複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記線状構造体の各々を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた前記線状構造体の間に設けられた充填層とを有することを特徴とするシート状構造体。前記被覆層の熱伝導率は、前記束状構造体の単位面積当たりの熱伝導率よりも高いことを特徴とする請求項1記載のシート状構造体。前記被覆層の厚さは100nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のシート状構造体。前記束状構造体における前記炭素元素の線状構造体の面密度は、1×1010本/cm2以上であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項記載のシート状構造体。基板上に触媒金属膜を形成する工程と、前記触媒金属膜を触媒として、前記基板の上に、複数の炭素元素の線状構造体を形成する工程と、原子層蒸着法によって、前記線状構造体の各々を長手方向に覆う被覆層を形成する工程と、前記被覆層で覆われた前記線状構造体の間隙に充填層を形成する工程と、前記複数の炭素元素の線状構造体を、前記基板及び前記触媒金属膜から剥離する工程と、を有することを特徴とするシート状構造体の製造方法。発熱体と、放熱体と、複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記複数の炭素元素の線状構造体を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた複数の炭素元素の線状構造体の間に設けられた充填層を含み、前記発熱体と前記放熱体の間に設けられた熱インターフェイス材料とを有する電子機器。複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記複数の炭素元素の線状構造体を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた複数の炭素元素の線状構造体の間に設けられたた充填層を含む熱伝導材料を、発熱体と放熱体の間に、配置する工程と、前記発熱体と前記放熱体の間に荷重を加えながら前記熱インターフェイス材料を加熱することにより、前記充填層を融解させる工程と、前記熱インターフェイス材料を冷却することにより、前記充填層を固化させる工程とを有することを特徴とする電子機器の製造方法。しかしながら、上述のカーボンナノチューブシート103のリフロー工程において、ヒートスプレッダ104に加える荷重が予め設定された目標値からばらつくと、半導体素子102とヒートスプレッダ104との間の熱抵抗が高くなってしまう場合があった。図2は、カーボンナノチューブシート103のリフロー工程において荷重が加えられたときの、カーボンナノチューブシート103の状態を示す図である。図2aに示したように、カーボンナノチューブシート103のリフロー工程において、ヒートスプレッダ104に加える荷重が上記目標値よりも不足している場合には、カーボンナノチューブ106と半導体素子102及びヒートスプレッダ104の間の領域から、熱可塑性樹脂が除去されず残存してしまう。この残存により、半導体素子102及びヒートスプレッダ104に結合するカーボンナノチューブの数が減少し、半導体素子102とヒートスプレッダ104との間にカーボンナノチューブ106によって形成される熱伝導パスが細くなる。また、カーボンナノチューブ106は柔軟性を有する反面、機械的強度は十分ではなく、カーボンナノチューブシート103の荷重耐性は十分ではない。このため、図2bに示したように、カーボンナノチューブシート103のリフロー工程において、ヒートスプレッダ104に加える荷重が上記目標値よりも過剰な場合には、カーボンナノチューブシート103内のカーボンナノチューブ106の束状構造体108が押し潰されて、薄膜状に変形してしまう。この変形によって、束状構造体108に含まれる複数のカーボンナノチューブ106は発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従することができなくなる。よって、半導体素子102及びヒートスプレッダ104に結合するカーボンナノチューブの数が減少し、半導体素子102とヒートスプレッダ104との間にカーボンナノチューブ106によって形成される熱伝導パスが細くなる。従って、カーボンナノチューブシート103のリフロー工程において、ヒートスプレッダ104に加える荷重が不足している場合にも、過剰な場合にも、半導体素子102とヒートスプレッダ104との間の熱抵抗が高くなってしまうという問題が生じていた。このため、カーボンナノチューブシート103のリフロー工程において、ヒートスプレッダ104に加える荷重の調整が難しく、電子機器の製造における歩留まりを高くするのが困難であった。本実施例の一側面においては、機械的強度を高め、加えられる荷重に対する耐性を向上させたシート状構造体を提供することを目的とする。また、本実施例の一側面においては、リフロー工程において過大な荷重が加えられた場合であっても、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を低くすることが可能なシート状構造体を提供することを目的とする。また、本実施例の一側面においては、リフロー工程において加えられる荷重の調整を容易にすることが可能なシート状構造体を提供することを目的とする。本実施例の一側面におけるシート状構造体は、複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記線状構造体の各々を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた前記線状構造体の間に設けられた充填層とを有する。本実施例の一側面におけるシート状構造体は、複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体の機械的強度を高め、荷重耐性を向上させることができる。以下、本発明の実施例について説明する。[1.第1実施例][1-1.カーボンナノチューブシート300の構造]図3は、本発明の第1実施例に係る、炭素元素の線状構造体を用いたシート状構造体の構造の一例を示す図である。図3においては、炭素元素の線状構造体を用いたシート状構造体の一例として、カーボンナノチューブ302を用いたカーボンナノチューブシート300を示す。図3aは第1実施例に係るカーボンナノチューブシートの第1の例であり、図3bは第1実施例に係るカーボンナノチューブシートの第2の例である。カーボンナノチューブシート300を、発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用される熱伝導シートである。カーボンナノチューブシート300は、図3a及び図3bに示したように、間隔を開けて配置された複数のカーボンナノチューブ302を有している。カーボンナノチューブ302は、炭素元素の線状構造体である。カーボンナノチューブ302は、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブのいずれでもよい。カーボンナノチューブシート300において、複数のカーボンナノチューブ302は、シートの膜厚方向、すなわちシートの面と交差する方向に配向している。カーボンナノチューブ302の面密度は、特に限定されるものではないが、放熱性及び電気伝導性の観点からは、1×1010本/cm2以上であることが望ましい。複数のカーボンナノチューブ302は、束状に密集した状態で形成されており、束状構造体308を形成している。また、カーボンナノチューブ302の直径平均値は、特に限定されるものではないが、例えば25μmである。カーボンナノチューブ302の長さは、カーボンナノチューブシート300の用途によって決まり、特に限定されるものではないが、好ましくは5μm~500μm程度の値に設定することができる。カーボンナノチューブシート300を、発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、少なくとも発熱体及び放熱体の表面の凹凸を埋める長さ以上であることが望ましい。図3a及び図3bに示したように、カーボンナノチューブ302には、カーボンナノチューブ302をその長手方向に覆う被覆層306が設けられている。被覆層306はさらに、カーボンナノチューブ302の一方の端部から他方の端部に至る表面を覆うように形成されるのが望ましい。被覆層306は、それぞれのカーボンナノチューブ302の機械的強度を高める機能を有するものであり、それによって、カーボンナノチューブ302の束状構造体308としての機械的強度を高める機能を有するものである。その意味において、被覆層306は、カーボンナノチューブ302の一方の端部から他方の端部に至る表面全体を連続的に覆うように形成されるのがさらに望ましい。しかしながら、被覆層306は、上述のような機械的強度を高める機能を有する限り、カーボンナノチューブ302の表面の一部を覆わないものであっても構わない。また、被覆層306はカーボンナノチューブ302の上に薄膜として形成されてもよく、また微粒子の集合体としてカーボンナノチューブ302の表面を覆うように形成されていてもよい。被覆層306の形状は、上述のような機械的強度を高める機能を有する限り、特に限定されない。このように、カーボンナノチューブシート300では、カーボンナノチューブ302に被覆層306を設けたので、カーボンナノチューブ302自体の機械的強度を高めることができる。それによって、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高めることができるので、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性を向上させることができる。このため、カーボンナノチューブシート300を発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、リフロー工程において過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブシート300内のカーボンナノチューブ302の束状構造体308が押し潰されて、薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。これにより、束状構造体308に含まれる複数のカーボンナノチューブ302は、発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従して撓むことができる。また、カーボンナノチューブ302の端部は、被覆層306によって覆われていてもよい。図3a及び図3bでは、カーボンナノチューブ302の一方の端部のみが被覆層306で覆われた構造を示したが、両方の端部が被覆層306で覆われていてもよい。カーボンナノチューブ302の端部が被覆層306によって覆われたカーボンナノチューブシート300を、発熱体と放熱体との間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、発熱体又は放熱体とカーボンナノチューブ302の間に、カーボンナノチューブ302の端部に形成された被覆層306が介在することになる。このため、被覆層306の材料は、特に限定されるものではないが、後述する熱可塑性樹脂の熱伝導率約0.1W/mKよりも熱伝導率が大きい材料が望ましい。被覆層306の熱伝導率が熱可塑性樹脂の熱伝導率よりも小さいと、図2aに示したように、カーボンナノチューブと発熱体及び放熱体の間に熱可塑性樹脂が残存した場合と比べて、発熱体と放熱体の間の熱抵抗が大きくなってしまう場合があるからである。さらに、被覆層306の材料は、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の単位面積当たりの熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料が望ましい。この場合は、被覆層306が発熱体又は放熱体のカーボンナノチューブの間に介在したとしても、カーボンナノチューブ302の高い熱伝導性を損なうことがないからである。また、カーボンナノチューブ302に形成された被覆層306によって、発熱体と放熱体の間に追加の熱伝導パスが形成されることになるからである。尚、上述のカーボンナノチューブ302の束状構造体308の単位面積当たりの熱伝導率は、カーボンナノチューブ1本当たりの熱伝導率を1500W/mK、カーボンナノチューブの直径を20nm、カーボンナノチューブの面密度を1×1010本/cm2とすると、約47.1W/mKである。被覆層306の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば酸化アルミナAl2O3、酸化亜鉛ZnOといった酸化金属を用いることができる。また、銅Cu、ルテニウムRu、白金Ptといった金属を用いることができる。被覆層306の材料の具体例については、後述する実施例において説明する。また、被覆層306の厚さ平均値は例えば、100nm以下とするのが望ましい。被覆層306の厚さを過度に大きくすると、カーボンナノチューブ302が本来有する柔軟性を損なうことになり、複数のカーボンナノチューブ302が発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従して撓むことが困難となるため、発熱体及び放熱体に充填層304を介することなく結合するカーボンナノチューブの数が減少してしまうからである。尚、カーボンナノチューブ302の面密度によって、カーボンナノチューブ302の束状構造体308が元々有する機械的強度は異なるので、被覆層306の許容し得る厚さもカーボンナノチューブ302の面密度に依存する。しかしながら、放熱性及び電気伝導性の観点から、カーボンナノチューブ302の面密度自体に一定の下限値が存在することから、被覆層306の許容し得る厚さにも、上述のように上限値が存在する。被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302の間隙には、充填層304が形成されており、充填層304によってカーボンナノチューブ302が支持されている。充填層304は特に限定されるものでないが、例えば、熱可塑性樹脂である。充填層304を形成する熱可塑性樹脂は、温度に応じて液体と固体との間で可逆的に状態変化するものであり、室温では固体であり、加熱すると液状に変化し、冷却すると接着性を発現しつつ固体に戻るものであれば、特に限定されるものではない。充填層304を形成する熱可塑性樹脂は、カーボンナノチューブシート300の使用目的に応じて、熱可塑性樹脂の融解温度に基づいて適宜選択することができる。このような熱可塑性樹脂としては、例えば、以下に示すホットメルト樹脂が挙げられる。ポリアミド系ホットメルト樹脂としては、例えば、ヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239軟化点温度:140°Cが挙げられる。また、ポリエステル系ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社のDH598B軟化点温度:133°Cが挙げられる。また、ポリウレタン系ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDH722Bが挙げられる。また、ポリオレフィン系ホットメルト樹脂としては、例えば、松村石油株式会社製のEP-90軟化点温度:148°Cが挙げられる。また、エチレン共重合体ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDA574B軟化点温度:105°Cが挙げられる。また、SBR系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製のM-6250軟化点温度:125°Cが挙げられる。また、EVA系ホットメルト樹脂としては、例えば、住友スリーエム株式会社製の3747軟化点温度:104°Cが挙げられる。また、ブチルゴム系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製のM-6158が挙げられる。以上説明したように、カーボンナノチューブシート300では、カーボンナノチューブ302に被覆層306を設けたことにより、カーボンナノチューブ302自体の機械的強度を高めることができる。それによって、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高めることができ、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性を向上させることができる。よって、カーボンナノチューブシート300では、過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブ302の束状構造体308が押し潰されて薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。よって、カーボンナノチューブシート300では、多数のカーボンナノチューブ302が発熱体と放熱体に、充填層304を介することなく結合するようになり、そのようなカーボンナノチューブの数を増やすことができる。このため、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスを太くすることができる。従って、カーボンナノチューブシート300は、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を低く抑えることができる。加えて、カーボンナノチューブシート300を発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合には、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性を向上させることができることから、リフロー工程においてカーボンナノチューブシート300に加える荷重の大きさのマージンを多くとることができるようになる。それによって、リフロー工程における荷重の調整を容易にすることが可能となる。尚、図3では簡略化のために説明を省略していたが、実際のカーボンナノチューブ302の束状構造体308においては、図4に示したように、複数のカーボンナノチューブの少なくとも一部が互いに絡まり合うようにして形成される。このため、実際のカーボンナノチューブ302の束状構造体308では、隣接するカーボンナノチューブ302同士が互いに支え合うような構造となっている。このように、複数のカーボンナノチューブが互いに絡まり合った構造を有する束状構造体308において、それぞれのカーボンナノチューブ302に被覆層306が設けている。被覆層306を形成することによって機械的強度が高められたカーボンナノチューブ302同士が互いに絡まり合い、支え合う構造となるので、個々のカーボンナノチューブ302において機械的強度が高めることが、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高めることに直接的につながっている。また、絡まり合った複数のカーボンナノチューブ302に被覆層306を形成することにより、一部のカーボンナノチューブ302においては、被覆層306によって隣接するカーボンナノチューブ同士が互いに連結されたような構造となる。被覆層306を形成することによって機械的強度が高められたカーボンナノチューブ302同士が互いに連結された構造となるので、このことも、個々のカーボンナノチューブ302において機械的強度が高めることが、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高めることに直接的につながる一因となっている。また、カーボンナノチューブシート300は、図3a及び図3bに示すように、カーボンナノチューブ302の少なくとも一方の端部が露出している。図3aに示すカーボンナノチューブシート300では、カーボンナノチューブ302の一方の端部が露出している。図3bに示すカーボンナノチューブシート300では、カーボンナノチューブ302の両方の端部が露出している。これにより、カーボンナノチューブシート300を放熱体又は発熱体と接触させたとき、カーボンナノチューブ302が放熱体又は発熱体に対して充填層304を介することなく結合するため、熱伝導効率を大幅に高めることができる。また、カーボンナノチューブ302は電気的導電性も有しているため、カーボンナノチューブ302の両端部を露出することにより、カーボンナノチューブ12をシートを貫く配線体として用いることもできる。すなわち、第1実施例に係るカーボンナノチューブシート300は、熱伝導シートとしてのみならず、縦型配線シートとしても利用可能である。尚、被覆層306が形成された複数のカーボンナノチューブ302の端部に、さらに熱導電性被膜を設けるようにしてもよい。この熱伝導被膜の材料は、特に限定されるものではないが、金属や合金等を適用することができ、例えば、銅Cu、ニッケルNi、金Au等を用いることができる。また、被膜16は、単層構造である必要はなく、例えばチタンTiと金Auとの積層構造など、2層或いは3層以上の積層構造であってもよい。熱伝導性被膜を設けることにより、熱伝導性被膜を設けない場合と比較して、カーボンナノチューブシート300の被着体放熱体、発熱体に対する接触面積を増加させることができる。これにより、カーボンナノチューブ302と被着体との間の接触熱抵抗が低減され、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗をさらに低くすることができる。また、カーボンナノチューブシート300を縦型配線シートとして用いる場合には、その導電性をさらに高めることができる。[1-2.カーボンナノチューブシート300の製造方法]図5から図7は、第1実施例に係るカーボンナノチューブシート300の製造方法の一例を示す断面工程図である。まず、図5aに示したように、カーボンナノチューブシート300を形成するための土台として用いる基板502を用意する図5a。基板502としては、シリコン基板などの半導体基板、アルミナサファイア基板、MgO基板、ガラス基板などの絶縁性基板、金属基板などを用いることができる。また、これら基板上に薄膜が形成されたものでもよい。例えば、シリコン基板上に膜厚300nm程度のシリコン酸化膜が形成されたものを用いることができる。基板502は、カーボンナノチューブ302の成長後に剥離されるものである。このため、基板502としては、カーボンナノチューブ302の成長温度において変質しないことが望ましい。また、少なくともカーボンナノチューブ302に結合する面がカーボンナノチューブ302から容易に剥離できる材料によって形成されていることが望ましい。次に、図5bに示したように、基板502上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚2.5nmのFe鉄膜を形成し、Feの触媒金属膜504を形成する。なお、触媒金属膜504は、必ずしも基板502上の全面に形成する必要はなく、例えばリフトオフ法を用いて基板502の所定の領域上に選択的に形成するようにしてもよい。触媒金属としては、Feのほか、Coコバルト、Niニッケル、Au金、Ag銀、Pt白金又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金を用いてもよい。また、触媒として、金属膜以外に、微分型静電分級器DMA:differentialmobilityanalyzer等を用い、予めサイズを制御して作製した金属微粒子を用いてもよい。この場合も、金属種については薄膜の場合と同様でよい。また、これら触媒金属の下地膜として、Moモリブデン、Tiチタン、Hfハフニウム、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Vバナジウム、TaN窒化タンタル、TiSixチタンシリサイド、Alアルミニウム、Al2O3酸化アルミニウム、TiOx酸化チタン、Taタンタル、Wタングステン、Cu銅、Au金、Pt白金、Pdパラジウム、TiN窒化チタンなどの膜又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金からなる膜を形成してもよい。次に、基板502上に、例えばホットフィラメントCVD法により、触媒金属膜504を触媒として、カーボンナノチューブ302を成長する。カーボンナノチューブ3022の成長条件は、例えば、原料ガスとしてアセチレンアルゴンの混合ガス分圧比1:9を用い、成膜室内の総ガス圧を1kPa、ホットフィラメント温度を1000°C、成長時間を25分とする。これにより、層数が平均5層程度、直径が平均25nm、長さが50μm成長レート:2μm/minの多層カーボンナノチューブを成長することができる。尚、カーボンナノチューブは、熱CVD法やリモートプラズマCVD法などの他の成膜方法により形成してもよい。また、成長するカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブでもよい。また、炭素原料としては、アセチレンのほか、メタン、エチレン等の炭化水素類や、エタノール、メタノール等のアルコール類などを用いてもよい。カーボンナノチューブ302の長さは、カーボンナノチューブシート300の用途によって決まり、特に限定されるものではないが、好ましくは5μm~500μm程度の値に設定することができる。カーボンナノチューブシート300を、発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、少なくとも発熱体及び放熱体の表面の凹凸を埋める長さ以上であることが望ましい。以上の処理により、図5cに示したように、基板502上に、基板502の法線方向に配向垂直配向した複数のカーボンナノチューブ302の束状構造体を形成する。尚、図5cでは簡略化のために図示を省略したが、実際のカーボンナノチューブ302の束状構造体308は、図4に示したように、複数のカーボンナノチューブ302が互いに絡まり合うようにして形成される。また、上記の成長条件で形成したカーボンナノチューブ302では、カーボンナノチューブ12の面密度は、1×1011本/cm2程度であった。これは、基板502表面の面積のおよそ10の領域上にカーボンナノチューブ302が形成されていることに相当する。次に、図6aに示したように、カーボンナノチューブ302の束状構造体308が形成された基板502の全面に、ALDAtomicLayerDeposition、原子層蒸着法により、被覆層306を形成する。このとき、被覆層306を、複数のカーボンナノチューブ302をその長手方向に覆うように形成する。また、被覆層306を、カーボンナノチューブ302の一方の端部から他方の端部に至る表面を覆うように形成するのが望ましく、カーボンナノチューブ302の一方の端部から他方の端部に至る表面全体を連続的に覆うように形成するのがさらに望ましい。本願発明者は、被覆層306を上記のように、複数のカーボンナノチューブ302をその長手方向に覆うように形成するためには、限定されるものではないが、ALD法が好適であることを見出した。カーボンナノチューブ302の束状構造体308は、極めて多数のカーボンナノチューブ302が小さい面積の領域に密集した形態を有する。このため、複数のカーボンナノチューブ302の間隙に生じる領域は、極めて高いアスペクト比を有する凹部となる。そこで、本願発明者は、被覆層306を、複数のカーボンナノチューブ302をその長手方向に覆うように形成するためには、このような極めて高いアスペクト比を有する凹部においても高いカバレッジ性を有する成膜法が望ましいことを見出した。そして、本願発明者は、ALD法が高いアスペクト比を有する凹部においても高いカバレッジ性を有する成膜法であることに着目し、ALD法が好適な成膜法であることを見出した。また、カーボンナノチューブ302の基板502と反対側の端部は、被覆層306によって覆われているが、基板502側の端部は覆われていない。但し、この形態に限定されるものではない。被覆層306は隣接するカーボンナノチューブ302を連続する膜として覆うことが可能であるが、この形態には限定されない。隣接するカーボンナノチューブ302は被覆層306によって、独立した2以上の膜として覆われていてもよい。図4に示したように、絡まり合った複数のカーボンナノチューブ302においては、被覆層306は隣接するカーボンナノチューブ同士を互いに連結させるように、隣接するカーボンナノチューブ302を連続する膜として覆うことができる。また、被覆層306の厚さ平均値は例えば、100nm以下とするのが望ましい。被覆層306はカーボンナノチューブ302の上に薄膜として形成してもよく、また微粒子の集合体としてカーボンナノチューブ302の表面を覆うように形成してもよい。また、被覆層306の材料は、特に限定されるものではないが、後述する熱可塑性樹脂の熱伝導率約0.1W/mKよりも熱伝導率が大きい材料が望ましい。さらに、被覆層306の材料は、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の単位面積当たりの熱伝導率よりも熱伝導率が大きい材料が望ましい。被覆層306の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば酸化アルミナAl2O3、酸化亜鉛ZnOといった酸化金属を用いることができる。また、銅Cu、ルテニウムRu、白金Ptといった金属を用いることができる。被覆層306の成膜条件については、材料によって異なるので、後述する実施例において説明する。さらに、被覆層306の材料には、ALD法によって成膜可能なものであれば採用することができる。ALD法によって成膜可能な主要なものとしては、例えば、チタンオキサイド、ハフニウムオキサイド、酸化鉄、インジウムオキサイド、ランタンオキサイド、モリブデンオキサイド、ニオブオキサイド、ニッケルオキサイド、ルテニウムオキサイド、シリコンオキサイド、バナジウムオキサイド、タングステンオキサイド、イットリウムオキサイド、ジルコニウムオキサイド、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、銀、ランタンなどが挙げられる。次に、図6bに示したように、被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302の上に、フィルム状に加工した熱可塑性樹脂熱可塑性樹脂フィルム602を載置する。熱可塑性樹脂フィルム602の厚さは、カーボンナノチューブ302の長さに応じて適宜設定することが望ましい。例えば、図3aに示したカーボンナノチューブシート300を形成する場合には、カーボンナノチューブ302の長さと同程度、例えば5μm~500μm程度が好適である。また、例えば図3bに示したカーボンナノチューブシート300を形成する場合には、カーボンナノチューブ302の長さよりもわずかに薄い程度、例えば4μm~400μm程度が好適である。熱可塑性樹脂フィルム602の熱可塑性樹脂としては、例えば、ホットメルト樹脂が挙げられる。ホットメルト樹脂としては、上述したように、ポリアミド系ホットメルト樹脂、ポリエステル系ホットメルト樹脂、ポリウレタン系ホットメルト樹脂、ポリオレフィン系ホットメルト樹脂、エチレン共重合体ホットメルト樹脂、SBR系ホットメルト樹脂、EVA系ホットメルト樹脂、ブチルゴム系ホットメルト樹脂が挙げられる。ここでは、一例として、ポリアミド系ホットメルト樹脂であるヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239を厚さ100μmのフィルム状に加工した熱硬化性樹脂フィルム34を用いた場合について説明する。なお、Micromelt6239は、融解温度が135°C~145°C、融解時粘度が5.5Pa.s~8.5Pa.s225°Cのホットメルト樹脂である。次に、熱可塑性樹脂フィルム602を載置した基板502を、例えば195°Cの温度で加熱する。これにより、熱可塑性樹脂フィルム34の熱可塑性樹脂が溶解し、被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302の間隙に徐々に浸透していく。このようにして、図7aに示したように、熱可塑性樹脂フィルム602を、基板502の表面に達しない程度まで浸透させる。熱可塑性樹脂を予めシート状に加工しておくことにより、そのシート膜厚で充填層の量のコントロールが可能となる。これにより、加熱温度や加熱時間のコントロールで、充填層が基板502まで達しないようにコントロールすることができる。尚、基板502に達しないところで熱可塑性樹脂フィルム602の浸透を停止するのは、カーボンナノチューブシート300を基板502から剥離するのを容易にするためである。カーボンナノチューブシート300を基板502から容易に剥離できるような場合などは、基板502に達するまで熱可塑性樹脂フィルム602を浸透させるようにしてもよい。被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302の間隙に浸透する熱可塑性樹脂フィルム602の厚さは、熱処理時間によって制御することができる。例えば、上記条件で成長した長さ100μmのカーボンナノチューブ302に対しては、195°Cで1分間の熱処理を行うことにより、熱可塑性樹脂フィルム602が基板502に達しない程度まで浸透させることができる。熱可塑性樹脂フィルム602の加熱時間は、熱可塑性樹脂フィルム602を基板502の表面に達しない程度に浸透させるように、カーボンナノチューブ302の長さ、熱可塑性樹脂の融解時の粘度、熱可塑性樹脂フィルム602の膜厚等に応じて適宜設定することが望ましい。尚、熱可塑性樹脂の形状は、予めフィルム状に加工しておくことが好適であるが、ペレット状や棒状でも構わない。次に、熱可塑性樹脂フィルム602を所定の位置まで浸透させた後、室温まで冷却し、熱可塑性樹脂フィルム602を固化する。これにより、図7aに示したように、熱可塑性樹脂フィルム602の熱可塑性樹脂により、被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302の間隙に充填された充填層304を形成する。次に、被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302及び充填層304を、基板502から剥離する。上述のように充填層14熱可塑性樹脂フィルム602を基板502まで到達しないように形成しておけば、被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302と基板502との間の接合は弱いため、被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302を基板502から容易に剥離することができる。尚、被覆層306が形成されたカーボンナノチューブ302を基板502から剥離する際に、隣接するカーボンナノチューブ302の間の触媒金属膜504の表面に形成された被覆層306は、触媒金属膜504から剥離せずに、触媒金属膜504の表面に残存する。以上により、図7bに示したように、被覆層306が形成された複数のカーボンナノチューブ302の間隙に充填層304が設けられたカーボンナノチューブシート300が得られる。[2.第2実施例][2-1.カーボンナノチューブシート300の構造]第2実施例として、図3に示したカーボンナノチューブシート300の被覆層306の材料として、酸化アルミナAl2O3を用いた例を説明する。第2実施例に係るカーボンナノチューブシート300では、図6aに示した工程おいて、カーボンナノチューブ302の束状構造体308が形成された基板502の全面に、ALD法により、酸化アルミナを被覆層406として形成する。このときの成膜条件は例えば、原料ガスとして、トリメチルアルミニウムALCH33と水H2Oを用い、成膜温度を200°Cとする。尚、上記で示した方法は熱ALD法の一例であるが、プラズマを用いて成膜するPEALDPlasmaEnhancedALD法を用いても良い。また、酸化アルミナ被覆層の厚さは20nmとした。このような成膜条件により、複数のカーボンナノチューブ302の表面に、酸化アルミナ被覆層406を、複数のカーボンナノチューブ302の長手方向に覆うように形成することができる。さらに、上述の成膜条件により、酸化アルミナ被覆層406を、複数のカーボンナノチューブ302の表面に、各々のカーボンナノチューブ302の一方の端部から他方の端部に至る表面全体を連続的に覆うように形成される。よって、複数のカーボンナノチューブ302を覆う酸化アルミナ被覆層406によって、それぞれのカーボンナノチューブ302の機械的強度を高めることができる。それによって、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高めることができ、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性を向上させることができる。このため、カーボンナノチューブシート300を発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、リフロー工程において過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブシート300内のカーボンナノチューブ302の束状構造体308が押し潰されて薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。これにより、束状構造体308に含まれる複数のカーボンナノチューブ302は発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従して撓むことができる。よって、多数のカーボンナノチューブ302が発熱体と放熱体に、充填層304を介することなく結合するようになり、そのようなカーボンナノチューブの数を増やすことができる。従って、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスを太くすることができるので、カーボンナノチューブシート300は、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を低く抑えることができる。尚、カーボンナノチューブ302の端部が酸化アルミナ被覆層406によって覆われたカーボンナノチューブシート300を、発熱体と放熱体との間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、発熱体又は放熱体とカーボンナノチューブ302の間に、カーボンナノチューブ302の端部に形成された酸化アルミナ被覆層406が介在することになる。ここで、酸化アルミナの熱伝導率は、約30W/mKである。すなわち、酸化アルミナの熱伝導率は、熱可塑性樹脂の熱伝導率約0.1W/mKより高いが、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の単位面積当たりの熱伝導率約47.1W/mKよりは低くなっている。よって、カーボンナノチューブ302の端部に形成された酸化アルミナ被覆層406は、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を高くする要因となり得るが、カーボンナノチューブシート300では、上述のように、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスを太くすることによって、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を全体として低く抑えることができる。詳細については、後述する。[2-2.カーボンナノチューブシート300の実験例]図8及び図9は、被覆層306の材料として酸化アルミナAl2O3を用いたカーボンナノチューブシート300について行った実験の結果を説明するための図である。以下、図8及び図9を用いて、カーボンナノチューブシート300について行った実験を説明する。図8aは、カーボンナノチューブシート300に一定の荷重を加えた場合の、酸化アルミナ被覆層406の厚さの変化に対する、カーボンナノチューブシート300の厚み保持率の変化を示す図である。図8aに示した実験例では、カーボンナノチューブシート300を発熱体と放熱体との間に載置し、一定の荷重として、0.5MPaの荷重を加えながら、リフロー処理をした後のカーボンナノチューブシート300の厚み保持率を測定した。ここで、カーボンナノチューブシート300の厚み保持率とは、荷重が加えられていない場合のカーボンナノチューブシート300の厚みを100として、荷重が加えられたカーボンナノチューブシート300の厚みの割合を示すものであり、0~100の数値をとる。図8aに示したように、酸化アルミナ被覆層406が形成されていない場合厚さ0nmには、カーボンナノチューブシート300の厚み保持率は10以下になっている。カーボンナノチューブ302の束状構造体308は押し潰されて、薄膜状に変形していることが分かる。そして、酸化アルミナ被覆層406の厚さを大きくするにつれて、カーボンナノチューブシート300の厚み保持率も単調に増加していく。特に、カーボンナノチューブシート300の厚さを10nmから20nmへと変化させたときに、カーボンナノチューブシート300の厚み保持率が大きく増加し、厚み保持率の変化も大きくなっていることが分かる。次に、図8bは、カーボンナノチューブシート300に一定の荷重を加えた場合の、酸化アルミナ被覆層406の厚さの変化に対する、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗の変化を示す図である。図8bに示した実験例では、カーボンナノチューブシート300を発熱体と放熱体との間に載置し、一定の荷重として、0.5MPaの荷重を加えながら、リフロー処理をした後のカーボンナノチューブシート300の熱抵抗を測定した。ここで、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗とは例えば、カーボンナノチューブシート300を発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合における、発熱体と放熱体の間の熱抵抗である。図8bに示したように、酸化アルミナ被覆層406の厚さを0nm酸化アルミナ被覆層406が形成されていない場合から大きくするにつれて、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗は徐々に小さくなっていく。酸化アルミナ被覆層406の厚さが20nmであるときに、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗は極小値をとっている。そして、酸化アルミナ被覆層406の厚さをさらに増加させていくと、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗は逆に増加していく。図8a及び図8bの実験結果から、以下のことが考えられる。酸化アルミナ被覆層406の厚さを0nm酸化アルミナ被覆層406が形成されていない場合には、カーボンナノチューブ302自体の機械的強度が不足し、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度が不足しているため、一定の荷重を加えたときに、カーボンナノチューブ302の束状構造体308は押し潰されて、薄膜状に変形する。これにより、束状構造体308に含まれる複数のカーボンナノチューブ302は発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従することができなくなる。このため、発熱体と放熱体に充填層304を介することなく結合するカーボンナノチューブの数が減少し、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスが細くなってしまう。従って、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗が高くなっている。これに対し、酸化アルミナ被覆層406の厚さを大きくしていくと、カーボンナノチューブ302自体の機械的強度が高くなり、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度が高くなる。このため、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性が向上する。よって、一定の荷重を加えても、カーボンナノチューブ302の束状構造体308は押し潰されて、薄膜状に変形するのを抑えることができるようになる。その結果、束状構造体308に含まれる複数のカーボンナノチューブ302は発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従して撓むことができるようになる。このため、発熱体と放熱体に充填層304を介することなく結合するカーボンナノチューブの数を増加させることができ、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスが太くなる。従って、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗が低くなる。一方、酸化アルミナ被覆層406の厚さを大きくし過ぎると、カーボンナノチューブ302自体の機械的強度が高くなり、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度は高くなる。このため、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性は向上する。しかしながら、カーボンナノチューブ302自体の機械的強度が過度に高くなるため、酸化アルミナ被覆層406によってカーボンナノチューブ302が本来有する柔軟性が損なわれてしまう。そのため、束状構造体308に含まれる複数のカーボンナノチューブ302は逆に、発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従して撓むことができなくなってしまう。また、カーボンナノチューブ302の端部に形成された酸化アルミナ被覆層406が厚くなる。このため、発熱体又は放熱体とカーボンナノチューブ302の間に介在する酸化アルミナ被覆層406が厚くなり、このことが発熱体と放熱体の間の熱抵抗を増大させる要因となる。上述のように、酸化アルミナの熱伝導率約30W/mKは、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の単位面積当たりの熱伝導率約47.1W/mKよりも低くなっているからである。従って、酸化アルミナ被覆層406の厚さを大きくし過ぎると、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗が高くなる。以上の結果から、酸化アルミナ被覆層406の厚さには、酸化アルミナ被覆層406自体の熱抵抗に加えて、カーボンナノチューブ302の機械的強度の向上と、カーボンナノチューブ302の柔軟性の減少との間のトレードオフの関係によって、一定の上限値が存在することが分かる。この上限値としては、第1実施例において述べたように例えば100nmであるが、上述のカーボンナノチューブシート300においては、酸化アルミナ被覆層406の厚さとしては、20nm程度が好適である。次に、図9は、20nmの厚さを有する酸化アルミナ被覆層406を形成した場合の、カーボンナノチューブシート300の熱抵抗及び厚み保持率の荷重依存性を示す図である。図9においては、丸印で示したものが熱抵抗のデータであり、四角印で示したものが厚み保持率のデータである。図9に示した実験例では、20nmの厚さを有する酸化アルミナ被覆層406を形成したカーボンナノチューブシート300を発熱体と放熱体との間に載置し、リフロー処理をした後のカーボンナノチューブシート300の熱抵抗及び厚み保持率を、カーボンナノチューブシート300に加えられる荷重を変化させながら、測定した。図9に示したように、カーボンナノチューブシート300に加えられる荷重が増加するにつれて、熱抵抗の値は単調に減少していくが、厚み保持率の値はほとんど変化せず、おおよそ一定値を保持している。従って、カーボンナノチューブ302に酸化アルミナ被覆層406を形成することにより、カーボンナノチューブ302自体の機械的強度を高くし、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高くすることができるので、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性を向上させ、同時に、熱抵抗も低く抑えることができることが分かる。加えて、荷重を増加させても、厚み保持率の値はおおよそ一定値を保持しながら、熱抵抗を低くすることができるので、カーボンナノチューブシート300に加えられる荷重の大きさのマージンをより多くとることができることが分かる。[3.第3実施例]第3実施例として、図3に示したカーボンナノチューブシート300の被覆層306の材料として、酸化亜鉛ZnOを用いた例を説明する。第3実施例に係るカーボンナノチューブシート300では、図6aに示した工程において、カーボンナノチューブ302の束状構造体308が形成された基板502の全面に、ALD法により、酸化亜鉛を被覆層506として形成する。このときの成膜条件は例えば、原料ガスとして、ジエチル亜鉛ZnC2H52と水H2Oを用い、成膜温度を200°Cとする。尚、上記で示した方法は熱ALD法の一例であるが、プラズマを用いて成膜するPEALDPlasmaEnhancedALD法を用いても良い。また、酸化亜鉛被覆層506の厚さは、20nmとした。このような成膜条件により、複数のカーボンナノチューブ302の表面に、酸化亜鉛被覆層506を、複数のカーボンナノチューブ302の長手方向に覆うように形成することができる。さらに、上述の成膜条件により、酸化亜鉛被覆層506を、複数のカーボンナノチューブ302の表面に、各々のカーボンナノチューブ302の一方の端部から他方の端部に至る表面全体を連続的に覆うように形成される。よって、複数のカーボンナノチューブ302を覆う酸化亜鉛被覆層506によって、それぞれのカーボンナノチューブ302の機械的強度を高めることができる。それによって、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高めることができ、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性を向上させることができる。このため、カーボンナノチューブシート300を発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、リフロー工程において過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブシート300内のカーボンナノチューブ302の束状構造体308が押し潰されて薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。これにより、束状構造体308に含まれる複数のカーボンナノチューブ302は発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従して撓むことができる。よって、多数のカーボンナノチューブ302が発熱体と放熱体に、充填層304を介することなく結合するようになり、そのようなカーボンナノチューブの数を増やすことができる。従って、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスを太くすることができるので、カーボンナノチューブシート300は、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を低く抑えることができる。尚、カーボンナノチューブ302の端部が酸化亜鉛被覆層506によって覆われたカーボンナノチューブシート300を、発熱体と放熱体との間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、発熱体又は放熱体とカーボンナノチューブ302の間に、カーボンナノチューブ302の端部に形成された酸化亜鉛被覆層506が介在することになる。ここで、酸化亜鉛の熱伝導率は、約54W/mKである。すなわち、酸化アルミナの熱伝導率は、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の単位面積当たりの熱伝導率約47.1W/mKと比べて高くなっている。従って、カーボンナノチューブシート300では、上述のように、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスを太くすることによって、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を低く抑えることができる。加えて、カーボンナノチューブ302に形成された酸化亜鉛被覆層506によって、発熱体と放熱体の間に追加の熱伝導パスが形成されることになるので、発熱体と放熱体の間の熱抵抗をさらに低く抑えることができる。[4.第4実施例]第4実施例として、図3に示したカーボンナノチューブシート300の被覆層306の材料として、銅Cuを用いた例を説明する。第4実施例に係るカーボンナノチューブシート300では、図6aに示した工程において、カーボンナノチューブ302の束状構造体308が形成された基板502の全面に、ALD法により、銅を被覆層606として形成する。このときの成膜条件は例えば、原料ガスとして、ビスN-N-ジイソプロピルアセトアミジネート銅IbisN-N-diisopropylacetoamidinatocopperIと水素H2を用い、成膜温度を190°Cとする。尚、上記で示した方法は熱ALD法の一例であるが、プラズマを用いて成膜するPEALDPlasmaEnhancedALD法を用いても良い。また、銅被覆層の厚さは100nm以下とする。銅被覆層606の厚さを過度に大きくすると、カーボンナノチューブ302が本来有する柔軟性を損なうことになる点を考慮したものである。このような成膜条件により、複数のカーボンナノチューブ302の表面に、銅被覆層606を、複数のカーボンナノチューブ302の長手方向に覆うように形成することができる。さらに、上述の成膜条件により、銅被覆層606を、複数のカーボンナノチューブ302の表面に、各々のカーボンナノチューブ302の一方の端部から他方の端部に至る表面全体を連続的に覆うように形成される。よって、複数のカーボンナノチューブ302を覆う銅被覆層606によって、それぞれのカーボンナノチューブ302の機械的強度を高めることができる。それによって、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の機械的強度を高めることができ、カーボンナノチューブシート300の荷重耐性を向上させることができる。このため、カーボンナノチューブシート300を発熱体例えば半導体素子と放熱体例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、リフロー工程において過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブシート300内のカーボンナノチューブ302の束状構造体308が押し潰されて薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。これにより、束状構造体308に含まれる複数のカーボンナノチューブ302は発熱体及び放熱体の表面の凹凸形状に追従して撓むことができる。よって、多数のカーボンナノチューブ302が発熱体と放熱体に、充填層304を介することなく結合するようになり、そのようなカーボンナノチューブの数を増やすことができる。従って、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスを太くすることができるので、カーボンナノチューブシート300は、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を低く抑えることができる。尚、カーボンナノチューブ302の端部が銅被覆層606によって覆われたカーボンナノチューブシート300を、発熱体と放熱体との間に形成するサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として使用する場合、発熱体又は放熱体とカーボンナノチューブ302の間に、カーボンナノチューブ302の端部に形成された銅被覆層606が介在することになる。ここで、銅の熱伝導率は、約390W/mKである。すなわち、銅の熱伝導率は、カーボンナノチューブ302の束状構造体308の単位面積当たりの熱伝導率約47.1W/mKと比べて極めて高くなっている。従って、カーボンナノチューブシート300では、上述のように、発熱体と放熱体の間にカーボンナノチューブ302によって形成される熱伝導パスを太くすることによって、発熱体と放熱体の間の熱抵抗を低く抑えることができる。加えて、カーボンナノチューブ302に形成された銅被覆層606によって、発熱体と放熱体の間に追加の熱伝導パスが形成されることになるので、発熱体と放熱体の間の熱抵抗をさらに低く抑えることができる。[5.第5実施例][5-1.電子機器1000の構造]図10は、本発明の第5実施例に係る電子機器1000の構造の一例を示す図であり、電子機器500の構造を示す概略断面図である。多層配線基板などの回路基板1002上には、例えばCPUなどの半導体素子発熱体1004が実装されている。半導体素子1004は、はんだバンプなどの突起状電極1003を介して回路基板1002に電気的に接続されている。半導体素子1004上には、半導体素子1004を覆うように、半導体素子1004からの熱を拡散させるためのヒートスプレッダ放熱体1006が形成されている。半導体素子1004とヒートスプレッダ1006との間には、第1ないし第4実施例のいずれかのカーボンナノチューブシート1008が形成されている。ヒートスプレッダ1006は、例えば有機シーラント1010によって回路基板1002に接着されている。このように、第5実施例に係る電子機器1000では、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006との間、すなわち発熱体と放熱体との間に、第1ないし第4実施例によるカーボンナノチューブシート1008が設けられている。カーボンナノチューブシート1008は、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006との間のサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として機能する熱伝導シートである。上述のように、第1ないし第4実施例によるカーボンナノチューブシートは、カーボンナノチューブ1012がシートの膜厚方向に配向しているため、面直方向の熱伝導度が極めて高いものである。また、カーボンナノチューブ1012には被覆層1016が設けられているため、カーボンナノチューブ1012自体の機械的強度を高めることができる。それによって、カーボンナノチューブ1012の束状構造体1018の機械的強度を高めることができるので、カーボンナノチューブシート1008の荷重耐性を向上させることができる。このため、電子機器1000においては、後述する製造工程に含まれるリフロー工程において、ヒートスプレッダ1006に過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブシート1008内のカーボンナノチューブ1012の束状構造体1018が押し潰されて薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。これにより、束状構造体1018に含まれる複数のカーボンナノチューブ1012を、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006の表面の凹凸形状に追従して撓ませることができる。よって、電子機器1000では、多数のカーボンナノチューブ1012が半導体素子1004とヒートスプレッダ1006に、充填層1014を介することなく結合しており、そのようなカーボンナノチューブの数を増やすことができる。よって、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006体の間にカーボンナノチューブ1012によって形成される熱伝導パスを太くすることができるので、カーボンナノチューブシート1008は、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006の間の熱抵抗を低く抑えることができる。加えて、電子機器1000においては、カーボンナノチューブシート1008の荷重耐性を向上させることができることから、リフロー工程においてカーボンナノチューブシート1008に加える荷重の大きさのマージンを多くとることができるようになる、それによって、リフロー工程における荷重の調整を容易にすることが可能となる。[5-2.電子機器1000の製造方法]図11及び図12は、第5実施例に係る電子機器1000の製造方法の一例を示す断面工程図である。まず、図11aに示したように、回路基板1002上に、突起状電極1003を介して半導体素子1004を実装する。尚、本願の図面では、各実施例によるカーボンナノチューブシート及び電子機器の作用効果を判りやすくするために、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006との対向する面の凹凸を強調して描いている。次に、図11bに示したように、回路基板1002上に実装した半導体素子1004上に、第1乃至第4実施例のいずれかに記載のカーボンナノチューブシート1008を載置する。カーボンナノチューブシート1008はサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として用いられる熱伝導シートである。図11bに示した例では、図3aに示した第1実施例によるカーボンナノチューブシートを用いた場合を示しているが、これに限定されるものではなく、各実施例において説明した他のカーボンナノチューブシートを用いてもよい。次に、図12aに示したように、回路基板1002上に、ヒートスプレッダ1006を固定するための有機シーラント1010を塗布した後、カーボンナノチューブシート1008を載置した半導体素子1004上に、ヒートスプレッダ1006を被せる。次に、ヒートスプレッダ1006に所定の荷重をかけた状態で熱処理を行い、カーボンナノチューブシート1008をリフローする。カーボンナノチューブシート1008の充填層1014としては、例えば、熱可塑性樹脂であるヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239を用いることができる。カーボンナノチューブシート1008では、例えば0.25MPaの荷重を加えた状態で、例えば195°C、10分間の熱処理を行う。この熱処理により、カーボンナノチューブシート1008の充填層1014を形成する熱可塑性樹脂が液状融解し、半導体素子1004及びヒートスプレッダ1006の表面の凹凸形状に追従して、カーボンナノチューブシート1008が変形する。また、カーボンナノチューブシート1008内のカーボンナノチューブ1012は、充填層1014による拘束がゆるみ、その端部は半導体素子1004及びヒートスプレッダ1006に充填層1014を介することなく結合するようになる。さらに、カーボンナノチューブ1012には被覆層1016が設けられている。被覆層306は、特に限定されるものではないが、例えば酸化アルミナAl2O3、酸化亜鉛ZnOといった酸化金属や、銅Cu、ルテニウムRu、白金Ptといった金属によって形成することができる。被覆層1016を設けたことにより、カーボンナノチューブ1012自体の機械的強度を高めることができる。それによって、カーボンナノチューブ1012の束状構造体1018の機械的強度を高めることができ、カーボンナノチューブシート1008の荷重耐性を向上させることができる。このため、上述のリフロー工程において、ヒートスプレッダ1006に過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブシート1008内のカーボンナノチューブ1012の束状構造体1018が押し潰されて薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。これにより、リフロー工程において、ヒートスプレッダ1006に過大な荷重が加えられた場合であっても、束状構造体1018に含まれる複数のカーボンナノチューブ1012を、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006の表面の凹凸形状に追従して撓ませることができる。よって、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006に充填層1014を介することなく結合するカーボンナノチューブの数を増やすことができ、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006体の間にカーボンナノチューブ1012によって形成される熱伝導パスを太くすることができる。従って、カーボンナノチューブシート1008は、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006の間の熱抵抗を低く抑えることができる。尚、上述のリフロー工程における荷重は、被覆層1016が形成されたカーボンナノチューブ1012が、半導体素子1004及びヒートスプレッダ1006の表面に存在する凹凸形状に追従して撓むことにより、半導体素子1004及びヒートスプレッダ1006と十分な接触状態を形成する荷重範囲であればよい。また、熱処理の温度及び時間は、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006との間に介在する熱可塑性樹脂が融解して移動し、カーボンナノチューブ1012の端部が半導体素子1004及びヒートスプレッダ1006に対して充填層1014を介することなく結合するようになる範囲を選択すればよい。次に、図12bに示したように、室温まで冷却し、充填層1014の熱可塑性樹脂を固化するとともに、ヒートスプレッダ1006を有機シーラント1010によって回路基板1002上に固定する。この際、熱可塑性樹脂は接着性を発現し、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006との間をカーボンナノチューブシート1008によって接着固定することができる。これにより、室温に冷却した後も、カーボンナノチューブシート1008により、半導体素子1004及びヒートスプレッダ1006との間の低い熱抵抗を維持することができる。これにより、カーボンナノチューブシート1008は、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006との間のサーマルインターフェイスマテリアル熱インターフェイス材料として機能する。以上説明したように、電子機器1000においては、カーボンナノチューブ1012に被覆層1016が設けられているため、カーボンナノチューブ1012の束状構造体1018の機械的強度を高めることができる。これにより、カーボンナノチューブシート1008の荷重耐性を向上させることができる。このため、電子機器1000においては、後述する製造工程に含まれるリフロー工程において、ヒートスプレッダ1006に過大な荷重が加えられた場合であっても、カーボンナノチューブシート1008内のカーボンナノチューブ1012の束状構造体1018が押し潰されて薄膜状に変形してしまうのを抑えることができる。これにより、束状構造体1018に含まれる複数のカーボンナノチューブ1012を、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006の表面の凹凸形状に追従して撓ませることができる。よって、電子機器1000では、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006体の間にカーボンナノチューブ1012によって形成される熱伝導パスを太くすることができる。従って、カーボンナノチューブシート1008は、半導体素子1004とヒートスプレッダ1006の間の熱抵抗を低く抑えることができる。加えて、電子機器1000においては、カーボンナノチューブシート1008の荷重耐性を向上させることができることから、リフロー工程においてカーボンナノチューブシート1008に加える荷重の大きさのマージンを多くとることができるようになる、それによって、リフロー工程における荷重の調整を容易にすることが可能となる。尚、上述した各実施例に限定されず、種々の変形が可能である。上述の各実施例においては、炭素元素の線状構造体を用いたシート状構造体の例としてカーボンナノチューブシートを示したが、炭素元素の線状構造体を用いたシート状構造体は、これに限定されるものではない。炭素元素の線状構造体としては、カーボンナノチューブのほか、カーボンナノワイヤ、カーボンロッド、カーボンファイバが挙げられる。これら線状構造体は、サイズが異なるほかは、カーボンナノチューブと同様である。これら線状構造体を用いたシート状構造体にも適用することができる。また、上述の各実施例において記載した構成材料や製造条件は、記載した内容に限定されるものではなく、目的等に応じて適宜変更が可能である。また、カーボンナノチューブシートの使用目的も、上述の実施例において記載したものに限定されるものではない。上述の各実施例によるカーボンナノチューブシートは、熱伝導シートとしては、例えば、CPUの放熱シート、無線通信基地局用高出力増幅器、無線通信端末用高出力増幅器、電気自動車用高出力スイッチ、サーバー、パーソナルコンピュータなどへの適用が考えられる。また、カーボンナノチューブの高い許容電流密度特性を利用して、縦型配線シートやこれを用いた種々のアプリケーションにも適用可能である。以上、本発明の例示的な実施形態のカーボンナノチューブシート、シート状構造体及び電子機器並びにそれらの製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。以上の第1ないし第5実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記線状構造体の各々を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた前記線状構造体の間に設けられた充填層とを有することを特徴とするシート状構造体。付記2前記被覆層の熱伝導率は、前記束状構造体の単位面積当たりの熱伝導率よりも高いことを特徴とする付記1記載のシート状構造体。付記3前記被覆層の厚さは100nm以下であることを特徴とする付記1又は2記載のシート状構造体。付記4前記束状構造体における前記炭素元素の線状構造体の面密度は、1×1010本/cm2以上であることを特徴とする付記1ないし3のいずれか一つ記載のシート状構造体。付記5前記複数の炭素元素の線状構造体の少なくとも一部は互いに絡み合っていることを特徴とする付記1ないし4のいずれか一つ記載のシート状構造体付記6前記被覆層は、前記複数の炭素元素の線状構造体の一方の端部から他方の端部に至る表面を覆うことを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つ記載のシート状構造体。付記7前記充填層は熱可塑性樹脂によって形成されていることを特徴とする付記1ないし6のいずれか一つ記載のシート状構造体。付記8前記被覆層の熱伝導率は、前記熱可塑性樹脂の熱伝導率よりも高いことを特徴とする付記7記載のシート状構造体。付記9基板上に触媒金属膜を形成する工程と、前記触媒金属膜を触媒として、前記基板の上に、複数の炭素元素の線状構造体を形成する工程と、原子層蒸着法によって、前記線状構造体の各々を長手方向に覆う被覆層を形成する工程と、前記被覆層で覆われた前記線状構造体の間隙に充填層を形成する工程と、前記複数の炭素元素の線状構造体を、前記基板及び前記触媒金属膜から剥離する工程と、を有することを特徴とするシート状構造体の製造方法。付記10発熱体と、放熱体と、複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記複数の炭素元素の線状構造体を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた複数の炭素元素の線状構造体の間に設けられた充填層を含み、前記発熱体と前記放熱体の間に設けられた熱インターフェイス材料とを有する電子機器。付記11前記熱インターフェイス材料の前記複数の炭素元素の線状構造体は、その両方の端部において前記発熱体及び前記放熱体と、前記充填層を介することなく、結合していることを特徴とする付記10記載の電子機器。付記12複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記複数の炭素元素の線状構造体を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた複数の炭素元素の線状構造体の間に設けられたた充填層を含む熱インターフェイス材料を、発熱体と放熱体の間に、配置する工程と、前記発熱体と前記放熱体の間に荷重を加えながら前記熱インターフェイス材料を加熱することにより、前記充填層を融解させる工程と、前記熱インターフェイス材料を冷却することにより、前記充電層を固化させる工程とを有することを特徴とする電子機器の製造方法。