"複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと基板を保持するように構成された基板ホルダとを備え、前記テンプレートホルダは、前記基板ホルダの下に配置される、リソグラフィ装置。前記テンプレートホルダ内に保持されている複数のインプリント用テンプレートを備え、前記インプリント用テンプレートは、パターン形成された上面を備える、請求項1に記載の装置。インプリント可能媒体を前記インプリント用テンプレート上に導くように配列されている1つまたは複数のインクジェットノズルを備える、請求項1に記載の装置。複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと、基板を保持するように構成された基板ホルダとを備え、前記テンプレートホルダは、前記インプリント用テンプレートが前記テンプレートホルダ内に保持されたときに、前記インプリント用テンプレートの上面が露出されたままとなるように配列されている、リソグラフィ装置。前記テンプレートホルダ内に保持されている複数のインプリント用テンプレートを備え、パターンを与えられた露出した上面を備える、請求項4に記載の装置。インプリント可能媒体を前記インプリント用テンプレート上に導くように配列されている1つまたは複数のインクジェットノズルを備える、請求項4に記載の装置。複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと前記複数のインプリント用テンプレート上に流体を分注するように配列された1つまたは複数の分注器を備える、リソグラフィ装置。前記1つまたは複数の分注器は、インクジェットノズルである、請求項7に記載の装置。前記流体は、インプリント可能媒体である、請求項7に記載の装置。基板を保持するように構成された基板テーブルを備える、請求項7に記載の装置。インプリント可能媒体を複数のインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布し、次いで、基板に対し前記インプリント用テンプレートを接触させて、前記インプリント可能媒体が前記基板に転写されるようにすることを含む、インプリントリソグラフィの方法。転写されたインプリント可能媒体に、前記インプリント可能媒体を硬化させるのに適している波長の化学線を照射することを含む、請求項11に記載の方法。前記インプリント用テンプレートを前記基板に接触させるのに先立って、平坦化層を前記基板に塗布することを含む、請求項11に記載の方法。複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダを備え、前記テンプレートホルダは、前記インプリント用テンプレートの一番上の表面が、前記テンプレートホルダ内に保持されたときに、実質的に同じ平面内に置かれるように配列される、リソグラフィ装置。前記インプリント用テンプレートホルダは、前記インプリント用テンプレートの一番上の表面が、前記テンプレートホルダ内に保持されたときに、前記インプリント用テンプレートホルダの一番上の表面と実質的に同じ平面内に置かれるように配列される、請求項14に記載の装置。複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと、基板を保持するように構成された基板ホルダと、それぞれのインプリント用テンプレートに関連付けられている複数のパンチと、を備え、それぞれのパンチは、関連付けられている前記インプリント用テンプレートの領域よりも広い領域の周りにパンチ孔を開けるように寸法が決められている、リソグラフィ装置。パンチ内に入らないインプリント用テンプレートの間に領域が残るようにパンチの間にギャップが設けられる、請求項16に記載の装置。インプリント可能媒体を複数のインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布し、また前記複数のインプリント用テンプレートを保持するインプリント用テンプレートホルダに塗布することと、前記インプリント可能媒体を実質的固体にすることと、パンチを使用して前記実質的固体のインプリント可能媒体を切り抜き、前記パンチはそれぞれのインプリント用テンプレートの周囲の外側にある周囲にそって前記インプリント可能媒体を切り抜くように配列されることと、前記インプリント用テンプレートを基板に接触させることと、を含むインプリントリソグラフィの方法。パンチによる切断の後、インプリント用テンプレートの間からインプリント可能媒体を取り除くことを含む、請求項18に記載の方法。前記インプリント用テンプレートが前記基板と接触するときに前記インプリント可能媒体が前記平坦化層と接触するように、前記基板上に平坦化層を備えることを含む、請求項18に記載の方法。前記平坦化層は、前記インプリント可能媒体がそれと接触するときに流体であり、その後硬化される、請求項20に記載の方法。複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと、基板を保持するように構成された基板ホルダと、化学線源と、前記化学線を前記インプリント用テンプレートに通すことなく前記化学線を前記テンプレートホルダに通すように配列された放射線誘導装置と、を備えるリソグラフィ装置。インプリント可能媒体をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、シアノアクリレートを基板の表面に塗布することと、前記インプリント用テンプレートを前記基板に接触させ、前記シアノアクリレートが前記インプリント可能媒体の重合を誘発するようにすることと、を含むインプリントリソグラフィの方法。前記シアノアクリレートは、シリコンを含有せず、エッチングバリアを形成しない、請求項23に記載の方法。重合体および溶媒をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、前記重合体が固体になるように前記溶媒を蒸発させられることと、単量体の層を基板に塗布することと、前記インプリント用テンプレートを前記基板に接触させ、前記重合体を前記単量体層に押し付けることと、前記接触させた後、前記単量体の層に化学線を照射することと、を含むインプリントリソグラフィの方法。前記単量体の層は、一定割合の重合体を含む、請求項25に記載の方法。単量体および重合体の混合物をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、前記インプリント用テンプレートを基板に接触させることと、前記接触させた後、前記単量体と前記重合体の前記混合物に化学線を照射することと、を含むインプリントリソグラフィの方法。前記単量体と前記重合体の前記混合物は、前記インプリント用テンプレートに接触したときに破れない程度の高い粘性を有する、請求項27に記載の方法。インプリント可能媒体をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、前記インプリント可能媒体と前記平坦化層が両方とも流体の場合に、平坦化層を基板表面に塗布することと、前記塗布後に、前記インプリント用テンプレートを前記基板に接触させることと、を含むインプリントリソグラフィの方法。前記インプリント用テンプレートを前記基板に接触させた後に、前記インプリント可能媒体および前記平坦化層に化学線を照射することを含む、請求項29に記載の方法。0003リソグラフィパターン内の特徴featureのサイズを縮小することが望ましいが、それは縮小することで所定の基板領域上の特徴の密度を高められるからである。フォトリソグラフィでは、より短い波長の放射線を使用することにより解像度を高められる。しかし、このような縮小にはいくつかの問題が関連している。現在のシステムは、193nm領域内の波長を持つ光源を採用し始めているが、このレベルであっても、回折限界が障壁となる。低い波長では、材料の透明度は非常に悪い。解像度の増強が可能な光リソグラフィ機は、複雑な光学系および希少物質を必要とし、したがって、非常に高価である。0004インプリントリソグラフィと呼ばれる100nm以下の特徴を印刷する代替え手段は、物理的鋳型またはテンプレート型板を使用して、パターンをインプリント可能な媒体内にインプリントすることによりパターンを基板に転写することを含む。インプリント可能な媒体は、基板、または基板の表面上にコーティングされる材料でよい。インプリント可能な媒体は、機能性であってもよいし、または支持構造の表面にパターンを転写するためのマスクとして使用することもできる。インプリント可能な媒体は、例えば、テンプレートにより定められたパターンが転写される半導体材料などの基板上に蒸着されたレジストとして提供することができる。したがって、インプリントリソグラフィは、本質的に、テンプレートのトポグラフィが基板上に形成されたパターンを定めるマイクロメートルまたはナノメートルスケールの成形プロセスである。パターンは、原理的に、光リソグラフィプロセスと同様に層構造にすることができ、それにより、IC製造などの用途にインプリントリソグラフィを使用することが可能である。0005インプリントリソグラフィの解像度は、テンプレート加工プロセスの解像度によってのみ制限される。例えば、インプリントリソグラフィは、50nm以下の範囲の特徴を生成するために使用でき、従来の光リソグラフィプロセスにより達成可能なものと比べて解像度およびラインエッジ粗さが著しく向上している。さらに、インプリントプロセスは、光リソグラフィプロセスでは典型的に要求される高価な光学系、高度な光源、または専用のレジスト材料を必要としない。0006現在のインプリントリソグラフィプロセスには、後述のように、特に重ね合わせ精度および/または高生産性の達成に関して1つまたは複数の欠点が見つかることがある。しかし、インプリントリソグラフィから達成可能な解像度およびラインエッジ粗さの著しい改善は、これらの問題および他の問題解決に取り組む大きな推進力となっている。0007典型的には、インプリントリソグラフィ実行時に、インプリント可能な媒体が、インクジェット法で基板上にプリントされ、続いて、テンプレートがインプリント可能な媒体内に圧入される。発生しうる問題点は、テンプレートによりインプリントされる前に基板からインプリント可能媒体の一部が蒸発するという点である。0008本発明の第1の態様によれば、実現されるリソグラフィ装置は、複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと基板を保持するように構成された基板ホルダとを備え、テンプレートホルダは、基板ホルダの下に配置される。0009本発明の第2の態様によれば、実現されるリソグラフィ装置は、複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと基板を保持するように構成された基板ホルダとを備え、テンプレートホルダは、インプリント用テンプレートがテンプレートホルダ内に保持されたときに、インプリント用テンプレートの上面が露出されたままとなるように配列される。0010本発明の第3の態様によれば、実現されるリソグラフィ装置は、複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと複数のインプリント用テンプレート上に流体を分注するように配列された1つまたは複数の分注器を備える。0011本発明の第4の態様によれば、実現されるインプリントリソグラフィの方法は、インプリント可能媒体を複数のインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布し、その後基板に対しインプリント用テンプレートを接触させて、インプリント可能媒体が基板に転写されるようにすることを含む。0012本発明の第5の態様によれば、実現されるリソグラフィ装置は、複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダを備え、テンプレートホルダは、インプリント用テンプレートの一番上の表面が、テンプレートホルダ内に保持されたときに、実質的に同じ平面内に置かれるように配列される。0013本発明の第6の態様によれば、実現されるリソグラフィ装置は、複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと、基板を保持するように構成された基板ホルダと、それぞれのインプリント用テンプレートに関連する複数のパンチとを備え、それぞれのパンチは、それが関連付けられているインプリント用テンプレートの領域よりも広い領域の周りに孔を開けるように寸法が決められる。0014本発明の第7の態様によれば、実現されるインプリントリソグラフィの方法は、インプリント可能媒体を複数のインプリント用テンプレートのパターン形成面および複数のインプリント用テンプレートを保持するインプリント用テンプレートホルダに塗布することと、インプリント可能媒体を実質的固体にすることと、パンチを使用して実質的固体のインプリント可能媒体を切り抜き、パンチはそれぞれのインプリント用テンプレートの周囲の外側にある周囲にそってインプリント可能媒体を切り抜くように配列されることと、インプリント用テンプレートを基板に接触させることとを含む。0015本発明の第8の態様によれば、実現されるリソグラフィ装置は、複数のインプリント用テンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと、基板を保持するように構成された基板ホルダと、化学線源と、化学線をインプリント用テンプレートに通すことなく化学線をテンプレートホルダに通すように配列された放射線誘導装置とを備える。0016本発明の第9の態様によれば、実現されるインプリントリソグラフィの方法は、インプリント可能媒体をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、シアノアクリレートを基板の表面に塗布することと、インプリント用テンプレートを基板に接触させ、シアノアクリレートがインプリント可能媒体の重合を誘発するようにすることとを含む。0017本発明の第10の態様によれば、実現されるインプリントリソグラフィの方法は、重合体ポリマーおよび溶媒をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、重合体が固体になるように溶媒を蒸発させられることと、単量体モノマーの層を基板に塗布することと、インプリント用テンプレートを基板に接触させ、重合体を単量体の層に押し付けることと、接触させた後、単量体の層に化学線を照射することとを含む。0018本発明の第11の態様によれば、実現されるインプリントリソグラフィの方法は、単量体および重合体の混合物をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、インプリント用テンプレートを基板に接触させることと、接触させた後、単量体と重合体の混合物に化学線を照射することとを含む。0019本発明の第12の態様によれば、実現されるインプリントリソグラフィの方法は、インプリント可能媒体をインプリント用テンプレートのパターン形成面に塗布することと、インプリント可能媒体と平坦化層が両方とも流体の場合に、平坦化層を基板表面に塗布することと、塗布した後、インプリント用テンプレートを基板に接触させることとを含む。0020本発明の1つまたは複数の実施形態は、パターン形成テンプレートが流動性を有す状態においてインプリント可能媒体中にインプリントされる任意のインプリントリソグラフィプロセスに適用可能であり、例えば、上述のように高温およびUVインプリントリソグラフィに適用することができる。本発明の1つまたは複数の実施形態を理解するために、すでに与えられており、当業で知られている以上に詳細にインプリントプロセスを説明する必要はない。0021本発明のいくつかの実施形態は、実施例を使ってのみ、対応する参照記号が対応する部分を示す付属の概略図面を参照しつつ説明される。0028一般に熱インプリントリソグラフィおよびUVインプリントリソグラフィと呼ばれるインプリントリソグラフィに関する2つの主要アプローチがある。また、ソフトリソグラフィと呼ばれる第3の種類のプリントリソグラフィもある。これらの実施例は、図1aから1cに例示されている。0029図1は、柔軟なテンプレート10典型的にはポリジメチルシロキサンPDMSから加工されるから、基板12ならびに平坦化および転写層12’上で担持されるレジスト層13上に分子の層11典型的にはチオールなどのインクを転写することを伴うソフトリソグラフィプロセスの概略を示している。テンプレート10は、その表面上に特徴のパターンを有し、分子層は、特徴上に配置されている。テンプレートがレジスト層に押し付けられると、分子の層11がレジストに張り付く。レジストからテンプレートを取り外した後、分子の層11がレジストに張り付き、転写された分子層により覆われていないレジストの領域が基板にエッチダウンされるようにレジストの残留層がエッチングされる。0030ソフトリソグラフィで使用されるテンプレートは、容易に変形可能であり、したがって、テンプレートの変形はインプリントされたパターンに悪影響を及ぼすことがあるため、高解像度用途、例えば、ナノメートルスケールの用途には適しない場合がある。さらに、同じ領域が複数回重ねられる多層構造を加工する場合、ソフトインプリントリソグラフィだと、ナノメートルスケールの重ね合わせ精度を達成できない。0031ナノメートルスケールで使用される場合、熱インプリントリソグラフィまたは熱エンボス加工は、ナノインプリントリソグラフィNILとも呼ばれる。このプロセスでは、例えば、磨耗および変形に耐久性のある、シリコンまたはニッケルから作られたより硬いテンプレートを使用する。これは、例えば、米国特許第6,482,742号で説明され、図1bに例示されている。典型的な熱インプリントプロセスでは、固体テンプレート14は、基板12の表面上に鋳造された熱硬化性または熱可塑性樹脂15内にインプリントされる。樹脂は、例えば、基板表面上に、より典型的例示されている実施例のように平坦化および転写層12’上にスピンコートされ、焼き付けられるようにできる。インプリントテンプレートを説明するときに硬いという用語は、例えば硬いゴムなどの硬いおよび軟らかい材料について一般的に考察できる材料を含むことが理解される。インプリントテンプレートとして使用するのに特定の材料が適しているかどうかは、その用途の要求条件によって決まる。0032熱硬化性樹脂が使用される場合、樹脂は、テンプレートと接触した後、樹脂がテンプレート上で定められたパターン特徴内に流れ込むことができる十分な流動性を有するような温度まで加熱される。次いで、樹脂の温度が樹脂を熱硬化例えば、架橋する温度まで高められ、それにより、所望のパターンが凝固し、不可逆的に採用される。次いで、テンプレートを取り外して、パターン形成樹脂を冷ますことができる。0033熱インプリントリソグラフィプロセスで使用される熱可塑性樹脂の実施例は、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリメタクリル酸ベンジル、またはポリメタクリル酸シクロヘキシルである。熱可塑性樹脂は、テンプレートとともにインプリントする直前に自由な流動性を有する状態になるように加熱される。典型的には、熱可塑性樹脂を樹脂のガラス転移温度よりもかなり高い温度まで加熱する必要がある。テンプレートは流動性を有する樹脂内に押し込まれ、十分な圧力が加えられ、それにより、樹脂は必ずテンプレート上に定められたすべてのパターン特徴内に流れ込む。次いで、テンプレートを適所に置いた状態で樹脂がガラス転移温度以下に冷まされ、その後、樹脂は不可逆的に所望のパターンを取る。パターンは、適切なエッチングプロセスにより取り除かれパターン特徴のみを残しうる樹脂の残留層からの浮き彫りの特徴からなる。0034凝固した樹脂からテンプレートを取り除いた後、2工程エッチングプロセスは、典型的には、図2aから2cに例示されているように実行される。図2aに概略が示されているように、基板20は、そのすぐ上に平坦化および転写層21を持つ。平坦化および転写層の目的は2つある。テンプレートと樹脂との間の接触面が平行になるように補助するテンプレートと実質的に平行である表面を与え、さらに、本明細書で説明されているように、プリントされた特徴のアスペクト比を改善する働きをする。0035テンプレートが取り除かれた後、凝固した樹脂の残留層22は、所望のパターンの形状の平坦化および転写層21に残される。第1のエッチは、等方的であり、残留層22の一部を取り除き、その結果、L1が図2bに概略が示されているように特徴23の高さである特徴のアスペクト比が悪くなる。第2のエッチは、異方性または選択的であり、アスペクト比を改善する。異方性エッチでは凝固した樹脂により覆われていない平坦化および転写層21の一部を取り除き、図2cに概略が示されているように、特徴23とL2/Dとのアスペクト比を高める。エッチングの後に残されるその結果得られる重合体の厚さのコントラストを、例えば、リフトオフプロセスにおける一工程として、インプリントされた重合体が十分な耐性を有している場合に、例えば、ドライエッチング用のマスクとして使用することができる。0036熱インプリントリソグラフィは、パターン転写が高い温度で実行されるだけでなく、テンプレートが取り除かれる前に樹脂が適切に凝固することを確実にするために比較的大きな温度差が必要になる場合があるという点で不利な面がある。35から100°Cまでの温度差が必要になることがある。例えば、基板とテンプレートとの間の熱膨張差により、転写パターンに歪みが生じる可能性がある。これは、基板内に機械的変形を誘発し、さらにパターンを歪ませる可能性のある、インプリント可能材料の粘性のため、インプリント工程に必要な比較的高い圧力により悪化することがある。0037他方、UVインプリントリソグラフィでは、このような高い温度も温度変化も伴わず、このような粘性のあるインプリント可能材料も必要としない。むしろ、UVインプリントリソグラフィは、一部または全部透明なテンプレートおよびUV硬化液体、典型的には、例えばアクリレートまたはマテクリレートなどの単量体を使用することを伴う。UVインプリントリソグラフィは、例えば、J.HaismaMold-assistednanolithography:Aprocessforreliablepatternreplication、J.Vac.Sci.Technol.B146、1996年11月/12月で開示されている。一般に、単量体および開始剤の混合物などの光重合可能材料を使用することが可能である。硬化性液体は、さらに、例えば、ジメチルシロキサン誘導体を含むことができる。このような材料は、熱インプリントリソグラフィで使用される熱硬化性および熱可塑性樹脂よりも粘性が低く、その結果、かなり速く移動してテンプレートパターン特徴を埋める。低温および低圧動作も、高生産性を実現するうえで有利である。UVインプリントリソグラフィという名称は、UV放射線が常に使用されることを意味するが、当業者であれば、好適な化学線を使用できること例えば、可視光線を使用できることを理解するであろう。したがって、本明細書では、UVインプリントリソグラフィ、UV放射線、UV硬化性材料などについて述べているが、これらは、好適な化学線を含むものとして解釈すべきであり、UV放射線のみに限定されているものとして解釈すべきではない。0038UVインプリントプロセスの一実施例が、図1Cに例示されている。石英テンプレート16が、図1bのプロセスに類似の方法でUV硬化性樹脂17に施されている。熱硬化性樹脂を採用する熱エンボス加工の場合のように温度を高めるか、または熱可塑性樹脂を使用する場合に温度循環を行わせる代わりに、石英テンプレートを通して樹脂にUV放射線を当てて、重合させ、それにより硬化させる。テンプレートを取り除いた後、レジストの残留層のエッチングを行う残りの工程は、本明細書で説明されている熱エンボス加工の場合と同じであるか、類似している。典型的に使用されているUV硬化性樹脂は、典型的な熱可塑性樹脂に比べて粘性がかなり低く、使用するインプリント圧力を低くすることができる。圧力が低いことによる物理的変形の低減と、高い温度および温度変化による変形の低減とがあいまって、UVインプリントリソグラフィは高い重ね合わせ精度を要求する用途に適している。それに加えて、UVインプリント用テンプレートが透明性を有することで、インプリントと同時に光学的アライメント技術にも対応できる。0039この種のインプリントリソグラフィは、主に、UV硬化性材料を使用しており、そのため、一般に、UVインプリントリソグラフィと呼ばれるが、放射線の他の波長を使用して、適切に選択された材料を硬化することができる例えば、重合または架橋反応を活性化する。一般に、このような化学反応を開始することができる放射線は、適切なインプリント可能材料が利用可能な場合に使用することができる。例えば、他の活性化放射線としては、可視光線、赤外線、X線、および電子線がある。本明細書の一般的説明では、UVインプリントリソグラフィについて述べており、またUV放射線を使用しているが、これらおよび他の活性化放射線を使用する可能性を除外することを意図していない。0040基板表面に実質的に平行に保持されている平面テンプレートを使用するインプリントシステムの代替え手段として、ローラー型インプリントが開発された。テンプレートがローラー上に形成されるが、他の点ではインプリントプロセスは平面テンプレートを使用するインプリントに非常に類似している熱およびUVローラー型インプリントシステムが提案されている。文脈上他の意味に解すべき場合を除き、インプリント用テンプレートへの言及は、ローラーテンプレートへの言及を含む。0041例えば、IC製造において、従来から使用されている光学的ステッパーと類似の方法により小さなステップで基板にパターン形成するために使用することができるステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィSFILと呼ばれるUVインプリント技術の特定の開発がある。これは、テンプレートをUV硬化性樹脂内にインプリントし、テンプレートを通してUV放射線をフラッシュしてテンプレートの下の樹脂を硬化させ、テンプレートを取り除き、基板の隣接領域に1ステップずつ進み、この動作を繰り返すことにより一時に基板の小さな領域をプリントすることを伴う。このようなステップアンドリピートプロセスのフィールドサイズが小さいため、パターンの歪みおよびCD変動を低減させやすく、高い重ね合わせ精度を要求するICおよび他のデバイスの製造にSFILが特に適するようにできる。米国特許出願第2004-0124566号では、ステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィ装置の一実施例を詳細に説明している。0042原理上UV硬化性樹脂は、例えば、スピンコーティングにより、基板表面全体に塗布することができるが、これは、UV硬化性樹脂の揮発性のため、問題を生じることがある。0043この問題に対処するアプローチの1つは、テンプレートによるインプリントの直前に樹脂が1滴ずつ基板の標的部分に分注されるいわゆるドロップオンデマンドプロセスである。液体分注は、一定量の液体が基板の特定の標的部分に蒸着するように制御される。液体は、様々なパターンで分注され、液体量の慎重な制御とパターンの配置との組合せを用いて、パターン形成を標的領域に限定することができる。0044上述のようにオンデマンドで樹脂を分注することは、些細なことではない。液滴のサイズおよび間隔は、十分な樹脂がテンプレート特徴を確実に埋めるようにし、同時に、付近の液滴が流体に触れるとたちまち樹脂はどこへも流れなくなるため過剰な樹脂が転がって望ましくない厚さまたは不均一な残留層を作るのを最小限に抑えるように、慎重に制御される。0045本明細書では、UV硬化性液体を基板上に蒸着することについて述べているが、液体は、さらに、テンプレート上に蒸着することも可能であり、一般的に同じ技術および考慮事項が適用される。0046図3は、テンプレート、インプリント可能材料硬化性単量体、熱硬化性樹脂、熱可塑性プラスチックなど、および基板の相対的寸法を例示している。基板の幅Dと硬化性樹脂層の厚さtとの比は、106のオーダーである。テンプレートから突き出ている特徴が基板を損傷するのを避けるために、寸法tは、テンプレート上の突き出ている特徴の深さよりも大きくなければならないことは理解される。0047型押しの後残される残留層は、下の基板を保護する際に有用であるが、本明細書で説明されているように、特に高解像度および/または最小CD限界寸法変動が望ましい場合に問題発生源にもなりうる。第1のブレイクスルーエッチbreakthroughetchは等方的非選択的であり、そのため、ある程度、インプリントされた特徴とともに残留層を腐食させる。これは、残留層が過度に厚く、および/または不均一である場合に悪化する可能性がある。この問題は、例えば、下にある基板内に最終的に形成される線の太さの変動つまり、限界寸法の変動を引き起こす可能性がある。第2の異方性エッチにおける転写層内にエッチングされる線の太さの一様性は、樹脂に残される特徴の形状のアスペクト比および完全性に依存する。残留樹脂層が不均一である場合、非選択的な第1のエッチは、頂部が丸形であるこれらの特徴の一部を残すので、第2の、およびその後のエッチングプロセスにおける線太さの適切な一様性が確実となるように十分によく定められない原理上、上の問題は、残留層をできる限り薄くするようにすることで小さくすることができるが、これは、ひどく大きな圧力場合によっては基板変形を大きくするを加え、比較的長い時間インプリントする必要がある場合がある場合によっては、生産効率を下げる。0048テンプレートは、インプリントリソグラフィシステムの重要なコンポーネントである。本明細書で指摘されているように、テンプレート表面上の特徴の解像度は、基板上にプリントされた特徴の達成可能な解像度に対する制限因子である。熱およびUVリソグラフィに使用されるテンプレートは、一般に2工程プロセスで形成される。最初に、例えば、電子線書き込み例えば、電子線パターン発生器とともにを使用して所望のパターンを書き込み、レジスト内に高解像度のパターンを与える。次いで、レジストパターンは、クロムの薄い層内に転写され、そこで、パターンをテンプレートのベース材料内に転写するための最終的な異方性エッチング工程用のマスクを形成する。例えば、イオンビームリソグラフィ、X線リソグラフィ、極端UVリソグラフィ、エピタキシャル成長、薄膜蒸着、化学エッチング、プラズマエッチング、イオンエッチング、またはイオンミリングなどの他の技術を使用することが可能である。一般に、非常に高い解像度が可能な技術が使用されるのは、テンプレートが実際に転写パターンの解像度がテンプレート上のパターンの解像度により制限される1xマスクであるためである。0049テンプレートの放出特性も、考慮対象とすることができる。例えば、テンプレートを表面処理材料で処理し、低表面エネルギーを持つテンプレート上に薄い放出層を形成することができる薄い放出層も、基板上に蒸着することができる。0050インプリントリソグラフィの開発の際の他の考慮事項は、テンプレートの機械的耐久性である。テンプレートは、レジストの型押し時に大きな力に曝される可能性があり、熱リソグラフィの場合、圧力および温度の上下限に曝されうる。これにより、テンプレートの磨耗が生じ、基板上にインプリントされたパターンの形状に悪影響を及ぼすことがある。0051熱インプリントリソグラフィでは、2つの間の熱膨張差を小さくするためにパターン形成される基板に対し同じまたは類似の材料のテンプレートを使用すると都合がよい場合がある。UVインプリントリソグラフィでは、テンプレートは、活性化放射線に対し少なくとも部分的に透過的であり、したがって、石英テンプレートが使用される。0052本文ではICの製造にインプリントリソグラフィを使用することを具体的に言及する場合があるが、説明されているインプリント装置および方法には、集積光学系、磁区magneticdomainメモリの誘導および検出パターン、ハードディスク磁気媒体、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用例のあることは理解されるであろう。0053本明細書の説明では、インプリントリソグラフィを使用し、レジストとして効果的に働くインプリント可能樹脂を介してテンプレートパターンを基板に転写することについて特に言及しているが、状況によっては、インプリント可能材料は、それ自体、機能材料であってよく、例えば、とりわけ、導電性、熱伝導性、光学的線形性、または非線形応答などの機能性を持つ材料であってよい。例えば、機能材料は、導電層、半導電層、誘電体層、または他の望ましい機械的、電気的、または光学的特性を有する層を形成することができる。いくつかの有機物質は、さらに、適切な機能材料であってもよい。このような用途は、本発明の実施形態の範囲内にありうる。0054図4Aは、テンプレートホルダ41内に保持されているインプリント用テンプレート40、および基板テーブル43上に保持されている基板42を備えるインプリントリソグラフィ装置の概略を示している。従来のインプリントリソグラフィ装置とは対照的に、インプリント用テンプレート40は、基板テーブル43と基板43の下に配置される。基板42は、基板テーブルの表面のところにもたらされる真空状態により基板テーブル43にしっかり固定される。インクジェットノズル44は、インプリント用テンプレート40上にインプリント可能媒体45の液滴を供給するように配列される複数のインクジェットノズルを使用することができる。これは、従来のインプリントリソグラフィ装置とは対照的であり、インプリント可能媒体は基板上に供給され、インプリント用テンプレート上には供給されない。0055インプリント用テンプレート40の表面全体、または少なくとも基板42内にインプリントされるパターンを備えるその領域は、インプリント可能媒体45の液滴で覆われる。図4Aは、液滴45が互いに接触していることを示しているが、それらの液滴は、そうではなく、互いに分離されるようにもできる。0056基板42の材料特性と比較した場合に、インプリントテンプレート40の材料特性のため、インプリント可能媒体45の蒸発量は、インプリント可能媒体45が基板42上に供給された場合と比べて小さいと思われる。材料特性は、以下で詳しく説明される。0057図4Bを参照すると、インプリント用テンプレート40は、インプリント用テンプレートが基板42と接触し、押し付けられるまで上方に移動されるおよび/または下方に移動される。これにより、インプリント可能媒体45は、インプリント用テンプレート40上にパターンを形成する凹み内に流れ込む。インプリント用テンプレート40は、インプリント用テンプレートの実質的にすべての凹みがインプリント可能媒体45により埋められるまでこの位置に保持される。これに続いて、図4Cに概略が示されているように、化学線例えば、UV放射線または可視光線がインプリント可能媒体45に当てられる。化学線は、インプリント用テンプレート40を通過するが、このテンプレートは、その波長または使用される波長で透過的であり、インプリント可能媒体45により吸収される。インプリント可能媒体は、化学線により硬化されるが、これは、インプリント用テンプレート40が取り外された後、インプリント可能媒体45はインプリント用テンプレート40によりインプリントされたパターンを保持する効果を持つ。基板は、その後、従来の方法で化学的に処理することができる。0058上述のように、インプリント可能媒体45がインプリント用テンプレート40から蒸発する量は、インプリント可能媒体が基板42上に供給された場合に発生しているであろう蒸発量よりも少ないと思われる。これは、インプリント用テンプレート40の材料特性によるものである。0059図5Aは、濡れ面を持つ基板46上に配置された1滴のインプリント可能媒体45aの概略を示している。図4に概略が示されている基板とは異なり、図5Aに概略が示されている基板46は従来の向きを持つ。図5Bは、非濡れ面51上に配置された1滴のインプリント可能媒体45bの概略を示している。0060一般に、液体と固体表面との間の相互作用は、それぞれの極性に依存する。液体および固体表面が同じ極性を持つ場合、固体表面は、濡れ表面である。例えば、水などの極性液体は、極性ガラス基板を濡らす。インプリント可能媒体および表面が同じ極性を持つ表面が濡れている場合、例えば、表面が基板46である場合、インプリント可能媒体は、表面上に容易に拡散し、1滴のインプリント可能媒体45aは図5Aに概略が示されている形態をとる。表面が非濡れ表面の場合、例えば、液体および固体表面が反対極性を持つ場合、インプリント可能媒体と基板との間の接触面積は小さくなる。その場合には、1滴のインプリント可能媒体45bは、図5Bに概略が示されている形態をとる。表面と液滴との間で定められた角度図5Aおよび5Bにおいてθとして示されているが90度を超える場合、表面は濡れていると通常は定義される。図5Bに概略が示されているように、この角度が90度よりも小さい場合、表面は、一般に、非濡れ表面であると呼ばれる。0061インプリント用テンプレート40は、わずかに濡れている。これは、図5Cに例示されており、そこでは、1滴のインプリント可能媒体45cは90度をわずかに超えるインプリント用テンプレート表面40との角度の範囲を定める。基板42の表面は、図5Aおよび5Cと比較するとわかるように、インプリント用テンプレート40に比べて著しく濡れているつまり、角度θは、90度よりも著しく大きい。このような理由から、インプリント用テンプレート40上に供給されるインプリント可能媒体45cの液滴のインプリント用テンプレートとの接触面積は、液滴が基板46上に供給された場合と比べて小さい。インプリント可能媒体45cの液滴は、同じ体積を持つので、接触面積が小さいほど、液滴の高さは増大する。液滴45cは、さらに、著しく小さい表面積を持つ、つまり、液滴45cのドーム面積は、基板上に供給される液滴45aのドーム面積と比べて小さい。0062蒸発は、インプリント可能媒体45の液滴の表面から生じる。インプリント用テンプレート40上のインプリント可能媒体45cの液滴の表面積は、基板46上のインプリント可能媒体45aの液滴の表面積よりも小さいが、これは、インプリント用テンプレート40の表面が基板46よりも濡れが少ないという事実によるものである。これは、インプリント可能媒体45の蒸発量が少ないことを意味する。0063インプリント可能媒体45の蒸発量に対する1つの要因は、基板46の表面からインプリント可能媒体の液滴への熱伝達である場合がある。熱伝達の効果は、インプリント可能媒体45の液滴がインプリント用テンプレート40上に供給されるときに低減されるが、それは、液滴の高さが高く、表面との接触面積が小さく、それにより、熱伝達量が減少するからである。これが、インプリント可能媒体の蒸発量を減らすのを助ける。0064インプリント可能媒体45の液滴のエッジで生じる蒸発の量は、一般に、液滴の残りに対するものよりも大きくなる。インプリント用テンプレート40上に供給されるインプリント可能媒体45の液滴の接触面積は、基板46上に供給される液滴と比べて小さいため、液滴のエッジの長さはそれに応じて短くなり、液滴のエッジからの蒸発量は、減少する。0065本発明の実施形態の他の利点は、1滴のインプリント可能媒体45の所定の体積について、液滴間の臨界距離が減少するという点である。この臨界距離は、2滴のインプリント可能媒体45が互いに接触し、融合して単一の液滴を形成することのないようにするために必要な距離である。臨界距離は狭められるため、これにより、インプリントに先立って供給できるインプリント可能媒体45の液滴のパターンにさらに柔軟性を持たせることができる。0066すでに述べたように、インプリント用テンプレート40は、一体となってインプリント可能媒体45内にインプリントされるパターンを形成する凹みを備えている。パターンは、一般に、ナノメートルまたは数十ナノメートルの解像度を持つ構造を含む。この構造は、インプリント可能媒体45のそれぞれの液滴とインプリント用テンプレート40との間に定められる角度を小さくする効果を持つ、つまり、インプリント用テンプレートの濡れを小さくする。この効果は、ときには、蓮の葉効果と呼ばれることもあり、蓮の葉に見られ、それらの葉が持つ小さな毛が葉の濡れるのを妨げ、また水滴が葉の上を転がって汚れを拾い、転がっていく間に葉をきれいにする。0067インプリント用テンプレート40が基板42に押し付けられたときに、インプリント用テンプレートの濡れが少ないという特性は、インプリント可能媒体45が全面的にテンプレート上を流れ、インプリント用テンプレートの凹みを埋めることを妨げる。テンプレートの材料は、十分に濡れており、インプリント可能媒体45をインプリント用テンプレート内の凹みすべてに流れ込むようにできる。従来の材料例えば、石英から作られているインプリント用テンプレートを、従来の材料例えば、シリコンから作られている基板とともに使用することができる。インプリント用テンプレート40は、基板42の下に配置され、このため、重力が働いて、インプリント用テンプレートの上面に供給されるインプリント可能媒体45の液滴を保持する。インプリント用テンプレート40が基板42の上に配置され、表を下にした場合、重力は、インプリント可能媒体45の液滴をインプリント用テンプレートから落下させる傾向がある。0068本明細書でさらに述べているように、基板42は、平坦化および転写層図4および5に例示されていないを備えることができる。平坦化および転写層は、インプリント用テンプレート40の表面に実質的に平行な表面をもたらす働きをする。平坦化層は、特徴のエッチング時にインプリントされた特徴のアスペクト比を改善する。0069インプリント用テンプレート40は、図4および5には水平であるとして概略が示されているが、インプリント用テンプレートは、水平に対してわずかな角度をなすことができるが、ただし、この角度は、インプリント可能媒体45の液滴がインプリント用テンプレートの表面上を移動するほど大きくはないことを条件とする。0070本発明の一実施形態では、UV放射線の代わりに、シアノアクリレートを使用してインプリント可能媒体を硬化させることができる。図6aを参照すると、基板100は、平坦化および転写層101を備える。低粘性のシアノアクリレート102は、液滴配列として基板100上にインクプリントされる。これは、水と接触するとシアノアクリレートが重合するため乾燥雰囲気中で実行される。シアノアクリレート102のインクプリントは、高速であり、典型的には、基板全体100上にシアノアクリレートを供給するために数秒を要する。図6bに概略が示されているように、基板全体100にシアノアクリレート102を供給した後、インプリント可能媒体104の層をすでに供給されているインプリント用テンプレート103は、基板100と揃えられ、基板上に押し付けられる。これにより、シアノアクリレート102の重合が生じる、つまりインプリント可能媒体が硬化する。インプリント可能媒体104の重合または硬化が完了した後、インプリント用テンプレート103は、図6cに概略が示されているように、基板から取り外される。硬化されたインプリント可能媒体104は、基板100上に残り、インプリント用テンプレート103の下側のパターンに対応するパターンを含む。0071インプリント可能媒体104は、例えば、シリコンリッチ重合体であってよい。この種の重合体は、濡れているため有利であり、したがって、凹み150内に容易に入り込み、インプリント用テンプレート103上に供給されるパターンを形成する。これにより、インプリント工程自体、つまり、インプリント用テンプレート103を基板100上に押し付ける作業を、すばやく完了させることができる。インプリント工程の圧力は、過度の遅れを生じることなくインプリント工程を実行できるように選択することが可能である。0072本発明のこの実施形態の利点は、インプリント可能媒体104を硬化させるためにUV放射線または他の化学線を必要としないという点である。これは、UV放射線に透過的な材料からインプリント用テンプレート103を加工する必要がないことを意味する。好適な安価な材料を使用して、インプリント用テンプレート、例えば、ニッケルまたは他の金属を加工することができる。0073シアノアクリレート102は、シリコンを含有せず、したがって、エッチングバリアを形成しないことに留意されたい。その代わりに、シアノアクリレート102は、基板100上に供給される平坦化層101の拡張とみなすことができる。つまり、インプリント可能媒体104でインプリントされたパターンの特徴が適切に定義されることを確実にするために必要なエッチングの量は、シアノアクリレートに影響されない。0074本発明のこの実施形態に使用することができるシアノアクリレートの実施例は、シアノアクリル酸メチル、シアノアクリル酸エチル、またはシアノアクリル酸アルコキシエチルを含む。シアノアクリレートは、ときには、強力接着剤とも呼ばれる。シアノアクリル酸エチルの構造式は、以下の実施例について示される。0075シアノアクリレートは、通常、粘性が低く典型的には、1~10cps、2つの部分を数秒典型的には、3~20秒以内に接着することができる。0076本発明の他のまたは追加の実施形態は、図7に概略が示されている。図7aを参照すると、基板150は、単量体151の層でスピンコートされている。インプリント用テンプレート152は、重合体および溶媒153の層を備える。シリコンを含む、重合体は、溶媒中に溶解される。重合体および溶媒153は、インプリント用テンプレート152上にスピンコートすることができる。以下でさらに詳しく説明される一配置では、インプリント用テンプレート152は、例えば、重合体および溶媒153をインプリント用テンプレートセットとインプリント用テンプレートセットホルダ上にスピンコートできるように、インプリントセットホルダとともに用意される一組のインプリント用テンプレートのうちの1つとすることができる。0077インプリント用テンプレート152は、パターン形成された一番上の表面152aを備える。パターン形成された一番上の表面152aは、例えば、フッ素化アルキルトリクロロシランまたはフッ素化アルキルアルコキシシランの自己組織化層を含む放出層で覆われている。0078図7bを参照すると、スピンコーティング中に溶媒は重合体と溶媒153の層からたちまち蒸発し、固体重合体153aの層が形成される。蒸発は、例えば、10秒程度要する。0079図7cを参照すると、基板150は、単量体151の層が重合体153aの層と接触するように、反転されインプリント用テンプレート152の上に配置される。0080図7dを参照すると、紫外線154がインプリント用テンプレート152に通され、それにより、重合体層153aおよび単量体151の層上に入射する。インプリント用テンプレート152は、例えば、紫外線に対し透過的な石英から作ることができる。重合体の層153aも、紫外線に対し透過的であるまたは、少なくとも部分的には透過的である。これにより、実質的な量の紫外線が単量体層151上に確実に入射する。単量体層151は、紫外線により重合され、それにより、基板150および重合体層153aに接着する接着剤として働く。重合体層153aは、それにより基板150に固定される。0081基板150は、上方に移動されおよび/またはインプリント用テンプレート152は下げられ、基板150およびインプリント用テンプレート152は、分離されるこれは、図7に示されていない。重合体層153aは、基板に固定されているが、インプリント用テンプレート152から外される。重合体層153aは、インプリント用テンプレート152のパターン形成された一番上の表面152aと対応するパターンを保持する。重合体層153aがインプリント用テンプレート152から解放されるが、これは、インプリント用テンプレート152上に備えられる放出層により促進される。0082上の説明では単量体151の層のことを述べているが、単量体と重合体のブレンドを代わりに使用することもできることは理解されるであろう。0083本発明の他のまたは追加の実施形態は、図8に概略が示されている。図8aを参照すると、インプリント用テンプレート200は、液体またはゲル状のシリコンリッチ単量体およびシリコンリッチ重合体201の混合物を供給される。重合体/単量体混合物201は、スピンコーティングを介してインプリント用テンプレート200に塗布することができる。以下で詳しく説明されるが、インプリント用テンプレート200は、インプリント用テンプレートセットホルダとともに、配列として配置されている1セットのインプリント用テンプレートのうちの1つとすることができる。その場合、重合体/単量体混合物のスピンコーティングは、インプリント用テンプレートの配列上に施すことができる。0084重合体/単量体混合物201の粘性は、十分に高く、スピンコーティング中にバラバラなることが回避される。重合体/単量体混合物の粘性は、単量体の蒸発によりスピンコーティング中に増加する。0085重合体/単量体混合物201は、インプリント用テンプレート200の一番上の表面から上に出る混合物の量が薄くなるように配置される。この量の部分は、残留層202と呼ばれる。薄い、実質的に均質な残留層202が望ましいのは、インプリントプロセスの完了後、実行するエッチングの量を減らせるからである。0086図8bを参照すると、基板203は、平坦化層204を備える。基板203は、反転され、重合体/単量体混合物202と接触させられる。基板203に関するインプリント用テンプレート200のアライメントは、インプリント用テンプレート200が基板に関して所望の配置になるようにするために実行することができる。このアライメントは、例えば、従来のアライメント光学系を使用して実行することができる。アライメントは、平坦化層204と重合体/単量体混合物201との間に接触が生じた後に実行できるか、またはそれとは別に接触前に実行する。0087基板203およびインプリント用テンプレート200は、加圧されてくっつき、これにより、確実に、平坦化層204と重合体/単量体混合物201との間の接触が十分なものとなる。この後、図8cに概略が示されているように、紫外線がインプリント用テンプレート200に通され、重合体/単量体混合物201内に入る。これにより、重合体/単量体混合物201は硬化し、固形に変わる。次いで、基板203は、図8dに概略が示されているように、インプリント用テンプレート200から分離される。こうして硬化された重合体/単量体混合物は、固体201aであり、インプリント用テンプレート200上に設けられたパターンに対応するパターンを保持し、平坦化層204に接着する。0088従来使用されていた単量体の代わりに、重合体/単量体混合物を硬化させるために必要な紫外線の量は、著しく減らすことができる。これは、インプリントプロセスは、さらに速く完了させることができ、それにより、インプリントプロセスの効率が向上する。0089本発明の他のまたは追加の実施形態は、図9に概略が示されている。図9aに概略が示されているように、インプリント用テンプレート250は、シリコンリッチ重合体および溶媒混合物251の層を備える。蒸発により、重合体層252がテンプレート250上に形成され、重合体層は実質的に固体になる。図9bに概略が示されているように、基板253に、UV硬化性単量体254の液滴の配列が与えられる。0090図9dを参照すると、インプリント用テンプレート250は、反転され、基板253の方へ移動されおよび/または基板253は、インプリント用テンプレート250の方へ移動され、それにより、重合体層252は単量体254の液滴と接触する。接触の後の状況は、図9eに拡大して概略が示されており、そこでは、単量体254と基板253との間の接触角度が小さく、また同様に、単量体254と重合体層252との間の接触角度も小さい接触角度は単量体とそれが接触する表面との間になす角度であることがわかる。この小さな角度であることは、単量体254をすばやく流せるため好都合である。0091従来のインプリントリソグラフィでは、インプリント時の基板とインプリント用テンプレートとの間の隔たりは、通常、150ナノメートル未満でなければならない。液体単量体254および重合体層252を使用することで、基板とインプリント用テンプレートとの間の有効距離を、150ナノメートルより大きくすることができる。これは、単量体254がシリコンを含有せず、したがって、エッチングバリアを形成しないためである。その代わりに、単量体254は、基板253上に供給される平坦化層255の拡張とみなすことができる。0092インプリント可能媒体がインプリント用テンプレート上に完全に拡散するのに要する時間は、インプリント用テンプレート250と基板253との間のインプリント可能媒体の層の最終的な厚さの平方に反比例する。したがって、流体の層の厚さつまり、この場合、単量体254を150ナノメートルの従来の厚さから300ナノメートルに増やすと、流体が拡散するのに要する時間は4倍短縮される。0093図9に例示されている本発明の実施形態の追加または他の利点は、インプリント用テンプレートの凹みがすでに重合体252により埋められているため、単量体254の拡散が、重合体252が存在しない場合に比べて速い点である。これは、単量体254が、2つの平坦な平面の間に拡散することを意味しているこれは、平坦な平面と、凹みのパターンが付けられた平面との間の拡散よりも容易である。0094図9fを参照すると、単量体254が重合体層252と基板253との間に完全に拡散した後、UV放射線がインプリント用テンプレート250に通される。UV放射線は、単量体を硬化させ、それにより、重合体252の層を基板253に接着させる。次いで、インプリント用テンプレート250が盛り上がりおよび/または基板253が下がり、パターン形成された重合体層252を残し、単量体254により基板253に接着される平坦化層255を介して。0095本発明の他のまたは追加の実施形態は、図10に例示されている。図10aに概略が示されているように、インプリント用テンプレート270は、低粘度のシリコン含有単量体の層を備える。場合によっては、層は、シリコン含有単量体およびこれもまたシリコン含有でもよい重合体のブレンドを含むことができる。参照しやすくするために、この層は、これ以降、単量体層271と呼ぶ。単量体層の粘度は、十分に低く、インプリント用テンプレート270上に含まれるすべてのパターン特徴は、単量体により埋められる。0096基板272は、平坦化層273を備える。平坦化層273は、単量体または単量体と重合体いずれもシリコンを含まないのブレンドを含み、低粘性流体である。平坦化層273は、十分に厚く、基板272の表面全体を覆う、つまり、基板が平坦化層から突き出る箇所はない。0097インプリント用テンプレート270は、反転され、基板272の上に配置される。次いで、インプリント用テンプレートは、下方に移動されおよび/または基板が上方に移動され、単量体層271は、図10bに概略が示されているように、平坦化層273と接触する。単量体層271と平坦化層273は両方とも、接触が生じるときには流体である。図10cに概略が示されているように、UV放射線274を使用して、単量体層および平坦化層を照射し、両方の層を重合し固体にする。次いで、インプリント用テンプレート270は上方に移動されおよび/または基板272は下方に移動され、それによりインプリント用テンプレート270および基板272は分離される。インプリント用テンプレート270上に供給される放出層は、現在重合されている層271からインプリント用テンプレートがきちんと外れるようにするのを補助するこれは、以前には単量体層271であった。0098平坦化層273は、平坦化層と単量体層271との間で接触が行われるときに流体であるため、インプリント時に基板272またはインプリント用テンプレート270を損傷する危険性は低減される。これにより、単量体層271の厚さが減り、特にいわゆる残留層の厚さが減るこれは、インプリント用テンプレート270のパターン形成面の上に出る単量体層の厚さである。0099本発明の他のまたは追加の実施形態は、図11に例示されている。図11aを参照すると、例えば、52枚のインプリント用テンプレート300の配列が、従来の300mmシリコンウェハの有用な領域におおよそ対応する構成で配置されている。インプリント用テンプレートはそれぞれ、チャネル301により分離される。00100テンプレートセットホルダ302は、図11bに概略が示されている。テンプレートセットホルダ302は、円形でありただし、他の形状をとることもできる、従来の300mm基板の外周とほぼ対応する外周を持つ。テンプレートセットホルダ302は、52個の開口部303を備え、それぞれ、インプリント用テンプレート300を受け入れられる寸法になっている。00101図11cは、インプリント用テンプレート300を備えるテンプレートセットホルダ302の概略断面図である。テンプレートセットホルダ302内に用意されている開口部303は、インプリント用テンプレート300がその中に保持されたときに、インプリント用テンプレート300の一番上の表面がテンプレートセットホルダ302の一番上の表面と同一平面になるように配列される深さを持つテンプレートセットホルダの一番上の表面という用語は、使用時に基板の上または下に配置されるテンプレートセットホルダの部分を指すことが意図されており、インプリント用テンプレートホルダの周辺部を含むことは意図されていない。00102インプリント用テンプレート300およびテンプレートセットホルダ302を図4に概略が示されているように備えることにより、インプリント可能媒体または他の好適な媒体を複数のテンプレートの上にスピンコーティングする操作は、テンプレートセットホルダ302を回転させて容易に行える。インプリント用テンプレート300の一番上の表面およびテンプレートセットホルダ302の表面が同一平面上にあるという事実から、インプリント可能媒体をテンプレートセットホルダおよびインプリント用テンプレート上に容易に移動させることができる。00103本発明の上記の実施形態は、従来の口径300mmのウェハに関して説明されているが、本発明の実施形態は、他の好適な基板に施すことができることは理解されるであろう。例えば、テンプレートセットホルダ302は、従来の口径200mmのウェハと対応するように寸法を決めることができる。任意の数のインプリント用テンプレートおよび対応する開口部を使用できることも理解されるであろう。これは、例えば、テンプレートのサイズおよび形状、および基板のサイズおよび形状に応じて変化しうる。00104本発明の実施形態に対応するテンプレートセットホルダおよびインプリント用テンプレートを使用できる様々な配置について以下で説明する。00105本発明の他のまたは追加の実施形態は、図12に概略が示されている。複数のインプリント用テンプレート400は、テンプレートセットホルダ401内に保持される。図12aには、3つのみのインプリント用テンプレートの概略が示されているが、これは、例示しやすくするためであり、十分なインプリント用テンプレートを用意し、基板全体例えば、シリコンウェハを覆うようにすることができることは理解されるであろう。インプリント用テンプレート400およびテンプレートセットホルダ401は、シリコンリッチ単量体402の液層で覆われる。これは、スピンコーティングを使用して行うことができる。00106基板403は、平坦化層404を備える。次いで、基板は、反転され、インプリント用テンプレート400とテンプレートセットホルダ401の上に配置される。次いで、基板403は下方に移動されおよび/または、インプリント用テンプレート400は上方に移動され、そこで、平坦化層404がインプリント用テンプレート400およびテンプレートセットホルダ401上に供給されるシリコンリッチ単量体402の層上に押し付けられる。平坦化層404がシリコンリッチ単量体402と接触するときにガスポケットまたは気泡が含まれないよう注意する。00107基板403とインプリント用テンプレート400とのアライメントは、平坦化層404とシリコンリッチ単量体402との間で接触が生じた後に行われる。アライメントは、例えば、光学的アライメント装置を使用して基板403上に設けられているアライメントマーク図には示されていないを確認することで行うことができる。テンプレートセットホルダ401は、変形可能材料から形成することができ、それにより、所定のインプリント用テンプレート400の位置をその隣接要素に関して、テンプレートセットホルダ401から取り外すことなく調整することができる。インプリント用テンプレート400と基板403とのアライメントが行われた後、基板403は、下方に押されてインプリント用テンプレート400に載りおよび/またはその逆にも行われ、液体シリコンリッチ単量体402が平坦化層404に接着する。00108十分に時間をとってシリコンリッチ単量体402を平坦化層404に接着させた後、UV放射線を使用して、シリコンリッチ単量体402を硬化させる。インプリント用テンプレート400が、UV放射線に透過的な材料から形成されるが、テンプレートセットホルダ401は、紫外線に対しては不透明な材料から形成される。これは、UV放射線がインプリント用テンプレート400しか通らず、その結果、インプリント用テンプレート400の上に配置されているシリコンリッチ単量体402のみが紫外線の照射を受け、硬化することを意味する。シリコンリッチ単量体402は、紫外線により重合され、それにより、エッチング試薬に耐久性のある固体が形成される。00109テンプレートセットホルダ401の上に配置されているシリコンリッチ単量体402は、単量体の形で残る、つまり、重合されない。00110インプリント用テンプレート400を形成するために使用することができる好適な材料としては、石英またはプラスチックがある。テンプレートセットホルダ401を形成するために使用することができる好適な材料としては、プラスチックコーティング鋼鉄または強UV吸収剤を含むプラスチックがある。変形可能なテンプレートセットホルダ401が望ましい場合には、強UV吸収剤でコーティングされたプラスチックまたは他の好適な変形可能材料を使用することができる。00111重合されていないシリコンリッチ単量体402の領域は、蒸発により取り除かれ、インプリント用テンプレート400は、図12dに概略が示されているように、適所に残る。これは、インプリント用テンプレート400および基板403が配置される環境に低圧を加えることにより行われる。この低圧により、重合していない単量体の蒸発が速く進むが、重合されたシリコンリッチ単量体402は影響を受けない。蒸発の結果、チャネル406がインプリント用テンプレート400の間にできる。このチャネルは、インプリント用テンプレート400のそれぞれの間を通るグリッドを形成する。00112蒸発した単量体のガスは、シリコンリッチ単量体を含む。このガスは、回収して、処分することができる。00113図12eを参照すると、蒸発が完了した後、インプリント用テンプレート400は、下方に移動され、基板403から離れるおよび/またはその逆に移動する。次いで、基板403は、その後の化学処理、例えば、エッチングを行えるように取り除かれる。次いで、インプリント用テンプレート400およびテンプレートセットホルダ401は、シリコンリッチ単量体の新しい層を与えられ、図12aから12eに概略が示されているプロセスが繰り返される。00114基板403からのインプリント用テンプレート400の取り外しは、個々に行うことができる、つまり、それぞれのインプリント用テンプレート400は、基板から別々に取り外される。これは、インプリント用テンプレート400の間の単量体が蒸発し、またテンプレートセットホルダ401が変形可能であることから、隣接要素に悪影響を及ぼすことなく例えば、望ましくない移動を引き起こすことなく所定のインプリント用テンプレート400が基板から離れるため可能である。他の配置では、インプリント用テンプレート400はすべて、単一操作により基板403から取り外すことができる。さらに他の配置では、インプリント用テンプレート400の特定のサブセット、例えば行を、別々の操作で基板403から取り外すことができる。インプリント用テンプレート400からシリコンリッチ単量体402を取り除く利点は、基板403からインプリント用テンプレート400を取り除くおよび/またはその逆を行うために必要な力が小さくなるという点である。それに加えて、インプリント用テンプレート400および/または基板403上の特徴を損傷する危険性が低減される。00115本発明の他のまたは追加の実施形態は、図13に概略が例示されている。図13aは、テンプレートセットホルダ451内に保持されている一組のインプリント用テンプレート450を示している。シリコンリッチ重合体452の層は、インプリント用テンプレート450およびテンプレートセットホルダ451からスピンコーティングされ、固体層を形成する。00116図13bは、一組のパンチ454の概略を示しており、それぞれのパンチは、インプリント用テンプレート450よりもわずかに大きい内周を持つ。この一組のパンチ454は、下方に移動されおよび/またはインプリント用テンプレート400は、上方に移動され、シリコンリッチ重合体452の層内に切り込む。パンチ454は、テンプレートセットホルダ451上に押し付けられるまでシリコンリッチ重合体452の層内を通る。これが完了した後、一組のパンチ454は、シリコンリッチ重合体452から分離される。パンチの作用は、所定のインプリント用テンプレート450上のシリコンリッチ重合体452の周を切断することであり、それにより、インプリント用テンプレート上にあるシリコンリッチ重合体は、それを囲むシリコンリッチ重合体から外される。00117パンチ454の間に隔たりが設けられ、それにより、インプリント用テンプレート450ではなく、むしろ、テンプレートセットホルダ451上に供給されたシリコンリッチ重合体452を残すことができる。00118この一組のパンチ454は、例えば、ナノメートルスケールの高い精度を持つ必要はない。必要なのは、インプリント用テンプレート450上に供給されるシリコンリッチ重合体452が一組のパンチ454により切断されず、インプリント用テンプレート450のエッジを超えて少量のシリコンリッチ重合体のみが残ることである。00119図13cを参照すると、テンプレートセットホルダ451は、上方に移動され、インプリント用テンプレート450から離れるまたはその逆。テンプレートセットホルダ451は、上面に供給されるシリコンリッチ重合体452のその部分を伴う。シリコンリッチ重合体452を取り除いて、後の基板用に再利用することができる。00120図13cから、一組のパンチ454により得られる切断精度は、実質的な量のシリコンリッジ重合体452がインプリント用テンプレート450のエッジを超え、テンプレートセットホルダ451上に載ることのないように十分によい精度でなければならないことがわかる。これが、インプリント用テンプレート450の間の中心線にそって切断する簡略化された一組のパンチが使用されない理由である。このような実質的な量のシリコンリッチ重合体452がこのようにしてテンプレートセットホルダを超える場合、テンプレートセットホルダが上方に移動されるおよび/またはインプリント用テンプレート450が下方に移動される場合に、テンプレート450自体の上に折り重なり、折り返され、それにより、その領域内にシリコンリッチ重合体452の二重層が形成される。これは、結果として、後述の工程においてシリコンリッチ重合体452と平坦化層の間の接触が悪くなるため回避すべきである。このため、シリコンリッチ重合体と平坦化層との間にガスポケットが含まれることになるか、および/または不均一なエッチングアリアが形成されるおそれがある。00121図13dを参照すると、テンプレートセットホルダ451が取り除かれた後、インプリント用テンプレート450は反転される。平坦化層457を備える基板456は、インプリント用テンプレート450上に用意されたシリコンリッチ重合体層452と接触させられる。平坦化層457は、単量体溶液を含むか、または単量体/重合体混合物とすることができる。溶液または混合物が、基板456上にスピンコーティングされる。00122インプリント用テンプレート450と基板456とのアライメントをすることができる。そのためには、アライメント装置を使用して、例えば、基板456上に用意されているアライメントマークの位置を調べ、インプリント用テンプレート450のうちの1つまたは複数の位置を調整する。複数のインプリント用テンプレート450の位置は、例えば、ステッパーモーターまたは他の位置制御装置により制御することができる。アライメントは、平坦化層457がシリコンリッチ重合体層452と接触する前に実行できる。それとは別に、またはそれに加えて、接触が生じた後すぐにアライメントを行うことができる。00123平坦化層457とシリコンリッチ重合体452との間の接触の後、基板456は、インプリント用テンプレート450の方へ上に押されまたはインプリント用テンプレート450が基板456の方へ下に押され、これにより確実に、平坦化層とシリコンリッチ重合体との間の接触が適切に形成される。00124図13eを参照すると、UV放射線が、インプリント用テンプレート450に当てられ、インプリント用テンプレートを通過して、シリコンリッチ重合体452および平坦化層457上に入射している。UV放射線により、平坦化層457が重合する。これにより、平坦化層457が固形化し、シリコンリッチ重合体452を平坦化層に結合する。インプリント用テンプレート450は、石英、プラスチック、またはUV放射線に対し実質的に透過的な他の好適な材料から構成することができる。00125図13fを参照すると、インプリント用テンプレート450が、上方に移動され、基板456から離れまたはその逆、インプリントされたパターンを備えるシリコンリッチ重合体452の領域を残す。インプリント用テンプレート450は、放出層シリコンリッチ重合体を容易に分離できるようにする材料の層を備えることができ、これにより、シリコンリッチ重合体452からインプリント用テンプレートを取り除きやすくなる。放出層は、シリコン重合体452の層内に設けられたパターンが、例えば、インプリント用テンプレート450が基板から取り外されるときに望ましくない接着により損傷することのないようにするために役立つ。00126本発明の他のまたは追加の実施形態は、図14に概略が示されている。図14aを参照すると、一組のインプリント用テンプレート500が、テンプレートセットホルダ501により保持されている。シリコンリッチ重合体502の層は、インプリント用テンプレート500およびテンプレートセットホルダ501上にスピンコーティングされる。テンプレートセットホルダ501は、UV放射線に実質的に透過的な材料、例えば、石英または適当なプラスチックから加工される。同様に、インプリント用テンプレート500は、UV放射線に実質的に透過的であり、例えば、石英または適当なプラスチックから加工できる。インプリント用テンプレート500および/またはインプリント用テンプレート500に隣接するテンプレートセットホルダ501の側壁は、UV放射線に対し不透明な材料の層を備え、UV放射線バリアとして働く。例えば、材料の層は、強UV放射線吸収重合体層を含むことができる。00127図14bを参照すると、UV放射線矢印504により示されているようには、テンプレートセットホルダ501に通されるが、インプリント用テンプレート500を通過しない。これは、例えば、UV放射線をテンプレートセットホルダに誘導する放射線誘導装置を備え、テンプレートセットホルダおよび/またはインプリント用テンプレートの側面がUV放射線に対し不透明であることを確実にすることにより実現できる。放射線誘導装置は、例えば、光ファイバまたは好適な放射線誘導チャネルを備えることができる。00128UV放射線は、テンプレートセットホルダ501上に配置されているシリコンリッチ単量体502の領域を重合する。これは、それらの領域内のシリコンリッチ単量体を黒く表示することにより概略が示されている。これは、固体であるシリコンリッチ重合体のグリッドを形成するシリコンリッチ単量体502は流体またはゲル状である。この重合の後、テンプレートセットホルダ501は、下方に移動され、インプリント用テンプレート500から離されおよび/またはインプリント用テンプレート500は、上方に移動され、テンプレートセットホルダ501から離され、テンプレートセットホルダとともに、そこに配置されているシリコンリッチ重合体の領域を取り除く。後に残されたものは、それぞれがシリコンリッチ単量体502の層を供給される一組のインプリント用テンプレート500である。00129図14dを参照すると、基板506は、平坦化層507でスピンコーティングされている。例えば、平坦化層は、重合体混合物を含むことができる。基板506は、平坦化層507を供給された後反転され、インプリント用テンプレート500上に供給されたシリコンリッチ重合体層502と接触させられる。00130必要ならば、インプリント用テンプレート500のそれぞれを基板506上の特定の位置と合わせることができる。これは、基板上に用意されているアライメントマークの位置を監視するように配列されたアライメント装置光学的であってもよいを使用することにより実現できる。インプリント用テンプレート500の位置は、例えば、ステッパーモーターまたは他の適当な調整手段を使用して、アライメントマークの決定された配置に基づいて調整することができる。アライメントは、平坦化層507とシリコンリッチ単量体の層502との間に接触が生じる前実行できる。それとは別に、またはそれに加えて、接触が生じた後すぐにアライメントを行うことができる。00131平坦化層507とシリコンリッチ単量体502との間に接触が生じた後、基板506は、下方に押されおよび/またはインプリント用テンプレート500が上方に押され、これにより確実に、平坦化層507とシリコンリッチ単量体層502との間の接触が適切に形成される。00132図14eを参照すると、UV放射線が、インプリント用テンプレート500に当てられる。紫外線は、インプリント用テンプレート500内を通り、シリコンリッチ単量体502および平坦化層507上に入射する。紫外線は、シリコンリッチ単量体502を硬化させる働きをし、重合してシリコンリッジ重合体502aを形成する。00133UV放射線により照射された後、基板506は、上方に移動され、インプリント用テンプレート500から離れるまたはその逆。シリコンリッチ重合体502aは、平坦化層507に接着し、インプリント用テンプレート500から転写されたパターンを帯びる。インプリント用テンプレート500は、シリコンリッチ重合体502aからインプリント用テンプレート500を容易に離せるようにする放出層を備えることができる。00134これまで本発明の特定の実施形態を説明してきたが、本発明は説明した以外の方法でも実施することができることは理解されるであろう、この説明は、本発明を制限することを意図していない。00135基板100は、基板ホルダ内に保持することができ、同様に、インプリント用テンプレート103は、テンプレートホルダ内に保持することができる。00136放出層を使用することについては、本発明の上記の実施形態のいくつかに関してしか説明されていない。しかし、放出層は、本発明の他の実施形態でも応用できることは理解されるであろう。00137基板に関するテンプレートのアライメントについては、本発明の上記の実施形態のいくつかに関してしか説明されていない。しかし、そのようなアライメントは、本発明の他の実施形態でも使用できることは理解されるであろう。00138本発明の実施形態の上記説明の様々な場所において、基板をインプリント用テンプレートの方へ移動可能であり、インプリント用テンプレートから離すことができ、またはインプリント用テンプレートを基板の方へ移動可能であり、基板から離すことができるということが参照されている。これらの代替えのいずれかまたは両方を、適切であれば、本発明のいくつかの実施形態に使用できることは理解されるであろう。さらに、基板とインプリント用テンプレートの両方が移動可能であってもよい。00139当業者であれば、UV放射線は、本発明の上記の実施形態における化学線の一実施例として与えられ、また電磁波の他の好適な波長も使用することができることは理解されるであろう。00140化学線を吸収する開始剤を単量体液体または重合体単量体混合物内に入れることができる。これにより、化学線の吸収がスピードアップし、それにより、重合プロセスの速度も速くなる。00141いくつかの場合に、一定割合の重合体を単量体に加えることができる。これは、例えば、単量体の流体特性を変えるため、および/または単量体の重合に要する時間を短縮するために行うことができる。したがって、単量体という用語は、必ずしも、重合体が存在していないという意味に解釈すべきではなく、その代わりに、何らかの重合体が存在しうるという意味に解釈すべきである。00142本発明の実施形態のいくつかは、単一のインプリント用テンプレートに関して説明されているが、単一のインプリント用テンプレートは、一組のインプリント用テンプレートのうちの1つであってよいことは理解されるであろう。一般に、当業者であれば、本発明の異なる実施形態、およびその1つまたは複数の特徴を1つに組み合わせることができることは理解するであろう。"