"基板上に、陽極、燐光発光層を含む有機層及び陰極が積層されてなる有機電界発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔阻止層及び電子阻止層からなる群れから選ばれる少なくとも一つの有機層中に、一般式1で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。一般式1中、Zは式1aで表わされる化合物から1つのArを除いて生じる1価の基を表し、Lはm価の炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を表し、mは1~4の整数を表す。mが2以上の場合、Zは同一であっても、異なってもよい。式1a中、環Aは隣接環と任意の位置で縮合する式1bで表される炭化水素環を表し、環Bは隣接環と任意の位置で縮合する式1cで表される複素環を表し、nは2~4の整数を表す。式1a及び1b中、Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~17の芳香族複素環基を表す。式1a及び1c中、Arはそれぞれ独立して炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を示す。ただし、L、Arのうち少なくとも1つは式1dで表される化合物からm個又は1個の水素を除いて生じるm価又は1価の基である。式1d中、Xはメチン、窒素又はCAr1を表すが、少なくとも1つは窒素である。Ar1はそれぞれ独立して炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を表す。一般式1において、mが1又は2のいずれかである請求項1に記載の有機電界発光素子。一般式1において、式1a中のnが2である請求項1に記載の有機電界発光素子。一般式1において、式1aが下記式2~4のいずれかで表されることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。式2~4中、Ar及びRは式1a、1b及び1cと同意である。一般式1で表される化合物を含む有機層が、燐光発光ドーパントを含有する発光層であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。本発明の有機電界発光素子は、前記一般式1で表される化合物を含有する。すなわち、式1aで表わされるようにインドロカルバゾール環に更にインドール環が1~3個連結して縮合した骨格を有する。そして、上記骨格中の窒素上に縮環構造でない含窒素複素環を少なくとも1つ有する。一般式1において、Lはm価の炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を表す。好ましくは炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数3~18の芳香族複素環基である。具体的な芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基としては、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン、オクタレン、インダセン、アセナフチレン、フェナレン、フェナンスレン、アントラセン、トリンデン、フルオランテン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、テトラフェン、テトラセン、プレイアデン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、コラントリレン、ヘリセン、ヘキサフェン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン、オバレン、コラヌレン、フルミネン、アンタントレン、ゼトレン、テリレン、ナフタセノナフタセン、トルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、キサンテン、オキサトレン、ジベンゾフラン、ペリキサンテノキサンテン、チオフェン、チオキサンテン、チアントレン、フェノキサチイン、チオナフテン、イソチアナフテン、チオフテン、チオファントレン、ジベンゾチオフェン、ピロール、ピラゾール、テルラゾール、セレナゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、フラザン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、インドリジン、インドール、イソインドール、インダゾール、プリン、キノリジン、イソキノリン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ナフチリジン、フタラジン、キナゾリン、ベンゾジアゼピン、キノキサリン、シンノリン、キノリン、プテリジン、フェナントリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、フェノテルラジン、フェノセレナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、アンチリジン、テベニジン、キンドリン、キニンドリン、アクリンドリン、フタロペリン、トリフェノジチアジン、トリフェノジオキサジン、フェナントラジン、アントラジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、ベンゾイソチアゾール又はこれら芳香環が複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる基等が挙げられる。好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、イソインドール、インダゾール、プリン、イソキノリン、イミダゾール、ナフチリジン、フタラジン、キナゾリン、ベンゾジアゼピン、キノキサリン、シンノリン、キノリン、プテリジン、フェナントリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、インドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、又はこれら芳香環が複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる基が挙げられる。なお、芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基である場合、連結される数は2~10が好ましく、より好ましくは2~7であり、連結される芳香環は同一であっても異なっていても良い。その場合、式1aで表わされる環のNと結合するLの結合位置は限定されず、連結された芳香環の末端部の環であっても中央部の環であってもよい。ここで、芳香環は芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を総称する意味である。ここで、芳香環が複数連結されて生じる基は、2価の基の場合、例えば、下記式11~13で表わされる。式11~13中、Ar4~Ar9は、置換又は無置換の芳香環を示す上記芳香環が複数連結されて生じる基の具体例としては、例えばビフェニル、ターフェニル、ビピリジン、ビピリミジン、ビトリアジン、ターピリジン、ビストリアジルベンゼン、ジカルバゾリルベンゼン、カルバゾリルビフェニル、ジカルバゾリルビフェニル、インドロカルバゾリルトリアジン、フェニルターフェニル、カルバゾリルターフェニル、ビナフタレン、フェニルピリジン、フェニルカルバゾール、ジフェニルカルバゾール、ジフェニルピリジン、フェニルピリミジン、ジフェニルピリミジン、フェニルトリアジン、ジフェニルトリアジン、フェニルナフタレン、ジフェニルナフタレン、インドロカルバゾリルベンゼン、インドロカルバゾリルピリジン、インドロカルバゾリルトリアジン等から水素を除いて生じる基が挙げられる。上記芳香環は、置換基を有してもよく、置換基を有する場合、好ましい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基、アセチル基又は炭素数6~24のジアリールアミノ基である。複数の置換基を有する場合は、同一であっても異なっていても良い。尚、上記芳香環が置換基を有する場合、その炭素数の計算は置換基の炭素数を含む。一般式1において、Zは式1aで表わされる化合物から1つのArを除いて生じる基を表す。式1aにおいて、環Aは隣接環と縮合する式1bで表される炭化水素環を示し、環Bは隣接環と縮合する式1cで表される複素環を表す。式1bで表される炭化水素環は、隣接環と任意の位置で縮合することができるが、構造的に縮合可能な位置は限られる。すなわち、この炭化水素環は、辺を6個有するが、隣接する辺がそれぞれ2つの隣接環と縮合することはない。また、式1cで表される複素環は、隣接環と任意の位置で縮合することができるが、この場合も構造的に縮合可能な位置は限られる。この複素環は、辺を5個有するが、隣接する辺がそれぞれ2つの隣接環と縮合することはなく、またNを含む辺で隣接環と縮合することはない。したがって、式1aで表わされる化合物の骨格の数は限られるが、nの数が増えるにしたがい骨格の数は増加する。式1aにおいて、nは2~4の整数を表す。好ましくはnは2又は3の整数であり、より好ましくはnは2である。この場合、n個の環A及びBは同一であっても異なっていても構わない。また、環A及びBの縮合する位置も同一であっても異なっていても構わない。式1a及び1bにおいて、Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~17の芳香族複素環基を表す。好ましくは水素、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、フェニル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基を表し、より好ましくは水素、フェニル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基を表す。式1a及び1cにおいて、Arはそれぞれ独立して炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を示す。好ましくは炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数3~18の芳香族複素環基又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物である。芳香環が複数連結されている場合、その総炭素数は6~50である。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例は、それらが1価となることを除いてLのそれらと同じである。式1において、L、Arのうち少なくとも1つは式1dで表わされる化合物から生じるm価又は1価の基である。なお、Arは複数存在するが、Arが上記のm価又は1価の基である場合、その1つがこの基であればよい。式1dにおいて、Xはメチン、窒素又はCAr1を表すが、少なくとも1つは窒素である。なお、m価又は1価の基である場合、m個又は1個のメチンは、それから水素を除いて生じる炭素である。式1dにおいて、Xが窒素である場合、その総数は好ましくは1~4の整数であり、より好ましくは1~3の整数である。しかし、m価の基となる場合は、m窒素の合計は6以下である。式1dにおいて、XがCAr1である場合、その総数は好ましくは1~3の整数であり、より好ましくは1又は2である。式1d中、Ar1はそれぞれ独立して炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を表す。好ましくは炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数3~18の芳香族複素環基又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物である。芳香環が複数連結されている場合、その総炭素数は6~50である。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例は、それらが1価となることを除いてLのそれらと同じである。一般式1において、mは1~4の整数である。好ましくは1~3の整数であり、より好ましくはmは1又は2である。一般式1において、mが2以上の場合、式1aにおけるnの数及び環A、Bの縮合する位置は同一でも異なっていても構わない。一般式1で表されるインドロカルバゾール化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。例えば、ジインドロ23a32iカルバゾール骨格Aジインドロ23a23hカルバゾール骨格Bジインドロ32b23hカルバゾール骨格Cは、TheJournalofOrganicChemistry2004Vol695705及びORGANICLETTERS2004Vol6No193413に示される合成例を参考にして以下の反応式により合成することができる。ジインドロ23a32iカルバゾール骨格Aジインドロ23a23hカルバゾール骨格Bジインドロ32b23hカルバゾール骨格C前述の反応式で得られる各骨格の窒素上の水素を、定法に従い、対応する芳香族基に置換させることで、一般式1で表される化合物を合成することができる。一般式1で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明の有機電界発光素子に用いられる材料はこれらに限定されない。化学式に付された番号は化合物番号である。一般式1で表される化合物は、基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機EL素子の少なくとも1つの有機層に含有させることにより、優れた有機電界発光素子を与える。含有させる有機層としては、発光層、電子輸送層、正孔阻止層又は電子阻止層である。より好ましくは、燐光発光ドーパントを含有する発光層のホスト材料として含有させることがよい。次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、基板上に積層された陽極と陰極の間に、少なくとも一つの発光層を有する有機層を有し、且つ発光層、電子輸送層、正孔阻止層又は電子阻止層から選ばれる少なくとも一つの有機層は、一般式1で表される化合物を含む。有利には、燐光発光ドーパントと共に一般式1で表される化合物を発光層中に含む。次に、本発明の有機EL素子の構造について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機EL素子の構造は何ら図示のものに限定されるものではない。図1は本発明に用いられる一般的な有機EL素子の構造例を示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を各々表わす。本発明の有機EL素子では発光層と隣接して励起子阻止層を有してもよく、また、発光層と正孔注入層との間に電子阻止層を有しても良い。励起子阻止層は発光層の陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。本発明の有機EL素子では、基板、陽極、発光層及び陰極を必須の層として有するが、必須の層以外の層に、正孔注入輸送層、電子注入輸送層を有することがよく、更に発光層と電子注入輸送層の間に正孔阻止層を有することがよい。なお、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層のいずれか又は両者を意味し、電子注入輸送層は、電子注入層と電子輸送層のいずれか又は両者を意味する。なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板1上に陰極7、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、この場合も、必要により層を追加したり、省略したりすることが可能である。-基板-本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機EL素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英などからなるものを用いることができる。-陽極-有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。-陰極-一方、陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。-発光層-発光層は燐光発光層であり、燐光発光ドーパントとホスト材料を含む。燐光発光ドーパント材料としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。かかる有機金属錯体は、前記先行技術文献等で公知であり、これらが選択されて使用可能である。好ましい燐光発光ドーパントとしては、Ir等の貴金属元素を中心金属として有するIr3等の錯体類、2Iracac等の錯体類、Ptacac等の錯体類が挙げられる。これらの錯体類の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されない。前記燐光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、1~50重量の範囲にあることが好ましい。より好ましくは5~30重量である。発光層におけるホスト材料としては、前記一般式1で表される化合物を用いることが好ましい。しかし、該化合物を発光層以外の他の何れかの有機層に使用する場合は、発光層に使用する材料は該化合物以外の他のホスト材料であってもよい。また、該化合物と他のホスト材料を併用してもよい。更に、公知のホスト材料を複数種類併用して用いてもよい。使用できる公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する化合物であることが好ましい。このような他のホスト材料は、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することができる。ホスト材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8―キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリNビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。-注入層-注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。-正孔阻止層-正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層には一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、公知の正孔阻止層材料を用いてもよい。また、正孔阻止層材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。-電子阻止層-電子阻止層とは、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料から成り、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。電子阻止層には一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、該化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、公知の電子阻止層材料を用いてもよい。電子阻止層の材料としては、後述する正孔輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。電子阻止層の膜厚は好ましくは3~100nmであり、より好ましくは5~30nmである。-励起子阻止層-励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。励起子阻止層の材料としては、例えば、1,3-ジカルバゾリルベンゼンmCPや、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラトアルミニウムIIIBAlqが挙げられる。-正孔輸送層-正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送層には一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。-電子輸送層-電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねる場合もあるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送層には一般式1で表される化合物を用いることが好ましいが、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。以下、本発明を実施例によって更に詳しく説明するが、本発明は勿論、これらの実施例に限定されるものではなく、その要旨を越えない限りにおいて、種々の形態で実施することが可能である。合成例1化合物1の合成窒素雰囲気下、564水素化ナトリウム252g0059mol、脱水NNジメチルホルムアミドDMF100mlを加え、撹拌した。57ジヒドロ6フェニルジインドロ23a32iカルバゾール100g0024molにDMF100mlを加え、一旦溶解させ、30分間かけ滴下した。滴下終了後、室温にて1時間撹拌を継続した。その後、2クロロ46ジフェニル135トリアジン1397g0052molにDMF100mlを加え、一旦溶解させ、30分間かけ滴下した。滴下終了後、7時間撹拌を継続した。その後、80°Cにて15時間攪拌を継続した。室温まで冷却した後、水300mlを加え、析出した結晶を濾取した。濾取した結晶を減圧乾燥させた後、メタノールで二回加熱リスラリーを行い、得られた結晶を減圧乾燥した後、カラムクロマトグラフィーで精製して化合物1を134g0015mol、収率63得た。APCITOFMSmz884MHまた、上記合成例及び明細書中に記載の合成方法に準じて、化合物24、22、31、及び35を用意し、有機EL素子の作製に供した。実施例1膜厚110nmのITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度40×105Paで積層させた。まず、ITO上に銅フタロシアニンを25nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層として44ビスNNフェニルアミノビフェニルNPBを40nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、ホスト材料としての合成例1で得た化合物1と、燐光発光ドーパントとしてのトリス2‐フェニルピリジンイリジウムIIIIr3とを異なる蒸着源から、共蒸着し、40nmの厚さに発光層を形成した。発光層中のIr3の濃度は100wtであった。次に、電子輸送層としてトリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムIIIAlq3を20nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウムLiFを10nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてアルミニウムAlを70nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。比較例1発光層のホスト材料として、44ビスビフェニルCBPを用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。比較例2発光層のホスト材料として、下記化合物H-1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例1及び比較例1~2で得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表1のような発光特性を有することが確認された。表1において、化合物はホスト材料として使用した化合物を示し、輝度、電圧及び発光効率は、10mAcm2での値を示す。なお、素子発光スペクトルの極大波長はいずれも530nmであり、Ir3からの発光が得られていることがわかった。実施例2膜厚150nmのITOからなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度40×104Paで積層させた。まず、ITO上に正孔注入層として銅フタロシアニンCuPcを25nmの厚さに形成した。次に、正孔注入層上に、正孔輸送層としてNPBを55nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、発光層のホスト材料として化合物24とビスイリジウム2Iracacとを異なる蒸着源から、共蒸着し、475nmの厚さに形成した。この時、2Iracacの濃度は80wtであった。次に、電子輸送層としてAlq3を30nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてLiFを1nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてAlを200nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。実施例3発光層のホスト材料として、化合物31を用いた以外は実施例2と同様にして有機EL素子を作製した。比較例3発光層のホスト材料として、ビス4フェニルフェノラトアルミニウムを用いた以外は実施例2と同様にして有機EL素子を作製した。比較例4発光層のホスト材料として、化合物H-1を用いた以外は実施例2と同様にして有機EL素子を作製した。実施例2~3及び比較例3~4で得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表2のような発光特性を有することが確認された。表2において、輝度、電圧及び発光効率は、10mAcm2での値を示す。なお、素子発光スペクトルの極大波長はいずれも620nmであり、2Iracacからの発光が得られていることがわかった。実施例4図1において正孔輸送層を省略し、電子注入層を追加した構成の有機EL素子を作製した。UVオゾン洗浄及び乾燥工程を経た膜厚150nmのITOからなるガラス基板上に、正孔注入層として、PEDOTPSSBaytronPCH8000の20重量エタノール溶液を、回転数3000rpmで60秒間スピンコート製膜し、200°Cで60分間乾燥した。このときの膜厚は25nmであった。次に、発光層として、ホスト材料が化合物22380重量部、燐光ドーパント材料がIr320重量部、ジクロロメタン2840重量部の混合溶液を、回転数4000rpmで30秒間スピンコート製膜し、120°Cにて30分間乾燥した。このときの発光層の膜厚は70nmであった。次に、電子輸送層として、Alq3を真空蒸着法にて、蒸着レート01nmsecにて35nmの厚さで製膜した。更に電子注入層として、真空蒸着法にてLiFを05nmの厚さに形成した。最後に電子注入層上に電極として、真空蒸着法にてAlを170nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。実施例5発光層のホスト材料として、化合物35を用いた以外は実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。比較例5発光層のホスト材料として、化合物H-1を用いた以外は実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。実施例4及び比較例5~6で得られた得られた有機EL素子の初期特性として、素子に外部電源を接続して100mAcm2の電流が流れるように直流電圧を印加し、そのときの電流効率cdAを測定した。結果を表3に示す。本発明の有機EL素子は、発光特性、駆動寿命ならびに耐久性において、実用上満足できるレベルにあり、フラットパネルディスプレイ携帯電話表示素子、車載表示素子、OAコンピュータ表示素子やテレビ等、面発光体としての特徴を生かした光源照明、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源、表示板や標識灯等への応用において、その技術的価値は大きいものである。"