"内部に基準圧室が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一部からなり、前記基準圧室を区画するように前記半導体基板の表層部に形成され、前記基準圧室に連通した貫通孔が形成されたダイヤフラムと、前記貫通孔内に配置された埋め込み材と、前記ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを前記半導体基板の他の部分から分離する分離絶縁層とを含む、静電容量型圧力センサ。前記ダイヤフラムに接続された第1配線と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に接続された第2配線とをさらに含む、請求項1に記載の静電容量型圧力センサ。前記分離絶縁層が、前記基準圧室の底面よりも浅い位置まで前記半導体基板内に延びており、前記基準圧室よりも狭い領域を区画している、請求項1または2に記載の静電容量型圧力センサ。前記貫通孔の側壁を覆うように筒状に形成され、前記ダイヤフラムから前記基準圧室内に突出した側壁絶縁層をさらに含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の静電容量型圧力センサ。前記半導体基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の静電容量型圧力センサ。半導体基板において、前記半導体基板の表面の所定の領域を取り囲む環状トレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記所定の領域に所定の深さの孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記孔の下の基板材料をエッチングすることにより、前記孔の下方に基準圧室を形成し、前記基準圧室の上方にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む、静電容量型圧力センサの製造方法。前記トレンチ形成工程は、前記環状トレンチを、前記半導体基板において前記基準圧室の底面となる予定の部分より浅くなるように形成する工程を含み、前記エッチング工程は、前記基準圧室が前記環状トレンチの下方で前記環状トレンチよりも広い領域に至るように、前記孔の下の基板材料を等方性エッチングする工程を含む、請求項6に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記ダイヤフラムに第1配線を接続する工程と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に第2配線を接続する工程とをさらに含む、請求項6または7に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記エッチング工程は、前記孔の側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記半導体基板の材料を等方性エッチングする工程とを含む、請求項6~8のいずれか一項に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記半導体基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含む、請求項6~9のいずれか一項に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前述の先行技術では、1つの圧力センサを製造するために2枚の基板が必要になるので、製造コストが高くなってしまう。また、この圧力センサは、基板2枚分の厚みに近い厚みを有することから、圧力センサ全体の嵩が大きくなってしまう。また、1つの圧力センサを製造するために2枚の基板を用いる分だけ、圧力センサの製造工程数が増えてしまう。特に、2枚の基板で静電容量型圧力センサを製造するためには、ダイヤフラムを有する第1の基板と、空間を挟んでダイヤフラムに対向する部分を有する第2の基板との両方に電極を形成しなければならない。本発明の目的は、低コスト化かつ小型化を実現できる静電容量型圧力センサを提供することである。また、本発明の別の目的は、低コストかつ小型な静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる静電容量型圧力センサの製造方法を提供することである。前記の目的を達成するため、本発明の静電容量型圧力センサは、内部に基準圧室が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一部からなり、前記基準圧室を区画するように前記半導体基板の表層部表面付近の基板内領域に形成され、前記基準圧室に連通した貫通孔が形成されたダイヤフラムと、前記貫通孔内に配置された埋め込み材と、前記ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを前記半導体基板の他の部分から分離する分離絶縁層とを含む。この構成によれば、1枚の半導体基板において、その内部に基準圧室空間が形成されているともに、この半導体基板の一部でダイヤフラムが形成されている。そのため、2枚の半導体基板を接合することによって基準圧室およびダイヤフラムを形成する必要がないから、コストを低くすることができる。また、1枚の半導体基板によって静電容量型圧力センサが構成されることから、2枚の半導体基板を接合することで静電容量型圧力センサを構成する場合に比べて、静電容量型圧力センサを小型にすることができる。また、基準圧室を区画するダイヤフラムにおいて基準圧室に連通した貫通孔が、埋め込み材によって塞がれているので、基準圧室を密閉することができる。これにより、基準圧室内の圧力を基準圧力としておけば、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。より具体的には、ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。また、分離絶縁層が、ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを半導体基板の他の部分から分離している。これにより、ダイヤフラムと半導体基板の他の部分とが絶縁されているから、ダイヤフラムと基準圧室の底面を区画する部分の半導体基板とによって、キャパシタ構造を形成できる。また、ダイヤフラムが分離絶縁層によって区画されることから、ダイヤフラムを、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、静電容量型圧力センサの感度のばらつきを抑えることができる。静電容量型圧力センサは、前記ダイヤフラムに接続された第1配線と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に接続された第2配線とをさらに含むことが好ましい。これにより、同一の半導体基板における当該部分およびダイヤフラムのそれぞれを電極とする簡素な構成の静電容量型圧力センサを提供することができる。前記分離絶縁層が、前記基準圧室の底面よりも浅い位置まで前記半導体基板内に延びており、前記基準圧室よりも狭い領域を区画していることが好ましい。換言すれば、基準圧室が分離絶縁層よりも広い領域にわたって形成されていることが好ましい。これにより、分離絶縁層の外周領域ダイヤフラムとは反対側の外側領域が、ダイヤフラムと略等しい膜厚を有する外周膜状部となる。したがって、ダイヤフラム、分離絶縁層および外周膜状部を含む可動膜が形成される。ダイヤフラムの両表面間に圧力差が生じると、可動膜全体が変形する。ダイヤフラムは可動膜の中央領域に位置にしているので、その変位量が大きくなる。これにより、微小な圧力変動に対するダイヤフラムの応答性が良くなるから、静電容量型圧力センサの感度が向上できる。静電容量型圧力センサは、前記半導体基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含むことが好ましい。これにより、静電容量型圧力センサおよび集積回路部を同一の半導体基板に形成することができる。また、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、半導体基板において、前記半導体基板の表面の所定の領域を取り囲む環状トレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記所定の領域に所定の深さの孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記孔の下の基板材料をエッチングすることにより、前記孔の下方に基準圧室を形成し、前記基準圧室の上方にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む。この方法により、前述の構成の圧力センサが得られる。そして、この方法によれば、エッチング工程において、半導体基板で環状トレンチの分離絶縁層に取り囲まれた所定の領域の孔内にエッチング剤を導入して孔の下の基板材料をエッチングすると、半導体基板では、孔の下方に基準圧室が形成される。その一方で、基準圧室の上方にダイヤフラムが形成される。この際、分離絶縁層がダイヤフラムの周囲を取り囲むので、ダイヤフラムが分離絶縁層によって区画されることから、ダイヤフラムを、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、分離絶縁層が、ダイヤフラムを半導体基板の他の部分から分離することで、ダイヤフラムと当該部分とが絶縁されるから、ダイヤフラムと基準圧室の底面を区画する部分の半導体基板とによって、キャパシタ構造を形成できる。また、この方法によれば、2枚の半導体基板を接合しなくても、半導体基板を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室およびダイヤフラムを形成することができるので、低コストかつ小型な静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、孔内に埋め込み材を配置することによって、孔の下の基準圧室を密閉することができる。これにより、完成した静電容量型圧力センサは、基準圧室内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。より具体的には、ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。前記トレンチ形成工程は、前記環状トレンチを、前記半導体基板において前記基準圧室の底面となる予定の部分より浅くなるように形成する工程を含み、前記エッチング工程は、前記基準圧室が前記環状トレンチの下方で前記環状トレンチよりも広い領域に至るように、前記孔の下の基板材料を等方性エッチングする工程を含むことが好ましい。この場合、静電容量型圧力センサが完成すると、環状トレンチに埋め込まれた分離絶縁層が、基準圧室の底面よりも浅い位置まで半導体基板内に延びて、基準圧室よりも狭い領域を区画する。換言すれば、基準圧室は、分離絶縁層よりも広い領域にわたって形成される。その結果、分離絶縁層の外周領域に外周膜が形成されるので、ダイヤフラム、分離絶縁層および外周膜を含む可動膜が形成される。この可動膜はダイヤフラムよりも大きく、ダイヤフラムをその中央領域に有することになる。したがって、分離絶縁層に区画されたダイヤフラムの変位量が大きくなるので、その分、微小な圧力変動に対するダイヤフラムの応答性が良くなる。そのため、静電容量型圧力センサの感度を向上できる。本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、前記ダイヤフラムに第1配線を接続する工程と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に第2配線を接続する工程とをさらに含むことが好ましい。これにより、同一の半導体基板における当該部分およびダイヤフラムのそれぞれを電極とする簡素な構成の静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。前記エッチング工程は、前記孔の側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記半導体基板の材料を等方性エッチングする工程とを含むことが好ましい。孔の側壁に側壁絶縁層が予め形成されるので、孔内に導入されるエッチング剤が孔の側壁ダイヤフラム部分をエッチングしてしまうことを防止できる。本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、前記半導体基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、静電容量型圧力センサおよび集積回路部を同一基板に形成することができる。圧力センサ部および集積回路部は、少なくとも一部の製造工程が共有されることが好ましい。たとえば、コンタクト孔形成工程や、配線工程は、圧力センサ部および集積回路部に対して同時に行われる。以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る圧力センサの製造過程で用いられるシリコン基板の概略平面図である。1枚の低抵抗のシリコン基板2半導体基板上に、多数の圧力センサ1が一括して形成される。圧力センサ1は、シリコン基板2に規則的に配列された複数の矩形領域3にそれぞれ形成される。図1の例では、各矩形領域3は、平面視略正方形状であり、互いに間隔を開けて行列状に配列されている。矩形領域3の形状はこれに限るものではなく、たとえば略長方形状であってもよい。低抵抗のシリコン基板2は、具体的には、P型またはN型の不純物を添加しながら結晶成長させたシリコンからなる。シリコン基板2は、たとえば、比抵抗が5~25mΩcmのものであることが好ましい。図2は、圧力センサの拡大平面図である。図3aは、図2の切断面線A-Aにおける断面図であり、図3bは、図2の集積回路領域における圧力センサの要部断面図である。図3aに示すように、個々の圧力センサ1は、矩形領域3に相当する大きさのシリコン基板2を含んでいる。シリコン基板2の表面4は、被覆層5で被覆されている。さらに、被覆層5の表面には、絶縁層6が形成されている。被覆層5および絶縁層6は、たとえば、いずれも、酸化シリコンSiO2からなる。シリコン基板2の裏面7は、露出面である。シリコン基板2の内部には、基準圧室8が形成されている。基準圧室8は、この実施形態では、シリコン基板2の表面4および裏面7に平行に広がり、かつ上下方向シリコン基板2の厚さ方向の高さが低い扁平な空洞扁平空間である。つまり、基準圧室8は、表面4および裏面7に平行な方向における寸法が、高さ方向寸法よりも大きくなっている。基準圧室8は、各圧力センサ1に1つずつ形成されている。基準圧室8は、この実施形態では、平面視円形状立体的には、円筒状に形成されている。基準圧室8がシリコン基板2内に形成されていることによって、シリコン基板2の表面4側は、基準圧室8と対向する部分が残余部分よりも薄膜化されている。これにより、シリコン基板2は、基準圧室8に対して表面4側に、平面視円形状のダイヤフラム9を有している。ダイヤフラム9は、基準圧室8との対向方向シリコン基板2の厚さ方向に変位可能な薄膜である。ダイヤフラム9は、シリコン基板2の一部であり、基準圧室8を上から区画するようにシリコン基板2の表層部に形成されている。ダイヤフラム9の直径は、基準圧室8の直径より小さく、この実施形態では、500~600μmである。また、ダイヤフラム9の厚みは、たとえば、0.5~1.5μmである。ただし、図3aでは、構造を明瞭に表すために、ダイヤフラム9の厚みを誇張して描いてある。ダイヤフラム9は、シリコン基板2における他の部分残余部分11という。に一体的に支持されている。この実施形態では、ダイヤフラム9は、平面視において矩形領域3の略中央に配置されている図2参照。シリコン基板2には、ダイヤフラム9の周囲を取り囲む分離絶縁層10が形成されている。分離絶縁層10は、平面視でダイヤフラム9を区画する円環状の縦壁である。分離絶縁層10の内周縁とダイヤフラム9の輪郭Lとは一致している図2参照。分離絶縁層10は、シリコン基板2の表面4の被覆層5から連続して、基準圧室8の底面よりも浅い位置基準圧室8の天面から下側へ少しはみ出た位置までシリコン基板2内に延びている。分離絶縁層10は、シリコン基板2の厚さ方向に対する直交方向において、基準圧室8よりも狭い領域を区画している。換言すれば、基準圧室8が分離絶縁層10よりも広い領域にわたって形成されている。これにより、分離絶縁層10の外周領域ダイヤフラム9とは反対側の外側領域が、ダイヤフラム9と略等しい膜厚を有する外周膜状部22となる。したがって、ダイヤフラム9、分離絶縁層10および外周膜状部22を含む可動膜23が構成されている。可動膜23は、ダイヤフラム9と略等しい膜厚を有する薄膜である。可動膜23は、全体が基準圧室8との対向方向に変位可能である。ダイヤフラム9は、可動膜23の中央領域に位置にしているので、ダイヤフラム9の変位量は可動膜23の中で最も大きい。シリコン基板2の厚さ方向におけるダイヤフラム9の下側に基準圧室8が存在し、当該厚さ方向に直交する方向におけるダイヤフラム9の外側に分離絶縁層10が存在している。これにより、ダイヤフラム9は、シリコン基板2における他の部分残余部分11から絶縁分離されている。ダイヤフラム9には、平面視円形の貫通孔12が、ダイヤフラム9の輪郭L換言すれば、分離絶縁層10の内周縁よりも内側の全域にわたって、所定の等間隔を隔てて多数形成されている図2参照。この実施形態では、複数の貫通孔12は、平面視において規則配列されている。全ての貫通孔12は、シリコン基板2における表面4の被覆層5と基準圧室8との間の部分被覆層5も含むを貫通し、基準圧室8に連通している。各貫通孔12の直径は、この実施形態では、たとえば、0.5~1μmである。また、各貫通孔12の深さは、この実施形態では、たとえば、3~5μmである。貫通孔12の内壁面は、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜13側壁絶縁層で被覆されている。全ての貫通孔12において、保護薄膜13の内側にはCVDChemicalVaporDeposition:化学的気相成長法によって形成された酸化シリコンSiO2からなる酸化膜が充填されて埋め込まれている。これにより、全ての貫通孔12が酸化膜の充填体14埋め込み材により閉塞されていて、貫通孔12の下方の基準圧室8は、その内部圧力が圧力検出の際の基準とされる基準圧室として密閉されている。基準圧室8は、この実施形態では、減圧状態たとえば、1Torr程度に保持されている。貫通孔12に充填された酸化膜は、貫通孔12の各上方部において各貫通孔12を閉塞する充填体14をなしている。被覆膜15は、酸化膜であり、図3aに示すように基準圧室8の内壁下部を被覆している。個々の圧力センサ1において、ダイヤフラム9には、第1金属配線16第1配線が接続され、シリコン基板2において分離絶縁層10によってダイヤフラム9から絶縁分離された残余部分11には、第2金属配線17第2配線が接続されている。第1金属配線16および第2金属配線17は、この実施形態ではアルミニウムAlからなり、絶縁層6上に設けられている。第1金属配線16は、絶縁層6および被覆層5を貫通して、ダイヤフラム9に接続されている。第2金属配線17は、絶縁層6および被覆層5を貫通して、残余部分11に接続されている。図2に示すように、第1金属配線16には、第1金属端子18が接続されており、第2金属配線17には、第2金属端子19が接続されている。第1金属端子18および第2金属端子19は、この実施形態ではアルミニウムAlからなり、絶縁層6上に形成されている図3a参照。第1金属端子18は、平面視において、矩形領域3の四隅のいずれかに配置されている。第2金属端子19は、矩形領域3の一辺の長手方向略中央位置の近傍に配置されている。第1金属配線16は、ダイヤフラム9の径方向に沿って直線状に延び、矩形領域3の外周縁の周辺で略直角に折れ曲って、矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びて、第1金属端子18に接続されている。第2金属配線17は、ダイヤフラム9の径方向に沿って直線状に延びて、第2金属端子19に接続されている。図3aに示すように、第1金属配線16、第2金属配線17、第1金属端子18および第2金属端子19は、窒化シリコンSiNからなるパッシベーション膜20により被覆されている。ただし、第1金属端子18は、図3aの切断面には表れていない。パッシベーション膜20には、第1金属端子18および第2金属端子19をそれぞれパッドとして露出させる開口21が形成されている。図2では、パッシベーション膜20の図示が省略されている。この圧力センサ1では、ダイヤフラム9が可動電極となって、残余部分11において、基準圧室8を挟んでダイヤフラム9に下から対向する部分が固定電極11Aとなるキャパシタ構造コンデンサが構成されている。そして、第1金属端子18および第2金属端子19のそれぞれにバイアス電圧が与えられ、可動電極ダイヤフラム9と固定電極11Aとの電位差が一定になっている。ここで、ダイヤフラム9がシリコン基板2の表面4側から圧力たとえば、気体圧力を受けると、基準圧室8の内部と外部との間ダイヤフラム9の両表面間に差圧が生じることによって、ダイヤフラム9を含む可動膜23全体がシリコン基板2の厚さ方向に変位する。この際、可動膜23では、その中央領域にあるダイヤフラム9が最も大きく変位する撓む。これに伴い、ダイヤフラム9と固定電極11Aとの間隔基準圧室8の深さが変化し、ダイヤフラム9と固定電極11Aとの間の静電容量が変化する。この静電容量の変化に基づいて、圧力センサ1に生じた圧力の大きさを検出することができる。つまり、この圧力センサ1は、静電容量型圧力センサである。図2を参照して、シリコン基板2の各矩形領域3において、その外周縁詳しくは、第1金属配線16において矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びている部分とダイヤフラム9との間には、集積回路領域272点鎖線で囲まれた領域が設けられている。集積回路領域27は、平面視でダイヤフラム9を取り囲む略矩形の環状領域である。集積回路領域27には、トランジスタや抵抗その他の集積回路デバイス機能素子を含む集積回路部28が形成されている。すなわち、この圧力センサ1は、ダイヤフラム9等が形成されたシリコン基板2上に形成された集積回路部28を含んでいる。具体的には、図3bに示すように、集積回路領域27は、LOCOS層29によってシリコン基板2の他の領域から絶縁分離されている。集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ソース30とドレイン31とが形成されており、シリコン基板2の表面4において集積回路領域27に相当する部分には、ゲート酸化膜32が、ソース30とドレイン31とに跨って形成されている。ゲート酸化膜32上には、ゲート電極33が、ソース30とドレイン31との間の部分チャンネルが形成される部分と対向するように形成されている。LOCOS層29およびゲート酸化膜32の上には、ゲート電極33を覆うように、絶縁層6が形成されている。そして、絶縁層6の表面には、ソース側金属配線35と、ドレイン側金属配線36とが設けられている。ソース側金属配線35は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通してソース30に接続されている。ドレイン側金属配線36は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通してドレイン31に接続されている。絶縁層6の表面には、ソース側金属配線35およびドレイン側金属配線36を覆うように、パッシベーション膜20が形成されている。ここでは、集積回路領域27に配置された構成要素群を集積回路部28と呼ぶ。図4A~図4Oは、図2および図3に示す圧力センサの製造工程を示す。図4A~図4Oのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図3aと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図3bと同じ位置での切断面を示す。圧力センサ1を製造するには、図4Aに示すように、シリコン基板2ウエハが準備される。この時点でのシリコン基板2の厚さは、この実施形態では、約300μmである。具体的には、直径が6インチで厚さが約625μmのシリコン基板2、または、直径が8インチで厚さが約725μmのシリコン基板2のいずれかを選択して、300μmまで薄くした後の状態が、図4Aに示されている。次いで、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に、酸化シリコンSiO2からなる被覆層5が形成され、フォトリソグラフィにより、被覆層5上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、分離絶縁層10図2および図3a参照に対応した円環状の開口を有している。次いで、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。図4Bでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されており、被覆層5には、円環状の開口41が形成されている。次いで、被覆層5をマスクとする異方性のディープRIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチングにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図4Cに示すように、環状トレンチ42が形成される。環状トレンチ42は、円環状の縦溝である。環状トレンチ42は、シリコン基板2の表面4において貫通孔12図2および図3a参照が形成される予定の所定の領域を取り囲むように形成される。さらに、環状トレンチ42は、シリコン基板2において基準圧室8の底面となる予定の部分図3a参照より浅くなるように形成される。次いで、図4Dに示すように、CVD法により、環状トレンチ42が、酸化膜で埋め尽くされる。環状トレンチ42内にある酸化膜が、前述した分離絶縁層10である。つまり、この工程において、環状トレンチ42に分離絶縁層10が埋め込まれる。この際、環状トレンチ42から酸化膜がはみ出ることによって、被覆層5の表面に凹凸ができるが、レジストエッチバック法により、被覆層5の表面が平坦化される。次いで、図4Eaに示すように、フォトリソグラフィにより、被覆層5上に、レジストパターン45が形成される。レジストパターン45は、複数の貫通孔12図2および図3a参照に対応した複数の開口46を有している。貫通孔12の断面を円形に形成するときには、それに応じて、開口46は円形に形成される。各開口46の直径は、貫通孔12と同様に、約0.5~1μmである。平面視において、全ての開口46は、環状トレンチ42分離絶縁層10の内側に形成される図4Eb参照。次いで、レジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。これにより、被覆層5に、貫通孔12に対応した開口が形成される。図4Eでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられる。これにより、図4Faに示すように、シリコン基板2においてレジストパターン45の各開口46換言すれば、被覆層5において選択的に除去された部分に一致する位置に貫通孔12が形成される。開口46が円形であれば、表面4の被覆層5から所定の深さで下方に延びる円柱凹状をなす貫通孔12が形成される。各貫通孔12の底面は、環状トレンチ42分離絶縁層10の底面とほぼ同じ深さの位置にある。これらの貫通孔12は、環状トレンチ42分離絶縁層10に囲まれた所定の領域に形成される。貫通孔12の形成の際、レジストパターン45が同時にエッチングされて薄膜化されていく。貫通孔12の形成後には、レジストパターン45の残った部分が剥離される。ここで、貫通孔12の形成のための深掘りRIEは、いわゆるボッシュプロセスで行ってもよい。ボッシュプロセスでは、SF6六フッ化硫黄を使用してシリコン基板2をエッチングする工程と、C4F8パーフルオロシクロブタンを使用してエッチング面に保護膜を形成する工程とが交互に繰り返される。これにより、高いアスペクト比でシリコン基板2をエッチングすることができる。次いで、図4Gaに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2において各貫通孔12を区画する内面全域つまり、貫通孔12の円周面および底面および被覆層5の表面に、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜13が形成される。保護薄膜13の厚さは、貫通孔12の側壁で約1000~2000Åである。この時点では、各貫通孔12内における保護薄膜13は、貫通孔12の側壁を覆う筒状具体的には、円筒状であって、貫通孔12の下端に底面部分を有している。次いで、図4Haに示すように、RIEにより、保護薄膜13における貫通孔12の底面上の部分円筒状の保護薄膜13における底面部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。これにより、貫通孔12の底面からシリコン基板2の結晶面が露出する。次いで、図4Iaに示すように、シリコン基板2の表面4側から各貫通孔12内にエッチング剤が導入される等方性エッチング。たとえば、プラズマエッチング等のドライエッチングを適用する場合にはエッチングガスが貫通孔12に導入される。また、ウェットエッチングを適用する場合にはエッチング液が貫通孔12に導入される。これにより、被覆層5と各貫通孔12の内側面の保護薄膜13とをマスクとして、シリコン基板2における各貫通孔12の下厳密には、各貫通孔12の底の周囲の基板材料が等方的にエッチングされる。具体的には、各貫通孔12の底を起点として、シリコン基板2が、その厚さ方向と、厚さ方向に直交する方向とにエッチングされる。さらに、シリコン基板2では、環状トレンチ42分離絶縁層10の下方側において、環状トレンチ42より広い領域がエッチングされる。そして、等方性エッチングの結果、シリコン基板2の内部において、各貫通孔12の下方各貫通孔12の底の周囲には、各貫通孔12に連通する基準圧室8扁平空間が形成される。同時に、基準圧室8の上方にダイヤフラム9が形成される。詳しくは、基準圧室8は、環状トレンチ42分離絶縁層10の下方で環状トレンチ42よりも広い領域に至るように形成される。その結果、前述した外周膜状部22が形成され、外周膜状部22、分離絶縁層10およびダイヤフラム9によって、前述した可動膜23が構成される。ここで、エッチング液の導入量に応じて、基準圧室8の深さシリコン基板2の厚さ方向における寸法を調整することができる。また、隣り合う貫通孔12の間隔に応じて基準圧室8の深さを調整することもできる。この場合、たとえば、貫通孔12の間隔が狭いと、比較的短時間のエッチングで隣接する貫通孔12から広がった空間が連続して基準圧室8が形成される。したがって、基準圧室8の高さは比較的低くなる。一方、貫通孔12の間隔が広いと、隣接する貫通孔12から広がる空間がつながるまでに比較的長時間エッチングしなければならない。それに応じて、基準圧室8の高さが高くなる。このように基準圧室8の深さを調整することで、ダイヤフラム9可動電極と残余部分11固定電極11Aとの間隔を制御でき、これに応じて、圧力センサ1図3a参照の感度を調整できる。また、等方性エッチングの結果、各貫通孔12の底の周囲の基板材料がエッチングされる。これにより、基準圧室8が完成した状態で、各貫通孔12の内壁に形成された筒状の保護薄膜13の底側の部分は、ダイヤフラム9から基準圧室8内に突出し、基準圧室8の底面に対して、所定の間隔を隔てて上から対向している。また、分離絶縁層10の下端部も、ダイヤフラム9から基準圧室8内に突出し、基準圧室8の底面に対して、所定の間隔を隔てて上から対向している。そのため、基準圧室8は、完全な円筒形状ではなく、その天面部分において、各貫通孔12および分離絶縁層10の位置で内側下側に凹んでいる。そして、図4Jaに示すように、CVD法により、各貫通孔12を酸化膜で埋め尽くして閉塞する。より詳細には、貫通孔12の円周面にある保護薄膜13の内側部分における上方部に、貫通孔12を閉塞するように酸化膜が形成される。この酸化膜が、前述した充填体14である。つまり、この工程では、各貫通孔12内に充填体14が配置される。各貫通孔12が閉塞されることによって、基準圧室8が真空状態で密閉される。また、この際、貫通孔12から酸化膜がはみ出ることによって、被覆層5の表面に凹凸ができるが、レジストエッチバック法により、被覆層5の表面が平坦化される。貫通孔12が大径であるほど、被覆層5の表面に大きな凹凸ができやすい。貫通孔12を閉塞するための酸化膜は、貫通孔12内だけにとどまらず、前述した被覆膜15として、充填体14に連続して、貫通孔12の底から基準圧室8内に至り、基準圧室8の内壁面の下部を被覆する。基準圧室8の深さは、たとえば2~3μmであるから、被覆膜15によって基準圧室8が埋まってしまうことはない。なお、貫通孔12の直径が小さい程、貫通孔12が速やかに閉塞されるから、被覆膜15が薄くなる。次に、集積回路領域27に集積回路部28図3b参照を形成する工程が実施される。集積回路領域27は、シリコン基板2において基準圧室8およびダイヤフラム9が形成される領域以外の領域である。まず、図4Kに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に、窒化シリコンSiNからなる窒化膜48が形成される。次いで、図4Lに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、窒化膜48が選択的に除去される。その結果、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、残った窒化膜48をマスクにして、その周囲のシリコン基板2の表面部を酸化して窒化膜48の周りにLOCOS層29を形成する。その後、窒化膜48およびその下の被覆層5を除去して、前述したゲート酸化膜32をたとえば熱酸化法によって新たに形成する。ゲート酸化膜32が形成された状態が、図4Mbに示されている。シリコン基板2においてゲート酸化膜32が形成された領域LOCOS層29によって分離された領域が、集積回路領域27となる。次いで、集積回路領域27内のゲート酸化膜32上にポリシリコン膜が堆積される。このポリシリコン膜を、フォトリソグラフィによってパターニングすることにより、図4Nに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図4Obに示すように、シリコン基板2の表面上に、レジストパターン51が形成される。レジストパターン51は、集積回路領域27に対応した1つの開口52を有している。そして、シリコン基板2の表層部に、レジストパターン51およびゲート電極33をマスクとして、不純物たとえば、砒素Asイオンが注入される。これにより、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ゲート電極33を挟んで対向する領域にソース30とドレイン31とが形成される。レジストパターン51が除去された後、CVD法によって、シリコン基板2の表面を覆う絶縁層6が形成される。この絶縁層6は、具体的には、図4Oaに示す被覆層5、ならびに、図4Obに示すLOCOS層29およびゲート酸化膜32を覆うように形成される。次いで、図3aに示すように、フォトリソグラフィにより、開口コンタクトホール53が、絶縁層6および被覆層5を貫通するように形成される。コンタクトホール53は、ダイヤフラム9の一部を露出させる位置に形成される。同時に、別のコンタクトホール53が、絶縁層6および被覆層5を貫通するように形成される。このコンタクトホール53は、残余部分11の一部を露出させる位置に形成される。同時に、図3bに示すように、ソース30およびドレイン31のためのコンタクトホール54が形成される。コンタクトホール54は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通して、ソース30およびドレイン31の各一部を露出させるように形成される。なお、図示していないが、同じ工程において、ゲート電極33につながるコンタクトホールが、絶縁層6を貫通するように形成される。次いで、スパッタ法により、絶縁層6上に、アルミニウムが堆積され、アルミニウム堆積膜55が形成される。アルミニウム堆積膜55は、コンタクトホール53,54等を介して、ダイヤフラム9、残余部分11、ソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれに接続される。次いで、フォトリソグラフィにより、アルミニウム堆積膜55上にレジストパターン図示せずが形成され、その後、このレジストパターンをマスクとするプラズマエッチングにより、アルミニウム堆積膜55が選択的に除去される。これにより、第1金属配線16、第2金属配線17、第1金属端子18および第2金属端子19が同時に形成される図2参照。この際、第1金属配線16は、対応するコンタクトホール53を介してダイヤフラム9に接続され、第2金属配線17は、対応するコンタクトホール53を介して残余部分11に接続される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等や金属端子図示せずも形成される。その後、このレジストパターンは、剥離される。次いで、CVD法により、絶縁層6上に、パッシベーション膜20が形成される。その後は、図3aに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜20に、第1金属端子18および第2金属端子19集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口21が形成される。図3aでは、第2金属端子19を露出させる開口21を示す。また、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜20に、絶縁層6において全ての貫通孔12を包囲する領域つまり、ダイヤフラム9のほぼ全域を露出させる開口56が形成される。開口56は、たとえば、平面視において基準圧室8と相似の形状である。以上により、図2および図3に示す圧力センサ1が得られる。パッシベーション膜20に開口56を形成して開口56からダイヤフラム9を露出させるのは、ダイヤフラム9を撓みやすくするためである。ダイヤフラム9上にパッシベーション膜20が存在すると、ダイヤフラム9が撓みにくくなり、圧力センサ1の感度が下がる。この実施形態では、エッチング工程図4G~図4Iにおいて、シリコン基板2で環状トレンチ42の分離絶縁層10に取り囲まれた所定の領域の貫通孔12内にエッチング剤を導入して貫通孔12の下の基板材料をエッチングすると、シリコン基板2では、貫通孔12の下方に基準圧室8が形成される。その一方で、基準圧室8の上方にダイヤフラム9が形成される図4I参照。この際、分離絶縁層10がダイヤフラム9の周囲を取り囲むので、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、ダイヤフラム9が分離絶縁層10によって区画されることから、ダイヤフラム9を、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を簡単に製造することができる。また、分離絶縁層10が、ダイヤフラム9をシリコン基板2の他の残余部分11から分離することで、ダイヤフラム9と残余部分11とが絶縁される。これにより、ダイヤフラム9と残余部分11において基準圧室8の底面を区画する固定電極11Aとによって、キャパシタ構造を形成できる。また、この方法によれば、2枚のシリコン基板2を接合しなくても、シリコン基板2を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室8およびダイヤフラム9を形成することができるので、低コストかつ小型な薄い圧力センサ1を簡単に製造することができる。特に、2枚のシリコン基板2を接合することで圧力センサ1を構成する場合には、2枚のシリコン基板2の接合部分においてリークが生じやすい。これに対して、本実施形態では、可動部品であるダイヤフラム9がシリコン基板2の一部であることから、基準圧室8は、リークが生じない密閉空間に維持できるので、信頼性の高い圧力センサ1を提供できる。また、図4Jに示すように、貫通孔12内に充填体14を配置することによって、貫通孔12の下の基準圧室8を密閉することができる。これにより、図3aに示すように、完成した圧力センサ1は、基準圧室8内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラム9が受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。また、環状トレンチ42に埋め込まれた分離絶縁層10が、基準圧室8の底面よりも浅い位置までシリコン基板2内に延びて、基準圧室8よりも狭い領域を区画する。換言すれば、基準圧室8は、分離絶縁層10よりも広い領域にわたって形成される。その結果、分離絶縁層10の外周領域ダイヤフラム9とは反対側の外側領域に外周膜状部22が形成されるので、ダイヤフラム9、分離絶縁層10および外周膜状部22を含む可動膜23が形成される。この可動膜23はダイヤフラム9よりも大きく、ダイヤフラム9をその中央領域に有することになる。したがって、分離絶縁層10に区画されたダイヤフラム9の変位量が大きくなるので、その分、微小な圧力変動に対するダイヤフラム9の応答性が良くなる。そのため、圧力センサ1の感度を向上できる。ここで、分離絶縁層10の外側に一部の貫通孔12が位置するように分離絶縁層10をダイヤフラム9の円中心側へ寄せて形成すれば、ダイヤフラム9が一層撓みやすくなるので、圧力センサ1の感度を高めることができる。また、ダイヤフラム9に第1金属配線16を接続し、シリコン基板2において分離絶縁層10によってダイヤフラム9から絶縁された残余部分11に第2金属配線17を接続することにより、残余部分11の固定電極11Aおよびダイヤフラム9のそれぞれを電極とする簡素な構成の静電容量型圧力センサ1を簡単に製造することができる。また、貫通孔12の側壁に保護薄膜13が予め形成されるので、エッチング工程で貫通孔12内に導入されるエッチング剤が貫通孔12の側壁ダイヤフラム9となる部分をエッチングしてしまうことを防止できる図4Ia参照。また、シリコン基板2において基準圧室8が形成される領域以外の集積回路領域27に集積回路部28を形成すれば、圧力センサ1および集積回路部28を同一のシリコン基板2厳密には、同一の矩形領域3に形成することができる図2および図3b参照。特に、ダイヤフラム9を、シリコン基板2の一部を用いて構成していることから、シリコン基板2の表面4が平坦な状態を維持しつつ圧力センサ1を形成しているので、各矩形領域3の平坦な表面4においてダイヤフラム9以外の領域に、集積回路部28を併せて形成することができる。これにより、圧力センサ1の本体部分ダイヤフラム9が形成された部分と集積回路部28LSIとを1チップで構成すること1チップ化が可能となる図2参照。以上の実施形態では、ダイヤフラム9が、多数の貫通孔12を有する薄い円板形状である例を示した。しかし、圧力センサ1の感度は、基準圧室8の寸法だけでなく、ダイヤフラム9の面積、厚さおよび形状に応じて変化し得る。たとえば、ダイヤフラム9の形状に関し、四角形状四隅が直角であってもよいし、丸められていてもよいの方が、円形状よりも感度が高い。その理由として、四角形状の方が、四隅の分だけ円形状よりも面積が大きいことが挙げられる。ダイヤフラム9の面積が大きくなるほどダイヤフラム9が撓みやすくなり、その分、ダイヤフラム9と固定電極11Aとの間隔基準圧室8の深さが変化しやすくなるので、圧力センサ1の感度が高くなる。ただし、四角形状では、四隅において、局所的な力がかかりやすいことから、破損が生じやすい。逆に、円形状のダイヤフラム9では、このような破損は生じにくい。そのため、感度および耐久性のいずれに重点を置くかで、ダイヤフラム9の形状が適宜選択される。四隅の角部を丸めた四角形状とすれば、感度と耐久性との要求を両立できる。むろん、ダイヤフラム9を四角形状以外の多角形状に形成してもよい。また、前述の実施形態では、圧力センサ1が作り込まれたシリコン基板2に集積回路部28が形成されている例を示したが、シリコン基板2に集積回路部28を形成しなくてもよい。以上、本発明の実施形態を説明したが、その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。"