被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が1未満とされたこと、を特徴とする静電チャック。前記多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径は、前記突起部の高さ寸法よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の静電チャック。前記平均粒子径は、1.5μm以下であることを特徴とする請求項2記載の静電チャック。前記結晶粒の粒子径分布の標準偏差が1μm以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の静電チャック。前記誘電体基板は、多結晶アルミナ焼結体から形成され、嵩密度が3.96以上とされたことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の静電チャック。前記誘電体基板は、多結晶アルミナ焼結体から形成され、アルミナ含有率が99.9wt以上とされたことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の静電チャック。前記誘電体基板は、体積抵抗率が静電チャックの使用温度領域において108Ωcm以上、1013Ωcm以下とされたことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の静電チャック。前記誘電体基板は、多結晶アルミナ焼結体から形成され、アルミナ含有率が99.4wt以上、とされたことを特徴とする請求項7記載の静電チャック。被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックの製造方法であって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が1未満となるまで前記主面における加工が継続されることを特徴とする静電チャックの製造方法。本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、パーティクルの発生を抑制することができる静電チャック及び静電チャックの製造方法を提供する。第1の発明は、被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックであって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が1未満とされたこと、を特徴とする静電チャックである。この静電チャックによれば、干渉縞占有面積率が1未満とされているので、表面領域の一部が脱離することで発生するパーティクルの数を大幅に低下させることができる。また、第2の発明は、第1の発明において、前記多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径は、前記突起部の高さ寸法よりも小さいことを特徴とする静電チャックである。この静電チャックによれば、誘電体基板から結晶粒が脱粒するのを抑制することができる。また、仮に結晶粒が脱粒したとしても、突起部の形状が変化することを抑制することができる。また、第3の発明は、第2の発明において、前記平均粒子径は、1.5μm以下であることを特徴とする静電チャックである。この静電チャックによれば、誘電体基板から結晶粒が脱粒するのをより確実に抑制することができる。また、仮に結晶粒が脱粒したとしても、突起部の形状が変化することを抑制することができる。また、第4の発明は、第2または第3の発明において、前記結晶粒の粒子径分布の標準偏差が1μm以下であることを特徴とする静電チャックである。この静電チャックによれば、誘電体基板から結晶粒が脱粒するのをより確実に抑制することができる。また、仮に結晶粒が脱粒したとしても、突起部の形状が変化することを抑制することができる。また、第5の発明は、第1~第4のいずれか1つの発明において、前記誘電体基板は、多結晶アルミナ焼結体から形成され、嵩密度が3.96以上とされたことを特徴とする静電チャックである。この静電チャックによれば、下地となる多結晶アルミナ焼結体を緻密な組織とすることができるので、誘電体基板から結晶粒が脱粒するのをより確実に抑制することができる。また、第6の発明は、第1~第5のいずれか1つの発明において、前記誘電体基板は、多結晶アルミナ焼結体から形成され、アルミナ含有率が99.9wt以上とされたことを特徴とする静電チャックである。この静電チャックによれば、下地となる多結晶アルミナ焼結体を緻密な組織とすることができるので、誘電体基板から結晶粒が脱粒するのをより確実に抑制することができる。また、第7の発明は、第1~第5のいずれか1つの発明において、前記誘電体基板は、体積抵抗率が静電チャックの使用温度領域において108Ωcm以上、1013Ωcm以下とされたことを特徴とする静電チャックである。この様な静電チャックはジョンセンラーベック力を利用して被吸着物を吸着するものである。ジョンセンラーベック力を利用すれば、クーロン力を利用する場合よりも吸着力が強くなるが、この様な静電チャックの場合であってもパーティクルの発生を大幅に低減させることができる。また、第8の発明は、第7の発明において、前記誘電体基板は、多結晶アルミナ焼結体から形成され、アルミナ含有率が99.4wt以上、とされたことを特徴とする静電チャックである。この様な高純度のアルミナから形成されるものとすれば、アルミナ以外の物質による汚染を抑制することができる。また、第9の発明は、被吸着物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板を備えた静電チャックの製造方法であって、前記誘電体基板は、多結晶セラミックス焼結体から形成され、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が1未満となるまで前記主面における加工が継続されることを特徴とする静電チャックの製造方法である。この静電チャックの製造方法によれば、干渉縞占有面積率を1未満とすることができるので、表面領域の一部が脱離することで発生するパーティクルの数を大幅に低下させることができる。本発明の態様によれば、パーティクルの発生を抑制することができる静電チャック及び静電チャックの製造方法を提供できる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。尚、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。図1は、本実施の形態に係る静電チャックを例示するための模式断面図である。なお、図1aは静電チャックを例示するための模式断面図、図1bは図1aにおけるA部の模式拡大図である。図1a、bに示すように、静電チャック1には、基台2、誘電体基板3、電極4が設けられている。基台2の一方の主面電極4の側の表面には、無機材料からなる絶縁体層5が形成されている。また、誘電体基板3は、被吸着物を載置する側の主面載置面側に形成された突起部3aと、突起部3aの周辺に形成された平面部3bと、を有している。この突起部3aの頂面が、半導体ウェーハ等の被吸着物を載置する際に載置面となる。なお、突起部3aや平面部3bの表面性状、断面形状などに関する詳細は後述する。また、電極4が設けられた誘電体基板3の主面と、絶縁体層5が設けられた基台2の主面とが絶縁性接着剤で接着されている。この絶縁性接着剤が硬化したものが接合層6となる。電極4と電源10a、電源10bとは、電線9で接続されている。なお、電線9は基台2を貫通するようにして設けられているが、電線9と基台2とは絶縁されている。図1に例示をしたものは、正極、負極の電極を互いに隣接させるようにして誘電体基板3に形成させたいわゆる双極型静電チャックである。ただし、これに限定されるわけではなく、1つの電極を誘電体基板3に形成させたいわゆる単極型静電チャックであってもよいし、三極型、その他多極型であってもよい。また、電極の数、形状、配置も適宜変更することができる。また、静電チャック1を貫通するように貫通孔11が設けられている。貫通孔11の一端は平面部3bに開口し、他端は図示しない圧力制御手段や流量制御手段を介して、これも図示しないガス供給手段と接続されている。図示しないガス供給手段はヘリウムガスまたはアルゴンガスなどを供給する。そして、平面部3bを形成することで設けられた空間3cが供給されたガスの通路となる。空間3c同士はそれぞれ連通し、供給されたガスが全体にいきわたるようになっている。また、半導体ウェーハ等の被吸着物を載置した際に被吸着物の外周部を支持する位置に図示しないリング状の突起部を配設し、前述したガスが漏出しないようにすることもできる。また、前述したガス供給用の貫通孔11以外の貫通孔が設けられている場合には、その貫通孔の周囲に図示しないリング状の突起部を配設し、前述したガスが漏出しないようにすることもできる。このような図示しないリング状突起部の表面性状、断面形状なども、突起部3aと同様とすることができる。さらに、貫通孔11と連通する放射状や同心円状の図示しないガス分配溝凹状の溝を平面部3bに設けることができる。この様なガス分配溝を設けるようにすれば、ガス分配速度を早めることができる。基台2は、例えば、アルミニウム合金や銅などのような熱伝導率の高い金属で形成することができる。そして、その内部には冷却液または加熱液が流れる流路8を設けることができる。なお、流路8は必ずしも必要ではないが、被吸着物の温度制御の観点からは設けられていた方が好ましい。また、基台2の一方の主面に設けられた絶縁体層5は、例えば、アルミナAl2O3やイットリアY2O3等の多結晶体で形成することができる。また、絶縁体層5の熱伝導率が、接合層6の熱伝導率よりも大きくなるようにすることが好ましい。この場合、絶縁体層5の熱伝導率を2W/mK以上にすることがより好ましい。そのようにすれば、接合層単独の場合よりも熱伝達性が良好となり、被吸着物の温度制御性と面内温度の均一性をより向上させることができる。接合層6においては、その熱伝導率を高くすることが好ましい。例えば、熱伝導率を1W/mK以上とすることが好ましく、1.6W/mK以上とすればより好ましい。このような熱伝導率は、例えば、シリコーン樹脂等にアルミナや窒化アルミニウムをフィラーとして添加することで得ることができる。また、添加の割合で熱伝導率を調整することもできる。接合層6の厚みは、熱伝達性を考慮すればできるだけ薄い方が好ましい。一方、基台2の熱膨張率と誘電体基板3の熱膨張率との差に起因する熱せん断応力により、接合層6が剥離することなどを考慮すれば、接合層6の厚みはできるだけ厚い方が好ましい。そのため、接合層6の厚みはこれらを考慮して0.1mm以上、0.3mm以下とすることが好ましい。誘電体基板3には、静電チャックに求められる様々な要求により種々の材料を用いることができる。この場合、熱伝導率、電気絶縁の信頼性を考慮すると、多結晶セラミックス焼結体とすることが好ましい。多結晶セラミックス焼結体としては、例えば、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウム、炭化珪素などからなる多結晶セラミックス焼結体を例示することができる。誘電体基板3の材料の体積抵抗率は、静電チャックの使用温度領域で108Ωcm以上とすることができる。なお、本明細書における体積抵抗率は、JIS規格JISC2141:1992電気絶縁用セラミックス材料試験方法に示される方法を用いて測定した値である。この場合測定は、静電チャックの使用温度領域例えば、室温25°C程度で行うようにすることができる。また、誘電体基板3は、結晶粒の平均粒子径が0.8μm以上、1.5μm以下の多結晶セラミックス焼結体からなるものとすることが好ましい。また、誘電体基板3は、結晶粒の平均粒子径が1μm以上、1.5μm以下の多結晶セラミックス焼結体からなるものとすることがさらに好ましい。結晶粒の平均粒子径が0.8μm以上、1.5μm以下の多結晶セラミックス焼結体からなるものとすれば、誘電体基板3から結晶粒が脱粒するのをより確実に抑制することができる。また、仮に結晶粒が脱粒したとしても、突起部3aの形状が変化することを抑制することができる。なお、誘電体基板3を構成する多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径に関する詳細は後述する。電極4の材料としては、酸化チタン、チタンの単体あるいはチタンと酸化チタンの混合体、窒化チタン、炭化チタン、タングステン、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、ニッケル、金-白金合金などを例示することができる。次に、突起部3aや平面部3bの表面性状、断面形状などに関してさらに例示をする。突起部3aの頂面は、被吸着物を載置する際に載置面となる。そのため、パーティクルの発生を低減させるために、従来においては、突起部の頂面を平坦面とし、バフ研磨や鏡面研磨を行うことで頂面に微細な凹凸が形成されないようにしていた例えば、特許文献1、特許文献2を参照。しかしながら、本発明者らの検討の結果、突起部の頂面を平坦面とし、頂面に微細な凹部が形成されないようにすれば、かえってパーティクルの数が増加することが判明した。そのため、本実施の形態においては、突起部3aの頂面3a1を曲面とするとともに、頂面3a1に微細な凹部13a第1の凹部を形成するようにしている図2、図3、図4を参照。微細な凹部13aの深さは、結晶粒子径に基づく寸法となっている。この場合、微細な凹部13aの深さ寸法は、30nm以上、150nm以下とすることが好ましい図26を参照。ここで、突起部3aとなる部分の周辺をサンドブラスト法などを用いて削り込むことで突起部3aと平面部3bとのあらかたの形状を形成するようにしている。そのため、平面部3bには、平面部3bに開口する複数の穴3b1が形成されることになる。また、後述するように、平面部3bに開口する穴3b1の開口周辺には平坦部3b2が形成されている。そして、本実施の形態においては、平坦部3b2にも微細な凹部13b第2の凹部を形成するようにしている。微細な凹部13bの深さ寸法は、30nm以下となっており、好ましくは20nm以下、さらに好ましくは5nm以上、20nm以下となっている。図2は、突起部と平面部の表面性状、断面形状などを例示するためのグラフ図である。なお、図2は、接触式粗さ計を用いて突起部と平面部の表面を測定したものである。図2に示すように、突起部3aの頂面3a1は外側に向けて突出する曲面を有している。そして、突起部3aの頂面3a1には微細な凹部13aが形成されている。また、平面部3bには、平面部3bに開口する複数の穴3b1と、穴3b1の開口周辺に形成された平坦部3b2とが設けられている。そして、平坦部3b2には微細な凹部13bが形成されている。ここで、本明細書における頂面について説明する。図2に示すように、本明細書における頂面とは、突起部3aの中心軸から振り分けにL2の長さの範囲内に有る部分をいう。ここで、L2は、突起部3aの底部の長さL1の80の長さである。なお、突起部3aの頂面3a1が曲面を有しておればよく、頂面3a1の外側は曲面であってもよいし、直線状の面であってもよい。次に、本明細書における曲面の曲率半径Rについて説明する。図2に示すように、頂面3a1の両端部分の位置をP1、P3とし、頂面3a1の中心位置頂面3a1と突起部3aの中心軸との交点位置をP2とする。P1、P2、P3を通る円の半径が本明細書における曲面の曲率半径Rである。なお、P1、P2、P3を通る円の中心位置は、P1とP2とを結ぶ線分の垂直二等分線と、P3とP2とを結ぶ線分の垂直二等分線と、の交点となる。そのため、P1、P2、P3の位置からP1、P2、P3を通る円の中心位置を求め、円の中心位置からP1、P2、P3のいずれかまでの距離を求めることで曲面の曲率半径Rを得ることができる。本発明者らの得た知見によれば、頂面3a1の曲率半径Rは、吸着力により湾曲した板状の被吸着物の撓み曲線の曲率半径より小さくなるようにすることが好ましい。その様にすれば、頂面3a1の形状を板状の被吸着物が静電吸着された際の撓み形状に応じたものとすることができる。そのため、頂面3a1と被吸着物の裏面との接触部分における面圧を低下させることができるので、パーティクルの発生を抑制することができる。この場合、曲率半径Rを20ミリメートル以下とすれば、頂面3a1の曲率半径が吸着力により湾曲した板状の被吸着物の撓み曲線の曲率半径より小さくなるようにすることができる。次に、頂面3a1、平坦部3b2に形成された微細な凹部について説明する。図3は、突起部の頂面に形成された微細な凹部を例示するためのレーザ顕微鏡写真である。図4は、平坦部に形成された微細な凹部を例示するための走査型電子顕微鏡写真である。図5は、頂面3a1を平坦面とした場合を例示するためのレーザ顕微鏡写真である。図3に示すように、突起部3aの頂面3a1には、微細な凹部13aが形成されている。また、図4に示すように、平坦部3b2には、微細な凹部13bが形成されている。また、図5に示すものの場合には、頂面3a1に微細な凹部13aが形成されていない。図3、図4に例示をしたものの場合には、頂面3a1が曲面となっているうえに凹部13aが形成されている。そのため、頂面3a1と被吸着物の裏面との接触部分の面積を大幅に低減させることができる。微細な異物を凹部13aの内部に捕捉させることもできる。これに対して、図5に例示をしたものの場合には、頂面3a1に微細な凹部13aが形成されていないため頂面3a1と被吸着物の裏面との接触部分の面積が大きくなってしまう。また、微細な異物を捕捉することもできない。また、平坦部3b2には凹部13bが形成されているので、仮に、被吸着物が撓んで被吸着物の裏面と平面部3bとが接触しても接触部分の面積を大幅に低減させることができる。微細な異物を凹部13bの内部に捕捉させることもできる。すなわち、被吸着物の裏面との接触部分の面積を低減させることができるので、パーティクルの発生を抑制することができる。また、凹部13a、凹部13bの内部に微細な異物を捕捉させることでパーティクルの発生を抑制することができる。表1、表2は、パーティクルの発生を抑制する効果を例示するためのものである。なお、表1は図3、図4に例示をしたものの場合、表2は図5に例示をしたものの場合である。なお、表1、表2は、被吸着物を半導体ウェーハとし、半導体ウェーハの裏面に付着したパーティクルの数をパーティクルの粒径毎に集計したものである。表1、表2中のパーティクルの数は、所定の面積におけるパーティクルの数を計測し、その値を直径300mmの半導体ウェーハにおけるパーティクルの数に換算したものである。表1から分かるように、図3、図4に例示をしたような微細な凹部が形成されたものの場合には、静電チャック表面を清掃し、その後、半導体ウェーハの吸着を繰り返したとしてもパーティクルの発生を抑制することができる。また、頂面3a1に形成された凹部13aの深さ寸法は、平坦部3b2に形成された凹部13bの深さ寸法よりも大きくなっている。そして、凹部13a、凹部13bは、面積が広く深さが浅くなっており、凹部13a、凹部13bの側面は斜面となっている。そのため、凹部13a、凹部13bの内部に捕捉された異物を除去することが容易となる。すなわち、静電チャック表面に異物が付着した場合であっても静電チャック表面の清浄状態を容易に回復させることができる。これに対して、表2から分かるように、図5に例示をしたような微細な凹部が形成されていないものの場合には、静電チャック表面を清掃し、その後、半導体ウェーハの吸着を繰り返すようにすれば、パーティクルの数が多いまま安定してしまうことになる。なお、凹部13a、凹部13bの深さ寸法や側面の形状などに関する詳細は後述する。表3、表4は、静電チャック表面の清浄状態の回復を例示するためのものである。なお、表3は図3、図4に例示をしたものの場合、表4は図5に例示をしたものの場合である。表3、表4は、被吸着物を半導体ウェーハとし、半導体ウェーハの裏面に付着したパーティクルの数をパーティクルの粒径毎に集計したものである。表3、表4中のパーティクルの数は、所定の面積におけるパーティクルの数を計測し、その値を直径300mmの半導体ウェーハにおけるパーティクルの数に換算したものである。また、初期状態は、静電チャック表面に異物が付着している状態で半導体ウェーハを吸着させた場合である。また、No.1~No.5は、静電チャック表面を清掃し、その後、半導体ウェーハを吸着させた場合である。なお、清掃は、静電チャック表面を有機溶剤を含ませた不織布で拭くことにより行うこととした。図3、図4に例示をしたような微細な凹部が形成されたものの場合には、表3のNo.1から分かるように、静電チャック表面を有機溶剤を含ませた不織布で拭く程度の清掃であっても、半導体ウェーハの裏面に付着するパーティクルの数を大幅に低減させることができる。このことは、静電チャック表面に異物が付着した場合であっても、静電チャック表面の清浄状態を容易に回復させることができることを意味している。また、凹部13aの深さ寸法と、凹部13bの深さ寸法とは、誘電体基板3を構成する多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径よりも小さくなっている。この様にすれば、パーティクルの発生を抑制することができるとともに、静電チャック表面の清浄状態の回復がより容易となる。後述するCMP法を用いることで以下に説明する微細な凹部13a、13bが形成されている。図6は、頂面3a1に形成された凹部13aの形状を例示するための図である。図6aは凹部13aの3次元画像、図6b、cは凹部13aのプロファイルを例示するための図である。図7は、平坦部3b2に形成された凹部13bの形状を例示するための図である。図7aは凹部13bの3次元画像、図7b、cは凹部13bのプロファイルを例示するための図である。図6に示すように、凹部13aの側面は斜面とされ、凹部13aの底面と凹部13aの側面とがなす角度斜面の角度は鈍角となっている。凹部13aの側面と頂面3a1とが交わる部分と、凹部13aの側面と凹部13aの底面とが交わる部分と、は連続的な丸みを帯びた形状とされている。図7に示すように、凹部13bの側面は斜面とされ、凹部13bの底面と凹部13bの側面とがなす角度斜面の角度は鈍角となっている。凹部13bの側面と平坦部3b2とが交わる部分と、凹部13bの側面と凹部13bの底面とが交わる部分と、は連続的な丸みを帯びた形状とされている。なお、本明細書において鈍角とは、90度より大きく、180度より小さい角度をいう。また、連続的な丸みを帯びた形状とは、後述するCMP法を用いた際に化学的に浸食されることで角が丸まり、凹部13aの側面と頂面3a1とが交わる部分、凹部13aの側面と凹部13aの底面とが交わる部分、凹部13bの側面と平坦部3b2とが交わる部分、凹部13bの側面と凹部13bの底面とが交わる部分が、なだらかにつながっている様子をいう。そのため、静電チャック表面を清浄化する際に陰になる部分をなくすことができるので、静電チャック表面の清浄状態の回復をより確実且つ容易に行うことができる。すなわち、深さの浅い凹部13a、凹部13bの側面部分は連続的でなだらかな形状となっているので不織布などの清掃具との接触面積を大きくすることができる。そのため、有機溶剤を含ませた不織布で拭く程度の清掃であっても微小な異物をスムーズに除去することができる。これに対して、表4から分かるように、図5に例示をしたような微細な凹部が形成されていないものの場合には、静電チャック表面を有機溶剤を含ませた不織布で拭く程度の清掃ではパーティクルの数を大幅に低減させることはできない。また、本実施の形態に係る静電チャック1においては、突起部3aの側面と頂面3a1とが交わる部分と、突起部3aの側面と平面部3bとが交わる部分と、は連続的な丸みを帯びた形状となっている。すなわち、突起部3aの側面と頂面3a1とが曲面で滑らかに接続されている。また、突起部3aの側面と平面部3bとが曲面で滑らかに接続されている。CMP法による加工バフ研磨法、砥石加工法、レーザ彫刻法、ショットブラスト法、サンドブラスト法などの機械的加工法を用いたのでは、以上に説明したような形状を有する凹部13aや凹部13bを頂面3a1や平坦部3b2に形成することができない。また、これらの機械的加工法を用いたのでは、以上に説明したような形状を有する突起部3aを形成することができない。以下、突起部3a、平面部3b、平坦部3b2、穴3b1、凹部13a、凹部13bなどの形成方法について説明する。まず、突起部3a、平面部3bのあらかたの形状を形成する。例えば、突起部3aとなる部分をマスクし、マスクされていない部分をサンドブラスト法などを用いて削り込むことで突起部3aと平面部3bのあらかたの形状を形成する。この際、平面部3bには、平面部3bに開口する複数の穴3b1が形成されることになる。この様な穴3b1が形成されるものとすれば、複数の穴3b1に異物を捕捉させることができるので、パーティクルの発生を抑制することができる。この場合、穴3b1の深さ寸法は、後述する多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径0.8μm以上、1.5μm以下より小さくなるようにすることが好ましい。その様な浅い穴とすれば、穴3b1に捕捉された異物の除去が容易となる。なお、多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径についての詳細は後述する。図8は、平面部3bに開口する穴3b1の深さ寸法を例示するためのグラフ図である。図8に示すように、穴3b1の深さ寸法は1μm未満となっており、穴3b1の内部に多結晶セラミックス焼結体から脱粒した結晶粒が入り込んだ場合であっても容易に除去することができる。なお、穴3b1の深さ寸法は、サンドブラスト法などのプロセス条件例えば、用いられる研磨材の大きさなどにより制御することができる。次に、マスクを除去し、突起部3aを前述した形状に加工する。また、この際、平面部3bに開口する複数の穴3b1の開口周辺に平坦部3b2を形成する。そして、突起部3aの頂面3a1に前述した微細な凹部13aを形成するとともに、平坦部3b2に前述した微細な凹部13bを形成する。この場合、本発明者らの得た知見によれば、CMPChemicalMechanicalPolishing;化学機械研磨法を用いれば、前述した突起部3a、平坦部3b2、凹部13a、凹部13bを一度に形成することができる。CMP法は、一般的には平坦化加工を行う際に用いられる。そのため、前述したような形状を有する突起部3aを形成することができず、ましてや微細な凹部13a、凹部13bを形成することができないように考えられる。しかしながら、本発明者らの得た知見によれば、研磨液スラリーに含まれる化学成分の作用を利用すれば、微細な凹部13a、凹部13bを形成することができる。すなわち、多結晶セラミックス焼結体の有するエッチング速度に対する結晶面方位依存性を利用することで、微細な凹部13a、凹部13bを形成することができる。つまり、多結晶セラミックス焼結体の表面領域において、エッチングされやすい結晶面方位となっている部分が先にエッチングされるので、微細な凹部13a、凹部13bを形成することができる。また、研磨液に含まれる砥粒による機械的研磨効果と、研磨液に含まれる化学成分による化学的研磨効果と、により突起部3a、平坦部3b2を形成することができる。この場合、平坦部3b2は穴3b1の周辺に形成されることになる。ここで、CMP法におけるプロセス条件を例示する。研磨布は、例えば、硬質発泡ポリウレタン研磨クロスなどとすることができる。研磨盤の回転速度は60rpm、荷重負荷は0.2kgcm2などとすることができる。研磨液に含まれる砥粒は、SiO2酸化珪素、CeO2酸化セリウム、TiO2酸化チタン、MgO酸化マグネシウム、Y2O3酸化イットリウム、SnO2酸化スズなどからなるものとすることができる。また、研磨液に対する砥粒の割合は10~20wt程度とすることができる。研磨液に含まれる化学成分としては、pH調整剤、砥粒の分散剤、界面活性剤などとすることができる。この場合、前述した結晶異方性エッチングを考慮すると研磨液がアルカリ性であることが好ましい。そのため、研磨液の水素イオン指数は、pH8~13程度としている。なお、研磨液の供給量は、例えば、20cc/分程度とすることができる。そして、本発明者らの得た知見によれば、加工時間が重要な要素となる。すなわち、加工時間が短ければ平坦化加工となり、前述したような形状を有する突起部3aを形成することができず、また、微細な凹部13a、凹部13bを形成することもできない。例えば、数分程度の加工時間では平坦化加工となる。一方、数時間程度の加工時間とすれば、前述したような形状を有する突起部3aを形成することができる、また、微細な凹部13a、凹部13bを形成することもできる。また、平面部3bよりも突起部3aの頂面3a1の方が加工されやすくなるので、前述した凹部13aの深さ寸法と凹部13bの深さ寸法との関係を構成することができる。すなわち、頂面3a1に形成された凹部13aの深さ寸法が、平坦部3b2に形成された凹部13bの深さ寸法よりも大きくなるようにすることができる。なお、前述した加工時間は、CMP法におけるその他のプロセス条件例えば、研磨液の水素イオン指数などに応じて適宜変更することができる。また、後述する干渉縞占有面積率をも考慮することができる。すなわち、凹部13aや凹部13bの形成のみならず、後述する干渉縞占有面積率が1未満となるまでCMP法による加工を行うようにすることができる。なお、干渉縞占有面積率などに関する詳細は後述する。また、突起部3aの高さ寸法が後述する多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径より大きくなるようにすることができる。あるいは、多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径が突起部3aの高さ寸法よりも小さくなるようにすることができる。その様にすれば、誘電体基板3から結晶粒が脱粒するのを抑制することができる。また、仮に結晶粒が脱粒したとしても、突起部3aの形状が変化することを抑制することができる。図9は、微細な凹部の長さの測定を例示するためのレーザ顕微鏡写真である。図10は、多結晶セラミックス焼結体の表面に現れた結晶粒の長さの測定を例示するためのレーザ顕微鏡写真である。図9、図10中の数値は測定箇所および測定番号を表している。また、表5は図9における測定結果を示す表であり、表6は図10における測定結果を示す表である。表5、表6から分かるように、微細な凹部の長さと、多結晶セラミックス焼結体の表面に現れた結晶粒の長さとは同程度であるといえる。このことは、微細な凹部が多結晶セラミックス焼結体の表面に現れた結晶粒に対応して形成されたことを示している。本実施の形態に係るCMP法によれば、突起部3a、平坦部3b2、凹部13a、凹部13bを容易かつ確実に形成することができる。また、後述する干渉縞占有面積率が1未満となるようにすることもできる。欠陥部に対する定量評価法次に、誘電体基板3の表面領域に内在するクラックなどの欠陥部に対する定量評価法について説明する。まず、誘電体基板3の表面領域に内在するクラックなどの欠陥部について説明する。図11は、誘電体基板3の表面領域に発生したクラックを例示するための走査型電子顕微鏡写真である。図12は、表面領域の一部が脱離しそうな様子を例示するための走査型電子顕微鏡写真である。サンドブラスト法などの機械的加工法を用いて突起部3a、平面部3bを形成した場合には、図11に示すように、誘電体基板3の表面領域にクラックなどの欠陥部が発生している場合がある。そして、この様な欠陥部が表面領域に内在している場合には、図12に示すように、表面領域の一部が脱離しそうになり、やがては脱離する場合がある。なお、発生するクラックとしては、結晶粒界に生じたもの、結晶粒界内を貫通するようにして生じたもの、これらが不規則に繋がったものなどがある。この様にして脱離した表面領域の一部はパーティクルとなるので、欠陥部を所定の割合まで除去するようにすることが好ましい。そのためには、欠陥部の発生位置、発生の程度発生割合などを定量評価する必要がある。ところが、誘電体基板3の表面領域に内在するクラックなどの欠陥部は、外部から直接視認することができない。すなわち、従来においては、欠陥部に対する非破壊での定量評価が困難であった。次に、本実施の形態に係る欠陥部に対する定量評価法について説明する。本発明者らの得た知見によれば、レーザ顕微鏡により誘電体基板3の表面を撮影すると、欠陥部が内在している部分に干渉縞が生ずる。すなわち、誘電体基板3の表面と、欠陥部の面という2つの界面からの反射光の光路長差に基づいて干渉縞が生ずる。図13は、突起部3aの頂面3a1に欠陥部が内在している場合を例示するためのレーザ顕微鏡写真である。なお、図13aは欠陥部が内在している部分に生じる干渉縞を例示するためのレーザ顕微鏡写真、図13bは図13aにおけるB-B線断面の走査型電子顕微鏡SEM;ScanningElectronMicroscope写真である。また、図13cは図13bにおけるD部の拡大写真、図13dは図13aと同じ部分の走査型電子顕微鏡写真である。図14は、平面部3bの平坦部3b2に欠陥部が内在している場合を例示するためのレーザ顕微鏡写真である。なお、図14aは欠陥部が内在している部分に生じる干渉縞を例示するためのレーザ顕微鏡写真、図14bは図14aにおけるC-C線断面の走査型電子顕微鏡写真である。この場合、図13dに示すように、走査型電子顕微鏡を用いた観察では表面領域に内在する欠陥部を特定することができない。一方、本実施の形態に係る定量評価法によれば、図13a~c、図14a、bに示すように、外部から直接的に視認することができないクラックなどの欠陥部を干渉縞により特定することができる。このことは、欠陥部の発生や発生の程度などを非破壊で定量評価することができるようになることを意味する。また、干渉縞の大きさ、方向、周期数などに基づいて、欠陥部の状態を知ることもできる。また、この様な干渉縞を利用した定量評価は、製造ラインにおいて各静電チャック毎に行うことができる。そのため、静電チャックの品質、信頼性、生産性の向上などを図ることができる。次に、干渉縞を利用した欠陥部に対する定量評価についてさらに説明する。まず、レーザ顕微鏡を用いて干渉縞を撮影する。レーザ顕微鏡としては以下のものを用いることができる。走査型共焦点レーザ顕微鏡オリンパスOLS-1100レーザ種:Ar波長:488nm撮影レンズ:×50対物レンズzoom1光学モード:非共焦点レーザ強度:100検出感度:442オフセット:-16撮影像:輝度像撮影:スナップショット8枚積算まず、誘電体基板3または静電チャック1に設けられた誘電体基板3をレーザ顕微鏡のステージに載置する。そして、計測したい領域撮影したい領域を対物レンズの直下に移動する。次に、対物レンズの倍率を選択するなどして撮影視野を決定する。また、非共焦点モードのスナップショット積算8枚で撮影する。共焦点モードにすると、輝度ムラが生じて、画像処理計測の際、干渉縞を抽出するための閾値設定が難しくなるからである。なお、非共焦点モードとしても充分な分解能を得ることができる。次に、レーザ顕微鏡を用いて撮影した画像を画像処理2値化処理計測する。図15は、2値化処理された画像を例示するための写真である。なお、写真中の明るい点状部分Eが干渉縞がある部分である。画像処理計測は、以下の画像処理ソフトを用いて行うことができる。画像処理ソフト:Win-ROOF三谷商事2値化処理:2800-4095画像処理:削除0.2μm>、穴埋め測定:面積率次に、画像処理計測された結果に基づいて欠陥部に対する定量評価を行う。欠陥部に対する定量評価は、干渉縞占有面積率画像面積に対する干渉縞部分面積の比に基づいて行うことができる。例えば、図15の場合は、干渉縞占有面積率は0.97程度である。本発明者らの得た知見によれば、レーザ顕微鏡を用いて求められた被吸着物を載置する側の主面における干渉縞占有面積率が1未満となるようにすれば、表面領域の一部が脱離することで発生するパーティクルの数を大幅に低下させることができる。この場合、誘電体基板3の表面領域に内在する欠陥部は、バフ研磨法では除去することができない。また、砥石加工法、レーザ彫刻法、ショットブラスト法などを用いてはさらに欠陥部が増加するおそれがある。そのため、本実施の形態においては、前述したCMP法を用いて、突起部3a、平坦部3b2、凹部13a、凹部13bを形成するとともに、干渉縞占有面積率が1未満となるまで内在する欠陥部の除去を行うようにしている。図16は、CMP法を用いて欠陥部を除去する様子を例示するためのグラフ図である。図17は、CMP法を用いて欠陥部を除去する前の様子を例示するためのグラフ図である。なお、図16、図17は、クーロン力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3の場合である。クーロン力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3としては、多結晶セラミックス焼結体から形成され、アルミナ含有率が99.9wt以上、嵩密度が3.96以上、体積抵抗率が静電チャックの使用温度領域において1014Ωcm以上のものを例示することができる。なお、本明細書における嵩密度は、JIS規格JISR1634に示されるアルキメデス法により測定した値である。この場合、飽水方法は真空法とすることができ、溶媒には蒸留水を用いるようにすることができる。図17に示すように、干渉縞占有面積率が最大3.5程度であった状態の場合でも、本実施の形態に係るCMP法を用いることで、図16に示すように、干渉縞占有面積率が1未満の状態となるようにすることができる。図18は、CMP法を用いて欠陥部を除去する様子を例示するためのグラフ図である。図19は、CMP法を用いて欠陥部を除去する前の様子を例示するためのグラフ図である。なお、図18、図19は、ジョンセンラーベック力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3の場合である。ジョンセンラーベック力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3としては、多結晶セラミックス焼結体から形成され、アルミナ含有率が99.4wt以上、体積抵抗率が静電チャックの使用温度領域において108Ωcm以上、1013Ωcm以下のものを例示することができる。図19に示すように、干渉縞占有面積率が最大5程度であった状態の場合でも、本実施の形態に係るCMP法を用いることで、図18に示すように、干渉縞占有面積率が1未満の状態となるようにすることができる。すなわち、誘電体基板3の組成が変わったとしても、前述したCMP法を用いることで、干渉縞占有面積率が1未満の状態となるようにすることができる。ここで、誘電体基板3の体積抵抗率は焼成時に制御することができる。次に、誘電体基板3の製造方法を説明する。まず、原料としてアルミナと酸化チタンを用意する。用いるアルミナ及び酸化チタンは微粒のものが好ましく、アルミナ粉末は平均粒子径0.3μm以下、より好ましくは0.2μm以下のものが用いられる。一方、酸化チタン粉末は平均粒子径0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下のものが用いられる。原料に微粒粉を用いることで分散が良くなり、粒子径の大きなチタン化合物の偏析物ができにくくなる。なお、好ましいアルミナ粉末の平均粒子径の下限値は10nmである。また、好ましい酸化チタン粉末の平均粒子径の下限値は5nmである。次に、スラリー調整、造粒、生加工を行う。前記原料を所定量秤量し、さらに分散剤バインダー離型剤を加えてボールミルによる粉砕攪拌混合を行う。混合にはイオン交換水等を用い、不純物が混入しないようにすることが好ましい。混合後スプレードライヤーによる造粒を行い、得られた造粒粉末をプレス成形することで、生成形体を作製することができる。さらに、前記生成形体はCIP成形を行うことが好ましい。CIP成形することで生成形体の密度が上がり、焼成体の密度を上げることができる。なお、成形は乾式成形に限るものではなく、押し出し成形、射出成形、シート成形、鋳込み成形、ゲルキャスト成形などの成形方法を利用しても生成形体を得ることができる。次に、焼成を行う。前記生成形体を窒素、水素ガス還元雰囲気下で焼成することにより、誘電体基板3を製造できる。還元焼成を行うことで、酸化チタンが非化学量論組成となり、体積抵抗率を制御することが可能となる。例えば、以下のような焼成を行うことで、体積抵抗率が静電チャックの使用温度領域において108Ωcm以上、1013Ωcm以下の誘電体基板3を製造することができる。焼成温度としては、1150~1350°C、より好ましくは1150~1200°Cの温度範囲とすることができる。低温で焼成することにより、アルミナ粒子の粒子成長を抑制することができ、偏析するチタン化合物の成長も抑えることができる。そのため、アルミナ粒子の最大粒子径をより小さくすることができる。また、焼成の最高温度での保持時間は、焼成体の物性値を安定化させるために2時間以上、より好ましくは4時間以上とすることが望ましい。なお、得られた焼結体にはさらにHIP処理を施すことが好ましい。これにより緻密質な誘電体基板3を得ることができる。以上のようにして誘電体基板3を製造することができる。本実施の形態に係る欠陥部に対する定量評価法によれば、欠陥部の発生や発生の程度などを非破壊で定量評価することができる。また、この定量評価に基づいて干渉縞占有面積率が1未満となるようにすることができる。そのうえ、この定量評価は、製造ラインにおいて各静電チャック毎に行うことができる。そのため、表面領域の一部が脱離することで発生するパーティクルの数を大幅に低下させることができる。また、静電チャックの品質、信頼性、生産性の向上などを図ることができる。なお、誘電体基板3の表面領域に内在するクラックなどの欠陥部を定量評価する場合を例示したが、他の形態に係る誘電体基板の表面領域に内在するクラックなどの欠陥部を定量評価することもできる。例えば、凹部13a、凹部13bが形成されていない突起部、平面部が形成された誘電体基板や、突起部、平面部が形成されていない平板状の誘電体基板などの表面領域に内在するクラックなどの欠陥部を定量評価することもできる。多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径次に、誘電体基板3を構成する多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径について説明する。まず、結晶粒の平均粒子径の測定について説明する。測定対象となる多結晶セラミックス焼結体の表面を傷のない鏡面に仕上げる。鏡面仕上げは、ダイヤモンドラップ法により行うようにすることができる。そして、鏡面仕上げされた面をサーマルエッチングする。サーマルエッチングの条件は、温度が1330°C程度、時間が2時間程度とすることができる。次に、表面にAu金をスパッタコーティングする。コーティングの厚みは20nm程度とすることができる。Au金のスパッタコーティングは、レーザ顕微鏡を用いる場合に、結晶粒界におけるコントラストが鮮明になるようにすることを目的としている。すなわち、Au金のスパッタコーティングは、レーザ光が多結晶セラミックス焼結体の内部へ侵入することを防ぐ為に施される。Au金のスパッタコーティングは、イオンスパッタ装置日立製作所製、E-105などを用いて行うようにすることができる。次に、サーマルエッチングした多結晶セラミックス焼結体をレーザ顕微鏡を用いて多結晶セラミックス焼結体を撮影する。多結晶セラミックス焼結体をレーザ顕微鏡のステージに載置する。そして、計測したい領域撮影したい領域を対物レンズの直下に移動する。次に、対物レンズの倍率を選択するなどして撮影視野を決定する。また、非共焦点モードのスナップショット積算8枚で撮影する。共焦点モードにすると、レーザ光の輝度ムラが生じて、画像処理計測の際、結晶粒界を抽出するための閾値設定が難しくなるからである。なお、非共焦点モードとしても充分な分解能を得ることができる。レーザ顕微鏡としては以下のものを用いることができる。走査型共焦点レーザ顕微鏡オリンパスOLS-1100レーザ種:Ar波長:488nm撮影レンズ:×100対物レンズzoom1光学モード:非共焦点レーザ強度:100検出感度:400オフセット:-30撮影像:輝度像撮影:スナップショット8枚積算図20は、レーザ顕微鏡により撮影された多結晶セラミックス焼結体を例示するための写真である。なお、図20は、クーロン力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3の場合である。また、図20aは結晶粒の平均粒子径が1.8μm程度の場合、図20bは結晶粒の平均粒子径が1.4μm程度の場合である。図21は、レーザ顕微鏡により撮影された多結晶セラミックス焼結体を例示するための写真である。なお、図21は、ジョンセンラーベック力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3の場合である。また、図21は結晶粒の平均粒子径が1μm程度の場合である。次に、レーザ顕微鏡を用いて撮影した画像に基づいて、多結晶セラミックス焼結体の結晶粒の平均粒子径を求める。結晶粒の平均粒子径の演算は、以下のソフトウェアを用いて行うようにすることができる。画像処理ソフト:Win-ROOF三谷商事キャリブレーション:0.125μm/pixelバックグラウンド処理:12.5μm/100pixcel2値化処理:2100-2921円形分離:自動処理計測:円相当径図22は、結晶粒の平均粒子径と粒子径分布の標準偏差を例示するためのグラフ図である。図23も、結晶粒の平均粒子径と粒子径分布の標準偏差を例示するためのグラフ図である。なお、図22は、クーロン力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3の場合、図23は、ジョンセンラーベック力を利用する静電チャックに用いる誘電体基板3の場合である。本発明者らの得た知見によれば、結晶粒の平均粒子径を0.8μm以上、1.5μm以下とすれば、誘電体基板3の表面から結晶粒が脱粒することを抑制することができる。その結果、パーティクルの発生を抑制することができる。また、仮に脱粒が生じたとしても、粒子径が小さいため凹凸部に保持されにくく容易に除去することができる。また、脱粒により突起部3aなどの形状が変化することを抑制することができる。また、粒子径分布の標準偏差を1μm以下とすれば、誘電体基板3の表面から結晶粒が脱粒することをさらに抑制することができる。また、仮に結晶粒が脱粒したとしても、突起部3aの形状が変化することを抑制することができる。この場合、焼成条件を制御することで結晶粒の平均粒子径の範囲を制御することができる。例えば、焼成温度例えば、1370°C程度や温度プロファイルなどを制御することで結晶粒の成長が妨げられるようにすればよい。微細な凹部の深さ寸法次に、微細な凹部の測定について説明する。レーザ顕微鏡としては以下のものを用いることができる。走査型共焦点レーザ顕微鏡オリンパスOLS-1100撮影条件は以下の通りとすることができる。レーザ種:Ar波長:488nm撮影レンズ:×100対物レンズzoom4.0光学モード:共焦点レーザ強度:100検出感度:400オフセット:0画像取込みモード:3次元取込み上下限ステップ量:0.01μm撮影像:輝度像撮影:スナップショット8枚積算撮影は以下の手順で行うことができる。まず、誘電体基板3または静電チャック1に設けられた誘電体基板3をレーザ顕微鏡のステージに載置する。測定したい領域撮影したい領域を対物レンズの直下に移動する。次に、対物レンズの倍率を選択するなどして撮影倍率にする。光学モードを共焦点に設定し、高さ方向の取込み条件を設定して、画像撮影する。微細な凹部の深さの測定条件は以下の通りとすることができる。測定モード:段差測定断面方向:水平及び垂直平均モード:線断面幅:1ポイント:波形位置図24は、微細な凹部の深さの測定を例示するための図である。なお、図24aは測定値のプロファイルを例示するためのグラフ図、図24bは測定位置を例示するためのレーザ顕微鏡写真である。微細な凹部の深さの測定は、以下の手順で行うことができる。まず、撮影した画像において、測定条件を設定する。図24a、bに例示をしたように、水平方向及び垂直方向における測定値のプロファイルをスクロールし、画像内の凹凸が大きい箇所を12ポイント以上計測する。ただし、欠陥部100脱粒により形成されたものは除く。測定した12ポイント以上の段差の中で、最も大きい段差を凹凸MAXとする。ここで、頂面3a1に形成された微細な凹部13aは以下の手順で求めることにした。誘電体基板3または静電チャック1の中心から外周に向けて3等配ピッチ測定画像は4枚以上で行うことにした。各測定位置における凹凸段差のMAX値の中で最大値を頂面3a1に形成された微細な凹部13aの深さ寸法とした。図25は、頂面3a1に形成された微細な凹部13aの深さ寸法と、被吸着物の裏面に付着したパーティクルの数との関係を示すグラフ図である。サンプル1~3における凹部13aの深さ寸法を前述した撮影条件、測定条件のもとで測定した。サンプル1における凹部13aの深さ寸法は、150nm程度、サンプル2における凹部13aの深さ寸法は30nm程度、サンプル3における凹部13aの深さ寸法は20nm程度であった。凹部13aの深さ寸法が20nm程度となると被吸着物の裏面に付着するパーティクルの数が600個となった。これに対し、凹部13aの深さ寸法を30nm以上、150nm以下とすれば被吸着物の裏面に付着するパーティクルの数を250個以下とすることができる。また、凹部13aの深さ寸法が150nmを超えるものとなれば、凹部13aの内部に入り込んだパーティクルの除去が困難となる。そのため、微細な凹部13aの深さ寸法は、30nm以上、150nm以下とすることが好ましい。多結晶アルミナ焼結体の嵩密度とアルミナ含有率前述したCMP法を用いて微細な凹部13aや凹部13bを形成するためには、下地となる多結晶セラミックス焼結体の嵩密度と純度含有率が重要となる。ここでは、一例として、多結晶アルミナ焼結体の場合を説明する。図26は、多結晶アルミナ焼結体表面の走査型電子顕微鏡写真である。なお、図26aは結晶粒の平均粒子径が20μm~50μm、嵩密度が3.7、アルミナ含有率が90wtの場合である。図26bは結晶粒の平均粒子径が1.5μm以下、嵩密度が3.96、アルミナ含有率が99.9wtの場合である。図26aと図26bとの比較からも分かるように、嵩密度を3.96以上、アルミナ含有率を99.9wt以上とすれば、下地となる多結晶アルミナ焼結体を緻密な組織とすることができるので、誘電体基板3から結晶粒が脱粒するのをより確実に抑制することができる。この場合、結晶粒の平均粒子径を0.8μm以上、1.5μm以下とすればより緻密な組織とすることができる。なお、嵩密度および純度含有率の少なくともいずれかを所定の範囲内とすれば、緻密な組織とすることができる。ただし、前述したもののように嵩密度および純度含有率の両方を所定の範囲内とすることが好ましい。また、結晶粒の平均粒子径を0.8μm以上、1.5μm以下とすることがより好ましい。この場合、前述したように粒子径分布の標準偏差が1μm以下となるようにすることが好ましい。下地となる多結晶セラミックス焼結体を緻密な組織とすれば、前述したCMP法を用いて微細な凹部13aや凹部13bを均一かつ安定的に形成することができる。その結果、パーティクルの発生を大幅に低減させることができる。この場合、嵩密度はHIP処理熱間等方圧加圧などを行うことで制御するようにすることができる。また、結晶粒の平均粒子径は、前述したように焼成条件焼成温度や温度プロファイルなどにより制御するようにすることができる。図27は、半導体ウェーハの裏面に付着したパーティクルの数を例示するための模式図である。なお、図27aは下地となる多結晶アルミナ焼結体が図26aに示したものの場合、図27bは下地となる多結晶アルミナ焼結体が図26bに示したものの場合である。図27aの場合には、8インチ半導体ウェーハの裏面に付着したパーティクルの数が1058個、図27bの場合には、8インチ半導体ウェーハの裏面に付着したパーティクルの数が67個であった。静電チャックの他の実施形態図28は、他の実施形態に係る静電チャック1aを例示するための模式断面図である。なお、図28aは静電チャックを例示するための模式断面図、図28bは図28aにおけるF部の模式拡大図である。本実施の形態に係る静電チャック1aにおいては、誘電体基板30の内部に電極4が埋め込まれている。この様な静電チャック1aは、例えば、グリーンシート印刷積層法などを用いて製造することができる。例えば、まず、多結晶セラミックス焼結体例えば、多結晶アルミナ焼結体からなるグリーンシートに、タングステンペーストをスクリーン印刷することにより、電極を形成する。その後、電極を埋設するように、複数のグリーンシートを加圧積層し、焼成前の積層体を形成する。この積層体を所望の形状に切削加工し、還元雰囲気中において焼成することにより、電極が内部に埋設された誘電体基板30を製造することができる。静電チャックの製造方法次に、本実施の形態に係る静電チャックの製造方法について例示する。なお、静電チャックに設けられる誘電体基板3は前述のようにして製造することができる。また、電極4などの各要素の形成、接合、取り付けなどに関する工程には既知の技術を適用することができるので、これらの説明は省略するものとし、特徴的な工程のみを説明する。図29は、本実施の形態に係る静電チャックの製造方法を例示するためのフローチャートである。まず、既知のサンドブラスト法などを用いて、誘電体基板3の被吸着物を載置する側の主面に突起部3a、平面部3bのあらかたの形状を形成する。次に、図29に示すように、前述したCMP法を用いて突起部3a、平坦部3b2、凹部13a、凹部13bを形成する。この際、前述した欠陥部に対する定量評価法を用いて欠陥部が占める割合を求め、欠陥部が占める割合が所定の値以下となるまでCMP法による加工を継続する。すなわち、レーザ顕微鏡を用いて求められた前記主面における干渉縞占有面積率が1未満となるまで前記主面における加工が継続される。なお、CMP法、欠陥部に対する定量評価法などに関する詳細は前述したものと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。