"固体表面上に形成される基材と、前記基材の内部に添加される添加材とを有する放熱膜であって、前記添加材は前記基材よりも高い熱伝導率を有するものとされ、その一端が前記固体表面に接触するとともに他端が前記基材の表面から露出してなることを特徴とする放熱膜。請求項1に記載の放熱膜において、前記固体表面を第1の固体表面とするとき、前記放熱膜は前記第1の固体表面と、これに対向する第2の固体表面との間に介設されるものであり、前記添加材はその一端が前記第1の固体表面に接触するとともに他端が前記第2の固体表面に接触してなることを特徴とする放熱膜。請求項1又は請求項2に記載の放熱膜において、前記添加材は略粒状をなすものであり、前記添加材の直径は前記基材の厚さ以上とされてなることを特徴とする放熱膜。請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の放熱膜において、前記固体表面を第1の固体表面とするとき、前記放熱膜は前記第1の固体表面と、これに対向する第2の固体表面との間に介設されるものであり、前記添加材は前記第1の固体表面及び第2の固体表面の少なくとも一方よりも高い硬度を有するものとされ、前記第1の固体表面と第2の固体表面との間に圧縮加重が作用している状態において、前記添加材はその一端が前記第1の固体表面に圧接するとともに他端が前記第2の固体表面に圧接してなることを特徴とする放熱膜。請求項4に記載の放熱膜において、前記添加材はダイヤモンドからなることを特徴とする放熱膜。請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の放熱膜において、前記固体表面を第1の固体表面とするとき、前記放熱膜は前記第1の固体表面と、これに対向する第2の固体表面との間に介設されるものであり、前記添加材は前記第1の固体表面及び第2の固体表面よりも低い硬度を有するものとされ、前記第1の固体表面と第2の固体表面との間に圧縮加重が作用している状態において、前記添加材はその一端が前記第1の固体表面に圧接するとともに他端が前記第2の固体表面に圧接してなることを特徴とする放熱膜。請求項1~請求項6のいずれか一項に記載の放熱膜において、前記基材は樹脂からなることを特徴とする放熱膜。ところが、こうした従来の放熱膜においては、添加材の粒径が放熱膜の厚さよりも極めて小さい特許文献1の図1参照。このため、熱伝導率の高い添加材が添加されることによってある程度は放熱膜全体としての放熱性が高められるものの、膜厚方向に熱が移動する際に低熱伝導率の基材と高熱伝導率の添加材とを交互に通過する構造となっていることから、放熱膜全体としての放熱性を更に向上させようとすると自ずと限界が生じる。尚、こうした問題は、電子部品の分野において用いられる放熱膜に限定されるものではなく、機械部品の分野において用いられる放熱膜においても概ね共通して生じ得る。また、こうした問題は、互いに対向する2つの固体表面の間に介設されるものに限定されるものではない。すなわち、少なくとも1つの固体表面上に形成される基材と、基材の内部に添加される添加材とを有する放熱膜であれば概ね共通して生じ得るものである。本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱の移動を好適に促進することのできる放熱膜を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。請求項1に記載の発明は、固体表面上に形成される基材と、前記基材の内部に添加される添加材とを有する放熱膜であって、前記添加材は前記基材よりも高い熱伝導率を有するものとされ、その一端が前記固体表面に接触するとともに他端が前記基材の表面から露出してなることをその要旨としている。同構成によれば、固体表面上に形成される基材によって、添加材が固体表面上に保持される。また、固体表面と基材の表面に存在する他の固体、液体、或いは気体との間での熱の伝達が、基材よりも高い熱伝導率を有する添加材によって直接的に行なわれるようになる。従って、熱の移動を好適に促進することができる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の放熱膜において、前記固体表面を第1の固体表面とするとき、前記放熱膜は前記第1の固体表面と、これに対向する第2の固体表面との間に介設されるものであり、前記添加材はその一端が前記第1の固体表面に接触するとともに他端が前記第2の固体表面に接触してなることをその要旨としている。同構成によれば、第1の固体表面と第2の固体表面との間での熱の伝達が、基材よりも高い熱伝導率を有する添加材によって直接的に行なわれるようになる。従って、第1の固体表面と第2の固体表面との間での熱の移動を好適に促進することができる。請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の放熱膜において、前記添加材は略粒状をなすものであり、前記添加材の直径は前記基材の厚さ以上とされてなることをその要旨としている。添加材が略粒状をなすものにあっては、上記構成のように、添加材の直径を基材の厚さ以上とすれば、添加材の一端が固体表面に接触するとともに他端が基材の表面から露出してなるといった請求項1に係る発明を容易に具現化することができる。請求項4に記載の発明は、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の放熱膜において、前記固体表面を第1の固体表面とするとき、前記放熱膜は前記第1の固体表面と、これに対向する第2の固体表面との間に介設されるものであり、前記添加材は前記第1の固体表面及び第2の固体表面の少なくとも一方よりも高い硬度を有するものとされ、前記第1の固体表面と第2の固体表面との間に圧縮加重が作用している状態において、前記添加材はその一端が前記第1の固体表面に圧接するとともに他端が前記第2の固体表面に圧接してなることをその要旨としている。同構成によれば、添加材は第1の固体表面及び第2の固体表面の少なくとも一方よりも硬度が高いため、第1の固体表面と第2の固体表面との間に圧縮加重を作用させて放熱膜が使用される場合には、添加材よりも硬度の低い第1の固体表面或いは第2の固体表面に添加材が食い込むこととなる。これにより、第1の固体表面或いは第2の固体表面と添加材との接触面積を好適に確保することができる。従って、第1の固体表面と第2の固体表面との間での熱の移動を好適に促進することができる。請求項4に記載の発明は、請求項5に記載の発明によるように、前記添加材はダイヤモンドからなるといった態様をもって具体化することができる。請求項6に記載の発明は、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の放熱膜において、前記添加材は導体とされてなることをその要旨としている。同構成によれば、固体表面と基材の表面に存在する他の固体、液体、或いは気体との間での熱の伝達を促進しつつ、これらの間での電気の電導についてもこれを促進することができる。請求項6に記載の発明は、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の放熱膜において、前記固体表面を第1の固体表面とするとき、前記放熱膜は前記第1の固体表面と、これに対向する第2の固体表面との間に介設されるものであり、前記添加材は前記第1の固体表面及び第2の固体表面よりも低い硬度を有するものとされ、前記第1の固体表面と第2の固体表面との間に圧縮加重が作用している状態において、前記添加材はその一端が前記第1の固体表面に圧接するとともに他端が前記第2の固体表面に圧接してなることをその要旨としている。同構成によれば、添加材は第1の固体表面及び第2の固体表面の双方よりも硬度が低いため、第1の固体表面と第2の固体表面との間に圧縮加重を作用させて放熱膜が使用される場合には、圧縮加重が作用することで添加材が優先的に変形する。これにより、添加材の一端が第1の固体表面に圧接するとともに他端が第2の固体表面に圧接するといった状態を第1の固体表面及び第2の固体表面を変形させることなく容易に実現することができる。請求項7に記載の発明は、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載の放熱膜において、前記基材は樹脂からなることをその要旨としている。同構成によれば、基材によって添加材を固体表面上に好適に保持することができる。以下、図1及び図2を参照して、本発明に係る放熱膜をパワーモジュール1に用いられる放熱膜3として具体化した第1実施形態について詳細に説明する。図1に、本実施形態のパワーモジュール1の正面構造を示す。図1に示すように、パワーモジュール1は、アルミニウム製の基板4と、この基板4の上面に接合される放熱膜3と、この放熱膜3の上面に接合されるとともに複数の半導体素子2aからなるパワーデバイス2を備えている。また、基板4の下面には放熱用のフィン5が設けられている。ここで、図2を参照して、放熱膜3の構造について説明する。図2に、放熱膜3を中心とした断面構造を模式的に示す。図2に示すように、放熱膜3は、基板上面4cと、これに対向するデバイス下面2cとの間に介設される基材3aと、基材3aの内部に添加される添加材3bとを有している。本実施形態では、基材3aとしてシリコン樹脂を用いている。また、添加材3bとして略粒状をなすダイヤモンドを用いている。すなわち、添加材3bは基材3aよりも高い熱伝導率を有している。ちなみに、本実施形態では、ペースト状態であるときの基材3aに対して重量比で5の添加材3bを添加している。ここで、添加材3bの直径dBは25~30μmとされ、基材3aの厚さdAは25μmとされている。すなわち、添加材3bの直径dBは基材3aの厚さdA以上とされているdB≧dA。具体的には、添加材3bの直径dBは基材3aの厚さdAの1.0~1.2倍とされている。ダイヤモンドである添加材3bは金属である基板4やパワーデバイス2よりも硬度が高い。このため、パワーモジュール1の製造時に基板4とパワーデバイス2との間に圧縮荷重がかけられることによって基板上面4c及びデバイス下面2cに添加材3bの端部が食い込み、これらの面4c,2cと添加材3bとの接触面積が大きく確保される。すなわち、添加材3bはその一端が基板上面4cに圧接するとともに他端がデバイス下面2cに圧接することとなる。次に、本実施形態の作用について説明する。本実施形態では、デバイス下面2cと基板上面4cとの間での熱の伝達が、極めて高熱伝導率を有する添加材3bダイヤモンドによって直接的に行なわれるようになる。このため、放熱膜3の熱抵抗は、2.7×10^-6m^2K/W^はべき乗を表すとなり、これは、窒化シリコンからなるセラミック板と、同セラミック板の両面に塗布されるグリスとによって構成される従来一般の放熱板の熱抵抗2.6×10^-5m^2K/Wの約10分の1の大きさとなる。従って、こうした放熱膜3によってデバイス下面2cと基板上面4cとの間での熱の移動が促進されるようになる。以上説明した本実施形態に係る放熱膜によれば、以下に示す作用効果が得られるようになる。1放熱膜3は、基板上面4cと、これに対向するデバイス下面2cとの間に介設される基材3aと、基材3aの内部に添加される添加材3bとを有している。また、添加材3bは基材3aよりも高い熱伝導率を有している。添加材3bは略粒状をなすものであり、添加材3bの直径dBは基材3aの厚さdA以上とされている。すなわち、添加材3bの一端が基板上面4cに接触するとともに他端がデバイス下面2cに接触するものとしている。こうした構成によれば、基板上面4cとデバイス下面2cとの間に形成される基材3aによって、添加材3bがこれら基板上面4cとデバイス下面2cとの間に保持される。また、デバイス下面2cと基板上面4cとの間での熱の伝達が、基材3aよりも高い熱伝導率を有する添加材3bによって直接的に行なわれるようになる。このため、デバイス下面2cと基板上面4cとの間での熱の移動を好適に促進することができる。従って、こうした熱の移動の促進を通じて、デバイス下面2c側からの放熱性を的確に向上させることができる。2添加材3bは基板上面4c及びデバイス下面2cよりも高い硬度を有するものとされ、基板上面4cとデバイス下面2cとの間に圧縮加重が作用している状態において、添加材3bはその一端が基板上面4cに圧接するとともに他端がデバイス下面2cに圧接している。こうした構成によれば、基板上面4c及びデバイス下面2cとの接触面積を好適に確保することができる。従って、デバイス下面2cと基板上面4cとの間での熱の移動を好適に促進することができる。3添加材3bはダイヤモンドとされている。こうした構成によれば、デバイス下面2cと基板上面4cとの間での熱の伝達を飛躍的に促進しつつも、これらの間での電気の電導についてはこれを確実に阻止することができる。4基材3aはシリコン樹脂とされている。こうした構成によれば、基材3aによって添加材3bをデバイス下面2cと基板上面4cとの間に好適に保持することができる。以下、図3及び図4を参照して、本発明に係る放熱膜をガスケット13の表面に形成される放熱膜15,16として具体化した第2実施形態について詳細に説明する。図3に、本実施形態のガスケット13を中心とした断面構造を模式的に示す。図3に示すように、ガスケット13は第1フランジ11の下面と第2フランジ12の上面との間に介設されている。ガスケット13は、ステンレス鋼製の基板14と、この基板14の上面14aに接合される放熱膜15と、この基板14の下面14bに接合される放熱膜16とを備えている。ちなみに、使用環境において第1フランジ11は第2フランジ12よりも高温となるものである。ここで、図4を参照して、放熱膜15,16の構造について説明する。尚、放熱膜15,16は互いに同一の構造を有しているため、以降においては、放熱膜15の説明をすることで放熱膜16の説明を割愛する。図4に、放熱膜15を中心とした断面構造を模式的に示す。図4に示すように、放熱膜15は、基板14の上面14aと、これに対向する第1フランジ11の下面11aとの間に介設される基材15aと、基材15aの内部に添加される添加材15bとを有している。本実施形態では、基材15aとしてニトリルゴムを用いている。また、添加材15bとして略粒状をなすダイヤモンドを用いている。従って、添加材15bは基材15aよりも高い熱伝導率を有している。ちなみに、本実施形態では、ペースト状態であるときの基材15aに対して重量比で5の添加材15bを添加している。ここで、添加材15bの直径dB2は25~30μmとされ、基材15aの厚さdA2は25μmとされている。すなわち、添加材15bの直径dB2は基材15aの厚さdA2以上とされているdB2≧dA2。具体的には、添加材15bの直径dB2は基材15aの厚さdA2の1.0~1.2倍までとされている。ダイヤモンドである添加材15bはステンレス鋼である基板14やアルミニウム合金である第1フランジ11よりも硬度が高い。このため、第1フランジ11及び第2フランジ12を互いに締結することに伴って基板14と第1フランジ11との間に圧縮荷重がかけられると、基板14の上面14aと、第1フランジ11の下面11aとに添加材15bの端部が食い込み、これらの面14a,11aと添加材15bとの接触面積が大きく確保される。すなわち、添加材15bはその一端が基板14の上面14aに圧接するとともに他端が第1フランジ11の下面11aに圧接することとなる。次に、本実施形態の作用について説明する。本実施形態では、第1フランジ11の下面11aとガスケット13の基板14の上面14aとの間での熱の伝達が極めて高熱伝導率を有する添加材15bダイヤモンドによって直接的に行なわれるようになる。また、詳しい説明は割愛したが、基板14の下面14bと第2フランジ12の上面との間での熱の伝達が、同様にして添加材ダイヤモンド図示略によって直接的に行なわれるようになる。このため、本実施形態のガスケット13によれば、基板ステンレス鋼製の両面に単にニトリルゴムからなる放熱膜を形成した従来のガスケットに比べて、放熱性が2倍以上に高められる。従って、こうしたガスケット13によって高温側の第1フランジ11と低温側の第2フランジ12との間での熱の移動が促進されるようになる。以上説明した本実施形態に係る放熱膜によれば、以下に示す作用効果が得られるようになる。5放熱膜15は、ガスケット13の基板14の上面14aと、これに対向する第1フランジ11の下面11aとの間に介設される基材15aと、基材15aの内部に添加される添加材15bとを有している。また、添加材15bは基材15aよりも高い熱伝導率を有している。添加材15bは略粒状をなすものであり、添加材15bの直径dB2は基材15aの厚さdA2以上とされている。すなわち、添加材15bの一端が基板14の上面14aに接触するとともに他端が第1フランジ11の下面11aに接触するものとしている。こうした構成によれば、基板14の上面14aと第1フランジ11の下面11aとの間に形成される基材15aによって、添加材15bがこれら上面14aと下面11aとの間に保持される。また、第1フランジ11の下面11aと基板14の上面14aとの間での熱の伝達が、基材15aよりも高い熱伝導率を有する添加材15bによって直接的に行なわれるようになる。このため、これら下面11aと上面14aとの間での熱の移動を好適に促進することができる。従って、こうした熱の移動の促進を通じて、高温側の第1フランジ11から低温側の第2フランジ12への放熱性をガスケット13を通じて的確に向上させることができる。6添加材15bは基板14の上面14a及び第1フランジ11の下面11aよりも高い硬度を有するものとされる。また、第1フランジ11と第2フランジ12との間に圧縮加重が作用している状態、すなわち基板14と第1フランジ11との間に圧縮加重が作用している状態において、添加材15bはその一端が基板14の上面14aに圧接するとともに他端が第1フランジ11の下面11aに圧接している。こうした構成によれば、基板14の上面14a及び第1フランジ11の下面11aとの接触面積を好適に確保することができる。従って、第1フランジ11の下面11aと基板14の上面14aとの間での熱の移動を好適に促進することができ、ひいては第1フランジ11と第2フランジ12との間での熱の移動を促進することができる。7添加材15bはダイヤモンドとされている。こうした構成によれば、第1フランジ11の下面11aとガスケット13の基板14の上面14aとの間での熱の伝達を飛躍的に促進することができ、ひいては第1フランジ11と第2フランジ12との間での熱の移動を促進することができる。8基材15aはニトリルゴムとされている。こうした構成によれば、基材15aによって添加材15bをガスケット13の基板14の上面14aと第1フランジ11の下面11aとの間に好適に保持することができる。尚、本発明に係る放熱膜は、上記実施形態にて例示した構成に限定されるものではなく、これを適宜変更した例えば次のような形態として実施することもできる。上記各実施形態における添加材3b,15bの添加量や、粒径、或いは放熱膜3,15,16の膜厚は一例に過ぎない。従って、本発明の適用対象に応じてこれらのパラメータを適宜変更することができる。上記第2実施形態では、ニトリルゴムからなる基材15aを採用したが、これに代えて、他の樹脂材料を採用してもよい。また、こうした基材は樹脂に限定されるものではなく、例えばニッケル等の金属材料であってもよい。ちなみに、基材をニッケルからなるものとした場合には、基材自体の熱伝導率がニトリルゴムに比べて高くなる。このため、添加材15bの作用に加えて基材自体を通じて熱の移動が促進されるようになるため、基板ステンレス鋼製の両面に単にニトリルゴムからなる放熱膜を形成した従来のガスケットに比べて、放熱性が3倍以上に高められる。上記第2実施形態では、ダイヤモンドの添加材15bを採用したが、本発明に係る添加材はダイヤモンドのように極めて硬度の高いものに限定されるものではない。他に例えば、添加材として比較的柔らかい金属、例えば純銅やアルミニウムを採用することもできる。図5に示すように、放熱膜25に対して圧縮加重が作用していないときに、基材25a例えばニトリルゴムの厚さdA3は添加材25bの直径dB3よりも大きいdA3>dB3。一方、添加材25bを構成する純銅は基板14及び第1フランジ11を構成するステンレス鋼やアルミニウム合金よりも硬度が低いため、放熱膜25に対して膜厚方向に対して圧縮加重が作用することで、図6に示すように、添加材25bが他に優先して塑性変形する。このため、添加材25bの直径dB4は基材25aの厚さdA4と同一となるdB4=dA4。これにより、添加材25bの一端が基板14の上面14aに圧接するとともに他端が第1フランジ11の下面11aに圧接するといった状態をこれら上面14a及び下面11aを変形させることなく容易に実現することができる。また、上記第2実施形態及びその変形の添加材15b,25bに代えて、導体である炭素の同素体を採用してもよい。例えば、グラファイト、カーボンナノチューブ、或いはフラーレンの少なくとも一つを採用すればよい。例えばカーボンナノチューブは管状なすものであることから、その長手方向の一端が第1フランジ11の下面11aに接触するとともに他端が基板14の上面14aに接触するように配置すればよい。上記第2実施形態では、本発明をガスケット13に設けられる放熱膜15,16として具体化した。また、上記第1実施形態では、本発明をパワーデバイス2に設けられる放熱膜3として具体化した。しかしながら、本発明はこれらに限定されるものではなく、他の電子部品例えばバッテリ等や他の機械部品の放熱膜として具現化することもできる。上記各実施形態及びその変形例では、放熱膜が互いに対向する第1の固体表面と第2の固体表面との間に介設されるものについて例示した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。他に例えば、冷却水を流通させて熱交換を行なうラジエータの内面上或いは外面上に放熱膜を設けることもできる。すなわち、本発明に係る放熱膜の表面は第2の固体表面に接触するものに限定されず、液体、或いは気体に触れるものであってもよい。"