金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料であって、珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBiが1.0~1.8であり、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.02~0.10であることを特徴とする蒸着用材料。嵩密度が0.9~1.5g/cm3の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着用材料。前記二酸化珪素粉末が、結晶構造を少なくとも20以上含んでいることを特徴とする請求項1に記載の蒸着用材料。請求項1に記載の蒸着用材料を、加熱方式で蒸発させて蒸着した蒸着膜の珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBiが1.6~1.9であり、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.02~0.10であることを特徴とするガスバリア性蒸着フィルム。金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有し、珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBiが1.0~1.8であり、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.02~0.10である蒸着用材料を、電子ビーム加熱方式により蒸発させ、高分子フィルム基材上に成膜することを特徴とするガスバリア性蒸着フィルムの製造方法。本発明は、以上の従来技術の問題を解決しようとするものであり、スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与できる蒸着用材料と、それを用いて蒸着したガスバリア性蒸着フィルム及び該蒸着フィルムの製造方法を提供することを目的とする。本発明は係る課題に鑑みなされたものであり、請求項1の発明は、金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料であって、珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBiが1.0~1.8であり、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.02~0.10であることを特徴とする蒸着用材料である。請求項2の発明は、嵩密度が0.9~1.5g/cm3の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着用材料である。請求項3の発明は、前記二酸化珪素粉末が、結晶構造を少なくとも20以上含んでいることを特徴とする請求項1に記載の蒸着用材料である。請求項4の発明は、請求項1に記載の蒸着用材料を、加熱方式で蒸発させて蒸着した蒸着膜の珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBiが1.6~1.9であり、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.02~0.10であることを特徴とするガスバリア性蒸着フィルムである。請求項5の発明は、金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有し、珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBiが1.0~1.8であり、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.02~0.10である蒸着用材料を、電子ビーム加熱方式により蒸発させ、高分子フィルム基材上に成膜することを特徴とするガスバリア性蒸着フィルムの製造方法である。本発明によれば、生産性向上のために高い出力での電子ビーム加熱蒸着法を利用した場合でもスプラッシュ現象を抑制でき、高いガスバリア性の蒸着フィルムを得ることができる。以下に、本発明の実施の形態について説明する。図1は本発明のガスバリア性蒸着フィルムの断面図である。このガスバリア性蒸着フィルムは、高分子フィルム基材1の上に金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマスを蒸着したものからなる無機酸化物膜2を、真空蒸着方式によって成膜したものである。このようにすることがガスバリア性能や均一性の観点から好ましい。無機酸化物膜2の成膜手段としては、真空蒸着方式のうち、電子ビームやレーザービーム等による加熱蒸着法が好ましく用いられ、特に電子ビーム加熱蒸着法が、成膜速度や無機酸化物蒸着用材料への昇温降温が短時間で行える点で有効である。また、前記二酸化珪素は、結晶構造を少なくとも20以上含んでいる。このために、電子ビームによって二酸化珪素から酸素ガスを発生させ、この酸素ガスを、金属珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマスと反応させることができる。また、上記無機酸化物膜2は高分子フィルム基材1の両面に形成しても、多層にしても、表裏で異なる組成の無機酸化物膜2としてもよい。高分子フィルム基材1は、特に制限を受けるものではなく公知のものを使用することが出来る。例えば、ポリオレフィン系ポリエチレン、ポリプロピレン等、ポリエステル系ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート等、ポリアミド系ナイロン―6、ナイロン―66等、ポリスチレン、エチレンビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネイト、ポリエーテルスルホン、アクリル、セルロース系トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース等などの高分子のフィルム基材が挙げられるが、特に限定されない。高分子フィルム基材1として、透明フィルムを用いることは、大量生産に適するため好ましい。また、厚さに関しては、特に制限を受けるものではなく、ガスバリア性蒸着フィルムを形成する蒸着加工などの加工性を考慮すると、実用的には12~188μmの範囲が好ましい。蒸発した金属珪素と二酸化珪素からなる混合蒸着用材料によって高分子フィルム基材1の表面上に形成される無機酸化物膜2の厚さは、一般的には5~300nmの範囲内が望ましく、その値は適宜選択する。ただし、無機酸化物膜2の厚さが5nm未満であると均一な膜質が得られないことや、膜厚が十分ではないことがあり、十分なバリア性能を発揮できない場合がある。また、膜厚が300nmを超える場合は、膜にフレキシビリティを保持させることができず、成膜後に折り曲げ、引張りなどの外的要因により、膜に亀裂が生じる恐れがある。本発明では、蒸着用材料として使用される金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料は、珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBi、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Si、また好適には嵩密度を管理することにより、電子ビームによる熱衝撃に対して破壊されにくい無機酸化物膜2を成膜することができる。そのため、無機酸化物膜2の耐熱衝撃性が向上し、スプラッシュ現象が抑制される。すなわち、電子ビーム加熱による蒸着の際には、好適には嵩密度を管理することで、緻密構造にならないようにして熱伝導性を低くすることと、低い熱伝導性を持つ二酸化珪素を混合したことにより、電子ビーム加熱による急激な温度上昇による突沸の発生を抑制し、スプラッシュ現象を低減することができる。また、二酸化珪素が加熱されると酸素ガスが脱離し、加熱された金属珪素も二酸化珪素から発生した酸素ガスが近傍にあるため、突沸することなく反応しSiOx蒸気となる。金属ビスマスは二酸化珪素から脱離した酸素ガスと反応し、BiOy蒸気となり、酸化ビスマスも蒸発してBiOy蒸気となることで、高分子基材フィルム上にSiOxBiOy膜を形成できる。そして、蒸着材料の表層には溶融した二酸化珪素が残るため、スプラッシュが抑制され、高いバリア性を持つ蒸着フィルムを形成できると考えられる。本発明の金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料に関して、その珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比O/SiBiは1.0~1.8が望ましい。すなわち、O/SiBiが1.0未満では、材料に含まれる二酸化珪素が少ないため、材料表層の溶融部分が少なく、スプラッシュが発生し易くなる。一方、O/SiBiが1.8を超えると、酸素ガスの発生が多くなるため、成膜室内の圧力が上昇し、蒸着速度の低下、つまり生産性の低下が起こり、また蒸着膜密度の低下により蒸着膜のバリア性が低下する。また、金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料に関しては、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siは0.02~0.10が望ましい。すなわち、Bi/Siが0.02未満では、ビスマス成分を添加することによるバリア性向上効果が得られない。一方、Bi/Siが0.10を超えると、蒸着したフィルムに含まれるビスマスの量が多くなるため、フィルムの耐水性が低下する。蒸着用材料の嵩密度は0.9~1.5g/cm3が好ましい。蒸着用材料の嵩密度が0.9g/cm3未満では、蒸着用材料の割れや飛散が発生し易く、嵩密度が1.5g/cm3を超えると、材料の蒸発に必要なエネルギーがより必要となるため、蒸発レートが低くなり、蒸着速度の低下、つまり生産性が低下する。さらに、蒸着用材料はそれぞれ同程度の粒径を用いると混ざりやすく、1μm~100μmの粉末を用いることで蒸着用材料の昇温プロセスが簡易になる。これは、金属珪素が蒸着用材料に均一に混合されることで、材料が温まり易く電子ビームのデフォーカスが起こりにくいためと考えられる。ここで用いる珪素酸化物は、少なくとも20はX線的に結晶構造を有している二酸化珪素を使用することが望ましい。これは、結晶化度が20未満、つまり結晶構造が20未満の二酸化珪素を使用すると、蒸着用材料の蒸発レートおよび蒸着膜のバリア性が低下するためである。二酸化珪素の結晶部分と非結晶部分の測定には、X線回折装置XRDを用いて、それぞれのピークを分離し、積分強度の比から結晶化度を求めた。また、本発明の金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料を、加熱方式で蒸発させて蒸着した蒸着膜に関して、その珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比{O/SiBi}は1.6~1.9が望ましい。すなわち、O/SiBiが1.6未満では、蒸着膜に含まれる二酸化珪素が少ないため、フィルムの透明性が低下する。一方、O/SiBiが1.9を超えると、蒸着膜に含まれる二酸化珪素が多くなるため、蒸着膜密度の低下により蒸着膜のバリア性が低下する。また、金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有した加熱方式の蒸着用材料を、加熱方式で蒸発させて蒸着した蒸着膜に関して、そのビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siは0.02~0.10が望ましい。Bi/Siが0.02未満では、ビスマス成分の含有によるバリア性向上効果が得られず、Bi/Siが0.10を超えると、蒸着したフィルムに含まれるビスマスの量が多くなるため、フィルムの耐水性が低下する。以上のように、本発明の蒸着用材料は、珪素とビスマスの合計の原子数と酸素の原子数の比{O/SiBi}、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Si、また好適にはな嵩密度を管理すること、さらには二酸化珪素の結晶化度を管理することで、従来の蒸着用材料に比べスプラッシュ現象を生じさせることなく、高いバリア性を持つガスバリア性蒸着フィルムを得ることができる。以下に、本発明の実施例を具体的に説明する。<実施例1>金属珪素には50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用し、二酸化珪素には結晶構造を95含み、50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用し、金属ビスマスには50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用した。珪素とビスマスの合計の原子数と酸素の原子数の比{O/SiBi}が1.4となるようにし、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.05となるように混合した金属珪素と二酸化珪素と金属ビスマスからなる蒸着用材料を作製し、嵩密度が1.0g/cm3となるようにプレス成型した。次に、電子ビーム加熱方式の真空蒸着装置により、電子銃から放出する電子ビームを混合蒸着用材料に照射し蒸発させ、高分子フィルム基材上に成膜した。<実施例2>金属珪素には50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用し、二酸化珪素には結晶構造を95含み、50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用し、酸化ビスマスには50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用した。珪素とビスマスの合計の原子数と酸素の原子数の比{O/SiBi}が1.5となるようにし、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.03となるように混合した金属珪素と二酸化珪素と酸化ビスマスからなる蒸着用材料を作製し、嵩密度が1.0g/cm3となるようにプレス成型した。以下に本発明の比較例について説明する。<比較例1>金属珪素には50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用し、二酸化珪素には結晶構造を95含み、50μm以下の径を有する粉末が95以上のものを使用した。珪素の原子数と酸素の原子数の比O/Siが1.5となるように混合した金属珪素と二酸化珪素からなる混合蒸着用材料を作製し、嵩密度が1.0g/cm3となるようにプレス成型した。<比較例2>比較例1で作製した蒸着用材料と同様に、嵩密度が1.5g/cm3となるようにプレス成型した。<比較例3>実施例1で作製した蒸着用材料と同様に、珪素とビスマスの合計の原子数と酸素の原子数の比{O/SiBi}が1.3となるようにし、ビスマスと珪素の原子数の比Bi/Siが0.12となるように混合した金属珪素と二酸化珪素と金属ビスマスからなる蒸着用材料を作製し、嵩密度が1.0g/cm3となるようにプレス成型した。上記実施例1~2及び比較例1~3のガスバリア性蒸着フィルムについて、以下の方法で、スプラッシュの発生をチェックし、また、水蒸気透過率を測定した。また、蒸発させて蒸着した蒸着膜のO/SiBi及びBi/Siを測定した。<スプラッシュについて>実施例1~2及び比較例1~3のガスバリア性蒸着フィルムを幅500mm×長さ100mの面積にカットし、これらのガスバリア性蒸着フィルムについて、目視により、スプラッシュによるピンホールや異物が無いかを調べた。なお、スプラッシュの有無の評価では、スプラッシュによるピンホールや異物が無い場合を○とし、スプラッシュによるピンホールや異物が1から10個までを△とし、スプラッシュによるピンホールや異物が11個以上あるものを×とした。<水蒸気バリア性について>実施例1~2及び比較例1~3のガスバリア性蒸着フィルムの水蒸気バリア性を、モダンコントロール社製の水蒸気透過度測定装置商品名;MOCONPERMATRAN3/21を用いて40°C90RHの雰囲気で測定した。<蒸着膜のO/SiBi及びBi/Siについて>実施例1~2及び比較例1~3のガスバリア性蒸着フィルムにおける蒸着膜のO/SiBi及びBi/Siを以下の方法で測定した。測定方法無機酸化物膜2が形成された高分子フィルム基材1を10mm×10mm角に切り取り、X線光電子分光装置ESCAにより、膜の組成分析を行った。Arイオンで蒸着膜の深さ方向に組成分析を3回以上繰り返し、その平均を求め、O/SiBi及びBi/Siを算出した。次の表1は上記測定結果を示している。<評価>表1のように、比較例2のガスバリア性蒸着フィルムはスプラッシュの発生が確認されたのに対し、実施例1及び実施例2のガスバリア性蒸着フィルムはスプラッシュの発生はなかった。これは、蒸着用材料の高い嵩密度によってスプラッシュが発生することを意味する。さらに、実施例1及び実施例2のガスバリア性蒸着フィルムは、金属ビスマスもしくは酸化ビスマスを蒸着用材料に加えているため、顕著な水蒸気バリア性の向上がみられる。すなわち、比較例1~3のガスバリア性蒸着フィルムは、金属珪素と二酸化珪素の蒸着用材料からなる蒸着膜の水蒸気バリア性が1g/m2dayより悪いのに対し、実施例1及び実施例2のガスバリア性蒸着フィルムは、金属ビスマスもしくは酸化ビスマスを加えた蒸着用材料からなる蒸着膜がSiOxとBiOyの複合膜となることで、1g/m2dayより良い水蒸気バリア性が得られており、水蒸気バリア性が向上したと考えられる。