"少なくとも1つのイオンのエネルギーをガス中の少なくとも1つのガス粒子に伝達するエネルギー伝達および/またはイオン輸送装置1200であって、ガス粒子を含むガスを内部に含有する容器1201であって、輸送軸線1205および所定形状を有することを特徴とする容器1201、および前記容器1201の前記輸送軸線1205に沿って配置した少なくとも1つの第1多重極ユニット1202A~1202Vおよび少なくとも1つの第2多重極ユニット1202A~1202V、を備える装置において、前記第1多重極ユニット1202A~1202Vは、前記容器1201の前記所定形状に整合させた第1プリント回路基板であって、第1多重極交流電場を発生する第1プリント回路基板電極を有する第1プリント回路基板により構成され、前記第2多重極ユニット1202A~1202Vは、前記容器1201の前記所定形状に整合させた第2プリント回路基板であって、第2多重極交流電場を発生する第2プリント回路基板電極を有する第2プリント回路基板により構成され、前記装置1200は、前記容器1201の前記輸送軸線1205に沿って電位勾配を生成する少なくとも1つの電子回路1209を有し、それぞれの点に関連した電位が前記輸送軸線1205上の各点に印加される、装置。請求項1に記載の装置1200において、前記第1多重極ユニット1202A~1202Vは、第1四重極交流電場を発生させる第1四重極ユニットとして構成し、前記第2多重極ユニット1202A~1202Vは、第2四重極交流電場を発生させる第2四重極ユニットとして構成した、装置。請求項1または2に記載の装置1200において、前記第1プリント回路基板および/または前記第2プリント回路基板は、可撓材料で形成した、装置。請求項1~3のいずれか一項に記載の装置1200において、前記第1プリント回路基板および前記第2プリント回路基板は、単一プリント回路基板で形成し、前記単一プリント回路基板はセグメント化され、少なくとも1つの第1セグメント1202A~1202Vおよび少なくとも1つの第2セグメント1202A~1202Vを有し、前記第1セグメント1202A~1202Vは前記第1多重極ユニットを構成し、前記第2セグメント1202A~1202Vは前記第2多重極ユニットを構成する、装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の装置1200において、前記容器1201は、少なくとも1つの内部領域壁部により境界される内部領域1206を有し、前記第1多重極ユニット1202A~1202Vおよび前記第2多重極ユニット1202A~1202Vは、前記内部領域壁部上に配置された、装置。請求項5に記載の装置1200において、前記内部領域は半径KRを有する円形であり、前記第1多重極ユニット1202A~1202Vおよび/または前記第2多重極ユニット1202A~1202Vは、前記輸送軸線1205方向に長手方向長さを有し、該長手方向長さは前記半径KRに相当する、装置。請求項1~6のいずれか一項に記載の装置1200において、前記容器1201は、第1端部1207および第2端部を有し、前記第1端部1207は、イオンの吸入口および第1圧段1100を備え、前記第2端部は、イオンの排出口および第2圧段1312を備える、装置。請求項1~7のいずれか一項に記載の装置1200において、該装置1200は、次の特徴、すなわち、前記容器1201の前記輸送軸線1205方向における長手方向長さは100mmから500mmの範囲にあること、前記容器1201の前記輸送軸線1205方向における長手方向長さは200mmから400mmの範囲にあること、または、前記容器1201の前記輸送軸線1205方向における長手方向長さは350mmであること、という特徴のうち少なくとも1つを有する、装置。請求項6~8のいずれか一項に記載の装置1200において、該装置1200は、次の特徴、すなわち、前記半径KRは、2mmから50mmの範囲にあること、前記半径KRは、8mmから20mmの範囲にあること、前記半径KRは、9mmから12mmの範囲にあること、または前記半径KRは、10mm、9mm、または8mmであること、という特徴のうち少なくとも1つを有する、装置。輸送軸線1307、および前記輸送軸線1307に沿って配置した少なくとも1つの第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313L並びに少なくとも1つの第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313L、を備える、少なくとも一つのイオンを輸送する装置1300であって、前記第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、第1多重極交流電場を発生させる第1プリント回路基板電極を有する第1プリント回路基板により形成し、該第1プリント回路基板は第1貫通口1302を有し、前記第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、第2多重極交流電場を発生させる第2プリント回路基板電極を有する第2プリント回路基板により形成し、該第2プリント回路基板は第2貫通口1302を有し、前記輸送軸線は、第1貫通口および第2貫通口を貫通して延在し、前記装置1300は、前記第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313L上に第1電位を発生させ、前記第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313L上に第2電位を発生させる、少なくとも1つの電子回路1324を有し、前記第1電位および前記第2電位は所定の値とすることができる、装置。請求項10に記載の装置1300において、該装置1300は、次の特徴、すなわち、前記第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、第1四重極交流電場を発生させる第1四重極デバイスとして構成すること、または前記第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、第2四重極交流電場を発生させる第2四重極デバイスとして構成すること、という特徴のうち少なくとも1つを有する、装置。請求項10または11に記載の装置1300において、該装置1300は、次の特徴、すなわち、前記第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、少なくとも1つの第1双曲電極、少なくとも1つの第2双曲電極、少なくとも1つの第3双曲電極、および少なくとも1つの第4双曲電極を有すること、または前記第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、少なくとも1つの第5双曲電極、少なくとも1つの第6双曲電極、少なくとも1つの第7双曲電極、および少なくとも1つの第8双曲電極を有すること、という特徴のうち少なくとも1つを有する、装置。請求項12に記載の装置1300において、該装置1300は、次の特徴、すなわち、前記第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、少なくとも1つの第9双曲電極、少なくとも1つの第10双曲電極、少なくとも1つの第11曲型電極、および少なくとも1つの第12双曲電極を有すること、または、前記第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、少なくとも1つの第13双曲電極、少なくとも1つの第14双曲電極、少なくとも1つの第15曲型電極、および少なくとも1つの第16双曲電極を有すること、という特徴のうち少なくとも1つを有する、装置。請求項10~13のいずれか一項に記載の装置1300であって、該装置1300は、次の特徴、すなわち、前記第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lはディスク状であること、または、前記第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lはディスク状であること、という特徴のうち少なくとも1つを有する、装置。請求項10~14のいずれか一項に記載の装置1300において、該装置1300は、少なくとも1つの第3多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313L、特には、第3四重極デバイス、および少なくとも1つの第4多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313L、特には、第4四重極デバイスを備え、前記第1多重極デバイス1301,1308A,1308B,1312,1313A~1313Lは、前記第3多重極デバイス1301,1308A,1308B,1313A~1313Lと並列に接続され、前記第2多重極デバイス1301,1308A,1308B,1313A~1313L、前記第4多重極デバイス1301,1308A,1308B,1313A~1313Lと並列に接続される、装置。粒子ビーム装置1であって、試料チャンバ49、前記試料チャンバ49内に配置した試料16、少なくとも1つの第1粒子ビームカラム2であって、第1粒子ビームを生成する第1ビーム発生器27および該第1粒子ビームを前記試料16上に集束する第1対物レンズ31を有することを特徴とする、少なくとも1つの第1粒子ビームカラム、前記試料16から放出される二次イオンを生成する少なくとも1つの手段2,1500,1500A,1500B、前記二次イオンを捕集する少なくとも1つの捕集装置1100、請求項1~9のいずれか一項に記載の少なくとも1つの装置1200および/または請求項10~15のいずれか一項に記載の装置1300、および二次イオンを分析する分析ユニット1400、を備える、粒子ビーム装置。請求項16に記載の粒子ビーム装置1において、前記分析ユニット1400は質量分析計として構成される、粒子ビーム装置。請求項16または17に記載の粒子ビーム装置1において、前記分析ユニット1400は、請求項10~15のいずれか一項に記載の前記装置1300に、連結素子1001を用いて、取り外し可能に取り付けられる、粒子ビーム装置。請求項16~18のいずれか一項に記載の粒子ビーム装置1において、該粒子ビーム装置1はレーザユニット1500,1500A,1500Bを備える、粒子ビーム装置。請求項19に記載の粒子ビーム装置1において、二次イオンを生成する前記手段は、前記レーザユニット1500,1500A,1500Bを含む、粒子ビーム装置。請求項16~20のいずれか一項に記載の粒子ビーム装置1において、請求項1~9のいずれか一項に記載の装置1200上、請求項10~15のいずれか一項に記載の装置1300上、または前記分析ユニット1400上に、二次イオンを生成する前記手段が配置される、粒子ビーム装置。請求項16~20のいずれか一項に記載の粒子ビーム装置1において、該粒子ビーム装置1は少なくとも1つの第2粒子ビームカラム3を備え、前記第2粒子ビームカラム3は、第2粒子ビームを生成する第2ビーム発生器6および該第2粒子ビームを前記試料16上に集束する第2対物レンズ18を備える、粒子ビーム装置。請求項22に記載の粒子ビーム装置1において、該粒子ビーム装置1は、次の特徴、すなわち、前記第2粒子ビームカラム3を電子ビームカラムとして構成し、前記第1粒子ビームカラム2をイオンビームカラムとして構成したこと、または、前記第1粒子ビームカラムをイオンビームカラムとして構成し、前記第2粒子ビームカラムをイオンビームカラムとして構成したこと、という特徴のうちの1つを有する、粒子ビーム装置。したがって、本発明は、イオンのエネルギーを少なくとも1つのガス粒子に伝達する装置および/またはイオン輸送する装置であって、設計が簡素で各素子の接続が容易である装置を明示することを目的とする。本発明は、また、このような装置を有する粒子ビーム装置を明示することを目的とする。本発明によれば、上記の目的は、請求項1に記載の特徴を有する装置により達成される。本発明によるさらなる装置は、請求項10に記載の特徴により定義される。本発明による粒子ビーム装置は、請求項16に記載の特徴により定義される。本発明のさらなる特徴は、以下の発明の詳細な説明、特許請求の範囲、および/または添付の図面により明らかになるであろう。本発明による装置であって、請求項1に記載の装置は、少なくとも1つのイオンのエネルギーをガス中の少なくとも1つのガス粒子に伝達する装置である。さらに、本発明による装置はイオンを輸送する装置である。本発明による装置は、ガス粒子を有するガスを内部に存在する容器を備える。さらに、この容器は、所定形状を有し、輸送軸線、例えば、長手方向軸線を有する。さらに、本発明による装置には、少なくとも1つの第1多重極ユニット、例えば、第1四重極ユニット、および少なくとも1つの第2多重極ユニット、例えば、第2四重極ユニットを設け、これら第1多重極ユニットおよび第2多重極ユニットを容器の輸送軸線に沿って配置する。第1多重極ユニットは、容器の所定形状に整合させた第1プリント回路基板であって、第1多重極交流電場、例えば、第1四重極交流電場を発生する第1プリント回路基板電極を有する第1プリント回路基板により構成する。プリント回路基板電極は、したがって、第1多重極交流電場を発生するように駆動される。さらに、第2多重極ユニットは、容器の所定形状に整合させた第2プリント回路基板であって、第2多重極交流電場、例えば、第2四重極交流電場を発生する第1プリント回路基板電極を有する第1プリント回路基板により構成する。例として、第1多重極交流電場および第2多重極交流電場は同一である。さらに、少なくとも1つの電子回路を本発明による装置に設け、容器の輸送軸線に沿って電位勾配を生成する。ここで、それぞれの点に関連した電位を輸送軸線上の各点に印加する。この電位は、第1プリント回路基板電極および第2プリント回路基板電極の長手方向長さに沿って一定である。本発明による装置の動作および効果を以下に説明する。まず、イオンを生成する。例えば、試料から二次イオンが放出される。このイオン生成は、例えば、イオンビームを試料上に、例えば約10-6mbar10-4Paの高真空条件下において、集束することにより行う。続いて、これらのイオンを容器内に導入し、その運動エネルギーの一部を衝突によりガス粒子に伝達する。二次イオンを断片に分裂する断片化することもでき、その結果、二次イオンから同様にエネルギーが抽出される。衝突速度を十分大きくしてエネルギーを減少させるため、例えば、容器内を約5×10-3mbar5×10-1Paの低真空とする。容器内におけるガスの分圧が高くなるにつれ、衝突速度が速くなり、したがって、イオンからガス粒子にエネルギーを伝達する能力も高くなる。容器を通過した後も、イオンはまだ熱エネルギーを有している。イオンの運動エネルギーを、一方では径方向成分に、他方では軸方向成分に分割することができる。径方向成分により、イオンは、容器の長手方向軸線に対してそれぞれ互いに放射状に分散される。この分散を、第1多重極ユニット、例えば、第1四重極ユニット、および第2多重極ユニット、例えば、第2四重極ユニットにより減少させる。第1多重極ユニットおよび第2多重極ユニットにより、イオンは容器の長手方向軸線周囲の径方向領域に蓄積される。原則として、第1多重極ユニットおよび第2多重極ユニットはポールトラップのように作用する。イオンがガス粒子と衝突することにより、運動エネルギーの径方向成分が減少し、したがって、既に述べたように、マクロ振動の振幅が減少し、イオンは容器の輸送軸線上に集束する。運動エネルギーの軸方向成分により、イオンは容器の輸送軸線に沿って分析ユニットの方向へ容器を確実に通過する。しかしながら、上記の衝突により、運動エネルギーの軸方向成分も減少し、その結果、いくつかのイオンはエネルギーが不十分となり容器を完全に通過して分析ユニットまで到達することができなくなる。したがって、容器上に電位勾配を生成する。電位勾配により、イオンは分析ユニットの方へ軸方向に移動する。電位勾配は、電位が分析ユニットの方へ向かって継続的に減少するように設計し、容器の一端部における領域においては、分析ユニットに向けた電位井戸を設ける。イオンは容器を通過し、この過程で、エネルギーをガス粒子に伝達し、最後に電位井戸に滞留する。第1多重極交流電場、例えば、第1四重極交流電場、および第2多重極交流電場、例えば、第2四重極交流電場は、第1プリント回路基板および第2プリント回路基板により電気的に生成する。既に上述したように、本発明によれば、例えば、第1多重極交流電場および第2多重極交流電場を同一とする。本発明による装置において、設計が簡易であり、その各要素の接続が容易に可能であることが有利である。第1プリント回路基板上および第2プリント回路基板上の個々の要素の回路接続は、第1プリント回路基板および第2プリント回路基板に配設した導体トラックを介して行う。例えば、4つの第1プリント回路基板電極を第1プリント回路基板上で用いることができ、および/または4つの第2プリント回路基板電極を第2プリント回路基板上で用いることができる。その他の実施形態においては、5つ以上の第1プリント回路基板電極および/または5つ以上の第2プリント回路基板電極、例えば、8つ、または16の第1プリント回路基板電極および/または8つまたは16の第2プリント回路基板電極を用いることができる。本発明による装置は、その回路構成および製造が簡易なため、従来よりも安価である。本発明による装置の一実施形態によれば、追加または代案として、第1プリント回路基板および/または第2プリント回路基板を可曲性の可撓材料により形成する。例えば、第1回路基板および第2プリント回路基板のうち少なくとも一方のプリント回路基板をエポキシ樹脂、セラミック、またはプラスチックにより製造する。しかしながら、本発明は、可曲性の可撓材料に限定されない。実際には、任意の適切な材料を用いることができる。本発明による装置の一実施形態によれば、追加または代案として、第1プリント回路基板および第2プリント回路基板を個々のすなわち、単一のプリント回路基板により形成する。さらに、この単一のプリント回路基板はセグメント化され、少なくとも1つの第1セグメントおよび少なくとも1つの第2セグメントを有する。第1セグメントは、第1多重極ユニット、例えば、第1四重極ユニットを構成する。さらに、第2セグメントは、第2多重極ユニット、例えば、第2四重極ユニットを構成する。したがって、本発明はセグメント構成とすることもできる。第1プリント回路基板および第2プリント回路基板の構成上、容器の内部領域のコア径を相当大きく選択することが常に可能であることがわかった。これらの利点を以下により詳細にさらに説明する。本発明によれば、容器の内部領域における空き領域が、従来の四重極ユニットを棒電極として構成したシステムにおいて用いられる容器の内部領域における空き領域よりも大幅に大きい。内部領域の空き領域が大きいことにより、マクロ振動の大きいイオンおよびミクロ振動の大きいイオンも、多重極ユニットに当たることなく、確実に蓄積することができる。本発明の場合、各多重極ユニットを、輸送軸線からある距離を隔てた複数のプリント回路基板電極から構成することもできる。したがって、従来と同じ最大外形寸法を有する容器を用いても、本発明によれば、容器の内部領域を、イオンが自由伝播することのできる半径コア径を有する広域とすることができる。本発明による装置のさらなる実施形態によれば、この追加または代案として、容器は、少なくとも1つの内部領域壁部により境界される内部領域を有する。さらに、第1多重極ユニット、例えば、第1四重極ユニット、および第2多重極ユニット、例えば、第2四重極ユニットを、内部領域壁部に取り付ける。本発明による装置のさらに別の実施形態によれば、追加または代案として、内部領域は半径コア径を有する円形とする。第1多重極ユニットおよび/または第2多重極ユニットは、輸送軸線方向に長手方向長さを有し、この長さは半径に相当、または、ほぼ相当する。第1多重極ユニットおよび第2多重極ユニットはセグメントとして構成する。上述したように、個々のセグメントの長さはコア径に適応させる必要がある。コア径は、従来の装置のコア径よりも大きく選択できるため、輸送軸線上の所定の距離にわたって配置すべき必要なセグメントの数が減少する。これが、本発明のさらなる利点である。ここで、本発明は円形の内部領域を有する容器に限定されないことを明示的に述べる。実際には、内部領域の幾何学的形状ジオメトリは、本発明に適した任意の形状とすることができる。例えば、内部領域を略矩形とすることもできる。本発明による装置の一実施形態によれば、追加または代案として、容器は第1端部および第2端部を有する。第1端部は、イオンの吸入口および第1圧段を有する。さらに、第2端部は、イオンの排出口および第2圧段を有する。この場合、圧段とは、第1圧力領域を第2圧力領域から分離するための装置を意味する。これら圧段を設けることは、本発明による装置にとって有利である。なぜなら、装置の容器内の圧力は、イオンを生成または分析する領域の圧力よりも大幅に高いからである。本発明の装置のさらなる実施形態によれば、追加または代案として、装置は、次の特徴、すなわち、容器の輸送軸線方向における長手方向長さは100mmから500mmの範囲にあること、容器の輸送軸線方向における長手方向長さは200mmから400mmの範囲にあること、または、容器の輸送軸線方向における長手方向長さは350mmであること、という特徴のうち少なくとも1つを有する。本発明による装置のさらに別の実施形態によれば、追加または代案として、装置は、次の特徴、すなわち、コア径が2mmから50mmの範囲にあること、コア径が8mmから20mmの範囲にあること、コア径が9mmから12mmの範囲にあること、またはコア径が10mm、9mm、または8mmであること、という特徴のうち少なくとも1つを有する。本発明は、また、請求項10に記載の特徴を有するさらなる装置に関する。この装置はイオン輸送に用いられ、したがって、本明細書における以下の記載において輸送装置とも称する。輸送装置は、輸送軸線、例えば、長手方向軸線を有する。さらに、少なくとも1つの第1多重極デバイス、例えば、第1四重極デバイス、および少なくとも1つの第2多重極デバイス、例えば、第2四重極デバイスを設け、これらデバイスを輸送軸線に沿って配置する。第1多重極デバイス、例えば、第1四重極デバイスは、第1多重極交流電場、例えば、第1四重極交流電場を発生させる第1プリント回路基板電極を有する第1プリント回路基板により構成する。さらに、第2四重極デバイスは、第2多重極交流電場、例えば、第2四重極交流電場を発生させる第2プリント回路基板電極を有する第2プリント回路基板により構成する。第1多重極交流電場および第2多重極交流電場は同一とすることができる。本発明による輸送装置の第1プリント回路基板は第1貫通口を有する。さらに、本発明による輸送装置の第2プリント回路基板は第2貫通口を有する。輸送軸線は第1貫通口および第2貫通口を貫通して延在する。特に、第1プリント回路基板および第2プリント回路基板の一方、またはその両方は、輸送装置の輸送軸線に対して直角に配置した表面を有する。さらに、例えば、第1プリント回路基板および第2プリント回路基板は互いに積層して配置される。さらに、本発明による輸送装置は、第1電位を第1多重極デバイス上、例えば、第1四重極デバイス上に生成し、第2電位を第2多重極デバイス上、例えば、第2四重極デバイス上に生成する少なくとも1つの電子回路を有する。この場合、第1電位および第2電位は所定値とすることができる。本発明による上記の輸送装置が特に適しているのは、エネルギーをイオンからガス粒子に伝達した後に熱エネルギーに制動したイオンを、分析ユニットに輸送することである。特に、本発明による輸送装置によれば、電位井戸内に滞留したイオンを確実に分析ユニットに輸送することができる。このイオン輸送は、電位井戸を容器の輸送軸線に沿って軸方向に移動することにより行う。第1電位および第2電位により電位井戸を移動させるが、これらの電位はあらかじめ適切に決定することができる。このような輸送方法においては、イオンに運動エネルギーが供給されることがない。イオンは、輸送軸線に対し、軸方向および径方向の両方に集束されたままとなる。これにより、イオンを分析ユニットに容易に注入できる。輸送装置のさらなる実施形態によれば、追加または代案として、第1多重極デバイスは、少なくとも1つの第1双曲電極、少なくとも1つの第2双曲電極、少なくとも1つの第3双曲電極、および少なくとも1つの第4双曲電極を備える。この追加または代案として、第2多重極デバイスは、少なくとも1つの第5双曲電極、少なくとも1つの第6双曲電極、少なくとも1つの第7双曲電極、および少なくとも1つの第8双曲電極を備える。この追加または代案として、第1多重極デバイスは、少なくとも1つの第9双曲電極、少なくとも1つの第10双曲電極、少なくとも1つの第11双曲電極、および少なくとも1つの第12双曲電極を備える。さらに、この追加または代案として、第2多重極デバイスは、少なくとも1つの第13双曲電極、少なくとも1つの第14双曲電極、少なくとも1つの第15双曲電極、および少なくとも1つの第16双曲電極を備える。しかしながら、輸送装置は上記の実施形態に限定されない。実際には、第1多重極デバイスおよび第2多重極デバイスは、本発明による輸送装置に適した任意の方法で設計することができる。追加または代案として、上記輸送装置のさらに別の実施形態において、第1多重極デバイスはディスク状である。この場合、ディスク状の設計とは、第1プリント回路基板電極を、輸送曲線に対して直角に配置した平面構造により構成したことを意味する。第1多重極デバイスは輸送軸線に沿って所定の長さを有する。この追加または代案として、第2多重極デバイスはディスク状である。ディスク状の設計に関しては、上記箇所を参照されたい。輸送装置のさらに別の実施形態において、追加または代案として、輸送装置は、少なくとも1つの第3多重極デバイス、例えば、第3四重極デバイス、および少なくとも1つの第4多重極デバイス、例えば、第4四重極デバイスを有する。例として、第3多重極デバイスは、第3多重極交流電場を発生させる第3プリント回路基板電極を有する第3プリント回路基板により構成する。さらに、第4多重極デバイスは、第4多重極交流電場を発生させる第4プリント回路基板電極を有する第4プリント回路基板により構成する。さらに、第1多重極デバイスは第3多重極デバイスと並列接続する。さらに、第2多重極デバイスは第4多重極デバイスと並列接続する。並列接続することで、容器内に、イオンが滞留した電位井戸の波ができる。上記のプリント回路基板電極を適切に駆動することにより、各電位井戸は軸方向に周期的に移動する。本発明は、また、請求項16に記載の特徴を有する粒子ビーム装置に関する。本発明による粒子ビーム装置は、内部に試料を配置した試料チャンバを有する。さらに、粒子ビーム装置は、少なくとも1つの第1粒子ビームカラムを備え、第1粒子ビームカラムは、第1粒子ビームを生成する第1ビーム発生器、第1粒子ビームを試料上に集束する第1対物レンズを有する。さらに、試料から放出される二次イオンを生成する少なくとも1つの手段、および二次イオンを捕集する少なくとも1つの捕集装置を、粒子ビーム装置上に設ける。捕集装置を用いて、二次イオンを少なくとも1つの分析ユニットの方へ通過させて二次イオンを分析する。さらに、本発明による粒子ビーム装置は、上記の特徴のうち少なくとも1つの特徴、または上記の特徴のうち少なくとも2つの特徴の組み合わせを有する上記の装置のうち少なくとも1つの装置を有する。例として、本発明による粒子ビーム装置において、第1粒子ビームカラムは、二次イオンを生成する手段を構成し、イオンビームカラムとして構成される。しかしながら、以下により詳細にさらに説明するように、本発明はこれに限定されない。本発明による粒子ビーム装置の一実施形態において、分析ユニットは、追加または代案として、質量分析計として、例えば、飛行時間形質量分析計またはイオントラップ質量分析計として構成する。特に、分析ユニットは、追加または代案として、上記装置のうちの一つの実施形態のうちの1つに、連結デバイスを介して取り外し可能に取り付ける。したがって、分析ユニットは交換可能な設計とすることができる。本発明による粒子ビーム装置のさらなる実施形態において、粒子ビーム装置は、追加または代案として、レーザユニットを備える。例として、二次イオンを生成する手段はレーザユニットを含む。レーザユニットは、第1粒子ビームカラムの追加または代替として設けることができ、二次イオンを発生する。本発明による粒子ビーム装置のさらに別の実施形態によれば、追加または代案として、二次イオンを生成する手段を上記装置のうちの1つの装置に取り付ける。例えば、レーザユニットを上記装置のうちの1つの装置に取り付けてレーザビームが上記装置のうちの少なくとも1つを通過して試料にまで達するようにする。この追加または代案として、二次イオンを生成する手段、例えば、レーザユニットを、分析ユニットに取り付けることができる。本発明による粒子ビーム装置のさらに別の実施形態において、追加または代案として、第2粒子ビームカラムを設け、第2粒子ビームカラムは、第2粒子ビームを生成する第2ビーム発生器および第2粒子ビームを試料上に集束する第2対物レンズを有する。特に、第2粒子ビームカラムは電子ビームカラムとして構成し、第1粒子ビームカラムをイオンビームカラムとして構成する。この代案として、第2粒子ビームカラムをイオンビームカラムとして構成することができ、第1粒子ビームカラムを電子ビームカラムとして構成することができる。さらなる代替的な実施形態においては、第1粒子ビームカラムおよび第2粒子ビームカラムはどちらもそれぞれイオンビームカラムとして構成する。以下に、本発明を、例示的な実施形態および図面に基づき、さらに詳細に説明する。図1は、本発明による粒子ビーム装置の一実施形態を示す概略図である。粒子ビーム装置1は、イオンビームカラムとして構成した第1粒子ビームカラム2、および電子ビームカラムとして構成した第2粒子ビームカラム3を有する。第1粒子ビームカラム2および第2粒子ビームカラム3は、内部に検査対象試料16を配置した試料チャンバ49に取り付ける。本発明は、第1粒子ビームカラム2をイオンビームカラムとして構成し、第2粒子ビームカラム3を電子ビームカラムとして構成することに限定されないことを明示的に述べておく。実際には、本発明において、第1粒子ビームカラム2を電子ビームカラムとして構成し、第2粒子ビームカラム3をイオンビームカラムとして構成することもできる。本発明のさらなる実施形態においては、第1粒子ビームカラム2および第2粒子ビームカラム3の両方をイオンビームカラムとして構成する。図2は、図1に示す粒子ビーム装置1を詳細に示す図である。明瞭に図示するため、試料チャンバ49は図示していない。イオンビームカラムとして構成した第1粒子ビームカラム2は第1光軸4を有する。さらに、電子ビームカラムとして構成した第2粒子ビームカラム3は第2光軸5を有する。以下に、まず、電子ビームカラムとして構成した第2粒子ビームカラム3について説明する。第2粒子ビームカラム3は、第2ビーム発生器6、第1電極7、第2電極8、および第3電極9を有する。例として、第2ビーム発生器6は、熱電界エミッタである。第1電極7は抑制電極としての機能し、一方、第2電極8は抽出電極として機能する。第3電極9は陽極であるとともに、ビーム案内管10の一端部を形成する。第2ビーム発生器6は、第2粒子ビームを電子ビームとして生成する。第2ビーム発生器6から出射された電子は、第2ビーム発生器6と第3電極9との間の電位差により、陽極電位に加速される。この電位差は、例えば、1kVから30kVまでの範囲内である。電子ビームとしての第2粒子ビームは、ビーム案内管10を通過し、検査対象の試料16上に集束される。これについては、以下により詳細に説明する。ビーム案内管10は、第1環状コイル12およびヨーク13を有するコリメータ装置11を貫通する。第2ビーム発生器6から試料16の方向に見て、コリメータ装置11に続き、ピンホールダイアフラム14および検出器15を、ビーム案内管10内に第2光軸5に沿って配置する。第1検出器は中央開口17を有する。その後、ビーム案内管10は、第2対物レンズ18の孔を貫通する。第2対物レンズ18により、第2粒子ビームを試料16上に集束する。この目的のため、第2対物レンズ18は磁気レンズ19および静電レンズ20を有する。磁気レンズ19には、第2環状コイル21、内側磁極片22、および外側磁極片23を設ける。静電レンズ20は、ビーム案内管10の端部24および終端電極25を有する。ビーム案内管10の端部24は終端電極25とともに静電減速装置を形成する。ビーム案内管10の端部24およびビーム案内管10は、ともに陽極電位にあり、一方、終端電極25および試料16の電位は陽極電位よりも低い。このような構成により、第2粒子ビーム中の電子を、試料16を検査する際に必要な所望のエネルギーレベルに制動することができる。第2粒子ビームカラム3は、さらに、ラスタ手段26を有し、このラスタ手段により第2粒子ビームを偏向して、試料16上をラスタ状に走査することができる。結像のため、ビーム案内管10内に配置した検出器15により、第2粒子ビームと試料16との間の相互作用により生じる二次電子および/または後方散乱電子を検出する。検出器15が発生する信号を電子装置図示せずに送信し、結像を行う。試料16を試料ステージ図示せずに配置することにより、試料16は、互いに直交する3本の軸線具体的には、x軸線、y軸線、およびz軸線上を移動可能に配置される。さらに、試料ステージは、互いに直行する2本の回転軸を中心に回転させることができる。したがって、試料16を所望の位置に移動することが可能である。既述のように、第1粒子ビームカラム2はイオンビームカラムとして構成される。第1粒子ビームカラム2は、イオン源として構成した第1ビーム発生器27を備える。第1ビーム発生器27により、第1粒子ビームをイオンビームとして生成する。さらに、第1粒子ビームカラム2には、抽出電極28およびコリメータ29を設ける。コリメータ29に続いて、試料16の方向に第1光軸4に沿って可変アパーチャ30を設ける。集束レンズとして構成した第1対物レンズ31により、第1粒子ビームを試料16上に集束する。ラスタ電極32を設けて、第1粒子ビームで試料16上をラスタ状に走査するようにする。第1粒子ビームが試料16に達すると、第1粒子ビームは試料16の成分と相互作用する。この過程で、第1相互作用粒子、特に、二次イオンが生じ、試料16から放出される。ここで、これら第1相互作用粒子を粒子分析装置1000により検出し測定する。図3は、粒子分析装置1000の概略側面図である。粒子分析装置1000は、抽出ユニット1100として構成した捕集装置、エネルギー伝達装置1200、イオン輸送装置1300、および分析ユニット1400を備える。エネルギー伝達装置は、具体的には、第1相互作用粒子例えば、二次イオンから中性ガス粒子にエネルギーを伝達するものである。イオン輸送ユニット1300および分析ユニット1400は、連結素子1001を介して試料チャンバ49に取り外し可能に取り付ける。このような構成により、異なる分析ユニットを使用することができる。以下に、粒子分析装置1000の個々のユニットをより詳細に説明する。図4は、図2に示す領域、具体的には、試料16の領域をより詳細に示す概略図である。図4において、抽出ユニット1100、および試料16の領域に配置した第1粒子ビームカラム2の端部を示す。二次イオンは、試料16から外側に向かう半球領域の全域にわたって放出され、その運動エネルギーは不均一、すなわち運動エネルギーは分散している。十分な数の二次イオンを測定できるようにするため、抽出ユニット1100により二次イオンを粒子分析装置1000内に注入する。抽出ユニット1100は、第1中空体として構成した第1引き出し電極1136を備える。この第1引き出し電極1136には、第1吸入口1139および第1キャビティ1135を設ける。第2中空体として構成した第2引き出し電極1137を第1キャビティ1135内に配置する。第2引き出し電極は、第2吸入口1140および第2キャビティ1138を有する。ここに示した例示的な実施形態において、試料16の領域に配置した第1粒子ビームカラム2の端部には制御電極41を設ける。制御電極41は、第1粒子ビームカラム2を部分的に、または、完全に包囲するように設ける。さらに、制御電極41は、第1粒子ビームカラム2の外面43上の凹所42内に配置される。制御電極41の外面および第1粒子ビームカラム2の外面43は連続平面を構成する。しかしながら、本発明による制御電極41の配置はこのような構成に限定されないことを、明示的に述べておく。実際には、制御電極41は任意の配置とすることができる。例えば、制御電極を第1粒子ビームカラム2の外面43上に載置することもできる。前述したように、図4は概略図であると見なされるべきものである。図4においては、より明瞭に示すため、個々の要素は非常に誇張して図示されている。特に、第1キャビティ1135を極小として、特に第2吸入口1140と第1吸入口1139との間の距離が相当短くなるように例えば、1mmから15mmまでの範囲内、特に10mmとなるようにする。第1引き出し電極1136は、第1抽出電位にある。第1抽出電圧は、第1抽出電位と試料電位との間の第1電位差である。例示的な本実施形態において、接地電位0Vを試料電位とするが、試料電位は接地電位に限定されない。実際には、異なる値を取ることもできる。第1抽出電圧と、結果的に、第1抽出電位とは、第1電圧源ユニット1144により調節することができる。第2引き出し電極1137も任意の電位、具体的には第2抽出電位にあるようにする。第2抽出電圧は、第2抽出電位と試料電位との間の第2電位差である。第2抽出電圧すなわち第2抽出電位は、第2電圧源ユニット1148により設定することができる。第1抽出電位および第2抽出電位は同じ大きさとすることができる。さらなる実施形態において、第1抽出電位および第2抽出電位の大きさは異なるものとする。さらなる実施形態において、第1引き出し電極1136の第1端面1141は第1抽出電位にあり、一方、対照的に、第1引き出し電極1136のその他の部分はこれとは異なる電位例えば接地電位にある。同様に、第2引き出し電極1137の第2端面1142を第2抽出電位とし、一方、対照的に、第2引き出し電極1137のその他の部分はこれとは異なる電位例えば接地電位とすることもできる。制御電極41も、任意の電位、具体的には制御電極電位にある。制御電極電圧は、制御電極電位と試料電位との間の第3電位差である。制御電極電圧すなわち制御電極電位は、第3電圧源ユニット46により調節することができる。第2粒子ビームカラム3の終端電極25にも、ある程度同様の条件が適用される。終端電極25は、任意の電位、具体的には終端電極電位にある。終端電極電圧は、終端電極電位と試料電位との間の第4電位差である。終端電極電圧と、結果的に、終端電極電位とは、第4電圧源ユニット47図2参照により調節することができる。ここで、試料電位、第1抽出電位、第2抽出電位、制御電極電位、および/または終端電極電位を相互に整合して抽出電場を発生させるようにする。これにより、十分な量の第1相互作用粒子が二次イオンとして第1引き出し電極1136の第1キャビティ1135内の第1吸入口1139を通過し、第2引き出し電極1137の第2キャビティ1138内の第2吸入口1140を確実に通過するようにする。高真空条件を利用して、イオンビームを用いて二次イオンを発生させる。以下により詳細にさらに説明するが、エネルギー伝達装置1200は低真空条件下で動作し、第1引き出し電極1136および第2引き出し電極1137はそれぞれ圧段として機能する。第1引き出し電極1136の第1吸入口1139を大きくすれば、より多くの二次イオンを粒子分析装置1000に注入することができる。これは第2引き出し電極1137の第2吸入口1140についても同様である。しかしながら、もし第1吸入口1139および/または第2吸入口1140が非常に大きいと、圧段として作用する第1引き出し電極1136および第2引き出し電極1137の効果が低減する。さらに、抽出電場も減少する。これは、抽出電場をさらに増強することにより相殺することができる。しかしながら、この増幅により、二次イオンに付加的な運動エネルギーが供給されてしまう。さらに、第2引き出し電極1137を用いて、下流のエネルギー伝達装置1200に二次イオンをできるだけ集束して導入する。選択する第2抽出電位が高くなるにつれ、第2引き出し電極1137の集束効果は増大することがわかった。既に述べたように、本実施形態において、試料電位は接地電位である。さらに、第1抽出電位および/または第2抽出電位は-20Vから-500Vの範囲に、制御電極電位は200Vから800Vの範囲に、および/または終端電極電位は0Vから-120Vの範囲にある。図5Aおよび図5Bは、エネルギー伝達装置1200の概略図である。以下に、より詳細に説明するように、この装置は二次イオンの輸送にも用いられる。エネルギー伝達装置1200は管状容器1201を有し、この管状容器は第1容器端部1207およびセグメントの領域1208第22セグメント1202Vを有する。これについては以下にさらに説明する。第1長手方向軸線1205として構成した輸送軸線に沿って、管状容器1201の長手方向の長さは100mmから500mmの範囲であり、または200mmから400mmの範囲である。例えば、管状容器1201の長手方向の長さは350mmである。第1容器端部1207は抽出ユニット1100に連結する。一方、領域1208はイオン輸送ユニット1300上に取り付ける。管状容器1201は第1内部領域1206を有する。フレキシブルプリント回路基板を第1内部領域1206の一壁部に取り付け、この回路基板を管状容器1201の第1長手方向軸線1205に沿って多数のセグメントに分割する。具体的には、第1セグメント1202A、第2セグメント1202B、第3セグメント1202C、第4セグメント1202D、第5セグメント1202E、第6セグメント1202F、第7セグメント1202G、第8セグメント1202H、第9セグメント1202I、第10セグメント1202J、第11セグメント1202K、第12セグメント1202L、第13セグメント1202M、第14セグメント1202N、第15セグメント1202O、第16セグメント1202P、第17セグメント1202Q、第18セグメント1202R、第19セグメント1202S、第20セグメント1202T、第21セグメント1202U、および第22セグメント1202Vに分割する。上記の各セグメントはそれぞれ、フレキシブルプリント回路基板上に配置したプリント回路基板電極1203を有する。フレキシブルプリント回路基板を形成する材料は非導電性材料である。絶縁素子1204はそれぞれ2つのプリント回路基板電極1203の間に配置され、非導電性材料により形成される。例として、図5Aにおいては、図5Bに示す第1セグメント1202Aの断面を示す。プリント回路基板電極1203および絶縁素子1204は、第1内部領域1206の全周囲にわたって配置される。上記セグメント1202A~1202Vの1つ1つはそれ自体が四重極ユニットに相当し、四重極交流電場を電気的に誘導する。このことは、上記セグメント1202A~1202Vそれぞれのプリント回路基板電極に電位を印加することにより、各セグメント1202A~1202Vはそれぞれ四重極交流電場を発生することを意味する。この場合、上記セグメント1202A~1202Vのそれぞれは、各セグメント1202A~1202Vの発生する四重極交流電場が同一となるように構成する。図5Cは四重極交流電場の概略図であり、第1セグメント1202Aの等電位線を示す。特に、フレキシブルプリント回路基板の個々の素子は、フレキシブルプリント回路基板内にあらかじめ配置された導体トラックにより接続される。このように、接続は簡素な形式となっている。ここで、本発明は、フレキシブルプリント回路基板を使用することに限定されないことを明示的に述べておく。実際には、本発明において、複数のフレキシブルプリント回路基板を用いることもできる。例えば、上記セグメント1202A~1202Vのそれぞれまたは全てをフレキシブルプリント回路基板により構成することもできる。管状容器1201の第1内部領域1206は円形であり、コア径KRを有する。コア径KRは、例えば、2mmから50mmの範囲にあり、または8mmから20mmの範囲にあり、または9mmから12mmの範囲にある。例として、コア径KRを15mm、10mm、9、mm、または8mmとする。上記セグメント1202A~1202Vは、それぞれ、第1長手方向軸線1205方向に長手方向の長さを有し、この長さはコア径KRにほぼ相当するものとすることができる。前述のように、各セグメントの長さはコア径に適応させる必要がある。上述のようにプリント回路基板電極1203を配置することにより、棒電極を用いる従来のシステムに比べ、コア径KRを増大することができる。管状容器1201の第1内部領域1206には、ガス粒子を有するガスが充填されている。第1内部領域1206内のガスの分圧は、図示しない供給装置により調節することができる。抽出ユニット1100から管状容器1201の第1内部領域1206に入射する二次イオンは、ガス粒子に衝突することによりその運動エネルギーの一部をガス粒子に伝達する。これにより、二次イオンのエネルギーが減少し、二次イオンは制動される。衝突速度を十分高くしてエネルギーを減少させるため、管状容器1201の第1内部領域1206を、例えば、約5×10-3mbar5×10-1Paの低真空とする。管状容器1201の第1内部領域1206内におけるガスの分圧が高いほど、衝突速度が高くなり、したがって二次イオンからガス粒子にエネルギーを伝達する能力も高くなる。第1容器端部1207から領域1208まで管状容器1201を通過した後、二次イオンは熱エネルギーのみを持つことになるはずである。さらなる実施形態において、追加または代案として、抽出ユニット1100から管状容器1201の第1内部領域1206に入射する二次イオンは、中性ガス粒子に衝突して断片化し、したがって、二次イオンのエネルギーは同様に減少する。この過程によっても二次イオンは制動される。上述のように、二次イオンの運動エネルギーを、一方では径方向成分に分割し、他方では軸方向成分に分割することができる。径方向成分により、二次イオンは、管状容器1201の第1長手方向軸線1205に対して放射状に分散される。この分散を四重極交流電場により減少させる。四重極交流電場により、二次イオンは、第1長手方向軸線1205を中心とする小半径内に、管状容器1201の第1長手方向軸線1205に沿って蓄積する。より正確には、二次イオンがガス粒子と衝突すること、および/または上記のように断片化することにより、運動エネルギーの径方向成分が減少し、その結果、上記のマクロ振動の振幅が減少し、二次イオンは管状容器1201の第1長手方向軸線1205上に集束する。運動エネルギーの軸方向成分により、二次イオンは管状容器1201の第1長手方向軸線1205に沿ってイオン輸送ユニット1300に向かい管状容器1201を確実に通過する。上記の衝突および/または上記の断片化によっても軸方向運動エネルギーは減少するが、しかしながら、その結果として二次イオンのうちのいくつかはエネルギーが不十分となり管状容器1201を完全に通過することができなくなる。したがって、上記セグメント1202A~1202Vのそれぞれを第2電子回路図5B参照に接続し、管状容器1201の第1長手方向軸線1205に沿って、第1長手方向軸線1205上の各点において設けた点に関連する誘導電位guidingpotentialによる誘導電位勾配を生成するようにする。誘導電位勾配により、二次イオンは第1長手方向軸線1205に沿って管状容器1201の領域1208へ向かい軸方向に移動する。誘導電位勾配は、誘導電位が領域1208へ向かって連続的に減少するように構成され、領域1208内に電位井戸を有する。図6に、誘導電位1212のプロファイルを示す。このグラフにおいて、誘導電位1212を、第1長手方向軸線1205における位置のの関数として示す。経時的に一定の、個々に異なる電位を、輸送軸線この場合は、第1長手方向軸線1205に沿って配置された上記のセグメント1202A~1202Vのそれぞれのプリント回路基板電極に印加する。これは、図6におけるセグメント電位1211の階段状プロファイルにより示される。この階段状プロファイルは、実質的に誘導電位1212のプロファイルとなる。誘導電位1212は管状容器1201の第1容器端部1207において最大であり、領域1208へ向かって連続的に減少する。管状容器1201の領域1208には電位井戸1210が設けられる。二次イオンは管状容器1201を通過し、この過程でそのエネルギーをガス粒子に伝達して、最後に電位井戸1210に滞留する。電位井戸1210は別の箇所に設けることもできることを明示的に述べておく。例えば、さらなる例示的な実施形態において、電位井戸1210を、イオン輸送ユニット1300の領域において、領域1208の後方に設ける。重要な要素は、二次イオンが管状容器1201を通過する際にそのエネルギーを伝達し、電位井戸1210に滞留するという点のみである。マクロ振動の振幅は、二次イオンからガス粒子へ十分に多量のエネルギーを伝達することにより減少することができる。一方、ミクロ振動の振幅は、上記セグメント1202A~1202Vのそれぞれの四重極交流電場の周波数を増加させることにより減少することができる。しかしながら、四重極交流電場の周波数を増加すると、管状容器1201内で二次イオンに作用する復元力が減少し、その結果、管状容器1201内に二次イオンを確実に蓄積するためには四重極交流電場の振幅を増加させる必要がある。図7に領域1208を示す。この場合、上記セグメント1202A~1202Vは、本実施形態において、管状容器1201の内壁にすぐ隣接しないように配置する。図7に示すように、第1四重極ディスク1301を領域1208に配置する。第1四重極ディスク1301は複合双曲的である。これは、複数の双曲的なプリント回路基板電極を備えていることを意味する。この代案として、プリント回路基板電極を半円形とする。第1四重極ディスク1301はディスク状に構成される。ディスク状に構成した実施形態とは、双曲的なプリント回路基板電極を、第1長手方向軸線1205または第2長手方向軸線1307として構成した輸送軸線に対して直角に配置した平面構造とすることを意味する。第1四重極ディスク1301は、輸送軸線に沿って所定の長さを有する。これについては、以下においてさらに詳細に説明する。ここに記載した例示的な実施形態において、第1四重極ディスク1301には12の双曲的なプリント回路基板電極を設ける。図8は、第1四重極ディスク1301の平面図である。第1四重極ディスク1301は、第1双曲プリント回路基板電極1303A、第2双曲プリント回路基板電極1303B、第3双曲プリント回路基板電極1303C、第4双曲プリント回路基板電極1303D、第5双曲プリント回路基板電極1303E、第6双曲プリント回路基板電極1303F、第7双曲プリント回路基板電極1303G、第8双曲プリント回路基板電極1303H、第9双曲プリント回路基板電極1303I、第10双曲プリント回路基板電極1303J、第11双曲プリント回路基板電極1303K、および第12双曲プリント回路基板電極1303Lを有する。上述したように、上記のプリント回路基板電極1303A~1303Lはすべて双曲的である。本明細書における以上および以下の記載において、電極が双曲的であるということは、この場合は、プリント回路基板電極1303A~1303Lのうち、互いに対向して配置され、輸送軸線この場合は第2長手方向軸線1307から頂点までの距離が等しい2つの双曲電極例えば、第1双曲プリント回路基板電極1303Aおよび第3双曲プリント回路基板電極1303Cが、次の双曲方程式を満たすことを意味する。ここで、xおよびyはデカルト座標であり、aおよびbは各電極の頂点と輸送軸線との間の距離である。隣接するプリント回路基板電極は、例えば図8に示す第2双曲プリント回路基板電極1303B、第6双曲プリント回路基板電極1303F、および第10双曲プリント回路基板電極1303Jのように、絶縁層1304を介して互いに絶縁される。一方、上記のさらなるプリント回路基板電極1303A,1303E,1303I,1303C,1303G,1303K,1303D,1303Hおよび1303Lのそれぞれについても同様の条件下にある。さらに、隣接する双曲プリント回路基板電極を、例えば、容量分圧器図示せずにより駆動し、四重極交流電場を発生させるようにする。しかしながら、本発明は、容量分圧器を用いることに限定されない。実際には、任意の適切な駆動機構を用いることができ、例えば、それぞれの場合において、双曲プリント回路基板電極1303A~1303Lのそれぞれに電源ユニットを1つ設けて駆動することができる。第1四重極ディスク1301は、第1貫通口1302を有する。第1貫通口は、第1双曲プリント回路基板電極1303Aの頂点、第2双曲プリント回路基板電極1303Bの頂点、第3双曲プリント回路基板電極1303Cの頂点、および第4双曲プリント回路基板電極1303Dの頂点により境界される。第1四重極ディスク1301にプリント回路基板を用いることは、製造が容易なため、特に有利である。例えば、第1貫通口1302は容易に形成でき、例えば、プリント回路基板を圧延することにより形成できる。第1貫通口1302の長さは輸送軸線に対して径方向にあり、輸送軸線は第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307として管状容器1201の第1長手方向軸線1205に対して延在する。この長さは、この場合、上記の頂点のうち互いに対向して配置された2つの点の間の距離であり、長さの範囲は、次の範囲、すなわち、0.2mmから10mm、0.2mmから5mm、または0.2mmから1mmの範囲のうちの少なくとも1つである。第1双曲プリント回路基板電極1303A、第2双曲プリント回路基板電極1303B、第3双曲プリント回路基板電極1303C、および第4双曲プリント回路基板電極1303Dは、第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307から等しい径方向距離にあり、それぞれ第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307から第1径方向距離にある。この場合、本明細書における以上および以下の記載において、径方向距離は、各双曲プリント回路基板電極の第2長手方向軸線1307に最近接する頂点と第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307との間の距離により規定される。さらに、第5双曲プリント回路基板電極1303E、第6双曲プリント回路基板電極1303F、第7双曲プリント回路基板電極1303G、および第8双曲プリント回路基板電極1303Hは、第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307から等しい径方向距離にあり、それぞれ第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307から第2径方向距離にある。さらに、第9双曲プリント回路基板電極1303I、第10双曲プリント回路基板電極1303J、第11双曲プリント回路基板電極1303K、および第12双曲プリント回路基板電極1303Lは第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307から等しい径方向距離にあり、それぞれ第1貫通口1302の第2長手方向軸線1307から第3径方向距離にある。第1径方向距離は第2径方向距離よりも小さい。同様に、第2径方向距離は、第3径方向距離よりも小さい。図9は、第1四重極ディスク1301の図8におけるA-A線断面図である。図9において、第1双曲プリント回路基板電極1303Aおよび第3双曲プリント回路基板電極1303Cを概略的に示す。第1四重極ディスク1301は、第1外面1305および第2外面1306を有する。第1外面1305および第2外面1306は互いに離間し、第1外面1305と第2外面1306との間の距離A1の範囲は、次の範囲、すなわち、1mmから50mm、1mmから40mm、1mmから30mm、1mmから20mm、または1mmから5mmまでの範囲のうちの1つである。明確に図示はしないが、上記の双曲的プリント回路基板電極1303A~1303Lはそれぞれ第1外面1305により形成される平面上に配置され、第1外面1305から第2外面1306にわたり延設することができる。図7からわかるように、第1四重極ディスク1301に続いて、ディスク状の第1四重極デバイス1308Aおよびディスク状の第2四重極デバイス1308Bを設ける。この場合、上記の各四重極デバイスおよび以下においても説明する各四重極デバイスをディスク状とした実施形態とすることは、以下においても説明する電極デバイスが平面構造により形成され、この平面構造は輸送軸線この場合は第2長手方向軸線1307に対して直角に配置されていることを意味する。ディスク状の第1四重極デバイス1308Aおよびディスク状の第2四重極デバイス1308Bは、それぞれ、4つの双曲電極デバイスを有する。例示的な本実施形態において、それぞれが四重極交流電場を発生する。この代案として、電極デバイスを半円形とする。ガス吸入口1309をディスク状の第1四重極デバイス1308Aおよびディスク状の第2四重極デバイス1303Bと同じ高さに設け、このガス吸入口1309からガスが流入し、既に説明したように二次イオンと相互作用する。ディスク状の第1四重極デバイス1308Aおよびディスク状の第2四重極デバイス1308Bは、どちらも第1貫通口1302に相当する貫通口を有する。第1四重極ディスク1301とディスク状の第1四重極デバイス1308Aとの間の第1中間領域1310、およびディスク状の第1四重極デバイス1308Aとディスク状の第2四重極デバイス1308Bとの間の第2中間領域1311は密閉されておらず、したがって、ガスを分散させることができ、特に、上記セグメント1202A~1202Vを配置した領域までガスを分散させることができる。第1四重極ディスク1301、ディスク状の第1四重極デバイス1308A、およびディスク状の第2四重極デバイス1308Bは、一方で、エネルギー伝達装置1200の一部である。このことは、第1四重極ディスク1301、ディスク状の第1四重極デバイス1308A、およびディスク状の第2四重極デバイス1308Bの領域においても二次イオンからのエネルギーを中性ガス粒子に伝達することができることを意味する。しかしながら、他方では、以下により詳細にさらに説明するように、第1四重極ディスク1301、ディスク状の第1四重極デバイス1308Aは、イオン輸送ユニット1300の一部でもある。第1四重極ディスク1301は少なくとも2つの機能を有する。一方では、第1四重極ディスク1301に適切な電位以下、本明細書においてはミラー電位と称するを印加することができる。これにより、熱エネルギーにまで制動されていない二次イオンを第1四重極ディスク1301から管状容器1201に反射して、二次イオンを管状容器1201に再度通過させることができる。ここで、再度、管状容器1201内でガス粒子との衝突が起こり、その結果、これらの反射された二次イオンはエネルギーをさらに中性ガス粒子に伝達する。上記の誘導電位により、二次イオンは領域1208の方へ確実に再度輸送される。二次イオンが熱エネルギーに達すると、ミラー電位の印加を速やかに停止する。他方では、第1四重極ディスク1301により二次イオンを第2長手方向軸線1307上に集束する。電位パルスを用いて、上記の電位井戸1210に蓄積された二次イオンを導電電位にて第1貫通口1302まで上昇させることもできる。代替的な実施形態においては、上記電位井戸1210を、第1四重極ディスク1301、ディスク状の第1四重極デバイス1308A、およびディスク状の第2四重極デバイス1308Bの領域に形成する。第1四重極ディスク1301により、二次イオンを蓄積する四重極交流電場が確実に利用可能となり、二次イオンが第2長手方向軸線1307の領域に放射状に集束される。例として、二次イオンは、第2長手方向軸線1307を中心とする、例えば、0.2mmから5mmの範囲にある小半径内に集束される。この小半径は、第1貫通口1302の径方向長さにほぼ相当する。その結果、第1四重極ディスク1301により、コア径が非常に大きい二次イオンの第1案内システム例示的な本実施形態において、例えば、コア径が5mmから15mmの範囲にある管状容器1201とコア径が比較的小さい例えば、0.1mmから5mmの範囲にある第2案内システム以下により詳細に説明するとの間で移動させることができ、二次イオンが第1四重極ディスク1301において反射して管状容器1201に意図せず戻ってしまうことや、第1四重極ディスク1301で中性化されてしまうことはない。さらに、第1四重極ディスク1301により、二次イオンの運動エネルギーの軸方向成分が二次イオンの運動エネルギーの径方向成分に変換されてしまうのを防ぐ。二次イオンが第1四重極ディスク1301の上記の双曲プリント回路基板電極1303A~1303Dの1つに衝突することに起因する二次イオンの損失を防ぐため、マクロ振動の振幅とミクロ振動の振幅の合計である全振動振幅が、第1貫通口1302の半径を超えないようにしなければならない。そうしないと、第1四重極ディスク1301にミラー電位が印加され、上述したように、二次イオンが熱エネルギーとなるまで管状容器1201を再度通過する。第1貫通口1302は、熱エネルギーを有する二次イオンが第1四重極ディスク1301の上記双曲プリント回路基板電極1303A~1303Dのうちの1つに衝突することなく第1貫通口1302を通過できるように設計する。既に説明したように、図6に示す電位井戸1210を異なる箇所に設けることもできる。たとえば、さらなる例示的な実施形態においては、イオン輸送ユニット1300の領域内において、電位井戸1210を領域1208の後方に配置する。例として、電位井戸1210を、第1四重極ディスク1301、ディスク状の第1四重極デバイス1308A、およびディスク状の第2四重極デバイス1308Bの領域に形成する。この場合、例として、ディスク状の第2四重極デバイス1308Bには終端電位を印加し、これにより電位井戸を生成する。この電位井戸は、例えば、電位井戸1210の一部である。図7からわかるように、第2四重極ディスク1312はディスク状の第2四重極デバイス1308Bに隣接し、第1四重極ディスク1301と実質的に同一となるように構成する。しかしながら、このような構成とすることは必要不可欠ではない。実際には、さらなる実施形態においては、第2四重極ディスク1312を、例えば、ディスク状の第2四重極デバイス1308Bと同様の構成とする。第2四重極ディスク1312により、第2四重極ディスク1312内の第2貫通口1321を貫通する第2長手方向軸線1307上に二次イオンを集束する。第2貫通口1321は第1貫通口1302よりも小さい。例として、第2貫通口1321の大きさは、0.4mmから2mmの範囲である。上述したように、二次イオンから十分な量のエネルギーをガス粒子に伝達することにより、マクロ振動の振幅を減少することができる。一方、ミクロ振動の振幅は、四重極交流電場の周波数を増加させることにより、減少することができる。しかしながら、四重極交流電場の周波数を増加すると、二次イオンに作用する復元力が減少し、その結果、二次イオンを確実に蓄積するためには四重極交流電場の振幅を増加させる必要がある。個々のコア径とコア径との間において周波数が急変するのを抑制するため、有利には、コア径を2段階で具体的には、一方では第1四重極ディスク1301により、また他方では第2四重極ディスク1312により減少させる。ディスク状の第3四重極デバイス1313A、ディスク状の第4四重極デバイス1313B、ディスク状の第5四重極デバイス1313C、ディスク状の第6四重極デバイス1313D、ディスク状の第7四重極デバイス1313E、ディスク状の第8四重極デバイス1313F、およびディスク状の第9四重極デバイス1313Gを、第2長手方向軸線1307に沿って、第2四重極ディスク1312に続いて設ける。上記のディスク状の各四重極デバイス1313A~1313Gはそれぞれ第2貫通口1321と同一の貫通口を有する。ディスク状の第3四重極デバイス1313A、ディスク状の第4四重極デバイス1313B、ディスク状の第5四重極デバイス1313C、ディスク状の第6四重極デバイス1313D、ディスク状の第7四重極デバイス1313E、ディスク状の第8四重極デバイス1313F、およびディスク状の第9四重極デバイス1313Gは、それぞれ、第1電極デバイス、第2電極デバイス、第3電極デバイス、および第4電極デバイスを有する。第1電極デバイス、第2電極デバイス、第3電極デバイス、および第4電極デバイスは全て双曲的である。上記のディスク状の各四重極デバイス1313A~1313Gは、それぞれに関連付けられた電極デバイスにより四重極交流電場を発生させる。第1四重極ディスク1301、第2四重極ディスク1312、ディスク状の第1四重極デバイス1308A、ディスク状の第2四重極デバイス1308B、および、ディスク状の第3四重極デバイス1313Aからディスク状の第9四重極デバイス1313Gは、イオン輸送ユニット1300の一部であり、これについては以下により詳細にさらに説明する。さらに、第2四重極ディスク1312、およびディスク状の第3四重極デバイス1313Aからディスク状の第9四重極デバイス1313Gは、また一方では、圧段の一部であり、これについては以下に説明する。第1四重極ディスク1301、ディスク状の第1四重極デバイス1308A、ディスク状の第2四重極デバイス1308B、および第2四重極ディスク1312の領域は、二次イオンが衝突によりエネルギーを中性ガス粒子に伝達することができるような十分に高いガス圧が依然存在する。第2四重極ディスク1312、ディスク状の第3四重極デバイス1313A、およびディスク状の第4四重極デバイス1313Bは、密閉システムとして構成する。この目的のため、第2四重極ディスク1312とディスク状の第3四重極デバイス1313Aとの間の第3中間領域1314、およびディスク状の第3四重極デバイス1313Aとディスク状の第4四重極デバイス1313Bとの間の第4中間領域1315はシールにより密閉する。このシールは必要に応じて構成することができる。例として、シールはOリングとして構成し、および/または電気的に絶縁とする。さらに、例えば、電荷を防ぐため、シールの自由内径は第2貫通口1321より大きくすることができる。ディスク状の第7四重極デバイス1313E、ディスク状の第8四重極デバイス1313F、およびディスク状の第9四重極デバイス1313Gも、同様に、密閉システムとして構成する。この目的のため、ディスク状の第7四重極デバイス1313Eとディスク状の第8四重極デバイス1313Fとの間の第8中間領域1319、およびディスク状の第8四重極デバイス1313Fとディスク状の第9四重極デバイス1313Gとの間の第9中間領域1320はシールにより密閉する。シールに関する上記の説明をここにも適用する。ディスク状の第4四重極デバイス1313Bとディスク状の第5四重極デバイス1313Cとの間に、排出チャネルとして構成した第5中間領域1316を配置する。さらに、ディスク状の第5四重極デバイス1313Cとディスク状の第6四重極デバイス1313Dとの間に、同様に排出チャネルとして構成した第6中間領域1317を配置する。ディスク状の第6四重極デバイス1313Dとディスク状の第7四重極デバイス1313Eとの間に、排出チャネルとして構成した第7中間領域1318を配置する。上記の各排出チャネルは、チャネル1329を介してポンプユニット図示せずに連結する。この構成は、ガス粒子が管状容器1201からイオン輸送ユニット1300に侵入するときに特に有利である。ガス粒子は、その後、上記の各排出チャネルを経由してポンプユニットにより除去され、分析ユニット1400にはガス粒子が実質的に侵入しないようにする。さらに、上記のディスク状の各四重極デバイス1313A~1313Gは、それぞれプリント回路基板で形成する。第2貫通口1321の大きさの範囲は、次の範囲、すなわち、0.4mmから10mm、0.4mmから5mm、または0.4mmから2mmの範囲のうちの1つである。第2四重極ディスク1312および上記のディスク状の各四重極デバイス1313A~1313Gを上記のように配置して圧段を分割して四重極交流電場を発生させることにより、一方では、二次イオンを第2長手方向軸線1307周囲の小領域に確実に集束することができ、他方では、良好な圧段特性を確実に得ることができる。圧段は、実質的にイオン輸送ユニット1300の大部分にわたって広がる。イオン輸送ユニット1300の全ての素子も、さらなる機能を持ち、その機能について以下に説明する。図10も同様にイオン輸送ユニット1300の上記素子の概略断面図である。第1四重極ディスク1301、第2四重極ディスク1312、およびディスク状の各四重極デバイス1308A,1308Bおよび1313A~1313Gには、電子回路1324によりそれぞれ個々に電位を印加する。第1四重極ディスク1301には、したがって、第1電位を印加し、第2四重極ディスク1312には第2電位を印加し、ディスク状の第1四重極デバイス1308Aには第3電位を印加し、ディスク状の第2四重極デバイス1308Bには第4電位を印加し、ディスク状の第3四重極デバイス1313Aには第5電位を印加し、ディスク状の第4四重極イス1313Bには第6電位を印加し、ディスク状の第5四重極デバイス1313Cには第7電位を印加し、ディスク状の第6四重極デバイス1313Dには第8電位を印加し、ディスク状の第7四重極デバイス1313Eには第9電位を印加し、ディスク状の第8四重極デバイス1313Fには第10電位を印加し、ディスク状の第9四重極デバイス1313Gには第11電位を印加する。第1電位~第11電位は個々に設定することができる。上記の個々に調節可能な第1電位~第11電位のほか、イオン輸送ユニット1300に発生させた四重極交流電場により、熱エネルギーに制動された二次イオンを、この二次イオンに運動エネルギーを特に供給せずとも、分析ユニット1400に輸送することができる。この目的のため、電位井戸が生成されるように、個々の四重極交流電場および印加する調節可能な第1電位~第11電位を設定する。ここで、この設定および輸送について、複数の例示的な実施形態に基づき説明する。まず、図11に、第1四重極ディスク1301、第2四重極ディスク1312、ディスク状の四重極デバイス1308A,1308B、および1313A~1313Gの概略図を示す。また、さらなるディスク状の四重極デバイス、具体的には、ディスク状の第10四重極デバイス1313H、ディスク状の第11四重極デバイス1313I、ディスク状の第12四重極デバイス1313J、ディスク状の第13四重極デバイス1313K、およびディスク状の第14四重極デバイス1313Lを設ける。上記のディスク状の四重極デバイス1313H~1313Lには、それぞれ、電子回路、例えば、電子回路1324により個々に電位を印加する。ディスク状の第10四重極デバイス1313Hには、したがって、第12電位を印加し、ディスク状の第11四重極デバイス1313Iには第13電位を印加し、ディスク状の第12四重極デバイス1313Jには第14電位を印加し、ディスク状の第13四重極デバイス1313Kには第15電位を印加し、ディスク状の第14四重極デバイス1313Lには第16電位を印加する。この第12電位~第16電位は個々に設定することができる。これは、イオン輸送ユニット1300は、図7に示すユニットよりも多くのユニットまたは少ないユニットを常に有することができることを示すことを意図したものである。ディスク状の第14四重極デバイス1313Lに続いて分析ユニット1400を設ける。分析ユニットは、例えば、イオン輸送ユニット1300に取り外し可能に取り付ける。しかしながら、以下に説明するように、これらの実施形態は全て常に同様に動作する。上述したように、第1電位~第16電位は個々に設定することができる。この目的のため、四重極ディスク1301,1312およびディスク状の四重極デバイス1308A,1308Bおよび1313A~1313Lにそれぞれ対応する電位を個々に印加する。例として、第1電位~第16電位が互いに異なるように設定する。また、第1電位値から第2電位値に切り替えを行う際は、例えば、帯電プロセスを利用して調整処理も行う。調整処理により、イオン輸送ユニット1300内に特定の電位プロファイルを形成することができる。図11a~図11hに、イオン輸送ユニット1300における全電位の時間プロファイルを示す。この全電位は第1電位~第16電位により構成される。図11aは、時間的に最初の全電位の瞬時記録を示し、図11hは時間的に最新の全電位の瞬時記録を示す。このグラフにおいて、各電位は第2長手方向軸線1307上の位置の関数として表される。参照符号1325にて示す階段状電位プロファイルは、全電位のプロファイルの一瞬間を考慮した際に発生するものである。参照符合1326は理想電位プロファイルを示す。第1電位~第16電位をそれぞれ切り替えて、図示した全電位のプロファイルを形成するようにする。ここに示す例示的な実施形態における最大全電位は数ボルトの範囲、例えば、2Vから3Vの範囲にある。まず、図11aに電位井戸を示し、電位井戸の左歯面1327は、熱エネルギーのみをまだ有している二次イオンを第1四重極ディスク1301の領域から電位井戸に落下させることができるように構成する。右歯面1328は、ディスク状の第11四重極デバイス1313Iおよびディスク状の第12四重極デバイス1313Jの領域に設け、二次イオンが電位井戸の右歯面1328から出られないように十分な傾斜を持つように構成する。左歯面1327はまた、この領域のガス圧がまだ十分に高く二次イオンが衝突により中性ガス粒子にエネルギーを伝達できる場合にも、二次イオンが電位井戸から出られないような構成とする。このような構成により、二次イオンが電位井戸から出られないようにする。図11に示す状態を、ここで、所定時間例えば、約数ミリ秒の間維持する。この所定時間蓄積時間の間に、二次イオンを電位井戸内に捕集二次イオンを蓄積する。第1電位~第6電位をここで切り替え、左歯面1327が右歯面1328に向かって移動させる図11b~図11h。その結果、電位井戸は最も狭くなる。このように左歯面1327が移動することにより、二次イオンも同様に右歯面1328の方へ強制的に移動する。このようにして、二次イオンをイオン輸送ユニット1300内に輸送する。第1電位~第16電位をここで切り替えて、左歯面1327と右歯面1328を第2長手方向軸線1307に沿って移動させ、電位井戸内の二次イオンが分析ユニット1400のすぐ手前まで移動するようにする。図12に、二次イオンのイオン輸送ユニット1300内への輸送のさらなる例示的な実施形態を示す。図12は図11に基づいているため、まずは上記の記載を参照されたい。図12a~図12hに、イオン輸送ユニット1300における全電位の時間プロファイルを示す。この全電位は、第1電位~第16電位により構成される。図12aは時間的に最初の全電位の瞬時記録を示し、図12hは時間的に最新の全電位の瞬時記録を示す。最大全電位は、この場合も、数ボルトの範囲、例えば、2Vから3Vの範囲にある。まず、図12aに電位井戸を示し、電位井戸の左歯面1327は、熱エネルギーのみをまだ有している二次イオンを第1四重極ディスク1301の領域から電位井戸に落下させることができるように構成する。右歯面1328は、ディスク状の第3四重極デバイス1313Aの領域およびディスク状の第4四重極デバイス1313B領域に設け、二次イオンが電位井戸の右歯面1328から出られないように十分な傾斜を持つように構成する。左歯面1327も、この領域のガス圧がまだ十分に高く二次イオンが衝突により中性ガス粒子にエネルギーを伝達できる場合にも、二次イオンが電位井戸から出られないような構成とする。このような構成により、二次イオンが電位井戸から出られないようにする。図11aとは対照的に、図12aに示す電位井戸は大幅に狭くなっている。図12aの状態を、ここで、所定時間例えば、約数ミリ秒の間維持する。この所定時間蓄積時間の間に、二次イオンを電位井戸内に捕集二次イオンを蓄積する。第1電位~第16電位をここで切り替え、左歯面1327と右歯面1328を第2長手方向軸線1307に沿って移動させる図12b~図12h。したがって、二次イオンが蓄積した電位井戸も移動する。このように左歯面1327および右歯面1328が移動することにより、二次イオンは分析ユニット1400の方へ強制的に移動する。このようにして、二次イオンをイオン輸送ユニット1300内に輸送する。二次イオンが分析ユニット1400のすぐ手前に位置するまで、左歯面1327および右歯面1328は移動を続ける。さらなる実施形態において、図13に概略的に示すように、イオン輸送ユニット1300内の各ユニットを並列に接続する。例示的な本実施形態において、第1四重極ディスク1301、ディスク状の第2四重極デバイス1308B、ディスク状の第3四重極デバイス1313A、ディスク状の第5四重極デバイス1313C、ディスク状の第7四重極デバイス1313E、およびディスク状の第9四重極デバイス1313Gを並列に接続する。さらに、ディスク状の第1四重極デバイス1308A、第2四重極ディスク1312、ディスク状の第4四重極デバイス1313B、ディスク状の第6四重極デバイス1313D、およびディスク状の第8四重極デバイス1313Fを並列に接続する。その他の実施形態においては、その他の並列回路、特に互いに相当距離を隔てた四重極デバイスの並列回路を設けることを明示的に述べておく。並列接続に関するさらなる例示的な実施形態を図14に示す。図14は図11に基づいているため、まずは上記の記載を参照されたい。図14a~図14hに、イオン輸送ユニット1300における全電位の時間プロファイルを示す。この全電位は、第1電位~第16電位により構成される。図14aは時間的に最初の全電位の瞬時記録を示し、図14hは時間的に最新の全電位の瞬時記録を示す。最大全電位は、この場合も、数ボルトの範囲、例えば、2Vから3Vの範囲にある。図14に示す例示的な実施形態において、並列接続するのは、次の各ユニット、すなわち、第1四重極ディスク1301およびディスク状の第7四重極デバイス1313E、ディスク状の第1四重極デバイス1308Aおよびディスク状の第8四重極デバイス1313F、ディスク状の第2四重極デバイス1308Bおよびディスク状の第9四重極デバイス1313G、第2四重極ディスク1312およびディスク状の第10四重極デバイス1313H、ディスク状の第3四重極デバイス1313Aおよびディスク状の第11四重極デバイス1313I、ディスク状の第4四重極デバイス1313Bおよびディスク状の第12四重極デバイス1313J、ディスク状の第5四重極デバイス1313Cおよびディスク状の第13四重極デバイス1313K、およびディスク状の第6四重極デバイス1313Dおよびディスク状の第14四重極デバイス1313L、である。まず、図14に第1電位井戸および第2電位井戸を示す。第1電位井戸は、第1左歯面1327Aおよび第1右歯面1328Aを有する。第2電位井戸は、第2左歯面1327Bおよび第2右歯面1328Bを有する。第1電位井戸の第1左歯面1327Aは、熱エネルギーのみをまだ有している二次イオンを第1四重極ディスク1301の領域から第1電位井戸に落下させることができるように構成する。第1右歯面1328Aは、ディスク状の第4四重極デバイス1313Bおよびディスク状の第5四重極デバイス1313Cの領域に設け、二次イオンが第1電位井戸の第1右歯面1328Aから出られないように十分な傾斜を持つように構成する。第1左歯面1327Aも、この領域のガス圧がまだ十分に高く二次イオンが衝突により中性ガス粒子にエネルギーを伝達できる場合にも、二次イオンが第1電位井戸から出られないような構成とする。このような構成により、二次イオンが電位井戸から出られないようにする。図14aの状態を、ここで、所定時間例えば、約数ミリ秒の間維持する。この所定時間蓄積時間の間に、二次イオンを電位井戸内に捕集二次イオンを蓄積する。第1電位~第16電位を切り替えて、一方では第1左歯面1327Aおよび第1右歯面1328Aを、他方では、第2左歯面1327Bおよび第2右歯面1328Bを第2長手方向軸線1307に沿って移動させる図14b~図14h。したがって、第1電位井戸および第2電位井戸は両方とも移動する。このように第1左歯面1327Aおよび第1右歯面1328Aが移動することにより、二次イオンは分析ユニット1400の方へ輸送される。二次イオンが分析ユニット1400のすぐ手前に位置するまで、第1左歯面1327Aおよび第1右歯面1328Aを移動する。図14に示す例示的な実施形態において、新しい電位井戸が繰り返し生成される。図14d~図14hからわかるように、第3左歯面1327Cおよび第3右歯面1328Cを有する第3電位井戸が生成される。二次イオンを、ここで、再度この第3電位井戸に落下させることができる。続いて、第3電位井戸を、正確には上記と同様の方法により、第2長手方向軸線1307に沿って移動させる。図14を考慮すると、イオン輸送ユニット1300内において電位井戸の波が分析ユニット1400の方へ移動するような印象を受ける。この場合、各電位井戸の左歯面および右歯面は徐々に形成される。上記の実施形態によれば、この輸送方法においては、二次イオンに有意な運動エネルギーが供給されない。二次イオンは、第2長手方向軸線1307に対し、軸方向および径方向に集束されたままとなる。イオン輸送ユニット1300内に発生する四重極交流電場のうちの1つにおける不可避的な電場誤差により、上記の四重極デバイス1308A、1308B、および1313A~1313Lのうち2つのデバイス間の領域において、例えば、ディスク状の第1四重極デバイス1308Aとディスク状の第2四重極デバイス1308Bとの間の領域において、二次イオンが運動エネルギーを吸収する可能性がある。したがって、この領域を、またはイオン輸送ユニット1300全体を、比較的短く構成することは考慮に値する。しかしながら、これは、イオン輸送ユニット1300のさらなる機能の効果、具体的には、圧段としての効果を減少させることになる。ここで、上記の解決策二次イオン輸送の際に圧段を分散させることは、この良好な妥協案として示される。ここに示す例示的な本実施形態における分析ユニット1400すなわち、検出ユニットは質量分析計として、例えば、飛行時間形質量分析計またはイオントラップ質量分析計として構成する。特に、分析ユニット1400は、既に上述したように、交換可能に構成される。図15は、イオントラップ計量分析計の蓄積セル1404の概略断面図である。蓄積セル1404はポールトラップとして構成され、環状電極1401、第1エンドキャップ電極1402、および第2エンドキャップ電極1403を備える。環状電極1401は、第1軸線1407を中心に回転対称となるように配置される。第1エンドキャップ電極1402および第2エンドキャップ電極1403も同様に第1軸線1407を中心に回転対称となるように配置される。環状電極1401は開口部1406を有し、この開口部を通してイオン輸送ユニット1300から蓄積セル1404内の第2内部領域に二次イオンを注入することができる。二次イオン注入中は蓄積セル1404内の蓄積領域は停止している。電気パルスを用いて二次イオンを蓄積セル1404内に注入する。これらの二次イオンは、イオン輸送ユニット1300から分析ユニット1400に輸送され、上記電位井戸のうち蓄積セル1404のすぐ手前の電位井戸に滞留されていたものである。このパルスにより、これら二次イオンに運動エネルギーが供給されるが、各二次イオンにも同様に運動エネルギーが供給される。この結果、質量分散が起こる。同一時間内に、軽量の二次イオンは重量のある二次イオンよりも長距離を後方に移動する。このことは、重量のある二次イオンが開口部1406を通過して蓄積セル1404に第2内部領域1405に入る前に、軽量の二次イオンが環状電極1401に到達してしまうという問題につながることがある。質量分散の影響を低減するため、第1エンドキャップ電極1402および第2エンドキャップ電極1403を介して電位を印加し、蓄積セル1404の内部領域1405に静的四重極電場が発生するようにし、二次イオンが蓄積セル1404の中央で制動されるようにする。上記の電位は、したがって、制動電位とも呼ばれる。軽量の二次イオンは、重量のある二次イオンよりも前に、一度に制動電位の影響を受け、その結果、重量のある二次イオンが軽量の二次イオンを制止することができる。重量のある二次イオンが蓄積セル1404の第2内部領域1405に入射すると、蓄積領域を速やかに起動する。パルスにより、蓄積セル1404に入射する際の二次イオンの運動エネルギーの径方向成分を、イオン輸送ユニット1300内の二次イオンの運動エネルギーの径方向成分よりも大きくすることができる。蓄積セル1404に入射する際の二次イオンの運動エネルギーの径方向成分はできるだけ低く例えば、約数百meVとする必要がある。そうでないと、蓄積セル1404内で二次イオンの電位エネルギーに変換されてしまうからである。この場合、蓄積セル1404の第2内部領域1405内の二次イオンのマクロ振動の振幅が高くなり、分析のための二次イオンが失われる。図16は、図2に示す粒子ビーム装置1に設けた粒子分析装置1000のさらなる実施形態の概略側面図である。図16は図3に基づいている。同一の部品には同一の参照符号を付して示す。粒子分析装置1000は、抽出ユニット1100、エネルギー伝達装置1200、イオン輸送ユニット1300、および分析ユニット1400を備える。イオン輸送ユニット1300および分析ユニット1400は、連結素子1001を介して試料チャンバ49に取り外し可能に取り付ける。分析ユニット1400にレーザユニット1500を追加的に取り付け、レーザビームを分析ユニット1400、イオン輸送ユニット1300、エネルギー伝達装置1200、および抽出ユニット1100に通過させ、試料16に到達させることができるようにする。図17Aに、粒子ビーム装置1内における粒子分析装置1000の概略配置を示す。この場合、明瞭さを向上させるため、図17Aには試料16、第1粒子ビームカラム2、第2粒子ビームカラム3、抽出ユニット1100、およびレーザユニット1500のみを示す。試料16をレーザビームで露光することで、イオンビームによる二次イオン発生の追加または代案として、試料16上でさらに二次イオンを発生させることができる。そして、さらなる二次イオンを粒子分析装置1000により分析する。この実施形態は、レーザビームで比較的広域を照射することにより、所定時間内において、イオンビームのみの場合より多くの二次イオンが試料16から発生する点で有利である。これにより、蓄積時間が短縮され、すなわち、二次イオンが上記電位井戸に捕集され、二次イオンの質量分析をより迅速に行うことができるようになる。本実施形態は、誘電性試料の検査にも有利である。これら誘電性試料はイオンが衝突すると帯電し、その結果、第2粒子ビームカラム3による電子を利用する結像が不可能になる。このため、イオンビームのかわりに、レーザユニット1500のレーザビームのみを用いて二次イオンを生成することができる。さらに、図17Aに示す実施形態において、有利には、レーザユニット1500が粒子分析装置1000の軸線に平行に配置されるように、レーザユニット1500と粒子分析装置1000とを配列する。この構成により、試料チャンバにレーザユニット1500のための付加的な接続を設けることが不要になる。さらに別の実施形態において、レーザユニット1500のレーザビームを用いて光周波数における光学的結像を行うことが可能となる。これにより、電子またはイオンによる結像に加え、試料16の表面をさらなる検査方法で検査することができる。さらなる実施形態において、レーザユニット1500のレーザビームを用いて、試料の位置決めおよびイオンビームと電子ビームとの一致点の発見を行う。さらに別の実施形態において、レーザビームのエネルギーを用いて、試料16から放出された中性粒子をイオン化することができる。これにより、粒子分析装置1000による分析効率が向上する。さらに、レーザユニット1500のレーザビームにより試料16のある一定の領域を加熱することができる。これにより、試料16の検査をその温度の係数として行うことが可能となる。さらに、二次イオンの仕事関数を減少することができ、二次イオンの収量を増加させることができる。さらなる実施形態において、レーザ光により二次イオンの分光分析を行うことができる。さらに、上記の例示的な実施形態において、試料16にイオンビームおよびレーザユニット1500からのレーザビームを交互に、または、連続的に照射する。例えば、レーザビームにより試料16から材料を大まかに除去することができる。これにより二次イオンが発生し、その二次イオンを分析する。粒子分析装置1000により特定の要素が確認されるまで、大まかな除去を行う。その後、集束イオンビームを用いて微細な除去を行う。図17Bは、図17Aに示す例示的な実施形態に基づくものである。同一の部品には同一の参照符号を付して示す。したがって、まずは、上記の記載を参照されたい。上記の記載は図17Bに示す例示的な実施形態にも適用される。図17Aに示す例示的な実施形態とは対照的に、図17Bに示す例示的な実施形態においては、レーザユニット1500は粒子分析装置1000上ではなく、側方の試料チャンバ49上に配置する。図17Cも同様に、図17Aに示す例示的な実施形態に基づくものである。同一の部品には同一の参照符号を付して示す。したがって、まずは、上記の記載を参照されたい。上記の記載は図17Cに示す例示的な実施形態にも適用される。図17Aに示す例示的な実施形態とは対照的に、図17Cに示す例示的な実施形態においては、2つのレーザユニットを設ける。第1レーザユニット1500Aを粒子分析装置1000上例えば、分析ユニット1400に取り付ける。さらに、第2レーザユニット1500Bを試料チャンバ49上に配置する。第1レーザユニット1500Aおよび第2レーザユニット1500Bはどちらも上述した機能のうち少なくとも1つを有する。また、上記の発明、特に、本発明の上記の全ての実施形態は、正電荷を持つイオンおよび負電荷を持つイオンの両方に適していることを明示的に述べておく。上記の電位は、当業者により、上記の電位を反転および適合させることにより適宜選択されるものである。"