"少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を含む酸化物の焼結体であることを特徴とするスパッタリングターゲット。In/InSnZnで表わされる原子比が0.25~0.6の範囲内、Sn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.3の範囲内、及びZn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.5の範囲内の値であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。X線回折XRDにおけるピークについて、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物の最大ピーク強度IZn2SnO4と、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物の最大ピーク強度IIn2O3の比IZn2SnO4/IIn2O3が、0.05~20の範囲内であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。X線回折XRDにおけるピークについて、SnO2で表されるルチル構造化合物の最大ピーク強度ISnO2、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物の最大ピーク強度IZn2SnO4、及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物の最大ピーク強度IIn2O3が下記の関係を満たすことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。ISnO2<IZn2SnO4ISnO2<IIn2O3ISnO2<Max.IZn2SnO4,IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.IZnO<IIn2O3IZnO<Max.IZn2SnO4,IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.IIn2O3ZnOm<IIn2O3IIn2O3ZnOm<Max.IZn2SnO4,IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.X,Yは、XとYのいずれか大きい方を表す。]電子線マイクロアナライザーEPMAの画像において、インジウムリッチな部分SInと鉛リッチな部分SZnとが海島構造を構成し、その面積比SZn/SInが0.05~100の範囲内であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。In2O3で表されるビックスバイト構造化合物の結晶粒径が10μm以下であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。バルク抵抗が0.3~100mΩcmの範囲内であることを特徴とする請求項1~8いずれか一項記載のスパッタリングターゲット。理論相対密度が90以上であることを特徴とする請求項1~9いずれか一項記載のスパッタリングターゲット。インジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末、及びそれらの粉末の粒子径よりも小さい粒子径の錫化合物粉末を、In/InSnZnで表わされる原子比が0.25~0.6の範囲内、Sn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.3の範囲内、及びZn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.5の範囲内の割合で配合した混合物を得る工程と、該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、該成形体を焼結する工程と、を含む請求項1~10のいずれか一項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。請求項1~10いずれか一項記載のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなる透明導電膜。請求項12記載の透明導電膜をエッチングして得られる透明電極。本発明は、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるインジウム含有量を低減した、抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高いスパッタリングターゲット、及びこのスパッタリングターゲットを用いて作製した透明導電膜を提供するものである。インジウム、錫、亜鉛を主成分とする酸化物焼結ターゲットは、原料の形態焼結時の温度履歴熱処理方法組成比等で、In2O3ZnOmmは2~20の整数で表される六方晶層状化合物、SnO2で表されるルチル構造化合物、ZnOで表されるウルツ鉱形化合物、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物、ZnIn2O4で表されるスピネル構造化合物をはじめZnSnO3、Sn3In4O12等の結晶構造を含む可能性がある。また、それらの結晶構造が様々な組合せを取り得ると考えられる。数多くの化合物の組合せのうちZn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を併せて含有したものは、抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度の高いターゲットとなりうることを見出した。この効果の理由は完全には解明できていないが、特定の焼結条件組成では、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物にInが、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物にSn等が固溶しやすくなるためと推測される。つまり、正二価のZnが存在すると正四価のSnが、正三価のInを含むIn2O3に固溶しやすくなったり、正二価のZnと正四価のSnが近接しているとZn2SnO4に正三価のInが固溶しやすくなるためと推測される。また、このターゲットを用いてスパッタリング法で成膜した透明導電膜は、インジウム含有量が削減されていても導電性、エッチング性、耐熱性等に優れ、液晶ディスプレイに代表されるディスプレイやタッチパネル、太陽電池等各種の用途に適していることを見出した。さらに、このターゲットは安定にスパッタリングが行なえるため、成膜条件を調整するなどしてTFT薄膜トランジスタに代表される透明酸化物半導体の成膜にも適用できることを見出した。本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット、その製造方法、透明導電膜及び透明電極が提供される。[1]少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を含む酸化物の焼結体であることを特徴とするスパッタリングターゲット。[2]In/InSnZnで表わされる原子比が0.25~0.6の範囲内、Sn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.3の範囲内、及びZn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.5の範囲内の値であることを特徴とする上記[1]記載のスパッタリングターゲット。[3]X線回折XRDにおけるピークについて、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物の最大ピーク強度IZn2SnO4と、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物の最大ピーク強度IIn2O3の比IZn2SnO4/IIn2O3が、0.05~20の範囲内であることを特徴とする上記[1]又は[2]記載のスパッタリングターゲット。[4]X線回折XRDにおけるピークについて、SnO2で表されるルチル構造化合物の最大ピーク強度ISnO2、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物の最大ピーク強度IZn2SnO4、及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物の最大ピーク強度IIn2O3が下記の関係を満たすことを特徴とする上記[1]~[3]のいずれか記載のスパッタリングターゲット。ISnO2<IZn2SnO4ISnO2<IIn2O3ISnO2<Max.IZn2SnO4、IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.IZnO<IIn2O3IZnO<Max.IZn2SnO4、IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.IIn2O3ZnOm<IIn2O3IIn2O3ZnOm<Max.IZn2SnO4、IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.X,Yは、XとYのいずれか大きい方を表す。][7]電子線マイクロアナライザーEPMAの画像において、インジウムリッチな部分SInと鉛リッチな部分SZnとが海島構造を形成し、その面積比SZn/SInが0.05~100の範囲内であることを特徴とする上記[1]~[6]のいずれか記載のスパッタリングターゲット。[8]In2O3で表されるビックスバイト構造化合物の結晶粒径が10μm以下であることを特徴とする上記[1]~[7]のいずれか記載のスパッタリングターゲット。[9]バルク抵抗が0.3~100mΩcmの範囲内であることを特徴とする上記[1]~[8]いずれか記載のスパッタリングターゲット。[10]理論相対密度が90以上であることを特徴とする上記[1]~[9]いずれか記載のスパッタリングターゲット。[11]インジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末、及びそれらの粉末の粒子径よりも小さい粒子径の錫化合物粉末を、In/InSnZnで表わされる原子比が0.25~0.6の範囲内、Sn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.3の範囲内、及びZn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.5の範囲内の割合で配合した混合物を得る工程と、該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、該成形体を焼結する工程と、を含む上記[1]~[10]のいずれか記載のスパッタリングターゲットの製造方法。[12]上記[1]~[10]いずれか記載のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなる透明導電膜。[13]上記[12]記載の透明導電膜をエッチングして得られる透明電極。本発明によれば、抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高いスパッタリングターゲットが提供できる。本発明によれば、導電性、エッチング性、耐熱性等に優れ、PANリン酸、酢酸、硝酸の混酸耐性を有する透明導電膜が提供できる。以下、本発明を詳細に説明する。I.スパッタリングターゲット本発明のスパッタリングターゲット以下、本発明のターゲットというは、少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を含む酸化物の焼結体であることを特徴とする。上述したように、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を共に含むことにより、抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度の高いターゲットとなる。ここで、スピネル構造化合物について説明する。結晶化学講談社、中平光興著、1973等に開示されている通り、通常AB2X4の型あるいはA2BX4の型をスピネル構造と呼び、このような結晶構造を有する化合物をスピネル構造化合物という。一般にスピネル構造では陰イオン通常は酸素が立方最密充填をしており、その四面体隙間及び八面体隙間の一部に陽イオンが存在している。尚、結晶構造中の原子やイオンが一部他の原子で置換された置換型固溶体、他の原子が格子間位置に加えられた侵入型固溶体もスピネル構造化合物に含まれる。本発明のターゲットの構成成分であるスピネル構造化合物は、Zn2SnO4で表される化合物である。すなわち、X線回折で、JCPDSJointCommitteeonPowderDiffractionStandardsデータベースのNo24-1470のピークパターンか、あるいは類似のシフトしたパターンを示す。次に、ビックスバイト構造化合物について説明する。ビックスバイトbixbyiteは、希土類酸化物C型あるいはMn2O3I型酸化物とも言われる。透明導電膜の技術株オーム社出版、日本学術振興会、透明酸化物光電子材料第166委員会編、1999等に開示されている通り、化学量論比がM2X3Mは陽イオン、Xは陰イオンで通常酸素イオンで、一つの単位胞はM2X316分子、合計80個の原子Mが32個、Xが48個により構成されている。本発明のターゲットの構成成分であるビックスバイト構造化合物は、これらの内、In2O3で表される化合物、すなわちX線回折で、JCPDSJointCommitteeonPowderDiffractionStandardsデータベースのNo06-0416のピークパターンか、あるいは類似のシフトしたパターンを示すものである。尚、結晶構造中の原子やイオンが一部他の原子で置換された置換型固溶体、他の原子が格子間位置に加えられた侵入型固溶体もビックスバイト構造化合物に含まれる。ターゲット中の化合物の結晶状態は、ターゲット焼結体から採取した試料をX線回折法により観察することによって判定することができる。本発明のターゲットは、In/InSnZnで表わされる原子比が0.25~0.6の範囲内、Sn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.3の範囲内、及びZn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.5の範囲内の値であることが好ましい。ここで、本発明のターゲットにおける上記原子比は、誘導結合プラズマICP発光分析によって測定することができる。In/InSnZnで表される原子比が0.25より小さいとターゲットのバルク抵抗が高くなったり密度が低くなるおそれがあり、またスパッタリングによって得られる透明導電膜の抵抗が高くなるおそれがある。0.6より大きいとインジウム削減効果が得られないおそれがある。Sn/InSnZnで表される原子比が0.15より小さいと、ターゲットの強度が低下したり、バルク抵抗が高くなるおそれがある。また、スパッタリングによって得られる透明導電膜の大気下での耐熱性が低下したり、接触抵抗が大きくなり、配線との接続後の耐久性が低下したり、プローブ検査ができなくなるおそれがあり、0.3より大きいとウェットエッチングが困難となるおそれがある。Zn/InSnZnで表される原子比が0.1より小さいとウェットエッチングが困難となるおそれがあり、0.6より大きいとスパッタリングによって得られる透明導電膜の耐熱性や導電性が低下するおそれがある。また、原子の原子比が上記範囲からはずれると、焼結条件を変更してもZn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を共に含有させることができないおそれがある。In/InSnZnで表される原子比は、0.26~0.59の範囲内であることがより好ましく、0.26~0.52の範囲内であることがさらに好ましく、0.31~0.49の範囲内であることが特に好ましい。Sn/InSnZnで表される原子比は、0.17~0.24の範囲内であることがより好ましく、0.19~0.24の範囲内であることがさらに好ましく、0.21~0.24の範囲内であることが特に好ましい。Zn/InSnZnで表される原子比は、0.19~0.49の範囲内であることがより好ましく、0.2~0.49の範囲内であることがさらに好ましく、0.21~0.45の範囲内であることが特に好ましい。本発明のターゲットにおいて、X線回折XRDにおけるピークについて、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物の最大ピーク強度IZn2SnO4と、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物の最大ピーク強度IIn2O3の比IZn2SnO4/IIn2O3は、0.05~20の範囲内であることが好ましい。上記最大ピーク強度の比IZn2SnO4/IIn2O3が0.05より小さいと、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物が少なく、高温にしないとターゲットの密度が上がりにくかったり、ターゲットの強度が低下しやすかったり、SnのIn2O3への固溶が不安定となり微量のSnO絶縁体が発生し異常放電が発生しやすくなる等のおそれがある。また、上記最大ピーク強度の比IZn2SnO4/IIn2O3が20より大きいと、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物が少なくターゲットの抵抗が高くなるおそれがある。上記最大ピーク強度の比IZn2SnO4/IIn2O3は、0.1~10の範囲内であることがより好ましく、0.15~7の範囲内であることがさらに好ましく、0.2~5の範囲内であることが特に好ましく、0.7~4の範囲内であることが最も好ましい。上記最大ピーク強度の比は、X線回折XDRにより求めたチャートより、任意の範囲例えば、2θ=15~65°の範囲に存在する最大ピーク強度から計算することによって求めることができる。また、特にターゲットの抵抗を低下させたい場合には、上記最大ピーク強度の比IZn2SnO4/IIn2O3が1より大きいことが好ましい。また、ターゲットの焼結密度を向上させたい場合には上記最大ピーク強度の比IZn2SnO4/IIn2O3が1より小さいことが好ましい。さらに、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合の最大ピーク強度が共に、それ以外の化合物の最大ピーク強度より大きいことが両構造の化合物を含有する効果が発揮されるため好ましい。本発明のターゲットにおいては、X線回折XRDにおけるピークについて、SnO2で表されるルチル構造化合物の最大ピーク強度ISnO2、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物の最大ピーク強度IZn2SnO4、及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物の最大ピーク強度IIn2O3が下記の関係を満たすことが好ましい。ISnO2<IZn2SnO4ISnO2<IIn2O3ISnO2<Max.IZn2SnO4,IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.IZnO<IIn2O3IZnO<Max.IZn2SnO4,IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.IIn2O3ZnOm<IIn2O3IIn2O3ZnOm<Max.IZn2SnO4,IIn2O3÷10[上記関係式中、Max.、ToshihiroMorigaetalJAmCeramSoc81131016等に記載された化合物であり、本発明でいう六方晶層状化合物とは、In2O3ZnOmmは2~20の整数あるいはZnkIn2Ok3kは整数で表される化合物である。本発明のターゲットが、In2O3ZnOmmは2~20の整数で表される六方晶層状化合物を多く含有していると、ターゲットの抵抗が高くなったり、異常放電が発生したり、ターゲットの強度が不十分で割れ易かったり等のおそれがある。本発明のターゲットにおいて、電子線マイクロアナライザーEPMAによるターゲット断面の元素分析について、インジウムInリッチな部分以下、インジウムInリッチ相というと亜鉛Znリッチな部分以下、亜鉛Znリッチ相というが分離した海島構造図4に概念図を示すを示し、InとZnの画像から算出した面積SIn、SZnの面積比SZn/SInが0.05~100の範囲であることが好ましい。面積比SZn/SInは、0.05~20であることがより好ましく、0.1~10であることがさらに好ましく、0.2~5であることが特に好ましい。ここでリッチ相とはEPMAによる分析で周辺の元素密度より高い通常1.5~2倍以上部分をいう。インジウムInリッチ相と亜鉛Znリッチ相とが海島構造をとらなかったり、面積SIn、SZnの面積比SZn/SInが0.05~100の範囲外であるとターゲットの密度が低くなったり、バルク抵抗が高くなったり、強度が低下するおそれがある。特に海島構造をとらない場合にバルク抵抗が高くなりやすい。これは、海島構造が構成されないと、正三価のIn化合物に正二価のZnが多く固溶した状態となってキャリアトラップとなりキャリア密度が低下しバルク抵抗が高くなるためと推察される。本発明のターゲットにおいては、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物の結晶粒径が10μm以下であることが好ましく、6μm以下がより好ましく、4μm以下が特に好ましい。In2O3で表されるビックスバイト構造化合物の結晶粒径が10μmより大きいと異常放電やノジュールが発生しやすくなるおそれがある。各化合物の結晶粒径は、電子線マイクロアナライザーEPMAによって測定することができる。本発明のターゲットは、バルク抵抗が100mΩcm以下であることが好ましく、また、理論相対密度が90以上であることが好ましい。ターゲットのバルク抵抗が高かったり、理論相対密度が90より小さかったりすると放電中にターゲットが割れる原因となるおそれがある。本発明のターゲットのバルク抵抗は、0.3~50mΩcmの範囲内であることがより好ましく、0.3~10mΩcmの範囲内であることがさらに好ましく、0.4~5mΩcmの範囲内であることが特に好ましく、0.4~3mΩcmの範囲内であることが最も好ましい。ここで、ターゲットのバルク抵抗値の測定は、四探針法によって行う。本発明のターゲットの理論相対密度は、90以上であることがより好ましく、95以上であることがさらに好ましく、98以上であることが特に好ましい。理論相対密度が90より小さいと、ターゲットの強度が低下したり、成膜速度が遅くなったり、スパッタリングで作製した膜の抵抗が高くなったりするおそれがある。ここで、ターゲットの理論相対密度は、次のようにして求める。ZnO、SnO2、In2O3の比重を各々5.66g/cm3、6.95g/cm3、7.12g/cm3として、その量比から密度を計算し、アルキメデス法で測定した密度との比率を計算して理論相対密度とする。本発明のターゲットの抗折力は、10kg/mm2以上であることが好ましく、11kg/mm2以上であることがより好ましく、12kg/mm2以上であることが特に好ましい。ターゲットの運搬、取り付け時に荷重がかかり、ターゲットが破損するおそれがあるという理由で、ターゲットには、一定以上の抗折力が要求され、10kg/mm2未満では、ターゲットとしての使用に耐えられないおそれがある。ターゲットの抗折力は、JISR1601に準じて測定することができる。II.スパッタリングターゲットの製造方法本発明のスパッタリングターゲットの製造方法以下、本発明の製造方法ということがあるは、インジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末、及びそれらの粉末の粒子径よりも小さい粒子径の錫化合物粉末を、In/InSnZnで表わされる原子比が0.25~0.6の範囲内、Sn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.3の範囲内、及びZn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.5の範囲内の割合で配合した混合物を得る工程と、該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、該成形体を焼結する工程と、を含み、上記本発明のスパッタリングターゲットが得られることを特徴とする。以下、本発明の製造方法を、工程毎に説明する。1配合工程配合工程は、金属酸化物などのスパッタリングターゲットの原料を混合する必須の工程である。原料としては、インジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末、及びそれらの粉末の粒径よりも小さい粒径の錫化合物粉末を用いる。錫化合物粉末の粒径が、インジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末の粒径と同じか又はそれらより大きいと、SnO2がターゲット中に存在残存しターゲットのバルク抵抗を高くするおそれがあるためである。また、錫化合物粉末の粒子径がインジウム化合物粉末及び亜鉛化合物粉末の粒子径よりも小さいことが好ましく、錫化合物粉末の粒子径はインジウム化合物粉末の粒子径の2分の1以下であるとさらに好ましい。また、亜鉛化合物粉末の粒子径がインジウム化合物粉末の粒子径よりも小さいと特に好ましい。ターゲットの原料となる各金属化合物の粒径は、JISR1619に記載の方法によって測定することができる。ターゲットの原料であるインジウム、錫及び亜鉛の酸化物は、In/InSnZnで表わされる原子比が0.25~0.6の範囲内、Sn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.3の範囲内、及びZn/InSnZnで表わされる原子比が0.15~0.5の範囲内の割合で配合する必要がある。上記範囲をはずれると、前記効果を有する本発明のターゲットは得られない。インジウムの化合物としては、例えば、酸化インジウム、水酸化インジウム等が挙げられる。錫の化合物としては、例えば、酸化錫、水酸化錫等が挙げられる。亜鉛の化合物としては、例えば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛等が挙げられる。各々の化合物として、焼結のしやすさ、副生成物の残存のし難さから、酸化物が好ましい。また、原料の純度は、通常2N99質量以上、好ましくは3N99.9質量以上、特に好ましくは4N99.99質量以上である。純度が2Nより低いと耐久性が低下したり、液晶側に不純物が入り、焼き付けが起こるおそれがある。金属酸化物等のターゲットの製造に用いる、上記粒径の関係にある原料を混合し、通常の混合粉砕機、例えば、湿式ボールミルやビーズミル又は超音波装置を用いて、均一に混合粉砕することが好ましい。金属酸化物等のターゲットの製造原料を混合して粉砕する場合、粉砕後の混合物の粒径は、通常10μm以下、好ましくは3μm以下、特に好ましくは1μm以下とすることが好ましい。金属化合物の粒径が大きすぎると、ターゲットの密度が上がり難くなるおそれがある。ターゲットの原料となる金属化合物の混合物の粉砕後の粒径は、JISR1619に記載の方法によって測定することができる。2仮焼工程仮焼工程は、スパッタリングターゲットの原料である化合物の混合物を得た後、この混合物を仮焼する、必要に応じて設けられる工程である。仮焼を行うと、密度を上げることが容易になり好ましいが、コストアップになるおそれがある。そのため、仮焼を行わずに密度を上げられることがより好ましい。仮焼工程においては、500~1200°Cで、1~100時間の条件で金属酸化物の混合物を熱処理することが好ましい。500°C未満又は1時間未満の熱処理条件では、インジウム化合物や亜鉛化合物、錫化合物の熱分解が不十分となる場合があるためである。一方、熱処理条件が、1200°Cを超えた場合又は100時間を超えた場合には、粒子の粗大化が起こる場合があるためである。従って、特に好ましいのは、800~1200°Cの温度範囲で、2~50時間の条件で、熱処理仮焼することである。尚、ここで得られた仮焼物は、下記の成形工程及び焼成工程の前に粉砕するのが好ましい。この仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、仮焼物の粒径が0.01~1.0μmの範囲内になるようにするのがよい。仮焼物の粒径が0.01μm未満では、嵩比重が小さくなり過ぎ、取り扱いが困難となるおそれがあり、1.0μmを超えると、ターゲットの密度が上がり難くなるおそれがある。仮焼物の粒径は、JISR1619に記載及び方法によって測定することができる。3成形工程成形工程は、金属酸化物の混合物上記仮焼工程を設けた場合には仮焼物を加圧成形して成形体とする必須の工程である。この工程により、ターゲットとして好適な形状に成形する。仮焼工程を設けた場合には得られた仮焼物の微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形することができる。本工程で用いることができる成形処理としては、例えば、金型成形、鋳込み成形、射出成形等も挙げられるが、焼結密度の高い焼結体ターゲットを得るためには、冷間静水圧CIP等で成形するのが好ましい。尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。4焼成工程焼成工程は、上記成形工程で得られた成形体を焼成する必須の工程である。焼成は、熱間静水圧HIP焼成等によって行うことができる。この場合の焼成条件としては、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下に、通常、700~1700°C、好ましくは1100~1650°C、さらに好ましくは1300~1600°Cにおいて、通常30分~360時間、好ましくは8~180時間、より好ましくは12~96時間焼成する。焼成温度が700°C未満であると、ターゲットの密度が上がり難くなったり、焼結に時間がかかり過ぎるおそれがあり、1700°Cを超えると成分の気化により、組成がずれたり、炉を傷めたりするおそれがある。また、燃焼時間が30分未満であると、ターゲットの密度が上がり難く、360時間より長いと、製造時間がかかり過ぎコストが高くなるため、実用上採用できない。一方、粉末混合物を、酸素ガスを含有しない雰囲気で焼成したり、1700°C以上の温度において焼成したりすると、六方晶層状化合物が生成し、スピネル結晶スピネル構造化合物の形成が十分でなくなる場合がある。そのため、得られるターゲットの密度を十分に向上させることができず、スパッタリング時の異常放電の発生を十分に抑制できなくなる場合がある。また、焼成時の昇温速度は、通常20°C/分以下、好ましくは8°C/分以下、より好ましくは4°C/分以下、さらに好ましくは2°C/分以下、特に好ましくは0.5°C/分以下である。20°C/分より速いと六方晶層状化合物が生成し、スピネル結晶スピネル構造化合物の形成が十分でなくなる場合がある。5還元工程還元工程は、上記焼成工程で得られた焼結体のバルク抵抗をターゲット全体として均一化するために還元処理を行う、必要に応じて設けられる工程である本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。還元性ガスによる還元処理の場合、水素、メタン、一酸化炭素や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。不活性ガス中での焼成による還元処理の場合、窒素、アルゴンや、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。尚、還元処理時の温度は、通常100~800°C、好ましくは200~800°Cである。また、還元処理の時間は、通常0.01~10時間、好ましくは0.05~5時間である。6加工工程加工工程は、上記のようにして焼結して得られた焼結体を、さらにスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、またバッキングプレート等の装着用治具を取り付けるための、必要に応じて設けられる工程である。ターゲットの厚みは通常2~20mm、好ましくは3~12mm、特に好ましくは4~6mmである。また、複数のターゲットを一つのバッキングプレートに取り付け、実質一つのターゲットとしてもよい。また、表面は200~10,000番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが好ましく、400~5,000番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが特に好ましい。200番より小さい、あるいは10,000番より大きいダイヤモンド砥石を使用するとターゲットが割れやすくなるおそれがある。本発明のターゲットにおいては、In2O3粉末のX線回折XRDピーク位置に対する、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物のピーク位置がプラス方向広角側にシフトしていることが好ましい。このピークシフトは、最大ピークの位置2θで0.05度以上が好ましく、0.1度以上がより好ましく、0.2度以上が特に好ましい。また、プラス方向広角側にシフトしていることからインジウムイオンよりイオン半径の小さい陽イオンが固溶置換し格子間距離が短くなっているものと推察される。なお、In2O3粉末のX線回折XRDピーク位置は、JCPDSJointCommitteeonPowderDiffractionStandardsデータベースのNo06-0416に公開されている。ここで、ピークのシフト角は、X線回折のチャートを解析することによって測定することができる。シフト方向がマイナス側狭角側であると、キャリア発生が不十分となりターゲットの抵抗が高くなるおそれがある。これは、In2O3中への他原子の固溶量原子数が不十分であり、キャリア電子が十分に発生していないためと推測される。本発明のターゲットにおいては、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物のピーク位置がマイナス方向狭角側にシフトしていることが好ましい。このピークシフトは最大ピークの位置2θで、0.05度以上が好ましく、0.1度以上がより好ましく、0.2度以上が特に好ましい。また、マイナス方向狭角側にシフトしていることから格子間距離が長くなっているものと推察される。シフト方向がプラス側広角側であると、キャリア発生が不十分となりターゲットの抵抗が高くなるおそれがある。これは、Zn2SnO4中への他原子の固溶量原子数が不十分でキャリア電子が十分に発生していないためと推測される。尚、Zn2SnO4粉末のX線回折XRDピーク位置は、JCPDSJointCommitteeonPowderDiffractionStandardsデータベースのNo24-1470に公開されている。本発明のターゲットにおいては、供給の不安定性希少性、有害性等の観点から、インジウムの含有量が69重量以下であることが好ましく、64重量以下であることがより好ましく、50重量以下であることがさらに好ましい。本発明のターゲットにおいては、亜鉛とスズの原子比Zn/Snが、0.5~10の範囲内であることが好ましく、0.7~7の範囲内がより好ましく、1~4の範囲内がさらに好ましく、1.1~3の範囲内が特に好ましい。亜鉛とスズの原子比Zn/Snが10より大きいと大気下での耐熱性が低下したり、耐酸性が低下したりするおそれがある。0.5より小さいとスパッタ成膜して作製した透明導電膜のエッチングレートが遅くなり過ぎたり、ターゲット中に酸化スズの微粒子が発生し異常放電の原因となったりするおそれがある。亜鉛とスズの原子比Zn/Snは、誘導結合プラズマICP発光分析によって測定することができる。III.透明導電膜本発明の透明導電膜は、上記本発明のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする。用いるスパッタリング法及びスパッタリング条件には特に制限はないが、直流DCマグネトロン法、交流ACマグネトロン法、高周波RFマグネトロン法が好ましい。液晶ディスプレイLCDパネル用途では装置が大型化するためDCマグネトロン法、ACマグネトロン法が好ましく、安定成膜可能なACマグネトロン法が特に好ましい。スパッタ条件としては、スパッタ圧力が通常0.05~2Paの範囲内、好ましくは0.1~1Paの範囲内、より好ましくは0.2~0.8Paの範囲内、到達圧力が通常10-3~10-7Paの範囲内、好ましくは5×10-4~10-6Paの範囲内、より好ましくは10-4~10-5Paの範囲内、基板温度が通常25~500°Cの範囲内、好ましくは50~300°Cの範囲内、より好ましくは100~250°Cの範囲内である。導入ガスとして、通常Ne、Ar、Kr、Xe等の不活性ガスを用いることができるが、これらのうち、成膜速度が速い点でArが好ましい。また、Zn/Sn<1の場合、導入ガスに酸素を0.01~5含ませると、比抵抗が下がりやすく好ましい。Zn/Sn>2の場合、導入ガスに水素を0.01~5含ませると、得られる透明導電膜の抵抗が下がりやすく好ましい。本発明の透明導電膜は、非晶質あるいは微結晶のものが好ましく、非晶質のものが特に好ましい。本発明の透明導電膜が非晶質であるか否かは、X線回折法によって判定することができる。透明導電膜が非晶質であることにより、エッチングが容易になる、エッチングの残渣が発生し難い、また、大面積でも均一な膜が得られるという効果が得られる。成膜された透明導電膜の45°C蓚酸によるエッチング速度は、通常20~1000nm/分の範囲内であり、好ましくは50~300nm/分の範囲内であり、より好ましくは60~250nm、特に好ましくは80~200nm/分の範囲内である。20nm/分より遅いと生産タクトが遅くなるばかりではなく、エッチング残渣が残るおそれがある。1000nm/分より速いと速すぎて線幅等が制御できなくなったり、ばらつきが大きくなるおそれがある。また、本発明の透明導電膜は、金属配線エッチング液であるPANに対する耐性を有することが好ましい。透明導電膜がPAN耐性を有していれば、透明導電膜上に金属配線材料を成膜後、透明導電膜が溶けることなく金属配線のエッチングができる。PAN耐性は、PANによるエッチング速度が50°Cで20nm/分以下であることが好ましく、10nm/分以下であることがさらに好ましい。本発明の透明導電膜は、その比抵抗が1800μΩcm以下であることが好ましく、1300μΩcm以下であることがより好ましく、900μΩcm以下であることが特に好ましい。透明導電膜の比抵抗は、四探針法により測定することができる。また、本発明の透明導電膜の膜厚は、通常1~500nm、好ましくは10~240nm、より好ましくは20~190nm、特に好ましくは30~140nmの範囲内である。500nmより厚いと、部分的に結晶化したり、成膜時間が長くなるおそれがあり、1nmより薄いと、基板の影響を受け、比抵抗が高くなるおそれがある。透明導電膜の膜厚は、触針法により測定できる。IV.透明電極本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜をエッチングして得られることを特徴とする。本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜から作製されているため、本発明の透明導電膜の上記特性を備えている。本発明の透明電極を作製するためのエッチング方法には特に制限はなく、目的、状況に応じて適したエッチング液、エッチング方法、エッチング条件を選択すればよい。また、エッチングされた端部のテーパー角は、35~89度が好ましく、40~87度がより好ましく、45~85度の範囲内が特に好ましい。テーパー角が35度より小さいと、テーパー部分が広がり過ぎ開口率が下がったり、短絡するおそれがある。89度より大きいと、逆テーパーとなり、耐久性が低下したりパネルが正常に機能しなくなるおそれがある。電極端部のテーパー角は、断面を電子顕微鏡SEMで観察することによって測定することができる。以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。実施例11スパッタリングターゲットの製造及び評価ターゲットの製造ターゲットの製造原料として、平均粒径3.4μm、純度4Nの酸化インジウム、0.6μm、純度4Nの酸化亜鉛、0.5μm、純度4Nの酸化錫とを、原子比In/InSnZnが0.53、原子比Sn/InSnZnが0.17、原子比Zn/InSnZnが0.30となるように混合して、これを湿式ボールミルに供給し、72時間混合粉砕して、原料微粉末を得た。得られた原料微粉末を造粒した後、直径10cm、厚さ5mmの寸法にプレス成形して、これを焼成炉に装入し、酸素ガス加圧下に、1400°Cの条件で、48時間焼成して、焼結体ターゲットを得た。焼成時の昇温速度は、3°C/分であった。ターゲットの評価得られたターゲットにつき、理論相対密度、バルク抵抗値、X線回折分析、結晶粒径及び各種物性を測定した。得られたX線回折のチャートを図1に示す。得られたターゲットの理論相対密度は97であり、四探針法により測定したバルク抵抗値は、1.3mΩcmであった。ICP発光分析法で元素分析を行ったところ、In/InSnZn=0.53、Sn/InSnZn=0.17、Zn/InSnZn=0.30であった。また、この焼結体から採取した試料について、X線回折法により透明導電材料中の結晶状態を観察した結果、得られたターゲット中に、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物のみが確認された。また、図1に示した通り、スピネル構造化合物の最大ピークは狭角側へ0.3度、ビックスバイト構造化合物の最大ピークは広角側へ0.3度シフトしていた。ターゲットのX線回折測定XRDの測定条件は以下の通りであった。装置:株リガク製Ultima-IIIX線:Cu-Kα線波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化2θ-θ反射法、連続スキャン1.0°/分サンプリング間隔:0.02°スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mmさらに、得られた焼結体を樹脂に包埋し、その表面を粒径0.05μmのアルミナ粒子で研磨した後、電子線マイクロアナライザーEPMAEPMA-2300島津製作所製により下記条件で測定した。加速電圧:15kV試料電流:0.05μABeamSize:1μmStepSize:0.2×0.2μm上記条件により測定した結果、焼結体は図5に示すようにインジウムInリッチ相と亜鉛Znリッチ相とがはっきりとした海島構造をとり、各々の画像から算出した面積SIn、SZnの面積比SZn/SInは、0.9であった。さらに、得られた焼結体を樹脂に包埋し、その表面を粒径0.05μmのアルミナ粒子で研磨した後、電子線マイクロアナライザーEPMAであるJXA-8621MX日本電子社製により5、000倍に拡大した焼結体表面の30μm×30μm四方の枠内で観察されるスピネル化合物の結晶粒子の最大径を測定した。3個所の枠内で同様に測定したそれぞれの最大粒子径の平均値を算出し、この焼結体のZn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物の結晶粒径がともに3.0μmであることを確認した。また、上記で得られた焼結体を切削加工後、400番のダイヤモンド砥石で仕上げを行ない直径約10cm、厚さ約5mmのスパッタリングターゲットを作製した。作製したターゲットの抗折力の測定を行ったところ、13kg/mm2であった。抗折力の測定は、JISR1601に準じて行った。2透明導電膜の成膜及び評価透明導電膜の成膜上記1で得られたスパッタリングターゲットを、DCマグネトロンスパッタリング装置に装着し、室温において、ガラス基板上に透明導電膜を成膜した。このときのスパッタ条件としては、スパッタ圧力1×10-1Pa、到達圧力5×10-4Pa、基板温度200°C、投入電力120W、成膜時間15分間、導入ガスはアルゴンガス100とした。この結果、ガラス基板上に、膜厚が約100nmの透明導電性酸化物が形成された透明導電ガラスが得られた。スパッタ状態の評価1で得られたスパッタリングターゲットを、DCマグネトロンスパッタリング装置に装着し、アルゴンガスに3の水素ガスを添加した混合ガスを用いた他は、上記2と同一条件下に、240時間連続してスパッタリングを行い異常放電の有無をモニターしたが、異常放電は1度も確認されなかった。下記表1において、異常放電の有無の表示は、異常放電無しの場合を○で表し、異常放電有りの場合を×で表す。iiiノジュールの発生に関する評価上記1iで得られたターゲットを用い、上記2iiと同じ条件で8時間連続してスパッタリングを行った。次いで、スパッタリング後のターゲットの表面を実体顕微鏡により30倍に拡大して観察した。ターゲット上の任意の3点で囲まれた視野900mm2中における20μm以上のノジュール発生数をそれぞれ測定し平均値を求めた。透明導電性膜の物性の評価上記2で得られた透明導電ガラス上の透明導電膜の導電性について、四探針法により比抵抗を測定したところ、4×10-4Ωcm400μΩcmであった。X線回折分析により、この透明導電膜は、非晶質であることを確認した。尚、透明導電膜のX線回折測定XRDの測定条件は以下の通りであった。装置:株リガク製Ultima-IIIX線:Cu-Kα線波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化2θ-θ反射法、連続スキャン1.0°/分サンプリング間隔:0.02°スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mm膜表面の平滑性について、P-V値JISB0601準拠を測定したところ、5nmであり、平滑性が良好であることを確認した。さらに、この透明導電性酸化物の透明性については、分光光度計により波長500nmの光線についての光線透過率が90であり、透明性においても優れたものであった。さらに、この透明導電膜を蓚酸45°Cでエッチングを行ったところ、エッチング速度は150nm/分であった。また、PANによるエッチング速度が50°Cで20nm/分以下であり、PAN耐性は良好であった。尚、表1において、PAN耐性の評価の表示は、50°C、20nm/分以下を○で表し、50°C、20nm/分を超える場合を×で表す。実施例2~5、及び比較例1~7原料の金属酸化物の配合比を表1に示す原子比となるように変更した他は実施例1と同様にターゲットを作製評価し、同様に透明導電膜を作製評価した。結果を表1に示す。実施例3及び4で得られたターゲットに関するX線回折のチャートを図2及び3に示す。また、比較例1で得られた焼結体に関し、実施例1と同様に測定した電子線マイクロアナライザーEPMA画像を図6に示す。尚、比較例2、4及び5については、DCスパッタリングでは放電が安定しないおそれがあるため、RFスパッタリングを行った。表1の結果から、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物及びIn2O3で表されるビックスバイト構造化合物を共に含むターゲットは、理論相対密度が高く、バルク抵抗が低く、抗折力が大きいことがわかる。また、上記ターゲットを用いて成膜された透明導電膜は、異常放電が生じることがなく、ノジュールの発生もなく、比抵抗が低く、適度な蓚酸エッチング速度を有し、PAN耐性を有することがわかる。"