複数の画素電極が配置された表示領域を有する第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記表示領域を囲繞するように配置されて前記第1の基板及び前記第2の基板を接合する接合部と、を備え、前記接合部は、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着するための接着材部と、前記接着材部よりも透湿度合いが低く、前記接着材部の高さ方向に積層されたスペーサ部と、を有する表示装置。前記第1の基板及び前記第2の基板のいずれか一方ならびに前記スペーサ部に積層された透明導電体層をさらに備える請求項1に記載の表示装置。前記第1の基板及び前記第2の基板のいずれか一方ならびに前記スペーサ部と、前記透明導電体層との間に設けられた絶縁膜をさらに備える請求項2に記載の表示装置。前記第1の基板または前記第2の基板の少なくとも一方の面であって、前記表示領域と前記接合部との間の領域に設けられた複数の突起部と、前記複数の突起部に蒸着された無機配向膜と、を備える請求項2に記載の表示装置。前記無機配向膜は、ケイ素酸化物で形成されることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。前記第1の基板、前記第2の基板、前記接合部によって封止された液晶層をさらに備える請求項5に記載の表示装置。複数の画素電極が配置された表示領域を有する第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板とが接合された表示装置の製造方法であって、前記第1の基板または前記第2の基板の一方の面上であって前記表示領域を囲繞するように配置されたスペーサ部を形成する工程と、前記スペーサ部より透湿度合いが高い接着部材を前記スペーサ部の高さ方向に積層し、前記第1の基板及び前記第2の基板を接着する工程と、を備える表示装置の製造方法。前記表示領域に前記第1の基板及び前記第2の基板の間の距離を均一化するための複数のオンチップスペーサ部と、前記表示領域と前記接合部との間の領域に複数の突起部とを形成する工程と、前記複数の突起部に無機配向膜を蒸着させる工程と、をさらに備える請求項7に記載の製造方法。しかしながら特許文献1で開示される構成では、配向膜として有機物質膜を用いているため、該有機物質膜の光による劣化により、配向膜の配向特性が損なわれるという問題があった。また特許文献2で開示される構成では、シール材の外側に第2のシール材を配設するため、液晶表示装置が大きくなるという問題があった。本開示は、上述の点を鑑みてなされたものであり、簡易な構成で水分の浸入を抑制し、水分に起因する画像の劣化を抑制する表示装置及びその製造方法を提供するものである。上記課題を解決するため、本開示に係る表示装置は、複数の画素電極が配置された表示領域を有する第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記表示領域を囲繞するように配置されて前記第1の基板及び前記第2の基板を接合する接合部と、を備え、前記接合部は、前記第1の基板と前記第2の基板とを接着するための接着材部と、前記接着材部よりも透湿度合いが低く、前記接着材部の高さ方向に積層されたスペーサ部と、を有する。本開示に係る表示装置では、表示領域を囲繞する領域にスペーサ部及び接着剤部を有する接合部を設けている。これにより、第1の基板と第2の基板とを接着剤部のみで接合した場合に比べ、接着剤部の厚さを薄くすることができる。これにより、接着剤部から進入する水分量を削減することができる。また、本開示に係る表示装置の製造方法は、複数の画素電極が配置された表示領域を有する第1の基板と、該第1の基板に対向して配置された第2の基板とが接合された表示装置の製造方法であって、前記第1の基板または前記第2の基板の一方の面上であって前記表示領域を囲繞するように配置されたスペーサ部を形成する工程と、前記スペーサ部より透湿度合いが高い接着部材を前記スペーサ部の高さ方向に積層し、前記第1の基板及び前記第2の基板を接着する工程と、を備える表示装置の製造方法である。本開示によれば、簡易な構成で水分の浸入を抑制することができ、水分に起因する表示装置の画質の劣化を抑制することができる。以下、本開示の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、表示装置の一例として、該表示装置が液晶装置である場合について説明する。以下の実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。また、以下の図面では、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や構造の数等が異なる場合がある。また、いくつかの実施形態を通して本開示を説明するが、各実施形態で共通の構成要素には同一符号を付し説明を省略する。第1実施形態図1は、本開示の第1実施形態に係る液晶装置1の平面図である。図2は、液晶装置1の断面図である。液晶装置1は、第1の基板としてのTFT基板101と、TFT基板と対向して配置される第2の基板としての対向基板102を備えている。TFT基板101及び対向基板102は、例えばガラス基板で構成される。液晶装置1のTFT基板101と対向基板102との間であってTFT基板101の中央には、画素表示領域103が設けられている。TFT基板101及び対向基板102の周縁部、即ち画素表示領域を取り囲む領域に接合領域104が設けられている。接合領域104には、対向基板102に接するようにスペーサ105が、TFT基板101とスペーサ105に接するようにシール材接合部106が設けられている。接合領域104の詳細については後述する。接合領域104の一部には液晶注入口107が設けられている。TFT基板101の接合領域の外側には、外部接続端子108や液晶装置1を駆動する回路図示せずが設けられており、外部接続端子108から入力される信号により液晶装置1が駆動される。図2に示すように、TFT基板101の一面にはスイッチング素子であるTFTが形成された回路層109が設けられている。TFT基板101の一面であって画素表示領域内に複数の画素電極110が配置されている。画素電極110は、透明導電体層ITO層で形成されている。複数の画素電極110の上には、無機配向膜111が積層される。無機配向膜は、例えばSiOx膜を蒸着することで形成される。対向基板102の一面には透明導体層ITO層112が積層され、ITO層112の上に無機配向膜113が積層される。無機配向膜113は画素電極110の上に積層される無機配向膜111と同様に構成される。TFT基板101、対向基板102、スペーサ105、及びシール材106で囲まれる領域には液晶層114が形成される。即ち、液晶層114は、TFT基板101、対向基板102、スペーサ105、及びシール材106で封止されている。図3を用いて、接合領域104の詳細を説明する。スペーサ105は、対向基板102の一面であって、接合領域内に設けられる。スペーサ105は、例えばP-TEOSやP-SiNなど透湿度の低い無機材料が望ましい。スペーサ105を有機材料で形成する場合は、エポキシ系の材料など透湿度が30g/m224h以下の材料で形成する事が望ましい。スペーサ105を対向基板102と一体化して形成することも可能である。スペーサ105の透湿度は、シール材106の透湿度より低い。シール材106は、TFT基板101の一面であって、接合領域内に設けられる。図3では、TFT基板101の上には、P-TEOS層115が積層されている。P-TEOS層115上にITO層116を積層し、エッチングを行うことで、画素表示領域103に画素電極110が形成される。シール材106は、ITO層116上に形成される。シール材106は、例えば樹脂材料で形成される。シール材106の透湿度は、スペーサ105より高い。シール材106は、TFT基板101と対向基板102とを接合する接着剤として働く。なお、スペーサ105及び接着剤部であるシール材106を合わせて接合部とも称する。TFT基板101及び対向基板102に垂直な方向、即ち図3の縦方向を接合部であるスペーサ105及びシール材106の高さ方向とすると、スペーサ105は、シール材106の高さ方向に積層されているといえる。あるいは、シール材106は、スペーサ105の高さ方向に積層されているともいえる。接合部は、画素表示領域103を囲繞するように配置されてTFT基板101及び対向基板102を接合する。ここでは、スペーサ105を対向基板102側に設けたがTFT基板101側に設けてもよい。ただし、TFT基板101には回路層109や画素電極110が形成されるため、接合領域104の表面に凹凸が生じるのに対し、対向基板102の接合領域104は比較的平坦である。従って、図3に示すように、対向基板102側の方がスペーサ105を形成しやすいというメリットがある。液晶装置1の各材料や画素表示領域103に必要な明るさなどから、TFT基板101と対向基板102との間の距離以下、GAP量と称するが決定する。上述したように、TFT基板101の接合領域104表面の凹凸が生じるが、該凹凸の大きさや、TFT基板101、対向基板102のサイズや材料、シール材106の材料等から、該凹凸を充填しながら、TFT基板101と対向基板102とが剥離しないように接合するために必要なシール材106の厚さが決定する。通常、GAP量は、必要なシール材106の厚さより大きい。本実施形態では、GAP量と必要なシール材106の厚さとの差が、スペーサ105の厚さとなるようにしている。従って、TFT基板101と対向基板102とをシール材106のみで接合した場合に比べ、本実施形態の液晶装置1は、シール材106の厚さを薄くすることができる。これにより、シール材106を介して進入する水分量を削減することができる。画素表示領域103に必要な明るさが変化するとGAP量も変化する。シール材106のみで基板を接合した場合、GAP量が大きくなるとシール材106の厚さも大きくなり進入する水分量が大きくなってしまう。一方、本実施形態では、GAP量が大きくなった場合、シール材106の厚さではなくスペーサ105の厚さを大きくすることができ、進入する水分量の増加を抑制することができる。図4に本実施形態に係る高温高湿保存試験THS加速試験の結果を示す。図4の横軸が試験の経過時間を示し、縦軸が不良率を示す。縦軸の上に行くほど、液晶層114への水分の浸入が少なく画質劣化が小さく、下に行くほど水分の浸入が多く画質劣化が大きいことを示す。また、グラフの一点鎖線を下回ると著しく画質が劣化し、製品として不具合が生じるレベルである。図4の黒丸は本実施形態に係る液晶装置1の試験結果を示し、白丸はスペーサ105がなく、シール材106のみで基板を接合している従来の液晶装置の試験結果を示す。図4に示す通り、従来の液晶装置は、500時間を経過したあたりから水分の進入量が一気に増加し、900時間を経過すると直線を下回り画質が大幅に劣化していることがわかる。一方、本実施形態に係る液晶装置1は、500時間経過しても劣化の度合いが小さく900時間を経過しても直線を下回ることはない。THS加速試験結果から、本実施形態に係る液晶装置1は、従来の液晶装置に比べ1.4倍も画質の劣化が遅いことがわかる。以上のように、本実施形態に係る液晶装置1では、接合領域104にスペーサ105を設けるという簡易な構成で、シール材106の厚さを薄くすることができ、シール材106から進入する水分量を削減し、画質の劣化を抑制することができる。接合領域104にスペーサ105を設けることで、シール材106の外側に水分の侵入を遮断する構成を設ける必要がなく、液晶装置1を大型化することなく画質の劣化を抑制することができる。また、画素表示領域103に必要な明るさから決定されるGAP量と、基板接合のために必要なシール材106の厚さからスペーサ105の厚さを決定している。そのため、GAP量が変動してもシール材106の厚さを一定とでき、GAP量の変動による進入する水分量の増加を抑制できる。第2実施形態図5は、第2実施形態に係る液晶装置2の断面を拡大した図である。液晶装置2の平面図は図1と同じであるため省略する。本実施形態に係る液晶装置2は、スペーサ205を対向基板102に形成した後にITO層212を積層している点で第1実施形態に係る液晶装置1と異なる。本実施形態に係る液晶装置2では、スペーサ205によって対向基板102に段差を設けることで、水分の入口となるシール部のGAP量を小さくし、耐湿性の改善を図っている。スペーサ205は、対向基板102の一面であって接合領域104内に積層された窒化膜215と、窒化膜215に積層されたケイ素酸化膜225と、を備えている。窒化膜215は、例えばプラズマシリコンナイトライドP-SiNなどで形成される。窒化膜215は、ケイ素酸化膜225をドライエッチングする際のストッパーとなる。ケイ素酸化膜225は、例えばプラズマテトラエトキシシランP-TEOSなどで形成される。ITO層212は、対向基板102の一面及びスペーサ205に積層される。従って、シール材106は、ITO層212とTFT基板101とに接着していることになる。次に、図6を用いて、スペーサ205を形成した後にITO層212を積層する場合と、ITO層212を形成した後にスペーサ205を形成する場合の違いについて説明する。図6aは本実施形態に係る液晶装置2の拡大断面図、bはITO層212にスペーサ205を形成した液晶装置の拡大断面図である。図6に示すように対向基板102は、石英ガラス層221、2um厚のP-SiON層222、5.6um厚のP-SiO層223、ITO層212の順に各層を積層することで構成されている。接合領域104にスペーサ205を形成する方法として、図6bに示すように、ITO層212にP-TEOSで構成されるスペーサ205を形成する方法が考えられる。この場合、対向基板102のITO層212上にP-TEOS膜を形成し、接合領域104以外の領域のP-TEOS膜をDRYエッチングにより除去する方法とWETエッチングにより除去する方法の2通りがある。DRYエッチングにより接合領域104以外、即ち画素表示領域103のP-TEOS膜を除去すると、P-TEOS膜の下のITO層212まで削れてしまう。削れたITO層212の一部がチャンバー図示せずに付着し、TFTのコンタクト図示せずに不具合が発生する。WETエッチングの薬液処理により画素表示領域103のP-TEOS膜を除去すると、膜応力によってITO層212にクラックが発生し、該クラックから薬液が染み込むことで、ITO層212が剥がれてしまう。そこで、本実施形態に係る液晶装置2では、スペーサ205を形成してからITO層212を積層することで上述した問題を回避している。具体的には、まず対向基板102のP-SiO層223の上に窒化膜215を形成し、さらにケイ素酸化膜225を形成する。次にDRYエッチングにより、窒化膜215をストッパーとし、接合領域104以外のケイ素酸化膜225を除去する。ここで、DRYエッチングによりケイ素酸化膜225を除去するのは、WETエッチングで除去してしまうと、P-SiO層223までエッチングされてしまうからである。DRYエッチング後、ケイ素酸化膜225の上にITO層212を積層する。これにより、WETエッチングによりスペーサ205の下の膜がエッチングされたり剥がれたりしてしまう不具合を避けることができる。また、さらに図6bのようにDRYエッチングした場合に、削れた膜の影響によって発生するTFTのコンタクトの不具合を避けることができる。なお、本実施形態では、スペーサ205を対向基板102側に設ける例について説明したが、第1実施形態と同様にTFT基板101側に設けてもよい。第3実施形態図7は、第3実施形態に係る液晶装置3の平面図である。図8は、液晶装置3の断面図である。液晶装置3は、対向基板102の一面に複数の突起部301を設けている点で第1実施形態の液晶装置1と異なる。突起部301は、対向基板102の画素表示領域103と接合領域104との間の領域以下、突起形成領域302と称するに複数設けられる。図9に突起部301の例を示す。突起部301は微小な凸部を形成するものであれば形状は任意であり、例えば、図9aに示すように円柱状でもよく、図9bに示すように角柱状でもよい。図8に示すように、突起部301を形成後、無機配向膜113が形成される。次に、図10及び図11を用いて、本実施形態に係る突起部301の構成による作用を説明する。ここでは、突起部301の構成による作用に着目するため、図10に示すように、接合領域104にスペーサ205を設けずTFT基板101及び対向基板102をシール材106のみで接続した液晶装置4を例に説明する。液晶装置4のTFT基板101と対向基板102との間に、シール材106を介して浸入した水分303は、より内部へと進入していく。このとき、図11aに示す従来の液晶装置のように突起部301を設けていない場合は、無機配向膜111、113のシール材106に近い場所から徐々に水分303が吸着していく。しかし、水分303が無機配向膜111、113の画素表示領域103まで到達すると、水分303の影響で液晶分子の配光不良が発生し、画像が劣化してしまう。一方、図11bに示す本実施形態の液晶装置3では、複数の突起部301を設けているため、突起形成領域302に形成される無機配向膜113の表面積が図11aに比べ大きくなる。従って、無機配向膜113の突起形成領域302に吸着される水分303の量が図11aに比べて増えるため、画素表示領域103まで水分303が到達しにくくなり、画質の劣化を抑制することができる。なお、本実施形態では、対向基板102に突起部301を設ける例について説明したが、TFT基板101に設けてもよく、またTFT基板101、対向基板102の両方に設けてもよい。次に、図12を用いて突起部301の形成方法を説明する。図12aに示すように、対向基板102の画素表示領域103に画素メタル配線1102を形成する。次に、画素メタル配線1102上に層間絶縁膜1103を成膜する図12b。層間絶縁膜1103上にITO層112を形成し図12c、ITO層112の突起形成領域302に複数の突起部301を形成する図12d。複数の突起部301上に無機配向膜113を蒸着する図12e。図13に示すように、突起部301の別の形成方法として、例えばオンチップスペーサ1112と同時に突起部301を形成する方法がある。オンチップスペーサ1112は、TFT基板101と対向基板102との間のGAP量を一定にするために形成されるものである。ここでは、TFT基板101にオンチップスペーサ1112及び突起部301を形成する例を説明する。まず、TFT基板101上にドレイン配線1109やゲート絶縁膜1108を有する薄膜トランジスタTFT1107を形成する。また、TFT1107以外にも、メタル配線1111や遮光膜1110を形成することで、回路層109が形成される図13a。次に、回路層109上の画素表示領域103にITOを成膜し、複数の画素電極110を形成する図13b。画素電極110上にオンチップスペーサ1112を形成すると同時に突起形成領域302に突起部301を形成し図13c、その上に無機配向膜111を蒸着する。図14に、図13に示す方法で形成したオンチップスペーサ1112と突起部301を示す。このように、オンチップスペーサと同時に突起部301を形成することで、工程数を増やすことなく対向基板102に突起部301を設けることができる。以上のように、本実施形態に示す液晶装置3は、第2実施形態と同様の効果が得られるとともに、複数の突起部301を形成し無機配向膜113を蒸着することで、シール材106から侵入しても水分が画素表示領域に到達しにくくなり、画質の劣化を抑制することができる。なお、本実施形態では、スペーサ205と突起部301との両方を設けた例を説明したが、図10に示すように突起部301のみを設けても、突起部301を設けない場合に比べ画質の劣化を抑制することができる。また、突起部301は、TFT基板101または対向基板102のどちらか一方に形成しているが、両方に形成してもよい。TFT基板101、対向基板102の両方に複数の突起部301を設けることで、無機配向膜111、113の表面積がより大きくなるため、より画質の劣化を抑制することができる。第4実施形態次に、図15を用いて第4実施形態に係る液晶装置4を説明する。図15は、液晶装置4の断面を拡大した図である。液晶装置4の平面図は図1と同じであるため省略する。本実施形態に係る液晶装置4は、上述したようにスペーサ205によって対向基板102に段差を設けることでシール部のGAP量を小さくした第2実施形態の液晶装置2との比較において、スペーサ205とITO層212との間に絶縁膜407を設けている点で異なる。図15に示す絶縁膜407は、例えばプラズマテトラエトキシシランP-TEOSなどの透明絶縁膜である。絶縁膜407は、スペーサ205及び対向基板102と、ITO層212との間に設けられる。続いて、図16、図17を用いて、スペーサ205とITO層212との間に絶縁膜407を設ける理由について説明する。スペーサ205を形成する方法として、例えば、まずP-SiN層を対向基板102上に形成し、接合領域104以外の領域のP-SiN層をエッチングし窒化膜215を形成する。次に窒化膜215及び対向基板102上にP-TEOS層を形成し、接合領域104以外の領域のP-TEOS層をエッチングしケイ素酸化膜225を形成する。P-TEOS層を等方性エッチングしてケイ素酸化膜225を形成したとする。この場合、P-TEOS層とともに窒化膜215もわずかながらエッチングされてしまう。その結果、図16aに示すように、スペーサ205を構成する窒化膜215およびケイ素酸化膜225により形成される段差部分において、窒化膜215がケイ素酸化膜225に対して幅狭となり、スペーサ205にくびれが生じる。すなわち、ケイ素酸化膜225を形成するためのエッチングにともなって窒化膜215もエッチングされることで、スペーサ205の対向基板102に対する基部の部分となる窒化膜215の内側図16aにおいて右側の側面が、ケイ素酸化膜225の内側の側面よりも外側図16aにおいて左側に位置し、スペーサ205の基部がくびれた状態となる。以下、このスペーサ205に生じたくびれをくびれ部Aと称する。次にスペーサ205及び対向基板102上にITO層212を例えば蒸着法で成膜する。蒸着法の場合、まずスペーサ205及びITO層212に薄いITO層が形成される図16b。さらに蒸着法による成膜を続けることで所望の厚さのITO層212が得られる図16c。図16bに示すように、蒸着法でITO層212を成膜した場合、窒化膜215のくびれ部Aの部分にはITO層212は成膜されない。従って、ITO層212が一定の膜厚になるまでは、ITO層212は、ケイ素酸化膜225表面に成膜されるITO層212aと、対向基板102表面に成膜されるITO層212bとに分かれて形成される。図17に示すように、液晶装置4は、ウェハ40上に複数個まとめて形成される。ITO層212bは、ウェハ40の液晶装置4の接合領域104以外の領域に形成される。ITO層212bが形成される液晶装置4の接合領域104以外の領域を、画素部Xとも称する。ITO層212aは、液晶装置4の接合領域104及びウェハ40の液晶装置2が形成されていない領域に形成される。ITO層212aが形成される液晶装置4の接合領域104及びウェハ40の液晶装置2が形成されていない領域を周辺部Yとも称する。各液晶装置4のITO層212bは、それぞれITO層212bによって区切られている。画素部Xは、各液晶装置4のITO層212bが形成される領域となる。一方、各液晶装置4のITO層212aは、それぞれ接した状態で形成される。周辺部Yは、複数の液晶装置4のITO層212aが形成される領域及びウェハ40の液晶装置4が形成されない領域を合わせた領域となる。従って、画素部Xの面積は、周辺部Yの面積より小さくなる。画素部XのITO層212a、及び周辺部YのITO層212bには、それぞれ電荷が蓄積される。蓄積される電荷の量はITO層の面積に依存する。ITO層212aが形成される周辺部Yの面積は、ITO層212bが形成される画素部Xの面積より大きいため、ITO層212aに蓄積される電荷の量は、ITO層212bより大きくなる。図16に戻る。図16cに示すように、ITO層212a、212bの成膜が進むと、ITO層212a、212bが互いに接続されITO層212が形成される。ITO層212a、212bが接続したときに、ITO層212aに蓄積されていた電荷がITO層212bに流れ込み、画素部XのITO層212bから周辺部YのITO層212aへ電流が流れる。ITO層212aとITO層212bとの接続部212cは、ITO層212a、212bの膜厚と比べて非常に薄く、接続部212cには大きな電流が流れることになる。接続部212cに大きな電流が流れると、接続部212c近辺のITO層が破壊され、ITO層212の成膜異常が発生する。ITO層212の成膜異常とは、例えばITO層212の表面に凹凸ができる現象を指す。ITO層212に成膜異常が発生し表面に凹凸が発生すると、ITO層212とシール材106との接合がうまくいかず、シール材106から水分が侵入し液晶分子の配向不良が発生して画像が劣化する可能性がある。そこで、本実施形態に係る液晶装置4では、スペーサ205を形成後、ITO層212を成膜する前に絶縁膜407を形成することで、窒化膜215のくびれ部AをなくしてからITO層212を形成することができる。これにより、本実施形態では、ITO層212a、212bに分かれることなく、ITO層212を形成することができるため、ITO層212の成膜異常を抑制することができる。これにより、液晶装置4の製造方法に応じてスペーサ205にくびれ部Aが生じても、画像の劣化を抑制することができる。図18に、絶縁膜407の膜厚とITO層212に発生する成膜異常との関係を示す。図18からわかる通り、絶縁膜407の膜厚を厚くすればするほどITO層212に発生する成膜異常の数は少なくなる。なお、上述した液晶装置4では、ITO層212と同様に対向基板102全面に絶縁膜407を形成しているが、絶縁膜407は、少なくともスペーサ205のくびれ部Aが露出しないように形成されていればよい。例えば、図19に示すように、画素表示領域103を除く対向基板102に絶縁膜407を形成するようにしてもよい。これは、例えば絶縁膜407がP-TEOSのような透明な絶縁膜でない場合に有効である。また、窒化膜215が露出せず、スペーサ205にくびれ部Aが生じないように、スペーサ205の一部及び対向基板102の一部と接するように絶縁膜407を成膜してもよい。図20参照。また、上述した液晶装置4は、対向基板102上にITO層を形成しているが、図21aに示すように、対向基板102がP-SiON層420上に複数のP-SiO層図20では、第1~第4P-SiO層421~424の4層とする。を積層した構成の場合は、図21bに示すように、P-SiON層420上にスペーサ205を形成し、P-SiON層420及びスペーサ205上に第1~第4P-SiO層421~424を形成するようにしてもよい。図21aの対向基板102は、P-SiON層420及び第1~第4P-SiO層421~424を有する。図21aでは、SiON層420を形成後、第1~第4P-SiO層421~424を順に形成する。その後、スペーサ205及びITO層212を形成しているため、スペーサ205にくびれ部Aが生じ、上述したように、ITO層212がITO層212a、212bの2つに分断された状態で形成されることになる。従って、図21aでITO層212の形成を続けるとITO層212の成膜異常が発生する可能性がある。そこで、図21bでは、SiON層420を形成後、まずスペーサ205を形成し、その後第1~第4P-SiO層421~424を形成する。これにより、くびれ部Aが第1~第4P-SiO層421~424で覆われるため、ITO層212がITO層212a、212bの2つに分断されることなく形成される。従って、図21bに示すようにSiON層420と第1~第4P-SiO層421~424との間にスペーサ205を形成することで、絶縁膜407を形成しなくともITO層212の成膜異常の発生を抑制することができる。このように、SiON層420と第1~第4P-SiO層421~424との間にスペーサ205を形成すると、絶縁膜407を新たに形成しなくとも、くびれ部Aを露出しないようにすることができるため、液晶装置4の製造工程数を増やすことなくITO層212の成膜異常の発生を抑制することができる。なお、P-SiO層は4層に限られず、1層以上であれば何層であってもよい。上述した各実施形態では、表示装置の一例として透過型液晶装置について説明したが、対向する基板がシール材で接合され、液晶層等の電気光学物質が封止されている表示装置であれば、各実施形態を適用することができる。表示装置の別の例として、例えば反射型液晶装置や有機ELディスプレイ等が挙げられる。本開示を、上述してきた実施形態を通して説明したが、本実施形態の表示装置及び表示装置の製造方法によれば、以下の効果が期待できる。1複数の画素電極110が配置されたが画素表示領域103を有するTFT基板101第1の基板と、TFT基板101第1の基板に対向して配置された対向基板102第2の基板と、画素表示領域103を囲繞するように配置されてTFT基板101及び対向基板102を接合する接合部と、を備え、前記接合部は、TFT基板101と対向基板102とを接着するためのシール材106接着材部と、シール材106よりも透湿度合いが低く、シール材106の高さ方向に積層されたスペーサ105と、を有する表示装置とした。これにより、シール材106の厚さを薄くでき、シール材から進入する水分を削減することができる。2上述した1の表示装置は、TFT基板101及び対向基板102のいずれか一方ならびにスペーサ205に積層されたITO層212透明導電体層をさらに備え、スペーサ205は、TFT基板101または対向基板102のいずれか一方の面に積層された窒化膜215と、窒化膜215に積層されたケイ素酸化膜225と、を備えるようにした。これにより、スペーサ205の下の膜がエッチングされたり剥がれたりしてしまう不具合を避けることができる。また、さらにDRYエッチングした場合に、削れた膜の影響によって発生するTFTのコンタクトの不具合を避けることができる。3上述した2に記載した表示装置は、TFT基板101及び対向基板102のいずれか一方ならびにスペーサ205と、ITO層212との間に設けられた絶縁膜407をさらに備えるようにした。これによりITO層212の成膜異常を抑制することができる。4上述した1~3のいずれかに記載した表示装置は、TFT基板101または対向基板102の少なくとも一方の面であって、画素表示領域103と接合部スペーサ105及びシール材106との間の領域突起形成領域302に設けられた複数の突起部301と、複数の突起部301に蒸着された無機配向膜111と、を備えるようにした。これにより、シール材106から進入した水分が画素表示領域103まで到達しにくくなり、画質の劣化をさらに抑制することができる。5また、4に記載した無機配向膜111は、ケイ素酸化物で形成されるようにしてもよい。6上述した1~5のいずれかに記載した表示装置は、TFT基板101、対向基板102、接合部スペーサ105及びシール材106によって封止された液晶層114をさらに備える液晶装置としてもよい。7複数の画素電極110が配置された画素表示領域103表示領域を有するTFT基板101第1の基板と、該TFT基板101に対向して配置された対向基板102第2の基板とが接合された表示装置の製造方法であって、TFT基板101または対向基板102の一方の面上であって前記表示領域を囲繞するように配置されたスペーサ105を形成する工程と、スペーサ105より透湿度合いが高いシール材106接着部材をスペーサ105の高さ方向に積層し、TFT基板101及び対向基板102を接着する工程と、を備える表示装置の製造方法を用いることで、シール材106の厚さを薄くでき、シール材106から進入する水分を削減することができる表示装置を製造できる。8また、7の製造方法は、画素表示領域103にTFT基板101及び対向基板102の間の距離を均一化するための複数のオンチップスペーサ1112と、画素表示領域103と接合部スペーサ105及びシール材106との間の領域突起形成領域302に複数の突起部301とを形成する工程と、複数の突起部301に無機配向膜113を蒸着させる工程と、をさらに備えることで、表示装置の工程数を増加させることなく、シール材106から進入する水分が画素表示領域103まで到達しにくくなり、画質の劣化をさらに抑制することができる表示装置を製造できる。最後に、上述した各実施形態の説明は本開示の一例であり、本開示は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。