集積回路が表面に設けられたチップの側面に、側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら、前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第1の接着工程と、前記第1の接着工程の後に、前記裏面接着部材を加熱して、前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第2の接着工程とを有する半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の接着工程の後に、前記側面接着部材を取り除くことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法において、前記側面接着部材の形成工程は、前記チップの側面に接する樹脂配置領域に熱硬化性樹脂を配置した後、前記熱硬化性樹脂を半硬化させて前記チップの側面に前記側面接着部材を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記チップは、10μm以上100μm以下の厚さを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。集積回路が表面に設けられたチップと、前記チップが搭載されたチップ搭載基板と、前記チップの裏面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する裏面接着部材と、前記半導体チップの側面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する側面接着部材とを有する半導体装置。近年、半導体装置の小型化や半導体チップのスタック化に伴い、半導体チップは薄層化している。半導体チップは、薄層化されると反りやすくなる。このようなチップをチップ搭載基板に密着させることは困難であり、ボンディングワイヤのショートやチップクラック等の問題が生じている。上記の問題を解決するために、本製造方法の一観点によれば、集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第1の接着工程と、前記第1の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第2の接着工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。実施の形態によれば、薄層化されたチップの反りを抑制する半導体装置の製造方法が提供される。以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。実施の形態1図1乃至4は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。1側面接着部材の形成工程図1a~d集積回路図示せずが表面に形成されたウエハー状の半導体基板例えば、シリコン基板2の裏面にダイシングフィルム4を貼り付けた後、この半導体基板2をブレード6で切断する図1a参照。これにより、集積回路が表面に形成された複数のチップ8が形成される。チップ8の厚さは、例えば10μm以上100μm以下である。尚、図1a乃至dには、ウエハー状の半導体基板2の一部が示されている。半導体基板2の切断により、各チップ8の間には、ブレード6と略同じ幅の溝10が形成される図1b参照。この溝10に、例えばスピンコートまたは真空印刷によりペースト状の熱硬化性接着部材12例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を充填する。この熱硬化性接着部材12を加熱して、半硬化接着部材14を形成する。半硬化接着部材14は、ペースト状の熱硬化性接着部材に含まれる低分子量の化合物が加熱処理により高分子に変化する途中の中間物である。半硬化接着部材は、熱硬化性接着部材を短時間加熱して形成される所謂B-ステージの熱硬化性樹脂である。この半硬化接着部材14の中央部を、図1cに示すように、半導体基板2の切断に用いたブレード6より幅の狭いブレード16で切断する。これにより、図1dに示すように、チップ8の側面に固形接着部材18以下、側面接着部材と呼ぶが形成される。以上の説明から明らかなように、側面接着部材18は、チップ8の側面に接着されている。図5aは、側面接着部材18が形成されたチップ8の平面図である。図5bは、図5aのVBVB線に沿った断面図である。チップ8の表面20図5b参照には、集積回路が形成されている。更に、このチップ8の表面20には、図5aに示すように、チップ8の外周に沿って複数の電極パッド22が設けられている。表面20の下側の領域は、分割された半導体基板2aである。更に、集積回路の表面20には、ポリイミド等の保護膜図示せずが設けられている。電極パッド22上のポリイミド膜は除去され、ボンディングワイヤが接続されるようになっている。尚、図5b以外の図面では、集積回路の表面20は省略されている。2第1の接着工程図2a~c次に、図2aに示すように、チップ搭載基板例えば、ガラスエポキシ基板やセラミック基板24をダイボンダー図示せずにセットする。このチップ搭載基板24のチップ搭載領域に、接着部材26以下、裏面接着部材と呼ぶを塗布する。裏面接着部材26は、例えばペースト状のエポキシ樹脂または、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などである。次に、チップ8をダイシングフィルム4から取り外し、図2aに示すように、ダイボンダーのコレット28に吸着する。図6aは、コレット28の下面図である。図6bは、図6aのVIBVIB線に沿った断面図である。図6aに示すように、コレット28は、枠状突出部30と、枠状突出部30の外周に接する複数の突起部32とを有している。枠状突出部30の内側には、排気口34が設けられている。この排気口34から、枠状突出部30内の空気が排気される。これにより、チップ8がコレット28に吸着される。枠状突出部30の外縁は、チップ8の外縁に略一致するように設定されている。図6bに示すように、突起部32は、枠状突出部30より更に突出している。図2aに示すように、この突起部32に側面接着部材18が接触した状態で、チップ8はコレット28に吸着される。図7は、図2に示す工程を説明する平面図である。図7aは、コレット28によってチップ搭載基板24の上方に配置されたチップ8を見た図である。図7aは、図2aに対応している。図2aおよび図7aに示すように、チップ8はコレット28に吸着され、裏面接着部材26の真上に配置される。次に、図2bに示すように、ダイボンダーに内蔵されたヒータ36でコレット28を加熱しながら、チップ8をチップ搭載基板24に押圧する。これにより、チップ8は、その裏面に配置された裏面接着部材26を介して押圧される。この時、裏面接着部材26が、チップ8とチップ搭載基板24の間を満たすように押し広げられる。尚、コレット28の加熱温度は、例えば100~150°Cである。図7bは、チップ8が、チップ搭載基板24に接触した直後の状態を示している。図7bは、図2bに対応している。チップ8がコレット28に吸着されると、側面接着部材18と突起部32の接触部38の温度が上昇する図7b参照。すると、接触部38の側面接着部材18が軟化し、そのタック性粘着性が高くなる。このタック性が高くなった側面接着部材18がチップ搭載基板24に押圧され、接触部38の側面接着部材18がチップ搭載基板24に接着される。これによりチップ8は、側面接着部材18を介して、チップ搭載基板24に仮接着される。この接着は一時的なものであり、側面接着部材18は、後述する樹脂封止工程の前に除去される。尚、以上の説明から明らかなように、チップ8の押圧と側面接着部材18の押圧は、略同時に進行する。図2cに示すように、チップ8は所定の荷重まで押圧された後、コレット28から分離される。押圧時間は、例えば05~10秒である。図7cは、コレット28から分離されたチップ8および側面接着部材18を示している。図7cは、図2cに対応している。側面接着部材18は、半硬化性樹脂である。したがって、側面接着部材18は、コレット28の突起部32で押圧されると、例えば図7cに示すように変形する。図16は、チップ8の部分断面図の一例である。図16に示すように、チップ8は、例えばSTIShallowTrenchIsolation絶縁膜60によって周囲を囲われた半導体素子62と、複数の層間絶縁膜64と、層間絶縁膜64に埋め込まれた配線66およびプラグ68を有している。この層間絶縁膜64等の部材は、高温で形成される。このためチップ8には、表面20と半導体基板2の熱膨張係数の違いにより内部応力以下、チップ内応力と呼ぶが発生する。一方、チップ8の厚さは、上述したように極めて薄い10~100μm。このためチップ8は、チップ内応力によって容易に反り返る。本実施の形態では、図2cに示すように、側面接着部材18によりチップ8がチップ搭載基板24に仮接着される。このためチップ8がコレット28から分離された後も、チップ8の形状は平坦に保たれる。3第2の接着工程図3a次に、チップ8が接着されたチップ搭載基板24を、ヒータ36を有する恒温槽40にセットする。この恒温槽40を用いて、裏面接着部材26を加熱する。加熱温度および加熱時間は、例えば100~150°Cおよび2時間程度である。この加熱処理によって、裏面接着部材26が硬化する。硬化した裏面接着部材26aにより、チップ8はチップ搭載基板24に強く接着される。加熱処理の間、チップ8の側面は、側面接着部材18によりチップ搭載基板24に仮接着されている。このためチップ8は平坦な形状を保ったまま、チップ搭載基板24に接着される。4側面接着部材の剥離工程図3b次に、図3bに示すように、側面接着部材18をチップ搭載基板24およびチップ8から剥離する。5ボンディング工程図3c次に、チップ搭載基板24の表面に設けられた電極パッド図示せずとチップ8の電極パッド22を、ボンディングワイヤ42で接続する。チップ8が平坦なので、ボンディングワイヤ42とチップ8の外周部が接触して、ショートすることはない。6封止工程および半田ボール形成工程図4a~bその後、チップ8およびボンディングワイヤ42をモールド樹脂44で封止する。この際図4aに示すように、金型図示せずに充填されたモールド樹脂44を恒温槽40で加熱して硬化させる。最後に、図4bに示すように、チップ搭載基板24の裏面側の電極パッド図示せずに、半田ボール46を形成する。裏面側の電極パッドは、ビアによりチップ搭載基板24の表面側の電極パッドに接続されている。以上により、薄層化されたチップ8が反らずに格納された半導体装置37が形成される。7側面接着部材を用いない半導体装置の製造方法図8及び9は、側面接着部材18を用いない半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。まず、図8aに示すように、ペースト状の裏面接着部材26をチップ搭載基板24に塗布する。その後、コレット28aにチップ8を吸着し、裏面接着部材26の上方に配置する。ここでは、突起部32を有さないコレット28aを用いる。次に、図8bに示すように、裏面接着部材26を介して、チップ8をチップ搭載基板24に押圧する。すると、反っていたチップ8が略平坦になり、チップ8とチップ搭載基板24の間が裏面接着部材26で満たされる。しかし、チップ8をコレット28aから分離すると、図8cに示すようにチップ8は再び反り返る。この時、裏面接着部材26に、ひけ48空間が発生する。このため次の接着工程裏面接着部材の加熱工程では、裏面接着部材26は、図8dに示すように、反り返ったまま恒温槽40で加熱され硬化する。その結果、チップ8は、反ったままチップ搭載基板24に接着される。この反り返ったチップ8に対して、図9aに示すように、チップ8の電極パッド22とチップ搭載基板24の電極パッドがボンディングワイヤ42で接続される。すると、領域Aに示すように、反り返ったチップ8の端とボンディングワイヤ42が接触または接近する。その結果、ボンディングワイヤ42と集積回路がショートしやすくなる。或いは、領域Bに示すように、ボンディングワイヤ42が電極パッド22から剥れ易くなる。次に、図9bに示すように、チップ8およびボンディングワイヤ42をモールド樹脂44で封止する。この際、まずチップ8が搭載されたチップ搭載基板24が金型図示せず内に装着され、この金型にモールド樹脂44が充填される。その後、モールド樹脂44は加熱され、硬化させる。金型にモールド樹脂44が充填されると、ひけ48の上側でチップ8が破壊され易くなる。例えば、ひけ48が裏面接着部材26の内部に閉じ込められると、ボイド52になる。このボイド52の上側では、チップ8がモールド樹脂44から受ける圧力に対抗する力が働かない。このためチップ8が破壊され、チップクラック50が発生する。最後に、図9cに示すように、チップ搭載基板24の裏面側の電極パッドに半田ボール46を形成して、半導体装置37aが完成する。このように、側面接着部材18を用いないで半導体装置37aを製造すると、ボンディングワイヤ42のショート、ボンディングワイヤ42の電極パッドからの剥れ、およびチップクラック50の発生等の問題が生じ易くなる。更に、半導体装置37aをプリント基板等に半田付けすると、ボイド52内の水分が高温に曝されて膨張し、半導体装置37aを破壊する所謂、ポップコーン現象。これらの問題は、すべてチップ8の反りに起因している。本実施の形態によれば、図2を参照して説明したようにチップ8の反りが抑制されるので、これらの問題の一部または全部が解決される。8変形例図10及び11は、側面接着部材の変形例18aを説明する図である。図1を参照して説明したように、図5に示す側面接着部材18は、チップ8の側面に接する樹脂配置領域溝10に熱硬化性樹脂12を配置し、この熱硬化性樹脂12を半硬化させて形成する。図12は、図1を参照して説明した側面接着部材18の製造方法を説明する平面図である。図12に示す例では、チップ8を囲う領域樹脂配置領域に、熱硬化性樹脂12が配置される。一方、変形例18aの製造方法では、図10に示すように、チップ8の四隅をそれぞれ囲う複数の孤立領域樹脂配置領域に、熱硬化性樹脂12が配置される。したがって、図11に示すように、チップ8の四隅に側面接着部材変形例18aが形成される。図13は、コレットの変形例28aの下面図である。図6を参照して説明したコレット28は、図6aに示すように、枠状突出部30の四隅にそれぞれ2つの突起部32を有している。一方、変形例28aは、図13に示すように、枠状突出部30の四隅に突起部32を一つずつ有している。いずれのコレットでも、突起部32は側面接着部材18の一部を押圧するだけなので、過剰な裏面接着部材26や空気の排出経路が確保される。また、チップ8の対角線に沿って側面接着部材18が押圧されるので、チップ8の反りが効率良くに抑制される。実施の形態2図14及び15は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。実施の形態1と共通する部分については、説明を省略する。1側面接着部材および裏面接着部材の形成工程まず、図1と略同じ工程により、チップ8の側面に側面接着部材18を形成する。その後、裏面接着部材26bとして、チップ8の裏面にフィルム状の接着部材54例えば、DieAttachFilmを接着する。2第1の接着工程図14a~cまず、ダイボンダーに、チップ搭載基板24を装着する。その後、図14aに示すように、チップ8をコレット28で吸着し、チップ搭載基板24の上方に配置する。次に、図14bに示すように、ダイボンダーに内蔵されたヒータ36でチップ搭載基板24を加熱しながら、フィルム状の接着部材以下、接着フィルムと呼ぶ54を介してチップ8をチップ搭載基板24に押圧する。押圧時間は、05~10秒程度である。この時、側面接着部材18も突起部32によりチップ搭載基板24に押圧され、側面接着部材18がチップ搭載基板24に接着される。この側面接着部材18によって、チップ8はチップ搭載基板24に仮接着される。ところで、側面接着部材18だけでなく接着フィルム裏面接着部材54も、チップ搭載基板24を介して加熱される。接着フィルム裏面接着部材54が加熱されると、そのタック性が高くなる。このためチップ8は、側面接着部材18だけでなく接着フィルム54によっても、チップ搭載基板24に接着される。しかし、加熱時間が短いので、接着フィルム54だけで、チップ8の反りを防ぐことは困難である。このため、側面接着部材18が用いられる。尚、本実施の形態では、コレット28は加熱されない。これは、チップ8の吸着時に接着フィルム54は加熱されて、チップ8のピックアップが困難になることを回避するためである。チップ8の搭載が終了すると、チップ搭載基板24は、ダイボンダーから取り外される。これにより、チップ8に対するコレット28の押さえが無くなる。しかし、チップ8は、側面接着部材18によりチップ搭載基板24に仮接着されているので、平坦な形状を保ち続ける図14c参照。3ボンディング工程図15a次に、図15aに示すように、側面接着部材18を残したまま、チップ8の電極パッド22とチップ搭載基板の電極パッドをボンディングワイヤ42で接続する図15a参照。4封止工程および第2の接着工程図15b次に、チップ8およびボンディングワイヤ42をモールド樹脂44で封止する封止工程。この際、恒温槽40を用いてモールド樹脂44を加熱し硬化させる。この時、接着フィルム54も加熱され、チップ8がチップ搭載基板24に強く接着される第2の接着工程。接着フィルム54によるチップ8の接着は、接着フィルム54の押圧図14bにより、第1の接着工程図14a~cで始まる。その後、接着フィルム54によるチップ8の接着は、チップ搭載基板24のダイボンダーからの取り出しにより一旦停止するが、モールド樹脂の封止工程で再開し完了する。5半田ボール形成工程図15c最後に、図15cに示すように、チップ搭載基板24の裏面側に半田ボール46を形成する。以上の工程により、集積回路が表面に設けられたチップ8、チップ8が搭載されたチップ搭載基板24、裏面接着部材26b、および側面接着部材18を有する半導体装置37cが形成される。ここで、裏面接着部材26は、チップ8の裏面に設けられ、チップ8をチップ搭載基板24に接着する接着部材である。側面接着部材18は、半導体チップ8の側面に設けられ、チップ8をチップ搭載基板24に接着する接着部材である。上述したように、封止工程までは接着フィルム54の接着力は、チップ8の反りを防ぐには不十分である。このため側面接着部材18を用いないと、チップ8のコレット28からの取り外す時に、チップ搭載基板24から接着フィルム54の一部が剥離して、チップ8が反り返る。このため実施の形態1と同様、ボンディングワイヤのショートなど種々の問題が発生する。しかし、本実施の形態によれば、側面接着部材18によりチップ8の反りが抑制されるので、これらの問題の全部または一部が解決される。本実施の形態では、側面接着部材18は除去されないが、実施の形態1と同様に、側面接着部材18は除去されてもよい。また、本実施の形態では、裏面接着部材26bの加熱処理は、モールド樹脂の加熱処理と同時に行われる。しかし、実施の形態1と同様に、モールド樹脂を加熱する前に裏面接着部材26bを加熱してもよい。以上の例では、側面接着部材18は、エポキシ樹脂を半硬化させて形成される。しかし、側面接着部材18の原料は、エポキシ樹脂には限られない。例えば、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂から、側面接着部材18を形成してもよい。また、熱可塑性樹脂例えば、アクリル樹脂やABSAcrylonitrileButadieneStyrene樹脂から、側面接着部材18を形成してもよい。更に、室温でタック性を有するように調合されたエポキシ樹脂から、側面接着部材18を形成してもよい。この場合、コレット28やチップ搭載基板24の加熱は不要である。上の例では、裏面接着部材は、ペースト状のエポキシ樹脂または接着フィルムである。しかし、裏面接着部材は、これらの接着部材に限られない。例えば、裏面接着部材は、銀ペース等の導電性接着部材やエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂であってもよい。以上の例では、チップ8が有する基板2は、シリコン基板である。しかし、基板2は、シリコン基板以外の基板であってもよい。例えば、基板2は、SOISilicononInsulator基板やGaAs基板等の化合物半導体基板であってもよい。以上の実施の形態1及び2に関し、更に以下の付記を開示する。付記1集積回路が表面に設けられたチップの側面に、側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら、前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第1の接着工程と、前記第1の接着工程の後に、前記裏面接着部材を加熱して、前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第2の接着工程とを有する半導体装置の製造方法。付記2付記1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の接着工程の後に、前記側面接着部材を取り除くことを特徴とする半導体装置の製造方法。付記3付記1または2に記載の半導体装置の製造方法において、前記側面接着部材の形成工程は、前記チップの側面に接する樹脂配置領域に熱硬化性樹脂を配置した後、前記熱硬化性樹脂を半硬化させて前記チップの側面に前記側面接着部材を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記4付記3に記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂配置領域は、前記チップの四隅の孤立領域または前記チップを囲う領域であることを特徴とする半導体装置の形成方法。付記5付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記裏面接着部材は、前記チップ搭載基板に塗布された接着部材であることを特徴とする半導体装置の製造方法。付記6付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記裏面接着部材は、前記チップの裏面に接着されたフィルム状の接着部材であり、前第1の接着工程は、前記フィルム状の接着部材を加熱しながら前記チップを前記チップ搭載基板に押圧し、前記フィルム状の接着部材による前記チップの接着は、前記第1の工程で始まることを特徴とする半導体装置の製造方法。付記7付記1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記チップは、10μm以上100μm以下の厚さを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記8集積回路が表面に設けられたチップと、前記チップが搭載されたチップ搭載基板と、前記チップの裏面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する裏面接着部材と、前記半導体チップの側面に設けられ、前記チップを前記チップ搭載基板に接着する側面接着部材とを有する半導体装置。