基板上に、下部反射ミラー、活性層、選択酸化層、上部反射ミラー、を含む複数の半導体層が積層され、前記上部反射ミラーの光出射部に反射率分布を制御するために施された段差構造による表面レリーフ構造を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、前記半導体層上に、第一の誘電体膜を形成する工程と、前記第一の誘電体膜に、前記メサ構造を画定するための第1のパターンと前記表面レリーフ構造を画定するための第2のパターンを同一工程により形成する工程と、前記第1および第2のパターンが形成された前記第一の誘電体膜を含む前記半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程と、前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜の上にレジストパターンを形成する工程と、少なくとも前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜を残して、前記第二の誘電体膜を除去する工程と、前記第二の誘電体膜が除去された前記第1のパターンを用いて、前記メサ構造を形成する工程と、前記メサ構造を形成する工程の後に、電流狭窄構造を形成する工程と、少なくとも前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜を除去する工程と、前記第二の誘電体膜が除去された前記第一の誘電体膜に形成された前記第2のパターンを用いて、表面レリーフ構造を形成する工程と、を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。前記メサ構造を形成する工程の後であって、前記電流狭窄構造を形成する工程の前に、前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザの製造方法。少なくとも、前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜を残して、該第二の誘電体膜を除去する工程の後であって、前記メサ構造を形成する工程の前に、前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザの製造方法。前記電流狭窄構造を形成する工程の後であって、前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜を除去する工程の前に、少なくとも、前記第2のパターンが形成された半導体層の上に形成された前記第二の誘電体膜を露出し、且つ、前記メサ構造の側壁を覆うようにレジスト膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザの製造方法。前記第二の誘電体膜は、前記第一の誘電体膜より薄い膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザの製造方法。少なくとも前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜を残して、前記第二の誘電体膜を除去する工程において、該第二の誘電体膜の除去が、バッファードフッ酸によるウエットエッチングによって行われることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。前記メサ構造を形成する工程において、該メサ構造の形成がドライエッチングによって行われることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。前記第1および第2のパターンは、該第1のパターンが該第2のパターンよりも大きい径を有する同心円環状のパターンであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。前記第1のパターンは同心円環状のパターンであり、かつ、前記第2のパターンは前記第1のパターンよりも径が小さい円開口のパターンであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。前記第1のパターンは、前記第2のパターンよりも辺の長さが長い同心正方環状のパターンであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。前記第1のパターンは同心正方環状のパターンであり、かつ、前記第2のパターンは前記第1のパターンよりも径が小さい円開口のパターンであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。前記第1のパターンの中心軸と前記第2のパターンの中心軸とが一致していることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法。請求項1から12のいずれか1項に記載の面発光レーザの製造方法を用い、面発光レーザを複数個配置した面発光レーザアレイを製造することを特徴とする面発光レーザアレイの製造方法。ところで、上記表面レリーフ構造を形成する際には、表面レリーフ構造と電流狭窄構造の水平位置合わせと共に、表面レリーフ構造の深さ、つまり高反射率面と、低反射率面の段差が重要となる。すなわち、高次横モードへの反射損を大きくして、高次横モードの発振を抑制し、基本横モードによる単一モード発振を効率良く得るためには、表面レリーフ構造と電流狭窄構造における非酸化領域との位置合わせを正確にする。それと共に、高反射率面と低反射率面の段差を1/4波長の奇数倍の光学厚さλ/4nの奇数倍、λ:発振波長、n:半導体層の屈折率とすることが望ましい。例えば、表面レリーフ構造と電流狭窄構造の中心軸がずれていると、発振させたいモード例えば、基本横モードに意図しない損失を導入することとなる。また、高反射率面と低反射率面の段差が1/4波長の奇数倍の光学厚さからずれていると、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入することができなくなる。特許文献1では、表面レリーフ構造と電流狭窄構造の中心軸の位置合わせを正確に行うため、二つの層の誘電体と一つの層のレジストをマスクに用いたセルフアライメントプロセスと呼ばれる手法が開示されている。この手法は、表面レリーフ構造と電流狭窄構造の中心軸の位置合わせを正確に達成するという観点においては、非常に有益な製造方法である。ところで、表面レリーフ構造の深さ制御という観点においては、更なる精度の向上が必要となる場合もある。具体的には、特許文献1に開示されている作製方法においては、表面レリーフ構造を初期の工程で形成しており、その後の工程で、先に形成した表面レリーフ構造にダメージを与える表面を削る場合がある。そのため、最も損失差を大きく与えられる深さ段差である1/4波長の奇数倍の光学厚さを安定に形成する上で、必ずしも満足の得られるものではない。本発明は、上記問題に鑑み、表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法の提供を目的とする。本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、下部反射ミラー、活性層、選択酸化層、上部反射ミラー、を含む複数の半導体層が積層され、前記上部反射ミラーの光出射部に反射率分布を制御するために施された段差構造による表面レリーフ構造を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、前記半導体層上に、第一の誘電体膜を形成する工程と、前記第一の誘電体膜に、前記メサ構造を画定するための第1のパターンと前記表面レリーフ構造を画定するための第2のパターンを同一工程により形成する工程と、前記第1および第2のパターンが形成された前記第一の誘電体膜を含む前記半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程と、前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜の上にレジストパターンを形成する工程と、少なくとも前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜を残して、前記第二の誘電体膜を除去する工程と、前記第二の誘電体膜が除去された前記第1のパターンを用いて、前記メサ構造を形成する工程と、前記メサ構造を形成する工程の後に、電流狭窄構造を形成する工程と、少なくとも前記第2のパターンが形成された半導体層の上の前記第二の誘電体膜を除去する工程と、前記第二の誘電体膜が除去された前記第一の誘電体膜に形成された前記第2のパターンを用いて、表面レリーフ構造を形成する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明の面発光レーザアレイの製造方法は、上記した面発光レーザの製造方法を用い、面発光レーザを複数個配置した面発光レーザアレイを製造することを特徴とする。本発明によれば、表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法を実現することができる。本発明によれば、上部反射ミラーの光出射部に反射率分布を制御するために施された段差構造による表面レリーフ構造を形成するに際し、従来例と異なり、二つの誘電体膜を用いた、次のような構成を採ることができる。すなわち、第1および第2のパターンを形成した第一の誘電体膜を含む半導体層の上に、第二の誘電体膜を形成する工程を実施する。また、メサ構造形成に続いて、電流狭窄構造を形成した後に、少なくとも第2のパターンが形成された半導体層の上の第二の誘電体膜を除去する工程を実施する。更に、第二の誘電体膜が除去された前記第一の誘電体膜の第2のパターンを用いて、表面レリーフ構造を形成する工程を実施する。これらにより、表面レリーフ構造の段差深さを1/4波長の奇数倍の光学厚さに安定して形成することが可能となる。また、以上のような二つの誘電体膜を用いた構成によれば、つぎのような表面レリーフ構造を備えた面発光レーザを製造する方法を提供することができる。すなわち、表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とが位置合わせされ、且つ基本横モードと高次横モードの間に最も大きな損失差を導入する表面レリーフ構造を備えた面発光レーザを製造する方法を提供することができる。また、このような面発光レーザの製造方法による面発光レーザを複数個配置して面発光レーザアレイを製造する面発光レーザアレイの製造方法を提供することができる。以上のように、本実施形態の構成によれば、表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを高精度で位置合わせすることが可能となる。また、作製過程において、表面への損傷を軽減することができ、かつ1/4波長の奇数倍の光学長さに対応する深さ段差を有する表面レリーフ構造を精度良く形成することが可能となる。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1においては、凸型の表面レリーフ構造を有する垂直共振器型面発光レーザの製造方法について説明する。図1に、本発明における垂直共振器型面発光レーザの構成を説明する模式図を示す。図1aは本実施例における面発光レーザの断面模式図であり、100はn側電極、102は基板、104は下部DBRミラー多層膜反射鏡、106は活性層、108は電流狭窄部酸化領域、110は非酸化領域である。また、112は上部DBRミラー多層膜反射鏡、114は誘電体膜、116は絶縁膜、118はp側電極パッド電極、120は表面レリーフ構造、122は光出射領域である。図1bは光出射領域122周辺の拡大図であり、124は高反射率領域、126は低反射率領域である。また、表面レリーフ構造を形成する領域の層構成は、上部DBRミラー112の表面に形成した、p型Al05Ga05As層128、p型AlGaInPエッチングストップ層130、p型Al05Ga05As層132、p型GaAsコンタクト層134よりなる。なお、最も効率良く単一横モード動作を得るためには、つぎの三つの層の合計層厚を、上記した1/4波長の奇数倍の光学厚さλ/4nの奇数倍、λ:発振波長、n:半導体層の屈折率にするのが望ましい。すなわち、p型AlGaInPエッチングストップ層130、p型Al05Ga05As層132、p型GaAsコンタクト層134の三つの層の合計層厚を上記光学厚さにするのが望ましい。本実施例の垂直共振器型面発光レーザにおいては、表面レリーフ構造の中心軸と電流狭窄構造の非酸化領域発光領域の中心軸が一致するように配置されている。特に、非酸化領域110の直径が7ミクロン以下の場合では、表面レリーフ構造120における高反射率領域124の直径が、非酸化領域の直径の半分から3/4となるように形成することにより、高出力かつ単一横モード発振が可能となる。このように、表面レリーフ構造の中心軸と電流狭窄構造の非酸化領域発光領域の中心軸を揃え、且つ非酸化領域の直径と表面レリーフ構造における高反射率領域124の直径の関係を適切にとる。これらにより、基本モードに損失を与えることなく、且つ高次モードの出射を抑制することができ、高出力かつ基本モードによる単一横モード発振が可能となる。次に、本実施例の面発光レーザの製造方法について説明する。図2から図7に、本実施例における垂直共振器型面発光レーザの製造方法を説明する図を示す。まず、図2aに示すように、MOCVD結晶成長技術を用いて、n型GaAs基板200上に、バッファー層不図示を介して、n型AlAs/Al05Ga05As多層膜下部DBRミラー202を成長させる。更にその上に、n型AlGaInPスペーサー層204、GaInP/AlGaInPMQW活性層206を、順次成長させる。そして、この活性層206上に、p型AlGaInPスペーサー層208、p型Al098Ga0.02As選択酸化層210を成長させる。更にその上に、p型Al09Ga01As/Al05Ga05As多層膜212を成長させる。引き続きp型AlGaInPエッチングストップ層214、p型Al05Ga05As層216、p型GaAsコンタクト層218を、順次成長させ、DBRミラー層とする。表面レリーフ構造を形成する領域の層構成は、図2bに示すように、1/2波長のN倍の光学厚さλ/2nのN倍、N:1以上の自然数、λ:発振波長、n:半導体層の屈折率を有するp型Al05Ga05As層220前記p型Al09Ga01As/Al05Ga05As多層膜212の最上層と、p型AlGaInPエッチングストップ層214と、p型Al05Ga05As層216、p型GaAsコンタクト層218と、で構成される。なお、最も効率良く単一横モード動作を得るためには、p型AlGaInPエッチングストップ層214、p型Al05Ga05As層216、p型GaAsコンタクト層218の三つの層の合計層厚を、上記した1/4波長の奇数倍の光学厚さλ/4nの奇数倍、λ:発振波長、n:半導体層の屈折率にするのが望ましい。一例として、p型AlGaInPエッチングストップ層214を10nm、p型GaAsコンタクト層218を20nmとし、p型Al05Ga05As層216の厚さを適切に取ることで、三つの層の合計層厚を上記した1/4波長の奇数倍の光学厚さとする。このように、基板上に、下部反射ミラー、活性層、選択酸化層電流狭窄増、上部反射ミラー、コンタクト層、を含む複数の半導体層を順次成長させる。そして、図3aに示すように、これらの積層された半導体層上に第一の誘電体膜222を形成する。例えば、第一の誘電体膜222の材料としては、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドのいずれかを用いることができる。続いて、222の第一の誘電体膜上にリソグラフィ技術を用いて、第一のレジストパターン224を形成する図3b。図8に、以上のようにして形成された第一のレジスト膜224の模式図を示す。図8aは面発光レーザの斜視図、図8bはその平面図、図8cは斜視図のy-y’断面図である。図8に示すように、第一のレジスト膜224には、第一の誘電体膜222上に中心軸が同一である大小異なる環状のパターン第1のパターン226、第2のパターン228が開口するように形成されている。なお、図8に示された構成では、中心軸を同じとする、形状の異なるパターンが、大きい径の円環状のパターンと小さい径の円開口パターンで同心円環状に構成されているが、このような構成に限定されるものではない。例えば、大きい環状のパターンを正方環状のパターンなどとし、同心正方環状に構成してもよい。なお、この工程において、第1及び第2のパターンは、リソグラフィ技術により、第一の誘電体膜222上に一括で形成されるため、前記第1のパターン及び第2のパターンの相対位置関係が規定されることになる。小さい径の円開口パターン第2のパターン228によって表面レリーフ構造段差構造が画定され、大きい径の円環状の開口パターン第1のパターン226によってメサ構造の径が決定される。この結果、酸化狭窄構造と表面レリーフ構造段差構造の位置関係を精度よく設定することができる。次に、図3c示すように、バッファードフッ酸BHFを用いたウエットエッチングにより、第一のレジストパターン224を第一の誘電体膜222に転写する。なお、この転写はウエットエッチングによるだけでなく、ドライエッチングによって行ってもよい。この際に、第一の誘電体膜222には、中心軸が同一である大小二つの異なる環状の開口パターンによる前記第1のパターンと第2のパターンが形成されるように転写される。上記バッファードフッ酸を用いたウエットエッチングを行った後に、第一のレジストパターン224除去する。次に、図3dに示すように、第1のパターン226及び第2のパターン228が形成された第一の誘電体膜222を有した積層された半導体層上に、CVD成膜技術を用いて第二の誘電体膜230を成膜する。この第二の誘電体膜230は、表面レリーフ構造を保護するための層であり、例えば200nmで形成する。第二の誘電体膜230としては、例えばシリコンオキサイド膜、シリコンナイトライド膜、シリコンオキシナイトライド膜が挙げられる。このように、本実施例では、表面レリーフ構造は第二の誘電体膜230で保護されているため、後の工程図5aでレジストを除去するための酸素プラズマアッシングを実施しても、表面レリーフ構造表面への損傷を低減することができる。ところで、この工程においては、第一の誘電体膜222に形成した第1のパターン226を覆うように第二の誘電体膜230が形成され、フォトリソグラフィにより決定したパターン形状が変化してしまうことになる。しかし、第二の誘電体膜230は例えばプラズマCVD法を用いて成膜するため、第二の誘電体膜230は第一の誘電体膜222に形成した第1のパターン226の側壁に、第一の誘電体膜222の膜厚より薄い均一な厚さで成膜される。このため、メサ構造を画定するための第1のパターン226の幅は狭まるが、均一な膜厚の第二の誘電体膜230が等方的に成膜されることから、後の工程図4dのメサ構造の形成に際し、ドライエッチングにおいて支障をきたすことは少ない。次に、図4aに示すように、リソグラフィ技術を用いて、第二のレジストパターン232を形成する。この際に、第二のレジストパターン232は、第二の誘電体膜230を有した第2のパターン228を覆うように形成する。次に、図4bに示すように、第二のレジストパターン232をマスクとして、バッファードフッ酸を用いたウエットエッチングにより、第二の誘電体膜230の一部を除去する。なお、第二の誘電体膜230は表面レリーフ構造を保護するための層であり、前記第一の誘電体膜222よりも薄い膜厚で形成することが望ましい。仮に、厚く形成すると、第二の誘電体膜230の一部を除去する際にエッチング時間が長く必要になり、第一の誘電体膜222に対するサイドエッチング量が増すこととなり、当初の設計値からずれる可能性があるからである。本実施例においては、第一の誘電体膜222の厚さを1μm、第二の誘電体膜230の厚さを200nmとした。次に、図4cに示すように、ドライエッチングにより、n型AlGaInPスペーサー層204が露出するように下部DBRミラー層202は露出させない、トレンチ234を形成することにより、メサ構造のポストが作製される。なお、表面レリーフを画定する第2のパターン228に形成した第二のレジストパターン232は、ドライエッチング後にも残存するように形成することが望ましい。仮に、レジストがなくなると、第二の誘電体膜230がドライエッチング中に除去されることとなり、積層された半導体層にダメージ削れなどを与える可能性があるからである。なお、図4cでは、n型AlGaInPスペーサー層204が露出するまでドライエッチングを行っている。しかし、電流狭窄構造を形成するp型Al098Ga002As選択酸化層210側壁が完全に露出するまでエッチングすれば良く、必ずしもn型AlGaInPスペーサー層204が露出するまでドライエッチングする必要はない。次に、図4dに示すように、酸素プラズマアッシング技術を用いて、第二のレジストパターン232を除去する。この際に、積層された半導体層は第二の誘電体膜230で保護されているため、積層された半導体層表面への損傷を防止することができる。次に、図5aに示すように、例えば基板温度450°Cにて、水蒸気雰囲気下でp型Al098Ga002As選択酸化層210を選択的に酸化し、電流狭窄構造酸化領域236、非酸化領域238を形成する。この際に、トレンチ234以外の積層された半導体層の表面は第一の誘電体膜222あるいは第二の誘電体膜230で覆われているため、積層された半導体層の表面を酸化工程から保護することもできる。このため、後の工程図7a、bで形成する電極をコンタクト抵抗が良好な状態で形成することが可能となる。次に、第2のパターンが形成された第一の誘電体膜をマスクとして、上部反射ミラー中の第一のエッチングストップ層を用い、半導体層の表面に、第2のパターンを転写する。具体的には、まず図5bに示すように、メサ上部の第一の誘電体膜222及び第二の誘電体膜230を露出するように第三のレジストパターン240を形成する。次に、図5cに示すように、バッファードフッ酸BHFを用いたウエットエッチングにより、第二の誘電体膜230を除去する。このウエットエッチングは、第二の誘電体を除去するに足る時間以上は行わないことが好ましい。なお、表面への損傷の影響を考慮するとウエットエッチングが好ましいが、ドライエッチングによって行っても良い。本実施例では、メサ構造の側壁を、BHFによる浸食エッチングから保護するため、第三のレジストパターン240を形成しているが、必ずしも形成する必要はない。次に、図5dに示すように、第2のパターンが形成された第一の誘電体膜をマスクとして、上部反射ミラー中の第一のエッチングストップ層を用い、半導体層の表面に、第2のパターンを形成する。このような第一のエッチングストップ層としては、AlとGaとInとPとから、あるいはGaとInとPとから構成される混晶を用いることができる。具体的には、図5dに示すように、第2のパターンが形成された第一の誘電体膜をマスクとし、次のようにパターンを転写する。ここでは、例えば10nm厚のp型AlGaInPエッチングストップ層第一のエッチングストップ層214例えばAlxGaInyP、x=0.5、y=0.5を用いる。そして、ウエットエッチングによりp型GaAsコンタクト層218/p型Al05Ga05As層216にパターンを転写する。この工程では、エッチングストップ層の選択比が、p型GaAsコンタクト層218、及びp型Al05Ga05As層216に対して、10倍以上となるリン酸系のエッチャントを用いた。なお、表面への損傷の影響を考慮するとウエットエッチングが好ましいが、ドライエッチングによって行っても良い。次に、図6aに示すように、第一のエッチングストップ層の直下に配置されている半導体層を第二のエッチングストップ層として用い、第二の誘電体膜の除去と、第2のパターンに沿って行われる第一のエッチングストップ層の除去とが、同一工程で実施される。具体的には、図6aに示すように、ウエットエッチングにより、第一の誘電体膜222を除去すると共に、第一のエッチングストップ層を第2のパターンに沿って除去し、この第一のエッチングストップ層にパターンを転写する。図9aはウエットエッチング前を示し、図9bはウエットエッチング後を示している。この工程では、図9aと図9bに示すように、第一の誘電体膜222、p型GaAsコンタクト層218及びp型Al05Ga05As層216の3層をマスクとし、つぎのようにパターンが転写される。すなわち、上記3層をマスクとし、p型Al05Ga05As層220をエッチングストップ層第二のエッチングストップ層として機能させる。そして、この第二のエッチングストップ層を用いて、p型AlGaInPエッチングストップ層第一のエッチングストップ層214例えばAlxGaInyP、x=0.5、y=0.5にパターンが転写される。このような第二のエッチングストップ層としては、AlとGaとAsとから構成される混晶であり、Al組成が75以下のものを用いることができる。また、上記第一のエッチングストップ層にパターンを転写する際、第一の誘電体膜222の直下に配置したp型GaAsコンタクト層218をエッチングストップ層第三のエッチングストップ層として用いるようにしてもよい。このような第三のエッチングストップ層と、上記した第一のエッチングストップ層及び第二のエッチングストップ層とは、同一の伝導型で構成することができる。また、この際のエッチャントとして、p型Al05Ga05As層220の選択比が、p型AlGaInPエッチングストップ層214に対して、10倍以上となるフッ化水素酸とフッ化アンモニウムを含むバッファードフッ酸を用いた。この工程において、第一の誘電体膜222がマスクの最上層であるため、表面レリーフ構造表面を削ることなく、十分な選択比を有して表面レリーフ構造を形成することができる。この工程により、p型GaAsコンタクト層218及びp型Al05Ga05As層216に加え、p型AlGaInPエッチングストップ層214がエッチングされる。これにより、表面レリーフ構造1/4波長の奇数倍の光学厚さ深さを有する段差構造が形成される。次に、図6bに示すように、第三のレジストパターン240を除去した後に、素子全体を覆うように、CVD成膜技術を用いて絶縁膜242を成膜する。例えば、絶縁膜242の材料としては、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドのいずれかを用いることができる。このとき、絶縁膜242の膜厚をdとすると、d=Nλ/2ndの関係を満足させるように構成すれば、表面レリーフ構造として形成した高反射率領域及び低反射率領域の反射率を変化させることはない。但し、λは発振波長、ndは絶縁膜242の屈折率であり、Nは1以上の自然数である。次に、図6cに示すように、リソグラフィ技術を用いて、第四のレジストパターン244を形成する。その後、図6dに示すように、バッファードフッ酸を用いたウエットエッチングにより、絶縁膜242を除去し、コンタクト層218の一部を露出させる。次に、図7aに示す工程において、出射口部を覆い、かつコンタクト層を露出するように、第五のレジストパターン246を形成する。次に、図7bに示す工程において、金属蒸着技術を用いて表面にTi/Auからなる金属膜248を蒸着する。次に、図7cに示す工程において、リフトオフ技術により、出射口が開くようにパッド電極250を形成する。次に、図7dに示す工程において、金属蒸着技術を用いてn型GaAs基板裏面にn側電極AuGe/Ni/Au252を形成する。以上説明した本実施例の工程によれば、位置精度の高いフォトリソグラフィ技術を用いて、互いの中心軸が一致した、形状の異なる二つの開口パターンが形成される大きい径の円環状の開口パターンと、小さい径の円開口パターン。そして、この小さい円開口パターンによって反射率分布の高低を制御した表面レリーフ構造が画定され、大きい円環状の開口パターンによってメサ構造の外径が画定され電流狭窄構造の非酸化領域が画定される。したがって、表面レリーフ構造の中心軸と、電流狭窄構造の非酸化領域の中心軸とを高い位置精度で制御することができる。また、大きい円環状の開口パターンを用いて、ドライエッチングにてメサ構造を形成する際には、小さい円開口パターンに形成されている表面レリーフ構造を誘電体膜とレジストにて保護しており、表面レリーフ構造が外部に露出することがない。また、電流狭窄構造形成の後に、第一及び第二の誘電体層を除去する際に、p型AlGaInPエッチングストップ層にパターン転写が行われる。その際には、前述したようにGaAsコンタクト層218およびp型Al05Ga05As層220p型AlGaInP層の下の層をエッチングストップ層として機能させることができる。これにより、3つの層GaAsコンタクト層、p型Al05Ga05As層GaAsコンタクト層とp型AlGaInP層に挟まれた層、および、p型AlGaInP層の合計層厚に起因する上記した1/4波長の奇数倍の光学厚さλ/4nの奇数倍、λ:発振波長、n:半導体層の屈折率の段差を有する表面レリーフ構造を精度良く形成することができる。なお、本実施例では、前記第二の誘電体膜230を形成する工程の後に、第二のレジストパターン232を除去することなくメサ形成を行ったが、次に述べるような場合は、第二のレジストパターンを除去してもよい。つまり、メサ形成ドライエッチング工程を終了した時点で、第二の誘電体膜230の膜厚が、第二のレジストパターン232を除去しない場合の第二の誘電体膜230の膜厚と同程度残存するように形成しておけば、第二のレジストパターン232を除去してもよい。このように、メサ形成前に第二のレジストパターン232を除去する場合は、メサ形成ドライエッチングの後に除去する場合と比べ、容易に除去することが可能となり、工程が簡略化できる。なお、本実施例では、p型AlGaInPエッチングストップ層として、AlxGaInyP、x=0.5、y=0.5を用いたが、選択比を満足するのであれば、この組成比に限定されるものではない。例えば、p型GazInP層z=0.5であってもよい。また、本実施例では、選択酸化により電流狭窄構造を形成した面発光レーザについて述べたがこれに限定されるものではない。例えば、誘電体膜除去工程により、上記第1のパターンにおける露出した上記第二の誘電体膜と、該第二の誘電体膜よりも下層の第一の誘電体膜を除去する。そして、この誘電体膜除去工程の後に、絶縁領域形成工程において前記第1のパターンよりプロトンイオン注入を行い、前記半導体層に絶縁領域を形成し、電流狭窄構造を形成するようにしてもよい。また、本実施例では、表面レリーフ構造を形成する層構成として、p型AlGaInPエッチングストップ層130、p型Al05Ga05As層132、p型GaAsコンタクト層134の三つの層としたが、これに限定されるものではない。例えば、表面レリーフ構造を形成する層の厚さの合計が、1/4波長の奇数倍の光学厚さλ/4nの奇数倍、λ:発振波長、n:半導体層の屈折率を満たすものであれば、エッチングストップ層とコンタクト層の二つの層の組合せであっても良い。また、本実施例では、680nm帯面発光レーザについて述べたがこれに限定されるものではなく、例えば850nm帯GaAs/AlGaAs活性層系などの面発光レーザにも適用可能である。また、本実施例において示した、MOCVD結晶成長技術、リソグラフィ、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法装置あるいは記述手法装置に限るものではなく、同様の効果が得られるのであればいかなる手法装置であっても良い。また、本実施例では、単素子の面発光レーザの製造方法について説明したが、この単素子の面発光レーザを複数個配置したアレイにも上述の製造方法を適用することができる。[実施例2]実施例2においては、凹型の表面レリーフ構造を有する垂直共振器型面発光レーザの製造方法等について説明する。図10に、本実施例における垂直共振器型面発光レーザの構成を説明する模式図を示す。図10aは光出射領域を説明する断面模式図であり、122は光出射領域である。図10bは上記光出射領域122の拡大図である。図10では、実施例1の構成を示す図1と同一の構成については同一の符号が用いられていることから、重複する部分の説明は省略する。実施例1では高反射率領域124が凸状になっていたが、本実施例では、低反射率領域126が凸状になっており、凹型の表面レリーフ構造が形成されている。次に、本実施例の面発光レーザの製造方法について説明する。実施例1における製造方法と異なり、表面レリーフ構造を形成する領域の層構成は、図10bに示すように、つぎのような層構成を備える。すなわち、p型Al09Ga0.1As/Al05Ga05As-DBRミラー層112と、p型AlGaInPエッチングストップ層130、p型GaAs層134とによる層構成を備える。なお、最も効率良く単一横モード動作を得るためには、p型AlGaInPエッチングストップ層130、p型GaAs層134の二つの層の合計層厚を1/4波長の奇数倍の光学厚さλ/4nの奇数倍、λ:発振波長、n:半導体層の屈折率にするのが望ましい。また、第一のレジストパターンにおける第2のパターン部分も異なる。その他の工程は、実施例1と同様である。図11に、実施例1における第一のレジストパターン図8との違いを説明するための、本発明の実施例2における面発光レーザの製造方法において形成された第一のレジストパターンの模式図を示す。図11aは斜視図、bは平面図、cは斜視図におけるy-y’断面図である。図11において、222は第一の誘電体膜、224は第一のレジストパターン、226は第1のパターン、及び228は第2のパターンである。図11に示すように、第一のレジストパターン224は、第一の誘電体膜222上に中心軸が同一である大小異なるパターン第1のパターン226、第2のパターン228が開口するように形成されている。この第1のパターン226はメサ構造を形成するためのパターンとなり、第2のパターン228は表面レリーフ構造を形成するためのパターンとなる。なお、この図11に示された構成では、中心軸を同じとする、形状の異なるパターンが、大きい径の円環状パターンと小さい径の円開口パターンで構成されているが、このような構成に限定されるものではない。例えば、大きい環状のパターンを正方環状のパターン等としても良い。[実施例3]実施例3として、図12を用いて本発明を適用した垂直共振器型面発光レーザがアレイ状に配列して構成された面発光レーザアレイを、光源として備えられている光学機器の構成例について説明する。ここでは、光学機器として、上記面発光レーザによるレーザアレイを用いて構成した画像形成装置の構成例について説明する。図12aは画像形成装置の平面図であり、図12bは同装置の側面図である。図12において、2000は感光ドラム感光体、2002は帯電器、2004は現像器、2006は転写帯電器、2008は定着器、2010は回転多面鏡、2012はモータである。また、2014は面発光レーザアレイ、2016は反射鏡、2018はコリメータレンズ及び2020はf-θレンズである。本実施例においては、図12bに示されるモータ2012によって、回転多面鏡2010が回転駆動するように構成されている。面発光レーザアレイ2014は、記録用光源となるものであり、レーザドライバ図示せずにより画像信号に応じて点灯または消灯するように構成されている。こうして光変調されたレーザ光は、面発光レーザアレイ2014からコリメータレンズ2018を介し回転多面鏡2010に向けて照射される。回転多面鏡2010は矢印方向に回転していて、面発光レーザアレイ2014から出力されたレーザ光は、回転多面鏡2010の回転に伴い、その反射面で連続的に出射角度を変える偏向ビームとして反射される。この反射光は、f-θレンズ2020により歪曲収差の補正等を受け、反射鏡2016を経て感光ドラム2000に照射され、感光ドラム2000上で主走査方向に走査される。このとき、回転多面鏡2010の1面を介したビーム光の反射により、感光ドラム2000の主走査方向に面発光レーザアレイ2014に対応した複数のライン分の画像が形成される。感光ドラム2000は、予め帯電器2002により帯電されており、レーザ光の走査により順次露光され、静電潜像が形成される。また、感光ドラム2000は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は現像器2004により現像され、現像された可視像は転写帯電器2006により、転写紙に転写される。可視像が転写された転写紙は、定着器2008に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。なお、上記説明では、光学機器として画像形成装置を構成した例について説明したが、本発明はこのような構成に限定されるものではない。例えば、本発明のレーザアレイを光源として用い、画像表示体と、光偏向器と、を有する構成として、前記光源からの光を前記光偏向器により偏向した光を、前記画像表示体上に入射可能としてプロジェクションディスプレイを構成するようにしてもよい。