"電磁波を検出するエリア内に設置された被測定装置から発生する電磁波の電界強度を測定する電界計測装置において、該エリア内には、アンテナと、該アンテナの出力信号を増幅するRF増幅器と、該RF増幅器からの出力信号に基づいて光変調を行うマッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器と、該光強度変調器にDCバイアス電圧を印加するDCバイアス回路とが配置され、該エリア外には、光源部と、該光強度変調器からの出力光を受光する受光部と、該受光部からの出力信号の強度変化に基づき該光強度変調器に供給するDCバイアス電圧を制御するDCバイアス制御部と、該受光部の出力に基づき該電界強度を測定する測定器とが配置され、該光源部から光波を該光強度変調器に光ファイバによって導入し、該光強度変調器から光波を該受光部に光ファイバによって導出し、該DCバイアス制御部から出力されるDCバイアス電圧に係る電気信号を、電気-光学変換器で光信号に変換し、光ファイバによって該エリア内に導入し、該光信号を該エリア内に配置された光学-電気変換器で電気信号に変換し、該電気信号を該DCバイアス回路に入力することを特徴とする電界計測装置。請求項1に記載の電界計測装置において、該エリア内には、該RF増幅器と該DCバイアス回路を駆動するDC電源が配置されていることを特徴とする電界計測装置。請求項1に記載の電界計測装置において、該光強度変調器と該受光部とを繋ぐ光ファイバと、該電気-光学変換器と該光学-電気変換器とを繋ぐ光ファイバとを共用し、該光ファイバの両端付近に波長合分波素子を配置することを特徴とする電界計測装置。請求項1に記載の電界計測装置において、該エリア内には、該アンテナの出力信号の強度が所定のレベルを超えたか否かを検出する信号強度検出器と、該信号強度検出器の検出結果に基づき検出結果信号を発生する信号発生器と、該RF増幅器からの出力信号と該検出結果信号とDCバイアス電圧とを合波する合波器とを配置し、該合波器の出力信号に基づいて該光強度変調器で光変調を行うと共に、該エリア外には、該受光部の出力から該検出結果信号に基づく信号を検出し、その検出結果を表示する表示器とが配置されていることを特徴とする電界計測装置。請求項4に記載の電界計測装置において、該信号強度検出器の結果に基づき、該アンテナの出力信号の強度を減衰する減衰器を有することを特徴とする電界計測装置。請求項4に記載の電界計測装置において、該信号強度検出器の結果に基づき、該RF増幅器の出力を制御するRF増幅制御部を有することを特徴とする電界計測装置。本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、測定エリア内に導入する給電線を排除し、電波暗室等の設備内での電界計測の精度及び信頼性を向上させた電界計測装置を提供することである。上記課題を解決するため、本発明は以下のような技術的特徴を有している。1電磁波を検出するエリア内に設置された被測定装置から発生する電磁波の電界強度を測定する電界計測装置において、該エリア内には、アンテナと、該アンテナの出力信号を増幅するRF増幅器と、該RF増幅器からの出力信号に基づいて光変調を行うマッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器と、該光強度変調器にDCバイアス電圧を印加するDCバイアス回路とが配置され、該エリア外には、光源部と、該光強度変調器からの出力光を受光する受光部と、該受光部からの出力信号の強度変化に基づき該光強度変調器に供給するDCバイアス電圧を制御するDCバイアス制御部と、該受光部の出力に基づき該電界強度を測定する測定器とが配置され、該光源部から光波を該光強度変調器に光ファイバによって導入し、該光強度変調器から光波を該受光部に光ファイバによって導出し、該DCバイアス制御部から出力されるDCバイアス電圧に係る電気信号を、電気-光学変換器で光信号に変換し、光ファイバによって該エリア内に導入し、該光信号を該エリア内に配置された光学-電気変換器で電気信号に変換し、該電気信号を該DCバイアス回路に入力することを特徴とする。2上記1に記載の電界計測装置において、該エリア内には、該RF増幅器と該DCバイアス回路を駆動するDC電源が配置されていることを特徴とする。3上記1に記載の電界計測装置において、該光強度変調器と該受光部とを繋ぐ光ファイバと、該電気-光学変換器と該光学-電気変換器とを繋ぐ光ファイバとを共用し、該光ファイバの両端付近に波長合分波素子を配置することを特徴とする。4上記1に記載の電界計測装置において、該エリア内には、該アンテナの出力信号の強度が所定のレベルを超えたか否かを検出する信号強度検出器と、該信号強度検出器の検出結果に基づき検出結果信号を発生する信号発生器と、該RF増幅器からの出力信号と該検出結果信号とDCバイアス電圧とを合波する合波器とを配置し、該合波器の出力信号に基づいて該光強度変調器で光変調を行うと共に、該エリア外には、該受光部の出力から該検出結果信号に基づく信号を検出し、その検出結果を表示する表示器とが配置されていることを特徴とする。5上記4に記載の電界計測装置において、該信号強度検出器の結果に基づき、該アンテナの出力信号の強度を減衰する減衰器を有することを特徴とする。6上記4に記載の電界計測装置において、該信号強度検出器の結果に基づき、該RF増幅器の出力を制御するRF増幅制御部を有することを特徴とする。本発明の電界計測装置のように、DCバイアス制御部から出力されるDCバイアス電圧に係る電気信号を、電気-光学変換器で光信号に変換し、光ファイバによってエリア内に導入し、該光信号を該エリア内に配置された光学-電気変換器で電気信号に変換し、該電気信号をDCバイアス回路に入力するため、測定エリア外から該エリア内に導入される線路は光ファイバのみとなるため、エリア外からのノイズがエリア内に侵入することを抑制でき、電界計測の精度及び信頼性を向上させることが可能となる。以下、本発明を好適例を用いて詳細に説明する。図1は、本発明に係る電界計測装置の概略を示す図である。電波暗室10などの電磁波を検出するエリア内に設定された被測定装置EUT8から発生する電磁波波線矢印の電界強度を測定する。符号9は、ターンテーブルなどの被測定装置を載置する載置台である。本発明における電磁波を検出するエリアとは、電波暗室に限定されず、オープンサイトなど、被測定装置が発生する電磁波を検出するために、該被測定装置が設置されている空間を意味する。また、電磁波を検出するエリアの外とは、被測定装置が発生する電磁波を計測する際に障害とならない領域を意味し、電波暗室の外部や、被測定装置から十分離れた場所、さらには、後述する測定室のように、本体部や測定器が収納され、機器から発生する電磁波が電磁波を検出するエリアに漏出することを遮断した空間であっても良い。以下では、電波暗室及び測定室を例に説明する。電波暗室10内には、アンテナ1と、マッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器が組み込まれたヘッド部2とが配置されている。アンテナ1の出力信号は、特許文献1と同様に、光強度変調器の変調電極に印加され、マッハツェンダー型光導波路の屈折率を変化させる。この屈折率変化により、同光導波路を伝搬する光波の位相が変調され、マッハツェンダー型光導波路から出射する光波の光強度が変調される。符号3は、アンテナ1を所定の位置に配置する、アンテナ位置決め手段である。光強度変調器は、電気光学効果を有する基板に光導波路及び変調電極を形成した進行波型光変調器が好適に利用可能である。電気光学効果を有する基板としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZTジルコン酸チタン酸鉛ランタン、及び石英系の材料などが利用することが可能である。マッハツェンダー型の光導波路は、Tiなどを熱拡散法やプロトン交換法などで基板表面に拡散させたり、リッジ型の凸部を形成することにより、電気光学効果を有する基板上に形成できる。変調電極は、アンテナからの出力信号を印加する信号電極や接地電極から構成され、基板上に、TiAuの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層を設け、光導波路の上側に形成した電極による光波の吸収や散乱を抑制することも可能である。光強度変調器のバイアス点の調整方法としては、上述した変調電極に、アンテナからの出力電圧にDCバイアス電圧を重畳して印加することにより、光強度変調器のバイアス点を調整することが可能である。また、変調電極以外にバイアス点制御用の電極を別途組込み、このような電極にDCバイアス電圧を印加するように構成することも可能である。電波暗室10の外部には、測定室11が隣接され、該測定室11内には、ヘッド部2をコントロールする計測装置のコントローラ部6及び、EMIレシーバーなどの測定器7が設置されている。ヘッド部2とコントローラ部6とは光ファイバ4のみで接合されている図2は、ヘッド部2及びコントローラ部6における構成を、より詳細に説明する図である。ヘッド部2には、受信アンテナからの出力信号30MHz以上を導入されアンプに入力される。アンプは、アンテナの出力信号を増幅するRF増幅器である。該RF増幅器であるアンプからの出力信号と、後述するDCバイアス回路からのDCバイアス電圧とが合波される。合波器は、図中に符号で表示している。該合波器の出力信号に基づいて光変調を行うマッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器MZ型変調器とが配置されている。コントローラ部6には、光源部である半導体レーザLDや該半導体レーザを駆動する制御回路であるLD制御回路が設けられ、半導体レーザからは一定レベルの連続CW光が出力され、光ファイバを伝送してヘッド部2のMZ型変調器に入力される。また、コントローラ部6には、光強度変調器であるMZ型変調器からの出力光を受光する受光部高速PD,モニタPDが設けられている。受光部は、図2では、2つの受光素子PDから構成されているが、一つのPDで構成し、当該PDからの出力信号を30MHz以上の高周波信号と、DCバイアス制御に関する信号帯域である、例えば、30MHz未満の低周波信号とに分離することも可能である。高速PDでは、アンテナの出力信号に相当する30MHz以上の信号を検出し、高周波通過フィルタHPFを通過した信号を、アンプで増幅し、測定器7に導入する。モニタPDの信号は、例えば、30MHz未満の低周波信号を出力し、DCバイアス制御回路に入力される。DCバイアス制御部となるバイアス制御回路では、受光部であるモニタPDからの出力信号の強度変化に基づき光強度変調器に供給するDCバイアス電圧を決定する。DCバイアス制御部から出力されるDCバイアス電圧に係る電気信号は、電気-光学変換器E/Oで光信号に変換する。該光信号は、光ファイバによって測定エリア内に導入し、該エリア内に配置された光学-電気変換器O/Eで電気信号に変換される。そして、該電気信号がDCバイアス回路に入力されることにより、光変調器にDCバイアス制御部の出力に基づくDCバイアスが印加されることとなる。DCバイアス制御に用いる光ファイバは、光変調器とモニタPDとを接続する光ファイバとは別途に設けることも可能であるが、敷設する光ファイバの本数を低減させるため、図2に示すように、これらの光ファイバを兼用させることも可能である。その際には、光ファイバの端部に波長合分波素子WDM1,WDM2やサーキュレータを配置し、光変調器からの出力光と、DCバイアス制御に係る光波とを、光波の進行方向によって効率良く分離することが必要となる。また、ヘッド部2には、アンプとなるRF増幅器やバイアス回路を駆動するためのバッテリーであるDC電源が配置されている。このDC電源は、交流信号等のノイズを発生しないため、電界計測の精度や信頼性を損なうことは無い。光強度変調器の駆動電圧-光強度出力との関係曲線Vπ変調曲線は、正弦関数となるため、通常、最大光強度の1/2点がバイアス点調整の中心となる。当然、バイアスの中心点は、このような1/2点に限らず、モニタPDのショットノイズとの兼ね合いで、1/2点より低い強度レベルを採用することも可能である。電界計測を行なう前には、必要に応じて、バイアス点調整が行なわれ、具体的には、光源部のLDから光波を光強度変調器に導入し、該光強度変調器に印加するバイアス電圧を掃引し、モニタ光の出力レベルが最高となる値を計測し、例えば、該最高値の1/2の値を示すバイアス電圧を見出す。このように、バイアス点を調整した場合、従来の光変調器のバイアス点制御で多用されている低周波信号などの交流信号が不要となり、電波暗室内でのノイズ放射をより一層抑制することが可能となる。勿論、電界計測を阻害しない範囲において、低周波信号などの交流信号を重畳してバイアス点を制御することも可能である。次に、図3を用いて、ヘッド部2及びコントローラ部6の応用例を説明する。図3に示す発明の特徴は、特許文献2に開示した、アンテナが受信した信号レベルをモニタする手段をさらに付加するものである。ヘッド部2には、受信アンテナからの出力信号30MHz以上を導入し、RF分配器により出力信号がアンプとRF検出器に分配される。RF検出器は、該出力信号の強度を検出し、その検出信号をレベル検出回路に導入することで、該出力信号の強度が所定のレベルを超えたか否かを検出している。RF検出器とレベル検出回路とが組み合わさり、信号強度検出器を構成している。該信号強度検出器の検出結果に基づき検出結果信号を発生する信号発生器が設けられている。例えば、信号発生器では、光変調器がひずみを起こすある一定のレベルを超えている場合には、受信アンテナからの出力信号の帯域外の低周波信号20MHz未満で強度変調を行う。該RF増幅器であるアンプからの出力信号と、該信号発生器からの検出結果信号と、さらに、DCバイアス回路からのDCバイアス電圧とが合波される。該合波器の出力信号に基づいて光変調を行う光強度変調器MZ型変調器が配置されている。モニタPDの信号は、30MHz未満の低周波信号を出力し、Bias-T等の分岐素子で2分岐された後、DCバイアス制御回路及びモニタ検出回路へそれぞれ出力される。なお、この際に、DCバイアス制御回路の前段には光変調器のDCバイアス制御に関する信号を透過する特定周波数帯の透過フィルタ、モニタ検出回路の前段には信号発生器が発生させた検出結果信号を透過する他の特定周波数帯の透過フィルタを挿入するとよい。また、これらの透過フィルタは、DCバイアス制御回路やモニタ検出回路内に内蔵することも可能である。受光部であるモニタPDからの出力信号から、信号発生器が発生した検出結果信号を、モニタ検出回路により検出する。例えば、受信アンテナからの出力信号が所定のレベルを超えている場合に発生させた低周波信号30MHz未満を検知し、当該検出結果に基づき、表示装置に過入力状態を表示する。本発明の電界計測装置については、さらに、RF増幅器や光変調器に入るアンテナの出力信号の強度を自動的に調整し、伝送装置の出力飽和や歪みを抑制することも可能である。受信アンテナとRF分配器との間、又はRF分配器とアンプとの間に、受信アンテナの出力信号の強度を減衰する可変減衰器を配置する。そして、図3と同様に、RF検出器及びレベル検出回路から構成される信号強度検出器の結果に基づき、受信アンテナの出力信号の強度が所定レベルを超える際には、当該可変減衰器を制御し、RF増幅器や光強度変調器に入力される信号レベルを調整することが可能である。また、RF増幅制御部として、当該信号強度検出器の結果に基づき、RF増幅器の出力を制御する構成を設け、可変減衰器を省略することも可能である。上述のようにアンテナの出力信号の強度が自動的に調整された場合、コントローラ部に接続された測定器への出力信号レベルが変化することとなり、測定器側ではその変化が自動調整によるものか、受信電磁波そのもののレベルが下がったのか判別が困難となる。このような不具合を解消するため、可変減衰器やRF増幅器で信号出力を調整した場合には、その調整レベルを示す信号も併せて、信号発生器から検出結果信号の一部として出力し、コントローラ部に送信することも可能である。コントローラ部では、検出結果信号の内、調整レベルに係る信号を抽出し、測定器の出力信号レベルのキャリブレーション等を行うことも可能である。さらに、ヘッド内の各種部品に給電し駆動するための電源としてDC電源であるバッテリーを組み込むことも可能である。当該バッテリーは、RF増幅器であるアンプやDCバイアス回路だけでなく、信号強度検出器を構成するRF検出器やレベル検出回路、信号発生器などの駆動源として利用することが可能である。"