"光電変換を行う光電変換素子を含む複数の画素と、前記複数の画素の信号が出力される信号線と、前記信号線に定電流を流すための第1の定電流回路とを有し、前記第1の定電流回路は、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記信号線に接続される第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのソース端子又はエミッタ端子と基準電位ノードとの間に接続される第1の抵抗とを有することを特徴とする固体撮像装置。さらに、定電流を流すための第2の定電流回路を有し、前記第2の定電流回路は、ゲート端子又はベース端子が前記第1のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続される第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのソース端子又はエミッタ端子と基準電位ノードとの間に接続される第2の抵抗とを有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。前記第2の定電流回路を流れる電流は、前記第1の定電流回路を流れる電流のM倍であり、前記第2の抵抗の値は、前記第1の抵抗の値の1/M倍であることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。前記第2の定電流回路は、前記第2のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子及びゲート端子又はベース端子に接続される第1の定電流源を有することを特徴とする請求項2又は3記載の固体撮像装置。前記第1の定電流回路は、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記信号線に接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第1のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第3のトランジスタを有し、前記第2の定電流回路は、ゲート端子又はベース端子が前記第3のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第4のトランジスタと、前記第2のトランジスタのゲート端子又はベース端子及び前記第4のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第1の定電流源とを有することを特徴とする請求項2又は3記載の固体撮像装置。さらに、前記第4のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続される定電圧源を有することを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。さらに、第2の定電流源と、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記第2の定電流源に接続され、ゲート端子又はベース端子が前記第2の定電流源及び前記第4のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続される第5のトランジスタと、前記第5のトランジスタのソース端子又はベース端子と前記基準電位ノードとの間に接続される第3の抵抗とを有することを特徴とする請求項5記載の固体撮像装置。前記第1の定電流回路は、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記信号線に接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第1のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第3のトランジスタを有し、前記第2の定電流回路は、ゲート端子又はベース端子が前記第3のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子及びゲート端子又はベース端子に接続される第4のトランジスタと、前記第4のトランジスタのゲート端子又はベース端子及びドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第1の定電流源とを有することを特徴とする請求項2又は3記載の固体撮像装置。前記複数の画素は、行列状に配列され、前記信号線は、前記複数の画素の列毎に接続される複数の信号線であり、前記第1のトランジスタは、前記複数の信号線にそれぞれ接続される複数の第1のトランジスタであり、前記複数の第1のトランジスタは、ソース端子又はエミッタ端子が相互に接続され、前記第1の抵抗は、前記相互に接続されたソース端子又はエミッタ端子と前記基準電位ノードとの間に接続されることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。光電変換を行う光電変換素子を含む複数の画素と、前記複数の画素の信号を増幅するアンプと、前記アンプに定電流を流すための第1の定電流回路とを有し、前記第1の定電流回路は、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記アンプに接続される第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのソース端子又はエミッタ端子と基準電位ノードとの間に接続される第1の抵抗とを有することを特徴とする固体撮像装置。さらに、定電流を流すための第2の定電流回路を有し、前記第2の定電流回路は、ゲート端子又はベース端子が前記第1のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続される第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタのソース端子又はエミッタ端子と基準電位ノードとの間に接続される第2の抵抗とを有することを特徴とする請求項10記載の固体撮像装置。前記第2の定電流回路を流れる電流は、前記第1の定電流回路を流れる電流のM倍であり、前記第2の抵抗の値は、前記第1の抵抗の値の1/M倍であることを特徴とする請求項11記載の固体撮像装置。前記第2の定電流回路は、前記第2のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子及びゲート端子又はベース端子に接続される第1の定電流源を有することを特徴とする請求項11又は12記載の固体撮像装置。前記第1の定電流回路は、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記アンプに接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第1のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第3のトランジスタを有し、前記第2の定電流回路は、ゲート端子又はベース端子が前記第3のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第4のトランジスタと、前記第2のトランジスタのゲート端子又はベース端子及び前記第4のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第1の定電流源とを有することを特徴とする請求項11又は12記載の固体撮像装置。さらに、前記第4のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続される定電圧源を有することを特徴とする請求項14記載の固体撮像装置。さらに、第2の定電流源と、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記第2の定電流源に接続され、ゲート端子又はベース端子が前記第2の定電流源及び前記第4のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続される第5のトランジスタと、前記第5のトランジスタのソース端子又はベース端子と前記基準電位ノードとの間に接続される第3の抵抗とを有することを特徴とする請求項14記載の固体撮像装置。前記第1の定電流回路は、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記アンプに接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第1のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第3のトランジスタを有し、前記第2の定電流回路は、ゲート端子又はベース端子が前記第3のトランジスタのゲート端子又はベース端子に接続され、ソース端子又はエミッタ端子が前記第2のトランジスタのドレイン端子又はコレクタ端子及びゲート端子又はベース端子に接続される第4のトランジスタと、前記第4のトランジスタのゲート端子又はベース端子及びドレイン端子又はコレクタ端子に接続される第1の定電流源とを有することを特徴とする請求項11又は12記載の固体撮像装置。前記複数の画素は、行列状に配列され、前記アンプは、前記複数の画素の列毎に接続される複数のアンプであり、前記第1のトランジスタは、前記複数のアンプにそれぞれ接続される複数の第1のトランジスタであり、前記複数の第1のトランジスタは、ソース端子又はエミッタ端子が相互に接続され、前記第1の抵抗は、前記相互に接続されたソース端子又はエミッタ端子と前記基準電位ノードとの間に接続されることを特徴とする請求項10~17のいずれか1項に記載の固体撮像装置。しかしながら、特許文献1には、以下のような課題がある。第一に、各垂直信号線に接続された定電流回路は水平方向に1次元状に配列されている。列数分の定電流回路に流れる電流がバイアスの基準となるグランド電位に向かって流れ、グランド線の配線抵抗により本来は0Vであるグランド電位が上昇する。この電位上昇により定電流を流しているMOSトランジスタのゲートバイアス電圧が変化し、画素ソースフォロワの動作点がずれてしまう。それにより回路動作のリニアリティがずれ、画像のシェーディングなどが発生する。第二に、定電流のゲートバイアス線以下、ゲートバイアス線というは画面水平方向に長く延びている。そのために、例えばこの固体撮像装置がデジタルカメラ、デジタルビデオカメラに実装された場合、撮像装置の近傍にあるレンズ駆動用のモーターが動作した時に発生する磁気が原因となる電磁誘導による電流がゲート線を流れる。この誘導電流により、ゲート電位が変動し、画素出力が変化し、その結果、画像に横筋と呼ばれるノイズが発生することがわかってきた。この現象は、近年、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラの高感度化の目覚ましい進展とともに顕著になってきている。すなわち、微小なゲートバイアス線の電位変動が、特に高感度設定時に画質の劣化として見えやすくなってきている。本発明の目的は、画質の劣化を防止することができる固体撮像装置を提供することである。本発明の固体撮像装置は、光電変換を行う光電変換素子を含む複数の画素と、前記複数の画素の信号が出力される信号線と、前記信号線に定電流を流すための第1の定電流回路とを有し、前記第1の定電流回路は、ドレイン端子又はコレクタ端子が前記信号線に接続される第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのソース端子又はエミッタ端子と基準電位ノードとの間に接続される第1の抵抗とを有することを特徴とする。第1のトランジスタのゲートバイアス線が電磁誘導などの外乱によって電位変動しにくくなり、基準電位ノードの電位上昇によって第1のトランジスタに流れる定電流が変動することを抑制出来る。その結果、画像のシェーディング、横筋発生などを軽減する事が出来る。第1の実施形態図1A及びBを用いて、定電流回路におけるソース抵抗Rsの効果を確認し、それに基づく第1の実施形態を述べる。図1Aにソース抵抗Rsを有する定電流回路、図1Bにソース抵抗Rsのない定電流回路を示す。ここで、Rsは、ソースに付加される抵抗ソース抵抗である。ioutは、出力電流Ioutの交流成分である。vgは、カレントミラーMOSトランジスタのゲート電位Vgの交流成分である。Vthは、MOSトランジスタの閾値電圧である。gmは、相互コンダクタンスである。ソース抵抗Rsがある場合、図1Aのように、定電流回路に流れる電流Ioutの交流成分ioutは、次式1で表される。ソース抵抗Rsがない場合、図1Bのように、定電流回路に流れる電流Ioutの交流成分ioutは、次式2で表される。交流成分は小信号振幅の入出力を記述したものであるから、電流の変化分電圧の変化分と言い換えてもよい。式1及び2を比べると、ゲート電圧Vgの変動に対しての定電流回路に流れる電流Ioutの交流成分iout、すなわちゲート電位Vgの変動は、式1でソース抵抗Rsが大きいほど、小さい事がわかる。このようにソース抵抗Rsを有する定電流回路は、その抵抗Rsがない場合と比較して、ゲート電位Vg、グランド電位の変動に対して流れる電流Ioutの変動が少ない、という利点がある。式1の定電流回路の考え方を固体撮像装置に適用した場合の第1の実施形態を、図2に示す。図2は、本発明の第1の実施形態の固体撮像装置の画素領域と、画素領域の画素列方向に延在する垂直信号線に接続されている定電流源を示している。説明の便宜上、複数の画素1は2列×3行分だけを記載しているが、実際の固体撮像装置では列数及び行数は数百から数千を数える。また、固体撮像装置は、図2に記載された回路以外に、垂直信号線から出力された信号を増幅する回路、共通の水平出力線へ転送する回路、垂直水平方向に信号を走査する回路などを有する。複数の画素1は、2次元行列状に配列される。画素1の内部において、7は光電変換を行う光電変換素子フォトダイオード、8は行選択MOSトランジスタ、9は画素ソースフォロワMOSトランジスタ、10は画素電荷を転送するMOSトランジスタである。光電変換素子7は、光電変換により信号を生成する。MOSトランジスタ10は、光電変換素子7により生成された信号をMOSトランジスタ9のゲート端子に転送する。行選択MOSトランジスタ8が列方向に一斉にオンすると、ソースフォロワMOSトランジスタ9のゲート電位に応じた出力が垂直信号線6に現われる。複数の垂直信号線6は、複数の画素1の列毎に、各列の画素1に接続され、複数の画素1の信号が出力される。その際の駆動電流をIとする。第1の定電流源2を流れる電流は、駆動電流Iの10倍の電流10×Iである。第2のトランジスタ3は、定電流源を構成するN型MOSトランジスタである。4は定電流バイアス線である。第1のトランジスタ5は、各画素1に対応した定電流動作を行うN型MOSトランジスタである。N型MOSトランジスタ3及び5はカレントミラー回路を構成しており、画素1の垂直信号線6に流れる電流は第2のトランジスタ3と第1のトランジスタ5のサイズ比で決定される。この場合、サイズ比は10:1であるので、第1の定電流源2の1/10の電流Iが第1のトランジスタ5に流れ、各画素ソースフォロワMOSトランジスタ9に相当するソースフォロワの駆動電流となる。第1の定電流回路は、第1のトランジスタ5及び第1の抵抗101を有し、垂直信号線6に定電流Iを流す。第1のトランジスタ5は、ドレインが垂直信号線6に接続される。第1の抵抗101は、第1のトランジスタ5のソース端子と基準電位ノードグランド電位ノードとの間に接続される。第2の定電流回路は、第1の定電流源2、第2のトランジスタ3及び第2の抵抗102を有し、定電流を流す。第2のトランジスタ3は、ゲート端子が第1のトランジスタ5のゲート端子に接続される。第2の抵抗102は、第2のトランジスタ3のソース端子と基準電位ノードとの間に接続される。第1の定電流源2は、第2のトランジスタ3のドレイン端子及びゲート端子に接続される。ここで、第1の抵抗101は、本実施形態の特徴であるソース端子に付加されたソース抵抗であり、第2の102はそれに対応する定電流源部分のソース端子に接続されたソース抵抗である。第1の抵抗101は、第1のトランジスタ5のソース端子及び基準電位ノード間に接続されるソース抵抗である。第2の抵抗102は、第2のトランジスタ3のソース端子及び基準電位ノード間に接続されるソース抵抗である。抵抗102,101を付加した場合でも、カレントミラー回路のミラー性は成立し、ミラー比は流れる電流の逆数となる。2つの抵抗102及び101の抵抗比は、第2の抵抗102の抵抗値:第1の抵抗101の抵抗値=1:10となるように設定する。すなわち、第2のトランジスタ第2の定電流回路3を流れる電流は、第1のトランジスタ第1の定電流回路5を流れる電流のM倍であり、第2の抵抗102の値は、第1の抵抗101の値の1/M倍である。これは、第2のトランジスタ3及び第1のトランジスタ5のソース電位を同一にし、N型MOSトランジスタ3,5のソース及びドレイン間電圧を同一にするためである。第1の抵抗101と第2の抵抗102の比は上記のように、カレントミラー比の逆数にするのが望ましい。この値にずれがあっても、ゲート電位Vgが変動した時の電流変動を小さくする効果は依然としてある。第1の抵抗101の抵抗値は、垂直信号線6に接続される基準電位線グランド線が列方向に延在することにより生じる配線抵抗の値より充分大きいことが必要である。グランド線の列方向の抵抗値は、固体撮像装置の画素数、画素領域の寸法、設計により異なるが、例えば、配線抵抗が1kΩであれば、第1の抵抗101は10kΩ~100kΩ程度が望ましい。垂直信号線6を流れる定電流Iの大きさも、第1の抵抗101の値に影響を与える。例えば、垂直信号線6を流れる定電流Iは5μA~20μAであるが、この電流Iと第1の抵抗101の値の積で計算される電圧値が0.2V程度を超えないことが望ましい。何故なら、画素1の回路の電源電圧が2.5~5.0Vであるのに対して、第1の抵抗101の両端の電位降下が0.2V程度以上あると、回路の信号振幅に影響が出始めるからである。第2の実施形態図3は、本発明の第2の実施形態の固体撮像装置であり、第1の実施形態と同じく、画素領域と垂直信号線6の定電流回路の一部を示したものである。図中、参照符号1、2、4、5、6は、第1の実施形態と同じであるので説明を割愛する。本実施形態では、定電流回路を構成する駆動トランジスタをバイポーラトランジスタとしている。第1の定電流回路は、第1のトランジスタ41及び第1の抵抗111を有する。第2の定電流回路は、第1の定電流源2、第2のトランジスタ31及び第2の抵抗112を有する。トランジスタ111及び112はバイポーラトランジスタであり、抵抗111及び112はエミッタ抵抗である。第1のトランジスタ41は、コレクタ端子が垂直信号線6に接続される。第1の抵抗111は、第1のトランジスタ41のエミッタ端子と基準電位ノードとの間に接続される。第2のトランジスタ31は、ベース端子が第1のトランジスタ41のベース端子に接続される。第2の抵抗112は、第2のトランジスタ31のエミッタ端子と基準電位ノードとの間に接続される。第1の定電流源2は、第2のトランジスタ31のコレクタン端子及びゲート端子に接続される。第2のトランジスタ31及び第2の抵抗112は第2の定電流回路を構成し、第1の定電流源2に応じて生成された電圧を、バイアス線51を通じて第1のトランジスタ41に伝えている。トランジスタ31及び抵抗112とトランジスタ41及び抵抗111はバイポーラ型のカレントミラー回路を構成し、バイポーラトランジスタ41及び31のエミッタの面積の比率、抵抗値の比率の逆数に比例して電流が流れる。図3においては、第1の定電流源2の電流=10×I、素子比率=10倍、であるので垂直信号線6にはIの電流が流れる。図4A及びBを用いて、エミッタ抵抗の効果を説明する。図4Aはエミッタ抵抗Reを付加した定電流回路、図4Bはエミッタ抵抗Reのない定電流回路である。MOSトランジスタの場合と同様に、vbはベース電位Vbの交流成分、veはエミッタ電位Veの交流成分、Reはエミッタ抵抗、ioutはバイポーラトランジスタの電流Ioutの交流成分である。図4Bのエミッタ抵抗Reのない場合、電流Ioutの交流成分ioutは、次式3となる。ここで、gmb=q/KTである。また、図4Aのエミッタ抵抗Reのある場合は、ベース電位の交流成分vbは次式4で表される。式4より、電流Ioutの交流成分ioutは、次式5で表される。これは、式1と同様に、ベース電位Vbの変動がエミッタ抵抗Reにより抑制される事を表している。すなわち、バイポーラトランジスタを用いた定電流回路においても、エミッタ抵抗Reを用いた定電流回路はバイアス線51の電位変動による電流変動を抑制するのに有用である。抵抗111と112の抵抗比率の考え方、抵抗111と定電流回路のグランド線の抵抗との大小関係の設計手法は第1の実施形態と同じである。第3の実施形態図5は、本発明の第3の実施形態の固体撮像装置の回路構成図であり、参照符号1、2、4、5、6、101、102は第1の実施形態と同じであるため説明を割愛する。図中、第2のトランジスタ3は定電流源のN型MOSトランジスタであり、ゲート接地用N型MOSトランジスタ104のドレイン電極にゲート電極4が接続されている。受け側のカレントミラーも同様なゲート接地用N型MOSトランジスタ103が挿入されていることで、第1のトランジスタ5のドレイン電圧の変動が抑制され、定電流性、出力変動耐性が向上する。N型MOSトランジスタ103とN型MOSトランジスタ104ゲート幅Wは1:10の比率で構成されている。106は定電圧源であり、N型MOSトランジスタ103及び104のゲート線105を駆動する電源である。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。第1の定電流回路は、第1のトランジスタ5及び第1の抵抗101の他、第3のトランジスタ103を有する。第3のトランジスタ103は、ドレイン端子が垂直信号線6に接続され、ソース端子が第1のトランジスタ5のドレイン端子に接続される。第2の定電流回路は、第1の定電流源2、第2のトランジスタ3及び第2の抵抗102の他、第4のトランジスタ104を有する。第4のトランジスタ104は、ゲート端子が第3のトランジスタ103のゲート端子に接続され、ソース端子が第2のトランジスタ3のドレイン端子に接続される。第1の定電流源2は、第2のトランジスタ3のゲート端子及び第4のトランジスタ104のドレイン端子に接続される。定電圧源106は、第4のトランジスタ104のゲート端子に接続される。N型MOSトランジスタ104の役割は、画素1からの出力信号の電位が低くなり、定電流回路の駆動トランジスタのドレイン電圧が低下した時に、駆動トランジスタが3極管動作から5極管動作に遷移することで定電流性が損なわれる現象を軽減することである。本実施形態の効果であるゲート線の電位変動による定電流回路の電流変動を抑制する効果と類似する。しかし、本実施形態がある信号レベルでの微小な電位変動を対象としているのに対して、ゲート接地トランジスタは、垂直信号線6に現れる信号電位の大きな変動を対象としている。両者を組み合わせることで、全体として、ゲート線の電位変動に対して定電流回路がより変動しにくい回路を構成することができ、固体撮像装置の画質向上に寄与する。第4の実施形態図6は、本発明の第4の実施形態の固体撮像装置の回路構成図であり、参照符号1、2、3、4、5、6、101、102、103、104、105は第3の実施形態と同じであるため説明を割愛する。以下、本実施形態が第3の実施形態と異なる点を説明する。図5の定電圧源106は削除される。第5のトランジスタ112は、ドレイン端子が第2の定電流源113に接続され、ゲート端子が第2の定電流源113及び第4のトランジスタ104のゲート端子に接続されるN型MOSトランジスタである。第3の抵抗111は、第5のトランジスタ112のソース端子と基準電位ノードとの間に接続される。第5のトランジスタ112は、第4のトランジスタ104のゲート接地電圧を生成するためのN型MOSトランジスタである。ゲート接地トランジスタ103のゲート電圧をN型MOSトランジスタ112で構成することで、ゲート接地電圧がN型MOSトランジスタの閾値電圧Vthに連動するため、MOSトランジスタの閾値電圧変動、温度変動に対して安定な動作が可能となる。第5の実施形態図7は、本発明の第5の実施形態の固体撮像装置の回路構成図であり、参照符号1、2、4、5、6は第1の実施形態と同じであるため説明を割愛する。また、バイポーラトランジスタ31及び41、エミッタ抵抗111及び112、バイアス線51は、第2の実施形態と同じである。以下、本実施形態が第2の実施形態と異なる点を説明する。第1の定電流回路は、第1のトランジスタ41及び第1の抵抗111の他、第3のトランジスタ113を有する。第3のトランジスタ113は、コレクタ端子が垂直信号線6に接続され、エミッタ端子が第1のトランジスタ41のコレクタ端子に接続されるバイポーラトランジスタである。第2の定電流回路は、第1の定電流源2、第2のトランジスタ31及び第2の抵抗112の他、第4のトランジスタ114を有する。第4のトランジスタ114は、ベース端子が第3のトランジスタ113のベース端子に接続され、エミッタ端子が第2のトランジスタ31のコレクタ端子に接続されるバイポーラトランジスタである。第1の定電流源2は、第4のトランジスタ114のコレクタ端子及びベース端子に接続される。第2のトランジスタ31は、ベース端子及びコレクタ端子が相互に接続される。定電流生成部にバイポーラトランジスタ114、画素定電流部にバイポーラトランジスタ113を付加、すなわちベース接地回路を付加することでバイポーラトランジスタ41のコレクタ電位の変動を抑制し、より安定な定電流回路を実現している。その際にも、抵抗111,112によりグランド線の影響を緩和、抑制し、所望の電流を得ることができる。第6の実施形態式1で示す通り、定電流回路のソース側に付加した抵抗Rsの抵抗値は値が大きいほど、定電流の安定化に大きな効果が得られる。より大きな抵抗を付加した場合と同じ効果を、より小さいレイアウト面積で実現することを第6の実施形態で示す。式1において、式6とおくと、ゲート電圧Vgの交流成分vgは、ソース抵抗Rsの電圧Vsの交流成分vsとゲートソース電圧Vgsの交流成分vgsとに分解することができる。ソース抵抗Rsの電圧Vsの交流成分vsは、次式7で表される。また、ゲートソース電圧Vgsの交流成分vgsは、次式8で表される。図8Aは第1~第5の実施形態で用いた定電流回路を再掲したものである。式6によれば、グランド及びゲート間の電位差Vgはゲートソース電圧Vgsとソース抵抗Rsの電圧Vsに分割されている。そのため、外乱などでゲート電位Vgが変化した際にも、1/gmに対してRsが加わったことで、電流変動が緩和される。図8Aの様に定電流回路が複数n個並列に存在している場合、その全てのソース電位はVsである。これより図8Bで示すように、複数のN型MOSトランジスタのソース同士を接続しても、その電圧関係は変化がない。これは、等価的に図8Cと置くことができる。すなわち、ソース電圧Vsの交流成分vsは、次式9で表される。式9のように、ソース電圧Vsが保存されていれば、動作上、図8Aと同等の効果が得られる。このようにソース抵抗Rsを有する定電流回路が複数本ある場合は抵抗Rsの部分をまとめても同様の効果がある事がわかる。その抵抗値は単独のものと比較し、統合数に反比例して小さくできる。例えば、第1の実施形態で10列分の20kΩの抵抗Rsを統合したとすれば、Rsが1/10の2kΩとなり、レイアウト面積を小さくできる。さらに、図8Dのように、ソース抵抗Rsを各列に割りつけて配置し、直列接続することで、各列の抵抗Rsは1/102の200Ωでよい。ソース端子のバランスを考えて、中央にソース抵抗の端子を接続する図8Eの方法も良い方法である。いずれもソース抵抗は統合列数の2乗に反比例して小さくすることができる。抵抗をまとめる際に、まとめるための配線の抵抗が、付加する抵抗より充分小さいことが必要である。固体撮像装置全列を1つにまとめる必要はなく、ひとまとめにした複数列を1つのブロックとして、このブロックを複数個配置しても構わない。図9は、図8で示した抵抗値の設計を固体撮像装置に適用した、本発明の第6の実施形態である。図中、201は統合されたソース抵抗であり、202は共通ソース電極であり、211は統合された定電流ブロックである。第1のトランジスタ5は、5個毎に相互にソース端子が接続される。相互に接続されたソース端子は、共通ソース電極202に接続される。第1の抵抗201は、共通ソース電極202と基準電位ノードとの間に接続される。本実施形態では、全列を5列毎に分割して定電流を統合しているが、定電流回路の第2のトランジスタ3及び第2の抵抗102に対して整合の取れたものであれば、その数は適宜選択可能である。第1のトランジスタ5の大きさは第1、第3及び第4の実施形態と同じくW/Lである。しかし、ソース抵抗201はR/5となり、第1~3の実施形態の1/5の値である。これは、ソース電極202の電位が第2のトランジスタ3のソース電位と同一とするためである。すなわち、第2のトランジスタ3のソース電位は、次式10で表される。また、抵抗201には、5個の第1のトランジスタ5から5×Iの電流が流れるため、ソース電位をIRとするには、ソース抵抗201は、次式11で表され、前述のように統合数に反比例して抵抗値を小さくできる。例えば、通常、外乱、変動に耐性のあるソース抵抗での電位は0.2V以上である、とすると、図中、Iは10μA程度とすると、ソース抵抗201は4kΩである。第7の実施形態図10は、本発明の第7の実施形態の固体撮像装置の回路構成図であり、図5に対し、第6の実施形態を適用したものである。第1のトランジスタ5は、5個毎に相互にソース端子が接続される。相互に接続されたソース端子は、共通ソース電極202に接続される。第1の抵抗201は、共通ソース電極202と基準電位ノードとの間に接続される。ゲート接地電圧源106及びゲート接地電流源N型MOSトランジスタ104で生成されたバイアスをN型MOSトランジスタ103にて受け、各定電流性を向上させている。第8の実施形態図11は、本発明の第8の実施形態の固体撮像装置の回路構成図であり、図6に対し、第6の実施形態を適用したものである。第1のトランジスタ5は、5個毎に相互にソース端子が接続される。相互に接続されたソース端子は、共通ソース電極202に接続される。第1の抵抗201は、共通ソース電極202と基準電位ノードとの間に接続される。電圧生成部は、図6と同様に、定電流源113、N型MOSトランジスタ112及びソース抵抗111により構成される。この様な回路構成にすることで、閾値変動、温度変動などの各変動に対し、耐性が向上する。第9の実施形態図12は、本発明の第9の実施形態の固体撮像装置の回路構成であり、図10に対し、別なゲート接地回路の電圧生成部を追加したものである。図7と同様に、N型MOSトランジスタ3及び104は、それぞれ、ドレイン及びゲートが相互に接続される。第1の定電流回路は、第1のトランジスタ5及び第1の抵抗201の他、第3のトランジスタ103を有する。第3のトランジスタ103は、ドレイン端子が垂直信号線6に接続され、ソース端子が第1のトランジスタ5のドレイン端子に接続されるN型MOSトランジスタである。第2の定電流回路は、第1の定電流源2、第2のトランジスタ3及び第2の抵抗102の他、第4のトランジスタ104を有する。第4のトランジスタ104は、ゲート端子が第3のトランジスタ103のゲート端子に接続され、ソース端子が第2のトランジスタ3のドレイン端子に接続されるN型MOSトランジスタである。第1の定電流源2は、第4のトランジスタ104のドレイン端子及びゲート端子に接続される。第2のトランジスタ3は、ゲート端子及びドレイン端子が相互に接続される。第1のトランジスタ5は、5個毎に相互にソース端子が接続される。相互に接続されたソース端子は、共通ソース電極202に接続される。第1の抵抗201は、共通ソース電極202と基準電位ノードとの間に接続される。本実施形態は、第8の実施形態に比べ、動作する電圧範囲は狭くなるが、電流源での消費電流が小さくなる。第10の実施形態図13は、本発明の第10の実施形態の固体撮像装置の回路構成図であり、図3に対応する。定電流回路がバイポーラトランジスタ31及び41の場合でも、エミッタ抵抗211を統合することで、小さな抵抗値で大きな効果が得られる。図中、参照符号2、31、51、112、41、6は、第2の実施形態と同一であり、説明を割愛する。第1のトランジスタ41は、5個毎に相互にエミッタ端子が接続される。相互に接続されたエミッタ端子は、共通エミッタ電極212に接続される。第1の抵抗211は、共通エミッタ電極212と基準電位ノードとの間に接続される。定電流ブロック219で5系統の統合を行い、バイポーラトランジスタ41のエミッタを共通エミッタ電極212で共通化する。共通エミッタ電極212からエミッタ抵抗211を通じて接地させ、その抵抗211は通常のエミッタ抵抗の1/5である。バイポーラトランジスタの場合はエミッタ電位が0.1Vもあれば十分にその抑圧効果がある。そのため、垂直信号線6に流れる電流Iが同様に10μAとすると、エミッタ抵抗の抵抗値Reは、統合なしの場合はRe=10kΩ、統合した場合はRe211=2kΩである。第11の実施形態第1~第11の実施形態は全て画素ソースフォロワの負荷の定電流に関してであったが、配列したオペアンプなどにも適用できる。図14は、本発明の第11の実施形態の1次元又は2次元に配列されたオペアンプ401~403を有する固体撮像装置の回路構成図である。図中、401、402、403は、1次元に配列されたオペアンプである。オペアンプ401~403の入力端子INは、それぞれ図2の複数の垂直信号線6に接続される。図2のように、複数の画素1は、光電変換を行う光電変換素子7を含む。オペアンプ401~403は、複数の画素1の信号を増幅する。第1の定電流回路は、第1のトランジスタ5及び第1の抵抗101を有し、オペアンプ401~403に定電流を流す。第2の定電流回路は、第1の定電流源2、第2のトランジスタ3及び第2の抵抗102を有し、定電流を流す。第1のトランジスタ5は、ドレイン端子がオペアンプ401~403に接続されるN型MOSトランジスタである。第1の抵抗101は、第1のトランジスタ5のソース端子と基準電位ノードとの間に接続される。第2のトランジスタ3は、ゲート端子が第1のトランジスタ5のゲート端子に接続されるN型MOSトランジスタである。第2の抵抗102は、第2のトランジスタ3のソース端子と基準電位ノードとの間に接続される。第1の定電流源2は、第2のトランジスタ3のドレイン端子及びゲート端子に接続される。第2のトランジスタ第2の定電流回路3を流れる電流は、第1のトランジスタ第1の定電流回路5を流れる電流のM倍であり、第2の抵抗102の値は、第1の抵抗101の値の1/M倍である。複数の第1のトランジスタ5及び第1の抵抗101は、オペアンプ401~403の動作電流を流す定電流回路である。2は定電流源である。第2のトランジスタ3は、第1のトランジスタ5のカレントミラーの元の10倍サイズのN型MOSトランジスタである。第2の抵抗102は、第2のトランジスタ3のソース抵抗である。第1のトランジスタ5のゲート電圧は、第1の定電流源2に応じて決まり、バイアス線4を通じて第1のトランジスタ5に伝達される。同一の回路が同一のバイアス線により駆動されている場合、その揺らぎが同時刻に発生し、線状のキズとなる場合があり、画像上好ましくない。本実施形態を用いると、その揺らぎが、大きく抑圧され、線キズが軽微となる。第12の実施形態図15は、本発明の第12の実施形態の固体撮像装置の回路構成図である。本実施形態は、第11の実施形態でのオペアンプの定電流回路を5個統合した実施形態である。第1のトランジスタ5は、5個毎に相互にソース端子が接続される。相互に接続されたソース端子は、共通ソース電極202に接続される。第1の抵抗201は、共通ソース電極202と基準電位ノードとの間に接続される。固体撮像装置は、各列にオペアンプを用いた増幅器を配置する場合が多く、その際には本実施形態が有効である。図中、参照符号2、3、4、102は、第12の実施形態と同一であるので説明を割愛する。図9と同様に、5個のオペアンプの定電流回路の第1のトランジスタ5のソースを共通ソース電極202により統合して共通ソース抵抗201により接地させる。これにより、比較的小さな抵抗にて大きなソース抵抗を有する定電流回路と同等の効果が得られ、画像上の線キズなどを抑制でき、良好な画像を得ることができる。以上、説明したように、固体撮像装置は、CMOSセンサーなど各画素にソースフォロワを有する1次元もしくは2次元の光センサーである。本実施形態は、その定電流回路にソース抵抗を用いた定電流源を用いる事、さらにそのソース部分を接続したブロックを構成し、そこにソース抵抗を付加することにより、外乱による誘導、グランド電位の上昇に対する耐性を向上する事が出来る。これにより、横筋などの画像の不安定を抑圧する事が出来、より良い画像を得る事が出来る。すなわち、垂直信号線6の定電流回路のゲートバイアス線5が電磁誘導などの外乱によって電位変動しにくくなり、定電流回路のグランド電位の上昇によって駆動電流が変動することを抑制する事が出来る。その結果、固体撮像装置が取得する画像のシェーディング、横筋発生などの課題を軽減する事が出来る。なお、第1~第12の実施形態において、トランジスタはMOSトランジスタであっても、バイポーラトランジスタであってもよい。その場合、MOSトランジスタのゲート端子、ドレイン端子及びソース端子は、それぞれバイポーラトランジスタのベース端子、コレクタ端子及びエミッタ端子に対応する。また、第11及び第12の実施形態のオペアンプ401~403に接続される定電流回路についても、第2~第10の実施形態を適用することができる。なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。"