"電流が供給されて発光する複数の有機EL素子と、前記各有機EL素子に電流を供給する定電流回路と、前記各有機EL素子に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧回路と、発光時に複数の前記有機EL素子を前記定電流回路に直列接続し、また、逆バイアス電圧印加時に複数の前記有機EL素子を前記逆バイアス電圧回路に並列接続する切換回路と、を備えてなることを特徴とする発光装置。逆バイアス電圧が前記各有機EL素子に同一タイミングで印加されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記有機EL素子として第1、第2の有機EL素子を有し、前記第1の有機EL素子の陰極と前記第2の有機EL素子の陽極とが接続され、前記切換回路は、前記第1の有機EL素子の陽極を前記定電流回路またはアース電位に接続する第1のスイッチと、前記第1の有機EL素子の陰極と前記第2の有機EL素子の陽極との間と前記逆バイアス電圧回路の第1の電位との接続または非接続を切り換える第2のスイッチと、前記第2の有機EL素子の陰極を前記逆バイアス電圧回路の前記第1の電位よりも高い第2の電位または前記アース電位に接続する第3のスイッチと、を備え、発光時においては、前記第1のスイッチを前記定電流回路に接続し、前記第2のスイッチを非接続とし、前記第3のスイッチを前記アース電位と接続し、逆バイアス電圧印加時においては、前記第1のスイッチを前記アース電位に接続し、前記第2のスイッチを接続とし、前記第3のスイッチを前記第2の電位と接続することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記有機EL素子として第1から第mの有機EL素子を有し、第n-1の有機EL素子の陰極と第nの有機EL素子の陽極とが接続可能であり、前記切換回路は、第1の有機EL素子の陽極を前記定電流回路またはアース電位に接続する第1のスイッチと、前記第n-1の有機EL素子の陰極と前記第nの有機EL素子の陽極との間と前記逆バイアス電圧回路との接続または非接続を切り換える第2のスイッチと、前記第mの有機EL素子の陰極を前記逆バイアス電圧回路または前記アース電位に接続する第3のスイッチと、前記第nの有機EL素子の陽極を前記第n-1の有機EL素子の陰極または前記アース電位に接続する第4のスイッチと、を備え、発光時においては、前記第1のスイッチを前記定電流回路に接続し、前記第2のスイッチを非接続とし、前記第3のスイッチを前記アース電位と接続し、前記第4のスイッチを前記第n-1の有機EL素子の陰極と接続し、逆バイアス電圧印加時においては、前記第1のスイッチを前記アース電位に接続し、前記第2のスイッチを接続とし、前記第3のスイッチを前記逆バイアス電圧回路と接続し、前記第4のスイッチを前記アース電位に接続することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。電流が供給されて発光する複数の有機EL素子の駆動方法であって、発光時に複数の前記有機EL素子を電流を供給する定電流回路に直列接続し、また、逆バイアス電圧印加時に複数の前記有機EL素子を逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧回路に並列接続することを特徴とする有機EL素子の駆動方法。逆バイアス電圧が前記各有機EL素子に同一タイミングで印加されることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子の駆動方法。有機EL素子は、両電極が積層形成されている構造上の理由から製造工程における欠陥や高リーク部位などにより両電極が短絡して非発光部位を生じさせ、発光品質が低下するという問題が知られている。かかる問題の解決方法としては、これら短絡起因となる個所以下、不良部位というを製品出荷前に逆方向の電圧以下、逆バイアス電圧というを印加して事前に除去破壊し、短絡が発生しないように修復するエージング技術例えば特許文献2参照や、実駆動時に逆バイアス電圧を印加する期間を設ける自己修復方法が知られている例えば特許文献3参照。また、特許文献4には、複数の有機EL素子のうち異常を検出した有機EL素子に逆バイアス電圧を印加する方法が開示されている。ところで、照明装置においてはディスプレイ用途と比較して面積の大きな有機EL素子を複数発光させるものがあるが、これら有機EL素子の輝度バラツキを抑制して均一発光させるためには複数の有機EL素子を直列接続して発光電流を供給することが望ましい。しかしながら、かかる構成において逆バイアス電圧を発光電流を印加するのと同じ経路で一括して印加する場合は、発光駆動により不良部位の逆バイアスリークが成長するとその有機EL素子は正常な有機EL素子に比べて低インピーダンスとなるため、逆バイアス電圧が各有機EL素子のインピーダンス比に応じて分圧され、不良部位を除去するべき方の有機EL素子に修復に必要な値の逆バイアス電圧が印加されず、修復がされずに短絡が生じるという問題点があった。これに対し、複数の有機EL素子を並列接続する場合は、逆バイアス電圧は各々の有機EL素子に印加されるものの、発光駆動時においては発光に必要な電流を個別に設定する必要があり輝度ムラが生じ、発光品質が低下するという問題がある。さらに、発光電流を印加する経路と逆バイアス電圧を印加する経路とを別々に設ける場合は、各有機EL素子から配線を4本引き出す必要があり、スイッチの数も増えるため、各有機EL素子間の間隔が広くなったり、配線が複雑になるという問題がある。そこで本発明は、この問題に鑑みてなされたものであり、発光の均一性を損なうことなく自己修復によって発光品質を保つことが可能な発光装置及び有機EL素子の駆動方法を提供することを目的とする。本発明の発光装置は、前記課題を解決するために、電流が供給されて発光する複数の有機EL素子と、前記各有機EL素子に電流を供給する定電流回路と、前記各有機EL素子に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧回路と、発光時に複数の前記有機EL素子を前記定電流回路に直列接続し、また、逆バイアス電圧印加時に複数の前記有機EL素子を前記逆バイアス電圧回路に並列接続する切換回路と、を備えてなることを特徴とする。また、逆バイアス電圧が前記各有機EL素子に同一タイミングで印加されることを特徴とする。また、前記有機EL素子として第1、第2の有機EL素子を有し、前記第1の有機EL素子の陰極と前記第2の有機EL素子の陽極とが接続され、前記切換回路は、前記第1の有機EL素子の陽極を前記定電流回路またはアース電位に接続する第1のスイッチと、前記第1の有機EL素子の陰極と前記第2の有機EL素子の陽極との間と前記逆バイアス電圧回路の第1の電位との接続または非接続を切り換える第2のスイッチと、前記第2の有機EL素子の陰極を前記逆バイアス電圧回路の前記第1の電位よりも高い第2の電位または前記アース電位に接続する第3のスイッチと、を備え、発光時においては、前記第1のスイッチを前記定電流回路に接続し、前記第2のスイッチを非接続とし、前記第3のスイッチを前記アース電位と接続し、逆バイアス電圧印加時においては、前記第1のスイッチを前記アース電位に接続し、前記第2のスイッチを前記第1の電位と接続し、前記第3のスイッチを前記第2の電位と接続することを特徴とする。また、前記有機EL素子として第1から第mの有機EL素子を有し、第n-1の有機EL素子の陰極と前記第nの有機EL素子の陽極とが接続可能であり、前記切換回路は、前記第1の有機EL素子の陽極を前記定電流回路またはアース電位に接続する第1のスイッチと、前記第n-1の有機EL素子の陰極と前記第nの有機EL素子の陽極との間と前記逆バイアス電圧回路との接続または非接続を切り換える第2のスイッチと、前記第mの有機EL素子の陰極を前記逆バイアス電圧回路または前記アース電位に接続する第3のスイッチと、前記第nの有機EL素子の陽極を前記第n-1の有機EL素子の陰極または前記アース電位に接続する第4のスイッチと、を備え、発光時においては、前記第1のスイッチを前記定電流回路に接続し、前記第2のスイッチを非接続とし、前記第3のスイッチを前記アース電位と接続し、前記第4のスイッチを前記第n-1の有機EL素子の陰極と接続し、逆バイアス電圧印加時においては、前記第1のスイッチを前記アース電位に接続し、前記第2のスイッチを前記逆バイアス電圧回路と接続し、前記第3のスイッチを前記逆バイアス電圧回路と接続し、前記第4のスイッチを前記アース電位に接続することを特徴とする。本発明は、前記課題を解決するために、電流が供給されて発光する複数の有機EL素子の駆動方法であって、発光時に複数の前記有機EL素子を電流を供給する定電流回路に直列接続し、また、逆バイアス電圧印加時に複数の前記有機EL素子を逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧回路に並列接続することを特徴とする。また、逆バイアス電圧が前記各有機EL素子に同一タイミングで印加されることを特徴とする。本発明は、発光の均一性を損なうことなく自己修復によって発光品質を保つことが可能となるものである。以下、添付図面に基づいて本発明を照明装置に適用した実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態である照明装置100の電気的構成を示す図である。照明装置100は、後述する第1、第2の有機EL素子10A、20Aを発光部とする第1、第2の有機ELパネル10、20と、第1、第2の有機ELパネル10、20に発光電流あるいは逆バイアス電圧を印加するための駆動回路40と、を備える。また、照明装置100は、駆動回路40を制御する制御手段50を備える。図2aは、第1の有機ELパネル10に備えられる第1の有機EL素子10Aを示す図である。第1の有機EL素子10Aは、支持基板11上に陽極となる第1電極12と、有機層13と、陰極となる第2電極14と、を積層形成してなるものである。なお、第1の有機EL素子10Aは、吸湿剤が塗布される封止基板を支持基板11上に配設して封止されるものであるが、図2ではこの封止基板を省略している。支持基板11は、例えば透光性の無アルカリガラスからなる矩形状の基板である。なお、アルカリガラス等のその他のガラス基板を用いてもよく、ガラス厚についても特に限定されない。支持基板11上には、第1電極12、有機層13及び第2電極14が順に積層形成される。第1電極12は、正孔を注入する陽極となるものであり、支持基板11上にITOあるいはAZO等の透明導電材料をスパッタリング法あるいは真空蒸着法等の手段によって50~500nmの膜厚で層状に形成し、フォトエッチング等の手段によって所定の形状にパターニングされてなる。また、第1電極12は、表面がUV/O3処理やプラズマ処理等の表面処理を施されてなる。なお、第1電極12のエッジを含む支持基板11の周辺領域は例えばポリイミド系統の絶縁材料からなる絶縁膜図示しないで覆われ、発光部の形状を画定し、短絡などを防止する。有機層13は、少なくとも有機材料からなる発光層を含む多層からなり、第1電極12上に形成されるものである。本実施形態においては、第1電極12側から順に正孔注入層13a、正孔輸送層13b、第1の発光層13c、第2の発光層13d及び電子輸送層13eが順に積層形成されてなる。正孔注入層13aは、第1電極12から正孔を取り込む機能を有し、例えばアミン系化合物等の正孔輸送性有機材料を蒸着法等の手段によって膜厚20~120nm程度の層状に形成してなる。正孔輸送層13bは、正孔を第1の発光層13cへ伝達する機能を有し、例えばアミン系化合物等の正孔輸送性材料を蒸着法等の手段によって膜厚20~40nm程度の層状に形成してなる。第1の発光層13cは、電子輸送性の第1のホスト材料と正孔輸送性材料と発光を呈する第1の発光ドーパントとを共蒸着等の手段によって混合した膜厚20~60nmの混合層からなる。前記第1のホスト材料は、正孔及び電子の輸送が可能であり、その分子内で正孔及び電子が再結合することで前記第1の発光ドーパントを発光させる機能を有する。ここで、電子輸送性のホスト材料とは電子輸送能力の比較的高い有機材料であり、具体的には電子移動度μeが高く正孔移動度μhが低い材料を言う。具体的には例えばアントラセン誘導体を用いる。前記正孔輸送性材料としては例えば正孔輸送層13bと同様の材料を用いるが異なる材料でもよい。前記第1の発光ドーパントは、正孔と電子との再結合に反応して発光する機能を有し、所定の発光色を示す有機材料からなる。本実施形態では例えば青緑色発光を示すスチリルアミン、アミン置換スチリルアミン化合物からなる蛍光材料で濃度消光を起こさない程度のドーピング量で用いる。第2の発光層13dは、電子輸送性の第2のホスト材料と正孔輸送性材料と発光を呈する第2の発光ドーパントとを共蒸着等の手段によって混合した膜厚20~60nmの混合層からなる。前記第2のホスト材料は、正孔及び電子の輸送が可能であり、その分子内で正孔及び電子が再結合することで前記第2の発光ドーパントを発光させる機能を有する。ここで、電子輸送性のホスト材料とは電子輸送能力の比較的高い有機材料であり、具体的には電子移動度μeが高く正孔移動度μhが低い材料を言う。具体的には例えばアントラセン誘導体からなる。前記正孔輸送性材料としては例えば正孔輸送層13bと同様の材料を用いるが異なる材料でもよい。前記第2の発光ドーパントは、正孔と電子との再結合に反応して発光する機能を有し、前述の前記第1の発光ドーパントとは異なる所定の発光色を示す有機材料からなる。本実施形態では例えば橙色発光を示すフルオランテン骨格又はペンタセン骨格を有する蛍光材料で濃度消光を起こさない程度のドーピング量で用いる。なお、前記第1,第2の発光ドーパントとしては、蛍光材料のほか燐光材料あるいは熱遅延蛍光材料を用いてもよい。また、第1の発光層13cと第2の発光層13dとの発光色を逆にしてもよい。電子輸送層13eは、電子を第2の発光層13dへ伝達する機能を有し、例えばトリアジン誘導体とアルカリ金属錯体とを共蒸着等の手段によって混合した膜厚20~60nmの混合層からなる。第2電極14は、電子を注入する陰極となるものであり、電子輸送層13e上に例えばAl,マグネシウムMg,コバルトCo,Li,金Au,銅Cu,亜鉛Zn等の低抵抗導電材料をスパッタリング法や真空蒸着法等の手段によって膜厚20~300nmの層状に形成した導電膜からなるものである。以上のように、第1電極12と第2電極14との間に電圧を印加すると所定の発光色本実施形態においては白色で発光する第1の有機EL素子10Aが構成されている。なお、第1電極12あるいは第2電極14と接続される引き回し配線や端子等の周知の内容については説明を簡略にするために適宜省略した。図2bは、第2の有機ELパネル20に備えられる第2の有機EL素子20Aを示す図である。第2の有機EL素子20Aは、支持基板21上に陽極となる第1電極22と、有機層23と、陰極となる第2電極24と、を積層形成してなるものである。また、有機層23は、第1電極22側から順に正孔注入層23a、正孔輸送層23b、第1の発光層23c、第2の発光層23d及び電子輸送層23eが順に積層形成されてなる。なお、各部は前述の第1の有機EL素子10Aと同様であり、その詳細は省略する。駆動回路40は、電源Vccに接続され第1、第2の有機EL素子10A、20Aに定電流を供給するための定電流回路41と、第1、第2の有機EL素子10A、20Aに逆バイアス電圧を印加するための逆バイアス電圧回路42と、発光時の第1、第2の有機EL素子10A、20Aに定電流を印加する接続状態と、逆バイアス電圧印加時の第1、第2の有機EL素子10A、20Aに逆バイアス電圧を印加する接続状態と、を切り換え可能な切換回路43と、を有する。切換回路43は、第1の有機EL素子10Aの第1電極12と接続され、第1電極12を定電流回路41またはアース電位0Vに接続する第1のスイッチSW1と、互いに接続される第1の有機EL素子10Aの第2電極14と第2の有機EL素子20Aの第1電極22との間と、逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR110Vと、の接続または非接続を切り換える第2のスイッチSW2と、第2の有機EL素子20Aの第2電極24と接続され、第2電極24を逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR1よりも高い第2の電位VR220Vまたはアース電位0Vに接続する第3のスイッチSW3と、を備える。切換回路43は、制御手段50からの制御信号に応じて第1~第3のスイッチSW1~SW3の接続状態が切り換えられるものである。制御手段50は、主にマイコンマイクロコンピュータから構成され、所定間隔で切換回路43に制御信号を出力して、第1、第2の有機EL素子10A、20Aの発光を制御するものである。以上の各部によって照明装置100が構成されている。次に、照明装置100における第1、第2の有機EL素子10A、20Aの駆動方法について説明する。発光時図3は、発光時における切換回路43の接続状態を示している。発光時において、第1のスイッチSW1は定電流回路41に接続され、第2のスイッチSW2は非接続オープンとされ、第3のスイッチSW3はアース電位に接続される。かかる接続によって、定電流回路41からの定電流は図中の矢印のように順方向に第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加され、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは発光する。また、このとき第1、第2の有機EL素子10A、20Aは定電流回路41に直列接続されて定電流が印加されることとなり、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは同一輝度となるため輝度ムラが発生しない。逆バイアス電圧印加時図4は、逆バイアス電圧印加時における切換回路43の接続状態を示している。逆バイアス電圧印加時において、第1のスイッチSW1はアース電位に接続され、第2のスイッチSW2は接続ショートとされて逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR1を第1の有機EL素子10Aの第2電極14と第2の有機EL素子20Aの第1電極22との間に接続し、第3のスイッチSW3は逆バイアス電圧回路42の第2の電位VR2に接続される。かかる接続によって、第1の有機EL素子10Aには第1の電位VR1とアース電位との間で-10Vの逆バイアス電圧が印加され、第2の有機EL素子20Aには第2の電位VR2と第1の電位VR1との間で同じく-10Vの逆バイアス電圧が印加される。なお、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは非発光である。このとき、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは逆バイアス電圧回路42に並列接続されてそれぞれ逆バイアス電圧が印加されることとなり、一方にのみ不良部位の逆バイアスリークの成長が生じ低インピーダンスとなった場合でも、それぞれに修復に要する値の逆バイアス電圧を印加することができる。また、逆バイアス電圧は第1、第2の有機EL素子10A、20Aとで同一タイミングで印加されるため、第1、第2の有機EL素子10A、20Aが一定の時間差で交互に不灯となることがなく、ちらつきフリッカーによる不快感を利用者に与えることがない。以上により、照明装置100及び有機EL素子10A、20Aの駆動方法においては、発光時には直列接続にて定電流を有機EL素子10A、20Aに印加し、逆バイアス電圧は並列接続にて有機EL素子10A、20Aに印加することができ、発光の均一性を損なうことなく自己修復によって発光品質を保つことが可能となる。また、有機EL素子10A、20Aから引き出す配線の増加はなく、回路構成の複雑化を抑制できる。次に、本発明の第2の実施形態について説明する。なお、前述の第1の実施形態と同一または相当箇所には同一符号を付してその詳細は省略する。図5は、本発明の第2の実施形態である照明装置200の電気的構成を示す図である。照明装置200は、第1、第2の有機EL素子10A、20Aを発光部とする第1、第2の有機ELパネル10、20と、第1、第2の有機ELパネル10、20に発光電流あるいは逆バイアス電圧を印加するための駆動回路40と、を備える。また、照明装置200は、駆動回路40を制御する制御手段50を備える。駆動回路40は、定電流回路41と、逆バイアス電圧回路42と、切換回路44と、を備える。照明装置200が前述の第1の実施形態と異なる点は、切換回路44の構成である。切換回路44は、第1の有機EL素子10Aの第1電極12と接続され、第1電極12を定電流回路41またはアース電位0Vに接続する第1のスイッチSW1と、互いに接続可能な第1の有機EL素子10Aの第2電極14と第2の有機EL素子20Aの第1電極22との間と、逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR1110Vとの接続または非接続を切り換える第2のスイッチSW2と、第2の有機EL素子20Aの第2電極24と接続され、第2電極24を逆バイアス電圧回路42の第2の電位VR1210Vまたはアース電位0Vに接続する第3のスイッチSW3と、に加え、さらに、第2の有機EL素子20Aの第1電極22を第1の有機EL素子の第2電極14またはアース電位に接続する第4のスイッチSW4を備える。なお、第2の実施形態においては第1の電位VR11と第2の電位VR12とは同電位である。切換回路44は、制御手段50からの制御信号に応じて第1~第4のスイッチSW1~SW4の接続状態が切り換えられるものである。次に、照明装置200における第1、第2の有機EL素子10A、20Aの駆動方法について説明する。発光時図6は、発光時における切換回路44の接続状態を示している。発光時において、第1のスイッチSW1は定電流回路41に接続され、第2のスイッチSW2は非接続オープンとされ、第3のスイッチSW3はアース電位に接続され、第4のスイッチSW4は第1の有機EL素子10Aの第2電極14と接続される。かかる接続によって、定電流回路41からの定電流は図中の矢印のように順方向に第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加され、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは発光する。また、このとき第1、第2の有機EL素子10A、20Aは定電流回路41に直列接続されて定電流が印加されることとなり、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは同一輝度となるため輝度ムラが発生しない。逆バイアス電圧印加時図7は、逆バイアス電圧印加時における切換回路44の接続状態を示している。逆バイアス電圧印加時において、第1のスイッチSW1はアース電位に接続され、第2のスイッチSW2は接続ショートとされて逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR11を第1の有機EL素子10Aの第2電極14と第2の有機EL素子20Aの第1電極22との間に接続し、第3のスイッチSW3は逆バイアス電圧回路42の第2の電位VR12に接続され、第4のスイッチSW4はアース電位に接続される。かかる接続によって、第1の有機EL素子10Aには第1の電位VR11とアース電位との間で-10Vの逆バイアス電圧が印加され、第2の有機EL素子20Aには第2の電位VR12とアース電位との間で同じく-10Vの逆バイアス電圧が印加される。なお、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは非発光である。このとき、第1、第2の有機EL素子10A、20Aは逆バイアス電圧回路42に並列接続されてそれぞれ逆バイアス電圧が印加されることとなり、一方にのみ不良部位の逆バイアスリークの成長が生じ低インピーダンスとなった場合でも、それぞれに修復に要する値の逆バイアス電圧を印加することができる。また、逆バイアス電圧は第1、第2の有機EL素子10A、20Aとで同一タイミングで印加されるため、第1、第2の有機EL素子10A、20Aが一定の時間差で交互に不灯となることがなく、ちらつきフリッカーによる不快感を利用者に与えることがない。また、照明装置200においては第1の実施形態と比較して逆バイアス電圧回路42で生成する電圧を低く抑えることができる。以上により、照明装置200及び有機EL素子10A、20Aの駆動方法においては、発光時には直列接続にて定電流を有機EL素子10A、20Aに印加し、逆バイアス電圧は並列接続にて有機EL素子10A、20Aに印加することができ、発光の均一性を損なうことなく自己修復によって発光品質を保つことが可能となる。また、有機EL素子10A、20Aから引き出す配線の増加はなく、回路構成の複雑化を抑制できる。なお、照明装置200は、3つ以上の有機ELパネルを備える構成であってもよい。すなわち、照明装置200は、第1の有機EL素子10Aから第mの有機EL素子をそれぞれ有する第1の有機ELパネル10から第mの有機ELパネルを備える場合、第n-1の有機EL素子の陰極と第nの有機EL素子の陽極とを接続可能とし、切換回路44は、第1の有機EL素子10Aの陽極第1電極12を定電流回路41またはアース電位に接続する第1のスイッチSW1と、第n-1の有機EL素子の陰極と第nの有機EL素子の陽極との間と逆バイアス電圧回路42との接続または非接続を切り換える第2のスイッチSW2と、第mの有機EL素子の陰極を逆バイアス電圧回路42またはアース電位に接続する第3のスイッチSW3と、第nの有機EL素子の陽極を第n-1の有機EL素子の陰極またはアース電位に接続する第4のスイッチSW4と、を備える。なお、ここでmは2以上の正の整数であり2≦m、nは2以上m以下の正の整数である2≦n≦m。また、第2のスイッチSW2と第4のスイッチSW4とは、有機EL素子の個数mに応じてそれぞれm-1個設けられる。そして、切換回路44は、発光時においては、第1のスイッチSW1を定電流回路41に接続し、第2のスイッチSW2を非接続とし、第3のスイッチSW3をアース電位と接続し、第4のスイッチSW4を第n-1の有機EL素子の陰極と接続し、逆バイアス電圧印加時においては、第1のスイッチSW1をアース電位に接続し、第2のスイッチSW2を接続とし、第3のスイッチSW3を逆バイアス電圧回路42と接続し、第4のスイッチSW4をアース電位に接続する。さらに具体的に、図8は、照明装置200が第1の有機EL素子10Aから第3の有機EL素子30Aをそれぞれ有する第1の有機ELパネル10から第3の有機ELパネル30を備える場合m=3の場合の電気的構成を示している。なお、第3の有機EL素子30A及び第3の有機ELパネル30は前述の第1、第2の有機EL素子10A、20A及び第1、第2の有機ELパネル10、20と同様の構成とする。照明装置200は、第1の有機EL素子10Aの陰極第2電極14と第2の有機EL素子20Aの陽極第1電極22とを接続可能とし、また、第2の有機EL素子20Aの陰極第2電極24と第3の有機EL素子50Aの陽極とを接続可能とし、切換回路44は、第1の有機EL素子10Aの陽極を定電流回路41またはアース電位に接続する第1のスイッチSW1と、第1の有機EL素子10Aの陰極と第2の有機EL素子20Aの陽極との間と逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR2110Vとの接続または非接続を切り換えるスイッチSW21第2のスイッチSW2と、第2の有機EL素子20Aの陰極と第3の有機EL素子30Aの陽極との間と逆バイアス電圧回路42の第2の電位VR2210Vとの接続または非接続を切り換えるスイッチSW22第2のスイッチSW2と、第3の有機EL素子30Aの陰極を逆バイアス電圧回路42の第3の電位VR2310Vまたはアース電位に接続する第3のスイッチSW3と、第2の有機EL素子20Aの陽極を第1の有機EL素子10Aの陰極またはアース電位に接続するスイッチSW41第4のスイッチSW4と、第3の有機EL素子30Aの陽極を第2の有機EL素子20Aの陰極またはアース電位に接続するスイッチSW42第4のスイッチSW4と、を備える。したがって、第2のスイッチSW2と第4のスイッチSW4とは、有機EL素子の個数3に応じてそれぞれ2個設けられる。また、第1~第3の電位VR21~VR23は同電位である。そして、切換回路44は、発光時においては、第1のスイッチSW1を定電流回路41に接続し、第2のスイッチSW2である2つのスイッチSW21、22をそれぞれ非接続とし、第3のスイッチSW3をアース電位と接続し、第4のスイッチSW4である2つスイッチSW41、42をそれぞれ第1、第2の有機EL素子10A、20Aの陰極と接続し、逆バイアス電圧印加時においては、第1のスイッチSW1をアース電位に接続し、第2のスイッチSW2である2つのスイッチをそれぞれ接続とし、第3のスイッチSW3を逆バイアス電圧回路42の第3の電位VR23と接続し、第4のスイッチSW4である2つのスイッチSW41、42をそれぞれアース電位に接続する。かかる構成によっても、発光時には直列接続にて定電流を複数の有機EL素子に印加し、逆バイアス電圧は並列接続にて複数の有機EL素子に印加することができ、発光の均一性を損なうことなく自己修復によって発光品質を保つことが可能となる。また、有機EL素子から引き出す配線の増加はなく、回路構成の複雑化を抑制できる。以下、本発明の実施例について説明する。有機ELパネル実施例1では、前述の実施形態に示す有機EL素子を使用した。まず、支持基板11上に第1電極12として膜厚300nmのITOをスパッタリング法で形成し、フォトリソグラフィー法で所望の形状にパターニングした。次に、配線抵抗を低減するための補助電極としてAlをスパッタリング法で膜厚500nmで形成し、フォトリソグラフィー法で所望の形状にパターニングした。次に、絶縁膜としてポリイミドを膜厚1μmで第1電極12及び補助電極を部分的に覆うようにスピン塗布法で形成し、フォトリソグラフィー法で所望の形状にパターニングし、その後250°Cで1時間の加熱処理を行い絶縁膜を焼成した。次に、第1電極12上に有機層13として正孔注入層13a、正孔輸送層13b、第1の発光層13c、第2の発光層13d及び電子輸送層13eをこの順に真空蒸着法で形成した。次に、第2電極14としてAlを真空蒸着法にて膜厚100nmで形成し、第1の有機EL素子10Aを設けた。また、封止基板として0.5mm厚の平板ソーダガラスを用意し、後に第1の有機EL素子10Aを覆うように周縁部に10μm経のスペーサを1wt含む紫外線硬化型の接着剤を塗布した。その後、第1の有機EL素子10Aを形成した支持基板11と封止基板とを窒素環境下のグローブボックスへ搬送し、両者を重ね合わせ、加圧及び紫外線を10J照射することで接着させ、第1の有機ELパネル10を作製した。なお、第1の有機ELパネル10は、外形サイズが48mm×50mm、画素発光部サイズが45mm×45mmの照明用パネルである。また、上述と同様の方法で、第2の有機EL素子20Aを有する第2の有機ELパネル20を作製した。照明装置及び有機EL素子の駆動方法実施例1は、前述の第1の実施形態に示す駆動回路40を用いた照明装置100とした。すなわち、第1~第3のスイッチSW1~SW3を有する切換回路43を介して互いに接続される第1、第2の有機EL素子10A、20Aを定電流回路41及び逆バイアス電圧回路42に接続した。そして、第1、第2の有機EL素子10A、20Aの駆動方法として、発光時は、切換回路43によって定電流回路41から150mAの定電流を直列接続で第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加し、逆バイアス電圧印加時は、切換回路43によって逆バイアス電圧回路42から周波数100Hzで逆バイアス電圧を5μsec並列接続で第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加した。このとき、逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR1を10Vとし、第2の電位VR2を20Vとして、第1、第2の有機EL素子10A、20Aに等しく-10Vの逆バイアス電圧が同一タイミングで印加されるようにした。有機ELパネル実施例2では、実施例1と同様にして第1、第2の有機EL素子10A、20Aを有する第1、第2の有機ELパネル10、20を作製した。照明装置及び有機EL素子の駆動方法実施例2は、前述の第2の実施形態に示す駆動回路40を用いた照明装置200とした。すなわち、第1~第4のスイッチSW1~SW4を有する切換回路44を介して互いに接続可能な第1、第2の有機EL素子10A、20Aを定電流回路41及び逆バイアス電圧回路42に接続した。そして、第1、第2の有機EL素子10A、20Aの駆動方法として、発光時は、切換回路44によって定電流回路41から150mAの定電流を直列接続で第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加し、逆バイアス電圧印加時は、切換回路44によって逆バイアス電圧回路42から周波数100Hzで逆バイアス電圧を5μsec並列接続で第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加した。このとき、逆バイアス電圧回路42の第1の電位VR1及び第2の電位VR2はともに10Vとして、第1、第2の有機EL素子10A、20Aに等しく-10Vの逆バイアス電圧が同一タイミングで印加されるようにした。比較例有機ELパネル比較例では、実施例1と同様にして第1、第2の有機EL素子10A、20Aを有する第1、第2の有機ELパネル10、20を作製した。照明装置及び有機EL素子の駆動方法比較例は、互いに接続される第1、第2の有機EL素子10A、20Aを、定電流回路への直列接続と逆バイアス電圧回路への直列接続とを切り換え可能とし、発光時には定電流回路から150mAの定電流を直列接続で第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加し、逆バイアス電圧印加時は、逆バイアス電圧回路から周波数100Hzで逆バイアス電圧を5μsec直列接続で第1、第2の有機EL素子10A、20Aに印加した。このとき、逆バイアス電圧回路の電位を20Vとして、第1、第2の有機EL素子10A、20Aに-10Vずつ分圧されるようにした。評価方法実施例1、2及び比較例の評価方法として、80°Cの温度環境下で輝度3000cd/m2で発光駆動させる高温通電試験を1000時間行った。かかる試験は、有機EL素子の寿命加速劣化試験として主に使用されるが、同様に短絡が発生する確率も高くなるため、逆バイアス電圧印加による修復性の評価にも使用できる。本試験の短絡発生確認を実施した結果を下表1に示す。本試験結果によれば、比較例においては短絡が発生し、また、リーク電流値が上昇しているのに対し、本発明を適用した実施例1及び実施例2においては短絡が一切発生せず、またリーク電流値が減少する効果も確認できるため、本発明が修復性が高く短絡抑制効果があることは明らかである。以上の説明は本発明を例示するものであって、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更、変形が可能でことが言うまでもない。本実施形態では発光装置として照明装置100、200を挙げたが、他には表示装置であってもよい。"