"内部にマイクロ波放射空間を有するとともに被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器内で被処理体を支持する支持部と、前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、を備えたマイクロ波加熱処理装置であって、前記処理容器は、上壁、底壁及び側壁を有するとともに、前記側壁の水平断面形状が4つの直線部分を有し、前記マイクロ波導入装置は、前記複数のマイクロ波源として、第1ないし第4のマイクロ波源を有し、前記上壁は、前記第1ないし第4のマイクロ波源の各々において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する第1ないし第4のマイクロ波導入ポートを有しており、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、それぞれ、長辺と短辺とを有する平面視矩形をなし、各マイクロ波導入ポートは、その長辺が、前記4つの直線部分のうち、少なくとも1つと平行になるように配置されており、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、前記支持部に支持された被処理体と垂直方向に重ならないように被処理体より外側に外れた位置に設けられ、各マイクロ波導入ポートの直下に、マイクロ波を被処理体の方向へ反射させる傾斜部が対向して設けられていることを特徴とするマイクロ波加熱処理装置。前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、互いに90°角度を変えた回転位置に配置され、前記直線部分は、それぞれ、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートのいずれかに対応して設けられていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波加熱処理装置。前記側壁は、水平断面形状が前記4つの直線部分と、各直線部分の間に介在する曲線部分と、を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のマイクロ波加熱処理装置。前記傾斜部が、被処理体を囲むようにその周囲に設けられている請求項1ないし3のいずれか1項に記載のマイクロ波加熱処理装置。前記マイクロ波放射空間は、前記上壁と、前記側壁と、前記上壁と前記底壁との間に設けられた仕切り部と、によって画定されており、前記傾斜部は、前記仕切り部に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のマイクロ波加熱処理装置。前記傾斜部は、前記被処理体の高さを基準位置として、該基準位置よりも上方位置と下方位置を含む斜面を有していることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のマイクロ波加熱処理装置。内部にマイクロ波放射空間を有するとともに被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器内で被処理体を支持する支持部と、前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、を備えたマイクロ波加熱処理装置を用いて前記被処理体を加熱処理する処理方法であって、前記処理容器は、上壁、底壁及び側壁を有するとともに、前記側壁の水平断面形状が4つの直線部分を有し、前記マイクロ波導入装置は、前記複数のマイクロ波源として、第1ないし第4のマイクロ波源を有し、前記上壁は、前記第1ないし第4のマイクロ波源の各々において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する第1ないし第4のマイクロ波導入ポートを有しており、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、それぞれ、長辺と短辺とを有する平面視矩形をなし、各マイクロ波導入ポートは、その長辺が、前記4つの直線部分のうち、少なくとも1つと平行になるように配置されており、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、前記支持部に支持された被処理体と垂直方向に重ならないように被処理体より外側に外れた位置に設けられ、各マイクロ波導入ポートの直下に、マイクロ波を被処理体の方向へ反射させる傾斜部が対向して設けられていることを特徴とする処理方法。ところで、マイクロ波加熱によってドーピング原子の活性化を行う場合、ある程度大きな電力を供給する必要がある。そのためには、複数のマイクロ波導入ポートを設けて処理容器内にマイクロ波を導入する方法が効率的である。ところが、複数のマイクロ波導入ポートを設けた場合、一つのマイクロ波導入ポートから導入されたマイクロ波が、他のマイクロ波導入ポートへ進入することによって、電力の利用効率及び加熱効率が低下してしまう、という問題があった。また、マイクロ波加熱の場合、マイクロ波導入ポートの直下に位置する半導体ウエハにマイクロ波が直接的に照射されると、半導体ウエハの面内で局所的な加熱ムラが生じてしまう、という問題もあった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電力の利用効率及び加熱効率に優れ、被処理体に対して均一な処理を行うことを可能にするマイクロ波加熱処理装置および処理方法を提供することにある。本発明のマイクロ波加熱処理装置は、内部にマイクロ波放射空間を有するとともに被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器内で被処理体を支持する支持部と、前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、を備えている。本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記処理容器は、上壁、底壁及び側壁を有するとともに、前記側壁の水平断面形状が4つの直線部分を有し、前記マイクロ波導入装置は、前記複数のマイクロ波源として、第1ないし第4のマイクロ波源を有しており、前記上壁は、前記第1ないし第4のマイクロ波源の各々において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する第1ないし第4のマイクロ波導入ポートを有している。本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、それぞれ、長辺と短辺とを有する平面視矩形をなし、各マイクロ波導入ポートは、その長辺が、前記4つの直線部分のうち、少なくとも1つと平行になるように配置されている。また、本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、前記支持部に支持された被処理体と垂直方向に重ならないように被処理体より外側に外れた位置に設けられ、各マイクロ波導入ポートの直下に、マイクロ波を被処理体の方向へ反射させる傾斜部が対向して設けられている。本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、互いに90°角度を変えた回転位置に配置され、前記直線部分は、それぞれ、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートのいずれかに対応して設けられていてもよい。本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記側壁は、水平断面形状が前記4つの直線部分と、各直線部分の間に介在する曲線部分と、を含んでいてもよい。本発明のマイクロ波加熱処理装置は、前記傾斜部が、被処理体を囲むようにその周囲に設けられていてもよい。本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記マイクロ波放射空間は、前記上壁と、前記側壁と、前記上壁と前記底壁との間に設けられた仕切り部と、によって画定されており、前記傾斜部は、前記仕切り部に設けられていてもよい。また、前記傾斜部は、前記被処理体の高さを基準位置として、該基準位置よりも上方位置と下方位置を含む斜面を有していてもよい。本発明の処理方法は、内部にマイクロ波放射空間を有するとともに被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器内で被処理体を支持する支持部と、前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、を備えたマイクロ波加熱処理装置を用いて前記被処理体を加熱処理する。本発明の処理方法において、前記処理容器は、上壁、底壁及び側壁を有するとともに、前記側壁の水平断面形状が4つの直線部分を有し、前記マイクロ波導入装置は、前記複数のマイクロ波源として、第1ないし第4のマイクロ波源を有し、前記上壁は、前記第1ないし第4のマイクロ波源の各々において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する第1ないし第4のマイクロ波導入ポートを有している。本発明の処理方法において、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、それぞれ、長辺と短辺とを有する平面視矩形をなし、各マイクロ波導入ポートは、その長辺が、前記4つの直線部分のうち、少なくとも1つと平行になるように配置されている。また、本発明の処理方法において、前記第1ないし第4のマイクロ波導入ポートは、前記支持部に支持された被処理体と垂直方向に重ならないように被処理体より外側に外れた位置に設けられ、各マイクロ波導入ポートの直下に、マイクロ波を被処理体の方向へ反射させる傾斜部が対向して設けられている。本発明のマイクロ波加熱処理装置および処理方法では、処理容器内に放射されたマイクロ波の損失が低減され、電力の利用効率及び加熱効率に優れている。また、本発明によれば、被処理体に対して均一な加熱処理を行うことが可能になる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず、図1を参照して、本発明の一実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成を示す断面図である。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1は、連続する複数の動作を伴って、例えば半導体デバイス製造用の半導体ウエハ以下、単にウエハと記す。Wに対して、マイクロ波を照射してアニール処理を施す装置である。マイクロ波加熱処理装置1は、被処理体であるウエハWを収容する処理容器2と、処理容器2内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置3と、処理容器2内においてウエハWを支持する支持装置4と、処理容器2内にガスを供給するガス供給機構5と、処理容器2内を減圧排気する排気装置6と、これらマイクロ波加熱処理装置1の各構成部を制御する制御部8とを備えている。<処理容器>処理容器2は、金属材料によって形成されている。処理容器2を形成する材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等が用いられる。処理容器2は、内部が空洞をなし、上壁としての板状の天井部11および底壁としての底部13と、天井部11と底部13とを連結する側壁としての側壁部12と、天井部11を上下に貫通するように設けられた複数のマイクロ波導入ポート10と、側壁部12に設けられた搬入出口図示省略と、底部13に設けられた排気口13aとを有している。搬入出口は、処理容器2に隣接する図示しない搬送室との間でウエハWの搬入出を行うためものである。処理容器2と搬送室との間には、ゲートバルブ図示省略が設けられている。ゲートバルブは、搬入出口を開閉する機能を有し、閉状態で処理容器2を気密にシールすると共に、開状態で処理容器2と図示しない搬送室との間でウエハWの移送を可能にする。なお、側壁部12の形状については、後で詳しく説明する。マイクロ波導入装置3は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段として機能する。マイクロ波導入装置3の構成については、後で詳しく説明する。<支持装置>支持装置4は、処理容器2内に配置された板状且つ中空のリフト板15と、リフト板15の上面から上方に延びる管状の複数の支持ピン14と、リフト板15の下面から底部13を貫通して処理容器2の外部まで延びる管状のシャフト16とを有している。シャフト16は、処理容器2の外部において図示しないアクチュエータに固定されている。複数の支持ピン14は、処理容器2内においてウエハWに当接してウエハWを支持するためのものである。複数の支持ピン14は、その上端部がウエハWの周方向に並ぶように配置されている。また、複数の支持ピン14、リフト板15およびシャフト16は、図示しないアクチュエータによってウエハWを上下に変位させることができるように構成されている。また、複数の支持ピン14、リフト板15およびシャフト16は、排気装置6によってウエハWを複数の支持ピン14に吸着させることができるように構成されている。具体的には、複数の支持ピン14およびシャフト16は、それぞれリフト板15の内部空間に連通する管状の形状を有している。また、複数の支持ピン14の上端部には、ウエハWの裏面を吸引するための吸着孔が形成されている。複数の支持ピン14およびリフト板15は、誘電体材料によって形成されている。複数の支持ピン14およびリフト板15を形成する材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。<排気機構>マイクロ波加熱処理装置1は、更に、排気口13aと排気装置6とを接続する排気管17と、シャフト16と排気管17とを接続する排気管18と、排気管17の途中に設けられた圧力調整バルブ19と、排気管18の途中に設けられた開閉バルブ20および圧力計21とを備えている。排気管18は、シャフト16の内部空間に連通するように、シャフト16に直接または間接的に接続されている。圧力調整バルブ19は、排気口13aと排気管17,18の接続点との間に設けられている。排気装置6は、ドライポンプ等の真空ポンプを有している。排気装置6の真空ポンプを作動させることにより、処理容器2の内部空間が減圧排気される。このとき、開閉バルブ20を開状態にすることにより、ウエハWの裏面を吸引して、ウエハWを複数の支持ピン14に吸着させて固定することができる。なお、排気装置6としてドライポンプ等の真空ポンプを用いる替わりに、マイクロ波加熱処理装置1が設置される施設に設けられた排気設備を用いることも可能である。<ガス導入機構>マイクロ波加熱処理装置1は、更に、処理容器2内にガスを供給するガス供給機構5を備えている。ガス供給機構5は、図示しないガス供給源を備えたガス供給装置5aと、処理容器2内においてウエハWが配置される予定の位置の下方に配置されたシャワーヘッド部22と、シャワーヘッド部22と側壁部12との間に配置された環状をした整流板23と、シャワーヘッド部22とガス供給装置5aとを接続する配管24と、ガス供給装置5aに接続され、処理容器2内に処理ガスを導入する複数の配管25とを備えている。シャワーヘッド部22及び整流板23は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等の金属材料によって形成されている。シャワーヘッド部22は、ウエハWに対して比較的低温の処理が施される場合に、冷却ガスによってウエハWを冷却するためのものである。シャワーヘッド部22は、配管24に連通するガス通路22aと、ガス通路22aに連通し、ウエハWに向かって冷却ガスを噴出する複数のガス噴出孔22bとを有している。図1に示した例では、複数のガス噴出孔22bは、シャワーヘッド部22の上面側に形成されている。なお、シャワーヘッド部22は、マイクロ波加熱処理装置1における必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。整流板23は、整流板23を上下に貫通するように設けられた複数の整流孔23aを有している。整流板23は、処理容器2内においてウエハWが配置される予定の領域の雰囲気を整流しながら排気口13aに向かって流すためのものである。整流板23の上面天井部11と対向する面には、傾斜部23Aが設けられている。傾斜部23Aの詳細な構成については、後述する。ガス供給装置5aは、処理ガスまたは冷却ガスとして、例えば、N2、Ar、He、Ne、O2、H2等のガスを供給できるように構成されている。なお、処理容器2内にガスを供給する手段としては、ガス供給装置5aの代りに、マイクロ波加熱処理装置1の構成には含まれない外部のガス供給装置を使用してもよい。図示しないが、マイクロ波加熱処理装置1は、更に、配管24,25の途中に設けられたマスフローコントローラおよび開閉バルブを備えている。シャワーヘッド部22および処理容器2内に供給されるガスの種類や、これらのガスの流量等は、マスフローコントローラおよび開閉バルブによって制御される。<マイクロ波放射空間>本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1では、処理容器2内において、天井部11、4つの側壁部12、シャワーヘッド部22及び整流板23で区画される空間がマイクロ波放射空間Sを形成している。このマイクロ波放射空間Sには、天井部11に設けられた複数のマイクロ波導入ポート10からマイクロ波が放射される。ここで、シャワーヘッド部22及び整流板23は、上述の機能に加え、処理容器2内でマイクロ波放射空間Sの下端を規定する仕切り部としての役割を兼ねている。処理容器2の天井部11、4つの側壁部12、シャワーヘッド部22及び整流板23は、いずれも金属材料によって形成されているため、マイクロ波を反射し、マイクロ波放射空間S内に散乱させる。<温度計測部>マイクロ波加熱処理装置1は、更に、ウエハWの表面温度を測定する複数の放射温度計26と、複数の放射温度計26に接続された温度計測部27とを備えている。なお、図1では、ウエハWの中央部の表面温度を測定する放射温度計26を除いて、複数の放射温度計26の図示を省略している。複数の放射温度計26は、その上端部がウエハWの裏面に接近するように、底部13からウエハWが配置される予定の位置に向かって延びている。<マイクロ波導入装置>次に、図1及び図2を参照して、マイクロ波導入装置3の構成について説明する。図2は、マイクロ波導入装置3の高電圧電源部の概略の構成を示す説明図である。前述のように、マイクロ波導入装置3は、処理容器2の上部に設けられ、処理容器2内に電磁波マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段として機能する。図1に示したように、マイクロ波導入装置3は、マイクロ波を処理容器2に導入する複数のマイクロ波ユニット30と、複数のマイクロ波ユニット30に接続された高電圧電源部40とを備えている。マイクロ波ユニット本実施の形態では、複数のマイクロ波ユニット30の構成は全て同一である。各マイクロ波ユニット30は、ウエハWを処理するためのマイクロ波を生成するマグネトロン31と、マグネトロン31において生成されたマイクロ波を処理容器2に伝送する導波管32と、マイクロ波導入ポート10を塞ぐように天井部11に固定された透過窓33とを有している。マグネトロン31は、本発明におけるマイクロ波源に対応する。マグネトロン31は、高電圧電源部40によって供給される高電圧が印加される陽極および陰極いずれも図示省略を有している。また、マグネトロン31としては、種々の周波数のマイクロ波を発振することができるものを用いることができる。マグネトロン31によって生成されるマイクロ波は、被処理体の処理毎に最適な周波数を選択し、例えばアニール処理においては、2.45GHz、5.8GHz等の高い周波数のマイクロ波であることが好ましく、5.8GHzのマイクロ波であることが特に好ましい。導波管32は、断面が矩形且つ角筒状の形状を有し、処理容器2の天井部11の上面から上方に延びている。マグネトロン31は、導波管32の上端部の近傍に接続されている。導波管32の下端部は、透過窓33の上面に接している。マグネトロン31において生成されたマイクロ波は、導波管32および透過窓33を介して処理容器2内に導入される。透過窓33は、誘電体材料によって形成されている。透過窓33の材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。透過窓33と天井部11との間は、図示しないシール部材によって気密にシールされている。透過窓33の下面から支持ピン14に支持されたウエハWの表面の高さまでの垂直距離ギャップGは、ウエハWへマイクロ波が直接放射されることを抑制する観点から、例えば25mm以上が好ましく、25~50mmの範囲内がより好ましい。マイクロ波ユニット30は、更に、導波管32の途中に設けられたサーキュレータ34、検出器35およびチューナ36と、サーキュレータ34に接続されたダミーロード37とを有している。サーキュレータ34、検出器35およびチューナ36は、導波管32の上端部側からこの順に設けられている。サーキュレータ34およびダミーロード37は、処理容器2からの反射波を分離するアイソレータを構成する。すなわち、サーキュレータ34は、処理容器2からの反射波をダミーロード37に導き、ダミーロード37は、サーキュレータ34によって導かれた反射波を熱に変換する。検出器35は、導波管32における処理容器2からの反射波を検出するためのものである。検出器35は、例えばインピーダンスモニタ、具体的には、導波管32における定在波の電界を検出する定在波モニタによって構成されている。定在波モニタは、例えば、導波管32の内部空間に突出する3本のピンによって構成することができる。定在波モニタによって定在波の電界の場所、位相および強さを検出することにより、処理容器2からの反射波を検出することができる。また、検出器35は、進行波と反射波を検出することが可能な方向性結合器によって構成されていてもよい。チューナ36は、マグネトロン31と処理容器2との間のインピーダンスを整合する機能を有している。チューナ36によるインピーダンス整合は、検出器35における反射波の検出結果に基づいて行われる。チューナ36は、例えば、導波管32の内部空間に出し入れすることができるように設けられた導体板図示省略によって構成することができる。この場合、導体板の、導波管32の内部空間への突出量を制御することにより、反射波の電力量を調整して、マグネトロン31と処理容器2との間のインピーダンスを調整することができる。高電圧電源部高電圧電源部40は、マグネトロン31に対してマイクロ波を生成するための高電圧を供給する。図2に示したように、高電圧電源部40は、商用電源に接続されたAC-DC変換回路41と、AC-DC変換回路41に接続されたスイッチング回路42と、スイッチング回路42の動作を制御するスイッチングコントローラ43と、スイッチング回路42に接続された昇圧トランス44と、昇圧トランス44に接続された整流回路45とを有している。マグネトロン31は、整流回路45を介して昇圧トランス44に接続されている。AC-DC変換回路41は、商用電源からの交流例えば、三相200Vの交流を整流して所定の波形の直流に変換する回路である。スイッチング回路42は、AC-DC変換回路41によって変換された直流のオンオフを制御する回路である。スイッチング回路42では、スイッチングコントローラ43によってフェーズシフト型のPWMPulseWidthModulation制御またはPAMPulseAmplitudeModulation制御が行われて、パルス状の電圧波形が生成される。昇圧トランス44は、スイッチング回路42から出力された電圧波形を所定の大きさに昇圧するものである。整流回路45は、昇圧トランス44によって昇圧された電圧を整流してマグネトロン31に供給する回路である。<側壁部の形状とマイクロ波導入ポートの配置>次に、図1、図3及び図4を参照して、本実施の形態における側壁部12の形状と、マイクロ波導入ポート10の配置との関係について詳しく説明する。図3は、図1に示した処理容器2の天井部11の下面を処理容器2の内部から見た状態を示している。また、図4は、一つのマイクロ波導入ポート10を拡大して示す平面図である。図3では、ウエハWの大きさと位置を2点鎖線で天井部11に重ねて示した。符号OはウエハWの中心を表し、かつ、本実施の形態では、天井部11の中心も表している。側壁部12は水平断面が4つの直線部分と、各直線部分の間に介在する4つの曲線部分と、を含む形状をなしている。側壁部12の内壁面は、マイクロ波を反射させる反射面としての機能を有している。図3では、説明の便宜上、天井部11と側壁部12の内壁面との境界において、4つの直線部分を区別して符号12A、12B、12C、12Dを付し、4つの曲線部分を区別して符号12E、12F、12G、12Hを付し、それらの位置を示している。図3に示す天井部11と側壁部12の内壁面との境界の形状は、側壁部12の水平断面形状に対応している。すなわち、図3における4つの直線部分12A、12B、12C、12Dは、側壁部12の水平断面における4つの直線部分に対応しており、4つの曲線部分12E、12F、12G、12Hは、側壁部12の水平断面における4つの曲線部分に対応している。従って、以下の説明では、4つの直線部分12A、12B、12C、12Dという表現に、側壁部12の水平断面形状における直線部分の意味も含め、4つの曲線部分12E、12F、12G、12Hという表現には、側壁部12の水平断面形状における曲線部分の意味も含める。側壁部12の内壁面において、4つの直線部分に相当する部分は平面であり、4つの曲線部分に相当する部分は、曲面である。図3における符号Mは、天井部11の中心Oと4つの直線部分12A、12B、12C、12Dの中点を通る中央線を示している。なお、ウエハWの中心と天井部11の中心とは必ずしも重ならなくてもよい。図3に示したように、本実施の形態では、天井部11において等間隔に配置された4つのマイクロ波導入ポート10を有している。以下、4つのマイクロ波導入ポート10を互いに区別して表す場合には、符号10A,10B,10C,10Dを付して表す。なお、本実施の形態では、各マイクロ波導入ポート10にそれぞれマイクロ波ユニット30が接続されている。つまり、マイクロ波ユニット30の数は4つである。マイクロ波導入ポート10は、長辺と短辺とを有する平面視矩形をなしている。マイクロ波導入ポート10の長辺の長さL1と短辺の長さL2との比L1/L2は、例えば1.2~3の範囲内であることが好ましく、1.5~2.5の範囲内であることがより好ましい。なお、比L1/L2>1である。前記比L1/L2を1.2~3の範囲内とするのは、マイクロ波導入ポート10から処理容器2内に放射されるマイクロ波の指向性を制御するためである。すなわち、この比L1/L2が1.2未満であると、マイクロ波導入ポート10の長辺と平行な方向短辺と垂直な方向へのマイクロ波の指向性と、マイクロ波導入ポート10の長辺と垂直な方向短辺と平行な方向へのマイクロ波の指向性との間であまり差がなくなる。一方、前記比L1/L2が3を超えると、マイクロ波導入ポート10の直下やマイクロ波導入ポート10の長辺と平行な方向へ向かうマイクロ波の指向性が弱くなりすぎるため、ウエハWの加熱効率が低下する場合がある。このように、本実施の形態では、前記比L1/L2を1.2~3の範囲内とすることによって、マイクロ波導入ポート10の長辺と垂直な方向へのマイクロ波の指向性を、マイクロ波導入ポート10の長辺と平行な方向へのマイクロ波の指向性に比べ、相対的に少し強くしておくことができる。なお、マイクロ波導入ポート10の長辺の長さL1は、例えば導波管32の管内波長λgに対して、L1=n×λg/2ここで、nは整数を意味するとすることが好ましく、n=2がより好ましい。各マイクロ波導入ポート10の大きさや、前記比L1/L2は、マイクロ波導入ポート10毎に異なっていてもよいが、ウエハWに対する加熱処理の均一性を高めるとともに制御性をよくする観点から、4つのマイクロ波導入ポート10のすべてが同じ大きさ及び形状であることが好ましい。本実施の形態では、4つのマイクロ波導入ポート10は、そのすべてがウエハWの直上から外れるように配置されている。すなわち、4つのマイクロ波導入ポート10は、いずれも、支持装置4に支持されたウエハWと垂直方向につまり、上下に重ならないように設けられている。本実施の形態において、4つのマイクロ波導入ポート10は、それぞれ、その長辺が、4つの直線部分12A、12B、12C、12Dの少なくとも1つと平行になるように設けられている。例えば、図3では、マイクロ波導入ポート10Aの長辺は、直線部分12A,12Cと平行である。比L1/L2が例えば1.2~3であるマイクロ波導入ポート10Aから放射されるマイクロ波の指向性は、その長辺に対して平行な方向よりも、相対的に、その長辺に対して垂直な方向に少し強くなる傾向がある。そして、マイクロ波導入ポート10Aから放射されたマイクロ波のうち、長辺に対して垂直な方向に向かうマイクロ波は、直線部分12A,12Cを有する内壁面によって反射される。直線部分12A,12Cを有する内壁面は、平坦であり、マイクロ波導入ポート10Aの長辺に対して平行に設けられているため、生成する反射波は、処理容器2内で分散する。このように、比L1/L2が例えば1.2~3である4つのマイクロ波導入ポート10を、それぞれの長辺が、4つの直線部分12A,12B,12C,12Dを有する側壁部12において、平坦な内壁面と平行になるように配置することで、マイクロ波導入ポート10から放射されるマイクロ波及びその反射波の方向を制御できる。また、本実施の形態では、上記比L1/L2が例えば1.2~3である4つのマイクロ波導入ポート10は、互いに90°角度を変えた回転位置に配置されている。つまり、4つのマイクロ波導入ポート10は、天井部11の中心Oを基準に回転対称に配置されており、その回転角は90°である。このように、4つのマイクロ波導入ポート10を天井部11の中心Oを基準に対称な配置とすることによって、処理容器2内にマイクロ波を均等に導入することができる。なお、各マイクロ波導入ポート10の中心は、中央線Mとは重ならなくてもよい。従って、例えば、各マイクロ波導入ポート10を、中央線Mから大きく離れた位置に配置してもよい。しかし、処理容器2内へのマイクロ波の均等な導入を図るという観点から、各マイクロ波導入ポート10は、前記中央線Mに近接して配置することが好ましく、図3に示したように、少なくとも各マイクロ波導入ポート10の一部分が中央線Mに重なるように配置することがより好ましく、各マイクロ波導入ポート10の中心が中央線M上に重なることがより好ましい。以上、マイクロ波導入ポート10Aを例に挙げたが、マイクロ波導入ポート10B、10C、10Dについても、それぞれ他のマイクロ波導入ポート10及び側壁部12との間で、上記関係が成立するように配置されている。<傾斜部と各マイクロ波導入ポートの配置>次に、図1、図3及び図5を参照して、本実施の形態における傾斜部23Aの配置とマイクロ波導入ポート10の配置との関係について詳しく説明する。図5は、傾斜部23Aの作用を示す説明図である。上記のとおり、ガス供給機構5におけるシャワーヘッド部22及び整流板23は、マイクロ波放射空間Sの下端を規定する仕切り部としての役割を兼ねている。そして、整流板23は、マイクロ波をウエハWの方向へ反射させる傾斜部23Aを備えている。すなわち、ウエハWの周囲において、ウエハWを囲むように設けられた整流板23の上面は、ウエハW側内側から側壁部12側外側へ向けて拡開するように傾斜している。傾斜部23Aは、4つのマイクロ波導入ポート10と上下に対向して設けられている。本実施の形態では、ウエハWの周囲からその中心へマイクロ波を効率良く集中させるために、ウエハWの高さを基準位置P0として、該基準位置P0よりも上方位置P1と下方位置P2を含む斜面を有するように、整流板23の傾斜部23Aを設けている。すなわち、図5にも示すように、整流板23の傾斜した上面傾斜部23Aの上端は、支持ピン14に支持されたウエハWよりも上方に位置する上方位置P1。また、整流板23の傾斜した上面傾斜部23Aの下端は、支持ピン14に支持されたウエハWよりも下方に位置する下方位置P2。図5では、整流板23の傾斜部23Aで反射するマイクロ波の方向を電磁界ベクトル100,101によって模式的に示した。本実施の形態では、傾斜部23Aを4つのマイクロ波導入ポート10と上下に対向する位置に設けているため、傾斜部23Aにより、マイクロ波導入ポート10から放射されてマイクロ波放射空間S内を下方へつまり、処理容器2の天井部11側から整流板23側へ向かうマイクロ波を反射させて、ウエハWの中心へ向かう方向へ変化させることができる。このようにして、ウエハWの周囲からその中心へマイクロ波を集中させ、反射波を利用して加熱効率を高め、ウエハWの全面を均一に加熱することができる。傾斜部23Aの角度と幅は、側壁部12の内壁面に沿ってウエハWの全周囲において一定である。整流板23の上面傾斜部23Aの角度は、任意であり、各マイクロ波導入ポート10から放射されるマイクロ波を効率良くウエハW方向へ反射できる角度であればよい。具体的には、マイクロ波導入ポート10の配置、形状例えば、前記比L1/L2、ギャップGなどを勘案して適宜設定することができる。本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1では、整流板23に傾斜部23Aを設けることによって、別部材で傾斜部を設ける場合に比べ、部品点数を削減し、装置構成の簡素化を実現している。なお、傾斜部23Aは、例えば、各マイクロ波導入ポート10の直下に設ければよく、必ずしもウエハWの全周に亘って設ける必要はないが、処理容器2内でのマイクロ波の拡散によるウエハWの均一加熱を図る上では、ウエハWの全周に亘って設けることが好ましい。<制御部>マイクロ波加熱処理装置1の各構成部は、それぞれ制御部8に接続されて、制御部8によって制御される。制御部8は、典型的にはコンピュータである。図6は、図1に示した制御部8の構成を示す説明図である。図6に示した例では、制御部8は、CPUを備えたプロセスコントローラ81と、このプロセスコントローラ81に接続されたユーザーインターフェース82および記憶部83とを備えている。プロセスコントローラ81は、マイクロ波加熱処理装置1において、例えば温度、圧力、ガス流量、マイクロ波出力等のプロセス条件に関係する各構成部例えば、マイクロ波導入装置3、支持装置4、ガス供給装置5a、排気装置6、温度計測部27等を統括して制御する制御手段である。ユーザーインターフェース82は、工程管理者がマイクロ波加熱処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネル、マイクロ波加熱処理装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。記憶部83には、マイクロ波加熱処理装置1で実行される各種処理をプロセスコントローラ81の制御によって実現するための制御プログラムソフトウエアや、処理条件データ等が記録されたレシピ等が保存されている。プロセスコントローラ81は、ユーザーインターフェース82からの指示等、必要に応じて、任意の制御プログラムやレシピを記憶部83から呼び出して実行する。これにより、プロセスコントローラ81による制御下で、マイクロ波加熱処理装置1の処理容器2内において所望の処理が行われる。上記の制御プログラムおよびレシピは、例えば、CD-ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、DVD、ブルーレイディスク等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用することができる。また、上記のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用することも可能である。[処理手順]次に、ウエハWに対してアニール処理を施す際のマイクロ波加熱処理装置1における処理の手順について説明する。まず、例えばユーザーインターフェース82から、マイクロ波加熱処理装置1においてアニール処理を行うように、プロセスコントローラ81に指令が入力される。次に、プロセスコントローラ81は、この指令を受けて、記憶部83またはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に保存されたレシピを読み出す。次に、レシピに基づく条件によってアニール処理が実行されるように、プロセスコントローラ81からマイクロ波加熱処理装置1の各エンドデバイス例えば、マイクロ波導入装置3、支持装置4、ガス供給装置5a、排気装置6等に制御信号が送出される。次に、ゲートバルブ図示省略が開状態にされて、図示しない搬送装置によって、ウエハWが、ゲートバルブおよび搬入出口図示省略を通って処理容器2内に搬入される。ウエハWは、支持ピン14の上に載置される。次に、ゲートバルブが閉状態にされて、排気装置6によって、処理容器2内が減圧排気される。このとき、開閉バルブ20が開状態にされて、ウエハWの裏面が吸引され、ウエハWが支持ピン14に吸着固定される。次に、ガス供給装置5aによって、所定の流量の処理ガスおよび冷却ガスが処理容器2内に導入される。処理容器2の内部空間は、排気量およびガス供給量を調整することによって、所定の圧力に調整される。次に、高電圧電源部40からマグネトロン31に対して電圧を印加してマイクロ波を生成する。マグネトロン31において生成されたマイクロ波は、導波管32を伝搬し、次に、透過窓33を透過して、処理容器2内におけるウエハWの上方の空間に導入される。本実施の形態では、複数のマグネトロン31において順次マイクロ波を生成し、各マイクロ波導入ポート10から交互にマイクロ波を処理容器2内に導入する。なお、複数のマグネトロン31において同時に複数のマイクロ波を生成させ、各マイクロ波導入ポート10から同時にマイクロ波を処理容器2内に導入するようにしてもよい。処理容器2に導入されたマイクロ波は、側壁部12において直線部12A,12B,12C,12Dを有する平坦な壁面部分や、傾斜部23Aによって反射され、効率よくウエハWに照射されて、ジュール加熱、磁性加熱、誘導加熱等の電磁波加熱により、ウエハWが迅速に加熱される。その結果、ウエハWに対してアニール処理が施される。プロセスコントローラ81からマイクロ波加熱処理装置1の各エンドデバイスにアニール処理を終了させる制御信号が送出されると、マイクロ波の生成が停止されると共に、処理ガスおよび冷却ガスの供給が停止されて、ウエハWに対するアニール処理が終了する。次に、ゲートバルブが開状態にされて、図示しない搬送装置によって、ウエハWが搬出される。マイクロ波加熱処理装置1は、例えば半導体デバイスの作製工程において、拡散層に注入されたドーピング原子の活性化を行うためのアニール処理などの目的で好ましく利用できる。<作用>次に、図3及び図7A,7Bを参照しながら、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置1およびマイクロ波加熱処理装置1を用いたウエハWの処理方法の作用効果について説明する。本実施の形態では、マイクロ波導入ポート10の特徴的な形状及び配置と、処理容器2の側壁部12の形状と、傾斜部23Aとの組み合わせによって、一つのマイクロ波導入ポート10から処理容器2内に放射されたマイクロ波が、他のマイクロ波導入ポート10へ進入することを極力抑制しながら、効率良くウエハWへ照射され、ウエハWを均一加熱できるように構成している。その原理は以下のとおりである。図7A、7Bは、前記比L1/L2が2であるマイクロ波導入ポート10におけるマイクロ波の放射指向性を模式的に示している。図7Aは、マイクロ波導入ポート10を天井部11図示せずの下方から見た状態を示している。図7Bは、マイクロ波導入ポート10を短辺方向における天井部11の断面において示したものである。図7A,7Bにおいて、矢印は、マイクロ波導入ポート10から放射される電磁界ベクトル100を示しており、矢印が長いほど、マイクロ波の指向性が強いことを示している。なお、図7A,7Bにおいて、X軸及びY軸は、いずれも天井部11の下面と平行な方向であり、X軸はマイクロ波導入ポート10の長辺に対し垂直な方向、Y軸はマイクロ波導入ポート10の長辺に対し平行な方向、Z軸は、天井部11の下面に対して垂直な方向を意味する。本実施の形態では、前述のように、天井部11に、長辺と短辺とを有する平面視矩形のマイクロ波導入ポート10を4つ配置している。そして、本実施の形態で用いる各マイクロ波導入ポート10は、比L1/L2を例えば1.2~3の範囲内、好ましくは1.5~2.5の範囲内としている。このため、図7Aに示すように、マイクロ波の指向性は、Y軸に沿って長辺と平行な方向よりも、X軸に沿って長辺と垂直な方向が相対的に少し強くなる。従って、あるマイクロ波導入ポート10から放射されたマイクロ波は、主に処理容器2の天井部11に沿って伝搬し、その長辺と平行な側壁部12の直線部分12A,12B,12C,12Dの内壁面を反射面として反射される。ここで、本実施の形態では、4つのマイクロ波導入ポート10の長辺は、4つの直線部分12A,12B,12C,12Dの平坦な内壁面と平行になるように設けられている。従って、4つの直線部分12A,12B,12C,12Dの平坦な内壁面で生成する反射波は、処理容器2内に分散し、ウエハWの電力吸収分布の改善に寄与する。また、比L1/L2が1.2~3の範囲内、好ましくは1.5~2.5の範囲内のマイクロ波導入ポート10では、図7Bに示すように、放射されるマイクロ波の指向性は、下方つまり、Z軸に沿ってウエハW側へ向かう方向へも一定の強度を有している。このような場合に、マイクロ波導入ポート10の直下にウエハWが存在すると、ウエハWへ直接マイクロ波が照射される割合が大きくなるため、ウエハW面内での局所的な加熱が生じやすくなる。しかし、本実施の形態では、4つのマイクロ波導入ポート10は、すべてがウエハWの直上から外れるように配置されている。そして、ウエハWの周囲には、4つのマイクロ波導入ポート10に対向して、傾斜部23Aが設けられている。従って、マイクロ波導入ポート10から放射され、下方つまり、Z軸に沿ってウエハW側へ向かう方向へ一定の強さの指向性を有するマイクロ波は、傾斜部23Aで反射され、ウエハWの周囲からウエハWの中心へ向かう反射波となる。また、4つの直線部分12A,12B,12C,12Dの平坦な内壁面で反射された反射波のうち、下方への指向性を有する部分も、傾斜部23Aでさらに反射され、ウエハWの周囲からウエハWの中心へ向かう反射波となる。これにより、ウエハWの周囲からその中心へ反射波を集中させて加熱効率を高め、ウエハWの全面を均一に加熱できるようになっている。本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1では、以上のように、特徴的なマイクロ波導入ポート10の形状及び配置と、側壁部12の形状と、傾斜部23Aの配置との組み合わせによって、図7A,7Bに示したような放射指向性を有するマイクロ波や、その反射波を、他のマイクロ波導入ポート10への進入を極力抑制しながら、ウエハWへ向けて集中させ、供給電力の利用効率を向上させることができる。次に、図8A,図8Bを参照しながら、処理容器の形状、及びマイクロ波導入ポート10の形状と配置を変化させた場合のウエハWの電力吸収効率をシミュレーションした結果について説明する。図8A,図8Bの上段は、シミュレーションの対象としたマイクロ波加熱処理装置のマイクロ波導入ポート10の配置と側壁部12の形状をウエハWの配置に対して投影して説明する模式図であり、中段は、ウエハ面内でのマイクロ波電力の体積損失密度分布を示すシミュレーション結果のマップを示し、下段はシミュレーションで得られた散乱パラメータ、ウエハ吸収電力Pw、全面積ウエハ面積処理室の内面積に対するウエハ面積の比率Awを示している。このシミュレーションでは、図8A,図8Bの上段において、黒塗りで示す1つのマイクロ波導入ポートより3000Wのマイクロ波を導入する条件で検討を行った。なお、処理容器の側壁部12の直径は、図8Aが505mm、図8Bが470mmとした。ギャップGは、図8Aが67mm、図8Bが39.9~67mmとした。ウエハWの高さは、図8A、図8Bともに13.8mmとした。ウエハWの誘電正接tanδは、0.1とした。図8Aは、水平断面が円形である円筒形の側壁部12を有する処理容器に、4つのマイクロ波導入ポート10を設けた比較例の構成のシミュレーション結果である。図8Bは、図3に例示したものと同様に、水平断面に直線部分と曲線部分とを有する側壁部12を有する処理容器に、4つのマイクロ波導入ポート10を設けた本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1のシミュレーション結果である。図8A,8Bでは、いずれもマイクロ波導入ポート10の長辺の長さL1と短辺の長さL2との比L1/L2は2である。また、図8A,8Bでは、マイクロ波導入ポート10の配置は、円形のウエハWの周縁部の外側上方において、該周縁部の接線方向とマイクロ波導入ポート10の長辺の方向が平行になるように設定している。また、図8Bのシミュレーションでは、図1と同様に構成した傾斜部23Aを設けている。ここで、ウエハWの吸収電力は、散乱パラメータSパラメータにより計算することができる。入力電力をPin、ウエハWが吸収する全電力をPwとすると、全電力Pwは、以下の式1によって求めることができる。なお、S11、S21、S31、S41は、4つのマイクロ波導入ポート10のSパラメータであり、黒塗りのマイクロ波導入ポート10は、ポート1に該当する。また、ウエハの電力吸収効率を上げるには、マイクロ波放射空間Sを規定する処理室の内面積に対するウエハWの面積の比が大きい方が好ましく、次式2で表されるAwが大きいことが好ましい。Awは、全面積ウエハ面積処理室の内面積に対するウエハ面積の比率である。Aw=[ウエハ面積/ウエハ面積処理室の内面積]×100...2また、ウエハWの面内における電力吸収の分布は、ウエハW面内のポインティングベクトルを用いて電磁波体積損失密度を求めることにより計算した。なお、ウエハWが吸収する全電力Pwは、以下の式3により、また、ウエハWが単位体積当たりに吸収する電力pwは、式4により、それぞれ求めることができる。これらの値を電磁界シミュレーターで計算し、ウエハW上にプロットすることによって、図8A、図8Bの中段に示すマップを作成した。これらのマップでは、白黒表記のため、厳密には表現できていないが、概ね、黒色が薄い白い部分ほど、ウエハW面内での電磁波体積損失密度が大きいことを示している。なお、被処理体がウエハWである場合、上記式3、4においては、ジュール損失が大部分を占めることから、ウエハWが単位体積当たりに吸収する電力pwと電界との関係は、上記式4を変形した次の式5により示すことができ、ウエハWが単位体積当たりに吸収する電力pwは、ほぼ電界の2乗に比例する。図8Aと図8Bと比較すると、本実施の形態による、マイクロ波導入ポート10の形状及び配置、処理容器2の側壁部12の形状、並びに傾斜部23Aを組み合わせて採用した図8Bでは、電界のばらつきが小さく、ウエハが吸収する全電力Pwが大きく電力吸収効率に優れていることが確認された。また、マイクロ波放射空間Sを規定する処理室の内面積に対するウエハWの面積の比Awも、図8Aと比較すると、図8Bの方が大きくなっている。以上のシミュレーション結果から、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1は、処理容器2内に放射されたマイクロ波の損失が低減され、電力の利用効率及び加熱効率に優れていることが確認された。また、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置1を用いることで、ウエハWに対して均一な加熱処理が実現できることも確認された。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記実施の形態のマイクロ波加熱処理装置では、被処理体である基板として、半導体ウエハを例示したが、これに限らず、例えば太陽電池パネルの基板やフラットパネルディスプレイ用基板を被処理体とするマイクロ波加熱処理装置にも本発明を適用できる。また、上記実施の形態では、側壁部12の水平断面形状が4つの直線部分12A、12B、12C、12Dと4つの曲線部分12E、12F、12G、12Hを交互に含む処理容器2を例に挙げたが、側壁部の水平断面形状がマイクロ波導入ポート10の配置に対応して4つの直線部分を含んでいれば他の形状であってもよい。例えば、側壁部の水平断面形状が、4角形や8角形である場合にも本発明を適用できる。また、上記実施の形態では、ガス供給機構5におけるシャワーヘッド部22及び整流板23によって、マイクロ波放射空間Sの下端が規定されるため、整流板23の上面を傾斜部23Aとしている。しかし、例えばシャワーヘッド部22及び整流板23を具備しないマイクロ波加熱処理装置の場合は、処理容器2の底部13に傾斜部を設けることもできる。この場合、傾斜部として、底部13の内壁面の一部を所定角度に傾斜させてもよいし、傾斜部を有する別部材を底部13の上に配置してもよい。"