"糖、または、該糖に由来する糖残基を含むアミロイドβ結合性材料であって、前記糖または前記糖残基は、アミロイドβの13番目のアミノ酸残基であるヒスチジン残基His13または14番目のアミノ酸残基であるヒスチジン残基His14と特異的に結合することを特徴とするアミロイドβ結合性材料。前記糖のヒドロキシ基のうち、少なくとも1つがヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基で置換されている、請求項1に記載のアミロイドβ結合性材料。前記糖のヒドロキシ基のうち、2以上がヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基で置換されている、請求項2に記載のアミロイドβ結合性材料。前記官能基は、スルホ基、スルホ基の塩、または、カルボキシル基である、請求項2または3に記載のアミロイドβ結合性材料。前記糖は六員環構造を有する、請求項1~4のいずれかに記載のアミロイドβ結合性材料。前記糖または前記糖残基は、水素結合または静電的相互作用によってHis13またはHis14の側鎖に結合する、請求項1~5のいずれかに記載のアミロイドβ結合性材料。センサ素子に固定化するためのリンカー部を有する、請求項1~6のいずれかに記載のアミロイドβ結合性材料。金属からなる空隙配置構造体を備えるセンサ素子であって、前記空隙配置構造体の表面に請求項1に記載のアミロイドβ結合性材料が固定化されていることを特徴とするセンサ素子。本発明は、アミロイドβとの特異的結合性に優れたアミロイドβ結合性材料、および、該結合性材料を用いたセンサ素子を提供することを目的とする。本発明は、糖、または、該糖に由来する糖残基を含むアミロイドβ結合性材料であって、前記糖または前記糖残基は、アミロイドβの13番目のアミノ酸残基であるヒスチジン残基His13または14番目のアミノ酸残基であるヒスチジン残基His14と特異的に結合することを特徴とするアミロイドβ結合性材料である。前記糖のヒドロキシ基のうち、少なくとも1つがヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基で置換されていることが好ましい。前記糖のヒドロキシ基のうち、2以上がヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基で置換されていることがより好ましい。前記官能基は、スルホ基、スルホ基の塩、または、カルボキシル基である、ことが好ましい。また、前記糖は六員環構造を有することが好ましい。前記糖または前記糖残基は、水素結合または静電的相互作用によってHis13またはHis14の側鎖に結合することが好ましい。上記アミロイドβ結合性材料は、センサ素子に固定化するためのリンカー部を有することが好ましい。また、本発明は、金属からなる空隙配置構造体を備えるセンサ素子であって、前記空隙配置構造体の表面に上記のアミロイドβ結合性材料が固定化されていることを特徴とするセンサ素子にも関する。本発明によれば、アミロイドβとの特異的結合性に優れたアミロイドβ結合性材料、および、該結合性材料を用いたセンサ素子を提供することができる。本発明において、アミロイドβAβは、42アミノ酸残基からなるAβ42あるいは40アミノ酸残基からなるAβ40であり、そのアミノ酸配列は:DAEFRHDSGYEVHHQKLVFFAEDVGSNKGAIIGLMVGGVVIAあるいはDAEFRHDSGYEVHHQKLVFFAEDVGSNKGAIIGLMVGGVVである。本発明者らの研究により、特許文献1に記載されたアミロイドβと親和性の高い糖残基は、アミロイドβの13番目のアミノ酸残基であるヒスチジン残基His13または14番目のアミノ酸残基であるヒスチジン残基His14に対して強く結合する傾向があることが判明した。かかる知見に基づいて、アミロイドβのHis13またはHis14と特異的に結合する糖または該糖に由来する糖残基を含む結合性材料である本発明に到達した。ヒスチジンは側鎖にイミダゾイル基を有することから、塩基性アミノ酸に分類される。このため、アミロイドβのHis13またはHis14と特異的に結合する糖としては、酸性基を増加させた糖が挙げられる。具体的には、ヒドロキシ基のうち、少なくとも1つがヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基で置換されている糖が挙げられる。糖のヒドロキシ基のうち、2以上がヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基で置換されていることが好ましい。ヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基としては、例えば、スルホ基、スルホ基の塩、または、カルボキシル基が挙げられ、好ましくはスルホ基の塩である。糖の骨格は特に限定されないが、六員環構造を有することが好ましい。糖のヒドロキシ基の一部は、ヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基以外の官能基で置換されていてもよい。ヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基以外の官能基としては、例えば、アセチルアミノ基が挙げられる。例えば、グルコースの2位のヒドロキシル基がアセチルアミノ基に置換されたにN-アセチルグルコサミンを用いる場合は、ヒドロキシ基をヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基で置換してもよく、アセチルアミノ基のアセチル基をヒドロキシ基より強い酸性を示す官能基に置換してもよい。このようなアミロイドβのHis13またはHis14と特異的に結合する糖に由来する糖残基の具体例としては、以下の化学式で示される糖残基が挙げられる。上記の糖または糖残基は、水素結合または静電的相互作用によってアミロイドβのHis13またはHis14の側鎖に結合することが好ましい。水素結合は、水溶液中の水分子を介した水素結合であってもよい。また、静電的相互作用は、水溶液中のイオンを介して生じるものであってもよい。本発明の結合性材料は、上記糖および該糖に由来する糖残基以外に、必要に応じて種々の構成材料を含んでいてもよく、例えば、アミロイドβ結合性材料をセンサ素子を構成する空隙配置構造体等に固定化するためのリンカー部を有することができる。例えば、リンカー部が末端にチオール基を有している場合、金から構成される空隙配置構造体等の表面にアミロイドβ結合性材料を結合させることができる。また、リンカー部が末端にヒドロキシ基-OHやカルボキシル基-COOHを有している場合、ニッケルから構成される空隙配置構造体等の表面にアミロイドβ結合性材料を結合させることができる。センサ素子上記アミロイドβ結合性材料は、例えば、アミロイドβの検出に使用可能な各種のセンシング技術に用いられるセンサ素子等に固定化される。そして、例えば、該センサ素子に固定化されたアミロイドβ結合性材料を介してアミロイドβを付着させた状態でセンシングが行われる。センサ素子の具体例としては、例えば、金属からなる空隙配置構造体を備えるセンサ素子であって、該空隙配置構造体の表面にアミロイドβ結合性材料が固定化されているセンサ素子が挙げられる。図1は、本発明のセンサ素子を用いた測定装置の一例の全体構造を模式的に示す図である。この測定装置は、レーザ2例えば、短光パルスレーザから照射されるレーザ光を半導体材料に照射することで発生する電磁波例えば、20GHz~120THzの周波数を有するテラヘルツ波パルスを利用するものである。図1の構成において、レーザ2から出射したレーザ光を、ハーフミラー20で2つの経路に分岐する。一方は、電磁波発生側の光伝導素子71に照射され、もう一方は、複数のミラー21同様の機能のものは付番を省略を用いることで、時間遅延ステージ26を経て受信側の光伝導素子72に照射される。光伝導素子71、72としては、LT-GaAs低温成長GaAsにギャップ部をもつダイポールアンテナを形成した一般的なものを用いることができる。また、レーザ2としては、ファイバー型レーザやチタンサファイアなどの固体を用いたレーザなどを使用できる。さらに、電磁波の発生、検出には、半導体表面をアンテナなしで用いたり、ZnTe結晶の様な電気光学結晶を用いたりしてもよい。ここで、発生側となる光伝導素子71のギャップ部には、電源3により適切なバイアス電圧が印加されている。発生した電磁波は放物面ミラー22で平行ビームにされ、放物面ミラー23によって、空隙配置構造体1に照射される。空隙配置構造体1を透過したテラヘルツ波は、放物面ミラー24,25によって光伝導素子72で受信される。光伝導素子72で受信された電磁波信号は、アンプ6で増幅されたのちロックインアンプ4で時間波形として取得される。そして、算出手段を含むPCパーソナルコンピュータ5でフーリエ変換などの信号処理された後に、空隙配置構造体1の透過率スペクトルなどが算出される。ロックインアンプ4で取得するために、発振器8の信号で発生側の光伝導素子71のギャップに印加する電源3からのバイアス電圧を変調振幅5V~30Vしている。これにより同期検波を行うことでS/N比を向上させることができる。なお、以上に説明した測定方法は、一般にテラヘルツ時間領域分光法THz-TDSと呼ばれる方法であるが、その他、フーリエ変換型赤外分光法FT-IR等の計測方法を用いることも可能である。空隙配置構造体にアミロイドβ結合性材料を直接固定化する場合、空隙配置構造体を構成する金属としては、ヒドロキシ基、チオール基、カルボキシル基などの官能基を有する化合物の官能基と結合することのできる金属や、ヒドロキシ基、アミノ基などの官能基を表面にコーティングできる金属、ならびに、これらの金属の合金を挙げることができる。具体的には、金、白金、パラジウム、ニッケル、チタン、クロム、シリコン、ゲルマニウムなどが挙げられ、好ましくは金、パラジウム、ニッケル、チタンである。金、パラジウムを用いた場合、特にアミロイドβ結合性材料がチオール基-SH基を有する場合に該チオール基を空隙配置構造体の表面に結合させることができるため有利である。また、ニッケル、チタンを用いた場合、特にアミロイドβ結合性材料がヒドロキシ基-OHやカルボキシル基-COOHを有する場合に該官能基を空隙配置構造体の表面に結合させることができるため有利である。本発明のセンサ素子を用いることにより、例えば、金属からなる空隙配置構造体において前方分散透過した電磁波の周波数特性に生じたディップ波形や、後方分散反射した電磁波の周波数特性に生じたピーク波形などが、被測定物アミロイドβの存在により変化することに基づいて、アミロイドβを検出することができる。ここで、ディップ波形とは、照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率例えば、電磁波の透過率が相対的に大きくなる周波数範囲において、空隙配置構造体の周波数特性例えば、透過率スペクトルに部分的に見られる谷型下に凸の部分の波形である。また、ピーク波形とは、照射した電磁波に対する検出した電磁波の比率例えば、電磁波の反射率が相対的に小さくなる周波数範囲において、空隙配置構造体の周波数特性例えば、反射率スペクトルに部分的に見られる山型上に凸の波形である。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1アミロイドβのどのアミノ酸残基が糖との結合に重要であるかを明らかにするため、アミロイドβを構成する各アミノ酸残基と糖との間の相互作用エネルギーを、第一原理フラグメント分子軌道FMO法により高精度に解析した。本実施例では、アミロイドβAβとしてはαヘリックス構造を有するもの以下、αヘリックスAβと略す。を用いた。また、糖として、上記化学式7、8で示される糖残基に相当する2種類の単糖以下、それぞれ糖I、糖IIと呼ぶを用いた。αヘリックスAβと糖I、αヘリックスAβと糖IIの複合体のそれぞれにおける最安定構造に対し、FMO計算により、Aβの各アミノ酸残基と糖間のInteractionenergyIEを計算した。計算結果をまとめたグラフを図2に示す。図2上段に示されるように、αヘリックスAβと糖Iの組み合わせにおいては、His1313番目のアミノ酸残基であるヒスチジン、Leu3434番目のアミノ酸残基であるロイシンと糖Iの間でIEが大きいことが分かる。I.E.が負の場合は引力的、正の場合は斥力的。なお、糖I周囲の構造を解析したところ、糖IとHis13の間、および、糖IとLeu34とGly33の間のバックボーンの酸素原子との間にそれぞれ1本の水素結合が形成されていることが確認された図5参照。一方、図2下段に示されるように、αヘリックスAβと糖IIの組み合わせにおいては、His1414番目のアミノ酸残基であるヒスチジン、Ala4242番目のアミノ酸残基であるアラニンと糖II間のIEが大きいことが分かる。なお、糖II周辺の構造を解析したところ、糖IIとHis14の間で3箇所、糖IIとAla42の間で2箇所の水素結合が形成されていることが確認された図6参照。図2の結果から、糖Iと糖IIに共通する傾向として、アミノ酸残基の13番目と14番目の付近が糖との結合において重要であり、この位置のヒスチジン残基と糖の結合性が重要であると考えられる。なお、糖Iと糖IIで、αヘリックスAβとのI.E.が変化する原因は、糖Iとアミロイドβの末端のAla42は反発するが図2上段、糖IIはAla42と引力相互作用が働いている図2下段ことなど、結合性が異なる為であると考えられる。実施例2実施例1では、糖のヒドロキシ基の1つ乃至2つがスルホ基の塩に置換された糖I、糖IIについて検討を行った。一方、本実施例では、上記化学式1~8で表される6つの糖残基に相当する単糖それぞれを順に糖A~Hと呼ぶについて、末端にチオール基を有するリンカー部を用いて、Au表面を有する空隙配置構造体の表面上に固定化し、Aβ42との結合による空隙配置構造体に特性変化をセンシングすることで、A~HのAβ42との特異吸着性能を調べる実験を行なった。図3に、空間配置構造体1の外形を示す。10aは空隙配置構造体1の主面を表し、11が空隙部である。空間配置構造体としては、ピッチs=6.5μm、開口d=4.0μm、厚み1.5μmのNi製の構造体の表面にAuによるコーティングを施したものを使用した。図4に、上記空間配置構造体の透過率の周波数特性例を示す。本実施例では、透過率のピーク周波数が約40THzになるものを使用した。空間配置構造体表面に物質が吸着した場合、その周波数特性は低周波側にシフトする。本実施例では、化合物1~8によるAβ42の吸着時のピーク周波数シフトを観測比較した。末端にチオール基を有するリンカー部を修飾した化合物1~8を用意し、各々、空間配置構造体表面にチオール=金属結合を利用して固定化した。固定化が終わった空間配置構造体の透過率の周波数特性をFT-IRを用いて測定し、透過率のピーク周波数を求め、これを反応前特性とした。反応前特性測定後の空間配置構造体を濃度100[μg/mL]のAβ42溶液中に約8時間放置することで、Aβ42と化合物1~8の特異吸着反応を行った。特異吸着反応後の空間配置構造体を洗浄乾燥を行い、前述と同様に反応後特性を測定した。化合物1~8について、周波数シフト量=反応後特性-反応前特性を下表に示す。この結果から、スルホ基の数が増えるに従って、周波数シフト量が増加、すなわちAβ42の特異吸着量が増加していることがわかる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"