"電子部品の搭載部を含む上面と上下方向に設けられた第1の貫通孔とを有する第1の基体と、該第1の基体の下面の外周部に接合されており、上下方向に設けられているとともに平面視において前記第1の貫通孔に重なるように配置された第2の貫通孔を有する第2の基体と、前記第2の貫通孔に充填された封止材と、該封止材を貫通するように前記第2の基体に固定されているとともに前記第1の貫通孔内を通っており、前記第1の基体の上面よりも上方へ突出している上端部を有している信号端子とを具備しており、前記第1の基体は、複数の第1の金属部材と第2の金属部材とを含んでおり、前記第2の金属部材が前記複数の第1の金属部材によって上下方向から挟まれているとともに、前記第1の金属部材の熱膨張係数が前記第2の基体の熱膨張係数より大きく、前記第2の金属部材の熱伝導率が前記第1の金属部材の熱伝導率よりも高いことを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。前記複数の第1の金属部材の熱伝導率は、前記第2の基体の熱伝導率より高いことを特徴とする請求項1記載の電子部品搭載用パッケージ。前記第2の金属部材の端部が前記第1の基体の側面において第1の金属部材から露出されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電子部品搭載用パッケージ。前記第1の基体の外形寸法の方が前記第2の基体の外形寸法よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。前記第1の基体および前記第2の基体の少なくとも一方は、前記第1の基体と前記第2の基体との接合部に沿った溝を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。前記第1の基体は下面に凹部を有し、前記第2の基体は前記凹部内で前記第1の基体に接合されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。前記第1の基体の下面の前記搭載部に対向する部分から外周部にかけて前記複数の第1の金属部材よりも熱伝導率が高い接合材が被着されており、前記第2の基体は、外周部の前記接合材で前記第1の基体に接合されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージ。請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージと、該電子部品搭載用パッケージの前記搭載部に搭載された電子部品と、前記第1の基体の上面に接合され、前記電子部品および前記第1の貫通孔を覆う蓋体とを備えることを特徴とする電子装置。前記電子部品と前記搭載部との間に温度制御素子を備えることを特徴とする請求項8記載の電子装置。しかしながら、より大出力で駆動されるような光半導体素子等の電子部品から発生する熱を十分に放散するために、基体と電子部品との間に熱伝導率の高い例えば銅からなる放熱部材を配置することが考えられるが、電子部品と放熱部材との熱膨張係数の差が大きく、電子部品と放熱部材との接合強度が不十分な場合もあり、電子部品の実装信頼性に乏しいものとなってしまう可能性があった。本発明は上記従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、電子部品から発生する熱を効率的に放散することが可能となる電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置を提供する。本発明の一つの態様による電子部品搭載用パッケージは、第1の基体と、第2の基体と、封止材と、信号端子とを含んでいる。第1の基体は、上面と上下方向に設けられた第1の貫通孔とを有している。第1の基体は、複数の第1の金属部材と第2の金属部材とを含んでいる。第2の金属部材は、複数の第1の金属部材によって上下方向から挟まれている。第2の基体は、第1の基体の下面に接合されており、上下方向に設けられ第1の貫通孔に重なるように配置されている。封止材は、第2の貫通孔に充填されている。信号端子は、封止材を貫通するように第2の基体に固定され第1の貫通孔内を通っている。信号端子は、第1の基体の上面よりも上方へ突出している上端部を有している。第1の金属部材は、その熱膨張係数が第2の基体の熱膨張係数より大きくなっている。第2の金属部材は、その熱伝導率が第1の金属部材の熱伝導率よりも高くなっている。本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の電子部品搭載用パッケージと、電子部品搭載用パッケージに搭載された電子部品と、第1の基体の上面に接合した蓋体とを含んでいる。本発明の一つの態様による電子部品搭載用パッケージにおいて、第1の金属部材は、その熱膨張係数が第2の基体の熱膨張係数より大きいことから、第2の基体と第2の基体より熱膨張係数が大きい電子部品との熱膨張差を第1の金属部材によって緩和できるため、電子部品と電子部品搭載用パッケージとの接合強度が強固なものとなって、電子部品の実装信頼性が高いものとすることができる。また、第2の金属部材は、その熱伝導率が第1の金属部材の熱伝導率よりも高いことから、電子部品から発生する熱を第2の金属部材を介して効率よく放散することが可能となり、大出力の光半導体素子等の電子部品を安定して駆動することが可能となる。本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。本発明の実施形態における電子装置は、図1、図2に示されているように、電子部品搭載用パッケージ15と、電子部品搭載用パッケージ15に搭載された電子部品6と、回路基板6aと、温度制御素子11と、PD素子12と、反射鏡13と温度モニタ素子14と、第1の基体1の上面に接合した蓋体9とを含んでいる。なお、図1において、電子装置は仮想のxyz空間内に設けられており、以下、便宜的に上方向とは仮想のz軸の正方向のことをいう。電子部品搭載用パッケージ15は、第1の基体1と、第1の基体1の下面に接合された第2の基体2と、第1の基体1と第2の基体2とを貫通するように第2の基体2に固定された信号端子5と、中継基板6bと、DC端子8とを含んでいる。第1の基体1は、上面と上下方向に設けられた第1の貫通孔1dとを有している。第1の基体1は、複数の第1の金属部材1aと第2の金属部材1bとを含んでいる。第1の金属部材1aは、その熱膨張係数が第2の基体2の熱膨張係数より大きくなっている。第2の金属部材1bは、複数の第1の金属部材1aによって上下方向から挟まれている。第2の金属部材1bは、その熱伝導率が第1の金属部材1aの熱伝導率よりも高くなっている。第2の基体2は、第1の基体1の下面に接合されており、上下方向に設けられ第1の貫通孔1dに重なるように配置されている。信号端子5は、第2の貫通孔2bに充填された封止材3を貫通するように第2の基体2に固定され第1の貫通孔1d内を通っている。信号端子5は、第1の基体1の上面よりも上方へ突出している上端部を有している。図1に示された例では、第1の基体1の上面の中央部を搭載部1cとして、ペルチェ素子等の温度制御素子11および回路基板6aを介して電子部品6が搭載されている。電子部品6の端子はボンディングワイヤ7で回路基板6a上の配線に電気的に接続されている。中継基板6bは、回路基板6aと信号端子5との電気的な接続を中継している。信号端子5の第1の基体1側の上端部と中継基板6bの信号線路とがろう材等の接合材で電気的に接続され、中継基板6bの上面の信号線路と回路基板6aの配線とがボンディングワイヤ7で電気的に接続されることで、電子部品6と信号端子5とが電気的に接続されている。第2の基体2は、信号端子5を固定するための第2の貫通孔2b以外に、3つの第2の貫通孔2bが形成されている。DC端子8は、グラウンドとして機能する端子であり、3つの第2の貫通孔2bのそれぞれに2本ずつが封止材3によって固定され、第1の基体1に形成された、対応する第1の貫通孔1dからDC端子8の端部が突出している。また、電子部品6の端子は、回路基板6aの配線を介して、DC端子8の一つに電気的に接続されている。これによって、信号端子5は電子部品6と外部電気回路図示せずとの間の入出力信号を伝送する伝送路として機能する。図1に示された例では、主となる電子部品6がLD素子である例を示しており、PD素子12はLD素子の発振状態をモニタし、反射鏡13はLD素子から発振されたレーザー光を回路基板6a第1の基体1の上面から垂直方向に反射させており、温度モニタ素子14は、回路基板6a上の温度を測定して温度制御素子11へフィードバックしている。回路基板6a上には、PD素子12,反射鏡13および温度モニタ素子14が搭載されている。そして、DC端子8は、上述したグラウンド用以外に、温度制御素子11,PD素子12,および温度モニタ素子14への電力供給用のもの等がある。なお、図1に示された例では電子部品6等が搭載された状態がわかるように蓋体9を外した状態を示しているが、図2に示された例のように、破線で示されたような蓋体9を溶接またはろう接で蓋体接合部1eに接合することによって、本発明の実施形態における電子装置が基本的に構成される。図2に示された例の蓋体9は、反射鏡13によって第1の基体1の上面から垂直方向に反射されたレーザー光を通すための、透光性部材がはめられた窓部を設けた例を示している。なお、図1および図2に示された例では、1個の電子部品6を、回路基板6aおよび温度制御素子11を介して第1の基体1の搭載部1cの上に搭載しているが、複数の電子部品6を搭載してもよいし、回路基板6aおよび温度制御素子11を介さずに第1の基体1の搭載部1cの上に直接搭載してもよいし、ボンディングワイヤ7で電子部品6と信号端子5とを直接接続してもよい。また、信号端子5の数も、電子部品6の数および電子部品6の電極の数に応じて複数であっても構わない。そして、DC端子8の数も、温度制御素子11、PD素子12、温度モニタ素子14等の数に応じて決まるものである。なお、中継基板6bを介して信号端子5と電子部品6をボンディングワイヤ7で接続することで、ボンディングワイヤ7の長さを短くすることができるようになるので、インピーダンスの不整合をより良く抑制することができ好ましい。本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、電子部品6の搭載部を含む上面と上下方向に設けられた第1の貫通孔1dとを有する第1の基体1と、第1の基体1の下面の外周部に接合されており、上下方向に設けられているとともに平面視において第1の貫通孔1dに重なるように配置された第2の貫通孔2bを有する第2の基体2と、第2の貫通孔2bに充填された封止材3と、封止材3を貫通するように第2の基体2に固定されているとともに第1の貫通孔1d内を通っており、第1の基体1の上面よりも上方へ突出している上端部を有している信号端子5とを有しており、第1の基体1は、複数の第1の金属部材1aと第2の金属部材1bとを含んでおり、第2の金属部材1bが複数の第1の金属部材1aによって上下方向から挟まれているとともに、第1の金属部材1aの熱膨張係数が第2の基体2の熱膨張係数より大きく、第2の金属部材1bの熱伝導率が第1の金属部材1aの熱伝導率よりも高いものである。電子部品搭載用パッケージ15はこのような構成により、第1の金属部材1aの熱膨張係数が第2の基体2の熱膨張係数より大きく、第2の金属部材1bの熱伝導率が第1の金属部材1aの熱伝導率よりも高いことから、第2の基体2と第2の基体2より熱膨張係数が大きい電子部品6との熱膨張差を第1の金属部材1aによって緩和できるため、電子部品6と電子部品搭載用パッケージ15との接合強度が強固なものとなる。さらに、電子部品6の実装信頼性が高いものとすることができ、且つ電子部品6から発生する熱を第2の金属部材1bを介して効率よく外部に放散することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。また、信号端子5は所定のインピーダンスに整合されて第2の基体2の貫通孔2bに充填した封止材3で固定されることから、信号端子5が通る第1の基体1の貫通孔1bは、信号端子5とともにエアー同軸構造としてインピーダンスを整合させるためにその径を小さいものとすることができるので、電子部品6の搭載部1cの面積を大きくすることができる。また、本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、上記構成において、第1の金属部材1aの熱伝導率は、第2の基体2の熱伝導率より高いことから、電子部品6から発生した熱を効率的に第2の金属部材1bに伝導することができ、第2の金属部材1bの熱伝導率が高いことで、より効率よく第1の基体1の側面から外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。また、本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、上記構成において、第2の金属部材1bの端部が第1の基体1の側面において第1の金属部材から露出すなわち達していることから、第2の金属部材1bに伝わった熱を、より効率よく第1の基体1の側面から外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。また、図3~図7に示された例のように、上記構成において、第2の基体2の外形寸法よりも第1の基体1の外形寸法の方が大きいときには、第1の基体1の側面に、例えば電子装置を収納する筐体等の放熱体となるものを密着させやすくなるので、電子部品6から発生した熱を第1の基体1を介して外部により放出しやすい電子部品搭載用パッケージ15となる。また、図6~図8に示された例のように、上記構成において、第1の基体1および第2の基体2の少なくとも一方が、第1の基体1と第2の基体2との接合部に沿った溝10を有するときには、搭載される電子部品6に熱が発生して第1の基体1と第2の基体2との熱膨張係数の差による熱応力が発生しても、この熱応力は溝10によって緩和されて、第1の基体1と第2の基体2との接合部に加わる熱応力は小さいものとなるので、より気密信頼性に優れた高信頼性の電子装置を得ることのできる電子部品搭載用パッケージ15となる。また、図7に示された例のように、上記構成において、第1の基体1が下面に凹部1fを有し、第2の基体2が凹部1f内で第1の基体1に接合されているときには、パッケージの厚みを変えずに第1の基体1の側面の面積を増やすことができるため、第1の基体1の側面を介しての熱の放出がより効率よくできるようになり、より高放熱の電子部品搭載用パッケージ15となる。また、図9~図11に示された例のように、上記各構成において、第1の基体1の下面の搭載部1cに対向する部分から外周部にかけて第1の金属部材1aよりも熱伝導率が高い接合材4が被着されており、第2の基体2は、外周部の接合材4で第1の基体1に接合されているときには、電子部品6から発生した熱が第1の基体1の下面の接合材4を介して第1の基体1の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができる半導体素子収納用パッケージとなる。なお、第1の基体1と第2の基体2の対向している表面と側面とのコーナー部にR部もしくはC面を形成すると、第1の基体1と第2の基体2の接合部分の側面に接合材4を溜まるように形成することができるので、より接合材4を介して第1の基体1の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができる電子部品搭載用パッケージ15となる。本発明の実施形態における電子装置は、上記構成のいずれかの本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15と、該電子部品搭載用パッケージ15の前記搭載部1cに搭載された電子部品6と、前記第1の基体1の上面に接合された蓋体9とを備えることから、電子部品6から発生した熱を熱伝導率の大きい第1の基体1の第2の金属部材1bを介して効率よく第1の基体1の側面から外部に放出できるので、小型で高出力の電子装置となる。本発明の実施形態における電子装置は、上記構成において、電子部品6と搭載部1cとの間に温度制御素子11を備えているときには、放熱性が向上しているので、温度制御素子11によってより発熱の大きい電子部品6の温度を一定に保つことができるようになり、温度変化によって発生する電子部品6の特性変化がなくなるので、より特性の安定した電子装置となる。第1の基体1は、第1の金属部材1aと第2の金属部材1bとから成り、第2の金属部材1bが第1の金属部材1aに挟まれている。第1の金属部材1aは搭載される電子部品6またはセラミック製の回路基板6aの熱膨張係数に近いものが好ましく、またコストの安いものとして、例えば、Fe-Mn合金等の鉄系の合金または純鉄等の金属、銅Cuまたは銅系の合金が選ばれる。より具体的には、Fe996質量-Mn04質量系のSPCSteelPlateCold材がある。また、第2の金属部材1bは熱伝導率の高いものが好ましい。例えば、銅CuまたはアルミニウムAl等のヤング率の小さい金属、タングステンWまたはモリブデンのように熱膨張係数の小さい金属が好ましい。第1の基体1は第1の金属部材1aと第2の金属部材1bを接合して形成するが、接合の方法としては、部材同士を重ねて圧延することで接合するクラッド法を用いても良いし、銀ろう等熱伝導率の高い接合材を用いて接合しても良い。こうして接合した接合材に圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作され、貫通孔1bはドリル加工または金型による打ち抜き加工によって形成される。また、第1の基体1が搭載部1cとして突出部を有する形状の場合は、切削加工またはプレス加工することによって形成することができる。第1の基体1は厚みが025~1mmの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が3~6mmの円板状,半径が15~8mmの円周の一部を切り取った半円板状,一辺が3~15mmの四角板状等である。第1の基体1の厚みは05mm以上が好ましい。厚みが05mm未満の場合は、電子部品6を保護するための金属製の蓋体9を金属製の第1の基体1の上面に接合する際に、接合温度等の接合条件によっては第1の基体1が曲がったりして変形し易くなる。また、厚みが1mmを超えると、第2の基体2と接合して得られる電子部品搭載用パッケージ15および電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第1の基体1の厚みは1mm以下であるのが好ましい。小型化のためには第1の基体1の厚みと第2の基体2の厚みとを加えて2mm以下であるのがよいので、図7に示された例のように、第1の基体1が凹部1fを有し、第2の基体2がこの凹部1f内で第1の基体1に接合されている場合には、第1の基体1は1mmを超えて2mm以下の厚みであってもよい。第1の金属部材1aがSPC材であり、第2の金属部材1bが銅の場合には、搭載部1c側の第1の金属部材1aの厚みは005mm以上が好ましい。搭載部1c側の第1の金属部材1aの厚みが005mm未満であると、蓋体接合を電着にて行う場合に熱が第2の金属部材1bに伝わり温度が低下しやすいことで、蓋体接合の効率が低下しやすくなる傾向がある。そして第2の金属部材1bの厚みは005mm以上が好ましい。第2の金属部材1bの厚みは005mm未満であると、SPC材単体で第1の基体1を作成した場合に比べ、熱を側面側に伝導する効果が顕著とならない傾向がある。また、第1の基体1は、搭載部1c部分では図4に示された例のように第1の金属部材1aを取り除いていると、第1の基体1の熱膨張係数を抑えながら、電子部品6から発生した熱を第1の金属部材1aを介すことなく熱伝導率の大きい第2の金属部材1bに伝導でき、第1の基体1の側面への熱放散性を高めることができるので好ましい。搭載部1c部分で第1の金属部材1aを取り除いた構成とするには、第2の金属部材1bが第1の金属部材1aに挟まれている第1の基体1の搭載部1cに従来周知の切削加工等を用いて第1の金属部材1aを切除したり、第2の金属部材1bを挟む様に接合する第1の金属部材1aの搭載部1cにあたる部分を予め打ち抜いて接合すればよい。搭載部1cの周辺には第1の基体1の上面から下面にかけて形成された直径が023~115mmの第1の貫通孔1dを複数有する。信号端子5が通る第1の貫通孔1dの直径は、中心に信号端子5が貫通することで特性インピーダンスが50Ωのエアー同軸が形成されるような寸法とする。例えば、信号端子5の直径が02mmの場合であれば、第1の貫通孔1dの直径は046mmとすればよい。DC端子8が通る第1の貫通孔1dについては、DC端子8は特性インピーダンスの影響を受けないので、DC端子8と第1の基体1とがショートしない程度に、上記寸法よりも小さくして搭載部1cの面積を大きくするとよい。また、逆に第1の貫通孔1dを上記寸法よりも大きくして、図1に示された例のように複数のDC端子8を貫通させても構わない。この場合は、例えば図1に示された例のように、円形ではなく長円形とすることで搭載部1cの面積を大きくすることができる。上述したように、電子部品6の数および電子部品6の端子の数に応じて信号端子5の数が、また電子部品6以外の他の素子等の数に応じてDC端子8の数が決まるので、それに応じて第1の貫通孔1dも適宜形成すればよい。また、第1の基体1の表面には、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが05~9μmのNi層と厚さが05~5μmのAu層とをめっき法によって順次被着させておくのがよい。これにより、第1の基体1が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、電子部品6または回路基板6aあるいは蓋体9等を第1の基体1に良好にろう付けすることができる。第2の基体2は、第2の貫通孔2b内に封止材3を介して信号端子5およびDC端子8を固定するだけでなく、蓋体9とともに、封止材3および接合材4によって電子部品6を気密に封止する機能を有する。このため、第2の基体2は、第1の基体1と第2の基体2との接合部が第1の貫通孔1dを取り囲むように、外周部で第1の基体1と接合されている。少なくとも外周部で接合されていれば気密に封止することができ、図11に示された例のように、第2の基体2の上面の全面が接合材4によって第1の基体1の下面に接合されていてもかまわない。また、第2の基体2は、第1の基体1と同様の厚みが025~1mmの平板状であり、その形状には特に制限はないが、例えば直径が3~6mmの円板状,半径が15~8mmの円周の一部を切り取った半円板状,一辺が3~15mmの四角板状等である。第2の基体2はその外周部が第1の基体1の下面に接合されるので、必要な大きさの第2の貫通孔2bが形成されるとともに、外周部が第1の貫通孔1dよりも大きいものであればよい。例えば、図3および図5aに示された例のように、平面視の外形が第1の基体1より一回り小さい第2の基体2を第1の基体1の下面に接合することによって、複数の第1の貫通孔1dをまとめて封止してもよいし、図5bに示された例のように、第2の基体2を複数の第1の貫通孔1dのそれぞれよりも一回り大きい複数個にして、複数の第1の貫通孔1dをそれぞれ封止するようにしてもよい。また、このように第2の基体2が小さいと、第1の基体1との間で熱膨張係数に差がある場合には、発生する熱応力が小さくなるので好ましい。1つの第2の基体2に電子部品搭載用パッケージ15の全ての信号端子5が固定されていると、第1の基体1と第2の基体2とを接合する際に、信号端子5の相対位置が正確に位置決めできるとともに、複数の第1の貫通孔1dと複数の第2の貫通孔2bおよびそれら第2の貫通孔2b内に固定された複数の信号端子5との位置合わせが一括して行なえるので、組み立て精度の良い電子部品搭載用パッケージ15を効率よく得ることができる。第2の基体2の厚みは05mm以上が好ましい。厚みが05mm未満の場合は、外部からの応力によって変形しやすくなり、封止材3による気密性を保ち難くなる。また、厚みが1mmを超えると、第1の基体1と接合して得られる電子部品搭載用パッケージ15および電子装置の厚みが不要に厚いものとなり、小型化し難くなるので、第2の基体2の厚みは1mm以下であるのが好ましい。第2の基体2は、信号端子5の固定用として、上面から下面にかけて形成された直径が053~265mmの第2の貫通孔2bを有する。第2の基体2の位置は、信号端子5固定用の第2の貫通孔2bが、信号端子5が通る第1の貫通孔1dと対応して同心円状に位置するように配置する。また、DC端子8の固定用の第2の貫通孔2bは、第1の基体1と第2の基体2とを接合した際に、DC端子8が通る第1の貫通孔1dと平面視で重なる位置に、DC端子8と第2の貫通孔2bの内面との間に十分な厚み02mm程度の封止材3が入る程度の大きさに形成すればよい。このような第2の基体2は、封止材3の熱膨張係数に近いものまたはコストの安いものとして、例えば、Fe-Ni-Co合金またはFe-Ni合金等の金属から成るものが好ましい。例えば第2の基体2がFe-Ni-Co合金から成る場合は、この合金のインゴット塊に圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。その後または同時に、第2の貫通孔2bがドリル加工または金型による打ち抜き加工によって形成される。また、第2の基体2の表面には第1の基体1と同様に、耐食性に優れ、ろう材との濡れ性に優れた厚さが05~9μmのNi層と厚さが05~5μmのAu層とをめっき法によって順次被着させておくのがよい。これにより、第2の基体2が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、第2の基体2を第1の基体1にろう付けにより良好に接合することができる。溝10の形成は、搭載される電子部品6で発生した熱による、第1の基体1と第2の基体2との間の熱応力を緩和するだけでなく、蓋体9の接合時の衝撃または接合後の熱応力を緩和したり、蓋体接合部1eで発生した熱を放散しやすくしたりするという効果もある。このような効果を奏するには、第1の基体1および第2の基体2の少なくとも一方に形成されていればよい。また、蓋体9の接合時の熱によって第2の貫通孔2b内の信号端子5の封止性が損なわれないようにするためのものでもあるので、第2の基体2に溝10が形成される場合は、第2の基体2の溝10は、第1の基体1との接合部と第2の貫通孔2bとの間に形成するとよい。図6に示された例においては、第1の基体1と第2の基体2との接合部の内側の、第2の基体2の主面だけに垂直な溝10が形成されているので、第1の基体1の搭載部1cから側面外部への熱伝導を妨げることがないので好ましい。第1の基体1と第2の基体2との間において熱膨張係数の差が大きい場合は、第1の基体1の下面の、第1の基体1と第2の基体2との接合部の内側に溝を形成してもよい。また、図7に示された例のように、第1の基体1が下面に凹部1fを有し、第2の基体2が凹部1f内凹部1fの側面で第1の基体1に接合されている場合には、第1の基体1の溝10は、凹部1fの周囲の突出した部分に形成されるが、図7に示された例のように、突出した部分の主面頂面に形成してもよいし、突出した部分の内側面に形成してもよい。溝10を形成するのが突出した部分の主面であれば、プレス加工等によって形成するのが容易であり、溝10を形成するのが突出した部分の内側面であれば、蓋体接合部1eで発生した熱が第2の基体2へ伝導する経路が長くなるので好ましい。溝10は、第1の基体1と第2の基体2との間で熱膨張係数が異なることによる熱応力の緩和のために、第1の基体1と第2の基体2との接合部に沿って全周にわたって形成されているのが好ましい。例えば、図7に示された例のように第2の基体2がその側面で第1の基体1と接合され、第2の基体2の下面に溝を設ける場合は、図8aに示された例のように連続した溝10でなくても、図8bに示された例のように、第1の基体1と第2の基体2との接合部に沿って全周にわたって連続していない複数の溝10が形成され、接合部から溝10が形成されている方を見た場合に、1つの溝10の不連続な部分と他の溝10とが重なるように形成されていれば、第2の基体2の全周にわたって応力を緩和できるのでよい。また、連続した溝10が2重以上に形成されていてもよいし、例えば第1の基体1と第2の基体2との接合部と第2の貫通孔2bとの距離が短い部分を2重例えば、図8bの内側の溝10が連続した形状であるような場合にして封止材3に熱が伝わり難くしてもよい。溝10の幅および深さは、この部分で熱応力を緩和したり、蓋体接合部1eで発生した熱を放散したりできるような寸法にすればよく、第1の基体1および第2の基体2の材質に応じて設定すればよい。第1の金属部材1aが02mm厚みのSPC材で第2の金属部材1bが02mm厚みの銅であり、第1の金属部材1aで第2の金属部材1bを上下からクラッドした第1の基体1の熱膨張係数は、第1の金属部材1aのSPC材の熱膨張係数に比べて20以下の増加に収まるので、第1の基体1がSPC材の場合と大きく異ならず、第2の基体2がFe-Ni-Co合金であって、図6に示された例のように第2の基体2の主面に対して垂直に形成される場合は、溝10の深さを第1の基体1および第2の基体2の厚みよりも01~025mm小さい厚みとなるように、すなわち、溝10の底部の厚みが01~025mmとなるように形成すると、溝10の部分による応力緩和の効果が大きくなり、かつ気密性も高いので好ましい。溝10の底部の厚みが薄いほど応力緩和の効果は大きいが、溝10の底部の厚みが01mm未満となると、溝10の部分での変形が大きくなり、電子部品6を搭載して使用した際に、繰り返し熱応力が加わることで溝10の底部に亀裂が入って気密性が低くなりやすい。同様の理由から、溝10の断面形状は、底面と側面とがなす角部に丸みをつけた形状、またはU字形状が好ましい。信号端子5およびDC端子8は、Fe-Ni-Co合金またはFe-Ni合金等の金属から成り、例えば信号端子5がFe-Ni-Co合金から成る場合は、この合金のインゴット塊に圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工方法を施すことによって、長さが15~22mm、直径が01~05mmの線状に製作される。信号端子5およびDC端子8は、少なくとも下端部が第2の基体2の第2の貫通孔2bから1~20mm程度突出するように封止材3を介して固定され、上端部は第1の基体1の第1の貫通孔1dから0~2mm程度突出させる。DC端子8は、グラウンド用のものであれば第2の基体2の下面にろう材等を用いて接続してもよい。封止材3は、ガラスおよびセラミックスなどの無機材料から成り、信号端子5およびDC端子8と第2の基体2との絶縁間隔を確保するとともに、信号端子5およびDC端子8を第2の貫通孔2bに固定する機能を有する。このような封止材3の例としては、ホウケイ酸ガラス,ソーダガラス等のガラスおよびこれらのガラスに封止材3の熱膨張係数および比誘電率を調整するためのセラミックフィラーを加えたものが挙げられ、インピーダンスマッチングのためにその比誘電率を適宜選択する。比誘電率を低下させるフィラーとしては、酸化リチウム等が挙げられる。例えば、特性インピーダンスを50Ωとするには、信号端子5の外径が02mmの場合であれば、エアー同軸となる第1の貫通孔1dの内径を046mmとし、第2の貫通孔2bの内径を175mmとして、封止材3に比誘電率が68であるものを用いればよい。あるいは信号端子5の外径が025mmの場合であれば、第1の貫通孔1dの内径を057mmとし、第2の貫通孔2bの内径を22mmとして、封止材3の比誘電率が68であるものを用いればよい。また、同じく信号端子5の外径が025mmの場合であれば、第2の貫通孔2bの内径を165mmとして、封止材3の比誘電率が5であるものを用いてもよい。封止材3の比誘電率が4であれば、同じ外径025mmの場合で、第2の貫通孔2bの内径を135mmとすれば特性インピーダンスが50Ωとなる。封止材3の比誘電率が小さいほど、第2の貫通孔2bを小さくしてもインピーダンスを50Ωに整合することができるため、結果として第2の基体2の上面に接合する第1の基体1の大きさの小型化に効果的であり、より小型の電子部品収納用パッケージとすることができる。DC端子8を固定するための封止材3は、特にインピーダンスを考慮する必要はなく、気密に封止してDC端子8を固定できるものであればよいので、信号端子5を固定するための封止材3と同じものでなくても構わない。信号端子5の固定と同時にDC端子8の固定を行なうためには、信号端子5を固定するための封止材3と同じガラス、あるいは同程度の融点を有するガラスを用いるとよい。封止材3がガラスから成る場合は、内径が信号端子5またはDC端子8の外径よりも大きく、外径が第2の貫通孔2bの内径よりも小さい筒状になるように粉体プレス法または押し出し成形法等で成形されたガラスの封止材3を第2の貫通孔2bに挿入し、信号端子5またはDC端子8をこの封止材3に挿通し、しかる後、所定の温度に加熱して封止材3を溶融させることによって、信号端子5またはDC端子8が封止材3に埋め込まれるとともに第2の貫通孔2bに第2の基体2と絶縁されて気密に固定される。信号端子5は、第2の貫通孔2bの中心に固定されることで良好な同軸伝送路となり、高周波信号を良好に伝送することができる。第1の基体1と第2の基体2との接合は、ろう材またははんだあるいはガラス等の、接合とともに気密に封止することが可能な接合材4を用いて行なえばよい。例えば、金Au80質量-錫Sn20質量、金Au88質量-ゲルマニウムGe12質量または錫Sn965質量-銀Ag35質量等の合金はんだを用いたはんだ箔を接合面の形状に金型等で打ち抜いて作製した接合材4を第1の基体1と第2の基体2それぞれの接合面間に挟んで、窒素中で合金はんだの融点以上に加熱して冷却することで、第1の基体1と第2の基体2とが接合される。ろう材としては例えば銀ろう材、ガラスとしては低融点ガラスを用いればよい。また、箔を用いる代わりに接合材4のペーストを接合面に塗布して加熱してもよい。第1の基体1の熱伝導率は第2の基体2の熱伝導率よりも高いので、例えば、各々02mm厚みのSPC材から成る第1の金属部材1aで02mm厚みの銅から成る第2の金属部材1bを上下から挟んでいる構造の第1の基体1と、Fe-Ni-Co合金から成る第2の基体2とを用いた場合は、SPC材の熱伝導率が80W/mKであり、銅の熱伝導率が393W/mKであるので、第1の基体1の側面方向の熱伝導率は約130W/mKとなり、Fe-Ni-Co合金の熱伝導率が30W/mKであるので、熱伝導率の高い第1の基体1に電子部品6を搭載した電子装置は、その使用時に電子部品6が発する熱を熱伝導率の高い第1の基体1を通して外部に良好に放熱することができるので、信頼性の高い電子装置となる。また、蓋体接合部1eで発生した熱は熱伝導率の大きい第1の基体1内を伝導しやすく、熱伝導率の小さい第2の基体2へは伝導し難くなり、この熱によって封止材3に割れまたは剥がれなどが生じることがなくなるので好ましい。図2,図3,図6,図7,図9および図10に示された例のように、第2の基体2が外周部だけで第1の基体1に接合されている場合は、このような熱の第2の基体2への伝導経路が小さいので、封止材3の割れまたは剥がれなどがより生じ難くなる。また、第1の基体1は、各々02mm厚みのSPC材から成る第1の金属部材1aで02mm厚みの銅から成る第2の金属部材1bを上下から挟んでいる構造の第1の基体1を用いた場合において、搭載部1c部分では図4に示された例のようにSPC材から成る第1の金属部材1aを取り除いている場合には、SPC材から成る第1の金属部材1aを介すことなく銅から成る第2の金属部材1bに直接的に熱が伝わることで、第1の基体1の側面方向の熱伝導率は約230W/mKとなり、側面への熱放散性をより高めることができるので好ましい。また、各層が02mm厚みの、SPC材から成る第1の金属部材1aで銅から成る第2の金属部材1bを上下から挟んだクラッド材から成る第1の基体1と、Fe-Ni-Co合金から成る第2の基体2との組合せの場合は、Fe-Ni-Co合金から成る第2の基体2の熱膨張係数は4×10-6~6×10-6/°Cであるので、例えば、比誘電率が4と小さく、熱膨張係数が3×10-6/°CとFe-Ni-Co合金の熱膨張係数に近い、SiO2が72質量、B2O3が25質量で残りはその他組成であるガラスが封止材3として好適である。封止材3の比誘電率が小さいので第2の貫通孔2bおよび第2の基体2を小さくすることができ、電子部品搭載用パッケージ15を小型化することができる。このとき、第1の基体1も小さいものとなるが、第1の基体1に形成される第1の貫通孔1dは小さいものでよいので、搭載部1c面積の第1の基体1の上面全体の面積に占める割合を高くすることができ、電子部品6に発生した熱を第1の基体1に効率よく伝えることができる。また、比誘電率の小さいガラスは、一般的に熱膨張係数が2×10-6~5×10-6/°Cと小さいので、SPC材で銅を上下から挟んだ高熱伝導性クラッド材横方向の熱膨張係数:10×10-6~12×10-6/°Cに対して、比較的熱膨張係数の小さい4×10-6~6×10-6/°CFe-Ni-Co合金を第2の基体2として用いれば、第2の貫通孔2b内に充填しても、第2の基体2との熱膨張差によって剥がれたり、割れたりすることがない。本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15は、電子部品6が搭載される第1の基体1と、信号端子5が封止材3によって固定される第2の基体2とを、それぞれに必要な特性を有する別々の材質にすることで、小型で信頼性に優れた電子装置が得られるものとなる。第1の基体1の下面の搭載部1cに対向する部分から外周部にかけて第1の金属部材1aよりも熱伝導率が高い接合材4を被着する場合は、接合材4は、図10に示された例のように、搭載部1cに対向する部分と外周部との間に複数の熱伝導経路を設けるようにして被着してもよいが、図9に示された例のように、第1の基体1の下面の全面に被着すると、搭載部1cに対向する部分から外周部への熱伝導経路が最大になり、より効率よく放熱できるので好ましい。また、第2の基体2の上面と第1の基体1の下面とを全面で接合材4によって接合する場合には、図11に示された例のように、第2の基体2の貫通孔2b、少なくとも信号端子5が固定される貫通孔2bと重なる部分を避けて第1の基体1の下面に接合材4を被着させ、封止材3と接合材4とが接しないようにするのが好ましい。このようにすると、接合材4が導電性のろう材である場合には第2の貫通孔2b内の信号端子5と接合材4との間に浮遊容量が発生することを、また、接合材4がガラス等の誘電体である場合には第2の貫通孔2b内の信号端子5と第1の基体1との間の浮遊容量が大きくなることを抑えることができるので、浮遊容量によって特性インピーダンスが変動して信号の伝送特性が低下してしまうことがない。第1の金属部材1aよりも熱伝導率が高い接合材4としては、例えば、第1の金属部材1aがSPC材である場合には、熱伝導率の高い銀を主成分とする銀ろう、例えば、Ag72質量-Cu28質量合金熱伝導率:374W/mKが挙げられる。この銀ろうはJIS日本工業規格のBAg-8であるが、これ以外の銀ろうでもよく、また、必要に応じて融点および硬度を低下させるために1質量~10質量程度のインジウムInを加えたものでもよい。なお、接合材4の熱膨張率は、市販のTMAThermoMechanicalAnalysis装置を用いてJISK7197‐1991に準じた測定方法により、接合材4をJISK7197‐1991に準ずる形状に加工して測定される。また、第1の基体1の下面に接合材4を被着させる場合は、図10に示された例のように、さらに第1の基体1の側面まで延ばして被着させるとよい。このようにすることで、外部への放熱性がより高まる。さらには、図11に示された例のように、第1の基体1の側面だけでなく第2の基体2の側面まで延ばして被着することによってさらに放熱面積を大きくして放熱性を高めてもよい。そして、図11に示された例のように、第1の基体1と第2の基体2の対向している表面と側面とのコーナー部にR部もしくはC面を形成すると、第1の基体1と第2の基体2の接合部分の側面に接合材4を溜まるように形成することができるので、より接合材4を介して第1の基体1の側面側に伝導しやすくなるので、より効率よく外部に放出することができるので好ましい。また、この場合に、接合材4として第1の基体1より軟らかいものを用いると、第1の基体1の側面に放熱体となるものを密着させた場合の密着性が高くなるので、より効率的に放熱体に熱を伝えることができる。このような本発明の実施形態における電子部品搭載用パッケージ15の搭載部1cに電子部品6を搭載するとともに、第1の基体1の蓋体接合部1eに蓋体9を接合することにより、本発明の実施形態における電子装置となる。電子部品6としては、LDレーザーダイオードまたはPDフォトダイオ-ド等の光半導体素子、あるいは半導体集積回路素子を含む半導体素子、あるいは水晶振動子または弾性表面波素子等の圧電素子、あるいは圧力センサー素子,容量素子,抵抗器等が挙げられる。回路基板6aおよび中継基板6bの絶縁基板は、酸化アルミニウムアルミナ:Al2O3質焼結体,窒化アルミニウムAlN質焼結体等のセラミックス絶縁材料等から成り、絶縁基板が例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、まずアルミナAl2O3またはシリカSiO2,カルシアCaO,マグネシアMgO等の原料粉末に適当な有機溶剤,溶媒を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法またはカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシート以下、グリーンシートともいうを得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに必要に応じて複数枚積層し、これを約1600°Cの温度で焼成することによって製作される。また、その後、必要に応じて絶縁基板の主面に研磨加工を施す場合もある。この絶縁基板の上面に配線導体を蒸着法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成することで、回路基板6aおよび中継基板6bとなる。なお、配線導体は、例えば密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された3層構造の導体層から成る。また、回路基板6aおよび中継基板6bに形成される高周波信号の通る配線導体については、信号端子5の第2の貫通孔2b部分と同様に、例えば特性インピーダンスを50Ωに整合させた線路とする。密着金属層は、セラミックス等から成る絶縁基板との密着性を良好とするという観点からは、チタンTi,クロムCr,タンタルTa,ニオブNb,ニッケル-クロムNi-Cr合金,窒化タンタルTa2N等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうち少なくとも1種より成るのが好ましく、その厚みは001~02μm程度が好ましい。密着金属層の厚みが001μm未満では、密着金属層を絶縁基板に強固に密着することが困難となる傾向があり、02μmを超えると、成膜時の内部応力によって密着金属層が絶縁基板から剥離し易くなる傾向がある。また、拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、白金Pt,パラジウムPd,ロジウムRh,ニッケルNi,Ni-Cr合金,Ti-W合金等の熱伝導性の良好な金属のうち少なくとも1種より成ることが好ましく、その厚みは005~1μm程度が好ましい。拡散防止層の厚みが005μm未満では、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくなる傾向があり、1μmを超えると、成膜時の内部応力によって拡散防止層が密着金属層から剥離し易く成る傾向がある。なお、拡散防止層にNi-Cr合金を用いる場合は、Ni-Cr合金は絶縁基板4との密着性が良好なため、密着金属層を省くことも可能である。さらに、主導体層は、電気抵抗の小さい金Au,Cu,Ni,銀Agの少なくとも1種より成ることが好ましく、その厚みは01~5μm程度が好ましい。主導体層の厚みが01μm未満では、電気抵抗が大きなものとなって回路基板6aの配線導体に要求される電気抵抗を満足できなくなる傾向があり、5μmを超えると、成膜時の内部応力によって主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。なお、Auは貴金属で高価であることから、低コスト化の点でなるべく薄く形成することが好ましい。また、Cuは酸化し易いので、その上にNiおよびAuからなる保護層を被覆してもよい。図1に示された例のような場合は、例えば、回路基板6aおよび中継基板6bは、下面の接地導体層の表面に、200~400°Cの融点を有する半田または金Au-錫Sn等の低融点ろう材を、スクリーン印刷法を用いてろう材ペーストを印刷したり、フォトリソグラフィ法によって低融点ろう材膜を形成したり、低融点ろう材のプリフォームを配置したりして、200~400°Cの温度で加熱することによって第1の基体1に固定される。そして、電子部品6は、搭載部1cに接合された回路基板6aに200~400°Cの融点を有するAu-Sn等のろう材によってろう付けされて固定され、その電極をボンディングワイヤ7を介して回路基板6aの配線導体に接続してこの配線導体と信号端子5とをボンディングワイヤ7で接続することによって信号端子5に電気的に接続される。また、例えば、回路基板6aを第1の基体1上に搭載した後に電子部品6を回路基板6a上に搭載する場合は、回路基板6aの固定には金-錫Au-Sn合金または金-ゲルマニウムAu-Ge合金をろう材として用い、電子部品6の固定には、これらより融点の低い錫-銀Sn-Ag合金または錫-銀-銅Sn-Ag-Cu合金のろう材、または融点より低い温度で硬化可能なAgエポキシ等の樹脂製の接着剤を用いればよい。また、電子部品6を回路基板6a上に搭載した後に回路基板6aを第1の基体1上に搭載してもよく、その場合は上記とは逆に、回路基板6aを第1の基体1上に搭載する際に用いるろう材の融点の方を低くすればよい。いずれの場合であっても、回路基板6a上または第1の基体1の搭載部1c上にろう材ペーストを周知のスクリーン印刷法を用いて印刷したり、フォトリソグラフィ法によってろう材層を形成したり、低融点ろう材のプリフォームを載置するなどすればよい。高出力のLD素子を電子部品6として搭載する場合は、電子部品6をより効果的に冷却して、電子部品6の温度変化によって特性が変化しないように、図1および図2に示された例のように、温度制御素子11を電子部品搭載用パッケージ15の搭載部1c上に搭載して、その上に電子部品6を搭載すればよい。搭載の方法は、上記と同様に、低融点ろう材によって固定すればよい。なお、図1、図2ではLD素子からの出力を反射鏡13で上方に反射させる例を示したが、温度制御素子11上にL型の台座を形成し、LD素子から直接上方に出力させてもかまわない。蓋体9は、平面視で第1の基体1の上面の外周領域の蓋体接合部1eの形状に沿った外形で、第1の基体1の上面の搭載部1cに搭載された電子部品6を覆うような空間を有する形状のものである。電子部品6と対向する部分に光を透過させる窓を設けてもよいし、窓に換えて、または窓に加えて光ファイバおよび戻り光防止用の光アイソレータを接合したものでもよい。蓋体9は、Fe-Ni-Co合金またはFe-Ni合金、Fe-Mn合金等の金属から成り、これらの板材にプレス加工または打ち抜き加工等の周知の金属加工方法を施すことによって作製される。蓋体9は、第1の基体1の材料と同程度の熱膨張係数を有するものが好ましく、第1の基体1の材料と同じものを用いるのがより好ましい。蓋体9が窓を有する場合は、電子部品6と対向する部分に孔を設けたものに、平板状またはレンズ状のガラス製の窓部材を低融点ガラスなどによって接合する。蓋体9の第1の基体1の蓋体接合部1eへの接合は、シーム溶接またはYAGレーザー溶接等の溶接またはAu-Snろう材等のろう材によるろう付け等のろう接によって行なわれる。"