光を吸収しキャリアを発生させる光電変換層と、前記光電変換層の受光面側に設けられている透明導電膜と、を備え、前記透明導電膜は、入射した光子の数よりも多くの光子を生成し、該生成した光子を光電変換層へ向けて出射するように構成されていることを特徴とする光電変換装置。前記透明導電膜は、生成した光子のエネルギーが前記光電変換層が有する半導体層のバンドギャップよりも大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。前記透明導電膜は、厚み方向に貫通している複数の孔が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。前記透明導電膜は、互いに隙間を有した複数の島状導電領域が格子状に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。前記透明導電膜は、厚みが500nm未満であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。ところで、半導体層で吸収される光の波長エネルギーは、半導体層を構成する材料のバンドギャップEgに依存する。例えば、材料が結晶シリコンの場合、バンドギャップEgは1.1eV程度であり、バンドギャップEgより小さなエネルギーを持つ光波長が約1100nm以上の光は発電に寄与しない。また、バンドギャップEgよりも大きなエネルギーhνを持つ光波長が約1100nm以下の光は半導体に吸収され、キャリアを発生するが、その際にhν-Egに相当するエネルギーが熱として放出される。そのため、短波長側の光であっても、吸収した光のエネルギーのすべてが電気エネルギーに変換されるわけではなく、太陽光の短波長側の光の利用効率については更なる改善の余地がある。本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、変換効率の更なる向上を実現する技術を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある態様の光電変換装置は、光を吸収しキャリアを発生させる光電変換層と、光電変換層の受光面側に設けられている透明導電膜と、を備える。透明導電膜は、入射した光子の数よりも多くの光子を生成し、該生成した光子を光電変換層へ向けて出射するように構成されている。本発明によれば、変換効率の更なる向上を実現することができる。以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態に係る光電変換装置の断面を模式的に示した図である。なお、以下の各図に示す各層、各部の縮尺や形状は、説明を容易にするために便宜的に設定されており、特に言及がない限り限定的に解釈されるものではない。図1に示すように、本実施の形態に係る光電変換装置10は、第1の導電型を示す第1の半導体層12を有する光電変換層14を備える。また、光電変換層14は、受光面16とは反対側の裏面18側に形成されている、第2の半導体層20および第3の半導体層22を更に備える。本実施の形態に係る第1の半導体層12は、単結晶のn型結晶シリコン層であり、屈折率は約3.5光の波長が1.1μmの場合である。なお、屈折率はキャリア濃度や光の波長によって増減する。また、光電変換層14の厚みは100~150μmである。結晶シリコン層の形態は、単結晶、多結晶、微結晶のいずれか、または、混合物であってもよい。第2の半導体層20は、第1の半導体層12と反対の極性である第2の導電型を示す。本実施の形態に係る第2の半導体層20は、p型不純物の濃度が高い領域p層である。第3の半導体層22は、第1の半導体層12と同じ極性である第1の導電型を示す。本実施の形態に係る第3の半導体層22は、第1の半導体層12よりもn型不純物の濃度が高い領域n層である。なお、本実施の形態に係る光電変換装置10においては、第2の半導体層20と接する第1の電極24、および、第3の半導体層22と接する第2の電極26が光電変換層14の裏面18側に設けられている。これにより、入射光が第1の電極24および第2の電極26で遮られることなく第1の半導体層12に到達するため、電極を光電変換層14の受光面16側に設けた場合と比較して、光電変換装置10の発電効率が向上する。なお、電極の材料としては、アルミニウムAlや銅Cuが好ましい。電極をアルミニウムAlで形成する場合、蒸着法が好適である。一方、電極を銅Cuで形成する場合、スパッタリング法やメッキ法が好適である。光電変換層14の受光面16側には、保護膜パッシベーション膜28が積層されている。保護膜28の上には透明導電膜30が積層されており、透明導電膜30を被覆するように更に反射防止膜32が積層されている。なお、透明導電膜30は、酸化インジウムスズITOや酸化亜鉛ZnOなどの抵抗率の低い透明な薄膜である。換言すると、透明導電膜30は、キャリア密度が1.5×1021[cm-3]以下の材料で構成されているとよい。これにより、透明導電膜30を透過する光が多くなる。また、反射防止膜32は、窒化膜などが好適である。次に、透明導電膜の構成について説明する。図2は、図1に示す矢印A方向から見た透明導電膜の上面図である。図2に示す透明導電膜30は、全体として一体の透明導電領域30aと、透明導電領域30aに格子状に形成されている複数の孔30bとで構成されている。透明導電膜30の厚みは、光電変換装置10が対象とする吸収光の種類や、光電変換層を構成する材料の種類に応じて、適宜設定される。例えば、太陽光を対象とした場合、変換効率に寄与する通常の光波長500~1100nm程度がそのまま光電変換層14に向けて透過するように、透明導電膜30の厚みは500nm未満が好ましい。これにより、おおよそ500nm以上の波長の光が透過しやすくなる。本実施の形態に係る光電変換装置10は、光を吸収しキャリアを発生させる光電変換層14と、光電変換層14の受光面16側に設けられている透明導電膜30と、を備える。図1に示す光電変換装置10において、光L1が透明導電膜30の透明導電領域30aに入射すると、透明導電領域30a中のキャリアとコンプトン散乱することがある。入射した光L1は、コンプトン散乱によりエネルギーを失い、波長が長いエネルギーの低い光L2となる。一方、透明導電領域30a中のキャリアは、透明導電膜30の幾何学的な形状に依存して、電荷分布を形成し、その電荷分布の時間的変化により光L3が放出される。なお、透明導電膜30は、電荷分布の時間的変化が波長1000nm程度の光の振動数と同程度になるように幾何学的形状を調整しておくとよい。例えば、3.1eV400nmの光L1が透明導電膜30に入射し、キャリアとコンプトン散乱することで1.6eVの光L2となり、残りの1.5eVのエネルギーが透明導電領域30a表面でキャリアの運動エネルギーとなる。そして、孔30bによりキャリアの運動が停止すると、それが1.5eVの光L3となって第1の半導体層12に入射するなお、ここではエネルギーの授受によるエネルギーロスは考慮していない。。そして、第1の半導体層12に入射した光L2や光L3は、それぞれ一対のキャリア電子と正孔を発生させることができる。このように、本実施の形態に係る透明導電膜30は、入射した光子の数よりも多くの光子を生成し、該生成した光子を光電変換層14へ向けて出射するように構成されている。そのため、エネルギーの高い波長の短い光子が1つ半導体層に入射した場合と比較して、入射光よりもエネルギーが低い波長の長い2つの光子が半導体層に入射した場合の方が、光電変換層14で発生するキャリアの数が多くなる。つまり、発電効率を向上させることができる。また、透明導電膜30は、入射光に基づいて生成された光子のエネルギーが光電変換層14が有する半導体層のバンドギャップEgよりも大きくなるように構成されているとよい。これにより、光電変換層14で吸収されないエネルギーの光が少なくなる。第2の実施の形態図3は、第2の実施の形態に係る透明導電膜の上面図である。図3に示す透明導電膜34は、図1に示す第1の実施の形態に係る光電変換装置10における透明導電膜30と同じ領域に設けられる。透明導電膜34は、互いに隙間gを有した複数の島状導電領域34aが格子状に配置されている。島状導電領域34aは、互いに導通しないように離間して配置されている。島状導電領域34aを形成するためには、島状導電領域34aの形状を考慮したマスクパターンを用い、パターニングにより行ってもよい。また、島状導電領域34aの大きさや厚みが薄い場合には、スパッタリングによる成膜で島状部分を形成してもよい。このように構成されている透明導電膜34に入射した光の挙動について以下に説明する。図4は、第2の実施の形態に係る光電変換装置の要部を示す模式図である。光電変換装置40は、光電変換層14と、光電変換層14の受光面16側に設けられている透明導電膜34と、を備える。透明導電膜34は、隙間gを有した島状導電領域34aが複数配置されているため、1つの島状導電領域34aをコイルL、隙間gを有して対向している1組の島状導電領域をコンデンサCと考えることができる。そのため、このように構成された透明導電膜34は、共振周波数f=1/[2π[CL]1/2]の回路と考えることができる。そこで、CとLを最適化することで、透明導電膜34に入射した光のエネルギーの一部を受けたキャリアの運動エネルギーが所望の周波数の光として放出される。このように、本実施の形態に係る透明導電膜34は、入射した光子の数よりも多くの光子を生成し、該生成した光子を光電変換層14へ向けて出射することができる。次に、前述の透明導電膜を備える光電変換装置の変形例について説明する。図5は、変形例に係る光電変換装置の層構造を示す模式図である。光電変換装置42は、受光側から、反射防止膜44、透明導電膜46、表面ガラス板48、第1電極層50、半導体層52、透明導電膜54および第2電極層56を有する。第1電極層50、半導体層52、透明導電膜54および第2電極層56は、周知のレーザパターニングを施されながら表面ガラス板48上に順次積層される。また、第2電極層56の上には、充填材58、裏面ガラス板60が積層されている。表面ガラス板48の受光面62側には透明導電膜46が積層されており、透明導電膜46を被覆するように更に反射防止膜44が積層されている。第1電極層50は、表面ガラス板48の受光面62と反対側の面上に形成されており、導電性および透光性を有する。本実施の形態に係る第1電極層50としては、透明導電性酸化物TCOが用いられ、特に、高い光透過性、低抵抗性を有し、低価格である酸化亜鉛ZnOが用いられる。半導体層52は、第1電極層50側からの入射光により電荷電子および正孔を生成する。半導体層52としては、例えば、pin接合またはpn接合を基本構造として有するアモルファス非晶質シリコン半導体層や微結晶シリコン半導体層の単層体あるいは積層体を用いることができる。本実施の形態に係る半導体層52は、第1電極層50側からそれぞれアモルファスシリコン半導体、微結晶シリコン半導体が積層されたものとして構成されている。なお、本明細書において、微結晶の用語は、完全な結晶状態のみならず、部分的にアモルファス状態を含む状態をも意味するものとする。透明導電膜54は、半導体層52上に形成されている。透明導電膜54には、酸化亜鉛ZnOなどの透明導電性酸化物TCOが用いられる。透明導電膜54により、半導体層52と第2電極層56が合金化することが防止され、半導体層52と第2電極層56との接続抵抗を減少させることができる。第2電極層56は、透明導電膜54上に形成される。第2電極層56には、銀Agなどの反射性金属が用いられる。一の光電変換装置42の透明導電膜54と第2電極層56は、隣接する他の光電変換装置42の第1電極層50に接触する。これにより、一の光電変換装置42と他の光電変換装置42とが電気的に直列に接続される。このように構成されたアモルファス型の光電変換装置42においても、第1の実施の形態や第2の実施の形態と同様の透明導電膜46を設けることで発電効率を向上することができる。また、光電変換装置の他の変形例として、アモルファスシリコンと単結晶シリコンを積層した構成であっても、第1の実施の形態や第2の実施の形態と同様の透明導電膜を受光面側に設けることで発電効率を向上することができる。以上、本発明を上述の各実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の各実施の形態に限定されるものではなく、各実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて各実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を各実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。