"物体に設けられたマークの位置情報を検出するマーク検出方法において、検出領域が固定された第1のマーク検出系及び検出領域が可変の第2のマーク検出系を用いて、第1組の複数の物体に設けられたそれぞれ複数の検出対象マークの位置情報を検出することと、前記第2のマーク検出系で検出した前記検出対象マークの位置情報を前記第1のマーク検出系でも検出し、該検出結果と前記第2のマーク検出系の検出結果との第1の差分を求めることと、前記第1の差分に応じて、次の第2組の複数の物体に設けられたそれぞれ複数の検出対象マークの位置情報を検出する際の検出モードを、前記第2組の先頭の物体の前記検出対象マークの位置情報を前記第1のマーク検出系及び前記第2のマーク検出系を用いて検出し、前記第2のマーク検出系で最初に検出した検出対象マークの位置情報を前記第1のマーク検出系でも検出し、該検出結果と前記第2のマーク検出系の検出結果との第2の差分を前記第2のマーク検出系の検出結果の補正値とする第1モードと、前記第2組の先頭の物体の前記検出対象マークの位置情報を前記第1のマーク検出系及び前記第2のマーク検出系を用いて検出し、前記第2のマーク検出系で検出した全部の検出対象マークの位置情報を前記第1のマーク検出系でも検出し、該検出結果と前記第2のマーク検出系の検出結果との第3の差分を前記第2のマーク検出系で対応する前記検出対象のマークの位置を検出したときの補正値とする第2モードと、を含む複数のモードから選択することと、を含むことを特徴とするマーク検出方法。前記第1の差分の前記検出対象マーク間のばらつき及び前記物体間のばらつきが許容範囲内であるときには前記第1モードが選択され、前記第1の差分の前記検出対象マーク間のばらつきが許容範囲を超え、かつ前記第1の差分の前記物体間のばらつきが許容範囲内であるときには前記第2モードが選択されることを特徴とする請求項1に記載のマーク検出方法。前記複数のモードは、前記第2組の複数の物体のそれぞれの全部の検出対象マークの位置情報を前記第1のマーク検出系で検出する第3モードを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のマーク検出方法。前記第1の差分の前記物体間のばらつきが許容範囲を超えるときには前記第3モードが選択されることを特徴とする請求項3に記載のマーク検出方法。前記第2組の物体の前記検出対象マークの位置情報を前記第2のマーク検出系を用いて検出したときに、該検出結果を前記補正値を用いて補正することを特徴とする請求項1又は2に記載のマーク検出方法。前記第1のマーク検出系の光学条件を複数の条件に設定して、それぞれ前記第1のマーク検出系で前記第1組の先頭の物体に設けられた検出対象マークの位置情報を検出するときの検出信号を取得することと、前記検出信号の波形情報を求めることと、前記波形情報から前記複数の条件から光学条件を選択することと、を含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のマーク検出方法。前記複数の条件は、前記第1のマーク検出系から被検マークに照射される光の波長、前記被検マークの照射される光の開き角、及び前記第1のマーク検出系に対する被検面のデフォーカス量のうち少なくとも一つが異なる条件であることを特徴とする請求項6に記載のマーク検出方法。前記検出信号の前記波形情報は、前記検出信号のコントラスト、前記検出信号の傾斜部の傾斜角、及び前記検出信号の計測方向に関する非対称性情報のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項6又は7に記載のマーク検出方法。前記第2のマーク検出系は複数であることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載のマーク検出方法。前記第1のマーク検出系の検出領域及び前記第2のマーク検出系の検出領域はほぼ第1方向に沿って配置され、前記物体の前記複数の検出対象マークは、前記第1方向に沿って複数列に配置されていることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載のマーク検出方法。前記第2のマーク検出系は偶数個であり、前記第2のマーク検出系の前記検出領域は、前記第1のマーク検出系の前記検出領域を挟むように第1方向にほぼ対称に配列され、前記第2のマーク検出系の前記検出領域の位置はほぼ前記第1方向に可変であることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載のマーク検出方法。露光光でパターンを介して複数の物体を露光する露光方法において、請求項1~11のいずれか一項に記載のマーク検出方法を用いて前記物体の複数の検出対象のマークの位置情報を検出する工程と、該検出結果に基づいて、前記物体と前記パターンとの位置合わせを行う工程と、を含むことを特徴とする露光方法。請求項12に記載の露光方法を用いて物体に感光パターンを形成することと、前記露光された物体を前記感光パターンに基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法。従来のウエハアライメントにおいては、複数軸のアライメント系を用いているため、ウエハの多くのアライメントショットに付設されたマークの位置を効率的に計測できる。しかしながら、例えば1ロットの先頭ウエハのアライメント時に求めた補正値を用いて、第2のアライメント系の検出結果を補正していても、第2のアライメント系で2回目以降に検出するマークの検出結果の補正値が変化している場合には、マーク位置の検出精度が低下する恐れがあった。一方、第2のアライメント系の検出精度を高く維持するために、常時例えば1ロットの先頭ウエハにおいて第2のアライメント系で検出した全部のマークを第1のアライメント系でも検出してそれぞれ補正値を求める場合には、アライメントに要する時間が長くなる。本発明は、このような事情に鑑み、ウエハ等の物体に設けられた複数のマークの位置情報を必要とされる検出精度に応じて効率的に検出できるようにすることを目的とする。本発明の第1の態様によれば、物体に設けられたマークの位置情報を検出するマーク検出方法が提供される。この検出方法は、検出領域が固定された第1のマーク検出系及び検出領域が可変の第2のマーク検出系を用いて、第1組の複数の物体に設けられたそれぞれ複数の検出対象マークの位置情報を検出することと、その第2のマーク検出系で検出したその検出対象マークの位置情報をその第1のマーク検出系でも検出し、該検出結果とその第2のマーク検出系の検出結果との第1の差分を求めることと、その第1の差分に応じて、次の第2組の複数の物体に設けられたそれぞれ複数の検出対象マークの位置情報を検出する際の検出モードを、その第2組の先頭の物体のその検出対象マークの位置情報をその第1のマーク検出系及びその第2のマーク検出系を用いて検出し、その第2のマーク検出系で最初に検出した検出対象マークの位置情報をその第1のマーク検出系でも検出し、該検出結果とその第2のマーク検出系の検出結果との第2の差分をその第2のマーク検出系の検出結果の補正値とする第1モードと、その第2組の先頭の物体のその検出対象マークの位置情報をその第1のマーク検出系及びその第2のマーク検出系を用いて検出し、その第2のマーク検出系で検出した全部の検出対象マークの位置情報をその第1のマーク検出系でも検出し、該検出結果とその第2のマーク検出系の検出結果との第3の差分をその第2のマーク検出系で対応するその検出対象のマークの位置を検出したときの補正値とする第2モードと、を含む複数のモードから選択することと、を含むものである。また、第2の態様によれば、露光光でパターンを介して複数の物体を露光する露光方法が提供される。この露光方法は、本発明のマーク検出方法を用いてその物体の複数の検出対象のマークの位置情報を検出する工程と、この検出結果に基づいて、その物体とそのパターンとの位置合わせを行う工程と、を含むものである。また、第3の態様によれば、本発明の露光方法を用いて物体に感光パターンを形成することと、その露光された物体をその感光パターンに基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明によれば、第1組の物体に設けられた検出対象マークの第1及び第2のマーク検出系による検出結果の第1の差分によって、次の第2組の物体のマークを検出する際のモードが選択される。その第1の差分によって、第1モードを選択するときには、先頭の物体に関して第2のマーク検出系で最初に検出したマークを第1のマーク検出系でも検出して補正値を求め、第2モードを選択するときには、先頭の物体に関して第2のマーク検出系で検出した全部のマークを第1のマーク検出系でも検出して補正値を求めるため、複数のマークの位置情報を必要とされる検出精度に応じて効率的に検出できる。本発明の実施形態の一例につき図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置EXの概略構成を示す。露光装置EXは、一例としてスキャニングステッパースキャナーよりなる走査露光型の投影露光装置走査型露光装置である。後述するように本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行にZ軸を取り、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向にY軸を、Z軸及びY軸に直交する方向にX軸を取り、X軸、Y軸、及びZ軸の回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。図1において、露光装置EXは、露光用の照明光露光光ILによりレチクルRを照明する照明系10、レチクルRを保持して移動するレチクルステージRST、レチクルRを通過した照明光ILをウエハWの表面に投射する投影光学系PLを含む投影ユニットPU、ウエハWを保持して移動するウエハステージWST、及びこれらの制御系等を備えている。さらに、露光装置EXは、ウエハWの表面に設けられたアライメントマークとしての複数のウエハマークの検出を行うウエハアライメント装置80を備えている。照明系10は、例えば特開2001-313250号公報対応する米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、照明光学系とを有し、照明光学系は、一例として回折光学素子または空間光変調器等を含む光量分布形成光学系と、オプティカルインテグレータフライアイレンズ又はロッドインテグレータなどと、レチクルブラインド等いずれも不図示とを有する。照明系10は、レチクルブラインドで規定されたレチクルRのパターン面レチクル面のスリット状の照明領域IARを照明光ILによりほぼ均一な照度分布で照明する。照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられている。なお、照明光としては、KrFエキシマレーザ光波長248nm、YAGレーザの高調波、固体レーザ半導体レーザなどの高調波、又は水銀ランプの輝線i線等なども使用できる。レチクルステージRSTの上面には、回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により保持されている。レチクルステージRSTは、XY平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向Y方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージRSTの移動面内の位置情報X方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含むは、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計116によって、移動鏡15を介して例えば0.5~0.1nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、図5の主制御装置20に送られる。主制御装置20は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系11を制御することで、レチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。図1において、レチクルステージRSTの下方に配置された投影ユニットPUは、鏡筒40と、該鏡筒40内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系PLとを含む。投影光学系PLは、例えば両側又はウエハ側に片側テレセントリックで所定の投影倍率β例えば1/4倍、1/5倍などを有する。投影光学系PLを介して照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの像が、ウエハWの一つのショット領域の露光領域IA照明領域IARに共役な領域に形成される。ウエハW半導体ウエハは、例えば直径が200mmから450mm程度の円板状のシリコン等よりなる基材の表面に、感光剤感光層であるフォトレジストを所定の厚さ例えば数10~200nm程度で塗布したものを含む。本実施形態のウエハWの各ショット領域には、これまでのパターン形成工程によって所定の単層又は複数層の回路パターン及び対応するウエハマークが形成されている。なお、露光装置EXでは、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系PLを構成する最も像面側ウエハW側の光学素子である先端レンズ191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように、局所液浸装置8の一部を構成するノズルユニット32が設けられている。ノズルユニット32は、露光用の液体Lqを供給可能な供給口と、液体Lqを回収可能な回収口とを有する。その供給口は、供給管31Aを介して、液体Lqを送出可能な液体供給装置5図5参照に接続されている。その回収口は、回収管31Bを介して、液体Lqを回収可能な液体回収装置6図5参照に接続されている。図5の液体供給装置5から送出された露光用の液体Lqは、図1の供給管31A、及びノズルユニット32の供給流路を流れた後、その供給口より照明光ILの光路空間に供給される。また、ノズルユニット32の回収口から回収された液体Lqは、回収管31Bを介して液体回収装置6に回収される。この動作によって、走査露光中、先端レンズ191とウエハWとの間の照明光ILの光路空間を含む液浸領域14図2参照が液体Lqで満たされる。図1において、ベース盤12の上面にウエハステージWSTが配置され、ウエハステージWSTの位置情報を計測するY軸干渉計16を含む干渉計システム118図5参照が設けられている。なお、ベース盤12の上面には、投影光学系PLの結像特性を計測する装置等を有する計測用ステージ不図示も配置されている。ウエハステージWSTは、X方向、Y方向に移動するXYステージ93XY図5参照を有するステージ本体91と、ステージ本体91の上面に搭載されたウエハテーブルWTBと、ステージ本体91内に設けられて、ステージ本体91に対してZ方向、θx方向、及びθy方向にウエハテーブルWTBウエハWを相対的に微小駆動するZステージ93Z図5参照とを備えている。XYステージ93XY及びZステージ93Zは、それぞれ図5のステージ駆動系124A及びZステージ駆動系124Bによって駆動される。ウエハテーブルWTBの中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ不図示が設けられている。また、ウエハテーブルWTBの上面には、ウエハホルダ上に載置されるウエハの表面とほぼ同じ高さの、液体Lqに対して撥液化処理された表面撥液面を有し、かつ外形輪郭が矩形でその中央部にウエハホルダウエハの載置領域よりも一回り大きな円形の開口が形成された低熱膨張率のプレート撥液板28が設けられている。プレート28の一部には、ベースライン計測用の基準マークが形成されるとともに、レチクルRのパターンの像の位置を計測するためのスリットが形成された基準部材FM図2参照が設けられている。基準部材FMの底面には、そのスリットを通過した光束を受光する空間像計測装置45図5参照が設けられている。図2に示すように、プレート28の周囲の枠状の領域には後述のエンコーダシステムのための1対のYスケール39Y1,39Y2及び1対のXスケール39X1,39X2が形成されている。Yスケール39Y1,39Y2及びXスケール39X1,39X2はそれぞれY方向及びX方向に所定ピッチの回折格子である。その所定ピッチは例えば138nm~4μm程度である。図1において、ウエハテーブルWTBの-Y方向及び-X方向の端面は、それぞれ鏡面加工が施されて反射面とされている。干渉計16等はこれらの反射面にそれぞれ測長ビームを投射して、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報X方向、Y方向の位置、θx方向、θy方向、θz方向の角度を例えば0.5~0.1nm程度の分解能で計測し、この計測値を主制御装置20に供給する。但し、本実施形態では、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのXY平面内の位置情報は、主として、上述のYスケール及びXスケールなどを含む、後述するエンコーダシステムによって計測され、干渉計16等の計測値は、そのエンコーダシステムの計測値の長期的変動を補正する場合などに補助的に用いられる。また、干渉計16は、ウエハ交換のため、アンローディングポジション及びローディングポジション付近においてウエハテーブルWTBのY方向の位置等を計測するのにも用いられる。また、ウエハテーブルWTBの上面又は不図示の計測用ステージの上面には、図3に示すように、断面矩形の低熱膨張率の棒状部材から成る基準部材としてのコンフィデンシャルバー以下、CDバーと略述する46がX方向に延設されている。このCDバー46の上面には、所定の配置で複数の基準マークMが形成されている。各基準マークMとしては、後述するプライマリ及びセカンダリのアライメント系によって検出可能な2次元マークが用いられている。これらの基準マークMの位置関係は予め高精度に計測されており、その位置関係の情報が主制御装置20の記憶部に記憶されている。本実施形態の露光装置EXでは、図1では図面の錯綜を避ける観点から図示が省略されているが、実際には、図2に示すように、投影光学系PLの光軸AXを通りかつY軸と平行な直線LV上で、光軸AXから-Y方向側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系以下、主アライメント系という。AL1が配置されている。不図示のメインフレームにアーム54を介して固定される主アライメント系AL1を挟んで、X方向の両側に、その直線LVに関してほぼ対称に検出中心が配置される2眼のセカンダリアライメント系以下、副アライメント系という。AL21,AL22、及び2眼の副アライメント系AL23,AL24がそれぞれ設けられている。すなわち、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24はその検出領域検出中心がX方向に沿って配置されている。各副アライメント系AL21~AL24は、それぞれ回転中心例えば中心Oを中心として回動可能なアーム56の先端回動端に固定されている。各アーム56は、それぞれバキュームパッド58を介して不図示のメインフレームに固定可能である。本実施形態では、各副アライメント系AL21~AL24は、その一部例えば、アライメント光を検出領域に照射し、かつ検出領域内の被検マークから発生する光を受光素子に導く光学系を少なくとも含む部分がアーム56に固定され、残りの一部はメインフレームに設けられる。主制御装置20の制御のもとで、回転駆動機構60図5参照を介して副アライメント系AL21~AL24のアーム56をそれぞれ回動することで、各検出領域のX位置が調整される。各検出領域のX位置は不図示のエンコーダによって計測されている。本実施形態では、アライメント系AL1,AL21~AL24として、それぞれ例えば画像処理方式のFIAFieldImageAlignment系が用いられている。このFIA系では、ウエハのレジストを感光させない広帯域の光又は選択された波長域の光を被検マークに照射し、その被検マークからの反射光により受光面に結像された被検マークの像を撮像素子CCD型又はCMOS型等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する。この場合、例えば撮像素子内の所定画素の位置を基準として被検マークの像の位置を検出する。図4Aは、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24がそれぞれ図3AのCDバー46上の基準マークM1,M21,M22,M23,M24図3Aの基準マークMのいずれかに対応するを検出している状態を示している。図4Aにおいて、主アライメント系AL1は、被検マークからの反射光を受光する第1対物レンズ系5aと、その反射光を分岐するビームスプリッタ5bと、開口絞り不図示と、第1対物レンズ系5aからの反射光を集光して被検マークの拡大像を形成する第2対物レンズ系5cと、その像を撮像する2次元の撮像素子5dとを含んでいる。さらに、第2対物レンズ系5cとビームスプリッタ5bとの間に、不図示の光源から光ガイド不図示等を介して導かれて、それぞれ切り替え可能な波長選択用フィルタ5f及び照明系開口絞り5gを通過したアライメント光ALを被検マークに導くビームスプリッタ5eが配置されている。撮像素子5dの撮像面と共役な被検面上の視野が、主アライメント系AL1の検出領域ALF1である。本実施形態では、波長選択用フィルタ5fの切り替えによって、アライメント光ALの波長を広帯域白色光、赤色、橙色、緑色、又は青色等の種々の波長に切り替えることができる。さらに、照明系開口絞り5gの切り替えによって、アライメント光ALの被検マークに対する照明条件開き角を、通常照明、輪帯照明、コヒーレンスファクタσ値の小さい照明小σ照明等に切り替えることができる。副アライメント系AL21~AL24も、基本的な構成は主アライメント系AL1と同様であり、被検マークの拡大像を形成する対物レンズ系と、その像を撮像する2次元の撮像素子5dとを含んでいる。副アライメント系AL21~AL24にも、切り替え可能な波長選択用フィルタ及び照明系開口絞りが設けられている。また、副アライメント系AL21~AL24の各撮像素子の撮像面と共役な被検面上の視野が検出領域ALF21~ALF24である。さらに、一例として、アライメント系AL1,AL21~AL24の撮像素子5dの中心の画素原点に対応する被検面上の点がアライメント系AL1,AL21~AL24の検出中心である。アライメント系AL1,AL21~AL24の撮像素子5dからの撮像信号はそれぞれ検出信号処理部131A,131B,131C,131D,131Eに供給される。検出信号処理部131A~131Eでは、各撮像素子5dの撮像信号を所定範囲で被検面上でのY方向、X方向に対応する方向に積算して、それぞれX方向及びY方向に周期的なマークの像の撮像信号SX,SYを生成し、撮像信号SX,SYをアライメント制御部132に供給する。アライメント制御部132では、それぞれの撮像信号SX,SYを例えば所定の閾値でスライスして、対応するマークの検出中心に対するX方向、Y方向の位置ずれ量を求める。この位置ずれ量は主制御装置20を介して図5のEGA演算部134に供給される。EGA演算部134では、その位置ずれ量、各アライメント系のベースライン、及びウエハステージWSTの座標X,Yより、被検マークのステージ座標系X,Yでの座標値を求める。なお、撮像信号の波形評価時には、アライメント制御部132は、所定の方法でその撮像信号を評価する。また、各アライメント系AL1,AL21~AL24のベストフォーカス位置と被検面とのZ方向のずれ量デフォーカス量を計測するために、アライメント系AL1,AL21~AL24には、それぞれ同一構成のオートフォーカス系以下、AF系という6A,6B~6Eが装着されている。一例として、AF系6Aは、主アライメント系AL1のビームスプリッタ5b又は部分反射ミラー等で分岐又は反射された焦点検出光FLを瞳面近傍で2分割して反射する瞳分割用のミラー6bと、ミラー6bからの光を集光して被検面のパターンの2つの拡大像を形成する集光レンズ系6cと、その2つの拡大像を撮像する1次元のラインセンサ2次元の撮像素子でもよい6dとを含んで構成されている。実際には、AF系6Aには、不図示の光源からの焦点検出光FLによって照明された焦点検出用パターンスリットパターン等を通過した光をビームスプリッタ5b側に送光する光学部材不図示が組み込まれており、そのラインセンサ6d上にはその焦点検出用パターンの2つの像が形成される。ラインセンサ6dの検出信号は検出信号処理部131Aに供給される。この場合、被検面がZ方向にデフォーカス量δFだけ変位すると、ラインセンサ6d上の2つのパターン像の間隔が変化するため、検出信号処理部131Aでは、その間隔に対応する図4Bのフォーカス信号FSをアライメント制御部132に供給する。他のAF系6B~6EもAF系6Aと同様に構成され、AF系6B~6Eのラインセンサからの検出信号が供給された検出信号処理部131B~131Eは、それぞれ副アライメント系AL21~AL24撮像素子5dのベストフォーカス位置に対する被検面のデフォーカス量に対応するフォーカス信号をアライメント制御部132に供給する。なお、AF系6A~6Eとしては、瞳面のほぼ半面の光束を用いるオートフォーカス系等も使用可能である。アライメント制御部132は、それらのフォーカス信号に予め求められている係数を乗じて得られるアライメント系AL1,AL21~AL24毎のデフォーカス量図4Aでは、δF1,δF21~δF24の情報を主制御装置20に供給する。主制御装置20は、そのデフォーカス量の情報を用いて、後述のように被検面がそれぞれアライメント系AL1,AL21~AL24のベストフォーカス位置に合焦されるように、Zステージ駆動系124Bを介してウエハステージWST内のZステージ93Zを駆動する。なお、アライメント時には、被検面をアライメント系AL1,AL22~AL24のベストフォーカス位置から所定量だけデフォーカスさせてマーク検出を行うことも可能である。ウエハアライメント装置80は、AF系6A~6Eを備えたアライメント系AL1,AL21~AL24、アライメント制御部132、主制御装置20、XYステージ93XY、及びZステージ93Zを含んで構成されている。本実施形態では5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24を設けているため、アライメントを効率的に行うことができる。しかしながら、アライメント系の数は5つに限られるものでなく、2つ以上かつ4つ以下、あるいは6つ以上でも良いし、奇数ではなく偶数でも良い。本実施形態の露光装置EXでは、図2に示すように、前述したノズルユニット32の周囲を四方から囲む状態で、エンコーダシステムの4つのヘッドユニット62A~62Dが配置されている。これらのヘッドユニット62A~62Dを構成する複数のYヘッド64及びXヘッド66は、メインフレーム不図示の底面に固定されている。図2において、ヘッドユニット62A,62Cは、投影ユニットPUの±X方向側に、それぞれ投影光学系PLの光軸AXを通りかつX軸と平行な直線LH上にX方向に所定間隔で配置された複数のYヘッド64を備えている。Yヘッド64は、それぞれYスケール39Y1又は39Y2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのY方向の位置をレーザ干渉計と同じ程度の分解能で計測する。また、ヘッドユニット62B,62Dは、投影ユニットPUの±Y方向側にそれぞれ光軸AXを通りかつY軸と平行な直線LV上にY方向にほぼ所定間隔で配置された複数のXヘッド66を備えている。Xヘッド66は、それぞれXスケール39X1又は39X2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのX方向の位置をレーザ干渉計と同じ程度の分解能で計測する。Yヘッド64及びXヘッド66の構成の一例は、国際公開第2008/029757号パンフレット及びこれに対応する米国特許出願公開第2008/094593号明細書に開示されている。図2のヘッドユニット62A及び62Cは、それぞれYスケール39Y1及び39Y2を用いて、ウエハステージWSTのY位置を計測する多眼のY軸のリニアエンコーダ以下、Yエンコーダと略述する70A及び70C図5参照を構成する。Yエンコーダ70A,70Cはそれぞれ複数のYヘッド64の計測値の切り替えを行う切り替え制御部を備えている。また、ヘッドユニット62B及び62Dは、それぞれXスケール39X1及び39X2を用いて、ウエハステージWSTのX位置を計測する、多眼のX軸のリニアエンコーダ以下、Xエンコーダと略述する70B及び70D図5参照を構成する。Xエンコーダ70B,70Dはそれぞれ複数のXヘッド66の計測値の切り替えを行う切り替え制御部を備えている。さらに、本実施形態では、後述するセカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、ウエハステージWSTのY位置を計測するためのYヘッド不図示によって構成されるリニアエンコーダであるY軸エンコーダ70E,70F図5参照も設けられている。上述した6つのエンコーダ70A~70Fの計測値は、主制御装置20及びEGA演算部134に供給され、主制御装置20は、エンコーダ70A~70Fの計測値に基づいて、ウエハステージWST等のXY平面内の位置を制御する。本実施形態の露光装置EXは、図2に示すように、照射系90a及び受光系90bから成る、例えば特開平6-283403号公報対応する米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系以下、多点AF系と略述するを備えている。本実施形態では、一例として、前述のヘッドユニット62Cの-Y方向側に照射系90aが配置され、これに対向する状態で、前述のヘッドユニット62Aの-Y方向側に受光系90bが配置されている。図2の多点AF系90a,90bの複数の検出点は、被検面上でX方向に延びる細長い検出領域AF内にX方向に沿って所定間隔で配置される。本実施形態では、その複数の検出点は、例えば1行M列Mは検出点の総数又は2行N列Nは検出点の総数の1/2のマトリックス状に配置される。その検出領域AFは、X方向の長さがウエハWの直径と同程度に設定されているので、ウエハWをY方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ方向の位置情報面位置情報を計測できる。また、検出領域AFは、Y方向に関して、前述の液浸領域14露光領域IAとアライメント系AL1,AL21~AL24の検出領域との間に配置されているため、多点AF系とアライメント系とでその検出動作を並行して行うことが可能となっている。多点AF系は、投影ユニットPUを保持するメインフレームに設けても良い。さらに、前述したヘッドユニット62C及び62Aは、複数のYヘッド64を結ぶ直線LHを挟むX軸に平行な2本の直線にそれぞれ沿って且つ所定間隔で配置された複数のZセンサ74及び76を備えている。各Zセンサ74,76としては、例えばCDピックアップ方式のセンサが用いられている。Zセンサ74,76は計測フレーム21の底面に固定されている。また、この図2において、符号78は、多点AF系90a,90bのビーム路近傍に所定温度に温度調整されたドライエアーを、図2中の白抜き矢印で示されるように、例えばダウンフローにて送風する局所空調システムを示す。また、符号UP及びLPは、それぞれ投影光学系PLに対して-Y方向に所定間隔で並行に配置され、ウエハテーブルWTBに対してウエハのアンロード及びロードが行われるアンロードポジション及びローディングポジションを示す。図5には、露光装置EXの制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するコンピュータから成る主制御装置20を中心として構成されている。上述のようにして構成された本実施形態の露光装置EXでは、前述したようなウエハテーブルWTBのXスケール、Yスケールの配置及び前述したようなXヘッド、Yヘッドの配置を採用したことから、図13Bなどに例示されるように、ウエハステージWSTの有効ストローク範囲では、必ず、Xスケール39X1,39X2とヘッドユニット62B,62DXヘッド66とがそれぞれ対向し、かつYスケール39Y1,39Y2とヘッドユニット62A,62CYヘッド64又は不図示のYヘッドとがそれぞれ対向するようになっている。このため、主制御装置20は、前述のウエハステージWSTの有効ストローク範囲では、エンコーダ70A~70Fの少なくとも3つの計測値に基づいて、ステージ駆動系124Aを構成する各モータを制御することで、ウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転角を含むを、高精度に制御することができる。エンコーダ70A~70Fの計測値が受ける空気揺らぎの影響は、干渉計に比べては無視できるほど小さいので、空気揺らぎに起因する計測値の短期安定性は、干渉計に比べて格段に良い。以下、本実施形態の露光装置EXにおいて、主制御装置20の制御のもとでアライメントモードを選択する方法の一例につき、図6のフローチャートを参照して説明する。さらに、選択されたアライメントモードで例えば1ロットのウエハに順次レチクルRのパターンの像を露光する際のアライメント及び露光動作の一例につき、図7のフローチャートを参照して説明する。先ず図6のステップ302において、図1のレチクルステージRSTにレチクルRをロードし、主制御装置20は、不図示の露光データファイルより露光対象のウエハのショット配列の情報を読み出し、このショット配列の情報から、ウエハの各ショット領域に付設されているウエハマークのX方向の間隔設計上の間隔を求める。ウエハのショット配列は、一例として図13Cに示すように設定され、ウエハWの全部のショット領域から選ばれた例えば黒色で区別される16個のアライメントショットサンプルショットASに付設されたウエハマーク不図示をアライメント系AL1,AL21~AL24で検出するものとする。この場合、アライメントショットASは、Y方向から順にX方向に4つのショット領域の幅を配列ピッチとして、3つの第1アライメントショット、2列の5つの第2及び第3アライメントショット及び3つの第4アライメントショットから構成されている。なお、ウエハマークは、例えばショット領域間のストリートラインに形成されていてもよいが、本実施形態では、ウエハマークはショット領域内に形成されているものとする。主制御装置20は、検出対象のウエハマークのX方向の間隔に合わせて、図3に示すように、回転駆動機構60を介して副アライメント系AL21~AL24の検出領域ALF21~ALF24のX方向の位置を調整する。その後、ウエハステージWST又は不図示の計測ステージを駆動して、図4Aに示すように、CDバー46の複数の基準マークM1,M21~M24をアライメント系AL1,AL21~AL24の検出領域に移動する。この状態で、アライメント系AL1,AL21~AL24で基準マークM1,M21~M24の位置ずれ量を検出し、検出結果をEGA演算部134に供給する。この際に、各アライメント系AL1,AL21~AL24において、例えばCDバー46をZ方向に移動して撮像素子5dで検出される被検マークの像の検出信号のコントラストが最大になるときのZ位置をそれぞれのベストフォーカス位置としてもよい。さらに、各ベストフォーカス位置でフォーカス信号FSが0になるようにフォーカス信号のキャリブレーションを行ってもよい。また、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24のベストフォーカス位置が一直線上にない場合、2眼又は1眼のアライメント系毎に被検面をベストフォーカス位置に合焦させて、それぞれ被検マークを検出してもよい。次のステップ304において、EGA演算部134では、その基準マークの位置ずれ量及び主制御装置20から供給された基準マークM1,M21~M24の既知の配列座標から、主アライメント系AL1の検出中心に対する副アライメント系AL21~AL24の検出中心のX方向の間隔SBL1~SBL4及びY方向の間隔よりなるセカンダリベースラインを算出する。次のステップ306において、例えば評価用の1ロットの先頭の未露光のウエハウエハWとするをウエハステージWSTにロードする。次のステップ308において、ウエハステージWSTをY方向に駆動し、図2に示すように、基準マーク部材FM中の所定の基準マークを主アライメント系AL1で検出し、この検出結果及びその基準マークの位置情報から、EGA演算部134は主アライメント系AL1のベースラインプライマリベースラインを求める。なお、本実施形態では、例えば予めレチクルRのレチクルマークの空間像の位置検出が行われているものとする。また、ウエハWの大まかなショット配列を求めるためのサーチアライメントも行われている。次のステップ310において、ウエハステージWSTXYステージ93XYの駆動により、図8Aに示すように、3つの第1アライメントショットのウエハマークWMA1,MWC1,WMD1が3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23の検出領域に入るまで、ウエハWをY方向に移動する。その後、アライメント系AL1,AL22,AL23により対応するウエハマークWMA1,WMC1,WMD1の位置ずれ量を検出する。図8Aでは、被検マークを検出しているアライメント系AL1,AL22,AL23に星印が付されている以下同様。検出結果はEGA演算部134に供給され、EGA演算部134では、その位置ずれ量、ベースライン、及びウエハステージWSTの座標から、ウエハマークWMA1,WMC1,WMD1の座標XA1,YA1,XC1,YC1,XD1,YD1を求める。以下、アライメント系AL1,AL22~AL24で被検マークの位置ずれ量を検出し、その位置ずれ量を用いてEGA演算部134においてその被検マークの座標を求めることを、アライメント系AL1,AL22~AL24でその被検マークの位置又は座標を検出するともいう。次のステップ312において、ウエハステージWSTを順次矢印B1及び図8Bの矢印B2で示すように駆動して、図8B及び図8Cに示すように、副アライメント系AL22,AL23で検出したウエハマークWMC1,WMD1の位置を順次主アライメント系AL1でも検出する。主アライメント系AL1で検出されたウエハマークWMC1,WMD1の座標をXCP1,YCP1,XDP1,YDP1とする。以下、同じ被検マークを主アライメント系AL1と副アライメント系AL21~AL24とで検出した場合、後述のショット配列の演算では主アライメント系AL1で検出した位置座標が使用される。次のステップ314において、EGA演算部134は、ステップ312で主アライメント系AL1を用いて求めたウエハマークWMC1,WMD1の座標から、ステップ310で副アライメント系AL22,AL23を用いて求めた座標を差し引いて次のように誤差ベクトルPEV1,PEV2図10C参照を求める。PEV1=XCP1-XC1,YCP1-YC1...1APEV2=XDP1-XD1,YDP1-YD1...1Bこれらの誤差ベクトルは、装置起因の誤差であるTIS及びウエハ起因の誤差であるWISを表している。以下では、それらの誤差ベクトル並びにこのX成分及びY成分をプロセス誤差とも呼ぶ。次のステップ316で計測対象のウエハマークがあるかどうかを判定する。この段階では、計測対象のウエハマークが残っているため、動作はステップ310に戻る。そして、ウエハステージWSTの矢印B3,B4で示す方向への駆動により、図8Dに示すように、5つの第2アライメントショットのウエハマークWMA2,MWB2~MWE2を5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24の検出領域に収め、アライメント系AL1,AL21~AL24により対応するウエハマークWMA2,WMB2~WME2の位置座標を検出する。次のステップ312において、ウエハステージWSTを順次矢印B5、及び図9A、Bの矢印B6,B7で示すように駆動して、図9A、図9B、図9Cに示すように、副アライメント系AL21~AL24で検出した4つのウエハマークWMB2,WMC2,WMD2,WME2の位置座標を順次主アライメント系AL1でも検出する。次のステップ314において、EGA演算部134は、ステップ312で主アライメント系AL1を用いて求めたウエハマークWMB2~WME2の座標から、ステップ310で副アライメント系AL21~AL24を用いて求めた座標を差し引いて4つのプロセス誤差のベクトルPEV3~PEV6図10C参照を求める。次にステップ316からステップ310に戻ってから、ウエハステージWSTの矢印B8,B9で示す方向への駆動により、図9Dに示すように、5つの第3アライメントショットのウエハマークWMA3,MWB3~MWE3を5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24の検出領域に収め、アライメント系AL1,AL21~AL24により対応するウエハマークWMA3,WMB3~WME3の位置を検出する。その後、ステップ312において、副アライメント系AL21~AL24で検出した4つのウエハマークWMB3~WME3の位置を順次主アライメント系AL1でも検出する。そして、次のステップ314において、EGA演算部134は、主アライメント系AL1を用いて求めたウエハマークWMB3~WME3の座標から、副アライメント系AL21~AL24を用いて求めた座標を差し引いて4つのプロセス誤差のベクトルPEV7~PEV10図10C参照を求める。次にステップ316からステップ310に戻ってから、10Aに示すように、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23により3つの第4アライメントショットのウエハマークWMA4,MWC4,MWD4の位置を検出する。その後、図10Bに示すように、両側の2つのウエハマークWMC4,WMD4の位置を順次主アライメント系AL1でも検出する。そして、次のステップ314において、主アライメント系AL1を用いて求めたウエハマークWMC4,WMD4の座標から、副アライメント系AL22,AL23を用いて求めた座標を差し引いて2つのプロセス誤差のベクトルPEV11~PEV12図10C参照を求める。プロセス誤差のベクトルPEV1~PEV12は、副アライメント系AL21~AL24で検出される全部で12個のウエハマークに関して求められている。次のステップ316では計測対象のウエハマークがないため、動作はステップ318に移行して、EGA演算部134は、16個のウエハマークの配列座標の計測値を用いて、例えばEGAエンハンストグローバルアライメント方式でウエハWの各ショット領域の配列座標を算出する。この際に、多点AF系によってウエハWの表面のZ位置の分布も計測されている。次のステップ320では、その配列座標及びZ位置の分布に基づいてウエハステージWSTを駆動することによって、ウエハWの各ショット領域にレチクルRのパターンの像が走査露光される。露光済みのウエハWは搬出される。次のステップ324で計測対象のウエハがあるときには、ステップ306に戻り、2枚目のウエハに対してステップ306から320までのウエハマークの計測、プロセス誤差の算出、アライメント、及び露光の動作が繰り返される。このように、評価用ロットの複数枚I枚とする。Iは2以上の整数のウエハに関して、ステップ306から320が繰り返されて、各ウエハに関してそれぞれ図10Cの12個のプロセス誤差のベクトルPEV1~PEV12が求められる。次に、計測対象のウエハがなくなったときには、動作はステップ324からステップ326に移行する。そして、EGA演算部134は、それまでに求めた評価用ロットの複数枚のウエハに関するそれぞれ12個のプロセス誤差のベクトルPEV1~PEV12から、アライメント誤差ΔAEを算出する。アライメント誤差ΔAEは、一例として次のようにウエハ内誤差ΔAE1とウエハ間誤差ΔAE2との和である。ΔAE=ΔAE1ウエハ内誤差ΔAE2ウエハ間誤差...2この場合、計測されたi番目i=1~Iのウエハ内で、副アライメント系AL21~AL24を用いてそれぞれ検出されたウエハマーク間のプロセス誤差のベクトルの差分のX成分及びY成分の自乗和をSUM1iとする。例えば副アライメント系AL21に関しては、ウエハマークWMB2に関するプロセス誤差のベクトルと、ウエハマークWMB3に関するプロセス誤差のベクトルとの差分のX成分及びY成分の自乗和が計算される。ウエハ内誤差ΔAE1は、評価用ロット内の全部のウエハに関するその自乗和SUM1iの和である。さらに、各ウエハ内で計測された12個のウエハマークに関するプロセス誤差のベクトルのウエハ間の差分のX成分及びY成分の自乗和をSUM2iとする。ウエハ間誤差ΔAE2は、その計測された2枚目以降のウエハに関するその自乗和SUM2iの和である。なお、式2の右辺の和の平方根をアライメント誤差としてもよい。次のステップ328において、EGA演算部134は、計算されたアライメント誤差ΔAEに、例えば予め求められているレチクルステージRST及びウエハステージWSTの同期誤差等を加算することによって、重ね合わせ誤差ΔOEを予測する。この重ね合わせ誤差ΔOEは主制御装置20に送られる。本実施形態では、一例として、図11に示すように、重ね合わせ誤差ΔOEに関して小さい方から順に第1許容値OE1、第2許容値OE2、及び第3許容値OE3が定められている。次のステップ330において、重ね合わせ誤差ΔOEが第1許容値OE1以下であるときには、動作は図7のステップ338に移行して、主制御装置20はアライメントモードとしてノーマルモードを選択する。また、ステップ330で、ΔOEがOE1より大きいときには、ステップ332に移行して、ΔOEと第2許容値OE2とを比較する。そして、ΔOEがOE2以下であるときには、動作は図7のステップ356に移行して、主制御装置20はアライメントモードとしてファインモードを選択する。また、ステップ332で、ΔOEがOE2より大きいときには、ステップ334に移行して、ΔOEと第3許容値OE3とを比較する。そして、ΔOEがOE3以下であるときには、動作は図7のステップ372に移行して、主制御装置20はアライメントモードとして1眼アライメントモードを選択する。一方、ステップ334で、ΔOEがOE3より大きいときには、アライメント誤差が最大の許容値よりも大きいため、動作はステップ336の対策工程に移行して、例えばアライメント系AL1,AL22~AL24の調整等が行われる。このように本実施形態では、副アライメント系AL21~AL24で検出されたウエハマークに関するプロセス誤差を求め、このプロセス誤差から求めたアライメント誤差ΔAEから重ね合わせ誤差ΔOEを予測し、この重ね合わせ誤差ΔOEに基づいてアライメントモードを選択している。従って、プロセス誤差に応じて最適なアライメントモードを容易に選択できる。次に、図7の各アライメントモードのアライメント及び露光動作につき説明する。先ず、ステップ338でノーマルモードが選択されたときには、次のステップ340において、量産用の1ロットの先頭のウエハウエハWとするをウエハステージWSTにロードする。次のステップ342において、ウエハWをY方向に移動して、図8Aに示すように、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23を用いてウエハWの第1アライメントショットのウエハマークWMA1,WMC1,WMD1の位置を検出する。さらに、ウエハWをY方向に移動して、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24を用いてウエハWの第2アライメントショットのウエハマークWMA2~WME2図8D参照の位置を検出する。次のステップ344において、ステップ342で副アライメント系AL21~AL24を介して検出したウエハマークWMB2,WMC1,WMD1,WME2の位置を主アライメント系AL1を用いて検出する。なお、ステップ342の途中で、アライメント系AL1,AL22,AL23を用いてウエハマークWMA1,WMC1,WMD1の位置を検出した直後に、主アライメント系AL1によってウエハマークWMC1,WMD1の位置を検出してもよい。次のステップ346において、EGA演算部134は、ステップ344で主アライメント系AL1を用いて求めたウエハマークWMB2,WMC1,WMD1,WME2の座標から、ステップ342で副アライメント系AL22,AL23を用いて求めた座標を差し引いて、副アライメント系AL21~AL24のプロセス誤差のベクトルPEV1,PEV2,PEV3,PEV6図12A参照を求める。このプロセス誤差は、次のアライメント時の補正値として記憶される。次のステップ348で、ウエハWをY方向に移動しながら、図9D及び図10Aに示すように、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24を用いて、ウエハWの第3及び第4アライメントショットの8個のウエハマークの位置を検出する。この際に、副アライメント系AL21~AL24を用いて求めたウエハマークの位置を、ステップ346で求めたプロセス誤差のベクトルを用いて補正する。次のステップ350において、EGA演算部134では、16個のウエハマークの座標を例えばEGA方式で処理してウエハWの各ショット領域の配列座標を求める。次のステップ352で、ウエハWの走査露光が行われ、次のステップ354で、ロット内の2枚目以降のウエハに対するアライメント及び露光が行われる。このアライメントに際しては、例えば図13A及び図13Bに示すように、ウエハWを5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域に対してY方向に移動しながら、順次第1~第4アライメントショットのウエハマークの位置が検出される。そして、副アライメント系AL21~AL24を介して検出されたウエハマークの位置は、それぞれステップ346で求めたプロセス誤差のベクトルを用いて補正される。これによって、高いアライメント精度を確保した上で、かつ効率的にアライメントが行われる。次に、ステップ356でファインモードが選択されたときには、次のステップ358において、量産用の1ロットの未露光のウエハウエハWとするをウエハステージWSTにロードする。次のステップ360において、ウエハWをY方向に移動しながら、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24を用いてウエハWの計測対象の16個のウエハマークの位置を検出する。次のステップ362において、ステップ360において副アライメント系AL21~AL24で検出した全部のウエハマークWMC1~WMD4の位置を主アライメント系AL1を用いて検出する。なお、ウエハWを順次Y方向に移動することと、ウエハWをX方向に移動することとを組み合わせて、ステップ360とステップ362とを並行して行ってもよい。次のステップ364において、EGA演算部134は、ステップ362で主アライメント系AL1を用いて求めたウエハマークWMC1~WMD4の座標から、ステップ360で副アライメント系AL22,AL23を用いて求めた座標を差し引いて、副アライメント系AL21~AL24及びウエハマークWMC1~WMD4に関する12個のプロセス誤差のベクトルPEV1~PEV12図12B参照を求める。このプロセス誤差は、次のアライメント時の補正値として記憶される。次のステップ366において、EGA演算部134では、16個のウエハマークの座標を処理して例えばEGA方式でウエハWの各ショット領域の配列座標を求める。次のステップ368で、ウエハWの走査露光が行われ、次のステップ370で、ロット内の2枚目以降のウエハに対するアライメント及び露光が行われる。このアライメントに際しては、例えば図13A及び図13Bに示すように、ウエハWを5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域に対してY方向に移動しながら、順次第1~第4アライメントショットのウエハマークの位置が検出される。そして、副アライメント系AL21~AL24で検出された全部のウエハマークの位置は、ステップ364で求めたプロセス誤差のベクトルを用いて補正される。これによって、ウエハ内のプロセス誤差のばらつきが大きい場合にも、高いアライメント精度を確保した上で、比較的効率的にアライメントを行うことができる。次に、ステップ372で1眼アライメントモードが選択されたときには、次のステップ374において、量産用の1ロットの先頭のウエハWをウエハステージWSTにロードする。次のステップ376において、ウエハWをY方向、X方向に移動しながら、1眼の主アライメント系AL1を用いてウエハWの計測対象の16個のウエハマークの位置を検出する。次のステップ378において、EGA演算部134では、16個のウエハマークの座標を処理して例えばEGA方式でウエハWの各ショット領域の配列座標を求める。次のステップ380で、ウエハWの走査露光が行われ、次のステップ382で、ロット内の2枚目以降のウエハに対するアライメント及び露光が行われる。このアライメントに際しては、ウエハの計測対象の全部のウエハマークが主アライメント系AL1によって検出される。これによって、ウエハ間のプロセス誤差のばらつきが大きい場合にも、高いアライメント精度を確保できる。上述のように本実施形態の露光装置EXのウエハアライメント装置80を用いるアライメント方法は、ウエハWのウエハマークの位置を検出するマーク検出方法でもある。このマーク検出方法は、検出領域が固定された主アライメント系AL1及び検出領域がX方向に可変の副アライメント系AL21~AL24を用いて、評価用の1ロットのウエハに設けられた複数のウエハマークWMA1~WMD4の位置を検出するステップ310と、副アライメント系AL21~AL24で検出したウエハマークWMC1~WMD4の位置を主アライメント系AL1でも検出し、この検出結果と副アライメント系AL21~AL24の検出結果との差分よりなるプロセス誤差のベクトルPEV1~PEV12を求めるステップ314と、そのプロセス誤差のベクトルに応じて、次の量産用の1ロットのウエハに設けられた複数のウエハマークの位置を検出する際の検出モードであるアライメントモードを、ノーマルモード、ファインモードを含む複数のモードから選択するステップ330~334と、を含んでいる。また、そのノーマルモードにおいては、量産用の1ロットの先頭のウエハのウエハマークの位置をアライメント系AL1,AL22~AL24を用いて検出するステップ342と、副アライメント系AL21~AL24で最初に検出したウエハマークWMB2,WMC1,WMD1,WME2の位置を主アライメント系AL1でも検出するステップ344と、この検出結果とステップ342の検出結果との差分よりなるプロセス誤差のベクトルを副アライメント系AL21~AL24の検出結果の補正値とするステップ346とが実行される。一方、そのファインモードにおいては、量産用の1ロットの先頭のウエハのウエハマークの位置をアライメント系AL1,AL22~AL24を用いて検出するステップ360と、副アライメント系AL21~AL24で検出した全部のウエハマークWMC1~WMD4の位置を主アライメント系AL1でも検出するステップ362と、この検出結果とステップ360の検出結果との差分よりなるプロセス誤差のベクトルを副アライメント系AL21~AL24で対応するウエハマークの位置を検出したときの補正値とするステップ364と、が実行される。本実施形態によれば、評価用の1ロットのウエハに設けられたウエハマークの主アライメント系AL1及び副アライメント系AL21~AL24による検出結果の差分によって、次の量産用の1ロットのウエハのウエハマークを検出する際のアライメントモードが選択される。そのノーマルモードを選択するときには、先頭のウエハに関して副アライメント系AL21~AL24で最初に検出したウエハマークを主アライメント系AL1でも検出して補正値を求め、そのファインモードを選択するときには、先頭のウエハに関して副アライメント系AL21~AL24で検出した全部のウエハマークを主アライメント系AL1でも検出して補正値を求めるため、複数のウエハマークの位置情報を必要とされる検出精度に応じて効率的に検出できる。なお、本実施形態では、式2のアライメント誤差ΔAEから重ね合わせ誤差を予測し、この重ね合わせ誤差に基づいてノーマルモード、ファインモード、及び1眼アライメントモードから次の露光時に使用されるアライメントモードを選択している。なお、そのアライメント誤差ΔAE中のウエハ内誤差ΔAE1が所定の許容値以下のときにノーマルモードを選択してもよい。そして、ウエハ内誤差ΔAE1が所定の許容値より大きいときに、ウエハ間誤差ΔAE2が所定の許容値以下のときにファインモードを選択してもよい。この場合には、ウエハ間誤差ΔAE2が所定の許容値以下より大きいときに1眼アライメントモードを選択してもよい。また、露光装置EXによる露光方法は、ウエハアライメント装置80を用いたアライメント方法を用いてウエハWの表面の複数のウエハマークの位置情報を検出するステップ338~350,356~366と、この検出結果に基づいて、ウエハWとレチクルRのパターンとの位置合わせを行いながらウエハWを走査露光するステップ352,368とを含んでいる。これらの露光装置EX及び露光方法によれば、多数のウエハマークの位置情報を必要な精度に応じて効率的に検出できるため、露光工程のスループットを向上できる。なお、本実施形態では、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24が用いられている。しかしながら、アライメント系の個数、及び副アライメント系AL21~AL24の個数は任意である。また、本実施形態のウエハのアライメントショットは16個であるが、ウエハのアライメントショット計測対象のウエハマークの個数及び配列は任意である。次に、本発明の実施形態の他の例につき説明する。本実施形態でも図1の露光装置EXを使用する。さらに、本実施形態では、図4Aのアライメント系AL1,AL22~AL24において、被検マークを照明するアライメント光ALの光学条件を被検マークに応じて最適化するものとする。その光学条件としては、一例としてアライメント光ALの波長波長域、照明系開口絞りの形状照明条件、及びベストフォーカス位置に対する被検面のデフォーカス量を考慮する。以下、その光学条件を最適化して設定する方法の一例につき、図14のフローチャートを参照して説明する。この光学条件の設定は、主制御装置20の制御のもとで、例えば図6のステップ308の主アライメント系AL1のベースラインの検出後に、主アライメント系AL1を用いて実行される。先ず、図14のステップ402において、例えば評価用の1ロットの先頭のウエハがウエハステージWSTにロードされる。次のステップ404において、ウエハステージWSTを駆動して、ウエハの一つのウエハマークを図4Aの主アライメント系AL1の検出領域ALF1内に移動する。そのウエハマークのうちのX軸のマークを図15Aに拡大して示すマークWMAとする。次のステップ406において、波長選択用フィルタ5fを第1のフィルタに設定してアライメント光ALの波長を第1の波長域例えば白色光に設定する。次のステップ408において、照明系開口絞り5gを第1の開口絞り、例えば通常の大きい円形の開口絞りに設定する。次のステップ410において、ウエハの表面を主アライメント系AL1のベストフォーカス位置から所定量だけ-Z方向にデフォーカスした下限に設定する。デフォーカス量は次第にプラスになるように設定される。これらの光学条件を第j番目jは1からJまでの整数:Jは2以上の整数の光学条件と呼ぶ。この段階ではj=1である。次のステップ412において、主アライメント系AL1でウエハマークの像を撮像し、アライメント制御部132で撮像信号SX,SYを取り込む。この撮像信号SX,SYの取り込みは実際にはウエハの複数のウエハマークに関して行われる。以下では、図15AのX軸のマークに対応する図15B、Cの撮像信号SXを評価対象とする。Y軸のマークに対応する撮像信号も同様に評価される。図15B、Cの横軸は、ウエハマークのX方向に対応する撮像素子の受光面上の位置である。次のステップ414において、アライメント制御部132では、図15Aの撮像信号SXに関して計測再現性指標FIA1jを計算する。一例として、撮像信号SXの最大値と最小値との差分である振幅AMPと、その振幅AMPの中央の直流成分DCとを用いて次のコントラストCoを計算する。Co=AMP/DC...3Aさらに、撮像信号SX中のエッジ部の中央で傾き=信号の変化分/X方向の変位SLX1,~SLX4を計算し、これらの傾きの絶対値中の最大値をSLmaxとする。ここで、所定の係数α,βを用いて、次の計測再現性σs,σbを計算する。σs=1/{αCoSLmax12}...3Bσb=1/βSLmax...3Cアライメント制御部132は、これらの計測再現性σs,σbを用いて次のように計測再現性指標FIA1jを計算して記憶する。FIA1j=σs2σb212...3Dこの計測再現性指標FIA1jは実際には複数のウエハマークに関する平均値である。計測再現性指標FIA1jは、重ね合わせ精度及び重ね合わせ精度の安定性副アライメント系AL21~AL24のプロセス誤差の両方に影響を与える。次のステップ416において、アライメント制御部132では、図15Bの撮像信号SXに関して非対称指標FIA2jを計算する。そのため、一例として、実線の波形C11で示す撮像信号SXのX方向の中央の位置P1Xを求める。さらに、撮像信号SXを180度回転した点線の波形C12で示す撮像信号のX方向の中央の位置P2Xを求める。この際に、実線の波形C11と点線の波形C12とは、例えば中央のピーク部の位置が同じになるようにX方向の相対位置が調整されている。このとき、アライメント制御部132は、次式から非対称指標FIA2jを計算して記憶する。FIA2j=P1X-P2X...4この非対称指標FIA2jも実際には複数のウエハマークに関する平均値である。この非対称指標FIA2jは、重ね合わせ精度に影響する。次のステップ418において、アライメント制御部132では、図15Bの撮像信号SXのばらつきの指標FIA3jを計算する。一例として、撮像信号SXをX方向に微分して、図16A~Cに示す微分信号DSXを求める。さらに、図16Aに示す実線の波形C1及び別のウエハマークに関する点線の波形C2等で表される微分信号DSXにおいて、両側の傾斜部が所定の閾値を横切るときの位置の幅からライン部の線幅LW1,LW2等のばらつき標準偏差、以下同様σLWjを求める。また、図16Bに示す実線の波形C1及び別のウエハマークに関する点線の波形C3,C4等で表される微分信号DSXにおいて、その信号の最大値TIのばらつきσTIj、及びその信号の最小値BI1,BI2のばらつきσBIjを求める。また、図16Cに示す実線の波形C1及び別のウエハマークに関する点線の波形C5等で表される微分信号DSXにおいて、両側の傾斜部の傾きウエハマークの段差に対応しているの絶対値KX1~KX4のばらつきσKXjを求める。そして、アライメント制御部132では、線幅のばらつきσLWj、微分信号の最大値及び最小値のばらつきσTIj,σBIj、並びに段差のばらつきσKXjから、撮像信号SXのばらつきの指標FIA3jを求める。一例として、ばらつきσKXj、ばらつきσTIj,σBIj、及びばらつきσKXj毎にそれぞれこれらに比例する値を付与し、これらの値を加算することによって指標FIA3jを求めることができる。この指標FIA3jは、重ね合わせ精度の安定性副アライメント系AL21~AL24のプロセス誤差に影響を与える。次のステップ420において、主アライメント系AL1の光学条件を切り替えるかどうかを判定する。光学条件を切り替える場合にはステップ406に戻り、アライメント光ALの波長を第2の波長例えば赤色光に設定する。この場合には、次のステップ408、410では、条件を変えることなく、これらの光学条件を第2番目j=2の光学条件と呼ぶ。以下、これ以降のステップ406~410では、アライメント光ALの波長域波長、照明系開口絞りの形状、及びデフォーカス量の少なくとも一つの項目が互いに異なる全体としてJ個の光学条件が設定される。そして、ステップ412で、j番目の光学条件のもとで主アライメント系AL1によりウエハマークの像の撮像信号を取り込み、ステップ414~418において、そのj番目の光学条件のもとでの撮像信号の計測再現性指標FIA1j、非対称指標FIA2j、及びばらつきの指標FIA3jを計算する。そして、全部の光学条件に関して指標FIA1j,FIA2j,FIA3jの計算が完了したときに、動作はステップ420からステップ422に移行する。ステップ422において、アライメント制御部132は、上記の3つの指標FIA1j,FIA2j,FIA3jから最適なj1番目j1=1~Jの光学条件を選択する。一例として、3つの指標FIA1j,FIA2j,FIA3jがそれぞれ所定の許容値よりも小さくなるときの光学条件、即ち3つの指標FIA1j,FIA2j,FIA3jが平均的に良好であるときの光学条件が選択される。なお、その条件を満たす最適な光学条件が複数個ある場合には、例えばその内の計測再現性指標FIA1jの値がより小さい光学条件を選択してもよい。次のステップ424では、アライメント系AL1,AL22~AL24の光学条件を共通にステップ422で選択された最適な光学条件に設定する。次に、アライメント系AL1,AL22~AL24によってウエハの複数のウエハマークの位置を検出しステップ426、その位置に基づいてウエハの各ショット領域の配列座標を計算しステップ428、この配列座標に基づいてウエハの走査露光が行われるステップ430。その後、ステップ432で次のウエハに関するアライメント及び露光が行われる。この際のアライメントでは、アライメント系AL1,AL22~AL24の光学条件はステップ422で選択された光学条件に設定されている。このように本実施形態によれば、主アライメント系AL1の光学条件を種々に切り替えながら、それぞれ計測再現性指標FIA1j、非対称指標FIA2j、及びばらつきの指標FIA3jを計算し、これらの指標に基づいて最適な光学条件を選択している。従って、アライメント系AL1,AL22~AL24で個々のウエハマークを検出する際の撮像信号のコントラストを高めることができるとともに、ウエハ内の複数のウエハマークを検出する際の撮像信号のばらつきを小さくすることができる。従って、ウエハ内の複数のウエハマークの位置を全体として高精度に検出することができ、アライメント精度、ひいては重ね合わせ精度を高めることができる。なお、アライメント系AL1,AL22~AL24の光学条件としては、アライメント光ALの波長波長域、照明系開口絞りの形状照明条件、及びベストフォーカス位置に対する被検面のデフォーカス量の少なくとも一つを考慮してもよい。さらに、その光学条件として別の任意の条件を考慮してもよい。また、撮像信号の評価指標としては、計測再現性指標FIA1j、非対称指標FIA2j、及びばらつきの指標FIA3jのうちの少なくとも一つを用いるだけでもよい。さらに、評価指標としては、他の任意の指標を使用できる。また、上記の各実施形態の露光装置又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイスマイクロデバイスを製造する場合、電子デバイスは、図17に示すように、電子デバイスの機能性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ222、デバイスの基材である基板ウエハを製造するステップ223、前述した実施形態の露光装置EX又は露光方法によりレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱キュア及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて基板物体を露光することと、その露光された基板を現像することと、を含んでいる。この際に、複数のアライメント系を用いて必要な重ね合わせ精度等に応じて効率的に基板のアライメントウエハマークの検出を行うことができるため、デバイスを高いスループットで量産することができる。なお、上記の実施形態において、上述の走査露光型の露光装置スキャナの他に、ステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパー等も使用できる。さらに、液浸型露光装置以外の、ドライ露光型の露光装置も同様に使用することができる。また、上記の実施形態は、半導体デバイス製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子やプラズマディスプレイなどを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックスウエハ上に転写する露光装置、並びに撮像素子CCDなど、有機EL、マイクロマシーン、MEMS、及びDNAチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などの電子デバイスマイクロデバイスだけでなく、光露光装置及びEUV露光装置などで使用されるマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。"