"ELelectroluminescent層を含む発光領域と、少なくとも1つの薄膜トランジスタを含む回路領域と、を含む基板において、前記発光領域は、第1辺部、第2辺部、第3辺部及び第4辺部を含み、前記第1辺部は、前記第2辺部に対向し、前記第3辺部は、前記第1辺部に隣接し、前記第4辺部に対向し、前記基板と、前記発光領域の前記第1辺部に対応する第1配線と、前記発光領域の前記第2辺部に対応する第2配線と、前記発光領域の前記第3辺部に対応する第1ダミーパターンと、前記発光領域の前記第4辺部に対応する第2ダミーパターンと、を含み、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンの上に、画素定義膜がさらに形成され、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置。前記発光領域は、長方形または正四角形に区画されたことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。前記第1ダミーパターンまたは第2ダミーパターンは、それぞれ前記第1配線または第2配線と電気的に連結されることを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光表示装置。前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線及び第2配線と電気的に連結されないことを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光表示装置前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。前記回路領域は、前記発光領域の第2辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、前記第3辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成された活性層と、前記活性層を覆うゲート絶縁膜と、前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極と、を含むことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、をさらに含み、前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか1つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結されることを特徴とする請求項8に記載の有機発光表示装置。前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターンまたは第2ダミーパターンのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成されたことを特徴とする請求項8または9に記載の有機発光表示装置。前記第1配線及び前記第2配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第1配線及び前記第2配線と前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜が形成されることを特徴とする請求項9または10に記載の有機発光表示装置。前記発光領域は、前記第1配線及び前記第2配線によって区画され、前記第1配線と前記第2配線との間の前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、をさらに具備し、前記EL層は、前記画素電極と前記対向電極との間に介在され、有機発光層を具備して液相成膜法で形成され、厚みが均一であることを特徴とする請求項11に記載の有機発光表示装置。前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンと前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜が形成されることを特徴とする請求項9~12のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。前記発光領域は、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンによって区画されることを特徴とする請求項12または13に記載の有機発光表示装置。前記画素電極は、前記第1ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第1ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項12~14のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線または第2配線と同じ材料から形成されることを特徴とする請求項1~15のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。基板にELelectroluminescent層を含む発光領域と、少なくとも1つの薄膜トランジスタを含む回路領域とを区画する段階と、ここで、前記発光領域は、第1辺部、第2辺部、第3辺部及び第4辺部を含み、前記第1辺部は、前記第2辺部に対向し、前記第3辺部は、前記第1辺部に隣接し、前記第4辺部に対向し、前記発光領域の前記第1辺部に対応する第1配線を形成する段階と、前記発光領域の前記第2辺部に対応する第2配線を形成する段階と、前記発光領域の前記第3辺部に対応する第1ダミーパターンを形成する段階と、前記発光領域の前記第4辺部に対応する第2ダミーパターンを形成する段階と、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンの上に、画素定義膜を形成する段階と、を含み、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。前記発光領域は、長方形または正四角形に区画されたことを特徴とする請求項17に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1ダミーパターンまたは第2ダミーパターンは、前記第1配線または第2配線と電気的に連結されることを特徴とする請求項17または18に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線及び第2配線と電気的に連結されないことを特徴とする請求項17または18に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする請求項17~20のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする請求項17~21のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記回路領域は、前記発光領域の第2辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、前記第3辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする請求項17~22のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、前記基板上に活性層を形成する段階と、前記活性層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項17~23のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜を形成する段階と、前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する段階と、をさらに含み、前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか1つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結されることを特徴とする請求項24に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターンまたは第2ダミーパターンのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成されることを特徴とする請求項24または25に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1配線及び前記第2配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して平行に配され、前記第1配線及び前記第2配線と前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項25または26に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記発光領域は、前記第1配線及び前記第2配線によって区画され、前記第1配線と前記第2配線との間の前記パッシベーション膜上に、前記画素電極を形成する段階と、前記画素電極に対向する対向電極を形成する段階と、をさらに含み、前記EL層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光するように液相成膜法により厚みを均一に形成することを特徴とする請求項27に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンと前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項25~28のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記発光領域は、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンによって区画され、前記第1ダミーパターンと前記第2ダミーパターンとの間の前記パッシベーション膜上に、前記画素電極を形成する段階と、前記画素電極と対向する前記対向電極を形成する段階と、をさらに含み、前記EL層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光層を具備して液相成膜法により形成して厚みが均一であることを特徴とする請求項28または29に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記画素電極は、前記第1ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第1ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項28~30のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線または第2配線と同じ材料から形成されることを特徴とする請求項17~31のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。本発明の一実施形態によれば、発光領域周辺の構造物段差を同一にすることにより、液相成膜法によってEL層を均一厚に形成することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。前記のような目的を達成するために、本発明は、EL層を含む発光領域と、少なくとも1つの薄膜トランジスタを含む回路領域と、を含む基板において、前記発光領域は、第1辺部、第2辺部、第3辺部及び第4辺部を含み、前記第1辺部は、前記第2辺部に対向し、前記第3辺部は、前記第1辺部に隣接し、前記第4辺部に対向し、前記基板と、前記発光領域の前記第1辺部に対応する第1配線と、前記発光領域の前記第2辺部に対応する第2配線と、前記発光領域の前記第3辺部に対応する第1ダミーパターンと、前記発光領域の前記第4辺部に対応する第2ダミーパターンと、を含み、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンの上に、画素定義膜がさらに形成され、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置を提供する。本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、長方形または四角形に区画されたことを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターンまたは第2ダミーパターンは、それぞれ前記第1配線または第2配線と電気的に連結されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線及び第2配線と電気的に連結されないことを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記回路領域は、前記発光領域の第2辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、前記第3辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成された活性層と、前記活性層を覆うゲート絶縁膜と、前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極と、を含む。本発明の他の特徴によれば、前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、をさらに含み、前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか1つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1配線、第2配線、第1ダミーまたは第2ダミーのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成される。本発明の他の特徴によれば、前記第1配線及び前記第2配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第1配線及び前記第2配線と前記画素定義膜との間には、前記パッシベーション膜がさらに形成されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第1配線及び前記第2配線によって区画され、前記第1配線と前記第2配線との間の前記パッシベーション膜上に形成された画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、をさらに具備し、前記EL層は、前記画素電極と前記対向電極との間に介在され、有機発光するように液相成膜法で形成され、厚みが均一であることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンと前記画素定義膜との間には、前記パッシベーション膜がさらに形成されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンによって区画されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第1ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第1ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成される。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線または第2配線と同じ材料から形成される。前記のような目的を達成するために、本発明は、基板にEL層を含む発光領域と、少なくとも1つの薄膜トランジスタを含む回路領域とを区画する段階と、ここで、前記発光領域は、第1辺部、第2辺部、第3辺部及び第4辺部を含み、前記第1辺部は、前記第2辺部に対向し、前記第3辺部は、前記第1辺部に隣接し、前記第4辺部に対向し、前記発光領域の前記第1辺部に対応する第1配線を形成する段階と、前記発光領域の前記第2辺部に対応する第2配線を形成する段階と、前記発光領域の前記第3辺部に対応する第1ダミーパターンを形成する段階と、前記発光領域の前記第4辺部に対応する第2ダミーパターンを形成する段階と、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンの上に、画素定義膜を形成する段階と、を含み、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンのうち少なくとも一つ以上は、前記回路領域と電気的に連結され、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、それぞれに対応する前記画素定義膜の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成されることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法を提供する。本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、長方形または正四角形に区画されたことを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターンまたは第2ダミーパターンは、前記第1配線または第2配線と電気的に連結されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線及び第2配線と電気的に連結されないことを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも高さが同一であることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、いずれも同幅であることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記回路領域は、前記発光領域の第2辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、前記第3辺部の延長線を基準に、前記発光領域と対向する領域と、が重畳する位置に配されることを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記回路領域に含まれた前記薄膜トランジスタは、前記基板上に活性層を形成する段階と、前記活性層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記活性層に対応する前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層と電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を含む。本発明の他の特徴によれば、前記ソース電極及びドレイン電極を覆うパッシベーション膜を形成する段階と、前記パッシベーション膜上に画素電極を形成する段階と、をさらに含み、前記画素電極は、前記ソース電極及びドレイン電極のうちいずれか1つの電極と、前記回路領域に配されたビアホールを介して連結される。本発明の他の特徴によれば、前記第1配線、第2配線、第1ダミーパターンまたは第2ダミーパターンのうち少なくともいずれか一つ以上は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及びドレイン電極と同一階層に形成される。本発明の他の特徴によれば、前記基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、をさらに含み、前記第1配線及び前記第2配線は、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して平行に配され、前記第1配線及び前記第2配線と前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階と、をさらに含む。本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第1配線及び前記第2配線によって区画され、前記第1配線と前記第2配線との間の前記パッシベーション膜上に、画素電極を形成する段階と、前記画素電極に対向する対向電極を形成する段階と、をさらに含み、前記EL層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光するように液相成膜法により厚みを均一に形成することを特徴とする。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記発光領域を挟んで互いに離隔して対向するように配され、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンと前記画素定義膜との間に、前記パッシベーション膜を形成する段階と、をさらに含む。本発明の他の特徴によれば、前記発光領域は、前記第1ダミーパターン及び前記第2ダミーパターンによって区画され、前記第1ダミーパターンと前記第2ダミーパターンとの間の前記パッシベーション膜上に、前記画素電極を形成する段階と、前記画素電極と対向する対向電極を形成する段階と、をさらに含み、前記EL層は、前記画素電極と前記対向電極との間に形成され、有機発光層を具備して液相成膜法により形成して厚みが均一である。本発明の他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第1ダミーパターンの上部を覆う前記パッシベーション膜上にも延びて形成され、前記第1ダミーパターンの上部及び側面の一部を覆うように形成される。本発明の他の特徴によれば、前記第1ダミーパターン及び第2ダミーパターンは、前記第1配線または第2配線と同じ材料から形成される。前述以外の他の側面、特徴、利点が以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明から明確になる。本発明によれば、発光領域周辺に同じ高さ及び幅を有する配線を形成することによって、液相成膜法によって形成されるEL層の厚みを一定に維持することができる。また、ビアホールを含む回路領域を、EL層を形成するプリンティングノズルの進路外に配することによって、EL層の厚みに影響を及ぼしうる構造物が発光領域から排除され、一定厚のEL層を形成することができる。本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができ、特定実施形態を図面に例示して詳細に説明する。しかし、それらは、本発明を特定の実施形態について限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物ないし代替物を含むものであると理解しなくてはならない。本発明を説明するにあたり、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明確にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。第1、第2のような用語は、多様な構成要素を説明するのに使われうるが、構成要素は、用語によって限定されるものではない。用語は、1つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使われる。本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使われ、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上明確に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で、包含するまたは有するというような用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはそれらを組み合わせたものが存在するということを特定しようとするものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはそれらを組み合わせたものなどの存在または付加の可能性を排除するものではないと理解しなくてはならない。以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態についてさらに詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の互いに隣接した赤色画素Pr、緑色画素Pg及び青色画素Pbを示した平面図である。図2は、図1において、1つの副画素に含まれた回路領域311の回路部PCを示した平面図である。以下では、必要によって赤色画素Pr、緑色画素Pgまたは青色画素Pbのうち一つを副画素とする。図1を参照すれば、各赤色画素Pr、緑色画素Pg及び青色画素Pbは、回路領域311と、発光領域312とをそれぞれ具備する。回路領域311は、少なくとも一つ以上の薄膜トランジスタ、キャパシタを含む回路部PCや、ビアホール図示せずなどを具備する。図2から分かるように、回路領域311内には、回路部PCが備わっており、スキャン配線S、データ配線D、電源配線Vのような複数の導電ラインは、回路部PCに電気的に連結される。図2には図示されていないが、回路部PCの構成によって、スキャン配線S、データ配線D、電源配線V以外にも、さらに多様な導電ラインが備わりうる。図2を参照すれば、回路部PCは、スキャン配線Sとデータ配線Dとに連結された第1薄膜トランジスタTR1と、第1薄膜トランジスタTR1と電源配線Vとに連結された第2薄膜トランジスタTR2と、第1薄膜トランジスタTR1と第2薄膜トランジスタTR2とに連結されたキャパシタCstとを含む。このとき、第1薄膜トランジスタTR1は、スイッチングトランジスタとなり、第2薄膜トランジスタTR2は、駆動トランジスタとなる。第2薄膜トランジスタTR2は、図示されていないビアホールを介して、画素電極と電気的に連結されている。図2で、第1薄膜トランジスタTR1と第2薄膜トランジスタTR2とは、P型として図示されているが、必ずしもそれに限定されるものではなく、少なくとも一つはN型に形成されもする。前記のような薄膜トランジスタ及びキャパシタの個数は、必ずしも図示された実施形態に限定されるものではなく、画素回路部PCによって、2以上の薄膜トランジスタ、1以上のキャパシタが組み合わせられる。本発明の一実施形態によれば、データ配線D及び電源配線Vは、発光領域312を取り囲むように配される。また第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2も、発光領域312を取り囲むように配される。従って、発光領域312は、上下左右に配線が対称的に配されうる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、配線及びダミーが発光領域312を取り囲むように配されていればよく、対向する配線及びダミー配線が厳密に対称をなす必要はない。発光領域312は、データ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2によって区画される領域である。発光領域312は、EL層EL及び画素電極221を含む。画素電極221は、EL層ELの下部に形成され、発光領域312の全体を覆い、回路領域311とは、図示されていないビアホールを介して連結される。対向電極222図5は、回路領域311及び発光領域312の全面を覆うように形成される。図2を参照すれば、発光領域312は、長方形の形態に形成されうる。発光領域312は、長方形の長辺に該当する第1長辺部312a、第1長辺部312aと離隔して平行に形成された第2長辺部312bを含む。発光領域312は、長方形の短辺に該当する第1短辺部312c、第1短辺部312cと離隔して平行に形成された第2短辺部312dを具備する。ここで、第1短辺部312c及び第2短辺部312dは、第1長辺部312aと垂直となるように形成される。一方、図2では、発光領域312が、長方形の形態を有するように図示されているが、これに限定されるものではなく、仮想の第1長辺部312a、第2長辺部312b、第1短辺部312c及び第2短辺部312dが取り囲む楕円形に形成してもよい。また、発光領域312は、正四角形、台形、円形などに形成され、長辺及び短辺の区分なく、少なくとも仮想の四辺を有する形状に区画されうる。以下では、図2に図示された図面を基準に説明する。回路領域311は、発光領域312と対角線方向に形成される。回路領域311と発光領域312は、第2長辺部312bと第1短辺部312cとの延長線が交差する点を基準に、点対称に形成される。例えば、回路領域311は、発光領域312の第2長辺部312bの延長線を基準に、発光領域312が位置しない外側の領域と、第1短辺部312cの延長線を基準に、発光領域312が位置しない外側の領域とが重畳する位置に形成される。言い換えれば、回路領域311は、第2長辺部312bの延長線をy軸とし、第1短辺部312cの延長線をx軸とし、x軸とy軸とが交差する地点を原点とするとき、第1象限に該当する位置に配されるこのとき、発光領域312は、第3象限に配される。一方、本発明の一実施形態は、これに限定されるものではなく、回路領域311が発光領域312下部に配され、発光領域312が回路領域311を隠すように形成してもよい。図1では、各発光領域312は、y軸に長く形成されており、各赤色画素Pr、緑色画素Pg及び青色画素Pbは、x軸方向に配列されている。しかし、これに限定されるものではなく、各発光領域312は、x軸に長く形成され、各赤色画素Pr、緑色画素Pg及び青色画素Pbは、y軸方向に配列されもする。発光領域312及び各画素の形態及び配列構造は、本発明が属する技術分野で当業者であるならば、設計変更可能な範囲内で多様に具現することができる。図3は、図1のうちいずれか1つの副画素に、液相成膜法solutiondepositionmethodでEL層ELを形成する様子を示した説明図である。図3を参照すれば、発光領域312に含まれたEL層ELは、液相成膜法によって形成される。液相成膜法とは、EL層ELを形成する材料を、液相で発光領域312に供給して薄膜を形成する方法である。例えば、コーティング法の一種として、スピンコーティングspincoating、グラビアコーティングgravurecoating、オフセットコーティングoff-setcoating、カーテンコーティングcurtaincoating、リバースロールコーティングreverserollcoating、スロットダイコーティングslot-diecoating、スプレーコーティングspraycoating、ノズルコーティングnozzlecoating、ギャップコーティングgapcoating、ディップコーティングdipcoating、エアナイフコーティングairknifecoatingなどがある。また、プリンティング法の一種として、液相材料をノズルで供給して成膜するインクジェットプリンティング、液相材料をプレートに充填し、被印刷物に転移させるグラビアプリンティング、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティングscreenprinting、ノズルプリンティング、エレクトロスプレープリンティングelectro-sprayprintingなどが含まれうる。かような液相成膜法によれば、液相材料を区画された領域に供給した後、乾燥させて薄膜を形成する。従って、供給された液相材料が一方に偏れば、形成された薄膜の厚みが均一ではなくなるという問題がある。本発明の一実施形態によれば、薄膜トランジスタTR1,TR2、キャパシタCst、ビアホールVH図4のように、段差stepが発生する構造物は、回路領域311に配される。一方、発光領域312の周辺には、同じ高さを有した配線構造物のみを配する。従って、EL層ELを形成する液相材料の偏り発生がなく、厚みが均一なEL層ELを形成することができる。一方、図3では、ノズルプリンティング法によってEL層ELを形成するとき、ノズルの移動経路を矢印で表示している。ノズルは、x軸から回路領域311が位置しない方向で、y軸に沿って移動する。本発明の一実施形態では、回路領域311が発光領域312の対角線方向に形成される。従って、プリンティングノズルが、発光領域312に対応するように、上下方向に移動するとき、ノズルは、回路領域311を除外するように移動する。従って、回路領域311に、ノズルからの液相材料が浸透するような問題が発生しない。図4は、図2の副画素を具体的に示した平面図である。図5は、図4のI-I’に沿って切り取った断面図である。図6は、図4のII-II’に沿って切り取った断面図である。図7は、図4のIII-III’に沿って切り取った断面図である。図4ないし図7を参照すれば、横方向に、スキャン配線Sが備わり、縦方向に、電源配線V及びデータ配線Dが備わる。スキャン配線Sは、発光領域312と隣接して配されていないが、電源配線V及びデータ配線Dは、発光領域312と隣接して配される。本発明の一実施形態によれば、電源配線Vは、発光領域312の第1長辺部312aの外側で、第1長辺部312aに沿って平行に形成され、データ配線Dは、発光領域312の第2長辺部312bの外側で、第2長辺部312bに沿って平行に形成される。本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2を含む。第1ダミー配線M1は、発光領域312の第1短辺部312cの外側で、第1短辺部312cに沿って平行に形成され、第2ダミー配線M2は、発光領域312の第2短辺部312dの外側で、第2短辺部312dに沿って平行に形成される。ここで、電源配線V、データ配線D、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、同一階層に形成され、いずれも高さと幅とが同一であることを特徴とする。従って、発光領域312は、周辺に同じ段差を有した配線に取り囲まれているので、発光領域312に液相成膜法でEL層ELを形成するとき、液相材料の偏りの発生がなく、均一の厚みに形成することができる。一方、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、図示されているように、電源配線Vまたはデータ配線Dと電気的に連結されていない。すなわち、図4に図示されているように、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2が、電源配線Vまたはデータ配線Dと電気的に連結されずに離隔して形成されうる。これにより、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2には、電流、電圧、または信号が流れない。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2を、電源配線Vまたはデータ配線Dと接合して電気的に連結してもよい。これにより、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2に電源電圧やデータ信号を流すことができる。一方、図4を参照すれば、図示されたn番目の副画素の発光領域312に関して、第1長辺部312aに沿って形成された電源配線Vは、図面符号Vn-1により示されており、図示されていないn-1番目の副画素の回路に連結される配線である。n番目の副画素の回路領域311に連結された電源配線Vは、図面符号Vnにより示されており、データ配線Dの右側に配される。一方、第2長辺部312bに沿って形成されたデータ配線Dは、n番目の副画素の回路領域311に連結される。以下、説明の便宜のために、n-1番目の副画素の回路に連結された電源配線Vn-1と、n番目の副画素の回路領域311に連結された電源配線Vnとを、特別の理由がない限り、別途に区別せずに記述する。図5は、図4の回路領域311について、さらに詳細に説明するための断面図であり、図4のI-I’に沿って切り取ったものである。図5を参照すれば、基板1上に、バッファ膜211が形成され、このバッファ膜211上に、第1薄膜トランジスタTR1、キャパシタCst及び第2薄膜トランジスタTR2が形成される。まず、バッファ膜211上には、第1半導体活性層212a及び第2半導体活性層212bが形成される。バッファ膜211は、不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を担うものであり、かような役割を行うことができる多様な物質によって形成されうる。一例として、バッファ膜211は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、チタン酸化物またはチタン窒化物などの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物、またはそれらの積層体によって形成することができる。バッファ膜211は、必須構成要素ではなく、必要によっては、備えないこともできる。第1半導体活性層212a及び第2半導体活性層212bは、多結晶シリコンによって形成されうるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、酸化物半導体によっても形成することができる。例えば、G-I-Z-O層[In2O3aGa2O3bZnOc層]a、b、cは、それぞれa≧0、b≧0、c>0の条件を満足する実数である。このように、第1半導体活性層212a及び第2半導体活性層212bを酸化物半導体で形成する場合には、透光度をさらに高めうる。第1半導体活性層212a及び第2半導体活性層212bを覆うように、ゲート絶縁膜213がバッファ膜211上に形成され、ゲート絶縁膜213上に、第1ゲート電極214a及び第2ゲート電極214bが形成される。第1ゲート電極214a及び第2ゲート電極214bを覆うように、ゲート絶縁膜213上に、層間絶縁膜215が形成され、この層間絶縁膜215上に、第1ソース電極216a及び第1ドレイン電極217a、並びに第2ソース電極216b及び第2ドレイン電極217bが形成され、それぞれ第1半導体活性層212a及び第2半導体活性層212bと、コンタクトホールを介してコンタクトされる。ここで、第1ソース電極216a及び第1ソース電極216b、並びに第1ドレイン電極217a及びに第2ドレイン電極217bは、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、及びそれらの化合物で形成されるか、あるいは透明導電体である酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO、ZnOまたはIn2O3などから形成されうる。図4及び図5から分かるように、スキャン配線Sは、第1ゲート電極214a及び第2ゲート電極214bと同時に形成されうる。そして、データ配線Dは、第1ソース電極216aと同時に、第1ソース電極216aと連結するように形成され、n番目の電源配線Vnは、第2ソース電極216bと同時に、第2ソース電極216bと連結するように形成される。図示されていないが、n-1番目の電源配線Vn-1は、n-1番目の副画素に含まれた薄膜トランジスタのソース電極と連結されるように形成される。キャパシタCstは、上部電極220b及び下部電極220aを含む。下部電極220aは、第1ゲート電極214a及び第2ゲート電極214bと同時に形成される。また、上部電極220bは、第1ドレイン電極217aと同時に形成される。上部電極220bは、n番目の電源配線Vnと連結するように形成される。図示されていないが、n-1番目の電源配線Vn-1は、n-1番目の副画素に含まれたキャパシタの上部電極と連結されるように形成される。前記のような第1薄膜トランジスタTR1、キャパシタCst及び第2薄膜トランジスタTR2の構造は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタ及びキャパシタの構造が適用可能であることは言うまでもない。例えば、第1薄膜トランジスタTR1及び第2薄膜トランジスタTR2は、トップゲート構造に形成されたものであるが、第1ゲート電極214a及び第2ゲート電極214bが、それぞれ第1半導体活性層212a及び第2半導体活性層212bの下部に配されたボトムゲート構造に形成されてもよい。それ以外にも、適用可能なあらゆる薄膜トランジスタの構造が適用できることは言うまでもない。かような第1薄膜トランジスタTR1、キャパシタCst及び第2薄膜トランジスタTR2を覆うように、パッシベーション膜218が形成される。パッシベーション膜218は、単一層または複数層の絶縁膜になりうる。このパッシベーション膜218は、無機物及び/または有機物によって形成されうる。パッシベーション膜218上には、図5から分かるように、第1薄膜トランジスタTR1、キャパシタCst及び第2薄膜トランジスタTR2と重畳しないように、発光領域312に、画素電極221が形成される。当該画素電極221は、パッシベーション膜218に形成されたビアホールVHによって、第2薄膜トランジスタTR2の第2ドレイン電極217bに連結される。本発明の一実施形態によれば、ビアホールVHは、回路領域311に形成されることを特徴とする。各画素電極221は、図1から分かるように、副画素ごとに互いに独立したアイランド状に形成される。パッシベーション膜218上には、画素電極221のエッジを覆うように、画素定義膜219が形成され、画素電極221上には、EL層ELと対向電極222とが順に積層される。対向電極222は、発光領域312全体と回路領域311とをいずれも覆うように形成される。EL層ELは、低分子または高分子の有機膜から形成されうる。低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層HIL:holeinjectionlayer、ホール輸送層HTL:holetransportlayer、発光層EML:emissionlayer、電子輸送層ETL:electrontransportlayer、電子注入層EIL:electroninjectionlayerなどが、単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニンCuPc、N,N-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンNPB、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3などを始めとして多様に適用可能である。本実施形態によれば、それら低分子有機膜は、プリンティング法で形成されうる。このとき、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入層は共通層であり、緑色、赤色、青色の画素に共通に適用されうる。画素電極221はアノードの機能を担い、対向電極222はカソードの機能を担うことができるが、当該画素電極221と対向電極222との極性は、互いに反対になっても差し支えない。画素電極221は、副画素ごとに、発光領域312に対応する位置に、発光領域312より大きく形成される。また、画素電極221は、EL層ELが形成された領域より広い領域に形成されうる。そして、対向電極222は、全ての副画素を覆う共通電極として形成される。本発明の一実施形態によれば、画素電極221は反射電極になり、対向電極222は透明電極になりうる。このため、画素電極221は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及びそれらの化合物から形成された反射膜と、仕事関数が大きいITO、IZO、ZnOまたはIn2O3などから形成されうる。そして、対向電極222は、仕事関数が小さい金属、すなわち、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Caまたはそれらの合金から形成されうる。対向電極222は、透過率が高くなるように、薄膜で形成することが望ましい。しかし、これは、基板1の方向に画像が具現される前面発光型topemissiontypeである場合である。本発明の実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、対向電極222の方向に画像を具現する背面発光型bottomemissiontypeである場合、対向電極222は反射電極として備わり、画素電極221は透明電極として備わりうる。また、両面発光型の場合、画素電極221及び対向電極222は、いずれも透明電極として備わりうる。図6は、図4の発光領域312とその周辺とについて、さらに詳細に説明するための断面図であり、図4のII-II’に沿って切り取った断面図を図示したものである。図6では、図5で説明された構成要素と同じ構成要素については、その機能が同一であるので、重複する説明は省略する。図6を参照すれば、基板1上に、バッファ膜211が形成され、バッファ膜211上に、ゲート絶縁膜213が形成される。ゲート絶縁膜213上には、層間絶縁膜215が形成され、層間絶縁膜215上には、電源配線V及びデータ配線Dが形成される。具体的には、図6に図示された電源配線Vは、図4のn-1番目の電源配線Vn-1である。図2で、電源配線Vは、発光領域312の第1長辺部312aの外側で、第1長辺部312aと平行に形成される。データ配線Dは、発光領域312の第2長辺部312bの外側で、第2長辺部312bと平行に形成される。電源配線Vとデータ配線Dは、発光領域312を挟んで互いに離隔して配される。電源配線Vとデータ配線Dは、発光領域312の左右側を区画して段差を形成する。電源配線Vとデータ配線Dは、図5の第1ソース電極216a及び第1ドレイン電極217a、第2ソース電極216b及び第2ドレイン電極217bと同一階層に形成されることを特徴とする。図5について上述した通り、データ配線Dは、第1ソース電極216aと同時に形成されるので、第1ソース電極216aと同一階層に同じ材料から形成できる。電源配線Vも、第2ソース電極216bと同時に形成されるので、第2ソース電極216bと同一階層に同じ材料から形成できる。従って、データ配線D及び電源配線Vは、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及びそれらの化合物から形成されるか、あるいは透明導電体であるITO、IZO、ZnOまたはIn2O3などから形成されうる。データ配線Dの高さDdと、電源配線の高さVdは、同一である。こうすることで、発光領域312の周辺構造物の段差を同一にでき、液相成膜法によってEL層ELが形成されたとき、EL層ELは一定厚を有することができる。データ配線Dの幅Dwと電源配線Vの幅Vwとも同一である。次に、電源配線Vとデータ配線Dとを覆うように、パッシベーション膜218が形成される。パッシベーション膜218上には、図6から分かるように、発光領域312に対応する位置に、画素電極221が形成される。画素電極221は、発光領域312のサイズより大きく形成されうる。パッシベーション膜218上には、画素電極221のエッジを覆うように、画素定義膜219が形成される。ここで、画素定義膜219またはパッシベーション膜218は、下部のデータ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2の厚み段差が現れる程度に薄い画素定義膜またはパッシベーション膜を使用することができるが、本発明は、これに限定されるものではない。画素電極221上には、有機発光層を具備するEL層ELが、液相成膜法によって形成され、EL層EL上に、対向電極222が順に積層される。対向電極222は、発光領域312と、発光領域312周辺に配線が形成された領域とをいずれも覆うように形成される。図7は、図4の発光領域312とその周辺とについて、さらに詳細に説明するためのものであり、図4のIII-III’に沿って切り取った断面図である。図7では、図5で説明された構成要素と同じ構成要素については、その機能が同一であるので、重複する説明は省略する。図7を参照すれば、基板1上に、バッファ膜211が形成され、バッファ膜211上に、ゲート絶縁膜213が形成される。スキャン配線Sは、ゲート絶縁膜213上に形成され、スキャン配線Sは、第1ゲート電極214a及び第2ゲート電極214bと同時に形成されうる。ゲート絶縁膜213上には、層間絶縁膜215が形成され、層間絶縁膜215上には、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2が形成される。図2に戻って、第1ダミー配線M1は、発光領域312の第1短辺部312cの外側で、第1短辺部312cと平行に形成される。第2ダミー配線M2は、発光領域312の第2短辺部312dの外側で、第2短辺部312dと平行に形成される。第1ダミー配線M1と第2ダミー配線M2は、発光領域312を挟んで互いに離隔して配される。第1ダミー配線M1と第2ダミー配線M2は、発光領域312の上下側を区画して段差を形成する。第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、データ配線D及び電源配線Vと同一階層に形成されることを特徴とする。このとき、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、データ配線D及び電源配線Vと離隔して形成される。第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、データ配線D、電源配線V、ソース電極216a,216b及びドレイン電極217a,217bと同時に形成されうる。従って、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2も、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及びそれらの化合物で形成されるか、あるいは透明導電体であるITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などから形成されうる。第1ダミー配線M1の高さM1dと、第2ダミー配線M2の高さM2dは、同一である。また、第1ダミー配線M1の高さM1d及び第2ダミー配線M2の高さM2dと、データ配線Dの高さDd及び電源配線Vの高さVdは、同一である。こうすることで、発光領域312周辺の段差を同一にできる。これにより、液相成膜法によってEL層ELが形成されたとき、EL層ELが一方に偏らず、一定厚を有することができる。第1ダミー配線M1の幅M1w及び第2ダミー配線M2の幅M2w、並びにデータ配線Dの幅Dw及び電源配線Vの幅Vwも同一である。次に、第1ダミー配線M1と第2ダミー配線M2とを覆うように、パッシベーション膜218が形成される。パッシベーション膜218上には、図7から分かるように、発光領域312に対応する位置に画素電極221が形成される。画素電極221は、第1ダミー配線M1の上部を覆うパッシベーション膜218上にも延びて形成される。図7を参照すれば、画素電極221は、第1ダミー配線M1の上部及び側面の一部を覆うように形成される。画素電極221が、第1ダミー配線M1の上部に延びて形成されることによって、回路領域311に位置したビアホールVHを介して、画素電極221が回路領域311の第2薄膜トランジスタTR2と電気的に連結されうる。結局、画素電極221が第1ダミー配線M1の上部を覆うように延びて形成されることによって、ビアホールVHが回路領域311に存在できることになる。ビアホールVHが発光領域312に存在しないために、発光領域312に液相のEL層EL材料を供給したとしても、液相材料の偏り発生がなく、均一厚のEL層ELを形成することができる。パッシベーション膜218上には、画素電極221のエッジ及び第1ダミー配線M1上に形成された画素電極221を覆うように、画素定義膜219が形成される。画素電極221上には、有機発光層を具備するEL層ELと、対向電極222とが順に積層される。EL層ELを蒸着によって形成するときと異なり、EL層ELを液相成膜法によって形成するときは、液相であるEL層ELの材料が発光領域312に供給された後、乾燥されるまで、一方への偏り発生をなくするためには、周辺構造物の同様な形状が要求される。本発明の一実施形態によれば、発光領域312周辺に、同じ高さ及び幅を有したデータ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2が、層間絶縁膜215上に形成されているので、発光領域312周辺の段差が同一である。従って、液相成膜法によって、液相のEL層EL材料を画素電極221上に供給しても、液相材料の偏りなしに、均一厚のEL層ELが形成されうる。また、対向電極222は、全体発光領域312と、発光領域312周辺で配線が形成された領域とをいずれも覆うように形成される。さらに、図6及び図7から分かるように、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、データ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2上に、画素定義膜219が形成される。ここで、データ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2に対応する画素定義膜219の上面を的に延長した延長線は、実質的に交わることを特徴とする。言い換えれば、データ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2のそれぞれに対応する画素定義膜219の上面が同じ平面となるように形成され、この平面は、基板と平行であることを特徴とする。なお、本発明の一実施形態によれば、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2が、データ配線D及び電源配線Vと同一階層に形成され、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2と、データ配線D及び電源配線Vとが同じ高さまたは厚みである場合、前述の特徴を満足すると言える。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2が、データ配線D及び電源配線Vと同一ではない層に形成されもする。例えば、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、スキャン配線Sと同一階層に形成されうるが、その場合には、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2と、データ配線D及び電源配線Vとが同じ高さまたは厚みを有さずに、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2の厚みが、データ配線D及び電源配線Vよりも、大きくも小さくもできることは言うまでもない。しかし、そのような場合にも、EL層ELの均一を維持するために、データ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2に対応する画素定義膜219の上面を仮想的に延長した延長線が実質的に交わることを特徴とする。すなわち、データ配線D、電源配線V、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、それぞれに対応する画素定義膜219の上面を含む平面が略同一平面上にあるように形成される。一方、スキャン配線Sは、発光領域312の上下部に配されうるが、発光領域312と直接隣接せずに、スキャン配線Sと発光領域312との間に、トランジスタTR1,TR2、キャパシタCstのような構造物が形成されている。しかし、本発明の一実施形態によれば、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、発光領域312の上下部に、発光領域312と直接隣接するように配されたことを特徴とする。すなわち、第1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2と発光領域312との間には、他の構造物が形成されていないために、1ダミー配線M1及び第2ダミー配線M2は、発光領域312上に、液相成膜法で形成されるEL層ELの厚みを均一にできる。本発明は、添付された図面に図示された一実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。よって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によってのみ決まるものである。"