それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、を備え、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャ。それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、を備え、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャ。それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を備え、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャ。それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を備え、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から上記第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から上記第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャ。それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、を有し、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、オフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びにマイクロレンズの光学特性に基づき、各画素の光感度が最大限に高まるよう定められたイメージングシステム。それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、を有し、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、オフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに色フィルタエリアの光学特性に基づき、クロストークが最小限に抑えられるよう定められたイメージングシステム。それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を有し、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、オフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに開口の光学特性に基づき、漏洩光信号が最小限に抑えられるよう定められたイメージングシステム。それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を有し、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、マイクロレンズのオフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びにマイクロレンズの光学特性に基づき、各画素の光感度が最大限に高まるよう定められ、色フィルタエリアのオフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに色フィルタエリアの光学特性に基づき、クロストークが最小限に抑えられるよう定められ、開口のオフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに開口の光学特性に基づき、漏洩光信号が最小限に抑えられるよう定められたイメージングシステム。従って、イメージャにおいて、画素サイトの集光効率を下げることなく非テレセントリックレンズを利用できるようにすることが、望まれている。本発明の第1の構成に係るイメージャは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、を備え、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャである。本発明の第2の構成に係るイメージャは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、を備え、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャである。本発明の第3の構成に係るイメージャは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を備え、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャである。本発明の第4の構成に係るイメージャは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を備え、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点から第1の方向に沿いオフセットした位置となるよう、対応するフォトセンサの上方に配置されたイメージャである。本発明の第5の構成に係るイメージングシステムは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、を有し、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、オフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びにマイクロレンズの光学特性に基づき、各画素の光感度が最大限に高まるよう定められたイメージングシステムである。本発明の第6の構成に係るイメージングシステムは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、を有し、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、オフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに色フィルタエリアの光学特性に基づき、クロストークが最小限に抑えられるよう定められたイメージングシステムである。本発明の第7の構成に係るイメージングシステムは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を有し、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、オフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに開口の光学特性に基づき、漏洩光信号が最小限に抑えられるよう定められたイメージングシステムである。本発明のもう一つの構成に係るイメージングシステムは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイと、フォトセンサの二次元アレイの上方に配置された非テレセントリックレンズと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有するマイクロレンズの二次元アレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された二次元アレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する色フィルタエリアを複数個含む色フィルタアレイであってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された色フィルタアレイと、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており且つそれぞれ中心点を有する通過性の開口の層であってフォトセンサの二次元アレイの上方に配置された層と、を有し、マイクロレンズが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、色フィルタエリアが、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、開口が、その中心点の位置が対応するフォトセンサの中心点からオフセットした位置となるよう、またこのオフセットの幅及び方向がフォトセンサの二次元アレイ面に沿って空間的に変化するよう、対応するフォトセンサの上方に配置され、マイクロレンズのオフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びにマイクロレンズの光学特性に基づき、各画素の光感度が最大限に高まるよう定められ、色フィルタエリアのオフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに色フィルタエリアの光学特性に基づき、クロストークが最小限に抑えられるよう定められ、開口のオフセットの幅及び方向における空間的変化が、非テレセントリックレンズの光学特性、フォトセンサの二次元アレイの光学特性並びに開口の光学特性に基づき、漏洩光信号が最小限に抑えられるよう定められたイメージングシステムである。本発明は、様々なコンポーネント若しくはステップによって又はそれらの様々な配置乃至組合せによって、実現することができる。添付図面は好適な実施形態を説明するためのものであり、図面に基づき本発明を限定解釈してはならない。以下、本発明の好適な実施形態に関して説明する。但し、本発明を本願に記載の実施形態に限定する意図はないことを理解されたい。むしろ、添付した請求の範囲に記載の通り、本発明の技術的範囲及び神髄には、本願に記載の実施形態に対する代替物、変形物乃至均等物まで包含され得る。また、本発明を全般的に理解できるようにするため、以下の説明では図面を参照する。図中、同一の又は等価な構成要素に対しては一貫して同様の参照符号を付してある。また、本発明を示す図面における尺度乃至縮尺が均一ではないことに注意すべきであろう。即ち、本発明の特徴及び基本概念を適切に描き出すため、本発明に係る図面においては意図的に、特定領域を他の領域に対し拡大又は縮小して描いてある。先に述べたように、非テレセントリックレンズを用いると入射光が大きな角度で画素サイトに達するため、集光効率に悪い影響が生じ得る。図10に、非テレセントリックレンズを用いたイメージャの例を示す。この図に示した例においては、図示しない非テレセントリックレンズから到来しマイクロレンズ60に射突した光560が、マイクロレンズ60により合焦され、誘電体層410と、色フィルタエリア420、430及び440を含む色フィルタアレイ層とを通る。色フィルタアレイ層を通った光560は、もう一層の誘電体層を通り、フォトダイオード35が形成されている画素サイト30に入射する。また、この図に示した例では入射光560の角度が大きいため、マイクロレンズ60による光560の合焦位置は画素サイト30の隅部寄りに変位しており、従って集光効率はかなり低くなっている。この図において、画素サイト30の中心点乃至中心線375と、マイクロレンズ60の中心点乃至中心線605とが一致しており、両者の間に物理的なオフセットずれがないことに、注意されたい。レンズスポットの変位を補償するため、本発明の実施形態においては、マイクロレンズを逆方向に変位させることによって合焦スポットをフォトダイオード上に戻している。この実施形態を図11に示す。図11に示した実施形態においては、図示しない非テレセントリックレンズから到来しマイクロレンズ60に射突した光560が、変位即ちオフセットが施されているマイクロレンズ以下変位マイクロレンズとも呼ぶ。他の変位対象部分についても同様60により合焦され、誘電体層410と、色フィルタエリア420、430及び440を含む色フィルタアレイ層とを通る。色フィルタアレイ層を通った光560は、もう一層の誘電体層を通り、フォトダイオード35が形成されている画素サイト30に入射する。注記すべきことに、本実施形態においてはマイクロレンズ60を変位させてあるため、画素サイト30の中心点乃至中心線375と、マイクロレンズ60の中心点乃至中心線605とが、図10に示した例とは異なり一致しておらず、両者の間には物理的なオフセットがある。このようなオフセットが施されているため、本実施形態によれば、変位マイクロレンズ60により光560の多くの合焦位置をフォトダイオード35上へと変位させることができる。即ち、入射光560の角度が大きくても、変位マイクロレンズ60によってより多くの光560を画素サイト30のフォトダイオード35上へと変位、合焦させ、集光効率をかなりの程度高めることができる。また、図11に示した実施形態では、イメージセンサを用いて有色画像を再現するため、色フィルタを用いている。本発明のより好適な実施形態においては、マイクロレンズ60を変位させるのに加えて、マイクロレンズ60の下方にある色フィルタをも変位させることにより、主光線角が大きい場合に対処している。即ち、図11に示した例では色フィルタアレイCFAに対し適切な変位が施されていないため、変位マイクロレンズ60により集められた光560のうち一部分が、所期外の色フィルタを通ってしまっている。そこで、図12に示すように、マイクロレンズ60と同じやり方で且つマイクロレンズ60の光路高に対するフィルタの光路高の比率に応じた距離だけ、アレイに対し色フィルタを変位させる。このようにすれば、入射光560が所期外の部位を通ることによる混色効果を排除できる。図12に示した実施形態においては、図示しない非テレセントリックレンズから到来しマイクロレンズ60に射突した光560が変位マイクロレンズ60により合焦され、誘電体層410と、変位色フィルタエリア420、430及び440を含む変位色フィルタアレイ層と、を通る。変位色フィルタアレイ層を通った光560は、もう一層の誘電体層を通り、フォトダイオード35が形成されている画素サイト30に入射する。注記すべきことに、図中、375は画素サイト30の中心点乃至中心線であり、605はマイクロレンズ60の中心点乃至中心線であり、435はフォトダイオード35に関連付けられている色フィルタエリア430の中心点乃至中心線である。本実施形態においては、マイクロレンズ60を変位させてあるため、中心点375と中心点605とが、図10に示した例とは異なり一致しておらず、両者の間に物理的なオフセットがある。更に、本実施形態においては、色フィルタアレイの色フィルタエリア430をも変位させてあるため、中心点375と中心点435とが、図10に示した例や図11に示した例とは異なり一致しておらず、両者の間に物理的なオフセットがある。こういったオフセットが施されているため、本実施形態によれば、変位マイクロレンズ60によってより多くの光560をフォトダイオード35上へと変位、合焦させることができ、また変位色フィルタエリア430によって光560をフィルタリングすること即ち所期外の色フィルタを光560が通らないようにすることができる。即ち、入射光560の角度が大きくても、変位マイクロレンズ60によってより多くの光560を画素サイト30のフォトダイオード35上へと変位、合焦させることができ、また変位色フィルタエリア430によって光560をフィルタリングすること即ち所期外の色フィルタを光560が通らないようにすることができ、これらによって集光効率をかなりの程度高めることができる。また、マイクロレンズや色フィルタを変位させるという上述の技術はかなりの程度実効的であるけれども、散乱入射光の効果を補償するものではない。この光散乱が発生するのは、マイクロレンズの効率が100ではないためである。即ち、レンズ形成プロセスにおいて作り出されるのは通常はそのレンズ部分が円形になっている部材であるが、他方で画素は普通は正方形であるため、図13に示すように、画素エリアのうち面積でおよそ25程に達するエリアは、マイクロレンズの円形部分で覆われないエリアとなる。この図中、610はマイクロレンズ、620はその非合焦領域である。入射光のうちマイクロレンズ610により合焦されない光即ち非合焦光乃至漏洩光は、フォトダイオードに合焦する光路とは異なる光路をたどり、偶然にフォトダイオードをよぎることもある。マイクロレンズを変位させてあると、こういった漏洩光が別の間違った画素上に射突しやすいため、光学的クロストークや画素間混色が生じ得る。図14に、別の画素上に射突しており光学的クロストークや画素間混色をもたらすこの種の漏洩光の例を示す。図14に示すように、変位マイクロレンズ600を通った光は、誘電体層410並びに変位色フィルタエリア450、460及び470を通り、画素サイト30内のフォトダイオード35に射突する。しかしながら、マイクロレンズ600を迂回してしまい適切な画素サイト上に合焦しなくなる光も、生じ得る。即ち、図中に示したように、マイクロレンズ600を迂回した漏洩光が不適切にも変位色フィルタエリア460によりフィルタリングされ画素サイト301内のフォトダイオード351上に射突することがある。注記すべきことに、画素サイト301内のフォトダイオード351に対応する変位色フィルタエリアは470であって460ではない。このように不適切なフィルタリングが施されると、光学的クロストークや画素間混色が発生する。本発明の好適な実施形態においては、画素の形状乃至寸法と異なる形状乃至寸法の変位マイクロレンズによる非テレセントリックレンズの補償と同時に漏洩入射光の補償を実現するため、マイクロレンズの下にある不透明な例えば金属の開口を変位させるという手法でこの種の漏洩光発生状況に対策している。この開口は、CMOSイメージセンサプロセスにて形成される金属層のうち一番上の層等、適切な好ましくは不透明な層を用いれば形成できる。その層即ち開口層は、図16に示すように、マイクロレンズ600からの光が開口を通るよう、しかし開口周囲への非合焦入射光混色を発生させ得る光はブロックされるよう、配置形成する。このようにすることによって、マイクロレンズ600を通らなかった光のうちかなりの部分が金属その他による変位開口層によりブロックされるため、クロストークが最小限に抑えられ、その結果として、非合焦光が所期外の画素に達することが概ね防止され、混色が防止される。図15に、非変位マイクロレンズ60、スペーサ412、非変位色フィルタアレイ層480、プレーナ層413及び保護層414を有する典型的なイメージャ構造を示す。保護層414の下方には金属開口を有する開口層95があり、更に下方には信号をルーティングするための金属層97及び99がある。HM3は金属開口層95の高さ即ち画素サイト30と保護層414の間の距離であり、HMLは画素サイト30とマイクロレンズ60の間の距離である。この典型的な構造においては、先に述べた構造と同じく開口層95に変位が施されていないため、主光線角が広いときにマイクロレンズ600を通らずにやってくる光のうちかなりの部分を、開口層95ではブロックできない。ブロックできないとクロストークが生じ、非合焦光が所期外の画素に達して混色を発生させることとなる。図16に、本発明の一実施形態を示す。この実施形態にて設けられている金属その他の変位開口層950は、マイクロレンズ600を通っていない光のうちかなりの部分をブロックする。その結果、クロストークが最小限に抑えられ、非合焦光が所期外の画素に到達することを概ね防止でき、混色を防止できる。この図に示すイメージャは、変位マイクロレンズ600と、スペーサ412と、変位色フィルタアレイ層480とを有している。本実施形態における開口層950は、変位マイクロレンズ600を通らなかった光のうちのかなりの部分をブロックできるよう、変位されている。開口層950は、好ましくは金属開口層とする。本実施形態における金属層の変位のさせ方は、シリコン基板を基準としたマイクロレンズ600の高さに対する金属層の高さの比に従い対応するマイクロレンズ600の変位幅を案分して金属変位幅を導出することにより、決定することができる。即ち、図15と同様にシリコン基板からの金属開口層950の高さがHM3であり且つマイクロレンズ600の高さがHMLであるとし、更にマイクロレンズ600の変位幅がΔMLであるとすると、金属パターンにおける変位幅ΔM3はΔM3=HM3/HMLΔMLという式に従い計算することができる。なお、この計算においては、一番上の金属層を開口乃至遮蔽として想定しているが、金属等からなる他の層を開口乃至遮蔽として用いる場合にあっても同様の関係を適用することができる。また、図18に、変位のさせ方の例を俯瞰して示す。この図においては、マイクロレンズアレイ675が画素サイトアレイ678に対して変位乃至オフセットしており、また色フィルタアレイ層676及び開口層677が画素サイトアレイ678に対して変位乃至オフセットしている。注記すべきことに、画素アレイの中心部においては変位をゼロとすることが望ましい。即ち、非テレセントリックレンズの合焦面における主光線角の変化量は、当該非テレセントリックレンズの光軸からの距離の関数である。非テレセントリックレンズが有しているこのような特性に対応すべく、本発明のある実施形態に係るフォトセンサアレイにおいては、フォトセンサアレイ面における各マイクロレンズと対応するフォトセンサとの空間的オフセットの量を、当該非テレセントリックレンズの光軸に対して放射パターンをなすよう、マイクロレンズ毎に変えている。本発明のこの実施形態を、図19に示す。図19中、910はフォトセンサ900のアレイであり、930は対応するマイクロレンズ920のアレイである。対応するフォトセンサ900からの各マイクロレンズ920のオフセット量940は、図示しない非テレセントリックレンズの光軸からの放射方向距離の関数として与えられる非テレセントリックレンズの主光線角変化に応じて、変えてある。また、非テレセントリックレンズの光軸は、フォトセンサアレイ910の中心点950に一致させてある。注記すべきことに、一般的に言えば、フォトセンサアレイ910の中心点950をマイクロレンズの中心点やフォトセンサの中心点と一致させる必要はない。抑えるべき漏洩光の発生量に対しマイクロレンズの形状が大きな影響を与え得ることは、認識されるべきであろう。例えば、マイクロレンズの製造に当たり、レンズ素材上にレンズ部分の形状をパターニングし、円形のレンズ部分を得るためリフロー処理を施すものとする。パターニングした形状が八角形であれば、リフロー後に得られるレンズ部分の形状は円形に近くなる。円形レンズ部分の表面の曲率は、その表面のどの点においても即ちマイクロレンズの中心からどの方向を見ても同一である。これに対して、パターニングした形状が正方形である場合は、リフロー後に得られるレンズ部分の表面の曲率は、八角形パターニングの場合に比べ縦横方向と対角方向とで異なる値になりやすい。曲率におけるこのような偏差は、光線がどちらの方向から入射するかによって屈折角が異なる、という現象をもたらすものであり、この偏差が大きければ画素間クロストークが大きくなる。従って、画素間クロストークが少ないのは、正方形パターニングによるマイクロレンズではなく八角形パターニングによるマイクロレンズの方である。上述したように、本発明の実施形態によれば、入射光をイメージセンサ上へと精度よく合焦させることができ、それによって画素間クロストーク及び混色を抑制乃至排除できる。更に、マイクロレンズを変位させることにより、非テレセントリック撮像レンズを用いつつも良好な集光効率を実現できる。また、マイクロレンズの下方に色フィルタが配置されているイメージャにおいて、このモザイク状の色フィルタを変位させることにより、混色を抑制乃至排除できる。加えて、開口層を変位させること例えば金属層内の開口を変位させることにより、マイクロレンズ間基板ギャップ部分内に射突する光による散乱効果に起因したクロストークを低減でき、更に性能を向上させることができる。そして、正方形ではなく八角形のパターンからマイクロレンズを製造することにより、マイクロレンズ表面の曲率を均一化してクロストーク効果を最小化することができる。本発明の実施形態において変位のさせ方を好適に決めるために採用できる手法には、様々な手法がある。その一例としては、最適なマイクロレンズ変位幅を計算できるCODEVシミュレーションツールがある。このツールによるシミュレーションプロセスを実行するには、まずそれに先だって、シミュレーション条件を決定する幾つかの重要なパラメータを決めておく。決めておくべきパラメータには、マイクロレンズの曲率、マイクロレンズの高さ厚み及びサイズ直径、各誘電体層の厚み及び屈折率等がある。使用する非テレセントリックレンズにおける後側焦点距離、レンズ開口乃至絞り、対画像半径主光線角特性等も、シミュレーションに必要とされる。このシミュレーションの基本原理はレイトレーシングである。まず、ある方向に進んでいる光線が誘電体層と誘電体層との境界面にぶつかると、屈折によってその光線の進む方向が変わる。屈折後にその光線が進んでいく方向は、その光線の波長、誘電体層境界面の曲率、並びに接合部を挟んで両側にある両誘電体層における屈折率に応じて決まる。即ち、θ1を入射角、θ2を出射角屈折角、n1及びn2を両誘電体層における屈折率とすると、入射角θ1と出射角θ2の関係はスネルの法則n1sinθ1=n2sinθ2により決まる。光学系に対し様々な部位から様々な角度で入射する様々な光線について計算を行うことにより、その光学系の性能を評価乃至査定することができる。最適なマイクロレンズ変位幅を計算するプロセスにおいては、光線がまず撮像レンズによりセンサ表面上に合焦され、更にマイクロレンズにより再合焦される、と想定する。ここに、再合焦された光線を集光するにはセンサとマイクロレンズとがオフセットしていなければならないが、各部材のレイアウトやシリコン製造プロセスを考慮すれば、センサレイアウトをオフセットさせることよりもマイクロレンズレイアウトをオフセットさせることの方がずいぶん容易であることがわかる。本シミュレーションにおいては、入射瞳の中心及びマイクロレンズの中心を通る光線即ち主光線がシリコン表面にぶつかる位置に基づく推定によって、最適なオフセット幅変位幅が結果として得られる。図17に、主光線角の変化量が合焦面上における光軸からの距離に対して線形的に変化する場合について、シミュレーション結果、即ち画素位置に対するマイクロレンズオフセットの関係を示す。この図に示した例では画素位置に対するマイクロレンズオフセットの関係は近似的に良好な線形関係である。但し、このような関係が常に成り立つとは限らない。即ち、主光線角の変化量が、合焦面上における光軸からの距離の線形関数でない場合がある。まとめると、本発明に係るイメージャ乃至イメージングシステムは、それぞれ中心点を有するフォトセンサの二次元アレイを備える。本発明の好適な実施形態においては、フォトセンサの二次元アレイの上方に非テレセントリックレンズを配置する。フォトセンサの二次元アレイの上方には変位マイクロレンズの二次元アレイを配置する。各マイクロレンズとこれに対応するフォトセンサとの関係は、マイクロレンズの中心点が対応するフォトセンサの中心点に対してオフセットしている、という関係である。このオフセットは一次元的であってもよいし二次元的であってもよい。フォトセンサの二次元アレイの上方には変位色フィルタアレイを配置する。変位色フィルタアレイは、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられた複数の色フィルタエリアを含む。色フィルタエリアは、その色フィルタエリアの中心点が対応するフォトセンサの中心点からオフセットするよう、対応するフォトセンサの上方に配置する。このオフセットは一次元的であってもよいし二次元的であってもよい。そして、フォトセンサの二次元アレイの上方には、それぞれ対応するフォトセンサに関連付けられており中心点を有する通過性の変位開口の層を配置する。この開口は、その開口の中心点が対応するフォトセンサの中心点からオフセットするよう、対応するフォトセンサの上方に配置する。このオフセットは一次元的であってもよいし二次元的であってもよい。以上、本発明の実施形態乃至実施例に関し図示及び説明したが、本件技術分野における習熟者であれば理解できるように、本発明の神髄乃至技術的範囲は、本願中における個別的な記述及び図示事項によって限定されるものではなく、様々な変形例乃至変更例を包含する広がりを有するものである。