"透明基板と、該透明基板上に設けられ、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜と、光学膜を精密加工するためのハードマスク膜とを有するフォトマスクブランクであって、前記ハードマスク膜がクロム系材料からなる多層膜であり、前記多層膜が、前記光学膜と接して設けられ、酸素を20~60原子含有するクロム系材料からなり、厚さ0.5nm以上5.0nm未満である第1層と、前記第1層に接して設けられ、クロムを50原子以上含有し、第1層よりも酸素含有率が低いクロム系材料からなる第2層とを有し、前記ハードマスク膜の全体の厚さが2.0nm以上10nm未満であることを特徴とするフォトマスクブランク。前記多層膜が、最下層として前記第1層と、中間層として前記第2層と、最表層として、前記第2層に接して設けられ、第2層よりも酸素含有率が高い第3層とからなることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。前記第1層の厚さが0.5~3.0nmであることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。前記光学膜が遮光膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。前記遮光膜の厚さが35~60nmであることを特徴とする請求項4記載のフォトマスクブランク。前記遷移金属がモリブデンであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク上に、厚さが100nmよりも薄いレジスト膜が設けられたフォトマスクブランク。請求項1乃至7のいずれか1項記載のフォトマスクブランクから製造されたことを特徴とするフォトマスク。請求項7記載のフォトマスクブランクから、フォトマスクを製造する方法であって、前記レジスト膜のパターン形成工程、前記ハードマスク膜のパターン形成工程、及び前記光学膜のパターン形成工程を含み、前記レジスト膜のパターン形成工程が、電子線照射によるパターン描画処理を含み、前記ハードマスク膜のパターン形成工程が、酸素を含有する塩素系ガスを用いた塩素系ドライエッチング処理を含み、かつ前記光学膜のパターン形成工程が、フッ素系ガスを用いたフッ素系ドライエッチング処理を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。ArFエキシマレーザー光を用いる光リソグラフィーは、液浸法、ダブルパターニング法等の導入により、半導体加工プロセス基準として32nmノードまでは確実に延命され、更に微細な構造に使用される可能性も否定できない。このような微細なパターンを得るためのフォトマスクは、許容される誤差が当然小さくなり、より高精度なパターン加工が必要となる。一方、より微細なパターンを形成するためには、レジストの膜厚を薄くしなければならず、ハードマスク膜を用いるマスク加工技術がより有用となると共に、その改良も必要となる。例えば、ハードマスク膜自体をレジストパターンによって加工する際の加工精度を向上させることは重要な検討課題の一つである。特開2007-241060号公報特許文献1にも示されているとおり、クロム系材料膜は、厚くなった場合、常法である酸素を含む塩素ガスによるドライエッチング加工を行うと、サイドエッチングを示す傾向があり、また、パターンの粗密依存性による加工誤差が生じることがある。そこで、クロム系材料のハードマスク膜の厚さは、薄い方が高精度な加工が可能となり、特開2007-241060号公報特許文献1や、特開2010-237499号公報特許文献2では、厚さ10nmの窒化クロム膜の使用が開示されている。しかし、32nmノードのレジストパターンを加工するために用いるフォトマスクを製造する場合のように、形成したいレジストパターンが、より微細なパターンを含むようになってくると、ハードマスク膜の加工を行うレジスト膜も厚さが100nmを下回るものを使わざるを得なくなる。そこで、ハードマスク膜も同様に、厚さが10nmよりも薄いものを用いて加工することが要請される。本発明は、前記課題に鑑みなされたものであり、より薄いクロム系材料によるハードマスク膜を用いて遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜の微細パターンを加工する際、より精度の高い加工が可能となる新規なハードマスク膜を有するフォトマスクブランク、このフォトマスクブランクから製造したフォトマスク、及びフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、ハードマスク膜を薄膜化するに当たり、フッ素系ドライエッチングに対するハードマスク膜のエッチング耐性の検討を行った。そして、ハードマスク膜を多層構成とした場合のエッチング耐性を検討したところ、ハードマスク膜の遷移金属ケイ素化合物材料からなる被加工膜に接する側に、酸素を含有するクロム系材料層、具体的には、ハードマスク膜にフッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を付与するために設ける層に比べて酸素含有率の高い層を設けた場合、フッ素系ドライエッチングに対する耐性が優位に向上することを見出した。そして、本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、透明基板と、透明基板上に設けられ、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜と、光学膜を精密加工するためのハードマスク膜とを有するフォトマスクブランクについて、ハードマスク膜をクロム系材料からなる多層膜とし、この多層膜を、光学膜と接して設けられ、酸素を20~60原子含有するクロム系材料からなり、厚さ0.5nm以上5.0nm未満である第1層と、第1層に接して設けられ、クロムを50原子以上含有し、第1層よりも酸素含有率が低いクロム系材料からなる第2層とを含むように構成し、ハードマスク膜の全体の厚さを2.0nm以上10nm未満とすることによって、クロム系材料によるより薄いハードマスク膜を用いて、遷移金属ケイ素化合物材料からなる被加工膜である光学膜の微細パターンを加工する際、精度を落とすことなく加工が可能となることを見出し、本発明をなすに至った。従って、本発明は、以下のフォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。請求項1:透明基板と、該透明基板上に設けられ、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜と、光学膜を精密加工するためのハードマスク膜とを有するフォトマスクブランクであって、前記ハードマスク膜がクロム系材料からなる多層膜であり、前記多層膜が、前記光学膜と接して設けられ、酸素を20~60原子含有するクロム系材料からなり、厚さ0.5nm以上5.0nm未満である第1層と、前記第1層に接して設けられ、クロムを50原子以上含有し、第1層よりも酸素含有率が低いクロム系材料からなる第2層とを有し、前記ハードマスク膜の全体の厚さが2.0nm以上10nm未満であることを特徴とするフォトマスクブランク。請求項2:前記多層膜が、最下層として前記第1層と、中間層として前記第2層と、最表層として、前記第2層に接して設けられ、第2層よりも酸素含有率が高い第3層とからなることを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランク。請求項3:前記第1層の厚さが0.5~3.0nmであることを特徴とする請求項1又は2記載のフォトマスクブランク。請求項4:前記光学膜が遮光膜であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。請求項5:前記遮光膜の厚さが35~60nmであることを特徴とする請求項4記載のフォトマスクブランク。請求項6:前記遷移金属がモリブデンであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。請求項7:請求項1乃至6のいずれか1項記載のフォトマスクブランク上に、厚さが100nmよりも薄いレジスト膜が設けられたフォトマスクブランク。請求項8:請求項1乃至7のいずれか1項記載のフォトマスクブランクから製造されたことを特徴とするフォトマスク。請求項9:請求項7記載のフォトマスクブランクから、フォトマスクを製造する方法であって、前記レジスト膜のパターン形成工程、前記ハードマスク膜のパターン形成工程、及び前記光学膜のパターン形成工程を含み、前記レジスト膜のパターン形成工程が、電子線照射によるパターン描画処理を含み、前記ハードマスク膜のパターン形成工程が、酸素を含有する塩素系ガスを用いた塩素系ドライエッチング処理を含み、かつ前記光学膜のパターン形成工程が、フッ素系ガスを用いたフッ素系ドライエッチング処理を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。本発明のフォトマスクブランクを用いることにより、ハードマスク膜のフッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性を向上させることができ、より薄いハードマスク膜を用いた場合にも、ハードマスクパターンにより加工される遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜の高精度な加工が可能となる。また、ハードマスク膜を多層膜とすることにより、ハードマスク膜をエッチングする際、ハードマスク膜中のエッチング速度を上げ難い酸素含有率の低い層の厚さを薄くしてもハードマスク機能を維持できることから、フッ素系ドライエッチングに対するハードマスク機能を維持したまま、ハードマスク膜の加工の際のレジスト膜に対する負荷を下げることができ、より薄膜のレジスト膜によって高精度なハードマスク膜の加工が可能となる。更には、本発明のフォトマスクブランクを用いてフォトマスクへの加工を行うことにより、特に32nmノード以下のリソグラフィーに使用するフォトマスクの加工後の信頼性を向上させることができる。以下、本発明について更に詳しく説明する。フォトマスクブランクの加工を行う際に、2つの異なるエッチング特性をもつ膜を利用して、一方を他方のエッチング加工を行う際のハードマスクとして使用する加工技術は、特開2007-241060号公報特許文献1に、遮光膜として遷移金属ケイ素化合物材料、ハードマスクとしてクロム系材料を用いることが開示されている。更に、特開2007-241060号公報特許文献1では、単独で遮光膜に用いるような厚さのクロム系材料膜は、レジストパターンを用いて酸素を含有する塩素系ドライエッチングを行うと、パターンの粗密依存性が強く現れて、加工精度が低下してしまうことが示され、また、クロム系材料膜をハードマスク膜として用いる場合にも、30nmより薄い膜を使うことによって、ハードマスク膜及びそれを用いた遷移金属ケイ素化合物材料による遮光膜を高精度に加工できることが開示されている。一方、特開2007-241060号公報特許文献1では、ArFエキシマレーザー光に用いるフォトマスク用の遷移金属ケイ素化合物材料による遮光膜を加工する際に用いるハードマスク膜の厚さの最低限として2nmが提案され、10nmの厚さのCrN膜によって高精度な加工が実現できることが示されている。また、特開2010-237499号公報特許文献2によれば、45nmノードのリソグラフィーに使用するフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクとして、厚さ10nmのクロム系材料によるハードマスク膜を用い、その膜厚の半分を、フッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性が低下する酸素を比較的高い濃度で含有するクロム系材料膜としても、ハードマスク膜として使用可能であることが確認されている。更に、特開2010-237499号公報特許文献2では、全膜厚のうち半分を、比較的酸素濃度が高いクロム系材料とした厚さ10nmのクロム系材料によるハードマスク膜が、100nm程度の厚さのレジスト膜で加工可能であることが示されている。しかし、更に微細かつ高精度なマスクパターン、特に32nmノード以降に用いられるマスクパターンを形成しようとした場合には、従来用いられてきたような厚さのレジスト膜が使用できず、厚さが100nm未満のレジスト膜を使用せざるをえなくなる場合もある。そこで、このような場合には、ハードマスク膜として厚さが10nmよりも薄いクロム系材料膜を使用しないと、ハードマスク膜自体の加工精度が下がる可能性がある。一方、単にハードマスク膜の厚さを薄くした場合には、ハードマスク膜自体の機能である、フッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性が不十分になることが予想される。本発明では、ハードマスク膜の厚さを薄くすることにより、より薄膜のレジスト膜によるハードマスク膜の加工精度を確保し、それでもなお、フッ素系ドライエッチングに対する高いエッチング耐性の維持が可能なクロム系材料によるハードマスク膜を有するフォトマスクブランクを開発した。クロム含有率がより高いクロム系材料膜は、フッ素系ドライエッチングに対するより高いエッチング耐性を有するが、一方で、クロム含有率がより高いクロム系材料膜自体のパターン加工では、酸素を含有する塩素系のドライエッチングにおけるエッチング速度が遅くなり、レジストパターンへの負荷が大きくなることで、加工精度を確保することが難しくなる傾向がある。一方、後述するように、ハードマスク膜の加工を行う際、ハードマスク膜に直接レジスト膜を成膜するような場合には、クロム系材料によるハードマスク膜の表面は酸化されていた方が、良好なレジストパターン形状を得るためには好ましく、また、電子線のパターン照射を行う際には、クロム含有率の高い層があることが好ましい。これらの知見を基に、酸素含有率の異なる層を組み合わせた多層膜をベースとして、前記複数の要求を総合的に満たすハードマスク膜の可能性を検討した。試みの一環として、ハードマスク膜として、2層、3層などで構成した多層膜を、多層膜全体の厚さを一致させて作製し、それぞれのフッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性を比較した。すると、ハードマスク膜中、ハードマスク膜を用いて加工される被加工膜である遷移金属ケイ素化合物材料の膜と接する層、即ち、ハードマスク膜の最下層を、酸素を含有するクロム系材料層、具体的には、ハードマスク膜にフッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を付与するために設ける層に比べて酸素含有率の高い層とした場合には、このような最下層がない場合に比べて、フッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性が優位に向上することを見出した。これらの違いを説明するための具体例として、最下層が、フッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を付与するために設ける層に比べて酸素含有率の高い層であるハードマスク膜を用いたフォトマスクブランクの例を図1Aに、最下層が、前記層ではないフォトマスクブランクの例を図1Bに示す。これらの場合、いずれも、透明基板1上に遷移金属ケイ素化合物材料膜5が形成されている。図1Aでは、遷移金属ケイ素化合物材料膜5の上に、クロム含有率が低く、酸素を含有する又は酸素含有率が高いクロム系材料層3が形成され、その上に、フッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を付与するために設ける層として、クロム含有率が高く、酸素を含有しない又は酸素含有率が低いクロム系材料層2が形成され、その上に、クロム含有率が低く、酸素を含有する又は酸素含有率が高いクロム系材料層3が形成されている。一方、図1Bでは、遷移金属ケイ素化合物材料膜5の上に、フッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を付与するために設ける層として、クロム含有率が高く、酸素を含有しない又は酸素含有率が低いクロム系材料層2が遷移金属ケイ素化合物材料膜5に直接形成され、その上に、クロム含有率が低く、酸素を含有する又は酸素含有率が高いクロム系材料層3が形成されている。この場合、両者のクロム系材料層2は、同じ組成のクロム系材料で形成されており、厚さも等しいものである。また、両者のクロム系材料層3も同じ組成のクロム系材料で形成されているが、図1Aのクロム系材料層3,3の各々の厚さは、図1Bのクロム系材料層3の厚さの2分の1であり、従って、図1Aハードマスク膜における3層のクロム系材料層3,2,3の合計の厚さは、図1Bのハードマスク膜における2層のクロム系材料層2,3の合計の厚さと等しくなっている。このようなクロム系材料の多層膜のハードマスク膜において、ハードマスク膜全体の厚さを一致させた複数のハードマスク膜間で、フッ素系ドライエッチングに対するエッチング速度を比較すると、図1Aで示されるような、遷移金属ケイ素化合物材料膜に接する層を、フッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を付与するために設ける層に比べて酸素含有率の高い層とした多層膜のハードマスク膜は、図1Bに示されるような、このような層をもたないハードマスク膜に比べ、フッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性が向上する。この現象は、特に限定するものではないが、次のような理由によると考えられる。即ち、遷移金属ケイ素化合物材料の膜上にクロム系材料膜を成膜すると、微量ではあるが、クロム原子とケイ素原子又は遷移金属原子とが相互に移動し、クロム系材料のフッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性がクロム系材料本来のものよりも低下するためと考えられる。この場合、クロム系材料膜の遷移金属ケイ素化合物材料膜と接する層に酸素を含有させると、酸素を含有する層が元素の移動阻害層として働き、原子移動が抑制され、前記のようなエッチング耐性の低下が抑制されると考えられる。本発明のフォトマスクブランクは、石英基板等の透明基板と、透明基板上に設けられ、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜と、被加工膜である光学膜を、精密加工するためのハードマスク膜とを有する。本発明に使用されるクロム系材料によるハードマスク膜を以下により詳細に説明する。本発明に使用されるハードマスク膜は、薄膜化された場合においてもフッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を示すものであり、ハードマスク膜全体の厚さが10nm未満、特に9.5nm未満で使用される場合に対して設計されたものであるが、より好ましくは6.0nm以下、更に好ましくは4.0nm以下の場合に、特に有用に機能する。一方、ハードマスク膜全体の厚さは、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜に対するハードマスクとしての機能を維持できる厚さとして、2.0nm以上であることが必要である。本発明に使用されるハードマスク膜は、例えば、図2及び図3に示されるように、透明基板1上に形成された、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜50の上に形成される。この場合、ハードマスク膜の多層膜の層構成は、図2に示されるような、光学膜50と接して設けられ、酸素を含有するクロム系材料層第1層30と、第1層30に接して設けられ、酸素を含有するクロム系材料層第1層30よりも、クロム含有率が高く、酸素含有率の少ないクロム系材料からなる層第2層20とが組み合わされたものが挙げられる。また、本発明に使用されるハードマスク膜の特に好ましい態様として、図3に示されるような、最下層として第1層30、中間層として第2層20、最表層として、第2層20に接して設けられ、第2層20よりも酸素含有率が高い第3層40からなる多層膜で構成されたハードマスク膜を挙げることができる。これらの多層膜を図1Aと対比すると、第1層は、最下層であるクロム含有率が低く、酸素を含有する又は酸素含有率が高いクロム系材料層3に対応し、第2層は、フッ素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性を付与するために設ける層である、クロム含有率が高く、酸素を含有しない又は酸素含有率が低いクロム系材料層2に対応する。本発明で用いるハードマスク膜のクロム系材料は、主たる構成材料として金属元素であるクロムを含むものであり、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素を構成成分として含む場合があり、更に含有率が5モル以下の微量成分として水素、ヘリウム等を含んでいてもよい。なお、多層膜には、厳密に区別できる層を複数組み合わせたものだけでなく、組成がハードマスク膜の厚さ方向に傾斜して徐々に変化する領域を有するものも含まれるものとし、この場合、エッチングマスク膜中に、前記第1層及び第2層、又は第1層、第2層及び第3層の組成を有する領域が、前記所定の配置で存在していればよい。本発明に用いるハードマスク膜の第1層は、酸素を20~60原子、好ましくは30~60原子含有するクロム系材料層である。第1層は、窒素を含有していてもよく、窒素を含有する場合、窒素を40原子以下、特に5~30原子含むことが好ましい。また、第1層は、炭素を含有していてもよく、炭素を含有する場合、炭素を10原子以下、好ましくは5原子以下含むことが好ましい。なお、第1層のクロム含有率は、好ましくは80原子以下、より好ましくは70原子以下、更に好ましくは40~60原子である。この第1層の酸素を含有するクロム系材料層によってフッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性向上効果を得るためには、成膜時の成膜精度の問題から、薄くし過ぎた場合には、微小領域で必要な厚さが確保できなくなるおそれがあるため、第1層の最小の厚さとして0.5nmが必要であり、好ましくは0.7nm以上、より好ましくは1.0nm以上である。また、厚さが5.0nm以上の場合には、ハードマスク膜全体が厚くなり過ぎてハードマスク膜を薄くするという本来の目的から外れるため好ましくなく、第1層の厚さは5.0nm未満、好ましくは3.0nm以下、より好ましくは2.0nm以下である。本発明に用いるハードマスク膜の、第1層に接する第2層は、クロム含有率が50原子以上、好ましくは60原子以上であるクロム系材料層である。第2層の酸素含有率は、第1層よりも低く、好ましくは20原子未満、更に好ましくは10原子以下であり。第2層は、特に酸素を含有しないものが好ましい。第2層は、窒素を含有していてもよく、窒素を含有する場合、窒素を40原子以下、特に5~30原子含むことが好ましい。また、第2層は、炭素を含有していてもよく、炭素を含有する場合、炭素を10原子以下、好ましくは5原子以下含むことが好ましい。この第2層を設けること、特に、第2層を中間層として設けることによって、ハードマスク膜全体の厚さが薄い場合においても、フッ素系ドライエッチングに対するより高いエッチング耐性を確保することができ、10nm未満の厚さのハードマスク膜であっても、要求されるハードマスク機能を担保することができる。また、フォトマスクブランクをパターン加工してフォトマスクを作製する際、一般に電子線レジスト膜を用いた電子線リソグラフィーが用いられるが、この酸素濃度の低い層がハードマスク膜に加えられることによって、ハードマスク膜の良好な導電性を確保することができ、電子線のパターン照射時におけるチャージアップによる障害を抑制することができる。このような効果を得るためには、第2層、特に中間層としての第2層の厚さは1.0nm以上であることが好ましく、より好ましくは1.5nm以上、特に好ましくは2.0nm以上である。また、第2層の厚さが9.0nm以上の場合には、ハードマスク膜全体が厚くなり過ぎる場合があることから、第2層の厚さは好ましくは9.0nm未満、より好ましくは6.0nm以下、更に好ましくは4.0nm以下である。一方、この第2層に窒素を5~30原子含有させると、ハードマスク膜にレジストパターンを転写するための、酸素を含有する塩素系ドライエッチングでのエッチング中、ハードマスク膜のサイドエッチングによるハードマスクパターンの側面形状不整の発生を抑制することができる。窒素は、前述の第1層や、後述する第3層に含有される場合もあるが、この窒素による側面形状不整防止効果は、加工中にエッチングに長く曝される最表層としての第3層や、第1層でも得ることができる。本発明に用いるハードマスク膜には、前述の第2層上に、更に、第2層よりも酸素含有率の高い層第3層を設けることが好ましく、この第3層を最表層として設けることが好ましい。この第3層は、第2層よりも酸素含有率が高いクロム系材料層であることが好ましく、酸素を10~60原子、特に20~60原子含有するクロム系材料層であることが好ましい。第3層は、窒素を含有していてもよく、窒素を含有する場合、窒素を40原子以下、特に5~30原子含むことが好ましい。また、第3層は、炭素を含有していてもよく、炭素を含有する場合、炭素を10原子以下、好ましくは5原子以下含むことが好ましい。なお、第3層のクロム含有率は、好ましくは90原子以下、より好ましくは70原子以下、更に好ましくは40~60原子である。ハードマスク膜の最表層に酸素を含有するクロム系材料層第3層を用いることにより、ハードマスク膜上で直接レジストパターンを形成した場合に、好ましい形状のレジストパターンを形成し易くなる。また、ハードマスク膜表面が酸素含有率の低い膜を設けるように設計した場合には、ハードマスク膜の成膜後、後工程で表面が酸化されて設計とは異なる膜となるおそれがあるが、最表層に酸素を含有するクロム系材料層第3層を設けることによってハードマスク膜表面の変質を抑制できる。このような効果を得るためには、第3層の厚さは0.5nm以上であることが好ましく、より好ましくは0.7nm以上、更に好ましくは1.0nm以上である。また、第3層の厚さが5.0nm以上の場合には、ハードマスク膜全体が厚くなり過ぎる場合があることから、第3層の厚さは好ましくは5.0nm未満、より好ましくは3.0nm以下、更に好ましくは2.0nm以下である。本発明に用いるハードマスク膜の成膜は、スパッタリング法により行うことができる。スパッタリング方法はDCスパッタリング、RFスパッタリングのいずれでもよく、例えば、特開平7-140635号公報特許文献3等に示されており、公知のいずれの方法を用いてもよい。また、ターゲットは典型的にはクロムターゲットが用いられるが、窒素を含有するクロムターゲットを用いることもできる。スパッタガスとしては、公知の不活性ガス、反応性ガスを用いればよいが、好ましくはアルゴンガスのみ、又はアルゴンガスと、窒素ガス、酸化窒素ガス、酸素ガス、酸化炭素ガス等との組み合わせによって、目的の組成が得られるように調整する。また、多層とするために段階的又は連続的に組成が変化する膜を得る方法としては、例えば、用いるスパッタガスの組成を段階的又は連続的に変化させながら成膜する方法が挙げられる。成膜時のガス圧は、膜の応力、耐薬品性、洗浄耐性などを考慮して適宜設定すればよく、通常0.01~1Pa、特に0.03~0.3Paとすることで、耐薬品性が向上する。また、各ガス流量は、所望の組成となるように適宜設定すればよく、通常0.1~1000sccmとすればよい。更に、スパッタターゲットに投入する電力はターゲットの大きさ、冷却効率、成膜のコントロールのし易さなどによって適宜設定すればよく、通常0.1~10W/cm2とすればよい。本発明に用いるハードマスク膜は、通常、透明基板上に成膜された被加工膜である光学膜に接して設けられるが、有効に適用される被加工材料は、特開2007-241060号公報特許文献1や特開2010-237499号公報特許文献2で提案されたような遷移金属ケイ素化合物材料であり、光学膜としては、遮光膜や、ハーフトーン位相シフト膜等の位相シフト膜が挙げられる。本発明のハードマスク膜は、特に、ArFエキシマレーザー用バイナリーマスク用として、高精度加工を実現するために極力遮光膜の厚さを薄く抑えられるように設計された遮光膜、特に、厚さが35~60nm程度の遷移金属ケイ素化合物材料による遮光膜の加工において有効に機能する。ここで遮光膜とは、遮光機能層と反射防止機能層からなっている場合には、両者を含めて遮光膜と呼ぶものとするが、この遷移金属ケイ素化合物材料による遮光膜は、ArFエキシマレーザー光に対して2.5以上の光学濃度をもつように設計され、薄膜で高い光学濃度が得られるように設計されることから、表面酸化層の厚さが薄くなる傾向にある。このため、このような遮光膜上にクロム系材料によるハードマスク膜を設けた場合、遷移金属原子やケイ素原子がクロム系材料膜中に移動し易いと考えられ、本発明に用いるハードマスク膜が特に有効に機能する。本発明に用いるハードマスク膜を特に有効に用いることができる、35~60nm程度の遷移金属ケイ素化合物材料膜により2.5以上の光学濃度が得られる好ましい遮光膜について以下に説明する。本発明に用いるハードマスク膜が有効に用いられる遮光膜を有するフォトマスクブランク、例えばバイナリーフォトマスクブランクは、32nmノード以降の半導体製造に必要な微細なパターンを得るために用いられる、透光部と遮光部の2種の部分からなるバイナリーフォトマスクの素材となるものであり、石英基板等の透明基板上に、光学濃度が2.5以上3.5以下の遮光膜を有する。バイナリーフォトマスクにおいては、遮光膜が除去された透明基板のみの部分が透光部となり、透明基板上に遮光膜が存在する残存している部分が遮光部となる。この遮光膜は、バイナリーフォトマスク用であるため、光学濃度が2.5以上であることが要求され、好ましくは3.0以上とされるが、後述する本発明の層構成を有するため、厚さを60nm以下、特に55nm以下、とりわけ50nm以下とした場合であっても、所定の遮光性が確保されるよう設計される。なお、遮光膜の厚さは通常35nm以上必要であり、より好ましくは40nm以上であるが、このように遮光膜を薄膜化することで32nmノード以降のリソグラフィーに必要な高精度なマスク加工が可能となる。前述の35~60nm程度の遷移金属ケイ素化合物材料膜により2.5以上の光学濃度が得られる遮光膜を有するフォトマスクブランクとしては、例えば、図4Aに示されるような、透明基板1上に、透明基板1側より基板側組成傾斜層51及び表面側組成傾斜層52からなる遮光膜が形成されたもの、図4Bに示されるような、基板側組成傾斜層51と表面側組成傾斜層52との間に中間遮光層53を設けた遮光膜が形成されたものが挙げられる。この中間遮光層53は、遮光膜に遮光性を与える機能が必須であるが、その他の機能や構造は特定されない。遮光膜は、遷移金属、例えばモリブデン、タンタル、チタン、タングステン等と、窒素及び/又は酸素と、必要に応じて炭素とを含むケイ素化合物材料で構成される。特に、遷移金属のうち、モリブデンを用いたものは被加工特性がよく、また、後述のように、モリブデンと窒素とを含むケイ素化合物材料で構成されることが好ましい。なお、図4A及び図4Bにおいて、ハードマスク膜の構成は、図3と同一の符号を付して、それらの説明は省略する。また、35~60nm程度の遷移金属ケイ素化合物材料膜により2.5以上の光学濃度が得られる遮光膜は、遮光膜の基板側の面裏面側と基板と離間する面表面側に、それぞれ、構成材料の組成において、窒素と酸素の合計の含有率が遮光膜の厚さ方向に変化する組成傾斜層を配した膜構成を有するものが好ましい。この場合、それぞれの組成傾斜層は、組成が厚さ方向に連続的に変化する層、組成が一定の層を組み合わせた多層、組成が一定の層と組成が厚さ方向に連続的に変化する層とを組み合わせた多層、組成が厚さ方向に連続的に変化する層を組み合わせた多層などで構成することができる。組成傾斜層は、前記膜構成とすることにより、厚さ方向に断続的又は連続的に吸収係数が変化するようになっている。遮光膜を構成する基板側組成傾斜層は、組成が厚さ方向に連続的に変化する層、単一組成の層のみの3層以上の組み合わせ、単一組成の層と組成が厚さ方向に連続的に変化する層との組み合わせ、組成が厚さ方向に連続的に変化する層の組み合わせなどで構成され、厚さ方向に組成が変化する層であり、露光光に対して、基板側の面で吸収係数が低く、基板から離間する側の面で吸収係数が高い層であることが好ましい。特に、基板側組成傾斜層は、その厚さ方向に一部又は全部が、窒素と酸素の合計の含有率が厚さ方向に連続的に変化する層であることが好ましい。このような層構成とすることで、所定の厚さにおいて遮光性能を大きく低下させることなく、反射制御を効率的に行うことができる。基板側組成傾斜層の厚さは10~58.5nm、好ましくは13~53.5nm、より好ましくは15~48.5nmである。また、基板側組成傾斜層が、単一組成の層のみを組み合わせた多層である場合には、層数は3層以上であり、層数の上限は特に限定されないが、通常20層以下である。また、基板側組成傾斜層が、単一組成の層と組成が厚さ方向に連続的に変化する層との組み合わせ、又は組成が厚さ方向に連続的に変化する層を含む組み合わせの場合は、層数は2層以上であり、層数の上限は特に限定されないが、通常20層以下である。組成の差が大きい層同士が接する箇所ではエッチング時に、ギャップの発生のおそれがあるが、単一組成の層のみを組み合わせた3層以上の多層の構成、又は組成が厚さ方向に連続的に変化する層を含む構成とすることで、ギャップの発生が防止できる。基板側組成傾斜層は、遷移金属と窒素及び/又は酸素と、必要に応じて炭素とを含有するケイ素化合物材料からなることが好ましく、遷移金属とケイ素の含有比遷移金属:ケイ素は1:2~1:9原子比、特に1:2~1:5原子比であることが好ましい。更に、炭素等の軽元素を含んでいてもよいが、品質の制御の上では、窒素及び酸素以外の軽元素は合計3原子以下であることが好ましく、特に、窒素、酸素及び炭素以外の軽元素を、不純物量を超える量で含むものでないことが好ましい。また、基板側組成傾斜層は、透明基板側の界面の窒素と酸素の合計の含有率を25~40原子とし、透明基板から離間する側の界面の窒素と酸素の合計の含有率を10~23原子とすることが好ましい。両界面間の組成は、基板側組成傾斜層の前記層構成によって、厚さ方向に断続的又は連続的に窒素と酸素の合計の組成比窒素と酸素の合計の含有率原子が変化し、厚さ方向に透明基板側に向かって増加基板から離間するに従い減少するようになっていることが好ましい。更に、窒素と酸素のうち、好ましくは窒素を3原子以上、より好ましくは5原子以上含有させておくことで、本発明のクロム系材料で形成されたハードマスク膜を使用したマスク加工終了後に、塩素系のドライエッチングでハードマスク膜を除去する工程を用いても、サイドエッチングを防止することができる。基板側組成傾斜層は、後述の表面側組成傾斜層に対して厚く形成されるが、このようにすることで、遮光膜の表面側及び裏面側の反射率を40を超えない割合、特に35以下に制御することが可能になる。前記35~60nm程度の遷移金属ケイ素化合物材料膜により2.5以上の光学濃度が得られる遮光膜においては、遮光膜を基板側組成傾斜層と表面側組成傾斜層のみで構成することができるが、両層の間に中間層を形成してもよい。具体的には、例えば、図4Bに示されるような、透明基板1上に遮光膜が形成され、遮光膜が、透明基板1側より基板側組成傾斜層51及び表面側組成傾斜層52を有し、更に、両層の間に中間遮光層53が形成されているものが挙げられる。中間遮光層は、組成が厚さ方向全体に亘って連続的に変化する層とすることができる。この場合、中間遮光層の基板側は、窒素と酸素の合計の含有率が基板側組成傾斜層とは逆に傾斜していてもよく、また、中間遮光層の表面側は、窒素と酸素の合計の含有率が表面側組成傾斜層とは逆に傾斜していてもよい。中間遮光層は、基本的には組成変化の小さい層とすることが好ましく、より好ましくは単一組成の層として形成される。中間遮光層も、遷移金属と窒素及び/又は酸素と、必要に応じて炭素とを含有するケイ素化合物材料からなることが好ましく、遷移金属とケイ素の含有比遷移金属:ケイ素は1:2~1:9原子比、特に1:2~1:5原子比であることが好ましい。更に、炭素等の軽元素を含んでいてもよいが、軽元素は露光光に対する吸収係数を下げるため、窒素及び酸素以外の軽元素は合計3原子以下であることが好ましく、特に、窒素、酸素及び炭素以外の軽元素を、不純物量を超える量で含むものでないことが好ましい。一方、窒素と酸素の合計の含有率は10~23原子とし、特に10~15原子であることが好ましい。窒素と酸素の合計の含有率を前記範囲内とすることで、膜の導電性と化学的安定性を両立させることができる。前述のように、遮光膜として必要な高い吸収係数を得るためには、軽元素の含有率が、なるべく低いことが好ましいが、ドライエッチング時に、好ましい加工形状を得るためには、中間遮光層の窒素と酸素の合計の含有率を前記範囲内とすることで、基板側組成傾斜層及び後述する表面側組成傾斜層との間で、遮光膜全体の厚さ、反射制御性能及び加工性能の点でバランスのよい遮光膜とすることができる。更に、前述のように、ハードマスク膜の除去の際のサイドエッチングを防止するために、窒素が3原子以上含まれることが好ましく、5原子以上含まれることがより好ましい。中間遮光層の厚さは、遮光膜全体が必要とする光学濃度に合わせて設計され、基板側組成傾斜層及び表面側組成傾斜層の、組成及び厚さに応じて設定される。特に、本発明の遮光膜では、基板側組成傾斜層の厚さを40nm以上とする場合もあるが、このような場合には、必ずしも中間遮光層を設ける必要はなく、また、中間遮光層を設ける場合であっても、その厚さが1nm程度でも光学濃度が2.5以上の遮光膜を、60nm以下の厚さで実現することができる。中間遮光層の厚さは、好ましくは48.5nm以下、より好ましくは1~43.5nm、更に好ましくは1~38.5nmである。遮光膜の表面側基板から最も離間した側を構成する表面側組成傾斜層は、組成が厚さ方向に連続的に変化する層、単一組成の層のみの3層以上の組み合わせ、単一組成の層と組成が厚さ方向に連続的に変化する層との組み合わせ、組成が厚さ方向に連続的に変化する層の組み合わせなどで構成され、厚さ方向に組成が変化する層であり、露光光に対して、基板側の面で吸収係数が高く、基板から離間する側の面で吸収係数が低い層である。表面側組成傾斜層の厚さは1.5~8nm、好ましくは3~6nmである。また、表面側組成傾斜層が、単一組成の層のみを組み合わせた多層である場合には、層数は2層以上であり、層数の上限は特に限定されないが、通常5層以下である。また、表面側組成傾斜層が、単一組成の層と組成が厚さ方向に連続的に変化する層との組み合わせ、又は組成が厚さ方向に連続的に変化する層を含む組み合わせの場合は、層数は2層以上であり、層数の上限は特に限定されないが、通常5層以下である。組成の差が大きい層同士が接する箇所ではエッチング時に、ギャップの発生のおそれがあるが、単一組成の層のみを組み合わせた2層以上の多層の構成、又は組成が厚さ方向に連続的に変化する層を含む構成とすることで、ギャップの発生が防止できる。特に、表面側組成傾斜層は、基板側組成傾斜層より薄いため、2層であっても、エッチング時のギャップ発生の防止の十分な効果が得られる。また、表面側組成傾斜層は十分に薄いので、より単純な層構成である厚さ方向に組成が一定である層のみの組み合わせや、組成が厚さ方向に連続的に変化する層が好適に適用できる。表面側組成傾斜層は、遷移金属と窒素及び/又は酸素と、必要に応じて炭素とを含有するケイ素化合物材料からなることが好ましく、遷移金属とケイ素の含有比遷移金属:ケイ素は1:2~1:9原子比、特に1:2~1:6原子比であることが好ましい。更に、炭素等の軽元素を含んでいてもよいが、品質の制御の上では、窒素及び酸素以外の軽元素は合計3原子以下であることが好ましく、特に、窒素、酸素及び炭素以外の軽元素を、不純物量を超える量で含むものでないことが好ましい。また、表面側組成傾斜層は、透明基板側の界面の窒素と酸素の合計の含有率を10~45原子、好ましくは20~40原子とし、透明基板から離間する側の界面の窒素と酸素の合計の含有率を45~55原子、好ましくは45~50原子とすることが好ましい。両界面間の組成は、表面側組成傾斜層の前記層構成によって、厚さ方向に断続的又は連続的に窒素と酸素の合計の組成比窒素と酸素の合計の含有率原子が変化し、厚さ方向に透明基板側に向かって減少基板から離間するに従い増加するようになっていることが好ましい。更に、前述のように、ハードマスク膜の除去の際のサイドエッチングを防止するために、窒素が3原子以上含まれることが好ましく、5原子以上含まれることがより好ましい。また、表面側組成傾斜層の表層部の厚さ1nm程度の範囲にあっては、製造工程中の洗浄処理や表面酸化によって酸素含有率が増加することがある。そのため、表面側組成傾斜層の表層部の前記範囲は、前述した含有率の範囲の対象外としてよい。表面側組成傾斜層は、基板側組成傾斜層に対して薄く形成されるが、このようにしても、遮光膜の表面側及び裏面側の反射率を40を超えない割合、特に35以下に制御することは可能である。本発明の最も好ましい遮光膜の態様としては、透明基板側より、厚さ10~40nmの、組成が厚さ方向に連続的に変化する層で構成された基板側組成傾斜層と、厚さ10~35nmの中間遮光層と、厚さ6nm以下の表面側組成傾斜層とを有するものを挙げることができる。遮光膜遮光膜を構成する各層を形成する方法としては、スパッタリングによる方法が最も容易に均質性に優れた膜を得るため好ましく、DCスパッタリング、RFスパッタリング等のいずれの方法も用いることができ、特にDCスパッタリングが好ましい。スパッタリングによる、前述のような遷移金属とケイ素を含有し、更に窒素及び/又は酸素と、必要に応じて炭素とを含有する膜の成膜方法はよく知られており、基本的には公知の方法例えば、特開2007-241060号公報特許文献1参照に従って成膜できる。遷移金属とケイ素の組成比は、予め目的の組成となるように、遷移金属とケイ素の比率を調整した1種類のターゲットを用いてもよいが、複数の異なる種類のターゲットを用いて、ターゲットに加える電力によって組成比を調整してもよい。ターゲットとして具体的には、遷移金属を含有するケイ素ターゲットのみ、遷移金属ターゲットとケイ素ターゲットとの組み合わせ、遷移金属を含有するケイ素ターゲットとケイ素ターゲットとの組み合わせ、遷移金属ターゲットと遷移金属を含有するケイ素ターゲットとの組み合わせ、遷移金属ターゲットと遷移金属を含有するケイ素ターゲットとケイ素ターゲットとの組み合わせなどを用いることができる。スパッタガスとしては、公知の不活性ガス、反応性ガスを用いればよいが、好ましくはアルゴンガスのみ、又はアルゴンガスと、窒素ガス、酸化窒素ガス、酸素ガス、酸化炭素ガス等との組み合わせによって、前述の組成が得られるように調整する。吸収係数を調整するためには、予め各層を試作して、スパッタリング条件と成膜速度とを確認し、遮光膜が必要とする遮光性を有するように、遮光膜を構成する基板側組成傾斜層、中間遮光層及び表面側組成傾斜層のスパッタリング条件を設定し、スパッタリング条件を変化させて成膜を行えばよい。この際、段階的又は連続的に吸収係数が変化する膜を得る場合には、例えば、スパッタガスの組成を段階的又は連続的に変化させればよい。また、複数種類のターゲットを用いる場合には、各ターゲットに加える電力を段階的又は連続的に変化させて、遷移金属とケイ素の比を多段又は連続的に変化させることもできる。成膜時のガス圧は、膜の応力、耐薬品性、洗浄耐性などを考慮して適宜設定すればよく、通常0.01~1Pa、特に0.03~0.3Paとすることで、耐薬品性が向上する。更に、スパッタターゲットに投入する電力はターゲットの大きさ、冷却効率、成膜のコントロールのし易さなどによって適宜設定すればよく、通常0.1~5W/cm2とすればよい。本発明のフォトマスクブランクを用いてフォトマスクを製造する方法について、光学膜として前述した遮光膜を適用する場合を例として、以下に説明する。なお、光学膜がハーフトーン位相シフト膜等の位相シフト膜などの他の光学膜の場合も、本発明のハードマスクパターンによる遮光膜のパターン形成を同様に適用することができる。本発明のフォトマスクブランクの加工は、基本的には公知の方法によって行うことができるが、より薄膜のクロム系材料膜で必要とするハードマスク機能が確保された本発明のフォトマスクブランクを用いた場合、100nmよりも薄いレジスト膜を用いても精密なパターン加工が可能であることから、32nmノード以降の半導体製造に用いるフォトマスクの製造に有用に用いることができる。本発明のフォトマスクブランクのパターン加工を行う際、加工に用いるレジスト膜は、典型的には芳香族系ポリマーを用いた電子線用化学増幅型レジストを用いてレジストパターンを形成することができる。この際、レジスト膜成膜に用いる化学増幅型レジスト組成物としては、目的のパターンに合わせて、ポジ型とネガ型のうち有利なものを選択すればよい。また、成膜されるレジスト膜の厚さが100nmより薄い物で加工することができ、32nmノード以降のフォトマスクの製造においては、プリベーク後に40~80nm程度の厚さになるよう塗布することが好ましい。成膜は、適切な濃度に希釈されたレジスト組成物を膜厚が均一になるよう塗布して行い、通常、回転塗布法が用いられる。更に、塗布後、余分な溶剤を除去するためにプリベーク処理が行われる。典型的なプリベークの条件は、ホットプレート上で行った場合、通常80~130°Cで4~20分間、より好ましくは90~110°Cで8~12分間である。次に、前記で得たレジスト膜に対し、目的のパターンを形成するためにパターン露光パターン描画を行う。レジスト膜のパターン形成工程において、露光方法としては、一般的には電子線のパターン照射電子線照射によるパターン描画処理により行い、露光量1~100μC/cm2、好ましくは10~100μC/cm2となるように照射する。更に、パターン照射されたレジスト膜はポストエクスポージャーベークを行った後、現像液で現像する。典型的な条件としては、例えばホットプレート上で、60~150°C、0.1~5分間、好ましくは80~140°C、0.5~3分間ポストエクスポージャーベークを行い、更に、0.1~5質量、好ましくは、2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像する。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、ハードマスク膜のパターン形成を行う。ハードマスク膜のパターン形成工程では、クロム系材料によるハードマスク膜を、酸素を含有する塩素系ガスを用いた塩素系ドライエッチングで処理することができる。ドライエッチングの条件としては、塩素系ガスと酸素ガスとの比率酸素ガス/塩素系ガスモル比を好ましくは0.001~1、より好ましくは0.003~0.5、特に好ましくは0.005~0.3とする。より具体的には、例えば、塩素ガス100~300sccm、酸素ガス0.1~100sccm、ガス圧1~10mtorrといった条件を適用することができる。また、ヘリウムガスを1~20sccm添加してもよい。ここで塩素系ガスとは、塩素を含むガスをいい、特に塩素ガスをいう。本発明においては、クロム系材料によるハードマスク膜のうち、クロム含有率の高い第2層の厚さは9.0nm未満である上、ハードマスク膜全体の厚さも10.0nm未満であることから、前述のような薄いレジスト膜であっても高精度なパターン転写が可能である。更に、前記処理によって得られたエッチングマスクパターンをエッチングマスクとして、遷移金属ケイ素化合物材料による光学膜である遮光膜のパターン形成を行う。遮光膜のパターン形成工程において、遷移金属ケイ素化合物材料からなる遮光膜を、フッ素を含むガスを用いたドライエッチングで処理することができる。フッ素を含むガスとは、フッ素元素を含むガスであればよく、フッ素ガス、CF4、C2F6のような炭素とフッ素を含むガス、SF6のような硫黄とフッ素を含むガス、更に水素原子を含むガスでもよく、更にはヘリウムなどのフッ素を含まないガスとフッ素を含むガスとの混合ガスでもよい。また、必要に応じて酸素などのガスを添加してもよい。エッチング条件としては、酸素ガスを含むガスを用いることが好ましく、例えば、フッ素を含むガスと酸素ガスとの比率酸素ガス/フッ素を含むガスモル比を0.001~1000とすることができ、具体的には、フッ素を含むガス1~1000sccm、好ましくは10~100sccm、酸素ガス1~1000sccm、好ましくは10~100sccmとし、また、ガス圧を1~20mtorrとすればよい。このドライエッチングでは、ハードマスクパターンの遷移金属ケイ素化合物材料からなる遮光膜と接する層に酸素を含有するクロム系材料層を設けることによって、ハードマスク膜が全体として薄膜でも、フッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性が向上しており、遷移金属ケイ素化合物材料による遮光膜の高精度な加工が可能である。必要な遮光膜のパターン形成が完了した後、ハードマスク膜を除去することによってフォトマスクが完成する。ハードマスク膜の除去はドライエッチングで行うことができ、典型的には、前記ハードマスク膜のパターニングに用いたエッチングにより、ハードマスク膜と接する遮光膜を傷つけることなくハードマスク膜を除去することができる。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。<ハードマスク膜を有するバイナリーフォトマスクブランクの製造>[実施例1]石英基板上に、スパッタ法にて、ケイ素ターゲットとモリブデンシリサイドターゲットを用い、スパッタガスにアルゴンと窒素ガスを用いて、基板側組成傾斜層及び表面側組成傾斜層からなるMoSiNの遮光膜を成膜した。まず、Mo:Si=1:2.5原子比で、基板側で窒素量が29原子、基板から離間する側で窒素量が19原子となるように窒素ガス濃度を連続的に変えながら厚さ45nmの基板側組成傾斜層を形成した。続けて、Mo:Si=1:3.5原子比で、窒素量が38原子となる条件で厚さ2nmの層、更に、Mo:Si=1:3.5原子比で、窒素量が47原子となる条件で厚さ2nmの層を形成し、2層からなる表面側組成傾斜層とした。得られた遮光膜の厚さは49nmであり、波長193nmの光に対し、光学濃度ODは3.10、基板側からの光の反射率は32、基板と離間する側からの光の反射率は34であった。次に、得られた遮光膜上に、ハードマスク膜を成膜した。まず、DCスパッタ装置を用いて、CrONからなるハードマスク膜の最下層厚さ1.0nmを成膜した。スパッタガスとしてはアルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを流量比Ar:N2:O2=3:4:3、チャンバー内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。なお、別途、透明基板上に同条件でこの最下層を成膜し、層の組成をESCAで調べたところ、この条件で得られるクロム系材料層の組成は、Cr:N:O=10:3:7原子比であった。次に、最下層の成膜に引き続き、スパッタガスをアルゴンガスと窒素ガスのみ、ガス流量比Ar:N2=3:1に変更して、中間層厚さ2.0nmを成膜した。別途、透明基板上に同条件でこの中間層を成膜し、層の組成をESCAで調べたところ、この条件で得られるクロム系材料層の組成は、Cr:N=9:1原子比であった。更に、中間層の成膜に引き続き、スパッタガスをArと窒素ガスと酸素ガス、ガス流量比Ar:N2:O2=3:4:3に変更して、最表層厚さ1.0nmを成膜して、ハードマスク膜を有するバイナリーフォトマスクブランクを得た。別途、透明基板上に同条件でこの最表層を成膜し、膜の組成をESCAで調べたところ、この条件で得られるクロム系材料層の組成は、Cr:N:O=10:3:7原子比であった。[比較例1]実施例1で中間層を成膜した条件で、厚さ2.0nmの最下層を成膜し、中間層は形成せず、実施例1で最表層を成膜した条件で、厚さ2.0nmの最表層を成膜した以外は、実施例1と同じ方法で、ハードマスク膜を有するバイナリーフォトマスクブランクを製造した。[実施例2]ハードマスク膜の各層の厚さを、それぞれ、最下層0.75nm、中間層1.5nm、最表層0.75nmとした以外は実施例1と同じ方法で、ハードマスク膜を有するバイナリーフォトマスクブランクを製造した。[比較例2]実施例1で中間層を成膜した条件で、厚さ1.5nmの最下層を成膜し、中間層は形成せず、実施例1で最表層を成膜した条件で、厚さ1.5nmの最表層を成膜した以外は、実施例1と同じ方法で、ハードマスク膜を有するバイナリーフォトマスクブランクを製造した。<ハードマスク膜のエッチング特性評価>実施例1,2及び比較例1,2で得られたフォトマスクブランクのハードマスク膜のエッチング時間を、酸素を含有する塩素系ガスを用いた塩素系ドライエッチング条件とフッ素系ガスを用いたフッ素系ドライエッチング条件とで測定し、ハードマスク膜の加工容易性とエッチング耐性とを評価した。エッチングに用いたエッチング装置の概略を図5に示す。図5中、101はチャンバー、102はアース、103は下部電極、104はアンテナコイル、105は被処理基板、RF1,RF2は高周波電源である。評価に用いたフッ素系ドライエッチング条件は下記のとおりである。RF1RIE:リアクティブイオンエッチングCW連続放電:54VRF2ICP:誘導結合プラズマCW:325W圧力:5mTorrSF6:18sccmO2:45sccmまた、酸素を含有する塩素系ドライエッチング条件は下記のとおりである。RF1RIEパルス:700VRF2ICPCW:400W圧力:6mTorrCl2:185sccmO2:55sccmHe:9.25sccm前記2つのエッチング条件による、実施例1,2及び比較例1,2のハードマスク膜のエッチングクリアタイムを表1に示す。前記の結果より、ハードマスク膜の厚さが同じ実施例1と比較例1、実施例2と比較例2とで、各々対比すると、実施例は比較例に対して、ハードマスク膜を加工する際の条件である塩素系ドライエッチングでは、加工上有意な時間差を示さず、同等の加工容易性を有するのに対し、フッ素系ドライエッチングに対しては、実施例は比較例に対してエッチングクリアタイムが優位に延長されており、エッチング耐性が向上していることがわかる。<バイナリーフォトマスクの製造>[実施例3]実施例1で製造したフォトマスクブランク上に、芳香族系ポリマーによるポジ型電子線レジスト組成物を用いて厚さ80nmのレジスト膜を成膜し、電子線レジスト膜付きフォトマスクブランクを得た。これに32nmノード用フォトマスクモデルパターンとして、45nm及び400nmのラインアンドスペースパターンを含むレジストパターンを形成した。レジストパターンは、電子線照射装置ニューフレアテクノロジ社製EBM-5000を用いて、45nm及び400nmのラインアンドスペースパターンを含むパターン照射を行い、所定の熱処理後、所定の現像を行うことにより得た。次に、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして、前記ハードマスク膜のエッチング特性評価で用いた塩素系ドライエッチング条件でハードマスク膜のエッチングを行い、レジストパターンが転写されたハードマスクパターンを得た。更に、得られたハードマスクパターンを用いて、前記ハードマスク膜のエッチング特性評価で用いたフッ素系ドライエッチング条件で遮光膜のエッチングを行い、ハードマスクパターンが転写された遮光膜パターンを得た。最後に、遮光膜上のハードマスク膜を、前記塩素系ドライエッチング条件で除去したところ、遮光膜を傷つけることなく、ハードマスク膜が除去され、遮光膜のラインアンドスペースパターンを有するバイナリーフォトマスクを得た。得られたバイナリーフォトマスクの遮光膜パターンの寸法を走査型電子顕微鏡アドバンテスト社製LWM9000、以下同じで測定したところ、ラインアンドスペースパターンは、良好な形状で得られ、45nm及び400nmに設定したラインアンドスペースパターンは、遮光膜では、それぞれ許容値範囲内の47nm及び406nmとなったことが確認された。"