サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであることを特徴とするエピタキシャル成長装置。前記散乱体は、石英製であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。前記散乱体は、反射体であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。前記散乱体の表面粗さは、Ra1.0~10μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長装置。前記散乱体の表面は、高さ0.1~10mmの凹部及び/又は凸部が複数形成されたものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長装置。前記散乱体は、前記単体ヒータの前記ヒータの中心側にコートされた反射膜であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。シリコン単結晶基板を載置するサセプタと、該サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備えるエピタキシャル成長装置を用いて、前記サセプタに水平に載置された前記シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長方法であって、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側からの熱放射を散乱体により散乱させながら前記シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャル成長方法。ヒータの背後に配置されるドーナツ状のリフレクタにおいて、基板の中心付近を強く照射するインサイド用ランプの背後には円筒凹面形状の反射板部が設けられ、基板の周辺付近を強く照射するアウトサイド用ランプの背後には平面形状の反射板部が設けられる。インサイド用ランプの円筒凹面形状の反射板部では、ランプの光が収束されるため、基板に帯状の照射面が形成され、円形に複数配置されたインサイド用ランプの帯状照射面が軸対称で加算されて、基板中心付近の照射強度が周辺よりも強くなってしまう。一方、平面形状の反射板部においては、ランプの光が分散されるため、分散された光が、基板上下に設けた円筒形状のリフレクタに反射され、基板周辺付近の照射強度が増大する。ヒータのインサイド/アウトサイド用ランプの照射強度を調整することにより、基板面内の温度分布の均一化を図るが、上記したように円筒凹面形状の反射板部から反射した熱線により、基板中心付近で帯状照射面の重なりが多くなるため、当該基板中心付近の照度が急激に増大しやすく、インサイド/アウトサイド用ランプの照度を調整しても、急激に変動した照度分布が残ってしまう問題があった。これにより、基板の面内の温度分布が不均一になり、エピタキシャル層厚が不均一になってしまうという問題があった。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、エピタキシャル成長において、ヒータからの熱線を調節して、シリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置及び方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであることを特徴とするエピタキシャル成長装置を提供する。このような散乱体を有するものであれば、単体ヒータのヒータ中心側からの熱放射を散乱させて、エピタキシャル成長させるシリコン単結晶基板の中心領域への熱線を低減することができる。これにより、照射強度が増大しやすいシリコン単結晶基板の中心領域への熱線を調節することができ、照度分布を均一にすることが容易である。以上より、シリコン単結晶基板の面内を均一に加熱しながら、面内均一な膜厚のエピタキシャル層を成長させることができる装置となる。このとき、前記散乱体は、石英製とすることができる。このような石英製の散乱体であれば、単体ヒータからの熱放射を効果的に散乱させることができ、シリコン単結晶基板への照度分布をより効率的に均一にすることができる装置となる。また、前記散乱体は、反射体とすることができる。このような反射体であれば、表面の形状等によって単体ヒータからの熱放射を確実に散乱させることができ、シリコン単結晶基板への照度分布をより効率的に均一にすることができる装置となる。このとき、前記散乱体の表面粗さは、Ra1.0~10μmであることが好ましい。このような表面粗さの散乱体であれば、単体ヒータからの熱放射を効果的に散乱させることができ、シリコン単結晶基板への照度分布をより効率的に均一にすることができる装置となる。このとき、前記散乱体の表面は、高さ0.1~10mmの凹部及び/又は凸部が複数形成されたものであることが好ましい。このような表面形状の散乱体であれば、単体ヒータからの熱放射の散乱をその形状により容易に調節でき、シリコン単結晶基板への照度分布をより効率的に均一にすることができる装置となる。また、前記散乱体は、前記単体ヒータの前記ヒータの中心側にコートされた反射膜とすることができる。このような反射膜であれば、形成が容易で、単体ヒータからの熱放射を確実に散乱させることができるため、シリコン単結晶基板への照度分布をより効率的に均一にすることができる装置となる。また、本発明は、シリコン単結晶基板を載置するサセプタと、該サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備えるエピタキシャル成長装置を用いて、前記サセプタに水平に載置された前記シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長方法であって、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側からの熱放射を散乱体により散乱させながら前記シリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャル成長方法を提供する。このように単体ヒータの中心側からの熱放射を散乱させてエピタキシャル層を成長させることで、エピタキシャル成長させるシリコン単結晶基板の中心領域への熱線を低減できる。これにより、照射強度が増大しやすいシリコン単結晶基板の中心領域への熱線を調節して、照度分布を均一にすることが容易である。以上より、シリコン単結晶基板の面内を均一に加熱しながら、面内均一な膜厚のエピタキシャル層を成長させることができる。以上のように、本発明によれば、エピタキシャル成長において、シリコン単結晶基板の面内を均一に加熱しながら、面内均一な膜厚のエピタキシャル層を成長させることができる。以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1に本発明のエピタキシャル成長装置の概略図を示す。図1の枚葉式エピタキシャル成長装置10は、反応室11内にシリコン単結晶基板Wを水平に配置するためのサセプタ12が設けられ、サセプタ12は支持軸13により支持され、この支持軸13はサセプタ12を回転させるための機構不図示を有する。サセプタ12の上下には、シリコン単結晶基板Wを加熱するための単体ヒータが円形に並べられたヒータ15a、15bが各々配置されている。また、この上下のヒータ15a、15bのそれぞれの中央には、円筒状リフレクタ14a、14bが配置されている。この円筒状リフレクタ14a、14bにより、支持軸13の加熱防止や、温度計測のための光路を確保することができる。図2はサセプタ12側から見たヒータ15a、15bと、その背後に設けられたドーナツ状リフレクタ16a、16bの概略図である。ヒータ15a、15bは、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータ19a、19bを有する。この単体ヒータ19a、19bとしては、例えばハロゲンランプを用いることができ、主に基板中央部に熱線を照射するインサイド用ランプである単体ヒータ19aと、主に基板の周辺部に熱線を照射するアウトサイド用ランプである単体ヒータ19bとを並べてヒータ15a、15bを形成する。これらインサイド/アウトサイド用の単体ヒータ19a、19bの照射強度を各々調節して基板を面内均一に加熱する。上のヒータ15aの上側及び下のヒータ15bの下側に、上下のドーナツ状リフレクタ16a、16bが各々配置される。この上下のドーナツ状リフレクタ16a、16bの少なくとも一つは、ヒータ15a、15bの熱放射を収束させる円筒凹面形状の収束反射板部18aと、熱放射を分散させる平板形状の分散反射板部18bとを有する。これら収束反射板部18a、分散反射板部18bは、交互に形成されてもよいし、回転対称又は線対称に形成されてもよい。そして、本発明のエピタキシャル成長装置10は、一部又は全ての単体ヒータ19a、19bのヒータ15a、15bの中心側単体ヒータ19a、19bの内先端側に、単体ヒータ19a、19bからの熱放射を散乱させる散乱体17a、17bを有する。特にインサイド用ランプである単体ヒータ19aの内先端から放射される熱線の強度を減衰させると、シリコン単結晶基板Wの中心付近の照度が減衰することを本発明者は見出した。この知見より、単体ヒータ19a、19bの内先端側に熱線を散乱させる散乱体17a、17bを設置したところ、シリコン単結晶基板Wの中心付近の急激な温度変動を制御することができるようになった。このため、当該散乱体17a、17bにより、シリコン単結晶基板Wを面内均一に加熱することができ、膜厚均一なエピタキシャル層を成長させることができる。ここで、散乱体17a、17bは、インサイド用の単体ヒータ19aのヒータ15a、15b中心側に設けられれば、上記効果を十分に達成することができる。ただし、アウトサイド用の単体ヒータ19bのヒータ15a、15b中心側にも設けることができ、例えば図1に示すような円筒状の散乱体17a、17bを設けることで、全ての単体ヒータ19a、19bの内先端側からの熱放射を散乱させることができる。この場合は、散乱体17a、17bの作製、設置が容易である。ここで、散乱体17a、17bは、石英製又は反射体のものとすることができる。このような石英製や反射体であれば、単体ヒータ19a、19bからの熱放射を効果的に散乱させることができる。また、それらの表面粗さ、表面形状等を変えることで、散乱の度合いを調節することも容易である。なお、このような反射体の材質としては、例えば、ステンレス等の金属材料を金メッキしたものとすることができる。この際、散乱体17a、17bの表面粗さは、Ra1.0~10μmであることが好ましい。このような表面粗さであれば、散乱体17a、17bが反射体の場合も石英製の場合も効果的に熱放射を散乱させることができる。また、図3には、散乱体の他の態様として、円筒状リフレクタ14a、14bの表面に凹部や凸部を形成して、散乱体17a’、17b’とした装置を示す。図3に示すように、散乱体17a’、17b’の表面は、高さ0.1~10mmの凹部及び/又は凸部が複数形成されたものであることが好ましい。このような高さの凹部と凸部が複数形成されていると、効果的に熱放射を散乱させることができる。また、円筒状リフレクタ14a、14bの表面を加工するのみで散乱体17a’、17b’とすることができるため、追加の部品は不要で、低コストな装置となる。また、図1に示すような円筒状リフレクタ14a、14bとヒータ15a、15bの間に上記のような表面粗さとしたり、表面に凹部、凸部を形成した円筒状の散乱体17a、17bを設けることもできる。または、図4に示すように、ヒータ15a、15bの単体ヒータ19a、19bの内先端ヒータ15a、15bの中心側に反射膜をコートして散乱体17a’’、17b’’とすることができる。この場合には、インサイド用の単体ヒータ19aの内先端に反射膜をコートするのみでも、シリコン単結晶基板Wの中心領域への熱線を調節することができるが、アウトサイド用の単体ヒータ19bにも反射膜をコートすることができる。なお、このような反射膜の材質としては、例えば、酸化チタン等のセラミックスとすることができる。以上のような本発明のエピタキシャル成長装置10を用いて、本発明の製造方法では、サセプタ12上にシリコン単結晶基板Wを載置し、ヒータ15a、15bによりシリコン単結晶基板Wを加熱し、一方、一部又は全ての単体ヒータ19a、19bのヒータ15a、15bの中心側からの熱放射を散乱体17a、17a’、17a’’、17b、17b’、17b’’により散乱させながら、トリクロロシラン等の原料ガスを反応室11内に導入して、エピタキシャル層を成長させることができる。上記のような本発明であれば、シリコン単結晶基板を面内で均一に加熱することができるため、面内均一な膜厚のエピタキシャル層を成長させることができ、高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1図1のような直径300mmウェーハ用のエピタキシャル成長装置において、ウェーハ中心温度を1100°Cに加熱したときのウェーハ面内温度分布を測定した。測定は、特公平07-058730に記載されている方法で行った。これは、イオン注入によって表面に不純物注入層が形成された拡散ウェーハを用意し、熱拡散後のシート抵抗を測定することによりウェーハの面内温度分布を求める方法である。用いたエピタキシャル成長装置には、ヒータと円筒状リフレクタの間に、図1の斜線で示したような石英製円筒治具散乱体17a、17bを設置した。この円筒治具の側壁は、サンドブラストでRa2.0μmに荒らした半透明な状態になっており、単体ヒータの内先端から放射された光を散乱する構造になっている。測定した結果、表1に示したように面内最大温度差は6.8°Cとなった。実施例2図1に示したエピタキシャル成長装置において、石英製円筒治具散乱体17a、17bの側壁は透明な状態で、幅1mm、深さ1mmの溝を2mm間隔で格子状に形成し、単体ヒータの内先端から放射された光を散乱する構造にした。その他は、実施例1と同様に、面内温度分布を測定した。その結果、表1に示したように面内最大温度差は7.2°Cとなった。実施例3図3のように、エピタキシャル成長装置において、円筒状リフレクタ14a、14bの側壁に直径3mmの半球状凹みを一面に形成して散乱体17a’、17b’とし、単体ヒータの内先端から放射された光を散乱する構造にした。その他は、実施例1と同様に、面内温度分布を測定した。その結果、表1に示したように面内最大温度差は7.0°Cになった。実施例4図4のように、エピタキシャル成長装置において、単体ヒータ19a、19bの内先端側に赤外線の反射膜散乱体17a’’、17b’’をコートし、単体ヒータの内先端から放射された光を散乱する構造にした。その他は、実施例1と同様に、面内温度分布を測定した。その結果、表1に示したように面内最大温度差は8.1°Cになった。比較例図5のように、エピタキシャル成長装置において、ヒータ100と円筒状リフレクタ101の間には散乱体は設けない構造にした。その他は、実施例1と同様に、面内温度分布を測定した。その結果、表1に示したように面内最大温度差は12.7°Cとなった。表1に示すように、比較例における散乱体を有さないエピタキシャル成長装置では、加熱されたウェーハの面内最大温度差が実施例1-4より大きくなっている。このため、本発明の装置であれば、ウェーハ面内を均一に加熱することができることが分かる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。