"真空チャンバ内に蒸着源ユニットを有する蒸着装置であって、前記蒸着ユニットは、蒸発材を収容する坩堝と、前記坩堝の開口部に取り付けられたノズルと、前記坩堝を囲み、ヒータを収容するヒータ室と、固定具を有し、前記坩堝の内壁と前記ヒータ室との間には、前記坩堝において溶融した前記蒸発材または前記蒸発材の蒸気が前記ヒータ室に侵入することを阻止する切欠きを有することを特徴とする蒸着源ユニットを有する蒸着装置。前記ノズルは前記固定具よりも上方にはみ出している構造であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。前記ノズルの開口は横向きであることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。前記蒸発源ユニットの軸は斜めに配置され,前記ノズルの開口は横向きであることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。前記ノズルに補助ヒータを備え,前記ノズルが前記蒸発源の融点以上に加熱されることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。前記補助ヒータが坩堝内に埋め込まれた構造であることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。前記ヒーター室は、前記坩堝と前記坩堝を囲む外筒との空間に形成され、前記坩堝のつばが前記外筒の外部側面にまで伸びる坩堝外延部を有し、かつ、坩堝外延部端部が前記固定具側面端部より伸びていることを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。前記坩堝外延部を有する蒸発源は前記外筒を冷却する冷却機構を前記外筒の外部に有することを特徴とする請求項7に記載の蒸着装置。前記坩堝外延部を有する蒸発源は前記外筒を冷却する冷却機構を外筒自体の内部に有することを特徴とする請求項7に記載の蒸着装置。真空チャンバ内に蒸着源ユニットを有する蒸着装置であって、前記蒸着ユニットは、蒸発材を収容する坩堝と、前記坩堝の開口部に取り付けられたノズルと、前記坩堝を囲み、ヒータを収容するヒータ室と、固定具を有し、前記坩堝はつばを有し、前記坩堝のつばの上方に対向して固定具が存在し、前記坩堝の内端よりも前記固定具の内端が外側に存在することを特徴とする蒸着装置。真空チャンバ内に蒸着源ユニットを有する蒸着装置であって、前記蒸着ユニットは、蒸発材を収容する坩堝と、前記坩堝の開口部に取り付けられたノズルと、前記坩堝を囲み、ヒータを収容するヒータ室と、固定具を有し、前記坩堝はつばを有し、前記ノズルは前記坩堝に取り付けられ、前記ノズルの開口部を含む平面には対向する部材が存在しないことを特徴とする蒸着装置。前記ノズルは、前記坩堝のつばを含む平面に対して垂直方向外側に突出して形成されていることを特徴とする請求項10に記載の蒸着装置。真空チャンバ内に蒸着源ユニットを有する蒸着装置であって、前記蒸着ユニットは、蒸発材を収容する坩堝と、前記坩堝の開口部に取り付けられたノズルと、前記坩堝を囲み、ヒータを収容するヒータ室と、固定具を有し、前記坩堝はつばを有し、前記ノズルの下端は前記坩堝の内壁に存在しており、前記ノズルは平板であり、前記ノズルの外側対向部分には他の部材が存在しないことを特徴とする蒸着装置。真空チャンバ内に蒸着源ユニットを有する蒸着装置であって、前記蒸着ユニットは、蒸発材を収容する坩堝と、前記坩堝の開口部に取り付けられたノズルと、前記坩堝を囲み、ヒータを収容するヒータ室と、固定具を有し、前記坩堝はつばを有し、前記ノズルの下端は前記坩堝の内壁に存在しており、前記ノズルは筒状であり、前記坩堝のつばを含む平面に対して垂直方向外側突出しており、前記ノズルの先端部は平面となっており、前記平面に開口が形成されていることを特徴とする蒸着装置。蒸発源のAlは溶融された場合、溶融したAlが坩堝の内壁面に沿って上昇し、坩堝からあふれ出る、這い上がり現象が発生することが知られている。このAlの這い上がり、あるいはAl蒸気浸入により、Alが加熱用ヒータ、あるいはヒータを支持し電気的絶縁性をもつべき碍子に付着して電気的短絡を生じ、蒸発源故障、破損の原因となる問題があった。また、坩堝本体とノズルを一体とした坩堝では、製作が困難で高コストになる問題があった。本発明の目的は、Alの這い上がり、あるいはAl蒸気浸入を防止して破損の起こりにくい蒸発源を有する蒸着装置を低コストで提供することである。本書において開示される発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の通りである。発明者は、実験とその繰り返しによる経験により、アルミの這い上がり、あるいはAl蒸気浸入に関する以下の知見を得た。図17は、図18と同様に、溶融Alが坩堝つば8を有する坩堝本体1とノズル2、および円筒状の固定具7で囲まれた経路隙間を這い上がったり、坩堝本体1とノズル2の隙間からAl蒸気としてヒータ室に入り込む場合である。実際、短期においても1400°C以上でAl蒸着後観察すると、Alは坩堝つば8とノズル2の隙間に浸入し、ヒータ室にまで回り込んでいた。また、1400°C以下において這い上がりが顕著に見られない場合においても長時間使用後には、ヒータ3の変質、リフレクタ4上部へのAl付着、リフレクタ物質の変質、変形が見られるようになった。これは、坩堝本体1内のAl蒸気が、坩堝つば8とノズル2、および円筒状の固定具7により、矢印と点線で示したような経路11が形成され、この経路に沿ってAl蒸気がヒータ室10に浸入したためと考える。この様な状態のままAl蒸着を行うために高温に加熱すると、ヒータ室10内のAlが蒸発して坩堝つば裏側に堆積したり、ヒータ3を支えリフレクタに接する図示しない絶縁碍子表面にAlが堆積して、ヒータ3が短絡し易くなる。また、ヒータ線が変質して断線し易くなる。以上のように、図17のような構造では、Alが這い上がり、Al蒸気がヒータ室へ浸入し易い経路11ができるので、蒸発源が故障、破壊し易くなる。一方、図17のノズル2上面にはAlの這い上がりは見られず、Al上面と円筒状固定具7の隙間もノズル2開口部9から離れているため、Al蒸気のヒータ室10への侵入は起こりにくい。ノズル2上面へのAlの這い上がりが見られなかったのは、Al上面が真空に開放されており熱輻射が大きく開口部9に比べて温度の低下が大きいためと考えられる。以上より、坩堝1内からのAl蒸気がヒータ室3への浸入し易い経路を形成しない構造にすれば、Alが這い上がり難くなり、またAl蒸気がヒータ室へ入り難くなり、蒸発源が故障、破壊し難くなると考えられる。そこで、図1に示す構造の蒸発源を考案した。図17との違いは、ノズル2と坩堝本体1との関係である。図1では、ノズル2は坩堝本体1の内側に配置されるため、図17のような経路11に対して切欠き12を設けた。ここで、切欠き12とは、ノズルの開口部付近には、蒸気をヒーター室に導くような経路を存在させないような構成である。この切欠き12の存在により、坩堝つば8とノズル2、および円筒状の固定具7によってもAl蒸気浸入の経路が形成されない。また、Alは高温で金属と反応して合金を作るため、坩堝はセラミックなどの絶縁体で製作される。例えばPBNPyrolyticBoronNitrideは気相成長法によって作られた窒化ホウ素BNである。このため、坩堝本体1とノズル2が一体となったオーバーハング構造は製造に時間がかかり高コストになる。坩堝本体は、オーバーハング構造ではない、すなわち、底部より開口部が拡がる構造とする。したがって、それぞれ別個に作製して組合わせた方が低コストになり、また、条件によってノズルの開口径を変える事が出来、使い勝手もよくなる。また、図5に示すように、ノズル構造物2を坩堝本体1からはみ出させる。これにより、ノズル開口部の温度が低下しAlの這い上がりを防止できる。以上をまとめると、具体的な主な手段は以下のとおりである。1少なくとも、固定具と、ノズル構造物と、坩堝と、加熱部ヒータからなり、ノズル構造物は前記坩堝開口部に設けられ、前記ノズル構造物とそれ以外の蒸発源部品で形成される経路が加熱部の存在する空間ヒータ室につながらない構造であることを特徴とする蒸着装置。または、少なくとも、固定具と、ノズル構造物と、坩堝と、加熱部ヒータからなり、ノズル構造物は前記坩堝開口部に設けられ、前記ノズル構造物とそれ以外の蒸発源部品で形成される経路が加熱部の存在する空間ヒータ室との間の経路に切欠きを有する構造であることを特徴とする蒸着装置。2さらに、前記ノズル構造物は坩堝外部にはみ出してなる構造であることを特徴とする蒸着装置。ノズル構造物とそれ以外の蒸発源部品で形成される経路が加熱部の存在する空間ヒータ室との間に切欠きを有する構造であるため、Al蒸気がヒータ室に入り込み難く、Alのヒータ室への回り込み這い上がりも発生し難い。また、前記ノズル構造物は固定具から坩堝外部にはみ出してなる構造であるため、坩堝より温度が低下しており、Alの這い上がりが発生しにくい。さらに、底部より開口部が拡がる構造の坩堝は製作し易いため、低コストである。これにより、Al蒸気の回り込み、アルミの這い上がりを防止出来て故障、破損が起こりにくい蒸発源を有する蒸着装置を安価に提供することが出来る。以下、実施例を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。尚、実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。図1から図4、および図17は本実施例を説明する図である。図1は本実施例の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。図17は実施例1との比較のための蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。図2は実施例1の蒸着装置の坩堝の説明図である。図3は実施例1の蒸着源を用いた蒸着装置の概略構成図である。図4は有機ELディスプレイ生産工程の一例を示した工程図である。まず、実施例1との比較のため、図17の蒸着装置の蒸発源について説明する。図17の蒸発源は、坩堝つば8を有する坩堝本体1、ヒータ加熱器3、リフレクタ4、蒸発材5、外筒6、開口部9を有するノズル2、および固定具7からなる。外筒6と坩堝1に囲まれヒータ3の存在する領域をヒータ室10と呼ぶことにする。図17において、図示しない電源からの電力により高温になったヒータ3により坩堝本体1に入っている蒸発材5であるAlが融点660°C以上に加熱されて溶融状態となる。リフレクタ4によりヒータ3からの輻射熱を反射させてヒータ3あるいは坩堝1に戻し発生した熱が出来るだけ無駄なくAlの加熱に用いられるようにしている。これらは外筒6の中に納まり、坩堝1は坩堝つば8で外筒6に支持されている。坩堝つば8上に開口部9を有するノズル構造体2が配置され、坩堝1とノズル2は、固定具7により外筒6に固定される。これらが高真空に維持された図示されない真空チャンバの中に設置されている。外筒6は図示されない水冷などの冷却機構により冷却され、真空チャンバ内への余計な放出ガスを抑制したり、真空チャンバ自身の高温化を抑制している。溶融状態のAlからはAl蒸気が発生し坩堝1内に満たされ、ノズル2の開口部9からAl蒸気が噴出される。その噴出したAl蒸気は図示されないノズル2の開口部9に対応して配置された基板に吹き付けられ蒸着される。この蒸発源のAlは溶融された場合、溶融したAlが坩堝1の内壁面に沿って上昇し、坩堝からあふれ出る、這い上がり現象が発生することが知られている。図17では、溶融Alが坩堝つば8を有する坩堝本体1とノズル2、および円筒状の固定具7で囲まれた経路隙間を這い上がったり、坩堝本体1とノズル2の隙間からAl蒸気としてヒータ室に入り込む。実際、短期間に1400°C以上でAl蒸着後観察すると、Alは坩堝つば8とノズル2の隙間に浸入し、ヒータ室にまで回り込んでいた。また、1400°C以下において這い上がりが顕著に見られない場合においても長時間使用後には、ヒータ3の変質、リフレクタ4上部へのAl付着、リフレクタ物質の変質、変形が見られるようになった。これは、坩堝本体1内から発生したAl蒸気が、坩堝つば8とノズル2、および円筒状の固定具7により形成された、矢印と点線で示したような経路11に沿ってヒータ室10に浸入したためと考える。この様な状態のまま、Al蒸着を行うためにヒータを加熱すると、ヒータ室10内の前記経路11により入り込み堆積したAlが再び蒸発して坩堝つば裏側に堆積したり、ヒータ3を支えリフレクタ4に接する図示しない絶縁碍子表面にAlが堆積して、ヒータ3が短絡し易くなる。また、ヒータ線が変質して断線し易くなる。以上のように、図17のような構造では、Alが這い上がり、Al蒸気がヒータ室へ浸入し易い経路11ができるので、蒸発源が破壊、故障し易くなる。しかし、図17のノズル2上面にはAlの這い上がりは見られず、Al上面と円筒状固定具7の隙間もノズル2開口部9から離れているため、Al蒸気のヒータ室10への侵入は起こりにくい。ノズル2上面へのAlの這い上がりが見られなかったのは、Al上面が真空に開放されており熱輻射が大きく開口部9に比べて大きく温度が低下しているためと考えられる。以上より、坩堝1内からのAl蒸気がヒータ室3への浸入し易い経路を形成しない構造、あるいはAl蒸気のノズルからヒータ室への経路に切欠きあるいは途切れを有するようにすれば、Alの這い上がり、Al蒸気のヒータ室へ回り込みがし難くなり、蒸発源が破壊、故障し難くなると考えられる。図1は本発明の実施例1の蒸発源の構成を示す断面図である。図17との違いは、ノズル2と坩堝本体1との関係である。図1では、ノズル2は坩堝本体1の内側に配置されるため、図17のようなAlの蒸気等の経路が形成されていない。すなわち、経路11に対する切欠き12が設けられている。ここで、切欠き12とは、ノズルの開口部付近に、蒸気をヒーター室に導くような経路を存在させないような構成を言う。すなわち、図1において、切欠き12とは、点線で示したように、ノズルの開口部付近において、固定具7とノズル2あるいは坩堝つば8との間に蒸気をヒーター室10に導くような経路が形成されておらず、蒸気は上方、外側に向かって放出されるのみである。この切欠き12の存在により、坩堝つば8とノズル2、および円筒状の固定具7によってもAl蒸気浸入の経路が形成されない。図1の全体を蒸着源ユニット26と呼ぶ。図1、図17において、坩堝つば8と固定具7、坩堝つば8と外筒6、固定具7と外筒6は大きく離れたように描かれているが、これは、経路を説明しやすくするために、わざと離して描いたものである。実際に、これらは接触して設置されるが、ミクロに見ると図のような隙間が生じていることを誇張して描いたものである。以下の同様な図も同じである。また、Alは高温で金属と反応して合金を作るため、坩堝はセラミックなどの絶縁体で製作される。例えばPBNPyrolyticBoronNitrideは気相成長法によって作られた窒化ホウ素BNである。このとき、坩堝の開口部を小さくしようとすると、坩堝本体がオーバーハング構造となる。しかし、坩堝本体1とノズル2が一体となったオーバーハング構造は時間がかかり高コストになる。すなわち、坩堝を気相成長によって形成するためには、型のまわりにPBNを堆積させるが、オーバーハング構造では、型を抜き取ることが出来ず、型を溶かさなくてはならない。したがって、坩堝の製作時間および材料コストがかさむ。本発明においては、坩堝本体1とノズル2とを別個に作成する。したがって、本発明における坩堝本体1は、オーバーハング構造とする必要がない。すなわち、底部と開口部とは同じ径であるか、底部より開口部が拡がる構造とすることが出来る。つまり、坩堝本体1を気相成長によって形成するための型を溶かす必要がなく、型を引き抜くことが出来る。したがって、坩堝1の製作費用を抑えることが出来る。つまり、本発明では、ノズル2と坩堝1を別個に製作して組み立てるが、そのコストは、オーバーハング構造の坩堝を作成するよりも低く抑えることが出来る。また、ノズルの開口径も容易に変えることが出来、使い勝手もよくなる。図2A、Bは、実施例1の蒸着装置の坩堝の説明図である。図2A、Bにおいては、図1において簡単のため省略したノズル2を支える坩堝1の支持構造13を記載した。坩堝1は支持構造13を有しても坩堝1の底から開口部に向かって断面が狭くなることはない。図2A、Bにおいては、坩堝1の底と開口部は同じ径であるが、開口部の径が大きいほうがよい。このように、本発明の坩堝1は開口部に向かってオーバーハングな構造ではなく、底部と開口部の径が同じか、むしろ開口に向かって断面が広がる構造である。このような構造にすることによって、CVDによる製作過程が簡単になり、オーバーハングな構造を製作するよりも低コストになる。なお、以下の実施例の図においては、特に断らない限り、簡単のためノズル2を支える坩堝1の支持構造13の記入を省略する。このように、実施例1の蒸着装置の蒸着源においては、図1に示すように、ノズル構造物とそれ以外の蒸発源部品で形成される経路がヒータ加熱部3の存在する空間ヒータ室との間に切欠き12を有する構造であるため、Al蒸気がヒータ室に入り込み難く、Alのヒータ室への回り込みや這い上がりも発生し難い。さらに、底部より開口部が拡がる構造の坩堝は製作し易いため、低コストである。これにより、Al蒸気の回り込み、Alの這い上がりを防止出来て、故障、破損が起こりにくい蒸発源を有する蒸着装置を安価に提供することが出来る。図3は、実施例1の蒸着源を用いた蒸着装置の概略構成図である。高真空に維持された、真空チャンバ14の中に、基板15と、その上に成膜された有機薄膜16と、基板を保持するための図示されない基板保持部が配置されている。また、基板上にパターンを形成するためのメタルマスク17と、図1の蒸発源ユニットを複数個並べた蒸発源18、基板15への成膜レートをモニタする蒸発源に固定された膜厚モニタ19、および蒸発源18を移動させる水平移動機構20が設けられている。この水平移動機構20によって、蒸発源18は蒸発源ガイド21に沿って真空チャンバ14内を水平移動する。膜厚モニタ19からの信号を受けて膜厚情報を電源23にフィードバックする膜厚制御器22と、蒸発源18が備える図示しない坩堝を加熱して蒸発源18から蒸発粒子26を発生させるために蒸発源18の温度を制御する電源23と、水平駆動機構20により蒸発源18を水平に移動させる水平駆動機構制御器24と、前記電源23と前記膜厚制御器22、および水平駆動機構制御器24を制御する制御器25を備えている。基板15に成膜された有機薄膜の次には、界面層としてアルカリ金属やアルカリ土類金属の酸化物やフッ化物、例えばLiFなどの極薄膜~0.5nmが形成される。この後にAl薄膜~150nmが形成される。このAl薄膜を全て蒸着で形成する場合や、より薄いAl薄膜を蒸着で形成した後、真空チャンバ18から別の真空チャンバに移動してスパッタにより残りのAl薄膜を形成する場合がある。Alの蒸着は以下のように行う。制御器25により膜厚制御器22、電源23、水平駆動機構制御器24が制御される。電源23により蒸発材としてAlが収容された複数個の蒸発源ユニットの各ヒータがそれぞれ加熱され、これらの蒸発源ユニットからなる蒸発源18の上向きの各ノズル開口から、蒸着粒子26、今の場合Al粒子蒸気が基板15に向かって噴射する。膜厚制御器22は、噴出されたAl粒子の一部を検出する膜厚モニタ19からの信号を受けて膜厚情報を電源23にフィードバックし、蒸発源18が備える図示しない坩堝を加熱して蒸発源18から蒸発粒子26を発生させるために蒸発源18の温度を制御して、基板へのAl蒸着速度を一定に維持する。蒸発源18の蒸発源ユニットにはそれぞれ坩堝1の温度を検出する図示されない温度検出器が備えられ、各蒸発源ユニットの坩堝温度をモニタし、ほぼ1400°Cに維持された上で、膜厚モニタ19を用いてより正確に蒸着膜厚が制御される。図3には膜厚モニタ19は1個しか描かれていないが、蒸発源18の各蒸発源ユニットに対して1個づつ設けて個別に蒸着速度を制御することが望ましい。蒸着源18は、水平駆動機構制御器24により制御される水平移動機構20によって蒸発源ガイド21に沿って真空チャンバ14内を水平移動する。蒸着源18は片道、あるいは往復水平方向に走査され、メタルマスク17を通して基板15上に形成された有機薄膜16、LiF薄膜上に蒸着されAl薄膜が形成される。図4は、有機ELディスプレイ生産工程の一例を示した工程図である。図4において、有機層と有機層に流れる電流を制御する薄膜トランジスタTFTが形成されたTFT基板と、有機層を外部の湿気から保護する封止基板は別々に形成され、封止工程において組み合わされる。図4のTFT基板の製造工程において、ウェット洗浄された基板に対してドライ洗浄を行う。ドライ洗浄は紫外線照射による洗浄を含む場合もある。ドライ洗浄されたTFT基板に先ず、TFTが形成される。TFTの上にパッシベーション膜および平坦化膜が形成され、その上に有機EL層の下部電極が形成される。下部電極はTFTのドレイン電極と接続している。下部電極をアノードとする場合は、例えば、ITOIndiumTinOxide膜が使用される。下部電極の上に有機EL層が形成される。有機EL層は複数の層から構成される。下部電極がアノードの場合は、下から、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層である。このような有機EL層は蒸着によって形成される。有機EL層の上には、各画素共通に、ベタ膜で上部電極が形成される。有機EL表示装置がトップエミッションの場合は、上部電極にはIZO等の透明電極、あるいは、Ag、MgAg等の金属あるいは合金が使用され、有機EL表示装置がボトムエミッションの場合は、Ag、Mg、Al等の金属膜が使用される。以上で説明した前記のAl蒸着等の例は本工程での上部電極の蒸着に相当する。図4の封止基板工程において、ウェット洗浄およびドライ洗浄を行った封止基板に対してデシカント乾燥剤が配置される。有機EL層は水分があると劣化をするので、内部の水分を除去するためにデシカントが使用される。デシカントには種々な材料を用いることが出来るが、有機EL表示装置がトップエミッションかボトムエミッションかによってデシカントの配置方法が異なる。このように、別々に製造されたTFT基板と封止基板は封止工程において、組み合わされる。TFT基板と封止基板を封止するためのシール材は、封止基板に形成される。封止基板とTFT基板を組み合わせた後、シール部に紫外線を照射して、シール部を硬化させ、封止を完了させる。このようにして形成された有機EL表示装置に対して点灯検査を行う。点灯検査において、黒点、白点等の欠陥が生じている場合でも欠陥修正可能なものは修正を行い、有機EL表示装置が完成する。なお、封止基板が存在しない、いわゆる固体封止の有機EL表示装置の製造についても、本発明の蒸着装置を使用できることは言うまでもない。図5は実施例2の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。図1に示したリフレクタ4は簡単のため省略されている。以下の図においても、特に説明に必要でない限り省略する。実施例1の図1と異なる部分のみを説明する。実施例3以降の実施例でも同様である。本実施例の特徴は、ノズルを有する構造物2が固定具7から外側、つまり、坩堝つば8を含む平面に対して垂直方向外側にはみ出している構造であることである。また、ノズルを有する構造物2の開口は上向きである。ノズルを有する構造物2が固定具7から外側、つまり、坩堝つば8を含む平面に対して垂直方向外側にはみ出している構造であるため、坩堝1より温度が低下しており、Alの這い上がりが発生しにくい。Al蒸気のノズルからヒータ室への経路に切欠き12を有するため、Al蒸気のヒータ室10への回り込みも発生し難い。図5において、坩堝のつば8を含む平面に対して垂直方向外側に突出した円筒状のノズル2の下端は、坩堝1の内壁に取り付けられている。ノズルの開口部は、ノズル2の先端の平面部に形成されている。そして、ノズル2の開口部を含む平面の外側には、対向する部材は存在しない。したがって、蒸発源の蒸気がヒーター室10に侵入する経路は形成されていない。さらに、ノズル構造物9も坩堝1と同様にPBNで作られるが、ノズル構造物2の開口部9を基準に図5の下方に向かって断面積が狭くなることがないので、製作が容易で低コストである。図6は実施例2の蒸着装置の概略構成図である。水平に寝かされた基板15の一辺に平行に配置された複数個の蒸着源ユニット26から成る蒸着源18が、水平に配置された基板15に対して、実施例1と同様な機構により水平に走査され、基板15にAlが蒸着され、薄膜が形成される。以上のように、本実施例においても、Alの這い上がりが発生し難く、Al蒸気のヒータ室10への回り込みも発生し難く、製作も容易なので、故障、破損しにくい蒸発源を安価に提供することが出来る。図7は実施例3の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。本実施例の特徴は、ノズルを有する構造物2が固定具7から坩堝1および坩堝つば8外部にはみ出している構造で、ノズル構造物2の開口9が水平方向を向いていることである。本実施例においてもノズル構造物2が固定具7から坩堝1および坩堝つば8外部にはみ出している構造であるため、坩堝1より温度が低下しており、Alの這い上がりが発生しにくい。Al蒸気のノズルからヒータ室への経路に切欠き12を有するため、Al蒸気のヒータ室10への回り込みも発生し難い。図8は実施例3の蒸着装置の概略構成図である。垂直に立てられた基板15の一辺に平行に配置された複数個の縦置きの蒸着源ユニット26から成る蒸着源18が、垂直に配置された基板15に対して、実施例1と同様な機構により上下方向に走査され、基板15にAlが蒸着され、薄膜が形成される。以上のように、Alの這い上がりが発生し難く、Al蒸気のヒータ室10への回り込みも発生し難いので、故障、破損しにくい蒸発源を提供することが出来る。また、垂直に立てられた基板に対して、複数の蒸発源ユニットから成る蒸着源の上下方向の走査をする際、蒸発源ユニットを縦置きで蒸発粒子を水平方向に噴出させることが出来る効果もある。図9は実施例4の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。本実施例の特徴は、ノズル構造物2が固定具7から坩堝1および坩堝つば8外部にはみ出している構造で、坩堝が斜め向きであるが、ノズル構造物2の開口9が水平方向を向いていることである。本実施例においてもノズル構造物2が固定具7から坩堝1および坩堝つば8外部にはみ出している構造であるため、坩堝1より温度が低下しており、Alの這い上がりが発生しにくい。Al蒸気のノズルからヒータ室への経路に切欠き12を有するため、Al蒸気のヒータ室10への回り込みも発生し難い。また、ノズル構造物9も坩堝1と同様にPBNで作られるが、ノズル構造物2の図9の開口部9のある左上部を基準に図5の下方に向かって断面積が狭くなることがないので、製作が容易で低コストである。図10は実施例4の蒸着装置の概略構成図である。垂直に立てられた基板15の一辺に平行に縦方向に配置された複数個の斜め置きの蒸着源ユニット26から成る蒸着源18が、垂直に配置された基板15に対して、実施例1と同様な機構により水平方向に走査され、基板15にAlを蒸着し、薄膜が形成される。蒸発粒子はノズル構造物2の開口が水平方向を向いているので、水平方向を中心に噴出する。したがって、垂直に配置された基板に蒸着粒子を斜め方向に噴出させて蒸着するよりも、より一様性のよい蒸着が出来る。あるいは蒸発材の利用効率を高めることが出来る。蒸発源ユニットの軸は斜めであるため縦に並べることが出来、水平走査出来る。開口が斜め向きの場合より蒸着分布が拡がり、少ない蒸発源で均一な膜形成が出来る。以上のように、Alの這い上がりが発生し難く、Al蒸気のヒータ室10への回り込みも発生し難く、製作も容易なので、故障、破損しにくい蒸発源を安価に提供することが出来る。また、垂直に配置された基板に対して、複数の蒸発源ユニットから成る蒸着源の水平方向の走査をすることが出来、蒸発源ユニットを斜め置きで蒸発粒子を水平方向に噴出させることが出来、一様性よく蒸発材利用効率によい成膜が出来る効果もある。図11は実施例5の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。本実施例の特徴は、ノズル構造物2が固定具7から坩堝1および坩堝つば8外部にはみ出している構造で、ノズル構造物2に補助ヒータ27が付いていて、前記ノズル構造物2が融点以上に維持されることである。ノズル構造物2が固定具7から坩堝1および坩堝つば8外部にはみ出している構造では、温度が低下しすぎて蒸発材の融点以下となる場合がある。その場合には、ノズル構造物2の開口部に蒸発材が堆積してノズル詰りが発生する。そのような場合に有効な実施例である。補助ヒータ27によりノズル構造物を融点以上に維持する。これによりノズル詰りを防ぐことが出来る。図12は実施例5の他の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。図11との違いは、前記補助ヒータが坩堝内に埋め込まれた構造、ヒータ埋め込み坩堝28であることである。ヒータ埋め込み坩堝28の具体例は、例えばPBNPGPBNである。PGが導電性のヒータである。このような構造とすることにより、前記ノズル構造物2補助ヒータ27の構造が簡素になる。また、ヒータの熱効率がよくなり、低消費電力化できる効果がある。図13は実施例6の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。本実施例の特徴は、坩堝1の坩堝つば8が外筒6の側面の外部にまで伸びる坩堝外延部29を有し、かつ坩堝外延部端部31が固定具側面端部30より伸びていることである。この場合にも、固定具7から坩堝外延部29との間に距離がある、あるいは切欠き12を有する構造であるため、固定具側面端部30と坩堝外延部端部31間の坩堝外延部29で温度が低下するので、Alの這い上がりが発生しにくい。また、Al蒸気のノズルからヒータ室10への経路に切欠き12を有するため、Al蒸気のヒータ室10への回り込みも発生し難いので、故障、破損しにくい蒸発源を提供することが出来る。図14は実施例6の他の蒸着装置の蒸発源の概略断面図である。図13との違いは、前記坩堝外延部29を有する蒸発源ユニット26は外筒6を冷却する冷却機構32を外筒6の外部に有することである。あるいは外筒6自体の中に有すること、つまり、冷却機構が外筒の一部であってもよい。図14にはリフレクタ4も明示した。このような構造とすることにより、外筒6が冷却機構により冷却されているので、坩堝外延部29もより冷却されるため、アルミの這い上がりが発生せず、経路に切欠き12を有するため、Al蒸気がヒータ室10へ回り込みにくいので、故障、破損しにくい蒸発源を提供することが出来る効果がある。図15は実施例7の蒸着装置の蒸発源の側面図および断面図である。図16AおよびBは実施例7の蒸着装置の蒸発源の上面図の例である。本実施例の特徴は、坩堝つば8の直径が外筒6の直径よりも大きく、ノズル2と坩堝1の坩堝つば8がワイヤ状の固定具7により外筒6に固定されることである。ワイヤ状の固定具7は、ノズル2の上と外筒6周囲にリング状のワイヤを有しこれらがワイヤで接続された構造である。これにより、坩堝1とノズル2は外筒6に固定されている。この場合、固定具7のリングを結ぶワイヤに沿ってAl蒸気のヒータ室10への経路が形成されるが、非常に微小であり、その他の大半部分は坩堝つば8の直径が外筒6の直径よりも大きいので、Al蒸気のノズルからヒータ室10への経路に切欠き12、すなわち、固定具7と外筒6の間隔を有するため、Al蒸気のヒータ室10への回り込みが発生し難く、坩堝つば端部で温度が低下するため、Alの這い上がりも発生しにいので、故障、破損しにくい蒸発源を提供することが出来る。ノズル上の固定具7のワイヤは上記では図16Aのリング状としたが、図16Bのように三角形状とし3箇所で外筒6周囲の固定具6ワイヤと接続してもよい。本発明は、上記の形態のみに制限されず、上記で述べた様々な組合わせも含まれる。また、有機EL表示装置や照明装置に用いられる有機EL素子を製造する工程を例にして述べたが、磁気テープ等、他分野の蒸着工程を含むものの全てに適用可能であることは言うまでもない。以上のように、本発明による蒸着装置によれば、ノズル構造物とそれ以外の蒸発源部品で形成される経路がヒーター3の存在する空間、すなわち、ヒータ室10との間に切欠きを有する構造であるため、Al蒸気がヒータ室に入り込み難く、Alのヒータ室10への回り込み這い上がりも発生し難い。また、前記ノズル構造物は上蓋から坩堝外部にはみ出してなる構造であるため、坩堝より温度が低下しており、アルミの這い上がりが発生しにくい。さらに、本発明の坩堝は、底部より開口部が拡がる構造であるので、製作し易いため、低コストである。このように、本発明によれば、Al蒸気の回り込み、アルミの這い上がりを防止出来て、故障、破損が起こりにくい蒸発源を有する蒸着装置を安価に提供することが出来る。以上の実施例では、Alを例として述べたが、溶融状態で蒸発させる他の蒸発材を用いた蒸着装置にも適用できることはいうまでもない。以上で説明した構成では、基板に対して蒸発源が所定の方向に移動して、基板に蒸着する構成である。しかし、本発明は、蒸発源が固定され、基板が所定の方向に移動する構成の蒸着装置に対しても適用することが出来る。すなわち、基板に均一な蒸着膜を形成するには、基板と蒸発源とが相対的に移動すればよい。また、前述した各実施形態の諸組み合わせで、可能なもの全てが本発明として実施可能であることは言うまでもない。以上、前記諸実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。"