"[A]同一又は異なる重合体分子中に、下記式1で表される基を有する構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含む重合体、[B]シロキサンポリマー、及び[C]光酸発生体を含有するポジ型感放射線性組成物。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は-MR3m3で表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。R3mは、それぞれ独立してアルキル基である。また、R1とR3とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、R3で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。[B]シロキサンポリマーが、下記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物である請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。式2中、R4は、炭素数1~20の非加水分解性の有機基である。R5は、炭素数1~4のアルキル基である。nは、0から3の整数である。但し、R4及びR5が複数の場合、複数のR4及びR5はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。[A]重合体と[B]シロキサンポリマーの合計に対する[A]重合体の質量比が5質量以上95質量以下である請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。表示素子用層間絶縁膜の形成に用いられる請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。1請求項4に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。請求項4に記載のポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は充分な表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性に加え、高い耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成でき、かつ充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]同一又は異なる重合体分子中に、下記式1で表される基を有する構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含む重合体以下、[A]重合体とも称する、[B]シロキサンポリマー、並びに[C]光酸発生体を含有するポジ型感放射線性組成物である。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は-MR3m3で表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。R3mは、それぞれ独立してアルキル基である。また、R1とR3とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、R3で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。当該ポジ型感放射線性組成物は、上記特定構造の[A]重合体及び[C]光酸発生体に加え、[B]シロキサンポリマーを配合することにより、充分な放射線感度を確保でき、さらに表面硬度、屈折率、耐熱性及び透明性をバランス良く満たし、かつ高い耐ドライエッチング性を有する層間絶縁膜等の硬化膜を形成することが可能である。[B]シロキサンポリマーは、下記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることが好ましい。式2中、R4は、炭素数1~20の非加水分解性の有機基である。R5は、炭素数1~4のアルキル基である。nは、0から3の整数である。但し、R4及びR5が複数の場合、複数のR4及びR5はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。当該ポジ型感放射線性組成物において、[B]シロキサンポリマーとして上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物を用いることによって、充分な放射線感度を確保しながら、表面硬度及び耐ドライエッチング性をより向上させた表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。当該ポジ型感放射線性組成物において、[A]重合体と[B]シロキサンポリマーの合計に対する[A]重合体の質量比は、5質量以上95質量以下であることが好ましい。[A]重合体と[B]シロキサンポリマーの合計に対する[A]重合体の質量比を上記特定範囲とすることで、より高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を得ることができ、結果としてより高い屈折率、透明性及び耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、1当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する。当該方法においては、当該ポジ型感放射線性組成物が良好な放射線感度を有すること、及び形成される表示素子用層間絶縁膜が高い耐ドライエッチング性を有するため、大きなドライエッチングマージンを確保できることにより、従来では全体を均一かつ短時間で処理することが難しかった大型表示装置用の表示素子用層間絶縁膜であっても、容易に、微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。さらに表面硬度、屈折率、耐熱性及び透明性をバランス良く満たした表示素子用層間絶縁膜を得ることができる。以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、[A]重合体、[B]シロキサンポリマー及び[C]光酸発生体を含有することによって、充分な感放射線性を有する。また、耐熱性、透明性、表面硬度及び屈折率をバランス良く満たすと共に、高い耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。<ポジ型感放射線性組成物>本発明のポジ型感放射線性組成物は、[A]重合体、[B]シロキサンポリマー及び[C]光酸発生体を含有する。また、当該ポジ型感放射線性組成物は好適成分として、[D]界面活性剤及び[E]密着助剤、[F]塩基性化合物、[G]キノンジアジド化合物を含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、同一又は異なる重合体分子中に、構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含んでいる。また、必要に応じてその他の構造単位を含んでいてもよい。構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIを含む[A]重合体の態様としては特に限定されず、例えばi同一の重合体分子中に構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIの両方を含んでおり、[A]重合体中に1種の重合体分子が存在する場合;ii一の重合体分子中に構造単位Iを含み、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位IIを含んでおり、[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合;iii一の重合体分子中に構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIの両方を含むと共に、それとは異なる重合体分子中に構造単位Iを含み、これらとはさらに異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位IIを含んでおり、[A]重合体中に3種の重合体分子が存在する場合;ivi~iiiに規定の重合体分子に加え、[A]重合体中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。上記いずれの場合であっても本発明の効果を享受することができる。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。[構造単位I]構造単位Iでは、上記式1で表される基が、酸の存在下で解離して極性基を生じる基酸解離性基として存在しているので、放射線の照射により[C]光酸発生体から生じた酸により酸解離性基が解離し、その結果、アルカリ不溶性であった[A]重合体はアルカリ可溶性となる。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。上記式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R1及びR2が共に水素原子である場合はない。R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は-MR3m3で表される基である。このMは、Si、Ge又はSnである。R3mは、それぞれ独立してアルキル基である。また、R1とR3とが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。但し、R3で表されるこれらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記R1及びR2で表されるアルキル基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。このアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。上記炭素数1~30の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数3~20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3~20のシクロアルキル基は、多環でもよく、環内に酸素原子を有していてもよい。上記炭素数3~20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表されるアリール基としては、例えば炭素数6~14のアリール基等が挙げられる。上記炭素数6~14のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数6~14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等、アリール基例えばフェニル基、ナフチル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数1~20のアルコキシ基等、アシル基例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i-ブチリル基等の炭素数2~20のアシル基等、アシロキシ基例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t-ブチリルオキシ基、t-アミリルオキシ基等の炭素数2~10のアシロキシ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、ハロアルキル基例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、n-テトラデシル基、n-オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等等が挙げられる。上記R3で表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基としては、例えば上記R1及びR2で例示した基が適用できる。これらの基の置換基としては、例えば上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記R3で表されるアラルキル基としては、例えば炭素数7~20のアラルキル基等が挙げられる。上記炭素数7~20のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。上記-MR3m3で表される基としては、例えばトリメチルシラニル基、トリメチルゲルミル基等が挙げられる。このR3で表されるアラルキル基又は-MR3m3で表される基の水素原子の一部又は全部を置換していてもよい置換基としては、上記置換基を好適に採用することができる。この基の置換基としては、例えば上記R1及びR2で表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。上記R1とR3とが連結して形成してもよい環状エーテル構造を有する基としては、例えば2,2-オキセタンジイル基、2,2-テトラヒドロフランジイル基、2-テトラヒドロピランジイル基、2-ジオキサンジイル基等が挙げられる。構造単位Iは、他の炭素原子に結合することによりアセタール構造又はケタール構造を有することとなるべき官能基を有することにより、そのアセタール構造又はケタール構造を持つことができる。上記他の炭素原子に結合することによりアセタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば1-メトキシエトキシ基、1-エトキシエトキシ基、1-n-プロポキシエトキシ基、1-i-プロポキシエトキシ基、1-n-ブトキシエトキシ基、1-i-ブトキシエトキシ基、1-sec-ブトキシエトキシ基、1-t-ブトキシエトキシ基、1-シクロペンチルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-ノルボルニルオキシエトキシ基、1-ボルニルオキシエトキシ基、1-フェニルオキシエトキシ基、1-1-ナフチルオキシエトキシ基、1-ベンジルオキシエトキシ基、1-フェネチルオキシエトキシ基、シクロヘキシルメトキシメトキシ基、シクロヘキシルエトキシメトキシ基、シクロヘキシルn-プロポキシメトキシ基、シクロヘキシルi-プロポキシメトキシ基、シクロヘキシルシクロヘキシルオキシメトキシ基、シクロヘキシルフェノキシメトキシ基、シクロヘキシルベンジルオキシメトキシ基、フェニルメトキシメトキシ基、フェニルエトキシメトキシ基、フェニルn-プロポキシメトキシ基、フェニルi-プロポキシメトキシ基、フェニルシクロヘキシルオキシメトキシ基、フェニルフェノキシメトキシ基、フェニルベンジルオキシメトキシ基、ベンジルメトキシメトキシ基、ベンジルエトキシメトキシ基、ベンジルn-プロポキシメトキシ基、ベンジルi-プロポキシメトキシ基、ベンジルシクロヘキシルオキシメトキシ基、ベンジルフェノキシメトキシ基、ベンジルベンジルオキシメトキシ基、2-テトラヒドロフラニルオキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基、1-トリメチルシラニルオキシエトキシ基、1-トリメチルゲルミルオキシエトキシ基等が挙げられる。これらのうち、1-エトキシエトキシ基、1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基、1-n-プロポキシエトキシ基、2-テトラヒドロピラニルオキシ基が好ましい。上記他の炭素原子に結合することにより、ケタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば1-メチル-1-メトキシエトキシ基、1-メチル-1-エトキシエトキシ基、1-メチル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-メチル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-メチル-1-n-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-i-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-sec-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-t-ブトキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロペンチルオキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ノルボルニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ボルニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-メチル-1-1-ナフチルオキシエトキシ基、1-メチル-1-ベンジルオオキシエトキシ基、1-メチル-1-フェネチルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-メトキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-エトキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-フェノキシエトキシ基、1-シクロヘキシル-1-ベンジルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-メトキシエトキシ基、1-フェニル-1-エトキシエトキシ基、1-フェニル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-フェニル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-フェニル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-フェニル-1-ベンジルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-メトキシエトキシ基、1-ベンジル-1-エトキシエトキシ基、1-ベンジル-1-n-プロポキシエトキシ基、1-ベンジル-1-i-プロポキシエトキシ基、1-ベンジル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-フェニルオキシエトキシ基、1-ベンジル-1-ベンジルオキシエトキシ基、2-2-メチル-テトラヒドロフラニルオキシ基、2-2-メチル-テトラヒドロピラニルオキシ基、1-メトキシ-シクロペンチルオキシ基、1-メトキシ-シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。これらのうち、1-メチル-1-メトキシエトキシ基、1-メチル-1-シクロヘキシルオキシエトキシ基が好ましい。上記アセタール構造又はケタール構造を有する構造単位Iとしては、例えば下記式1-1~1-3で表される構造単位等が挙げられる。上記式1-1~1-3中、R’は、水素原子又はメチル基である。R1、R2及びR3は、上記式1と同義である。上記式1-1~1-3で表される構造単位Iを与える単量体としては、例えば1-アルコキシアルキルメタアクリレート、1-シクロアルキルオキシアルキルメタアクリレート、1-ハロアルコキシアルキルメタアクリレート、1-アラルキルオキシアルキルメタアクリレート、テトラヒドロピラニルメタアクリレート等のメタアクリレート系アセタール構造含有単量体;2,3-ジ1-トリアルキルシラニルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-トリアルキルゲルミルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-アルコキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-シクロアルキルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-アラルキルオキシアルコキシカルボニル-5-ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;1-アルコキシアルコキシスチレン、1-ハロアルコキシアルコキシスチレン、1-アラルキルオキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体が挙げられる。これらのうち、1-アルコキシアルキルメタアクリレート、テトラヒドロピラニルメタアクリレート、1-アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが好ましく、1-アルコキシアルキルメタアクリレートがより好ましい。上記式1-1~1-3で表される構造単位Iを与える具体的な単量体としては、例えば1-エトキシエチルメタクリレート、1-メトキシエチルメタクリレート、1-n-ブトキシエチルメタクリレート、1-イソブトキシエチルメタクリレート、1-t-ブトキシエチルメタクリレート、1-2-クロルエトキシエチルメタクリレート、1-2-エチルヘキシルオキシエチルメタクリレート、1-n-プロポキシエチルメタクリレート、1-シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、1-2-シクロヘキシルエトキシエチルメタクリレート、1-ベンジルオキシエチルメタクリレート、2-テトラヒドロピラニルメタクリレート等のメタクリレート系アセタール構造含有単量体;1-エトキシエチルアクリレート、1-メトキシエチルアクリレート、1-n-ブトキシエチルアクリレート、1-イソブトキシエチルアクリレート、1-t-ブトキシエチルアクリレート、1-2-クロルエトキシエチルアクリレート、1-2-エチルヘキシルオキシエチルアクリレート、1-n-プロポキシエチルアクリレート、1-シクロヘキシルオキシエチルアクリレート、1-2-シクロヘキシルエトキシエチルアクリレート、1-ベンジルオキシエチルアクリレート、2-テトラヒドロピラニルアクリレート等のアクリレート系アセタール構造含有単量体;2,3-ジ1-トリメチルシラニルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-トリメチルゲルミルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-メトキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン、2,3-ジ1-ベンジルオキシエトキシカルボニル-5-ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;p又はm-1-エトキシエトキシスチレン、p又はm-1-メトキシエトキシスチレン、p又はm-1-n-ブトキシエトキシスチレン、p又はm-1-イソブトキシエトキシスチレン、p又はm-1-1,1-ジメチルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-クロルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-エチルヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm-1-n-プロポキシエトキシスチレン、p又はm-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm-1-2-シクロヘキシルエトキシエトキシスチレン、p又はm-1-ベンジルオキシエトキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体等が挙げられる。なお、これらの単量体は単独又は2種以上を使用することができる。これらのうち構造単位Iを与える単量体としては、1-エトキシエチルメタクリレート、1-n-ブトキシエチルメタクリレート、2-テトラヒドロピラニルメタクリレート、1-ベンジルオキシエチルメタクリレートが好ましい。構造単位Iを与える単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式1-1で表される構造単位Iを与える単量体は、下記式に示すようにメタアクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。上記式中、R’、R1及びR3は、上記式1-1と同義である。R21及びR22は、-CHR21R22として、上記式1-1におけるR2と同義である。[A]重合体における構造単位Iの含有量としては、[A]重合体が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを両方含む場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、5質量以上70質量以下が好ましく、10質量以上60質量以下がより好ましく、20質量以上50質量以下が特に好ましい。一方、一の重合体分子に構造単位Iを含み、かつこれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位IIを含む場合、構造単位Iを有するその一の重合体分子における構造単位Iの含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、40質量以上99質量以下が好ましく、50質量以上98質量以下がより好ましく、55質量以上95質量以下が特に好ましい。[エポキシ基含有構造単位II]エポキシ基含有構造単位IIとしては、エポキシ基含有単量体に由来する構造単位であれば特に限定されない。[A]重合体が分子中にエポキシ基含有構造単位IIを含むことで、当該ポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜の表面硬度及び耐熱性をさらに高めることができる。なお、本明細書のエポキシ基とは、オキシラニル基1,2-エポキシ構造及びオキセタニル基1,3-エポキシ構造を含む概念である。エポキシ基含有構造単位IIを与える単量体としては、例えばメタアクリル酸グリシジル、メタアクリル酸3,4-エポキシブチル、アクリル酸3-メチル-3,4-エポキシブチル、メタクリル酸3-エチル-3,4-エポキシブチル、メタアクリル酸5,6-エポキシヘキシル、メタクリル酸5-メチル-5,6-エポキシヘキシル、メタクリル酸5-エチル-5,6-エポキシヘキシル、メタアクリル酸6,7-エポキシヘプチル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルメチル、メタアクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルブチル、メタアクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸3,4-エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有メタアクリル系化合物;o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル-p-ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;o-ビニルフェニルグリシジルエーテル、m-ビニルフェニルグリシジルエーテル、p-ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;3-アクリロイルオキシメチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-アクリロイルオキシメチル-3-フェニルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-アクリロイルオキシエチル-3-フェニルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-フェニルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-エチルオキセタン、3-2-メタクリロイルオキシエチル-3-フェニルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-メチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-エチルオキセタン、2-アクリロイルオキシメチル-2-フェニルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-アクリロイルオキシエチル-2-フェニルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-メチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-エチルオキセタン、2-メタクリロイルオキシメチル-2-フェニルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-エチルオキセタン、2-2-メタクリロイルオキシエチル-2-フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有メタアクリル系化合物等が挙げられる。これらの単量体は、単独又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸-2-メチルグリシジル、メタクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、3-メタクリロイルオキシメチル-3-メチルオキセタン、3-メタクリロイルオキシメチル-3-エチルオキセタンが他の単量体との共重合反応性、及びポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。[A]重合体におけるエポキシ基含有構造単位IIの含有量としては、表示素子用層間絶縁膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位Iとエポキシ基含有構造単位IIとを含む場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、10質量以上60質量以下が好ましく、15質量以上55質量以下がより好ましく、20質量以上50質量以下が特に好ましい。一方、一の重合体分子に構造単位Iを有し、かつ他の重合体分子にエポキシ基含有構造単位IIを含む場合、エポキシ基含有構造単位IIを含む他の重合体分子に含まれる全構造単位に対するエポキシ基含有構造単位IIの含有量としては、単量体仕込み比で、20質量以上80質量以下が好ましく、30質量以上70質量以下がより好ましく、35質量以上65質量以下が特に好ましい。[その他の構造単位][A]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位I及び構造単位II以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。その他の構造単位を与える単量体としては、カルボキシル基又はその誘導体、水酸基を有する単量体等が挙げられる。上記カルボキシル基又はその誘導体を有する単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2-アクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2-アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸;上記ジカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。上記水酸基を有する単量体としては、例えばアクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル等のアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル;メタクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸-3-ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸-5-ヒドロキシペンチルエステル、メタクリル酸-6-ヒドロキシヘキシルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチルエステル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等が挙げられる。これらの水酸基を有する単量体のうち、その他の単量体との共重合反応性及び得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸-2-ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸-4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチルエステル、メタクリル酸-4-ヒドロキシメチル-シクロヘキシルメチルエステルが好ましい。その他の単量体としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸i-プロピル等のアクリル酸アルキルエステル;メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸sec-ブチル、メタクリル酸t-ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル;アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸-2-メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、アクリル酸-2-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルオキシエチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキルエステル;メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸-2-メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、メタクリル酸-2-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルオキシエチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキルエステル;アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル及びアクリル酸のアラルキルエステル;メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル及びメタクリル酸のアラルキルエステル;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキルエステル;メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン-2-メチル等の酸素1原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル及び不飽和複素六員環メタクリル酸エステル;4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-シクロヘキシル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-メタクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル;4-アクリロイルオキシメチル-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2、2-ジエチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-イソブチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-シクロペンチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシメチル-2-シクロヘキシル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシエチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシプロピル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、4-アクリロイルオキシブチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸エステル;スチレン、α-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、p-メトキシスチレン、4-イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物;N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミド、N-スクシンイミジル-3-マレイミドベンゾエート、N-スクシンイミジル-4-マレイミドブチレート、N-スクシンイミジル-6-マレイミドカプロエート、N-スクシンイミジル-3-マレイミドプロピオネート、N-9-アクリジニルマレイミド等のN位置換マレイミド;1,3-ブタジエン、イソプレン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン等の共役ジエン系化合物;アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等のその他の不飽和化合物が挙げられる。これらのその他の単量体のうち、スチレン、4-イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、1,3-ブタジエン、4-アクリロイルオキシメチル-2-メチル-2-エチル-1,3-ジオキソラン、N-シクロヘキシルマレイミド、N-フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジルが、上記の反応官能基を有する単量体との共重合反応性、及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の点で好ましい。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、好ましくは2.0×103~1.0×105、より好ましくは5.0×103~5.0×104である。[A]重合体のMwを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び及び当該組成物により形成される表示素子用層間絶縁膜の表面硬度を高めることができる。[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnとしては、好ましくは2.0×103~1.0×105、より好ましくは5.0×103~5.0×104である。[A]重合体のMnを上記特定範囲とすることで、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。[A]重合体の分子量分布Mw/Mnとしては、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]重合体のMw/Mnを3.0以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の現像性を高めることができる。[A]重合体を含む当該ポジ型感放射線性組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。なお、本明細書のMw及びMnは、下記の条件によるGPCにより測定した。装置:GPC-101昭和電工製カラム:GPC-KF-801、GPC-KF-802、GPC-KF-803及びGPC-KF-804を結合移動相:テトラヒドロフランカラム温度:40°C流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合により合成できる。例えば、同一の重合体分子に構造単位I及びエポキシ基含有構造単位IIの両方を含む[A]重合体を合成する場合は、構造単位Iを与える単量体とエポキシ基含有構造単位IIを与える単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位Iを有し、かつそれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位IIを有する[A]重合体を合成する場合は、構造単位Iを与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位Iを有する重合体分子を得ておき、別途エポキシ基含有構造単位IIを与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させてエポキシ基含有構造単位IIを有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して[A]重合体とすればよい。[A]重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該組成物の調製の項において例示した溶媒が挙げられる。重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス-4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t-ブチルペルオキシピバレート、1,1’-ビス-t-ブチルペルオキシシクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素等が挙げられる。これらのうち、アゾ化合物が好ましく、2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオン酸メチルがより好ましい。ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよい。[A]重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n-ヘキシルメルカプタン、n-オクチルメルカプタン、n-ドデシルメルカプタン、t-ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α-メチルスチレンダイマー等が挙げられる。<[B]シロキサンポリマー>[B]シロキサンポリマーは、シロキサン結合を有するポリマーである限り特に限定されない。この[B]シロキサンポリマーは、加熱により自己縮合することで硬化物を形成する。[B]シロキサンポリマーとしては、上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であることが好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物において、[B]シロキサンポリマーとして上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物を用いることによって、充分な放射線感度を確保しながら、表面硬度及び耐ドライエッチング性をより向上させた表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。なお、本明細書における加水分解性シラン化合物とは、通常、無触媒、過剰の水の共存下、室温約25°C~約100°Cの温度範囲内で加熱することにより、加水分解してシラノール基を生成することができる加水分解性基を有するシラン化合物、又はシロキサン縮合物を形成することができる加水分解性基を有するシラン化合物をいう。一方、非加水分解性の基とは、このような加水分解条件下で、加水分解又は縮合を起こさず、安定に存在する基をいう。上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解反応においては、一部の加水分解性基が未加水分解の状態で残っていてもよい。また、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物とは、加水分解されたシラン化合物の一部のシラノール基同士が反応縮合した加水分解縮合物をいう。上記式2中、R4は、炭素数1~20の非加水分解性の有機基である。R5は、炭素数1~4のアルキル基である。nは、0から3の整数である。但し、R4及びR5が複数の場合、複数のR4及びR5はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記R4で表される炭素数が1~20の非加水分解性の有機基としては、炭素数1~12の無置換のアルキル基ビニル基、メタアクリロイル基又はエポキシ基で1以上置換されていてもよい、炭素数6~12のアリール基、炭素数7~12のアラルキル基が好ましい。また、R4は、ヘテロ原子を有する構造単位を含んでいてもよい。そのような構造単位としては、例えばエーテル、エステル、スルフィド等が挙げられる。上記R5で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、ブチル基等が挙げられる。これらのうち、加水分解の容易性の観点から、メチル基、エチル基が好ましい。nとしては、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは1である。nが0~2の整数である場合には、加水分解縮合反応の進行がより容易となり、その結果として[B]シロキサンポリマーの自己縮合による硬化反応の速度がさらに大きくなり、ひいては得られる表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性をより向上させることができる。上記式2で表される加水分解性シラン化合物としては、4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、2個の非加水分解性基と2個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、3個の非加水分解性基と1個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、又はそれらの混合物等が挙げられる。このような上記式2で表される加水分解性シラン化合物としては、例えば4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、テトラベンジロキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-プロポキシシラン等;1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、クロロトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ-i-プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ-i-プロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ-n-プロポキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等;2個の非加水分解性基と2個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、ジクロロジメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン等;3個の非加水分解性基と1個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物として、トリクロロメトキシシラン、トリブチルメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリブチルエトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物が好ましく、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物がより好ましく、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ-i-プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシランが特に好ましく、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが最も好ましい。このような加水分解性シラン化合物は、単独又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。上記式2で表される加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させる条件としては、上記式2で表される加水分解性シラン化合物の少なくとも一部を加水分解して、加水分解性基をシラノール基に変換し、縮合反応を起こさせるものである限り、特に限定されるものではないが、例えば上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合に用いられる水は、逆浸透膜処理、イオン交換処理、蒸留等の方法により精製された水を使用することが好ましい。このような精製水を用いることによって、副反応を抑制し、加水分解の反応性を向上させることができる。水の使用量としては、上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解性基-OR5の合計量1モルに対して、好ましくは0.1モル~3モル、より好ましくは0.3モル~2モル、特に好ましくは、0.5モル~1.5モルである。このような量の水を用いることによって、加水分解縮合の反応速度を最適化することができる。上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合に使用することができる溶媒としては、通常、後述するポジ型感放射線性組成物の調製に用いられる溶媒と同様のものを使用することができる。このような溶媒としては、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピオン酸エステル類が好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メトキシプロピオン酸メチルがより好ましい。上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合反応は、好ましくは酸触媒例えば塩酸、硫酸、硝酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、リン酸、酸性イオン交換樹脂、各種ルイス酸、塩基触媒例えばアンモニア、1級アミン類、2級アミン類、3級アミン類、ピリジン等の含窒素化合物;塩基性イオン交換樹脂;水酸化ナトリウム等の水酸化物;炭酸カリウム等の炭酸塩;酢酸ナトリウム等のカルボン酸塩;各種ルイス塩基、又はアルコキシド例えばジルコニウムアルコキシド、チタニウムアルコキシド、アルミニウムアルコキシド等の触媒の存在下で行われる。例えば、アルミニウムアルコキシドとしては、トリ-i-プロポキシアルミニウム、テトラ-i-プロポキシアルミニウム等を用いることができる。触媒の使用量としては、加水分解縮合反応の促進の観点から、加水分解性シラン化合物100質量部に対して、好ましくは0.5質量部以下であり、より好ましくは0.00001質量部~0.3質量部である。上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合における反応温度としては、好ましくは40°C~200°C、より好ましくは50°C~150°Cである。反応時間としては、好ましくは30分~24時間、より好ましくは1時間~12時間である。このような反応温度及び反応時間とすることによって、加水分解縮合反応を最も効率的に行うことができる。この加水分解縮合においては、反応系内に加水分解性シラン化合物、水及び触媒を一度に添加して反応を一段階で行ってもよく、又は加水分解性シラン化合物、水及び触媒を数回に分けて反応系内に添加することによって、加水分解及び縮合反応を多段階で行ってもよい。なお、加水分解縮合反応の後には、脱水剤を加え、次いでエバポレーションによって、水及び生成したアルコールを反応系から除去することができる。この段階で用いられる脱水剤としえは、一般的に、過剰の水を吸着又は包接して脱水能が完全に消費されるか、又はエバポレーションにより除去されるため、ポジ型感放射線性組成物に添加される後述の[I]脱水剤の範疇には入らないものとする。上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物のMwとしては、通常5.0×102~1.0×104が好ましく、1.0×103~5.0×103がより好ましい。Mwを5.0×102以上とすることで、ポジ型感放射線性組成物の塗膜の成膜性を改善することができる。一方、Mwを1.0×104以下とすることで、ポジ型感放射線性組成物の感放射線性の低下を防止することができる。当該ポジ型感放射線性組成物において、[A]重合体と[B]シロキサンポリマーの合計に対する[A]重合体の質量比が5質量以上95質量以下であることが好ましい。[A]重合体と[B]シロキサンポリマーの合計に対する[A]重合体の質量比を上記特定範囲とすることで、より高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を得ることができ、結果としてより高い屈折率、透明性及び耐ドライエッチング性を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。また、耐ドライエッチング性に加え表面硬度の観点から5質量以上85質量以上がより好ましい。<[C]光酸発生体>[C]光酸発生体は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該ポジ型感放射線性組成物が、酸解離性基を有する[A]重合体と[C]光酸発生体を含有することで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。[C]光酸発生体の当該ポジ型感放射線性組成物における含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[C]光酸発生剤とも称するでも、[A]重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。[C]光酸発生剤としては、オニウム塩、トリハロメチルトリアジン化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、リンオキソ酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、スルホンベンゾトリアゾール化合物、オキシムスルホネート化合物等が挙げられる。なお、これらの[C]光酸発生剤はそれぞれを単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。また、[C]光酸発生剤にキノンジアジド化合物は含まれない。[オニウム塩]オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス2,6-ジフルオロフェニルボレート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス2、6-ジフルオロフェニルボレート等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。アルキルスルホニウム塩としては、例えば4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル-4-ベンジルオキシカルボニルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル-4-ベンゾイルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル-4-ベンゾイルオキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル-3-クロロ-4-アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-2-メチル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4-メトキシベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4-アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-4-メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル-3-メチル-4-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル-4-メトキシベンジル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばp-クロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p-ニトロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p-クロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p-ニトロベンジル-3-メチル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5-ジクロロベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o-クロロベンジル-3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば3-ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3-ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3-p-メトキシベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジル-2-メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3-ベンジル-5-クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。アンモニウム塩化合物としては、例えばテトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラブチルアンモニウムハイドロジェンサルフェート、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルアンモニウムp-トルエンスルホネート、N,N-ジメチル-N-ベンジルアニリニウムヘキサフルオロアンチモネート、N,N-ジメチル-N-ベンジルアニリニウムテトラフルオロボレート、N,N-ジメチル-N-ベンジルピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート、N,N-ジエチル-N-ベンジルトリフルオロメタンスルホネート、N,N-ジメチル-N-4-メトキシベンジルピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート、N,N-ジエチル-N-4-メトキシベンジルトルイジニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。ホスホニウム塩化合物としては、例えばエチルトリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラブチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-1,1,2,2-テトラフルオロ-2-ノルボルナン-2-イルエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-2-5-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム-2-6-t-ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。[トリハロメチルトリアジン化合物]トリハロメチルトリアジン化合物としては、例えばハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。[ジアゾメタン化合物]ジアゾメタン化合物としては、例えばビストリフルオロメチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トリルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-キシリルスルホニルジアゾメタン、ビスp-クロロフェニルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニル-p-トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、フェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン等が挙げられる。[スルホン化合物]スルホン化合物としては、例えばβ-ケトスルホン化合物、β-スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。[スルホン酸エステル化合物]スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。[リンオキソ酸エステル化合物]リンオキソ酸エステル化合物としては、例えばトリアルキルリン酸エステル、トリアリールリン酸エステル、ジアルキルリン酸エステル、モノアルキルリン酸エステル、トリアルキル亜リン酸エステル、トリアリール亜リン酸エステル、ジアルキル亜リン酸エステル、モノアルキル亜リン酸エステル、次亜リン酸エステル等が挙げられる。[スルホンイミド化合物]スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-カンファスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-カンファスルホニルオキシフタルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-2-フルオロフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-カンファスルホニルオキシジフェニルマレイミド、4-メチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-フェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-ノナフルオロブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-カンファスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-フェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ペンタフルオロエチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ノナフルオロブチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-エチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-プロピルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ブチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ペンチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘキシルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ヘプチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-オクチルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド、N-ノニルスルホニルオキシナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる。[スルホンベンゾトリアゾール化合物]スルホンベンゾトリアゾール化合物としては、例えば1-トリフルオロメタンスルホニルオキシベンゾトリアゾール、1-ノナフルオロブチルスルホニルオキシベンゾトリアゾール、1-4-メチルフェニルスルホニルオキシ-ベンゾトリアゾール等が挙げられる。[オキシムスルホネート化合物]オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式3で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物が好ましい。上記式3中、RC1は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。上記RC1で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1~10のアルコキシ基、7,7-ジメチル-2-オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記RC1で表されるアリール基としては、炭素数6~11のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。上記式3で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式4で表されるオキシムスルホネート化合物が好ましい。上記式4中、RC1は、上記式3と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは、0~3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。上記Xで表され得るアルキル基としては、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Xで表されるアルコキシ基としては、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。mとしては、0又は1が好ましい。上記式4においては、mが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。上記式4で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式4-1~4-5でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。上記化合物4-15-プロピルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物4-25-オクチルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物4-3カンファースルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル、化合物4-45-p-トルエンスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリル及び化合物4-55-オクチルスルフォニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルは、市販品として入手できる。[C]光酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式3で表される化合物がより好ましく、上記式4で表される化合物が特に好ましく、市販品として入手可能な、上記式4-1~4-5で表される化合物が最も好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩がより好ましく、4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートが特に好ましい。当該組成物における[C]光酸発生体の含有量としては、[C]光酸発生体が[C]光酸発生剤である場合として、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの合計100質量部に対して、好ましくは0.1質量部~10質量部、より好ましくは1質量部~5質量部である。[C]光酸発生剤の含有量を上記特定範囲とすることで、良好な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を得ることができ、これにより透明性を維持しつつ充分な表面硬度を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。<[D]界面活性剤>[D]界面活性剤は、当該ポジ型感放射線性組成物の塗布性の改善、塗布ムラの低減、膜厚均一性を改良するために添加することができる。[D]界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。これらの[D]界面活性剤は、単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2-テトラフルオロn-オクチル1,1,2,2-テトラフルオロn-プロピルエーテル、1,1,2,2-テトラフルオロn-オクチルn-ヘキシルエーテル、ヘキサエチレングリコールジ1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-ペンチルエーテル、オクタエチレングリコールジ1,1,2,2-テトラフルオロn-ブチルエーテル、ヘキサプロピレングリコールジ1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-ペンチルエーテル、オクタプロピレングリコールジ1,1,2,2-テトラフルオロn-ブチルエーテル、パーフルオロn-ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロn-デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-デカフルオロn-ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキスフルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM-1000、BM-1100以上、BMCHEMIE製、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC-170C、同FC-171、同FC-430、同FC-431以上、住友スリーエム製、サーフロンS-112、同S-113、同S-131、同S-141、同S-145、同S-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子製、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、新秋田化成製、フタージェントFT-100、同FT-110、同FT-140A、同FT-150、同FT-250、同FT-251、同FT-300、同FT-310、同FT-400S、同FTX-218、同FT-251以上、ネオス製等が挙げられる。シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH-190、同SH-193、同SZ-6032、同SF-8428、同DC-57、同DC-190、SH8400FLUID以上、東レダウコーニングシリコーン製、TSF-4440、TSF-4300、TSF-4445、TSF-4446、TSF-4460、TSF-4452以上、GE東芝シリコーン製、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業製等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類;メタアクリル酸系共重合体類等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤の販品としてはポリフローNo.57、95共栄社化学製等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物における[D]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの合計100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上10質量部以下であり、より好ましくは0.05質量部以上5質量部以下である。[D]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることでポジ型感放射線性組成物の塗布性を最適化することができる。<[E]密着助剤>当該ポジ型感放射線性組成物においては、基板となる無機物、例えばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために[E]密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基好ましくはオキシラニル基、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。これらの[E]密着助剤は、単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物における[E]密着助剤の含有量としては、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの合計100質量部に対して、好ましくは0.5質量部以上20質量部以下、より好ましくは1質量部以上10質量部以下の量で用いられる。[E]密着助剤の量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性が改善される。<[F]塩基性化合物>当該ポジ型感放射線性組成物が、[F]塩基性化合物を含有することで、露光により[C]光酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの[F]塩基性化合物は、単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。脂肪族アミンとしては、例えばトリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。芳香族アミンとしては、例えばアニリン、ベンジルアミン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。複素環式アミンとしては、例えばピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、N-メチル-4-フェニルピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、1,5-ジアザビシクロ[4,3,0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5,3,0]-7ウンデセン等が挙げられる。4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ-n-ブチルアンモニウムアセテート、テトラ-n-ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。[F]塩基性化合物としては、複素環式アミンが好ましく、4-ジメチルアミノピリジン、1,5-ジアザビシクロ[4,3,0]-5-ノネンがより好ましい。当該ポジ型感放射線性組成物における[F]塩基性化合物の含有量としては、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの合計100質量部に対して0.001質量部~1質量部が好ましく、0.005質量部~0.2質量部がより好ましい。[F]塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。<[G]キノンジアジド化合物>[G]キノンジアジド化合物は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物としては、フェノール性化合物又はアルコール性化合物以下、母核とも称すると1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。これらの[G]キノンジアジド化合物は、単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ポリヒドロキシフェニルアルカン、その他の母核等が挙げられる。トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’-テトラヒドロキシ-4’-メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシ-3’-メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4,2’,6’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,4,6,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。ポリヒドロキシフェニルアルカンとしては、例えばビス2,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビスp-ヒドロキシフェニルメタン、トリスp-ヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリスp-ヒドロキシフェニルエタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、2,2-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン、1,1,3-トリス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3-フェニルプロパン、4,4’-1-4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニルエチリデンビスフェノール、ビス2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’-テトラメチル-1,1’-スピロビインデン-5,6,7,5’,6’,7’-ヘキサノール、2,2,4-トリメチル-7,2’,4’-トリヒドロキシフラバン等が挙げられる。その他の母核として、例えば2-メチル-2-2,4-ジヒドロキシフェニル-4-4-ヒドロキシフェニル-7-ヒドロキシクロマン、1-[1-3-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}-4,6-ジヒドロキシフェニル-1-メチルエチル]-3-1-3-{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}-4,6-ジヒドロキシフェニル-1-メチルエチルベンゼン、4,6-ビス{1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチル}-1,3-ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。これらの母核のうち、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタン、4,4’-1-4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニルエチリデンビスフェノールが好ましい。1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸クロリド、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリド等が挙げられる。これらのうち、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドが好ましい。フェノール性化合物又はアルコール性化合物と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物としては、1,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタンと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドとの縮合物、4,4’-1-4-1-4-ヒドロキシフェニル-1-メチルエチルフェニルエチリデンビスフェノールと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドとの縮合物が好ましい。フェノール性化合物又はアルコール性化合物母核と、1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30モル~85モル、より好ましくは50モル~70モルに相当する1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4-トリアミノベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸アミド等も好適に使用される。[G]キノンジアジド化合物の使用量としては、[C]光酸発生体と[G]キノンジアジド化合物の合計が、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの合計100質量部に対して好ましくは0.1質量部~30質量部、より好ましくは1質量部~20質量部である。<その他の任意成分>当該ポジ型感放射線性組成物は、上記[A]~[G]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤、[I]脱水剤等のその他の任意成分を含有してもよい。<[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤>[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤は、加熱により、[B]シロキサンポリマー好ましくは上記式2で表される加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物を、自己縮合硬化させる際の触媒として作用する酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出することができる化合物と定義される。このような[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤を用いることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性をより向上させることができる。なお、[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤としては、ポジ型感放射線性組成物の塗膜形成工程における比較的低温例えば70°C~120°Cのプレベーク時には酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出せず、現像後の加熱工程における比較的高温例えば120°C~250°Cのポストベーク時に酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出する性質を有するものが好ましい。これらの[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤は、単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。[H]感熱性酸発生剤としては、[C]光酸発生体の説明において列挙した化合物を好適に適用できる。また光、熱のいずれに感応させるかは、露光量、温度を調整することにより使い分けが可能である。[H]感熱性塩基発生剤としては、例えば2-ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、[2,6-ジニトロベンジルオキシカルボニル]シクロヘキシルアミン、N-2-ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン、ビス[2-ニトロベンジルオキシカルボニル]ヘキサン-1,6-ジアミン、トリフェニルメタノール、O-カルバモイルヒドロキシアミド、O-カルバモイルオキシム、4-メチルチオベンゾイル-1-メチル-1-モルホリノエタン、4-モルホリノベンゾイル-1-ベンジル-1-ジメチルアミノプロパン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-ブタノン、ヘキサアンミンコバルトIIIトリストリフェニルメチルボレート等が挙げられる。これらの[H]感熱性塩基発生剤のうち、得られる表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性向上の観点から、2-ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、O-カルバモイルヒドロキシアミドが好ましい。[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤の使用量としては、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの合計100質量部に対し、好ましくは0.1質量部~20質量部、より好ましくは1質量部~10質量部である。[H]感熱性酸発生剤又は感熱性塩基発生剤の使用量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜の表面硬度及び耐熱性が優れたポジ型感放射線性組成物を得ることができ、また塗膜の形成工程において析出物の発生を防止し、塗膜形成を容易にすることが可能となる。<[I]脱水剤>[I]脱水剤は、水を化学反応により水以外の物質に変換することができるか、又は水を物理吸着若しくは包接によりトラップすることができる物質として定義される。当該ポジ型感放射線性組成物が[I]脱水剤を含有することで、環境から侵入する水分、又はポジ型感放射線性組成物の現像後の加熱工程における[B]シロキサンポリマーの縮合の結果発生する水分を低減することができる。その結果、組成物の保存安定性を向上させることができる。さらに、[B]シロキサンポリマーの縮合の反応性を高め、ポジ型感放射線性組成物の耐熱性を向上させることができると考えられる。このような[I]脱水剤としては、例えばカルボン酸エステル、アセタール類ケタール類を含む、カルボン酸無水物等が挙げられる。カルボン酸エステルとしては、オルトカルボン酸エステル、カルボン酸シリルエステルが好ましい。オルトカルボン酸エステルとしては、例えばオルト蟻酸メチル、オルト蟻酸エチル、オルト蟻酸プロピル、オルト蟻酸ブチル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチル、オルトプロピオン酸メチル、オルトプロピオン酸エチル等が挙げられる。これらのオルトカルボン酸エステルのうち、オルト蟻酸メチル等のオルト蟻酸エステルが好ましい。カルボン酸シリルエステルとしては、例えば酢酸トリメチルシリル、酢酸トリブチルシリル、蟻酸トリメチルシリル、シュウ酸トリメチルシリル等が挙げられる。アセタール類としては、ケトン類とアルコールとの反応物、ケトン類とジアルコールとの反応物、ケテンシリルアセタール類が好ましい。ケトン類とアルコールとの反応物としては、例えばジメチルアセタール、ジエチルアセタール、ジプロピルアセタール等が挙げられる。カルボン酸無水物としては、例えば無水蟻酸、無水酢酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水安息香酸、酢酸安息香酸無水物等が挙げられる。これらのカルボン酸無水物のうち、脱水効果の点で、無水酢酸、無水コハク酸が好ましい。[I]脱水剤の使用量としては、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの合計100質量部に対して、好ましくは0.001質量部~10質量部であり、より好ましくは0.01質量部~5質量部であり、特に好ましくは0.03質量部~1質量部である。[I]脱水剤の使用量を上記特定範囲とすることで、ポジ型感放射線性組成物の保存安定性を向上させることができる。<ポジ型感放射線性組成物の調製方法>当該ポジ型感放射線性組成物は、溶媒に[A]重合体、[B]シロキサンポリマー、[C]光酸発生体、必要に応じて好適成分、及びその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該ポジ型感放射線性組成物を調製できる。溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独又は2種以上を使用することができる。アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2-フェニルエチルアルコール、3-フェニル-1-プロパノール等が挙げられる。エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン等が挙げられる。他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3-ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-メトキシプロピオン酸ブチル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル、2-エトキシプロピオン酸プロピル、2-エトキシプロピオン酸ブチル、2-ブトキシプロピオン酸メチル、2-ブトキシプロピオン酸エチル、2-ブトキシプロピオン酸プロピル、2-ブトキシプロピオン酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸プロピル、3-メトキシプロピオン酸ブチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸プロピル、3-エトキシプロピオン酸ブチル、3-プロポキシプロピオン酸メチル、3-プロポキシプロピオン酸エチル、3-プロポキシプロピオン酸プロピル、3-プロポキシプロピオン酸ブチル、3-ブトキシプロピオン酸メチル、3-ブトキシプロピオン酸エチル、3-ブトキシプロピオン酸プロピル、3-ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。これらの溶媒のうち、溶解性又は分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類及びエステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、メトキシ酢酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチルが好ましい。また、上記溶媒に加え、必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ-ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。ポジ型感放射線性組成物の固形分濃度としては、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは10質量以上70質量以下、より好ましくは30質量以上60質量以下である。<表示素子用層間絶縁膜の形成方法>当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、1当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び4上記現像された塗膜を加熱する工程を有する。当該方法においては、当該ポジ型感放射線性組成物が良好な放射線感度を有すること、及び形成される表示素子用層間絶縁膜が高い耐ドライエッチング性を有するため、大きなドライエッチングマージンを確保できることにより、従来では全体を均一かつ短時間で処理することが難しかった大型表示装置用の表示素子用層間絶縁膜であっても、容易に、微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。さらに表面硬度、屈折率、耐熱性及び透明性をバランス良く満たした表示素子用層間絶縁膜を得ることができる。以下、各工程を詳述する。[工程1]本工程では、基板上に当該ポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去して塗膜を形成する。塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法等が挙げられる。これらのうち、スピンコート法、スリットダイ塗布法が好ましく、スリットダイ塗布法がより好ましい。基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、70°C~120°C、1分~10分間程度とすることができる。[工程2]本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、[C]光酸発生体に対して用いられる放射線が好適である。これらの放射線のうち、波長が190nm~450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計OAImodel356、OAIOpticalAssociates製により測定した値で、300J/m2~3,000J/m2が好ましく、300J/m2~2,000J/m2がより好ましく、400J/m2~1,000J/m2が特に好ましい。[工程3]本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分放射線の照射部分を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等が挙げられる。アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、0.1質量以上5質量以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、10秒~180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒~90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。[工程4]本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]重合体及び[B]シロキサンポリマーの硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば120°C~250°C程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは5分~30分間程度、オーブンでは30分~90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは0.1μm~8μm、より好ましくは0.1μm~6μm、特に好ましくは0.1μm~4μmである。以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。<[A]成分の合成>[合成例1]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、1-エトキシエチルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部、及びα-メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し重合体A-1を含む重合体溶液を得た。重合体A-1のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.1質量であった。[合成例2]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、2-テトラヒドロピラニルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びα-メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し重合体A-2を含む重合体溶液を得た。重合体A-2のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、31.3質量であった。[合成例3]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き1-n-ブトキシエチルメタクリレート67質量部、メタクリル酸ベンジル23質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体a-1を含む重合体溶液を得た。重合体a-1のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、30.3質量であった。[合成例4]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き1-ベンジルオキシエチルメタクリレート90質量部、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル6質量部、メタクリル酸4質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体a-2を含む重合体溶液を得た。重合体a-2のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量であった。[合成例5]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオン酸メチル7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き2-テトラヒドロピラニルメタクリレート85質量部、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル7質量部、メタクリル酸8質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体a-3を含む重合体溶液を得た。重合体a-3のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、29.2質量であった。[合成例6]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル52質量部、メタクリル酸ベンジル48質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体aa-1を含む重合体溶液を得た。重合体aa-1のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量であった。[合成例7]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル45質量部、メタクリル酸ベンジル45質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体aa-2を含む重合体溶液を得た。重合体aa-2のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、33.2質量であった。[合成例8]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き1-n-ブトキシエチルメタクリレート35質量部、メタクリル酸ベンジル35質量部、メタクリル酸グリシジル30質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80°Cに上昇させ、この温度を6時間保持し重合体aa-3を含む重合体溶液を得た。重合体aa-3のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量であった。[合成例9]冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル5質量部、t-ドデカンチオール5質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150質量部仕込んだ。その後、メタクリル酸30質量部、ベンジルメタクリレート35質量部、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル35質量部を仕込み、室温でしばらく攪拌し、フラスコ内を窒素置換した後、70°Cで5時間加熱攪拌した。次に、得られた溶液にメタクリル酸グリシジル15質量部、ジメチルベンジルアミン1質量部、p-メトキシフェノール0.2質量部添加し、100°Cで4時間加熱攪拌し、重合体CA-1溶液を得た。重合体CA-1のMwは5,000であり、Mw/Mnは2であった。重合体溶液の固形分濃度は38.0質量であった。<[B]シロキサンポリマーの合成>[合成例10]撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル25質量部を仕込み、引き続きメチルトリメトキシシラン30質量部、フェニルトリメトキシシラン23質量部及びシュウ酸0.5質量部を仕込み、溶液温度が60°Cになるまで加熱した。溶液温度が60°Cに到達後、イオン交換水18質量部を仕込み、75°Cになるまで加熱し、3時間保持した。次いで脱水剤としてオルト蟻酸メチル28質量部を加え、1時間攪拌した。さらに溶液温度を40°Cにし、温度を保ちながらエバポレーションすることで、イオン交換水及び加水分解縮合で発生したメタノールを除去した。以上により、加水分解縮合物B-1を得た。得られた加水分解縮合物B-1のMwは3,000であり、Mw/Mnは2であった。加水分解縮合物B-1の固形分濃度は40.5質量であった。[合成例11]撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル25質量部を仕込み、引き続きメチルトリメトキシシラン22質量部、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン12質量部、フェニルトリメトキシシラン20質量部及びテトラ-i-プロポキシアルミニウム0.1質量部を仕込み、合成例10と同様に操作して、加水分解縮合物B-2を得た。得られた加水分解縮合物B-2のMwは3,200であり、Mw/Mnは2であった。加水分解縮合物B-2の固形分濃度は39.8質量であった。[合成例12]撹拌機付の容器内に、プロピレングリコールモノメチルエーテル25質量部を仕込み、引き続きメチルトリメトキシシラン22質量部、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン12質量部、フェニルトリメトキシシラン20質量部及びシュウ酸0.5質量部を仕込み、合成例10と同様に操作して、加水分解縮合物B-3を得た。得られた加水分解縮合物B-3のMwは2,400であり、Mw/Mnは2であった。加水分解縮合物B-3の固形分濃度は41.0質量であった。<ポジ型感放射線性組成物の調製>以下、実施例及び比較例のポジ型感放射線性組成物の調製に用いた成分を詳述する。[C]光酸発生剤C-1:4,7-ジ-n-ブトキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートC-2:ベンジル-4-ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートC-3:5-プロピルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACUREPAG103C-4:5-オクチルスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACUREPAG108C-5:5-p-トルエンスルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACUREPAG121C-6:カンファースルフォニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、CGI1380C-7:5-オクチルスルフォニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルチバスペシャルティーケミカルズ製、CGI725[D]界面活性剤D-1:シリコーン系界面活性剤東レダウコーニングシリコーン製、SH8400FLUIDD-2:フッ素系界面活性剤ネオス製、フタージェントFTX-218[E]密着助剤E-1:γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランE-2:β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランE-3:γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン[F]塩基性化合物F-1:4-ジメチルアミノピリジンF-2:1,5-ジアザビシクロ[4,3,0]-5-ノネン[G]キノンジアジド化合物G-1:1,1,1-トリp-ヒドロキシフェニルエタン1.0モルと1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリド2.0モルとの縮合物[実施例1][A]重合体としてのA-1を含む溶液70質量部固形分に相当する量、[B]シロキサンポリマーとしてのB-130質量部、[C]光酸発生剤としてのC-14質量部、[D]界面活性剤としてのD-10.20質量部及び[E]密着助剤としてのE-13.0質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、ポジ型感放射線性組成物を調製した。[実施例2~14及び比較例1~6]各成分の種類及び配合量を表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様に操作して各ポジ型感放射線性組成物を調製した。なお、表1中の-は、該当する成分を使用しなかったことを示す。<評価>調製した各ポジ型感放射線性組成物を用いて、下記の評価を実施した。結果を表1にあわせて示す。[放射線感度J/m2]550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザンHMDSを塗布し、60°Cにて1分間加熱した。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、各ポジ型感放射線性組成物をスリットダイコーター東京応化工業製、TR632105-CLを用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90°Cにおいて2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機キヤノン製、MPA-600FAを用い、60μmのラインアンドスペース10対1のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、0.4質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25°Cにおいて80秒間現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペースパターンが完全に溶解するために必要な露光量を放射線感度J/m2とした。この値が500J/m2以下の場合に感度が良好と判断した。[表面硬度]マスクを介して露光しなかった以外は、上記放射線感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成した。JISK-5400-1990の8.4.1鉛筆引っかき試験により硬化膜の鉛筆硬度表面硬度を測定した。この値が3H以上である場合、表示素子用層間絶縁膜としての表面硬度が良好と判断し、十分な硬化性を有するといえる。[屈折率]上記表面硬度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜の屈折率を、AutoELIVNIRIIIルドルフリサーチ製エリプソメーターを用いて633nmで測定した。この値が1.50以上のとき、表示素子用層間絶縁膜としての屈折率は実用上問題ないレベルであると判断した。[耐熱性]上記表面硬度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜の膜厚T2を測定した。次いで、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、クリーンオーブン内にて240°Cで1時間追加ベークした後、当該硬化膜の膜厚t2を測定し、下記式から追加ベークによる膜厚変化率を算出し、これを耐熱性とした。耐熱性=|t2-T2|/T2×100この値が3以下のとき、耐熱性は良好であると判断した。[透過率]シリコン基板の代わりにガラス基板コーニング7059、コーニング製を用いたこと以外は、上記表面硬度の評価と同様に操作して、ガラス基板上に硬化膜を形成した。この硬化膜を有するガラス基板の光線透過率を、分光光度計150-20型ダブルビーム、日立製作所製を用いて400nm~800nmの範囲の波長で測定した。最低光線透過率が95以上の時、透過率は良好であると判断した。[耐ドライエッチング性μm]上記表面硬度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に硬化膜を形成し、ドライエッチング装置CDE-80N、芝浦メカトロニクス製を用い、エッチングガスCF450mL/分、O210mL/分、出力400mW、エッチング時間90秒の条件でドライエッチングを行い、処理前後の膜厚μmの測定を行った。膜厚減少量が1.0μm以下のとき、耐ドライエッチング性は良好であると判断した。表1の結果から明らかなように、[A]重合体、[B]シロキサンポリマー及び[C]光酸発生体の全てを含むポジ型感放射線性組成物から形成された硬化膜は、比較例の組成物から得られた硬化膜と比べると、耐ドライエッチング性が向上していることが分かった。加えて耐熱性、透明性、表面硬度及び屈折率を充分に満足する硬化膜を形成可能であることが分かった。また、当該ポジ型感放射線性組成物から形成された硬化膜は、[C]光酸発生体の代わりに[G]キノンジアジド化合物を含む比較例の組成物から形成された硬化物と比較しても、耐ドライエッチング性が優れていることがわかった。さらに、[A]重合体と[B]シロキサンポリマーの合計に対する[A]重合体の質量比が5質量以上95質量以下である実施例1から実施例10のポジ型感放射線性組成物で形成された硬化膜は、上記特定範囲外の実施例11~14の組成物から得られた硬化膜と比較すると、耐ドライエッチング性及び屈折率が高いことがわかった。これにより、[A]重合体と[B]シロキサンポリマーの合計に対する[A]重合体の質量比が5質量以上95質量以下であることが好ましいことがわかった。"