"ヘテロ接合とゲート電極との間に負イオンが導入された導入領域が設けられている半導体装置の製造方法であって、前記導入領域上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後に、前記導入領域を前記負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程と、を備えており、前記保護膜は、前記プラズマに対するエッチング速度が前記導入領域よりも小さく、前記保護膜は、前記負イオンを通過させることが可能な材料である半導体装置の製造方法。前記負イオンは、負電荷を帯びたハロゲンである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記プラズマ工程は、前記保護膜が残存しているうちに終了する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記保護膜が、前記ゲート電極の少なくとも一部である請求項3に記載の半導体装置の製造方法。ヘテロ接合とゲート電極との間に負イオンが導入されたゲート絶縁膜が設けられている半導体装置の製造方法であって、前記ゲート絶縁膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後に、前記ゲート絶縁膜を前記負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程と、を備えており、前記保護膜は、前記プラズマに対するエッチング速度が前記ゲート絶縁膜よりも小さく、前記保護膜は、前記負イオンを通過させることが可能な材料である半導体装置の製造方法。前記ゲート絶縁膜の材料が酸化膜である請求項5に記載の半導体装置の製造方法。ヘテロ接合とゲート電極との間に負イオンが導入された導入領域が設けられている半導体装置であって、前記導入領域と前記ゲート電極の間に設けられている保護膜を備えており、前記保護膜は、前記負イオンを含むプラズマに対するエッチング速度が前記導入領域よりも小さく、前記保護膜は、前記負イオンを通過させることが可能な材料である半導体装置。導入領域に負イオンを導入するためには、負イオンを含むプラズマを利用することが考えられる。しかしながら、プラズマを利用する方法では、導入領域の表面がエッチングによるダメージを受けるという問題がある。本明細書では、エッチングによるダメージを抑えながら導入領域に負イオンを導入する技術を提供することを目的とする。本明細書で開示する技術は、プラズマを用いて負イオンを導入することに先立って、導入領域上に保護膜を形成することを特徴とする。これにより、導入領域の表面が保護膜によって保護されるので、プラズマによるダメージが抑えられる。本明細書で開示される1つの技術は、ヘテロ接合とゲート電極との間に負イオンが導入された導入領域が設けられている半導体装置の製造方法に用いられている。その製造方法は、導入領域上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後に、導入領域を負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程を備えている。本製造方法で用いる保護膜は、プラズマに対するエッチング速度が導入領域よりも小さい。また、保護膜は、負イオンを通過させることが可能な材料である。上記した製造方法によると、導入領域のエッチングが抑制された状態で、導入領域に負イオンを導入することができる。負イオンは、負電荷を帯びたハロゲンであってもよい。このようなハロゲンの一例には、フッ素F,塩素Cl,臭素Br等が挙げられる。フッ素イオンF-を含むプラズマの一例としては、CF4プラズマが挙げられる。プラズマ工程は、保護膜が残存しているうちに終了してもよい。保護膜が残存しているうちにプラズマ工程を終了すれば、導入領域がプラズマによってエッチングされることを確実に防止することができる。この場合、残存した保護膜は、ゲート電極の少なくとも一部として用いられてもよい。残存する保護膜をゲート電極の少なくとも一部として用いれば、保護膜をわざわざ除去する必要がなく、製造工程が簡素化される。本明細書で開示される他の1つの技術は、ヘテロ接合とゲート電極との間に負イオンが導入されたゲート絶縁膜が設けられている半導体装置の製造方法に用いられている。その製造方法は、ゲート絶縁膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後に、ゲート絶縁膜を負イオンを含むプラズマに曝すプラズマ工程を備えている。本製造方法で用いる保護膜は、プラズマに対するエッチング速度がゲート絶縁膜よりも小さい。また、保護膜は、負イオンを通過させることが可能な材料である。上記した製造方法によると、ゲート絶縁膜の表面のエッチングが抑制された状態で、ゲート絶縁膜に負イオンを導入することができる。また、ゲート絶縁膜の材料が酸化膜であってもよい。酸化膜はプラズマによってエッチングされ易いことが知られている。本明細書で開示される技術を用いれば、そのようなゲート絶縁膜に対しても、エッチングが抑制された状態で負イオンを導入することができる。本明細書で開示される技術は、ヘテロ接合とゲート電極の間に負イオンが導入された導入領域が設けられている半導体装置に具現化される。本明細書で開示される半導体装置は、導入領域とゲート電極の間に設けられている保護膜を備えている。保護膜は、負イオンを含むプラズマに対するエッチング速度が導入領域よりも小さい。また、保護膜は、負イオンを通過させることが可能な材料である。本明細書で開示する半導体装置の製造方法によると、エッチングによるダメージを抑えながら、負イオンが導入された導入領域を有する半導体装置を製造することができる。本願明細書で開示される技術的特徴の幾つかを以下に整理して記す。特徴1導入領域はヘテロ接合とゲート電極の間に設けられており、その材料の一例には、半導体膜、多結晶膜、絶縁膜が含まれる。例えば、導入領域の一例には、負イオンが導入されたゲート絶縁膜が含まれる。特徴2保護膜形成工程では、ニッケルNi,クロムCr及び窒化チタンTiNの群から選択される材料の保護膜を導入領域上に形成することが望ましい。ニッケル,クロム及び窒化チタンは、耐プラズマ性が高く、プラズマによるエッチング速度が小さい。そのため、保護膜の厚みを薄くすることができるので、負イオンを導入領域に多量に導入することができる。特徴3へテロ接合は、窒化ガリウムGaNを材料とする第1半導体層と、窒化アルミニウムガリウムAlxGa1-xNを材料とする第2半導体層によって構成されている。窒化アルミニウムガリウムに含まれるアルミニウムAlのモル割合は、15~25AlxGa1-xN,15≦x≦25に調整されている。実施形態図1に示すように、半導体装置100は、半導体層16と、ドレイン電極2と、ソース電極10と、ゲート部5を備えている。半導体層16は、第1半導体層14と第2半導体層18を有している。第1半導体層14の一例には、窒化ガリウムを材料とするi型の半導体材料が用いられている。第2半導体層18の一例には、窒化アルミニウムガリウムを材料とするi型の半導体材料が用いられている。第2半導体層18では、アルミニウムのモル割合が15~25に調整されていることが望ましい。第1半導体層14と第2半導体層18によりへテロ接合12が構成されている。第1半導体層14の厚みはおよそ1~5μmであり、第2半導体層18の厚みはおよそ10~30nmであることが望ましい。ドレイン電極2とソース電極10は、ゲート部5を挟んで離れた位置に設けられており、各々半導体層16の表面に接触している。ドレイン電極2は電源の高電圧側に接続されており、ソース電極10は接地されている。ゲート部5は、ゲート電極6とゲート絶縁膜4を有している。ゲート電極6は、ドレイン電極2とソース電極10の間に設けられており、ゲート絶縁膜4を介して半導体層16の一部に対向している。ゲート電極6の材料はアルミニウムであり、ゲート絶縁膜4の材料は酸化シリコンSiO2であることが望ましい。半導体装置100を平面視したときにゲート電極6と重複する導入領域8には、負イオンが導入されており、この例ではフッ素イオンが導入されている。導入領域8は、ゲート絶縁膜4の一部と第2半導体層18の表層の一部によって構成されている。導入領域8は、第1半導体層14には達していない。導入領域8内のフッ素イオンの濃度は、表面から深部に向けて減少する勾配を有している。フッ素イオンの表面濃度はおよそ1×1020~1×1021cm-3であることが望ましい。第1半導体層14と第2半導体層18で構成されるヘテロ接合面12には、第1半導体層14と第2半導体層18の間の自発分極、さらに、第1半導体層14と第2半導体層18の間の格子不整合によるピエゾ分極によって、およそ1013cm-2の濃度の2次元電子ガス層が形成される。しかしながら、導入領域8の近傍では、導入領域8に導入されたフッ素イオンによっての電子に対するポテンシャルが引き上げられている。そのため、ゲート電極6に正の電圧が印加していない状態では、導入領域8の近傍のヘテロ接合面12が空乏化されている。半導体装置100は、ゲート電極6に正の電圧を印加していない状態では、ドレイン電極2とソース電極10の間に空乏化された領域を有するので、ノーマリオフの動作をする。半導体装置100の製造方法を説明する。まず、図2に示すように、第1半導体層14と第2半導体層18が積層された半導体層16を用意する。半導体層16は、エピタキシャル成長技術を利用して、図示しないサファイア基板、炭化珪素基板、又はシリコン基板上に形成することができる。その後、ドレイン電極2とソース電極10を、第2半導体層18の表面に間隔をあけて形成する。ドレイン電極2とソース電極10の間では、第2半導体層18の表面18aが露出する。なお、ドレイン電極2とソース電極10は、CVD法、スパッタ法等の公知の方法で形成することができる。次に、図3に示すように、開口4aを有するゲート絶縁膜4を、第2半導体層18の露出面18a図2を参照上,ドレイン電極2及びソース電極10上に形成する。開口4aは、ドレイン電極2及びソース電極10上に形成する。ゲート絶縁膜4の厚みは、およそ10~100nmである。ゲート絶縁膜4は、CVD法を利用して形成することができる。次に、図4に示すように、開口20aを有するレジスト膜20を、ゲート絶縁膜4,ドレイン電極2及びソース電極10上に形成する。開口20aは、ドレイン電極2とソース電極10の間に形成する。開口20aは、ゲート電極6図1を参照が形成される位置に対応している。次に、図5に示すように、ニッケルを材料とする保護膜30を、レジスト膜20の表面と露出しているゲート絶縁膜4の表面に蒸着する保護膜形成工程。保護膜30の厚みはおよそ3~8nmである。その後、半導体層16をCF4プラズマに曝すプラズマ工程。ニッケルは、CF4プラズマ内に含まれるフッ素イオンを通過させることができる。そのため、プラズマ工程を実施することにより、フッ素イオンが、保護膜30を通過してゲート絶縁膜4の一部と第2半導体層18の表層の一部に導入され、導入領域8が形成される。なお、フッ素イオンは、保護膜30を通過してレジスト膜20にも導入されるが、レジスト膜20の厚みが十分に厚いので、レジスト膜20を超えてレジスト膜20の下方に導入されることが防止されている。このため、フッ素イオンは、レジスト膜20の開口20aに対応したゲート絶縁膜4の一部と第2半導体層18の表層の一部にのみ選択的に導入される。ニッケルは、耐プラズマ性が高く、プラズマに対するエッチング速度がゲート絶縁膜4よりも小さい。そのため、ゲート絶縁膜4の表面にニッケルの保護膜30を形成することにより、ゲート絶縁膜4がプラズマでエッチングされることを防止しながら、ゲート絶縁膜4内にフッ素イオンを導入することができる。プラズマ工程は、保護膜30が消失する前に終了させることで、ゲート絶縁膜4の表面がエッチングされることを確実に防止することができる。なお、保護膜30が残存したとしても、後の工程で保護膜30をわざわざ除去する必要はない。保護膜30は導電性を有する金属であり、ゲート電極の一部として用いればよい。このように、保護膜30に導電性を有する材料が用いられていると、製造工程を簡素化することができる。なお、この例では、プラズマ工程を、保護膜30が消失した時点で終了させている。プラズマ工程が終了した後、図7に示すように、レジスト膜20の表面と導入領域8の表面にゲート電極6を形成する。ゲート電極6は、EB電子ビーム蒸着法で形成することができる。その後、リフトオフ法を用いて、レジスト膜20とレジスト膜20上のゲート電極6を除去する。以上より、図1に示す半導体装置100が完成する。保護膜の厚みと絶縁膜に導入されるフッ素イオンの濃度との関係について検討した。図8は、130nmの酸化シリコン膜絶縁膜上にニッケル膜保護膜を形成し、酸化シリコン膜をCF4プラズマに5分間曝したときの、酸化シリコン膜中のフッ素イオンの濃度を示している。プラズマ発生装置として日本真空社製のRIEReactiveIonEtching装置を使用し、プラズマの出力を200Wとした。グラフの横軸は酸化シリコン膜の表面からの深さを示しており、縦軸はフッ素イオンの濃度を示している。図8は、酸化シリコン膜上に形成したニッケル膜の厚みが3nmの結果と10nmの結果を示している。図8の結果より、フッ素イオンの濃度は、酸化シリコン膜の表面で最も高く、表面から深部に向けて減少していることが判明した。また、ニッケル膜の厚みが3nmの場合、酸化シリコン膜の表面から30nmの深さにおけるフッ素イオンの濃度が1020cm-3を超えている。この濃度を面密度に換算すると、酸化シリコン膜の表面から30nmの深さにおけるフッ素イオンの濃度は1014cm-2を超えている。典型的に、窒化アルミニウムガリウムと窒化ガリウムのヘテロ接合面には、およそ1013cm-2の2次元電子ガス層が形成される。すなわち、図8の結果は、ニッケル膜の厚みを3nmとすることにより、酸化シリコン膜の深部に、2次元電子ガス層の濃度よりも多量のフッ素イオンを導入することができることを示している。また、図8の結果は、ニッケル膜の厚みが薄いほど、酸化シリコン膜に導入されるフッ素イオンの濃度が濃いことを示している。この結果は、保護膜ニッケル膜の厚みを調整することによって、絶縁膜内に導入されるフッ素イオンの濃度が任意に調整可能であることを示している。絶縁膜内のフッ素イオンの濃度を制御することにより、半導体装置の閾値電圧を調整することができる。また、絶縁膜酸化シリコン膜の厚みを調整することによっても半導体装置の閾値電圧を調整することができる。上記実施例では保護膜の材料としてニッケル使用する例を示したが、負イオンを通過させる材料であればよく、例えば窒化チタン,クロム等を使用してもよい。特に、窒化チタンは、ニッケル、クロム等よりも耐プラズマ性が高いので、保護膜の厚みを薄くすることができる。保護膜の厚みを薄くすることにより、絶縁膜又は半導体層内に多量の負イオンを導入することができる。絶縁膜の材料として酸化シリコン以外に、例えば酸化アルミニウムAl2O3,酸化ハフニウムHfO2,窒化ケイ素Si3N4等を使用してもよい。これらの材料は窒化アルミニウムガリウムよりもバンドギャップが広く、ゲート順方向電流が流れることを抑制することができる。なお、ヘテロ接合を構成している半導体層に、ゲート電極をショットキー接触させてもよい。この場合、ゲート電極と接触する半導体層内に負イオンが導入された導入領域を設ければよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"