第1導電型の半導体領域からなるドレイン領域と、前記ドレイン領域上に形成された第2導電型の半導体領域からなるボディー領域と、前記ボディー領域内に形成された第1導電型の半導体領域からなるソース領域と、前記ボディー領域内であって前記ソース領域とは異なる領域に形成された第2導電型の高濃度半導体領域からなるボディーコンタクト領域と、前記ソース領域から前記ボディー領域を貫通して前記ドレイン領域に到達するように、形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、前記ソース領域および前記ボディーコンタクト領域に当接するように形成されたソース電極と、前記ドレイン領域に形成されたドレイン電極とを備えた半導体装置であって、前記トレンチは開口縁で外方に凸となる断面を有する湾曲面を形成し、前記湾曲面に充填されるソース電極と、前記湾曲面に沿って形成されたソース領域との間がソースコンタクト領域を構成する半導体装置。請求項1に記載の半導体装置であって、前記トレンチは、断面が垂直方向に伸張する垂直面と、前記垂直面の上縁部に形成された湾曲面とを具備し、前記湾曲面は、前記ゲート電極上を覆う絶縁膜の周縁から前記ソース領域の上縁まで到達するように形成された半導体装置。請求項1または2に記載の半導体装置であって、前記半導体装置は、シリコン基板上に形成されたSiMOSFETである半導体装置。第1導電型の半導体基板上にエピタキシャル成長により、第1導電型の半導体層を形成する工程と、前記第1導電型の半導体層の内、ドレイン領域となる第1導電型の半導体領域を残して、第2導電型の不純物を導入し、第2導電型のボディー領域を形成する工程と、所望のピッチで前記ドレイン領域に到達するようにトレンチを形成する工程と、前記ドレイン領域上に形成された第2導電型の半導体領域からなるボディー領域内に形成された第1導電型の半導体領域からなるソース領域を形成する工程と、前記ボディー領域内であって前記ソース領域とは異なる領域に第2導電型の高濃度半導体領域からなるボディーコンタクト領域を形成する工程と、前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と前記ゲート電極上を絶縁膜で覆い、前記ソース領域および前記ボディーコンタクト領域に当接するようにソース電極を形成する工程と、前記ドレイン領域にコンタクトするようにドレイン電極を形成する工程とを含み、前記トレンチを形成する工程が、第2導電型の前記ボディー領域の形成された前記半導体基板表面に酸化膜を形成し、酸化膜からなるマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクとして、等方性エッチングにより湾曲面を形成する第1の工程と、前記異方性エッチングにより垂直面を形成する第2の工程とを含む半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1の工程は、フッ素系ガスO2を用いたエッチング工程であり、前記第2の工程は、フッ素系ガスArを用いたエッチング工程である半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、前記酸化膜からなるマスクパターンを形成する工程が、異方性エッチングによる第1の前処理工程と、等方性エッチング工程による第2の前処理工程とを含む半導体装置の製造方法。請求項6に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1の前処理工程は、CF4Arを用いたエッチング工程であり、前記第2の前処理工程は、CF4O2を用いたエッチング工程である半導体装置の製造方法。請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第2の前処理工程は、前記第1の工程とは同一条件で行う連続工程である半導体装置の製造方法。しかしながら、さらなる、素子の微細化に伴い、トレンチの形状は素子特性に大きな影響を与えることになる。特に、トレンチ開口近傍のソースコンタクトにおけるコンタクト抵抗およびソース領域の抵抗は、オン抵抗を増大させる原因となる。本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、さらなるソース抵抗の低減をはかりオン抵抗を低減することを目的とする。そこで本発明者らは、種々の実験を重ねた結果、トレンチ上縁部の形状を下に凸の湾曲形状を持たせることで、トレンチの形成ピッチを増大することなく、コンタクト抵抗を低減できることを発見した。本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体領域からなるドレイン領域と、このドレイン領域上に形成された第2導電型の半導体領域からなるボディー領域と、このボディー領域内に形成された第1導電型の半導体領域からなるソース領域と、ボディー領域内であってソース領域とは異なる領域に形成された第2導電型の高濃度半導体領域からなるボディーコンタクト領域と、ソース領域からボディー領域を貫通してドレイン領域に到達するように、形成されたトレンチと、トレンチ内に形成されたゲート電極と、ソース領域およびボディーコンタクト領域に当接するように形成されたソース電極と、ドレイン領域に形成されたドレイン電極とを備え、トレンチは開口縁で外方に凸となる断面を有する湾曲面を形成し、湾曲面に充填されるソース電極と、湾曲面に沿って形成されたソース領域との間がソースコンタクト領域を構成することを特徴とする。また本発明は、上記半導体装置において、トレンチは、断面が垂直方向に伸張する垂直面と、垂直面の上縁部に形成された湾曲面とを具備し、湾曲面は、ゲート電極上を覆う絶縁膜の周縁からソース領域の上縁まで到達するように形成されたことを特徴とする。また本発明は、上記半導体装置において、シリコン基板上に形成されたSiMOSFETであることを特徴とする。また本発明は、第1導電型の半導体基板上にエピタキシャル成長により第1導電型の半導体層を形成する工程と、第1導電型の半導体層の内ドレイン領域となる第1導電型の半導体領域を残して第2導電型の不純物を導入し、第2導電型のボディー領域を形成する工程と、所望のピッチで前記ドレイン領域に到達するようにトレンチを形成する工程と、ドレイン領域上に形成された第2導電型の半導体領域からなるボディー領域内に形成された第1導電型の半導体領域からなるソース領域を形成する工程と、ボディー領域内であってソース領域とは異なる領域に第2導電型の高濃度半導体領域からなるボディーコンタクト領域を形成する工程と、トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上を絶縁膜で覆い、ソース領域および前記ボディーコンタクト領域に当接するようにソース電極を形成する工程と、ドレイン領域にコンタクトするようにドレイン電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、トレンチを形成する工程が、第2導電型のボディー領域の形成された半導体基板表面に酸化膜を形成し、酸化膜からなるマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンをマスクとして、等方性エッチングにより湾曲面を形成する第1の工程と、異方性エッチングにより垂直面を形成する第2の工程とを含むことを特徴とする。また本発明は、上記半導体装置の製造方法であって、前記第1の工程は、フッ素系ガスO2を用いたエッチング工程であり、前記第2の工程は、フッ素系ガスArを用いたエッチング工程である。また本発明は、上記半導体装置の製造方法であって、前記酸化膜からなるマスクパターンを形成する工程が、異方性エッチングによる第1の前処理工程と、等方性エッチング工程による第2の前処理工程とを含む。また本発明は、上記半導体装置の製造方法であって、前記第1の前処理工程は、CF4Arを用いたエッチング工程であり、前記第2の前処理工程は、CF4O2を用いたエッチング工程である。また本発明は、上記半導体装置の製造方法であって、前記第2の前処理工程は、前記第1の工程とは同一条件で行う連続工程である。以上のように、本発明によれば、ソース領域が下に凸の湾曲面を構成するため、ソース電極との接触面積ソースコンタクト面積が、30程度も向上し、かつソース領域が縮小された分、ソース電極となる領域が増大し、オン抵抗の大幅な低減を図ることができる。以下、発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。実施の形態1図1乃至3は本実施の形態1のトレンチが形成されたT-MOSFETを示す図、図4はトレンチ形状の説明図、図5a~dおよび図6a~cは、本発明にかかる半導体装置の製造方法の概略を示す工程断面図である。図1は断面図、図2は上面図、図3は斜視図であり、図1は図2のA-A断面を示す図である。本実施の形態1のT-MOSFETは、トレンチTが開口縁で外方に凸となる断面を有する湾曲面TW2を形成し、この湾曲面TW2に充填されるソース電極50と、湾曲面TW2に沿って形成されたソース電極50との間がソースコンタクト領域50cを構成することを特徴とする。すなわち、このT-MOSFETは、図1に断面図を示すように、N型シリコン基板10表面に形成されたN型エピタキシャル層からなるドレイン領域11と、このドレイン領域11上に形成されたP型ウェル領域からなるボディー領域12と、このボディー領域12内に形成されたN型領域からなるソース領域13と、ボディー領域12内であってソース領域13とは異なる領域に形成されたP型領域からなるボディーコンタクト領域14と、ソース領域13からボディー領域12を貫通してドレイン領域11に到達するように形成されたトレンチTと、トレンチT内にゲート絶縁膜としての酸化シリコン膜40を介して形成されたポリシリコン層からなるゲート電極20と、ソース領域13およびボディーコンタクト領域14に当接するように形成されたソース電極50と、ドレイン領域としてのN型のシリコン基板10に形成されたドレイン電極とを有する。製造に際しては、トレンチTを形成する工程を酸化シリコン膜30のマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して2段階エッチングを行い、断面が垂直方向に伸張する垂直面T1と、垂直面の上縁部に形成された湾曲面TW2とを具備し、湾曲面TW2は、ゲート電極20上を覆う絶縁膜の周縁からソース領域の上縁まで到達するように形成される。このトレンチTは図4に説明図を示すように、断面が下方に突出する下に凸の湾曲面を構成している。つまり中心軸Oを中心として、下に凸の曲線L1ABを1辺とする所定幅の領域の面積がコンタクト面積S1ABとなる図3参照。一方特許文献2のトレンチは上縁で、丸められた面つまり、断面が上方に突出する上に凸の湾曲面を構成している。つまり中心軸Oを中心として、上に凸の曲線L2ABを1辺とした時の面積がコンタクト面積S2ABとなる。L1AB>L2ABゆえにS1AB>S2ABこのように、下に凸の湾曲面を構成するトレンチの場合、コンタクト面積S1ABが断面が上方に突出する湾曲面の場合のコンタクト面積S2ABよりも大幅に大きくなることは明らかである。また、単にテーパ面としたとき、つまり中心軸Oを中心として、直線L3ABを1辺とした時の所定幅の領域の面積S3ABは、下に凸の湾曲面を構成するトレンチの場合よりも小さいが、従来の上に凸の曲線L2ABを1辺とした時の所定幅の領域の面積S2ABよりも大きくなる。L1AB>L3AB>L2ABゆえにS1AB>S3AB>S2ABこのことからも、ソース領域とソース電極とのコンタクト面積が、上に凸の丸まった形状を持つ図7のT-MOSFETに比べ大幅に増大していることがわかる。またソース領域が縮小された分ソース電極が増大していることも明らかである。このようにして本実施の形態のT-MOSFETの場合、従来に比べオン抵抗が低減されることがわかる。実際には、本実施の形態のT-MOSFETの場合、従来に比べコンタクト面積が30程度も向上し、かつソース領域が縮小された分、ソース電極が増大し、オン抵抗の大幅な低減を図ることができる。以下図面とともに、本実施の形態のT-MOSFETについて説明する。基本的には、前述した特許文献1のNチャネルT-MOSFETと同様であり、図1乃至3に示すように、N型第1導電型不純物がドープされた半導体基板としてのN型シリコン基板10上に、エピタキシャル成長法によってエピタキシャル層Eが形成され、このエピタキシャル層Eの底部をN型のドレイン領域11とし、このエピタキシャル層E内に、不純物拡散領域を形成し、このドレイン領域11上にP型のボディー領域12と、ボディー領域12の表面上に形成されたN型のソース領域13と、ソース領域13と隣接するように形成され且つボディー領域12よりも高濃度となるように同一導電型の不純物濃度を導入して形成されたP型のボディーコンタクト領域14とを構成している。エピタキシャル層Eには、ソース領域13及びボディー領域12を貫通し且つドレイン領域11の上部に達するトレンチTが設けられ、該トレンチTの内部にはドープトポリシリコンからなる縦型のゲート電極20が埋め込まれている。この縦型のゲート電極20の最上面は、ソース領域13の存在するエピタキシャル層Eの表面よりも所定の深さだけ下に位置するように形成される。そして、前記トレンチTの内部における縦型のゲート電極20の上側に絶縁膜としての酸化シリコン膜30が充填されている。また、ドレイン領域11及びボディー領域12のそれぞれにおける前記トレンチの垂直な壁面となる面と、縦型のゲート電極20との間には、ゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜40が介在している。また、エピタキシャル層Eの上には、ソース領域13及びボディーコンタクト領域14に共通接続される共通電極としてのソース電極50が設けられている。次に本発明のT-MOSFETの製造方法について説明する。まず、半導体基板としてのN型シリコン基板10上に、エピタキシャル成長法によってエピタキシャル層Eを形成し、このエピタキシャル層Eの表面に熱酸化により膜厚700nm程度の酸化シリコン層を形成する。そしてP型のウェル領域を形成するためのマスクを形成しこのマスクを用いて酸化シリコン層をパターニングし、P型の不純物をイオン注入し、ボディー領域12となるP型ウェル領域を形成する。こののち図5aに示すようにトレンチ形成のためのレジストパターンRを形成する。そしてこのレジストパターンRをマスクとして図5bに示すように酸化シリコン膜30をパターニングする。さらにこの酸化シリコン膜30をマスクとして図5cに示すようにエッチングガスとしてフッ素系ガス酸素を用い、温度50~100°C、0.5~2分のドライエッチングにより、湾曲面TW2を持つトレンチを形成する。こののち図5dに示すようにエッチングガスとしてフッ素系ガスAr酸素を用い、温度50~100°C、2~4分の異方性エッチングにより、垂直面T1からなる断面をもつトレンチTを形成する。そして、素子領域および電極を形成するが、ここでは図6a乃至cを参照しつつ、簡略化して説明する。図6aに示すようにN型シリコン基板10上に形成されたエピタキシャル層E内に形成されたトレンチTの内壁を、熱酸化によって酸化シリコン膜40を形成した後、図6bに示すようにさらにトレンチT内および表面にゲート電極20となるポリシリコン膜を堆積する。そしてこのポリシリコン膜内に所望の濃度となるように不純物を導入する。このようにして、埋め込み層を形成した後、層間絶縁膜としてCVD法により酸化シリコン膜30を形成したのち、バックエッチを行い、トレンチの湾曲面TW2を露出させる。こののち、図6cに示すように、順次N型不純物を注入しソース領域13を形成するとともに、P型不純物を注入しボディーコンタクト領域14を形成する。そして、CVD法により層間絶縁膜としての酸化シリコン膜30を形成した後最後にソース電極50として、アルミニウム層を形成しこれをパターニングする。以上、図5a~図5d、図6a~図6cの一連の手順を踏むことにより、本発明のT-MOSFETを製造することができる。実施の形態2図7a乃至dは本実施の形態2の半導体装置の製造方法におけるトレンチ形成工程の一部の概略を示す工程断面図である。この図は前記実施の形態1の図5a乃至cにおけるトレンチの形成工程の変形例である。本実施の形態2のT-MOSFETにおいても前記実施の形態1のT-MOSFETと同様、トレンチTが開口縁で外方に凸となる断面を有する湾曲面TW2を形成し、この湾曲面TW2に充填されるソース電極50と、湾曲面TW2に沿って形成されたソース電極50との間がソースコンタクト領域50cを構成することを特徴とする。すなわち、このT-MOSFETは、図1に断面図を示したトレンチを形成するに際し、酸化シリコン膜30のエッチング工程を、ガス種を変えて2段階でエッチングすることで、トレンチTのプロファイルを、開口縁で外方に凸となる断面を有する湾曲面TW2を形成するようにしたものである。他部については前記実施の形態1と同様であるためここでは、説明を省略する。同一部位には同一符号を付した。製造に際しては、トレンチTを形成する工程を酸化シリコン膜30のマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して2段階エッチングを行い、断面が垂直方向に伸張する垂直面T1と、垂直面の上縁部に形成された湾曲面TW2とを具備し、湾曲面TW2は、ゲート電極20上を覆う絶縁膜の周縁からソース領域の上縁まで到達するように形成される。本実施の形態では酸化シリコン膜30のパターニング工程を、異方性エッチングと等方性エッチングの2工程で行うようにしている。すなわち、まず、図7aに示すように、前記実施の形態1と同様に、レジストパターンを形成する。そしてこののち、図7bに示すように、まず、CF4とArの混合ガスによる異方性エッチングで行い、酸化シリコン膜30の一部を異方性エッチングにより、レジストパターンに忠実なパターンとなるようにエッチングする。次いで、図7cに示すように、CF4とO2の混合ガスによる等方性エッチングで、酸化シリコン膜30の開口を広げるようにエッチングする。さらにこの酸化シリコン膜30をマスクとしてエッチングガスとしてフッ素系ガス酸素を用い、温度50~100°C、0.5~2分のドライエッチングを行う。このようにして図7dに示すように、湾曲面TW2を持つトレンチが形成される。こののち図5dに示した工程と同様にエッチングガスとしてCF4ガスAr酸素を用い、温度50~100°C、2~4分の異方性エッチングにより、垂直面T1からなる断面をもつトレンチTを形成する。このようにして、トレンチTは図4に説明図を示したのと同様、断面が下方に突出する下に凸の湾曲面を構成している。つまり中心軸Oを中心として、下に凸の曲線L1ABを1辺とする所定幅の領域の面積がコンタクト面積S1ABとなる図3参照。一方特許文献2のトレンチは上縁で、丸められた面つまり、断面が上方に突出する上に凸の湾曲面を構成している。つまり中心軸Oを中心として、上に凸の曲線L2ABを1辺とした時の面積がコンタクト面積S2ABとなる。このように、下に凸の湾曲面を構成するトレンチの場合、コンタクト面積S1ABが断面が上方に突出する湾曲面の場合のコンタクト面積S2ABよりも大幅に大きくなる。このようにして本実施の形態のT-MOSFETの場合、従来に比べオン抵抗が低減される。実際には、本実施の形態のT-MOSFETの場合、従来に比べコンタクト面積が30程度も向上し、かつソース領域が縮小された分、ソース電極が増大し、オン抵抗の大幅な低減を図ることができる。このように、本実施の形態では、前記実施の形態1における2段階エッチングに先だち、まず軽く異方性エッチングにより、レジストパターンに忠実な酸化シリコン膜のパターンを形成し、こののち等方性エッチング、異方性エッチングの2段階エッチングを行うようにしている。各条件についてはパターン密度に応じて適宜選択する必要があるが、等方性エッチングと異方性エッチングの2段階エッチングに先立ち、酸化シリコン膜のパターニング工程において異方性エッチングを追加することで、よりパターン精度の高いトレンチを得ることが可能となる。以上のように、第1の工程としての、フッ素系ガスO2を用いたエッチング工程に先立ち、CF4Arを用いたエッチング工程である第1の前処理工程を追加し、マスクパターンの高精度化を図った後に、等方性エッチング工程による第2の前処理工程と2段階エッチングを行うことでより、高精度の上凸断面形状を得ることができる。ここでは、等方性エッチング工程による第2の前処理工程として、CF4O2を用いたエッチング工程を用いている。これにより、連続してシリコンの異方性エッチングをそのままのガスで連続工程として続行することができる。なお、酸化膜からなるマスクパターンを形成する工程として、異方性エッチングによる第1の前処理工程と、等方性エッチング工程による第2の前処理工程とを実行したのち、前記実施の形態1と同様2段階エッチング工程を実行するようにしてもよいことはいうまでもない。なお、前記実施の形態ではシリコンを用いたシリコンT-MOSFETについて説明したが、ゲート絶縁膜をなくし、ゲート電極をトレンチ内に直接形成したショットキーゲートFET、基板をP型基板として上記構成をとるようにした、IGBTとしたものも有効である。また、前記実施の形態ではシリコンを用いたシリコンT-MOSFETについて説明したが、SiC、GaNなどの化合物半導体を用いたT-MOSFETについても適用可能である。