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を形成していることを特徴とする請求項1記載の半導体微粒子膜。前記2種類以上のシリコン微粒子が、純粋シリコン微粒子と、p型シリコン微粒子またはn型シリコン微粒子との組み合わせであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体微粒子膜。前記2種類以上のシリコン微粒子の混合物が、粒子径が異なるシリコン微粒子を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の半導体微粒子膜。前記シリコン微粒子の粒子径が10nm~5μmであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体微粒子膜。前記シリコン微粒子の表面には、第1の反応性の官能基を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、該表面の少なくとも一部を覆った第1の被膜、または前記第1の官能基と反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、該表面の少なくとも一部を覆った第2の被膜が形成されており、それぞれ異なるシリコン微粒子上に存在する前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基とが反応して化学結合することにより、前記分子架橋が形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の半導体微粒子膜。前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであることを特徴とする請求項6記載の半導体微粒子膜。前記シリコン微粒子の表面には、第4の反応性の官能基を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、該表面の少なくとも一部を覆った第4の被膜が形成されており、前記シリコン微粒子の1つと化学結合した前記第4の被膜の有する第4の反応性の官能基と、前記1つのシリコン微粒子以外のシリコン微粒子と化学結合した前記第4の被膜の有する前記第4の反応性の官能基と、前記反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤を介して化学結合することにより形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の半導体微粒子膜。前記第4の反応性の官能基と架橋反応基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであることを特徴とする請求項8記載の半導体微粒子膜。第1の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第1の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合したシリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する第1の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第1の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程Aと、前記第1の反応性官能基と反応する第3の反応性官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第3の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第3の膜化合物の形成する第3の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた反応性基材を製造する工程Bと、前記反応性基材の表面に前記第1の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第3の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程Cとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法。前記第1の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第2の膜化合物を前記シリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する第2の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第2の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程Dと、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第2の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第2の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程Eをさらに含むことを特徴とする請求項10記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記工程CおよびEを交互にそれぞれ所定の回数繰り返して行い、前記積層膜の表面に、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物が交互に結合固定された積層膜を形成させることを特徴とする請求項11記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記第1、第2および第3の被膜を形成後、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物、ならびに反応性基材の表面の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第1、第2および第3の膜化合物を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項10から12のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。第1の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第1の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子のそれぞれと接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する第1の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた2種類以上の第1の反応性シリコン微粒子を製造後、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるようにそれらを均一に混合し、第1のシリコン微粒子混合物を製造する工程Aと、前記第1の反応性官能基と反応する第3の反応性官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第3の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第3の膜化合物の形成する第3の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた反応性基材を製造する工程Bと、前記反応性基材の表面に前記第1の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第3の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程Cとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法。前記第1の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第2の膜化合物を前記シリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する第2の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第2の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程Dと、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第2の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第2の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程Eをさらに含むことを特徴とする請求項14記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記工程CおよびEを交互にそれぞれ所定の回数繰り返して行い、前記積層膜の表面に、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物が交互に結合固定された積層膜を形成させることを特徴とする請求項15記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記第1、第2および第3の被膜を形成後、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物、ならびに反応性基材の表面の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第1、第2および第3の膜化合物を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項14から16のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。第4の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第4の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合したシリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第4の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程aと、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物を溶媒に分散して分散液を製造する工程bと、前記第4の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する第4の被膜で表面の少なくとも一部を覆い、次いで、前記第4の被膜の表面を前記第4の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤と接触および反応させ、反応性基材を製造する工程cと、前記反応性基材の表面に前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程dとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法。前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記架橋剤を接触および反応させた後、前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第4の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程eをさらに含むことを特徴とする請求項18記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記工程eを所定の回数繰り返して行うことを特徴とする請求項19記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記第4の被膜を形成後、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物および前記反応性基材の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第4の膜化合物を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項18から20のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。第4の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第4の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子のそれぞれと接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する被膜で表面の少なくとも一部が覆われた2種類以上の第4の反応性シリコン微粒子を製造後、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるようにそれらを均一に混合し、第4のシリコン微粒子混合物を製造する工程aと、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物を溶媒に分散して分散液を製造する工程bと、前記第4の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する第4の被膜で表面の少なくとも一部を覆い、次いで、前記第4の被膜の表面を前記第4の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤と接触および反応させ、反応性基材を製造する工程cと、前記反応性基材の表面に前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程dとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法。前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記架橋剤を接触および反応させた後、前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第4の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程eをさらに含むことを特徴とする請求項22記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記工程eを所定の回数繰り返して行うことを特徴とする請求項23記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記第4の被膜を形成後、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物および前記反応性基材の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第4の膜化合物を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項22から24のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応、または前記第1の反応性の官能基と前記第3の反応性の官能基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであることを特徴とする請求項10から17のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであることを特徴とする請求項18から25のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記2種類以上のシリコン微粒子が、純粋シリコン微粒子と、p型シリコン微粒子またはn型シリコン微粒子との組み合わせであることを特徴とする請求項10から27のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記シリコン微粒子の粒子径が10~5μmであることを特徴とする請求項10から28のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。前記2種類以上のシリコン微粒子の混合物が、粒子径が異なるシリコン微粒子を含むことを特徴とする請求項10から29のいずれか1項記載の半導体微粒子膜の製造方法。不純物原子濃度の異なる2種類以上のn型シリコン微粒子、または純粋シリコン微粒子とn型シリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合され、分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するn型半導体層と、不純物原子濃度の異なる2種類以上のp型シリコン微粒子、または純粋シリコン微粒子とp型シリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合され、分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するp型半導体層とが基材上に積層されていることを特徴とするダイオード。前記2種類以上のシリコン微粒子の粒子径が10~5μmであることを特徴とする請求項31記載のダイオード。前記2種類以上のシリコン微粒子の混合物が、粒子径が異なるシリコン微粒子を含むことを特徴とする請求項31または32記載のダイオード。前記分子架橋が、前記シリコン微粒子の1つと化学結合した第1の被膜の有する第1の反応性の官能基と、前記シリコン微粒子以外のシリコン微粒子と化学結合した第2の被膜の有する前記第1の官能基と反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基とが反応して化学結合することにより形成されていることを特徴とする請求項31から33のいずれか1項記載のダイオード。前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであることを特徴とする請求項34記載のダイオード。前記分子架橋が、2種類以上のシリコン微粒子の1つと化学結合した被膜の有する反応性の第3の官能基と、前記1つの2種類以上のシリコン微粒子以外の2種類以上のシリコン微粒子と化学結合した被膜の有する前記反応性の官能基と、前記反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤を介して化学結合することにより形成されていることを特徴とする請求項31から33のいずれか1項記載のダイオード。前記第3の反応性の官能基と前記第架橋反応基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであることを特徴とする請求項36記載のダイオード。請求項31から37のいずれか1項記載のダイオードを含む光電変換素子。前記光電変換素子が太陽電池、またはフォトセンサーである請求項38記載の光電変換素子。請求項10から22のいずれか1項記載の方法により、透明基材上に不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合された複数の純粋シリコン微粒子と複数のn型シリコン微粒子とが分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するn型半導体層を形成する工程と、請求項10から22のいずれか1項記載の方法により、前記n型シリコン微粒子層上に、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合された複数の純粋シリコン微粒子と複数のp型シリコン微粒子とが分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するp型半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするダイオードの製造方法。請求項40記載のダイオードの製造方法を含む光電変換素子の製造方法。前記光電変換素子が太陽電池、またはフォトセンサーである請求項41記載の光電変換素子の製造方法。しかしながら、特許文献2記載の光電変換素子およびその製造方法において、接合特性の優れたダイオードを製作しようとすると、粒径10nmのp型またはn型シリコン微粒子を用いる場合には、微粒子を構成する原子数が約106個程度と少なくなるため、不純物原子濃度の制御が困難になる場合がある。すなわち、p型またはn型シリコン微粒子層中の不純物原子濃度を1012~1017cm-3程度にするには、シリコン原子106~1011個あたり1個の割合で不純物原子ホウ素、リン等を導入する必要があるが、特に粒径10nm程度のp型またはn型シリコン微粒子を用いる場合、微粒子1個あたりの不純物原子数が1個以下となるため、現実には不純物原子の導入および不純物原子濃度の制御が非常に困難になる。本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、シリコン微粒子本来の機能を損なうことなく、粒子サイズレベルで均一な厚みを有し、安価に製造可能で不純物原子濃度の制御が容易なp型またはn型シリコン微粒子層、およびそれらを有するダイオードおよび光電変換素子ならびにそれらの安価かつ簡便な製造方法を提供することを目的とする。前記目的に沿う本発明の第1の態様は、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合され、積層膜状構造を形成していることを特徴とする半導体微粒子膜を提供することにより上記課題を解決するものである。なお、本発明において、混合された2種類以上のシリコン微粒子全体を指す場合、あるいは不純物原子濃度等に関係なく特定の1つの微粒子を指す場合に、総称としてのシリコン微粒子という用語を用いる。本発明の第1の態様に係る半導体微粒子膜において、前記シリコン微粒子が、分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を形成していることが好ましい。本発明の第1の態様に係る半導体微粒子膜において、前記2種類以上のシリコン微粒子が、純粋シリコン微粒子と、p型シリコン微粒子またはn型シリコン微粒子との組み合わせであってもよい。本発明の第1の態様に係る半導体微粒子膜において、前記2種類以上のシリコン微粒子の混合物が、粒子径が異なるシリコン微粒子を含んでいてもよい。本発明の第1の態様に係る半導体微粒子膜において、前記シリコン微粒子の粒子径が10~5μmであることが好ましい。本発明の第1の態様に係る半導体微粒子膜において、前記シリコン微粒子の表面には、第1の反応性の官能基を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、該表面の少なくとも一部を覆った第1の被膜、または前記第1の官能基と反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、該表面の少なくとも一部を覆った第2の被膜が形成されており、それぞれ異なるシリコン微粒子上に存在する前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基とが反応して化学結合することにより、前記分子架橋が形成されていてもよい。上記の場合において、前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであってもよい。本発明の第1の態様に係る半導体微粒子膜において、前記シリコン微粒子の表面には、第4の反応性の官能基を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、該表面の少なくとも一部を覆った第4の被膜が形成されており、前記シリコン微粒子の1つと化学結合した前記第4の被膜の有する第4の反応性の官能基と、前記1つのシリコン微粒子以外のシリコン微粒子と化学結合した前記第4の被膜の有する前記第4の反応性の官能基と、前記反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤を介して化学結合することにより形成されていてもよい。上記の場合において、前記第4の反応性の官能基と架橋反応基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであってもよい。本発明の第2の態様は、第1の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第1の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3ここで、塗膜の好ましい不純物濃度は、1011~1018/cm3、より好ましくは1012~1017/cm3程度であるが、必要に応じて適宜調整すればよい。となるように均一に混合したシリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する第1の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第1の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程Aと、前記第1の反応性官能基と反応する第3の反応性官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第3の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第3の膜化合物の形成する第3の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた反応性基材を製造する工程Bと、前記反応性基材の表面に前記た第1の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第3の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程Cとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第2の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第1の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第2の膜化合物を前記シリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する第2の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第2の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程Dと、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記た第2の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第2の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程Eをさらに含んでいてもよい。本発明の第2の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記工程CおよびEを交互にそれぞれ所定の回数繰り返して行い、前記積層膜の表面に、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物が交互に結合固定された積層膜を形成させてもよい。本発明の第2の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第1、第2および第3の被膜を形成後、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物、ならびに反応性基材の表面の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第1、第2および第3の膜化合物を除去する工程をさらに有することが好ましい。本発明の第3の態様は、第1の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第1の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子のそれぞれと接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第1の膜化合物の形成する第1の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた2種類以上の第1の反応性シリコン微粒子を製造後、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるようにそれらを均一に混合し、第1のシリコン微粒子混合物を製造する工程Aと、前記第1の反応性官能基と反応する第3の反応性官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第3の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第3の膜化合物の形成する第3の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた反応性基材を製造する工程Bと、前記反応性基材の表面に前記第1の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第3の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程Cとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第3の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第1の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第2の膜化合物を前記シリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第2の膜化合物の形成する第2の被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第2の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程Dと、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第2の反応性シリコン微粒子混合物を接触させ、前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第2の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程Eをさらに含んでいてもよい。本発明の第3の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記工程CおよびEを交互にそれぞれ所定の回数繰り返して行い、前記積層膜の表面に、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物が交互に結合固定された積層膜を形成させてもよい。本発明の第3の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第1、第2および第3の被膜を形成後、前記第1および第2の反応性シリコン微粒子混合物、ならびに反応性基材の表面の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第1、第2および第3の膜化合物を除去する工程をさらに有することが好ましい。本発明の第4の態様は、第4の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第4の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合したシリコン微粒子混合物と接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する被膜で表面の少なくとも一部が覆われた第4の反応性シリコン微粒子混合物を製造する工程aと、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物を溶媒に分散して分散液を製造する工程bと、前記第4の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する第4の被膜で表面の少なくとも一部を覆い、次いで、前記第4の被膜の表面を前記第4の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤と接触および反応させ、反応性基材を製造する工程cと、前記反応性基材の表面に前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程dとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第4の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記架橋剤を接触および反応させた後、前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第4の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程eをさらに含んでいてもよい。また、この場合において、前記工程eを所定の回数繰り返して行ってもよい。本発明の第4の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第4の被膜を形成後、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物および前記反応性基材の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第4の膜化合物を除去する工程をさらに有することが好ましい。本発明の第5の態様は、第4の反応性の官能基およびハロシリル基またはアルコキシシリル基をそれぞれ有する第4の膜化合物を、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子のそれぞれと接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記シリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する被膜で表面の少なくとも一部が覆われた2種類以上の第4の反応性シリコン微粒子を製造後、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるようにそれらを均一に混合し、第4のシリコン微粒子混合物を製造する工程aと、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物を溶媒に分散して分散液を製造する工程bと、前記第4の膜化合物を基材表面に接触させ、前記ハロシリル基またはアルコキシシリル基と前記基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、前記第4の膜化合物の形成する第4の被膜で表面の少なくとも一部を覆い、次いで、前記第4の被膜の表面を前記第4の反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤と接触および反応させ、反応性基材を製造する工程cと、前記反応性基材の表面に前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程dとを含むことを特徴とする半導体微粒子膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第5の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記反応性基材の表面に結合固定された前記第1の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記架橋剤を接触および反応させた後、前記分散液を接触させ、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に前記第4の反応性シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜を形成する工程eをさらに含んでいてもよい。また、この場合において、前記工程eを所定の回数繰り返して行ってもよい。本発明の第5の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第4の被膜を形成後、前記第4の反応性シリコン微粒子混合物および前記反応性基材の表面をそれぞれ溶媒で洗浄し、余分な前記第4の膜化合物を除去する工程をさらに有することが好ましい。本発明の第2および第3の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応、または前記第1の反応性の官能基と前記第3の反応性の官能基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであってもよい。本発明の第4および第5の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記第4の反応性の官能基と前記架橋反応基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであってもよい。本発明の第2から第5の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記2種類以上のシリコン微粒子が、純粋シリコン微粒子と、p型シリコン微粒子またはn型シリコン微粒子との組み合わせ、あるいはp型シリコン微粒子とn型シリコン微粒子との組み合わせであってもよい。本発明の第2から第5の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記シリコン微粒子の粒子径が10~5μmであることが好ましい。本発明の第2から第5の態様に係る半導体微粒子膜の製造方法において、前記2種類以上のシリコン微粒子の混合物が、粒子径が異なるシリコン微粒子を含んでいてもよい。本発明の第6の態様は、不純物原子濃度の異なる2種類以上のn型シリコン微粒子、または純粋シリコン微粒子とn型シリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合され、分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するn型半導体層と、不純物原子濃度の異なる2種類以上のp型シリコン微粒子、または純粋シリコン微粒子とp型シリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合され、分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するp型半導体層とが基材上に積層されていることを特徴とするダイオードを提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第6の態様に係るダイオードにおいて、前記2種類以上のシリコン微粒子の粒子径が10~5μmであることが好ましい。本発明の第6の態様に係るダイオードにおいて、前記2種類以上のシリコン微粒子の混合物が、粒子径が異なるシリコン微粒子を含んでいてもよい。本発明の第6の態様に係るダイオードにおいて、前記分子架橋が、前記シリコン微粒子の1つと化学結合した第1の被膜の有する第1の反応性の官能基と、前記シリコン微粒子以外のシリコン微粒子と化学結合した第2の被膜の有する前記第1の官能基と反応して化学結合を形成する第2の反応性の官能基とが反応して化学結合することにより形成されていてもよい。上記の場合において、前記第1の反応性の官能基と前記第2の反応性の官能基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであってもよい。本発明の第6の態様に係るダイオードにおいて、前記分子架橋が、2種類以上のシリコン微粒子の1つと化学結合した被膜の有する反応性の第3の官能基と、前記1つの2種類以上のシリコン微粒子以外の2種類以上のシリコン微粒子と化学結合した被膜の有する前記反応性の官能基と、前記反応性の官能基と熱で反応して化学結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤を介して化学結合することにより形成されていてもよい。上記の場合において、前記第3の反応性の官能基と架橋反応基との反応により形成された化学結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたN-CH2CHOH結合、およびアミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたNH-CONH結合のいずれかであってもよい。本発明の第7の態様は、本発明の第6の態様に係るダイオードを含む光電変換素子を提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第7の態様に係る光電変換素子において、前記光電変換素子が太陽電池、またはフォトセンサーであってもよい。本発明の第8の態様は、本発明の第2から第5の態様に係るいずれかの方法により、透明基材上に不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合された複数の純粋シリコン微粒子と複数のn型シリコン微粒子とが分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するn型半導体層を形成する工程と、本発明の第2および第3の態様に係るいずれかの方法により、前記n型シリコン微粒子層上に、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合された複数の純粋シリコン微粒子と複数のp型シリコン微粒子とが分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を有するp型半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第9の態様は、本発明の第8の態様に係るダイオードの製造方法を含む光電変換素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決するものである。本発明の第9の態様に係る光電変換素子の製造方法において、前記光電変換素子が太陽電池またはフォトセンサーであってもよい。以上説明したとおり、本発明によれば、不純物濃度の異なる複数のシリコン微粒子を組み合わせて用いることにより、不純物原子濃度や膜厚を容易に制御可能な半導体微粒子膜およびそれを用いた接合特性に優れた高性能な光電変換素子、ならびにそれらを安価かつ簡便に製造可能な半導体微粒子膜およびそれを用いた光電変換素子の製造方法が提供される。さらに、本発明の半導体微粒子膜および光電変換素子の製造には、高価な真空機器を必要とせず、湿式法を用いて微細形状を有するものから大面積のものまで容易に製造可能である。本発明の半導体微粒子膜において、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子が、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合され、分子架橋を介して互いに化学結合した積層膜状構造を形成している。以下、分子架橋の形成の態様および製造方法がそれぞれ異なる第一から第四の実施の形態に係る半導体微粒子膜について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施の形態において、不純物原子濃度の異なる2種類以上のシリコン微粒子として、純粋シリコン微粒子とn型シリコン微粒子とを組み合わせて用いた場合について説明する。半導体微粒子膜の製造方法は、反応性シリコン微粒子混合物をペースト化し、基材上に塗布後、塗膜を硬化させることにより複数層を一度に積層させる方法と、反応性シリコン微粒子混合物の分散液を基材表面に塗布し結合させ、余分な反応性シリコン微粒子混合物を洗浄除去することにより一層ずつ積層させる方法に大別される。また、分子架橋の形成方法の観点から、対となる2つの反応性の官能基の一方を含む2種類の被膜を用いる方法と、1つの反応性の官能基と2以上の架橋反応基を有する架橋剤とを組み合わせて用いる方法とに大別される。図1、2に示すように、本発明の第一の実施の形態に係るn型シリコン微粒子膜半導体微粒子膜の一例10において、シリコン微粒子の表面には、分子の一端にエポキシ基第1の反応性の官能基の一例を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、その表面の少なくとも一部を覆った、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜第1の被膜の一例16、またはエポキシ基と反応して結合を形成するアミノ基第2の反応性の官能基の一例を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、その表面の少なくとも一部を覆った、図示しないアミノ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜第2の被膜の一例が形成されている。これらのシリコン微粒子間では、エポキシ化純粋シリコン微粒子11およびエポキシ化n型シリコン微粒子11a上に存在するエポキシ基と、アミノ化シリコン微粒子12およびアミノ化n型シリコン微粒子12a上に存在するアミノ基とが反応して化学結合することにより、N-CH2CHOH結合分子架橋の一例が形成されており、この結合を介してシリコン微粒子同士が互いに化学結合した積層膜状構造を形成している。n型シリコン微粒子膜10において、エポキシ化純粋シリコン微粒子11およびエポキシ化n型シリコン微粒子11aと、アミノ化シリコン微粒子12およびアミノ化n型シリコン微粒子12aとが交互に積層されている。n型シリコン微粒子膜10が形成された反応性基材13の表面には、アミノ基第3の反応性の官能基の一例を有し、Si-O-結合を介して化学結合し、その表面の少なくとも一部を覆った、エポキシ基またはアミノ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜第3の被膜の一例が形成されており、エポキシ化純粋シリコン微粒子11およびエポキシ化n型シリコン微粒子11a上に存在するエポキシ基、またはアミノ化シリコン微粒子12およびアミノ化n型シリコン微粒子12a上に存在するアミノ基との間でN-CH2CHOH結合分子架橋の一例を形成し、n型シリコン微粒子膜10と基材とを強固に結びつけている。n型シリコン微粒子膜10は、下記の工程A~Eを含む方法により製造される。A.エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物第1の膜化合物の一例を、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合した純粋シリコン微粒子とn型シリコン微粒子との混合物シリコン微粒子混合物の一例:以下、単にシリコン微粒子混合物と略称する場合がある。と接触させ、アルコキシシリル基とシリコン微粒子表面のヒドロキシル基表面官能基の一例との間でSi-O-結合を形成させ、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜で表面の少なくとも一部が覆われたエポキシ化純シリコン微粒子11とエポキシ化n型シリコン微粒子11aの混合物第1の反応性シリコン微粒子混合物の一例:以下エポキシ化シリコン微粒子混合物と略称する場合がある。を製造する工程B.アミノ基第3の反応性の官能基の一例を有するアルコキシシラン化合物第3の膜化合物の一例を基材表面に接触させ、アルコキシシリル基と基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜第3の被膜の一例で表面の少なくとも一部が覆われた反応性基材13を製造する工程C.反応性基材13の表面にエポキシ化シリコン微粒子混合物を接触させ、エポキシ基とアミノ基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、反応性基材13の表面に結合固定されたエポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程D.アミノ基第2の反応性の官能基の一例を有するアルコキシシラン化合物第2の膜化合物の一例をシリコン微粒子混合物と接触させ、アルコキシシリル基とシリコン微粒子表面のヒドロキシル基との間でSi-O-結合を形成させ、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜第2の被膜の一例で表面の少なくとも一部が覆われたアミノ化純シリコン微粒子12とアミノ化n型シリコン微粒子12aの混合物第2の反応性シリコン微粒子混合物の一例:以下アミノ化シリコン微粒子混合物と略称する場合がある。を製造する工程E.反応性基材13の表面に結合固定されたエポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜の表面にアミノ化シリコン微粒子混合物を接触させ、エポキシ基とアミノ基との反応により化学結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、エポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜の表面にアミノ化シリコン微粒子混合物が結合固定された積層膜n型シリコン微粒子膜10を形成する工程以下、各工程についてより詳細に説明する。[A]エポキシ化シリコン微粒子混合物の製造エポキシ化シリコン微粒子混合物は、図2に示すように、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とシリコン微粒子の表面のヒドロキシル基15との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを含む反応液中で、シリコン微粒子をアルコキシシラン化合物と接触させることにより製造される。エポキシ化シリコン微粒子混合物の製造に用いるシリコン微粒子純シリコン微粒子およびn型シリコン微粒子の粒径は、10~5μmであることが好ましい。シリコン微粒子の粒径が10nmを下回ると、n型シリコン微粒子膜10におけるエポキシ基またはアミノ基を有する単分子膜の体積分率が大きくなりすぎるため、電気的特性が低下するおそれがある。一方、シリコン微粒子の粒径が5μmを超えると、n型シリコン微粒子膜10における空隙率が増大するため、やはり電気的特性が低下するおそれがある。また、印刷でデバイス用の微細なSi微粒子パターンを形成する際、パターンの切れが悪くなる。シリコン微粒子の混合物は、粒子径が異なるシリコン微粒子を含んでいてもよい。この場合において、純シリコン微粒子とn型シリコン微粒子との粒径が異なっていてもよく、純シリコン微粒子およびn型シリコン微粒子のそれぞれが異なる粒径のシリコン微粒子の混合物であってもよい。例えば、純シリコン微粒子よりも粒径の小さなn型シリコン微粒子を用いた場合、両者を均一に混合すると、前者の空隙を後者が満たすように分布させることができ、不純物原子の空間分布の均一性を向上させることができる。充填率でいえば、2種類の粒径の微粒子を混合して用いる場合には、粒径の大きな微粒子7に対して粒径の小さな微粒子を3の割合にすれば充填率を最高にできるという論文もあるが、実用上Si微粒子は2種類である必要はないので、この限りではない。純シリコン微粒子とn型シリコン微粒子の混合比は特に制限されず、所望の不純物原子の平均濃度、シリコン微粒子の粒径等に応じて適宜決定される。純シリコン微粒子とn型シリコン微粒子の混合比は、例えば、100:1~1,000,000:1であることが好ましい。n型シリコン微粒子の割合が高すぎると、n型シリコン微粒子1個あたりの不純物原子の含有数を低く抑える必要が生じ、不純物原子濃度の制御が困難になる場合がある。一方、n型シリコン微粒子の割合が低すぎると、自由電子の担い手となる不純物原子リン等の間隔が大きくなりすぎ、電子の移動特性が低下するおそれがある。なお、塗膜の目標とする好ましい不純物濃度は、1011~1018/cm3、より好ましくは1012~1017/cm3程度である。エポキシ化シリコン微粒子混合物の製造に用いる反応液は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とシリコン微粒子の表面のヒドロキシル基15との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合することにより調製される。エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物としては、直鎖状アルキレン基の両末端に、エポキシ基オキシラン環を含む官能基およびアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式化1で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。上式において、Eはエポキシ基を含む官能基を、mは3~20の整数を、Rは炭素数1~4のアルキル基をそれぞれ表す。エポキシ化シリコン微粒子11、11aの製造に用いることができるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の一例としては、下記11~22に示した化合物が挙げられる。CH2OCHCH2O3Si3CH2OCHCH2O7Si3CH2OCHCH2O11Si3CH2CHOCHCH22CH2Si3CH2CHOCHCH22CH4Si3CH2CHOCHCH22CH6Si3CH2OCHCH2O3Si3CH2OCHCH2O7Si3CH2OCHCH2O11Si3CH2CHOCHCH22CH2Si3CH2CHOCHCH22CH4Si3CH2CHOCHCH22CH6Si3ここで、CH2OCHCH2O-基は、化2で表される官能基グリシジルオキシ基を表し、CH2CHOCHCH22CH-基は、化3で表される官能基3,4-エポキシシクロヘキシル基を表す。縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステルおよびチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。この様な触媒を用いれば、エポキシ基を開環反応させることなく室温でアルコキシシリル基のみを反応させることが可能となる。縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の0.2~5質量であり、より好ましくは0.5~1質量である。カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第1スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第1スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、2-エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチリチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビスアセチルアセトニルジ-プロピルチタネートが挙げられる。シリコン微粒子混合物を反応液中に浸漬し、室温の空気中で反応させると、アルコキシシリル基とシリコン微粒子の表面のヒドロキシル基15とが縮合反応を起こし、下記の化4で示されるような構造を有するエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜16を生成する。なお、酸素原子から延びた3本の単結合はシリコン微粒子の表面または隣接するシラン化合物のケイ素Si原子と結合しており、そのうち少なくとも1本はシリコン微粒子の表面のケイ素原子と結合している。アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度45以下の空気中で行うことが好ましい。縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は2時間程度である。上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される1または2以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を1/2~2/3程度まで短縮できる。あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合質量比1:9~9:1の範囲で使用可能だが、1:1前後が好ましいして用いると、反応時間をさらに短縮できる。例えば、縮合触媒として、ジブチルスズオキサイドの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のH3を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化シリコン微粒子11、11aの製造を行うと、エポキシ化シリコン微粒子11、11aの品質を損なうことなく反応時間を1時間程度にまで短縮できる。さらに、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のH3とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物混合比は1:1を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化シリコン微粒子11、11aの製造を行うと、反応時間を20分程度に短縮できる。なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、2,5,8-トリアザ-1,8-ノナジエン、3,11-ジメチル-4,7,10-トリアザ-3,10-トリデカジエン、2,10-ジメチル-3,6,9-トリアザ-2,9-ウンデカジエン、2,4,12,14-テトラメチル-5,8,11-トリアザ-4,11-ペンタデカジエン、2,4,15,17-テトラメチル-5,8,11,14-テトラアザ-4,14-オクタデカジエン、2,4,20,22-テトラメチル-5,12,19-トリアザ-4,19-トリエイコサジエン等が挙げられる。また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられるが、この場合、濃度が高いと室温でもエポキシ基が開環してしまうので、添加量は、アルコキシシラン化合物の0.2~0.5が好ましい。反応液の調製には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤または蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は50~250°Cであることが好ましい。具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。さらに、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート米国3M社製、アフルード旭硝子株式会社製等がある。なお、これらは1種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら2種以上を組み合わせてもよい。さらに、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、0.5~3質量である。反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った過剰なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜16で表面が覆われたエポキシ化シリコン微粒子11、11aが得られる。洗浄には、連続処理およびバッチ処理のいずれの方法を用いてもよい。洗浄溶媒とエポキシ化シリコン微粒子11、11aとの分離は、ろ過、デカンテーション、および遠心分離等の任意の公知の方法を用いて行うことができる。このようにして製造されるエポキシ化シリコン微粒子11、11aの断面構造の模式図を図2bに示す。洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、N-メチルピロリドン等が好ましい。反応後、生成したエポキシ化シリコン微粒子11、11aを溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化シリコン微粒子11、11aの表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化シリコン微粒子11、11aの表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、アミノ基に対してエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜16と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、以後のn型シリコン微粒子膜10の製造工程に特に支障をきたすことはない。[B]反応性基材の製造アミノ基第3の反応性の官能基の一例を有するアルコキシシラン化合物第3の膜化合物の一例を基材の表面に接触させ、アルコキシシラン化合物の単分子膜で表面が覆われた反応性基材13を製造する。反応性基材13は、下記の一般式化5で表されるアルコキシシラン化合物を用いること、反応液を表面に塗布すること以外は、上述のエポキシ化シリコン微粒子混合物と同様に製造することができる。上式において、mは3~20の整数を、Rは炭素数1~4のアルキル基をそれぞれ表す。なお、エポキシ基は、アルコキシシリル基との副反応を避けるために、保護基によって保護されていてもよい。保護基は加水分解等により容易に除去できるものが好ましく、ケトンとアミノ基との反応により生成するケチミン誘導体等が挙げられる。また、アミノ基は、化5に示したような1級アミン以外に2級アミンでもよく、アミノ基の代わりにピロール基、イミダゾール基等のイミノ基を有する官能基を含むアルコキシシラン化合物を用いることができる。この場合において、用いることができるアミノ基を有するアルコキシシラン化合物の一例としては、下記31~38に示した化合物が挙げられる。H2N3Si3H2N5Si3H2N7Si3H2N9Si3H2N5Si3H2N5Si3H2N7Si3H2N9Si3縮合触媒のうち、スズSn塩を含む化合物は、アルコキシシラン誘導体に含まれるアミノ基と反応して沈殿を生成するため、縮合触媒として用いることができない。したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、反応液と同様の化合物を単独でまたは2種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。用いることのできる助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ化シリコン微粒子11、11aの製造の場合と同様であるので、ここでは詳しい説明を省略する。基材の大きさ、形状及び厚さには特に制限はなく、表面官能基として、アルコキシシリル基と反応して共有結合を形成しうる官能基を有していれば、任意の材質のものを用いることができる。太陽電池、光センサー等の光電変換素子に使用される基材としては、ガラス等の透光性を有する透明基材であってもよく、透明電極としてITO等の導電性被膜が表面に形成されていてもよい。アルミニウム等の金属、ポリカーボネート等の合成樹脂を用いることもできる。基材材料の表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、ガラスの場合と同様に、第2の膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基材の具体例としては、アルミニウム等の金属、セラミックス等が挙げられる。基材材料として合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、アルコキシシラン化合物を用いることができる場合がある。反応性基材13の製造に用いることのできるアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類及びそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、及び助触媒の濃度、反応条件並びに反応時間についてはエポキシ化シリコン微粒子混合物の製造の場合と同様であるので、説明を省略する。反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った過剰なアルコキシシラン化合物及び縮合触媒を除去すると、アルコキシシラン化合物の単分子膜で表面が覆われた反応性基材13が得られる。洗浄溶媒としては、エポキシ化シリコン微粒子混合物の製造の場合と同様の洗浄溶媒を用いることができる。反応後、生成した反応性基材13を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、反応性基材13の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、反応性基材13の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基またはアミノ基を含んでいるため、洗浄を行わなくても、以下の製造工程に特に支障をきたすことはない。なお、本実施の形態においては反応性基材13を用いたが、アルコキシシラン化合物の単分子膜を形成しない基材を直接用いてもよい。[C]エポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜の形成反応性基材13の表面に、エポキシ化シリコン微粒子混合物と溶媒とを混合した分散液を塗布し、加熱してエポキシ基とアミノ基と反応させることにより、反応性基材13の表面に結合固定されたエポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する。塗布は、インクジェット法、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。分散液の調製には、2-メチルイミダゾールが可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、及び毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。エポキシ化シリコン微粒子混合物の添加量、塗布する溶液の濃度、反応温度及び反応時間は、用いる基材及びエポキシ化シリコン微粒子混合物の粒径等に応じて適宜調節される。反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った余分なエポキシ化シリコン微粒子混合物を除去すると、エポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜が得られる。[D]アミノ化シリコン微粒子混合物の製造アミノ化シリコン微粒子混合物は、アルコキシシラン化合物として、上記の一般式化5で表されるアルコキシシラン化合物を用いること以外は、上述のエポキシ化シリコン微粒子混合物と同様に製造することができる。用いることのできる縮合触媒および助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ化シリコン微粒子11、11aの製造の場合と同様であるので、ここでは詳しい説明を省略する。[E]アミノ化シリコン微粒子混合物の単層膜の形成反応性基材13の表面に形成されたエポキシ化シリコン微粒子の単層膜の表面に、アミノ化シリコン微粒子混合物と溶媒とを混合した反応液を塗布し、加熱してエポキシ基とアミノ基と反応させることにより、エポキシ化シリコン微粒子層の表面にアミノ化シリコン微粒子混合物の単層膜が結合固定された二層膜n型シリコン微粒子膜10を形成する。分散液の調製や、反応および洗浄条件については、上述の工程Cと同様であるので、詳しい説明を省略する。さらに、工程CおよびEを交互にそれぞれ所定の回数繰り返して行い、前記積層膜の表面に、エポキシ化シリコン微粒子混合物およびアミノ化シリコン微粒子混合物が交互に結合固定された積層膜を形成させてもよい。この場合において、工程CおよびEのどちらで積層を終えてもよい。次に、本発明の第二の実施の形態に係る半導体微粒子膜について説明する。図5に示すように、本発明の第二の実施の形態に係るn型シリコン微粒子膜20は、本発明の第二の実施の形態に係るn型シリコン微粒子膜20と同様の構造を有している。n型シリコン微粒子膜20は、下記の工程a~eを含む方法により製造される。a.エポキシ基第4の反応性の官能基の一例を有するアルコキシシラン化合物第4の膜化合物の一例をシリコン微粒子混合物と接触させ、アルコキシシリル基とシリコン微粒子の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜第4の膜化合物の形成する被膜の一例で表面の少なくとも一部が覆われたエポキシ化純シリコン微粒子21とエポキシ化n型シリコン微粒子21aの混合物第4の反応性シリコン微粒子混合物の一例:以下エポキシ化シリコン微粒子混合物と略称する場合がある。を製造する工程b.エポキシ化シリコン微粒子混合物を溶媒に分散して分散液を製造する工程c.エポキシ基第4の反応性の官能基の一例を有するアルコキシシラン化合物第4の膜化合物の一例を基材表面に接触させ、アルコキシシリル基と基材の表面官能基との間でSi-O-結合を形成させ、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜第4の被膜の一例で表面の少なくとも一部を覆い、次いでエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜の表面に2-メチルイミダゾール架橋剤の一例を接触および反応させ、反応性基材43を製造する工程d.反応性基材43の表面に分散液を接触させ、エポキシ基とアミノ基またはイミノ基架橋反応基の一例との反応によりN-CH2CHOH結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、反応性基材43の表面に結合固定されたエポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜を形成する工程e.反応性基材43の表面に結合固定されたエポキシ化シリコン微粒子混合物の単層膜の表面に2-メチルイミダゾール架橋剤の一例を接触および反応させた後、分散液を接触させ、エポキシ基とアミノ基またはイミノ基架橋反応基の一例との反応によりN-CH2CHOH結合を形成させ、次いで溶媒で洗浄し、エポキシ化シリコン微粒子混合物が2層積層され、互いに結合固定された積層膜を形成する工程工程a、bの詳細については、本発明の第一の実施の形態に係るn型シリコン微粒子膜10の製造方法における対応する工程と同様であるので、詳しい説明を省略する。[c]反応性基材の製造エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を基材の表面に接触させることによる、基材表面へのアルコキシシラン化合物の単分子膜の形成については、上述の本発明の第一の実施の形態に係るn型シリコン微粒子膜10の製造における反応性基材13の場合と同様に行うことができる。基材表面に形成したエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜の表面に、架橋剤の一例である2-メチルイミダゾールの溶液を塗布することにより、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜の表面2メチルイミダゾールを接触させる。2-メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基>NHおよびイミノ基=N-を、それぞれ1-位および3-位に有しており、下記の化6に示すような架橋反応により化学結合を形成する。2-メチルイミダゾールの添加量は、シリコン微粒子の大きさに依存して制御する必要があるが、エポキシ化シリコン微粒子混合物の0.5~15重量が好ましい。2-メチルイミダゾールの添加量がエポキシ化シリコン微粒子混合物の表面のエポキシ基の数に比べて極端に少なくなると、得られるn型シリコン微粒子膜20の機械的強度が低くなり、同等以上になると、架橋反応に必要な2-メチルイミダゾールの必要を超えることとなるので経済的でない。本実施の形態においては、架橋剤として2-メチルイミダゾールを用いたが、下記化7で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。あるいは、イミダゾール-金属錯体やトリアゾールを用いてもよい。化7で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記41~48に示すものが挙げられる。412-メチルイミダゾールR2=Me、R4=R5=H422-ウンデシルイミダゾールR2=C11H23、R4=R5=H432-ペンタデシルイミダゾールR2=C15H31、R4=R5=H442-メチル-4-エチルイミダゾールR2=Me、R4=Et、R5=H452-フェニルイミダゾールR2=Ph、R4=R5=H462-フェニル-4-エチルイミダゾールR2=Ph、R4=Et、R5=H472-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールR2=Ph、R4=Me、R5=CH2OH482-フェニル-4,5-ビスヒドロキシメチルイミダゾールR2=Ph、R4=R5=CH2OHなお、Me、Et、およびPhは、それぞれメチル基、エチル基、およびフェニル基を表す。イミダゾール誘導体以外では、メラミン、イソシアヌル酸、トリアジン、バルビツール酸、パラバン酸、ウラシル、チミン等の2個以上の窒素を含む複素環化合物を用いることができる。更に、イミダゾール-金属錯体を用いてもよい。また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物をカップリング剤として用いてもよい。この場合、カップリング反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、アミノ基またはイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、架橋反応基として2もしくは3以上のエポキシ基または2もしくは3以上のイソシアネート基を有するカップリング剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ヘキサメチレン-1,6-ジイソシアネート、トルエン-2,6-ジイソシアネート、トルエン-2,4-ジイソシアネート等が挙げられる。これらのジイソシアネート化合物の添加量は、2-メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化シリコン微粒子の5~15重量が好ましい。この場合、膜前駆体の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。また、架橋剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の2または3以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。分子架橋の形成に利用される結合は、共有結合、イオン結合、配位結合、及び分子間力による結合のいずれであってもよいが、形成されるn型シリコン微粒子膜10の強度及びペーストや塗膜の形成の容易さ等を考慮すると、塗膜の形成後に、加熱又は光等のエネルギー線の照射により形成される共有結合が好ましい。加熱により形成される共有結合の具体例としては、エポキシ基とアミノ基又はイミノ基との反応により形成されるN-CH2CHOH結合以外に、イソシアネート基とアミノ基との反応により形成されるNH-CONH結合等であってもよい。光照射により形成される共有結合の具体例としては、シンナモイル基またはカルコニル基の光二量化反応により形成される共有結合が挙げられる。なお、上述の各実施形態においては、不純物原子の平均濃度が1010~1020cm-3となるように均一に混合した純粋シリコン微粒子とn型シリコン微粒子との混合物を出発物質として、エポキシ化n型シリコン微粒子混合物およびアミノ化n型シリコン微粒子混合物の製造を行ったが、不純物原子濃度の異なる2種類以上のn型シリコン微粒子を均一に混合したものを用いてもよい。あるいは、純粋シリコン微粒子とn型シリコン微粒子もしくは不純物原子濃度の異なる2種類以上のn型シリコン微粒子のそれぞれについて、上述の方法と同様の手順を用いてエポキシ化n型シリコン微粒子およびアミノ化n型シリコン微粒子をそれぞれ製造後、不純物原子の平均濃度が、上述の範囲内の所望の値となるような混合比でこれらを混合して分散液を製造してもよい。本発明の各実施の形態に係るn型シリコン微粒子膜10、20において、表層に位置する反応性シリコン微粒子混合物には、未反応の反応性の官能基例えば、エポキシ基およびアミノ基が残っているので、上述の方法と同様の手順を用いて、その上にp型シリコン微粒子膜を積層させ、pn接合を形成することができる。このようにして製造されたpn接合を有する半導体微粒子膜は、整流作用等のダイオードとしての特性を示す。そのため、本発明はダイオードおよびその安価かつ簡便な製造方法も提供する。また、n型およびp型シリコン微粒子膜の膜厚は、nm~μmオーダーで制御可能であるので、光透過性を確保できるため、本発明により提供されるダイオードは各種光電変換素子に応用できる。図6に、光電変換素子の一例である太陽電池50の断面構造の模式図を示す。上記いずれかの方法を用いて形成されたn型シリコン微粒子膜51およびp型シリコン微粒子膜52が、光の入射側となる透明電極であるITO基板53上に積層されている。p型シリコン微粒子膜52の上には、アルミニウム電極54が蒸着されている。なお、n型シリコン微粒子膜51とITO基板53との間あるいはITO基板53上には、図示しない反射防止膜を設けてもよく、n型シリコン微粒子膜51およびp型シリコン微粒子膜52との間に純シリコン微粒子膜を設けたpin接合を有する構造としてもよい。また、n型シリコン微粒子膜51およびp型シリコン微粒子膜52は平面上である必要はなく、ジグザグ型の断面を有するように積層してもよい。以下、実施例を用いて本発明の詳細を説明するが、本願発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。実施例1:n型シリコン微粒子膜の製造[1]1エポキシ化シリコン微粒子混合物の製造1エポキシ化シリコン微粒子混合物の製造平均粒径10nmの純シリコン微粒子と平均粒径10nmのn型シリコン微粒子不純物原子濃度1019cm-3を用意し、重量比99.99:0.01となるよう混合した。このようにして得られたシリコン微粒子混合物不純物原子の平均濃度1016cm-3をよく乾燥した。ここで、塗膜の目標とする好ましい不純物濃度は、1011~1018/cm3、より好ましくは1012~1017/cm3程度であるが、必要に応じて適宜混合条件を調整すればよい。3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン化80.99重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート縮合触媒0.01重量部を秤量し、これを100重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。このようにして得られた反応液中にシリコン微粒子混合物を分散させ、撹拌しながら空気中相対湿度45で2時間程度反応させた。その後、エタノールで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。2アミノ化シリコン微粒子混合物の製造平均粒径が10nm程度のシリコン微粒子混合物1で用いたものと同一。を用意し、よく乾燥した。3-アミノプロピルトリメトキシシラン化9、信越化学工業株式会社製0.99重量部、および酢酸縮合触媒0.01重量部を秤量し、これを100重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。このようにして得られた反応液中にシリコン微粒子を分散させ、撹拌しながら空気中相対湿度45で2時間程度反応させた。その後、エタノールで洗浄し、余分なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。3エポキシ化ガラス基材の製造ガラス基材を用意し、よく洗浄して乾燥した。3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン化80.99重量部、及びジブチルスズビスアセチルアセトナート縮合触媒0.01重量部を秤量し、これを100重量部のヘキサメチルジシロキサン-ジメチルホルムアミド混合溶媒1:1v/vに溶解し、反応液を調製した。反応液をガラス基材板の表面に塗布し、空気中相対湿度45で2時間程度反応させた。その後、クロロホルムで洗浄し、過剰なアルコキシシラン化合物及びジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。4アミノ化シリコン微粒子混合物およびエポキシ化シリコン微粒子混合物の積層膜の形成エポキシ化ガラス基材の表面に、上記2で製造したアミノ化シリコン微粒子混合物のエタノール分散液を塗布し、100°Cで加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分なアミノ化シリコン微粒子混合物を除去した。このようにして得られた、n型シリコン微粒子層が1層積層したn型シリコン微粒子膜の表面に、上記1で製造したエポキシ化シリコン微粒子混合物のエタノール分散液をさらに塗布し、100°Cで加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分なエポキシ化シリコン微粒子混合物を除去すると、2層のn型シリコン微粒子層が積層したn型シリコン微粒子膜が得られた。実施例2:n型シリコン微粒子膜の製造[2]実施例1の3と同様に製造したエポキシ化ガラス基材の表面に、2-メチルイミダゾールのエタノール分散液を塗布し、100°Cで加熱した。次いで、実施例1の1と同様にn型不純物原子の平均濃度1017cm-3になるように調整したn型シリコン微粒子混合物を用いて製造したエポキシ化シリコン微粒子混合物100重量部のエタノール分散液を塗布し、100°Cで加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分なエポキシ化シリコン微粒子混合物および2-メチルイミダゾールを除去した。このようにして得られた、n型シリコン微粒子層が1層積層したn型シリコン微粒子膜の表面に、2-メチルイミダゾールのエタノール分散液を塗布し、100°Cで加熱した。次いで、エポキシ化シリコン微粒子混合物100重量部のエタノール分散液ををさらに塗布し、100°Cで加熱した。反応後、エタノールで洗浄し、余分なエポキシ化シリコン微粒子混合物および2-メチルイミダゾールを除去すると、2層のn型シリコン微粒子層が積層したn型シリコン微粒子膜が得られた。ここで、塗膜の目標とする好ましい不純物濃度は、1011~1018/cm3、より好ましくは1012~1017/cm3程度であるが、必要に応じて適宜混合条件を調整すればよい。実施例3:n型シリコン微粒子膜の製造[3]平均粒径10nmの純シリコン微粒子と平均粒径10nmのn型シリコン微粒子不純物原子濃度1019cm-3を混合することなく、それぞれについて、実施例1の1および2と同様の手順により、エポキシ化純シリコン微粒子、エポキシ化n型シリコン微粒子、アミノ化純シリコン微粒子およびアミノ化n型シリコン微粒子を製造後、これらを99.9:0.1:99.9:0.1の重量比で混合し、実施例1の3と同様の手順を用いてペーストを製造した以外は実施例1と同様の手順により、n型シリコン微粒子膜を製造した。実施例4:太陽電池の調製[1]実施例1の3と同様の手順により、ITOガラス板の表面に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜を形成した。このようにして製造したエポキシ化ITOガラス板の表面に、実施例1の2と同様に製造したアミノ化n型シリコン微粒子混合物のエタノール分散液を塗布し、100°Cで加熱した。反応後、メタノールで洗浄し、余分なアミノ化n型シリコン微粒子混合物を除去した。次いで、n型シリコン微粒子の代わりにp型シリコン微粒子を用いた以外は実施例1の1と同様に製造したエポキシ化p型シリコン微粒子混合物のエタノール分散液をさらに塗布し、100°Cで加熱した。反応後、メタノールで洗浄し、余分なエポキシ化p型シリコン微粒子混合物を除去し、その上にアルミニウム電極を蒸着すると太陽電池が得られた。実施例5:太陽電池の調製[2]実施例1の4と同様の手順により、ITOガラス板の表面に、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の単分子膜を形成した。このようにして製造したエポキシ化ITOガラス板の表面に、実施例2と同様の手順でエポキシ化n型シリコン微粒子の積層膜を形成した。次いで、n型シリコン微粒子の代わりにp型シリコン微粒子を用いた以外は実施例2と同様の手順でエポキシ化p型シリコン微粒子の積層膜を形成した。その後、その上にアルミニウム電極を蒸着すると太陽電池が得られた。なお、この太陽電池は、容易に小型化が可能であり、上記と同様の製造方法によりフォトセンサーも製造が可能である。"