レーザ出射部と、レーザ光を導光する光ファイバと、前記レーザ出射部より出射されたレーザ光を前記光ファイバに集光する光学系を筐体内に備え、少なくとも前記筐体の内壁の一部に光および輻射熱を吸収する層を設けた半導体レーザ装置。前記筐体がレーザ出射部を保持する筐体本体と蓋部で構成され、前記蓋部に光および輻射熱を吸収する層を設けた請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記筐体内部より筐体外部へレーザ光を導光する光ファイバを保持するファイバガイド部を設け、前記ファイバガイドに光および輻射熱を吸収する層を設けた請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を吸収する層が400ナノメータから2500ナノメータの可視光から近赤外光までの吸収特性を有する請求項1から3に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を吸収する層が800ナノメータから1100ナノメータの近赤外光で吸収特性を有する請求項1から4に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を吸収する層が黒色のアルマイトである請求項1から5に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を吸収する層が黒色の金属メッキである請求項1から5に記載の半導体レーザ装置。レーザ出射部と、レーザ光を導光する光ファイバと、前記レーザ出射部より出射されたレーザ光を前記光ファイバに収光する光学系を筐体内に備え、少なくとも前記筐体の内壁の一部の表面積を大きくするための凹凸を設けた半導体レーザ装置。前記筐体がレーザ出射部を保持する筐体本体と蓋部で構成され、前記蓋部に表面積を大きくするための凹凸を設けた請求項8に記載の半導体レーザ装置。前記筐体内部より筐体外部へレーザ光を導光する光ファイバを保持するファイバガイド部を設け、前記ファイバガイドに表面積を大きくするための凹凸を設けた請求項8に記載の半導体レーザ装置。前記表面積を大きくするための凹凸をブラスト加工により設けた請求項8から10に記載の半導体レーザ装置。レーザ出射部と、レーザ光を導光する光ファイバと、前記レーザ出射部より出射されたレーザ光を前記光ファイバに収光する光学系を筐体内に備え、少なくとも前記筐体の内壁の一部の表面積を大きくするための凹凸を設けた請求項1から7に記載の半導体レーザ装置。前記筐体がレーザ出射部を保持する筐体本体と蓋部で構成され、前記蓋部に表面積を大きくするための凹凸を設けた請求項1から8に記載の半導体レーザ装置。前記筐体内部より筐体外部へレーザ光を導光する光ファイバを保持するファイバガイド部を設け、前記ファイバガイドに表面積を大きくするための凹凸を設けた請求項1から8に記載の半導体レーザ装置。前記表面積を大きくするための凹凸をブラスト加工により設けた請求項1から10に記載の半導体レーザ装置。レーザ出射部と、レーザ光を導光する光ファイバと、前記レーザ出射部より出射されたレーザ光を前記光ファイバに集光する光学系を筐体内に備え、少なくとも前記筐体の内壁の一部に光および輻射熱を透過する材料を設けた半導体レーザ装置。前記筐体がレーザ出射部を保持する筐体本体と蓋部で構成され、前記蓋部に光および輻射熱を透過する材料を設けた請求項16に記載の半導体レーザ装置。前記筐体内部より筐体外部へレーザ光を導光する光ファイバを保持するファイバガイド部を設け、前記ファイバガイドに光および輻射熱を透過する材料を設けた請求項16に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を透過する材料が400ナノメータから2500ナノメータの可視光から近赤外光までの透過特性を有する請求項16から18に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を透過する材料が800ナノメータから1100ナノメータの近赤外光で透過特性を有する請求項16から19に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を透過する材料がシリコンである請求項16から18に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を透過する材料がゲルマニウムである請求項16から18に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を透過する材料に反射防止膜を施した請求項16から22に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を透過する材料に400ナノメータから2500ナノメータの可視光から近赤外光までの透過特性を有する反射防止膜を施した請求項16から22に記載の半導体レーザ装置。前記光および輻射熱を透過する材料が800ナノメータから1100ナノメータの近赤外光で透過特性を有する反射防止膜を施した請求項16から22に記載の半導体レーザ装置。しかしながら、従来の半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子が高出力化するに伴い冷却能力が不足し、半導体レーザ素子の温度上昇による信頼性の低下、パッケージ内部の温度変化上昇に伴うロッドレンズの位置変動によるビーム品質の劣化等の課題を有していた。本発明は、これらの課題を解決する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明の半導体レーザ装置は、レーザ出射部と、レーザ光を導光する光ファイバと、前記レーザ出射部より出射されたレーザ光を前記光ファイバに集光する光学系を筐体内に備え、少なくとも前記筐体の内壁の一部に光および輻射熱を吸収する層を設けたものである。あるいは、レーザ出射部と、レーザ光を導光する光ファイバと、前記レーザ出射部より出射されたレーザ光を前記光ファイバに収光する光学系を筐体内に備え、少なくとも前記筐体の内壁の一部の表面積を大きくするための凹凸を設けたものである。あるいは、レーザ出射部と、レーザ光を導光する光ファイバと、前記レーザ出射部より出射されたレーザ光を前記光ファイバに集光する光学系を筐体内に備え、少なくとも前記筐体の内壁の一部に光および輻射熱を透過する材料を設けたものである。以上のごとく構成された本発明の半導体レーザ装置は、筐体の内壁にレーザ光および輻射熱を吸収する層を設けることで筐体内部の熱を効果的に外部に放熱することができ、その結果として筐体内部の温度上昇を抑制することができる。あるいは、筐体の内壁の表面積を大きくするための凹凸を設けることで筐体内部の熱を効果的に外部に放熱することができ、その結果として筐体内部の温度上昇を抑制することができる。あるいは、筐体の構成部品にレーザ光および輻射熱を透過する材料を用いることで筐体内部の熱を効果的に外部に放熱することができ、その結果として筐体内部の温度上昇を抑制することができる。これにより、半導体レーザ装置としての信頼性や品質を確保できるとともに、より高出力の半導体レーザ素子を搭載することが可能となり、またそれにともなって半導体レーザ装置を高出力化することもできる。実施の形態1図1において、1はレーザ光を出射する半導体レーザ素子、2は前記半導体レーザ素子1を冷却するヒートシンクで、3は前記ヒートシンク2上に電気的絶縁状態で固定設置された金属板である。なお、この実施形態では、半導体レーザ素子1をヒートシンク2の上面に直接取り付けているが、この両者間に導電性と、熱伝導性を兼ね備えた板を介在させ、半導体レーザ素子1をヒートシンク2の上面に間接的に取り付けても良い。また、4は前記半導体レーザ素子1と前記金属板3にボンディングされた金属ワイヤである。さらに、5は筐体の一例として用いた略箱形のパッケージで、底面と、外周側面を有し、上面は開口状態となっている。なお、この実施の形態では、パッケージ5の底面と外周側面を一体的な構造としているが、この両者間に気密性を確保するための部材を介在させ、底面と外周側面を分離できる構造であっても良い。次に、6は前記パッケージ5内部に電力を供給するための電極板、7は前記パッケージ5と電極板6を電気的に絶縁するための絶縁部材、8は前記金属板3と前記電極板6とを接続する金属部材である。さらに、9は前記半導体レーザ素子1から出射されたレーザ光、10は前記レーザ光9をコリメートするためのロッドレンズ、11は前記ロッドレンズ10によりコリメートされたレーザ光を前記パッケージ5の外に導光するための光ファイバを束ねたファイバアレイ、12は前記パッケージ5外部にレーザ光を導光するための光ファイバ、13は前記光ファイバ12を保持するファイバガイドである。また、14は前記パッケージ5の上面開口部を封止するための蓋、15は前記パッケージ5と前記蓋14間を気密封止するためのシール部材である。つまり、パッケージ5の上面開口部外周縁にシール部材15を装着し、その状態でシール部材15の上面を押しつぶしながら、パッケージ5の上面開口部に蓋14を装着すれば、パッケージ5と蓋14により構成された筐体内の気密が図れるものである。次に、16は前記ファイバガイド13と前記光ファイバ12を気密封止するためのシール材で、これもパッケージ5内の気密保持を図るものである。なお、この実施の形態では、パッケージ5と電極板6および絶縁部材7、そしてパッケージ5とファイバガイド13間にシール材等は記載されていないが気密封止構造となっている。17は前記半導体レーザ素子1から発せられる輻射熱、斜線部18は前記パッケージ5、ファイバガイド13および蓋14の内壁に施されたレーザ光および輻射熱吸収層である。以上のように構成された半導体レーザモジュールについて、その動作を説明する。電源装置の供給する電気入力は、パッケージ5からヒートシンク2を通り、半導体レーザ素子1のアノード側に、また電極板6から金属部材8、金属板3、金属ワイヤ4を通り、半導体レーザ素子1のカソード側に供給され、これにより、半導体レーザ素子1がレーザ光9を出射する。レーザ光9はロッドレンズ10によりコリメートされ、ファイバアレイ11に入射し、光ファイバ12を通してパッケージ5の外に導光され、固体レーザの励起光や直接加工光源として利用される。しかし光ファイバ12に入射しきれないレーザ光9は漏れ光としてパッケージ5内部に留まり、パッケージ5内部の部材を加熱したり、半導体レーザ素子1に電力が供給されると、レーザ発振するとともに、半導体レーザ素子1自体も発熱し輻射熱17も発生する。半導体レーザ素子1は温度が上昇するほど、レーザ発振効率が低下したり、寿命が短くなったりする。また半導体レーザモジュール内部の温度が上昇すると熱膨張によりロッドレンズ10およびファイバアレイ11の調芯位置が移動し、光ファイバ12を通して半導体レーザモジュール外部に導光されるレーザ光も減少する。そして半導体レーザモジュール外部に導光されるレーザ光が減少することにより、パッケージ5内部に留まるレーザ光が増加することになり、それがパッケージ5内部の温度を更に上昇させることになる。また、半導体レーザ素子1を高出力化すると、それにともない電気入力も増大するため前記発熱量および輻射熱17は増大することになる。そこで、本実施形態1では、パッケージ5内部に留まるレーザ光9の漏れ光や加熱された物体から放射される輻射熱をパッケージ5内部に留めないため、パッケージ5内壁にレーザ光および輻射熱吸収層18を設けることにより、速やかに熱を吸収しパッケージ5外部に放熱することにより、パッケージ5内部の温度上昇を抑制する構成としたものである。なおパッケージ内壁に設けるレーザ光および輻射熱吸収層18はパッケージ内壁の一部分でもかまわず、例えばファイバガイド13の内壁部や蓋14の内壁部のみであってもよい。なおパッケージ内壁に設けるレーザ光および輻射熱吸収層18は、例えば黒アルマイトや、黒色金属メッキのように、できるだけ薄くて、熱伝導率が大きい材料を用いる方がパッケージ5外部に熱を伝えるための熱抵抗が小さくなるためパッケージ内部の温度をより低減することができる。以上のように、本実施の形態1によれば、パッケージ5内部の漏れ光や輻射熱はレーザ光および輻射熱吸収層18に吸収され、パッケージ5外部に放熱されるので、パッケージ5内部の温度上昇を抑制することができるので、信頼性や品質が確保され、かつより高出力な半導体レーザ装置とすることができる。実施の形態2本実施の形態2において、実施の形態1と同様の箇所については同一の符号を付して詳細を簡略化する。図2において、20は内壁部に凹凸を設けた略箱形パッケージ、21はパッケージ内壁部に凹凸を設けたファイバガイド、22は内壁部に凹凸を設けた蓋である。本実施の形態2においてはパッケージ内壁に凹凸を設けることにより内壁の表面積が増大し、よりレーザ光の漏れ光や発熱体からの輻射熱が吸収されやすくなる。なおモジュール内壁に設ける凹凸はモジュール内壁の一部分でもかまわず、例えばファイバガイド21の内壁部や蓋22の内壁部のみであってもよい。なお、凹凸内壁に実施の形態1のようにレーザ光および輻射熱吸収層を設けることでより吸熱効果を増大させることができる。以上のように、本実施の形態2によれば、パッケージ20内部の漏れ光や輻射熱は内壁凹凸部に吸収されるので、パッケージ20内部の温度上昇を抑制することができるとともに、実施の形態1に示すように凹凸内壁部にレーザ光および輻射熱吸収層を設けることでより大きな温度低減効果を得ることができ、信頼性や品質が確保され、かつより高出力な半導体レーザ装置とすることができる。実施の形態3本実施の形態3において、実施の形態1および2と同様の箇所については同一の符号を付して詳細を簡略化する。図3において、斜線部30はパッケージ5、ファイバガイド13および蓋14の内壁に施されたレーザ光および輻射熱に対する反射防止膜ARコート、斜線部31はパッケージ5、ファイバガイド13および蓋14の外壁に施されたレーザ光および輻射熱に対する反射防止膜である。本実施の形態3が実施の形態1および2と異なる点は、半導体レーザ装置を構成するパッケージ5、ファイバガイド13および蓋14にレーザ光および輻射熱を透過する部材を使用することである。以下、本実施の形態3の特徴点について、説明する。図1で示した実施の形態1に示すような構成を用いる場合、レーザ光9の漏れ光や半導体レーザ素子1からの輻射熱17等の発熱体からの輻射熱はパッケージ5やファイバガイド13や蓋14により吸収されるが、それを吸収することにより、パッケージ5やファイバガイド13や蓋14自身が加熱される。しかし、本実施の形態3に示すようにレーザ光および輻射熱を透過する部材を用いれば、パッケージ5内部に熱が留まることなく、かつレーザ光および輻射熱が透過するため、パッケージ5、ファイバガイド13および蓋14自身も加熱されることがなく、よりパッケージ5内部の温度を低減させることができる。また、図3に示すようにパッケージ5内部および外部に反射防止膜を施すことでフレネル反射を防止できるため、より透過率を向上させることができる。なおレーザ光および輻射熱を透過する部材を用いるのは半導体レーザモジュール構成部品の一部分でもかまわず、例えばファイバガイド13の内壁部や蓋14のみであってもよい。なおレーザ光および輻射熱を透過する部材は、例えばシリコンやゲルマニウムのように、熱伝導率の大きい材料を用いる方が、半導体レーザ素子1の発熱等と外部に排熱しやすくなるためパッケージ5内部の温度をより低減することができる。なお図3ではパッケージ内壁および外壁に反射防止膜30および31を施しているが、どちらか片面に施すか、あるいは反射防止膜を施さなくても、ある程度の効果は期待できるとともに、部材のコストを安くすることができる。以上のように、本実施の形態3によれば、パッケージ5内部の漏れ光や輻射熱は透過部材を通って外部に排出されるので、パッケージ5内部の温度上昇を抑制することができるので、信頼性や品質が確保され、かつより高出力な半導体レーザ装置とすることができる。図4は横軸に半導体レーザ素子1への注入電流、縦軸にファイバアレイ11の温度を示したものである。図4の実線aはファイバガイド13がない場合、点線bはファイバガイド13に黒色層を設けていない場合アルミニウム生地、一点鎖線cはファイバガイド13に黒色層を設けた場合アルミニウムに黒アルマイト処理である。図4よりパッケージ5内部の気密状態を模した状態を再現するためにファイバガイド13を設けるとファイバアレイ11の温度は上昇するが、黒色層を設けると温度上昇を低減させることができることが分かる。これは黒色層を設けない場合、光ファイバ12に導光されなかった漏れ光がパッケージ5内部に戻りファイバアレイ11を加熱するのに対し、黒色層を設けると漏れ光が黒色層に吸収されパッケージ5外部に放熱されるためであると考えられる。またファイバガイド13を設けない場合が最もファイバアレイ11の温度上昇が低いのは、レーザ光9の漏れ光がパッケージ外部に透過するため、漏れ光により加熱される物体そのものが存在しないためであると考えられる。よって本実施の形態1から3はパッケージ内部の温度上昇を抑制する効果があるといえる。