基板上に集積化された赤色レーザと赤外レーザとを備え、前記赤色レーザは、前記基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された第1の活性層と、前記第1の活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層を含み、一部が前記赤色レーザの光出射端面に対してほぼ垂直な方向に延伸する第1のリッジ部を構成する第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第1の電極とを有し、前記赤外レーザは、前記基板上に形成された第1導電型の第3のクラッド層と、前記第3のクラッド層上に形成された第2の活性層と、前記第2の活性層上に形成された第2導電型の第4のクラッド層を含み、一部が前記赤外レーザの光出射端面に対してほぼ垂直な方向に延伸する第2のリッジ部を構成する第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された第2の電極とを有し、前記赤色レーザは、前記第1のリッジ部の両側方に、それぞれ第1のチャネル溝を間に挟んで設けられ、前記第1の半導体層の一部で構成された複数の第1のダミーリッジ部と、前記複数の第1のダミーリッジ部を区画すると共に、前記第1の電極によって埋め込まれた複数の第1のウイング溝とが形成され、前記第1の電極により覆われた赤色側ウイング領域とを有しており、前記赤外レーザは、前記第2のリッジ部の両側方に、それぞれ第2のチャネル溝を間に挟んで設けられ、前記第2の半導体層の一部で構成された複数の第2のダミーリッジ部と、前記複数の第2のダミーリッジ部を区画すると共に、前記第2の電極によって埋め込まれた複数の第2のウイング溝とが形成され、前記第2の電極により覆われた赤外側ウイング領域とを有している半導体レーザ素子。請求項1に記載の半導体レーザ素子において、前記赤色側ウイング領域の平面面積をS1とし、前記赤色側ウイング領域内に形成された前記複数の第1のウイング溝の底面面積の合計をA1とし、前記赤外側ウイング領域の平面面積をS2とし、前記赤外側ウイング領域内に形成された前記複数の第2のウイング溝の底面面積の合計をA2とすると、A1/S1<A2/S2の関係が成立することを特徴とする半導体レーザ素子。請求項2に記載の半導体レーザ素子において、A2/S2の値が0.5以上且つ0.8以下である半導体レーザ素子。請求項1~3のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記基板と前記第2の電極の熱膨張係数の差に起因して前記第2の活性層及び前記第2のリッジ部に加わる残留応力は、前記基板と前記第1の電極の熱膨張係数の差に起因して前記第1の活性層及び前記第1のリッジ部に加わる残留応力に比べて大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~4のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記赤色側ウイング領域に形成された前記複数の第1のウイング溝の表面積の総和は、前記赤外側ウイング領域に形成された前記複数の第2のウイング溝の表面積の総和より大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~5のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記赤色側ウイング領域のうち、前記赤色レーザの光出射端面及び前記基板の上面に平行な方向において、前記第1のリッジ部の中心から両側20μm以内の領域に形成された前記複数の第1のウイング溝の表面積の総和は、前記赤外側ウイング領域のうち、光出射端面及び前記基板の上面に平行な方向において、前記第2のリッジ部の中心から両側20μm以内の領域に形成された前記複数の第2のウイング溝の表面積の総和より大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~6のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記複数の第1のウイング溝の各々は、前記赤色レーザの光出射端面から後端面に亘って連続的に形成されており、前記複数の第2のウイング溝の各々は、前記赤外レーザの光出射端面から後端面に亘って連続的に形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~6のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記複数の第1のウイング溝の各々は、前記赤色レーザの光出射端面及び後端面から10μm以内の領域には形成されず、前記複数の第2のウイング溝の各々は、前記赤外レーザの光出射端面及び後端面から10μm以内の領域には形成されないことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~8のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記複数の第1のウイング溝の各々の延伸方向と、前記赤色レーザの光出射端面の法線方向とが成す角度は45°未満であり、前記複数の第2のウイング溝の各々の延伸方向と、前記赤外レーザの光出射端面の法線方向とが成す角度は45°未満であることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~9のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記複数の第1のウイング溝の各々の延伸方向と、前記赤色レーザの光出射端面の法線方向とが成す角度は0.5°以下であり、前記複数の第2のウイング溝の各々の延伸方向と、前記赤外レーザの光出射端面の法線方向とが成す角度は0.5°以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~6のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記複数の第1のウイング溝は、前記赤色レーザの光出射端面及び前記基板の上面に平行な方向に延びる第1の領域により分断され、前記複数の第2のウイング溝は、前記赤外レーザの光出射端面及び前記基板の上面に平行な方向に延びる第2の領域により分断され、前記複数の第1のダミーリッジ部は前記第1の領域で共通に接続されており、前記複数の第2のダミーリッジ部は前記第2の領域で共通に接続されていることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~6のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記複数の第1のウイング溝は、前記赤色レーザの光出射端面及び前記基板の上面に平行な方向に延びる第1の領域により分断されており、前記複数の第2のウイング溝は、前記赤外レーザの光出射端面及び前記基板の上面に平行な方向に延びる溝により分断されていることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~12のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記赤色レーザは、前記第1のリッジ部上に開口部を有し、少なくとも前記赤色側ウイング領域及び前記第1のチャネル溝内で、前記第1の半導体層と前記第1の電極とに挟まれた第1の絶縁膜をさらに有し、前記赤外レーザは、前記第2のリッジ部上に開口部を有し、少なくとも前記赤外側ウイング領域及び前記第2のチャネル溝内で、前記第2の半導体層と前記第2の電極とに挟まれた第2の絶縁膜をさらに有していることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項13に記載の半導体レーザ素子において、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は、SiN、SiO2、Al2O3、ZrO2、Ta2O5、又はTiO2で構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~14のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記第1の電極上及び前記第2の電極上に接合されたサブマウントをさらに備えていることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項15に記載の半導体レーザ素子において、前記サブマウントは、前記基板の構成材料よりも熱膨張係数が小さい材料で構成されることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項15又は16に記載の半導体レーザ素子において、前記サブマウントは、AlN、SiC、又はSiで構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1~17のうちいずれか1つに記載の半導体レーザ素子において、前記第1のチャネル溝の深さと前記複数の第1のウイング溝の深さとはほぼ等しく、前記第2のチャネル溝の深さと前記複数の第2のウイング溝の深さとはほぼ等しいことを特徴とする半導体レーザ素子。基板の赤色レーザ形成領域上に第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された第1の活性層と、前記第1の活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層を含む第1の半導体層とを形成するとともに、前記基板の赤外レーザ形成領域上に第1導電型の第3のクラッド層と、前記第3のクラッド層上に形成された第2の活性層と、前記第2の活性層上に形成された第2導電型の第4のクラッド層を含む第2の半導体層とを形成する工程aと、前記第1の半導体層の一部と前記第2の半導体層の一部とを同時に除去することで、前記第1の半導体層の一部で構成されたストライプ状の第1のリッジ部と、前記第1のリッジ部の両側方に、前記第1の半導体層の一部で構成されたストライプ状の複数の第1のダミーリッジ部、及び前記複数の第1のダミーリッジ部を区画する複数の第1のウイング溝が形成された赤色側ウイング領域と、前記第1のリッジ部と前記赤色側ウイング領域との間にそれぞれ位置する第1のチャネル溝とを形成するとともに、前記第2の半導体層の一部で構成されたストライプ状の第2のリッジ部と、前記第2のリッジ部の両側方に、前記第2の半導体層の一部で構成されたストライプ状の複数の第2のダミーリッジ部、及び前記複数の第2のダミーリッジ部を区画する複数の第2のウイング溝が形成された赤外側ウイング領域と、前記第2のリッジ部と前記赤外側ウイング領域との間にそれぞれ位置する第2のチャネル溝とを形成する工程bと、前記第1のリッジ上からその両側方の前記赤色側ウイング領域上に亘って設けられ、一部が前記複数の第1のウイング溝及び前記第1のチャネル溝に埋め込まれた第1の電極と、前記第2のリッジ上からその両側方の前記赤外側ウイング領域上に亘って設けられ、一部が前記複数の第2のウイング溝及び前記第2のチャネル溝に埋め込まれた第2の電極とを形成することで、前記第1のクラッド層、前記第1の活性層、前記赤色側ウイング領域が形成された前記第1の半導体層、及び前記第1の電極を有する赤色レーザと、前記第2のクラッド層、前記第2の活性層、前記赤外側ウイング領域が形成された前記第2の半導体層、及び前記第2の電極を有する赤外レーザとを形成する工程cとを備えている半導体レーザ素子の製造方法。請求項19に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、前記工程cの後、前記基板をチップ状に個片化することで、前記赤色レーザと前記赤外レーザとが各々に設けられた半導体レーザ素子を形成する工程dと、前記工程dの後、前記第1の電極及び前記第2の電極をサブマウント上に接合させる工程eとをさらに備え、前記工程dでは、前記赤色レーザ及び前記赤外レーザの光出射端面及び前記基板の上面に平行な方向について、前記半導体レーザ素子は前記第1の電極及び前記第2の電極が内側となるように反っていることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。近年、光ピックアップ装置のさらなる小型化のため、DVD/CD用のモノリシック2波長半導体レーザ素子とBD用の青色レーザ素子とが集積化された3波長レーザ素子の開発が進められている。3波長レーザ素子を用いる場合、同一の光ディスク装置内にDVD/CD用の光ピックアップ装置とBD用光ピックアップ装置とを設ける必要がある。そのため、光ディスク装置に用いられる部品の小型化や部品点数の削減がこれまで以上に要望されている。従って、2波長半導体レーザ素子については、小型化を進めるとともに、放熱部品が削減された場合でも動作特性への影響が小さいように、温度特性を向上させる必要がある。従来の2波長半導体レーザ素子において、共振器長を一定にする条件下では、チップ幅n型GaAs基板810の幅を縮小したり、赤色レーザ801のリッジ部840の中心位置と赤外レーザ802のリッジ部の中心位置との間隔発光点間隔を縮小したりすることが、2波長半導体レーザ素子の小型化に有効である。しかしながら、電極幅W1、W2を上述の適正範囲を超えて単純に狭めた場合、電極831、832を介した放熱量が低下して温度特性が低下する。さらに、サブマウント上に搭載した後、電極831、832のそれぞれの端面方向図21での左右方向の端部には大きな残留応力が加わるところ、電極幅W1、W2を狭めることで電極831、832の電極端とこれに対応するリッジ部840、841との距離が縮まり、リッジ部840、841及びその下方の活性層813、823に大きな応力が加わってしまう。また、半導体レーザ素子をサブマウント上にジャンクションダウンで実装する際に生じる残留応力によって、2波長半導体レーザ素子とサブマウントとの間に反りが発生するおそれがある。これについて説明する。図22は、従来の半導体レーザ素子をサブマウント上に搭載する際に発生する反りについて説明する模式図である。GaAsなどからなる基板を有する半導体レーザ素子902をAlNなどからなるサブマウント301上に高温でジャンクションダウン実装した後、室温に戻すと、サブマウント301と基板との熱膨張率の差による残留応力が発生する。この結果、図22に示すように、共振器方向図中の長手方向において、半導体レーザ素子902はサブマウント301との実装面が上に凸な形状となるように湾曲する。一般的に、半導体レーザ素子902のような弾性を有する固体材料が平板状直方体状であって、長手方向図22では共振器方向に上に凸の方向に反るような応力が働いた場合、半導体レーザ素子902は短手方向端面方向に、下に凸の方向に反るような鞍形の形状に変形する。このように変形するのは、弾性を有する固体材料の次のような性質によるものである。弾性を有する固体材料に、応力を加えて形状を変形させると、その固体材料は元々の体積が一定となるように変形する。ここで、図22左図に示すような直方体ABCDEFGを考える。この直方体は、半導体レーザ素子の形状を模式的に示すものとする。同じく図422に示すレーザ素子においては、サブマウント301と基板との熱膨張係数の差により、半導体レーザ素子902の上面直方体では面ABCDの線分BC、AD方向には引張性の応力が加わり、線分BC、ADの方向に半導体レーザ素子は伸びる。逆に、半導体レーザ素子902の下面直方体では面EFGHの線分FG、EHの方向には、圧縮性の応力が加わり、線分FG、EHの方向には半導体レーザ素子は縮むことになる。この場合、半導体レーザ素子902の体積を変形前後で同一にするためには、直方体の上面の線分AB、DC方向には圧縮性の応力が生じ、線分AB、DC方向に半導体レーザ素子902は縮み、逆に、直方体の下面の線分EF、HG方向には引張性の応力が加わり、線分EF、HGの方向には素子は伸びることになる。この結果、直方体は図22に示すような鞍形を示すことになる。つまり、線分AB方向の端面方向の反りが大きいと、線分EF方向にも大きな応力が生じていることになる。半導体レーザ素子902をジャンクションダウンで実装すると、活性層は図22に示す直方体において、線分EF近傍に位置するため、活性層の端面方向に大きな応力が生じることになる。半導体レーザ素子902においては、素子の幅よりも共振器長の方が長い素子構造であるため、半導体レーザ素子902に生じる応力としては、共振器方向に生じる熱膨張係数差による応力の影響が支配的となる。この場合、図22に示すように、前述の理由から、端面方向には共振器方向に生じる凸型の反りとは逆の凹型の反りを発生させるように応力が働く。このため、半導体レーザ素子902は図22示すような鞍形となるのである。この実装によって生じる端面方向の残留応力は、レーザ端面に平行な面内のせん断応力を生じさせるため、半導体材料の屈折率異方性による複屈折が生じさせる。このため、従来の半導体レーザ素子902において、チップ幅を単に狭くすると温度特性が悪くなるだけでなく、反りの発生により偏光特性が低下するという課題が発生する。上記課題に鑑み、本発明は、赤色レーザと赤外レーザとが同一基板上に集積化されてなる半導体レーザ素子において、小型化を実現した上で、赤色レーザ、赤外レーザの両方について良好な高温特性と良好な偏光特性とを両立することを目的とする。本発明の実施形態の一例に係る半導体レーザ素子は、基板上に集積化された赤色レーザと赤外レーザとを備えている。前記赤色レーザは、前記基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された第1の活性層と、前記第1の活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層を含み、一部が前記赤色レーザの光出射端面に対してほぼ垂直な方向に延伸する第1のリッジ部を構成する第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第1の電極とを有し、前記赤外レーザは、前記基板上に形成された第1導電型の第3のクラッド層と、前記第3のクラッド層上に形成された第2の活性層と、前記第2の活性層上に形成された第2導電型の第4のクラッド層を含み、一部が前記赤外レーザの光出射端面に対してほぼ垂直な方向に延伸する第2のリッジ部を構成する第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された第2の電極とを有している。また、前記赤色レーザは、前記第1のリッジ部の両側方に、それぞれ第1のチャネル溝を間に挟んで設けられ、前記第1の半導体層の一部で構成された複数の第1のダミーリッジ部と、前記複数の第1のダミーリッジ部を区画すると共に、前記第1の電極によって埋め込まれた複数の第1のウイング溝とが形成され、前記第1の電極により覆われた赤色側ウイング領域とを有しており、前記赤外レーザは、前記第2のリッジ部の両側方に、それぞれ第2のチャネル溝を間に挟んで設けられ、前記第2の半導体層の一部で構成された複数の第2のダミーリッジ部と、前記複数の第2のダミーリッジ部を区画すると共に、前記第2の電極によって埋め込まれた複数の第2のウイング溝とが形成され、前記第2の電極により覆われた赤外側ウイング領域とを有している。以上の構成によれば、複数の第1のウイング溝が形成された赤色側ウイング領域を有していることにより、平面面積を増加させることなく第1の半導体層と第1の電極との接触面積を大きくできるので、赤色レーザの放熱性を向上させ、ひいては半導体レーザ素子全体としての放熱性を向上させることができる。また、第1のウイング溝と第2のウイング溝が第1の電極、第2の電極でそれぞれ埋め込まれているので、基板と電極材料との熱膨張係数の違いに起因して、実装前に第1の電極及び第2の電極が内側を向くように半導体レーザ素子は反る。この反りは実装後にサブマウントから受ける応力を低減する方向の反りであるので、サブマウント等に半導体レーザ素子を搭載した場合に、第1のリッジ部及び第1の活性層に加わる残留応力と、第2のリッジ部及び第2の活性層に加わる残留応力とを効果的に低減できる。そのため、サブマウント等に実装した後に生じる反りを低減し、赤色レーザ及び赤外レーザの偏向特性を改善することができる。なお、第1のリッジ部が光出射端面に対してほぼ垂直な方向に延伸するとは、第1のリッジ部を形成する際のフォトリソグラフィの精度等により、第1のリッジ部の延伸方向が光出射端面に対して完全に垂直とならない場合も含むことを意味している。これは、第2のリッジ部についても同様である。また、前記第1のチャネル溝の深さと前記複数の第1のウイング溝の深さとはほぼ等しく、前記第2のチャネル溝の深さと前記複数の第2のウイング溝の深さとはほぼ等くてもよい。ここで、溝の深さがほぼ等しいとは、エッチング等のばらつきにより各溝の深さが完全に等しくならない場合も含むことを意味している。本発明の実施形態の一例に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板の赤色レーザ形成領域上に第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された第1の活性層と、前記第1の活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層を含む第1の半導体層とを形成するとともに、前記基板の赤外レーザ形成領域上に第1導電型の第3のクラッド層と、前記第3のクラッド層上に形成された第2の活性層と、前記第2の活性層上に形成された第2導電型の第4のクラッド層を含む第2の半導体層とを形成する工程aと、前記第1の半導体層の一部と前記第2の半導体層の一部とを同時に除去することで、前記第1の半導体層の一部で構成されたストライプ状の第1のリッジ部と、前記第1のリッジ部の両側方に、前記第1の半導体層の一部で構成されたストライプ状の複数の第1のダミーリッジ部、及び前記複数の第1のダミーリッジ部を区画する複数の第1のウイング溝が形成された赤色側ウイング領域と、前記第1のリッジ部と前記赤色側ウイング領域との間にそれぞれ位置する第1のチャネル溝とを形成するとともに、前記第2の半導体層の一部で構成されたストライプ状の第2のリッジ部と、前記第2のリッジ部の両側方に、前記第2の半導体層の一部で構成されたストライプ状の複数の第2のダミーリッジ部、及び前記複数の第2のダミーリッジ部を区画する複数の第2のウイング溝が形成された赤外側ウイング領域と、前記第2のリッジ部と前記赤外側ウイング領域との間にそれぞれ位置する第2のチャネル溝とを形成する工程bと、前記第1のリッジ上からその両側方の前記赤色側ウイング領域上に亘って設けられ、一部が前記複数の第1のウイング溝及び前記第1のチャネル溝に埋め込まれた第1の電極と、前記第2のリッジ上からその両側方の前記赤外側ウイング領域上に亘って設けられ、一部が前記複数の第2のウイング溝及び前記第2のチャネル溝に埋め込まれた第2の電極とを形成することで、前記第1のクラッド層、前記第1の活性層、前記赤色側ウイング領域が形成された前記第1の半導体層、及び前記第1の電極を有する赤色レーザと、前記第2のクラッド層、前記第2の活性層、前記赤外側ウイング領域が形成された前記第2の半導体層、及び前記第2の電極を有する赤外レーザとを形成する工程cとを備えている。この方法によれば、工程bにおいて、第1のリッジ部及び第2のリッジ部の形成と同時に、複数の第1のウイング溝が形成された赤色側ウイング領域と、複数の第2のウイング溝が形成された赤外側ウイング領域とを形成することができるので、高温特性及び偏向特性に優れた半導体レーザ素子を、従来の方法に比べて工程数を増加させることなく作成することが可能となる。本発明の実施形態の一例に係る半導体レーザ素子によれば、小型化を実現した上で、赤色レーザ、赤外レーザの両方について良好な高温特性と良好な偏光特性とを両立させることが可能となる。実施形態-半導体レーザ素子の構成-以下に、本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子の構造を模式的に示す平面図であり、図2は、本実施形態の半導体レーザ素子の、図1に示すIIII線における断面図である。理解を容易にするため、図2では図1の断面を拡大して示している。図1では、構造が理解しやすいようにp側電極32、34の下に位置するウイング溝等の構造を示している。ここで、図1における上下方向、及び図2における奥行き方向が共振器方向であり、光出射方向に平行な方向、言い換えれば光出射端面共振器端面に対して垂直な方向である。光出射端面は赤色レーザ1及び赤外レーザ2の図1における上側の端面であり、後端面は下側の面である。図1、2に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ素子50は、例えば100面から011方向に10°傾けた面を主面結晶成長面とするn型GaAs基板10上に、赤色レーザ1と赤外レーザ2とが集積化されることで構成されている。赤色レーザ1と赤外レーザ2の共振器長Lは互いに等しくなっている。赤色レーザ1、赤外レーザ2の共振器長方向の端面共振器長方向に対して垂直な面からそれぞれ赤色光、赤外光が出射される。赤色レーザ1では、n型GaAs基板10上に、n型GaAsからなり、膜厚が例えば0.5μmのバッファ層11と、Al07Ga03051In049Pからなり、膜厚が例えば2.0μmのn型クラッド層12と、膜厚が34nm程度の歪み量子井戸活性層13と、Al07Ga03051In049Pからなるp型クラッド層14と、p型Ga051In049Pからなり、膜厚が例えば50nmである保護層15と、p型GaAsからなり、膜厚が例えば0.4μmのコンタクト層16とが順次形成されている。歪み量子井戸活性層13は、膜厚が4nmのGaInPからなるウェル層図示せずと、膜厚が6nmのAlGaInPバリア層図示せずとで構成されている。また、p型クラッド層14の上部、保護層15、及びコンタクト層16のうち、それぞれ共振器方向に延びる赤色側チャネル溝104aと赤色側チャネル溝104bとに挟まれた部分は、光導波路として機能するリッジ部101を構成する。このリッジ部101は、赤色側チャネル溝104a、104bの底面を基準とした場合の凸状部分であり、共振器方向にストライプ状に延びている。本実施形態では、リッジ部101及び赤色側チャネル溝104a、104bが、赤色レーザ1の前端面から後端面に至るまで形成されている。リッジ部101を構成するp型クラッド層14の上端から歪み量子井戸活性層13までの距離は例えば1.4μmであり、リッジ部101の下端部から歪み量子井戸活性層13までの距離dp1は、例えば0.2μmである。本実施形態の半導体レーザ素子50では、従来の半導体レーザ素子と異なり、リッジ部101及び赤色側チャネル溝104a、104bを間に挟んだ両側に赤色側ウイング領域が形成されている。図2では、2つの赤色側ウイング領域のうち、赤外レーザ2に近い方が赤色側ウイング領域103a、赤外レーザ2から遠い方が赤色側ウイング領域103bとして示されている。後述するが、赤色側ウイング領域103a、103bは、半導体レーザ素子50のジャンクションダウン実装時に、リッジ部101に加わる応力を分散するため、及び赤色レーザ1の放熱性を向上させるために形成される領域である。赤色側ウイング領域103aには、リッジ部101から見て赤色レーザ1の端面及びn型GaAs基板10の主面に平行な方向端面方向に位置し、共振器方向に延伸する複数のダミーリッジ部120aが設けられている。また、赤色側ウイング領域103bには、リッジ部101から見て、赤色レーザ1の端面方向に位置し、共振器方向に延伸する複数のダミーリッジ部120bが設けられている。なお、ダミーリッジ部120a、120bは、ウイング溝102の底面を基準とした場合の凸状部分であり、ダミーリッジ部120a、120bには半導体レーザ素子50の動作時に実質的に電流は流れない。ダミーリッジ部120a、120bはストライプ状に形成されているとも言える。赤色側ウイング領域103a、103bでは、共振器方向に延びるウイング溝102がそれぞれ1本以上設けられている。図2に示す例では、赤色側ウイング領域103a、103bにウイング溝102が複数本ずつ設けられている。上述のダミーリッジ部120aは、p型クラッド層14の上部、保護層15、及びコンタクト層16が、ウイング溝102同士、又はウイング溝102と赤色側チャネル溝104aとによって区画されることで形成される。ダミーリッジ部120bは、p型クラッド層14の上部、保護層15、及びコンタクト層16が、ウイング溝102同士、又はウイング溝102と赤色側チャネル溝104bによって区画されることで形成される。以上のように、ウイング溝102は、p型クラッド層14を含む半導体層に設けられている。ウイング溝102はそれぞれ赤色レーザ1の光出射端面から後端面に達するまで設けられており、ウイング溝102に挟まれたダミーリッジ部120a、120bも共振器方向の前端部から後端部まで延びている。なお、赤色レーザ1の作製プロセスにおいて、製造工程数の増大を抑え、製造コストの増加を抑えるために、リッジ部101の形成とダミーリッジ部120a、120bの形成とを同時に行うことが好ましい。従って、ダミーリッジ部120a、120bを構成する各層の膜厚及び組成は、リッジ部101を構成する各層の膜厚及び組成と同一となっていることが好ましい。この場合、ウイング溝102の深さは赤色側チャネル溝104a、104bの深さとほぼ同じになっている。ただし、必要に応じてリッジ部101の高さとダミーリッジ部120a、120bの高さを変えてもよい。また、リッジ部101から見て赤色側ウイング領域103aの外側には、赤色側素子分離溝100aが形成されており、赤色側ウイング領域103bの外側には、赤色側素子分離溝100bが形成されている。赤色側素子分離溝100a、100bは、共にウイング溝102、及び赤色側チャネル溝104a、104bよりも深い。また、赤色レーザ1は、リッジ部101の側面上、赤色側チャネル溝104a、104bの内面上、ダミーリッジ部120a、120bの側面上及び上面上、ウイング溝102の底面上及び側面上、赤色側素子分離溝100a、100bの内面上を覆い、リッジ部101の上面上に開口が形成された絶縁膜17と、絶縁膜17を間に挟んでリッジ部101上から赤色側ウイング領域103a、103b上にまで設けられた下地電極31と、下地電極31上のp側電極32とをさらに備えている。絶縁膜17は、赤色側ウイング領域103a、103bとp側電極32との間で絶縁性を確保するために設けられているが、ここではリッジ部101の上面からのみ電流を注入するための電流ブロック層としても機能している。このように、絶縁膜17を電流ブロック層としても機能させることにより、絶縁膜の形成工程と電流ブロック層の形成工程とを同一工程とすることができる。このため、半導体レーザ素子50の製造工程数の増加を抑えることができ、製造コストの増加の抑制を図ることができる。本実施形態では、絶縁膜17の構成材料としてSiNを用いているが、その他に、酸化シリコンSiO2、アルミナAl2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5等を用いてもよい。下地電極31は、例えば合計膜厚が300nm程度のTi層/Pt層/Au層の積層膜等で構成されており、赤色側チャネル溝104a、104bの内面及びウイング溝102の内面に沿って設けられている。p側電極32は、リッジ部101上から赤色側ウイング領域103a、103b上に亘って設けられるとともに、赤色側チャネル溝104a、104b内、ウイング溝102内に埋め込まれている。p側電極32は、例えばメッキ法等により形成されたAuなど、放熱性の高い材料により構成される。なお、図2に示すように、下地電極31、p側電極32の端面方向の幅は、赤色側ウイング領域103aと赤色側素子分離溝100aとの境界よりも赤色側ウイング領域103a側に電極形成プロセス上のマージンの分だけ狭めることが好ましく、且つ、赤色側ウイング領域103bと赤色側素子分離溝100bとの境界よりも、赤色側ウイング領域103b側に電極形成プロセス上のマージンの分だけ狭めることが好ましい。フォトリソグラフィーの精度、エッチングの精度等に対応するためには、下地電極31、p側電極32は、赤色側ウイング領域103aと赤色側素子分離溝100aとの境界、及び赤色側ウイング領域103bと赤色側素子分離溝100bとの境界よりも赤色側ウイング領域103a、103b側にそれぞれ少なくとも3μm以上のマージンを取ることが好ましい。ただし、本実施形態の半導体レーザ素子50において、放熱性の改善及びレーザ素子に加わる残留応力の低減を図るためには、下地電極31、p側電極32の平面面積を可能な限り大きくする必要があるため、赤色側ウイング領域103aと赤色側素子分離溝100aの境界、及び赤色側ウイング領域103bと赤色側素子分離溝100bとの境界から、それぞれ赤色側ウイング領域103a、103b側に3μm以上、7μm以下の範囲でマージンを設けることがより好ましい。また、n型GaAs基板10の結晶成長面に対向する面裏面上にはn側電極40が形成される。n側電極40は、赤色レーザ1と赤外レーザ2とで共用されている。赤色レーザ1を駆動するための電流はp側電極32及びn側電極40を通して注入することができる。以上の構造を有する赤色レーザ1において、コンタクト層16から注入された電流は電流ブロック層として機能する絶縁膜17によりリッジ部101のみに流れ、歪み量子井戸活性層13のうちリッジ部101の直下方に位置する部分に集中して注入される。これにより、数十mA程度の少ない電流の注入で、レーザ発振に必要なキャリアの反転分布状態を実現することができる。歪み量子井戸活性層13へ注入されたキャリアの再結合により発生した光は、歪み量子井戸活性層13の主面に対して垂直な方向について、n型クラッド層12及びp型クラッド層14による光閉じ込めを受ける。また、絶縁膜17の屈折率がp型クラッド層14の屈折率よりも低いので、歪み量子井戸活性層13で発生した光は、歪み量子井戸活性層13の主面に対して平行な方向の光閉じ込めを受ける。また、絶縁膜17はレーザ発振光に対して透明であるためほとんど光を吸収せず、低損失の導波路を実現することができる。また、ストライプ状のリッジ部101内外の実効屈折率差Δnは、上述のdp1により103のオーダで精密に制御することができる。このため、以上の構成によれば、光分布を精密に制御しつつ、低動作電流の高出力半導体レーザを得ることができる。一方、赤外レーザ2では、n型GaAs基板10上に、n型GaAsからなり、膜厚が例えば0.5μmのバッファ層21と、Al07Ga03051In049Pからなり、膜厚が例えば2.0μmのn型クラッド層22と、膜厚が例えば20nm程度の量子井戸活性層23と、Al07Ga03051In049Pからなるp型クラッド層24と、p型Ga051In049Pからなり、膜厚が例えば50nmである保護層25と、p型GaAsからなり、膜厚が例えば0.4μmのコンタクト層26とが順次形成されている。量子井戸活性層23は、膜厚が例えば4nmのGaAsウェル層図示せずと、膜厚が例えば4nmのAlGaAsバリア層図示せずとで構成されている。また、p型クラッド層24の上部、保護層25、及びコンタクト層26のうち、それぞれ共振器方向に延びる赤外側チャネル溝204aと赤外側チャネル溝204bとに挟まれた部分は、光導波路として機能するリッジ部201を構成する。このリッジ部201は、赤外側チャネル溝204a、204bの底面を基準とした場合の凸状部分であり、共振器方向にストライプ状に延びている。本実施形態では、リッジ部201及び赤外側チャネル溝204a、204bは光出射端面から後端面に至るまで形成されている。リッジ部201を構成するp型クラッド層24の上端から量子井戸活性層23までの距離は、例えば1.44μmであり、リッジ部201の下端部から量子井戸活性層23までの距離dp2は、例えば0.24μmである。本実施形態の半導体レーザ素子50では、リッジ部201及び赤外側チャネル溝204a、204bを間に挟んだ両側に赤外側ウイング領域が形成されている。図2では、2つの赤外側ウイング領域のうち、赤色レーザ1から遠い方が赤外側ウイング領域203a、赤色レーザ1に近い方が赤外側ウイング領域203bとして示されている。赤外側ウイング領域203a、203bは、半導体レーザ素子50のジャンクションダウン実装時に、リッジ部201に加わる応力を分散するために形成される領域である。赤外側ウイング領域203aには、リッジ部201から見て赤外レーザ2の端面及びn型GaAs基板10の主面に平行な方向端面方向に位置し、共振器方向に延伸する複数のダミーリッジ部122aが設けられている。また、赤外側ウイング領域203bには、リッジ部201から見て、赤外レーザ2の端面方向に位置し、共振器方向に延伸する複数のダミーリッジ部122bが設けられている。なお、ダミーリッジ部122a、122bは、ウイング溝202の底面を基準とした場合の凸状部分であり、ダミーリッジ部122a、122bには半導体レーザ素子50の動作時に実質的に電流は流れない。ダミーリッジ部122a、122bはストライプ状に形成されているとも言える。赤外側ウイング領域203a、203bでは、共振器方向に延びるウイング溝202がそれぞれ1本以上設けられている。図2に示す例では、赤外側ウイング領域203a、203bにウイング溝202が複数本ずつ設けられている。上述のダミーリッジ部122aは、p型クラッド層24の上部、保護層25、及びコンタクト層26が、ウイング溝202同士、又はウイング溝202と赤外側チャネル溝204aとによって区画されることで形成される。ダミーリッジ部122bは、p型クラッド層24の上部、保護層25、及びコンタクト層26が、ウイング溝202同士、又はウイング溝202と赤外側チャネル溝204bによって区画されることで形成される。ウイング溝202はそれぞれ赤外レーザ2の光出射端面から後端面に達するまで設けられており、ウイング溝202に挟まれたダミーリッジ部122a、122bも共振器方向の前端部から後端部まで延びている。以上のように、ウイング溝202は、p型クラッド層24を含む半導体層内に設けられている。なお、赤外レーザ2の作製プロセスにおいて、製造工程数の増大を抑え、製造コストの増加を抑えるために、リッジ部201の形成とダミーリッジ部122a、122bの形成とを同時に行うことが好ましい。従って、ダミーリッジ部122a、122bを構成する各層の膜厚及び組成は、リッジ部201を構成する各層の膜厚及び組成と同一となっていることが好ましい。この場合、ウイング溝202の深さは赤外側チャネル溝204a、204bの深さとほぼ同じになっている。ただし、必要に応じてリッジ部101の高さとダミーリッジ部120a、120bの高さを変えてもよい。また、リッジ部101から見て赤外側ウイング領域203aの外側には、赤外側素子分離溝100cが形成されており、赤外側ウイング領域203bの外側には、赤外側素子分離溝100dが形成されている。赤外側素子分離溝100c、100dは、共にウイング溝202、及び赤外側チャネル溝204a、204bよりも深い。また、赤外レーザ2は、リッジ部201の側面上、赤外側チャネル溝204a、204bの内面上、ダミーリッジ部122a、122bの側面上及び上面上、ウイング溝202の底面上及び側面上、赤外側素子分離溝100c、100dの内面上を覆い、リッジ部201の上面上に開口が形成された絶縁膜27と、絶縁膜27を間に挟んでリッジ部201上から赤外側ウイング領域203a、203b上にまで設けられた下地電極33と、下地電極33上のp側電極34とをさらに備えている。絶縁膜27は、赤外側ウイング領域203a、203bとp側電極34との間で絶縁性を確保するために設けられているが、ここではリッジ部201の上面からのみ電流を注入するための電流ブロック層としても機能している。このように、絶縁膜27を電流ブロック層としても機能させることにより、絶縁膜の形成工程と電流ブロック層の形成工程とを同一工程とすることができる。このため、半導体レーザ素子50の製造工程数の増加を抑えることができ、製造コストの増加の抑制を図ることができる。本実施形態では、絶縁膜27の構成材料としてSiNを用いているが、その他に、酸化シリコンSiO2、アルミナAl2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5等を用いてもよい。下地電極33は、例えば全体の膜厚が300nm程度のTi層/Pt層/Au層の積層膜等で構成されており、赤外側チャネル溝204a、204bの内面及びウイング溝202の内面に沿って設けられている。p側電極34は、リッジ部201上から赤外側ウイング領域203a、203b上に亘って設けられるとともに、赤外側チャネル溝204a、204b内、ウイング溝202内に埋め込まれている。p側電極34は、例えばメッキ法等により形成されたAuなど、放熱性の高い材料により構成される。なお、図2に示すように、下地電極33、p側電極34の端面方向の幅は、赤外側ウイング領域203aと赤色側素子分離溝100cとの境界よりも赤外側ウイング領域203a側に電極形成プロセス上のマージンの分だけ狭めることが好ましく、且つ、赤外側ウイング領域203bと赤外側素子分離溝100dとの境界よりも、赤外側ウイング領域203b側に電極形成プロセス上のマージンの分だけ狭めることが好ましい。フォトリソグラフィーの精度、エッチングの精度等に対応するためには、下地電極33、p側電極34は、赤外側ウイング領域203aと赤外側素子分離溝100cとの境界、及び赤外側ウイング領域203bと赤外側素子分離溝100dとの境界よりも赤外側ウイング領域203a、203b側にそれぞれ少なくとも3μm以上のマージンを取ることが好ましい。ただし、本実施形態の半導体レーザ素子50において、放熱性の改善及びレーザ素子に加わる残留応力の低減を図るためには、下地電極33、p側電極34の平面面積を可能な限り大きくする必要があるため、赤外側ウイング領域203aと赤外側素子分離溝100cの境界、及び赤外側ウイング領域203bと赤外側素子分離溝100dとの境界から、それぞれ赤外側ウイング領域203a、203b側に3μm以上、7μm以下の範囲でマージンを設けることがより好ましい。また、n型GaAs基板10の結晶成長面に対向する面裏面上には、上述のようにn側電極40が形成される。赤外レーザ2を駆動するための電流は、p側電極34及びn側電極40を通して注入することができる。以上の構造を有する赤外レーザ2において、コンタクト層26から注入された電流は電流ブロック層として機能する絶縁膜27によりリッジ部201のみに流れ、量子井戸活性層23のうちリッジ部201の直下方に位置する部分に集中して注入される。これにより、数十mA程度の少ない電流の注入で、レーザ発振に必要なキャリアの反転分布状態を実現することができる。量子井戸活性層23へ注入されたキャリアの再結合により発生した光は、量子井戸活性層23の主面に対して垂直な方向について、n型クラッド層22及びp型クラッド層24による光閉じ込めを受ける。また、絶縁膜27の屈折率がp型クラッド層24の屈折率よりも低いので、量子井戸活性層23で発生した光は、量子井戸活性層23の主面に対して平行な方向の光閉じ込めを受ける。また、絶縁膜27はレーザ発振光に対して透明であるためほとんど光を吸収せず、低損失の導波路を実現することができる。また、ストライプ状のリッジ部201内外の実効屈折率差Δnは、上述のdp2により103のオーダで精密に制御することができる。このため、以上の構成によれば、光分布を精密に制御しつつ、低動作電流の高出力半導体レーザを得ることができる。ここで、80°C程度の高温で動作させる際の赤色レーザ1及び赤外レーザ2の放熱性を向上させるために、赤色レーザ1及び赤外レーザ2の出力が共に350mW以上と高い場合には、赤色レーザ1及び赤外レーザ2の共振器長を1500μm以上とし、動作電流密度の低減を図っている。本実施形態では共振器長を1500μmとしている。また、赤色レーザ1及び赤外レーザ2のそれぞれでは、光出射端面側の反射率が5~10、後端面側の反射率が90以上となるように、誘電体ミラーが形成されている。図3は、サブマウント上に実装された状態の本実施形態の半導体レーザ素子を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態の半導体レーザ素子50は、歪み量子井戸活性層13に近いp側電極32、量子井戸活性層23に近いp側電極34がサブマウント39に向かうように、いわゆるジャンクションダウンでサブマウント39上に搭載される。この際には、半田層接続部材35、36を介して電極37、38とp側電極32、34にそれぞれ接するように半導体レーザ素子50の実装を行う。実装に用いる半田層35、36の材料には、例えばAuSn半田を用いる。ジャンクションダウンで半導体レーザ素子50をサブマウント39上に実装した場合、ヒートシンクとなるサブマウント39と赤色レーザ1及び赤外レーザ2の活性層との間隔を数ミクロンの距離まで近づけることができるので、活性層で発生した熱を効果的にサブマウント39へと伝達し、放散させることができる。なお、各活性層での発熱はリッジ部101、201近傍の光分布領域で生じ、p側電極32、34を通じてサブマウント39に放熱される。本実施形態に係る半導体レーザ素子50では、サブマウント39がAlNで構成されているが、SiやSiC等の他の材料で構成されていてもよい。-半導体レーザ素子の製造方法-次に、以上のような構造を有する半導体レーザ素子の製造方法について説明する。図4~図10は、本実施形態の半導体レーザ素子の製造方法を説明するための断面図である。まず、図4に示すように、有機金属気相成長法MOCVD法等の結晶成長技術により、ウエハ状のn型GaAs基板10上に、n型GaAsからなり、膜厚が0.5μmのバッファ層21と、Al07Ga03051In049Pからなり、膜厚が2.0μmのn型クラッド層22、GaAsからなるウェル層とAlGaAsからなるバリア層とで構成された量子井戸活性層23、Al07Ga03051In049Pからなり、膜厚が1.44μmのp型クラッド層24、p型Ga051In049Pからなり、膜厚が50nmの保護層25、p型GaAsからなり、膜厚が0.4μmのコンタクト層26を順次形成する。次に、図5に示すように、n型GaAs基板10上、より具体的にはコンタクト層26上に膜厚が例えば0.3μmのSiO2膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチングを用いて当該SiO2膜を加工することで、所望のパターンを有するSiO2マスク41を形成する。ここでは、SiO2マスク41が赤外レーザを形成するための領域を覆い、赤色レーザを形成するための領域を覆わないようにする。次いで、バッファ層21、n型クラッド層22、量子井戸活性層23、p型クラッド層24、及びコンタクト層26のうち、赤色レーザを形成するための領域に形成された部分を例えばウェットエッチングにより除去する。次に、図6に示すように、SiO2マスク41をフッ酸系のエッチング液を用いて除去した後、例えばMOCVD法により、バッファ層21、n型クラッド層22、量子井戸活性層23、p型クラッド層24、及びコンタクト層26が設けられたn型GaAs基板10の結晶成長面上に、n型GaAsからなり、膜厚が05μmのバッファ層11、Al07Ga03051In049Pからなり、膜厚が20μmのn型クラッド層12、GaInPからなるウェル層とAlGaInPからなるバリア層とで構成された歪み量子井戸活性層13、Al07Ga03051In049Pからなり、膜厚が1.4μmのp型クラッド層14、p型Ga051In049Pからなり、膜厚が50nmの保護層15、p型GaAsからなり、膜厚が0.4μmのコンタクト層16を順次形成する。次に、図7に示すように、上記の複数の半導体層が形成されたn型GaAs基板10上に、膜厚が例えば0.3μmのSiO2膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチングを用いて当該SiO2膜をを加工することで、所望のパターンを有するSiO2マスク42を形成する。ここでは、SiO2マスク42が赤色レーザを形成するための領域を覆い、赤外レーザを形成するための領域を覆わないようにする。次いで、ウェットエッチングによりバッファ層11、n型クラッド層12、歪み量子井戸活性層13、p型クラッド層14、保護層15、及びコンタクト層16のうち赤外レーザを形成するための領域上に形成された部分を除去する。これと同時に、赤外レーザと赤色レーザとの間を電気的に分離する素子分離溝100を形成する。素子分離溝100は、n型GaAs基板10の結晶成長面にまで達する。次いで、SiO2マスク42をフッ酸系のエッチング液を用いて除去した後、赤色レーザのリッジ部101、及び赤外レーザのリッジ部201を形成する工程に移る。この工程では、赤色側ウイング領域内のウイング溝と、赤外側ウイング領域内のウイング溝とをリッジ部101、201と同時に形成する。具体的には、図8に示すように、ウエハ状のn型GaAs基板10の結晶成長面の上方に膜厚が例えば0.5μm程度のSiO2膜を形成し、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチングを用いてSiO2膜に所望のパターンを形成することで、SiO2マスク43を形成する。このSiO2マスク43は、赤色側チャネル溝104a、104b、赤外側チャネル溝204、及びウイング溝102、202が形成される領域を露出させ、リッジ部101、201上、及びダミーリッジ部120a、120b、122a、122b上、及び素子分離溝100の内面を覆っている。次いで、SiO2マスク43を用いたドライエッチングによって、p型クラッド層14、24、保護層15、25、及びコンタクト層16、26すなわち、半導体層のそれぞれ一部を除去し、赤色側チャネル溝104a、104b、赤外側チャネル溝204a、204b、及びウイング溝102、202を形成する。これにより、赤色側チャネル溝104により区画されたリッジ部101、赤外側チャネル溝204により区画されたリッジ部201、2本のウイング溝102又はウイング溝102と赤色側チャネル溝104とにより区画されたダミーリッジ部120a、120b、2本のウイング溝202又はウイング溝202と赤外側チャネル溝204とにより区画されたダミーリッジ部122a、122bがそれぞれ形成される。ここで、赤色側チャネル溝104は、リッジ部101を挟んで端面方向の両側に位置する赤色側チャネル溝104a、104bの両方を指し、赤外側チャネル溝204は、リッジ部201を挟んで端面方向の両側に位置する赤外側チャネル溝204a、204bの両方を指す。また、ダミーリッジ部120aとこれを挟むウイング溝102とが設けられた領域を赤色側ウイング領域103a、ダミーリッジ部120bとこれを挟むウイング溝102とが設けられた領域を赤色側ウイング領域103bと称する。ダミーリッジ部122aとこれを挟むウイング溝202とが設けられた領域を赤外側ウイング領域203a、ダミーリッジ部122bとこれを挟むウイング溝202とが設けられた領域を赤外側ウイング領域203bと称する。本工程では、リッジ部101の下端部から歪み量子井戸活性層13までの距離dp1が例えば0.24μm、リッジ部201の下端部から量子井戸活性層23までの距離dp2が例えば0.24μmとなる位置までp型クラッド層14、24をエッチングする。なお、本実施形態の説明においては、ドライエッチング技術を用いてリッジ部101、201及びウイング溝102、202等を形成しているが、ドライエッチング技術とウェットエッチング技術を併用してリッジ部101、201を形成してもよい。ここで、赤外レーザと赤色レーザにおけるp型クラッド層14、24の組成及び膜厚、コンタクト層16、26の組成及び膜厚を互いに等しくした場合、赤色レーザのリッジ部101と赤外レーザのリッジ部201とを同一のドライエッチング条件にて同時に形成することが可能である。さらに、赤色側チャネル溝104、赤外側チャネル溝204、ウイング溝102、202をそれぞれ同時に形成することができるので、製造プロセスを簡素化して製造工程数の増加を抑えることができ、結果として素子作製コストの増加を抑えることができる。次に、図9に示すように、SiO2マスク43をフッ酸系のエッチング液を用いて除去した後、ウエハ状のn型GaAs基板10の結晶成長面の上方全体に、電流ブロック層として機能する絶縁膜例えばSiN膜を形成する。この絶縁膜のうち赤色レーザを形成するための領域上に形成される部分を絶縁膜17とし、赤外レーザを形成するための領域上に形成される部分を絶縁膜27とする。次いで、フォトリソグラフィーと、反応性イオンエッチングRIE等のエッチング技術とを用いて絶縁膜17のうちリッジ部101の上面上に形成された部分、及び絶縁膜27のうちリッジ部201の上面上に形成された部分を除去する。ここで、上述のように、電流ブロック層を形成する工程において、赤色側ウイング領域103a、103b、赤外側ウイング領域203a、203bにも電流ブロック層を形成することによって、製造工程数の増加を抑えながら、赤色側ウイング領域103a、103b、及び赤外側ウイング領域203a、203bでの絶縁性を確立することができる。次に、図10に示すように、フォトリソグラフィー技術とリフトオフ技術とを用いて、リッジ部101の上部を構成するコンタクト層16上から赤色側ウイング領域103a、103bにかけて下地電極31及びAuからなるp側電極32を順次形成する。これと同時に、リッジ部201の上部を構成するコンタクト層26上から赤外側ウイング領域203a、203bにかけて下地電極33及びAuからなるp側電極34を順次形成する。本実施形態では、電子ビーム蒸着法により、Ti層/Pt層/Au層の積層膜を下地電極として形成した後に、電解メッキ法によって、リッジ部101、201の上にp側電極32、34を形成すると同時に、赤色側ウイング領域103a、103b内のウイング溝102と、赤外側ウイング領域203a、203b内のウイング溝202に電極材料を埋め込むことで、p側電極32、34を形成する。その後、オーミック電極であるn側電極40をn型GaAs基板10の裏面結晶成長面に対向する面上に形成する。これにより、ウエハ上に、赤色レーザ1と赤外レーザ2とを素子分離溝100を挟んで交互に設けることができる。なお、図10では、素子分離溝100のうち赤色レーザ1を形成するための領域上に形成された部分を赤色側素子分離溝100a、100bとし、素子分離溝100のうち赤外レーザ2を形成するための領域上に形成された部分を赤外側素子分離溝100c、100dとして示している。次に、半導体レーザ素子が形成されたウエハを、所定の共振器長間隔で劈開することにより、複数の半導体レーザ素子が端面方向に連結されてなるレーザバーlaserbarを形成し、レーザバーの光共振器端面に端面コートを形成する図示せず。次に、レーザバーを劈開によってチップ状態に加工した後、各半導体レーザ素子50をサブマウント上に実装する。以上で説明したように、本実施形態に係る半導体レーザ素子50の製造工程において、ウイング溝102、202、及びダミーリッジ部120a、120b、122a、122bをリッジ部101、201と同時に形成することができ、電流ブロック層として機能する絶縁膜17、27を赤色側ウイング領域103a、103b及び赤外側ウイング領域203a、203b内に形成する際にも追加の工程を必要としない。従って、従来と比べて製造工程を追加することなく本実施形態の半導体レーザ素子50を製造することが可能となる。すなわち、上述の方法によれば、素子作製コストの増大を抑えつつ、後述のように温度特性と偏光特性とを向上させた半導体レーザ素子を実現することが可能である。-半導体レーザ素子の効果-次に、赤色レーザ1の赤色側ウイング領域103a、103bに形成されたウイング溝102、及び赤外レーザ2の赤外側ウイング領域203a、203bに形成されたウイング溝202の効果について説明を行う。赤色レーザ1の平面面積を縮小すると、レーザ内で生じた熱の放熱部として機能するp側電極32の面積が減少するため、熱抵抗が増加し、高温特性の劣化を招いてしまう。しかし、本明細書で開示された技術によれば、赤色レーザ1において、赤色側ウイング領域103a、103bにそれぞれ少なくとも1本のウイング溝102を形成することで、ウイング溝102を形成しない場合に比べて絶縁膜17及び下地電極31を挟んで半導体層ここではp型クラッド層14、保護層15、及びコンタクト層16と放熱性に優れるp側電極32との接触面積を、ウイング溝102の側壁面積の大きさ分、拡大させることができる。そのため、赤色レーザ1の平面面積を縮小した場合でも、赤色レーザ1における熱抵抗を低減することが可能となる。また、ウイング溝102を形成することによって、p側電極32のうち赤色側ウイング領域103a、103b内に形成された部分と発熱源であるリッジ部101及びその直下の歪み量子井戸活性層13との距離が縮まるため、より効果的に放熱を図ることが可能となる。ここで、赤色レーザ1において、歪み量子井戸活性層13とp型クラッド層14とのバンドギャップエネルギーの差は、赤外レーザ2における量子井戸活性層23とp型クラッド層24とのバンドギャップエネルギーの差よりも小さい。そのため、歪み量子井戸活性層13に注入された電子は、高温動作時において熱的に励起されて、p型クラッド層14へ漏れやすくなっている。すなわち、キャリアオーバーフローが発生しやすくなっている。このため、赤色レーザ1は、赤外レーザ2と比べて放熱性を向上して高温特性を改善することがより強く望まれる。従って、本実施形態の半導体レーザ素子50において、少なくとも赤色レーザ1が、リッジ部101を間に挟み、それぞれウイング溝102が形成された赤色側ウイング領域103a、103bを有していることで、半導体レーザ素子50全体としての高温特性を大きく改善することができる。本実施形態の半導体レーザ素子50では、赤外レーザ2の赤外側ウイング領域203a、203bにもそれぞれ少なくとも1本のウイング溝202を形成することで、ウイング溝202を形成しない場合に比べて絶縁膜27及び下地電極33を挟んで半導体層ここではp型クラッド層24、保護層25、及びコンタクト層26と放熱性に優れるp側電極34との接触面積を、ウイング溝202の側壁面積の大きさ分、拡大させることができる。そのため、赤外レーザ2の平面面積を縮小した場合でも、赤外レーザ2における熱抵抗をより低減することが可能となる。また、ウイング溝202を形成することによって、p側電極34のうち赤外側ウイング領域203a、203b内に形成された部分と発熱源であるリッジ部201及びその直下の量子井戸活性層23との距離が縮まるため、より効果的に放熱を図ることが可能となる。図2に示す本実施形態の半導体レーザ素子50では、ウイング溝ここではウイング溝102の溝幅Wb1が狭く、且つダミーリッジ部ここではダミーリッジ部120a、120bの幅Wt1を狭くしている。このため、半導体層とp側電極32との接触面積を拡大することができ、効果的に赤色レーザ1の放熱性が向上している。なお、Wt1は、便宜上ダミーリッジ部120a、120bのいずれかの幅と、これらの側壁上に形成された絶縁膜17及び下地電極31の2倍の厚さとを足したものである。ここで、赤色レーザ1、赤外レーザ2のレーザ発振動作に伴う温度上昇は、リッジ部101、201からの距離がそれぞれ左右30μm以下の領域、特に左右20μm以下の領域で顕著に見られることが筆者らの熱解析により明らかになった。このため、リッジ部の左右30μm以下の領域に溝領域を形成し、その溝幅とダミーリッジ幅を小さくすれば、放熱性の向上により効果的である。次に、ウイング溝102の溝幅Wb1とダミーリッジ部120a、120bの幅の最小値について考える。ウイング溝102の溝幅Wb1やダミーリッジ部120a、120bの幅Wt1が狭くなり過ぎると、溝領域内への下地電極31やAuメッキ層p側電極32の形成が困難となるため、Wb1やWt1を過剰に狭くすることはできない。そこで、ウイング溝102の形状は、製造プロセスの安定性例えば、溝形状の寸法制御性、劈開等によるチップ加工性を考慮に入れると、ウイング溝102の溝幅Wb1は1μm以上、ダミーリッジ部120a、120bの幅は1μm以上であることが好ましい。本実施形態の赤色レーザ1では、上記範囲において最も半導体層とp側電極32との接触面積が大きくなるように溝幅Wb1を1μm、ダミーリッジ幅Wt1を1μmとしている。さらに、Auメッキで構成されたp側電極32とウイング溝102との接触面積を最大限に確保するためには、ダミーリッジ部120a、120bの側壁がn型GaAs基板10の結晶成長面に対してほぼ垂直であることが望ましい。ダミーリッジ部120a、120bが逆メサの形状になってしまうと、下地電極31の被覆性が低下したり、p側電極32を構成するAuメッキ層中にボイドが発生する等の課題が発生するおそれがあるため、製造プロセスの安定性と放熱性を高いレベルで両立させるために、前記ダミーリッジ部120a、120bの側壁とn型GaAs基板10の結晶成長面との角度θ1、θ2は90°±5°とするのが好ましい。本明細書に記載の技術においては、ウエハ製造工程において、赤色側ウイング領域103a、103b及び赤外側ウイング領域203a、203bにそれぞれウイング溝102、202を形成した後に、Ti層/Pt層/Au層の積層膜で構成された下地電極31、33を形成する。次いで、ウイング溝102、202の内部にAuを充填し、p側電極32、34を形成する。この場合、p側電極32、34を形成する際には、メッキ液の粘性を低減してAuメッキ層中でのボイド発生を抑制しつつ、Auメッキ層表面の粗さを制御するために60°C程度の高温条件でメッキプロセスを行う。従って、p側電極32、34の形成後、ウエハを室温雰囲気に戻すと、ウエハにはp側電極32、34とn型GaAs基板10との熱膨張係数の差のために応力が発生する。その後、ウエハを劈開し、個々の半導体レーザ素子に分離すると、端面方向について凹型の反りが発生する。この凹型の反りの曲率半径は、ウイング溝の占有率によって制御することができる。ウイング溝の占有率とは、p側電極で覆われたウイング領域の平面面積に対してウイング溝底面の平面面積が占める割合のことである。具体的には、図1において、p側電極32で覆われた赤色側ウイング領域103a、103bの平面面積をS1つまり×Lとし、赤色側ウイング領域103a、103bにおけるウイング溝102底部の平面面積の総和をA1とし、p側電極34で覆われた赤外側ウイング領域203a、203bの平面面積をS2つまり×Lとし、赤外側ウイング領域203a、203bにおけるウイング溝202底部の平面面積の総和をA2としたとき、赤色レーザ1のウイング溝の占有率をA1/S1、赤外レーザ2のウイング溝の占有率をA2/S2と定義する。共振器方向に延びるウイング溝の占有率を大きくしていくと、赤色側ウイング領域103a、103b、赤外側ウイング領域203a、203bの等価的な熱膨張係数はGaAsからAuの値に近づいていくために、n型GaAs基板10をp側電極32、34の下方とする方向に半導体レーザ素子50を見た場合、端面方向において凹型に反った半導体レーザ素子50の曲率半径は小さくなり、当該レーザ素子の端面方向における凹型の反りが大きくなる。凹型の反りは、言い換えれば半導体レーザ素子50の実装面となるp側電極32、34が内側になるように反ることを意味している。なお、半導体レーザ素子50が端面方向に反るのは、ウイング溝102、202が共振器方向に延伸しているためである。図11は、サブマウント上に実装していない状態の半導体レーザ素子において、ウイング溝の占有率と、Auメッキ層で構成されたp側電極の形成により発生する反り曲率半径との関係の計算結果を示す図である。同図に示す計算結果から、ウイング溝占有率を大きくすると、半導体レーザ素子50の曲率半径は小さくなる傾向にあり、半導体レーザ素子50において端面方向に凹型半導体レーザ素子の実装面が内側になる向きの反りが大きくなるという関係があることが分かる。また、本実施形態の半導体レーザ素子50をジャンクションダウンにして、n型GaAs基板10よりも熱膨張係数の小さいサブマウント材料、例えばAlNからなるサブマウント上に実装する場合、実装時に半田を溶融させるための高温状態から室温に降温させると、半導体レーザ素子50には端面方向に凸型半導体レーザ素子の実装面が外側になる向きの反りが発生する。そこで、サブマウント上に半導体レーザ素子50を実装する前に、端面方向に対して凹型半導体レーザ素子の実装面が内側になる向きの反りが大きくなるように、赤色側ウイング領域103a、103b、及び赤外側ウイング領域203a、203bにウイング溝102又はウイング溝202を形成しておくと、p側電極32、34により生じる応力及び反りとサブマウントへの実装により生じる応力及び反りが端面方向において逆向きであるため、互いの反りを打ち消すことができる。このため、本実施形態の半導体レーザ素子50によれば、サブマウント上に実装後のレーザ素子の反りを小さくすることができる。ここで、サブマウントの材料としては、基板材料であるGaAsよりも熱膨張係数が小さい材料が好ましく用いられる。GaAs、AlN、Si、SiC、Auの熱膨張係数は、それぞれ6.0×106/K、4.5×106/K、2.4×106/K、4.2×106/K、14.2×106/Kであることから、サブマウントの材料として例えばAlN、Si、又はSiCを用いれば、サブマウント上に半導体レーザ素子を実装することで、AuとGaAsの熱膨張係数の差により生じた応力を打ち消すことが可能となる。なお、本実施形態では、熱膨張係数が大きく、熱伝導率の高い性質を有すること、被覆性が良好かつ高成膜レートで電極形成できること等の生産面の利点を持ったAuメッキ層をp型電極として使用しているが、基板材料ここではGaAsよりも熱膨張係数の大きい材料でサブマウントに接合させる方の電極ここではp側電極を構成すれば、前述のサブマウント実装後の半導体レーザ素子の端面方向の反りを低減する効果を得ることができる。従って、本実施形態に係る半導体レーザ素子において、電極材料はAuメッキ層に限定されない。次に、本実施形態の半導体レーザ素子において、ウイング溝のウイング領域に対する占有率の特に好ましい範囲について検討する。図12は、本実施形態の半導体レーザ素子をサブマウント上に実装した場合の反りの状態を示す模式図である。上述の図22に示すように、ウイング溝が形成されていない従来の半導体レーザ素子902では、サブマウント301への実装前での端面方向の反りが小さい。そのため、サブマウント実装後に端面方向において、半導体レーザ素子902がサブマウント301から受ける応力を打ち消すことができず、半導体レーザ素子902がサブマウント301から見て内側になるような方向に反ってしまう。これに対して、本実施形態の半導体レーザ素子303は、サブマウント301の実装前に端面方向において反っている。この半導体レーザ素子303の反りは、実装後にサブマウント301から受ける応力を打ち消す方向の反りであるので、図12に示すように、本実施形態の半導体レーザ素子303のサブマウント301への実装後の端面方向の反りは従来の半導体レーザ素子902に比べて大きく低減される。このため、サブマウント301への実装後にリッジ部101、201図2参照近傍に残留する応力を低減でき、歪み量子井戸活性層13近傍及び量子井戸活性層23近傍に加わる応力を従来に比べて小さくすることができる。そのため、赤色レーザ1及び赤外レーザ2のそれぞれで、導波路を形成する半導体層の屈折率に複屈折率性を生じるのを抑制できる。従って、本実施形態に係る半導体レーザ素子303は従来の半導体レーザ素子902に比べて偏光特性を改善することが可能となる。ここで、赤色レーザ1については、ダミーリッジ部120a、120bの幅を最小寸法とした場合、赤色側ウイング溝の占有率を0.25以下と小さくし過ぎると、ウイング溝の占有率が0.5の時に比べて、ウイング溝の数が減るためにAuメッキ層で構成されたp側電極とウイング溝半導体層との接触面積増大効果が減少してしまう。そのため、放熱性を向上させる効果が得られにくくなる。一方、ウイング溝の占有率を0.75以上と大きくし過ぎる場合には、ウイング溝の幅が大きくなるがウイング溝の数が減ることとなるので、ウイング溝の占有率が0.5の時に比べてp側電極とウイング溝との接触面積増大効果が減少してしまう。従って、サブマウント301への半導体レーザ素子303の実装後の端面方向の反りを小さくしつつ、Auメッキ層からなる電極とウイング溝との接触面積を大きくして放熱性を向上させるためには、ウイング溝のウイング領域における占有率を0.5±0.25の範囲内にするのが特に好ましい。次に、赤色レーザ1の赤色側ウイング領域103a、103b符号は図2参照に形成されたウイング溝102と、赤外レーザ2の赤外側ウイング領域203a、203bに形成されたウイング溝202との関係について説明する。前述したように、赤色レーザ1については、放熱性を高めて高温特性を改善する必要があるため、ウイング溝102の表面積の総和ウイング溝102の側壁面積と底面面積の総和を拡大し、p側電極32とウイング溝102との接触面積を大きくすることが好ましい。しかし、放熱性を重視した構造とする場合、ウイング溝102の占有率が制限されてしまい、残留応力低減の効果が制限されるおそれがある。一方、赤外レーザ2では、AlGaInPからなるクラッド層を用いているので、量子井戸活性層23とp型クラッド層24との界面での伝導帯端エネルギーの差ΔEcは赤色レーザ1におけるΔEcよりも数百meV大きくなっている。そのため、赤外レーザ2は、赤色レーザ1と比較して、高温動作においてもキャリアオーバーフローの発生を抑制でき、光出力の低下が生じにくい。従って、赤外レーザ2に関しては、前述した赤色レーザのようにウイング溝の表面積を大きくする構造は必ずしも必要ではない。よって、赤外レーザ2においては、ウイング溝202の構造を、放熱性よりも実装後の残留応力を緩和させる効果を優先して高めるような構造とすることで、温度特性の低下や偏光特性の低下を抑制することが可能である。すなわち、2波長レーザである本実施形態の半導体レーザ素子では、赤色レーザ1と赤外レーザ2が同一基板上に集積化される特徴を生かして、赤外レーザ2の赤外側ウイング領域203a、203bにおけるウイング溝202の占有率を、赤色レーザ1のウイング溝102の占有率に対して相対的に大きくすることで、サブマウント上に実装した後に赤外レーザ2に生じる残留応力を十分に緩和し、少なくとも赤色レーザ1に生じる残留応力よりも小さくすることができる。具体例としては、赤外レーザ2の赤外側ウイング領域203a、203bに形成されたウイング溝202について、幅Wb2を広くし、ダミーリッジ幅Wt2を狭くし、赤外側ウイング領域203a、203bにおけるウイング溝占有率を高くすることで、赤色レーザ1を含む半導体レーザ素子全体の応力緩和効果を増大する効果が得られ、赤外レーザ2の量子井戸活性層23だけでなく赤色レーザ1の歪み量子井戸活性層13に加わる応力をも緩和させる効果が得られる。次に、本実施形態の半導体レーザ素子における、前述の赤色レーザ1に加わる応力を緩和する効果について、以下に説明する。図13は、本実施形態に係る半導体レーザ素子をサブマウント上に350°Cにて実装した場合における、赤色レーザの活性層に生じる応力のA2/S2依存性についての計算結果を示す図である。ここで、本実施形態の赤色レーザについては、前述したとおり放熱性を向上させるためにウイング溝102の溝幅Wb1を1μm、ダミーリッジ幅Wt1を1μmとし、A1/S1を0.5としている。図13における横軸Air/Sirは上述のA2/S2を意味している。この結果から、少なくともウイング溝202が形成された赤外側ウイング領域203a、203bを設けることで、サブマウント上に実装後に赤外レーザ2のダブルヘテロ構造多層膜特に量子井戸活性層23及びリッジ部201に加わる残留応力だけでなく赤色レーザ1のダブルヘテロ構造多層膜特に歪み量子井戸活性層13及びリッジ部101に加わる残留応力も低減することができる。さらに、A1/S1<A2/S2の関係を満たすことによって、すなわちp側電極34とn型GaAs基板10との熱膨張係数差に起因して赤外レーザ2のダブルヘテロ構造多層膜に加わる残留応力を、p側電極32とn型GaAs基板10との熱膨張係数差に起因して赤色レーザ1のダブルヘテロ構造多層膜に加わる残留応力より大きくすることができ、サブマウントの構成材料をAlN、Si、SiCのいずれにした場合でも、サブマウント上に実装した後の赤色レーザ1の歪み量子井戸活性層13に加わる応力をさらに効果的に低減できることが分かる。なお、赤色レーザ1の赤色側ウイング領域103a、103bにおける赤色側ウイング溝の占有率は0.5に限定されるものではなく、前述したように赤色側ウイング溝の占有率が0.5±0.25の範囲であれば十分に放熱性の改善を図ることができる。また、A2/S2が0の場合でも従来の半導体レーザ素子に比べて歪み量子井戸活性層13に加わる応力はいずれのサブマウント材料を用いた場合でも低減されているが、これは赤色レーザ1にウイング溝102が形成された赤色側ウイング領域103a、103bを設けたことによる効果であると考えられる。以上のように、赤色側ウイング領域103a、103bに形成されたウイング溝102の表面積の総和ウイング溝102の側壁面積と底面面積の総和を、赤外側ウイング領域203a、203bに形成されたウイング溝202の表面積の総和ウイング溝202の側壁面積と底面面積の総和よりも大きくすること、及びA1/S1<A2/S2となるようなウイング溝102、202を形成することによって、赤色レーザ1の放熱性を向上させつつ、サブマウント実装後の赤色レーザ1の歪み量子井戸活性層13近傍に生じる応力を低減することが可能となる。従って、これらの要件が満たされた場合には、赤色レーザの放熱性の改善と偏光特性の改善とを高いレベルで両立させることが可能となる。また、赤外レーザ2の特性への影響を考えた場合、原則としてウイング溝202の赤外側ウイング領域203a、203bにおける占有率を可能な限り大きくすれば、サブマウント上に実装した後の端面方向の反りを小さくすることができるので、好ましい。ただし、ウイング溝202の占有率を1としてしまうことは、赤外側ウイング領域203a、203b及びダミーリッジ部122a、122bを有さないことを意味するので、この場合にはジャンクションダウン実装時にリッジ部201へ応力が集中してしまうことになる。従って、ウイング溝202の占有率は1未満である必要がある。これは赤色レーザ1についても同様である。また、ウイング溝202の占有率を1に近づけ過ぎると、すなわちウイング溝202の溝幅Wb2を広くし過ぎると、メッキ法によりp側電極34を形成した場合に電極表面サブマウントへの実装面の平坦性を確保するのが困難となる。具体的には、赤外レーザ2におけるウイング溝占有率を0.8よりも大きくすると、p側電極34の表面に1μm以上の段差が生じてしまい、平坦性が悪くなる。p側電極34表面の段差が大きくなり過ぎると、サブマウント上に半導体レーザ素子を実装する際に半田とp側電極34との密着性が低下するため、放熱性が低下してしまうおそれがある。そこで、本実施形態の半導体レーザ素子では、A2/S2を0.5以上、0.8以下とし、さらにA1/S1<A2/S2とし、サブマウントへの実装後に赤外レーザ2の量子井戸活性層23に加わる残留応力の増大を抑制している。この結果、本実施形態に係る半導体レーザ素子において、赤外レーザ2の偏光特性を高いレベルで安定化させることができる。以上で説明したように、本実施形態の半導体レーザ素子では、赤色レーザ1について、p側電極32とウイング溝102との接触面積が大きくなるようにウイング溝102を形成することで、サブマウント実装後の残留応力の影響を抑制しつつ、放熱性を優先して高めて温度特性の改善が図られている。一方、構造上優れた温度特性を有している赤外レーザ2については、赤外側ウイング領域203a、203bでのウイング溝占有率を高めて赤色レーザ1を含む半導体レーザ素子全体の残留応力を低減させることで、赤色レーザ1の偏向特性を改善させつつ、赤外レーザ2の偏向特性の改善も図っている。本発明の実施形態の第1の変形例に係る半導体レーザ素子図14は、本発明の実施形態の第1の変形例に係る半導体レーザ素子の構造を模式的に示す平面図であり、図15は、第1の変形例に係る半導体レーザ素子の、図14に示すXVXV線における断面図である。半導体レーザ素子51は、図14、15に示すように、図1、図2に示す半導体レーザ素子50とは以下に述べる点を除いて同様の構造を有する。つまり、本変形例に係る半導体レーザ素子51も、n型GaAs基板10上に赤色レーザ1と赤外レーザ2とが集積化された半導体レーザ素子である。また、本変形例に係る赤外レーザ2は、図1、図2に示す半導体レーザ素子50の赤外レーザ2と同じ構造を有する。図1、図2に示す実施形態に係る赤色レーザ1は、放熱性の向上を優先して赤色側ウイング領域103a、103b内のウイング溝占有率を例えば0.5としている。これに対し、図15に示す本変形例に係る赤色レーザ1では、リッジ部101の端面方向における中心位置から左右20μm以下の領域内での赤色側ウイング領域103a、103bでのウイング溝占有率を、図1、図2に示す赤色レーザ1と同様の0.5としているが、その外側の赤色側ウイング領域103a、103bでは、ウイング溝の占有率を0.5よりも大きくしている。例えば、本変形例では、赤色側ウイング領域103a、103bのうちリッジ部101の端面方向における中心位置から20μmを越える領域において、ウイング溝102の幅をリッジ部101近傍のウイング溝102の幅よりも大きくすることで、ウイング溝の占有率を0.8としている。これにより、サブマウント上に実装後の半導体レーザ素子51の反りがより低減される。図16は、AlGaInP系のクラッド層を有した一般的なレーザにおける、レーザ駆動時の発光点位置からの水平方向基板面及び光出射端面に平行な方向の距離と上昇温度との関係の計算結果を示す図である。同図に示す結果は、赤色レーザ、赤外レーザ共に適用される。図16に示すように、レーザ発振動作中に半導体レーザ内で生じる熱は、リッジ部の中心からの水平距離が20μm以内の領域に蓄積されやすい。このことから、本変形例に係る赤色レーザ1では、赤色側ウイング領域103a、103bのうち、リッジ部101の中心からの水平距離が20μm以内の領域に形成されたウイング溝の占有率を0.5とし、ウイング溝の表面積の総和を大きくしている。これにより、動作時に温度の上昇が大きくなる領域で、p側電極32とウイング溝との接触面積がを大きくなり、ウイング領域を形成しない場合に比べて放熱性能を大幅に高めることが可能となっている。さらに、本変形例に係る赤色レーザ1では、赤色側ウイング領域103a、103bのうち、リッジ部101の中心からの水平距離が20μmを越える領域で、ウイング溝の占有率を0.8と大きくしているので、サブマウント上に実装する前の半導体レーザ素子51において、端面方向にp側電極32、34が内側を向く方向の反りを大きくすることができる。この結果、AlN、SiC、SiといったGaAsよりも熱膨張係数の小さいサブマウントにジャンクションダウンで実装した後の半導体レーザ素子における、端面方向の反りをさらに小さくすることができる。このため、赤色レーザ1、赤外レーザ2共により高い偏光特性を実現することができる。なお、図1、図2に示す赤色レーザ1と同様に、本変形例に係る赤色レーザ1の赤色側ウイング領域103a、103bにおいて、リッジ部101中心からの距離が20μm以内の領域でのウイング溝の占有率は0.5に限定されるものではなく、ウイング溝の占有率が0.5±0.25の範囲であれば十分に放熱性の改善を図ることが可能である。これに加え、赤色側ウイング領域103a、103bに形成されたウイング溝102の表面積の総和が、赤外側ウイング領域203a、203bに形成されたウイング溝の表面積の総和よりも大きく、且つA1/S1<A2/S2となるウイング溝102、202が形成されていれば、本変形例に係る半導体レーザ素子51において、赤色レーザ1、赤外レーザ2共により高い偏光特性を実現することができる。特に、リッジ部101の中心からの距離が20μm以内の領域において、赤色側ウイング領域103a、103bに形成されたウイング溝102の表面積の総和が、リッジ部201の中心からの距離が20μm以内の領域において、赤外側ウイング領域203a、203bに形成されたウイング溝202の表面積の総和より大きければ、より好ましい。なお、赤色側ウイング領域103a、103bにおいて、リッジ部101の中心からの距離が20μm以上離れた領域でのダミーリッジ120a、120bの幅をリッジ部101の中心から20μm以内の領域よりも小さくすることでウイング溝の占有率を大きくしてもよい。第2の変形例に係る半導体レーザ素子図17は、本発明の実施形態の第2の変形例に係る半導体レーザ素子の構造を模式的に示す平面図である。同図では、p側電極32、34の図示を省略している。本変形例に係る半導体レーザ素子は、図17に示すように、図1、図2に示す半導体レーザ素子50と以下に述べる点を除いて同様の構造を有する。つまり、本変形例に係る半導体レーザ素子は、n型GaAs基板10上に赤色レーザ1と赤外レーザ2とが集積化された半導体レーザ素子である。図1、図2に示す実施形態に係る半導体レーザ素子50では、赤色側ウイング領域103a、103b内のウイング溝102、及び赤外側ウイング領域203a、203b内のウイング溝202は、それぞれのレーザの光出射端面から後端面まで連続的に形成されている。これに対し、図17に示す本変形例の半導体レーザ素子は、赤色レーザ1及び赤外レーザ2の両方において、光出射端面及び後端面から10μm以内の領域60には、ウイング溝102、202が形成されない。これは、半導体レーザ素子が複数作り込まれたウエハを劈開し、バー状態に加工して光共振器端面を形成する工程での歩留低下を抑制するためである。劈開する領域において、凹凸が複数存在すると、劈開時の応力が凹凸の角となる部分に集中し、応力が集中した部分の割れや欠けが発生する可能性が高くなる。この割れや欠けによって発生した欠片が光共振器端面と接触すると、端面損傷を引き起こす可能性がある。そこで、本変形例に係る半導体レーザ素子では、劈開によって光共振器端面を形成する領域の近傍にはウイング溝102、202を形成しない構造とすることで、ダミーリッジ部120a、120b、122a、122bの割れや欠け等による不良の発生を抑制することができる。また、ウイング溝がレーザ素子の端面近傍に設けられていなくても上述のウイング溝の効果には大きく影響しないので、赤色レーザ1、赤外レーザ2共に高い温度特性と偏光特性とを実現することができる。第3の変形例に係る半導体レーザ素子図18は、本発明の実施形態の第3の変形例に係る半導体レーザ素子の構造を模式的に示す平面図である。同図では、p側電極32、34の図示を省略している。図18に示す本変形例の半導体レーザ素子は、図1、図2に示す半導体レーザ素子50とは以下に述べる点を除いて同様の構造を有する。つまり、本変形例に係る半導体レーザ素子は、n型GaAs基板10上に赤色レーザ1と赤外レーザ2とが集積化された半導体レーザ素子である。図1、図2に示す実施形態に係る半導体レーザ素子50では、共振器端面の法線方向にそれぞれ延びるウイング溝102、202が形成されている。これに対し、図18に示す本変形例の半導体レーザ素子は、ウイング溝102が赤色レーザ1の共振器端面の法線方向に対して傾いており、ウイング溝202も赤外レーザ2の共振器端面の法線方向に対して傾いた構造を有している。ここで、赤色レーザ1の共振器端面の法線方向とウイング溝102が延びる方向とが成す角度をθrとし、赤外レーザ2の共振器端面の法線方向とウイング溝202が延びる方向とが成す角度をθiとする。このとき、少なくとも-45°<θr<45°、-45°<θi<45°の範囲となっていれば、ウイング溝を形成することによって生じる応力の端面方向成分の大きさが、共振器方向の応力成分より大きくなる関係が保たれるので、サブマウント上に実装する際の反りを低減することが可能となる。サブマウント上に実装する前に半導体レーザ素子を端面方向に反らせるための応力を効果的に発生させるためには、ウイング溝102、202が各レーザの共振器端面の法線方向と平行に延伸されていることが最も好ましい。しかしながら、上記内容を踏まえて、-0.5°≦θr≦0.5°、-0.5°≦θi≦0.5°の範囲であれば、端面方向に反らせるための応力が共振器方向に分散する影響は無視できる程度に小さく、ウイング溝102、202が各共振器端面の法線方向に延伸する場合と同等の、高い温度特性と良好な偏光特性とを実現することができる。第4の変形例に係る半導体レーザ素子図19は、本発明の実施形態の第4の変形例に係る半導体レーザ素子の構造を模式的に示す平面図である。同図では、p側電極32、34の図示を省略している。本変形例に係る半導体レーザ素子は、図19に示すように、図1、図2に示す半導体レーザ素子50と以下に述べる点を除いて同様の構造を有する。つまり、本変形例に係る半導体レーザ素子は、n型GaAs基板10上に赤色レーザ1と赤外レーザ2とが集積化された半導体レーザ素子である。図1、図2に示す実施形態に係る半導体レーザ素子50では、赤色側ウイング領域103a、103b内のウイング溝102、及び赤外側ウイング領域203a、203b内のウイング溝202は、それぞれのレーザの光出射端面から後端面まで連続的に形成されている。これに対し、図19に示す本変形例の半導体レーザ素子は、共振器方向に延びるウイング溝102が領域71を挟んで光出射端面側と後端面側とで不連続になっている。また、ウイング溝202が領域72を挟んで光出射端面側と後端面側とで不連続になっている。領域71では、複数のダミーリッジ部120a同士、及び複数のダミーリッジ部120b同士が共通に接続された状態になっており、領域72では、複数のダミーリッジ部122a同士、及び複数のダミーリッジ部122b同士が共通に接続された状態になっている。領域71、72の共振器方向の長さY1、Y2が長い程、p側電極とn型GaAs基板との熱膨張係数の差により生じる応力の端面方向成分は小さくなる。しかし、本変形例の半導体レーザ素子においては、ウイング溝102を分断する領域71の共振器方向の長さY1と、ウイング溝202を分断する領域72の共振器方向の長さY2とが、赤色レーザ1及び赤外レーザ2の共振器長Lの5以下であれば、領域71、72を有することによる影響はほとんど無い。すなわち、ウイング溝102、202が共振器長の5以下の長さのダミーリッジ部によって分断された場合でも、赤色レーザ1及び赤外レーザ2は、図1、図2に示す半導体レーザ素子50と同様に高い温度特性と良好な偏向特性を実現できる。また、領域71、72は赤色側ウイング領域103a、103b内及び赤外側ウイング領域203a、203b内にそれぞれ2つ以上設けられていてもよいが、この場合、領域71の長さの合計、及び領域72の長さの合計が共振器長の5以下であれば好ましい。第5の変形例に係る半導体レーザ素子図20は、本発明の実施形態の第5の変形例に係る半導体レーザ素子の構造を模式的に示す平面図である。同図では、p側電極32、34の図示を省略している。本変形例に係る半導体レーザ素子は、図20に示すように、図1、図2に示す半導体レーザ素子50と以下に述べる点を除いて同様の構造を有する。つまり、本変形例に係る半導体レーザ素子は、n型GaAs基板10上に赤色レーザ1と赤外レーザ2とが集積化された半導体レーザ素子である。図1、図2に示す実施形態に係る半導体レーザ素子50では、赤色側ウイング領域103a、103b内のウイング溝102、及び赤外側ウイング領域203a、203b内のウイング溝202は、それぞれのレーザの光出射端面から後端面まで連続的に形成されている。これに対し、図20に示す本変形例の半導体レーザ素子は、赤色側ウイング領域103a、103bにおいて、共振器方向に延びるウイング溝102と、ウイング溝102を分断し、端面方向に延びる溝が形成された領域73とが形成されている。また、赤外側ウイング領域203a、203bにおいて、共振器方向に延びるウイング溝202と、ウイング溝202を分断し、端面方向に延びる溝が形成された領域74とが形成されている。また、本変形例の半導体レーザ素子では、第4の変形例に係る半導体レーザ素子と異なり、ダミーリッジ部120a、120bが領域73により分断されており、ダミーリッジ部122a、122bも領域74により分断されている。領域73、74の共振器方向の長さY3、Y4が長い程、p側電極とn型GaAs基板との熱膨張係数の差により生じる応力の端面方向成分は小さくなる。しかし、本変形例の半導体レーザ素子においては、ウイング溝102を分断する領域73の共振器方向の長さY3と、ウイング溝202を分断する領域74の共振器方向の長さY4とが、赤色レーザ1及び赤外レーザ2の共振器長Lの5以下であれば、領域73、74を有することによる影響はほとんど無い。すなわち、本変形例に係る半導体レーザ素子においても、図1、図2に示す半導体レーザ素子50と同様に高い温度特性と良好な偏向特性を実現できる。また、領域73、74は赤色側ウイング領域103a、103b内及び赤外側ウイング領域203a、203b内にそれぞれ2つ以上設けられていてもよいが、この場合、領域73の長さの合計、及び領域74の長さの合計が共振器長の5以下であれば好ましい。なお、以上で説明した半導体レーザ素子の構成は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、各ウイング領域の端面方向の長さやウイング溝の間隔及び本数、リッジ部及びダミーリッジ部の幅等は適宜変更可能である。例えば、赤色側ウイング領域103aと赤色側ウイング領域103bの端面方向の長さは互いに等しくてもよいし、異なっていてもよい。赤色側ウイング領域103aに形成されるウイング溝102の本数と赤色側ウイング領域103bに形成されるウイング溝102の本数とが異なっていてもよい。また、赤外側ウイング領域203aに形成されるウイング溝202の本数と赤外側ウイング領域203bに形成されるウイング溝202の本数とが異なっていてもよい。図1、図2に示す実施形態及びその変形例に係る半導体レーザ素子において、リッジ部101、201の延伸方向は、それぞれ赤色レーザ1の光出射端面及び赤外レーザ2の光出射端面に対して垂直になっているが、フォトリソグラフィーの精度等の要因により、各光出射端面の垂線に対して0.1°以内の範囲で傾く場合がある。また、以上で説明した実施形態及びその変形例では、赤色レーザ1のリッジ部101の端面方向の両側にウイング溝102が形成された赤色側ウイング領域103a、103bが形成されているが、赤色側ウイング領域103a、103bのいずれか一方のみを形成した場合でも従来の半導体レーザ素子に比べて放熱性能を向上させ、端面方向に所望の応力を加えることはできる。これは、赤外側ウイング領域203a、203bのいずれか一方のみを形成した場合でも同様である。また、赤色レーザ1には赤色側ウイング領域103a、103bを設け、赤外レーザ2には赤外側ウイング領域203a、203bを形成しない場合でも、赤外レーザ2は構造的に赤色レーザより優れた高温特性を有しているので、従来の半導体レーザ素子に比べて半導体レーザ素子全体としての高温特性を向上させることができる。また、図13に示すように、赤外レーザ2に赤外側ウイング領域を形成しない場合Air/Sirが0の場合であっても、赤色レーザ1の歪み量子井戸活性層13に加わる応力を従来に比べて低減することができる。また、以上で説明した各変形例に係る半導体レーザ素子の各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせることが可能である。