底部と、該底部に固定された電極部と、発熱部及び該発熱部に接続されているヒータ電極端子部を有し、前記電極部と前記ヒータ電極端子部とが接続されているヒータ部と、前記ヒータ部のヒータ電極端子部と前記底部との間に設けられ、前記ヒータ部の前記電極部への取付時に前記ヒータ部のヒータ電極端子部に前記ヒータ部の外側へ歪みを与えるための絶縁性の歪み緩和固定部とを具備する加熱装置。前記歪み緩和固定部は角度規制されたヒンジ構造を有する請求項1に記載の加熱装置。さらに、前記ヒータ部のヒータ電極端子部と前記電極部との間にヒータ電極端子台座を具備し、前記ヒータ部のヒータ電極端子部と前記ヒータ電極端子台座との取付位置は調整可能とされている請求項1に記載の加熱装置。前記ヒータ部のヒータ電極端子部と前記電極部とは直接接続され、前記歪み緩和固定部は前記ヒータ部のヒータ電極端子部と前記底部との間に設けられ、前記ヒータ部のヒータ電極端子部と前記電極部との取付位置は調整可能にされている請求項1に記載の加熱装置。さらに、前記ヒータ部のヒータ電極端子部及び前記歪み緩和固定部に固定された放熱フィンを具備する請求項1に記載の加熱装置。請求項1から請求項5のいずれかに記載の加熱装置を具備し、該加熱装置の底部を反応容器の底部とする半導体気相成長装置。図14は図11に示す従来の加熱装置の課題を説明するための図であって、図9の加熱装置の加熱時の状態を示す。図14に示すように、加熱されると、ヒータ部1に熱応力TSが加わり、従って、ヒータ部1、電極部2は、矢印L1、L2に示すごとく、電極部2とリアクタ底部3との結合点を支点Sとして回転変位する。この結果、ヒータ部1、電極部2は熱歪みにより劣化、損傷して寿命が短縮するという課題があった。たとえば、ヒータ部1がカーボンよりなる場合には、寿命は300時間、ヒータ部1がSiCコートカーボンよりなる場合には、寿命は600時間と短かった。尚、SiCコートカーボンはヒータ部1をカーボンで形成し、ヒータ電極端子部1aを除くヒータ部1の表面を耐熱性のSiCで被覆したものである。特に、ヒータ電極端子部1aが800°C以上で酸化性雰囲気あるいは腐食性ガスたとえば、NH3ガス雰囲気等に晒されると、ヒータ電極端子部1aはエッチングされてヒータ電極端子台座4との接触が不安定となり、ヒータ電極端子部1aとヒータ電極端子台座4との間でスパークが発生してヒータ部1の破損を招く。尚、ヒータ電極端子部1aに屈曲部を設け、加熱時の熱応力による変形をこの屈曲部で吸収するものが知られている参照:特許文献1。しかしながら、この場合、ヒータ部1の他の箇所が変形するので、ヒータ部1の上下動を招き、また、一般に、電極部2が柔らかいので、屈曲部で吸収しようとしたヒータ部1の変形分は電極部2の変形となり、従って、ヒータ部1の変形は屈曲部で吸収されず、この結果、ヒータ部1の変形部の劣化が早まって寿命が低下する。上述の課題を解決するために、本発明に係る加熱装置は、底部と、底部に固定された電極部と、発熱部及び発熱部に接続されているヒータ電極端子部を有し、電極部とヒータ電極端子部とが接続されているヒータ部と、ヒータ部のヒータ電極端子部と底部との間に設けられ、ヒータ部の電極部への取付時にヒータ部のヒータ電極端子部にヒータ部の外側へ歪みを与えるための絶縁性の歪み緩和固定部とを具備するものである。これにより、加熱時には、ヒータ部全体の熱歪みは抑制される。また、本発明に係る半導体気相成長装置は、上述の加熱装置を具備し、この加熱装置の底部を反応容器の底部とするものである。本発明によれば、加熱時には、ヒータ部全体の熱歪みが抑制されるので、ヒータ部特にそのヒータ電極端子部の劣化、損傷を抑制でき、この結果、長寿命化を図れる。図1は本発明に係る加熱装置の第1の実施の形態を示し、Aは断面図、BはAの上面図である。図1においては、図9の加熱装置に対して、加熱時のヒータ部1の歪みを緩和するために、歪み緩和固定部5、スペーサ6及びスペーサ6のストッパ7を付加してある。また、図9のヒータ電極端子台座4の代りにヒータ電極端子台座4’を設けてある。尚、図1の加熱装置は歪み緩和固定部5の非加熱時つまり取付時の状態を示す。歪み緩和固定部5は角度規制たとえば90°規制されたヒンジ5aによって可動でき、高絶縁性かつ高熱伝導性の材料、たとえばAl2O3、AlNよりなる。歪み緩和固定部5は取付時つまり非加熱時にはヒータ部1のヒータ電極端子部1aを外周方向に広げるように歪みを与え、この歪みは加熱時の熱応力によるヒータ部1の歪みを緩和するように作用する。図2は図1のヒータ電極端子台座4’を示す拡大斜視図である。図2においては、図9のヒータ電極端子台座4のねじ穴4aの代りに長穴4a’を設けてある。この長穴4a’はヒータ部1のヒータ電極端子部1aの穴1aに対応し、ヒータ電極端子部1aの穴1a及びヒータ電極端子台座4の長穴4a’にボルト及びナット図示せずによってヒータ部1を電極部2つまりヒータ電極端子台座4’に固定する際に、ヒータ部1のヒータ電極端子部1aとヒータ電極端子台座4’との取付け位置は調整可能とし、これにより、ヒータ部1つまり歪み緩和固定部5の取付けを仮固定、本固定可能にする。次に、歪み緩和固定部5の取付けについて説明する。尚、予め、ヒータ電極端子台座4’は電極部2に固定され、また、電極部2は底部3に固定されているものとする。始めに、歪み緩和固定部5の上部をヒータ部1のヒータ電極端子部1aにねじ図示せずによって固定する図2の矢印X1。次に、ヒータ部1のヒータ電極端子部1aをヒータ電極端子台座4’にボルト及びナット図示せずによって仮固定する図2の矢印X2。次に、歪み緩和固定部5を底部3の浅い溝であるガイド3aに収容する。ここで、スペーサ6を歪み緩和固定部5とストッパ7との間に挿入してヒータ部1のヒータ電極端子部1aを外周側へ押し広げる。この場合、ヒータ電極端子台座4’に仮固定されているヒータ部1のヒータ電極端子部1aはヒータ電極端子台座4’に対して移動可能であるので、ヒータ電極端子部1aは、図1のAに図示のごとく、僅かに歪むようになる。しかし、この程度の歪みは非加熱状態のヒータ部1には影響しない。尚、このスペーサ6の厚さはヒータ部1の材質、電極部2の材質等によって変化するが、概ね5mm程度である。最後に、ヒータ部1のヒータ電極端子部1aをヒータ電極端子台座4’に本固定し、また、歪み緩和固定部5を底部3に固定した後に、スペーサ6を取除く。図3は図1の加熱装置の加熱時の状態を示す図である。加熱装置が加熱されると、図16の場合と同様に、ヒータ部1に熱応力TSが加わる。従って、ヒータ部1の上部は矢印L1’に示すごとく、外周方向へ変位する。他方、ヒータ部1の下部のヒータ電極端子部1aは、既に外周側に歪んでいる分、矢印L2’に示すごとく、僅かにしか変位しない。この結果、ヒータ電極端子部1aを含むヒータ部1は回転せずに全体として外周側へ変位する。つまり、ヒータ部1のヒータ電極端子部1aは全体として垂直となる。従って、加熱時のヒータ部1全体の歪みは緩和される。尚、ヒータ電極端子部1aつまりヒータ電極端子台座4’も僅かに変位して加熱時に軟らかい電極部2は、矢印L2’に示すごとく、僅かに回転変位する。このように、非加熱状態のヒータ部1のヒータ電極端子部1aにヒータ部1の材質及び電極部2の材質を考慮した歪みを予め与えておくことにより、加熱状態のヒータ部1の全体及び電極部2には熱歪みが少なくなり、この結果、劣化、損傷を抑制でき、従って、加熱装置の長寿命を図ることができる。図4は図1に示す本発明の第1の実施の形態の加熱装置を用いた有機金属気相成長MOCVD装置を示す。図4において、図1の加熱装置は反応容器400に収容され、加熱装置の底部は反応容器400の底部である。電極部2間にはヒータ電源401が接続される。反応容器400の底部には、駆動モータ402によって回転する回転軸403を設け、この回転軸403を介してヒータ部1上にサセプタ404を設ける。サセプタ404にはたとえばC面サファイア基板であるウェハ405を載置する。反応容器400の上流側には、原料ガスが供給されたガス流量調整ユニット406、キャリアガスたとえば不活性ガスが供給されたガス流量調整ユニット407、反応性ガスたとえばNH3ガスが供給されたガス流量調整ユニット408が設けられ、ガス流量調整ユニット406、407、408は反応容器400の3つの部屋に分かれたフローチャネル409に接続されている。これにより、原料ガス、キャリアガス、反応性ガスがフローチャネル409によってサセプタ404上のウェハ405の直近まで供給される。尚、フローチャネル409に代りに反応容器400の上方にシャワーヘッドノズルを設けてもよい。反応容器400の下流側には、圧力制御弁410及び排気ポンプ411が設けられ、圧力制御弁410には圧力センサ412が接続されている。これにより、反応容器400内の圧力は圧力センサ412を介して圧力制御弁410にフィードバック制御されて反応容器400内の圧力は一定値となる。ヒータ部1、ウェハ405の各表面温度を計測するための放射温度センサ413、414が設けられ、また、ヒータ電極端子部1aの温度を計測するための熱電対415が設けられている。制御回路416は、圧力センサ412、放射温度センサ413、414、熱電対415等の出力信号を受け、ヒータ電源401、駆動モータ402、ガス流量調整ユニット406、407、408、圧力制御弁410、排気ポンプ411等を制御するものであり、たとえば、CPU、ROM、RAM、IOよりなるマイクロコンピュータである。次に、図4のMOCVD装置の動作例を説明する。始めに、制御回路416は、排気ポンプ411を動作させて反応容器400を一度真空排気する。次に、制御回路416は、ガス流量調整ユニット407を制御して一定値60SLMの不活性ガスをフローチャネル409を介して反応容器400に供給する。このとき、制御回路416は圧力センサ412の出力信号を用いて圧力制御弁410をフィードバック制御して反応容器400内の圧力を一定値10kPaとする。また、制御回路416は駆動モータ402を制御して回転軸403つまりサセプタ404の回転速度を10rpmとしてたとえば窒化アルミニウムAlNの成長をウェハ405内で均一化させる。次に、制御回路416は放射温度センサ413の出力信号を用いてヒータ電源401を制御してウェハ405の表面温度を約1000°Cで10分程度保持する。この処理はサーマルクリーニング処理という。その後、制御回路416は放射温度センサ413の出力信号を用いてヒータ電源401を制御してウェハ405の表面温度を約1200°Cまで昇温させる。次に、制御回路416は、ガス流量調整ユニット408を制御して50SLMの反応性ガスであるNH3ガスをフローチャネル409を介して反応容器400に供給する。同時に、制御回路416は、ガス流量調整ユニット407を制御して不活性ガスの流量を10SLMに低下させてガス総流量を一定値60SLMに保持する。次に、制御回路416は、原料ガスとして有機金属材料たとえばトリメチルアルミニウムTMAを不活性ガスにてバブリングし、ガス流量調整ユニット406を制御して10sccmの流量でフローチャネル409を介して反応容器400に供給する。この状態を3時間維持すると、ウェハ405上にAlN層が成長する。その後、制御回路416はガス流量調整ユニット406、408を制御して原料ガス及びNH3ガスの供給を停止し、同時に、ガス流量調整ユニット407を制御して不活性ガスの流量を60SLMに復帰させる。最後、制御回路416は、ヒータ電源401をオフにしてヒータ部1を常温まで冷却する。図5は図4のMOCVD装置に対して上述の動作を実行させた場合の加熱装置のヒータ部の寿命の実験結果を説明するためのグラフである。図5においては、図11に示す従来の加熱装置を図4のMOCVD装置に用いた場合の加熱装置のヒータ部1の寿命を1とすれば、図1に示す本発明に係る加熱装置を図4のMOCVD装置に用いた場合の加熱装置のヒータ部1の寿命は約178倍と長寿命化を達成できた。上述の本発明に係る加熱装置のヒータ部1の長寿命化は、主に、加熱時のヒータ部1全体の歪み緩和作用によるものであるが、ヒータ部1のヒータ電極端子部1aの加熱時の過剰温度上昇の抑制作用にも大きく依存していると考えられる。これについて図6を用いて説明する。図6は図4の温度センサ413、414及び熱電対415を用いてヒータ部1の温度T1、ウェハ405の温度T2及びヒータ電極端子部1aの温度T3を測定した結果を示す。図6に示すように、ヒータ部1の温度T1、ウェハ405の温度T2が1291°C、1200°Cと昇温しても、ヒータ電極端子部1aの温度T3は800°C未満の751°Cと低い。これに対し、歪み緩和固定部5を有しない図9に示す従来の加熱装置を用いた場合のヒータ電極端子部1aの温度T3’は1000°C以上の1060°Cと高い。これは歪み緩和固定部5の高熱伝導性によるものであり、この結果、ヒータ電極端子部1aは歪み緩和固定部5の熱歪み緩和作用及び過剰温度上昇の抑制による反応性ガスたとえばNH3ガスによるエッチング抑制作用によって劣化、損傷が抑制される。尚、一般的に、反応容器400が水冷等で冷却されているので、反応容器400の底部に接続された歪み緩和固定部5は反応容器400によるヒータ電極端子部1aの冷却作用を増進するものと考えられる。図7は本発明に係る加熱装置の第2の実施の形態を示す断面図、図8は図7の放熱フィン近傍の拡大斜視図である。図7、図8においては、図1の加熱装置のヒータ電極端子部1a及び歪み緩和固定部5に対して放熱フィン8をねじ等によって固定してある。これにより、ヒータ電極端子部1aの冷却がさらに増進されるので、ヒータ電極端子部1aの劣化、損傷をさらに抑制できる。尚、本発明は図11に示す弧状として組合せて全体として円盤状とするヒータ部を有する加熱装置に適用することができる。また、本発明は図13に示すヒータ電極端子台座なしにヒータ部1を電極部2に直接接続した加熱装置にも適用することができる。この場合には、ヒータ部1のヒータ電極端子部1aを電極部2に仮固定、本固定できる構造をヒータ電極端子部1aもしくは電極部2に設ける。つまり、ヒータ電極端子部1aと電極部2との取付位置は調整可能となっている。また、上述の実施の形態では、ヒータ電極端子部1aとヒータ電極端子台座4’もしくは電極部2との取付位置を調整可能にして仮固定、本固定するようにしているが、取付位置を調整不可能にして始めから本固定してもよい。この場合には、電極部2の非加熱時取付時の歪みは増大するが、その歪みは電極部2に影響しない程度である。