第1の電子部品の接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆された接続面に異方性導電フィルムを仮貼りする仮貼工程と、前記異方性導電フィルム上に第2の電子部品の接続端子を配置させ、前記第1の電子部品と前記第2の電子部品とを本圧着させ、前記接続端子上の絶縁膜を導電性粒子によって貫通させる本圧着工程とを有する接合体の製造方法。前記導電性粒子のコア材が、金属又は合金であり、前記絶縁膜が、レジストである請求項1記載の接合体の製造方法。前記導電性粒子の平均粒子径が、前記接続端子上の絶縁膜の厚さ以上である請求項1又は2記載の接合体の製造方法。前記第2の電子部品は、接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆されている請求項1又は2記載の接合体の製造方法。前記導電性粒子の平均粒子径が、前記第1の電子部品及び前記第2の電子部品の接続端子上の絶縁膜の厚さ以上である請求項4記載の接合体の製造方法。スキージを用いて、第1の電子部品の接続端子上及び接続端子間上に液状の絶縁材を塗布し、硬化させる工程をさらに有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の接合体の製造方法。接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆された第1の電子部品と、前記第1の電子部品の接続端子と電気的に接続された第2の電子部品を備え、前記接続端子上の絶縁膜が、導電性粒子によって貫通している接合体。特許文献1、2に記載された技術は、接続端子が剥き出しの状態であるため、例えば、接続端子の表面に金めっきを施すことにより、接続端子の酸化を防いでいる。しかしながら、金めっきとACFとの密着性は良好ではないため、ACFの仮貼りに高い温度を必要としていた。本発明は、従来の実情に鑑みて提案されたものであり、接続端子の酸化を防止し、異方性導電フィルムの密着性を向上させる接合体の製造方法を提供する。上述した課題を解決するために、本発明に係る接合体の製造方法は、第1の電子部品の接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆された接続面に異方性導電フィルムを仮貼りする仮貼工程と、前記異方性導電フィルム上に第2の電子部品の接続端子を配置させ、前記第1の電子部品と前記第2の電子部品とを本圧着させ、前記接続端子上の絶縁膜を導電性粒子によって貫通させる本圧着工程とを有することを特徴としている。また、本発明に係る接合体は、接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆された第1の電子部品と、前記第1の電子部品の接続端子と電気的に接続された第2の電子部品を備え、前記接続端子上の絶縁膜は、導電性粒子によって貫通していることを特徴としている。本発明によれば、接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆されているため、接続端子の酸化を防止することができる。また、異方性導電フィルムの密着性が向上し、仮貼り可能温度を低下させることができる。さらに、本圧着の際、接続端子上の絶縁膜を導電性粒子によって貫通させるため、隣接接続端子間でショートが発生するのを防ぐことができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。1.接合体及びその製造方法2.実施例<1.接合体及びその製造方法>本実施の形態における接合体の製造方法は、第1の電子部品の接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆された接続面に異方性導電フィルムを仮貼りする仮貼工程と、異方性導電フィルム上に第2の電子部品の接続端子を配置させ、第1の電子部品と第2の電子部品とを本圧着させ、接続端子上の絶縁膜を導電性粒子によって貫通させる本圧着工程とを有する。第1の電子部品は、例えば、LCDLiquidCrystalDisplayパネル、PDPlasmaDisplayパネルなどの基板であり、第2の電子部品と接続するための接続端子を有する。また、第2の電子部品は、例えば、FPCFlexiblePrintedCircuits、COFChipOnFilm、TCPTapeCarrierPackageなどの配線材であり、第1の電子部品と接続するための接続端子が形成されている。図1は、第1の電子部品の接続面に異方性導電フィルムを仮貼りした状態を模式的に示す断面図である。第1の電子部品1は、接続端子2上及び接続端子2間上に絶縁膜3が平坦に被覆された接続面を有する。これにより、接続端子2の酸化を防止することができる。また、異方性導電フィルム4の密着性が向上し、仮貼り可能温度を低下させることができる。また、接続端子2間に絶縁膜3が塗布されているため、異方性導電フィルム4の充填量を削減することができ、異方性導電フィルム4の厚さを薄くすることができる。したがって、異方性導電フィルム4を巻回させたリール体として提供する場合、異方性導電フィルム4の長さを大きくすることができる。絶縁膜3としては、保護膜として機能するレジストが用いられ、例えば、基板の絶縁部分に塗布されるソルダーレジストが最適に用いられる。レジストの塗布方法としては、接続端子上に平面状に塗布するために、スキージ等を用いることが好ましい。具体的には、スキージを用いて接続端子2上及び接続端子2間上に液状のレジストを塗布し、熱による半硬化、UVultravioletによる硬化、熱による後硬化を行う。このようにスキージを用いて第1の電子部品の接続端子上及び接続端子間上に液状の絶縁材を塗布し、硬化させる工程を仮貼工程の前に設けても構わない。異方性導電フィルム4の中に分散された導電性粒子5は、絶縁膜3を貫通するための硬さが必要であるため、コア材が、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の金属又は合金であることが好ましい。また、導電性粒子5の平均粒子径dは、接続端子2上の絶縁膜3の厚さh以上であることが好ましい。これにより、接合体において良好な導通抵抗を得ることができる。なお、本明細書における平均粒子径とは、レーザー回折法により測定したメディアン径d50である。また、異方性導電フィルム4は、熱硬化性樹脂成分と、硬化剤とを含有する。熱硬化性樹脂成分としては、例えば、各種エポキシ樹脂やエポキシメタアクリレート、ウレタン変性メタアクリレート等の熱硬化性樹脂等を挙げることができる。これらの樹脂は、1種又は2種以上含有されていてもよい。硬化剤は、使用する熱硬化性樹脂成分の種類に応じて選択すればよい。例えば熱硬化性樹脂成分としてエポキシメタアクリレートやウレタン変性メタアクリレート等のアクリレート系の樹脂を使用する場合、硬化剤としては、例えばパーオキサイドを使用することが可能であり、パーオキサイドとしては、例えばラウロイルパーオキサイド等を挙げることができる。また、例えば熱硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂を使用する場合には、イミダゾール系潜在性硬化剤等を挙げることができる。また、第2の電子部品についても、接続端子上及び接続端子間上に絶縁膜が平坦に被覆されていることが好ましい。これにより、異方性導電フィルム4の充填量をさらに削減することができ、異方性導電フィルム4の厚さをさらに薄くすることができる。また、この場合、導電性粒子5の平均粒子径が、第1の電子部品及び第2の電子部品の接続端子上の絶縁膜の厚さ以上であることが好ましい。導電性粒子5の平均粒子径が接続端子上の絶縁膜の総厚さ以上であることにより、接合体において良好な導通抵抗を得ることができる。また、本実施の形態における接合体は、接続端子間には絶縁膜が充填され、接続端子上の絶縁膜が導電性粒子によって貫通することにより導通が得られるため、隣接接続端子間のショート確率の小さい優れた特性を有する。<2.実施例>以下、本発明の実施例について説明する。ここでは、基板としてPCBPrintedCircuitBoard、配線材としてFPCFlexiblePrintedCircuitsを用い、これらを異方性導電フィルムACF:AnisotropicConductiveFilmによって接続した。実施例1~7及び参照例1では、図2に示すように、接続端子11上及び接続端子11間上にレジスト12が平坦に被覆されたPCB10を用いて層構造Iの接合体を作製した。また、実施例8~14及び参照例2では、図3に示すように、接続端子11上及び接続端子11間上にレジスト12が平坦に被覆されたPCB10及び接続端子41上及び接続端子41間上にレジスト42が平坦に被覆されたFPC40を用いて層構造IIの接合体を作製した。また、比較例1では、図4に示すように、従来のPCB100及びFPC110を用いて層構造IIIの接合体を作製した。また、比較例2~5では、図5に示すように、接続端子121間にレジスト122が塗布されたPCB120を用いて層構造IVの接合体を作製した。各接合体について、導通抵抗、接着強度、絶縁抵抗、及び仮貼り可能温度を測定し、評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。[導通抵抗の測定及び評価]各接合体について、デジタルマルチメータ品番:デジタルマルチメータ7555、横河電機社製を用いて4端子法にて電流1mAを流したときの導通抵抗値初期の測定を行った。そして、導通抵抗値が2Ω未満のものをランクA、通電はするが2Ω以上のものをランクB、OpenのものをランクCと評価した。[接着強度の測定及び評価]各接合体について、引張試験機テンシロン、オリエンテック社製を用いて1cm幅にカットしたFPCを剥離速度50mm/分で90度Y軸方向に引き上げ、接着強度を測定した。接着強度が10N/cm以上のものをランクA、6N/cm以上10N/cm未満のものをランクB、6N/cm以下のものをランクCと評価した。[絶縁抵抗の測定及び評価]各接合体について、デジタルマルチメータ品番:デジタルマルチメータ7555、横河電機社製を用いて4端子法にて電流1mAを流したときの隣接端子間の絶縁抵抗値初期の測定を行った。そして、絶縁抵抗値が109Ω以上のものをランクA、108Ω以上109Ω未満のものをランクB、108Ω未満のものをランクCと評価した。[仮貼り可能温度の測定及び評価]図6に示す圧着機50を用いて、PCB60上に異方性導電フィルム70を仮貼りした。具体的には、熱電対測定により異方性導電フィルム70が所定温度になるように加熱ツール52を設定し、ステージ51上に固定されたPCB60上に異方性導電フィルム70を仮貼りした。その後、図7に示すように加熱ツール52を上昇させ、剥離シート71を剥離ツール53により引き剥がした。そして、剥離シート71を異方性導電フィルム70から引き剥がすことができる最小温度を仮貼り可能温度とした。[実施例1]異方性導電フィルムAuメッキNi粒子からなる平均粒子径6μmの導電性粒子8質量部に、フェノキシ樹脂YP-50、東都化成株22質量部、ジシクロペンタジエンジメタクリレートDCP、新中村化学工業株5質量部、ウレタンアクリレートM-1600、東亞合成株10質量部、アクリルゴムSG-80H、ナガセケムテックス株5質量部、リン含有メタクリレートPM2、日本化薬株1質量部、ジアシルパーオキサイド系開始剤パーロイルL、日油株2質量部、及びトルエン50質量部を混合し、得られた混合物を剥離シートに乾燥厚が16μmとなるように塗布し、80°Cで5分間乾燥することにより異方性導電フィルムを得た。また、導電性粒子の10圧縮変位時の圧縮硬さを微小圧縮試験機PCT-200、島津製作所株を用いて測定したところ、6000kgf/mm2であった。接合体図2に示すように、接続端子11上にレジスト12が1μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmと、FPC30ポリイミド厚38μm、銅配線ピッチ200μm、配線高8μmとを、前記異方性導電フィルムを用いて、170°C、4MPa、5秒という加熱加圧条件で異方性導電接続し、層構造Iの接合体を作製した。評価実施例1の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。[実施例2]接続端子11上にレジスト12が3μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmを用いた以外は、実施例1と同様にして層構造Iの接合体を作製した。実施例2の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。[実施例3]接続端子11上にレジスト12が8μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmを用いた以外は、実施例1と同様にして層構造Iの接合体を作製した。実施例3の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はC、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。[実施例4]平均粒子径3μmの導電性粒子を配合した異方性導電フィルムを用いた以外は、実施例1と同様にして層構造Iの接合体を作製した。実施例4の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。[実施例5]平均粒子径3μmの導電性粒子を配合した異方性導電フィルムを用い、接続端子11上にレジスト12が3μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmを用いた以外は、実施例1と同様にして層構造Iの接合体を作製した。実施例5の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はB、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。[実施例6]平均粒子径3μmの導電性粒子を配合した異方性導電フィルムを用い、接続端子11上にレジスト12が8μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmを用いた以外は、実施例1と同様にして層構造Iの接合体を作製した。実施例6の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はC、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。[実施例7]Au/Niメッキ樹脂粒子からなる平均粒子径5μmの導電性粒子を配合した異方性導電フィルムを用い、接続端子11上にレジスト12が3μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmを用いた以外は、実施例1と同様にして層構造Iの接合体を作製した。実施例7の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はC、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。なお、Au/Niメッキ樹脂粒子からなる導電性粒子の10圧縮変位時の圧縮硬さを微小圧縮試験機PCT-200、島津製作所株を用いて測定したところ、700kgf/mm2であった。[参照例1]厚さが35μmの異方性導電フィルムを用いた以外は、実施例1と同様にして層構造Iの接合体を作製した。参照例1の接合体の仮貼り可能温度は、40°C以上であった。また、導通抵抗の評価はC、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表1にこれらの結果を示す。[実施例8]図3に示すように、接続端子11上にレジスト12が1μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmと、接続端子41上にレジスト42が1μm被覆されたFPC40ポリイミド厚38μm、銅配線ピッチ200μm、配線高8μmとを、平均粒子径6μmの導電性粒子を配合した厚さ8μmの異方性導電フィルムを用いて、170°C、4MPa、5秒という加熱加圧条件で異方性導電接続し、層構造IIの接合体を作製した。実施例8の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はA、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[実施例9]接続端子41上にレジスト42が3μm被覆されたFPC40ポリイミド厚38μm、銅配線ピッチ200μm、配線高8μmを用いた以外は、実施例8と同様にして層構造IIの接合体を作製した。実施例9の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はA、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[実施例10]接続端子11上にレジスト12が3μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmを用いた以外は、実施例8と同様にして層構造IIの接合体を作製した。実施例10の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はA、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[実施例11]接続端子11上にレジスト12が3μm被覆されたPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μm、及び接続端子41上にレジスト42が3μm被覆されたFPC40ポリイミド厚38μm、銅配線ピッチ200μm、配線高8μmを用いた以外は、実施例8と同様にして層構造IIの接合体を作製した。実施例11の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はB、接着強度の評価はA、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[実施例12]接続端子11の配線高さが18μmのPCB10FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高18μmを用いた以外は、実施例8と同様にして層構造IIの接合体を作製した。実施例12の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はA、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[実施例13]接続端子41の配線高さが35μmのFPC40ポリイミド厚75μm、銅配線ピッチ200μm、配線高35μmを用いた以外は、実施例8と同様にして層構造IIの接合体を作製した。実施例13の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はA、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[実施例14]厚さが16μmの異方性導電フィルムを用いた以外は、実施例8と同様にして層構造IIの接合体を作製した。実施例14の接合体の仮貼り可能温度は、35°C以上であった。また、導通抵抗の評価はC、接着強度の評価はA、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[参照例2]厚さが35μmの異方性導電フィルムを用いた以外は、実施例8と同様にして層構造IIの接合体を作製した。参照例2の接合体の仮貼り可能温度は、40°C以上であった。また、導通抵抗の評価はC、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表2にこれらの結果を示す。[比較例1]図4に示すように、PCB100FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmと、FPC110ポリイミド厚38μm、銅配線ピッチ200μm、配線高8μmとを、平均粒子径6μmの導電性粒子を配合した厚さ35μmの異方性導電フィルムを用いて、170°C、4MPa、5秒という加熱加圧条件で異方性導電接続し、層構造IIIの接合体を作製した。比較例1の接合体の仮貼り可能温度は、60°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表3にこれらの結果を示す。[比較例2]図5に示すように、接続端子121間にレジスト122が塗布されたPCB120FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高35μmと、FPC110ポリイミド厚38μm、銅配線ピッチ200μm、配線高8μmとを、平均粒子径6μmの導電性粒子を配合した厚さ35μmの異方性導電フィルムを用いて、170°C、4MPa、5秒という加熱加圧条件で異方性導電接続し、層構造IVの接合体を作製した。比較例2の接合体の仮貼り可能温度は、40°C以上であった。また、導通抵抗の評価はC、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表3にこれらの結果を示す。[比較例3]厚さが16μmの異方性導電フィルムを用いた以外は、比較例2と同様にして層構造IVの接合体を作製した。比較例3の接合体の仮貼り可能温度は、40°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表3にこれらの結果を示す。[比較例4]接続端子121の配線高さが18μmのPCB120FR-4グレード:銅配線ピッチ200μm、配線高18μm、及び厚さが16μmの異方性導電フィルムを用いた以外は、比較例2と同様にして層構造IVの接合体を作製した。比較例4の接合体の仮貼り可能温度は、40°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はB、絶縁抵抗の評価はAであった。表3にこれらの結果を示す。[比較例5]接続端子111の配線高さが35μmのFPC110ポリイミド厚75μm、銅配線ピッチ200μm、配線高35μm、及び厚さが16μmの異方性導電フィルムを用いた以外は、比較例2と同様にして層構造IVの接合体を作製した。比較例4の接合体の仮貼り可能温度は、40°C以上であった。また、導通抵抗の評価はA、接着強度の評価はC、絶縁抵抗の評価はAであった。表3にこれらの結果を示す。実施例1~14に示すように、接続端子上及び接続端子間上を絶縁膜で平坦に被覆することにより、異方性導電フィルムの密着性を向上させ、仮貼り可能温度を低下させることができることが分かる。また、実施例と比較例との比較により、層構造I、IIの接合体とすることにより、ACF厚みを小さくすることができることが分かる。また、実施例2と実施例7との比較により、導電性粒子のコア材が、レジストよりも硬い金属又は合金であることにより、接続端子上のレジストを導電性粒子によって貫通させることが可能となり、優れた導通抵抗が得られることが分かる。また、実施例1、2、4、5と実施例3、6との比較により、導電性粒子の平均粒子径が、接続端子上のレジストの厚さ以上であることにより、優れた導通抵抗が得られることが分かる。また、実施例8~14に示すようにFCP40の接続端子41上にレジスト42を塗布した場合、導電性粒子の平均粒子径が、PCB10の接続端子11上のレジスト12とFCP40の接続端子41上のレジスト42との総厚さ以上であることにより、優れた導通抵抗が得られることが分かる。また、実施例8~14に示すように層構造IIの接合体によれば、層構造Iの接合体よりもACFの厚みを小さくすることができることが分かる。