脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、レーザ光を脆性材料基板のスクライブ予定ラインに沿って照射し、前記スクライブ予定ラインに沿って基板に熱影響を与えるための予備加工工程と、パルスレーザ光を前記スクライブ予定ラインに沿って40mms以上、120mms以下の走査速度で照射し、アブレーション加工によってスクライブ溝を形成するスクライブ工程と、を含む、レーザ加工方法。前記予備工程では、前記スクライブ予定ラインに沿った基板領域に対してアブレーションを起こさずに変質させる、請求項1に記載のレーザ加工方法。前記予備加工工程において、レーザ光の強度は、2.3×107Wcm2以上、8.9×107Wcm2以下であり、前記レーザ光を前記スクライブ予定ラインに沿って走査する回数は1回である、請求項1又は2に記載のレーザ加工方法。前記スクライブ工程において、パルスレーザ光の走査速度は90mms以上、120mms以下である、請求項1から3のいずれかに記載のレーザ加工方法。前記スクライブ工程において、パルスレーザ光のレーザ強度は1.0×108以上1.0×1010Wcm2以下であり、前記パルスレーザ光を前記スクライブ予定ラインに沿って走査する回数は1回である、請求項1から4のいずれかに記載のレーザ加工方法。前記脆性材料基板はガラス基板であり、前記スクライブ工程におけるパルスレーザ光はUVレーザである、請求項1から5のいずれかに記載のレーザ加工方法。レーザ光によるアブレーション加工によってスクライブ溝を形成する際、レーザ光の走査速度を速くしてパルスレーザ光のオーバーラップ率を低くすると、チッピング欠けが発生する場合がある。これは、レーザ光照射時に、スクライブラインに沿った方向以外の方向に亀裂が進展することが理由であると考えられる。そこで、欠陥を抑えてスクライブ溝を形成するには、パルスレーザ光の走査速度をある速度以下に落とす必要がある。また、スクライブ溝形成後の分断工程において、スクライブ溝が浅すぎると、分断が不可能になる、したがって、分断工程で分断可能なスクライブ溝を形成するためには、同様にパルスレーザ光の走査速度をある速度以下に落とす必要がある。以上の状況において、分断可能なパルスレーザ光の走査速度のしきい値よりも、チッピングが発生する走査速度のしきい値の方が低いため、チッピングを抑えてスクライブ溝を形成しようとすると、加工効率が低下するという問題がある。本発明の課題は、パルスレーザ光の走査速度を低下させずにチッピングを抑えて、分断が容易なスクライブ溝を形成できるようにすることにある。第1発明に係るレーザ加工方法は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成する方法であって、予備加工工程と、スクライブ工程と、を含む。予備工程は、レーザ光を脆性材料基板のスクライブ予定ラインに沿って照射し、スクライブ予定ラインに沿って基板に熱影響を与えるための工程である。スクライブ工程は、パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って40mms以上、120mms以下の走査速度で照射し、アブレーション加工によってスクライブ溝を形成する工程である。ここでは、予備加工工程において、スクライブ予定ラインに沿って基板に熱影響が与えられる。このため、基板におけるスクライブ予定ライン周辺が変質し、レーザ光をより吸収しやすくなる。このような状態では、パルスレーザ光の走査速度を比較的速くし、隣接するパルスレーザ光のオーバーラップ率を低くしてスクライブ溝を形成しても、レーザスクライブ加工と同時に、レーザスクライブ加工によって形成したスクライブ溝の近傍が加熱され溶融されることとなる。したがって、チッピングを抑えて分断可能なスクライブ溝を形成することができる。第2発明に係るレーザ加工方法は、第1発明の加工方法において、予備工程では、スクライブ予定ラインに沿った基板領域に対してアブレーションを起こさずに変質させる。予備工程では、アブレーションを起こさずに溶融のみが生じるような加工条件でレーザ光が照射される。これにより、スクライブ予定ラインが熱的影響を受けて変質し、残留応力が発生する。そして、このような熱的影響を受けた後に、スクライブ工程において、同じ個所にパルスレーザ光が照射され、アブレーション加工によってスクライブ溝が形成される。このとき、前記同様に、スクライブ工程において、亀裂がスクライブ予定ラインに沿って進展することになり、チッピングを抑えることができる。第3発明に係るレーザ加工方法は、第1又は第2発明の加工方法において、予備加工工程において、レーザ光の強度は、2.3×107Wcm2以上、8.9×107Wcm2以下であり、レーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査する回数は1回である。ここでは、予備工程におけるレーザ光の強度を、2.3×107Wcm2以上、8.9×107Wcm2以下で、かつスクライブ予定ラインの基板領域を溶融させる強度にすることにより、スクライブ工程でチッピングを抑え、かつ容易に分断可能なスクライブ溝を形成することができる。第4発明に係るレーザ加工方法は、第1から第3発明のいずれかの加工方法において、スクライブ工程において、パルスレーザ光の走査速度は90mms以上、120mms以下である。ここでは、パルスレーザ光の走査速度を高速側に広げることができるので、加工効率を高めることができる。第5発明に係るレーザ加工方法は、第1から第4発明のいずれかの加工方法において、パルスレーザ光のレーザ強度は1.0×108以上、1.0×1010Wcm2以下であり、パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査する回数は1回である。スクライブ工程におけるパルスレーザ光の強度を1.0×108以上、1.0×1010Wcm2以下にすることにより、基板は、アブレーション加工されると同時に、レーザ光が照射された脆性材料基板が熱影響を受けて加工部が溶融させられる。このような加工方法では、脆性材料基板の加工端面における欠陥やクラックを抑えることができる。第6発明に係るレーザ加工方法は、第1から第5発明のいずれかの加工方法において、脆性材料基板はガラス基板であり、スクライブ工程におけるパルスレーザ光はUVレーザである。以上のような本発明では、パルスレーザ光の走査速度を低下させずにチッピングを抑えて、分断が容易なスクライブ溝を形成することができる。[レーザ加工装置]本発明の一実施形態によるレーザ加工装置を図1に示す。このレーザ加工装置は、レーザ発振器1と、ミラー機構2と、レンズ機構3と、XYステージ4と、を備えている。レーザ発振器1はパルスレーザ光を発振する。このレーザ発振器1は、YAGレーザ、IRレーザ等の周知のパルスレーザ光の発振器であれば、特に限定されるものではない。加工される脆性材料基板5の材質に応じて、アブレーション加工が可能な波長のレーザを適宜選択すればよい。また、パルスレーザ光のパルス幅は、レーザアブレーション加工が可能であり、脆性材料基板5に熱影響を与えるために、1ps以上1000ns以下、より好ましくは1ns以上1000ns以下の範囲であることが好ましい。ミラー機構2は、レンズ機構3とともに集光光学機構を形成し、脆性材料基板5に略鉛直方向からパルスレーザ光を照射できるように、パルスレーザ光の進行方向を変更する。ミラー機構2として、1又は複数の鏡面を用いてもよいし、プリズム、回折格子等を利用してもよい。レンズ機構3はパルスレーザ光を集光するものである。より詳細には、このレンズ機構3は、脆性材料基板5の厚みに応じて、パルスレーザ光を集光する位置である焦点位置の上下方向の位置を調整する。この焦点位置の調整は、レンズ機構3のレンズを交換することにより調整してもよいし、レンズ機構3の上下方向の位置を図示しないアクチュエータにより変更して調整してもよい。XYステージ4は、分断の対象となるガラス基板等の脆性材料基板5を載置するテーブルであり、互いに直交するX方向及びY方向に移動可能である。このXYステージ4をX方向及びY方向に所定の速度で移動させることにより、XYステージ4に載置された脆性材料基板5とパルスレーザ光との相対位置を自在に変更することができる。通常は、XYステージ4を移動させて、脆性材料基板5の表面に形成されるスクライブ溝6の予定ラインに沿ってパルスレーザ光を移動させる。また、加工時のXYステージ4の移動速度は、図示しない制御部により制御され、これによりパルスレーザ光が所定のオーバーラップ率で脆性材料基板5に照射されることになる。[アブレーション加工の例]ここでは、予備加工工程及びそれに続くスクライブ工程によって、脆性材料基板5のスクライブ予定ラインに沿ってスクライブ溝が形成される。スクライブ工程では、パルスレーザ光によってアブレーション加工が行われる。図2は、パルスレーザ光によるアブレーション加工の一例を示したものである。この図に示されるように、レーザ発振器1から出射されたパルスレーザ光は、レンズ機構3により脆性材料基板5の上面近傍にて集光される。パルスレーザ光が吸収される場合、図2aに示すように、脆性材料基板5の焦点位置近傍が加熱される。脆性材料基板5の焦点位置近傍の温度が、脆性材料基板5の沸点を超えた場合、図2bに示すように、沸点を超える部分については成分が蒸散する。一方、焦点位置から少し離れた部分では、脆性材料基板5の沸点には到達しないが融点を超える部分が存在する。この部分は、図2cに示すように表面が溶融し、その後放熱により温度が低下すると、図2dに示すように固着することにより溶融痕が形成される。[集光径の制御]本発明では、パルスレーザ光の焦点位置を、従来のように基板上面近傍ではなく下方に移動させ、パルスレーザ光の基板上面でのビーム直径集光径が所定の値になるようにしている。図3は、本発明の一実施形態によるレーザ加工装置の焦点位置を示す模式図である。図3に示すように、従来のレーザ加工装置では、焦点位置が脆性材料基板5の上面近傍になるようにパルスレーザ光41を集光している。これに対して本実施形態では、焦点位置43を従来装置に比較して下方に移動させて、脆性材料基板5の上面におけるパルスレーザ光42のビーム直径Dが所定の値になるように調整される。なお、上記の方法に代えて、パルスレーザ光の焦点位置を、基板上面よりも上方に位置させて、脆性材料基板5の上面におけるパルスレーザ光42のビーム直径Dが所定の値になるように調整してもよい。[レーザ加工方法]脆性材料基板5にスクライブ溝6を形成する場合は、まず、パルスレーザ光を集光して脆性材料基板5に照射し、このパルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査する予備加工工程。なお、走査回数は1回である。この予備加工工程では、レーザ光の加工条件を調整し、スクライブ予定ラインに対してアブレーションを起こさずに溶融のみが生じるようにする。この予備加工工程を実施することにより、脆性材料基板5のレーザ光が照射された部分においては、熱的影響を受けて変質するために、レーザ光をより吸収しやすい状態になっている。このため、後工程でさらにレーザ光を照射することにより、レーザアブレーション加工によって溝が形成されると同時に、レーザアブレーション加工により形成された溝の近傍が溶融しやすい状態になっている。以上のような予備工程の後に、先にレーザ光を照射した部分スクライブ予定ラインに、パルスレーザ光を照射する。この場合のレーザ光の加工条件は、照射された部分において溶融アブレーションが生じるように調整される。なお、走査回数は1回である。これにより、スクライブ予定ラインに沿って、スクライブ溝6が形成される。ここで、本実施形態における溶融アブレーションとは、脆性材料基板に対してパルスレーザ光を用いたアブレーション加工を行うと同時に、脆性材料基板に熱影響を与えて加工部を溶融させる加工である。このような溶融アブレーションでは、従来のアブレーション加工と比較して、端面強度を維持することが可能である。以下に、予備加工工程及びスクライブ工程の実施例を示す。なお、以下の実施例では、脆性材料基板5としてガラス基板OA10製品名:日本電気硝子社製を、波長266nmのUVレーザを用いて加工した。1予備加工<レーザ照射条件1>レーザ強度:8.9×107Wcm2オーバーラップ率:98.6走査回数:1回なお、オーバーラップ率とは、隣接する2つのパルスレーザ光が重なり合う割合であり、走査速度と繰り返し周波数によって決まるものである。<レーザ照射条件2>レーザ強度:2.3×107Wcm2オーバーラップ率:99.3走査回数:1回<レーザ照射条件3>レーザ強度:8.2×106Wcm2オーバーラップ率:99.6走査回数:1回以上の予備工程によって、スクライブ予定ラインに沿って基板に熱影響を与えることができる。なお、基板への熱影響は、条件1が最も大きく、条件1>条件2>条件3の順である。熱影響を受けた基板上面の様子を図4aに示している。ここでは、基板上面のスクライブ予定ラインに沿って、基板が溶融した後に固化していることがわかる。また、基板に与えた熱影響の有無予備工程の有無による光の吸収率の違いを図5に示している。図5の実験では、ガラス基板として、OA10、t03mmを用いた。この図5から、熱影響により、吸収率が上昇していることが分かる。2スクライブ工程レーザ照射条件レーザ強度:6.9×109Wcm2走査回数:1回走査速度:図6参照以上の加工条件で、加工した場合の脆性材料基板5の上面の様子を図4bに示している。ここでは、基板上面のスクライブ予定ラインに沿ってスクライブ溝が形成されていることがわかる。3チッピング発生条件の比較前述のように、レーザ照射条件1~3で予備工程を実施し、その後走査速度を変えてスクライブ工程を行った結果を図6に示している。図6において、熱影響無の欄は、予備工程を実施していない。また、○はスクライブ工程の後に分断が可能であったことを示し、△は分断が可能であるがチッピングが発生したことを示している。また、×はチッピング発生したことを示している。また、加工状態の比較を図7に示している。図7aは熱影響を与えていない部分をスクライブした場合の基板上面の様子である。また、図7bは前述のレーザ照射条件2で熱影響を与え、スクライブした場合の基板上面の様子である。これらの図から明らかなように、熱影響を与えずにスクライブをした場合は、チッピングが発生している。また、熱影響を与えた部分をスクライブした場合は、チッピングは見られない。以上の実験結果から、条件2で熱影響を与えた部分を加工したときが、最もスクライブ可能範囲が広いことがわかる。そして、条件1から条件2のレーザ強度、すなわち2.3×107~8.9×107Wcm2で基板に熱影響を与え、スクライブすれば、スクライブ可能範囲を、走査速度が速い側に広げることができることがわかる。具体的には、熱影響を与えない部分でのスクライブ可能範囲は40~80mmsであるが、レーザ強度2.3×107~8.9×107Wcm2の範囲で基板に熱影響を与えることによって、スクライブ可能範囲を40~120mmsにすることができる。すなわち、基板に熱影響を与えることによって、熱影響を与えない場合では良好な分断が不可能であった90~120mmsの速い速度でレーザを照射することができ、加工効率を高めることができる。なお、条件3は条件2よりも基板に与えた熱影響は小さく、熱影響を与えていない部分とほぼ同じスクライブ可能範囲である。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。例えば、パルスレーザ光の強度は、スクライブ工程においては、1.0×108以上1.0×1010Wcm2以下であればよい。