"母体に硫黄を含む硫黄含有蛍光体の表面側に、Zn及びOを含有するZnO化合物が存在してなる構成を備えたZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。母体に硫黄を含む硫黄含有蛍光体の表面側に、Zn及びOを含有するZnO化合物からなるZnO化合物層を備えたZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。Zn及びOを含有するZnO化合物が、ZnO、ZnOH2、ZnSO4nH2O0≦n≦7、ZnTi2O4、Zn2Ti3O8、Zn2TiO4、ZnTiO3、ZnBaO2、ZnBa2O3、ZnGa2O4、Zn1.23Ga0.28O2、Zn3GaO4、Zn6Ga2O9、Zn0.125~0.95Mg0.05~0.9O、Zn0.1~0.75Ca0.25~0.9O、ZnSrO2、Zn0.3Al2.4O4、ZnAl2O4、Zn3~7In2O6~10、ZnSnO3、Zn2SnO4及び亜鉛の有機酸塩からなる群から選ばれる一種または二種以上からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。ガラス組成物を含有するガラス層をさらに備えた請求項1~3の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。Zn及びOを含有するZnO化合物が、SEM又はTEM観察による平均粒径0.3μm以下の微粒子であることを特徴とする請求項1~4の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。硫黄含有蛍光体中のSの原子数量NSに対する、ZnO化合物中のZnの原子数量NZnの比率NZn/NSが0.001以上であることを特徴とする請求項1~5の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。スピネル型結晶構造を有し、且つ0.1μm未満の粒径を有する微粒子が、前記ZnO化合物又はZnO化合物層の周囲に存在することを特徴とする請求項1~6の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。スピネル型結晶構造を有し、且つ0.1μm未満の粒径を有する微粒子を含むスピネル層が、前記ZnO化合物又はZnO化合物層と接触するように備えた請求項1~7の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。Ti、Zn、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Sn、Zr及びYからなる群から選ばれる一種の水酸化物、酸化物又はフッ化物、或いはそれら二種以上の混合物を含有する耐水層をさらに備えた請求項1~8の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体。少なくとも1つのLEDチップと、少なくとも一つの蛍光体とを備えており、LEDから発せられる光の少なくとも一部を蛍光体が吸収し、LEDから発せられる光と、蛍光体から発せられる光が混合された光を得る波長変換型発光素子であり、少なくとも一つの蛍光体が、請求項1~9の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体であることを特徴とする波長変換型発光素子。請求項10記載の波長変換型発光素子を備えた照明装置。請求項10記載の波長変換型発光素子を備えた画像表示装置。固体発光素子と、硫黄系ガスと反応する金属部材と、蛍光体含有層とを備えた発光デバイスであって、該蛍光体含有層は、請求項1~9の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体を樹脂に配合して形成されたものであることを特徴とする発光デバイス。固体発光素子と、硫黄系ガスと反応する金属部材と、蛍光体含有層とを備えた発光デバイスであって、該蛍光体含有層は、請求項1~9の何れかに記載のZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体とZnO化合物とが樹脂中に散在した構成を備えていることを特徴とする発光デバイス。蛍光体をガラスで被覆すると、耐水性が高まるため、大気中の水分によって蛍光体が劣化して発光が弱くなるという欠点は解消される。しかし、硫化水素ガスの悪影響を抑制することは困難であり、例えばAg反射膜の腐食を防止する効果は認められなかった。そこで本発明は、硫化水素ガスの悪影響を効果的に抑制することができる、新たな被覆蛍光体を提案せんとするものである。本発明は、母体に硫黄を含む硫黄含有蛍光体の表面側に、Zn及びOを含有するZnO化合物が存在してなる構成を備えたZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体を提案する。ZnO化合物は、硫黄を化学的に吸着する特性を備えているため、ZnO化合物が硫黄含有蛍光体の表面側に存在すると、硫化水素ガスが発生したとしても該ZnO化合物がこれを吸収するため、硫化水素ガスの悪影響を効果的に抑制することができる。しかも、ZnO化合物は、LED等の光を吸収せず色に影響を与えないため、蛍光体自体の蛍光特性を低下させることがない点でも優れている。以下に本発明の実施形態について詳細に述べるが、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。本蛍光体本実施形態に係る蛍光体以下本蛍光体と称するは、結晶母体に硫黄を含む硫黄含有蛍光体の表面側に、Zn及びOを含有するZnO化合物が存在してなる構成を備えたZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体粒子以下本蛍光体粒子と称するからなる粉体以下本蛍光体粉末と称するである。この際、硫黄含有蛍光体の表面側にZnO化合物が存在するとは、硫黄含有蛍光体の表面にZnO化合物が接触して存在している場合のほか、硫黄含有蛍光体の表面とZnO化合物との間に任意の物質又は層が介在している場合も包含する意味である。硫黄含有蛍光体本蛍光体の結晶母体は、硫黄を含んでいれば、具体的組成を特に限定するものではない。如何なる組成であっても、母体中に硫黄Sを含んでいれば、空気中の水分等と反応して硫化水素ガスを発生する可能性があり、また、蛍光体表面側にZnO化合物が存在していれば、蛍光体の組成にかかわらず、発生した硫化水素ガスを吸収することができると考えることができるからである。本蛍光体の結晶母体の具体例としては、例えばCa、Sr、BaS、Zn、CdS、Se、Ba2ZnS3、Ca、Sr、BaAl、Ga、In2S4:Eu、Ca、Sr、BaGa2S4、BaAl2S4、Ba2SiS4などを挙げることができる。但し、これらに限定するものではない。他方、このような結晶母体に組み合わせる付活元素又は共付活元素発光中心発光イオンとしては、例えばSc、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等の希土類金属のイオンや、Cr、Ti、Ag、Cu、Au、Al、Mn、Sb等の遷移金属のイオンを挙げることができる。但し、これらに限定するものではない。本蛍光体の具体例としては、例えば青色蛍光体としてのBa2Si1-xAlxS4:Ce但し、式中のxは0<x<1やSrS:Ce、緑色蛍光体としてのSrGa2S4:Eu、SrSTb、CaS:Ce、黄色蛍光体としてのCaGa2S4:Eu、Sr2SiS4:Eu、CaS:Ce,Eu、赤色蛍光体としてのCa1-xSrxS:Eu,In但し、式中のxは0~1や、La2O2S:Eu、Y2O2S:Euなどを挙げることができる。但し、これらに限定するものではない。なお、以上挙げたうちの1種類の蛍光体を用いることも可能であるし、また、2種類以上の蛍光体を組み合わせて用いることも可能である。本蛍光体は、必要に応じて、各種添加剤、例えば可塑剤、顔料、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、難燃剤、滑剤、発泡剤、フィラー、帯電防止剤、繊維等の補強剤などを適宜含有してもよい。本蛍光体粒子の粒子形状は、特に限定するものではない。本蛍光体粉末の粒径は、特に制限するものではないが、分散性の観点から、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるD50が、0.1μm~50μmであることが好ましく、1μm以上或いは30μm以下であることがより好ましく、2μm以上或いは20μm以下であることが特に好ましい。D50が0.1μm以上であれば、発光効率が低下する傾向もなく、また、蛍光体粒子が凝集することもない。また、50μm以下であれば、分散性を維持して、塗布ムラやディスペンサー等の閉塞を防ぐことができる。ZnO化合物Zn及びOを含有するZnO化合物であれば、硫化水素ガスと反応し、且つ、LED等の光を吸収せず色に影響を与えることがない、言い換えれば白色透明であるという特徴を有している。よって、ZnO化合物に関しては、その具体的組成を限定するものではない。例えばZn及びOを含有するZnO化合物が、ZnO、ZnOH2、ZnSO4nH2O0≦n≦7、ZnTi2O4、Zn2Ti3O8、Zn2TiO4ZnTiO3、ZnBaO2、ZnBa2O3、ZnGa2O4、Zn1.23Ga0.28O2、Zn3GaO4、Zn6Ga2O9、Zn0.125~0.95Mg0.05~0.9O、Zn0.1~0.75Ca0.25~0.9O、ZnSrO2、Zn0.3Al2.4O4、ZnAl2O4、Zn3~7In2O6~10、ZnSnO3、Zn2SnO4からなる群から選ばれる一種又は二種以上の結晶性微粒子を挙げることができるし、その他の組成のものでもよい。さらにまた、ステアリン酸亜鉛などの有機酸亜鉛塩であってもよい。ZnO化合物は、後述する実施例及びこれまでの各種試験結果から、硫黄含有蛍光体の表面側にZnO化合物微粒子として存在していれば、硫化水素ガスの影響を軽減することができ、ZnO化合物粒子が連続的につながってなるZnO化合物層として硫黄含有蛍光体の表面側を被覆する必要はないことが確認されている。さらに、ZnO化合物粒子として存在すれば、ZnO化合物からなる膜を形成した場合に比べて、硫化水素を吸着する表面積が大きくなり、硫化水素の吸着能力が優れることになる。よって、本蛍光体は、硫黄含有蛍光体の表面側にZnO化合物が付着してない部分が存在する状態のものを包含する一方、ZnO化合物からなる膜が硫黄含有蛍光体の表面側を被覆する状態のものを包含しない。但し、ZnO化合物粒子が連続的につながってなるZnO化合物層として硫黄含有蛍光体の表面側に配置されていても勿論構わないし、好ましい態様である。また、ZnO化合物と蛍光体の硫黄は化学結合していないことが好ましい。化学結合して、蛍光体のSとZnO化合物のZnが反応してZnSが生成すると、硫化水素ガスとの反応が阻害されるばかりか、新たなAg反射膜の腐食要因となるからである。よって、ZnO化合物は、硫黄含有蛍光体の表面側に物理的に付着していればよい。この点に関しては、後述する実施例4ガラス下地なしと実施例11B2O3-SiO2ガラス下地ありを比較すると、実施例4の方が亜鉛の量が多いにも関わらず、実施例11の方が硫化水素の発生が少ないAg反射率を高く維持できていることから、ZnOと蛍光体のSが直接反応しない方が、硫化水素ガスとの反応性に優れていることが確認されている。ZnO化合物は、SEM又はTEM観察による平均粒径が0.3μm以下の微粒子であるのが好ましく、特に該平均粒径が1nm以上、或いは100nm以下であるのがさらに好ましい。平均粒径が0.3μm以下であれば、ZnO化合物粒子がLEDより発せられた光を散乱させず、LEDから発せられた光を蛍光体が吸収するのを妨げないため、好ましい。また、ZnO化合物を被覆する目的は、硫化水素ガスを吸着するためであるから、この点からもZnO化合物の比表面積が大きい方が好ましく、100nm以下であればより一層好ましいといえる。なお、SEM又はTEM観察による平均粒径は、任意の10個の視野で観測される任意の100個の平均粒径であり、粒子がアスペクト比を持つ場合は、長径と短径の平均値をその粒子の粒径とする。蛍光体とZnO化合物との質量割合は、硫黄含有蛍光体:ZnO化合物=1:0.005~1:1であるのが好ましい。ZnO化合物の割合が、前記範囲内であれば、硫化水素ガス吸着の効果を得ることができるばかりか、蛍光体がLEDから発せられた光を吸収して発光するのを妨げることがなく、蛍光体の発光効率を維持することができる。かかる観点から、特に硫黄含有蛍光体:ZnO化合物=1:0.01~1:0.5であるのが好ましく、中でも特に1:0.02~1:0.3であるのがより一層好ましい。ZnO化合物特にZnの存在割合に関しては、硫化水素ガスの悪影響を抑制する観点から、硫黄含有蛍光体中のSの原子数量NSに対する、ZnO化合物中のZnの原子数量NZnの比率NZn/NSが0.0050以上であるのが好ましく、特に0.0100以上、中でも特に0.0200以上であるのがより一層好ましい。他方、蛍光体がLEDから発せられた光を吸収し発光するのを妨げない観点からは、硫黄含有蛍光体中のSの原子数量NSに対する、ZnO化合物中のZnの原子数量NZnの比率NZn/NSが1.0000以下であるのが好ましく、特に0.5000以下、中でも特に0.3000以下であるのがより一層好ましい。硫黄含有蛍光体の表面側にZnO化合物を存在させる製法としては、ZnO化合物粉末を溶媒例えばエタノールに加えて超音波分散させ、これに硫黄含有蛍光体粉末を添加して攪拌した後、溶媒を蒸発させて、硫黄含有蛍光体粒子の表面にZnO化合物を付着させて存在させるようにすればよい。また、硫黄含有蛍光体粉末とZnO化合物粉末とをブレンダー等を使って乾式混合しても、硫黄含有蛍光体粒子の表面にZnO化合物に付着させて存在させることは可能である。また、硫黄含有蛍光体の表面側にZnO化合物層を形成させる製法としては、例えば化学気相反応法などの方法を挙げることができる。ガラス層本蛍光体粒子は、さらにガラス組成物を含有するガラス層を備えていれば、耐水性を高めることができる。本蛍光体粒子がガラス層を備える形態としては、例えば硫黄含有蛍光体の表面にZnO化合物が存在し、これを被覆するようにガラス層を備えてもよいし、また、硫黄含有蛍光体の表面にガラス層を形成し、ガラス層の表面にZnO化合物層を形成してもよい。さらには、硫黄含有蛍光体が備える被覆層を3層以上とし、その一つの任意の層をガラス層とし、他の任意の層をZnO化合物層としてもよい。ガラス層は、ガラス組成物を含有していればよく、該ガラス組成物としては、例えばSiO2、B2O3-SiO2、Ma2O-MbO-B2O3-SiO2、Maはアルカリ金属、Mbはアルカリ土類金属又はZnなどの組成のガラスを挙げることができるが、これらに限定するものではない。ガラス層のコート方法としては、例えばガラス層の前駆体と水と溶媒とを含む前駆体混合物を準備し、前駆体混合物と蛍光体粒子とを混合し、ゾル-ゲル反応を誘導して、蛍光体粒子の表面にガラスをコートし、次に、フィルタリングによって、ガラス層が形成された蛍光体粒子のみを分離して得た後、その蛍光体粒子を乾燥及び熱処理すればよい。また、蛍光体粒子とガラス組成物の粉末とを混合し、ガラス組成物の粉末が溶融されて蛍光体粒子を取り囲むように、ガラス組成物の粉末と蛍光体粒子との混合物を熱処理した後、その混合物を冷却するようにしてもよい。そのほか、蛍光体粒子の表面を化学気相反応法によって被覆する方法や、金属化合物の粒子を付着させる方法などを採用することも可能である。ガラス層は緻密で連続的であることが、蛍光体の発光を維持する上ではより好ましいが、緻密で連続的であれば、蛍光体の表面の一部に、ガラス層が付着しておらず蛍光体表面が露出している部分が存在してもよい。また、ガラス組成物の例としてZnを含有したガラス組成物を挙げたが、ガラス層は緻密で連続的であるのが好ましいので、ガラス層の表面積は小さく、ガラス層の硫化水素ガスの吸着能力はAg反射膜の腐食を防止するには不十分である。スピネル微粒子また、スピネル型結晶構造を有し、且つ0.1μm未満の粒径を有する微粒子スピネル微粒子と称するが、前記ZnO化合物又は前記ZnO化合物層の周囲に、好ましくは前記ZnO化合物又は前記ZnO化合物層と接触する状態で存在してもよい。スピネル型構造をとる化合物群の中には、化学的な安定性が高く、そのため高い温度や水に対して安定なものが多く存在し、また組成によっては無色透明である。さらに粒径が0.1μm未満であれば、蛍光体の近傍に存在しても、その蛍光体がある波長の光を吸収し、異なる波長の光を発するのに妨げにはなることもない。よって、前記ZnO化合物又は前記ZnO化合物層の周囲に当該スピネル微粒子が存在すれば、前記ZnO化合物が吸湿して白色化することをより一層抑えることができる。前記ZnO化合物又は前記ZnO化合物層の周囲にスピネル微粒子を存在させるには、上記のようにZnO化合物を存在させる製法と同様に行えばよい。但し、前記ZnO化合物の周囲にスピネル微粒子を存在させるには、ZnO化合物と当該スピネル微粒子を混合して硫黄含有蛍光体の表面側に付着させたり、ZnO化合物を硫黄含有蛍光体の表面側に付着させ、その上にスピネル微粒子を付着させたりするようにすればよい。但し、これらの方法に限定されるものではない。この際、スピネル微粒子の量は特に限定されるものではなく、例えばZnO化合物の5~95質量、中でも10質量以上或いは70質量以下、その中でも25質量以上或いは50質量以下であるのが好ましい。上記スピネル微粒子としては、例えばZnAl2O4、ZnGa2O4、Zn2TiO4、などのスピネル型結晶構造を有する複合酸化物の微粒子を挙げることができる。当該スピネル微粒子の粒径SEM又はTEM観察による粒径は、透明性を確保する観点から、0.1μm未満であるのが好ましく、中でも0.07μm以下、その中でも0.05μm以下であるのが特に好ましい。また、上記スピネル微粒子を含む層が、前記ZnO化合物又はZnO化合物層と接触するように備えていれば、スピネル微粒子が、前記ZnO化合物又は前記ZnO化合物の周囲に存在している場合と同様の効果を得ることができると考えることができる。さらなる耐水層本蛍光体粒子は、Ti、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Sn、Zr及びYからなる群から選ばれる一種の水酸化物、酸化物又はフッ化物、或いはそれら二種以上の混合物これらを耐水性物と称するを含有する耐水層をさらに備えていてもよい。Ti、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、In、Sn、Zr及びYからなる群から選ばれる一種の水酸化物、酸化物又はフッ化物は、耐水性に特に優れているため、これらを含有する層を設けることにより、蛍光体の耐水性をさらに高めることができる。特に上記ガラス層と共に備えていれば、蛍光体の耐水性を顕著に高めることができる。当該耐水層は、前記ZnO化合物又は前記ZnO化合物の内側又は外側に存在していてもよい。また、上記ガラス層と共存する場合には、該ガラス層の内側又は外側に存在していてもよい。さらに、上記耐水性物を上記ガラス層に含ませるようにしてもよい。上記耐水性物の量は、特に限定するものではない。例えば硫黄含有蛍光体に対して0.1~50質量、中でも1質量以上或いは30質量以下、その中でも3質量以上或いは15質量以下であるのが好ましい。上記耐水層を形成する方法は、特に限定するものではなく、上記のようにZnO化合物を存在させる製法と同様に行えばよい。但し、より緻密な層を形成できる方法として、例えば化学気相反応法などの方法を好ましい例として挙げることができる。用途本蛍光体は、例えばLED、レーザー又はダイオード等の発光源の近傍に配置することにより、発光素子乃至装置を構成し、各種用途に用いることができる。例えばLED上に、直接或は粘着剤や接着剤を介して間接的に接触させるように配置すればよい。このように本蛍光体をLEDの近傍に配置することにより、例えば照明装置や特殊光源のほか、液晶表示装置などの画像表示装置のバックライトなどに利用することができる。また、発光体の近傍に電界源や電子源を配置してその近傍に配置することで、EL、FED、CRTなどの表示デバイスに利用することができる。発光体の近傍とは、該発光体が発光した光を受光し得る位置をいう。より具体的には、例えば、少なくとも1つのLEDチップと、少なくとも一つの蛍光体とを備えており、LEDから発せられる光の少なくとも一部を蛍光体が吸収し、LEDから発せられる光と、蛍光体から発せられる光が混合された光を得る波長変換型発光素子を構成することができ、これを照明装置や画像表示装置の発光素子として利用することができる。また、反射板としての金属部材上に、LEDなどの固体発光素子を配置すると共に、本蛍光体を樹脂中に配合して形成してなる蛍光体含有層を形成してなる構成を備えた発光デバイスを構成することができる。この際、本蛍光体のZnO化合物の一部は、黄含有蛍光体から離脱して樹脂中に散在することになる。当該離脱したZnO化合物は、蛍光体含有層内において、均一又は不均一に散在していてもよいし、深さ方向に濃度分布をもって散在していてもよい。また、沈降して層状に散在していてもよい。上記発光デバイスにおける金属部材としては、硫黄系ガスと反応する金属部材、例えばVIII族系金属、或いはIB族系金属を一種以上含有する金属又は合金からなるものを挙げることができる。具体的には、例えば銀、銀系合金、銅、銅系合金、ニッケル、ニッケル系合金、鉄、鉄系合金などを挙げることができる。また、上記発光デバイスにおける樹脂としては、透明若しくは白色の熱可塑性樹脂、透明若しくは白色の熱硬化性樹脂、および、透明若しくは白色の光硬化樹脂のいずれかを用いることもできる。上記発光デバイスは、例えばLED電球装置やLED照明装置などの照明装置や、液晶テレビのバックライトや、信号機、インジケーターなどの視覚装置の部品として好適に用いることができる。用語の説明本発明において、X~YX,Yは任意の数字と表現した場合、特にことわらない限りX以上Y以下の意と共に、好ましくはXより大きい及び好ましくはYより小さいの意を包含する。また、本発明において、X以上Xは任意の数字と表現した場合、特にことわらない限り好ましくはXより大きいの意を包含し、Y以下Yは任意の数字と表現した場合、特にことわらない限り好ましくはYより小さいの意を包含する。以下、実施例及び比較例に基づいて本発明を説明する。但し、本発明はこれらに限定されて解釈されるものではない。比較例1SrGa2S4:Eu2Sr097Eu009Ga2S4蛍光体の合成出発原料としてのSrS、Ga2S3及びEuSを目的の組成となるように秤量して混合し、φ3mmのジルコニアボールをメディアに用いてペイントシェーカーで100分間混合した。得られた混合物を、硫化水素雰囲気中、980°Cで4時間焼成した。次に、焼成した得たものを、らいかい機日陶科学社製ALM-360Tで1分間解砕し、目開き140メッシュ及び440メッシュの篩を用いて、目開き140メッシュの篩下で且つ目開き440メッシュの篩上を回収し、SrGa2S4:Eu2からなる蛍光体粉末サンプルを得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。比較例2CaS:Eu2Ca099Eu001S蛍光体の合成出発原料としてのCaS及びEuSを目的の組成となるように秤量して混合し、φ3mmのジルコニアボールをメディアに用いてペイントシェーカーで100分間混合した。得られた混合物を、硫化水素雰囲気中、1100°Cで6時間焼成した。次に、焼成した得たものを、らいかい機日陶科学社製ALM-360Tで1分間解砕し、目開き140メッシュ及び440メッシュの篩を用いて、目開き140メッシュの篩下で且つ目開き440メッシュの篩上を回収し、CaS:Eu2からなる蛍光体粉末サンプルを得た。得られた蛍光体について、比較例1と同様にICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。比較例3B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体の合成比較例1で得られたSrGa2S4:Eu2蛍光体を懸濁したエタノールに、純水、SiOEt4、H3BO3を加え、さらに触媒としてアンモニア水を少量添加して60°Cで加水分解させ、ガラスの前駆体ゲルを蛍光体表面に被覆したガラス前駆体蛍光体複合体を合成した。この複合体を、600°Cで30分間熱処理してB2O3-SiO2ガラスを被覆したB2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、比較例1と同様にICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。また、ICP分析の結果、蛍光体成分とガラス成分SiO2及びB2O3との質量比は1:0.0383であった。比較例4SiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体の合成比較例2で得られたCaS:Eu2蛍光体を懸濁したエタノールに、純水、SiOEt4を加え、さらに触媒としてアンモニア水を少量添加して60°Cで加水分解させ、SiO2ガラスを被覆したSiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、比較例1と同様にICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。また、ICP分析の結果、蛍光体成分とガラス成分SiO2との質量比は1:0.0442であった。実施例1ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して0.5質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例1で得たSrGa2S4:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着SrGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.00506であった。得られたZnO被着SrGa2S4:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、SrGa2S4:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。この際、ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。以下の実施例は全て、溶媒エタノール又はトルエン50mL、蛍光体10gの割合で添加した。なお、ZnOの平均粒径は、SEMFEI社製XL30-SFEG、倍率20万倍で撮影した、任意の10個の視野で観測した任意の100個の平均粒径であり、粒子がアスペクト比を持つ場合は、長径と短径の平均値をその粒子の粒径とした。以後の平均粒径も同様である。実施例2-9ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して1質量部実施例2、2質量部実施例3、5質量部実施例4、10質量部実施例5、20質量部実施例6、30質量部実施例7、50質量部実施例8又は100質量部実施例9のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例1で得たSrGa2S4:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着SrGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体実施例2-9について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSはそれぞれ、0.01020、0.02100、0.05360、0.10900、0.21800、0.32900、0.55100、1.09000であった。得られたZnO被着SrGa2S4:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、実施例2及び3については、SrGa2S4:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。実施例4-9については、SrGa2S4:Eu2蛍光体粒子の表面が、ZnOの一次粒子が凝集した状態で全面に付着しており、該蛍光体粒子の表面が露出した部分は見られなかった。実施例2-9のいずれについても、ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例10ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して2質量部に相当する量のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例2で得たCaS:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着CaS:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.0171であった。また、得られたZnO被着CaS:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、CaS:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例10-2ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成比較例10で得られたZnO被着CaS:Eu2蛍光体を懸濁したエタノールに、純水、SiOEt4を加え、さらに触媒としてアンモニア水を少量添加して60°Cで加水分解させ、SiO2ガラスを被覆したZnO被着SiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、比較例1と同様にICP分析を行ったところ、Nzn/Nsは0.0168であった。また、ICP分析の結果、蛍光体成分とガラス成分SiO2との質量比は1:0.0493であった。CaS:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例11ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して2質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例3で得たB2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.0225であった。また、得られたZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例11-2ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して2質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例3の熱処理前のガラス前駆体蛍光体複合体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着ガラス前駆体SrGa2S4:Eu2蛍光体複合体を得た。この複合体を、ガラス前駆体をガラス化するために600°Cで30分間熱処理して、ZnO被着B2O3-SiO2被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.0223であった。また、ICP分析の結果、蛍光体成分とガラス成分SiO2及びB2O3との質量比は1:0.0386であった。また、得られたZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。熱処理してもZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例12ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して2質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例4で得たSiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着SiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.0193であった。また、得られたZnO被着SiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、SiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、SiO2ガラス被覆CaS:Eu2蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例13-16ステアリン酸亜鉛被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して5質量部のステアリン酸亜鉛を、トルエンに加えて溶解した。この溶液に、比較例1、2、3又は4で得た蛍光体を添加し、エバポレータで攪拌しながらトルエンを蒸発させ、ステアリン酸亜鉛被覆硫黄含有蛍光体を得た。得られたステアリン酸亜鉛被覆硫黄含有蛍光体それぞれの表面を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、蛍光体粒子の表面に、ステアリン酸亜鉛が膜状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。比較例5ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して0.1質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例1で得たSrGa2S4:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着SrGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体比較例5について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.00097であった。実施例17ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成ZnO平均粒径20nmおよびAl2O3平均粒径20nmを重量比1:1で混合した後、大気中1200°Cにて30分間焼成し、ZnAl2O4平均粒径100nmを得た。次に、この粉末をビーズミル浅田鉄工製ペイントシェーカーを用い1時間粉砕したジルコニアビーズ0.8mmφ、エタノール中。得られたZnAl2O4の平均粒径は30nmであった。後述する蛍光体100重量部に対して4.1重量部のZnO平均粒径20nmと、2.5重量部の上記で作製したZnAl2O4平均粒径30nmとをエタノール50mlとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOおよびZnAl2O4粒子をエタノール中に分散させた。ここに、比較例3で得たB2O3SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu蛍光体を10g添加し、エバポレータで撹拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnOおよびZnAl2O4被着B2O3SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZnNSは0.0551であった。また、得られたZnOおよびZnAl2O4被着B2O3SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu蛍光体をSEMFEI社製XL30-SFEGで観察したところ、B2O3SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu蛍光体の表面に、ZnOの一次粒子及びZnAl2O4の一次粒子が混合状態で凝集し、その凝集状態で該蛍光体粒子表面に全体的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は露出していなかった。なお、ZnOの一次粒子およびZnAl2O4の一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例18ZnO化合物およびTiO2化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100重量部に対して1重量部のTiO2平均粒径20nmを、エタノール50mlとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてTiO2粒子をエタノール中に分散させた。ここに、比較例1で得たSrGa2S4:Eu蛍光体を10g添加し、エバポレータで撹拌しながらエタノールを蒸発させ、TiO2被着SrGa2S4:Eu蛍光体を得た。次に、上記TiO2被着SrGa2S4:Eu蛍光体を用いた以外は比較例3と同様にして、B2O3SiO2ガラス被覆TiO2被着SrGa2S4:Eu蛍光体を得た。さらに、上記B2O3SiO2ガラス被覆TiO2被着SrGa2S4:Eu蛍光体を用いた以外は実施例17と同様にして、ZnOおよびZnAl2O4被着B2O3SiO2ガラス被覆TiO2被着SrGa2S4:Eu蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZnNSは0.0549であった。また、得られた該蛍光体をSEMで観察したところ、実施例17と同様の表面状態であった。実施例19ZnO化合物およびTiO2化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100重量部に対して1重量部のTiO2平均粒径20nm、4.1重量部のZnO平均粒径20nm及び2.5重量部の実施例17で作製したZnAl2O4平均粒径30nmを、エタノール50mlとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にて各粒子をエタノール中に分散させた。ここに、比較例3で得たB2O3SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu蛍光体を10g添加し、エバポレータで撹拌しながらエタノールを蒸発させ、TiO2およびZnOおよびZnAl2O4被着B2O3SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZnNSは0.0557であった。また、得られた蛍光体についてSEMFEI社製XL30-SFEGで観察したところ、B2O3SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu蛍光体の表面に、TiO2の一次粒子、ZnOの一次粒子及びZnAl2O4の一次粒子が混合状態で凝集し、その凝集状態で該蛍光体粒子表面に全体的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は露出していなかった。なお、TiO2、ZnO及びZnAl2O4の一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例20流動CVD法によるZnO被着Al2O3被覆硫黄含有蛍光体の合成下部に多孔板を備えたガス流入口を持つ100mlの耐圧チャンバーの中に、比較例1で得たSrGa2S4:Eu蛍光体を投入し、チャンバー内を500°C、500Paの条件に保持した。次に、トリメチルアルミニウムガスをチャンバーの真空度が300Paとなるように流量を調整しながら、多孔板を備えたガス流入口から導入した。一旦ガスを止め、真空度が500Paとなるまで保持した。次に水蒸気を含んだ不活性ガスをガス流入口から導入した後、導入を止め、真空度が500Paとなるまで保持した。以上を1サイクルとし、これを500サイクル繰り返した。次にトリエチルアルミニウムガスをジエチル亜鉛ガスに切り替え、同様のサイクルを500サイクル繰り返した。上記の通り流動層CVD法を用いてZnO被覆Al2O3被覆SrGa2S4:Eu蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZnNSは0.0284であった。Al2O3被覆後、ZnO被覆後それぞれのタイミングにおける該蛍光体をSEMFEI社製XL30-SFEGで観察したところ、SrGa2S4:Eu蛍光体の表面にAl2O3層およびZnO層が均一に形成され、該蛍光体粒子の表面は露出していなかった。比較例6CaGa2S4:Eu2Ca097Eu003Ga2S4蛍光体の合成出発原料としてのCaS、Ga2S3及びEuSを目的の組成となるように秤量して混合し、φ3mmのジルコニアボールをメディアに用いてペイントシェーカーで100分間混合した。得られた混合物を、硫化水素雰囲気中、980°Cで4時間焼成した。次に、焼成した得たものを、らいかい機日陶科学社製ALM-360Tで1分間解砕し、目開き140メッシュ及び440メッシュの篩を用いて、目開き140メッシュの篩下で且つ目開き440メッシュの篩上を回収し、CaGa2S4:Eu2からなる蛍光体粉末サンプルを得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。比較例7SrS:Eu2Sr099Eu001S蛍光体の合成出発原料としてのSrS及びEuSを目的の組成となるように秤量して混合し、φ3mmのジルコニアボールをメディアに用いてペイントシェーカーで100分間混合した。得られた混合物を、硫化水素雰囲気中、1100°Cで6時間焼成した。次に、焼成した得たものを、らいかい機日陶科学社製ALM-360Tで1分間解砕し、目開き140メッシュ及び440メッシュの篩を用いて、目開き140メッシュの篩下で且つ目開き440メッシュの篩上を回収し、SrS:Eu2からなる蛍光体粉末サンプルを得た。得られた蛍光体について、比較例1と同様にICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。比較例8B2O3-SiO2ガラス被覆CaGa2S4:Eu2蛍光体の合成比較例6で得られたCaGa2S4:Eu2蛍光体を懸濁したエタノールに、純水、SiOEt4、H3BO3を加え、さらに触媒としてアンモニア水を少量添加して60°Cで加水分解させ、ガラスの前駆体ゲルを蛍光体表面に被覆したガラス前駆体蛍光体複合体を合成した。この複合体を、600°Cで30分間熱処理してB2O3-SiO2ガラスを被覆したB2O3-SiO2ガラス被覆CaGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、比較例1と同様にICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。また、ICP分析の結果、蛍光体成分とガラス成分SiO2及びB2O3との質量比は1:0.0448であった。比較例9B2O3-SiO2ガラス被覆SrS:Eu2蛍光体の合成比較例7で得られたSrS:Eu2蛍光体を懸濁したエタノールに、純水、SiOEt4、H3BO3を加え、さらに触媒としてアンモニア水を少量添加して60°Cで加水分解させ、ガラスの前駆体ゲルを蛍光体表面に被覆したガラス前駆体蛍光体複合体を合成した。この複合体を、600°Cで30分間熱処理してB2O3-SiO2ガラスを被覆したB2O3-SiO2ガラス被覆SrS:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、比較例1と同様にICP分析を行ったところ、Znは検出されなかった。また、ICP分析の結果、蛍光体成分とガラス成分SiO2及びB2O3との質量比は1:0.0473であった。実施例21ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して10質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例3で得たB2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.109であった。また、得られたZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例22ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して10質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例8で得たB2O3-SiO2ガラス被覆CaGa2S4:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆CaGa2S4:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.095であった。また、得られたZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆CaGa2S4:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、B2O3-SiO2ガラス被覆SrGa2S4:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例23ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して10質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例9で得たB2O3-SiO2ガラス被覆SrS:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌しながらエタノールを蒸発させ、ZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆SrS:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.147であった。また、得られたZnO被着B2O3-SiO2ガラス被覆SrS:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、B2O3-SiO2ガラス被覆SrS:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。実施例23-2ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体の合成後述する蛍光体100質量部に対して10質量部のZnO平均粒径30nmを、エタノール50mLとともにナス型フラスコに入れ、超音波洗浄器にてZnOをエタノール中に分散させた。ここに、比較例7で得たSrS:Eu2蛍光体を10g添加し、エバポレータで攪拌した。ZnO被着SrS:Eu2蛍光体を懸濁したエタノールに、純水、SiOEt4、H3BO3を加え、さらに触媒としてアンモニア水を少量添加して60°Cで加水分解させ、ガラスの前駆体ゲルをZnO被着蛍光体表面に被覆したガラス前駆体ZnO被着蛍光体複合体を合成した。この複合体を、600°Cで30分間熱処理してB2O3-SiO2ガラスを被覆したB2O3-SiO2ガラス被覆ZnO被着SrS:Eu2蛍光体を得た。得られた蛍光体について、セイコーインスツル社製SPS7800によりICP分析を行ったところ、NZn/NSは0.134であった。また、得られたB2O3-SiO2ガラス被覆ZnO被着SrS:Eu2蛍光体を、SEMFEI社製XL30-SFEGで観察すると、B2O3-SiO2ガラス被覆SrS:Eu2蛍光体粒子の表面に、ZnOの一次粒子が凝集した状態で部分的に付着しており、該蛍光体粒子の表面は部分的に露出していた。ZnOの一次粒子の平均粒径は原料の平均粒径と変わらなかった。<Ag腐食試験>実施例及び比較例で得た蛍光体を、それぞれシリコーン樹脂と混練して蛍光体樹脂混合物を得た。石英ガラス板上にメッキによりAg膜70nmを形成したAg膜付ガラス板のAg膜側に、前記蛍光体樹脂混合物を300μmの厚さに塗布し、120°C×1時間に加熱硬化させ、環境試験用のテストピースを得た。また、蛍光体を混合していない樹脂のみをガラス片のAg膜側に塗布して硬化させたテストピースも作製した参照例。実施例比較例の蛍光体を用いたテストピースを、60°C、90RHの恒温槽内に20時間保存し、保存後のテストピースの蛍光体樹脂混合膜をピンセットにより剥離し、露出したAg膜の反射率を測定し、Ag膜の腐食を評価した。実施例1~23及び比較例1~9の結果を表1及び表2に示すと共に、実施例1~16及び比較例1~4の結果を図5-図9に示した。なお、反射率の測定は、分光測色計コニカミノルタ製CM-2600dを使用して測定した。<硫化水素ガス発生量の評価試験>実施例1~16及び比較例1~4で得た蛍光体をそれぞれ2g秤量し、パイレックス商標登録ガラス製のシャーレに薄く広げてのせた。また、純水を10g入れたパイレックス商標登録ガラス製のシャーレを用意した。密閉可能な角型アクリルデシケータ内容積6.76Lの中に、比較例実施例で得た蛍光体をのせたシャーレと、純水を入れたシャーレと、ガステック社製拡散式硫化水素測定器GHS-8AT測定範囲0~125ppmと、ボタン型温湿度記録計KHラボラトリー製ハイグロクロンとを入れて、該デシケータを密閉した。さらに、30°Cに調整された恒温槽エスペックSH-641内に、デシケータごと入れて、その状態で10時間硫化水素濃度を測定した。硫化水素濃度の測定中のアクリルデシケータ内の温度と湿度は、それぞれ概ね30°C、90RHであった。結果を図1-図4に示した。<蛍光体の発光効率の評価>実施例1~23及び比較例1~9の蛍光体の外部量子効率励起波長450nmを、日本分光社製FP-6500にて測定した。各比較例及び実施例について、NZn/NS、Ag腐食試験結果Ag反射率及び外部量子効率の評価結果を、表1及び表2に示した。考察これまでの各種試験と実施例比較例の結果から、硫黄含有蛍光体の表面に、Zn及びOを含有するZnO化合物を付着させることにより、発生した硫化水素ガスによって例えばAg反射膜が腐食するのを抑制できることが分かった。これは、発生した硫化水素ガスが、硫黄含有蛍光体表面のZnO化合物に化学的に吸着されるためであると考えられる。この際、実施例の合成法からも分かるように、ZnO化合物は、硫黄含有蛍光体の表面全体を覆いつくすのではなく、表面に付着して散在すれば、発生した硫化水素ガスを化学的に吸着することができ、所望の効果が得られることが分かった。また、発生した硫化水素ガスを、硫黄含有蛍光体表面のZnO化合物に化学的に吸着する化学的特徴と、色に影響しないことを考えると、ZnO化合物としては、ZnOのほかに、例えばZnOH2、ZnSO4nH2O0≦n≦7、ZnTi2O4、Zn2Ti3O8、Zn2TiO4、ZnTiO3、ZnBaO2、ZnBa2O3、ZnGa2O4、Zn1.23Ga0.28O2、Zn3GaO4、Zn6Ga2O9、Zn0.125~0.95Mg0.05~0.9O、Zn0.1~0.75Ca0.25~0.9O、ZnSrO2、Zn0.3Al2.4O4、ZnAl2O4、Zn3~7In2O6~10、ZnSnO3、Zn2SnO4などであれば、同様の効果が得られると考えることができる。また、ステアリン酸亜鉛のような亜鉛の有機酸塩も、同様の効果が得られると考えることができる。硫黄含有蛍光体の表面に、ZnO化合物が散在するZnO化合物層に加えて、ガラスを含有するガラス層を積層することで、耐水性をさらに高めることができることが分かった。この際、耐水性を高める機能と硫化水素ガスを吸着する機能とを考えると、ZnO化合物層とガラス層の積層順はいずれでもよく、硫黄含有蛍光体の表面からZnO化合物層、ガラス層の順に積層してなる構成であっても、硫黄含有蛍光体の表面からガラス層、ZnO化合物層の順に積層してなる構成であってもよいと考えることができる。<発光デバイスの作成と評価>上記実施例及び比較例で得た蛍光体を用いて発光デバイスLEDパッケージを作製し、光束維持率を評価した。実施例24-33及び比較例10-17樹脂シリコーン樹脂、東レダウコーニング社製OE-6630A液:B液=1:4中に、該樹脂に対して、表3に示す各実施例比較例で得た蛍光体5wt.を混合し、自転公転ミキサーシンキ-社製AR-250で撹拌、脱泡を60秒ずつ行い、樹脂と蛍光体の混合物を得た。この混合物をLEDリードフレーム図10参照内に800μmの厚みで充填した。その後、ゆっくりとシリコーン樹脂を硬化させてLEDパッケージサンプルを作製した図11、図12参照。実施例34-43樹脂シリコーン樹脂、東レダウコーニング社製OE-6630A液:B液=1:4中に、該樹脂に対して、表4に示す各実施例で得た蛍光体5wt.と、表4に示す添加したZn化合物の濃度に相当する量のZnO平均粒径30nmとを混合し、自転公転ミキサーシンキ-社製AR-250で撹拌、脱泡を60秒ずつ行い、樹脂と蛍光体の混合物を得た。この混合物をLEDリードフレーム図10参照内に800μmの厚みで充填した。その後、ゆっくりとシリコーン樹脂を硬化させてLEDパッケージサンプルを作製した図11、図12参照。<発光強度の評価方法>温度85°C、湿度85RHに設定した小型環境試験器エスペック社製SH-641内に、実施例24~43比較例10~17で得たサンプルLEDパッケージを1000時間放置し、放置前の光束を100とし、放置後の光束変化を調べた。光束は、サンプルLEDパッケージに電圧3V、電流50mAを印加し、2インチの積分球ラブスフェア社製SPH-2-2、バッフル付きBP-2-0で集光し、光ファイバオーシャンオプティクス社製VIS-NIR、コア径400μmでファイバマルチチャンネル分光器オーシャンオプティクス社製USB4000と接続して測光し、測定用ソフトオーシャンフォトニクス社製OPwaveVersion1.40を用いて、積分時間4ms、平均回数10回、スムージング回数10回でLEDパッケージの光束を得た。なお、発光スペクトルおよび強度は、絶対強度補正用ハロゲン光源オーシャンオプティクス社製LS-1-CALを用いて補正した。硫黄系ガス吸着剤の濃度分布及び蛍光体の濃度の測定は、サンプルLEDパッケージを中央付近で切断し、その断面を、エネルギー分散X線分光法EDSを用いて元素濃度を測定することで行った。この測定では、電界放出型走査電子顕微鏡FE-SEM、日本電子社製JSM7001Fに接続したEDS検出器オックスフォードインストゥルメンツ社製INCAEnergy250と定量分析ソフトオックスフォードインストゥルメンツ社製INCAMicroanalysisSuiteを用いて、Si、S、Zn及びSrの濃度を分析した。なお、電界放出型走査電子顕微鏡FE-SEMの加速電圧は5kV、電流は18μA、ワーキングディスタンス10.00mmとし、ポイントIDにより定量分析を行った。定量分析の設定値はライフタイム60秒、プロセスタイム3、スペクトルレンジ0から20keVとした。ピークの検出位置を、Siが1.74keV、Sが2.31keV、Znが1.02keV、Srが1.58keVとし、ZAF補正を用いて、4元素の合計を100wt.とし、各元素の質量濃度を計算した。結果上記実施例24-33及び比較例10-17で作製したLEDパッケージサンプルを、温度85°C、湿度85RHの小型環境試験器中で1000時間保存した後に取り出したところ、表3の結果となった。比較例10-17では、反射板が黒色化したことが確認された。硫黄含有蛍光体から発生する硫黄含有ガス、特に硫化水素と、反射板銀メッキを施した銅合金とが反応し、例えば銀が硫化銀になって黒色化したことが原因であると考えられる。このように反射板が黒色化すると、LEDパッケージサンプルの発光が低下することになる。また、黒色化した金属部材が、反射板以外の電極であれば、断線や高抵抗化を引き起こすことにもなる。これに対し、実施例24-33では、反射板の色などに変化は認められなかった。これは、蛍光体の表面側に存在するZnO化合物が硫黄含有蛍光体に起因して発生した硫黄系ガス、特に硫化水素は、金属部材反射板と反応するよりも、優先的に硫黄系ガス吸着物質であるZnO化合物に吸着されるため、金属部材の腐食を抑制でき、環境試験前と同等の発光を維持できたものと考えることができる。上記実施例及びこれまでの試験結果からすると、パッケージに含まれるZnとSの比率は、N’ZNN’Sが0以上20以下であることが好ましく、さらに好ましくは0.2以上或いは10以下であり、さらに好ましくは0.25以上或いは6以下であると、考えることができる。Znが少なすぎると、硫化水素がZnO化合物に十分に吸着されず、Znが多すぎると、光を遮断してLEDからの光が蛍光体に照射しにくくなるからである。また、実施例34~43の結果を参酌すると、パッケージ作製時にZn化合物を加えると、さらに光束維持率が向上することが分かった。よって、蛍光体含有層に関しては、ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体とZnO化合物とが樹脂中に散在した状態となっている場合でも好ましいことが分かった。この点からすると、ZnO化合物被覆硫黄含有蛍光体のZnO化合物は、蛍光体から離脱していても効果を発揮すると考えることができる。よって、例えば、蛍光体と樹脂とを混合し撹拌する過程で、蛍光体の表面側に存在するZnO化合物の一部が蛍光体から離脱した場合でも、硫黄系ガスと金属部材反射板が反応するよりも、優先的に硫黄系ガス吸着物質であるZnO化合物に吸着されるものと考えることができる。"