"半導体基板の表面からホールを複数形成するホール形成工程と、前記ホールを形成した前記半導体基板の表面を減圧下において非酸化性雰囲気にてアニール処理により、前記半導体基板の内部に平板状空洞を形成する空洞形成工程と、を備えた半導体基板の製造方法において、前記平板状空洞形成工程において、前記複数のホールの開口部が閉じた後に前記半導体のソースガスを供給を開始することを特徴とする半導体基板の製造方法。半導体基板の表面からホールを複数形成するホール形成工程と、前記ホールを形成した前記半導体基板の表面を減圧下において非酸化性雰囲気にてアニール処理により、前記半導体基板の内部に平板状空洞を形成する空洞形成工程と、を備えた半導体基板の製造方法において、前記平板状空洞形成工程において、1つの平板状空洞が形成された後に前記半導体のソースガスを供給を開始することを特徴とする半導体基板の製造方法。前記半導体がシリコンであり、前記半導体のソースガスは、ジクロロシラン、もしくはトリクロロシラン、もしくはモノシランであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板の製造方法。平板状空洞の上のシリコン層の厚さが、前記平板状空洞の平面形状に内接する円の直径の1.7以上の厚さであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。前記平板状空洞の平面形状に内接する円の直径が120μm以上であることを特徴とする請求項4に記載の半導体基板の製造方法。請求項1ないし5のいずれか一項に記載の半導体基板の前記平板状空洞の上の半導体領域に半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。SON構造は減圧下でのアニール処理で平板状空洞を形成するため、平板状空洞内は減圧状態にある。図9は、SON構造の撓みを示す断面摸式図である。図9に示すように、SON構造が形成された半導体基板を大気下に置くと、平板状空洞6内外の圧力差により、平板状空洞6の上のシリコン層7が撓む。撓み量は平板状空洞の平面形状の面積平板状空洞を上方からみた場合の面積とシリコン層7の厚さに依存する。SON構造の上面の面積、平板状空洞6の厚さ、シリコン層7の厚さは、目的とする半導体装置によって決定される。しかしながら、通常のRIE法などを用いて作製したホールにより平板状空洞6を作製する場合、平板状空洞6の厚さとシリコン層7の厚さはある範囲でしか形成できない。また、平面形状の面積が大きな平板状空洞6を形成すると十分なシリコン層7の厚さと平板状空洞6の厚さが確保できない。このため、撓みによって平板状空洞6がつぶれてしまう場合がある。以上より、本発明の課題は、大きな平面形状の平板状空洞を備えた半導体基板または半導体装置の製造方法を提供することにある。上記の問題に鑑みて、発明者は鋭意検討した結果、半導体基板表面に複数のホールを形成した後、減圧下において非酸化性雰囲気でアニール処理を行い平板状空洞を形成する際に、半導体のソースガスの供給を行うものとする。シリコン基板の場合、半導体のソースガスとして、ジクロロシラン、トリクロロシランまたはモノシランを供給することで、シリコンをエピタキシャル成長させることにより補い、平板状空洞を形成する。平板状空洞の上のシリコン層の厚さが、前記平板状空洞の平面形状に内接する円の直径の1.7以上の厚さとなるように形成することが望ましい。図12は、平板状空洞の平面形状とそれに内接する円を示した図である。図12aは、平板状空洞の平面形状111が正方形である場合であり、図12bは、平面形状111が長方形である場合であり、図12cは、平面形状111が八角形である場合である。このように、平板状空洞の平面形状111は種々の形状を形成することができるが、その場合において、平板状空洞の上のシリコン層の厚さを平面形状111に内接する円の直径の1.7以上とすることが望ましい。平面形状が直径rの円形の平板状空洞における撓み量δとシリコン層の厚さtは次のような関係式がある特許文献1。δ=0.011ΔP×r4/E×t31ここで、ΔPはシリコン層に印加されている圧力N/μm2、Eはヤング率でシリコンの場合0.13N/μm2である。図10は、平板状空洞のシリコン層の厚さと撓み量の関係を示す図である。50Torrの減圧下において平板状空洞を形成した場合を示し、平板状空洞の平面形状が円形で直径が100μm、200μm、400μmの場合を示している。撓み量は平板状空洞の厚さより小さい必要があるので、この図から必要となるシリコン層の厚さと平板状空洞の厚さが分かる。そこで、減圧下の非酸化性雰囲気においてアニール処理を行い、シリコンのマイグレーションによりホールの開口部が閉じた後にシリコンソースガスを供給しシリコンをエピタキシャル成長させて、平板状空洞の上のシリコン層の厚さを厚く形成するものである。平面形状の面積が大きな平板状空洞を備えた半導体基板および半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1~図3は、本発明の実施形態に係わる半導体基板の形成方法を示す断面模式図である。図3において、図3aは、平板状空洞の平面形状およびホールの配置を示す平面摸式図であり、図3bは、他の平板状空洞の平面形状を模式的に示す図である。図3aのA-A ́線における断面図が図1dに対応し、Sはホール間の最短距離、Rはホール半径を示す。まず、図1aに示すように、単結晶のシリコン基板1上にマスク材2を形成し、その上にフォトレジストパターン3を形成する。マスク材2は、ホール形成のための異方性エッチングにおいて、シリコンとの選択比の高い材料が好ましく、例えばシリコン基板1を熱酸化して形成した熱酸化膜を用いる。次に、図1bに示すように、フォトレジストパターン3をマスクとして、異方性エッチング例えばRIEReactiveIonEtchingにより、マスク材2にフォトレジストパターン3のパターンを転写する。次に、図1cに示すように、フォトレジストパターン3を灰化して剥離した後、マスク材2をマスクとして異方性エッチング例えばRIEによりシリコン基板1の表面に複数のホール4を2次元的に配列形成する。この際、ホール側壁にはSiO2系の側壁保護膜14が生成される。次に、図1dに示すように、HF系エッチング液等を用いてエッチングをおこない、側壁保護膜14およびマスク材2を除去する。次に、減圧下の非酸化性雰囲気、例えば1150°C、10Torrの100水素雰囲気中にてアニール処理を行うことにより、ホール4の形状は、図2aのようになる。引き続きアニール処理を継続すると、図2bに示すように、各ホール4の開口部が閉ざされて空洞5が形成される。空洞5が形成された後、引き続き1150°C、10Torrの100水素雰囲気中にて、シリコンソースガスであるジクロロシランSiH2Cl2、トリクロロシランHSiCl3またはモノシランSiH4を供給する。シリコンソースガスを供給することでシリコンがエピタキシャル成長し、平板状空洞6の上のシリコン層7を厚く形成できる。シリコンソースガスの供給の開始は、図2cのように平板状空洞6が形成された後に開始してもよい。非酸化性雰囲気としては、100水素雰囲気、水素と希ガスの混合雰囲気、Arなどの希ガス雰囲気で行うことができる。また、また圧力を10Torrとしたが、例えば10Torr~60Torrが望ましい。また、ここではアニール温度を1150°Cしたが、アニール温度はそれよりも低くても良く、1000°C~1200°Cが好ましい。シリコンソースガスとして、ジクロロシランを供給する場合は、100sccm~400sccmの範囲の流量から適宜選択することができる。トリクロロシランを供給する場合は、1slm~3slmの範囲の流量から適宜選択することができる。また、モノシランを供給することも可能である。シリコンソースガスの供給を開始するタイミングとしては、ホール4の開口部が閉じた後とすることが望ましい。また、シリコンソースガスの供給を開始するタイミングとしてアニール処理を開始してホールの開口が閉じる前であってもよい。この場合、シリコンソースガスの供給を停止するタイミングとしては、図2bに示すように、ホール4の開口部が閉じるまで供給することが望ましい。しかし、平板状空洞6の平面形状や平面積の大きさによって適宜変えることができる。また、シリコンソースガスの供給と同時にPH3フォスヒィンなどを供給することにより平板状空洞6上にn型のシリコン層7を形成することができる。また、シリコンソースガスの供給と同時にB2H6ジボランなどを供給することにより平板状空洞6上にp型のシリコン層7を形成することができる。ここで、ホールの平面形状、深さ、側壁のテーパー角について、また、ホールの配置の間隔および配置方法について、検討した結果を述べる。平板状空洞6を形成するためには、平面形状が円形でない四角形などの多角形のホールでも形成できる。平面形状が円形のホールの場合その直径2Rは1.2μm以下とすることが適切な処理時間とするために有効であることが分かった。直径2Rが大きいと、ホールが変形して平板状空洞が形成されるまでの時間が長くなってしまう。1.2μmより大きい場合、1時間以上のアニール処理時間が必要になった。また、平板状空洞の形成には、平板状空洞を形成する領域に対するホールを開口する領域の面積、あるいは体積の比率ホール比率が大きく影響することが明らかになった。このホール比率が20未満の場合、図2bのように、各ホールに対する空洞5が形成されるが、空洞同士の間隔Sが大きく空洞同士がつながらず平板状空洞6は形成されない。また、ホール比率が60以上のときは、各ホールの変形が進展してもホール開口が閉じることができず、平板状空洞6は形成されなかった。また、ホール比率が45未満の場合、図2bに示すように各ホールに対する空洞5は形成されるが、ホール比率が45以上で60未満では、各ホール4同士の間隔Sが狭くなっており、各ホール4に対応した空洞5が形成される前に空洞同士がくっついてしまい、平板状空洞6の内部に多数のシリコン凸部が形成された構造となった。アニール処理を続けることで平板状空洞6が形成されるが、シリコン凸部に起因する凹凸が残ってしまうことが確認された。また、平板状空洞6の形成にはホール4のアスペクト比の影響も大きいことが確認された。アスペクト比が3未満の場合、ホール4が変形する際に開口を閉じることができずに、空洞5が形成されなかった。また、アスペクト比が8より大きい場合、ホール4の底部からの変形が進むことで、空洞が上下に並んだ構造が形成され、半導体センサ素子のダイアフラムとして用いるための平板状空洞6は形成されなかった。図11は、空洞5が上下に並んだ構造のFIBFocusedIonBeam写真である。アスペクト比は8.3であった。以上では、シリコンからなる基板について記載したが、他の半導体においても適用可能である。例えば、SiC基板の場合は、特許文献2に記載のようにホールを形成し、アニール処理の際には、例えば、SiH4とプロパンC3H8を供給すればよい。また、平板状空洞6の上にn型の半導体層を形成する場合は、窒素を供給しながらアニールすればよく、平板状空洞6の上にp型の半導体層を形成する場合は、TMAトリメチルアルミニウムを供給すればよい。実施例11つの平面形状が正方形で一辺の長さが400μmである平板状空洞6を、1つのシリコン基板1ウエハ内に2000個作製した。まず、図1aに示すように、単結晶のシリコン基板1を熱酸化し熱酸化膜からなるマスク材2を形成し、その上にフォトレジストパターン3を形成する。次に、図1bに示すように、フォトレジストパターン3をマスクとして、異方性エッチング、例えばCF4、CHF3、Arを用いたRIEReactiveIonEtchingにより、マスク材2にフォトレジストパターン3のパターンを転写する。次に、図1cに示すように、フォトレジストパターン3を灰化して剥離した後、マスク材2をマスクとして、異方性エッチング、例えばSF6、O2,Brを用いたRIEによりシリコン基板1の表面に複数のホール4を2次元的に配列形成する。ここで、ホール半径Rは0.4μm2R=0.8μm、距離Sは0.4μmD=1.2μm、深さTは5μmとする。次に、HFにより側壁保護膜14およびマスク材2を除去した後、エピタキシャル装置にシリコン基板1を入れ、100水素雰囲気中で、1150°C、10Torrの条件にて高温アニールを30分間行った。このとき、アニール処理開始から5分後にジクロロシランを300sccmの流量で供給を開始し412秒間供給した後、供給を停止した。ジクロロシランの供給は、図2bに示すように、各ホール4の開口面が閉ざされて空洞5が形成された後に開始するようにした。アニール処理後エピタキシャル装置からシリコン基板1を取り出し、劈開断面をSEMscanningelectronmicroscopeにより分析したところ、平板状空洞6の上のシリコン層7の厚さは7.5μmであった。実施例2ジクロロシランの供給時間を525秒間とした以外は実施例1と同様に平板状空洞6を形成した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ9.0μmであった。実施例3ジクロロシランの供給時間を750秒間とした以外は実施例1と同様に平板状空洞6を形成した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ12.0μmであった。実施例4ジクロロシランの供給時間を300秒間とした以外は実施例1と同様に平板状空洞6を形成した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ6.0μmであった。比較例1アニール処理の際にジクロロシランの供給を行わなかった以外は以外は実施例1と同様に平板状空洞6を形成した。エピタキシャル成長装置から取り出したところ、全ての平板状空洞6がつぶれていた。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ2.0μmであった。実施例51つの平面形状が正方形で一辺の長さが500μmである平板状空洞6を、1つのシリコン基板1ウエハ内に2000個作製した。ホール半径Rは0.4μm2R=0.8μm、距離Sは0.4μmD=1.2μm、深さTは5μmとし、100水素雰囲気中で、1150°C、10Torrの条件にて高温アニールを30分間行った。このとき、アニール処理開始から分後にジクロロシランを300sccmの流量で供給を開始し525秒間供給した後、供給を停止した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ9.0μmであった。実施例6ジクロロシランの供給時間を412秒間とした以外は実施例5と同様に平板状空洞6を形成した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ7.5μmであった。実施例7ジクロロシランの供給時間を300秒間とした以外は実施例5と同様に平板状空洞6を形成した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ6.0μmであった。比較例2アニール処理の際にジクロロシランの供給を行わなかった以外は以外は実施例5と同様に平板状空洞6を形成した。エピタキシャル成長装置から取り出したところ、全ての平板状空洞6がつぶれていた。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ2.0μmであった。実施例81つの平面形状が正方形で直径が350μmである平板状空洞6を、1つのシリコン基板1ウエハ内に2000個作製した。ホール半径Rは0.4μm2R=0.8μm、距離Sは0.4μmD=1.2μm、深さTは5μmとし、100水素雰囲気中で、1150°C、10Torrの条件にて高温アニールを30分間行った。このとき、アニール処理開始から5分後にジクロロシランを300sccmの流量で供給を開始し412秒間供給した後、供給を停止した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ7.50μmであった。比較例3アニール処理の際にジクロロシランの供給を行わなかった以外は以外は実施例8と同様に平板状空洞6を形成した。エピタキシャル成長装置から取り出したところ、全ての平板状空洞6がつぶれていた。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ2.0μmであった。実施例91つの平面形状が正方形で直径が260μmである平板状空洞6を、1つのシリコン基板1ウエハ内に2000個作製した。ホール半径Rは0.4μm2R=0.8μm、距離Sは0.4μmD=1.2μm、深さTは5μmとし、100水素雰囲気中で、1150°C、10Torrの条件にて高温アニールを30分間行った。このとき、アニール処理開始から5分後にジクロロシランを300sccmの流量で供給を開始し300秒間供給した後、供給を停止した。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ6.0μmであった。比較例4アニール処理の際にジクロロシランの供給を行わなかった以外は以外は実施例9と同様に平板状空洞6を形成した。エピタキシャル成長装置から取り出したところ、全ての平板状空洞6がつぶれていた。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ2.0μmであった。比較例5ホール半径Rは0.4μm2R=0.8μm、距離Sは0.4μmD=1.2μm、深さTは5μmとし、形成する平板状空洞6の平面形状が円形で直径30μmとし、100水素雰囲気中で、1150°C、10Torrの条件にて高温アニールを30分間行った。このとき、ジクロロシランの供給は行わなかった。エピタキシャル成長装置から取り出したところ、平板状空洞6はつぶれていなかった。実施例1と同様にシリコン層7の厚さを測定したところ2.0μmであった。図4は、平板状空洞の大きさとシリコン層の厚さの関係を示す図であり、実施例1~9および比較例1~5について平板状空洞6の上のシリコン層7のつぶれについて評価した結果を示す。図5は、SON構造の断面摸式図であり、平板状空洞6を形成した後、エピタキシャル成長装置より取り出し、劈開した面をSEMにより分析したFIB写真である。図5aは平板状空洞がつぶれない例を示し、図5bは平板状空洞がつぶれた例を示す。図4中において、○は、図5aに示すように、エピタキシャル成長装置からシリコン基板1を取り出した際に、シリコン基板1内の全ての平板状空洞6がつぶれていなかったものを示す。また、図4中において、×は、図5bに示すように、エピタキシャル成長装置からシリコン基板1を取り出した際に、シリコン基板1内の全ての平板状空洞6がつぶれてしまっていたものを示す。図4中の直線L1は、平板状空洞6の平面形状正方形の一辺の長さの1.7の点を結んだものである。このように、一辺の長さの1.7以上とすることでシリコン層7がつぶれない平板状空洞6を形成することができる。実施例1~9では、平板状空洞6の平面形状を正方形とした場合を示したが、図12bに示すような、平板状空洞6の平面形状111が長方形の場合は、シリコン層7の厚さを、長方形の短辺の長さの1.7以上の厚さとすることで同様にシリコン層7がつぶれない平板状空洞6を形成することができる。その理由は、つぶれには空洞となっている幅の狭い部分のその値の影響が大きいためである。また、図12cに示すように平板状空洞6の平面形状111が八角形の場合においては、内接する円の直径の1.7以上とすることでつぶれない平板状空洞6を形成することができる。その理由は、やはり、つぶれには空洞となっている幅の狭い部分のその値の影響が大きいためである。図12a~cに示すように、いずれの場合においても、内接する円の直径の1.7以上とすることでつぶれない平板状空洞6を形成することができることがわかる。平板状空洞6の平面形状が略円形の場合は、その直径の1.7以上とすることでつぶれない平板状空洞6を形成することができる。このように、シリコン層7の厚さがL1よりも厚い場合は、平板状空洞6のつぶれが発生しない。また、シリコンソースガスを供給しない場合、シリコン層7の厚さは2μm程度の厚さは形成できることがわかる。よって、平板状空洞6が平面形状に内接する円の直径が120μm以上となる場合は、アニール処理の際に、シリコンソースガスを供給する必要があることが分かる。以上の実施例では、アニール処理開始してから5分後にシリコンソースガスの供給を開始した。これは、図2bのようにホール4の開口部が閉じ空洞5が形成された時点でシリコンソースガスを供給するものである。平板状空洞6が形成された後にシリコンソースガスの供給を開始する場合は、アニール処理開始から20分後に開始するようにすればよい。この場合も同様につぶれが発生しない平板状空洞6を形成することができた。実施例10図6は、平板状空洞を備えた半導体センサ素子の模式断面図である。この半導体センサは圧力を応力として感知し電気信号へ変換する素子である。この半導体センサ素子20は、n型ウェル領域21に配置されるpチャネルMOSFET22、p型ウェル領域23に配置されるnチャネルMOSFET24、n型ウェル領域25に配置されるn型の拡散領域からなるゲージ26、LOCOS酸化膜27、層間絶縁膜28、アルミ配線29および表面保護膜30を備えた半導体装置である。実施例2において1000個形成したシリコン基板1に図5に示した半導体センサ素子20を形成した。平板状空洞6の上のシリコン層7にクラックが入ったものは無かった。この例では、半導体装置として、半導体センサ素子について説明したが、平板状空洞6上のシリコン層7にMOSデバイスなどの半導体素子を形成し、平板状空洞6を絶縁分離領域として用いる半導体装置としてもよい。"