"素子を封止した電子デバイスの製造方法であって、第一の基板の厚み方向にわたって孔を形成し当該第一の基板に中空構造を設ける中空構造工程と、前記第一の基板の前記孔に当該孔よりも小さな支持体を遊挿する遊挿工程と、少なくとも一部が前記孔の上方に位置するように第一の素子を前記第一の基板の上面に搭載する搭載工程と、前記支持体を前記孔の内部を介して下方から押し上げて前記第一の素子の下面を押圧することで、前記第一の素子の前記第一の基板の上面に対してなす角度を調整する調整工程と、前記支持体を下方に移動させて前記第一の基板に固定する固定工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。前記第一の基板の上面には導電材が塗布されており、前記第一の素子は当該導電材を介して前記第一の基板の上面に搭載され、前記調整工程の後に前記導電材を焼成する焼成工程を有することを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。前記導電材は、シリコーン樹脂をバインダとした導電ペーストからなることを特徴とする請求項2に記載の電子デバイスの製造方法。前記支持体は、上面と下面が平行な面からなることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。前記孔は、上面が前記支持体の底面よりも面積が小さくなるように形成されることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。前記支持体は、周面が縦断面視において前記孔の周面と平行な辺を有するように形成されることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。前記支持体は、前記第一の基板と同じ材料からなることを特徴とする請求項1~6の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。前記支持体は第2の素子からなることを特徴とする請求項1~6の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。前記固定工程において、前記支持体と前記第1の基板とは、接着部剤によって前記孔と前記支持体とで形成される間隙を塞ぐように固定されることを特徴とする請求項1~8の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。前記接着部材は、樹脂接着剤からなることを特徴とする請求項9に記載の電子デバイスの製造方法。前記第一の素子は、圧電素子片であることを特徴とする請求項1~10の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。請求項1~11の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする電子デバイス。前記第一の基板の上面に形成された内部電極と、前記第一の基板の下面に形成された外部電極と、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する配線と、下面に凹状のキャビティが形成され、当該下面が前記第一の基板の上面に接合された第二の基板と、を有し、前記第一の素子は、前記キャビティの内部に収容されることを特徴とする請求項12に記載の電子デバイス。しかし、上述した従来の水晶振動子片に対する姿勢制御技術では、導電接着剤の収縮による水晶振動子片の持ち上げ量は導電接着剤の量や水晶振動子片の実装位置に依存するので、十分な持ち上げ量が確保出来ない可能性がある。さらに、電子デバイスの小型化を図る場合、導電接着剤の塗布量も当然少量であることが要求されるので、導電接着剤の収縮による水晶振動子片の持ち上げ量の制御がさらに困難となる。また、枕は通常樹脂材にて形成されるが、外部衝撃等で枕がパッケージから脱落することにより水晶振動子片に接触し、当該水晶振動子片を破壊してしまう可能性がある。そこで、本発明は、導電接着剤の塗布量に依存せず且つ枕を用いることなく、水晶振動子片の姿勢を制御できる電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。請求項1に記載の発明は、素子を封止した電子デバイスの製造方法であって、第一の基板の厚み方向にわたって孔を形成し当該第一の基板に中空構造を設ける中空構造工程と、前記第一の基板の前記孔に当該孔よりも小さな支持体を遊挿する遊挿工程と、少なくとも一部が前記孔の上方に位置するように第一の素子を前記第一の基板の上面に搭載する搭載工程と、前記支持体を前記孔の内部を介して下方から押し上げて前記第一の素子の下面を押圧することで、前記第一の素子の前記第一の基板の上面に対してなす角度を調整する調整工程と、前記支持体を下方に移動させて前記第一の基板に固定する固定工程と、を有することを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の電子デバイスの製造方法において、前記第一の基板の上面には導電材が塗布されており、前記第一の素子は当該導電材を介して前記第一の基板の上面に搭載され、前記調整工程の後に前記導電材を焼成する焼成工程を有することを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電材は、シリコーン樹脂をバインダとした導電ペーストからなることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項1~3の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記支持体は、上面と下面が平行な面からなることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1~4の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記孔は、上面が前記支持体の底面よりも面積が小さくなるように形成されることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項1~5のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、記支持体は、周面が縦断面視において前記孔の周面と平行な辺を有するように形成されることを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項1~6のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記支持体は、前記第一の基板と同じ材料からなることを特徴とする。請求項8に記載の発明は、請求項1~6の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記支持体は第2の素子からなることを特徴とする。請求項9に記載の発明は、請求項1~8の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記固定工程において、前記支持体と前記第1の基板とは、接着部剤によって前記孔と前記支持体とで形成される間隙を塞ぐように固定されることを特徴とする。請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の電子デバイスの製造方法において、前記接着部材は、樹脂接着剤からなることを特徴とする。請求項11に記載の発明は、請求項1~10の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法において、前記第一の素子は、圧電素子片であることを特徴とする。請求項12に記載の発明は、電子デバイスにおいて、請求項1~11の何れかに記載の電子デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする。請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の電子デバイスにおいて、前記第一の基板の上面に形成された内部電極と、前記第一の基板の下面に形成された外部電極と、前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続する配線と、下面に凹状のキャビティが形成され、当該下面が前記第一の基板の上面に接合された第二の基板と、を有し、前記第一の素子は、前記キャビティの内部に収容されることを特徴とする。請求項1記載の発明によると、第一の素子実装時に支持体を押し上げ支持体の上面を第一の素子の下面に接触させることで、第一の素子の姿勢第一の基板の上面に対してなす角度を一意に決めることができる。また、第一の素子の姿勢調整後、支持体を下方に移動させて第一の基板に固定することで、第一の素子は支持部以外に外部と接触することがない。また、請求項2記載の発明によると、第一の基板の上面に塗布された導電材は、調整工程の後に焼成することで接合に利用できる。また、請求項3記載の発明によると、導電部材にシリコーン樹脂をバインダとした導電ペーストを用いた場合に、第一の素子を支持部高さに対して逆端が低くなることなく実装することができる。また、請求項4記載の発明によると、支持体を押し上げる際に、より高精度で第一の素子の姿勢を決めることができる。また、請求項5記載の発明によると、支持体の可動範囲を限定することができる。これにより、第一の素子実装時に支持体が偶発的に設定高さを超えることを防ぐことができる。また、請求項6記載の発明では、第一の基板の孔の側面に沿って支持体を移動させることで、安定した支持体の動作を提供できる。また、請求項7記載の発明によると、第一の基板と支持体は熱膨張率が等しくなるため、熱履歴による破壊を防ぐことができる。また、請求項8記載の発明によると、複数の素子を1つのパッケージに収容できるので本発明を用いて製造した電子デバイス電子機器の小型化が可能となる。また、請求項9、10記載の発明によると、第一の基板と支持体とを低温で接着することができるので、第一の素子に与える熱履歴を小さくすることができる。また、請求項11記載の発明によると、電子デバイスに圧電素子を搭載することができる。また、請求項12、13記載の発明によると、上記の効果を備えた電子デバイスを提供できる。第1実施形態以下、本発明の第1実施形態を図1に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る第1実施形態における電子デバイスの断面図である。電子デバイス100は、上下方向に貫通する孔20を有する中空構造からなる第一の基板1,第一の基板1に形成された孔20に設置される支持体2及び、下面に凹状のキャビティを有する第二の基板3で囲まれた素子収容部内に、第一の素子4が実装されてなる。そして、第一の素子4は、導電部材5、内部電極6、配線7を介して、プリント基板等に実装される端子である外部電極8と電気的に接続されている。支持体2は接着部材9を介して第一の基板1に固定されている。第一の基板1はベースガラス、第二の基板3はリッドガラスで構成される。ここで、第一の基板1、第二の基板3は、ベースガラスやリッドガラスに換えて、セラミックやシリコン等を用いて構成してもよい。第一の基板1は、図1に示すように、導電部材5の設けられる位置より離間した位置に、孔20を備える。そして、第一の基板1において、孔20の形成方法としてはエッチング、サンドブラスト、レーザーカット等を用いることができる。また、孔20は、プレス加工により第一の基板1を形成すると同時に形成してもよい。なお、図1において孔20の壁面は上下面に対して垂直形状となっているが、他の形状でもよい。具体的には、孔20の壁面は、図2に示すように、上下方向の中心位置で最も径の小さくなるくびれ状等に形成してもよい。第二の基板3は、下面に凹状のキャビティを有し、当該キャビティ周囲の下面が第一の基板1の上面に接合されてなる。ここで、キャビティの形成方法としてはエッチング、プレス、サンドブラスト等を用いることができる。支持体2は、上面と下面が平行な面からなり、第一の基板1に形成された孔20よりも小さい部材であり、孔20内に配設される。また、支持体2は、第一の基板1と同材料のガラスを用いている。これにより、第一の基板1との熱膨張係数が等しいため熱履歴による破壊を防ぐことができる。支持体2の周面は上下面に対して垂直形状周面が縦断面視において孔20の周面と平行な辺を有するような形状となっているが、他の形状でもよい。具体的には、支持体2の側面は、図2に示すように、くびれ状の孔20の上下方向の中心位置で最も孔20の壁面に対して突出した形状に形成してもよい。また、第一の素子4は、ATカット水晶振動子片圧電素子片である。当該第一の素子4は、下面の一端側図1に示す左端側が導電部材5に接合支持される。なお、本願発明において、第一の素子4は、ATカット水晶振動子片に限らず、半導体回路、LED、各種センサなどを用いることができる。導電部材5導電材は、導電接着剤からなり、シリコーンをバインダとした導電ペーストを用いて形成され、内部電極6の上面と第一の素子4の下面の一端側との間に設けられる。つまり、内部電極6と第一の素子4とは、導電部材5を焼成して接合される。ただし、第一の素子4が半導体回路、LEDといった、自身が機械運動をしない素子の場合には、導電部材5として、エポキシやアクリル等をバインダとした導電ペーストや、金属バンプでもよい。特に第一の素子4がATカット水晶振動子片で、導電部材5としてシリコーンをバインダとした導電ペーストを用いた場合に、導電部材5による支持部以外の部分が第一の素子4に接触せず振動特性を阻害しないという本発明の効果が大きい。接着剤9は、樹脂接着剤からなり、支持体2と第一の基板1孔20との間に形成された間隙を塞ぐとともに第一の基板1と支持体2を固定している。樹脂接着剤は一般的に焼成温度が低く、第一の素子4に与える熱履歴が少ないという利点がある。このとき、樹脂接着剤はアウトガスが少ないものが望ましい。また、接着剤9は樹脂接着剤に換えて、金属接合やガラスフリットを用いることができる。この場合、金属接合やガラスフリットにおける焼成温度が樹脂接着剤と比較して高くなるため、第一の素子4の種類に応じて接着剤9を選択することが望ましい。内部電極6、外部電極8は、それぞれ、第一の基板1の上端、第一の基板1の下端外部と接触する位置に設けられる電極である。当該内部電極6、外部電極8は、それぞれ金属膜で形成され、最表面に金を、下地にクロムまたはニッケルが用いられる。なお、最表面は、金の他に銀や白金等の貴金属を使用して形成される表面層としてもよい。一般に、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性がある。そのため、電子デバイス100は、当該貴金属により長期的劣化が抑えられるので、信頼性が向上する。また、下地のクロムまたはニッケルは、貴金属とベース材との密着性を向上させる効果がある。なお、内部電極6、外部電極8は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。ここで、内部電極6、外部電極8の形成方法には、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。各金属膜は同様の形成方法により形成することもできるが、異なる方法を用いて形成してもよい。配線7は、第一の基板1を上下に亘って貫通し、内部電極6と外部電極8とを電気的に接続する貫通電極である。配線7は、鉄-ニッケル合金、コバール合金、鉄-ニッケル-クロム合金等が望ましい。ここで、この鉄ニッケル合金には、例えば36Ni-Fe合金、42Ni-Fe合金、45Ni-Fe合金、47Ni-Fe合金、50Ni-Fe合金、52Ni-Fe合金等が使用できる。またこの鉄ニッケルクロムとしては、例えば、42Ni-6Cr-Feがあげられる。これらは、ベースガラスである第一の基板1に熱膨張係数の近い材料のため、製品の安定性が向上する。しかし、これら以外の金属でもよく、例えば、ベースガラスと熱膨張係数が近く、熱履歴による破壊を防ぐことができるものを用いることができる。次に、電子デバイス100の製造方法を図3~図5を用いて説明する。図3~図5は、ウェハレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す。なお、本願発明は、これに限定されず、はじめから個別パッケージで形成されてもよい。図3aは、第一の基板1であるベースガラスを形成する工程を示す図である。ベースガラスはプレス形成によって形成される。このときに配線7である貫通電極を同時に埋め込む。貫通電極の別の形成方法として、ベースガラスにサンドブラスト等で貫通孔を形成した後、貫通電極を挿入して周囲をガラスフリット等で固着させる工程を用いてもよい。図3bは、内部電極6と外部電極8をそれぞれ配線7の上端と下端にスパッタ法およびフォトリソ法を用いて形成する工程を示す図である。内部配線6と外部電極8の金属は表層を金とし、下地層にクロムまたはニッケルを用いる。図3cは、第一の基板1ベースガラスの上下方向に亘って孔20を形成して中空構造を設ける工程中空構造工程を示す図である。孔20はレーザーカットによって形成される。図4aは、支持体2を第一の基板1ベースガラスの孔20内に遊挿する工程遊挿工程を示す図である。支持体2は、ベースガラスと同一のガラスが用いられ、第一の基板1に形成された孔20よりも僅かに小さくなるように形成されている。そのため、支持体2は孔20内を上下方向に移動できる。図4bは、導電部材5を内部電極6の上面に形成する工程を示す図である。導電部材5はシリコーン樹脂をバインダ、導電材を銀とした導電ペーストを用いている。導電部材5はディスペンサを用いて内部電極6上に塗布することにより形成している。また、その他の方法として、スクリーン印刷等を用いる方法がある。ウェハレベルの場合、スクリーン印刷を用いることで多数の内部電極上に一括で導電ペーストを形成することができる。図4cは、第一の素子4であるATカット水晶振動子片を導電部材5の上面に搭載し、支持体2を用いて第一の素子4の高さ調整を行い、当該導電部材5の焼成を行う工程搭載工程、調整工程、焼成工程を示す図である。ここで、第一の素子4は、少なくとも一部が孔20の上方に位置するように第一の基板1の上面に搭載される。また、第一の素子4の高さ調整は、支持体2を治具で上方に移動させて支持体2の上面と第一の素子4の下面を当接させ、その状態からさらに支持体2を上方へ移動させることで第一の素子4を下面から押し上げる押圧することにより行う。ここで、図4cでは、支持体2の上面が第一の基板1上面から20μm高くなるように支持体2を押し上げている。この高さはATカット水晶振動子片を搭載したときの姿勢に影響する。そのため、この高さと支持体2上面の高さを合わせることで搭載後のATカット水晶振動子片がベースガラスに対し水平になる。支持体の押し上げ量精度は、押し上げる治具の精度に依っており、適当な治具を選択することで誤差数μm程度に抑えることができる。なお。支持体2は、導電部材5の焼成が終わるまで、第一の素子4と当接して押し上げられた状態が維持される。図5aは、支持体2の高さを元に第一の素子4から離間した位置に戻す工程を示す図である。支持体2の高さを元に戻すことで、支持部および内部電極6との電気的接続部である導電部材5以外のものが第一の素子4と接触していない状態となり、第一の素子4の特性劣化を防ぐことができる。図5bは、接着部材9である樹脂接着剤を用いて支持体2を第一の基板1に固定する工程固定工程を示す図である。樹脂接着剤として低アウトガスエポキシ接着剤を用いる。図5cは、第二の基板3であるリッドガラスを第一の基板1に接合する工程を示す図である。キャビティを有するリッドガラスを接合することで素子収容部を真空封止することができる。第二の基板3にキャビティを形成する方法としては、エッチング法、プレス法、サンドブラスト法等を用いることができる。ウェハレベルの場合、プレス法を用いることにより製造コストを下げることができる。リッドガラスとベースガラスの接合方法としては、例えば接着や陽極接合、金-金接合等を用いることができる。ただし、第一の素子4を実装する場合には接合時の温度が低い方法が望ましい。そのため、本工程では陽極接合にて接合を行う。図5dは、ダイシングによりパッケージを個片化する工程を示す図である。すなわち、複数の第一の素子4を実装してパッケージを生成した後、それらを個片化して電子デバイス100を生成する工程である。この工程は、ダイシング以外の方法として、レーザーカット法を用いることができる。以上、本実施形態に係る電子デバイス100の製造方法及び電子デバイス100によれば、第一の素子4の姿勢を一意に決めることができ、第一の素子4が導電部材5による支持部位外に外部との接触箇所をなくすことができる。その結果、第一の素子4の特性劣化を防ぐことができる。第2実施形態次いで、本発明に係る電子デバイスの第2実施形態について説明する。図6は本実施形態に係る電子デバイス100aの上面図である。ここで、簡単化のため、図6において第二の基板3は省略している。なお、電子デバイス100aのうち、第1実施形態に係る電子デバイス100と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。第1実施形態に係る電子デバイス100では、支持体2の大きさを特に規定していなかったが、図6に示すように、電子デバイス100aでは、矩形状の第一の素子4の短辺に平行な支持体2の辺の寸法が、当該第一の素子4の短辺の寸法よりも大きくなっている。ここで、符号41は、第一の素子4の上面に形成される励振電極である。また、符号42は、第一の素子4の上面に形成される実装電極である。これにより、電子デバイス100aは、電子デバイス100と同様の効果が得られることは勿論、第一の素子4の短辺方向の両端一様に支持することができるので、より安定してATカット水晶振動子片の姿勢を制御できる。第3実施形態次いで、本発明に係る電子デバイスの第3実施形態について説明する。図7は、本実施形態に係る電子デバイス100bを示す図である。なお、電子デバイス100や電子デバイス100aと同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。図7に示す電子デバイス100bでは、支持体2として、第一の素子4とは異なる第二の素子10を上部に実装したガラスを用いている。これにより、ひとつのパッケージ内に複数の素子を収容することができる。ここで、第二の素子10としては、半導体回路、LED、各種センサなどを用いることができる。なお、図7において、符号11bは内部電極を、符号12bは配線を、符号13bは外部電極を、それぞれ表し、内部電極6、配線7、外部電極8と同一の構成であるので説明は省略する。次に、電子デバイス100bの製造方法について図8及び図9を用いて説明する。図8及び図9は、ウェハレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子デバイスの製造方法を示す。なお、以下では、図8及び図9に示す各工程のうち、図3~図5に示した電子デバイス100の製造工程と同一の工程については、その説明を省略する。図8b、c、dに示すように、ガラスからなる支持体2には、内部電極11b、配線12b、外部電極13b、を用いて、第二の素子10が実装される。そして、当該第二の素子10が実装された支持体2により、図8c以降の工程が実現される。ここで、図8及び図9に示される、内部電極11b、配線12b、外部電極13b、については、第1実施形態で述べた内部電極6、配線7、外部電極8、と同じように形成しても良いし、配線12bを金属ピンを支持体2に押し込むことにより形成しても良い。また、第二の素子10と内部電極6とを接合するに際しては、調整工程時に位置ずれ等が生じないように、半田等を用いて強固に固着しておくことが好ましい。なお、図7において、電子デバイス100bは、支持体2としてのガラス上に第二の素子10を搭載した構成としているが、図10に示すように第二の素子10そのものを支持体としてもよい。この場合、第一の素子4の実装時に第一の素子4と第二の素子10が損傷しないように第一の素子実装時の荷重や時間といった実装条件を調整することが望ましい。また、例えば、図8及び図9に示す工程では、図9bのような第一の素子4の傾きを調整する時点で、支持体2へ第二の素子10を搭載しておくこととしたが、第一の素子4の傾きの調整後、支持体2を第一の素子4から離間した位置に移動させて、第二の素子10を搭載し、第一の基板1に固定するように構成しても勿論良い。第4実施形態次いで、本発明に係る電子デバイスの第4実施形態について説明する。図11は、本実施形態に係る電子デバイス100dを示す図である。図11は、本発明に係る電子デバイスの第4実施形態を示す図である。なお、電子デバイス100dのうち、第1実施形態に係る電子デバイス100と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。図11に示すように、電子デバイス100dは、第一の基板1の孔20dを上面のいずれか一辺が対応する下面の一辺よりも短くなるように形成し、支持体2を上面のいずれか一辺が対応する下面の一辺よりも長くなるように形成することで、支持体2の上下動についての可動範囲を制限することができる。これにより、第一の素子4を実装した時に支持体2の位置ずれを防止することができ、支持体2が偶発的に設定高さを超えてしまうということがなくなる。このときのそれぞれの側面の上面に対する鋭角部の角度が第一の基板1の中空構造の側面の方が支持体2の側面の角度よりも大きいことが望ましい。"