高出力超音波を発生させるのに適しており、中間電極層7および圧電材料層6が交互に配置された積層体を備えたアクチュエータ5の製造工程であって、中間電極層7および圧電材料層6が交互に配置された最初の積層体5を形成するステップであって、前記積層体5の各端部が圧電材料層6または中間電極層7である、形成するステップと、隣接する層6、7を互いにしっかりと接合するステップと、前記最初の積層体5を、基本ユニット5Aに切断するステップと、各基本ユニット5Aの前記中間電極層7を互いに接続するステップと、を含んでいることを特徴とする、製造工程。隣接する層6、7を互いにしっかりと接合する前記ステップが、接着接合またははんだ付けするステップであることを特徴とする、請求項1に記載の工程。前記中間電極層7の対応する視認可能な面に接続電極8を溶接するステップを含んでいることを特徴とする、請求項1または2に記載の工程。前記中間電極7の厚さが、100μm~1mmの範囲内であることを特徴とする、請求項3に記載の工程。前記中間電極層7が、前記基本ユニット5Aの前記中間電極層7を受け入れるように意図された切り欠き8Aを備えた接続電極8を使用して互いに接続され、前記接続電極8が、少なくとも部分的に、前記最初の積層体5の前記圧電材料層6中の凹部6Bの中に位置することを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の工程。前記最初の積層体5の前記圧電材料層6中の前記凹部6Bが、前記圧電材料層6に形成された孔6Aを通して前記圧電材料層6を切断することによって得られることを特徴とする、請求項5に記載の工程。前記最初の積層体5の前記圧電材料層6中の前記孔6Aが円形であることを特徴とする、請求項6に記載の工程。前記孔6Aがドリル加工によって得られることを特徴とする、請求項7に記載の工程。前記最初の積層体5の前記圧電材料層6が、凹部6Bが設けられた2つの対向する端部を有し、前記最初の積層体5の前記中間電極層7が、凹部7Bが設けられた1つの端部を有することを特徴とする、請求項5から8の一項に記載の工程。前記最初の積層体5の2枚の連続する中間電極層7の、凹部7Bが設けられた前記それぞれの端部が、互いに向かい合って位置していることを特徴とする、請求項9に記載の工程。本発明の目的は、これらの欠点を克服することである。本発明は、特に、厚い電極層および圧電材料層の積層体を備えたアクチュエータを、単純かつ低コストで、かつ高い精度で製造することのできる工程を提供する。したがって、本発明の主題は、高出力超音波を発生させるのに適しており、中間電極層および圧電材料層が交互に配置された積層体を備えたアクチュエータの製造工程である。本発明による工程は、-中間電極層および圧電材料層が交互に配置された最初の積層体initialstackを形成するステップであって、積層体の各端部が圧電材料層または中間電極層である、ステップと、-隣接する層を互いにしっかりと接合するステップと、-最初の積層体を基本ユニットelementaryunitに切断するステップと、-各基本ユニットの中間電極層を互いに接続するステップと、を含んでいる。隣接する層を互いにしっかりと接合するステップは、接着接合またははんだ付けするステップであることが有利である。本工程は、接続電極を、中間電極層の対応する視認可能な面visiblefaceに溶接するステップを含んでいることができる。中間電極層の厚さは、数百ミクロンとすることができる。したがって、中間電極層の厚さは、100μm~1mmの範囲内とすることができる。中間電極層は、基本ユニットの中間電極層を受け入れるように意図された切り欠きを備えた接続電極を使用して互いに接続することができ、接続電極は、少なくとも一部分を、最初の積層体の圧電材料層中の凹部indentの中に位置させることができる。最初の積層体の圧電材料層中の凹部は、圧電材料層に形成された孔を通るように圧電材料層を切断することによって得ることができる。最初の積層体の圧電材料層における孔は、円形であることが好ましい。孔は、ドリル加工によって得ることができる。最初の積層体の圧電材料層は、凹部が設けられた2つの対向する端部を有することが有利であり、最初の積層体の中間電極層は、凹部が設けられた1つの端部を有することができる。最初の積層体の2枚の連続する中間電極層の、凹部が設けられたそれぞれの端部は、互いに向かい合って位置していることが有利である。以下では、本発明について、添付の図面を参照しながら例示を目的として説明する。本発明の上記以外の特徴および利点は、以下の説明を読み進めることによってさらに明らかになるであろう。工程の開始時、圧電セラミックおよび中間電極を、セラミックおよび電極の積層体が正しく整列するように注意しながら、あらかじめ組み付ける必要がある。これによって、厚いセラミック厚さ数ミリメートルと中間電極厚さ数百ミクロンとの一体的な多層積層体が得られる。セラミック層のそれぞれを通って印加される電界を使用してセラミック層を励起することを可能にするために、セラミックと中間電極とを交互に積み重ねなければならない。電界は、当該セラミック層の両側の2面に位置する2つの中間電極の端子に電圧を印加した結果として発生する。図2Aに示したように、本工程は、大きな圧電セラミックシート6と大きな中間電極箔7とを積層することで開始する。圧電セラミックシート6は、一般には寸法150mm×100mmを有し、厚さが1mm~5mmとすることができる。中間電極7は金属箔とすることができ、その寸法は150mm×100mm、厚さは好ましくは100μm~1mmの範囲内である。中間電極7は、一般には、銅合金、チタン合金、または銀合金からなる。選択する金属は、最適化するべきパラメータ、例えば、音響伝達、はんだ付けまたは接着の接合面における応力の低減、中間電極と接続電極の接続の容易性によって決まる。第2のステップにおいては、例えば図2Bに示したように、平行六面体5が得られるように積層体をはんだ付けまたは接着接合する。ほぼ完璧な幾何学形状が得られるように、平行六面体5の6つの平面を調整することができる。この平行六面体5の寸法は、一般には、150mm×100mm、高さ40mmとすることができる。平行六面体5、圧電セラミックシート6、および中間電極箔7の大きさおよび形状は、一例として示したものであり、これらに限定されない。例えば、100mm×100mmの断面領域を有するシートおよび箔を使用することもできる。はんだ付けまたは接着接合は、充填材の役割も果たす接合工程であり、平坦性の不良が補正され、したがって圧電セラミックシート6および中間電極箔7の両面に超微細研磨を施す必要がなくなる。シートと箔とをしっかりと接合するもう1つの利点として、以降に平行六面体5を最初に扱うときと、その後に基本ユニット5Aを扱うときに、固定手段clampingmeansを使用する必要がない。次いで、平行六面体5を切断して基本ユニット5Aを得る。これらの基本ユニット5Aは、例えば上述した超音波インジェクタの高出力超音波を発生することができるアクチュエータを製造するのに適する大きさすなわち、面積約15mm×15mm×40mmのものであることが好ましい図2C。非限定的なもう1つの例として、この寸法を20mm×20mm×40mmとすることができる。図2Dは、はんだ付けまたは接着接合された平行六面体5を切断した結果として得られた、正方形断面を有する例えば15mm×15mmの基本ユニット5Aを示している。圧電セラミックシート6それぞれにおいて電界が得られ、かつセラミック層6それぞれに誘導される動きの位相が逆向きになるように中間電極7を相互接続する目的で、接続電極8を使用する必要がある。図2E、図2F、および図2Gは、第1の実施形態を示している。この第1の実施形態によると、接続電極8は波形であり、中間電極7と接触する平坦な領域を備えている。接続電極8は、例えばレーザ光を使用して、中間電極7に溶接されている。中間電極7と接続電極8は、中間電極7の視認可能な面において接触している。この接触およびレーザ溶接が可能であるのは、厚さが数百ミクロン、好ましくは厚さ100μm~1mmの範囲内の中間電極7が使用されているためである。この厚さは、多層積層体に採用され、導電性接着剤を使用して接続電極に接続される極めて薄い中間電極数ミクロンの厚さと比較される。特に、中間電極7と接続電極8とを互いに溶接例えばスポット溶接することによって、高出力超音波用として適切な、特に剪断応力に対してずっと強い接合部が形成される。中間電極7と接続電極8との間の接触領域の全体または一部分を、スポット溶接することができる。図2Fは、組立後の積層体を示している。組立てがはんだ付けによって達成される場合、本工程は、当業者に周知である技術を使用して、基本ユニット5Aをバイアスさせるbiasingステップで終了することが好ましい。この動作は、適切な電圧を印加すること、および適切な温度にされた誘電油9の中に積層体を浸すことによって行われる図2G。この第1の実施形態においては、図から理解できるように、中間電極7と接続電極8が平坦な領域を介して接続されており、接続電極8の形状は、電気アークや短絡が防止されるように、逆バイアスされた中間電極7から十分に離れて維持されるように適切に設計されている。図2E、図2F、および図2Gにおいては、この適切に設計された形状は、2つの平坦な領域の間に湾曲したセクションを備えている。図3A~図3Fは、第2の実施形態を示している。この第2の実施形態においては、例えば図3Aに示したような、各中間電極7と同じ高さの切り欠きを含んだ直線状の厚い接続電極8を使用することを想定することができる。このタイプの接続電極8により、よりコンパクトな基本アクチュエータユニット5Aを得ることができる。接続電極8と中間電極7との間の接触領域は、切り欠き8Aによって大きくすることが可能である。切り欠き8Aは、接続電極8の幅全体にわたり形成された溝であることが好ましい。中間電極7に切り欠き8を介して接続電極8を接続する目的で、圧電セラミック層6すべての、接続電極8に面している面に、凹部6Bを形成する必要がある。接続電極8と逆バイアスされた中間電極7との間に十分な距離を存在させる目的で、さらに、これら中間電極7の、接続電極8に面している面に凹部7Bを形成する必要がある。このようにすることで、接続電極8と逆バイアスされた中間電極7との間の電気アークや短絡が防止される。凹部6Bおよび/または凹部7Bは、例えば、ほぼ半円形とすることができる。これらの半円形は、孔を切断した結果として得ることができる。この実施形態においては、アクチュエータの製造工程は、圧電材料シート6および中間電極箔7にドリル加工するステップを含んでいることができる。図3B、図3C、および図3Dに従って、圧電セラミックシート6に孔6Aを形成する。シート6の幅全体にわたり一列の孔6Aを形成する。これらの孔6Aの中心は、平行六面体5を切り出した後に得られる基本ユニット5Aの幅に実質的に等しい孔間距離をあけて配置されている。次いで、切断後に得られる基本ユニット5Aの長さに実質的に等しい間隔で、シート6に沿って縦方向に、この一列の孔6Aを再形成する。この間隔は、孔6Aの中心を通る、各列の軸線の間であるものと定義する。箔7の幅全体にわたり一列の孔が形成されるように、中間電極箔7においても孔7Aを同様に形成する。しかしながら、箔7の縦方向には、一列の孔7Aを2倍の間隔で反復的に形成する。本例は、正方形断面を有する基本ユニット5Aの形成に対応する。当然ながら、本例は本発明を制限するものではなく、当業者には、製造すべき基本ユニットの所望の断面に応じて、孔の位置を変更することができるであろう。セラミックシート6および中間電極箔7に孔6Aおよび孔7Aを形成する。これらのシート6およびこれらの箔7を、はんだ付け、または接着接合によって交互に接合し、次いで、平行六面体5を孔6Aの中心を通って横方向に切断する。図3Bは、圧電セラミックシート6および中間電極7のドリル加工を示している。したがって、セラミックシート6は孔6Aを含んでおり、中間電極7は孔7Aを含んでいる。したがって、中間電極箔7は、シートに沿って縦方向は、セラミックシート6の孔の1/2の数の孔を有する。さらに、2枚の連続する中間電極箔7は、一方の箔を他方に対して半回転だけ回転させることによって得られる。この形態の利点として、製造される中間電極箔7が同じであり、1枚おきに回転させることで積層体が形成される。次いで、積層体5が形成されるように、圧電セラミックシート6および中間電極箔7を交互に重ねる図3C。はんだ付けまたは接着接合の後、平行六面体5が得られ図3D、これを切断して基本積層体5Aを得る図3E。セラミックシート6の孔6Aの中心を通る軸線に沿って横方向に、かつ孔6Aの列の間を通る軸線に沿って縦方向に切断が実行される。次いで、切り欠きが形成されている接続電極8の切り欠き8Aを、中間電極7と同じ高さに位置させ、切り欠き8Aと中間電極7との間の接触領域を、例えばレーザ光を使用して溶接する。このようにすると、例えば図3Fに示すような、一体に接続された基本積層体5Aが得られる。溶接は、レーザ溶接に限定されず、当業者に公知である任意の適切な溶接方法を使用することができる。溶接動作は、特に、はんだ付けによってしっかりとした接合が得られている場合、溶接ステップの中で、当業者に公知である技術を使用して積層体をバイアスさせるステップことを含むことができる。このステップは、上述したように、適切な電圧を印加し、適切な温度にされた誘電油の中に積層体を浸すことによって行う。正方形断面の基本ユニット5Aが適切ではなく、円形断面が要求されることがある。第2の実施形態に特定のこの変形形態においては、凹部を含む基本ユニット5Aから開始し、接続電極を溶接する前に、正方形断面を有するユニット5Aを円形断面を有する一体ユニットに変換するように、機械加工工具上で正方形断面を有するユニット5Aを回転させることだけが必要とされる。接続電極の切り欠きは、これらの円盤形状の中間電極に適する任意の形状とすることができる。この場合、凹部により、中間電極を接続電極と接触させることができるようにすることが有利である。次いで、接触の品質は、正方形断面の一体基本ユニットの場合に得られる品質と同じになる。