"基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられていることを特徴とする基板支持台。前記仕切りは前記周壁の外周方向と交差するように設けられることを特徴とする請求項1記載の基板支持台。前記周壁に囲われる空間内には柱状部材が設けられ、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間には、前記下蓋と接すると共に前記柱状部材と前記周壁との間を接続する内壁が設けられ、前記冷却液供給部の供給孔は前記仕切りと前記内壁との間に設けられており、前記仕切りの前記周壁側の端部と、前記周壁との距離を第1の距離とし、前記仕切りの前記柱状部材側の端部と、前記柱状部材との距離を第2の距離とし、前記仕切りの前記周壁側の端部と、前記冷却液供給部の供給孔との距離を第3の距離とし、前記仕切りの前記柱状部材側の端部と、前記冷却液供給部の供給孔との距離を第4の距離としたとき、前記第1の距離が前記第2の距離より短い場合、前記第3の距離は前記第4の距離より短くなるように構成され、前記第2の距離が前記第1の距離より短い場合、前記第4の距離は前記第3の距離より短くなるように構成され、前記第1の距離が前記第2の距離と等しい場合、前記第3の距離と前記第4の距離とが等しくなるように構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板支持台。基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ前記基板を支持する基板支持台と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記処理室内を排気する排気部と、を備えた基板処理装置であって、前記基板支持台は、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられており、前記プラズマ生成部によりプラズマを生成する間、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を行うよう制御する制御部を備えることを特徴とする基板処理装置。処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に設けられ、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられている基板支持台により前記基板を支持する工程と、前記処理室内に処理ガスを供給して排気すると共に、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程と、処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、前記処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程では、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。上述の基板処理装置においては、熱媒体の流路上に所定の形状の仕切りを設けることで、流路内における熱媒体の滞留時間熱交換時間等を制御でき、基板支持台の冷却効率を向上させることが可能となる。しかしながら、熱媒体として液体冷却液を用いた場合、仕切りを設けることで冷却液の流通が過度に妨げられてしまい、基板支持台の冷却効率がかえって低下してしまう場合があった。本発明は、熱媒体として液体冷却液を用いた場合であっても、仕切りによって冷却液の流通が過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させることが可能な基板支持台、基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられている基板支持台が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ前記基板を支持する基板支持台と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記処理室内を排気する排気部と、を備えた基板処理装置であって、前記基板支持台は、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられており、前記プラズマ生成部によりプラズマを生成する間、前記加熱部による前記基板の加熱を停止させると共に、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を行うよう制御する制御部を備える基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に設けられ、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられている基板支持台により前記基板を支持する工程と、前記処理室内に処理ガスを供給して排気すると共に、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程と、処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、前記処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程では、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。本発明に係る基板支持台、基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、熱媒体として液体冷却液を用いた場合であっても、仕切りによって冷却液の流通が過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させることが可能となる。<本発明の一実施形態>以下に、本発明の一実施形態について説明する。1基板処理装置の構成まず、本実施形態に係る基板処理装置としてのプラズマ処理ユニット410の構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、プラズマ処理ユニット410の垂直断面図である。基板処理装置としてのプラズマ処理ユニット410は、例えば乾式処理により半導体基板や半導体素子にエッチング処理等を施す高周波無電極放電型の装置として構成されている。図1に示すように、プラズマ処理ユニット410は、基板としてのウエハ600を処理する処理室445と、処理室445内に設けられウエハ600を支持する基板支持台としてのサセプタテーブル411と、サセプタテーブル411により支持されたウエハ600を加熱する加熱部としてのヒータ463と、処理室445内にエッチングガス等の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室445内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、処理室445内を排気する排気部と、を備えている。プラズマ処理ユニット410は、例えば高純度の石英硝子やセラミックス等により形成された円筒状の反応容器431を備えている。反応容器431は、架台としての水平なベースプレート448の上部に、軸中心が鉛直になるように立設されている。反応容器431の上端開口は、円盤状のトッププレート454により気密に封止されている。反応容器431内にはプラズマ生成領域430が形成されている。トッププレート454の略中央には、エッチングガス等の処理ガスやパージガスを反応容器431内に供給するガス導入口433が設けられている。ガス導入口433には、ガス供給管455の下流端が接続されている。ガス供給管455には、上流側から順に、処理ガスやパージガスを供給するガス供給源図示しない、流量制御としてのマスフローコントローラ477、開閉弁478が設けられている。マスフローコントローラ477及び開閉弁478を制御することで、ガス導入口433からのガス供給や流量が制御されるように構成されている。主にガス供給管455、ガス供給源図示しない、マスフローコントローラ477、開閉弁478、ガス導入口433により、本実施形態に係るガス供給部が構成されている。反応容器431内の上方には、ガス導入口433から供給されたガスを整流させるバッフル板460が設けられている。バッフル板460は、例えば石英等により形成されている。バッフル板460は略円板形に構成され、ガス導入口433から供給されたガスを反応容器431の内壁に沿って流すように、反応容器431の内壁との間に所定の距離を保ちつつ水平姿勢で保持されている。反応容器431の外周には、巻回された共振コイル432と、共振コイル432の外周に配置され且つ電気的に接地された外側シールド452と、が設けられている。共振コイル432には、高周波電力を供給する高周波電源444及び高周波電源444の発振周波数を制御する周波数整合器446が接続されている。共振コイル432及び外側シールド452により、螺旋共振器が構成される。高周波電源444の出力側には、高周波電力の進行波、反射波等をモニタするRFセンサ468が設置されている。RFセンサ468によってモニタされた高周波電力値は、周波数整合器446にフィードバックされ、周波数整合器446により高周波電力の反射波が最小となるよう周波数が制御されるように構成されている。共振コイル432は、一定波長モードで共振するよう巻径、巻回ピッチ、巻数等が設定され、所定の波長の定在波を形成するように構成されている。すなわち、共振コイル432の長さは、高周波電源444から供給される高周波電力の所定周波数における1波長の整数倍1倍、2倍、...又は半波長もしくは1/4波長に相当する長さに設定されている。1波長の長さは、例えば13.56MHzの場合には約22m、27.12MHzの場合には約11m、54.24MHzの場合には約5.5mになる。共振コイル432は、絶縁性材料にて平板状に形成され且つベースプレート448の上端面に鉛直に立設された複数の図示しない支持部材によって支持されている。また、共振コイル432の両端は、電気的に接地されている。共振コイル432の少なくとも一端は、可動タップ462を介して接地されている。これにより、プラズマ処理ユニット410の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に、共振コイル432の長さを微調整することができる。共振コイル432の他端は、固定グランド464を介して設置されている。また、共振コイル432の接地された両端の間には、可動タップ466によって給電部が構成されている。これにより、更にプラズマ処理ユニット410の最初の設置の際又は処理条件の変更の際に、共振コイル432のインピーダンスを微調整することができるように構成されている。すなわち、共振コイル432は、電気的に接地されたグランド部を両端に備え、各グランド部の間に高周波電源444から電力供給される給電部を備えている。少なくとも一方のグランド部は、位置調整可能な可変式グランド部とされる。そして、給電部は、位置調整可能な可変式給電部とされる。共振コイル432が可変式グランド部及び可変式給電部を備えていることにより、プラズマ生成部の共振周波数及び負荷インピーダンスの調整が容易に行える。外側シールド452は、共振コイル432の外側への電磁波の漏れを遮蔽するとともに、共振回路を構成するのに必要な容量成分を共振コイル432との間に形成するように構成されている。外側シールド452は、アルミニウム合金、銅又は銅合金などの導電性材料により円筒状に形成されている。外側シールド452は、共振コイル432の外周から例えば5~150mm程度の間隔を保って配置されている。主に、反応容器431、共振コイル432、外側シールド452、可動タップ462,466、固定グランド464、高周波電源444、周波数整合器446により、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。ガス供給部から処理ガスを供給しつつ、高周波電源444から共振コイル432に高周波電力を供給することで、プラズマ生成領域430に供給された処理ガスをプラズマ状態とすることができる。反応容器431の下端開口は、円筒状の処理容器490の上端開口と気密に接続されている。処理容器490内には、基板としてのウエハ600を処理する処理室445が形成されている。処理室445は、上述のプラズマ生成領域430と連通している。処理容器490の下端開口は、碗状の底板469によって気密に封止されている。処理容器490、反応容器431、底板469は、容器軸線が垂直となるように配置されている。処理室445内には、基板支持台としてのサセプタテーブル411と、サセプタテーブル411を下方から支持する複数例えば4本の支柱461と、サセプタテーブル411の下部に設けられる加熱部としてのヒータ463と、を備えた基板支持部としてのサセプタ459が設けられている。ヒータ463は、図示しないヒータ電源部に接続されている。ヒータ電源部によりヒータ463を通電加熱することで、サセプタテーブル411上に支持されたウエハ600を加熱することが可能なように構成されている。反応容器431内に供給されたガスやプラズマ生成領域430にて生成されたプラズマは、処理室445内に流れ込み、サセプタテーブル411により支持されて加熱されたウエハ600上に供給されるように構成されている。なお、サセプタテーブル411内には熱媒体の流路が形成されており、サセプタテーブル411及びウエハ600の放熱を促すことが可能なように構成されている。サセプタテーブル411の構成については後述する。サセプタテーブル411の下方には、ガイドシャフト467をガイドとして昇降自在に構成された昇降基板471が設けられている。昇降基板471上には、少なくとも3本のリフタピン413が鉛直方向に立設されている。リフタピン413は、サセプタテーブル411の外周部を鉛直方向に貫通可能に構成されている。リフタピン413の上端には、ウエハ支持部414が設けられている。ウエハ支持部414は、サセプタテーブル411の中心方向に延出しており、ウエハ600の外周を支持可能に構成されている。昇降基板471は、昇降シャフト473の上端に連結されている。昇降シャフト473は、底板469を貫通し、図示しない昇降駆動部に連結されている。昇降駆動部が昇降シャフト473を昇降させることで、昇降基板471及びリフタピン413を介してウエハ支持部414を昇降させることが可能となっている。そして、ウエハ支持部414上に支持されているウエハ600をサセプタテーブル411上に移載したり、サセプタテーブル411上に支持されているウエハ600をウエハ支持部414上に移載したりすることが可能となっている。サセプタテーブル411の下方には、サセプタテーブル411下方の空間と処理室445とを区画するように、円筒状のバッフルリング458が設けられている。バッフルリング458によって区画されたサセプタテーブル411下方の空間は、バッフルリング458に設けられた多数の通気孔図示しないを介して処理室445と連通している。バッフルリング458によって区画されたサセプタテーブル411下方の空間は、排気板465によって上下に区画されている。排気板465は、ガイドシャフト467を介して底板469上に水平姿勢で支持されている。排気板465の上方に形成される第1排気室474サセプタテーブル411、バッフルリング458、排気板465により区画される空間と、排気板465の下方に形成される第2排気室476排気板465、底板469により区画される空間とは、排気板465に設けられた排気連通孔475を介して連通している。第2排気室476の底部を構成する底板469の略中央部には、排気管480の上流端が接続されている。排気管480には、上流側から順に、圧力センサ図示しない、圧力調整器であるAPCAutoPressureControllerバルブ481、排気装置479が設けられている。排気装置479を作動させつつ、圧力センサ図中省略により検出された圧力情報に基づいてAPCバルブ481の弁の開度を調節することにより、処理室445内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気可能に構成されている。主に排気管480、APCバルブ481、圧力センサ、排気装置479により、本実施形態に係る排気部が構成される。制御部としてのコントローラ470は、上述のマスフローコントローラ477、開閉弁478、高周波電源444、周波数整合器446、RFセンサ468、ヒータ463、ヒータ電源部、昇降駆動部、圧力センサ、APCバルブ481、排気装置479等に接続され、これらの動作をそれぞれ制御するよう構成されている。コントローラ470には、表示部としてのディスプレイ472が接続されている。ディスプレイ472は、例えばRFセンサ468による反射波のモニタ結果等、プラズマ処理ユニット410が備える各種センサにより検出されたデータを表示可能に構成されている。2サセプタテーブルの構成上述したように、本実施形態に係るサセプタテーブル411内には、熱媒体の流路が形成されている。そして、流路内に熱媒体を供給することで、サセプタテーブル411及びウエハ600の放熱を促すことが可能なように構成されている。以下に、本実施形態に係るサセプタテーブル411の詳細構成を、主に図2~図6を用いて説明する。図2は、サセプタテーブル411の水平断面図である。図3は、図2のX-X’断面図である。図5は、冷却液供給部の供給孔421aと仕切り423との好ましい位置関係を説明する図である。図6は、排出部の排出孔422aと仕切り423との好ましい位置関係を説明する図である。図2、図3に示すように、サセプタテーブル411は、ウエハ600を支持する円盤状の支持板411aと、支持板411aによって上端開口が閉塞され、支持板411aの下方に冷却液の流路420を構成する円筒状の周壁411bと、周壁411bの下端開口を閉塞し、流路420の底部412を構成する円盤状の下蓋411cと、を備えている。支持板411aの上面には、ウエハ600を支持する支持面が形成されている。少なくとも支持板411aは、ウエハ600の金属汚染を防ぐよう、高純度の石英硝子やセラミックス等により形成されている。周壁411bに囲われる空間内には、支持板411aと下蓋411cとを連結する柱状部材424が設けられている。すなわち、上述の流路420は、柱状部材424を囲うように環状に設けられている。サセプタテーブル411は、流路420の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、流路420の下流端から冷却液を排出する排出部と、をさらに備えている。冷却液供給部の供給孔421aは、流路420の上流端に開設されている。排出部の排出孔422aは、流路420の下流端に開設されている。供給孔421aと排出孔422aとの間流路420とは反対側には、下蓋411cと接すると共に柱状部材424と周壁411bとの間を接続する内壁425が設けられている。すなわち、内壁425は、供給孔421aと排出孔422aとの間流路420とは反対側の冷却液の流通を遮断するように構成されている。また、冷却液供給部は、冷却液の供給管図示しないを備えている。排出部は、冷却液の排出管図示しないを備えている。供給管の上流端及び排出管の下流端は、処理室445内の気密を保持しつつ処理容器490の外側に延在されている。供給管の上流端と排出管の下流端とが熱交換器や循環器図示しないを介して相互に接続されることで、冷却液が一定の温度に保持されつつ流路420内を循環するように構成されている。仕切りの配置について図2及び図3に例示するように、供給孔421aと排出孔422aとの間の流路420上には、1つ以上、好ましくは複数の仕切り423が設けられている。仕切り423は、周壁411bの外周方向と交差するように設けられている。すなわち、仕切り423は、流路420内を流れる冷却液421の流通方向と交差するように設けられている。なお、本実施形態では、複数の仕切り423のうち、周壁411bの壁面から延出するように構成される周壁側仕切り423aと、柱状部材424の壁面から延出するように構成される柱状側仕切り423bとを、略円周等角ピッチで放射状に交互に配置するようにしている。そして、周壁側仕切り423aと柱状部材424との間の隙間、及び柱状側仕切り423bと周壁411bとの間の隙間に、冷却液の流路420の折り返し点をそれぞれ構成するようにしている。これにより、冷却液は、流路420を蛇行しながらジグザグ状に、すなわちサセプタテーブル411の全域を網羅するように流れることになる。その結果、サセプタテーブル411の全域、すなわちウエハ600の全面がより均等に冷却され、面内の温度均一性が向上する。供給孔の配置について本実施形態では、サセプタテーブル411の全域に冷却液を流すよう冷却液の淀みを防ぐように、冷却液供給部の供給孔421aを、図5に例示するような位置に設けるようにしている。図5に例示するように、冷却液供給部の供給孔421aは、仕切り423と内壁425との間に設けられている。ここで、供給孔421aに隣接する仕切り423の周壁411b側の端部と、周壁411bとの距離を、第1の距離aとする。該仕切り423の柱状部材424側の端部と、柱状部材424との距離を、第2の距離bとする。該仕切り423の周壁411b側の端部と、冷却液供給部の供給孔421aとの距離を、第3の距離cとする。該仕切り423の柱状部材424側の端部と、冷却液供給部の供給孔421aとの距離を、第4の距離dとする。このとき、図5aに示すように第1の距離aが第2の距離bより短い場合仕切り423が周壁411b寄りに設けられている場合には、第3の距離cが第4の距離dより短くなるような位置周壁411b寄りの位置に供給孔421aを配置する。また、図5bに示すように第2の距離bが第1の距離aより短い場合仕切り423が柱状部材424寄りに設けられている場合には、第4の距離dが第3の距離cより短くなるような位置柱状部材424寄りの位置に供給孔421aを配置する。また、図示しないが、第1の距離aが第2の距離bと等しい場合には、第3の距離cと第4の距離dとが等しくなるような位置に供給孔421aを配置する。尚、仕切り423が周壁411に接触する場合は、距離aをゼロとする。また、仕切り423が柱状部材424に接触する場合は、距離bをゼロとする。このような位置に供給孔421aを配置することで、すなわち供給孔421aを折り返し点から離れた位置に配置することで、折り返し点から離れた位置にも確実に冷却液を流すことが可能となる。その結果、冷却液の淀みを防止することができ、サセプタテーブル411、すなわちウエハ600の面内温度均一性をさらに向上させることができる。排出孔の配置についてまた、本実施形態では、サセプタテーブル411全面に冷却液を流すよう冷却液の淀みを防ぐように、排出部の排出孔422aを、図6に例示するような位置に設けるようにしている。図6に例示するように、排出部の排出孔422aも、仕切り423と内壁425との間に設けられている。ここで、排出孔422aに隣接する仕切り423の周壁411b側の端部と、周壁411bとの距離を、第1の距離eとする。該仕切り423の柱状部材424側の端部と柱状部材424との距離を、第2の距離fとする。該仕切り423の周壁411b側の端部と排出部の排出孔422aとの距離を、第3の距離gとする。該仕切り423の柱状部材424側の端部と排出部の排出孔422aとの距離を、第4の距離hとする。このとき、図6aに示すように第1の距離eが第2の距離fより短い場合仕切り423が周壁411b寄りに設けられている場合には、第3の距離gが第4の距離hより短くなるような位置周壁411b寄りの位置に排出孔422aを配置する。また、図6bに示すように第2の距離fが第1の距離aより短い場合仕切り423が柱状部材424寄りに設けられている場合には、第4の距離hが第3の距離gより短くなるような位置柱状部材424寄りの位置に排出孔422aを配置する。また、図示しないが、第1の距離eが第2の距離fと等しい場合には、第3の距離gと第4の距離hとが等しくなるような位置に排出孔422aを配置する。尚、仕切り423が周壁411に接触する場合は、距離eをゼロとする。また、仕切り423が柱状部材424に接触する場合は、距離fをゼロとする。このような位置に排出孔422aを配置することで、すなわち排出孔422aを折り返し点から離れた位置に配置することで、折り返し点から離れた位置にも確実に冷却液を流すことが可能となる。その結果、冷却液の淀みを防止することができ、サセプタテーブル411、すなわちウエハ600の面内温度均一性をさらに向上させることができる。仕切り下方の空隙について上述したように、本実施形態では、流路420に流す熱媒体として、気体よりも比熱が大きく熱伝導率が大きい液体冷却液を用いている。これにより、熱媒体として気体を用いた場合と比較して、サセプタテーブル411の冷却効率を飛躍的に高めることが可能となる。また、熱媒体の流量を減らすことができ、コストを削減することができる。但し、発明者等の鋭意研究によれば、熱媒体として液体冷却液を用いると、仕切り423の形状によっては熱媒体の流通が過度に制限されてしまうことが判明した。冷却液は気体と異なり重いため、流路420の底部412側に溜まることになる。底部412に溜まった冷却液が仕切りの上を越えることは困難であるため、仕切り423の形状によっては、冷却液が流路420内を流れずに局所的に残留してしまう淀んでしまうのである。また、仕切り423の形状によっては、流路420の折り返し点において仕切り423の端部に大きな圧力が加わり、これによって冷却液の流通が大幅に制限されてしまったり、或いは冷却液の流速が大きく変化してしまったりすることある。その結果、サセプタテーブル411の冷却効率を局所的に低下し、ウエハ温度の面内均一性が低下してしまうのである。そこで本実施形態では、図3に例示するように、流路420の底部412と仕切り423との間に、所定の高さの空隙426を設けることとしている。空隙426を設けることで、冷却液の流通が仕切り423によって過度に妨げられてしまうことを回避出来る。すなわち、冷却液は流路420の底部412に溜まるが、本実施形態に係る空隙426は流路420の底部412付近に設けられていることから、冷却液の流路は常に確保される。その結果、冷却液を淀みなく、かつ効率よく循環させることが可能となる。また、本実施形態によれば、折り返し点の隙間だけでなく、空隙426からも冷却液が流通するので、冷却液の流通によって仕切り423の端部に加わる圧力を大幅に低減することができ、冷却液の流通をより確実に確保できるようになる。また、冷却液の流速の変化を抑制することができ、冷却効率の面内均一性をより向上させることができる。その結果、サセプタテーブル411の全域、すなわちウエハ600の全面を均等かつ効率的に冷却させることが可能となる。なお、流路420内を流れる冷却液の流量や滞留時間すなわち冷却効率は、仕切り423の枚数、形状、寸法、配置方向、空隙426の大きさ等によって自在に調整可能である。3基板処理工程次に、本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程の一例として、加熱されたウエハ600上にプラズマ状態とした処理ガスを供給してウエハ600表面をエッチングする基板処理工程を説明する。係る基板処理工程は、上述のプラズマ処理ユニット410によって実施される。下記の説明において、プラズマ処理ユニット410の各部の動作はコントローラ470によって制御される。ウエハ搬入まず、処理室445内にウエハ600を搬入する前に、ヒータ463すなわちサセプタテーブル411を所定の処理温度に予め加熱しておく。また、昇降シャフト473を作動させ、リフタピン413を所定の搬入位置に予め持ち上げておく。そして、図中省略の搬送機構フィンガーによって処理室445内にウエハ600を搬入し、リフタピン413ウエハ支持部414上に載置する。そして、昇降シャフト473を作動させてリフタピン413を所定の処理位置まで降下させ、ウエハ600をサセプタテーブル411上に移載する。ウエハ加熱、圧力調整サセプタテーブル411からの熱伝導、ヒータ463からの輻射、及び冷却液による冷却により、ウエハ600が例えば180°C~250°C程度の範囲内の所定の処理温度になるように加熱調整される。また、排気装置479を作動させると共にAPCバルブ481の開度を適正に調整し、反応容器431内及び処理室445内の圧力が例えば30~530Paの範囲内の所定の圧力になるように排気する。プラズマ処理ウエハ600が所定の処理温度に昇温されたら、反応容器431内及び処理室445内の排気を継続する。それと併行して、開閉弁478を開け、ガス供給管455からの処理ガスの供給を開始する。反応容器431内に供給された処理ガスは、バッフル板460により分散され、反応容器431の内壁に沿って下方に向かって流れる。このとき、圧力センサにより検出された圧力に基づいてAPCバルブ242の弁の開度を調節し、反応容器431内の圧力が所定の処理圧力真空度となるようにする。反応容器431内の圧力が安定したら、高周波電源444から共振コイル432に高周波電力を印加する。その結果、プラズマ生成領域430にプラズマ放電が生じ、処理ガスがプラズマ状態となる。このとき、共振コイル432内部に励起される誘導磁界によって処理ガス中の自由電子が加速され、ガス分子と衝突し、ガス分子が励起される。プラズマ状態の処理ガスは、プラズマ生成領域430から処理室445に向かって流れ、ウエハ600上に供給される。その結果、ウエハ600表面やウエハ600上に形成されている薄膜表面等がプラズマによりエッチングされる。プラズマ状態の処理ガスを用いることで、ウエハ600の温度を低温に保ったまま、エッチング処理を進行させることができる。上記においては、処理ガスとして、例えばエッチングガスである四フッ化メタンCF4またはトリフルオロメタンCHF3ガス等を使用することができる。また、マスフローコントローラ477により調整する処理ガスの流量は、例えば800~2600sccmの範囲内とする。また、処理圧力は、例えば30~530Paの範囲内とする。また、共振コイル432に印加する高周波電力は、例えば600~2000Wの範囲内とする。なお、高周波電源444の発信周波数は、共振コイル432の共振周波数に収束される。このとき、RFセンサ468が共振コイル432からの反射波をモニタし、モニタされた反射波のレベルを周波数整合器446に送信する。周波数整合器446は、反射波電力の反射波が最小となるよう高周波電源444の発信周波数を調整する。これにより、ガス流量、ガス混合比、圧力の処理条件が変動した場合であっても、高周波電源444の発信周波数は直ちに整合する。上述したように、プラズマ処理を行う際は、ウエハ600の温度を一定に保持することが好ましい。しかしながら、ウエハ600上にプラズマ状態の処理ガスを供給すると、ウエハ600は、サセプタテーブル411からの熱伝導やヒータ463からの輻射だけでなく、プラズマからの輻射熱によっても加熱されることになる。そのため、ヒータ463によってウエハ600を加熱する場合、プラズマによる上昇温度をあらかじめ考慮し、所望の温度より若干低い温度に加熱しても良い。また、ウエハ600を加熱する時、冷却液を流路426へ供給せずに、ヒータ463で加熱してもよい。上述したように、プラズマ処理を行う際は、ウエハ600の温度を一定に保持することが好ましい。しかしながら、ウエハ600上にプラズマ状態の処理ガスを供給すると、ウエハ600は、サセプタテーブル411からの熱伝導やヒータ463からの輻射だけでなく、プラズマからの輻射熱によっても加熱されることになる。そのため、プラズマ処理を行う際には、ヒータ463への電力供給を停止し、ヒータ463によるウエハ600の加熱を停止させる。但し、プラズマ処理中のウエハ温度を例えば90°C以下の低温に保持しようとする場合、ヒータ463によるサセプタテーブル411の加熱を停止しただけでは、ウエハ600の温度上昇を抑制することは困難なことがある。そこで本実施形態では、プラズマ処理を行う際、ヒータ463への電力供給を停止すると共に、冷却液供給部による流路420への冷却液の供給、及び排出部による流路420からの冷却液の排出を開始する。サセプタテーブル411内に冷却液を供給することで、サセプタテーブル411を介したウエハ600の放熱が促され、ウエハ600の温度上昇をより確実に回避することができる。なお、本実施形態では、流路420に流す熱媒体として、気体よりも比熱が大きく熱伝導率が大きい液体冷却液を用いている。これにより、熱媒体として気体を用いた場合と比較して、サセプタテーブル411の冷却効率を飛躍的に高めることが可能となる。また、本実施形態では、図2及び図3に例示したように、供給孔421aと排出孔422aとの間の流路420上に、1つ以上、好ましくは複数の仕切り423423a,423bを設けている。そして、周壁側仕切り423aと柱状部材424との間の隙間、及び柱状側仕切り423bと周壁411bとの間の隙間に、冷却液の流路420の折り返し点をそれぞれ構成するようにしている。これにより、冷却液は、流路420を蛇行しながらジグザグ状に、すなわちサセプタテーブル411の全域を網羅するように流れる。その結果、サセプタテーブル411及びウエハ600の面内温度均一性を向上させ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。また、本実施形態では、図5及び図6に例示したように、冷却液供給部の供給孔421a及び排出部の排出孔422aを、それぞれ折り返し点から離れた位置に配置している。これにより、折り返し点から離れた位置にも確実に冷却液を流すことが可能となる。その結果、冷却液の淀みを防止することができ、サセプタテーブル411の全域、すなわちウエハ600の全面をより均等に冷却させることができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。また、本実施形態では、図3に例示したように、流路420の底部412と仕切り423との間に、所定の高さの空隙426を設けることとしている。空隙426を設けることで、冷却液の流通が仕切り423によって過度に妨げられてしまうことを回避出来る。すなわち、冷却液は流路420の底部412に溜まるが、本実施形態に係る空隙426は流路420の底部412付近に設けられていることから、冷却液の流路は常に確保されることになる。その結果、冷却液を淀みなく、かつ効率よく循環させることが可能となる。また、本実施形態によれば、折り返し点の隙間だけでなく、空隙426からも冷却液が流通することになるので、冷却液の流通によって仕切り423の端部に加わる圧力を大幅に低減することができ、冷却液の流通をより確実に確保できるようになる。また、冷却液の流速の変化を抑制することができ、冷却効率の面内均一性をより向上させることができる。その結果、サセプタテーブル411の全域、すなわちウエハ600の全面を均等かつ効率的に冷却させることができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。所定時間経過後、ウエハ600に対するエッチング処理が完了したら、高周波電源444からの共振コイル432への電力供給を停止してプラズマの生成を停止する。そして、ガス供給管455からの反応容器431内への処理ガスの供給を停止する。パージ及び大気圧復帰そして、反応容器431内及び処理室445内の排気を継続しつつ、ガス供給管455からのパージガスの供給を開始する。反応容器431内及び処理室445内のパージが完了したら、APCバルブ481の開度を調節し、反応容器431内及び処理室445内の圧力を大気圧に復帰する。パージガスとしては例えば窒素N2ガスや希ガス等の不活性ガスを用いることが出来る。ウエハ搬出そして、上述の手順とは逆の手順により処理済みのウエハ600を処理室445内から搬出し、本実施形態における基板処理工程を終了する。4本実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。a本実施形態によれば、プラズマ生成部によるプラズマ生成を開始させるとき、ヒータ463によるウエハ600の加熱を停止させると共に、冷却液供給部による冷却液の供給及び排出部による冷却液の排出を開始させる。サセプタテーブル411内に冷却液を供給することで、サセプタテーブル411を介したウエハ600の放熱を促すことができ、ウエハ600の温度上昇をより確実に回避することができる。プラズマ処理中のウエハ温度を例えば90°C以下の低温度帯に保持しようとする場合には、ヒータ463によるサセプタテーブル411の加熱を停止しただけでは、ウエハ600の温度上昇を抑制することは困難なことがあった。これに対し、本実施形態によれば、このような温度帯においても、ウエハ600の温度上昇をより確実に抑制することができる。なお、プラズマ処理中のウエハ温度を低温化させると、例えばエッチングの選択比を高めたり、形状制御を行ったりすることが容易となる。b本実施形態によれば、図2に例示したように、冷却液供給部の供給孔421aと排出部の排出孔422aとの間の流路420上に、1つ以上、好ましくは複数の仕切り423を設けている。仕切り423は、周壁411bの外周方向と交差するように設けられている。そして、周壁側仕切り423aと柱状部材424との間の隙間、及び柱状側仕切り423bと周壁411bとの間の隙間に、冷却液の流路420の折り返し点を構成するように配置されている。仕切り423をこのように配置することにより、冷却液は、流路420を蛇行しながらジグザグ状に流れることになる。すなわち、冷却液は、サセプタテーブル411の全域を網羅するように均等に流れることになる。その結果、サセプタテーブル411及びウエハ600の面内温度均一性を向上させ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。c本実施形態によれば、図5に例示したように、冷却液供給部の供給孔421aを、折り返し点から離れた位置に配置している。このような位置に冷却液供給部の供給孔421aを配置することで、折り返し点から離れた位置にも確実に冷却液を流すことが可能となる。その結果、サセプタテーブル411、及びウエハ600の面内温度均一性、すなわちプラズマ処理の面内均一性をさらに向上させることができる。d本実施形態によれば、図6に例示したように、排出部の排出孔422aを、折り返し点から離れた位置に配置している。このような位置に排出部の排出孔422aを配置することで、折り返し点から離れた位置にも確実に冷却液を流すことが可能となる。その結果、サセプタテーブル411、及びウエハ600の面内温度均一性、すなわちプラズマ処理の面内均一性をさらに向上させることができる。e本実施形態によれば、流路420に流す熱媒体として、気体よりも比熱が大きく熱伝導率が大きい液体冷却液を用いている。これにより、熱媒体として気体を用いた場合と比較して、サセプタテーブル411の冷却効率を飛躍的に高めることが可能となる。なお、熱媒体として気体を用いた場合、気体は比熱及び熱伝導率が比較的小さいことから、サセプタテーブル411を冷却させることが困難な場合がある。また、冷却用の気体を例えば数十~数百L/minの大流量で流す必要が生じるため、コストの増大を招いてしまう場合がある。f本実施形態では、図3に例示したように、流路420の底部412と仕切り423との間に、所定の高さの空隙426を設けることとしている。空隙426を設けることで、冷却液の流通が仕切り423によって過度に妨げられてしまうことを回避出来るようになる。すなわち、冷却液は流路420の底部412に溜まるが、本実施形態に係る空隙426は流路420の底部412付近に設けられていることから、冷却液の流路は常に確保されることになる。その結果、冷却液を淀みなく、かつ効率よく循環させることが可能となる。また、本実施形態によれば、折り返し点の隙間だけでなく、空隙426からも冷却液が流通することになるので、冷却液の流通によって仕切り423の端部に加わる圧力を大幅に低減することができ、冷却液の流通をより確実に確保できるようになる。また、冷却液の流速の変化を抑制することができ、冷却効率の面内均一性をより向上させることができる。その結果、サセプタテーブル411の全域、すなわちウエハ600の全面を均等かつ効率的に冷却させることが可能となる。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、仕切り423の配置は必ずしも上述の構成に限定されない。図4は、仕切り423と周壁411bとの好ましい位置関係の変形例を説明する図である。図4のaでは、柱状側仕切り423bにおける周壁411b側の端部と周壁411bとの距離a2が、周壁側仕切り423aにおける周壁411b側の端部と周壁411bとの距離a1よりも大きくなるように構成されている。また、図4のbでは、柱状側仕切り423bにおける周壁411b側の端部と周壁411bとの距離a2が、周壁側仕切り423aにおける周壁411b側の端部と周壁411bとの距離a1よりも小さくなるように構成されている。仕切り423をこのように配置することで、冷却液の大部分は、仕切り423を横切るたびに周壁411bあるいは柱状部材424側のいずれかを交互に切り替えながら流れることになり、流路420を蛇行しながらジグザグ状に流れることになる。すなわち、冷却液は、サセプタテーブル411の全域を網羅するように均等に流れることになる。その結果、サセプタテーブル411及びウエハ600の面内温度均一性を向上させ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。また例えば、冷却液としては水H2Oに限らず、不活性であって絶縁性を備え化学的に安定な他の液体を用いることができ、ガルデン登録商標やフロリナート登録商標等のフッ素系液体を用いることも可能である。また例えば、柱状部材424の位置は必ずしも上述の構成に限定されない。すなわち、柱状部材424は周壁411bに囲われる空間内の中心付近に設けられる場合に限らず、偏芯して設けられてもよい。また、流路420は必ずしも環状である場合に限定されず、らせん状等であってもよい。また、本発明は、ヒータ463によるウエハの加熱と冷却液を用いたサセプタ459の冷却とを並行して行う上述の実施形態に限定されず、冷却液を用いたサセプタ459の冷却のみを行う場合にも好適に適用可能である。すなわち、本発明は、プラズマによるウエハ600の温度上昇を抑制する目的で、ヒータ463によるウエハの加熱を行わずに、冷却液を用いたサセプタ459の冷却のみを行う場合にも好適に適用可能である。なお、本実施の形態では、サセプタ459が固定され、リフタピン413が昇降自在に構成されているが、本発明は上記構成に限らず、リフタピンが固定され、サセプタが昇降自在に構成されていてもよい。このような構成とすることにより、サセプタ支持部の内側にヒータ463に電力を供給するヒータ線等を格納することができ、ヒータ線等がプラズマや処理ガスに曝されることを防止することができる。結果としてサセプタの耐性を向上することができる。また、本発明に係る基板処理装置は、上述のプラズマ処理ユニットに適用される場合に限定されず、冷却可能に構成されたサセプタテーブル411基板支持台を備える成膜処理ユニット、拡散処理ユニット、酸化或いは窒化処理ユニット、アッシング処理ユニット等の他の枚葉式の基板処理装置にも好適に適用可能である。<本発明の好ましい態様>以下に、本発明の好ましい態様について付記する。本発明の一態様によれば、基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられている基板支持台が提供される。好ましくは、前記仕切りは前記周壁の外周方向と交差するように設けられる。また好ましくは、前記仕切りは前記流路内を流れる冷却液の流通方向と交差するように設けられる。また好ましくは、前記仕切りは複数設けられ、前記複数の仕切りのうち一の仕切りにおける前記周壁側の端部と前記周壁との距離と、前記一の仕切りに隣接する他の仕切りにおける前記周壁側の端部と前記周壁との距離と、が異なる。また好ましくは、前記周壁に囲われる空間内には柱状部材が設けられ、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間には、前記下蓋と接すると共に前記柱状部材と前記周壁との間を接続する内壁が設けられ、前記冷却液供給部の供給孔は前記仕切りと前記内壁との間に設けられており、前記仕切りの前記周壁側の端部と、前記周壁との距離を第1の距離とし、前記仕切りの前記柱状部材側の端部と、前記柱状部材との距離を第2の距離とし、前記仕切りの前記周壁側の端部と、前記冷却液供給部の供給孔との距離を第3の距離とし、前記仕切りの前記柱状部材側の端部と、前記冷却液供給部の供給孔との距離を第4の距離としたとき、前記第1の距離が前記第2の距離より短い場合、前記第3の距離は前記第4の距離より短くなるように構成され、前記第2の距離が前記第1の距離より短い場合、前記第4の距離は前記第3の距離より短くなるように構成され、前記第1の距離が前記第2の距離と等しい場合、前記第3の距離と前記第4の距離とが等しくなるように構成されている。また好ましくは、前記周壁に囲われる空間内には柱状部材が設けられ、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間には、前記下蓋と接すると共に前記柱状部材と前記周壁との間を接続する内壁が設けられ、前記排出部の排出孔は前記仕切りと前記内壁との間に設けられており、前記仕切りの前記周壁側の端部と前記周壁との距離を第1の距離とし、前記仕切りの前記柱状部材側の端部と前記柱状部材との距離を第2の距離とし、前記仕切りの前記周壁側の端部と前記排出部の排出孔との距離を第3の距離とし、前記仕切りの前記柱状部材側の端部と前記排出部の排出孔との距離を第4の距離としたとき、前記第1の距離が前記第2の距離より短い場合、前記第3の距離は前記第4の距離より短くなるように構成され、前記第2の距離が前記第1の距離より短い場合、前記第4の距離は前記第3の距離より短くなるように構成され、前記第1の距離が前記第2の距離と等しい場合、前記第3の距離と前記第4の距離とが等しくなるように構成されている。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ前記基板を支持する基板支持台と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記処理室内を排気する排気部と、を備えた基板処理装置であって、前記基板支持台は、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられており、前記プラズマ生成部によるプラズマ生成する間、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を行うよう制御する制御部を備える基板処理装置が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ前記基板を支持する基板支持台と、前記基板支持台により支持された前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記処理室内を排気する排気部と、を備えた基板処理装置であって、前記基板支持台は、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられており、前記プラズマ生成部によるプラズマ生成を開始させるとき、前記加熱部による前記基板の加熱を停止させると共に、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を開始させるように制御する制御部を備える基板処理装置が提供される。本発明の更に他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に設けられ、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられている基板支持台により前記基板を支持する工程と、前記処理室内に処理ガスを供給して排気すると共に、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程と、処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、前記処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程では、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を行う半導体装置の製造方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に設けられ、前記基板を支持する支持板と、前記支持板によって上端が閉塞され前記支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、前記周壁の下端を閉塞し前記流路の底部を構成する下蓋と、前記流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、前記流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、前記冷却液供給部の供給孔と前記排出部の排出孔との間に設けられた仕切りと、を備え、前記流路の底部と前記仕切りとの間に空隙が設けられている基板支持台により前記基板を支持する工程と、前記基板支持台により支持された前記基板を加熱部により加熱する工程と、前記処理室内に処理ガスを供給して排気すると共に、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程と、処理後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、前記処理ガスをプラズマ状態として前記基板を処理する工程では、前記加熱部による前記基板の加熱を停止すると共に、前記冷却供給部による冷却液の供給及び前記排出部による冷却液の排出を開始させる半導体装置の製造方法が提供される。"