第1微細構造物および第2微細構造物を第1基板に配置する方法であって、前記方法は以下の工程を具備する:絶縁体を具備する第1基板を準備する工程A、ここで、前記第1基板は、第1窪みおよび第2窪みを有する表面を具備しており、前記第1窪みの側面および底面は、いずれも撥水性であり、前記第2窪みの側面および底面は、いずれも撥水性であり、前記第2窪みの底面は第1電極を備え、前記第2窪みの底面と前記第1電極との間には、前記絶縁体が挟まれており、前記第1窪みおよび前記第2窪み以外の前記第1基板の表面の部分は親水性であり、前記第1基板を電解液に浸漬する工程B、前記電解液に第2電極を挿入する工程C、前記第1電極および第2電極との間に電圧を印加しながら、前記電解液に気泡を注入することによって、前記第1窪みに前記気泡を配置すると共に、前記第2窪みには前記気泡を配置させない工程D、前記第1基板の表面が上方向に向いた状態で前記電解液に第1親水面および第1撥水面を具備する前記第1微細構造物を分散し、前記第1撥水面が下方向を向いた状態で前記第1窪みに前記第1微細構造物を配置させる工程E、前記電解液に気泡を注入することによって、前記第2窪みに前記気泡を配置する工程F、および前記第1基板の表面が上方向に向いた状態で前記電解液に第2親水面および第2撥水面を具備する前記第2微細構造物を分散し、前記第2撥水面が下方向を向いた状態で前記第2窪みに前記第2微細構造物を配置させる工程G。工程Eと工程Fとの間に、前記第1基板をひっくり返す工程をさらに具備する、請求項1に記載の方法。工程Gの後に、前記第1基板に圧力を印加する工程Hをさらに具備する、請求項1に記載の方法。工程Hでは、101325Paを超える気体雰囲気下に前記第1基板を放置する、請求項3に記載の方法。工程Gの後に、第2基板を前記第1基板の表面に接合する工程をさらに具備する、請求項1に記載の方法。微細構造物を第1基板に配置する方法であって、前記方法は以下の工程を具備する:絶縁層を表面に具備する第1基板を準備する工程A、ここで、前記第1基板は、窪みを有する表面を具備しており、前記窪みの側面および底面は、いずれも撥水性であり、前記窪み以外の前記表面の部分は親水性であり、前記第1基板を電解液に浸漬する工程B、前記電解液に気泡を注入することによって、前記窪みに前記気泡を配置する工程C、および前記第1基板の表面が上方向に向いた状態で前記電解液に親水面および撥水面を具備する前記微細構造物を分散し、前記撥水面が下方向を向いた状態で前記窪みに前記微細構造物を配置させる工程D。工程Dの後に、前記第1基板に圧力を印加する工程Eをさらに具備する、請求項6に記載の方法、工程Eでは、101325Paを超える気体雰囲気下に前記第1基板を放置する、請求項7に記載の方法。工程Dの後に、第2基板を前記第1基板の表面に接合する工程をさらに具備する、請求項6に記載の方法。液体を用いて素子を配置する従来の方法では、素子を小型化することに伴って、窪みへ素子が配置される確率が低下する。その理由は以下の通りである。重力によって、素子が窪みに配置される。一方、分散液は、乱流、層流、対流による力以下、分散液の力を素子に与える。重力の大きさは素子の体積に比例するのに対し、分散液の力は素子の表面積に比例する。素子を小型化することに伴って、重力よりも分散液の力の方が大きくなる。このため、素子が重力によって窪みに配置されても、分散液の力によって素子が窪みから容易に脱離し得る。これが、上記確率を低下させる。本発明の目的は、電子素子のような微細構造物を、高い確率で正確に、基板上の窪みに配置する方法を提供することである。本発明の第1の観点は、第1微細構造物および第2微細構造物を第1基板に配置する方法であって、前記方法は以下の工程を具備する:絶縁体を具備する第1基板を準備する工程A、ここで、前記第1基板は、第1窪みおよび第2窪みを有する表面を具備しており、前記第1窪みの側面および底面は、いずれも撥水性であり、前記第2窪みの側面および底面は、いずれも撥水性であり、前記第2窪みの底面は第1電極を備え、前記第2窪みの底面と前記第1電極との間には、前記絶縁体が挟まれており、前記第1窪みおよび前記第2窪み以外の前記第1基板の表面の部分は親水性であり、前記第1基板を電解液に浸漬する工程B、前記電解液に第2電極を挿入する工程C、前記第1電極および第2電極との間に電圧を印加しながら、前記電解液に気泡を注入することによって、前記第1窪みに前記気泡を配置すると共に、前記第2窪みには前記気泡を配置させない工程D、前記第1基板の表面が上方向に向いた状態で前記電解液に第1親水面および第1撥水面を具備する前記第1微細構造物を分散し、前記第1撥水面が下方向を向いた状態で前記第1窪みに前記第1微細構造物を配置させる工程E、前記電解液に気泡を注入することによって、前記第2窪みに前記気泡を配置する工程F、および前記第1基板の表面が上方向に向いた状態で前記電解液に第2親水面および第2撥水面を具備する前記第2微細構造物を分散し、前記第2撥水面が下方向を向いた状態で前記第2窪みに前記第2微細構造物を配置させる工程G。本発明の第2の観点は、微細構造物を第1基板に配置する方法であって、前記方法は以下の工程を具備する:絶縁層を表面に具備する第1基板を準備する工程A、ここで、前記第1基板は、窪みを有する表面を具備しており、前記窪みの側面および底面は、いずれも撥水性であり、前記窪み以外の前記表面の部分は親水性であり、前記第1基板を電解液に浸漬する工程B、前記電解液に気泡を注入することによって、前記窪みに前記気泡を配置する工程C、および前記第1基板の表面が上方向に向いた状態で前記電解液に親水面および撥水面を具備する前記微細構造物を分散し、前記撥水面が下方向を向いた状態で前記窪みに前記微細構造物を配置させる工程D。本発明では、基板の窪みに気泡が配置され、そして撥水性の面を有する微細構造物が気泡に吸着される。これが、高い確率で正確に微細構造物を配置することを達成する。さらに、選択した窪みのみに気泡が配置されるので、複数の種類の微細構造物が基板上に配置される。以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。理解を容易にするために、図ではハッチングが省略され得る。実施の形態1実施の形態1では、2種類の微細構造物を基板に配置する方法が説明される。実施の形態1に係る方法は、微細構造物を用意し、そして窪みを具備する基板を用意する予備工程、および窪みに微細構造物を選択的に配置する工程1~9を具備する。図1A~図1D、図2A~図2Cおよび図3A~図3Dは、2種類の微細構造物を基板に配置する方法を示す。図4A~図4Dは、2種類の微細構造物を示す。図5Aおよび5Bは基板を示す。予備工程図4Aおよび図4Cは、それぞれ、第1微細構造物と第2微細構造物の斜投影図を示す。図4Bおよび図4Dは、それぞれ、図4Aおよび図4CのA-A線断面図である。第1微細構造物113は、第1撥水面114および第1親水面115を備える。第2微細構造物122も同様に、第2撥水面124および第2親水面123を備える。図4A~図4Dでは、第1微細構造物113および第2微細構造物122は、いずれも、台座の形状を有するが、それらの形状は限定されない。それらは、立方体、直方体、または円盤の形状を有し得る。撥水面の材料の例は、シリコンおよびCF3CF2m-mは自然数のようなフッ化アルキル基である。親水面の材料の例は、酸化シリコン、GaAs、およびGaNである。撥水性とは、滴下された純水の静的接触角が90度以上であることを意味する。親水性とは、当該静的接触角が90度未満であることを意味する。図5Aは基板の平面図、図5Bは、図5AのA-A線断面図を示す。第1基板101は、表面に絶縁体を具備する。図5Aおよび図5Bでは、第1基板101は絶縁体からなる。第1基板101は、表側に第1窪み102および第2の窪み128を具備する。各窪み102128は、側面104および底面105を具備する。第1窪み102の底面105は、第1電極103aを具備する。第1電極103aは、絶縁体によって被覆されている。すなわち、第1電極103aは、第1窪み102の底面105に露出していない。言い換えると、第1電極103は、基板101の内部に設けられている。第1電極103は基板101の裏面に設けられ得る。第2窪み128の底面105は、第2電極103bを具備する。第2電極103bは、絶縁体によって被覆されている。すなわち、第2電極103bは、第2窪み128の底面105に露出していない。言い換えると、第2電極103bは、基板101の内部に設けられている。第2電極103bは、基板101の裏面に設けられていてもよい。第1電極103aおよび第2電極103bには、それぞれ、第1電線路130および第2電線路131が接続されている。側面104および底面105はいずれも撥水性であり、窪み以外の第1基板101の表側の領域106は親水性である。第1基板101の例は、以下の1~4である。1ガラス基板、窒化シリコン基板、または表面が酸化したシリコン基板2金属板の表面に形成された酸化シリコン膜または窒化シリコン膜のような親水性の絶縁膜を有する基板3ナイロン系樹脂基板、ポリカーボネイト樹脂基板、ポリメチルメタアクリレート樹脂基板のような、親水性の表面を有する樹脂基板、または4酸素プラズマ処理して親水化した表面を有するポリイミド樹脂基板。以下に、基板101を作製する方法の代表例を示す。まず、親水性の表面を有する基板が準備される。エッチングまたは機械加工によって基板の表面に窪みが形成される。フォトリソグラフィー法または印刷法を用いて、窪みの側面および底面に電極および取り出し電極が形成される。その後、基板の全体に薄い絶縁膜が形成される。フッ化炭素基CF3CF2n;nは0以上の整数または炭化水素基CH3CH2n;nは0以上の整数を有するシランカップリング剤を含有する有機溶剤に、基板が浸漬される。その後、基板が有機溶剤から取り出され、フッ化炭素鎖または炭化水素鎖を有するシランカップリング剤を基板の表面に結合させる。これにより、基板の全ての表面は撥水性になる。その後、ガラスマスクまたはメタルマスクを用いて窪みが被覆され、そして紫外線が照射される。シランカップリング剤の消失のため、紫外線が照射された領域は親水性になる。一方、マスクにより被覆された窪みの表面は撥水性のままである。このようにして、撥水性の側面104および底面105、ならびに親水性の領域106を具備する基板101が得られる。工程1図1A示すように、得られた第1基板101は電解液181に浸漬される。容器107は電解液181を含有する。電解液181の例は、無機塩を含有している水溶液または有機塩を含有している有機溶液である。電解液181は、大きい表面張力を有することが好ましい。NaCl、KCl、NaCO3のような無機塩を溶解している水溶液が好ましい。無機塩は、1mmol/l~1mol/lの濃度を有することが好ましい。工程2図1Bに示すように、第3電極109が電解液181に挿入される。第3電極109と第2窪み128の第2電極103bとの間に直流電圧108が印加される。第2窪み128の側面104および底面105は、エレクトロウェッティング現象のため、親水性になる。工程3図1Cに示すように、シリンジ110から気泡111が電解液181中に注入される。気泡111は撥水性である第1窪み102のみに配置される。気泡111は、エレクトロウェティング現象のため親水性になった第2窪み128、および親水性の領域106には配置されない。図1Cは、第1窪み102にのみ気泡112が配置されている様子を示す。気泡112が撥水性である第1窪み102のみに配置される理由は、気泡/電解液の間および撥水領域/液体の間の界面エネルギーの減少により、電解液181、第1基板101、および気泡111を含めた系全体の自由エネルギーが低下するためである。工程4図1Dに示すように、電解液181の中に第1微細構造物113が分散される。第1基板101は上方向を向いている。より具体的には、第1微細構造物113が分散した分散液を電解液181中に供給する。第1微細構造物113が電解液181に分散されると、第1撥水面114が下を向いた状態で、第1微細構造物113は気泡112に吸着される。このようにして、第1微細構造物113は第1窪み102に配置される。図1Dは、第1微細構造物113が気泡112に吸着される様子を示す。第1微細構造物113がこのように気泡112に吸着する理由は、工程3において気泡111が第1窪み102の撥水性の表面のみに配置される理由と同じである。好ましくないが、図1Dに示すように、第1微細構造物113は、重力のため、第2窪み128に配置され得る。参照符号117は、重力により第2窪み128に配置された第1微細構造物を示す。必要に応じて、以下の工程5を実施することにより、第1微細構造物117が第2窪み128から除去される。工程5図2Aに示すように、第1基板101をひっくり返す。これにより、第2窪み128に配置された第1微細構造物117は重力により落下する。参照符号118は落下した第1微細構造物を示す。一方、気泡112に吸着している第1微細構造物113は落下しない。なぜなら、気泡112と第1微細構造物113との間に働く引力が、第1微細構造物113の重力よりも大きいためである。工程6工程6では、上述した工程2~4および必要に応じて工程5が繰り返され、他の構造物を窪みに配置する。図2Bに示すように、シリンジ119を用いて気泡120が電解液181に注入される。第2窪み128の側面104および底面105は撥水性であるので、第2窪み128の側面104および底面105に気泡120は配置される。電解液181と接している第1微細構造物113の表面は親水性であるので、当該表面に気泡は配置されない。図2Bでは、第2窪み128のみに気泡121が配置される様子を示す。第2窪み128は、電圧印加を止めた後に、撥水性に戻る。電圧印加の間に限り、エレクトロウェッティング現象により第2窪み128は親水性に変化する。電圧を印加していない時は、第2窪み128は撥水性である。工程6では、第2電極103bと第3電極109との間に電圧は印加されない。次に、図2Cに示すように、工程4と同様に、第2微細構造物122が電解液181に分散される。これにより、第2微細構造物122が気泡121に吸着される。図2Cは、第2微細構造物122が気泡121に吸着される様子を示す。工程7図3Aに示すように、容器107が耐圧容器125の中に置かれる。耐圧容器125は、チューブ127を通して圧力調整装置126に接続されている。圧力調整装置126は、高圧の空気を耐圧容器125に供給する。チューブ127を通して高圧の空気が耐圧容器125に供給され、耐圧容器125内の圧力を1より大きく100以下の気圧に調整する。次に、図3Bに示すように、圧力調整装置126を用いて、耐圧容器125内の圧力を上げる。これにより、気泡112121の体積が減少し、第1微細構造物113および第2微細構造物122を、それぞれ、第1窪み102および第2窪み128に配置する。工程8図3Cに示すように、第1基板101が電解液181からゆっくり取り出される。工程9図3Dに示すように、圧力調整装置126により、耐圧容器125内の気圧が、1atm、すなわち、国際単位系で1.013×105に等しい1atmに戻される。以上の工程1~9により、第1微細構造物113および第2微細構造物122は、第1窪み102および第2窪み128にそれぞれ配置される。工程7~工程9は、必要に応じて行われる。実施の形態2実施の形態2は、工程1~工程6の後、図6A~図6Dに示される工程を具備する。図6Aに示すように、工程6の後、第2基板201が電解液181に浸漬される。第2基板201の表面は、接着性の薄膜202を具備する。薄膜202の材料は、微細構造物を接着する性質を有する限り、限定されない。薄膜202の材料の例は、加熱によって重合する樹脂および光重合性樹脂である。薄膜202の材料が、スピンコート法、ディップ法、またはブレードコート法により第2基板201に塗布され、接着性の薄膜202を形成する。次に、図6Bに示すように、第2基板201は第1基板101に接触させられる。第1微細構造物113および第2微細構造物122は、薄膜202に接着する。図6Cに示すように、第2基板201は第1基板101から引き離され、第1微細構造物113および第2微細構造物122を接着性薄膜202に転写する。最後に、図6Dに示すように、第2基板201が電解液181から取り出される。このようにして、第1微細構造物113および第2微細構造物122が第2基板201に配置される。実施の形態3実施の形態3では、nチャネルトランジスタおよびpチャネルトランジスタを基板へ選択的に配置する。図7A~図7Fは、実施の形態3により配置されるnチャネルのトランジスタを作製する方法を示す。図7Aに示すように、シリコン基板901が用意される。当該シリコン基板901の表面は、熱酸化膜902およびp型のシリコン薄膜903を有する。当該p型シリコン薄膜903は、電子が流れるチャネル層である。図7Bに示すように、通常の半導体プロセスによりnチャネルトランジスタが形成される。このnチャネルトランジスタは、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜919、n型領域904、ソース電極905、ドレイン電極921、およびゲート電極906を具備する。ソース電極905、ドレイン電極921、およびゲート電極906の最表面は金薄膜から構成され得る。図7Cに示すように、レジスト膜907を用いて各nチャネルトランジスタが覆われる。図7Dに示すように、p型のシリコン薄膜903がドライエッチングされ、nチャネルトランジスタ素子908を得る。図7Eに示すように、基板901はフッ化アンモニウム水溶液910に浸漬され、熱酸化膜902をエッチングする。このようにして、nチャネルトランジスタ素子908がフッ化アンモニウム水溶液910に分散する。nチャネルトランジスタ素子908が分散した水溶液はテフロン登録商標フィルターを用いてろ過され、当該テフロン登録商標フィルターにnチャネルトランジスタ素子908を捕捉する図示せず。図7Fに示すように、テフロン登録商標フィルターはアセトンのような有機溶剤912に浸漬され、nチャネルトランジスタ素子908を分散する。このようにして、レジスト膜907が除去される。最後に、nチャネルトランジスタ素子908を含有する有機溶剤912はテフロン登録商標フィルターを用いてろ過され、テフロン登録商標フィルターにnチャネルトランジスタ素子908を捕捉する。当該テフロン登録商標フィルターは、メタノールおよびエタノールのような液体に浸漬され、nチャネルトランジスタ素子908を分散する図示せず。このようにして、nチャネルトランジスタ素子908を含有する分散液が調製される。nチャネルトランジスタ素子908の裏面913には酸化膜は存在しないので、当該裏面913は撥水性である。一方、nチャネルトランジスタ素子908の表面922は、露出している絶縁膜919および金電極を具備するので、親水性である。pチャネルのトランジスタ素子を含有する分散液も、上記と同様に調製される。以上によって作製したnチャネルトランジスタ素子およびpチャネルトランジスタ素子は、それぞれ、第1微細構造物113および第2微細構造物122として実施の形態1に従って基板に選択的に配置される。基板にこれらのトランジスタ素子が配置された後、フォトリソグラフィープロセスを用いてこれらのトランジスタ素子が電気的に接続される。このようにして、基板上にスイッチング回路および発信回路が形成される。実施の形態4実施の形態4では、nチャネルトランジスタおよびpチャネルトランジスタを第2基板に配置する。図7A~図7Dに示される工程によって、nチャネルトランジスタ素子908が得られる。図8Aに示すように、当該nチャネルトランジスタ素子908の表面上のレジスト膜907上に撥水膜914が形成され、nチャネルトランジスタ素子908、レジスト膜907、および撥水膜914から構成される積層構造を得る。撥水膜914を形成する方法の例は以下の通りである。レジスト膜907を有する基板901が真空スパッタリング装置に入れられ、基板901をプラズマに曝す。テトラフルオロエチレン樹脂がアルゴンプラズマによってスパッタリングされ、基板901の表面に撥水膜914を形成する。撥水膜914は小さい膜厚を有することが好ましい。具体的には、当該膜厚はおよそ2~3nmである。当該撥水膜914は多数のピンホールを有する。次に、図8Bに示すように、基板901はフッ化アンモニウム水溶液916に浸漬される。フッ化アンモニウム水溶液916は上記ピンホールを通過し、熱酸化膜902をエッチングにより溶解する。この結果、nチャネルトランジスタ素子908はフッ化アンモニウム水溶液916中に分散される。フッ化アンモニウム水溶液916に分散したnチャネルトランジスタ素子908はテフロン登録商標フィルターを用いてろ過され、テフロン登録商標フィルターにnチャネルトランジスタ素子908を捕捉する図示せず。図8Cに示すように、テフロン登録商標フィルターは過酸化水素水溶液918に浸漬され、nチャネルトランジスタ素子908を分散する。これにより、p型シリコン薄膜の最表面920は酸化により親水性になる。nチャネルトランジスタ素子908を含有する過酸化水素水918はテフロン登録商標フィルターを用いてろ過され、テフロン登録商標フィルターにnチャネルトランジスタ素子908を捕捉する図示せず。最後に、当該テフロン登録商標フィルターを液体に浸漬し、nチャネルトランジスタ素子908を分散する。好ましくは、レジスト膜907を溶解しない液体が選択される。具体的には、水溶液、またはヘキサノール、ヘプタノールのような長鎖アルキル基を持つアルコールが好ましい。得られたnチャネルトランジスタ素子908およびpチャネルトランジスタは、第1微細構造物113および第2微細構造物122として、実施の形態2と同様に基板に選択的に配置される。これらのトランジスタは、シリコン薄膜の最表面920を転写用基板に向けた状態で配置される。その後、転写用基板はアセトンのような有機溶剤に浸漬される。実施例1実施例1では、100μmの直径および3μmの厚みを有するディスク形状の構造物を基板の窪みに選択的に配置した。手順は以下の通りである。1.基板の作製基板の作製方法を図9A~図9F、図10Aおよび図10Bを参照しながら説明する。図9A~図9Fでは、上の図が平面模式図、下の図が断面模式図を示す。図10Aおよび図10Bは、断面模式図を示す。図9Aに示すように、まず、4インチの直径および500μmの厚みを有するシリコンウェーハからなる基板301を準備した。図9Bに示すように、真空プラズマCVD法を用いて、5μmの膜厚を有する酸化シリコン膜302を基板301上に形成した。図9Cに示すように、ドライエッチング法により酸化シリコン膜302をエッチングし、異なる直径を有する2種類の円形の窪みを形成した。第1窪み303は、110μmの直径および4μmの深さを有した。第2窪み304は、111μmの直径および4μmの深さを有した。図9Cは9個の窪みを図示するが、実際には、基板301は50個の第1窪み303および50個の第2窪み304を具備した。当該窪み303304は、500μmの中心間距離を有していた。当該窪み303304は、縦10列×横10列の格子状に配列された。図9Cにおいて、紙面上の上下方向を基板の縦方向、左右方向を基板の横方向と定義する。図9Cに示されるように、1列の同じ種類の窪みが縦方向に沿って配列された。そして、第1窪み303からなる列と第2窪み304からなる列とを交互に配置した。図9Dに示すように、200nmの膜厚を有する白金からなる電極305を形成した。電極305は、120μmの短辺を有する線状の領域307および10mm×10mmの正方形の領域308を具備した。線状の領域307は、第2窪み304の底面および側面を被覆した。電極305を作製する方法を、以下、具体的に説明する。まず、フォトリソグラフィー法を用いて、第2窪み304以外の領域をポジレジスト膜によって覆った。次に、真空スパッタリング法を用いて、200nmの膜厚を有する白金薄膜を基板301の表面に形成した。その後、ポジレジストを剥離し、図9Dに示される白金電極305を形成した。図9Eに示すように、800nmの膜厚を有する窒化シリコン膜309をプラズマCVD法によって形成した。窒化シリコン膜309の形状は、一辺の長さが55mmの正方形であった。窒化シリコン膜309は、全ての第1窪み303、全ての第2窪み304、および領域307を被覆した。領域308は被覆されなかった。窒化シリコン膜309を作製する方法を、以下に具体的に説明する。200mmの長さの一辺を有する正方形のメタルマスクを用意した。メタルマスクの中心は55mmの一辺を有する正方形の貫通孔を具備した。そして、全ての第1窪み303、全ての第2窪み304、および領域307が貫通孔に収まるように、メタルマスクを基板301に密着させた。さらに、基板301をプラズマCVD装置内に入れ、基板301の表面に窒化シリコン膜309を形成した。図9Fに示すように、基板301の表面の全体に撥水膜310を形成した。撥水膜310を形成する手順は以下の通りである。1volのCF3CF27C2H4SiCl3を含有するn-ヘキサデンカンおよびクロロホルム体積比4:1の混合溶液に基板301を1時間浸漬した。その後、クロロホルムで基板301を揺動しながら洗浄した。図11は、基板表面314に形成された撥水膜310の模式図を示す。図11に示される撥水膜310は単分子膜である。これに代えて、撥水膜310は、ポリマー、またはポリマーと単分子膜との混合体であってもよい。ポリマーは、2分子のCF3CF27C2H4Siがお互いOを介して結合した構造を有する。次に、図10Aに示すように、フォトマスク311を用いて、第1窪み303および第2窪み304以外の撥水膜に紫外線312を照射した。紫外線312の光源は、185nmおよび254nmの主要波長を有する低圧水銀灯であった。この結果、図10Bに示すように、紫外線312が照射された領域313のみから、撥水膜310が除去された。以上、図9A~図9F、図10Aおよび図10Bで示した工程により、基板を形成した。2.微細構造物の作製方法図12A~図12Fは、微細構造物を作製する方法を示す。図12Aに示すように、6インチの直径および500μmの厚みを有するシリコンウェーハ501上に、EB蒸着法により100nmの膜厚を有するアルミニウム薄膜502を形成した。次いで、プラズマCVD法により3μmの膜厚を有する酸化シリコン膜503を形成した。図12Bに示すように、酸化シリコン膜503上に、10nmの厚みを有するチタン薄膜および100nmの厚みを有する金属膜504を順にEB蒸着法を用いて形成した。図12Cに示すように、フォトリソフラフィー法によって、金属膜504をエッチングして金属パターン505を形成した。具体的には、形成する金のパターニングと同一形状を有するポジ型レジスト膜のパターンをフォトリソグラフィー法によって形成した。その後、シリコンウェーハ501を、金のエッチング液およびチタンのエッチング液に順に浸漬した。金のエッチング液は、ヨウ素とヨウ化カリウムを溶解した水溶液であった。チタンのエッチング液は、フッ化水素酸および硝酸を溶解した水溶液であった。その後、レジスト膜を剥離した。図12Dに示すように、ドライエッチング法により、酸化シリコン膜503をパターニングした。具体的には、酸化シリコン506と同一形状を有するポジ型レジストパターンをフォトリソグラフィー法により形成した。その後、CF4ガスを用いて酸化シリコン膜503をドライエッチングした。最後にレジスト膜を剥離した。図12Eおよび図12Fに示すように、70°Cのアルミニウムエッチング液507に基板501を浸漬し、アルミニウム薄膜502をエッチングした。アルミニウムエッチング液507は、リン酸76wt、硝酸4wt、酢酸15wt、および水5wtの混合物であった。このようにして、微細構造物510を基板501から剥離し、アルミニウムエッチング液507に微細構造物510を分散した。微細構造物510を含有するエッチング液をテフロン登録商標フィルターによってろ過し、微細構造物510をテフロン登録商標フィルターに捕捉した。その後、1volのCF3CF27C2H4SHを含有するエタノールにテフロン登録商標フィルターを浸漬し、微細構造物510をエタノールに分散した。エタノールを一晩放置した。これにより、微細構造物510の金属パターン505上に撥水膜が形成された。次に、微細構造物510を含有するエタノールをテフロン登録商標フィルターによってろ過し、テフロン登録商標フィルターに構造物510を捕捉した。最後に、テフロン登録商標フィルターをメタノールに浸漬し、微細構造物510をメタノールに分散した。メタノール10ml中に、およそ200万個の微細構造物510が分散するように、メタノールの濃度をメタノールの添加によって調整した。図13Aおよび図13Bは、それぞれ、実施例1によって作製された第1微細構造物508および第2微細構造物509を示す。第1微細構造物508および第2微細509は、いずれも、100μmの直径および3μmの厚みを有するディスク形状を有していた。第1微細構造物508の表面は、100μmの直径を有する金属パターン511を具備していた。一方、第2微細構造物509は、80μmの直径を有する金属パターン512を具備していた。これらの金属パターン511512表面上には、いずれも撥水膜513が形成された。図13Cは、金薄パターン511512上に形成された単分子膜からなる撥水膜513を示す。3.構造物の基板への配置方法図14A~図14Fは、基板301の窪み303に気泡を配置する方法を示す。図14Aに示されるように、容器701内で、基板301を第1の治具703に取り付けた。第1窪み303および第2窪み304は下方向にセットした。容器701は、縦20cm、横20cm、深さ40cmのガラス容器であった。液体702は、0.1mol/lのKClが溶解した電解液であった。第2窪み304の下部に形成した電極305と、電解液702に浸漬した第3電極704との間に、DC30Vの電圧を印加した。電極305に正電圧が、第3電極704に負電圧がそれぞれ印加された。電圧を印加した後、シリンジ707から気泡708を注入し、基板301の第1窪み303に気泡708を配置した。シリンジ707はガラス管であった。ガラス管の長さは15cmであり、ガラス管の両端の孔径は異なっていた。一端の孔径は30μmであり、他端の孔径は約10mmであった。他端にはゴムチューブを取り付け、ガラス管を介して内径30μmの孔から液体702に圧縮空気を注入した。図16Aは、基板301を固定する前の、第1の治具703の模式図である。図16Bは、基板301を固定した後の、第1の治具703の模式図である。第1の治具703は窓717を具備していた。窓717にシリンジ707の先端を挿入し、気泡708を基板301に到達させた。気泡708を配置した後、電圧の印加を止め、第1の治具703を電解液702から取り出した。図14Bは、第1微細構造物508を第1窪み303に配置する方法を示す。図14Bに示されるように、基板301に気泡708を配置させた後、液体702中に第2の治具710を浸漬し、第2の治具710に基板301を固定した。シリンジ709を用いて、メタノールに分散した第1微細構造物508を電解液702に注入した。注入した第1微細構造物508の数は、おおよそ5万個であった。シリンジ709は、1mlの容量を有するパスツールピペットであった。図14Cに示すように、第1窪み303および第2窪み304が鉛直下向きになるように、基板301をひっくり返した。図14Dおよび図14Eに示すように、電圧を印加しないことを除き、図14Aと同じように気泡712を第2窪み304に配置し、そして基板301を第2の治具710に固定した。図14Fに示すように、図14Bと同様に第2微細構造物509を電解液702に注入した。図15Aに示すように、容器701を耐圧容器714に入れた。そして、耐圧容器714および圧力調整装置715を、チューブ716を介して連結した。図15Bに示すように、圧力調整装置715から圧縮空気を耐圧容器714内に送り、耐圧容器714内の圧力を10気圧に設定した。これは、第1窪み303および第2窪み304に配置した気泡712の体積を減少させ、第1微細構造物508および第2微細構造物509を、それぞれ、第1窪み303および第2窪み304に配置した。最後に、図15Cに示すように、第2の治具710を鉛直上方に持ち上げ、基板301を電解液702から取り出した。その後、圧力調整装置715を用いて、耐圧容器714の圧力を大気圧に戻した。このようにして、第1微細構造物508および第2微細構造物509を基板301に配置した。評価方法と結果光学顕微鏡を用いて、第1窪み303および第2窪み304にそれぞれ配置された第1微細構造物508の数および第2微細構造物509の数を調べた。本発明者は、配置された各第1微細構造物508および各第2微細構造物509が表面または裏面のどちらを向いているかも調べた。表1に結果を示す。表1から理解されるように、第1微細構造物508および第2微細構造物509は、撥水膜513を有する金属パターン511512が基板側に向くように、それぞれ第1窪み303および第2窪み304に配置される。ほとんど全ての第1窪み303には第1微細構造物508が、ほとんど全ての第2窪み304には第2微細構造物509が、それぞれ選択的に配置される。原理的には、本発明の方法によれば、第1窪み303に第1微細構造物508が、第2窪み304に第2微細構造物509が配置される。それらの金属面511/512が基板側を向く。ここで、第1窪み303および第2窪み304へ微細構造物が配置される確率Pa、Pbを求めた。Pa:第1窪み303に、金属面を基板側に向けて配置した第1微細構造物508の数を50で除算した値Pb:第2窪み304に、金属面を基板側に向けて配置した第2微細構造物509の数を50で除算した値第1微細構造物508および第2微細構造物509が、それぞれ、第1窪み303および第2窪み304により正確に配置されると、PaおよびPbはより大きくなる。表1から求められるPaおよびPbは、いずれも0.86である。比較例1比較例1では、特許文献1と同様に第1微細構造物508を、基板301の第1窪み303に配置した。基板は、図9A~図9Cの工程により得た。図9D~図9F、図10Aおよび図10Bの工程は行われなかった。撥水膜を形成しなかったことを除き、第1微細構造物508を図12に示される手法により作成した。図14Bに示される手法により、第1微細構造物508を第1窪み303に配置した。ただし、図14Aおよび図14C~14Fに示される工程は行われなかった。液体702は純水であった。液体702に供給された第1微細構造物508の数は、おおよそ10万個であった。第1微細構造物508を配置した後、基板301を液体702から取り出した。基板301の表面を光学顕微鏡で観察し、第1窪み303に配置された第1微細構造物508の数と、当該第1微細構造物508の裏表の向きを調べた。表2はその結果を示す。比較例1では、第1微細構造物508は裏表を区別せず第1窪み508に配置される。第1窪み303に第1微細構造物508が配置される確率を、第1窪み303に配置された第1微細構造物508の数を、第1窪み303の総数100によって除算した値と定義した。第1微細構造物508が第1窪み303により正確に配置されると、当該確率は大きくなる。表2から算出される当該確率は0.1であった。実施例1における確率PaおよびPbは、いずれも、上記の確率0.1よりも大きい。これは、本発明の方法は従来の方法よりも優れていることを意味する。実施例2図15A~Cの工程に代えて、以下の工程を行ったこと以外は、図14A~図14Fと同様に、第1微細構造物508および第2微細構造物509を、それぞれ、第1窪み303および第2窪み304に配置した。85wtのドデシルメタアクリレート、14.5wtのトリエチレングリコールヂメタアクリレート、および0.5wtのベンゾイルパーオキサイドを含有する混合液がガラス基板にスピンコートされ、ガラス板の表面に熱硬化性樹脂を形成した。図14Fの工程の後、当該ガラス板を、基板301に密着させ、第1微細構造物508および第2微細構造物509をガラス板に転写した。当該ガラス板は、100mmの直径および1mmの厚みを有していた。その後、ガラス板を液体702から取り出した。最後に、ガラス板を100°Cで10分間加熱し、第1微細構造物508および第2微細構造物509をガラス板に固定した。以上により、第1微細構造物508および第2微細構造物509は、ガラス板に配置された。