"反射樹脂層を発光ダイオード素子の側方に設けるための反射樹脂シートであって、第1離型基材、および、前記第1離型基材の厚み方向一方面に設けられる前記反射樹脂層を備え、前記第1離型基材および前記反射樹脂層に、前記厚み方向を貫通する貫通孔が、前記反射樹脂層における前記貫通孔の内周面が前記発光ダイオード素子の側面と対向配置できるように、前記発光ダイオード素子に対応して形成されていることを特徴とする、反射樹脂シート。反射樹脂層を、第1離型基材の厚み方向一方面に設ける工程、貫通孔を、前記第1離型基材および前記反射樹脂層に、前記厚み方向を貫通するように形成することによって、請求項1に記載の反射樹脂シートを用意する工程、前記反射樹脂シートを基材の前記厚み方向一方面に、前記反射樹脂層と前記基材とが接触するように、積層する工程、発光ダイオード素子を前記基材の前記厚み方向一方面に配置する工程、前記反射樹脂層を、前記発光ダイオード素子の側面に密着させる工程、および、前記第1離型基材を前記反射樹脂層から引き剥がす工程を備えていることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。前記反射樹脂層を前記発光ダイオード素子の側面に密着させる工程では、前記第1型基材を、前記基材に向けて押圧することを特徴とする、請求項2に記載の発光ダイオード装置の製造方法。前記基材が、ダイオード基板であり、前記発光ダイオード素子を前記基材に配置する工程では、前記発光ダイオード素子を前記反射樹脂シートの前記貫通孔内に配置して、前記発光ダイオード素子を前記基材にフリップ実装することを特徴とする、請求項2または3に記載の発光ダイオード装置の製造方法。前記基材が、第2離型基材であり、前記基材を前記反射樹脂層および前記発光ダイオード素子から引き剥がす工程、および、前記発光ダイオード素子をダイオード基板にフリップ実装する工程をさらに備えていることを特徴とする、請求項2または3に記載の発光ダイオード装置の製造方法。ダイオード基板と、前記ダイオード基板にフリップ実装された発光ダイオード素子と、前記発光ダイオード素子の側面に密着する反射樹脂層とを備えることを特徴とする、発光ダイオード装置。前記発光ダイオード素子の前記厚み方向一方面に形成される蛍光体層をさらに備えることを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオード装置。しかし、特許文献1の製造方法により得られる白色発光装置では、光半導体発光素子と反射枠部とが間隔を隔てて配置されているため、光半導体発光素子から側方に向かって発光される光の一部は、反射枠部で反射される前に、封止部に吸収される。その結果、光の取出効率が低下するという不具合がある。本発明の目的は、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置、その製造方法およびそれに用いられる反射樹脂シートを提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の反射樹脂シートは、反射樹脂層を発光ダイオード素子の側方に設けるための反射樹脂シートであって、第1離型基材、および、前記第1離型基材の厚み方向一方面に設けられる前記反射樹脂層を備え、前記第1離型基材および前記反射樹脂層に、前記厚み方向を貫通する貫通孔が、前記反射樹脂層における前記貫通孔の内周面が前記発光ダイオード素子の側面と対向配置できるように、前記発光ダイオード素子に対応して形成されていることを特徴としている。この反射樹脂シートでは、貫通孔が、反射樹脂層における貫通孔の内周面が発光ダイオード素子の側面と対向配置できるように、発光ダイオード素子に対応して形成されている。そのため、発光ダイオード素子を貫通孔内に、反射樹脂層における貫通孔の内周面と発光ダイオード素子の側面とが対向配置されるように、配置することができるので、反射樹脂層を発光ダイオード素子の側面に確実に密着させることができる。そのため、得られる発光ダイオード装置では、発光ダイオード素子から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法は、反射樹脂層を、第1離型基材の厚み方向一方面に設ける工程、貫通孔を、前記第1離型基材および前記反射樹脂層に、前記厚み方向を貫通するように形成することによって、上記した反射樹脂シートを用意する工程、前記反射樹脂シートを基材の前記厚み方向一方面に、前記反射樹脂層と前記基材とが接触するように、積層する工程、発光ダイオード素子を前記基材の前記厚み方向一方面に配置する工程、前記反射樹脂層を、前記発光ダイオード素子の側面に密着させる工程、および、前記第1離型基材を前記反射樹脂層から引き剥がす工程を備えていることを特徴としている。この方法では、反射樹脂層を発光ダイオード素子の側面に密着させる。そのため、上記した方法により得られる発光ダイオード装置では、発光ダイオード素子から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、前記反射樹脂層を前記発光ダイオード素子の側面に密着させる工程では、前記第1型基材を、前記基材に向けて押圧することが好適である。この方法では、第1型基材を基材に向けて押圧するため、第1離型基材と基材とに厚み方向に挟まれる反射樹脂層は、側方に流動する。そのため、反射樹脂層における貫通孔の内周面と発光ダイオード素子の側面とが対向配置されていれば、反射樹脂層は、発光ダイオード素子の側面に確実に密着することができる。また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、前記基材が、ダイオード基板であり、前記発光ダイオード素子を前記基材の前記厚み方向一方面に配置する工程では、前記発光ダイオード素子を前記反射樹脂シートの前記貫通孔内に配置して、前記発光ダイオード素子を前記基材にフリップ実装することが好適である。この方法によれば、貫通孔が形成された反射樹脂シートをダイオード基板である基材に対して精度よく配置しておけば、その後、発光ダイオード素子を反射樹脂シートの貫通孔内に配置することにより、発光ダイオード素子の基材に対する精度のよい位置決めを簡単かつ確実に実施することができながら、発光ダイオード素子を基材にフリップ実装することできる。また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、前記基材が、第2離型基材であり、前記基材を前記反射樹脂層および前記発光ダイオード素子から引き剥がす工程、および、前記発光ダイオード素子をダイオード基板にフリップ実装する工程をさらに備えていることが好適である。この方法では、反射樹脂層に側面が密着され、第2離型基材である基材が引き剥がされた発光ダイオード素子をダイオード基板にフリップ実装するので、発光ダイオード装置を簡単に製造することができる。また、本発明の発光ダイオード装置は、ダイオード基板と、前記ダイオード基板にフリップ実装された発光ダイオード素子と、前記発光ダイオード素子の側面に密着する反射樹脂層とを備えることを特徴としている。この発光ダイオード装置では、発光ダイオード素子から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。また、本発明の発光ダイオード装置は、前記発光ダイオード素子の前記厚み方向一方面に形成される蛍光体層をさらに備えることが好適である。この発光ダイオード装置は、発光ダイオード素子から発光された光と、蛍光体層によって波長変換された光との混色によって、高エネルギーの白色を発光することできる。本発明の反射樹脂シートを用いる本発明の発光ダイオード装置の製造方法によれば、反射樹脂層を発光ダイオード素子の側面に密着させる。そのため、上記した方法により得られる本発明の発光ダイオード装置では、発光ダイオード素子から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。図1は、本発明の発光ダイオード装置の一実施形態の平面図、図2および図3は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の一実施形態を説明する製造工程図を示す。図1および図3fにおいて、この発光ダイオード装置1は、基材としてのダイオード基板2と、ダイオード基板2にフリップ実装された発光ダイオード素子3と、発光ダイオード素子3の上面厚み方向一方面に積層される蛍光体層5と、発光ダイオード素子3および蛍光体層5の側方に設けられる反射樹脂層4とを備えている。発光ダイオード装置1は、面方向具体的には、図1の矢印で示される紙面左右方向および紙面前後方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。詳しくは、複数の発光ダイオード装置1は、共通のダイオード基板2を備え、1つのダイオード基板2の上に、複数の発光ダイオード素子3、その側方に設けられる反射樹脂層4および発光ダイオード素子3の上にそれぞれ設けられる複数の蛍光体層5が設けられており、複数の発光ダイオード装置1は、集合体シート24を形成している。そして、図1の1点破線および図3fの1点破線で示すように、各発光ダイオード素子3間のダイオード基板2および反射樹脂層4を厚み方向に沿って切断加工ダイシング、後述することにより、図3gに示すように、個別化された各発光ダイオード装置1としても得られる。ダイオード基板2は、略矩形平板状をなし、具体的には、絶縁基板の上に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、ポリイミド樹脂基板などからなり、好ましくは、セラミックス基板、具体的には、サファイアAl2O3基板からなる。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。これら導体は、単独使用または併用することができる。また、導体層は、端子6を含んでいる。端子6は、絶縁基板の上面において、面方向に間隔を隔てて形成されており、後述する電極部8に対応するパターンに形成されている。なお、端子6は、図示しないが、導体層を介して電力供給部と電気的に接続されている。ダイオード基板2の厚みは、例えば、25~2000μm、好ましくは、50~1000μmである。発光ダイオード素子3は、ダイオード基板2の上面厚み方向一方面に設けられており、平面視略矩形状に形成されている。また、発光ダイオード素子3は、1つのダイオード基板2の上面において、面方向図1の矢印で示す左右方向および前後方向に互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。発光ダイオード素子3は、図3fに示すように、光半導体層7と、その下面に形成される電極部8とを備えている。光半導体層7は、発光ダイオード素子3の外形形状に対応する平面視略矩形状に形成されており、面方向に長い断面視略矩形状に形成されている。光半導体層7は、図示しないが、例えば、下側に順次積層される緩衝層、N形半導体層、発光層およびP形半導体層を備えている。光半導体層7は、公知の半導体材料から形成されており、エピタキシャル成長法などの公知の成長法によって形成される。光半導体層7の厚みは、例えば、0.1~500μm、好ましくは、0.2~200μmである。電極部8は、光半導体層7と電気的に接続されており、厚み方向に投影したときに、光半導体層7に含まれるように形成されている。また、電極部8は、例えば、P形半導体層に接続されるアノード電極と、N形半導体層に形成されるカソード電極とを備えている。電極部8は、公知の導体材料から形成されており、その厚みは、例えば、10~1000nmである。蛍光体層5は、発光ダイオード素子3の外形形状に対応する平面視略矩形状をなし、発光ダイオード素子3の上面全面に形成されている。蛍光体層5は、例えば、蛍光体を含有する蛍光体組成物などから形成されている。蛍光体組成物は、例えば、蛍光体および樹脂を含有している。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体が挙げられる。そのような蛍光体としては、例えば、複合金属酸化物や金属硫化物などに、例えば、セリウムCeやユウロピウムEuなどの金属原子がドープされた蛍光体が挙げられる。具体的には、蛍光体としては、例えば、Y3Al5O12:CeYAGイットリウムアルミニウムガーネット:Ce、Y,Gd3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2Si,Ge3O12:Ceなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Sr,Ba2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Euなどのシリケート蛍光体、例えば、CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Euなどのアルミネート蛍光体、例えば、ZnS:Cu,Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Euなどの硫化物蛍光体、例えば、CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlONなどの酸窒化物蛍光体、例えば、CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Euなどの窒化物蛍光体、例えば、K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mnなどのフッ化物系蛍光体などが挙げられる。好ましくは、ガーネット型蛍光体、さらに好ましくは、Y3Al5O12:CeYAGが挙げられる。蛍光体は、単独使用または2種以上併用することができる。蛍光体組成物における蛍光体の配合割合は、例えば、1~50重量、好ましくは、5~30重量である。また、樹脂100質量部に対する蛍光体の配合割合は、例えば、1~100質量部、好ましくは、5~40質量部である。樹脂は、蛍光体を分散させるマトリックスであって、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの透明樹脂などが挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、シリコーン樹脂が挙げられる。シリコーン樹脂は、主として、シロキサン結合-Si-O-Si-からなる主鎖と、主鎖の硅素原子Siに結合する、アルキル基例えば、メチル基などまたはアルコキシル基例えば、メトキシ基などの有機基からなる側鎖とを分子内に有している。具体的には、シリコーン樹脂としては、例えば、脱水縮合型シリコーンレジン、付加反応型シリコーンレジン、過酸化物硬化型シリコーンレジン、湿気硬化型シリコーンレジン、硬化型シリコーンレジンなどが挙げられる。好ましくは、付加反応型シリコーンレジンなどが挙げられる。シリコーン樹脂の25°Cにおける動粘度は、例えば、10~30mm2/sである。樹脂は、単独使用または2種以上併用することができる。樹脂の配合割合は、蛍光体組成物に対して、例えば、50~99質量、好ましくは、70~95質量である。蛍光体組成物は、蛍光体および樹脂を上記した配合割合で配合し、攪拌混合することにより調製される。また、蛍光体層5を、例えば、蛍光体のセラミックス蛍光体セラミックプレートから形成することもできる。その場合には、上記した蛍光体をセラミックス材料とし、かかるセラミックス材料を焼結することにより、蛍光体層5蛍光体セラミックスを得る。蛍光体層5の厚みは、例えば、100~1000μm、好ましくは、200~700μm、さらに好ましくは、300~500μmである。反射樹脂層4は、ダイオード基板2の上面に形成されており、その周端縁が、厚み方向に投影した時に、ダイオード基板2の周端縁と同一位置になるように形成されている。さらに、反射樹脂層4は、厚み方向に投影したときに、少なくとも発光ダイオード素子3具体的には、電極部8が形成される領域以外の領域に形成されている。つまり、反射樹脂層4は、発光ダイオード素子3および蛍光体層5の側面を囲むとともに、電極部8から露出する光半導体層7の下面も被覆するように配置されている。具体的には、反射樹脂層4は、図1に示すように、各発光ダイオード素子3および各蛍光体層5の左右方向両外側および前後方向両外側において、略矩形枠状に形成されており、それら枠部分が左右方向および前後方向にわたって連続して整列配置されることにより、1つダイオード基板2の上面において、平面視略格子状に形成されている。より具体的には、図3fに示すように、反射樹脂層4は、発光ダイオード素子3および蛍光体層5の外側面、具体的には、各発光ダイオード素子3および各蛍光体層5の左面、右面、前面図1参照および後面図1参照の各面に密着している。また、反射樹脂層4は、蛍光体層5の上面を露出している。なお、光半導体層7の下側には、電極部8の厚みに対応する下部隙間12図2d参照が形成されており、かかる下部隙間12にも、反射樹脂層4が充填されており、これによって、反射樹脂層4は、電極部8から露出する光半導体層7の下面および電極部8の側面にも密着している。反射樹脂層4の上面は、蛍光体層5の上面と、面方向において実質的に面一に形成されている。上記した反射樹脂層4は、例えば、光反射成分を含有しており、具体的には、反射樹脂層4は、樹脂と、光反射成分とを含有する反射樹脂組成物から形成されている。樹脂としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。光反射成分は、例えば、白色の化合物であって、そのような白色の化合物としては、具体的には、白色顔料が挙げられる。白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白炭酸亜鉛、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンカオリナイトなどの粘土鉱物などが挙げられる。白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。酸化チタンであれば、高い白色度、高い光反射性、優れた隠蔽性隠蔽力、優れた着色性着色力、高い分散性、優れた耐候性、高い化学的安定性などの特性を得ることができる。そのような酸化チタンは、具体的には、TiO2、酸化チタンIV、二酸化チタンである。酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト板チタン石、アナターゼ鋭錐石などであり、好ましくは、ルチルである。また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系である。酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、反射樹脂層4が長期間高温に曝される場合でも、光具体的には、可視光、とりわけ、波長450nm付近の光に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値球状である場合には、その平均粒子径は、例えば、1~1000nmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。光反射成分の配合割合は、樹脂100質量部に対して、例えば、0.5~90質量部、好ましくは、着色性、光反射性および反射樹脂組成物のハンドリング性の観点から、1.5~70質量部である。上記した光反射成分は、樹脂中に均一に分散混合される。また、反射樹脂組成物には、さらに、充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分具体的には、白色顔料と併用することができる。充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、無機質充填剤が挙げられ、そのような無機質充填剤としては、例えば、シリカ粉末、タルク粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末などが挙げられる。充填剤として、好ましくは、反射樹脂層4の線膨張率を低減する観点から、シリカ粉末が挙げられる。シリカ粉末としては、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末などが挙げられ、好ましくは、溶融シリカ粉末すなわち、石英ガラス粉末が挙げられる。充填剤の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、優れた充填性および流動性の観点から、球状が挙げられる。従って、シリカ粉末として、好ましくは、球状溶融シリカ粉末が挙げられる。充填剤の最大長さの平均値球状である場合には、平均粒子径は、例えば、5~60μm、好ましくは、15~45μmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、例えば、樹脂100質量部に対して、10~80質量部となるように、調整され、線膨張率の低減および流動性の確保の観点から、樹脂100質量部に対して、好ましくは、25~75質量部、さらに好ましくは、40~60質量部となるように、調整される。反射樹脂組成物は、上記した樹脂と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合することにより調製される。また、反射樹脂組成物は、Bステージ状態として調製される。このような反射樹脂組成物は、例えば、液状または半固形状に形成されており、その動粘度は、例えば、10~30mm2/sである。反射樹脂層4の厚みは、例えば、25~500μm、好ましくは、50~300μmである。次に、上記した発光ダイオード装置1を製造する方法について、図1~図3を参照して説明する。この方法では、まず、図2bに示すように、反射樹脂シート13を用意する。図2bに示す反射樹脂シート13は、反射樹脂層4を発光ダイオード素子3図2c参照の側方に転写するための転写シートである。反射樹脂シート13は、第1離型基材21と、第1離型基材21の上面厚み方向一方面に設けられる反射樹脂層4とを備えている。そのような反射樹脂シート13を得るには、図2aが参照されるように、まず、反射樹脂層4を、第1離型基材21の上面厚み方向一方面に設けて、積層シート17を得る。反射樹脂層4を第1離型基材21の上面に設けるには、例えば、まず、第1離型基材21を用意する。第1離型基材21は、例えば、ポリオレフィン具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体EVAなどのビニル重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などの樹脂材料などから形成されている。また、第1離型基材21は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料などからも形成されている。第1離型基材21の厚みは、例えば、10~1000μmである。次いで、反射樹脂層4を、第1離型基材21の上面厚み方向一方面全面に積層する。反射樹脂層4を第1離型基材21の上面全面に積層するには、例えば、ディスペンサなどの公知の塗布方法によって、反射樹脂組成物を、第1離型基材21の上面全面に塗布する。これによって、反射皮膜を形成し、形成した反射皮膜を加熱することにより、シート状の反射樹脂層4を得る。なお、反射樹脂層4は、加熱によってBステージ状態とされる。加熱条件としては、加熱温度が、例えば、40~150°C、好ましくは、50~140°Cであり、加熱時間が、例えば、1~60分間、好ましくは、3~20分間である。これによって、第1離型基材21と、その上面に積層される反射樹脂層4とを備える積層シート17を得る。その後、図2bに示すように、貫通孔9を、積層シート17に厚み方向を貫通するように形成する。すなわち、貫通孔9を、図2cが参照されるように、発光ダイオード素子3に対応するように形成する。具体的には、反射樹脂シート13を上下反転後、ダイオード基板2に積層する時に、発光ダイオード素子3および蛍光体層5が配置される領域と実質的に同一形状具体的には、平面視略矩形状であって、反射樹脂層4における貫通孔9の内周面が発光ダイオード素子3および蛍光体層5の側面と対向配置できる形状に、貫通孔9を形成する。貫通孔9の最大長さは、特に限定されず、例えば、1~10000μmである。貫通孔9を積層シート17に形成するには、例えば、エッチング例えば、ドライエッチングなど、金型による打ち抜き、ドリル穿孔などの公知の穿孔方法が採用される。これによって、第1離型基材21と反射樹脂層4とを連通するように穿孔して、上記したパターンの貫通孔9を積層シート17に形成する。これにより、反射樹脂シート13を形成することができる。次いで、この方法では、図2cの下部に示すように、反射樹脂シート13をダイオード基板2に積層する。すなわち、まず、図2bに示す反射樹脂シート13を上下反転する。その後、上下反転した反射樹脂シート13を、ダイオード基板2の上面厚み方向一方面に、反射樹脂層4とダイオード基板2とが接触するように、積層する。次いで、この方法では、図2cの上部に示すように、上面に蛍光体層5が積層された発光ダイオード素子3を用意する。具体的には、まず、蛍光体層5を用意し、次いで、その蛍光体層5の上面に発光ダイオード素子3を積層し、その後、それらを上下反転する。蛍光体層5は、蛍光体組成物から形成する場合には、例えば、蛍光体組成物を、図示しない離型フィルムの上面に塗布して、蛍光体皮膜図示せずを形成する。その後、蛍光体皮膜を、例えば、50~150°Cに、加熱して乾燥することにより、シート状の蛍光体層5を得る。その後、離型フィルムを蛍光体層5から引き剥がす。あるいは、蛍光体層5を蛍光体のセラミックス蛍光体セラミックプレートから形成する場合には、例えば、上記した蛍光体をセラミックス材料とし、シート状に成形した後、それを焼結することにより、シート状の蛍光体層5蛍光体セラミックスを得る。次いで、光半導体層7を、蛍光体層5の上面に、エピタキシャル成長法などの公知の成長法によって所定のパターンで形成し、その後、電極部8を、光半導体層7の上面に上記したパターンで形成する。これにより、蛍光体層5の上面に発光ダイオード素子3を形成する。その後、必要により、所定サイズに切断加工ダイシングして、少なくとも1つの発光ダイオード素子3を含む平面視略矩形状に形成する図1参照。その後、蛍光体層5および発光ダイオード素子3を上下反転することによって、上面に蛍光体層5が積層された発光ダイオード素子3を用意する。次いで、図2dに示すように、発光ダイオード素子3をダイオード基板2の上面厚み方向一方面に配置する。具体的には、発光ダイオード素子3を反射樹脂シート13の貫通孔9内に配置して、発光ダイオード素子3をダイオード基板2にフリップ実装する。フリップ実装は、電極部8と端子6とを電気的に接続することにより、実施する。その後、図3eに示すように、緩衝シート26を、反射樹脂シート13の上面に設ける。緩衝シート26は、次に説明する押圧図3eの矢印参照において、押圧力が発光ダイオード素子3に対して不均一にかからないように、そのような押圧力を緩衝するシートクッションシートであって、例えば、弾性シートフィルムなどから形成されている。緩衝シート26を形成する緩衝材料としては、上記した第1離型基材21を形成する樹脂材料と同様の樹脂材料から形成されており、好ましくは、ビニル重合体、さらに好ましくは、EVAから形成されている。緩衝シート26の厚みは、例えば、0.01~1mm、好ましくは、0.05~0.2mmである。具体的には、緩衝シート26を、平面視において、貫通孔9を含む反射樹脂シート13第1離型基材21の上面に形成する。続いて、図3eの矢印に示すように、反射樹脂シート13を下方に向けて押圧する。具体的には、例えば、プレス機などによって、緩衝シート26を介して反射樹脂シート13をダイオード基板2に向けて押圧する。圧力は、例えば、0.01~7MPa、好ましくは、0.05~4MPaである。また、必要により、上記した押圧を、加熱とともに実施、つまり、熱プレス具体的には、熱板により押圧する熱プレスなどすることもできる。加熱温度は、例えば、25~140°Cである。これによって、反射樹脂層4に厚み方向に加えられた押圧力は、反射樹脂層4が第1離型基材21およびダイオード基板2に挟まれていることから、側方、具体的には、面方向外方左方、右方、前方および後方伝導する。これによって、反射樹脂層4が発光ダイオード素子3および蛍光体層5の側面左面、右面、前面および後面に密着する。なお、図2dの仮想線が参照されるように、発光ダイオード素子3を貫通孔9内に配置した時に、反射樹脂層4における貫通孔9の内周面と、発光ダイオード素子3の側面との間に、微小な側部隙間27が形成される場合がある。その場合においても、上記した押圧によって、反射樹脂層4が、面方向外方左方、右方、前方および後方に流動するため、側部隙間27が反射樹脂層4に充填される。また、上記した押圧によって、下部隙間12も反射樹脂層4によって充填される。従って、下部隙間12に充填される反射樹脂層4は、光半導体層7の下面および電極部8の側面に密着する。その後、図3fに示すように、緩衝シート26図3e参照を取り除き、続いて、第1離型基材21図3e参照を反射樹脂層4から引き剥がす。その後、加熱により、Bステージ状態の反射樹脂層4を硬化させる。これにより、図1に示すように、複数整列配置された発光ダイオード装置1からなる集合体シート24を得る。その後、図1の1点破線および図3fの1点破線に示すように、互いに隣接する発光ダイオード素子3の間において、厚み方向に沿って、ダイオード基板2および反射樹脂層4を切断加工ダイシングする。これにより、複数の発光ダイオード素子3に切り分ける。すなわち、発光ダイオード素子3を個別化個片化する。これにより、図3gに示すように、個別化された発光ダイオード素子3を備える発光ダイオード装置1を得る。そして、上記した方法では、反射樹脂層4を発光ダイオード素子3の側面に密着させる。しかも、この方法では、第1型基材21をダイオード基板2に向けて押圧するため、第1離型基材21とダイオード基板2とに厚み方向に挟まれる反射樹脂層4は、側方に流動する。そのため、反射樹脂層4における貫通孔9の内周面と発光ダイオード素子3の側面とが対向配置されているので、反射樹脂層4は、発光ダイオード素子3の側面に確実に密着することができる。そのため、上記した方法により得られる発光ダイオード装置1では、発光ダイオード素子3から側方に発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層4によって反射される。さらに、この発光ダイオード装置1は、発光ダイオード素子3から上方に発光された青色光と、蛍光体層5によって波長変換された黄色光との混色によって、高エネルギーの白色を発光することできる。その結果、光の取出効率を向上させることができる。図4および図5は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態第2離型基材を用いる態様を説明する製造工程図を示す。図2および図3の実施形態では、本発明の発光ダイオード装置の製造法における基材を、ダイオード基板2として説明しているが、例えば、図4および図5に示すように、第2離型基材離型基材23とし、別途、ダイオード基板2を用意することにより、発光ダイオード装置1を得ることもできる。次に、第2離型基材23を用いて発光ダイオード装置1を製造する方法について、図4および図5を参照して説明する。なお、図4および図5において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。まず、この方法では、図4aに示すように、第1離型基材21および反射樹脂層4を備える積層シート17を用意し、続いて、図4bに示すように、貫通孔9を積層シート17に形成することにより、反射樹脂シート13を用意する。続いて、図4cの下部に示すように、反射樹脂シート13を、上下反転し、その後、基材としての第2離型基材23の上面に積層する。第2離型基材23は、上記した第1離型基材21と同様の材料から形成されている。また、第2離型基材23を、加熱により発光ダイオード素子3および反射樹脂層4から容易に剥離できる熱剥離シートから形成することもできる。熱剥離シートは、例えば、図4cの仮想線で示すように、支持層15と、支持層15の上面に積層される粘着層16とを備えている。支持層15は、例えば、ポリエステルなどの耐熱性樹脂から形成されている。粘着層16は、例えば、常温25°Cにおいて、粘着性を有し、加熱時に、粘着性が低減するあるいは、粘着性を失う熱膨張性粘着剤などから形成されている。上記した熱剥離シートは、市販品を用いることができ、具体的には、リバアルファシリーズ登録商標、日東電工社製などを用いることができる。熱剥離シートは、支持層15によって、反射樹脂層4および発光ダイオード素子3を、粘着層16を介して確実に支持しながら、その後の加熱および熱膨張による粘着層16の粘着性の低下に基づいて、発光ダイオード素子3および反射樹脂層4から剥離される。第2離型基材23の厚みは、例えば、10~1000μmである。次いで、図4dに示すように、発光ダイオード素子3を第2離型基材23の上面に設ける。具体的には、発光ダイオード素子3を反射樹脂シート13の貫通孔9内に配置する。これにより、反射樹脂シート13における貫通孔9の内周面と、発光ダイオード素子3および蛍光体層5の側面とが対向配置される。また、光半導体層7が第2離型基材23と接触するように、発光ダイオード素子3を貫通孔9内に配置する。次いで、図5eに示すように、緩衝シート26を反射樹脂シート13の上面に設け、続いて、図5eの矢印で示すように、反射樹脂シート13を下方に向けて押圧する。これによって、反射樹脂層4が発光ダイオード素子3および蛍光体層5の側面に密着する。その後、図5fに示すように、緩衝シート26図5e参照を取り除く。続いて、図5fの1点破線に示すように、互いに隣接する発光ダイオード素子3の間において、厚み方向に沿って、第2離型基材23、反射樹脂層4および第1離型基材21を切断加工ダイシングする。これにより、複数の発光ダイオード素子3に切り分ける。すなわち、図5gに示すように、反射樹脂層4により側面が密着された発光ダイオード素子3を個別化個片化する。その後、図5gの仮想線で示すように、第1離型基材21を反射樹脂層4から引き剥がすとともに、第2離型基材23を発光ダイオード素子3および反射樹脂層4から引き剥がす。なお、第2離型基材23が熱剥離シートからなる場合には、加熱により、第2離型基材23を引き剥がす。その後、図5hに示すように、発光ダイオード素子3を上下反転させ、それをダイオード基板2にフリップ実装する。フリップ実装では、反射樹脂層4は、Bステージ状態であることから、その下面がダイオード基板2の上面に貼着するとともに、下部隙間12図2d参照に充填され、その後、加熱により、反射樹脂層4を硬化する。これにより、反射樹脂層4によって、発光ダイオード素子3が封止される。これにより、発光ダイオード装置1を得る。図4および図5の実施形態は、図2および図3の実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、図4および図5の実施形態では、反射樹脂層4に側面が密着され、第2離型基材23が引き剥がされた発光ダイオード素子3をダイオード基板2にフリップ実装するので、発光ダイオード装置1を簡単に製造することができる。一方、図2および図3の実施形態によれば、貫通孔9が形成された反射樹脂シート13をダイオード基板2に対して精度よく配置しておけば、その後、発光ダイオード素子3を反射樹脂シート13の貫通孔9内に配置することにより、発光ダイオード素子3のダイオード基板2に対する精度のよい位置決めを簡単かつ確実に実施することができながら、発光ダイオード素子3をダイオード基板2にフリップ実装することできる。以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。実施例1図2および図3の態様まず、反射樹脂シートを用意した図2b参照。すなわち、まず、ポリエチレンテレフタレートからなる厚み25μmの第1離型基材を用意した。次いで、熱硬化性シリコーン樹脂100質量部、および、球状で、平均粒子径300nmの酸化チタンTiO2、:ルチルの正方晶系粒子20質量部を均一に混合することにより、反射樹脂組成物を調製し、調製した反射樹脂組成物を第1離型基材の上面全面に塗布して、反射皮膜を形成した。その後、反射皮膜を加熱して、Bステージ状態の厚み100μmの反射樹脂層を第1離型基材の上面全面に形成して、第1離型基材および反射樹脂層を備える積層シートを形成した図2a参照。次いで、最大長さ400μmの平面視矩形状の貫通孔を、金型による打ち抜きによって、積層シートに形成した。これにより、反射樹脂層を用意した図2b参照。次いで、反射樹脂シートを上下反転し、その後、上下反転した反射樹脂シートを、厚み1mmのダイオード基板の上面に積層した図2cの下部参照。別途、蛍光体層を用意し、次いで、その蛍光体層の上面に発光ダイオード素子を積層した。具体的には、まず、離型フィルムを用意し、その後、Y3Al5O12:Ceからなる蛍光体粒子球形状、平均粒子径8μm26質量部、および、シリコーン樹脂付加反応型シリコーンレジン、動粘度25°C20mm2/s、旭化成ワッカーシリコーン社製74質量部を配合して、均一攪拌することにより、蛍光体組成物を調製し、それを、用意した離型フィルムの上面全面に塗布して、蛍光体皮膜を形成した。その後、蛍光体皮膜を、100°Cで乾燥させて、離型フィルムの上面全面に蛍光体層を形成した。その後、離型フィルムを蛍光体層から引き剥がした。続いて、緩衝層GaN、N形半導体層n-GaN、発光層InGaNおよびP形半導体層p-GaN:Mgを含む光半導体層と、アノード電極およびカソード電極を含む電極部とを備える厚み0.1mmの発光ダイオード素子を、蛍光体層の上面に形成した。これにより、下面に蛍光体層が積層された発光ダイオード素子を形成した。その後、発光ダイオード素子および蛍光体層を上下反転した図2cの上部参照。次いで、発光ダイオード素子をダイオード基板の上面に配置した図2d参照。具体的には、発光ダイオード素子を反射樹脂シートの貫通孔内に配置して、発光ダイオード素子をダイオード基板にフリップ実装した。フリップ実装は、電極部と端子とを電気的に接続することにより、実施した。なお、反射樹脂層における貫通孔の内周面と、発光ダイオード素子の側面とは、面方向に対向配置された。その後、EVAからなる厚み0.12mmの緩衝シートを、反射樹脂シートの上面に設けた図3e参照。次いで、反射シートを、プレス機によって、緩衝シートを介してダイオード基板に対して、圧力0.3MPaで押圧した図3eの矢印参照。これによって、反射樹脂層が発光ダイオード素子および蛍光体層の側面に密着した。次いで、緩衝シートを取り除き、続いて、第1離型基材を反射樹脂層から引き剥がした図3f参照。その後、反射樹脂層を加熱により硬化させた。これにより、複数整列配置された発光ダイオード装置からなる集合体シートを得た図1参照。その後、互いに隣接する発光ダイオード素子の間において、厚み方向に沿って、ダイオード基板および反射樹脂層をダイシングした図1の1点破線および図3fの1点破線参照。これにより、発光ダイオード素子を個別化し、それを備える発光ダイオード装置を得た図3g参照。実施例2図4および図5の態様実施例1と同様にして、積層シートを形成し、貫通孔を形成し、続いて、反射樹脂シートを用意した図4aおよび図4b参照。次いで、反射樹脂シートを上下反転し、その後、上下反転した反射樹脂シートを、熱剥離シート商品名リバアルファ、日東電工社製からなる厚み100μmの第2離型基材の上面に積層した図4cの下部参照。別途、以下の記載に従って用意した蛍光体層の上面に、実施例1と同様にして、発光ダイオード素子を積層し、それらを上下反転した図4cの上部参照。<蛍光体層の用意>Y3Al5O12:Ceからなる蛍光体粒子球形状、平均粒子径95nm4g、バインダー樹脂としてpolyvinylbutyl-co-vinylalcoholcovinylalcoholシグマアルドリッチ社製、重量平均分子量90000~1200000.21g、焼結助剤としてシリカ粉末CabotCorporation社製、商品名CAB-O-SILHS-50.012g、および、メタノール10mLを乳鉢にて混合してスラリーとし、得られたスラリーをドライヤーにてメタノールを除去し、乾燥粉末を得た。この乾燥粉末700mgを、20mm×30mmサイズの一軸性プレスモールド型に充填後、油圧式プレス機にて約10トンで加圧することで、厚み約350μmの矩形状に成型したプレート状グリーン体を得た。得られたグリーン体をアルミナ製管状電気炉にて、空気中、2°C/minの昇温速度で800°Cまで加熱し、バインダー樹脂などの有機成分を分解除去した後、引き続き、電気炉内をロータリーポンプにて真空排気して、1500°Cで5時間加熱し、厚み約280μmのYAG:Ce蛍光体のセラミックプレートYAG-CPからなる蛍光体層を用意した。そして、発光ダイオード素子を、第2離型基材の上面に配置した図4d参照。具体的には、発光ダイオード素子および蛍光体層を反射樹脂シートの貫通孔内に配置した。なお、反射樹脂層における貫通孔の内周面と、発光ダイオードおよび蛍光体層の側面とは、面方向に対向配置された。その後、EVAからなる厚み0.12mmの緩衝シートを、反射樹脂シートの上面に設けた図5e参照。次いで、反射シートを、プレス機によって、緩衝シートを介して第2離型基材に対して、圧力0.3MPaで押圧した図5eの矢印参照。これによって、反射樹脂層が発光ダイオード素子および蛍光体層の側面に密着した。次いで、緩衝シートを取り除いた図5f参照。その後、互いに隣接する発光ダイオード素子の間において、厚み方向に沿って、第2離型基材、反射樹脂層および第1離型基材をダイシングした図5fの1点破線参照。これにより、反射樹脂層により側面が密着された発光ダイオード素子を個別化した図5g参照。次いで、第1離型基材を反射樹脂層の上面から引き剥がすとともに、第2離型基材を、加熱によって発光ダイオード素子および反射樹脂層の下面から引き剥がした図5gの仮想線参照。これにより、複数整列配置された発光ダイオード装置からなる集合体シートを得た図1参照。その後、発光ダイオード素子を上下反転させ、それをダイオード基板にフリップ実装した図5h参照。フリップ実装では、反射樹脂層を加熱により硬化させ、それによって、発光ダイオード素子の側面を封止した。これにより、発光ダイオード装置を得た。"