酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットであって、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、前記スパッタリングターゲットに形成されるCr2O3及びCoCr-X-Oのセラミック相の長さが、それぞれ3μm未満であり、Xが前記非磁性酸化物の金属元素を表す酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素SiO2、二酸化チタンTiO2、二酸化タンタルTa2O5、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。Ta、Cu、B、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項lに記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。Ta、Cu、B、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項2に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを製造するための方法であって、i20~80原子のクロム、酸化第一コバルト粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、前記酸化物混合物が、1種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、ii前記原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、iii前記圧粉体を焼結して、前記酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップを含む方法。前記プレ合金粉末が、Co-Cr合金、Cr-Pt合金、Co-Cr-Pt合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末を含む、請求項5に記載の方法。前記CoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットが、Ta、Cu、B、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の元素をさらに含む、請求項5に記載の方法。前記圧粉体を焼結して前記スパッタリングターゲットを得るステップが、850°C~1050°Cの温度で前記圧粉体を焼結して、前記酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得ることを含む、請求項5に記載の方法。前記非磁性酸化物粉末が、SiO2、TiO2、Ta2O5、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末である、請求項5に記載の方法。請求項5に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。前記スパッタリングターゲットに形成されるCr2O3及びCoCr-X-Oのセラミック相の長さが、それぞれ3μm未満であり、Xが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項10に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素SiO2、二酸化チタンTiO2、二酸化タンタルTa2O5、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項10に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。Ta、Cu、B、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項10に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。請求項6に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。前記スパッタリングターゲットに形成されるCr2O3及びCoCr-X-Oのセラミック相の長さが、それぞれ3μm未満であり、Xが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項14に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素SiO2、二酸化チタンTiO2、二酸化タンタルTa2O5、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項14に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。Ta、Cu、B、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項14に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。請求項7に記載の方法により生成される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。前記スパッタリングターゲットに形成されるCr2O3及びCoCr-X-Oのセラミック相の長さが、それぞれ3μm未満であり、Xが、前記非磁性酸化物の金属元素を表す、請求項18に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素SiO2、二酸化チタンTiO2、二酸化タンタルTa2O5、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項18に記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。本発明の主な目的は、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを提供することであり、それは、Crを有するプレ合金粉末の好適な組成割合及び焼結要因を制御することにより製作される。本発明によるスパッタリングターゲットは、スパッタリング中のアーク放電効果及び不要な粒子形成を克服することができる。この目的を達成するために、本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットは、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、スパッタリングターゲットに形成されるCr2O3及びCoCr-X-Oのセラミック相の長さは、それぞれ3μm未満であり、ここでXは、非磁性酸化物の金属元素を表す。別の態様では、本発明は、上述のスパッタリングターゲットを生成するための製造法であって、以下のステップを含む方法を提供する:i20~80原子のクロム、酸化第一コバルトCoO粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、1種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、iiこの原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、iiiこの圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。本発明によると、から本質的になるとは、材料が、主として指定されている物質からなるが、この材料は、他の不可避な不純物も含んでいることを意味する。具体的には、原料は、主として20~80原子のクロム、酸化コバルト粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末からなり、この原料は、他の不可避な不純物を含有している。本発明によるスパッタリングターゲットは、Crを有するプレ合金粉末の好適な組成割合及び焼結要因を制御して、Cr2O3及びCoCr-X-Oのセラミック相のサイズを減少させることにより得られる。本発明の方法により製作されるスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットの成分をその中でより均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させる。また、本発明によるスパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の記録層への適用に有用である。本発明の他の目的、利点、及び新規な特徴は、添付の図面と共に解釈すると、以下の詳細な説明からより明白になるだろう。本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットは、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、スパッタリングターゲットに形成されるCr2O3及びCoCr-X-Oのセラミック相の長さは、それぞれ3μm未満であるXは、非磁性酸化物の金属元素を表す。好ましい実施形態では、非磁性酸化物組成物は、二酸化ケイ素SiO2、二酸化チタンTiO2、二酸化タンタルTa2O5、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される。好ましい実施形態では、CoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットは、タンタルTa、銅Cu、ホウ素B、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の元素をさらに含む。本発明による酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットの製造法は、以下のステップを含む:i20~80原子のクロム、酸化第一コバルトCoO粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、1種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、iiこの原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、iiiこの圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。本発明によると、プレ合金粉末は、Co-Cr合金、Cr-Pt合金、Co-Cr-Pt合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末を含む。本発明によると、圧粉体を焼結してスパッタリングターゲットを得るステップは、850°C~1050°Cの温度で圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得ることを含む。好ましい実施形態では、非磁性酸化物粉末は、SiO2、TiO2、Ta2O5、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末である。好ましい実施形態では、CoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットは、タンタルTa、銅Cu、ホウ素B、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の元素をさらに含む。本発明は、以下の例によりさらに例示されており、本明細書に記載の例及び実施形態は、例示を目的としているに過ぎず、本明細書に示されている実施形態に制限されると解釈されるべきでないことが理解されるべきである。実施例比較例1:原子パーセント比に基づく75Co-12Cr-5Pt-8TiO2のスパッタリングターゲットの生成88.4グラムのCo粉末平均粒径:7μm、18.8グラムのCr粉末平均粒径:20μm、19.5グラムのPt粉末平均粒径:8μm、及び12.78グラムのTiO2粉末平均粒径:10μmを混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1150°Cで180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。図lは、走査型電子顕微鏡Hitachi社製N-3400型SEMにより得られた比較例1のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示し、スパッタリングターゲットが、チタンのセラミック相のみを含有し、酸化クロムクラスターがないことを明らかに示している。比較例2:原子パーセント比に基づく54Co-17Cr-18Pt-4TiO2-7CoOのスパッタリングターゲットの生成63.64グラムのCo粉末平均粒径:7μm、17.68グラムのCr粉末平均粒径:20μm、70.24グラムのPt粉末平均粒径:8μm、6.4グラムのTiO2粉末平均粒径:10μm、及び10.5グラムのCoO粉末平均粒径:8μmを混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1150°Cで180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。図2は、走査型電子顕微鏡Hitachi社製N-3400型SEMにより得られ、画像分析ソフトウェアImage-Pro6.3により分析された比較例2のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Cr2O3及びCr-Ti-Oのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図2は、スパッタリングターゲットが、多くのCr2O3クラスターを形成することを明らかに示している。加えて、Cr2O3及びCr-Ti-Oのセラミック相は、3.64±2.89μmの3μmを超える平均長を有している。比較例3:原子パーセント比に基づく64Co-12Cr-7Pt-8TiO2-9CoOのスパッタリングターゲットの生成63.86グラムのCo粉末平均粒径:7μm、23.94グラムの45原子Co-55原子Crプレ合金粉末平均粒径:10~100μm、27.32グラムのPt粉末平均粒径:8μm、12.76グラムのTiO2粉末平均粒径:10μm、及び13.48グラムのCoO粉末平均粒径:8μmを混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1150°Cで180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。図3は、走査型電子顕微鏡Hitachi社製N-3400型SEMにより得られ、画像分析ソフトウェアImage-Pro6.3により分析された比較例3のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Cr2O3及びCr-Ti-Oのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図3は、スパッタリングターゲットが、多くのCr2O3クラスターを形成することを明らかに示している。加えて、Cr2O3及びCr-Ti-Oのセラミック相は、1.97±1.51μmの平均長を有しているそれでも3μmを超える可能性がある。実施例1:原子パーセント比に基づく64Co-12Cr-7Pt-9TiO2-9CoOのスパッタリングターゲットの生成63.86グラムのCo粉末平均粒径:7μm、23.94グラムの45原子Co-55原子Crプレ合金粉末平均粒径:10~100μm、27.32グラムのPt粉末平均粒径:8μm、12.76グラムのTiO2粉末平均粒径:10μm、及び13.48グラムのCoO粉末平均粒径:8μmを混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1150°Cで180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。図4は、走査型電子顕微鏡Hitachi社製N-3400型SEMにより得られ、画像分析ソフトウェアImage-Pro6.3により分析された実施例1のスパッタリングターゲットの金属顕微鏡画像を示す。その後、Cr2O3及びCr-Ti-Oのセラミック相のサイズの平均及び標準偏差を、統計ソフトウェアにより算出する。図4は、スパッタリングターゲットが、より少ないCr2O3凝集体を形成し、1.29±0.94μm3μm未満の平均長を有するCr2O3及びCr-ti-Oのセラミック相を含有することを明らかに示している。本発明の構造及び特徴の詳細と共に、本発明の多数の特徴及び利点が、先述の説明に示されているが、本開示は例示に過ぎない。詳細、特に部材の形状、サイズ、及び配置に関しては、添付の特許請求の範囲に表されている用語の幅広い一般的な意味により示される範囲の及ぶ限り、本発明の原理内で変更を行うことができる。