"電極基材上に、第1の導電層と、該第1の導電層を構成する物質とカーボンとが混在してなる混在層と、実質的にカーボンからなる第2の導電層と、が形成されてなり、前記混在層の成分構成が、実質的に前記第1の導電層を構成する物質のみを含む成分構成から実質的にカーボンのみを含む成分構成へと、前記第1の導電層から前記第2の導電層へと向かうにつれて変化するよう構成されたことを特徴とする、電極材料。前記第1の導電層は、Ta、Ti、Cr、Al、Nb、V、W、Hf、Cuと、これらの金属の窒化物と、これらの金属の炭化物とのうちいずれかを含むことを特徴とする、請求項1に記載の電極材料。前記電極基材が粗面化されていないことを特徴とする、請求項1又は2に記載の電極材料。陽極箔と陰極箔、それらの間に設けられたセパレータ、及び、該陽極箔と陰極箔との間に形成された固体の電解質層、を備えたコンデンサ素子を含む固体電解コンデンサにおいて、前記陰極箔として請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電極材料を用いたことを特徴とする、固体電解コンデンサ。前記固体の電解質層は、二酸化マンガンMnO2、テトラシアノキノジメタンTCNQ、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT、ポリアニリンPANI、及びポリピロールのうちいずれかを含む、請求項4に記載の固体電解コンデンサ。陽極箔と陰極箔、それらの間に設けられたセパレータ、及び、該陽極箔と陰極箔との間に形成された固体の導電性高分子層、を備えたコンデンサ素子を含む固体電解コンデンサ、において用いるための陰極箔であって、粗面化されていないアルミニウム箔と、前記アルミニウム箔の上に形成された、実質的にTi又はAlからなる金属層と、前記金属層の上に形成された、前記Ti又はAlと、カーボンと、が混在してなる混在層と、前記混在層の上に形成された、実質的にカーボンからなるカーボン層とからなり、前記混在層の成分構成が、実質的に前記Ti又はAlのみを含む成分構成から実質的に前記カーボンのみを含む成分構成へと、前記金属層から前記カーボン層へと向かうにつれて変化するよう構成されたことを特徴とする、陰極箔。本発明は、従来技術における上述の問題を解決するべくなされたものである。すなわち本発明は、アルミニウム箔上に被膜を形成してなる固体電解コンデンサ用の陰極箔において、被膜を構成する各層の酸化への耐性、及び層同士の密着性を向上させることにより陰極における静電容量の発生を防止することを目的とする。さらに本発明は、そのような陰極箔において被膜中で成分構成が急激に変化することにより大きな界面抵抗が生じることを防止し、これによりコンデンサのESRと漏れ電流LC:LeakageCurrentを低下させることを、その目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、電極基材上に、第1の導電層と、第1の導電層を構成する物質とカーボンとが混在してなる混在層と、実質的にカーボンからなる第2の導電層と、が形成されてなり、混在層の成分構成が、実質的に第1の導電層を構成する物質のみを含む成分構成から実質的にカーボンのみを含む成分構成へと、第1の導電層から第2の導電層へと向かうにつれて変化するよう構成されたことを特徴とする電極材料を提供する。本発明により提供される電極材料においては、第1の導電層と第2の導電層との間で両導電層の構成成分が混在する混在層が形成されているため、当該第1の導電層を構成する物質とカーボンとの密着性が向上する。このような構成によれば、カーボンと第1の導電層を構成する物質との密着が不十分なために第1の導電層を構成する物質が酸化して電極材料が静電容量を有し、さらにESRも上昇する、という従来技術の問題が解消される。また、第2の導電層は実質的にカーボンからなるため酸化への耐性に優れている。さらに、第1の導電層との境界領域において混在層は実質的に第1の導電層を構成する物質のみを含み、且つ第2の導電層との境界領域において混在層は実質的にカーボンのみを含むため、それら境界領域において電極材料の成分構成が急激に変化することにより大きな界面抵抗が生じるという問題も起こらない。なお、上記記載中、実質的に第1の導電層を構成する物質のみを含むとは、当該第1の導電層を構成する物質以外の成分が一切含まれないことを必ずしも意味するものではない。層内の成分純度の制御、不純物の混入に関する製造技術上の限界や、個別の製品において上記電極材料に許容される誤差としての静電容量の程度等に応じて、混在層と各導電層との境界領域における実際の成分構成はさまざまに変わりうる。この点は、実質的にカーボンからなる、実質的にカーボンのみを含むなどの記載についても同様である。また、上記記載中、混在層の成分構成が、実質的に第1の導電層を構成する物質のみを含む成分構成から実質的にカーボンのみを含む成分構成へと、第1の導電層から第2の導電層へと向かうにつれて変化するとは、混在層内におけるカーボンの含有率が、第1の導電層から第2の導電層へと向かう方向について単調に増加する、ということを必ずしも意味するものではない。製造技術上の限界により生じる各成分濃度のばらつき等に応じて、混在層内の各位置における実際の成分構成はさまざまに変わりうる。しかしながら、好ましくは、第1の導電層から第2の導電層へと向かうにつれてカーボンの含有率が連続的に上昇するよう、混在層が形成される。上記第1の導電層は、Ta、Ti、Cr、Al、Nb、V、W、Hf、Cuと、これらの金属の窒化物と、これらの金属の炭化物とのうちいずれかを含むものであってよい。本発明の電極材料を構成する第1の導電層に用いることができる物質はこれらに限られないが、電極基材としてアルミニウム基材を用いる場合には、エネルギー効率やアルミニウム基材との密着性の観点から上記列挙された物質を用いることが好ましく、特にTi、Alを初めとする金属基材との密着性や第1の導電層における導電性を損なわない限り、合金等、複数の成分を含むものであってもよい。を用いることが望ましい。なお、電極基材として用いることのできる材料もアルミニウムに限られるわけではなく、弁作用金属であるTa、Ti、Nb等、その他の任意の材料、あるいはアルミニウムにそれら任意の材料が添加されたアルミニウム合金等を用いることもできる。本発明の電極材料において、電極基材を粗面化することは必須の要件ではない。後述の実施例において性能試験データを用いて説明するとおり、本発明の電極材料を作製するにあたって電極基材を粗面化しなくても、それを用いた固体電解コンデンサは従来に比べて優れた静電容量、ESR、漏れ電流特性を有する。特に、電極基材を粗面化せずに作製された本発明の電極基材は、粗面化されたものに比べて優れた耐熱性を有することが、後述の実施例にて示される。また、本発明は、陽極箔と陰極箔、それらの間に設けられたセパレータ、及び、陽極箔と陰極箔との間に形成された固体の電解質層、を備えたコンデンサ素子を含む固体電解コンデンサにおいて、陰極箔として上述の電極材料を用いたことを特徴とする、固体電解コンデンサを提供する。本発明の電極材料は、巻回型又は積層型の固体電解コンデンサにおいて陰極箔として用いるために特に適しているが、それ以外にも、電解液を用いて動作する電解コンデンサを初めとする種々のコンデンサや、電気二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ、リチウムイオンバッテリ、太陽電池等において用いることができる。具体的には、本発明の電極材料における、上記実質的にカーボンからなる第2の導電層上に活性炭からなる層を更に形成すれば、当該電極材料を電気二重層キャパシタ用の正極、又は負極として用いることが可能となるしこのような構成の電極材料は、そのままリチウムイオンキャパシタの正極として用いることもできる。、あるいは、同じく本発明の電極材料における上記第2の導電層上でLiを含む活物質からなる層を形成すれば、当該電極材料をリチウムイオンバッテリの正極として用いることが可能となる。すなわち、本発明の電極材料は、そのままの状態で電極として用いるだけでなく、上記のとおり追加の層を形成するなど、必要であれば更に加工した上で、任意の蓄電装置における陽極正極又は陰極負極として用いることもできる。上記固体の電解質層は、二酸化マンガンMnO2、テトラシアノキノジメタンTCNQ、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT、ポリアニリンPANI、及びポリピロールのうちいずれかを含むものであってよいが、これら以外の電解質を用いることも可能である。一例として、PEDOTからなる固体電解質層の形成は、コンデンサ素子を3,4-エチレンジオキシチオフェン、及びp-トルエンスルホン酸鉄IIの混合溶液に浸漬させた上で加熱して電解質を熱重合させることにより行うことができる。本発明は、上記電極材料の典型的な一態様として、陽極箔と陰極箔、それらの間に設けられたセパレータ、及び、陽極箔と陰極箔との間に形成された固体の導電性高分子層、を備えたコンデンサ素子を含む固体電解コンデンサにおいて用いるための陰極箔を提供する。当該陰極箔は、粗面化されていないアルミニウム箔と、アルミニウム箔の上に形成された、実質的にTi又はAlからなる金属層と、金属層の上に形成された、Ti又はAlと、カーボンと、が混在してなる混在層と、混在層の上に形成された、実質的にカーボンからなるカーボン層とからなり、混在層の成分構成が、実質的にTi又はAlのみを含む成分構成から実質的にカーボンのみを含む成分構成へと、金属層からカーボン層へと向かうにつれて変化するよう構成されたことを特徴とする。上記陰極箔は、後述の実施例において性能試験データを用いて説明される、本発明の典型的な一実施態様に相当する。しかしながら、上述の従来技術における課題を解決するための実施態様がこれに限られないことは明らかである。例えば、後述の性能試験からも明らかなとおり、本発明の陰極箔においてアルミニウム基材が粗面化されていたとしても、それを用いた固体電解コンデンサは従来に比べて優れた静電容量等の特性を有するし、また電極基材として用いることのできる材料がアルミニウムに限られないことも既に述べたとおりである。金属層に用いる材料も、アルミニウムとの密着性の観点からはTi又はAlのいずれかを用いることが好ましいが、同様にTa、Cr等アルミニウムとの優れた密着性を有する別の材料を用いることが可能であるし、また別の電極基材を用いる場合には当該基材に応じて適切な材料により金属層を形成することができる。例えば、電極基材として銅箔を用いる場合には、銅箔との密着性に優れたCrからなる金属層をイオンプレーティング法等によって形成すれば、Crが銅箔表面上の自然酸化被膜を貫いて直接銅箔と結合することにより高い電気伝導性が得られ、静電容量成分の発生が抑えられるため、アルミニウム箔上にTi又はAlからなる金属層を形成した場合と同様の特性が得られると推定される。また、本発明の陰極箔においては、金属層とカーボン層との間に、それぞれの層を構成する成分が混在してなる混在層が形成される。このような混在層の導入による金属-カーボン間の密着性の向上は当該金属層をTi又はAl以外の材料で形成した場合にも同様に得られることが明らかであり、この密着性の向上によって金属における酸化被膜の形成が防止され、陰極箔における静電容量の発生が抑えられると推定される。さらに、金属層との境界領域において混在層は実質的にTi又はAlのみを含み、且つカーボン層との境界領域において混在層は実質的にカーボンのみを含むため、当該境界領域で成分構成の急激な変化が起こらず、界面抵抗が低く抑えられるという効果は、当該金属層をTi又はAl以外の材料で形成した場合にも同様に得られることが明らかである。本発明の電極材料においては、電極基材上に形成される第1及び第2の導電層間に混在層を形成することによって層間の密着性が向上するため、第1の導電層を構成する物質の酸化が防止される。さらに、第1又は第2の導電層と混在層との境界領域において、混在層は実質的に当該第1又は第2の導電層を構成する成分のみから構成されるのであり、これにより、境界領域において電極材料の成分構成が急激に変化することによる界面抵抗の上昇も起こらない。このような電極材料を陰極箔として用いることにより、固体電解コンデンサにおける静電容量の増大、ESR及び漏れ電流の低下が達成される。さらに、後述の性能試験データが示すとおり、本発明の電極材料は耐熱性に極めて優れており、高温下で長時間使用してもほとんど品質が劣化しない。また、第1の導電層、混在層、及び第2の導電層からなるアルミニウム基材上の被膜を0.02μm程度まで薄くしても、本発明の電極材料における陰極箔としての特性が低下することはほとんどなく、また陰極箔を作製するにあたり電極基材を粗面化する必要もないため、使用する材料を削減し、製造工程を簡略化することによって製造コストを大幅に下げることが可能である。なお、そのように被膜を薄く形成すれば、陰極箔を巻回する際に亀裂が生じる危険性も低くなる。さらに、そのように被膜を薄く形成すれば電極基材と固体電解質間の電子伝導距離が短くなるため、ESRがさらに低下する。以下、本発明の一実施形態として、Ti又はAlからなる第1の導電層と、Ti又はAlとカーボンとが混在してなる混在層と、カーボンからなる第2の導電層と、が粗面化されていないアルミニウム箔上に形成された陰極箔、及び、当該陰極箔を用いて作製した固体電解コンデンサについて説明する。ただし、既に述べたとおり、基材として用いるアルミニウム箔、及び第1の導電層を形成するためのTi又はAlは他の材料により代替可能であるし、また後に性能試験データを用いて説明するとおり、基材表面が粗面化されていたとしても、本発明の陰極箔は良好な特性を有する。本発明の陰極箔図1は、上記一実施形態としての陰極箔1の層構造を表わす断面図である。陰極箔1は、エッチング処理等による粗面化がされていない平滑アルミニウム箔2と、平滑アルミニウム箔2上に形成された、Ti又はAlの金属被膜からなる金属層3と、金属層3上に形成された、当該Ti又はAlとカーボンとが混在してなる混在層4と、混在層4上に形成されたカーボン層5と、から構成される。平滑アルミニウム箔2としては、市販の高純度アルミニウムシートを用いることができる。アルミニウムシートの厚みは特に限定されないが、巻回型の固体電解コンデンサ用陰極箔として用いるならば、20μm以上50μm以下であるのが好ましい。金属層3は、真空チャンバ内に平滑アルミニウム箔2、及び蒸発源であるTi又はAlの金属材料を配置した上で、電子ビームおよびプラズマ発生電極等によりTi又はAlを蒸発イオン化させ、これにより発生した金属陽イオンを平滑アルミニウム箔2へと導くことにより形成される。このとき、平滑アルミニウム箔2に対しては負のバイアス電圧が印加されているため、当該平滑アルミニウム箔2へと向かう金属イオンは加速され、高エネルギーを有するイオンプレーティング法。このため、Ti又はAlイオンは平滑アルミニウム箔2表面に形成された自然酸化被膜を貫き、平滑アルミニウム箔2と強固に密着する。なお、平滑アルミニウム箔2上にTi又はAl等の金属の窒化物、又は炭化物からなる層を形成する態様においては、上記方法を窒素ガス、又はメタンガス等の雰囲気中で行うことによって第1の導電層を形成すればよい。また、金属層3を形成するための方法としては、イオンプレーティング法以外にも、真空蒸着法、化学気相蒸着CVD法、スパッタリング法等を用いることが可能である。ただし、金属層3と平滑アルミニウム箔2とが自然酸化被膜を貫いて強固に密着することによりコンデンサのESRが低く抑えられるという点、及び平滑な金属被膜を形成しやすいという点からは、イオンプレーティング法を用いることが好ましい。混在層4は、金属層3と同様にイオンプレーティング法等で形成することができる。すなわち、蒸発源としてはTi又はAlの金属材料に加えてカーボン材料を用意し、これら2つの蒸発源を同時に用いて成膜処理を行えばよい。このような混在層4を導入することにより金属とカーボンとの密着性が高まり、酸化被膜の形成が防止される。なお、混在層4は、金属層3との境界領域においては実質的にTi又はAlのみを含み、カーボン層5との境界領域においては実質的にカーボンのみを含むように、そして、特に金属層3からカーボン層5へと向かうにつれてカーボンの含有率が連続的に上昇するよう構成することが好ましい。このような混在層4は、一例として、i混在層4の成膜開始時には金属材料のみに電子ビームを照射してTi又はAlのみの被膜を形成し、ii時間の経過に応じて徐々に当該金属材料への電子ビーム照射量を下げ、同時にカーボン材料への電子ビーム照射量を上げることにより、金属とカーボンとが混在し、且つカーボンの含有率が上層へ向かうにつれて上昇するような混在被膜を形成し、iii成膜の終了時には金属材料への電子ビーム照射量をゼロとしてカーボンのみの被膜を形成することにより、形成することが可能である。その他、スパッタリング法により混在層4を形成する場合には、時間の経過と共に金属ターゲットに印加する電圧を下げていき金属ターゲットのスパッタ速度を下げていき、Cターゲットに印加する電圧を上げていくCターゲットのスパッタ速度を上げていくなど、任意の方法によってそのような好ましい態様の混在層4を形成することができる。なお、後述の性能試験データ中、実施例7~12のデータは、上述のイオンプレーティング法を用いて、特に金属層3からカーボン層5へと向かうにつれて連続的にカーボン含有率が上昇するよう混在層4を形成してなる陰極箔1、を用いて得たものである。しかしながら、混在層4において、例えばカーボン層5に向かうにつれてカーボン含有率が減少する領域が一部存在していたとしても成膜技術の限界等に起因して、このようなことは起こりうると考えられる。、従来技術の陰極箔と比較しての優れた特性は同様に得られるものと推定される。そのような領域においてもTi又はAlとカーボンとが混在することにより成分間の密着性が向上されているのであり、それゆえTi又はAlの酸化が防止され、陰極における内部容量の発生が抑えられるからである。また、混在層4の一部の領域においてカーボン含有率が不連続的に変化していた場合は、そこにおける界面抵抗の上昇によりESR特性が多少低下するとは考えられるものの、Ti又はAlとカーボンとが混在することにより成分間の密着性は向上されているために陰極箔としては同様の特性が得られると推定されるこの点に関しては、後述の性能試験データ中、実施例1~6のデータを参照されたい。。カーボン層5は、金属層3及び混在層4と同様にイオンプレーティング法等で形成することができる。典型的には、上記混在層4の形成過程において金属材料への電子ビーム照射量をゼロまで低下させた後、そのままカーボン材料のみに電子ビームを照射した状態で被膜形成処理を一定時間続行することにより、カーボン層5を形成することができる。本発明のカーボン層5は、特許文献6に記載の陰極箔のようにバインダーへとカーボン微粒子を分散させた上でこれを塗布及び加熱することにより形成するのではなく、イオンプレーティング法等を用いて形成することが好ましい。バインダーを用いて形成されるカーボン微粒子の層においては、下層のTi又はAlとカーボンとの接触が点接触となり、界面抵抗が上昇すると共に密着性も悪くなるからである。カーボン層5は、平滑かつ緊密なカーボン被膜として形成することが望ましい。なお、金属層3、混在層4、及びカーボン層5の厚さは、それぞれ0.005μm以上0.01μm以下程度で十分であり、また後述の性能試験データが示すとおり、少なくともこれら3つの層における厚さの合計が0.02μm以上であれば、陰極箔として良好な特性が得られる。ただし、各層を更に厚く形成しても構わない。また、金属層3、混在層4、及びカーボン層5のそれぞれを形成する工程は同一の成膜方式で行うことが好ましい。製造工程の簡略化により製造コストを大幅に削減できるからである。ただし、これら各層を異なる方式で成膜してもよい。本発明の固体電解コンデンサ図2は、上記陰極箔1を用いて作製した巻回型固体電解コンデンサ6の分解図である。固体電解コンデンサ6は、i化成処理により陽極アルミニウム箔上に酸化被膜を形成してなる陽極箔7と、図1に示される層構造を有する陰極箔8と、をセパレータ紙9を介して重ね、陽極箔7に対しては陽極端子11を、陰極箔8に対しては陰極端子12を接続した上でこれを巻回してコンデンサ素子10を作製する。iiコンデンサ素子10をアルミニウムケース13に収容後、希釈剤としてn-ブチルアルコールを含む、3,4-エチレンジオキシチオフェン、及び酸化剤としてのp-トルエンスルホン酸鉄IIの混合溶液に浸漬させた上で加熱して、熱重合によりポリエチレンジオキシチオフェンの固体電解質層を形成する。という方法で作製される。なお、ポリピロール系又はポリアニリン系の導電性高分子によって、あるいはTCNQ錯塩等によって固体電解質層を形成してもよい。本発明の固体電解コンデンサの性能試験本発明の陰極箔として、上述のとおりアルミニウム箔の粗面化をせずに作製した陰極箔や、比較のためにあえてアルミニウム箔を粗面化して作製した陰極箔、及び、金属層にTiを用いて作製した陰極箔やAlを用いて作製した陰極箔を用意し、さらには金属層、混在層、及びカーボン層からなる被膜の厚さについても0.5μmとしたものと0.02μmとしたものとを用意した。これら本発明の陰極箔におけるさまざまなバリエーションを用いて、図2に示す構成の巻回型固体電解コンデンサを作製し、静電容量、ESR、及び漏れ電流を測定した。さらに、同様の測定を、基材及び被膜の構成がさまざまに異なる従来技術の陰極箔を用いて作製した、陰極箔以外は本発明のコンデンサと同一構成の巻回型固体電解コンデンサに対しても行い、双方の試験結果を比較した。比較用の測定を行った固体電解コンデンサの従来例1~16、及び本発明の固体電解コンデンサである実施例1~12において用いた陰極箔の構成は、それぞれ以下のとおりである。従来例1平滑アルミニウム箔にエッチング処理をしてなる陰極箔。従来例2平滑アルミニウム箔にTi被膜を0.5μm形成してなる陰極箔。従来例3平滑アルミニウム箔にTi被膜を0.02μm形成してなる陰極箔。従来例4平滑アルミニウム箔にTiN被膜を0.5μm形成してなる陰極箔。従来例5平滑アルミニウム箔にTiN被膜を0.02μm形成してなる陰極箔。従来例6平滑アルミニウム箔にTiC被膜を0.5μm形成してなる陰極箔。従来例7平滑アルミニウム箔にTiC被膜を0.02μm形成してなる陰極箔。従来例8平滑アルミニウム箔にカーボン被膜を0.5μm形成してなる陰極箔。従来例9平滑アルミニウム箔にカーボン被膜を0.02μm形成してなる陰極箔。従来例10平滑アルミニウム箔にアルミニウムカーバイドを形成した後、カーボン微粒子を固着させてなる陰極箔膜厚は陰極箔表面内の位置により異なり、0.5μm~1μm。従来例11平滑アルミニウム箔をエッチング処理し、Ti被膜を0.25μm、さらにカーボン被膜を0.25μm形成してなる陰極箔。従来例12平滑アルミニウム箔をエッチング処理し、Ti被膜を0.01μm、さらにカーボン被膜を0.01μm形成してなる陰極箔。従来例13平滑アルミニウム箔に、Ti被膜を0.25μm、さらにカーボン被膜を0.25μm形成してなる陰極箔。従来例14平滑アルミニウム箔に、Ti被膜を0.01μm、さらにカーボン被膜を0.01μm形成してなる陰極箔。従来例15平滑アルミニウム箔に、Al被膜を0.25μm、さらにカーボン被膜を0.25μm形成してなる陰極箔。従来例16平滑アルミニウム箔に、Al被膜を0.01μm、さらにカーボン被膜を0.01μm形成してなる陰極箔。実施例1平滑アルミニウム箔をエッチング処理し、Ti被膜を0.2μm、Ti及びカーボンの混在層aを0.1μm、カーボン被膜を0.2μm形成してなる陰極箔。実施例2平滑アルミニウム箔をエッチング処理し、Ti被膜を0.008μm、Ti及びカーボンの混在層aを0.004μm、カーボン被膜を0.008μm形成してなる陰極箔。実施例3平滑アルミニウム箔に、Ti被膜を0.2μm、Ti及びカーボンの混在層aを0.1μm、カーボン被膜を0.2μm形成してなる陰極箔。実施例4平滑アルミニウム箔に、Ti被膜を0.008μm、Ti及びカーボンの混在層aを0.004μm、カーボン被膜を0.008μm形成してなる陰極箔。実施例5平滑アルミニウム箔に、Al被膜を0.2μm、Al及びカーボンの混在層aを0.1μm、カーボン被膜を0.2μm形成してなる陰極箔。実施例6平滑アルミニウム箔に、Al被膜を0.008μm、Al及びカーボンの混在層aを0.004μm、カーボン被膜を0.008μm形成してなる陰極箔。実施例7平滑アルミニウム箔をエッチング処理し、Ti被膜を0.2μm、Ti及びカーボンの混在層bを0.1μm、カーボン被膜を0.2μm形成してなる陰極箔。実施例8平滑アルミニウム箔をエッチング処理し、Ti被膜を0.008μm、Ti及びカーボンの混在層bを0.004μm、カーボン被膜を0.008μm形成してなる陰極箔。実施例9平滑アルミニウム箔に、Ti被膜を0.2μm、Ti及びカーボンの混在層bを0.1μm、カーボン被膜を0.2μm形成してなる陰極箔。実施例10平滑アルミニウム箔に、Ti被膜を0.008μm、Ti及びカーボンの混在層bを0.004μm、カーボン被膜を0.008μm形成してなる陰極箔。実施例11平滑アルミニウム箔に、Al被膜を0.2μm、Al及びカーボンの混在層bを0.1μm、カーボン被膜を0.2μm形成してなる陰極箔。実施例12平滑アルミニウム箔に、Al被膜を0.008μm、Al及びカーボンの混在層bを0.004μm、カーボン被膜を0.008μm形成してなる陰極箔。なお、基材上への被膜形成は、従来例10の陰極箔を除き、全て上述のイオンプレーティング法により行った。特に従来例4~7における窒化チタン及び炭化チタンの被膜形成は、それぞれ窒素ガス、メタンガス雰囲気中でチタンを蒸発源とすることにより行い、従来例8、9におけるカーボン被膜の形成はカーボンを蒸発源とすることにより行った。実施例1~12の被膜形成も、既に述べたとおりイオンプレーティング法により行った。ここで、実施例1~6における混在層aは、Ti又はAlとカーボンとの比率が一様となるよう形成されており、一方、実施例7~12における混在層bは、上層になるに従いカーボンの存在比率が高くなるよう形成されている。なお、従来例10においては製造販売されているサンプルを使用した。性能試験の結果を、以下の表1に示す。表1において、cap.はコンデンサの静電容量単位:μF、ESRは等価直列抵抗単位:mΩ、LCは漏れ電流単位:μAを意味する。静電容量は120Hzの周波数にて測定した。等価直列抵抗は、100kHzの周波数にて測定した。漏れ電流は、定格4Vの直流電圧を固体電解コンデンサに印加して3分経過後の値を測定した。また、表1に示されている静電容量、ESR、漏れ電流それぞれの測定結果を、グラフとして図3~図5に示した。表1、及び図3のグラフに示されるとおり、実施例1~12における静電容量の測定値は従来例1~16における測定値よりも大きい。金属等の被膜が形成されていないエッチング箔を陰極箔として用いた従来例1における測定値175.4μFと比較すると、実施例1~12においては静電容量が60程度増大していることがわかる。また、従来例11、12と実施例1、2、及び実施例7、8とのコンデンサは、陰極箔においてTi層とカーボン層との間に混在層が形成されているか否かのみが異なるものであるが実施例1、2と実施例7、8とのコンデンサは、陰極箔の混在層において各成分の含有率に傾斜が与えられているか否かのみが異なる。、当該従来例11及び12における測定値264.1μF、及び258.1μFよりも実施例1、2における測定値279.1μF、及び277.3μF及び実施例7、8における測定値282.1μF、及び280.1μFのほうが大きいことがわかる。同様に、従来例13~16における測定値よりも、混在層を新たに設けた実施例3~6、及び実施例9~12における測定値のほうが大きいことがわかる。特に、混在層の成分含有率に傾斜が与えられていない実施例1~6における測定値よりも、上述の方法により混在層の成分含有率に傾斜が与えられた実施例7~12における測定値の方が大きいことがわかる。また、表1、及び図4のグラフに示されるとおり、実施例1~12におけるESRの測定値は従来例1~16における測定値よりも小さい。金属等の被膜が形成されていないエッチング箔を陰極箔として用いた従来例1における測定値12.32mΩと比較すると、実施例1~12においてはESRが60~65程度低下していることがわかる。また、従来例11、12と実施例1、2及び7、8とのコンデンサは、既に述べたとおり陰極箔においてTi層とカーボン層との間に混在層が形成されているか否かのみが異なるものであるが、当該従来例11、12における測定値6.43mΩ、及び7.10mΩよりも実施例1、24.76mΩ、4.82mΩ及び実施例7、84.61mΩ、4.73mΩにおける測定値のほうが小さいことがわかる。同様に、従来例13~16における測定値よりも、混在層を新たに設けた実施例3~6、及び実施例9~12における測定値のほうが小さいことがわかる。特に、混在層の成分含有率に傾斜が与えられていない実施例1~6における測定値よりも、上述の方法により混在層の成分含有率に傾斜が与えられた実施例7~12における測定値の方が小さいことがわかる。さらに、従来例11と12、13と14、15と16は、それぞれ陰極箔の被膜構成が同一であって厚さのみが0.5μmと0.02μmと異なるコンデンサの例であるが、表1、及び図4のグラフに示されるとおり、いずれの場合においても被膜を薄くすることによりESRが上昇していることがわかる上昇幅は、0.3mΩ~0.7mΩである。。これに対し、本発明において被膜の厚さのみが異なる実施例である、実施例1と2、3と4、5と6、におけるESR測定値を比較すると、実施例1における測定値4.76mΩと実施例2における測定値4.82mΩはほぼ変わらないもののこのような測定結果は、実施例1と2においてアルミニウム箔が粗面化されていることと関係があると推定される。、実施例3における測定値4.56mΩよりも実施例4における測定値4.39mΩのほうが小さく、また実施例5における測定値4.51mΩよりも実施例6における測定値4.37mΩのほうが小さい。このような傾向は、混在層の成分含有率に傾斜が与えられた実施例7~12においても同様に認められる。したがって、少なくともアルミニウム箔を粗面化しないで用いる態様において、本発明の陰極箔は被膜を薄く形成してもESR特性を良好に維持できるという点において従来のものより優れていることが理解される。また、表1、及び図5のグラフに示されるとおり、実施例1~12における漏れ電流の測定値は従来例1~16における漏れ電流の測定値よりも小さい。更に混在層aを形成した実施例1~6における測定値よりも混在層bを形成した実施例7~12における測定値の方が小さいことがわかる。従来例11~16における測定値と実施例1~6における測定値とを比較すると、混在層を設けることにより漏れ電流は概ね20程度低下していることがわかる。更に混在層aを設けた実施例1~6における測定値と混在層bを設けた実施例7~12における測定値を比較すると数程度低下していることがわかる。本発明の固体電解コンデンサの耐熱性試験次に、上記従来例のコンデンサと実施例のコンデンサについて耐熱性試験を行った。耐熱性試験は、125°Cの温度で1000時間、従来例1~16及び実施例1~12それぞれのコンデンサに定格電圧4Vを印加することにより行い、試験前後における静電容量及びESRの測定値を比較した。各コンデンサにおいて試験後に測定した静電容量とESR、及び、試験前後でのそれら測定値の変化率を、以下の表2に示す。表2中、ΔC/Cは、静電容量測定値の試験前後での変化率であり、[試験後の測定値-試験前の測定値]/試験前の測定値を百分率で表したものである。同様に、ΔESR/ESRは、ESR測定値の試験前後での変化率を百分率で表したものである。なお、各変化率の計算にあたり、試験前の測定値としては表1に示されている値を用いた。また、表2に示されている静電容量、ESRそれぞれの変化率を、グラフとして図6~図7に示した。まず耐熱性試験後の静電容量について見れば、表2に示されるとおり、実施例1~12における静電容量の測定値は従来例1~16における測定値よりも大きい。特に、実施例7~12における静電容量の測定値は実施例1~6における測定値よりも大きい。本発明のコンデンサは、耐熱性試験後においても従来のコンデンサより大きな静電容量を有することがわかる。さらに、静電容量測定値の試験前後での変化率について見れば、表2及び図6から明らかなとおり、当該変化率は従来例1~16と実施例1~12との間で大きく異なる。すなわち、従来例11及び12のコンデンサにおいては耐熱性試験により静電容量測定値がそれぞれ3.8及び4.5減少しているが、それらに混在層を設けてなる実施例1及び2のコンデンサにおいて、耐熱性試験による静電容量測定値の減少率は1.6及び2.0であり、更に実施例7及び8における減少率は0.9及び1.3に過ぎない。同様に、従来例13~16における静電容量測定値の減少率よりも、混在層を新たに設けた実施例3~6及び9~12における減少率のほうが小さく、特に実施例3~6における減少率よりも9~12における減少率の方が小さいのであり、本発明の陰極箔は静電容量特性に関して従来のものよりも耐熱性に優れていることがわかる。なお、実施例7及び8における静電容量の減少率が0.9及び1.3であるのに対し、平滑アルミニウム箔を用いて陰極箔を作製した実施例9及び10での静電容量減少率は、0.7及び0.3である。すなわち、耐熱性の観点からはアルミニウム箔にエッチング処理を行わないことが望ましいといえる。また、図6中、実施例3~6及び9~10についてのグラフから明らかなとおり、これら実施例においては、被膜の厚さを0.5μmとしたときよりも0.02μmとしたときのほうが、静電容量測定値の減少率が低く抑えられている。すなわち、アルミニウム箔にエッチング処理を行わずに本発明の陰極箔を作成する場合、耐熱性の観点からは被膜を薄く形成することが好ましいといえる。さらに、耐熱性試験後のESRについて見れば、表2に示されるとおり、実施例1~12におけるESRの測定値は従来例1~16における測定値よりも小さい。特に、実施例1~6におけるESRの測定値よりも実施例7~12における測定値の方が小さい。本発明のコンデンサは、耐熱性試験後においても従来のコンデンサより小さなESRを有することがわかる。さらに、ESR測定値の試験前後での変化率について見れば、表2及び図7から明らかなとおり、当該変化率は従来例1~16と実施例1~12との間で大きく異なる。すなわち、従来例11及び12のコンデンサにおいて、耐熱性試験によるESR測定値の増加率はそれぞれ18.8及び25.4であるが、それらに混在層aを設けてなる実施例1及び2のコンデンサにおいて、耐熱性試験によるESR測定値の増加率は2.5及び2.3であり、更に混在層bを設けてなる実施例7及び8のコンデンサにおいて、耐熱性試験によるESR測定値の増加率は2.2及び2.1に過ぎない。同様に、従来例13~16におけるESR測定値の増加率よりも、混在層を新たに設けた実施例3~6及び9~12における増加率のほうが小さく、更に実施例1~6におけるESR測定値の増加率よりも、実施例7~12における増加率の方が小さいのであり、本発明の陰極箔はESR特性に関して従来のものよりも耐熱性に優れていることがわかる。なお、実施例7及び8におけるESRの増加率が2.2及び2.1であるのに対し、平滑アルミニウム箔を用いて陰極箔を作製した実施例9及び10でのESR増加率は、0.5及び0.2である。すなわち、耐熱性の観点からはアルミニウム箔にエッチング処理を行わないことが望ましいといえる。"