半導体素子の放熱体の製造方法であって、少なくとも仮基板の表面を覆うように導電層を形成するステップと、少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップと、前記半導体チップと前記導電層の間の隙間を充満するように金属基板を前記導電層上に形成するステップと、前記仮基板を除去するステップとを含む半導体素子の放熱体の製造方法。前記半導体チップは半導体光電素子であり、前記金属基板を前記導電層上に形成するステップと前記仮基板を除去するステップの間に、さらに、前記金属基板上に反射層を形成するステップと、前記反射層上に透明保護層を形成するステップとを含む請求項1に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記反射層を形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられる請求項2に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記導電層は、金、アルミ、銀、プラチナを含む金属層、またはITOを含む透明導電層を含む請求項1から3の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記半導体チップの底部に金属接着層が設けられる請求項1から4の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波熱圧着が用いられる請求項1から5の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波をかけながら押圧をかけて行われる請求項1から5の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、熱圧着が用いられる請求項1から5の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、前記金属バンプと前記半導体チップを接合するステップと、前記金属バンプと前記半導体チップを接合してから、前記金属バンプを前記導電層上に接合するステップとを含む請求項1から8の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、前記金属バンプを前記導電層上に接合するステップと、前記金属バンプを前記導電層上に接合してから、前記半導体チップを前記金属バンプ上に接合するステップとを含む請求項1から8の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記金属バンプは第1バンプと第2バンプとを含み、前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、前記第1バンプと前記第2バンプをそれぞれ前記半導体チップと前記導電層に接合するステップと、前記第1バンプと前記第2バンプをそれぞれ前記半導体チップと前記導電層に接合すてから、前記第1バンプと前記第2バンプを接合するステップとを含む請求項1から8の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。前記金属基板を前記導電層上に形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられる請求項1から11の何れか1項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。この実施形態において、キャリアの機能とする板材である仮基板100が提供される。この仮基板100は、平面基板または任意の立体構造の型であってよく、材料として、金属、非金属、またはこれらの複合材料であってよい。また、この仮基板100は、耐酸性、耐アルカリ性を有する材料からなるのが好ましい。次に、図1に示すように、例えば、メッキ、スパッタリング、気相成長法、無電メッキ、スクリーン印刷、液相法、焼結などの成長法により、仮基板100の表面102を覆うように、導電層104を形成する。導電層104は、金、アルミ、銀、プラチナなどからなる金属層であってよく、ITOのような透明導電材料からなる透明導電膜であってもよい。次に、導電性を有する金属バンプを介して、半導体チップを仮基板100上の導電層104に接合する。金属バンプは、例えば、図2に示す金属バンプ106、108、110、112、114、116のように、任意の形状であってよい。図2に示すように、多数個の金属バンプ106、108、110、112、114、116が提供され、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、これらの金属バンプを導電層104上に固定する。この金属バンプは、図2に示す金属バンプ106、112、114のように、単一構造であってよく、図2に示す金属バンプ108、110、116のように、複合構造であってもよく、例えば、金属バンプ108は二つのバンプ108a、108bを堆積してなり、金属バンプ110は二つのバンプ110a、110bを堆積してなり、金属バンプ112は三つのバンプ112a、112b、112cを堆積してなる。次に、図3に示すように、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、半導体チップ118及び130をそれぞれ金属バンプ106、108、110及び金属バンプ112、114、116に接合する。この実施形態において、各半導体チップ118、130がそれぞれ三つの金属バンプによって導電層104によって接合されるが、これに限定されなく、各半導体チップが単一の金属バンプや、二つ以上の金属バンプによって導電層104に接合されてもよい。また、他の実施形態において、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、先に金属バンプ106、108、110及び金属バンプ112、114、116をそれぞれ半導体チップ118及び130に接合してから、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、半導体チップ118及び130にそれぞれ接合された金属バンプ106、108、110及び金属バンプ112、114、116を導電層104に接合する。また、少なくとも二つのバンプを堆積してなる金属バンプを利用して半導体チップを導電層104に接合する場合、例えば、図2に示す金属バンプ110を利用して、半導体チップを導電層104に接合する場合、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、金属バンプ110になるバンプ110a及び110bを先に導電層104及び半導体チップにそれぞれ接合する。次に、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、導電層104及び半導体チップに接合されたバンプ110a及び110bを堆積させて接合させる。本発明において、導電層104に一つの半導体チップを設けてよく、同時に導電層104に多数の半導体チップ、例えば半導体チップ118と130を設けてもよい。本実施形態において、半導体チップは、例えば、トランジスターや集積回路などの半導体素子であってよく、発光ダイオードや、レーザーダイオード、太陽電池などの半導体光電素子であってもよい。また、半導体チップは、ベアチップであってよく、一回の封止、二回の封止、または多数回の封止を経て、モジュールになったものであってもよい。図3に示すように、半導体チップ118と130は、発光ダイオードであってよい。半導体チップ118は、基板120と、基板120上に位置する発光エピタキシャル構造122と、発光エピタキシャル構造122上に位置し、異なる電気特性、例えば一方がn型で、他方がp型である第1電極126と第2電極128と、を有する。また、半導体チップ118と金属バンプ106、108、110の接合を良くするために、半導体チップ118の底部に選択的に導電性を有し、半導体チップ118の底部と例えば、金属バンプ106、108、110などの金属バンプの間に良好な付着力を有する金属接着層124を設けてよい。前記のように、半導体チップ130は、基板132と、基板132上に位置する発光エピタキシャル構造134と、発光エピタキシャル構造134上に位置し、異なる電気特性、例えば一方がn型で、他方がp型である第1電極136と第2電極138と、を有する。また、半導体チップ130において、第1電極136は、半導体チップ130の底部と例えば、金属バンプ112、114、116などの金属バンプの間に良好な付着力を有する半導体チップ130の金属接着層としてもよい。図3に示すように、半導体チップの二つの電極は、例えば半導体チップ118の第1電極126と第2電極128のように、半導体チップの同側に位置してよく、または、例えば半導体チップ130の第1電極136と第2電極138のように、半導体チップの反対側に位置してもよい。次に、図4に示すように、成長法によって、導電層104を覆い、半導体チップ118、130と導電層104の間の隙間を充填するように金属基板140を形成する。また、半導体チップ118と130の側壁の底部近くの一部が金属基板140によって覆われる。金属基板140を形成するに用いられる成長法として、例えば電気メッキまたは無電メッキが挙げられる。また、金属基板140は単一の金属材料からなってよく、多層の金属材料からなってもよい。これらの金属材料は、熱伝導率のよい金属が好ましく、例えば、銅、鉄/ニッケル合金、ニッケル、アルミ、タングステン、またはこれらの合金が挙げられる。また、図5に示すように、半導体チップ118と130は半導体光電素子の場合、成長法によって、金属基板140を覆うように、選択的に半導体チップ118と130から底部へ発する光を反射するための反射層142を形成することができる。反射層142を形成するに用いられる成長法として、例えば電気メッキまたは無電メッキが挙げられる。反射層142は、金属基板140に対する付着力のよい材料からなるものが好ましい。反射層142は、一種類または複数種類の金属材料からなってよく、一種類または複数種類の非金属材料からなってもよい。また、反射層142は、一種類または複数種類の金属材料と、一種類または複数種類の非金属材料からなる複合材料からなってもよい。また、図6に示すように、この実施形態において、反射層142が形成された後、成長法によって、反射層142を覆って反射層142の材料が酸化や劣化するのを回避するように反射層142を保護するための透明保護層が形成される。透明保護層144は、光を順調に透過させる高透過率の材料からなるのが好ましい。次に、図7に示すように、研磨やレーザーによって仮基板100を除去し、導電層104を露出する。次に、同時に複数の半導体チップ例えば半導体チップ118と130を導電層104に設置する場合は、カットによって半導体チップ118と130を分割することができる。このようにして、図8に示すように、半導体チップ118と130を搭載した金属基板140である放熱体が完成される。前記実施形態によれば、金属バンプを介して半導体チップと仮基板上の導電層を接合させるので、ボンドなどを用いる必要がなく、半導体チップの底部に直接放熱体を作り出すことができる。これによって、半導体チップが放熱体と密接し、放熱体の放熱能力が有効に発揮され、大幅に半導体素子の放熱効果を向上することができる。また、前記実施形態によれば、テープがなくても、半導体チップの底部に放熱体を作り出すことができる。これによって、従来のテープの温度による膨張したり収縮したりすることがもたらした反射層のひび割れの問題が回避され、製品の歩留まりを向上することができる。また、前記実施形態によれば、テープと半導体素子の接着不良による金属反射膜と金属放熱台座の厚みが均等でない問題が回避されるので、本発明を応用すれば、放熱体の製造工程が簡単で実施し易くだけでなく、放熱体の品質を向上することもできる。また、前記実施形態によれば、放熱体が直接に半導体素子の底部に設置され、半導体素子が作動中に発生する熱が即時に放熱体に放出され、半導体素子の温度が下げられるので、半導体素子の操作品質を向上することができ、半導体素子の寿命を延長することができる。