"以下からなる非導電性基板の直接金属化のための方法:前記基板を貴金属/金属-コロイドからなる水性金属含有活性化剤処方に接触させ、前記貴金属/金属-コロイドは、金、銀、白金およびパラジウムからなる群から選ばれるコロイド状貴金属、および鉄、錫、鉛、コバルトおよびゲルマニウムからなる群から選ばれる金属の酸化性イオンからなり、それによって、基板にコロイド状貴金属を堆積させ、別の金属の堆積用の基板を活性化し;活性化基板を、活性化剤処方の金属イオンによって還元し得る前記別の金属のイオン、錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムおよびベリリウムからなる群から選ばれる少なくともIA族またはII族イオン、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩およびそれらの組合せから選ばれる対アニオン、およびホルムアルデヒド以外の還元剤からなる導電体溶液と接触させ、前記活性化基板との初期接触時における、前記還元性金属用還元剤の全てのモル濃度の合計に対する前記対アニオンのモル濃度の合計の比は、約0.70~約50、好ましくは約2~30、より好ましくは約5~20であり、ニッケルイオンに対する還元性金属カチオンの総濃度の比は、少なくとも約100、より好ましくは少なくとも約1000、ニッケルイオンは最も好ましくは導電体溶液中に実質含まれず;前記還元性金属イオンを前記酸化性金属イオンとの反応によって前記貴金属を触媒として還元し、それによって前記基板に前記別の金属を堆積させ;および基板に前記別の金属を無電解および/または直流電流めっきする。以下からなる非導電性基板の直接金属化のための方法:前記基板を貴金属/金属-コロイドからなる水性金属含有活性化剤処方に接触させ、前記貴金属/金属-コロイドは、金、銀、白金およびパラジウムからなる群から選ばれるコロイド状貴金属、および鉄、錫、鉛、コバルトおよびゲルマニウムからなる群から選ばれる金属の酸化性イオンからなり、それによって、基板にコロイド状貴金属を堆積させ、別の金属の堆積用の基板を活性化し;活性化基板を、活性化剤処方の金属イオンによって還元し得る前記別の金属のイオン、錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムおよびベリリウムからなる群から選ばれる少なくともIA族またはII族イオン、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩およびそれらの組合せから選ばれる対アニオン、およびホルムアルデヒド以外の還元剤からなる導電体溶液と接触させ、前記活性化基板との初期接触時における、前記IA族およびII族金属イオンのモル濃度の合計に対する前記対アニオンのモル濃度の合計の比は、少なくとも約0.2、好ましくは少なくとも約0.3、より好ましくは約0.2~約1.0または約0.3~約0.8であり;前記還元性金属イオンを前記酸化性金属イオンとの反応によって前記貴金属を触媒として還元し、それによって前記基板に前記別の金属を堆積させ;および基板に前記別の金属を無電解および/または直流電流めっきする。前記比が少なくとも約0.3である請求項2に記載の方法。前記ニッケルイオンに対する還元性金属カチオンの総濃度の比が、少なくとも約10、好ましくは少なくとも約100、最も好ましくは少なくとも約1000で、ニッケルイオンは最も好ましくは導電体溶液に実質的に含まれない請求項2または3の方法。以下からなる非導電性基板の直接金属化のための方法:前記基板を貴金属/金属-コロイドからなる水性金属含有活性化剤処方に接触させ、前記貴金属/金属-コロイドは、金、銀、白金およびパラジウムからなる群から選ばれるコロイド状貴金属、および鉄、錫、鉛、コバルトおよびゲルマニウムからなる群から選ばれる金属の酸化性イオンからなり、それによって、基板にコロイド状貴金属を堆積させ、別の金属の堆積用の基板を活性化し;活性化基板を、活性化剤処方の金属イオンによって還元し得る前記別の金属のイオン、錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムおよびベリリウムからなる群から選ばれる少なくともIA族またはII族イオン、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩およびそれらの組合せから選ばれる対アニオン、およびホルムアルデヒド以外の還元剤からなる導電体溶液と接触させ、前記活性化基板との初期接触時における、前記還元性金属カチオンのモル濃度の合計に対する前記対アニオンのモル濃度の合計の比は、少なくとも約5であり、ニッケルイオンに対する還元性金属カチオンの総濃度の比は、少なくとも約100、より好ましくは少なくとも約1000、ニッケルイオンは最も好ましくは導電体溶液中に実質含まれず;前記還元性金属イオンを前記酸化性金属イオンとの反応によって前記貴金属を触媒として還元し、それによって前記基板に前記別の金属を堆積させ;および基板に前記別の金属を無電解および/または直流電流めっきする。前記比が少なくとも約40である請求項5に記載の方法。還元剤濃度の還元性金属カチオン濃度に対する比が、少なくとも約1.0、好ましくは少なくとも約2、より好ましくは少なくとも約3、最も好ましくは約3~約8である請求項1~6の何れかに記載の方法。以下からなる非導電性基板の直接金属化のための方法:前記基板を貴金属/金属-コロイドからなる水性金属含有活性化剤処方に接触させ、前記貴金属/金属-コロイドは、金、銀、白金およびパラジウムからなる群から選ばれるコロイド状貴金属、および鉄、錫、鉛、コバルトおよびゲルマニウムからなる群から選ばれる金属の酸化性イオンからなり、それによって、基板にコロイド状貴金属を堆積させ、別の金属の堆積用の基板を活性化し;活性化基板を、活性化剤処方の金属イオンによって還元し得る前記別の金属のイオン、錯化剤、リチウムイオン、およびホルムアルデヒド以外の還元剤からなる導電体溶液と接触させ、前記還元性金属カチオンの濃度の合計に対する前記還元剤濃度の比は、少なくとも約1.0、好ましくは少なくとも約2、より好ましくは少なくとも約3、最も好ましくは約3~約8であり;前記還元性金属イオンを前記酸化性金属イオンとの反応によって前記貴金属を触媒として還元し、それによって前記基板に前記別の金属を堆積させ;および基板に前記別の金属を無電解および/または直流電流めっきする。前記導電体溶液がさらにフッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩、およびそれらの組合せからなる群から選ばれる対アニオンからなる請求項8に記載の方法。前記導電体溶液の調製が、前記還元性カチオンからなる塩、前記錯化剤、前記還元剤および前記対アニオンのリチウム塩を水性媒体に溶解することからなる請求項9に記載の方法。前記リチウム塩が塩化リチウムからなる請求項10に記載の方法。以下からなる非導電性基板の直接金属化のための方法:前記基板を貴金属/金属-コロイドからなる水性金属含有活性化剤処方に接触させ、前記貴金属/金属-コロイドは、金、銀、白金およびパラジウムからなる群から選ばれるコロイド状貴金属、および鉄、錫、鉛、コバルトおよびゲルマニウムからなる群から選ばれる金属の酸化性イオンからなり、それによって、基板にコロイド状貴金属を堆積させ、別の金属の堆積用の基板を活性化し;前記活性化基板を、第二銅イオン、錯化剤およびホルムアルデヒド以外の複数の還元剤からなる導電体溶液-前記導電体溶液は、実質的にホルムアルデヒドを含まず-並びに第二銅イオンの還元によって銅の無電解堆積を促す促進剤と接触させ、;および前記基板に別の還元性カチオンから堆積した銅金属を無電解および/または直流電流めっきする。還元剤の総濃度の還元性金属カチオンの濃度に対する比が、少なくとも約1.0、好ましくは少なくとも約2、より好ましくは約2~15、最も好ましくは約3~約8である請求項12に記載の方法。前記還元剤濃度の合計に対する前記対アニオン濃度の合計の比が、約4~約40、または約4~約20、または約4~約10である請求項1~13の何れかに記載の方法。前記基板表面上に、活性化剤処方の酸化性金属イオンとレドックス反応によって形成される別の金属が前記活性化剤の貴金属に対してモル比で5:1~400:1、好ましくは20:1~200:1である請求項1~14の何れかに記載の方法。前記還元剤が次亜リン酸塩、アミノボラン、ヒドロキシメチルスルホン酸塩、硫酸ヒドロキシアンモニウム、亜硫酸水素塩、チオ硫酸塩からなる群から選ばれる請求項1~15の何れかに記載の方法。前記活性化基板が、前記還元剤を0.1mmol/l~0.25mmol/l、好ましくは0.006mol/l~0.170mol/l、さらに好ましくは0.01mol/l~0.1mol/l、および特に好ましくは0.02mol/l~0.09mol/lの濃度で含む導電体溶液と接触させる請求項1~16の何れかに記載の方法。前記還元剤濃度が少なくとも約0.04mol/lである請求項17の方法。前記導電体溶液に少なくとも2つの異なる還元剤が含まれる請求項1~18の何れかに記載の方法。前記導電体溶液が、次亜リン酸アルカリ金属塩、ヒドロキシアルカンスルホン酸のアルカリ金属塩からなる請求項19に記載の方法。前記導電体溶液が、約50~約200mmol/lの次亜リン酸アルカリ金属塩、約3~約60mmol/l、好ましくは約5~約20mmol/lのヒドロキシアルカンスルホン酸のアルカリ金属塩からなる請求項20に記載の方法。前記導電体溶液が、a約0.1~約0.3mol/lの酒石酸および約50~約200mmol/lの次亜リン酸アルカリ金属塩;b約0.1~約0.3の酒石酸および約50~約200mmol/lの次亜リン酸アルカリ金属塩;c約0.1~約0.3mol/のグリコール酸および約50~約200mmol/lの次亜リン酸アルカリ金属塩;d約20~約200g/lの酒石酸および約1g/l~約50g/l、好ましくは約2~約20g/lの次亜リン酸アルカリ金属塩、および約0.5~約20g.lのアルカリ金属ヒドロキシメチルスルホン酸塩、並びにe約0.1~約0.3mol/lの酒石酸0.2mol/lおよび約2~約50g/l、好ましくは約0.3~約30g/lの次亜リン酸アルカリ金属塩からなる群から選ばれる還元剤および錯化剤の組合せからなる請求項20に記載の方法。前記活性化基板が0.1mol/l~3mol/l、好ましくは0.5mol/l~2mol/lの遊離のアルカリ性を有する導電体溶液に接触される請求項1~22の何れかに記載の方法。前記活性化基板が、前記還元性カチオンが0.0015mol/l~0.157mol/l、好ましくは0.015mol/l~0.315mol/lの濃度で存在する導電体溶液に接触される請求項1~23の何れかに記載の方法。前記活性化基板が、約1重量以下、好ましくは0.2重量以下の炭酸塩または重炭酸塩イオンを含む導電体溶液に接触される請求項1~24の何れかに記載の方法。前記導電体溶液が、炭酸塩または重炭酸塩以外の促進剤アニオンを実質的に含まない請求項1~25の何れかに記載の方法。前記活性化基板が0.5重量以下、好ましくは0.1重量以下の炭酸塩または重炭酸塩以外の促進剤アニオンを含む導電体溶液と接触される請求項1~25の何れかに記載の方法。前記活性化基板が、ホルムアルデヒドの含有量が0.005重量以下である導電体溶液と接触される請求項1~27の何れかに記載の方法。前記別の金属の堆積速度が、前記活性化基板の前記導電体溶液との第1の接触後に達成される最大値から8分以内で前記最大値から2.5未満の速度に低下する請求項1~28の何れかに記載の方法。前記別の貴金属の堆積速度が前記最大速度から8分以内に前記最大速度の2.2未満或いは2.0未満へ低下する請求項29に記載の方法。最大速度が少なくとも400mg/m2/分、または少なくとも約450mg/m2/分、または少なくとも約500mg/m2/分である請求項28または29に記載の方法。前記活性化基板が、促進剤で活性化基板の処理を介入することなしに前記導電体溶液と接触される請求項1~31の何れかに記載の方法。前記活性化基板がニッケルまたはその他の第3金属層を介在することなしに前記導電体溶液と接触される請求項1~32の何れかに記載の方法。めっき金属のリン含有量が約3重量以下である請求項1~33の何れかに記載の方法。前記酸化性イオンの前記貴金属/金属-コロイドにおける前記コロイド状貴金属のモル比が少なくとも約100:1である請求項1~34の何れかに記載の方法。前記活性化剤処方における前記貴金属コロイド濃度が約100mg/l以下、約80mg/l以下、約60mg/l以下、または約50mg/l以下である請求項1~35の何れかに記載の方法。基板上のコロイド状貴金属の密度が、前記導電体溶液と接触する基板の幾何学的面積に対して約100mg/m2以下、好ましくは約60mg/m2以下である請求項1~36の何れかに記載の方法。前記酸化性金属イオンと前記還元剤との反応によって前記還元性金属イオンの還元が、少なくとも約500mg/m2、800mg/m2、1000mg/m2或いは1200mg/m2の密度で基板上に前記別の金属の堆積層を作る請求項1~37の何れかに記載の方法。基板の表面抵抗値が5cmの距離に渡って約2000Ω以下、約1600Ω以下、約1000Ω以下或いは約500Ω以下に減少される請求項1~38の何れかに記載の方法。前記別の金属が銅を含み、導電体溶液がニッケルイオンとコバルトイオンの合計量で約0.1以下を含む請求項1~39の何れかに記載の方法。活性化剤処方が、不均化反応を条件として金属イオンを実質的に含まない請求項1~40の何れかに記載の方法。前記還元性金属の金属イオンの還元および前記基板上の前記別の金属の堆積が、前記貴金属の表面がその上に堆積する別の金属によって塞がれるにつれて停止する請求項1~41の何れかに記載の方法。前記基板上に堆積する前記別の金属による前記還元性金属のレドックス反応の触媒を実質的に含まない請求項41に記載の方法。前記還元性金属カチオンと前記還元剤のレドックス反応が、実質的に独占的に前記貴金属によって触媒作用がなされる請求項1~43の何れかに記載の方法。前記導電体溶液の還元性金属カチオン成分が本質的に銅のみを備える請求項1~44の何れかに記載の方法。前記基板がプラスチック樹脂である請求項1~45の何れかに記載の方法。前記樹脂が、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレンABS樹脂およびアクリロニトリル-ブタジエン-スチレンとその他のプラスチックとのブレンドからなる群から選択されてなる請求項46に記載の方法前記樹脂がアクリロニトリル-ブタジエン-スチレンおよびポリカーボネートのブレンドからなる請求項47に記載の方法。導電体溶液中のニッケルイオンおよびコバルトイオン濃度の合計に対する前記還元性金属カチオンの濃度の合計の比が少なくとも約20、好ましくは少なくとも約100、より好ましくは少なくとも約1000、最も好ましくは前記溶液中にニッケル及びコバルト各イオンが全く存在しない請求項1~48の何れかに記載の方法。前記基板が、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂およびその他の樹脂の少なくとも10重量、20重量、30重量、40重量、50重量、または60重量のブレンドからなる請求項1~49の何れかに記載の方法。前記基板が、少なくとも10重量、20重量、30重量、40重量、50重量、または60重量のポリカーボネート樹脂を含む請求項50に記載の方法。銅、銀、金、パラジウム、白金、およびビスマスからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の還元性カチオン、前記還元性カチオンと錯化するに適する錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、およびセシウムからなる群の少なくとも1つのIA族またはII族金属イオン、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩及びそれらの組合せからなる群から選ばれる対アニオン、ホルムアルデヒド以外の還元剤、導電体溶液中の前記還元性金属用還元剤の全てのモル濃度の合計に対する前記対アニオンのモル濃度の合計の比は、約0.70~約50、好ましくは約2~30、より好ましくは約5~20であり、ニッケルイオンに対する還元性金属カチオンの総濃度の比は、少なくとも約10、好ましくは少なくとも約100、最も好ましくはニッケルイオンが導電体溶液中に実質含まれない、からなる直接金属化の方法における使用のためのアルカリ導電体溶液。前記還元性カチオンの還元による金属の無電解堆積の如何なる促進剤も実質的に含まない請求項52に記載の導電体溶液。銅、銀、金、パラジウム、白金、およびビスマスからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の還元性カチオン、前記還元性カチオンと錯化するに適する錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、およびセシウムからなる群の少なくとも1つのIA族またはII族金属イオン、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩及びそれらの組合せからなる群から選ばれる対アニオン、ホルムアルデヒド以外の還元剤、前記IA族およびII族金属イオンのモル濃度の合計に対する前記対アニオンのモル濃度の合計の比は、少なくとも約0.2、好ましくは少なくとも約0.3、より好ましくは約0.2~約1.0または約0.3~約0.8であることからなる直接金属化の方法における使用のためのアルカリ導電体溶液。前記比が少なくとも約0.3である請求項54に記載のアルカリ導電体溶液。ニッケルイオンに対する還元性金属カチオンの総濃度の比が少なくとも約10、好ましくは少なくとも約100、より好ましくは少なくとも約1000、最も好ましくは導電体溶液中にニッケルイオンが実質的に含まれない請求項54または55に記載のアルカリ導電体溶液。銅、銀、金、パラジウム、白金、およびビスマスからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の還元性カチオン、前記還元性カチオンと錯化するに適する錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、およびセシウムからなる群の少なくとも1つのIA族またはII族金属イオン、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩及びそれらの組合せからなる群から選ばれる対アニオン、ホルムアルデヒド以外の還元剤、前記活性化基板と初期接触時における前記導電体溶液中の前記還元性金属カチオンのモル濃度の合計に対する前記対アニオンのモル濃度の合計の比は、少なくとも約5であり、ニッケルイオンに対する還元性金属カチオンの総濃度の比は、少なくとも約100、より好ましくは少なくとも約1000、ニッケルイオンは最も好ましくは導電体溶液中に実質含まれないことからなる直接金属化の方法における使用のためのアルカリ導電体溶液。銅、銀、金、パラジウム、白金、およびビスマスからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属の還元性カチオン、前記還元性カチオンと錯化するに適する錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、およびセシウムからなる群の少なくとも1つのIA族またはII族金属イオン、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、硫酸塩及びそれらの組合せからなる群から選ばれる対アニオン、ホルムアルデヒド以外の還元剤、前記還元性金属カチオンの濃度の合計に対する前記還元剤濃度の比は、少なくとも約1.0、好ましくは少なくとも約2、より好ましくは少なくとも約3、最も好ましくは約3~約8である、直接金属化の方法における使用のためのアルカリ導電体溶液。塩化リチウムを含む請求項52~58の何れかに記載のアルカリ導電体溶液。前記還元剤が、次亜リン酸塩、アミノボロン、スルホン酸ヒドロキシメチル、スルホン酸ヒドロキシアンモニウム、亜硫酸水素塩、およびチオ硫酸塩からなる群から選択される請求項52~59の何れかに記載の導電体溶液。還元剤が0.1mmol/l~0.25mol/l、好ましくは0.006mol/l~0.170mol/l、さらに好ましくは0.01mol/l~0.1mol/l、および特に好ましくは0.02mol/l~0.09mol/lの濃度で含む請求項52~60の何れかに記載の導電体溶液。少なくとも2つの異なる還元剤を含む請求項52~61の何れかに記載の導電体溶液。0.1mol/l~3mol/l、好ましくは0.5mol/l~2mol/lの遊離アルカリ性を有する請求項52~62の何れかに記載の導電体溶液。前記還元性金属カチオンが0.0015mol/l~0.157mol/l、好ましくは0.015mol/l~0.315mol/lの濃度で存在する請求項52~63の何れかに記載の導電体溶液。約1重量以下、好ましくは約0.2重量以下の炭酸塩および重炭酸塩イオンを有する請求項52~64の何れかに記載の導電体溶液。溶液が炭酸塩または重炭酸塩以外の促進剤アニオンを実質的に含まない請求項52~65の何れかに記載の導電体溶液。炭酸塩または重炭酸塩以外の促進剤アニオンを、0.5重量以下、好ましくは0.1重量以下しか含まない請求項52~66の何れかに記載の導電体溶液。ホルムアルデヒド含有量が0.005重量以下の請求項52~67の何れかに記載の導電体溶液。前記還元性金属カチオンが銅からなり、前記溶液が約0.1重量以下のニッケルイオンおよびコバルトイオンの合計量しか含まない請求項52~68の何れかに記載の導電体溶液。還元剤の組合せがアルカリ金属次亜リン酸塩;アルカリ金属次亜リン酸塩およびアルカリ金属ヒドロキシアルカンスルホン酸塩;酒石酸およびアルカリ金属次亜リン酸塩;酒石酸、アルカリ金属アルカンスルホン酸塩およびアルカリ金属次亜リン酸塩;並びにグリコール酸およびアルカリ金属次亜リン酸塩からなる請求項52~69の何れかに記載の導電体溶液。約50~200mmol/lのアルカリ金属次亜リン酸塩、および約3~約60mmol/l、好ましくは約5~20mmol/lのヒドロキシアルカンスルホン酸のアルカリ金属塩を含む請求項69に記載の導電体溶液。a約0.1~約0.3mol/lの酒石酸および約50~約200mmol/lの次亜リン酸アルカリ金属塩;b約0.1~約0.3mol/lの酒石酸および約50~約200mmol/lの次亜リン酸アルカリ金属塩、約3~60mmol/l、好ましくは約5~20mmol/lのアルカリ金属ヒドロキシメチルスルホン酸塩;c約0.1~約0.3mol/のグリコール酸および約50~約200mmol/lの次亜リン酸アルカリ金属塩;d約20~約200g/lの酒石酸および約1g/l~約50g/l、好ましくは約2~約20g/lの次亜リン酸アルカリ金属塩、および約0.5~約20g.lのアルカリ金属ヒドロキシメチルスルホン酸塩、並びにe約0.1~約0.3mol/lの酒石酸0.2mol/lおよび約2~約50g/l、好ましくは約0.3~約30g/lの次亜リン酸アルカリ金属塩からなる群から選ばれる還元剤および錯化剤の組合せを含む請求項69に記載の導電体溶液。導電体溶液の前記還元性金属カチオン成分が銅のみを本質的に含む請求項52~72の何れかに記載の導電体溶液。前記導電体溶液中のニッケル及びコバルトイオン濃度の合計に対する前記還元性金属カチオン濃度の合計の比が、少なくとも約20、好ましくは少なくとも約100、最も好ましくは少なくとも約1000、ニッケル及びコバルトイオンが好ましくは前記溶液中に全く含まれない請求項52~73の何れかに記載の導電体溶液。本発明によれば、したがって、非導電性基板の直接金属化は少なくとも以下のステップからなる旨提案される:金属含有活性化剤処方を基板と接触させる;活性化剤溶液と接触された基板を導電体溶液と接触させる;導電体溶液で処理された基板を金属で無電解でまたはガルバニック電気的にめっきし、それによって、水溶性活性化剤処方は、貴金属/金属-コロイドとして金、銀、白金、またはパラジウムからなる群の少なくとも1種のコロイド状金属を含み、さらに鉄、錫、鉛、コバルト、ゲルマニウムからなる群の酸化性金属イオンを含み、および導電体溶液は、金属塩溶液で、活性化剤溶液の金属によって還元される金属カチオン、錯化剤を含み、当該方法は導電体溶液中にさらに還元剤の存在によって特徴付けられる。本発明に従えば、導電体溶液はさらに、IA族、またはII族金属イオン、およびフッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、硝酸塩、または硫酸塩からなる対アニオンを含む。イオン性成分のそのような組合せの存在は、当該プロセスにおいて、装置に鉱物性塩の堆積を抑制し、さらに金属堆積の表面導電性に貢献するべく機能する。直接金属化のための方法における、適当な還元剤の導電体溶液への添加が、導電体溶液の金属の濃度を著しく増加させることが示され、その導電体溶液の金属は、基板表面上の活性剤溶液の金属によって還元され得る。こうして、例えば適当な還元剤の銅含有導電体溶液への添加は、基板上の面積当たりの銅濃度が100倍超高く銅濃度を増加させることが驚くことに示され、それは、従来の無電解銅めっき浴からのめっきを特徴付ける一般的な銅の上に銅を連続的に堆積することなしに、以前にパラジウム-錫コロイド含有活性化剤で活性化されたものである。基板表面上の銅濃度のこの著しい増加は、当該表面の著しい電気抵抗の減少及び続く金属化の際の堆積速度の増大をもたらす。これは、同等か著しく良好な堆積結果のために、公知技術から今までに知られた方法に比べて、希少金属濃度の著しい減少を50のオーダーまで活性化剤中において許容する。前記方法の好ましい態様において、水性活性剤分散体の金属によって還元可能の金属は、基板表面上に貴金属に対して5:1~400:1、好ましくは20:1~200:1モル比で堆積される。導電体溶液から銅、銀、金、パラジウム、白金またはビスマスの堆積に先立ち、基板上のコロイド状貴金属の濃度は、好ましくは約100mg/m2より大ではなく、より好ましくは約60mg/m2より大でなく、最も好ましくは40mg/m2より大でない。好ましい還元剤は、導電体溶液のアルカリ条件下で安定であり、その還元ポテンシャルおよび/または濃度は、導電体溶液中で、先に適用した貴金属上に導電体溶液に含まれる金属の堆積が主に起こり、同時に一般に無電解電解質のための金属上金属の堆積が本質的に除外される。特に、適当なものは、次亜リン酸塩、アミノボラン、ヒドロキシメチルスルホン酸塩、硫酸ヒドロキシアンモニウム、亜硫酸水素塩、およびチオ硫酸塩の群からなる化合物である。発明に係る方法において、そのような還元剤の添加にも拘らず、本発明は、公知の他の分野に於けるように、自動触媒による無電解堆積法と云うよりもむしろ直接金属化法であり続けることが示された。厚い金属層の堆積は導電体溶液で基板処理する工程においては起こらず、基板がこうしてコーティングされた後直ぐにまたは幾らか経って、導電層の形成が停止することが示された。CuCl2またはCuSO4を含む導電体溶液から活性化された基板の上にCuをめっきする際に、Cu堆積速度は、活性化基板を導電体溶液と接触させる際に、一般的に少なくとも約400mg/m2/分、より好ましくは約450mg/m2/分の最大値に到達する。500mg/m2/分より大きい堆積速度に達成し得、それが好ましい。しかし乍、本発明の直接金属化プロセスにおいては、最大めっき速度は実質的な如何なる期間も持続しない。一方で、めっき速度は、通常基板上に銅の単一層が堆積されるに連れて急速に低下する。例えば、活性化基板が導電体溶液と接触された後に、めっき速度はたいへん素早く最大に達し、その後、急速にかつ徐々に低下する。例えば、最大めっき速度に達成する8分間以内に、速度は一般に最大の2.5より大でない値まで、より一般的には2.2より大でない値まで、理想的には2.0より大でない値まで低下する。こうして、本発明のプロセスは、基本的に従来の自動触媒的無電解めっき法と異なる。従来法では、銅の上に銅の連続堆積が、アルカリ、アルカリ土類炭酸塩、アルカリアルカリ土類ホウ酸塩、アルカリオルトリン酸塩、アルカリメタリン酸塩、エチレン炭酸塩、プロピレン炭酸塩、アルカリ金属フッ化ホウ酸塩、およびアルカリ金属アルコキシドの如きオキシアニオンからなる促進剤の機能的濃度の存在下で自動触媒的に進行する。促進剤の機能的濃度があれば、堆積された銅は、めっき溶液から追加の銅の還元反応に触媒作用をし、銅が銅の上に堆積し、めっきプロセスが低下しないペースで無制限に進行する。対照的に、本発明の方法による金属の直接堆積は、単に、極めて薄い銅層または銀、金、ビスマス、パラジウム、或いは白金の如き他のめっき金属が基板上に蓄積するまで進行する。金属堆積の正確な厚さは測定していないが、例えば、より貴の例えば銅のような酸化金属の堆積が錫のようなより卑な還元性金属或いは貴金属コロイドの表面を塞ぎ、そこに第1錫イオンが調整され、その結果更なる還元反応および銅の堆積が、銅金属が堆積した如何なる場所にも起こらないと云う純粋な置換めっき法に於ける場合のように、それは実質的に単一層であると理解される。従来の置換めっき法において用いられためっき溶液とは異なり、本発明のプロセスに用いられた導電体溶液は、貴金属触媒の存在下で、第二銅イオンの如き還元性金属を還元するように機能して、銅の如き金属元素の堆積を起こす還元剤を含む。しかし乍ら、従来の無電解めっき法に用いられためっき浴とは対照的に、本発明に用いためっき浴は従来法の促進剤を実質的に含まない。炭酸塩または重炭酸塩のほんの少量はめっき工程中における環境からのCO2のアルカリ導電体溶液中への吸収の故に、添加し得る。しかし、吸収量は、当該溶液から相当する以下のカチオンの還元によって、銅、銀、ビスマス、パラジウム、または白金の自動触媒的無電解めっきを起こすレベルまで導電体溶液中の炭酸塩または重炭酸塩濃度を高めることはない。一般に、偶発的なまたはその他のソースからの導電体溶液中の炭酸塩および重炭酸塩の濃度の総和は、約1重量を超えず、より好ましくは約0.2重量を超えない。本発明のプロセスにおいては、炭酸塩および重炭酸塩は促進剤として機能しないが、公知技術においては促進剤として推奨される。好ましくは導電体溶液は、炭酸塩または重炭酸塩以外の機能的濃度の促進剤を有さない。例えば、炭酸塩または重炭酸塩以外の促進剤アニオンの導電体溶液中の濃度は好ましくは約0.5以下、より好ましくは約0.1以下である。当該プロセスは、直接めっき工程またはニッケルその他の第3金属を含む下地層の堆積の前に、促進剤で活性化基板を中間処理することを必要としない。Gullaらの米国特許4,482,596の如き参考文献に記載された無電解めっき浴とは異なり、本プロセスのめっき工程に用いられた導電体溶液は、第2の還元性金属イオンを含む必要はない。例えば、第2金属は目的が合金の堆積の場合、有用または必要である。しかし、ある態様においては、堆積層中に第2金属の存在を最小化または避けることが望ましい。例えば目的が基板の導電性の促進のために銅を堆積する場合で、合金金属は一般に銅堆積の抵抗性を増大するからである。こうして、例えば銅が直接的に導電体溶液から基板上にめっきされる場合、当該溶液がNiまたはCoイオンを含む必要がない。事実、ニッケル及びコバルトの濃度の総和は0.1重量以下が望ましい。より一般的には、ニッケルイオンに対する還元性金属カチオンの総濃度の比は、少なくとも約10、好ましくは少なくとも約100、最も好ましくは、特に還元性金属イオンが銅からなる場合、導電体溶液にニッケルイオンが含まれないことである。直接銅めっき法において、ニッケル及びコバルトイオンの総和に対する第二銅イオンの比は、好ましくは少なくとも約20、より好ましくは少なくとも約100、最も好ましくは少なくとも約1000である。銅堆積層が本発明のプロセスにしたがって形成されるときには、銅堆積層中のリンの顕著な存在は避け得る。好ましくは銅堆積層中のリン組成は、約3重量を超えない。本発明の方法において、基板上の金属堆積は、その上に銅、銀、金、ビスマス、パラジウム、白金が堆積し得る、コロイド状貴金属が入手可能な限りにおいて、2つの分離した機構が同時に進行し得ると信じられている。第2銅イオンの如き導電体溶液の還元性金属カチオンは、適当な置換反応において第1錫の如き活性化剤溶液の酸化性金属イオンとの反応によって還元され;しかし、暴露されたコロイド状貴金属は、同時に還元性金属カチオンの無電解還元反応に触媒として作用し、置換レドックス反応単独によって達し得る速度に比較して全金属堆積速度を増加させる。さらに、機能的な濃度の無電解めっき促進剤の存在なしに、同時に起きる無電解堆積反応が、堆積金属によってコロイド状貴金属触媒がフルに閉塞されるときに、置換反応に伴なって停止すると理解されている。発明に係る方法が、直接金属化のための方法であると云う更なる指摘は、こうして処理されて来た基板表面上の引き続く電解質堆積において、堆積は、基板の電気的接触点で始まり、公知技術による次の電解質めっきで直接金属化方法として知られるように、そこから表面に渡って移動する。導電体溶液から堆積した銅、銀、金、パラジウム、または白金は、貴金属/金属コロイドによって活性化された基板上に単層のみ形成するけれども、そのコーティング層の密度は、従来の置換めっきによって得られたコーティングの密度より実質的に大きいことが見出された。例えば、堆積された金属の密度は、導電体溶液に接触した活性化基板の幾何学的面積に基づき、一般に少なくとも約500mg/m2、より典型的には少なくとも約800mg/m2、約1000mg/m2、または約1200mg/m2よりも大きいことさえある。ここで使用するような基板の幾何学的面積は、マイクロ粗度または基板の孔度ポロシティによって作られた比表面積の考慮なしに、基板のマクロ寸法によって定義された表面積である。直接金属堆積の密度は、一般に従来の置換めっき法によって達成された堆積密度と同じか、100倍以上大きい。結果として、基板上の銅または他の金属堆積の表面抵抗は、金属堆積の表面に沿って5cmの距離で一般に約2000Ω以下、通常約1600Ω以下、そして好ましくは約1000Ω以下である。例えばアルカリ金属ホスファイトおよびヒドロキシアルカンスルホン酸の組合せのような2種以上の異なる還元剤が用いられる本発明の態様において、表面抵抗値は、5cmの距離で500Ωまたはそれ以下であり得る。特定の理論に制限されることなく、堆積層の増加する密度は、貴金属コロイドが、基板を全体に渡って被覆しないが金属堆積のための追加的表面積を表すと云う事実からある程度帰着すると信じられている。こうして、導電体溶液に含まれた還元剤の存在下で、貴金属は、触媒によって被覆されない、近接するプラスチック表面上の金属堆積を触媒として作用し得る。結果としての堆積層の縦の成長は、堆積層の密度に貢献する。銅堆積の場合のSnイオンのような活性化するコロイドの酸化金属イオンは、Pdの如きコロイド状貴金属に連係されたリガンドに存在すると理解される。こうして、銅の如き還元性金属の触媒反応を介して還元剤で堆積された金属によって貴金属が閉塞されたとしても、酸化性金属イオンリガンドは、直接、金属イオン対金属イオンの置換反応を介してさらに堆積をする溶液中に拡大し得る。そのような現象は、さらに堆積物の密度に加わる。しかし乍、金属堆積物の大半は、導電体溶液に含まれる還元剤で還元性金属の貴金属触媒反応に起因し得るように見える。こうして、以下に記載の実施例1によって行われたようなプロセスにおいて、約20~60mg/m2の銅が置換反応,CuSn→Cu0Snによって堆積したように推測され、一方で1400~2000mg/m2がPd触媒による第2銅の還元剤との反応,Cu2e-→Cu0によって堆積したと推測される。貴金属/金属-コロイドの構造が関係するそれぞれの金属で変化する一方で、対アニオンが、貴金属がパラジウムおよびSnIIからなる酸化性金属イオンからなる幾つかの態様において存在し、コロイドはオラフホルダラー、シーリーエピシア、クロードエスナフおよびギルバートフックス,J.Phys.Chem.B,2003,1078,pp1723-1726によって記載された構造を有すると理解される。この記事は、パラジウム-錫ナノコロイドは高解像度TEM透過型電子顕微鏡および電子エネルギー損失分光光度計EELSによって分析される。2~5nmの直径の個々のコロイド組成物は控除される差し引かれる。コロイドはPdxSn1-xのx範囲0.6~1からなることが確立された。実験的EELSライン走査の金属コロイドから再構築されたものと複数回比較して、コロイドの表面上に純なSnのサブ単一層と同等の僅かなSn表面潤沢を証明することが可能になった旨伝える。本発明によれば、還元剤は導電体溶液中に0.1mmol/l~0.25mol/l、好ましくは0.006~0.170mol/l、さらに好ましくは、0.01~0.1mol/l、特に好ましくは0.02~0.09mol/lの濃度で存在し得る。これに関連して、導電体溶液中の還元剤濃度の更なる増加は基板の活性化、またはその上の金属の堆積に効果はなく、特に活性化や金属堆積の改善は見られなかった。加えて、還元剤の濃度があまり高いと、ある条件下で、金属堆積速度が速すぎると、望ましくない基板表面の粗さがもたらされる。しかし乍、還元剤濃度が少なくとも約0.04mol/lであることが好ましく、還元剤の還元性金属カチオンに対する比は少なくとも約1.0、好ましくは少なくとも約2、例えば約2~約15、より好ましくは少なくとも約3、そして最も好ましくは約3~約8である。これら濃度は、特に還元剤の銅金属イオンに対するこれらの比は、自発的置換反応および還元性金属カチオンの貴金属触媒還元が進行する自動触媒無電解堆積のネガティブな結果なしに、銅または他の金属性堆積物の著しく促進された表面密度を確実にすることを助ける。より高い表面密度はより高い表面導電性になり、こうして、電解質または無電解堆積プロセスを促進する。本発明の方法の好ましい態様において、促進剤溶液は例えばCuIのような金属フリーで、導電体溶液の条件下で不均化反応を条件とする。好ましくは、そのような態様において促進剤溶液は完全に銅および/またはニッケルイオンがフリー存在しないである。活性化剤溶液においてそのような金属の存在は、制御されない堆積反応に導き、その代わり、基板表面の最終めっきにおいて不均一な堆積結果に導く。本発明の方法の好ましい態様において、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、またはセシウムからなるIA族またはII族金属イオンが導電体溶液に好ましくはフッ化物、塩化物、沃化物、臭化物、硝酸塩、硫酸塩またはそれらの混合物から選ばれる対アニオンの塩として添加される。IA族またはベリリウムイオンの添加は、堆積物の改善、特に導電体溶液の還元性金属イオンでコロイド状活性化剤の酸化性金属イオンの改善された交換へ導く。このように、次のめっき工程において基板表面の早い一元化が達成され得る。一元化は、基板表面の堆積金属での完全被覆として理解される。このように、Li,Na,K,Be,RbまたはCsイオンの挿入によって、金属堆積層の表面導電性の促進がもたらされる。前記の族のフッ化物、塩化物、沃化物、臭化物、硝酸塩、または硫酸塩の如き対アニオンの塩としての金属添加は、コーティングアッセンブリにおける堆積層の形成インクラステーションが減少すると云う利点を示し、それによってそのアッセンブリの維持管理が減る。特に、全ての上記アニオンの濃度の総計の、全てのIA族、およびII族金属イオンの総計に対するモル比は、少なくとも約0.2、例えば約0.2~約1.0、より好ましくは、少なくとも0.3、一般的には約0.3~約0.8であるのが好ましい。そのような対アニオンの濃度の総計の還元性金属カチオン用全還元剤の濃度の総計に対するモル比は、約0.7~約50が好ましく、より好ましくは約2~約40、または約2~約30、約4~約40、約4~約30、最も好ましくは約5~約20である。前記カチオンの濃度の総計の、還元性金属カチオンの濃度に対する比は、少なくとも約5、好ましくは少なくとも約40である。本発明による方法の更なる態様において、少なくとも2種の還元剤が導電体溶液に添加される。少なくとも2種の還元剤の添加は、基板表面上の活性化剤溶液の金属によって還元される金属の単位面積当たりの濃度の更なる増加に導くことが示された。これは、基板表面の電気抵抗値がもっとさらに低下することを許容する。ここにおける還元剤の総濃度は、好ましくは上述の範囲である。銅の直接金属化において、特に密な低抵抗性の堆積層が得られ、導電体溶液は好ましくは約50~約200mmol/lの濃度のアルカリ金属ジ亜リン酸塩、好ましくは約3~60mmol/l、より好ましくは約5~20mmol/lの濃度のヒドロキシアルカンスルホン酸塩からなる組合せからなる。還元剤および錯化剤の好ましい組合せは、例えばa約0.1~0.3mol/lの酒石酸、約50~約200mmol/lのアルカリ金属次亜リン酸塩;b約0.1~0.3mol/lの酒石酸、約3~60、好ましくは約5~20mmol/lのアルカリ金属次亜リン酸塩、および約3~60、好ましくは約5~20mmol/lのアルカリ金属ヒドロキシメチルスルホン酸;c約0.1~約0.3mol/lのグリコール酸、約50~約200mmol/lのアルカリ金属次亜リン酸塩;d約20~約200g/lの酒石酸、約1g/l~約50g/l、好ましくは約2~約20g/lのアルカリ金属次亜リン酸塩、および約0.5~約20g/lのアルカリ金属ヒドロキシメチルスルホン酸;並びにe約0.1~約0.3mol/lの酒石酸、約2~約50g/l、好ましくは、約3~約30g/lのアルカリ金属次亜リン酸塩、からなる。実施例は、表面抵抗値を減少する材料効果を有するように示された特定の組合せを以下に例示し、それは、実施例1に実証されたように、i酒石酸0.2mol/l次亜リン酸ナトリウム80mmol/l;ii酒石酸0.2mol/lヒドロキシメチルスルホン酸ナトリウム8mmol/l;およびiiiグリコール酸0.2mol/l次亜リン酸ナトリウム80mmol/lを含む。その他の組合せは、実施例3に実証された、iv酒石酸65g/l次亜リン酸ナトリウム5g/lヒドロキシメチルスルホン酸ナトリウム1g/l、および実施例4に示されたv酒石酸0.2mol/l次亜リン酸ナトリウム10g/lを含む。驚いたことに、本発明による方法による水溶性活性剤分散体における貴金属/金属-コロイドの使用で、コロイド状金属の濃度が著しく低下し得ることが見出された。パラジウム/錫コロイド含有活性剤処方を使用のとき、コロイド状金属の濃度が従来のコロイド状金属濃度の1/3に低下した。この結果は、材料の減量使用によって導かれた直接的経済利益に加えて、堆積結果の改良をもたらした。何故なら、減少した錫濃度に基づき、スズ石の形成が著しく減り、それは然もなくは所望しない堆積金属層の粗さをもたらすからである。本発明の方法は、種々のプラスチックスの直接金属化に適するものであると見出された。特に、本発明はアクリロニトリル/ブタジエン/スチレンABS、ポリカーボネートPC、およびそれらのブレンドの直接金属化並びに印刷回路板技術に使用されるMIDs成形相互接続デバイスおよび合成樹脂の金属化に適する。例えば、本発明の方法は、ABS樹脂および少なくとも10重量、20重量、30重量、40重量、50重量、または60重量の別の樹脂からなる基板上に、最も好ましくはABSおよび少なくとも10重量、20重量、30重量、40重量、50重量、または60重量のポリカーボネート樹脂からなる基板上に、銅と別の金属堆積を適用するために効果的である。より好ましくは、本発明のプロセスは、進行中の自動触媒プロセスの欠点なしに、樹脂表面に銅または他の金属の堆積金属の、高密度の堆積層を提供する。より高い銅の組成は、もっとよい導電性をもたらし、ABSとPC及び他のプラスチックスのブレンドからなる部品を含む大部品のめっきを可能にする。こうして、本発明のプロセスは、ABSのみに良い結果でめっきする既存の直接金属化法の制約を克服する。加えて、本発明で、直接金属化法に使用されるアルカリ導電体溶液が提供され、少なくとも銅、銀、金、パラジウム、白金およびビスマスからなる群から選ばれる1つの金属、上記群の金属と錯体を形成するのに適した錯化剤、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、およびセシウムからなる群からの少なくとも1つのIA族またはII族金属からなる。導電体溶液は、還元剤の存在によってさらに特徴づけられる。本発明の意味における導電体溶液は、活性剤溶液の手段で非導電性基板表面の活性化をしたあとで、電気または無電解めっき法によって次の金属化のための適当な電気抵抗値を形成するために直接金属化法に使用される溶液である。好ましくは、本発明の導電体溶液は、還元剤として最も好ましくはホルムアルデヒド以外の還元剤を含む。還元剤は、好ましくは、次亜リン酸塩、アミノボラン、ヒドロキシメチルスルホン酸塩、スルホン酸ヒドロキシアンモニウム、亜硫酸水素塩、チオ硫酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1つの化合物からなる。これら前述の還元剤は導電体溶液のアルカリ条件下で安定で、所望しない分解物や副生品の生成に至らない。好ましくは、導電体溶液は、実質的にホルムアルデヒドが含まれず、例えば0.005重量以上のホルムアルデヒドの含有が好ましくは避けられる。還元剤は、本発明の導電体溶液中に、0.1mmol/l~0.25mol/l、好ましくは、0.006mol/l~0.170mol/l、より好ましくは0.01mol/l~0.1mol/l、そして最も好ましくは0.02mol/l~0.09mol/lの濃度で存在し得る。本発明の好ましい態様において、少なくとも2種の還元剤が導電体溶液に添加される。特に、そのような好ましい態様における導電体溶液は、少なくとも2つの前述の還元剤の組合せからなる。驚いたことに、少なくとも2つの還元剤からなる組合せは、基板表面に銅、銀、金、パラジウム、白金、およびビスマスからなる群の金属の濃度の増加に導くことが見出された。これによって、基板の導電性は増大し、その電気抵抗値は低下した。本発明の好ましい態様において、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、またはセシウムからなる群の金属は発明に係る導電体溶液中に、0.1mol/l~3mol/l、好ましくは0.5mol/l~2mol/lの濃度で含まれる。この場合、金属の添加は堆積層の改良を導き、特に基板表面に導電層のより均一な形成を導く。これは、続く金属化ステップにおいてより均一な金属化を可能にする。導電体溶液から促進剤またはホルムアルデヒドの如何なる機能的濃度の不存在を条件に、1つの還元剤または複数の還元剤を含むか否かに拘わらず、溶液は安定性が高く、すなわち溶液がレドックス反応のための貴金属触媒に接触していなければ、還元に、または還元性金属カチオンの沈殿に抵抗性がある。好ましい態様において、リチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、およびセシウムからなる群の金属が、アルカリ導電体溶液中で、塩として、好ましくはフッ化物、塩化物、沃化物、臭化物、硝酸塩、硫酸塩またはそれらの混合物として存在する。これらの塩の形体で金属の添加は、コーティング組立体において堆積層の形成を減少させ、こうして組立体のメンテナンスを低減する。導電体溶液の特に好ましい態様において、塩化リチウムが添加される。用語の金属はこの文脈では溶液において金属イオン源を意味し、その結果、そのような金属は溶液中にイオンの形体で存在すると云う本発明の範囲内に収まることとなる。本発明の好ましい態様において、導電体溶液はリチウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、ルビジウム、およびセシウムからなる群の少なくとも2つの異なる金属からなる。好ましくは、1つの金属は水酸化物として添加され、導電体溶液のアルカリ性を調整する水酸イオン源として働き、一方、その他の金属はハライド、硝酸塩、または硫酸塩として添加される。特に好ましくは、水酸化ナトリウム、および塩化リチウムが導電体溶液に添加される。加えて、好ましい態様における発明に係るアルカリ導電体溶液は、錯化剤として酒石酸、酢酸、エチレンジアミン四酢酸EDTA、ヒダントイン、乳酸、シュウ酸、サリチル酸、クエン酸、グリコール酸、塩または誘導遺体からなる群の化合物からなる。特に、本発明の導電体溶液は上記の化合物の塩、例えば酒石酸カリウムナトリウム、グリコール酸ナトリウムのようなものからなる。本発明の一つの態様において、導電体溶液は少なくとも2つの異なる錯化剤からなり、その各々が前述の群の、塩および誘導体を含む化合物からなる。錯化剤または全ての錯化剤の組合せの濃度は、本発明の導電体溶液において好ましくは0.1mmol/l~1.0mol/l、より好ましくは0.15mmol/l~0.3mol/lの範囲である。そのような錯化剤の濃度は活性剤溶液の金属によって還元される金属の沈殿を妨げ、それによって堆積層への悪い効果が防げる。活性剤処方の銅、銀、金、パラジウム、及びビスマスイオンは、導電体溶液中に0.0015mol/l~0.15mol/l、好ましくは0.015mol/l~0.315mol/lの濃度で含まれる。示された濃度範囲において、処理された基板表面の良い導電度値がもたらされることが示された。さらに好ましい態様において、それは遊離のアルカリ性を有し、すなわち、遊離の水酸イオン濃度が0.1mol/l~3mol/lである。上記の注記した範囲におけるアルカリ性の手段で、有利なことに実際に基板表面にもたらされたコロイド状金属酸化物が信頼性よく置換され、それは然もなくはより質の劣る堆積結果に導くであろう。適当なアルカリ性を設定するために、導電体溶液は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウムまたは水酸化リチウムの如き水酸イオン源からなる。上述の成分に加えて、発明の導電体溶液は、安定剤、湿潤剤、またはその他の助剤の如き他の成分を含み得る。上記に説明したように、本発明の導電体溶液は好ましくは実質的に従来の促進剤を含まない。僅かな割合の炭酸塩、または重炭酸塩は、めっき工程中にアルカリ導電体溶液へ大気からCO2を吸収して存在し得る。しかし、上記にさらに説明したように、吸収された二酸化炭素の量は、導電体溶液中の炭酸塩、または重炭酸塩の濃度を導電体溶液中に含まれる還元性カチオンから金属の自動触媒無電解めっきを促進するレベルまで上がることはない。一般に、偶発的ソースその他からの炭酸塩、および重炭酸塩の導電体溶液中の濃度の総計は、約1を超えず、より好ましくは約0.2重量以下である。上述に記載したように、導電体溶液中の炭酸塩または重炭酸塩以外の促進剤アニオンの濃度は、好ましくは約0.5以下、より好ましくは約約0.1以下である。最も好ましくは、当該溶液は二酸化炭素の吸収によって生成する偶発的な炭酸塩、または重炭酸塩以外の全ての促進剤が全くないことである。さらに上述に議論したように、めっき工程に用いられた導電体溶液は、対象が合金を堆積する場合でなければ、第二の還元性金属イオンを含有する必要はない。もっと特定的には、導電体溶液が銅の直めっきに用いられる場合は、溶液がNiまたはCoイオンを含有するに及ばない。事実、ニッケル及びコバルトイオン濃合計の濃度は0.1重量以下である。本発明の導電体溶液の調製用の好ましい方法は、銅またはその他の還元性カチオンの塩は水性媒体中で錯化剤と先ず組み合わされる。その後、IA族及び/またはII族イオン源が水性媒体に対アニオン源、すなわちフッ化物、塩化物、臭化物、硝酸塩、または硫酸塩と一緒に添加される。好ましくは、IA族、II族金属イオンは、対アニオンの塩として添加される。還元剤は、好ましくは媒体に導入される最後の成分である。導電体溶液に含有される好ましいIA族金属イオンは、リチウムであり、対アニオンは塩化物である。最も好ましくは、LiClの形体で添加される。もし別のIA族および/またはII族金属イオンが添加されれば、また好ましくは、NaCl、NaBr、LiBr、KI等々の如き対アニオンの塩として添加される。本発明は、実施例を参照して以下に詳細について記載するが、本発明のコンセプトは本実施例に限定されない。ノボデュールNovodurP2MCと呼ばれるABSプラスチック基板は、300g/lのクロム酸および400g/lの硫酸で従来法のクロム-クロミックエッチング法で68°C,7分間エッチングされ、パラジウム-錫系コロイド含有水性活性化剤分散体で、40°Cで4分間活性化された。ここで、この場合のSnIIの量は、300ml/lの塩酸37の濃度で15g/lであった。こうして活性化された基板は、導電体溶液で55°Cにおいて4分間処理され、その導電体溶液は、1mol/lNaOH,0.6mol/lLiCl,および16mol/lCuIISO4に加えて、以下の表1に再現された以下の成分を有する。実験AおよびDが比較実験として行なわれ、当該導電体溶液に還元剤は添加されていなかった。次に、基板表面上に堆積堆積された銅濃度が測定された。表1に示したように、還元剤の導電体溶液への添加は、基板表面の銅濃度の著しい増加を導き、表面抵抗値の著しい減少を導く。本発明によって処理された基板の表面上の銅のパラジウムに対する比は、還元剤の導電体溶液への添加によって35倍以上の倍率で銅リッチに増加される。しかし乍、特に、その添加は、基板表面の錫とパラジウム濃度において著しい変化をもたらさない。酸銅電解質中の基板の引き続く電解銅めっきにおいて、堆積の著しく高い速度は、還元剤を含む導電体溶液で処理された基板で示された。驚いたことには、還元剤を含む導電体溶液で処理された基板は、他とは異なる紫色を呈している。この説に拘束されることなしに、この紫色は基板表面の銅単層に起因すると推測される。ABSプラスチック基板は、活性化分散体中で、パラジウム濃度が実施例の1/3、すなわち80mg/lに減らす以外は、実施例1と同様に前処理された。活性化基板は実施例1の実験Cによって導電体溶液で処理され、その後、酸銅電解質中で銅めっきされた。表1に記載された堆積条件において、1dm2の試験表面の接着性の明るい銅層での完全被覆は、70秒内で得られた。基板表面の堆積金属の量は、27mg/m2Pd,25mg/m2Sn、および1600mg/m2Cuであった。これは、銅のパラジウムに対する59:1の重量比、100:1のモル比に相当する。表面抵抗値は、5cm距離で4000Ωであった。導電体溶液に還元剤の発明に係る添加によって、活性化溶液中のPd濃度の著しい低下にも拘らず、50高い堆積速度が達成された。実験は、バイブレンドT65PGと呼ばれるPC/ABSプラスチック基板で繰り返され、活性化剤に於けるパラジウム濃度は、従来の導電体溶液を用いたときに求められる濃度に比べて2/3だけ、すなわち40mg/lに低下された。またこの場合、銅の接着層による試験表面の完全被覆には50短時間の被覆時間内で行なえた。基板表面上の金属の堆積量は、この場合、29mg/m2Pd,24mg/m2Sn,および1200mg/m2Cuとなった。これは、銅のパラジウムに対する重量比が41:1およびモル比が69:1に相当する。60×45cm寸法の内層および多層用の回路基板パネルは、塩化物ベースにコロイド状Pd/Sn活性化剤中、42°Cの温度で、縦方向に4分間フルスケール銅めっきで処理された。活性化剤中のパラジウム濃度は、100mg/lであった。こうして活性化された基板は、その後65g/lの酒石酸、50g/lの水酸化カリウム、および8g/lの硫酸銅IIからなる導電体溶液中で、5分間処理された。続いて、回路板パネルは、無電解銅電解質に45°Cで20分間銅めっきされた。その後、硫酸銅電解質中、2A/dm2で掘削孔中心に25μmの厚さに更なるガルバニック強化が施された。5g/lの次亜リン酸ソーダ、および1g/lのヒドロキシメチル硫酸ソーダを導電体溶液に添加することによって、無電解銅めっきが、然もなくは活性化剤および導電体の同等の条件下で施行され、その代わりに、硫酸銅電解質において所望の層厚に直接ガルバニック金属化が行なわれる。ノボデュールNovodurP2MCと呼ばれるABSプラスチック基板は、実施例1に記載の条件で、各々活性化剤、および導電体溶液で処理された。この場合、10g/lの次亜リン酸ソーダが、導電体溶液に還元剤として添加された。導電体溶液における曝露時間を評価するために、2~32分間の種々の処理時間が試された。基板表面に堆積した金属濃度が表3に示される。表2は、8分間以上の導電体溶液中の曝露時間においては基板表面での銅の堆積が起こらないことを明らかに示している。このことは、本発明が直接金属化のための方法であり、任意の層形成が導電体溶液において発生しないと云う想定を確認し、それは無電解銅電解質めっきでの場合である。"