"第一の電極と、第二の電極と、その間に配置された光電変換層とを具備する有機薄膜太陽電池であって、前記光電変換層に下記式Iで表される構造単位を有するポリマーを含有させた有機薄膜太陽電池。式中、XはS、NR2、O、SeまたはTeを表す。YはNR2、O、Te、SO、SO2、又はCOを表す。R1およびR2は水素原子または置換基を表す。前記有機半導体ポリマーが共重合体である請求項1に記載の有機薄膜太陽電池。前記共重合体における共重合成分が下記式II-1~II-7のいずれかで表されるものを含む請求項2に記載の有機薄膜太陽電池。式中、XaはCRa2、SiRa2、S、Se、SO、SO2、又はCOを表す。XbはNH、O、又はSを表す。XcはCRa又はNを表す。Raは水素原子又は置換基を表し、互いに連結してあるいは縮環して環を形成していてもよい。前記光電変換層に、さらにn型有機半導体化合物を含有させた請求項1~3のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。前記n型有機半導体化合物が、フラーレンもしくはその誘導体である請求項4に記載の有機薄膜太陽電池。前記フラーレンもしくはその誘導体が、フェニル-C61-酪酸エステル、ジフェニル-C62-ビス酪酸エステル、フェニル-C71-酪酸エステル、フェニル-C85-酪酸エステルまたはチエニル-C61-酪酸エステルである請求項5に記載の有機薄膜太陽電池。前記第一の電極と前記光電変換層との間にホール輸送層を有する請求項1~6のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。前記第二の電極と前記光電変換層との間に電子輸送層を有する請求項1~7のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。前記第一の電極が透明電極である請求項1~8のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。前記第二の電極が金属電極である請求項1~9のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。下記式Iで表される構造単位を有するポリマー。式中、XはS、NR2、O、SeまたはTeを表す。YはNR2、O、Te、SO、SO2、又はCOを表す。R1およびR2は水素原子または置換基を表す。前記ポリマーが共重合体である請求項11に記載のポリマー。前記共重合体における共重合成分が下記式II-1~II-7のいずれかで表されるものを含む請求項12に記載のポリマー。式中、XaはCRa2、SiRa2、S、Se、SO、SO2、又はCOを表す。XbはNH、O、又はSを表す。XcはCRa又はNを表す。Raは水素原子又は置換基を表し、互いに連結してあるいは縮環して環を形成していてもよい。請求項11~13のいずれか1項に記載のポリマーとフラーレンもしくはその誘導体とを含有する有機半導体材料用組成物。前記特許文献1の化学物は有機半導体ポリマーとして有用ではあるが、本発明者の確認によると、有機薄膜太陽電池に用いたときその性能は必ずしも十分でなく後記比較例参照、さらなる性能の向上が望まれた。本発明は、光電変換効率及び耐久性特に酸素存在下での耐久性に優れ、しかもセルサイズを大きくしても光電変換効率の低下が少ない有機薄膜太陽電池の提供を目的とする。さらに本発明は、上記太陽電池等に用いられる半導体材料として有用な組成物及びポリマーの提供を目的とする。前記の課題は以下の手段により達成できた。1第一の電極と、第二の電極と、その間に配置された光電変換層とを具備する有機薄膜太陽電池であって、前記光電変換層に下記式Iで表される構造単位を有するポリマーを含有させた有機薄膜太陽電池。式中、XはS、NR2、O、SeまたはTeを表す。YはNR2、O、Te、SO、SO2、又はCOを表す。R1およびR2は水素原子または置換基を表す。2前記有機半導体ポリマーが共重合体である1に記載の有機薄膜太陽電池。3前記共重合体における共重合成分が下記式II-1~II-7のいずれかで表されるものを含む2に記載の有機薄膜太陽電池。式中、XaはCRa2、SiRa2、S、Se、SO、SO2、又はCOを表す。XbはNH、O、又はSを表す。XcはCRa又はNを表す。Raは水素原子又は置換基を表し、互いに連結してあるいは縮環して環を形成していてもよい。4前記光電変換層に、さらにn型有機半導体化合物を含有させた1~3のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。5前記n型有機半導体化合物が、フラーレンもしくはその誘導体である4に記載の有機薄膜太陽電池。6前記フラーレンもしくはその誘導体が、フェニル-C61-酪酸エステル、ジフェニル-C62-ビス酪酸エステル、フェニル-C71-酪酸エステル、フェニル-C85-酪酸エステルまたはチエニル-C61-酪酸エステルである5に記載の有機薄膜太陽電池。7前記第一の電極と前記光電変換層との間にホール輸送層を有する1~6のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。8前記第二の電極と前記光電変換層との間に電子輸送層を有する1~7のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。9前記第一の電極が透明電極である1~8のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。10前記第二の電極が金属電極である1~9のいずれか1項に記載の有機薄膜太陽電池。11下記式Iで表される構造単位を有するポリマー。式中、XはS、NR2、O、SeまたはTeを表す。YはNR2、O、Te、SO、SO2、又はCOを表す。R1およびR2は水素原子または置換基を表す。12前記ポリマーが共重合体である11に記載のポリマー。13前記共重合体における共重合成分が下記式II-1~II-7のいずれかで表されるものを含む12に記載のポリマー。式中、XaはCRa2、SiRa2、S、Se、SO、SO2、又はCOを表す。XbはNH、O、又はSを表す。XcはCRa又はNを表す。Raは水素原子又は置換基を表し、互いに連結してあるいは縮環して環を形成していてもよい。1411~13のいずれか1項に記載のポリマーとフラーレンもしくはその誘導体とを含有する有機半導体材料用組成物。本発明の有機薄膜太陽電池は、光電変換効率、耐久性特に酸素存在下での耐久性に優れる。さらに、必要によりセルサイズを大きくした場合においても光電変換効率の低下が少ないという優れた効果を奏する。また、本発明のポリマー及びこれを含む組成物は新規であり、かつ前記太陽電池等に用いられる半導体材料として有用である。本発明者等は、有機薄膜太陽電池の光電変換の効率の向上や耐久性の向上のために、そこに適用される、n型の有機半導体ポリマーのHOMO準位に着目した。そのポリマー構造の化合物を種々検討することにより、有機半導体ポリマーのHOMO準位が太陽電池のVoc開放電圧と関係し、このHOMO準位が低いほどVocが向上すること、また、有機半導体ポリマーは一般的に酸化され劣化しやすい傾向にあるが、そのエネルギー準位を低くすることで、大気中の酸素等による酸化安定性が向上することを確認した。一方、変換効率を維持するためにLUMOのエネルギー準位も低く抑え、さらに狭いバンドギャップを維持すれば吸収波長の長波化及び耐久性の向上を同時に達成できると考えた。本発明者らは、上記の着想を基にこれを達成しうるポリマーを探索し、これを突き止め、有機薄膜太陽電池の光電変換層に組み込むことで本発明を完成するに至った。以下、本発明につい詳細に説明する。<有機薄膜太陽電池>図1は、本発明の有機薄膜太陽電池の一例を模式的に示した側面図である。本実施形態の太陽電池10は、下記式Iで表されるポリマーを含む光電変換層バルクへテロ結合層3を具備する。有機薄膜太陽電池は、一般に、p-i-n三層構造を有するp-i-n接合型有機薄膜太陽電池とバルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池に分類され、本発明においてはそのいずれでも構わない。高い発電効率が容易に得られることから、図1に示したようなバルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池に特に好ましく適用される。本実施形態の有機薄膜太陽電池においては、光電変換層3を前記特定のポリマーからなり電子供与化合物であるp型半導体相と、電子受容化合物であるn型半導体相で構成している。この光電変換層3は、第一の電極11と第二の電極12の間に設けられる。本発明においては、第一の電極と光電変換層の間にホール輸送層21を設けるのが好ましく、また第二の電極と光電変換層の間に電子輸送層22を設けることが好ましい。これらのホール輸送層や電子輸送層を設けることにより、光電変換層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となる。なお、本実施形態の太陽電池においてその上下の区別は特に重要ではないが、便宜的に必要により、第1電極11側を上もしくは天側と位置づけ、第2電極12側を下もしくは底側と位置づける。光電変換層においては前記のようにp型半導体相とn型半導体相とが特有の形態で混在し、その界面で光電変換が行われる。その形態は特に限定されないが、理想的な例として挙げると、図示したもののように櫛歯状に互いの相がナノメートルオーダーで入り込んだ状態が好ましい。このような形態を効果的に作出できるよう、p型半導体ポリマーにはn型半導体ポリマーとの特有の相溶性あるいは非相溶があることが好ましい。またp型半導体となる材料は固有の物性のみで定まるものではなく、n型半導体となる材料との相対的な関係で特定されるものである。例えば、n型半導体材料として代表的なフラーレンを例にとれば、これよりも電子供与性が高いものがp型半導体材料となりうる。下記式Iで表されるポリマーによれば、上記の要求を好的に満足することができる。<式Iで表される構造単位を有するポリマー>本発明においては、式Iで表される構造単位を有するポリマーを用いる。X式中、XはS、NR2、O、SeまたはTeを表す。中でもSが好ましい。R2は水素原子または置換基を表す。置換基の好ましいものとしては、後記置換基Tの例が挙げられる。YYはNR2、O、Te、SO、SO2またはCOを表す。中でもNR2、Oが好ましい。R2は水素原子または置換基を表す。置換基の好ましいものとしては、後記置換基Tの例が挙げられる。R1R1は水素原子もしくは置換基を表す。置換基の好ましいものとしては、後記置換基Tの例が挙げられる。式Iで表される構成単位の具体例を下記に示すが、本発明がこれに限定して解釈されるものではない。共重合成分本発明に用いられる前記ポリマーは前記式Iで表される構造単位と他の共重合成分とを有するコポリマーであることが好ましい。共重合成分としては、シラシクロペンタジチオフェン構造単位、シクロペンタジチアゾール構造単位、ベンゾチアジアゾール構造単位、チアジアゾロキノキサリン構造単位、シクロペンタジチオフェン構造単位、酸化シクロペンタジチオフェン構造単位、ベンゾイソチアゾール構造単位、ベンゾチアゾール構造単位、酸化チオフェン構造単位、チエノチオフェン構造単位、酸化チエノチオフェン構造単位、ジチエノチオフェン構造単位、酸化ジチエノチオフェン構造単位、テトラヒドロイソインドール構造単位、フルオレン構造単位、フルオレノン構造単位、チアゾール構造単位、セレノフェンもしくはチオフェン構造単位、シロール構造単位、チアゾロチアゾール部分、チエノチオフェン構造単位、ナフトチアジアゾール構造単位、チエノピラジン構造単位、オキサゾール構造単位、イミダゾール構造単位、ピリミジン構造単位、ベンゾオキサゾール構造単位、ベンゾイミダゾール構造単位、チエノチアゾール構造単位およびシクロペンタジピリジン構造単位が挙げられる。共重合様式は特に限定されないが、モノマーが2成分であるときは交互共重合体となることが好ましい。これらの構造単位は、好ましくは、さらに下記式II-1~II-7で表されるものが好ましい。式中、XaはCRa2、SiRa2、S、Se、SO、SO2、又はCOを表す。XbはNH、O、又はSを表す。XcはCRa又はNを表す。Raは水素原子又は置換基を表し、互いに連結してあるいは縮環して環を形成していてもよい。なお、1つの記号で複数の置換基を表示するとき、それらは各々異なっていてもよい。また、置換基Raが縮環して芳香族環もしくは芳香族複素環を構成するとき、上記で示した共鳴構造と異なる構造をとっていてもよい。Raが置換基をあらわす場合、Raとしては後記置換基Tが挙げられ、好ましい範囲も同じである。式IIの構造単位は、好ましくは、さらに式1~36表されるものである。式1~36において、R11~R18は各々独立に、水素原子又は後記置換基Tが挙げられ、中でもハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、およびアルキルもしくはアリールスルホニル基が好ましい。R13~R17については、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基がさらに好ましい。それぞれの基の好ましいものとしては、後記置換基Tの例が挙げられる。X2およびY1は各々独立に、CH2、OまたはSを表す。Y2はSまたはSeを表す。これらの中でも、1、2、3、12、14、20、22、25、27、35表される構造単位および下記に示す式IIAで表される構造単位が好ましく、1、20、25で表される構造単位および下記に示す式IIで表される構造単位がより好ましい。共重合成分の例として下記式IIAで表される構造単位も挙げられる。Z1、Z2式中、Z1およびZ2は各々独立にS、O、SeまたはTeを表し、SまたはOがより好ましく、Sが最も好ましい。YYはCR21またはNが好ましく、Nがより好ましい。R、R21RおよびR21はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。RおよびR21における置換基としては、後記置換基Tの例が挙げられる。なかでも、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基および芳香族へテロ環基が有してもよい置換基が挙げられる。Rは、好ましくは、アルキル基、-SOpX1、-CN、-NO2、-P=OOR22OR23または-CR24=CCN2であり、さらに好ましくは-SOpX1、-CN、-NO2、-P=OOR22OR23または-CR24=CCN2である。ここで、X1は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR25R26を表す。R22~R26は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R25とR26が互いに結合して環を形成してもよい。pは1または2を表す。pは2が好ましい。R21~R26におけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基は置換基Tにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基および芳香族へテロ環基と同義であり、好ましい範囲も同じである。R21~R26やX1は、得られたポリマー膜の熱安定性に優れることから、ビニル基やアリル基等の二重結合、アセチレン基、エポキシ基やオキセタン基などの環状エーテルを含まないものがより好ましい。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式aの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1-CとC-X2の結合の組およびX3-CとC-X4の結合の組は、いずれか一方が単結合で他方が二重結合の組み合わせを表す。したがって、X1とX2との間、X3とX4との間に前記の関係が成立する原子群がX1、X2、X3、X4の組合せとして選定される。A1、A2A1およびA2はそれぞれ独立してCR、CR2、SiRa、SiRa2、N、NRa、O、Sを表す。A1-A2の結合は単結合または二重結合を表す。Rはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基またはハロゲンを表す。Raはそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族ヘテロ環基を表す。同一原子に2つのRが結合している場合には、互いに結合して環を形成してもよく、同一原子を表して=O、=S、=CR2、=NRaとなってもよい。同一原子に2つのRaが結合している場合には、互いに結合して環を形成してもよい。異なる原子に結合したRまたはRaが互いに結合して環を形成してもよい。以下に、式aで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式bの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1-CとC-X2の結合の組およびX3-CとC-X4の結合の組は、いずれか一方が単結合で他方が二重結合の組み合わせを表す。したがって、X1とX2との間、X3とX4との間に前記の関係が成立する原子群がX1、X2、X3、X4の組合せとして選定される。A1、A2A1およびA2はそれぞれ独立してCR、CR2、SiRa、SiRa2、N、NRa、O、Sを表す。A1およびA2を含む6員環の各結合は単結合または二重結合を表す。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式bで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式cの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1-CとC-X2の結合の組およびX3-CとC-X4の結合の組は、いずれか一方が単結合で他方が二重結合の組み合わせを表す。したがって、X1とX2との間、X3とX4との間に前記の関係が成立する原子群がX1、X2、X3、X4の組合せとして選定される。A1A1CR2、SiRa2、NRa、O、Sを表す。A2、A3A2およびA3はそれぞれ独立してCR、CR2、SiRa、SiRa2、N、NRa、O、Sを表す。A2とA3の間の結合は単結合または二重結合を表す。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式cで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式dの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8式中、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7およびX8はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1、X2、X3およびX4含む6員環およびX5、X6、X7およびX8を含む6員環の各結合は単結合または二重結合を表す。但し、X1、X2、X3およびX4のうち1つ、X5、X6、X7およびX8のうち1つは、それぞれ別の構造単位と結合するための単結合を有している。AAはCR2、SiRa2、NRa、O、Sを表す。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式dで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式eの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8式中、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7およびX8はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1、X2、X3およびX4含む6員環およびX5、X6、X7およびX8を含む6員環の各結合は単結合または二重結合を表す。但し、X1、X2、X3およびX4のうち1つ、X5、X6、X7およびX8のうち1つは、それぞれ別の構造単位と結合するための単結合を有している。A1およびA2A1およびA2はそれぞれ独立してCR2、SiRa2、NRa、O、Sを表す。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式cで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式eで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式fの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1-CとC-X2の結合の組およびX3-CとC-X4の結合の組は、いずれか一方が単結合で他方が二重結合の組み合わせを表す。したがって、X1とX2との間、X3とX4との間に前記の関係が成立する原子群がX1、X2、X3、X4の組合せとして選定される。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式fで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式gの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4、X5、X6式中、X1、X2、X3、X4、X5およびX6はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1-CとC-X2の結合の組およびX3-CとC-X4の結合の組は、いずれか一方が単結合で他方が二重結合の組み合わせを表す。X3、X4、X5およびX6を含む6員環の各結合は単結合または二重結合を表す。したがって、X1とX2との間に前記の関係が成立する原子群がX1、X2の組合せとして選定される。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式gで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。本発明においては、前記式Iの構造単位を有するコポリマーに下記式hの共重合成分を用いることも好ましい。X1、X2、X3、X4式中、X1、X2、X3およびX4はそれぞれ独立してSi、S、S=O、O、N、NRa、P、Se、Te、CRまたはCR2を表す。X1-CとC-X2の結合の組およびX3-CとC-X4の結合の組は、いずれか一方が単結合で他方が二重結合の組み合わせを表す。したがって、X1とX2との間、X3とX4との間に前記の関係が成立する原子群がX1、X2、X3、X4の組合せとして選定される。A1、A2A1およびA2はそれぞれ独立してCR2、SiRa2、NRa、O、Sを表す。R、Raは前記式aと同義である。以下に、式hで表される構造単位の例を挙げるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。前記式Iの構造単位を含むコポリマーとして好ましいものを下記に例示するが、これにより本発明が限定して解釈されるものではない。なお、式中、m、nは共重合比モル比である。本発明の式Iで表される構造単位を有するポリマーは、カップリング反応、例えばChemicalReviews,2002年,102巻,1358ページなどに記載の方法を用いて合成することができる。すなわち、遷移金属触媒使用した、亜鉛反応剤を用いる根岸カップリング、スズ反応剤を用いる右田-小杉-Stilleカップリング、ホウ素反応剤を用いる鈴木-宮浦カップリング、マグネシウム反応剤を用いる熊田-玉尾-Corriuカップリング、ケイ素反応剤を用いる檜山カップリングなどのクロスカップリングや、銅を使用したUllmann反応、ニッケルを使用した山本重合などを利用して合成することができる。遷移金属触媒としては、パラジウム、ニッケル、銅、コバルト、鉄JournaloftheAmericanChemicalSociety,2007年,129巻,9844ページ記載などの金属を使用することができる。また金属は配位子を有していても良く、PPh3、Pt-Bu3などのリン配位子や、N-ヘテロサイクリックカルベン配位子AngewandteChemieInternationalEdition,2002年,41巻,1290ページ記載などが好ましく用いられる。原料となるスズ反応剤やホウ素反応剤などの金属反応剤は、OrganicSynthesisCollectiveVolume,11巻,2009年,393ページ、同9巻,1998年,553ページ、Tetrahedron,1997年,53巻,1925ページ、JournalofOrganicChemistry,1993年,58巻,904ページ、特開2005-290001号公報、特表2010-526853号公報などの記載を参考にして合成することができる。反応はMacromolecularRapidCommunications,2007年,28巻,387ページに記載されているようにマイクロウェーブ照射下でおこなってもよい。前記式Iで表される構造単位を有するポリマーの分子量は特に限定されないが、重量平均分子量で5,000~50,0000が好ましく、10000~100,000がより好ましい。分子量及び分散度は特に断らない限りGPCゲルろ過クロマトグラフィー法を用いて測定した値とし、分子量はポリスチレン換算の重量平均分子量とする。GPC法に用いるカラムに充填されているゲルは芳香族化合物を繰り返し単位に持つゲルが好ましく、例えばスチレン-ジビニルベンゼン共重合体からなるゲルが挙げられる。カラムは2~6本連結させて用いることが好ましい。用いる溶媒は、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、N-メチルピロリドンのアミド系溶媒、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、1,2-ジクロロベンゼン等の芳香族系溶媒が挙げられる。測定は、溶媒の流速が0.1~2mL/minの範囲で行うことが好ましく、0.5~1.5mL/minの範囲で行うことが最も好ましい。この範囲内で測定を行うことで、装置に負荷がかからず、さらに効率的に測定ができる。測定温度は10~50°Cで行うことが好ましく、20~40°Cで行うことが最も好ましい。使用可能温度が高いカラムを用いて50°C~200°Cで測定をおこなうこともできる。なお、使用するカラム及びキャリアは測定対象となる高分子化合物の物性に応じて適宜選定することができる本発明において式I表される構造単位を含むポリマーが共重合体であるとき、その共重合比は特に限定されないが、式Iで表される構造単位がモル比で全体の10~90モルであることが好ましく、45~55モルであることが好ましい。本発明の式Iで表される構造単位は非対称であるため、これを含むポリマーには結合様式の違いによる位置規則性が生じる。本発明では代表的な一つの結合様式のみを記載しているが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。コポリマーはランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、周期的共重合体のいずれであってもよいが、交互共重合体または周期的共重合体であることが好ましく、交互共重合体であることがより好ましい。本明細書において化合物やポリマー重合体については、当該化合物やポリマーそのもののほか、その塩、錯体、そのイオンの状態にあるものを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の形態で修飾された誘導体を含む意味である。また、本明細書において置換無置換を明記していない置換基連結基を含むについては、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換無置換を明記していない化合物やポリマーについても同義である。好ましい置換基としては、下記置換基Tが挙げられる。置換基Tとしては、下記のものが挙げられる。アルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アリール基好ましくは炭素原子数6~26のアリール基、例えば、フェニル、1-ナフチル、4-メトキシフェニル、2-クロロフェニル、3-メチルフェニル等、ヘテロ環基好ましくは炭素原子数2~20のヘテロ環基、例えば、2-ピリジル、4-ピリジル、2-イミダゾリル、2-ベンゾイミダゾリル、2-チアゾリル、2-オキサゾリル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、スルホンアミド基好ましくは炭素原子数0~20のスルホンアミド基、例えば、N,N-ジメチルスルホンアミド、N-フェニルスルホンアミド等、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等、カルバモイル基好ましくは炭素原子数1~20のカルバモイル基、例えば、N,N-ジメチルカルバモイル、N-フェニルカルバモイル等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等、シアノ基、又はハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基又はハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基又はシアノ基が挙げられる。<有機半導体ポリマー>本発明の前記式Iで表される構造単位を有するポリマーは、有機半導体ポリマーとして有用である。有機半導体ポリマーとは、半導体としての性質を示すことが可能な有機化合物のポリマーであり、本発明のポリマーは、とりわけp型有機半導体ポリマーとして有用である。なお、ポリマーを含むp型有機半導体化合物は、一般的に最高被占軌道HOMO準位が4.5~6.0eVのπ電子共役系化合物である。有機半導体ポリマーは有機エレクトロニクス分野で使用される、電気を流すと発光する有機エレクトロルミネッセンス素子、光照射で発電する有機光電変換素子、電流量や電圧量を制御する有機薄膜トランジスタ素子、電気化学センサー、プリンタブル回路等で利用される。本発明においては、光電池、特に有機薄膜太陽電池で使用するのが好ましい。<有機半導体材料用組成物>本発明の有機半導体材料用組成物に関して説明する。本発明の前記式Iで表される構造単位を有するポリマーは、p型有機半導体ポリマーとして有用であり、本発明の有機半導体材料用組成物は、この式Iで表される構造単位を有するポリマーとn型半導体化合物を含有するが、特に本発明においてはn型有機半導体化合物を含有することが好ましい。また、必要によっては、式Iで表される構造単位を有するポリマー以外のp型有機半導体化合物、半導体以外の化合物例えば、その他のp型半導体化合物として、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTや、ポリ[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレンビニレンMEH-PPV、ポリ[2-メトキシ-5-3’,7’-ジメチルオクチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン]MDMO-PPV、ポリ[9,9-ジ-n-オクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,8-ジイル]F8BT等が例示され、半導体以外の化合物としては、後述するポリエステル系樹脂やメタクリル樹脂等の他のポリマーを含有してもよい。式Iで表される構造単位を有するポリマーの含有量は特に限定されないが、組成物全量の質量を100としたとき、式Iで表される構造単位を有するポリマーを10~90質量含有させることが好ましく、30~70質量含有させることがより好ましい。n型有機半導体化合物については、組成物全量の質量を100としたとき、10~90質量含有させることが好ましく、30~70質量含有させることがより好ましい。式Iで表される構造単位を有するポリマー以外の任意のp型有機半導体化合物については、0~50質量含有させることが好ましく、0~30質量含有させることがより好ましい。半導体以外の化合物については、その成分にもよるが、0~50質量程度含有させてもよい。なお、本発明において組成物とは、2以上の成分が特定の組成で実質的に均一に存在していることを言う。ここで実質的に均一とは発明の作用効果を奏する範囲で各成分が偏在していていもよいことを意味する。また、組成物とは上記の定義を満たす限り形態は特に限定されず、流動性の液体やペーストに限定されず、複数の成分からなる固体や粉末等も含む意味である。さらに、沈降物があるような場合でも、攪拌により所定時間分散状態を保つようなものも組成物に含む意味である。<有機薄膜太陽電池の部材>n型有機半導体化合物n型有機半導体化合物としては、特に限定されないが、一般的に、その最低空軌道LUMO準位が3.5~4.5eVであるようなπ電子共役系化合物であり、例えば、フラーレンもしくはその誘導体、オクタアザポルフィリン等、p型有機半導体化合物の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体例えば、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。これらのn型有機半導体化合物のうち、本発明の式Iで表される構造単位を有する有機半導体ポリマーp型有機半導体化合物と高速かつ効率的に電荷分離ができるためフラーレンもしくはその誘導体が好ましく、フラーレンもしくはその誘導体がより好ましい。フラーレンやその誘導体としては、C60フラーレン、C70フラーレン、C76フラーレン、C78フラーレン、C84フラーレン、C240フラーレン、C540フラーレン、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、およびこれらの一部が水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、シリル基等によって置換されたフラーレン誘導体を挙げることができる。フラーレン誘導体としては、フェニル-C61-酪酸エステル、ジフェニル-C62-ビス酪酸エステル、フェニル-C71-酪酸エステル、フェニル-C85-酪酸エステルまたはチエニル-C61-酪酸エステルが好ましく、上記の酪酸エステルのアルコール部分の好ましい炭素数は1~30、より好ましくは1~8、さらに好ましくは1~4、最も好ましくは1である。好ましいフラーレン誘導体を例示すると、フェニル-C61-酪酸メチルエステル[60]PCBM、フェニル-C61-酪酸n-ブチルエステル[60]PCBnB、フェニル-C61-酪酸イソブチルエステル[60]PCBiB、フェニル-C61-酪酸n-ヘキシルエステル[60]PCBH、フェニル-C61-酪酸n-オクチルエステル[60]PCBO、ジフェニル-C62-ビス酪酸メチルエステルビス[60]PCBM、フェニル-C71-酪酸メチルエステル[70]PCBM、フェニル-C85-酪酸メチルエステル[84]PCBM、チエニル-C61-酪酸メチルエステル[60]ThCBM、C60ピロリジントリス酸、C60ピロリジントリス酸エチルエステル、N-メチルフラロピロリジンMP-C60、1,2-メタノフラーレンC60-61-カルボン酸、1,2-メタノフラーレンC60-61-カルボン酸t-ブチルエステル、特開2008-130889号公報等のメタロセン化フラーレン、米国特許第7,329,709号明細書等の環状エーテル基を有するフラーレンが挙げられる。p型有機半導体化合物本発明の有機半導体材料用組成物には、本発明の前記式Iで表される構造単位を有するポリマーとともに、他のp型半導体化合物例えば、縮合多環芳香族低分子化合物、オリゴマーまたはポリマーを含有してもよい。p型半導体化合物である縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、サーコビフェニル、アントラジチオフェン等の化合物、ポルフィリンや銅フタロシアニン、テトラチアフルバレンTTF-テトラシアノキノジメタンTCNQ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、及びこれらの誘導体や前駆体が挙げられる。光電変換層本発明の有機半導体材料用組成物は、光電変換層特にバルクへテロ結合層の塗工用組成物として好ましく使用される。電子供与材料であるp型有機半導体化合物と電子受容材料であるn型半導体化合物の混合比は光電変換効率が最も高くなるように調整されるが、通常は、質量比で、10:90~90:10、好ましくは20:80~80:20の範囲から選ばれる。このような混合層の形成方法は、例えば、共蒸着法が用いられる。あるいは、両方の有機材料に共通する溶媒を用いて溶剤塗布することによって作製することも可能である。正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有するためには、塗布法が好ましい。ここで、光電変換層における電子供与領域ドナーと電子受容領域アクセプターの相分離促進、光電変換層に含まれる有機材料の結晶化、電子輸送層の透明化などを目的として、種々の方法で加熱処理アニールしてもよい。蒸着等の乾式製膜法の場合は、例えば、製膜中の基板温度を50°C~150°Cに加熱する方法がある。印刷や塗布等の湿式製膜法の場合は、塗布後の乾燥温度を50°C~150°Cとする方法などがある。また、後の工程、例えば、金属負極の形成が終了した後に50°C~150°Cに加熱してもよい。相分離が促進されることで、キャリア移動度が向上し、高い光電変換効率を得ることができることがある。電極本発明に関わる光電変換素子においては、少なくとも第一の電極と第二の電極を有する。第一の電極と第二の電極は、いずれか一方が正極で、残りが負極となる。また、タンデム構成をとる場合には中間電極を用いることでタンデム構成を達成することができる。なお、本発明においては主に正孔ホールが流れる電極を正極と称し、主に電子が流れる電極を負極と称す。また透光性があるかどうかといった機能面から、透光性のある電極を透明電極と称し、透光性のない電極を対電極または金属電極と称す。通常、正極は透光性のある透明電極であり、負極は透光性のない対電極または金属電極であるが、第一の電極と第二の電極の両方を透明電極とすることもできる。第一の電極第一の電極は、正極であり、太陽電池の場合、好ましくは可視光から近赤外光380~800nmの光を透過する透明電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ等を用いることができる。またポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレン及びポリナフタレンの各誘導体からなる群より選ばれる導電性ポリマー等も用いることができる。また、これらの導電性化合物を複数組み合わせて正極とすることもできる。なお、光透過性が要求されない場合は、ニッケル、モリブデン、銀、タングステン、金などの金属材料によって正極を形成してもよい。透明な太陽電池とする場合は、正極の透過率は、太陽電池に使用する厚さ例えば、0.2μmの厚さで、波長380nm~800nm領域における平均光透過率が75以上であることが好ましく85以上であることがより好ましい。第二の電極本発明の第二の電極は負極であり、標準電極電位が正値である金属負極である。負極は導電材単独層であってもよいが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。負極の導電材としては、仕事関数の小さい4eV以下金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子の取り出し性能及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。負極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。負極の導電材として金属材料を用いれば負極側に到達した光は反射されて第一の電極側に反射され、この光が再利用可能となり、光電変換層で再度吸収され、より光電変換効率が向上し好ましい。また、負極は、金属例えば金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム等、炭素からなるナノ粒子、ナノワイヤー、ナノ構造体であってもよく、ナノワイヤーの分散物であれば、透明で導電性の高い負極を塗布法により形成でき好ましい。また、負極側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等の負極に適した導電性材料を薄く1~20nm程度の膜厚で作製した後、上記正極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性負極とすることができる。ホール輸送層本発明においては、第一の電極と光電変換層の間にホール輸送層を設けるのが好ましい。ホール輸送層を形成する導電性ポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレン、ポリアセチレン、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチアジアゾール等や、これら導電骨格を複数有するポリマー等が挙げられる。これらのなかではポリチオフェンおよびその誘導体が好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリチエノチオフェンが特に好ましい。これらのポリチオフェンは導電性を得るために、通常、部分酸化されている。導電性ポリマーの電気伝導率は部分酸化の程度ドープ量で調節することができ、ドープ量が多いほど電気伝導率が高くなる。部分酸化によりポリチオフェンはカチオン性となるので、電荷を中和するための対アニオンを要する。そのようなポリチオフェンの例としては、ポリスチレンスルホン酸を対イオンとするポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT-PSSやp-トルエンスルホン酸を対アニオンとするポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT-TsOが挙げられる。電子輸送層本発明においては、第二の電極と光電変換層の間に電子輸送層を設けることが好ましく、第一の電極と光電変換層の間にホール輸送層を設け、かつ光電変換層と第二の電極の間に電子輸送層を設けるのが特に好ましい。電子輸送層に用いることのできる電子輸送材料としては、前記の光電変換層で挙げた電子受容材料であるn型半導体化合物および、ケミカルレビュー第107巻,953~1010頁2007年にElectron-TransportingandHole-BlockingMaterialsとして記載されているものが挙げられる。本発明においては、無機塩や無機酸化物を使用することが好ましい。無機塩としては、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属化合物等が好ましい。各種金属酸化物は安定性が高い電子輸送層の材料として好ましく利用され、例えば、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化ニオブ、酸化ルテニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化バリウムが挙げられる。これらのうち比較的に安定な酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛がより好ましい。電子輸送層の膜厚は0.1~500nmであり、好ましくは0.5~300nmである。電子輸送層は、塗布などによる湿式製膜法、蒸着やスパッタ等のPVD法による乾式製膜法、転写法、印刷法など、いずれによっても好適に形成することができる。なお、光電変換層に用いられるp型半導体化合物のHOMO準位よりも深いHOMO準位を有する電子輸送層には、光電変換層で生成した正孔ホールを負極側には流さないような整流効果を有する、正孔ホールブロック機能が付与される。より好ましくは、n型半導体化合物のHOMO準位よりも深い材料を電子輸送層として用いることである。また、電子を輸送する特性から、電子移動度の高い化合物を用いることが好ましい。このような電子輸送層は、正孔ホールブロック層とも称し、このような機能を有する電子輸送層を使用するほうが好ましい。このような材料としては、バソキュプロイン等のフェナントレン系化合物、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等のn型半導体化合物、及び酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウム等のn型無機酸化物及びフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属化合物等を用いることができる。また、光電変換層に用いたn型半導体化合物単体からなる層を用いることもできる。支持体本発明の光電池を構成する支持体は、その上に少なくとも第一の電極正極、光電変換層、第二の電極金属負極、より好ましい態様では、第一の電極正極、ホール輸送層、光電変換層、電子輸送層、第二の電極金属負極を形成して保持することができるものであれば特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチックフィルムなど、目的に応じて適宜選択しうる。その他、常用のものを適用して、易接着層/下塗り層、機能性層、再結合層、その他の半導体層、保護層、ガスバリア層などを配設してもよい。本発明の式Iで表される構造単位を有するポリマーに対し、光電池について説明してきたが、いくつかの実施形態では、本発明の式Iで表される構造単位を有するポリマーを、その他の素子およびシステムに使用することができる。例えば、電界効果トランジスタ、光検出器例えば、赤外光検出器、光起電力検出器、撮像素子例えば、カメラまたは医用画像撮影システムのRGB撮像素子、発光ダイオードLED例えば、有機LED、または赤外もしくは近赤外LED、レーザー素子、変換層例えば、可視発光を赤外発光に変換する層、電気通信用の増幅器兼放射器例えば、ファイバ用ドープ剤、記憶素子例えば、ホログラフィック記憶素子、並びにエレクトロクロミック素子例えば、エレクトロクロミックディスプレイのような好適な有機半導体素子に、これらのポリマーを使用することができる。以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。合成例ポリマー1の合成化合物Aをモノマーとしたホモポリマーポリマー1を、Macromolecules,1992年,25巻,1214~1223ページに記載の方法を参考にして合成した。なお、化合物AはChemischeBerichte,1991年,124巻,2481~2488ページに記載の方法を参考にして合成した。ポリマー2の合成化合物Bをモノマーとしたホモポリマーポリマー2を、ポリマー1と同様にして合成した。なお、化合物Bは特許4414881号公報に記載の方法を参考にして合成した。ポリマー3の合成化合物Cをモノマーとしたホモポリマーポリマー3を、ポリマー1と同様にして合成した。なお、化合物CはJournaloftheChemicalSociety,PerkinTransactions1,1994年,21巻,3065~3070ページに記載の方法を参考にして合成した。ポリマー4の合成化合物Dモノマーとしたホモポリマーポリマー4を、ポリマー1と同様にして合成した。なお、化合物DはEuropeanJournalofMedicinalChemistry,1988年,23巻,329~334ページに記載の方法を参考にして合成した。ポリマー5の合成化合物Bおよび化合物Eをモノマーとしたコポリマーポリマー5を、JournaloftheAmericanChemicalSociety,2008年,130巻,7670~7685ページに記載の方法を参考にして合成した。なお、化合物EはJournaloftheAmericanChemicalSociety,2008年,130巻,7670~7685ページに記載の方法で合成した。ポリマー6の合成化合物Bおよび化合物Fをモノマーとしたコポリマーポリマー6を、特開2011-116961号広報に記載の方法を参考にして合成した。なお、化合物FはAldrich社製試薬を使用した。ポリマー7の合成化合物Bおよび化合物Gをモノマーとしたコポリマーポリマー7を、ポリマー5と同様にして合成した。なお、化合物GはJournaloftheAmericanChemicalSociety,1998年,120巻,5355~5362ページに記載の方法を参考にして合成した。ポリマー8の合成化合物Bおよび化合物Hをモノマーとしたコポリマーポリマー8を、ポリマー5と同様にして合成した。なお、化合物Hは国際公開第2005/111045A1号パンフレットに記載の方法で合成した。ポリマー9の合成化合物Bおよび化合物Iをモノマーとしたコポリマーポリマー9を、ポリマー6と同様にして合成した。なお、化合物Iは欧州特許第1762553A1号公報に記載の方法で合成した。ポリマー10の合成化合物Bおよび化合物Jをモノマーとしたコポリマーポリマー10を、ポリマー5と同様にして合成した。なお、化合物GはSynthesis,1987年,185ページに記載の方法で合成した。ポリマー11の合成化合物Lおよび化合物Mをモノマーとしたコポリマーポリマー11を、ポリマー6と同様にして合成した。なお、化合物Lは化合物BからJournalofOrganicChemistry,2010年,75巻,5438~5452ページに記載の方法を参考にして、化合物Mは国際公開第2005/123673A1号パンフレットに記載の方法でそれぞれ合成した。ポリマー12の合成化合物Bおよび化合物Nをモノマーとしたコポリマーポリマー12を、ポリマー5と同様にして合成した。なお、化合物NはJournaloftheAmericanChemicalSociety,2009年,131巻,7792~7799ページに記載の方法で合成した。比較ポリマーAの合成米国特許出願公開2007/238854号明細書p5~6に記載の方法を参考にして、以下の比較ポリマーAを合成した。比較ポリマーBの合成特開2008-202053号公報p14~15に記載の方法を参考にして、以下の比較ポリマーBを合成した。比較ポリマーCの合成米国特許出願公開2007/238854号明細書p5~6に記載の方法を参考にして、以下の比較ポリマーCを合成した。比較ポリマーDの合成特開2008-202053号公報p14~15およびJournaloftheAmericanChemicalSociety,2008年,130巻,7670~7685ページに記載の方法を参考にして、以下の比較ポリマーDを合成した。光電池の作成下記表1に示したポリマーを使用して、以下の手順にてガラスITO基板上に光電池を形成した。清浄かつUVオゾン処理したITOガラス基板上に、ホール輸送層として使用するPEDOT:PSSH.C.Stark社CleviosPVPAI4083層をスピンコートし、120°C×15分間乾燥させた。引き続き、前記各p型半導体ポリマーとPC61BMSolenne社製[60]PCBMとの混合物質量比1:1をo-ジクロロベンゼンに溶解させた後、上記PEDOT:PSS層の上にスピンコートし、120°Cで15分間乾燥させ、光電変換層を形成させた。さらに、この光電変換層上にチタンイソプロポキシドシグマアルドリッチ社製の脱水エタノール溶液2質量をスピンコートし、室温で1時間乾燥させ酸化チタン層の電子輸送層を形成させた。その後、アルミニウムの高真空蒸着により上部電極を形成させることにより、光電池素子とした。この際、用いるガラスITO基板のサイズ、ITOと蒸着アルミニウムのパターンサイズを変えることによって、2mm□の素子と20mm□の2種類の素子を作成した。光電池の評価1素子の電流密度-電圧J-V特性上記のようにして作製したそれぞれの2mm□素子および20mm□素子を以下のようにして性能評価した。得られた素子を窒素雰囲気下酸素濃度1ppm以下、水分濃度1ppm以下で、ケースレー社Keithley製SMU2400型I-V測定装置を用いて、素子の電流密度-電圧J-V特性を評価した。オリエルOriel社製太陽光シミュレータからの濾波キセノン灯光を使用して、100mW/cm2のAM1.5Gスペクトルに近づけた。上記装置にて、出力された短絡電流Jsc、開放電圧Voc、フィルファクターFFおよび発電効率ηを下記表1に記載した。2大気放置での発電効率の保持率上記で得られた2mm□素子を遮光した大気23°C、50RH下に72時間曝し、その後、上記1と同様にして素子の電流密度-電圧J-V特性を評価した。保持率は下式で算出した。これらの結果を下記表1にまとめて示した。[式A]発電効率の保持率=大気放置後の発電効率/初期の発電効率×1003素子サイズ依存性上記で得られた2mm□素子と20mm□素子の初期の発電効率を比較し、素子サイズを大きくしたことによる発電効率の違いを、比率=20mm□素子の発電効率/2mm□素子の発電効率×100で算出した。この結果、本発明の有機半導体ポリマーを用いた太陽電池素子は、発電効率ηが高く、大気放置後の発電効率の保持率が高く、さらに、素子サイズを大きくした時の発電効率の低下が少ないことがわかる。なお、前記例示構造ex1-11、ex1-15、もしくはex1-16のホモポリマー、ex1-14と5R15,R16はC6H13とのコポリマー、ex1-14と11R15,R16はC6H13とのコポリマー、ex1-14と17R15、R16はH、R18はCH3、X2,Y1はOとのコポリマー、ex1-14と23とのコポリマーを用い同様の評価を行い、上記各項目において良好な性能が得られることを確認した。一方、比較例の有機半導体ポリマーを用いた太陽電池素子は、変換効率ηが低く、大気放置後に変換効率ηが低下しやすく、また、素子サイズを大きくした際の発電効率の低下が大きいことがわかる。"