活性層を、第1導電型のGaN基板の上方に堆積し、前記第1導電型とは異なる第2導電型のGaNからなる第1のガイド層を、前記活性層の上方に堆積し、AlN層を、前記第1のガイド層上に堆積し、開口部を、前記AlN層に形成し、前記第2導電型のIII族窒化物半導体からなる第1のクラッド層を、前記AlN層及び前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層上に、前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層上における成長開始時の第1の成長レートが前記AlN層上における成長開始時の第2の成長レートよりも大きくなるように形成し、前記第2導電型のコンタクト層を、前記第1のクラッド層上に形成する、半導体レーザの製造方法。前記第1のクラッド層の成長温度は、1100°C以上であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。前記第1のクラッド層の成長温度は、1100°C以上1200°C以下であることを特徴とする、請求項2に記載の半導体レーザの製造方法。前記第1の成長レートは、成長開始から一定時間を経過した後に、前記第2の成長レートと等しくなることを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。前記第1のクラッド層の成長レートは、0.5um/h以下であることを特徴とする、請求項4に記載の半導体レーザの製造方法。前記第1のクラッド層の成長レートは、0.2um/h以上0.5um/h以下であることを特徴とする、請求項5に記載の半導体レーザの製造方法。前記第1のクラッド層の成長レートは、0.5um/h以下であり、前記第1のクラッド層の成長温度は、1100°C以上であることを特徴とする、請求項4に記載の半導体レーザの製造方法。前記第1のクラッド層の成長レートは、0.2um/h以上0.5um/h以下であり、前記第1のクラッド層の成長温度は、1100°C以上1200°C以下であることを特徴とする、請求項7に記載の半導体レーザの製造方法。前記AlN層は、低温堆積緩衝層であり、前記AlN層の成長温度は、前記第1のクラッド層の成長温度よりも低いことを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。前記AlN層の成長温度は、400°Cであることを特徴とする、請求項9に記載の半導体レーザの製造方法。前記開口部以外の前記AlN層は、電流狭窄層として機能することを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。前記第1のクラッド層は、AlGaNからなることを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。前記コンタクト層は、GaNからなることを特徴とする、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。前記活性層の堆積に先立って、前記第1導電型の第2のクラッド層を、前記GaN基板上に堆積し、前記第1導電型の第2のガイド層を堆積することを特徴とする、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。前記第2のクラッド層はAlGaNからなり、前記第2のガイド層は、GaNからなることを特徴とする、請求項14に記載の半導体レーザの製造方法。第1導電型のGaN基板の上方に堆積された活性層と、前記活性層の上方に堆積され、前記第1導電型とは異なる第2導電型のGaNからなる第1のガイド層と、前記第1のガイド層上に堆積され、開口部を有する電流狭窄層と、前記電流狭窄層及び前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層上に堆積された前記第2導電型のIII族窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、前記第2導電型のコンタクト層と、を備え、前記第1のクラッド層及び前記コンタクト層は、前記電流狭窄層から当該コンタクト層の上面へ向かう貫通転位を有する、前記電流狭窄層の上方の第1の領域と、当該コンタクト層の上面における幅が前記開口部の幅よりも大きく、前記第1のガイド層から当該コンタクト層の上面へ向かう貫通転位が前記第1の領域よりも低密度で存在する、前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層の上方の第2の領域と、を備える、半導体レーザ。前記第2の領域は、前記コンタクト層の上面へ向かうに従って幅が大きくなることを特徴とする、請求項16に記載の半導体レーザ。前記第2の領域は、前記電流狭窄層上の前記第1の領域に乗り上げて形成されることを特徴とする、請求項17に記載の半導体レーザ。前記第1のクラッド層は、AlGaNからなることを特徴とする、請求項16乃至18のいずれか一項に記載の半導体レーザ。前記コンタクト層は、GaNからなることを特徴とする、請求項16乃至19のいずれか一項に記載の半導体レーザ。前記GaN基板と前記活性層との間で、前記GaN基板上に堆積された前記第1導電型の第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上に堆積された前記第1導電型の第2のガイド層と、を更に備えることを特徴とする、請求項16乃至20のいずれか一項に記載の半導体レーザ。前記第2のクラッド層はAlGaNからなり、前記第2のガイド層は、GaNからなることを特徴とする、請求項21に記載の半導体レーザ。活性層を、第1導電型のIII族窒化物半導体からなる基板の上に堆積し、前記第1導電型とは異なる第2導電型のIII族窒化物半導体からなるガイド層を、前記活性層の上に堆積し、前記ガイド層の上に、III族窒化物半導体からなる電流狭窄層を堆積し、前記電流狭窄層に前記ガイド層を露出させた開口部を形成し、前記電流狭窄層の上および前記電流狭窄層の前記開口部を埋設するように、第2導電型のIII族窒化物半導体からなるクラッド層を形成し、前記クラッド層上に、第2導電型のコンタクト層を形成し、前記クラッド層の形成工程では、前記開口部を介して露出した前記ガイド層上における成長開始時の第1の成長レートが、前記電流狭窄層上における成長開始時の第2の成長レートよりも大きくなるように形成し、前記電流狭窄層のバンドギャップは、前記クラッド層のバンドギャップよりも大きい、半導体レーザの製造方法。前記クラッド層は、Al組成比がxのAlxGa1-xNからなり、前記電流狭窄層は、前記クラッド層のAl組成比xよりも大きいAl組成比yのAlyGa1-yNからなることを特徴とする、請求項23に記載の半導体レーザの製造方法。前記ガイド層は、前記クラッド層よりもバンドギャップが狭い半導体層であることを特徴とする、請求項23又は24に記載の半導体レーザの製造方法。前記ガイド層はGaNからなることを特徴とする、請求項23乃至25のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。ところが、発明者が半導体レーザ300について検討を行ったところ、以下に示す問題点を見出した。具体的には、発明者は、インナーストライプ型の半導体レーザ300では、狭い開口部308aの幅よりもp型電極311のコンタクト幅を大きくできるが、実効的には狭い領域しかコンタクトとして機能していないことを見出した。半導体レーザ300において、電流狭窄層308上に結晶成長されたp型クラッド層309には、高い密度で転位が存在する。図5は、図4の点線枠320の内部を拡大した断面図である。図5に示すように、転位313が、電流狭窄層308の上部から上方に向けて、p型クラッド層309の中を伝播している。一方で、開口部308a直上の領域は、基板の転位密度を引き継いでいるため、電流狭窄層308直上の領域に比べて転位密度が低い。その結果、電流狭窄層308直上領域のp型クラッド層309は、開口部308a直上領域のp型クラッド層309と比べて、高抵抗となっている。そのため、低転位密度領域である開口部308a直上領域のp型クラッド層309が、主な電流経路として機能する。よって、p型電極311を開口部308aの幅より広く形成しても、実際にコンタクトとして機能する領域は開口部308aと同程度の領域のみである。その結果、インナーストライプ構造を採用しても、コンタクト抵抗の低減効果は充分ではない。本発明の一態様である半導体レーザの製造方法は、活性層を、第1導電型のGaN基板の上方に堆積し、前記第1導電型とは異なる第2導電型のGaNからなる第1のガイド層を、前記活性層の上方に堆積し、AlN層を、前記第1のガイド層上に堆積し、開口部を、前記AlN層に形成し、前記第2導電型のIII族窒化物半導体からなる第1のクラッド層を、前記AlN層及び前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層上に、前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層上における成長開始時の第1の成長レートが前記AlN層上における成長開始時の第2の成長レートよりも大きくなるように形成し、前記第2導電型のコンタクト層を、前記第1のクラッド層上に形成するものである。本半導体レーザの製造方法は、開口部上方の第1のクラッド層及びコンタクト層に低転位密度領域を形成し、低転位密度領域のコンタクト層上面における幅を、開口部における幅よりも大きくすることができる。これにより、半導体レーザのコンタクト抵抗を低減することができる。本発明の一態様である半導体レーザは、第1導電型のGaN基板の上方に堆積された活性層と、前記活性層の上方に堆積され、前記第1導電型とは異なる第2導電型のGaNからなる第1のガイド層と、前記第1のガイド層上に堆積され、開口部を有する電流狭窄層と、前記電流狭窄層及び前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層上に堆積された前記第2導電型のIII族窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、前記第2導電型のコンタクト層と、を備え、前記第1のクラッド層及び前記コンタクト層は、前記電流狭窄層から当該コンタクト層の上面へ向かう貫通転位を有する、前記電流狭窄層の上方の第1の領域と、当該コンタクト層の上面における幅が前記開口部の幅よりも大きく、前記第1のガイド層から当該コンタクト層の上面へ向かう貫通転位が前記第1の領域よりも低密度で存在する、前記開口部を介して露出した前記第1のガイド層の上方の第2の領域と、を備えるものである。本半導体レーザは、開口部上方の第1のクラッド層及びコンタクト層に低転位密度領域のコンタクト層上面における幅が、開口部における幅よりも大きい。これにより、半導体レーザのコンタクト抵抗を低減することができる。本発明の一態様である半導体レーザの製造方法は、活性層を、第1導電型のIII族窒化物半導体からなる基板の上に堆積し、前記第1導電型とは異なる第2導電型のIII族窒化物半導体からなるガイド層を、前記活性層の上に堆積し、前記ガイド層の上に、III族窒化物半導体からなる電流狭窄層を堆積し、前記電流狭窄層に前記ガイド層を露出させた開口部を形成し、前記電流狭窄層の上および前記電流狭窄層の前記開口部を埋設するように、第2導電型のIII族窒化物半導体からなる第1のクラッド層を形成し、前記第1のクラッド層上に、第2導電型のコンタクト層を形成し、前記クラッド層の形成工程では、前記開口部を介して露出した前記ガイド層上における成長開始時の第1の成長レートが、前記電流狭窄層上における成長開始時の第2の成長レートよりも大きくなるように形成し、前記電流狭窄層のバンドギャップは、前記クラッド層のバンドギャップよりも大きいものである。本半導体レーザの製造方法は、開口部上方のクラッド層及びコンタクト層に低転位密度領域を形成し、低転位密度領域のコンタクト層上面における幅を、開口部における幅よりも大きくすることができる。これにより、半導体レーザのコンタクト抵抗を低減することができる。本発明によれば、素子抵抗が低い半導体レーザの製造方法及び半導体レーザを提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。実施の形態1本発明の実施の形態1にかかる半導体レーザ100について説明する。図1は実施の形態1にかかる半導体レーザ100の構造を模式的に示す断面図である。半導体レーザ100は、n型GaN基板101上に、n型クラッド層102、n型GaNガイド層103、活性層104、p型GaNガイド層105、開口部106aが設けられた電流狭窄層106、p型クラッド層107、p型コンタクト層108が順に積層されている。p型コンタクト層108上にはp型電極109が形成され、n型GaN基板101の裏面にはn型電極110が形成されている。ここで、n型GaN基板101及びその上に積層される各層の具体例を示す。n型GaN基板101は、例えば、厚さ300μm、基板転位密度5×106cm-1のフリースタンディングGaN基板である。n型クラッド層102は、Siドープn型Al0.1Ga0.9Nからなり、Si濃度は4×1017cm-3、厚さは2μmである。n型GaNガイド層103は、Siドープn型GaNからなり、Si濃度は4×1017cm-3、厚さは0.1μmである。活性層104は、多重量子井戸MQW層からなる。本実施の形態では、活性層104として、3周期多重量子井戸層を用いている。活性層104は、In0.15Ga0.85Nからなる厚さ3nmの井戸層とIn0.01Ga0.99Nからなる厚さ4nmのバリア層とにより構成される。p型GaNガイド層105は、Mgドープp型GaNからなり、Mg濃度は2×1019cm-3、厚さは0.1μmである。p型クラッド層107は、Mgドープp型Al0.1Ga0.9Nからなり、Mg濃度は1×1019cm-3、厚さは0.5μmである。p型コンタクト層108は、Mgドープp型GaNからなり、Mg濃度は1×1020cm-3、厚さは0.02μmである。図2は、図1の点線枠120の内部を拡大した断面図である。図2に示すように、電流狭窄層106の上部から、p型クラッド層107及びp型コンタクト層108を通って、p型電極109に達する転位111が発生している。この転位111の密度は、n型GaN基板101及びn型GaN基板101の結晶情報を引き継いで形成された結晶成長層の転位密度に比べて、100倍以上の高密度である。なお、図1におけるn型クラッド層102、n型GaNガイド層103及び、活性層104及びp型GaNガイド層105が、n型GaN基板101の結晶情報を引き継いで形成された結晶成長層に相当する。ここで、開口部106aの直上領域を中心とするp型クラッド層107及びp型コンタクト層108を、低転位密度領域121と称する。電流狭窄層106の直上領域を中心とするp型クラッド層107及びp型コンタクト層108を、高転位密度領域122と称する。転位111は、p型クラッド層107において折れ曲がっている。そのため、p型コンタクト層108における低転位密度領域121の幅Wcは、開口部106aにおける低転位密度領域121の幅Wsよりも広くなっている。すなわち、低転位密度領域121は、開口部106a近傍において、高転位密度領域122の上方に乗り上がって存在している。続いて、半導体レーザ100の製造方法について説明する。図3A~図3Gは、半導体レーザ100の製造工程を模式的に示す断面図である。まず、n型GaN基板101を用意する。その後、例えば圧力300hPaの減圧MOVPE装置を用いて、n型GaN基板101上に、半導体層を積層する。この際、キャリアガスには、水素と窒素の混合ガスを用いる。また、Ga、Al、Inソースとして、それぞれトリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルインジウムTMIを用いる。n型ドーパントにはシランSiH4、p型ドーパントにはビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いる。n型GaN基板101を減圧MOVPE装置に投入後、NH3を供給しながらn型GaN基板101を昇温し、成長温度まで達した時点で結晶成長を開始する。これにより、n型クラッド層102、n型GaNガイド層103、活性層104及びp型GaNガイド層105を順に堆積する図3A。この場合の結晶成長の条件例を示す。GaN成長の条件は、基板温度は1080°C、TMG供給量は58μmol/min、NH3供給量は0.36mol/minである。AlGaN成長の条件は、基板温度は1080°C、TMA供給量は36μmol/min、TMG供給量は58μmol/min、NH3供給量は0.36mol/minである。活性層成長の条件は、基板温度は800°C、TMG供給量は8μmol/min、NH3供給量は0.36mol/minである。また、TMIn供給量は、井戸層成長時で48μmol/min、バリア層成長時で3μmol/minである。その後、電流狭窄層106を形成するため、低温AlN層112を堆積する。低温AlN層112の成長条件は、基板温度が400°C、TMAの供給量は36μmol/min、及びNH3の供給量は0.36mol/minである。堆積膜厚は0.1μmである。p型GaNガイド層105の成長後、基板温度を1080°Cから400°Cまで降下させて成長を開始し、低温AlN層112を堆積する図3B。次いで、低温AlN層112に開口部106aを形成する。具体的には、低温AlN層112上に厚さ100nmのSiO2酸化シリコン膜113を堆積する。そして、低温AlN層112にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィにより幅2μmの帯状パターンをレジスト114に形成する。なお、この帯状パターンの長手方向は、図3Cの紙面に対して垂直方向である。次いで、レジスト114をマスクとして、例えばバッファードフッ酸により、SiO2膜113をエッチングする。これにより、SiO2膜113に帯状の開口部106bが形成される図3C。そして、レジスト114を除去した後、SiO2膜113をマスクとしてウェットエッチングを行い、低温AlN層112をエッチングする。エッチング液には、例えばリン酸と硫酸とを体積比にして1:1の割合で混合した溶液を用いる。80°Cの温度に保持されたエッチング液により10間浸漬されることで、SiO2膜113でマスクされていない領域の低温AlN層112が除去される。その後、バッファードフッ酸によりマスクとして用いたSiO2膜113を除去し、開口部106aが形成される。なお、エッチングにより残存した低温AlN層112が、電流狭窄層106となる図3D。次いで、例えばMOVPE装置を用いて、p型クラッド層107及びp型コンタクト層108を堆積する。具体的には、NH3の供給量0.36mol/minにて、温度を1100°Cまで上昇させ、p型クラッド層107を堆積する。この際、p型クラッド層107の成長条件は、基板温度が1100°C、TMA供給量が6.3μmol/min、TMG供給量が10μmol/min、NH3供給量が0.36mol/minである。この場合、開口部106aのような電流狭窄層106が存在しない領域では、成長レートは0.4um/hとなる。そして、温度を1080°Cまで降下させて、p型コンタクト層108を堆積する。この際、p型コンタクト層108の成長条件は、基板温度が1080°C、TMG供給量が10μmol/min、NH3供給量が0.36mol/minである。このようにしてp型クラッド層107を形成すると、電流狭窄層106から上方に延びる転位111は屈曲し、高転位密度領域122に集中する。以下では、低転位密度領域121及び高転位密度領域122が形成される理由について述べる。低温AlN層からなる電流狭窄層106上の結晶成長は、いわゆる低温堆積緩衝層を用いた成長と同様である。この場合、まず電流狭窄層106の表面に六角錐状の微小な結晶成長核が形成され、この成長核同士が横方向成長によって合体することで平坦化し、平坦化後はステップフロー成長が行われる。一方、開口部106aにより露出したp型GaNガイド層105上では、成長開始直後からステップフロー成長が行われる。この際、電流狭窄層106表面に結晶成長核が形成されるまでは、電流狭窄層106の表面では原料が消費されない。そのため、開口部106aへの実効的な原料供給量が増加し、開口部106a上のp型クラッド層107の成長レートが高くなる。また、電流狭窄層106の表面において、結晶成長核が形成されてから平坦化されるまでは、横方向への成長にも原料が使用される。そのため、電流狭窄層106の表面における縦方向の成長レートは、ステップフロー成長に比べて低くなる。このため、成長初期においては、開口部106aの上方領域のp型クラッド層107aの成長レートは、電流狭窄層106の上方領域のp型クラッド層107bの成長レートよりも高くなる図3E。その後、成長開始から一定時間が経過すると、p型クラッド層107a及び107bの成長レートは等しい値で安定化する。開口部106a及び電流狭窄層106上での成長初期の成長レートの差は、横方向成長が起きやすい高い成長温度や、原料供給量の少ない低い成長レートの条件下で、より顕著になる。特に、p型クラッド層107の成長温度が1100°C以上、又は、安定化後のp型クラッド層107の成長レートが0.5um/h以下の場合、成長初期の成長レート差は非常に大きい。よって、電流狭窄層106上で成長核が形成されてステップフロー成長が開始されるまでに、開口部106aの上方領域のp型クラッド層107aが、電流狭窄層106の上方領域のp型クラッド層107bに対して、盛上るように形成される図3F。そのまま成長を続けると、開口部106aの上方領域のp型クラッド層107aは横方向へ成長を続ける。そのため、開口部106a近傍の電流狭窄層106上から発生した転位は、開口部106aから遠ざかる方向に屈曲する。その後、p型コンタクト層108を形成する図3G。その結果、図2に示すように、p型コンタクト層108における低転位密度領域121の幅Wcは、開口部106aにおける低転位密度領域121の幅Wsよりも広くなる。本実施の形態では、安定化後のp型クラッド層107の成長レートが低いほど、又はp型クラッド層107の成長温度が高いほど、p型コンタクト層108における低転位密度領域121の幅Wcは大きくなる。しかしながら、製造時間を考慮すると、成長レートは0.2~0.5um/hが好ましい。また、MOVPE装置のヒータ寿命を考慮すると、成長温度は1100~1200°Cが好ましい。その後、既知の技術を用いて、p型電極109及びn型電極110を形成する。具体的には、n型GaN基板101の裏面に、厚さ5nmのTiを真空蒸着し、その後厚さ20nmのAlを真空蒸着する。また、p型コンタクト層108上に、厚さ10nmのNiを真空蒸着し、その後厚さ10nmのAuを真空蒸着する。上述の真空蒸着後のウエハをRTA装置に投入して、600°C/30秒間のアロイを行い、オーミックコンタクトを形成する。その後、n型GaN基板101の裏面側のTi/Al層及びn型GaN基板101の表面側のNi/Au層上に、厚さ500nmのAuを真空蒸着する。これにより、p型電極109及びp型電極110が形成される。p型電極109及びp型電極110の形成後、例えばストライプに垂直な方向紙面垂直方向の素子長が500μmとなるように、ウエハを劈開し、半導体レーザ100を得ることができる。上述の製造方法により作製した半導体レーザ100の開口部106a近傍から厚さ50nmの試料を採取し、その試料を透過電子顕微鏡観察した。その結果、電流狭窄層106には1×1010~1×1012cm-2の高密度の転位が存在し、電流狭窄層106上のp型クラッド層107にも同程度の密度で電流狭窄層106上部から伝播する転位111が存在していた。また、開口部106a付近の電流狭窄層106上部から発生した転位111は、p型クラッド層107中を伝播中に開口部106aから遠ざかる方向に向かって屈曲していた。これにより、高転位密度領域122が形成されていた。一方、開口部106a上のp型クラッド層107、すなわち低転位密度領域121には、再成長界面であるp型GaNガイド層105の表面から導入される転位は存在しないことが判明した。また、本実施の形態では、n型GaN基板101として低転位密度5×106cm-1のフリースタンディングGaN基板を用いている。よって、低転位密度領域121にはn型GaN基板101から伝播する貫通転位が確率的に存在し得るが、本観察によっては観察されなかった。従って、上述の半導体レーザの製造方法によれば、電流狭窄層の開口部幅よりも広い実効コンタクト幅を有する半導体レーザを得ることができる。これにより、より低い素子抵抗を有する半導体レーザを提供することが可能となる。なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態1にかかる半導体レーザ100は、半導体レーザ300と同様に、活性層104とp型GaNガイド層105との間にキャップ層を有していてもよい。半導体レーザ100における半導体層、すなわち、n型GaN基板101、n型クラッド層102、n型GaNガイド層103、活性層104、p型GaNガイド層105、電流狭窄層106、p型クラッド層107及びp型コンタクト層108の元素組成比及び厚さは、例示に過ぎない。よって、半導体レーザ100が半導体レーザとして機能して本発明の作用効果を奏する限りは、元素組成比を適宜変更することが可能である。例えば、電流狭窄層106は、P型クラッド層107よりもバンドギャップが大きい層としてAlNの場合を例示したが、P型クラッド層107よりもAl組成比xの高いAlxGa1-xNとしてもよい。電流狭窄層106がP型クラッド層107よりもAl組成比の高いAlxGa1-xNであれば、電流狭窄層106のバンドギャップはP型クラッド層107よりも高くできる。なお、Al組成比が異なるAlxGa1-xNでは格子定数が異なるため、電流狭窄層106がAlNの場合と同様に転位密度の高い領域ができるという課題が発生する。しかし、この課題は、本発明の手法により、電流狭窄層106がAlNの場合と同様に解決できる。また、n型GaNガイド層103は、P型クラッド層107よりもバンドギャップが狭ければよく、例えば、n型GaNガイド層103の代わりに、P型クラッド層107よりもAl組成比が小さいAlxGa1-xNとしてもよい。n型クラッド層102、n型GaNガイド層103、p型GaNガイド層105、p型クラッド層107及びp型コンタクト層108のドーパントの種類及び濃度は例示に過ぎない。よって、半導体レーザ100が半導体レーザとして機能し本発明の作用効果を奏する限りは、ドーパントの種類及び濃度を適宜変更することが可能である。活性層の構造は3周期多重量子井戸構造に限られず、2又は3以上の多重量子井戸構造や単一量子井戸構造とすることが可能である。また、n型GaN基板101、n型クラッド層102、n型GaNガイド層103、p型GaNガイド層105、電流狭窄層106、p型クラッド層107及びp型コンタクト層108の導電型は、例示に過ぎない。従って、適宜導電型を入れ換える、すなわちp型とn型とを入れ換えることが可能である。