"複数の被接合部材をはんだによる接合部を形成して接合するダイボンダ装置において、前記被接合部材にはんだを供給するはんだ供給手段と、前記被接合部材に供給するはんだの表面酸化膜を、ガスを用いて還元して除去する表面清浄化手段と、前記はんだの還元に用いたガスを排気する排気手段と、前記はんだを加熱して溶融させる加熱手段と、前記表面酸化物を除去され前記被接合部材に供給された溶融はんだに、他の被接合部材を接合する接合手段を備えたことを特徴とするダイボンダ装置。請求項1記載のダイボンダ装置において、前記表面清浄化手段は、大気圧中でプラズマ処理を行うことにより、前記酸化膜を除去することを特徴とするダイボンダ装置。請求項1記載のダイボンダ装置において、前記表面清浄化手段は、レーザー照射を行うことにより、前記酸化膜を除去することを特徴とするダイボンダ装置。請求項1乃至3のいずれかに記載のダイボンダ装置において、前記ガスは、水素と不活性ガスの混合ガスであり、前記表面清浄化手段の近傍で水素濃度が高く、前記表面清浄化手段から離れるにつれて水素濃度が減少していく濃度分布となるように炉内の雰囲気を構成することを特徴とするダイボンダ装置。請求項4記載のダイボンダ装置において、炉内の水素濃度は4以下に抑えることを特徴とするダイボンダ装置。請求項1乃至5のいずれかに記載のダイボンダ装置において、前記排気手段は、吸引することにより前記ガスを排気することを特徴とするダイボンダ装置。請求項2記載のダイボンダ装置において、前記排気手段は、前記表面清浄化手段のプラズマを発生するノズルの外周に一体に設けられた排気口により排気を行うことを特徴とするダイボンダ装置。請求項1乃至7のいずれかに記載のダイボンダ装置において、前記表面清浄化手段と前記接合手段との間に仕切部材を設け、前記排気手段は前記仕切部材よりも前記表面清浄化手段側に設けられていることを特徴とするダイボンダ装置。請求項1乃至8のいずれかに記載のダイボンダ装置において、前記はんだが供給される前の被接合部材を清浄化する第2の清浄化手段を備えたことを特徴とするダイボンダ装置。請求項1乃至9のいずれかに記載のダイボンダ装置において、前記被接合部材に供給され、前記他の被接合部材が接合させる前の前記はんだの表面清浄化処理を行う第3の清浄化手段を備えたことを特徴とするダイボンダ装置。複数の被接合部材をはんだによる接合部を形成して接合するダイボンド方法において、前記被接合部材に供給するはんだの表面の酸化膜を、ガスを用いて還元して除去し、する表面清浄化工程と、前記はんだの還元に用いたガスを排気する工程と、前記酸化膜を除去したはんだを被接合部材に供給する工程と、前記はんだを加熱して溶融させる工程と、前記表面酸化物を除去され前記被接合部材に供給された溶融はんだに、他の被接合部材を接合する工程と、を含むことを特徴とするダイボンド方法。請求項11記載のダイボンド方法において、前記表面清浄化工程では、前記はんだに大気圧中でプラズマ処理を行うことを特徴とするダイボンド方法。請求項11記載のダイボンド方法において、前記表面清浄化工程では、前記はんだにレーザー照射を行うことを特徴とするダイボンド方法。請求項11乃至13のいずれかに記載のダイボンド方法において、前記表面清浄化工程を行う位置の近傍で水素濃度が高く、その位置から離れるにつれて水素濃度が減少していくことを特徴とするダイボンド方法。請求項11乃至14のいずれかに記載のダイボンド方法において、前記排気工程では、吸引によって前記ガスを排出することを特徴とするダイボンド方法。請求項14記載のダイボンド方法において、前記水素濃度は4以下であることを特徴とするダイボンド方法。しかしながら、上記の既に開示されているダイボンダに関する公知例では、はんだが供給された後に、攪拌棒などによりはんだの表面の酸化膜を破壊して分散させるか、或いははんだ供給時にはんだの酸化膜をはんだ内部に拡散させるのみで、接合部には酸化膜が残るプロセスとなっていた。これらの酸化膜が界面に残った場合には、はんだと被接合材とのぬれを阻害し、ボイドを発生させたり、酸化膜が挟まったような接合不良の原因となる。また、はんだ内部に酸化膜を分散させた場合でも、除去されていないため、はんだ内部でのボイドにつながる。更に、はんだの機械的特性、熱伝導特性の低下にもつながってしまう。このようにボイドの発生、界面の接合不良は、はんだ接続部の熱抵抗の増加、放熱性の低下につながり、半導体装置としての必要な性能が確保できないという問題を引き起こす。また、接合強度も低下する。このため、熱疲労特性が低下し、長期的な信頼性が確保できない。これらの大面積のはんだ接合が行なわれる半導体デバイスは、一般的にパワー半導体、パワーモジュールの用途が多く、エアコン、パソコンなどの家電用途の半導体装置の他に、自動車機器、鉄道、産業機器などにも用いられ、性能、信頼性に影響するはんだ接合部の品質は非常に重要となっている。また、今後は、パワー半導体でも小型化が必要であり、且つ熱抵抗を低減させるために、はんだの厚みが薄くなる傾向もあり、更にダイボンド接合部のボイドの制御、ぬれの確保が重要となっている。また、還元性ガスにより炉内で溶融した状態のはんだ表面を処理して酸化膜を除去する方式に関して記述があるが、除去プロセスでの反応生成物の処理については考慮されていない。これらの反応生成物は、効率的に除去しなければ、周囲の部材、炉内を汚染させ、接合界面の接合部以外でも品質低下を招く。また、還元性ガスとして、水素プラズマ等を用いる場合には、通常の炉内雰囲気の場合に比較し、プラズマ処理用に必要なガス量が増え、高コストとなる可能性がある。一方、はんだペーストを使用した接合方式では、ボイド発生の要因は、溶剤成分の揮発、及びはんだと有機成分との反応物が分解ガスとして発生することなどによると考えられ、これを除去するために真空リフロー炉にて真空引きを行なっている。しかし、真空に引くためにバッチ処理が必要であること、冷却後には、フラックス残渣が残るため、洗浄工程が必要であることなどから、製造プロセスが長くなり、低コスト化の阻害要因となっている。以上から、接合部中のボイドを低減し、或いは界面の接合不良を低減する無洗浄のダイボンドプロセス、及びこれを実現するダイボンダ設備が必要となっている。また、処理のコストを低減可能な設備が必要である。上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、炉内の雰囲気中で、複数の被接合部材をはんだによる接合部を形成して接合するダイボンドにおいて、被接合部材に供給するはんだを、ガスをを用いて表面酸化膜を還元除去してから被接合部材に供給するとともに、近傍に設けられた排気口より還元により生じた反応生成物を含むガスを除去する。本発明によれば、リードフレーム、又は基板に供給したはんだの酸化膜量が、半導体チップを接合する時点で既に低減しているため、半導体チップとのはんだ接合部において、ボイドの発生、およびはんだと被接合部材との界面でのぬれ不良を抑えることができる。即ち、はんだの酸化膜が界面に残った場合は、はんだと被接合材との界面でボイドが発生したり、接合不良につながっていたが、これらの課題を防止可能である。そのため、はんだ接続部の放熱性を確保でき、半導体装置として必要な性能を得ることが可能である。また、ボイドが低減できるため接合強度が確保でき、長期的な信頼性が保障可能である。また、半導体チップ周辺のフィレットの形状も良好になり、機械的強度を確保することができる。更に、従来のはんだペーストを使用した方式と比較して、冷却後の洗浄工程が必要ないため、無洗浄で高品質なダイボンド接合部を得ることができる。また、水素使用量を低減することができ、処理コストを下げることが可能である。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。図1は、本発明のはんだ表面清浄化ユニットを有するダイボンダの主要部分の拡大図である。このダイボンダ1は、外気を遮断するためにカバー2で覆われた炉内に、被接合部材であるリードフレーム、又は基板3を間欠的に移動させるガイドレール4を有し、リードフレーム、又は基板3の移動方向5に沿ってカバー炉2上面の所定位置に4つの開口窓6a、6b、6c、6dを有するものである。ダイボンドプロセスに沿って説明すると、第1の工程は、はんだの供給工程であり、長尺の線はんだ7をリードフレーム、又は基板3に、開口窓6aを通して供給する。詳細にこの工程を説明すると、はんだ供給ノズル9から送り出された線はんだ7は、ヒーター8によって下面を加熱されたリードフレーム、又は基板3に接触して、線はんだ7の先端が溶融してリードフレーム、又は基板3にぬれ、はんだが供給される供給されたはんだ10。図1に示した本発明のダイボンダの第2の工程では、開口窓6bからはんだ成形棒11が下降して供給されたはんだ10を押し、リードフレーム、又は基板3上で所望の形状にぬれ広がらせるぬれ広がったはんだ12。第3の工程では、開口窓6cに設置された表面清浄化ユニット13により、リードフレーム、又は基板3上で所望の形状にぬれ広がったはんだ12の表面の酸化膜の除去、或いは低減処理を行なう表面清浄化処理を行なったはんだ14。従って、表面清浄化処理を行なったはんだ14の表面のSn酸化膜量は、従来の表面清浄化ユニット13の無い方式より大幅に低減する。第4の工程では、半導体チップ15を吸着したコレット16が下降し、ぬれ広がったはんだ14に半導体チップ15を搭載、接合させる。これによりリードフレーム、又は基板3上に、はんだ接続部17を介して半導体チップ15が接合される。これらのダイボンド接合部17の品質としては、従来の方式よりボイド率溶融はんだの単位体積あたりに含まれる気泡の容積割合を抑えることができる。ボイド率は、X線観察装置、超音波探傷装置等により、測定可能である。比較のため、図12に従来のダイボンダ装置120を示したが、リードフレーム、又は基板3の移動方向5に沿ってカバー炉2上面の所定位置に3つの開口窓6a、6b、6dを有するものである。第1の工程では、はんだ供給ノズル9から送り出された線はんだ7は、ヒーター8によって下面を加熱されたリードフレーム、又は基板3に接触し、線はんだ7の先端が溶融してリードフレーム、又は基板3にぬれ、はんだが供給される供給されたはんだ10。第2の工程では、はんだ成形棒11により、所望の形状にぬれ広がりぬれ広がったはんだ12、第3の工程で、半導体チップ15を吸着したコレット16が下降し、ぬれ広がったはんだ12に半導体チップ15を搭載、接合させるが接合部のはんだ121、従来方式では、ぬれ広がったはんだ12上に存在していた酸化膜は、半導体チップ15との界面、あるいははんだ内部121にそのまま残るものとなり、本発明と全く異なるものである。図1に示した本発明のダイボンダ装置で、はんだ接合部の品質ダイボンド品質をより向上させるために、第2の工程で、開口窓6bからはんだ成形棒11を下降させ、はんだを所望の形状にぬれ広がらせる際に、はんだが不要な箇所にまで飛び散らない範囲で、超音波などの振動を与え、ぬれを促進させても良い。また、リードフレーム、又は基板3と水平方向、あるいは垂直方向、回転方向に数回変位を与えてもぬれを促進することができる。また、成形棒11の先端に、はんだが所望の形状にぬれ広がりやすいように、溝やくぼみを設け、且つ、はんだの流動性を低下させないように、加熱機能を設けておくとより品質を向上させることができる。また、第4の工程で半導体チップ15を搭載、接合させる工程では、x、y、z方向に位置ずれしない程度の振幅で動作させたり、超音波振動等を与えて、ぬれを促進させてもよい。これにより、より品質向上が期待できる。また、表面の酸化膜の影響をより排除するために、半導体チップ15をリードフレーム、又は基板3の表面と平行に、ほぼ横方向から進入させてもよい。これにより、酸化膜を半導体チップの先端部のエッジで排除しながら搭載することができる。或いは、コレット16をつばのある形状とすることで、前記コレット16のつばを用いて酸化膜を接合部から排除してもよい。これによっても、品質向上が期待できる。これらのプロセスは、フラックスを用いないフラックスレスのプロセスであるため、ダイボンダ1内のカバー2で覆われた部分炉は、はんだ表面を酸化し難くするため、外気大気と遮断し、カバー炉2内部の雰囲気は窒素、或いは窒素と水素の混合ガスなどで充填し、なるべく内部に残留する酸素濃度を低く保つ必要がある。このため、リードフレーム、又は基板3のカバー炉2内部への入り口18、出口19の形状はなるべく小さくして、外部からの酸素の進入を低減させることが重要である。はんだ表面清浄化ユニット13の一例を図2に示すが、リードフレーム、又は基板3上の溶融したはんだ12の表面に、大気圧中で、ノズル21を用いてプラズマ処理を行うものである。ノズル21は主に対向電極22と誘電体23で構成され、電極には電源24が接続されている。処理用のガスはガス導入口25から導入され、電源24により電極間に電界を印加することにより、プラズマ26を発生させるものである。なお、誘電体23の材料としては、ガラス、石英ガラス、アルミナなどであるが、これに限定されるものではない。ここで、処理用のガスは本プラズマ装置の雰囲気として用いている窒素と水素の混合ガスを用いた。水素の濃度は高い方が表面を清浄化できる能力が高いが、防爆構造が必要となり高コストとなるため、爆発限界以下の4程度のものを用いることが望ましい。このように生成した水素プラズマを用いて、溶融しているはんだ12の表面を処理するが、このとき、反応生成物が発生する。はんだ表面の酸化膜のうちSnO2についての反応式を示すと、化1SnO24H→Sn2H2Oとなり、はんだの表面に主に存在する錫の酸化物はSnに還元されるが、H2Oが炉内に発生してしまうことになる。これら生成物を放置すると、リードフレーム、又は基板3の周囲が汚染され、且つ、連続的に処理すると炉内2も汚染されるため、排気口27をノズル21近傍に配置した。排気口27は単にカバー炉2の外側への通気用の管による自然排気ではなく、羽根車などで吸引力を与えて吸引する強制排気の方がより反応生成物の除去に効果がある。これにより連続的に処理しても、品質低下を起こすことはない。また、図2の例では、排気口27は表面清浄化ユニット13のノズル21近傍に配置したが、図13の例のように、ノズル21の外周を取り巻くリング状に排気口27を設け、一体型の構造としてもよい。即ち、ノズル中央部には、プラズマが発生し、リードフレームまたは基板3に向かってプラズマが噴出する穴が開いているが、この外周に排気口27が連続で設置され、この外周部の穴から反応生成物を吸引するものであり、一体型の構造であり、形状としてもコンパクトである。次にこのような発明に至った理由を説明する。従来、ダイボンドによる大面積のはんだ接続部にはボイド不良が多く見られた。このボイドはダイボンダ炉内を窒素、或いは窒素と水素の混合ガスなどで充填しても、酸素が残留し、この残留酸素によってはんだが酸化することが主要因と推定されていた。そこで、各種酸素濃度条件で半導体チップを基板にダイボンド実験を行なった。この結果、リードフレーム、または基板3に供給した線はんだ7の表面酸化膜がボイド発生に関与していることがわかった。この結果を図3に示す。図3は、従来のダイボンドプロセスの場合の、はんだぬれの模式図を示したものである。通常の線はんだ7は、はんだ材質、製造条件、保管条件によって厚みの違いはあるが、表面には必ず酸化膜47が存在する。従って第1の工程でリードフレーム、又は基板3上に線はんだが接触し、溶融したはんだが供給された時点で、供給されたはんだ10上には線はんだ7由来の酸化膜41が載っていることがわかった。そして、次の工程ではんだ成形棒11により、リードフレーム、又は基板3上に供給されたはんだ10を押してぬれ広がらせても、基本的には、ぬれ広がったはんだ12上に酸化膜42が残っていた。通常、ダイボンドプロセスでは、窒素、或いは窒素と水素の混合ガスを雰囲気ガスに用いて、カバー2に覆われた部分炉での酸素濃度が低くなるように制御している。一方、はんだ材料として多く用いられる組成は、Snを主成分としたはんだであり、はんだ表面は通常Snの酸化膜に覆われている。しかし、Snの酸化膜は安定であること、及び、ダイボンドプロセスは単位時間あたりの生産数を確保するために各処理工程をなるべく短時間で行なうことが望ましいため、高温に保持できる時間も短く、水素が混合してある雰囲気中でも、はんだが接合する200°Cから300°C程度では酸化膜の還元はあまり期待できないことがわかった。従って、ぬれ拡がったはんだ上には酸化膜42が除去されずに必ず残る。このため、これに半導体チップ15を搭載して、接合させても酸化膜42により接合が阻害される。即ち、酸化膜42は一部が破壊、分散されるが破壊分散された酸化膜45、ボイド43やぬれ不良44につながることがわかった。ぬれ広がったはんだ12の表面を攪拌したり、半導体チップ15を搭載する際に超音波振動を与える工夫などを行なっても、酸化膜42の破壊、分散は促進されるが、結局、酸化膜42を除去できずに接合層中に残存する。更に、炉内の残留酸素の量が多い場合には、はんだ表面に残った酸化膜42が半導体チップ15周囲の滑らかなフィレット形成を阻害し、図4に示したように、いびつなフィレット形状46になることが判った。以上の検討結果を纏めると、水素を含む還元性の雰囲気中でも、通常のはんだ付け温度近傍、及び、通常の量産プロセスでの各処理時間では、はんだ表面のSn酸化膜の還元除去はあまり期待できない。また、表面に残った酸化膜は、その後のプロセスで機械的に破壊分散させてもはんだ接合部に残り、ボイド、ぬれ不良、フィレット形状不良を引き起こす。また、一般的にはんだは一度酸化膜除去を行なっても、周囲に酸素が存在すると、すぐに酸化膜が形成される。酸化膜は、高温であるほど成長しやすい。従って、半導体チップ15を搭載、接合する直前に、溶融した状態のはんだ12の表面の酸化膜42を除去することが、ダイボンド品質の確保のために重要であることが判った。このため、溶融したはんだ12に半導体チップ15を搭載、接合する直前の工程に、はんだ清浄化ユニット13を設けることとした。このとき、酸化膜を除去する方式としては、機械的な方式では接合部中に残渣が残存するため効果がなく、残渣が接合部中に残らない方式が必要であることがわかった。且つ反応生成物の影響を除外することが重要である。次に、このようなはんだ表面清浄化ユニット13を用いて、リードフレーム、又は基板3に半導体チップを接合、搭載する直前に溶融したはんだ12の表面を処理するダイボンドプロセスにより、品質が向上する理由を説明する。図5は、表面清浄化ユニット13を用いた場合のダイボンドプロセスのはんだ酸化膜の変化を示す。線はんだ7の表面に残る酸化膜47は、リードフレーム、または基板3に線はんだを供給したときに、溶融したはんだ10上に酸化膜41として残り、その後、第2の工程であるスパンカ工程でも酸化膜42として溶融したはんだ12の表面に残っているが、はんだ表面清浄化ユニット13を通過すると、はんだ14の表面酸化膜の量は大幅に低減する。このため、このように酸化膜の少ないはんだ14に、第4の工程で、半導体チップ15を搭載、接合させると、接合部にボイドの発生、ぬれ不良ができにくく、高品質な接合部を得ることができる。本発明の他の効果を説明する。表面清浄化ユニット13の一例であるプラズマ処理によって、半導体チップ15を搭載、接合する前に溶融したはんだ12の表面の酸化膜を効果的に除去、低減可能であることから、炉内の雰囲気に関しては、残留酸素濃度、水素濃度ともに濃度管理を炉内全域に亘って高水準に保つ必要がなくなる。一般的に、残留酸素濃度は約200ppm以下になるようにガス流量、装置構造が考えられ、水素濃度は、爆発限界以下の4程度以下が用いられる。しかし、水素を炉内全体に4程度に保つには装置運転時のガス使用量が多く、コスト低減の妨げになっていた。しかし、本発明では、炉内の残留酸素濃度が高くて多少はんだ表面が酸化されても、半導体チップ15を搭載、接合する直前の工程に設置した表面清浄化ユニット13によって還元可能であるため、問題にならない。プラズマ処理に当たっては水素が必要であるため、表面清浄化ユニット13のノズル21のガス導入口25から水素と窒素の混合ガスを導入し、プラズマ処理部分に水素を集中させるが、他の部分では水素の濃度を抑えることできる。このため、炉内全体で見れば、水素の使用量を低減できる。また、この結果、ダイボンダ炉内で、水素ガスの濃度分布を有することとなる。図6にダイボンダ装置を上方から見たときの、水素濃度の分布を示す。水素濃度は等高線61で示した。水素濃度は、aからeになるにしたがって、低くなっていることをあらわすようにした。即ち、開口窓6c周辺では水素濃度が最も高く4程度と設定したが、コンベアの入り口18、出口19付近では水素濃度は低くなっていて、全体の水素使用量を低減することができた。また、水素濃度が平均として低いため、安全上も有利となる。ここで、表面清浄化ユニット13は、1つのダイボンダ設備につき、1つ設置したが、複数個配置してもよい。例えば、図7に示したように、第1の工程と第2の工程の間に表面処理ユニット13の処理ノズル72を設置し、リードフレーム、或いは基板3に供給したはんだ10表面を一旦処理し、半導体チップ15を搭載、接合する工程の前に再度、溶融しているはんだ14表面の清浄化処理を行う。処理を2ステップにすることにより、炉内のコンベアを通過に要する時間を有効に活用でき、且つ、確実に清浄化が可能となり、品質向上が可能である。このとき、図示していないが、処理ノズル72、73の近傍には図2、図13に示す様な排気口を設置することにより、炉内の汚染を防ぎ、長期的な安定品質の確保に有効である。また他の方式としては、図8に示したように、第1の線はんだを供給する工程で、表面清浄化ノズル74を設置することにより、基板の表面清浄化処理、及び、供給したはんだ表面の処理が同時に可能であり、品質向上に有効である。図8中には、示していないが、処理ノズル73、74の近傍には図2、図13に示す様な排気口を設置することにより、炉内の汚染を防ぎ、長期的な安定品質の確保に有効である。他の方式としては、図9に示したように、半導体チップ15をリードフレーム、または基板3に供給したはんだ12に搭載、接合する第3の工程に、表面清浄化ユニット13の処理ノズル74を設置することも可能である。これにより装置面積を小さくすることが可能である。装置が小型化できれば、炉内で使用する雰囲気ガスの使用量等を少なくでき、低コスト化を図ることが可能である。以上から、表面清浄化ユニット13を有するダイボンダ装置を用いることにより、長期的に炉内の汚染もなく、水素使用量も少なく低コストで、はんだ接合部の欠陥としてボイドを低減することが可能である。他のはんだ表面清浄化ユニット13の一例を図10に示すが、リードフレーム、又は基板3上の溶融したはんだ12の表面に、大気圧中で、トーチ型のノズル31を用いてプラズマ処理を行うものである。トーチ型のノズル31は、対電極32の中央に中心電極33が配置され、それぞれの電極表面には絶縁物34が設けられている。中心電極33には高周波電源35が接続されている。また処理用のガスはガス導入口36から供給され、放電空間37にてプラズマを発生させ、ガス出口38よりノズル状のプラズマ39を照射させるものである。処理用のガスは本プラズマ装置の雰囲気として用いている窒素と水素の混合ガスを用いた。これにより水素プラズマが発生し、リードフレーム、又は基板3上の溶融したはんだ12の表面に存在する酸化膜を還元することが可能である。このとき、反応生成物が発生するがこれらを放置すると、リードフレーム、又は基板3の周囲が汚染され、且つ、連続的に処理すると炉内も汚染されるため、排気口40をノズル31の近傍に配置した。これにより連続的に処理しても、品質低下を起こすことはない。且つ、ガス導入口36から水素を含むガスを導入することにより、溶融したはんだ表面の酸化膜除去の効果を高めるだけでなく、水素使用量を低減させ、コスト低減を図ることができる。ここで、上記の実施例では、表面清浄化ユニットとして、図2に誘電体バリア方式、図10にトーチ型リモート方式を示したが、これに限るものではない。また、片方の電極を基板の下におき、ダイレクト方式のプラズマを発生させて処理しても良い。この方式では、処理面積が大きいため、複数箇所の同時処理が可能な利点がある。他のはんだ表面清浄化ユニットの一例を図11に示す。本方式は、レーザービームを照射するものであり、レーザー発振機101から発生されたレーザービーム102が光ファイバー103、光学レンズ系104等を介して、リードフレーム、又は基板3上の溶融したはんだ14の表面に照射されるものである。炉内は酸素濃度の低い雰囲気であり、還元性のある水素も存在するため、効果的にはんだの表面酸化膜を除去することが可能である。ここで、レーザとしてはYAGレーザー光、或いはエキシマレーザー光のパルスレーザーが適しているが、これに限定されるものではない。また、ノズル状ではなく、ライン状に配置することも可能である。また、処理すべきはんだの面積が広い場合は、レーザービームを中央部の出力が高い山型凸型ではなく、全体がほぼ同じ出力となるようにドーナツ状にレーザービームを照射して、広範囲の面積に対応することも可能である。このようなドーナツ状のレーザービーム形状は、中央部のレーザー出力が高すぎて温度による損傷が懸念される場合にも有効である。以上のように、レーザービームにより、半導体チップ15を搭載、接合する直前に、リードフレーム、または基板3に供給したはんだ12表面の酸化膜を低減、除去が可能となり、接合部の品質を向上させることができる。ここで、レーザー照射を用いた表面洗浄により、残渣が発生することが考えられ、ノズル104の近傍に排気口を設置する方が、接合部以外の部分の汚染の防止、長期的な炉内の汚染の防止のため、効果がある。また、表面洗浄化ユニット周囲の水素濃度が高い方が酸化膜除去の効率が高いため、レーザービームを照射する表面洗浄化ユニットの照射部104に近接して、水素と不活性ガスとの混合ガスを供給して、水素濃度の分布を設けることにより、水素ガスの使用量を低減でき、低コスト化を図ることが可能である。図14に、図1で示したダイボンダの主要部分の第3の工程表面清浄化ユニット13を、他の工程と内壁51.52により外気を遮断したカバー炉2内の雰囲気が仕切られている実施例を示す。本願発明では、表面清浄化ユニット13に近接した位置より、水素と不活性ガスとの混合ガスを供給して、最も水素ガスの濃度が高いことが必要な第3の工程付近の水素濃度をピークとして、コンベアの入り口18と、出口19へ向かってそれぞれ水素濃度が減少していく濃度分布となるようにカバー2内の雰囲気を構成することが特徴である。図14に示す内壁51.52、およびガイドレール4上に載せられて工程間を移動するリードフレーム、又は基板3が通過する時だけ開閉する扉53,54を設置することによって、水素使用量をさらに少なくして、表面清浄化ユニット13付近のみ水素濃度を高く維持することが可能となる。また、前記開閉扉53,54は、リードフレーム、又は基板3の厚さが非常に薄いことから、扉ではなくて、通過できるだけの穴を設け、通気抵抗を高くするのみでもよい。以上の実施例から、表面清浄化ユニットを有するダイボンダ装置を用いることにより、長期的に炉内の汚染もなく、水素使用量も少なく低コストで、はんだ接合部の欠陥となるボイドを低減することが可能となる。"