"熱電変換素子本体の表面に金属被膜を有する熱電変換素子であって、前記金属被膜が設けられる前記熱電変換素子本体の表面は凹凸に形成されており、前記凹凸における凹部の深さが5~25μmであり、且つ前記熱電変換素子本体の厚み方向断面において、前記熱電変換素子本体の幅方向20μmあたりに前記凹部の数が2~7形成されていることを特徴とする、熱電変換素子。前記熱電変換素子本体が少なくともBiを含む半導体であり、前記金属被膜が少なくともNiを含む、請求項1に記載の熱電変換素子。前記熱電変換素子本体はさらにTeを含む、請求項2に記載の熱電変換素子。しかしながら、本発明者らが鋭意検討の結果、単に熱電変換素子本体の表面に凹凸を有するのみでは、アンカー効果が得られたとしても、熱電変換素子本体は比較的脆いので、表面凹凸の形状によっては熱電変換素子本体の表層部にクラックが生じて密着力が低下することがあることを知見した。例えば、図3に示すように、熱電変換素子本体120表面の凹凸において凹部120aの数が多過ぎると、各凸部120bの頂部が細くなって強度が弱くなる。その結果、熱電変換素子本体120の表層部にクラックが入り易くなる。また、的確にアンカー効果を得るには、凹部120aの深さも重要であることを知見した。これに対し特許文献1では、熱電変換素子本体の表面粗さ及び金属被膜の膜厚を規定してアンカー効果による密着力の向上を図っているが、凹凸の形状、特に凹部の深さやその数については特に考慮していない。特許文献1では、熱電変換素子本体の表面粗さを0.1~5μmと規定しているが、この値から凹部の深さや数を逆算により導き出すことは不可能であり、凹凸の形状が具体的にどのようになっているかは不明である。したがって、特許文献1では確実に優れた密着力を担保できるとは言えない。そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、熱電変換素子本体表面の凹凸における凹部の深さや数を制御することで、熱電変換素子本体と金属被膜との優れた密着力が担保された熱電変換素子を提供することを目的とする。そのための手段として、本発明は熱電変換素子本体の表面に金属被膜を有する熱電変換素子であって、前記金属被膜が設けられる前記熱電変換素子本体は表面に凹凸が形成されている。そのうえで、当該凹凸における凹部の深さが5~25μmであり、且つ前記熱電変換素子本体の厚み方向断面において、前記熱電変換素子本体の幅方向20μmあたりに前記凹部の数が2~7形成されていることを特徴とする。なお、熱電変換素子本体とは、金属被膜を除いた熱電材料そのものを意味する。一方、熱電変換素子とは、熱電変換素子本体と金属被膜とを含む概念である。また、熱電変換素子本体表面の凹凸における凹部とは、当該熱電変換素子本体の表面から厚み方向内方側に窪んだ谷部分をいう。これに対し、隣り合う凹部の間の山部分を凸部という。また、凹部の深さとは、凸部の頂から凹部の底までの高さ寸法をいう。これによれば、凹凸における凹部の深さを5~25μmとすることで、的確にアンカー効果を得ることができ、熱電変換素子本体と金属被膜との根本的な密着力を向上することができる。さらに、熱電変換素子本体の厚み方向断面において、熱電変換素子本体の幅方向20μmあたりの凹部の数が2~7であれば、アンカー効果を確保しながら各凸部の頂部の強度低下を避けることができるので、優れた密着力を担保することができる。なお、本発明は、前記熱電変換素子本体が少なくともBiを含む半導体であることに対し、前記金属被膜が少なくともNiを含む場合が好適である。BiはNiメッキ液中で触媒毒となり、Niの還元反応を阻害する働きをするため、基本的にBiとNiとは馴染み濡れ性が悪い。したがって、Biを含む半導体の表面にNiを含む被膜を形成した場合、特にその密着力が課題となる。しかし、本発明によれば、熱電変換素子本体の表面に適切な形状の凹凸を形成して金属被膜との優れた密着力を担保できるので、従来から密着力の課題が大きかったBiを含む半導体の表面にNiを含む金属被膜を積層する場合において、その効果が大きい。少なくともBiを含む半導体としては、代表的にはさらにTeを含むBi-Te系の半導体が挙げられる。なお、本発明において数値範囲を示す○○~××とは、その下限及び上限を含む範囲を意味する。したがって、正確に表せば○○以上××以下となる。本発明によれば、熱電変換素子本体表面の凹凸における凹部の深さや数を制御することで、金属被膜との優れた密着力を担保することができる。以下に、本発明について詳細に説明する。本発明の熱電変換素子1は、図1に示すように、熱電変換素子本体10の表面に金属被膜20を有する。熱電変換素子本体10を構成する材料は、従来から公知の熱電変換材料を特に制限無く使用することができる。具体的には、Bi-Te系、Mg-Si系、Fe-Si系、Si-Ge系、Pb-Te系、Fe-V-Al系、カルコゲナイド系、スクッテルダイト系、フィルドスクッテルダイト系、炭化ホウ素系などの半導体や金属を例示できる。中でも、少なくともBiを必須成分として含む半導体が好ましい。具体的には、Bi及びTeを含むBi-Te系の半導体が挙げられる。現在実用化されている熱電変換材料の中でも、室温約20°C~200°C程度の低温域において優れた熱電変換性能を本来的に有しており、高い性能指数Zないし無次元性能指数ZTを期待できるからである。また、金属被膜がNiを含む場合に、本発明の効果が大きいからである。Bi-Te系の熱電変換材料としては、Bi2Te3などのようにBiとTeのみから成るものや、BiとTeの他に、Sb,Se,Al,Mn,Fe,Cr,Mo,Ga,Sn,Zn,P,Siなどが添加又は一部置換されたものが挙げられる。中でも、BiとTeの他に、SbやSeを含む熱電変換材料が好ましい。この場合の熱電変換材料は、A2B3型の金属間化合物となる。具体的には、Bi2Te3とSb2Te3の固溶体であるBixSb2xTe3x=0.1~0.6や、Bi2Te3とBi2Se3の固溶体であるBi2Te3xSexx=0.05~0.25などを例示できる。BixSb2xTe3はP型熱電変換材料となり、Bi2Te3xSexはN型熱電変換材料となる。また、金属間化合物を効率よく半導体化するために、I、Cl、Br等のハロゲン元素をドーパントとして添加することもできる。例えば、熱電変換材料の製造工程において、原料粉末に、AgI、CuBr、SbI3、SbCl3、SbBr3、HgBr2等から選ばれる1種又は2種以上の粉末を加えることにより、N型熱電変換材料とすることができる。これらドーパントの含有量を調整することで、熱電変換材料中のキャリア濃度を調整することができ、その結果、性能指数Zを高めることが可能となる。ハロゲン元素の含有量は、効率的な半導体化の点で、0.01~5重量程度、好ましくは0.05~4重量程度とすればよい。本発明の熱電変換素子本体10の製造方法は特に限定されることはなく、単結晶法や溶製法など公知の製造方法を使用することができる。例えば、各熱電変換材料粉末を所定の組成となるように混合してから、アーク溶解、ボールミル、又はメカニカルアロイングMAなどによって合金を作成した後に粉砕し、必要に応じて分級してから、原料粉末を一軸プレス成形、テープ成形法、熱間押し出し法等によって成形し、これを常圧焼結法、加圧焼結法、ホットプレス焼結法、高温等方圧プレスHIP焼結法等の焼結法、鍛造法等によって焼結体を製造することができる。そのうえで、熱電変換素子本体10の表面金属被膜20が形成される面には、図1に示すように、複数の凹部10a及び凸部10bからなる所定形状の凹凸が形成されている。具体的には、凹凸における凹部10aの深さdが5~25μm、好ましくは7~20μmとなっている。凹部10aの深さdが5μm未満では、金属被膜20において的確にアンカー効果を得難くなり、熱電変換素子本体10と金属被膜20との密着力が低下する。したがって、的確にアンカー効果を得るには、基本的には凹部10aの深さdはできるだけ深い方が好ましい。しかし、凹部10aの深さdが25μmを超えても、熱電変換素子本体10と金属被膜20との密着力が低下する傾向がる。これは、凹部10aの深さdが深くなるにつれて凹部10aの開口幅内径wも大きくなり、その結果各凸部10bの幅太さが小さくなって各凸部10bの強度が低下するためと考えられる。したがって、各凸部10bの強度の観点からは、凹部10aの開口幅wはできるだけ小さい方が好ましい。しかし、あまりに凹部10aの開口幅wが小さすぎても、的確にアンカー効果を得難くなる。したがって、凹部10aの開口幅wは0.1~1.2μm程度が好ましく、より好ましくは0.3~1.1μm程度、さらに好ましくは0.5~1.0μm程度である。また、凹部10aの数は、熱電変換素子本体10熱電変換素子1の厚み方向断面において、当該熱電変換素子本体10熱電変換素子1の幅方向20μmあたり2~7、好ましくは3~5の割合で存在している。平面的に見れば、20×20μmの単位面積あたり、凹部10aが4~49本、好ましくは9~25本存在していることになる。これにより、アンカー効果を確保しながら各凸部10bの強度低下を避けることができるので、優れた密着力を担保することができる。これに対し、凹部10aの数が幅方向20μmあたり1しかなければ、的確にアンカー効果を得られず、熱電変換素子本体10と金属被膜20との密着力が低下する。また、凹部10aの数が幅方向20μmあたり7を超えると、凹部10aが密に存在することになることで各凸部10bが細くなり、熱電変換素子本体10と金属被膜20との密着力が低下する。熱電変換素子本体10の表面へ所定形状の凹凸を形成する方法としては特に限定されないが、例えば機械切削や集束イオンビーム加工等によって所定深さの凹部10aを所定ピッチで形成する方法や、所定ピッチで複数の孔を有するマスクを用い、硫酸や塩酸等の酸によって部分的にエッチングすることで所定深さの凹部10aを所定ピッチで形成する方法などが挙げられる。なお、必須ではないが、凹部10aを形成する前に、熱電変換素子本体10の表面を研磨により極めて平坦にしておくことが好ましい。そのうえで、熱電変換素子本体10の表面には、導電性を有する金属被膜20が積層されている。金属被膜20としては、典型的にはNi被膜が挙げられるが、これにAu,Sn,Pt,Coから選ばれる1種又は2種以上を含むNi合金被膜でもよい。また、Ni被膜の上面に、Au,Sn,Pt又はCoからなる被膜を複数層積層することもできる。なお、金属被膜20は電極として機能する。金属被膜20の形成方法としては、電界メッキや無電界メッキ等のメッキ法、若しくはスパッタリング法、真空蒸着法、有機金属気相法MOCVD法、レーザアブレージョン法、イオンプレーティング法等の気相法を使用できる。中でも、簡単な設備で低コストに薄膜が得られるメッキ法を用いることが好ましい。金属被膜20の膜厚tは、1~30μm程度、好ましくは3~20μm程度、より好ましくは5~15μm程度とすればよい。なお、本発明において金属被膜20の膜厚tとは、熱電変換素子本体10表面の凹凸における凹部10aに金属被膜20が充填されていることを前提として、図1に示すように熱電変換素子本体10の表面よりも外方に堆積している厚みを意味する。ここで、特許文献1でも金属被膜の膜厚は上記と同等の数値で規定されているが、特許文献1では金属被膜の膜厚を凹部の底部からの厚みとして規定しているので、本発明と基準が異なる。すなわち、本発明では特許文献1における膜厚よりも大きくてもよい。従来の熱電変換素子では、一般的に金属被膜の膜厚はできるだけ小さい方が好ましいとされていた。これは、膜厚が大きいと応力が高くなる傾向にあるため、熱電変換素子本体が破断するおそれがあるからである。また、膜厚が大きいと金属被膜の材料コストも高くなる。これに対し本発明では、所定の凹凸に形成して各凸部の強度が向上しているため、金属被膜の膜厚が大きくなってもメッキ応力に耐えられるので、金属被膜の膜厚は従来よりも比較的大きくすることもできる。以下に、本発明の具体的な実施例について説明するが、これに限られることはない。試験用の熱電変換素子本体には、Bi-Te系の半導体であるBi0.5Sb1.5Te3を用いた。当該試験用の熱電変換素子本体の表面に、マスクエッチングによって表1に示すようなパターンで凹部が存在する凹凸を形成した。なお、表1に示す凹部の数は、熱電変換素子本体の厚み方向断面において、熱電変換素子本体の幅方向20μmあたりの数である。そのうえで、当該凹凸を形成した面に、電界メッキ法によって膜厚10μmのNi被膜を形成することで、各試料を作製した。次いで、各試料の表面にテープを接着した後、当該テープを手で剥がしたときの、金属被膜の剥離量を測定した。その結果も表1に示す。なお、金属被膜の剥離量は、熱電変換素子本体と金属被膜との密着力の指標となる。したがって、金属被膜の剥離量が少ないほど密着力が高いことになる。表1の結果から、試料1~3のように凹部の深さが浅いと、例え凹部の数が多くても優れた密着力剥離強度が得られなかった。特に、試料1,2のように凹部の数が多すぎると、密着力は全く担保されていなかった。また、試料4のように、凹部の深さがある程度あっても、凹部の数が1のみでは優れた密着力を担保できなかった。さらに、凹部が適度に存在していても、凹部の深さが深すぎると、やはり優れた密着力を担保できなかった。一方、試料5では金属皮膜の剥離量が少なく、試料6では金属被膜が殆ど剥離しておらず、優れた密着力が担保されていた。以上の結果から、熱電変換素子本体表面の凹凸における凹部の深さが5~25μmであり、且つ熱電変換素子本体の厚み方向断面において、熱電変換素子本体の幅方向20μmあたり谷の数を2~7とすることで、優れた密着力を担保できることがわかった。"