"複数の微粉、ビーズ又は他の粒子の表面を、第1の気体状化学種を含むガスに対して実質的に露出させるための機械的手段と、前記微粉、ビーズ若しくは他の粒子、又は前記微粉、ビーズ若しくは他の粒子の前記表面を十分に高い温度まで加熱して、前記表面と接触した第1の気体状化学種が化学的に分解して前記表面上に第2の化学種を実質的に堆積させるようにするための加熱手段と、加熱により、そのうちの1つが実質的に不揮発性種であって近接した熱い表面上に堆積する傾向にある1つ以上の第2の化学種に分解する化学種から選択された第1のガスの源と、を含むことを特徴とする、化学蒸着反応器システム。前記第1の化学種はシランガスSiH4であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。前記第1の化学種はトリクロロシランガスSiHCl3であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。前記第1の化学種はジクロロシランガスSiH2C12であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。前記機械的手段は振動床であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。前記振動床は、偏心フライホイール、圧電トランスデューサ又は音波トランスデューサのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項5に記載の振動床。前記機械的手段は、毎分約1~4000サイクルの周波数範囲で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。前記機械的手段は、毎分約500~と3500サイクルの周波数で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。前記機械的手段は、毎分約1000~3000サイクルの周波数で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。前記機械的手段は、毎秒約2500サイクルの周波数で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。前記機械的手段は、約1/100~4インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。前記機械的手段は、約1/64~1/4インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。前記機械的手段は、約1/32~1/8インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。前記機械的手段は、約1/64インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。内部及び外部を有する格納容器を更に含み、前記機械的手段の少なくとも一部は、前記格納容器の前記内部に配置された振動床を含むことを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。加熱手段は、前記格納容器の前記内部に少なくとも部分的に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。前記格納容器の前記内部は、第1の反応物及び第3の非反応性種を含有するガスで満たされることを特徴とする、請求項15に記載の格納容器。前記格納容器は、少なくとも1つの壁を含み、前記少なくとも1つの壁は、前記格納容器の外側に配置された冷却ジャケット又は空冷フィンにより低温に保持されることを特徴とする、請求項15に記載の格納容器。前記冷却ジャケットを通って冷媒が流れ、前記冷媒は、前記格納容器の前記内部における前記ガスの温度が所望の低温に制御されるように制御された、温度及び流量を有することを特徴とする、請求項18に記載の冷却システム。前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、30~500°Cに制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、50~300°Cに制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、100°Cに制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、50°Cに制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。前記振動床は、平坦なパンとそこから延びた少なくとも1つの外周壁を含むことを特徴とする、請求項5に記載の振動床。前記振動床は底面を含み、前記底面は、平面であり、加熱されることを特徴とする、請求項24に記載の振動床。前記底面及び前記少なくとも1つの外周壁はコンテナを形成し、第2の種の前記微粉、ビーズ又は他の粒子は、前記コンテナ内に置かれることを特徴とする、請求項25に記載のシステム。前記床の前記加熱された部分の表面温度は、100~1300°Cになるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。前記床の前記加熱された部分の表面温度は、100~900°Cになるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。前記床の前記加熱された部分の表面温度は、200~700°Cになるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。前記床の前記加熱された部分の表面温度は、300~600°Cになるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。前記床の前記加熱された部分の表面温度は、約450°Cになるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。前記第1の種の分解速度は、前記表面温度を制御することによって制御されることを特徴とする、請求項27に記載のシステム。生成される前記ビーズのサイズは、前記コンテナの前記外周壁の高さにより制御されることを特徴とする、請求項32に記載のシステム。前記外周壁の前記高さを高くすることにより、より大きいビーズが形成され、前記外周壁の前記高さを低くすることにより、より小さいビーズが形成されることを特徴とする、請求項33に記載のシステム。前記床は電気的に加熱されることを特徴とする、請求項27に記載のシステム。前記格納容器の前記内部における前記ガスの圧力は、7~200psigになるように制御されることを特徴とする、請求項17に記載のシステム。前記格納容器の前記内部における前記ガスは前記第1の反応物を含み、第3の非反応性種が前記格納容器に加えられ、第1の反応物と第3の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第2の種のうちの1つとを含むガスが前記格納容器から引き出されることを特徴とする、請求項17に記載のシステム。前記第1の反応物と第3の非反応性種とを含むガスが前記格納容器に連続的に加えられ、第1の反応物と第3の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第2の種のうちの1つとを含むガスが、前記格納容器から連続的に引き出されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。前記第1の反応物の反応率の程度が、前記格納容器の内側の蒸気空間をサンプリングすることにより連続的に監視されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。前記第1の反応物と第3の非反応性種とを含むガスが前記格納容器にバッチ式に加えられ、第1の反応物と第3の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第2の種のうちの1つとを含むガスが、前記格納容器からバッチ式に引き出されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。前記第1の反応物の反応率の程度は、前記格納容器の内側の前記蒸気空間をサンプリングすることにより、及び/又は、前記格納容器内で上昇若しくは低下する圧力を監視することにより、連続的に監視されることを特徴とする、請求項40に記載のシステム。前記格納容器に加えられる前記ガスは、シランガスSiH4と水素希釈剤とを含み、前記格納容器から引き出される前記ガスは、未反応シランガスと水素希釈剤と前記分解反応により形成された水素ガスとを含み、前記床に加えられる前記微粉及び前記ビーズは、シリコンを含むことを特徴とする、請求項37に記載のシステム。シランガスの分解はポリシリコンを生成し、前記ポリシリコンは前記微粉上に堆積してビーズを形成し、前記ビーズ上に堆積してより大きなビーズを形成することを特徴とする、請求項42に記載のシステム。前記床からビーズが連続的に採取され、前記採取されるビーズの平均サイズは、前記コンテナの前記外周壁の高さを調整することにより制御されることを特徴とする、請求項43に記載のシステム。前記コンテナの前記外周壁の高さを高くすることにより、より大きいビーズが形成され、前記コンテナの前記外周壁の前記高さを低くすることにより、より小さいビーズが形成されることを特徴とする、請求項44に記載のシステム。ビーズの平均サイズは、直径1/100~1/4インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。ビーズの平均サイズは、直径1/64~3/16インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。ビーズの平均サイズは、直径1/32~1/8インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。ビーズの平均サイズは、直径1/8インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。前記格納容器内の前記ガスの圧力は、5~300psiaに制御されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。前記格納容器内の前記ガスの圧力は、14.7~200psiaに制御されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。前記格納容器内の前記ガスの圧力は、30~100psiaに制御されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。前記格納容器内の前記ガスの圧力は、70psiaに制御されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。前記格納容器内の前記ガスの圧力は、前記バッチ反応の開始時には14.7psiaに制御され、前記バッチ反応の終了時には28~32psiaに制御されることを特徴とする、請求項40に記載のシステム。前記第1の化学種の反応率は、前記床の温度、前記振動の周波数、前記振動の振幅、前記格納容器内の第1の種の濃度、前記格納容器内のガスの圧力、及び前記格納容器内の前記ガスの滞留時間を調整することにより制御されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。シランの反応率は、前記床の温度、前記振動の周波数、前記振動の振幅、前記格納容器内の第1の種の濃度、前記格納容器内のガスの圧力、及び前記格納容器内の前記ガスの滞留時間を調整することにより制御されることを特徴とする、請求項42に記載のシステム。前記シランガスの反応率は、20~100に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。前記シランガスの反応率は、40~100に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。前記シランガスの反応率は、80~100に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。前記シランガスの反応率は、98に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。前記外周壁の高さは、1/4~15インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。前記外周壁の高さは、1/2~15インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。前記外周壁の高さは、1/2~5インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。前記外周壁の高さは、1/2~3インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。前記外周壁の高さは、約2インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。前記電気的加熱は、前記パンの前記表面の下に配置された抵抗加熱コイルにより行われることを特徴とする、請求項35に記載のシステム。前記抵抗加熱コイルは、シール容器内に配置されることを特徴とする、請求項66に記載のシステム。前記シール容器は、前記パンの下側に直接接触する側を除く全ての側で絶縁されたことを特徴とする、請求項67に記載のシステム。前記パンの下側は、前記加熱コイルを保持する前記シール容器の上側を形成することを特徴とする、請求項68に記載のシステム。前記複数のビーズの前記表面を第1の気体状化学種を含むガスに対して実質的に露出させるための前記機械的手段、及び、前記ビーズ又は前記ビーズの前記表面を加熱するための前記加熱手段は、金属若しくはグラファイト又は金属及びグラファイトの組合せから作られたことを特徴とする、請求項1に記載のシステム。前記金属は316SS又はニッケルであることを特徴とする、請求項70に記載のシステム。前記ビーズの形成速度が微粉の形成速度と一致することを特徴とする、請求項44に記載のシステム。前記微粉の形成速度は、前記振動の周波数、前記振動の振幅、及び前記側部の前記高さを調整することにより制御されることを特徴とする、請求項72に記載のシステム。前記格納容器から引き出された前記水素は、関連付けられたシラン製造プロセスにおける使用のため又は販売用に回収されることを特徴とする、請求項42に記載のシステム。前記ビーズに同伴する水素ガス、又は前記ビーズを構成する前記第2の化学種の中に取り込まれる水素ガスの残留濃度は、前記格納容器に加えられる前記ガス中の前記水素希釈剤の濃度を制御することにより制御されることを特徴とする、請求項42に記載のシステム。前記水素希釈剤の前記濃度は、0~90モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。前記水素希釈剤の前記濃度は、0~80モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。前記水素希釈剤の前記濃度は、0~90モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。前記水素希釈剤の前記濃度は、0~50モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。前記水素希釈剤の前記濃度は、0~20モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。2つ以上の分離バルブと中間の第2の格納容器とを含む吐出ロックホッパを更に含み、前記平坦なパンから溢れた粒子は、前記吐出ロックホッパを通って前記格納容器から取り出されることを特徴とする、請求項44に記載のシステム。2つ以上の分離バルブと中間の第2の格納容器とを含む投入ロックホッパを更に含み、前記投入ロックホッパは、前記格納容器の前記内部に結合し、粒子を前記格納容器の前記内部に選択的に供給するように動作可能であることを特徴とする、請求項15に記載のシステム。以下の説明には、開示された種々の実施形態の完全な理解をもたらすために、ある特定の詳細が含まれる。しかしながら、当業者であれば、1つ又はそれ以上のこれらの特定の詳細がなくても、又は他の方法、構成要素、材料などを用いて実施形態を実施することができることを認識するであろう。その他の例では、混合機、分離器、気化器、弁、コントローラ、及び/又は再結合反応器の内部構造を含むがこれらに限定されない、シリコンを製造するためのシステムに関連付けられる周知の構造は、実施形態の説明を不必要に不明瞭にすることを避けるために、詳細に図示又は説明しなかった。文脈に反しない限り、本明細書及び特許請求の範囲の全体を通じて、含むcompriseという語、並びに含むcomprises及び含んでいるcomprisingのようなその語尾変化は、開かれた、包括的な意味で、即ち含むがそれらに限定されないと解釈される。本明細書の全体を通して、1つの実施形態、又はある実施形態、又は別の実施形態、又は幾つかの実施形態、又は特定の実施形態への言及は、その実施形態に関連して説明された特定の指示対象である特徴、構造、又は特性が、少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書を通じて様々な箇所に現れる1つの実施形態において、又はある実施形態において、又は別の実施形態において、又は幾つかの実施形態において、又特定の実施形態においてという語句の出現は、必ずしも全てが同じ実施形態に言及しているわけではない。さらに、特定の特徴、構造、又は特性は、1つ又はそれ以上の実施形態においていずれかの適切な方法で組み合わせることもできる。本明細書、及び添付の特許請求の範囲において用いられる単数形の冠詞a、an及びtheは、内容から明らかにそうではないことが規定されない限り、複数の指示対象を含むことに留意されたい。したがって、例えば、クロロシランに対する言及は、単一種のクロロシランを含むが、また、複数種のクロロシランをも含むことができる。又はという用語は、内容から明らかにそうではないことが規定されない限り、一般的に及び/又はを含むものとして使用されることにもまた留意されたい。本明細書において用いられるシランという用語は、SiH4を指す。本明細書において用いられるシラン類という用語は、シラン及び/又はその任意の誘導体を指すために総称的に用いられる。本明細書において用いられるクロロシランという用語は、1つ又はそれ以上の水素が塩素によって置換されたシラン誘導体を指す。クロロシラン類という用語は、クロロシランの1つ又はそれ以上の種を指す。クロロシラン類は、モノクロロシランSiH3Cl又はMCS、ジクロロシランSiH2Cl2又はDCS、トリクロロシランSiHCl3又はTCS、又は四塩化ケイ素とも呼ばれるテトラクロロシランSiCl4又はSTCによって例示される。シラン類の融点及び沸点は、分子内の塩素の数が増えるにつれて高くなる。したがって、例えば、標準温度及び圧力において、シランは気体であるが、四塩化ケイ素は液体である。特に指定のない限り、本明細書において用いられる塩素という用語は、原子状塩素、即ち化学式Clを有する塩素を指し、分子状塩素、即ち化学式Cl2を有する塩素は指さない。本明細書において用いられるシリコンという用語は、原子状ケイ素、即ち化学式Siを有するケイ素を指す。本明細書において用いられる化学蒸着反応器又はCVD反応器という用語は、シーメンス型、即ちホットワイヤ型反応器を指す。特に指定のない限り、本明細書において、シリコン及びポリシリコンという用語は、本明細書において開示された方法及びシステムのシリコン製品を指すときには互換的に用いられる。特に指定のない限り、本明細書においてパーセントとして表される濃度は、その濃度がモルパーセントで表されていることを意味すると理解されたい。本明細書において提供されている見出しは、単なる便宜上のものであり、その実施形態の範囲又は意味を解釈するものではない。図1は、1つの例証的な実施形態による、機械式流動床反応器システム100を示す。機械式流動床反応器システム100は、機械式流動床装置102を含み、これが粒子例えば、微粉、ビーズを機械的に流動化し、熱を与え、この上で所望の反応が生成される。機械式流動床反応器システム100はさらに、1つ又はそれ以上の容器壁110によってその外部108から隔てられた内部106を有する、反応容器104を含むことができる。機械式流動床装置102は、反応容器104の内部106の中に配置することができる。機械式流動床反応器システム100は、反応ガス供給サブシステム112と、粒子供給サブシステム114と、排気ガス回収サブシステム116と、所望の反応生成物を収集するための反応生成物収集サブシステム118とを含む。機械式流動床反応器システム100は、機械式流動床反応器システム100の種々の他の構造体又は要素を制御するために結合された自動制御サブシステム120をさらに含むことができる。これらの構造体又はサブシステムの各々は、以下で順に論じられる。機械式流動床装置102は、底面122aを有する少なくとも1つのトレー又はパン122と、トレー又はパン122の少なくとも底面122aを加熱するように熱的に結合された加熱要素124図1においては1つだけが引出し線で示されていると、トレー122の少なくとも底面122aを揺動又は振動させるように結合された揺動器126とを含む。トレー122はまた、トレー122の底面122aから概ね垂直に延びる外周壁122bを含むことができる。外周壁122b及び底面122aは、所望の反応に供されている材料130を一時的に保持することができる凹部128を形成する。底面122aは、そしておそらくは外周壁122bも、反応生成物の堆積によって急速に損なわれることのない材料で形成すべきである。底面122a、及び/又はトレー122は、金属若しくはグラファイト又は金属とグラファイトとの組合せで形成することができる。金属は、例えば、316SS又はニッケルの形態をとることができる。機械的に誘導される振動又は揺動による床の流動化は、それにより第1の反応性種が床の中へと取り込まれ、熱い微粉、ビーズ又はその他の粒子の近くまで接近するか又は直に接触するようにされる機構である。本明細書及び特許請求の範囲において用いられる機械式流動床という用語は、揺動又は振動による粒子例えば、微粉、ビーズ又は他の粒子の浮遊又は流動化を意味するものであり、その揺動又は振動が、機械的機構、磁気的機構、音響的機構又はその他の機構のいずれにより床又はトレーに結合されているかを問わない。このような流動化は、粒子を通るガス流によって生じる流動化とは区別される。振動及び揺動という用語、並びにその語尾変化例えば、振動する、揺動するは、本明細書及び特許請求の範囲において互換的に用いられる。さらに、トレー又はパンという用語は、本明細書及び特許請求の範囲においては、機械的に流動化された床を一時的に保持することが可能な凹部を形成する、底面とそこから延びる少なくとも1つの壁とを有する構造を指すために互換的に用いられる。加熱要素124は、例えば、1つ又はそれ以上の放射要素又は抵抗要素など、種々の形態を取ることができ、これらは、例えば制御信号に応答して電流源132からの電流がその中を流れるのに応答して熱を生成する。放射又は抵抗要素は、例えば、電気調理用レンジ台上面又は投げ込み式ヒータで一般に見られる電気コイルと同様のものとすることができる。加熱要素124は、シール容器の中に封入することができる。例えば、放射又は抵抗要素は全ての側で封入することができる。例えば、トレー又はパン122の底面122aを形成する部分又は底面122aに近接した部分を除いた、放射又は抵抗要素の全ての側を断熱材料134で囲むことができる。断熱材料は、例えば、ガラスセラミック製の調理面の下に電気放射又は抵抗加熱要素が配置されたガラストップレンジで用いられているものと同様のガラスセラミック材料例えば、Li2O×Al2O3×nSiO2系、すなわちLAS系の形態をとることができる。断熱又は絶縁性材料は、ガラスセラミック以外の形態をとることができる。上記のように、断熱材は、トレー又はパン122の底面122aに近接した部分又は底面122aを形成する部分以外の、シール容器の全ての側で用いることができる。熱伝達機構は、伝導、放射又はそれらの組合せとすることができる。後述のように、生成物が反応するにつれて、個々の部片130の質量及び/又は体積は大きくなることができる。予期せぬことに、より大きな部片はトレー又はパン122内で上方に移動し、一方、より小さな部片は下方に移動する。いったん粒子130が所望のサイズに達すると、その粒子130は振動しながら外周壁122bを乗り越えることができ、反応容器104内で一般に下方に落下する。反応容器104の内部106は、その外部108と比べて高い圧力まで圧を高められるか又はその高い圧力で維持される。したがって、容器壁110は、容器壁110が受けることが予想される作業圧力に耐えるのに適した材料及び厚さにすべきである。それに加えて、反応容器104の全体的な形状は、そのような予想される作業圧力に耐えるように選択又は設計することができる。さらに、反応容器104は、繰り返される加圧サイクルに適切な安全限界で耐えるように設計すべきである。反応容器104は、冷却ジャケット133を含むことができ、その中に適切な冷却流体135がポンプで送り込まれる。付加的に、又は代替的に、反応容器は、外部108への放熱のための広い表面積を提供する冷却フィン137図1においては1つだけが引出し線で示されている又は他の冷却構造を含むことができる。反応ガス供給システム112は、反応容器104の内部106に反応ガスを供給するように結合することができる。反応ガス供給システム112は、例えば、シランのリザーバ136を含むことができる。反応ガス供給システム112は、水素のリザーバ138もまた含むことができる。別々のリザーバとして図示されているが、幾つかの実施形態は、シラン及び水素のための複合リザーバを用いることができる。反応ガス供給システム112はまた、1つ又はそれ以上の導管140、混合弁142、流量調節弁144、並びにシラン及び水素を反応容器104の内部106に提供するように動作可能な他の部品例えば、送風機、圧縮機を含むことができる。反応ガス供給システム112の種々の要素は、制御矢印即ち、末尾に丸で囲んだcを有する片矢印で示されるように、手動又は自動制御することができる。特に、希釈剤例えば水素の、反応物又は第1の種例えばシランに対する比が制御される。粒子供給サブシステム114は、反応容器104の内部106に、必要に応じて粒子を供給することができる。粒子供給サブシステム114は、粒子148のリザーバ146を含むことができる。粒子供給サブシステム114は、粒子のリザーバ146から反応容器104の内部106におけるトレー又はパン122の凹部128への粒子148の送給又は供給を制御するように動作可能な、投入ロックホッパ149を含むことができる。投入ロックホッパ149は、例えば、中間格納容器151と、中間格納容器151の入口を選択的に封止するように動作可能な入口弁153と、中間の格納容器151の出口を選択的に封止するように動作可能な出口弁155とを含むことができる。粒子供給サブシステム114は、付加的に又は代替的に、粒子148を粒子リザーバ146から、反応容器104の内部106のトレー又はパン122の凹部128まで、又は投入ロックホッパ149まで給送するための運搬サブシステム150を含むことができる。幾つかの実施形態において、投入ロックホッパの中間格納容器151は、粒子のリザーバとして働くことができる。いずれの場合でも、反応器又は格納容器104の内部106に供給される粒子の量は、自動又は手動制御することができる。運搬サブシステム150は、種々の形態をとることができる。例えば、運搬サブシステム150は、1つ又はそれ以上の導管及び送風機を含むことができる。送風機は、所望の量の粒子148を反応容器104の内部に送り込むように選択的に作動させることができる。代替的に、運搬サブシステム150は、電気モータのような適切な駆動機構と、ギア、クラッチ、プーリ、及び又は駆動ベルトのような変速機とを備えたコンベヤベルトを含むことができる。代替的に、運搬サブシステム150は、オーガー又は他の輸送機構を含むことができる。粒子は種々の形態をとることができる。例えば、粒子は、所望の反応のためのシードとしての役割を果たす微粉又はビーズとして提供することができる。ひとたびシード添加されると、トレー又はパン122の機械的な揺動又は振動は、更なる微粉を作り出すことができ、そして少なくともある程度までは、自己シード添加するようになることができる。排気ガス回収サブシステム116は、反応容器104の内部106と流体連通した入口160を含む。排気ガス回収サブシステム116は、1つ又はそれ以上の導管160、流量調節弁164、及び反応容器104の内部106から排気ガスを回収するための他の構成要素例えば、送風機、圧縮機を含むことができる。排気ガス回収サブシステム116の1つ又はそれ以上の部品は、制御信号末尾の丸で囲んだcを有する片矢印で示されるように、手動又は自動制御することができる。排気ガス回収サブシステム116は、回収した排気ガスを反応ガス供給システム112のリザーバに戻すことができる。排気ガス回収サブシステム116は、回収した排気ガスをいかなる処理もせずに直接リザーバに戻すことも、又は回収した排気ガスを適切な処理の後で戻すこともできる。例えば、排気ガス回収サブシステム116は、パージサブシステム165を含むことができる。パージサブシステム165は、排気ガス流から第2の種例えば水素の一部又は全部をパージすることができる。これは、反応中に第2の種が正味で製造され得るので、有用であり得る。例えば、シランがシリコンに分解する際に、水素が正味で製造され得る。反応生成物収集サブシステム118は、機械式流動床装置102のトレー又はパン122から落下した所望の反応生成物170を収集する。反応生成物収集サブシステム118は、反応生成物170の大部分を受け止めることを保証するのに十分な距離までトレー又はパン122の外周を超えて延びた、トレー又はパン122の相対的に下方に位置決めされる漏斗又はシュート172を含むことができる。適切な導管174が、漏斗又はシュート172と吐出ロックホッパ176とを流体連通させることができる。入口流量調整弁178は、吐出ロックホッパ176の入口180と反応容器104の内部106とを選択的に結合するように、制御信号末尾の丸で囲んだcを有する片矢印により示されるにより手動又は自動で動作可能である。出口流量調整弁182は、吐出ロックホッパ176からその出口184を経由して反応生成物を選択的に提供するように末尾の丸で囲んだcを有する片矢印で示される制御信号で手動又は自動で動作可能である。トレー又はパン122から溢れたビーズ又は粒子を収集するために、中間の第2の格納容器を用いることができる。制御サブシステム120を通信可能に結合して、100の1つ又はそれ以上の他の要素を制御することができる。制御サブシステム120は、機械式流動床反応器システム100の1つ又はそれ以上の部品の動作パラメータを示すセンサ信号末尾に丸で囲んだTを有する片矢印により示されるを生成する1つ又はそれ以上のセンサを含むことができる。例を挙げれば、制御サブシステム120は、温度を示す信号、例えばトレー又はパン122の底面122aの温度、又はその内容物130の温度を示す信号を生成する温度センサ例えば熱電対186を含むことができる。同じく例を挙げれば、制御サブシステム120は、圧力を示すセンサ信号末尾に丸で囲んだPを有する片矢印により示されるを生成する圧力センサ188を含むことができる。このような圧力信号は、例えば、反応容器104の内部106における圧力を示すものとすることができる。制御サブシステム120はまた、種々の弁、送風機、圧縮機、及び他の機器に関連付けられたセンサからの信号を受信することができる。このような信号は、機器の特定の部品の位置又は状態を示すもの、及び/又は、機器の特定の部品内での流量、温度、圧力、振動周波数、密度、重量、及び/又はサイズといった動作特性を示すものとすることができる。制御サブシステム120は、命令又は論理の定義された組に従って機械式流動床反応器システム100の1つ又はそれ以上の要素を自動制御する際に、種々のセンサ信号を用いることができる。例えば、制御サブシステム120は、弁、加熱器、モータ、アクチュエータ又はトランスデューサ、送風機、圧縮機などといった種々の要素を制御するための制御信号を生成することができる。したがって、例を挙げれば、制御サブシステム120は、1つ又はそれ以上の弁、コンベヤ又は他の輸送機構を制御して反応又は格納容器の内部に粒子を選択的に供給するように、通信可能に結合及び構成することができる。同じく例を挙げれば、制御サブシステム120は、トレー又はパン122の振動又は揺動の周波数を制御して所望の流動化を生じさせるように通信可能に結合及び構成することができる。制御サブシステム120は、トレー若しくはパン又はその内容物の温度を制御するように通信可能に結合及び構成することができる。このような制御は、放射又は抵抗加熱器要素を流れる電流の流れを制御することによって行うことができる。同じく例を挙げれば、制御サブシステム120は、反応又は格納容器の内部に流入する反応ガスの流れを制御するように通信可能に結合及び構成することができる。このような制御は、例えば、1つ又はそれ以上の弁をソレノイド、リレー又は他のアクチュエータを介して制御すること、及び/又は、1つ又はそれ以上の送風機又は圧縮機を例えば関連付けられた電気モータの速度を制御することによって制御することにより行うことができる。同じく例を挙げれば、制御サブシステム120は、反応又は格納容器からの排気ガスの引き出しを制御するように通信可能に結合及び構成することができる。このような制御は、1つ又はそれ以上の弁、ダンパ、送風機、排気ファンを1つ又はそれ以上のソレノイド、リレー、電気モータ又は他のアクチュエータを介して制御するように適切な制御信号を与えることにより行うことができる。制御サブシステム120は、種々の形態をとることができる。例えば、制御サブシステム120は、1つ又はそれ以上のマイクロプロセッサ及びメモリ例えば、RAM、ROM、フラッシュ、回転メディアを有するプログラムされた汎用コンピュータを含むことができる。代替的に、又は付加的に、制御サブシステム120は、プログラム可能ゲートアレイ、特定用途向け集積回路、及び/又はプログラム可能論理コントローラを含むことができる。図2は、1つの例証的な実施形態による、回転する楕円軸受又は1つ又はそれ以上のカム204により機械的に揺動又は振動するトレー又はパン202を含む機械式流動床200を示しており、これらのカムは同期させることができる。トレー又はパン202は、底面202aと、そこに対して垂直に延びて、反応に供されている材料を一時的に保持するための凹部を形成する外周壁202bとを含む。多数の加熱要素206破線で示されるがトレー又はパン202の全体にわたって通っており、少なくとも底面202a、及び底面202aに接触した内容物を加熱するように動作可能である。トレー又はパン202は、1つ又はそれ以上の弾性部材210図2においては1つだけが引出し線で示されているにより基部208に懸架することができる。弾性部材210は、トレー又はパン202が基部208に対して少なくとも1つの方向又は向きに揺動又は振動することを可能にする。弾性部材210は、例えば、1つ又はそれ以上のばねの形態をとることができる。弾性部材210は、ゲル、ゴム又は気泡ゴムの形態をとることができる。代替的に、トレー又はパン202は、1つ又はそれ以上の磁石例えば、永久磁石、電磁石、鉄元素を介して基部208に結合することができる。さらに別の実施形態において、トレー又はパン202は、1つ又はそれ以上のワイヤ、ケーブル、紐、又はばねを介して基部208に懸架することができる。楕円軸受又はカム204は、アクチュエータ、例えば電気モータ212により駆動することができる。電気モータ212は、変速機214を介して楕円軸受又はカム204に駆動的に結合することができる。変速機214は、電気モータ212を楕円軸受又はカム204に物理的及び/又は磁気的に結合するための、例えば、1つ又はそれ以上のギア、プーリ、ベルト、駆動シャフト、又は磁石などの種々の形態をとることができる。楕円軸受又はカム204が回転するにつれて、楕円軸受又はカム204が、床又はトレー20を連続的に揺動させる。図3は、別の例証的な実施形態による、多数の圧電トランスデューサ又はアクチュエータ304図3においては2つが引出し線で示されるにより機械的に揺動又は振動するトレー又はパン302を含む機械式流動床300を示す。トレー又はパン302は、底面302aと、その外周から垂直に延びて、材料をその中に保持するための凹部を形成する外周壁302bとを含む。多数の加熱要素306図3においては1つだけが引出し線で示されるが底面302aに熱的に結合されており、少なくとも底面302a及び底面302aに接触した内容物を加熱するように動作可能である。上で説明したように、加熱要素306は、放射要素又は電気抵抗要素の形態をとることができる。代替的に、例えばレーザ又は加熱流体を用いた、他の要素を使用することができる。トレー又はパン302は、基部308に結合する。幾つかの実施形態において、トレー又はパン302は、圧電トランスデューサ304のみを介して基部308に物理的に結合する。他の実施形態において、トレー又はパン302は、1つ又はそれ以上の弾性部材例えば、ばね、ゲル、ゴム、又は気泡ゴムを介して基部308に物理的に結合する。更なる実施形態において、トレー又はパン302は、1つ又はそれ以上の磁石例えば、永久磁石、電磁石、鉄元素を介して基部308に結合することができる。さらに別の実施形態において、トレー又はパン302は、1つ又はそれ以上のワイヤ、ケーブル、紐、又はばねを介して基部308に懸架することができる。多数の圧電トランスデューサ304は、トレー又はパン302に物理的に結合する。圧電トランスデューサ304は、電流源310に電気的に結合し、この電流源310は、変化する電流を印加して、圧電トランスデューサ304がトレー又はパン302を基部に対して揺動又は振動させるようにする。電流は、所望の揺動又は振動周波数を達成するように制御することができる。図4は、別の例証的な実施形態による、多数の超音波トランスデューサ又はアクチュエータ404図4においては2つが引出し線で示されるにより機械的に揺動又は振動するトレー又はパン402を含む機械式流動床400を示す。トレー又はパン402は、底面402aと、その外周から垂直に延びて、材料をその中に保持するための凹部を形成する外周壁402bとを含む。多数の加熱要素406図4においては1つだけが引出し線で示されるが底面402aに熱的に結合されており、少なくとも底面402a及び底面402aに接触した内容物を加熱するように動作可能である。上で説明したように、加熱要素406は、放射要素又は電気抵抗要素の形態を取ることができ、絶縁層例えば、ガラスセラミックによって被覆することができる。代替的に、例えばレーザ又は加熱流体を用いた、他の加熱要素を使用することができる。トレー又はパン402は、基部408に結合する。トレー又はパン402は、1つ又はそれ以上の弾性要素410例えば、ばね、ゲルのみを介して基部408に物理的に結合することができる。代替的に、トレー又はパン402は、1つ又はそれ以上の磁石例えば、永久磁石、電磁石、鉄元素を介して基部408に結合することができる。さらに別の実施形態において、トレー又はパン402は、1つ又はそれ以上のワイヤ、ケーブル、紐、又はばねを介して基部408に懸架することができる。多数の超音波トランスデューサ404は、超音波を発生させるように、及び、そのような超音波圧力波をトレー若しくはパン402又はその内容物に伝播するように動作可能である。圧電トランスデューサ404は、電流源412に電気的に結合し、この電流源412は、変化する電流を印加して、超音波トランスデューサ404がトレー若しくはパン402又はその内容物を基部408に対して揺動又は振動させるようにする。電流は、所望の揺動又は振動周波数を達成するように制御することが可能である。第1の化学種は、シランガスSiH4、トリクロロシランガスSiHCl3、又はジクロロシランガスSiH2Cl2を含む種々の形態をとることができる。これらを気体状態で反応又は格納容器104の中へと供給することができる。第2の化学種は、微粉、ビーズ又は他の粒子の形態を取ることができ、トレー又はパンにより形成される凹部に配置することができる。外周壁の高さが、生成されるビーズ又は他の粒子のサイズを効果的に制御することができる。特に、トレー又はパンの底面に対して外周壁が高いほど、より大きいビーズ又は他の粒子の形成が引き起こされることになる。外周壁の高さは、1/2インチと15インチとの間とすることができる。1/2インチと10インチとの間、1/2インチと5インチとの間、1/2インチと3インチとの間、又は約2インチの高さが特に有利であり得る。第3の非反応性種を、反応又は格納容器104に加えることができる。第3の非反応種は、希釈剤として機能する。トレー又はパンの少なくとも底面を加熱することができる。100°Cと900°Cとの間の範囲、200°Cと700°Cとの間の範囲、300°Cと600°Cとの間の範囲、又は約450°Cの温度が特に好適であり得る。第1の種の分解速度は、トレー又はパンの底面の温度を制御することによって効果的に制御することができる。揺動又は振動は、いずれか1つ又はそれ以上の軸線に沿った揺動又は振動、又はいずれか1つ又はそれ以上の軸線の周りの揺動又は振動とすることができる。揺動又は振動は、多数の周波数のうちの任意の周波数とすることができる。特に有利な周波数は、毎分1サイクルと4,000サイクルとの間、毎分500サイクルと3,500サイクルとの間、毎分1,000サイクルと3,000サイクルとの間、又は毎秒2,500サイクルを含むことができる。様々な大きさ又は振幅の揺動又は振動を使用することができる。1/100インチと1/2インチとの間、1/64インチと1/4インチとの間、1/32インチと1/8インチとの間、又は約1/64インチの振幅が特に有利であり得る。反応又は格納容器104の内部106におけるガスの混合平均温度は、制御することができる。30°Cと500°Cとの間の範囲、50°Cと300°Cとの間の範囲、約100°C又は約50°Cの温度が特に有利であり得る。反応又は格納容器104内のガスの圧力は、制御することができる。7psigと200psigとの間の圧力が特に有利であり得る。5psiaと300psiaとの間、14.7psiaと200psiaとの間、30psiaと100psiaとの間、約70psiaの圧力が有利であり得る。バッチ反応の開始時の反応又は格納容器104内のガスの圧力は約14.7psiaに制御することができ、バッチ反応の終了時には、約28psia乃至32psiaに制御することができる。分解反応により形成される第2の種は、反応又は格納容器104から引き出すことができる。このような種は、バッチ式に又は連続的に引き出すことができる。とりわけ、第1の種の分解で形成される第2の種例えば水素の気体密度が、より高密度の第1の種例えばシランに対して相対的に低いことが、流動床又は粒子からの第2の種の離脱を容易にする。このことは、第1の種が熱い微粉、ビーズ又は他の粒子の近くまで接近するか又は直に接触するようになることを可能にする。例えば、水素は、粒子の機械式流動床の中で上に昇る傾向を有することになり、一方、シランはその中で下に沈む傾向を有することになる。シランガスの反応率は、20と100との間、40と100との間、80と100との間、又は約98とすることができる。制御サブシステム又は操作者は、第1の反応物の反応率の程度を監視することができる。例えば、反応率の程度は、反応又は格納容器104の内側の蒸気空間をサンプリングすることにより連続的に監視することができる。第1の反応物及び第3の非反応性種を含むガスは、反応又は格納容器104にバッチ式に補給することができる。第1の反応物と第3の非反応性希釈剤と分解反応により形成された第2の種のうちの1つとで構成されたガスを、反応又は格納容器104からバッチ式に引き出すことができる。反応又は格納容器104に補給されるガスは、例えば、シランガスSiH4及び水素希釈剤を含むことができ、反応又は格納容器104から引き出されるガスは、未反応シランガス、水素希釈剤、及び分解反応により形成された水素ガスを含むことができる。トレー又はパン122に補給される微粉、ビーズ又は他の粒子は、シリコンを含むことができる。シランガスの分解はポリシリコンを生成することができ、このポリシリコンは微粉上に堆積してビーズ又は他の粒子を形成し、ビーズ上に堆積してより大きなビーズ又は粒子を形成する。ビーズ又は他の粒子は、トレー又はパン122から連続的に採取することができる。生成されるビーズの平均サイズは、直径1/100インチと直径1/4インチとの間、直径1/64インチと直径3/16インチとの間、直径1/32インチと直径1/8インチとの間、又は直径1/8インチとすることができる。ビーズの形成速度は、微粉の形成速度と一致し得る。微粉の形成速度は、振動の周波数、振動振幅、及び/又は外周壁の高さを調整することにより制御することができる。反応又は格納容器104から引き出された水素は、関連付けられたシラン製造プロセスにおける使用のため又は販売用に回収することができる。ビーズに同伴する又はビーズを構成する第2の化学種の中に取り込まれる水素ガスの残留濃度は、格納容器に補給されるガス中の水素希釈剤の濃度を制御することにより制御することができる。水素希釈剤の濃度は、0モルパーセントと90モルパーセントとの間、0モルパーセントと80モルパーセントとの間、0モルパーセントと90モルパーセントとの間、0モルパーセントと50モルパーセントとの間、又は0モルパーセントと20モルパーセントとの間とすることができる。本明細書において開示及び議論されたシリコン製造のためのシステム及びプロセスは、現在使用されているシステム及びプロセスに勝る著しい利点を有し得る。本システム及びプロセスは、半導体グレード又は太陽電池グレードのシリコンの製造に適している。製造プロセスの出発原料としてシランを使用することにより、高純度のシリコンをより容易に製造することが可能になる。シランは精製がはるかに容易である。沸点が低いので、シランは容易に精製することができ、精製中に、出発原料としてトリクロロシランを調製及び精製する際に起こり得るように汚染物質が混入する傾向を有しない。さらに、トリクロロシランの製造のための特定のプロセスは炭素又はグラファイトを利用するものであり、これは生成物に混入するか又はクロロシランと反応して炭素含有化合物を形成し得る。要約において説明されるものを含む上記の例証的な実施形態の説明は、網羅的であることを意図するものではなく、実施形態を開示されたその通りの形態に限定することを意図するものでもない。例証の目的で特定の実施形態及び実施例を上で説明したが、当業者には認識されるように、本開示の意図及び範囲から逸脱することなく種々の均等な改変を行うことができる。上記で提示した種々の実施形態の教示は、上記で一般的に説明された例示的なシステム、方法及び装置のみならず、シリコンを製造するための他のシステム、方法及び/又はプロセスにも適用することができる。例えば、上記の詳細な説明は、ブロック図、概略図、フローチャート及び実施例の使用により、システム、プロセス、方法及び/又は装置の種々の実施形態を示した。このようなブロック図、概略図、フローチャート及び実施例が1つ又はそれ以上の機能及び/又は操作を含む限りにおいて、このようなブロック図、概略図、フローチャート又は実施例内の各々の機能及び/又は操作は、個々に及び/又はまとめて、広範なシステム構成要素、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの事実上あらゆる組み合わせにより実装することができることを当業者は理解するであろう。ある実施形態においては、用いられるシステム又は製造される装置は、上記の特定の実施形態より少ない構造又は構成要素を含むことができる。他の実施形態において、用いられるシステム又は製造される装置は、本明細書において説明されたものに追加して、構造又は構成要素を含むことができる。更なる実施形態において、用いられるシステム又は製造される装置は、上記で説明されたものとは異なるように配置された構造又は構成要素を含むことができる。例えば、幾つかの実施形態において、温度、圧力又は流量の効果的な制御を提供するために、システム内に追加の加熱器及び/又は混合機及び/又は分離器が存在してもよい。さらに、本明細書で説明した手順又は方法の実装においては、より少ない操作、追加の操作が存在してもよく、又は操作を本明細書で説明した順序とは異なる順序で実行してもよい。システム若しくはデバイスの構成要素、又はプロセス若しくは方法の操作の態様を削除、追加又は再配置することは、本開示に照らして十分に関連分野の当業者の技術範囲内である。本明細書において説明されたポリシリコンを製造するための方法及びシステムの操作は、自動制御サブシステムの制御下におくことができる。このような自動制御サブシステムは、1つ又はそれ以上の適切なセンサ例えば、フローセンサ、圧力センサ、温度センサ、アクチュエータ例えば、モータ、弁、ソレノイド、ダンパ、化学分析器、並びに、プロセッサ可読ストレージ媒体内に格納された命令を実行して種々の構成要素及び/又は材料のフロー、圧力及び/又は温度をセンサ、分析器及び/又はユーザ入力からのデータ又は情報に少なくとも部分的に基づいて自動的に制御するプロセッサに基づくシステムを含むことができる。ポリシリコンを製造するための、システム及びプロセスの制御及び操作、又はシステム及び装置の設計に関して、ある実施形態において、本主題は、特定用途向け集積回路ASICにより実装することができる。しかしながら、当業者であれば、本明細書で開示された実施形態は、その全体として又は部分として、標準的な集積回路内で、1つ又はそれ以上のコンピュータ上で実行される1つ又はそれ以上のコンピュータプログラムとして例えば、1つ又はそれ以上のコンピュータシステム上で実行される1つ又はそれ以上のプログラムとして、1つ又はそれ以上のコントローラ例えば、マイクロコントローラ上で実行される1つ又はそれ以上のプログラムとして、1つ又はそれ以上のプロセッサ例えば、マイクロプロセッサ上で実行される1つ又はそれ以上のプログラムとして、ファームウェアとして、又はそれらの事実上あらゆる組み合わせとして、等価に実装することができることを認識するであろう。したがって、回路を設計すること、及び/又は、ソフトウェア及び又はファームウェアのためのコードを書くことは、本開示に照らして十分に当業者の技術範囲内である。上記で説明した種々の実施形態を組み合わせて、更なる実施形態を提供することができる。実施形態の態様を必要であれば改変して、種々の特許、出願及び公開の概念を使用して更なる実施形態を提供することができる。上記の詳細な説明に照らして、これら及び他の変更を本実施形態に対して行うことができる。一般に、以下の特許請求の範囲において、用いられる用語は、特許請求の範囲を明細書及び特許請求の範囲において開示された特定の実施形態に限定するものとして解釈すべきではなく、このような特許請求の範囲が権利を与える完全な均等の範囲と共に全ての可能な実施形態を含むものとして解釈すべきである。したがって、特許請求の範囲は、本開示によって限定されるものではない。"