電気抵抗率が1Ωcm以下であるSiCウェハの研磨する面を研磨定盤に対向配置し、SiCウェハの研磨する面の少なくとも一部を、HFを含む電解溶液に接触させ、SiCウェハをアノードとし電解溶液を挟んだ対極をカソードとしてSiCウェハを電解研磨するSiCウェハの製造方法において、前記電解溶液のHF濃度が0.001~10wtであり、印加電圧と発生電流密度の関係から最大電流密度Imaxとそのときの印加電圧V0を予め求めておき、電解研磨中の電流密度Iと印加電圧VがV<V0のときは0.5Imax≦I≦Imax、V≧V0のときは0.8Imax≦I≦Imaxとなるように電圧を印加することを特徴とするSiCウェハの製造方法。該SiCウェハが、n型SiCからなることを特徴とする、請求項1に記載の方法。電解研磨中に前記電解溶液のHF濃度を監視し、0.001~10wtの範囲にHF濃度を調整することを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記SiCウェハと研磨定盤が前記SiCウェハの研磨面に平行な方向に相対運動することを特徴とする請求項1に記載のSiCウェハの製造方法。前記SiCウェハを、片面研磨の場合に100gf/cm29.8×103Pa~300gf/cm22.9×104Paで、両面研磨の場合に30gf/cm22.9×103Pa~200gf/cm22.0×104Paで、研磨定盤方向に押し付けることを特徴する請求項1に記載のSiCウェハの製造方法。該電解質が、H2O2、HNO3またはKNO3の少なくとも一つを含む酸化剤を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。該電解質の溶媒が、少なくとも水またはエタノールを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。該電解質が、NH4F、H2SiF6、HClまたはCH3COOHの少なくとも一つを含む支持電解質を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記のとおり、SiCを研磨するための種々の方法が提案されている。しかしながら、特許文献1のコロイダルシリカを含むアルカリ水性研磨液pH7~10を用いた研磨方法の研磨速度は、100nm/10分にすぎず、さらなる研磨速度の向上、ひいては生産性の向上が求められている。また、特許文献2は、砥石を電解ドレッシングして、砥石の研削面を再生するものではあるが、結局のところ機械的研磨の一種にすぎない。また、これらはいずれも機械的研磨であるため、研磨表面にスクラッチ疵が生じるという問題が残されている非特許文献1は、KNO3やH2O2を用いて陽極酸化した後に、シリカスラリーを用いて研磨する方法により、研磨表面のスクラッチ疵が低減されると述べている。しかし、この方法は、二段階の工程を必要とし、生産性の向上に結びつかない。非特許文献2は、希釈HF溶液中で4HSiC半導体のSi-面を最大電流密度付近で電解研磨することで、高い研磨速度と良好な平滑面が得られることを報告している。しかし、電流密度が最大値付近に限定されていては、実用性に乏しい。また、研磨対象物がp型SiCに限定されている等の種々の制限もあり、それらの点でも実用性に乏しい。本発明者は、上記の課題に鑑みて鋭意検討した結果、広範囲に適用可能で良好な研磨結果を得られるSiC半導体の電解研磨条件を見出し、本発明に想到した。本発明により、以下が提供される。1電気抵抗率が1Ωcm以下であるSiCウェハの研磨する面を研磨定盤に対向配置し、SiCウェハの研磨する面の少なくとも一部を、HFを含む電解溶液に接触させ、SiCウェハをアノードとし電解溶液を挟んだ対極をカソードとしてSiCウェハを電解研磨するSiCウェハの製造方法において、前記電解溶液のHF濃度が0.001~10wtであり、印加電圧と発生電流密度の関係から最大電流密度Imaxとそのときの印加電圧V0を予め求めておき、電解研磨中の電流密度Iと印加電圧VがV<V0のときは0.5Imax≦I≦Imax、V≧V0のときは0.8Imax≦I≦Imaxとなるように電圧を印加することを特徴とするSiCウェハの製造方法。2該SiCウェハが、n型SiCからなることを特徴とする、1に記載の方法。3電解研磨中に前記電解溶液のHF濃度を監視し、0.001~10wtの範囲にHF濃度を調整することを特徴とする、1に記載の方法。4前記SiCウェハと研磨定盤が前記SiCウェハの研磨面に平行な方向に相対運動することを特徴とする1に記載のSiCウェハの製造方法。5前記SiCウェハを、片面研磨の場合に100gf/cm29.8×103Pa~300gf/cm22.9×104Paで、両面研磨の場合に30gf/cm22.9×103Pa~200gf/cm22.0×104Paで、研磨定盤方向に押し付けることを特徴する1に記載のSiCウェハの製造方法。6該電解質が、H2O2、HNO3またはKNO3の少なくとも一つを含む酸化剤を含むことを特徴とする、1に記載の方法。7該電解質の溶媒が、少なくとも水またはエタノールを含むことを特徴とする、1に記載の方法。8該電解質が、NH4F、H2SiF6、HClまたはCH3COOHの少なくとも一つを含む支持電解質を含むことを特徴とする、1に記載の方法。本発明の基礎となっているのは電解研磨という現象である。電解研磨とは、電気分解のときアノードの導電性物質、一般的には金属、が溶解することを利用した研磨法である。研磨される導電性物質をアノードとし、適当な電解液中で適当な電流密度で電解すると、導電性物質表面の汚れがはげ、物質表面とくに凸部が急速に溶けて、機械的研磨法では得られないきわめて平滑な面が得られる。本発明では、電気抵抗率が1Ωcm以下であるSiCウェハの研磨する面を研磨定盤に対向配置し、SiCウェハの研磨する面の少なくとも一部を、HFを含む電解溶液に接触させ、SiCウェハをアノードとし電解溶液を挟んだ対極をカソードとしてSiCウェハを電解研磨するSiCウェハの製造方法を用いる。本発明における研磨の対象は、SiCである。SiCは、シリコンSiと炭素Cから構成されている。炭素原子よりシリコン原子の方が大きいから、C<SiC<Siと原子間距離は広がり、概してこの順で硬さは下がる。SiCの硬さは、滑石を1、ダイヤモンドを15とする修正モース硬度の序列では、13である。また、シリコンとSiC間の硬さについては、シリコンのビッカース硬度Hvが、単結晶で1046、多結晶で1053であり、SiCのビッカース硬度Hvが2200である。なお、硬さは、結晶構造によって変動しうるものであり、上記の値は概略値である。いずれにしろ、一般に、SiCはシリコンよりも硬く、同一の研磨法を用いた場合SiCの研磨時間はシリコンの研磨時間より長い。SiC半導体として、n型SiCとp型SiCが存在する。n型SiCには、窒素Nなどの15族元素がドーピングされている。p型SiCには、アルミニウムAlなどの13族元素がドーピングされている。本発明においては、n型SiCとp型SiCのいずれも研磨することができる。したがって、SiCウェハが、n型SiCであってもよい。本発明の研磨対象であるSiCの電気抵抗率は1Ωcm以下である。したがって、比較的容易に導電することが可能であり、すなわち電解研磨が可能である。電気抵抗が低いほど好ましく、SiCの電気抵抗率は好ましくは100mΩcm以下である。一般に、ダイヤモンドやシリコンは電気抵抗率が高く、電解研磨は適さない。研磨対象物であるSiCウェハをホルダで保持して、SiCウェハの研磨される面を研磨定盤に対向して配置する。研磨定盤は、SiCウェハと接触して、これを研磨するための研磨パッドが張られている。研磨パッドとしてはショアA硬度計で測定した硬度が50°以上60°以下であるポリウレタンを含浸させた不織布を使用してもよい。研磨圧力は、片面研磨の場合に100gf/cm29.8×103Pa~300gf/cm22.9×104Paで、両面研磨の場合に30gf/cm22.9×103Pa~200gf/cm22.0×104Paに管理してもよい。SiCウェハの研磨する面の少なくとも一部に、HFを含む電解溶液を接触させる。HFを含む電解溶液を使用するのは、SiCウェハの表面には、SiO2層が存在することがあり、また他の不純物の化学的もしくは自然酸化層が存在することがあり、これらを除去するのにHFを含む電解溶液が有用だからである。さらに、HFを含む電解溶液は、クリーニングプロセスの最終工程で使用されてもよい。HFの主溶媒として、水またはエタノールを用いてもよい。エタノールを主溶媒とする場合、水を主溶媒とする場合に比べて、電解効率を向上することができる。水を主溶媒とすると、電解電流の一部が、水の電気分解水素および酸素が発生に消費されるからである。HF濃度は、水を主溶媒とした場合に、0.001wt以上、10wt以下である。好ましくは、HF濃度を、0.01wt以上、3wt以下としてもよい。HF濃度がこの範囲よりも低いと、電気抵抗率が高く、電解研磨に適さないことがあるためである。また、HF濃度がこの範囲より高いと、電解電流が大きくなり、電解研磨速度の制御が困難となることがあるためである。エタノールを主溶媒とした場合のHF濃度は、水を主溶媒とした場合と同様の理由により、001wt以上、10wt以下である。好ましくは、HF濃度を、005wt以上、10wt以下としてもよい。電解溶液には、支持電解質として、NH4F、H2SiF6、HCl、CH3COOH、硫酸、リン酸、過水素酸、蟻酸、乳酸、クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、アスパラギン酸、スルホン酸、スルファミン酸、または、それらの電解質塩等を加えてもよい。これにより、電解液に導電性をもたらすことができる。これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。支持電解質の濃度は特に限定されないが、電解研磨効率に優れている点から、0.1N以上、さらには1N以上であり、経時的な電解液の安定性の点から10N以下であることが好ましい。電解溶液には、H2O2、HNO3またはKNO3の少なくとも一つを含む酸化剤を含んでもよい。これにより、電解溶液の酸化力を高めることができる。電解溶液は、各種化学成分および硬質の微細な砥粒、例えばコロイダルシリカ、を含んでもよい。このとき、電解溶液に含まれる各種化学成分および硬質の微細な砥粒を流しながら、SiCウェハの研磨が行われる。化学成分が研磨対象物の表面を変化させることで、研磨剤単体で研磨する場合に比べて加工速度を向上することができる。また、研磨剤単体で研磨する場合に残る表面の微細な傷や表面付近に残る加工変質層がきわめて少なくなり、理想的な平滑面を得ることができる。コロイダルシリカはシリコンより軟質であるため、ひいてはSiCより軟質であるために、例えば、SiO2層が完全に除去されても、コロイダルシリカによりSiCウェハが研磨スクラッチを受けることはない。使用するコロイダルシリカの粒径は、0.1μm~10μm程度の範囲で、適宜調整してもよい。SiCウェハをアノードとし電解溶液を挟んだ対極をカソードとして、電圧を印加する。印加された電圧は、カソードから、導電性のある電解溶液を経由して、アノードであるSiCウェハの表面及び裏面に印加される。カソードは定盤であってもよく、定盤に張られた研磨パッドには、電解溶液が接触含浸し、導電性を確保することができる。アノードであるSiCウェハにおいては、表層のシリコンが電気化学的に酸化され、表層にSiO2が形成される。形成されたSiO2層は、研磨パッドまたは、電解溶液に含まれる各種化学成分および硬質の微細な砥粒により研磨エッチングされ、表層に位置するSiO2層は速やかに除去される。また、SiCウェハに含まれるC分は、電気化学的に酸化され、COまたはCO2またはその両方が形成され、揮発して、表層から速やかに除去される。本発明においては、印加電圧と発生電流密度の関係から最大電流密度Imaxとそのときの印加電圧V0を予め求めておく。電圧を印加した際に、発生する電流密度は、電流電圧測定装置を用いて測定される。印加電圧を正方向に高めていくと、陽極酸化、すなわちSiCウェハの酸化が始まる。電流密度も、陽極酸化が始まるまでは0であるが、印加電圧の上昇とともに、上昇し始める。陽極酸化により、SiCが酸化すると、SiO2または、COもしくはCO2が発生する。COもしくはCO2は、概して揮発性が高く、陽極、すなわちSiCウェハ表面から容易に拡散する。一方SiO2は、融点が1650°C、沸点が2230°Cであり、すなわち、揮発性が低い。また、SiO2は、水への溶解度が0.012g100mlであり、溶解性も高くはない。したがって、SiO2は、COもしくはCO2に比べて、拡散しにくく、SiCウェハ表面に堆積しやすい。SiCウェハ表面にSiO2が堆積すると、SiCウェハ表面と電解質との接触が断たれ、陽極酸化速度が低下し始める。このとき、電流密度も低下し始める。この、低下し始める直前の電流密度が、最大電流密度Imaxとして測定され、このときの印加電圧をV0とする。最大電流密度Imaxでは、SiCウェハ表面から発生するSiO2と、SiCウェハ表面から拡散するSiO2の速度が、高いレベルでバランスしていると考えることができる。V0を超える電圧を印加し、SiCウェハ表面からのSiO2発生を増加させようとしても、十分に拡散されず、ウェハ表面でのSiO2堆積量が増加し、電流密度が下がり、ひいては陽極酸化速度も低下する。このウェハ表面のSiO2堆積量が多い状況で、さらにV0を超える電圧を印加すると、局所的な導通が発生してSiCウェハ表面に細孔を生じる、すなわち多孔性のSiO2を増加させる。多孔性のSiO2の存在は、SiCウェハ表面の平坦度を低下させる。つまり、SiCウェハ表面の表面粗さは増加する。また、多孔性のSiO2は、剥離することがあり、さらにSiCウェハ表面の表面粗さは増加させ得る。また、多孔性のSiO2の存在は、光の反射屈折干渉に影響を与え、SiCウェハ表面の変色をもたらし、品質管理上の問題となり得る。本発明の電解研磨においては、SiCウェハの表面に発生したSiO2を、研磨定盤を用いてSiCウェハの表面から除去することにより、SiCウェハ表面と電解質との接触を確保し、陽極酸化速度の低下を防ぐことが可能である。電解研磨においては、電流密度Iおよび印加電圧Vは、監視しながら、制御することができる。本発明では、V<V0のときは0.5Imax≦I≦Imaxとなるように、V≧V0のときは0.8Imax≦I≦Imaxとなるように電圧を印加することを特徴とする。最大電流密度Imaxでは、陽極酸化、すなわちSiCウェハの酸化が最も速く進行する。したがって、印加電圧V<V0のときは、IをImaxに近づけることにより、陽極酸化速度が高くなることが期待できる。IがImaxよりも大幅に小さいと、電解研磨速度も低下する。IをImaxに近づけるために印加電圧を上昇させた場合、印加電圧VがV0以下であれば特に問題はない。しかし、印加電圧Vが、V0を超えると、多孔性のSiO2が増加し、SiCウェハ表面の平坦度が低下するという問題が生じ得る。また、実際の電解研磨では、電解溶液の電解質濃度もしくはイオン強度、研磨材性状、定盤速度等の研磨条件因子の影響により、電圧をImaxに固定することが困難な場合もある。これらの状況に鑑みて、本発明では、V<V0のときは0.5Imax≦I≦Imaxとなるように、V≧V0のときは0.8Imax≦I≦Imaxとなるように電圧を印加する。この範囲で電圧を印加することにより、電解研磨速度をほぼ最大の速度に制御でき、また印加電圧が大幅にV0を超えて、SiCウェハ表面の平坦度が低下するという問題も回避でき、さらに実際の電解研磨環境が変化しても、比較的容易に制御が可能である。加えて、驚くべき事に、この電解研磨によって得られるSiCウェハの表面は、表面粗さが非常に少ないことに加えて、うねりも非常に少ない。すなわち、SiCウェハの表面全体にわたって、表面粗さの均一性が高い。これは、半導体ウェハにとって、非常に望ましい性状の一つである。ここで、本発明における表面粗さ及びうねりについて説明しておく。本明細書においては、特に断りのない限り、JISB06012001に基づく、表面粗さ及びうねりを指す。一般的に、加工した表面を拡大してみると、大きなうねりと細かい凹凸が存在する図1参照。うねりを表す曲線をうねり曲線、細かな凹凸を表す曲線を表面粗さ曲線と呼ぶ。概略、うねりは長波長成分、表面粗さは短波長成分と位置づける事ができる。逆に言うと、うねりと表面粗さを重ねあわせたものが表面曲線と位置づける事ができる。表面粗さ及びうねりを測定する方法について、図2を用いて説明する。測定対象の表面で、触針式表面粗さ測定器の触針を滑らせて、実表面の断面曲線を測定する。なお、ここでは、触針式表面粗さ測定器を用いた測定について説明しているが、この原理に基づき、他の測定器を用いることも可能である。測定された断面曲線測定断面曲線というから、長波長成分のうねりと短波長成分の粗さとを分離抽出するために、フィルタ処理を行う。まず、とくに短い波長成分λs以下をカットオフし、断面曲線を得る。これは、表面粗さを表す粗さ曲線とうねりを表すうねり曲線を重ね合わせたものに相当する。断面曲線から、カットオフ値λcの高域フィルタによって長波長成分を遮断して、粗さ曲線を得る。また断面曲線から、カットオフ値λfおよびλcの輪郭曲線フィルタによって、長波長成分および短波長成分を遮断して、うねり曲線を得る。JISB06012001に基づいて、粗さ曲線から、中心線平均表面粗さRaを求める。図3を参照して説明すると、粗さ曲線を中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線によって得られた面積を長さLで割った値をマイクロメートルで表わす。特に断りのない限り、本明細書において、表面粗さとは、中心線平均表面粗さRaを指す。うねり曲線から、表面粗さRaと同様の方法で、うねり高さを求める。うねりについては、SiCウェハ表面の中心部でのうねり高さと、SiCウェハ表面の端縁部と中心部の中間にある部分すなわちSiCウェハの半径をrとするとr/2の部分であり、以下、中間部と称するでのうねり高さとの比中心部のうねり高さ/中間部でのうねり高さで評価する。このSiCウェハ表面の中心部と中間部でのうねり高さの比が1に近いほど、SiCウェハ表面のうねりが小さいことを意味する。本発明で使用する研磨装置について、図4を用いて説明する。図4は、本実施の形態の研磨方法電解研磨方法を実施するための半導体製造装置研磨装置50、すなわち本実施の形態の研磨工程電解研磨工程で用いられる半導体製造装置研磨装置50の概略的な構成の一例を示す断面図である。図4に示される半導体製造装置研磨装置50は、半導体ウェハ半導体基板、デバイスウエハ52の主面に形成された被研磨面52aを研磨する際に用いられる研磨装置であり、ここではSiCウェハ52上の被研磨面52aを電解研磨処理する際に用いられる研磨装置である。半導体製造装置50は、定盤53と、定盤53の上面に配置され固定された研磨用パッド電解セルパッド、導電性研磨パッド51と、SiCウェハ52を保持可能なホルダ54と、電解溶液電解研磨液を供給するためのノズル図示せずとを有している。定盤53は、直流電源に電気的に接続されて、カソードとされる。また、SiCウェハ52は、直流電源に電気的に接続されて、アノードとされる。半導体ウェハ52の電解研磨時には、直流電源からSiCウェハ52の被研磨面に正電位が供給され、直流電源から定盤53に負電位が供給されて、通電されるようになっている。定盤53およびホルダ54は、それぞれモータ図示せずなどにより回転可能に構成されている。電解溶液を供給するためのノズルは、研磨パッド51の上方に配置され、ノズルから電解溶液が研磨パッド51に供給されるようになっている。ノズルから供給される電解溶液の濃度等の性状や供給速度を調整することができる。これにより、電解研磨中に電解溶液のHF濃度を監視し、0.001~10wtの範囲にHF濃度を調整してもよい。HF濃度をこの範囲にする理由は、上述のとおりである。すなわち、HF濃度がこの範囲よりも低いと、電気抵抗率が高く、電解研磨に適さないことがあるためである。また、HF濃度がこの範囲より高いと、電解電流が大きくなり、電解研磨速度の制御が困難となることがあるためである。電解研磨中に電解溶液のHF濃度を監視する方法として、電解研磨中に使用済み電解溶液を回収して、そのHF濃度を測定してもよい。また、簡易な方法として、電解研磨中の電流密度および印加電圧とHF濃度の相関を予め調べておき、電解研磨中の電流密度および印加電圧を指標として、供給する電解溶液のHF濃度やHF供給量を調整することもできる。一実施形態の電解研磨工程では、ホルダ54は、SiCウェハ52の被研磨面52aに平行な方向に相対運動してもよい。ホルダ54を、SiCウェハ52の被研磨面52aに対して相対的に移動させることで、SiCウェハ52の被研磨面52aの全体で電解研磨を行うことができる。例えば、定盤53を回転させることにより定盤53に固定された研磨パッド51を回転させ、ホルダ54を回転させることによりホルダ54に固定されたSiCウェハ52を回転させ、それによって、研磨パッド51とSiCウェハ52の被研磨面52aの間に、より均質な電解溶液が浸透しやすくなり、より良好な通電が得られやすい。なお、研磨パッド51をSiCウェハ52の被研磨面52aに対して相対的に移動させる手法は、これに限定されず、種々の手法を用いることができる。つまり、一実施形態では、定盤53は回転運動を行う回転定盤を用いているが、他の形態として、定盤53として直進または往復運動を行うベルト状定盤などを用いることもできる。より具体的には、定盤53および研磨パッド51を固定してデバイスウエハSiCウエハ52を回転または規則的に平行移動させたり、あるいは、デバイスウエハSiCウエハ52を固定して研磨パッド51が固定された定盤53や走行ベルト対極を回転または平行移動させることもできる。勿論、デバイスウエハSiCウエハ52と対極定盤53などとの両方を移動させることもできる。また、半導体製造装置50は、ホルダ54を上下左右方向に移動させて定盤53に対するホルダ54の位置を調整し、ホルダ54に保持されたSiCウェハ52を定盤53上の研磨パッド51に所定所望の圧力で押し付ける押圧することが可能となるように構成されている。一実施形態の電解研磨工程では、SiCウェハを、片面研磨の場合に100gf/cm29.8×103Pa~300gf/cm22.9×104Paで、両面研磨の場合に30gf/cm22.9×103Pa~200gf/cm22.0×104Paで、研磨定盤方向に押し付ける。この範囲よりも低い圧力では、SiCウェハを研磨定盤方向に押し付ける力が十分でなく、研磨速度の向上が十分でないことがある。逆にこの範囲よりも高い圧力では、SiCウェハを研磨定盤方向に押し付ける力が過剰であり、研磨パッド51や定盤53の損傷や変形を生じ、ひいてはSiCウェハ52の品質に影響を与えるおそれがある。SiCウェハ52の被研磨面52aの研磨時には、SiCウェハ52はホルダ54に装着されて保持され、SiCウェハ52の被研磨面52aが研磨パッド51の表面に接触した状態となる。ホルダ54は、SiCウェハ52をワックス59を介して保持する。SiCウェハ52の端部がワックス59でシールされ、研磨パッド51が裂けたり、SiCウェハ52が欠けたり、SiCウェハ52の端部から電流が漏洩することを防止する。ここで、本発明の方法を用いてSiCウェハの表面研磨を行った場合の研磨速度および表面性状について、比較例との比較を交えて、説明する。実施例および比較例で使用するSiCウェハは、直径8インチの4HSiC単結晶ウェハで、ウェハ表面の方位は、Si面から方向に4°傾いており、電気抵抗が1Ωcm以下のn型SiCウェハであった。電解研磨処理をする前には、あらかじめウェハ表面の異物を除去するために、アンモニア過酸化水素洗浄液29NH4OH:31H2O2:H2O=1:1:5容量比、80°C、10分処理を行い、リンスを十分に実施した後、HF処理1HFにて表面の酸化被膜を除去した後で、研磨を実施した。図4に示す装置を用いて、SiCウェハを研磨した。このウェハのSi面を2.8psi19612Pa、02kgcm2の研磨面圧力で、直径15インチのバフ盤である研磨定盤に押し付け、研磨定盤を40rpmで回転させることによって研磨した。実施例の電解溶液として、HF濃度が0.001wt~10wのものを用いた。また、異なる溶媒や支持電解質を含む電解溶液も用いた。表1に、電解溶液の詳細を示す。電解溶液は毎時1リットルの割合でローラーポンプで定盤上に供給した。印加電圧と発生電流密度の関係図5参照を調べた。参照極として、銀塩化銀電極を用い、対電極として白金電極を用いた。測定装置は、ポテンショスタットとファンクションジェネレーターを組み合わせたものを用いた。掃引速度は20mV/sとした。研磨後は、研磨表面の活性が高いため、アンモニア過酸化水素洗浄液29NH4OH:31H2O2:H2O=02:1:5容量比にて処理を行い、表面の異物を除去するとともに、表面に自然酸化被膜を形成する処理を行った。評価項目としては、研磨速度、表面性状を調べた。研磨速度に関しては、電解研磨する前と電解研磨した後のSiCウェハの厚みをダイヤルゲージで5点中心1点、1/2r:4点測定して、研磨速度を算出した。ダイヤルゲージは、ミツトヨ製デジマジックインジケーターを使用した。表面性状に関しては、中心線平均表面粗さRaおよびうねりうねり高さ比を求めた。原子間力顕微鏡AFMを用いて、SiCウェハの中心付近および中間部1/2r4箇所について、それぞれ視野1μmのエリアを観察し、表面性状、表面粗さRaおよびうねりを算出した。AFMとして、Veeco製D5000を使用した。評価結果を表1に示す。表1における判定基準は、以下のとおりである。研磨速度に関して、20nm/分より大きいものを◎とし、20nm/分以下で10nm/分より大きいものを○とし、10nm/分以下のものを×とした。中心線平均表面粗さRaに関して、0.2nm未満のものを◎とし、0.2nm以上で0.3nm未満のものを○とし、0.3nm以上のものを×とした。うねりに関して、うねり高さ比が0.8以上で1.2以下のものを○とし、特に0.9以上で1.1以下のものを◎とし、それ以外すなわち、0.8未満または1.2超を×とした。そして、これらの研磨速度、表面粗さRa、およびうねり高さ比の3項目から総合判定を行った。3項目のいずれも◎であれば、総合判定で◎とした。3項目のうち、ひとつでも×を含む場合は、総合判定で×とした。その他は、総合判定で○とした。表1に示すとおり、本発明の方法により研磨し、製造されたSiCウェハは、高い研磨速度を保ちつつ、表面性状、すなわち表面粗さおよびうねりの大幅な改善を得た。HF濃度が0.001wtと、10wtの場合の、SiCウェハに電圧を印加したときに発生した電流の関係を図6に示し、表1の総合判定結果を重ねてプロットした。これらの結果より、電解研磨する際の条件を以下のとおりとした。電解研磨する際の条件としては、電流の最大値を取る電圧をV0、Imaxとして定義して、V<V0の場合は、0.5Imax以上、Imax以下の範囲図7参照では、研磨速度、表面粗さともに良好であることが分かる。一方、V≧V0の場合は0.8Imax以上、Imax以下の範囲図8参照で、研磨速度および表面粗さが良好な部分が得られた。これらの結果より、電解研磨する際の条件として、V<V0の場合は0.5Imax≦I≦Imax、V≧V0のときは0.8Imax≦I≦Imaxとなるように電圧、電流の範囲を限定した。本発明は、以上説明した実施例に限定されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により可能である。