"絶縁基体と、吸着用電極とを備えた静電チャックであって、前記絶縁基体の少なくとも上面を含む領域はMnを含むとともにFeおよびCrの少なくとも一方からなる第一の遷移元素を含むセラミックスからなり、前記Mnの含有量C1molに対する前記第一の遷移元素の含有量C2molの比C2/C1が1以上であることを特徴とする静電チャック。前記吸着用電極は前記絶縁基体の内部に設けられ、前記絶縁基体の上面側領域は前記第一の遷移元素を含んでいて、前記C1に対する前記C2の比C2/C1が1以上であることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。前記FeおよびCrの少なくとも一方の含有率が80ppm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電チャック。前記セラミックスに、前記Feが500ppm以下の含有率で含まれていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の静電チャック。前記絶縁基体がAl2O3,AlNおよびAl2O3-TiO2のうちの少なくとも1種を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の静電チャック。静電チャックを使用する半導体業界では、より高度なICの集積化による付加価値の向上および低コスト化が求められている。その要求を満たす重要なアイテムとして、各要素工程の製造タクトの短縮という観点から、静電チャックの残留吸着の低減が求められている。しかし、静電チャックを長期間使用し、上述の固定電荷除去の目的でプラズマ高エネルギーを有する加速された電子の照射を継続的に続けると、残留吸着の抑制力が経時的に劣化して逆に徐々に残留吸着が増長し、もはや固定電荷除去に対してプラズマ照射が意味をなさなくなってしまうという問題があった。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、残留吸着の抑制力が経時的に劣化しにくい静電チャックの提供を目的とする。本発明は、絶縁基体と、吸着用電極とを備えた静電チャックであって、前記絶縁基体の少なくとも上面を含む領域はMnを含むとともにFeおよびCrの少なくとも一方からなる第一の遷移元素を含むセラミックスからなり、前記Mnの含有量C1molに対する前記第一の遷移元素の含有量C2molの比C2/C1が1以上であることを特徴とするものである。本発明によれば、プラズマ環境下において残留吸着の抑制力が経時的に劣化しないため、被加工物の離脱しやすい静電チャックを実現することができる。以下、本発明の静電チャックの一実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の静電チャックの一実施形態を示す図であって、aは静電チャックの上面図、bは静電チャックおよび被加工物の縦断面図である。図1に示す例の静電チャック1は、絶縁基体2と、吸着用電極3とを備えている。具体的には、絶縁基体2は、シリコンウェハ等の被加工物Aと同程度の大きさを有する円盤状に形成されていて、この絶縁基体2の内部に吸着用電極3が埋設されている。そして、図1に示すように、絶縁基体2の一方の主面には、多数の凸部6が設けられていて、この多数の凸部6のそれぞれの突端が平坦な面になっていてこの面が吸着面となっている。なお、凸部6の数は図に示すパターンの数に限定されない。吸着用電極3にはリード線8が接続されていて、吸着用電極3はリード線8を介して直流電源9に接続されている。一方、吸着面に吸着される被加工物Aは、アースと直接またはプラズマによる電気的接続がなされている。これにより、吸着用電極3と被加工物Aとの間に静電吸着力が発現し、吸着固定が達成される。絶縁基体2の中央部には、他方の主面図の下面から一方の主面図の上面まで貫通したガス導入孔7が設けられている。また、凸部6と凸部6との間はガス流路5となっていて、このガス流路5とガス導入孔7とが連通している。そして、吸着面に被加工物Aを吸着したとき、ガス導入孔7から被加工物とガス流路5とで構成される空間にヘリウムガス等の冷却ガスを供給することで、ガス流路5と被加工物Aとの間および吸着面と被加工物Aとの間の熱伝達を良好にし、被加工物Aの温度分布が均一となるように制御している。なお、図1に示した静電チャック1では、絶縁基体2の一方主面の外周に沿って周壁4が形成されており、凸部6、被加工物Aおよびガス流路5がなす空間が閉じた空間とされ、ガス導入孔7から供給された冷却ガスが外部に多量に漏れることを防止するようになっている。この周壁4は目的に応じて設置してもよく、設置しないでもよい。また、周壁4は絶縁基体2と一体的に形成されてもよく、別体に形成されてもよい。絶縁基体2の形成材料としては、例えばボーキサイトから精製される水酸化アルミニウムを出発原料とする材料が挙げられる。この材料には、微量のMnがAlの不可避不純物として含まれている。ここで、図2に示すように、絶縁基体2の少なくとも上面凸部6が形成されている場合は吸着面を含む領域はMnを含むとともにFeおよびCrの少なくとも一方からなる第一の遷移元素を含むセラミックスからなり、Mnの含有量C1molに対する前記第一の遷移元素の含有量C2molの比C2/C1が1以上であることが重要である。なお、上面を含む領域とは、例えば上面から0.2~0.5mmの厚み領域のことを意味する。また、図2は図1bに破線で示す領域BのMn、FeまたはCrの量的な概念を示す図である。この構成により、プラズマ環境下において、残留吸着の抑制力が経時的に劣化しないため、被加工物の離脱しやすい静電チャックを実現することができる。この効果は、以下のメカニズムによるものと思われる。残留吸着は、静電チャックを構成する絶縁基体2の表層、すなわち微量のMnを含んだセラミックスの表層において発現する。具体的には、プラズマ照射時に、プラズマのエネルギーを励起エネルギーとして、MnがMn2からMn3に酸化される。このとき、Mnからの電荷がFe3およびCr3の還元に供され、Mn酸化物内では酸素空孔正孔が生成し、この正孔が微弱な表面電流の因子となる。そして、この表面電流が残留吸着として発現する。この残留吸着の抑制力が経時的に劣化しないようにするには、図2に示すように、Mnからの電荷を受容するFeおよびCrの少なくとも一方からなる第一の遷移元素の含有量を多くして、具体的にはMnの含有量C1に対する前記第一の遷移元素の含有量C2の比C2/C1を1以上とすればよい。これにより、可逆的にMnと前記第一の遷移元素FeおよびCrの少なくとも一方との間での電荷の授受が生じやすく、Mn3が基底状態であるMn2に戻りやすくなり、絶縁基体の表層での正孔の生成を効果的に抑制することができる。これに対し、C2/C1が1未満では、Mn3がFeまたはCrから電荷を効果的に再供給されず、Mn2への還元反応が進行し難い為に、見かけの励起状態が継続し、残留吸着の抑制力が経時的に劣化してしまう。このような効果は、絶縁基体2がAl2O3,AlNおよびAl2O3-TiO2のうちの少なくとも1種を主成分とする場合に、特に効果的である。この場合、絶縁基体2に生じた酸素空孔が荷電粒子ホールとなって漏れ電流を生じやすくなるからである。また、吸着用電極3の形成材料としては、白金、W等の金属が挙げられる。この吸着用電極3は、絶縁基体2の他方の主面下面に露出するように設けられていてもよいが、図に示すように絶縁基体2に埋設されているのが好ましい。さらに、吸着用電極3が絶縁基体2の内部に埋設されている場合において、図3に示すように、絶縁基体2の上面側領域21は前記第一の遷移元素FeおよびCrの少なくとも一方を含んでいて、Mnの含有量C1molに対する前記第一の遷移元素の含有量C2molの比C2/C1が1以上であるのが好ましい。ここで、図3は本発明の静電チャックの他の実施形態を示す縦断面図であり、上面側領域21とは、絶縁基体2の上面凸部6が形成されている場合は吸着面と吸着用電極3との間の領域、または絶縁基体2の上面凸部6が形成されている場合は吸着面と吸着用電極3との間の領域および吸着用電極3の下側近傍までの領域を意味している。ここで、吸着用電極3の下側近傍までの領域とは、吸着用電極3の下方約0.5mmまでの領域である。そして、上面側領域21のみに前記第一の遷移元素を含んでいて、Mnの含有量C1molに対する前記第一の遷移元素の含有量C2molの比C2/C1が1以上である。なお、上面側領域21の厚みは通常0.2~0.5mmである。この領域でC2/C1が1以上であれば、プラズマ環境下において残留吸着の抑制力が経時的に劣化せず、さらに、絶縁基体2のこの領域以外の部位下面側領域22が低誘電損失のため、均熱に対し温度ムラを改善することが可能である。このことは、絶縁基体2のうち吸着に関与する領域以外の部位である下面側領域22において粒界のFe不純物が抑制されるため低誘電損失を維持可能だからである。上面側領域21と下面側領域22の厚みの合計は通常2~10mmであり、下面側領域22の厚みが上面側領域21に比較し大きいため、高周波環境下での絶縁基体自身の均熱性は下面側領域22が低誘電損失であれば好適に維持可能である。なお、FeおよびCrの少なくとも一方の含有率は、80ppm以上とするのがよい。これにより、静電チャック1の残留吸着の抑制力がより経時的に劣化しにくくなる。前述の通り、ボーキサイトから精製される水酸化アルミニウムを出発原料とする場合、Mn源となるMnOは概ねMn換算で80ppm未満であるため、絶縁基体2中の前記第一の遷移元素FeおよびCrの少なくとも一方の含有率が80ppm以上であることで、Mn3が前記第一の遷移元素からより効果的に電子を再供給される。なお、前記第一の遷移元素が上面側領域21のみに含まれている場合、前記第一の遷移元素の含有率は、絶縁基体2の全体に対する割合ではなく、上面側領域21のみの所定の体積における割合である。この割合は、絶縁基体2の所定の部分を研削、切断、研磨等の公知の手法で取り出し、取り出した部位をICP質量分析ICP-MS法により測定して求めることができる。また、絶縁基体2であるセラミックス中のFe量は、上限を500ppm以下とするのがよい。これにより、絶縁基体2の誘電損失tanδを低く安定させることができ、このため高周波環境下での絶縁基体の磁器発熱が抑制され、吸着面内の均熱ムラプロセスムラが抑制できる。セラミックス中の粒界のFe不純物が抑制され、低誘電損失を維持可能であるためである。一方、500ppmを越えると、粒界のFe不純物濃度が増大し、セラミックスの誘電損失が増大するため高周波域でセラミックスが発熱する不具合が発生しやすい。なお、前記第一の遷移元素FeおよびCrの少なくとも一方が上面側領域21のみに含まれている場合、Fe量の上限についても、絶縁基体2の全体に対する割合ではなく、上面側領域21のみの所定の体積における割合である。以上述べた実施の形態は、本発明の趣旨をより明解にするために具体的に説明したものであり、本発明はこの形態に限定されるものではない。以下、本発明の静電チャックの一実施形態についての製造方法について説明する。なお、Al2O3を例に説明するが、AlNやAl2O3-TiO2等でも同じ手法で作製できる。まず、主原料となるAl2O3粉末を所定量秤量し、ボールミル中でイオン交換水や有機溶媒等の溶媒、有機分散剤および99.6以上の高純度Al2O3製ボールと共に24~72Hr湿式粉砕混合をする。ここで、主原料のAl2O3粉末は予め、ICP質量分析ICP-MS法等によりMn、Fe、Cr存在量を同定しておく。通常、高純度Al2O3粉末中に前述の元素はMnO、Fe2O3、Cr2O3等の酸化物として存在するが、特にMnOはMn元素として1~5ppm程度モル換算で9.0×10-9~9.2×10-8mol程度の存在量がある。上述の湿式粉砕混合時に、Mnの含有量C1molに対するFeおよびCrの少なくとも一方からなる第一の遷移元素の含有量C2molの比C2/C1が1以上となるように、試薬Fe2O3またはCr2O3を添加する。ここで、Fe2O3は例えば関東化学株式会社製の酸化鉄III鹿特級を用い、Cr2O3は例えば関東化学株式会社製の酸化クロムIII鹿特級を用いる。こうして粉砕混合した原料スラリー中に、ポリビニルアルコールやポリビニルブチラール、アクリル樹脂等の有機バインダ、補助的な有機材料として可塑剤、消泡剤を所定量添加し、さらに24~48Hr混合する。混合された有機-無機混合スラリーは、ドクターブレード法、カレンダーロール法、プレス成形法、押し出し成形法などによって厚さ20~20000μm、特に100~300μmのセラミックグリーンシートに成形される。そして、絶縁基体2を形成するセラミックグリーンシートに吸着用電極3を形成するための白金、タングステン等のペースト状電極材料を公知のスクリーン印刷法等により印刷成形する。ここで、絶縁基体2における所定の位置に吸着用電極3が形成されるように、ペースト状電極材料の印刷されていないセラミックグリーンシートとペースト状電極材料の印刷された電極形成グリーンシートとを重ねて積層する。積層は、セラミックグリーンシートの降伏応力値以上の圧力を印加しながら、所定の温度で積層するが、圧力印加手法としては、一軸プレス法、等方加圧法乾式、湿式法等の公知の技術を応用すればよい。次に、得られた積層体を所定の温度、雰囲気中にて焼成して、吸着用電極が埋設または表面に形成された絶縁基体が作製される。なお、絶縁基体2の一方主面上面に凸部6を形成する方法としては、マスクを用いたサンドブラスト法、マシニング加工法あるいは超音波加工法等の公知の手法を用いることができ、これにより高さが数μmから数十μmの凸部6を所定のパターン形状に形成することができる。以上の製造方法により、プラズマ環境下において残留吸着の抑制力が経時的に劣化しない静電チャックを作製することができる。図1の構造を有する本発明の静電チャック1について、以下の通り作製した。具体的には、絶縁基体2の出発原料を以下の6種の材料とした。材料1として、純度99.6質量のAl2O3粉末を用いた。このAl2O3粉末の平均粒径D50は0.5μmであった。材料2として、純度99.6質量のAl2O3粉末平均粒径D50は0.5μmに焼結助剤としてMgO、SiO2、CaO各粉末を添加し、Al2O3粉末を98質量、MgO、SiO2、CaO各粉末を合計で2質量の割合とした。材料3として、純度99質量のAlN粉末を用いた。このAlN粉末の平均粒径D50は1.2μmであった。材料4として、純度99.6質量Al2O3粉末平均粒径D50は0.5μm粉末に、TiO2平均粒径D50は0.7μm粉末を添加し、Al2O3粉末99質量、TiO2粉末1質量の割合のAl2O3-TiO2粉末とした。材料5として、純度99質量のムライト3Al2O32SiO2粉末を用いた。このムライト粉末の平均粒径D50は0.6μmであった。材料6として、純度99質量のコージェライト2MgO2Al2O35SiO2粉末を用いた。このコージェライト粉末の平均粒径D50は0.9μmであった。上記材料1~6の原料粉末100質量部に対し、トルエン80質量部、分散剤0.5質量部を、ボールミル内でΦ20mmの高純度Al2O3製ボールと共に48Hr湿式粉砕混合をした。なお、上述の湿式粉砕混合時に、表1に示す量の試薬Fe2O3または試薬Cr2O3を添加した。ここで、Fe2O3は関東化学株式会社製の酸化鉄III鹿特級を用い、Cr2O3は関東化学株式会社製の酸化クロムIII鹿特級を用いた。また、それぞれの原料粉末は、予めICP質量分析ICP-MS法によりMn、Fe、Cr存在量を同定した。続いて、この湿式粉砕混合スラリーに対し、可塑剤とバインダーを添加した。可塑剤は、原料粉末100質量部に対しDBPおよびDOPを各々2質量部、バインダーはポリビニルブチラールを固形分換算で12質量部添加し、さらに30Hr湿式混合をした。次に、混合された有機-無機混合スラリーを、ドクターブレード法により厚さ200μmのセラミックグリーンシートに成形した。次に、絶縁基体となるセラミックグリーンシートに吸着用電極となるタングステンペーストをスクリーン印刷法により印刷成形した。絶縁基体における所定の位置に吸着用電極が形成されるように、タングステンペーストを印刷していないセラミックグリーンシートとタングステンペーストを印刷した電極形成グリーンシートとを重ね、一軸プレス法にてグリーンシートの降伏応力以上の圧力、具体的には5MPaを印加しながら、80°C以上の温度で積層した。次に、得られた積層体を、還元雰囲気中、所定の温度材料3,5,6の原料粉末以外は1600°C、材料3の原料粉末は2000°C、材料5および材料6の原料粉末は1400°Cで、3Hr焼成した。得られた絶縁基体にロータリー研削加工にて厚み加工を施し、マシニング加工にてガス導入孔を形成、さらに吸着面にマスクを用いたサンドブラスト法にて、高さが12μmの凸部を所定のパターン形状に形成した。また、吸着用電極には金属端子図示せずをロー付けにより取り付けて、静電チャックを作製した。そして、作製された静電チャックの吸着面が140°Cになるように、ハロゲンランプで加熱された真空チャンバー内で以下の評価を実施した。なお、140°C加熱は、MnとFeおよびCr間での電荷授受をより促進する目的である。静電チャックの吸着に対して、1サイクル70秒のプラズマ処理を3000回繰り返した後、吸着用電極に所定の電圧を300秒印加し、シリコンウェハを吸着固定した。その後、吸着用電極への電圧印加を停止し、停止1秒後の残留吸着力についてロードセルを用いて測定した。なお、残留吸着力のロードセルの評価は、単結晶サファイアのマスターにて測定し、1.5Torr以下を残留吸着力無しと判断した。全試料についてプラズマ処理前の残留吸着力は1.5Torr未満であった。また、各試料について、シート積層、同一焼成バッチで作製した試験片厚み1mmを準備し、室温、1MHzでの誘電損失を測定した。測定はHewlett-Packard社製HP-4278Aを用いて、ブリッジ回路法で実施した。なお、電極形状はΦ37mmガードリング法である。これらの結果を表1に示す。表1によれば、試料No.1,8,15,22,28,34,36以外の試料は、C2/C1モル比が1以上であり、残留吸着力が効果的に抑制されていることが解る。この理由として、プラズマ処理時に、Mn2からMn3への酸化反応で生成した酸素空孔は、Mnからの電子を受容するFeおよびCrの少なくとも一方からなる第一の遷移元素の共存量が多いほど、Feおよび/またはCrから電子を効果的に再供給され、Mnが基底状態であるMn2に戻りやすく、絶縁基体の表層での継続的な酸素空孔荷電粒子生成を抑制していることを意味する。これに対し、試料No.1,8,15,22,28,34,36はC2/C1が1未満であり、Mn3がFeおよび/またはCrから電子を効果的に再供給されず、還元反応が進行しにくい為に、見かけの励起状態が継続し、残留吸着が著しく発生繰り返しプラズマ処理した事による経時劣化した。また、上記材料199.6質量Al2O3において、Feを添加した試料No.3と試料No.4との比較、Crを添加した試料No.10と試料No.11との比較から明らかなように、絶縁基体を形成するセラミックス中の前記第一の遷移元素FeおよびCrの少なくとも一方の含有率が80ppm以上では、Mn3が前記第一の遷移元素から、電子をより効果的に再供給されており、このために残留吸着力が効果的に低減している。この効果は、材料298質量Al2O3では試料No.18と試料No.19、材料3AlNでは試料No.24と試料No.25との比較から明白であり、材料4Al2O3-TiO2では試料No.30と試料No.31との比較から明白である。さらに、上記材料199.6質量Al2O3において試料No.5~7、材料298質量Al2O3では試料No.20と試料No.21、材料3AlNでは試料No.26と試料No.27、材料4Al2O3-TiO2では試料No.32と試料No.33の各々の比較から明らかな通り残留吸着力は効果的に抑制され、特にFe500ppm以下では低誘電損失が維持されていることが解る。これは、粒界のFe不純物が誘電損失に影響しない量に抑制されていることを意味する。しかしながら、粒界のFe不純物濃度が500ppm以上では、絶縁基体の誘電損失が増大する傾向にある。このようにFeは500ppm以上では誘電損失を劣化させることが解った。総括すると、表1から上述の事実は、材料1~6の組成によらず残留吸着力の劣化はMnに対するFeおよび/またはCrの量的効果であることは明らかである。図3の構造を有する本発明の静電チャック1について、以下の通り作製した。絶縁基体2の出発原料は、純度99.6質量Al2O3粉末平均粒径D50は0.5μmとし、原料粉末100質量部に対し、トルエン80質量部、分散剤0.5質量部を、ボールミル内でΦ20mmの高純度Al2O3製ボールと共に48Hr湿式粉砕混合をした。なお、上述の湿式粉砕混合時に、表2に示す量の試薬Fe2O3または試薬Cr2O3を添加したものと添加しないものとを用意した。ここで、試薬Fe2O3または試薬Cr2O3を添加したものについて、Fe2O3は関東化学株式会社製の酸化鉄III鹿特級を用い、Cr2O3は関東化学株式会社製の酸化クロムIII鹿特級を用いた。また、それぞれの原料粉末は、予めICP質量分析ICP-MS法によりMn、Fe、Cr存在量を同定した。続いて、この湿式粉砕混合スラリーに対し、可塑剤とバインダーを添加した。可塑剤は、原料粉末100質量部に対しDBPおよびDOPを各々2質量部、バインダーはポリビニルブチラールを固形分換算で12質量部添加し、さらに30Hr湿式混合をした。次に、混合された有機-無機混合スラリーFe2O3およびCe2O3添加品と無添加品を、ドクターブレード法により厚さ200μmのセラミックグリーンシートに成形した。次に、Fe2O3およびCe2O3を添加したAl2O3のセラミックグリーンシートに吸着用電極となるタングステンペーストをスクリーン印刷法により印刷成形した。そして、図3に示すように、絶縁基体における所定の位置に吸着用電極が形成されるように、タングステンペーストを印刷していないFe2O3およびCe2O3を添加したAl2O3セラミックグリーンシートを吸着面側に重ねて上面側領域21となし、裏面側にFe2O3およびCe2O3無添加のAl2O3セラミックグリーンシートを重ねて下面側領域22とした。このとき、上面側領域21および下面側領域22は、一軸プレス法にてグリーンシートの降伏応力以上の圧力、具体的には5MPaを印加しながら、80°C以上の温度で一体的に積層した。なお、Fe2O3およびCe2O3を添加したAl2O3セラミックグリーンシートを吸着用電極の下面吸着面とは反対側の面に焼成後の厚みが0.5mm以内となるように重ねた試料も作製した。次に、得られた積層体を、還元雰囲気中、所定の温度1600°Cで、3Hr焼成し絶縁基体磁器とした。次に、得られた絶縁基体にロータリー研削加工にて厚み加工を施し、絶縁基体の総厚みを2mmとした。このとき、上面側領域21は0.35μmとした。続いて、マシニング加工にてガス導入孔を形成、さらに吸着面にマスクを用いたサンドブラスト法にて、高さが12μmの凸部を所定のパターン形状に形成した。また、吸着用電極には金属端子図示せずをロー付けにより取り付けて静電チャックを作製するとともに、これをさらに冷却ベースプレート図示せずに接着した。そして、作製された静電チャックの吸着面が140°Cになるように、実施例1と同様に、ハロゲンランプで加熱された真空チャンバー内で以下の評価を実施した。静電チャックの吸着面に対して、1サイクル70秒のプラズマ処理を3000回繰り返した後、吸着用電極に所定の電圧を300秒印加し、シリコンウェハを吸着固定した。その後、吸着用電極への電圧印加を停止し、停止1秒後の残留吸着力についてロードセルを用いて測定した。なお、全試料についてプラズマ処理前の残留吸着力は1.5Torr未満であった。また、各試料について、シート積層、同一焼成バッチで作製した試験片厚み1mmを準備し、室温、1MHzでの誘電損失を測定した。測定はHewlett-Packard社製HP-4278Aを用いて、ブリッジ回路法で実施した。なお、電極形状はΦ37mmガードリング法である。さらに、各試料についてベースプレートに15MHzの高周波RFを印加し、静電チャック表面を赤外温度計で測定し、最高温度と最低温度の差ΔTを評価した。これらの結果を表2に示す。表2から明らかな通り、上面側領域21吸着用電極3の直下0.5mmまで含むのみにFe2O3および/またはCr2O3を高濃度で存在させた場合、下面側領域22までFe2O3および/またはCr2O3が高濃度で存在する場合試料No.1およびNo.5よりも、高周波環境下での吸着面内の均熱性ΔTが良好であった。これは、吸着に関与する領域以外の部位下面側領域22が低誘電損失のため、絶縁基体全体として均熱に対し温度ムラを改善することが可能であることを意味する。さらに、C2/C1が1以上であることから残留吸着の抑制力が経時的に劣化することはなかった。"