"揺動可能なミラーと該ミラーと対向する電極とを備えたミラーデバイスであって、前記ミラーが設けられたミラー基板と、前記電極が設けられたベース部材と、前記ミラー基板と前記ベース部材との間に介設され、前記ミラーと当接することによって該ミラーの揺動を所定の揺動範囲に制限するストッパとをさらに備えているミラーデバイス。請求項1に記載のミラーデバイスであって、前記ストッパは、前記ミラー基板と前記ベース部材とに挟持されるスペーサ部と、スペーサ部から延びて、前記ミラーが揺動したときに該ミラーの周縁部と当接する位置に位置する当接部とを有するミラーデバイス。請求項1又は2に記載のミラーデバイスであって、前記ストッパは、前記電極の一部と対向しており、前記電極のうち、前記ストッパと対向している部分は、前記ストッパとの距離が広くなるように凹んでいるミラーデバイス。請求項1乃至3の何れか1つに記載のミラーデバイスであって、前記ミラー基板は、前記ミラーと、該ミラーの周縁を囲む枠体と、該ミラーと枠体とを連結するヒンジとを有し、前記ベース部材は、前記電極と、前記電極を囲む枠体とを有し、前記ストッパは、前記ミラー基板の枠体と前記ベース部材の枠体とに挟持されているミラーデバイス。請求項4に記載のミラーデバイスであって、前記ミラーは、前記ミラー基板の厚み方向中央よりも前記電極に近い側に位置するミラーデバイス。揺動可能なミラーと該ミラーと対向する電極とを備えたミラーデバイスの製造方法であって、前記ミラーを有するミラー基板を用意するステップと、前記電極を有するベース部材を用意するステップと、前記ミラーと当接することによって該ミラーの揺動を所定の揺動範囲に制限するストッパを用意するステップと、前記ミラー基板、ベース部材及びストッパを、該ストッパが該ミラー基板と該ベース部材との間に介設される状態で接合するステップとを含む、ミラーデバイスの製造方法。請求項6に記載のミラーデバイスの製造方法において、前記ミラーは、前記ミラー基板の厚み方向中央よりも片側に偏った位置に形成されており、前記接合するステップでは、前記ミラー基板の、前記ミラーが偏っている側を前記電極の方に向けた状態で該ミラー基板を接合する、ミラーデバイスの製造方法。ところで、前述のミラーデバイスにおいては、ミラーの応答性を向上させるため、又は、電極へ印加する駆動電力の省電力化のために、電極とミラーとの距離を短くしたいという要求がある。しかしながら、ミラーを電極に近づけすぎると、ミラーが揺動したときに電極に衝突してしまうという問題がある。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電極とミラーとを近接させても、ミラーと電極との衝突を回避しつつミラーの揺動スペースを確保することにある。本発明は、揺動可能なミラーと該ミラーと対向する電極とを備えたミラーデバイスが対象である。そして、前記ミラーが設けられたミラー基板と、前記電極が設けられたベース部材と、前記ミラー基板と前記ベース部材との間に介設され、前記ミラーと当接することによって該ミラーの揺動を所定の揺動範囲に制限するストッパとをさらに備えているものとする。また、本発明は、揺動可能なミラーと該ミラーと対向する電極とを備えたミラーデバイスの製造方法が対象である。そして、前記ミラーを有するミラー基板を用意するステップと、前記電極を有するベース部材を用意するステップと、前記ミラーと当接することによって該ミラーの揺動を所定の揺動範囲に制限するストッパを用意するステップと、前記ミラー基板、ベース部材及びストッパを、該ストッパが該ミラー基板と該ベース部材との間に介設される状態で接合するステップとを含むものとする。本発明によれば、ミラー基板とベース部材との間にストッパが位置するため、ミラーが電極に当接することを防止することができる。それに加えて、ミラー基板とベース部材との間にストッパを介設させることによって、ミラー基板とベース部材との間に間隔を確保することができるため、ミラーの揺動スペースを確保することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の例示的な実施形態に係るミラーデバイスの平面図を、図2は、図1のII-II線における断面図を、図3は、ストッパの斜視図を示す。ミラーデバイス1は、揺動可能なミラー21,21,...を有するミラー基板2と、ミラー21と対向する電極31,31,...を有する電極基板3と、ミラー21の揺動範囲を制限するストッパ4とを備えている。ミラーデバイス1は、いわゆるMEMSミラーであって、半導体微細加工技術を応用したマイクロマシニング技術で製造されている。ミラーデバイス1は、ミラー21とそれに対応する複数の電極31,31,...を1セットとして、そのセットが複数設けられたミラーアレイデバイスである。各セットの構成は同じなので、以下では、ミラー21とそれに対応する複数の電極31,31,...で構成される1つのセットについて説明する。ミラー基板2は、ミラー21と、ジンバル22と、枠体23と、ミラー21とジンバル22とを連結する2つの第1ヒンジ24,24と、ジンバル22と枠体23とを連結する2つの第2ヒンジ25,25とを有している。ミラー基板2は、シリコン基板と、酸化膜と、シリコン基板よりも薄いシリコン薄膜とが積層されたSOISilicononinsulator基板で構成されている。ミラー21は、略円形状の平板で構成されている。ミラー21は、電極基板3とは反対側の面が鏡面となっており、該ミラー21に入射する光を反射するように構成されている。ジンバル22は、ミラー21の周縁を囲む略円環状の平板で構成されている。そして、2つの第1ヒンジ24,24は、ミラー21における、中心Cを挟んで相対向する位置に設けられている。すなわち、第1ヒンジ24,24は、ミラー21の中心Cを通る直線以下、この直線をX軸という上に配置されている。各第1ヒンジ24は、つづら折り形状に形成されており、一端がミラー21に、他端がジンバル22に連結されている。こうして、ミラー21は、第1ヒンジ24,24を介してジンバル22に連結され、X軸回りに揺動可能となっている。枠体23は、略方形の枠を形成する縦壁23aと、縦壁23aの一端に積層されて前記ジンバル22及びミラー21を囲む板状の外周部23bとを有している。外周部23bには、第2ヒンジ25,25を介してジンバル22が連結されている。第2ヒンジ25,25は、ミラー21の中心Cを通り且つX軸と直交する直線以下、この直線をY軸という上に配置されている。各第2ヒンジ25は、つづら折り形状に形成されており、一端がジンバル22に、他端が外周部23bに連結されている。こうして、ジンバル22は、第2ヒンジ25,25を介して、Y軸回りに揺動可能となっている。ジンバル22にはミラー21が連結されているため、ミラー21も、ジンバル22に合わせてY軸回りに揺動可能となっている。ミラー21には、その周縁から外方に突出する4つのタブ26,26,...が設けられている。詳しくは、各第1ヒンジ24から時計回りに60°だけずれた位置と、反時計回りに60°だけずれた位置とにそれぞれタブ26,26が設けられている。すなわち、ミラー21の周縁には、第1ヒンジ24、タブ26、タブ26、第1ヒンジ24、タブ26、タブ26がこの順で周方向に60°の間隔を空けて並んでいる。タブ26は、ミラー21の半径方向に延びている。詳しくは後述するが、タブ26は、ミラー21が揺動したときに、ストッパ4と当接する部材である。ジンバル22のうち、前記第1ヒンジ24,24に相当する部分22a,22a及びタブ26,26,...に相当する部分22b,22b,...は、それらとの干渉を避けるために外方に膨らんでいる。尚、第1ヒンジ24及びジンバル22のうち第1ヒンジ24を囲む部分以下、膨出部ともいう22aは、後述するように、ストッパ4と当接して、タブ26と同様の機能を果たす。このように構成されるミラー基板2は、例えば、SOISilicononinsulator基板をエッチングすることによって製造される。SOI基板は、例えば、シリコン基板と、酸化膜と、シリコン基板よりも薄いシリコン薄膜とが積層されて構成されている。ミラー21、ジンバル22、外周部23b、第1ヒンジ24,24及び第2ヒンジ25,25は、シリコン薄膜で構成されている。縦壁23aは、シリコン基板及び酸化膜で構成されている。つまり、ミラー21は、ミラー基板2の厚み方向中央よりも片側に偏った位置に形成されている。具体的には、ミラー21は、ミラー基板2の一方の主面ミラー21等を加工前の基板において最も大きな面積を有する面に形成されている。換言すれば、ミラー21は、枠体23の一端面即ち、枠体23のうち外周部23bと面一に形成されている。電極基板3は、シリコン基板で構成されている。電極基板3は、ミラー21と対向する3つの駆動電極31,31,...と、駆動電極31,31,...を囲む枠体32とを有している。この電極基板3がベース部材を構成し、駆動電極31が電極を構成する。3つの駆動電極31,31,...は、1つの円柱を、略扇形の横断面を有する柱状体に3等分した形状をしている。すなわち、各駆動電極31の扇形の中心角は、略120°となっている。ミラー21の中心Cから半径方向に延びて一方の第2ヒンジ25を通る半直線と、該半直線を時計回りに120°、反時計回りに120°ずらした2つの半直線とでミラー21を3等分したときの各領域に、各駆動電極31が配置されている。また、駆動電極31,31,...の先端は、3つの駆動電極31,31,...で形成される円柱の軸心部が最も高くなり、周縁部が最も低くなるような段差形状になっている。3つの駆動電極31,31,...のそれぞれ、及び3つの駆動電極31,31,...と枠体32とは、絶縁部33を介して絶縁されている。絶縁部33は、電極基板3の表面側ミラー基板2側から彫り込まれた絶縁溝34と、電極基板3の裏面側から埋め込まれた絶縁部材35とで構成されている。絶縁部材35は酸化シリコンSiO2である。絶縁部材35の一端は、絶縁溝34の底面から絶縁溝34内へ突出している。各駆動電極31は、電極基板3の厚み方向に導通するようになっている。また、各駆動電極31の裏面には、電極パッド図示省略が設けられている。電極パッドを介して駆動電極31に電圧を印加することによって、ミラー21が静電力により揺動する。枠体32は、ミラー基板2の枠体23具体的には、外周部23bと概ね同様の枠状に形成されている。このように構成された電極基板3は、例えば、シリコン基板をエッチングすることによって製造される。例えば、シリコン基板の表面側からマスキングとエッチングを繰り返しながら、絶縁溝34及び駆動電極31の段差を削り込んでいく。本実施形態では、枠体32の先端面と駆動電極31,31,...の先端面とは、加工前のシリコン基板の表面が維持されている。すなわち、枠体32の先端面と駆動電極31,31,...の先端面とは、同じ高さになっている。ストッパ4は、枠状のスペーサ部41と、スペーサ部41に設けられた当接部42,42,...とを有している。ストッパ4は、ミラー基板2と電極基板3との間に介設される。ストッパ4は、ミラー21と当接することによって該ミラー21の揺動を所定の揺動範囲に制限する。ストッパ4は、シリコン基板で構成されている。スペーサ部41は、ミラー基板2の枠体23具体的には、外周部23b及び電極基板3の枠体32と概ね同様の枠状に形成されている。スペーサ部41は、ミラー基板2の枠体23と電極基板3の枠体32とに挟持されている。スペーサ部41は、所定の厚みを有している。スペーサ部41は、ミラー基板2と電極基板3との間隔を確保するための部材である。スペーサ部41の厚みを変更することによって、ミラー基板2と電極基板3との間隔を調整することもできる。スペーサ部41の内周面からは、スペーサ部41よりも薄い平板43がスペーサ部41の内方へ向かって突出している。この平板43は、全体として環状に形成されている。平板43の内径は、ミラー21タブ26,26を除くミラー本体の外径よりも大きくなっている。平板43のうち、ミラー21の4つのタブ26,26,...及び第1ヒンジ24,24と対向する6箇所には、当接部42a,...,42b,...が設けられている。ミラー21が揺動した際に、当接部42a,42a,...にはタブ26,26,...が当接し、当接部42b,42bには、第1ヒンジ24及びジンバル22の膨出部22aが当接する。当接部42a,...,42b,...のそれぞれには、方形状の貫通孔42cが厚み方向に貫通形成されている。尚、貫通孔42cの方形状を形成する4辺のうちの対向する一対の辺は、ミラー21の半径方向と直交している。当接部42aの貫通孔42cは、タブ26が当接部42aに当接するときには、タブ26の先端部が貫通孔42c内に入り込み、タブ26の中間部分が当接部42aに当接することになる。また、当接部42bの貫通孔42cは、第1ヒンジ24及び膨出部22aが当接部42bに当接するときには、膨出部22aの先端部が貫通孔42c内に入り込み、第1ヒンジ24及び膨出部22aの中間部分先端部と基端部との間の部分が当接部42bに当接することになる。タブ26の先端部を当接部42aに当接させる構成では、タブ26の先端部が矩形状ではなく、丸くなっている場合にタブ26と当接部42aとが点接触してしまう。その結果、タブ26に大きな衝撃が加わってしまう。それに対して、タブ26の中間部分を当接部42aに当接させる構成では、当接部42aのうち貫通孔42cの周縁部とタブ26とを線接触させることができる。これにより、タブ26に作用する衝撃力を分散させることができる。これは、第1ヒンジ24及び膨出部22aについても同様である。つまり、膨出部22aの外側の端部のみが当接部42bに当接することを防止し、第1ヒンジ24及び膨出部22aを当接部42bのうち貫通孔42cの周縁部に線接触させることができる。これにより、膨出部22aに作用する衝撃力を分散させることができる。以下、当接部42aと当接部42bとを区別しない場合、例えば、当接部42a,42bに共通の事項を説明する場合には、単に当接部42と称する。尚、この当接部42及び平板43は、駆動電極31,31,...とも対向している。そして、駆動電極31,31,...のうち、当接部42及び平板43と対向する部分は、段差状の最も低くなった部分である。そのため、駆動電極31と当接部42及び平板43とが干渉しない。さらには、駆動電極31と当接部42及び平板43との間に十分な間隔が確保されている。このように構成されたミラーデバイス1は、図4に示すように、それぞれ、エッチング等により加工したミラー基板2、ストッパ4、電極基板3をこの並びで接合することで製造される。一例としては、前述の如く、SOI基板をエッチングすることによりミラー基板2を形成する。そして、ミラー基板2の枠体23のうち外周部23bストッパ4に接合される面に金を蒸着させる。また、シリコン基板をエッチングすることによりストッパ4を形成する。そして、ストッパ4のスペーサ部41の両端面ミラー基板2及び電極基板3に接合される面に金を蒸着させる。また、シリコン基板をエッチングすることにより電極基板3を形成する。そして、電極基板3の枠体32の先端面ストッパ4に接合される面に金を蒸着させる。その後、ミラー基板2とストッパ4とを金の蒸着面が互いに接触するように配置し、熱プレスを行うことによって金を溶融させて、ミラー基板2とストッパ4とを接合する。この際には、接着のための膜厚を確保するために金ペーストや金メッキを介在させておいてもよい。同様に、ストッパ4と電極基板3とを金の蒸着面が互いに接触するように配置し、熱プレスを行うことによって金を溶融させて、ストッパ4と電極基板3とを接合する。こうして、ミラーデバイス1が製造される。尚、この製造方法は一例であって、ミラーデバイス1の製造方法はこれに限定されるものではない。このように構成されたミラーデバイス1の駆動について説明する。電極基板3においては、枠体32がグランドに接続される一方、駆動電極31,31,...に駆動電圧が印加される。このとき、ミラー基板2及びストッパ4もグランドに接続されることになる。駆動電極31に駆動電圧が印加されると、駆動電極31とミラー21との間に静電力が生じ、ミラー21が駆動電極31の方へ引き寄せられる。その結果、ミラー21は、X軸及びY軸回りに揺動する。3つの駆動電極31,31,...に印加する電極を調整することによって、ミラー21をその法線方向が所望の方向を向くように揺動させることができる。ここで、ミラー21がある程度、揺動すると、タブ26又は第1ヒンジ24及び膨出部22aがストッパ4の当接部42a又は当接部42bに当接する。これにより、ミラー21の揺動が制限される。また、場合によっては、ミラー21は、揺動するだけでなく、駆動電極31の方へ全体的に沈み込む可能性もある。例えば、3つの駆動電極31,31,...に同じ大きさの駆動電圧を印加した場合等である。このような場合、タブ26,26,...並びに第1ヒンジ24,24及び膨出部22a,22aがストッパ4の当接部42a,...,42b,...に当接して、ミラー21の沈み込みを制限する。このように、ストッパ4がミラー21の揺動や沈み込みを制限することによって、ミラー21の駆動電極31への衝突が防止される。したがって、本実施形態によれば、ミラー21が厚み方向中央よりも片側に偏った位置に設けられたミラー基板2を、ミラー21が駆動電極31,31,...に近接する向きで配置することによって、ミラー21と駆動電極31,31,...の距離を短くすることができる。これにより、ミラー21の応答性を向上させることができると共に、駆動電力を小さくすることができる。このとき、ミラー基板2と電極基板3との間にストッパ4を介設させることによって、前述の如く、ミラー21と駆動電極31,31,...とを近接させた構成であっても、ミラー21と駆動電極31,31,...との間に、ミラー21が駆動電極31,31,...に当接することなく揺動できるスペースを確保することができる。つまり、ミラー21が厚み方向中央よりも片側に偏った位置に設けられたミラー基板2を電極基板3に直接接合する構成では、ミラー基板2をミラー21が駆動電極31,31,...に近接する向きで配置すると、ミラー21と駆動電極31,31,...とが近くなり過ぎ、ミラー基板2をミラー21が駆動電極31,31,...から離間する向きで配置すると、ミラー21と駆動電極31,31,...とが遠くなり過ぎる。この問題は、本実施形態のように、ミラー21がミラー基板2の一方の主面に形成される、即ち、ミラー21が枠体23の一端面と面一となっている構成の場合に、特に顕著になる。ここで、ミラー基板2をミラー21が駆動電極31,31,...から離間する向きで配置する構成においてミラー21と駆動電極31,31,...との距離を縮めるために、ミラー基板2の厚みを薄くすることが考えられる。しかし、ミラー基板2は、ミラー21、ジンバル22、第1及び第2ヒンジ24,25等を含む複雑な形状をしているため、SOI基板のように或る程度の厚みを有する基板を用いて形成することが好ましく、ミラー基板2を薄くすることは難しい。したがって、ミラー21の応答性が低下することよりもミラー21が損傷することの方が重大であるため、後者を優先して、ミラー基板2をミラー21が駆動電極31,31,...から離間する向きで配置せざるを得ない。それに対して、本実施形態によれば、ミラー基板2と電極基板3との間にストッパ4を介設させることによって、ミラー21と駆動電極31,31,...とを近接させることと、ミラー21と駆動電極31,31,...との衝突を防止することとを両立させることができる。まず、ストッパ4がミラー基板2と電極基板3との間に位置するため、ミラー21が揺動する際に、ミラー21が駆動電極31,31,...に衝突することを防止することができる。さらに、ミラー21が揺動する場合に限らず、ミラー21が沈み込む場合であっても、ミラー21が駆動電極31,31,...に衝突することを防止することができる。例えば、揺動するミラー21が駆動電極31,31,...に衝突することを防止するためには、ストッパ4をミラー基板2に対して電極基板3と反対側に設けること、即ち、ストッパ4、ミラー基板2、電極基板3の順で並べることも考えられる。かかる構成の場合、揺動するミラー21の一端部が駆動電極31,31,...に当接する前に、ミラー21の反対側の部分がストッパ4に当接するようにストッパ4を配置しておけば、揺動するミラー21が駆動電極31,31,...に衝突することを防止することができる。しかし、ミラー21が駆動電極31,31,...の方に沈み込むように変位する場合には、ミラー21と駆動電極31,31,...との衝突を防止することができない。それに対し、本実施形態によれば、ミラー21が揺動する場合であっても、沈み込む場合であっても、ミラー21が駆動電極31,31,...と衝突することを防止することができる。次に、ミラー基板2と電極基板3との間にストッパ4を介設させることによって、ミラー基板2と電極基板3との間隔を調整することができる。これにより、ミラー21を駆動電極31,31,...に適度に近接させることができる。つまり、ミラー21が揺動できるスペースを確保しつつ、ミラー21を駆動電極31,31,...に近接させることができる。また、ストッパ4は、ミラー基板2と電極基板3とに挟持されるスペーサ部41と、スペーサ部41から延びて、ミラー21が揺動したときにミラー21の周縁部と当接する位置に位置する当接部42とを有している。ストッパ4をスペーサ部41と当接部42とで構成することによって、ミラー基板2と電極基板3との間隔を調整する機能と、ミラー21と駆動電極31,31,...との衝突を防止する機能とをそれぞれ分担させることができる。そのため、ミラー基板2と電極基板3との間隔を適切に調整しつつ、ミラー21と駆動電極31,31,...との衝突を確実に防止することができる。さらに、ストッパ4詳しくは、当接部42,42,...は、駆動電極31,31,...の周縁よりも内方に突出して、駆動電極31,31,...の一部と対向している。駆動電極31,31,...のうち、ストッパ4の当接部42,42,...と対向している部分は、当接部42,42,...との距離が広くなるように凹んでいる。これにより、駆動電極31,31,...から当接部42,42,...へ通電してしまうことを防止することができる。ストッパ4をミラー基板2と電極基板3との間に介設させる構成においては、ストッパ4の当接部42,42,...が電極基板3の駆動電極31,31,...に近接した位置に配置されることになる。当接部42,42,...と駆動電極31,31,...が近すぎると、駆動電極31,31,...から当接部42,42,...へ通電してしまう虞がある。そのため、駆動電極31,31,...のうち、当接部42,42,...と近接する部分を凹ませて、駆動電極31,31,...と当接部42,42,...との距離を確保している。これにより、駆動電極31,31,...から当接部42,42,...へ通電を防止することができる。尚、ストッパ4の当接部42は、駆動電極31,31,...の周縁よりも内方に突出しているが、駆動電極31,31,...の周縁よりも内方に突出していなくてもよい。この場合でも、当接部42は、駆動電極31,31,...の周縁と近接しているため、前述の如く、駆動電極31,31,...の周縁部を凹ませることが好ましい。また、本実施形態では、当接部42,42,...が設けられているのは6箇所だけであるため、ミラー21のうちタブ26や第1ヒンジ24が設けられていない部分が最も下がるようにミラー21が揺動する場合には、タブ26や第1ヒンジ24が当接部42,42,...に当接したときには、当該タブ26や第1ヒンジ24が設けられていない部分が当接部42,42,...よりも駆動電極31,31,...側まで移動する。それに対して、駆動電極31,31,...は、当接部42,42,...と対向する部分だけでなく、ミラー21の周縁部と対向する環状の部分即ち、3つの駆動電極31,31,...で形成する円柱の周縁部が全体的に凹んでいるため、当該タブ26や第1ヒンジ24が設けられていない部分と駆動電極31,31,...とが衝突することを防止することができる。さらに、円柱を形成する3つの駆動電極31,31,...を、中心部ほど高く、周縁部ほど低く形成することによって、ミラー21の中心部ほどミラー21に近接させ、ミラー21の周縁部ほどミラー21から離間させることができる。3つの駆動電極31,31,...の先端面を平坦に形成すると、ミラー21が揺動したときに、ミラー21の周縁部ほど、駆動電極31,31,...との距離が短くなって静電力が大きくなる。ミラー21が当接部42と当接した状態では、ミラー21の周縁部は当接部42からの反力を受ける。ミラー21への静電力が大きいと、当接部42からの反力も大きくなり、ミラー21に歪みが生じてしまう。それに加えて、ミラー21と駆動電極31,31,...とが近接した部分では静電力が局所的に大きくなり過ぎて、制御が難しくなる。それに対し、円柱を形成する3つの駆動電極31,31,...を、中心部ほど高く、周縁部ほど低く形成することによって、ミラー21の周縁部において静電力が大きくなり過ぎることを防止することができる。その結果、ミラー21の変形を抑制することができ、また、ミラー21の制御性を向上させることができる。また、ストッパ4をミラー基板2と電極基板3との間に配置することによって、ストッパ4がミラー21の背面側に配置されることになる。そのため、ストッパ4がミラー21の鏡面に入射する光を遮ることがない。したがって、ストッパ4の形状を任意に設定することができる。また、本実施形態に係るミラーデバイス1の製造方法は、ミラー21を有するミラー基板2を用意するステップと、駆動電極31,31,...を有する電極基板3を用意するステップと、ミラー21と当接することによってミラー21の揺動を所定の揺動範囲に制限するストッパ4を用意するステップと、ミラー基板2、電極基板3及びストッパ4を、ストッパ4がミラー基板2と電極基板3との間に介設される状態で接合するステップとを含んでいる。このように、ミラー基板2、ストッパ4、電極基板3をそれぞれ形成し、それらを互いに接合するという方法でミラーデバイス1を製造することによって、ミラーデバイス1が複雑な構造であっても、容易に製造することができる。さらに、ミラー21は、ミラー基板2の厚み方向中央よりも片側に偏った位置に形成されており、前記接合するステップでは、ミラー基板2の、ミラー21が偏っている側を駆動電極31,31,...の方に向けた状態でミラー基板2を接合している。こうすることで、ストッパ4によりミラー21の揺動スペースを確保し且つミラー21と駆動電極31,31,...との衝突を防止しながら、ミラー21を駆動電極31,31,...に近接させることができる。また、電極基板3を加工する際に、枠体32の先端面と、駆動電極31,31,...の先端面とが元々のシリコン基板の主面で構成されているため、枠体32の先端面と、駆動電極31,31,...の先端面との高さを高い精度で一致させることができる。その結果、電極基板3の枠体32にストッパ4及びミラー基板2を積み上げていく構成において、駆動電極31,31,...とミラー21との距離の精度を向上させることができる。《その他の実施形態》前記実施形態について、以下のような構成としてもよい。例えば、ミラー基板2は、前記の構成に限られるものではない。例えば、ミラー21は、ジンバル22が設けられておらず、一組のヒンジを介して枠体23に支持される構造であってもよい。この場合、ミラー21は、一組のヒンジを通る軸回りに揺動することになる。さらに、ミラー21は、1つのヒンジを介して枠体23に支持される構造であってもよい。この場合、ミラー21は、1つのヒンジを基点として揺動することになる。また、ミラー基板2では、ミラー21がミラー基板2の一方の主面に形成されているが、これに限られるものではない。すなわち、ミラー21は、枠体23の一方の面と面一ではなく、枠体23の一方の面よりも厚み方向内方へ奥まった位置に設けられていてもよい。さらに、前記実施形態では、ミラー基板2を、ミラー21が駆動電極31,31,...に近接する向きで配置しているが、これに限られるものではない。ミラー基板2を、ミラー21が駆動電極31,31,...から離間する向きで配置してもよい。かかる構成であっても、ストッパ4によってミラー基板2と電極基板3との距離を調整しつつ、ミラー21が駆動電極31,31,...に衝突することをストッパ4によって防止することができる。特に、ミラー基板2の枠体23の厚みが薄い場合には、ストッパ4のスペーサとしての機能が有効となる。前記実施形態では、タブ26並びに第1ヒンジ24及びジンバル22の膨出部22aといった、ミラー21よりも外方に突出する部材がストッパ4に当接するように構成されているが、これに限られるものではない。例えば、ミラー21の周縁部がストッパ4に当接する構成であってもよい。また、ストッパ4には、ミラー21の周方向において局所的に当接部42,42,...が設けられているが、これに限られるものではない。すなわち、ミラー21の全周に亘って環状の当接部が設けられていてもよい。なお、前記実施形態では、ストッパ4に環状の平板43が設けられているが、これに限られるものではない。つまり、平板43が省略され、当接部42がスペーサ部41から直接延びる構成であってもよい。また、電極基板3は、前記の構成に限られるものではない。例えば、1つのミラー21に対して、3つの駆動電極31,31,...が設けられているが、これに限られるものではない。駆動電極31は、ミラー21に対して1つであっても、2つであっても、4つ以上であってもよい。さらに、絶縁部33は、前記の構成に限られるものではない。また、駆動電極31の形状も、前記実施形態に限られるものではない。駆動電極31は、図5に示すように、先端部が平坦面で構成され、ストッパ4の当接部42及び/又は平板43と対向する部分だけ凹んだ形状であってもよい。さらには、ストッパ4と駆動電極31が干渉しない限りにおいては、駆動電極31の先端部の全てが平坦面で構成されていてもよい。また、駆動電極31,31,...は、1つの円柱を形成しているが、これに限られるものではない。例えば、複数の駆動電極31,31,...によって、四角柱や三角柱を形成してもよい。さらに、電極基板3においては、駆動電極31,31,...及び枠体32が1つのシリコン基板から構成されているが、これに限られるものではない。例えば、或る基板上に、別体の駆動電極と、別体の枠体とが設けられた構成であってもよい。尚、以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。"