"第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に配設された第1導電型である第1クラッド層と、この第1クラッド層の上に配設された第1光導波層と、この第1光導波層の上に配設され、上記第1光導波層よりも屈折率が大きい量子井戸構造の活性層と、この活性層の上に配設された、上記活性層よりも屈折率の小さい第2光導波層と、この第2光導波層または第1光導波層と上記活性層との間に、この活性層に密接して配設されるとともに上記活性層のバンドキャップエネルギーの値と隣接する第2光導波層または第1光導波層のバンドギャップエネルギーとの中間のバンドギャップエネルギーであってそれらと離散的に異なるバンドギャップエネルギー、及び上記活性層の屈折率と隣接する第2光導波層または第1光導波層の屈折率の中間の屈折率を有し、上記活性層の厚みよりも薄い厚みを有する第1の半導体層と、上記第2光導波層の上に配設された第2導電型である第2クラッド層と、を備え、上記活性層と第2光導波層または第1光導波層との伝導帯バンドオフセットまたは価電子帯バンドオフセット内に0次の量子準位を有することを特徴とした半導体レーザ装置。活性層と第1の半導体層との伝導帯バンドオフセットまたは価電子帯バンドオフセット内に0次の量子準位を有し、第1の半導体層と第2光導波層または第1光導波層との伝導帯バンドオフセットまたは価電子帯バンドオフセット内に1次以上の量子準位を有することを特徴とした請求項1記載の半導体レーザ装置。第1の半導体層が、第2光導波層または第1光導波層と上記活性層との間のいずれの側にも配設されたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体レーザ装置。第2光導波層または第1光導波層と同じバンドギャップエネルギーならびに同じ屈折率を有するバリア層を介して、活性層が複数配設されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。非特許文献1に開示されている従来の発振波長940nmの半導体レーザ装置は、ガイド層にAl組成比0.35のAlGaAs層を、クラッド層にAl組成比0.70のAlGaAs層を用いているために、このガイド層内に光強度分布の多くの領域を包含している。Alを含む層は酸化し易いため、Alを含む層に多くの光が存在するとCODを引き起こしやすく場合によっては信頼性が低下するという問題があった。特許文献1に開示された発振波長が650nmの半導体レーザにおいては、n型クラッド層及びp型クラッド層にはAlGaInAsP層を使用しつつ、n側およびp側の光導波層にAlを含まないGaInP層を用い、さらにGaInPの窓層を設けたり、あるいはGaInAsP活性層とGaInP障壁層とからなる多重量子井戸構造にZn拡散を行って混晶化した窓層を設けることによりCODレベルを高めている。しかしながら、半導体レーザ装置においてその高出力動作を行う際には、レーザの出射端面におけるCODのレベルを高めて、半導体レーザ装置の信頼性を確保することが重要であるが、さらに内部損失を少なくすることが高出力動作に不可欠の事項である。また、SCH構造では、キャリアは活性層にのみ溜めるため、擬フェルミレベルが高くなり、延いては動作電圧が高くなる場合があった。さらにSCH構造では、光学損失を小さくするためにガイド層を厚くした場合は、光強度分布が拡がりすぎて、活性層への光閉じ込め率が低下し、しきい値電流が大きくなる場合があった。この発明は上記の問題点を解決するためになされたもので、第1の目的は発振波長940nm近傍の半導体レーザ装置において、CODレベルを高くしつつ、内部損失の小さくすることにより、動作電流が小さく高効率で、信頼性の高い半導体レーザ装置を構成することであり、第2の目的は動作電圧が低く、しきい値電流の小さい半導体レーザ装置を構成することである。この発明に係る半導体レーザ装置は、第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に配設された第1導電型である第1クラッド層と、この第1クラッド層の上に配設された第1光導波層と、この第1光導波層の上に配設され、第1光導波層よりも屈折率が大きい量子井戸構造の活性層と、この活性層の上に配設された、活性層よりも屈折率の小さい第2光導波層と、この第2光導波層または第1光導波層と活性層との間に、この活性層に密接して配設されるとともに活性層のバンドキャップエネルギーの値と隣接する第2光導波層または第1光導波層のバンドギャップエネルギーとの中間のバンドギャップエネルギーであってそれらと離散的に異なるバンドギャップエネルギー、及び活性層の屈折率と隣接する第2光導波層または第1光導波層の屈折率の中間の屈折率を有し、活性層の厚みよりも薄い厚みを有する第1の半導体層と、第2光導波層の上に配設された第2導電型である第2クラッド層と、を備え、活性層と第2光導波層または第1光導波層との伝導帯バンドオフセットまたは価電子帯バンドオフセット内に0次の量子準位を有するものである。この発明に係る半導体レーザ装置においては、しきい値キャリア密度が低減し、伝導帯もしくは価電子帯の擬フェルミレベルが低下する。このためしきい値電流が低くなり、動作電圧が低くなるとともにキャリアのオーバーフローを抑制できるので高温特性がよくなる。延いては動作電圧が低く、しきい値電流の小さい半導体レーザ装置を構成することができる。実施の形態1.図1はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの斜視図である。以下の図において同じ符号は、同じものか相当のものであることを示す。図1において、半導体レーザ10は、発振波長が940nm帯の半導体レーザでYbドープYAG等の固体レーザや、Ybドープファイバレーザ、あるいはErドープファイバアンプ等の励起用光源として用いられる。半導体レーザ10はn-GaAs基板12上に順次配設された、第1クラッド層としてn型クラッド層14、第1光導波層としてのn側ガイド層16、量子井戸構造の活性層18、第2光導波層としてのp側ガイド層20、第2クラッド層としてのp型クラッド層22、およびp-GaAsのコンタクト層24を備えている。コンタクト層24とコンタクト層24に接する側のp型クラッド層22の一部の層とにおいて、そのx方向中央部のストライプ領域を除く両側にプロトンが注入され、プロトン注入領域26が設けられている。プロトン注入領域26は高抵抗領域となるので、プロトン注入領域26に挟まれたストライプ領域が電流の集中する電流経路28を構成する。この電流経路28のx方向のストライプ幅が図中Sで示されている。コンタクト層24の表面には金膜で形成されたp電極30が、またn-GaAs基板12の裏面には金膜で形成されたn電極32がそれぞれ設けられている。半導体レーザ10の光の出射方向はz方向で、半導体レーザ10のz方向の両端面は劈開端面になっている。この劈開端面の間が共振器になっていて、図中共振器長がLで示されている。n-GaAs基板12の層厚は大略125μmであり、n型クラッド層14とn側ガイド層16と活性層18とp側ガイド層20とp型クラッド層22とコンタクト層24との厚みは大略5μm程度である。そしてn型クラッド層14とp型クラッド層22とはそれぞれの層厚が0.7μm程度である。この実施の形態1においては、n型クラッド層14はn-Al0.3Ga0.70.5In0.5Pで形成されているが、Al組成比x1は、1>x1>0、Inに関係する組成比y1は0.52>y1>0.48であればよい。またn側ガイド層16およびp側ガイド層20はi-In0.49Ga0.51Pで形成されているが、GaAsと格子整合すればInの組成比は1>u>0であればよい。p型クラッド層22はp-Al0.3Ga0.70.5In0.5Pで形成されているが、Al組成比x2は、1>x2>0、Inに関係する組成比y1は0.52>y2>0.48であればよい。図2はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの活性層近傍のバンド図である。この実施の形態1の半導体レーザ10においては、活性層18は、半導体レーザの発振波長を940nmとするためにInの組成比0.07としたIn0.07Ga0.93Asで形成されている。しかしながらYbドープファイバレーザ、あるいはErドープファイバアンプ等の励起用光源として用いる場合には発振波長が長くなり、例えば発振波長は1.06μmとなるので、In組成比は、0.24>v>0であればよい。また半導体レーザ10の活性層18は、この場合においては一例として単一量子井戸層構造で形成されている。図3はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの活性層近傍のバンド図である。この実施の形態1における半導体レーザ10においては、活性層18は単一量子井戸層で構成されているが、図3において示されるように、活性層18は量子井戸層34の間に、n側ガイド層16あるいはp側ガイド層20と同じ材料の井戸層間バリア層36が設けられた多重量子井戸構造にしてもよい。また多重量子井戸層の数は2層でなくてもよい。半導体レーザ10はp電極30とn電極32との間に電圧が印加され、プロトン注入領域26に挟まれた電流経路28により電流が集中され、活性層18近傍でレーザ光を発振させる。発生したレーザー光はn型クラッド層14とn側ガイド層16の屈折率差、およびp型クラッド層22とp側ガイド層20の屈折率差を適切に選択することにより、レーザ光の光強度分布がAlを含まないn側ガイド層16、活性層18およびp側ガイド層20の領域に多く分布させることが出来る。Alを含まない層は酸化が起きにくい。このためレーザのCODレベルを高くすることができてレーザの信頼性を高くすることが出来る。さらに半導体レーザ装置を高出力化するためには、半導体レーザの内部損失を低減することが重要である。半導体レーザにおける内部損失は主にp型またはn型の不純物をドーピングした半導体層のドーパントによるフリーキャリア吸収によって引き起こされる。すなわち、半導体レーザの共振器の間を往復して増幅を繰り返す光の強度分布の多くの割合がドーピングした半導体層中に存在する場合は内部損失が大きくなる。逆に増幅を繰り返す光が、その光強度分布の割合のわずかしかドーピングした半導体層の中に存在しなければ内部損失は小さくなる。図4はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのガイド層の厚みに対するアンドープ領域における光強度割合を示すグラフである。この図4は、基本的な構成としては半導体レーザ10の構成とし、各曲線の計算条件は次のとおりである。すなわち、In0.07Ga0.93Asで形成された単一量子井戸層を有する活性層の場合において、1曲線I▲は、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比0.10とし、活性層18の層厚みこの実施の形態1では量子井戸層ウエル層厚みに相当するを6nmとした場合である。2曲線II△は、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比0.15とし、活性層18の層厚を6nmとした場合である。3曲線III○は、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比0.15とし、活性層18の層厚を8nmとした場合である。4曲線IV□は、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比0.15とし、活性層18の層厚を14nmとした場合である。図4における横軸はガイド層厚みで、このガイド層厚はn側ガイド層16およびp側ガイド層20を同じ厚みとした場合のn側ガイド層16およびp側ガイド層20各々の層厚である。また縦軸はアンドープ領域の光強度割合で、アンドープ領域であるn型クラッド層14と活性層18とp側ガイド層20とに含まれる光強度分布の割合である。図4から分かるように、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.10で、活性層18の層厚が6nm以上で、ガイド層厚が400nm以上になるとアンドープ領域の光強度割合は86以上となる以下、n側ガイド層16およびp側ガイド層20を一括して論じるときには、ガイド層という。また活性層18の層厚が6nm以上で、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15の場合、ガイド層厚が400nm以上になるとアンドープ領域の光強度割合は90を越えている。AlGaInPの屈折率はAl組成比が増加するに従って小さくなる。n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15を越した場合、i-In0.49Ga0.51Pで形成されているn側ガイド層16およびp側ガイド層20とn型クラッド層14およびp型クラッド層22との屈折率差がさらに大きくなる。このためにn側ガイド層16およびp側ガイド層20それぞれの層厚が400nm以上あれば必ずアンドープ領域の光強度割合は90を越える。さらに、AlGaInPの屈折率はAl組成比が増加するに従って低下し、Alが少しでも含まれるAlGaInP層の屈折率はInGaP層の屈折率よりも小さくなる。この発明に係る半導体レーザはドーパントを含まないガイド層とドーピングされたクラッド層との間の屈折率差を利用してドーパントを含まないガイド層内にできるだけ多くの光強度分布が存在するようにしたものであるから、クラッド層にAlGaInP層を使用し、ガイド層にInGaP層を使用する限り、ガイド層の層厚を厚くすればAlGaInP層のAl組成比が0.15未満であっても、アンドープ領域に光強度分布の90以上が存在するようにレーザ光を閉じこめることが可能となる。また、活性層の層厚が6nmの曲線IIと活性層の層厚が8nmの曲線IIIとを比較するとアンドープ領域の光強度分布の割合はほとんど差異がない。これは活性層の層厚が8nm以下の場合は、活性層の層厚が薄いために活性層の屈折率がアンドープ領域の光強度分布の割合に影響を与えることが少なく、半導体レーザの光強度分布は主にn型クラッド層14とn側ガイド層16の屈折率差、およびp型クラッド層22とp側ガイド層20の屈折率差によって決定されることを意味している。発明者らの独自の実験によれば、ドーピングを行わない半導体層内に光強度分布の90以上が存在するように光を閉じこめると、半導体レーザの内部損失は1cm-1以下になることが分かった。すなわち曲線Iの場合においても内部損失がかなり低減できるが、曲線II、曲線III、及び曲線IVの場合においては、n側ガイド層16およびp側ガイド層20それぞれの層厚が400nm以上にすると半導体レーザの内部損失は1cm-1以下にすることができる。特に励起用光源としての、例えば固体レーザの励起用光源として用いる半導体レーザ装置では、半導体レーザの内部損失を1cm-1以下にすることが望ましい。従って例えば実施の形態1における半導体レーザ10の構成、すなわちn型クラッド層14はn-Al0.3Ga0.70.5In0.5Pにより、n側ガイド層16およびp側ガイド層20はi-In0.49Ga0.51Pにより、活性層18はIn0.07Ga0.93Asで形成された量子井戸層により、p型クラッド層22はp-Al0.3Ga0.70.5In0.5Pによりそれぞれ形成された構成を有し、活性層18の層厚を6nm以上とし、n側ガイド層16およびp側ガイド層20それぞれの層厚を400nm以上にすれば、半導体レーザの内部損失を1cm-1以下にすることができる。なお、図4の半導体レーザのガイド層の厚みに対するアンドープ領域における光強度割合の計算は、公知の文献、例えばPJBClarricoatsandKBChanElectromagneticwavepropagationalongradiallyinhomogeneousdielectriccylindersElectronicsLetters29thOctober1970Vol6No22pp694695における多重分割法によって行った。次に半導体レーザ10の発振可能性についてのシミュレーションについて説明する。図5はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのウエル厚みに対するしきい値キャリア密度を示すグラフである。すなわち図5は半導体レーザの発振に必要なしきい値キャリア密度のウエル層の層厚依存性を示している。この計算においては、半導体レーザの構成は半導体レーザ10の構成で、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の層厚をそれぞれ550nmとしている。また半導体レーザの前面反射率を13、後面反射率を98、及び共振器長を1000μmとし、半導体レーザの内部損失を0.8cm-1としている。なお、図5の半導体レーザのウエル厚みに対するしきい値キャリア密度の計算は、公知の文献、例えばMAsadaAKameyamaandYSuematsuGainandintervalencebandabsorptioninquantumwelllasersIEEEJofQuantumElectronicsVOLQE20NO7JULY1984における密度行列法によって行った。図5から次のことが分かる。半導体レーザのしきい値キャリア密度はウエル層の層厚が厚くなるに伴って小さくなり、ウエル層の層厚がおおよそ12nmの時最小となる。さらにウエル層の層厚が増加するとしきい値キャリア密度はかえって増加する。これはウエル層の層厚がおおよそ12nm未満の領域では量子効果が強くなるが一方で活性層内への光の閉じ込め率が小さくなり、結果としてしきい値キャリア密度は高くなる。またウエル層の層厚がおおよそ12nmを越える領域では、活性層内への光の閉じ込め率は大きくなるが逆に量子効果が小さくなり結果としてしきい値キャリア密度は増加する。図5に示されるように、単一量子井戸構造の場合にはウエル層の層厚が、また多重量子井戸構造の場合にはウエル層の層厚の和が6nm以上であれば、レーザ発振に必要な十分な利得が得られる。また、ウエル層の層厚が12nm近傍の時に、しきい値キャリア密度が最も小さくなることから層厚12nm近傍の単一量子井戸の活性層、あるいはウエル層の層厚の和が12nm近傍となる多重量子井戸構造、例えばウエル層の層厚が6nmの二重量子井戸構造の活性層にすると、しきい値電流が最も小さくなる。半導体レーザの利得は主に活性層の層厚、活性層のバンドギャップ、およびガイド層のバンドギャップで決まることや、端面反射率や共振器長などは単に半導体レーザの全損失に影響を与えるに過ぎないことや、InGaPのガイド層の層厚やAlGaInPのクラッド層のAl組成比は単に半導体レーザの光強度分布において活性層の部分への光の閉じ込め率を変化させるに過ぎないことなどを考慮すれば、端面反射率やAlGaInPのクラッド層のAl組成比を変えても図5に示された曲線の形状は単に値が上下するだけである。すなわち、この半導体レーザの発振可能性のシミュレーションはここで行った一例に限られること無く、例えばAlGaInPのクラッド層のAl組成比を変化させても半導体レーザの発振が可能であることを意味している。なお、活性層の層厚の上限は、公知の文献、例えばIJFritzSTPicrauxLRDawsonandTJDrummondDependenceofcriticallayerthicknessonstrainforInxGa1xAsGaAsstrainedlayersuperlatticesApplPhysLett4615May1985pp967969により示される臨界膜厚により決定される。GaAsに整合するInGaAsの臨界膜厚により活性層の層厚の上限は約30nmから40nm程度と考えられる。活性層が単一量子井戸構造とした場合には、量子井戸層の層厚の上限が約30nmから40nm程度となるが、量子効果が有効に働くのは約20nm以下程度となる。また多重量子井戸構造とした場合には量子井戸層の層厚の和が約30nmから40nm程度で上限と考えられる。図6はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一試作例の光出力-電流特性を示すグラフである。この試作例1の半導体レーザの構成は半導体レーザ10と同じ構成で、活性層の層厚は12nm、n側ガイド層およびp側ガイド層の層厚はそれぞれ500nm、共振器長は1000μmである。共振器の前端面及び後端面はコーティングをしない劈開端面としている。劈開端面の場合には反射率は約32となる。また電流を流す幅、つまり半導体レーザ10におけるプロトン注入領域26に挟まれた電流経路28のストライプ幅は60μmである。図6においては前端面から出射された光出力のみを記載しているので後端面から出射される光出力をも考慮すると、全体の光出力は、図6に示された値の2倍になる。この試作例1の半導体レーザにおいては、しきい値電流が0.198A、0.6W出力時の動作電流は1.545A、スロープ効率は0.445W/Aで、良好な特性を示した。また、0.6W出力時の発振波長は940.7nmであった。図7はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一試作例の光出力-電流特性を示すグラフである。この試作例2の半導体レーザの構成は、n側ガイド層およびp側ガイド層の層厚はそれぞれ550nmとした以外は先の試作例1と同じ構成である。この試作例2の半導体レーザにおいては、しきい値電流が0.186A、0.6W出力時の動作電流は1.482A、スロープ効率は0.463W/Aで、良好な特性を示した。また、0.6W出力時の発振波長は943.2nmであった。試作例2の半導体レーザのガイド層の層厚を試作例1の半導体レーザのそれよりも厚くしたことで、アンドープ領域内における光の閉じ込め率が大きくなった。この結果、試作例1の半導体レーザと比較して、試作例2の半導体レーザにおいてはしきい値電流が小さくなり、かつスロープ効率が大きくなっている。変形例1図8はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図8において、半導体レーザ40の基本構成は半導体レーザ10のそれと同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ10においては、コンタクト層24とコンタクト層24に接する側のp型クラッド層22の一部の層とにおいて、そのx方向中央部のストライプ領域を除く両側にプロトンが注入されてプロトン注入領域26が設けられている。このプロトン注入領域26に挟まれたストライプ領域が電流経路28とされている。これに対して半導体レーザ40においては、コンタクト層24のx方向中央部に設けられたストライプ領域を除く両側の表面上に絶縁膜42が設けられ、コンタクト層24の表面上に設けられたp電極30と接するコンタクト層24のストライプ領域が電流経路28とされている。その他の構成は半導体レーザ10と同じである。この半導体レーザ40においては半導体レーザ10と同様の効果を奏するとともに、安価なプロセス装置を用いて電流狭窄構造を構成することができるので、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例2図9はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図9において、半導体レーザ44の基本構成は半導体レーザ10と同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ10の電流狭窄構造は半導体レーザ10の説明や変形例1の説明において述べたとおりである。これに対して、半導体レーザ44は、コンタクト層24とコンタクト層24に接する側のp型クラッド層22の一部の層とによって、そのx方向中央部の光導波路リッジ46が形成されている。この光導波路リッジ46の両側にn-Al0.4Ga0.60.5In0.5Pの電流狭窄層48が設けられ、光導波路リッジ46が埋込まれている。この導波路リッジ46のコンタクト層24の表面にp電極30が設けられている。その他の構成は半導体レーザ装10と同じである。この半導体レーザ44においては、半導体レーザ10と同様の効果を奏するとともに、結晶成長工程で電流狭窄構造を構成することができるので、ウエハプロセス工程が簡単になり、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例3図10はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図10において、半導体レーザ50は基本的には半導体レーザ10と同じ構成であるが、半導体レーザ50が半導体レーザ10と相違するところはプロトン注入領域を多くして、電流経路28を複数個にしている点である。この半導体レーザ50は、電流経路28を4カ所とした4点アレイ型半導体レーザである。半導体レーザ50のx方向の寸法を延長し、プロトン注入領域26の数をさらに増すことによりさらなる多点のアレイ型半導体レーザを製作することが可能である。アレイの点数を増すことにより大出力の半導体レーザを構成することができる。以上のようにこの実施の形態に係る半導体レーザにおいては、第1導電型のGaAs基板と、このGaAs基板上に配設された第1導電型であるAlx1Ga1-x1y1In1-y1P1>x1>0、0.52>y1>0.48の第1クラッド層と、この第1クラッド層の上に配設された、GaAsと格子整合するアンドープのInuGa1-uP1>u>0の第1光導波層と、この第1光導波層の上に配設され、第1光導波層よりも屈折率が大きく、InvGa1-vAs0.24>v>0を量子井戸層として含む活性層と、この活性層の上に配設された、活性層よりも屈折率の小さいアンドープのInuGa1-uP1>u>0の第2光導波層と、この第2光導波層の上に配設された第2導電型であるAlx2Ga1-x2y2In1-y2P1>x2>0、0.52>y2>0.48の第2クラッド層と、を備えているので、活性層がInvGa1-vAs0.24>v>0を量子井戸層として有することにより、発振波長が940nm近傍を含むレーザ光を出射し、第1導電型の第1クラッド層と第1光導波層との間の屈折率差及び第2導電型の第2クラッド層と第2光導波層との間の屈折率差によりレーザ光の光強度分布の多くの領域がAlを含まない第1光導波層と第2光導波層との間に閉じこめられる。このためにAlの酸化が原因となるCODが少なくなり、CODレベルが高くなる。さらにレーザ光の光強度分布がアンドープ領域である第1光導波層と第2光導波層との間に閉じこめられるので内部損失を小さくすることができる。延いては動作電流が小さく高効率で、信頼性の高い半導体レーザ装置を構成することができる。さらに、活性層を一つまたは複数の量子井戸層を含むように構成し、量子井戸層の層厚の和が12nm程度とすることにより、半導体レーザのしきい値キャリア密度をもっとも小さくすることができて、しきい値電流を小さくすることができる。さらにまた、第1クラッド層および第2クラッド層のAl組成比が0.1以上で、かつ第1光導波層および第2光導波層それぞれの層厚が400nm以上にすることにより、アンドープ領域である第1光導波層と第2光導波層との間に存在するレーザ光の光強度分布が86以上とすることができる。さらに第1クラッド層および第2クラッド層のAl組成比が0.15以上で、かつ第1光導波層および第2光導波層それぞれの層厚が400nm以上にすることにより、アンドープ領域である第1光導波層と第2光導波層との間に存在するレーザ光の光強度分布が90以上とすることができる。実施の形態2.図11はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの斜視図である。図11において、半導体レーザ54が実施の形態1において説明した半導体レーザ10と異なるところは、n側ガイド層16と活性層18の間に第1バリア層としてのn側第1バリア層56が、そして活性層18とp側ガイド層20の間に第1バリア層としてのp側第1バリア層58がさらに設けられたことである。半導体レーザ54の他の構成は半導体レーザ10と同じである。n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58はアンドープの半導体であるi-GaAs0.88P0.12で形成されている。またn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の層厚はそれぞれ10nmである。図12はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのガイド層の厚みに対するアンドープ領域における光強度割合を示すグラフである。この図12は、基本的な構成としては、半導体レーザ54の構成とし、曲線I▲、曲線II△、曲線III○、および曲線IV□の各曲線の計算条件は実施の形態1の図4で記載したものと同じである。図12における横軸はガイド層厚みで、このガイド層厚はn側ガイド層16およびp側ガイド層20を同じ厚みとした場合のn側ガイド層16およびp側ガイド層20各々の層厚である。また縦軸はアンドープ領域の光強度割合で、アンドープ領域であるn側ガイド層16とn側第1バリア層56と活性層18とp側第1バリア層58とp側ガイド層20とに含まれる光強度分布の割合である。図12から分かるように、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.10で、活性層18の層厚が6nm以上で、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域の光強度割合は86を越えている。また活性層18の層厚が6nm以上で、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15の場合、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域における光強度割合は90を越えている。これはn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58を設けることにより、半導体レーザの光強度分布において活性層部分への光の閉じ込め率を高くすることができ、アンドープ領域への光の閉じ込めをより効果的に行うことができる。延いては動作電流が小さく高効率で、信頼性の高い半導体レーザ装置をより効果的に構成することができる。さらに活性層18の層厚を変化させてもアンドープ領域における光強度割合はほとんど変わらない。これは半導体レーザの光強度分布が主にバリア層とガイド層とで決まる屈折率とクラッド層の屈折率との屈折率差で定まることを意味している。図12の計算ではn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の層厚をそれぞれ10nmとしている。この第1バリア層以下、n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58を一括して論じるときには、第1バリア層というは、第1バリア層の屈折率と層厚で規定される実効屈折率として、半導体レーザのアンドープ領域への光強度分布に対して影響を与え、第1バリア層の層厚が厚くなると実効屈折率は高くなるので、第1バリア層それぞれの層厚が10nmを越えると、活性層18の層厚が6nm以上で、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15の場合、当然、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域における光強度割合は90を越えることになる。また第1バリア層それぞれの層厚が10nm未満であっても、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比を0.15よりも大きくすることにより、ガイド層厚が350nm以上でアンドープ領域における光強度割合を90以上にすることができる。これはAlGaInPのAl組成比が大きくなるに従ってAlGaInPの屈折率が小さくなるからである。図12において、例えば曲線II,曲線III、及び曲線IVは、Al組成比が0.15とした例であるが、Al組成比を0.15以上とすることにより、n型クラッド層14とn側ガイド層16の間の屈折率差、およびp側ガイド層20とp型クラッド層22の間の屈折率差がそれぞれ大きくなり、第1バリア層それぞれの層厚が10nm未満であっても、ガイド層厚が350nm以上でアンドープ領域における光強度割合を90以上にすることができるということである。このようにn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58を設けることにより、n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58とn側ガイド層16およびp側ガイド層20とで規定される実効屈折率が高くなるので、アンドープ領域における光強度割合を高くするための半導体レーザの構成の自由度を高めることができ、動作電流が小さく高効率で、信頼性の高い半導体レーザ装置を構成しやすくすることができる。図13はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのウエル厚みに対するしきい値キャリア密度を示すグラフである。すなわち図13は半導体レーザの発振に必要なしきい値キャリア密度のウエル層の層厚依存性を示している。この計算においては、半導体レーザの構成は半導体レーザ54の構成で、一例としてn側ガイド層16およびp側ガイド層20の層厚をそれぞれ600nmとしている。また半導体レーザの前面反射率を13、後面反射率を98、及び共振器長を1000μmとし、半導体レーザの内部損失を0.8cm-1としている。図13に示されるように、実施の形態1におけると同様にウエル層の層厚の和が6nm以上であれば、レーザ発振に必要な十分な利得が得られる。また、実施の形態1におけると同様に、ウエル層の層厚が12nm近傍の時に、しきい値キャリア密度が最も小さくなることから層厚12nm近傍の単一量子井戸の活性層、あるいはウエル層の層厚の和が12nm近傍となる多重量子井戸構造の活性層にすると、しきい値電流が最も小さくなる。この理由は実施の形態1において述べたことと同様である。図14はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのウエル厚みに対するしきい値キャリア密度を示すグラフである。この計算においては、半導体レーザの構成は基本的には半導体レーザ54と同じ構成であるが、一例としてn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58はGaAsPのP組成比を0.1としたi-GaAs0.9P0.1で形成され、n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の層厚はそれぞれ8nmとしている。その他条件は図13の計算と同様で、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の層厚はそれぞれ600nmとし、また半導体レーザの前面反射率を13、後面反射率を98、及び共振器長を1000μmとし、半導体レーザの内部損失を0.8cm-1としている。図14の場合も、図13の場合と同様にウエル層の層厚の和が6nm以上であれば、レーザ発振に必要な十分な利得が得られる。また、ウエル層の層厚が12nm近傍の時に、しきい値キャリア密度が最も小さくなることから、ウエル層の層厚の和が12nm近傍となる単一あるいは多重量子井戸構造の活性層にするとしきい値電流が最も小さくなる。図15はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一試作例の光出力-電流特性を示すグラフである。この試作例3の半導体レーザの構成は半導体レーザ54と同じ構成で、活性層の層厚は12nm、n側ガイド層およびp側ガイド層の層厚はそれぞれ550nm、共振器長は1000μmである。n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58はPの組成比を0.12としたi-GaAs0.88P0.12で形成されている。またn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の層厚はそれぞれ10nmである。共振器の前端面及び後端面はコーティングをしない劈開端面としている。劈開端面の場合には反射率は約32となる。また電流を流す幅、つまり半導体レーザ10におけるプロトン注入領域26に挟まれた電流経路28のストライプ幅は60μmである。図15においては前端面から出射された光出力のみを記載しているので後端面から出射される光出力をも考慮すると、全体の光出力は、図15に示された値の2倍になる。この試作例3の半導体レーザにおいては、しきい値電流が0.131A、0.6W出力時の動作電流は1.419A、スロープ効率は0.466W/Aで、良好な特性を示した。また、0.6W出力時の発振波長は946.6nmであった。図16はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一試作例の光出力-電流特性を示すグラフである。この試作例4の半導体レーザの構成は、n側ガイド層およびp側ガイド層の層厚はそれぞれ600nmとした以外は先の試作例3と同じ構成である。この試作例4の半導体レーザにおいては、しきい値電流が0.128A、0.6W出力時の動作電流は1.365A、スロープ効率は0.485W/Aで、良好な特性を示した。また、0.6W出力時の発振波長は945.3nmであった。試作例4の半導体レーザのガイド層の層厚を試作例3の半導体レーザのそれよりも厚くしたことで、アンドープ領域内における光の閉じ込め率が大きくなった。この結果、試作例3の半導体レーザと比較して、試作例4の半導体レーザにおいてはしきい値電流が小さくなり、かつスロープ効率が大きくなっている。変形例4図17はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図17において、半導体レーザ60の基本構成は半導体レーザ54のそれと同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ60における電流狭窄構造は実施の形態1の変形例1と同様である。その他の構成は半導体レーザ54と同じである。この半導体レーザ60においては半導体レーザ54と同様の効果を奏するとともに、安価なプロセス装置を用いて電流狭窄構造を構成することができるので、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例5図18はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図18において、半導体レーザ62の基本構成は半導体レーザ54と同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ62における電流狭窄構造は実施の形態1の変形例2と同様である。その他の構成は半導体レーザ54と同じである。この半導体レーザ62においては、半導体レーザ54と同様の効果を奏するとともに、結晶成長工程で電流狭窄構造を構成することができるので、ウエハプロセス工程が簡単になり、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例6図19はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図19において、半導体レーザ64は基本的には半導体レーザ54と同じ構成であるが、半導体レーザ64が半導体レーザ54と相違するところはプロトン注入領域を多くして、電流経路28を複数個にしている点で、この点は実施の形態1の変形例3と同様の構成である。半導体レーザ64のx方向寸法を延長し、プロトン注入領域26の数をさらに増すことによりさらなる多点のアレイ型半導体レーザを製作することが可能である。アレイの点数を増すことにより大出力の半導体レーザを構成することができる。以上のようにこの実施の形態に係る半導体レーザにおいては、活性層と第1光導波層との間、および活性層と第2光導波層との間それぞれにアンドープGaAs1-wPw0.2>w>0の第1バリア層を備えているので、半導体レーザの光強度分布において活性層部分への光の閉じ込め率を高くすることができ、アンドープ領域への光の閉じ込めをより効果的に行うことができる。延いては動作電流が小さく高効率で、信頼性の高い半導体レーザ装置をより効果的に構成することができる。また第1バリア層を設けることにより、第1バリア層とガイド層とで規定される実効屈折率が高くなるので、アンドープ領域における光強度割合を高くするための半導体レーザの構成の自由度を高めることができ、動作電流が小さく高効率で、信頼性の高い半導体レーザ装置を構成しやすくすることができる。実施の形態3.図20はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの斜視図である。図20において、半導体レーザ66が実施の形態2において説明した半導体レーザ54と異なるところは、n側ガイド層16と活性層18の間にn側第1バリア層56に加えて第2バリア層としてのn側第2バリア層68が、そして活性層18とp側ガイド層20の間にp側第1バリア層58に加えて第2バリア層としてのp側第2バリア層70が、さらに設けられたことである。この実施の形態3の半導体レーザ66においては、n側第2バリア層68はn側ガイド層16とn側第1バリア層56との間に設けられている。またp側第2バリア層70はp側第1バリア層58とp側ガイド層20との間に設けられている。半導体レーザ66においてn側第2バリア層68およびp側第2バリア層70はアンドープの半導体であるi-GaAsで形成され、層厚は、例えば8nmとしている。n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58は実施の形態2の半導体レーザ54と同じi-GaAs0.88P0.12で形成されているが、層厚は半導体レーザ54と異なり、例えば8nmとしている。半導体レーザ66の他の構成は半導体レーザ54と同じである。この実施の形態3の構成の半導体レーザ66ではGaAsPの第1バリア層に加えてGaAsの第2バリア層を備えている以下、n側第2バリア層68およびp側第2バリア層70を一括して論じるときには第2バリア層という。GaAsの第2バリア層はn-GaAs基板12と完全に格子整合するので、層厚を厚くしても活性層18に歪みが付加されることがない。従って実施の形態1や実施の形態2の構成を有する半導体レーザと比較して、活性層18内への光の閉じ込め率をより大きくすることができる。このため光とキャリアとの相互作用がより強くなりしきい値電流をより小さくすることができる。図21はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのガイド層の厚みに対するアンドープ領域における光強度割合を示すグラフである。この図21は、基本的な構成としては、半導体レーザ66の構成とし、In0.07Ga0.93Asで形成された単一量子井戸層を有する活性層の場合において、曲線I▲、曲線II△、曲線III○、および曲線IV□の各曲線の計算条件は実施の形態1の図4で記載したものと同じである。図21における横軸はガイド層厚みで、このガイド層厚はn側ガイド層16およびp側ガイド層20を同じ厚みとした場合のn側ガイド層16およびp側ガイド層20各々の層厚である。また縦軸はアンドープ領域の光強度割合で、アンドープ領域であるn側ガイド層16とn側第2バリア層68とn側第1バリア層56と活性層18とp側第1バリア層58とp側第2バリア層70とp側ガイド層20とに含まれる光強度分布の割合である。図21から分かるように、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.10で、活性層18の層厚が6nmで、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域の光強度割合は88を越えている。また活性層18の層厚が6nm以上で、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15の場合、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域における光強度割合はおおよそ92以上になっている。GaAsの第2バリア層はn-GaAs基板12と完全に格子整合するので、層厚を厚くしても活性層18に歪みが付加されることがなく、活性層18内への光の閉じ込め率がより大きくなっていることに起因する。さらに活性層18の層厚を変化させてもアンドープ領域における光強度割合はほとんど変わらない。これは実施の形態2の場合と同様に、半導体レーザの光強度分布が主にバリア層とガイド層とで決まる屈折率とクラッド層の屈折率との屈折率差で定まることを意味している。計算ではn側及びp側のGaAsの第2バリア層をそれぞれ8nmとしている。この第2バリア層は、第2バリア層の屈折率と層厚で規定される実効屈折率として、半導体レーザのアンドープ領域への光強度分布に対して影響を与え、第2バリア層の層厚が厚くなると実効屈折率は高くなる。従ってn側第2バリア層68及びp側第2バリア層70それぞれの層厚が8nmを越えると、活性層18の層厚が6nm以上で、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15の場合、当然、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域における光強度割合は90を越えることになる。また第2バリア層それぞれの層厚が8nm未満であっても、n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58それぞれの層厚を大きくするか、またはn型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比を0.15よりも大きくすることにより、ガイド層厚が350nm以上でアンドープ領域における光強度割合を90以上にすることができる。図21において、例えば曲線II,曲線III、及び曲線IVは、Al組成比が0.15とした例であるが、Al組成比を0.15以上とすることにより、n型クラッド層14とn側ガイド層16の間の屈折率差、およびp側ガイド層20とp型クラッド層22の間の屈折率差がそれぞれ大きくなり、第2バリア層それぞれの層厚が8nm未満であっても、ガイド層厚が350nm以上でアンドープ領域における光強度割合を90以上にすることができるということである。このようにn側第2バリア層68をn側ガイド層16とn側第1バリア層56との間に設け、p側第2バリア層70をp側第1バリア層58とp側ガイド層20との間に設けることにより、活性層18に歪みが付加されることなくバリア層の層厚を厚くすることができるので、活性層18内への光の閉じ込め率をより大きくすることができる。このため光とキャリアとの相互作用がより強くなりしきい値電流をより小さくすることができる。図22はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのウエル厚みに対するしきい値キャリア密度を示すグラフである。すなわち図22は半導体レーザの発振に必要なしきい値キャリア密度のウエル層の層厚依存性を示している。この計算においては、半導体レーザの構成は半導体レーザ66の構成で、一例としてn側ガイド層16およびp側ガイド層20の層厚をそれぞれ600nmとしている。また半導体レーザの前面反射率を13、後面反射率を98、及び共振器長を1000μmとし、半導体レーザの内部損失を0.8cm-1としている。図22に示されるように、実施の形態1および2におけると同様にウエル層の層厚の和が6nm以上であれば、レーザ発振に必要な十分な利得が得られる。また、実施の形態1および2におけると同様に、ウエル層の層厚が12nm近傍の時に、しきい値キャリア密度が最も小さくなることから層厚12nm近傍の単一量子井戸の活性層、あるいはウエル層の層厚の和が12nm近傍となる多重量子井戸構造の活性層にすると、しきい値電流が最も小さくなる。この理由は実施の形態1において述べたことと同様である。変形例7図23はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図23において、半導体レーザ72の基本構成は半導体レーザ66のそれと同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ72における電流狭窄構造は実施の形態1の変形例1と同様である。その他の構成は半導体レーザ66と同じである。この半導体レーザ72においては半導体レーザ66と同様の効果を奏するとともに、安価なプロセス装置を用いて電流狭窄構造を構成することができるので、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例8図24はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図24において、半導体レーザ74の基本構成は半導体レーザ66と同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ74における電流狭窄構造は実施の形態1の変形例2と同様である。その他の構成は半導体レーザ66と同じである。この半導体レーザ74においては、半導体レーザ66と同様の効果を奏するとともに、結晶成長工程で電流狭窄構造を構成することができるので、ウエハプロセス工程が簡単になり、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例9図25はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図25において、半導体レーザ76は基本的には半導体レーザ66と同じ構成であるが、半導体レーザ76が半導体レーザ66と相違するところはプロトン注入領域を多くして、電流経路28を複数個にしている点で、この点は実施の形態1の変形例3と同様の構成である。半導体レーザ76のx方向寸法を延長し、プロトン注入領域26の数をさらに増すことによりさらなる多点のアレイ型半導体レーザを製作することが可能である。アレイの点数を増すことにより大出力の半導体レーザを構成することができる。図26はこの発明の一実施の形態に係る他の半導体レーザの斜視図である。図26において、半導体レーザ78がn側ガイド層16と活性層18の間にn側第1バリア層56に加えて第2バリア層としてのn側第2バリア層68が、そして活性層18とp側ガイド層20の間にp側第1バリア層58に加えて第2バリア層としてのp側第2バリア層70が、さらに設けられたことは先に説明した半導体レーザ66と同じである。しかしこの半導体レーザ78が半導体レーザ66と異なるところは、n側第2バリア層68がn側第1バリア層56と活性層18との間に、またp側第2バリア層70が活性層18とp側第1バリア層58との間に設けられていることである。半導体レーザ78においてn側第2バリア層68およびp側第2バリア層70はアンドープの半導体であるi-GaAsで形成され、層厚は、例えば8nmとしている。またn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58はアンドープ半導体であるi-GaAs0.88P0.12で形成され、層厚は例えば8nmとしている。半導体レーザ78におけるその他の構成は半導体レーザ66と同じである。従って半導体レーザ66と同様に、実施の形態1や実施の形態2の構成を有する半導体レーザと比較して、活性層18内への光の閉じ込め率をより大きくすることができる。このため光とキャリアとの相互作用がより強くなりしきい値電流をより小さくすることができる。さらに半導体レーザ78の構成においては、In0.07Ga0.93Asで形成され圧縮歪が印加される活性層18とi-GaAs0.88P0.12の引っ張り歪みが印加されるn側第1バリア層56との間に格子整合するi-GaAsのn側第2バリア層68が、また同様にIn0.07Ga0.93Asで形成され圧縮歪みが印加される活性層18とi-GaAs0.88P0.12の引っ張り歪みが印加されるp側第1バリア層58との間にn-GaAs基板12と格子整合するi-GaAsのp側第2バリア層70が挿入されているので、活性層18、n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の層厚を厚くすることが可能になる。従って半導体レーザ78は半導体レーザ66に比較して、さらに活性層18内への光の閉じ込め率をより大きくすることができる。このため光とキャリアとの相互作用がより強くなりしきい値電流をより小さくすることができる。さらにまた、活性層18とGaAsPのn側第1バリア層56との間にGaAsのn側第2バリア層68を設け、活性層18から離してバンドギャップの大きいGaAsPのn側第1バリア層56を設けることにより、また活性層18とGaAsPのp側第1バリア層58との間にp側第2バリア層70を設け、活性層18から離してバンドギャップの大きいGaAsPのp側第1バリア層58を設けることにより、キャリア電子のオーバーフローを防ぐことができる。図27はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのガイド層の厚みに対するアンドープ領域における光強度割合を示すグラフである。この図27は、基本的な構成としては、半導体レーザ78の構成とし、In0.07Ga0.93Asで形成された単一量子井戸層を有する活性層の場合において、曲線I▲、曲線II△、曲線III○、および曲線IV□の各曲線の計算条件は実施の形態1の図4で記載したものと同じである。図27における横軸はガイド層厚みで、このガイド層厚はn側ガイド層16およびp側ガイド層20を同じ厚みとした場合のn側ガイド層16およびp側ガイド層20各々の層厚である。また縦軸はアンドープ領域の光強度割合で、アンドープ領域であるn側ガイド層16とn側第1バリア層56とn側第2バリア層68と活性層18とp側第2バリア層70とp側第1バリア層58とp側ガイド層20とに含まれる光強度分布の割合である。図27から分かるように、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.10で、活性層18の層厚が6nm以上で、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域の光強度割合は88を越えている。また活性層18の層厚が6nm以上で、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15の場合、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域における光強度割合はおおよそ92以上になっている。GaAsの第2バリア層はn-GaAs基板12と完全に格子整合するので、層厚を厚くしても活性層18に歪みが付加されることがなく、活性層18内への光の閉じ込め率がより大きくなっていることに起因する。さらに活性層18の層厚を変化させてもアンドープ領域における光強度割合はほとんど変わらない。これは実施の形態2の場合と同様に、半導体レーザの光強度分布が主にバリア層とガイド層とで決まる屈折率とクラッド層の屈折率との屈折率差で定まることを意味している。計算ではn側及びp側のGaAsの第2バリア層をそれぞれ8nmとしている。この第2バリア層は、第2バリア層の屈折率と層厚で規定される実効屈折率として、半導体レーザのアンドープ領域への光強度分布に対して影響を与え、第2バリア層の層厚が厚くなると実効屈折率は高くなる。従ってn側第2バリア層68及びp側第2バリア層70それぞれの層厚が8nmを越えると、活性層18の層厚が6nm以上で、n型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比が0.15の場合、当然、ガイド層厚が350nm以上になるとアンドープ領域における光強度割合は90を越えることになる。また第2バリア層それぞれの層厚が8nm未満であっても、n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58それぞれの層厚を大きくするか、またはn型クラッド層14およびp型クラッド層22のAlGaInPのAl組成比を0.15よりも大きくすることにより、ガイド層厚が350nm以上でアンドープ領域における光強度割合を90以上にすることができる。図27において、例えば曲線II,曲線III、及び曲線IVは、Al組成比が0.15とした例であるが、Al組成比を0.15以上とすることにより、n型クラッド層14とn側ガイド層16の間の屈折率差、およびp側ガイド層20とp型クラッド層22の間の屈折率差がそれぞれ大きくなり、第2バリア層それぞれの層厚が8nm未満であっても、ガイド層厚が350nm以上でアンドープ領域における光強度割合を90以上にすることができるということである。云うまでもないことであるがアンドープ領域に90以上の光を閉じ込めるという制限がない場合は、GaAsPの層厚およびP組成比には特段の制約は必要ない。例えばGaAsのn側及びp側第2バリア層の層厚をそれぞれ5nm以下とし、かつGaAsPのn側およびp側第1バリア層の層厚をそれぞれ略10nmとするとこの構成の半導体レーザは実施の形態2の半導体レーザの特性に近づくだけである。図28はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのウエル厚みに対するしきい値キャリア密度を示すグラフである。すなわち図28は半導体レーザの発振に必要なしきい値キャリア密度のウエル層の層厚依存性を示している。この計算においては、半導体レーザの構成は半導体レーザ78の構成で、一例としてn側ガイド層16およびp側ガイド層20の層厚をそれぞれ600nmとしている。また半導体レーザの前面反射率を13、後面反射率を98、及び共振器長を1000μmとし、半導体レーザの内部損失を0.8cm-1としている。図28に示されるように、実施の形態1および2におけると同様にウエル層の層厚の和が6nm以上であれば、レーザ発振に必要な十分な利得が得られる。また、実施の形態1および2におけると同様に、ウエル層の層厚が12nm近傍の時に、しきい値キャリア密度が最も小さくなることから層厚12nm近傍の単一量子井戸の活性層、あるいはウエル層の層厚の和が12nm近傍となる多重量子井戸構造の活性層にすると、しきい値電流が最も小さくなる。この理由は実施の形態1において述べたことと同様である。変形例10図29はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図29において、半導体レーザ80の基本構成は半導体レーザ78のそれと同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ80における電流狭窄構造は実施の形態1の変形例1と同様である。その他の構成は半導体レーザ78と同じである。この半導体レーザ80においては半導体レーザ78と同様の効果を奏するとともに、安価なプロセス装置を用いて電流狭窄構造を構成することができるので、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例11図30はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図30において、半導体レーザ82の基本構成は半導体レーザ78と同じであるが、電流狭窄構造が異なっている。半導体レーザ82における電流狭窄構造は実施の形態1の変形例2と同様である。その他の構成は半導体レーザ78と同じである。この半導体レーザ82においては、半導体レーザ78と同様の効果を奏するとともに、結晶成長工程で電流狭窄構造を構成することができるので、ウエハプロセス工程が簡単になり、安価な半導体レーザを提供できるという効果がある。変形例12図31はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の斜視図である。図31において、半導体レーザ84は基本的には半導体レーザ78と同じ構成であるが、半導体レーザ84が半導体レーザ78と相違するところはプロトン注入領域を多くして、電流経路28を複数個にしている点で、この点は実施の形態1の変形例3と同様の構成である。半導体レーザ84のx方向寸法を延長し、プロトン注入領域26の数をさらに増すことによりさらなる多点のアレイ型半導体レーザを製作することが可能である。アレイの点数を増すことにより大出力の半導体レーザを構成することができる。以上のようにこの実施の形態に係る半導体レーザにおいては、活性層と第1光導波層との間、および活性層と第2光導波層との間それぞれにアンドープGaAsの第2バリア層がさらに配設されたもので、第2バリア層は第1導電型のGaAs基板と完全に格子整合するので、層厚を厚くしても活性層に歪みが付加されることがない。従って活性層内への光の閉じ込め率をより大きくすることができる。このため光とキャリアとの相互作用がより強くなりしきい値電流をより小さくすることができる。延いては動作電流が小さく高効率で、信頼性の高い半導体レーザ装置をより効果的に構成することができる。さらに、第2バリア層が活性層と第1バリア層との間に配設されたもので、圧縮歪みが印加される活性層と引っ張り歪みが印加される第1バリア層との間に格子整合するi-GaAsのn側第2バリア層68が、また同様にIn0.07Ga0.93Asで形成され圧縮歪みが印加される活性層18とi-GaAs0.88P0.12の引っ張り歪みが印加されるp側第1バリア層58との間にGaAs基板と格子整合する第2バリア層が挿入されているので、活性層、および第1バリア層の層厚を厚くすることが可能になる。従ってさらに活性層内への光の閉じ込め率をより大きくすることができる。このため光とキャリアとの相互作用がより強くなりしきい値電流をより小さくすることができる。さらにまた、活性層に隣接して第2バリア層を設け活性層から離してバンドギャップの大きい第1バリア層を設けることにより、キャリア電子のオーバーフローを防ぐことができる。このため活性層で誘導放出に寄与する電子を多くすることができ、内部量子効率の低下を抑制することができる。従ってスロープ効率の低下を抑制することができ、高効率の半導体レーザ装置を構成することができる。なお以上の実施の形態の説明においては、半導体レーザの発振波長をおおよそ940nm近傍を想定しているので、活性層を形成するInGaAsのInの組成比0.07と、層厚をおおよそ12nm近傍としている。しかし活性層のIn組成比と層厚のいずれか一方、あるいは活性層のIn組成比と層厚の両方を変えることで異なる波長で半導体レーザを発振させることができる。特にIn組成比を変えることは発振波長に大きく影響する。例えば、活性層の層厚を12nmに固定した場合、活性層のIn組成比を0.04,0.14,0.205,及び0.235とすると、この組成比に対応して半導体レーザの発振波長はそれぞれおおよそ、900nm、980nm、1060nm、および1100nmとなる。なお、活性層の層厚を12nmよりも厚くすることにより発振波長は長波長の方に変移し、活性層の層厚を12nmよりも薄くすることにより短波長の方に変移する。従ってIn組成比と層厚とを適切に変化させることにより、900nm以上1100nm以下の発振波長を有する半導体レーザを構成することができる。またInGaPのガイド層の層厚は、以上の説明で例示した物に限るものではなく、AlGaInPのAl組成比を変化させることによりガイド層の層厚を広い範囲で設定することができる。例えば、Al組成比を0.15よりも大きくするとクラッド層とガイド層との間の屈折率差を大きくすることができるので、ガイド層を薄くしても光の強度分布をアンドープ領域に包含することが可能である。逆にAl組成比を0.15よりも小さくするとガイド層厚を厚くして光の強度分布をアンドープ領域に包含することが可能である。またGaAsPバリア層のP組成比および層厚も、以上の説明で例示した場合に限るものではない。例えばp組成比を大きくし層厚を厚くするか、p組成比を変えずに層厚を厚くするか、層厚を変えずにp組成比を大きくすれば、活性層への光の閉じ込め率を大きくすることができ、しきい値キャリア密度を低減することができる。またGaAsバリア層の層厚も以上の説明で例示した場合に限るものではない。層厚を厚くすれば、活性層への光の閉じ込め率を大きくすることができ、しきい値キャリア密度を低減することができる。また、AlGaInPクラッド層の一例としてAl組成比を0.15および層厚を0.7μmとしているが、これに限るものではない。例えば、Al組成比を0.15よりも大きくすると、活性層で発生した光の多くはアンドープ領域に包含されるので、結果としてGaAs基板やGaAsコンタクト層へ光が漏れる割合が低下する。この場合にはクラッド層の層厚を0.7μmよりも薄くしてもGaAs基板やGaAsコンタクト層における光の吸収が増加しないので、クラッド層を薄くすることが可能になる。このためクラッド層の層厚を薄くすることにより放熱効果が改善され、しきい値電流が低減し、効率が向上する。また以上の説明におけるこの発明に係る半導体レーザ構造として、プロトン注入による電流狭窄構造、絶縁膜による電流狭窄構造、およびn型半導体による電流狭窄構造を有するものについて説明したが、この半導体レーザ構造に限られるものではなく、例えば単純なリッジ構造や電流狭窄用の半導体層を埋め込んだリッジ構造でも同様の効果を奏する。実施の形態4.図14の計算の基礎となる半導体レーザの構成は、基本的には半導体レーザ54と同じ構成である。しかしn側ガイド層16およびp側ガイド層20はi-In0.49Ga0.51Pで形成されている。ただしGaAsと格子整合すればInの組成比は1>u>0であればよい。またn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58はGaAsPのP組成比を0.1としたi-GaAs0.9P0.1で形成され、n側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の層厚はそれぞれ8nmとしている。そしてこの場合の活性層18は、半導体レーザの発振波長を940nmとするためにInの組成比0.07としたIn0.07Ga0.93Asで形成されている。しかしながらYbドープファイバレーザ、あるいはErドープファイバアンプ等の励起用光源として用いる場合には発振波長が長くなり、例えば発振波長は1.06μmとなるので、In組成比は、0.24>v>0であればよい。そして半導体レーザ10の活性層18は、この場合においては一例として単一量子井戸層構造で形成されている。図14は、半導体レーザの構成を、n側ガイド層16およびp側ガイド層20、ならびにn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の材料および層厚を上述の様に設定し、単一量子井戸構造で形成されている活性層18のウエル層の層厚を変化させて、しきい値キャリア密度を計算し、ウエル層に対するしきい値キャリア密度の関係を求めたものである。この実施の形態4は、実施の形態2の図14の計算結果の基礎としての構成を有する半導体レーザのうち、ウエル層の層厚をn側第1バリア層56およびp側第1バリア層58の層厚の層厚よりも厚くした構成の半導体レーザについてさらに敷衍したものである。図32はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの断面図である。なお図32は半導体レーザの光の導波方向に直交する断面における断面図で、図11の半導体レーザに対応させて云えば、この半導体レーザにおけるz軸に直交する断面における断面図に対応する。また図39以降の半導体レーザの断面図も同様の断面における断面図である。図32において、半導体レーザ100は、半導体基板としてのn-GaAs基板12上に順次配設された、n型クラッド層14、n側ガイド層16、第1の半導体層としてのn側エンハンス層102、このn側エンハンス層102に密接して配設された活性層18、この活性層18に密接して配設された第1の半導体層としてのp側エンハンス層104、p側ガイド層20、p型クラッド層22、コンタクト層24を備え、コンタクト層24の表面には金膜で形成されたp電極30が、またn-GaAs基板12の裏面には金膜で形成されたn電極32がそれぞれ設けられている。n型クラッド層14は、例えばn-Al0.3Ga0.70.5In0.5Pにより形成され、層厚は0.7μmである。n側ガイド層16は、例えばi-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は600nmである。n側エンハンス層102は、i-GaAs0.88P0.12により形成され、活性層18の層厚tよりも薄い層厚dを有しているt>d。n側エンハンス層102は実施の形態2におけるn側第1バリア層56に相当するものであるが、この実施の形態においてはn側エンハンス層102の層厚dが活性層の層厚tよりも薄いものに限られるとしており以下エンハンス層と称することにする。活性層18は、例えばi-In0.07Ga0.93Asで形成され、層厚は8nmまたは12nmである。p側エンハンス層104は、n側エンハンス層102と同様にi-GaAs0.88P0.12により形成され、活性層の層厚tよりも薄い層厚dを有しているt>d。p側ガイド層20は、例えばi-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は600nmである。p型クラッド層22は、例えばp-Al0.3Ga0.70.5In0.5Pにより形成され、層厚は0.7μmである。なお、この実施の形態ではn側エンハンス層102およびp側エンハンス層104の層厚dは、活性層の厚みtが8nmの場合は、層厚dは1nm,2nm,5nm,及び7nmで、活性層の厚みtが12nmの場合は、層厚dは1nm,2nm,5nm,7nm及び10nmとしている。図33はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図33において、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104のバンドギャップエネルギーは活性層18のバンドギャップエネルギーとn側ガイド層16またはp側ガイド層20のバンドギャップエネルギーとの中間のバンドギャップエネルギーを有している。さらに活性層18の材料、n側ガイド層16またはp側ガイド層20の材料、およびn側エンハンス層102またはp側エンハンス層104の材料は、n側エンハンス層102またはp側エンハンス層104の屈折率が、活性層18の屈折率とn側ガイド層16またはp側ガイド層20の屈折率との中間の屈折率を有するように選択されている。次にこの実施の形態におけるエンハンス層の層厚に対するしきい値キャリア密度の依存性およびエンハンス層の層厚に対する擬フェルミレベルの依存性について説明する。図33においてΔEcは活性層18とn側ガイド層16あるいはp側ガイド層20との間の伝導帯バンドオフセットを示す。また一点鎖線Aは発振時の伝導帯の擬フェルミレベルである。なおこの擬フェルミレベルの位置を、ΔEcと位置係数xとの積によりxΔEcで示すことにする。この場合、位置係数xは0<x<1である。図34はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのエンハンス層の層厚に対するしきい値キャリア密度の依存性を示すグラフである。また図35はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのエンハンス層の層厚に対する擬フェルミレベルの位置係数xの依存性を示すグラフである。図34及び図35に示したシミュレーションの結果は、図5の半導体レーザのウエル厚みに対するしきい値キャリア密度の計算を行った場合と同様に、MAsadaetal文献における密度行列法によって行った。また図34及び図35のシミュレーションは活性層18の層厚を8nmとした場合である。まず図34において、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設け無い場合d=0には、しきい値キャリア密度は、3.20cm-3であるのに対して、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設け、それぞれの層厚を1nm,2nm,5nm,及び7nmとした場合には、しきい値キャリア密度は順次、2.75cm-3,2.83cm-3,2.94cm-3,及び3.06cm-3となり、活性層より薄いn側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設けることにより、しきい値キャリア密度が低減できる。しきい値キャリア密度はレーザ発振を行うために必要なキャリア密度であるので、しきい値キャリア密度が低減できると云うことは半導体レーザのしきい値電流を低減することができると云うことを示している。次に、図35において、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設けない無い場合d=0には、伝導帯擬フェルミレベルは0.424ΔEcであるのに対して、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設け、それぞれの層厚を1nm,2nm,5nm,及び7nmとした場合には、伝導帯の擬フェルミレベルは順次、0.371ΔEc,0.369ΔEc,0.364ΔEc,及び0.365ΔEcとなり、活性層より薄いn側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設けることにより、伝導帯の擬フェルミレベルが低下する。擬フェルミレベルは活性層のどのエネルギーレベルまで平均的にキャリアが注入されているかを表す指標であり、擬フェルミレベルが低いと云うことは動作電圧が低くなるとともに、n側ガイド層16およびp側ガイド層20までのエネルギーレベルの差が大きいことを意味し、キャリアがn側ガイド層16およびp側ガイド層20へオーバーフローし難いことを表す。延いては動作電圧が低くなり、良好な高温特性を保持することになる。図36はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのエンハンス層の層厚に対するしきい値キャリア密度の依存性を示すグラフである。また図37はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザのエンハンス層の層厚に対する擬フェルミレベルの位置係数xの依存性を示すグラフである。図36及び図37のシミュレーションは活性層18の層厚を12nmとした場合で、図34及び図35のシミュレーションと同様の手法で行った。まず図36において、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設けない無い場合d=0には、しきい値キャリア密度は、2.97cm-3であるのに対して、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設け、それぞれの層厚を1nm,2nm,5nm,7nm,及び10nmとした場合には、しきい値キャリア密度は順次、2.43cm-3,2.48cm-3,2.55cm-3,2.54cm-3,及び2.56cm-3となり、活性層より薄いn側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設けることにより、しきい値キャリア密度が低減できる。延いては半導体レーザのしきい値電流を低減することができる。次に、図37において、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設けない無い場合d=0には、伝導帯の擬フェルミレベルは0.386ΔEcであるのに対して、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設け、それぞれの層厚を1nm,2nm,5nm,7nm,及び10nmとした場合には、伝導帯の擬フェルミレベルは順次、0.332ΔEc,0.332ΔEc,0.331ΔEc,0.327ΔEc,及び0.323ΔEcとなり、活性層より薄いn側エンハンス層102およびp側エンハンス層104を設けることにより、伝導帯の擬フェルミレベルが低下する。延いては半導体レーザは動作電圧が低く良好な高温特性を保持することになる。次にエンハンス層の効果について活性層内バンド構造を用いて説明する。図38はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの活性層近傍のバンド構造を示す模式図である。図38は活性層幅18が8nmで、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104がそれぞれ1nmとした場合の、活性層18近傍のバンド構造のエネルギー準位を示している。まず伝導帯では活性層18とn側エンハンス層102およびp側エンハンス層104とを含めた領域に三つの量子状態が存在し、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104の領域のみでは1次及び2次の二つの量子状態が存在する。一方価電子帯では、活性層18とn側エンハンス層102およびp側エンハンス層104とを含めた領域に六つの量子状態が存在し、n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104の領域のみでは3次、4次及び5次の三つの量子状態が存在する。価電子帯の量子状態が多いのは、主に正孔ホールの有効質量が電子のそれよりも大きいことに起因している。発振状態を詳細に解析した結果、0次の量子準位が発振に必要な利得を生み出していることが分かった。また1次以上の量子状態は電子や正孔といったキャリアを蓄積する作用がある。すなわち、伝導帯および価電子帯において、活性層とエンハンス層n側エンハンス層およびp側エンハンス層とのバンドオフセット内に0次の準位が存在し、活性層とエンハンス層とを含めた領域に二つ以上の量子準位があれば、エンハンス層によるキャリア密度の低減および擬フェルミレベルの低下を行う効果が顕著になる。なお、エンハンス層はガイド層よりも屈折率が高いので、活性層内への光の閉じ込め率を大きくする効果があり、活性層とエンハンス層とのバンドオフセット内に0次の準位が存在しなくても、また活性層とエンハンス層とを含めた領域に二つ以上の量子準位がなくてもある程度のしきい値キャリ密度の低減および擬フェルミレベルの低下を行う効果がある。また、価電子帯の擬フェルミレベルは、元来低いレベルにあるので、この実施の形態では伝導帯の擬フェルミレベルの低下の効果のみについて説明したが、価電子帯でも同様に擬フェルミレベルが低下する。そして場合によっては、価電子帯の擬フェルミレベルが伝導帯の擬フェルミレベルよりも高い場合があるので、この場合には価電子帯の擬フェルミレベルの低下の効果が有効になる。この実施の形態では活性層の層厚を8nmおよび12nmの例について説明したが、活性層の層厚はこれに限るものではなく、その他の層厚を有する活性層の場合においても同様の効果が得られることを確認している。この実施の形態における半導体レーザ100においては、活性層の層厚より薄い層厚を有し、活性層18のバンドギャップエネルギーとガイド層16,20のバンドギャップエネルギーとの中間のバンドギャップエネルギーを有し、活性層18の屈折率とガイド層16,20の屈折率の中間の屈折率を有するエンハンス層102,104を活性層18に隣接して設けることにより、しきい値キャリ密度を低減し、擬フェルミレベルを低下することができる。延いてはしきい値電流が低く、動作電圧が低く高温特性の良好な半導体レーザを構成することができる。変形例13図39はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の断面図である。また図40は図39の半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図39において、半導体レーザ106は活性層を二つ備えた二重量子井戸DQW構造で、第1の活性層18a、第2の活性層18b各々を挟んでn側エンハンス層102とp側エンハンス層104が配設されている。第1の活性層18aに隣接するp側エンハンス層104と第2の活性層18bに隣接するn側エンハンス層102との間にはバリア層108が配設されている。その他の構成は半導体100と同じである。この変形例では、n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は600nmである。それぞれの活性層18a,活性層18bに隣接するn側エンハンス層102、およびp側エンハンス層104は、層厚が10nmで、i-GaAs0.88P0.12により形成されている。また第1の活性層18aおよび第2の活性層18bはそれぞれ層厚が12nmで、In0.07Ga0.93Asで形成されている。n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は隣接する第1の活性層18aまたは第2の活性層18bの層厚よりも薄い層厚を有している。さらにバリア層108は層厚が20nmで、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の構成材料と同じi-In0.49Ga0.51Pにより形成されている。図38に示される様に、n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は、隣接する第1の活性層18aまたは第2の活性層18bのバンドギャップエネルギーと隣接するn側ガイド層16、p側ガイド層20またはバリア層108のバンドギャップエネルギーとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。この変形例の半導体レーザ106も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例14図41はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の断面図である。また図42は図41の半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図41において、半導体レーザ110は、活性層18に隣接してp側エンハンス層104のみが配設され、n側エンハンス層を有していない。この変形例では、n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は600nmである。p側エンハンス層104は、層厚が10nmで、i-GaAs0.88P0.12により形成されている。また活性層18は層厚が12nmで、In0.07Ga0.93Asで形成されている。p側エンハンス層104は隣接する活性層18の層厚よりも薄い層厚を有している。またp側エンハンス層104はp側ガイド層20よりも屈折率が高いので活性層18内への光閉じ込め率を高めること、およびp側エンハンス層104は活性層18のバンドギャップと隣接するp側ガイド層20のバンドギャップとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。このため0次準位による利得を損なうことなく多くのキャリアを蓄積して擬フェルミレベルを低下させるなどの効果は、活性層の両側にエンハンス層を隣接する場合と同様の効果を有する。なおこの変形例ではp側にエンハンス層を設けているが、n側に設けても同様の効果がある。変形例15図43はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の断面図である。また図44は図43の半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図43および図44において、この変形例の半導体レーザ112は約870nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.4Ga0.6As、p-Al0.4Ga0.6Asにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-Al0.3Ga0.7Asで形成され、層厚は350nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-Al0.2Ga0.8Asにより形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-GaAsにより形成され、層厚は12nmである。この半導体レーザ112は、層厚12nmのGaAs単一量子井戸構造とするとともにエンハンス層として層厚5nmのi-Al0.2Ga0.8Asを用いている。AlGaAsの場合は、Al組成比が大きくなるとバンドギャップエネルギーが大きくなるとともに屈折率が小さくなるので、エンハンス層の屈折率は活性層とガイド層との中間の値となる。またバンドギャップエネルギーもそれらの中間の値となる。この変形例では単一量子井戸でエンハンス層を活性層の両側に設けているが、多重量子井戸でも、エンハンス層を活性層に片側のみに設けても同様の効果を有する。この変形例の半導体レーザ112も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例16この変形例の半導体レーザ114は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。半導体レーザ114、以下に述べる半導体レーザ116,半導体レーザ118,半導体レーザ120,半導体レーザ122,半導体レーザ124,半導体レーザ126,および半導体レーザ128の断面図および伝導帯バンド構造を示す模式図はそれぞれ図43及び図44と同じになる。半導体レーザ114のn型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.5Ga0.5As、p-Al0.5Ga0.5Asにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-Al0.4Ga0.6Asで形成され、層厚は350nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-Al0.3Ga0.7Asにより形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-Al0.1Ga0.9Asにより形成され、層厚は12nmである。この半導体レーザ114は、活性層を層厚12nmのAl組成比が0.1のAlGaAs単一量子井戸構造とするとともにエンハンス層として層厚5nmのAl組成比が0.3のAlGaAs層を用いている。活性層にAlGaAsを用いることに伴い、屈折率差およびエネルギーギャップ差を確保するために、ガイド層及びクラッド層のAl組成比を変形例15の半導体レーザ112よりも大きくしている。この変形例の半導体レーザ114も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例17この変形例の半導体レーザ116は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.7Ga0.3As、p-Al0.7Ga0.3Asにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は100nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-GaAs0.78P0.22により形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-In0.13Ga0.87As0.75P0.25により形成され、層厚は10nmである。この半導体レーザ116は、活性層を層厚10nmのi-In0.13Ga0.87As0.75P0.25単一量子井戸構造とするとともにエンハンス層として層厚5nmのi-GaAs0.78P0.12層を用いている。ガイド層をIn0.49Ga0.51Pとすることにより、活性層、エンハンス層及びガイド層にAlを含まない実質的なAlフリー構造を実現している。なおクラッド層をAl0.7Ga0.3Asとすることにより、ガイド層よりも屈折率を小さくし、ガイド層内に光を閉じ込める構造にしている。この変形例の半導体レーザ116も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例18この変形例の半導体レーザ118は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.7Ga0.3As、p-Al0.7Ga0.3Asにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は100nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-In0.37Ga0.63As0.30P0.70により形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-In0.13Ga0.87As0.75P0.25により形成され、層厚は10nmである。この半導体レーザ118は、活性層を層厚10nmのi-In0.13Ga0.87As0.75P0.25単一量子井戸構造とするとともにエンハンス層として層厚5nmのi-In0.37Ga0.63As0.30P0.70層を用いている。ガイド層をIn0.49Ga0.51Pとすることにより、活性層、エンハンス層及びガイド層にAlを含まない実質的なAlフリー構造を実現している。なおInGaAsPのエンハンス層のAs組成比およびGa組成比はGaAs基板に格子整合するようにしている。この変形例の半導体レーザ118も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例19この変形例の半導体レーザ120は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.30Ga0.700.5In0.5P、p-Al0.30Ga0.700.5In0.5Pにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-Al0.4Ga0.6Asで形成され、層厚は350nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-Al0.3Ga0.7Asにより形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-Al0.10Ga0.90Asにより形成され、層厚は12nmである。この半導体レーザ118の活性層は層厚12nmで、i-Al0.10Ga0.90Asの単一量子井戸構造である。この変形例の半導体レーザ120も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例20この変形例の半導体レーザ122は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.30Ga0.700.5In0.5P、p-Al0.30Ga0.700.5In0.5Pにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-Al0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は100nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-GaAs0.78P0.22により形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-In0.13Ga0.87As0.75P0.25により形成され、層厚は10nmである。この半導体レーザ120の活性層は層厚10nmで、i-In0.13Ga0.87As0.75P0.25の単一量子井戸構造である。この変形例の半導体レーザ122も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例21この変形例の半導体レーザ124は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.30Ga0.700.5In0.5P、p-Al0.30Ga0.700.5In0.5Pにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は100nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-In0.37Ga0.63As0.30P0.70により形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-In0.13Ga0.87As0.75P0.25により形成され、層厚は10nmである。この半導体レーザ124の活性層は層厚10nmで、i-In0.13Ga0.87As0.75P0.25の単一量子井戸構造である。なおInGaAsPのエンハンス層のAs組成比およびGa組成比はGaAs基板に格子整合するようにしている。この変形例の半導体レーザ124も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例22この変形例の半導体レーザ126は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.30Ga0.700.5In0.5P、p-Al0.30Ga0.700.5In0.5Pにより形成され、層厚は0.7μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は500nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-In0.37Ga0.63As0.30P0.70により形成され、層厚は5nmである。活性層18はi-GaAs0.88P0.12により形成され、層厚は12nmである。この半導体レーザ126の活性層は層厚12nmで、i-GaAs0.88P0.12の単一量子井戸構造である。なおInGaAsPのエンハンス層のAs組成比およびGa組成比はGaAs基板に格子整合するようにしている。この変形例の半導体レーザ126も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例23この変形例の半導体レーザ128は約808nmの発振波長を有し、基本的には半導体レーザ100の構成と同じであるが、n-GaAs基板12とコンタクト層24を除く層構造の材料を変えている。すなわち、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.30Ga0.700.5In0.5P、p-Al0.30Ga0.700.5In0.5Pにより形成され、層厚は0.7μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.49Ga0.51Pで形成され、層厚は500nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-GaAs0.78P0.22により形成され、層厚は2nmである。活性層18はi-GaAs0.88P0.12により形成され、層厚は12nmである。この半導体レーザ126の活性層は層厚12nmで、i-GaAs0.88P0.12の単一量子井戸構造である。この変形例の半導体レーザ128も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。変形例24図45はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の断面図である。また図46は図45の半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図45において、半導体レーザ130は活性層を三つ備えた三重量子井戸構造で660nmの発振波長を有している。半導体レーザ130の第1の活性層18a、第2の活性層18bおよび第3の活性層18c各々を挟んでn側エンハンス層102とp側エンハンス層104が配設されている。また、第1の活性層18aに隣接するp側エンハンス層104と第2の活性層18bに隣接するn側エンハンス層102との間、および第2の活性層18bに隣接するp側エンハンス層104と第3の活性層18cに隣接するn側エンハンス層102との間にはそれぞれバリア層108が配設されている。その他の構成は半導体100と同じである。この変形例では、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.70Ga0.300.5In0.5P、p-Al0.70Ga0.300.5In0.5Pにより形成され、層厚は1.3μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-Al0.45Ga0.550.5In0.5Pで形成され、層厚は5nmである。それぞれの活性層に隣接するn側エンハンス層102、およびp側エンハンス層104は、層厚が2nmで、i-Al0.35Ga0.650.5In0.5Pにより形成されている。また第1の活性層18a、第2の活性層18bおよび第3の活性層18cはそれぞれ層厚が8nmで、In0.56Ga0.44Pで形成されている。n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18bまたは第3の活性層18cの層厚よりも薄い層厚を有している。さらにバリア層108は層厚が5nmで、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の構成材料と同じi-Al0.45Ga0.550.5In0.5Pにより形成されている。図46に示される様に、n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は、隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18bまたは第3の活性層18cのバンドギャップエネルギーと隣接するn側ガイド層16、p側ガイド層20またはバリア層108のバンドギャップエネルギーとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。この変形例の半導体レーザ130も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。この変形例は、MMannohJHoshinaSKamiyamaHOhtaYBanandKOhnakaHighpowerandhightemperatureoperationofGaInPAlGaInPstrainedmultiplequantumwelllasersApplPhsyLettvol62No11pp117311751993に記載の半導体レーザを参考にエンハンス層を設けたものである。変形例25図47はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の断面図である。また図48は図47の半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図47において、半導体レーザ132は活性層を四つ備えた四重量子井戸構造で400nmの発振波長を有している。半導体レーザ132は、半導体基板としてのn-GaN基板134の上にn型クラッド層14とn側ガイド層16が順次配設され、四層の活性層18を介して、p側ガイド層20及びp型クラッド層22が順次配設され、このp型クラッド層22の上にp-GaNのコンタクト層24が配設されている。四層の活性層18である第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18cおよび第4の活性層18d各々を挟んでn側エンハンス層102とp側エンハンス層104が配設されている。第1の活性層18aに隣接するp側エンハンス層104と第2の活性層18bに隣接するn側エンハンス層102との間、第2の活性層18bに隣接するp側エンハンス層104と第3の活性層18cに隣接するn側エンハンス層102との間、および第3の活性層18cに隣接するp側エンハンス層104と第4の活性層18dに隣接するn側エンハンス層102との間にはそれぞれバリア層108が配設されている。その他の構成は半導体100と同じである。この変形例では、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.14Ga0.86N、p-Al0.14Ga0.86Nにより形成され、層厚は0.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-GaNで形成され、層厚は100nmである。n側エンハンス層102およびp側エンハンス層104は、i-In0.05Ga0.95Nにより形成され、層厚は1nmである。また第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18cおよび第4の活性層18dはそれぞれ層厚が3.5nmで、In0.15Ga0.85Nで形成されている。n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18cまたは第4の活性層18dの層厚よりも薄い層厚を有している。さらにバリア層108は層厚が7nmで、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の構成材料と同じi-GaNにより形成されている。図48に示される様に、n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は、隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、または第4の活性層18dのバンドギャップエネルギーと隣接するn側ガイド層16、p側ガイド層20またはバリア層108のバンドギャップエネルギーとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。この変形例の半導体レーザ132も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。この変形例は、PGEliseevGASymolyakovandMOsinskiGhostmodesandresonanteffectsinAlGaNInGaNGaNlasersIEEEJSelTopicsQuantumElectronVol5No3pp7717791999に記載の半導体レーザを参考にエンハンス層を設けたものである。変形例26図49はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の断面図である。また図50は図49の半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図49において、半導体レーザ136は活性層を三つ備えた三重量子井戸構造で1310nmの発振波長を有している。半導体レーザ136は、半導体基板としてのn-InP基板138の上にn型クラッド層14とn側ガイド層が順次配設され、三層の活性層18を介して、p側ガイド層20及びp型クラッド層22が順次配設され、このp型クラッド層22の上にp-InPのコンタクト層24が配設されている。三層の活性層18である第1の活性層18a、第2の活性層18bおよび第3の活性層18c各々を挟んでn側エンハンス層102とp側エンハンス層104が配設されている。第1の活性層18aに隣接するp側エンハンス層104と第2の活性層18bに隣接するn側エンハンス層102との間、および第2の活性層18bに隣接するp側エンハンス層104と第3の活性層18cに隣接するn側エンハンス層102との間にはそれぞれバリア層108が配設されている。その他の構成は半導体100と同じである。この変形例では、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-In0.817Ga0.183As0.40P0.60、p-In0.817Ga0.183As0.40P0.60により形成され、層厚は78.5nmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.738Ga0.262As0.568P0.432で形成され、層厚は50nmである。それぞれの活性層に隣接するn側エンハンス層102、およびp側エンハンス層104は、層厚が4nmで、i-In0.652Ga0.348As0.750P0.250により形成されている。また第1の活性層18a、第2の活性層18bおよび第3の活性層18cはそれぞれ層厚が7.5nmで、i-In0.557Ga0.443As0.950P0.050で形成されている。n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18bまたは第3の活性層18cの層厚よりも薄い層厚を有している。さらにバリア層108は層厚が23nmで、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の構成材料と同じi-In0.738Ga0.262As0.568P0.432により形成されている。図50に示される様に、n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は、隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18bまたは第3の活性層18cのバンドギャップエネルギーと隣接するn側ガイド層16、p側ガイド層20またはバリア層108のバンドギャップエネルギーとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。この変形例の半導体レーザ136も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。この変形例は、ZMLiandTBradfordAcomparativestudyoftemperaturesensitivityofInGaAsPandAlGaAsMQWlasersusingnumericalsimulationsIEEEJQuantumElectronVol31No10pp184118471995に記載の半導体レーザを参考にエンハンス層を設けたものである。変形例27図51はこの発明の一実施の形態に係る半導体レーザの一変形例の断面図である。また図52は図51の半導体レーザの活性層近傍の伝導帯バンド構造を示す模式図である。図51において、半導体レーザ140は活性層を五つ備えた五重量子井戸構造で1310nmの発振波長を有している。半導体レーザ140は、半導体基板としてのn-InP基板138の上にn型クラッド層14とn側ガイド層が順次配設され、五層の活性層18を介して、p側ガイド層20及びp型クラッド層22が配設され、このp型クラッド層22の上にp-InPのコンタクト層24が配設されている。五層の活性層18である第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dおよび第5の活性層18e各々を挟んでn側エンハンス層102とp側エンハンス層104とが配設されている。第1の活性層18aに隣接するp側エンハンス層104と第2の活性層18bに隣接するn側エンハンス層102との間、および第2の活性層18bに隣接するp側エンハンス層104と第3の活性層18cに隣接するn側エンハンス層102との間、第3の活性層18cに隣接するp側エンハンス層104と第4の活性層18dに隣接するn側エンハンス層102との間および第4の活性層18dに隣接するp側エンハンス層104と第5の活性層18eに隣接するn側エンハンス層102との間にはそれぞれバリア層108が配設されている。その他の構成は半導体100と同じである。この変形例では、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-Al0.47Ga0.53P、p-Al0.47Ga0.53Pにより形成され、層厚は0.2μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-Al0.30Ga0.17In0.53Asで形成され、層厚は200nmである。それぞれの活性層に隣接するn側エンハンス層102、およびp側エンハンス層104は、各々層厚が2nmで、i-Al0.22Ga0.25In0.53Asにより形成されている。また、第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dおよび第5の活性層18eはそれぞれ層厚が5nmで、i-Al0.16Ga0.31In0.53Asで形成されている。n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dまたは第5の活性層18eの層厚よりも薄い層厚を有している。さらにバリア層108は層厚が10nmで、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の構成材料と同じi-Al0.30Ga0.17In0.53Asにより形成されている。図52に示される様に、n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は、隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dまたは第5の活性層18eのバンドギャップエネルギーと隣接するn側ガイド層16、p側ガイド層20またはバリア層108のバンドギャップエネルギーとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。この変形例の半導体レーザ140も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。この変形例は、MTCSilvaJPSihTMChuoJKKirkGAEvansandJKButler13μmstrainedMQWAlGaInAsandInGaAsPridgewaveguidelasersacomparativestudyMicrowaveandOptoelectronicsConference1999SBMOIEEEMTTSAPSandLEOSIMOC’99InternationalVol1912Aug1999pp1012に記載の半導体レーザを参考にエンハンス層を設けたものである。変形例28この変形例の半導体レーザ142は活性層を二つ備えた二重量子井戸DQW構造で、第1の活性層18a、第2の活性層18b各々を挟んでn側エンハンス層102とp側エンハンス層104が配設されている。第1の活性層18aに隣接するp側エンハンス層104と第2の活性層18bに隣接するn側エンハンス層102との間にはバリア層108が配設されている。その他の構成は半導体100と同じである。半導体レーザ142の断面図および伝導帯バンド構造を示す模式図はそれぞれ図39及び図40と同じになる。この変形例では、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-In0.49Ga0.51P、p-In0.49Ga0.51Pにより形成され、層厚は1.5μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-GaAsで形成され、層厚は20nmである。それぞれの活性層に隣接するn側エンハンス層102、およびp側エンハンス層104は、層厚が3nmで、i-In0.15Ga0.85Asにより形成されている。また第1の活性層18aおよび第2の活性層18bはそれぞれ層厚が7nmで、i-Ga0.67In0.33N0.006As0.994で形成されている。n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は隣接する第1の活性層18aまたは第2の活性層18bの層厚よりも薄い層厚を有している。さらにバリア層108は層厚が13nmで、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の構成材料と同じi-GaAsにより形成されている。図40に示される様に、n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は、隣接する第1の活性層18aまたは第2の活性層18bのバンドギャップエネルギーと隣接するn側ガイド層16、p側ガイド層20またはバリア層108のバンドギャップエネルギーとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。この変形例の半導体レーザ142も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。この変形例は、SSatoandSSatohRoomtemperaturecontinuouswaveoperationof124μmGaInNAslasersgrownbymetalorganicchemicalvapordepositionIEEEJSelTopicsQuantumElectronVol5No3pp7077101999に記載の半導体レーザを参考にエンハンス層を設けたものである。変形例29この変形例の半導体レーザ144は活性層を五つ備えた五重量子井戸構造で1550nmの発振波長を有している。半導体レーザ144の断面図および伝導帯バンド構造を示す模式図はそれぞれ図51及び図52と同じになる。半導体レーザ144は、半導体基板としてのn-InP基板138の上にn型クラッド層14とn側ガイド層が順次配設され、五層の活性層18を介して、p側ガイド層20及びp型クラッド層22が配設され、このp型クラッド層22の上にp-InPのコンタクト層24が配設されている。五層の活性層18である第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dおよび第5の活性層18e各々を挟んでn側エンハンス層102とp側エンハンス層104が配設されている。第1の活性層18aに隣接するp側エンハンス層104と第2の活性層18bに隣接するn側エンハンス層102との間、および第2の活性層18bに隣接するp側エンハンス層104と第3の活性層18cに隣接するn側エンハンス層102との間、第3の活性層18cに隣接するp側エンハンス層104と第4の活性層18dに隣接するn側エンハンス層102との間および第4の活性層18dに隣接するp側エンハンス層104と第5の活性層18eに隣接するn側エンハンス層102との間にはそれぞれバリア層108が配設されている。その他の構成は半導体100と同じである。この変形例では、n型クラッド層14およびp型クラッド層22は、それぞれn-InP、p-InPにより形成され、層厚は0.75μmである。n側ガイド層16およびp側ガイド層20は、i-In0.92Ga0.08As0.175P0.825で形成され、層厚は140nmである。それぞれの活性層に隣接するn側エンハンス層102、およびp側エンハンス層104は、層厚が4nmで、i-In0.75Ga0.25As0.60P0.40により形成されている。また、第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dおよび第5の活性層18eはそれぞれ層厚が8nmで、i-In0.775Ga0.225As0.71P0.29で形成されている。n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dまたは第5の活性層18eの層厚よりも薄い層厚を有している。さらにバリア層108は層厚が20nmで、n側ガイド層16およびp側ガイド層20の構成材料と同じi-In0.92Ga0.08As0.175P0.825により形成されている。図52に示される様に、n側エンハンス層102とp側エンハンス層104は、隣接する第1の活性層18a、第2の活性層18b、第3の活性層18c、第4の活性層18dまたは第5の活性層18eのバンドギャップエネルギーと隣接するn側ガイド層16、p側ガイド層20またはバリア層108のバンドギャップエネルギーとの中間の値のバンドギャップエネルギーを有する材料により構成されている。この変形例の半導体レーザ144も、先に述べた半導体レーザ100と同様の効果を有する。この変形例は、SCWoodworthDTCassidyandMJHampExperimentalanalysisofabroadlytunableInGaAsPlaserwithcompositionallyvariedquantumwellsIEEEJQuantumElectronVol39No3pp4264302003に記載の半導体レーザを参考にエンハンス層を設けたものである。この実施の形態の半導体レーザは、活性層よりの層厚が薄く、活性層のバンドギャップエネルギーとガイド層のバンドギャップエネルギーとの間のバンドギャップエネルギーを有しかつ活性層の屈折率とガイド層の屈折率との間の屈折率を有する材料により構成されるエンハンス層が活性層に隣接してを設けられている。この構成により半導体レーザはしきい値キャリア密度が低減され、延いては半導体レーザのしきい値電流を低減することができる。またこの構成により伝導帯もしくは価電子帯の擬フェルミレベルが低下し動作電圧が低くなるとともにキャリアのオーバーフローも防げるので半導体レーザの高温特性が向上する。なおこの実施の形態では五重量子井戸構造まで説明したがさらに多くの量子井戸層を有する構造にしても同様の効果を奏する。またこの実施の形態の説明においては発振波長によってそれぞれ代表的な半導体レーザ構造を例示しエンハンス層を設けた場合について説明したがこれに限るものではなく、その他の半導体レーザ構造でも屈折率及びバンドギャップエネルギーの関係を満足すれば同様の効果が得られる。また基板、クラッド層、およびコンタクト層以外はアンドープとした例を示したが、ガイド層やバリア層などにドーピングをしても同様の効果が得られる。さらに、この実施の形態では電子の有効質量が正孔ホールに有効質量よりも軽い一般的な半導体レーザを例に説明したが、活性層に歪みを導入することによりホールの有効質量を軽くした場合も同様に構成して、同様に効果を得ることができる。以上の様にこの実施の形態に係る半導体レーザ装置においては、第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に配設された第1導電型である第1クラッド層と、この第1クラッド層の上に配設された第1光導波層と、この第1光導波層の上に配設され、第1光導波層よりも屈折率が大きい量子井戸構造の活性層と、この活性層の上に配設された、上記活性層よりも屈折率の小さい第2光導波層と、この第2光導波層または第1光導波層と活性層との間に、この活性層に密接して配設されるとともに活性層のバンドキャップの値と隣接する第2光導波層または第1光導波層のバンドギャップエネルギーとの中間のバンドギャップエネルギーであってそれらと離散的に異なるバンドギャップエネルギー、及び活性層の屈折率と隣接する第2光導波層または第1光導波層の屈折率の中間の屈折率を有し、活性層の厚みよりも薄い厚みを有する第1の半導体層と、第2光導波層の上に配設された第2導電型である第2クラッド層と、を備え、活性層と第2光導波層または第1光導波層との伝導帯バンドオフセットまたは価電子帯バンドオフセット内に0次の量子準位を有するので、しきい値キャリア密度が低減し、伝導帯もしくは価電子帯の擬フェルミレベルが低下する。このためしきい値電流が低くなり、動作電圧が低くなるとともにキャリアのオーバーフローを抑制できるので高温特性がよくなる。延いては動作電圧が低く、しきい値電流の小さい半導体レーザ装置を構成することができる。"