"下記一般式Iで表される繰り返し単位、及び下記一般式IIで表される繰り返し単位のうちの少なくとも一方を有する重合体と、下記一般式B1で表される化合物X1と、を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。一般式I及びIIにおいて、R1~R3は、各々独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、-S-R6基R6は置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。、又は、ヘテロ原子を2つ以上有する基を示す。lは0~5の整数を示す。mは0~5の整数を示す。nは0~5の整数を示す。R7及びR11は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。R8~R10は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、又はアルコキシ基を示す。Aは、-O-基、-NR12-基R12は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。を示す。Eは、置換基を有していてもよいメチレン基、アルキレン基、又はアリーレン基を示す。一般式B1において、R13は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を示す。Z-は、R15O-、R15COO-、R15SO3-、R15-N--SO2R16を示すR15及びR16は、それぞれ、1価の有機基を示す。。前記重合体が、更に、下記一般式2~6で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種を含有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。一般式2~6において、R31は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。R32及びR33は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を示す。Xは酸の作用により解離する酸不安定基を示す。Zはラクトン構造を有する置換基を示す。Jは水素原子、炭素数1~15のフルオロアルキル基、又は炭素数1~15のフルオロアルコール構造を含有する置換基を示す。前記重合体が、更に、下記一般式7~12で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種を含有する請求項1又は2に記載の感放射線性樹脂組成物。一般式7~12において、R31は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。Xは酸の作用により解離する酸不安定基を示す。Gは酸素原子又はカルボニルオキシ基-C=OO-を示す。しかしながら、上記ポジ型レジスト組成物等のいかなる組合せにおいても、超微細領域での、高感度、高解像性、良好なナノエッジラフネス低ラフネスは同時に満足できていないのが現状である。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV等の極遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は以下の通りである。[1]下記一般式Iで表される繰り返し単位、及び下記一般式IIで表される繰り返し単位のうちの少なくとも一方を有する重合体と、下記一般式B1で表される化合物X1と、を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。一般式I及びIIにおいて、R1~R3は、各々独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、-S-R6基R6は置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。、又は、ヘテロ原子を2つ以上有する基を示す。lは0~5の整数を示す。mは0~5の整数を示す。nは0~5の整数を示す。R7及びR11は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。R8~R10は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、又はアルコキシ基を示す。Aは、-O-基、-NR12-基R12は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。を示す。Eは、置換基を有していてもよいメチレン基、アルキレン基、又はアリーレン基を示す。一般式B1において、R13は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を示す。Z-は、R15O-、R15COO-、R15SO3-、R15-N--SO2R16を示すR15及びR16は、それぞれ、1価の有機基を示す。。[2]前記重合体が、更に、下記一般式2~6で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種を含有する前記[1]に記載の感放射線性樹脂組成物。一般式2~6において、R31は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。R32及びR33は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を示す。Xは酸の作用により解離する酸不安定基を示す。Zはラクトン構造を有する置換基を示す。Jは水素原子、炭素数1~15のフルオロアルキル基、又は炭素数1~15のフルオロアルコール構造を含有する置換基を示す。[3]前記重合体が、更に、下記一般式7~12で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種を含有する前記[1]又は[2]に記載の感放射線性樹脂組成物。一般式7~12において、R31は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。Xは酸の作用により解離する酸不安定基を示す。Gは酸素原子又はカルボニルオキシ基-C=OO-を示す。本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV等の極遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線に有効に感応し、ナノエッジラフネス、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型レジスト膜を成膜することができる。以下、本発明を詳細に説明する。[1]感放射線性樹脂組成物本発明の感放射線性樹脂組成物は、特定の重合体と、特定の化合物と、を含有することを特徴とする。[1-1]重合体A本発明の感放射線性樹脂組成物は、重合体成分として、下記一般式Iで表される繰り返し単位、及び下記一般式IIで表される繰り返し単位のうちの少なくとも一方を有する重合体以下、重合体Aともいう。を含有する。この重合体Aは、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体であって、酸の作用によりアルカリ易溶性となる重合体である。一般式I及びIIにおいて、R1~R3は、各々独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、-S-R6基R6は置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。、又は、ヘテロ原子を2つ以上有する基を示す。lは0~5の整数を示す。mは0~5の整数を示す。nは0~5の整数を示す。R7及びR11は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。R8~R10は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、又はアルコキシ基を示す。Aは、-O-基、-NR12-基R12は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。を示す。Eは、置換基を有していてもよいメチレン基、アルキレン基、又はアリーレン基を示す。一般式I及びIIのR1~R3におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記R1~R3におけるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数1~4のものが好ましい。上記R1~R3におけるシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数5~6のものが好ましい。上記R1~R3におけるアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数1~4のものが好ましい。尚、アルキル基、シクロアルキル基及びアルコキシ基の各々における1以上の水素原子は置換されていてもよい。具体的な置換基としては、例えば、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フェニル基、アセトキシ基、アルキル基、アルコキシ基等を挙げることができる。上記R1~R3の-S-R6基におけるR6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。また、上記R6のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、及び1-フェナントリル基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数6~12のものが好ましい。尚、R6のアルキル基及びアリール基の各々における1以上の水素原子は前述の置換基により置換されていてもよい。更に、上記R1~R3におけるヘテロ原子を2つ以上有する基は特に限定されないが、-OSO2-Rx、及び、-SO2-RxRxは、各々独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はアリール基を示す。のうちの少なくとも一方であることが好ましい。Rxが置換基を有する場合、ハロゲン原子が好ましい。ヘテロ原子を2つ以上有する基の具体例としては、例えば、下記式h1~h8で表される構造の基等を挙げることができる。これらのなかでも、h1、h2で表される基が好ましい。一般式I及びIIにおけるlは0~5の整数を示し、好ましくは0~2の整数である。また、mは0~5の整数を示し、好ましくは0~2の整数である。更に、nは0~5の整数を示し、好ましくは0~2の整数である。但し、この場合、上記l、m及びnの合計lmnが0~2であることが好ましい。一般式I及びIIのR7~R11におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記R7~R11におけるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数1~4のものが好ましい。また、このアルキル基における1以上の水素原子は前述の置換基により置換されていてもよい。上記R8~R10におけるアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数6~12のものが好ましい。上記R8~R10におけるアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数1~4のものが好ましい。尚、R8~R10におけるアラルキル基、及びアルコキシ基の各々における1以上の水素原子は前述の置換基により置換されていてもよい。一般式IIにおけるAの、-NR12-基におけるR12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数1~6のものが好ましい。また、上記R12のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、及び1-フェナントリル基等を挙げることができる。これらのなかでも、炭素数6~12のものが好ましい。尚、Aにおけるアルキル基、及びアリール基の各々における1以上の水素原子は前述の置換基により置換されていてもよい。一般式IIのEにおけるアルキレン基としては、例えば、エチレン基;1,3-プロピレン基、1,2-プロピレン基等のプロピレン基;テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数2~6のものが好ましい。上記置換基を有するメチレン基、アルキレン基としては、上記メチレン基又はアルキレン基の水素原子がフッ素原子で置換された基、炭素数1~3のアルキル基、炭素数1~3のフッ素化アルキル基で置換された基を挙げることができる。このような置換されたアルキレン基としては、1,1,2,2-テトラフルオロブチレン基、1,1,2-トリフルオロブチレン基、1,1-ジフルオロ-2-トリフルオロメチルエチレン基を挙げることができる。上記Eのアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、メチルフェニレン、エチルフェニレン、クロロフェニレン基、ブロモフェニレン基、フルオロフェニレン基等が挙げられる。これらのなかでも、炭素数6~12のものが好ましい。また、上記繰り返し単位I及びIIは、それぞれ、例えば、下記一般式I-m及びII-mで表される化合物を単量体として用いることにより得ることができる。一般式I-m及びII-mにおいて、R1~R3は、各々独立に、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、-S-R6基R6は置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。、又は、ヘテロ原子を2つ以上有する基を示す。lは0~5の整数を示す。mは0~5の整数を示す。nは0~5の整数を示す。R7及びR11は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。R8~R10は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、又はアルコキシ基を示す。Aは、-O-基、-NR12-基R12は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又はアリール基を示す。を示す。Eは、置換基を有していてもよいメチレン基、アルキレン基、又はアリーレン基を示す。尚、一般式I-m及びII-mにおけるR1~R3、R7~R11、l、m、n、A及びEは、上記一般式I及びIIにおけるR1~R3、R7~R11、l、m、n、A及びEと同義である。式I-m及びII-mで表される具体的な単量体としては、例えば、式I-1~I-8で表される化合物、及び式II-1~II-23で表される化合物等が挙げられる。一般式I-mで表される単量体は、例えば、下記反応式で表されるように、一般式Yで表される化合物と一般式YYで表される化合物とを塩化メチレン/水混合溶媒中反応させることにより製造することができる。また、一般式II-mで表される単量体は、例えば、下記反応式で表されるように、一般式Xで表される化合物と一般式XXで表される化合物とを塩化メチレン/水混合溶媒中反応させることにより製造することができる。尚、一般式Y、YY、I-m、X、XX及びII-mにおけるR1~R3、R7~R11、l、m、n、A及びEは、上記一般式I及びIIにおけるR1~R3、R7~R11、l、m、n、A及びEと同義である。尚、重合体Aにおいて、繰り返し単位I及びIIは、それぞれ、1種のみ含まれていてもよいし、2種以上含まれていてもよい。また、本発明における重合体Aは、上記繰り返し単位I、繰り返し単位II以外に、下記一般式2~6で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位2~6という。のうちの少なくとも1種を更に含んでいてもよい。一般式2~6において、R31は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。R32及びR33は、それぞれ独立に、水素原子又はヒドロキシ基を示す。Xは酸の作用により解離する酸不安定基を示す。Zはラクトン構造を有する置換基を示す。Jは水素原子、炭素数1~15のフルオロアルキル基、又は炭素数1~15のフルオロアルコール構造を含有する置換基を示す。上記重合体Aが、繰り返し単位2を含有する場合、酸の作用で分解してカルボン酸を発生し、アルカリ可溶性となる重合体となる。一般式2におけるXの酸不安定基は特に限定されないが、具体的には、下記一般式L1~L5で示される基、炭素数4~20好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。ここで、破線は結合手を示す以下、同様。一般式L1において、RL01及びRL02は、各々独立に、水素原子、又は炭素数1~18好ましくは1~10の直鎖状、分岐状若しくは脂環式炭化水素基を示す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が例示できる。また、RL03は、炭素数1~18好ましくは1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示す。例えば、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらのアルキル基における水素原子の一部がヒドロキシ基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたもの等を挙げることができる。具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。また、一般式L1における、RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03はそれぞれメチレン基又は炭素数2~18好ましくは2~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。一般式L2において、RL04は炭素数4~20好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基、又は上記一般式L1で示される基を示す。三級アルキル基としては、具体的には、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基等が例示できる。トリアルキルシリル基としては、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示できる。オキソアルキル基としては、具体的には、3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。また、yは1~6の整数である。一般式L3において、RL05は炭素数1~8の置換されていてもよい直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示す。置換されていてもよいアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は、これらのアルキル基における水素原子の一部がヒドロキシ基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。置換されていてもよいアリール基としては、具体的には、フェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。また、mは0又は1であり、nは0~3の整数であり、2≦2mn≦3を満たす。一般式L4において、RL06は炭素数1~8の置換されていてもよい直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示す。具体的には、RL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の一価の炭化水素基を示す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、又は、これらのアルキル基における水素原子の一部がヒドロキシ基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16はそれらの2個が互いに結合してそれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合にはその結合に関与するものは炭素数1~15の二価の炭化水素基を示し、具体的には上記一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。一般式L5において、各RL51はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の一価の炭化水素基を示す。具体的には、RL07と同様のもの等が例示できる。ここで、上記一般式L1で示される酸不安定基としては、具体的には、下記の基が例示できる。上記一般式L1で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的には、テトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が例示できる。上記一般式L2で示される酸不安定基としては、具体的には、tert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。上記一般式L3で示される酸不安定基としては、具体的には、1-メチルシクロペンチル、1-エチルシクロペンチル、1-n-プロピルシクロペンチル、1-イソプロピルシクロペンチル、1-n-ブチルシクロペンチル、1-sec-ブチルシクロペンチル、1-シクロヘキシルシクロペンチル、1-4-メトキシ-n-ブチルシクロペンチル、1-メチルシクロヘキシル、1-エチルシクロヘキシル、3-メチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-エチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-メチル-1-シクロヘキセン-3-イル、3-エチル-1-シクロヘキセン-3-イル等が例示できる。上記一般式L4で示される酸不安定基としては、下記式L4-1~L4-4で示される基が特に好ましい。上記一般式L4-1~L4-4における破線は結合位置及び結合方向を示す。RL41はそれぞれ独立に、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基を示す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。上記式L4で示される酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。上記一般式L5で示される酸不安定基としては、具体的には、2-メチルアダマンタン-2-イル、2-エチルアダマンタン-2-イル、2-n-プロピルアダマンタン-2-イル、2-イソプロピルアダマンタン-2-イル、2-n-ブチルアダマンタン-2-イル、2-sec-ブチルアダマンタン-2-イル、2-4-メトキシ-n-ブチルアダマンタン-2-イル等が例示できる。また、一般式2のXにおける酸不安定基の炭素数4~20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基としては、具体的には、上記RL04で挙げたものと同様のもの等が例示できる。ここで、上記一般式2で表される具体的な繰り返し単位としては、下記のものを例示できる。また、上記一般式3で表される具体的な繰り返し単位としては、下記のものを例示できる。また、上記一般式4で表される具体的な繰り返し単位としては、下記のものを例示できる。また、上記一般式5で表される具体的な繰り返し単位としては、下記のものを例示できる。また、上記一般式6で表される具体的な繰り返し単位としては、下記のものを例示できる。また、本発明における重合体Aは、上記繰り返し単位I、繰り返し単位II以外に、下記一般式7~12で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位7~12という。のうちの少なくとも1種を更に含んでいてもよい。尚、重合体Aが、繰り返し単位7~12のうちの少なくとも1種を含んでいる場合、重合体Aは、上記繰り返し単位1~6のうちの少なくとも1種を更に含んでいてもよい。一般式7~12において、R31は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。Xは酸の作用により解離する酸不安定基を示す。Gは酸素原子又はカルボニルオキシ基-C=OO-を示す。重合体Aが、繰り返し単位7を含有する場合、酸の作用で分解してフェノール性水酸基及び/又はカルボン酸を発生し、アルカリ可溶性となる重合体を与える。酸不安定基Xとしては種々用いることができるが、具体的には上述した一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。上記一般式7で表される具体的な繰り返し単位としては、下記のものを例示できる。上記繰り返し単位10におけるヒドロキシナフタレンの置換位置、及びヒドロキシナフタレンにおけるヒドロキシ基の置換位置は各々任意であるが、この繰り返し単位10は、6-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレンや、4-ヒドロキシ-1-ビニルナフタレン等に由来することが好ましい。特に、6-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレンに由来するものが好ましい。また、本発明における重合体Aには、上記以外の炭素-炭素二重結合を含有する単量体から得られる繰り返し単位、例えば、メタクリル酸メチル、クロトン酸メチル、マレイン酸ジメチル、イタコン酸ジメチル等の置換アクリル酸エステル類、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸、ノルボルネン、ノルボルネン誘導体、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン誘導体、ノルボルナジエン類等の環状オレフィン類、無水イタコン酸等の不飽和酸無水物、アセナフチレン、ビニルナフタレン、その他の単量体から得られる繰り返し単位が含まれていてもよい。本発明の重合体Aにおける上記繰り返し単位I及びIIの含有量の合計は、重合体Aにおける全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、1モル以上であることが好ましく、より好ましくは1~20モル、更に好ましくは2~15モルである。この含有量が1モル以上であると、良好な感度が得られるという観点から好ましい。上記繰り返し単位2の含有量は、重合体Aにおける全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、10~70モルであることが好ましく、より好ましくは20~60モルである。この含有量が上記範囲である場合には、ナノエッジラフネスに優れるものとすることができる。上記繰り返し単位3~6の含有量の合計は、重合体Aにおける全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、5~99モルであることが好ましく、より好ましくは30~98モル、更に好ましくは40~98モルである。この含有量が5モル以上である場合には、ナノエッジラフネスに優れるものとすることができる。上記繰り返し単位7~12の含有量の合計は、重合体Aにおける全繰り返し単位の合計を100モルとした場合に、5~99モルであることが好ましく、より好ましくは5~90モル、更に好ましくは10~80モルである。この含有量が5モル以上である場合には、ナノエッジラフネスに優れるものとすることができる。本発明における重合体Aの合成方法は特に限定されないが、例えば、公知のラジカル重合又はアニオン重合により得ることができる。また、他の繰り返し単位における側鎖のヒドロキシスチレン単位は、得られた重合体Aを有機溶媒中で塩基又は酸の存在下でアセトキシ基等の加水分解を行なうことにより得ることができる。上記ラジカル重合は、例えば、窒素雰囲気下、適当な有機溶媒中で、ラジカル重合開始剤の存在下において、上記化合物I-mやII-m等の必要な単量体を攪拌し、加熱することにより実施することができる。尚、上記重合体Aの合成においては、重合開始剤を用いずに、加熱により重合反応を行なうこと、並びに、カチオン重合を行なうことも可能である。また、上記重合や上記加水分解に用いられる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン等のケトン類;ジエチルエーテル、テトラヒドロフランTHF等のエーテル類;メタノール、エタノール、プロパノール、等のアルコール類;ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;クロロホルム、ブロモホルム、塩化メチレン、臭化メチレン、四塩化炭素等のハロゲン化アルキル類;酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、セロソルブ類等のエステル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロアミド等の非プロトン性極性溶剤類等が挙げられる。これらのなかでも、アセトン、メチルアミルケトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、プロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が好ましい。上記重合体Aの、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCで測定したポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwともいうは、2000~100000であることが好ましく、より好ましくは2000~40000、更に好ましくは2000~25000である。また、重合体AのMwと、GPCで測定したポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnともいうとの比Mw/Mnは、通常1~5であり、より好ましくは1~3、更に好ましくは1~2.5である。本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記重合体Aを含んでいるため、感度に優れる。このような観点から、この感放射線性樹脂組成物は、リソグラフィープロセスにおいて、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV等の極遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線に有効に感応し、低ラフネスであり、感度及び解像度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成することができる化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜可能なものである。[1-2]感光性塩基性化合物本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記重合体A以外に、下記一般式B1で表される感光性塩基性化合物以下、化合物X1ともいう。を含有する。感光性塩基性化合物光崩壊性塩基性化合物は、露光領域では分解して塩基性を失い、未露光部では分解せずにそのまま残る成分である。このような感光性塩基性化合物は、非感光性の塩基性化合物に比べて、露光部即ち、露光領域に発生する酸を有効活用することができ、未露光部では過剰な酸の作用を抑制することができるため、ナノエッジラフネス、解像性を向上させることができる。一般式B1において、R13は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を示す。Z-は、R15O-、R15COO-、R15SO3-、R15-N--SO2R16を示すR15及びR16は、それぞれ、1価の有機基を示す。。上記一般式B1におけるR13における上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記一般式B1におけるR13における1価の有機基としては、例えば、置換基を有してもよい炭素数1~10のアルキル基、又は置換基を有してもよい脂環式炭化水素基等が挙げられる。上記置換基を有してもよい炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。尚、このアルキル基は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子等、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、t-ブトキシ基等、アルキルオキシカルボニル基t-ブトキシカルボニルメチルオキシ基等等の置換基により置換されていてもよい。また、上記置換基を有してもよい脂環式炭化水素基としては、炭素数5~25の脂環式炭化水素基等が挙げられる。具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。尚、この脂環式炭化水素基は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子等、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、t-ブトキシ基等、アルキルオキシカルボニル基t-ブトキシカルボニルメチルオキシ基等等の置換基により置換されていてもよい。これらのなかでも、上記R13は、水素原子、tert-ブチル基であることが好ましい。尚、上記式B1において、R13は、全て同一であってもよいし、一部又は全てが異なっていてもよい。上記一般式B1における各Z-は、それぞれ、R15O-、R15COO-、R15SO3-、R15-N--SO2R16である。上記R15の1価の有機基としては、例えば、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい脂環式炭化水素基、置換基を有してもよいアリール基を挙げることができる。また、上記R16の1価の有機基としては、例えば、置換基を有してもよいフッ素化アルキル基、置換基を有してもよいフッ素化脂環式炭化水素基、置換基を有してもよいフッ素化アリール基を挙げることができる。特に、上記Z-としては、CH3COO-、及び下記式で表される化合物Z-1~Z-6であることが好ましい。尚、化合物X1は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記化合物X1以外に、他の感光性塩基性化合物を含有していてもよい。具体的な他の感光性塩基性化合物としては、下記一般式B2で表される化合物以下、化合物X2ともいう。等が挙げられる。一般式B2において、R14は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基である。Z-は、R15O-、R15COO-、R15SO3-、R15-N--SO2R16を示すR15及びR16は、それぞれ、1価の有機基を示す。。上記一般式B2における、R14のハロゲン原子、1価の有機基及びZ-については、上記一般式B1におけるR13及びZ-の説明をそのまま適用することができる。尚、R14は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、上記化合物X2は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記化合物X1の配合量は、重合体A100質量部に対して、1~50質量部であることが好ましく、より好ましくは1~35質量部、更に好ましくは1~20質量部である。この化合物X1の配合量が上記範囲にあると、形成したレジスト膜の適正な感度や露光部の現像性を確保することができ、良好なパターン形状や寸法忠実度が得られる。また、上記化合物X2の配合量は、重合体A100質量部に対して、50質量部以下であることが好ましく、より好ましくは1~35質量部である。[1-3]酸拡散制御剤B本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記重合体A以外に、酸拡散制御剤Bを更に含有することが好ましい。酸拡散制御剤Bは、露光により重合体Aから生じる酸の、レジスト膜レジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。本発明の感放射線性樹脂組成物においては、この酸拡散制御剤Bが配合されることにより、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上すると共に、形成されるレジスト膜の解像度を十分に向上させることができる。更には、露光後から露光後の加熱処理までの引き置き時間PEDの変動に起因するレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性樹脂組成物が得られる。上記酸拡散制御剤Bとしては、例えば、含窒素有機化合物が挙げられる。上記含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式iで表される化合物以下、含窒素化合物iという、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物iiという、窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体以下、これらをまとめて含窒素化合物iiiという、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。一般式iにおいて、各R17は、相互に独立に、水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。上記含窒素化合物iとしては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;トリエタノールアミン等の置換アルキルアミン;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、2,4,6-トリ-tert-ブチル-N-メチルアニリン、N-フェニルジエタノールアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類が好ましい。上記含窒素化合物iiとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’,N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が好ましい。上記含窒素化合物iiiとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等が好ましい。上記アミド基含有化合物としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が好ましい。上記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が好ましい。上記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチル-1H-イミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン、アクリジン、2,2’:6’,2’’-ターピリジン等のピリジン類;ピペラジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が好ましい。尚、上記酸拡散制御剤Bは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、酸拡散制御剤Bの配合量は、重合体A100質量部に対して、15質量部以下であることが好ましく、より好ましくは0.001~10質量部、更に好ましくは0.005~5質量部である。この酸拡散制御剤Bの配合量が15質量部を超えると、形成したレジスト膜の感度や露光部の現像性が低下するおそれがある。[1-4]感放射線性酸発生剤本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記重合体A以外に、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する他の酸発生化合物を含有していてもよい。本発明における重合体A中の上記繰り返し単位I及びIIの合計と、他の酸発生化合物との比率は、モル比で100/0~20/80、好ましくは100/0~40/60、更に好ましくは100/0~50/50である。他の酸発生化合物としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、或いはマイクロレジスト等に使用されている公知の光により酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。上記活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する他の酸発生化合物の中で、特に有効に用いられるものについて以下に説明する。1トリハロメチル基が置換した下記一般式PAG1で表されるオキサゾール誘導体又は一般式PAG2で表されるS-トリアジン誘導体。式中、R201は置換若しくは未置換のアリール基、アルケニル基、R202は置換若しくは未置換のアリール基、アルケニル基、アルキル基、-CY3を示す。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。2下記の一般式PAG3で表されるヨードニウム塩、又は一般式PAG4で表されるスルホニウム塩。式中、Ar1、Ar2は各々独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。ここで、好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカプト基及びハロゲン原子が挙げられる。R203、R204、R205は各々独立に、置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数6~14のアリール基、炭素数1~8のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数1~8のアルコキシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。Z-は対アニオンを示し、CF3SO3-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオンを示す。また、R203、R204、R205のうちの2つ及びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して結合してもよい。一般式PAG3、PAG4で示される上記オニウム塩は公知であり、例えば、J.W.Knapczyketal,J.Am.Chem.Soc.,91,1451969、A.L.Maycoketal,J.Org.Chem.,35,2532,1970、E.Goethasetal,Bull.Soc.Chem.Belg.,73,546,1964、H.M.Leicester、J.Ame.Chem.Soc.,51,35871929、J.V.Crivelloetal,J.Polym.Chem.Ed.,18,26771980、米国特許第2,807,648号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の方法により合成することができる。3下記一般式PAG5で表されるジスルホン誘導体又は一般式PAG6で表されるイミノスルホネート誘導体。式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。R206は置換若しくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換若しくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。[1-5]その他の成分本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、更に、フッ素含有重合体、脂環式骨格含有化合物、染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させるフェノール性OH基を2個以上有する化合物等を含有させることができる。<フッ素原子含有重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子含有重合体但し、[A]重合体を除く。を含有していてもよい。当該感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト被膜を形成した際に、フッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト被膜表層に偏在化する傾向があるため、液浸露光時において、膜中の酸発生剤や酸拡散制御剤等の液浸媒体への溶出を抑制することができる。[1-6]溶剤溶剤としては、感放射線性樹脂組成物の成分を溶解可能な溶剤であれば特に限定されない。例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒、炭化水素系溶媒等を用いることができる。アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-i-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-i-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えば、N,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えば、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えば、n-ペンタン、i-ペンタン、n-ヘキサン、i-ヘキサン、n-ヘプタン、i-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、i-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、i-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、i-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-i-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの有機溶媒は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記溶媒には界面活性剤を加えることもできる。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ-ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF303、EF352新秋田化成株製、メガファックF171、F173大日本インキ株製、フロラ-ドFC430、FC431住友スリーエム株製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製やアクリル酸系若しくはメタクリル酸系共重合ポリフローNo.75、No.95共栄社油脂化学工業株製等を挙げることができる。界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100質量部当たり、通常、2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。これらの界面活性剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本発明の感放射線性組成物における溶剤の配合量は、組成物中の全固形分濃度が、1~70質量となる量であることが好ましく、より好ましくは1~15質量となる量、更に好ましくは1~10質量となる量である。そして、本発明の感放射線性組成物は、溶剤以外の重合体A等の必要な成分を、全固形分濃度が上記範囲となるように、溶剤に均一に溶解して調製することができる。尚、このように調製した後、例えば、孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することが好ましい。[2]レジストパターンの形成方法本発明の感放射線性樹脂組成物は、化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜可能な材料として有用である。上記化学増幅型ポジ型レジスト膜においては、露光により重合体Aから発生した酸の作用によって、重合体A中の酸解離性基が脱離し、重合体Aがアルカリ可溶性となる。即ち、レジスト膜に、アルカリ可溶性部位が生じる。このアルカリ可溶性部位は、レジストの露光部であり、この露光部はアルカリ現像液によって溶解、除去することができる。このようにして所望の形状のポジ型のレジストパターンを形成することができる。以下、具体的に説明する。本発明の感放射線性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成するには、まず、本発明の感放射線性樹脂組成物によってレジスト膜を形成する。感放射線性樹脂組成物としては、例えば、上述したように、全固形分濃度を調整した後、孔径0.2μm程度のフィルターでろ過したものを用いることができる。この感放射線性樹脂組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウェハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成する。その後、場合により、予め70~160°C程度の温度で加熱処理以下、PBというを行ってもよい。次いで、所定のレジストパターンが形成されるように、このレジスト被膜を露光する。この露光に使用することができる放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm、EUV極紫外線、波長13.5nm等等の極遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線等を挙げることができる。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定することができる。尚、この露光は、液浸露光とすることもできる。尚、露光後には、加熱処理以下、PEBというを行うことが好ましい。このPEBにより、重合体Aにおける酸解離性基の脱離を円滑に進行させることが可能となる。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜選定されるが、30~200°Cであることが好ましく、より好ましくは50~170°Cである。本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば、特公平6-12452号公報特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成することもできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。尚、これらの技術は併用することもできる。次いで、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。現像に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。上記アルカリ性水溶液の濃度は、10質量以下であることが好ましい。アルカリ性水溶液の濃度が10質量を超えると、非露光部も現像液に溶解するおそれがある。また、現像液は、pH8~14であることが好ましく、より好ましくはpH9~14である。また、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば、有機溶媒を添加することもできる。上記有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。有機溶媒の配合量は、アルカリ性水溶液100体積部に対して、100体積部以下が好ましい。有機溶媒の配合量が100体積部を超えると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。尚、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像した後は、水で洗浄して乾燥することもできる。以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、部は、特記しない限り質量基準である。また、本実施例において、各合成例における下記の各測定及び評価は、下記の要領で行った。<Mw重量平均分子量及びMn数平均分子量>樹脂の分子量Mw、Mn測定には、MALLSを検出器として用いた。東ソー社製GPCカラムTSKgelα-2500、TSKgelα-Mを用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒としてLiBrを30mmol/lとH3PO4を10mmol/l溶解させたジメチルホルムアミドを用い、カラム温度40°Cの分析条件で、MALLSWyatt社製、DAWNDSP、セルタイプK5、レーザー波長632.8nmを検出器として用いるゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。<13C-NMR分析>日本電子社製核磁気共鳴装置JNM-EX270型式名を用いて測定した。[1]重合体の合成<重合体A-1の合成合成例1>下記化合物P-115.11g6モル、下記化合物M-140.95g50モル、下記化合物M-243.94g44モル、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN7.38gを、2-ブタノン200gに溶解し、単量体溶液を調製した。一方、100gの2-ブタノンを投入した500mlの3つ口フラスコを30分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を撹拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を反応釜に滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷により30°C以下に冷却し、冷却後、2000gの2-プロパノールへ投入し、析出した白色固体をろ別した。次いで、ろ別された白色粉末を100gの2-プロパノールにてスラリー状で2回洗浄した。その後、ろ別し、50°Cにて12時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た60g、収率60。この重合体はMwが7000、Mw/Mnが2.5であり、13C-NMR分析の結果、化合物P-1由来の繰り返し単位:化合物M-1由来の繰り返し単位:化合物M-2由来の繰り返し単位の含有量比率モル比が6:49:45の共重合体であった。以下、この重合体を重合体A-1とする。<重合体A-2の合成合成例2>下記化合物P-214.52g6モル、下記化合物M-140.93g50モル、下記化合物M-233.94g34モル、下記化合物M-410.61g10モル、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN7.38gを、2-ブタノン200gに溶解し、単量体溶液を調製した。一方、100gの2-ブタノンを投入した500mlの3つ口フラスコを30分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を撹拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を反応釜に滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷により30°C以下に冷却し、冷却後、2000gの2-プロパノールへ投入し、析出した白色固体をろ別した。次いで、ろ別された白色粉末を100gの2-プロパノールにてスラリー状で2回洗浄した。その後、ろ別し、50°Cにて12時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た55g、収率55。この重合体はMwが6800、Mw/Mnが2.5であり、13C-NMR分析の結果、化合物P-2由来の繰り返し単位:化合物M-1由来の繰り返し単位:化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-3由来の繰り返し単位の含有量比率モル比が6:48:36:10の共重合体であった。以下、この重合体を重合体A-2とする。<重合体A-3の合成合成例3>下記化合物P-315.27g7モル、下記化合物M-224.54g、30モル、下記化合物M-416.79g20モル、下記化合物M-543.41g43モル、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN6.04gを、2-ブタノン267gに溶解し、単量体溶液を調製した。一方、133gの2-ブタノンを投入した1000mlの3つ口フラスコを30分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を撹拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を反応釜に滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷により30°C以下に冷却し、冷却後、2500gの2-プロパノールへ投入し、析出した白色固体をろ別した。次いで、ろ別された白色粉末を100gの2-プロパノールにてスラリー状で2回洗浄した。その後、ろ別し、50°Cにて12時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た63g、収率63。この重合体はMwが7700、Mw/Mnが2.4であり、13C-NMR分析の結果、化合物P-3由来の繰り返し単位:化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-4由来の繰り返し単位:化合物M-5由来の繰り返し単位の含有量比率モル比が8:32:21:39の共重合体であった。以下、この重合体を重合体A-3とする。<重合体A-4の合成合成例4>下記化合物P-114.67g7モル、下記化合物M-225.81g、30モル、下記化合物M-613.81g20モル、下記化合物M-545.67g43モル、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN6.36gを、2-ブタノン267gに溶解し、単量体溶液を調製した。一方、133gの2-ブタノンを投入した1000mlの3つ口フラスコを30分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を撹拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を反応釜に滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷により30°C以下に冷却し、冷却後、2500gの2-プロパノールへ投入し、析出した白色固体をろ別した。次いで、ろ別された白色粉末を100gの2-プロパノールにてスラリー状で2回洗浄した。その後、ろ別し、50°Cにて12時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た63g、収率63。この重合体はMwが7800、Mw/Mnが2.5であり、13C-NMR分析の結果、化合物P-1由来の繰り返し単位:化合物M-2由来の繰り返し単位:化合物M-6由来の繰り返し単位:化合物M-5由来の繰り返し単位の含有量比率モル比が7:31:22:40の共重合体であった。以下、この重合体を重合体A-4とする。[2]感放射線性樹脂組成物の調製<実施例1~5及び比較例1>表1に示す割合で、A重合体、B酸拡散制御剤、X感光性塩基性化合物及びD溶剤を混合し、得られた混合液を孔径200nmのメンブランフィルターでろ過することにより、実施例1~5及び比較例1の各組成物溶液感放射線性樹脂組成物を調製した。尚、上記A重合体、B酸拡散制御剤、X感光性塩基性化合物及びD溶剤の詳細を以下に示す。A重合体A-1~A-4:上記重合体A-1~A-4B酸拡散制御剤B-1:トリ-n-オクチルアミンX感光性塩基性化合物X-1:下記式X-1で表される化合物X-2:下記式X-2で表される化合物D溶剤D-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD-2:シクロヘキサノン[3]感放射線性樹脂組成物の評価東京エレクトロン社製のクリーントラックACT-8内で、シリコンウエハー上に各組成物溶液実施例1~5及び比較例1の各感放射線性樹脂組成物をスピンコートした後、表2に示す条件でPB加熱処理を行い、膜厚60nmのレジスト被膜を形成した。その後、簡易型の電子線描画装置日立製作所社製、型式HL800D、出力;50KeV、電流密度;5.0アンペア/cm2を用いてレジスト被膜に電子線を照射した。電子線の照射後、表2に示す条件でPEBを行った。その後、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、23°Cで1分間、パドル法により現像した後、純水で水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成した。このようにして形成したレジストについて下記項目の評価を行った。尚、実施例1~5及び比較例1の各感放射線性樹脂組成物の評価結果を表2に併記する。1感度L/S線幅150nmのライン部と、隣り合うライン部によって形成される間隔が150nmのスペース部即ち、溝と、からなるパターンいわゆる、ラインアンドスペースパターン1L1Sを1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量により感度を評価した。図1は、ラインアンドスペースパターンの形状を模式的に示す平面図である。また、図2は、ラインアンドスペースパターンの形状を模式的に示す断面図である。但し、図1及び図2で示す凹凸は、実際より誇張している。2ナノエッジラフネス設計線幅150nmのラインアンドスペースパターン1L1Sのラインパターンを、半導体用走査電子顕微鏡高分解能FEB測長装置、商品名S-9220、日立製作所社製にて観察した。観察された形状について、図1及び図2に示すように、シリコンウエハー1上に形成したレジスト膜のライン部2の横側面2aに沿って生じた凹凸の最も著しい箇所における線幅と、設計線幅150nmとの差ΔCDを、CD-SEM日立ハイテクノロジーズ社製、S-9220にて測定することにより、ナノエッジラフネスを評価した。3解像度L/Sラインアンドスペースパターン1L1Sについて、最適露光量により解像されるラインパターンの最小線幅nmを解像度とした。表2によれば、特定の繰り返し単位を有する重合体A-1~A-4、及び感光性塩基性化合物X-1~X-2を含有する実施例1~5の感放射線性樹脂組成物は、比較例1の感放射線性樹脂組成物に比べて、電子線又は極紫外線に有効に感応し、低ラフネスであると共に解像度にも優れており、微細パターンを高精度に且つ安定して形成することが可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜できることが確認できた。"