n型電極と、前記n型電極の下面に形成されて、前記n型電極と接する表面にN元素よりGa元素が多く含有されたGaN層を有するn型窒化ガリウム層と、前記n型窒化ガリウム層の下面に形成された活性層と、前記活性層の下面に形成されたp型窒化ガリウム層と、前記p型窒化ガリウム層の下面に形成されたp型電極と、前記p型電極の下面に形成された構造支持層と、を含む縦型発光ダイオード素子。前記n型電極は、Ti、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる単一膜で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の縦型発光ダイオード素子。前記n型電極は、Ti、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる膜を含んで、二層以上に積層されている多層膜で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の縦型発光ダイオード素子。前記n型窒化ガリウム層のGaN層は、前記n型電極と接するn型窒化ガリウム層の表面にレーザー処理を行って形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子。前記n型窒化ガリウム層のGaN層は、前記n型電極と接するn型窒化ガリウム層の表面に熱処理を行って形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子。前記p型電極は、導電性反射部材で形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子。前記n型電極と接する前記GaN層の表面は、凹凸構造を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子。基板上にn型窒化ガリウム層、活性層及びp型窒化ガリウム層が順次積層されている発光構造物を形成するステップと、前記発光構造物上にp型電極を形成するステップと、前記p型電極上に構造支持層を形成するステップと、前記基板を除去して、前記n型窒化ガリウム層を露出させるステップと、露出した前記n型窒化ガリウム層の表面にレーザー処理を行って、表面から下へ順次積層されたGa層とGaN層を形成するステップと、レーザー処理した前記n型窒化ガリウム層の表面上にn型電極を形成するステップと、を含む縦型発光ダイオード素子の製造方法。前記レーザー処理を、GaNのエネルギーバンドギャップ以上のエネルギーを有する波長のレーザーを利用して行うことを特徴とする請求項8に記載の縦型発光ダイオード素子の製造方法。基板上にn型窒化ガリウム層、活性層及びp型窒化ガリウム層が順次積層されている発光構造物を形成するステップと、前記発光構造物上にp型電極を形成するステップと、前記p型電極上に構造支持層を形成するステップと、前記基板を除去して、前記n型窒化ガリウム層を露出させるステップと、露出した前記n型窒化ガリウム層の表面に熱処理を行って、表面から下へ順次積層されたGa層とGaN層を形成するステップと、熱処理された前記n型窒化ガリウム層の表面上にn型電極を形成するステップと、を含む縦型発光ダイオード素子の製造方法。前記熱処理を、500°C以上の温度で行うことを特徴とする請求項10に記載の縦型発光ダイオード素子の製造方法。前記n型電極を、Ti、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる単一膜で形成することを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子の製造方法。前記n型電極を、Ti、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる膜を含んで、二層以上に積層されている多層膜で形成することを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子の製造方法。前記p型電極を、導電性反射部材で形成することを特徴とする請求項8から13のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子の製造方法。前記n型電極を形成するステップの前に、前記n型窒化ガリウム層の表面に凹凸構造を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項8から14のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子の製造方法。前記n型窒化ガリウム層の表面上にn型電極を形成するステップの前に前記Ga層を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項8から15のいずれか1項に記載の縦型発光ダイオード素子の製造方法。そこで、本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、縦型LED素子において、n型電極とn型窒化ガリウム層のコンタクト抵抗を軽減し、熱的安定性を向上させることができる縦型LED素子を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記の縦型LED素子の製造方法を提供することにある。上記の目的を達成すべく、本発明に係る縦型LED素子は、n型電極と、前記n型電極の下面に形成されて、前記n型電極と接する表面にN元素よりGa元素が多く含有されたGaN層を有するn型窒化ガリウム層と、前記n型窒化ガリウム層の下面に形成された活性層と、前記活性層の下面に形成されたp型窒化ガリウム層と、前記p型窒化ガリウム層の下面に形成されたp型電極と、前記p型電極の下面に形成された構造支持層と、を含む。また、前記本発明の縦型LED素子において、前記n型電極は、Ti、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる単一膜で形成されるか、又はTi、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる膜を含んで、二層以上に積層されている多層膜で形成されていることが好ましい。また、前記本発明の縦型LED素子において、前記n型窒化ガリウム層のGaN層は、前記n型電極と接するn型窒化ガリウム層の表面にレーザー処理又は熱処理して形成することができる。また、前記本発明の縦型LED素子において、前記p型電極は、導電性反射部材で形成されていることが好ましい。また、前記本発明の縦型LED素子において、前記n型電極と接する前記GaN層の表面は、光抽出効率を向上させるために凹凸構造を有することが好ましい。上記の目的を達成すべく、本発明の他の態様に係る縦型LED素子の製造方法は、基板上にn型窒化ガリウム層、活性層及びp型窒化ガリウム層が順次積層されている発光構造物を形成するステップと、前記発光構造物上にp型電極を形成するステップと、前記p型電極上に構造支持層を形成するステップと、前記基板を除去して、前記n型窒化ガリウム層を露出させるステップと、露出した前記n型窒化ガリウム層の表面にレーザー処理を行って、表面から下へ順次積層されたGa層とGaN層を形成するステップと、レーザー処理した前記n型窒化ガリウム層の表面上にn型電極を形成するステップと、を含む。また、前記本発明の縦型LED素子の製造方法において、前記レーザー処理は、GaNのエネルギーバンドギャップ以上のエネルギーを有する波長のレーザーを利用して行うことが好ましい。また、前記本発明の縦型LED素子の製造方法は、前記レーザー処理されたn型窒化ガリウム層の表面上にn型電極を形成するステップの前に前記Ga層を除去するステップをさらに含むことが好ましい。上記の目的を達成すべく、本発明のさらに他の態様に係る縦型発光ダイオード素子の製造方法は、基板上にn型窒化ガリウム層、活性層及びp型窒化ガリウム層が順次積層されている発光構造物を形成するステップと、前記発光構造物上にp型電極を形成するステップと、前記p型電極上に構造支持層を形成するステップと、前記基板を除去して、前記n型窒化ガリウム層を露出させるステップと、露出した前記n型窒化ガリウム層の表面に熱処理を行って、表面から下へ順次積層されたGa層とGaN層を形成するステップと、熱処理された前記n型窒化ガリウム層の表面上にn型電極を形成するステップと、を含む。また、前記本発明の縦型LED素子の製造方法において、前記熱処理は、500°C以上の温度で行うことが好ましい。また、前記本発明の縦型LED素子の製造方法は、前記熱処理されたn型窒化ガリウム層の表面上にn型電極を形成するステップの前に前記Ga層を除去するステップをさらに含むことが好ましい。本発明の縦型LED素子によれば、n型電極と接触させられるn型窒化ガリウム層の表面にN元素よりGa元素が多く含有されたGaN層を形成して、n型窒化ガリウム層の表面の電子濃度を増加させることによって、前記n型電極とN-face又はN-polarの表面極性を有するn型窒化ガリウム層間の接触におけるショットキーバリアの高さを低くして、コンタクト抵抗を低くすることができる。また、前記n型電極のコンタクト抵抗が低くなると、その結果、素子の動作電圧も低くなって発熱量が減少するので、縦型LED素子の熱的安定性を向上させることができる。したがって、本発明には、縦型LED素子の特性及び信頼性を向上させることができるという利点がある。以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分に対しては、同一の図面符号を付してある。以下、本発明の一実施形態に係る縦型LED素子及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。縦型LED素子の構造図2を参照して、本発明の一実施形態に係る縦型LED素子の構造について詳細に説明する。図2は、本発明に係る縦型発光ダイオード素子の構造を示した断面図である。図2に示すように、本発明に係る縦型LED素子の最上部には、n型電極160が形成されている。このとき、前記n型電極160は、後述のGaN層の電子濃度をさらに増加させるために、窒化物を形成するTi、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる単一膜又はTi、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる膜を含んで、二層以上に積層されている多層膜で形成されることが好ましい。前記多層膜の例としては、Ti/Al/Ti/Au又はTi/Al、Ta/Al/Ti/Au、Ti/Au、TiTa/Auなどがある。前記n型電極160の下面には、n型窒化ガリウム層110が形成されている。一方、一般に縦型LED素子において、前記n型窒化ガリウム層110は、サファイア基板上にエピタキシャル成長法を利用して形成された後、サファイア基板が除去されることによって、前記n型電極160と接する表面にN-face又はN-polarの表面極性を有する。しかしながら、N-face又はN-polarの表面極性を有するn型窒化ガリウム層110の表面上にn型電極160が位置すると、従来と同様に、n型電極160のコンタクト抵抗が高まり、これによって素子の動作電圧が大きくなって発熱量が増加するという問題がある。そこで、本発明は、上記のような問題を解決するために、前記n型電極160と接するn型窒化ガリウム層110の表面がN元素よりGa元素が多く含有されたGaN層110cからなっている。すなわち、前記GaN層110cは、前記n型電極160と接するn型窒化ガリウム層110の表面の電子濃度を増加させる機能を果たす。言い換えれば、前記n型窒化ガリウム層110は、前記n型電極160の下面を基準に下へN元素よりGa元素が多く含有されたGaN層110cとGaN層110aが順次積層されている構造に形成されている。前記GaN層110cは、n型窒化ガリウム層110をなすGaN層110aのn型電極160と隣接した表面にレーザー処理又は熱処理を施して、GaNをGa元素とN元素に分離することによって形成される。上記のように、前記n型電極160と接するn型窒化ガリウム層110の表面が電子の濃度の高いGaN層110cからなると、前記n型電極160と接触する際に、ショットキーバリアSchottkybarrierの高さが低くなり、コンタクト抵抗が低くなるという効果が得られ、その結果、縦型LED素子の熱的安定性を向上させることができる。一方、図示していないが、前記n型電極160と接するn型窒化ガリウム層110の表面、すなわち、GaN層110cの表面は、光抽出効率を増加させるために凹凸構造を有することが好ましい。前記n型窒化ガリウム層110の下面には、下方に向かって、活性層120及びp型窒化ガリウム層130が順次積層されて、LED発光構造物をなしている。前記LED発光構造物のうち、p型窒化ガリウム層130は、p型不純物のドーピングされたGaN層又はGaN/AlGaN層であって良く、活性層120は、InGaN/GaN層で構成された多重量子井戸構造Multi-QuantumWellであって良い。前記LED発光構造物のp型窒化ガリウム層130の下面には、p型電極140が形成されている。前記p型電極140は、電極機能及び反射機能を同時に担うものであることが好ましく、したがって、導電性反射部材で形成されていることが好ましい。一方、図示していないが、前記p型窒化ガリウム層130の下面には、下方に向かって、p型電極140に加えて反射膜が順次積層されている構造を有することもできる。前記p型電極140の下面には、導電性接合層図示せずにより構造支持層150が接合されている。このとき、前記構造支持層150は、最終的なLED素子の支持層及び電極としての機能を担うものであって、シリコンSi基板、GaAs基板、Ge基板又は金属層などからなる。ここで、前記金属層としては、電解メッキ、無電解メッキ、熱蒸着Thermalevaporator、電子線蒸着e-beamevaporator、スパッタSputter、化学気相蒸着CVDなどの手法により形成されたものを使用可能である。縦型LED素子の製造方法本発明の一実施形態に係る縦型LED素子の製造方法について、図3A~図3F及び上述の図2を参照して詳細に説明する。図3A~図3Fは、本発明の一実施形態に係る縦型LED素子の製造方法の各工程を順次示した断面図である。まず、図3Aに示すように、基板100上にn型窒化ガリウム層110、多重井戸構造のGaN/InGaN層である活性層120、及びp型窒化ガリウム層130が順次積層されている構造のLED発光構造物を形成する。このとき、前記LED発光構造物が形成される基板100は、好ましくは、サファイアを含む透明な材料を利用して形成し、サファイアの他に、基板100は、ジンクオキサイドzincoxide、ZnO、ガリウムナイトライドgalliumnitride、GaN、シリコンカーバイドsiliconcarbide、SiC及びアルミニウムナイトライドaluminumnitride、AlNで形成することもできる。また、前記n型窒化ガリウム層110、p型窒化ガリウム層130及び活性層120は、MOCVD工程のような公知の窒化物蒸着工程を介して形成することができる。一方、前記活性層120は、一つの量子井戸層又はダブルヘテロ構造に形成さすることもできる。その後、図3Bに示すように、前記LED発光構造物上に、すなわち、p型窒化ガリウム層130上にp型電極140及び構造支持層150を順次形成する。一方、本発明に係る前記p型電極140は、導電性反射部材からなることが好ましく、これは、構造支持層150に活性層120から生成された光が吸収されて消滅することを防止するためである。このとき、前記構造支持層150は、最終的なLED素子の支持層及び電極としての機能を果たすものであって、シリコンSi基板、GaAs基板、Ge基板又は金属層などで形成でき、ここで、前記金属層は、電解メッキ、無電解メッキ、熱蒸着、電子線蒸着、スパッタ、化学気相蒸着などの手法により形成可能である。次に、図3Cに示すように、前記基板100とLED発光構造物、すなわち、n型窒化ガリウム層110を分離して、n型窒化ガリウム層110を露出させる。このとき、前記基板100は、LLOLaserLift-Off、CLOChemicalLift-Off、CMPChemicalMechanicalPolishingなどの方法を利用して除去する。その後、図3Dに示すように、露出した前記n型窒化ガリウム層110の表面を矢印方向に表面の一部厚さまでレーザー処理又は熱処理する。このとき、レーザー処理又は熱処理される一部厚さは、n型窒化ガリウム層110の表面のみを改質することで、数百nm以下の厚さであることが好ましい。前記レーザー処理は、GaNのエネルギーバンドギャップEg=3.3eV以上のエネルギーを有する波長のレーザーを利用して行うことが好ましく、さらに具体的には、248nmのKrFレーザー5eV又は193nmのArFレーザー6.4eVを使用する。また、前記熱処理は、前記n型窒化ガリウム層110をなすGaNをGa元素とN元素とに分離できるように、500°C以上の温度で行うことが好ましい。すると、図3Eに示すように、前記n型窒化ガリウム層110が、n型電極160と接する表面から下方に向かって、Ga層110b、GaN層110c及びGaN層110aが順次積層されている構造を有するようになる。このとき、前記GaN層110cは、分離されたN元素がGa層110bを通じて蒸発することにより、窒素空孔N-vacancyが生じることによって形成されている。すなわち、前記GaN層110cは、電子の濃度が増加させられたn型窒化ガリウム層110の一部分である。その後、図3Fに示すように、前記Ga層110bをHClなどの化学溶液を利用して除去する。ただし、これは、必須ではなく、後述のn型電極160との密着力を良好にするために行うものである。その後、前記Ga層110bが除去されて露出したGaN層110cの上面にn型電極160を形成する図2参照。特に、本発明に係る前記n型電極160は、その下に位置するGaN層110cの電子濃度を増加させるために、窒化物を形成するTi、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる単一膜又はTi、Ta及びZrからなるグループから選択された何れか一つ以上の金属からなる膜を含んで、二層以上に積層されている多層膜で形成されることが好ましい。前記多層膜の一例としては、Ti/Al/Ti/Au又はTi/Al、Ta/Al/Ti/Au、Ti/Au、TiTa/Auなどがある。上述した本発明の好ましい実施形態は、例示の目的のために開示しているものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、本発明の範囲内に属するものである。