Ga濃度が40~50atであり、残部がCuであるCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が80以上であり、Ga濃度の組成ずれが、狙いの組成に対して、±05at以内であることを特徴とするCuGa合金焼結体スパッタリングターゲット。Cu及びGa原料を溶解、冷却後、粉砕した混合原料粉をホットプレス法で製造したターゲットであることを特徴とする請求項1記載のCuGa合金スパッタリングターゲット。Ga濃度が40~50atであり、残部がCuであるCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Cu及びGa原料を、溶解及び冷却粉砕してCuGa合金原料粉を製造し、さらにこの原料粉を、ホットプレスの保持温度を混合原料粉の融点と該融点より15°C低い温度との間の温度とし、焼結混合原料粉への加圧圧力を400kgfcm2以上として、ホットプレスすることを特徴とするCuGa系合金スパッタリングターゲットの製造方法。相対密度を80以上とすることを特徴とする請求項3記載のCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。Ga濃度の組成ずれが、狙いの組成に対して、±05at以内とすることを特徴とする請求項3又は4記載のCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。請求項1~2のいずれかに一項に記載のCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットを用いて基板上に形成されたCuGa系合金膜からなる光吸収層。請求項6に記載の光吸収層を用いたCIGS系太陽電池。Gaを40at以上含み残部がCuであるCuGa合金を溶解鋳造法で作製すると、γ相とθ相の2相共存組織となるが、このθ相内部にGaが偏析する。この偏析したGaは、室温で、インゴット表面から染み出すため、スパッタリングターゲットとして使用することができないという問題がある。この問題を解決するため、焼結方法により、CuGa合金スパッタリングターゲットを製造することが考えられる。すなわち、Ga偏析を起こしたインゴットを全量粉砕してホットプレスで焼結する方法である。これによって、Gaの偏析は解消され、染み出し、組成ずれの問題は解消することが可能となる。しかしながら、焼結方法でCuGa合金スパッタリングターゲットを製造した場合に、今度は密度があがらず、ターゲット表面を加工すると、表面が荒れてしまうという問題が生じた。本発明は、このような問題に鑑み、組成ずれが極めて少なく、かつ高密度のスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにCuGa系合金膜からなる光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池を提供することを課題とする。上記課題の解決のため、本発明者らは鋭意研究を行った結果、焼結方法により組成のずれを低減すると共に、密度を向上させたCuGa合金スパッタリングターゲットが得ることができることを見出し、本発明を完成させた。上記の知見から、本発明は1Ga濃度が40~50atであり、残部がCuであるCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が80以上であり、Ga濃度の組成ずれが、狙いの組成に対して、±05at以内であることを特徴とするCuGa合金焼結体スパッタリングターゲット。2Cu及びGa原料を溶解、冷却後、粉砕した混合原料粉をホットプレス法で製造したターゲットであることを特徴とする上記1記載のCuGa合金スパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、3Ga濃度が40~50atであり、残部がCuであるCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Cu及びGa原料を、溶解及び冷却粉砕してCuGa合金原料粉を製造し、さらにこの原料粉を、ホットプレスの保持温度を混合原料粉の融点と該融点より15°C低い温度との間の温度とし、焼結混合原料粉への加圧圧力を400kgfcm2以上として、ホットプレスすることを特徴とするCuGa系合金スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。また、本発明は、4相対密度を80以上とすることを特徴とする上記3記載のCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法5Ga濃度の組成ずれが、狙いの組成に対して、±05at以内とすることを特徴とする上記3又は4記載のCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。また、本発明は、6上記1~2のいずれかに一項に記載のCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットを用いて基板上に形成されたCuGa系合金膜からなる光吸収層7上記6に記載の光吸収層を用いたCIGS系太陽電池、を提供する。本発明によれば、組成ずれが極めて少なく、かつ高密度であるCuGa合金焼結体ターゲットを製造方法でき、このCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットを用いてCuGa系合金膜からなる光吸収層及びCIGS系太陽電池を製造することができるので、CIGS太陽電池の変換効率の低下が抑制されるとともに、低コストのCIGS系太陽電池を作製することができるという優れた効果を有する。次に、本発明の構成要件の定義、範囲規定の理由や意義、調整方法、測定方法等について記す。本発明のCuGa合金焼結体のGa濃度範囲は40~50at、残部はCuとする。このGa濃度の範囲設定理由は、Ga濃度が50atより高い場合、合成後に一部Gaが液相として残り、合金粉末作製が困難となってしまうからである。逆に、状態図ではθ相は、Ga濃度426までとされているが、実際の作製においては、Ga濃度400atのCuGa合金でもθ相の存在が確認されたためである。本発明の目的である、θ相が存在する組成範囲におけるCuGa合金焼結体を高密度化するという目的に対応したGa濃度範囲としているものである。また、このGa濃度範囲は同時に、実際に製造されるCIGS系太陽電池の変換効率を現状より増加させる際に、より好適なGa濃度範囲とも合致している。但し、本発明の技術的思想自体はこの範囲外の組成に対しても適用可能である。CuGa合金焼結体ターゲット及びこのCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットを用いてCuGa系合金膜からなる光吸収層及びCIGS系太陽電池の作製において、最も大きな問題は、組成のずれである。組成のずれは、光吸収層及びCIGS系太陽電池の特性を大きく変化させるからである。本願発明のCuGa合金スパッタリングターゲットは、焼結体であるにもかかわらず、Ga濃度の組成ずれは狙いの目標とする組成に対して、±05at以内とすることが可能である。これが、本願発明において達成することができ、かつ大きな特徴である。この場合のGa濃度の組成ずれ、すなわち狙いの目標とするGa濃度の組成ずれは、具体的には、仕込み組成と出来上がったターゲットのガリウム濃度atで表現の差である。そして、その差を±05at以内とするものである。本発明のCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットの相対密度は80以上とする。相対密度はターゲットの実際の絶対密度をその組成のターゲットの理論密度で除した値の比であり、相対密度が低いと、スパッタ中の内部空孔の表出時に空孔周辺を起点とするスプラッシュや異常放電による膜へのパーティクル発生や表面凹凸化の進展が早期に進行して、表面突起ノジュールを起点とする異常放電等が起き易くなる。従って、相対密度は80以上とすることが必要である。密度が80以上であれば、パーティクルの発生は、大きな問題とはならない。本願発明は、上記の通り単一組成からなるCuGa合金焼結体スパッタリングターゲットを提供する。本発明で単一組成の語は、通常の物理的手段等では他の組成の存在を検出できない組成のみで構成されている組成の意味で使用する。また、ミクロ的には他の組成が微量含まれていても、諸特性に悪影響等が認められない場合は、実質的に単一組成と同様な効果を示すのである。しかしながら、本願発明の特性を変更しない限りは、必要に応じて他の物質を添加することは、問題となるものではない。以下に本発明のターゲットの製造方法、その範囲規定の理由や意義、そのターゲット諸特性へ与える影響等について記す。Cu及びGa原料をGa濃度40~50の範囲で所定の組成比となるように秤量する。最終的に得られるCuGaターゲットの金属不純物濃度を極力低減する場合には、例えば10ppm未満とするためには、原料純度は5N以上の高純度品を使用する必要がある。秤量した原料をカーボン製坩堝に入れ、約05MPa気圧に加圧したアルゴンを導入した加熱炉内で、代表的な昇温温度である例えば、10°Cminで昇温し、1050°Cで溶解させた後、冷却速度5~10°Cminで冷却し、合成原料を取り出す。次に、この合成原料を粉砕する。粉砕後150メッシュの篩に通して、粒度調整を行い、例えば<90μm以下の粉末とする。溶解鋳造法による組成ずれの原因は、θ相内部にGaの偏析があり、Gaが簡単にインゴット表面から染み出して抜けてしまうために組成ずれが発生してしまう。一方、本願発明の粉末焼結法の場合も、この鋳造インゴットから原料粉を作製するのであるため、同じ現象が生ずるように思われる。しかしながら、本発明の工程においては、偏析したGaも同時に粉砕され、この時に粉砕されたγ相やθ相組成の粉末表面にGaがコーティングされる状態となる。そして、ホットプレスHPで熱と圧力をかけることにより、合金化反応でGaは消滅する。この結果、焼結体の組成ずれは、極めて少なくなる。これが、本願発明において、組成ずれが極めて少なくなるという著しい効果を得ることができる原因となっている。次に、ホットプレスをする。ホットプレスの保持温度は、混合原料粉の融点と該融点より10°C低い温度との間の温度とし、保持時間を1~3時間、冷却速度を5°Cmin以上、焼結混合原料粉への加圧圧力を400kgfcm2以上として、焼結を行う。圧力がこれ未満であると、焼結体の密度が充分に上がらない。また、加圧圧力を大幅に増加させることは、不必要に高価過大な装置が必要となるだけでメリットが少ないので、焼結耐密度を勘案し、上限は800kgfcm2程度とするのが望ましい。本願発明は、上記の通り、融点直下という温度条件でホットプレスを行う。Ga濃度が40~50atであり、残部がCuであるCuGa合金の場合、非常に低温での焼結、すなわち、実施例に示すように、240°Cと非常に低い温度での焼結となる。このような低温での焼結温度は、一般的に制御が非常に難しく、オーバーシュートを起こし易いため、融点より30°C程度低い温度まで試すことはあるが、実際上は行われていないのが現状である。本願発明は、このような製造工程においても、著しい特徴を有している。上記方法で作製したCuGa焼結体の密度はアルキメデス法で、平均粒径は表面エッチング後にプラニメトリック法で、不純物濃度はGDMS分析法で、組成や異組成の有無や程度はX線回折法でそれぞれ求めることができる。実施例1Cu及びGa原料をGa濃度40~50atの範囲である47atの組成比となるように秤量した仕込みGa濃度:47at。次に、秤量した原料をカーボン製坩堝に入れ、約5kgfcm2に加圧したアルゴンを導入した加熱炉内で、10°Cminで昇温し、1050°Cで溶解させた後、冷却速度5~10°Cminで冷却し、合成原料を取り出した。次に、この合成原料を粉砕し、粉砕後150メッシュの篩に通して、粒度調整を行い90μm以下の粉末とした。次に、このようにして得た粉末を加圧焼結炉に入れ、3°Cminで室温から240°Cまで昇温し、240°Cで2時間30分保持後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は240°Cになってから30分後に、面圧400kgfcm2を2時間30分加え、加熱が終了して30分後に圧力印加を停止した。組成ずれについて本実施例1粉末焼結法で作製した組成分析結果を表1に示す。本実施例1粉末焼結法で作製したターゲットでは、わずか03atのずれしか起きていないことが確認できた。この結果は、分析誤差の範囲内といえるレベルであり、極めて少ない。上記に述べたように、粉末焼結法の場合も、この鋳造インゴットから原料粉を作製するのであるが、偏析したGaも同時に粉砕が行なわれる。この結果、粉砕されたγ相やθ相組成の粉末表面に、Gaがコーティングされる状態となり、ホットプレスHPで熱と圧力をかけると、合金化反応が起こり、Gaは消滅する。この結果、Gaの染み出しは発生しなかった。それを表したのが図1右の焼結体のEPMA面分析結果である。また、ターゲットのGa濃度は467atとなり、仕込みGa濃度:47atに対して、組成ずれも03atと、わずかしか起こっていないのが確認できた。密度の変化について実施例1は、上記の条件、すなわち温度240°C、面圧400kgfcm2で、ホットプレスした場合の、密度等の結果を表2に示す。この表2に示すように、焼結密度は623gcm3、相対密度809であった。この結果、Gaの溶け出しはなく、ターゲットへの表面加工の荒れもなかった。このように80以上の密度が得られると、金属光沢のある加工面に仕上げることが可能になった。実施例2Cu及びGa原料をGa濃度40~50atの範囲である44atの組成比となるように秤量した仕込みGa濃度:44at。次に、秤量した原料をカーボン製坩堝に入れ、約5kgfcm2に加圧したアルゴンを導入した加熱炉内で、10°Cminで昇温し、1050°Cで溶解させた後、冷却速度5~10°Cminで冷却し、合成原料を取り出した。次に、この合成原料を粉砕し、粉砕後150メッシュの篩に通して、粒度調整を行い90μm以下の粉末とした。次に、このようにして得た粉末を加圧焼結炉に入れ、3°Cminで室温から240°Cまで昇温し、240°Cで2時間30分保持後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は240°Cになってから30分後に、面圧400kgfcm2を2時間30分加え、加熱が終了して30分後に圧力印加を停止した。組成ずれについて本実施例2粉末焼結法で作製した組成分析結果を表1に示す。本実施例2粉末焼結法で作製したターゲットでは、わずか04atのずれしか起きていないことが確認できた。この結果は、分析誤差の範囲内といえるレベルであり、極めて少ない。上記に述べたように、粉末焼結法の場合も、この鋳造インゴットから原料粉を作製するのであるが、偏析したGaも同時に粉砕が行なわれる。この結果、粉砕されたγ相やθ相組成の粉末表面に、Gaがコーティングされる状態となり、ホットプレスHPで熱と圧力をかけると、合金化反応が起こり、Gaは消滅する。この結果、Gaの染み出しは発生しなかった。実施例1の図1右の焼結体のEPMA面分析結果と同様の結果となった。また、ターゲットのGa濃度は436atとなり、仕込みGa濃度:44atに対して、組成ずれも04atと、わずかしか起こっていないのが確認できた。密度の変化について実施例2は、上記の条件、すなわち温度240°C、面圧400kgfcm2で、ホットプレスした場合の、密度等の結果を表2に示す。表2に示すように、焼結密度は636gcm3、相対密度805であった。この結果、Gaの溶け出しはなく、ターゲットへの表面加工の荒れもなかった。このように80以上の密度が得られると、金属光沢のある加工面に仕上げることが可能になった。実施例3Cu及びGa原料をGa濃度40~50atの範囲である44atの組成比となるように秤量した仕込みGa濃度:44at。次に、秤量した原料をカーボン製坩堝に入れ、約5kgfcm2に加圧したアルゴンを導入した加熱炉内で、10°Cminで昇温し、1050°Cで溶解させた後、冷却速度5~10°Cminで冷却し、合成原料を取り出した。次に、この合成原料を粉砕し、粉砕後150メッシュの篩に通して、粒度調整を行い90μm以下の粉末とした。次に、このようにして得た粉末を加圧焼結炉に入れ、3°Cminで室温から240°Cまで昇温し、240°Cで2時間30分保持後、加熱を止めて炉内で自然冷却した。圧力は240°Cになってから30分後に、面圧400kgfcm2を2時間30分加え、加熱が終了して30分後に圧力印加を停止した。組成ずれについて本実施例3粉末焼結法で作製した組成分析結果を表1に示す。本実施例3粉末焼結法で作製したターゲットでは、わずか02atのずれしか起きていないことが確認できた。この結果は、分析誤差の範囲内といえるレベルであり、極めて少ない。上記に述べたように、粉末焼結法の場合も、この鋳造インゴットから原料粉を作製するのであるが、偏析したGaも同時に粉砕が行なわれる。この結果、粉砕されたγ相やθ相組成の粉末表面に、Gaがコーティングされる状態となり、ホットプレスHPで熱と圧力をかけると、合金化反応が起こり、Gaは消滅する。この結果、Gaの染み出しは発生しなかった。実施例1の図1右の焼結体のEPMA面分析結果と同様の結果となった。また、ターゲットのGa濃度は398atとなり、仕込みGa濃度:40atに対して、組成ずれも02atと、わずかしか起こっていないのが確認できた。密度の変化について実施例3は、上記の条件、すなわち温度240°C、面圧400kgfcm2で、ホットプレスした場合の、密度等の結果を表2に示す。表2に示すように、焼結密度は648gcm3、相対密度810であった。この結果、Gaの溶け出しはなく、ターゲットへの表面加工の荒れもなかった。このように80以上の密度が得られると、金属光沢のある加工面に仕上げることが可能になった。比較例1比較例1は、実施例1と同一の条件で作製した粉末を、焼結温度200°C、面圧400kgfcm2で、ホットプレスし、ターゲットに製作した場合である。この場合のターゲットの密度等の結果を表2に示す。この表2に示すように、焼結密度は576gcm3、相対密度748であった。Gaの溶け出しはなかったが、ターゲットへの表面加工の荒れが発生した。この結果、金属光沢のある加工面に仕上げることができなかった。これは、焼結温度が200°Cと、低いことが原因していると考えられた。比較例2比較例2は、実施例1と同一の条件で作製した粉末を、温度240°C、面圧150kgfcm2でホットプレスし、ターゲットに製作した場合である。この場合のターゲットの密度等の結果を表2に示す。表2に示すように、焼結密度は565gcm3、相対密度734であった。Gaの溶け出しはなかったが、ターゲットへの表面加工の荒れが発生した。この結果、金属光沢のある加工面に仕上げることができなかった。これは、面圧が150kgfcm2と、低いことが原因していると考えられた。比較例3比較例3は、実施例1と同一の条件で作製した粉末を、温度260°C、面圧400kgfcm2で、ホットプレスした場合の、密度等の結果を表2に示す。表2に示すように、焼結密度は747gcm3、相対密度970であった。しかし、Gaの溶け出しがあった。この結果、組成のずれが発生し、高温での焼結温度260°Cは好ましくないことが分かった。比較例4比較例4は、仕込みGa濃度を60atとし、他は実施例1と同一の条件で作製した粉末を、温度240°C、面圧400kgfcm2で、ホットプレスした場合の、Ga相の溶け出しの観察結果を表2に示す。表2に示すように、Gaの溶け出しがあった。比較例5比較例5については、実施例1と同組成のCu及びGa原料を溶解鋳造して製造したターゲットである。比較例5の鋳造法では、秤量値に対して1at以上の組成ずれが起こった。組成ずれの原因は、鋳造法において、図1のEPMA結果に示すようにθ相内部にGaの偏析が見られた。この偏析したGaは、簡単にインゴット表面から染み出して抜けてしまうため組成ずれが発生してしまう原因と考えられた。上記実施例及び比較例から、CuGa合金スパッタリングターゲットとしては、焼結体が有効であり、密度を向上させ、Ga濃度を調節すると共に、組成ずれの少ないターゲットが有効であることが確認できる。