"陽極と、陰極と、該陽極および該陰極に挟持され、前記陰極に接して設けられる電子注入層を含む複数の有機層が積層されて構成される積層構造体とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記積層構造体の少なくとも一部および前記陽極、又は前記陽極のいずれかが第1の基材上に設けられた第1の構造体を準備する工程と、前記積層構造体のうちで、前記積層構造体の前記少なくとも一部を除く残部および前記陰極、又は前記陰極のいずれかが第2の基材上に設けられた第2の構造体を準備する工程と、前記第1の構造体と前記第2の構造体とを張り合わせて、前記陽極および前記陰極に挟持される積層構造体を形成する張り合わせ工程とを備え、前記第1の構造体を準備する工程または前記第2の構造体を準備する工程では、イオン性ポリマーを含む前記電子注入層を形成する、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記第2の構造体を準備する工程では、前記電子注入層が常圧の雰囲気中で塗工液を塗布して形成される、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記第1の構造体及び前記第2の構造体のおのおのが巻き出しロールから巻き取りロールへと巻き取られる長尺のフィルム状構造体であり、前記張り合わせ工程では、該巻き出しロールから巻き出された前記第1の構造体と前記第2の構造体とを張り合わせ、前記巻き取りロールに連続的に巻き取る、請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記張り合わせ工程が、常圧の雰囲気中で行われる、請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記第1の基材及び前記第2の基材が、同一の材料から構成される、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記張り合わせ工程では、塗工液を塗布して形成された層同士が接合され、かつ該塗工液の溶媒の極性が同じである層同士を接合させて張り合わせる、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記第1の構造体が塗工液を塗布して形成された正孔輸送層を含み、かつ前記第2の構造体が塗工液を塗布して形成された発光層を含み、前記張り合わせ工程では、該正孔輸送層と該発光層とを接合させて張り合わせる、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。有機EL素子を作製する方法は種々あるが、そのひとつとしてラミネート法があげられる。ラミネート法では、まず陽極、正孔注入層、発光層が第1の基材上に形成された第1の構造体を準備するとともに、陰極、および電子注入層が第2の基材上に形成された第2の構造体を準備する。そしてこれら第1の構造体と第2の構造体とを張り合わせることによって有機EL素子を作製する。電子注入層を構成する上記材料は、大気雰囲気中で水分や酸素と容易に反応して速やかに酸化され、機能的に劣化する。そのため電子注入層を有する第1または第2の構造体を準備する工程や、2つの構造体を張り合わせる工程を大気雰囲気中で行うと、電子注入層が劣化するおそれがある。電子注入層が劣化すると、有機EL素子の特性が低下し、たとえばダークスポットが発生したり、素子寿命が短くなったりすることがある。製造工程における電子注入層の劣化を抑制するためには、電子注入層の形成後、張り合わせが行われるまでの間、電子注入層を真空雰囲気に置く必要がある。しかしながら、そのためには第1および第2の構造体だけでなく、これらを張り合わせる装置を含めて真空雰囲気に保つ必要があり、真空ポンプ、真空チャンバなどを備えた大規模な設備が必要となる。さらには真空チャンバへの搬入工程、真空チャンバからの搬出工程、加圧工程、減圧工程などが必要になるため製造工程が煩雑になり、製造コストが高くなる。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ラミネート法において、常圧程度の雰囲気中または大気雰囲気中であっても製造することができる有機EL素子の製造方法を提供することにある。本発明者らは電子注入層を構成する材料及びこれを用いる電子デバイスについて鋭意研究を進めたところ、イオン性ポリマーが、電気的特性に優れているばかりでなく、常圧程度の雰囲気中、さらには大気雰囲気中でも酸化されにくく、機能的にも劣化しにくいことを見出し、このようなイオン性ポリマーを用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち本発明によれば、下記のものが提供される。1陽極と、陰極と、該陽極および該陰極に挟持され、前記陰極に接して設けられる電子注入層を含む複数の有機層が積層されて構成される積層構造体とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記積層構造体の少なくとも一部および前記陽極、又は前記陽極のいずれかが第1の基材上に設けられた第1の構造体を準備する工程と、前記積層構造体のうちで、前記積層構造体の前記少なくとも一部を除く残部および前記陰極、又は前記陰極のいずれかが第2の基材上に設けられた第2の構造体を準備する工程と、前記第1の構造体と前記第2の構造体とを張り合わせて、前記陽極および前記陰極に挟持される積層構造体を形成する張り合わせ工程とを備え、前記第1の構造体を準備する工程または前記第2の構造体を準備する工程では、イオン性ポリマーを含む前記電子注入層を形成する、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。2前記第2の構造体を準備する工程では、前記電子注入層が常圧の雰囲気中で塗工液を塗布して形成される、1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。3前記第1の構造体及び前記第2の構造体のおのおのが巻き出しロールから巻き取りロールへと巻き取られる長尺のフィルム状構造体であり、前記張り合わせ工程では、該巻き出しロールから巻き出された前記第1の構造体と前記第2の構造体とを張り合わせ、前記巻き取りロールに連続的に巻き取る、1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。4前記張り合わせ工程が、常圧の雰囲気中で行われる、1~3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。5前記第1の基材及び前記第2の基材が、同一の材料から構成される、1~4のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。6前記張り合わせ工程では、塗工液を塗布して形成された層同士が接合され、かつ該塗工液の溶媒の極性が同じである層同士を接合させて張り合わせる、1~5のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。7前記第1の構造体が塗工液を塗布して形成された正孔輸送層を含み、かつ前記第2の構造体が塗工液を塗布して形成された発光層を含み、前記張り合わせ工程では、該正孔輸送層と該発光層とを接合させて張り合わせる、6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。本発明の有機EL素子の製造方法によれば、常圧程度の雰囲気中、さらには大気雰囲気中でも良好な電子注入特性を維持できるイオン性ポリマーを電子注入層の材料として用いる。よって電子注入層の形成工程を大気雰囲気中で実施することができるため、電子注入層の形成工程を極めて簡便にすることができ、製造コストを格段に低減することができる。さらに本発明の有機EL素子の製造方法によれば、別体として予め所定の層が形成された第1の構造体と第2の構造体とを張り合わせる。仮に複数の層を塗布法によって積層する場合、後に形成される所定の層を形成する際に、先に形成された所定の層が塗工液に溶解するおそれがある。この溶解を防ぐために、塗工液に架橋剤などの不要な成分を含有させ、先に形成される所定の層を塗工液に対して不溶化することもある。他方、予め所定の層がそれぞれ形成された第1の構造体と第2の構造体とを張り合わせる場合、接合される層に架橋剤などの不要な成分を含有させる必要がないため、製造される有機EL素子の電気的特性、機能などを向上させることができる。また架橋反応させる工程などを省略できるため、製造工程をより簡便にすることができる。よって製造コストをさらに低減することができる。さらに本発明の製造方法によれば、第1の構造体又は第2の構造体を形成するにあたり、最後に形成される層を発光層とすれば、発光層が他の層の形成時の加熱処理に曝されることがないため、少なくとも製造工程において発光層が劣化することがなく、製造される有機EL素子の電気的特性、素子寿命などを向上させることができる。以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。なお各図は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。なお以下の説明に用いる各図において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明を省略する場合がある。本発明の有機EL素子は、必ずしも図示例の配置で、製造されたり、使用されたりするわけではない。なお以下の説明において特に基材の厚み方向の一方を上または上方といい、厚み方向の他方を下または下方という場合がある。<有機EL素子の構成例>図1を参照して、本発明の有機EL素子の構成例について説明する。図1は、有機EL素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。図1に示されるように、本発明の有機EL素子10は、基本構成としての陽極32と、陰極34と、これら陽極32および陰極34に挟持された積層構造体60とを備える。積層構造体60は複数の有機層が積層されて構成され、複数の有機層のうちの一層の有機層として電子注入層44を有する。この電子注入層44は、陰極に接する位置に配置される。また積層構造体は、複数の有機層のうちの一層の有機層として発光層を有する。なお積層構造体60は複数の有機層のみから構成されていてもよいが、無機層や、有機物と無機物とが混合した層をさらに備えていてもよい。本実施形態では、第1の基材22の厚み方向に対向する2つの主表面の一方に、陽極32が設けられている。正孔注入層42aは、陽極32に接合するように設けられている。正孔輸送層42bは、正孔注入層42aに接合するように設けられている。発光層50は、正孔輸送層42bに接合するように設けられている。電子注入層44は、発光層50に接合するように設けられている。陰極34は、電子注入層44に接合するように設けられている。第2の基材24は、陰極34に接合するように設けられている。積層構造体60は、第1の基材22、第2の基材24、陽極32及び陰極34を除く、この例では正孔注入層42a、正孔輸送層42b、発光層50及び電子注入層44から構成され、陽極32及び陰極34に挟持される複数の有機層から構成されている。本発明の有機EL素子は、電子注入層44を構成する材料であるイオン性ポリマーに特徴を有している。このためまずイオン性ポリマーについて説明し、次いでこのイオン性ポリマーが用いられる電子注入層44について説明する。イオン性ポリマー本発明において用い得るイオン性ポリマーとしては、例えば、下記式1で表される基及び下記式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基を含む構造単位を有する重合体が挙げられる。イオン性ポリマーの一形態としては、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基を含む構造単位を、全構造単位中、15~100モル有する重合体が挙げられる。-Q1n1-Y1a1b11式1中、Q1は2価の有機基を表し、Y1は、-CO2、-SO3、-SO2、-PO32又は-BRa3を表し、M1は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、Z1はF、Cl、Br、I、OH、RaSO3、RaCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、SO42、HSO4、PO43、HPO42、H2PO4、BF4又はPF6を表し、n1は0以上の整数を表し、a1は1以上の整数を表し、b1は0以上の整数を表し、ただし、a1及びb1は、式1で表される基の電荷が0となるように選択され、Raは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数1~30のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数6~50のアリール基を表し、Q1、M1及びZ1のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。-Q2n2-Y2a2b22式2中、Q2は2価の有機基を表し、Y2はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン又はスルホニルカチオン又はヨードニウムカチオンを表し、M2はF、Cl、Br、I、OH、RbSO3、RbCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、SO42、HSO4、PO43、HPO42、H2PO4、BF4又はPF6を表し、Z2は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表し、n2は0以上の整数を表し、a2は1以上の整数を表し、b2は0以上の整数を表し、ただし、a2及びb2は、式2で表される基の電荷が0となるように選択され、Rbは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数1~30のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数6~50のアリール基を表し、Q2、M2及びZ2のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。本発明で用いられるイオン性ポリマーの一形態としては、さらに下記式3で表される基を有する重合体が挙げられる。イオン性ポリマーが式3で表される基を有する場合、式3で表される基は、イオン性ポリマーの構造単位中に含まれていてもよく、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる一種以上の基を含む構造単位と同一の構造単位内に含まれていてもよいし、異なる他の構造単位内に含まれていてもよい。さらに、イオン性ポリマーの一形態としては、式1で表される基、式2で表される基、及び式3で表される基のうち少なくとも1種を含む構造単位を、全構造単位中、15~100モル有する重合体が挙げられる。-Q3n3-Y33式3中、Q3は2価の有機基を表し、Y3は-CN又は式4~12のいずれかで表される基を表し、n3は0以上の整数を表す。-O-R’Oa3-R’’4-S-R’Sa4-R’’6-C=O-R’-C=Oa4-R’’7-C=S-R’-C=Sa4-R’’8-N{R’a4R’’}29-C=OO-R’-C=OOa4-R’’10-C=OO-R’Oa4-R’’11-NHC=O-R’NHC=Oa4-R’’12式4~12中、R’は置換基を有し又は有さない2価の炭化水素基を表し、R’’は水素原子、置換基を有し若しくは有さない1価の炭化水素基、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-NRc2、-CN又は-C=ONRc2を表し、R’’’は置換基を有し若しくは有さない3価の炭化水素基を表し、a3は1以上の整数を表し、a4は0以上の整数を表し、Rcは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数1~30のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数6~50のアリール基を表し、R’、R’’及びR’’’のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。イオン性ポリマーは、式13で表される構造単位、式15で表される構造単位、式17で表される構造単位及び式20で表される構造単位からなる群から選ばれる1種以上の構造単位を、全構造単位中、15~100モル含むことが好ましい。式13中、R1は式14で表される基を含む1価の基であり、Ar1はR1以外の置換基を有し又は有さない2n4価の芳香族基を表し、n4は1以上の整数を表し、R1は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式14中、R2は1m1m2価の有機基を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3は前述と同じ意味を表し、m1及びm2はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式15中、R3は式16で表される基を含む1価の基であり、Ar2はR3以外の置換基を有し又は有さない2n5価の芳香族基を表し、n5は1以上の整数を表し、R3は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式16中、R4は1m3m4価の有機基を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3は前述と同じ意味を表し、m3及びm4はそれぞれ独立に1以上の整数を表す。Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式17中、R5は式18で表される基を含む1価の基であり、R6は式19で表される基を含む1価の基であり、Ar3はR5及びR6以外の置換基を有し又は有さない2n6n7価の芳香族基を表し、n6及びn7はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、R5及びR6のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。-R7-{Q1n1-Y1a1b1}m518式18中、R7は直接結合又は1m5価の有機基を表し、Q1、Y1、M1、Z1、n1、a1及びb1は前述と同じ意味を表し、m5は1以上の整数を表し、Q1、Y1、M1、Z1、n1、a1及びb1のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。-R8-{Q3n3-Y3}m619式19中、R8は単結合又は1m6価の有機基を表し、Y3及びn3は前述と同じ意味を表し、m6は1以上の整数を表し、ただし、R8が単結合のときm6は1を表し、Q3、Y3及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式20中、R9は式21で表される基を含む1価の基であり、R10は式22で表される基を含む1価の基であり、Ar4はR9及びR10以外の置換基を有し又は有さない2n8n9価の芳香族基を表し、n8及びn9はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、R9及びR10のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。-R11-{Q2n2-Y2a2b2}m721式21中、R11は単結合又は1m7価の有機基を表し、Q2、Y2、M2、Z2、n2、a2及びb2は前述と同じ意味を表し、m7は1以上の整数を表し、ただし、R11が単結合のときm7は1を表し、Q2、Y2、M2、Z2、n2、a2及びb2のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。-R12-{Q3n3-Y3}m822式22中、R12は単結合又は1m8価の有機基を表し、Y3及びn3は前述と同じ意味を表し、m8は1以上の整数を表し、ただし、R12が単結合のときm8は1を表し、Q3、Y3及びn3、のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。前記イオン性ポリマー中の構造単位は、式1で表される基を2種類以上含んでいてもよく、式2で表される基を2種類以上含んでいてもよく、式3で表される基を2種類以上含んでいてもよい。-式1で表される基-式1中、Q1で表される2価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、1,2-プロピレン基、1,3-プロピレン基、1,2-ブチレン基、1,3-ブチレン基、1,4-ブチレン基、1,5-ペンチレン基、1,6-ヘキシレン基、1,9-ノニレン基、1,12-ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50の2価の飽和炭化水素基;エテニレン基、プロペニレン基、3-ブテニレン基、2-ブテニレン基、2-ペンテニレン基、2-ヘキセニレン基、2-ノネニレン基、2-ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数2~50のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有し又は有さない炭素原子数2~50の2価の不飽和炭化水素基;シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数3~50の2価の環状飽和炭化水素基;1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基、1,4-ナフチレン基、1,5-ナフチレン基、2,6-ナフチレン基、ビフェニル-4,4-ジイル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~50のアリーレン基;メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルキレンオキシ基;炭素原子を含む置換基を有するイミノ基;炭素原子を含む置換基を有するシリレン基が挙げられ、イオン性ポリマーの原料となるモノマー以下、原料モノマーと言う。の合成の容易さの観点からは、2価の飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。前記置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基等が挙げられ、前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。これらのうち、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基及びニトロ基以外の置換基は炭素原子を含む。以下、置換基について説明する。なお、Cm~Cnm、nはm<nを満たす正の整数であるという用語は、この用語とともに記載された有機基の炭素原子数がm~nであることを表す。例えば、Cm~Cnアルキル基であれば、アルキル基の炭素原子数がm~nであることを表し、Cm~Cnアルキルアリール基であれば、アルキル基の炭素原子数がm~nであることを表し、アリール-Cm~Cnアルキル基であれば、アルキル基の炭素原子数がm~nであることを表す。アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素原子数は通常1~20であり、1~10が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等が挙げられる。前記アルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。なお、C1~C12アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基が挙げられる。アルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよく、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は通常1~20であり、1~10が好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基等が挙げられる。また、該アルコキシ基には、メトキシメチルオキシ基、2-メトキシエチルオキシ基も含まれる。なお、C1~C12アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。アルキルチオ基としては、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよく、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は通常1~20であり、1~10が好ましい。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基等が挙げられる。前記アルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルキルチオ基としては、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。アリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子1個を除いた残りの原子団であり、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環2個以上が単結合又は2価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合した基も含まれる。アリール基は、炭素原子数が通常6~60であり、7~48であることが好ましい。アリール基としては、フェニル基、C1~C12アルコキシフェニル基、C1~C12アルキルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基等が挙げられる。前記アリール基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アリール基としては、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アリール基の中では、C1~C12アルコキシフェニル基、C1~C12アルキルフェニル基が好ましい。前記アリール基のうち、C1~C12アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、sec-ブトキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、2-エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、3,7-ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が挙げられる。前記アリール基のうち、C1~C12アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられる。アリールオキシ基は、炭素原子数が通常6~60であり、7~48であることが好ましい。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、C1~C12アルコキシフェノキシ基、C1~C12アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。アリールオキシ基の中では、C1~C12アルコキシフェノキシ基及びC1~C12アルキルフェノキシ基が好ましい。前記アリールオキシ基のうち、C1~C12アルコキシフェノキシ基としては、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、sec-ブトキシフェノキシ基、tert-ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、2-エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が挙げられる。前記アリールオキシ基のうち、C1~C12アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5-トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、sec-ブチルフェノキシ基、tert-ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。アリールチオ基は、例えば、前述のアリール基に硫黄元素が結合した基である。アリールチオ基は、前記アリール基の芳香環上に置換基を有していてもよい。アリールチオ基は、炭素原子数が通常6~60であり、6~30であることが好ましい。アリールチオ基としては、フェニルチオ基、C1~C12アルコキシフェニルチオ基、C1~C12アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基、2-ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。アリールアルキル基は、例えば、前述のアリール基に前述のアルキル基が結合した基である。アリールアルキル基は、置換基を有していてもよい。アリールアルキル基は、炭素原子数が通常7~60であり、7~30であることが好ましい。アリールアルキル基としては、フェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキル基、1-ナフチル-C1~C12アルキル基、2-ナフチル-C1~C12アルキル基等が挙げられる。アリールアルコキシ基は、例えば、前述のアリール基に前述のアルコキシ基が結合した基である。アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールアルコキシ基は、炭素原子数が通常7~60であり、7~30であることが好ましい。アリールアルコキシ基としては、フェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルコキシ基、1-ナフチル-C1~C12アルコキシ基、2-ナフチル-C1~C12アルコキシ基等が挙げられる。アリールアルキルチオ基は、例えば、前述のアリール基に前述のアルキルチオ基が結合した基である。アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールアルキルチオ基は、炭素原子数が通常7~60であり、7~30であることが好ましい。アリールアルキルチオ基としては、フェニル-C1~C12アルキルチオ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルチオ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルチオ基、1-ナフチル-C1~C12アルキルチオ基、2-ナフチル-C1~C12アルキルチオ基等が挙げられる。アリールアルケニル基は、例えば、前述のアリール基にアルケニル基が結合した基である。アリールアルケニル基は、炭素原子数が通常8~60であり、8~30であることが好ましい。アリールアルケニル基としては、フェニル-C2~C12アルケニル基、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルケニル基、C1~C12アルキルフェニル-C2~C12アルケニル基、1-ナフチル-C2~C12アルケニル基、2-ナフチル-C2~C12アルケニル基等が挙げられ、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルケニル基、C2~C12アルキルフェニル-C2~C12アルケニル基が好ましい。なお、C2~C12アルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、1-オクテニル基が挙げられる。アリールアルキニル基は、例えば、前述のアリール基にアルキニル基が結合した基である。アリールアルキニル基は、炭素原子数が通常8~60であり、8~30であることが好ましい。アリールアルキニル基としては、フェニル-C2~C12アルキニル基、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルキニル基、C1~C12アルキルフェニル-C2~C12アルキニル基、1-ナフチル-C2~C12アルキニル基、2-ナフチル-C2~C12アルキニル基等が挙げられ、C1~C12アルコキシフェニル-C2~C12アルキニル基、C1~C12アルキルフェニル-C2~C12アルキニル基が好ましい。なお、C2~C12アルキニル基としては、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、1-ペンチニル基、2-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、2-ヘキシニル基、1-オクチニル基が挙げられる。置換アミノ基としては、アミノ基の中の少なくとも1個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基からなる群から選択される1又は2個の基によって置換されたアミノ基が好ましい。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで通常1~60であり、2~48が好ましい。置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、sec-ブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7-ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1~C12アルコキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニルアミノ基、1-ナフチルアミノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、1-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基、2-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基等が挙げられる。置換シリル基としては、シリル基の中の少なくとも1個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基からなる群から選択される1~3個の基によって置換されたシリル基が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで通常1~60であり、3~48が好ましい。なお、置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2-エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7-ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル-C1~C12アルキルシリル基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルシリル基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルシリル基、1-ナフチル-C1~C12アルキルシリル基、2-ナフチル-C1~C12アルキルシリル基、フェニル-C1~C12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリp-キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アシル基は、炭素原子数が通常2~20であり、2~18であることが好ましい。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。アシルオキシ基は、炭素原子数が通常2~20であり、2~18であることが好ましい。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。イミン残基は、式:H-N=C<及び式:-N=CH-の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、この構造中の水素原子1個を除いた残基を意味する。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の炭素原子数は、通常2~20であり、2~18が好ましい。イミン残基としては、例えば、一般式:-CRβ=N-Rγ又は一般式:-N=CRγ2式中、Rβは水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、Rγは独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、ただし、Rγが2個存在する場合、2個のRγは相互に結合し一体となって2価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数2~18のアルキレン基として環を形成してもよい。で表される基が挙げられる。イミン残基としては、以下の基が挙げられる。式中、Meはメチル基を示し、以下、同様である。アミド基は、炭素原子数が通常1~20であり、2~18であることが好ましい。アミド基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基であり、炭素原子数が通常4~20であり、4~18であることが好ましい。酸イミド基としては、以下の基が挙げられる。1価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子1個を除いた残りの原子団をいう。ここで、複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。1価の複素環基は置換基を有していてもよい。1価の複素環基は、炭素原子数が通常3~60であり、3~20が好ましい。なお、1価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まないものとする。このような1価の複素環基としては、例えば、チエニル基、C1~C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1~C12アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、中でも、チエニル基、C1~C12アルキルチエニル基、ピリジル基及びC1~C12アルキルピリジル基が好ましい。なお、1価の複素環基としては、1価の芳香族複素環基が好ましい。置換カルボキシル基とは、カルボキシル基中の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基で置換された基、すなわち、式:-C=OOR式中、Rはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基で表される基である。置換カルボキシル基は、炭素原子数が通常2~60であり、2~48であることが好ましい。前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基は、置換基を有していてもよい。なお、上記炭素原子数には、前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数は含まないものとする。置換カルボキシル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7-ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。式1中、Y1は、-CO2、-SO3、-SO2、-PO3、又は-BRa3-等の1価の基を表し、Y1としては、イオン性ポリマーの酸性度の観点からは-CO2、-SO2、-PO3が好ましく、-CO2がより好ましく、イオン性ポリマーの安定性の観点からは、-CO2、-SO3、-SO2又は-PO3が好ましい。式1中、M1は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、1価、2価又は3価のイオンが好ましく、Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Ba、Ag、Al、Bi、Cu、Fe、Ga、Mn、Pb、Sn、Ti、V、W、Y、Yb、Zn、Zr等のイオンが挙げられ、Li、Na、K、Cs、Ag、Mg2、Ca2が好ましい。また、アンモニウムイオンが有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基等の炭素原子数1~10のアルキル基が挙げられる。式1中、Z1はF、Cl、Br、I、OH、RaSO3、RaCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、SO42、HSO4、PO43、HPO42、H2PO4、BF4又はPF6を表す。式1中、n1は0以上の整数を表し、原料モノマーの合成の観点から、好ましくは0から8の整数であり、より好ましくは0から2の整数である。式1中、a1は1以上の整数を表し、b1は0以上の整数を表す。a1及びb1は、式1で表される基の電荷が0となるように選択される。例えば、Y1が-CO2、-SO3、-SO2、-PO3、又は-BRa3-であり、M1が1価の金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンであり、Z1がF、Cl、Br、I、OH、RaSO3、RaCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、HSO4、H2PO4、BF4又はPF6である場合は、a1=b11を満たすように選択される。Y1が-CO2、-SO3、-SO2、-PO3、又は-BRa3-であり、M1が2価の金属カチオンであり、Z1がF、Cl、Br、I、OH、RaSO3、RaCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、HSO4、H2PO4、BF4又はPF6である場合は、b1=2×a1-1を満たすように選択される。Y1が-CO2、-SO3、-SO2、-PO3、又は-BRa3-であり、M1が3価の金属カチオンであり、Z1がF、Cl、Br、I、OH、RaSO3、RaCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、HSO4、H2PO4、BF4又はPF6である場合は、b1=3×a1-1を満たすように選択される。Y1が-CO2、-SO3、-SO2、-PO3、又は-BRa3-であり、M1が1価の金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンであり、Z1がSO42-又はHPO42-である場合には、a1=2×b11を満たすように選択される。a1とb1との関係を表す上記のいずれの数式においても、a1は好ましくは1から5の整数であり、より好ましくは1又は2である。Raは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数1~30のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数6~50のアリール基を表すが、これらの基が有していてもよい置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Raとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数1~20のアルキル基、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基等の炭素原子数6~30のアリール基等が挙げられる。前記式1で表される基としては、例えば、以下の基が挙げられる。-式2で表される基-式2中、Q2で表される2価の有機基としては、前述のQ1で表される2価の有機基について例示したものと同様の基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、2価の飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。前記Q2で表される2価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式2中、Y2はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン、スルホニルカチオン、又はヨードニウムカチオンを表す。カルボカチオンとしては、例えば、-CR2式中、Rは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。で表される基が挙げられる。アンモニウムカチオンとしては、例えば、-NR3式中、Rは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。で表される基が挙げられる。ホスホニルカチオンとしては、例えば、-PR3式中、Rは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。で表される基が挙げられる。スルホニルカチオンとしては、例えば、-SR2式中、Rは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。で表される基が挙げられる。ヨードニウムカチオンとしては、例えば、-IR2式中、Rは、同一又は相異なり、アルキル基又はアリール基を表す。で表される基が挙げられる。式2中、Y2は、原料モノマーの合成の容易さ並びに原料モノマー及びイオン性ポリマーの空気、湿気又は熱に対する安定性の観点からは、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニルカチオン、スルホニルカチオンが好ましく、アンモニウムカチオンがより好ましい。式2中、Z2は金属カチオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、1価、2価又は3価のイオンが好ましく、Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Ba、Ag、Al、Bi、Cu、Fe、Ga、Mn、Pb、Sn、Ti、V、W、Y、Yb、Zn、Zr等のイオンが挙げられる。また、アンモニウムカチオンが有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基等の炭素原子数1~10のアルキル基が挙げられる。式2中、M2はF、Cl、Br、I、OH、RbSO3、RbCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、SO42、HSO4、PO43、HPO42、H2PO4、BF4又はPF6を表す。式2中、n2は0以上の整数を表し、好ましくは0から6の整数であり、より好ましくは0から2の整数である。式2中、a2は1以上の整数を表し、b2は、0以上の整数を表す。a2及びb2は、式2で表される基の電荷が0となるように選択される。例えば、M2がF、Cl、Br、I、OH、RbSO3、RbCOO、ClO、ClO2、ClO3、ClO4、SCN、CN、NO3、HSO4、H2PO4、BF4又はPF6である場合、Z2が1価の金属イオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムイオンであれば、a2=b21を満たすように選択され、Z2が2価の金属イオンであれば、a2=2×b21を満たすように選択され、Z2が3価の金属イオンであれば、a2=3×b21を満たすように選択される。M2がSO42、HPO42である場合、Z2が1価の金属イオン又は置換基を有し若しくは有さないアンモニウムイオンであれば、b2=2×a2-1を満たすように選択され、Z2が3価の金属イオンであれば、2×a2=3×b21の関係を満たすように選択される。a2とb2との関係を表す上記のいずれの数式においても、a2は好ましくは1から3の整数であり、より好ましくは1又は2である。Rbは置換基を有し若しくは有さない炭素原子数1~30のアルキル基又は置換基を有し若しくは有さない炭素原子数6~50のアリール基を表すが、これらの基が有していてもよい置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Rbとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数1~20のアルキル基、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基等の炭素原子数6~30のアリール基等が挙げられる。前記式2で表される基としては、例えば、以下の基が挙げられる。-式3で表される基-式3中、Q3で表される2価の有機基としては、前述のQ1で表される2価の有機基について例示したものと同様の基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、2価の飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。前記Q3で表される2価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。前記Q3で表される2価の有機基としては、-CH2-で表される基であることが好ましい。n3は0以上の整数を表し、好ましくは0から20の整数であり、より好ましくは0から8の整数である。式3中、Y3は-CN又は式4~12のいずれかで表される基を表す。式4~12中、R’で表される2価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、1,2-プロピレン基、1,3-プロピレン基、1,2-ブチレン基、1,3-ブチレン基、1,4-ブチレン基、1,5-ペンチレン基、1,6-ヘキシレン基、1,9-ノニレン基、1,12-ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50の2価の飽和炭化水素基;エテニレン基、プロペニレン基、3-ブテニレン基、2-ブテニレン基、2-ペンテニレン基、2-ヘキセニレン基、2-ノネニレン基、2-ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数2~50のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有し又は有さない炭素原子数2~50の2価の不飽和炭化水素基;シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数3~50の2価の環状飽和炭化水素基;1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基、1,4-ナフチレン基、1,5-ナフチレン基、2,6-ナフチレン基、ビフェニル-4,4’-ジイル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~50のアリーレン基;メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルキレンオキシ基等が挙げられる。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式4~12中、R’’で表される1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基等が挙げられる。イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、メチル基、エチル基、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式5中、R’’’で表される3価の炭化水素基としては、メタントリイル基、エタントリイル基、1,2,3-プロパントリイル基、1,2,4-ブタントリイル基、1,2,5-ペンタントリイル基、1,3,5-ペンタントリイル基、1,2,6-ヘキサントリイル基、1,3,6-ヘキサントリイル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキルトリイル基;1,2,3-ベンゼントリイル基、1,2,4-ベンゼントリイル基、1,3,5-ベンゼントリイル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基等が挙げられる。イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、メタントリイル基、エタントリイル基、1,2,4-ベンゼントリイル基、1,3,5-ベンゼントリイル基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式4~12中、Rcとしては、イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、メチル基、エチル基、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基が好ましい。式4及び式5中、a3は1以上の整数を表し、3~10の整数が好ましい。式6~12中、a4は0以上の整数を表す。式6においては、a4は、0~30の整数が好ましく、3~20の整数がより好ましい。式7~10においては、a4は、0~10の整数が好ましく、0~5の整数がより好ましい。式11においては、a4は、0~20の整数が好ましく、3~20の整数がより好ましい。式12においては、a4は、0~20の整数が好ましく、0~10の整数がより好ましい。Y3としては、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、-CN、式4で表される基、式6で表される基、式10で表される基、式11で表される基が好ましく、式4で表される基、式6で表される基、式11で表される基がより好ましく、以下の基が特に好ましい。-イオン性ポリマー中の構造単位-本発明に用いられるイオン性ポリマーは、前記式13で表される構造単位、前記式15で表される構造単位、前記式17で表される構造単位、前記式20で表される構造単位を有することが好ましく、前記構造単位を全構造単位中、15~100モル有するイオン性ポリマーであることがより好ましい。式13で表される構造単位式13中、R1は式14で表される基を含む1価の基であり、Ar1はR1以外の置換基を有し又は有さない2n4価の芳香族基を表し、n4は1以上の整数を表す。式14で表される基は、Ar1に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルキレン基;オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のオキシアルキレン基;置換基を有し又は有さないイミノ基;置換基を有し又は有さないシリレン基;置換基を有し又は有さないエテニレン基;エチニレン基;置換基を有し又は有さないメタントリイル基;酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してAr1に結合していてもよい。前記Ar1はR1以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。前記Ar1が有するR1以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。式13中、n4は1以上の整数を表し、好ましくは1から4の整数であり、より好ましくは1から3の整数である。式13中のAr1で表される2n4価の芳香族基としては、2n4価の芳香族炭化水素基、2n4価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる1つ以上の原子とからなる2n4価の芳香族基が好ましい。該2n4価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、1,2-ジアジン環、1,3-ジアジン環、1,4-ジアジン環、1,3,5-トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等の単環式芳香環から水素原子を2n4個除いた2n4価の基;該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を2n4個除いた2n4価の基;該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を2n4個除いた2n4価の基;該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う2つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の2価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を2n4個除いた2n4価の基等が挙げられる。単環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。芳香環集合としては、例えば、以下の環が挙げられる。有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。前記2n4価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式1~14、26~29、37~39又は41で表される環から水素原子を2n4個除いた基が好ましく、式1~6、8、13、26、27、37又は41で表される環から水素原子を2n4個除いた基がより好ましく、式1、37又は41で表される環から水素原子を2n4個除いた基がさらに好ましい。式14中、R2で表される1m1m2価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm1m2個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm1m2個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm1m2個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm1m2個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm1m2個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm1m2個の水素原子を除いた基、アリール基からm1m2個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm1m2個の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式15で表される構造単位式15中、R3は式16で表される基を含む1価の基であり、Ar2はR3以外の置換基を有し又は有さない2n5価の芳香族基を表し、n5は1以上の整数を表す。式16で表される基は、Ar2に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルキレン基;オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のオキシアルキレン基;置換基を有し又は有さないイミノ基;置換基を有し又は有さないシリレン基;置換基を有し又は有さないエテニレン基;エチニレン基;置換基を有し又は有さないメタントリイル基;酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してAr2に結合していてもよい。前記Ar2はR3以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。前記Ar2が有するR3以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。式15中、n5は1以上の整数を表し、好ましくは1から4の整数であり、より好ましくは1から3の整数である。式15中のAr2で表される2n5価の芳香族基としては、2n5価の芳香族炭化水素基、2n5価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる1つ以上の原子とからなる2n5価の芳香族基が好ましい。該2n5価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、1,2-ジアジン環、1,3-ジアジン環、1,4-ジアジン環、1,3,5-トリアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、アザジアゾール環等の単環式芳香環から水素原子を2n5個除いた2n5価の基;該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を2n5個除いた2n5価の基;該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を2n5個除いた2n5価の基;該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う2つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の2価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を2n5個除いた2n5価の基等が挙げられる。単環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式1~12で表される環が挙げられる。縮合多環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式13~27で表される環が挙げられる。芳香環集合としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式28~36で表される環が挙げられる。有橋多環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式37~44で表される環が挙げられる。前記2n5価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式1~14、26~29、37~39又は41で表される環から水素原子を2n5個除いた基が好ましく、式1~6、8、13、26、27、37又は41で表される環から水素原子を2n5個除いた基がより好ましく、式1、37又は41で表される環から水素原子を2n5個除いた基がさらに好ましい。式16中、m3及びm4はそれぞれ独立に1以上の整数を表す。式16中、R4で表される1m3m4価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm3m4個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm3m4個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm3m4個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm3m4個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm3m4個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm3m4個の水素原子を除いた基、アリール基からm3m4個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm3m4個の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式17で表される構造単位式17中、R5は式18で表される基を含む1価の基であり、R6は式19で表される基を含む1価の基であり、Ar3はR5及びR6以外の置換基を有し又は有さない2n6n7価の芳香族基を表し、n6及びn7はそれぞれ独立に1以上の整数を表す。式18で表される基及び式19で表される基は、Ar3に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルキレン基;オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のオキシアルキレン基;置換基を有し又は有さないイミノ基;置換基を有し又は有さないシリレン基;置換基を有し又は有さないエテニレン基;エチニレン基;置換基を有し又は有さないメタントリイル基;酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してAr3に結合していてもよい。前記Ar3はR5及びR6以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。前記Ar3が有するR5及びR6以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。式17中、n6は1以上の整数を表し、好ましくは1から4の整数であり、より好ましくは1から3の整数である。式17中、n7は1以上の整数を表し、好ましくは1から4の整数であり、より好ましくは1から3の整数である。式17中のAr3で表される2n6n7価の芳香族基としては、2n6n7価の芳香族炭化水素基、2n6n7価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる1つ以上の原子とからなる2n6n7価の芳香族基が好ましい。該2n6n7価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、1,2-ジアジン環、1,3-ジアジン環、1,4-ジアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環等の単環式芳香環から水素原子を2n6n7個除いた2n6n7価の基;該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を2n6n7個除いた2n6n7価の基;該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を2n6n7個除いた2n6n7価の基;該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う2つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の2価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を2n6n7個除いた2n6n7価の基等が挙げられる。単環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式1~5、式7~10で表される環が挙げられる。縮合多環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式13~27で表される環が挙げられる。芳香環集合としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式28~36で表される環が挙げられる。有橋多環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式37~44で表される環が挙げられる。前記2n6n7価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式1~5、7~10、13、14、26~29、37~39又は41で表される環から水素原子を2n6n7個除いた基が好ましく、式1、37又は41で表される環から水素原子を2n6n7個除いた基がより好ましく、式1、38又は42で表される環から水素原子を2n6n7個除いた基がさらに好ましい。式18中、R7は単結合又は1m5価の有機基を表し、1m5価の有機基であることが好ましい。式18中、R7で表される1m5価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm5個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm5個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm5個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm5個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm5個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm5個の水素原子を除いた基、アリール基からm5個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm5個の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式18中、m5は1以上の整数を表し、ただし、R7が単結合のときm5は1を表す。式19中、R8は単結合又は1m6価の有機基を表し、1m6価の有機基であることが好ましい。式19中、R8で表される1m6価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm6個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm6個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm6個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm6個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm6個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm6個の水素原子を除いた基、アリール基からm6個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm6個の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式19中、m6は1以上の整数を表し、ただし、R8が単結合のときm6は1を表す。式20で表される構造単位式20中、R9は式21で表される基を含む1価の基であり、R10は式22で表される基を含む1価の基であり、Ar4はR9及びR10以外の置換基を有し又は有さない2n8n9価の芳香族基を表し、n8及びn9はそれぞれ独立に1以上の整数を表す。式21で表される基及び式22で表される基は、Ar4に直接結合していてもよく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、ドデシレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルキレン基;オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基、オキシペンチレン基、オキシヘキシレン基、オキシノニレン基、オキシドデシレン基、シクロプロピレンオキシ基、シクロブチレンオキシ基、シクロペンチレンオキシ基、シクロへキシレンオキシ基、シクロノニレンオキシ基、シクロドデシレンオキシ基、ノルボニレンオキシ基、アダマンチレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のオキシアルキレン基;置換基を有し又は有さないイミノ基;置換基を有し又は有さないシリレン基;置換基を有し又は有さないエテニレン基;エチニレン基;置換基を有し又は有さないメタントリイル基;酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を介してAr4に結合していてもよい。前記Ar4はR9及びR10以外の置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。前記Ar4が有するR9及びR10以外の置換基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。式20中、n8は1以上の整数を表し、好ましくは1から4の整数であり、より好ましくは1から3の整数である。式20中、n9は1以上の整数を表し、好ましくは1から4の整数であり、より好ましくは1から3の整数である。式20中のAr4で表される2n8n9価の芳香族基としては、2n8n9価の芳香族炭化水素基、2n8n9価の芳香族複素環基が挙げられ、炭素原子のみ、又は、炭素原子と、水素原子、窒素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる1つ以上の原子とからなる2n8n9価の芳香族基が好ましい。該2n8n9価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、1,2-ジアジン環、1,3-ジアジン環、1,4-ジアジン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環等の単環式芳香環から水素原子を2n8n9個除いた2n8n9価の基;該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上の環が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を2n8n9個除いた2n8n9価の基;該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる二つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を2n8n9個除いた2n8n9価の基;該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う2つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基等の2価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を2n8n9個除いた2n8n9価の基等が挙げられる。単環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式1~5、式7~10で表される環が挙げられる。縮合多環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式13~27で表される環が挙げられる。芳香環集合としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式28~36で表される環が挙げられる。有橋多環式芳香環としては、例えば、式13で表される構造単位に関する説明中で例示した式37~44で表される環が挙げられる。前記2n8n9価の芳香族基としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、式1~5、7~10、13、14、26~29、37~39又は41で表される環から水素原子を2n8n9個除いた基が好ましく、式1~6、8、14、27、28、38又は42で表される環から水素原子を2n8n9個除いた基がより好ましく、式1、37又は41で表される環から水素原子を2n8n9個除いた基がさらに好ましい。式21中、R11は単結合又は1m7価の有機基を表し、1m7価の有機基であることが好ましい。式21中、R11で表される1m7価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm7個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm7個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm7個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm7個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm7個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm7個の水素原子を除いた基、アリール基からm7個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm7個の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式21中、m7は1以上の整数を表し、ただし、R11が単結合のときm7は1を表す。式22中、R12は単結合又は1m8価の有機基を表し、1m8価の有機基であることが好ましい。式22中、R12で表される1m8価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm8個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm8個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm8個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm8個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm8個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm8個の水素原子を除いた基、アリール基からm8個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm8個の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式22中、m8は1以上の整数を表し、ただし、R12が単結合のときm8は1を表す。式13で表される構造単位の例式13で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの電子輸送性の観点からは、式で表される構造単位、式24で表される構造単位が好ましく、式24で表される構造単位がより好ましい。式23中、R13は1m9m10価の有機基を表し、R14は1価の有機基を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3は前述と同じ意味を表し、m9及びm10はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式23中、R13で表される1m9m10価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm9m10個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm9m10個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm9m10個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm9m10個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm9m10個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm9m10個の水素原子を除いた基、アリール基からm9m10個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm9m10個の水素原子を除いた基が好ましい。式23中、R14で表される1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基から1個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基から1個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基から1個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から1個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基から1個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から1個の水素原子を除いた基、アリール基から1個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から1個の水素原子を除いた基が好ましい。式23で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式24中、R13は1m11m12価の有機基を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3は前述と同じ意味を表し、m11及びm12はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、R13、m11、m12、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式24中、R13で表される1m11m12価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm11m12個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm11m12個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm11m12個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm11m12個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm11m12個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm11m12個の水素原子を除いた基、アリール基からm11m12個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm11m12個の水素原子を除いた基が好ましい。式24で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式13で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式で表される構造単位が好ましい。式25中、R15は1m13m14価の有機基を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3は前述と同じ意味を表し、m13、m14及びm15はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、R15、m13、m14、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式25中、R15で表される1m13m14価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm13m14個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm13m14個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm13m14個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm13m14個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm13m14個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm13m14個の水素原子を除いた基、アリール基からm13m14個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm13m14個の水素原子を除いた基が好ましい。式25で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式15で表される構造単位の例式15で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの電子輸送性の観点からは、式で表される構造単位、式27で表される構造単位が好ましく、式27で表される構造単位がより好ましい。式26中、R16は1m16m17価の有機基を表し、R17は1価の有機基を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3は前述と同じ意味を表し、m16及び、m17はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式26中、R16で表される1m16m17価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm16m17個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm16m17個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm16m17個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm16m17個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm16m17個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm16m17個の水素原子を除いた基、アリール基からm16m17個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm16m17個の水素原子を除いた基が好ましい。式26中、R17で表される1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基から1個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基から1個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基から1個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から1個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基から1個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から1個の水素原子を除いた基、アリール基から1個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から1個の水素原子を除いた基が好ましい。式26で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式27中、R16は1m16m17価の有機基を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3は前述と同じ意味を表し、m16及び、m17はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、R16、m16、m17、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式27中、R16で表される1m16m17価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm16m17個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm16m17個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm16m17個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm16m17個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm16m17個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm16m17個の水素原子を除いた基、アリール基からm16m17個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm16m17個の水素原子を除いた基が好ましい。式27で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式15で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式で表される構造単位が好ましい。式28中、R18は1m18m19価の有機基を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3は前述と同じ意味を表し、m18、m19及びm20はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、R18、m18、m19、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式28中、R18で表される1m18m19価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm18m19個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm18m19個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm18m19個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm18m19個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm18m19個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm18m19個の水素原子を除いた基、アリール基からm18m19個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm18m19個の水素原子を除いた基が好ましい。式28で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式17で表される構造単位の例式17で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの電子輸送性の観点からは、式で表される構造単位が好ましい。式29中、R19は単結合又は1m21価の有機基を表し、R20は単結合又は1m22価の有機基を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3は前述と同じ意味を表し、m21及びm22はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、ただし、R19が単結合のときm21は1を表し、R20が単結合のときm22は1を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式29中、R19で表される1m21価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm21個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm21個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm21個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm21個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm21個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm21個の水素原子を除いた基、アリール基からm21個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm21個の水素原子を除いた基が好ましい。式29中、R20で表される1m22価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm22個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm22個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm22個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm22個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm22個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm22個の水素原子を除いた基、アリール基からm22個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm22個の水素原子を除いた基が好ましい。式29で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式17で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式で表される構造単位が好ましい。式30中、R21は単結合又は1m23価の有機基を表し、R22は単結合又は1m24価の有機基を表し、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3は前述と同じ意味を表し、m23及びm24はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、ただし、R21が単結合のときm23は1を表し、R22が単結合のときm24は1を表し、m25及びm26はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、m23、m24、R21、R22、Q1、Q3、Y1、M1、Z1、Y3、n1、a1、b1及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式30中、R21で表される1m23価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm23個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm23個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm23個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm23個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm23個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm23個の水素原子を除いた基、アリール基からm23個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm23個の水素原子を除いた基が好ましい。式30中、R22で表される1m24価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm24個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm24個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm24個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm24個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm24個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm24個の水素原子を除いた基、アリール基からm24個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm24個の水素原子を除いた基が好ましい。式30で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式20で表される構造単位の例式20で表される構造単位としては、得られる電子輸送性の観点からは、式で表される構造単位が好ましい。式31中、R23は単結合又は1m27価の有機基を表し、R24は単結合又は1m28価の有機基を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3は前述と同じ意味を表し、m27及びm28はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、ただし、R23が単結合のときm27は1を表し、R24が単結合のときm28は1を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式31中、R23で表される1m27価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm27個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm27個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm27個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm27個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm27個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm27個の水素原子を除いた基、アリール基からm27個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm27個の水素原子を除いた基が好ましい。式31中、R24で表される1m28価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm28個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm28個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm28個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm28個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm28個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm28個の水素原子を除いた基、アリール基からm28個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm28個の水素原子を除いた基が好ましい。式31で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。式20で表される構造単位としては、得られるイオン性ポリマーの耐久性の観点からは、式で表される構造単位が好ましい。式32中、R25は単結合又は1m29価の有機基を表し、R26は単結合又は1m30価の有機基を表し、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3は前述と同じ意味を表し、m29及びm30はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、ただし、R25が単結合のときm29は1を表し、R26が単結合のときm30は1を表し、m31及びm32はそれぞれ独立に1以上の整数を表し、m29、m30、R25、R26、Q2、Q3、Y2、M2、Z2、Y3、n2、a2、b2及びn3のおのおのは複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式32中、R25で表される1m29価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm29個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm29個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm29個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm29個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm29個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm29個の水素原子を除いた基、アリール基からm29個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm29個の水素原子を除いた基が好ましい。式32中、R26で表される1m30価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~20のアルキル基からm30個の水素原子を除いた基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数6~30のアリール基からm30個の水素原子を除いた基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも1個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有し又は有さない炭素原子数1~50のアルコキシ基からm30個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からm30個の水素原子を除いた基;炭素原子を含む置換基を有するシリル基からm30個の水素原子を除いた基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からm30個の水素原子を除いた基、アリール基からm30個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からm30個の水素原子を除いた基が好ましい。式32で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。その他の構造単位本発明に用いられるイオン性ポリマーは、さらに式33で表される1種以上の構造単位を有していてもよい。式33中、Ar5は置換基を有し若しくは有さない2価の芳香族基又は置換基を有し若しくは有さない2価の芳香族アミン残基を表し、X’は置換基を有し若しくは有さないイミノ基、置換基を有し若しくは有さないシリレン基、置換基を有し若しくは有さないエテニレン基又はエチニレン基を表し、m33及びm34はそれぞれ独立に0又は1を表し、m33及びm34の少なくとも1つは1である。式33中のAr5で表される2価の芳香族基としては、2価の芳香族炭化水素基、2価の芳香族複素環基が挙げられる。該2価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、1,2-ジアジン環、1,3-ジアジン環、1,4-ジアジン環、1,3,5-トリアジン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、アザジアゾール環等の単環式芳香環から水素原子を2個除いた2価の基;該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上が縮合した縮合多環式芳香環から水素原子を2個除いた2価の基;該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる2つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から水素原子を2個除いた2価の基;該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う2つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基、イミノ基等の2価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から水素原子を2個除いた2価の基等が挙げられる。前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、2~4が好ましく、2~3がより好ましく、2がさらに好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、溶解性の観点からは、2~4が好ましく、2~3がより好ましく、2がさらに好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされる芳香環の数は、イオン性ポリマーの溶解性の観点からは、2~4が好ましく、2~3がより好ましく、2がさらに好ましい。前記単環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。前記縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。前記芳香環集合としては、例えば、以下の環が挙げられる。前記有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。前記イオン性ポリマーの電子受容性及び正孔受容性のいずれか一方又は両方の観点からは、Ar5で表される2価の芳香族基は式45~60、61~71、77~80、91、92、93又は96で表される環から水素原子を2個除いた2価の基が好ましく、式45~50、59、60、77、80、91、92又は96で表される環から水素原子を2個除いた2価の基がより好ましい。上記の2価の芳香族基は、置換基を有していてもよい。当該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。式33中のAr5で表される2価の芳香族アミン残基としては、式で表される基が挙げられる。式34中、Ar6、Ar7、Ar8及びAr9は、それぞれ独立に、置換基を有し若しくは有さないアリーレン基又は置換基を有し若しくは有さない2価の複素環基を表し、Ar10、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、置換基を有し若しくは有さないアリール基又は置換基を有し若しくは有さない1価の複素環基を表し、n10及びm35は、それぞれ独立に、0又は1を表す。前記アリーレン基、アリール基、2価の複素環基、1価の複素環基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基及びカルボキシル基等が挙げられる。該置換基は、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基等を有する基、ラクトン基、ラクタム基、又はシロキサン誘導体の構造を含有する基等の架橋基であってもよい。n10が0の場合、Ar6中の炭素原子とAr8中の炭素原子とが直接結合してもよく、-O-、-S-等の2価の基を介して結合していてもよい。Ar10、Ar11、Ar12で表されるアリール基、1価の複素環基としては、前記で置換基として説明し例示したアリール基、1価の複素環基と同様である。Ar6、Ar7、Ar8、Ar9で表されるアリーレン基としては、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子2個を除いた残りの原子団が挙げられ、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環2個以上が単結合又は2価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合した基などが挙げられる。アリーレン基は、炭素原子数が通常6~60であり、7~48であることが好ましい。アリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、C1~C17アルコキシフェニレン基、C1~C17アルキルフェニレン基、1-ナフチレン基、2-ナフチレン基、1-アントラセニレン基、2-アントラセニレン基、9-アントラセニレン基が挙げられる。前記アリーレン基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アリーレン基としては、テトラフルオロフェニレン基等が挙げられる。アリーレン基の中では、フェニレン基、ビフェニレン基、C1~C12アルコキシフェニレン基、C1~C12アルキルフェニレン基が好ましい。Ar6、Ar7、Ar8、Ar9で表される2価の複素環基としては、複素環式化合物から水素原子2個を除いた残りの原子団が挙げられる。ここで、複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。2価の複素環基は置換基を有していてもよい。2価の複素環基は、炭素原子数が通常4~60であり、4~20が好ましい。なお、2価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まないものとする。このような2価の複素環基としては、例えば、チオフェンジイル基、C1~C12アルキルチオフェンジイル基、ピロールジイル基、フランジイル基、ピリジンジイル基、C1~C12アルキルピリジンジイル基、ピリダジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、ピロリジンジイル基、ピペリジンジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基が挙げられ、中でも、チオフェンジイル基、C1~C12アルキルチオフェンジイル基、ピリジンジイル基及びC1~C12アルキルピリジンジイル基がより好ましい。構造単位として2価の芳香族アミン残基を含むイオン性ポリマーは、さらに他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位としては、フェニレン基、フルオレンジイル基等のアリーレン基等が挙げられる。なお、これらのイオン性ポリマーの中では、架橋基を含んでいるものが好ましい。また、式34で表される2価の芳香族アミン残基としては、下記式101~110で表される芳香族アミンから水素原子を2個除いた基が例示される。式101~110で表される芳香族アミンは2価の芳香族アミン残基を生成しうる範囲で置換基を有していてもよく、該置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられ、置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。式33中、X’は置換基を有し若しくは有さないイミノ基、置換基を有し若しくは有さないシリレン基、置換基を有し若しくは有さないエテニレン基又はエチニレン基を表す。イミノ基、シリル基若しくはエテニレン基が有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ラウリル基等の炭素原子数1~20のアルキル基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基等の炭素原子数6~30のアリール基等が挙げられ、置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。前記イオン性ポリマーの空気、湿気又は熱に対する安定性の観点からは、X’はイミノ基、エテニレン基、エチニレン基が好ましい。前記イオン性ポリマーの電子受容性、正孔受容性の観点からは、m33が1であり、m34が0であることが好ましい。式33で表される構造単位としては、前記イオン性ポリマーの電子受容性の観点からは、式35で表される構造単位が好ましい。式35中、Ar13は、置換基を有し若しくは有さないピリジンジイル基、置換基を有し若しくは有さないピラジンジイル基、置換基を有し若しくは有さないピリミジンジイル基、置換基を有し若しくは有さないピリダジンジイル基又は置換基を有し若しくは有さないトリアジンジイル基を表す。ピリジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。ピラジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。ピリミジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。ピリダジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。トリアジンジイル基が有していてもよい置換基としては、前述のQ1に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。構造単位の割合本発明に用いられるイオン性ポリマーに含まれる式13で表される構造単位、式15で表される構造単位、式17で表される構造単位、及び式20で表される構造単位の合計の割合は、有機EL素子の発光効率の観点からは、末端の構造単位を除く該イオン性ポリマーに含まれる全構造単位中、30~100モルであることがより好ましい。末端の構造単位なお、本発明に用いられるイオン性ポリマーの末端の構造単位末端基としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、sec-ブトキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、2-エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、3,7-ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、sec-ブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7-ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1~C12アルコキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニルアミノ基、1-ナフチルアミノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、1-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基、2-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2-エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7-ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル-C1~C12アルキルシリル基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルシリル基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルシリル基、1-ナフチル-C1~C12アルキルシリル基、2-ナフチル-C1~C12アルキルシリル基、フェニル-C1~C12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリp-キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、チエニル基、C1~C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1~C12アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。前記末端の構造単位が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。-イオン性ポリマーの特性-本発明で用いられるイオン性ポリマーは、好ましくは共役化合物である。本発明で用いられるイオン性ポリマーが共役化合物であるとは、該イオン性ポリマーが主鎖中に、多重結合例えば、二重結合、三重結合又は窒素原子、酸素原子等が有する非共有電子対が1つの単結合を挟んで連なっている領域を含むことを意味する。該イオン性ポリマーは、共役化合物である場合、共役化合物の電子輸送性の観点から、{多重結合又は窒素原子、酸素原子等が有する非共有電子対が1つの単結合を挟んで連なっている領域に含まれる主鎖上の原子の数/主鎖上の全原子の数}×100で計算される比が50以上であることが好ましく、60以上であることがより好ましく、70以上であることがより好ましく、80以上であることがより好ましく、90以上であることがさらに好ましい。また、本発明で用いられるイオン性ポリマーは、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは共役高分子化合物である。ここで、高分子化合物とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が1×103以上である化合物をいう。また、本発明で用いられるイオン性ポリマーが共役高分子化合物であるとは、該イオン性ポリマーが共役化合物かつ高分子化合物であることを意味する。本発明に用いられるイオン性ポリマーの塗布による成膜性の観点から、該イオン性ポリマーのポリスチレン換算の数平均分子量が1×103~1×108であることが好ましく、2×103~1×107であることがより好ましく、3×103~1×107であることがより好ましく、5×103~1×107であることがさらに好ましい。また、イオン性ポリマーの純度の観点から、ポリスチレン換算の重量平均分子量が1×103~5×107であることが好ましく、1×103~1×107であることがより好ましく、1×103~5×106であることがさらに好ましい。また、イオン性ポリマーの溶解性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量は1×103~5×105であることが好ましく、1×103~5×104であることがより好ましく、1×103~3×103であることがさらに好ましい。本発明に用いられるイオン性ポリマーのポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いて、求めることができる。本発明に用いられるイオン性ポリマーの純度の観点から、末端構造単位を除く該イオン性ポリマー中に含まれる全構造単位の数即ち、重合度は1以上20以下であることが好ましく、1以上10以下であることがより好ましく、1以上5以下であることがさらに好ましい。本発明に用いられるイオン性ポリマーの電子受容性、正孔受容性の観点からは、該イオン性ポリマーの最低非占有分子軌道LUMOの軌道エネルギーが、-5.0eV以上-2.0eV以下であることが好ましく、-4.5eV以上-2.0eV以下がより好ましい。また、同様の観点から、該イオン性ポリマーの最高占有分子軌道HOMOの軌道エネルギーが、-6.0eV以上-3.0eV以下であることが好ましく、-5.5eV以上-3.0eV以下がより好ましい。ただし、HOMOの軌道エネルギーはLUMOの軌道エネルギーよりも低い。なお、イオン性ポリマーの最高占有分子軌道HOMOの軌道エネルギーは、イオン性ポリマーのイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求める。一方、イオン性ポリマーの最低非占有分子軌道LUMOの軌道エネルギーは、HOMOとLUMOとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求める。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置を用いる。また、HOMOとLUMOのエネルギー差は紫外可視近赤外分光光度計を用いてイオン性ポリマーの吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求める。なお、本発明に用いられる重合体は、電界発光素子で用いられた場合、実質的に非発光性であることが好ましい。ここで、ある重合体が実質的に非発光性であるとは、以下のとおりの意味である。まず、ある重合体を含む層を有する電界発光素子Aを作製する。一方、重合体を含む層を有さない電界発光素子2を作製する。電界発光素子Aは重合体を含む層を有するが、電界発光素子2は重合体を含む層を有さない点でのみ、電界発光素子Aと電界発光素子2とは異なる。次に、電界発光素子A及び電界発光素子2に10Vの順方向電圧を印加して発光スペクトルを測定する。電界発光素子2について得られた発光スペクトルにおいて最大ピークを与える波長λを求める。波長λにおける発光強度を1として、電界発光素子2について得られた発光スペクトルを規格化し、波長について積分して規格化発光量S0を計算する。一方、波長λにおける発光強度を1として、電界発光素子Aについて得られた発光スペクトルも規格化し、波長について積分して規格化発光量Sを計算する。S-S0/S0×100で計算される値が30以下である場合、即ち、重合体を含む層を有さない電界発光素子2の規格化発光量に比べ、重合体を含む層を有する電界発光素子Aの規格化発光量の増加分が30以下である場合に、用いた重合体は実質的に非発光性であるものとし、S-S0/S0×100で計算される値が15以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましい。前記式1で表される基及び前記式3で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、式23で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式23で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式24で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式24で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式25で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式25で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式29で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式29で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式30で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式30で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマーが挙げられる。前記式1で表される基及び前記式3で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、以下の高分子化合物が挙げられる。これらのうち、2種の構造単位がスラッシュ/で区切られている式で表される高分子化合物では、左側の構造単位の割合がpモル、右側の構造単位の割合が100-pモルであり、これらの構造単位はランダムに配列している。なお、以下の式中、nは重合度を表す。式中、pは15~100の数を表す。前記式2で表される基及び前記式3で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、式26で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式26で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式27で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式27で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式28で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式28で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式31で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式31で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマー、式32で表される基のみからなるイオン性ポリマー、式32で表される基および式45~50、59、60、77、80、91、92、96、101~110で表される基から水素原子を2個除いた基からなる群から選ばれる1種以上の基からなるイオン性ポリマーが挙げられる。前記式2で表される基及び前記式3で表される基を含むイオン性ポリマーとしては、以下の高分子化合物が挙げられる。これらのうち、2種の構造単位がスラッシュ/で区切られている式で表される高分子化合物では、左側の構造単位の割合がpモル、右側の構造単位の割合が100-pモルであり、これらの構造単位はランダムに配列している。なお、以下の式中、nは重合度を表す。式中、pは15~100の数を表す。-イオン性ポリマーの製造方法-次に、本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造する方法について説明する。本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造するための好適な方法としては、例えば、下記一般式36で表される化合物を原料の1つとして選択して用い、中でも、該一般式36中の-Aa-が式13で表される構造単位である化合物、該-Aa-が式15で表される構造単位である化合物、該-Aa-が式17で表される構造単位である化合物及び該-Aa-が式20で表される構造単位である化合物の少なくとも1種を必須の原料として含有させて、これを縮合重合させる方法を挙げることができる。Y4-Aa-Y536式36中、Aaは式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む繰り返し単位を表し、Y4及びY5は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。また、本発明に用いられるイオン性ポリマー中に上記式36中の-Aa-で表される構造単位とともに、前記-Aa-以外の他の構造単位を含有させる場合には、前記-Aa-以外の他の構造単位となる、2個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を用い、これを前記式36で表される化合物とともに共存させて縮合重合させればよい。このような他の構造単位を含有させるために用いられる2個の縮合重合可能な置換基を有する化合物としては、式37で表される化合物が例示される。このようにして、前記Y4-Aa-Y5で表される化合物に加えて、式37で表される化合物を縮合重合させることで、-Ab-で表される構造単位を更に有する本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造することができる。Y6-Ab-Y737式37中、Abは前記一般式33で表される構造単位又は一般式35で表される構造単位であり、Y6及びY7は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。このような縮合重合に関与する基Y4、Y5、Y6及びY7としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、-BOH2、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。このような縮合重合に関与する基として選択され得るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、p-トルエンスルホネート基が例示される。前記縮合重合に関与する基として選択され得るアリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るホウ酸エステル残基としては、下記式で表される基が例示される。さらに、前記縮合重合に関与する基として選択され得るスルホニウムメチル基としては、下記式:-CH2SMe2E、又は、-CH2SPh2E式中、Eはハロゲン原子を示す。Phはフェニル基を示し、以下、同じである。で表される基が例示される。また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るホスホニウムメチル基としては、下記式:-CH2PPh3E式中、Eはハロゲン原子を示す。で表される基が例示される。また、前記縮合重合に関与する基として選択され得るホスホネートメチル基としては、下記式:-CH2POORd2式中、Rdはアルキル基、アリール基、又はアリールアルキル基を示す。で表される基が例示される。さらに、前記縮合重合に関与する基として選択され得るモノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。さらに、縮合重合に関与する基として好適な基は、重合反応の種類によって異なるが、例えば、Yamamotoカップリング反応等の0価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基が挙げられる。また、Suzukiカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、-BOH2等が挙げられ、酸化剤又は電気化学的に酸化重合する場合には、水素原子が挙げられる。本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造する際には、例えば、縮合重合に関与する基を複数有する前記一般式36又は37で表される化合物モノマーを、必要に応じて有機溶媒に溶解し、アルカリや適当な触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる重合方法を採用してもよい。このような重合方法としては、例えば、オルガニックリアクションズOrganicReactions,第14巻,270-490頁,ジョンワイリーアンドサンズJohnWileySons,Inc.,1965年、オルガニックシンセシスOrganicSyntheses,コレクティブ第6巻CollectiveVolumeVI,407-411頁,ジョンワイリーアンドサンズJohnWileySons,Inc.,1988年、ケミカルレビューChem.Rev.,第95巻,2457頁1995年、ジャーナルオブオルガノメタリックケミストリーJ.Organomet.Chem.,第576巻,147頁1999年、マクロモレキュラーケミストリーマクロモレキュラーシンポジウムMacromol.Chem.,Macromol.Symp.,第12巻,229頁1987年に記載の公知の方法を採用することができる。また、本発明に用いられるイオン性ポリマーを製造する際には、縮合重合に関与する基に応じて、既知の縮合重合反応を採用してもよい。このような重合方法としては、該当するモノマーを、Suzukiカップリング反応により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、Ni0錯体により重合する方法、FeCl3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられる。このような重合反応の中でも、Suzukiカップリング反応により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、得られるイオン性ポリマーの構造制御がし易いので好ましい。本発明に用いられるイオン性ポリマーの好ましい製造方法の1つの態様は、縮合重合に関与する基として、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基からなる群から選択される基を有する原料モノマーを用いて、ニッケルゼロ価錯体の存在下で縮合重合して、イオン性ポリマーを製造する方法である。このような方法に使用する原料モノマーとしては、例えば、ジハロゲン化化合物、ビスアルキルスルホネート化合物、ビスアリールスルホネート化合物、ビスアリールアルキルスルホネート化合物、ハロゲン-アルキルスルホネート化合物、ハロゲン-アリールスルホネート化合物、ハロゲン-アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート-アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート-アリールアルキルスルホネート化合物及びアリールスルホネート-アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。前記イオン性ポリマーの好ましい製造方法の他の態様は、縮合重合に関与する基として、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、-BOH2、及びホウ酸エステル残基からなる群から選ばれる基を有し、全原料モノマーが有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計Jと、-BOH2及びホウ酸エステル残基のモル数の合計Kの比が実質的に1通常K/Jは0.7~1.2の範囲である原料モノマーを用いて、ニッケル触媒又はパラジウム触媒の存在下で縮合重合して、イオン性ポリマーを製造する方法である。前記有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために十分に脱酸素処理を施した有機溶媒を用いることが好ましい。イオン性ポリマーを製造する際には、このような有機溶媒を用いて不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、前記有機溶媒においては、前記脱酸素処理と同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Suzukiカップリング反応等の水との2相系での反応の場合にはその限りではない。このような有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、tert-ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル-tert-ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチルモルホリンオキシド等のアミド類が例示される。これらの有機溶媒は1種を単独で、又は2種以上を混合して用いてもよい。また、このような有機溶媒の中でも、反応性の観点からはエーテル類がより好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが更に好ましく、反応速度の観点からはトルエン、キシレンが好ましい。前記イオン性ポリマーを製造する際においては、原料モノマーを反応させるために、アルカリや適当な触媒を添加することが好ましい。このようなアルカリ又は触媒は、採用する重合方法等に応じて選択すればよい。このようなアルカリ又は触媒としては、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。また、前記アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、アルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。本発明に用いられるイオン性ポリマーにおいては、末端基に重合活性基がそのまま残っていると得られる発光素子の発光特性や寿命特性が低下する可能性があるため、末端基が安定な基で保護されていてもよい。このように安定な基で末端基が保護されている場合、本発明に用いられるイオン性ポリマーが共役化合物であるときには、該イオン性ポリマーの主鎖の共役構造と連続した共役結合を有していることが好ましく、その構造としては、例えば、炭素-炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が挙げられる。このような末端基を保護する安定な基としては、特開平9-45478号公報において化10の構造式で示される1価の芳香族化合物基等の置換基が挙げられる。式1で表される構造単位を含むイオン性ポリマーを製造する他の好ましい方法としては、第1工程でカチオンを有さないイオン性ポリマーを重合し、第2工程で該イオン性ポリマーからカチオンを含有するイオン性ポリマーを製造する方法が挙げられる。第1工程のカチオンを有さないイオン性ポリマーを重合する方法としては、前述の縮合重合反応が挙げられる。第2工程の反応としては、金属水酸化物、アルキルアンモニウムヒドロキシド等による加水分解反応等が挙げられる。式2で表される基を含むイオン性ポリマーを製造する他の好ましい方法としては、第1工程でイオンを有さないイオン性ポリマーを重合し、第2工程で該イオン性ポリマーからイオンを含有するイオン性ポリマーを製造する方法が挙げられる。第1工程のイオンを有さないイオン性ポリマーを重合する方法としては、前述の縮合重合反応が挙げられる。第2工程の反応としては、ハロゲン化アルキルを用いたアミンの4級アンモニウム塩化反応、SbF5によるハロゲン引き抜き反応等が挙げられる。本発明に用いられるイオン性ポリマーは電荷の注入性や輸送性に優れるため、高輝度で発光する素子が得られる。イオン性ポリマーを含む層を形成する方法としては、例えば、イオン性ポリマーを含有する溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、水を除くアルコール類、エーテル類、エステル類、ニトリル化合物類、ニトロ化合物類、ハロゲン化アルキル類、ハロゲン化アリール類、チオール類、スルフィド類、スルホキシド類、チオケトン類、アミド類、カルボン酸類等の溶媒のうち、溶解度パラメーターが9.3以上の溶媒が好ましい。該溶媒の例各括弧内の値は、各溶媒の溶解度パラメーターの値を表すとしては、メタノール12.9、エタノール11.2、2-プロパノール11.5、1-ブタノール9.9、tert-ブチルアルコール10.5、アセトニトリル11.8、1,2-エタンジオール14.7、NNジメチルホルムアミド11.5、ジメチルスルホキシド12.8、酢酸12.4、ニトロベンゼン11.1、ニトロメタン11.0、1,2-ジクロロエタン9.7、ジクロロメタン9.6、クロロベンゼン9.6、ブロモベンゼン9.9、ジオキサン9.8、炭酸プロピレン13.3、ピリジン10.4、二硫化炭素10.0、及びこれらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。ここで、2種の溶媒溶媒1、溶媒2とするを混合してなる混合溶媒について説明すると、該混合溶媒の溶解度パラメーターは、δmδ1×φ1δ2×φ2により求めることとするδ1は溶媒1の溶解度パラメーター、φ1は溶媒1の体積分率、δ2は溶媒2の溶解度パラメーター、φ2は溶媒2の体積分率である。。イオン性ポリマーを含む層の膜厚としては、用いるイオン性ポリマーによって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、ピンホールが発生しない厚さが必要である。素子の駆動電圧を低くする観点からは、該膜厚は、1nm~1μmであることが好ましく、2nm~500nmであることがより好ましく、2nm~200nmであることがさらに好ましい。発光層を保護する観点からは、該膜厚は、5nm~1μmであることが好ましい。電子注入層電子注入層44は、陰極34からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子注入層44は、電子注入効率を改善するイオン性ポリマーを含んで構成される。電子注入層44は陰極34と発光層50との間に設けられ、陰極34に接合するように設けられる。電子注入層44は、前記イオン性ポリマーを任意好適な溶媒に溶解させた塗工液を用いる塗布法により形成することができる。このような溶媒としては、上述の水を除く溶解度パラメーターが9.3以上の溶媒が好ましい。塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、及びインクジェットプリント法などが挙げられる。第1の基材及び第2の基材第1の基材22及び第2の基材24は、リジッド基板であっても、フレキシブル基板であってもよく、さらにはフィルムであってもよい。フィルムの場合には、長尺のフィルムをロール巻き出しロールに巻き付けたロール状の構造体を材料として用いることができる。フレキシブル基板、フィルムを用いることで、全体としてフレキシブルな装置を実現することができる。第1の基材22及び第2の基材24のうちの少なくとも一方は、光透過性を示す基材が用いられる。第1の基材22及び第2の基材24のうちの一方から採光する場合には、発光層50から出射する光を取り出す採光側とは厚み方向について反対側の基材として、光が不透過である不透明な基材を用いることができる。本明細書において光とは、1nmから1mm程度の波長範囲の電磁波を意味する。光透過性を示すとは、当該部材に入射する所定の波長の光のうちの少なくとも一部が出射することを意味する。第1の基板20は可視光に対して光透過性を示すことが好ましい。可視光とはヒトの肉眼に感じることのできる電磁波をいう。可視光の波長は一般に360nm~830nm程度である。第1の基板20の光透過率は、高い方が好ましく、例えば10以上であり、25以上が好ましく、50以上がより好ましい。第1の基材22及び第2の基材24としては光透過性を示す絶縁性基板を用いることができ、例えばガラス基板を用いることができる。なお石英基板やプラスチック基板などを用いてもよい。第1の基材22、第2の基材24として長尺の基材を用いる場合には、無色透明な樹脂材料から構成されるフィルムなどのロール状に巻き取り可能な絶縁性の材料からなる基材が好適に用いられるが、その材料は特に限定されない。このような長尺の基材に用いられる樹脂材料としては、例えば、ポリエーテルスルホンPES;ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル系樹脂;ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂;ポリアミド系樹脂;ポリカーボネート系樹脂;ポリスチレン系樹脂;ポリビニルアルコール系樹脂;エチレン-酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル系樹脂;アセタール系樹脂;ポリイミド系樹脂;エポキシ樹脂が挙げられる。これらの樹脂材料の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が小さく、製造コストが低いため、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。またこれらの樹脂材料は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。第1の基材22及び第2の基材24の厚みは特に限定されず、製造工程時の安定性を考慮して適宜に設定することができる。第1の基材22及び第2の基材24の厚みは、5μm~500μmの範囲であることが好ましく、さらに、50μm~200μmの範囲であることがより好ましく、50μm~100μmの範囲であることが特に好ましい。第1の基材22及び第2の基材24は、同一の材料から構成されたものを選択することが好ましい。第1の基材22及び第2の基材24を同一の材料から構成されたものとすれば、線膨張率などの物性が等しいため、後述する製造工程において第1の基材22と第2の基材24とが互いの応力を打ち消しあう。また反りの発生を防止、低減することができる。よって陽極32、陰極34、積層構造体60にかかる応力を効果的に低減することができる。陽極及び陰極発光層50から出射される光を取り出す採光側の電極陽極32及び陰極34のうちの少なくとも一方は、光透過性を示す電極とされる。陽極32を透明電極、または、半透明電極から構成する場合は、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、用いる有機層により適宜、選択して用いる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウムスズオキサイドITO、インジウム亜鉛オキサイド等の導電性膜、NESAなどや、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム亜鉛オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは50nm~500nmである。陰極34の材料としては、従来利用されてきた仕事関数の小さい材料に加えて、仕事関数の大きな材料も利用可能である。例えば、マグネシウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、パラジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛、ビスマスなどの金属、又は上記金属のうち2つ以上の合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。金属の中では酸化しにくい材料が好ましく、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、パラジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛、ビスマスなどが好ましい。また導電性酸化物であるITO、ZnO、ZTO、IZTOなどが利用可能である。陰極を2層以上の積層構造としてもよい。合金の例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、などを挙げることができる。陰極34の形成には、選択された材料に応じて蒸着法などの任意好適な形成方法を選択することができるが、塗工液を用いる塗布法によっても形成することができる。塗布法によって陰極34を形成する場合に好適に利用できる導電性材料としては、導電性高分子材料が挙げられる。導電性高分子材料としては、エチレンジオキシチオフェンを含む高分子化合物が好ましい。具体的には、正孔注入層の構成材料としても用いられる3,4-ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT及びポリスチレンスルフォン酸PSS混合割合;PEDOT:PSS=1:20[バイエル社製、商品名バイトロン-pBaytron-p]の混合材料が好適に用いられる。こうした導電性高分子材料を溶媒中に分散させた液状体を使用することができる。液状体としては、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4-ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させたものが好適である。この場合には、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4-ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水、イソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させた溶液が塗工液として好適に用いられる。また陰極34を構成する導電性材料として、上述した導電性高分子材料に代えて、又は導電性高分子とともに、導電性を有する金属微粒子を用いてもよい。導電性高分子と金属微粒子との混合材料によって陰極34を構成した場合には、比較的低温で加熱処理して、導電性を確保することが可能になる。金属微粒子としては、金、銀、アルミニウムなどが好適に用いられる。なお金、銀、アルミニウムの金属微粒子の他に、カーボンペースト、カーボンペーストと金属微粒子との混合物などが好適に用いられる。導電性材料として金属微粒子を採用する場合には、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコールIPA、ジメチルケトンなどの極性媒が好適に使用できる。陰極34の厚みは、電気伝導度、耐久性などを考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nmから10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは50nm~500nmである。発光層発光層50を構成する発光材料としては、蛍光発光型一重項遷移とリン光発光型三重項遷移が知られているが、どちらを使用してもよい。発光層50は、例えば蒸着法又は塗布法により形成することができる。発光材料としては、低分子系材料および高分子系材料のどちらも利用可能である。特に高分子系材料は溶媒に溶解しやすいため、発光材料を溶媒に溶解させた塗工液を用いる塗布法に好適に用いることができる。従って発光材料としては、簡易な塗布法を適用することができる高分子系材料が好ましい。なお本明細書でいう高分子とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、103以上であり、通常、ポリスチレン換算の数平均分子量が108以下である。発光層50は、蛍光及びリン光のうちの少なくとも一方の光を発光する有機物、若しくは有機物と、ドーパントとを含んで構成される。発光層50を主に構成する発光材料としては、例えば以下のものが挙げられる。色素系材料色素系の発光材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびピラゾリンダイマーなどを高分子化したものを挙げることができる。金属錯体系材料金属錯体系の発光材料としては、中心金属に、アルミニウム、亜鉛、ベリリウムなど、またはテルビウム、ユーロピウム、ジスプロシウムなどの希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体を高分子化したものを挙げることができる。金属錯体系の発光材料としては、イリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを高分子化したものを挙げることができる。高分子系の発光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体などを挙げることができる。ドーパント材料発光層を構成する発光材料としては、前述の発光材料の他に、例えば発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的でドーパント材料をさらに含んでいてもよい。このようなドーパント材料としては、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。他の所定の層この構成例では積層構造体60は、発光層50のみならず、正孔注入層42a、正孔輸送層42b、電子注入層44などの所定の層を有しているが、本発明の有機EL素子はこの構成例に限定されるものではない。以下に所定の層の一例について説明する。陰極34と発光層50との間に設けられる所定の層としては、電子注入層44以外に、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極34と発光層50との間に、電子注入層44以外に電子輸送層が設けられる場合には、陰極34に近い側に位置する層を電子注入層といい、発光層50に近い側に位置する層を電子輸送層という。陽極32と発光層50との間に設けられる所定の層としては、正孔注入層42a、正孔輸送層42b以外に、電子ブロック層などを挙げることができる。図示例のように陽極42と発光層50との間に、正孔注入層42aと正孔輸送層42bとの両方が設けられる場合には、陽極32に近い側に位置する層を正孔注入層といい、発光層50に近い側に位置する層を正孔輸送層という。なお、正孔注入層42a及び電子注入層44を総称して電荷注入層という場合がある。また正孔輸送層42b及び電子輸送層を総称して電荷輸送層という場合がある。陽極32及び陰極34に挟持される積層構造体60のとり得る層構成の具体的な例を以下に示す。a陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極b陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極c陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極d陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極e陽極/発光層/電子注入層/陰極f陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極ここで、記号/は、記号/を挟む各層が隣接して接合されていることを示す有機EL素子10は、電極との密着性向上や、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して膜厚が2nm程度以下の絶縁層をさらに備えていてもよく、また界面の密着性向上や混合の防止などのために、互いに隣接する各層間に薄いバッファー層が挿入されていてもよい。以下に各所定の層の具体的な構成について説明する。正孔注入層正孔注入層42aは、陽極32からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔注入層42aを構成する正孔注入材料としては、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。正孔注入層42aは、例えば前記正孔注入材料を溶媒に溶解した塗工液を塗布する塗布法によって成膜することができる。溶媒としては、正孔注入層42aの形成材料が溶解することを条件として任意好適なものを用いることができる。溶媒としては、例えば水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒を用いることができる。既に説明した塗布法のうちの1つを用いて、陽極32が設けられた第1の基材22上に、塗工液を塗布し、塗膜を加熱処理することによって、正孔注入層42aを形成することができる。正孔注入層42aの厚みは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔注入層42aの厚みは、少なくともピンホールが形成されず、駆動電圧と発光効率が適度な値となることを条件として任意好適な厚みとすることができる。また正孔注入層42aの厚みは、厚すぎると素子の駆動電圧が高くなってしまう。よって正孔注入層42aの厚みは、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nmから500nmであり、さらに好ましくは5nmから200nmである。正孔輸送層正孔輸送層42bは、陽極32または正孔注入層42a、若しくは陽極32により近い正孔輸送層42bからの正孔注入を改善する機能を有する。正孔輸送層42bを構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン若しくはその誘導体、またはポリ2,5-チエニレンビニレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。これらのうち正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン若しくはその誘導体、またはポリ2,5-チエニレンビニレン若しくはその誘導体などの高分子の正孔輸送材料を用いることができる。正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体などがさらに好ましい。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。正孔輸送層42bの形成方法としては、低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーとの混合溶液を用いる塗布法を挙げることができる。また、高分子の正孔輸送性材料を用いる場合には、溶媒に溶解させた塗工液を用いる塗布法を挙げることができる。塗布法に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであればよく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒を挙げることができる。塗布法としては、既に説明した方法を適用することができる。混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が弱いものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。正孔輸送層の厚みは、ピンホールが形成されず、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択され、用いる材料によって最適値が異なる。正孔輸送層の厚みが厚すぎると、有機EL素子の駆動電圧が高くなってしまうおそれがある。よって正孔輸送層の厚みとしては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nmから500nmであり、さらに好ましくは5nmから200nmである。電子輸送層電子輸送層は、陰極34、または電子注入層44、若しくは陰極34により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。電子輸送層を構成する電子輸送性材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8-ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、または8-ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス8-キノリノールアルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。電子輸送層の形成法として、低分子の電子輸送材料を用いる場合には、粉末からの真空蒸着法、若しくは溶液または溶融状態からの成膜による方法を挙げることができ、高分子の電子輸送材料を用いる場合には、溶液又は溶融状態からの成膜による方法を挙げることができる。溶液又は溶融状態からの成膜では、高分子バインダーをさらに併用してもよい。溶液又は溶融状態から電子輸送層を成膜する方法としては、既に説明したような塗布法を挙げることができる。電子輸送層の厚みは、用いる材料によって最適値が異なり、少なくともピンホールが形成されない程度の厚みが必要であり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。電子輸送層が厚すぎると素子の駆動電圧が高くなってしまうおそれがある。よって電子輸送層の厚みとしては、例えば1nmから1μmであり、好ましくは2nmから500nmであり、さらに好ましくは5nmから200nmである。電子ブロック層電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお、正孔注入層42a及び正孔輸送層42bのうちの少なくとも一方が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製して、その電流値の減少により堰き止める効果を確認することができる。正孔ブロック層正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも一方が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねる場合がある。正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製して、その電流値の減少により堰き止める効果を確認することができる。<有機EL素子の製造方法>本発明の有機EL素子の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。図2は、有機EL素子の製造工程の一例を概略的に示す図である。本発明の有機EL素子10の製造方法は、陽極32、陰極34、及び陽極32と陰極34とに挟持された積層構造体60を備える有機EL素子10の製造方法であって、前記積層構造体の少なくとも一部および前記陽極、又は前記陽極が第1の基材上に設けられた第1の構造体を準備する工程と、前記積層構造体のうちで、前記積層構造体の少なくとも一部を除く残部および前記陰極、又は前記陰極が第2の基材上に設けられた第2の構造体を準備する工程と、前記第1の構造体と前記第2の構造体とを張り合わせて、前記陽極および前記陰極に挟持される積層構造体を形成する張り合わせ工程とを備え、前記第1の構造体を準備する工程または前記第2の構造体を準備する工程では、イオン性ポリマーを含む前記電子注入層を形成する、有機EL素子の製造方法である。なお第1の構造体および第2の構造体とが張り合わされることによって、積層構造体が形成されるため、1第1の構造体に積層構造体の一部が設けられる形態では、第2の構造体には、積層構造体のうちの第1の構造体に設けられた一部を除く残余の部分が設けられており、2第1の構造体に積層構造体の全てが設けられる形態では、第2の構造体には積層構造体が全く設けられず、3第1の構造体に積層構造体が全く設けられていない形態では、第2の構造体には積層構造体の全てが設けられる。第1の積層構造体及び第2の積層構造体のおのおのは、前記積層構造体を構成する層を層単位で備える場合のみならず、前記張り合わせ工程により単一の層として構成されるように分割された層の一部を備える場合がある。既に説明したように電子注入層44が常圧程度の雰囲気中、さらには大気雰囲気中であっても酸化されにくいイオン性ポリマーにより構成されるため、前記張り合わせ工程は常圧程度の雰囲気中、さらには大気雰囲気中で行うことができる。第1の構造体12と第2の構造体14とを張り合わせて積層構造体60を構成するにあたり、第1の構造体12及び第2の構造体14おのおのを基材の厚み方向で見たときの基材とは反対側の露出面である接合面を構成する層の組み合わせは特に限定されない。図1を参照して説明した有機EL素子の構成例での張り合わせ工程において、前記積層構造体を構成する層を層単位で備える第1の積層構造体及び第2の積層構造体を張り合わせる場合には、互いに接合される層の組み合わせとしては下記の例が挙げられる。なお下記の組み合わせにおいて、前記の層は第1の構造体12に含まれる層であり、後記の層は第2の構造体14に含まれる層である。1陽極及び正孔注入層2正孔注入層及び発光層3正孔注入層及び正孔輸送層4正孔輸送層及び発光層5発光層及び電子輸送層6発光層及び電子注入層7電子輸送層及び電子注入層8電子注入層及び陰極張り合わせ工程において、互いに接合される層の組み合わせは、層がいずれも塗工液を塗布して形成された層である場合には、層の材料を溶解又は分散させた塗工液の溶媒の極性がいずれも同じであっても互いに異なっていてもよいが、層の材料を溶解又は分散させた塗工液の溶媒の極性が同じである層同士を接合させて張り合わせるのが好適である。換言すると、張り合わせ工程を、非極性溶媒を用いた塗工液により形成された層同士、又は極性溶媒を用いた塗工液により形成された層同士のような、層の材料を溶解させた塗工液の溶媒の極性が同じ層同士を接合させて張り合わせる工程として実施することが好適である。層の材料を溶解させた塗工液の溶媒がいずれも非極性溶媒である、例えば上記4の正孔輸送層及び発光層の組み合わせが好適である。従来、塗工液を用いる塗布法によって複数の層を順次積層する場合、例えば正孔輸送層に接合する発光層を形成する場合には、塗布された発光層形成用の塗工液が、先に形成された正孔輸送層を溶解させてしまうため、先に形成される正孔輸送層形成用の塗工液に、架橋剤などを含有させておくなど、発光層形成用の塗工液が接触した場合に正孔輸送層が溶解しないように何らかの方策を講じる必要があった。しかしながら本発明の製造方法によれば、第1の基材22に予め層が形成された第1の構造体12と、これとは別体として、第2の基材24に層が形成された第2の構造体14とを張り合わせる。よって接合される層に架橋剤などの不要な成分を含有させる必要がないため、製造される有機EL素子の電気的特性、機能などを向上させることができる。また架橋反応させる工程などを省略できるため、製造工程をより簡便にすることができる。よって製造コストをさらに低減することができる。図2を参照して、有機EL素子10の製造方法の一例について説明する。この例は、第1の構造体12が正孔輸送層42bを含み、かつ第2の構造体14が発光層50を含み、張り合わせ工程では、正孔輸送層42bと発光層50とを接合させて張り合わせる例である。なお本発明の有機EL素子10を構成する層が、塗工液を用いる塗布法で形成される場合には、塗布工程は大気雰囲気中で実施される。なお塗布工程は大気雰囲気中に限らず、常圧程度の雰囲気中、たとえば窒素ガスおよびアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよく、また塗布工程を大気雰囲気中で行い、塗布した膜をたとえば加熱することによって固化する工程を常圧程度の雰囲気中、たとえば窒素ガスおよびアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。以下、同様である。たとえば電子注入層44を塗工液を用いる塗布法で形成する場合、まず前記イオン性ポリマーを含有する塗工液を塗布成膜し、つづいて、成膜した薄膜を固化することにより電子注入層を形成する。塗工液を塗布成膜する工程は、常圧程度の雰囲気中、さらには大気雰囲気中で行うことができ、工程の簡易さの観点からは、大気雰囲気中で行うことが好ましい。また塗布成膜した薄膜の固化は、自然乾燥、光照射、常圧程度の雰囲気中での加熱乾燥、大気中での加熱乾燥、および真空乾燥などによって行うことができる。これらのなかでも、工程の簡易さの観点からは、常圧程度の雰囲気中での加熱乾燥、または大気雰囲気中での加熱乾燥によって薄膜の固化を行うことが好ましく、さらには素子寿命の長寿命化の観点からは大気雰囲気中での加熱乾燥によって薄膜の固化を行うことが好ましい。塗布成膜した薄膜を加熱乾燥によって固化する場合、その加熱温度は、加熱時間にもよるが、50°C~250°C程度であり、60°C~200°Cが好ましい。また塗布成膜した薄膜を加熱乾燥によって固化する場合、その加熱時間は、加熱温度にもよるが、5分間~120分間程度であり、10分間~60分間が好ましい。ここで大気雰囲気とは、水分、酸素の含有を許容する雰囲気を意味する。大気雰囲気は、具体的には、常温、常圧である未調整の雰囲気を含み、さらに水分、酸素の含有を許容しつつ、温度、圧力、成分などについて調整された雰囲気が含まれる。この調整された雰囲気は、塗布を含む本発明の製造方法が実施できることを条件として窒素、水素、酸素、二酸化炭素などの組成成分を調整する処理、これらの組成割合を調整する処理がなされており、浮遊微粒子、浮遊微生物にかかる清浄度が調整されていてもよく、さらには塗布を含む本発明の製造方法が実施できることを条件として温度、湿度、圧力などの環境条件が調整されていてもよい雰囲気を含み、その圧力は通常1013hPa±100hPaの常圧である。第1の構造体を準備する工程図2に示されるように、まず第1の基材22に、陽極32を形成する。まず第1の基材22を準備し、第1の基材22の厚み方向のうちの一方の面に導電性材料の膜を形成し、これをフォトリソグラフィ工程及び引き続き行われるエッチング工程などのパターニング工程によりパターニングして陽極32を形成する。この工程は、第1の基材22に導電性材料の膜が予め成膜された基材を入手し、パターニング工程を実施することにより陽極32を形成する工程であってもよい。次に正孔注入層42aを、既に説明した材料及び製造工程により、陽極32に接合するように形成し、さらに正孔輸送層42bを、正孔注入層42aに接合するように形成する。これら正孔注入層42a、正孔輸送層42bは、選択された材料に応じた好適な溶媒を用いて塗工液を調製し、この塗工液を既に説明したようなスピンコート法などの塗布法により塗布して形成された塗布膜を加熱処理して層を形成することができる。以上の工程により、第1の構造体12が形成される。第2の構造体を準備する工程まず第2の基材24に、陰極34を形成する。陰極34の形成には既に説明したように選択された材料に応じて蒸着法などの任意好適な形成方法を選択することができるが、正孔注入層42a、正孔輸送層42bと同様に塗工液を用いる塗布法によっても形成することができる。陰極34の塗布法による形成方法としては、陰極材料を溶媒中に分散させた塗工液を塗布する方法、別の支持基板上に形成された塗工液の層を転写する方法などが好適である。塗布法による陰極34の形成は、前記塗工液を第2の基材24に塗布することにより行われる。塗工液の塗布は、スピンコート法などの塗布法、インクジェット法などの印刷法によって行うのが好適である。そして塗布された塗膜を加熱処理することにより、陰極34を形成することができる。次に既に説明したイオン性ポリマーを含む塗工液を用いて、大気雰囲気中での塗布法により、電子注入層44を陰極34に接合するように形成する。電子注入層44の形成は、電子注入効率を改善する機能を有する前記イオン性ポリマーを含む塗工液を塗布することによって行うことができる。まずイオン性ポリマーを極性溶媒に溶解させて塗工液を調製する。このイオン性ポリマーを含む塗工液を陰極34の設けられた側に陰極34に接合するように塗布する。既に説明した正孔注入層42a、正孔輸送層42b、陰極34と同様に、塗布法としてはスピンコート法、さらにはインクジェット法などの印刷法を用いることができる。次にイオン性ポリマーを含む塗工液の塗膜を加熱処理することにより、電子注入層44を形成する。さらに発光層50を、既に説明したような正孔注入層42a、正孔輸送層42b、陰極34、電子注入層44と同様の塗布法により塗布して電子注入層42aに接合するように形成する。以上の工程により、第2の構造体14が形成される。第1の構造体及び第2の構造体の張り合わせ工程図2に示されるように、まず第1の構造体12の正孔輸送層42bと第2の構造体14の発光層50とを対向させて配置する。図示例では、第2の構造体14を第1の構造体12よりも上方に配置しているが、他の実施形態として第2の構造体14よりも第1の構造体12を上方に配置して張り合わせ工程を実施してもよい。次に、第1の構造体12と第2の構造体14とを白抜き矢印方向に近づけて当接させて接合する。このとき互いに接合される層を形成するための塗工液に使用された溶媒を、接合面に塗布するなどしてもよい。この工程は、第1の構造体12及び第2の構造体14のうちの少なくとも一方が、可撓性が低いリジッド基板である場合には、例えば基板を吸着脱着自在に保持することができる定盤を用いて行うことができる。次に第1の構造体12と第2の構造体14とが張り合わされた状態において、有機EL素子10を取り囲むように、図示しない接着部材を配置して、この接着部材により封止する。このように第1の構造体12と第2の構造体とを張り合わせることによって、積層構造体60が完成する。第1の構造体12及び第2の構造体14が可撓性を示す構造体であって、かつロールに巻き取られた長尺のフィルム状構造体である場合には、張り合わせ工程をロールツーロールで実施することができる。以下にロールツーロールでの張り合わせ工程を説明する。第1の構造体及び第2の構造体のロールツーロールでの張り合わせ工程張り合わせ工程をロールツーロールで実施する場合には、第1の基材22を含む第1の構造体12と及び第2の基材24を含む第2の構造体14とは、巻き出しロールから巻き取りロールへと巻き取られる長尺のフィルム状構造体であり、張り合わせ工程では、巻き出しロールから巻き出された第1の構造体12と第2の構造体14とを張り合わせ、巻き取りロールに連続的に巻き取ることにより行われる。製造装置の構成例ロールツーロールでの張り合わせ工程に好適に使用できる、複数のフィルム状構造体同士を張り合わせる製造装置張り合わせ装置について説明する。図3は、製造装置の構成例を説明する概略的な図である。図3に示されるように、製造装置110は、第1巻き出しロール122及び第2巻き出しロール124を含む2本の巻き出しロール120と、第1張り合わせロール132及び第2張り合わせロール134の組である張り合わせロール130と、張り合わされたフィルム状構造体を巻き取る巻き取りロール140とを備えている。第1巻き出しロール122と第2巻き出しロール124とは、互いに離間するように配置されている。張り合わせロール130は、第1巻き出しロール122から巻き出されたフィルム状部材である第1の構造体12及び第2巻き出しロール124から巻き出されたフィルム状部材である第2の構造体14を張り合わせることができるように配置されている。張り合わせロール130は、例えば第1張り合わせロール132を固定ロールとして固定し、第2張り合わせロール134を可動ロールとしてフィルム状部材が接触する接触面同士が対向するように配置すればよい。巻き出しロール120から張り合わせロール130に至るまでのフィルム状部材の輸送経路近傍には、輸送途中のフィルム状部材の表面に所望の何らかの処理を行うことができる任意好適な処理装置150を設けてもよい。例えば張り合わせ用の接着部材90をフィルム状部材に塗布するための塗布装置152、フィルム状部材に塗布された接着部材90に含まれる余分な溶媒を乾燥させるための乾燥装置154、フィルム状部材の輸送を補助したりフィルム状部材の輸送方向を変えたりする1以上の補助ロール160などを設けてもよい。製造装置110が備える巻き出しロール120、張り合わせロール130、巻き取りロール140、処理装置150、補助ロール160は、従来公知の任意好適な構成を採用することができる。張り合わせ工程第1巻き出しロール122に巻き付けられた第1の構造体12と、第2巻き出しロール24に巻き付けられた第2の構造体14とを巻き出し、第1張り合わせロール132と、これと対向する第2張り合わせロール134とにより第1の構造体12及び第2の構造体14を挟み込んで張り合わせ、長尺のフィルム状構造体である有機EL素子10とする。長尺のフィルム状構造体は、巻き取りロール40に連続的に巻き取られる。なおこの工程例では第1巻き出しロール122から張り合わせロール130へ至るフィルム状部材の輸送経路近傍に、接着部材90を塗布するための塗布装置152及び塗布された接着部材90を乾燥させるための乾燥装置154を含む処理装置150が設けられており、輸送途中に第1の構造体12に塗布され、かつ乾燥された接着部材90を介して、第1の構造体12と第2の構造体14とが張り合わされる。張り合わせ工程の終了後に、接着部材90の硬化処理を行う。この硬化処理は、接着部材の種類に応じて所定の方法により行うことできる。接着部材としては、例えば紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂を用いることができる。この場合には紫外線照射処理、または加熱処理などを施すことによって接着部材を硬化し、これを封止部として機能させることができる。本発明の有機EL素子の製造方法によれば、既に説明したように電子注入層44の材料として、常圧程度の雰囲気中さらには大気中の水分、酸素に曝されても劣化しにくく、機能が低下しにくいイオン性ポリマーを用いるため、形成工程を常圧程度の雰囲気中さらには大気雰囲気中で実施することができる。よって有機EL素子の製造を大気雰囲気中で実施することができ、真空チャンバなどの大規模な設備が不要であるため、有機EL素子の製造工程を極めて簡便にすることができ、製造コストを格段に低減することができる。また本発明の製造方法によれば、別体として予め所定の層が形成された第1の構造体と第2の構造体とを張り合わせる。よって接合される層に架橋剤などの不要な成分を含有させる必要がないため、製造される有機EL素子の電気的特性、機能などを向上させることができる。また架橋反応させる工程などを省略できるため、製造工程をより簡便にすることができる。よって製造コストをさらに低減することができる。さらに本発明の製造方法によれば、第1の構造体又は第2の構造体を形成するにあたり、最後に形成される層を発光層とすれば、発光層が他の層の形成時の加熱処理に曝されることがないため、少なくとも製造工程において発光層が劣化することがなく、製造される有機EL素子の電気的特性、素子寿命などの有意な特性を向上させることができる。上述した、本発明に用いるイオン性ポリマーの内、より好ましい数種の具体例について、それらの合成例および合成されたイオン性ポリマーを使用して作製された有機EL素子を実験例として以下に示す。以下、実験例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実験例に限定されるものではない。重合体の重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー株式会社製:HLC-8220GPCを用いて、ポリスチレン換算の重量平均分子量及び数平均分子量として求めた。また、測定する試料は、約0.5重量の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに50μL注入した。更に、GPCの移動相としてはテトラヒドロフランを用い、0.5mL/分の流速で流した。重合体の構造分析はVarian社製300MHzNMRスペクトロメータ-を用いた、1HNMR解析によって行った。また、測定は、20mgmLの濃度になるように試料を可溶な重溶媒溶媒分子中の水素原子が重水素原子で置換された溶媒に溶解させて行った。重合体の最高占有分子軌道HOMOの軌道エネルギーは、重合体のイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求めた。一方、重合体の最低非占有分子軌道LUMOの軌道エネルギーは、HOMOとLUMOとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求めた。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置理研計器株式会社製:AC-2を用いた。また、HOMOとLUMOのエネルギー差は紫外可視近赤外分光光度計Varian社製:Cary5Eを用いて重合体の吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求めた。[参考例1]2,7-ジブロモ-9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレンの合成2,7-ジブロモ-9-フルオレノン52.5g、サリチル酸エチル154.8g、及びメルカプト酢酸1.4gを300mLフラスコに入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した以下、フラスコ内の雰囲気を窒素置換したを単に窒素置換したと記載することがある。そこに、メタンスルホン酸630mLを添加し、混合物を75°Cで終夜撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して1時間撹拌した。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄済みの該固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させ、ろ別した。得られた固体62.7g、2-2-2-メトキシエトキシエトキシ-p-トルエンスルホネート86.3g、炭酸カリウム62.6g、及び18-クラウン-67.2gをN、N-ジメチルホルムアミドDMF670mLに溶解させ、溶液をフラスコへ移して105°Cで終夜撹拌した。得られた混合物を室温まで放冷し、フラスコ内に氷水を加え、1時間撹拌した。反応液にクロロホルム300mLを加えて分液抽出を行い、溶液を濃縮することで、2,7-ジブロモ-9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン51.2gを得た。[参考例2]2,7-ビス4,4,5,5-テトラメチル1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン化合物Bの合成窒素雰囲気下、化合物A15g、ビスピナコラートジボロン8.9g、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセンジクロロパラジウムIIジクロロメタン錯体0.8g、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン0.5g、酢酸カリウム9.4g、ジオキサン400mLを混合し、110°Cに加熱し、10時間加熱還流させた。放冷後、反応液をろ過し、ろ液を減圧濃縮した。反応混合物をメタノールで3回洗浄した。沈殿物をトルエンに溶解させ、溶液に活性炭を加えて攪拌した。その後、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することで、2,7-ビス4,4,5,5-テトラメチル1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン化合物B11.7gを得た。[参考例3]ポリ9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン重合体Aの合成不活性雰囲気下、化合物A0.55g、化合物B0.61g、トリフェニルホスフィンパラジウム0.01g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドアルドリッチ製、商品名Aliquat336登録商標0.20g、及びトルエン10mLを混合し、105°Cに加熱した。この反応液に2M炭酸ナトリウム水溶液6mLを滴下し、8時間還流させた。反応液に4-tert-ブチルフェニルボロン酸0.01gを加え、6時間還流させた。次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液10mL、濃度:0.05g/mLを加え、2時間撹拌した。混合溶液をメタノール300mL中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。得られた溶液をメタノール120ml、3重量酢酸水溶液50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール200mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール200mLに滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られたポリ9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-ビス2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン重合体Aの収量は520mgであった。重合体Aのポリスチレン換算の数平均分子量は5.2×104であった。重合体Aは、式Aで表される構造単位からなる。[実験例1]重合体Aセシウム塩の合成重合体A200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン20mL、及びエタノール20mLを添加し、混合物を55°Cに昇温した。そこに、水酸化セシウム200mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、55°Cで6時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体150mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体A内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Aのセシウム塩を共役高分子化合物1と呼ぶ。共役高分子化合物1は式Bで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、100モルである。。共役高分子化合物1のHOMOの軌道エネルギーは-5.5eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.7eVであった。[実験例2]重合体Aカリウム塩の合成重合体A200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン20mL、及びメタノール10mLを混合し、混合溶液に、水酸化カリウム400mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで1時間撹拌した。反応溶液にメタノール50mLを加え、さらに65°Cで4時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体131mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体A内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Aのカリウム塩を共役高分子化合物2と呼ぶ。共役高分子化合物2は式Cで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、100モルである。。共役高分子化合物2のHOMOの軌道エネルギーは-5.5eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.7eVであった。[実験例3]重合体Aナトリウム塩の合成重合体A200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン20mL、及びメタノール10mLを混合し、混合溶液に、水酸化ナトリウム260mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで1時間撹拌した。反応溶液にメタノール30mLを加え、さらに65°Cで4時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体123mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体A内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Aのナトリウム塩を共役高分子化合物3と呼ぶ。共役高分子化合物3は式Dで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、100モルである。。共役高分子化合物3のHOMOの軌道エネルギーは-5.6eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.8eVであった。[実験例4]重合体Aアンモニウム塩の合成重合体A200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン20mL、及びメタノール15mLを混合し、混合溶液にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド50mgを水1mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで6時間撹拌した。反応溶液にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド50mgを水1mLに溶解させた水溶液を加え、さらに65°Cで4時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体150mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体A内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが90消失していることを確認した。得られた重合体Aのアンモニウム塩を共役高分子化合物4と呼ぶ。共役高分子化合物4は式Eで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、90モルである。。共役高分子化合物4のHOMOの軌道エネルギーは-5.6eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.8eVであった。[参考例4]2,7-ビス7-4-メチルフェニル-9,9-ジオクチルフルオレン-2-イル-9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン重合体Bの合成不活性雰囲気下、化合物A0.52g、2,7-ビス1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ジオクチルフルオレン1.29g、トリフェニルホスフィンパラジウム0.0087g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドアルドリッチ製、商品名Aliquat336登録商標0.20g、トルエン10mL、及び2M炭酸ナトリウム水溶液10mLを混合し、80°Cに加熱した。反応液を3.5時間反応させた。その後、そこに、パラブロモトルエン0.68gを加えて、更に2.5時間反応させた。反応後、反応液を室温まで冷却し、酢酸エチル50ml/蒸留水50mlを加えて水層を除去した。再び蒸留水50mlを加えて水層を除去した後、乾燥剤として硫酸マグネシウムを加えて、不溶物をろ過して、有機溶媒を除去した。その後、得られた残渣を再びTHF10mLに溶かして、飽和ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水2mLを添加して、30分間撹拌した後、有機溶媒を除去した。アルミナカラム展開溶媒ヘキサン:酢酸エチル=1:1、vvを通して精製を行い、析出した沈殿をろ過して12時間減圧乾燥させたところ、2,7-ビス7-4-メチルフェニル-9,9-ジオクチルフルオレン-2-イル-9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン重合体Bが524mg得られた。重合体Bのポリスチレン換算の数平均分子量は、2.0×103であった。なお、重合体Bは、式Fで表される。[実験例5]重合体Bセシウム塩の合成重合体B262mgを100mLフラスコに入れ、アルゴン置換した。そこに、テトラヒドロフラン10mL、及びメタノール15mLを添加し、混合物を55°Cに昇温した。そこに、水酸化セシウム341mgを水1mLに溶かした水溶液を添加し、55°Cで5時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体250mgを得た。NMRスペクトルにより、エチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Bセシウム塩を共役高分子化合物5と呼ぶ。共役高分子化合物5は、式Gで表される全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、小数第二位で四捨五入して、33.3モルである。。共役高分子化合物5のHOMOの軌道エネルギーは-5.6eVであり、LUMOの軌道エネルギーは-2.6eVであった。[参考例5]重合体Cの合成不活性雰囲気下、化合物A0.40g、化合物B0.49g、NN’ビス4-ブロモフェニル-NN’-ビス4-tert-ブチル2,6-ジメチルフェニル1,4-フェニレンジアミン35mg、トリフェニルホスフィンパラジウム8mg、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドアルドリッチ製、商品名Aliquat336登録商標0.20g、及びトルエン10mLを混合し、105°Cに加熱した。この反応液に2M炭酸ナトリウム水溶液6mLを滴下し、8時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸0.01gを加え、6時間還流させた。次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液10mL、濃度:0.05g/mLを加え、2時間撹拌した。混合溶液をメタノール300mL中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。得られた溶液をメタノール120ml、3重量酢酸水溶液50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール200mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール200mLに滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Cの収量は526mgであった。重合体Cのポリスチレン換算の数平均分子量は3.6×104であった。重合体Cは、式Hで表される構造単位からなる。なお、NN’ビス4-ブロモフェニル-NN’-ビス4-tert-ブチル2,6-ジメチルフェニル1,4-フェニレンジアミンは、例えば特開2008-74917号公報に記載されている方法で合成することができる。[実験例6]重合体Cセシウム塩の合成重合体C200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン20mL、及びメタノール20mLを添加し混合した。混合溶液に、水酸化セシウム200mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで1時間撹拌した。反応溶液にメタノール30mLを加え、さらに65°Cで4時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体150mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体C内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Cのセシウム塩を共役高分子化合物6と呼ぶ。共役高分子化合物6は式Iで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、95モルである。。共役高分子化合物6のHOMOの軌道エネルギーは-5.3eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.6eVであった。[参考例6]重合体Dの合成不活性雰囲気下、化合物A0.55g、化合物B0.67g、NN’ビス4-ブロモフェニル-NN’-ビス4-tert-ブチル2,6-ジメチルフェニル1,4-フェニレンジアミン0.038g、3,7-ジブロモ-N-4-n-ブチルフェニルフェノキサジン0.009g、トリフェニルホスフィンパラジウム0.01g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドアルドリッチ製、商品名Aliquat336登録商標0.20g、及びトルエン10mLを混合し、105°Cに加熱した。この反応液に2M炭酸ナトリウム水溶液6mLを滴下し、2時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸0.004gを加え、6時間還流させた。次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液10mL、濃度:0.05g/mLを加え、2時間撹拌した。混合溶液をメタノール300mL中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。得られた溶液をメタノール120ml、3重量酢酸水溶液50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール200mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール200mLに滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Dの収量は590mgであった。重合体Dのポリスチレン換算の数平均分子量は2.7×104であった。重合体Dは、式Jで表される構造単位からなる。なお、3,7-ジブロモ-N-4-n-ブチルフェニルフェノキサジンは、特開2007-70620号公報に記載の方法に基づいてあるいは特開2004-137456号公報に記載の方法を参考にして合成した。[実験例7]重合体Dセシウム塩の合成重合体D200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン15mL、及びメタノール10mLを混合した。混合溶液に、水酸化セシウム360mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで3時間撹拌した。反応溶液にメタノール10mLを加え、さらに65°Cで4時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体210mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体D内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Dのセシウム塩を共役高分子化合物7と呼ぶ。共役高分子化合物7は式Kで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、90モルである。。共役高分子化合物7のHOMOの軌道エネルギーは-5.3eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.4eVであった。[参考例7]重合体Eの合成不活性雰囲気下、化合物A0.37g、化合物B0.82g、1,3-ジブロモベンゼン0.09g、トリフェニルホスフィンパラジウム0.01g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドアルドリッチ製、商品名Aliquat336登録商標0.20g、及びトルエン10mLを混合し、105°Cに加熱した。この反応液に2M炭酸ナトリウム水溶液6mLを滴下し、7時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸0.002gを加え、10時間還流させた。次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液10mL、濃度:0.05g/mLを加え、1時間撹拌した。混合溶液をメタノール300mL中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。得られた溶液をメタノール120ml、3重量酢酸水溶液50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール200mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール200mLに滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Eの収量は293mgであった。重合体Eのポリスチレン換算の数平均分子量は1.8×104であった。重合体Eは、式Lで表される構造単位からなる。[実験例8]重合体Eセシウム塩の合成重合体E200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン10mL、及びメタノール5mLを混合した。混合溶液に、水酸化セシウム200mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで2時間撹拌した。反応溶液にメタノール10mLを加え、さらに65°Cで5時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体170mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体E内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Eのセシウム塩を共役高分子化合物8と呼ぶ。共役高分子化合物8は式Mで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、75モルである。。共役高分子化合物8のHOMOの軌道エネルギーは-5.6eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.6eVであった。[参考例8]重合体Fの合成不活性雰囲気下、化合物B1.01g、1,4-ジブロモ-2,3,5,6-テトラフルオロベンゼン0.30g、トリフェニルホスフィンパラジウム0.02g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドアルドリッチ製、商品名Aliquat336登録商標0.20g、及びトルエン10mLを混合し、105°Cに加熱した。この反応液に2M炭酸ナトリウム水溶液6mLを滴下し、4時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸0.002gを加え、4時間還流させた。次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液10mL、濃度:0.05g/mLを加え、1時間撹拌した。混合溶液をメタノール300mL中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して2時間減圧乾燥させ、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。得られた溶液をメタノール120ml、3重量酢酸水溶液50mLの混合溶媒中に滴下して1時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、テトラヒドロフラン20mlに溶解させた。こうして得られた溶液をメタノール200mlに滴下して30分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフラン/酢酸エチル1/1体積比の混合溶媒に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムから回収したテトラヒドロフラン溶液を濃縮した後、メタノール200mLに滴下し、析出した固体をろ過し、乾燥させた。得られた重合体Eの収量は343mgであった。重合体Fのポリスチレン換算の数平均分子量は6.0×104であった。重合体Fは、式Nで表される構造単位からなる。[実験例9]重合体Fセシウム塩の合成重合体F150mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン10mL、及びメタノール5mLを混合した。混合溶液に、水酸化セシウム260mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで2時間撹拌した。反応溶液にメタノール10mLを加え、さらに65°Cで5時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体130mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体E内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Fのセシウム塩を共役高分子化合物9と呼ぶ。共役高分子化合物9は式Oで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、75モルである。。共役高分子化合物9のHOMOの軌道エネルギーは-5.9eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.8eVであった。参考例9不活性雰囲気下、2-2-2-メトキシエトキシエトキシ-p-トルエンスルホネート11.0g、トリエチレングリコール30.0g、水酸化カリウム3.3gを混合し、100°Cで18時間加熱攪拌した。放冷後、反応溶液を水100mLに加え、クロロホルムで分液抽出を行い、溶液を濃縮した。濃縮した溶液を、クーゲルロワー蒸留10mmTorr、180°Cすることで、2-2-2-2-2-2-メトキシエトキシ-エトキシ-エトキシ-エトキシ-エトキシエタノール6.1gを得た。参考例10不活性雰囲気下、2-2-2-2-2-2-メトキシエトキシ-エトキシ-エトキシ-エトキシ-エトキシエタノール8.0g、水酸化ナトリウム1.4g、蒸留水2mL、テトラヒドロフラン2mLを混合し、氷冷した。混合溶液に、p-トシルクロリド5.5gのテトラヒドロフラン6.4mL溶液を30分かけて滴下し、滴下後反応溶液を室温に上げて15時間攪拌した。反応溶液に蒸留水50mLを加え、6M硫酸で反応溶液を中和した後、クロロホルムで分液抽出を行った。溶液を濃縮することで、2-2-の合成2,7-ジブロモ-9-フルオレノン127.2g、サリチル酸エチル375.2g、及びメルカプト酢酸3.5gを300mLフラスコに入れ、窒素置換した。そこに、メタンスルホン酸1420mLを添加し、混合物を75°Cで終夜撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して1時間撹拌した。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄済みの該固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させ、ろ別し固体167.8gを得た。得られた固体5g、2-2-4.5gを得た。参考例12重合体Gの合成不活性雰囲気下、化合物C1.0g、4-tert-ブチルフェニルブロミド0.9mg、2,2’-ビピリジン0.3g、脱水テトラヒドロフラン50mLを200mLフラスコに入れ混合した。混合物を55°Cに昇温した後、ビス1,5-シクロオクタジエンニッケル0.6gを添加し、55°Cで5時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶液をメタノール200mL、1N希塩酸200mLの混合液に滴下した。生じた沈殿物をろ過により収集した後、テトラヒドロフランに再溶解させた。メタノール200mL、15アンモニア水100mLの混合液に滴下し、生じた沈殿物をろ過により収集した。沈殿物をテトラヒドロフランに再溶解させ、メタノール200mL、水100mLの混合液に滴下し、生じた沈殿物をろ過により収集した。収集した沈殿物を減圧乾燥することで重合体G360mgを得た。重合体Gのポリスチレン換算の数平均分子量は6.0×104であった。重合体Gは、式Pで表される構造単位からなる。[実験例10]重合体Gセシウム塩の合成重合体G150mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン15mL、及びメタノール5mLを混合した。混合溶液に、水酸化セシウム170mgを水2mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで6時間撹拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体95mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体G内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Gのセシウム塩を共役高分子化合物10と呼ぶ。共役高分子化合物10は式Qで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、100モルである。。共役高分子化合物10のHOMOの軌道エネルギーは-5.7eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.9eVであった。参考例131,3-ジブロモ-5-エトキシカルボニル-6-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシベンゼンの合成不活性雰囲気下、3,5-ジブロモサリチル酸20g、エタノール17mL、濃硫酸1.5mL、トルエン7mLを混合し、130°Cで20時間加熱攪拌した。放冷後、反応溶液を氷水100mLに加え、クロロホルムで分液抽出を行い、溶液を濃縮した。得られた固体を、イソプロパノールに溶解し、溶液を蒸留水に滴下した。得られた析出物をろ別することにより、固体18gを得た。不活性雰囲気下、得られた固体1g、2-2-2-メトキシエトキシエトキシ-p-トルエンスルホネート1.5g、炭酸カリウム0.7g、DMF15mLを混合し、100°Cで4時間加熱攪拌した。放冷後、クロロホルムを加えて分液抽出し、溶液を濃縮した。濃縮物をクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラムに通液することにより精製した。溶液を濃縮することにより、1,3-ジブロモ-5-エトキシカルボニル-6-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシベンゼン1.0gを得た。[参考例14]重合体Hの合成不活性雰囲気下、化合物A0.2g、化合物B0.5g、1,3-ジブロモ-5-エトキシカルボニル-6-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシベンゼン0.1g、トリフェニルホスフィンパラジウム30mg、テトラブチルアンモニウムブロミド4mg、及びトルエン19mLを混合し、105°Cに加熱した。この反応液に2M炭酸ナトリウム水溶液5mLを滴下し、5時間還流させた。反応液にフェニルボロン酸6mgを加え、14時間還流させた。次いで、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液10mL、濃度:0.05g/mLを加え、2時間撹拌した。水層を除去して有機層を蒸留水で洗浄し、濃縮して得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムからの溶出液を濃縮して乾燥させた。得られた重合体Hの収量は0.44gであった。重合体Hのポリスチレン換算の数平均分子量は3.6×104であった。重合体Hは、式Rで表される構造単位からなる。[実験例11]重合体Hセシウム塩の合成重合体H200mgを100mLフラスコに入れ、窒素置換した。テトラヒドロフラン14mL、及びメタノール7mLを添加し混合した。混合溶液に、水酸化セシウム90mgを水1mLに溶解させた水溶液を添加し、65°Cで1時間撹拌した。反応溶液にメタノール5mLを加え、さらに65°Cで4時間攪拌した。混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体190mgを得た。NMRスペクトルにより、重合体H内のエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Hのセシウム塩を共役高分子化合物11と呼ぶ。共役高分子化合物11は式Sで表される構造単位からなる全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、15、17、20で表される構造単位の割合は、100モルである。。共役高分子化合物11のHOMOの軌道エネルギーは-5.6eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.8eVであった。[参考例15]2,7-ジブロモ-9,9-ビス[3,4-ビス[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシ-5-メトキシカルボニルフェニルフルオレンの合成2,7-ジブロモ-9-フルオレノン34.1g、2,3ジヒドロキシ安息香酸メチル101.3g、及びメルカプト酢酸1.4gを500mLフラスコに入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。フラスコに、メタンスルホン酸350mLを添加し、混合物を90°Cで19時間撹拌した。混合物を放冷し、氷水に添加して1時間撹拌した。生じた固体をろ別し、加熱したアセトニトリルで洗浄した。洗浄済みの該固体をアセトンに溶解させ、得られたアセトン溶液から固体を再結晶させ、ろ別した。得られた固体16.3g、2-2-2-メトキシエトキシエトキシ-p-トルエンスルホネート60.3g、炭酸カリウム48.6g、及び18-クラウン-62.4gをN、N-ジメチルホルムアミドDMF500mLに溶解させ、溶液をフラスコへ移して110°Cで15時間撹拌した。得られた混合物を室温まで放冷し、氷水へ加え、1時間撹拌した。反応液に酢酸エチル300mLを加えて分液抽出を行い、溶液を濃縮し、クロロホルム/メタノール50/1体積比の混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。カラムに通液した溶液を濃縮することで、27-ジブロモ-99-ビス[34-ビス[2-[2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシ-5-メトキシカルボニルフェニルフルオレン20.5gを得た。[参考例16]2,7-ビス7-4-メチルフェニル-9,9-ジオクチルフルオレン-2-イル-9,9-ビス5-メトキシカルボニル-3,4-ビス2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン重合体Iの合成不活性雰囲気下、化合物D0.70g、2--9,9-ジオクチルフルオレン、トリフェニルホスフィンパラジウム0.019g、ジオキサン40mL、水6mL及び炭酸カリウム水溶液1.38gを混合し、80°Cに加熱した。反応液を1時間反応させた。反応後、飽和ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水5mLを添加して、30分間撹拌した後、有機溶媒を除去した。得られた固体をアルミナカラム展開溶媒ヘキサン:酢酸エチル=1:1体積比を通して精製を行い、溶液を濃縮することで、2,7-ビス7-4-メチルフェニル-9,9-ジオクチルフルオレン-2-イル-9,9-ビス3-エトキシカルボニル-4-2-2-2-メトキシエトキシエトキシエトキシフェニル-フルオレン重合体Iを660mg得た。重合体Iのポリスチレン換算の数平均分子量は、2.0×103であった。重合体Iは、式Tで表される。なお、2--9,9-ジオクチルフルオレンは、例えばTheJournalofPhysicalChemistryB2000,104,9118-9125に記載されている方法で合成することができる。[実験例12]重合体Iセシウム塩の合成重合体I236mgを100mLフラスコに入れ、フラスコ内の雰囲気をアルゴン置換した。フラスコに、テトラヒドロフラン20mL、及びメタノール10mLを添加し、混合物を65°Cに昇温した。フラスコに、水酸化セシウム240mgを水2mLに溶かした水溶液を添加し、65°Cで7時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、反応溶媒を減圧留去した。生じた固体を水で洗浄し、減圧乾燥させることで薄黄色の固体190mgを得た。NMRスペクトルにより、エチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。得られた重合体Iセシウム塩を共役高分子化合物12と呼ぶ。共役高分子化合物12は、式Uで表される全構造単位中の、式1で表される基及び式2で表される基からなる群から選ばれる1種以上の基と式3で表される1種以上の基とを含む構造単位の割合及び全構造単位中の、式13、式15、式17、式20で表される構造単位の割合は、小数第二位で四捨五入して、33.3モルである。。共役高分子化合物12のHOMOの軌道エネルギーは-5.6eVであり、LUMOの軌道エネルギーは-2.8eVであった。[参考例17]化合物Eの合成窒素雰囲気下、2,7-ジブロモ-9-フルオレノン92.0g、272mmol、及びジエチルエーテル3.7Lを混合して0°Cに冷却し、1mol/Lヨウ化メチルマグネシウム-ジエチルエーテル溶液0.5L、545mmolを滴下して3時間撹拌した。反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、下記式で表される化合物E92.81g、262mmol、収率96を得た。化合物Fの合成窒素雰囲気下、化合物E83.0g、234mmol、p-トルエンスルホン酸一水和物4.49g、23.6mmol、及びクロロホルム2.5Lを混合して1時間還流し、反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮し、下記式で表される化合物F73.6g、219mmol、収率93を得た。化合物Gの合成窒素雰囲気下、化合物F70.0g、208mmol、サリチル酸エチル104g、625mmol、メルカプト酢酸4.20g、45.6mmol、及びメタンスルホン酸1214gを混合して70°Cで8時間撹拌した。得られた反応混合物を氷水に滴下して析出した固体をろ過して回収し、メタノールで洗浄した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、下記式で表される化合物G52.14g、104mmol、収率50を得た。化合物Hの合成窒素雰囲気下、化合物G41.2g、82.0mmol、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]-エチル-p-トルエンスルホネート75.8g、238mmol、ジメチルホルムアミド214g、炭酸カリウム54.4g、394mmol、及び18-クラウン-64.68g、18mmolを混合して105°Cで2時間撹拌した。得られた反応混合物を水に加え、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、下記式で表される化合物H40.2g、62.0mmol、収率76を得た。得られた化合物Hについて行われた1HNMRの結果を以下に示す。1HNMR400MHz,CDCl3,rtδppm1.373H,1.843H,3.363H,3.532H,3.58-3.796H,3.732H,4.122H,4.342H,6.801H,6.901H,7.282H,7.482H,7.582H,7.701H.化合物Iの合成窒素雰囲気下、化合物H28.4g、43.8mmol、ビスピナコラトジボロン24.30g、95.7mol、[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]パラジウムIIジクロリドのジクロロメタン付加物0.35g、0.4mmol、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン0.24g、0.4mmol、酢酸カリウム25.60g、260mmol、及び1,4-ジオキサン480mLを混合して120°Cで17時間撹拌した。得られた反応混合物をろ過して酢酸エチルで洗浄した。得られたろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで再結晶して精製することにより、下記式で表される化合物I18.22g、24.5mmol、収率56を得た。得られた化合物Iについて行われた1HNMRの結果を以下に示す。1HNMR400MHz,CDCl3,rtδppm1.30-1.4727H,1.883H,3.353H,3.532H,3.60-3.694H,3.732H,3.842H,4.102H,4.342H,6.741H,6.871H,7.582H,7.72-7.895H.重合体Jの合成アルゴン雰囲気下、化合物H0.47g、化合物I0.48g、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム0.6mg、テトラブチルアンモニウムブロミド6mg、トルエン6mL、2mol/L炭酸ナトリウム水溶液2mLを混合して105°Cで6時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸35mgを加え105°Cで14時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物0.65gと水13mLとを加えて80°Cで2時間撹拌した。得られた混合物をメタノールに滴下し、析出物をろ過して回収し、乾燥させた。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナクロマトグラフィー、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製した。溶出液をメタノールに滴下し、析出物をろ過して回収し、乾燥させて重合体J0.57gを得た。重合体Jのポリスチレン換算の数平均分子量は2.0×104であった。重合体Jは、式Vで表される構造単位からなる。[実験例13]重合体Jセシウム塩の合成アルゴン雰囲気下、重合体J0.20g、THF18mL、メタノール9mL、水酸化セシウム一水和物97mg、及び水1mLを混合し、65°Cで2時間撹拌し、次いでメタノール52mLを加え、65°Cで6時間撹拌した。反応混合物を濃縮して乾燥させ、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し、固体をろ過して回収し、乾燥させて重合体Jセシウム塩0.20gを得た。得られた重合体Jセシウム塩を共役高分子化合物13と呼ぶ。共役高分子化合物13は、式Wで表される構造単位からなる。共役高分子化合物13のHOMOの軌道エネルギーは-5.51eVであり、LUMOの軌道エネルギーは-2.64eVであった。[参考例18]化合物Jの合成窒素気流下、2,7-ジブロモ-9,9-ビス3,4-ジヒドロキシ-フルオレン138.4g、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]-エチル-p-トルエンスルホネート408.6g、炭酸カリウム358.5g及びアセトニトリル2.5Lを混合し、3時間加熱還流した。放冷後、反応混合物をろ別し、ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、下記式で表される化合物J109.4gを得た。化合物Kの合成窒素雰囲気下、化合物J101.2g、ビスピナコラトジボロン53.1g、[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムIIジクロロメタン錯体3.7g、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン5.4g、酢酸カリウム90.6g及びジオキサン900mLを混合し、110°Cに加熱し、8時間加熱還流させた。放冷後、反応液をろ過し、ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して化合物K51.4gを得た。重合体Kの合成化合物K0.715g、化合物J0.426g、aliquot3366.60mg、ビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム0.460mg、2mol/L炭酸ナトリウム水溶液10mL、トルエン20mLを加えて、105°Cで5時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸32mgを加え、105°Cで6時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物0.72gと水14mLとを加えて80°Cで2時間撹拌し、混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過して回収し、乾燥させた。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナクロマトグラフィー、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮し乾燥させた。濃縮物をトルエンに溶解させてメタノールに滴下し、析出物をろ過して回収し、乾燥させて重合体K0.55gを得た。重合体Kのポリスチレン換算の数平均分子量は2.3×104であった。重合体Kは、式Xで表される構造単位からなる。[実験例14]重合体Kセシウム塩の合成アルゴン雰囲気下、重合体K0.15g、THF20mL、メタノール10mL、水酸化セシウム一水和物103mg、及び水1mLを混合し、65°Cで2時間撹拌し、次いでメタノール20mLを加え、65°Cで2時間撹拌した。反応混合物を濃縮して乾燥し、得られた固体にメタノールを加えてろ過した。得られたろ液を濃縮して乾燥させ、得られた固体を水で洗浄した後、乾燥させることで、重合体Kのセシウム塩0.14gを得た。得られた重合体Kのセシウム塩を共役高分子化合物14と呼ぶ。共役高分子化合物14は、式Yで表される構造単位からなる。共役高分子化合物14のHOMOの軌道エネルギーは-5.56eVであり、LUMOの軌道エネルギーは-2.67eVであった。[参考例19]化合物Lの合成窒素雰囲気下、5-ブロモ-2-ヒドロキシ安息香酸92.85g、エタノール1140mL、及び濃硫酸45mLを混合し、48時間還流し、減圧濃縮した後に酢酸エチル1000mLを加え、水及び10重量炭酸ナトリウム水溶液で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、下記式で表される化合物L95.38g、収率91を得た。化合物Mの合成窒素雰囲気下、化合物L95.0g、ビスピナコラトジボロン108.5g、[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]パラジウムIIジクロリドのジクロロメタン付加物3.3g、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン2.2g、酢酸カリウム117.2g、及び1,4-ジオキサン1.3Lを混合し、105°Cで22時間撹拌した。反応混合物をろ過してジオキサン及びトルエンで洗浄した。ろ液を減圧濃縮して酢酸エチルを加え、飽和食塩水で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させて減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物M90.1g、308mmolを得た。化合物Nの合成窒素雰囲気下、1,5-ジヒドロキシナフタレン15.0g、トリエチルアミン28.5g、及びクロロホルム150mLを混合して0°Cに冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物68.7gを滴下して1時間撹拌した。反応混合物に水、及びクロロホルムを加えて水層を除去し、有機層を水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させて減圧濃縮し、得られた固体を再結晶で精製して、下記式で表される化合物N31.46gを得た。下記式中、Tfはトリフルオロメチルスルホニル基を示す。化合物Oの合成窒素雰囲気下、化合物N16.90g、化合物M23.30g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム04.60g、リン酸カリウム42.30g、及び1,2-ジメトキシエタン340mLを混合し、80°Cで14時間撹拌し、反応混合物をろ過してクロロホルム及びメタノールで洗浄した。ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、下記式で表される化合物O8.85gを得た。化合物Pの合成窒素雰囲気下、化合物O8.80g、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]-エチル-p-トルエンスルホネート12.52g、ジメチルホルムアミド380mL、炭酸カリウム13.32g、及び18-クラウン-61.02gを混合し、100°Cで23時間撹拌し、反応混合物を水に加え酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を塩化ナトリウム水溶液で洗浄して無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、下記式で表される化合物P7.38gを得た。化合物Qの合成窒素雰囲気下、化合物P5.53g、ビスピナコラトジボロン11.25g、1,5-シクロオクタジエンメトキシイリジウムI二量体0.15g、シグマアルドリッチ社製、4,4’-ジ-tert-ブチル-2,2’-ジピリジル0.12g、シグマアルドリッチ社製、及び1,4-ジオキサン300mLを混合して110°Cで19時間撹拌し、反応混合物を減圧濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで再結晶で精製して、下記式で表される化合物Q5.81gを得た。得られた化合物Qについて行われた1HNMRの結果を以下に示す。1HNMR400MHz,CDCl3,rtδppm1.27-1.4130H,3.396H,3.574H,3.66-3.758H,3.834H,3.994H,4.27-4.428H,7.132H,7.602H,7.762H,7.932H,8.302H.重合体Lの合成アルゴン雰囲気下、化合物J0.53g、化合物Q0.43g、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム0.3mg、Aliquat3365mg、シグマアルドリッチ社製、トルエン12mL、2mol/L炭酸ナトリウム水溶液1mLを混合し、105°Cで9時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸23mgを加え105°Cで14時間撹拌した。反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物0.40gと水8mLとを加えて80°Cで2時間撹拌し、混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過して回収し、乾燥させた。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナクロマトグラフィー、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液をメタノールに滴下し、析出物をろ過して回収し、乾燥させて重合体L0.56gを得た。重合体Lのポリスチレン換算の数平均分子量は3.4×104であった。重合体Lは、式Zで表される構造単位からなる。[実験例15]重合体Lセシウム塩の合成アルゴン雰囲気下、重合体L0.25g、THF13mL、メタノール6mL、水酸化セシウム一水和物69mg、及び水1mLを混合し、65°Cで6時間撹拌し、反応混合物を濃縮してイソプロパノールに滴下し、固体をろ過して回収し、乾燥させた。得られた固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過して回収し、乾燥させて重合体Lセシウム塩0.19gを得た。得られた重合体Lセシウム塩を共役高分子化合物15と呼ぶ。共役高分子化合物15は、式AAで表される構造単位からなる。共役高分子化合物15のHOMOの軌道エネルギーは-5.50eV、LUMOの軌道エネルギーは-2.65eVであった。[実験例16]メタノールと共役高分子化合物1とを混合し、0.2重量の共役高分子化合物1を含む組成物を得た。ガラス基板表面に成膜パターニングされたITO陰極膜厚:45nm上に、前記組成物を大気中でスピンコート法により塗布し、膜厚10nmの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を常圧の不活性雰囲気下窒素雰囲気下、130°Cで10分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、共役高分子化合物1を含む電子注入層が形成された基板を得た。次に、発光高分子材料サメイション株製LumationBP361とキシレンとを混合し、1.4重量の発光高分子材料を含む発光層形成用組成物を得た。上記で得た共役高分子化合物1を含む層が形成された基板の共役高分子化合物1を含む層の上に、発光層形成用組成物を大気中でスピンコート法により塗布し、膜厚80nmの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下窒素雰囲気下、130°Cで15分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層が形成された基板を得た。次に、上記で得た発光層が形成された基板の発光層の上に、正孔注入材料溶液を大気中でスピンコート法により塗布し、膜厚60nmの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下窒素雰囲気下、130°Cで15分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。ここで正孔注入材料溶液には、スタルクヴイテック株製PEDOT:PSS溶液ポリ3,4‐エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸、製品名:Baytronを用いた。上記で得た正孔注入層が形成された基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によって該層の上にAuを80nm成膜し、陽極を形成させて、積層構造体1を製造した。上記で得た積層構造体1を真空装置より取り出し、不活性ガス雰囲気下窒素雰囲気下で、封止ガラスと2液混合型エポキシ樹脂にて封止し、有機EL素子1を得た。上記で得られた有機EL素子1に10Vの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率とを測定した。結果を表1に示す。[実験例17]<両面発光型の有機EL素子の作製>実験例16において、Auの膜厚を20nmとした以外は、実験例16と同様に操作し、両面発光型の有機EL素子2を得た。上記で得られた両面発光型の有機EL素子2に15Vの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率を測定した。結果を表2に示す。表1および2で示すように、大気中において塗布プロセスでイオン性ポリマーを成膜し、電子注入層を形成した逆積層の有機EL素子が、発光することを確認した。[実験例18]厚みが50nmのITO薄膜が形成されたガラス基板を用意した。ITO薄膜はスパッタ法によって形成されたものであり、陽極に相当する。このITO薄膜上に、高分子化合物Aの懸濁液をスピンコート法により塗布成膜し、厚みが60nmの正孔注入層用の塗布膜を形成した。この薄膜をホットプレート上で170°C、15分間乾燥することによって正孔注入層を形成した。なお正孔注入層は大気雰囲気中において形成した。つぎに、高分子化合物Bを0.8重量の濃度でキシレンに溶解し、キシレン溶液を得た。このキシレン溶液を大気中においてスピンコート法によって正孔注入層上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の塗布膜を成膜した。つづいて、酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において180°C、60分間保持することによって塗布膜を乾燥し、正孔輸送層を得た。つぎに、高分子化合物Cを1.3重量の濃度でキシレンに溶解し、キシレン溶液を得た。このキシレン溶液を大気中においてスピンコート法によって正孔輸送層上に塗布し、膜厚が80nmの発光層用の塗布膜を成膜した。つづいて、酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された大気圧、窒素雰囲気中において170°Cで、10分間保持することによって塗布膜を乾燥し、発光層を得た。つぎに、共役高分子化合物1を0.2重量の濃度でメタノールに溶解し、メタノール溶液を得た。このメタノール溶液を大気中においてスピンコート法により発光層上に塗布し、膜厚が6nmの電子注入層用の塗布膜を成膜した。つづいて、大気雰囲気中において130°Cで10分間保持することによって塗布膜を乾燥し、電子注入層を得た。つぎに、1.0×104Pa以下にまで減圧した状態において、陰極としてアルミニウムを膜厚を約100nmとして蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行い、有機EL素子3を作製した。[実験例19]実験例19では、実験例18とは電子注入層を形成する際の加熱温度のみを異ならせて、他は実験例18と同様に有機EL素子を形成した。重複する説明を省略するため、以下では電子注入層の形成方法のみについて説明する。共役高分子化合物1を0.2重量の濃度でメタノールに溶解し、メタノール溶液を得た。このメタノール溶液をスピンコート法により発光層上に塗布し、膜厚が6nmの電子注入層用の塗布膜を成膜した。つづいて、大気雰囲気中において170°Cで10分間保持することによって塗布膜を乾燥し、電子注入層を得た。[実験例20]実験例20では、実験例18とは電子注入層の形成する際の加熱時間のみを異ならせて、他は実験例18と同様に有機EL素子を形成した。重複する説明を省略するため、以下では電子注入層の形成方法のみについて説明する。共役高分子化合物1を0.2重量の濃度でメタノールに溶解し、メタノール溶液を得た。このメタノール溶液をスピンコート法により発光層上に塗布し、膜厚が6nmの電子注入層用の塗布膜を成膜した。つづいて、大気雰囲気中において130°Cで30分間保持することによって塗布膜を乾燥し、電子注入層を得た。[実験例21]実験例21では、実験例18とは電子注入層の形成する際の加熱温度および加熱時間のみを異ならせて、他は実験例18と同様に有機EL素子を形成した。重複する説明を省略するため、以下では電子注入層の形成方法のみについて説明する。共役高分子化合物1を0.2重量の濃度でメタノールに溶解し、メタノール溶液を得た。このメタノール溶液をスピンコート法により発光層上に塗布し、膜厚が6nmの電子注入層用の塗布膜を成膜した。つづいて、大気雰囲気中において150°Cで30分間保持することによって塗布膜を乾燥し、電子注入層を得た。[実験例22]実験例22では、実験例18とは電子注入層の形成する際の雰囲気のみを異ならせて、他は実験例18と同様に有機EL素子を形成した。重複する説明を省略するため、以下では電子注入層の形成方法のみについて説明する。共役高分子化合物1を0.2重量の濃度でメタノールに溶解し、メタノール溶液を得た。このメタノール溶液をスピンコート法により発光層上に塗布し、膜厚が6nmの電子注入層用の塗布膜を成膜した。つづいて、酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された大気圧、窒素雰囲気中において130°Cで10分間保持することによって塗布膜を乾燥した。[輝度半減寿命の測定]実験例18~22において作製した各有機EL素子の輝度半減寿命を測定した。すなわち各有機EL素子を定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50になるまでの時間輝度半減寿命:LT50を測定した。なお定電流駆動を開始する際の初期輝度は5000cd/m2とした。各有機EL素子の寿命比は、実験例22で作製した有機EL素子の輝度半減寿命を1.0として算出した。測定結果を、電子注入層用の塗布膜を乾燥する際の条件乾燥雰囲気、乾燥温度および乾燥時間と併せて下記表3に示す。上記表3に示すとおり、電子注入層用の塗布膜を乾燥する際の乾燥雰囲気を窒素雰囲気または大気雰囲気として電子注入層を形成した有機EL素子が発光することを確認した。さらに、乾燥雰囲気を大気雰囲気とした場合、窒素雰囲気とした場合と比べて輝度半減寿命が向上することを確認した。[実施例1]ITO薄膜が設けられたPENフィルム基板を用意した。ITO薄膜はスパッタ法によって形成されたものであり、陽極に相当する。このITO薄膜上に、エイチシースタルク社製のPEDOT:PSS溶液ポリスチレンスルホン酸、製品名:Baytronを大気雰囲気中でスピンコート法により塗布し、膜厚が60nmの塗布膜を得た。この塗布膜を設けたPENフィルム基板を、常圧の大気雰囲気中でホットプレートを用いて、170°Cで、15分間加熱し、溶媒を蒸発させた。その後、ITO薄膜とこの塗布膜とを設けたPENフィルム基板を室温まで自然冷却させ、ITO薄膜と正孔注入層とが形成されたPENフィルム基板を得た。つぎに、正孔輸送層材料である高分子化合物Bを0.8重量の濃度でキシレンに溶解し、高分子化合物Bのキシレン溶液を得た。この高分子化合物Bのキシレン溶液を大気雰囲気中においてスピンコート法によって上記正孔注入層上に塗布し、膜厚が15nmの正孔輸送層用の塗布膜を得た。この正孔輸送層用の塗布膜を設けたPENフィルム基板を、酸素濃度および水分濃度がそれぞれ体積比で10ppm以下に制御された窒素雰囲気中に保管した。つぎに、ガラス基板を用意した。このガラス基板の上に、1.0×104Pa以下にまで減圧した状態において、陰極材料としてアルミニウムを約100nmの厚みで蒸着して陰極とした。つぎに、上記で得られた電子注入層材料である共役高分子化合物1を0.2重量の濃度でメタノールに溶解し、共役高分子化合物1のメタノール溶液を得た。この共役高分子化合物1のメタノール溶液を大気雰囲気中においてスピンコート法により上記陰極の上に塗布し、膜厚が6nmの電子注入層用の塗布膜を得た。この電子注入層用の塗布膜を設けたガラス基板を、大気雰囲気中において130°Cで10分間保持することによって電子注入層用の塗布膜を乾燥した。その後、室温まで自然冷却させて陰極と電子注入層とが形成されたガラス基板を得た。つぎに、発光高分子材料である高分子化合物Cを1.3重量の濃度でキシレンに溶解し、高分子化合物Cのキシレン溶液を得た。この高分子化合物Cのキシレン溶液を大気雰囲気中においてスピンコート法によって上記電子注入層上に塗布し、膜厚が80nmの発光層用の塗布膜を得た。つぎに、窒素雰囲気中で保管されたPENフィルム基板を大気雰囲気中に取り出し、ITO薄膜、正孔注入層、および正孔輸送層用の塗布膜が形成されたPENフィルム基板と、陰極、電子注入層、および発光層用の塗布膜が形成されたガラス基板とを、目視で位置合わせして、正孔輸送層用の塗布膜と発光層用の塗布膜とが接合するように、両基板を貼合させ張り合わせ、ずれないようにクリップで挟み固定した。なお、両基板の貼合は、正孔輸送層用の塗布膜および発光層用の塗布膜の溶媒を除去する工程を施すことなく行った。つづいて大気雰囲気中、オーブン中において100°Cで60分間保持した。以上の操作により、有機EL素子を作製した。[比較例1]比較例1では、実施例1とは電子注入層の材料およびその形成方法のみを異ならせて、有機EL素子を作製した。比較例1では、イオン性ポリマーを用いて塗布法によって電子注入層を形成する代わりに、1.0×104Pa以下にまで減圧した状態において、電子注入層材料としてバリウムを約5nmの厚みで蒸着して電子注入層とした。上記、実施例1および比較例1において作製した有機EL素子に電圧を印加し、発光状態を確認した。実施例1で作製した有機EL素子では正常な発光が確認された。しかしながら比較例1で作製した有機EL素子では発光が確認されなかった。なお、上記実施例1および比較例1では、正孔輸送層材料として高分子化合物Bを使用し、発光高分子材料として高分子化合物Cを使用したが、実施例1および比較例1の実験結果は、正孔輸送層材料および発光高分子材料の種類には特に依存するわけではない。"