遮光部と、前記遮光部の角部に設けられる補助パターンと有し、前記補助パターンは、k1本の辺kは3以上の自然数でk個の鈍角を構成することを特徴とするフォトマスク。遮光部と、前記遮光部の角部に設けられる補助パターンと有し、前記補助パターンはジグザグ状の曲線で形成されることを特徴とするフォトマスク。遮光部と、前記遮光部の角部に設けられる補助パターンと有し、前記補助パターンは、第1の角度0°より大きく180°未満を有するl個lは2以上の自然数の角、及び第2の角度180°より大きく360°未満を有するl-1個の角を交互に形成する2l本の辺で構成されるx本xは2以上の自然数の曲線が接続することを特徴とするフォトマスク。遮光部と、前記遮光部の角部に設けられる補助パターンと有し、前記補助パターンは、第1の角度0°より大きく180°未満を有するm個mは2以上の自然数の角、及び第2の角度180°より大きく360°未満を有するm-1個の角を交互に形成する2m本の辺で構成されるy本yは2以上の自然数の第1の曲線と、第3の角度180°より大きく360°未満を有するn個nは1以上の自然数の角、及び第4の角度0°より大きく180°未満を有するn-1個の角を交互に形成する2n本の辺で構成されるz本zは1以上の自然数の第2の曲線と、が接続し、複数の前記第1の曲線の間に前記第2の曲線が接続されていることを特徴とするフォトマスク。請求項3または4において、前記第1の角度及び前記第2の角度の和が360°であることを特徴とするフォトマスク。請求項3または4において、前記第1の角度が90°で前記第2の角度が270°であることを特徴とするフォトマスク。請求項4において、前記第3の角度及び前記第4の角度の和が360°であることを特徴とするフォトマスク。請求項4において、前記第3の角度が270°で前記第4の角度が90°であることを特徴とするフォトマスク。請求項1乃至8のいずれか一項において、前記遮光部の辺の延長線で構成される角部の内角が0°より大きく180°より小さく、前記補助パターンは、遮光性であることを特徴とするフォトマスク。請求項1乃至8のいずれか一項において、前記遮光部の辺の延長線で構成される角部の内角が180°より大きく360°より小さく、前記補助パターンは、透光性であることを特徴とするフォトマスク。しかしながら、上記フォトマスクの遮光部の角部に矩形の補助パターンを設けても、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを防止することは困難で、丸みが残存してしまう。そこで本発明の一形態は、フォトリソグラフィ工程において、レジストで形成されるマスクの角部において丸みを低減することが可能なフォトマスクを提供する。または、本発明の一形態は、ばらつきの少ない半導体装置の作製方法を提供する。本発明の一形態は、遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンは、k1本の辺kは3以上の自然数でk個の鈍角を構成するフォトマスクである。また、本発明の一形態は、遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンはジグザグ状の曲線で構成されるフォトマスクである。また、本発明の一形態は、遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンは、第1の角度0°より大きく180°未満を有するl個lは2以上の自然数の角、及び第2の角度180°より大きく360°未満を有するl-1個の角を交互に形成する2l本の辺で構成された曲線を、x本xは2以上の自然数接続するフォトマスクである。当該フォトマスクは遮光部の角部において、xが2の場合、一方向に延伸している。また、本発明の一形態は、遮光部の角部に設けられる補助パターンを有し、当該補助パターンは、第1の角度0°より大きく180°未満を有するm個mは2以上の自然数の角、及び第2の角度180°より大きく360°未満を有するm-1個の角を交互に形成する2m本の辺で構成されるy本yは2以上の自然数の第1の曲線と、第3の角度180°より大きく360°未満を有するn個nは1以上の自然数の角、及び第4の角度0°より大きく180°未満を有するn-1個の角を交互に形成する2n本の辺で構成されるz本zは1以上の自然数の第2の曲線と、が接続するフォトマスクである。なお、複数の第1の曲線の間に第2の曲線が接続されている。なお、角部とは、遮光部において2つの辺の延長線が交差する領域をいう。また、遮光部の辺の延長線で構成される角部の内角が0°より大きく180°より小さい補助パターンは、遮光性である。また、遮光部の辺の延長線で構成される角部の内角が180°より大きく360°より小さい補助パターンは、透光性である。また、第1の角度及び第2の角度の和は360°であることが好ましい。また、なお、第3の角度及び第4の角度の和は360°であることが好ましい。なお、曲線とは、まっすぐではない線、すなわち直線ではない線を指し、例えば、上記多辺を組み合わせて構成したジグザグ状も曲線に含まれる。フォトマスクの遮光部の角部に補助パターンを設けることで、光学近接効果により角部における光の強度を均一にすることが可能であり、フォトマスクを介してレジストに投影される光の強度を、フォトマスクの遮光部の角部において均一にすることが可能である。当該光の露光により形成されたマスクは、角部において、丸みが低減される。このため、当該マスクを用いたエッチングにより、角部における丸みが低減された所定の形状の膜パターンを形成することができる。本発明の一形態により、フォトリソグラフィ工程において、レジストで形成されるマスクの角部において丸みを低減することが可能である。また、所定の形状の膜パターンの角部における丸みを低減することができる。また、本発明の一形態により、ばらつきの少ない半導体装置の作製方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その態様及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、または面積は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、本明細書にて用いる第1、第2、第3といった序数を用いた用語は、構成要素を識別するために便宜上付したものであり、その数を限定するものではない。実施の形態1本実施の形態では、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを低減することが可能なフォトマスクの形状について、図1を用いて説明する。図1Aは、フォトマスクの上面図であり、透光性を有する基板41上に遮光部51を有する。また、遮光部51の角部において補助パターン53、55を有する。透光性を有する基板41は、石英等を用いる。遮光部51は、露光時に照射される光を遮光する部材で形成される。遮光部51は、代表的には、クロム、または酸化クロム等で形成される。なお、フォトマスクがメタルマスクの場合、フォトマスクは透光性を有する基板41を有さず、遮光部51のみで構成してもよい。補助パターン53、55の形状は、k1本kは3以上の自然数の辺でk個の鈍角を構成することを特徴とする。ここで、補助パターン53、55の形状について、図1B及び図1Cを用いて詳細に説明する。図1Bに、図1Aの破線57で囲まれる角部の拡大図を示し、図1Cに、図1Aの破線59で囲まれる角部の拡大図を示す。図1Bに示す補助パターン53は、k1本kは3以上の自然数の辺でk個の鈍角を構成する凸部である。該凸部は、遮光部51の角部に設けられている。ここでは、kを3とし、鈍角の角度θ1が108°である形態について説明する。補助パターン53は、4辺で3つの鈍角内角108°を構成する凸部である。なお、遮光部51の2つの辺の延長線52、54が交差する領域を角部という。また、遮光部51の2つの辺の延長線52、54の交点のなす角の角度θ3が0°より大きく180°未満の場合は、補助パターン53は遮光性を有する。このため、遮光部51及び補助パターン53は分離せず、連続している。図1Cに示す補助パターン55は、k1本kは3以上の自然数の辺でk個の鈍角を構成する切り欠き部である。当該切り欠き部は、遮光部51の角部に設けられている。ここでは、kを3とし、鈍角の角度θ2が108°である形態について説明する。補助パターン55は、4辺で3つの鈍角内角108°を構成する切り欠き部である。遮光部51の2つの辺の延長線56、58が交差する領域を角部という。また、遮光部51の2つの辺の延長線56、58の交点のなす角の角度θ4が180°より大きく360°未満の場合は、補助パターン55は透光性を有する。すなわち、切り欠き部である。本実施の形態においては、補助パターン53、55の鈍角の角度θ1、θ2は、108°である。すなわち、正五角形の2つの角がそれぞれ、遮光部51の辺上に配置されることで、遮光部51に補助パターン53、55が形成される。なお、ここでは、4辺で鈍角の角度が108°の角を3つ有する補助パターンを示したが、各角が鈍角であり、かつ3辺以上で囲まれればよい。次に、上記フォトマスクを用いた露光機からレジスト層に光を投影してレジスト層を露光した後、現像するフォトリソグラフィ工程により、レジストで形成されるマスクを形成する。次に、当該レジストで形成されるマスクを用いて、マスクの下方に設けられる膜をエッチングすることで、基板43上に、所定の形状を有する膜パターン50を形成することができる図1D参照。膜パターン50は、所定の形状を有する膜であり、代表的には、所定の形状を有する導電層、所定の形状を有する半導体層、所定の形状を有する絶縁層である。本実施の形態に示すようにフォトマスクの遮光部51において、破線57で示すような0°より大きく180°より小さい角部ここでは90°において、遮光性を有する鈍角の補助パターンを設けることにより、従来の補助パターンと比較して、光学近接効果により補助パターンの角部における局所的な光強度の上昇が低減され、補助パターンの角及び辺において投影される光の強度が均一化される。このため、補助パターンにより露光機から投影される光の強度を弱めつつ、角部における光の強度を均一化することが可能であるため、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを低減することが可能である。また、本実施の形態に示すようにフォトマスクの遮光部51において、破線59で示すような180°より大きく360°より小さい角部ここでは270°において、透光性を有する鈍角の補助パターンを設けることにより、従来の補助パターンと比較して、光学近接効果により補助パターンの角部における局所的な光強度の低減が緩和され、補助パターンの角及び辺において投影される光の強度が均一化される。このため、補助パターンにより露光機から投影される光の強度を強めつつ、角部における光の強度を均一化することが可能であるため、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを低減することが可能である。上記の方法では、鈍角を有する補助パターンを使用するため、鋭角のパターンを使用した場合と比べ、互いに近接する光の相互作用による急峻な光強度の変動が抑制できる利点がある。そのため、角部における光強度の均一性をより高めることができる。また、露光の際の焦点深度を保つことができ、露光条件の変動による照射不良も抑制することが可能になる。以上のような遮光部の角部に補助パターンを有するフォトマスクを用いることで、フォトリソグラフィ工程で形成されたマスクを用いて所定の形状に形成された膜パターンの角部における丸みを低減することができる。このため、電界効果トランジスタのチャネル幅のばらつきを低減することが可能である。この結果、ばらつきの少ない半導体装置を作製することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、ジグザグ状の曲線で構成される補助パターンを有するフォトマスクについて、図2を用いて説明する。図2Aは、フォトマスクの上面図であり、透光性を有する基板41上に遮光部61を有する。また、遮光部61の角部において補助パターン63、65を有する。遮光部61は、実施の形態1に示す遮光部51と同様の部材で形成することができる。なお、フォトマスクがメタルマスクの場合、フォトマスクは透光性を有する基板41を有さず、遮光部61のみで構成してもよい。補助パターン63、65のそれぞれの形状は、第1の角度0°より大きく180°未満を有するl個lは2以上の自然数の角及び第2の角度180°より大きく360°未満を有するl-1個の角を交互に形成する2l本の辺で構成される曲線がx本xは2以上の自然数接続していることを特徴とする。また、第1の角度及び第2の角度の和は360°であることが好ましい。ここで、補助パターン63、65の形状について、図2B及び図2Cを用いて詳細に説明する。図2Bに、図2Aの破線67で囲まれる角部の拡大図を示し、図2Cに、図2Aの破線69で囲まれる角部の拡大図を示す。図2Bに示すように、補助パターン63は、第1の角度θ5であるl個の角、及び第2の角度θ6であるl-1個の角を交互に形成する2l本の辺で構成される曲線がx本接続している凸部である。第1の角度θ5であるl個の角、及び第2の角度θ6であるl-1個の角を交互に設けることで、曲線はジグザグ状になる。θ5及びθ6の和は360°であることが好ましい。実施の形態1と同様に、遮光部61の角部における2つの辺の延長線の交点のなす角の角度が0°より大きく180°未満の場合は、補助パターン63は遮光性を有する。ここでは、第1の角度θ5を90°とし、第2の角度θ6を270°とし、lを2、xを2とする形態について説明する。補助パターン63は、4本の辺で、2つの90°の角と、当該角の間に設けられる1つの270°の角とを構成する曲線63a、63bを有し、且つ当該2本が接続されている凸部である。当該凸部は、遮光部61の角部に設けられている。このため、遮光部61及び補助パターン63は分離せず、連続している。θ5を90°とし、θ6を270°とすることで、補助パターン63の設計が容易となる。図2Cに示すように、補助パターン65は、第1の角度θ7であるl個の角、及び第2の角度θ8であるl-1個の角を交互に形成する2l本の辺で構成される曲線がx本接続している切り欠き部である。当該切り欠き部は、遮光部61の角部に設けられている。θ7及びθ8の和は360°であることが好ましい。実施の形態1と同様に、遮光部61の角部における2つの辺の延長線の交点のなす角の角度が180°より大きく360°未満の場合は、補助パターン65は透光性を有する。すなわち、切り欠き部である。ここでは、第1の角度θ7を90°とし、第2の角度θ8を270°とし、lを2、xを2とする形態について説明する。補助パターン65は、4本の辺で、2つの90°の角と、当該角の間に設けられる1つの270°の角とを構成する曲線65a、65bを有し、且つ当該2本が接続されている切り欠き部である。θ7を90°とし、θ8を270°とすることで、補助パターン65の設計が容易となる。なお、図2Bにおいて、曲線63a、63bそれぞれにおける第1の角度θ5及び第2の角度θ6はそれぞれ同じ角度で示しているが、各曲線63a、63bにおける第1の角度θ5及び第2の角度θ6はそれぞれ異なる角度でもよい。同様に図2Cにおいて、曲線65a、65bそれぞれにおける第1の角度θ7及び第2の角度θ8は、曲線65a、65bそれぞれ異なる角度でもよい。次に、上記フォトマスクを用いた露光機からレジスト層に光を投影してレジスト層を露光した後、現像するフォトリソグラフィ工程により、レジストで形成されるマスクを形成する。次に、当該レジストで形成されるマスクを用いて、マスクの下方に設けられる膜をエッチングすることで、基板43上に、所定の形状を有する膜パターン60を形成することができる図2D参照。膜パターン60は、所定の形状を有する膜であり、代表的には、所定の形状を有する導電層、所定の形状を有する半導体層、所定の形状を有する絶縁層である。本実施の形態に示すようにフォトマスクの遮光部61において、破線67で示すような0°より大きく180°より小さい角部ここでは90°において、所定の方向に伸びる遮光性を有する凸部の補助パターンを設けることにより、光学近接効果により所定の位置における光強度の上昇が低減され、従来の補助パターンと比較して、遮光部61の角部において投影される光の強度が均一化される。このため、補助パターンにより露光機から投影される光の強度を弱めつつ、角部における光の強度を均一化することが可能であるため、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを低減することが可能である。また、本実施の形態に示すようにフォトマスクの遮光部61において、破線69で示すような180°より大きく360°より小さい角部ここでは270°において、所定の方向に伸びる透光性を有する切り欠き部の補助パターンを設けることにより、光学近接効果により所定の位置における光強度の低減が緩和され、従来の補助パターンと比較して、遮光部61の角部において投影される光の強度が均一化される。このため、補助パターンにより露光機から投影される光の強度を強めつつ、角部における光の強度を均一化することが可能であるため、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを低減することが可能である。上記の方法では、多数の角及び辺を持つ補助パターンを介して光の投影を行なう。そのため、光近接効果による光強度の補正を容易に行なうことができ、角部における光強度の均一性をより高めることができる。また、露光の際の焦点深度を保つことができ、露光条件の変動による照射不良も抑制することが可能になる。以上のような遮光部の角部に補助パターンを有するフォトマスクを用いることで、電界効果トランジスタのチャネル幅のばらつきを低減することが可能である。この結果、ばらつきの少ない半導体装置を作製することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、ジグザグ状の曲線で構成される補助パターンを有するフォトマスクの別形態について、図3を用いて説明する。図3Aは、フォトマスクの上面図であり、透光性を有する基板41上に遮光部71を有する。また、遮光部71の角部において補助パターン73、75を有する。遮光部71は、実施の形態1に示す遮光部51と同様の部材で形成することができる。なお、フォトマスクがメタルマスクの場合、フォトマスクは透光性を有する基板41を有さず、遮光部71のみで構成してもよい。補助パターン73、75の形状は、y本yは2以上の自然数の第1の曲線と、z本zは1以上の自然数の第2の曲線とが接続している。また、複数の第1の曲線の間に第2の曲線を有する。また、第1の曲線は第1の角度0°より大きく180°未満を有するm個mは2以上の自然数の角、及び第2の角度180°より大きく360°未満を有するm-1個の角が交互形成される2m本の辺で構成される。第2の曲線は、第3の角度180°より大きく360°未満を有するn個nは1以上の自然数の角、及び第4の角度0°より大きく180°未満を有するn-1個の角を交互に形成する2n本の辺で構成される。ここで、補助パターン73、75の形状について、図3B及び図3Cを用いて詳細に説明する。図3Bに、図3Aの破線77で囲まれる角部の拡大図を示し、図3Cに、図3Aの破線79で囲まれる角部の拡大図を示す。図3Bに示すように、補助パターン73は、y本yは2以上の自然数の第1の曲線と、z本zは1以上の自然数の第2の曲線とが接続している凸部である。第1の曲線は、第1の角度θ9θ9は0°より大きく180°未満を有するm個mは2以上の自然数の角、及び第2の角度θ10θ10は180°より大きく360°未満を有するm-1個の角を交互に有する。また、第2の曲線は、第3の角度θ11θ11は180°より大きく360°未満を有するn個nは1以上の自然数の角、及び第4の角度θ12θ12は0°より大きく180°未満を有するn-1個の角を交互に有する。このため、第1の曲線及び第2の曲線はジグザグ状になる。また、θ9及びθ10の和は360°であることが好ましい。また、θ11及びθ12の和は360°であることが好ましい。実施の形態1と同様に、遮光部71の角部における2つの辺の延長線の交点のなす角の角度が0°より大きく180°未満の場合は、補助パターン73は遮光性を有する。ここでは、第1の角度θ9を90°とし、第2の角度θ10を270°とし、mを2、yを2とし、第3の角度θ11を270°とし、第4の角度θ12を90°とし、nを2、zを1とする形態について説明する。補助パターン73は、4本の辺で、2つの90°の角と、当該角の間に設けられる1つの270°の角とを構成する2本の曲線73a、73bと、曲線73a、73bの間に、4辺で、2つの270°の角と、当該角の間に設けられる1つの90°の角とを構成する1本の曲線73cとが接続されている凸部である。当該凸部は、遮光部71の角部に設けられている。このため、遮光部71及び補助パターン73は分離せず、連続している。θ9を90°とし、θ10を270°とすると、補助パターン73の設計が容易となる。また、θ11を270°とし、θ12を90°とすると、補助パターン73の設計が容易となる。図3Cに示すように、補助パターン75は、y本yは2以上の自然数の第1の曲線と、z本zは1以上の自然数の第2の曲線とが接続している切り欠き部である。第1の曲線は、第1の角度θ13θ13は0°より大きく180°未満を有するm個mは2以上の自然数の角、及び第2の角度θ14θ14は180°より大きく360°未満を有するm-1個の角を交互に有する。また、第2の曲線は、第3の角度θ15θ15は180°より大きく360°未満を有するn個nは1以上の自然数の角、及び第4の角度θ16θ16は0°より大きく180°未満を有するn-1個の角を交互に有する。当該切り欠き部は、遮光部71の角部に設けられている。θ13及びθ14の和は360°であることが好ましい。また、θ15及びθ16の和は360°であることが好ましい。実施の形態1と同様に、遮光部71の角部における2つの辺の延長線の交点のなす角の角度が180°より大きく360°未満の場合は、補助パターン75は透光性を有する。すなわち、切り欠き部である。ここでは、第1の角度θ13を90°とし、第2の角度θ14を270°とし、mを2、yを2とし、第3の角度θ15を270°とし、第4の角度θ16を90°とし、nを2、zを1とする形態について説明する。補助パターン75は、4本の辺で、2つの90°の角と、当該角の間に設けられる1つの270°の角とを構成する2本の曲線75a、75bと、曲線75a、75bの間に、4辺で、2つの270°の角と、当該角の間に設けられる1つの90°の角とを構成する1本の曲線75cとが接続されている切り欠き部である。当該切り欠き部は、遮光部71の角部に設けられている。また、θ13、θ16を90°とし、θ14、θ15を270°とすると、補助パターン75の設計が容易となる。なお、図3Bにおいて、曲線73a、73bそれぞれにおける第1の角度θ9及び第2の角度θ10はそれぞれ同じ角度で示しているが、曲線73a、73bそれぞれにおける第1の角度及び第2の角度はそれぞれ異なる角度でもよい。同様に、図3Cにおいて、曲線75a、75bそれぞれにおける第1の角度θ13及び第2の角度θ14は、曲線75a、75bそれぞれにおいて異なる角度でもよい。次に、上記フォトマスクを用いた露光機からレジスト層に光を投影してレジスト層を露光した後、現像するフォトリソグラフィ工程により、レジストで形成されるマスクを形成する。次に、当該レジストで形成されるマスクを用いて、マスクの下方に設けられる膜をエッチングすることで、基板43上に、所定の形状を有する膜パターン70を形成することができる図3D参照。膜パターン70は、所定の形状を有する膜であり、代表的には、所定の形状を有する導電層、所定の形状を有する半導体層、所定の形状を有する絶縁層である。本実施の形態に示すようにフォトマスクの遮光部71において、破線77で示すような0°より大きく180°より小さい角部ここでは90°において、遮光性を有する凸部の補助パターンを設けることにより、光学近接効果により所定の位置における光強度の上昇が低減され、従来の補助パターンと比較して、遮光部71の角部において投影される光の強度が均一化される。このため、補助パターンにより露光機から投影される光の強度を弱めつつ、角部における光の強度を均一化することが可能であるため、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを低減することが可能である。また、本実施の形態に示すようにフォトマスクの遮光部71において、破線79で示すような180°より大きく360°より小さい角部ここでは270°において、透光性を有する切り欠き部の補助パターンを設けることにより、光学近接効果により所定の位置における光強度の低減が緩和され、従来の補助パターンと比較して、遮光部71の角部において投影される光の強度が均一化される。このため、補助パターンにより露光機から投影される光の強度を強めつつ、角部における光の強度を均一化することが可能であるため、レジストで形成されるマスクの角部における丸みを低減することが可能である。上記の方法では、多数の角及び辺を持つ補助パターンを介して光の投影を行なう。そのため、光近接効果による光強度の補正を容易に行なうことができ、角部における光強度の均一性をより高めることができる。また、露光の際の焦点深度を保つことができ、露光条件の変動による照射不良も抑制することが可能になる。以上のような遮光部の角部に補助パターンを有するフォトマスクを用いることで、電界効果トランジスタのチャネル幅のばらつきを低減することが可能である。この結果、ばらつきの少ない半導体装置を作製することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、電界効果トランジスタの作製工程について、図4及び図5を用いて説明する。図4及び図5においては、電界効果トランジスタとして逆スタガ型の電界効果トランジスタを用いて説明する。また、チャネル領域として、酸化物半導体で形成される半導体層を用いた電界効果トランジスタの作製方法について説明する。図4は、電界効果トランジスタ124の上面図である。図4の一点破線A-Bの断面図を図5に示す。図5Aに示すように、基板100上に導電層153を形成する。基板100としては、ガラス基板無アルカリガラス基板とも呼ばれる。、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等を適宜用いることができる。また、基板100として、可撓性を有するガラス基板または可撓性を有するプラスチック基板を用いることで、可撓性を有する液晶表示装置を作製することができる。プラスチック基板としては、屈折率異方性の小さい基板を用いることが好ましく、代表的には、ポリエーテルサルフォンPESフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートPENフィルム、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートPCフィルム、アクリル樹脂フィルム、または半硬化した有機樹脂中に繊維体を含むプリプレグ等を用いることができる。導電層153は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、導電層153は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。導電層153は、スパッタリング法、CVD法、蒸着法等により形成することができる。次に、図5Bに示すように、ゲート電極154を形成し、ゲート電極154上にゲート絶縁層156を形成する。なお、ゲート電極154は端部がテーパー形状であると、のちに形成する絶縁層、半導体層、及び導電層の被覆率を高めることができるため好ましい。また、基板100とゲート電極154の間に、熱伝導率の高い絶縁層を、スパッタリング法、CVD法、塗布法、印刷法等により形成することが好ましい。導電層153上にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストを用いてマスクを形成する。次に、マスクを用いて導電層153をエッチングして、ゲート電極154を形成することができる。実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかに示すフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を行うことで、角部の丸みが低減されたマスクを形成することができる。このため、当該マスクを用いて導電層153をエッチングすることで、角部の丸みが低減されたゲート電極154を形成することができる。ゲート絶縁層156は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、又はこれらの混合材料を用いて単層又は積層して形成することができる。ゲート絶縁層156は、スパッタリング法、CVD法、印刷法、塗布法等により形成することができる。また、μ波例えば周波数2.45GHzを用いた高密度プラズマCVDは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので、ゲート絶縁層156の形成に用いると好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁層とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができる。また、ゲート絶縁層156の表面を酸素プラズマで曝してもよい。当該酸素プラズマ処理により、ゲート絶縁層156の化学量論比またはそれ以上の酸素をゲート絶縁層156の表層部に含有させることができる。ゲート絶縁層156の表面を酸素プラズマで曝す方法としては、酸素を含むガスを用いてラジカル発生装置またはオゾン発生装置によりプラズマを発生させてゲート絶縁層156の表面に酸素プラズマを曝すことができる。より具体的には、例えば、半導体装置に対してエッチング処理を行うための装置や、マスクに対してアッシングを行うための装置などを用いて酸素プラズマを発生させ、ゲート絶縁層156を処理することができる。なお、上記酸素プラズマ処理の後、熱処理温度150°C~470°Cを行うことで、ゲート絶縁層に含まれる水素を、酸素プラズマ処理によって供給された酸素と反応させることができる。この結果、ゲート絶縁層156に含まれる水素を除去することができる。次に、図5Cに示すように、ゲート絶縁層156上に半導体層157を形成する。半導体層157は、スパッタリング法、塗布法、印刷法、パルスレーザー蒸着法等により形成した酸化物半導体層を用いることができる。半導体層157に形成することが可能な酸化物半導体層は、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系金属酸化物、In-Sn-Zn-O系金属酸化物、In-Al-Zn-O系金属酸化物、Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物、Al-Ga-Zn-O系金属酸化物、Sn-Al-Zn-O系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系金属酸化物、Sn-Zn-O系金属酸化物、Al-Zn-O系金属酸化物、Zn-Mg-O系金属酸化物、Sn-Mg-O系金属酸化物、In-Mg-O系金属酸化物などを用いることができる。ここでは、n元系金属酸化物はn種類の金属酸化物で構成される。なお、酸化物半導体層には、不純物として、主成分とする金属酸化物以外の元素が1、好ましくは0.1入ってもよい。半導体層157に形成することが可能な金属酸化物は、エネルギーギャップが2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である。本実施の形態では、半導体層としてIn-Ga-Zn-O系酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。また、半導体層は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタリングすることができる。半導体層を形成する際に用いるスパッタリングガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。また、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下としながら半導体層を形成することで、半導体層に含まれる不純物濃度を低減することができる。次に、フォトリソグラフィ工程により半導体層157上にマスクを設け、当該マスクを用いて半導体層157をエッチングして、島状の半導体層を形成する図5D参照。。マスクはインクジェット法、印刷法、フォトリソグラフィ法等を適宜用いることができる。実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかに示すフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を行うことで、角部の丸みが低減されたマスクを形成することができる。このため、当該マスクを用いて半導体層をエッチングすることで、角部の丸みが低減された島状の半導体層を形成することができる。次に、島状の半導体層に熱処理を行う。この熱処理によって過剰な水素水や水酸基を含むを除去脱水化または脱水素化し、島状の半導体層の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。熱処理の温度は、250°C以上750°C以下、または400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の熱処理を行うことで、半導体層158を得る。なお、熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。なお、熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。また、島状の半導体層を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度の二窒化酸素ガス、又は超乾燥エアを導入してもよい。酸素ガスまたは二窒化酸素ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。酸素ガス又は二窒化酸素ガスの作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少してしまった半導体層158を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、半導体層158を高純度化及び電気的にI型真性化することができる。また、島状の半導体層の熱処理は、半導体層157に行うこともできる。その場合には、熱処理後に、熱処理装置から基板を取り出し、半導体層157の一部をエッチングし、島状の半導体層158を形成する。また、熱処理は、島状の半導体層上にソース電極及びドレイン電極を積層させた後で行っても良い。以上の工程で高純度化した半導体層158を得ることができる。なお、熱処理後の半導体層158の表面を酸素プラズマで曝してもよい。当該酸素プラズマ処理は、ゲート絶縁層の酸素プラズマ処理と同様に行うことができる。当該酸素プラズマ処理により、半導体層158の化学量論比またはそれ以上の酸素を半導体層158の表層部に含有させることができる。次に、図5Eに示すように、ゲート絶縁層156及び半導体層158上に導電層159を形成する。導電層159は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、導電層159は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム層の単層構造、アルミニウム層上にチタン層を積層する二層構造、窒化チタン層上にチタン層を積層する二層構造、窒化チタン層上にタングステン層を積層する二層構造、窒化タンタル層上にタングステン層を積層する二層構造、チタン層と、そのチタン層上にアルミニウム層を積層し、さらにその上にチタン層を形成する三層構造などがある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の層、またはそれらを複数組み合わせた合金層、もしくは窒化物層を用いてもよい。また、導電層159は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。導電層159は、スパッタリング法、CVD法、蒸着法等により形成する。次に、導電層159上にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストを用いてマスクを形成する。次に、マスクを用いて導電層159をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線160a、160bを形成することができる。当該工程において、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかに示すフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を行うことで、角部の丸みが低減されたマスクを形成することができる。このため、当該マスクを用いて導電層をエッチングすることで、角部の丸みが低減された配線160a、160bを形成することができる。次に、配線160a、160b及び半導体層158上に絶縁層162を形成する。絶縁層162は、酸素を含む絶縁層で形成することが好ましく、代表的には酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、または酸化ガリウム層などの無機絶縁層を用いることができる。絶縁層162は、少なくとも1nm以上の膜厚とし、スパッタリング法など、絶縁層162に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。絶縁層162に水素が含まれると、その水素の半導体層158への侵入、又は水素による半導体層158中の酸素の引き抜きが生じ、半導体層158のバックチャネルが低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁層162はできるだけ水素を含まない膜で形成されるように、形成方法に水素を用いないことが重要である。絶縁層162を形成した後、熱処理を行うことが好ましい。熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、好ましくは450°C以上600°C以下、または基板の歪み点未満とする。半導体層及び酸素を含む絶縁層で形成される絶縁層162が接した状態で熱処理を行うことで、絶縁層162より酸素をさらに半導体層158へ供給することで、半導体層158をさらに高純度化し、電気的にI型真性化することができる。当該絶縁層162を形成することで、半導体層158はI型化または実質的にI型化された酸化物半導体層となる。I型化または実質的にI型化された酸化物半導体層は、キャリア密度が5×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、より好ましくは1×1011/cm3以下である。また、ドナーとして寄与する水素や酸素欠陥は少ないことが好ましく、水素濃度が1×1016/cm3以下が好ましい。なお、キャリア密度は、ホール効果測定により得られる。また、より低濃度のキャリア密度の測定は、CV測定Capacitance-Voltage-Measurementの測定結果により得られる。また、酸化物半導体層中の水素濃度測定は、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyにより得られる。I型化または実質的にI型化された酸化物半導体層をチャネル領域に用いた電界効果トランジスタは、オフ電流が1×10-19A/μm以下、さらには1×10-20A/μm以下と低くすることができる。これは、I型化または実質的にI型化された酸化物半導体層は、バンドギャップが広く、電子の励起のために大きな熱エネルギーが必要であるため、直接再結合及び間接再結合が生じにくい。このため、ゲート電極に負の電位が印加された状態オフ状態では、少数キャリアであるホールは実質的にゼロであるため、直接再結合及び間接再結合が生じにくく、電流は限りなく低くなる。この結果、電界効果トランジスタのオフ状態において、酸化物半導体層を絶縁体とみなして回路設計を行うことができる。一方で、I型化または実質的にI型化された酸化物半導体層は、電界効果トランジスタの導通状態オン状態においては、非晶質シリコンで形成される半導体層よりも高い電流供給能力を見込むことができる。このため、電界効果トランジスタは、オフ状態では極めてリーク電流の低いノーマリーオフ状態となり、優れたスイッチング特性を有する。図5Fに示す電界効果トランジスタ124において、半導体層158上に配線160a、160bを形成したが、ゲート絶縁層156及び半導体層158の間に配線160a、160bを形成してもよい。さらには、電界効果トランジスタをトップゲート型の電界効果トランジスタとすることもできる。また、半導体層157としては、プラズマCVD法またはスパッタリング法等により形成したアモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、微結晶シリコン、または微結晶シリコンゲルマニウムを用いることができる。また、半導体層157は、アモルファスシリコンまたはアモルファスシリコンゲルマニウムを加熱し、またはレーザービームを照射して結晶化したポリシリコンまたはポリシリコンゲルマニウムを用いることができる。また、半導体層157は、印刷法またはインクジェット法により形成した有機半導体を適宜用いることができる。また、電界効果トランジスタがトップゲート型の場合、半導体層157は、単結晶シリコン層を用いることができる。なお、単結晶シリコン層をチャネル領域に用いたトランジスタとしては、単結晶シリコン基板をチャネル領域に用いたトランジスタの他、絶縁領域上に単結晶シリコン層が形成される、いわゆるSOISilicononInsulator基板をチャネル領域に用いたトランジスタを用いることができる。なお、半導体層157として、シリコンまたはシリコンゲルマニウムを原料とする場合、上記電界効果トランジスタの作製工程において、ゲート絶縁層156を酸素プラズマに曝す工程、加熱処理、半導体層158に酸素プラズマに曝す工程等は行わなくともよい。本実施の形態に示す電界効果トランジスタは、表示装置、RFID、センサ、記憶装置等の半導体装置に用いることができる。代表的には、表示装置の画素電極の電位を制御するスイッチング素子、メモリ素子、センサ素子等に用いることができる。また、本実施の形態に示す電界効果トランジスタを用いて、表示装置の駆動回路及び保護回路、RFIDに含まれる集積回路等を構成することができる。本実施の形態に示す電界効果トランジスタは、チャネル幅のばらつきを低減することが可能であるため、電界効果トランジスタ及び当該電界効果トランジスタを有する半導体装置の信頼性を高めることができる。また、当該電界効果トランジスタを表示装置のスイッチング素子に用いることで、画素電極の電位のバラツキを低減することが可能であるため、表示素子の表示性能を高めることができる。また、電界効果トランジスタのチャネル領域に真性の酸化物半導体を用いることで、電界効果トランジスタのオフ電流を低減することができる。このため、メモリ素子の保持特性を高めた記憶装置を作製することが可能である。また、当該電界効果トランジスタを有する記憶装置の消費電力を低減することができる。実施の形態5本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を電子機器に適用する場合について、図7を用いて説明する。本実施の形態では、電子書籍に、上述の半導体装置を適用する場合について説明する。図7は、電子機器の一形態である電子書籍700であり、筐体701で構成されている。筐体701には、表示部705及び太陽電池706が設けられている。また、筐体701には、電源スイッチ721、操作キー723、スピーカー725などが設けられている。筐体701内部には、実施の形態4に示す記憶装置、RFID等の半導体装置を設けることができる。また、表示部705は実施の形態4に示す表示装置を用いることができる。また、このため、歩留まり高く電子機器を作製することができる。本実施例では、実施の形態2に示すフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により形成されるマスク及び当該マスクを用いてエッチングした導電層の形状について、図8を用いて説明する。図8Aに示すフォトマスクは、実施の形態2に示すような、補助パターン503、504が角部に設けられた遮光部502が透光性を有する基板501上に形成されたフォトマスクである。補助パターン503は、ジグザグ状の2つの曲線が角部において接続する凸部であり、ジグザグ状の曲線は、角度が90°の第1の角を3つと、当該第1の角の間に角度が270°の第2の角を2つ構成する6本の辺である。補助パターン504は、ジグザグ状の2つの曲線が角部において接続する切り欠き部であり、ジグザグ状の曲線は、角度が90°の第1の角を3つと、当該第1の角の間に角度が270°の第2の角を2つ構成する6本の辺である。図8Bに示すフォトマスクは、比較例として補助パターン513、514が角部に設けられた遮光部512が透光性を有する基板511上に形成されたフォトマスクである。補助パターン513は、90°の角を3つ構成する4本の辺で構成される凸部である。補助パターン514は、90°の角を3つ構成する4本の辺で構成される切り欠き部である。次に、試料の作製工程について、説明する。ガラス基板上にスパッタリング法により導電層を形成した。導電層は厚さ100nmのチタン層と、厚さ200nmのアルミニウム層と、厚さ100nmのチタン層の3層構造で形成した。次に、導電層上にスピンコート法によりレジストを塗布し、厚さ1.5μmのレジスト層を形成した。次に、露光機に上記フォトマスクを設置し、レジスト層に光を投影してレジスト層を露光した。ここでは、露光機としてステッパーを用い、露光にi線波長365nmを用い、露光時間を1800m秒とした。次に、レジスト層を現像して、マスクを形成した。図8Aに示すフォトマスクを用いて形成したマスクのSEMscanningelectronmicroscope像を図8Cに示す。また、図8Bに示すフォトマスクを用いて形成したマスクのSEM像を図8Dに示す。図8Cに示すように、導電層505上にマスク506が形成された。図8Dに示すように、導電層515上にマスク516が形成された。次に、図8Cに示すマスク506を用いて導電層505をエッチングして形成された導電層のSEM像を図8Eに示す。また、図8Dに示すマスク516を用いて導電層515をエッチングして形成された導電層のSEM像を図8Fに示す。図8Eに示すように、導電層507が形成された。図8Fに示すように、導電層517が形成された。ここでは、エッチングガスとして塩素及び塩化ボロンを用いたドライエッチング法により導電層505、515をエッチングした。図8Eに示す導電層507の角部508の曲率半径は0.72μmであり、図8Fに示す導電層517の角部518の曲率半径は1.03μmであった。このことから、フォトマスクの遮光部に、図8Aに示す補助パターンを設けることで、角部における丸みが低減された導電層を形成することができる。