基材と、前記基材上に形成された炭素含有層と、前記炭素含有層上に形成された炭素化合物層を有する基板に対してアニーリングを実施する工程を含むグラフェン膜の製造方法。前記基材は、Si、SiC、あるいはサファイアであることを特徴とする請求項1に記載のグラフェン膜の製造方法。前記炭素含有層は、加熱した基材に炭素、あるいは炭素化合物を供給することにより形成された炭素含有層、またはプラズマ状態の炭素を基板に供給することにより形成された炭素含有層であることを特徴とする請求項1または2に記載のグラフェン膜の製造方法。前記炭素含有層は、炭素の含有率xが05≦xであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のグラフェン膜の製造方法。前記炭素化合物層は、少なくともケイ素を含む炭素化合物層であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のグラフェン膜の製造方法。前記炭素化合物層は、CVD法を用いて形成された炭素化合物層、または熱、あるいはプラズマによる分解反応で形成された炭素化合物層であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のグラフェン膜の製造方法。前記アニーリングを実施する工程において、アニール温度を前記基材の融点以下とすることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載のグラフェン膜の製造方法。前記基材としてSi単結晶を用い、前記アニール温度を1200°C≦t<前記基材の融点の範囲内とすることを特徴とする請求項7に記載のグラフェン膜の製造方法。本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、均一で大面積のグラフェン膜を形成する製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成すべく、本発明者らは大面積で均一なグラフェン層を形成すべく検討を実施した。その結果、基材との格子不整合を緩和するために、基材表面に炭素含有層を形成し、さらに前記炭素含有層上に少なくともケイ素Siを含む炭素化合物を形成した後、アニールすることにより、均一で大面積のグラフェンが形成できることを見出した。本発明は、上記検討を基になされたもので、基材と、前記基材上に形成された炭素含有層と、前記炭素含有層上に形成された炭素化合物層を有する基板に対してアニーリングを実施する工程を含むグラフェン膜の製造方法を特徴とする。なお、グラフェン層とは単層のグラフェン膜又はグラフェン膜が複数積層されてなる多層膜構造などを総称したものであり、適用する素子の構造などに応じて適当な構成を採る。以上説明したように、本発明によれば、均一で大面積のグラフェン膜を形成することのできる製造方法を提供することができる。以下、本発明を、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。図1は、本実施形態のグラフェン構造の構成を示す図である。図1に示す基板1は、基材2と、この基材2上に形成された炭素含有層3と、この炭素含有層3上に形成された炭素化合物層4を含んでいる。本実施形態は、この基板1に対してアニーリングを実施することによりグラフェン膜5を形成したものである。炭素含有層3は、基材2と炭素化合物層4との格子定数差を補完するためのものであり、例えば炭素の含有率xが05≦xなる組成を有することができる。また、加熱した基板に炭素、あるいは炭素化合物を供給することにより形成することができるいわゆる炭化層。また、プラズマ状態の炭素を基板に供給することにより高い結晶性を有するように形成することもできる。炭素含有層3を有することによって、炭素化合物層4の結晶品質、さらには炭素化合物層4上に形成すべきグラフェン層5の結晶品質を向上させることができる。なお、炭素含有層3は、基材を構成する元素などの他にB、Ge、Zn、Al及びMgなどの添加元素を含むこともできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件などに依存して必然的に取り込まれる微量元素、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含むこともできる。炭素化合物層4はケイ素を含む。Si含有量については特に限定されるものではないが、全元素に対して50原子以下であることが好ましい。但し、炭素化合物層4は、Siの他に、B、Al、Ge、ZnおよびMgなどの添加元素を含むこともできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件などに依存して必然的に取り込まれる微量元素、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含むこともできる。なお、基材2によっては、炭素化合物層4にケイ素を含まない場合もある。炭素化合物層4は、上記要件を満足する限り公知の成膜手段を用いて形成することができる。例えば、化学蒸着法を用い、下地層3と同一バッチあるいは別バッチで形成することができる。また、熱、あるいはプラズマによる分解反応で形成することもできる。グラフェン層5は炭素化合物層4を形成した基板1をアニーリングすることで作製することが必要であり、具体的には前記基材の融点温度以下ではあるが、融点に近い温度で加熱することが好ましい。また、アニーリングにおいて、グラフェン層5形成後の降温は、Arなどの不活性ガスを導入するなど、出来るだけ速やかに降温することが好ましい。グラフェン層5はB、Si、Ge、Zn、AlおよびMgなどの添加元素を含むこともできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件などに依存して必然的に取り込まれる微量元素、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含むこともできる。グラフェン層5は炭素化合物層4上に形成させることが必要であるが、その程度は、炭素化合物層4の厚さをt4とし、グラフェン層5の厚さをt5とした場合において、t4/t5が10以上となるようにすることが好ましい。これによって、格子不整が存在してもグラフェン層5中に発生する欠陥をより効果的に低減できるようになる。炭素化合物層4は数100nmオーダの厚さを有するので、具体的にはグラフェン層5の厚さを数10nm以下に設定することが好ましい。さらに、グラフェン層5の構造について、単層のグラフェン層又はグラフェン層が複数積層されてなる多層膜構造など、アニール条件に応じて適当な構成を採る。特にアニールが短時間の場合に単層になり、長時間では多層膜構造になる。グラフェン層5は、上記要件を満足する限り公知のアニール手段を用いて形成することができる。例えば、高融点金属ヒータによる加熱方式、あるいは赤外線を用いた加熱方式などを用いることができる。また、Arガス雰囲気で大気圧とすることも可能であり、高真空中で行うこともできる。なお、基材2は、サファイア単結晶、Si単結晶、SiC単結晶などのIV族あるいはIVIV族単結晶、AlN単結晶などのIIIV族単結晶などの公知の基板材料から構成することができる。グラフェン層5を形成する時のアニール温度として、用いる基材の融点以下とし、例えばSi単結晶を用いる場合には、アニール温度は1200°C以上で、1400°C以下の範囲とすることが望ましい。以下、実施例により本発明を具体的に説明する。2インチ径のSi基板をフッ酸で前処理した後、CVD装置の中に設置した。H2ガス雰囲気中で基板を1100°Cまで昇温した後、常圧でプロパンC3H8ガスを流し、基板表面に厚さ50nm以下の炭化層を形成した。次いで、基板温度を1100°Cに保持したまま、圧力10Paとした後、シランSiH4及びプロパンガスを流して、前記炭素含有層上に厚さ600nmの3CSiC炭素化合物層を形成した。次いで、抵抗加熱方式のアニール装置に基板を導入し、Arガス雰囲気、常圧下、20°C秒の昇温速度で1250°Cまで加熱し、5分間保持した後、ガス流量を増して速やかに降温した。また、アニール温度として、1300°Cおよび1350°Cで同様のアニールを行った。次いで、アニール後の試料をラマン分光により結晶構造を調べた。この時、光源として532nmの波長の半導体レーザーを用いた。図2にアニール前後のラマンスペクトルを示す。1300°Cで加熱した試料において、Gピークと2Dピークが見られ、この2つのピークからグラフェン層が形成されていることが分かる。また、1250°Cで加熱した試料のピーク強度は弱く、さらに1350°Cに昇温した場合に強度が減少するなど強い温度依存性が見られた。さらに、前記試料の断面透過電子顕微鏡TEM観察を行った。図3にTEM写真を示す。写真からわずかな構造の乱れが見られるが、SiC表面に単層のグラフェン膜が形成されていることが分かる。