"薄膜トランジスタ構造であって、基板上に配置されたゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層上に配置されたGaAsに基づく層と、前記GaAsに基づく層に隣接して配置されたソース-ドレイン金属電極層とを含む薄膜トランジスタ構造。前記GaAsに基づく層と前記ソース-ドレイン金属電極層との間に配置された、ドープされたGaAs層をさらに含む、請求項1に記載の構造。前記ドープされたGaAs層が、その内部に形成されたp-型ドーパント又はn-型ドーパントを含む、請求項2に記載の構造。前記p-型ドーパントが、金属亜鉛ドーパント、ジメチル亜鉛DMZ、ジエチル亜鉛DEZ、金属マグネシウムドーパント、シクロペンタジエニルマグネシウム、炭素塩化物CCl4、又は炭素臭化物CBr4からなる群より選択され、前記n-型ドーパントが、H2S、イオウ、シランSiH4、ジシランSi2H6、H2Se、及びSeからなる群より選択される、請求項3に記載の構造。前記GaAsに基づく層が、溶液に基づくGaAs含有前駆体から作製される、請求項1に記載の構造。前記溶液に基づくGaAs含有前駆体が、NMe22GaAstBuH、Me2GaAsNMe22、Me2GaAsSiMePh22、Me2GaAsSiPh32、Et2GaAsSiMe2Cy2、及びMe2GaAsSiMe2Cy2からなる群より選択されるGaAs含有前駆体を含む、請求項5に記載の構造。前記ソース-ドレイン金属電極層上部に配置されるパッシベーション層をさらに含む、請求項1に記載の構造。前記ゲート絶縁体層が、酸化ケイ素SiO2、酸窒化ケイ素SiON、若しくは窒化ケイ素SiN、高-k材料、又はHfO2からなる群より選択される誘電体層から作製される、請求項1に記載の構造。薄膜トランジスタ構造を形成する方法であって、その上に配置された誘電体層を有する基板を処理チャンバ内に提供することと、溶媒中に配置されたGaAs含有前駆体を前記処理チャンバに供給することと、GaAsに基づく層を前記基板上に形成するために、前記GaAs含有前駆体の溶媒を前記処理チャンバ内で蒸発させることと、薄膜トランジスタ構造を形成するために、前記GaAsに基づく層に隣接してソース-ドレイン金属電極層を形成することとを含む方法。前記GaAs含有前駆体が、NMe22GaAstBuH、Me2GaAsNMe22、Me2GaAsSiMePh22、Me2GaAsSiPh32、Et2GaAsSiMe2Cy2、及びMe2GaAsSiMe2Cy2からなる群より選択される、請求項9に記載の方法。前記GaAs含有前駆体の溶媒を蒸発させることが、前記基板上に形成されたGaAsに基づく層をアニールすることをさらに含む、請求項9に記載の方法。前記ソース-ドレイン金属電極層を形成する前に、ドープされたGaAs層を前記GaAsに基づく層上に形成することをさらに含む、請求項9に記載の方法。前記ドープされたGaAs層が、同層中に形成されるp-型ドーパント又はn-型ドーパントを含む、請求項12に記載の方法。前記p-型のドーパントが、金属亜鉛ドーパント、ジメチル亜鉛DMZ、ジエチル亜鉛DEZ、金属マグネシウムドーパント、シクロペンタジエニルマグネシウム、炭素塩化物CCl4、又は炭素臭化物CBr4からなる群より選択され、前記n-型のドーパントが、H2S、イオウ、シランSiH4、ジシランSi2H6、H2Se及びSeからなる群より選択される、請求項13に記載の方法。電気流体力学ジェットシステム内に基板を提供することと、前記基板上に複数のGaAs液滴を印刷することであって、前記GaAs液滴が、前記システム内に配置された溶液に基づくGaAs前駆体から供給されることとを含む、GaAsに基づく材料を基板上に形成する方法。理解しやすくするために、可能な場合には、上記図で共通する同一元素を指定するのに同一参照番号を用いた。1つの実施形態のいくつかの元素及び特性は、さらに詳述しなくてもその他の実施形態にも有利に組み込み可能であるものと考えられる。ただし、添付の図面は、本発明の代表的な実施形態を説明するに過ぎず、また本発明はその他の同じように有効な実施形態を認め得るので、したがって本発明の範囲を制限するものとはみなされないことに留意されたい。本開示の実施形態は、薄膜トランジスタデバイスで利用可能なIII-V族に基づく材料を形成する方法を提供する。1つの実施形態では、薄膜トランジスタデバイスを形成するのに利用可能なIII-V族の材料として、砒化ガリウムGaAsに基づく材料が挙げられる。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、GaAsの事前設計された溶液から作製可能である。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、フォトダイオード、半導体ダイオード、発光ダイオードLED、又は有機発光ダイオードOLED、又はその他の適するディスプレイ用途でも利用可能である。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、膜移動度及び安定性が高く、また膜漏損が低い特性をもたらし、こうしてトランジスタデバイスの電気的性能を効果的に増強する。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、上記用途以外のその他の適するデバイスでも利用可能であることに留意されたい。図1は、本開示の1つの実施形態による、底部ゲート構造薄膜トランジスタTFTデバイス100を表す。デバイス100は、ゲート絶縁体層104で覆われ、基板102上に配置されたゲート電極層106を備える。半導体層108又は、例えば半導体活性層、活性層、又はチャンネル層と呼ばれるは、従来、アモルファスシリコン層又は低温ポリシリコンLTPS層から多くの場合作製され、ゲート絶縁体層104上部に配置される。n-型又はp-型の層110a、110bからなる、薄いドープされた半導体層は、半導体層108上部に配置される。ドープされた半導体層110a、110bを形成した後、ソース-ドレイン金属電極層112a、112bが、次にその上に配置され、次にパッシベーション層114が、その後その上に形成されて、薄膜トランジスタデバイス100が形成される。半導体層108を製造する際には、従来型のシリコン含有層を用いる代わりに、III-V族の材料が、薄膜トランジスタ100内に半導体層108及び薄いドープされた半導体層110a、110bとして形成するのに利用可能であるように、形成するのに利用可能である。III-V族の材料の例として、砒化ガリウムGaAsに基づく材料が挙げられる。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、トランジスタデバイス性能及びスピードが改善するように、電子移動度が高く、バンドギャップが幅広い特性を提供し得ると考えられている。したがって、半導体層108、及び薄いドープされた半導体層110a、110bとして砒化ガリウムGaAsに基づく材料を用いれば、薄膜トランジスタ100に良好なデバイス性能をもたらすと考えられている。砒化ガリウムGaAsに基づく材料又はドープされた砒化ガリウムGaAsに基づく材料の製造に関する詳細は、図7~9を参照しながら以下で議論される。1つの実施形態では、基板102は、薄膜トランジスタをその上部に形成するのに適するガラス基板、プラスチック基板、ポリマー基板、金属基板、単一の基板、ロールツーロール基板、又はその他の適する透明基板のうちの任意の1つであり得る。ゲート電極層106は、任意の適する金属材料、例えば酸化インジウムスズITO、酸化スズSnO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化インジウムスズ亜鉛ITZO、アルミニウムAl、タングステンW、クロムCr、ゲルマニウムGe、タンタルTa、チタンTi、金Au、チタンTi及び金Auの合金、タンタルTa及び金Auの合金、ゲルマニウムGe及び金Auの合金、モリブデンMo、InGaZnO、InGaZnON、ZnO、ZnON、ZnSnO、CdSnO、GaSnO、TiSnO、CuAlO、SrCuO、LaCuOS、GaN、InGaN、AlGaN、若しくはInGaAlN、又はこれらを組み合わせたもの等から作製可能性である。ゲート絶縁体層104用の適する材料として、酸化ケイ素SiO2、酸窒化ケイ素SiON、又は窒化ケイ素SiN、高-k材料、例えばHfO2、又はその他の適する材料等を挙げることができる。ソース-ドレイン金属電極層112a、112bは、銅Cu、金Au、銀Ag、アルミニウムAl、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、タンタルTa、コバルトCo、ゲルマニウムGe、タンタルTa、チタンTi、金Au、チタンTi及び金Auの合金、タンタルTa及び金Auの合金、ゲルマニウムGe及び金Auの合金、アルミニウムAl及びコバルトCoの合金からなる群より選択される金属材料、モリブデンMoの間に挟み込まれたアルミニウム層Alを有する膜スタックを含む複合層、これらの合金、及びこれらを組み合わせたものより作製され得る。パッシベーション層114は、酸化ケイ素SiO2、酸窒化ケイ素SiON、又は窒化ケイ素SiN、適するポリマー材料、例えばポリメタクリル酸メチルPMMA等を含む誘電性の材料より作製され得る。図2は、本開示の1つの実施形態による上部金属ゲート構造薄膜トランジスタTFTデバイス200を表す。デバイス200には、基板202背部側上部に配置される金属ゲート電極204が含まれる。絶縁体層203は、金属ゲート電極204が形成される基板202の側とは反対側例えば、前側に形成され得る。半導体層206又は、例えば半導体活性層、活性層、又はチャンネル層と呼ばれるは、従来、アモルファスシリコン層又は低温ポリシリコンLTPS層から多くの場合作製され、絶縁体層203上部に配置される。その後、ソース-ドレイン金属電極層208a、208bが、半導体層206上部に配置されて、薄膜トランジスタデバイス200が形成される。半導体層206を製造する際には、従来型のシリコン含有層を用いる代わりにIII-V族の材料が、薄膜トランジスタ200内に半導体層206として形成するのに利用可能であるように、形成するのに利用可能である。III-V族の材料の例として、砒化ガリウムGaAsに基づく材料が挙げられる。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、トランジスタデバイス性能及びスピードが改善するように、電子移動度が高く、バンドギャップが幅広い特性を提供することができると考えられている。したがって、半導体層206として砒化ガリウムGaAsに基づく材料を用いることは、00に良好なデバイス性能をもたらすと考えられている。砒化ガリウムGaAsに基づく材料、又はドープされた砒化ガリウムGaAsに基づく材料の製造に関する詳細は、図7~9を参照しながら以下で議論される。金属ゲート電極204、絶縁体層203、及びソース-ドレイン金属電極層208a、208bを形成するのに利用可能である材料は、図1を参照しながら上記で議論した、金属ゲート電極106、ゲート絶縁体層104、及びソース-ドレイン金属電極層112a、112bを形成するのに利用される材料と類似し得る。図3は、本開示の1つの実施形態による薄膜トランジスタTFTデバイス300を表す。デバイス300は、基板302上部に配置される半導体層304又は、半導体活性層、活性層、若しくはチャンネル層と呼ばれるを備える。絶縁体層308は、半導体層304上部、パターン化されたソース-ドレイン金属電極層306a、306bの間に形成され得る。ゲート電極層310は、次に絶縁体層308上部に配置されて、薄膜トランジスタデバイス300を形成する。半導体層304を製造する際には、従来型のシリコン含有層を用いる代わりに、III-V族の材料が、薄膜トランジスタ300内に半導体層304として形成するのに利用可能であるように、形成するのに利用可能である。III-V族の材料の例として、砒化ガリウムGaAsに基づく材料が挙げられる。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、トランジスタデバイス性能及びスピードが改善するように、電子移動度が高く、バンドギャップが幅広い特性を提供することができると考えられている。したがって、半導体層304として砒化ガリウムGaAsに基づく材料を用いれば、薄膜トランジスタ300に良好なデバイス性能をもたらすと考えられている。砒化ガリウムGaAsに基づく材料、又はドープされた砒化ガリウムGaAsに基づく材料の製造に関する詳細は、図7~9を参照しながら以下で議論される。金属ゲート電極層310、絶縁体層308、及びソース-ドレイン金属電極層306a、306bを形成するのに利用可能である材料は、図1を参照しながら上記した金属ゲート電極106、ゲート絶縁体層104、及びソース-ドレイン金属電極層112a、112bを形成するために利用される材料と類似し得る。図4は、本開示の1つの実施形態による薄膜トランジスタTFTデバイス400を表す。デバイス400は、基板402上に配置されたバッファー酸化物層404を備える。半導体層412又は、例えば半導体活性層、活性層、又はチャンネル層と呼ばれるは、パターン化されソース-ドレイン金属電極層406a、406bの間に配置される。ゲート絶縁体層408が、次に半導体層412上部に配置され、金属ゲート電極層410がこれに続く。半導体層412を製造する際には、従来型のシリコン含有層を用いる代わりに、III-V族の材料が、薄膜トランジスタ400内に半導体層412として形成するのに利用可能であるように、形成するのに利用可能である。III-V族の材料の例として、砒化ガリウムGaAsに基づく材料が挙げられる。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、トランジスタデバイス性能及びスピードが改善するように、電子移動度が高く、バンドギャップが幅広い特性を提供することができると考えられている。したがって、半導体層412として砒化ガリウムGaAsに基づく材料を用いれば、薄膜トランジスタデバイス400に良好なデバイス性能をもたらすと考えられている。砒化ガリウムGaAsに基づく材料又はドープされた砒化ガリウムGaAsに基づく材料の製造に関する詳細は、図7~9を参照しながら以下で議論される。金属ゲート電極410、ゲート絶縁体層408、及びソース-ドレイン金属電極層406a、406bを形成するのに利用可能な材料は、図1を参照しながら上記した、金属ゲート電極106、ゲート絶縁体層104、及びソース-ドレイン金属電極層112a、112bを形成するのに利用される材料と類似し得る。図5は、本開示の1つの実施形態による薄膜トランジスタTFTデバイス500を表す。デバイス500は、基板502上部に配置される金属ゲート電極層504を含む。ゲート絶縁体層506は、金属ゲート電極504上部に配置される。半導体層508又は、例えば半導体活性層、活性層、又はチャンネル層と呼ばれるは、ゲート絶縁体層506上部に配置される。その後、パッシベーション層512が、半導体層508上部、パターン化されたソース-ドレイン金属電極層510a、510bの間に配置される。半導体層508を製造する際には、従来型のシリコン含有層を用いる代わりに、III-V族の材料が、薄膜トランジスタ500内に半導体層508として形成するのに利用可能であるように、形成するのに利用可能である。III-V族の材料の例として、砒化ガリウムGaAsに基づく材料が挙げられる。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、トランジスタデバイス性能及びスピードが改善するように、電子移動度が高く、バンドギャップが幅広い特性をもたらすことができると考えられている。したがって、半導体層508として砒化ガリウムGaAsに基づく材料を用いれば、薄膜トランジスタデバイス500に良好なデバイス性能をもたらすと考えられている。砒化ガリウムGaAsに基づく材料、又はドープされた砒化ガリウムGaAsに基づく材料の製造に関する詳細は、図7~9を参照しながら以下で議論される。パッシベーション層512、金属ゲート電極層504、ゲート絶縁体層506、及びソース-ドレイン金属電極層510a、510bを形成するのに利用可能である材料は、図1を参照しながら上記したパッシベーション層114、金属ゲート電極層106、ゲート絶縁体層104、及びソース-ドレイン金属電極層112a、112bを形成するのに利用される材料と類似し得る。図6は、本開示の1つの実施形態による薄膜トランジスタTFTデバイス600を表す。デバイス600は、基板602上部に配置されるゲート絶縁体層604を備える。半導体層606又は、例えば半導体活性層、活性層、又はチャンネル層と呼ばれるが、ゲート絶縁体層604上に配置される。パターン化されたソース-ドレイン電極層608a、608bが、次に半導体層606上に配置される。その後、パッシベーション層610が、パターン化されたソース-ドレイン電極層608a、608b上に配置される。半導体層606を製造する際には、従来型のシリコン含有層を用いる代わりに、III-V族の材料が、薄膜トランジスタ600内に半導体層606として形成するのに利用可能であるように、形成するのに利用可能である。III-V族の材料の例として、砒化ガリウムGaAsに基づく材料が挙げられる。砒化ガリウムGaAsに基づく材料は、トランジスタデバイス性能及びスピードが改善するように、電子移動度が高く、バンドギャップが幅広い特性をもたらすことができると考えられている。したがって、半導体層606として砒化ガリウムGaAsに基づく材料を用いれば、薄膜トランジスタデバイス600に、より高い電子移動度がもたらされ、そして良好なデバイス性能が取得可能であると考えられている。砒化ガリウムGaAsに基づく材料、又はドープされた砒化ガリウムGaAsに基づく材料の製造に関する詳細は、図7~9を参照しながら以下で議論される。パッシベーション層610、ゲート絶縁体層604、及びソース-ドレイン金属電極層608a、608bを形成するのに利用可能である材料は、図1を参照しながら上記したパッシベーション層114、金属ゲート電極層106、ゲート絶縁体層104、及びソース-ドレイン金属電極層112a、112bを形成するのに利用される材料と類似し得る。図1~6は、III-V族の材料、例えば砒化ガリウムGaAsに基づく材料、又はドープされた砒化ガリウムGaAsに基づく材料から形成され得る半導体層を有する薄膜トランジスタの代表的な実施形態を示すに過ぎないことことに留意されたい。半導体層、ドープされた半導体層、又は内部に形成されたその他の適する活性又は非活性な層を有する、本明細書では説明されなかったその他の薄膜デバイスも、図7~9を参照しながら以下に記載する方法により、III-V族の材料として形成されるのに適する可能性がある。図7は、溶液に基づくIII-V族の材料、例えば薄膜トランジスタデバイスで利用される溶液に基づくGaAs層等、例えば図1~6に示す薄膜トランジスタデバイス100、200、300、400、500、600内に形成される半導体層108、206、304、412、508、606、又はドープされた半導体層110a、110b等を形成するための処理順序700の1つの実施形態に関するフロー図を表す。半導体層108、206、304、412、508、606、又はドープされた半導体層110a、110bが、GaAsに基づく材料として構成される実施形態では、これらの層も、やはり図7に示すような処理順序700により製造され得る。図7は、GaAsに基づく層を製造するプロセスのみを説明目的で示していること、及び本発明の範囲を制限し、又は製造可能な特定の型の層に限定するように意図されていないことに留意されたい。本明細書に記載する本発明の基本的な範囲から逸脱せずに、しかるべき場合には、1つ又は複数のステップの追加、削除、及び/又は再配列が可能であるため、図7に説明するステップの番号及び順序は、本明細書に記載する本発明の範囲に対して制限を加えるようには意図されていないことに留意すべきである。処理順序700は、図1~6に示すように、基板上で薄膜トランジスタデバイスが形成されるように構成された基板、例えば基板102、202、302、402、502、602を提供することにより、ステップ702にて開始する。1つの実施形態では、基板102は、ガラス基板、プラスチック基板、ポリマー基板、金属基板、単一基板、ロールツーロール基板、透明な基板、シリコン含有基板、例えば単結晶シリコン基板、多結晶性シリコン基板等、ガラス基板、石英基板、又はその他の適する材料、又は薄膜トランジスタを上部に形成するのに適するその他の適する透明基板のうちの任意の1つであり得る。基板は、GaAsに基づく層として、半導体層108、206、304、412、508、606、又はドープされた半導体層110a、110bが容易に形成されるように、予めその上に形成された層を有し得る。ステップ704では、基板上にGaAs層を堆積させるためにGaAs堆積プロセスが実施される。GaAs堆積プロセスは、半導体層108、206、304、412、508、606、又はドープされた半導体層110a、110bとして、GaAs層を基板102上に配置するのに役立つように、事前設計された溶液に基づくGaAs前駆体を、原料前駆体として処理チャンバに提供することにより実施される。事前設計された溶液に基づくGaAs前駆体は、溶液状態のガリウム複合体及び砒素複合体からなる混合物を含み、溶液状態のガリウム-砒素複合体を形成する。1つの実施形態では、事前設計された溶液に基づくGaAs前駆体内に形成されるガリウム-砒素複合体は、以下に示すようなGaAs二量体-GaAs-、GaAs四量体-Ga2As2-、又はGaAs六量体-Ga3As3-構造を一般的に有する。GaAs二量体-GaAs-、GaAs四量体-Ga2As2-、又はGaAs六量体-Ga3As3-構造は、比較的安定な複合体であり、したがってこれらは比較的安定な状態で液体溶液中に配置又は保管される優良な候補として位置づけられると考えられている。この比較的安定な溶液に基づくGaAs前駆体を利用することにより、GaAs溶液は、高い均一性及び良好な膜品質を伴いつつ、基板上に送達、注入、スプレイ、及びコーティング可能となり、こうして所望の膜特性及び高い膜特性を有する信頼性及び再現性のあるGaAs層を提供する。事前設計された溶液内で安定な複合体としてGaAs原料前駆体を形成するために、GaAs二量体、GaAs四量体、又はGaAs六量体は、これに連結した異なる官能基を有し得る。GaAs複合体は、式RxGaAsyR’zを有し得るが、式中x、y、及びzは1~15の整数であり、R及びR’は同一の官能基等であってもなくてもよい。GaAs二量体、GaAs四量体、又はGaAs六量体中のGa及びAs元素に連結し得る官能基として、アルキル基、例えばメチルCH3-、エチルC2H5-、プロピルC3H7-、ブチルC4H9-、ペンチルC5H11等、イソプロピル、及びその他の類似異性体、芳香族基、例えばベンザル、スチレン、トルエン、キシレン、ピリジン、エチルベンゼン、アセトフェノン、メチルベンゾエート、酢酸フェニル、フェノール、クレゾール、フラン等、脂環基、例えばシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンタジエン、トルエン等、アミノ基、例えばNR2Rはアルキル基、-SiR3、-O-R、-S-R、-PR3、-POR3、ハロゲン、2,3,5,6-テトラメチル-1,4-ベンゾキノン、又はテトラメチル-p-ベンゾキノン、二座配位子、エクスペディアス配位子、アミンピラニン、立体障害配位子等が挙げられる。1つの代表的な実施形態では、アミノ基、例えばNR2Rはアルキル基及び立体障害配位子が、GaAs二量体、GaAs四量体、又はGaAs六量体に連結した官能基として選択される。GaAs複合体は、溶液中で高い溶解度及び安定性を有することが必要である。したがって、GaAs複合体内で形成するように選択される官能基は、クラスター内において1:1の化学量論がプレアクティブとなる、又は形成されるのが望ましい。さらに、官能基は、低温でGaAsに分解可能であることも望まれる。さらに、官能基とGa元素との間、及び/又は官能基とAs元素との間の結合エネルギーは、Ga-As結合をなす結合エネルギーより弱くなるように構成される。この構成により、堆積反応期間中、官能基とGa及び/又はAs元素との間の結合は、GaAs溶液前駆体から容易に切断可能となり、こうして基板表面上にGaAs層が形成されるのを促進し、また複合体中にGaAs結合が保持される。連結する官能基は、堆積期間中又は後続する焼成又は硬化プロセスにおいて容易に除去、蒸発される、又は熱分解するように選択されるので、不純物又は汚染が最低レベルのGaAs層が、基板表面上に取得、形成され得る。上記要求事項に従うGaAs前駆体の適する例として、NMe22Ga2As2tBuH2、Me2GaAsNMe22、Me2GaAsSiMePh22、Me2GaAsSiPh32、Et2GaAsSiMe2Cy2、Me2GaAsSiMe2Cy2、Me3GaAsNMe23、Et3GaAsNMe23、Me4Ga2As2tBuH2、Et4Ga2As2tBuH2、Ga:Asが1:3の化学量論、例えばGaAs3tBu6等が挙げられる。GaAs前駆体の構造として下記のものが挙げられる:1つの実施形態では、GaAs層を基板上に形成するのに用いられるGaAs前駆体は、図1及び2に示すようにNMe22GaAstBuHである。NMe22GaAstBuH前駆体は、ヘキサン若しくはトルエン溶媒、又はその他の適する有機若しくは無機溶媒中で、ガリウムアミドGaNMe23を過剰のtert-ブチルアルシンtBuAsH2と混合し、オーバーナイトで撹拌、例えば16時間に渡り撹拌することにより合成可能である。プロセス温度は、約-40°C~約-90°Cの間に制御され得る。混合プロセス後、ΝΜe22GaAstBuHが得られ、またCH2Cl2溶媒又はトルエン溶媒中に保管可能性である。別の実施形態では、GaAs原料前駆体を合成及び事前設計するために、GaAs層が、トリスジメチルアミノアルシンMe6N3As及びトリメチルガリウムGaMesを原料前駆体として用いて形成され得る。所望の溶液に基づくGaAs含有前駆体を形成するために、トリスジメチルアミノアルシンMe6N3As及びトリメチルガリウムGaMesを、トルエン又はヘキサン溶媒中で反応させる。プロセス温度は、約-40°C~約-90°Cの間に制御され得る。なおも別の実施形態では、GaAs層は、[{L}HGaAsR]n又は[{L}2GaAstBuH]を前駆体として用いて形成可能であり、式中Lは、窒素に基づくドナーリガンド、ΝΜe2、又はヒドラジン官能基である。[{L}HGaAsR]n又は[{L}2GaAstBuH]の前駆体は、24時間に渡り室温で撹拌しながら、AsSiR33、R3SiAsH3、又はH2AstBuを、GaH3{L}又はGa{L}3と共にヘキサン溶液中で反応させることにより合成可能である。反応完了後、[{L}HGaAsR]n又は[{L}2GaAstBuH]の前駆体が、GaAsの原料として取得可能及び利用可能であり、分解したときに基板上にGaAs層を形成する。NMe22GaAstBuH、[{L}HGaAsR]n、又は[{L}2GaAstBuH]等のGaAs含有前駆体、又は上記のようなその他の適する前駆体は、次に基板上にGaAs層を堆積させるためにCVDチャンバに供給される。1つの実施形態では、溶液に基づくGaAs含有前駆体は、エアゾール支援化学気相堆積AACVDプロセスを実施するために、CVDチャンバ内に供給される。本発明を実践するのに利用可能なAACVDチャンバの例は、図8を参照しながら以下でさらに議論される。前駆体溶液は、エアゾールジェネレータを用いて微粒子化される。キャリアガスが、エアゾール形成を促進するのに用いられる。その後、GaAs含有溶媒前駆体を担持するエアゾールは、キャリアガスによりCVDチャンバ内に輸送され、チャンバ内で蒸発される。CVDチャンバ内に入室後、前駆体は、液相から気相に移り、CVDプロセスを可能にする。その後、気相のGaAs含有前駆体は、次に基板上で分解及び吸収されて、所望のGaAs層を基板上に形成する。前駆体が完全に気化した状態にならない場合には、前駆体がエアゾール液滴となって基板上で吸収され、そして基板表面上でGaAs層が形成するように、スプレイ熱分解プロセスが行なわれる。1つの実施形態では、チャンバ内に進入した前駆体が効率的に蒸発するように、AACVD堆積プロセス期間中、基板温度は約550°Cに制御される。別の実施形態では、GaAs層は、必要に応じて、アロジェット法、フラッシュ蒸発法、レーザー支援CVD、UV支援CVD、レーザー反応堆積法、溶液からのナノ粒子スプレイ、スプレイCVD、有機金属気相エピタキシMOVPE、水素化物気相エピタキシHVPE、又はその他の適する技法を用いて基板上に形成することもできる。いくつかのその他の湿式堆積プロセス、例えばインクジェット、スピンコーティング、メニスカスコーティング、ディップコーティング、電気めっき、スプレイコーティング、電子スプレイング、スクリーン印刷又はその他の適する技法等も、基板表面上にGaAs層を形成するのに利用可能である。さらに、いくつかの真空技法、例えば分子ビームエピタキシMBE、有機金属気相エピタキシMOVPE、パルスレーザー堆積法PLD、プラズマ化学気相堆積法PECVD、スパッター、蒸発、マグネトロンスパッター、化学ビーム堆積法、原子層堆積ALD、ハードウェア化学気相堆積法HWCVD、マイクロ波プラズマ法、及びいくつかのその他の技法が、必要に応じて利用可能である。堆積後、GaAs層が、基板上に配置された薄膜トランジスタデバイス内に、半導体層として形成される。基板上に形成されたGaAs層のAs元素に対するGa元素の比は、実質的に約1:0.8~約1:1.2である。XRD分析では、形成されたGaAs層は、111面に強いピークを有することが示唆される。<111>、<220>、及び<311>面におけるXRDピーク位置は、立方GaAsに関する標準ピーク位置と一致する。1つの実施形態では、GaAs層は、約0.2μm~約3μmの厚さを有し得る。1つの実施形態では、異なるドーパントが、GaAs層にドープされ得る。ドーパントは、粒子、粉末、ゲル、液体、溶液の形態、又はあらゆるその他の適する形態であり得、ブレンド及び混合して溶液に基づくGaAs事前設計された前駆体となる。GaAs層内に形成されるドーパントが異なれば、膜の電気伝導度及び移動性も異なる可能性があり、こうすることによりデバイスの電気性能が向上する。1つの実施形態では、GaAs層内にドープ可能なドーパントとして、Al、Zn、Mg、In、P、Si、Se、S、C、N等が挙げられる。p-型及びn-型ドーパントの適する例は、ドープされたGaAs溶液に基づく前駆体、例えばp-型又はn-型がドープされたGaAs層等を形成するために、GaAs前駆体に混合又はブレンドされ得る。GaAs前駆体に添加され得るp-型ドーパントの適する例として、金属亜鉛ドーパント、ジメチル亜鉛DMZ、ジエチル亜鉛DEZ、金属マグネシウムドーパント、シクロペンタジエニルマグネシウム、炭素塩化物CCl4、炭素臭化物CBr4等が挙げられる。n-型ドーパントの適する例として、H2S、イオウ、シランSiH4、ジシランSi2H6、H2Se、Se等が挙げられる。1つの実施形態では、ドープされたGaAs層内のドーパント濃度は、約1×1016原子/cm3~約1×1020原子/cm3に制御可能である。例えば、p-型がドープされたGaAs層では、p-型ドーパントは、約1×1017原子/cm3~約1×1019原子/cm3のドーパント濃度で、GaAs層内にドープされ得る。別の例の場合、n-型ドープされたGaAs層では、n-型ドーパントは、約1×1018原子/cm3~約1×1020原子/cm3のドーパント濃度で、GaAs層内にドープされ得る。ステップ706では、GaAs層が、基板上に形成された後、アニールプロセスが、GaAs層を熱処理するために実施される。異なる種類の処理後プロセス、例えばクエンチング、焼成、レーザー処理等も、必要に応じてGaAs層上に実施され得ることに留意されたい。GaAs層を形成するのに利用される前駆体は、Ga及びAs以外の元素、例えば炭素、窒素、酸化物、又は前駆体中に含まれるその他の元素を含有する。堆積した層上に実施される熱アニーリングプロセス及び/又は処理後プロセスは、堆積したままのGaAs層に含まれる不純物を析出させるのに役立ち得る。熱処理は、堆積プロセス期間中に、堆積したままの膜内に形成され得る欠陥を修復するのにも役立ち得る。1つの実施形態では、アニーリングプロセスは、任意の適するアニーリングツール、例えばファーネス、高速熱処理RTPチャンバ、スパイクアニール、又はレーザーアニーリングチャンバ等により実施可能である。アニーリングプロセスは、基板上に形成されたGaAs層の焼締及び/又は結晶化に役立つように、約400°C~約600°Cの温度で実施可能である。図8は、エアゾール支援化学気相堆積AACVDチャンバ800に関する1つの実施形態の単純化した断面斜視図を表し、同チャンバは、基板801、例えば図1~6を参照しながら上記する基板102、202、302、402、502、602上に溶液に基づくGaAs層を堆積するのに利用可能である。AACVDチャンバ800は、AACVD堆積プロセス、例えば図3を参照しながら上記する堆積プロセス等を実施するのに利用可能である。その他の種類の堆積プロセス、例えばMOCVD、エアロジェット、フラッシュ蒸発法、レーザー支援CVD、UV支援CVD、レーザー反応堆積法、溶液からのナノ粒子スプレイ、スプレイCVD、MOVPE、HVPE、又はその他の適する技法が、必要に応じてGaAs層を形成するのに利用可能であることに留意されたい。いくつかのその他の湿式堆積プロセス、例えばインクジェット、スピンコーティング、メニスカスコーティング、ディップコーティング、電気めっき、スプレイコーティング、電子スプレイング、スクリーン印刷、又はその他の適する技法も、基板表面上にGaAsに基づく層を形成するのに利用可能である。さらに、いくつかの真空技法、例えばMBE、MOVPE、PLD、PECVD、スパッター、蒸発evaporate、マグネトロンスパッター、化学ビーム堆積法、ALD、HWCVD、マイクロ波プラズマ法、及びいくつかのその他の技法も、必要に応じて利用可能性である。チャンバ800には、第1の壁826、第2の壁828、及び第1の壁826と第2の壁828の間を連結するリアクタ本体824を有する反応チューブ822が含まれる。反応チューブ822内に形成された第1の壁826、第2の壁828、及びリアクタ本体824は、内部処理領域818を規定する。グラファイトヒーティングブロック820は、反応チューブ822内に配置され、処理用として基板をその上に受け入れる。基板の温度は、必要に応じて、反応チューブ822内に配置された温度センサー図示せずによりモニター可能である。排気口832が、基板が反応チューブ822の内外部に移動するのを促進するように、第2の壁828に形成される。吸気口830は、プロセス期間中に反応ガス及び前駆体を混合チャンバ816から内部処理領域818に送達するのを促進するように、第1の壁826に形成される。液体アンプル容器834は、気体送達通路836を通じて混合チャンバ816に連結している。液体アンプル容器834は、内部処理領域818に原料物質を提供して、基板に基づきGaAsに基づく層を堆積させるために、前駆体808を保管することができる。混合チャンバ816は、液体アンプル容器834から供給されるGaAs前駆体808に対して、流路を延長することができる蛇行した経路を提供して、徹底的した混合を保証する。液体アンプル容器834内に保管可能であるGaAs前駆体の例として、NMe22GaAstBuH、Me2GaAsNMe22、Me2GaAsSiMePh22、Me2GaAsSiPh32、Et2GaAsSiMe2Cy2、Me2GaAsSiMe2Cy2、Me3GaAsNMe23、Et3GaAsNMe23、Me4Ga2As2tBuH2、Et4Ga2As2tBuH2等が挙げられる。ドープされたGaAsに基づく層、例えばp-型がドープされたGaAsに基づく層、又はn-型がドープされたGaAsに基づく層等が基板102上に形成されて、ドープされた半導体層、例えば図1に示すようなドープされた半導体層110a、110bが形成するのが望ましい実施形態では、ドーパント含有材料が、液体アンプル容器834中でGaAs前駆体にブレンド、添加可能、又はこれと混合可能であり、処理用として内部処理領域818に容易に供給可能なドーパント含有GaAs前駆体を形成する。上記で議論したように、GaAs前駆体に添加可能である、適するp-型ドーパント材料として、亜鉛含有材料、例えば金属亜鉛ドーパント、ジメチル亜鉛DMZ、ジエチル亜鉛DEZ等、マグネシウム含有材料、例えば金属マグネシウムドーパント、シクロペンタジエニルマグネシウム等、及び炭素含有材料、例えば炭素塩化物CCl4、炭素臭化物CBr4等が挙げられる。GaAs前駆体に添加可能である、適するn-型ドーパント材料として、イオウ含有材料、例えばH2S、イオウ等、シリコン含有材料、例えばシランSiH4、ジシランSi2H6等、及びセレニウム含有材料、例えばH2Se、Se等が挙げられる。1つの実施形態では、GaAs前駆体に添加するのに利用されるp-型ドーパント材料は、DMZ又はDEZ、及びGaAs前駆体に添加するのに利用されるn-型ドーパント材料は、ジシランSi2H6である。ガスパネル810は、送達通路812を通じて液体アンプル容器834にキャリアガスを供給するために、液体アンプル容器834に連結されている。ガスパネル810は、キャリアガスを液体アンプル容器834に導入して、液体アンプル容器834内に収納されたGaAs前駆体802を、ガス送達通路836を通じて混合チャンバ816に、そして最終的には内部処理領域818に注入及び押し出す。ガスパネル810から供給され得るガスの例として、窒素含有ガス、とりわけ窒素N2、N2O、及びNO等、又は酸素含有ガス、例えば酸素O2若しくはO3等が挙げられる。不活性ガス、例えばAr又はHe等も、GaAs前駆体802を内部処理領域818に搬送するのに利用可能である。本明細書に記載する1つの代表的実施形態では、GaAs前駆体808を内部処理領域818に注入及び押し出すのに用いられるキャリアガスは、窒素N2ガスである。液体アンプル容器834に収納された、所望のドーパントを含む/含まない溶液に基づくGaAs前駆体802は、加湿器804により加熱及び気化される。加湿器804は、これに収納された溶液に基づくGaAs前駆体802に超音波エネルギー及び/又は熱エネルギーを提供することができる圧電素子806を有することができ、こうしてGaAs前駆体802を加熱及びエバポレーションするのを支援して、矢印814で示すように、キャリアガスにより内部処理領域818内に注入されるように、気相状態又は小型の液滴状態にする。いくつかの液体808、例えば水又はその他の適する液体は、溶液に基づくGaAs前駆体802を所望の温度範囲内に維持するために、液体アンプル容器834と加湿器との間に配置され得る。1つの実施形態では、加湿器804は、温度約100°C~約250°CでGaAs前駆体を気化させることができる。図9は、基板901、例えば図1~6を参照して上記する基板102、202、302、402、502、602をアニールするのに利用可能である、高速熱処理チャンバ900に関する1つの実施形態の単純化した断面斜視図を表す。処理チャンバ900は、内部容積928を規定するチャンバ壁930、底部932、及び最上部934を有するチャンバ本体950を備える。壁930は、基板102、202、302、402、502、602の入退出に役立つように少なくとも1つの基板アクセスポート図示せずを一般的に備える。輻射熱アセンブリ924が、チャンバ本体950の最上部934に取り付けられる。輻射熱アセンブリ924は、基板周辺部に配置されたエッジリング910により懸架された基板を加熱するのに利用される。輻射熱アセンブリ924は、ウォータージャケットアセンブリ904内に複数のランプチューブ902を備える。チューブ902それぞれは、リフレクタ及びタングステンハロゲンランプアセンブリを備える。ランプチューブ902は、緊密ハニカムパイプ配置でネスト化される。この最密六方配置のランプチューブ902は、放射エネルギー、例えば約400nm~約4000nmの波長を有する、IR照射及び/又は長波長側のUV照射等を高電力密度で提供する。1つの実施形態では、輻射熱アセンブリ924は、基板を熱処理する、例えば基板上に配置されたシリコン層をアニールするため、放射エネルギーを提供する。本発明から利益を得るように構成され得る1つの輻射熱アセンブリ924は、Gronetらに1996年1月23日に発行された米国特許第5,487,127号に記載されており、これをそのまま本明細書により参考として援用する。基板を支持するエッジリング910は、ステンレスベース918上に取り付けられた回転可能な石英シリンダ912により、ステンレスベース918の上方に間隔を置いて配置される。エッジリング910は、熱処理期間中に生ずる過剰の膨張、収縮を防止するために、シリコンカーバイド等の熱膨張係数が小さい硬化材料から作製可能である。石英シリンダ912は、基板処理期間中、約50rpm~約300rpmで回転して、チャンバ900内及び基板上の熱的な非対称効果を最低限に抑えることにより、基板の温度均一性を最大化する。1つの実施形態では、シリンダを所望の波長に対して不透過性にせしめるために、シリンダ912は、シリコンでコーティングされ得る。ステンレスベース918は、水等の冷却剤が循環する循環回路946を有する。冷却剤の循環により、処理後のチャンバ温度が効果的に冷却される。リフレクタプレート914は、基板下部に配置され、ステンレスベース918上部に取り付けられる。配列した温度プローブ944は、リフレクタプレート914内に、同プレート中に規定される開口部942を通じて埋め込まれる。温度プローブ944は、ステンレスベース918の底部側からリフレクタプレート914内の開口部942まで延在する導管936を通じてパイロメータ916と連結する。温度プローブ944及びパイロメータ916は、基板の温度勾配が測定可能となるように、各プローブ944近傍にある基板の領域の温度を表すメトリックを得るのに用いられる。基板の底部側920及びリフレクタプレート914の上部側938の間に、リフレクティングキャビティ940が規定される。リフレクティングキャビティ940は、基板の効果的な放射性能を増強し、こうして温度測定の正確性を改善する。コントローラ917は、パイロメータ916から測定値を受け取り、また処理チャンバ900内に生み出される照射量をリアルタイムに修正するように、コントロールシグナルを輻射熱アセンブリ924にアウトプットすることができ、こうして基板温度を所望の処理範囲内に維持する。リフレクタプレート914の上部側938は反射性がきわめて高く、目標波長範囲内の熱照射を反射するが、目標波長範囲以外の熱照射を吸収する。選択的反射性能を提供するために、1つ又は複数のコーティング物又は層が、ステンレスベース918上のリフレクタプレート914をコーティングするのに利用可能である。例えば、リフレクタプレート914が、熱照射を所望の波長で基板の背部に反射し、そして所望の波長以外の熱照射を吸収する又はより反射しないことが可能となるように、異なる反射性能及び吸収能を有するコーティング物の異なる組み合わせが利用可能である。1つの実施形態では、リフレクタプレート914は、約700nm~約1000nmの熱波長を反射し、また700nm未満及び1000nmを超える熱波長を吸収する。本発明から利益を受けるように構成され得る1つのリフレクタプレート914は、2005年1月4日に、Adamsらに発行された米国特許第6,839,507号に記載されており、これをそのまま本明細書により参考として援用する。基板の背部に反射されない熱エネルギーは、リフレクタプレート914により吸収される。吸収された熱エネルギーは、リフレクタプレート914の下部に配置されたステンレスベース918を経由して循環する冷却剤により効果的かつ迅速に除去される。さらに、リフレクタプレート914内の孔図示せずを通じて提供されるガスは、リフレクタプレート914及びその上に位置する基板の冷却速度を高めるのに利用可能である。リフレクタプレート914により迅速な冷却速度が実現すると、基板の温度制御が促進され、こうして所望の温度処理プロファイルが効果的にもたらされる。1つの実施形態では、リフレクタプレート914は、約200°C/秒を上回る基板冷却速度を実現し得る。別の実施形態では、リフレクタプレート614は、約220/秒の基板冷却速度を実現し得る。図10は、電気流体力学ジェットE-ジェット印刷システム1000の1つの実施形態に関する単純化された断面斜視図を表す。電気流体力学ジェットE-ジェット印刷法は、高解像度<30μmでインク及び/又は液滴を基板に送達するのに必要な流体の流れを生み出すために、電場を使用する技術である。1つの実施形態では、電気流体力学ジェットE-ジェット印刷法は、III-V族の材料、例えばGaAsに基づく液滴を、高性能薄膜トランジスタTFTディスプレイのバックプレーン上に印刷するために、本発明で用いられる。GaAsに基づく液滴を印刷するのに利用される電気流体力学ジェットE-ジェット印刷法は、OLEDディスプレイ及び高解像度、高周波数3DLCDTVのバックプレーンを作成するのにも利用可能である。図7を参照しながら上記で議論したように、GaAsに基づく液滴は、原料物質としてGaAsの溶液に基づく前駆体を、比較的低い温度で使用し得る。GaAsに基づく液滴の高解像度電気流体力学ジェットE-ジェット印刷法は、ノズルサイズ及び液滴配置法の組み合わせに起因して取得可能である。ノズルサイズは、基板上に印刷される液滴サイズを制御するために変更可能である。1つの実施形態では、電気流体力学ジェットE-ジェット印刷システム1000は、インクチャンバ1002と、移動及び傾斜ステージ1018上に配置される基板1016上の所望の位置で、インクチャンバ1002を保持及び制御するのに利用されるインクチャンバホルダ1004とを備える。ステージヒータ1020は、基板1016を所望の温度範囲に制御するために、移動及び傾斜ステージ1018に取り付け可能である。マイクロピペット1010は、インクチャンバ1002からマイクロピペット1010とノズル1022との間を連結するヒータ1012端部に取り付けられたノズル1022にインクを送達するために、インクチャンバ1002の端部と連結されている。ヒータ1012は、送達経路を閉塞させないように、このヒータを経由して送達されるインクを所望の温度範囲で維持するように構成されたNiCrヒータであり得る。ステージ1018は、ノズル1022の先端に対して移動可能である。ステージ1018は、所望の範囲のスキャンスピードを有するように制御可能である。さらに、ステージ1018は、基板表面上に規定された所望の場所にインクを注入するために、ノズル1022に対して、基板1016の周辺領域に沿って又は中央領域に移動するように制御可能である。1つの実施形態では、ステージ1018は、要望に応じて一定のスピード、加速したスピードで移動可能又はその他の経路を移動可能である。ステージ1018を正確に移動させるために、任意の適する移動機構、例えばコンベヤシステム、ラックピニオンシステム、又はx/yアクチュエータ、ロボット、又はその他の適する機構等が利用可能である。背圧供給源1006が、ノズル1022に背圧を加えるように構成されたインクチャンバ1002に取り付けられた導管1008に連結されている。必要に応じて、加える圧力を変えれば、基板表面上に注入されるインクの量も変えることができる。さらに、ノズル1022に加えられる背圧及び電圧が変化すると、インクの液滴サイズ及び周波数にも影響を及ぼし得る。1つの実施形態では、図7を参照しながら上記で議論したように、GaAs溶液に基づく前駆体は、必要に応じて、基板上に印刷又は注入されるように構成されたインクチャンバ1002内に貯蔵可能である。操作する際には、一定の噴出条件を維持及び制御するように電場を生成するために、電圧力が、ノズル1022及び基板の間に加えられ得る。1つの実施形態では、印刷されたGaAs液滴は、直径約1μm~約10μmの平均測定値を有し得る。上記は、本発明の実施形態と関連するが、本発明のその他の及びさらなる実施形態も、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに考案可能であり、また本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲により規定される。"