"陰極と、陽極と、該陰極及び該陽極との間に設けられ、発光材料を含む発光層と、該発光層及び該陰極の間に設けられ、下記式Aで表される化合物を含む有機層とを有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。A式A中、Ar1は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。nは、2~5の整数を表す。複数個あるArは、それぞれ同一であっても異なってもよい。但し、少なくとも1つのArは、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基である。X及びYは、それぞれ独立に、水素原子又は下記式Bで表される基を表す。X及びYが水素原子である場合、少なくとも1つのAr1が、置換基として下記式Bで表される基を有する。-CwFxHyOzB式B中、wは、0~10の整数を表し、xは、1~2w1の整数を表し、yは、0~2wの整数を表し、zは0又は1を表す。式Aで表される化合物の最高占有軌道準位のエネルギーと、発光材料の最高占有軌道準位のエネルギーとが、下記式1を満たす、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式Aで表される化合物の最高占有軌道準位のエネルギー>発光材料の最高占有軌道準位のエネルギー1有機層が、非発光性である、請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式Aで表される化合物の最低非占有軌道準位のエネルギーと、発光材料の最低非占有軌道準位のエネルギーとが、下記式2を満たす請求項1~3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式Aで表される化合物の最低非占有軌道準位のエネルギー<発光材料の最低非占有軌道準位のエネルギー0.5eV2式Aで表される化合物のエネルギーギャップが、発光材料のエネルギーギャップより大きい、請求項1~4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式Aで表される化合物が、トリフルオロメチルベンゼン、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼン、及び、1,4-ビストリフルオロメチルベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも1種のフッ素溶媒に対して、0.1重量w/o以上溶解する、請求項1~5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。しかし、上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、外部量子効率が十分でない。そこで、本発明の目的は、外部量子効率が優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。本発明は、以下の[1]~[6]を提供する。[1]陰極と、陽極と、該陰極及び該陽極との間に設けられ、発光材料を含む発光層と、該発光層及び該陰極の間に設けられ、下記式Aで表される化合物を含む有機層とを有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。A式A中、Ar1は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。nは、2~5の整数を表す。複数個あるArは、それぞれ同一であっても異なってもよい。但し、少なくとも1つのArは、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基である。X及びYは、それぞれ独立に、水素原子又は下記式Bで表される基を表す。X及びYが水素原子である場合、少なくとも1つのAr1が、置換基として下記式Bで表される基を有する。-CwFxHyOzB式B中、wは、0~10の整数を表し、xは、1~2w1の整数を表し、yは、0~2wの整数を表し、zは0又は1を表す。[2]式Aで表される化合物の最高占有軌道準位のエネルギーと、発光材料の最高占有軌道準位のエネルギーとが、下記式1を満たす、[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式Aで表される化合物の最高占有軌道準位のエネルギー>発光材料の最高占有軌道準位のエネルギー1[3]有機層が、非発光性である、[1]又は[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。[4]式Aで表される化合物の最低非占有軌道準位のエネルギーと、発光材料の最低非占有軌道準位のエネルギーとが、下記式2を満たす[1]~[3]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。式Aで表される化合物の最低非占有軌道準位のエネルギー<発光材料の最低非占有軌道準位のエネルギー0.5eV2[5]式Aで表される化合物のエネルギーギャップが、発光材料のエネルギーギャップより大きい、[1]~[4]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。[6]式Aで表される化合物が、トリフルオロメチルベンゼン、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼン、及び、1,4-ビストリフルオロメチルベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも1種のフッ素溶媒に対して、0.1重量w/o以上溶解する、[1]~[5]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、外部量子効率が優れる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と、陽極と、該陰極及び該陽極との間に設けられ、発光材料を含む発光層と、該発光層及び該陰極の間に設けられ、式Aで表される化合物を含む有機層とを有する、有機エレクトロルミネッセンス素子である。式A中、Ar1で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から、水素原子2個を除いた原子団であり、ベンゼン環を含む基、縮合環を含む基、独立したベンゼン環又は縮合環のうち2個以上の環が直接又はビニレン基等を介して結合した構造を含む基を含む。アリーレン基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられ、式Aで表される化合物の有機溶媒に対する溶解性が優れ、合成が容易であり、かつ、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の特性が優れるので、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、シアノ基が好ましい。Ar1で表されるアリーレン基において、置換基を除いた部分の炭素数は、通常、6~60であり、好ましくは6~20である。置換基を含めたアリーレン基の炭素数は、通常、6~100である。Ar1で表されるアリーレン基としては、例えば、フェニレン基下式1~3、ナフタレンジイル基下式4~13、アントラセン-ジイル基下式14~19、ビフェニル-ジイル基下式20~25、ターフェニル-ジイル基下式26~28、縮合環化合物基下式29~35、フルオレン-ジイル基下式36~38、ベンゾフルオレン-ジイル下式39~46が挙げられ、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の耐久性が優れるので、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセン-ジイル基、ビフェニル-ジイル基、フルオレン-ジイル基、ベンゾフルオレン-ジイル基が好ましく、ナフタレンジイル基、アントラセン-ジイル基、ビフェニル-ジイル基、フルオレン-ジイル基、ベンゾフルオレン-ジイル基がより好ましく、ナフタレンジイル基、アントラセン-ジイル基、フルオレン-ジイル基、ベンゾフルオレン-ジイル基が更に好ましく、フルオレン-ジイル基、ベンゾフルオレン-ジイル基が特に好ましく、フルオレン-ジイル基がとりわけ好ましい。なお、以下の基は、置換基を有していてもよい。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアルキル基は、直鎖、分岐のいずれでもよく、シクロアルキル基であってもよい。該アルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基の炭素数は、通常、1~20である。置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアルコキシ基は、直鎖、分岐のいずれでもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。該アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の炭素数は、通常、1~20である。置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、2-メトキシエチルオキシ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアルキルチオ基は、直鎖、分岐のいずれでもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。該アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素数は、通常、1~20である。置換基を有していてもよいアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリール基は、芳香族炭化水素から水素原子1個を除いた原子団であり、ベンゼン環を含む基、縮合環を含む基、独立したベンゼン環又は縮合環のうち2個以上の環が直接又はビニレン基等を介して結合した構造を含む基を含む。該アリール基の炭素数は、通常、6~60であり、好ましくは7~48である。該アリール基は置換基を有していてもよく、置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、C1~C12アルコキシフェニル基C1~C12アルコキシは、炭素数が1~12のアルコキシであることを示す。以下、同様である。、C1~C12アルキルフェニル基C1~C12アルキルは、炭素数1~12のアルキルであることを示す。以下、同様である。、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられ、C1~C12アルコキシフェニル基、C1~C12アルキルフェニル基が好ましい。C1~C12アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、イソプロポキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、2-エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、3,7-ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基が挙げられる。C1~C12アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリールオキシ基は、その炭素数が、通常、6~60であり、好ましくは7~48である。該アリールオキシ基は置換基を有していてもよく、置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、C1~C12アルコキシフェノキシ基、C1~C12アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、C1~C12アルコキシフェノキシ基、C1~C12アルキルフェノキシ基が好ましい。C1~C12アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロポキシフェノキシ基、イソプロポキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、tert-ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、2-エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基が挙げられる。C1~C12アルキルフェノキシ基としては、例えば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5-トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、tert-ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリールチオ基は、置換基を有していてもよい。該アリールチオ基の炭素数は、通常、3~60である。置換基を有していてもよいアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、C1~C12アルコキシフェニルチオ基、C1~C12アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基、2-ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリールアルキル基は、置換基を有していてもよい。該アリールアルキル基の炭素数は、通常、7~60である。置換基を有していてもよいアリールアルキル基としては、例えば、フェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキル基、1-ナフチル-C1~C12アルキル基、2-ナフチル-C1~C12アルキル基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。該アリールアルコキシ基の炭素数は、通常、7~60である。置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基としては、例えば、フェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルコキシ基、1-ナフチル-C1~C12アルコキシ基、2-ナフチル-C1~C12アルコキシ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。該アリールアルキルチオ基の炭素数は、通常、7~60である。置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基としては、例えば、フェニル-C1~C12アルキルチオ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルチオ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルチオ基、1-ナフチル-C1~C12アルキルチオ基、2-ナフチル-C1~C12アルキルチオ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリールアルケニル基は、置換基を有していてもよい。該アリールアルケニル基の炭素数は、通常、8~60である。置換基を有していてもよいアリールアルケニル基としては、例えば、フェニル-C2~C12アルケニル基、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルケニル基、C1~C12アルキルフェニル-C2~C12アルケニル基、1-ナフチル-C2~C12アルケニル基、2-ナフチル-C2~C12アルケニル基が挙げられ、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルケニル基、C1~C12アルキルフェニル-C2~C12アルケニル基が好ましい。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアリールアルキニル基は置換基を有していてもよい。該アリールアルキニル基の炭素数は、通常、8~60である。置換基を有していてもよいアリールアルキニル基としては、例えば、フェニル-C2~C12アルキニル基、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルキニル基、C1~C12アルキルフェニル-C2~C12アルキニル基、1-ナフチル-C2~C12アルキニル基、2-ナフチル-C2~C12アルキニル基が挙げられ、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルキニル基、C1~C12アルキルフェニル-C2~C12アルキニル基が好ましい。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアミノ基は、無置換のアミノ基であっても、置換アミノ基であってもよい。置換アミノ基とは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基からなる群から選ばれる1個又は2個の基で置換されたアミノ基である。該アルキル基、該アリール基、該アリールアルキル基及び該1価の複素環基は、更に、置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、置換基の炭素数を含めないで、通常、1~60であり、好ましくは2~48である。該置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、s-ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7-ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1~C12アルコキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニルアミノ基、1-ナフチルアミノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、1-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基、2-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいシリル基は、無置換のシリル基であっても、置換シリル基であってもよい。置換シリル基とは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基からなる群から選ばれる1個、2個又は3個の基で置換されたシリル基である。該アルキル基、該アリール基、該アリールアルキル基及び該1価の複素環基は、更に、置換基を有していてもよい。置換シリル基の炭素数は、通常、1~60であり、好ましくは3~48である。該置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ-イソプロピルシリル基、ジメチル-イソプロピルシリル基、ジエチル-イソプロピルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2-エチルヘキシル-ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7-ジメチルオクチル-ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル-C1~C12アキルシリル基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルシリル基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルシリル基、1-ナフチル-C1~C12アルキルシリル基、2-ナフチル-C1~C12アルキルシリル基、フェニル-C1~C12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアシル基は、炭素数が、通常、2~20であり、好ましくは2~18である。置換基を有していてもよいアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいアシルオキシ基は、炭素数が、通常、2~20であり、好ましくは2~18である。置換基を有していてもよいアシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいイミン残基は、イミン化合物から水素原子1個を除いた残基である。ここで、イミン化合物とは、分子内に、-N=C-基を含む有機化合物を意味する。イミン化合物の例としては、アルジミン、ケチミン、及び、これらの化合物の窒素原子が有する水素原子がアルキル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の炭素数は、通常、2~20であり、2~18が好ましい。該イミン残基としては、例えば、以下の構造式で示される基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいカルバモイル基は、炭素数が、通常、1~20であり、好ましくは炭素数1~18である。置換基を有していてもよいカルバモイル基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよい酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基である。酸イミド基の炭素数は、通常、4~20である。該酸イミド基としては、例えば、以下に示す基が挙げられる。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよい1価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は、通常、4~60であり、好ましくは4~20である。1価の複素環基の中では、1価の芳香族複素環基が好ましい。なお、1価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素等のヘテロ原子を環内に含む化合物をいう。1価の複素環基としては、例えば、チエニル基、C1~C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1~C12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、チエニル基、C1~C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C1~C12アルキルピリジル基が好ましい。Ar1で表されるアリーレン基が置換基として有していてもよいカルボキシル基は、無置換のカルボキシル基であっても、置換カルボキシル基であってもよい。置換カルボキシル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいう。該アルキル基、該アリール基、該アリールアルキル基及び該1価の複素環基は、更に、置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数は、通常、2~60であり、好ましくは2~48である。置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7-ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。式Aで表される化合物としては、例えば、下記式A-1で表される化合物が挙げられる。A-1式A-1中、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5及びAr6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。n2、n3、n4、n5及びn6は、それぞれ独立に、0又は1を表す。但し、n2n3n4n5n6は、2~5である。但し、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5及びAr6のうちの少なくとも1つは、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基であり、それに対応するn2、n3、n4、n5及びn6は、1である。Zは、式Bで表される基を表す。C2、C3、C4、C5及びC6は、それぞれ独立に、0~2の整数を表す。Zが複数個ある場合、それらは同一であっても異なってもよい。X及びYは、前記と同じ意味を表す。X及びYが水素原子である場合、C2C3C4C5C6は、1~10である。式A-1中、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5及びAr6で表されるアリーレン基の定義、例は、前述のAr1で表されるアリーレン基の定義、例と同じであるが、有機エレクトロルミネッセンス素子の耐久性が優れるので、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5及びAr6が、いずれも、置換基を有していてもよいフルオレン-ジイル基であることが好ましく、置換基を有していてもよい2,7-フルオレン-ジイル基であることがより好ましい。n2、n3、n4、n5及びn6は、式A-1で表される化合物の合成が容易であるので、2≦n2n3n4n5n6≦3を満たすことが好ましく、n2n3n4n5n6=3を満たすことがより好ましく、n2及びn6が0であり、かつ、n3、n4及びn5が1であることが更に好ましい。式A-1中、C2、C3、C4、C5及びC6は、式A-1で表される化合物の合成が容易であるので、各々、0又は2であることが好ましい。式A、A-1中、X及びYは、式A-1で表される化合物の合成が容易であるので、いずれも水素原子であること、又は、いずれも式Bで表される基であることが好ましい。式A-1中、X及びYがいずれも水素原子である場合、式A-1で表される化合物の有機溶媒に対する溶解性が優れるので、C4が1又は2であることが好ましく、2であることがより好ましく、C4が2であり、かつ、C2、C3、C5及びC6が0であることが更に好ましい。式A-1中、X及びYがいずれも式Bで表される基である場合、式A-1で表される化合物の有機溶媒に対する溶解性が優れるので、C2、C3、C5及びC6が0であることが好ましい。式A、A-1中、Zで表される式Bで表される基としては、以下の式F1~式F32で表される基が例示され、以下の式F1~式F14で表される基が好ましい。式A、A-1で表される化合物の安定性が優れるので、式B中、zは0であることが好ましい。式Aで表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、式Aで表される化合物は、有機層中に一種単独で含まれていても二種以上を組み合わせて含まれていてもよい。また、有機層中に含まれる式Aで表される化合物は、それのみが含まれていても、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種類の材料と組み合わせて組成物として含まれていてもよい。前記組成物が正孔輸送材料を含有する場合は、組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、1重量~80重量であり、好ましくは5重量~60重量である。前記組成物が電子輸送材料を含有する場合は、組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、1重量~80重量であり、好ましくは5重量~60重量である。前記組成物が発光材料を含有する場合には、組成物中の発光材料の割合は、通常、1重量~80重量であり、好ましくは5重量~60重量である。次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成について説明する。式Aで表される化合物を含む有機層としては、電子輸送層、電子注入層及び正孔阻止層が挙げられ、該素子の作製が容易であるので、正孔阻止層が好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造としては、以下のa~lの構造が例示される。ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示し、以下、同じである。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と発光層との間に、式Aで表される化合物を含む有機層以外に、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等を有していてもよい。該素子の構造は、以下のc~nの構造が例示される。a陽極/発光層/有機層/電子輸送層/陰極b陽極/正孔輸送層/発光層/有機層/電子輸送層/陰極c陽極/発光層/有機層/電子注入層/陰極d陽極/正孔輸送層/発光層/有機層/電子注入層/陰極e陽極/発光層/有機層/電子輸送層/電子注入層/陰極f陽極/正孔輸送層/発光層/有機層/電子輸送層/電子注入層/陰極g陽極/発光層/正孔阻止層/有機層/陰極h陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/有機層/陰極i陽極/発光層/正孔阻止層/有機層/電子注入層/陰極j陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/有機層/電子注入層/陰極k陽極/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/有機層/陰極l陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/有機層/陰極発光層とは、発光する機能を有する層であり、発光材料を含む。正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層である。電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。電子注入層とは、陰極から隣接する有機層に電子を注入する機能を有する層である。正孔阻止層とは、発光層から再結合されなかった正孔をすり抜けさせずに発光層の内に留める機能を有する層である。電子輸送層と正孔輸送層とを総称して電荷輸送層と呼ぶ場合がある。発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶ場合もある。各層は、2層以上ずつ有していてもよい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、式Aで表される化合物が含まれる有機層が正孔素子層である場合、該正孔阻止層がより機能を発揮できるので、式Aで表される化合物の最高占有軌道準位のエネルギーと、発光材料の最高占有軌道準位のエネルギーとが、式1を満たすことが好ましい。発光層が2種以上の発光材料を含む場合、全ての発光材料について式1の条件を満たすことが好ましい。発光層が燐光を発光する化合物とホスト化合物とを含む場合、燐光を発光する化合物とホスト化合物との両方を発光材料とする。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、素子内部での発光領域をコントロールし、均一な発光が得られるので、式Aで表される化合物が含まれる有機層が非発光性であることが好ましい。有機層が非発光性であるとは、エレクトロルミネッセンススペクトルから該有機層の発光が観測されないことを意味する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光材料への電子注入が円滑になるので、式Aで表される化合物の最低非占有軌道準位のエネルギーと、発光材料の最低非占有軌道準位のエネルギーとが、式2を満たすことが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層内部の励起子が拡散したり、陰極界面に移動したりすることをより効果的に回避できるので、式Aで表される化合物のエネルギーギャップが、発光材料のエネルギーギャップより大きいことが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、式Aで表される化合物が、トリフルオロメチルベンゼン、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼン、及び、1,4-ビストリフルオロメチルベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも1種のフッ素溶媒に対して、0.1重量w/o以上溶解することが好ましい。発光層及び有機層を含む各層の成膜方法は、制限されないが、溶液からの成膜が好ましい。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。有機層作製の際に、式Aで表される化合物を含む溶液から成膜する場合、該溶液を発光層等の上に塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよい。また、式Aで表される化合物に電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても、同様の手法が適用でき、製造上有利である。発光層及び有機層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、それぞれ独立に、例えば、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、更に好ましくは5nm~200nmである。発光層に含まれる発光材料としては、低分子化合物及び高分子化合物に分類でき、各々、公知の材料が使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体を用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体が例示され、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がより好ましい。低分子正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカルレビューChemRev第89巻、1359頁1989年、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、キッピング法が好適に用いられる。ポリシロキサン誘導体としては、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好ましく、正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものがより好ましい。正孔輸送層の成膜の方法は制限されないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示され、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであればよく、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。溶液からの成膜には、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。低分子正孔輸送材料と併用し得る高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないもの、及び、可視光に対する吸収が強くないものが好ましく、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、例えば、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、更に好ましくは5nm~200nmである。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子が、陰極と発光層との間に、式Aで表される化合物を含む有機層に加えて電子輸送層を有する場合、該電子輸送層に使用される電子輸送材料としては、公知の材料が使用できる。電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が例示され、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス8-キノリノールアルミニウム、ポリキノリンがより好ましい。電子輸送層の成膜の方法は制限されないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子電子輸送材料では、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び/又は高分子バインダーを溶解させるものであればよい。該溶媒として、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等の塩素溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法が用いられる。低分子電子輸送材料と併用し得る高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないもの、及び、可視光に対する吸収が強くないものが好ましい。該高分子バインダーとしては、ポリN-ビニルカルバゾール、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、例えば、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、更に好ましくは5nm~200nmである。電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、電荷注入層と呼ばれることがある。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子が、陰極と発光層との間に、式Aで表される化合物を含む有機層に加えて電子注入層を有する場合、該電子注入層に使用される電子注入材料としては、前述の電子輸送材料が挙げられる。電子注入層は、層中にカチオンがドープされていてもよい。カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。電子注入層の成膜方法は制限されないが、低分子電子注入材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子電子注入材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。電子注入層の厚さは、例えば、1nm~100nmであり、2nm~50nmが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、電極との密着性が向上し、かつ、電極からの電荷注入性がより向上するので、電極に隣接して絶縁層を設けることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、界面の密着性が向上し、界面を形成する層同士の混合が防止できるので、電荷輸送層又は発光層の界面にバッファー層を設けることができる。積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。本発明において、正孔注入層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子の構造としては、例えば、以下のo~pの構造が挙げられる。o陽極/電荷注入層/発光層/有機層/陰極p陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/有機層/陰極正孔注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層が挙げられる。上記正孔注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、105Scm以上103Scm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、105Scm以上102Scm以下がより好ましく、105Scm以上101Scm以下が更に好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を105Scm以上103Scm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。ドープするイオンの種類は、アニオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられる。正孔注入層の厚さは、例えば、1nm~100nmであり、2nm~50nmが好ましい。電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン銅フタロシアニン等、カーボンが例示される。絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、01~20nmであり、好ましくは05~10nm、より好ましくは1~5nmである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下のq~abの構造が挙げられる。q陽極/絶縁層/発光層/有機層/陰極r陽極/発光層/有機層/絶縁層/陰極s陽極/絶縁層/発光層/有機層/絶縁層/陰極t陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/有機層/陰極u陽極/正孔輸送層/発光層/有機層/絶縁層/陰極v陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/有機層/絶縁層/陰極w陽極/絶縁層/発光層/有機層/電子輸送層/陰極x陽極/発光層/有機層/電子輸送層/絶縁層/陰極y陽極/絶縁層/発光層/有機層/電子輸送層/絶縁層/陰極z陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/有機層/電子輸送層/陰極aa陽極/正孔輸送層/発光層/有機層/電子輸送層/絶縁層/陰極ab陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/有機層/電子輸送層/絶縁層/陰極本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する基板は、電極を形成し、各層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。この基板は、通常、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であるが、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズオキサイドITO、インジウム亜鉛オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜、NESA、金、白金、銀、銅が好ましく、ITO、インジウム亜鉛オキサイド、酸化スズがより好ましい。その他にも、陽極の材料としては、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。陽極の作製には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が用いられる。陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、更に好ましくは50nm~500nmである。陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、又は、金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、あるいは、それらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金、カルシウム-アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を2層以上の積層構造としてもよい。陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、更に好ましくは50nm~500nmである。陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは、金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、有機エレクトロルミネッセンス素子を保護する保護層を装着していてもよい。有機エレクトロルミネッセンス素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び/又は保護カバーを装着することが好ましい。保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。保護カバーを熱硬化樹脂又は光硬化樹脂で基板と貼り合わせて密閉することが好ましい。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子が傷つくことを防ぐことが容易である。該空間に窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを封入することにより、陰極の酸化を防止することができる。また、酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより、製造工程で素子に水分が吸着した場合であっても、その水分が素子にダメージを与えるのを抑制することができる。これらのうち、いずれか1つ以上の方策をとることが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置例えば、バックライト等の表示装置等に用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、前記面状の有機エレクトロルミネッセンス素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメント表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等に用いることができる。面状の有機エレクトロルミネッセンス素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適である。照明用光源の発光色としては、白色、赤色、緑色、青色等が挙げられる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、表示装置としても使用できる。以下、本発明を更に詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。<合成例1>化合物M-2の合成アルゴン雰囲気下、500mLの4つ口フラスコ中に、2,7-ジブロモ-9,9-ジp-オクチルフェニルフルオレン化合物M-1を21.02g、テトラヒドロフランTHFを390mL入れて混合し、-78°Cに冷却した。反応液へ、1.6Mのn-BuLiのへキサン溶液20mLを10分かけて滴下し、1時間攪拌した。トリメチルシランクロライドを4.9g滴下した後、室温に昇温し、2時間攪拌した。反応の進行を確認し、水を加え有機層を洗浄した後、有機層を濃縮した。得られたオイルを、ヘキサンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物M-2を得た。LC-MSAPPI-MSposi:693[MH]<合成例2>化合物M-3の合成アルゴン雰囲気下、17.35gの化合物M-2と、330mLのTHFと、4.29gの2,2’-ビピリジルbpyとを混合し、60°Cに加熱した。ここへ、ビスシクロオクタジエンニッケル0NiCOD2を7.56g加え、3時間攪拌した。反応の進行を確認し、反応液を室温まで冷却した後、反応液をセライトろ過した。得られた溶液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン/トルエン=10/1容積比で精製し、化合物M-3を12.4g得た。1H-NMR;δ0.2218H,s,0.8612H,t,1.2540H,m,1.538H,m,2.538H,t,7.018H,d,7.118H,d,7.508H,m,7.712H,d,7.742H,dppm.LC-MSAPPI-MSposi:1228[MH]<合成例3>化合物M-4の合成アルゴン雰囲気下、100mLの4つ口フラスコ中に、化合物M-3を5.53g、ジクロロメタンを30mL入れて混合し、0°Cに冷却した。ここへ、1規定の一塩化ヨウ素IClを含むジクロロメタン溶液を10mL滴下し、1時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで昇温し、水で洗浄後、反応液の有機層を濃縮した。得られたオイルを、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン/トルエン=10/1容積比で精製し、化合物M-4を得た。1H-NMR;δ0.8612H,t,1.2740H,m,1.558H,m,2.538H,t,7.0716H,m,7.496H,m,7.706H,m.LC-MSAPPI-MSposi:1335[MH]<合成例4>化合物M-5の合成アルゴン雰囲気下、100mLの4つ口フラスコ中に、化合物M-4を1.34g、ペンタフルオロフェニルボランを0.85g、フッ化セシウムを0.61g、酸化銀を0.56g、N,N-ジメチルホルムアミドDMFを20mL入れ混合した。反応液に、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウムPd2dba3を92mg、トリ-tert-ブチルホスフィンを51mg加え、100°Cで3時間攪拌した。反応の進行を確認した後、反応液をセライトろ過し、次いでシリカゲルろ過カラムに通した。得られたオイルを、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン/トルエン=10/1容積比で精製し、化合物M-5を420mg得た。1H-NMR;δ0.8612H,t,1.2540H,m,1.548H,m,2.538H,t,7.058H,d,7.138H,d,7.424H,dd,7.594H,dd,7.844H,ddppm.19F-NMR;δ14.7,-138.4,-156.0ppm.<合成例5>化合物M-6の合成アルゴン雰囲気下、70mLのTHFと1.6Mのn-BuLiのへキサン溶液15mLとを混合し、-20°Cに冷却した。ここへ、4.01gの化合物M-4を70mLのTHFに溶かした溶液を30分かけて滴下した。滴下してから2時間経過後より、60gのDMFを1時間かけて滴下した。滴下終了後、室温に昇温し、2時間攪拌した。反応終了後、反応液に、水を加え、その後、酢酸エチルを加えて分液し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られたオイルをアルミナカラムクロマトグラフィー展開溶媒酢酸エチル/へキサン=1/10容積比で精製し、化合物M-6を2.1g得た。LC-MSESI-MS:1177[MK]<合成例6>化合物M-7の合成アルゴン雰囲気下、2.05gの化合物M-6と、20gのトリデカフルオロへキシルヨージドと、290mLのTHFとを混合し、-78°Cに冷却した。ここへ、3規定のフェニルマグネシウムブロマイドのエーテル溶液12mLを30分かけて滴下した。その後、反応液の温度を-78°Cに維持しながら3時間攪拌した。反応液へ、3規定の塩化水素水溶液を20mL加え、室温に昇温しながら攪拌した。反応終了後、反応液を分液し、有機層をイオン交換水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン/酢酸エチル=20/1容積比で4回精製することにより、化合物M-7を1.2g得た。LC-MSESI-MS:1817[MK]1H-NMR;δ0.8712H,t,1.2540H,m,1.548H,m,2.382H,s,2.538H,t,5.182H,m,7.018H,d,7.108H,d,7.504H,dd,7.574H,dd,7.774H,mppm.<合成例7>化合物M-8の合成アルゴン雰囲気下、2.8gのデスマーチンパーヨージナンを15mLのジクロロメタンと混合し、溶解させた。ここへ、1.8gの化合物M-7を15mLのジクロロメタンに溶かした溶液を、10分かけて室温で滴下した。滴下終了後、室温で2時間攪拌した。反応液に、チオ硫酸ナトリウム飽和水溶液を20mL加えることにより、反応を停止し、反応液を分液した。有機層を濃縮し、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン/酢酸エチル=20/1容積比で精製し、精製物を濃縮して得られた固体をメタノールで洗浄することで、化合物M-8を1.2g得た。LC-MSESI-MS:1815[MK]1H-NMR;δ0.8512H,t,1.2240H,m,1.548H,m,2.548H,t,7.038H,d,7.158H,d,7.584H,dd,7.674H,dd,7.854H,mppm.<合成例8>化合物M-9の合成アルゴン雰囲気下、15.0mLのTHF中に、3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボロン酸を1.50g、化合物M-4を0.777g、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド商品名Aliquat336登録商標、アルドリッチ製を0.045g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを0.054g加えて攪拌した。反応液に、炭酸ナトリウムを0.370g含む水溶液7.5mLを滴下し、40°Cで16時間撹拌した。室温に戻した後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを0.055g加えて6日間、40°Cで攪拌した。冷却後、反応液を濃縮し、クロロホルムを加えて水層を取り除き、有機層を水で洗浄した。洗浄液をクロロホルムで抽出して有機層と混ぜた。得られた溶液に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させて、ろ過により吸湿した硫酸マグネシウムを取り除き、濃縮して、カラムクロマトグラフィー展開溶媒シリカゲル/ヘキサンで精製した。精製後の溶液からヘキサンをエバポレーターで取り除き、メタノールを加えると結晶化した。結晶を取り出してクロロホルムに溶かし、メタノールに滴下して沈殿を生成させた。沈殿をろ過によって取り出し、メタノールで洗浄し、乾燥させることによって化合物M-9を0.607g得た。1H-NMRppm/300MHz,CDCl3:0.8612H,t,1.2~1.340H,m,1.68H,m,2.558H,t,7.18H,d,7.28H,d,7.572H,m,7.606H,m,7.8~7.96H,m,7.944Hppm.<合成例9>化合物M-11の合成アルゴン雰囲気下、5.83gの化合物M-2と、3.18gの化合物M-10と、40mLのトルエンと、45mgの酢酸パラジウムと、282mgのトリ2-メトキシフェニルホスフィンとを混合し、80°Cに加温した。反応液に、10mLの水酸化テトラエチルアンモニウムを10分かけて滴下し、105°Cで2時間加温した。反応終了後、反応液の有機層を水で洗浄後、有機層を濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン/トルエン=5/1容積比で精製し、化合物M-11を6.5g得た。LC-MSAPPI-MSposi:1768[MH]<合成例10>化合物M-12の合成アルゴン雰囲気下、100mLの4つ口フラスコ中に、化合物M-11を6.52g、ジクロロメタンを25mL入れて混合し、0°Cに冷却した。ここへ、1規定のIClのジクロロメタン溶液を8.4mL滴下し、1時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで昇温し、水で洗浄後、有機層を濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒へキサン/トルエン=5/1容積比で精製することにより目的物である化合物M-12を3.91g得た。LC-MSAPPI-MSposi:1877[MH]<合成例11>化合物M-13の合成アルゴン雰囲気下、100mLの4つ口フラスコ中に、化合物M-12を2.81g、ペンタフルオロフェニルボランを1.27g、フッ化セシウムを0.91g、酸化銀を0.83g、DMFを30mL入れて混合した。反応液に、Pd2dba3を140mg、トリ-tert-ブチルホスフィンを75mg加え、100°Cで3時間攪拌した。反応の進行を確認した後、反応液をセライトろ過し、次いでシリカゲルろ過カラムを通した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン/トルエン=1/1容積比で精製し、化合物M-13を2.4g得た。LC-MSESI-MS:1994[MK]<合成例12>化合物M-14の合成アルゴン雰囲気下、25.0gの3,5-ビストリフルオロメチルブロモベンゼンと、250mLのTHFとを混合し、-78°Cに冷却した。この反応液へ、1.6Mのn-BuLiのへキサン溶液50mLを2時間かけて滴下し、更に30分攪拌した。反応液の温度を-78°Cに保ったまま、13.2gの4,4’-ジブロモビフェニル-2-メチルエステルを30mLのTHFに溶かした溶液を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、昇温し、6時間かけて-20°Cとした。この反応液に、水を加えることで、反応を停止した。反応液に、酢酸エチルを加え、食塩の飽和水溶液で2回洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた溶液を、シリカゲルを用いた濾過カラムに通し、得られた溶液を濃縮することにより黄色のオイルを33.9g得た。アルゴン雰囲気下、33.9gの得られた黄色のオイルと、80mLのトルエンとを混合し、0°Cに冷却した。ここへ、17.6mLの三フッ化ホウ素のジエチルエーテル錯体を30分かけて滴下し、室温に昇温し、1時間攪拌した。反応液にクロロホルムを加え、イオン交換水で4回洗浄した。得られた懸濁液を濃縮し、析出した固体をろ取し、減圧乾燥した。得られた白色固体をトルエンから再結晶することで、化合物M-14を得た。化合物M-14の収率は、21.74であった。1H-NMR300MHz,CDCl3;δ7.342H,s,7.524H,s,7.622H,d,7.702H,d,7.872H,sppm.19F-NMR300MHz,CDCl3;δ-63.2ppm.LC-MSAPPI-MSposi:747[M].<合成例13>化合物M-15の合成アルゴン雰囲気下、3Lの三口フラスコに、3-n-ヘキシル-5-メチルブロモベンゼンを262g、及び、無水テトラヒドロフランを1.5L加え、均一溶液とし、-78°Cに冷却した。得られた溶液に、2.5Mのn-ブチルリチウムのヘキサン溶液380mLを、溶液の温度が-70°C以下に保たれるように滴下し、4時間撹拌し、溶液Aを得た。別途、1Lの二口フラスコに、2-メトキシカルボニル-4,4’-ジブロモビフェニルを160g、及び、無水テトラヒドロフランを500mL加え、均一溶液である溶液Bを調製した。溶液Aに溶液Bを、溶液Aの温度が-70°C以下に保たれるように滴下し、撹拌した。反応液を室温にて15時間撹拌した。次いで、反応液に水を150mL、0°Cにて加え、撹拌した。次いで、減圧下、濃縮操作により溶媒を留去し、残留物にヘキサン及び水を加え、撹拌し、静置して生成した水層を除去し、有機層を得た。この有機層を飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた後、減圧下で濃縮することにより、中間体を得た。アルゴン雰囲気下、3Lの三口フラスコに、上記で得られた中間体を299g、無水ジクロロメタンを900mL加え、5°Cに冷却した。得られた混合物に、温度が0~5°Cの範囲内に保たれるように、224mLの三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体を滴下した後、室温にて撹拌した。反応液を、氷水に注ぎ、30分撹拌し、静置して分液した水層を有機層から除去した。この有機層に10重量リン酸カリウム水溶液を加え、2時間撹拌した後、静置して生成した水層を有機層から除去した。得られた有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた後、濃縮することにより溶媒を留去し、オイル状の液体を得た。このオイル状の液体にメタノールを加え、固体を得た。この固体をn-ブチルアセテート及びメタノールから再結晶を行うことにより、化合物M-15を240g得た。<合成例14>化合物M-16の合成アルゴン雰囲気下、51.1gの化合物M-15と、800mLのTHFとを混合し、-78°Cに冷却した。この反応液に、1.6Mのn-BuLiのへキサン溶液50mLを、1時間かけて滴下し、更に1.5時間撹拌を行った。ここへ、12.4gのクロロトリメチルシランを0.5時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液を室温まで昇温し、イオン交換水を加え、反応を停止した。反応液に酢酸エチルを加え、反応液の分液を行った後、食塩の飽和水溶液で3回洗浄した。その後、得られた溶液を濃縮し、乾燥することにより、化合物M-16を49.2g得た。LC-MSAPPI-MSposi:695[M].<合成例15>化合物M-17の合成アルゴン雰囲気下、30.0gの化合物M-16と、12.2gのピナコレートジボランと、26.5gの酢酸カリウムと、190mLのジオキサンと、1.1gのジフェニルホスフィノフェロセンパラジウムジクロライドと、0.75gのジフェニルホスフィノフェロセンとを混合し、110°Cで4時間加熱した。反応終了後、反応液を室温に冷却させた後、セライトろ過を行い、得られた溶液を濃縮した。得られたオイルを、シリカゲルろ過カラム展開溶媒トルエン/ヘキサン=1/1容積比に通した。更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒酢酸エチル/ヘキサン=1/20容積比で2回精製することにより、化合物M-17を22.1g得た。LC-MSAPPI-MSposi:713[M].<合成例16>化合物M-18の合成アルゴン雰囲気下、2.24gの化合物M-14と、4.71gの化合物M-17と、30mlのトルエンと、3.4mgの酢酸パラジウムと、211mgのトリ2-メトキシフェニルホスフィンとを混合し、80°Cに加熱した。ここへ、20重量の水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液を10mL滴下し、3時間還流させた。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチルを加え、イオン交換水で4回洗浄し、得られた有機層を濃縮した。濃縮した溶液を、シリカゲルろ過カラム展開溶媒酢酸エチル/ヘキサン=1/10容積比に通し、濃縮乾固することで白色固体を得た。得られた固体を3回再結晶することにより、化合物M-18を2.4g得た。1H-NMR300MHz,CDCl3;δ0.2218H,s,0.8212H,t,1.2324H,m,1.538H,m,2.1512H,s,2.448H,t,6.714H,s6.834H,s,6.924H,s,7.38-7.424H,m,7.50-7.6312H,m,7.72-7.858H,mppm.19F-NMR300MHz,CDCl3;δ-63.1ppm.<合成例17>化合物M-19の合成アルゴン雰囲気下、2.11gの化合物M-18と、80mlのDMFと、20mlの酢酸とを混合した。ここへ、N-ブロモスクシンイミドNBSを0.47g混合し、80°Cで4時間加熱した。反応終了後、反応液をイオン交換水に注ぎ、析出した固体をろ取し、乾燥させた。得られた固体を、ヘキサンと酢酸エチルとエタノールとを9:1:30の容積比で混合した混合溶液により、3回再沈殿を行い、化合物M-19を2.01g得た。LC-MSAPPI-MSposi:1770[MK].<合成例18>化合物M-20の合成アルゴン雰囲気下、0.49gの化合物M-19と、0.25gのペンタフルオロフェニルホウ酸と、0.18gのフッ化セシウムと、0.17gの酸化銀と、6mLのDMFとを混合し、30°Cに加温した。反応液に、Pd2dba3を27mg、トリ-tert-ブチルホスフィンを15mg混合し、100°Cで7時間反応させた。反応の進行を確認後、反応液に、酢酸エチル及び水を加え、分液した。有機層をセライトでろ過し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮乾固させた。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサンで精製することにより、化合物M-20を81mg得た。1H-NMR300MHz,CDCl3;δ0.8212H,t,1.2524H,m,1.508H,m,2.1712H,s,2.448H,t,6.744H,s6.854H,s,6.904H,s,7.40-7.478H,m,7.60-7.648H,m,7.78-7.898H,mppm.19F-NMR300MHz,CDCl3;δ-63.1,-143.3,-156.2,-162.7ppm.LC-MSAPPI-MSposi:1946[MK].<合成例19>化合物M-21の合成アルゴン雰囲気下、1.99gの化合物M-19と、0.42gのフェニルホウ酸と、0.19gのテトラブチルアンモニウムブロマイドと、0.20gの水酸化カリウムと、35mLのトルエンと、10mLの水とを混合し、100°Cに加温した。反応液に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0を67mg混合し、105°Cで7時間反応させた。反応の進行を確認後、反応液を分液し、有機層を、イオン交換水で2回洗浄した。有機層を濃縮した後、濃縮した溶液をシリカゲルを用いたろ過カラムに通した展開溶媒ヘキサン/酢酸エチル=3/1容積比。得られた有機層に、活性炭を0.2g加え、1時間還流させた後、セライトを用いてろ過を行い、有機層を濃縮した。得られたオイルを、ODSカラムクロマトグラフィー展開溶媒THF/メタノール=1/1容積比で精製することにより、化合物M-21を1.2g得た。1H-NMR300MHz,CDCl3;δ0.8112H,t,1.2124H,m,1.508H,m,2.458H,t,6.764H,s6.854H,s,6.964H,s,7.25-7.4212H,m,7.54-7.6518H,m,7.838H,mppm.19F-NMR300MHz,CDCl3;δ-62.4ppm.<合成例20>高分子化合物P-1の合成不活性雰囲気下、国際公開第2008/111658号に記載の方法で合成した7.28gの下記式:で表される化合物MM-1と、4.94gの2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチルフルオレンと、欧州特許出願公開第1394188号明細書に記載の方法で合成した0.74gの下記式:で表される化合物MM-2と、7.0mgのビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライドと、1.30gのトリオクチルメチルアンモニウムクロライド商品名:Aliquat336登録商標、アルドリッチ製と、100mLのトルエンとを混合し、105°Cに加熱した。反応液に、2Mの炭酸ナトリウム水溶液を27mL滴下し、2時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸を120mg加え、更に4時間還流させた。次いで、1.8Mのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液60mLを加え、80°Cで4時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、水で3回、3重量の酢酸水溶液で3回、水で3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムに通すことにより精製した。得られたトルエン溶液を1.5Lのメタノールに滴下し、1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、乾燥させたところ、下記式:で表される高分子化合物P-1を8.0g得た。式中、括弧の外に添えた数字は、各繰り返し単位のモル分率を表す。高分子化合物P-1は、ポリスチレン換算の数平均分子量が5.1×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が1.4×105であった。<合成例21>高分子化合物P-2の合成不活性雰囲気下、6.40gの2,7-ビス1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ジオクチルフルオレンと、1.37gの2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチルフルオレンと、米国特許出願公開第2004/035221号明細書に記載の方法で合成した。具体的には、0.64gの下記式:で示される化合物MM-3と、特開2003-226744号公報に記載の方法で合成した4.10gの下記式:で表される化合物MM-4と、21mgのビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライドと、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド商品名:Aliquat336登録商標、アルドリッチ製と、4.5mgの酢酸パラジウムと、28mgのo-トリメトキシフェニルホスフィンと、100mLのトルエンとを混合し、105°Cに加熱した。反応液に20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液を35mL滴下し、2時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸を61mg加え、更に4時間還流させた。次いで、1.8Mのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を100mL加え、80°Cで4時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、水で3回、3重量の酢酸水溶液で3回、水で3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノールに滴下し、1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し、乾燥させたところ、下記式:で表される高分子化合物P-2を6.2g得た。式中、括弧の外に添えた数字は、各繰り返し単位のモル分率を表す。高分子化合物P-2は、ポリスチレン換算の数平均分子量が9.7×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が3.0×105であった。<溶液の調製>キシレン溶液S-1の調製高分子化合物P-1をキシレンに溶解させ、ポリマー濃度が1.3重量のキシレン溶液S-1を調製した。キシレン溶液S-2の調製高分子化合物P-2をキシレンに溶解させ、ポリマー濃度が0.7重量のキシレン溶液S-2を調製した。トリフルオロメチルベンゼン溶液S-3の調製化合物M-5をトリフルオロメチルベンゼンに溶解させ、化合物M-5の濃度が0.2重量のトリフルオロメチルベンゼン溶液S-3を調製した。<実施例1>有機エレクトロルミネッセンス素子1の作製及び評価スパッタ法により45nmの厚さで陽極であるITO膜を付けたガラス基板上に、真空蒸着法による5nmの厚みの3酸化モリブデン膜を付けて正孔注入層を形成した。次に、上記で得たキシレン溶液S-2を用いて、スピンコートにより1600rpmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で180°C、60分間加熱することにより薄膜を硬化させた。成膜後の厚さは約20nmであった。更に、上記で得たキシレン溶液S-1を用いて、スピンコートにより1600rpmの回転速度で成膜し、ホットプレート上で130°C、10分間加熱した。成膜後の厚さは約60nmであった。更に、上記で得たトリフルオロメチルベンゼン溶液S-3を用いて、スピンコートにより1600rpmの回転速度で成膜した。成膜後の厚さは約10nmであった。これを130°Cで10分間乾燥させ、正孔阻止層である有機層を形成した。その後、陰極としてバリウムを約5nm蒸着し、次いでアルミニウムを約100nm蒸着して有機エレクトロルミネッセンス素子1を作製した。なお、真空度が1×104Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。<比較例1>有機エレクトロルミネッセンス素子C1の作製正孔阻止層である有機層を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子C1を作製した。有機エレクトロルミネッセンス素子1、C1に電圧を印加することにより、流れる電流と発生する光の強度を測定した。[電圧-電流特性の評価]有機エレクトロルミネッセンス素子1、C1の電圧-電流特性を図1に示す。10Vの電圧を印加した場合、有機エレクトロルミネッセンス素子C1bには約65mA/cm2の電流が流れたのに対して、有機エレクトロルミネッセンス素子1aには約18mA/cm2の電流しか流れない。この結果から、有機エレクトロルミネッセンス素子1において、正孔阻止層により正孔電流を遮断する効果が確認された。[電圧-効率特性の評価]有機エレクトロルミネッセンス素子1、C1の電圧-効率特性を図2に示す。有機エレクトロルミネッセンス素子1aは、約8.5Vで1の外部量子効率を示したのに対して、有機エレクトロルミネッセンス素子C1bは、10Vで0.2の外部量子効率を示した。この結果から、有機エレクトロルミネッセンス素子1において、外部量子効率が優れる効果が確認された。"