"逆耐圧を確保するための分離層を有する逆阻止型のパワー半導体装置の製造方法において、第1導電型の半導体ウェハの第1主面側に第2導電型の表面側拡散分離層を形成する工程と第2主面側から前記表面側拡散分離層に達するテーパー状の側壁面を有する溝をテーパー状の側面と平坦もしくは円弧状の先端部を有するダイシングブレードの刃で切削形成する工程と、前記溝に形成された加工歪をウェットエッチングで除去する工程と、前記溝の前記側壁面に第2導電型不純物をイオン注入して前記表面側拡散分離層と接する第2導電型の裏面側拡散分離層を形成する工程と、を含むことを特徴とするパワー半導体装置の製造方法。加工歪が除去された前記溝のそれぞれ対向するテーパー状の側壁面の延長面が交差する角度が70.6°より大きいことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記角度が、71°以上で、150°以下であることを特徴とする請求項2に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記ウェットエッチングが、等方性ウェットエッチングもしくは異方性ウェットエッチングもしくはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記等方性ウェットエッチングのエッチング液がフッ硝酸系のシリコンを溶解する混酸であることを特徴とする請求項4に記載のパワー半導体装置の製造方法。幅の異なる複数のダイシングブレードを幅の薄い方から順次用いて、開口部が広く深さが深いテーパー状の前記溝を形成することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記の70.6°の角度が、アルカリエッチングのみで形成された台形型溝のそれぞれ対向するテーパー状の側壁面の延長面が交差する角度であることを特徴とする請求項2または3のパワー半導体装置の製造方法。前記請求項1~請求項7のいずれか一項に記載のパワー半導体装置の製造方法で製作されたパワー半導体装置であって、前記半導体ウェハから切り出される半導体チップの第1主面側に配置される前記表面側拡散分離層および表面構造と、前記半導体チップの第2主面側から前記表面側拡散分離層に達するテーパー状の側壁面と、該側壁面に配置され前記表面側拡散分離層と接する前記裏面側拡散分離層と、を具備することを特徴とするパワー半導体装置。前記半導体チップの第2主面と前記側壁面の前記半導体チップ内の角度が125.5°~150°の範囲とすることを特徴とする請求項8に記載のパワー半導体装置。前記表面構造が、MOSゲート構造を含むことを特徴とする請求項8に記載のパワー半導体装置。図14に示す逆阻止型IGBTの分離層の形成方法において、表面からボロンソースボロンの液状の拡散源を塗布し熱処理にてボロンを拡散し、数百μm程度の拡散深さの分離層64を形成するためには、高温で長時間の熱拡散処理を必要とする。このため、拡散炉を構成する石英ボード、石英管石英チューブ、石英ノズルなど石英治具のへたりや、ヒーターからの汚染、石英治具の失透現象による強度低下などを発生させてしまう。また、この塗布拡散法による分離層64の形成では、ドーパントマスク酸化膜62の形成が必要となる。このドーパントマスク材としては長時間のボロン拡散に耐えるように良質で厚いシリコン酸化膜が必要となる。この良質なシリコン酸化膜を得る方法としては熱酸化の方法がある。しかし、高温で長時間例えば1300°C、200時間のボロンによる分離層64の熱拡散処理においてボロンがマスク酸化膜酸化膜62を突き抜けないようにするためには、膜厚が約2.5μm程度の厚い熱酸化膜を形成する必要がある。この膜厚2.5μm程度の熱酸化膜を形成のためには、例えば、1150°Cで200時間程度の熱処理が必要となる。膜質がやや劣るものの、ドライ酸化に比べて酸化時間が短くて済むウェットもしくはパイロジェニック酸化でも、約15時間と長い酸化時間を必要とする。さらに、これらの酸化処理中には、大量の酸素がシリコンウェハ中に導入されるために、酸素析出物や酸化誘起積層欠陥などの結晶欠陥が導入されたり、酸素ドナーが発生したりすることによるデバイス特性劣化や信頼性低下が生じる。さらに、ボロンソース塗布後の拡散でも、通常は酸化雰囲気下で上記高温長時間の熱拡散処理が行われるため、ウェハ内に格子間酸素が導入され、酸素析出物、酸素ドナー化現象が発生したり、酸化誘起積層欠陥OSF:OxidationInducedStackingFaultやスリップ転位など結晶欠陥が導入されてしまう。これら結晶欠陥が導入されたウェハでは、漏れ電流の増大、耐圧低下および信頼性低下が起こることが知られている。また、熱拡散処理中に取り込まれた酸素が別の熱処理によりドナー化し、耐圧が低下するという弊害を生じさせる。さらに、図14の塗布拡散による拡散分離層64の形成では、分離層64の底部の横幅が狭くなり、図13に示すダイシング切断面31から拡散分離層64に導入されたクラック68により、耐圧低下や漏れ電流の増大をもたらす懸念がある。図15に示すように、ドライエッチングによる高アスペクト比の深堀り溝トレンチ溝71を利用した拡散分離層72の形成する場合には、この溝71内ではレジストや薬液の残渣やレジスト残渣などが発生し、歩留まりの低下や信頼性の低下など弊害を生じさせてしまう問題がある。通常、溝71の側壁面に対してリンやボロンなどのドーパントを導入する場合、溝71の側壁面が垂直となっているので、ウェハを斜めにしてイオン注入する斜めイオン注入することにより溝71の側壁面へのドーパント導入を行っている。しかし、アスペクト比の高い溝71の側壁面へのドーパント導入は、実効ドーズ量の低下それに伴う注入時間の増加、実効投影飛程の低下、スクリーン酸化膜によるドーズ量ロス、注入均一性の低下などの弊害を生じさせる。このため、アスペクト比の高い溝71内へ不純物を導入するための手法として、イオン注入の代わりにPH3ホスフィンやB2H6ジボランなどのガス化させたドーパント零囲気中にウェハを暴露させる気相拡散法が用いられる。しかし、ドーズ量の精密制御性において、イオン注入法に比べて劣る。また導入できるドーパントのドーズ量も、固溶限solubilitylimitにより制限されることが多い。またアスペクト比の高い溝71に補強材73たとえば絶縁膜を充填させる場合、溝71内にボイドと呼ばれる隙間ができてしまい、信頼性などの問題が発生する。ドライエッチングにより深い溝を形成する場合、プラズマ雰囲気に長時間ウェハ表面が暴露されるため、プラズマ照射損傷プラズマダメージによるデバイス特性の劣化という問題が発生する。特にIGBTにおけるゲート構造は、プラズマ照射損傷を受けやすい。このため、ドライエッチングによる溝形成は、ゲート構造作製工程の前に限られてしまう。ゲート構造作製後も、エミッタ構造や保護層形成など、数々の半導体製造プロセス工程を経る必要があり、溝が開口したままだと、レジストや薬液の残渣による不良が懸念されるため、溝内を半導体膜や絶縁膜などで充填させる必要があり、製造コストの上昇を招く。また、MOSゲート構造を形成する第1主面表面側からエッチングしてV字溝を形成した場合、デバイスピッチが大きくなるなどの懸念がある。また、特許文献4に記載されているアルカリエッチングによる台形型溝で裏面側拡散分離層を形成する方法では、デバイスの高耐圧化、すなわちウェハ厚みの増大に伴って溝形成のためのエッチング時間が増大し、製造コストが上昇する。図17は、アルカリエッチングのみで形成された側壁面82と裏面側拡散分離層83を有する逆阻止型IGBTの要部断面図である。この側壁面83はウェハの裏面にアルカリエッチングのみで形成された台形型溝81の側壁面である。図16に示すように、この台形型溝81の対向する側壁面83の延長面の交差する角度θ0は70.6である。図18は、パワー半導体装置の耐圧クラスとチップ厚み一例を示した図である。図18では耐圧が600V~2500Vの場合のチップ厚みを括弧内に示した。耐圧クラスの増加に伴ってチップ厚みが増加し、それに伴いV字溝の深さが深くなり、エッチング時間が増大する。例えば、湿式異方性ウェットエッチング液アルカリ水溶液であるTMAH液テトラメチルアンモニウム水溶液を用いてV字溝形成のエッチングを行う場合、表面からの形成される表面側拡散分離層80の深さが50μm、TMAHエッチングレートが60μm/時間とすると600Vクラスの場合50μm以上、すなわち最低50分のエッチング処理時間なのに対し、2500Vクラスを作成しようとした場合エッチング量は最低350μm、すなわちエッチング時間が350分と長時間の処理になってしまう。よって、加工時間の増加による製造コストの上昇が懸念される。加えて、エッチング処理時には表面側のデバイス構造表面構造2や耐圧構造3が出来上がっているため、レジスト等の保護膜を予め塗布することでエッチング中の保護が必要になる。しかし上記のような長時間のエッチングに対し耐性のあるレジストの選定は困難であり、処理中のウェハ外周部のレジスト界面からの侵食により、ウェハ外周部のカケや強度低下等の懸念も発生する。また、アルカリエッチングでは、ウェハに形成される台形型溝81の底面82と側壁面83の接続箇所B部が鈍角ではあるが丸みを帯びていないため、応力集中が起こりこの箇所でクラック85や強度低下が起こることが懸念される。これらのことは、TMAH水溶液に限らずKOH水溶液を用いた場合でも起こる。この発明の目的は、前記の課題を解決して、分離層の形成時間を短縮できて、高い信頼性と低コストを図れる逆阻止型のパワー半導体装置およびその製造方法を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、逆耐圧を確保するための分離層を有する逆阻止型のパワー半導体装置の製造方法において、第1導電型の半導体ウェハの第1主面側に第2導電型の表面側拡散分離層を形成する工程と第2主面側から前記表面側拡散分離層に達するテーパー状の側壁面を有する溝をテーパー状の側面と平坦もしくは円弧状の先端部を有するダイシングブレードの刃で切削形成する工程と、前記溝に形成された加工歪をウェットエッチングで除去する工程と、前記溝の前記側壁面に第2導電型不純物をイオン注入して前記表面側拡散分離層と接する第2導電型の裏面側拡散分離層を形成する工程とを含む製造方法とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、加工歪が除去された前記溝のそれぞれ対向するテーパー状の側壁面の延長面が交差する角度が70.6°より大きいとよい。また、特許請求の範囲の請求項3に記載の発明によれば、請求項2に記載の発明において、前記角度が、71°以上で、150°以下であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記ウェットエッチングが、等方性ウェットエッチングもしくは異方性ウェットエッチングもしくはこれらの組み合わせであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記等方性ウェットエッチングのエッチング液がフッ硝酸系のシリコンを溶解する混酸であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項6に記載の発明によれば、請求項1~5のいずれか一項に記載の発明において、厚みの異なる複数のダイシングブレードを薄い方から順次用いて、開口部が広く深さが深いテーパー状の前記溝を形成するとよい。また、特許請求の範囲の請求項7に記載の発明によれば、請求項2に記載の発明において、前記の70.6°の角度が、アルカリエッチングのみで形成された台形型溝のそれぞれ対向するテーパー状の側壁面の延長面が交差する角度であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項8に記載の発明によれば、前記請求項1~請求項7のいずれか一項に記載のパワー半導体装置の製造方法で製作されたパワー半導体装置であって、前記半導体ウェハから切り出される半導体チップの第1主面側に配置される前記表面側拡散分離層および表面構造と、前記半導体チップの第2主面側から前記表面側拡散分離層に達するテーパー状の側壁面と、該側壁面に配置され前記表面側拡散分離層と接する前記裏面側拡散分離層とを具備する構成とする。また、特許請求の範囲の請求項9に記載の発明によれば、請求項8に記載の発明において、前記半導体チップの第2主面と前記側壁面の前記半導体チップ内の角度が125.5°~150°の範囲とするとよい。また、特許請求の範囲の請求項10に記載の発明によれば、請求項8に記載の発明において、前記表面構造がMOSゲート構造を含むとよい。この発明によれば、テーパー状のダイシングブレードを用いて、ウェハの裏面から表面側拡散分離層に達するテーパー状の溝を形成し、その溝のテーパー状の側壁面に裏面側拡散分離層を形成することで、裏面側の分離層の形成時間を短縮できる。その結果、低コスト化を図ることができる。。また、ブレードのテーパー状の両側面が交わる角度内角を、アルカリエッチングで形成した溝のテーパー状の側壁面の延長面の交わる角度内角:70.6°より大きくすることで、裏面側拡散分離層を形成するためのイオン注入の注入量を増加させることができる。それによって、十分な濃度の裏面側拡散分離層を形成することができる。その結果、耐圧を確実に確保でき、チップ端部からのクラックなどによる耐圧低下や漏れ電流の増加を抑制することができて高い信頼性が得られる。実施の形態を以下の実施例で説明する。尚、従来の部位と同一の部位には同一の符号を付した。また、実施例の図中の符号6はエッチング後で加工歪を除去した本発明における溝に共通に付与した符号であり、6aはエッチング前の溝に共通に付与した符号である。<実施例1>図1は、この発明の第1実施例のパワー半導体装置の製造方法であり、同図a~同図eは工程順に示した要部製造工程断面図である。まず、同図aにおいて、逆阻止IGBTの製造工程において、n型のウェハ1の表面1a第1主面側の表面構造2、耐圧構造3および深さが100μm程度のp型の表面側拡散分離層4を形成する。その後、この表面側拡散分離層4に達しない素子耐圧に見合う所定の厚さ数百μmまでウェハ1の裏面1b第2主面側を研削しウェハ1を薄化する。その後、両面マスクアライナーを用いて表面1aの表面側分離拡散層4のパターンに対応させて裏面1b上にエッチングマスク5を形成する。つぎに、同図bにおいて、ダイシング装置のダイシングブレード7を用いて、p型の裏面側拡散分離層を形成するための溝6aV字溝の底部を平坦した台形型溝を表面側拡散分離層4に達するよう機械的な研削で形成する。この溝6aは前記のエッチングマスク5の開口部5aの中央にダイシングブレード7以下、単にブレードと称すの刃の平坦な先端を位置させて、ウェハ1をハーフカットすることで形成される。このハーフカットによる溝6aを形成するためのシリコン除去量は、エッチング後の最終的な溝幅、深さを考慮して決める。図では左側から右側にブレード7で溝6aを形成する様子を示した。つぎに、同図cにおいて、表面1aがエッチングされないように図示しない保護膜で被覆する。続いて、等方性ウェットエッチング液であるフッ硝酸系のシリコンを溶解する混酸例えば、フッ硝酸溶液などを用いて前記の溝6aの表面の加工歪を除去して溝6を形成する。つぎに、同図dにおいて、裏面1bのエッチングマスク5を除去し、裏面1b側から形成した溝6の側壁面8と平坦なウェハの裏面1bへドーパントであるボロンをイオン注入する。続いて、表面構造2や耐圧構造3に熱的なダメージを与えないように、例えば550°C程度以下の温度で炉アニールもしくはレーザーアニールする。このアニールでドーパントを活性化し、p型の裏面側拡散分離層9とp型コレクタ層10を形成する。ウェハ1の裏面1b全面にコレクタ電極11のための金属膜をスパッタなどにより堆積させる。つぎに、同図eに示すように、ダイシングライン12に沿ってウェハ1をダイシング切断し、逆阻止型IGBTチップ13が出来上がる。前記の図1aにおいて、エッチングマスクは溝内面の加工歪を除去するウェットエッチング用のマスクである。このエッチングマスクの材料は、プラズマCVDChemicalVaporDepositionや常圧CVDによるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などを用いるが、SOGSiliconOnGlassを用いる場合もある。またはエッチング液に対し耐性のあるレジスト材でもよい。前記の図1bにおいて、図2に示すように、ブレード7の刃にはテーパー14が付いており、刃の両面についているテーパー状の側面15の点線で示す延長面15aが交わる角度θ1が大きくなると、溝6を形成するときにブレード7とウェハ1に大きな応力が掛かり、両者が損傷する場合が生じる。それを防止するために、研削スピードを遅くすると加工時間が掛かりコストが上昇する。尚、図2のブレード7は要部断面図を示す。一方、角度θ1を小さくすると、開口部16の広い溝6を形成できなくなり、裏面側拡散分離層9を形成するためのイオン注入量も減少する。前記の図1cの工程において、加工歪が除去された後の溝6の対向するテーパ-状の側壁面17の延長面17aが交わる角度θ2図2参照は、アルカリエッチングで交わる角度θ0図16,17参照である70.6°より大きくすると、側壁面17に注入されるイオン注入量をアルカリエッチングで形成した溝81の場合より増加させることができる。その結果、十分な不純物量の裏面側拡散分離層9を形成することができて、逆耐圧を向上させることができる。具体的には、アルカリエッチングで形成した溝81の場合より側壁面17へのイオン注入量を多くするためには、この角度θ2を71°以上で120°以下にすることよい。71°未満では、アルカリエッチングで形成した溝81の場合より側壁面17へのイオン注入量が少なくなる。一方、120°を超えると、ブレード7による溝6aの形成時間が長くなり過ぎる。また、さらに好ましくはこの角度θ2を80°以上、100°以下とするとよい。また、このエッチングは等方性ウェットエッチングのため、図2bに示すように、溝6の底部18の角部Aは丸みを帯びた形状となる。これにより、溝6部でのウェハの割れの発生が軽減される。また、図2aで示すように、ブレード7の先端を平坦にしないで、側壁面17と滑らかに接続する円弧状の面19点線で示すとすることで、さらにこの効果は高まる。前記の図1dの工程において、コレクタ電極11となる金属膜は溝の側壁面17にも形成されるので、裏面拡散分離層9の保護膜として作用させることができる。つまり、コスト上昇を招くことなく、キズや汚染物質の混入による裏面拡散分離層9の不良を防止することができる。本発明を用いることで、アルカリエッチングのみで溝81を形成した場合図17参照に比べ、溝6の形成時間を短縮できて低コスト化を図ることができる。また、前記の角度θ2を角度θ0より大きくすることで、アルカリエッチングのみで溝81を形成した場合より側壁面17へのイオン注入量を増やして十分な不純物量の裏面側拡散分離層9を形成できる。その結果、逆耐圧を向上させることができる。また、チップの端部図3のダイシング切断面31から導入されるクラックなどによる耐圧低下や漏れ電流の増加を抑制することができる。その結果、高い信頼性を得ることができる。さらに、溝6の底部18の隅が角張らずに曲線状となるので、溝6の角部Aにおけるウェハ1の割れを防止できる。また、前記のエッチングは溝6の底部18の隅が角張らずに曲線状するためには等方性ウェットエッチングが好ましいが、溝6の底部10が点線で示すように曲線状となっている場合には、異方性ウェットエッチングもしくは等方性ウェットエッチングと異方性ウェットエッチングを組み合わせてもよい。また、アルカリエッチングのようにウェハ1の表面1aの結晶方位に依存することなく、任意の結晶方位で溝6を形成できる。例えば、111面を用いた電力用サイリスタやダイオードなどパワー半導体装置にも本発明は適用することができる。図3は、図1の製造方法で製作された逆阻止型IGBTの要部断面図である。この逆阻止型IGBTは、n型半導体基板21半導体チップの第1主面22側に形成されたp型ウェル領域23p型ベース領域ともいうと、p型ウェル領域23の表面層に形成されたn型エミッタ領域24と、n型エミッタ領域24とn型半導体基板21に挟まれたpウェル領域23上にゲート絶縁膜25を介して形成されたゲート電極26を備える。n型半導体基板21の外周部に形成されるp型の表面側拡散分離層4および耐圧構造3と、ゲート電極26上に形成された層間絶縁膜27を備える。この層間絶縁膜27上に形成され層間絶縁膜27のコンタクトホールを介してn型エミッタ領域24と接続するエミッタ電極28と、表面に形成される、例えば、ポリイミド膜やSiN膜などの表面保護膜29を備える。n型半導体基板21の第2主面30側にp型コレクタ層10と、第2主面30側から表面側拡散分離層4に接する側壁面17を備える。この側壁面17にイオン注入で形成され表面側拡散分離層4およびp型コレクタ層10にそれぞれ接するp型の裏面側拡散分離層9と、p型コレクタ層10上および裏面側拡散分離層9上に形成されるコレクタ電極11を備える。n型半導体基板21の端部はダイシング切断面31となる。前記の表面側拡散分離層4は表面側の分離層であり、溝6と裏面側拡散分離層9は裏面側の分離層を構成する。表面側の分離層と裏面側の分離層で逆阻止型IGBTの分離層が構成される。逆阻止型IGBTの表面構造2は、p型ウェル領域23、n型エミッタ領域24、ゲート絶縁膜25、ゲート電極26、層間絶縁膜27、エミッタ電極28および表面保護膜29で構成される。また、耐圧構造3はp型拡散領域と金属膜からなる。図3の逆阻止型IGBTでは、半導体基板21の第2主面30裏面を基準とした側壁面17の半導体基板21内の角度θ3は125.5°すなわち、90°71°÷2~150°すなわち、90°120°÷2の範囲とするとよい。テーパー状のダイシングブレード7で溝6を形成することで、半導体基板21の第2主面30を基準として溝6の側壁面17の角度θ3を、125.5°以上とすることで、アルカリエッチングで形成される溝の角度125.25°より、大きくすることができる。大きな角度にすることで、裏面側拡散分離層9を形成するための不純物イオンボロンイオンの溝6の側壁面17へのイオン注入量を増加させることができる。その結果、裏面側分離拡散層9の不純物濃度を十分高めることができて、逆耐圧などの特性を向上させることができる。一方、150°を超えると溝6の形成時間が長過ぎるので150°以下とするのが望ましい。また、垂直線と溝6の側壁面17との角度θ4は35.5°~75°の範囲となる。<実施例2>図4は、この発明の第2実施例のパワー半導体装置の製造方法であり、同図a~同図eは工程順に示した要部製造工程断面図である。図1との違いは、複数の幅の異なるブレードを用いて、図1の場合より幅が広く深い溝6を形成した点である。図4では、2つの幅の異なるブレードを用いて溝6aを形成した場合について説明する。図4bの工程において、図5aのように、第1ブレード35は幅W1が相対的に狭く、第2ブレード36の幅W2は第1ブレード35の幅より広くなっている。ブレード35,36の側面面37,38のテーパーは両者で同じであり、第1ブレード35の表面側拡散分離層4に達する第1溝39を形成する。続いて、図5bのように、幅の広い第2ブレード36の刃の先端を第1溝39の中心に合わせて切削する。第1溝39の底部41aに第2ブレード36の底部42aが当たった時点で第2ブレード36による切削を停止させ第2溝40を形成する。第2ブレード36の底部42aが第1溝39の底部41aに接したところで急激に切削のための力が大きくなるので、第2ブレード36の底部42aが第1溝39の底部41aに達したことが分かる。このようにすることで、第1ブレード35で形成された第1溝39のテーパー状の側壁面41と、第2ブレード36で形成された第2溝406aのテーパー状の側壁面42が同じ傾斜で延長される。その後、湿式等方性ウェットエッチングして加工歪を除去した溝6は、幅Wが広く深さTが深い溝となる。加工歪を除去した溝6の側壁面17の傾斜はウェハ1の裏面1bまで同一のテーパーで形成することができる。この側壁面17のテーパーは側壁面42のテーパーとほぼ同じである。加工歪除去後の角度θ2と除去前の角度θ1もほぼ同じになる。このようにテーパー状の幅W1,W2の異なるブレード35,36を使用することで、開口部16の幅Wが広く深さTが深い溝6を形成することができる。ここで幅W2のブレード36一つで深い溝を形成するのが、切削のためにウエハに強い力が作用しウエハ割れを生じるなど困難な場合でも深い溝を形成できる利点がある。この幅が広く深さが深い溝を形成する場合は厚いウェハを必要とする高耐圧の逆阻止IGBTなどで有効になる。図6は、刃の先端を丸めたブレードを4枚用いて形成した溝6aの要部断面図である。溝356aの側壁面46は複数の曲線が繋がった形状となる。このようにして、溝35の開口部47を広くして、側壁面46の平均の傾斜を小さくすることができる。図6において、溝幅W1、W2、W3及びW4は幅が小さいほうから順に大きくなる4枚のブレードに対応するが、これらブレードの幅は形成される溝幅と同じであっても良いし、これら形成される溝幅よりも多少幅広であっても良い。すなわち、それぞれのブレード幅はそれよりもひとつ大きいブレード幅よりも小さければ良い。図6に示したブレード701、702はそれぞれ溝幅W1、W2に対応する溝を形成するのに用いられるブレードを例示したものである。ブレード701、702は刃の先端が断面楕円状の丸みを有する例である。この丸みは楕円状に限らず刃の外側に向かって凸状の曲線であって良い。また図6では刃の先端を丸めたブレードを用いる例を示したが、図5で示されたような刃の先端が平坦なテーパー状ブレードを用いても良い。図7は、図4の製造方法で製作された逆阻止型IGBTの要部断面図である。図3との違いは、溝6の幅Wが広く、深さTが深くなっている点である。図7の逆阻止型IGBTも図3の逆阻止型IGBTと同じように、チップの裏面を基準とした溝6の側壁面17の角度θ3は125.5°~150°の範囲とすることで、図3と同じ効果が得られる。<実施例3>図8は、この発明の第3実施例のパワー半導体装置の製造方法であり、同図a~同図eは工程順に示した要部製造工程断面図である。図1との違いは、図9に示すように、側壁面17が垂直面17aとテーパー状の面17bおよび平坦な底面17cで構成されている点である。この場合の裏面側拡散分離層9を形成するためのイオン注入は斜めイオン注入を用いる。この場合も溝6の形成時間はブレード7aを用いているのでアルカリエッチングに比べて短縮できる。ブレード7aの先端を円弧状にすることで図9の点線43で示すように溝6の底部18を丸めることができる。これによって、溝6の底部18での応力集中を緩和できてウェハ1の割れを防止できる。その結果、良品率が向上し製造コストを低減できる。図9は、図8の製造方法で製作された逆阻止型IGBTの要部断面図である。図3との違いは、側壁面17が垂直面17aとテーパー状の面17bおよび平坦な底面17cで構成されている点である。この場合は、裏面側拡散分離層9の形成は斜めイオン注入で形成するとよい。<実施例4>図10は、この発明の第4実施例のパワー半導体装置の製造方法であり、同図a~同図eは工程順に示した要部製造工程断面図である。図4との違いは、図11に示すように、先端が円弧状のブレードで幅が狭い第1ブレード51と幅が広い第2ブレード52を用いて、第1溝53と第2溝54を形成し、幅Wが広い、深さが深い溝6を形成している点である。溝6の側壁面17は垂直面と円弧面で形成されている。図11は、図10cの溝6の形成方法を示し、同図aおよび同図bは工程順に示した溝の形成断面図である。同図aのように幅の狭い第1ブレード51で第1溝53を形成し、その後で幅の広い第2ブレード52で第2溝54を形成する。第1溝53の先端は丸みを帯びている。また側壁面17は垂直面と円弧状の面で構成されている。垂直面があるため、斜めイオン注入で裏面側拡散分離層9を形成する。この溝6は、開口部が幅Wが広く深さTが深い場合で、ウェハ厚みが厚い高耐圧の逆阻止IGBTなどにこの方法が適用できる。この場合も溝6の形成時間はブレード51,52を用いているので短縮できる。図12は、図10の製造方法で製作された逆阻止型IGBTの要部断面図である。図7との違いは、側壁面17が湾曲面と垂直面で構成され、側壁面17が2段になっている点である。"