"半導体チップの面の外周部に対してX線を透過しにくいX線難透過材を塗布して、前記半導体チップにIDマークを形成することを特徴とするIDマーク形成方法。請求項1に記載のIDマーク形成方法において、前記IDマークが、バーコードであることを特徴とするIDマーク形成方法。請求項1または2に記載のIDマーク形成方法において、前記X線難透過材を含む機能液を液滴として吐出して前記IDマークを形成することを特徴とするIDマーク形成方法。請求項3に記載のIDマーク形成方法において、前記液滴が前記半導体チップに着弾した着弾径が10μm以上であることを特徴とするIDマーク形成方法。請求項3または4に記載のIDマーク形成方法において、前記機能液が塗布される前記半導体チップの前記面を親液化処理することを特徴とするIDマーク形成方法。請求項1~5のいずれか一項に記載のIDマーク形成方法によってIDマークが形成されたことを特徴とする半導体チップ。請求項6に記載の半導体チップが搭載されたことを特徴とする半導体装置。請求項7に記載の半導体装置において、前記半導体チップが積層されたことを特徴とする半導体装置。請求項8に記載の半導体装置において、平面視において、IDマークの位置が前記半導体チップ毎に異なることを特徴とする半導体装置。請求項7~9のいずれか一項に記載の半導体装置に対して、X線によって、前記半導体装置の平面視または側面視で検査することを特徴とする半導体装置のX線検査方法。しかしながら、上記のIDマークの形成によってIDマークが形成された半導体チップが搭載された半導体装置をX線検査した場合、半導体チップに形成されたIDマークと半導体装置を構成する配線基板の配線パターンとが重なってしまい、IDマークを正確に読み取ることができない、という課題があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかるIDマーク形成方法は、半導体チップの面の外周部に対してX線を透過しにくいX線難透過材を塗布して、前記半導体チップにIDマークを形成することを特徴とする。この構成によれば、半導体チップの外周部にIDマークが形成されているため、例えば、当該半導体チップが搭載された半導体装置をX線で検査した場合に、IDマークと配線基板の配線パターンとが容易に識別され、正確に半導体チップのIDマークを読み取ることができる。[適用例2]上記適用例にかかるIDマーク形成方法では、前記IDマークが、バーコードであることを特徴とする。この構成によれば、読み取りを容易に行うことができる。[適用例3]上記適用例にかかるIDマーク形成方法では、前記X線難透過材を含む機能液を液滴として吐出して前記IDマークを形成することを特徴とする。この構成によれば、インクジェット法等を用いることにより、容易にIDマークを形成することができる。[適用例4]上記適用例にかかるIDマーク形成方法では、前記液滴が前記半導体チップに着弾した着弾径が10μm以上であることを特徴とする。この構成によれば、X線で検査した際に、容易に識別できるIDを形成することができる。[適用例5]上記適用例にかかるIDマーク形成方法では、前記機能液が塗布される前記半導体チップの前記面を親液化処理することを特徴とする。この構成によれば、着弾した液滴の濡れ性を向上させることができる。[適用例6]本適用例にかかる半導体チップは、上記のIDマーク形成方法によってIDマークが形成されたことを特徴とする。この構成によれば、識別性の高いIDマークを有する半導体チップを提供することができる。[適用例7]本適用例にかかる半導体装置は、上記の半導体チップが搭載されたことを特徴とする。この構成によれば、搭載された半導体チップの情報を容易に読み取れる半導体装置ICパッケージを提供することができる。[適用例8]上記適用例にかかる半導体装置では、前記半導体チップが積層されたことを特徴とする。この構成によれば、実装密度を向上させるとともに、各半導体チップの情報を取得することができる。[適用例9]上記適用例にかかる半導体装置は、平面視において、IDマークの位置が前記半導体チップ毎に異なることを特徴とする。この構成によれば、平面視において、半導体チップ毎のIDマークが互いに重なることがないため、X線検査した際に、正確にIDマークを読み取ることができる。[適用例10]本適用例にかかる半導体装置のX線検査方法では、上記の半導体装置に対して、X線によって、前記半導体装置の平面視または側面視で検査することを特徴とする。この構成によれば、半導体チップの外周部にIDマークが形成されるため、平面視からでも側面視からでも効率よく検査することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。半導体チップの構成まず、半導体チップの構成について説明する。図1は、半導体チップの構成を示し、同図aは、平面図であり、同図bは、側面図である。図1に示すように、半導体チップ2は、チップ本体10の面の外周部にIDマーク11が形成されている。IDマーク11は、半導体チップ2のトレーサビリティーを確保するためのものであり、半導体チップ2の製造工場、型名、ウエハー上の位置情報、ウエハーのロット番号、各種検査項目とその結果情報などをコード化したものである。本実施形態のIDマーク11は、バーコードで表示されている。また、IDマーク11は、X線を透過しにくいX線難透過材で形成されている。例えば、X線難透過材には金属顔料が含まれている。顔料としては、X線を効果的に遮蔽することを考慮し、原子量の大きい金属、例えば、金、銀、銅等が好適である。なお、シリコンで形成された半導体チップ2上のIDマーク11に対して目視による視認性を考慮すると、上記の金属を顔料の他に、原子量は少ないものの、ホワイトインクの顔料として使われている酸化チタンを適用することができる。IDマーク11は、例えば、インクジェット記録装置を用いて、チップ本体10の面に向けて、IDマークの材料となるX線難透過材料を含む機能液を液滴として吐出し、チップ本体10の面にIDマークのパターンを形成することができる。IDマーク形成方法次に、IDマークの形成方法について説明する。なお、本実施形態では、半導体ウエハーの状態においてIDマークを形成する方法について説明する。図2は、IDマーク形成方法を含む半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。また、図3は、半導体ウエハーの状態を示す説明図であり、同図aは、IDマーク形成工程前のウエハー状態を示し、同図bは、IDマーク形成工程後のウエハー状態を示す。第1外観検査工程S10は、図3aに示すように、ウエハー1の外観の検査、およびウエハー1に含まれる複数の半導体チップ2に傷や剥がれ等の表面欠陥が有るか無いかを検査する工程である。この検査では、専用の自動外観検査装置等によりウエハー1の状態ダイシング前の状態で行う。自動外観検査装置は、図示は省略するが、ウエハー保持ステージ、撮像カメラ付き金属顕微鏡、画像処理装置コンピューターなどを備え、撮像カメラ付き金属顕微鏡で捉えた半導体チップ2の表面画像と予め作成した良品画像との比較処理などに基づいて、半導体チップ2における表面欠陥の有無を判定するように構成される。表面欠陥が有る半導体チップ2は、欠陥の種類や大きさなどの検査データとその半導体チップ2のウエハー1上の位置情報とを関連付けてコンピューターのメモリーにデータベースとして記憶しておく。次いで、IDマーク形成工程S20では、半導体チップ2の面の外周部に対してX線を透過しにくいX線難透過材を塗布して、半導体チップ2にIDマーク11を形成する。本実施形態では、IDマーク11を、バーコードとして形成する。IDマーク11は、当該半導体チップ2の製造工場、型名、ウエハー1上の位置情報、ウエハー1のロット番号、及び各種検査項目とその結果情報などをコード化したものである。そして、半導体チップ2の能動面もしくは能動面の裏側以下裏面にIDマーク11を形成する。本実施形態では、X線難透過材を含む機能液を液滴として吐出してIDマーク11を形成する。このため、以下のインクジェット記録装置を用いる。図4は、インクジェット記録装置の構成を示す概略図である。図4に示すように、インクジェット記録装置100は、インクジェットヘッド101と、インクジェットヘッド101の移動方向を規制するスキャン軸102と、ウエハー1を保持するステージ103と、ステージ103を動作させる移動機構105等で構成されている。また、図示していないが、そのほかにインクジェットヘッド101をクリーニングやワイピング等ヘッドメンテナンスを行うためのインクシステムや、インクを供給するためのインクタンク、ウエハー1のアライメントを実施するためのカメラ等を備えている。本実施形態の機能液は、X線難透過材を顔料とし、溶媒として紫外線硬化タイプを用いる。そこで、インクジェットヘッド101の両端には、インクジェットヘッド101から吐出された液能液を硬化させるための紫外線光源106が設置される。そして、機能液の吐出と機能液の硬化が同時期に繰り返し行われ、任意の形状や膜厚を有するIDマーク11を形成することができる。吐出する機能液に含まれる顔料は、原子量の大きい金属の方がX線を効果的に遮蔽することができるため、金、銀、銅といった金属顔料が好適である。しかし、シリコン上で目視による視認性も考慮すると、これらの金属を顔料の他に、原子量は少ないものの、ホワイトインクの顔料として使われている酸化チタンが適用可能である。本実施形態では、酸化チタンを顔料としたホワイトインクにて検証を行ったが、視認性が優れており、X線による撮像も可能であった。そして、ステージ103上に設置されたウエハー1は、半導体チップ2の配列に対しインクジェットヘッド101のスキャン方向が垂直もしくは水平になるように角度をアライメントされる。位置調整が終了したらインクジェットヘッド101がスキャン動作を実施し、ウエハー1上に液滴を吐出し、半導体チップ2上にIDマーク11のパターンを形成する。なお、1回の印刷動作で任意の膜厚が得られない場合は、同じ印刷動作を複数回実施し、所望の膜厚が形成されるまで繰り返す。また、半導体チップ2に向けて機能液を液滴として吐出する前に、機能液が塗布される半導体チップ2の面を親液化処理してもよい。そして、吐出された液滴が半導体チップ2に着弾した着弾径が10μm以上であることが好ましい。具体的には、例えば、エキシマランプ、低圧水銀ランプ、プラズマ照射機、水素バーナー等を用いて、機能液が塗布される半導体チップ2の面の濡れ性を向上させる。これにより、液滴の着弾径が10μm以上確保することができる。なお、親液化処理を実施する装置は、インクジェット記録装置100に備えてもよいし、別途用意してもよい。インクジェット記録装置100によりX線難透過材を吐出した場合、揮発する水や溶剤を用いた機能液であれば1回の吐出で塗布される厚さが数百nm~2、3μm程度となる。この機能液の高さでも撮像は可能であるが、機能液の膜厚を高さ方向へ厚くすることでX線撮像装置の分解能を低くすることが可能になるため、機能液の膜厚はある程度厚いほうが好ましい。そこで、本実施形態では、X線難透過材を顔料とし、溶媒として紫外線硬化タイプを用いているため、1滴の機能液の吐出でも数μmのインク高さを形成できるため、より好適である。なお、ワイヤーボンディングでパッケージングされる半導体チップ2には能動面が最表層になるため、PAD端子を避けた外周部にマーキングするか、フィラーで固定されるチップ裏面にマーキングを施す。ウエハー1がフリップチップ用の半導体チップ2の場合は裏面が最表層になり、PAD端子が表面に表れないため、裏面の最外周部の位置にIDマーク11を形成する。このようにして、図3bに示すように、ウエハー1の状態で各半導体チップ2の面にIDマーク11が形成される。次いで、プローブテスト工程S30では、上記IDマーク形成工程S20を終えたウエハー1に対し、各々の半導体チップ2に電気的特性の異常が有るか無いかを検査する。この検査は、専用のプローブ検査装置により行う。プローブ検査装置は、通電用の探針を複数本備え、これらの探針により、各半導体チップ2に通電することでその通電状態を測定し、所定の基準データと比較することで電気的特性異常の有無を判定するように構成される。プローブテストのなされた全ての半導体チップ2は、異常の有無及び異常の種類や程度などの検査データと、その半導体チップ2に上記IDマーク形成工程S20でマーキングされたIDマーク11とを関連付けてコンピューターのメモリーにデータベースとして記憶しておく。また、プローブテスト工程S30は、IDマーク形成工程S20の後に設けられているため、プローブテストの結果によらず全ての半導体チップ2にIDマーク11が形成されている。従って、不良品の発生率や不良品のレベルを正確に識別することができ、不良品の不具合の原因解析やその後の工程の検査結果との比較ができる。次いで、ダイシング工程S40では、複数の半導体チップ2が配列されたウエハー1を切断ラインに沿って個々の半導体チップ2に分離する。ダイシングは、高速回転するダイシングブレード、またはウエハー1に対してレーザー光を集光移動させる機構などを備えたダイシング装置により行う。次いで、第2外観検査工程S50では、ダイシング後の個々の半導体チップ2に傷や剥がれ等の表面欠陥が有るか無いかを検査する。この検査は、専用の自動外観検査装置により個々の半導体チップ2の状態ダイシング後の状態で行う。この自動外観検査装置は、図示は省略するが、チップ保持ステージ、撮像カメラ付き金属顕微鏡、画像処理装置コンピューターなどを備え、撮像カメラ付き金属顕微鏡で捉えた半導体チップ2の表面画像と予め作成した良品画像との比較処理などに基づいて、半導体チップ2における表面欠陥の有無を判定するように構成される。表面欠陥が有る半導体チップ2は、欠陥の種類や大きさなどの検査データと、その半導体チップに上記IDマーク形成工程S20で形成されたIDマーク11とを関連付けてコンピューターのメモリーにデータベースとして記憶しておく。第2外観検査工程S50の検査結果に基づき、表面欠陥のない半導体チップ2のみが組立工程へと送られる。以上の各工程を経ることにより、半導体チップ2が形成される図1参照そして、上記の工程を経た段階で、全ての検査データ、工程情報、IDマーク11がデータベースに集まる。これにより、情報が途切れること無く、チップレベルでのトレーサビリティーが可能となる。例えば、半導体チップ2の出荷後に不具合が発生した場合であっても、IDマーク11を検出し、上記データベースと照合することで、どのウエハーのどの座標にあった半導体チップ2であるか、製造時のウエハー検査結果はどうか、チップ検査結果はどうか、と云うように追って解析することができる。半導体装置の構成次に、半導体装置の構成について説明する。図5は、半導体装置の構成を示し、同図aは断面図であり、同図bは平面図である。半導体装置20は、半導体チップ2が搭載されている。具体的には、図5に示すように、半導体装置20は、半導体チップ2と、半導体チップ2と電気的に接続された配線基板21と、半導体チップ2を覆うモールド樹脂22と、配線基板21に設けられた外部端子23等で構成されている。図6は、他の半導体装置の構成を示し、同図aは断面図であり、同図bは平面図である。半導体装置30は、複数の半導体チップ2が積層されて構成されている。本実施形態にかかる半導体装置30は、図6aに示すように、第1半導体チップ2aと、第2半導体チップ2bと、第1及び第2半導体チップ2a,2bと電気的に接続された配線基板31と、第1及び第2半導体チップ2a,2bを覆うモールド樹脂32と、配線基板31に設けられた外部端子33を有している。そして、第1半導体チップ2aと第2半導体チップ2bとが積層され、第2半導体チップ2bと配線基板31とが電気的に接続されるボンディングワイヤー34が形成されている。このように、第1半導体チップ2aと第2半導体チップ2bとを積層する場合には、平面視において、第1半導体チップ2aと第2半導体チップ2bのそれぞれに形成されたIDマーク11の位置方向をそれぞれ異ならせている。すなわち、図6bに示すように、第1半導体チップ2aに形成された第1IDマーク11aと第2半導体チップ2bに形成された第2IDマーク11bとが、平面視において、重なり合わないように配置される。このようにすれば、X線等で平面視から検査した際に、第1半導体チップ2aに形成された第1IDマーク11aと第2半導体チップ2bに形成された第2IDマーク11bと容易に識別させることができる。半導体装置のX線検査方法次に、半導体装置のX線検査方法について説明する。本実施形態の半導体装置のX線検査方法では、半導体装置に対して、X線によって、半導体装置の平面視または側面視で検査する。例えば、図5に示す半導体装置20に搭載された半導体チップ2のIDマーク11の読み取りは、半導体装置20を平面視の位置に配置されたX線照射源と、X線照射源の対向側に設置された撮像カメラによって認識する。そして、半導体チップ2を平面視して撮像する。すると、図5bに示すようにIDマーク11等が撮像される、この場合、IDマーク11とともに配線基板21の配線パターンも撮像されることになるが、IDマーク11は、半導体チップ2の外周部に形成されているため、配線パターンと容易に識別され、確実にIDマーク11を読み取ることが可能となる。さらに、非破壊でトレーサビリティーの向上を図ることが可能になる。また、上記平面視からのX線検査に限らず、側面視からX線検査を行ってもよい。例えば、図5に示す半導体装置20に搭載された半導体チップ2のIDマーク11を側面視で読み取る場合には、半導体装置20の側面に配置されたX線照射源と、X線照射源の対向側に設置された撮像カメラによって認識する。そして、半導体チップ2の側面から撮像することにより、半導体チップ2の面のIDマーク11の凹凸形状から容易に読み取ることができる。さらに、且つ、非破壊でトレーサビリティーの向上を図ることが可能になる。以上、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。半導体チップ2の外周部にIDマーク11を形成するため、例えば、半導体チップ2が配線基板21に接続され、さらに、半導体チップ2がプラスチック樹脂等によりモールドされたとしても、X線で検査した場合に、IDマーク11と配線基板の配線部等とが容易に識別され、正確に半導体チップ2のIDマーク11を読み取ることができる。なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。変形例1上記実施形態では、半導体チップ2の外周辺のうち一辺にIDマーク11を形成したが、これに限定されない。例えば、図7に示すように、半導体チップ2の外周辺の二辺以上にIDマーク11を形成してもよい。このようにすれば、さらに半導体チップ2にかかる情報量を増大させることができる。変形例2上記実施形態では、ウエハー1の状態においてIDマーク11を形成したが、これに限定されない。例えば、ウエハー1をダイシングして、個片となった半導体チップ2の状態においてIDマーク11を形成してもよい。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。"