第1パワーチップを有する第1構造体と、第2パワーチップを有する第2構造体と、前記第1パワーチップと前記第2パワーチップが間隔をあけて対向するように前記第1構造体と前記第2構造体を支持する支持体と、前記第1パワーチップと前記第2パワーチップを電気的に接続するワイヤと、を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。前記第1構造体は、前記第1パワーチップが固定された第1ラミネート基板と、前記第1ラミネート基板の前記第1パワーチップが固定された面と反対の面に固定された第1ベース板と、を有し、前記第2構造体は、前記第2パワーチップが固定され、前記第1ラミネート基板と対向する第2ラミネート基板と、前記第2ラミネート基板の前記第2パワーチップが固定された面と反対の面に固定された第2ベース板と、を有することを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。前記支持体は、前記第1ベース板及び前記第2ベース板に固定され、かつ前記第1パワーチップと前記第2パワーチップを囲むように形成されたケースであることを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。前記第1ベース板に固定されたひだ状構造の第1冷却フィンと、前記第1冷却フィンと反対方向に伸びるように前記第2ベース板に固定されたひだ状構造の第2冷却フィンと、を備えたことを特徴とする請求項2又は3に記載の電力用半導体装置。前記第1構造体の構成要素と前記第2構造体の構成要素は、前記第1構造体と前記第2構造体の中間において前記第1構造体及び前記第2構造体と平行に伸びる面を対称面とした面対称となるように配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。一平面に、第1パワーチップを有する第1構造体と第2パワーチップを有する第2構造体を並べる工程と、前記第1パワーチップと前記第2パワーチップが電気的に接続されるようにワイヤボンディングを行う工程と、前記第1パワーチップと前記第2パワーチップが間隔をあけて対向するように、第1構造体と第2構造体を対向させる工程と、を備えたことを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。2枚の基板の間に端子を設けるには、各基板に端子用の回路パターンを形成する必要がある。端子用の回路パターンを形成すると、電力用半導体装置の小型化を妨げることがあった。また、端子を端子用の回路パターンに正確に配置しなければならないので製造工程が複雑化する。本発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、簡単な製造方法を採用でき、かつ小型化に有利な電力用半導体装置と電力用半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本願の発明に係る電力用半導体装置は、第1パワーチップを有する第1構造体と、第2パワーチップを有する第2構造体と、該第1パワーチップと該第2パワーチップが間隔をあけて対向するように該第1構造体と該第2構造体を支持する支持体と、該第1パワーチップと該第2パワーチップを電気的に接続するワイヤと、を備えたことを特徴とする。本願の発明に係る電力用半導体装置の製造方法は、一平面に、第1パワーチップを有する第1構造体と第2パワーチップを有する第2構造体を並べる工程と、第1パワーチップと第2パワーチップが電気的に接続されるようにワイヤボンディングを行う工程と、該第1パワーチップと該第2パワーチップが間隔をあけて対向するように、第1構造体と第2構造体を対向させる工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、簡単な方法で小型化に有利な電力用半導体装置を製造できる。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置の断面斜視図である。電力用半導体装置10は第1ラミネート基板12を備えている。第1ラミネート基板12は、絶縁基板12a並びにその両面に形成された金属パターン12b及び12cを備えている。第1ラミネート基板12の金属パターン12bには還流ダイオード14及びIGBT16が固定されている。以後、第1ラミネート基板12に固定されるパワーチップ、すなわち還流ダイオード14のチップとIGBT16のチップの少なくとも一方を第1パワーチップと称することがある。第1ラミネート基板12の第1パワーチップが固定された面と反対の面には第1ベース板18が固定されている。以後、第1ラミネート基板12、第1パワーチップ、及び第1ベース板18を備えた構造を第1構造体と称する。電力用半導体装置10は第2ラミネート基板22を備えている。第2ラミネート基板22は、絶縁基板22a並びにその両面に形成された金属パターン22b及び22cを備えている。この第2ラミネート基板22は前述の第1ラミネート基板12と間隔をあけて対向している。第2ラミネート基板22の金属パターン22bには還流ダイオード24及びIGBT26が固定されている。以後、第2ラミネート基板22に固定されるパワーチップ、すなわち還流ダイオード24のチップとIGBT26のチップの少なくとも一方を第2パワーチップと称することがある。第2ラミネート基板22の第2パワーチップが固定された面と反対の面には第2ベース板28が固定されている。以後、第2ラミネート基板22、第2パワーチップ、及び第2ベース板28を備えた構造を第2構造体と称する。第1構造体と第2構造体はケース34により固定支持されている。ケース34は、第1パワーチップが第2パワーチップと間隔をあけて対向するように、第1構造体と第2構造体を支持する支持体として機能している。このケース34は、第1ベース板18及び第2ベース板28に固定され、かつ第1パワーチップ、及び第2パワーチップを囲むように形成されている。還流ダイオード24はワイヤ30により金属パターン12bに接続されている。IGBT26はワイヤ32により金属パターン12bに接続されている。ワイヤ30及び32は、第1パワーチップと第2パワーチップを電気的に接続するものである。図2は本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以後このフローチャートに沿って本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置の製造方法を説明する。まず一平面に第1構造体と第2構造体2枚のベース板を並べるステップ40。図3は一平面に第1構造体と第2構造体を並べた状態を示す図である。図3の中央線の右側には第1構造体が配置され、左側には第2構造体が配置されている。次いで、第1パワーチップと第2パワーチップが電気的に接続されるようにワイヤボンディングを実施するステップ42。このワイヤボンディングは、第1構造体と第2構造体が備える2枚のベース板を並べた状態で実施する。図4はワイヤボンディング処理後の第1構造体と第2構造体の平面図である。ワイヤ30は還流ダイオード24のアノードと金属パターン12bを接続する。これにより還流ダイオード24のアノードは、IGBT16のコレクタ及び還流ダイオード14のカソードと接続される。ワイヤ32はIGBT26のエミッタと金属パターン12bを接続する。これにより、IGBT26のエミッタは、IGBT16のコレクタ及び還流ダイオード14のカソードに接続される。さらにIGBT26のエミッタと還流ダイオード24のアノードが接続され、IGBT16のエミッタと還流ダイオード14のアノードも接続される。これらの接続により、第1構造体と第2構造体でハーフブリッジ回路を形成している。図5はハーフブリッジ回路を示す図である。次いで、第1パワーチップと第2パワーチップが間隔をあけて対向するように、第1構造体と第2構造体2枚のベース板を対向させるステップ44。この工程では、第1構造体と第2構造体を図4の中央線に沿って折りたたむようにして、第1構造体と第2構造体とを間隔をあけて対向させる。このとき、第1ベース板18と第2ベース板28の間にケース34を挟む。この工程を終えると第1構造体と第2構造体はケース34で固定支持され、図1の電力用半導体装置10を得る。間隔をあけて対向する2つのパワーチップを、端子により電気的に接続する場合、当該端子専用の金属パターンが必要となり電力用半導体装置の小型化に適さない。ところが、本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置によれば、ワイヤ30及び32により第1パワーチップと第2パワーチップが電気的に接続される。よって、端子専用の金属パターンは不要となり電力用半導体装置の小型化に有利となる。また、一平面に第1構造体と第2構造体を並べてワイヤ30及び32などをワイヤボンディングで形成し、その後に構造体同士を対向させるので、上述の小型化に有利な電力用半導体装置を簡単に製造できる。さらに、第1構造体と第2構造体を対向するように配置することにより以下の4つの効果を得ることができる。第1に、パワーチップを実装できる面積を増やすことができるので、パワーチップ間の距離を十分に確保しパワーチップ間の熱干渉を抑制できる。第2に、2枚のラミネート基板を隣接して並べた場合と比較して、ラミネート基板間の絶縁距離を長くすることができる。第3に、第1ベース板18及び第2ベース板28の両方から放熱させ、高熱による電力用半導体装置の変形を抑制することができる。第4に、第1ベース板18と第2ベース板28の両方に冷却フィンを取り付けて電力用半導体装置の冷却能力を向上させることができる。図6は本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置の変形例を示す断面斜視図である。この電力用半導体装置は、第1ベース板18に固定されたひだ状構造の第1冷却フィン50を備えている。第1冷却フィン50は第1ベース板18の上方に伸びている。第2ベース板28にはひだ状構造の第2冷却フィン52が固定されている。第2冷却フィン52は第2ベース板28の下方に伸びている。すなわち、第1冷却フィン50は第2冷却フィン52と反対方向に伸びている。そのため第1構造体と第2構造体を同時かつ均等に冷却できる。第1構造体と第2構造体を均等に冷却することは、熱応力の偏在による電力用半導体装置の変形抑制に有効である。本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置は、単相ハーフブリッジ回路を構成しているが、パワーチップを用いる限りどのような回路を構成してもよい。例えば、電力用半導体装置で2相又は3相などの多相ブリッジ回路を構成しても、ダイオードを用いたコンバータ回路を構成しても上述の効果を得ることができる。ケース34は、第1パワーチップと第2パワーチップが間隔をあけて対向するように第1構造体と第2構造体を支持する支持体であれば特に限定されない。従って、ケースは第1ベース板18と第2ベース板28の間に挿入するものに限定されない。実施の形態2.図7は本発明の実施の形態2に係る電力用半導体装置の断面図である。本発明の実施の形態2では、実施の形態1に係る電力用半導体装置10の構成要素と同一又は対応するものについては、実施の形態1と同一の符号を付して説明を省略する。電力用半導体装置60は、第1構造体の構成要素と第2構造体の構成要素が、第1構造体と第2構造体の中間において第1構造体及び第2構造体と平行に伸びる面を対称面とした面対称となるように配置される。第1構造体と第2構造体の厚みは等しくなっている。第1パワーチップと第2パワーチップは、ワイヤ62及び64により電気的に接続されている。電力用半導体装置60は、実施の形態1に係る電力用半導体装置の製造方法と同様に製造される。図8は、本発明の実施の形態2に係る第1構造体と第2構造体が一平面に並べられた状態を示す図である。第1構造体の構成要素と第2構造体の構成要素は中央線破線を対称線とする線対称となっている。図8に示すワイヤ62及び64などはワイヤボンディングで形成される。その後に、第1構造体及び第2構造体を対向させる。ところで、第1構造体にかかる熱応力の分布と第2構造体にかかる熱応力の分布が一致しない場合、ベース板が反ったり、基板が割れたりして電力用半導体装置が変形することがあった。ところが、本発明の実施の形態2に係る電力用半導体装置60によれば、第1構造体の構成要素と第2構造体の構成要素が面対称になるように配置されているので、第1構造体にかかる熱応力の分布と第2構造体にかかる熱応力の分布は一致する。従って、双方の熱応力は打ち消しあうので、電力用半導体装置の変形を抑制できる。なお、電力用半導体装置60の第1ベース板18及び第2ベース板28のそれぞれに冷却フィンを取り付け、両冷却フィンのひだを反対方向に伸ばすと電力用半導体装置の変形抑制効果を高めることができる。