主電流に応じた中心波長を有するとともに変調電流に応じて変調したレーザ光を、前記中心波長を変化させながら発振する光源と、計測対象ガスを透過した前記レーザ光の強度に応じて検出信号を出力する検出部と、前記検出信号から前記変調電流の周波数を正の整数倍した周波数で振動する特定の周波数成分を取得する取得部と、前記特定の周波数成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比を算出する算出部と、前記計測対象ガスの状態を規定する状態量と前記比との予め定められた関係に基づいて、前記比から前記状態量を判定する判定部と、を備えるガス計測装置。前記計測対象ガスの状態を規定する1または複数の測定可能状態量を測定する測定部をさらに備え、前記判定部は、前記比および測定された前記1または複数の測定可能状態量を用いて前記状態量を判定する、請求項1に記載のガス計測装置。前記状態量と前記比との前記予め定められた関係は、前記計測対象ガスを基準試料に置き換えた場合に前記状態量と前記比とが満たす関係である、請求項1または2に記載のガス計測装置。前記状態量は、前記計測対象ガスの温度である、請求項1から3のいずれかに記載のガス計測装置。前記状態量は、前記計測対象ガスの圧力である、請求項1から3のいずれかに記載のガス計測装置。前記状態量と前記比との前記予め定められた関係は、前記1または複数の測定可能状態量および前記測定量を含み前記計測対象ガスの状態を規定する状態量群と前記比とが満たす関係である、請求項2から5のいずれかに記載のガス計測装置。前記状態量群は、前記計測対象ガスの温度および圧力を含んでいる、請求項6に記載のガス計測装置。主電流に応じた中心波長を有するとともに変調電流に応じて変調したレーザ光を発振する光源と、計測対象ガスを透過した前記レーザ光の強度に応じて信号を出力する検出部と、を有するガス計測装置における前記計測対象ガスの状態量の測定方法であって、前記中心波長を変化させながら、前記計測対象ガスを透過した前記レーザ光から検出信号を取得することと、前記検出信号から前記変調電流の周波数を正の整数倍した周波数で振動する特定の周波数成分を取得することと、前記特定の周波数成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比を算出することと、前記計測対象ガスの状態を規定する状態量と前記比との予め定められた関係に基づいて、前記比から前記状態量を判定することと、を含む、状態量の測定方法。主電流に応じた中心波長を有するとともに変調電流に応じて変調したレーザ光を、前記中心波長を変化させながら発振する光源と、計測対象ガスを透過した前記レーザ光の強度に応じて検出信号を出力する検出部と、前記検出信号から前記変調電流の周波数を正の整数倍した周波数で振動する特定の周波数成分を取得する取得部と、を備えるガス計測装置に用いられるプログラムであって、前記特定の周波数成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比を算出することと、前記計測対象ガスの状態を規定する状態量と前記比との予め定められた関係に基づいて、前記比から前記状態量を判定することと、を含む状態量の測定方法をコンピュータに実行させるプログラム。このように、計測対象ガスにおいて測定対象成分の濃度を測定するためには、計測対象ガスの温度、圧力、およびガス内に共存する各成分の分圧などの状態量を測定する必要がある。しかしながら、熱電対、圧力計などの計測器は消耗品であり、交換が必要となるので、計測器を用いずに状態量が測定できれば有利である。また、熱電対、圧力計などの計測器では正確な計測を行うことが難しい場合には、計測器を用いない測定が必要とされる。このような場合の例としては、微小サンプルを計測する場合、および高温、高圧、腐食環境において計測を行う場合が挙げられる。また、測定対象となる状態量が多種類の場合に、それらの状態量の全てについて専用の計測器を設けることが困難な場合も考えられる。特許文献1および特許文献3に記載された方法では、専用の計測器を用いずに状態量が測定されている。しかしながら、いずれの方法も半値幅の検出を伴っている。ここで、半値幅を検出するためには、スペクトルの極大および極小が現れる波長範囲の全域において、波長を掃引する必要がある。このとき、掃引範囲が大きくなると、半値幅を短時間で検出できない場合がある。また、駆動電流とレーザ光の波長との関係は一般に線形ではないので、駆動電流を変化させるとレーザ光の波長が予想外に大きく変化することがある。つまり、レーザ光の波長を精度良く制御できない場合がある。その結果、半値幅の検出において精度が低下する可能性がある。ここに開示される技術は、上記の問題点を考慮して生み出されたものであり、計測対象ガスの状態量の測定において、精度を確保するとともに、必要とされる計測器を減らすことにより簡素化を実現する技術を提供することを目的とする。第1の特徴に係るガス計測装置は、光源と、検出部と、取得部と、算出部と、判定部と、を有する。光源は、主電流に応じた中心波長を有するとともに変調電流に応じて変調したレーザ光を、中心波長を変化させながら発振する。検出部は、計測対象ガスを透過したレーザ光の強度に応じて検出信号を出力する。取得部は、検出信号から変調電流の周波数を正の整数倍した周波数で振動する特定の周波数成分を取得する。算出部は、特定の周波数成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比を算出する。判定部は、計測対象ガスの状態を規定する状態量と比との予め定められた関係に基づいて、比から状態量を判定する。第2の特徴に係る測定方法は、主電流に応じた中心波長を有するとともに変調電流に応じて変調したレーザ光を発振する光源と、計測対象ガスを透過したレーザ光の強度に応じて信号を出力する検出部と、を有するガス計測装置における計測対象ガスの状態量の測定方法である。この方法は、中心波長を変化させながら、計測対象ガスを透過したレーザ光から検出信号を取得することを含む。また、この方法は、検出信号から変調電流の周波数を正の整数倍した周波数で振動する特定の周波数成分を取得することを含む。また、この方法は、特定の周波数成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比を算出することを含む。そして、この方法は、計測対象ガスの状態を規定する状態量と比との予め定められた関係に基づいて、比から状態量を判定することを含む。第3の特徴に係るプログラムは、光源と、検出部と、取得部と、を備えるガス計測装置に用いられるプログラムである。光源は、主電流に応じた中心波長を有するとともに変調電流に応じて変調したレーザ光を、中心波長を変化させながら発振する。検出部は、計測対象ガスを透過したレーザ光の強度に応じて検出信号を出力する。取得部は、検出信号から変調電流の周波数を正の整数倍した周波数で振動する特定の周波数成分を取得する。このプログラムは、特定の周波数成分の極小値の大きさと特定の周波数成分の極大値の大きさとの比を算出することと、計測対象ガスの状態を規定する状態量と比との予め定められた関係に基づいて、比から状態量を判定することと、を含む状態量の測定方法をコンピュータに実行させる。ここで、第1の特徴に係るガス計測装置、第2の特徴に係る測定方法、および第3の特徴に係るプログラムにおいて、主電流とは、変調電流の1周期が経過する間、強度が概ね一定に保たれる電流である。この測定方法では、特定の周波数成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比から状態量が判定される。これにより、波長値を用いた半値幅のような値から状態量が判定される場合に比べて、状態量の測定における精度を高めることが容易となる。そして、専用の計測器を用いずに、状態量と比との予め定められた関係に基づいて状態量が判定される。その結果、状態量の測定における精度を確保できる。また、状態量を測定するための装置を省略することが可能となるので、状態量の測定が簡素化される。1.1:全体構成図1を用いて実施形態に係るガス計測装置1について説明する。図1は、ガス計測装置1の構成図である。ガス計測装置1は、光源2と、倍周器10と、第1受光装置14と、信号処理装置16と、第1位相敏感検波装置18と、温度調整器20と、測定装置22と、波形発生部24と、コンピュータ40と、を有している。また、波形発生部24は、定電流発生装置4と、第1波形発生器6と、第2波形発生器8と、波形混合器12と、を有している。光源2は、駆動電流に応じた波長および強度のレーザ光を発振する装置である。光源2に入力される駆動電流には、定電流、ランプ波、および変調電流が含まれる。なお、駆動電流は、定電流、ランプ波、および変調電流の全てを含んでいなくてもよい。例えば、計測対象ガス30の濃度測定においては、駆動電流は定電流および変調電流のみを含んでいる場合がある。本実施形態では、光源2は半導体レーザである。半導体レーザにおいては、駆動電流の強度と発振されるレーザ光の波長との関係は、半導体レーザ素子の特性に依存する。通常、駆動電流の強度と波長との関係は線形ではない。また、半導体レーザ素子の特性は個々に異なっており、一般に、同じ値の電流が2つの異なる半導体レーザに入力された場合には、2つのレーザが発振するレーザ光の波長は同じにはならない。そして、半導体レーザ素子は入力された電流の累積量に応じて劣化するため、半導体レーザを使用することにより、電流に対する波長変化率が徐々に変化する。光源2が発振するレーザ光は、主電流に応じた中心波長を有する。つまり、主電流が定まると、光源2が発振するレーザ光の中心波長が定まる。主電流は、変調電流に比べて長い周期で強度が変化する、あるいは強度が概ね一定の電流である。別の表現では、主電流は、変調電流の1周期が経過する間、強度が概ね一定に保たれる電流である。本実施形態では、主電流は定電流およびランプ波を重畳することにより得られる。また、光源2が発振するレーザ光は、変調電流に応じて変調している。また、主電流にランプ波が混合されることにより、光源2は中心波長を変化させながらレーザ光を発振することができる。定電流発生装置4は、光源2に入力するための定電流を発生する。第1波形発生器6は、光源2に入力するためのランプ波を発生する。第1波形発生器6の生成するランプ波の強度は、傾斜状の増加とベースレベルへの復帰とを周期的に繰り返す。第2波形発生器8は、光源2に入力される変調電流を発生する。変調電流は、変調周波数ω1変調電流の周波数の一例で振動する。変調電流は一定の振幅を有しており、振幅の大きさは変調電流の強度を表している。また、第2波形発生器8は、変調周波数ω1で振動する変調信号S1を出力する。変調周波数ω1は、ランプ波の周波数よりも大きい。これにより、変調電流の1周期の間は、ランプ波の強度を一定とみなすことができる。倍周器10は、第2波形発生器8から入力された変調信号S1に基づいて、変調周波数ω1を2倍した高調周波数ω2で振動する信号S2を生成する。波形混合器12は、定電流発生装置4の出力する定電流と、第1波形発生器6の出力するランプ波と、第2波形発生器8の出力する変調電流と、を混合し、駆動電流を生成する。第1受光装置14検出部の一例は、光源2の発振するレーザ光を受光し、受光したレーザ光の強度に応じて検出信号I1検出信号の一例を出力する。第1受光装置14には、計測対象ガス30または基準試料後述を透過したレーザ光が入射する。本実施形態では、第1受光装置14はフォトダイオードである。信号処理装置16は、第1受光装置14の出力する検出信号I1に処理を施す装置である。信号処理装置16は、ローパスフィルタ16aを有している。ローパスフィルタ16aは、第1受光装置14から入力された検出信号I1の直流成分を抽出する。そして、信号処理装置16は、ローパスフィルタ16aの抽出した直流成分の強度を表す信号I2を出力する。第1位相敏感検波装置18は、第1受光装置14の出力する検出信号I1から、高調周波数ω2で振動する二次高調波成分特定の周波数成分の一例を取得する装置である。第1位相敏感検波装置18は、ロックインアンプ18aと、ローパスフィルタ18bと、を有している。ロックインアンプ18aは、二次高調波成分を位相敏感検波する。具体的には、第1位相敏感検波装置18は、第1受光装置14から入力された検出信号I1から高調周波数ω2で振動する成分を検出し、その成分に比例した直流信号を生成する。ロックインアンプ18aには、高調周波数ω2で振動する信号S2が倍周器10から入力されており、信号S2を用いて位相敏感検波する。ローパスフィルタ18bは、ロックインアンプ18aの出力する信号から、直流成分を抽出する。そして、第1位相敏感検波装置18は、ローパスフィルタ18bの抽出した直流成分を表す二次高調波信号I3を出力する。温度調整器20は、光源2の温度を調節する。光源2の発振するレーザ光の波長は半導体レーザ素子の温度に依存するので、温度調整器20によりレーザ光の波長を制御することができる。測定装置22測定部の一例は、計測対象ガス30の状態量を測定する。計測対象ガス30の状態量には、温度、圧力、および計測対象ガス30に含まれる各成分の分圧が含まれる。測定装置22は、測定された状態量を示す信号S3を生成する。本実施形態では、測定装置22は計測対象ガス30の温度を測定するので、信号S3は計測対象ガス30の温度を表している。コンピュータ40は、ガス計測装置1に含まれる各装置の出力する信号を処理する。コンピュータ40は、ガス計測装置1の制御装置の一例である。コンピュータ40には、信号処理装置16の出力する信号I2、第1位相敏感検波装置18の出力する二次高調波信号I3、および測定装置22の出力する信号S3が入力される。また、コンピュータ40は、波形発生部24を制御する。具体的には、コンピュータ40は、定電流発生装置4、第1波形発生器6、第2波形発生器8、および波形混合器12との間で信号を送受信可能であり、これらの装置を制御する。1.2:コンピュータ次に、図2を用いて、コンピュータ40をさらに説明する。図2は、コンピュータ40の機能部を示している。コンピュータ40は、図示しないCPUCentralProcessorUnit、ROMReadOnlyMemory、およびRAMRandomAccessMemoryを有している。CPUがROMに記録されたプログラムを実行することにより、プログラムに応じた演算処理が実行される。以下に説明する機能部は、プログラムに基づいた演算処理により実現される。コンピュータ40は、レコーダ41と、R算出部42と、第1判定部43と、第2判定部44と、濃度測定部45と、メモリ部46と、を有している。また、コンピュータ40は、ハードウェアにより実現される記録媒体読取部47を有している。記録媒体読取部47は、記録媒体50を装着可能であり、記録媒体50に情報を記録する機能および記録媒体50から情報を読み取る機能を有している。記録媒体50は、コンピュータ40から取り外し可能であり、プログラムおよびデータを記録可能である。また、コンピュータ40には、表示装置60と、入力装置70と、が接続されている。レコーダ41は、二次高調波成分の値を記録する。レコーダ41には、第1位相敏感検波装置18の出力する二次高調波信号I3が入力される。レコーダ41は、二次高調波信号I3に基づいて二次高調波成分の値を決定する。また、レコーダ41は、検出信号I1の直流成分の値を記録する。レコーダ41には、信号処理装置16の出力する信号I2が入力される。レコーダ41は、信号I2に基づいて検出信号I1の直流成分の値を決定する。R算出部42算出部の一例は、レコーダ41に記録された二次高調波成分の値を読み出し、ピークボトム比Rを算出する。ピークボトム比Rについては後述する。第1判定部43判定部の一例は、圧力とピークボトム比Rとの予め定められた関係に基づいて、ピークボトム比Rから圧力を判定する。より詳細には、第1判定部43は、計測対象ガス30の状態を規定する状態量群とピークボトム比Rとの予め定められた関係に基づいて、計測対象ガス30の圧力を判定する。本実施形態では、状態量群は、温度および圧力により構成される。第1判定部43の動作については後述する。第2判定部44は、計測対象ガス30の状態を規定する状態量群のうち、圧力以外の状態量、つまり温度を判定する。第2判定部44には、測定装置22の出力する信号S3が入力される。第2判定部44は、信号S3に基づいて計測対象ガス30の温度を判定する。したがって、測定装置22が測定する状態量は、計測対象ガス30の状態を規定する状態量群のうち、第1判定部43により測定される状態量以外の状態量である。濃度測定部45は、信号処理装置16から出力される信号I2、第1位相敏感検波装置18から出力される二次高調波信号I3、第1判定部43により判定された圧力、および測定装置22により測定された温度に基づいて、計測対象ガス30における標的成分の濃度を判定する。メモリ部46は、ガス計測装置1の動作に必要な情報を保持している。メモリ部46には、標的成分におけるピークボトム比R、圧力、および温度の間の関係が予め記録されている。また、メモリ部46には、標的成分の吸収係数、圧力、および温度の間の関係が予め記録されている。本実施形態では、メモリ部46はROMにより実現されている。表示装置60は、ガス計測装置1の状態およびガス計測装置1の操作に必要な情報を視覚情報として表示する。入力装置70は、ガス計測装置1の操作に必要な情報を入力するために用いられる。本実施形態では入力装置70はキーボードであるが、操作を入力できる装置であればよいので、タッチパネルなどの他の装置であっても構わない。1.3:圧力および濃度の測定方法次に、図3を用いて、ガス計測装置1における圧力状態量の一例の測定方法について説明する。図3は計測対象ガス30の濃度の測定方法を示しており、圧力測定のフローはステップS101~S107である。ステップS101では、掃引が開始される。具体的には、第1波形発生器6から出力されたランプ波が最小値つまり、ベースレベルの強度値から増加を開始する。これにより、主電流の強度は変調電流の変化に比べてゆっくりと変化する。主電流および変調電流を含んだ駆動電流は光源2に入力され、光源2は駆動電流に応じてレーザ光を発振する。光源2から出射したレーザ光は、計測対象ガス30に入射する。計測対象ガス30を透過したレーザ光は、第1受光装置14に入射する。ステップS102では、第1受光装置14により、検出信号I1が取得される。そして、検出信号I1は、信号処理装置16および第1位相敏感検波装置18に入力される。信号処理装置16では、検出信号I1の直流成分を表す信号I2が取得される。ステップS103では、第1位相敏感検波装置18により、検出信号I1から二次高調波信号I3が取得される。二次高調波信号I3は、コンピュータ40のレコーダ41に入力される。そして、レコーダ41により、二次高調波成分が記録される。ステップS104では、ランプ波による掃引が終了したかどうかが判定される。掃引はランプ波の1周期が経過することにより終了する。掃引の開始時点ではランプ波の大きさは最小であり、掃引の終了時点ではランプ波の大きさは最大である。掃引が終了した場合には、フローはステップS105に進む。掃引が途中の場合には、フローはステップS102に戻る。このように、一回の掃引の間に、二次高調波成分の取得が複数回実行される。つまり、掃引により、二次高調波成分の値の列が取得される。本実施形態では、二次高調波成分を取得するタイミングはコンピュータ40により制御されている。図4Aは、二次高調波成分の一例を示している。二次高調波成分のグラフの形状に影響し得る因子には、計測対象ガス30の温度、圧力、共存ガスの分圧、ならびにレーザ光の波長変調幅がある。他の高調波成分および基本周波数成分についても同様である。ここで、レーザ光の波長変調幅は、変調電流の強度に依存しており、変調電流の強度を定めることにより、レーザ光の波長変調幅が定まる。波長変調幅は事前に所定の値に調整されている。二次高調波成分のグラフの形状は、計測対象ガス30の吸収線の形状を反映している。図4Bは吸収線の一例を示している。圧力の影響が支配的である場合の吸収線の形状はローレンツ関数型を示し、ガス粒子の速度に起因するドップラー効果が支配的である場合の吸収線の形状はガウス関数型を示すことが知られている。そして、吸収線の形状は、半値幅2γにより特徴付けられる。半値幅2γは、ドップラー効果に起因するドップラー幅および圧力の影響に起因する圧力幅に依存する。標的成分のドップラー幅αDは、次の式1により表される。ここで、Tは温度、Mは標的成分の分子量、ν0は吸収の中心波数を表している。中心波数ν0は、吸収線のピークが得られるピーク波長λ0の逆数である。一方で、標的成分の圧力幅αPは、次の式2により表される。ここで、γiは共存ガスGiに固有の定数であり、Piは共存ガスGiの分圧を表している。また、なお、標的成分も共存ガスのひとつであり、αPには標的成分自身の寄与も加算されている。このように、吸収線の形状は計測対象ガス30の圧力、温度、および共存ガスの分圧に依存する。ステップS105では、R算出部42により、ピークボトム比Rが算出される。ピークボトム比Rは、二次高調波成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比である。図4Aには、二次高調波成分における極大および極小が示されている。二次高調波成分の極大値の大きさは、ベースラインとベースラインの正側にあるピークとの距離Pである。また、二次高調波成分の極小値の大きさは、ベースラインとベースラインの負側にあるピークとの距離Nである。そして、ピークボトム比RはP/Nにより算出される。なお、基本周波数成分および三次以上の高調波成分についても同様に極大値および極小値の大きさを特定することができる。また、二次高調波成分の強度を、距離Pおよび距離Nの和であるPN値により表すことができる。ステップS106では、測定装置22により、計測対象ガス30の温度測定可能状態量の一例が測定される。測定装置22から出力された信号S3は、コンピュータ40の第2判定部44に入力される。第2判定部44は、信号S3に基づいて計測対象ガス30の温度を判定する。ステップS107では、第1判定部43により、計測対象ガス30の圧力が測定される。第1判定部43は、ピークボトム比Rと計測対象ガス30の温度および圧力との予め定められた関係に基づいて、計測対象ガス30の圧力を判定する。ここで、図5A~図6を用いて、ピークボトム比R、圧力、および温度の間の関係について説明する。図5Aは、水を標的成分として、計測対象ガス30の温度、共存ガスの比率、および波長変調幅が一定に保たれた条件において、圧力を変化させながら二次高調波成分のピークボトム比Rを計測した結果を示している。図5Aに示されるように、圧力が変化するとピークボトム比Rが変化する。また、図示された圧力範囲では、圧力とピークボトム比Rとは、一対一に対応している。したがって、計測対象ガス30の温度、共存ガスの比率、および波長変調幅が一定に保たれた条件において、ピークボトム比Rを計測すれば、図5Aに示す関係を用いて、計測対象ガス30の圧力を判定できる。一方で、図5Bは、水を標的成分として、計測対象ガス30の圧力、共存ガスの比率、および波長変調幅が一定に保たれた条件において、温度を変化させながら二次高調波成分のピークボトム比Rを計測した結果を示している。図5Bに示されるように、温度が変化するとピークボトム比Rが変化する。また、図示された温度範囲では、温度とピークボトム比Rとは、一対一に対応している。したがって、計測対象ガス30の圧力、共存ガスの比率、および波長変調幅が一定に保たれた条件において、ピークボトム比Rを計測すれば、図5Bに示す関係を用いて、計測対象ガス30の温度を判定することができる。図6は、ピークボトム比R、温度、および圧力の間の予め定められた関係を示した図である。図6において、Tkkは添え字であり、正整数は温度値を表しており、Qllは添え字であり、正整数は圧力値を表している。また、Rklはピークボトム比Rの値を表している。図6に示された関係によれば、計測対象ガス30の温度がTkかつ圧力がQlである場合に、水つまり、標的成分の二次高調波成分におけるピークボトム比はRklである。例えば、測定装置22の測定により得られた温度がT3であり、二次高調波成分から算出されたピークボトム比Rの値がR23である場合には、計測対象ガス30の圧力はQ2であると判定される。なお、測定装置22の測定により得られた温度が図6のTkのいずれとも完全には一致しない場合、および算出されたピークボトム比Rが図6のRklのいずれとも完全には一致しない場合がある。この場合には、補間によって圧力値が導出される。図6に示された関係予め定められた関係の一例は、基準試料を計測することにより予め取得され、データとしてメモリ部46に記録されている。基準試料は、標的成分を組成に有する試料である。本実施形態では、基準試料は校正用ガスであり、標的成分を含有している。波長変調幅を一定に保ちつつ、基準試料の圧力および温度を変化させながら、二次高調波成分のピークボトム比Rが計測される。そして、計測されたピークボトム比Rが、計測時の温度および圧力と関連付けられた状態で記録される。したがって、図6に示された関係は、計測対象ガス30を基準試料に置き換えた場合に、圧力および温度とピークボトム比Rとが満たす関係である。ここで、計測対象ガス30のピークボトム比Rを計測する際の波長変調幅を、基準試料のピークボトム比Rを計測した際の波長変調幅に一致させておく必要がある。なお、基準試料の組成は、計測対象ガス30の組成に合わせて調整されている。基準試料は、計測対象ガス30に含まれると考えられる成分のうち、標的成分の吸収線に影響を及ぼす可能性のある成分を含んでいる。そして、基準試料において、標的成分の吸収線に影響を及ぼす可能性のある成分の比率は、計測対象ガス30におけるそれらの成分の比率と概ね等しくなるように調整されている。これにより、計測対象ガス30と基準試料とを比較した場合に、標的成分の吸収線に影響を及ぼす可能性のある成分の比率が若干異なっていても、基準試料において決定されたピークボトム比Rと温度と圧力との関係を、計測対象ガス30に適用することができる。図6に示した例では、計測対象ガス30内の大部分を特定の共存ガス例えば、窒素ガスが占めており、その特定の共存ガス以外の共存ガスが吸収線に与える影響は、本実施形態に係る状態量の測定が可能である程度に小さい。このことは、温度および圧力の測定は計測対象ガス30における水つまり、標的成分の濃度にほとんど依存せずに実施可能である。したがって、水の濃度が未知であっても、図6に示した関係を用いて、計測対象ガス30の圧力または温度を判定することができる。ここで、ある共存ガス成分の吸収線に与える影響が本実施形態に係る状態量の測定が可能である程度に小さいとは、その共存ガスの影響度が小さいことを意味している。影響度の大小は、各共存ガスの分圧と、共存ガスに固有の定数前述のγiにより評価できる。まとめると、ステップS107では、R算出部42により算出されたピークボトム比R、および測定装置22により測定された温度が、第1判定部43に入力される。第1判定部43は、入力された温度およびピークボトム比Rを用いて、メモリ部46に記録されたデータを参照することにより、温度および圧力とピークボトム比Rとの予め定められた関係に基づいて、ピークボトム比Rから計測対象ガス30の圧力を判定する。ステップS108では、濃度測定部45により、計測対象ガス30における標的成分の濃度が測定される。濃度測定部45は、二次高調波成分のPN値、および検出信号I1の直流成分のピーク強度を用いて、濃度を判定する。二次高調波成分の強度、すなわちPN値は、計測対象ガス30の圧力および温度に依存する。図7は、水を標的成分として、計測対象ガス30の温度、共存ガスの比率、および波長変調幅が一定に保たれた条件において、圧力を変化させながら二次高調波成分の強度を計測した結果を示している。図7に示す結果は、図5Aに示す結果と対応している。図7において、二次高調波成分の強度は、圧力が105kPaの場合の強度を1として表示されている。図7に示されるように、水の二次高調波成分の強度は圧力が増加するにつれて減少する。圧力の増加により吸収線の半値幅は広がるのに対して、波長変調幅が一定であることが、強度が減少する主な理由である。ここでは二次高調波成分の強度が圧力に依存することのみを例により示したが、一般に、高調波成分の強度は圧力だけでなく温度にも依存する。したがって、二次高調波成分の強度を用いて標的成分の濃度を測定するためには、二次高調波成分の強度を圧力および温度に応じて補正する必要がある。補正に必要な情報は、標的成分に関して予め取得され、データとしてメモリ部46に記録されている。ステップS108では、濃度測定部45は、メモリ部46に記録されたデータを参照し、計測対象ガス30の圧力および温度に応じて二次高調波成分のPN値を補正する。そして、濃度測定部45は、二次高調波信号の補正後のPN値に基づいて、標的成分本実施形態では、水の濃度を判定する。1.4:実施形態の作用効果上記実施形態は、下記のように表現可能である。1上記実施形態に係るガス計測装置1は、光源2と、第1受光装置14と、第1位相敏感検波装置18と、R算出部42と、第1判定部43と、を有している。光源2は、主電流に応じた中心波長を有するとともに変調電流に応じて変調したレーザ光を、中心波長を変化させながら発振する。第1受光装置14は、計測対象ガス30を透過したレーザ光の強度に応じて検出信号I1を出力する。第1位相敏感検波装置18は、検出信号I1から変調周波数ω1を2倍した高調周波数ω2で振動する二次高調波成分を取得する。R算出部42は、二次高調波成分のピークボトム比Rを算出する。第1判定部43は、圧力とピークボトム比Rとの予め定められた関係に基づいて、ピークボトム比Rから圧力を判定する。ここで、主電流とは、変調電流の1周期が経過する間、強度が概ね一定に保たれる電流である。このガス計測装置1では、二次高調波成分の極小値の大きさと極大値の大きさとの比であるピークボトム比Rから圧力が判定される。これにより、波長値を用いた半値幅のような値から圧力が判定される場合に比べて、圧力測定における精度を高めることが容易となる。そして、専用の計測器を用いずに、圧力とピークボトム比Rとの予め定められた関係に基づいて圧力が判定される。これにより、圧力を測定するための装置を省略することが可能となるので、圧力の測定が簡素化される。その結果、コストの削減が可能となる。2ガス計測装置1は、計測対象ガス30の状態を規定する温度を測定する測定装置22をさらに備えている。そして、第1判定部43は、ピークボトム比および測定された温度を用いて圧力を判定する。これにより、ガス計測装置1によれば、測定する状態量が複数である場合に、使用する測定器の個数を減らすことができる。3また、圧力とピークボトム比Rとの予め定められた関係は、計測対象ガス30を基準試料に置き換えた場合に圧力とピークボトム比Rとが満たす関係であるので、校正用ガスを基準試料として用いることができる。これにより、特別な試料を用意する必要なく、圧力とピークボトム比Rとの関係を予め調べることができる。2:他の実施形態以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態および変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。A前述の実施形態では、測定装置22により温度が測定され、第1判定部43により圧力が測定されていた。しかしながら、測定装置22により温度以外の状態量が測定されてもよく、また、第1判定部43により、圧力以外の状態量が測定されてもよい。例えば、測定装置22により圧力測定可能状態量の一例が測定され、第1判定部43により温度状態量の一例が測定されてもよい。この場合には、R算出部42により算出されたピークボトム比R、および測定装置22により測定された圧力が、第1判定部43に入力される。第1判定部43は、温度とピークボトム比Rとの予め定められた関係に基づいて、ピークボトム比Rから温度を判定する。より詳細には、第1判定部43は、入力された圧力およびピークボトム比Rを用いて、メモリ部46に記録されたデータを参照することにより、ピークボトム比Rと温度および圧力との予め定められた関係に基づいて、計測対象ガス30の温度を判定する。前述の実施形態と同様に、図6に示されたデータがメモリ部46に記録されており、予め定められた関係として用いられる。また、第1判定部43により、計測対象ガス30に含まれる共存ガスの分圧状態量の一例が測定されてもよい。この場合には、分圧測定の対象である成分の分圧を除く全ての状態量測定可能状態量の一例が測定装置22またはそれ以外の手段により測定される。また、事前に、基準試料を用意し、基準試料の圧力、温度、および共存ガスの分圧を変化させながら、ピークボトム比Rを計測しておく。ここで、基準試料に含まれる共存ガスの種類は、計測対象ガス30に含まれ標的成分の吸収線に影響を及ぼす可能性のある共存ガスの種類と一致している必要がある。事前に計測されたピークボトム比Rの情報は、計測時の温度、圧力、および共存ガスの分圧状態量群の一例と関連付けられた状態で、メモリ部46に記録される。共存ガスの分圧を測定する際には、第1判定部43は、測定装置22またはそれ以外の手段により測定された状態量、およびR算出部42により算出されたピークボトム比Rを用いて、メモリ部46のデータを参照しながら、特定の共存ガスの分圧を判定する。このように、ここに開示された方法を用いて、標的成分の吸収線に影響を及ぼす可能性のある共存ガスの分圧を測定することができる。さらに、以上に説明した、圧力、温度、および共存ガスの分圧以外であっても、標的成分の吸収線に影響を及ぼす可能性のある状態量を、ここに開示された方法を用いて測定してもよい。B前述の実施形態においてはWMSにより二次高調波成分が取得されていたが、検出信号I1から取得される周波数成分は、変調周波数ω1で振動する基本周波数成分特定の周波数成分の一例または三次以上の高調波成分特定の周波数成分の一例であってもよい。周波数成分の次数が2ではない場合には、得られるスペクトルにおける極小値および極大値の個数は二次の場合と異なっている。この場合には、それら複数の極値のうち、任意の2個以上を選び出し、それらの間の比を指標量として用いることにより、状態量の測定を行うことができる。また、前述の実施形態では、二次高調波成分における2つの極小値のうち、一方の極小値の値を用いてピークボトム比Rが算出されていた。しかしながら、ピークボトム比Rの算出においては、2つの極小値の平均値が用いられてもよい。C前述の実施形態では、状態量の測定に用いられ二次高調波成分の振る舞いを特徴付ける指標量として、ピークボトム比Rが採用されていた。しかしながら、状態量の測定に用いられる指標量は、ピークボトム比R以外の量であってもよい。例えば、以下に説明する実施形態を装置、方法、またはプログラムにより実現することができる。ここに説明する実施形態では、レコーダ41は、レーザ光の中心波長の値と、二次高調波成分の値と、を互いに関連付けられた状態で記録する。レコーダ41には、波形混合器12の出力する信号であって主電流を表す主電流信号と、第1位相敏感検波装置18の出力する二次高調波信号I3と、が入力される。レコーダ41は、主電流信号に基づいてレーザ光の中心波長の値を決定し、二次高調波信号I3に基づいて二次高調波成分の値を決定する。そして、レコーダ41は、中心波長および二次高調波成分の値をそれぞれX値およびY値として記録する。また、レコーダ41は、レーザ光の中心波長の値と、検出信号I1の直流成分の値と、を互いに関連付けられた状態で記録する。本項の実施形態では、前述のステップS101において、波形混合器12から出力された主電流信号は、コンピュータ40のレコーダ41に入力される。主電流信号は、レコーダ41により、中心波長に変換され記録される。また、前述のステップS103では、レコーダ41により、二次高調波成分は中心波長と関連付けられた状態で記録される。また、ステップS101~S104における掃引により、中心波長をX値、二次高調波成分をY値とするグラフの作成が可能となる。図4Aは、X値を中心波長、Y値を水の二次高調波成分とした場合のグラフを示している。これらの二次高調波成分グラフは、中心波長と二次高調波成分との関係を表している。本項の実施形態において、状態量の測定に用いられる指標量は、ピークボトム比Rでなくてもよい。例えば、指標量は、中心波長をX値、高調波成分をY値とするX-Yグラフ上における面積を用いて決定される量でもよい。具体的には、X-Yグラフ上における、高調波成分とベースラインとの間の領域の面積を用いることができる。より詳細には、高調波成分とベースラインとの間の領域のうち極小値の含まれる領域の面積をAN、極大値の含まれる領域をAPとした場合に、指標量は比AP/ANであってもよい図4A参照。つまり、比AP/ANと状態量との関係を予め取得しておき、比AP/ANの値を計測することにより、比AP/ANと状態量との関係を用いて状態量が測定される。なお、本項の実施形態の説明において、中心波長は主電流信号から導出されるとしていた。しかしながら、前述の通り、光源2に入力される駆動電流と発振されるレーザ光の波長との関係は、半導体レーザ素子の特性に依存する。そして、本項で説明した実施形態において導出される中心波長は、主電流信号に基づいて算出された概算値である。つまり、二次高調波成分をY値とするX-Yグラフにおいて、中心波長の値が正確に特定される必要はなく、X値は中心波長の値でなくてもよい。X-YグラフのX値は、光源2に入力される主入力の大きさを表す値であればよい。ここで、主入力とは、光源2に入力される信号であって、変調信号の1周期が経過する間、強度が概ね一定に保たれる信号である。主入力の一例としては、前述の主電流信号が挙げられる。したがって、X-YグラフのX値に主電流の大きさを用いることができる。また、時間に対するランプ波強度の増加割合が既知であれば、掃引開始からの経過時間から、主電流の大きさを見積もることができる。つまり、第1位相敏感検波装置18により二次高調波成分を取得したタイミングが分かれば、主電流信号を用いずに、主電流の大きさを見積もることができる。このことから、X-YグラフのX値に時間を用いることも可能である。例えば、第1位相敏感検波装置18による二次高調波成分の取得が一定の時間間隔で実行されるように、第1位相敏感検波装置18およびレコーダ41が制御されてもよい。これにより、X-YグラフにおけるX値は時間となる。この場合、X値は時間であるが、主入力である主電流信号に対応している。以上により、本項に記載の実施形態に係るガス計測装置は、次のように表現することができる。ガス計測装置は、光源と、検出部と、取得部と、算出部と、判定部と、を有する。光源は、主入力に応じた中心波長を有するとともに変調信号に応じて変調したレーザ光を、中心波長を変化させながら発振する。検出部は、計測対象ガスを透過したレーザ光の強度に応じて検出信号を出力する。取得部は、検出信号から変調信号の周波数を正の整数倍した周波数で振動する特定の周波数成分を取得する。算出部は、特定の周波数成分の値を用いて、主入力と特定の周波数成分との関係を表す指標量を算出する。判定部は、計測対象ガスの状態を規定する状態量と指標量との予め定められた関係に基づいて、指標量から状態量を判定する。ここで、変調電流は、上記の表現における変調信号の一例である。また、二次高調波成分のX-Yグラフは、上記の表現における主入力と特定の周波数成分との関係の一例である。また、上記の表現における指標量は、前述の実施形態においてはピークボトム比Rである。また、本項の実施形態において示したように、この指標量の他の一例は、比AP/ANである。D前述の実施形態では、圧力および温度とピークボトム比Rとの関係は、数値データで表されていたが、この関係は数式により表されていてもよい。例えば、ピークボトム比Rおよび温度を2つの変数とし圧力を出力とする関数予め定められた関係の一例を表す式を予め用意してもよい。この場合には、第1判定部43は、測定装置22により測定された温度およびR算出部42により算出されたピークボトム比Rを関数に入力することにより、圧力を算出する。E前述の実施形態では、標的成分の濃度測定において、ランプ波による掃引が実行されていたが、ランプ波による掃引を行わずにWMSを実行することも可能である。F前述の実施形態の各処理はハードウェアにより実現されてもよいし、ソフトウェアOSOperatingSystem、ミドルウェア、あるいは、所定のライブラリとともに実現される場合を含む。により実現されてもよい。さらに、前述の実施形態の各処理は、ソフトウェアおよびハードウェアの混在処理により実現されてもよい。また、前述の実施形態における処理方法の実行順序は、必ずしも、前述の実施形態の記載に制限されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で、実行順序が入れ替えられても構わない。また、前述の実施形態における各処理を実行するためのプログラムは、メモリ部46に記録することも可能であり、取り外し可能な記録媒体50に記録することも可能である。