複数の第1の接続構造を有し、前記複数の第1の接続構造は、第1の貫通孔、第1の接続パッド及び第1の半田バンプを有し、前記第1の接続パッドは、前記第1の貫通孔に接続され、前記第1の半田バンプは、前記第1の接続パッド上に前記第1の貫通孔の周囲に位置するように設けられる第1のチップと、前記第1のチップ上にスタックされ、複数の第2の接続構造を有し、前記複数の第2の接続構造が第2の貫通孔を有する第2のチップと、を備え、前記第2のチップの前記複数の第2の貫通孔が、前記第1のチップ上の前記複数の第1の半田バンプにそれぞれ位置合わせ接合されることを特徴とするチップスタック構造。前記複数の第2の接続構造は、第2の接続パッド及び第2の半田バンプをさらに有し、前記第2の接続パッドは、前記第2の貫通孔に接続され、前記第2の半田バンプは、前記第2の接続パッド上に前記第2の貫通孔の周囲に位置するように設けられることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記第1のチップの上表面が前記第2のチップの下表面と対向し、前記第1の接続パッドと前記第1の半田バンプとが前記第1のチップの前記上表面上に位置し、前記第2の接続パッドと前記第2の半田バンプとが前記第2のチップの前記上表面上に位置することを特徴とする請求項2に記載のチップスタック構造。前記複数の第1の接続構造と前記複数の第2の接続構造とは、その位置が相互に交錯していることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記複数の第1の接続構造と前記複数の第2の接続構造は、その構造が同一であることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔には導電材料が充填されていることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記第2の貫通孔と前記第1の半田バンプとは、加熱により相互に接合されることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記複数の第1の接続構造は、前記第1のチップの周縁に位置し、前記複数の第2の接続構造は、前記第2のチップの周縁に位置し、且つ前記複数の第1の接続構造と、前記複数の第2の接続構造とがそれぞれ対応していることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記複数の第1の接続構造は、第3の接続パッドをさらに有し、前記第1の接続パッドが前記第1のチップの上表面に設けられ、前記第3の接続パッドが前記第1のチップの下表面に設けられ、且つ前記第3の接続パッドが前記第1の貫通孔に接続されることを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。前記第1の接続パッドにはソルダーマスク層が被覆され、前記ソルダーマスク層には前記半田バンプが設けられる開口を有することを特徴とする請求項1に記載のチップスタック構造。本発明は、スルーシリコンビア及び半田バンプSolderBumpに複数のチップをスタックすることで、マルチチップのスタック構造の安定性及びチップ製造工程の簡素化を向上させるためのチップスタック構造を提供することを課題とする。本発明は、複数の第1の接続構造を有し、それらの第1の接続構造がそれぞれ第1の貫通孔、第1の接続パッド及び第1の半田バンプsolderbumpを有し、前記第1の接続パッドが前記第1の貫通孔に接続され、前記第1の半田バンプが前記第1の接続パッド上に設けられ、且つ前記第1の貫通孔の周囲に位置する第1のチップと、前記第1のチップ上にスタックされ、複数の第2の接続構造を有し、前記複数の第2の接続構造が第2の貫通孔を有する第2のチップとを備え、前記第2のチップにおける前記複数の第2の貫通孔が、前記第1のチップ上における前記複数の第1の半田バンプにそれぞれ位置合わせ接合されることを特徴とするチップスタック構造を提供する。本発明の一つの実施態様において、前記複数の第2の接続構造は、第2の接続パッド及び第2の半田バンプをさらに有し、前記第2の接続パッドが前記第2の貫通孔に接続され、前記第2の半田バンプが前記第2の接続パッド上に設けられ、且つ前記第2の貫通孔の周囲に位置する。本発明の一つの実施態様において、前記第1のチップの上表面が前記第2のチップの下表面に対向し、前記第1の接続パッドと前記第1の半田バンプとが前記第1のチップの前記上表面上に位置し、前記第2の接続パッドと前記第2の半田バンプとが前記第2のチップの前記上表面上に位置する。本発明の一つの実施態様において、前記複数の第1の接続構造と前記複数の第2の接続構造は、その構造が同一であるとともにその位置が相互に交錯している。本発明の一つの実施態様において、前記第1の貫通孔及び第2の貫通孔には導電材料が充填され、前記第2の貫通孔と前記第1の半田バンプとは、加熱により相互に接合される。本発明の一つの実施態様において、前記複数の第1の接続構造は、前記第1のチップの周縁に位置し、前記複数の第2の接続構造は、前記第2のチップの周縁に位置し、且つ前記複数の第1の接続構造は、前記複数の第2の接続構造にそれぞれ対応している。本発明の一つの実施態様において、前記複数の第1の接続構造は、第3の接続パッドをさらに有し、前記第1の接続パッドが前記第1のチップの上表面に設けられ、前記第3の接続パッドが前記第1のチップの下表面に設けられ、且つ前記第3の接続パッドが前記第1の貫通孔に接続される。本発明の一つの実施態様において、前記第1の接続パッドにはソルダーマスク層が被覆され、前記ソルダーマスク層には前記半田バンプが設けられる開口を有する。本発明に係るチップスタック構造によれば、接続パッド及び半田バンプにより位置合わせ接合の面積を高めるとともに、スタックされた複数のチップを一次的に接合することができるため、スタック製造工程の簡素化及び製造工程の歩留まりの向上を図ることができる。第1の実施例図1は、本発明に係る第1の実施例のチップスタック構造の模式図であり、図2は、本発明に係る第1の実施例の接続構造の模式図である。図1及び図2を参照して、チップ110~140は、スタックにより設けられ、それらのチップは上層のチップと接続するための複数の接続構造を有する。チップ110及び120を例にして説明すると、チップ110は、複数の接続構造を有し、それらの接続構造は、貫通孔111、接続パッド112及び半田バンプ113半田ボールとも称するを含む。貫通孔111は、スルーシリコンビアThrough-siliconVia、TSVによりチップ110又は周辺に形成され、貫通孔111には、チップ110の上表面と下表面とを接続するための導電材料が充填されている。接続パッド112は、図2に示すように、チップ110の上表面に形成されるとともに貫通孔111と電気的に接続される。接続パッド112の面積は貫通孔111よりも大きく、且つ半田バンプ113を設けるだけの領域を有している。半田バンプ113は、接続パッド112上に設けられるとともに貫通孔111の周囲に位置し、接続パッド112を介して貫通孔111に電気的に接続される。また、接続パッド112にはソルダーマスクsoldermask210が被覆され、ソルダーマスク210は半田バンプ113が設けられる開口212を有している。半田バンプ113は、熱により軟化され、軟化された半田バンプ113が開口212の周縁の厚さによって制限されるため、半田バンプ113の過度の平坦化を回避することができる。表面張力のため、軟化された半田バンプ113は、水滴状になり、対応する貫通孔121に接合される。チップ120も同様に複数の接続構造を有し、それらの接続構造は、貫通孔121、接続パッド122及び半田バンプ123を有する。なお、チップ120の構造はチップ110における接続構造と類似しているため、ここでは詳しい説明を省略する。チップ120における貫通孔121は、チップ110上における半田バンプ113に位置合わせ接合されることにより、チップ120がチップ110に電気的に接続される。チップ120とチップ110とが接続された場合、チップ120は、チップ110上に設けられるとともに貫通孔121をチップ110上における半田バンプ113に位置合わせ接合させ、半田バンプ113を加熱することにより、半田バンプ113と貫通孔121とを接合することができ、これにより貫通孔121と接続パッド112とが接続される。複数のチップをスタックする場合は、上層のチップ例えば120の下表面を下層のチップ例えば110の下表面に対向させ、上層のチップ120の複数の貫通孔121を下層のチップ110上の複数の半田バンプ113に位置合わせすることにより、一次のリフローreflow製造工程において複数の貫通孔121と半田バンプ113とを接続することができる。接続パッド112の面積が貫通孔111よりも大きいため、位置合わせが容易であり、チップ110~140の間に位置合わせにおいてずれが多少生じた場合でも、スムーズに接合することができる。この製造工程により、スタックチップの製造工程の簡素化が図れるとともに製造工程の安定性を向上することが可能となる。本実施例においては、接続パッド112の面積が貫通孔111の面積よりも大きく、半田バンプ113が接続パッド112上に設けられ、且つ貫通孔111の周囲に位置している。従って、チップをスタックする場合、上層のチップにおける貫通孔と下層のチップにおける貫通孔とを位置合わせする必要がなく、上層のチップにおける貫通孔例えば121を下層のチップにおける半田バンプ例えば113に位置合わせすると、加熱接合の製造工程を行うことができる。従って、スタックされた後、図1に示すように、チップ120における貫通孔121とチップ110における貫通孔111とは、その相互の位置が平面視において交錯して設けられるようになる。チップ110及び120の接続構造も、その相互の位置が平面視において交錯して設けられるようになる。ここで注意すべき点は、再配置層RedistributionLayer、RDLは、チップ110の上表面又は下表面に形成されてもよいが、本実施例はこれに限定されない。チップ110上における接続パッド112は、再配置層により互いに電気的に接続される、又はチップ110の内部の回路素子に接続される。チップ130、140は、同様にスタックされるが、スタックされるチップ数は限定されない。チップ110~140のスタック方向は上下が逆になってもよく、本発明はこれに限定されるものではない。貫通孔111、112は、スルーシリコンビアによりチップ又はウエハに直接形成される。また、本実施例の技術手段は、チップと印刷回路板との間のスタック構造に直接応用することができる。チップ110は、印刷回路板101基板とも称し、例えばセラミックス基板、ガラス基板又はプラスチック基板である上に設けられ、チップ110における貫通孔111は、半田バンプにより印刷回路板101に接続されてもよい。上述の実施例の説明によって、この技術分野において通常知識を有する者は、その実施方法を推知することができるため、ここでは詳しい説明を省略する。次に、図3は、本発明に係る第1の実施例のチップ110の一部構造の模式図である。チップ110の上表面は、回路素子又は金属リードを有し、接続パッド112及び半田バンプ113も、チップ110の上表面に設けられている。接続パッド112は、貫通孔111点線で示すに接続され、半田バンプ113は、接続パッド112上に設けられ、且つ貫通孔111の周囲に位置する。チップ110上において、信号又はピン数に応じて接続構造接続パッド112、貫通孔121及び半田バンプ113を含むの数量を決定することができる。ここで注意すべき点は、図3は、本発明に係る一つの実施例にすぎず、チップ110~140の構造は図3に限定されるものではない点である。第2の実施例図4は、本発明に係る第2の実施例の接続構造の模式図である。図4において、チップの上下表面には、接続パッド412及び422がそれぞれ設けられており、接続パッド412は、貫通孔411に接続され、且つその上に半田バンプ413が設けられる。接続パッド422は、貫通孔411の他端に接続される。接続パッド422の面積が大きいため、下方にあるチップの半田バンプ433に容易に位置合わせすることができる。上述の説明のとおり、製造工程の歩留まり及び位置合わせの精度が向上する。また、図4における接続構造は、図1におけるチップ110~140に直接応用することができる。これにより、製造工程の簡素化及び製造工程の歩留まりの向上を図ることができる。上述の実施例の説明によってこの技術分野において通常知識を有する者は、その実施方法を推知することができるため、ここでは詳しい説明を省略する。本発明はスルーシリコンビアないし接続パッド及び半田バンプ構造の設計によりスタック型チップの製造工程の歩留まりの改善及びその製造工程の簡素化を図ることができる。上述した説明は、本発明の好ましい具体的実施例の詳細説明やその図面に過ぎず、所属する技術分野において通常知識を有する者により本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々に修正や変更されることが可能である。また、そうした修正や変更は、本発明の特許請求の範囲に属するものである。