所定の波長のテラヘルツ波を通過させる波長フィルターと、前記波長フィルターを通過した前記所定の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部と、を備え、前記波長フィルターは、テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とするテラヘルツ波検出装置。前記波長フィルターは、前記金属層の前記入射面の表面および前記誘電体部の前記入射面側の表面に設けられ、かつ誘電体で構成された誘電体層を有する請求項1に記載のテラヘルツ波検出装置。前記誘電体層の比誘電率は、50以上である請求項2に記載のテラヘルツ波検出装置。前記誘電体層を構成する前記誘電体は、金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物のうちの少なくとも1つを含む請求項2または3に記載のテラヘルツ波検出装置。前記誘電体層を構成する前記誘電体含まれる前記金属は、元素周期表の第3族、第4族および第5族のうちのいずれかに属するものである請求項4に記載のテラヘルツ波検出装置。前記誘電体部の比誘電率は、50以上である請求項1ないし5のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。前記誘電体部を構成する前記誘電体は、金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物のうちの少なくとも1つを含む請求項1ないし6のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。前記誘電体部を構成する前記誘電体に含まれる前記金属は、元素周期表の第3族、第4族および第5族のうちのいずれかに属するものである請求項7に記載のテラヘルツ波検出装置。前記波長フィルターは、前記金属層の前記出射面側に設けられた基板を有する請求項1ないし8のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。前記孔部の前記入射面の法線方向からの平面視での形状は、円形であり、前記孔部は、前記円形の直径をd、前記入射面の法線方向からの平面視における隣り合う2つの前記孔部の前記円形の中心間距離をsとしたとき、下記式1を満足するよう設けられている請求項1ないし9のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。0.25≦d/s<11前記金属層の前記入射面の法線方向に沿った厚さは、前記所定のテラヘルツ波の波長以下である請求項1ないし10のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。隣り合う2つの前記孔部の前記所定のピッチは、前記所定のテラヘルツ波の波長と同一の長さである請求項1ないし11のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。前記波長フィルターは、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第1のピッチで設けられる第1の領域と、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第2のピッチで設けられる第2の領域と、を有する請求項1ないし12のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。前記波長フィルターは、複数の単位領域を有しており、前記複数の単位領域は、それぞれ、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第1のピッチで設けられる第1の領域と、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第2のピッチで設けられる第2の領域と、を有する請求項1ないし12のいずれかに記載のテラヘルツ波検出装置。前記検出部は、前記波長フィルターの前記第1の領域および前記第2の領域に対応してそれぞれ設けられ、当該領域を通過したテラヘルツ波を熱に変換して検出する複数の単位検出部を有する請求項13または14に記載のテラヘルツ波検出装置。所定の波長のテラヘルツ波を透過させるテラヘルツ波長フィルターであって、テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とするテラヘルツ波長フィルター。テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、前記テラヘルツ波発生装置から出射して対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像生成部と、を備え、前記テラヘルツ波検出装置は、所定の波長のテラヘルツ波を通過させる波長フィルターと、前記波長フィルターを通過した前記所定の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部と、を備え、前記波長フィルターは、前記テラヘルツ波発生装置から出射した前記テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する、複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とするイメージング装置。テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、前記テラヘルツ波発生装置から出射して対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、を備え、前記テラヘルツ波検出装置は、所定の波長のテラヘルツ波を通過させる波長フィルターと、前記波長フィルターを通過した前記所定の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部と、を備え、前記波長フィルターは、前記テラヘルツ波発生装置から出射した前記テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する、複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とする計測装置。本発明の目的は、従来技術に対して小型化が可能なテラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波長フィルター、イメージング装置および計測装置を提供することにある。このような目的は、下記の本発明により達成される。本発明のテラヘルツ波検出装置は、所定の波長のテラヘルツ波を通過させる波長フィルターと、前記波長フィルターを通過した前記所定の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部と、を備え、前記波長フィルターは、テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とする。これにより、従来よりも小型化が可能なテラヘルツ波検出装置を提供することができる。すなわち、波長フィルターにおいて、誘電体部により誘電体部に入射したテラヘルツ波が圧縮され、その波長が短くなる。これにより、波長フィルターを透過させる所定の波長のテラヘルツ波よりも短い波長に対して波長フィルターを設計することができるため、波長フィルターの面積を小さくすることができ、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記波長フィルターは、前記金属層の前記入射面の表面および前記誘電体部の前記入射面側の表面に設けられ、かつ誘電体で構成された誘電体層を有することが好ましい。これにより、所定の波長のテラヘルツ波をより確実に精度良く検出することができる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記誘電体層の比誘電率は、50以上であることが好ましい。これにより、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記誘電体層を構成する前記誘電体は、金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物のうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。これにより、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記誘電体層を構成する前記誘電体含まれる前記金属は、元素周期表の第3族、第4族および第5族のうちのいずれかに属するものであることが好ましい。これにより、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記誘電体部の比誘電率は、50以上であることが好ましい。これにより、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記誘電体部を構成する前記誘電体は、金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物のうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。これにより、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記誘電体部を構成する前記誘電体に含まれる前記金属は、元素周期表の第3族、第4族および第5族のうちのいずれかに属するものであることが好ましい。これにより、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記波長フィルターは、前記金属層の前記出射面側に設けられた基板を有することが好ましい。これにより、波長フィルターの構造的な強度が向上し、テラヘルツ波長検出装置の信頼性を向上させることができる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記孔部の前記入射面の法線方向からの平面視での形状は、円形であり、前記孔部は、前記円形の直径をd、前記入射面の法線方向からの平面視における隣り合う2つの前記孔部の前記円形の中心間距離をsとしたとき、下記式1を満足するよう設けられていることが好ましい。0.25≦d/s<11これにより、所定の波長のテラヘルツ波を精度良く検出することができる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記金属層の前記入射面の法線方向に沿った厚さは、前記所定のテラヘルツ波の波長以下であることが好ましい。これにより、所定の波長のテラヘルツ波を精度良く検出することができる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、隣り合う2つの前記孔部の前記所定のピッチは、前記所定のテラヘルツ波の波長と同一の長さであることが好ましい。これにより、所定の波長のテラヘルツ波を精度良く検出することができる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記波長フィルターは、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第1のピッチで設けられる第1の領域と、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第2のピッチで設けられる第2の領域と、を有することが好ましい。これにより、複数の所定の波長のテラヘルツ波を検出することができる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記波長フィルターは、複数の単位領域を有しており、前記複数の単位領域は、それぞれ、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第1のピッチで設けられる第1の領域と、複数の前記孔部が前記入射面の法線に垂直な方向に沿って第2のピッチで設けられる第2の領域と、を有することが好ましい。これにより、複数の所定の波長のテラヘルツ波を検出することができる。本発明のテラヘルツ波検出装置では、前記検出部は、前記波長フィルターの前記第1の領域および前記第2の領域に対応してそれぞれ設けられ、当該領域を通過したテラヘルツ波を熱に変換して検出する複数の単位検出部を有することが好ましい。これにより、複数の所定の波長のテラヘルツ波を検出することができる。本発明のテラヘルツ波長フィルターは、所定の波長のテラヘルツ波を透過させるテラヘルツ波長フィルターであって、テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とする。これにより、従来よりも小型化が可能なテラヘルツ波長フィルターを提供することができる。本発明のイメージング装置は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、前記テラヘルツ波発生装置から出射して対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像生成部と、を備え、前記テラヘルツ波検出装置は、所定の波長のテラヘルツ波を通過させる波長フィルターと、前記波長フィルターを通過した前記所定の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部と、を備え、前記波長フィルターは、前記テラヘルツ波発生装置から出射した前記テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する、複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とする。これにより、従来よりも小型化が可能なイメージング装置を提供することができる。本発明の計測装置は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、前記テラヘルツ波発生装置から出射して対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、を備え、前記テラヘルツ波検出装置は、所定の波長のテラヘルツ波を通過させる波長フィルターと、前記波長フィルターを通過した前記所定の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部と、を備え、前記波長フィルターは、前記テラヘルツ波発生装置から出射した前記テラヘルツ波が入射する入射面と前記所定の波長のテラヘルツ波が出射する出射面とを連通する、複数の孔部を有する金属層と、前記複数の孔部に充填され、かつ誘電体で構成された誘電体部と、を備え、前記複数の孔部は、前記入射面の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで設けられていることを特徴とする。これにより、従来よりも小型化が可能な計測装置を提供することができる。以下、本発明のテラヘルツ波検出装置、イメージング装置および計測装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。<第1実施形態>図1は、本発明のテラヘルツ波検出装置の第1実施形態を摸式的に示す斜視図である。図1に示すテラヘルツ波検出装置1は、テラヘルツ波の所定の周波数成分、すなわち、所定の波長のテラヘルツ波を検出する装置である。なお、所定の波長とは、後述の検出部3でその強度を検出しようとする波長である。このテラヘルツ波検出装置1は、所定の波長のテラヘルツ波を通過させる波長フィルター2と、波長フィルター2を通過した前記所定の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部3とを有している。また、テラヘルツ波検出装置1において、波長フィルター2と検出部3との位置関係は、固定されている。例えば、波長フィルター2と検出部3とが一体化されている。なお、テラヘルツ波とは、周波数が、100GHz以上、30THz以下の電磁波、特に、300GHz以上、3THz以下の電磁波を言う。テラヘルツ波検出装置1の波長フィルター2は、基板4と、基板4のテラヘルツ波の入射側に設けられ、複数の孔部貫通孔51を有する金属膜金属層5と、各孔部51に充填され、誘電体で構成された充填材誘電体部6とを備えている。金属膜5は、テラヘルツ波が入射する入射面52≪※図示して符号をつけてください≫と、金属膜5を透過したテラヘルツ波が出射する出射面53≪※図示して符号をつけてください≫とを有しており、複数の孔部51は入射面52と出射面53とを連通して接続するように設けられている。基板4は、金属膜5のテラヘルツ波の出射側に設けられている。基板4の形状は、特に限定されず、その厚さ方向からの平面視での形状は、例えば、四角形等の多角形、円形、楕円形等が挙げられる。なお、図示の構成では、基板4の厚さ方向から平面視での形状は、四角形をなしている。また、基板4の寸法は、特に限定されず、用途や諸条件に応じて適宜設定されるが、基板4の1辺の長さは、1μm以上、10cm以下であることが好ましく、10μm以上、1cm以下であることがより好ましい。また、基板4の厚さは、10nm以上、10cm以下であることが好ましく、100nm以上、1cm以下であることがより好ましい。また、基板4の構成材料としては、金属以外のものを用いることができ、例えば、各種樹脂材料、シリカ等の絶縁体や、半導体等が挙げられる。なお、基板4は、絶縁性を有していることが好ましい。基板4を設けることにより、波長フィルター2の構造的な強度が向上し、信頼性を向上させることができる。金属膜5の外形形状は、基板4の外形形状に対応している。また、金属膜5に形成された各孔部51は、2次元的に配置され、規則的に並んでいる。各孔部51の形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、四角形等の多角形、直線状、曲線状、折れ線状等が挙げられる。なお、図示の構成では、孔部51の形状は、円形であり、以下、孔部51の条件について、代表的に、孔部51の形状が円形の場合について説明する。各孔部51は、入射面52の法線方向からの平面視における隣り合う2つの孔部51の中心間距離が、波長フィルター2を通過させるテラヘルツ波の波長以下、通過波長とも言うに応じて設定されている。すなわち、各孔部51は、入射面52の法線に垂直な方向に沿って所定のピッチで周期的に配列されて設けられている、とも言える。隣り合う2つの孔部51の中心間距離は、通過波長と同一に設定されている。これにより、所定の波長のテラヘルツ波を精度良く通過させることができ、検出部3により、所定の波長のテラヘルツ波を精度良く検出することができる。また、図示の構成では、各孔部51は、隣り合う2つの孔部51の中心同士を結ぶ3つの直線511で正三角形が形成され、各正三角形が規則的に配列されるように配置されている。すなわち、各孔部51は、正三角形の格子状に配置されている。また、各孔部51は、孔部51の直径をd、隣り合う2つの孔部51の中心間距離孔部51のピッチをsとしたとき、下記式1を満足するよう設けられていることが好ましい。0.25≦d/s<11d/sが0.25よりも小さいと、他の条件によっては、テラヘルツ波が金属膜5を通過することができない。また、d/sが1以上であると、隣り合う2つの孔部51同士が接触または連通してしまう。また、d/sが0.25のときが、波長フィルター2の精度が最も良く、d/sが大きいほど精度が悪くなる。なお、d/sは、0.25以上、1未満であることがより好ましく、0.25以上、0.5以下であることがさらに好ましい。また、孔部51の直径dは、小さいほど精度が良いので、前記式1を満たす範囲内で、より小さく設定されることが好ましい。なお、具体的には、孔部51の直径dは、0.1μm以上、3mm未満であることが好ましく、1μm以上、300μm未満であることがより好ましく、10μm以上、30μm未満であることがさらに好ましい。また、隣り合う2つの孔部51の中心間距離sは、0.1μm以上、3mm以下であることが好ましく、1μm以上、300μm以下であることがより好ましく、10μm以上、30μm以下であることがさらに好ましい。また、金属膜5の厚さ入射面52の法線方向の長さは、波長フィルター2を通過させるテラヘルツ波の波長以下であることが好ましい。これにより、所定の波長のテラヘルツ波を精度良く検出することができる。具体的には、金属膜5の厚さは、3mm以下であることが好ましく、1mm以下であることがより好ましく、100μm以下であることがさらに好ましく、10nm以上、100μm以下であることが特に好ましい。また、金属膜5の構成材料としては、金属であれば特に限定されず、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、金、金合金、銀、銀合金、ステンレス鋼等が挙げられる。なお、孔部51の形状が円形以外の場合は、その孔部51の最も長い部位の長さが、前記直径dに相当する。例えば、孔部51の形状が楕円形の場合は、長径が前記直径dに相当し、また、孔部51の形状が多角形の場合は、最も長い対角線が前記直径dに相当する。金属膜5の各孔部51には、誘電体で構成された充填材6が充填されている。充填材6に入射したテラヘルツ波は、充填材6の誘電率が1よりも大きいため、充填材6内でのテラヘルツ波の伝播速度が低下する。伝播速度と伝播経路における波長とは比例関係にあるため、伝播速度の低下により、充填材6を伝播するテラヘルツ波の波長は小さくなる。波長フィルター2の設計にあたっては、波長フィルター2内を伝播する波長に応じて、孔部51のピッチsや孔部51の直径d等を設定する。すなわち、充填材6を伝播するテラヘルツ波の波長が小さくなることにより、波長フィルター2の面積を小さくすることができる。これにより、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。充填材6の誘電率は、基板4および金属膜5の誘電率よりも高い。具体的には、充填材6の比誘電率は、50以上であることが好ましく、50以上、200以下であることがより好ましく、80以上、120以下であることがさらに好ましい。これにより波長フィルター2を伝播するテラヘルツ波の波長をより小さくすることができるため、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。また、充填材6を構成する誘電体としては、誘電体であれば特に限定されないが、例えば、金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物等のうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。そして、その金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物の前記金属は、それぞれ、元素周期表の第3族、第4族および第5族のうちのいずれかに属するものであることが好ましい。これにより波長フィルター2を伝播するテラヘルツ波の波長をより小さくすることができるため、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。このような充填材6の構成材料としては、例えば、窒素添加ハフニウムアルミネート、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ニオブおよび酸化チタン等が挙げられる。検出部3は、波長フィルター2のテラヘルツ波の出射側に配置されている。この検出部3としては、テラヘルツ波を熱に変換して検出するもの、すなわち、テラヘルツ波を熱に変換し、そのテラヘルツ波のエネルギー強度を検出し得るものを用いる。このような検出部3としては、例えば、焦電センサー、ボロメーター等が挙げられる。次に、テラヘルツ波検出装置1の作用を説明する。テラヘルツ波検出装置1の波長フィルター2の金属膜5にテラヘルツ波が入射すると、所定の波長のテラヘルツ波がその波長フィルター2を通過する。この場合、所定の波長以外のテラヘルツ波の大部分を遮断することができる。また、波長フィルター2において、孔部51に充填された充填材6によりテラヘルツ波が圧縮され、その波長が短くなり、これによりテラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。次に、波長フィルター2を通過した所定の波長のテラヘルツ波は、検出部3に入射する。検出部3は所定の波長のテラヘルツ波を効率よく吸収する吸収層図示せずを備えており、検出部3に入射したテラヘルツ波を熱に変換して検出する。すなわち、検出部3において、テラヘルツ波が熱に変換され、そのテラヘルツ波のエネルギーが検出される。この検出結果を示す信号は、例えば、検出部3に接続された図示しないパーソナルコンピューター等の外部装置に送出される。以上説明したように、このテラヘルツ波検出装置1によれば、波長フィルター2において、孔部51に充填された充填材6によりテラヘルツ波が圧縮され、その波長が短くなり、これにより波長フィルター2の面積を小さくすることができ、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。さらに、波長フィルター2の面積が小さくなることにより、複数の波長フィルター2を設けた場合に、波長フィルター2同士の間隔を小さくすることができる。すなわち、波長フィルター2に対応して設けた複数の検出部3同士の間隔を小さくすることができ、テラヘルツ波検出装置の解像度を高めることができる。≪※効果を詳細に記載しました≫なお、本発明では、基板4が省略されていてもよい。<第2実施形態>図2は、本発明のテラヘルツ波検出装置の第2実施形態を摸式的に示す斜視図である。以下、第2実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。また、第1実施形態と同様の構成については前述の実施形態と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図2に示すように、第2実施形態のテラヘルツ波検出装置1では、波長フィルター2は、金属膜5のテラヘルツ波の入射側の表面に設けられ、誘電体で構成された被覆膜誘電体層7を有している。この被覆膜7により、波長フィルター2に入射したテラヘルツ波が圧縮され、波長が短くなる。これにより、テラヘルツ波が波長フィルター2の各孔部51に入射する際に、既にテラヘルツ波の波長が圧縮されているため、所定の波長のテラヘルツ波が波長フィルター2を精度良く通過することができる。これによって、所定波長のテラヘルツ波を精度良く検出することができる。被覆膜7の誘電率は、基板4および金属膜5の誘電率よりも高い。具体的には、被覆膜7の比誘電率は、50以上であることが好ましく、50以上、200以下であることがより好ましく、80以上、120以下であることがさらに好ましい。これにより波長フィルター2を伝播するテラヘルツ波の波長をより小さくすることができるため、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。また、被覆膜7を構成する誘電体としては、誘電体であれば特に限定されないが、例えば、金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物等のうちの少なくとも1つを含むことが好ましい。そして、その金属の酸化物、金属の炭化物および金属の窒化物の前記金属は、それぞれ、元素周期表の第3族、第4族および第5族のうちのいずれかに属するものであることが好ましい。これにより波長フィルター2を伝播するテラヘルツ波の波長を小さくすることができるため、テラヘルツ波長検出装置の小型化が可能となる。このような被覆膜7の構成材料としては、例えば、窒素添加ハフニウムアルミネート、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ニオブおよび酸化チタン等が挙げられる。また、被覆膜7の厚さは、特に限定されないが、10nm以上、1mm以下であることが好ましく、100nm以上、100μm以下であることがより好ましい。なお、被覆膜7を構成する誘電体の組成と、充填材6を構成する誘電体の組成とは、同一であってもよく、また、異なっていてもよい。また、被覆膜7の比誘電率と、充填材6の比誘電率とは、同一であってもよく、また、異なっていてもよいが、異なっていることが好ましい。そして、充填材6の比誘電率の方が、被覆膜7の比誘電率よりも高く設定されていることがより好ましい。これにより所定の波長のテラヘルツ波が波長フィルター2をさらに確実に通過することができる。なお、この第2実施形態は、後述する第3実施形態および第4実施形態にも適用することができる。<第3実施形態>図3は、本発明のテラヘルツ波検出装置の第3実施形態を摸式的に示す斜視図である。なお、図3では、破線により、波長フィルター2の第1の領域21と、第2の領域22と、第3の領域23と、第4の領域24との境界を示す。以下、第3実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。また、前述の実施形態と同様の構成については前述の実施形態と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図3に示すように、第3実施形態のテラヘルツ波検出装置1では、波長フィルター2は、隣り合う2つの孔部51の中心間距離が互いに異なり、互いに異なる波長のテラヘルツ波を通過させる複数の領域、すなわち、第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24を有している。また、図示の構成では、第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24は、すべて同一形状、すなわち四角形をなしており、また、同一の寸法を有している。また、第1の領域21は、図3中の右上、第2の領域22は、図3中の右下、第3の領域23は、図3中の左上、第4の領域24は、図3中の左下に、それぞれ配置されている。また、入射面52の法線方向からの平面視における隣り合う2つの孔部51の中心間距離孔部51のピッチは、第1の領域21がs1、第2の領域22がs2、第3の領域23がs3、第4の領域24がs4に設定されており、s1<s2<s3<s4の関係となっている。そして、通過波長は、第4の領域24、第3の領域23、第2の領域22、第1の領域21の順に長くなっている。なお、第1の領域21の孔部51の直径と、第2の領域22の孔部51の直径と、第3の領域23の孔部51の直径と、第4の領域24の孔部51の直径とは、同一であってもよく、また、異なっていてもよいが、図示の構成では、同一に設定されている。また、検出部3は、波長フィルター2の第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24に対応してそれぞれ設けられた第1の単位検出部31、第2の単位検出部32、第3の単位検出部33および第4の単位検出部34を有している。この第1の単位検出部31、第2の単位検出部32、第3の単位検出部33および第4の単位検出部34は、それぞれ、第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24を通過したテラヘルツ波を熱に変換して検出する。これにより、4つの所望の波長のテラヘルツ波をそれぞれ検出することができる。また、本実施形態のテラヘルツ波検出装置1においても、前記第2実施形態のように、波長フィルター2は、金属膜5のテラヘルツ波の入射側の表面に設けられ、誘電体で構成された被覆膜7を有していることが好ましい。なお、本発明では、互いに異なる波長のテラヘルツ波を通過させる領域の数や、単位検出部の数は、検出を行いたいテラヘルツ波の波長の数に応じて設ければ良い。例えば、それぞれ、4つに限らず、2つでもよく、また、3つでもよく、また、5つ以上でもよい。<第4実施形態>図4は、本発明のテラヘルツ波検出装置の第4実施形態を摸式的に示す平面図および斜視図である。なお、図4aでは、破線により、波長フィルター2の第1の領域21と、第2の領域22と、第3の領域23と、第4の領域24との境界を示す。また、実線により、隣り合う2つの画素単位領域25の境界を示す。また、図4bには図4aの破線で丸く囲った部位を拡大して示す。また、図4aでは、孔部51および充填材6は省略して図示している。以下、第4実施形態について、前述した第3実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。また、前述の実施形態と同様の構成については前述の実施形態と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図4aに示すように、第4実施形態のテラヘルツ波検出装置1では、波長フィルター2は、2次元的に配置された複数の画素単位領域25を有している。すなわち、各画素25は、行列状に配置されている。また、各画素25は、それぞれ、前記第3実施形態における波長フィルター2に相当している。すなわち、各画素25は、隣り合う2つの孔部51の中心間距離が互いに異なり、互いに異なる波長のテラヘルツ波を通過させる複数の領域、すなわち、第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24を有している。なお、第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24については、前記第3実施形態と同様であるのでその説明は省略する。また、検出部3は、波長フィルター2の各画素25の第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24に対応してそれぞれ設けられた第1の単位検出部31、第2の単位検出部32、第3の単位検出部33および第4の単位検出部34を有している。各第1の単位検出部31、各第2の単位検出部32、各第3の単位検出部33および各第4の単位検出部34は、それぞれ、各画素25の第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24を通過したテラヘルツ波を熱に変換して検出する。これにより、各画素25のそれぞれにおいて、4つの所定の波長のテラヘルツ波をそれぞれ検出することができる。本実施形態のテラヘルツ波検出装置1の波長フィルター2は、第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23、第4の領域24を含む同一の単位領域を複数配列したものを示したが、これに限られない。例えば、各単位領域の中に、第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23、第4の領域24が含まれていれば、単位領域内での各領域の配列は同一でなくても良い。また、単位領域に含まれる各領域の数や、単位検出部の数は、検出を行いたいテラヘルツ波の波長の数に応じて設ければ良く、4つに限られない。例えば、それぞれ、2つでもよく、また、3つでもよく、また、5つ以上でもよい。また、本実施形態のテラヘルツ波検出装置1においても、前記第2実施形態のように、波長フィルター2は、金属膜5のテラヘルツ波の入射側の表面に設けられ、誘電体で構成された被覆膜7を有していることが好ましい。なお、本発明では、波長フィルター2の画素25は、1次元的、例えば、直線状に配置されていてもよい。<イメージング装置の実施形態>図5は、本発明のイメージング装置の実施形態を示すブロック図である。図5に示すように、イメージング装置100は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置11と、テラヘルツ波発生装置11から出射し、対象物150を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置1と、テラヘルツ波検出装置1の検出結果に基づいて、対象物150の画像、すなわち、画像データを生成する画像生成部12とを備えている。テラヘルツ波検出装置1としては、本実施形態では、前記第4実施形態のものを用いる。なお、前述の実施形態と同様の構成については前述の実施形態と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、テラヘルツ波発生装置11としては、例えば、量子カスケードレーザー、光伝導アンテナと短パルスレーザーを用いた方式、非線形光学結晶を用いた差周波発生方式のもの等が挙げられる。次に、イメージング装置100の使用例について説明する。まず、分光イメージングの対象となる対象物150は、3つの物質A、BおよびCで構成されている。イメージング装置100は、この対象物150の分光イメージングを行う。また、ここでは、一例として、テラヘルツ波検出装置1は、対象物150を反射したテラヘルツ波を検出することとする。図6は、対象物150のテラヘルツ帯でのスペクトルを示すグラフである。テラヘルツ波検出装置1の波長フィルター2の各画素25においては、第1の領域21および第2の領域22を使用する。また、第1の領域21の通過波長をλ1、第2の領域22の通過波長をλ2とし、対象物150で反射したテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度をα1、波長λ2の成分の強度をα2としたとき、その強度α2と強度α1の差分α2-α1が、物質Aと物質Bと物質Cとで、互いに顕著に区別できるように、前記第1の領域21の通過波長λ1および第2の領域22の通過波長λ2が設定されている。図6に示すように、物質Aにおいては、対象物150で反射したテラヘルツ波の波長λ2の成分の強度をα2と波長λ1の成分の強度をα1の差分α2-α1は、正値となる。また、物質Bにおいては、強度α2と強度α1の差分α2-α1は、零となる。また、物質Cにおいては、強度α2と強度α1の差分α2-α1は、負値となる。イメージング装置100により、対象物150の分光イメージングを行う際は、まず、テラヘルツ波発生装置11により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物150に照射する。そして、対象物150で反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出装置1で、α1およびα2として検出する。この検出結果は、画像生成部12に送出される。なお、この対象物150へのテラヘルツ波の照射および対象物150で反射したテラヘルツ波の検出は、対象物150の全体に対して行う。画像生成部12においては、前記検出結果に基づいて、波長フィルター2の第2の領域22を通過したテラヘルツ波の波長λ2の成分の強度α2と、第1の領域21を通過したテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度差α1の差分α2-α1を求める。そして、対象物150のうち、前記差分が正値となる部位を物質A、前記差分が零となる部位を物質B、前記差分が負値となる部位を物質Cと判断し、特定する。また、画像生成部12では、図7に示すように、対象物150の物質A、BおよびCの分布を示す画像の画像データを作成する。この画像データは、画像生成部12から図示しないモニターに送出され、そのモニターにおいて、対象物150の物質A、BおよびCの分布を示す画像が表示される。この場合、例えば、対象物150の物質Aの分布する領域は黒色、物質Bの分布する領域は灰色、物質Cの分布する領域は白色に色分けして表示される。このイメージング装置100では、以上のように、対象物150を構成する各物質の同定と、その各部質の分布測定とを同時に行うことができる。なお、イメージング装置100の用途は、前記のものに限らず、例えば、人物に対してテラヘルツ波を照射し、その人物を透過または反射したテラヘルツ波を検出し、画像生成部12において処理を行うことにより、その人物が、拳銃、ナイフ、違法な薬物等を所持しているか否かを判別することもできる。<計測装置の実施形態>図8は、本発明の計測装置の実施形態を示すブロック図である。以下、計測装置の実施形態について、前述したイメージング装置の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図8に示すように、計測装置200は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置11と、テラヘルツ波発生装置11から出射し、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置1と、テラヘルツ波検出装置1の検出結果に基づいて、対象物160を計測する計測部13とを備えている。テラヘルツ波検出装置1としては、本実施形態では、前記第4実施形態のものを用いる。なお、前述の実施形態と同様の構成については前述の実施形態と同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、テラヘルツ波発生装置11としては、例えば、量子カスケードレーザー、光伝導アンテナと短パルスレーザーを用いた方式、非線形光学結晶を用いた差周波発生方式のもの等が挙げられる。次に、計測装置200の使用例について説明する。計測装置200により、対象物160の分光計測を行う際は、まず、テラヘルツ波発生装置11により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物160に照射する。そして、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出装置1で検出する。この検出結果は、計測部13に送出される。なお、この対象物160へのテラヘルツ波の照射および対象物160を透過または反射したテラヘルツ波の検出は、対象物160の全体に対して行う。計測部13においては、前記検出結果から、波長フィルター2の第1の領域21、第2の領域22、第3の領域23および第4の領域24を通過したテラヘルツ波のそれぞれの強度を把握し、対象物160の成分およびその分布の分析等を行う。以上、本発明のテラヘルツ波検出装置、イメージング装置および計測装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成特徴を組み合わせたものであってもよい。