"主としてGa、InおよびOからなり、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有し、主にβ-Ga2O3型構造のGaInO3相とビックスバイト型構造のIn2O3相から構成され、かつ次式Aで定義されるX線回折ピーク強度比が15以下であり、密度が5.8g/cm3以上であることを特徴とする透明導電膜製造用焼結体ターゲット。In2O3相400/β-GaInO3相111×100[]A主としてGa、InおよびOからなり、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有し、主にβ-Ga2O3型構造のGaInO3相とビックスバイト型構造のIn2O3相とGa,In2O3相から構成され、かつ次式Aで定義されるX線回折ピーク強度比が15以下であり、かつ、次式Bで定義されるX線回折ピーク強度比が70以下であり、密度が5.8g/cm3以上であることを特徴とする透明導電膜製造用焼結体ターゲット。In2O3相400/β-GaInO3相111×100[]AGa,In2O3相による反射2θ=28°近傍/{In2O3相400β-GaInO3相111}×100[]B比抵抗値が9.0×101Ωcm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電膜製造用焼結体ターゲット。本発明は、以上のような最近の表示デバイスの技術的背景から、非晶質であって、かつ高仕事関数であって、可視域での屈折率が低く、摺動や曲げによる剥離、割れなどが起こりにくく、膜面が極めて平坦であり、さらには室温近傍で成膜可能な透明導電膜を製造するのに好適な透明導電膜製造用焼結体ターゲットを提供することを目的とする。本願発明者等は、前記課題を解決するため、透明導電膜製造用焼結体ターゲットを各種作製し、透明基板上に多くの酸化物膜を形成し、該酸化物膜の光学特性や非晶質膜の作製の容易さ等について調査を行った。その結果、主としてGa、InおよびOからなり、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有し、主にβ-Ga2O3型構造のGaInO3相とビックスバイト型構造のIn2O3相から構成され、かつ次式Aで定義されるX線回折ピーク強度比が15以下であり、密度が5.8g/cm3以上であることを特徴とする透明導電膜製造用焼結体ターゲットIn2O3相400/β-GaInO3相111×100[]Aを用いることによって好適な透明導電膜が得られることを見出し、本願発明に至った。すなわち、本発明による透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、主としてGa、InおよびOからなり、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有し、主にβ-Ga2O3型構造のGaInO3相とビックスバイト型構造のIn2O3相以下、特に断らない限り、β-GaInO3相、In2O3相と略すから構成され、かつ次式Aで定義されるX線回折ピーク強度比が15以下であり、さらに密度が5.8g/cm3以上であることを特徴とする。In2O3相400/β-GaInO3相111×100[]Aまた、本発明による透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、好ましくは、比抵抗値が9.0×101Ωcm以下であることを特徴とする。上記焼結体ターゲットを用いて製造される透明導電膜は、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有し、かつ仕事関数が5.1eV以上であることを特徴とする。また、上記透明導電膜は、好ましくは、波長633nmにおける屈折率が1.65以上1.85以下であることを特徴とする。また、上記透明導電膜は、好ましくは、比抵抗値が1.0×102~1.0×108Ωcmであることを特徴とする。また、上記透明導電膜は、好ましくは、算術平均高さRaが2.0nm以下、好ましくは1.0nm以下であることを特徴とする。上記透明導電膜を用いる透明導電性基材は、ガラス板、石英板、樹脂板および樹脂フィルムから選ばれた透明基板の片面もしくは両面に、上記いずれかの透明導電膜を形成してなることを特徴とする。また、上記透明導電性基材は、好ましくは、樹脂板および樹脂フィルムから選ばれた透明基板の片面もしくは両面上に、少なくとも一層以上のガスバリア膜、ならびに上記いずれかの透明導電膜を順に形成してなることを特徴とする。また、上記透明導電性基材は、好ましくは、ガスバリア膜として、窒化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンから選ばれた、いずれか1種類以上の膜が含まれることを特徴とする。本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、仕事関数が5.1eV以上であり、好適な光学特性や導電性を有する透明導電膜を得るために、主としてGa、InおよびOからなり、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有し、主にβ-Ga2O3型構造のGaInO3相とビックスバイト型構造のIn2O3相から構成され、かつ次式Aで定義されるX線回折ピーク強度比が15以下であり、密度が5.8g/cm3以上であり、In2O3相400/β-GaInO3相111×100[]Aさらには、比抵抗値が9.0×101Ωcm以下である。したがって、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲット、および本発明の焼結体ターゲットを用いて製造される該透明導電膜、それを形成した透明導電性基材は、今後も多岐に広がる表示デバイスの各用途に有用である。また、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットを用いて製造される透明導電膜は、主としてGa、InおよびOからなる非晶質酸化物膜透明導電膜であって、かつGaを全金属原子に対して49.1以上65原子以下含有し、仕事関数が5.1eV以上であり、波長633nmにおける屈折率1.65以上1.85以下であって、さらには比抵抗値が1.0×102~1.0×108Ωcmである透明導電膜である。すなわち、該透明導電膜は、従来得られていなかった、高仕事関数ならびに可視域における低屈折率を有し、さらには非晶質膜特有の割れにくさや、算術平均高さの低さといった優れた特徴を併せ持っている。また、室温近傍で成膜可能であり、工業的にも利用価値が高い。次に、本発明の実施の形態を示すが、本発明は下記例に限定されるものではない。本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、主としてGa、InおよびOからなり、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有し、主にβ-Ga2O3型構造のGaInO3相とビックスバイト型構造のIn2O3相から構成され、かつ次式Aで定義されるX線回折ピーク強度比が15以下であり、密度が5.8g/cm3以上であることを特徴とする。In2O3相400/β-GaInO3相111×100[]Aまた、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、好ましくは、比抵抗値が9.0×101Ωcm以下であることを特徴とする。ここで、In2O3相は酸素欠損が導入されたものでもよく、Inの一部にGaが置換されたものでもよい。またGa/In原子数比が化学量論組成から多少ずれたものでもよく、β-GaInO3相は酸素欠損が導入されたものでもよい。上記のようなGa組成範囲外になると、形成された非晶質膜がターゲットと同じ組成になった場合、高い仕事関数と低い屈折率を実現することができない。ただし、成膜条件によってターゲット組成と非晶質組成がほぼ同等とならない場合は、この限りではない。また、本発明のターゲットは、In2O3相の占める割合が少ないほうが好ましい。すなわち、上式Aで定義される、X線回折におけるβ-GaInO3相の111反射とIn2O3相の400反射のピーク強度比回折ピークの面積強度比が45以下であることが好ましい。さらに、より好ましくは15以下であることが好ましい。このピーク強度比が45を超える場合、上記組成範囲内であっても、2.0~2.2の高い屈折率を示すIn2O3相による影響が大きくなり、5.1eV以上の高い仕事関数、ならびに1.65以上1.85以下の低い屈折率を実現することができない。なお、JCPDSカードASTMカードによれば、X線回折におけるβ-GaInO3相ならびにIn2O3相の主ピークは、それぞれ111反射および222反射によるが、In2O3相222反射はβ-GaInO3相002反射と重なるため、In2O3相に関しては、次に強度の高い400反射で評価している。非特許文献3には、特に、Ga2O3:In2O3=1:1のβ-GaInO3相を作製する場合に、未反応のIn2O3相が残りやすいことが記載されている。In2O3相は、4.8~4.9eVの低い仕事関数ならびに2.0~2.2の高い屈折率を示すため、透明導電膜製造用焼結体ターゲットに含まれた場合、それを用いて成膜した膜の仕事関数は低くなり、そして屈折率も高くなってしまう。本発明では、上記透明導電膜製造用焼結体ターゲット中に、この未反応のIn2O3相が生成することを抑制するべく、原料粉末、混合条件、および焼結条件の検討を行った。すなわち、常圧焼結法を用いる場合、原料粉末は、純度3N以上が好ましく、また解砕によって平均粒径は3μm以下に調整されていることが好ましい。配合粉末、有機バインダおよび分散剤などは均一な状態が得られるまで混合することが好ましい。成形には、均一な応力をかけることが可能な、静水圧プレスなどを用いることが好ましい。焼結温度は1250°C以上1400°C以下、焼結時間は12時間以上とすることが好ましく、酸素気流中で焼結すればなお好ましい。なお、上記の条件は、常圧焼結の場合に好ましい条件であり、ホットプレス法などの加圧焼結法を用いる場合はその限りではない。また、本発明の透明導電膜製造用焼結ターゲットの作製工程において、原料粉末の解砕後の平均粒径や焼結条件などによっては、GaInO3相とは異なるGa,In2O3相や不可避生成相のGa2O3相が生成する場合がある。本発明の焼結ターゲットは、主にβ-GaInO3相とIn2O3相からなるが、上記のGa,In2O3相が、次式Bで定義されるX線回折強度比で70以下であれば含まれていても良い。Ga,In2O3相による反射2θ=28°近傍/{In2O3相400β-GaInO3相111}×100[]BここでGa,In2O3相による反射2θ=28°近傍と記述しているが、それは、JCPDSカードASTMカードによれば、Ga,In2O3相の結晶構造と面指数は特定されておらず、面間隔とX線回折相対強度比のみが特定されているためである。上式Bで70を超えるGa,In2O3相を含む透明導電膜製造用焼結体ターゲットを用いた場合でも、形成された非晶質透明導電膜は5.1eV以上の高い仕事関数、および1.65以上1.85以下の低い屈折率を示す。しかし、Ga,In2O3単相の焼結体は5~10Ωcm程度の高い比抵抗を示すため、透明導電膜製造用焼結体ターゲット中に上式で70を超える量のGa,In2O3相が含まれると、成膜速度が低下し、生産性が悪くなる。したがって、上式でGa,In2O3相の含有率は70以下であることが好ましい。なお、Ga2O3等未反応物などの不可避不純物については、X線回折でピークが観測されない程度であれば含まれていても良い。また、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、焼結体の密度が5.8g/cm3以上であることが好ましい。焼結体の密度が5.8g/cm3未満である場合、スパッタリングにおける異常放電の発生頻度が高まり、結果として良質の低屈折率の非晶質透明導電膜を得ることができない。他に、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、比抵抗値が9.0×101Ωcm以下であることが好ましい。比抵抗値が上記値を超える場合、DCマグネトロンスパッタリングが可能であっても、成膜速度が低下するため、生産性が低くなる。これらの条件を満足しない透明導電膜製造用焼結体ターゲットで成膜を行った場合、5.0eVを超える高い仕事関数を示す非晶質透明導電膜を得ることができない。さらに特許文献6および非特許文献2に記載されているように、導電性をほとんど示さないGa2O3膜を除き、1.85を超える高い屈折率の非晶質膜のみしか得ることができず、しかも生産性も低くなる。さらには、波長633nmにおける屈折率が1.85を越えると、反射率が大きくなってしまい、光透過率が低下してしまう。また、屈折率1.65未満であることは、光透過性に優れていると言うことができて好ましいが、本発明では、このような低い屈折率は得られていない。本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットを用いて製造される透明導電膜は、主としてGa、InおよびOからなり、非晶質酸化物膜透明導電膜であって、Gaを全金属原子に対して49.1原子以上65原子以下含有することが好ましい。Ga量49.1原子未満では、仕事関数は低く、そして屈折率は高くなり、従来の透明導電膜と同等になってしまう。また、Ga量が65原子を超えた場合には、透明電極として用いるのに必要な導電性が十分得られなくなってしまう。また、仕事関数ならびに屈折率は、同一組成であっても、薄膜形成源である焼結体ターゲットの構成相によって影響を受ける。前記式Aで示したIn2O3相400ピーク強度比が45より高い場合、透明導電膜の仕事関数が5.1eVより低くなり、また屈折率が1.85を超えてしまい、従来の透明導電膜と同等になってしまう。また、比抵抗値は、成膜時に非晶質膜中に導入する酸素量に依存するが、1.0×102~1.0×108Ωcmの範囲で比抵抗値の制御が可能である。さらに多量の酸素を導入すれば、絶縁膜とすることも可能である。上記範囲であれば、透明電極や帯電防止フィルムなど広範囲な応用が可能であるが、この範囲を外れると、特殊な用途に限られてしまう。また、透明導電膜は、算術平均高さRaが2.0nm以下であることが好ましい。ここで、算術平均高さRaは、JISB0601-2001の定義に基づいている。算術平均高さRaが2.0nmを超えていると、有機ELなど、膜面の平坦性が要求される用途において好ましくない。透明導電膜を成膜する方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。生産性などの理由を考慮すれば、直流プラズマを用いたマグネトロンスパッタリング法DCマグネトロンスパッタリング法が好ましい。イオンプレーティング法の場合、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットと同様の製造方法で得られたペレットを蒸発源として用いることにより、透明導電膜を得ることができる。基板には、ガラス板、石英板、樹脂板および樹脂フィルムから選ばれた透明基板を用いることが好ましいが、表示デバイス用基板であればこの限りではない。スパッタリング法、イオンプレーティング法を用いて透明導電膜を作製する場合、仕事関数が高く、屈折率の低い非晶質透明導電膜を得るためには、本発明のターゲットを用いることが重要である。透明導電性基材は、透明基板の片面もしくは両面上に、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットを用いて製造される透明導電膜を形成してなる。表示デバイスがガスバリア性を必要とする場合は、透明導電性基材にガスバリア機能を付与するため、透明基板と透明導電膜の間に、少なくとも一層以上のガスバリア膜を形成することが好ましい。ガスバリア膜には、窒化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンのうち、いずれか1種類以上を含むことが好ましい。また、ガスバリア膜には、無機膜に限らず、有機膜を含んでもよい。透明導電膜は、5.1eVを超える仕事関数を示し、波長633nmにおいて1.65以上1.85以下の低い屈折率を示すという特長を有することから、この特長を活かせる用途であれば、透明電極以外への応用も可能である。例えば、電気抵抗が高くてもよい帯電防止膜や、絶縁膜でもよい単なる光学薄膜としての応用が可能である。実施例2及び比較例8~9純度4NのGa2O3粉末およびIn2O3粉末を、それぞれ平均粒径3μm以下にボールミル解砕して調整した。その後、Ga/GaInで表されるGaが50原子となるよう配合し、有機バインダ、分散剤ならびに可塑剤とともにボールミルによって48時間混合し、スラリーを作製した。続いて、得られたスラリーを、スプレードライヤーによって噴霧乾燥し、造粒粉末を作製した。次に、得られた造粒粉末をゴム型に入れ、静水圧プレス機によって191mmφ厚さ約6mmの成形体を作製した。同様にして得られた成形体を酸素気流中、それぞれ1250°C比較例8、1350°C実施例2、1400°C比較例9で、20時間、常圧焼結した。各焼結体に円周加工ならびに表面研削加工を施し、直径約6inch、厚さ約5mmの形状にした。ICP発光分光分析法セイコーインスツルメンツ製SPS4000使用で求めた焼結体のGa量、純水を用いてアルキメデス法東洋精機製作所製高精度自動比重計使用で測定した密度、四端子法三菱化学製LORESTA-IP、MCP-T250使用で測定した比抵抗、ならびにX線回折理学電機工業製、CuKα線使用によって得られたIn2O3相400/β-GaInO3相111ピーク強度比、を図1に示した表にまとめた。また、図2には実施例2の焼結温度1350°Cで得た焼結体のCuKα線によるX線回折パターンを示した。次に、これらの焼結体を冷却銅板にボンディングし、透明導電膜製造用焼結体ターゲットとして用いた。スパッタリング装置は、アネルバ製特SPF-530Hを使用した。基板にはコーニング社7059基板と屈折率測定用のSi基板コマツ電子金属製を用い、ターゲット面と平行になるように配置した。基板-ターゲット間距離は60mmとした。スパッタリングガスはArとO2からなる混合ガスとし、酸素の比率を1.5、全ガス圧を0.5Paに設定した。投入電力は200Wとした。以上の条件でDCマグネトロンスパッタリングによる室温成膜を行った。放電は安定し、アーク放電の発生など、異常は確認されなかった。成膜時間を調整し、膜厚200nmの透明導電膜を得た。図3に実施例2の1350°Cで焼結したターゲットを用いて成膜した薄膜のX線回折図を示す。明確なピークはなく、非晶質膜であることが確認された。他のターゲットで成膜した膜でも同様に非晶質であった。図1に、各ターゲットで成膜した膜のICP発光分光分析法で求めた組成、屈折率エリプソメータ:溝尻光学工業所製DHA-XA使用、比抵抗、算術平均高さRa原子間力顕微鏡:DigitalInstruments製NanoscopeIII使用、ならびに仕事関数光電子分光装置:理研計器製AC-2使用の測定結果を示した。実施例5~6及び比較例10Ga/GaInで表されるGa量を49.5比較例10、55実施例5、65実施例6原子に変更して、実施例2と同様の条件にてターゲットを作製し、成膜を行った。実施例2と同様、異常な放電は確認されなかった。図1に、実施例2と同様、ターゲットならびに薄膜について調べた結果を示した。また、得られた薄膜の構造をX線回折によって調べたところ、実施例2と同様、全て非晶質膜であった。実施例7基板温度を200°Cに変更して、実施例2と同様の成膜を行った。基板温度を200°Cに上げたにもかかわらず、実施例2,5~6と同様、得られた膜は非晶質膜であることが、X線回折によって確認された。図1に、この膜の諸特性を示した。実施例8,9スパッタガス中の酸素の比率を3.0および5.0に変更して、実施例6と同様の成膜を行った。実施例2,5~7と同様、得られた膜は非晶質膜であることが、X線回折によって確認された。図1に、この膜の諸特性を示した。実施例10片面ハードコート付きの厚さ125μmのPETフィルムに、実施例2と同様の条件で厚さ50nmの膜を室温で成膜し、ペン摺動耐久性試験で評価した。ポリアセタール製のペン先端の形状:0.8mmRに5.0Nの荷重をかけ、10万回往復5万回の直線摺動試験を、上記透明導電膜付きPETフィルム基板に行った。この時の摺動距離は30mm、摺動速度は60mm/秒とした。この摺動耐久性試験後に、目視および実体顕微鏡によって観察したが、摺動部の白化や膜の剥離、割れは認められなかった。比較例1~3Ga/GaInで表されるGaを40.0、49.0および66原子に変更した以外は実施例2と同条件として、透明導電膜製造用焼結体ターゲットを作製した。図1に、焼結体の密度、比抵抗、ならびにX線回折によって得られたIn2O3相400/β-GaInO3相111ピーク強度比を示した。次に、これらの焼結体ターゲットを用いて、実施例2と同様の方法で成膜した。成膜時に、異常な放電は発生しなかった。得られた膜の構造をX線回折で調べたところ、いずれも非晶質であった。図1に、これらの膜の諸特性を示した。比較例4、5実施例2と同様の焼結体ターゲットを、焼結温度1100ならびに1200°Cに変更して作製した。図1に、焼結体の相対密度および比抵抗を示した。なお、X線回折によって構造解析を行ったところ、焼結温度1100°Cの場合、β-GaInO3相はほとんど生成せず、Ga,In2O3相とIn2O3相のみが生成していた。したがって、In2O3相400/β-GaInO3相111ピーク強度比を求めることができなかった。なお、In2O3相400のピーク強度は実施例2より高く、多量のIn2O3相が生成していることが明らかであった。また、焼結温度1200°Cでは、β-GaInO3相、Ga,In2O3相、ならびにIn2O3相の3相が生成していた。図1に、1200°CのIn2O3相400/β-GaInO3相111ピーク強度比のみを示した。焼結温度1100°Cのターゲットを用いて成膜したところ、成膜中にアーク放電が頻発した。焼結温度1200°Cのターゲットを用いた場合でも、1100°Cほどではないが、アーク放電は多発した。すなわち、1100°Cならびに1200°Cで焼結した、密度が5.8g/cm3未満のターゲットを用いた場合、スパッタ成膜中にアーキングが多発してしまい、膜の破損や成膜速度の変動が大きい等の問題が生じるなど、安定した成膜ができない問題が生じた。得られた膜はX線回折による構造解析の結果、いずれも非晶質膜であった。図1に、これらの膜の諸特性を示した。比較例6スパッタガス中の酸素の比率を6.0に変更して、実施例8,9と同様の成膜を行った。実施例8,9と同様、得られた膜は非晶質膜であることが、X線回折によって確認された。図1に、この膜の諸特性を示した。比較例7実施例10と同様の基板に、ITO10wtSnO2ターゲットを用いて、酸素比率2.0に変更した点を除けば、実施例2と同様の要領で室温にて成膜した。AFM原子間力顕微鏡:DigitalInstruments製NanoscopeIII使用によって膜の表面観察を行ったところ、非晶質中に10nm前後の突起状の結晶相が認められた。このITO膜付きフィルム基板で、実施例10と同様の直線摺動試験を行った。試験後に、目視および実体顕微鏡によって観察したところ、摺動部の白化ならびに膜の剥離、割れが認められた。評価図1の実施例2,5~9の結果から、主としてGa、InおよびOからなり、かつGa/GaInで表されるGaを49.1原子以上65原子以下含有する本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットを用いて製造された透明導電膜の特徴がわかる。すなわち、該膜は、仕事関数が5.1eV以上と高く、波長633nmにおける屈折率が1.65以上1.85以下と低く、比抵抗値が9.0×101Ωcm以下であって、算術平均高さRaが2.0nm以下の膜面が極めて平坦な、表示デバイスとして必要にして十分な特性を有する。同様に、実施例2,5~9の結果から、主としてGa、InおよびOからなり、かつGa/GaInで表されるGaを49.1原子以上65原子以下含有する本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットの特徴がわかる。すなわち、次式Aで定義されるX線回折ピーク強度比が15以下であり、さらに密度が5.8g/cm3以上、比抵抗値が9.0×101Ωcm以下であって、上記透明導電膜を得るために必要にして十分な特性を有する。In2O3相400/β-GaInO3相111×100[]A特に、実施例2,5~6から、密度が6.2g/cm3以上の透明導電膜製造用ターゲットを用いて、室温成膜を行った場合、仕事関数は5.2eV以上であり、かつ波長633nmにおける屈折率は、1.7以上1.8以下の範囲にあることがわかる。比較例1~3から、Ga/GaInで表されるGaが49.1原子以上65原子以下とする本発明の透明導電膜の組成範囲をはずれた場合、本来の特徴が発揮されないことがわかる。すなわち、Gaが49.1原子未満、もしくは65原子を超えた場合には、仕事関数は5.1eV未満となり、屈折率は1.85を超えてしまう。また、比較例4,5から、上記定義の透明導電膜製造用焼結体ターゲットのX線ピーク強度比が45を超えた場合、そのターゲットを用いて作製した膜は、上記組成範囲内であっても、仕事関数は5.1eV未満となり、屈折率は1.85を超えてしまう。比較例6から、過剰な酸素を導入して成膜した場合、比抵抗値が1.0×102~1.0×108Ωcmの範囲を超えた高い抵抗となってしまう。しかし、導電性を必要とせず、光学用途でのみ用いる場合、この膜は有用である。実施例10と比較例7の比較から、本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットを用いて製造される透明導電膜が、従来のITO膜と比較して、外部からの力学的作用に対して劣化しにくい膜であることが実証された。すなわち、本発明による透明導電膜製造用焼結体ターゲットを用いて作製した透明導電膜は、タッチパネルや電子ペーパーなどの表示デバイスに必要にして十分な特性を有することが明らかとなった。"