減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度T1よりも低い温度T2になるまで前記基板を冷却するステップと、を備えたことを特徴とする基板冷却方法。前記ガイド機構に支持された前記基板の前記主面と、前記冷却体と、の距離を縮小させつつ、前記基板を冷却することを特徴とする請求項1記載の基板冷却方法。前記基板の温度が前記温度T2未満になった後に、前記基板を前記冷却体に接触させることを特徴とする請求項1または2に記載の基板冷却方法。前記基板は、炭化ケイ素を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の基板冷却方法。減圧状態が維持可能であり、基板の搬入出が可能なロードロック室と、減圧状態が維持可能であり、前記基板を加熱することが可能な処理室と、前記真空処理室から前記ロードロック室に、前記基板を搬送することが可能なロボットが設置された基板搬送室と、を備え、前記ロードロック室は、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を支持するガイド機構と、冷却体と、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面と前記冷却体とを接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度T1よりも低い温度T2になるまで、前記基板を冷却することが可能な駆動部と、を有することを特徴とする真空処理装置。本発明が解決しようとする課題は、加熱された基板を、より均一かつ迅速に冷却する基板冷却方法、および真空処理装置を提供することである。実施形態の基板冷却方法は、減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度T1よりも低い温度T2になるまで前記基板を冷却するステップと、を備える。以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。実施形態の基板冷却方法を説明する前に、この方法を実施する真空処理装置について説明する。図1は、実施形態に係る真空処理装置の平面模式図である。真空処理装置1は、例えば、枚葉式の真空処理装置であり、ロードロック室10、11と、真空処理室処理室20と、基板搬送室30と、を備える。ロードロック室10、11は、いずれも減圧状態が維持可能であり、基板例えば、半導体基板90の搬入出が可能である。ロードロック室10は、真空処理室20で真空処理された基板90を収納することが可能であり、ロードロック室11は、真空処理室20で真空処理する前の基板90を収納することが可能である。真空処理装置1においては、ロードロック室11に設置された基板90が基板搬送室30を介して、真空処理室20に搬送される。そして、真空処理室20で基板90が真空処理された後、基板90は、基板搬送室30を介して、ロードロック室10に返される。真空処理室20は、減圧状態が維持可能であり、例えば、イオン注入、スパッタリング、CVDChemicalVaporDeposition、ドライエッチング等のいずれかの真空処理をすることができる。真空処理室20は、基板90を支持することが可能な支持台21を有する。支持台21は、基板90を高温例えば、500°Cに加熱することができる。基板搬送室30は、ロードロック室10、11と、真空処理室20と、の間に介設されている。基板搬送室30には、真空ロボットロボット31が設けられている。真空ロボット31は、基板90の外周を支持することが可能な搬送アーム32を有する。真空ロボット31は、ロードロック室11から真空処理室20に基板90を搬送したり、真空処理室20からロードロック室10に基板90を搬送したりする。さらに、真空処理装置1は、ストッカ室40、41と、基板機構50と、を備える。基板機構50は、ストッカ室40、41と、ロードロック室10、11と、の間に介設されている。ストッカ室40、41内のそれぞれには、基板90を複数収納することが可能なカセットケース42、43が設置されている。基板機構50には、ストッカ室40からロードロック室11に基板90を搬送したり、ロードロック室10からストッカ室41に基板90を搬送したりする真空ロボット51が設置されている。真空ロボット51は、基板90の裏面を支持することが可能な搬送アーム52を有する。次に、真空処理装置1のロードロック室10について詳細に説明する。図2は、実施形態に係るロードロック室の平面模式図である。図3は、実施形態に係るロードロック室の断面模式図である。図3には、図2のα-βの位置における断面模式図である。ロードロック室10は、上側ロードロック室である蓋部100と、下側ロードロック室である真空容器101と、冷却体である金属ブロック110と、駆動部であるリフタ11と、を有する。ロードロック室10においては、蓋部100と、真空容器101、とは嵌合し、この嵌合した状態において、真空ポンプ図示しないによる排気手段によって、ロードロック室10内を減圧状態にすることができる。ロードロック室10内が大気状態にあるときは、蓋部100が真空容器101から離れ、ロードロック室10内が大気開放される。ロードロック室10が大気状態では、ロードロック室10から上述したストッカ室41に基板90を搬送することができる。また、基板搬送室30と、上述した真空容器101とは、真空バルブ図示しないを介して互いに連結されている。ロードロック室10は、リング状のガイド機構102を有する。ガイド機構102は、ロードロック室10内に搬送された基板90の外周を支持する。例えば、ガイド機構102は、基板90の外端から内側に向かう2mm~4mmの領域90aを支持する。ロードロック室10は、ガイド機構102に支持された基板90の主面例えば、裏面に接近することが可能な冷却体を有する。冷却体の例として、金属ブロック110が例示されている。金属ブロック110は、平面形状が半円状の金属ブロック部110aと、平面形状が半円状の金属ブロック部110bと、を有する。金属ブロック110部aと、金属ブロック部110bと、は、溝110tを挟み互いに対向している。金属ブロック110の主成分は、例えば、アルミニウムAl、銅Cu、鉄Fe、これらの金属を少なくとも2つ含有する合金である。金属ブロック部110aと、金属ブロック部110bと、の溝110tには、搬送アーム52を挿入することが可能である。例えば、基板90が金属ブロック110上に載置された後、金属ブロック部110aと、金属ブロック部110bと、の間に搬送アーム52を挿入する。そして、搬送アーム52によって基板90を持ち上げ、搬送アーム52によって基板90を支持することにより、基板90を搬送アーム52によってロードロック室10から取り出すことができる。金属ブロック110は、駆動部であるリフタ111に接続され、上下移動が可能になっている。このリフタ111により、ガイド機構102に支持された基板90の主面と金属ブロック110とを接近させることができ、基板90の温度がロードロック室10内に搬送された直後の温度T1よりも低い温度T2になるまで、基板90を冷却することが可能になる。例えば、基板90がガイド機構102に支持された状態で、基板90の主面と、金属ブロック110の主面と、の間の距離をDとする。金属ブロック110の主面110sと、基板90の主面とは互いに対向し、この距離Dは、長くなったり、短くなったりする。金属ブロック110の上下移動は、制御機構112によって制御されている。制御機構112には、複数の温度センサ120によって検知された基板90の温度が入力される。金属ブロック110は、ガイド機構102に支持された基板90の主面例えば、裏面に接近することが可能である。基板90の温度に応じて、距離Dを変えたり、金属ブロック110を基板90に接近させる速度を変えたりすることができる。ロードロック室10では、金属ブロック110を基板90に接触させず、接近させることにより、ロードロック室10内に搬送された直後の基板90の温度T1を、温度T1よりも低い温度T2になるまで、基板90を冷却することが可能である。金属ブロック110内には、必要に応じて温度制御用の媒体を流してもよい。これにより、金属ブロック110は、外からの熱を受けても、一定の温度に保たれる。ロードロック室10には、基板90の温度のモニタリングするための温度センサ120が設けられている。温度センサ120は、例えば、熱輻射式の温度計である。なお、温度T1および温度T2、のそれぞれを、基板90の主面の中心における1点の温度としてもよく、温度T1および温度T2のそれぞれを基板90の主面内の複数の箇所における温度の平均値としてもよい。複数の箇所とは、基板90の主面の中心と、この中心を通る直線上の基板90の外周の2点と、を含む3点でもよい。あるいは、複数の箇所とは、基板90の主面の中心と、この中心を通る直線上の基板90の外周の2点と、前記中心を通り、前記直線に直交する別の直線上の基板90の外周の2点と、を含む5点でもよい。なお、複数の箇所については、これらの数に限定されない。複数の箇所で計測された基板温度の平均値を面内平均温度と呼称する。次に、実施形態に係る基板90の冷却方法について説明する。実施形態においては、真空処理室20において、高温処理された基板90を、ロードロック室10において、より均一かつ迅速に冷却する。基板90は、例えば、炭化ケイ素SiCを含む半導体基板である。図4は、実施形態に係る基板の冷却方法のフローチャート図である。図5は、実施形態に係る基板の冷却方法を説明するためのロードロック室の断面模式図である。真空処理室20において、500°C程度に加熱された基板90を、真空処理室20から基板搬送室30を介して、ロードロック室10内に搬送するステップS10。基板90は、ロードロック室10内に搬送される前に、真空処理室20において、予め500°C程度に加熱される。例えば、真空処理室20がイオン注入装置である場合、炭化ケイ素基板にイオン注入をする場合には、炭化ケイ素基板の非晶質化を避けるために、例えば、500°C程度の高温状態でイオン注入をする。ロードロック室10において、基板90の温度を上昇させる際には、基板90に急激な熱ストレスをかけないように、例えば、パルス状にゆっくり昇温させる。この後、基板90は、真空処理室20から基板搬送室30を介して、ロードロック室10内に搬送される。続いて、ロードロック室10内に搬送された基板90の外周をロードロック室10内に設けられたガイド機構102に支持させるステップS20。図5aには、ガイド機構102によって基板90が支持された状態が示されている。このときの基板90と金属ブロック110との距離をD1とする。次に、基板90の温度のモニタリングを開始するステップS30。温度のモニタリングは、例えば、複数の温度センサ120で行う。次に、ガイド機構102に支持された基板90の主面例えば、裏面に金属ブロック110を接近させるステップS40。このときの基板90と金属ブロック110との距離をD2とする。図5bには、図5aに比べて、金属ブロック110が基板90の主面に接近した状態が示されているD2<D1。金属ブロック110と基板90との間の距離Dを所定の距離に保ったり、あるいは、金属ブロック110を徐々に基板90に接近させて、距離Dを縮小させる。金属ブロック110が基板90に近づくと、基板90から放出される輻射熱は、金属ブロック110によって効率よく吸収される。これにより、基板90を迅速に冷やすことができる。そして、基板90の温度がロードロック室10内に搬送された直後の温度T1一例として、350°Cから温度T2一例として、200°Cになるまで、基板90を冷却するステップS50。ステップS50では、温度センサ120で基板90の温度を検出しつつ、金属ブロック110を駆動させる。温度T1から温度T2になるまでの段階では、金属ブロック110は、基板90に接触させない。例えば、ステップS50では、温度センサ120で、基板90の温度をモニタリングしながら、温度T1から温度T2まで基板の温度を下げる際の冷却速度を、10°C/秒以下に制御している。冷却速度を、10°C/秒より大きくすると、基板90に急激な熱ストレスがかかり、基板90が割れたり、基板90に欠けが生じたりする可能性がある。例えば、基板90がSiC基板のような熱伝導率の高い基板である場合には、割れ、欠けが起こりやすい。特に、冷却開始温度T1がより高く、冷却速度がより速いほど、冷却過程において大量の熱放出が基板90内で発生する。このため、基板90に急激な熱ストレスがかかり易い。従って、実施形態のごとく冷却速度は、10°C/秒以下であることが望ましい。また、ステップS50では、基板90の冷却が進行中の基板90の温度分布が許容値を超えないように基板90を冷却する。このための方策の1つとして、基板90が他の部材ガイド機構102と接触する部分は、基板90とガイド機構102とが接触する外縁領域90aのみとしている。また、温度T1と、温度T2と、が基板90の面内平均温度である場合は、基板90の主面における複数の箇所の温度のうち、最高温度と最低温度との差ΔTが20°C以下になるように、距離Dを所定の距離に保ったり、あるいは、金属ブロック110を徐々に基板90に接近させたりする。なお、ΔTが20°Cであるとき、ΔTは、許容値の最高値となっている。温度と最低温度との差が20°Cより大きくすると、基板90に急激な熱ストレスがかかり、基板90が割れたり、基板90に欠けが生じたりする可能性がある。このため、基板90の温度を温度T1から温度T2まで下げる際の、複数の箇所の温度のうちの最高温度と最低温度との差は、20°C以下であることが望ましい。次に、基板90が温度T2一例として、200°C未満になった後において、基板を金属ブロック110に接触させるステップS60。この状態を、図5cに示す。この段階では、基板90が充分に冷却されているので、基板90に欠け、割れが発生し難くなる。その後、ロードロック室10内が大気状態になり、基板90をロードロック室10から取り出すことが可能な状態になる。なお、基板90をよりゆっくりと冷却させるには、ロードロック室10の容積をロードロック室11の容積よりも大きくしてもよい。図6は、実施形態の効果を説明する図である。横軸は、時間秒であり、縦軸は、基板90の温度である。横軸には、基板90が真空処理室20からロードロック室10内に搬送された直後の時刻Xと、基板90が金属ブロック110で冷却された後の時刻Yが示されている。ここで、基板温度T1は、350°C以上、400°C以下であり、基板温度T2は、150°C以上、200°C以下としている。なお、図中には、基板温度のそれぞれの一例として、350°Cと、200°Cと、の例が示されている。実施形態ではこれらの値に限定されない。先ず、ラインAは、金属ブロック110を設けず、基板90を真空状態で放置しながら冷却させた場合の例である。この場合、基板90の周りは、真空である。このような状況では、基板90が真空中への放射冷却によって冷却されるために、冷却時間が長くなってしまう。従って、ラインAの勾配はなだらかになり、基板90がロードロック室10に搬入されてから、基板温度がT2になるまでのタクトタイムが上昇してしまう。一方、ラインBは、真空処理室20からロードロック室10内に搬送した直後に、金属ブロック110上に載置したとき温度変化の例である。この場合、基板90は急激に冷却されるものの、基板90は、許容値を超えた温度分布を有したままの状態で、冷却されてしまう。その結果、基板90内に熱ストレスが発生して、基板90に欠けや割れが発生する可能性がある。これに対し、ラインCは、実施形態の例である。この場合、基板90は、ラインAに比べ迅速に冷却されるとともに、ラインBに比べて、基板面内の温度分布がより均一になるように冷却される。従って、基板90は、許容値を超えた温度分布を有したまま冷却されず、基板90内に熱ストレスが発生し難くなる。その結果、基板90に欠けや割れが発生し難くなる。また、実施形態では、金属ブロック110を基板90に近づける速度を変えることにより、基板90の冷却速度を変えることができる。例えば、金属ブロック110を基板90に近づける速度をより遅くすれば、ラインCは、ラインC1のようになり、金属ブロック110を基板90に近づける速度をより速くすれば、ラインCは、ラインC2のようになる。従って、実施形態では、基板90の冷却速度の自由度が高くなる。このように、実施形態に係る基板冷却方法によれば、高温状態にある半導体基板を、より均一かつ迅速に冷却することができる。実施形態に係る基板冷却方法は、熱伝導率の高い半導体基板例えば、SiC基板の冷却に有効である。以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。例えば、金属ブロック110を基板90の上面側から接近させる方法も、実施形態に含まれる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。