光源と、該光源の照射方向に対向した光入射/反射面及びその反対面を有し、該光入射/反射面に入射光を受けて前記反対面に近接場光の一形態である表面プラズモン共鳴光を励起するための金属層と、該金属層の前記反対面側に設けられた散乱光検出手段とを具備し、前記金属層の前記反対面に付着した粒子によって前記近接場光の一形態である表面プラズモン共鳴光が遠視野場の散乱光に変換され、該散乱光が前記散乱光検出手段によって検出される粒子検出装置。さらに、前記金属層の前記反対面に前記粒子を付着させるための粒子付着手段を具備する請求項1に記載の粒子検出装置。前記粒子付着手段は、前記粒子を帯電させるための粒子帯電手段と、前記金属層に前記粒子帯電手段によって帯電させる電荷とは逆の電圧を印加させるための電圧印加手段とを具備する請求項2に記載の粒子検出装置。さらに、前記金属層の前記反対面に設けられた誘電体保護層を具備する請求項1に記載の粒子検出装置。前記金属層の厚さは、該金属層の前記反対面における表面プラズモン共鳴光の励起量が最大となるように、設定される請求項1に記載の粒子検出装置。前記入射光の前記金属層の光入射/反射面での入射角は、全反射領域において前記入射光の前記金属層の光入射/反射面での反射率が最小となるプラズモンディップ角度より小さく前記金属層の前記反対面における前記入射光の電場強度が最大となる角度である請求項1に記載の粒子検出装置。さらに、前記金属層の前記光入射/反射面に付着された透明基材を具備する請求項1に記載の粒子検出装置。前記透明基材はプリズムである請求項7に記載の粒子検出装置。前記プリズムの稜部に対向する面が前記金属層に付着された請求項8に記載の粒子検出装置。前記金属層は金よりなる請求項1に記載の粒子検出装置。前記金属層は銀よりなる請求項1に記載の粒子検出装置。前記金属層は白金よりなる請求項1に記載の粒子検出装置。前記金属層は金、銀及び白金の少なくとも2つの合金よりなる請求項1に記載の粒子検出装置。前記誘電体保護層は酸化シリコンよりなる請求項4に記載の粒子検出装置。前記金属層に前記入射光の波長より小さい径を有する複数の孔部を設けた請求項1に記載の粒子検出装置。前記複数の孔部が規則性を有する請求項15に記載の粒子検出装置。前記散乱光検出手段は干渉フィルタを具備する請求項1に記載の粒子検出装置。前記散乱光検出手段は光導波路を具備する請求項1に記載の粒子検出装置。しかしながら、上述の第2の従来の粒子検出装置においては、依然として次の課題がある。1LD励起固体レーザ共振器のアライメント安定性を維持するために、LD励起固体レーザ共振器を精密に温度制御された除振環境下に設置する必要があり、やはり、装置の大型化かつ高コスト化を招く。2空気もしくは水が粒子検出領域206を通過する際の乱流及び温度変化がレーザ共振器の屈折率変化による光路長変化を招き、この結果、LD励起固体レーザ共振器の発振強度が劇的に変化して微粒子検出が不安定になる。3光散乱の原理はレイリー散乱に基づき、上述の1式のレイリー散乱の散乱断面積Sによるが、やはり直径dが01μm以下の場合には散乱断面積Sが小さくなり、微粒子の検出が困難である。上述の課題を解決するために、本発明に係る粒子検出装置は、光源と、光源の照射方向に対向した光入射/反射面及びその反対面を有し、光入射/反射面に入射光を受けて反対面に近接場光NearFieldの一形態である表面プラズモン共鳴光を励起するための金属層と、金属層の反対面側に設けられた散乱光検出手段とを具備する。金属層の反対面に付着した粒子によって近接場光の一形態である表面プラズモン共鳴光が遠視野場FarFieldの散乱光に変換され、この散乱光が散乱光検出手段によって検出されるようにしたものである。これにより、表面プラズモン共鳴光の電場強度効果及び波長収縮効果により直径01μm以下の粒子を検出できるようになる。また、金属層の反対面に設けられた誘電体保護層を具備する。これにより、金属層が傷つくことを防止できる。本発明によれば、構成のアライメント安定性をよくでき、従って、装置を小型化かつ低コスト化でき、また、特に直径01μm以下の微粒子を安定かつ容易に検出できる。図1は本発明に係る粒子検出装置の第1の実施の形態を示す一部断面図である。図1において、粒子検出装置は、透明基材としての屈折率n11535、頂角90°のBK7プリズム1、BK7プリズム1の稜部11に対向する面12に蒸着、スパッタリング等により被覆された金属層として金Au層2、及び金層2の光入射/反射面の反対面に被覆された誘電体保護層たとえば酸化シリコンSiO2保護層3を備えている。金層2の長さはたとえば1cm程度であり、また、金層2の厚さt2は10nm~10μmの範囲で選択される。金層2の厚さt2が10nm未満では、金層2で発生するエバネッセント光を金層2が十分に吸収できないことがあり、また、金層2の厚さt2が10μmを超えると、金層2で発生するエバネッセント光の減衰が大きくなり金層2の表面プラズモン共鳴光を励起できないことがある。尚、金層2とBK7プリズム1との密着性を高めるために、BK7プリズム1の表面に1~2nm程度のCr等の金属を蒸着してもよい。また、BK7プリズム1の稜部11を挟む2つの面13、14の一方の面13には無反射ARコート4が被覆されている。尚、BK7プリズム1の反射率たとえば8による入射損失が無視できれば、無反射コート4は省略できる。さらに、HeNeレーザ源5及び波長板6が設けられ、これによりHeNeレーザ源5から発生した可視レーザ光Vが波長板6、無反射コート4及びBK7プリズム1を介して金層2に入射する。この場合、金層2にエバネッセント光を発生させ、このエバネッセント光により表面プラズモン共鳴光を励起させるためには、可視レーザ光Vの金層2の光入射/反射面に水平な偏光いわゆるTM偏光もしくはP偏光をBK7プリズム1に入射させる必要があり、このために、波長板6を回転調整する。尚、HeNeレーザ源5の可視レーザ光Vの偏光が直線偏光を有しているので、波長板6を設けずに、HeNeレーザ源5の筐体を回転させて上記のP偏光を形成してもよい。尚、ここでは、HeNeレーザ光を用いて金層2上に表面プラズモン光を生成しているが、金薄膜を利用して表面プラズモン光を励起できる波長は500nmから2000nmに亘るので、ここで記述するHeNeレーザ光以外にも種々の波長の光源を利用することができる。ただし、波長収縮効果を考えた場合は、金の表面プラズモン共鳴周波数500nmに近い可視光領域の波長を利用する方が微粒子計測に有利となる。また、光源として、指向性並びにコヒーレンスの高いレーザ光を利用する以外にも、発光ダイオードLED等を始めとする種々の安価な単色光源も、指向性並びに偏光特性等を勘案した適当な光学設計を行うことによってレーザ光と略同等の効果を期待できる。また、イオナイザ7は微粒子Pを負に帯電させ、他方、金層2に正電圧を印加する。従って、帯電した微粒子Pは加速されて金層2の光入射/反射面の反対側のSiO2保護層3に付着し、表面プラズモン場に導かれる。尚、微粒子Pを正に帯電させ、他方、金層2に負電圧を印加させることでも同様の効果が得られる。微粒子Pに帯電させる電荷と金層2に印加させられる電圧が逆であればどちらでもよい。この結果、上述の近接場の表面プラズモン共鳴光はSiO2保護層3に付着した微粒子Pによって遠視野場FarFieldの散乱光SLに変換される。この散乱光SLは散乱光検出手段としての2つの干渉フィルタ8-1a、8-2a付きの光電子倍増管8-1、8-2によって光/電圧変換され、制御回路9に供給される。尚、干渉フィルタ8-1a、8-2aは所定の周波数帯域のみを通過させるものである。散乱光SLの波長は入射光の波長になるので、ここでは、干渉フィルタ8-1a、8-2aとしてHeNeレーザ源5の波長が通過するものが選ばれる。また、光電子倍増管は2つでなく、1つもしくは3つ以上でもよい。また、散乱光SLをより近傍で検出したい場合には、1本または多数本の光導波路を表面プラズモン発生箇所に近接させて集光並びに導光し、この導光された光を光電子倍増管で検出してもよい。これにより1つの光電子倍増管で多数箇所の散乱光を検出することが可能となり、装置の小型化並びに低価格化を図ることが可能となる。制御回路9は光電子倍増管8-1、8-2の出力を加算増幅する増幅器91、増幅器91の出力S1を微分する微分器92、及び微分器92のパルス出力S2をその波高値に応じて計数する波高値別計数器93よりなる。尚、制御回路9はマイクロコンピュータによって構成し、微分器92及び波高値別計数器93の機能をソフトウェアで行うこともできる。図1の粒子検出装置の動作原理は、表面プラズモン共鳴光の電場強度増大効果及び波長収縮効果を利用する。表面プラズモン共鳴光については、非特許文献2を参照されたし。すなわち、可視レーザ光Vによって金層2にエバネッセント光を発生し、このエバネッセント光により金層2の光入射/反射面と反対面に表面プラズモン共鳴光を励起させる。この場合、可視レーザ光VはP偏光なので金層2の表面に平行な電場成分を有し、その電場成分が増大する。たとえば、この表面プラズモン共鳴光により金層2の上記反対面での入射光の電場強度は10倍程度とする。従って、金層2の入射光の光強度はその電場成分の2乗なので10010×10倍程度となる。つまり、電場強度増大効果によって微粒子Pによる散乱光SLの強度が100倍程度高められる。また同時に、金層2に生ずる表面プラズモン共鳴光の波長は波長収縮効果により可視レーザ光Vの波長に対して110から1100程度に収縮する。この結果、散乱光SLの散乱断面積Sは1式より4から4となり、つまり、散乱光SLの強度は104から108倍増加できる。このように、表面プラズモン共鳴光の電場強度増大効果と波長収縮効果とを勘案すると、従来の粒子検出装置に比較すると、106から1010倍の散乱光増大効果が期待できる。従って、1式のd6が小さくなっても直径01μm以下の微粒子Pを検出できる。図2は図1の粒子検出装置の製造フローを示すフローチャートである。始めに、ステップ201にて金層2の最適の厚さt2を選択する。図1の金層2の光入射/反射面の反対面における表面プラズモン共鳴光の励起量を最大とする可視レーザ光Vの入射角θは、臨界角θcより大きい範囲で、金層2の光入射/反射面での反射率Rが最小となる光吸収プラズモンディップ角度である。つまり、BK7プリズム1に対して可視レーザ光Vを相対的に角度スキャンして金層2からの反射光を利用してシミュレーションした結果である全反射減衰ATR信号スペクトルを図3に示してある。尚、このシミュレーションソフトとしてはマックスプランク研究所開発のWinSpall商標名を用いる。波長λ6328nmの可視レーザ光Vの基における条件は次のごとくである。BK7プリズム1について、屈折率n11535消衰係数k10である。金層2について、厚さt2可変屈折率n2018消衰係数k23である。SiO2保護層3について、厚さt30である。つまり、SiO2保護層3が形成されていない状態である。図3においては、金層2の厚さt2に応じた複数のATR信号スペクトルのうち、金層2の厚さt22nm、27nm、62nm、77nm、102nmに応じたATR信号スペクトルを図示してある。金層2の厚さt2が10nm未満では、金層2で発生するエバネッセント光を金層2が十分に吸収できないことからプラズモンディップが発生しない。また、金層2の厚さt2が60nmを超えると、金層2で発生するエバネッセント光の減衰が大きくなり、金層2の表面プラズモン共鳴光の励起ができなくなり、プラズモンディップにおける反射率Rは大きくなる。図3には図示していないが、図4のAに図示するごとく、金層2の厚さt2≒53nmでのATR信号スペクトルが反射率R0の鋭いプラズモンディップを有する。従って、金層2の厚さt2を53±1nmの範囲で選択することにより表面プラズモン共鳴光の励起量は最大となる。次に、ステップ202にて最適入射角θoptを選択する。金層2の厚さt2が53nmのときには、図4のAに示すごとく、入射角θがプラズモンディップ角度θp433°のときに、表面プラズモン共鳴光が最も効率よく励起される。しかし、図4のBに示すごとく、実際には、電場強度Eはプラズモンディップ角度433°より若干小さな角度431°で最大となる。従って、電場強度増大効果を最大限に発揮できるように、最適入射角θoptを431°に設定する。この場合、電場強度増大度は入射光の約20倍となる。尚、図5に示すごとく、金層2の厚さt2が53nmより小さいt20nm、20nmの場合、あるいは53nmより大きいt280nmの場合に、最適入射角θoptを設定しても、表面プラズモン共鳴光の励起量が小さく、電場強度の半値幅も大きくなるので、電場強度増大量は入射光の約20倍よりはるかに小さくなる。次に、ステップ203に進み、SiO2保護層3の厚さt3の選択をする。すなわち、金層2の厚さt2を53nmに維持すると共に、SiO2保護層3の厚さt3を0~50nmの範囲で変化させた場合のそれぞれの全反射減衰ATR信号スペクトルを図6に示してある。尚、図6においては、代表として、SiO2保護層3の厚さt30nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nmの場合を図示してある。波長λ6328nmの可視レーザ光Vの基における条件は次のごとくである。BK7プリズム1について、屈折率n11535消衰係数k10である。金層2について、厚さt253nm屈折率n2018消衰係数k23である。SiO2保護層3について、厚さt3可変屈折率n315消衰係数k30である。図6に示すように、SiO2保護層3は吸収損失k30を生じないので、SiO2保護層3の厚さt3が増大すると、プラズモンディップ角度は高角側にシフトするが、プラズモンディップの深さは反射率R0点と同一である。つまり、SiO2保護層3の厚さt3に関係なく、効率のよい表面プラズモン共鳴光を励起できる。この場合、電場強度の大きさはプラズモンディップの半値幅が狭い程大きくなるので、微粒子Pからの散乱光SLの強度を大きくしようとする場合、SiO2保護層3はない方が良い。しかしながら、一般的なごみの微粒子Pは人の皮膚、繊維、レジスト残滓、金属片等であり、その材質、屈折率及び形状は多彩である。その際、微粒子Pの屈折率がSiO2保護層3に近い場合、表面プラズモン共鳴光の光エネルギーは共鳴的に微粒子Pにトンネルして移り、散乱光SLの強度が大きくなることもある。従って、これらを考慮してSiO2保護層3の厚さt3を選択して金層2が傷つくことを防止する。次に、図1の制御回路9の動作を図7を参照して説明する。すなわち、帯電された微粒子PがSiO2保護層3に付着する毎に微粒子Pの散乱光SLが累積するので、図7のAに示すごとく、増幅器91の出力S1は累積的に増加する。このときの増幅器91の出力S1の増加量は付着した微粒子Pの直径dに応じて大きくなる。従って、図7のBに示すごとく、微分器92のパルス出力S2の各波高値は付着した微粒子Pの直径dに応じて大きくなる。この結果、波高値別計数器93は微粒子Pを個別に計測することができるので、パルス出力S2の大きさから直径dを、パルス出力S2の回数から個数しては密度を算出することができる。尚、計数終了毎には、SiO2保護層3に付着した微粒子Pは拭き取られるまたは一体となっているBK7プリズム1、金層2、SiO2保護層3ごと取り替えることにより制御回路9の増幅器91の出力S1は初期化されることになる。図8は本発明に係る粒子検出装置の第2の実施の形態を示す一部断面図である。図8においては、図1の金層2の代りに、銀Ag層2’を設け、また、図1のHeNeレーザ源5の代りに、880nmの赤外レーザ光IR1を発生する赤外レーザ源5’を設けてある。図1の金層2と同様に、銀層2’の長さはたとえば1cm程度であり、また、銀層2’の厚さt2’は10nm~10μmの範囲で選択される。また、銀層2’とBK7プリズム1との密着性を高めるために、BK7プリズム1の表面に1~2nm程度のCr等の金属を蒸着してもよい。尚、ここでは、880nmの赤外レーザ光IR1を用いて銀層2’上に表面プラズモン光を生成しているが、銀薄膜を利用して表面プラズモン光を励起できる波長は340nmから2000nmに亘るので、ここで記述する880nmの赤外レーザ光IR1以外にも種々の波長の光源を利用することができる。ただし、波長収縮効果を考えた場合は、銀の表面プラズモン共鳴周波数340nmに近い赤外光領域の波長を利用する方が微粒子計測に有利となる。また、この場合も、光源として、指向性並びにコヒーレンスの高いレーザ光を利用する以外にも、LED等を始めとする種々の安価な単色光源も、指向性並びに偏光特性等を勘案した適当な光学設計を行うことによってレーザ光と略同等の効果を期待できる。図8の粒子検出装置の動作原理も、図1の粒子検出装置の動作原理と同一である。図9は図8の粒子検出装置の製造フローを示すフローチャートである。始めに、ステップ901にて銀層2’の最適の厚さt2’を選択する。図8の銀層2’の光入射/反射面の反対面における表面プラズモン共鳴光の励起量を最大とする赤外レーザ光IR1の入射角θは、臨界角θcより大きい範囲で、銀層2’の光入射/反射面での反射率Rが最小となる光吸収プラズモンディップ角度である。つまり、BK7プリズム1に対して赤外レーザ光IR1を相対的に角度スキャンして銀層2’からの反射光を利用してシミュレーションした結果である全反射減衰ATR信号スペクトルを図10に示してある。尚、このシミュレーションソフトとしてはマックスプランク研究所開発のWinSpall商標名を用いる。波長λ880nmの赤外レーザ光IR1の基における条件は次のごとくである。BK7プリズム1について、屈折率n11535消衰係数k10である。銀層2’について、厚さt2’可変屈折率n2’0163消衰係数k2’6である。SiO2保護層3について、厚さt30である。つまり、SiO2保護層3が形成されていない状態である。図10においては、銀層2’の厚さt2’に応じた複数のATR信号スペクトルのうち、銀層2’の厚さt2’2nm、22nm、62nm、82nm、102nmに応じたATR信号スペクトルを図示してある。銀層2’の厚さt2’が22nm未満では、銀層2’で発生するエバネッセント光を銀層2’が十分に吸収できないことからプラズモンディップが発生しない。また、銀層2’の厚さt2’が62nmを超えると、銀層2’で発生するエバネッセント光の減衰が大きくなり、銀層2’の表面プラズモン共鳴光の励起ができなくなり、プラズモンディップにおける反射率Rは大きくなる。図10には図示していないが、図11のAに図示するごとく、銀層2’の厚さt2’≒42nmでのATR信号スペクトルが反射率R0の鋭いプラズモンディップを有する。従って、銀層2’の厚さt2’を42±1nmの範囲で選択することにより表面プラズモン共鳴光の励起量は最大となる。次に、ステップ902にて最適入射角θoptを選択する。銀層2’の厚さt2’が42nmのときには、図11のAに示すごとく、入射角θがプラズモンディップ角度θp395°のときに、表面プラズモン共鳴光が最も効率よく励起される。しかし、図11のBに示すごとく、実際には、電場強度Eはプラズモンディップ角度395°より若干小さな角度3949°で最大となる。従って、電場強度増大効果を最大限に発揮できるように、最適入射角θoptを3949°に設定する。この場合、電場強度増大度は入射光の約90倍となる。第1の実施の形態に比較して電場強度増大度が大きくなるのは、Auの消衰係数k23、Agの消衰係数k2’6の相違によるものである。尚、図12に示すごとく、銀層2’の厚さt2’が42nmより小さいt2’10nm、22nmの場合、あるいは42nmより大きいt2’85nmの場合に、最適入射角θoptを設定しても、表面プラズモン共鳴光の励起量が小さく、電場強度の半値幅も大きくなるので、電場強度増大量は入射光の約90倍よりはるかに小さくなる。次に、ステップ903に進み、SiO2保護層3の厚さt3の選択をする。すなわち、銀層2’の厚さt2’を42nmに維持すると共に、SiO2保護層3の厚さt3を0~200nmの範囲で変化させた場合のそれぞれの全反射減衰ATR信号スペクトルを図13に示してある。尚、図13においては、代表として、SiO2保護層3の厚さt30nm、40nm、80nm、120nm、160nm、200nmの場合を図示してある。波長λ880nmの赤外レーザ光IR1の基における条件は次のごとくである。BK7プリズム1について、屈折率n11535消衰係数k10である。銀層2’の厚さt2’について、厚さt2’42nm屈折率n2’0163消衰係数k2’6である。SiO2保護層3について、厚さt3可変屈折率n315消衰係数k30である。図13に示すように、SiO2保護層3は吸収損失k30を生じないので、SiO2保護層3の厚さt3が増大すると、プラズモンディップ角度は高角側にシフトするが、プラズモンディップの深さは反射率R0点とほとんど同一である。つまり、SiO2保護層3の厚さt3に関係なく、効率のよい表面プラズモン共鳴光を励起できる。この場合、図14に示すごとく、電場強度の大きさはプラズモンディップの半値幅が狭い程大きくなるので、微粒子Pからの散乱光SLの強度を大きくしようとする場合、SiO2保護層3はない方が良い。しかしながら、上述の第1の実施の形態と同様に、SiO2保護層3の厚さt3を選択する。図15は本発明に係る粒子検出装置の第3の実施の形態を示す一部断面図である。図15においては、図1のBK7プリズム1の代りに、サファイアプリズム1’を設け、また、図1の金層2の代りに、白金Pt層2を設け、さらに、図1のHeNeレーザ源5の代りに、3100nmの赤外レーザ光IR2を発生する赤外レーザ源5を設けてある。図1のBK7プリズム1と同様の透明部材としてのサファイアプリズム1’は屈折率n1’171、頂角90°を有する。図1の金層2と同様に、白金層2の長さはたとえば1cm程度であり、また、白金層2の厚さt2は10nm~10μmの範囲で選択される。また、白金層2とサファイアプリズム1’との密着性を高めるために、サファイアプリズム1’の表面に1~2nm程度のCr等の金属を蒸着してもよい。また、図1の場合と同様に、サファイアプリズム1’の稜部11’を挟む2つの面13’、14’の一方の面13’には無反射ARコート4が被覆されている。尚、サファイアプリズム1’の反射率たとえば8による入射損失が無視できれば、無反射コート4は省略できる。尚、ここでは、3100nmの赤外レーザ光IR2を用いて白金層2上に表面プラズモン光を生成しているが、白金薄膜を利用して表面プラズモン光を励起できる波長は3000nmから12000nmに亘るので、ここで記述する3100nmの赤外レーザ光IR2以外にも種々の波長の光源を利用することができる。ただし、波長収縮効果を考えた場合は、白金の表面プラズモン共鳴周波数3000nmに近い赤外光領域の波長を利用する方が微粒子計測に有利となる。また、この場合も、光源として、指向性並びにコヒーレンスの高いレーザ光を利用する以外にも、LED等を始めとする種々の安価な単色光源も、指向性並びに偏光特性等を勘案した適当な光学設計を行うことによってレーザ光と略同等の効果を期待できる。図15の粒子検出装置の動作原理も、図1の粒子検出装置の動作原理と同一である。図16は図15の粒子検出装置の製造フローを示すフローチャートである。始めに、ステップ1601にて白金層2の最適の厚さt2を選択する。図15の白金層2の光入射/反射面の反対面における表面プラズモン共鳴光の励起量を最大とする赤外レーザ光IR2の入射角θは、臨界角θcより大きい範囲で、白金層2の光入射/反射面での反射率Rが最小となる光吸収プラズモンディップ角度である。つまり、サファイアプリズム1’に対して赤外レーザ光IR2を相対的に角度スキャンして白金層2からの反射光を利用してシミュレーションした結果である全反射減衰ATR信号スペクトルを図17に示してある。尚、このシミュレーションソフトとしてはマックスプランク研究所開発のWinSpall商標名を用いる。波長λ31000nmの赤外レーザ光IR2の基における条件は次のごとくである。サファイアプリズム1’について、屈折率n1’171消衰係数k1’0である。白金層2について、厚さt2可変屈折率n228消衰係数k2114である。SiO2保護層3について、厚さt30である。つまり、SiO2保護層3が形成されていない状態である。図17においては、白金層2の厚さt2に応じた複数のATR信号スペクトルのうち、白金層2の厚さt22nm、10nm、16nm、20nm、30nm、50nmに応じたATR信号スペクトルを図示してある。白金層2の厚さt2が10nm未満では、白金層2で発生するエバネッセント光を白金層2が十分に吸収できないことからプラズモンディップが発生しない。また、白金層2の厚さt2が60nmを超えると、白金層2で発生するエバネッセント光の減衰が大きくなり、白金層2の表面プラズモン共鳴光の励起ができなくなり、プラズモンディップにおける反射率Rは大きくなる。図17には図示していないが、図18のAに図示するごとく、白金層2の厚さt2≒16nmでのATR信号スペクトルが反射率R0の鋭いプラズモンディップを有する。従って、白金層2の厚さt2を16±1nmの範囲で選択することにより表面プラズモン共鳴光の励起量は最大となる。次に、ステップ1602にて最適入射角θoptを選択する。白金層2の厚さt2が16nmのときには、図18のAに示すごとく、入射角θがプラズモンディップ角度θp316°のときに、表面プラズモン共鳴光が最も効率よく励起される。しかし、図18のBに示すごとく、実際には、電場強度Eはプラズモンディップ角度316°より若干小さな角度297°で最大となる。従って、電場強度増大効果を最大限に発揮できるように、最適入射角θoptを297°に設定する。この場合、電場強度増大度は入射光の約90倍となる。尚、図19に示すごとく、白金層2の厚さt2が16nmより小さいt22nm、4nmの場合、あるいは16nmより大きいt280nmの場合に、最適入射角θoptを設定しても、表面プラズモン共鳴光の励起量が小さく、電場強度の半値幅も大きくなるので、電場強度増大量は入射光の約8倍よりはるかに小さくなる。次に、ステップ1603に進み、SiO2保護層3の厚さt3の選択をする。すなわち、白金層2の厚さt2を16nmに維持すると共に、SiO2保護層3の厚さt3を0~50nmの範囲で変化させた場合のそれぞれの全反射減衰ATR信号スペクトルを図20に示してある。尚、図20においては、代表として、SiO2保護層3の厚さt30nm、10nm、20nm、30nm、40nm、50nmの場合を図示してある。波長λ3100nmの赤外レーザ光IR2の基における条件は次のごとくである。サファイアプリズム1’について、屈折率n1’171消衰係数k1’0である。白金層2の厚さt2について、厚さt216nm屈折率n228消衰係数k2114である。SiO2保護層3について、厚さt3可変屈折率n315消衰係数k30である。図20に示すように、SiO2保護層3は吸収損失k30を生じないので、SiO2保護層3の厚さt3が増大すると、プラズモンディップ角度は高角側にシフトするが、プラズモンディップの深さは反射率R0点とほとんど同一である。つまり、SiO2保護層3の厚さt3に関係なく、効率のよい表面プラズモン共鳴光を励起できる。この場合、電場強度の大きさはプラズモンディップの半値幅が狭い程大きくなるので、微粒子Pからの散乱光SLの強度を大きくしようとする場合、SiO2保護層3はない方が良い。しかしながら、上述の第1の実施の形態と同様に、SiO2保護層3の厚さt3を選択する。図21は図1図8、図15の粒子検出装置の変更例を示す断面図である。図21に示すように、図1、図8のBK7プリズム1あるいは図15のサファイアプリズム1’は設けずに、透光性板状部材2a上に設けられた金属層としての金層2、銀層2’あるいは白金層2にHeNeレーザ源5の可視レーザ光Vあるいは赤外レーザ源5’、5の赤外レーザ光IR1、IR2の波長λより小さい直径の孔部21を形成する。これにより、可視レーザ光Vもしくは赤外レーザ光IR1、IR2の一部は金属層の孔部21に入射する。このとき、孔部21の直径は波長λより小さいので、孔部21に入射した光は孔部21の外部に放射されることはなく、その一方でエバネッセント光を発生する。この現象は、微小開口によるエバネッセント光の発生として知られている。そして、孔部21の1つに発生したエバネッセント光は、図22に矢示するように、孔部21の配列に従って縦横斜めに、次々に隣接する孔部21に伝播並びに干渉することによって強度が増大される。この結果、強度が増大されたエバネッセント光により金属層の光電面に表面プラズモン共鳴光がさらに容易に励起される。尚、図21の構成においては、表面プラズモン異常透過現象が起こり、特定の波長並びに角度においては増強されたバックグラウンド光が直接検出器に入射し、微粒子からの散乱光がこのバックグラウンド光に埋もれてしまうことが予想されるため、このような異常透過をおこす波長を利用して表面プラズモンを励起することは避ける必要がある。また、この異常透過は周期配列による干渉効果に起因するので、規則的な配置に比べ増大効果は弱くなるものの、周期配列を乱すことによって異常透過現象を避けることは可能である。尚、図21図22の粒子検出装置の製造も図2、図9もしくは図16の製造フローに基づいて行われる。図23は本願発明者らが上述の第2の実施の形態において光散乱を時間空間差分化プログラムFiniteDifferenceTimeDomain法を用いてシミュレーションした結果を示す。図23に示すように、銀層表面に励起された近接場の表面プラズモン共鳴光はたとえば大きな電場振幅5mVmを有する。図23に示すごとく、この銀層表面に直径01μmの微粒子を付着させると、微粒子から1cm程度離れた点に電場振幅が03μVmと大きい遠視野場の散乱光が生ずる。この場合、散乱光強度は入射光強度2で表わされるので、入射光強度が100mWであれば、散乱光強度は1nWとなり、図8の光電子倍増管8-1、8-2で十分感度よく検出できる。また、上述の第1、第2、第3の実施の形態における金属層としての金層2、銀層2’、白金層2は、BK7プリズム1あるいはサファイアプリズム1’上に蒸着、スパッタリング等によって成長する際にグレインが成長する。このグレインのサイズは微粒子Pの散乱光の検出感度に影響する。すなわち、グレインサイズが大きいと、金属表面に励起された近接場の表面プラズモン共鳴光の散乱が大きくなってバックグラウンド光として埋もれてしまい、この結果、上述の検出感度は低下する。この場合、金属表面に励起される近接場の表面プラズモン共鳴光をバックグラウンド光として散乱するバックグラウンド光強度はグレインサイズgの6乗に比例する参照1式。他方、グレインは金属表面上に敷き詰められているので、単位面積当りの上述のバックグラウンド光強度はグレインサイズgの2乗に反比例する。この結果、単位面積当りのグレインが金属表面に励起された近接場の表面プラズモン共鳴光をバックグラウンド光として散乱するバックグラウンド光強度はグレインサイズgの4乗に比例する。図24は金属のグレインサイズと相対バックグラウンド光強度比を示すテーブルである。図24に示すように、金層2のグレインサイズgは60nm程度である。尚、金層2のグレインサイズgは蒸着もしくはスパッタリングによって形成されても同程度であり、また、銀層2’のグレインサイズgも同程度である。他方、白金層2のグレインサイズgはスパッタリングによって形成されたときに12nm程度である。尚、蒸着によって形成された白金層2のグレインサイズgは多少大きくなる。従って、白金層2のグレインサイズgを1とすれば、金層2もしくは銀層2’のグレインサイズgは4≒600となる。このように、白金層2を用いた第3の実施の形態のバックグラウンド光強度は金層2、銀層2’を用いた第1、第2の実施の形態に比較して著しく小さくなり、従って、微粒子Pの散乱光の検出感度は第3の実施の形態の場合の方が第1、第2の実施の形態より高くなる。尚、上述の実施の形態におけるBK7プリズム1及びサファイアプリズム1’の代りに、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウムよりなるプリズムを用いてもよい。また、この他にも、使用する励起波長に対して吸収がなく、屈折率が22以下の材料を使用することもできる。また、上述の実施の形態における金層2、銀層2’及び白金層2の代りに、金、銀及び白金のいずれか2つもしくは3つを合金化したものを用いてもよい。また、この他にも、使用する励起波長に対して誘電率の虚数部が負となる材料であれば、金属を含む種々の材料を用いることが可能である。