第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含み、前記抵抗変化型分子鎖または前記電荷蓄積型分子鎖が電子吸引基を備える有機分子層と、を有することを特徴とする有機分子メモリ。第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含む第1の有機分子と、電子吸引基を備える第2の有機分子とを含む有機分子層と、を有することを特徴とする有機分子メモリ。前記有機分子層の比誘電率が5.5以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の有機分子メモリ。前記電子吸引基がフッ素原子、塩素原子、またはシアノ基であることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の有機分子メモリ。本発明が解決しようとする課題は、電荷保持特性に優れた有機分子メモリを提供することにある。実施の形態の有機分子メモリは第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含み、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖が電子吸引基を備える有機分子層とを備えている。以下、図面を参照しつつ実施の形態を説明する。なお、本明細書中抵抗変化型分子鎖とは、電場の有無や電荷の注入により抵抗が変化する機能を備える分子鎖を意味するものとする。また、本明細書中電荷蓄積型分子鎖とは、分子鎖内に電荷を蓄積する機能を備え、外部からの電圧の印加除去によりこの電荷を蓄積した状態と蓄積しない状態を変化させうる分子鎖を意味するものとする。また、本明細書中化学結合とは、共有結合、イオン結合、金属結合のいずれかを指す概念とし、水素結合やファンデルワールス力による結合を除外する概念とする。第1の実施の形態本実施の形態の有機分子メモリは、有機分子メモリは第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含み、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖が電子吸引基を備える有機分子層とを備えている。本実施の形態によれば、有機分子層内に、電子吸引基を導入することにより、有機分子層の比誘電率が大きくなる。したがって、有機分子層中の電荷が抜けにくくなり、有機分子メモリ以下、単に分子メモリとも称するの電荷保持特性が向上する。図2は、本実施の形態の有機分子メモリの模式斜視図である。図3は、有機分子メモリのメモリセル分子セル部の模式断面図である。本実施の形態の分子メモリは、クロスポイント型の分子メモリである。図2、図3に示すように、たとえば基板図示せずの上部に設けられる下部電極配線第1の導電層12が設けられている。そして、下部電極配線12に交差するように上部電極配線第2の導電層14が設けられている。電極配線のデザインルールは例えば、5~20nm程度である。図2、図3に示すように、下部電極配線12と上部電極配線14との交差部の、下部電極配線12と上部電極配線14との間には、有機分子層16が設けられている。電子吸引基を有する複数の抵抗変化型分子鎖16aが、有機分子層16を構成する。有機分子層の厚さは、例えば、1~20nm程度である。そして、例えば、複数本の下部電極配線12と複数本の上部電極配線14が交差する点のそれぞれに、図2のように有機分子層16を設けてメモリセルを形成する。このようにして、複数のメモリセルで構成されるメモリセルアレイが実現される。まず、図3に示すように、本実施の形態の有機分子層16は電子吸引基を有する複数の抵抗変化型分子鎖16aで構成されている。抵抗変化型分子鎖16aの一端が下部電極配線12と化学結合している。抵抗変化型分子鎖16aは、下部電極配線12側から上部電極配線14に向かって伸長する。下部電極配線12は、例えば、110面を表面とするシリコンSiの基板図示せず上に形成される。下部電極配線12は、例えば、金属材料である金Auである。下部電極配線12の有機分子層16に接する面は、例えば111面である。また、上部電極配線14は、例えば、金属材料であるモリブデンMoである。図1は、メモリセル部の有機分子の分子構造を示す図である。図1aが本実施の形態の有機分子、図1bは従来技術の有機分子である。本実施の形態においては、メモリセル部の有機分子層16中に電子吸引基が結合した抵抗変化型分子鎖16aを含んでいる。本実施の形態の有機分子層16を構成する抵抗変化型分子鎖16aは、例えば、図1aに示すような、分子構造を備えている。図1aの抵抗変化型分子鎖は、図1bに示すような従来技術の抵抗変化型分子鎖、4-[2-nitro-5-amino-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolの誘導体である。図1bに示す分子構造の抵抗変化型分子鎖は、ツアーワイアTourwireとも称される。図1a、図1bの抵抗変化型分子鎖は、一端にリンカーとしてチオール基が存在し、硫黄原子Sと、下部電極配線12表面の金原子Auとが化学結合している。ここで、リンカーとは化学結合により電極導電層に対して分子を固定する部位を意味する。このように、下部電極12表面の金原子とチオール基が結合されて、いわゆる、自己組織化単分子膜Self-assembledmonolayer:SAMである有機分子層16が形成されている。一方、抵抗変化型分子鎖16aの他端のベンゼン環は、上部電極14表面のモリブデンMo原子と化学結合していない。さらに、図1aの抵抗変化型分子鎖では、アミノ基とニトロ基が結合するベンゼン環を挟む上下の2個のベンゼン環に、電子吸引基であるフッ素原子Fが結合している。ここで、抵抗変化型分子鎖16aは、電場の有無や電荷の注入により抵抗が変化する機能を備える分子鎖である。例えば、図1a、図1bに示す分子構造を備える抵抗変化型分子鎖は、両端部の間に電圧を印加することで低抵抗状態と高抵抗状態とを切り替えることが可能である。この抵抗状態の変化を利用することでメモリセルが実現される。本実施の形態においては、図1aに示す様に、抵抗変化型分子鎖中に電子吸引基を備えている。このように電子吸引基を備えることで、本実施の形態の抵抗変化型分子鎖は可動で大きな電気双極子能率を備えることになる。このため、例えば、図1bの抵抗変化型分子鎖を用いた場合に比べ、有機分子層16の比誘電率が大きくなる。この結果、有機分子メモリの電荷保持特性が向上する。有機分子層16の比誘電率は、有機分子層16中の抵抗変化型分子鎖16aの分子構造、配置密度等を調整することで適宜設定することが可能である。図4は、有機分子層の比誘電率と寿命電荷保持時間との関係を示す図である。図5は、図4の測定に用いた有機分子層の分子構造を示す図である。図4は、後述の測定結果下記測定1と測定2から得られた結果をもとに、下記式2を用いて計算した。ただし、式2の定数項P0は理論上限である光学フォノンの振動数1015s-1を用いた。したがって保持時間の下限を示している。図4は、有機分子層の比誘電率を変化させた際の有機分子メモリの電荷保持時間を、図5に示す2つの有機分子層、すなわち、図5aの抵抗変化型分子鎖であるp-terphenylthiolと電子吸引基を有するフルオロアルキルチオールとで構成される有機分子層図4中の有機分子層A、図5bの電子吸引基を有する抵抗変化型分子鎖である4-[2-amino-5-nitro-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolと電子吸引基を有するフルオロアルキルチオールとで構成される有機分子層図4中の有機分子層Bを、下部電極である金と上部電極であるタングステンで挟み込んだ試料について示している。抵抗変化型分子鎖と電子吸引基を有するフルオロアルキルチオールの量比を変化させることで有機分子層の比誘電率を変化させている。図4に示すように、有機分子層の比誘電率が5.5以上となることで、電荷保持時間が約1秒となり、メモリとして好ましい特性を備える。さらに、比誘電率が6.0以上となることで、電荷保持時間が1時間を超え、メモリとして用いる上で、さらに好ましい電荷保持時間が実現される。ここでいう、電荷保持時間とは初期特性の37が変化する時間であり測定温度は室温300Kである。なお、有機分子メモリを構成する有機分子層の比誘電率は、下部電極配線と上部電極配線間にACバイアスを印加してキャパシタンスを測定することで評価することが可能である。この際、比誘電率算出に必要な有機分子層の厚さは、TEMTransmissionElectoronMicroscopeによる観察で求めることが可能である。以下、本実施の形態の作用について説明する。電極導電層に挟まれるメモリセルの有機分子中からの電荷の消去は、1電極からの逆符号電荷のトンネリング注入、2分子内から電極への電荷のホッピング、の2つのメカニズムによると考えられる。本実施の形態においては、有機分子層を構成する抵抗変化型分子鎖が電子吸引基を備えることにより、有機分子層の比誘電率が上昇し、上記12のメカニズムによる電荷の消去を抑制する。まず、メカニズム1について考察する。電極からの逆符号電荷のトンネリング注入による電荷の消去が起こりやすくなる要因として、有機分子中の電荷による電場が強いことがある。強い電場によって、分子―電極間のエネルギー障壁が低減し、トンネリング確率が増大し、有機分子層中からの電荷の消去が起きやすくなる。図6は、本実施の形態の作用を説明する図である。図6に示すように、有機分子層中に電荷図6では正孔が存在すると、電極中の反対符号の電荷をもつキャリア図では電子がが有機分子層中の電荷と引き合う。このため、有機分子層―電極間のポテンシャル障壁が低くなる。ポテンシャル障壁の形をUxとすると、エネルギーEを持った電極中の電荷が有機分子層中にトンネリングする確率は、以下の式1で示される。ここで、πは円周率、hはプランク定数、mは電荷の有効質量であり、ABは図に示した、ポテンシャルUXがエネルギーEの値を持つ2つの点であり、トンネリングの開始点Aと終点Bとなる。式1から分かるように、トンネリング確率は、AB間の距離ポテンシャルの幅が小さく、ポテンシャルとエネルギーの差UX-Eが小さいほど大きくなる。AB間の距離はUXの変化が大きいほど小さくなる。UXの変化は電場に相当するので、電場が弱いほどAB間の距離が大きくなり、トンネリング確率は小さくなる。したがって、トンネリングによる電荷の消去を抑制し、電荷を保持しやすくするためには、電場を弱くすることが重要である。Maxwellの方程式電束密度保存側からもわかるように、有機分子層中の電荷と電極との間の比誘電率を大きくすることで、電場を弱くすることが可能である。有機分子層中の電荷と電極との間とは、すなわち、有機分子層であるため、有機分子層の比誘電率を大きくすれば、トンネリングによる電荷の消去を抑制できる。図7は、本実施の形態の作用を説明する図である。具体的には、抵抗変化型分子鎖の電荷が蓄積される領域の、分子鎖に直交する断面の模式図である。周囲のC-Fは、本実施の形態により導入されるダイポールを持つ結合、炭素-フッ素原子を模式的に示したものであり、他の種類のダイポールであってもかまわない。本実施の形態では、有機分子層を構成する複数の抵抗変化型分子鎖に、例えば、図1aに示すように電子吸引基であるフッ素原子Fが結合されている。そうすると、C-F結合が電気双極子ダイポールとなる。そして、この電気双極子が有機分子層中に蓄積された電荷ここでは正孔による電場の方向に配向する。いいかえれば、内部に注入された電荷が作る電場により電気双極子能率の方向が変化する。ここで、正孔は分子鎖の長さ方向に非局在化しており、正孔にはC-F結合が配向する。より具体的には、正孔電荷が溜まっている分子鎖に隣接する分子鎖のC-F結合が、分子鎖の長さ方向を回転軸として回転することにより、正孔による電場の方向に配向する。本実施の形態では、このように、有機分子層を構成する抵抗変化型分子鎖に電子吸引基を結合させることで、有機分子層の比誘電率を大きくして、電場を緩和する。図8は、本実施の形態の作用を説明する図である。有機分子層中の電荷からの距離と電場の強さとの関係のシミュレーション結果を示す。ここで、電荷は正孔とし、電気双極子としてC-F結合を仮定する。分子は2次元の正方格子格子定数:a=0.6nmに並んでいるとし、分子の長さ方向にZ軸をとる。分子の長さ方向の中心をz=0とし、電荷はこの中心に入ると仮定する。また、電気双極子は分子内のz=c/-cの位置に電荷による電場の方向に配向して存在するものとする。c=0.7nmとする。具体的には、3つのベンゼン環の真ん中のベンゼン環に電荷が存在し、上下2つのベンゼン環に電気双極子が存在すると仮定する。図8に示すように、電気双極子ダイポールがあることにより、電場が緩和され弱くなることが分かる。よって、トンネリングによる電荷の消去が抑制される。図9は、本実施の形態の作用を説明する図である。図9は、有機分子層が、図6よりも高い比誘電率を備えるとした場合のポテンシャル障壁の変化を示す図である。図6と同じエネルギーEを持った電極の電荷が有機分子層にトンネリングする場合には、トンネリングの開始点Cと終点Dを通る必要がある。CD間の距離は、図6のAB間の距離よりも大きくなり、かつ、ポテンシャルとエネルギーの差UX-Eも図6の場合よりも大きいことから、トンネリング確率が図6の場合よりも小さくなる。したがって、電荷保持時間が増大する。次に、メカ二ズム2について考察する。電気双極子があると、上述のように、ポテンシャル障壁が増大しトンネリングが抑制されるだけでなく、分極エネルギーが大きくなることで、分子内の電荷が電極にホッピングにより逃げることによる消去を抑制する作用も生ずる。図10は、本実施の形態の作用を説明する図である。電気双極子により電場が小さくなるということは、電場のエネルギーを誘電体の分極エネルギーWの形で蓄えることである。分極エネルギーWは電荷を取り除いた場合に、周囲に散逸しなければならないエネルギーであり、HOMOHighestOccupiedMolecularOrbital準位と、1個の電子が抜けたSOMOSinglyOccupiedMolecularOrbital準位との差に相当する。このため、有機分子層中の電荷が、ホッピングするために必要な活性化エネルギーΔは、この分極エネルギーWの半分に等しい。したがって、この分極エネルギーWを大きくすることにより、分子からのホッピングによる電荷の流出確率を小さくすることが可能である。流出確率Pは、下記式2で与えられる。で与えられる。ここでP0は定数、Δは電荷を取り除くための活性化エネルギーであるこの分極エネルギーWを求めるためには、マクロな電場ではなく、分子レベルの分極の揺らぎを考慮した局所電場を用いなければならない。局所場Eは、分極が無いときの電場をE0として、下記式3で与えられる。したがって、分極エネルギーWは、下記式4で与えられる。式4から、比誘電率が大きいほど、分極エネルギーWが大きくなることがわかる。式2より、分極エネルギーWが大きいほど、流出確率Pが小さくなることがわかる。したがって、比誘電率を大きくすることにより、ホッピングが抑制される。よって、電荷保存時間が長くなる。以下、分極エネルギーと比誘電率の測定結果を示す。測定1金基板上にターフェニルチオールの自己組織化膜を形成した試料を、走査型トンネル顕微鏡を用いて観察する。分子の先端が確認できるので、分子の先端に走査型トンネル顕微鏡のプローブ針を接近させ、基板とプローブ針間にバイアスを印加することにより、単一分子の電気特性の測定ができる。電流の測定結果から分極エネルギーW1を算出すると、0.36eVとなった。ターフェニルチオール分子集団の比誘電率ε1は3.1文献値である。測定2金基板上にヘキサンチオール95に対してターフェニルチオール5となる重量混合比の自己組織化膜を形成した試料を、走査型トンネル顕微鏡を用いて観察する。ヘキサンチオールに比較しターフェニルチオールの方が分子鎖が長いため、試料上にターフェニルチオール分子の先端が飛び出た構造が観測される。この分子の先端に走査型トンネル顕微鏡のプローブ針を接近させ、基板とプローブ針間にバイアスを印加することにより、単一分子の電気特性の測定ができる。電流の測定結果から分極エネルギーW2を算出すると、0.22eVとなった。ヘキサンチオールの比誘電率ε2は2.3である。測定1と測定2から、分極エネルギーの効果を確認することができる。上の測定結果から、一方、式4から、である。式5と式6は、測定誤差内で一致している。このように、比誘電率を大きくすると分極エネルギー活性化エネルギーが大きくなることが実験的にも確認される。以上のように、本実施の形態によれば、トンネリングおよびホッピングによる電荷の移動による電荷の消去が抑制される。よって、電荷保持特性に優れた有機分子メモリの実現が可能である。本実施の形態の抵抗変化型分子鎖は、抵抗変化型分子鎖に電子吸引基が結合されるものであれば、上記図1aに示す分子構造に限られるものではない。まず、電子吸引基が結合され得る抵抗変化型分子鎖としては、1次元方向にπ共役系が伸びた分子、例えば、図1bに示す4-[2-nitro-5-amino-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolおよびその誘導体、パラフェニレン誘導体やオリゴチオフェン誘導体オリゴピロール誘導体オリゴフラン誘導体パラフェニレンビニレン誘導体等を用いることも可能である。図11は、1次元方向にπ共役系が伸びた分子を構成し得る分子ユニットの例示である。図11aはパラフェニレン、図11bはチオフェン、図11cはピロール、図11dはフラン、図11eはビニレン、図11fはアルキンである。もっとも、π共役系の長さが短い場合には、電極から注入された電子が分子上に留まることなく抜けてゆくため、電荷を蓄積させるために有る程度の長さの分子が好ましく、一次元方向の-CH=CH-のユニットで計算して、5つ以上で有ることが望ましい。これはベンゼン環パラフェニレンの場合、3個以上に相当する。また、π共役系の長さが長い場合には分子内での電荷の伝導による電圧降下などが問題になる。このため、一元方向の-CH=CH-のユニットで計算して20ベンゼン環10個=π共役系のキャリアであるポーラロンの拡がり幅の倍以下であることが望ましい。図12は、電子吸引基が導入され得る分子ユニットの例示である。例えば、これらのユニットが、上述した、1次元方向にπ共役系が伸びた分子の一部に組み込まれ、本実施の形態の抵抗変化型分子鎖を構成する。図中Xは、電子吸引基を示す。電子吸引基は、例えば、フッ素原子F、塩素原子Cl、臭素原子Br、ヨウ素原子I、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基等である。基の陰イオン性が高いものほど大きな電気双極子を形成することが可能なため、比誘電率が大きくなるという観点から、フッ素原子、塩素原子、シアノ基が望ましい。有機分子メモリを構成する電極導電層の材料は、上記、金とモリブデンに特に限定されるものではない。もっとも、抵抗変化型分子鎖16aの一端のリンカーが化学結合する側の電極本実施の形態では下部電極配線12は、自己組織化膜を形成するために、少なくとも抵抗変化型分子鎖16aが化学結合する領域については、抵抗変化型分子鎖16aの一端が化学結合を形成しやすい材料であることが望ましい。また、抵抗変化型分子鎖16aの他端側の電極本実施の形態では上部電極配線14は、少なくとも抵抗変化型分子鎖16aと対向する領域については、抵抗変化型分子鎖16aの一端と化学結合を形成しにくい材料であることが、電極形成後に自己組織化プロセスを用いて有機分子層を形成する観点からは望ましい。抵抗変化型分子鎖16の一端のリンカーの構造によって望ましい電極材料が異なる。例えば、一端が図2のようにチオール基である場合は、化学結合する側の電極は金Au、銀Ag、銅Cu、タングステンW、窒化タングステンWN、窒化タンタルTaN、または窒化チタンTiNであることが望ましく、この中でも特に化学結合を形成しやすい金Au、銀Ag、またはタングステンWであることが特に望ましい。一方、他端の電極はタンタルTa、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、またはシリコンSiであることが望ましい。また、例えば、一端がアルコール基、またはカルボキシル基である場合は、化学結合する側の電極はタングステンW、窒化タングステンWN、タンタルTa、窒化タンタルTaN、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであることが望ましく、この中でも特に化学結合を形成しやすいタンタルTa、窒化タンタルTaN、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであることが特に望ましい。一方、他端の電極は金Au、銀Ag、銅Cu、またはシリコンSiであることが望ましい。また、例えば、一端がシラノール基である場合は、化学結合する側の電極はシリコンSiまたは金属酸化物であることが望ましい。一方、他端の電極は金Au、銀Ag、銅Cu、タングステンW、窒化タングステンWN、タンタルTa、窒化タンタルTaN、モリブデンMo、窒化モリブデンMoN、または窒化チタンTiNであることが望ましい。また、電極材料として例えば、グラフェンやカーボンナノチューブを適用することも可能である。第2の実施の形態第1の実施の形態の有機分子メモリが、メモリ素子となる抵抗変化型分子鎖自体が電子吸引基を備えていたのに対し、本実施の形態の有機分子メモリは、メモリ素子となる抵抗変化型分子鎖を含む第1の有機分子とは別に、電子吸引基を備える第2の有機分子を有機分子層中に含む。この点で、第1の実施の形態と異なっている。以下、基板、電極、抵抗変化型分子鎖、電子吸引基等で第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。図13は、本実施の形態の有機分子メモリのメモリセル分子セル部の模式断面図である。複数の抵抗変化型分子鎖16aと、電子吸引基、ここではフッ素原子Fを備える複数の有機分子16bとから有機分子層16が構成される。有機分子16bは、抵抗変化型分子鎖16aとは異なる分子構造を備えている。図13に示すように、抵抗変化型分子鎖第1の有機分子16aは、例えば、クアテルフェニルチオールである。また、図13に示すように、電子吸引基を備える有機分子第2の有機分子16bは、例えば、フルオロアルキルチオールである。本実施の形態においては、抵抗変化型分子鎖16aの抵抗状態の変化を利用することでメモリセルが実現される。そして、電子吸引基を備える有機分子16b中の電気双極子が、抵抗変化型分子鎖16a中の電荷による電場を緩和する。いいかえれば、電子吸引基を備える有機分子16bが有機分子層中に存在することで、有機分子層16の比誘電率が大きくなる。したがって、第1の実施の形態で詳述した作用と同様の作用により有機分子メモリの電荷保持特性が向上する。なお、抵抗変化型分子鎖16aに非局在化する正孔に対して、有機分子16b中の電気双極子が効果的に電場を緩和するために、有機分子16b中の電子吸引基が、直鎖の伸びる方向にまんべんなく存在することが望ましい。例えば、図13のフルオロアルキルチオールの場合、いずれの炭素原子にも、弗素原子Fが少なくとも1個結合していることが望ましい。また、CF2-CH2nの分子構造を有するフッ化ビニリデン誘導体であることが望ましい。有機分子メモリの電荷保持特性を向上させる観点から、比誘電率は5.5以上が望ましく、6.0以上であることがより望ましい点についても第1の実施の形態と同様である。なお、有機分子層16の比誘電率は、有機分子層16中の抵抗変化型分子鎖16aの分子構造、電子吸引基を備える有機分子16bの分子構造、抵抗変化型分子鎖16aと有機分子16bの混合割合、配置密度等を調整することで適宜設定することが可能である。抵抗変化型分子鎖16aとしては、1次元方向にπ共役系が伸びた分子、例えば、図1bに示す4-[2-nitro-5-amino-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolおよびその誘導体、パラフェニレン誘導体やオリゴチオフェン誘導体オリゴピロール誘導体オリゴフラン誘導体パラフェニレンビニレン誘導体等を用いることも可能である。1次元方向にπ共役系が伸びた分子を構成する分子ユニットとしては、例えば、図11に例示した分子ユニットを適用することが可能である。電子吸引基を備える有機分子16bは、特に限定されるものではない。例えば、第1の実施の形態で示した電子吸引基を備える抵抗変化型分子鎖であっても構わない。図14は、本実施の形態の変形例を示す図である。抵抗変化型分子鎖16aはクアテルフェニルチオールであり、有機分子16bは、電子吸引基を備えるクアテルフェニルチオールである。この変形例のように、有機分子16bを抵抗変化型分子鎖16aの誘導体構造とすることで、2種の有機分子が混合した有機分子層16を自己組織化膜として形成するのが容易になるという利点がある。また、抵抗変化型分子鎖16a自体が第1の実施の形態のように電子吸引基を備えていてもよい。この場合、第1の実施の形態に電子吸引基を備える有機分子16bの作用が加わることで、さらに有機分子メモリの電荷保持特性が向上しうる。第3の実施の形態本実施の形態の有機分子メモリは、第1の実施の形態の有機分子メモリが、抵抗変化型分子鎖を用いたクロスポイント型の有機分子メモリであるのに対し、電荷蓄積型分子鎖を用いた積層ゲート型の有機分子メモリである点で異なっている。また、電気双極子による作用や効果、比誘電率を増加させることによる作用や効果等、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。図15は、本実施の形態の有機分子メモリの模式断面図である。本実施の形態の有機分子メモリは、積層ゲート型の不揮発性有機分子メモリである。図16は、有機分子メモリのメモリセル分子セル部の模式断面図である。本実施の形態の有機分子メモリは、例えば、シリコン基板第1の導電層20上に、有機分子層26、ブロック絶縁膜28、ゲート電極第2の導電層30が形成されている。そして、これらの積層構造の両側のシリコン基板20中に、例えば、不純物を拡散することで形成されるソースドレイン領域32を備えている。有機分子層26は、複数の電荷蓄積型分子鎖26aで構成される。電荷蓄積型分子鎖26aは、分子鎖内に電荷を蓄積する機能を備え、外部からの電圧の印加除去によりこの電荷を蓄積した状態と蓄積しない状態を変化させ得る分子鎖である。有機分子層26が電荷蓄積電極として機能する。ブロック絶縁膜28は、例えば、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜、または高誘電率膜等で構成される。ブロック絶縁膜28は、有機分子層26とゲート電極30間の電荷の移動をブロックする機能を備える。本実施の形態の有機分子メモリでは、ゲート電極30と、シリコン基板20との間に電圧を印加することで、有機分子層26中に電荷を蓄積したり、この電荷を引き抜いたりする。有機分子層26中の電荷の有無によるトランジスタの閾値変化を用いてメモリセルが機能する。図16は、本実施の形態の有機分子メモリのメモリセル部の模式断面図である。図17は従来技術の有機分子である。本実施の形態においては、メモリセル部の有機分子層26中に電子吸引基が結合した有機分子を含んでいる。本実施の形態の有機分子層26を構成する電荷蓄積型分子鎖26aは、例えば、図16に示すような、分子構造を備えている。図16の電荷蓄積型分子鎖は、図17に示すような従来技術の電荷蓄積型分子鎖である亜鉛ポルフィリンの誘導体である。図16、図17の電荷蓄積型分子鎖は、一端の、酸素原子0と、シリコン基板20のシリコン原子Siとが化学結合している。このように、シリコン基板20表面のシリコン原子と、酸素原子0が結合されて、いわゆる、自己組織化単分子膜Self-assembledmonolayer:SAMである有機分子層26が形成されている。一方、電荷蓄積型分子鎖26aの他端は、ブロック絶縁膜28と化学結合していない。さらに、図16の電荷蓄積型分子鎖では、亜鉛ポルフィリンに、電子吸引基であるフッ素原子Fが結合している。本実施の形態においては、電荷蓄積型分子鎖26aの電荷蓄積状態の変化を利用することでメモリセルが実現される。そして、電荷蓄積型分子鎖26aが電子吸引基を備えることで電荷蓄積型分子鎖26aは可動で大きな電気双極子能率を備えることになる。これにより、電荷蓄積型分子鎖26a中の電荷による電場を緩和する。いいかれば、大きな電気双極子能率を備えることで、例えば、図17の電荷蓄積型分子鎖を用いた場合に比べ、有機分子層16の比誘電率が大きくなる。この結果、第1の実施の形態で述べたと同様の作用により、有機分子メモリの電荷保持特性が向上する。さらに、有機分子メモリの電荷保持特性を向上させる観点から、比誘電率は5.5以上が望ましく、6.0以上であることがより望ましい点についても第1の実施の形態と同様である。なお、有機分子層26の比誘電率は、有機分子層26中の電荷蓄積型分子鎖26aの分子構造、配置密度等を調整することで適宜設定することが可能である。本実施の形態の電荷蓄積型分子鎖は、電荷蓄積型分子鎖に電子吸引基が結合されるものであれば、上記図16に示す分子構造に限られるものではない。図18は、本実施の形態の電荷蓄積型分子鎖の分子構造を例示する図である。図18aは、金属ポルフィリンとその誘導体である。図中Mは金属原子または金属化合物であり、例えば、亜鉛Zn、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cuである。また、図中X、Yは、それぞれ独立に水素原子、または、ハロゲン原子、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基等の電子吸引基である。ただし、少なくとも一部が電子吸引基であり、少なくとも一部が結合対象となる導電層の材料に応じて選ばれるリンカーである。図18bは金属フタロシアニンとその誘導体である。図中Mは金属原子または金属化合物であり、例えば、銅Cu、コバルトCo、鉄Fe、ニッケルNi、酸化チタンTiO、塩化アルミニウムAlClである。また、図中X、Yは、それぞれ独立に水素原子、または、ハロゲン原子、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基等の電子吸引基である。ただし、少なくとも一部が電子吸引基であり、少なくとも一部が結合対象となる導電層の材料に応じて選ばれるリンカーである。図19は、本実施の形態の電荷蓄積型分子鎖の分子構造を例示する図である。縮合多環分子の誘導体を示す。図中、X、Y、Z、U、V、Wは、それぞれ独立に水素原子、またはハロゲン原子、シアノ基、カルボニキル基、カルボキシル基等の電子吸引基である。ただし、少なくとも一部が電子吸引基であり、少なくとも一部が結合対象となる導電層の材料に応じて選ばれるリンカーである。第4の実施の形態本実施の形態の有機分子メモリは、第3の実施の形態の有機分子メモリが、メモリ素子となる電荷蓄積型分子鎖自体が電子吸引基を備えていたのに対し、メモリ素子となる電荷蓄積型分子鎖を含む第1の有機分子とは別に、電子吸引基を備える第2の有機分子を有機分子層中に含む。この点で、第3の実施の形態と異なっている。以下、基板、電極、電価蓄積型分子鎖、電子吸引基等で第3の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。図20は、本実施の形態の有機分子メモリのメモリセル分子セル部の模式断面図である。複数の電荷蓄積型分子鎖第1の有機分子26aと、電子吸引基、ここではフッ素原子Fを備える複数の有機分子第2の有機分子26bとから有機分子層26が構成される。有機分子26bは、電荷蓄積型分子鎖26aとは異なる分子構造を備えている。図20に示すように、電荷蓄積型分子鎖26aは、例えば、亜鉛ポルフィリンである。また、電子吸引基を備える有機分子26bは、例えば、電子吸引基であるフッ素原子Fが結合した亜鉛ポルフィリン誘導体である。また、本実施の形態においては、図20に示す様に、有機分子26b中に電子吸引基を備えている。このため、例えば、電荷蓄積型分子鎖26aだけで有機分子層を構成する場合に比べ、有機分子層の比誘電率が大きくなる。この結果、第1の実施の形態で述べたと同様の作用により、有機分子メモリの電荷保持特性が向上する。さらに、有機分子メモリの電荷保持特性を向上させる観点から、比誘電率は5.5以上が望ましく、6.0以上であることがより望ましい点についても第1の実施の形態と同様である。なお、有機分子層26の比誘電率は、有機分子層26中の電荷蓄積型分子鎖26aを有機分子26bの分子構造、配置密度等を調整することで適宜設定することが可能である。本実施の形態の電荷蓄積型分子鎖26aおよび有機分子26bは、上記の構造に限られるものではない。電荷蓄積型分子鎖26aは、分子鎖内に電荷を蓄積する機能を備え、外部からの電圧の印加除去によりこの電荷を蓄積した状態と蓄積しない状態を変化させ得る分子鎖であれば足りる。例えば、図18や図19に例示した分子構造を備える有機分子を提供することができる。なお、本実施の形態の場合、電荷蓄積型分子鎖26aは電子吸引基が結合されていても、結合されていなくてもかまわない。電子吸引基を備える有機分子26bとしては、図18や図19に例示した分子構造を備える有機分子を適用することができる。その他、第1の実施の形態で例示した電子吸引基を備える抵抗変化型分子鎖や、第2の実施の形態に例示したフルオロアルキルチオール等、電荷蓄積型分子鎖や抵抗変化型分子鎖以外の電子吸引基を備える有機分子であってもかまわない。図20のように、電子吸引基を備える有機分子26bとして、電荷蓄積型分子鎖26aの誘導体を用いることにより、2種の有機分子が混合した有機分子層26を自己組織化膜として形成するのが容易できるという利点がある。以下、実施例について説明する。実施例金基板上に、分子4-[2-nitro-5-amino-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolの上下2つのフェニル基に各々4つのフッ素原子を導入し、可動で大きな電気双極子能率を持たせた分子の自己組織化膜を形成する。この分子は第1の実施の形態の図3に示した分子に相当する。その上に、金電極を形成し有機分子メモリを作製する。金基板と金電極間に電圧を印加することにより、抵抗変化型のメモリ動作を実現ができる。電流の測定結果から活性化エネルギーは0.69eVである。自己組織化膜で形成される有機分子層の比誘電率は6.0である。誘電率は、金基板上に分子膜を形成し、この上に試料を液体窒素で冷却しながら金電極を形成した試料に、周波数1kHzの振幅1Vの三角波電圧を印加し、流れる電流の変位電流成分から算出する。すなわち、波形が直線的に変化する三角波を印加したときに流れる電流は、伝導電流の成分と容量に流れる変位電流の成分が重畳した電流となる。この電流のうち、伝導電流の成分は印加電圧にのみ依存するが、変位電流成分は電圧波形の時間微分三角波なので絶対値は同じで正か負が変わるに依存するので、同じ電圧の時間部分が正の場合の電流I1と負の場合の電流I2の和が伝導電流成分を表し、差が変位電流成分を表す。この変位電流成分は容量と電圧の1階時間微分の積I1-I2なら変位電流の2倍になるので積の2倍に等しいので、容量を得ることができる。容量は、誘電率と面積の積を膜厚で割ったものに等しいので、測定試料の面積と膜厚実施例の場合分子の長さから誘電率を求めることができる。電極間の電位差を書き込み電圧1.5Vにすると、抵抗が大きくなり電流が流れない。読み出し電圧を1.0Vに設定し、この電圧の時の電流をデータとして読み出すことでメモリ素子の動作を確認できる。書き込み後、電極間をショートして一定時間放置後に読み出し、電荷保持時間を測定する。電荷保持時間は、一か月以上である。これは電子吸引基であるフッ素の導入により分子の活性化エネルギーが0.69eVと大きくなっていることが原因と考えられる。比較例金基板上に、フッ素が導入されない4-[2-nitro-5-amino-4-phenylethynylphenylethynyl]benzenethiolの自己組織化膜を形成すること以外は、実施例と同様に有機分子メモリを作成し、評価する。電流の測定結果から活性化エネルギーは0.23eVである。自己組織化膜で形成される有機分子層の比誘電率は3.0である。電荷保持時間は、上述の非特許文献3に記載の440秒とほぼ一致する。実施例と比較例との比較により、有機分子層中に電子吸引基を導入し、比誘電率を大きくすることで、電荷保持特性が向上することが明らかである。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態および実施例について説明した。上記、実施の形態および実施例はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、有機分子メモリ等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる有機分子メモリ等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。例えば、実施の形態および実施例においては、有機分子層を構成する有機分子として、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖、電子吸引基を備える有機分子についてのみ言及しているが、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖、電子吸引基を備える有機分子に加えて、その他の有機分子が有機分子層中に含まれることを排除するものではない。また、有機分子メモリとして、クロスポイント型、積層ゲート型に限らず、3次元構造型等のその他の構造の有機分子メモリを採用することも可能である。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての有機分子メモリが、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。