"高圧側電位と低圧側電位との間に高圧側から順にトーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子と、フローティング電源が接続される高圧端子と低圧端子を有し、前記高圧端子の電圧と前記低圧端子の電圧の一方を前記ハイサイドスイッチング素子に供給して前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するハイサイド駆動回路と、前記ローサイドスイッチング素子を駆動するローサイド駆動回路と、前記ハイサイド駆動回路の前記高圧端子の電圧と前記低圧端子の電圧との間の基準電圧を生成して前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子の接続点に供給する基準電圧回路と、制御端子と、前記ハイサイド駆動回路の前記低圧端子に接続された第1端子と、接地された第2端子とを有する充電用スイッチング素子とを備えることを特徴とする半導体装置。前記充電用スイッチング素子の前記制御端子は前記ローサイド駆動回路の出力端子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記充電用スイッチング素子の前記制御端子と前記ローサイド駆動回路の前記出力端子との間に接続された遅延回路を更に備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記ハイサイド駆動回路の前記低圧端子と前記充電用スイッチング素子との間に接続された逆流防止用ダイオードを更に備えることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の半導体装置。ハイサイド駆動回路が負バイアス駆動を行う半導体装置では、ハイサイド駆動回路の低圧端子がハイサイドスイッチング素子とローサイドスイッチング素子の接続点に接続されておらず、ローサイドスイッチング素子を経由してブートストラップコンデンサを充電する経路が存在しない。従って、ローサイドスイッチング素子がターンオンしてもハイサイド駆動回路の低圧端子がGND電位にならず、ブートストラップコンデンサが充電されない。このため、ブートストラップコンデンサによりハイサイド駆動回路に駆動電圧を供給することができないという問題があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はハイサイド駆動回路が負バイアス駆動を行いつつ、ブートストラップコンデンサによりハイサイド駆動回路に駆動電圧を供給することができる半導体装置を得るものである。本発明に係る半導体装置は、高圧側電位と低圧側電位との間に高圧側から順にトーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子と、フローティング電源が接続される高圧端子と低圧端子を有し、前記高圧端子の電圧と前記低圧端子の電圧の一方を前記ハイサイドスイッチング素子に供給して前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するハイサイド駆動回路と、前記ローサイドスイッチング素子を駆動するローサイド駆動回路と、前記ハイサイド駆動回路の前記高圧端子の電圧と前記低圧端子の電圧との間の基準電圧を生成して前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子の接続点に供給する基準電圧回路と、制御端子と、前記ハイサイド駆動回路の前記低圧端子に接続された第1端子と、接地された第2端子とを有する充電用スイッチング素子とを備える。本発明により、ハイサイド駆動回路が負バイアス駆動を行いつつ、ブートストラップコンデンサによりハイサイド駆動回路に駆動電圧を供給することができる。本発明の実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す図である。この装置は、高圧側電位と低圧側電位との間に高圧側から順にトーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子Q1及びローサイドスイッチング素子Q2を有するハーフブリッジ回路である。ハイサイド駆動回路1は、HIN端子から入力した制御信号に応じて、高圧端子VBの電圧と低圧端子VEの電圧の一方を、出力端子HOを介してハイサイドスイッチング素子Q1のゲートに供給して、ハイサイドスイッチング素子Q1を駆動する。ローサイド駆動回路2は、LIN端子から入力した制御信号に応じて、高圧端子VCCの電圧と低圧端子GNDの電圧の一方を、出力端子LOを介してローサイドスイッチング素子Q2のゲートに供給して、ローサイドスイッチング素子Q2を駆動する。基準電圧回路3は、ハイサイド駆動回路1の高圧端子VBの電圧と低圧端子VEの電圧との間の基準電圧を生成して、出力端子VSを介してハイサイドスイッチング素子Q1とローサイドスイッチング素子Q2の接続点に供給する。基準電圧回路4は、ローサイド駆動回路2の高圧端子VCCの電圧と低圧端子GNDの電圧との間の基準電圧を生成して、出力端子Nを介してローサイドスイッチング素子Q2のソースに供給する。ハイサイド駆動回路1の基準電位低圧端子VEの電位はローサイドスイッチング素子Q2の駆動に伴いハーフブリッジ回路の高圧側電位と低圧側電位の間を変動する。そのため、ハイサイド駆動回路1の駆動電圧源として、低圧側電位に対して浮遊したフローティング電源を用いる必要がある。そこで、ブートストラップコンデンサC1を用いる。ブートストラップコンデンサC1の一端がハイサイド駆動回路1の高圧端子VBに接続され、他端がハイサイド駆動回路1の低圧端子VEに接続されている。ブートストラップダイオードD1のアノードが抵抗R1を介してローサイド駆動電源に接続され、カソードがブートストラップコンデンサC1の一端に接続されている。ブートストラップダイオードD1は、ローサイド駆動電源からの電流をブートストラップコンデンサC1の一端に供給する。充電用スイッチング素子Q3のドレインがブートストラップコンデンサC1の他端に接続され、ソースが接地されている。充電用スイッチング素子Q3のゲートVGには、外部からゲート電圧が入力される。図2は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の動作を示すタイミングチャートである。ハイサイドスイッチング素子Q1がターンオフ、ローサイドスイッチング素子Q2がターンオンすると、少し遅れて充電用スイッチング素子Q3がターンオンする。これにより、VE端子がGND電位になり、ブートストラップダイオードD1が順バイアスされるため、ブートストラップコンデンサC1は充電される。一方、ハイサイドスイッチング素子Q1がターンオン、ローサイドスイッチング素子Q2がターンオフすると、充電用スイッチング素子Q3がターンオフする。これにより、VE端子が高電位になり、ブートストラップダイオードD1が逆バイアスされるため、ブートストラップコンデンサC1は放電される。続いて本実施の形態の効果を比較例1,2と比較して説明する。図3は、比較例1に係る半導体装置を示す図である。この装置は、ブートストラップ回路を用いた一般的な半導体装置であり、負バイアス駆動を行わない。ハイサイド駆動回路1の低圧端子VSがハイサイドスイッチング素子Q1とローサイドスイッチング素子Q2の接続点に接続されている。従って、ローサイドスイッチング素子Q2がターンオンしてハイサイド駆動回路1の低圧端子VSがGND電位となると、ブートストラップコンデンサC1が充電される。図4は、比較例2に係る半導体装置を示す図である。この装置は、ブートストラップ回路を用いつつ、かつ負バイアス駆動を行う。ただし、本実施の形態の充電用スイッチング素子Q3は存在しない。ハイサイド駆動回路1の低圧端子VEがハイサイドスイッチング素子Q1とローサイドスイッチング素子Q2の接続点に接続されておらず、ローサイドスイッチング素子Q2を経由してブートストラップコンデンサC1を充電する経路が存在しない。従って、ローサイドスイッチング素子Q2がターンオンしてもハイサイド駆動回路1の低圧端子VEがGND電位にならず、ブートストラップコンデンサC1が充電されない。このため、ブートストラップコンデンサC1によりハイサイド駆動回路1に駆動電圧を供給することができない。本実施の形態では、ブートストラップコンデンサC1の他端と接地点との間に充電用スイッチング素子Q3を設けている。この充電用スイッチング素子Q3がターンオンして端子VEの電位がGNDになると、ブートストラップコンデンサC1はダイオードD1と充電用スイッチング素子Q3を介して充電される。よって、ハイサイド駆動回路1が負バイアス駆動を行いつつ、ブートストラップコンデンサC1によりハイサイド駆動回路1に駆動電圧を供給することができる。また、外部から入力する充電用スイッチング素子Q3のゲート電圧を制御して、充電用スイッチング素子Q3のターンオンをローサイドスイッチング素子Q2のターンオンより遅らせることが好ましい。これにより、充電用スイッチング素子Q3を低電圧状態でスイッチングさせることができるため、信頼性が向上する。実施の形態2.図5は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置を示す図である。充電用スイッチング素子Q3の制御端子がローサイド駆動回路2の出力端子に接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。これにより、充電用スイッチング素子Q3のゲート電圧を外部から個別に供給する必要が無くなり、回路構成を簡略化できる。実施の形態3.図6は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す図である。充電用スイッチング素子Q3の制御端子とローサイド駆動回路2の出力端子との間に遅延回路5が接続されている。その他の構成は実施の形態2と同様である。この遅延回路5は、充電用スイッチング素子Q3のターンオンをローサイドスイッチング素子Q2のターンオンより遅らせる。これにより、充電用スイッチング素子Q3を低電圧状態でスイッチングさせることができるため、信頼性が向上する。実施の形態4.図7は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置を示す図である。ブートストラップコンデンサC1と充電用スイッチング素子Q3との間に逆流防止用ダイオードD2が接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。この逆流防止用ダイオードD2により、ハイサイドスイッチング素子Q1及びローサイドスイッチング素子Q2の還流などによる充電用スイッチング素子Q3の逆電流を防止し、信頼性を高めることができる。なお、実施の形態2,3の構成に逆流防止用ダイオードD2を設けてもよい。実施の形態5.図8は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置を示す図である。充電用スイッチング素子Q3がドライバICに集積されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。これにより、回路構成を簡略化できる。なお、上記の実施の形態1~5において、ハイサイドスイッチング素子Q1及びローサイドスイッチング素子Q2はnチャネルMOSFETであるが、これに限らずMOSFET、IGBT、SiC-MOSFET等のパワースイッチング素子でもよい。また、ハイサイドスイッチング素子Q1及びローサイドスイッチング素子Q2は、珪素によって形成されたものに限らず、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成されたものでもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドである。このようなワイドバンドギャップ半導体によって形成されたパワー半導体素子は、耐電圧性や許容電流密度が高いため、小型化できる。この小型化された素子を用いることで、この素子を組み込んだ半導体モジュールも小型化できる。また、素子の耐熱性が高いため、ヒートシンクの放熱フィンを小型化でき、水冷部を空冷化できるので、半導体モジュールを更に小型化できる。また、素子の電力損失が低く高効率であるため、半導体モジュールを高効率化できる。なお、スイッチング素子とダイオード素子の両方がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることが望ましいが、何れか一方の素子がワイドバンドギャップ半導体よって形成されていてもよく、この実施の形態に記載の効果を得ることができる。"