気密パッケージ300の中に封入された少なくとも1つの電子的、電気機械的もしくはマイクロ電気機械的、または電気光学的もしくはマイクロ電気光学的構成要素10を含む、電離放射線を受けることができる宇宙用途向けデバイスにおいて、前記パッケージが揮発性で移動性の陽イオンまたは陰イオンを捕捉し、それらを吸収または吸着し続けることができるゲッター40をさらに含み、前記少なくとも1つの構成要素10が本質的にシリコンベース能動バイポーラ、MOS、CMOSまたはBiCMOS技術で製造された半導体構成要素であることを特徴とするデバイス。前記ゲッターが水素ゲッター40である、請求項1に記載のデバイス。前記パッケージが、キャップ200により気密密閉されるパッケージベース210を含み、前記ゲッター40が前記キャップ200の内面に付け加えられていることを特徴とする、請求項1または2に記載のデバイス。前記キャップ200および前記パッケージベース210が各々セラミック体および/または金属体201、211を含むことを特徴とする、請求項3に記載のデバイス。前記金属体201、211が鉄ニッケルコバルト合金からなることを特徴とする、請求項4に記載のデバイス。前記キャップ200および/または前記パッケージベース210が金属トップコート202、212で覆われていることを特徴とする、請求項3~5のいずれか一項に記載のデバイス。前記トップコート202、212が、ある厚さの金を電着させることにより形成されることを特徴とする、請求項3~6のいずれか一項に記載のデバイス。前記キャップ500が、ある厚さのゲッター材料502に接着剤で結合された本体501を含み、前記ゲッター材料が前記キャップ502の内側部分に実質的に配置されていることを特徴とする、請求項3~7のいずれか一項に記載のデバイス。前記気密パッケージ300が密閉される前に、脱気により部分真空が作られるように前記気密パッケージ300の内部キャビティが構成されていることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載のデバイス。前記構成要素10および前記パッケージ300に存在するH陽子の移動を促進するために、前記構成要素10の活性領域にバイアスがかけられるように前記デバイスが構成されていることを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載のデバイス。前記水素ゲッター40、502がチタン、白金、パラジウムおよび/またはバナジウムベースの材料からなることを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載のデバイス。前記水素ゲッター40、502が、前記キャップ200の下面に接着剤で結合されるか、ハンダ付けされるか、またはそれ自体公知の任意の方法で確実に固定されることを特徴とする、請求項4~11のいずれか一項に記載のデバイス。前記水素ゲッターが、前記キャップ200および/または前記パッケージベース210の構造に組み込まれていることを特徴とする、請求項4~12のいずれか一項に記載のデバイス。前記水素ゲッターが、前記キャップ200および/または前記パッケージベース210の前記トップコート202、212に組み込まれていることを特徴とする、請求項5~13のいずれか一項に記載のデバイス。前記水素ゲッター40、502が、真空チャンバ中で、前記キャップ201の本体および/または前記パッケージベース211の本体の上に、チタン、白金、パラジウムおよび/またはバナジウムの薄膜を連続して直接蒸着させることにより形成されることを特徴とする、請求項4~13のいずれか一項に記載のデバイス。本発明の1つの目的は、デバイスの感度を総線量まで低下させる気密パッケージの中に封入された電気的、電子的、電気機械的、または電気光学的構成要素を含むデバイスを提供することにより、少なくとも前述の欠点を軽減することである。この目的のために、本発明の主題は、気密パッケージの中に封入された少なくとも1つの電子的、電気機械的もしくはマイクロ電気機械的、または、電気光学的もしくはマイクロ電気光学的構成要素を含む、電離放射線を受けることができる宇宙用途向けのデバイスであって、前記少なくとも1つの構成要素の電離放射線への抵抗を保証するために、揮発性で移動性の陽イオンまたは陰イオンを捕捉し、それらを吸収または吸着し続けることができる水素ゲッターのようなゲッターと呼ばれる吸収/吸着要素をパッケージがさらに含み、前記少なくとも1つの構成要素が本質的にシリコンベース能動バイポーラ、MOS、CMOSまたはBiCMOS技術で製造された半導体構成要素であることを特徴とするデバイスである。本発明の一実施形態では、ゲッターは水素ゲッターであってもよい。本発明の一実施形態では、デバイスは、パッケージがキャップによって気密密閉されたパッケージベースを含み、ゲッターがキャップの内面に付け加えられていることを特徴とする。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、キャップおよびパッケージベースが各々セラミック体および/または金属体を含むことを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、キャップおよび/またはパッケージベースが金属トップコートで覆われていることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、キャップがある厚さの水素ゲッター材料に接着剤で結合された本体を含み、水素ゲッター材料がキャップの内側部分に実質的に配置されていることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、気密パッケージの内部キャビティが、気密パッケージが密閉される前に脱気工程によって作られた部分真空を含むことを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、構成要素の活性領域にバイアスをかけることにより、構成要素およびパッケージの中に存在するH陽子の移動が促進されることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、金属体が鉄ニッケルコバルト合金からなることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、ある厚さの金を電着させることにより、トップコートが形成されることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、水素ゲッターがチタン、白金、パラジウムおよび/またはバナジウムをベースとする材料からなることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、水素ゲッターがキャップの下面に接着剤で結合されるか、ハンダ付けされるか、または、それ自体公知である任意の方法で確実に固定されることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、水素ゲッターがキャップおよび/またはパッケージベースの構造に組み込まれていることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、水素ゲッターがキャップおよび/またはパッケージベースのトップコートに組み込まれていることを特徴としてもよい。本発明の一実施形態では、電離放射線を受けることができるデバイスは、真空チャンバ中で、キャップの本体および/またはパッケージベースの本体の上に、チタン、白金、パラジウムおよび/またはバナジウムの薄膜を連続して直接蒸着させることにより、水素ゲッターが形成されることを特徴としてもよい。本発明の1つの長所は、記述した実施形態のうちの1つによるデバイスが、特にELDRS挙動の原因となる低線量率で電離放射線にデバイスが暴露される場合や、これらの能動部品が当初は総線量抵抗の点から要求が高い宇宙用途のために設計、開発、試験されていない場合でさえ、顕著にはデバイスが含む能動部品に対して良好な抵抗を保証できることにある。このように本発明によって、上記デバイスによるパッケージの中に、本発明の主題を供給、配置し、かつ、宇宙用途を意図したシステムを製造するために地上用途向けに当初設計されたため宇宙のような放射環境の中で使用することができない安価なSiバイポーラ、MOS、CMOS、BiCMOSチップを使用することが顕著に可能になる。本発明の他の特徴および利点は、添付の図面を参照して、例を挙げた記述を読むことで明白になる。図1は、従来技術でそれ自体公知の例示的集積回路の断面図を示す。図に示した例における1つの構成要素10である、CMOSまたはバイポーラ技術で製造されたシリコンベースの集積回路は概略的に、その下面上に金属化層13を含む、図中の例におけるシリコン基板11からなり、基板へは活性層が拡散し、前記活性層は金属ラインによって共に接続され、かつ酸化物層に蒸着し、全体は1つまたは複数のパッシベーション層12で覆われている。図に示した構成要素10の構造は、単に例として挙げたものであり、他の典型的な構成要素の構造を想定してもよい。パッシベーション層12の目的は、構成要素10自体が製造された後に行われる製造工程ステップの間、構成要素10を保護することである。構成要素10は、例えば典型的に約数百ミクロンの厚さである。構成要素10が製造された後、陽子Hはパッシベーション層12の中に捕捉されてもよい。図2aおよび図2bはそれぞれ、従来技術でそれ自体公知のパッケージを形成する、キャップおよびベースの断面図を示す。図2aに示した例では、キャップ200はトップコート202で覆われた本体201を含んでもよい。本体201は、典型的には例えば、セラミック材料または鉄ニッケルコバルト合金のような、低熱膨張係数を有する材料からなってもよい。トップコート202は例えば、金の薄膜を電着させることにより形成されてもよい。例えば、本体201の典型的な厚さは約1ミリメートル、およびトップコート202の厚さは約1ミクロンであってもよい。キャップ200は例えば、セラミック材料または、金属もしくは金属合金からなってもよい。図2bに示した例では、パッケージベース210は同様に、薄いトップコート212でコーティングされた本体211を含んでもよい。パッケージベース210はキャップ200で覆われていてもよく、このように形成されたパッケージを気密密閉するために、これらの2つの要素を一緒にハンダ付けしてもよい。これについては、図3に示した例を参照し、より詳細に以下に記述される。陽子Hまたは水素は、顕著にはキャップ200およびパッケージベース210の構成材料の中に捕捉されてもよい。図2に示した例および以下の図では、陽子Hは1つの角が下方を向いている三角形で示されている。また水素分子H2は、1つの角が下方を向いている三角形が上に載った、1つの角が上方を向いている三角形で示されている。矢印は時間の経過に伴う陽子Hおよび水素分子H2の移動を示す。もちろん、図2aおよび図2bに示した構造は、単に例として挙げたものであることは理解されるだろう。顕著には、キャップ200およびパッケージベース210の上にトップコート202、212を存在させることは任意である。図3は、気密密閉されたパッケージの中に配置された集積回路の断面図を示す。構成要素10、例えば図1を参照した上記のような集積回路は、図2を参照した上記のようなパッケージベース210の底部に配置されてもよい。構成要素10は、パッケージベース210の底部にハンダ付けされるか、実際に接着剤で結合されてもよい。図で示した例では、ハンダ32の層は構成要素10の下に示されている。キャップ200およびパッケージベース210は、気密パッケージ300を形成するために、例えばハンダビーズ31によって一緒にハンダ付けされてもよい。典型的には、パッケージの中に構成要素10を取り付けるのに用いられる操作は、制御された雰囲気、例えばオーブンの中で、実行されてもよい。公知技術によれば、例えば、これらの操作を主に窒素雰囲気下で実行し、パッケージの中に封入された構成要素の酸化を減少させる目的で、気密パッケージ300中に存在する酸素を除去することができる。本発明によって提供される解決策は、例えば水素ゲッターなどの永久吸収/吸着要素、すなわちゲッターを気密パッケージ300中に配置する考えに基づく。下記では、本発明の非限定的例によって水素ゲッターが参照され、そのゲッターは他の陽イオンまたは陰イオンの吸収/吸着を促進するように設計されてもよいことが理解される。一般にゲッターは、例えばNa、K、H、NH3、OH-、H3O、CO、CO2イオンなどの揮発性で移動性の陽イオンまたは陰イオンを、その表面またはその体積中に捕捉し、衛星中の通常動作の比較的安定した温度および圧力条件の下で時間が経過しても、それらを吸収/吸着し続けることができる金属合金または高分子化合物からなってもよい。また吸収/吸着部分は、それらを使用している間、再生すること顕著には熱アニーリングよって、または合金の気化によってを必要としない。水素ゲッターは気密パッケージ300の内部に密閉され、少なくとも構成要素の耐用年数の間、できるだけ低い永久残留内部含有量を保証するように最適化された寸法および組成を有する。水素の有効なゲッタリングおよび保持を可能にする材料は、従来技術からそれ自体知られている。従来技術で知られているゲッター、顕著には水素ゲッターは、地上用途を意図されており、その用途において、シリコンバイポーラ、MOS、CMOSまたはBiCMOS技術で作られた能動部品は水素が存在しても悪影響を受けない。公知の水素ゲッターは、水素の影響に敏感であることが知られているGaAsガリウムひ素のようなIII-V半導体をベースとするデバイスの中で使用されている。このように、これらのゲッターについて記述している文書は、シリコンバイポーラ、MOS、CMOSまたはBiCMOSの製造技術を用いることを考慮していない。例示的構造について、図4を参照して以下に述べる。図4は、本発明の例示的実施形態における、集積回路および気密パッケージを含むデバイスの断面図を示す。キャップ200で覆われたパッケージベース210によって形成された気密パッケージ300は、図3を参照して上述したような構造の中に構成要素10を含む。さらに、水素ゲッター40も気密パッケージ300の中に組み込まれてもよい。図に示した例示的実施形態では、水素ゲッター40はキャップ200の下に配置される。水素ゲッター40は、キャップ200の下面に、例えば接着剤で結合されるか、ハンダ付けされるか、または、それ自体公知の任意の方法で確実に固定される。図に示した例では、ハンダ層は水素ゲッター40とキャップ200との間に示されている。ゲッター図に示した例における水素ゲッター40は、密封キャビティ中に存在するいかなる微量イオン、すなわち、残留H2ガスまたは動的化学工程で生成されたH2ガスまたは気密パッケージ300によって形成された気密キャビティに存在する揮発性イオンであっても、吸着および吸収することができる。特に水素ゲッターに関して、気密パッケージ300の中に水素ゲッター40を配置する利点は、水素が脱気される固有の速度より高い吸収速度を有する動的な化学反応が促進されることである。このように、水素ゲッター40は良好な吸収特性および良好な水素保持特性を有さねばならない。水素ゲッター40は典型的に、例えばチタン、白金、パラジウム、バナジウム、またはこれらの金属の合金のような金属の組合せをベースとしたシートの形状をとってもよい。典型的には、この金属シートは約10分の数ミリメートルの厚みであってもよい。有利には、特に気密パッケージ300に封入された構成要素のパッシベーション層の活性領域の近くに存在する水素の抽出を促進するために、特定の工程が実行されてもよい。その工程は例えば、可能であれば気密パッケージ300が密閉される前に実行される事前の加熱ステップを含んでもよい。その工程はまた、水素ゲッター40が適所に置かれ、気密パッケージ300が密閉される前に、脱気ステップを含んでもよい。例えば、後で水素ゲッター40の方へ水素が移動するのを促進するために、密閉操作の間、気密パッケージ300中に真空または部分真空が作られてもよい。構成要素の寿命を通して、水素ゲッター40によって、維持される可能な限り低いレベルまでパッケージ中に存在する水素含有量を低下させることが望ましい。有利には、例えば、パッシベーションを通る陽子の移動を促進するために構成要素を温度分極させて、これらの陽子を水素ゲッター40の方へより効果的に抽出することも可能である。この工程はまた、上記ステップと組み合わせてもよい。有利には、適切な幾何学構造によって、水素ゲッター40の効率を向上させることがさらに可能である。例えば、吸収される水素量を増加させる目的で、高い比表面積を有する水素ゲッター40を提供するワッフル形の構造が用いられてもよい。本発明の一実施形態では、気密パッケージ300のまさにその構造中に水素ゲッターを組み込むことも可能である。例えば、適切な構造を有し、要求されたゲッタリング特性を有する材料を含むパッケージキャップを製造することができる。本発明の他の実施形態では、もし必要ならば、それぞれキャップ200およびパッケージベース210を覆うトップコート202、212のまさにその構造中に水素ゲッターを組み込むことも可能である。例えば、チタン、白金、パラジウムおよび/またはバナジウムの薄膜は、例えば真空チャンバの中で、キャップ201の本体またはパッケージベース211の本体の上に連続して直接蒸着されてもよい。下記に記載した図5は、本発明のそのような実施形態による、集積回路および気密パッケージを含むデバイスの断面図を示す。図5に示した実施形態では、図4を参照して上述した構造とさらに等価な構造において、個別水素ゲッター40を使用しないことが特に可能である。これは、水素ゲッター50の特性を有する材料が組み込まれたキャップ500が使用されているため可能である。例えば、キャップ500は、鉄ニッケルコバルト合金またはセラミックのいずれかで作られた本体501からなってもよく、本体501は、ある厚さのゲッター材料502に接着剤で結合されている。次いでキャップ500は、上記の実施形態と同様にパッケージベースにハンダ付けされてもよい。このように本体501中に存在する陽子Hおよび水素分子H2は、ゲッター材料502の方へ自然に移動する可能性がある。また、パッケージの内部キャビティ中に存在する陽子Hおよび水素分子H2は、構成要素のパッシベーション層およびパッケージベースの中で、ゲッター材料502の方へ移動する可能性がある。また、図4を参照して上述したような、部分真空を作って水素を脱気するステップおよび/または構成要素のある活性領域のリバースバイアスによって適切な電界をかけることにより陽子Hに移動させるステップを含む、図4の構造に対して述べたのと同様の適切な工程を実行することにより、イオン、例えば陽子Hイオン、および水素分子のゲッター材料502への移動を促進することが有利には可能である。本発明は、バイポーラ、MOS、MOSFET、CMOS技術などで製造された個別のトランジスタおよびダイオード、ならびに集積回路などの周期表のIV族Siの元素を使用して製造された半導体を含む能動電子構成部品を含むユニットに主に適用できることに留意されたい。本発明によって提供される1つの利点は、デバイスの総電離放射線線量抵抗を増加できることにある。特にELDRS効果を抑制することができ、それによって以下の利点が得られる。一般に使用される硬化した構成要素の代わりに、硬化していない等価の電子機能を使用することが可能になる。構成要素が品質低下せずに、ある程度の総線量に耐えられるようにメーカーによって特に開発される場合、硬化した構成要素と呼ばれる。これにより実質的な構成要素のコスト削減が可能になる。線量抵抗が増加し、遮蔽量が大幅に削減できるため、システム重量を減らすことが可能になる。高線量率試験に基づくメーカー保証を備えた硬化した構成要素の追加的な低線量率試験を省くことが可能になる。この利点は、バイポーラまたはBiCMOS技術で製造されたリニア集積回路に顕著に関係する。これにより、これらの構成要素に対して行われる放射ロット受入試験の点で節約可能になる。システム製造スケジュールに関して極端に長く、不利益となる可能性がある試験時間を短縮することが可能になる。例えば、宇宙用途向けに供給される構成要素バッチに対して行わねばならない放射試験は、欧州宇宙機関ESAのESCCstandard22900およびUSstandardMIL1019-7で定義されている。バイポーラおよびBiCMOS技術については、これらの標準は低線量率で行うべき試験を要求している。特に、USstandardMIL1019-7は、36radSi/時未満の線量率で実行すべき試験を顕著に要求している。100kradまで試験を実行するために、宇宙用途における構成要素で一般にみられるレベルは最低4か月間の照射を必要とするだろう。この時間は、このように増加する構成要素供給時間に加えられる。本発明では、高線量率試験だけが必要であるため、非常に低い線量率で長期間の試験を行わねばならないことを回避でき、構成要素供給時間を短縮し、より容易にジャストインタイム供給スケジュールを管理することができるようになる。さらに、上記デバイスおよび工程を、マイクロ波または光電子用途で使用される集積回路のようなシリカSiO2パッシベーション層または窒化ケイ素Si3N4をベースとする他のパッシベーション層を有するII-VIおよびIII-V半導体をベースとする構成要素などの他の技術まで広げて想定することもできる。これは、その処理がさらにイオン錯体の存在を促進し得る、窒化ケイ素Si3N4ベースのパッシベーションを使用するデバイスを含む他の半導体の中で、同じ機構が動作できるためである。