"活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基およびプロトンアクセプター基をともに有する繰り返し単位Aを備えた樹脂Pを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基が、スルホン酸、イミド酸またはメチド酸を発生する基であり、かつ前記プロトンアクセプター基が非共有電子対を有するN原子を含む基である請求項1に記載の組成物。前記繰り返し単位Aが下記一般式1または2で示される繰り返し単位である請求項1又は2に記載の組成物。式中、R1は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基または有機基を表す。P1は2価のプロトンアクセプター基を表し、P2は1価のプロトンアクセプター基を表す。Z1は活性光線または放射線の照射により酸を発生する1価の基を表し、Z2は活性光線または放射線の照射により酸を発生する2価の基を表す。X1、X2、X3、及びX4は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。前記繰り返し単位Aが一般式2で表される繰り返し単位であり、かつ前記Z2で表される基が活性光線または放射線の照射によりイミド酸を発生する基である請求項3に記載の組成物。X1、X2、X3、及びX4の少なくとも1つは、フッ素原子を含むアルキレン基を有する請求項3又は4に記載の組成物。前記繰り返し単位Aが前記一般式1で表される繰り返し単位であり、且つX1がアリーレン基または-CO2-基を含む請求項3に記載の組成物。前記繰り返し単位Aが前記一般式2で表される繰り返し単位であり、且つX3がアリーレン基または-CO2-基を含む請求項3に記載の組成物。前記Z1により表される基及び前記Z2により表される基は、各々独立に、下記一般式Z-A、Z-B又はZ-Cにより表される部分構造を含んでいる請求項3に記載の組成物。式中、Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、-SO2-又は-CO-を含んだ連結基を表す。Xは、オニウムカチオンを表す。Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、-SO2-を含んだ連結基である請求項8に記載の組成物。Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、下式により表される部分構造を含んだ連結基である請求項9に記載の組成物。式中、Rf1及びRf2は、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。前記R1が、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、又はアルコキシアルキル基である請求項3乃至10の何れか1項に記載の組成物。前記R1が水素原子又はメチル基である請求項11に記載の組成物。前記Xがスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである請求項8乃至10の何れか1項に記載の組成物。前記樹脂Pが、下記一般式B1及びB2により表される繰り返し単位の少なくとも一方をさらに含んでいる請求項1乃至13の何れか1項に記載の組成物。一般式B1中、nは1~5の整数を表し、mは、mn=5なる関係を満足する0~4の整数を表す。S1は、水素原子又は置換基を表し、m≧2の場合には、複数の前記S1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。A1は、酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記A1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。一般式B2中、Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、又はアラルキル基を表す。A2は、酸の作用により脱離する基を表す。前記樹脂Pが、下記一般式C1及びC2により表される繰り返し単位の少なくとも一方をさらに含んでいる請求項1乃至14の何れか1項に記載の組成物。mは0~4の整数を表す。S1は、水素原子又は置換基を表し、m≧2の場合には、複数の前記S1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。樹脂Pのほかに、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂をさらに含有する請求項1乃至15の何れか1項に記載の組成物。酸発生剤をさらに含有する請求項1乃至16の何れか1項に記載の組成物。請求項1乃至17の何れか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性樹脂膜。請求項18に記載の膜を露光することと、露光後の前記膜を現像することとを含むパターン形成方法。請求項19に記載の方法を含んだ半導体デバイスの製造方法。請求項20に記載の方法により製造された半導体デバイス。本発明の目的は、解像性、感度、及び経時安定性に優れ、かつ良好な形状のパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供することにある。本発明は、例えば、下記の通りである。1活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基およびプロトンアクセプター基をともに有する繰り返し単位Aを備えた樹脂Pを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。2前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基が、スルホン酸、イミド酸またはメチド酸を発生する基であり、かつ前記プロトンアクセプター基が非共有電子対を有するN原子を含む基である1に記載の組成物。3前記繰り返し単位Aが下記一般式1または2で示される繰り返し単位である1又は2に記載の組成物。式中、R1は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基または有機基を表す。P1は2価のプロトンアクセプター基を表し、P2は1価のプロトンアクセプター基を表す。Z1は活性光線または放射線の照射により酸を発生する1価の基を表し、Z2は活性光線または放射線の照射により酸を発生する2価の基を表す。X1、X2、X3、及びX4は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。4前記繰り返し単位Aが一般式2で表される繰り返し単位であり、かつ前記Z2で表される基が活性光線または放射線の照射によりイミド酸を発生する基である3に記載の組成物。5X1、X2、X3、及びX4の少なくとも1つは、フッ素原子を含むアルキレン基を有する3又は4に記載の組成物。6前記繰り返し単位Aが前記一般式1で表される繰り返し単位であり、且つX1がアリーレン基または-CO2-基を含む3に記載の組成物。7前記繰り返し単位Aが前記一般式2で表される繰り返し単位であり、且つX3がアリーレン基または-CO2-基を含む3に記載の組成物。8前記Z1により表される基及び前記Z2により表される基は、各々独立に、下記一般式Z-A、Z-B又はZ-Cにより表される部分構造を含んでいる3に記載の組成物。式中、Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、-SO2-又は-CO-を含んだ連結基を表す。Xは、オニウムカチオンを表す。9Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、-SO2-を含んだ連結基である8に記載の組成物。10Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、下式により表される部分構造を含んだ連結基である9に記載の組成物。式中、Rf1及びRf2は、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。11前記R1が、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、又はアルコキシアルキル基である3~10の何れかに記載の組成物。12前記R1が水素原子又はメチル基である11に記載の組成物。13前記Xがスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである8~10の何れかに記載の組成物。14前記樹脂Pが、下記一般式B1及びB2により表される繰り返し単位の少なくとも一方をさらに含んでいる1~13の何れかに記載の組成物。一般式B1中、nは1~5の整数を表し、mは、mn=5なる関係を満足する0~4の整数を表す。S1は、水素原子又は置換基を表し、m≧2の場合には、複数の前記S1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。A1は、酸の作用により脱離する基を表し、n≧2の場合には、複数の前記A1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。一般式B2中、Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、又はアラルキル基を表す。A2は、酸の作用により脱離する基を表す。15前記樹脂Pが、下記一般式C1及びC2により表される繰り返し単位の少なくとも一方をさらに含んでいる1~14の何れかに記載の組成物。mは0~4の整数を表す。S1は、水素原子又は置換基を表し、m≧2の場合には、複数の前記S1は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。Xは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。16樹脂Pのほかに、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂をさらに含有する1~15の何れかに記載の組成物。17酸発生剤をさらに含有する1~16の何れかに記載の組成物。181~17の何れかに記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性樹脂膜。1918に記載の膜を露光することと、露光後の前記膜を現像することとを含むパターン形成方法。2019に記載の方法を含んだ半導体デバイスの製造方法。2120に記載の方法により製造された半導体デバイス。22前記繰り返し単位Aが一般式1で表される繰り返し単位であり、かつX1及びX2の少なくとも一方が-SO2-基を含む3~10の何れかに記載の組成物。23前記繰り返し単位Aが一般式2で表される繰り返し単位であり、かつX3及びX4の少なくとも一方が-SO2-基を含む3~10の何れかに記載の組成物。24塩基性化合物をさらに含有する1~17、22又は23に記載の組成物。25KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、電子線、X線又はEUV光により露光される1~17、又は、22~24に記載の組成物。本発明によると、解像性、感度、及び経時安定性に優れ、かつ良好な形状のパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有していないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有しているアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。また、ここで活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外EUV線などの軟X線、X線又は電子線EBを意味している。光とは、活性光線又は放射線を意味している。露光とは、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、以下に説明する樹脂P1を含有している。<樹脂P1>樹脂P1は、活性光線または放射線の照射により分解する酸を発生する基およびプロトンアクセプター基を有する繰り返し単位Aを含有する。活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基は、スルホン酸、イミド酸またはメチド酸を発生する基であることが好ましい。また、プロトンアクセプター基は、非共有電子対を有するN原子を含む基であることが好ましい。繰り返し単位A樹脂P1は、繰り返し単位Aとして、下記一般式1及び2で表される繰り返し単位のいずれかから選択される少なくとも1つを含んでいることが好ましい。式中、R1は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基または有機基を表す。P1は2価のプロトンアクセプター基を表し、P2は1価のプロトンアクセプター基を表す。Z1は活性光線または放射線の照射により酸を発生する1価の基を表し、Z2は活性光線または放射線の照射により酸を発生する2価の基を表す。X1、X2、X3、及びX4は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。R1により表される有機基は、アルキル基であることが好ましく、無置換アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、又はアルコキシアルキル基であることがより好ましい。R1は、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基であることが好ましく、水素原子、無置換アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、又はアルコキシアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、水素原子又はメチル基であることが特に好ましい。P1及びP2の各々は、プロトンアクセプター基を表す。プロトンアクセプター性基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基或いは孤立電子対を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、π共役の寄与が少ない孤立電子対をもった窒素原子を有する官能基を挙げることができる。これらのうち、π共役の寄与が少ない孤立電子対をもった窒素原子を有する官能基が特に好ましい。π共役の寄与が少ない孤立電子対を有する窒素原子としては、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子を挙げることができる。このような窒素原子を有する構造としては、好ましくは三級アミン、二級アミン、一級アミン、ピリジン、イミダゾール、ピラジン、アニリン構造などを挙げることができ、三級アミン構造、イミダゾール構造が特に好ましい。X1、X2、X3、及びX4は、各々独立に、単結合、2価の芳香環基、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-Rはアルキル基を表す、2価の窒素含有非芳香族複素環基、又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基が好ましく、-SO2-を含むものが特に好ましい。これらの基は、水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ化アルキル基、ニトロ基、又はシアノ基から選択される置換基で置換されていてもよい。連結基としての2価の芳香環基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6~14の置換基を有していても良いアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を挙げることができる。アルキレン基としては、直鎖状であっても分岐状であっても良く、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のアルキレン基が好ましい例として挙げられる。炭素数1~6個のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~4個のアルキレン基が特に好ましい。シクロアルキレン基としては、単環型あるいは多環型のいずれであっても良く、例えば、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナニレン基、アダマンチレン基、ジアマンタニレン基等の炭素数3~17の2価の脂肪族炭化水素環基が好ましい例として挙げられる。アルケニレン基としては、上記アルキレン基の任意の位置に、二重結合を有する基が挙げられる。-NR-において、Rにより表わされるアルキル基としては、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、水素原子、メチル基、エチル基が特に好ましい。一般式1においては、X1及びX2の少なくとも一方が-SO2-を有することが好ましく、特にX1が-SO2-を有することが好ましい。また、X1は、アリーレン基または-CO2-を有することが好ましい。また、X1及びX2の少なくとも一方がF原子を含むアルキル基またはF原子を含むアルキレン基を有することが好ましく、X2がF原子を含むアルキル基またはF原子を含むアルキレン基を有することがより好ましい。一般式2においてはX3及びX4の少なくとも一方が-SO2-を有することが好ましい。また、X3はアリーレンまたは-CO2-を有することが好ましい。また、X3及びX4の少なくとも一方がF原子を含むアルキル基またはF原子を含むアルキレン基を有することが好ましく、X3及びX4がともにF原子を含むアルキル基またはF原子を含むアルキレン基を有することがより好ましい。Z1及びZ2の各々は、活性光線または放射線の照射により酸を発生する基を表す。Z1及びZ2の各々は、好ましくはイミド酸、メチド酸又はスルホン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩を表し、より好ましくはイミド酸又はスルホン酸のスルホニウム塩を表す。Z1及びZ2は、各々独立に、下記一般式Z-A、Z-B又はZ-Cにより表される部分構造を含んでいることが好ましい。式中、Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、-SO2-又は-CO-を含んだ連結基を表す。Xは、オニウムカチオンを表す。Q1、Q2及びQ3は、各々独立に、-SO2-を含んだ連結基であることが好ましく、下式により表される部分構造を含んだ連結基であることがより好ましい。式中、Rf1及びRf2は、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数が1~4であることがより好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、及びイソプロピル基などが挙げられる。Xで表されるオニウムカチオンは、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンであることが好ましい。これらは、それぞれ、下記一般式ZA-1又はZA-2により表されることが好ましい。一般式ZA-1において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造縮合環を含むを形成してもよく、環内に式中の硫黄原子以外に更に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、一般式ZA-1で表わされる基の好ましい基として以下に説明するZA-1-1、ZA-1-2、ZA-1-3で表される基における対応する基を挙げることができる。特に好ましくは、ZA-1-1又はZA-1-3で表される基である。まず、ZA-1-1基について説明する。ZA-1-1基は、上記一般式ZA-1におけるR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウムをカチオンとする基である。R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又は1価の脂肪族炭化水素環基でもよい。例えば、トリアリールスルホニウム、ジアリールアルキルスルホニウム、アリールジアルキルスルホニウム、ジアリールシクロアルキルスルホニウム、アリールジシクロアルキルスルホニウムに相当する基を挙げることができる。アリールスルホニウムにおけるアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等の構造が挙げられる。アリールスルホニウムが2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウムが必要に応じて有しているアルキル基又は1価の脂肪族炭化水素環基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15の1価の脂肪族炭化水素環基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基は、アルキル基例えば炭素数1~15、1価の脂肪族炭化水素環基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12の1価の脂肪族炭化水素環基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基は、アリール基のp-位に置換していることが好ましい。ZA-1-1で表わされるより好ましい基としては、トリアリールスルホニウム、又は、下記一般式ZA-1-1A若しくはZA-1-1Bで表される構造が挙げられる。一般式ZA-1-1A中、R1a~R13aは、各々独立に、水素原子又は置換基を表し、R1a~R13aのうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。Zaは、単結合または2価の連結基である。なお、ここでアルコール性水酸基とは、鎖状又は環状アルキル基の炭素原子に結合した水酸基を表す。R1a~R13aがアルコール性水酸基を含む置換基である場合、R1a~R13aは、-W-Yで表される。ただし、Yは、水酸基で置換された鎖状又は環状アルキル基であり、Wは、単結合または2価の連結基である。Yの鎖状又は環状アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができ、好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基であり、更に好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基である。Yは、特に好ましくは-CH2CH2OH構造を含有する。Wとして好ましくは単結合、もしくは、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基であり、更に好ましくは単結合、もしくは、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基である。R1a~R13aがアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は好ましくは2~10個であり、更に好ましくは2~6個であり、特に好ましくは2~4個である。R1a~R13aとしてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を2つ以上有してもよい。R1a~R13aとしてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数としては1個から6個であり、好ましくは1個から3個であり、更に好ましくは1個である。一般式ZI-1Aで表される化合物に含まれるアルコール性水酸基の数は、R1a~R13aすべてあわせて好ましくは1個から10個であり、より好ましくは1個から6個であり、更に好ましくは1個から3個である。R1a~R13aがアルコール性水酸基を含有しない場合、R1a~R13aは、好ましくは水素原子又はハロゲン原子、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アルケニル基シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む、アルキニル基、アリール基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、シリル基、ウレイド基である。R1a~R13aがアルコール性水酸基を含有しない場合、R1a~R13aは、更に好ましくは水素原子又はハロゲン原子、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基である。更に、R1a~R13aがアルコール性水酸基を含有しない場合、R1a~R13aは、特に好ましくは水素原子又はアルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、ハロゲン原子、アルコキシ基である。また、R1a~R13aのうちの隣接する2つが、共同して環を形成することもできる。この環は、例えば、芳香族又は非芳香族の炭化水素環又は複素環であり、これらは、さらに組み合わされて多環縮合環を形成することができる。例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、及びフェナジン環が挙げられる。一般式ZA-1-1A中、R1a~R13aのうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含み、好ましくは、R9a~R13aのうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含む。Zaは、単結合または2価の連結基を表し、2価の連結基としては例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、-CH=CH-、-C≡C-、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基等であり、これらの基は置換基を有してもよい。これらの置換基としては上のR1a~R13aに示した置換基と同様である。Zaとして好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、-CH=CH-、-C≡C-、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基など電子求引性を持たない置換基であり、更に好ましくは単結合、エーテル基、チオエーテル基であり、特に好ましくは単結合である。次に、一般式ZA-1-1Bについて説明する。一般式ZA-1-1Bにおいて、R15は各々独立して、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、又はナフチル基を表す。2個のR15は互いに結合して環を形成してもよい。X2は-CR21=CR22-、-NR23-、-S-、-O-のいずれかを示す。ここで、R21及びR22はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、又はアリール基を示す。R23は、水素原子、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アリール基又はアシル基を示す。Rは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。Rの置換基としては、例えば、一般式ZA-1-1Bの好ましい態様として以下に説明する一般式ZI-1~ZI-3における対応する基を挙げることができる。nは0~3の整数を示す。n1は0~11の整数を示す。R15、R21~R23におけるアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基に1価の脂肪族炭化水素環基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。R15、R21~R23における1価の脂肪族炭化水素環基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。R15、R21~R23におけるアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。これらの各基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、アルキル基好ましくは炭素数1~10、1価の脂肪族炭化水素環基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アリールオキシ基好ましくは炭素数6~14、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~10、アリールチオ基好ましくは炭素数6~14、などが挙げられる。アリール基、1価の脂肪族炭化水素環基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を有していてもよい。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環としては、式ZA-1-1Bに示された-Sと共に形成する環構造であり、硫黄原子を1個含む5員環、又はそれを含む縮環が好ましい。縮環の場合、硫黄原子を1個と炭素原子を18個以下含むものが好ましく、より好ましくは下記一般式IV-1~IV-3で表される環構造である。式中、は結合手を表す。Rは任意の置換基を表し、例えばR15、R21~R23における各基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。nは0~4の整数を表す。n2は0~3の整数を示す。一般式ZA-1-1Bで表される化合物のうち、好ましいカチオン構造としては、以下のカチオン構造ZI-1~ZI-3が挙げられる。カチオン構造ZI-1とは、以下の一般式ZI-1で表される構造である。一般式ZI-1中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。R14は複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、水酸基、又は単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。R15は各々独立して、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。一般式ZI-1において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等がより好ましい。R13、R14及びR15の1価の脂肪族炭化水素環基としては、単環でも多環でもよく、炭素数3~12のものが好ましく、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ビシクロヘプチルノルボルニル、アダマンチル等があげられ、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルがより好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えばR13、R14及びR15におけるアルキル基がカルボニル基に置換したものが挙げられ、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等がより好ましい。R13及びR14の単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基としては、例えば、単環もしくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環もしくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンタンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、secブトキシ、tブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンタンチルメトキシ基、アダマンタンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えばR13、R14及びR15におけるアルキル基がスルホニル基に置換したものが挙げられ、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等がより好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。前記R13、R14及びR15の各基は、更に置換基を有していてもよく、有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基単環でも多環でもよく、好ましくは炭素数3~20、より好ましくは炭素数5~8のもの、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個のR15が結合して形成される2価の基が、一般式ZI-1中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、該環はアリール基または脂肪族炭化水素環基と縮環していてもよい。この2価の基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式ZI-1におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する場合の2価の基等が好ましい。R13のアルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、R14のアルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基は、上記のように置換されていてもよく、置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。以下に、一般式ZI-1で表されるカチオン構造の好ましい具体例を示す。カチオン構造ZI-2とは、以下の一般式ZI-2で表される構造である。一般式ZI-2中、XI-2は、酸素原子、硫黄原子、又は-NRa1-基を表し、Ra1は、水素原子、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アリール基又はアシル基を表す。Ra2及びRa3は、各々独立に、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基又はナフチル基を表す。Ra2及びRa3は、互いに結合して環を形成してもよい。Ra4は、複数個ある場合には各々独立に、1価の基を表す。mは、0~3の整数を表す。Ra1~Ra3のアルキル基は、炭素数1~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等を挙げることができる。Ra1~Ra3の1価の脂肪族炭化水素環基は、炭素数3~20の1価の脂肪族炭化水素環基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。Ra1~Ra3のアリール基は、炭素数6~10のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。Ra1のアシル基は、炭素数2~20のアシル基が好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を挙げることができる。Ra1としてはアルキル基がより好ましく、炭素数1~4のアルキル基が更に好ましい。Ra2及びRa3が互いに結合して形成してもよい環構造としては、一般式ZI-2中の硫黄原子と共に5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環例えばテトラヒドロチオフェン環を形成する基が好ましく、酸素原子を含んでいてもよく、具体的には一般式ZI-1中のR15同士が連結して形成しても良い環と同様のものが挙げられる。Ra4の1価の基としては、例えば、アルキル基好ましくは炭素数1~20、1価の脂肪族炭化水素環基好ましくは炭素数3~20、アリール基好ましくは炭素数6~10、アルコキシ基好ましくは炭素数1~20、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシロキシ基好ましくは炭素数2~20、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アリールカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基等を挙げることができる。Ra2とRa3とは互いに連結して5~6員環を構成していることがより好ましい。Ra1~Ra4における各基は更に置換基を有していてもよく、有していても良い更なる置換基としては、一般式ZI-1におけるR13~R15の各基が有していても良い更なる置換基と同様のものが挙げられる。以下に、一般式ZI-2で表されるカチオンの好ましい具体例を示す。カチオン構造ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される構造である。一般式ZI-3中、R41~R43は、それぞれ独立して、アルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、水酸基又はヒドロキシアルキル基である。R41~R43としてのアルキル基、アルコキシ基は、式ZI-1におけるR13~R15と同様のものが挙げられる。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基の一又は複数の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。n1は0~3の整数であり、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。n2は0~3の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n3は0~2の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。R41~R43における各基は更に置換基を有していてもよく、有していても良い更なる置換基としては、一般式ZI-1におけるR13~R15の各基が有していても良い更なる置換基と同様のものが挙げられる。以下に、一般式ZI-3で表されるカチオンの好ましい具体例を示す。一般式ZI-1~ZI-3で表されるカチオン構造のうち、好ましい構造はZI-1及びZI-2であり、更に好ましくはZI-1が挙げられる。次に、ZA-1-2について説明する。ZA-1-2は、一般式ZA-1におけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す基である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソ脂肪族炭化水素環基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソ脂肪族炭化水素環基である。R201~R203のアルキル基及び脂肪族炭化水素環基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10の脂肪族炭化水素環基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。脂肪族炭化水素環基として、より好ましくは、2-オキソ脂肪族炭化水素環基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソ脂肪族炭化水素環基は、好ましくは、上記の脂肪族炭化水素環基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。次に、ZA-1-3について説明する。ZA-1-3とは、以下の一般式で表される基であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する基である。一般式ZA-1-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アルコキシ基、フェニルチオ基、又はハロゲン原子を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は1価の脂肪族炭化水素環基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ、互いに結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができる。また、R1c~R7cとしての1価の脂肪族炭化水素環基としては、単環型あるいは多環型のいずれであってもよく、例えば炭素数3~8個の1価の脂肪族炭化水素環基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~8の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、1価の脂肪族炭化水素環基又は直鎖、分岐もしくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。Rx及びRyとしてのアルキル基及び1価の脂肪族炭化水素環基は、R1c~R7cにおけると同様のアルキル基及び1価の脂肪族炭化水素環基を挙げることができ、2-オキソアルキル基、2-オキソ脂肪族炭化水素環基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。2-オキソアルキル基及び2-オキソ脂肪族炭化水素環基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及び脂肪族炭化水素環基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cにおけると同様のアルコキシ基を挙げることができる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又は1価の脂肪族炭化水素環基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又は1価の脂肪族炭化水素環基である。また、Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等が一般式ZA-1-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。次に、一般式ZA-2について説明する。一般式ZA-2において、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又は1価の脂肪族炭化水素環基を表す。R204及びR205のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204及びR205のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基、フラン残基フランから水素原子が1個失われることによって形成される基、チオフェン残基チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基、インドール残基インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基、ベンゾフラン残基ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基、ベンゾチオフェン残基ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基等を挙げることができる。R204及びR205におけるアルキル基及び1価の脂肪族炭化水素環基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基製のフロラードFC430、並びに、信越化学工業株製のポリシロキサンポリマーKP-341が挙げられる。フッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類及びポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類等のノニオン系界面活性剤が挙げられる。その他、公知の界面活性剤を適宜使用することができる。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。本発明に係る組成物が界面活性剤を更に含んでいる場合、その使用量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.0001~2質量とし、より好ましくは0.001~1質量とする。染料本発明に係る組成物は、染料を更に含んでいてもよい。好適な染料としては、例えば、油性染料及び塩基性染料が挙げられる。具体的には、例えば、オイルイエロー101、オイルイエロー103、オイルピンク312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー603、オイルブラックBY、オイルブラックBS及びオイルブラックT-505以上オリエント化学工業株式会社製、並びに、クリスタルバイオレットCI42555、メチルバイオレットCI42535、ローダミンBCI45170B、マラカイトグリーンCI42000及びメチレンブルーCI52015が挙げられる。光塩基発生剤本発明に係る組成物は、光塩基発生剤を更に含んでいてもよい。光塩基発生剤を含有させると、更に良好なパターンを形成することが可能となる。光塩基発生剤としては、例えば、特開平4-151156号、同4-162040号、同5-197148号、同5-5995号、同6-194834号、同8-146608号、同10-83079号、及び欧州特許622682号に記載の化合物が挙げられる。好ましい光塩基発生剤としては、具体的には、2-ニトロベンジルカルバメート、2,5-ジニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、N-シクロヘキシル-4-メチルフェニルスルホンアミド及び1,1-ジメチル-2-フェニルエチル-N-イソプロピルカーバメートが挙げられる。酸化防止剤本発明に係る組成物は、酸化防止剤を更に含んでいてもよい。酸化防止剤を含有させると、酸素の存在下における有機材料の酸化を抑制することが可能となる。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤、硫黄含有酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、アミン-アルデヒド縮合物からなる酸化防止剤、及びアミン-ケトン縮合物からなる酸化防止剤が挙げられる。これら酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤及び有機酸誘導体からなる酸化防止剤を使用することが特に好ましい。こうすると、組成物の性能を低下させることなしに、酸化防止剤としての機能を発現させることができる。フェノール系酸化防止剤としては、例えば、置換フェノール類、又は、ビス、トリス若しくはポリフェノール類を使用することができる。置換フェノール類としては、例えば、1-オキシ-3-メチル-4-イソプロピルベンゼン、2,6-ジ-tert-ブチルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチル-4-エチルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチル-4-メチルフェノール、4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-tert-ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、2-1-メチルシクロヘキシル-4,6-ジメチルフェノール、2,4-ジメチル-6-tert-ブチルフェノール、2-メチル-4,6-ジノニルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチル-α-ジメチルアミノ-p-クレゾール、6-4-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチルアニリノ2,4-ビスオクチル-チオ-1,3,5-トリアジン、n-オクタデシル-3-4’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-tert-ブチルフェニルプロピオネート、オクチル化フェノール、アラルキル置換フェノール類、アルキル化-p-クレゾール、及びヒンダードフェノールが挙げられる。ビス、トリス若しくはポリフェノール類としては、例えば、4,4’-ジヒドロキシジフェニル、メチレンビスジメチル-4,6-フェノール、2,2’-メチレン-ビス-4-メチル-6-tert-ブチルフェノール、2,2’-メチレン-ビス-4-メチル-6-シクロヘキシルフェノール、2,2’-メチレン-ビス-4-エチル-6-tert-ブチルフェノール、4,4’-メチレン-ビス-2,6-ジ-tert-ブチルフェノール、2,2’-メチレン-ビス-6-アルファメチル-ベンジル-p-クレゾール、メチレン架橋した多価アルキルフェノール、4,4’-ブチリデンビス-3-メチル-6-tert-ブチルフェノール、1,1-ビス-4-ヒドロキシフェニル-シクロヘキサン、2,2’-ジヒドロキシ-3,3’-ジ-α-メチルシクロヘキシル-5,5’-ジメチルジフェニルメタン、アルキル化ビスフェノール、ヒンダードビスフェノール、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジルベンゼン、トリス-2-メチル-4-ヒドロキシ-5-tert-ブチルフェニルブタン、及びテトラキス-[メチレン-3-3’,5’-ジ-tert-ブチル-4’-ヒドロキシフェニルプロピオネート]メタンが挙げられる。酸化防止剤としては、好ましくは、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-t-ブチルフェノール、2、2-メチレンビス4-メチル-6-t-ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、t-ブチルヒドロキノン、2,4,5-トリヒドロキシブチロフェノン、ノルジヒドログアヤレチック酸、没食子酸プロピル、没食子酸オクチル、没食子酸ラウリル、及びクエン酸イソプロピルが挙げられる。これらのうち、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-t-ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、t-ブチルヒドロキノンがより好ましく、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール又は4-ヒドロキシメチル-2,6-ジ-t-ブチルフェノールが更に好ましい。酸化防止剤は、1種類を単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。本発明に係る組成物に酸化防止剤を含有させる場合、その添加量は、好ましくは1ppm以上とし、より好ましくは5ppm以上とし、さらに好ましくは10ppm以上とし、、さらにより好ましくは50ppm以上とし、特に好ましくは100ppm以上とし、最も好ましくは100~1000ppmとする。溶剤本発明に係る組成物は、溶剤を更に含んでいてもよい。この溶剤としては、典型的には、有機溶剤を使用する。この有機溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有していてもよいモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキルが挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;別名1-メトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールモノエチルエーテルが挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル及び乳酸ブチルが挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル及び3-メトキシプロピオン酸エチルが挙げられる。環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン及びα-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが挙げられる。環を含有していてもよいモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン及び3-メチルシクロヘプタノンが挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート及びブチレンカーボネートが挙げられる。アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、及び酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びピルビン酸プロピルが挙げられる。溶剤としては、常温常圧下における沸点が130°C以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、PGMEA、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル及びプロピレンカーボネートが挙げられる。これら溶剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を混合して用いてもよい。後者の場合、水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用することが好ましい。水酸基を含んだ溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、PGME、プロピレングリコールモノエチルエーテル及び乳酸エチル等が挙げられる。これらのうち、PGME及び乳酸エチルが特に好ましい。水酸基を含んでいない溶剤としては、例えば、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン及び酢酸ブチルが挙げられる。これらのうち、PGMEA、エチルエトキシプロピオネート及び2-ヘプタノンが特に好ましい。水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用する場合、これらの質量比は、好ましくは1/99~99/1とし、より好ましくは10/90~90/10とし、更に好ましくは20/80~60/40とする。なお、水酸基を含んでいない溶剤を50質量以上含んだ混合溶剤を用いると、特に優れた塗布均一性を達成し得る。また、溶剤は、PGMEAと他の1種以上の溶剤との混合溶剤であることが特に好ましい。<パターン形成方法>本発明に係る組成物は、典型的には、以下のようにして用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、基板等の支持体上に塗布されて、膜を形成する。この膜の厚みは、0.02~0.1μmが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000~3000rpmが好ましい。この組成物は、例えば、精密集積回路素子の製造等に使用される基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など上に、スピナー及びコーター等を用いて塗布される。その後、これを乾燥させて、感活性光線性又は感放射線性の膜以下、感光性膜ともいうを形成する。なお、公知の反射防止膜を予め塗設することもできる。次いで、上記の感光性膜に活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク通常80~150°C、より好ましくは90~130°Cを行った後、現像する。ベークを行うことにより、更に良好なパターンを得ることが可能となる。活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、及び電子線が挙げられる。これら活性光線又は放射線としては、例えば250nm以下、特には220nm以下の波長を有したものがより好ましい。このような活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、及び電子線が挙げられる。好ましい活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマーレーザー、電子線、X線及びEUV光が挙げられる。現像工程では、通常アルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム及びアンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン及びn-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン及びジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン及びメチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン及びトリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、又は、ピロール及びピヘリジン等の環状アミン類を含んだアルカリ性水溶液が挙げられる。アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び/又は界面活性剤を添加してもよい。アルカリ現像液の濃度は、通常は0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常は10.0~15.0である。なお、本発明に係る組成物を用いてインプリント用モールドを作成する場合のプロセスの詳細については、例えば、特許第4109085号公報、特開2008-162101号公報、及びナノインプリントの基礎と技術開発応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦フロンティア出版を参照されたい。以下、本発明の態様を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。<樹脂P1>以下のようにして、先に挙げたモノマーを合成した。合成例1:モノマーM-1モノマーM-1を、下記のスキームに従って合成した。100.00gの化合物1を、400gの酢酸エチルに溶解させた。得られた溶液を0°Cに冷却し、47.60gのナトリウムメトキシド28メタノール溶液を30分かけて滴下した。その後、これを室温で5時間に亘って撹拌した。反応溶液に酢酸エチルを加えて、有機層を蒸留水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、化合物254酢酸エチル溶液131.70gを得た。18.52gの化合物254酢酸エチル溶液に、56.00gの酢酸エチルを加えた。これに、31.58gの1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン-1,3-ジスルホニルジフルオリドを加え、0°Cに冷却した。12.63gのトリエチルアミンを25.00gの酢酸エチルに溶解させた溶液を30分かけて滴下し、液温を0°Cに維持したまま4時間に亘って撹拌した。酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、32.90gの化合物3を得た。35.00gの化合物3をTHF700mLに溶解させ、これにトリエチルアミン700mLを加えた。50°Cで2時間攪拌後、ダンシルアミド80.1gを加え、更に80°Cで4時間攪拌した。酢酸エチル1600mLを加え、有機層を希塩酸で2回、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で2回、水2回で順次洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムによって乾燥し、カラムクロマトグラフィーで精製して、褐色オイルの化合物4195gを得た。この褐色オイル195gをメタノール800mLに溶解し、トリフェニルスルホニウムブロミド99.9gを加え室温で1時間攪拌した。クロロホルム1600mLを加え、有機層を水で洗浄後、溶媒を濃縮し、化合物5265gを得た。合成例2:モノマーM-2モノマーM-2を、下記のスキームに従って合成した。1.99gの水素化ナトリウムにTHF500gを加え、0°Cに冷却した。これに、18.52gの化合物254THF溶液を加え、液温を室温に戻し、1時間攪拌した。これに、16.20gのN-3-クロロプロピルピペラジンを加え、4時間攪拌した。水500g、酢酸エチル500gを加え、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、20.44gの化合物6を得た。20.44gの化合物654酢酸エチル溶液に、56.00gの酢酸エチルを加えた。これに、31.58gの1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン-1,3-ジスルホニルジフルオリドを加え、0°Cに冷却した。12.63gのトリエチルアミンを25.00gの酢酸エチルに溶解させた溶液を30分かけて滴下し、液温を0°Cに維持したまま4時間に亘って撹拌した。酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、45.02gの化合物7を得た。45.02gの化合物7を315gのメタノールに溶解させ、0°Cに冷却し、245gの1規定水酸化ナトリウム水溶液を加えて、室温で2時間撹拌した。溶媒を留去した後、酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、46.69gの化合物8を得た。化合物846.69gをメタノール800mLに溶解し、トリフェニルスルホニウムブロミド99.9gを加え室温で1時間攪拌した。クロロホルム1600mLを加え、有機層を水で洗浄後、溶媒を濃縮し、化合物9265gを得た。合成例3:モノマーM-3モノマーM-3を、下記のスキームに従って合成した。14.42gの2-1-ピペラジニル-1-エタノール化合物に、140gのTHF、16.70gのトリエチルアミンを加え0°Cに冷却した。これに、28.81gの二炭酸ターシャリーブチルを30分かけて滴下し、滴下後室温にした。50gの水と500gの酢酸エチルを加えて、飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、25.33gの化合物11を得た。25.33gの化合物11に、140gのTHF、15.15gのトリエチルアミン、1.22gのDMAPを加え、0°Cに冷却した。これに、メタクリル酸クロライドを30分かけて滴下し、滴下後、室温にした。50gの水と500gの酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、32.82gの化合物12を得た。32.82gの化合物12に150gのMeOH、62.71gのトリフルオロ酢酸を加え室温で時間攪拌した。50gの飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と500gの酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、19.82gの化合物13を得た。31.61gの1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン-1,3-ジスルホニルジフルオリドを180gの酢酸エチルに溶解させ0°Cにした。これに19.82gの化合物13と15.18gのトリエチルアミンと130gの酢酸エチルの混合物を30分間かけて滴下した。0°Cのまま1時間攪拌後、酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、49.44gの化合物14を得た。49.44gの化合物14を315gのメタノールに溶解させ、0°Cに冷却し、245gの1規定水酸化ナトリウム水溶液を加えて、室温で2時間撹拌した。溶媒を留去した後、酢酸エチルを加えて、有機層を飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した。このようにして、51.43gの化合物15を得た。化合物1551.43gをメタノール800mLに溶解し、トリフェニルスルホニウムブロミド34.33gを加え室温で1時間攪拌した。クロロホルム1600mLを加え、有機層を水で洗浄後、溶媒を濃縮し、化合物1675.48gを得た。<樹脂P-1-28の合成>7.72gのp-ヒドロキシスチレン270.0プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液、固形分として5.41gのp-ヒドロキシスチレンと、3.77gのM-3と、1.15gの重合開始剤V-601和光純薬工業株製とを、8gのプロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEに溶解させた。反応容器中に1gのPGMEを入れ、窒素ガス雰囲気下、85°Cの系中に2時間かけて滴下した。反応溶液を4時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。上記反応溶液に40gのアセトンを加えて希釈し、400gのヘキサン/酢酸エチル=8/2中に滴下し、ポリマーを沈殿させて、これを濾取した。得られた沈殿を40gのアセトンに溶解し、再度400gのヘキサン/酢酸エチル=8/2中に滴下し、ポリマーを沈殿させろ取した。得られた固体を50gのヘキサン/酢酸エチル=8/2を用いてかけ洗いを行なった後、減圧乾燥に供して、6.70gの樹脂P-1-28を得た。この樹脂P-1-28について、GPC東ソー株式会社製;HLC-8120;TskgelMultiporeHXL-Mを用いて重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを測定した。なお、このGPC測定では、溶媒として、NMP/リン酸/LiBrを用いた。樹脂P-1-1~P-1-27及びP-1-29の各々を、上記合成例で述べたのと同様にして合成した。また、これら樹脂について、上記合成例と同様にして重量平均分子量および分散度を求めた。下記表3に、各樹脂の組成比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを示す。以下の比較化合物PB-1~PB-3を準備した。<光酸発生剤>光酸発生剤としては、先に挙げたB-1~B-120の何れかを用いた。<塩基性化合物>塩基性化合物としては、下記N-1~N-9の何れかを用いた。なお、N-7は、上述した化合物PAに該当する。合成例:化合物N-7特開2006-330098号公報の[0354]に基づいて、化合物N-7を合成した。<界面活性剤>界面活性剤としては、下記W-1~W-4の何れかを用いた。W-1:メガファックR08大日本インキ化学工業株製;フッ素及びシリコン系W-2:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製;シリコン系W-3:トロイゾルS-366トロイケミカル株製;フッ素系W-4:PF6320OMNOVA社製;フッ素系<溶剤>溶剤としては、下記S-1~S-4の何れかを適宜混合して用いた。S-1:PGMEAbp146°CS-2:PGMEbp120°CS-3:乳酸メチルbp145°CS-4:シクロヘキサノンbp157°C<レジスト評価EUV>この評価では、酸によりアルカリ現像性が増大する樹脂P2として、以下のものを用いた。下記表4に、各樹脂の組成比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを示す。下記表5に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が1.5質量の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。表5中に示した質量の数値は、組成物の全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の使用量は、全固形分濃度に対して001質量である。ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、120°Cで90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が50nmのレジスト膜を得た。感度、パターン形状このレジスト膜に対し、EUV露光装置を用いてEUV光を照射した。照射後直ぐに、130°Cで90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23°Cで60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターンライン:スペース=1:1を形成した。感度まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、100nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を感度mJ/cm2とした。パターン形状上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンライン:スペース=1:1の断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、その形状を、矩形、若干テーパー又はテーパーの3段階で評価した。解像力評価上記の感度を示す照射量における限界解像力ラインとスペースとが分離解像する最小線幅を解像力とした。パーティクル数調製したレジスト溶液を4°Cで1週間放置した後、リオン社製パーティクルカウンターにてその溶液中に存在する粒経0.2μm以上のパーティクル数をカウントした。これらの評価結果を、下記表5に示す。表5に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状、解像性及びパーティクル数の全てにおいて優れていた。<レジスト評価EB>この評価では、酸によりアルカリ現像性が増大する樹脂P2として、先に挙げた樹脂P-2-1~P-2-3及びP-2-6~P-2-9から選択される少なくとも1つの樹脂を用いた。下記表6に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が3.0質量の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。表6中に示した質量の数値は、組成物の全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の使用量は、全固形分濃度に対して0.01質量である。ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に、スピンコータを用いて、上記のポジ型レジスト溶液を塗布した。これを、110°Cで90秒間に亘ってホットプレート上で加熱乾燥させ、平均膜厚が100nmのレジスト膜を得た。感度、パターン形状、パターン解像性このレジスト膜に対し、電子線照射装置株日立製作所製HL750;加速電圧50keVを用いて電子線照射を行った。照射後直ぐに、130°Cで90秒間に亘ってホットプレート上にて加熱した。その後、濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて、23°Cで60秒間現像し、30秒間純水を用いてリンスした後、乾燥させた。これにより、ラインアンドスペースパターンライン:スペース=1:1又は孤立ラインパターンライン:スペース=1:>100を形成した。感度まず、得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、100nmの線幅のラインを解像する際の最小照射エネルギーを求め、この値を感度μC/cm2とした。パターン形状上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンライン:スペース=1:1の断面形状を走査型電子顕微鏡日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、その形状を、矩形又はテーパーの2段階で評価した。パターンの解像性;解像力上記の感度を示す照射量における孤立パターンライン:スペース=1:>100の限界解像力ラインとスペースが分離解像する最小の線幅を求めた。そして、この値を解像力nmとした。パーティクル数調製したレジスト溶液を4°Cで1週間放置した後、リオン社製パーティクルカウンターにてその溶液中に存在する粒経0.2μm以上のパーティクル数をカウントした。これらの評価結果を、下記表6に示す。表6に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状、解像性及びパーティクル数の全てにおいて優れていた。<レジスト評価ArF>この評価では、酸によりアルカリ現像性が増大する樹脂P2として、以下のものを用いた。下記表7に示す各成分を、同表に示す溶剤に溶解させて、固形分濃度が3.6質量の溶液を調製した。この溶液をポアサイズ0.1μmのポリテトラフルオロエチレンフィルタを用いてろ過して、ポジ型レジスト溶液を得た。表7中に示した質量の数値は、組成物の全固形分を基準とした値である。なお、界面活性剤の使用量は、全固形分濃度に対して0.01質量である。シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に、調製した感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を塗布し、130°Cで60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成した。得られたウエハーに対してArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75を用い、75nm1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後、90°Cで60秒間加熱した後、ついでテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像した。純水でリンスした後、スピン乾燥してパターンを得た。感度得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて観察した。75nmラインライン:スペース=11を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。パターン形状上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンライン:スペース=1:1の断面形状を走査型電子顕微鏡日立製作所製S-4800を用いて観察した。そして、その形状を、矩形又はテーパーの2段階で評価した。パーティクル数調製したレジスト溶液を4°Cで1週間放置した後、リオン社製パーティクルカウンターにてその溶液中に存在する粒経0.2μm以上のパーティクル数をカウントした。これらの評価結果を、下記表7に示す。表7に示すように、実施例の組成物は、比較例の組成物と比較して、感度、パターン形状及びパーティクル数の全てにおいて優れていた。以上の通り、本発明に係るパターン形成方法を用いると、良好なレジストパターンを形成することが可能となる。それゆえ、この方法を用いると、良好な性能を示す半導体デバイスを製造することが可能となる。"