"基板に実装された半導体装置を、フィラーを含有する封止樹脂で封止する工程と、前記封止樹脂の表面を削って前記フィラーの一部を露出させる工程と、前記露出したフィラーの少なくとも一部をエッチングする工程と、前記エッチングにより前記封止樹脂表面に形成された孔内面を含む前記封止樹脂表面の少なくとも一部に金属膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記金属膜は、無電解めっきにより形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記金属膜は、印刷により形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。基板に実装された半導体装置がフィラーを含有する封止樹脂で封止された半導体装置であって、前記封止樹脂の表面には、表面に露出したフィラーの少なくとも一部のエッチングにより形成された孔と、前記孔内に形成された金属膜を有することを特徴とする半導体装置。少なくとも1以上の電子部品を、フィラーを含有する樹脂からなる筺体で覆う工程と、前記樹脂の表面を削って前記フィラーの一部を露出させる工程と、前記露出したフィラーの少なくとも一部をエッチングする工程と、前記エッチングにより前記樹脂表面に形成された孔内面を含む前記樹脂表面の少なくとも一部に金属膜を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品のシールド方法。しかしながら、電子機器に実装されている半導体装置を金属製の筺体で覆う場合、筺体を半導体装置よりも大きく作製する必要があるため半導体装置や電子機器の小型化の妨げとなる場合がある。本発明が解決しようとする課題は、ノイズによる影響を低減できる半導体装置の製造方法、半導体装置及び電子部品のシールド方法を提供することである。本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板に実装された半導体装置を、フィラーを含有する封止樹脂で封止する工程と、封止樹脂の表面を削ってフィラーの一部を露出させる工程と、露出したフィラーの少なくとも一部をエッチングする工程と、エッチングにより封止樹脂表面に形成された孔内面を含む封止樹脂表面の少なくとも一部に金属膜を形成する工程と、を有する。以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。実施形態図1は、実施形態に係る半導体装置1の断面図である。以下、図1を参照して、実施形態に係る半導体装置1の構成について説明する。半導体装置1の構成本実施形態に係る半導体装置1は、半導体チップ10と、半導体チップ10を実装するための実装基板20とを備え、半導体チップ10が封止樹脂モールド樹脂30により封止され、該封止樹脂30及び実装基板20上に電磁シールドとしての金属膜70が形成された構造を有する。半導体チップ10は、半田等のマウント材40で実装基板20の表面上に接合される。また、半導体チップ10に形成されている信号入出力用の電極10aは、ボンディングワイヤ50で表面配線20aと接続される。実装基板20は、例えば、FR4等のプリント配線基板ガラスエポキシシートである。実装基板20の材料として、FR4以外にも、四フッ化エチレン樹脂などの樹脂基板や、アルミナAl2O3、窒化アルミAlN等のセラミックス基板を使用してもよい。実装基板20には、金属配線である表面配線20a及び裏面配線20b、表面配線20aと裏面配線20bとを接続するスルーホール20cが形成されている。スルーホール20cの表面は、導電体で被覆されており、表面配線20aと裏面配線20bとを電気的に接続する。実装基板20の裏面には、BGAballgridarray60が形成されており、このBGA60は、裏面配線20b、スルーホール20c、表面配線20a及びボンディングワイヤ50を介して、半導体チップ10の電極10aと電気的に接続されている。なお、BGA60の代わりにLGAlandgridarrayを実装基板20の裏面に形成するように構成してもよい。封止樹脂30は、フィラーとしてシリカSiO2を含有する。本実施形態では、封止樹脂に含有されるシリカの少なくとも一部をエッチングし、このエッチングにより形成された孔によるアンカー効果により金属膜70の付着性を向上させている。このため、シリカの含有量は、高いほうが好ましい例えば、80質量以上。また、エッチングにより形成された孔内に金属膜70が形成される必要があることから樹脂に含有されるシリカの粒径は、数μm~数十μm程度であることが好ましい。なお、封止樹脂30に含まれるフィラーは、エッチングが可能であればシリカに限られず種々の材料を使用することができる。金属膜70は、半導体装置1内に実装された半導体チップ10へ入射される電磁界ノイズや、半導体チップ10から外部へ放射される電磁界ノイズを低減する電磁シールドとして機能する。金属膜70の材料としては、種々の金属が使用可能であるが、電気抵抗が小さく、かつ、比較的安価である金属例えば、銅Cuを使用することが好ましい。この実施形態では、銅Cu膜以下、Cu膜と称する上に酸化防止膜としてのニッケルNi膜以下、Ni膜と称するを形成したものを金属膜70としている。なお、実装基板20の側面にも金属膜70を形成してよい。なお、Cu膜の厚みは、2~5μmの範囲内であることが好ましい。Cu膜の厚みが2μm未満では、十分な電磁シールド効果を得ることができず、Cu膜の厚みが5μmを超えると、十分な付着性を得ることができないためである。従って、3~4μmの範囲がより好ましい。また、Cu膜上に形成するニッケルNi膜の厚みは、0.3μm以上あれば酸化防止膜として十分に機能する。金属膜の作製図2及び図3は、本実施形態に係る半導体装置が備える金属膜の形成工程の一例を示す図である。本実施形態に係る半導体装置1が備える金属膜70は、無電解めっきにより形成される。以下、図2a~d及び図3e~hを参照して、半導体装置1が備える金属膜70の形成方法について説明する。第1の工程図2a参照金属膜70が形成される前の半導体装置1aの実装基板20の裏面にマスキングテープMを貼り付け、実装基板20の裏面に形成された裏面配線20bやBGA60をマスキングテープMで覆っておく。この第1の工程は、金属膜70により裏面配線20bやBGA間の短絡ショートを防ぐためのものである。第2の工程図2b参照次に、界面活性剤等により半導体装置1aの脱脂洗浄を行い、半導体装置1aの表面に付着した異物D例えば、ダストや油分を除去する。この第2の工程は、半導体装置1aの脱脂洗浄を行うことで金属膜70の半導体装置1aへの付着性を向上させるためのものである。第3の工程図2c参照半導体装置1aの封止樹脂30のバリを除去し、更に金属膜70が形成される表面を薄く例えば、30μm程度削り取る処理を行う。この処理は、図3cに示すように、ブラシB等を封止樹脂30表面に押圧した状態で往復運動することにより実施してもよく、ブラスト処理を実施してもよい。ブラスト処理では、投射材と呼ばれる粒体を半導体装置1aの表面に衝突させることにより、半導体装置1aの封止樹脂30の表面を薄く例えば、30μm程度削り取る。封止樹脂30の表面を薄く例えば、30μm程度削り取ることにより、封止樹脂30に含有されているシリカの一部を露出させる。第4の工程図2d参照純水等が入った容器C1に半導体装置1aをいれて、半導体装置1aを超音波洗浄し第3の工程で生じた塵埃を除去する。第5の工程図3e参照半導体装置1aを乾燥させた後、エッチング液が入った容器C2に半導体装置1aをいれて、第3の工程により露出した封止樹脂30に含有されるシリカをエッチングする。第6の工程図3f参照半導体装置1aを10程度に希釈した硫酸が入った容器C3に半導体装置1aをいれてしばらく放置し、封止樹脂30の表面を活性化させて付着性を向上させる処理を実施する。第7の工程図3g参照無電解めっきの核となる触媒金属を半導体装置1aの表面に吸着させる。この実施形態では、Pd-Sn錯体を半導体装置1aの表面に吸着させる。第8の工程図3h参照半導体装置1aの表面にCu膜を形成した後、さらに、このCu膜上に酸化防止膜としてのニッケルNi膜を形成する。このCu膜およびNi膜は、無電解めっきにより形成する。図4は、本実施形態に係る方法により作製した金属膜70の拡大断面図模式図である。図4に示すように、本実施形態に係る方法で形成された金属膜70Cu膜及びNi膜は、エッチングによりシリカの少なくとも一部が除去された後の孔に入り込むことにより、孔内に一部が突出して充填された金属膜70が形成され、金属膜70のアンカー効果が向上する。その結果、金属膜70の封止樹脂30の表面に対する付着性が向上する。図5は、図2,3で説明した方法により作製した金属膜70Cu膜のみの拡大断面画像である。図5には、ブラストにより封止樹脂30を30μm削り取った後、Cu膜を4μm形成した試料の画像を示した。図5では、本実施形態に係る方法で形成された金属膜70が、エッチングによりシリカの少なくとも一部が除去された後の孔に入り込んでいることが確認できる。金属膜70をスクリーン印刷により封止樹脂表面へ電磁シールド層としての金属膜を形成してもよい。図6は、本実施形態に係る半導体装置が備える金属膜の形成工程の他の例を示す図である。以下、図6を参照して、スクリーン印刷により金属膜を形成する方法ついて説明する。なお、スクリーン印刷は、真空低圧チャンバ内で行われる。第1の工程図6a参照金属膜70を形成する前の半導体装置1aにマスクNを被せる。また、銀AgペーストXは、スキージSでよく捏ねて泡を抜く脱泡。第2の工程図6b参照スキージSを図6の紙面に対して左から右へ移動させて1回目の印刷を行う。この印刷により、マスクNの開口部から銀ペーストXが押し出され、半導体装置1aの封止樹脂30表面に付着する。第3の工程図6c参照真空低気圧中でしばらく放置し、半導体装置1aの封止樹脂30表面に付着した銀ペーストXに混入している泡を抜く脱泡。この脱泡時に2回目の印刷の準備をしておく。第4の工程図6d参照スキージSを図6の紙面に対して左から右へ移動させて2回目の印刷を行う。2回目の印刷後、真空チャンバを大気開放する。銀ペーストXに含まれる銀の粒径は、数μm以下であることが好ましい。銀の粒径が大きいと、銀ペーストXがエッチングにより少なくともシリカの少なくとも一部が除去された後の孔に入り込むことができずにアンカー効果が低下するためである。また、封止樹脂30表面に形成する銀膜の厚みは、20~60μmの範囲内であることが好ましい。銀膜の厚みが20μm未満では、十分な電磁シールド効果を得ることができず、また、銀膜の厚みが厚くなると使用する銀ペーストの量が増え製造コストが増加することから、銀膜の厚みは60μm以下とすることが好ましい。なお、上記説明では、銀ペーストXを使用する場合について説明したが銀以外の金属を含有するペーストを使用してもよい。次に、上記図2,図3で説明した方法により作製した銅Cu膜以下、Cu膜と称するとその付着性の試験結果について説明する。該実施例では、以下の10種類の試料A~Jを作成し、各試料A~Jの剥離強度を調べた。試料A~Jは、削り取った封止樹脂の厚みと封止樹脂表面に形成したCu膜の厚み以外の条件は同じである。また、Cu膜上には酸化防止膜としてのニッケルNi膜以下、Ni膜と称するを形成している。封止樹脂には、シリカSiO2が88質量含有されたモールド樹脂を使用した。金属膜70のアンカー効果を考慮すると、露出したシリカの粒径は大きい方が好ましい。本発明では、平均粒径20μm程度、最大粒径70μm以下のシリカを用いた。また、ブラストにより露出したシリカのエッチングは、室温で30秒間実施した。さらに、Cu膜の無電解めっきは、めっき液の温度を50°Cとした。なお、無電解めっき前にCu膜の付着性を向上させる処理を行っている。試料Aブラスト処理により封止樹脂を10μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が30分2μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Bブラスト処理により封止樹脂を10μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が45分3μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Cブラスト処理により封止樹脂を10μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が75分4~5μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Dブラスト処理により封止樹脂を20μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が30分2μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Eブラスト処理により封止樹脂を20μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が45分3μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Fブラスト処理により封止樹脂を20μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が75分4~5μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Gブラスト処理により封止樹脂を30μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が30分2μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Hブラスト処理により封止樹脂を30μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が45分3μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Iブラスト処理により封止樹脂を30μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が75分4~5μm、Ni膜が3分0.3μmである。試料Jブラスト処理により封止樹脂を40μm削り取った後、無電解めっきによりCu膜及びNi膜を形成した。なお、無電解めっきの時間は、Cu膜が75分4~5μm、Ni膜が3分0.3μmである。付着性試験上記試料A~Jについて封止樹脂表面に形成したCu膜の付着性を調べた。Cu膜の付着性は、クロスカット法と呼ばれる手法により調べた。このクロスカット法では、Cu膜を貫通して封止樹脂の表面まで達する切り傷を碁盤目状に付けた時の状態を観察し付着性を評価する。具体的な試験手順を以下に記載する詳細は、JIS-K5400、JIS-K5600を参照。1Cu膜を貫通して封止樹脂の表面まで達する切り傷を10本入れた後、90°向きを変えてさらに10本切り傷を入れる。2切り傷をいれたCu膜面上に長さ75mm、幅25mmのセロハン粘着テープをはりつけてしっかりと付着させる。3セロハン粘着テープを付着させてから1~2分後にセロハン粘着テープの端をCu膜面に対して直角に保った状態で持って瞬間的一気に剥離する。4セロハン粘着テープを剥離後のCu膜の表面状態を目視で観察して、Cu膜の剥がれ具合を確認する。試験結果上記付着性試験の結果を表1に示す。なお、目視による評価は、1~3の3第回評価とした。1はCu膜の剥がれがなく良好、2はCu膜にやや剥がれがみられやや不良、3はCu膜に剥がれが多く不良であることを示している。表1に示すように、試料A~試料Jの評価結果は、試料Aが1、試料Bが3、試料Cが3、試料Dが1、試料Eが2、試料Fが3、試料Gが1、試料Hが1、試料Iが2、試料Jが2であった。クロスカット法による上記試験の結果、付着性に関しては、削り取る封止樹脂の厚みは30μmとするのが最もよく、さらにCu膜の厚みは2μmとするのが最もよいことがわかった。この結果と電磁シールド効果を考慮して、本実施形態では、前述のとおり、Cu膜の厚さは2~5μmの範囲であることが好ましく、より好ましい範囲としては3~4μmである。以上のように、本実施形態の半導体装置は、含有するシリカが露出するまで封止樹脂を薄く削り取り、該露出したシリカをエッチングした後に電磁シールド層としての金属膜を封止樹脂表面に形成しているので、エッチングによりシリカの少なくとも一部が除去された後の孔に入り込んだ状態で金属膜が形成される。このため、金属膜のアンカー効果が向上し、金属膜の封止樹脂表面に対する付着性が向上する。また、半導体装置の封止樹脂表面に直接電磁シールド層となる金属膜を形成するので、半導体装置全体を金属板囲う場合に比べて電磁シールドを含む半導体装置全体を小型化できる。その他の実施形態なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、図7に示すように、基板上201上に実装された複数の電子部品2を覆う筺体3を、シリカフィラーを含有する樹脂で形成し、この筺体3の表面をブラスト等で薄く30μm程度削り取って含有するシリカを露出させた後、該露出したシリカをエッチングした後にシールド層としての金属膜を表面に形成するようにしてもよい。"