"間隔をおいて配置された複数の半導体チップを、光硬化性成分を含む接着フィルムに貼り付ける貼り付け工程と、光硬化性成分を含む粘着フィルムが前記接着フィルムを挟んで前記半導体チップの反対側に配置された状態で、前記半導体チップを介して前記接着フィルム及び前記粘着フィルムに光を照射する露光工程と、前記露光工程の後に、前記接着フィルムが付着した前記半導体チップをピックアップする工程と、を備える、接着剤層付き半導体チップの製造方法。前記貼り付け工程において、前記粘着フィルム及び前記接着フィルムを備える積層シートの当該接着フィルムに前記半導体チップを貼り付ける、請求項1に記載の製造方法。前記貼り付け工程において、前記接着フィルムに前記半導体チップを貼り付けた後に前記接着フィルムに前記粘着フィルムを貼り付ける、請求項1に記載の製造方法。前記貼り付け工程の前に、半導体ウェハが当該半導体ウェハの一方の主面から他方の主面にかけて切断されるように前記半導体ウェハをダイシングして前記複数の半導体チップを得る工程を更に備える、請求項1~3のいずれか一項に記載の製造方法。前記貼り付け工程の前に、半導体ウェハの厚さ方向の少なくとも一部が切断されずに残るように前記半導体ウェハを当該半導体ウェハの一方の主面側からダイシングした後に、前記半導体ウェハを当該半導体ウェハの他方の主面側から研削して前記複数の半導体チップを得る工程を更に備える、請求項1~3のいずれか一項に記載の製造方法。請求項1~5のいずれか一項に記載の製造方法により得られた接着剤層付き半導体チップの前記半導体チップを、当該接着剤層付き半導体チップの前記接着フィルムを介して支持部材に貼り付ける工程を備える、半導体装置の製造方法。しかしながら、接着剤を除去するプロセスを用いた場合、接着剤を溶解するような溶解液を使用するため、溶解液によるチップ汚染が懸念される。また、チップに貼り付けられた接着剤層を分割するプロセスにおいて、エキスパンドするなどして接着剤層を分割すると、必ずしも同方向に接着剤層が分割されないため、均一な接着剤層が得られ難い。さらに、上記特許文献2のように、未硬化状態のペーストからなる接着剤層を半導体チップに接着すると、チップ間の空隙部に位置する接着剤がチップの側面や表面に付着することがある。これらの場合、半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを形成することが妨げられる。本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成可能な接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、当該製造方法により得られた接着剤層付き半導体チップを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。すなわち、本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法は、間隔をおいて配置された複数の半導体チップを、光硬化性成分を含む接着フィルムに貼り付ける貼り付け工程と、光硬化性成分を含む粘着フィルムが接着フィルムを挟んで半導体チップの反対側に配置された状態で、半導体チップを介して接着フィルム及び粘着フィルムに光を照射する露光工程と、露光工程の後に、接着フィルムが付着した半導体チップをピックアップする工程と、を備える。本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法では、貼り付け工程において、フィルム状の接着フィルムを半導体チップに貼り付けているため、ペースト状の接着剤を半導体チップに接着する場合に比して、半導体チップの側面や表面に接着剤が付着することを抑制できる。そして、本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法では、露光工程において、接着フィルム及び粘着フィルムに半導体チップを介して光を照射することにより、接着フィルム及び粘着フィルムには、半導体チップによって遮光された未露光部と、光が照射された露光部とが形成される。この場合、接着フィルム及び粘着フィルムの露光部において光硬化性成分の反応が進行することにより、露光部において接着フィルムと粘着フィルムとが互いに剥離し難くなると共に、露光部が未露光部に比して脆性化する。これにより、接着フィルムが粘着フィルムから剥離する方向の力が未露光部に加えられる場合に、粘着フィルム及び接着フィルムのそれぞれにおける未露光部と当該未露光部に接する露光部との界面において、未露光部と露光部とが互いに剥離し易い状態となる。このような製造方法では、接着フィルムが付着した半導体チップをピックアップする場合、未露光部において、半導体チップが接着フィルムに貼り付けられた状態を維持しつつ接着フィルムを粘着フィルムから剥離させることが容易であると共に、露光部において、接着フィルム及び粘着フィルムを所望の形状に残存させることが容易である。したがって、このような製造方法では、半導体チップの実装に適した形状例えば、半導体チップの主面の面積と同一面積の接着面を有する形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成することができる。また、本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法では、貼り付け工程において、フィルム状の接着フィルムを半導体チップに貼り付けているため、ペースト状の接着剤を半導体チップに貼り付けた後に当該接着剤を硬化させて接着剤層を形成する場合に比して、硬化工程が不要であることから工程数を削減できること、貼り合わせ後の表面凹凸を少なくすることができること等により、効率よく接着剤層付き半導体チップを得ることもできる。貼り付け工程において、粘着フィルム及び接着フィルムを備える積層シートの当該接着フィルムに半導体チップを貼り付けてもよい。この場合、接着フィルム及び粘着フィルムを一括して半導体チップに積層することができるため、更に効率よく接着剤層付き半導体チップを得ることができる。また、貼り付け工程において、接着フィルムに半導体チップを貼り付けた後に接着フィルムに粘着フィルムを貼り付けてもよい。本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法は、貼り付け工程の前に、半導体ウェハが当該半導体ウェハの一方の主面から他方の主面にかけて切断されるように半導体ウェハをダイシングして複数の半導体チップを得る工程、又は、半導体ウェハの厚さ方向の少なくとも一部が切断されずに残るように半導体ウェハを当該半導体ウェハの一方の主面側からダイシングした後に、半導体ウェハを当該半導体ウェハの他方の主面側から研削して複数の半導体チップを得る工程を更に備えていてもよい。本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法では、予め個片化された半導体チップを接着フィルムに貼り付ける場合であっても、半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成することができる。本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記製造方法により得られた接着剤層付き半導体チップの半導体チップを、当該接着剤層付き半導体チップの接着フィルムを介して支持部材に貼り付ける工程を備える。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体チップを支持部材に好適に貼り付けることができるため、半導体装置を効率よく得ることができる。本発明によれば、半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成することができる。また、本発明によれば、半導体装置を効率よく得ることができると共に、歩留りの低下を抑制することもできる。以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、図面の寸法比率は図示した比率に限られるものではない。なお、本明細書におけるメタアクリルとは、アクリル又はそれに対応するメタクリルを意味する。メタアクリレートなど、メタアクリル構造を有するものについても同様である。[半導体用積層シート]図1は、半導体用積層シートを示す図面であり、図1a及び図1cは、半導体用積層シートの平面図であり、図1bは、図1aのIb-Ib線断面図である。半導体用積層シート100以下、場合により積層シート100というは、半導体用途に使用される積層シートであり、フィルム状のA接着フィルム半導体用接着フィルム110と、フィルム状のB粘着フィルム120と、基材フィルム130とを備える積層体である。接着フィルム110は、粘着フィルム120の一方の主面120aに貼り付けられた状態で粘着フィルム120上に配置されている。粘着フィルム120は、基材フィルム130の主面130aに貼り付けられた状態で基材フィルム130上に配置されている。接着フィルム110は、円形状であってもよく図1a参照、矩形状であってもよい図1c参照。接着フィルム110の厚みは、1~100μmが好ましく、5~75μmがより好ましい。粘着フィルム120は、矩形状であってもよく図1a,c参照、円形状であってもよい。粘着フィルム120の厚さは、1~100μmが好ましく、2~60μmがより好ましく、3~30μmが更に好ましい。粘着フィルム120の主面120aの面積は、接着フィルム110の主面110aの面積よりも大きいことが好ましい。これにより、積層シート100をエキスパンド装置やダイボンド装置等に設置する時にウェハリングなどの冶具に粘着フィルム120を貼り合わせることが容易となり、取扱い性が向上する。以下、A接着フィルム110及びB粘着フィルム120についてそれぞれ詳述する。<A接着フィルム>A接着フィルムは、光硬化性成分を含有している。光硬化性成分としては、例えば、光硬化性樹脂や光ラジカル発生剤が挙げられる。A1:熱可塑性樹脂A接着フィルムは、A1熱可塑性樹脂を含有していることが好ましい。A1成分としては、熱可塑性樹脂であれば特に制限はないが、低分子量でのフィルム成形性及び基材への密着性を考えると、高極性基を分子骨格中に含有しているものがより好ましく、分子骨格中にイミド骨格を含有する熱可塑性樹脂が更に好ましい。A1成分は、イミド骨格を主鎖又は側鎖に有していることが好ましい。熱可塑性樹脂がイミド骨格を有することにより、優れたフィルム成形性及び基材への密着性を得ることができる。イミド骨格を有する熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、アクリル樹脂等が挙げられるが、特にこれらに限定されない。これらの樹脂は、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記の熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂が好ましい。上記ポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。上記縮合反応におけるテトラカルボン酸二無水物とジアミンとの混合モル比は、テトラカルボン酸二無水物の合計量1.0molに対して、ジアミンの合計量が0.5~2.0molであることが好ましく、0.8~1.0molであることがより好ましい。なお、テトラカルボン酸無水物及びジアミンの添加順序は任意でよい。上記縮合反応においてテトラカルボン酸二無水物の合計量1.0molに対してジアミンの合計量が2.0molを超えると、得られるポリイミド樹脂において、アミン末端を有するポリイミドオリゴマーの量が多くなる傾向がある。一方、ジアミンの合計量が0.5mol未満であると、得られるポリイミド樹脂において、酸末端を有するポリイミド樹脂オリゴマーの量が多くなる傾向がある。テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの混合モル比を上記範囲内にすることで、ポリイミド樹脂の重量平均分子量が高くなり、A接着フィルムの耐熱性を含む種々の特性が付与され易くなる。また、上記縮合反応における反応温度は、80°C以下が好ましく、0~60°Cがより好ましい。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、A接着フィルムの諸特性の低下を抑えるため、上記のテトラカルボン酸二無水物は、無水酢酸で再結晶精製処理したものであることが好ましい。ポリイミド樹脂は、上記縮合反応物ポリアミド酸を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法又は脱水剤を使用する化学閉環法等で行うことができる。ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、特に制限はなく、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,8,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメチルフェニルシラン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルジフェニルシラン二無水物、1,4-ビス3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシリルベンゼン二無水物、1,3-ビス3,4-ジカルボキシフェニル-1,1,3,3-テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p-フェニレンビストリメリテート無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビスエキソ-ビシクロ[2,2,1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸二無水物、ビシクロ-[2,2,2]-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,2-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニル]プロパン二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェニルフェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4’-ビス3,4-ジカルボキシフェノキシジフェニルスルフィド二無水物、1,4-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、1,3-ビス2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルベンゼンビストリメリット酸無水物、5-2,5-ジオキソテトラヒドロフリル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、下記一般式1で表されるテトラカルボン酸二無水物、下記式2又は3で表されるテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。[式中、aは2~20の整数を示す。]上記一般式1で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド、及び対応するジオールから合成することができ、具体的には1,2-エチレンビストリメリテート無水物、1,3-トリメチレンビストリメリテート無水物、1,4-テトラメチレンビストリメリテート無水物、1,5-ペンタメチレンビストリメリテート無水物、1,6-ヘキサメチレンビストリメリテート無水物、1,7-ヘプタメチレンビストリメリテート無水物、1,8-オクタメチレンビストリメリテート無水物、1,9-ノナメチレンビストリメリテート無水物、1,10-デカメチレンビストリメリテート無水物、1,12-ドデカメチレンビストリメリテート無水物、1,16-ヘキサデカメチレンビストリメリテート無水物、1,18-オクタデカメチレンビストリメリテート無水物等が挙げられる。また、テトラカルボン酸二無水物としては、溶剤への良好な溶解性及び耐湿性、並びに365nm光に対する透明性を付与する観点から、上記式2又は3で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。以上のようなテトラカルボン酸二無水物は、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記ポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンとしては、特に制限はなく、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジメチルフェニルメタン、ビス4-アミノ-3,5-ジイソプロピルフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフォン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフォン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルケトン、3,4’-ジアミノジフェニルケトン、4,4’-ジアミノジフェニルケトン、2,2-ビス3-アミノフェニルプロパン、2,2’-3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2,2-ビス3-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-3,4’-ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニルヘキサフルオロプロパン、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、3,3’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、3,4’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、4,4’-1,4-フェニレンビス1-メチルエチリデンビスアニリン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-3-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-4-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス4-3-アミノエノキシフェニルスルフィド、ビス4-4-アミノエノキシフェニルスルフィド、ビス4-3-アミノエノキシフェニルスルフォン、ビス4-4-アミノエノキシフェニルスルフォン、3,3’-ジヒドロキシ-4,4’-ジアミノビフェニル、3,5-ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパン、下記一般式4で表される脂肪族エーテルジアミン、下記一般式5で表されるシロキサンジアミン等が挙げられる。[式中、Q1、Q2及びQ3は各々独立に、炭素数1~10のアルキレン基を示し、bは2~80の整数を示す。上記アルキレン基は、直鎖であってもよく、分岐鎖であってもよい。][式中、Q4及びQ9は各々独立に、炭素数1~5のアルキレン基、又はフェニレン基を示し、Q5、Q6、Q7及びQ8は各々独立に、炭素数1~5のアルキル基、フェニル基、又はフェノキシ基を示し、cは1~5の整数を示す。なお、上記フェニレン基は、置換基を有していてもよい。]上記ジアミンの中でも、他成分との相溶性、有機溶剤可溶性、低温貼付性を付与する点で、上記一般式4で表される脂肪族エーテルジアミンが好ましく、エチレングリコール及び/又はプロピレングリコール系ジアミンがより好ましい。このような脂肪族エーテルジアミンとして具体的には、サンテクノケミカル株製のジェファーミンD-230、D-400、D-2000、D-4000、BASF社製のポリエーテルアミンD-230、D-400、D-2000等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。これらのジアミンは、全ジアミンの1~80molであることが好ましく、10~80molであることがより好ましく、10~60molであることが更に好ましい。この量が1mol未満であると、高温接着性、熱時流動性の付与が困難になる傾向があり、一方、上記ジアミンの量が80molを超えると、ポリイミド樹脂のTgが低くなり過ぎて吸湿後の高温接着性が低下する傾向がある。さらに、上記脂肪族エーテルジアミンは、低温貼付性と耐熱性の両立の観点から、下記一般式6で表されるプロピレンエーテル骨格を有していることが好ましく、プロピレンエーテル骨格を有し且つ分子量が300~600であることがより好ましい。このようなジアミンの含有量は、全ジアミンの80mol以下であることが好ましく、60mol以下であることがより好ましい。また、このようなジアミンの含有量は、熱圧着性及び高温接着性の観点から、全ジアミンの10mol以上であることが好ましく、20mol以上であることがより好ましい。このようなジアミンの含有量が上記範囲にあることで、ポリイミドのガラス転移温度Tgを10°C以上に調整し易くなり、貼付性、熱圧着性、高温接着性、耐リフロー性を更に向上させることが可能となる。[式中、dは3~40の整数を示す。]また、上記ジアミンの中でも、室温での密着性、接着性を向上させる観点からは、上記一般式5で表されるシロキサンジアミンを用いることが好ましい。上記一般式5で表されるシロキサンジアミンとして具体的には、式5中のcが1のものとして、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス4-アミノフェニルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェノキシ-1,3-ビス4-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス2-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス2-アミノエチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノブチルジシロキサン、1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシ-1,3-ビス4-アミノブチルジシロキサン等が挙げられ、cが2のものとして、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス4-アミノフェニルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス4-アミノブチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス5-アミノペンチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス2-アミノエチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス4-アミノブチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス5-アミノペンチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサエチル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサプロピル-1,5-ビス3-アミノプロピルトリシロキサン等が挙げられる。上記シロキサンジアミンは、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。また、上記シロキサンジアミンの含有量は、全ジアミンの1~80molであることが好ましく、2~50molであることがより好ましく、5~50molであることが更に好ましい。上記シロキサンジアミンの含有量が1molを下回ると、シロキサンジアミンを添加した効果が小さくなる傾向があり、上記シロキサンジアミンの含有量が80molを上回ると、他成分との相溶性、高温接着性及び現像性が低下する傾向がある。また、ジアミンとしては別途、熱硬化時の架橋点を形成するために水酸基やカルボキシル基を含有するジアミンを用いることもできる。このようなジアミンとしては、例えば、2,4-ジアミノフェノール等のジアミノフェノール類;3,3’-ジアミノ-4,4’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’,5,5’-テトラヒドロキシビフェニル等のヒドロキシビフェニル化合物類;3,3’-ジアミノ-4,4’-ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジハイドロキシジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-2,2’-ジハイドロキシジフェニルメタン、2,2-ビス[3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2-ビス[3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4’-ジアミノ-2,2’,5,5’-テトラヒドロキシジフェニルメタン等のヒドロキシジフェニルメタン等のヒドロキシジフェニルアルカン類;3,3’-ジアミノ-4,4’-ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノ-2,2’,5,5’-テトラヒドロキシジフェニルエーテル等のヒドロキシジフェニルエーテル化合物;3,3’-ジアミノ-4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4’-ジアミノ-2,2’-ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4’-ジアミノ-2,2’,5,5’-テトラヒドロキシジフェニルスルフォン等のジフェニルスルフォン化合物;2,2-ビス[4-4-アミノ-3-ヒドロキシフェノキシフェニル]プロパン等のビス[ヒドロキシフェニルフェニル]アルカン化合物類;4,4’-ビス4-アミノ-3-ヒドキシフェノキシビフェニル等のビスヒドキシフェノキシビフェニル化合物類;2,2-ビス[4-4-アミノ-3-ヒドロキシフェノキシフェニル]スルフォン等のビス[ヒドロキシフェノキシフェニル]スルフォン化合物;3,5-ジアミノ安息香酸等のジアミノ安息香酸類:4,4’-ジアミノ-3,3’-ジハイドロキシジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-2,2’-ジハイドロキシジフェニルメタン、2,2-ビス[3-アミノ-4-カルボキシフェニル]プロパン、4,4’-ビス4-アミノ-3-ヒドキシフェノキシビフェニル等のビスヒドキシフェノキシビフェニル化合物類を挙げることができる。上記ポリイミド樹脂の合成時に、下記式7、8、9又は10で表される化合物のような単官能酸無水物及び/又は単官能アミンを縮合反応液に投入することによって、ポリマ末端に酸無水物又はジアミン以外の官能基を導入することができ、様々な機能性を付与することが可能となる。上述したポリイミド樹脂は、1種類を単独で又は必要に応じて2種類以上を混合して用いることができる。波長400nmの光に対する上記ポリイミド樹脂の透過率は、光硬化性及びピール強度向上の観点から、厚み10μmのフィルム状に成形した場合において1以上であることが好ましく、3以上であることがより好ましい。このようなポリイミド樹脂は、例えば、上記式2で表される酸無水物と、上記一般式4で表される脂肪族エーテルジアミン及び/又は上記一般式5で表されるシロキサンジアミンとを反応させることで合成することができる。A1成分の含有量は、A接着フィルムの全体質量を100質量部として10~70質量部が好ましく、15~50質量部がより好ましい。A1成分のガラス転移温度Tgは、10°C以上が好ましく、20°C以上がより好ましく、30°C以上が更に好ましい。このTgが10°C以上であると、半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを形成することが更に容易となる。A1成分のTgは、150°C以下が好ましく、120°C以下がより好ましく、100°C以下が更に好ましい。このTgが150°Cを超える場合、熱圧着性が低下する傾向がある。ここで、A1成分のTgとは、A1成分をフィルム化したものについて、粘弾性アナライザーレオメトリックス社製、商品名:RSA-2を用いて、昇温速度5°C/min、周波数1Hz、測定温度-150~300°Cの条件で測定したときのtanδピーク温度である。A1成分の重量平均分子量は、50万以下が好ましく、30万以下がより好ましく、15万以下が更に好ましく、10万以下が特に好ましい。A1成分の重量平均分子量は、5000以上が好ましく、1万以上がより好ましい。重量平均分子量が上記範囲内にあると、A接着フィルムの強度、可とう性及びタック性が良好となる。また、熱時流動性が良好となるため、基板表面の配線段差凹凸に対する良好な埋込性を確保することが可能となる。一方、上記重量平均分子量が5000未満であると、フィルム形成性が十分でなくなる傾向がある。上記重量平均分子量が50万を超えると、熱時流動性及びぬれ性が十分でなくなる傾向がある。ここで、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー島津製作所製、商品名:C-R4Aを用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。A1成分のTg及び重量平均分子量を上記範囲内とすることによって半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に接着固定する際の加熱温度熱圧着温度を低くすることができ、半導体素子の反りの増大を抑制しながら高温接着性を付与することができる。A2:光硬化性樹脂A接着フィルムは、光硬化性成分としてA2光硬化性樹脂を含有していることが好ましい。A2成分としては、エチレン性不飽和基を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、メタアクリル基等が挙げられ、反応性の観点から、メタアクリル基が好ましい。このようなメタアクリル基を有する化合物を用いる場合、低温貼付性の付与と硬化性の観点から、単官能メタアクリレート化合物と多官能メタアクリレート化合物を組合せて使用することが好ましい。単官能メタアクリレート化合物の5質量減少温度は、熱圧着時のボイド発生を低減すると共に加熱時のアウトガスを抑制することができるため、100°C以上であることが好ましい。上記5質量減少温度とは、サンプルを示差熱熱重量同時測定装置エスアイアイナノテクノロジー社製、商品名:TG/DTA6300を用いて、昇温速度10°C/min、窒素フロー400ml/minの条件下で測定したときの5質量減少温度である。単官能メタアクリレート化合物としては、特に硬化後の接着性を向上させるため、下記式11又は12で表される単官能アクリレートを使用することが好ましい。[式中、eは1~10の整数を示す。]これらの単官能メタアクリレート化合物の含有量は、A1成分100質量部に対して10質量部以上が好ましく、500質量部以下が好ましい。この含有量が10質量部未満であると、圧着性が低下する傾向があり、上記含有量が500質量部を超えると、耐熱信頼性が低下する傾向がある。組合わせる多官能メタアクリレート化合物の種類は特に制限はないが、フィルム成型時のタック力調整のために、下記一般式13で表されるフルオレン骨格を含有するメタアクリレート化合物を使用することが好ましい。[式中、Q10はシアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を示し、Q11は分岐アルキレン基を示し、Q12は水素原子又はメチル基を示し、Q13はアルキル基を示し、fは1以上の整数を示し、gは2~4の整数を示し、hは0~4の整数を示す。]これらのフルオレン骨格を含有するメタアクリレート化合物の含有量は、A1成分100質量部に対して5質量部以上が好ましく、100質量部以下が好ましい。この含有量が5質量部未満であると、タック力を制御し難くなる傾向があり、100質量部を超えると、熱圧着性が低下する傾向がある。これらの単官能メタアクリレート化合物及び多官能メタアクリレート化合物を組合せることで、露光時のピール強度の向上と分割性の向上を更に高度に両立することが可能となり、効率的に残存させることが可能となる。その他に使用可能な光硬化性樹脂としては、特に制限はないが、2官能以上のメタアクリレート化合物が好ましい。このようなメタアクリレート化合物としては、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、4-ビニルトルエン、4-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3-アクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、1,2-メタクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、トリス2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートのトリアクリレート、トリス2-ヒドロキシプロピルイソシアヌレートウレタンアクリレート、トリス2-ヒドロキシブチルイソシアヌレート若しくはウレタンメタクリレート、及び尿素アクリレート等が挙げられる。これらのA2成分は、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。2種類の組み合わせの中でも、硬化後の耐溶剤性を十分に付与できる点で、ウレタンアクリレート及びメタクリレートの組み合わせ、イソシアヌル酸ジアクリレート及びメタクリレートの組み合わせ、イソシアヌル酸トリアクリレート及びメタクリレートの組み合わせは、硬化後の高接着性を十分に付与できる点で好ましい。A2成分としては、硬化後の接着性をより向上させることができると共に加熱時のアウトガスを抑制することができるため、3官能以上のアクリレート化合物が好ましい。この時、硬化後の耐熱性を十分に付与できる点で、イソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジアクリレートやイソシアヌル酸エチレンオキシド変性トリアクリレートを含有することがより好ましい。A2成分の含有量は、A1成分100質量部に対して5~300質量部が好ましく、10~250質量部がより好ましい。この含有量が300質量部を超えると、熱圧着時の接着性が低下する傾向にある。一方、上記含有量が5質量部以上であると、露光による架橋密度が高くなり易く、半導体チップ間の空隙部においてA接着フィルムをピックアップ時に分割することが更に容易となる。A3:光ラジカル発生剤A接着フィルムは、光硬化性成分としてA3光ラジカル発生剤を含有していることが好ましい。A3成分の波長365nmの光に対する分子吸光係数は、感度向上の点から、1000ml/gcm以上が好ましく、2000ml/gcm以上がより好ましい。なお、分子吸光係数は、サンプルの0.001質量アセトニトリル溶液を調製し、この溶液について分光光度計日立ハイテクノロジーズ社製、商品名:U-3310を用いて吸光度を測定することによって求められる。A3成分は、感度向上及び内部硬化性向上の観点から、光照射によってブリーチングするものが好ましい。このようなA3成分としては、例えば、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-ブタノン-1、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパノン-1、2,4-ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジm-メトキシフェニルイミダゾール二量体、2-o-フルオロフェニル-4,5-フェニルイミダゾール二量体、2-o-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-p-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2,4-ジp-メトキシフェニル-5-フェニルイミダゾール二量体、2-2,4-ジメトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体;9-フェニルアクリジン、1,7-ビス9,9’-アクリジニルヘプタン等のアクリジン誘導体;ビス2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス2,4,6,-トリメチルベンゾイル-フェニルフォスフィンオキサイド等のビスアシルフォスフィンオキサイド等の中からUV照射によって光退色する化合物が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。A3成分の含有量は、A1成分100質量部に対して0.1~20質量部が好ましく、0.5~10質量部がより好ましい。A4:熱硬化性樹脂A接着フィルムは、A4熱硬化性樹脂但し、A2光硬化性樹脂に該当する樹脂を除くを更に含有することが好ましい。A4成分としては、特に制限はないが、分子内に少なくとも2個以上のエポキシ基を含むものがより好ましく、硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が更に好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型又はAD型、S型、F型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型又は4官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記の中でも、下記式14で表されるエポキシ樹脂は、熱圧着性及び硬化後の接着性の観点から特に好ましい。また、これらのエポキシ樹脂には、不純物イオンであるアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン特に塩素イオンや加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止のために好ましい。エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂としては、オキサゾリン基やマレイミド基を有する樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、1種類を単独で又は2種類以上を組合せて使用することができる。また、A4成分例えばエポキシ樹脂の5質量減少温度は、150°C以上が好ましく、180°C以上がより好ましく、200°C以上が更に好ましく、260°C以上が特に好ましい。5質量減少温度が150°C以上であると、低アウトガス性、高温接着性、耐リフロー性が向上する。上記5質量減少温度とは、サンプルを示差熱熱重量同時測定装置エスアイアイナノテクノロジー社製、商品名:TG/DTA6300を用いて、昇温速度10°C/min、窒素フロー400ml/minの条件下で測定したときの5質量減少温度である。また、A4成分例えばエポキシ樹脂の含有量は、A1成分100質量部に対して5~300質量部が好ましく、10~100質量部がより好ましい。この含有量が300質量部を超えると、フィルム形成性が低下し脆くなる傾向があり、上記含有量が5質量部未満であると、十分な熱圧着性及び高温接着性が得にくくなる傾向がある。A5:フィラA接着フィルムは、A5フィラを更に含有していてもよい。A5成分としては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラ;アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラ;カーボン、ゴム系フィラ等の有機フィラなどが挙げられ、種類や形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。上記A5成分は、所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラは、接着フィルムに導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与することができる。非金属無機フィラは、接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与することができる。有機フィラは、接着フィルムに靭性等を付与することができる。これら金属フィラ、無機フィラ又は有機フィラは、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、半導体装置用接着材料に求められる導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等が付与されるため、金属フィラ、無機フィラ及び絶縁性フィラが好ましい。さらに、無機フィラ又は絶縁性フィラの中では、樹脂ワニスに対する分散性が良好であり、且つ、熱時の高い接着力を付与できるため、シリカフィラがより好ましい。A5成分としては、フィラ表面をカップリング剤で被覆したものを使用することが好ましい。カップリング剤で被覆することにより、その他構成成分とフィラを混合しワニス化する時にワニス中でのフィラの凝集を防ぐことが可能になり、かつ、適宜被覆するカップリング剤を変更することでA接着フィルムの特性を向上させることが可能になる。カップリング剤としては、後述するものを用いることができる。本実施形態では、メタクリルシランで処理したカップリング剤でフィラを被覆すると、ピール強度が更に向上して分割性が向上する傾向がある。上記A5成分の平均粒子径は、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることが好ましい。また、上記A5成分は、平均粒子径が10μm以下、且つ、最大粒子径が30μm以下であることが好ましく、平均粒子径が5μm以下、且つ、最大粒子径が20μm以下であることがより好ましい。平均粒子径が10μmを超え、且つ、最大粒子径が30μmを超えると、破壊靭性向上の効果が十分に得られない傾向がある。また、平均粒子径及び最大粒子径の下限は特に制限はないが、取り扱い性の観点から、どちらも0.001μm以上が好ましい。上記A5成分の含有量は、付与する特性、又は機能に応じて決められるが、樹脂成分とフィラの合計に対して0~90質量が好ましく、1~80質量がより好ましく、3~70質量が更に好ましい。フィラを増量させることによって、低アルファ化、低吸湿化、高弾性率化が図れ、ダイシング性ダイサー刃による切断性、ワイヤボンディング性超音波効率、熱時の接着強度を有効に向上させることができる。上記A5成分の含有量が90質量を超えると、フィルム成形性、熱圧着性が得られにくくなる傾向にある。求められる特性のバランスをとるべく、最適なフィラ含有量を決定する。フィラを用いた場合の混合混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。A接着フィルムのその他の含有成分A成分は、各種カップリング剤を更に含有することもできる。上記カップリング剤を用いることで、異種材料間の界面結合性が向上する。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等のものが挙げられ、中でも、効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましく、エポキシ基等の熱硬化性基やメタクリレート及び/又はアクリレート等の放射線重合性基を有する化合物又は、ヘテロ原子を含有する化合物がより好ましい。上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性、及びコストの面から、A1成分100質量部に対して、0.01~20質量部が好ましい。A接着フィルムは、イオン捕捉剤を更に含有することもできる。上記イオン補足剤によって、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性が向上する。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物;フェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すことを防止するための銅害防止剤として知られる化合物;粉末状のビスマス系、アンチモン系、マグネシウム系、アルミニウム系、ジルコニウム系、カルシウム系、チタン系、ズズ系及びこれらの混合系等の無機化合物が挙げられる。イオン捕捉剤の具体例としては、特に限定はしないが、東亜合成株製の無機イオン捕捉剤として、商品名:IXE-300アンチモン系、IXE-500ビスマス系、IXE-600アンチモン、ビスマス混合系、IXE-700マグネシウム、アルミニウム混合系、IXE-800ジルコニウム系、IXE-1100カルシウム系等がある。これらは1種類を単独で又は2種類以上混合して用いることができる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、A1成分100質量部に対して、0.01~10質量部が好ましい。本実施形態では、必要に応じて増感剤を用いることができる。この増感剤としては、例えば、カンファーキノン、ベンジル、ジアセチル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ベンジルジ2-メトキシエチルケタール、4,4’-ジメチルベンジル-ジメチルケタール、アントラキノン、1-クロロアントラキノン、2-クロロアントラキノン、1,2-ベンズアントラキノン、1-ヒドロキシアントラキノン、1-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、1-ブロモアントラキノン、チオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、2-ニトロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン、2-クロロ-7-トリフルオロメチルチオキサントン、チオキサントン-10,10-ジオキシド、チオキサントン-10-オキサイド、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ビス4-ジメチルアミノフェニルケトン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、アジド基を含む化合物等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上併用して使用することができる。A4熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、A接着フィルムは、エポキシ樹脂硬化剤を更に含有することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン等のアミン類;ポリアミド;脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物等の酸無水物;ポリスルフィド;三フッ化ホウ素;ビスフェノールA、ビスフェノールF,ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール化合物;フェノール系樹脂;ジシアンジアミド;有機酸ジヒドラジド;三フッ化ホウ素アミン錯体;イミダゾール類;第3級アミン等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。フェノール系樹脂の好ましい例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、t-ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ポリ-p-ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂が挙げられ、中でも、吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール系樹脂が好ましい。フェノール系樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業株製の商品名:フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD-2090、フェノライトTD-2149、フェノライトVH-4150、フェノライトVH4170、本州化学株製の商品名:TrisP-PAが挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、上記エポキシ樹脂硬化剤と共に硬化促進剤を用いることが好ましい。硬化促進剤としては、特に制限は無く、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、1,8-ジアザビシクロ5,4,0ウンデセン-7-テトラフェニルボレートを用いることができる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。硬化促進剤を添加した場合の添加量は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の総量100質量部に対して0.1~5質量部が好ましく、0.2~3質量部がより好ましい。添加量が0.1質量部未満であると、硬化性が低下する傾向があり、添加量が5質量部を超えると、保存安定性が低下する傾向がある。A4熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、A接着フィルムは、エポキシ樹脂の重合及び/又は付加反応などの硬化反応を促進する機能を発現する光開始剤を含有していてもよい。このような光開始剤としては、例えば、放射線照射によって塩基を発生する光塩基発生剤、放射線照射によって酸を発生する光酸発生剤等が挙げられ、光塩基発生剤が特に好ましい。光酸発生剤としては、例えばスルホニウム塩やヨードニウム塩などが挙げられる。放射線としては、例えば、電離性放射線や非電離性放射線が挙げられ、具体的には、ArF及びKrF等のエキシマレーザー光;電子線極端紫外線;真空紫外光;X線;イオンビーム;i線及びg線等の紫外光が挙げられる。光塩基発生剤を用いることで、生成した塩基がA4成分として用いられるエポキシ樹脂の硬化触媒として効率よく作用する。その結果、接着フィルムの架橋密度がより一層高まり、分割性が向上する。光塩基発生剤は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であれば特に制限は受けず用いることができる。このような放射線照射時に発生する塩基としては、例えば、イミダゾール、2,4-ジメチルイミダゾール、1-メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体;ピペラジン、2,5-ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体;ピペリジン、1,2-ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体;プロリン誘導体;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体;4-メチルアミノピリジン、4-ジメチルアミノピリジン等の4位にアミノ基又はアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体;ピロリジン、n-メチルピロリジン等のピロリジン誘導体;ジヒドロピリジン誘導体;トリエチレンジアミン、1,8-ジアザビスシクロ5,4,0ウンデセン-1DBU等の脂環式アミン誘導体;ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体等が挙げられる。上記のような塩基を放射線照射によって発生する光塩基発生剤としては、例えば、JournalofPhotopolymerScienceandTechnology1999年、12巻、313~314頁や、ChemistryofMaterials1999年、11巻、170~176頁等に記載されている4級アンモニウム塩誘導体を用いることができる。これらは、放射線照射によって高塩基性のトリアルキルアミンを生成するため、エポキシ樹脂の硬化には最適である。また、JournalofAmericanChemicalSociety1996年、118巻12925頁や、PolymerJournal1996年、28巻795頁等に記載されているカルバミン酸誘導体も用いることができる。さらに、放射線照射によって1級のアミノ基を発生するオキシム誘導体、光ラジカル発生剤として市販されている2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパン-1-オンチバジャパン社製、商品名:イルガキュア907、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1チバジャパン社製、商品名:イルガキュア369、2-ジメチルアミノ-2-4-メチルフェニルメチル-1-4-4-モルホリニルフェニル-1-ブタノンチバジャパン社製、商品名:イルガキュア379、3,6-ビス-2メチル-2モルホリノ-プロピオニル-9-N-オクチルカルバゾールADEKA社製、商品名:オプトマーN-1414、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されていてもよい、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。上記光塩基発生剤としては、高分子の主鎖及び/又は側鎖に塩基を発生する基を導入した化合物を用いてもよい。この場合のエポキシ樹脂の重量平均分子量は、接着剤としての接着性、流動性、及び耐熱性の観点から、1000~10万が好ましく、5000~3万がより好ましい。A接着フィルムは、必要に応じて熱ラジカル発生剤を更に含有することもできる。熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物が好ましい。有機過酸化物の1分間半減期温度は、120°C以上が好ましく、150°C以上がより好ましい。有機過酸化物は、感光性接着剤組成物の調製条件、製膜温度、硬化貼り合せ条件、その他プロセス条件、貯蔵安定性等を考慮して選択することができる。使用可能な過酸化物としては、特に限定はしないが、例えば、2,5-ジメチル-2,5-ジt-ブチルパーオキシへキサン、ジクミルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、ビス4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネート等が挙げられ、これらのうちの1種類を単独で又は2種類以上を混合して用いることができる。上記熱ラジカル発生剤の含有量は、A1成分100質量部に対し、0.01~20質量部が好ましく、0.1~10質量部がより好ましく、0.5~5質量部が更に好ましい。この含有量が0.01質量部未満であると、硬化性が低下し、添加効果が小さくなる傾向がある。また、上記含有量が20質量部を超えると、アウトガス量が増加し、保存安定性が低下する傾向にある。上記熱ラジカル発生剤としては、1分間半減期温度が120°C以上の化合物が好ましく、例えば、パーヘキサ25B日油社製、2,5-ジメチル-2,5-ジt-ブチルパーオキシへキサン1分間半減期温度:180°C、パークミルD日油社製、ジクミルパーオキサイド1分間半減期温度:175°C等が挙げられる。A接着フィルムは、キノン類、多価フェノール類、フェノール類、ホスファイト類、イオウ類等の重合禁止剤、又は酸化防止剤を、硬化性を損なわない範囲で更に含有していてもよい。これにより、保存安定性、プロセス適応性、又は酸化防止性が付与される。<B粘着フィルム>B粘着フィルムは、光硬化性成分を含有している。光硬化性成分としては、例えば、B1アクリル系共重合ポリマやB2光ラジカル発生剤が挙げられる。B粘着フィルムは、粘着性を有している。粘着性は、B1成分とB2成分との混合物から構成される粘着剤層をB粘着フィルムとして基材フィルム上に形成した際に、B粘着フィルムが室温でA接着フィルムに密着ができることを意味している。粘着剤層の30°Cにおけるタック強度は、1g以上の強さをもつことが好ましい。ここで、タック強度は、直径5.1mmのSUS304に対するタック強度である。タック強度は、タッキング試験機株式会社レスカ製、商品名TAC-IIを用い、温度:30°C、押し込み速度:2mm/秒、引き上げ速度:10mm/秒、停止加重:100gf/cm2、停止時間:1秒の条件にて測定される。B1:アクリル系共重合ポリマB1成分は、粘着性のアクリル系共重合ポリマである。ここで、アクリル系共重合ポリマは、メタアクリロイル基を有する単量体を必須成分として重合された共重合体を意味する。B1成分は、種々のモノマーの組み合わせにより製造することができるが、例えば、アルキル基の炭素数が4以上のメタアクリル酸アルキルエステルモノマーと、架橋性官能基含有モノマーと、さらに必要に応じて、共重合可能なその他のモノマーとを、常法により共重合することにより得ることができる。アルキル基の炭素数が4以上のメタアクリル酸アルキルエステルとしては、メタアクリル酸ブチル、メタアクリル酸ペンチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸2-エチルヘキシル、メタアクリル酸イソオクチル、メタアクリル酸デシルなどが挙げられる。また、上記メタアクリル酸アルキルエステルとしては、メタアクリル酸シクロアルキルエステル、メタアクリル酸ベンジルエステル等の脂環族基又は芳香族基を有するアルキルエステルであってもよい。これらは1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。架橋性官能基含有モノマーは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を分子内に有するモノマーであり、好ましくはヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物である。このような官能基含有モノマーの具体例としては、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸3-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル等のメタアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル;メタアクリル酸アセトアセトキシメチル;メタアクリル酸モノメチルアミノエチル、メタアクリル酸モノエチルアミノエチル、メタアクリル酸モノメチルアミノプロピル、メタアクリル酸モノエチルアミノプロピル等のメタアクリル酸モノアルキルアミノアルキル;アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸などが挙げられる。これらの単量体は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。必要に応じて使用される共重合可能なその他のモノマーとしては、アルキル基の炭素数が3以下のメタアクリル酸アルキルエステルが挙げられる。このような単量体としては、具体的には、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル及びメタアクリル酸プロピルや、アクリロニトリル、アクリルアミド、酢酸ビニル、酪酸ビニル等のビニルエステルなどが挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。B1成分として、上記の共重合可能なその他のモノマーを導入することにより、B粘着フィルムのガラス転移温度Tgを制御することができる。例えば、粘着剤層自身の粘着力や凝集力を変化させ、チップの保持力やピックアップ性を調整することができる。B1成分のガラス転移温度Tgは、0°C以下が好ましく、-5°C以下がより好ましく、-10°C以下が更に好ましい。このTgが0°C以下であると、半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを形成することが更に容易となる。B1成分のTgは、-50°C以上が好ましく、-40°C以上がより好ましい。ここで、B1成分のTgとは、B1成分をフィルム化したものについて、粘弾性アナライザーレオメトリックス社製、商品名:RSA-2を用いて、昇温速度5°C/min、周波数1Hz、測定温度-150~300°Cの条件で測定したときのtanδピーク温度である。B1成分の重量平均分子量は、200万以下が好ましく、150万以下がより好ましい。B1成分の重量平均分子量が200万以下であると、粘着剤を塗布するために必要な粘度を得ることができる。B1成分の重量平均分子量は、10万以上が好ましく、20万以上がより好ましく、30万以上が更に好ましい。B1成分の重量平均分子量が10万以上であると、残留モノマーによる臭気や被着体に対する汚染などの悪影響を排除することができる。B1成分の重量平均分子量は、後述するようにA1成分の重量平均分子量よりも大きいことが好ましい。B1成分の含有量は、B粘着フィルムの全体質量を100質量部として30~90質量部が好ましく、40~80質量部がより好ましい。B2:光ラジカル発生剤B2成分としては、A接着フィルムの構成成分として上記した光ラジカル発生剤を使用し得る。B2成分の含有量は、B1成分100質量部に対して0.1質量部以上が好ましく、十分な保存性を得るため、50質量部以下が好ましい。B3:メタアクリレート化合物B粘着フィルムは、光反応性樹脂としてメタアクリレート化合物メタアクリル基を有する化合物を更に含有することが好ましい。このようなメタアクリレート化合物としては、接着フィルムAの構成成分として上記した樹脂を使用し得る。メタアクリレート化合物の中でも、単官能メタアクリレート化合物が好ましい。このような単官能メタアクリレート化合物としては、接着フィルムAの構成成分として上記した樹脂を使用し得る。また、単官能メタアクリレート化合物としては、下記一般式15で示される単官能メタアクリレートを使用してもよい。B粘着フィルムが、上記一般式15で示される単官能メタアクリレートを含有すると、B粘着フィルムに光を照射することによりB粘着フィルムが変色するため、工程通過中に露光前後の区別がつきやすくなる。さらに、後述する光によって色彩が変化する添加剤を更に加える必要性がないため、B粘着フィルムの特性を制御しやすい。B3成分の含有量は、B1成分100質量部に対し、0.01~50質量部が好ましく、0.1~30質量部がより好ましく、0.5~20質量部が更に好ましい。この含有量が0.01質量部未満であると、ピール強度を向上させるための機能発現性が低下する傾向があり、上記含有量が50質量部を超えると、露光前のピール強度が高くなりすぎるため、ピックアップ性が低下する傾向にある。B4:フィラB粘着フィルムは、B4フィラを更に含有していてもよい。B4成分としては、A接着フィルムの構成成分として上記したフィラを使用し得る。その中でも、表面をシランカップリング剤で処理したフィラが好ましく、メタアクリルシランで処理したシリカフィラがより好ましい。このようなフィラを用いることで露光後のピール強度を更に向上することが可能となる。B4成分の含有量は、B1成分100質量部に対して5質量部以上が好ましく、50質量部以下が好ましい。B粘着フィルムのその他の含有成分B粘着フィルムは、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、従来アクリル系粘着剤組成物に慣用されている各種添加成分を含有していてもよい。例えば、必要に応じて増感剤を用いることができる。この増感剤としては、A接着フィルムの構成成分として上記した増感剤を使用し得る。B粘着フィルムは、B1成分が架橋性を有するため、B1成分と架橋剤を併用することが好ましい。これにより凝集力を付加し、粘着力を制御することができる。架橋剤の使用量は、B1成分100質量部に対して0.1~50質量部が好ましく、1~30質量部がより好ましい。B粘着フィルムは、露光後に色が変化することが好ましい。この場合、B粘着フィルムに配合される材料は特に制限はなく、B粘着フィルムは、光を照射した後に色が変化する化合物を含有することができる。このような化合物としては、アゾベンゼン;スピロピラン、ジアリールエテンから誘導される化合物;1,4-ジヒドロキシナフタレンから誘導される下記一般式16で示される化合物が好ましく、耐熱性が高いことから、一般式16で示される化合物がより好ましい。[Q14及びQ15は各々独立に、H、CH3、アクリル基又はメタクリル基を示す。]接着フィルム110がA1成分、A2成分及びA3成分を含有すると共に粘着フィルム120がB1成分及びB2成分を含有する積層シート100を露光した場合、積層体界面における露光部のピール強度接着フィルム110及び粘着フィルム120の剥離強度は、当該積層体界面における露光前のピール強度と比較し高くなる傾向がある。これにより、接着フィルム110が粘着フィルム120から剥離する方向の力が露光部に対して加えられる場合に、接着フィルム110及び粘着フィルム120が互いに剥離してしまうことを抑制し易くなる。この理由について本発明者は以下のように推測している。すなわち、接着フィルム110がA1成分、A2成分及びA3成分を含有すると共に粘着フィルム120がB1成分及びB2成分を含有することにより、接着フィルム110の含有成分の一部が接着フィルム110及び粘着フィルム120の界面近傍における粘着フィルム120の領域に流れ込む。そして、このような界面近傍の領域に光が照射されると、界面近傍の領域に存在する成分が反応して界面近傍の微細な部分が一体化する。これにより、露光部においてピール強度が向上するものと推測される。一方、積層シート100における未露光部においても、接着フィルム110の含有成分の一部が接着フィルム110及び粘着フィルム120の界面近傍における粘着フィルム120の領域に流れ込む。しかしながら、未露光部では、光が照射されないことから界面近傍の微細な部分が一体化することが抑制されている。この場合、接着フィルム110が粘着フィルム120から剥離する方向の力が未露光部に対して加えられると、接着フィルム110が粘着フィルム120から剥離するものの、接着フィルム110の含有成分の一部が粘着フィルム120の領域に流れ込んでいるため、接着フィルム110のバルク破壊が起こり、接着フィルム110の一部が粘着フィルム120に貼り付けられた状態で残存すると共に、接着フィルム110の残部が粘着フィルム120から剥離することとなる。ここで、接着フィルム110の含有成分の一部が粘着フィルム120の領域に流れ込まない場合には、接着フィルム110が粘着フィルム120から剥離する方向の力が未露光部に対して加えられると、接着フィルム110及び粘着フィルム120の界面において界面剥離する傾向がある。この場合、粘着フィルム120から剥離した接着フィルム110において界面剥離により露出した面は、粘着フィルム120の含有成分が転写されて接着力が低下している傾向がある。一方、積層シート100では、粘着フィルム120から剥離した接着フィルム110においてバルク破壊により露出した面は、粘着フィルム120の含有成分が転写されていないことから十分な接着力を有している。さらに、B1成分の重量平均分子量がA1成分の重量平均分子量よりも大きいと、接着フィルム110の含有成分の流動性が高まることにより、接着フィルム110の含有成分の一部が接着フィルム110及び粘着フィルム120の界面近傍における粘着フィルム120の領域に流れ込み易くなる。これにより、粘着フィルム120から剥離した接着フィルム110においてバルク破壊により露出した面に十分な接着力を付与することが容易となる。界面近傍の微細な部分で生じる反応は、接着フィルム110及び粘着フィルム120の界面付近の剥離面をTOF-SIMSなどを使用して分析することが可能である。このような積層シート100では、光例えば紫外線照射前に接着フィルム110及び粘着フィルム120の未露光部を剥離した時には、接着フィルム110及び粘着フィルム120の界面近傍における接着フィルム110の領域で微細な破壊が起こっていることが好ましく、光例えば紫外線照射後に接着フィルム110及び粘着フィルム120の露光部を剥離した時には、接着フィルム110及び粘着フィルム120の界面近傍における粘着フィルム120の領域で破壊が起こっていることが好ましい。半導体用積層シートの製造方法積層シート100は、例えば、工程1基材フィルム130上に粘着フィルム120を積層した後、工程2粘着フィルム120上に接着フィルム110を積層することにより得ることができる。接着フィルム110は、以下の手順により得ることができる。まず、A1成分、A2成分及びA3成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。ワニスは、必要に応じて任意成分であるA4成分、A5成分及び他の成分を含有していてもよい。次に、上記ワニスを基材フィルムの表面に常法により塗工してワニスの層を形成した後に当該ワニスの層を加熱乾燥する。そして、基材フィルムを除去することにより接着フィルム110を得ることができる。なお、上記ワニスを粘着フィルム120の表面に常法により塗工してワニスの層を形成した後にワニスの層を加熱乾燥することにより、接着フィルム110を得ることもできる。粘着フィルム120は、以下の手順により得ることができる。まず、B1成分及びB2成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。ワニスは、必要に応じて任意成分であるB3成分、B4成分及び他の成分を含有していてもよい。次に、上記ワニスを基材フィルム130の表面に常法により塗工してワニスの層を形成した後に当該ワニスの層を加熱乾燥することにより、基材フィルム130上に積層された粘着フィルム120を得ることができる。接着フィルム110及び粘着フィルム120の作製において、上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。ワニスの塗工方法としては、スピンコート、印刷法、スプレーコート法などが挙げられる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であることが好ましく、通常60~200°Cで0.1~90分間加熱して行う。上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できることが好ましく、従来公知のものを使用することができる。このような有機溶媒としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。有機溶媒の使用量として、例えば、接着フィルム110の製造後の残存揮発分は、接着フィルム110の全質量基準で0.01~3質量であることが好ましく、耐熱信頼性の観点から、0.01~2.0質量がより好ましく、0.01~1.5質量が更に好ましい。基材フィルム130としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレンメタアクリル酸共重合体フィルム、エチレンメタアクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム等のプラスチックフィルムが用いられる。基材フィルム130は、これらのプラスチックフィルムの複層フィルムであってもよく、架橋されたフィルムであってもよい。また、基材フィルム130は、有色であっても無色であってもよい。基材フィルム130の厚みは、30~300μmが好ましく、50~200μmがより好ましい。基材フィルム130と粘着フィルム120とが作業中に剥離しないように基材フィルム130と粘着フィルム120の界面の密着性を向上させるため、基材フィルム130の片面主面130aに、サンドブラストや溶剤処理による凹凸化処理、あるいは、コロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理、プライマー処理などを施すことができる。接着フィルム110が積層される後述の基材フィルム140としては、特に制限はないが、上記の乾燥条件に耐えるものであれば特に限定されるものではない。基材フィルムとしては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルムを用いることができる。基材フィルムとしては、2種以上のフィルムを組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたフィルムであってもよい。<接着剤層付き半導体チップの製造方法>[第1実施形態]第1実施形態に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法は、個片化工程と、貼り付け工程と、露光工程と、ピックアップ工程とをこの順に備える。以下、各工程について説明する。個片化工程図2を用いて個片化工程を説明する。個片化工程では、まず、半導体ウェハ21を用意する。半導体ウェハ21としては、例えば、ロジックIC、メモリーIC、イメージセンサが挙げられる。続いて、粘着性を有し剥離可能なダイシングテープ23を半導体ウェハ21の一方の主面21aに貼り付けて積層体25を得る。次に、半導体ウェハ21の他方の主面21bが上を向いた状態で積層体25をダイシング装置のステージに固定する。続いて、半導体ウェハ21が当該半導体ウェハ21の主面21aから主面21bにかけて切断フルカットされるように半導体ウェハ21をダイシングして、複数の半導体チップ27を得る。具体的には、図2a、bに示すように、半導体ウェハ21の主面21b側から積層体25をダイシングすることにより積層体25に格子状に溝29を形成し、半導体ウェハ21を複数の半導体チップ27に切り分ける。この場合、溝29の底面は、少なくとも半導体ウェハ21とダイシングテープ23との界面に達していればよい。例えば、図2では、ダイシングテープ23に形成された凹部の底面を溝29の底面が構成しており、ダイシングテープ23の厚さ方向の一部が切断されずに残存している。積層体25は、図2a、bに示すようにダイシングブレード31によりダイシングされてもよく、レーザによりダイシングされてもよい。ダイシングに際しては、例えば、ディスコ社製ダイシング装置を用いることができる。半導体チップ27の厚さは、例えば5~700μmである。個片化工程により、図2cに示すように、剥離可能な粘着材に固定されると共に空隙部を有するチップ集合体として、互いに間隔をおいて配置された複数の半導体チップ27と、当該複数の半導体チップ27の一方の主面27aに貼り付けられたダイシングテープ23とを備える積層体35が得られる。積層体35において半導体チップ27の他方の主面27bは露出している。貼り付け工程図3を用いて貼り付け工程を説明する。貼り付け工程では、半導体チップ27の主面27bを積層シート100の接着フィルム110に貼り付ける。貼り付け方法としては、例えばロールラミネータや真空ラミネータを用いる方法が挙げられる。例えば、まず、半導体チップ27の主面27bが上を向いた状態で積層体35をラミネータ41に固定し、その周囲を取り囲むようにウェハリング43を設置する。なお、図3aでは、ウェハリング43の図示を省略している。続いて、半導体チップ27の主面27bと積層シート100の接着フィルム110、及び、ウェハリング43と積層シート100の粘着フィルム120がそれぞれ接するように、半導体チップ27に積層シート100をラミネートすることにより積層体45を得る。ところで、上記特許文献2のように、未硬化状態のペーストからなる接着剤層を半導体チップに接着すると、ペースト状の接着剤が半導体チップの側面や表面に付着する場合があり、接着剤層付き半導体チップを形成することが妨げられる場合がある。一方、上記貼り付け工程では、フィルム状の接着フィルム110に半導体チップ27を貼り付けているため、半導体チップ27の側面や表面に接着フィルム110の接着剤が付着することが抑制されており、接着剤層付き半導体チップを容易に形成することができる。露光工程図4,5を用いて露光工程を説明する。露光工程では、まず、ダイシングテープ23が上を向いた状態で積層体45を配置した後、図4に示すように、ダイシングテープ23を半導体チップ27から剥離して積層体55を得る。積層体55における各半導体チップ27の間には空隙部51が形成されている。次に、半導体チップ27が接着フィルム110の一方面に貼り付けられていると共に、接着フィルム110を挟んで半導体チップ27の反対側において粘着フィルム120が接着フィルム110の他方面に貼り付けられている状態で、半導体チップ27の主面27a側から半導体チップ27を介して接着フィルム110及び粘着フィルム120に光源61からの光Lを照射する。この場合、光源61と接着フィルム110及び粘着フィルム120との間に半導体チップ27が介在しているため、半導体チップ27がマスクとなって、接着フィルム110及び粘着フィルム120における半導体チップ27に被覆されている領域に光Lが照射されることが抑制される。一方、接着フィルム110及び粘着フィルム120におけるチップ集合体の空隙部51に対応する領域半導体チップ27間から露出する領域や、半導体チップ27の周囲の領域には光Lが照射される。これにより、図5に示すように、接着フィルム110における光Lが照射された領域に格子状の光反応部分115aが形成されると共に、粘着フィルム120における光Lが照射された領域に格子状の光反応部分125aが形成される。これにより、互いに接触した状態で積層された光反応部分115a及び光反応部分125aを備える積層体65が得られる。接着フィルム110において光反応部分115aを構成する各直線状部分の間には、未露光部分115bが配置されている。粘着フィルム120において光反応部分125aを構成する各直線状部分の間には、未露光部分125bが配置されている。光Lとしては、紫外線や放射線等の活性光線が挙げられる。露光量は、10~5000mJが好ましい。露光に際しては、例えば、オーク製作所製の露光機を用いることができる。また、半導体チップ27とは別に、チップ集合体の空隙部51に対応する開口を有するマスクを設けてもよい。ピックアップ工程図6を用いてピックアップ工程を説明する。ピックアップ工程では、図6に示すように、半導体チップ27と、当該半導体チップ27と同一サイズ同一面積の未露光部分115bと、を備える接着剤層付き半導体チップ75をピックアップする。例えば、ピックアップする対象の接着剤層付き半導体チップ75の配置位置に対応する基材フィルム130の下側の部位をピン71で突き上げつつ、コレット73により接着剤層付き半導体チップ75をピックアップする。これにより、チップ集合体の空隙部51に位置する接着フィルム110の光反応部分115aが同伴されることなく、接着剤層付き半導体チップ75の未露光部分115bが未露光部分125bから剥離して、半導体チップ27と未露光部分115bとが積層された接着剤層付き半導体チップ75を得ることができる。また、上記製造方法では、ピックアップに際して未露光部分115bの内部でバルク破壊が生じる傾向があり、ピックアップされた接着剤層付き半導体チップ75が配置されていた位置には、未露光部分115bの一部が残存する傾向がある。この場合、接着剤層付き半導体チップ75の未露光部分115bにおいてバルク破壊により露出した面は、未露光部分125bの含有成分が転写されていないことから十分な接着力を有している。接着剤層付き半導体チップ75のピックアップは、ルネサス東日本セミコンダクタ社製のフレキシブルダイボンダー等のダイボンド装置ピックアップ装置を用いて行うことができる。なお、露光工程の後且つピックアップ工程の前に、エキスパンドにより半導体チップ27間の間隔を広げてもよい。接着シート100を用いた上記の方法では、露光工程において、半導体チップ27を介して接着フィルム110及び粘着フィルム120に対して光を照射することにより、接着フィルム110には、光反応部分115a及び未露光部分115bが形成され、粘着フィルム120には、光反応部分125a及び未露光部分125bが形成される。この場合、光反応部分115a及び光反応部分125aにおいて光硬化性成分の反応樹脂成分の架橋等が進行することにより、光反応部分115aと光反応部分125aとが互いに剥離し難くなると共に、光反応部分115aが未露光部分115bに比して脆性化し、光反応部分125aが未露光部分125bに比して脆性化する。これにより、接着フィルム110が粘着フィルム120から剥離する方向の力が未露光部分115b及び未露光部分125bに対して加えられる場合に、未露光部分115bと当該未露光部分115bに接する光反応部分115aとが互いに剥離し易い状態となると共に、未露光部分125bと当該未露光部分125bに接する光反応部分125aとが互いに剥離し易い状態となる。このような製造方法では、ピックアップ工程において、未露光部分115bを備える接着剤層付き半導体チップ75をピックアップする場合、未露光部分115bが半導体チップ27に貼り付けられた状態を維持しつつ未露光部分115bを未露光部分125bから剥離させることが容易であると共に、光反応部分115a及び光反応部分125aを所望の形状例えば、空隙部51と同様の格子形状に残存させることが容易である。したがって、上記製造方法では、半導体チップ27の実装に適した形状の接着剤層未露光部分115bを備える接着剤層付き半導体チップ75を容易に形成することができる。[第2実施形態]第2実施形態に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法では、個片化工程が第1実施形態と異なり、その他の工程貼り付け工程、露光工程、ピックアップ工程等については第1実施形態と同様である。図7,8を用いて個片化工程を説明する。個片化工程は、ダイシング工程と、グラインド工程とをこの順に有する。ダイシング工程では、まず、第1実施形態と同様に積層体25を得た後、半導体ウェハ21の主面21bが上を向いた状態で積層体25をダイシング装置のステージに固定する。続いて、半導体ウェハ21の厚さ方向の少なくとも一部が切断されずに残るように半導体ウェハ21を当該半導体ウェハ21の主面21b側からダイシングハーフカットする。具体的には、図7a、bに示すように、半導体ウェハ21の主面21b側から積層体25をダイシングすることにより半導体ウェハ21に格子状に溝29aを形成する。この場合、溝29aの底面は、半導体ウェハ21とダイシングテープ23との界面に達することなく、半導体ウェハ21の主面21a及び主面21b間に位置している。積層体25は、図7a、bに示すようにダイシングブレード31によりダイシングされてもよく、レーザによりダイシングされてもよい。ダイシングに際しては、例えば、ディスコ社製ダイシング装置を用いることができる。上記ダイシングにより、溝29aを介して互いに間隔をおいて形成された複数の隆起部21cを有する半導体ウェハ21と、半導体ウェハ21の主面21aに貼り付けられたダイシングテープ23とを備える積層体が得られる。続いて、ダイシングテープ23を半導体ウェハ21から剥離すると共に、バックグラインドテープ81を半導体ウェハ21の主面21bに接着することにより、図7cに示すように積層体83が得られる。積層体83において、半導体ウェハ21の主面21bはバックグラインドテープ81に接しており、半導体ウェハ21の主面21aは露出している。グラインド工程では、まず、図8a、bに示すように、半導体ウェハ21の主面21aが上を向いた状態で積層体83を固定する。次に、半導体ウェハ21を主面21a側から溝29aの底面の位置に研削面が達するまでグラインダー85によりバックグラインド研削して、図8cに示すように複数の半導体チップ27を得る。バックグラインドに際しては、例えば、ディスコ社製バックグラインド装置を用いることができる。半導体チップ27の厚さは、例えば5~700μmである。以上の個片化工程により、互いに間隔をおいて配置された複数の半導体チップ27と、当該複数の半導体チップ27の主面27aに貼り付けられたバックグラインドテープ81とを備える積層体89が得られる。後続の貼り付け工程では、第1実施形態における積層体35に代えて積層体89が用いられ、積層体89における半導体チップ27の主面27bに積層シート100が貼り付けられる。[第3実施形態]第3実施形態に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法では、貼り付け工程が第1,2実施形態と異なり、その他の工程個片化工程、露光工程、ピックアップ工程等については第1実施形態や第2実施形態と同様である。図9,10を用いて貼り付け工程を説明する。貼り付け工程は、第1貼り付け工程と、第2貼り付け工程とを有している。貼り付け工程では、第1貼り付け工程において、接着フィルム110を半導体チップ27に貼り付けた後に、第2貼り付け工程において、粘着フィルム120を接着フィルム110に貼り付ける。以下、各工程について説明する。第1貼り付け工程では、まず、基材フィルム140と、基材フィルム140に貼り付けられた接着フィルム110とを備える積層シート200を準備する。また、第1実施形態における積層体35、又は、第2実施形態における積層体89を準備する。以下では、一例として、積層体35を用いた工程について説明する。次に、積層体35の半導体チップ27の主面27bが上を向いた状態で積層体35をラミネータ41にウェハリング43を用いて固定する。続いて、図9a、bに示すように、半導体チップ27の主面27bと積層シート200の接着フィルム110とが接するように、半導体チップ27に積層シート200をラミネートして積層体91を得る。そして、図9cに示すように、接着フィルム110から基材フィルム140を剥離することにより積層体93を得る。第2貼り付け工程では、まず、基材フィルム130と、基材フィルム130に貼り付けられた粘着フィルム120とを備える積層シート300を準備する。次に、積層体93の接着フィルム110が上を向いた状態で積層体93をラミネータ41に固定する。続いて、図10a、bに示すように、接着フィルム110と積層シート300の粘着フィルム120とが接するように、接着フィルム110に積層シート300をラミネートして積層体95を得る。積層体95において、粘着フィルム120は、接着フィルム110を挟んで半導体チップ27の反対側において接着フィルム110に貼り付けられている。そして、図10cに示すように、半導体チップ27からダイシングテープ23を剥離することにより、図4に示す積層体の構造と同様の構造を有する積層体55が得られる。後続の露光工程及びピックアップ工程は、第1実施形態や第2実施形態と同様である。なお、接着剤層付き半導体チップの製造方法は上記に限られるものではない。例えば、露光工程においては、半導体チップ27における光源61側の主面にダイシングテープ23やバックグラインドテープ81が貼り付けられた状態で接着フィルム110及び粘着フィルム120に光Lを照射してもよい。この場合、ダイシングテープ23やバックグラインドテープ81として光Lを透過するテープを用いればよい。[半導体装置の製造方法]本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上記接着剤層付き半導体チップの製造方法により上記接着剤層付き半導体チップ75を得る工程と、実装工程と、を備える。実装工程では、図11に示すように、接着剤層付き半導体チップ75の半導体チップ27を、当該接着剤層付き半導体チップ75の未露光部分115b接着剤層を介して実装基板半導体搭載用支持部材97に接着して半導体装置99を得る。実装工程は、例えば、50~150°Cで0.1~10秒間加熱する条件で行われる。実装基板97としては、例えば、他の半導体チップ;42アロイリードフレーム及び銅リードフレーム等のリードフレーム;エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂及びマレイミド系樹脂等から形成された樹脂フィルム;ガラス不織布、又はガラス織布にエポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂及びマレイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸しこれを硬化させて得られる基板;ガラス基板;アルミナ等のセラミックス基板が挙げられる。"