"絶縁体媒質中に磁性粒子を分散させたグラニュラ磁性層と絶縁層とを交互に積層するとともに、前記磁性粒子にPdを添加したことを特徴とする積層磁性薄膜。前記磁性粒子が、Co-Fe合金であることを特徴とする請求項1記載の積層磁性薄膜。前記絶縁体媒質及び絶縁層が、SiO2,Al2O3,MgO,AlN,Si3N4,BNのいずれかであることを特徴とする請求項2記載の積層磁性薄膜。前記磁性粒子に対するPdの添加量を、20at以上としたことを特徴とする請求項3記載の積層磁性薄膜。請求項1~4のいずれか一項に記載の積層磁性薄膜を利用したことを特徴とする磁性部品。しかしながら、上述した背景技術の垂直磁気記録媒体では、六方最密構造hcpのc軸を垂直方向に配列することでこのような磁性を達成しているが、Pdは面心立法構造fccを取るため、磁気記録層に直接Pdを添加することは難しく、結晶配向のために上記のような2層構造をとる必要がある。また、前記垂直磁気記録媒体以外の磁気デバイスにおいては、磁性体材料に磁気異方性を持たせるために結晶配向させるという技術は、これまでに開示されていない。このため、グラニュラ磁性材料は、高い強磁性共鳴周波数を有するのにもかかわらず、強磁性共鳴損失が広い周波数帯域にわたって存在するため、損失のない状態で用いるためには相対的に低い周波数帯域で使用しなければならない状態となっている。本発明は、以上のような点に着目したもので、高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及びそれを利用した磁性部品を提供することを、その目的とする。本発明の積層磁性薄膜は、絶縁体媒質中に磁性粒子を分散させたグラニュラ磁性層と絶縁層とを交互に積層するとともに、前記磁性粒子にPdを添加したことを特徴とする。主要な形態の一つは、前記磁性粒子が、Co-Fe合金であることを特徴とする。他の形態は、前記絶縁体媒質及び絶縁層が、SiO2,Al2O3,MgO,AlN,Si3N4,BNのいずれかであることを特徴とする。更に他の形態は、前記磁性粒子に対するPdの添加量を、20at以上としたことを特徴とする。本発明の磁性部品は、前記いずれかに記載の積層磁性薄膜を利用したことを特徴とする。本発明の前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。本発明によれば、絶縁体媒質中に磁性粒子を分散させたグラニュラ磁性層と絶縁層とを交互に積層するとともに、前記磁性粒子にPdを添加することとした。そして、前記積層構造により、磁性粒子の粒径の分布を抑制して膜厚方向の粒子間隔を一定に保ち、また、磁性粒子にPdを付与して磁性粒子の結晶配向を促すこととしたので、これらの作用により極めて均一な微細構造を有し、強磁性共鳴損失が極めて狭い範囲に存在し、動作周波数の広い積層磁性薄膜とそれを利用した磁性部品が得られる。以下、本発明を実施するための形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。最初に、図1を参照しながら本発明の実施例1の積層磁性薄膜の基本構造について説明する。図1は、本発明に係る積層磁性薄膜の積層構造を示す斜視図である。図1に示すように、積層磁性薄膜10は、絶縁体媒質14中に磁性粒子16が分離共存するグラニュラ磁性層12と、金属酸化物や窒化物などによる絶縁層18を交互に複数積層した積層構造となっている。本発明では、前記磁性粒子16にPdを添加することで結晶配向を促すとともに、グラニュラ磁性層12と絶縁層18を積層構造とすることで、グラニュラ磁性層12中の磁性粒子16の粒径を均一化する。磁性粒子16の粒径の均一化について説明すると、仮に、絶縁層18を挟まずに、1層目のグラニュラ磁性層12上に、2層目のグラニュラ磁性層12を形成すると、下層のグラニュラ磁性層12中の磁性粒子16の一部が、上層のグラニュラ磁性層12に向かって成長することになる。その結果、磁性粒子16の粒径がグラニュラ磁性層12の一層当たりの厚みよりも大きくなる。これに対し、本発明では、図1に示すように、下層のグラニュラ磁性層12上に絶縁層18を形成することで、下層のグラニュラ磁性層12の界面が絶縁層18で被覆されるようになり、これによって磁性粒子16の成長が阻止される。その結果、磁性粒子16の粒径は、グラニュラ磁性層12の膜厚以下の粒径で均一化される。<具体例1>次に、本実施例の具体例1について説明する。グラニュラ磁性層12中の磁性粒子16を構成する磁性金属として、Co-Fe合金組成比率80:20at,絶縁体媒質14及び絶縁層18としてSiO2,磁性粒子16の結晶配向を促す添加物元素としてPdを用いた積層磁性薄膜10の試料を、RFスパッタ装置を用いて作製した。前記試料の作成はすべて静磁場中で行われており、成膜中の印加磁場方向に磁化容易軸が形成されている。すなわち、具体例1では、積層磁性薄膜10のグラニュラ磁性層がCoFePdSiOによって形成され、前記絶縁体媒質14及び絶縁層18がSiO2によって形成される。このようにして得られた積層磁性薄膜10の試料について、Pd添加量を変えて異方性磁界,飽和磁化,保磁力,透磁率などの特性確認を行った。なお、異方性磁化,飽和磁化,保磁力などの静磁気特性はVSM装置理研電子社製を用いて測定した磁化曲線から評価し、透磁率の周波数特性は高周波透磁率測定装置凌和電子社製:PMM9G-1を用いて評価した。各評価の試料はそれぞれ、磁化曲線の測定で10mm×10mm,透磁率の測定で4mm×10mmの大きさに加工して測定を行った。図2は、磁性粒子16に対するPd添加量を変化させたCoFePdSiO/SiO2積層磁性薄膜10グラニュラ磁性層12の厚さ:10nm,絶縁層18の厚さ:0.8nm,グラニュラ磁性層12のCoFePd/SiO2の体積比:5.0の透磁率周波数特性を示す図であり、は透磁率の実数成分の特性を示し、は透磁率の虚数成分の特性を示している。図2及びにおいて、横軸は周波数[GHz]を表し、縦軸は透磁率を表している。また、図3には、飽和磁化及び異方性磁界とPd添加量との関係が示されている。図3において、横軸はPd添加量[at]を表し、左側の縦軸が飽和磁化[T],右側の縦軸が異方性磁界[Oe]を表している。図4には、Pd添加量とFMR半値幅[MHz]の関係が示されている。これら図2~図4の測定結果を得るための試料のPd添加量は、0at,7.5at,13.4at,19.7at,23.8at,27.4atとした。これらの結果を比較すると、図2に示すように、透磁率実数成分の値がPd添加量の増加に応じて減少する傾向を示している反面、図2に示すように、FMR周波数はPdの添加量が増えるほど高い値となり、かつ、ピークが急峻となることが確認された。また、図4に示すように、FMR半値幅は、Pd添加量を増やすに従って減少する傾向を示しており、特に図2から2GHz付近のFMR周波数以下の領域における虚数成分の値が顕著に減少することが観察される。FMR半値幅は、共振周波数に比例し、損失が発生する周波数は、Pd添加量により異なる。また、図3に示すように、Pd添加量の増加に応じて飽和磁化Msが減少傾向を示し、異方性磁界Hkが増加傾向を示していることから、Pd添加量の増加に伴う透磁率の値の減少と、FMR周波数の増加は、それぞれ上記数式1、数式2に示したように、異方性磁界Hkと飽和磁化Msの変化によって説明することが可能である。なお、飽和磁化Msの減少の程度よりも異方性磁界Hkの増大の程度の方が大きい。ここで、飽和磁化Msの変化量はCoFe合金の磁化がPdによって単純に希釈される計算式とほぼ一致することから、飽和磁化Msの変化はCoFe粒子内のPdによる磁化の減少に起因することを示し、Pd添加CoFeSiO/SiO2膜において、Pdが磁性粒子16内に存在していることを示唆するものと考えられる。一方、異方性磁界Hkの増加についてはその原因は明確ではないが、Pdが添加されたグラニュラ磁性薄膜の報告において、同様に異方性磁界Hkの増加が確認されていることから例えば、SOhnumaNKobayashiTMasumotoSMitaniandHFujimoriAnisotropyFieldandElectricalResistivityinMagneticallySoftCoPdSiOThinFilms日本応用磁気学会誌Vol23No12pp240242、Pd添加が結晶磁気異方性の増加などにより磁気異方性を高め、結果として異方性磁界Hkが高くなっているものと予測される。なお、FMR半値幅がPd添加量の増加に応じて減少する傾向を示す原因については、グラニュラ磁性層12中の磁性粒子16の結晶配向に起因しており、断面TEMの観察の結果を元にその詳細を後述する。図2に示すように、Pd添加量が13.4at以下の試料の透磁率実数成分において、1-2GHz帯域においてサブピークが観察されている。これらのピークは、FMR半値幅の増加特に2GHz以下の低周波帯域の損失増加に深く関与しているものと推測できる。このピークの解析及び積層グラニュラ構造との比較のため、同一組成領域において絶縁層を積層しない通常のグラニュラ構造グラニュラ層のCoFePd/SiO2体積比:5.0の比較例を作製し、その特性解析を行った。当該比較例の透磁率周波数特性のPd添加量依存性を図5に示す。図5は透磁率の実数成分を示し、図5は透磁率の虚数成分を示している。Pdの添加量は、0at,7.2at,12at,21.1at,26atとした。図5及びに示すように、Pd添加量が12at以下の試料では、2GHz近傍と3-4GHz付近に2つの明瞭に分離したピークが確認され、Pd添加量が21.1at以上の試料は3GHz付近に単一の鋭いピークが観察される。2つにピークが分離した試料は、図2の積層磁性薄膜の試料と比較すると、透磁率の値が半分程度に減少していることから、2GHz近傍に観察された低周波側のメインピークは垂直方向の磁化の運動に伴う透磁率であり、3-4GHz付近のサブピークは面内方向の磁気モーメントの運動による透磁率であると推測できる。比較例のグラニュラ構造試料において、垂直磁気異方性の影響が顕在化したのは、グラニュラ磁性層間に絶縁層が介在しないため、磁性粒子が膜厚方向に密に接した状態となり、微細構造の変化を反映して垂直磁化成分の静磁エネルギーが減少したことに起因すると考えられる。従って、Pd添加量が13.4at以下の積層グラニュラ構造試料において観察された低周波サブピークは、膜中に微量に形成された垂直磁化成分が影響している可能性が高いものと推測できる。以上の結果から、Pdを添加することによるFMR周波数の増加、FMR半値幅の減少の効果を得るためには、Pd添加量を20atとすることが必要であることがわかる。また、垂直磁気異方性による影響を回避するために、絶縁層18との積層構造を形成することが必要であることも分かる。Pdは飽和磁化Msを減少させるため透磁率の値を減少させるが、2GHz近傍の損失を大幅に減少させることが可能であるため、GHz帯域の磁気デバイス用磁性材料として適した特性を有していることが分かる。図6には、前記具体例1のCoFePdSiO/SiO2積層磁性薄膜Pd添加量:24at,グラニュラ磁性層12の厚さ:6nm,絶縁層18の厚さ:1nm、磁性金属磁性粒子16/絶縁体絶縁体媒質14の比5.0の断面電子顕微鏡像が示されている。図6に示すように、グラニュラ磁性層12厚さ約6nmと絶縁層18厚さ約1nmがnmサイズで積層された明瞭な積層グラニュラ構造が形成されていることが確認できる。なお、絶縁層18の厚さ1nmというのは、設計厚みを示しており、実際に積層された絶縁層18は、1.5~2.0nm程度の厚みとなっている。前記グラニュラ磁性層12中の磁性粒子16の粒径はほぼ均一となっており、その大きさはほぼグラニュラ磁性層12の厚みと等しいことから、積層した絶縁層18によって磁性粒子16の粒成長が抑制されていることが分かる。磁性粒子16の粒成長の抑制機構については、上述した通りである。磁性粒子16はグラニュラ磁性層12の内部膜面内方向において隣接する磁性粒子16とほぼ接触した状態となっており、グラニュラ磁性層12の内部において極めて強い交換相互作用が働いていることを示唆している。膜面内方向の絶縁層18の厚みは、CoFePd/SiO2比率が大きい試料ほど薄くなると予測されることから、面内方向の交換相互作用が比率によって変化していることを意味している。この結果は、FMR半値幅のCoFePd/SiO2比率依存性の結果を支持するものとなっており、面内方向の強い交換相互作用が、FMR半値幅の低減に必要であることを示唆している。絶縁層18の厚みについては、上述した通り、設計値に対して若干厚くなっていることに加え、絶縁層18が湾曲している積層構造がゆがんだ箇所が少なくなっている。低倍で撮影した図6に示す全体像では、積層構造が磁性薄膜上部においても明瞭に形成されており、膜厚増加に伴う構造的な揺らぎがほとんど発生していないことが確認できる。絶縁層18が設計値よりも厚くなっているのは、グラニュラ磁性層12内部のSiO2が、磁性粒子16の粒成長によって絶縁層18側に排出されたものと予測され、それが積層磁性薄膜10の成長界面の平滑化に寄与し、膜厚が厚くなっても明瞭な積層構造が形成されたものと推測できる。このような明瞭な積層構造をとるということは、磁性粒子16の粒径や膜厚方向における磁性粒子16間距離の分布が極めて少ないことを意味しており、上述した特許文献1に記載されたPdを添加していないCoFe合金を用いた試料と異なる結果となっていることから、Pdを添加することによって磁性粒子16の粒成長が促進され、SiO2の排出を介して積層構造の構造揺らぎを防止するものとを考えられる。前記図4に示すように、Pd添加量の増加に伴いFMR半値幅の減少が確認されているが、その一因としてPd添加による積層構造の明瞭化が機能している可能性が高いと予測される。グラニュラ磁性層12の内部の絶縁体媒質14であるSiO2が、磁性粒子16の粒成長によって絶縁層18側に排出されているとの予測は、絶縁層厚みを変化させた試料についての図示しない結果,すなわち、絶縁層18の最適な厚みがPd添加によって薄くなっている結果を支持するものとなっている。また、膜厚依存性においてPd添加で大幅に特性改善を示したことは、明瞭な積層構造に由来するものと理解できる。したがって、Pd添加試料において観察された緻密で精確な微細構造は、高周波磁気特性改善の主要因となっているものと推測できる。図7には、CoFePdSiO/SiO2積層磁性薄膜Pd添加量:24at、グラニュラ磁性層12の厚み:6nm,絶縁層18の厚み:1nm,磁性金属磁性粒子16/絶縁体絶縁体媒質14の比:5.0の高分解能断面電子顕微鏡像及び電子線回折像が示されている。図7の電子顕微鏡像からは、磁性粒子16の結晶格子が一定の方向に配列している様子が確認され、同図中のA~Cの枠で囲った部分のそれぞれに対応する電子回折像が、図7の右側に示されている。これらの電子線回折像からは、隣接する磁性粒子16が111方向に結晶配向していることが観察される。また、電子線回折像中のスポットは結晶配向を示している。Pdを添加していない試料は結晶配向が確認されていないことから、Pd添加物が磁性粒子16の結晶配向を促しているものと考えられる。磁性粒子16の結晶配向は、磁性粒子16の粒径や粒子間距離と同様に、各磁性粒子16の強磁性共鳴の挙動を決定する因子であり、結晶配向することにより、結晶磁気異方性のベクトルの分散に起因した強磁性共鳴の分散を抑制することが可能であるため、強磁性共鳴損失ピークの狭帯域化に極めて有効となる。Pdを添加した際のFMR半値幅の減少は図4参照、磁性粒子16の粒径とその間隔の均一化と共に、磁性粒子16の結晶配向が有効に機能していると考えられる。なお、本発明に関わる積層磁性薄膜10においては、上述した背景技術の垂直磁気記録媒体の磁気記録層と異なり、hcp構造とする必要はない。Pdの添加により、結晶構造がfccとなっていることが確認されているが、fcc構造によって特性が劣化することはないため、磁性材料中にPdが添加された一層構造で結晶配向したグラニュラ磁性層12を実現することが可能となっている。<具体例2>図8には、絶縁体媒質14及び絶縁層18をAl2O3とした場合のCoFePdAlO/Al2O3で表される組成の積層磁性薄膜10について、Co-Feの磁性粒子16に対するPd添加量を0at,6.1at,22.4at,29.1at,37.4atとした場合の透磁率の周波数特性を示す図であり、は透磁率の実数成分の特性を示し、は透磁率の虚数成分の特性を示している。図8に示すように、Pd添加量0atの場合を除き、透磁率実数成分の値がPd添加量の増加に応じて減少する傾向を示している反面、図8に示すように、FMR周波数はPdの添加量が増えるほど高い値となり、かつ、ピークが急峻となることが確認される。Pd組成の増加に対するFMR周波数の増加割合は、Pd添加量が30atを超えると飽和状態となる傾向を示している。Pd組成に対するFMR半値幅の変化は、Pd20atまで低下傾向にあるが、それ以上の組成領域ではほぼ一定の値を保つ。<具体例3>図9には、絶縁体媒質14及び絶縁層18をMgOとした場合のCoFeMgO/MgOで表される組成の積層磁性薄膜10について、Co-Feの磁性粒子16に対するPd添加量を0at,5at,12.6at,19.5at,26.3at,33.7atとした場合の透磁率の周波数特性を示す図であり、は透磁率の実数成分の特性を示し、は透磁率の虚数成分の特性を示している。図9に示すように、透磁率実数成分の値がPd添加量の増加に応じて減少する傾向を示している反面、図9に示すように、FMR周波数はPdの添加量が増えるほど高い値となっていることを確認される。Pd組成に対するFMR半値幅の変化は、Pd20atまで低下傾向にあるが、それ以上の組成領域では増加する傾向を示す。FMR周波数の増加が顕著であることに伴い、FMR半値幅が増加しているものと考えられる。<具体例4>図10には、絶縁体媒質14及び絶縁層18をAlNとした場合のCoFeAlN/AlNで表される組成の積層磁性薄膜10について、Co-Feの磁性粒子16に対してPdを添加しない場合と、19.1atとした場合の透磁率の実数成分及び虚数成分の周波数特性を示す図である。図10に示すように、透磁率の実数成分は、Pd無添加の場合に比べて19.1at添加した場合の方が減少しており、FMR周波数は、Pdを添加した場合の方が高い値となっている。FMR周波数の増加がわずかであるのに対して、低周波帯域の損失の減少比率が高くなっている。FMR周波数の増加と共に、FMR半値幅が狭帯域化されたことに起因する現象と推察される。<具体例5>図11には、絶縁体媒質14及び絶縁層18をSi3N4とした場合のCoFeSiN/Si3N4で表される組成の積層磁性薄膜10について、Co-Feの磁性粒子16に対してPdを添加しない場合と、21.5atとした場合の透磁率の実数成分及び虚数成分の周波数特性を示す図である。透磁率の値はほとんど変化していないが、FMR半値幅が大幅に狭帯域化されていることが分かる。FMR周波数は減少しているが、FMR損失が狭帯域化されているため、動作周波数帯域はPd添加量によって増加している。<具体例6>図12には、絶縁体媒質14及び絶縁層18をBNとした場合のCoFeBN/BNで表される組成の積層磁性薄膜10について、Co-Feの磁性粒子16に対してPdを添加しない場合と、21.8atとした場合の透磁率の実数成分及び虚数成分の周波数特性を示す図である。Pd添加によって透磁率の値が半分程度に減少しているが、FMR周波数は約1.5倍増加している。FMR半値幅に大きな変化は認められないが、FMR周波数が増加していることを反映して、動作周波数帯域は大幅に高周波化していることが分かる。このように、実施例1によれば、絶縁体媒質14中に磁性粒子16が分散されたグラニュラ磁性層12と絶縁層18とを交互に積層して積層磁性薄膜10を形成するとともに、前記磁性粒子16にPdを添加することとした。前記グラニュラ磁性層12と絶縁層18の積層構造により、磁性粒子16の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子16の間隔を一定に保ち、前記磁性粒子16にPdを添加することで、磁性粒子16の結晶配向を促して磁性粒子16の磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する結果、強磁性共鳴周波数近傍まで強磁性共鳴損失が存在しない周波数特性が得られる。このため、グラニュラ磁性材料を利用した積層磁性薄膜10の高周波特性の大幅な改善が可能となる。なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることができる。例えば、以下のものも含まれる。前記実施例では、磁性粒子16としてCo-Fe合金を用いたが、各種の磁性金属を用いるようにしてよい。例えば、Fe,Co,Fe-Co-Ni合金などを用いることができる。また、絶縁体媒質14や絶縁層18としては、上述した具体例1~6に示す材料のほか、他のアモルファス絶縁体などを用いるようにしてもよい。前記実施例で示したグラニュラ磁性層12及び絶縁層18の厚みや積層数は一例であり、同様の効果を奏する範囲内において、適宜変更してよい。前記実施例で示した積層磁性薄膜10の製造方法も一例であり、他の公知の各種の成膜手法を適用してよい。前記実施例1では、絶縁体媒質14としてSiO2を用いたときに、磁性粒子16に対するPdの添加量を20at以上とすることが好ましいとしたが、他の絶縁体媒質を利用した場合でも同様である。本発明の積層磁性薄膜を利用した磁性部品としては、例えば、薄膜インダクタが例に挙げられるが、薄膜トランスなどの高周波帯域で利用される各種磁性部品や機器に適用してよく、更には、それらの磁性部品を携帯電話などの機器に適用してもよい。"