"半導体素子と前記半導体素子を駆動するゲート駆動回路とを備えた電力変換装置において、前記半導体素子を囲う筐体または半導体素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、前記半導体素子のゲート抵抗値を可変にするゲート抵抗値可変手段と、前記検出手段により検出された温度の時間変化率が所定の設定値以上になった場合にゲート抵抗値を低減するゲート抵抗値低減手段と、前記検出手段によりモジュールケースまたは前記半導体素子の温度の時間変化率を用いて、モジュールケースまたは素子自体の信頼性が保証される上限温度値よりも低くなるよう前記ゲート抵抗値低減手段によりゲート抵抗値を制御する制御手段を備えることを特徴とする電力変換装置。請求項1記載の電力変換装置において、前記筐体または前記半導体素子自体の温度の時間変化率を検出する際の温度は、前記筐体または前記半導体素子自体の信頼性が保証される上限温度よりも低いことを特徴とする電力変換装置。モジュール化された電力用半導体素子を駆動するゲート駆動回路を備える電力変換装置において、前記電力用半導体素子のモジュールケースまたは前記電力用半導体素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、前記素子自体の温度の時間変化率を前記電力変換装置のキャリア周波数にフィードバックするフィードバック手段とを設け、前記検出温度の時間変化率がある設定値以上になった場合には、前記電力変換装置のキャリア周波数を低減するよう制御する制御手段を備えることを特徴とする電力変換装置。請求項3記載の電力変換装置において、前記モジュールケースまたは前記電力用半導体素子自体の温度の時間変化率を検出する際の温度は、前記モジュールケースまたは電力用半導体素子自体の信頼性が保証される上限温度よりも低いことを特徴とする電力変換装置。電力用半導体素子を駆動するゲート駆動回路を備える電力変換装置において、前記電力用半導体素子のモジュールケースまたは前記電力用半導体素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、前記モジュールケースに接続された冷却水路と、前記冷却水路を通る冷却水の水圧および流量を可変にする水圧流量可変手段と、前記検出温度の時間変化率がある設定値以上になったと判断されたときは、前記冷却水の水圧および流量を大きくするよう前記冷却水の水圧および流量を制御する制御手段とを備えることを特徴とする電力変換装置。請求項5記載の電力変換装置において、前記モジュールケースまたは前記電力用半導体素子自体の温度の時間変化率を検出する際の温度は、前記モジュールケースまたは前記電力用半導体素子自体の信頼性が保証される上限温度よりも低いことを特徴とする電力変換装置。半導体素子と前記半導体素子を駆動するゲート駆動回路とを備えた電力変換装置において、前記半導体素子のモジュールケースまたは前記半導体素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、前記半導体素子自体の温度の時間変化率を前記電力変換装置の出力電流にフィードバックするフィードバック手段と、前記検出手段により検出温度の時間変化率がある設定値以上になった場合に前記電力変換装置の出力電流の実効値を低減するよう前記出力電流の実行値を制御する制御手段とを備えることを特徴とする電力変換装置。しかしながら、上記記載した特許文献1のような技術だと、電力変換装置に内蔵された半導体素子の温度が高温になった場合、半導体素子のOFF状態のリーク電流が増大することで半導体素子発熱が起こり、その発熱がリーク電流増大を引き起こすフィードバックがかかり、最悪の場合半導体素子破壊に至るといった問題が生じる。また、半導体素子の温度上昇差分ΔTが大きい場合、半導体素子の昇温と降温の繰り返しにより、半導体素子とモジュールケースの接続に用いる半田やワイヤの接合部の応力ひずみが大きくなり、断線にいたるまでの熱疲労寿命が短くなる。従来は半導体素子温度またはモジュールケース温度を検出するための温度検出素子であるサーミスタや感温ダイオードを設け、温度検出素子が所定の温度を検出した場合、電力変換装置動作を停止するフェールセーフ機能を持たせていた。しかしながら、そのため、温度検出素子が温度異常を検知してからフェールセーフ開始するまでの期間を考慮した必要以上に大きい温度マージンを設計せざるをえず、信頼性向上とモジュールケースの冷却構造最適化が十分に考慮されていなかった。そこで、本発明の目的は、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することである。上記課題を解決するために、例えば、半導体素子のモジュールケースや素子自体の温度の時間変化率を検出し、前記検出温度の時間変化率が所定の設定値以上になった場合にゲート抵抗値を低減するように構成すればよい。本発明によれば、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することができる。以下、図面を用いて発明を実施するための形態について説明する。実施例本発明の実施形態に係わる電力変換装置について、図面を参照しながら以下詳細に説明する。本発明の実施形態に係わる電力変換装置は、ハイブリッド用の自動車や純粋な電気自動車に適用可能であるが、代表例として、本発明の実施形態に係わる電力変換装置をハイブリッド自動車に適用した場合の制御構成と電力変換装置の回路構成について、図1と図2を用いて説明する。図1はハイブリッド自動車の制御ブロックを示す図である。本発明の実施形態に係わる電力変換装置では、自動車に搭載される車載電機システムの車載用電力変換装置、特に、車両駆動用電機システムに用いられ、搭載環境や動作的環境などが大変厳しい車両駆動用インバータ装置を例に挙げて説明する。車両駆動用インバータ装置は、車両駆動用電動機の駆動を制御する制御装置として車両駆動用電機システムに備えられ、車載電源を構成する車載バッテリ或いは車載発電装置から供給された直流電力を所定の交流電力に変換し、得られた交流電力を車両駆動用電動機に供給して車両駆動用電動機の駆動を制御する。また、車両駆動用電動機は発電機としての機能も有しているので、車両駆動用インバータ装置は運転モードに応じ、車両駆動用電動機の発生する交流電力を直流電力に変換する機能も有している。変換された直流電力は車載バッテリに供給される。なお、本実施形態の構成は、自動車やトラックなどの車両駆動用電力変換装置として最適であるが、これら以外の電力変換装置、例えば電車や船舶,航空機などの電力変換装置、さらに工場の設備を駆動する電動機の制御装置として用いられる産業用電力変換装置、或いは家庭の太陽光発電システムや家庭の電化製品を駆動する電動機の制御装置に用いられたりする家庭用電力変換装置に対しても適用可能である。図1において、ハイブリッド電気自動車以下、HEVと記述する110は1つの電動車両であり、2つの車両駆動用システムを備えている。その1つは、内燃機関であるエンジン120を動力源としたエンジンシステムである。エンジンシステムは、主としてHEVの駆動源として用いられる。もう1つは、モータジェネレータ192,194を動力源とした車載電機システムである。車載電機システムは、主としてHEVの駆動源及びHEVの電力発生源として用いられる。モータジェネレータ192,194は例えば同期機あるいは誘導機であり、運転方法によりモータとしても発電機としても動作するので、ここではモータジェネレータと記すこととする。車体のフロント部には前輪車軸114が回転可能に軸支されている。前輪車軸114の両端には1対の前輪112が設けられている。車体のリア部には後輪車軸図示省略が回転可能に軸支されている。後輪車軸の両端には1対の後輪が設けられている。本実施形態のHEVでは、動力によって駆動される主輪を前輪112とし、連れ回される従輪を後輪とする、いわゆる前輪駆動方式を採用しているが、この逆、すなわち後輪駆動方式を採用しても構わない。前輪車軸114の中央部には前輪側デファレンシャルギア以下、前輪側DEFと記述する116が設けられている。前輪車軸114は前輪側DEF116の出力側に機械的に接続されている。前輪側DEF116の入力側には変速機118の出力軸が機械的に接続されている。前輪側DEF116は、変速機118によって変速されて伝達された回転駆動力を左右の前輪車軸114に分配する差動式動力分配機構である。変速機118の入力側にはモータジェネレータ192の出力側が機械的に接続されている。モータジェネレータ192の入力側には動力分配機構122を介してエンジン120の出力側及びモータジェネレータ194の出力側が機械的に接続されている。尚、モータジェネレータ192,194及び動力分配機構122は、変速機118の筐体の内部に収納されている。モータジェネレータ192,194は、回転子に永久磁石を備えた同期機であり、固定子の電機子巻線に供給される交流電力がインバータ装置142によって制御されることによりモータジェネレータ192,194の駆動が制御される。インバータ装置142にはバッテリ136が電気的に接続されており、バッテリ136とインバータ装置142との相互において電力の授受が可能である。本実施形態では、モータジェネレータ192及びインバータ装置142からなる第1電動発電ユニットと、モータジェネレータ194及びインバータ装置142からなる第2電動発電ユニットとの2つを備え、運転状態に応じてそれらを使い分けている。すなわち、エンジン120からの動力によって車両を駆動している場合において、車両の駆動トルクをアシストする場合には第2電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力によって作動させて発電させ、その発電によって得られた電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させる。また、同様の場合において、車両の車速をアシストする場合には第1電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力によって作動させて発電させ、その発電によって得られた電力によって第2電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させる。また、本実施形態では、バッテリ136の電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータ192の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、第1電動発電ユニット又は第2電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力或いは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。インバータ装置142およびインバータ装置43さらにコンデンサモジュール500は電気的に密接な関係にある。さらに発熱に対する対策が必要な点が共通している。また装置の体積をできるだけ小さく作ることが望まれている。電力変換装置1は、インバータ装置142、さらにコンデンサモジュール500を電力変換装置1の筐体内に内蔵している。この構成により、小型で信頼性の高い装置が実現できる。またインバータ装置142、さらにコンデンサモジュール500を一つの筐体に内蔵することで、配線の簡素化やノイズ対策で効果がある。またコンデンサモジュール500とインバータ装置142およびインバータ装置43との接続回路のインダクタンスを低減でき、スパイク電圧を低減できると共に、発熱の低減や放熱効率の向上を図ることができる。次に、図2を用いてインバータ装置142の電気回路構成を説明する。尚、図1,図2に示す実施形態では、インバータ装置142をそれぞれ個別に構成する場合を例に挙げて説明する。インバータ装置142は同様の構成で同様の作用を為し、同様の機能を有しているので、ここでは、代表例としてインバータ装置142の説明を行う。本実施形態に係わる電力変換装置1は、インバータ回路部140とコンデンサモジュール500とを備え、インバータ回路部140はインバータ回路部140と制御部170とを有している。また、インバータ回路部140は、上アームとして動作するIGBT100絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT100及びダイオード156と、からなる上下アーム直列回路150を複数有し、それぞれの上下アーム直列回路の中点部分から交流端子を通してモータジェネレータ192への交流電力線交流バスバーと接続する構成である。また、制御部170はインバータ回路を駆動制御するドライバ回路174と、ドライバ回路174へ信号線176を介して制御信号を供給する制御回路172と、を有している。上アームと下アームのIGBT100は、スイッチング用パワー半導体素子であり、制御部170から出力された駆動信号を受けて動作し、バッテリ136から供給された直流電力を3相交流電力に変換する。この変換された電力はモータジェネレータ192の電機子巻線に供給される。インバータ回路部140は3相ブリッジ回路により構成されており、3相分の上下アーム直列回路がそれぞれ、バッテリ136の正極側と負極側に電気的に接続されている直流正極端子と直流負極端子の間に電気的に並列に接続されている。本実施形態では、スイッチング用パワー半導体素子としてIGBT100を用いることを例示している。IGBT100のコレクタ電極とエミッタ電極との間にはダイオード156が図示するように電気的に接続されている。ダイオード156は、カソード電極及びアノード電極の2つの電極を備えており、IGBT100のエミッタ電極からコレクタ電極に向かう方向が順方向となるように、カソード電極がIGBT100のコレクタ電極に、アノード電極がIGBT100のエミッタ電極にそれぞれ電気的に接続されている。ここで、スイッチング用パワー半導体素子としてはMOSFET金属酸化物半導体型電界効果トランジスタを用いてもよく、この場合はダイオード156は不要となる。上下アーム直列回路は、モータジェネレータ192の電機子巻線の各相巻線に対応して3相分設けられている。3つの上下アーム直列回路150はそれぞれ、IGBT100のエミッタ電極とIGBT100のコレクタ電極を接続する中間電極,交流端子を介してモータジェネレータ192へのU相,V相,W相を形成している。上下アーム直列回路同士は電気的に並列接続されている。上アームのIGBT100のコレクタ電極は正極端子P端子を介してコンデンサモジュール500の正極側コンデンサ電極に、下アームのIGBT100のエミッタ電極は負極端子N端子を介してコンデンサモジュール500の負極側コンデンサ電極にそれぞれ電気的に接続直流バスバーで接続されている。各アームの中点部分上アームのIGBT100のエミッタ電極と下アームのIGBT100のコレクタ電極との接続部分にあたる中間電極は、モータジェネレータ192の電機子巻線の対応する相巻線に交流コネクタ188を介して電気的に接続されている。コンデンサモジュール500は、IGBT100のスイッチング動作によって生じる直流電圧の変動を抑制する平滑回路を構成するためのものである。コンデンサモジュール500の正極側コンデンサ電極にはバッテリ136の正極側が、コンデンサモジュール500の負極側コンデンサ電極にはバッテリ136の負極側がそれぞれ直流コネクタを介して電気的に接続されている。これにより、コンデンサモジュール500は、上アームIGBT100のコレクタ電極とバッテリ136の正極側との間と、下アームIGBT100のエミッタ電極とバッテリ136の負極側との間で接続され、バッテリ136と上下アーム直列回路に対して電気的に並列接続される。制御部170はIGBT100を作動させるためのものであり、他の制御装置やセンサなどからの入力情報に基づいて、IGBT100のスイッチングタイミングを制御するためのタイミング信号を生成する制御回路172と、制御回路172から出力されたタイミング信号に基づいて、IGBT100をスイッチング動作させるためのドライブ信号を生成するドライバ回路174とを備えている。制御回路172は、IGBT100のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ以下、マイコンと記述するを備えている。マイコンには入力情報として、モータジェネレータ192に対して要求される目標トルク値、上下アーム直列回路150からモータジェネレータ192の電機子巻線に供給される電流値、及びモータジェネレータ192の回転子の磁極位置が入力されている。目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ不図示から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータ192に設けられた回転磁極センサ不図示から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では3相の電流値を検出する場合を例に挙げて説明するが、2相分の電流値を検出するようにしても構わない。制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータ192のd,q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd,q軸の電流指令値と、検出されたd,q軸の電流値との差分に基づいてd,q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd,q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相,V相,W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相,V相,W相の電圧指令値に基づく基本波正弦波と搬送波三角波との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWMパルス幅変調信号としてドライバ回路174に出力する。ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する下アームのIGBT100のゲート電極に、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT100のゲート電極にそれぞれ出力する。これにより、各IGBT100は、入力されたドライブ信号に基づいてスイッチング動作する。図3は、本発明の実施形態に係わる電力変換装置の全体構成を各構成要素に分解した斜視図を示す。図3に示すように、筐体12の中ほどに冷却水流路19が設けられ、前記冷却水流路19の上部には流れの方向に並んで2組の開口が形成されている。前記2組の開口がそれぞれインバータ装置142で塞がれる様に2個のインバータ装置142が前記冷却水流路19の上面に固定されている。各インバータ装置142には放熱のためのフィンが設けられており、各インバータ装置142のフィンはそれぞれ前記冷却水流路19の開口から冷却水の流れの中に突出している。前記冷却水流路19の下側にはアルミ鋳造を行いやすくするための開口404が形成されており、前記開口はカバー420で塞がれている。また前記冷却水流路19の下側には補機用のインバータ装置43が取り付けられている。前記補機用のインバータ装置43は、インバータ回路144と同様の回路が内蔵されており、前記インバータ回路144を構成しているパワー半導体素子を内蔵したインバータ回路を有している。補機用のインバータ装置43は前記内蔵している前記インバータ回路の放熱金属面が前記冷却水流路19の下面に対向するようにして、前記冷却水流路19の下面に固定されている。さらに前記冷却水流路19の下部に放熱作用を為す下部ケース16が設けられ、前記下部ケース16にはコンデンサモジュール500が、コンデンサモジュール500の金属材からなるケースの放熱面が前記下部ケース16の面に対向するようにして前記下部ケース16の面に固定されている。この構造により冷却水流路19の上面と下面とを利用して効率良く冷却することができ、電力変換装置全体の小型化に繋がる。入出口配管13,14からの冷却水が冷却水流路19を流れることによって、併設されている2個のインバータ装置142が有する放熱フィンが冷却され、前記2個のインバータ装置142全体が冷却される。冷却水流路19の下面に設けられた補機用のインバータ装置43も同時に冷却する。さらに冷却水流路19が設けられている筐体12が冷却されることにより、筐体12の下部に設けられた下部ケース16が冷却され、この冷却によりコンデンサモジュール500の熱が下部ケース16および筐体12を介して冷却水に熱的伝導され、コンデンサモジュール500が冷却される。インバータ装置142の上方には制御回路基板20と駆動回路基板22とが配置され、駆動回路基板22にはドライバ回路174が搭載され、制御回路基板20にはCPUを有する制御回路172が搭載される。また、駆動回路基板22と制御回路基板20の間には金属ベース板11が配置され、金属ベース板11は両基板22,20に搭載される回路群の電磁シールドの機能を奏すると共に駆動回路基板22と制御回路基板20とが発生する熱を逃がし、冷却する作用を有している。このように筐体19の中央部に冷却水流路19を設け、その一方の側に車両駆動用のインバータ装置142を配置し、また他方の側に補機用のインバータ装置43を配置することで、少ない空間で効率良く冷却でき、電力変換装置全体の小型化が可能となる。また筐体中央部の冷却水流路19の主構造を筐体12と一体にアルミ材の鋳造で作ることにより、冷却水流路19は冷却効果に加え機械的強度を強くする効果がある。またアルミ鋳造で作ることで筐体12と冷却水流路19とが一体構造となり、熱伝導が良くなり冷却効率が向上する。駆動回路基板22には、金属ベース板11を通り抜けて、制御回路基板20の回路群との接続を行う基板間コネクタ23が設けられている。また、制御回路基板20には外部との電気的接続を行うコネクタ21が設けられている。コネクタ21により電力変換装置の外の、例えばバッテリ136として車に搭載されているリチウム電池モジュールとの信号の伝送が行われ、リチウム電池モジュールから電池の状態を表す信号やリチウム電池の充電状態などの信号が送られてくる。前記制御回路基板20に保持されている制御回路172との信号の授受を行うために前記基板間コネクタ23が設けられており、図示を省略しているが信号線176が設けられ、この信号線176と基板間コネクタ23を介して制御回路基板20からインバータ回路のスイッチングタイミングの信号が駆動回路基板22に伝達され、駆動回路基板22で駆動信号であるゲート駆動信号を発生し、インバータ回路のゲート電極にそれぞれ印加される。筐体12の上部と下部には開口が形成され、これら開口はそれぞれ上部ケース10と下部ケース16が例えばネジ等で筐体12に固定されることにより塞がれる。筐体12の中央に冷却水流路19が設けられ、前記冷却水流路19にインバータ装置142やカバー420を固定する。このようにして冷却水流路19を完成させ、水路の水漏れ試験を行う。水漏れ試験に合格した場合に、次に前記筐体12の上部と下部の開口から基板やコンデンサモジュール500を取り付ける作業を行うことができる。このように中央に冷却水流路19配置し、次に前記筐体12の上部と下部の開口から必要な部品を固定する作業が行える構造を為しており、生産性が向上する。また冷却水流路19を最初に完成させ、水漏れ試験の後その他の部品を取り付けることが可能となり、生産性と信頼性の両方が向上する。図4は、本実施形態に係わるIGBT100の駆動装置のブロック構成図である。本図では駆動の対象となるIGBT100のみが表示され、IGBT100に接続される負荷やその他のIGBT装置の構成は省略されている。本実施の形態の駆動装置は、駆動回路A701と、駆動回路B702と、駆動回路C703と、駆動回路D704と、駆動回路につながるドライバ回路174と、モジュールケース及びIGBT100の温度を検知するサーミスタ601と、サーミスタ温度の時間変化率を検知する電圧変化率検出回路602と、モジュールケースを冷却する冷却水路用ポンプ603と、ドライバ回路と冷却水路用ポンプを制御する制御回路172を有する。電圧変化率検出回路602は制御回路172に内蔵されている。モジュールケース及びIGBT100の温度を検知する素子は、温度を検知する機能を有していれば、サーミスタでなくとも構わない。モジュールケース及びIGBT100の信頼性が保証される温度を150°Cとし、電圧変化率検出回路602が電圧変化率を検出するサーミスタ温度を150°Cより小さい140°Cとする。信頼性が保証される温度より低い温度で電圧変化率を検出する機能を有していれば、本実施形態と同一の温度でなくても構わない。図7は、140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より小さい場合のサーミスタ検知電圧と検知温度を示した図である。サーミスタ温度の時間変化率は、制御回路172に内蔵された電圧変化率検出回路602で検出し、電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より小さい場合、150°Cを超えないと判断する。図8は、140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きい場合のサーミスタ検知電圧と検知温度を示した図である。ここで、電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きい場合、150°Cを超えると判断し、フェールセーフ動作が必要となる。以下、詳述する。図5と図6は、電圧変化率検出回路602が検出する電圧変化率が、所定のdv/dt絶対値より大きく、モジュールケース及びIGBT100の保証温度150°Cを超えると判断した場合の、IGBT100のゲート抵抗切り換えタイミングを示す図である。制御回路172がこのゲート抵抗切り換え動作処理を行う。通常時および140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より小さい場合は、ターンオン時は駆動回路A701単独でIGBT100のゲート容量に電荷供給する。ターンオフ時は、駆動回路C703単独でIGBT100のゲート容量に蓄積された電荷を放出する。140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きい場合は、ターンオン時は駆動回路A701及び駆動回路B702同時にIGBT100のゲート容量に電荷供給する。ターンオフ時は、駆動回路C703及び駆動回路D704同時にIGBT100のゲート容量に蓄積された電荷を放出する。このように駆動回路を並列で同時に使用することでゲート抵抗が小さくなり、IGBT100の電流ON/OFFを切り換えるスイッチング時間が短縮される。図9は、140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きく、ゲート抵抗を切り換えた場合のモジュールケースおよびIGBT100の温度を示した図である。ゲート抵抗を切り換えたことにより、IGBT100のスイッチング損失が小さくなり、モジュールケース及びIGBT100の温度上昇が抑制され、モジュールケース及びIGBT100の信頼性が保証される温度150°Cを超えないフェールセーフを実現することができる。別の実施形態としては、電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きい場合は、制御回路172が出力電圧duty比を制限し、出力電流実効値を抑えるといった構成が考えられる。以下、説明する。図10は、140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きく、出力電流実効値を抑えた場合のモジュールケースおよびIGBT100の温度を示した図である。出力電流実効値を抑えることにより、IGBT100のスイッチング損失が小さくなり、モジュールケース及びIGBT100の温度上昇が抑制され、モジュールケース及びIGBT100の信頼性が保証される温度150°Cを超えないフェールセーフを実現することができる。また、別の実施形態としては、電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きい場合は、制御回路172が出力キャリア周波数を制限するといった構成が考えられる。以下、説明する。図11は、140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きく、キャリア周波数を制限した場合のモジュールケースおよびIGBT100の温度を示した図である。キャリア周波数を制限したことにより、IGBT100のスイッチング損失が小さくなり、モジュールケース及びIGBT100の温度上昇が抑制され、モジュールケース及びIGBT100の信頼性が保証される温度150°Cを超えないフェールセーフを実現することができる。また、別の実施形態としては、電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きい場合は、冷却性能を向上させるために、制御回路172が冷却水路用ポンプ603の水圧および流量を大きくするといった構成も考えられる。以下、説明する。図12は、140°Cにおける電圧変化率が所定のdv/dt絶対値より大きく、冷却水の水圧および流量を大きくし冷却性能を向上させた場合のモジュールケースおよびIGBT100の温度を示した図である。ここで、冷却水の水圧および流量を大きくし冷却性能を向上させたことにより、モジュールケース及びIGBT100の温度上昇が抑制され、モジュールケース及びIGBT100の信頼性が保証される温度150°Cを超えないフェールセーフを実現することができる。"