"AC出力が二つのリアクトルL1,L2を介して電力系統Uに接続され、エネルギー蓄積キャパシタCがPVアレイPの両端子に接続され、二つのハーフブリッジI,IIがエネルギー蓄積キャパシタCのおよび-端子に接続されてHブリッジが形成されている無変圧器単相PVインバータの改良回路装置において、一のハーフブリッジIのACノードがダイオードD1のアノードおよびダイオードD2のカソードに接続され、他のハーフブリッジIIのACノードがダイオードD3のアノードおよびダイオードD4のカソードに接続され、これら4つのダイオードD1,D2,D3,D4がダイオードブリッジを形成し、当該ダイオードブリッジの正ノードがトランジスタV5のコレクタおよびダイオードD5のアノードに接続され、ダイオードD5のカソードがエネルギー蓄積キャパシタCの正端子に接続され、ダイオードブリッジD1,D2,D3,D4の負ノードがトランジスタV5のエミッタおよびダイオードD6のカソードに接続され、ダイオードD6のアノードがエネルギー蓄積キャパシタCの負端子に接続されている、ことを特徴とする装置。トランジスタV1-V5に逆バイアスダイオードが取り付けられている、ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ装置。トランジスタに逆バイアスダイオードが取り付けられ、二つのダイオードD5,D6が省略される、ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ装置。PVアレイPがEMCフィルタを介してエネルギー蓄積キャパシタCに接続され、または/かつ、リアクトルL1,L2の端子2がEMCフィルタを介して公益施設網Uの端子1および2に接続されている、ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ装置。PVアレイPとエネルギー蓄積キャパシタCとの間に一または複数のブースターユニットが設けられる、ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ装置。リアクトルL1,L2の端子2がフィルタキャパシタを介して互いに接続されている、ことを特徴とする請求項1に記載のインバータ装置。以下では、発明に係る図面に基づいて回路レイアウトおよびその動作方法を説明する。図1に示したように、当該インバータ装置はPVアレイを備えている。インバータの出力は絶縁変圧器を持たない公益施設網に接続されている。我々の回路装置は、エネルギー蓄積キャパシタCの端子、トランジスタV1,V3のコレクタ、およびダイオードD5のカソードに端子が接続されたPVアレイPを備えている。PVアレイPの-端子は、エネルギー蓄積キャパシタCの-端子、トランジスタV2,V4のエミッタ、およびダイオードD6のアノードに接続されている。トランジスタV1のエミッタ、トランジスタV2のコレクタ、ダイオードD1のアノード、およびダイオードD2のカソードは、リアクトルL2の端子1に接続されている。ダイオードD1,D3のカソードおよびダイオードD5のアノードは、トランジスタV5のコレクタに接続されている。トランジスタV3のエミッタ、ダイオードD3のアノード、ダイオードD4のカソード、およびトランジスタV4のコレクタは、リアクトルL1の端子1に接続されている。トランジスタV5のエミッタおよびダイオードD2,D4のアノードは、ダイオードD6のカソードに接続されている。リアクトルL1の端子2は、電力系統Uの端子1に接続されている。リアクトルL2の端子2は、電力系統Uの端子2および接地端子Fに接続されている。図1に示した回路図の動作は次の通りである。PVアレイPはエネルギー蓄積キャパシタCを絶えず充電する。グランドに対して正の半周期においてトランジスタV2およびV3のゲート制御は図2に示したように変調される。図2および3に示したように、トランジスタV2およびV3がオフ状態にあるとき、トランジスタV5のゲートはオン状態なる。変調出力電圧はリアクトルL1およびL2によってフィルタリングされて高調波含有率の低い正弦波電流となり、エネルギー蓄積キャパシタCから公益施設網Uへとエネルギーが流れる。グランドに対して負の半周期においてトランジスタV1およびV4のゲート制御は図2に示したように変調される。図2および4に示したように、トランジスタV1およびV4がオフ状態にあるとき、トランジスタV5のゲートはオン状態なる。変調出力電圧はリアクトルL1およびL2によってフィルタリングされて高調波含有率の低い正弦波電流となり、エネルギー蓄積キャパシタCから公益施設網Uへとエネルギーが流れる。図2に示したように、一定周波数でPWM変調が行われ、注入電流および電力が変調度によって制御される。図3に示したように、トランジスタV2およびV3のオンおよびオフ位置は互いにわずかにずれており、これにより、トランジスタV3およびV5のスイッチングロスを低減することができる。また、トランジスタV1およびV4のオンおよびオフ位置も互いにわずかにずれており、これにより、トランジスタV1およびV5のスイッチングロスを低減することができる。ずれをどの程度の時間にするかは、どのようなスイッチング特性の半導体デバイスを適用するかに依る。電流が途切れてゼロ電流レベルを横切るとき、トランジスタV5はオフ状態にされる。必要な無効電力はすべてのスイッチングデバイスのスイッチングパターンの角度のずれによって生成され、公益施設網Uの電圧に連動する。ずれ角度の符号および値ならびにインバータの出力電圧によって無効電力の振幅および符号進みまたは遅れが決まる。"