表側と前記表側の反対側にある裏側とを有する基板を含むマイクロエレクトロニクスデバイスに前記基板を貫通する相互接続部を形成する方法であって、前記基板の前記表側に回路素子134を形成するステップと、前記回路素子134に達するトレンチ138を前記基板の前記裏側に形成するステップと、ポリマー絶縁材料からなる層140を前記トレンチ138内に形成するステップと、前記ポリマー絶縁材料からなる層140を前記基板の前記表側から露出させるために、前記回路素子134に開口150を形成するステップと、前記ポリマー絶縁材料からなる層140のうち前記開口150によって露出された部分を前記基板の前記表側から除去するステップと、前記回路素子134と電気的に通じている導電相互接続層142を前記トレンチ138内に形成するステップと、を有することを特徴とする方法。前記トレンチ138の幅は、前記開口150の幅よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記導電相互接続層142は、前記開口150の端縁で前記回路素子134と接触することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記導電相互接続層142を形成するステップの後に、前記トレンチ138内にフィラー層144を形成するステップをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記フィラー層144を形成するステップは、前記基板にフィラー材料を形成するステップと、前記フィラー材料が前記トレンチ138内に残るように、前記基板の前記表側上及び前記裏側上にある前記フィラー材料を除去するステップと、を有することを特徴とする請求項4に記載の方法。前記基板の前記表側上及び裏側上にある前記フィラー材料は、ポリシングにより除去されることを特徴とする請求項5に記載の方法。表側、前記表側の反対側にある裏側、及び前記表側と前記裏側との間にあるバルク領域を有する基板と、前記基板の前記表側上に形成された回路素子134と、前記基板と前記回路素子134とを貫通し、前記回路素子134と電気的に通じる導電相互接続層142と、前記基板の前記バルク領域と前記導電相互接続層142との間に形成されたポリマー絶縁材料からなる層140と、前記導電相互接続層142により包囲されるフィラー層144であって、上面及び底面が前記回路素子134の上面及び前記基板の前記裏側とそれぞれ同一平面上にある前記フィラー層144と、を有することを特徴とするマイクロエレクトロニクスデバイス。前記導電相互接続層142の上面及び底面は、前記回路素子134の上面及び前記基板の前記裏側とそれぞれ同一平面上にあることを特徴とする請求項7に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記導電相互接続層142と前記フィラー層144とは、前記基板の前記表側、前記裏側、及び前記バルク領域を貫通することを特徴とする請求項7に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記ポリマー絶縁材料からなる層140は、前記基板の前記表側、前記裏側、及び前記バルク領域を貫通するが、前記回路素子134は貫通しないことを特徴とする請求項7に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。いくつかの実施形態は、表側と裏側を有する基板を含むマイクロエレクトロニクスデバイス用の基板貫通の相互接続部を形成する方法を提供する。この方法は、この基板の表側に回路素子を形成すること、回路素子に達するトレンチを基板の裏側に形成すること、ポリマー絶縁材料の一層をトレンチ内に形成すること、回路素子を少なくとも一部露出させるに足るポリマー材料を、このポリマー絶縁材料の層から除去すること、および、回路素子と電気的に通じている導電相互接続層をトレンチ内に形成することを含む。本発明の一実施形態は、マイクロエレクトロニクスデバイス用の基板貫通の相互接続部を形成する方法として、全体が図1中の10に示されている。方法10は、ステップ12において、基板の表側に回路素子を形成することを含む。次に、方法10は、ステップ14において、回路素子を露出させるくらい深く基板に入るトレンチを、基板中に基板の裏側から形成することを含む。ステップ14において、基板の裏側にトランチを形成した後で、ステップ16において、ポリマー絶縁材料の一層をトレンチ内に形成する。次に、ステップ18において、回路素子を裏側から露出させるに足る量のポリマー絶縁材料を除去する。最後に、ステップ20において、導電相互接続層が回路素子と電気的に通じるように、トレンチ内に導電層を形成する。ステップ20において形成された導電相互接続層はまた、基板の裏側に形成されたコンタクトパッドに電気的に接続されることもある。これにより、基板マウントしばしば、流体噴出ヘッドキャリッジまたは流体カートリッジ上に形成された相補形のコンタクトにコンタクトパッドを接続することができる。したがって、この実施形態では、基板表側に接続される外部リードはない。本発明による基板貫通の相互接続部は、基板の表側の回路素子を基板の裏側のコンタクトパッドに接続することに加えて、他の潜在的な用途を持つことがある。例えば、これらの相互接続部はまた、基板の裏側に形成された回路素子を、基板の表側に形成された回路素子に接続するために用いられることもあり、したがって、基板の両面を回路素子を形成するのに使用できるようにすることがある。方法10に示される全体のステップは、任意の所望のやり方で実施されることがある。方法10の第1の模範的な実施例は、図2~図8に示されている。これらの図は、この実施例の選択されたステップを実行した後の基板30の断面図を示している。図2を参照すると、絶縁層32と導電回路素子34が、まず最初に、基板30の表側に形成される。絶縁層32は、基板バルク36から回路素子34を電気的に絶縁する。絶縁層32はまた、この回路素子からの材料が、基板バルク中に拡散しないようにするために、拡散バリヤゲッタリング層として役立つこともある。追加拡散バリヤ層図示されてないは、絶縁層32の上か下のいずれかに形成されることがある。さらに、絶縁層32は、要望があれば、省略することもできる。絶縁層32は、任意の適切な絶縁材料から形成されることがある。例えば、基板30がシリコンから形成される場合には、絶縁層32に二酸化珪素を使用することがある。本発明のいくつかの実施形態では、回路素子34と基板バルク36間の電流漏洩はさらに少ないか、あるいは、回路素子34を形成するのに用いられる材料で基板バルクが汚染される危険性はほとんどないこともある。これらの実施形態では、絶縁層32を使用せずに、基板30上に直接に回路素子34を形成することもある。回路素子34は、任意の適切な形式を取ることがある。図2に示される実施形態では、回路素子34は、電流を、基板表側に形成された他の回路素子に、かつ/または、そのような他の回路素子から流す導電層として、包括的に示されている。しかしながら、この回路素子は、さらに複雑な構造を持つ場合があり、また、この示された単一層の導体よりも多くの個々の材料層から形成されることがあると理解されよう。次に、図3を参照すると、総合デバイス製造プロセス中のその後の或る時点において、絶縁層32を露出させるあるいは、絶縁層が用いられない場合には、回路素子34を露出させるくらい深く基板30の裏側に入るトレンチ38を、基板30の裏側に形成する。任意の適切な方法を用いて、トレンチ38を形成することがある。トレンチ38の深さは、トレンチの幅よりも著しく大きい場合があるので、適切な方法には、比較的大きいアスペクト比を持つ形態を形成できる方法が含まれる。適切な方法の例は、レーザアブレーションや深い反応性イオンエッチングを含むが、ただし、それらには限定されない。トレンチ38を形成した後で、そのトレンチの壁面に、トレンチ形成後の図4中の40に示される適切なポリマー絶縁層を塗布する。トレンチ38の壁面に、適切なポリマー絶縁層を塗布することは、トレンチ30の壁面内のどんな凸凹も滑らかにし、また、どんな亀裂および/または突出部も覆うのに役立つことがある。適切なポリマー絶縁材料は、いくつかの望ましい物理的性質のどれでも含むことがある。例えば、適切なポリマー絶縁材料は、優れた絶縁性を得るために、比較的に大きい絶縁破壊強さを持つもの、および/または、高周波用途での電気損を避けるために、比較的に小さい誘電率を持つものを含むことがある。さらに、適切なポリマー材料は、被着後または蒸着後、加熱されて、表面の凹凸を滑らかにする熱可塑性材料を含むこともある。これは、トレンチ38の壁面の凸凹が、絶縁層40の表面に移されないようにするのに役立つ。さらに、適切なポリマー絶縁材料は、商業的に実施できるやり方で基板30を処理し易くするために、気相反応によって蒸着されたものや、比較的に速い蒸着速度被着速度で蒸着されたものを含むことがある。適切なポリマー材料は、これらの性質の任意の1つ、これらの性質の任意の組合せ、および/または、本明細書に記述されてない他の任意の有利な物理的性質を含むことがあると理解されよう。一種類の適切なポリマー材料の一例として、パリレン基のポリマーがある。パリレンポリマーは、ポリ-パラキシリレンに基づくポリマーであって、気相プロセスにより、固相二量体ダイマージパラキシリレンからの薄膜として被着蒸着されることがある。ジパラキシリレンは、まず最初に、この二量体を昇華させるために加熱され、次に、さらに高い温度で熱分解されて、気相パラキシリレン単量体モノマーを形成する。次に、この単量体は、基板が入っている室温成長室に運ばれて、そこで、この単量体は、その基板の表面に吸着し、重合して、パリレン膜を形成する。この被着は、適度の真空でのみ行われ、そこで、これらの実施形態において、比較的に速く、かつ単純なプロセスを通じて、ほぼピンホールのない、陰影なしのコンフォーマルポリマーコーティング表面形状に沿った態様でのポリマーコーティングを得ることができる。さらに、パリレン膜は、実質的に酸化膜または窒化膜よりも速い被着速度で被着されることがある。さらに、パリレンポリマーは、熱可塑性のものであるために、被着後、加熱されて、ポリマー層の表面を滑らかにすることもある。さらに、膜厚がほんの数ミクロンμm程度のパリレン膜は、直流で何百ボルト台の絶縁破壊電圧を持ち、かつ、そのパリレン膜を高周波の用途に適させるのに充分小さい比誘電率およそ、2.5~3.2を持つことが多い。さらに、パリレン膜は、応力なしに成長することが多く、窒化膜または酸化膜よりも可撓性があり、したがって、熱に起因する応力から損傷を受けにくくなる。さらに、パリレン重合反応は、室温もしくは室温近くで行われることがあるために、室温被着が行われる実施形態では、処理の間に、他のデバイス層中に、熱的な劣化または損傷を起こす危険性が最小となっている。パリレンは、シリコンに充分に接合する可能性があるために、いくつかの実施形態では、シリコン基板への使用に適することがある。銀、銅、アルミニウムなどの多くの低抵抗の金属も、パリレンに充分に接合する可能性があり、後で被着させる導電層用の材料の選択を可能にする。さらに、パリレンは、感光性photo-definableのものであって、いくつかの実施形態では、エキシマレーザおよび/または酸素プラズマエッチングを用いて、選択的にエッチングされることがある。さらに、パリレンポリマー膜は、疎水性があり、かつ耐湿性があることもあり、したがって、高湿、高温の条件のもとで、漏洩電流を、まず、あるいはまったく通さない。任意の適切なパリレンポリマーを用いて、ポリマー絶縁層40を形成することがある。適切なパリレンポリマーの例は、パリレンN、パリレンC、パリレンDを含むが、ただし、それらには限定されない。さらに、ポリマー層40を形成するのに用いられるパリレン層は、任意の適切な膜厚を持つこともある。滑らかなコンフォーマルコーティングを得るために、トレンチ38の表面上の傷の大きさのほぼ1倍~4倍の膜厚、あるいは、それよりも厚い膜厚さえも持つパリレン膜が、トレンチ表面上のあらゆる傷を覆うように、施されることがある。例えば、比較的速いエッチング/アブレーション速度を用いて、トレンチ38を形成する場合には、このトレンチの壁面は、約5ミクロンμmの規模の凸凹を持つことがある。このような状況では、トレンチ38の直径などのファクタに応じて、約15ミクロンμm~25ミクロンμmの膜厚を持つパリレン膜が用いられることがある。パリレン絶縁層40は、その寸法よりも厚かろうと薄かろうと、トレンチ38の壁面をコンフォーマルコーティングして、その壁面を滑らかにするに足る他の任意の適切な厚さを持つことがあると理解されよう。いくつかの実施形態では、パリレン層40は約300°Cまで加熱して、他の材料の層が被着される表面をさらに滑らかに形成することで、簡単に熱処理されることがある。熱処理パリレン層40はまた、パリレン中において、パリレン層の表面付近に、外部拡散バリヤ領域も形成させることがある。パリレン層40が熱処理されない実施形態では、拡散バリヤ層しばしば、金属酸化物または金属窒化物は、被着された後に、任意の導電層を、パリレンを覆うように被着させても、下層にある材料の中に銅などの導電層金属が拡散しないようにする。しかしながら、パリレン層40が、被着後に加熱される実施形態では、その結果として、拡散バリヤ層がこのパリレンの表面領域に形成される。こうして、追加の拡散バリヤ層を被着させる工程を省略できるようにするのに充分な保護を提供できる。これらの実施形態におけるパリレン層40の外部パリレン拡散バリヤ領域が、250°Cもの高温での銅などの拡散に対して不透過性であるからである。図5A中の41に示される追加拡散バリヤ層は、パリレン層40上に形成されて、要望があれば、パリレン層40および基板バルク36中への不純物の拡散に対して、追加の保護対策となる。追加拡散バリヤ層41を形成するのに適した材料の例は、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タンタル/窒化タンタルの二重層、および、チタン/窒化チタンの二重層を含むが、ただし、それらには限定されない。ポリマー絶縁層40を形成した後で、ポリマー絶縁層40の少なくとも一部と、ポリマー絶縁層40のその部分に近い電気絶縁層32は、図5の実施形態に示されるように、トレンチ38から除去されて、回路素子の裏側を露出させることがある。ポリマー絶縁層40のうち、回路素子34付近の部分は、任意の適切な方法で除去されることがある。適切な方法の例は、レーザアブレーションや酸素プラズマエッチングを含むが、ただし、それらには限定されない。レーザアブレーションを用いて、ポリマー絶縁層40のうち、回路素子34付近の部分を除去すると、いくつかの実施形態では、酸素プラズマエッチング以上の、選択性と精度を上げることができる可能性がある。次に、図6を参照すると、ポリマー絶縁層40のうち、回路素子34に近い部分を除去した後で、導電相互接続層42が、ポリマー絶縁層40の表面と、回路素子34の上記露出部分に形成されて、基板30を貫いて回路素子に至る導電通路を完成する。この相互接続層は、任意の適切な構造を持つことがある。図6に示される模範的な導電層42は、ポリマー絶縁層40の表面上に形成された導電シード層42aと、このシード層上に形成されたやや厚い導電オーバレイヤ42bを含む。この実施形態では、シード層42aは、強力にポリマー絶縁層40に接合し、また、さらに厚いオーバレイヤ42bを成長させるのに適した表面を提供するようなやり方で形成される。シード層42aは、任意の適切な材料から形成されることがある。適切な材料は、アルミニウム、銀、金、銅などの導電金属を含むが、ただし、それらには限定されない。シード層42aは、任意の適切な方法によって形成されることがある。適切な方法は、ポリマー絶縁層40とシード層42aとの間に強力な接合部を形成するものと、大きいアスペクト比の形態に塗布するのに利用できるものを含む。シード層42aを形成する適切な方法の一例は、イオン化物理的蒸着法I-PVDである。I-PVDは、トレンチ38などの大きいアスペクト比を持つ形態に塗布することができる。さらに、I-PVDを用いて、アルミニウム、銀、金、銅などの金属をパリレンに被着蒸着させると、この金属層は、衝突エネルギーが高くなるために、下層にあるパリレン層に強力に接着することがある。しかしながら、いくつかの実施形態では、これらの材料用のI-PVD蒸着速度は、他の被着技法用の速度よりもいくらか遅いことがある。それゆえ、シード層42aが被着されると、さらに厚いオーバレイヤ42bは、さらに速い被着速度をもたらす方法によって、被着されることがある。オーバレイヤ42bを形成するのに使用できる方法の例は、電気めっきまたは無電解めっきを含む。オーバレイヤ42bは、任意の適切な材料1つまたは複数から形成され、また、シード層42aと同じ材料、あるいはシード層42aとは異なる材料から形成されることもある。シード層42aおよびオーバレイヤ42bに適した材料の例は、アルミニウム、銀、金、銅などの導電金属を含むが、ただし、それらには限定されない。相互接続層42が形成されると、トレンチ38は、図7および図8中の44に示されるフィラー層でほぼ満たされることがある。フィラー層44は、いくつかの機能のどれでも実行するように形成されることがある。例えば、フィラー層44を用いて、汚染物質またはその後の処理工程からの相互接続層42への損傷を防止するのに役立てることがある。さらに、フィラー層44は、トレンチ38内の残りのどんなスペースも満たすことで、基板30の裏側を滑らかにするのに役立つこともあり、したがって、基板裏側で、コンパクトパッドまたは回路素子などの追加構造体を形成し易くすることがある。フィラー層44は、任意の適切な材料1つまたは複数から形成されることがある。例えば、いくつかの実施形態では、フィラー層44は、銅などの導電材料から形成されることがある。導電材料のフィラー層44の形成は、回路素子34に供給される電流量を増やすのに役立つ場合がある。別法として、フィラー層44は、酸化物または窒化物などの電気絶縁材料から形成される場合もある。同様に、フィラー層44は、パリレンポリマーなどのポリマー絶縁材料から形成されることもある。パリレン膜を成長させる速度が比較的に速いために、パリレンポリマーからのフィラー層44の形成は、このフィラー層を形成するのに必要な時間を減らすのに役立つこともある。さらに、パリレン膜が、表面をコンフォーマルコーティングするために、パリレンポリマーを用いて、フィラー層44を形成する場合、フィラー層44中に、どんなボイドも発生しにくくなる。図7~図8は、パリレンフィラー層44の成長の一実施形態を示している。まず最初に、図7は、部分的に形成されたフィラー層44の図を示している。パリレンは、均等に表面上に堆積するために、パリレン層の厚さは、相互接続層42の全表面上で一様な速度で増大して、ボイドを形成させない。フィラー層44の成長は、図8に示されるように、あらゆる方向に均等に続進し、やがて、事実上完全にトレンチ38を満たすことになる。フィラー層44の形成中に、或るフィラー材料図示されてないが、基板30の裏側において、トレンチ38を取り巻く領域内に被着されることがある。フィラー材料が金属酸化物または金属窒化物であるいくつかの実施形態では、余分のフィラー材料は、適切なウェットエッチングまたはドライエッチングのプロセスによって除去されることがある。このフィラー材料がパリレンポリマーである場合には、余分のパリレンは、メカニカルポリシングによって除去されることもある。このフィラー材料が導電性のものである場合には、隣り合った相互接続部間に短絡を発生させないようにするために、基板裏側において、できるだけ多くの余分のフィラーを除去することが望ましい場合がある。しかしながら、このフィラー材料が電気的に絶縁するものである実施形態では、基板30の裏側にフィラー材料が残っていても、基板30の裏側で、隣り合った相互接続部間には短絡が生じないであろう。図9~図12は、ポリマー絶縁層のうち、回路素子に近い部分が、基板裏側ではなくて、基板表側から除去される、方法10の第2の模範的な実施例を示している。まず最初に、図9は、図4のものと同様な基板130を示している。ただし、基板の表側の絶縁層132および回路素子134を貫く開口150を設けて、基板表側から、ポリマー絶縁層140の一部を露出させている。開口150は、任意の適切なやり方で形成されることがある。例は、共通のウェットエッチングとドライエッチングのプロセスを含むが、ただし、それらには限定されない。次に、開口150を形成した後で、ポリマー絶縁層140のうち、露出された部分を除去して、図10に示されるように、基板の表側から、基板130を貫いてバイアを開放することもある。任意の適切な方法を用いて、ポリマー絶縁層140のうち、回路素子134付近の部分を除去することがある。例は、酸素プラズマエッチングとレーザアブレーションを含む。ポリマー絶縁層140のうち、回路素子134に近い部分が除去されると、図11に示されるように、ポリマー絶縁層140の表面上に、導電相互接続層142が形成されることがある。相互接続層142は、任意の適切な構造を持つこともある。この示された相互接続層142は、シード層142aと、このシード層の上に形成された、さらに厚い導電オーバレイヤ142bを含む。層142aと層142b用の材料および形成方法は、上で図2~図8の実施例について述べられた層42aおよび層42bと同様である場合もある。相互接続層142は、開口150の端縁で回路素子134と接触し、それにより、電流は、この相互接続層から、この回路素子に流れることができる。次に、図12を参照すると、相互接続層142を形成した後で、相互接続層142の上にまたは、中に、フィラー層144が形成されることもある。上に図2~図8の実施例の層44について述べられるように、いくつかの実施形態では、このフィラー層に望まれる電気特性に応じて、導電形か絶縁形のいずれかのフィラー層144が用いられることもある。パリレンなどの絶縁ポリマーを用いて、フィラー層144を形成する場合には、基板130の表側または裏側に被着した、いかなる余分の材料も、これらの表面上に任意の追加構造体を形成する前に、ポリシングで除去されることがある。本明細書に開示された方法は、任意の適切な寸法、および/または、基板30上に形成された他の形態に関するアスペクト比を持つ基板貫通の相互接続部を形成するために利用されることがある。例えば、トレンチ38は、数ミクロンμmから数百ミクロンμmまでの直径を持ち通常、アスペクト比が20以下である、パリレン層40は、サブミクロンμmから何十ミクロンμmまでの厚さを持ち、さらに、導電層42は、サブミクロンμmから何十ミクロンμmまでの厚さあるいは、スルーホールを満たすために、それよりも大きい厚さを持つことがある。さらに、これらの範囲は、単に模範的なものにすぎないことと、これらの構造体は、これらの範囲外の寸法を持つ場合があることも理解されよう。本発明の方法により構築された基板貫通の相互接続部は、いくつかの異なるタイプの電子デバイス例えば、大容量記憶装置や固体メモリ素子のどれにでも実装されることがある。他の例には、検出器または電子放出源のアレイ、マイクロメカニカルデバイス、光スイッチ、および、流体噴出デバイス用の流体噴出ヘッド例えば、印刷装置がある。模範的な印刷装置は、全体が図13中の210に示されている。流体噴出カートリッジが、212に図式的に示されている。印刷装置210は、デスクトッププリンタとして示されているが、本発明により組み立てられた流体噴出カートリッジは、ファックス機またはコピー機などの他の任意の印刷装置にも用いられることがあると理解されよう。さらに、印刷装置210は、任意の所望のサイズ大きいフォーマット、または小さいフォーマットであることもある。流体噴出カートリッジ212は、複数の流体噴出デバイス図示されてないが形成されている流体噴出ヘッド214を含む。流体噴出デバイスは、流体噴出カートリッジ212の真下に位置づけられた流体受取り媒体の上に流体を噴出するように構成されることがある。上述のように、流体噴出ヘッド214の相互接続部は、基板を貫いて、基板の裏側に形成されたコンタクトパッドに達する。したがって、流体噴出ヘッド214は、従来のプリントヘッドよりも流体受取り媒体に接近させて位置づけられることがあり、したがって、さらに高い解像度の印刷が可能となる。さらに、このような相互接続部は、流体にさらされず、したがって、さらに長い寿命が得られる可能性がある。さらに、この相互接続部により、流体噴出ヘッド214の裏側にコンタクトパッドを配置することができるために、流体にさらされるリードを最小限に抑え、したがって、このリードは、従来の流体噴出ヘッドと比較して、流体によるリードの汚染に起因する障害を受けにくくなる可能性がある。この開示は、特定の実施形態を含むとはいえ、特定の実施形態は、多数の変形が可能であるために、限定する意味で考察されるべきではない。この開示の主題は、本明細書に開示された様々な要素、特徴、機能、および/または性質の新規および非自明な組合せや小組合せをすべて含む。併記の特許請求の範囲は、新規で、かつ非自明であると見なされるいくつかの組合せや小組合せを特に指摘する。この特許請求の範囲は、1つの要素、または第1の要素、あるいは、それらと同等なものをさすこともある。このような特許請求の範囲は、1つまたは複数の上記要素の組入れを含むと解されるべきであり、2つ以上の上記要素を必要としないし、また除外もしない。特徴、機能、要素、および/または性質の他の組合せや小組合せは、この特許請求の範囲の補正を通じて、あるいは、本願または関連出願への新たな特許請求の範囲の提示を通じて、要求されることがある。このような特許請求の範囲はまた、もとの特許請求の範囲と比べて、範囲が広くとも、狭くとも、等しくとも、または異なろうとも、この開示の主題の範囲内に含まれると見なされる。本発明は、以下の実施態様を含んでいる。<1>表側と裏側を有する基板30を含むマイクロエレクトロニクスデバイス用の基板貫通の相互接続部42を形成する方法10であって、前記基板30の前記表側に回路素子34を形成するステップと、前記回路素子34に達するトレンチ38を前記基板の前記裏側に形成するステップと、ポリマー絶縁材料の一層40を前記トレンチ38内に形成するステップと、前記回路素子34を少なくとも一部露出させるに足るポリマー材料を、前記ポリマー絶縁材料の前記層40から除去するステップと、前記回路素子34と電気的に通じている導電相互接続層42を前記トレンチ38内に形成するステップと、を有する方法10。<2>前記トレンチ38を前記基板30の裏側に形成するステップは、レーザアブレーションと深い反応性イオンエッチングから成るグループから選択された技法によって前記トレンチ38を形成するステップを有することを特徴とする上記<1>に記載の方法10。<3>ポリマー絶縁材料の前記層40を前記トレンチ38内に形成するステップは、パリレン40の一層を前記トレンチ38内に形成するステップを有することを特徴とする上記<1>に記載の方法10。<4>パリレン40の前記層を前記トレンチ38内に形成した後で、前記基板30を約300°Cまで加熱して、パリレン40の前記層の外部領域内に拡散バリヤ層を形成するステップをさらに有することを特徴とする上記<3>に記載の方法10。<5>フィラー層44を、前記トレンチ38内で、前記導電相互接続層42の上に形成するステップをさらに有することを特徴とする上記<1>に記載の方法10。<6>前記フィラー層44は、パリレンから形成されることを特徴とする上記<5>に記載の方法10。<7>前記フィラー層44は、導電材料から形成されることを特徴とする上記<5>に記載の方法10。<8>表側と裏側を有する基板30を含むマイクロエレクトロニクスデバイス用の基板貫通の相互接続部42を形成する方法10であって、前記基板の前記表側に導電回路素子34を形成するステップと、前記回路素子34に達する、内面を含むトレンチ38を前記基板裏側に形成するステップと、前記回路素子34の少なくとも一部を、前記トレンチ38を通じて露出させるように、パリレン40の一層を前記トレンチ38の前記内面に形成するステップと、前記回路素子34と電気的に通じている導電相互接続層42をパリレン40の前記層内に形成するステップと、を有する方法10。<9>表側、裏側、バルク領域36を有する基板30と、前記基板30の前記表側に形成された回路素子34と、前記基板30の前記裏側から、前記基板30の前記表側へ、前記基板30の前記バルク領域36を貫通している基板貫通の相互接続部42と、を備え、前記基板貫通の相互接続部42は、ポリマー誘電体層40によって、前記基板30の前記バルク領域36から隔てられる導電相互接続層を有することを特徴とするマイクロエレクトロニクスデバイス。<10>表側と、裏側と、および、電流を基板30の前記裏側から、前記基板30を通って前記基板30の前記表側に形成された回路素子34へ流すように構成された基板貫通の相互接続部42とを有する基板30を含む、流体受取り媒体上に流体を噴出するように構成された流体噴出ヘッド214を備える流体噴出カートリッジ212であって、前記基板貫通の相互接続部42は、前記基板30を貫通するトレンチ38と、前記トレンチ38内に形成されたポリマー誘電体材料40の一層と、前記トレンチ38内で、ポリマー誘電体材料40の前記層の上に形成された導電体42の一層であって、前記回路素子34と電気的に通じている導電体の一層と、を具備する流体噴出カートリッジ212。