基板を移動させるステージと、前記基板に積層されるレイヤと、前記レイヤにパターンを露光するために露光ビームをビームスポットアレイ状に転写し、仮想のマスクを生成する光変調素子と、前記レイヤに彫られた整列マークの位置を計測する整列部と、前記計測された整列マークの位置を用いて前記仮想のマスクに存在するターゲットマークの位置を計算し、前記計算されたターゲットマークの位置を用いて前記仮想のマスクと前記基板の整列を行う制御部と、を含むマスクレス露光装置。前記レイヤは複数で構成される、請求項1に記載のマスクレス露光装置。前記各レイヤには前記整列マークが2個以上存在する、請求項2に記載のマスクレス露光装置。前記整列部は、前記各レイヤ別の前記整列マークの位置を計測するスコープである、請求項2に記載のマスクレス露光装置。前記整列部は、前記複数のレイヤのうちi番目のレイヤに対する露光、現像、エッチング、蒸着及びPR塗布などの一連の工程が終了し、i1番目のレイヤを露光する直前の基板で前記i番目のレイヤに存在する前記整列マークの位置を計測する、請求項2に記載のマスクレス露光装置。前記制御部は、前記計算されたターゲットマークの位置と前記計測された整列マークの位置との間の相対位置を計算し、前記計算された相対位置によって前記各レイヤ別にオーバーレイするように前記ステージの移送量を決定する、請求項5に記載のマスクレス露光装置。前記制御部は、前記i1番目のレイヤを露光する前に前記計算された相対位置量だけ前記ステージの移送量を補償し、前記仮想のマスクと前記基板の整列を行う、請求項6に記載のマスクレス露光装置。前記ターゲットマークは、前記オーバーレイ整列時に基準になる仮想の整列マークである、請求項6に記載のマスクレス露光装置。基板をステージ上に載せ、前記基板にレイヤを積層する場合、前記レイヤにパターンを露光するために光変調素子を用いて仮想のマスクを生成し、前記レイヤに彫られた整列マークの位置を計測し、前記計測された整列マークの位置を用いて前記仮想のマスクに存在するターゲットマークの位置を計算し、前記計算されたターゲットマークの位置を用いて前記仮想のマスクと前記基板の整列を行うことを含むマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法。前記レイヤは複数で構成される、請求項9に記載のマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法。前記整列マークの位置を計測するのは、前記複数のレイヤのうちi番目のレイヤに対する露光、現像、エッチング、蒸着及びPR塗布などの一連の工程が終了し、i1番目のレイヤを露光する直前の基板で前記i番目のレイヤに存在する前記整列マークの位置を計測する、請求項10に記載のマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法。前記計算されたターゲットマークの位置と前記計測された整列マークの位置との間の相対位置を計算し、前記計算された相対位置によって前記ステージの移送量を決定し、前記決定されたステージの移送量を補償し、前記複数のレイヤをオーバーレイすることをさらに含む、請求項11に記載のマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法。前記ターゲットマークは、前記オーバーレイ整列時に基準になる仮想の整列マークである、請求項12に記載のマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法。本発明は、マスクレス露光で仮想のマスクを用いてレイヤ別にオーバーレイする方法を通してマスクレス積層露光を行うことができる整列方法を提案しようとする。このために、本発明の一側面によるマスクレス露光装置は、基板を移動させるステージと、基板に積層されるレイヤと、レイヤにパターンを露光するために露光ビームをビームスポットアレイ状に転写し、仮想のマスクを生成する光変調素子と、レイヤに彫られた整列マークの位置を計測する整列部と、計測された整列マークの位置を用いて仮想のマスクに存在するターゲットマークの位置を計算し、計算されたターゲットマークの位置を用いて仮想のマスクと基板の整列を行う制御部とを含む。レイヤは複数で構成され、各レイヤには整列マークが2個以上存在することが望ましい。整列部は、各レイヤ別の整列マークの位置を計測するスコープである。整列部は、複数のレイヤのうちi番目のレイヤに対する露光、現像、エッチング、蒸着及びPR塗布などの一連の工程が終了し、i1番目のレイヤを露光する直前の基板でi番目のレイヤに存在する整列マークの位置を計測することが望ましい。制御部は、計算されたターゲットマークの位置と計測された整列マークの位置との間の相対位置を計算し、計算された相対位置によって各レイヤ別にオーバーレイするようにステージの移送量を決定する。制御部は、i1番目のレイヤを露光する前に計算された相対位置量だけステージの移送量を補償し、仮想のマスクと基板の整列を行うことが望ましい。ターゲットマークは、オーバーレイ整列時に基準になる仮想の整列マークである。そして、本発明の一側面によるマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法は、基板をステージ上に載せ;基板にレイヤを積層する場合、レイヤにパターンを露光するために光変調素子を用いて仮想のマスクを生成し;レイヤに彫られた整列マークの位置を計測し;計測された整列マークの位置を用いて仮想のマスクに存在するターゲットマークの位置を計算し;計算されたターゲットマークの位置を用いて仮想のマスクと基板の整列を行うことを含む。また、本発明の一側面によるマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法は、計算されたターゲットマークの位置と計測された整列マークの位置との間の相対位置を計算し;計算された相対位置によってステージの移送量を決定し;決定されたステージの移送量を補償し、複数のレイヤをオーバーレイすることをさらに含む。提案されたマスクレス露光装置とマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法によれば、マスクレス露光で既存のマスク露光のマスクと同一の役割をする仮想のマスクという概念を導入し、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想のターゲットマークという概念を導入してレイヤ別にオーバーレイを行うことによって、マスクレス露光でも積層露光を行うことができる。以下、本発明の一実施例を添付の図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例によるマスクレス露光装置の構成図である。図1において、本発明の一実施例によるマスクレス露光装置100は、移動部110、光源部120、投影部130、整列部140、マーク撮像部150及び制御部160を含む。移動部110は、露光しようとする基板ウェハ、ガラスなどの所定のパターンを形成しようとするあらゆる試料Sを支持するステージであって、露光前に仮想のマスクVMvirtualmaskと基板Sの整列を行うとき、制御部160の指示によって移動することによって、仮想のマスクVMと基板Sの正確な整列を行う。ここで、基板Sには露光層であるレイヤLが積層されているが、このレイヤLは、露光工程を通して基板Sにパターンを形成する。光源部120は、露光のためのレーザ光を出力するもので、半導体レーザ又は紫外線ランプなどを含む。このレーザ光は、投影部130を介して移動部110に置かれた基板Sに出力される。投影部130は、移動部110の一側に固定設置され、仮想のマスクVMのパターンを形成するためのパターン形成光を複数のスポットビームに分離し、これら複数のスポットビームを基板Sに投影する。このような投影部130は、光源部120から出力された光を仮想のマスクVMのパターンを有する光に変調する光変調素子131と、光変調素子131で変調された光を拡大する第1のプロジェクションレンズ132と、複数のレンズがアレイ状に形成されており、第1のプロジェクションレンズ132で拡大された仮想のマスクVMパターンを有する光を複数の光に分離して集光するマルチレンズアレイMultiLensArray、MLA133と、マルチレンズアレイ133で集光された光の解像度を調整し、この集光された光を透過させる第2のプロジェクションレンズ134とを含む。光変調素子131は、空間光変調器SpatialLightModulator、SLMを含む。光変調素子131としては、例えば、MEMSMicroElectroMechanicalSystemsタイプのデジタルマイクロミラーデバイスDigitalMicro―mirrorDevice、DMD、2次元GLVGratingLightValve、投光性セラミックであるPLZTleadzirconatetantalateを用いた電気光学素子、強誘電性液晶FerroelectricLiquidCrystal、FLCなどを用いることができ、このうちDMDを使用することが望ましい。以下、説明の便宜上、DMDからなる光変調素子131を用いて本発明を説明する。DMDは、メモリセルと、メモリセル上にL行×M列のマトリックスタイプで配列された多数のマイクロミラーとを含んで構成されたミラーデバイスである。画像データによって生成された制御信号に基づいて各マイクロミラーの角度を異ならせ、所望の光は第1のプロジェクションレンズ132に反射させて送り、その他の光は異なる角度で送って遮断する。DMDからなる光変調素子131のメモリセルにデジタル信号が記録されれば、マイクロミラーが対角線を中心にして一定の角度例えば、12 ゚の範囲で傾斜する。各マイクロミラーのオン/オフは、後述する制御部160によってそれぞれ制御される。すなわち、オン状態のマイクロミラーによって反射された光は基板S上の露光対象物通常、PRPhotoresistを露光させ、オフ状態のマイクロミラーによって反射された光は基板S上の露光対象物を露光させなくなる。第1のプロジェクションレンズ132は、両側テレセントリック光学系からなっており、光変調素子131を経た像を、例えば、約4倍に拡大してマルチレンズアレイ133の開口面に結像する。第2のプロジェクションレンズ134も、両側テレセントリック光学系からなっており、マルチレンズアレイ133の焦点面に形成された複数のスポットビームを、例えば、約1倍に基板S上に結像する。本発明の一実施例では、第1のプロジェクションレンズ132及び第2のプロジェクションレンズ134の倍率がそれぞれ4倍及び1倍である場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、第1のプロジェクションレンズ132及び第2のプロジェクションレンズ134の倍率は、所望のスポットビームの大きさ、露光するパターンの最小形状サイズによって最適の倍率組み合わせを導出することができる。マルチレンズアレイ133は、光変調素子131のマイクロミラーに対応する複数のマイクロレンズが2次元に配列されてなるものである。例えば、光変調素子131が1920個×400個のマイクロミラーからなっている場合、これに対応してマイクロレンズも1920個×400個が配置される。また、マイクロレンズの配列ピッチは、光変調素子131のマイクロミラーの配列ピッチに第1のプロジェクションレンズ132の倍率を掛けた値と実質的に同一である。そして、投影部130は、第2のプロジェクションレンズ134で透過された複数のスポットビームによって形成されたパターンを有する仮想のマスクVMを、図2に示すように生成する。図2は、本発明の一実施例によるマスクレス露光で仮想のマスクを生成する概念図である。図2において、仮想のマスクVMは、物理的に存在するマスクでなく、複数のスポットビームが予め格納されたパターンに対応して光変調素子131でオン/オフになり、パターンを形成して作られたものである。仮想のマスクVMは、移動部110を走査方向Y軸方向にスキャニングし、副走査方向X軸方向にステッピングし、基板Sに形成するパターニング大きさを有する。そして、仮想のマスクVM上には仮想のターゲットマークTMvirtualtargetmarkが存在する。仮想のターゲットマークTMは、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想の基準整列マークである。このように構成されたマスクレス露光装置100は、光源部120から光を出力し、光変調素子131で光源部120の出力光を仮想のマスクVMのパターンを有する光に変調する。そして、光変調素子131で変調された仮想のマスクVMのパターンを有する光を第1のプロジェクションレンズ132で拡大し、拡大された仮想のマスクVMのパターンを有する光をマルチレンズアレイ133で複数のスポットビームに分離して集光し、第2のプロジェクションレンズ134で、マルチレンズアレイ133で集光された光の解像度を調整し、この集光された光を透過させることによって露光を行う。図1において、整列部140は、投影部130の一側に設けられており、オーバーレイ整列を行うために各レイヤ別の整列マークAMalignmarkの位置を計測するスコープである。各レイヤには少なくとも2個の整列マークAMが存在する。マーク撮像部150は、整列部140の上側に設けられ、仮想のマスクVMと基板Sの正確な整列のために基板Sに彫られた整列マークAM、すなわち、該当レイヤ[例えば、i1番目のレイヤ]を露光する直前のレイヤi番目のレイヤに彫られた現在の整列マークを撮像し、撮像された映像を制御部160に伝送する。このとき、制御部160の指示によって、マーク撮像部150を通して該当レイヤ[i1番目のレイヤ]を露光する直前のレイヤi番目のレイヤに彫られた現在の整列マークAMが撮像されるまで移動部110の移動が制御される。制御部160は、整列部140で計測された整列マークAMの位置から機構学的関係を用いてターゲットマークTMオーバーレイ整列時に基準になる仮想のターゲットマークの位置に対する相対位置及び姿勢を計算し、該当レイヤ[i1番目のレイヤ]を露光する前に相対位置量だけ補償し、仮想のマスクVMと基板Sとの間の整列を行う。すなわち、制御部160は、該当レイヤ[i1番目のレイヤ]を露光する直前のレイヤi番目のレイヤに彫られた現在の整列マークAMの位置と、オーバーレイ整列時に基準になる仮想のターゲットマークTM本発明の一実施例で提案した方法によって求められた整列マークとを比較し、該当レイヤ[i1番目のレイヤ]を露光する前にオーバーレイ整列を行う。このように、制御部160は、計算された仮想のターゲットマークTMと、該当レイヤ[i1番目のレイヤ]を露光する直前のレイヤi番目のレイヤの整列マークAMとの間の相対距離を計算して移動部110の移動を制御することによって、仮想のマスクVMと基板Sの整列が正確に行われるようにする。以下、マスクレス露光でのオーバーレイのために仮想のマスクVM上に存在する仮想のターゲットマークTMを探して定義する方法を説明する。図3は、本発明の一実施例によるマスクレス露光でのマーク位置に対する定義を例示した第1の図で、図4は、本発明の一実施例によるマスクレス露光でのマーク位置に対する定義を例示した第2の図である。図3及び図4において、整列マークAMは、基板S上に配置されたi番目のレイヤ[例えば、1番目のレイヤL1]に彫られたマークであって、物理的に存在するものである。ターゲットマークTMは、仮想のマスクVM上に存在する仮想の基準整列マークであって、物理的に存在しないものである。図3及び図4において、ターゲットマークTMを探すために定義された物理量は、下記に示す通りである。下記の物理量は、2次元ベクトル量位置ベクトルであると見なされる。厳密に言えば、物理量が3次元ベクトルX、Y、Zで表されるが、Z座標値がいずれも同一になるようにXY平面のレベリングが行われ、Z=常数であるので、便宜上‘Z=0と表記する。ΣOは、仮想のマスクVMと基板Sとの間の整列のためのオーバーレイに対するシステム座標系以下、オーバーレイ座標系という。であって、移動部110に設けられている。Orijは、オーバーレイ座標系ΣOに対して計測されたi番目のレイヤのj番目の整列マークAM位置である。Or’ijは、基板Sの現像後、ローディングされたオーバーレイ座標系ΣOに対して計測されたi番目のレイヤのj番目の整列マークAM位置である。Otjは、オーバーレイ座標系ΣOに対して計算された仮想のマスクVMのj番目のターゲットマークTM位置である。基板Sウェハ又はガラスを移動部110上に載せた後、この基板Sに複数のレイヤLL1、L2...を積層する場合、基板Sと仮想のマスクVMとの間の整列のために仮想のマスクVM上に存在する仮想のターゲットマークTMを探さなければならない。仮想のターゲットマークTMを探すために、まず、整列部140を用いて各レイヤ別の整列マークAMの位置を計測する。整列部140で各レイヤ別の整列マークAMの位置を計測すれば、下記の方法で仮想のターゲットマークTM位置を計算することができる。以下、説明の便宜上、i=1である場合を例に挙げ、i番目は1番目、i1番目は2番目と表現して本発明を説明する。まず、1番目のレイヤL1に対する露光、現像、エッチング及び蒸着が終了し、PRPhotoresist;感光液塗布が行われ、2番目のレイヤL2を露光する直前の基板Sで1番目のレイヤL1に存在するOr11、Or12の座標値を整列部140を用いて下記の式1のように計測する図3参照。式1のように、1番目のレイヤL1で計測されたOr11、Or12の座標値を通して整列マークAM間のX軸XO角度αを下記の式2のように計算する。α=argOr12-Or112上記のように、1番目のレイヤL1に対する露光、現像、エッチング、蒸着及びPR塗布などの一連の工程が終了すれば、2番目のレイヤL2を露光する。2番目のレイヤL2を露光した後、PRを現像し、再び移動部110上に基板Sを載せるローディングする。ローディング後、Or11、Or12、Or21、Or22の座標値を整列部140を用いて下記の式3のように計測する図4参照。式3のように、ローディング後、1番目のレイヤL1で計測されたOr11、Or12を通して整列マークAM間のX軸XO角度βを下記の式4のように計算する。β=argOr12-Or114式1及び式3を通して計測された位置ベクトルOr11、Or12、Or11、Or12、Or21、Or22の座標値と、式2及び式4を通して計算されたα、βの角度値を用いて仮想のマスクVMに存在するターゲットマークTMの位置Or21、Or22の座標値を下記の式5のように計算する。式5を通して計算されたOr21、Or22の座標値から下記の式6のようにターゲットマークTMの位置ベクトルOt1、Ot2を定義する。Ot1≡Or21Ot2≡Or226ターゲットマークTMの位置ベクトルOt1、Ot2の座標値を通して任意のターゲットマークTMの位置を定義すれば、仮想のマスクVM上に存在するターゲットマークTMの位置を拡張することができる。これについて図5及び図6を参照して説明する。図5は、本発明の一実施例によるマスクレス露光でのターゲットマークに対する拡張を例示した図で、図6は、本発明の一実施例によるマスクレス露光で露光しようとするパターンがデザインされたCADファイルからの整列マークの公称位置座標を例示した図である。図5及び図6において、ターゲットマークTMの位置ベクトルOt1、Ot2の座標値に対応するCAD上の座標値設計値を通して、相対距離を用いて任意のターゲットマークTM位置を下記の式7のように計算する。Oti=Ot1CADri-CADr17式7において、Ot1は、仮想のマスクVM上に存在する1番目のターゲットマークTMの位置ベクトルで、Otiは、仮想のマスクVM上に存在するi番目のターゲットマークTMの位置ベクトルで、CADri-CADr1は、図5のCADファイルからのi番目の整列マークAMの公称位置座標と1番目の整列マークAMの公称位置座標との差を示したものである。仮想のマスクVM上に存在するターゲットマークTMの位置が計算されれば、計算されたターゲットマークTMの位置を用いて各レイヤ別LL1、L2...のオーバーレイのための仮想のマスクVMと基板Sとの間の整列を行う。マスクレス露光でターゲットマークTMと基板Sの整列マークAMとの相対位置を計算すれば、既存のマスク露光で行われる一般的な整列方式を用いることができる。本発明の一実施例では、最も基本的な整列方式である2ポイントグローバルアラインメントを例に挙げて説明したが、本発明は、これに限定されるものでなく、既存のマスク露光で行う2個を超える整列マークAMを通して最小二乗法を用いる整列方式などのように、マスク露光で使用する伝統的な整列方式をいずれも適用することができる。以下、これについて図7を参照して説明する。図7は、本発明の一実施例によるマスクレス露光でのオーバーレイのための整列方法を例示した図である。図7において、仮想のターゲットマークTMを用いたオーバーレイ整列のために定義された物理量は、下記に示す通りである。下記の物理量は、2次元ベクトル量位置ベクトルである。Orcは、オーバーレイのための移動部110の回転中心位置であって、既に知っている値である。Or11は、1番目のレイヤの1番目の整列マークAM位置である。Or12は、1番目のレイヤの2番目の整列マークAM位置である。Ot1は、仮想マスクVMの1番目のターゲットマークTMである。Ot2は、仮想マスクVMの2番目のターゲットマークTMである。基板Sウェハ又はガラスを移動部110上に載せた後、この基板SにレイヤLが配置されれば、基板Sと仮想のマスクVMとの間の整列を行い、一つの基板Sに複数のレイヤLL1、L2...を積層することが可能である。上記で定義された物理量は、下記の式8のように表すことができる。1番目のレイヤL1に対する露光、現像、エッチング及び蒸着が終了し、PR塗布が行われ、2番目のレイヤL2を露光する直前の基板Sで1番目のレイヤL1に存在するOr11、Or12の座標値を整列部140を用いて上記の式8のように計測する図3参照。式8のように、1番目のレイヤL1で計測されたOr11、Or12の座標値を通して整列マークAM間のX軸XO角度θgを下記の式9のように計算することができる。θg=argOr12-Or119そして、仮想のマスクVM上に存在する1番目及び2番目のターゲットマークTMの位置ベクトルOt1、Ot2の座標値を通してターゲットマークTM間のX軸XO角度θgを下記の式10のように計算することができる。θg=argOt2-Ot110式9と式10を通して計算されたθg、θgの値からオーバーレイのための移動部110の回転移送量△θZ軸に対して回転する移動部の移送量を下記の式11のように計算する。△θ=θg-θg11次いで、オーバーレイのための移動部110のXY移送量△X、△YX軸、Y軸に対して移動する移動部の移送量を下記の式12のように計算する。式12を通して計算されたオーバーレイのための移動部110の移送量△θ、△X、△Yを用いて、制御部160は、基板Sに彫られた整列マークAMと仮想のマスクVM上に存在するターゲットマークTMが整列されるまで移動部110の駆動を制御する。このように、制御部160は、移動部110の駆動を制御して基板Sと仮想のマスクVMとの間の整列を行うことによって、一つの基板Sに複数のレイヤLL1、L2...を積層することが可能になる。一方、本発明のターゲットマークTMを探す一実施例では、基板Sに積層されるレイヤLのPR現像後、再び移動部110上に基板SをローディングしてターゲットマークTMの位置を探す方法について説明したが、本発明は、これに限定されず、ポラロイドの原理を適用することができる。ポラロイドの原理を適用し、基板Sに露光によって直ぐ識別される物質が塗布されている場合、現像を行う必要がなくなるので、本発明の一実施例のようにローディング後に整列マークAMの位置を計測する過程を省略できるようになる。