金属板と、前記金属板の上に形成された厚み1~5μmのガラス層と、前記ガラス層の上に形成された低温焼結セラミック層とを備える、金属ベース基板。前記ガラス層は、前記金属板の少なくとも表面の成分と前記低温焼結セラミック層の成分との少なくとも一部からなる、請求項1に記載の金属ベース基板。前記金属板は、少なくとも表面にCu成分を含み、前記ガラス層は、Cu-Ba-Si系のガラスからなり、前記低温焼結セラミック層は、バリウムをBaO換算で10~40モルおよびケイ素をSiO2換算で40~80モル含む、請求項1または2に記載の金属ベース基板。少なくとも表面にCu成分を含む金属板を準備する工程と、前記金属板の表面上に、バリウムをBaO換算で10~40モルおよびケイ素をSiO2換算で40~80モル含む低温焼結セラミック材料を含む、低温焼結セラミックグリーン層を積層することによって、生の積層体を作製する工程と、前記生の積層体を、前記低温焼結セラミックグリーン層が焼結する温度で焼成する工程とを備える、金属ベース基板の製造方法。そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る金属ベース基板およびその製造方法を提供しようとすることである。この発明は、金属板と、金属板の上に形成されたガラス層と、ガラス層の上に形成された低温焼結セラミック層とを備える、金属ベース基板にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、ガラス層の厚みが1~5μmであることを特徴としている。上記のような金属ベース基板は、たとえば、金属板が、少なくとも表面にCu成分を含むとき、ガラス層が、Cu-Ba-Si系のガラスからなり、低温焼結セラミック層が、バリウムをBaO換算で10~40モルおよびケイ素をSiO2換算で40~80モル含む、といった具体的構成によって実現され得る。この発明は、また、金属ベース基板の製造方法にも向けられる。この発明に係る金属ベース基板の製造方法は、少なくとも表面にCu成分を含む金属板を準備する工程と、金属板の表面上に、バリウムをBaO換算で10~40モルおよびケイ素をSiO2換算で40~80モル含む低温焼結セラミック材料を含む、低温焼結セラミックグリーン層を積層することによって、生の積層体を作製する工程と、この生の積層体を、低温焼結セラミックグリーン層が焼結する温度で焼成する工程とを備えることを特徴としている。この発明に係る金属ベース基板によれば、強度の比較的低いガラス層が薄いため、撓み強度が高くなり、よって、ガラス層にクラックが生じにくくなる。また、この発明に係る金属ベース基板の製造方法によれば、予め別に形成される接合ガラス層を介することなく、金属板の上に、直接、低温焼結セラミックグリーン層を形成して焼成することにより、金属板と低温焼結セラミック層との間にガラス層が形成されることができ、このガラス層によって、金属板と低温焼結セラミック層とが接合される。このガラス層は、前述したように、1~5μmの範囲の厚みとなる。この発明に係る金属ベース基板において、ガラス層が、金属板の少なくとも表面の成分と低温焼結セラミック層の成分との少なくとも一部からなると、ガラス層の組成が低温焼結セラミック層の組成とほぼ同じであるため、界面でクラックがより入りにくくなる。図1を参照して、まず、この発明の一実施形態による金属ベース基板を備える電子部品装置について説明する。図1に示した電子部品装置11は、金属ベース基板12と、その上に実装される半導体素子13とを備えている。金属ベース基板12は、金属板14と、金属板14の上に形成されたガラス層22と、ガラス層22の上に形成された低温焼結セラミック層15とを備え、さらに拘束層16を備えている。ここで、金属板14は、ガラス層22を介して、低温焼結セラミック層15に接合されている。また、低温焼結セラミック層15と拘束層16とは交互に積層され、最上層は拘束層16によって与えられている。なお、最上層は低温焼結セラミック層15によって与えられてもよい。低温焼結セラミック層15は、拘束層16より厚い。後述する製造方法の説明から明らかになるように、低温焼結セラミック層15は低温焼結セラミック材料の焼結体からなる。他方、拘束層16は、上記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない難焼結性セラミック材料を含むが、焼成時において、低温焼結セラミック層15に含まれていた低温焼結セラミック材料の一部が拘束層16へと流動することによって、難焼結性セラミック材料が固化され、緻密化されている。ガラス層22は、1~5μmの厚みを有している。金属ベース基板12における低温焼結セラミック層15および拘束層16によって構成される積層体部分17には、回路パターンが形成される。図1では、いくつかの回路パターンの図示を省略しているが、半導体素子13に関連して、たとえば、いくつかの表面導体18、いくつかの層間接続導体19、およびいくつかの面内配線導体20が形成されている。また、表面導体18の特定のものと半導体素子13とは、ボンディングワイヤ21によって電気的に接続されている。使用状態において、半導体素子13において発生した熱は、積層体部分17を介して金属板14に伝導され、金属板14から放熱される。好ましくは、ガラス層22は、金属板14の成分と低温焼結セラミック層15の成分とのみからなる。より具体的には、金属板14が銅板である場合のようにCu成分を含む場合、ガラス層22は、Cu-Ba-Si系のガラスからなり、低温焼結セラミック層15は、バリウムをBaO換算で10~40モルおよびケイ素をSiO2換算で40~80モル含む。なお、金属板14に含まれる成分については、後述する製造方法の説明からわかるように、金属板14の表面の成分がガラス層22の成分に影響を及ぼすものであるので、金属板14全体が均一の材料から構成される必要はない。たとえば、金属板14の表面がCu成分を含むようにしたい場合、銅板以外の金属板の表面に銅板を張り合わせたものや、銅めっきを施したもののように、表面のみにおいてCu成分を含むものであってもよい。また、ガラス層22は、フィラーを含まない方が好ましい。金属板14と低温焼結セラミック層15との接合強度が高くなるからである。フィラーを含むと撓み強度を向上させることができるが、ガラス層22は厚みを1~5μmと薄くすることによって撓み強度を向上させているため、撓み強度を向上させる目的でフィラーを含ませる必要性は低いからである。このような電子部品装置11において用いられる、金属ベース基板12は、好ましくは、次のようにして製造される。まず、金属板14が用意されるとともに、低温焼結セラミック材料を含む低温焼結セラミックスラリーと、この低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない難焼結性セラミック材料を含む難焼結性セラミックスラリーとがそれぞれ用意される。ここで、金属板14としては、少なくとも表面にCu成分を含むものが用意される。また、低温焼結セラミック材料としては、バリウムをBaO換算で10~40モルおよびケイ素をSiO2換算で40~80モル含むものが用いられる。次に、金属板14の上に、低温焼結セラミックスラリーからなる低温焼結セラミックグリーン層および難焼結性セラミックスラリーからなる難焼結性セラミックグリーン層が積層され、それによって、金属ベース基板12の焼成前の状態に相当する生の積層体が得られる。ここで、低温焼結セラミックグリーン層は低温焼結セラミック層15となるべきものであり、難焼結性セラミックグリーン層は拘束層16となるべきものである。また、前述した表面導体18、層間接続導体19および面内配線導体20が、必要に応じて、特定のセラミックグリーン層に設けられる。上述の工程を実施するにあたり、好ましくは、低温焼結セラミックスラリーをシート状に成形して得られたセラミックグリーンシート上で、難焼結性セラミックスラリーをシート状に成形することによって、低温焼結セラミックグリーン層と難焼結性セラミックグリーン層とが重ね合わされた複合グリーンシートを得た上で、この複合グリーンシートを金属板14上に必要枚数積層し、圧着することが行なわれる。なお、上記方法に代えて、低温焼結セラミックスラリーを成形して得られた低温焼結セラミックグリーンシートと、難焼結性セラミックスラリーを形成して得られた難焼結性セラミックグリーンシートとを、金属板14上で、交互に積層してもよい。あるいは、低温焼結セラミックグリーンシート上で、難焼結性セラミックグリーン層の成形と低温焼結セラミックグリーン層の成形とを繰り返してもよい。次に、金属板14ならびに低温焼結セラミックグリーン層および難焼結性セラミックグリーン層を備える生の積層体を一括焼成する工程が実施される。この焼成工程において、低温焼結セラミックグリーン層に含まれている低温焼結セラミック材料は焼結し、低温焼結セラミック層15となる。また、この低温焼結セラミック材料の一部は、難焼結性セラミックグリーン層へと流動し、難焼結性セラミックグリーン層に含まれる難焼結性セラミック材料を固化し、難焼結性セラミックグリーン層を緻密化させ、拘束層16となる。上記難焼結性セラミックグリーン層は、焼成工程において、平面方向へは実質的に収縮しないため、低温焼結セラミックグリーン層の平面方向での収縮を抑制するように作用する。したがって、金属板14の上の低温焼結セラミックグリーン層および難焼結性セラミックグリーン層からなる積層体部分全体の平面方向での収縮が有利に抑制される。このようにして得られた金属ベース基板12において、金属板14と低温焼結セラミック層15との間に厚み1~5μmのガラス層22が形成され、このガラス層22によって、金属板14と低温焼結セラミック層15との間で良好な接合状態が達成される。前述したように、低温焼結セラミック層15は、バリウムをBaO換算で10~40モルおよびケイ素をSiO2換算で40~80モル含んでいる。他方、金属板14は、少なくとも表面にCu成分を含んでいる。ガラス層22は、金属板14と低温焼結セラミック層15との間に生じた反応層に由来するものであるので、金属板14の少なくとも表面の成分と低温焼結セラミック層15の成分との少なくとも一部からなり、したがって、この実施形態では、Cu-Ba-Si系のガラスからなる。なお、ガラス層22には、拘束層16の成分が含まれていてもよい。以上説明した実施形態では、金属板14の上に形成される低温焼結セラミック層15が、複数の低温焼結セラミック層15と拘束層16とを交互に積層した積層体部分17の一部を構成するものであったが、金属板の上に低温焼結セラミック層のみが形成された構造を有する金属ベース基板に対しても、この発明を適用することができる。次に、この発明に基づいて実施した実験例について説明する。[実験例1]1.複合グリーンシートの作製BaCO3、Al2O3、およびSiO2クオーツの各粉末を用意し、これらを混合した混合粉末を840°Cの温度で120分間仮焼することによって、原料粉末を作製し、この原料粉末およびMnCO3粉末を、分散剤が添加された有機溶剤中で混合し、後に樹脂および可塑剤を添加してさらに混合して、低温焼結セラミック材料を含む低温焼結セラミックスラリーを得た。この低温焼結セラミックスラリーに含まれる無機固形分の組成比率が表1に示されている。表1において、BaCO3はBaO換算で、MnCO3はMnO換算で示されている。次に、低温焼結セラミックスラリーを脱泡した後、ドクターブレード法により、厚み40μmの低温焼結セラミックグリーン層となるべきセラミックグリーンシートを作製した。他方、SiO2:55.0モル、BaO:20.0モル、MgO:0.5モル、CaO:5.5モル、Al2O3:4.0モル、B2O3:10.0モル、およびLi2O:5.0モルからなるガラス粉末とAl2O3粉末とを、40重量部:60重量部の比率で、分散剤が添加された有機溶剤中で混合し、後に樹脂および可塑剤を添加してさらに混合して、難焼結性セラミック材料を含む難焼結性セラミックスラリーを得た。次に、難焼結性セラミックスラリーを脱泡した後、前述したセラミックグリーンシート上で、ドクターブレード法により、厚み4.0μmをもってシート状に成形した。このようにして、上記セラミックグリーンシートによって与えられた低温焼結セラミックグリーン層と、難焼結性セラミックスラリーから成形された難焼結性セラミックグリーン層とが重ね合わされた複合グリーンシートを得た。なお、上記難焼結性セラミックスラリーを単独で成形して得られたセラミック成形体は、後述する焼成条件で焼成しても、焼結しないことが確認されている。2.評価用試料の作製1第1の評価用試料平面寸法30mm□、厚み0.8mmの純銅からなる銅板の両面に、上記複合グリーンシートを10枚ずつ積層し、温度80°C、圧力80kgf/cm2の条件で300秒間プレスし、未焼成の第1の評価用試料を作製した。ここで、銅板には、複合グリーンシートの低温焼結セラミックグリーン層側が接し、この評価用試料の両主面には、難焼結性セラミックグリーン層が露出するように積層した。次に、上記未焼成の第1の評価用試料を、窒素中性雰囲気で脱脂した後、窒素/水素還元性雰囲気において、表2の焼成温度の欄に示すトップ温度で焼成し、第1の評価用試料を得た。2第2の評価用試料上記第1の評価用試料の作製途中の複合グリーンシートの積層段階において、銅板側から7層目および8層目の複合グリーンシートとして、コンデンサを構成するように銅ペーストを用いて平面寸法4mm□の導体パターンを互いに同じ位置に形成した複合グリーンシートを用いたことを除いて、第1の評価用試料の場合と同様の操作を経て、第2の評価用試料を得た。3.評価表2に示すように、平面気孔率、界面接合性および絶縁信頼性を評価した。1平面気孔率平面気孔率は、焼結性を評価するために求めたもので、第1の評価用試料を断面研磨し、走査型電子顕微鏡SEMを用いて、倍率1000倍でセラミック部分を観察し、画像解析により平面気孔率を測定した。各試料につき10視野画像解析し、その平均値を表2に示した。2界面接合性第1の評価用試料を断面研磨し、SEMを用いて、倍率5000倍で銅板とセラミック部分との界面部でのクラック発生状況を観察した。各試料で30視野観察し、クラックの全く発生していない場合は界面接合性が良好であると判定し、表2において○で示し、他方、1箇所でもクラックが発生している場合は界面接合性が不良であると判定し、表2において×で示した。3絶縁信頼性第2の評価用試料を用い、温度:121°C、湿度:100、導体パターン間への印加電圧:100DCV、および試験時間:300時間の条件で試験した。試験後の抵抗値を測定電圧:100DCVで測定した。この測定結果が表2に示されている。表1に示す組成に関して、BaOが10~40モルおよびSiO2が40~80モルであるという条件を満足する試料2~6、9~12および14において、表2に示すように、気孔率、界面接合性および絶縁信頼性のすべてについて良好な結果が得られている。これらの試料について、その断面を波長分散型X線分析法WDXにより分析したところ、銅板と低温焼結セラミック層との接合界面において、厚み1~5μmのガラス層が生成されていることが確認された。また、試料2~6および9~12のガラス層において、Cu、Ba、SiおよびAlの各元素が存在していることが確認された。試料14のガラス層においては、Cu、Ba、Siの各元素が存在していることが確認されたが、Alは存在していなかった。これらに対して、試料1では、BaOが10モル未満であり、界面接合性が×である。他方、試料7では、BaOが40モルを超え、絶縁信頼性が低い。また、試料8では、SiO2が40モル未満であり、絶縁信頼性が低い。他方、試料13では、SiO2が80モルを超え、平面気孔率が低く、また、絶縁信頼性が低い。なお、表1に示した組成のうち、Al2O3は、化学的耐久性や抗折強度を上げるために添加されるが、含まなくてもよい任意成分である。また、その添加量が25モルを超えると、焼結不良を招くことが確認されている。また、MnOは、焼結助剤として機能するものであり、これはガラスに置き換えられてもよいが、その添加量が14モルを超えると強度低下を招くことが確認されている。[実験例2]1.複合グリーンシートの作製BaCO3、Al2O3、SiO2クオーツ、およびH3BO3の各粉末を用意し、これらを混合した混合粉末を840°Cの温度で120分間仮焼することによって、原料粉末を作製し、この原料粉末を、分散剤が添加された有機溶剤中で混合し、後に樹脂および可塑剤を添加してさらに混合して、低温焼結セラミック材料を含む低温焼結セラミックスラリーを得た。この低温焼結セラミックスラリーに含まれる無機固形分の組成比率が表3に示されている。表1において、BaCO3はBaO換算で、H3BO3はB2O3換算で示されている。次に、低温焼結セラミックスラリーを脱泡した後、ドクターブレード法により、厚み40μmの低温焼結セラミックグリーン層となるべきセラミックグリーンシートを作製した。他方、SiO2:55.0モル、BaO:20.0モル、MgO:0.5モル、CaO:5.5モル、Al2O3:4.0モル、B2O3:10.0モル、およびLi2O:5.0モルからなるガラス粉末とAl2O3粉末とを、35重量部:65重量部の比率で、分散剤が添加された有機溶剤中で混合し、後に樹脂および可塑剤を添加してさらに混合して、難焼結性セラミック材料を含む難焼結性セラミックスラリーを得た。次に、難焼結性セラミックスラリーを脱泡した後、前述したセラミックグリーンシート上で、ドクターブレード法により、厚み3.0μmをもってシート状に成形した。このようにして、上記セラミックグリーンシートによって与えられた低温焼結セラミックグリーン層と、難焼結性セラミックスラリーから成形された難焼結性セラミックグリーン層とが重ね合わされた複合グリーンシートを得た。なお、上記難焼結性セラミックスラリーを単独で成形して得られたセラミック成形体は、後述する焼成条件で焼成しても、焼結しないことが確認されている。2.評価用試料の作製実験例1の場合と同様の操作を経て、第1の評価用試料および第2の評価用試料を得た。3.評価実験例1の場合と同様の方法で、表4に示すように、平面気孔率、界面接合性および絶縁信頼性を評価した。実験例1の場合と同様の評価結果が得られた。すなわち、表3に示す組成に関して、BaOが10~40モルおよびSiO2が40~80モルであるという条件を満足する試料22~25および28~31において、表4に示すように、気孔率、界面接合性および絶縁信頼性のすべてについて良好な結果が得られている。これらの試料について、その断面を波長分散型X線分析法WDXにより分析したところ、銅板と低温焼結セラミック層との接合界面において、厚み1~5μmのガラス層が生成され、かつこのガラス層において、Cu、Ba、SiおよびAlの各元素が存在していることが確認された。これらに対して、試料21では、BaOが10モル未満であり、界面接合性が×である。他方、試料26では、BaOが40モルを超え、絶縁信頼性が低い。また、試料27では、SiO2が40モル未満であり、絶縁信頼性が低い。他方、試料32では、SiO2が80モルを超え、平面気孔率が低く、また、絶縁信頼性が低い。