"オプトエレクトロニクスデバイス100であって、-少なくとも1つの放射放出半導体部品1と、-前記半導体部品1によって放出される電磁放射を変換する役割を果たす少なくとも1つの変換要素2と、-フィルタ粒子31を含んでいる、またはフィルタ粒子31によって形成されている少なくとも1つのフィルタ手段3と、を備えており、-前記フィルタ手段3が、前記半導体部品1によって放出される前記電磁放射の少なくとも1つの事前定義可能な波長域を、前記事前定義された波長域とは異なる波長域よりも大きな程度だけ、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行い、-前記フィルタ粒子31が、Q0で測定されたd50値として、少なくとも0.5nm~最大500nmを有する、もしくは、-前記フィルタ粒子31が、少なくとも部分的に糸状に具体化されており、糸状領域31Aにおいて少なくとも0.5nm、最大500nmの直径Dを有する、またはその両方である、オプトエレクトロニクスデバイス100。前記変換要素2が、変換粒子21を含んでいる、または変換粒子21によって形成されており、前記半導体部品1の少なくとも一部分が、放射に対して透過性のポッティングによって、露出した領域において、確実に固定された状態で覆われており、前記フィルタ粒子31および前記変換粒子21が前記ポッティングの中に導入されている、請求項1に記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記フィルタ手段3が、前記半導体部品1の放出方向において前記変換要素2の下流に配置されており、前記変換要素2に少なくとも間接的に接触している、請求項1または請求項2に記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記フィルタ粒子31が、次の材料、すなわち、Cd、Td、Si、Ag、Au、Fe、Pt、Ni、Se、S、SiO2、TiO2、Al2O3、Fe2O3、Fe3O4、ZnO、のうちの少なくとも1種類によって、またはこれらの材料の少なくとも1種類の化合物によって、形成されている、請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記フィルタ粒子31が、第1の材料によって形成されている中心部311を備えており、前記中心部311が少なくとも部分的に外被部312によって包まれており、前記外被部312が、第2の材料によって形成されており、前記中心部311に直接接触している、請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記中心部311が、前記第1の材料としてのSiO2によって形成されており、前記外被部312が、前記第2の材料としてのAuもしくはAgまたはその両方によって形成されている、請求項5に記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記デバイス100が、CIE標準色度図のスペクトル色軌跡S上に位置する電磁放射を放出する、請求項1から請求項6のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記半導体部品1によって放出される電磁放射の色位置の座標cx,cyが、前記デバイス100によって放出される電磁放射の色位置の座標と、それぞれ少なくとも0.005だけ異なる、請求項1から請求項7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記フィルタ粒子が、Auによって形成されており、Q0で測定されたd50値として、少なくとも1nm~最大200nmを有し、前記フィルタ手段3が、少なくとも530nm~最大770nmの波長域の電磁放射を、これとは異なる波長域よりも大きな程度だけ、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行う、請求項1から請求項8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。前記フィルタ粒子が、Agによって形成されており、Q0で測定されたd50値として、少なくとも1nm~最大200nmを有し、前記フィルタ手段3が、少なくとも430nm~最大490nmの波長域の電磁放射を、これとは異なる波長域よりも大きな程度だけ、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行う、請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス100。-請求項1から請求項10のいずれかに記載の少なくとも1つのオプトエレクトロニクスデバイス100と、-前記オプトエレクトロニクスデバイス100から取り出された電磁放射が入射する少なくとも1つの投射領域201と、を備えている、フラッシングライト200。本発明の1つの目的は、事前定義可能な波長域の電磁放射を放出するオプトエレクトロニクスデバイスを開示することである。本オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、本デバイスは、少なくとも1つの放射放出半導体部品を備えている。この半導体部品は、一例として、放射放出半導体チップである。この放射放出半導体チップは、例えば、ルミネセンスダイオードチップとすることができる。ルミネセンスダイオードチップは、紫外光から赤外光までの範囲内の放射を放出する発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップとすることができる。ルミネセンスダイオードチップは、電磁放射スペクトルの可視領域または紫外領域の光を放出することが好ましい。放射放出半導体部品は、一例として、キャリア例えば、回路基板またはリードフレームの上に貼り付けられている。本デバイスは、例えば、表面実装可能である。本オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクスデバイスは、半導体部品によって放出される電磁放射を変換する役割を果たす少なくとも1つの変換要素を備えている。変換要素は、一例として、オプトエレクトロニクスデバイスの放射進行経路に沿って半導体部品の下流に配置されている。放射進行経路とは、半導体部品によって放出された電磁放射がデバイスから取り出されるまでの、電磁放射の経路である。少なくとも1つの変換要素は、1つの波長の光を別の波長の光に変換する。一例として、少なくとも1つの変換要素は、半導体部品によって主として放出される青色光の一部分を黄色光に変換し、この黄色光と青色光とを互いに混合することによって白色光を形成することができる。したがって、少なくとも1つの変換要素は、オプトエレクトロニクスデバイスの動作時、光変換器として機能する。本オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクスデバイスは、フィルタ粒子を含んでいる、またはフィルタ粒子によって形成されている少なくとも1つのフィルタ手段を備えている。このフィルタ手段は、一例として、放射進行経路に沿って変換要素の下流に配置されている。少なくとも一実施形態によると、フィルタ手段は、半導体部品によって放出される電磁放射の少なくとも1つの事前定義可能な波長域を、事前定義された波長域とは異なる波長域よりも大きな程度だけ、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行う。フィルタ手段は、変換要素によって変換されない放射を、波長選択的に、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行うことができる。少なくとも一実施形態によると、フィルタ粒子は、Q0で測定されたd50値として、少なくとも0.5nm~最大500nm、好ましくは少なくとも10nm~最大200nmを有する、もしくは、少なくとも一部分が糸状に具体化されており糸状領域において少なくとも0.5nm~最大500nmの直径を有する、またはその両方である。d50値は、一例として、1nm~2nmである。この場合、用語d50は、フィルタ粒子のメジアン直径に関連し、用語Q0は、フィルタ粒子の累積個数分布cumulativenumberdistributionに関連する。いずれの用語も、非特許文献1によって定義されている。糸状とは、本明細書においては、フィルタ粒子の主延在方向における範囲が、フィルタ粒子の直径よりも大幅に大きいことを意味する。直径とは、例えば、主延在方向に垂直な方向における、フィルタ粒子の範囲である。この場合、大幅に大きいとは、主延在方向における範囲が、フィルタ粒子の直径の大きさの少なくとも2倍であることを意味する。このような寸法を有するフィルタ粒子では、フィルタ手段によって、より大きな程度だけ散乱する、もしくは吸収される、またはその両方であるように意図される事前定義可能な波長域を、最大限に正確に設定することが可能であることが判明した。特に、このようなフィルタ粒子は、可視光、または紫外領域の電磁放射を、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行うのに特に適している。この場合、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクスデバイスは、特に、以下の洞察に基づいている。すなわち、本オプトエレクトロニクスデバイスは、例えばフラッシングライトflashinglightもしくは交通信号灯またはその両方に組み込む目的で、事前定義可能な選択された波長域の電磁放射を放出するように意図されている。しかしながら、本デバイスの放射放出半導体部品によって放出される電磁放射は、その一部分のみが、デバイスの変換要素によって所望の波長域に変換される。放射放出半導体部品によって放出される電磁放射の少なくとも一部分は、変換要素によって変換されない。本オプトエレクトロニクスデバイスから電磁放射が出るとき、変換されない望ましくない放射部分は、変換された所望の放射部分と混合することができる。しかしながら、このような混合光は、所望の波長域と比較して色位置colorlocusがずれている。この場合、放射放出半導体部品によって放出される波長域全体の事前定義可能な例えば望ましくない波長域を、フィルタ手段が散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行い、したがって、フィルタ手段はフィルタとして機能する。このようなオプトエレクトロニクスデバイスは、所望の電磁放射スペクトル領域のみの電磁放射を放出し、これは有利である。この点において、このようなオプトエレクトロニクスデバイスは、特定の用途例えばフラッシングライトもしくは交通信号灯またはその両方に使用することができ、これは有利である。少なくとも一実施形態によると、変換要素は、変換粒子を含んでいる、または変換粒子によって形成されており、半導体部品は、少なくとも一部分が、放射に対して透過性のポッティングによって、露出した領域において、確実に固定された状態でinapositivelylockingmanner覆われており、この場合、フィルタ粒子および変換粒子がポッティングの中に導入されている。すなわち、ポッティングの材料ポッティング化合物は、放射放出半導体部品の少なくとも一部分に直接接触している。特に、変換粒子およびフィルタ粒子のいずれもポッティング内にランダムにすなわち非確定的に分布している。放射に対して透過性とは、本明細書においては、成形体が、電磁放射の少なくとも80、好ましくは90以上を透過させることを意味する。本オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、フィルタ手段は、半導体部品の放出方向において変換要素の下流に配置されており、変換要素に少なくとも間接的に接触している。フィルタ手段は、一例として、光学要素例えば、レンズ、またはカバープレートである。この場合、光学要素は、放射放出半導体部品とは反対側の変換要素の外側領域の上に、直接貼り付ける例えば接着接合することができる。本オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、フィルタ粒子は、次の材料、すなわち、Cd、Td、Si、Ag、Au、Fe、Pt、Ni、Se、S、SiO2、TiO2、Al2O3、Fe2O3、Fe3O4、ZnO、のうちの少なくとも1種類によって、またはこれらの材料の少なくとも1種類の化合物によって、形成されている。原理的には、上記以外の半導体材料または金属も、フィルタ粒子に適している。さらには、フィルタ粒子を誘電体材料によって形成することもできる。半導体材料としては、フィルタ粒子の所望の散乱特性もしくは吸収特性またはその両方が得られるように、例えば粒子のサイズによって例えば粒子のd50値もしくは粒子の直径またはその両方によってバンドギャップを個々に設定することのできる半導体材料を使用することが可能である。さらには、散乱特性もしくは吸収特性またはその両方に関連するプラズモン共鳴に従って選択される金属を使用することが可能である。このような材料によって形成されるフィルタ粒子は、特に狭い吸収スペクトル具体的には電磁放射スペクトルの紫外領域内もしくは可視領域内またはその両方を有することが判明した。結果として、事前に定義される望ましくない波長域を、フィルタ粒子によって特に正確に選択することができ、これにより、所望の波長域の吸収もしくは散乱またはその両方が最小限になる。言い換えれば、このような材料によって形成されるフィルタ粒子は、狭い範囲に定義されるプラズモン共鳴を有する。さらには、このようなフィルタ粒子は、化学合成によって特に単純に製造することができる。さらには、このような材料によって形成されるフィルタ粒子は、熱的に安定しており、その結果として、オプトエレクトロニクスデバイスの動作時、吸収もしくは散乱またはその両方のずれが生じず、フィルタ粒子の経年劣化現象も起こらない。さらには、これらのフィルタ粒子は、塗布用の溶液内に存在するため、例えば変換要素の上に単純に塗布および処理することが可能である。少なくとも一実施形態によると、フィルタ粒子は、第1の材料によって形成されている中心部を備えており、中心部は、少なくとも一部分が外被部によって包まれており、外被部は、第2の材料によって形成されており、中心部に直接接触している。言い換えれば、この場合、フィルタ粒子は、複合構造によって形成されている。このような構造のフィルタ粒子では、個々のフィルタ粒子内の個々の材料の光学的吸収特性もしくは光学的散乱特性またはその両方を互いに組み合わせて、使用者のそれぞれの要件に合わせてこれらの特性を調整することが可能であり、これは有利である。少なくとも一実施形態によると、中心部は、第1の材料としてのSiO2によって形成されており、外被部は、第2の材料としてのAuもしくはAgまたはその両方によって形成されている。このような材料によって形成されているフィルタ粒子では、吸収の範囲もしくは散乱の範囲またはその両方を特に狭く限定して正確に設定できることが判明した。外被部を複数の個別の層によって形成することも考えられ、これらの層は、中心部から開始して中心部から遠ざかる方向に、事前定義可能な順序で積層されている。中心部から開始して中心部から遠ざかる方向における積層体は、一例として、Au、SiO2、Agという積層体によって形成されている。この場合、中心部は、一例としてSiO2によって形成されている。さらには、中心部から外被部に徐々に遷移させることも考えられる。すなわち、中心部と外被部の間に遷移領域を形成することができ、この遷移領域内には、中心部の材料と外被部の材料の両方が互いに隣接して位置している。この場合、この遷移領域内では、中心部と外被部の境界を明確に定義することができず、中心部と外被部が例えば均一に互いに融合している。少なくとも一実施形態によると、本デバイスは、CIE標準色度図のスペクトル色軌跡spectralcolorline上に位置する電磁放射を放出する。このようなデバイスは、デバイスに課される特定の要件の結果として、1つのみのスペクトル色が使用される、または放射が許容される特定の用途に適しており、これは有利である。本オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、半導体部品によって放出される電磁放射の色座標cx,cyは、デバイスによって放出される電磁放射の色座標と、それぞれ少なくとも0.005だけ異なる。放射放出半導体部品によって放出される電磁放射が変換要素によって変換された後、変換要素によって再放出される放射と、変換されない放射とを合わせた色座標は、CIE標準色度図のスペクトル色軌跡を境界とする囲まれた領域の色空間内に位置する。言い換えれば、この電磁放射は、混合光である。事前定義可能な波長域の電磁放射がフィルタ手段によって選択的に除去されるならば、このような波長域が除去された電磁放射は、1つのスペクトル色とすることができる。言い換えれば、フィルタ手段は、色座標を、CIE標準色度図のスペクトル色軌跡上に位置するスペクトル色の色位置まで、少なくとも0.005だけ移動させる。この移動は、一例として、最大で0.01である。少なくとも一実施形態によると、フィルタ粒子は、Auによって形成されており、Q0で測定されたd50値として、少なくとも1nm~最大200nm、好ましくは少なくとも10nm~最大160nmを有し、フィルタ手段は、少なくとも530nm~最大770nmの波長域の電磁放射を、これとは異なる波長域よりも大きな程度だけ、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行う。半導体部品は、一例として、緑色光を放出し、緑色光の一部分が変換要素によって赤色光に変換される。変換要素によって変換されない緑色光は、フィルタ粒子によって散乱させる、もしくは吸収させる、またはその両方を行うことができる。緑色光を放出するオプトエレクトロニクス半導体部品は、低い動作電圧で動作させることができ、これによってオプトエレクトロニクスデバイスの動作の費用効率が高まり、これは有利である。少なくとも一実施形態によると、フィルタ粒子は、Agによって形成されており、Q0で測定されたd50値として、少なくとも1nm~最大200nm、好ましくは少なくとも20nm~最大80nmを有し、フィルタ手段は、少なくとも430nm~最大490nmの波長域の電磁放射を、これとは異なる波長域よりも大きな程度だけ、散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行う。フィルタ手段によって吸収される、もしくは散乱する、またはその両方が行われる波長域は、一例として、青色光である。これにより、本デバイスによって放出される電磁放射に青色光が含まれないようにすることができる。さらには、半導体部品が、例えば近紫外領域における紫外線放射を放出することも考えられる。変換要素は、一例として、少なくとも2つの例えば3つの異なる変換手段それぞれが変換粒子を形成しているを備えている。一例として、第1の変換物質によって形成されている変換粒子が、放射放出半導体部品によって放出される紫外線放射の一部分を赤色光に変換し、残りの2種類の変換粒子それぞれ異なる変換物質によって形成されているが、放射放出半導体部品によって放出される紫外線放射の一部分を青色光および緑色光に変換する。これにより、赤色光、青色光、および緑色光を混合して白色光を形成することができる。しかしながら、変換要素は、紫外線放射の一部分を白色光に変換するのみである。紫外電磁放射のうち変換要素によって変換されない部分は、例えばデバイスの観察者の目に入射し、それが原因となって、短波長特性のため観察者の目がダメージを受けることがある。本オプトエレクトロニクスデバイスでは、望ましくない紫外線放射の部分がフィルタ手段によって選択的に吸収される、もしくは散乱する、またはその両方であるため、人の目に安全である白色光が放出されるのみであり、これは有利である。さらには、フラッシングライトを開示する。少なくとも一実施形態によると、フラッシングライトは、本明細書に記載されている実施形態の1つまたは複数に説明されているオプトエレクトロニクスデバイスを備えている。すなわち、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクスデバイスに関して提示されている特徴は、本明細書に記載されているフラッシングライトにもあてはまる。少なくとも一実施形態によると、フラッシングライトは投射領域を備えており、本オプトエレクトロニクスデバイスから取り出された電磁放射がこの投射領域に入射する。投射領域は、一例として、少なくとも一部分が放射に対して透過性であるスクリーンである。このスクリーンは、一例として、反射ユニットもしくは放射取り出しユニットまたはその両方に組み込まれている。放射放出半導体部品が、例えば440nmの波長の青色光を放出する場合、変換要素は、この青色光の一部分のみを、例えば橙色光または黄色光に変換する。放射放出半導体部品によって放出される青色光の約1~10例えば1~5が、変換要素によって変換されないことが考えられる。変換されない望ましくない青色光は、フィルタ手段が散乱させる、もしくは吸収する、またはその両方を行い、したがって、本オプトエレクトロニクスデバイスは、変換要素によって橙色光または黄色光に変換された光を放出するのみであり、これは有利である。この変換された光は投射領域に入射することができ、少なくとも一部分を投射領域によってフラッシングライトから取り出すことができる。法規または用途に応じてフラッシングライトに課される仕様上の特定の要件を、フィルタ手段のフィルタ特性によって個々に設定することができる。以下では、本発明のオプトエレクトロニクスデバイスおよび本発明のフラッシングライトについて、例示的な実施形態に基づいて、関連する図面を参照しながらさらに詳しく説明する。例示的な実施形態および図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図示した要素は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1Aは、放射放出半導体部品1を備えた本発明のオプトエレクトロニクスデバイス100を、概略側面図として示している。この実施形態の場合、放射放出半導体部品1は、440nmの波長の青色光を放出する放射放出半導体チップである。半導体部品1の放射出口領域11の上に、変換要素2が接着接合されている。変換要素2の中には、半導体部品1によって放出される光を変換する変換粒子21が導入されている。フィルタ手段3は、変換要素2に直接接触しておらず、変換要素2から間隔をあけて配置されており、放出方向45において変換要素2の下流に配置されている。図から理解できるように、変換要素2から出る放射は、変換要素2によって変換された所望の波長域4と、変換要素2によって変換されていない望ましくない波長域41とから構成される。この実施形態の場合、望ましくない波長域41は、変換要素2によって完全には変換されない青色光であり、放射放出半導体部品1によって放出される青色光の約10が変換要素2によって変換されない。さらには、変換要素2とは反対側のフィルタ手段3の外側領域は、レンズ形状に具体化されており、この結果として、オプトエレクトロニクスデバイス100の放射取り出し効率が高まり、これは有利である。さらには、図1Aにおいて理解できるように、望ましくない波長域41すなわち青色光をフィルタ手段3が吸収し、したがって、オプトエレクトロニクスデバイス100からは所望の波長域4例えば橙色光のみが取り出される。フィルタ手段3は、エポキシド、シリコーン、シリコーンとエポキシドの混合物、または透明なセラミック材料によって形成することができる。フィルタ手段3の中には、上述した実施形態の1つによるフィルタ粒子31が導入されている。フィルタ手段3は、別の何らかのプラスチック材料例えばPMMAによって形成することもできる。さらには、フィルタ粒子31の特定の割合が銀からなり、さらなる特定の割合が金からなることが考えられる。この場合、望ましくない波長域41を、このような混合物によって個々に設定することができ、これは有利である。図1Bは、本発明のオプトエレクトロニクスデバイス100のさらなる例示的な実施形態を示しており、この場合、図1Aとは異なり、フィルタ手段3が変換要素2に直接接触している。この目的のため、一例として、変換要素2の外側領域22の上にフィルタ手段3が接着接合されている、または、スクリーン印刷あるいはブレードコーティングによって形成されている。図1Cは、放射に対して透過性のポッティング5が、放射放出半導体部品1と変換要素2この実施形態の場合には薄層プレートとも称するまたは膜箔とも称するの両方を、露出した領域すべてにおいて、確実に固定された状態で覆っている状態を、概略側面図として示している。ポッティング5の中にはフィルタ粒子31が導入されている。したがって、この実施形態の場合、フィルタ粒子31がフィルタ手段3を形成している。図1Dにおいては、図1Cに示したオプトエレクトロニクスデバイス100と比較して、変換粒子21が変換要素2を形成している。言い換えれば、図1Dでは、変換要素2を薄層状または膜状に成形するステップが省かれる。この目的のため、変換粒子21とフィルタ粒子31とがポッティング5の中に一緒に導入されている。変換粒子21とフィルタ粒子31のいずれも、成形体5の中にランダムにすなわち非確定的に分布している。図2Aは、変換要素2から出る電磁放射の強度分布を波長の関数として示しており、この場合、強度分布の物理単位は1に正規化されている。図から理解できるように、変換要素2から出る電磁放射は、430nmと600nmにおいて2つの最大値を有する。この実施形態の場合、曲線P1は青色光に関連し、曲線P2は橙色光に関連する。言い換えれば、変換要素2からは、橙色光と青色光とから構成される混合光が出る。この実施形態の場合、放射放出半導体部品1によって放出される青色光の11は、変換要素によって橙色光に変換されない。言い換えれば、混合光は、望ましくない430nmの青色光の波長域を有する。図2Bは、CIE標準色度図F上における、変換要素2から出る光の色位置Q2と、オプトエレクトロニクスデバイス100によって放出される光の色位置Q1の色座標Cy,Cxを示しており、後者においては、望ましくない波長域41すなわち青色光がフィルタ手段3によってすでに除去されている。さらに、図2Bは、色位置Q1が位置しているスペクトル色軌跡Sを示している。図2Bでは、フィルタ手段3の影響としての色位置の移動を理解することができる。この実施形態の場合、色位置Q2の色座標Cx,Cyが、色位置Q1の色座標の方向に移動する。この場合、それぞれの移動量は、Cx座標において0.07、Cy座標において0.1である。したがって、フィルタ手段3によって、オプトエレクトロニクスデバイス100の色位置の座標を、例えば、領域B1内で点Q2から点Q1スペクトル色軌跡S上に位置するに移動させることができる。言い換えれば、点Q1から点Q2の方向への色位置の移動は、黒体曲線101を横切る。図2Cは、フィルタ手段3の吸収散乱断面積absorptionscatteringcrosssectionを、フィルタ手段3に入射する波長の関数として示している。個々の測定曲線6,7,8,9,10は、それぞれ、球状フィルタ粒子31のd50値として90nm、70nm、50nm、30nm、10nmに対応する。これらの曲線6,7,8,9,10の吸収散乱断面積の物理単位は、1に正規化されている。この実施形態の場合、フィルタ粒子31はAgによって形成されており、屈折率1.5を有する材料の中に導入されている。この材料は、一例として、図1Cおよび図1Dにおける例示的な実施形態による成形体5の成形体化合物である。波長430nmすなわち青色光の波長域内においては、曲線6の吸収散乱断面積が最も大きい。言い換えれば、d50値が90nmであるフィルタ粒子31がフィルタ手段3の中に導入されている場合、430nmの電磁放射をフィルタ手段3によって特に効率的に吸収することができる。図2Dは、散乱断面積の対応する曲線6,7,8,9,10を波長の関数として示している。この場合も図から理解できるように、波長430nmにおいては、曲線6の散乱断面積が最も大きい。さらには、図から理解できるように、波長430nmにおける曲線6の散乱断面積は、この波長における曲線7の散乱断面積の大きさのほぼ2倍である。同様に、曲線8の散乱断面積も、曲線7の散乱断面積のほぼ1/2であり、曲線6の散乱断面積のほぼ1/4である。これに対して、曲線9および曲線10は、それぞれ最小の散乱断面積を有し、図から理解できるように、曲線9および曲線10の2つの散乱断面積は、実質的に重なり合っている。このように、曲線6は最も高い吸収特性および散乱特性を示し、結果として、波長430nmの電磁放射すなわち青色光は、d50値が90nmである粒子によって特に効率的に除去することができる。本オプトエレクトロニクスデバイスの用途によっては、青色光をできる限り吸収し、かつできる限り散乱させないことが有利なことがある。この場合、大きさの異なる、もしくは異なる材料からなる、またはその両方である複数の異なるフィルタ粒子を、それぞれ特定の割合で混合することが適切であり得る。言い換えれば、吸収特性および散乱特性を、フィルタ手段3のフィルタ粒子31によって設定することができる。放射放出半導体部品1によって放出される紫外線放射を除去する場合にも、曲線6に関して同じことがあてはまる。図2Cおよび図2Dにおける曲線から推測できるように、曲線6は、紫外線放射に対しても最大の吸収特性および散乱特性を示す。この点において、オプトエレクトロニクスデバイス100の観察者の目へのダメージを回避することができ、これは有利であり、なぜなら、オプトエレクトロニクスデバイス100によって放出される紫外線放射が最小限になるためである。図3Aは、フィルタ粒子31を概略断面図として示しており、このフィルタ粒子31は、外被部312によって完全に包まれている中心部311によって形成されており、外被部312は中心部311に直接接触している。この実施形態の場合、中心部311は二酸化ケイ素によって形成されており、外被部312はAuによって形成されている。このようなフィルタ粒子31は複合粒子を形成しており、複合粒子では、使用する個々の材料の吸収特性もしくは散乱特性またはその両方を、フィルタ粒子31内で組み合わせることができる。図3Bは、全体的に糸状に具体化されているフィルタ粒子31を概略断面図として示している。フィルタ粒子31の直径Dは、少なくとも0.5nm、最大500nm例えば1nmである。この実施形態の場合、主延在方向におけるフィルタ粒子31の範囲LHは、直径Dの少なくとも2倍である例えば1mm以上。フィルタ粒子31は、一例として、Auによって形成されている。図3Cは、フィルタ粒子31のさらなる実施形態を概略断面図として示している。フィルタ粒子31それぞれは、糸状領域31Aおよび球状領域31Bによって形成されている。糸状領域31Aは、一例として、すでに図3Bに記載されているフィルタ粒子31である。球状領域31Bは、一例として、1nm以上のd50値を有する。図3Cから理解できるように、フィルタ粒子31は、ダンベルまたはガラガラおもちゃの形状に構築されている。糸状領域31AはAuによって形成することができ、球状領域31BはAgによって形成することができる。フィルタ粒子31を、複数の糸状領域31Aもしくは複数の球状領域31Bまたはその両方によって形成することも考えられる。この場合、このような領域によって形成されるフィルタ粒子31は、3次元構造を形成することができる。フィルタ粒子31を網の形に構築することが考えられ、網の節に球状領域31Bを配置することができる。さらなる一例として、フィルタ粒子31は、角錐状または四面体状に具体化されている。このような3次元構造の頂点に球状領域31Bを配置することができ、球状領域31Bの間に糸状領域31Aが配置されており、糸状領域31Aが球状領域31Bを互いに結合することができる。この場合、糸状領域31Aは3次元構造の辺を形成することができる。さらには、個々のフィルタ粒子31の少なくとも一部分を、少なくとも1本の主軸線を有する巻線構造によって形成することができる。一例として、フィルタ粒子31は、螺旋形状に具体化されている。図4Aおよび図4Bは、本発明のフラッシングライト200を概略側面図として示している。例えば、図1Cまたは図1Dにおける実施形態の一方によるオプトエレクトロニクスデバイス100は、所望の波長域4の電磁放射を投射領域201の方向に放出する。所望の波長域4は、橙色光である。放射放出半導体部品1は、波長440nmの青色光を放出する。変換要素2は、Sr,Ba2Si5N8またはCa-α-SiAlON変換要素であり、青色光の一部分を橙色光に変換する。放射放出半導体部品1によって放出される青色光の約10は、変換要素2によって変換されない。変換されない青色光は、フィルタ粒子31Agによって形成されており、Q0で測定されたd50値が30nmであるによって吸収され、したがって、オプトエレクトロニクスデバイス100によって放出される放射には青色光が含まれない。投射領域201は、一例として、ガラス、または放射に対して透過性のプラスチックによって形成されている。放射放出半導体部品1から放出される電磁放射は、少なくとも一部分が投射領域201を介してフラッシングライトから取り出される。オプトエレクトロニクスデバイス100および投射領域201のいずれに対しても、放射放出方向45の横方向に少なくとも1つの反射体202が存在しており、反射体202は、自身に入射する電磁放射の少なくとも一部分を投射領域201の方向に導く。図4Bは、フラッシングライト200を、投射領域201からオプトエレクトロニクスデバイス100に向かう方向すなわち放射放出方向45とは逆方向に示している。オプトエレクトロニクスデバイス100は投射領域201の後ろに隠れており、点線によって示してある。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010025608.0号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"