半導体基板上に層のスタックを形成する方法であって、基板1を提供する工程と、基板の上に、第1金属層2、または金属の酸化物により覆われた第1金属層を形成する工程と、原子層堆積により、第1金属層の上、または酸化物の上に、TiO2の保護層3を堆積する工程であって、ALD堆積中に酸化剤としてH2Oが使用される工程と、原子層成長により、TiO2層の上に、誘電体材料層を堆積する工程であって、ALD堆積中に酸化剤としてO3が使用され、これによりTiO2層と第2誘電体層とのスタックを得る工程と、誘電体材料層の上に、第2金属層を堆積する工程と、を含む方法。第1金属層は、その上面の上の、Ru層、または酸化ルテニウムにより覆われたRu層からなり、またはこれを含む請求項1に記載の方法。1またはそれ以上のドーパントが第2誘電体層に加えられ、このドーパントは、Sr、Ta、Al、Hf、Gd、Zr、Sc、Dyからなるグループから選択されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。第2誘電体層は、ルチル相のTiO2層である請求項1~3のいずれかに記載の方法。保護TiO2層は、1nmより小さな膜厚を有する請求項1~4のいずれかに記載の方法。基板上に第1金属層を堆積する工程と、その後にTiO2保護層の堆積に先立って第1金属層を酸化して、金属層の上に金属酸化層を形成する工程を含み、この酸化工程は、1分と30分との間の酸化時間で、200°Cと450°Cとの間の温度で、0.13Paと1333.22Paとの間のO2の全圧または分圧を用いて、O2からなる、またはO2と1またはそれ以上の不活性ガスとの混合物からなる雰囲気に金属層を適用することにより行われる請求項1~5のいずれかに記載の方法。更に、基板上に、1またはそれ以上の金属-絶縁体-金属キャパシタ構造を形成するプロセス工程を含む請求項1~6のいずれかに記載の方法。表面上に、金属層または金属の酸化物層により覆われた金属層からなり、またはこれを含む下部電極10、20と、下部電極の上の、中間TiO2層である第1誘電体サブレイア11a、21aと、第1TiO2層の上の、第2誘電サブレイア11b、21bと、からなる誘電体層11、21と、誘電体層の上の上部電極12、22と、を含む金属-絶縁体-金属キャパシタ。金属はルテニウムである請求項8に記載の金属-絶縁体-金属キャパシタMIMCAP。中間TiO2サブレイアは、1nmより小さな膜厚を有する請求項8または9に記載の金属-絶縁体-金属キャパシタMIMCAP。1分と30分との間の酸化時間で、200°Cと450°Cとの間の温度で、0.13Paと1333.22Paとの間のO2の全圧または分圧を用いて、O2またはO2と1またはそれ以上の不活性ガスとの混合物からなる雰囲気に金属層を適用することにより、金属層を酸化する方法。