表面増強ラマン散乱の研究用の基板であって、前記基板は、銀、金、白金、銅及び/又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆された、ウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、前記半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に、各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいることを特徴とする基板。前記ウィスカーは、前記半導体表面から離れた末端を介して互いに接続されて、円錐状の束を形成することを特徴とする請求項1に記載の基板。前記線状欠陥は転位領域又は反転領域であることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板。前記半導体表面上における前記金属の膜厚は50nm~150nmであり、好ましくは70nm~80nmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板。前記ウィスカーの長さは0.2μm~2.0μmであり、より好ましくは0.5μm~1.5μmであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板。前記ウィスカーの直径は40nm~150nmであり、より好ましくは50nm~70nmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板。前記ウィスカーの直径に対する長さの比は5~50であり、より好ましくは10~30であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板。前記半導体表面上での前記ウィスカーの表面密度は108/cm2~1010/cm2であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板。前記金属は金であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板。前記ガリウム含有窒化物は窒化ガリウムGaNであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の基板。前記窒化ガリウムの前記半導体表面は、ミラー指数0001の結晶面、すなわち、Ga極性のC面と類似していることを特徴とする請求項10に記載の基板。前記窒化ガリウムの前記半導体表面は、ミラー指数000-1の結晶面、すなわち、N極性のC面と類似していることを特徴とする請求項10に記載の基板。その表面に吸着された分子に対する増強因子FEは104より高く、好ましくは106より高いことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の基板。同じ前記基板の異なる点で記録されたラマンスペクトルの再現性が80以上であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の基板。異なる前記基板上で記録されたラマンスペクトルの再現性が75以上であることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の基板。今までのところ、ガリウム含有窒化物の表面に基づくSERS用基板であって、その表面を、内部に線状欠陥を含むガリウム含有窒化物のウィスカーが形成され、場合によっては束にされ、次いで適切な金属膜で被覆されるように発達させたものは知られていない。この問題が、出願人のさらなる研究対象である。本発明の発明者は、適切な金属膜すなわち、適切な厚さを有する金、銀、白金、銅及び/又はそれらの合金の膜で被覆されたそのようなガリウム含有窒化物の表面は、その上に吸着された分子に対して、再現性のある強いラマン信号の増強106オーダーの増強因子EFを与えることに気付いた。増強因子は、上述のウィスカーが束に集められたときに、特に高い。本発明によれば、表面増強ラマン散乱用の基板は、銀、金、白金、銅及び/又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆された、上述のウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、前記半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に、各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいることを特徴とする。前記ウィスカーは、前記半導体表面から離れた末端を介して互いに接続されて、円錐状の束を形成するのが好ましい。結晶欠陥は転位領域又は反転領域であるのが好ましい。本発明によれば、前記半導体表面上における前記金属の膜厚は50nm~150nmであり、好ましくは70nm~80nmである。好ましい実施形態では、前記ウィスカーの長さは0.2μm~2.0μmであり、より好ましくは0.5μm~1.5μmである。また、前記ウィスカーの直径は40nm~150nmであり、より好ましくは50nm~70nmである。そして、前記ウィスカーの直径に対する長さの比は5~50であり、より好ましくは10~30である。そして、前記半導体表面上での前記ウィスカーの表面密度は108/cm2~1010/cm2である。本発明によれば、前記金属は金であるのが好ましく、前記ガリウム含有窒化物は窒化ガリウムGaNであるのが好ましい。好ましい実施形態では、前記窒化ガリウムの前記半導体表面は、ミラー指数0001の結晶面、すなわち、Ga極性のC面と類似している。別の好ましい実施形態では、前記窒化ガリウムの前記半導体表面は、ミラー指数000-1の結晶面、すなわち、N極性のC面と類似している。本発明の基板によれば、その表面に吸着された分子に対する増強因子FEは104より高く、好ましくは106より高い。同じ本発明の基板の異なる点で記録されたラマンスペクトルの再現性が80以上であるのが好ましい。同様に、異なる本発明の基板上で記録されたラマンスペクトルの再現性が75以上であるのが好ましい。本発明の基板は、106の増強因子すなわち、市販されているSERS用基板で見積もられるよりも2桁高い増強因子によって特徴付けられる。さらに、本発明の基板は、1つの基板少なくとも80と、いくつかの基板少なくとも75との両方で、記録されたスペクトルの非常に良好な再現性を特徴とする。<定義と主要なパラメータの計算方法>ガリウム含有窒化物ガリウム含有窒化物は、一般式AlxGa1-x-yInyNここで、0≦x<1、0≦y<1、0≦xy<1の化合物である。ガリウム含有窒化物の概念は、混合した窒化アルミニウムガリウムインジウム具体的にはAlGaInN、混合した窒化ガリウムインジウム具体的にはGaInN、及び化学量論の窒化ガリウムGaNに及ぶ。増強因子EFは、表面に吸着された分子と溶液中の分子とが寄与する積分強度最大強度の比を規定し、以下の式で定義される。EF=ISERS/IRaman/NSERS/NRamanここで、ISERSは、表面に吸着された分子のSERSスペクトルの測定された積分バンド強度、IRamanは、溶液中の分子のラマンスペクトルの測定された積分バンド強度、NRamanは、ラマンスペクトル記録用のレーザ光によって照射された溶液中の分子の数を示し、NSERSは、SERS記録用のレーザ光によって照射された吸着分子の数を示す。NRamanは、この式を用いて決定された。NRaman=NA×C×Df×πr2ここで、NAはアボガドロ数、6.02×1023、Cは、溶液のモル濃度、Dfは、焦点深さ、Df=2λ/NA2であり、785nmラインのとき、NAレンズ開口数が0.55で、Df=5μmが生じる。πr2は、分子の幾何学的断面積である。NSERSは、分子が単分子膜の状態で表面上に吸着されていると仮定し、レーザで照射された面積を考慮して、表面被覆率に基づいて見積もられる。NSERS=Nm×Aここで、Nmは、吸着に用いられる原液中の分子の数、Aは、レーザで照射される面積であり、ここでA=π×Sであって、Sはレーザスポットのサイズであって、測定で用いられる785nmラインでレンズ倍率50×のときに1μm2である。1つの基板の再現性1つの基板の再現性とは、基板上の異なる点で記録されたSERSスペクトルの再現性同じ測定条件下で記録されたSERSスペクトルの強度及びバンド位置に関する一致を意味する。パラメータは、以下の方法で決定される。同じ基板上であるが異なる点で記録された比較可能な2つのスペクトル間での相違に相当する面積の積分を決定する。相違に相当する面積の積分が3を超える相違がなければ、再現性のあるスペクトル100一致と判断される。異なる基板の再現性異なる基板の再現性とは、異なる基板上で記録されたSERSスペクトルの再現性同じ測定条件下で記録されたSERSスペクトルの強度及びバンド位置に関する一致を意味する。パラメータは、以下の方法で決定される。異なる基板上で記録された比較可能な2つのスペクトル間での相違に相当する面積の積分を決定する。相違に相当する面積の積分が3を超える相違がなければ、再現性のあるスペクトル100一致と判断される。III属元素の極性を有する側面ガリウム側面ウルツ鉱型構造を有するIII属元素窒化物の結晶中において、C6結晶回転軸に垂直な結晶面ミラー指数0001を有するC面と呼ばれるは等価ではない。これらの面は、極性面と呼ばれ、III属元素の極性を有する面化学量論の窒化ガリウムGaNの場合、簡潔にガリウム面と呼ばれるとNの極性を有する面簡潔に窒素面と呼ばれるとがある。それらの側面は、異なる物理化学的特性を有する。本発明の内容は、図面を参照して説明される。<実施形態1>本発明に係るSERS表面増強ラマン散乱用基板は以下のように製造された。MOCVD法によりサファイア上に製造された厚さ3~8μmのGaN膜を、基板として使用した。サファイア上のGaNウエハーを、5×5mmの複数の試料に切断した。試料の表面ガリウム極性を有するC面と類似を、10のHF水溶液中で20分エッチングし、次いで脱イオン水により5回洗浄した。表面清浄後に、各試料を、150mlのKOH-K2S2O8水溶液各濃度は0.05molと0.03mol中に置いた。次に、試料の入った溶液を、UVランプで10分間照射した。フォトエッチングの間、溶液をマグネットミキサーで撹拌した。エッチング後、試料を脱イオン水で3回洗浄し、次に窒素ジェットで表面から水を除去した。金蒸着の直前に、試料を濃HClで10分間洗浄した。その時間後、試料を脱イオン水ジェット中で15秒間洗浄した。窒素ジェットで表面から水を除去した。そして、電子ビームで加熱される金属のるつぼを備えたデントン真空エバポレータ中で、E-gun電子銃蒸着を用いて金の膜を表面上に蒸着させた。本発明によれば、金属膜の厚さは本質的に重要であり、好ましくは70nm~80nmである。より具体的には、2つのプレート対照用のもの平坦とテストされているもの上述の方法でエッチングすることにより発達させた表面を備えているは、金の膜で同時にすなわち、同じ装置内、同じプロセスで被覆され、厚さ70~80nmは、平坦な対照用プレート上に得られた金の膜を参照する。このようにして、GaN膜を含む本発明に係るSERS用基板が製造された。金の膜で被覆されたGaN試料の表面は、走査電子顕微鏡SEM、原子間力顕微鏡AFM、及びラマン分光学により特徴付けられた。製造された表面のトポグラフィー試験は、ツァイス社のスープラ走査顕微鏡で行った。写真記録は、2次電子を加速電圧2kVで記録することによって得られた。実施形態1のエッチング法によりGaN表面を発達させた後、SEM像図1は、直径60nm、長さ約1.5μmのウィスカーを明らかにした。粗いGaN表面を厚さ約70nmの金の膜で被覆した後、SEM像図2は、非常に良好に発達させた粗面化された構造を備えた表面を明らかにした。表面張力によって互いにくっついて特徴的な束になったGaNウィスカーは、金で被覆されて、規則的に分散した円錐構造基部の直径300~400nmを形成する。<実施形態2>本実施形態は、MOCVD法によりサファイア上に製造された厚さ3~8μmのAl0.03Ga0.97N膜を、基板として使用することを除いて、実施形態1と同様に進められた。そのように、Al0.03Ga0.97N膜を含む本発明のSERS用基板を製造した。<実施形態3>本実施の形態は、上記のエッチングが短く、5分間続けることを除いて、実施形態1と同様に進められた。そのように、GaN膜を含む本発明のSERS用基板を製造した。実施形態3のエッチング法によりGaN表面を発達させた後、SEM像図9は、束状につながっていないウィスカーを明らかにした。以下のプローブマラカイトグリーンアルドリッチ社、99.99、p-アミノチオフェノールアルドリッチ社、99.99、及びアミノ酸L-アラニンアルドリッチ社、99.99を用いて、本発明のSERS用基板をテストした。これらのシステムに対する増強因子EFを決定した。ラマンスペクトルは、高解像度InVia共焦点ラマン顕微分光装置レニショー社で記録された。測定に使用された励起光の波長は785nmであった。散乱光は、回折格子を備えた分光器で分析されて、各エネルギーの強度が、高感度CCD検出器で記録された。サンプル上にレーザ光線を集光させるレンズの倍率は50×であった。空間分解能は1μmよりも高く、スペクトル分解能は約1cm-1であった。測定に使用されたレーザ出力は、SERS測定では1mW~3mWであり、通常のラマンスペクトルの測定では150mWであった。スペクトルは、積算時間10~40秒で記録した。図3には、顕微鏡の外観図aと、その概略図bとが示されている。染料10-6Mのマラカイトグリーンのクロロホルム溶液2マイクロリットルを、実施形態1のSERS用基板上に置いた。次に、基板を乾燥させ、表面の異なる点で30本のラマンスペクトルを記録した。図4は、基板表面に吸着されたマラカイトグリーンのスペクトルからランダムに選択した4つb、c、d、eと、基板自体のスペクトルaを示している。スペクトルは、出力2.5mWの785nm励起光を用いて、10秒間記録された。好ましい実施形態では、基板の異なる点で記録されたスペクトルは同一である。記録された各スペクトルの相対強度は実質的に同じである一方、それらのスペクトルは、波長1618cm-1、1370cm-1、1180cm-1及び441cm-1に強いバンドを含んでいる。次の実験では、同じ方法で得られた異なるプラットホームについて、記録されたSERSスペクトルの再現性をテストした。10枚のSERS用基板例えば、実施形態1で得られた基板上に吸着された染料のスペクトルを記録した。図5は、本発明の方法で製造された基板からランダムに選択された2つ基板A、Bで得られた結果を示している。さらに、基板上に吸着されたマラカイトグリーンに対する増強因子は、以下の式で決定された。EF=ISERS/IRaman/NSERS/NRamanここで、ISERS及びIRamanは、それぞれ、金被覆GaN表面に吸着されたマラカイトグリーン分子のスペクトルの積分バンド強度ISERSと、10-6Mのマラカイトグリーン溶液中のマラカイトグリーン分子のスペクトルの積分バンド強度IRamanであり、NSERS及びNRamanは、SERSスペクトル及びラマンスペクトルを得るために、レーザ光によって照射されたマラカイトグリーンの吸着分子の数を示す。ISERSとIRamanは、波長1180cm-1のバンドについて測定された。NSERSは、マラカイトグリーンによる表面被覆率1×1014分子/cm2に基づいて見積もられたBPettingerBRenGPicardiRSchusterGErtlJRamanSpectroscVolume36Issue67Pages541550。NRamanは、上記の定義で計算された、研究対象の溶液中のマラカイトグリーン分子の数を示す。本発明の基板の好ましい実施形態では、マラカイトグリーンに対して見積もられた増強因子EFは、2.6×106であり、市販されているSERS用基板で見積もられる増強因子よりも2桁高い。本発明の好ましい別の実施形態では、p-アミノチオフェノール分子がSERSプラットホームに吸着され、収集されたスペクトルの再現性は、同じ表面について及び異なる2つの表面についてテストされた図6、7。測定に使用された光の波長は785nm、試料でのレーザ出力は3mWであり、スペクトル積算時間は約10秒であった。10-4M水溶液からSERS用基板上に吸着されて、異なる点で記録されたp-アミノチオフェノール分子のスペクトルは、再現性があるのが好ましい図6。記録された全てのスペクトルにおいて、p-アミノチオフェノールに特有の840cm-1、1080cm-1及び1589cm-1のバンドの相対強度は、80の再現性を有する。本発明と同じ方法によって製造された4つの異なるSERS用基板について、p-アミノチオフェノールバンドの波長と相対強度とは、再現性があるのが好ましい。本発明の方法によって製造されたA、B、C、及びD図7について、波長と相対バンド強度との再現性は、75より高い。上述の機構SERS用基板上に吸着されたp-アミノチオフェノールについて、増強因子は、上記の関係式を用いて見積もられた。EF=ISERS/IRaman/NSERS/NRamanであり、1.4×106であった。ISERSとIRamanは、SERSスペクトルと通常のラマンスペクトルのそれぞれにおいて、p-アミノチオフェノールの芳香属環のν8a振動に帰属される波長1589cm-1に現れる最も強いバンドについて見積もられた。通常のラマンスペクトルでは、10mMのp-アミノチオフェノール水溶液を、785nmの励起ラインと150mWのレーザ出力を用いて記録した。NSERSとNRamanは、SERSの測定中、及びp-アミノチオフェノール溶液の通常のラマンスペクトルの記録中に、レーザ光線で励起された分子の数に相当する。別の好適な実施形態では、L-アラニンの10-4M水溶液2マイクロリットルを、実施形態1のSERS用基板に置き、基板を乾燥させた後に、SERSを記録した図8。スペクトルは785nm励振光により記録され、レーザ出力は10mWで、スペクトル積算時間は5分であった。その場合、L-アラニンに対して見積もられた増強因子EFは1.9×104であった。実施形態2~3の基板で実行された同様の測定も、とてもよく似た結果をもたらした。本発明の基板は、106オーダーの高い増強因子と、1つの基板少なくとも80と、いくつかの基板少なくとも75との両方において、記録されたスペクトルの非常に良好な再現性と、によって特徴付けられる。本発明の基板は、広範囲にわたる化合物例えば、有機化合物染料、ペプチドを含む、生細胞中の天然有機化合物例えばフェニルアラニン又はDNAなど、例えば神経伝達物質カテコール、ドーパミン、エピネフリン、ヌクレオチド、ヌクレオシド、メンブレン及びシトクロムを含むに関する研究における生物学的活性物質及び生物学的プロセスのSERSによる研究に利用できる。本発明の内容は、タンパク質又は翻訳後修飾とのウイルス、薬物相互作用の検出と特性評価に貢献することができる。上述の特徴により、本発明の内容は、バイオセンサー設計におけるアクティブプラットホーム活性プラットホームとして利用することができ、それにより、SERS技術を医療診断に有用な分析ツールにすることができる。