"透明ガラス基板の一方の表面上でタッチ面用電極パターンの形成領域の外側に形成され、膜厚が1μm以下の金属系堆積膜からなる遮光膜と、前記遮光膜を被うように形成された透明な第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成されて面内の一方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第1電極パターンと、前記第1電極パターン上を被うように形成された透明な誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成され、前記第1電極パターンの延びる方向とは直交する方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第2電極パターンと、前記第2電極パターン上を被うように前記表面上に形成された透明な絶縁膜からなる保護膜と、前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1,2電極パターンのそれぞれとつながり外部の制御回路に接続されるリード端子とを備え、前記基板の他方の表面がタッチ面となっている静電容量型タッチパネル。以下の工程AからHを含む静電容量型タッチパネル製造方法。A透明ガラス基板の一方の表面上でタッチ面用電極パターンの形成領域の外側に、膜厚が1μm以下の遮光膜をスパッタリング法、蒸着法又はCVD法からなる堆積法により形成する工程、B前記遮光膜を被うように透明な第1絶縁膜を形成する工程、C前記第1絶縁膜上に第1透明導電膜を成膜する工程、D前記第1透明導電膜をパターン化して前記基板面内の一方向に延びる複数の導電膜パターンからなる第1電極パターンと、第1電極パターンとつながり第1電極パターンの一端側に配置された第1電極パターン用リード端子を形成する第1のパターン化工程、E前記第1電極パターンを被い、前記第1電極パターン用リード端子が露出する領域に透明な誘電体膜を成膜する工程、F前記誘電体膜上から前記第1絶縁膜上に第2透明導電膜を成膜する工程、G前記第2透明導電膜をパターン化して前記第1電極パターンが伸びる方向とは直交する方向に延びる複数の導電膜パターンからなる第2電極パターンと、第2電極パターンとつながり第2電極パターンの一端側に配置された第2電極パターン用リード端子を形成する第2のパターン化工程、及びH前記第2電極パターンを被い、前記第1電極パターン用リード端子及び第2電極パターン用リード端子が露出する領域に透明な絶縁膜を保護膜として成膜する工程。このように、従来の構造では図7,8に示したように、ガラス基板を2枚必要とするため、全体の厚さが厚くなるとともに、透過率が低くなる。一方の基板として樹脂フィルムを使用したとすれば、透過率に関してもかえって不利である。各部材は少なくとも可視光に対しては光透過性のものが使用されるが、それでも厚さが厚くなるに従って透過率が低下することは避けられない。一方、タッチパネルの厚さを薄くすることだけを考えると、ベースフィルム上に透明導電膜と誘電体層とが積層された構造で、その透明導電膜とその誘電体層との間に、その誘電体層上の接触部の位置座標を静電容量の変化により検知するための電極となる導電膜パターン層を有するものが提案されている特許文献1参照。。しかし、この提案のタッチパネルはX電極パターンとY電極パターンというような互いに直交する方向の2層の電極パターン層を備えたものではなく、別の方式の静電容量型タッチパネルであり、しかもタッチ面がガラス面ではない点において、本発明とは対象を異にするものである。また、図7,8のタッチパネルでは、基板102,110上のITO膜にパターンニングを行い、それらのパターン化されたITO膜上に絶縁膜を成膜した後、ガラス基板120を張り合わせる工程までに、成膜やパターンニングの装置から外部に取り出されることになる。その外部の環境に触れる際に保護膜上にごみや埃が付着することにより、光学的両面テープや樹脂でガラス基板120を張り合わせた時に接合面にごみや埃が付着しているとそれが歩留まりの低下をもたらす。本発明はガラス基板を1枚にすることにより薄型にして透過率を向上させるとともに、カバーガラスを張り合わせる際の歩留まりの低下を防ぐことのできる静電容量型タッチパネルとその製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の静電容量型タッチパネルは、透明ガラス基板の一方の表面上でタッチ面用電極パターンの形成領域の外側に形成され、膜厚が1μm以下の金属系堆積膜からなる遮光膜と、遮光膜を被うように形成された透明な第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に形成されて面内の一方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第1電極パターンと、第1電極パターン上を被うように形成された透明な誘電体膜と、誘電体膜上に形成され、第1電極パターンの延びる方向とは直交する方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第2電極パターンと、第2電極パターン上を被うように表面上に形成された透明な絶縁膜からなる保護膜と、第1絶縁膜上に形成され、第1,2電極パターンのそれぞれとつながり外部の制御回路に接続されるリード端子とを備え、基板の他方の表面がタッチ面となっているとなっているものである。ここで、透明の語は、少なくとも可視領域の光に対して透明であることを意味し、他の波長領域の光に対してまで透明であることは必要とはしない。そのため、ガラス基板としては、石英ガラス、強化ガラスをはじめ、種々のガラスを使用することができる。遮光膜は金属系堆積膜である。金属系堆積膜は、クロムCr、ニッケルNi、タングステンW、ジルコニウムZr又はニオブNbなどの金属系の単層膜、それらの2種以上の膜を積層した多層膜、又はそれらの金属系膜と他の金属系膜を積層した多層膜として形成したものである。一般にカラー液晶パネルのブラックマトリクスBMとして使用されている材質の膜も遮光膜として使用することができる。ここで、金属系の語は、純金属のほかに、金属酸化物などの金属化合物も含む意味で使用している。遮光膜としては通常は黒色である。Crを使用したときは黒である。しかし、他の材質の遮光膜としたときは黒以外の色にすることもできる。例えば、NbとAlを用いた多層膜で赤色にすることができる。遮光膜の金属系堆積膜はスパッタリング法、蒸着法又はCVD化学気相成長法などの堆積法により形成することができる。遮光膜は必要なOD光学濃度値をもっていなければならない。OD値はOD-logRefと定義される値である。これらの金属系堆積膜は透過率が小さいので、遮光膜として使用できる必要なOD値を確保するための膜厚は薄くてすむ。例えば、Cr膜を例にとると、図6に示されるように、膜厚が01μmであればOD値が35透過率Ref0.1以下、膜厚が02μmであればOD値が5透過率0.01以下となる。遮光膜としてCr膜を使用する場合には、製品として求められる保証OD値が3程度の遮光膜とするには膜厚は01μmで十分であり、保証OD値が38程度の遮光膜とするには膜厚は02μmで十分である。遮光膜の膜厚は、タッチパネルにおける保証OD値からは、Cr膜の場合02μmで十分である。膜厚を保証OD値の確保に必要な膜厚より厚くすれば材料費が高くなり、製造工程時間が長くなるので不利にある。膜厚とOD値又は吸光度との関係は材質により異なるので、他の材質の遮光膜を使用するとしても遮光膜の膜厚は1μm以下を目安とした。遮光膜の上に形成される第1絶縁膜は、その上に形成される第1電極膜との絶縁のためであるので、必要な絶縁特性が得られる膜厚であれば十分である。本発明の静電容量型タッチパネル製造方法は、以下の工程AからHを含んでいる。A透明ガラス基板の一方の表面上でタッチ面用電極パターンの形成領域の外側に、膜厚が1μm以下の遮光膜をスパッタリング法、蒸着法又はCVD法からなる堆積法により形成する工程、B前記遮光膜を被うように透明な第1絶縁膜を形成する工程、C前記第1絶縁膜上に第1透明導電膜を成膜する工程、D前記第1透明導電膜をパターン化して前記基板面内の一方向に延びる複数の導電膜パターンからなる第1電極パターンと、第1電極パターンとつながり第1電極パターンの一端側に配置された第1電極パターン用リード端子を形成する第1のパターン化工程、E前記第1電極パターンを被い、前記第1電極パターン用リード端子が露出する領域に透明な誘電体膜を成膜する工程、F前記誘電体膜上から前記第1絶縁膜上に第2透明導電膜を成膜する工程、G前記第2透明導電膜をパターン化して前記第1電極パターンが伸びる方向とは直交する方向に延びる複数の導電膜パターンからなる第2電極パターンと、第2電極パターンとつながり第2電極パターンの一端側に配置された第2電極パターン用リード端子を形成する第2のパターン化工程、及びH前記第2電極パターンを被い、前記第1電極パターン用リード端子及び第2電極パターン用リード端子が露出する領域に透明な絶縁膜を保護膜として成膜する工程。本発明は静電容量型タッチパネルは、互いに直交する方向の2層の電極パターンを備え、かつガラス基板をタッチ面としているにもかかわらず、ガラス基板は1枚しか使用されていない。そのため全体が薄型になって透過率が向上する。電極パターン形成後にガラス基板又はカバーガラスを張り合わせる工程がないので、その張り合わせ際に埃やごみが付着して歩留まりが低下するおそれもない。そして、遮光膜が膜厚1μm以下の金属系堆積膜からなるので、遮光膜による段差が小さい。遮光膜上には絶縁膜を介して第1電極パターンを形成し、さらに第1電極パターン上に誘電体膜を介して第2電極パターンを形成するが、それらの第1、第2の電極パターンを形成するための写真製版工程のパターン精度の低下や、導電膜をパターン化して電極パターンとする際の電極パターンの断線の可能性を少なくすることができる。電極パターンは導電膜を写真製版とエッチングによりパターン化して得るが、導電膜の下地に大きな段差があると、その段差部で電極パターンが損傷を受け、断線に至ることがある。しかし、本発明では、導電膜の下地の段差が小さいので、下地の段差に起因する電極パターンの断線というような不具合の発生を防止することができて、製造工程での歩留まりが向上する。また、本発明の静電容量型タッチパネルの構成部材は全て無機材料であり、樹脂等の有機材料を含んでいないので、耐久性などの信頼性に優れている。静電容量型タッチパネルの一実施例の概略断面図を図1に示す。カバーガラスを兼ねる透明ガラス基板2の一方の表面上の外周部に黒枠として遮光膜20が形成されている。遮光膜20の形成領域は後述の第1、第2の電極パターン4,8が形成されている領域の外側であり、後述の図4に示されるように、リード端子16a,16bが形成され、補助電極11a,11bが配置される領域である。遮光膜20及び基板2の表面を被うように透明な第1絶縁膜として絶縁膜22が形成されている。絶縁膜22上には面内の一方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第1電極パターン4が形成されている。電極パターン4上を被うように基板表面上には透明な誘電体膜6が形成されている。誘電体膜6上には第1電極パターンの延びる方向とは直交する方向に延びる複数の透明導電膜パターンからなる第2電極パターン8が形成されている。電極パターン8上を被うように、基板表面上には透明な絶縁膜からなる保護膜10が形成されている。図1には示されていないが、電極パターン4,8などが形成されている基板表面上には、電極パターン4,8のそれぞれとつながり外部の制御回路14にリード線12により接続されるリード端子及び補助電極が形成されている。そして、基板2の表面で、電極パターン4,8などが形成されている表面とは反対側の他方の表面がタッチ面となっている。ガラス基板2は特に材質は限定されるものではないが、ここでは一例として強化ガラスを使用する。強化ガラスは、機械的特性、特に強度と傷の付き難さの点で優れている。機械的特性の1つとして硬度を挙げると、モース硬度で表すと、強化ガラスは7である。この硬度は通常のガラスよりも大きい。強化ガラスは破壊強度を高めたガラスであり、物理強化熱強化ガラスと化学強化ガラスがある。この実施例ではいずれも使用することができる。ガラス基板2の厚みは0.5mm、0.7mm又は1.1mmのものが適当である。遮光膜20としては、一例としてCr膜を使用する。そのCr膜の膜厚はタッチパネルにおける保証OD値が得られるように設定されるものであり、0.1~0.2μm100~200nmが適当であるが、ここでは約0.2μmの膜厚に形成されたものを使用する。そのCr膜はスパッタリング法により形成されたものであり、遮光膜20としての所定の領域にのみ形成されるように成膜の際にマスクを設けるか、成膜後にエッチングすることによって成膜領域が制限されて形成されている。絶縁膜22は遮光膜20とその上に形成される第1電極パターン4との絶縁を保つのに必要な厚さに形成されている。絶縁膜22としては膜厚が約1μmのSiO2膜を使用する。絶縁膜22もスパッタリング法により形成されたものである。電極パターン4,8の導電膜としては、特に限定されるものではないが、ここではITO膜を使用する。ITO膜はスパッタリング法により成膜することができ、その膜厚は15~20nmが適当であるが、ここでは、約15nmのITO膜を使用した。15nmのITO膜のシート抵抗は約100Ω/□である。電極パターン4,8は成膜されたITO膜を写真製版とエッチングによりパターン化することにより形成されたものである。電極パターン4,8用の導電膜としては、ITO膜のほかにZnO膜等も使用することができる。電極パターン4と8は互いに直交する方向に延びる電極パターンであり、それぞれは互いに平行に複数本が配列されている。電極パターン4は、詳しくはそのパターンを図2に示すが、基板面内の一方向X方向とする。に伸びる電極パターンからなる。その電極パターンはX方向に延びる複数本が、X方向と直交するY方向に互いに平行に配列されている。電極パターン4のX方向に延びるパターンの一端部のそれぞれには図1には示されていないが、リード端子となる電極がつながって形成されている。電極パターン4のリード端子は誘電体膜6にも保護膜10にも被われることなく露出している。電極パターン8は、詳しくはそのパターンを図3に示すが、基板面内の他の一方向Y方向に伸びる電極パターンからなる。その電極パターンはY方向に延びる複数本が、X方向に互いに平行に配列されている。電極パターン8のY方向に延びるパターンの一端部のそれぞれには図1には示されていないが、リード端子となる電極がつながって形成されている。電極パターン8のリード端子は保護膜10に被われることなく、露出している。誘電体層6は例えばSiO2膜であり、その厚さは100~200nmが適当である。Si02膜はスパッタリング法又は蒸着法で成膜することができる。ここではスパッタリング法により成膜した。誘電体層6は電極パターン4を覆って基板表面上に形成され、電極パターン4の端部のリード端子は覆わないように、成膜の際にマスクを設けることによって成膜領域が制限されて形成されている。保護膜10は絶縁と電極パターン4,8を保護する役割を果たすものである。保護膜10は例えばSiO2膜であり、その厚さは15~200nmが適当であり、スパッタリング法又は蒸着法により成膜することができる。ここでは、約15nmのSiO2膜をスパッタリング法により成膜されたものである。保護膜10は電極パターン4につながるリード端子と電極パターン8につながるリード端子がともに露出するように、保護膜10の成膜領域は成膜の際にマスクを設けることによって成膜領域が制限されて形成されている。電極パターン4,8はそれぞれのリード端子16a,16bを介してそれぞれ補助電極11a,11bの一端に接続されている。補助電極11a,11bは基板2上の絶縁膜4上に形成され、リード線1212a,12bとの接続が容易なように、補助電極11a,11bの他端は基板2の1つの辺に沿って配置されている。補助電極11a,11bの他端は基板2の2つの辺に沿って配置してもよい。補助電極11a,11bの他端にはそれぞれリード線12a,12bが接続され、それらのリード線12a,12bを介して外部の制御回路14に接続される。リード線12a,12bとしてはフレキシブルプリント基板FPCを使用することができ、補助電極11a,11bの他端とフレキシブルプリント基板によるリード線12a,12bとの接続は異方性導電シートを介して圧着により実現することができる。電極パターン4はセンサ電極として働き、ガラス基板2の裏面側に指先が接触した時にその場所での静電容量の変化による電荷散布状態の変化を感知するものであり、その変化は制御回路14により検出される。電極パターン8は駆動電極として働くものであり、電極パターン4のセンサ電極に電荷を散布する働きをものである。電極パターン8は制御回路14から電圧が印加されることにより電極パターン4に電荷を散布する。次に、図2から図4を参照して図1の実施例の電極パターンの詳細な図形とともに製造方法の一実施例を説明する。図2は基板2の表面上に遮光膜20が形成され、その上に絶縁膜22が形成され、絶縁膜22上に電極パターン4とそれの一端につながるリード端子16aを形成し、さらに電極パターン4上に誘電体膜6を形成した状態を示している。この状態とするために、次の工程AからCを順に経る。A基板2の表面に、遮光膜20とするためのCr膜を、マスクを介してスパッタリング法により約0.2μmの厚さに成膜する。遮光膜20の形成領域は電極パターン4,8が形成される予定の領域の外側領域である。遮光膜20上には後工程でのマスクを介した成膜や写真製版の際の位置合わせ用のアライメントマークとなる基準マークを色インクにより約10μmの厚さにスクリーニング印刷する。遮光膜20及び基板2の表面を被うように絶縁膜22としてSiO2膜を約1μmの厚さにスパッタリング法により成膜する。SiO2膜はスパッタリング法に替えて蒸着法により形成してもよく、このことは以下のSiO2膜形成工程においても同様である。BSiO2膜22上に第1層目のITO膜をスパッタリング法により約15nmの厚さに成膜する。そのITO膜上にフォトレジスト層を形成し、写真製版とエッチングによりパターン化を施して電極パターン4とリード端子16aを形成する。この電極パターン4の一列は、矩形の導電パターン4aが基板面内の一方向X方向に直列に接続された形状をもっている。導電パターン4aはY方向には互いに分離されている。導電パターン4aがX方向につながった列状の電極パターンはY方向に互いに平行に8列が配列されてX電極パターン4となっている。X方向に延びる電極パターンの両端部の導電パターンは三角形であり、それぞれの列に対して電極パターンの一端部図では下端部には外部の制御回路に接続するためのリード端子16aが配置されている。電極パターン4とリード端子16aは同じITO膜を同時にパターン化することにより形成される。ITO膜のエッチング液としては、塩酸と硝酸の混合溶液を使用することができる。ITO膜のエッチング液としては、他に、塩化第二鉄溶液、塩酸と塩化第二鉄の混合溶液、塩酸と有機酸の混合溶液、硝酸と有機酸の混合溶液なども使用することができる。ここで、ITO膜の写真製版とエッチングの際のITO膜の下地には遮光膜20による段差が存在するが、遮光膜20はその段差は約0.2μmというような薄いものであり、仮に厚い遮光膜20を形成したとしても最大でも1μmである。したがって、写真製版の際のパターン精度の低下やエッチングの際の電極パターンの断線といった不具合は発生しにくい。C電極パターン4が形成されている領域を露出させ、その周囲でリード端子16aが形成されている領域を被う第1マスクを形成する。第1マスクはレジストインクをスクリーン印刷法により形成する。第1マスクを介して誘電体膜6としてSiO2膜を約100nmの厚さにスパッタリング法により成膜する。その後、第1マスクを除去する。これで第1マスク上に成膜された誘電体膜6が除去され、第1マスクで被われていなかった電極パターン4が形成されている領域にのみ誘電体膜6が残る。図3は誘電体膜6上に電極パターン8を形成し、基板上の絶縁膜22上にリード端子16bを形成し、補助電極11a,11bを形成し、さらに電極パターン8上に保護膜10を形成した状態を示している。この状態とするために、次の工程D~Fを行う。D誘電体膜6が形成されている領域を露出させ、その周囲でリード端子16aが形成されている領域を被う第2マスクを形成する。第2マスクはレジストインクをスクリーン印刷法により形成する。その後、誘電体膜6上に第2層目のITO膜をスパッタリング法により約15nmの厚さに成膜し、そのITO膜に対しフォトレジストを塗布し、写真製版とエッチングによりパターン化を施して電極パターン8とリード端子16bを形成する。電極パターン8の一列は、矩形の導電パターン8aが基板面内のY方向に直列に接続された形状をもっている。導電パターン8aはX方向には互いに分離されている。導電パターン8aがY方向につながった列状の電極パターンはX方向に互いに平行に14列が配列されてY電極パターン8となっている。Y方向に延びる電極パターンの両端部の導電パターンは三角形であり、それぞれの列の電極パターンの一端部図では右端部には外部の制御回路に接続するためのリード端子16bが配置されている。電極パターン8とリード端子16bは同じITO膜を同時にパターン化することにより形成される。ここでも、ITO膜の写真製版とエッチングの際のITO膜の下地には遮光膜20による段差が存在するが、遮光膜20はその段差は約0.2μmというような薄いものであり、仮に厚い遮光膜20を形成したとしても最大でも1μmである。したがって、写真製版の際のパターン精度の低下やエッチングの際の電極パターンの断線といった不具合は発生しにくい。パターン化の後、第2マスクを除去する。導電パターン4aと8aは、それぞれの導電パターンが接続されている部分では電極パターン4と8の列が交差する部分では誘電体膜6を介して重なるが、その他の部分では互いに重ならないように配置されている。電極パターン4と8が重なる部分の電荷が位置を検出する際に浮遊電荷となるので、この重なりが大きくなるとノイズの原因となる。そのために電極パターン4と8が重なる部分を小さくしてノイズに対して強くしている。また、位置を検出する際に、できるだけ大きな容量を得るために、大きな電極面積を得る必要があるため、矩形をつなぎ合わせた導電パターンとしている。E次に補助電極11a,11bを形成する。そのために、電極パターン8が形成されている領域を被い、その周囲でリード端子16a,16bが形成されている領域を露出させる第3マスクを形成する。第3マスクはレジストインクをスクリーン印刷法により形成する。その後、MAMモリブデンーアルミニウムーモリブデン膜をスパッタリング法により約150nmの厚さに成膜し、そのMAM膜に対しフォトレジスト層を形成し、写真製版とエッチングによりパターン化を施して補助電極11a,11bを形成する。補助電極11a,11bの一端はリード端子16a,16bにそれぞれ接続され、補助電極11a,11bの他端はリード線12a,12bとの接続が容易なように、基板2の1つの辺に沿って配置されているような電極パターンである。F次に電極パターン8が形成されている領域を露出させ、その周囲でリード端子16a,16b及び補助電極11a,11bが形成されている領域を被う第4マスクを形成する。第4マスクはレジストインクをスクリーン印刷法により形成する。その第4マスクを介して電極パターン8を覆うように保護膜10としてSiO2膜を約15nmの厚さにスパッタリング法により成膜する。SiO2膜はスパッタリング法に替えて蒸着法により製膜してもよい。その後、第4マスクを除去する。このようにして基板2上に保護膜10まで形成された状態となる。この状態になるまでの工程は全て管理された環境下で行うことができ、また他のガラス基板を張り合わせる工程を含んでいないので、ごみや埃が付着して歩留まりが低下するおそれが少なくなる。その後、図4に示されるように、補助電極11a,11bの他端にリード線12a,12bを接続し、そのリード線リード線12a,12bを介して外部の制御回路14に接続する。リード線12a,12bとしてはフレキシブルプリント基板を使用する。補助電極11a,11bの他端とフレキシブルプリント基板によるリード線12a,12bとの接続は異方性導電シートを介して圧着により行う。この場合、補助電極11a,11bは基板2の表面の同一面に形成されているので、一層のフレキシブルプリント基板を使用して補助電極11a,11bとの接続を一度の圧着操作により実現することができる。リード線12a,12bと制御回路14との接続は圧着その他の適当な手段により行うことができる。図2~図4の工程は、基板2の大きさに加工された個片のガラス基板を用いて制作するか、又は複数枚の基板2の大きさのガラス基板を用いて複数枚分のタッチパネルを同時に製作し、保護膜10まで形成した後に個々のタッチパネルに切り出し、その後、リード線12a,12bとなるフレキシブルプリント基板を圧着などにより接続する方法である。この製造工程において、第1~第4のマスクに使用するレジストインクとしては、例えば有機溶剤を含むアルカリ可溶性樹脂を用い、その除去のための溶剤としてはアルカリ液を使用する。電極パターン4,8を構成する導電膜パターン4a,8aの形状は実施例に示した矩形パターンに限定されるものではない。アップルパターン型と称される導電膜パターンを図5に示す。X側パターンは矩形パターン30が幅の狭い連結部30aによってX方向図では横方向につながったパターンに形成されている。一方、Y側パターンはY方向図では縦方向に延びる直線状のパターン34である。X側パターンとY側パターンは間に誘電膜を介し、X側パターンの連結部30a上にY側パターンの直線状パターン34が来るように重ねられる。X側パターンではパターン30,30aと隙間dをもってダミーパターン32が配置され、Y側パターンでもパターン34との間に隙間をもってダミーパターン36が配置されている。導電膜パターンとダミーパターンは同じITO膜を同時にパターン化することにより形成されたものである。ダミーパターン32,36はガラス基板を通して導電膜パターン30,30a,34が目立たなくするためのものである。さらに、このタッチパネルが液晶パネルに重ねて使用される場合は、導電膜パターンとダミーパターンを合わせたパターンが液晶パターンに近づくようにして、導電膜パターンが一層目立たなくなるように設計される。第1電極パターンと第2電極パターンが形成される方向を実施例では互いに直交するX方向とX方向としているが、必ずしも互いに直交する方向に限定されるものではない。例えば、実施例のような長方形の基板の対角線方向をそれぞれの電極パターンが延びる方向に採用してもよい。"