"電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021atoms/cm3以上となることを特徴とする光導波路素子。請求項1に記載の光導波路素子において、該バッファ層におけるLiを1×1021atoms/cm3以上含有する領域の厚みが、膜厚方向に1/4以上を占めることを特徴とする光導波路素子。請求項1又は2に記載の光導波路素子において、該バッファ層には、In又はTiの少なくともいずれかがドープされていることを特徴とする光導波路素子。電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子の製造方法において、少なくとも該バッファ層を形成した後、主に酸素雰囲気中で、400~1000°Cで熱処理することによって、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021atoms/cm3以上となる領域を形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法。請求項4に記載の光導波路素子の製造方法において、該熱処理に際して、Liを含む材料を一緒の雰囲気中で熱処理することを特徴とする光導波路素子の製造方法。電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を真空成膜法で形成する際に、成膜材料にLiを含む材料を混ぜ、該バッファ層のLiの含有量が1×1021atoms/cm3以上となるよう形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法。本発明は、上述した問題を解消し、DCドリフトを安定化し、製造工程も複雑化せず、製品の特性も精度良くコントロール可能な光導波路素子及びその製造方法を提供することである。上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021atoms/cm3以上となることを特徴とする。請求項2に係る発明は、請求項1に記載の光導波路素子において、該バッファ層におけるLiを1×1021atoms/cm3以上含有する領域の厚みが、膜厚方向に1/4以上を占めることを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項1又は2に記載の光導波路素子において、該バッファ層には、In又はTiの少なくともいずれかがドープされていることを特徴とする。請求項4に係る発明は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子の製造方法において、少なくとも該バッファ層を形成した後、主に酸素雰囲気中で、400~1000°Cで熱処理することによって、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021atoms/cm3以上となる領域を形成することを特徴とする。請求項5に係る発明は、請求項4に記載の光導波路素子の製造方法において、該熱処理に際して、Liを含む材料を一緒の雰囲気中で熱処理することを特徴とする。請求項6に係る発明は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を真空成膜法で形成する際に、成膜材料にLiを含む材料を混ぜ、該バッファ層のLiの含有量が1×1021atoms/cm3以上となるよう形成することを特徴とする。請求項1に係る発明により、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021atoms/cm3以上となり、Li-Oの結合が強くなるため、電界によるLiの移動が抑制されDCドリフトを減少させるなど、DCドリフトを安定化することが可能となる。しかも、熱処理によりLiを含有させるため、温度調整することでLiの含有量を容易にコントロールでき、製造工程も複雑化せず、製品の特性も精度良くコントロールすることが可能となる。請求項2に係る発明により、バッファ層におけるLiを1×1021atoms/cm3以上含有する領域の厚みが、膜厚方向に1/4以上を占めることで、DCドリフトの安定化をより確実に実現することが可能となる。請求項3に係る発明により、バッファ層には、In又はTiの少なくともいずれかがドープされているため、バッファ層の抵抗値を下げることができ、より一層DCドリフトの特性を安定化することが可能となる。請求項4に係る発明により、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子の製造方法において、少なくとも該バッファ層を形成した後、主に酸素雰囲気中で、400~1000°Cで熱処理することによって、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021atoms/cm3以上となる領域を形成するため、熱処理の温度を制御するだけで、製造工程が複雑化せずに、バッファ層におけるLiの含有量を精度良くコントロールでき、DCドリフトの特性を安定化した光導波路素子を提供することが可能となる。請求項5に係る発明により、熱処理に際して、Liを含む材料を一緒の雰囲気中で熱処理するため、バッファ層の表面からもLiの侵入を促進でき、DCドリフトの特性を安定化した光導波路素子を効率的に製造することが可能となる。請求項6に係る発明により、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を真空成膜法で形成する際に、成膜材料ににLiを含む材料を混ぜ、該バッファ層のLiの含有量が1×1021atoms/cm3以上となるよう形成するため、バッファ層を形成する際に予めLiを含有させることができ、製造工程を複雑化させず、DCドリフトの特性を安定化した光導波路素子を効率良く製造することができる。本発明の光導波路素子について、以下に詳細に説明する。図2に示すように、本発明の光導波路素子は、電気光学効果を有する基板1と、該基板に形成された光導波路2と、該光導波路の上に形成されたSiO2を主原料とするバッファ層5と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極3,4とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Liの含有量が1×1021atoms/cm3以上となる領域6が形成されていることを特徴とする。バッファ層内にLiの含有量が1×1021atoms/cm3以上となる領域を形成させ、Li-Oの結合を強くすることで、変調信号やDCバイアスアなどの電界によるLiの移動が抑制されDCドリフトを減少させ、DCドリフトの特性を安定化することが可能となる。しかも、熱処理の温度をコントロールすることで、Liを含有量を容易にコントロールできるため、製造工程も複雑化せず、製品の特性も精度良くコントロールすることが可能となる。本発明に利用される基板としては、電気光学効果を有する材料を用いた基板が利用でき、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、PLZTジルコン酸チタン酸鉛ランタン、及び石英系の材料、並びにこれらの材料を組み合わせた基板が利用可能である。特に、熱処理によってバッファ層内にLiを含有させる場合には、ニオブ酸リチウムLN結晶などLiを豊富に含む基板が好適に利用される。基板に光導波路を形成する方法としては、Tiなどを熱拡散法やプロトン交換法などで基板表面に拡散させることにより形成することができる。また、光導波路以外の基板をエッチングしたり、光導波路の両側に溝を形成するなど、基板に光導波路に対応する部分を凸状としたリッジ形状の導波路を利用することも可能である。リッジ形状の場合には、導波路近傍の電界効率が高いため、Liの移動が起こりやすいため、本発明をより好適に適用することが可能である。光導波路素子では、基板1上に信号電極3や接地電極4などの変調電極が形成される。このような電極は、TiAuの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより形成することが可能である。光導波路2と変調電極3,4との間には、バッファ層5が設けられている。バッファ層は、光導波路形成後に、主に平行平板型のマグネトロンスパッタでSiO2のターゲットを用いてスパッタリングにより0.5μmから1.0μm程度のSiO2膜を形成する。特に、SiO2ターゲットは、DCドリフトの特性安定化のために、膜の抵抗値を下げる目的でInやTiなどの金属を微量Dopeしたものを使用することが可能である。本発明の光導波路素子では、バッファ層内にLiの含有量が1×1021atoms/cm3以上となる領域を形成することで、電界によるLiの移動を抑制している。しかも、バッファ層におけるLiを1×1021atoms/cm3以上含有する領域の厚みが、膜厚方向に1/4以上を占めることで、DCドリフトの安定化をより確実に実現することが可能となる。バッファ層内にLiを含有させる方法として、電気光学効果を有する基板であるニオブ酸リチウム基板などからは、Liが豊富に供給でき、SiO2を主に含むバッファ層を形成した後、基板全体を熱処理することで、容易にバッファ層内にLiを含有させることができる。光デバイスに使用されるバッファ層の材質であるSiO2などは拡散係数が大きく、Liは容易に拡散することが可能である。また、Liの含有量の制御においては、熱処理温度で容易にコントールでき、400~1000°Cの範囲の温度であれば、Liを十分拡散させることが可能である。特に、600°C以上で熱拡散させると、1×1021atoms/cm3以上含有する領域を容易に形成することが可能である。熱処理温度は、数度単位では無く、もっと粗い温度制御でもLi拡散をコントロールすることが可能である。Liは、SiO2内で可動するイオンでもあり、Liの量によりバッファ層の抵抗率や静電容量値もコントロールされる。Liは、熱処理なしや200°C程度の低温でもバッファ層内に進入するが、バッファ層の密度やLiと酸素の結合状態によりLiがバッファ層内で移動度が異なる。本発明では、400~1000°C、好ましくは600°C以上の酸素雰囲気中で熱処理することで、Li-Oの結合が強まり、また、バッファ層自体が緻密になる。その結果、Liの移動度を小さくし、DCドリフトの悪化要素となる電界によるLiの移動を抑制することが可能となる。図3~図6は、LN基板上にSiO2のバッファ層を0.6~0.8μm程度形成したものを、200°C,500°C,600°C及び700°Cで熱処理を行い、バッファ層内におけるLiの含有量の分布を計測したグラフである。図3は、200°Cで熱処理した場合であるが、バッファ層におけるLiの含有量は、1×1019atoms/cm3以下となっている。図4は、500°Cで熱処理した場合であるが、バッファ層におけるLiの含有量は、1×1021atoms/cm3以上の領域の厚みが0.4μm程度となっている。図5は、600°Cで熱処理した場合であるが、バッファ層におけるLiの含有量は、1×1021atoms/cm3以上の領域の厚みが0.6μm程度となっている。さらに、図6は、700°Cで熱処理した場合であるが、バッファ層におけるLiの含有量は、1×1021atoms/cm3以上の領域の厚みが0.8μm程度とほぼ全てのバッファ層内に広がっている。図7では、熱処理を行わない光導波路素子と、300°C又は600°Cで熱処理を行った光導波路素子について、150°Cの温度環境におけるDCドリフトの様子を示したグラフである。熱処理を行わない光導波路素子や300°Cで熱処理を行った光導波路素子と比較し、600°Cで熱処理した光導波路素子は、同じ試験環境下でのDCドリフトが減少しており、特性が安定化していることが容易に理解される。同様に、実験を行った結果、400°C以上で熱処理を行なった場合には、DCドリフトの減少が見られ、特に600°C以上の場合では、ほぼ同じ結果が得られた。なお、1000°Cを超える場合には、Liの拡散効果に違いは無く、むしろ、Ti熱拡散で光導波路を形成しており、Tiの拡散が進行するなどの弊害も発生する。バッファ層にLiを含有させる方法としては、さらに、熱処理に際して、LiClやLi2OなどLiを豊富に含む材料を一緒の雰囲気中で熱処理することで、バッファ層の表面からもLiの侵入を促進でき、DCドリフトの特性を安定化した光導波路素子を効率的に製造することが可能となる。また、基板に光導波路を形成した後、その上にSiO2を主原料とするバッファ層をスパッタ法蒸着法CVD法等の真空成膜法で形成する。特に、好ましくはスパッタ法で形成する。このバッファ層を形成する際に、成膜材料、例えばスパッタ法のターゲットにLi2OなどのLiを含む材料を混ぜ、該バッファ層のLiの含有量が1×1021atoms/cm3以上となるよう形成することも可能である。バッファ層を形成する際に予めLiを含有させることができ、製造工程を複雑化させず、DCドリフトの特性を安定化した光導波路素子を効率良く製造することができる。"