"第1のトランジスタ及び第2のトランジスタからなる第1のカレントミラー回路と、前記第1のトランジスタからの電流が流入する第1のノードに接続された第3のトランジスタ、及び前記第2のトランジスタからの電流が流入する第2のノードに接続された第4のトランジスタからなる第2のカレントミラー回路と、により構成される定電流回路と、前記第1のノードの電位を制御電圧とする第6のトランジスタと、前記第6のトランジスタからの電流が流入する第3のノードに接続され、ゲート電極を接地電位とした第7のトランジスタと、前記第7のトランジスタからの電流が流入する第4のノードに接続された静電容量素子と、前記第4のノードの電位を制御電圧とし、前記第2のノードを介して前記定電流回路へ起動電流を供給する第5のトランジスタと、により構成される始動回路と、ソース電極を電源電圧に固定するとともにゲート電極を接地電位とし、ドレイン電極より前記定電流回路及び前記始動回路に対して電源供給する第8のトランジスタにより構成される電源起動回路と、を備えた半導体集積回路。前記第8のトランジスタが非導通時に該第8のトランジスタのドレイン電極を接地電位に引き込む電圧引込手段をさらに備える請求項1記載の半導体集積回路。前記電圧引込手段は、一端が前記第8のトランジスタのドレイン電極に接続され、他端を接地電位とした抵抗である請求項2記載の半導体集積回路。前記電圧引込手段は、ドレイン電極が前記第8のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極を接地電位とするとともに、ソース電極が抵抗の一端に接続された第9のトランジスタと、他端を接地電位とした前記抵抗と、により構成される請求項2記載の半導体集積回路。前記第9のトランジスタはデプレッショントランジスタである請求項4記載の半導体集積回路。しかしながら、上記従来の半導体集積回路は、電源の立ち上がりが遅い場合、一方の端子がノードN4に接続された静電容量素子コンデンサC1に対して、トランジスタM7のサブスレッショルド領域弱反転領域ともいうでの電流、すなわち、トランジスタM7のゲート電圧がVt以下でもソースドレイン間に流れる電流によって充電が行われる。その結果、ノードN4は、例えば、図6において二点鎖線で示すように、電源電圧VDDの立ち上がりに対して傾きは異なるが、充電により上昇する電位を持つ。図6において、A点からB点までの間で、VDDよりノードN4の電位VN4を減じた電位VDD-VN4は、トランジスタM5のゲートソース間電圧Vgsである。したがって、トランジスタM5のゲートソース間電圧VgsVgs5と記すと、トランジスタM7のゲートソース間電圧VgsVgs7と記すには、VN4の電位差が生じる。トランジスタM7の弱反転領域でのドレイン電流は、ゲートソース間電圧Vgsの増加に対して指数関数的に増加する特性を有することが知られている。そのため、トランジスタM7のVgs7=VDDとトランジスタM5のVgs5=VDD-VN4の差が定電流回路の起動電流の挿入に対して重要となる。上記従来の定電流回路の起動電流挿入期間は、VDDの上昇が図6のA点定電流回路の動作開始点を越えてから、トランジスタM7のVtを超えて強反転領域のドレイン電流によってN4がVDDの電位に充電されるまでの期間であり、この期間の経過によって起動電流の供給が完了する。したがって、上記従来の定電流回路は、トランジスタM5のVgs5がN4の電位VN4に依存するので、A点からB点までの間に、トランジスタM5のVgs5が、トランジスタM7のVgs7と比べて、定電流回路の起動電流を流すだけの電圧Vgsに至ったかどうかが明確にならない場合も考えられる。すなわち、従来の定電流回路では、電源電圧VDDの立ち上がり速度が遅い場合、コンデンサC1への電荷量の上昇によりノードN4の電位が上昇して、定電流回路部112が立ち上がる前にトランジスタM5がOFFとなることも考えられるため、さらに安定して動作する起動回路構成の提案が必要となる。本発明は、上述した課題を解決するために提案されたものであり、その目的は、電源電圧の立ち上がりが遅い場合でも、安定かつ確実に定電流回路を起動させることができる半導体集積回路を提供することである。上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、半導体集積回路であって、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタからなる第1のカレントミラー回路と、前記第1のトランジスタからの電流が流入する第1のノードに接続された第3のトランジスタ、及び前記第2のトランジスタからの電流が流入する第2のノードに接続された第4のトランジスタからなる第2のカレントミラー回路と、により構成される定電流回路と、前記第1のノードの電位を制御電圧とする第6のトランジスタと、前記第6のトランジスタからの電流が流入する第3のノードに接続され、ゲート電極を接地電位とした第7のトランジスタと、前記第7のトランジスタからの電流が流入する第4のノードに接続された静電容量素子と、前記第4のノードの電位を制御電圧とし、前記第2のノードを介して前記定電流回路へ起動電流を供給する第5のトランジスタと、により構成される始動回路と、ソース電極を電源電圧に固定するとともにゲート電極を接地電位とし、ドレイン電極より前記定電流回路及び前記始動回路に対して電源供給する第8のトランジスタにより構成される電源起動回路と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、電源電圧の立ち上がりが遅い場合でも、定電流回路が起動される前に始動回路が非導通状態となるのを回避し、従来に比べてさらに確実に定電流回路を起動できる、という効果を奏する。以下、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示す回路図である。図1に示すように、本実施形態に係る半導体集積回路10は、電源起動回路部11、定電流回路部12、及びスタートアップ回路14を備える。半導体集積回路10には、不図示の電源より、例えば1Vの電源電圧VDD以降において、第1の電圧ともいうと、その第1の電圧よりも低い接地電圧GND以降において適宜、第2の電圧あるいはソース電位VSSともいうが供給される。電源起動回路部11は、PチャンネルMOSトランジスタMP1のソース電極Sを不図示の電源に接続して電源電圧VDDとし、このトランジスタMP1のドレイン電極Dに、デプレッショントランジスタND1のドレイン電極Dを接続し、さらに、デプレッショントランジスタND1のソース電極Sが、抵抗R1を介して接地されているつまり、ソース電位VSSとする。また、トランジスタMP1のゲート電極G、及びトランジスタND1のゲート電極Gは、ともに接地されて接地電圧GNDとなっている。定電流回路部12は、第1のカレントミラー回路101と、第2のカレントミラー回路102と、抵抗部R2とを含んで構成される。第1のカレントミラー回路101は、2つの第1導電型のトランジスタ例えば、PチャンネルMOSトランジスタM1,M2によって構成されている。PチャンネルMOSトランジスタM1,M2は、ゲート電極G制御電極ともいうと、ソース電極S第1の電極ともいうと、ドレイン電極D第2の電極ともいうとにより構成されている。トランジスタM1とトランジスタM2のゲート電極Gは相互に接続され、トランジスタM1のゲート電極Gとドレイン電極Dとが接続短絡されている。トランジスタM1のドレイン電極Dは、第1のノードN1に接続され、トランジスタM2のドレイン電極Dは、第2のノードN2に接続されている。第1のカレントミラー回路101は、相互に接続された、トランジスタM1とトランジスタM2のゲート電極Gに第1の電圧レベルの電圧が供給されると非導通状態となり、第2の電圧レベルの電圧が供給されると導通状態となる。第2のカレントミラー回路102は、2つの第2導電型のトランジスタ例えば、NチャンネルMOSトランジスタM3,M4により構成されている。NチャンネルMOSトランジスタM3,M4は、ゲート電極G制御電極ともいうと、ソース電極S第1の電極ともいうと、ドレイン電極D第2の電極ともいうとにより構成されている。トランジスタM3とトランジスタM4は、ゲート電極G同士が相互に接続されている。トランジスタM3のソース電極Sは、抵抗部R2の一方の端子と接続され、ドレイン電極Dは第1のノードN1と接続されている。また、トランジスタM4のゲート電極Gとドレイン電極Dとが接続短絡されている。抵抗部R2の他方の端子には第2の電圧、すなわち、接地電圧GNDが供給される。第1のノードN1と第2のノードN2とに流れる電流は、第2のカレントミラー回路102の電流利得により定まり、抵抗部R2によって決定される。なお、第2のカレントミラー回路102は、ゲート電極Gが相互に接続されたトランジスタM3とトランジスタM4のゲート電極Gに、第1の電圧レベルの電圧が供給されると導通状態となり、第2の電圧レベルの電圧が供給されると非導通状態となる。スタートアップ回路部14は、PチャンネルMOSトランジスタM5と、PチャンネルMOSトランジスタM6と、ゲート電極Gを接地電圧GNDとしたPチャンネルMOSトランジスタM7と、静電容量素子例えば、コンデンサC1と、ラッチ回路部105とにより構成されている。ここでは、トランジスタM7のドレイン電極Dと静電容量素子C1の一方の端子とがノードN4に接続され、静電容量素子C1の他方の端子には、接地電圧GND第2の電圧が供給される。なお、トランジスタMP1のVtは、トランジスタM7と同じか、あるいはトランジスタM7よりも絶対値で大きくなるように設定されている。本実施形態に係る半導体集積回路10では、トランジスタMP1のドレイン電極DとトランジスタND1のドレイン電極Dとの接続点と、第1のカレントミラー回路101を構成するトランジスタM1とトランジスタM2各々のソース電極Sとが接続され、さらに、スタートアップ回路部14のトランジスタM5及びトランジスタM6各々のソース電極Sが接続されている。ここでは、電源起動回路部11と、定電流回路部12と、スタートアップ回路部14との相互接続点を第5のノードN5とし、このノードN5を介して、定電流回路部12、及びスタートアップ回路部14に電源電圧が供給される。トランジスタM5のドレイン電極DはノードN2と接続されている。また、トランジスタM6のゲート電極Gは、第1のカレントミラー回路101を構成するトランジスタM1とトランジスタM2のゲート電極GノードN1でもあるに接続され、トランジスタM1とトランジスタM6とは、カレントミラー回路を構成している。トランジスタM6のソース電極Sは、上記のノードN5に接続され、ドレイン電極DはノードN3に接続されている。また、上述したように、トランジスタM7のソース電極SはノードN3に、ドレイン電極DはノードN4にそれぞれ接続され、ゲート電極Gには接地電圧GNDが供給されている。トランジスタM5,M6は、それらの制御電圧として、そのゲート電極Gに第1の電圧レベルの電圧が供給されると非導通状態となり、第2の電圧レベルの電圧が供給されると導通状態となる。次に、本発明の実施の形態の半導体集積回路の動作について説明する。半導体集積回路10の電源立ち上げ時において、その電源立ち上り速度が遅い場合、電源起動回路部11のPチャンネルMOSトランジスタMP1は、電源電圧VDDが上昇して、電源電圧VDDと接地電圧GND間の電圧がMP1のVtを超えると、MP1のソース電極Sとドレイン電極D間に電流が流れる。なお、MP1のソース電極Sとドレイン電極D間に電流が流れるまでの間は、デプレッショントランジスタND1を介して接地された抵抗R1により、ノードN5は接地電圧GNDの電圧レベルに引き込まれる。図2は、本実施形態に係る半導体集積回路の電源立ち上げ時の電圧変化を模式的に示す図である。図2において、電源の立ち上り時、電源電圧VDDが上昇を始め、電源電圧VDDがトランジスタMP1のVtに達するまでは、図2の線分abで示すように、ノードN5の電位レベルVN5は、ほぼ接地電圧GNDの電圧レベルVSSにある。これは、VDDの立ち上りが遅いと、トランジスタMP1のサブスレッショルド領域での電流トランジスタMP1のゲート電圧がVt以下のときソースドレイン間に流れる漏れ電流が、抵抗R1によって接地GND側VSS側へと逃がされ、ノードN5がVSSのレベルを維持するからである。電源電圧VDDがトランジスタMP1のVtを超えると、MP1がONとなって、MP1のソース電極Sとドレイン電極D間に電流が流れる。その結果、図2の線分bcで示すように、ノードN5の電位レベルVN5がトランジスタMP1によって急峻な上昇を始め、VDDレベルまで増加する。その後、ノードN5の電位レベルVN5は、電源電圧VDDに追随して上昇する。半導体集積回路10の定電流回路部12及びスタートアップ回路部14は、ノードN5を電源ノードとするので、これら定電流回路部12及びスタートアップ回路部14は、ノードN5の電圧レベルの立ち上りを受けて起動動作を行う。また、上述のようにトランジスタMP1のVtは、トランジスタM7と同等か、あるいはトランジスタM7よりも絶対値で大きくなるように設定されているため、トランジスタMP1による電位が急峻な上昇を始めると、トランジスタM7も定電流回路部12の起動動作を急速に開始する。電源が立ち上がると、ノードN1はノードN5の電位レベル、すなわち、ほぼ電源電圧VDD第1の電圧レベルであり、トランジスタM6のゲート電極Gには、ノードN1と同電位の電圧が供給されるため、トランジスタM6は非導通状態にある。また、ノードN2及びノードN4は、ほぼ接地電圧GND第2の電圧レベルの電圧レベルである。その結果、トランジスタM5のゲート電極Gには、制御電圧としてノードN4の電圧レベル、すなわち、ほぼ接地電圧GNDの電圧レベルが供給される。したがって、トランジスタM5は導通状態となり、トランジスタM5を介して、ノードN2に電流が流れる。これにより、ノードN2の電圧レベルが上昇し、第2のカレントミラー回路102のトランジスタM3及びトランジスタM4は導通状態になる。トランジスタM3,M4が導通状態となることでノードN1に電流が流れ、ノードN1の電圧レベルが下がる。そして、ノードN1の電圧レベルが下がり、第1のカレントミラー回路101のトランジスタM1及びトランジスタM2それぞれのゲートソース間電圧Vgsが閾値電圧Vtを超えると、トランジスタM1及びトランジスタM2は導通状態となる。よって、トランジスタM1を介してノードN1に電流が流れ、トランジスタM2を介してノードN2に電流が流れる。このとき、トランジスタM6は非導通状態にあるが、トランジスタM6のサブスレッショルド領域での電流と、トランジスタM7から流れ出たサブスレッショルド電流とによって、静電容量素子C1が充電される。その結果、ノードN4の電位レベルは、徐々に上昇する。一方、ノードN1の電圧レベルの降下により、スタートアップ回路部14のトランジスタM6のゲート電極Gへ印加される電圧レベルも下がる。そして、ノードN1の電圧レベルが下がり、トランジスタM6のゲートソース間電圧Vgsが閾値電圧Vtを超えると、トランジスタM6は導通状態となる。その結果、トランジスタM6と、初期状態で導通状態となっているトランジスタM7とを介してノードN4に電流が流れ、その電流により静電容量素子C1に蓄積される電荷が徐々に増加する。静電容量素子C1への充電が完了すると、ノードN4の電位レベルがほぼ電源電圧VDDとなっているため、スタートアップ回路部14のトランジスタM5が非導通状態となり、定電流回路部12に対する起動電流の供給が完了する。トランジスタM5が非導通状態となっても、ノードN1及びノードN2には、すでに電流が流れているため、定電流回路部12は、以降、安定して動作する。なお、本実施形態に係る半導体集積回路10を構成するトランジスタの閾値電圧Vtは、例えば、トランジスタM7,MP1がトランジスタM1,M2,M5,M6よりも大きいVtを有し、かつ、トランジスタM7,MP1が、トランジスタM3,M4よりも絶対値で大きいVtを有するように設定されている。また、トランジスタM1,M2,M3及びM4各々の相互コンダクタンスgmを、それぞれgm1,gm2,gm3及びgm4とした場合、ノードN1を流れる電流I1と、ノードN2を流れる電流I2は、以下のようになる。I1=kT/q{lngm1gm2/gm3gm4}I2=gm2/gm1I1ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電荷量であり、は乗算記号を表す。本実施形態に係る半導体集積回路10では、デプレッショントランジスタND1のソース電極Sが、抵抗R1を介して接地されて電位VSS、デプレッショントランジスタND1のゲート電極Gが電位VSSに固定されている。したがって、定電流回路部12が通常の動作をしているとき、デプレッショントランジスタND1は、一定のソース-ドレイン電流を流し、その電流が抵抗R1を流れるので、電源起動回路部11における消費電流は、電源電圧VDDに依存せず一定となる。以上説明したように、本実施形態に係る半導体集積回路は、PチャンネルMOSトランジスタのソース電極Sを電源電圧VDDに接続するとともにゲート電極Gを接地電位とし、ドレイン電極Dを定電流回路及びスタートアップ回路の電源供給端に接続する構成とする。これにより、電源の立ち上がり時、電源電圧VDDがPチャンネルMOSトランジスタのVtを超えると、当該トランジスタがONとなってソース電極Sとドレイン電極D間に電流が流れ、ドレイン電極Dと定電流回路とスタートアップ回路との相互接続点のノード電位レベルが急峻に上昇し始め、VDDレベルまで増加する。その結果、スタートアップ回路部内の静電容量に対してサブスレッシュ電流による未起動状態をなくすことができ、起動トランジスタが定電流回路部の起動前にOFFとなることを回避できる。また、PチャンネルMOSトランジスタのソース電極Sを電源電圧VDDに接続し、ドレイン電極Dにデプレッショントランジスタのドレイン電極Dを接続し、さらに、デプレッショントランジスタのソース電極Sを、抵抗R1を介して電位VSSとするとともに、PチャンネルMOSトランジスタとデプレッショントランジスタ双方のゲート電極Gを電位VSSとする電源起動回路部を設け、PチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極DとデプレッショントランジスタND1のドレイン電極Dの相互接続点を定電流回路部及びスタートアップ回路部の電源ノードとして、定電流回路部及びスタートアップ回路部に動作電源を供給する構成とする。このような構成とすることで、電源の立ち上がりが遅い時、PチャンネルMOSトランジスタのサブスレッショルド領域での電流が、抵抗R1によってVSS側へと逃がされ、上記相互接続点であるノードがVSSのレベルを維持し、電源電圧VDDがPチャンネルMOSトランジスタのVtを超えると、そのトランジスタがONとなってソース電極Sとドレイン電極D間に電流が流れ、上記相互接続点のノード電位レベルが急峻に上昇し始めて、VDDレベルまで増加する。その結果、スタートアップ回路部内の静電容量に対してサブスレッシュ電流による未起動状態をなくす、つまり、静電容量に不要な電荷が蓄積されるのを抑え、起動トランジスタが定電流回路部の起動前にOFFとなることを回避できる。また、電源起動回路部にデプレッショントランジスタND1を配した構成とすることで、定電流回路部の通常動作時、デプレッショントランジスタが一定のソース-ドレイン電流を流し、その電流が抵抗R1を流れるので、電源起動回路部における消費電流が電源電圧VDDに依存せず一定となる。そのため、抵抗R1への印加電圧を小さくすることができ、消費電流値がデプレッショントランジスタのVtに対する抵抗値で決まるので、電流を小さく設定したい場合、抵抗値も小さくすることができ、半導体集積回路において抵抗R1の面積を小さくできる。さらに、上記実施形態に係る半導体集積回路では、スタートアップ回路部にPチャンネルMOSトランジスタM7を配したことで、ノードN5の立ち上がりを受けてトランジスタM7が動作する。そのため、電源電圧VDDの起動が速くても起動時間を確保することができ、静電容量素子C1の容量を小さくすることができる。なお、スタートアップ回路部からトランジスタM7を削除した構成とした場合、電源の立ち上がりが速いときには、ノードN4とN5が同時に立ち上がり起動時間を取れなくなる可能性があり、それを回避するために静電容量素子C1の容量を大きくする必要はあるが、半導体集積回路10の素子数を減らすことができる。上記実施形態に係る半導体集積回路では、電源起動回路部にPチャンネルMOSトランジスタを配し、PチャンネルMOSトランジスタとデプレッショントランジスタのドレイン電極D同士を接続する例について説明したが、これに限定されない。例えば、図3に示すように、PチャンネルMOSトランジスタに代えて、ダイオード素子Dを配した構成としてもよい。また、上記実施形態に係る半導体集積回路において、PチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極Dにデプレッショントランジスタを接続する構成としたが、図4に示すように、デプレッショントランジスタに代えて、ダイオード接続したエンハンスメントNトランジスタNE1を配してもよい。"