アルミニウム合金層と、このアルミニウム合金層の上に形成されたNi-P-Moめっき層とを含む磁気記録媒体用基板であって、前記Ni-P-Moめっき層が、0.05~1.0wtのMo、9~15wtのPおよび残部Niからなり、前記磁気記録媒体用基板が、650Hv以上の硬さと、0.2mT以下の飽和磁束密度とを有することを特徴とする磁気記録媒体用基板。前記Ni-P-Moめっき層が、5μm以上15μm未満の厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用基板。前記Ni-P-Moめっき層が、0.6~1.0wtのMoを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記録媒体用基板。磁気記録媒体用基板の製造方法であって、めっき法によって、アルミニウム合金層の上にNi-P-Moめっき層を形成する工程と、前記Ni-P-Moめっき層を不活性雰囲気で加熱処理する工程とを含み、前記Ni-P-Moめっき層が、0.05~1.0wtのMo、9~15wtのPおよび残部Niからなることを特徴とする方法。前記加熱処理を、300°C以上320°C以下で行うことを特徴とする請求項4に記載の方法。前記Ni-P-Moめっき層が、0.6~1.0wtのMoを含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の方法。しかしながら、最近の磁気記録媒体に要求される耐衝撃性は高く、前記基板を用いただけでは、要求される耐衝撃性に十分に応えることができない。特許文献1および特許文献2は、いずれも、硬さを向上させる明示的な解決手段を提示していない。他方、前記基板を高温で加熱処理すると容易に磁性を帯びるという問題も解決する必要がある。本発明は、上述の点に鑑み、高温、長時間加熱処理しても非磁性を保ちながら表面の硬さを向上させた磁気記録媒体用基板を提供することを目的とする。本発明の第1の態様である磁気記録媒体用基板以下単に基板ともいうは、アルミニウム合金層と、このアルミニウム合金層の上に形成されたNi-P-Moめっき層とを含み、前記Ni-P-Moめっき層が、0.05~1.0wtのMo、9~15wtのPおよび残部Niからなり、前記磁気記録媒体用基板が、650Hv以上の硬さと、0.2mT2Gauss以下の飽和磁束密度とを有することを特徴とする。ここで、前記Ni-P-Moめっき層が、5μm以上15μm未満の厚さを有することが好ましい。また、前記Ni-P-Moめっき層が、0.6~1.0wtのMoを含むことが好ましい。本発明の第2の態様である磁気記録媒体用基板の製造方法は、めっき法によって、アルミニウム合金層の上にNi-P-Moめっき層を形成する工程と、前記Ni-P-Moめっき層を不活性雰囲気で加熱処理する工程を含み、前記Ni-P-Moめっき層が、0.05~1.0wtのMo、9~15wtのPおよび残部Niからなることを特徴とする。ここで、加熱処理を、300°C以上320°C以下で行うことが好ましい。また、Ni-P-Moめっき層が、0.6~1.0wtのMoを含むことが好ましい。本発明によれば、非磁性を保ちつつ表面の硬さを向上させた磁気記録媒体用基板を提供できる。特に、Ni-P-Moめっき層が5μm以上15μm未満の厚さを有すると、析出初期からのめっき欠陥ピットおよび、ポリッシュ後の欠陥も少ない。特に、Ni-P-Moめっき層が0.6~1.0wtのMoを含むと、320°Cの加熱処理であっても非磁性を保ちつつ表面の硬さを向上させた磁気記録媒体用基板を提供できる。本発明の第1の形態である磁気記録媒体用基板以下単に基板ともいうは、アルミニウム合金層と、このアルミニウム合金層の上に形成されたNi-P-Moめっき層とを含む。図1に例として示すように、磁気記録媒体用基板10は、アルミニウムを主体とするアルミニウム合金層12上にNi-P-Moめっき層14を形成したものである。通常は、このNi-P-Moめっき層14上に磁性層16などが形成されて磁気記録媒体20を構成している。磁気記録媒体20は、ハードディスク等に通常使用されるものである。アルミニウム合金層12は、例えば、加熱溶融したアルミニウム合金材料を圧延、加熱焼鈍した後、規定の寸法に加工が行われたアルミニウム合金のブランク材から形成することができる。用いることができるアルミニウム合金は、例えばAl-Mg合金、Al-Cu合金である。アルミニウムを主体とするアルミニウム合金層12のアルミニウム濃度は、90.0~99.8wtが好ましい。アルミニウム合金層12の上に形成されたNi-P-Moめっき層14は、0.05~1.0wtのMo、9~15wtのP、および84~90.95wtのNiを含む。Ni-P-Moめっき層14が0.05wt以上のMoを含むため、加熱処理による磁性悪化飽和磁束密度の増加が防止される。Ni-P-Moめっき層14が、1.0wt以下のMoを含むため、特に無電解めっき法では成膜速度が遅くならず、実用に適する。Ni-P-Moめっき層14が、9wt以上のPを含むため、非晶質な皮膜が得られる。Ni-P-Moめっき層は、5μm以上15μm未満の厚さを有することが好ましい。Ni-P-Moめっき層が5μm以上の厚さを有するため、析出初期からのめっき欠陥ピットおよび、ポリッシュ後の欠陥も少ない。本発明の磁気記録媒体用基板は、650Hv以上の硬さを有する。本発明における磁気記録媒体用基板の硬さは、マイクロビッカース硬さを意味する。前述の範囲内の硬さを有することによって、本発明の磁気記録媒体用基板は、所望の耐衝撃性を発揮する。本発明の磁気記録媒体用基板は、0.2mT2Gauss以下の飽和磁束密度を有する。前述の範囲内の飽和磁束密度を有することによって、本発明の磁気記録媒体用基板は、所望の非磁性を発揮する。本発明の第2の形態である磁気記録媒体用基板の製造方法は、めっき法によって、アルミニウム合金層の上にNi-P-Moめっき層を形成する工程と、前記Ni-P-Moめっき層を不活性雰囲気で加熱処理する工程とを含み、前記Ni-P-Moめっき層が、0.05~1.0wtのMo、9~15wtのPおよび残部Niからなることを特徴とする。不活性雰囲気は、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスとすることができる。Ni-P-Moめっき層の形成には、従来から使用されている磁気記録媒体用基板のNiPめっき液にMo塩を添加させたNi-P-Moめっき液を用いる。Mo塩としては、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸カリウム、モリブデン酸カルシウム、リンモリブデン酸、リンモリブデン酸アンモニウム等を用いることができる。めっきは無電解めっきにより行うのが好ましい。めっき無電解めっきによって形成されるNi-P-Moめっき層の厚さは、めっき液への浸漬時間、めっき液の温度によって調整することが可能である。めっき時の条件は、特に限定されるものではないが、好ましい実施態様として、めっき浴のpHを4.5~6.5とし、浴温を70~100°C、好ましくは85~95°Cとし、浸漬時間を30~60分間とする。加熱処理を、300°C以上320°C以下で行うことが好ましい。加熱処理が300°C以上であるため基板の所望の硬さが得られ、加熱処理が320°C以下であるため基板の非磁性を維持することができる。磁気記録媒体用基板は、重要な特性として、非磁性すなわち飽和磁束密度が0.2mT2Gauss以下であることを必要とする。このため、従来技術において、アルミニウム合金層の表面処理には、9~15wtのP、無電解めっきでは12wt程度の高濃度高含有率のPを含むNiPめっき層を形成して、非磁性を確保している。しかしながら、加熱処理の温度を上昇させた場合、および長時間にわたる加熱処理を行った場合には、NiPめっき層の磁性が悪化飽和磁束密度が増加して非磁性を確保できない。この加熱処理による磁性の悪化を防止するために、Moを添加することが知られている。他方で、高濃度のPを含むNiPめっきを加熱処理アニールして、硬さを向上させることが知られている。本願発明者は、Moの添加により磁気記録媒体用基板の硬さが顕著に向上することを見出した。具体的には、本願発明者は、磁気記録媒体用基板のめっき層に所定の量のMoを含有させ、これを所定の温度範囲で加熱処理すると、前記基板の非磁性が確保されるだけでなく、前記基板の硬さも顕著に向上することを見出したのである。以下、実験例および比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は実験例および比較例に制限されるものではない。実験例1~5Al合金/Ni-P-Mo基板内径φ20mm、外形φ65mm、厚さ0.8mmのAl-Mg合金製の円環状アルミニウム合金層に対して、従来の条件に従って、アルカリ脱脂、酸エッチング、ジンケート処理を順次行った。次いで、このアルミニウム合金層を第1表の組成からなるめっき液硫酸およびアンモニア水でpH4.5に調節し、90°Cに加温したもの中に90分浸漬してNi-P-Moめっき層を形成した。蛍光X線分析装置を用いてNi-P-Moめっき層の厚さを測定した。厚さは12μmであった。次に、このNi-P-Moめっき層を、第2表に示す条件で、クリーンオーブン使用して、窒素ガス雰囲気下で加熱処理して、磁気記録媒体用基板を得た。次いで、得られた磁気記録媒体用基板のマイクロビッカース硬さHvおよび飽和磁束密度mTを測定した。マイクロビッカース硬さHvは、5gの荷重でマイクロビッカース法四角錐圧子により測定した。飽和磁束密度mTは、VSM-P7-15型を使用して、磁化測定感度約2×10-6emu、最大印加磁場5kOe、試料8mm角により測定した。図2は、Ni-P-Moめっき層のMo濃度wtと飽和磁束密度mTとの関係を示す。磁気記録媒体用基板は、Moの0.05wt以上の添加により、飽和磁束密度が顕著に低減した。300°C以上320°C以下の高温の加熱処理においては、飽和磁束密度の低減効果が大きかった。特に、Moを0.6から1.0wt添加すると、320°Cの加熱処理でも非磁性を維持できることが確認された。但し、330°Cでは非磁性とはならなかった。図3は、Ni-P-Moめっき層のMo濃度wtと硬さHvとの関係を示す。この図は、磁気記録媒体用基板の加熱処理アニール後の硬さ変化を示すものである。Moを0.05wt以上添加したNi-P-Moめっき層は、加熱処理により、Ni-Pめっき層Moが0wtよりも顕著に硬さが向上した。