"対向する2つの主面の一方を実装面とし、該実装面に発光素子が実装される発光素子用の基板であって、前記基板には、該基板に埋設された電圧依存抵抗層と該電圧依存抵抗層に接続された第1電極と第2電極とを含んでなる発光素子用の保護素子が設けられており、前記発光素子が前記電圧依存抵抗層に重なるように実装される発光素子用基板。前記電圧依存抵抗層の表面が前記基板の前記一方の主面と同一平面上にあって前記実装面の一部を構成していることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子用基板。前記電圧依存抵抗層の表面が前記基板の他方の主面と同一平面上にあることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子用基板。前記電圧依存抵抗層の基板露出面と接するように前記第1電極が設けられ、前記第2電極が前記第1電極に対向した状態で前記電圧依存抵抗層の基板埋設面と接するように又は前記電圧依存抵抗層の内部に含まれるように設けられていることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子用基板。前記第2電極が前記電圧依存抵抗層の基板埋設面と接するように設けられており、また前記第2電極が、前記一方の主面又は前記他方の主面と前記電圧依存抵抗層との間の基板部分を貫通するビアホールを介して前記一方の主面又は前記他方の主面に設けられた電極又は金属層に接続されていることを特徴とする、請求項4に記載の発光素子用基板。前記保護素子がバリスタ素子であることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子用基板。前記第1電極が前記電圧依存抵抗層の基板露出面にて2つに分離されていることを特徴とする、請求項4に記載の発光素子用基板。前記保護素子がバリスタ素子であって、前記第2電極が前記第1電極に対向した状態で前記電圧依存抵抗層の基板埋設面と接するように設けられており、また前記バリスタ素子は前記電圧依存抵抗層の基板埋設面に形成された第2電極を共有する2つのバリスタ素子が直列接続されてなることを特徴とする、請求項7に記載の発光素子用基板。前記分離された2つの第1電極の一方に発光素子の正電極が接続され、該分離された2つの第1電極の他方に該発光素子の負電極が接続されることを特徴とする、請求項7に記載の発光素子用基板。前記基板が相互に材質の異なる下層と上層とから成る2層構造となっており、該上層が前記実装面を規定している層であって、前記電圧依存抵抗層が該上層に埋設されていることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子用基板。請求項1に記載の発光素子用基板と、前記実装面に実装された発光素子とを有して成る発光装置。前記発光素子が、発光面の反対側の面に正電極と負電極とを有するLEDチップであって、該LEDチップが前記実装面上にフリップチップ実装されていることを特徴とする、請求項11に記載の発光装置。電圧依存抵抗層と該電圧依存抵抗層に接続された第1電極と第2電極とを含んでなるバリスタ素子を有する発光素子用基板の製造方法であって、グリーンシートの一方の主面に第2電極前駆体層を形成するA工程と、凸形状金型を前記第2電極前駆体層の上から前記グリーンシートに押し込んで、前記第2電極前駆体層が底面に配された凹部を該グリーンシートに形成するB工程と、前記凹部に電圧依存抵抗層を供するC工程と、前記凹部に電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層が供されたグリーンシートを焼成し、電圧依存抵抗層および第2電極が埋設された基板を得るD工程と、前記基板に金属層を形成した後でパターニングに付し、それによって、前記電圧依存抵抗層と接する第1電極を形成するE工程を含んで成る、発光素子用基板の製造方法。前記AおよびB工程に代えて、グリーンシートの一方の主面に凸形状金型を押し込んで、該グリーンシートの該主面に凹部を形成し、前記C工程では、下面に第2電極前駆体層が形成された電圧依存抵抗層を該凹部に配置することを特徴とする、請求項13に記載の発光素子用基板の製造方法。前記BおよびC工程に代えて、電圧依存抵抗層を前記第2電極前駆体層の上からグリーンシートへと押し込んで、前記凹部を形成しながら該電圧依存抵抗層および該第2電極前駆体層を該凹部に配置することを特徴とする、請求項13に記載の発光素子用基板の製造方法。前記A~C工程に代えて、第2電極前駆体層が形成された電圧依存抵抗層を該第2電極前駆体層が下になるようにグリーンシートへと押し込んで、前記凹部を形成しながら該電圧依存抵抗層および該第2電極前駆体層を該凹部に配置することを特徴とする、請求項13に記載の発光素子用基板の製造方法。前記A~C工程に代えて、前記第2電極を内部に含んだ前記電圧依存抵抗層をグリーンシートの一方の主面に配して、凸形状金型を前記電圧依存抵抗層の上から前記グリーンシートに押し込み、それによって、前記第2電極を内部に含んだ前記電圧依存抵抗層が底面に配された凹部を前記グリーンシートに形成し、また前記D工程では、前記グリーンシートを焼成して前記電圧依存抵抗層および前記第2電極が埋設された基板を得ることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子用基板の製造方法。本発明は上記事情に鑑みて為されたものである。即ち、放熱特性の良い小型LEDパッケージに対するニーズがあることを踏まえ、かかるニーズを好適に満たす発光素子用基板及びそれを備えた発光装置を提供することが本発明の課題である。上記課題を解決するため、本発明は、対向する2つの主面の一方を実装面とし、その実装面に発光素子が実装される発光素子用の基板であって、発光素子用基板には、その基板に埋設された電圧依存抵抗層とその電圧依存抵抗層に電気的に接続された第1電極と第2電極とを含んでなる発光素子用の保護素子が設けられており、発光素子が電圧依存抵抗層に重なるように実装される発光素子用基板が提供される。本発明の発光素子用基板は、発光素子と重なることになるように保護素子の電圧依存抵抗層が埋設されていることを特徴の1つとする。つまり、本発明の発光素子用基板では、保護素子の電圧依存抵抗層が発光素子の実装領域において埋設されていることを特徴の1つとする。本明細書において発光素子とは、光を発する素子であって、例えば発光ダイオードLEDおよびそれらを含む電子部品のことを実質的に意味している。従って、本発明における発光素子は、LEDのベアチップ即ちLEDチップのみならず、基板に実装し易いようにLEDチップがモールドされたディスクリートタイプをも包含した態様を表すものとして用いている。尚、LEDチップに限らず、半導体レーザーチップなども用いることができる。また、本明細書において電圧依存抵抗層とは、その層に印加される電圧値に応じて抵抗が変化するものを実質的に指している。例えば、層を挟む電極間に電圧をかけてゆくと、電圧が低い場合には電気抵抗が高く、更に電圧を上げると急激に電気抵抗が小さくなる層を挙げることができるつまり、電圧-抵抗値の関係が非直線性となった層を意味している。ある態様では電圧依存抵抗層は単一層を成している。更に本明細書において基板とは、発光素子を実装するための基台となるべき部材を実質的に意味している。従って、本発明における基板は、実質的にフラットな板状部材のみならず、LEDチップなどを収納するために主面に凹部が設けられた部材をも包含した態様を表すものとして用いている。ある好適な態様では、電圧依存抵抗層の表面が基板の一方の主面と同一平面上にあって実装面の一部を構成している。つまり、本発明の発光素子用基板では、保護素子の電圧依存抵抗層の上面と基板実装面とが実質的に面一となっている。また、電圧依存抵抗層の表面が他方の主面と同一平面上にあるような態様であってもよい。つまり、保護素子の電圧依存抵抗層の下面と基板背面とが実質的に面一となっていてもよい。ある好適な態様では、電圧依存抵抗層の基板露出面と接するように保護素子の第1電極が設けられており、保護素子の第2電極が第1電極に対向した状態で電圧依存抵抗層の基板埋設面と接するように又は電圧依存抵抗層の内部に含まれるように設けられている。つまり、本発明の発光素子用基板では、保護素子の第1電極が発光素子と接するように基板表面上に設けられている一方、保護素子の第2電極が第1電極に対向するように電圧依存抵抗層と部分的又は全体的に接した状態で基板内部に設けられている。例えば、保護素子の第1電極が発光素子と接するように基板表面上に設けられている一方、保護素子の第2電極が第1電極に対向して電圧依存抵抗層と積み重なるように基板内部にて設けられていてよい。あるいは、保護素子の第1電極が発光素子と接するように基板表面上に設けられている一方、保護素子の第2電極が第1電極に対向して電圧依存抵抗層の内部に包含されるような形態で基板内部に設けられていてよいかかる場合、電圧依存抵抗層の内部に設けられる第2電極は単一である必要はなく、複数であってもかまわない。尚、本明細書にいう電圧依存抵抗層の基板露出面とは、電極依存抵抗層が成す面のうち、基板表面にて露出している面のことを指している。一方、電圧依存抵抗層の基板埋設面とは、電極依存抵抗層が成す面のうち、基板内部に存在している面のことを指している。ある好適な態様では、基板に内部に設けられている第2電極は、基板の一方の主面実装面又は他方の主面実装面と対向する背面と電圧依存抵抗層との間の基板内部領域を貫通するビアホールを介して、基板の一方の主面実装面又は他方の主面実装面と対向する背面に設けられた電極または金属層もしくは該電極と導通した配線パターンに接続されている。かかる態様は、第2電極が貫通電極の形態を有する態様に相当し得る。ある好適な態様では、第1電極が電圧依存抵抗層の表面にて2つに分離されている。つまり、第1電極が電圧依存抵抗層の基板露出面ないしは基板実装面を含んだ基板表面において2つに分離された形態で設けられている。ある好適な態様では、発光素子用の保護素子はバリスタ素子である。かかる場合、バリスタ素子の第1電極が電圧依存抵抗層の表面即ち基板露出面ないしは基板実装面にて2つに分離されており、電圧依存抵抗層の基板埋設面に形成された第2電極を共有するように2つのバリスタ素子が直列接続されてなることが好ましい。つまり、かかる態様では、バリスタ素子がサブバリスタ素子Aとサブバリスタ素子Bとから構成されており、サブバリスタ素子Aの2つの電極の一方の第1電極Aとサブバリスタ素子Bの2つの電極の一方の第1電極Bとが基板実装面の表面に配設されている。その一方、サブバリスタ素子Aの他方の第2電極Aとサブバリスタ素子Bの他方の第2電極Bとが基板内に埋め込まれ、それらが相互に電気的に接続されている特に、基板内に埋め込まれているサブバリスタ素子Aの第2電極Aとサブバリスタ素子Bの第2電極Bとが単一層を成していることが好ましい。このような態様は、2つのバリスタ素子を構成要素として含むことから、ダブルバリスタ構成と称することもできる。上記のようなダブルバリスタ構成では、分離された2つの第1電極の一方に発光素子の正電極が接続され、他方に発光素子の負電極が接続されることが好ましい。これにより、直列接続されて成る2つのバリスタ素子即ちサブバリスタ素子Aおよびサブバリスタ素子Bが発光素子と電気的並列に接続されることになる。ある好適な態様では、発光素子用の保護素子が積層型バリスタ素子となっている。かかる態様であっても、積層型バリスタ素子の電圧依存抵抗層が発光素子の基板実装領域において埋設されている。好ましくは、積層型バリスタ素子の電圧依存抵抗層の表面が基板の一方の主面と同一平面上にあって実装面の一部を成している即ち、積層型バリスタ素子の電圧依存抵抗層の上面と基板実装面とが実質的に面一となっていることが好ましい。ある好適な態様では、基板が相互に材質の異なる下層と上層とから成る2層構造となっている。かかる場合、上層が実装面を規定する層となっており、電圧依存抵抗層が上層に埋設されていることが好ましい。材質の異なる下層および上層は、熱伝導率の相互に異なる下層および上層であることが好ましく、基板の放熱特性の点に鑑みると下層の熱伝導率が上層の熱伝導率よりも高くなっていることが好ましい。例えば、基板の上層材質がガラスセラミックであって、基板の下層材質がアルミナであってよい。あるいは、基板の上層材質がガラスセラミックであって、基板の下層材質が窒化アルミであってもよい。本発明では、上記発光素子用基板を備えた発光装置も提供される。具体的には、上記発光素子用基板と、その実装面に実装された発光素子とを含む発光装置が提供される。ここでいう発光装置とは、実質的には発光素子パッケージ特にLEDパッケージのことを意図しているが、それ以外にも、LEDがアレイ状に複数配列してなる製品なども包含される。本発明の発光装置のある好適な態様では、発光素子が、発光面の反対側の面に正電極と負電極とを有するLEDチップであり、そのLEDチップが基板実装面上にフリップチップ実装されている。更に、本発明では、上記発光素子用基板を製造するための方法も提供される。つまり、電圧依存抵抗層とその電圧依存抵抗層に電気的に接続された第1電極と第2電極とを含んで成るバリスタ素子を有する発光素子用基板の製造方法が提供される。かかる本発明の製造方法は、グリーンシートの一方の主面に第2電極前駆体層を形成するA工程と、凸形状金型を第2電極前駆体層の上からグリーンシートに押し込んで、その第2電極前駆体層が底面に配された凹部をグリーンシートに形成するB工程と、形成された凹部に電圧依存抵抗層を供する、即ち、凹部の底面に配された第2電極前駆体層上に電圧依存抵抗層を配するC工程と凹部に電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層が供されたグリーンシートを焼成し、電圧依存抵抗層および第2電極が埋設された基板を得るD工程と、基板表面に金属層を形成した後でパターニングに付し、それによって、電圧依存抵抗層と接する第1電極を形成するE工程を含んで成る。本発明の製造方法の特徴の1つは、予め形成された電圧依存抵抗層を用いて発光素子用基板を製造することである。これにより、得られる発光素子用基板においては電圧依存抵抗特性が優れたバリスタ素子を得ることができる。本発明の製造方法は種々の変更態様が考えられる。例えば、ある好適な変更態様では、A工程およびB工程に代えて、グリーンシートの一方の主面即ち実装面に凸形状金型を押し込んで、グリーンシートの主面に凹部を形成し、C工程では下面に第2電極前駆体層が形成された電圧依存抵抗層をグリーンシート凹部に配置する。また、別のある好適な変更態様では、BおよびC工程に代えて、電圧依存抵抗層を第2電極前駆体層の上からグリーンシートへと押し込んで、グリーンシートに凹部を形成しながら電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層を凹部に配置する。つまり、電圧依存抵抗層を第2電極前駆体層の上からグリーンシートへと押し込むことによって、電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層をグリーンシート内部に埋め込む。更に別のある好適な変更態様では、A~C工程に代えて、第2電極が形成された電圧依存抵抗層を第2電極前駆体層が下になるようにグリーンシートへと押し込んで、グリーンシートに凹部を形成しながら電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層を凹部に配置する。つまり、第2電極が形成された電圧依存抵抗層を第2電極前駆体層が下になるように上方からグリーンシートへと押し込むことによって、電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層をグリーンシート内部に埋め込む。更に別のある好適な変更態様では、A~C工程に代えて、第2電極を内部に含んだ電圧依存抵抗層をグリーンシートの一方の主面に配して、凸形状金型を電圧依存抵抗層の上からグリーンシートに押し込み、それによって、第2電極を内部に含んだ電圧依存抵抗層が底面に配された凹部をグリーンシートに形成してもよい。かかる場合、D工程では、第2電極を内部に含んだ電圧依存抵抗層が底面に配された凹部を備えたグリーンシートを焼成することによって、電圧依存抵抗層および第2電極が埋設された基板を得ることになる。本発明の発光素子用基板は、保護素子の電圧依存抵抗層が基板の発光素子実装面に重なるように埋設されているので、発光装置例えばLEDパッケージとして全体の小型化が図られている。従って、本発明の発光素子用基板は、照明用途を始め、各種用途での実装にとって好適であり、最終製品の小型化に有効に寄与し得る。また、本発明の発光素子用基板では、保護素子特に大きな容積を占める電圧依存抵抗層と一方の電極を基板上から実質的に省いた構成となっているため、その分だけ他の要素のためのスペースが生み出されている。例えば、基板の実装面などに配設される電極や金属パターンのためのスペースが生み出されている。かかる電極や金属パターンは、熱を発生する発光素子と接続されるものであるところ、その材質は銅などの熱伝導性の高いものであるので、発光素子製品の放熱性に有効に寄与する。本発明では、埋設により生み出されたスペースが存在するために、放熱性に有効に寄与する電極金属パターンのサイズを大きくすることができ、また、例えば電極金属パターン厚さなども厚くすることができるので、発光素子製品全体として放熱特性の向上を効果的に図ることができる。更にいえば、本発明の発光素子用基板では、電圧依存抵抗層を埋設する基板として、セラミック基板などの耐熱性高放熱性に優れた基板を用いることができるので、その点でも放熱特性向上に寄与し得る。本発明の発光素子用基板では、保護素子特にバリスタ素子の電圧依存抵抗層と一方の電極が基板内に埋め込まれているといえども、電圧依存抵抗層を単一層にできるので、基板厚さを特に厚くすることなく保護素子を基板に埋め込むことができる。従って、保護素子が内蔵された発光素子用基板としては薄い基板が実現されているので、発光素子からの熱を外部へとより放散させることができ、その点でも発光素子製品全体の放熱特性が向上し得る。ここで、発光素子特にLEDというものは、一般に高温になると発光効率即ち、駆動電流が光に変換される割合が低くなり輝度が低下してしまうところ、本発明の基板を用いた発光素子製品では、放熱特性に優れているので、発光効率が高く、より高輝度な発光素子製品を実現することができる。また、そのように優れた放熱特性であるので、LEDの動作寿命が向上したり、封止樹脂の熱による変性変色なども効果的に防止できる。以下にて、本発明の発光素子用基板およびその製造方法を詳細に説明する。また、かかる説明に付随する形で本発明の発光装置についても説明する。尚、図面に示す各種の要素は、本発明の理解のために模式的に示したにすぎず、寸法比や外観などは実物と異なり得ることに留意されたい。[本発明の発光素子用基板]本発明の発光素子用基板は、実装される発光素子と重なる基板領域に保護素子の電圧依存抵抗層が埋め込まれている。つまり、図1に示すように、本発明の発光素子用基板100では、その発光素子実装領域25において保護素子の電圧依存抵抗層50が埋設されている。尚、本発明では、発光素子実装領域25と少なくとも部分的にオーバーラップするように電圧依存抵抗層50が埋設されていればよく、電圧依存抵抗層50の一部のみが発光素子実装領域25と重なるような態様であってもよい。発光素子用基板の基板ボディ部10の材質についていうと、特に制限はなく、一般的なLEDパッケージに用いられている基板材質であってよい。しかしながら、発光装置としての放熱特性向上の点では熱伝導率の良好な材料から基板が形成されていることが好ましい。熱伝導率の良好な材料としては、金属、セラミック、複合材料、熱伝導性フィラ―含有樹脂などを挙げることができる。この中でも、セラミックは、熱伝導率が高いだけでなく、熱膨張率が小さいので、発熱する発光素子が実装される基板の材質としては好適である。また、セラミック基板例えばLTCC基板の場合では、グリーンシートの焼成により比較的容易に得ることができるので、その点でもセラミックは本発明の基板材質として好適であるといえる。本発明では、保護素子の電圧依存抵抗層を基板面上に配置するのではなく、基板ボディ10特に発光素子実装領域25の基板ボディに埋設するので、基板サイズが比較的小さくなっている。例えば、本発明の基板を用いて図2に示すようなLEDパッケージ150を得る場合では、図26に示す従来のLEDパッケージ200と比べて、主面サイズ即ち、図中のW寸法L寸法が好ましくは30~70減じられており、より好ましくは40~60減じられている。あくまでも一例であるが具体的な数値でもっていうと、図26に示すような従来の小型LEDパッケージの主面寸法が約2.5~4.0mm×約2.5~4.0mm程度であるのに対して、本発明の基板を用いたLEDパッケージの主面寸法はLED素子と同形状までの約1.0mm×約1.0mm程度となり得る。このように、本発明の発光素子用基板は大きくスケールダウンを実現できているので、かかる基板を備えた発光装置LEDパッケージの小型化が好適に図られる。本発明においては、保護素子が内蔵された発光素子用基板としては薄い基板が実現されている。例えば、本発明の基板を用いて図2に示すLEDパッケージ150を得る場合では、基板ボディ10の厚さは250μm~400μm程度となり得る。このように、比較的薄い基板が実現されているので、本発明の基板を備えた発光装置LEDパッケージでは好適に薄型化が図られる。保護素子の電圧依存抵抗層50は、その層に印加される電圧値に応じて抵抗が変化するものであれば、いずれの材質から成るものであってもよい。保護素子がバリスタ素子である場合、電圧依存抵抗層50は、典型的にはバリスタ材料から成る層である。特にバリスタ材料から成る電圧依存抵抗層では、図2に示すように、電圧依存抵抗層50が単一層の形態を有していてよい。電圧依存抵抗層50が単一層の形態を有していると、基板厚さを特に増すことなく、保護素子を基板に内蔵埋設することができる。電圧依存抵抗層のバリスタ材料としては、特に制限はなく、一般的なチップバリスタとして用いられているものを用いることができる。例えば、バリスタ材料として、酸化亜鉛ZnOやチタン酸ストロンチウムSrTiO3などを主成分とした金属酸化物系の材料を用いることができる。特に、酸化亜鉛ZnOについては、印加電圧の値に応じた抵抗値の変化が大きいので、サージ等から発光素子を保護する能力が高く、本発明における電圧依存抵抗層の素材として好適に用いることができる。電圧依存抵抗層50のサイズは、基板サイズよりも小さいものであれば特に制限はない。つまり、電圧依存抵抗層の幅寸法奥行寸法は、基板の主面寸法よりも小さくなっていることが好ましい。例えば図1に示すような電圧依存抵抗層50の幅寸法wは、基板の幅寸法Wの好ましくは20~70程度、より好ましくは30~60程度である。また、図1に示すような電圧依存抵抗層50の厚さtは、基板厚さTの好ましくは10~50程度、より好ましくは10~40程度である。尚、電圧依存抵抗層の厚みはバリスタ電圧と相関関係を有し得るものである保護素子がバリスタ素子である場合。従って、所望のバリスタ電圧に合わせて電圧依存抵抗層厚みを決定してもよい。例えば、発光素子がLEDである場合においては、所望のバリスタ電圧が約10V以下程度であるので、かかるバリスタ電圧が得られるように電圧依存抵抗層厚みを決定してもよい。また、発光素子の静電気対策を踏まえると、ある程度の静電容量が電圧依存抵抗層バリスタ層に必要とされる。この点、電圧依存抵抗層が薄くなれば静電容量が大きくなるので、所望の静電容量を得ることができるように電圧依存抵抗層厚みを決定してもよい。本発明の基板100では、図3に示すように、好ましくは電圧依存抵抗層50の表面が基板面と同一平面上に位置している。つまり、電圧依存抵抗層50の上面が基板面と面一となるように基板から露出している。そして、この電圧依存抵抗層50の基板露出面と少なくとも部分的にオーバーラップするように発光素子20が実装されることになる。これは、電圧依存抵抗層50の上面の少なくとも一部は、基板の発光素子実装領域にて露出していることを意味している。尚、本発明においては、電圧依存抵抗層50が基板面から露出しているが、その露出面のサイズは比較的小さくなっている。この点につき、好ましくは、電圧依存抵抗層50の露出面は、発光素子の実装面積25よりも小さい面積を有している図1など参照。例えば、電圧依存抵抗層50の露出面積は、発光素子の実装面積25よりも好ましくは20~70程度小さく、より好ましくは30~60程度小さい。このように、発光素子の主面サイズよりも小さい主面サイズとなるように電圧依存抵抗層が基板ボディに面一に埋設されていると、基板材料の焼成時の収縮ストレスの影響が少なくなり、基板の反りを効果的に減じることができるので、発光素子を精度良くフリップチップ実装できる効果が奏される。また、一般的に電圧依存抵抗層の代表例である酸化亜鉛バリスタは抗折強度が弱いため、発光素子の主面サイズよりも小さくすることで、パッケージとして抗折強度を高めることができ、フリップチップ実装の際の加圧ストレスに対して強い構造となる。更に、電圧依存抵抗層というものはそもそも比較的高価なものであるので、必要なバリスタ特性を実質的に損なうことなく低コスト化を図ることもできる。図3に示すように、電圧依存抵抗層50の露出表面基板露出面に対しては、それと電気的に接続される保護素子の第1電極60が設けられ、電圧依存抵抗層50の基板埋設面に対しては、それと電気的に接続される保護素子の第2電極70が第1電極60に対向して設けられる。保護素子の第1電極60および第2電極70は、実質的には保護素子の外部電極を成すものであり、保護素子と発光素子との電気的並列な接続に供され得る。また、そのように保護素子が発光素子と電気的並列に接続して保護機能が奏されるように、第1電極および第2電極は、それぞれ、発光素子電極と直接接続されたり、あるいは、基板に配設された配線パターンパターン金属層などと電気的に接続されたりする。換言すれば、典型的な回路図としては図4に示すようなものとなるように、保護素子の第1電極および第2電極が、必要に応じて基板の配線パターンパターン金属層などと電気的に接続されている。保護素子の第1電極および第2電極の材質は、特に制限なく、常套の保護素子の電極材質として一般的なものであってよい。例えば、保護素子がバリスタ素子である場合、バリスタ素子の第1電極および第2電極の材質は、一般的なバリスタ電極として用いられているものを用いることができる。例示すれば、銀Ag、銅Cu、パラジウムPd、白金PtおよびニッケルNiから成る群から選択される少なくとも1種の金属材料をバリスタ素子の第1電極および第2電極の主たる材質として用いることができる。保護素子の第1電極60および第2電極70のサイズは、特に大きな制限はない。つまり、図示するように、第1電極60が電圧依存抵抗層50の基板露出面と接するように設けられ、第2電極70が第1電極60に対向して電圧依存抵抗層50の基板埋設面と接するように設けられるのであれば、特に制限はない。一例を挙げるとすると、図1に示すような形態では、第1電極60の幅寸法w1は0.2~0.5mm程度、第2電極70の幅寸法w2は0.3~0.5mm程度であってよく、第1電極60の厚さ寸法t1は50~150μm程度、第2電極70の厚さ寸法t2は5~20μm程度であってよい。ここで、本発明の発光素子用基板においては、保護素子特に大きな容積を占める電圧依存抵抗層と第2電極が基板面上から実質的に省かれた構成となっているため、その分だけ他の要素のためのスペースが生み出されている。従って、第1電極60の厚みを大きくすることができ、例えば、第1電極の厚みを50μm~200μm程度、好ましくは60μm~150μm程度、更に好ましくは70μm~125μm程度にすることができる。かかる第1電極は、熱伝導性の高く放熱性に有効に寄与するものであるので、その部分を厚くできれば、発光素子製品の放熱特性向上を効果的に図ることができる。ちなみに、同様に、基板実装面の配線パターンパターン金属層なども厚くすることができ、例えば、その厚みを50μm~200μm程度、好ましくは60μm~150μm程度、更に好ましくは70μm~100μm程度にすることができる。保護素子がバリスタ素子である場合、本発明の発光素子用基板100の構成を図3に示すようなダブルバリスタ構成にすることができる。かかるダブルバリスタ構成では、図示するように、第1電極60が電圧依存抵抗層50の基板露出面にて2つ60a、60bに分離されており、第2電極70が電圧依存抵抗層50の基板埋設面にて2つのサブ電極70aおよび70bを共有するように直列接続されてなる。特に、2つのサブ電極70aおよび70bから構成される第2電極70は、図示するように、単一層の形態を有していることが好ましい。このようなダブルバリスタ構成は、基板の全体構成が比較的シンプルであるにも拘わらず、バリスタ機能を向上させることができるので、パッケージ基板構成として好適である。また、ダブルバリスタ構成では、2つのバリスタ素子が直列接続されてなる構成であるにも拘わらず、かかるバリスタ素子自体は、実質的に基板内部の発光素子実装領域に埋設されているので、LEDパッケージ全体としては好適に小型化薄型化が図られている。また、このようなバリスタ構成を有する基板は、極めて簡単な構造で基板表層に電極を取り出すことができるようになっている点でも特徴を有している。本発明の発光素子用基板を備えた発光装置は、その実装面に実装された発光素子を含んでいる。例えば、発光装置としては、上述の図2に示すようなLEDパッケージ150を挙げることができる。かかるLEDパッケージ150は、発光素子20が発光面の反対側の面に正電極と負電極とを有するLEDチップとなり、そのLEDチップが基板実装面上にフリップチップ実装された表面実装型パッケージ品の形態を有している。LEDチップは、一般的なLEDパッケージに用いられているものを用いることができ、LEDパッケージの用途に応じて適宜選択すればよい。本発明の発光装置LEDパッケージでは、基板に保護素子が好適に組み込まれているので、LEDチップ固有の特性を損なうことなく静電気やサージ電圧からLEDを保護し、また、LED誤作動を防止することができる。図2に示すように、LEDパッケージ150においてはLEDチップ20上に蛍光体層80が形成されている。蛍光体層80は、LEDチップ20からの光を受けて所望の光を発色するものであれば、特に制限はない。つまり、発光素子からの光電磁波との兼ね合いで蛍光体層の蛍光体種類を決定すればよい。例えば、LEDパッケージを照明などの白色LEDパッケージとして用いる場合、LEDチップから発せられる青色発光によって黄色系に発色する蛍光体を蛍光体層が含んでいれば、明るい白色を得ることができる。また、LEDチップから発せられる電磁波が紫外線である場合には、その紫外線によって直接的に白色を発する蛍光体を用いてもよい。図2に示すLEDパッケージ150では、基板に金属層パターン配線層90が配設されている。かかる金属層は、LEDチップに電流を流すためにLEDチップの正極および負極に電気的に接続されていることが好ましく、また、保護素子と発光素子とが電気的並列に接続されるように、保護素子の第1電極および第2電極とも電気的に接続されていることが好ましい。尚、必要に応じて、ビアホールやスルホールなどを介してあるいは基板側面から周り込む金属層を介して、基板表面の金属層と基板裏面の金属層との電気的導通がなされていてもよい。ちなみに、基板裏面の金属層は、他の電子部品への実装に供されたり、あるいは、ヒートシンクとして放熱に供されたりしてよい。図示するように、LEDパッケージ150の発光側においては、封止樹脂30によってLEDチップ20や金属層90が全体的に被覆されている。かかる封止樹脂30は、一般的なLEDパッケージに用いられているものであれば特に制限はなく、例えば透明または乳白色のエポキシ樹脂などであってよい。封止樹脂30は、光利用効率を向上させるために、図示するようなレンズ形状を有していることが好ましい。この他、本発明に係るLEDパッケージ品としては様々な形態のものが考えられる。以下、それについて説明する。電圧依存抵抗層の基板背面埋め込み形態図5に電圧依存抵抗層の基板背面埋め込み形態を有するLEDパッケージ150を示す。図示するように、保護素子例えばバリスタ素子の電圧依存抵抗層50と基板背面とが面一になるように、電圧依存抵抗層50が埋め込まれている。つまり、電圧依存抵抗層50が基板底面と同一平面上にあるように設けられている。第2電極70は、電圧依存抵抗層50の上面と接するように設けられている。かかる形態では、ビアホールやスルホールなどを介してあるいは基板側面から周り込む金属層などを介して基板表面の金属層と基板底面の金属層との電気的導通がなされている。かかる形態であっても、電圧依存抵抗層の基板背面埋め込み形態では、特に発光素子直下に電圧依存抵抗層が埋設される形態より低温で保持されるため、電圧依存抵抗層の温度特性による漏れ電流を抑制することができ、効率が改善できるといった効果が奏され得る。貫通電極形態図6に貫通電極形態を有するLEDパッケージ150を示す。図示するように、基板内部に設けられている第2電極70は、基板背面と電圧依存抵抗層50との間にある基板内部領域を貫通するビアホール95を介して、基板背面の電極や金属層90に接続されている。この貫通電極形態では、特に電圧依存抵抗層が表面に露出しない構成となるため、以降の電極層のAuめっき処理などの際に低抵抗化されることが抑制できるといった効果が奏され得る。また、基板内部に構成し実装面側に取り出す電極と電気的な接続を行うスルーホール形成と同じプロセスで形成できるのでスループットが増加しないといった効果も奏され得る。凹部設置形態図7a~cに凹部設置形態を有するLEDパッケージ150を示す。図示するように、基板主面に形成された凹部15に電圧依存抵抗層50および第2電極70が設けられている。かかる形態は、実質的に上述した形態と同じものであるものの、製造プロセスの相違に起因した特徴を有している。つまり、これまでの形態のLEDパッケージでは、グリーンシート10’に電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’を埋め込んで、それらを焼成して基板を得ているものであるのに対して例えば後述する図8参照、凹部設置形態のLEDパッケージでは、予め凹部15が形成された焼成済み基板を用いている後述する図14参照。従って、凹部設置形態では電圧依存抵抗層50などは熱的影響を実質的に受けておらず、より良好な保護素子特性が得られることになる。ちなみに、図7aが図1~3に相当する態様であり、図7bが図5に相当する態様であり、また、図7cが図5と図6との組合せに相当する態様である。更には、本発明では以下のような態様も可能である。積層型バリスタ内蔵形態図8aに積層型バリスタ内蔵形態を有するLEDパッケージ150を示す。図示するように、電圧依存抵抗層50が実質的に積層したような形態となっている。より具体的には、電圧依存抵抗層50の内部に設けられた複数の内部電極70A1,70A2と、該内部電極70A1,70A2と電気的に接続されるように電圧依存抵抗層50の外部に設けられた外部電極71A1,71A2とが設けられている。かかる場合、内部電極70A1,70A2が本発明にいう第2電極に相当する。この積層型バリスタ内蔵形態では、図8bに示すようなチップバリスタを基板に埋設することを通じて得ることができる。積層型バリスタゆえに、電極面積が大きいので、静電気耐量が大きい点で利点がある。ちなみに、特に図8cに示されるように、第1電極60の表面にはNi薄層105とAu薄層106が設けられている。これは、製造プロセスに起因したものであり、第1電極や銅配線の形成に際してNi薄層105およびAu薄層106をレジストとして用いることに起因している詳細は図20を参照して後述する。第2電極の電圧依存抵抗層埋め込み形態図9に第2電極の電圧依存抵抗層埋め込み形態を有するLEDパッケージ150を示す。かかる態様は、図示するように、第2電極70が電圧依存抵抗層50の内部に埋設される態様である。つまり、第1電極60は電圧依存抵抗層50の基板露出面と接するように設けられている一方、第2電極70は電圧依存抵抗層50の内部に含まれている態様であってもよい。かかる態様であってもダブルバリスタ構成が可能である。図示するように、第1電極60が電圧依存抵抗層50の基板露出面にて2つ60a、60bに分離されている一方、第2電極70が電圧依存抵抗層50の内部にて2つのサブ電極70aおよび70bを共有するように直列接続されてなる2つのサブ電極70aおよび70bから構成される第2電極70は、図示するように単一層の形態を有していることが好ましい。このように第2電極70が電圧依存抵抗層50の内部に含まれている態様では、基板材料の拡散に起因したバリスタ特性の劣化防止を効果的に図ることができる。また、実質的にダブルバリスタのバリスタ電圧を小さくでき、静電容量も大きくできるといった効果も奏され得る。かかる電圧依存抵抗層50の内部に埋設された第2電極70は、1つである必要はなく、複数設けてもよいちなみに、複数の一態様が、上記の積層型バリスタ内蔵形態に相当し得る。異種セラミック基板形態図10に異種セラミック基板形態を有するLEDパッケージ150を示す。かかる態様は、基板ボディが複数の異なる材質層から構成されている態様である。図示される態様では、上層10Aおよび下層10Bの2層構造となっており、電圧依存抵抗層50が存在する上層10Aが低温焼成材層例えばガラスセラミック基板層から成る一方、下層10Bが高温焼成材層例えばアルミナ基板または窒化アルミ基板から成る。かかる場合、上層の低温焼成材層10Aは、例えば約900°Cの低温焼成で得られたものであり、電圧依存抵抗層50即ち、バリスタの基板内蔵の点で好ましい一方、下層の高温焼成材層は高伝導性を達成できるようになっており、放熱特性の優れた基板が実現されるガラスセラミック基板層の熱伝導率:3~5W/mK、アルミナ基板層の熱伝導率:10~20W/mK、窒化アルミ基板層の熱伝導率:100~230W/mK。図10に示される異種基板例えば上層/下層がガラスセラミック基板層/アルミナ基板層となった異種基板は、焼成済みのアルミナ基板上に低温焼成セラミック基板LTCCから成るグリーンシートが積層された構成に対してバリスタ焼結体を埋設することによって得ることができる。図示される態様では、第2電極70が電圧依存抵抗層50の内部に埋設されていると共に、第1電極60の表面にはNi薄層105とAu薄層106が設けられている図10b参照。[本発明の発光素子用基板の製造方法]次に、本発明の発光素子用基板の製造方法について説明する。図11a~fに本発明の製造方法を実施するためのプロセスを示している。以下で説明する製造方法は電圧依存抵抗層とその電圧依存抵抗層に電気的に接続された第1電極と第2電極とを含んで成るバリスタ素子を備えた発光素子用基板を製造する方法を前提とする。まず、図11aに示すように、基板を構成するためのグリーンシート10’の一方の主面に第2電極前駆体層70’を形成する。例えば、Ag電極ペーストを塗布して乾燥に付すことによって第2電極前駆体層70’を得ることができる。次いで、図11bに示すように、凸形状金型42を用いて第2電極前駆体層70’をグリーンシート内部へと押し込んで、グリーンシート10’に対して凹部15を形成しつつ、第2電極前駆体層70’が凹部15の底面に配された状態とする。次いで、図11cに示すように、電圧依存抵抗層50を載せたキャリアフィルム47を用いて、電圧依存抵抗層50をグリーンシート10’の凹部15に配する。より具体的には、凹部15の第2電極前駆体層70’に積み重ねるように電圧依存抵抗層50を配する。次いで、第2電極前駆体層70’および電圧依存抵抗層50が凹部15に供されたグリーンシート10’を焼成する。これによって、図11dに示すように、電圧依存抵抗層50および第2電極70が埋設された基板10を得ることができる焼成に起因して第2電極70が第2電極前駆体層70’から形成されることになる。尚、かかる焼成には、特開平4-243978号公報や特開平5-102666号公報に記載されているような焼成時の収縮を減じた方法で行うことが好ましい。これにより、電圧依存抵抗層50および第2電極70が精度良く埋設された基板10を得ることができる。特に焼成時の収縮を減じた方法では、平面方向の収縮が抑制され、厚み方向だけが収縮するという格別の効果がある。例えば従来のグリーンシート焼成法では15程度の収縮がX-Y-Z方向で生じるが、前述の焼成時の収縮を減じた方法では、平面方向X-Yがほぼゼロ約0.05程度であり、厚み方向Zだけが約40程度収縮する。本発明の製造方法は焼結済みの電圧依存抵抗体を用いる特徴を有している。仮に従来のグリーンシート焼成法でもって焼結済み電圧依存抵抗体を含むグリーンシートを焼成する場合を想定してみると、焼結できない電圧依存抵抗体の領域と焼結できる電圧依存抵抗体以外の領域との間で焼結収縮差が生じ、基板そりやクラックが発生してしまうことが懸念される。この点に鑑みると、本発明にて焼成時の収縮を減じた方法を採用すると、そもそも平面方向の収縮がないために基板そりやクラックの発生はないといった格別な効果が奏されることになる。上記焼結処理に引き続いて、図11eに示すように基板10の主面に金属層90を形成した後、図11fに示すようにその金属層90をパターニングに付すことによって、電圧依存抵抗層50と接する第1電極60を形成する。以上の工程を経ることによって、本発明の発光素子用基板100を最終的に得ることができる。尚、確認的に、上記グリーンシートの焼結に好適に採用できる無収縮焼結法について説明しておく。無収縮焼結法を用いると、特に平面方向の収縮が減じられた基板を得ることができる。従って、かかる焼結方法を本発明の製造方法のD工程において応用すれば、電圧依存抵抗層50および第2電極70が比較的精度良く埋設された基板10を好適に得ることができる。例えば平5-102666号公報に開示された無収縮焼結法の概要は以下の通りである:ガラスセラミック低温焼結基板材料に少なくとも有機バインダ、可塑剤を含むグリーンシートを作製し、導体ペースト組成物で電極パターンを形成し、前記生シートと別の電極パターン形成済みグリーンシートとを所望枚数積層する。しかる後、前記低温焼結ガラスセラミックよりなるグリーンシート積層体の両面もしくは片面に、前記ガラスセラミック低温焼結基板材料の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなるグリーンシートで挟み込むように積層し、前記積層体を焼成する。しかる後、焼結しない無機組成物を取り除くことにより焼成時の収縮が平面方向で起こらないガラスセラミック基板を得ることができる本発明の発光素子用基板100を用いて、LEDパッケージ品などの発光装置を得る場合では、金属層90のパターニングにより得られた基板表面側の配線パターンと電気的に接続されるように、LEDチップなどの発光素子を実装する。かかるLEDチップの実装は、GGI工法により行うことが好ましい。GGIGoldtoGoldInterconnectionTechnology工法とは、フリップチップ実装の一種であって、LEDチップ上の金パッド上に形成した金バンプと、基板上に形成した金パッドとを熱圧着によって接合する工法である。かかるGGI工法では、はんだバンプを使用しないのでリフローやフラックス洗浄が省ける点で利点があるだけでなく、高温での信頼性が高いなどの点でも利点がある。GGI工法では荷重や熱の他に必要に応じて超音波などを用いて金溶融を行ってもよい。LEDチップを実装した後は、蛍光体層などの必要な要素を形成し、封止樹脂によって発光素子、蛍光体層や配線などを全体的に封止することによって、図2に示すような発光装置を得ることができる。本発明の製造方法においては、焼成済みの電圧依存抵抗層を用いることができる具体的には、キャリアフィルム47に載せる電圧依存抵抗層50として、予め焼成処理されたものを用いることができる。従って、電圧依存抵抗層50がその後のグリーンシートの焼成による影響を受けにくくなり特に、焼成時にて電圧依存抵抗層50がグリーンシート10’から化学的な悪影響を受けにくくなり、バリスタ素子の特性として高いものを維持できる。電圧依存抵抗層材料として一般的なものには酸化亜鉛型バリスタがある。かかる酸化亜鉛型バリスタは、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化コバルトおよび/または酸化マンガンなどを約0.5~約1.0モルパーセント添加したものを焼成することによって得ることができる。かかる場合、焼成温度は約1200°C~約1350°Cの範囲が一般的である。一方低温焼成ガラスセラミック基板LTCCは、約900°C程度で焼成される。かかる事項を踏まえると、本発明においては、焼結済みの電圧依存抵抗層を用いて約900°C程度で焼成するため、電圧依存抵抗層はLTCCの焼結に影響されにくく高いバリスタ特性を維持できることが理解できるであろう。ここで、高いバリスタ特性とは、制限電圧特性が優れているおよびLED駆動時にバリスタへと流れるもれ電流が少ないことを特に意味している。ちなみに、制限電圧特性が優れているとは、常時印加されることになる電圧とその変動に対して安定しており、かつ予測されるサージ電圧に対してもLEDの耐圧以下に抑制できることを特に意味している。尚、電圧依存抵抗層50に載せたキャリアフィルム47の製造方法については、図12a~dに示している。まず、電圧依存抵抗層形成用のグリーンシート50’を用意し図12a参照、それを焼成して電圧依存抵抗層50を形成する図12b参照。次いで、図12cに示すように、電圧依存抵抗層50とキャリアシート47とを貼り合わせることによって、電圧依存抵抗層50に載せたキャリアフィルム47を得ることができるちなみに、複数の電圧依存抵抗層50を基板に埋め込む場合には、図12dのような形態に電圧依存抵抗層50を加工してもよい。また、電圧依存抵抗層形成用のグリーンシート50’を所望の厚みになるように複数枚積層した後、薄いカッターで所望の寸法に押切って複数の未焼結状態の電圧依存抵抗層を作製し、次いで、それら複数の未焼結状態の電圧依存抵抗層を焼成し、キャリアフィルム上に整列させる手法であっても良い。本発明の製造方法は種々の変更態様が可能である。以下、それについて説明する。直接プレス型1図13a~eに直接プレス型1の製造プロセス態様を模式的に示す。かかる直接プレス型のプロセスでは、グリーンシート10’の一方の主面に第2電極前駆体層70’を形成した後、図13aに示すように、キャリアフィルム47に載せた電圧依存抵抗層50を第2電極前駆体層70’の上からグリーンシート内部に向かって押し込む。これにより、図13bに示すように、凹部を形成しながらその凹部に電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’を配置する。換言すれば、外力によって電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’をグリーンシート10’に埋め込む。以後は、上述の製造方法と同様、グリーンシート10’の焼成により電圧依存抵抗層50および第2電極70が埋設された基板10を得て図13c参照、金属層90を形成して図13d参照、その金属層90をパターニングして図13e参照、電圧依存抵抗層50と接する第1電極60を形成する。直接プレス型2図14a~eに直接プレス型2の製造プロセス態様を模式的に示す。かかる直接プレス型2のプロセスでは、図14aに示すように、キャリアフィルム47に載せた電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’を用いるかかる部分の製造プロセスは図15a~dを参照のこと。電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’を載せたキャリアフィルム47を第2電極前駆体層70’が下側になるようにしてグリーンシートの内部に向かって押し込む。これにより、図14bに示すように、凹部を形成しながらその凹部に電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’を配置する。即ち、外力によって電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’をグリーンシート10’に埋め込む。以後は、上述の製造方法と同様、グリーンシート10’の焼成により電圧依存抵抗層50および第2電極70が埋設された基板10を得て図14c参照、金属層90を形成して図14d参照、その金属層90をパターニングして図14e参照、電圧依存抵抗層50と接する第1電極60を形成する。凹部配置型図16a~eに凹部配置型の製造プロセス態様を模式的に示す。かかる態様は、図16aに示すように、予め凹部15が形成されたグリーンシート10’を用いることを特徴としている。予め凹部15が形成されたグリーンシート10’は、グリーンシート10’の主面に凸形状金型を押し込むことによって形成することができる。そして、図16bに示すように、キャリアフィルム47に載せた電圧依存抵抗層50および第2電極前駆体層70’をグリーンシート10’の凹部15に配置する。以後は、上述の製造方法と同様、グリーンシート10’の焼成により電圧依存抵抗層50および第2電極70が埋設された基板10を得て図16c参照、金属層90を形成して図16d参照、その金属層90をパターニングして図16e参照、電圧依存抵抗層50と接する第1電極60を形成する。焼成済み凹部基板型図17aおよびbに焼成済み凹部基板型の製造プロセス態様を模式的に示す。かかる態様は、予め凹部が形成された焼成済みの基板を用いることを特徴としている。このような基板10を用いれば、図17aおよびbに示すように、原則、第2電極前駆体層70’および電圧依存抵抗層50をその凹部15に配して、第2電極を形成する熱処理のみを施すことによって、本発明の発光素子用基板を得ることができる。また、第2電極前駆体層70’の代わりに、予め焼成済みの第2電極70を凹部15に配すことによっても発光素子用基板を得ることができる。かかる場合には特に、凹部に配された電圧依存抵抗層50は熱の影響を受けないので、高いバリスタ特性を好適に維持できる。かかる態様では、必要に応じてガラス封止処理を施してもよい。電極包含抵抗層の利用型上記の図11~17で示したような製造プロセスは、積層型バリスタなどの第2電極が内部に含まれた電圧依存抵抗層を備えた発光素子用基板を得る場合でも適用することができる。例えば、図18aおよびbに示すように、第2電極70を内部に含んだ電圧依存抵抗層50をグリーンシート10’の一方の主面に配した後、凸形状金型42を用いて第2電極70を内部に含んだ電圧依存抵抗層50をグリーンシート内部へと押し込んで、グリーンシート10’に対して凹部を形成しつつ、第2電極70を内部に含んだ電圧依存抵抗層50が凹部の底面に配された状態としてよい。以後は、上述の製造方法と同様、グリーンシートの焼成により電圧依存抵抗層および第2電極が埋設された基板を得る。そして、金属層を形成した後、その金属層をパターニングして電圧依存抵抗層と接する第1電極を形成する。このような製造プロセスでは、埋設に先立って保護素子の性能検査即ち、バリスタの性能検査を行うことができるので、基板製造における歩留りが向上し得る。また、このような製造プロセスでは、予め別途で焼成して得られたバリスタを用いることができるので、上述したように最終的な発光用基板において高いバリスタ特性を得ることもできる。バリスタというものは、グリーンシートの焼成温度よりも高い温度でもって焼成して得る方が所望のバリスタ特性を呈し得る。それゆえ、バリスタをグリーンシートの焼成に際して得るよりも、所望の温度で予め焼成して得られたバリスタを用いてグリーンシートの焼成を行った方がバリスタ形成時の不十分な焼成焼け不足を回避でき、その結果、最終的な発光素子用基板において所望のバリスタ特性を達成できるようになる。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、あくまでも典型例を例示したに過ぎない。従って、本発明はこれに限定されず、種々の態様が考えられる。例えば以下の態様が考えられる。上記では、電圧依存抵抗層が単一となった基板を製造する態様を前提として製造方法を説明してきたものの、本発明は必ずしもかかる態様に限定されない。例えば、電圧依存抵抗層がアレイ状に複数配列して埋設された基板、即ち、発光素子がアレイ状に複数配列して埋設された基板を得る場合であっても、これまで説明してきた製造プロセスと同様のプロセスでもって製造することができる。例えば図19a~fに示すようなプロセスで製造することができる。図19はLTCC上にセミアディティブ法で銅配線を形成する手法の一例である。図19aは複数の電圧依存抵抗層を面一に埋設した状態を示しており、この基板全体をPd触媒液に浸し乾燥の後、無電解ニッケルめっきを全体に行う図19b参照。このように全体を薄く金属層で無電解めっきする手法の他に、金属銅や金属ニッケル、又は金属ニッケルとクロムの合金などをスパッタして形成することも可能である。このようにして形成した金属ニッケル層上に、以降電解銅めっきを施したくない部分に図19cのようにフォトリソグラフィー法によりフォトレジストを形成する。フォトレジストは基板全面レジストを塗布した後、マスクパターン露光、レジスト現像処理を行うことによって形成できる。フォトレジスト層の厚みは所望の銅電極の厚みである60μm以上であることが望ましい。次いで、先に形成したニッケル層を共通電極とし、図19dに示すように電解銅めっきにより厚い銅層を形成する。次いで、図19eのようにレジストを剥離し、図19fで全面を薄くエッチングすることで、銅表面と下地のニッケル層を除去して完成する。本方法によれば厚い銅電極が得られ、かつ微細な電極間隙間を形成することができる。LED素子をフリップチップ実装する際、電極間距離は素子の小型化と相俟って60μm以下の寸法が望まれており、放熱性を考慮すると、電極厚みも60μm以上必要であるので、そのような寸法の電極及び電極間距離を実現する上で、図19で示すようなプロセスは重要なプロセスである。また、図20a~hに示すようなプロセスで製造することも可能である。かかるプロセスは、電圧依存抵抗層にとって負荷の少ないやさしいプロセスである。図20aは電圧依存抵抗層50を面一に埋設した状態を示しており、この状態の基板10に対してスパッタ法でもってTi薄膜101例えば約60nmの膜厚のTi層を形成すると共に、その上に同様にスパッタ法でCu薄膜102例えば約300nmの膜厚のCu層を形成する図20b参照。下地層となるTi薄膜101は接着強度維持層およびセラミック基板10の保護層エッチング液、メッキ液からの保護として機能し得る一方、Cu薄膜102は、以後に行う電解銅めっきのための低抵抗な共通電極として機能し得る。次いで、電解銅めっきを施したくない部分にフォトリソグラフィー法によりフォトレジスト103を形成する図20c参照。フォトレジストは、基板全面レジストを塗布した後、マスクパターン露光、レジスト現像処理を行うことによって形成できる。次いで、先行して形成したCu薄膜102を共通電極とし、図20dに示すように電解銅めっきにより厚い銅層104を形成する。電解銅めっきに引き続いて、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを行い、図20eに示すようにNiめっき層105およびAuめっき層106を形成する。かかるNi層105およびAu層106の形成は、電解めっき法で得ることができるので、低コストで行うことができる。次いで、図20fに示すようにフォトレジスト103を剥離する。そして、Ni層105およびAu層106をレジストとして用いることによって、スパッタ法で形成したTi薄膜101およびCu薄膜102を部分的にエッチング除去することによって完成となる図20gおよび図20h参照。かかるプロセスによれば、Ti薄膜101を除去する最後の工程まで電圧依存抵抗層50がアルカリ溶液や酸溶液に触れることがない。この点、電圧依存抵抗層バリスタは酸アルカリに弱いところ、Ti薄膜の除去自体はpH7前後のソフトなエッチング液を使用するので、本プロセスは電圧依存抵抗層にとって負荷の少ないやさしいプロセスとなる。更に言えば、上記プロセスは、積層バリスタ内蔵基板チップバリスタ基板に対しても適用することができる。かかる場合のプロセスを図21a~hに示す。図21aはチップ部品のバリスタが面一に埋設した状態を示している。このようなチップバリスタ内蔵基板10に対してスパッタ法でもってTi薄膜101例えば約60nmの膜厚のTi層を形成すると共に、その上に同様にスパッタ法でCu薄膜102例えば約300nmの膜厚のCu層を形成する図21b参照。下地層となるTi薄膜101は接着強度維持層およびセラミック基板10の保護層エッチング液、メッキ液からの保護として機能し得る一方、Cu薄膜102は、以後に行う電解銅めっきのための低抵抗な共通電極として機能し得る。次いで、電解銅めっきを施したくない部分にフォトリソグラフィー法によりフォトレジスト103を形成する図21c参照。フォトレジストは、基板全面レジストを塗布した後、マスクパターン露光、レジスト現像処理を行うことで形成できる。次いで、先行して形成したCu薄膜102を共通電極とし、図21dに示すように電解銅めっきによって厚い銅層104を形成する。電解銅めっきに引き続いて、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを行い、図21eに示すようにNiめっき層105およびAuめっき層106を形成する。かかるNi層105およびAu層106の形成は、電解めっき法で得ることができるので、低コストで行うことができる。次いで、図21fに示すようにフォトレジスト103を剥離する。そして、Ni層105およびAu層106をレジストとして用いることによって、スパッタ法で形成したTi薄膜101およびCu薄膜102を部分的にエッチング除去することによって完成となる図21gおよび図21h参照。かかるプロセスによれば、Ti薄膜101を除去する最後の工程までチップバリスタがアルカリ溶液や酸溶液に触れることがない。この点、チップバリスタは酸アルカリに弱いところ、Ti薄膜の除去自体はpH7前後のソフトなエッチング液を使用するので、本プロセスもチップバリスタにとって負荷の少ないやさしいプロセスとなる。●上記では、キャリアフィルムに載せる電圧依存抵抗層が単一層となった態様に触れたものの、本発明は必ずしもかかる態様に限定されない。例えば、図22に示すような態様であってもよい。これについて述べると次のようになる。酸化亜鉛バリスタ用のグリーンシートを用いて、所定の厚みになるように複数のバリスタ用グリーンシートを積層し、個片に押し切り例えば、かみそりの刃状のカッターを押し当ててフィルムの上のグリーンシートだけカットする、それによって、個片化したグリーンシートを得る。そして、個片化したグリーンシートを例えば約10万個程度集めて焼成し、キャリアフィルムに整列させる。あるいは、積層の後、電極印刷した後に、カット、焼成を行ってもよい。更には、電極印刷せず個片で焼成した後で整列後電極印刷、焼付けを行ってもよい。●上記では、発光素子の直ぐ真下の基板領域に電圧依存抵抗層を埋設する態様を主に前提として製造方法を説明してきたものの、本発明は必ずしもかかる態様に限定されない。例えば、図23に示すように、発光素子20の実装領域と少なくとも部分的にオーバーラップするように電圧依存抵抗層50が埋設されていてもよい。かかる態様では、熱を発する発光素子の直ぐ下方にサーマルビア94を形成することができ、放熱特性の優れた基板を実現することができる。●また、上記では、基板が異種基板となる場合では、上層と下層とから成る2層構造の基板について説明してきたものの、本発明は必ずしもかかる態様に限定されない。つまり、本発明の基板としては、相互に材質の異なる2層よりも多い複数層から成る基板例えば、3層構造ないしは4層構造であってもよく、これによっても同様に放熱特性の優れた基板を実現することができる。最後に、図24に示すLEDパッケージを例にとって、その例示態様における本発明の特徴を下記に示しておく:複雑な積層型酸化亜鉛バリスタが不要となり、接続箇所やビアホールなどを省略できるので小型化と低コストが実現できる。焼結済の酸化亜鉛バリスタを利用できるので、高いバリスタ特性を得ることができる。LEDと共通の電極端子として銅電極が利用でき、かつダイレクトに酸化亜鉛バリスタ表面電極となり、放熱性に優れたパッケージ構成が比較的シンプルである。酸化亜鉛バリスタの電極とLED実装用電極が実質的に共用できる。酸化亜鉛バリスタはパッケージ基板の表面側、裏面側のどちらにも設けることができる。確認的に、本発明は下記の態様を有するものであることを付言しておく。第1態様:対向する2つの主面の一方を実装面とし、その実装面に発光素子が実装される発光素子用の基板であって、発光素子用基板には、その基板に埋設された電圧依存抵抗層と該電圧依存抵抗層に接続された第1電極と第2電極とを含んでなる発光素子用の保護素子が設けられており、発光素子が電圧依存抵抗層に重なるように実装される発光素子用基板。第2態様:上記第1態様において、電圧依存抵抗層の表面が基板の一方の主面実装面と同一平面上にあって実装面の一部を構成していることを特徴とする発光素子用基板。第3態様:上記第1態様において、電圧依存抵抗層の表面が基板の他方の主面即ち、実装面と対向する基板主面と同一平面上にあることを特徴とする発光素子用基板。第4態様:上記第2態様または第3態様において、第1電極が電圧依存抵抗層の基板露出面と接するように設けられており、第2電極が第1電極に対向した状態で電圧依存抵抗層の基板埋設面と接している又は電圧依存抵抗層の内部に含まれていることを特徴とする発光素子用基板。第5態様:上記第4態様において、第2電極が電圧依存抵抗層の基板埋設面と接するように設けられており、また、第2電極は、一方の主面実装面又はその主面と対向する他方の主面と電圧依存抵抗層との間の基板部分を貫通するビアホールを介して前記一方の主面又は前記他方の主面に設けられた電極又は金属層に接続されていることを特徴とする発光素子用基板。第6態様:上記の第1態様~第5態様のいずれかにおいて、保護素子がバリスタ素子であることを特徴とする発光素子用基板。第7態様:上記第6態様において、バリスタ素子が積層バリスタ素子またはチップバリスタであることを特徴とする発光素子用基板。第8態様:上記第1態様~第7態様のいずれかにおいて、第1電極が、電圧依存抵抗層の基板露出面と接するように2つに分離された状態で設けられていることを特徴とする発光素子用基板。第9態様:上記第4態様または第5態様に従属する上記第6態様において、第1電極が電圧依存抵抗層の基板露出面にて2つに分離された状態で設けられ、第2電極が前記電圧依存抵抗層の基板埋設面と接するように設けられており、バリスタ素子は電圧依存抵抗層の基板埋設面に形成された第2電極を共有する2つのバリスタ素子が直列接続されてなることを特徴とする発光素子用基板。第10態様:上記第8態様において、分離された2つの第1電極の一方に発光素子の正電極が接続され、分離された2つの第1電極の他方に発光素子の負電極が接続されることを特徴とする発光素子用基板。第11態様:上記の第1態様~第10態様のいずれかにおいて、基板が相互に材質の異なる下層と上層とから成る2層構造となっており、2層構造の上層が実装面を規定している層であって電圧依存抵抗層が上層に埋設されていることを特徴とする発光素子用基板。第12態様:上記の第1態様~第11態様のいずれかの発光素子用基板と、その実装面に実装された発光素子とを有して成る発光装置。第13態様:上記第12態様において、発光素子が、発光面の反対側の面に正電極と負電極とを有するLEDチップであって、そのLEDチップが実装面上にフリップチップ実装されたことを特徴とする発光装置。第14態様:電圧依存抵抗層とその電圧依存抵抗層に接続された第1電極と第2電極とを含んでなるバリスタ素子を有する発光素子用基板の製造方法であって、グリーンシートの一方の主面実装面に第2電極前駆体層を形成するA工程と、凸形状金型を第2電極前駆体層の上からグリーンシートに押し込んで、第2電極前駆体層が底面に配された凹部を該グリーンシートに形成するB工程と、凹部に電圧依存抵抗層を供する、特に、凹部に配された第2電極前駆体層の上に電圧依存抵抗層を供するC工程と、凹部に電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層が供されたグリーンシートを焼成し、電圧依存抵抗層および第2電極が埋設された基板を得るD工程と、基板に金属層を形成した後でパターニングに付し、それによって、電圧依存抵抗層と接する第1電極を形成するE工程を含んで成る発光素子用基板の製造方法。第15態様:上記第14態様において、前記AおよびB工程に代えて、グリーンシートの一方の主面に凸形状金型を押し込んで、グリーンシートの主面実装面に凹部を形成し、前記C工程では、下面に第2電極前駆体層が形成された電圧依存抵抗層を凹部に配置することを特徴とする発光素子用基板の製造方法。第16態様:上記第14態様において、前記BおよびC工程に代えて、電圧依存抵抗層を第2電極前駆体層の上からグリーンシートへと押し込んでより具体的には、グリーンシート上に配された第2電極前駆体層の上に電圧依存抵抗層が位置するような形態で電圧依存抵抗層をグリーンシートへと押し込んで、凹部を形成しながら電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層を凹部に配置することを特徴とする発光素子用基板の製造方法。第17態様:上記第14態様において、前記A~C工程に代えて、第2電極前駆体層が形成された電圧依存抵抗層を第2電極前駆体層が下になるようにグリーンシートへと押し込んで、凹部を形成しながら電圧依存抵抗層および第2電極前駆体層を凹部に配置することを特徴とする発光素子用基板の製造方法。第18態様:上記第14態様において、前記A~C工程に代えて、第2電極を内部に含んた電圧依存抵抗層をグリーンシートの一方の主面に配して、凸形状金型を電圧依存抵抗層の上からグリーンシートに押し込み、それによって、第2電極を内部に含んた電圧依存抵抗層が底面に配された凹部を前記グリーンシートに形成し、また前記D工程では、グリーンシートを焼成して電圧依存抵抗層および第2電極が埋設された基板を得ることを特徴とする発光素子用基板の製造方法。本発明の効果を確認するために実証試験を行った。《バリスタ特性確認試験》発光素子用基板の内部に埋設された電圧依存抵抗層の特性を確認するため、図8cで示される基板を作製し、チップバリスタのセラミック基板への内蔵前後におけるバリスタ特性を比較した。チップバリスタとしては0.6mm×0.3mm×0.3mm長さ×幅×厚みのチップバリスタを用いた。かかるチップバリスタは、内部にAgPd=80/20mol/を主成分とする内部電極が2層構成されており、内部電極と酸化亜鉛バリスタのグリーンシートを積層一体化した構成となっていた。これを個片にカットし1250°Cで2時間の焼成を行った。チップバリスタの両端子にはAg/Pd電極Ag/Pd=90/10molを900°Cの温度条件により焼付けを行って設けた。内蔵前のバリスタ特性を評価したグラフを図25に示す。図25において、内蔵前の特性が△で表わされている一方、内蔵後内蔵に際しては900°Cで焼成を行ったの特性が□で表わされている。図25のグラフから分かるように、内蔵前では電流1μAのときのバリスタ電圧は約10Vであるのに対して、内蔵後も同様にバリスタ電圧は約10Vとなっていた。このように、内蔵前後でほとんどのバリスタ特性の変化がないことが判った。特定の理論に拘束されるわけではないが、1250°Cの高温で焼成したバリスタを900°Cの低温で焼成したことに起因して、不要な材料拡散が抑えられ、特性の変化が無かったからであると考えられる。このように、焼成済みのバリスタを基板表層に内蔵できる本願発明は、極めて良好な内蔵バリスタを実現できることが分かった。《基板の放熱特性確認試験》本発明のような電圧依存抵抗層が内蔵されたセラミック基板の放熱特性について確認試験を行った。具体的には、ケースAとして図9の形態電圧依存抵抗層の内部に第2電極を有する構成における基板の熱抵抗評価を行うと共に、ケースBとして図10の形態上層/下層がセラミック基板層/窒化アルミ基板層となった異種形態、および、上層/下層がセラミック基板層/アルミナ基板層となった異種形態における基板の熱抵抗評価を行った。ケースAガラスセラミックよりなるグリーンシートと、電圧依存性抵抗層の焼結体とを積層し、900°Cで1時間空気中の焼成に付した。ガラスセラミックグリーンシートは焼成後の厚みがT=400μmであって、内蔵した電圧依存性抵抗層のサイズはw0.5mm角であり、内部の電極第2電極のサイズはw2=350μm角であった。バリスタ電圧の基準となる内部の第2電極の上面とガラスセラミック基板の表面までの距離tは20μmであったT、w、w2およびtについては図1参照のこと。このような電圧依存性抵抗層が複数積層焼成一体化したガラスセラミック基板の表層に対して、図21で示されるプロセスを実施することによって、図26に示すような銅電極パターンを形成した。このようにして得られた銅電極の厚みt1は70μmであった。次いで、その銅電極の表層に対してNiメッキめっき厚さ5μmおよびAuメッキめっき厚さ:0.5μmを施した。尚、ガラスセラミックの熱伝導度は3.5W/mK、電圧依存性抵抗層の熱伝導は25W/mKであった。作製された電圧依存性抵抗層を有するガラスセラミック基板に対してLEDチップをフリップチップ実装した。LEDのチップサイズは0.5mm角のものを使用した。かかるLEDチップにおいては30μm高さのAuバンプを複数本形成しバンプ断面積のチップサイズに占める割合は40、70μm厚みの第1電極Cuに更にNi-Auメッキ膜を形成に対して超音波法で実装した。実装に際してはLEDチップおよび第1電極間に封止樹脂を供給して熱硬化に付した。実装後、蛍光体層をLEDチップに塗布して形成した後、レンズを一体成型した。最終的にはそれぞれを2.0mm角の個片にカットして完成とした。このようにして得られたLEDパッケージでは、配線パターンの基板面積に占める割合は約80となっており、LEDチップの発熱が銅電極により速やかに横方向に拡散し、断面積を増大させた上で基板から放熱される。得られたLEDパッケージにおける基板の熱抵抗値を測定した。測定方法は、LEDでは消費される全ての電力が熱に変換されず、光に変換される分があるので、LEDの代わりに同じ形状のSiダイオードチップを用いて測定した。即ち、ダイオードに一定の低電流を流し、そのダイオード電圧を測定した。温度測定は、基板下面の温度を測定し、ダイオード電圧の温度依存性からダイオードのジャンクション温度を求め、基板下部の実装温度との差異から、熱抵抗を求めた。その結果、上記LEDパッケージにおいては、熱抵抗がRth14.02°C/Wとなり、放熱特性が優れたパッケージとなっていることが判った。ケースBケースBにおいては、LEDパッケージの基板が異種基板上層/下層がセラミック基板層/窒化アルミ基板層となった基板、および、上層/下層がセラミック基板層/アルミナ基板層となった異種形態となった場合の熱抵抗評価を上記ケースAと同様に検討した。具体的には、下層の基板が熱伝導度18W/mKの96アルミナ基板層となったパッケージ基板、及び、下層の基板が熱伝導度170W/mkの窒化アルミ基板層AlNとなったパッケージ基板について熱抵抗評価を行った。基板全体の厚みはケースAと同じ400μmとした。具体的には、電圧依存性抵抗層を内蔵したガラスセラミック層を100μm、96アルミナ基板層および窒化アルミ基板層を300μmとした。作成方法としては、既に焼成済みのアルミナ板及び窒化アルミ板をそれぞれ準備し、約200μm厚みのガラスセラミックグリーンシートを用い、焼成済みの電圧依存性抵抗層を表層に内蔵して、900°Cで焼成を行った。その他はケースAと同様に行うことによってLEDパッケージを得た。得られたLEDパッケージにおける基板の熱抵抗値をケースAと同様に測定した。その結果、96アルミナとガラスセラミックとを一体化した異種基板の構成では熱抵抗値Rthが10.36°C/Wであり、窒化アルミAlNとガラスセラミックとを一体化した異種基板の構成では熱抵抗値Rthが6.38°C/Wであった。このように異種基板を用いた場合では、ケースAよりも熱抵抗値が30から55改善されることが判った。これは、同じ電力を供給した場合を想定すると30~55も発熱を抑えることができることを意味している。このように異種基板が用いられたLEDパッケージでは放熱特性がより優れることが判った。尚、ケースBの異種基板の場合においては、ガラスセラミックよりも強度の高いアルミナや窒化アルミが用いられた基板となっているので、放熱特性が優れるだけでなく抗折強度が高く構造面でも優れたパッケージとなっていた。"