"発光元素としてのCeと、少なくともY、Gd、Al、Ga及びOとを含有し、ガーネット結晶構造を有する軟X線検出用多結晶シンチレータであって、下記一般式:3a5aO12ただし、0≦a≦01、015≦x≦03、0002≦z≦0015、及び035≦u≦055により表される組成を有し、Feの含有量が外割りで005~1質量ppmであり、Siの含有量が外割りで05~10質量ppmであり、50keVのX線の吸収係数μ50と100keVのX線の吸収係数μ100との比μ50/μ100が3以上であり、X線停止後3ms後の残光が800ppm以下であることを特徴とする軟X線検出用多結晶シンチレータ。請求項1に記載の軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、前記一般式におけるaが0005~005であることを特徴とする軟X線検出用多結晶シンチレータ。請求項1又は2に記載の軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、Feの含有量が外割りで005~04質量ppmであることを特徴とする軟X線検出用多結晶シンチレータ。請求項1~3のいずれかに記載の軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、Siの含有量が外割りで05~5質量ppmであることを特徴とする軟X線検出用多結晶シンチレータ。発光元素としてのCeと、少なくともY、Gd、Al、Ga及びOとを含有し、ガーネット結晶構造を有する軟X線検出用多結晶シンチレータであって、各元素の含有量は、Yが236~331質量、Gdが95~198質量、Ceが011~092質量、Alが76~125質量、Gaが162~258質量、及びOが246~275質量であって、合計100質量であり、かつFe含有量が外割りで005~1質量ppmであり、Si含有量が外割りで05~10質量ppmであり、50keVのX線の吸収係数μ50と100keVのX線の吸収係数μ100との比μ50/μ100が3以上であり、X線停止後3ms後の残光が800ppm以下であることを特徴とする軟X線検出用多結晶シンチレータ。請求項5に記載の軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、各元素の含有量は、Yが236~327質量、Gdが95~196質量、Ceが011~091質量、Alが77~125質量、Gaが164~258質量、及びOが247~274質量であって、合計100質量であり、かつFe含有量が外割りで005~04質量ppmであり、Si含有量が外割りで05~5質量ppmであることを特徴とする軟X線検出用多結晶シンチレータ。請求項1~6のいずれかに記載の軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、Bの含有量が外割りで10~500質量ppmであることを特徴とする軟X線検出用多結晶シンチレータ。請求項1~6に記載の軟X線検出用多結晶シンチレータを製造する方法において、酸化イットリウム粉末、酸化ガドリニウム粉末、酸化アルミニウム粉末、酸化ガドリニウム粉末、及び酸化セリウム粉末又は硝酸セリウム粉末からなる原料粉をボールミル混合し、平均粒径を02~07μmとすることを特徴とする方法。請求項8に記載の軟X線検出用多結晶シンチレータの製造方法において、混合原料粉を仮焼することなく加圧成形し、酸素中で1650~1720°Cの温度で焼結し、平均結晶粒径2~20μmの焼結体とすることを特徴とする方法。従って本発明の目的は、人体の低密度組織の画像化に適するように大きな軟X線吸収係数と小さな硬X線吸収係数を有し、かつ発光強度が大きく残光が小さい軟X線検出用多結晶シンチレータを提供することである。本発明の軟X線検出用多結晶シンチレータは、発光元素としてのCeと、少なくともY、Gd、Al、Ga及びOとを含有し、ガーネット結晶構造を有し、下記一般式:3a5aO12ただし、0≦a≦01、015≦x≦03、0002≦z≦0015、及び035≦u≦055により表される組成を有し、Feの含有量が外割りで005~1質量ppmであり、Siの含有量が外割りで05~10質量ppmであり、50keVのX線の吸収係数μ50と100keVのX線の吸収係数μ100との比μ50/μ100が3以上であり、X線停止後3ms後の残光が800ppm以下であることを特徴とする。上記軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、一般式におけるaは0005~005であるのが好ましい。本発明の軟X線検出用多結晶シンチレータは、発光元素としてのCeと、少なくともY、Gd、Al、Ga及びOとを含有し、ガーネット結晶構造を有し、各元素の含有量は、Yが236~331質量、Gdが95~198質量、Ceが011~092質量、Alが76~125質量、Gaが162~258質量、及びOが246~275質量であって、合計100質量であり、かつFe含有量が外割りで005~1質量ppmであり、Si含有量が外割りで05~10質量ppmであり、50keVのX線の吸収係数μ50と100keVのX線の吸収係数μ100との比μ50/μ100が3以上であり、X線停止後3ms後の残光が800ppm以下であることを特徴とする。上記軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、各元素の好ましい含有量は、Yが236~327質量、Gdが95~196質量、Ceが011~091質量、Alが77~125質量、Gaが164~258質量、及びOが247~274質量である。上記軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、Feの含有量は外割りで005~04質量ppmであるのが好ましく、Siの含有量は外割りで05~5質量ppmであるのが好ましい。上記軟X線検出用多結晶シンチレータはさらに外割りで10~500質量ppmのBを含有するのが好ましい。本発明の軟X線検出用多結晶シンチレータにおいて、Gd又はYの一部を微量のLuで置換したり、Al又はGaの一部を微量のScで置換しても良い。ただし、Luは原子量の大きな元素であるので、Luの含有量が多くなるとμ50/μ100が小さくなるので、その含有量は少ないのが好ましい。具体的には、Luの含有量は0~78質量が好ましく、0~08質量がより好ましい。Scはきわめて高価な元素であるので、製造コストの観点から、Scの含有量も少ないのが好ましい。具体的には、Scの含有量は0~32質量が好ましい。本発明の軟X線検出用多結晶シンチレータは、原料として酸化イットリウム粉末、酸化ガドリニウム粉末、酸化アルミニウム粉末、酸化ガドリニウム粉末、及び酸化セリウム粉末又は硝酸セリウム粉末を用い、それらをボールミル混合し、平均粒径を02~07μmとすることを特徴とする。得られた混合原料粉を仮焼することなく加圧成形し、酸素中1650~1720°Cの温度で焼結し、平均結晶粒径が2~20μmの焼結体を得ることを特徴とする。本発明の軟X線検出用多結晶シンチレータは、軟X線の吸収係数が大きく、硬X線の吸収係数が小さく、発光強度が大きく、残光が少ないので、筋肉、血管等の人体の低密度組織の解像度が高いX線CT装置を提供することができる。医療用X線CTにおいては、X線の管電圧は一般に120~140kVである。管電圧が120kVの場合、図2に示すように、エネルギーが最も大きいX線は120keVであり、強度が最大となるX線のエネルギーは約80keVである。軟X線の代表エネルギーを50keVとし、硬X線の代表エネルギーを100keVとすると、50keVのX線の吸収係数μ50と100keVのX線の吸収係数μ100との比μ50/μ100により、シンチレータの軟X線の吸収性硬X線の吸収係数に対する軟X線の吸収係数の比を表すことができる。50keVのX線軟X線の吸収係数μ50と100keVのX線硬X線の吸収係数μ100との比μ50/μ100は、3a5aO12の組成中で最も原子量が大きいGdの原子比に左右される。そこで、a,z及びuがそれぞれa=001、z=0003、及びu=045で一定の場合について、xとμ50/μ100との関係を図3に示す。図3から明らかなように、xの増加とともにμ50/μ100は減少する硬X線の吸収係数に対して軟X線の吸収係数が小さくなることが分る。密度の異なる組織を明瞭に区別させるため、μ50/μ100は3以上である必要があり、そのためにxは03以下である。3a5aO12の組成においてa,z及びuがそれぞれa=001、z=0003、及びu=045で一定の場合について、相対発光強度のx依存性を図4に示し、3ms後の残光のx依存性を図5に示す。相対発光強度は、GOS:Pr,Ce,Fの発光強度を100とした場合の値である。3ms後の残光は、X線照射停止から3ms経過した後の発光強度のX線照射中の発光強度に対する比単位はppmにより表す。図4から、xが約015以上になると発光強度が100を超えることが分る。また図5から、3ms後の残光は、xが015未満になると急激に増加することが分る。これらの結果から、発光強度が100を超え、3ms後の残光が許容レベルの800ppm以下となるxの範囲は015以上であることが分かる。以上より、μ50/μ100が3以上、発光強度が100以上、かつ3ms後の残光が800ppm以下となるxの範囲は015~03である。xの好ましい範囲は016~026である。シンチレータの発光は、X線励起により生成した電子と正孔が発光イオンCe3において結合することにより生じる。一方、残光は、電子及び正孔が一時的に結晶欠陥等に捕獲され、熱励起により開放されて発光イオンにおいて再結合することにより生じる。ガーネット構造を有する多結晶シンチレータは、主に希土類イオンが占有している8配位サイト、及び主にAl3とGa3が占有している6配位及び4配位サイトを有する。発光イオンCe3イオンは8配位サイトを占有するが、このサイトに空孔が生じると、X線励起で生成した電子が捕獲され、残光が増加する。そのため、0≦aとすることにより空孔生成を抑制し、高い発光強度を得るとともに残光を低くすることができる。一方、aが大きくなりすぎると、シンチレータ中にガーネット構造と異なるペロブスカイト相異相のYAlO3等が形成されやすくなる。この異相は母材のガーネット相と屈折率が異なるため、ペロブスカイト相で光散乱が生じ、発光波長の光に対する透過率が低くなり、シンチレータの発光強度を小さくする。3a5aO12の組成においてx,z及びuがそれぞれx=03、z=0003、及びu=045で一定の場合について、相対発光強度及び3ms後の残光のaに対する依存性を図6に示す。相対発光強度は、a=0の場合の発光強度100に対する割合で表す。a<0の場合、発光強度及び残光の両方とも高い。a≧0となると、上記の通り8配位サイトの空孔が減少するので、残光が急激に低くなる。しかし、製造条件に起因する組成のばらつきにより材料内にa<0の部分があると、その部分が残光を発生し、残光を十分に低減できない。そのため、aの好ましい範囲は0005以上である。一方、aが01を超えると発光強度が徐々に低下し、特にaが015より大きくなるとペロブスカイト相の生成により相対発光強度がさらに低下する。従って、発光強度を低下させずに残光を低減し得るaの上限は01である。図6から明らかなように、高い発光強度と低残光を得るには、aを0005~005の範囲内にするのがより好ましい。zは発光元素であるCeの含有量を決定する。3a5aO12の組成においてa,x及びuがそれぞれa=001、x=03、及びu=045で一定の場合について、相対発光強度及び3ms後の残光のzCe含有量に対する依存性を図7に示す。相対発光強度は、最大の発光強度z=0003の場合を100としたときの発光強度である。図7から明らかなように、0002≦z≦0015の範囲で相対発光強度が大きい。zが0002未満の場合、発光元素Ceの数が少なすぎるため、吸収したX線のエネルギーを効率よく光エネルギーに変換することができない。また図7から明らかなように、zが0002未満の場合、残光が急激に増大する。一方、zが0015超になると、Ce原子間の距離が小さすぎるため、エネルギーの回遊いわゆる濃度消光が起こり、相対発光強度が90未満となる。uはAlとGaの組成比を決定する。3a5aO12の組成においてa,x及びzがそれぞれa=001、x=03、及びz=0003で一定の場合について、相対発光強度及び3ms後の残光のuに対する依存性を図8に示す。相対発光強度は、最大の発光強度u=05の場合を100としたときの発光強度である。図8から明らかなように、035≦u≦055の範囲で相対発光強度が大きい。uが048のとき、相対発光強度は最大となる。uが02未満又は06超の場合、相対発光強度は急激に低下し、残光が増加する。本発明のシンチレータは不可避的にFe及びSiを含有するが、Feの含有量を005~1質量ppmの範囲に制御し、Siの含有量を05~10質量ppmの範囲に制御すべきである。3ms後の残光に及ぼすFe含有量の影響を図9に示す。図9から明らかなように、Fe含有量が1質量ppmを超えると3ms後の残光が許容レベルの800ppmを超えるので、Fe含有量の上限は1質量ppmであり、好ましくは04質量ppmである。ただし、シンチレータの合成に用いる原料粉特にAl2O3粉には既に1~20質量ppmのFeが含まれているので、得られるシンチレータは不可避的にFeを含有する。原料粉中のFe含有量を低減するためには、例えば原料粉を真空中で熱処理する。しかし、原料粉のFe含有量を005質量ppm未満まで低減させる高温での真空中熱処理を行うと、原料粉が固く凝集してしまうので、粉砕処理が必要となる。しかし、粉砕処理によるFeの混入は避けられないので、Fe含有量の下限値は事実上005質量ppmである。3ms後の残光に及ぼすSi含有量の影響を図10に示す。図10から明らかなように、Si含有量が10質量ppmを超えると3ms後の残光は許容レベルの800ppmを超えるので、Si含有量の上限は10質量ppmであり、好ましくは5質量ppmである。しかし、シンチレータの合成に用いる原料粉特にAl2O3粉には既に10~40質量ppmのSiが含まれているので、得られるシンチレータは不可避的にSiを含有する。原料粉中のSi含有量は例えば真空中熱処理により低減できるが、真空中熱処理により原料粉が粒成長するとともに固く凝集するので、ボールミル粉砕する必要がある。ボールミル粉砕にアルミナボールを使用する場合、アルミナボールに10~500質量ppmのSiが不可避的に含まれているので、Siが不可避的に混入し、原料粉のSi含有量が増大する。従って、Si含有量の下限値は事実上05質量ppmである。Al2O3粉を真空中熱処理した場合の熱処理温度とSi含有量及びBET値との関係を図11に示す。熱処理温度の上昇とともにSi含有量は低下するが、粒成長のためにBET値も低下する。そのため、真空中熱処理後に原料粉を粉砕する必要がある。しかし、アルミナボールを用いて粉砕処理を行うと、Siが混入する。Si含有量を最も低減できる1400°Cの温度で真空中熱処理したAl2O3粉をアルミナボールを用い粉砕処理したときの粉砕時間とAl2O3粉中のSi含有量及びBET値との関係を図12に示す。粉砕時間の増加とともにBET値は増加するが、Si含有量も増加する。異常粒成長のない均一な焼結体を得るためには原料粉のBET値を2m2g以上にする必要があるため、工業的量産のためにはSi含有量の下限値は05質量ppmである。Si含有量を10質量ppm以下とし、BET値を2m2g以上とするためには、真空中の熱処理温度は1300~1500°Cが好ましく、粉砕時間は5~30時間が好ましい。本発明のシンチレータは、原料粉の融点より低い温度で焼結してなる。多結晶シンチレータは、同じ組成の単結晶シンチレータより光透過率が劣るが、単結晶シンチレータのように結晶成長に長時間を要さないので製造効率が高く、工業的量産性に優れている。シンチレータ中のY3の原子比が増加すると最適な焼結温度が高くなる。従って、十分に高い焼結温度でないと十分な焼結密度が得られず、多数のボイドが残存し、発光強度が低い。最適な焼結温度を低下させる焼結助剤を検討した結果、発光強度及び残光に影響せずに焼結温度を低下させる焼結助剤としてB2O3、H3BO3等のB化合物が好ましいことが分った。従来からBは発光強度を低下させる成分と考えられてきたので、Bの含有量はできるだけゼロにされてきた。しかし、B含有量が好ましくは10~500質量ppm、より好ましくは10~100質量ppmとなる量であれば、B化合物を焼結助剤として用いて良いことが分った。B含有量が500ppm超であると、結晶粒が大きくなり、シンチレータ内の気孔が増加し、光透過率が低下する。最適量のB化合物を焼結助剤として添加することにより、最適焼結温度は25~100°C程度低下する。本発明のシンチレータを作製するのに用いる原料として、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム、酸化アルミニウム及び酸化ガリウムは、高純度の原料を入手しやすく、また低価格なため好ましい。発光イオンとなるCe3の原料としては、酸化セリウム又は均一に分散し易い硝酸セリウムが好ましい。これらの原料をアルミナボールを用いたボールミルにより混合する。粉砕粉の平均粒径は02~07μmが好ましい。平均粒径が02μm未満であると、加圧成形体の密度が十分に増加せずに焼結体の密度が低すぎるだけでなく、混合時間が長くなり過ぎてアルミナボールからの不純物の混入量が増加する。一方、平均粒径が07μm超であると、焼結体の密度が低くなり過ぎるだけでなく、焼結体の組成の均一性が低下して特性にばらつきが生じる。本発明のシンチレータを製造するのに、セラミックスの製造に一般的な仮焼工程を行わない。これは、仮焼によりビッカース硬度Hvが1200超の硬いガーネット結晶の粉末が得られ、粉砕時のアルミナボールからの不純物の混入量が増加するためである。加圧成形は、一軸加圧成形又は一軸加圧成形と冷間静水圧成形の組合せにより行うことができる。焼結は、ガリウム成分が還元されやすいため、酸素中で行うのが望ましい。焼結体の結晶粒径の好ましい範囲は2~20μmである。平均粒径が2μm未満だと、焼結が十分進まず、結晶粒界に気孔が残ってしまう。一方、平均粒径が20μm超であると、焼結が進みすぎ、結晶粒内にボイドが残ってしまい、やはり焼結体の密度が低下してしまう。2~20μmの平均粒径が得られる焼結温度は1650~1720°Cである。本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。実施例1容量1リットルの樹脂製ポットに、直径5mmの高純度アルミナボール1300g及びエタノール200ccとともに、アルミナボールからのAl2O3の混入を考慮に入れて、7379gのY2O3粉、2980gのGd2O3粉、077gのCeO2粉、3816gのAl2O3粉、及び5748gのGa2O3粉からなる合計200gの原料粉を入れた。Fe及びSiの含有量を低減するため、Al2O3粉をあらかじめ真空中10Pa以下において1400°Cで1時間熱処理した後、12時間ボールミル粉砕した。原料粉を12時間湿式ボールミル混合した後、乾燥した。湿式ボールミル混合後のアルミナボールの質量変化は006gであった。レーザー回折式粒度分布測定装置株式会社堀場製作所製LA920を用いて水中での平均屈折率を15として求めた、湿式ボールミル混合粉の平均粒径は05μmであった。得られた粉砕粉を500kgcm2の圧力で一軸プレス成形し、次いで3toncm2の圧力で冷間静水圧プレスし、相対密度54の成形体を得た。この成形体をアルミナこう鉢に入れ、酸素中1700°Cで12時間焼結し、相対密度999の焼結体を得た。この焼結体を内周スライサーで幅1mm、長さ30mm、及び厚さ25mmの板状に切断し、表面を光学研磨した後、1300°Cに加熱し、粒界をエッチングした。コード法組織写真上に任意に引いた直線の単位長さ当たりの粒界の交点数から平均粒径を求める方法により求めた平均結晶粒径は8μmであった。主成分及びBの含有量はICPAES高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法、パーキンエルマー製:OPTIMA3300XLにより求め、Fe及びSiの含有量はGDMS法グロー放電質量分析法、VGELEMENTAL社製:VG9000により求めた。測定結果を表2に示す。このシンチレータ試料を用い、図1に示す放射線検出器を作製した。この放射線検出器では、X線源1から出たX線の照射によりシンチレータ2が励起されて発光し、その光はシリコンフォトダイオード4で検出され、もってシンチレータの特性が分る。なお、シリコンフォトダイオードの電流出力を電圧に変換し、前記電圧を増幅するための電気信号増幅器を前記配線基板6に接続することにより、X線可視光変換-信号増幅器を構成することができた。実施例27361gのY2O3粉、2973gのGd2O3粉、0706gのCeO2粉、3826gのAl2O3粉、及び5764gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例2の多結晶のシンチレータを作製した。実施例37547gのY2O3粉、3048gのGd2O3粉、0724gのCeO2粉、3721gのAl2O3粉、及び5605gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例3の多結晶のシンチレータを作製した。実施例47955gのY2O3粉、2267gのGd2O3粉、0718gのCeO2粉、3870gのAl2O3粉、及び5830gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例4の多結晶のシンチレータを作製した。実施例56275gのY2O3粉、4348gのGd2O3粉、0688gのCeO2粉、3711gのAl2O3粉、及び5591gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例5の多結晶のシンチレータを作製した。実施例67413gのY2O3粉、2982gのGd2O3粉、0283gのCeO2粉、3818gのAl2O3粉、及び5752gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例6の多結晶のシンチレータを作製した。実施例77269gのY2O3粉、2973gのGd2O3粉、2117gのCeO2粉、3806gのAl2O3粉、及び5734gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例7の多結晶のシンチレータを作製した。実施例87601gのY2O3粉、3070gのGd2O3粉、0729gのCeO2粉、4646gのAl2O3粉、及び4605gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例8の多結晶のシンチレータを作製した。実施例97171gのY2O3粉、2896gのGd2O3粉、0687gのCeO2粉、3038gのAl2O3粉、及び6827gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例9の多結晶のシンチレータを作製した。実施例107955gのY2O3粉、2267gのGd2O3粉、0718gのCeO2粉、3870gのAl2O3粉、及び5830gのGa2O3粉からなる原料粉と、焼結助剤として03gのB2O3粉とを使用し、焼結温度を1600°Cとした以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例10の多結晶のシンチレータを作製した。実施例116275gのY2O3粉、4348gのGd2O3粉、0688gのCeO2粉、3711gのAl2O3粉、及び5591gのGa2O3粉からなる原料粉と、焼結助剤として01gのH3BO3粉とを使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する実施例11の多結晶のシンチレータを作製した。実施例127379gのY2O3粉、2980gのGd2O3粉、077gのCeO2粉、3816gのAl2O3粉、及び5748gのGa2O3粉からなる平均粒径02μmの原料粉を使用し、ボールミル混合時間を60時間とした以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する平均結晶粒径が2μmの多結晶のシンチレータを作製した。実施例137379gのY2O3粉、2980gのGd2O3粉、077gのCeO2粉、3816gのAl2O3粉、及び5748gのGa2O3粉からなる平均粒径07μmの原料粉を使用し、ボールミル混合時間を8時間とし、焼結条件を1720°Cで24時間とした以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する平均結晶粒径19μmの多結晶のシンチレータを作製した。比較例15428gのY2O3粉、5858gのGd2O3粉、0695gのCeO2粉、3446gのAl2O3真空中熱処理を行わなかった、及び5192gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例1の多結晶のシンチレータを作製した。比較例1のシンチレータは、aが017と大きいために発光強度が小さく、またFe及びSiの含有量が多いために残光が大きかった。比較例25211gのY2O3粉、5605gのGd2O3粉、0399gのCeO2粉、3646gのAl2O3粉、及び5493gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例2の多結晶のシンチレータを作製した。比較例35526gのY2O3粉、4799gのGd2O3粉、0391gのCeO2粉、2558gのAl2O3粉、及び7071gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例3の多結晶のシンチレータを作製した。比較例42578gのY2O3粉、9754gのGd2O3粉、0397gのCeO2粉、5220gのAl2O3粉、及び2402gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例4の多結晶のシンチレータを作製した。比較例4のシンチレータは、xが07と大きいためにμ50/μ100が173とかなり小さく、またuが02と小さいために発光強度が小さかった。比較例54283gのY2O3粉、6879gのGd2O3粉、0026gのCeO2粉、3522gのAl2O3粉、及び5307gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例5の多結晶のシンチレータを作製した。比較例5のシンチレータは、zが00002と小さいために発光強度が小さかった。比較例64036gのY2O3粉、6750gのGd2O3粉、2564gのCeO2粉、3150gのAl2O3粉、及び5802gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例6の多結晶のシンチレータを作製した。比較例6のシンチレータは、zが002と大きいために発光強度が小さかった。比較例7714gのY2O3粉、10861gのGd2O3粉、0573gのCeO2粉、2221gのAl2O3粉、及び6141gのGa2O3粉からなる原料粉を使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例7の多結晶のシンチレータを作製した。比較例7のシンチレータは、xが09と大きいためにμ50/μ100が168とかなり小さかった。比較例84721gのY2O3粉、6258gのGd2O3粉、066gのCeO2粉、3570gのAl2O3粉、及び5379gのGa2O3粉からなる原料粉と、焼結助剤として02gのMgO粉とを使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例8の多結晶のシンチレータを作製した。比較例8のシンチレータは、焼結助剤中のMgにより発光強度が大幅に低下した。比較例94721gのY2O3粉、6258gのGd2O3粉、066gのCeO2粉、3570gのAl2O3粉、及び5379gのGa2O3粉からなる原料粉と、焼結助剤として02gのSiO2粉とを使用した以外比較例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する比較例9の多結晶のシンチレータを作製した。比較例9のシンチレータは焼結助剤中のSiにより残光が大幅に増加した。比較例107379gのY2O3粉、2980gのGd2O3粉、077gのCeO2粉、3816gのAl2O3粉、及び5748gのGa2O3粉からなる平均粒径01μmの原料粉を使用し、ボールミル混合時間を120時間とした以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する平均結晶粒径15μmの多結晶のシンチレータを作製した。比較例117379gのY2O3粉、2980gのGd2O3粉、077gのCeO2粉、3816gのAl2O3粉、及び5748gのGa2O3粉からなる平均粒径09μmの原料粉を使用し、ボールミル混合時間を6時間とし、焼結条件を1720°Cで24時間とした以外実施例1と同様の方法で、表2に示す組成を有する平均結晶粒径25μmの多結晶のシンチレータを作製した。実施例1に示す放射線検出器において、X線源としてタングステンターゲットのX線管を用い、管電圧120kV及び管電流20mAの条件でX線を放射線検出器のシンチレータに照射することにより、実施例1~13及び比較例1~11の各シンチレータ試料の発光強度及び3ms経過後の残光を測定した。発光強度は、表1に記載のGOS:Pr,Ce,Fシンチレータの発光強度を100としたときの相対発光強度で表す。μ50/μ100は、表3の組成から計算により求めた。結果を表4に示す。表2は実施例1~13及び比較例1~11の多結晶シンチレータにおける各元素の含有量の測定値を示し、表3は測定値から求めた化学式を示す。実施例1~13のシンチレータでは、発光強度は100以上であり、3ms経過後の残光は800ppm以下であった。一方、比較例1~11のシンチレータでは、発光強度は100未満であり、3ms経過後の残光は800ppmよりかなり大きかった。特に比較例8のシンチレータは、焼結助剤中のMgにより3ms後の残光が低減されたが、発光強度も低下した。比較例9のシンチレータは、焼結助剤中のSiにより3ms後の残光が大きく増加した。"