第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層の下に活性層、及び前記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、前記第2導電型半導体層の下に伝導層と、前記伝導層の下に接合層と、前記接合層の下に支持部材と、前記第1導電型半導体層に連結された接触電極と、前記支持部材の第1領域に配置され、前記接触電極と前記第1リード電極とを連結する第1電極と、前記支持部材の第2領域に配置され、前記伝導層及び前記接合層のうち、少なくとも1つに連結された第2電極と、前記支持部材の下に配置され、前記第1電極に連結された第1リード電極と、前記支持部材の下に配置され、前記第2電極に連結された第2リード電極と、前記接触電極と前記発光構造層との間に配置された第1絶縁層と、を含むことを特徴とする、発光素子。前記第1電極及び前記第2電極は、前記支持部材の互いに異なる側面に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記支持部材は絶縁性材質を含み、前記第1電極と前記第2電極は、前記支持部材を通過し、前記発光構造層の幅より広い間隔を有することを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記第1電極及び前記第2電極のうちの少なくとも1つは、前記支持部材の内に前記支持部材の厚さより厚い高さで配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記接合層の側面と前記第1電極との間に第2絶縁層と、前記発光構造層と前記接合層との間の周りに配置された内側部及び前記発光構造層の側面より外側に配置された外側部を含む第2絶縁層と、を含むことを特徴とする、請求項4に記載の発光素子。前記接合層は、前記伝導層の下に第1接合層、及び前記第1接合層と前記支持部材との間に第2接合層を含み、前記第2電極は、前記支持部材及び前記接合層の厚さより高い高さを有することを特徴とする、請求項4に記載の発光素子。前記伝導層は、前記第2導電型半導体層の下にオーミック接触された第1伝導層、及び前記第1伝導層の下に反射金属を含む第2伝導層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1電極及び前記接触電極のうちの少なくとも1つは、前記発光構造層の領域と垂直方向にオーバーラップされるように配置され、前記接触電極は前記第1導電型半導体層のGa-faceまたはN-faceに接触されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層の上面はN-faceであり、前記接触電極の一部は前記第1導電型半導体層の上面に接触されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第2導電型半導体層の下に接触され、前記接触電極の周りに配置される電流ブロッキング層を含むことを特徴とする、請求項8に記載の発光素子。前記接触電極の一部は前記第1導電型半導体層の上面の一部に接触され、前記第2電極と前記接触電極の一部との間の間隔は前記発光構造層の幅より少なくとも広い間隔を有することを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層と前記接触電極の一部との間に配置された電流拡散層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層の下に活性層、及び前記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、前記第2導電型半導体層の下に伝導層と、前記伝導層の下に接合層と、前記接合層の下に支持部材と、前記支持部材の内部の第1領域に配置され、前記接合層に連結された第2電極と、前記支持部材の内部の第2領域に配置され、前記伝導層に連結された第1電極と、前記接合層から前記第1導電型半導体層の内部に延びる接触電極と、前記接触電極、前記第1電極、及び前記第2電極の少なくとも一側に配置された絶縁層と、前記支持部材の下に配置され、前記第1電極に連結された第1リード電極と、前記支持部材の下に配置され、前記第2電極に連結された第2リード電極と、を含むことを特徴とする、発光素子。前記第1導電型半導体層は第1半導体層及び第2半導体層を含み、前記第1半導体層のドーパント濃度は前記第2半導体層のドーパント濃度より高いドーパント濃度を有することを特徴とする、請求項13に記載の発光素子。前記支持部材は絶縁材質であり、前記接触電極は複数個であることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子。前記第1電極及び前記第2電極は、前記発光構造層の領域と垂直方向にオーバーラップされない領域に配置されることを特徴とする、請求項13に記載の発光素子。前記絶縁層は前記接触電極の周りに配置された第1絶縁層と、前記第2電極と前記接合層との間に配置された第2絶縁層と、前記伝導層と前記接合層との間に配置された第3絶縁層と、を含むことを特徴とする、請求項13に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層の上面は光抽出構造を含むことを特徴とする、請求項13に記載の発光素子。前記第1導電型半導体層の上に前記支持部材の厚さより薄い蛍光体層を含むことを特徴とする、請求項13に記載の発光素子。胴体と、前記胴体の上に第1及び第2リードフレームと、前記第1及び第2リードフレームのうち、少なくとも1つの上に配置された発光素子と、前記発光素子をモールディングするモールディング部材と、を含み、前記発光素子は、第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層の下に活性層、及び前記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、前記第2導電型半導体層の下に伝導層と、前記伝導層の下に接合層と、前記接合層の下に支持部材と、前記第1導電型半導体層に連結された接触電極と、前記支持部材の第1領域に配置され、前記接触電極と前記第1リード電極とを連結する第1電極と、前記支持部材の第2領域に配置され、前記伝導層及び前記接合層のうち、少なくとも1つに連結された第2電極と、前記支持部材の下に配置され、前記第1電極と前記第1リードフレームに連結された第1リード電極と、前記支持部材の下に配置され、前記第2電極と前記第2リードフレームに連結された第2リード電極と、前記接触電極と前記発光構造層との間に配置された第1絶縁層と、を含むことを特徴とする、発光素子。本発明の目的は、新たな垂直型構造を有する発光素子及びその製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、半導体層の上にパッドを具備しない垂直型構造の発光素子及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う発光素子は、第1導電型半導体層、上記第1導電型半導体層の下に活性層、及び上記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、上記第2導電型半導体層の下に伝導層と、上記伝導層の下に接合層と、上記接合層の下に支持部材と、上記第1導電型半導体層に連結された接触電極と、上記支持部材の第1領域に配置され、上記接触電極と上記第1リード電極とを連結する第1電極と、上記支持部材の第2領域に配置され、上記伝導層及び上記接合層のうち、少なくとも1つに連結された第2電極と、上記支持部材の下に配置され、上記第1電極に連結された第1リード電極と、上記支持部材の下に配置され、上記第2電極に連結された第2リード電極と、上記接触電極と上記発光構造層との間に配置された第1絶縁層と、を含む。本発明に従う発光素子は、第1導電型半導体層、上記第1導電型半導体層の下に活性層、及び上記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、上記第2導電型半導体層の下に伝導層と、上記伝導層の下に接合層と、上記接合層の下に支持部材と、上記支持部材の内部の第1領域に配置され、上記接合層に連結された第2電極と、上記支持部材の内部の第2領域に配置され、上記伝導層に連結された第1電極と、上記接合層から上記第1導電型半導体層の内部に延びる接触電極と、上記接触電極、上記第1電極、及び上記第2電極の少なくとも一側に配置された絶縁層と、上記支持部材の下に配置され、上記第1電極に連結された第1リード電極と、上記支持部材の下に配置され、上記第2電極に連結された第2リード電極と、を含む。本発明に従う発光素子パッケージは、胴体と、上記胴体の上に第1及び第2リードフレームと、上記第1及び第2リードフレームのうち、少なくとも1つの上に配置された発光素子と、上記発光素子をモールディングするモールディング部材と、を含み、上記発光素子は、第1導電型半導体層、上記第1導電型半導体層の下に活性層、及び上記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、上記第2導電型半導体層の下に伝導層と、上記伝導層の下に接合層と、上記接合層の下に支持部材と、上記第1導電型半導体層に連結された接触電極と、上記支持部材の第1領域に配置され、上記接触電極と上記第1リード電極とを連結する第1電極と、上記支持部材の第2領域に配置され、上記伝導層及び上記接合層のうち、少なくとも1つに連結された第2電極と、上記支持部材の下に配置され、上記第1電極に連結された第1リード電極と、上記支持部材の下に配置され、上記第2電極に連結された第2リード電極と、上記接触電極と上記発光構造層との間に配置された第1絶縁層と、を含む。本発明によれば、半導体層の上にパッドを除去することができるので、半導体層の上面での光抽出効率を改善させることができる。また、水平型電極構造を有するLEDチップに比べて発光面積の減少を改善させることができる。また、基板の下にボンディング電極を配置することによって、発光領域が減少されることを改善させることができる。したがって、光効率及び発光素子の信頼性を改善させることができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。以下、添付の図面を参照して実施形態を説明すると、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。図1は、本発明の第1実施形態に従う発光素子を示す断面図である。図1を参照すると、発光素子100は、第1導電型半導体層110、活性層120、第2導電型半導体層130、伝導層140、接合層145、支持部材150、第1絶縁層160、第2絶縁層162、第3絶縁層165、接触電極171、第1電極173、第2電極183、第1リード電極175、及び第2リード電極185を含む。上記発光素子100は、複数の化合物半導体層、例えば、3族-5族元素の化合物半導体層を用いたLEDを含み、上記LEDは青色、緑色、または赤色のような光を放出する可視光線帯域のLEDまたはUVLEDでありうる。上記LEDの放出光は実施形態の技術的な範囲内で多様な半導体を用いて具現できる。発光構造層135は、第1導電型半導体層110、活性層120、及び第2導電型半導体層130を含む。上記第1導電型半導体層110は上記活性層120の上に配置され、上記第2導電型半導体層130は上記活性層120の下に配置できる。上記第1導電型半導体層110の厚さは、上記第2導電型半導体層130の厚さより少なくとも厚く形成できる。上記第1導電型半導体層110は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第1導電型半導体層110は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成できる。上記第1導電型半導体層110はN型半導体層であることがあり、上記第1導電型ドーパントはSi、Ge、Sn、Se、Teのようなn型ドーパントを含む。上記第1導電型半導体層110は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110は活性層120と同一の幅で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110の上面は光抽出構造112で形成されることができ、上記光抽出構造112は上記第1導電型半導体層110の上面がラフネス凹凸状またはパターン112で形成されることができ、上記ラフネスまたはパターンの側断面形状は、半球形状、多角形形状、錐形状、ナノ柱形状のうち、少なくとも1つを含む。上記ラフネスまたはパターンは規則的なまたは不規則的なサイズ及び間隔を含みうる。上記光抽出構造112は、上記第1導電型半導体層110の上面に入射される光の臨界角を変化させるようになる。これによって、光抽出効率は改善できる。上記第1導電型半導体層110の上側のうちの内側領域は、外側より低い厚さで形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110の上には電流拡散層をさらに形成されることができ、上記電流拡散層は化合物半導体の屈折率より低い屈折率を有する伝導性物質を含むことができる。上記電流拡散層は金属酸化物または金属窒化物を含み、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、ITON、IZON、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOなどで形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110の下には活性層120が形成され、上記活性層120は単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成できる。また、量子線Quantumwire構造または量子点Quantumdot構造を含むこともできる。上記活性層120は、3族-5族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期で形成できる。上記井戸層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成され、上記障壁層はInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成できる。上記障壁層は、上記井戸層のバンドギャップより高いバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層120は、例えばInGaN井戸層/GaN障壁層の周期、InGaN井戸層/AlGaN障壁層の周期、及びInGaN井戸層/InGaN障壁層の周期のうち、少なくとも1つの周期を含むことができる。上記活性層120の上または/及び下には導電型クラッド層が形成されることができ、上記導電型クラッド層はGaN系半導体で形成されることができ、上記導電型クラッド層のバンドギャップは上記障壁層のバンドギャップより高く形成できる。上記活性層120の下には上記第2導電型半導体層130が形成され、上記第2導電型半導体層130は第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第2導電型半導体層130は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成できる。上記第2導電型半導体層130がP型半導体層であることがあり、上記第2導電型ドーパントはMg、ZnのようなP型ドーパントを含む。上記第2導電型半導体層130は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。また、上記第2導電型半導体層130の下には第3導電型半導体層、例えば、第2導電型と反対の極性を有する半導体層が形成できる。これによって、発光構造層135は、N-P接合、P-N接合、N-P-N接合、P-N-P接合構造のうち、少なくとも1つが形成できる。以下の説明では発光構造層135の最下層には第2導電型半導体層130が配置された構造を一例として説明する。上記第2導電型半導体層130の下には伝導層140が配置され、上記伝導層140の下には接合層145が配置され、上記接合層145の下には支持部材150が配置される。上記伝導層140は少なくとも1つの伝導性物質を含み、好ましくは、単層または多層からなることができる。上記伝導層140はオーミック特性を有し、上記第2導電型半導体層130の下に層または複数のパターンで接触できる。上記伝導層140の物質は、金属、酸化物、及び窒化物材質のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記伝導層140は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、及びPdのうち、少なくとも1つを含むことができる。また、上記伝導層140は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらのうち、2つ以上の合金で構成された物質のうちの一層または複数の層で形成できる。上記伝導層140は、上記第2導電型半導体層130の下にオーミック接触された第1伝導層と上記第1伝導層の下に反射金属を含む第2伝導層を含み、上記反射金属は反射率が少なくとも50である金属を含む。上記伝導層140は、上記第2導電型半導体層130の下の領域から上記第1絶縁層160の下面まで延びることができるが、これに対して限定するのではない。上記伝導層140と上記第2導電型半導体層130との間には導電性または絶縁性物質のパターンがさらに形成されることができ、このようなパターンは接触界面間の抵抗差を与えることができる。上記支持部材150と上記伝導層140との間には接合層145が形成され、上記接合層145は少なくとも1つの金属または伝導性物質で形成されることができ、例えばバリア金属またはボンディング金属を含む。上記接合層145は、例えば、Sn、Ga、In、Bi、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、Si、Al-Si、Ag-Cd、Au-Sb、Al-Zn、Al-Mg、Al-Ge、Pd-Pb、Ag-Sb、Au-In、Al-Cu-Si、Ag-Cd-Cu、Cu-Sb、Cd-Cu、Al-Si-Cu、Ag-Cu、Ag-Zn、Ag-Cu-Zn、Ag-Cd-Cu-Zn、Au-Si、Au-Ge、Au-Ni、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu-Cu2O、Cu-Zn、Cu-P、Ni-B、Ni-Mn-Pd、Ni-P、Pd-Niのうち、少なくとも1つを含むことができるが、これに対して限定するのではない。上記接合層145は、上記伝導層140とは異なる物質であることがあり、これに対して限定するのではない。上記接合層145は第1接合層145A及び第2接合層145Bを含み、上記第1接合層145Aは上記伝導層140の下に配置され、上記第2接合層145Bは上記第1接合層145Aの下に配置される。上記第1接合層145Aと上記第2接合層145Bとは互いに接合され、電気的に連結される。上記接合層145の上面面積は上記発光構造層135の下面面積より少なくとも大きい面積で形成されることができ、上記接合層145は上記第1絶縁層160の下の一側または全体に形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記支持部材150は絶縁材質、例えばサファイア基板Al2O3、ZnOなどを使用することができる。上記支持部材150は、上記半導体層110、120、130の成長に使われない基板であって、チップの下に別途に配置された形態である。以下、実施形態では上記支持部材150としてサファイアのような絶縁基板をその例として説明する。上記第1絶縁層160の内側は上記接合層145と第2導電型半導体層130との間に配置され、外側は発光構造層135の側面より外側に配置される。上記第1絶縁層160は上記接合層145の外側の上に配置され、上記発光構造層135の側面と上記接合層145との間を離隔させることができる。上記第2絶縁層162は、上記伝導層140及び上記接合層145の側面に配置できる。上記第2絶縁層162の厚さは上記接合層145の厚さより少なくとも厚く形成されることができ、好ましくは、上記発光構造層135と上記支持部材150との間の間隔に対応する厚さで形成できる。上記第3絶縁層165は、単層または多層で形成できる。上記半導体層110、120、130の周りに形成できる。上記第3絶縁層165は、上記第1絶縁層160の上面及び上記発光構造層135の側面に配置され、一部165Aは上記第1導電型半導体層110の上面の周りに延びることができる。上記第3絶縁層155は上記発光構造層135の層間ショ-トを防止することができ、湿気の浸透を防止することができる。上記第1乃至第3絶縁層160、162、165は、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2のうちから選択された物質で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記支持部材150の互いに異なる領域には複数の孔155、156が配置される。上記支持部材150の内には第1孔155が形成され、上記第1孔155は1つまたは複数で形成できる。上記第1孔155は上記支持部材150の第1領域にスルーホールまたはビアホールで形成されることができ、下側面積を上側面積よりは少なくとも広く形成できる。上記第1孔155の内には第1電極173が形成され、上記第1電極173の下面は上記支持部材150の下に露出され、上部は上記第2絶縁層162の側面または内部を通じて上記第2絶縁層162の上側に露出できる。上記第1電極172は上記支持部材150の下面から上記第2絶縁層162の上面まで延びることができる。上記第1電極172は上記第2絶縁層162の上面より少なくとも高く突出されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極173は、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合した合金を用いて単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記支持部材150の内には第2孔156が形成され、上記第2孔156は1つまたは複数で形成できる。上記第2孔156は上記支持部材150の第2領域にスルーホールまたはビアホールで形成されることができ、下側面積が上側面積よりは少なくとも広く形成できる。上記第2孔156の内には第2電極183が形成される。上記第2電極183の下面は上記支持部材150の下に露出され、上部は上記支持部材150の上面より高く延びることができる。上記第2電極183の上部は上記接合層145に接触することができ、好ましくは、上記接合層145の内部を通じて上記第1絶縁層160に接触できる。上記第2電極183の上面は上記第1絶縁層160の上側に露出されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第2電極183は、Ti、Al、Alalloy、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Agalloy、Au、Hf、Pt、及びRuなどのうち、1つ以上の物質または合金を用いて単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極173は上記支持部材150の第2側面S2より第1側面S1に一層近く配置され、上記第2電極183は上記支持部材150の第1側面S1より第2側面S2に一層近く配置される。上記第1側面S1と上記第2側面S2とは互いに異なる側面、または互いに反対の側面でありうる。上記第1電極173と上記第2電極183との間の間隔は上記発光構造層135の幅よりは少なくとも広く離隔されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極173及び第2電極183は、上記発光構造層135と垂直方向にオーバーラップされない領域に配置できる。ここで、上記オーバーラップされる方向は、上記発光構造層135または上記支持部材150の厚さ方向を含むことができる。上記接触電極171は、例えばライン形状を有し、1つまたは複数で配置できる。上記接触電極171は、第1電極173と上記第1導電型半導体層110との間を電気的に連結してくれる。上記接触電極171は、上記第3絶縁層165の側面の上に配置され、第1接触部171Aは上記第1導電型半導体層110の上面に接触され、第2接触部171Bは上記第1電極173に接触される。ここで、上記第1導電型半導体層110の上面はN-faceN面であって、上記第1接触部171Bと電気的に連結できる。上記接触電極171は第1導電型半導体層110の上面にオーミック接触され、金属層間の接着性、反射特性、伝導性の良い金属に選択できる。上記接触電極171は、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合した合金を用いて単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極183と上記接触電極171の第1接触部171Aとは所定間隔D1だけ離隔させることができ、上記間隔D1は上記発光構造層135の幅と等しいか大きい間隔でありうる。上記第1電極183と上記接触電極171の第1接触部171Aは互いに反対側に配置することによって、電流効率を改善させることができる。上記支持部材150の下には第1リード電極175及び第2リード電極185が配置される。上記第1リード電極175及び第2リード電極185は互いに離隔され、各々パッドとして使用できる。上記第1リード電極175は上記第1電極173の下部に連結され、上記第2リード電極185は上記第2電極183の下部に連結される。上記第1リード電極175及び上記第2リード電極185は、Cr、Ti、Al、Alalloy、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Agalloy、Cu、Au、Ni、Pt、Hf、Ru等から選択的に形成されることができ、単層または多層構造を含む。図2乃至図10は、図1の製造過程を示す図である。図2を参照すると、第1基板101は成長装備にローディングされ、その上に2族乃至6族元素の化合物半導体を用いて層またはパターン形態で形成できる。上記成長装備は、電子ビーム蒸着器、PVDphysicalvapordeposition、CVDchemicalvapordeposition、PLDplasmalaserdeposition、二重型の熱蒸着器dualtypethermalevaporatorスパッタリングsputtering、MOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionなどにより形成することができ、このような装備に限定するのではない。上記第1基板101は導電性基板または絶縁性基板などを用いた成長基板であり、例えば、サファイア基板Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、そしてGaAsなどからなる群から選択できる。このような第1基板101の上面にはレンズ形状またはストライプ形状の凹凸パターンが形成できる。また、上記第1基板101の上には化合物半導体層が形成され、上記化合物半導体層は2族乃至6族元素の化合物半導体を用いた層またはパターンで形成されることができ、例えば、ZnO層図示せず、バッファ層図示せず、アンドープド半導体層図示せずのうち、少なくとも1層が形成できる。上記バッファ層またはアンドープド半導体層は、例えば、3族-5族元素の化合物半導体を用いて形成されることができ、上記バッファ層は上記基板との格子定数の差を減らしてくれるようになり、上記アンドープド半導体層はドーピングしないGaN系半導体で形成できる。上記第1基板101の上には第1導電型半導体層110が形成され、上記第1導電型半導体層110の上には活性層120が形成され、上記活性層120の上には第2導電型半導体層130が形成される。上記各層の上または下には他の層が配置されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110は第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第1導電型半導体層110は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成できる。上記第1導電型半導体層110はN型半導体層であることがあり、上記第1導電型ドーパントは、Si、Ge、Sn、Se、Teのようなn型ドーパントを含む。上記第1導電型半導体層110は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110は活性層120と同一の幅で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110の上には活性層120が形成され、上記活性層120は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線Quantumwire構造、または量子点Quantumdot構造を含むこともできる。上記活性層120は、3族-5族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期で形成できる。上記井戸層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成され、上記障壁層はInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成できる。上記障壁層は、上記井戸層のバンドギャップより高いバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層120の上または/及び下には導電型クラッド層が形成されることができ、上記導電型クラッド層はGaN系半導体または上記活性層よりバンドギャップの高い物質で形成できる。上記障壁層のバンドギャップは、上記井戸層のバンドギャップより高く形成されることができ、上記導電型クラッド層のバンドギャップは上記障壁層のバンドギャップより高く形成できる。上記活性層120は、例えばInGaN井戸層/GaN障壁層の周期、InGaN井戸層/AlGaN障壁層の周期、及びInGaN井戸層/InGaN障壁層の周期のうち、少なくとも1つの周期を含むことができる。上記活性層120の上または/及び下には導電型クラッド層が形成されることができ、上記導電型クラッド層はGaN系半導体で形成されることができ、上記導電型クラッド層のバンドギャップは上記障壁層のバンドギャップより高く形成できる。上記活性層120の上には上記第2導電型半導体層130が形成され、上記第2導電型半導体層130は第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第2導電型半導体層130は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成できる。上記第2導電型半導体層130がP型半導体層であることがあり、上記第2導電型ドーパントは、Mg、ZnのようなP型ドーパントを含む。上記第2導電型半導体層130は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層110、上記活性層120、及び上記第2導電型半導体層130は、発光構造層135と定義できる。また、上記第2導電型半導体層130の上には第3導電型半導体層、例えば、第2導電型と反対の極性を有する半導体層が形成できる。これによって、上記発光構造層135は、N-P接合、P-N接合、N-P-N接合、P-N-P接合構造のうち、少なくとも1つが形成できる。以下の説明では発光構造層135の最上層には第2導電型半導体層130が配置された構造を一例として説明する。図3及び図4を参照すると、第2導電型半導体層130の上面の周りには第1絶縁層160が形成され、上記第1絶縁層160はフォトレジスト工程を通じてSiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2等で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1絶縁層160はループ形状またはフレームframe形状を有し、連続的なまたは不連続的な形態で形成できる。上記第2導電型半導体層130の上には伝導層140が形成されることができ、上記伝導層140はスパッタ方式または蒸着方式により形成することができるが、これに対して限定するのではない。上記伝導層140はオーミック特性の物質を含むことができる。上記伝導層140は上記第2導電型半導体層130の上にオーミック接触され、層または複数のパターンで形成されることができ、その材質は、金属、透光性の酸化物、及び透光性の窒化物材質のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記伝導層140は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZONIZOnitride、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、及びPdのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記伝導層140は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらのうちの2つ以上の合金で構成された物質のうち、一層または複数の層で形成できる。また、上記伝導層140と上記第2導電型半導体層130との間の一部領域には伝導性酸化物または絶縁性物質をさらに配置して、他の領域より抵抗値がより高く形成できる。上記伝導層140の上には第1接合層145Aが形成され、上記第1接合層145Aは上記第1絶縁層160Aの上面に延びることができる。上記第1接合層145Aはバリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができるが、これに対して限定するのではない。上記第1接合層145Aは、スパッタ方式、蒸着方式、プリンティング方式、メッキ方式のうちから選択的に形成することができるが、これに対して限定するのではない。図4及び図5を参照すると、支持部材150は第2基板になることができ、絶縁基板、例えば、サファイア基板Al2O3、ZnOなどからなる群から選択できる。上記支持部材150は、半導体との熱膨張係数差が少ない物質、または上記第1基板101と同一の材質の基板を使用することができる。上記支持部材150は、導電性基板を使用することができるが、これに対して限定するのではない。上記支持部材150の上には第2接合層145Bが形成され、上記第2接合層145Bは少なくとも1つの金属または伝導性物質で形成できる。上記第2接合層145Bはバリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができるが、これに対して限定するのではない。上記第2接合層145Bは、スパッタ方式、蒸着方式、プリンティング方式、メッキ方式のうちから選択的に形成することができるが、これに対して限定するのではない。上記第2接合層145Bは、上記第1接合層145Aと同一の物質または互いに異なる物質で形成されることができ、好ましくは、上記第1接合層145Aと同一の物質でありうる。図5のように、上記第2接合層145Bの上には上記第1接合層145Aをアラインさせてくれる。図6及び図7を参照すると、上記第2接合層145Aの上に上記第1接合層145Aが接合される。上記支持部材150はベースに配置されることができ、上記第1基板101は最上側に配置される。上記第1接合層145Aと上記第2接合層145Bとは接合層145となることができる。第1基板101は物理的または/及び化学的方法により除去できる。上記第1基板101の除去方法は、レーザリフトオフLLO:LaserLiftOff過程により除去するようになる。すなわち、上記第1基板101に一定領域の波長を有するレーザを照射する方式により上記第1基板101をリフトオフするようになる。または、上記第1基板101と上記第1導電型半導体層110との間に他の半導体層例:バッファ層が形成された場合、湿式エッチング液を用いて上記バッファ層を除去して、上記第1基板101を分離することもできる。上記第1基板101が除去され、上記第1導電型半導体層110の上面が露出できる。上記第1導電型半導体層110の上面はN-faceであって、上記第1基板に一層近い面でありうる。上記第1導電型半導体層110の上面は、ICP/RIEInductivelycoupledPlasma/ReactiveIonEtchingなどの方式によりエッチングするか、ポリシング装備で研磨することができるが、これに対して限定するのではない。図7及び図8を参照すると、第1エッチングを遂行して上記第1絶縁層160を露出させる。第1エッチング過程は乾式エッチング過程で遂行され、湿式エッチングも追加できる。上記第1エッチング過程により上記発光構造層135の周りは除去されて、チップとチップとの境界領域が除去できる。上記境界領域はチャンネル領域またはアイソレーション領域でありうる。上記第1導電型半導体層110の上面は光抽出構造112で形成されることができ、上記光抽出構造112はラフネスまたはパターンで形成できる。上記光抽出構造112は湿式または乾式エッチング方式により形成できる。図8及び図9を参照すると、上記接合層145と上記第1絶縁層160の一部領域をエッチングして支持部材150の上面の一部を露出させる。上記接合層145と上記第1絶縁層160の一部領域は上記発光構造層135の側面より外側に配置された領域であって、エッチング過程を通じて支持部材150を露出させる。また、上記エッチング方式は湿式または乾式エッチング方式を使用することができるが、これに対して限定するのではない。また、上記支持部材150の上面の一部には第2絶縁層162が形成され、上記第2絶縁層162の内側面は上記接合層145と上記第1絶縁層160の側面に接触される。他の例として、上記第2絶縁層162は上記第1接合層145A及び第2接合層145Bを形成する前に各々形成することができるが、これに対して限定するのではない。上記支持部材150には少なくとも1つの第1孔155及び第2孔156が形成できる。上記第1及び第2孔155、156は、レーザまたは/及びドリルにより形成できる。上記第1及び第2孔155、156は、上部と下部との面積が互いに異なることがあり、例えば、下部面積が上部面積より広く形成できる。上記第1及び第2孔155、156は、スルーホールまたはビアホール構造を含み、トップ面から見て、円形状、多角形形状、ランダムな形状で形成できる。上記第1孔155は1つまたは複数で形成できる。上記第1孔155は上記支持部材150の第1領域に配置され、上記第2絶縁層162の上側まで延びる。上記第2孔156は1つまたは複数で形成できる。上記第2孔156は上記支持部材150の第2領域に配置されることができ、上記接合層145の少なくとも一部まで延びることができる。上記第2孔156は上記接合層145の内部を通過して上記第1絶縁層160の内部まで延びることができ、その上面は上記第1絶縁層160の上に露出できる。上記支持部材150の第1領域と第2領域は、トップ側から見ると、互いに異なる領域であることがあり、好ましくは、互いに反対側領域でありうる。上記第1孔155には第1電極173が形成され、上記第2孔156には第2電極183が形成できる。上記第1電極173及び第2電極183は、蒸着方式、メッキ方式、挿入方式のうち、少なくとも1つを使用して形成できる。上記第1電極173は、上記支持部材150の第2側面より第1側面に一層近く配置され、上記第2電極183は上記支持部材150の第1側面より第2側面に一層近く配置される。上記第1側面と上記第2側面とは、互いに異なる側面または互いに反対側面でありうる。上記第1電極173と上記第2電極183との間の間隔は、上記発光構造層135の幅よりは少なくとも広く離隔されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極173及び第2電極183は上記発光構造層135の領域と垂直方向にオーバーラップされない領域に配置できる。上記第1電極173の下面は上記支持部材150の下に露出され、上部は上記第2絶縁層162の側面または内部を通じて上記第2絶縁層162の上側に露出できる。上記第1電極172は上記支持部材150の下面から上記第2絶縁層162の上面まで延びることができる。上記第1電極172は、上記第2絶縁層162の上面より少なくとも高く突出されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第2電極183は上記支持部材150の下面から上記第1絶縁層160の上側まで延びることができる。上記第1電極173は上記支持部材150と上記第2絶縁層162の内部を貫通するようになる。上記第2電極183は、上記第1絶縁層160、接合層145、及び上記支持部材150を貫通するようになる。上記第1電極173は、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合した合金を用いて単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第2電極183は、Ti、Al、Alalloy、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Agalloy、Au、Hf、Pt、及びRuなどのうちから1つ以上の物質または合金を用いて単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記半導体層110、120、130の周りには第3絶縁層165が形成され、上記第3絶縁層165の上端は上記第1導電型半導体層110の外側の上端まで延びることができ、その下端は上記第1絶縁層160または/及び第2絶縁層162に接触できる。図9及び図10を参照すると、上記第3絶縁層165の外側に接触電極171が形成される。上記接触電極171の第1接触部171Aは、上記第1導電型半導体層160の上面の一部に接触され、第2接触部171Bは上記第1電極173の上側に接触される。上記接触電極171は、例えば、少なくとも1つのライン形状で形成できる。上記接触電極171の第1接触部171Aは、所定パターン、例えば、枝branchorarm型パターン、放射形パターン、直線型パターンなどで形成されて電流分布を均一にすることができる。上記接触電極171は、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合して単層または多層で形成できる。上記接触電極171は、第1導電型半導体層110のN-faceとオーミック接触され、金属層間の接着性、反射特性、及び伝導性特性を有することができる。上記支持部材150の下には第1リード電極175及び第2リード電極185が配置され、上記第1リード電極175は上記支持部材150の下に1つまたは複数で配置され、上記第1電極173と接触される。上記第2リード電極185は、上記支持部材150の下に1つまたは複数で配置され、上記第2電極183と接触される。上記第1リード電極175と上記第2リード電極185とは互いに離隔されることができ、パッドとして使用できる。第1リード電極175は、第1電極173及び接触電極171を通じて第1導電型半導体層110と電気的に連結される。第2リード電極185は、第2電極183、接合層145、及び伝導層140を通じて第2導電型半導体層130と電気的に連結される。また、上記第1導電型半導体層110の上には電流拡散層が形成されることができ、上記電流拡散層は透光性層であって、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZONIZOnitrideIZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOなどを形成して、電流を全領域に拡散させることができる。上記電流拡散層は、上記接触電極171の第1接触部171Aに接触できる。上記接触電極171は複数個であり、複数個の接触電極171は互いに離隔されることができ、上記第1導電型半導体層110に電流を拡散させて供給することができる。図11は、本発明の第2実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。図11を説明するに当たって、第1実施形態と同一部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図11を参照すると、発光素子100Aは第1電極173及び第2電極183が上記支持部材150の互いに異なる側面に配置できる。上記第1電極173は上記支持部材150の第1側面に配置され、上記第2電極183は上記支持部材150の第2側面に配置できる。上記第1側面と第2側面とは互いに反対側面または隣接した側面でありうる。図12は、本発明の第3実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。図12を説明するに当たって、第1実施形態と同一部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図12を参照すると、発光素子100Bは第1電極173及び接触電極172のうち、少なくとも1つは発光構造層135の領域とオーバーラップされるように配置できる。上記第1電極173は上記支持部材150の第1孔155に形成され、上記発光構造層135の領域と垂直方向にオーバーラップされるように配置される。上記第1電極173は上記支持部材150の内に配置され、上記接触電極172は上記第1電極173から上記発光構造層135の厚手方向に延びる。第3孔157は、上記接合層145、上記伝導層140、及び発光構造層135の内部を通じて貫通される。上記第3孔157は1つまたは複数で形成されることができ、トップ側から見て、円形または多角形形状を含む。上記第3孔157の周りには第4絶縁層167が形成され、上記第4絶縁層167の内には接触電極172が形成される。上記第4絶縁層167は、上記接触電極172と他の層120、130、140、145との間を絶縁させる。上記接触電極172の接触部172Aは上記第1導電型半導体層110の上面よりさらに突出され、上記第1導電型半導体層110の上面に接触される。上記接触電極172の接触部172Aは、上記第3孔157の幅よりはさらに大きい幅で形成できる。上記接触電極172及び上記第1電極173は、1つまたは複数で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極173及び上記第2電極183の高さは互いに異なる高さで形成できる。上記接触電極172と上記第2電極183との間の間隔は、上記発光構造層135の幅を1という時、1/2以上に離隔できる。また、上記発光構造層135と上記接合層145との間には電流ブロッキング層164がさらに形成されることができ、上記電流ブロッキング層164は上記第3孔157の周りに絶縁物質で形成されることができ、上記接触電極172の接触部172Aと垂直方向にオーバーラップされるように配置できる。上記絶縁物質は、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記電流ブロッキング層164は形成しないことがあるが、これに対して限定するのではない。図13は、本発明の第4実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。図13を説明するに当たって、第1実施形態と同一部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図13を参照すると、発光素子100Cは発光構造層135の内に複数の接触電極174が配置され、上記接触電極174は第3接合層145Cの上に配置される。上記第2導電型半導体層130の下には伝導層140Aが形成され、上記伝導層140Aと上記第3接合層145Cとの間の領域には第1絶縁層160が形成される。上記伝導層140Aは上記第2導電型半導体層130とオーミック接触され、反射層を含むことができる。上記伝導層140Aと上記支持部材150との間の他の領域には図1のような第1接合層及び第2接合層がさらに配置されることができるが、これに対して限定するのではない。上記伝導層140Aと第3接合層145Cとは、上記第1絶縁層160により電気的に分離される。第1電極173は第1孔155に形成され、上記支持部材150の内部を通じて上記第3接合層145Cに接触される。上記複数の接触電極174は、上記第3接合層145Cから上記第1導電型半導体層110の内側まで延びる。上記接触電極174はリセスrecess158の内に形成され、第4絶縁層166により他の層140A、130、120と絶縁される。上記接触電極174の上端は上記第1導電型半導体層110の内部の下面に接触される。上記第1導電型半導体層110の内部の下面はGa-faceGa面である。上記複数の接触電極174は素子トップ側に露出されない構造であって、第1導電型半導体層110の光抽出面積を改善させることができる。上記接触電極174の形成過程は、上記伝導層140Aの形成後、リセス158及び第1絶縁層160を形成した後に形成することができるが、これに対して限定するのではない。上記伝導層140Aは上記第2導電型半導体層130の下面エッジより一側にさらに延びて、上記第2電極183の上部に接触される。上記第2電極183は第2孔156を通じて支持部材150の下面まで露出され、第2リード電極185に接触される。図14は、本発明の第5実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。図14を説明するに当たって、上記に開示された実施形態と同一部分に対しては上記に開示された実施形態を参照し、重複説明は省略する。図14を参照すると、発光素子100Dは、複数の接触電極174、第5絶縁層177、及び第1電極173を含む。上記複数の接触電極174はリセス158の内に形成され、第4及び第5絶縁層166、177により他の層120、130、140A、145と絶縁される。上記複数の接触電極174は素子の上部に露出されず、上記第1導電型半導体層110の内側の下面に各々接触され、上記内側の下面はGaN系列のGa-faceでありうる。複数の接触電極174は所定の分岐パターン174Aにより互いに連結されることができ、上記分岐パターン174Aは上記第2導電型半導体層130の下で上記接触電極174を互いに連結させるようになる。第4及び第5絶縁層166、177は、第1導電型半導体層110を除外した他の層140A、130、120、145の間に形成され、上記接触電極174及びその分岐パターン174Aに対する不要なショ-トを遮断するようになる。伝導層140Aは、オーミック層及び反射層を含み、上記第5絶縁層177が形成されない領域に形成されて、上記第2導電型半導体層130の下面と接触される。上記複数の接触電極174のうちの一部は上記第1電極173と接触される。上記第1リード電極175に供給された電源は、第1電極173及び接触電極174を通じて上記第1導電型半導体層110に供給できる。また、複数の接触電極174を通じて電源を供給することによって、電流が集中される問題を解決することができる。図15は、本発明の第6実施形態に従う発光素子の側断面図である。図15を参照すると、発光素子は第2導電型半導体層110の上に電流拡散層105を含む。上記電流拡散層105は、上記第1導電型半導体層110の上面面積の50以上で形成されることができ、ラフな層で形成できる。上記電流拡散層105は、上記接触電極171の第1接触部171Aの下に接触され、電流を全領域に拡散させることができる。上記電流拡散層105は、上記接触電極171の第1接触部171Aと上記第1導電型半導体層110との間に配置され、電流効率を改善させることができ、光抽出効率を改善させることができる。上記電流拡散層105は、透光性酸化物または透光性窒化物のような物質を含み、上記第1導電型半導体層110の屈折率より低い屈折率を有する物質で形成される。上記電流拡散層105は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZONIZOnitrideIZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのうちから選択できる。上記第1導電型半導体層110は、第1半導体層111及び上記第1半導体層111の下に配置された第2半導体層112を含み、上記第1半導体層111と上記第2半導体層112は、ドーパント濃度が異なるか、厚さが互いに異なるか、化合物の組成式が互いに異なることがある。上記第1半導体層111のドーパント濃度は、上記第2半導体層112のドーパント濃度よりは高い濃度で形成されることができ、例えば、低伝導性の第2半導体層112の上に高伝導性を有する第1半導体層111が配置できる。また、上記第1半導体層111はAlGaN層で形成され、上記第2半導体層112はGaN層で形成されることができ、バンドギャップが互いに異なることがある。上記第1半導体層111と上記第2半導体層112の積層周期は、少なくとも2周期以上で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1半導体層111と上記第2半導体層112の積層構造は、超格子構造SLS:Superlatticestructuresで形成されることができ、その材質は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、SiO2、SiOx、SiN2、SiNx、SiOxNy、または金属物質からなる群から選択できる。上記超格子構造は、互いに異なる少なくとも2層を交互に繰り返して少なくとも2周期を有して形成され、例えば、InGaN/GaNのような積層構造を含む。上記超格子構造の各層は数A以上の厚さで形成できる。また、上記第1半導体層111と上記第2半導体層112の積層構造は、互いに異なる屈折率を有する少なくとも2層を交互に積層して反射層で形成することができ、例えば、GaN層/Aln層の構造を少なくとも2周期で積層してDBRDistributedBraggReflectorsで形成できる。上記第2導電型半導体層130は、上記第1導電型半導体層110のような超格子構造で形成できる。例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する第1層と、上記第1層の下にInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する第1層とが交互に積層できる。上記第1層と第2層とは組成式が互いに異なるか、厚さが互いに異なるか、ドーパント濃度が互いに異なることがある。また、伝導層141の外側は上記第1絶縁層160の下面まで延びて、接合層145と接触されることができ、このような構造は第1接合層145Aが上記第1絶縁層160から剥げるflingoff問題を防止することができる。上記第1電極173及び上記第2電極183の下部173A、183Aの面積は、上部面積より広い面積で形成できる。また、上記支持部材150の下部は複数のリセス151を含み、上記複数のリセス151は表面積を増加させて、放熱効率を改善させることができる。図16は、図12の変形例である。図16を参照すると、発光素子は第1導電型半導体層110の上に電流拡散層105が配置され、上記電流拡散層105は上記接触電極172の接触部172Aの下に接触される。上記接触電極172の接触部172Aは上記第1導電型半導体層110に接触されることができるが、これに対して限定するのではない。電流ブロッキング層164は、上記接触電極172の接触部172Aと垂直方向にオーバーラップされるように配置されることができるが、これに対して限定するのではない。図17は、図1の変形例である。図17を参照すると、発光素子は第1伝導層141及び第2伝導層143を含み、上記第1伝導層141はオーミック特性を有する物質で形成され、第2伝導層143は反射特性を有する金属を含む。上記第1伝導層141はオーミック接触層として使われ、例えば上記第2導電型半導体層130の下面にオーミック接触され、層またはパターンで形成されることができ、上記第2伝導層143は上記第1伝導層141の下に配置され、上記第1伝導層143より大きい幅で形成できる。上記第2伝導層143は、反射金属を含むことができる。上記第1伝導層141は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZONIZOnitride、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、及びPdのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記第2伝導層143は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらのうちの2つ以上の合金で構成された物質のうち、一層または複数の層で形成できる。上記第1導電型半導体層110の上には電流拡散層105が配置され、上記電流拡散層105は不連続的に形成できる。上記電流拡散層105は、上記接触電極171の第1接触部171Aに接触される。上記電流拡散層105の上には蛍光体層190が形成され、上記蛍光体層190はシリコンまたはエポキシのような樹脂層を含む。上記蛍光体層190の一部191は、上記第1導電型半導体層110の上面に接触できる。上記蛍光体層190は内部に蛍光体が添加されることができ、上記蛍光体は、YAG、TAG、シリケートSilicate、ナイトライドNitride、オキシナイトライドOxynitride系物質のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記蛍光体層190は層形態でない蛍光体の粒が分布するように形成できる。上記蛍光体層190の厚さは、上記支持部材150の厚さより薄く形成されることができるが、これに対して限定するのではない。図18は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの断面図である。図18を参照すると、発光素子パッケージ30は、胴体20と、上記胴体20に設けられた第1リードフレーム31及び第2リードフレーム32と、上記胴体20に設けられて上記第1リードフレーム31及び第2リードフレーム32と電気的に連結される実施形態に従う発光素子100と、上記発光素子100を囲むモールディング部材40と、を含む。上記胴体20は、シリコンのような導電性基板、PPAのような合成樹脂材質、セラミック基板、絶縁基板、または金属基板例:MCPCBを含んで形成されることができ、上記発光素子100の周囲に傾斜面が形成できる。上記胴体20は孔構造を含むことができるが、これに対して限定するのではない。上記胴体20の上部には所定深さのキャビティ22が形成されることができ、上記キャビティ22の内にはリードフレーム31、32及び上記発光素子100が配置される。上記胴体20の上面は平らに形成されることができ、この場合、上記キャビティ22は形成されない。上記第1リードフレーム31及び第2リードフレーム32は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源を提供する。また、上記第1リードフレーム31及び第2リードフレーム32は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記発光素子100は、上記胴体20の上に、または上記第1リードフレーム31または第2リードフレーム32の上に設置できる。上記発光素子100は、上記の実施形態に開示された素子であって、上記第1リードフレーム31と第2リードフレーム32にソルダー34でボンディングできる。上記モールディング部材40はシリコンまたはエポキシのような樹脂材質を含み、上記発光素子100を囲んで上記発光素子100を保護することができる。また、上記モールディング部材40には蛍光体が含まれて、上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。上記モールディング部材40の上にはレンズが配置されることができ、上記レンズは上記モールディング部材と接触または非接触される形態で具現できる。上記レンズは凹または凸な形状を含むことができる。上記発光素子100は、ビアを通じて胴体または基板の下面と電気的に接触できる。上記発光素子パッケージは、上記に開示された実施形態の発光素子のうち、少なくとも1つが載置されることができるが、これに対して限定するのではない。実施形態のパッケージはトップビュー形態で図示及び説明したが、サイドビュー方式により具現して上記のような放熱特性、伝導性、及び反射特性の改善効果があり、このようなトップビューまたはサイドビュー方式の発光素子は、上記のように樹脂層でパッケージングした後、レンズを上記樹脂層の上に形成及び接着することができるが、これに対して限定するのではない。<照明システム>本発明に従う発光素子または発光素子パッケージは、照明システムに適用できる。上記照明システムは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。実施形態に従う発光素子パッケージはライトユニットに適用できる。上記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図19及び図20に図示された表示装置、図21に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。図19は、実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。図19を参照すると、実施形態に従う表示装置1000は、導光板1041、上記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031、上記導光板1041の下に反射部材1022、上記導光板1041の上に光学シート1051、上記光学シート1051の上に表示パネル1061、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011を含むことができるが、これに限定されるのではない。上記ボトムカバー1011、反射シート1022、導光板1041、及び光学シート1051は、ライトユニット1050と定義できる。上記導光板1041は光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1041は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール1031は、上記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール1031は少なくとも1つを含み、上記導光板1041の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は基板1033と上記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ30を含み、上記発光素子パッケージ30は上記基板1033の上に所定間隔でアレイできる。上記基板1033は、回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB;PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1033は一般のPCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB;MetalCorePCB、軟性PCBFPCB;FlexiblePCBなどを含むこともできるが、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ30は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に載置される場合、上記基板1033は除去できる。ここで、上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー1011の上面に接触できる。そして、上記複数の発光素子パッケージ30は、上記基板1033の上に光が放出される出射面が上記導光板1041と所定距離離隔するように載置されることができるが、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ30は、上記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができるが、これに対して限定するのではない。上記導光板1041の下には上記反射部材1022が配置できる。上記反射部材1022は、上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、上記ライトユニット1050の輝度を向上させることができる。上記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記反射部材1022は、上記ボトムカバー1011の上面であることがあり、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011は、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は上面が開口されたボックスbox形状を有する収納部1012が備えられることができるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011はトップカバーと結合されることができるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011は、金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、上記ボトムカバー1011は、熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができるが、これに対して限定するのではない。上記表示パネル1061は、例えばLCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が取り付けられることができ、このような偏光板の取付構造に限定するのではない。上記表示パネル1061は、光学シート1051を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用できる。上記光学シート1051は、上記表示パネル1061と上記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。上記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または/及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上には保護シートが配置されることができるが、これに対して限定するのではない。ここで、上記発光モジュール1031の光経路上には光学部材として、上記導光板1041及び光学シート1051を含むことができるが、これに対して限定するのではない。図20は、実施形態に従う表示装置を示す図である。図12を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、上記に開示された発光素子パッケージ30がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。上記基板1120及び上記発光素子パッケージ30は、発光モジュール1060と定義できる。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1060、及び光学部材1154は、ライトユニットと定義できる。上記ボトムカバー1152には収納部1153を具備することができるが、これに対して限定するのではない。ここで、上記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導光板はPC材質またはPMMAPolymethymethacrylate材質からなることができ、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。上記光学部材1154は上記発光モジュール1060の上に配置され、上記発光モジュール1060から放出された光を面光源したり、拡散、集光などを遂行するようになる。図13は、実施形態に従う照明装置の斜視図である。図21を参照すると、照明装置1500は、ケース1510、上記ケース1510に設けられた発光モジュール1530、及び上記ケース1510に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1520を含むことができる。上記ケース1510は放熱特性が良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール1530は、基板1532、及び上記基板1532に載置される実施形態に従う発光素子パッケージ30を含むことができる。上記発光素子パッケージ30は、複数個がマトリックス形態または所定間隔で離隔してアレイできる。上記基板1532は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることができ、例えば、一般印刷回路基板PCB;PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCB、FR-4基板などを含むことができる。また、上記基板1532は光を効率の良く反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。上記基板1532の上には少なくとも1つの発光素子パッケージ30が載置できる。上記発光素子パッケージ30の各々は、少なくとも1つのLEDLightEmittingDiodeチップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色のような可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線UV;UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ30の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。上記連結端子1520は、上記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子1520は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1520はピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。実施形態は、発光素子をパッケージングしたパッケージを上記基板の上に配列して発光モジュールで具現されるか、発光素子を上記基板の上に配列してパッケージングして発光モジュールで具現できる。実施形態に従う半導体発光素子の製造方法は、第1基板の上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む複数の化合物半導体層を形成するステップと、上記複数の化合物半導体層の上面の周りに第1絶縁層を形成するステップと、上記複数の化合物半導体層の上に接触層を形成するステップと、上記接触層の上に第1接合層を形成するステップと、第2基板の上の第2接合層と上記第1接合層を接合させるステップと、上記第1基板を除去するステップと、上記複数の化合物半導体層のチップ境界領域をエッチングするステップと、上記第2基板の第1領域及び第2領域にスルーホールを形成して第1電極及び第2電極を形成するステップと、上記第1電極と上記第1導電型半導体層との間を連結してくれる第1接触電極を形成するステップと、を含む。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。