"基板上の発光領域を区画するために隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁で囲まれた領域に機能液を吐出する吐出工程と、前記機能液を乾燥して機能層を形成する機能層形成工程と、前記隔壁とフィルムとが接するように前記基板に対して前記フィルムをラミネートするラミネート工程と、を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。請求項1に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記ラミネート工程は、減圧下でラミネートすることを特徴とする有機EL装置の製造方法。請求項1又は請求項2に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記ラミネート処理工程の後に、前記機能層にベーク処理を施すベーク処理工程を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記ラミネート処理工程の後、ラミネートされた前記フィルムを剥離する剥離工程と、前記フィルムが剥離された前記基板に表面処理を施す表面処理工程と、前記表面処理が施された前記基板に対して再びフィルムをラミネートする再ラミネート処理工程と、を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを用いて構成されていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。基板上の発光領域に設けられた機能層上に、前記機能層と大気とが触れないためのフィルムをラミネートするラミネート処理部と、前記フィルムがラミネートされた前記基板を加熱処理するベーク処理部と、を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造装置。請求項6に記載の有機EL装置の製造装置であって、前記ラミネート処理部は、減圧下に調整されていることを特徴とする有機EL装置の製造装置。しかしながら、量産工程において、有機層を大気酸素と遮断した状態に維持しようとすると保管しようとすると、グローブボックスなどの製造装置を大型化する必要がある。大型化すると、グローブボックス内の環境にばらつきが生じて有機EL装置の品質が低下したり、設備投資のためのコストがかかったりするという課題がある。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る有機EL装置の製造方法は、基板上の発光領域を区画するために隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁で囲まれた領域に機能液を吐出する吐出工程と、前記機能液を乾燥して機能層を形成する機能層形成工程と、前記隔壁とフィルムとが接するように前記基板に対して前記フィルムをラミネートするラミネート工程と、を有することを特徴とする。この方法によれば、機能層をフィルムでラミネート封止して大気と遮断するので、機能層と大気酸素や水分とが接触することによる機能層の特性品質が低下することを抑えることができる。また、機能層が大気と遮断されているので、量産工程において、有機EL装置を大気中に保管することが可能となり、大気と遮断するための装置を新たに設備投資することなく、かかるコストを抑えることができる。また、大気中で保管できるので、量産における工程管理がしやすくなる。[適用例2]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記ラミネート工程は、減圧下でラミネートすることが好ましい。この方法によれば、減圧下で基板をラミネートするので、機能層とフィルムとの間に大気が入り込むことを抑えることができる。よって、機能層と大気酸素や水分とが接触することによる機能層の特性品質が低下することを抑えることができる。[適用例3]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記ラミネート処理工程の後に、前記機能層にベーク処理を施すベーク処理工程を有することが好ましい。この方法によれば、フィルムによって機能層が大気と遮断されているので、大気中の雰囲気下においても、ベーク処理工程において機能層と酸素や水分と接触することを防ぐことが可能となる。よって、酸素や水分との接触に起因する、機能層が発光しないなどの不良を抑えることができる。更に、ベーク処理によって、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。[適用例4]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記ラミネート処理工程の後、ラミネートされた前記フィルムを剥離する剥離工程と、前記フィルムが剥離された前記基板に表面処理を施す表面処理工程と、前記表面処理が施された前記基板に対して再びフィルムをラミネートする再ラミネート処理工程と、を有することが好ましい。この方法によれば、フィルムを剥離することによって除去するので、液体を用いて溶解させる場合のように、既に形成されている機能層に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。よって、機能層の特性が低下することを防ぐことができる。[適用例5]上記適用例に係る有機EL装置の製造方法において、前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを用いて構成されていることが好ましい。この方法によれば、フィルムとしてポリエチレンテレフタレートを用いるので、酸素や水分が透過することを防ぐことができる。よって、基板にフィルムをラミネートすることにより、機能層の上側を大気と遮断された状態でにすることが可能となり、その後、大気中に保管しても機能層が酸素や水分と接触することを防ぐことができる。よって、機能層の特性が低下することを抑えることができる。[適用例6]本適用例に係る有機EL装置の製造装置は、基板上の発光領域に設けられた機能層上に、前記機能層と大気とが触れないためのフィルムをラミネートするラミネート処理部と、前記フィルムがラミネートされた前記基板を加熱処理するベーク処理部と、を備えたことを特徴とする。この構成によれば、ラミネート処理部によって機能層上にフィルムをラミネートするので、機能層と酸素や水分と接触することを防ぐことができる。更に、ベーク処理部によって、機能層が大気と遮断された状態で機能層に加熱処理を施すので、特性を低下させることなく、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。更に、常に真空中不活性ガスの雰囲気で処理する場合のように、新たに製造装置を大型化する必要がなく、設備投資を抑えることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。[適用例7]上記適用例に係る有機EL装置の製造装置において、前記ラミネート処理部は、減圧下に調整されていることが好ましい。この構成によれば、減圧下に調整されたラミネート処理部において基板をラミネートするので、機能層とフィルムとの間に大気が入り込むことを抑えることができる。よって、機能層と大気酸素や水分とが接触することによる機能層の特性品質が低下することを抑えることができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、本実施形態の有機EL装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。<有機EL装置の構成>図1は、有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機EL装置の構成を、図1を参照しながら説明する。図1に示すように、有機EL装置11は、複数の走査線12と、走査線12に対して交差する方向に延びる複数の信号線13と、信号線13に並行に延びる複数の電源線14とを備えている。そして、走査線12と信号線13とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線13は、信号線駆動回路15に接続されている。また、走査線12は、走査線駆動回路16に接続されている。各画素領域には、走査線12を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFTThinFilmTransistor21と、このスイッチング用TFT21を介して信号線13から供給される画素信号を保持する保持容量22と、保持容量22によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT23とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用TFT23を介して電源線14に電気的に接続したときに、電源線14から駆動電流が流れ込む陽極24と、陰極25と、この陽極24と陰極25との間に挟持された機能層26とが設けられている。有機EL装置11は、陽極24と陰極25と機能層26とにより構成される発光素子27を複数備えている。また、有機EL装置11は、複数の発光素子27で構成される表示領域を備えている。この構成によれば、走査線12が駆動されてスイッチング用TFT21がオン状態になると、そのときの信号線13の電位が保持容量22に保持され、保持容量22の状態に応じて、駆動用TFT23のオンオフ状態が決まる。そして、駆動用TFT23のチャネルを介して、電源線14から陽極24に電流が流れ、更に、機能層26を介して陰極25に電流が流れる。機能層26は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。図2は、有機EL装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機EL装置の構成を、図2を参照しながら説明する。図2に示すように、有機EL装置11は、ガラス等からなる基板31に表示領域32図中一点鎖線の内側の領域と非表示領域33一点鎖線の外側の領域とを有する構成になっている。表示領域32には、実表示領域32a二点鎖線の内側の領域とダミー領域32b図中二点鎖線の外側の領域とが設けられている。実表示領域32a内には、光が射出されるサブ画素34発光領域がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素34の各々は、スイッチング用TFT21及び駆動用TFT23図1参照の動作に伴って、R赤、G緑、B青各色を発光する構成となっている。ダミー領域32bには、主として各サブ画素34を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域32aの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路16が配置されており、実表示領域32aの図中上辺に沿うように検査回路35が配置されている。基板31の下辺には、フレキシブル基板36が設けられている。フレキシブル基板36には、各配線と接続された駆動用IC37が備えられている。図3は、有機EL装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機EL装置の構造を、図3を参照しながら説明する。なお、図3は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。図3に示すように、有機EL装置11は、発光領域42において発光が行われるものであり、基板31と、基板31上に形成された回路素子層43と、回路素子層43上に形成された発光素子層44と、発光素子層44上に形成されたフィルムとしてのラミネートフィルム38と、ラミネートフィルム38上に形成された陰極共通電極25とを有する。基板31としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。回路素子層43には、基板31上にシリコン酸化膜SiO2からなる下地保護膜45が形成され、下地保護膜45上に駆動用TFT23が形成されている。詳しくは、下地保護膜45上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜46が形成されている。半導体膜46には、ソース領域47及びドレイン領域48が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域51となっている。更に、回路素子層43には、下地保護膜45及び半導体膜46を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜52が形成されている。ゲート絶縁膜52上には、アルミニウムAl、モリブデンMo、タンタルTa、チタンTi、タングステンWなどからなるゲート電極53走査線が形成されている。ゲート絶縁膜52及びゲート電極53上には、透明な第1層間絶縁膜54、第2層間絶縁膜55が形成されている。第1層間絶縁膜54及び第2層間絶縁膜55は、例えば、シリコン酸化膜SiO2、チタン酸化膜TiO2などから構成されている。ゲート電極53は、半導体膜46のチャネル領域51に対応する位置に設けられている。半導体膜46のソース領域47は、ゲート絶縁膜52及び第1層間絶縁膜54を貫通して設けられたコンタクトホール56を介して、第1層間絶縁膜54上に形成された信号線13と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域48は、ゲート絶縁膜52、第1層間絶縁膜54、第2層間絶縁膜55を貫通して設けられたコンタクトホール57を介して、第2層間絶縁膜55上に形成された陽極24と電気的に接続されている。陽極24は、例えば、発光領域42ごとに形成されている。また、陽極24は、透明のITOIndiumTinOxide膜からなり、例えば、平面的に略矩形状の形状となっている。なお、回路素子層43には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層43には、各陽極24に接続された駆動用のトランジスター駆動用TFT23が形成されている。発光素子層44は、マトリックス状に配置された発光素子27を具備して基板31上に形成されている。詳述すると、発光素子層44は、陽極24上に形成された機能層26と、機能層26を区画するバンク隔壁62とを主体として構成されている。機能層26は、例えば、正孔注入層63と、発光層64などとから構成されている。回路素子層43とバンク62との間には、絶縁層66が形成されている。絶縁層66としては、例えば、シリコン酸化膜SiO2等の無機材料が挙げられる。絶縁層66は、隣り合う陽極24間の絶縁性を確保すると共に、発光領域42の形状を所望の形状例えば、トラック形状にするために、陽極24の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極24と絶縁層66とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。更に言い換えれば、絶縁層66は、発光領域42を除いた領域に形成されていることになる。バンク62は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状であり、発光領域42発光素子27を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域がバンク62の開口部67となる。バンク62の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。機能層26は、上記したように、正孔注入層63と発光層64とを有して構成されており、バンク62に囲まれた領域、すなわち開口部67発光領域42に、インクジェット法を用いて順に形成されている。正孔注入層63は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層63は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する3,4-ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT-PSSなどから構成することができる。発光層64は、正孔注入層63の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層26の上方、バンク62上を含む基板31上の全体には、機能層26上の空間を減圧の雰囲気不活性ガスの雰囲気に維持するためのラミネートフィルム38が全面に貼り付けられている。ラミネートフィルム38上には、陰極25が全面成膜ベタ成膜されている。陰極25は、例えば、フッ化リチウムLiF層、カルシウムCa層及びアルミニウムAl層を積層した構成や、マグネシウム銀MgAgなどの合金が挙げられる。また、それ以外にも、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、銅、銀、金などの単体または合金を用いてもよい。また、炭酸セシウムCs2CO3を用いるようにしてもよい。陰極25の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材図示せずが積層されている。陽極24と、機能層26と、陰極25とによって発光素子27が構成されている。上述した発光層64は、陽極24と陰極25との間に電圧を印加することによって、発光層64には、正孔注入層63から正孔が、また、陰極25から電子が注入される。発光層64において、これらが結合したときに光を発する。このように、機能層26の上側をラミネートフィルム38で封止することにより、例えば、製造過程において、機能層26と大気とが接触することを防ぐことが可能となり、機能層26の特性が低下することを抑えることができる。以下、有機EL装置11の製造方法を説明する。<有機EL装置の製造方法>図4は、有機EL装置の製造方法を示す工程図である。図5は、有機EL装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。図6及び図7は、有機EL装置の製造方法のうち一部の工程、及び有機EL装置の製造装置の構成を示す模式側面図である。以下、有機EL装置の製造方法、及び有機EL装置の製造装置の構成を、図4~図7を参照しながら説明する。なお、図5~図7は、回路素子層43や絶縁層66などの図示を省略している。まず、ステップS11では、基板31上に公知の成膜技術を用いて回路素子層43を形成する図3参照。具体的には、基板31上に駆動用TFT23や走査線12や信号線13などを形成する。ステップS12では、第2層間絶縁膜55上における発光領域42周辺に、図5aに示すような、ITOからなる陽極24を形成する。ステップS13隔壁形成工程では、陽極24の周縁部にバンク62を形成する。具体的には、まず、バンク62の材料である有機材料を、例えば、塗布法などにより、基板31上を覆うように成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、有機材料のうち陽極24の周縁部を除く部分を除去する。これにより、図5aに示すような、バンク62が完成する。有機材料としては、ポリイミドやアクリルなどが挙げられる。なお、バンク62の高さは、例えば、2μmである。ステップS14吐出工程では、バンク62の開口部67に機能液26aを吐出する。具体的には、まず、バンク62が形成された基板31を洗浄する。その後、図5bに示すように、機能液26aの液滴を、液滴吐出法例えば、インクジェット法を用いて、陽極24を底部としバンク62を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液26aとしては、正孔注入層63の材料を含んだ機能液である。ステップS15機能層形成工程では、図5cに示すように、機能液26aを乾燥させて正孔注入層63を形成する。詳しくは、機能液26aを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口部67の中に正孔注入層63が形成される。次に、同様にして、正孔注入層63上に発光層64を形成する。具体的には、図5dに示すように、機能液26bの液滴を、液滴吐出法を用いて、バンク62を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液26bとしては、発光層64の材料を含んだ機能液26bなどである。次に、図5eに示すように、機能液26bを乾燥させて発光層64を形成する。ステップS16ラミネート処理工程では、発光層64の上方及びバンク62上に、開口部67で囲まれた領域の雰囲気を不活性ガスの雰囲気例えば、窒素雰囲気に維持するためのラミネートフィルム38をラミネート処理する。ラミネート処理は、例えば、図6に示すラミネーター71有機EL装置11の製造装置を構成する一つによって行われる。ラミネーター71は、有機EL装置11となる前の段階の基板11aを搬送する搬送ベルト72及び搬送ローラー73と、ラミネートフィルム38を供給する供給ローラー75と、テンションローラー76と、加圧ローラー77と、圧着ローラー78とを備えている。なお、ラミネート処理は、真空中不活性ガスの雰囲気で行われる。ラミネートフィルム38としては、酸素や水分を透過しないものが用いられ、例えば、5μm~1000μmの厚みのPETポリエチレンテレフタレートフィルムに、25μmの厚みのアクリル系の粘着剤層が積層されたものが用いられる。また、ラミネートフィルム38の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、ポリビニルアルコール、ナイロン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリカーカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリプロピレンなどが挙げられる。基板11aは、搬送ベルト72に載置されており、複数の搬送ローラー73と圧着ローラー78とによって、所定の方向に搬送される。ラミネートフィルム38は、供給ローラー75から供給され、テンションローラー76によって搬送方向が規定される。ラミネートフィルム38は、加圧ローラー77が圧着ローラー78側に可動することにより、ラミネートフィルム38と基板11aとを圧着例えば、熱圧着し、ラミネートフィルム38が基板11aにラミネートされる。加圧ローラー77の圧力は、例えば、0.1MPa~10MPaである。圧着時の温度は、例えば、80°C~150°Cである。ラミネートフィルム38は、プロテクトフィルムとしてセパレーターが積層されている。このセパレーターを剥がしてラミネートすることで容易に接着することができる。これによれば、ラミネートフィルム38によって覆われたバンク62の開口部67内の雰囲気が、不活性ガスの雰囲気窒素雰囲気などで満たされた状態となる。よって、機能層26が酸素と接触することがなく、機能層26の特性が低下することを抑えることができる。ステップS17では、機能層26上にラミネート処理が施された基板11aを保管する例えば、処理工程の都合などにより。なお、有機EL装置11を量産する場合は、このステップにおいて保管することが好ましく、ステップS18を行った後に保管するようにしてもよい。なお、保管する場所は大気中でよく、真空中であればより好ましい。これによれば、保管中においても、機能層26と大気とが接触しないので、機能層26の特性が低下することを抑えることができる。ステップS18ベーク処理工程では、機能層26にベーク処理加熱処理を施す。具体的には、図7に示すベーク装置81有機EL装置11の製造装置を構成する一つにおいて、ホットプレート82上に基板11aを載置し、基板11aを加熱する。加熱する温度は、例えば、100°C~200°Cである。このように、ベーク処理を行うことにより、機能層26に含まれる溶媒を更に蒸発させると共に機能層26を固形化することによって、有機溶媒への不溶化機能を付加させることができる。また、その他の不溶化のメカニズムとしては、膜を構成している個々の分子が熱エネルギーを受け、架橋反応を行うことで、薄膜全体がネットワークを組み、その結果、有機溶媒に難溶となる等がある。また、機能層26上がラミネートフィルム38によってラミネート封止されているので、機能層26と大気とが接触しない。よって、機能層26が、大気中に含まれる酸素や水分によって酸化がされず、ダークスポットなどの不良を抑えることができる。なお、処理能力を高めるため、多段式の加熱装置ホットプレートを使用することが望ましい。また、大気中でベーク処理ができるバンク62の開口部67内は不活性ガスの雰囲気であるので、不活性ガスの雰囲気をつくるために装置を大型化しなくても済む。ステップS19では、次の工程で陰極25を形成するために、基板11a上に形成されたラミネートフィルム38を剥離する。ステップS20では、基板11a上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極25図3参照を形成する。ステップS21では、陰極25上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機EL装置11が完成する。なお、ステップS18の後、例えば、ラミネートフィルム38の下側開口部67内に膜を形成する等の必要がある場合、ステップS22剥離工程に移行し、ラミネートフィルム38を剥離する。剥離する方法としては、物理的機械的に行う例えば、手で剥がす。なお、この処理は、真空中で行う。その後、必要な成膜を行う。ステップS23再ラミネート処理工程では、再びラミネート処理する。なお、上述したラミネート処理と同様、真空中で行う。その後、ステップS19に移行する。例えば、この後、基板11aを保管するようにしてもよい。なお、上述した機能層26の材料は、多層構造を形成可能な材料であれば良く、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。本実施形態では、高分子材料を用いて機能層26を形成した。詳しくは、高分子材料溶質を溶媒に溶かした溶液をインクとして用いたインクジェット法によって、機能層26を形成している。なお、溶液の塗布は、インクジェット法に限定するものではなく、溶液を塗布可能な方法であれば良い。例えば、ジェットディスペンサー法や、ニードルディスペンサー法などのディスペンサー法を用いることもできる。または、キャスティング法、スピンコート法であっても良い。以下、機能層26の材料としての高分子材料の好適例を列挙する。まず、溶液の溶媒について説明する。なお、インクジェット法に用いるインクの濃度は、0.05wt~2wt程度が望ましい。溶媒としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラリン、3フェノキシトルエン、シクロへキシルベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、などの芳香族系溶媒を用いることができる。また、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコール、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒や、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶媒であっても良い。また、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、アセトン、Nメチル2ピロリジノン、メチルエチルケトン、テトラロン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒であっても良い。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリルなどの二トリル系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシドなどの硫黄化合物溶媒、および水であっても良い。また、これらの溶媒を2種類以上混ぜ合わせた溶液を溶媒として用いても良い。続いて、正孔注入層63の材料について説明する。正孔注入層63の材料としては、上述した材料を含み、更に、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、3,4-ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸PEDOT/PSSを用いることができる。また、これらの物質をエチレングリコールやジエチレングリコールなどのグリコール系溶媒に溶解した溶液として用いる。好適例としては、エーテル系溶媒にPEDOT/PSSを溶解して用いる。また、銅フタロシアニンTAPC、アミノフェニルシクロヘキサンTPDNN’ジフェニルNN’ビス11’ビフェニル44’ジアミン、α-NPDNN’ジフェニルNN’ビス11’ビフェニル44’ジアミン、m-MTDATA、4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATA、4,4’,4-トリスNN-2-ナフチルフェニルアミノトリフェニルアミンTCTA、TrisamineスピローTAD、DTPDPPD、HTM1、TriptolylamineHTM211bisphenylcyclohexaneTPT1、135tris246triazinTPTE、Triphenylaminetetramerなども用いることができる。次に、図示しないが、正孔輸送層の材料について説明する。正孔輸送層は、正孔注入層63の上に形成されている。正孔輸送層の材料としては、ポリフルオレン誘導体PFやポリパラフェニレンビニレン誘導体PPV、ポリパラフェニレン誘導体PPP、ポリビニカルバゾールPVK、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシランPMPSを含むポリシラン系などの高分子有機材料を用いることができる。また、正孔注入層63で用いた材料、例えば、TAPC、TPD、α-NPD、m-MTDATA、2-TNATA、TCTA、スピローTAD、DTPDPPD、HTM1、TPTEなどの材料を用いても良い。次に、発光層64の材料について説明する。発光層64は、正孔輸送層上に形成されている。まず、高分子系の蛍光発光材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニリン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体を用いることができる。好適例としては、アメリカンダイソース社製のADS109GE、ADS111RE、ADS136BEいずれも商標が挙げられる。また、低分子系の材料を用いる場合、発光層64は、ホスト材料とゲスト材料とから構成される。ホスト材料としては、CBP44’bis22’biphenyl、BAlqBis4aluminium、mCPNNdicarbazolyl35benzene:CBP誘導体、CDBP44bis22dimethylbiphenyl、DCBNN’Dicarbazolyl14dimethenebenzene、P0627bis99dimethylfluorene、SimCP35bistetraphenylsilane、UGH3Wbisbenzeneなどを用いることができる。ゲスト材料における燐光材料としては、Irppy3Factrisiridium、Ppy2IracacBisiridiumiridium、Btp2IracacBispyridinatoNC3Iridiumpicolinate、Irpmb3Iridiumtris、FIrN4bistetrazolate、FirtazIridiumbis124triazolate、PtOEP237812131718Octaethyl21H23Hporphineplatinumアルミニウムルブレン、ペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドンなどを用いることができる。なお、ホスト材料にゲスト材料をドーピングする方式に限定するものではなく、これらの材料単一で発光層64として用いてもよい。次に、図示しない正孔阻止層の材料について説明する。正孔阻止層としては、BALq、OXD1135トリ134オキサジアゾール、BCP5124オキサジアゾール、TAZ35124トリアゾール、DPVBi44’ビスビフェニル、BND25ビス134オキサジアゾール、DTVBi44’ビスエテニルビフェニル、BBD25ビス134オキサジアゾールなどを用いることができる。また、オキサジアゾール系高分子化合物や、トリアゾール系高分子化合物であっても良い。次に、図示しない電子輸送層の材料について説明する。電子輸送層としては、Alq3アルミニウム、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などを用いることができる。また、前述した正孔阻止層の材料も、電子輸送層の材料として用いることができる。また、上記した有機EL装置11は、テレビ、携帯電話機、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。以上詳述したように、本実施形態の有機EL装置11の製造方法、及び有機EL装置の製造装置によれば、以下に示す効果が得られる。1本実施形態の有機EL装置11の製造方法によれば、機能層26上をラミネートフィルム38でラミネート封止して大気と遮断するので、機能層26と大気酸素とが接触することによる機能層26の特性品質が低下することを抑えることができる。また、機能層26が大気と遮断されているので、量産工程において、有機EL装置11を大気中に保管することが可能となり、大気と遮断するための装置を新たに設備投資をすることなく、かかるコストを抑えることができる。また、大気中で保管できるので、量産における工程管理がしやすくなる。2本実施形態の有機EL装置11の製造方法によれば、ラミネートフィルム38によって機能層26がラミネートされているので、機能層26にベーク処理を施す際に、機能層26が大気と接触することを防ぐことができる。よって、酸素や水分などに起因する、機能層26が発光しないなどの不良を抑えることができる。更に、ベーク処理によって、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。3本実施形態の有機EL装置11の製造方法によれば、ラミネートフィルム38を剥離によって除去するので、液体を用いて溶解させる場合のように、既に形成されている機能層26に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。よって、機能層26の特性が劣化することを防ぐことができる。4本実施形態の有機EL装置11の製造装置によれば、ラミネーター71によって機能層26上にラミネートフィルム38をラミネートするので、機能層26と酸素や水分と接触することを防ぐことができる。更に、ベーク装置81によって、機能層26が大気と遮断された状態で機能層26にベーク処理を施すので、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。これにより、機能層26と酸素とが接触することによる機能層26の特性が低下することを抑えることができる。更に、常に真空中不活性ガスの雰囲気で処理する場合のように、新たに製造装置を大型化する必要がなく、設備投資を抑えることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。変形例1上記したように、有機EL装置11は、赤R、緑G、青Bの発光が得られる発光素子27を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、発光素子27を白色発光するトップエミッション構造として、発光素子27の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。変形例2上記した実施形態では、有機EL装置11における機能層26の製造方法を例に説明したが、これに限定されず、液晶装置などのカラーフィルターの製造方法に適用するようにしてもよい。変形例3上記したように、ベーク処理は、ベーク装置81を用いて行うことに限定されず、例えば、赤外線を用いて行うようにしてもよい。"