"第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、酸化されることで電気伝導度の値が増加した有機材料から成る電子デバイス。第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、テトラチアフルバレン及びその誘導体、テトラチアペンタレン及びその誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセン、ピラニリデン及びその誘導体、並びに、ビチアピリニリデン及びその誘導体から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。絶縁層、及び、絶縁層を介して、第1電極と第2電極との間に位置する能動層の部分に対向して設けられた制御電極を更に備えている請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の電子デバイス。制御電極によって、基体上に形成されたゲート電極が構成され、絶縁層によって、ゲート電極上及び基体上に形成されたゲート絶縁層が構成され、第1電極及び第2電極によって、ゲート絶縁層上に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域、及び、ソース/ドレイン電極の上方に形成されたチャネル形成領域延在部が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている請求項7に記載の電子デバイス。制御電極によって、基体上に形成されたゲート電極が構成され、絶縁層によって、ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層が構成され、能動層によって、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部が構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部の上方に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている請求項7に記載の電子デバイス。第1電極及び第2電極によって、基体上に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極の間の基体上に形成されたチャネル形成領域、及び、ソース/ドレイン電極の上方に形成されたチャネル形成領域延在部が構成され、絶縁層によって、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部上に形成されたゲート絶縁層が構成され、制御電極によって、チャネル形成領域に対向してゲート絶縁層上に形成されたゲート電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている請求項7に記載の電子デバイス。能動層によって、基体上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部が構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部の上方に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、絶縁層によって、一対のソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層が構成され、制御電極によって、ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている請求項7に記載の電子デバイス。A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、C一対のソース/ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層上に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、C一対のソース/ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層上に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。A基体上に一対のソース/ドレイン電極を形成し、次いで、B一対のソース/ドレイン電極の間に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。A基体上に一対のソース/ドレイン電極を形成し、次いで、B一対のソース/ドレイン電極の間に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。A基体上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、Bチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、Cチャネル形成領域及び一対のソース/ドレイン電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。A基体上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、Bチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、Cチャネル形成領域及び一対のソース/ドレイン電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。電荷注入層前駆体層に施す酸化処理は、大気雰囲気下における自然酸化である請求項12乃至請求項19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。ところで、特開2006-253675に開示された技術にあっては、電荷注入層を、ソース/ドレイン電極を構成する金属材料の有する仕事関数と有機半導体材料のイオン化ポテンシャルとの間に仕事関数を有する材料から構成する。即ち、この技術は、所謂ポッピング伝導を前提とした電荷注入である。それ故、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域との間のコンタクト抵抗の低減に対する本質的な解決策とはなり難い。また、特開2005-327797に開示された技術にあっては、無機材料から電荷注入層を形成するが、複数の原材料を用いて薄膜を高精度に成膜する必要があり、成膜装置が大掛かりとなるだけでなく、成膜に長時間を要するといった問題がある。従って、本開示の目的は、簡素な装置で、短時間にて形成することができ、しかも、電極と能動層との間のコンタクト抵抗の低減を確実に図ることができる電荷注入層を備えた電子デバイス及び半導体装置の製造方法を提供することにある。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイスは、第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されている。そして、電荷注入層は、酸化されることで電気伝導度の値が増加した有機材料から成り本開示の第1の態様に係る電子デバイス、あるいは又、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物の酸化物から成り本開示の第2の態様に係る電子デバイス、あるいは又、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物の酸化物から成り本開示の第3の態様に係る電子デバイス、あるいは又、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物の酸化物から成り本開示の第4の態様に係る電子デバイス、あるいは又、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物の酸化物から成り本開示の第5の態様に係る電子デバイス、あるいは又、テトラチアフルバレン及びその誘導体、テトラチアペンタレン及びその誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセン、ピラニリデン及びその誘導体、並びに、ビチアピリニリデンピラニリデンの酸素Oが硫黄Sに置換された材料及びその誘導体から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物の酸化物から成る本開示の第6の態様に係る電子デバイス。上記の目的を達成するための本開示の第1の態様あるいは第2の態様に係る半導体装置の製造方法は、所謂ボトムゲートボトムコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、C一対のソース/ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層上に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えており本開示の第1の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは又、前記工程Bと工程Cの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る本開示の第2の態様に係る半導体装置の製造方法。上記の目的を達成するための本開示の第3の態様あるいは第4の態様に係る半導体装置の製造方法は、所謂ボトムゲートトップコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えており本開示の第3の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは又、前記工程Bと工程Cの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る本開示の第4の態様に係る半導体装置の製造方法。上記の目的を達成するための本開示の第5の態様あるいは第6の態様に係る半導体装置の製造方法は、所謂トップゲートボトムコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、A基体上に一対のソース/ドレイン電極を形成し、次いで、B一対のソース/ドレイン電極の間に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えており本開示の第5の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは又、前記工程Aと工程Bの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る本開示の第6の態様に係る半導体装置の製造方法。上記の目的を達成するための本開示の第7の態様あるいは第8の態様に係る半導体装置の製造方法は、所謂トップゲートトップコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、A基体上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、Bチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、Cチャネル形成領域及び一対のソース/ドレイン電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えており本開示の第7の態様に係る半導体装置の製造方法、あるいは又、前記工程Aと工程Bの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る本開示の第8の態様に係る半導体装置の製造方法。本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイスにあっては、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、しかも、電荷注入層を構成する有機化合物が規定されているので、簡素な装置で、短時間にて形成することができ、しかも、電極と能動層との間のコンタクト抵抗の低減を確実に図ることができる。また、本開示の第1の態様~第8の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、電荷注入層を構成する有機化合物が規定されており、しかも、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を得ることができるので、簡素な装置で、短時間にて電荷注入層を形成することができる。以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、本開示の第1の態様~第8の態様に係る半導体装置の製造方法、全般に関する説明2.実施例1本開示の第1の態様~第6の態様に係る本開示の電子デバイス、本開示の第1の態様~第2の態様に係る半導体装置の製造方法3.実施例2本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、本開示の第3の態様~第4の態様に係る半導体装置の製造方法4.実施例3実施例2の変形5.実施例4実施例2の別の変形6.実施例5本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、本開示の第5の態様~第6の態様に係る半導体装置の製造方法7.実施例6本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、本開示の第7の態様~第8の態様に係る半導体装置の製造方法8.実施例7実施例6の変形9.実施例8実施例5あるいは実施例6の変形、その他[本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、本開示の第1の態様~第8の態様に係る半導体装置の製造方法、全般に関する説明]本開示の第1の態様~第8の態様に係る半導体装置の製造方法において、電荷注入層前駆体層に施す酸化処理は、大気雰囲気下における自然酸化電荷注入層前駆体層の加熱処理を含むである形態とすることができるし、あるいは又、酸素ガス雰囲気下あるいは酸化雰囲気下における酸化処理電荷注入層前駆体層の加熱処理を含むである形態とすることができる。本開示の電子デバイスは、所謂3端子構造を有していてもよいし、2端子構造を有していてもよい。前者の場合にあっては、電子デバイスは、絶縁層、及び、絶縁層を介して、第1電極と第2電極との間に位置する能動層の部分に対向して設けられた制御電極を更に備えている。そして、このような3端子構造を有する電子デバイスによって、例えば、電界効果トランジスタ、より具体的には、薄膜トランジスタTFTが構成され、あるいは又、発光素子が構成される。即ち、制御電極、第1電極及び第2電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子有機発光素子、有機発光トランジスタを構成することができる。これらの電子デバイスにおいては、制御電極に印加される電圧によって、第1電極から第2電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。ここで、発光素子において、能動層を構成する有機半導体材料は、制御電極に印加される電圧に基づく変調による電荷の蓄積や、注入された電子と正孔ホールとの再結合に基づく発光機能を有し、発光強度は、第1電極から第2電極に流れる電流の絶対値に比例し、制御電極に印加する電圧と、第1電極及び第2電極の間に印加する電圧とによって変調することができる。尚、電子デバイスが、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第1電極及び第2電極への電圧印加状態バイアスに依存する。先ず、第2電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第1電極から第2電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第1電極及び第2電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。また、2端子構造を有する電子デバイスとして、能動層への光の照射によって第1電極と第2電極との間に電流が流れる光電変換素子を挙げることができる。電子デバイスから光電変換素子を構成する場合、光電変換素子によって、具体的には、太陽電池やイメージセンサーを構成することができる。尚、3端子構造を有する電子デバイスからも光電変換素子を構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイスにあっては、電子デバイスを、ボトムゲートボトムコンタクト型のTFTとすることができるし、ボトムゲートトップコンタクト型のTFTとすることができるし、トップゲートボトムコンタクト型のTFTとすることができるし、トップゲートトップコンタクト型のTFTとすることができる。具体的には、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイスを、3端子構造を有するボトムゲートボトムコンタクト型のTFTとする場合、制御電極によって、基体上に形成されたゲート電極が構成され、絶縁層によって、ゲート電極上及び基体上に形成されたゲート絶縁層が構成され、第1電極及び第2電極によって、ゲート絶縁層上に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域、及び、ソース/ドレイン電極の上方に形成されたチャネル形成領域延在部が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている。また、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイスを、3端子構造を有するボトムゲートトップコンタクト型のTFTとする場合、制御電極によって、基体上に形成されたゲート電極が構成され、絶縁層によって、ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層が構成され、能動層によって、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部が構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部の上方に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている。更には、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイスを、3端子構造を有するトップゲートボトムコンタクト型のTFTとする場合、第1電極及び第2電極によって、基体上に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極の間の基体上に形成されたチャネル形成領域、及び、ソース/ドレイン電極の上方に形成されたチャネル形成領域延在部が構成され、絶縁層によって、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部上に形成されたゲート絶縁層が構成され、制御電極によって、チャネル形成領域に対向してゲート絶縁層上に形成されたゲート電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている。また、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイスを、3端子構造を有するトップゲートトップコンタクト型のTFTとする場合、能動層によって、基体上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部が構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部の上方に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、絶縁層によって、一対のソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層が構成され、制御電極によって、ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている。本開示の第6の態様に係る電子デバイスにおいて、電荷注入層は、テトラチアフルバレン及びその誘導体、テトラチアペンタレン及びその誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセン、ピラニリデン及びその誘導体、並びに、ビチアピリニリデン及びその誘導体から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物の酸化物から成るが、ここで、テトラチアフルバレンTTFの誘導体として、具体的には、MDT-TTF、TMSF、BMDT-TTF、BEDO-TTF、BEDT-TTF、DMBEDT-TTF,TM-TTF、BEDT-TSF、DMET等を挙げることができるし、テトラチアフルバレンの誘導体として、具体的には、TTM-TTP、BEDT-TTP、CnTTM-TTP等を挙げることができるし、テトラチアペンタレンの誘導体として、具体的には、ヂチアピラニリデン等を挙げることができる。また、本開示の第2の態様に係る電子デバイスにおけるヴァイツWeitz型酸化還元系の有機化合物の具体例として、本開示の第6の態様に係る電子デバイスにおける電荷注入層を構成する上記の有機化合物を挙げることができる。更には、本開示の第3の態様に係る電子デバイスにおけるπ電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物の具体例として、本開示の第6の態様に係る電子デバイスにおける電荷注入層を構成する上記の有機化合物を挙げることができる。また、本開示の第4の態様に係る電子デバイスにおけるジカルコゲン五員環を含む有機化合物の具体例として、テトラチアフルバレン及びその誘導体、テトラチアペンタレン及びその誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセンを挙げることができる。更には、本開示の第5の態様に係る電子デバイスにおけるモノカルコゲン六員環を含む有機化合物の具体例として、ピラニリデン及びその誘導体、ビチアピリニリデン及びその誘導体を挙げることができる。電荷注入層前駆体層の形成方法として、塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法;スピンコート法;エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法;スプレー法;ディスペンサーを用いる方法:スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。尚、電荷注入層前駆体層の形成方法は、塗布法に限定されず、抵抗加熱蒸着法やスパッタリング法、真空蒸着法といった物理的気相成長法PVD法とすることもできる。電荷注入層前駆体層あるいは電荷注入層を、必要に応じて、例えば、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づきパターニングしてもよい。本開示の第1の態様に係る電子デバイス、本開示の第1の態様、第3の態様、第5の態様、第7の態様に係る半導体装置の製造方法において、電荷注入層前駆体層を構成する有機化合物の電気伝導度電気伝導率、導電率とも呼ばれるの値σ1と、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで得られた電荷注入層を構成する有機化合物の電気伝導度の値σ2との間の関係として、例えば、σ2/σ1≧100/1を挙げることができる。電気伝導度の測定は、2端子のIV測定や4端子のシート抵抗測定法といった方法に基づき行うことができる。以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、本開示の第1の態様~第8の態様に係る半導体装置の製造方法以下、これらを総称して、単に、本開示と呼ぶにおいて、有機半導体材料として、例えば、ポリピロール及びその置換体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリイソチアナフテン等のイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン等のチェニレンビニレン類、ポリp-フェニレンビニレン等のポリp-フェニレンビニレン類、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリアズレン類、ポリピレン類、ポリカルバゾール類、ポリセレノフェン類、ポリフラン類、ポリp-フェニレン類、ポリインドール類、ポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン[2,3,6,7-ジベンゾアントラセン]、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン等のアセン類及びアセン類の炭素の一部をN、S、O等の原子、カルボニル基等の官能基で置換した誘導体ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン-6,15-キノン等、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド等のポリマー及び多環縮合体等を挙げることができる。あるいは又、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類を挙げることもできる。更には、銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン類、ナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミド、N,N-ビス4-トリフルオロメチルベンジルナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミド、N,N-ビス1H,1H-ペルフルオロオクチル、N,N-ビス1H,1H-ペルフルオロブチル、N,N-ジオクチルナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、アントラセン2,3,6,7-テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、C60、C70、C76、C78、C84等のフラーレン類、SWNT等のカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類等の色素等を挙げることもできる。あるいは又、有機半導体材料として、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ-3-ヘキシルチオフェン[P3HT]、ポリアントラセン、トリフェニレン、ポリテルロフェン、ポリナフタレン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸[PEDOT/PSS]、キナクリドンを挙げることができる。あるいは又、有機半導体材料として、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子ペンタセン、テトラセン等といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマーフェニルビニリデン系やチオフェン系を挙げることができる。あるいは又、有機半導体材料として、例えば、ポルフィリン、4,4’-ビフェニルジチオールBPDT、4,4’-ジイソシアノビフェニル、4,4’-ジイソシアノ-p-テルフェニル、2,5-ビス5’-チオアセチル-2’-チオフェニルチオフェン、2,5-ビス5’-チオアセトキシル-2’-チオフェニルチオフェン、4,4’-ジイソシアノフェニル、ベンジジンビフェニル-4,4’-ジアミン、TCNQテトラシアノキノジメタン、テトラチアフルバレンTTF-TCNQ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、BEDTTTF-ヨウ素錯体、TCNQ-ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル-4,4’-ジカルボン酸、1,4-ジ4-チオフェニルアセチリニル-2-エチルベンゼン、1,4-ジ4-イソシアノフェニルアセチリニル-2-エチルベンゼン、デンドリマー、1,4-ジ4-チオフェニルエチニル-2-エチルベンゼン、2,2-ジヒドロキシ-1,1’:4’,1-テルフェニル、4,4’-ビフェニルジエタナール、4,4’-ビフェニルジオール、4,4’-ビフェニルジイソシアネート、1,4-ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル-4,4’-ジカルボキシレート、ベンゾ[1,2-c;3,4-c’;5,6-c]トリス[1,2]ジチオール-1,4,7-トリチオン、アルファ-セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ3-アルキルチオフェン、ポリ3-チオフェン-β-エタンスルホン酸、ポリN-アルキルピロールポリ3-アルキルピロール、ポリ3,4-ジアルキルピロール、ポリ2,2’-チエニルピロール、ポリジベンゾチオフェンスルフィドを例示することができる。尚、有機半導体材料,電荷注入層前駆体層を構成する材料の好ましい組合せとして、ペリキサンテノキサンテン誘導体,テトラチアフルバレン誘導体、ペンタセン,テトラチアフルバレン誘導体等を例示することができる。能動層やチャネル形成領域、チャネル形成領域延在部有機半導体材料層には、必要に応じてポリマーが含まれていてもよい。ポリマーは有機溶剤に溶解すればよい。具体的には、ポリマー有機結合剤、バインダーとして、ポリスチレン、ポリアルファメチルスチレン、ポリオレフィンを例示することができる。更には、場合によっては、添加物例えば、n型不純物やp型不純物といった、所謂ドーピング材料を加えることもできる。有機半導体材料溶液を調製するための溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、デカリン等の炭化水素類等を例示することができる。なかでも、メシチレン、テトラリン、デカリン等の沸点が比較的高い溶媒を用いることが、トランジスタ特性の観点から、また、有機半導体材料層の成膜時に有機半導体材料層が急激に乾燥することを防止するといった観点から、好ましい。能動層、あるいは、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の形成方法として、塗布法を挙げることができるが、これに限定するものではなく、各種PVD法やCVD法に基づき形成することもできる。ここで、塗布法は、一般的な塗布法をいずれも問題なく使用することができ、具体的には、例えば、上述した各種の塗布法を挙げることができる。チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を、必要に応じて、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づきパターニングしてもよい。また、チャネル形成領域延在部の上に電荷注入層前駆体層を形成する場合、所望に応じて、チャネル形成領域の上に保護層を形成した後、チャネル形成領域延在部及び保護層上に電荷注入層前駆体層を形成してもよい。尚、保護層上の電荷注入層前駆体層あるいは電荷注入層の部分は最終的に除去されるが、この電荷注入層前駆体層あるいは電荷注入層の除去の際、保護層が存在しているが故に、チャネル形成領域に損傷が生じることを確実に防止することができる。制御電極や第1電極、第2電極、ゲート電極、ソース/ドレイン電極を構成する材料として、白金Pt、金Au、パラジウムPd、クロムCr、モリブデンMo、ニッケルNi、アルミニウムAl、銀Ag、タンタルTa、タングステンW、銅Cu、チタンTi、インジウムIn、錫Sn、鉄Fe、コバルトCo、亜鉛Zn、マグネシウムMg、マンガンMn、ルテニウムRh、ルビジウムRb等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、制御電極や第1電極、第2電極、ゲート電極、ソース/ドレイン電極を構成する材料として、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸[PEDOT/PSS]やTTF-TCNQ、ポリアニリンといった有機材料導電性高分子を挙げることもできる。制御電極や第1電極、第2電極、ゲート電極、ソース/ドレイン電極を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。制御電極や第1電極、第2電極、ゲート電極、ソース/ドレイン電極の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、上述した各種の塗布法、物理的気相成長法PVD法、パルスレーザ堆積法PLD、アーク放電法、MOCVD法を含む各種の化学的気相成長法CVD法、リフトオフ法、シャドウマスク法、及び、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、PVD法として、a電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、bプラズマ蒸着法、c2極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、dDCdirectcurrent法、RF法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。レジストパターンを形成する場合、例えば、レジスト材料を塗布してレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ技術、レーザ描画技術、電子線描画技術あるいはX線描画技術等を用いてレジスト層をパターニングする。レジスト転写法等を用いてレジストパターンを形成してもよい。制御電極や第1電極、第2電極、ゲート電極、ソース/ドレイン電極をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングや反応性イオンエッチングRIEを挙げることができる。また、制御電極や第1電極、第2電極、ゲート電極、ソース/ドレイン電極を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。絶縁層あるいはゲート絶縁層以下、これらを総称して、ゲート絶縁層等と呼ぶ場合があるは、単層であってもよいし、多層であってもよい。ゲート絶縁層等を構成する材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素SiNY、酸化アルミニウムAl2O3やHfO2等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレートPMMAやポリビニルフェノールPVP、ポリビニルアルコールPVA、ポリイミド、ポリカーボネートPC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリスチレン、N-2アミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシランAEAPTMS、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランMPTMS、オクタデシルトリクロロシランOTS等のシラノール誘導体シランカップリング剤、オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極やゲート電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料有機ポリマーにて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコンSiOX、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、酸化窒化シリコンSiON、SOGスピンオングラス、低誘電率SiO2系材料例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機SOGを例示することができる。ゲート絶縁層等の形成方法として、上述した塗布法以外にも、リフトオフ法、ゾル-ゲル法、電着法、及び、シャドウマスク法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。あるいは又、ゲート絶縁層は、制御電極やゲート電極の表面を酸化あるいは窒化することによって形成することができるし、制御電極やゲート電極の表面に酸化膜や窒化膜を成膜することで得ることもできる。制御電極やゲート電極の表面を酸化する方法として、制御電極やゲート電極を構成する材料にも依るが、O2プラズマを用いた酸化法、陽極酸化法を例示することができる。また、制御電極やゲート電極の表面を窒化する方法として、制御電極やゲート電極を構成する材料にも依るが、N2プラズマを用いた窒化法を例示することができる。あるいは又、例えば、Au電極に対しては、一端をメルカプト基で修飾された直鎖状炭化水素のように、制御電極やゲート電極と化学的に結合を形成し得る官能基を有する絶縁性分子によって、浸漬法等の方法で自己組織的に制御電極やゲート電極表面を被覆することで、制御電極やゲート電極の表面にゲート絶縁層を形成することもできる。あるいは又、制御電極やゲート電極の表面をシラノール誘導体シランカップリング剤により修飾することで、ゲート絶縁層を形成することもできる。本開示において、基体は、酸化ケイ素系材料例えば、SiOXやスピンオンガラスSOG;窒化ケイ素SiNY;酸化アルミニウムAl2O3やHfO2等の金属酸化物高誘電絶縁膜から構成することができる。基体をこれらの材料から構成する場合、基体を、以下に挙げる材料から適宜選択された支持体上にあるいは支持体の上方に形成すればよい。即ち、支持体として、あるいは又、上述した基体以外の基体として、ポリメチルメタクリレートポリメタクリル酸メチル,PMMAやポリビニルアルコールPVA、ポリビニルフェノールPVP、ポリエーテルスルホンPES、ポリイミド、ポリカーボネートPC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPENに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された基体を使用すれば、例えば曲面形状を有するディスプレイ装置や電子機器への電子デバイスや半導体装置の組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基体として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。電気絶縁性の支持体としては、以上に説明した材料から適切な材料を選択すればよい。支持体として、その他、導電性基板金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等を挙げることができる。また、半導体装置の構成、構造によっては、半導体装置が支持体上に設けられているが、この支持体も上述した材料から構成することができる。本開示は、例えば、画像表示装置あるいはその製造方法に適用することができる。ここで、画像表示装置として、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、モバイル型のパーソナルコンピュータ、PDAパーソナルデジタルアシスト、携帯電話、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子POP等の各種画像表示装置を挙げることができる。また、各種照明装置を挙げることもできる。本開示の電子デバイスや半導体装置を、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、支持体に多数の電子デバイスや半導体装置を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスや半導体装置を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、電子デバイスや半導体装置を樹脂にて封止してもよい。実施例1は、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、より具体的には、3端子構造を有するボトムゲートボトムコンタクト型のTFT、及び、本開示の第1の態様~第2の態様に係る半導体装置の製造方法に関する。実施例1あるいは後述する実施例2~実施例8における電子デバイスは、第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されている。ここで、実施例1の3端子構造を有するボトムゲートボトムコンタクト型のTFTにあっては、模式的な一部断面図を図1のDに示すように、制御電極によって、基体11上に形成されたゲート電極12が構成され、絶縁層によって、ゲート電極12上及び基体11上に形成されたゲート絶縁層13が構成され、第1電極及び第2電極によって、ゲート絶縁層13上に形成された一対のソース/ドレイン電極15が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極15の間であってゲート絶縁層13上に形成されたチャネル形成領域14、及び、ソース/ドレイン電極15の上方に形成されたチャネル形成領域延在部14Aが構成され、ソース/ドレイン電極15とチャネル形成領域延在部14Aとの間に電荷注入層16が形成されている。ここで、基体11はシリコン基板から成り、ゲート電極制御電極12は金Auから成り、ゲート絶縁層絶縁層13はSiO2から成り、ソース/ドレイン電極第1電極及び第2電極15は金Auから成り、チャネル形成領域14及びチャネル形成領域延在部14A能動層はペンタセンから成る。後述する実施例2~実施例8においても同様である。また、実施例1にあっては、電荷注入層16は、酸化されることで電気伝導度の値が増加した有機材料から成る。尚、電荷注入層前駆体層を構成する有機化合物の電気伝導度電気伝導率、導電率の値をσ1、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで得られた電荷注入層を構成する有機化合物の電気伝導度の値をσ2としたとき、σ2/σ1=0.06Ω1m1/1×105Ω1m1=6000であった。あるいは又、電荷注入層16は、ヴァイツ型酸化還元系分子構造の末端に酸化状態で6π系を生成する酸化還元系の有機化合物の酸化物から成る。あるいは又、電荷注入層16は、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物の酸化物から成る。あるいは又、電荷注入層16は、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物の酸化物から成る。あるいは又、電荷注入層16はテトラチアフルバレンTTFの酸化物から成る。後述する実施例2~実施例8においても同様である。ここで、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、あるいは、4n3個のπ電子を有する環状物質は、電子が1つ、引き抜かれることにより即ち、酸化されることにより、6π系を生成し、あるいは又、4n2個のπ電子を有する安定な芳香環を形成するため、大気中で容易に酸化される。つまり、大気中に置くことで、自発的に正孔がドーピングされ,電気伝導度が向上する。このような有機化合物を電極と有機半導体材料の界面に配置することにより、電荷注入のためのドーピング層を、制御性良く、容易に導入することが可能となる。その結果、電子デバイスあるいは半導体装置の高性能化及びコンタクト部の劣化によって生じ得る素子劣化が抑制され、電子デバイスあるいは半導体装置の高信頼化を達成することができる。以下、実施例1の半導体装置の製造方法を、基体等の模式的な一部端面図である図1のA~Dを参照して説明する。[工程-100]先ず、基体11上にゲート電極12を形成する。具体的には、基体11上に、レジスト層に基づきゲート電極形成用のパターンを形成する。次いで、密着層としてのTi層、及び、ゲート電極12としてのAu層を、順次、基体11及びレジスト層上に真空蒸着法によって形成する。図面においては、密着層の図示を省略した。蒸着を行う際、基体11は温度を調整することができる基体ホルダー図示せずに載置されており、蒸着中の基体温度の上昇を抑制することができるので、基体11の変形を最小限に抑えた成膜を行うことができる。その後、リフトオフ法によりレジスト層を除去することで、Au層から成るゲート電極12を得ることができる。[工程-110]次に、基体11及びゲート電極12の上にゲート絶縁層13を形成する。即ち、全面にゲート絶縁層13を形成する。より具体的には、SiO2から成るゲート絶縁層13を、スパッタリング法に基づきゲート電極12及び基体11上に形成する図1のA参照。ゲート絶縁層13の成膜を行う際、ゲート電極12の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極12の取出部図示せずをフォトリソグラフィプロセス無しで形成することができる。[工程-120]その後、ゲート絶縁層13上に一対のソース/ドレイン電極15を形成する。具体的には、密着層としての厚さ約0.5nmのチタンTi層図示せず、及び、ソース/ドレイン電極15として厚さ約25nmの金Au層を、順次、真空蒸着法に基づき形成する。これらの層の成膜を行う際、ゲート絶縁層13の一部をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極15をフォトリソグラフィプロセス無しで形成することができる。[工程-130]次いで、各ソース/ドレイン電極15上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を、インクジェット印刷法に基づき形成する。尚、有機化合物は、上述したとおり、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、あるいは、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物から成り、あるいは又、後述するモノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る。その後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、厚さ5nmの電荷注入層16を得ることができる図1のC参照。図面においては、ソース/ドレイン電極15の頂面にのみ電荷注入層16が形成されているように図示しているが、電荷注入層16は、ソース/ドレイン電極15の頂面だけでなく、ソース/ドレイン電極15の側面に形成されていてもよい。以下における実施例においても同様である。電荷注入層前駆体層に施す酸化処理を、大気雰囲気下における自然酸化としたが、これに限定するものではなく、酸素ガス雰囲気下あるいは酸化雰囲気下における酸化処理電荷注入層前駆体層の加熱処理を含むとすることもできる。酸化処理を、具体的には、大気雰囲気下、60 ゚C、30分間の条件にて行った。こうして、図9に示すように、テトラチアフルバレンTTFが酸化された。[工程-140]その後、一対のソース/ドレイン電極15の間に位置するゲート絶縁層13上に有機半導体材料から成るチャネル形成領域14を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極15の上方に、具体的には、電荷注入層16の上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部14Aを形成する図1のD参照。より具体的には、スピンコート法に基づき、有機半導体材料層を全面に形成し、乾燥する。その後、必要に応じて、有機半導体材料層のパターニングを行うことで、チャネル形成領域14及びチャネル形成領域延在部14Aを得ることができる。例えば、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、半導体装置の上あるいは上方に、画像表示部具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から成る画像表示部を、周知の方法に基づき形成すればよい。以下に説明する各実施例においても、電子デバイスあるいは半導体装置の製造の完了後、同様の工程を経ることで画像表示部を得ることができる。実施例1にあっては、電荷注入層16を形成することで、ソース/ドレイン電極15とチャネル形成領域延在部14Aとの間のコンタクト抵抗の値を、電荷注入層16を形成しない比較例と比べて約85低減させることができた。また、実効移動度の向上を図ることができた。図10及び図11に、実施例1及び比較例のコンタクト抵抗値の測定結果、及び、実効移動度の測定結果を示す。ここで、図10及び図11の曲線A及びBは、実施例1及び比較例の測定結果を表す。図10の横軸はチャネル長単位:103cmであり、縦軸はコンタクト抵抗値単位:106Ωcmであり、y切片の値がコンタクト抵抗値である。また、図11の横軸はゲート-ソース間電圧[VGS]単位:ボルトであり、縦軸はドレイン電流[ID]単位:106アンペアである。尚、ドレイン電圧[Vd]は-30ボルト、一定とした。尚、テトラチアフルバレンの代わりに、テトラチアフルバレンの誘導体具体的には、厚さ5nmのMDT-TTFから電荷注入層前駆体層を構成し、実施例1と同様の方法で半導体装置を製造したところ、実施例1と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。同様に、テトラチアペンタレン、テトラチアペンタレンの誘導体具体的には、TTM-TTP、CnTTM-TTP、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセンから電荷注入層前駆体層を構成し、実施例1と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例1と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。また、電荷注入層16を、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物の酸化物から構成したところ、より具体的には、ピラニリデン、ビチアピリニリデンから電荷注入層前駆体層を構成し、実施例1と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例1と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。実施例2は、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、より具体的には、3端子構造を有するボトムゲートトップコンタクト型のTFT、及び、本開示の第3の態様~第4の態様に係る半導体装置の製造方法に関する。実施例2の3端子構造を有するボトムゲートトップコンタクト型のTFTにあっては、模式的な一部断面図を図2のDに示すように、制御電極によって、基体21上に形成されたゲート電極22が構成され、絶縁層によって、ゲート電極22及び基体21上に形成されたゲート絶縁層23が構成され、能動層によって、ゲート絶縁層23上に形成されたチャネル形成領域24及びチャネル形成領域延在部24Aが構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部24Aの上方に形成された一対のソース/ドレイン電極25が構成され、ソース/ドレイン電極25とチャネル形成領域延在部24Aとの間に電荷注入層26が形成されている。以下、実施例2の半導体装置の製造方法を、基体等の模式的な一部端面図である図2のA~Dを参照して説明する。[工程-200]先ず、実施例1の[工程-100]と同様にして、基体21上にゲート電極22を形成した後、実施例1の[工程-110]と同様にして、基体21及びゲート電極22の上にゲート絶縁層23を形成する図2のA参照。[工程-210]その後、実施例1の[工程-140]と同様にして、ゲート絶縁層23上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域24及びチャネル形成領域延在部24Aを形成する図2のB参照。尚、必要に応じて、有機半導体材料層のパターニングを行うことで、チャネル形成領域24及びチャネル形成領域延在部24Aを得ることができるが、この有機半導体材料層のパターニングは、後述する[工程-220]の後に行ってもよいし、[工程-230]の後に行ってもよい。[工程-220]次いで、実施例1の[工程-130]と同様にして、チャネル形成領域延在部24A上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施す。こうして、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層26を形成することができる図2のC参照。尚、有機化合物は、上述したとおり、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る。[工程-230]その後、チャネル形成領域延在部24Aの上方に、具体的には、電荷注入層26の上に、実施例1の[工程-120]と同様にして、一対のソース/ドレイン電極25を形成する図2のD参照。実施例2にあっても、電荷注入層26を形成することで、ソース/ドレイン電極25とチャネル形成領域延在部24Aとの間のコンタクト抵抗の値を、電荷注入層26を形成しない比較例と比べて、実施例1と同程度に低減することができた。尚、テトラチアフルバレンの代わりに、テトラチアフルバレンの誘導体具体的には、実施例1にて示したテトラチアフルバレンの誘導体から電荷注入層前駆体層を構成し、実施例2と同様の方法で半導体装置を製造したところ、実施例2と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。同様に、テトラチアペンタレン、テトラチアペンタレンの誘導体具体的には、実施例1にて示したテトラチアペンタレンの誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセンから電荷注入層前駆体層を構成し、実施例2と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例2と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。また、電荷注入層を、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物の酸化物から構成したところ、より具体的には、ピラニリデン、ピラニリデンの誘導体具体的には、実施例1にて示したピラニリデンの誘導体、ビチアピリニリデン、ビチアピリニリデンの誘導体具体的には、実施例1にて示したビチアピリニリデンの誘導体から電荷注入層前駆体層を構成し、実施例2と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例2と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。実施例3は、実施例2において説明した半導体装置の製造方法の変形である。以下、実施例3の半導体装置の製造方法を、基体等の模式的な一部端面図である図3のA~Dを参照して説明する。[工程-300]先ず、実施例1の[工程-100]と同様にして、基体21上にゲート電極22を形成した後、実施例1の[工程-110]と同様にして、基体21及びゲート電極22の上にゲート絶縁層23を形成する。[工程-310]その後、実施例1の[工程-140]と同様にして、ゲート絶縁層23上に、有機半導体材料から成る有機半導体材料層24Bを形成した後、有機半導体材料層24B上に、スピンコート法に基づき有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成する。そして、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施す。こうして、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層26を形成することができる図3のA参照。その後、電荷注入層26及び有機半導体材料層24Bをパターニングすることで、チャネル形成領域24及びチャネル形成領域延在部24A、並びに、チャネル形成領域24及びチャネル形成領域延在部24Aの上に形成された電荷注入層26といった構造を得ることができる図3のB参照。[工程-320]その後、チャネル形成領域延在部24Aの上方に、具体的には、電荷注入層26の上に、実施例1の[工程-120]と同様にして、一対のソース/ドレイン電極25を形成する図3のC参照。尚、場合によっては、チャネル形成領域延在部24A及び電荷注入層26の側面にもソース/ドレイン電極25が形成される。[工程-330]次いで、ソース/ドレイン電極25をエッチング用マスクとして、チャネル形成領域24上の電荷注入層26の部分をエッチングして除去する図3のD参照。エッチングとして、例えば、エタノール等の有機半導体材料に対して貧溶媒を用いたウェットエッチング法や、ドライエッチング法を採用すればよい。以下の実施例4あるいは実施例7においても同様である。実施例4も、実施例2の変形である。以下、実施例4の半導体装置の製造方法を、基体等の模式的な一部端面図である図4のA~Dを参照して説明する。[工程-400]先ず、実施例1の[工程-100]と同様にして、基体21上にゲート電極22を形成した後、実施例1の[工程-110]と同様にして、基体21及びゲート電極22の上にゲート絶縁層23を形成する。[工程-410]その後、実施例1の[工程-140]と同様にして、ゲート絶縁層23上に、有機半導体材料から成る有機半導体材料層24Bを形成した後、チャネル形成領域を形成すべきチャネル形成領域予定領域の部分の有機半導体材料層24B上に、感光性のフッ素系絶縁材料層を形成し、露光、現像を行うことで、保護層27を得る。[工程-420]次に、有機半導体材料層24B及び保護層27上にスピンコート法に基づき、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成する。そして、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施す。こうして、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層26を形成することができる図4のA参照。その後、電荷注入層26及び有機半導体材料層24Bをパターニングすることで、チャネル形成領域24及びチャネル形成領域延在部24A、並びに、保護層27及びチャネル形成領域延在部24Aの上に形成された電荷注入層26といった構造を得ることができる図4のB参照。[工程-430]その後、チャネル形成領域延在部24Aの上方に、具体的には、電荷注入層26の上に、実施例1の[工程-120]と同様にして、一対のソース/ドレイン電極25を形成する図4のC参照。尚、場合によっては、チャネル形成領域延在部24A及び電荷注入層26の側面にもソース/ドレイン電極25が形成される。[工程-440]次いで、ソース/ドレイン電極25をエッチング用マスクとして、チャネル形成領域24上の電荷注入層26の部分を、例えば、酸素ガスを用いたドライエッチング法に基づき除去する図4のD参照。電荷注入層26の部分をエッチングして除去する際、チャネル形成領域24は保護層27によって保護されており、チャネル形成領域24に損傷が発生することを確実に防ぐことができる。実施例5は、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、より具体的には、3端子構造を有するトップゲートボトムコンタクト型のTFT、及び、本開示の第5の態様~第6の態様に係る半導体装置の製造方法に関する。実施例5の3端子構造を有するトップゲートボトムコンタクト型のTFTにあっては、模式的な一部断面図を図5のDに示すように、第1電極及び第2電極によって、基体31上に形成された一対のソース/ドレイン電極35が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極35の間の基体31上に形成されたチャネル形成領域34、及び、ソース/ドレイン電極35の上方に形成されたチャネル形成領域延在部34Aが構成され、絶縁層によって、チャネル形成領域34及びチャネル形成領域延在部34A上に形成されたゲート絶縁層33が構成され、制御電極によって、チャネル形成領域34に対向してゲート絶縁層33上に形成されたゲート電極32が構成され、ソース/ドレイン電極35とチャネル形成領域延在部34Aとの間に電荷注入層36が形成されている。以下、実施例5の半導体装置の製造方法を、基体等の模式的な一部端面図である図5のA~Dを参照して説明する。[工程-500]先ず、実施例1の[工程-120]と同様にして、基体31上に一対のソース/ドレイン電極35を形成する図5のA参照。[工程-510]次いで、実施例1の[工程-130]と同様にして、各ソース/ドレイン電極35上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施す。こうして、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層36を形成することができる図5のB参照。尚、有機化合物は、上述したとおり、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る。[工程-520]その後、実施例1の[工程-140]と同様にして、一対のソース/ドレイン電極35の間に有機半導体材料から成るチャネル形成領域34を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極35の上方に、具体的には、電荷注入層36上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部34Aを形成する図5のC参照。[工程-530]次いで、実施例1の[工程-110]と同様にして、チャネル形成領域34及びチャネル形成領域延在部34Aの上にゲート絶縁層33を形成し、その後、実施例1の[工程-100]と同様にして、チャネル形成領域34上のゲート絶縁層33の部分の上にゲート電極32を形成する図5のD参照。実施例5にあっても、電荷注入層36を形成することで、ソース/ドレイン電極35とチャネル形成領域延在部34Aとの間のコンタクト抵抗の値を、電荷注入層36を形成しない比較例と比べて、実施例1と同程度に低減することができた。尚、テトラチアフルバレンの代わりに、テトラチアフルバレンの誘導体具体的には、実施例1にて示したテトラチアフルバレンの誘導体から電荷注入層前駆体層を構成し、実施例5と同様の方法で半導体装置を製造したところ、実施例5と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。同様に、テトラチアペンタレン、テトラチアペンタレンの誘導体具体的には、実施例1にて示したテトラチアペンタレンの誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセンから電荷注入層前駆体層を構成し、実施例5と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例5と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。また、電荷注入層を、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物の酸化物から構成したところ、より具体的には、ピラニリデン、ピラニリデンの誘導体具体的には、実施例1にて示したピラニリデンの誘導体、ビチアピリニリデン、ビチアピリニリデンの誘導体具体的には、実施例1にて示したビチアピリニリデンの誘導体から電荷注入層前駆体層を構成し、実施例5と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例5と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。実施例6は、本開示の第1の態様~第6の態様に係る電子デバイス、より具体的には、3端子構造を有するトップゲートトップコンタクト型のTFT、及び、本開示の第7の態様~第8の態様に係る半導体装置の製造方法に関する。実施例6の3端子構造を有するトップゲートトップコンタクト型のTFTにあっては、模式的な一部断面図を図6のDに示すように、能動層によって、基体41上に形成されたチャネル形成領域44及びチャネル形成領域延在部44Aが構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部44Aの上方に形成された一対のソース/ドレイン電極45が構成され、絶縁層によって、一対のソース/ドレイン電極45及びチャネル形成領域44上に形成されたゲート絶縁層43が構成され、制御電極によって、ゲート絶縁層43上に形成されたゲート電極42が構成され、ソース/ドレイン電極45とチャネル形成領域延在部44Aとの間に電荷注入層46が形成されている。以下、実施例6の半導体装置の製造方法を、基体等の模式的な一部端面図である図6のA~Dを参照して説明する。[工程-600]先ず、実施例1の[工程-140]と同様にして、基体41上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域44及びチャネル形成領域延在部44Aを形成する図6のA参照。[工程-610]次いで、実施例1の[工程-130]と同様にして、チャネル形成領域延在部44A上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施す。こうして、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層46を形成することができる図6のB参照。尚、有機化合物は、上述したとおり、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る。[工程-620]その後、実施例1の[工程-120]と同様にして、チャネル形成領域延在部44Aの上方に、具体的には、電荷注入層46の上に、一対のソース/ドレイン電極45を形成する図6のC参照。[工程-630]次に、実施例1の[工程-110]と同様にして、チャネル形成領域44及び一対のソース/ドレイン電極45の上にゲート絶縁層43を形成し、その後、実施例1の[工程-100]と同様にして、チャネル形成領域44上のゲート絶縁層43の部分の上にゲート電極42を形成する図6のD参照。実施例6にあっても、電荷注入層46を形成することで、ソース/ドレイン電極45とチャネル形成領域延在部44Aとの間のコンタクト抵抗の値を、電荷注入層46を形成しない比較例と比べて、実施例1と同程度に低減することができた。尚、テトラチアフルバレンの代わりに、テトラチアフルバレンの誘導体具体的には、実施例1にて示したテトラチアフルバレンの誘導体から電荷注入層前駆体層を構成し、実施例6と同様の方法で半導体装置を製造したところ、実施例6と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。同様に、テトラチアペンタレン、テトラチアペンタレンの誘導体具体的には、実施例1にて示したテトラチアペンタレンの誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセンから電荷注入層前駆体層を構成し、実施例6と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例6と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。また、電荷注入層を、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物の酸化物から構成したところ、より具体的には、ピラニリデン、ピラニリデンの誘導体具体的には、実施例1にて示したピラニリデンの誘導体、ビチアピリニリデン、ビチアピリニリデンの誘導体具体的には、実施例1にて示したビチアピリニリデンの誘導体から電荷注入層前駆体層を構成し、実施例6と同様の方法で半導体装置を製造したところ、やはり、実施例6と同程度にコンタクト抵抗の低減を図ることができた。実施例7は、実施例6において説明した半導体装置の製造方法の変形である。以下、実施例7の半導体装置の製造方法を、基体等の模式的な一部端面図である図7のA~Cを参照して説明する。[工程-700]先ず、実施例1の[工程-140]と同様にして、基体41上に、有機半導体材料から成る有機半導体材料層を形成する。[工程-710]次いで、有機半導体材料層上に、スピンコート法に基づき、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成する。そして、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施す。こうして、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層46を形成することができる。その後、電荷注入層46及び有機半導体材料層をパターニングすることで、チャネル形成領域44及びチャネル形成領域延在部44A、並びに、チャネル形成領域44及びチャネル形成領域延在部44Aの上に形成された電荷注入層46といった構造を得ることができる図7のA参照。[工程-720]その後、実施例1の[工程-120]と同様にして、チャネル形成領域延在部44Aの上方に、具体的には、電荷注入層46の上に、一対のソース/ドレイン電極45を形成する図7のB参照。場合によっては、チャネル形成領域延在部44A及び電荷注入層46の側面にもソース/ドレイン電極45が形成される。[工程-730]次いで、ソース/ドレイン電極45をエッチング用マスクとして、チャネル形成領域44上の電荷注入層46の部分をエッチングして除去する図7のC参照。[工程-740]次に、実施例1の[工程-110]と同様にして、チャネル形成領域44及び一対のソース/ドレイン電極45の上にゲート絶縁層43を形成し、その後、実施例1の[工程-100]と同様にして、チャネル形成領域44上のゲート絶縁層43の部分の上にゲート電極42を形成する。こうして、図6のDに示したと同様の構成、構造を有する半導体装置を得ることができる。実施例8は、実施例5あるいは実施例6の変形であるが、実施例8において、電子デバイスは、具体的には2端子型の電子デバイスから成り、より具体的には、模式的な一部断面図を図8のA及びBに示すように、第1電極51及び第2電極52、並びに、第1電極51と第2電極52との間に形成された能動層53、を備えている。尚、能動層53は有機半導体材料から成る。そして、能動層53への光の照射によって電力が生成する。即ち、実施例8の電子デバイスは、光電変換素子あるいは太陽電池として機能する。あるいは又、第1電極51及び第2電極52への電圧の印加によって能動層53が発光する発光素子として機能する。ここで、第1電極51と能動層の延在部53Aとの間、第2電極52と能動層の延在部53Aとの間に、電荷注入層54が形成されている。尚、参照番号50は基体を指す。以上の点を除き、実施例8の電子デバイスの構成、構造は、基本的に、制御電極及び絶縁層を設けない点を除き、実施例5あるいは実施例6において説明した電子デバイスの構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。実施例8の電子デバイスは、実施例5の[工程-500]~[工程-520]と同様の工程を実行し、あるいは又、実施例6の[工程-600]~[工程-620]と同様の工程を実行することで得ることができる。また、場合によっては、基体上に、第1電極、電荷注入層、能動層、電荷注入層、第2電極が、順に積層された構造、構成とすることもできる。以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。電子デバイスや半導体装置の構造や構成、形成条件、製造条件は例示であり、適宜変更することができる。本開示によって得られた電子デバイス半導体装置を、例えば、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基体や支持体、支持体に多数の電子デバイス半導体装置を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイス半導体装置を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。[1]《電子デバイス:第1の態様》第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、酸化されることで電気伝導度の値が増加した有機材料から成る電子デバイス。[2]《電子デバイス:第2の態様》第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。[3]《電子デバイス:第3の態様》第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。[4]《電子デバイス:第4の態様》第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。[5]《電子デバイス:第5の態様》第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。[6]《電子デバイス:第6の態様》第1電極、第1電極と離間して設けられた第2電極、及び、第1電極の上から第2電極の上に亙り設けられた、有機半導体材料から成る能動層、を少なくとも備えており、第1電極と能動層との間、及び、第2電極と能動層との間には、電荷注入層が形成されており、電荷注入層は、テトラチアフルバレン及びその誘導体、テトラチアペンタレン及びその誘導体、テトラチアテトラセン、ヘキサチオペンタセン、ピラニリデン及びその誘導体、並びに、ビチアピリニリデン及びその誘導体から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物の酸化物から成る電子デバイス。[7]絶縁層、及び、絶縁層を介して、第1電極と第2電極との間に位置する能動層の部分に対向して設けられた制御電極を更に備えている[1]乃至[6]のいずれか1項に記載の電子デバイス。[8]《ボトムゲートボトムコンタクト型》制御電極によって、基体上に形成されたゲート電極が構成され、絶縁層によって、ゲート電極上及び基体上に形成されたゲート絶縁層が構成され、第1電極及び第2電極によって、ゲート絶縁層上に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域、及び、ソース/ドレイン電極の上方に形成されたチャネル形成領域延在部が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている[7]に記載の電子デバイス。[9]《ボトムゲートトップコンタクト型》制御電極によって、基体上に形成されたゲート電極が構成され、絶縁層によって、ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層が構成され、能動層によって、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部が構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部の上方に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている[7]に記載の電子デバイス。[10]《トップゲートボトムコンタクト型》第1電極及び第2電極によって、基体上に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、能動層によって、一対のソース/ドレイン電極の間の基体上に形成されたチャネル形成領域、及び、ソース/ドレイン電極の上方に形成されたチャネル形成領域延在部が構成され、絶縁層によって、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部上に形成されたゲート絶縁層が構成され、制御電極によって、チャネル形成領域に対向してゲート絶縁層上に形成されたゲート電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている[7]に記載の電子デバイス。[11]《トップゲートトップコンタクト型》能動層によって、基体上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部が構成され、第1電極及び第2電極によって、チャネル形成領域延在部の上方に形成された一対のソース/ドレイン電極が構成され、絶縁層によって、一対のソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層が構成され、制御電極によって、ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極が構成され、ソース/ドレイン電極とチャネル形成領域延在部との間に電荷注入層が形成されている[7]に記載の電子デバイス。[12]《半導体装置の製造方法:第1の態様:ボトムゲートボトムコンタクト型》A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、C一対のソース/ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層上に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。[13]《半導体装置の製造方法:第2の態様:ボトムゲートボトムコンタクト型》A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、C一対のソース/ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層上に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。[14]《半導体装置の製造方法:第3の態様:ボトムゲートトップコンタクト型》A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。[15]《半導体装置の製造方法:第4の態様:ボトムゲートトップコンタクト型》A基体上にゲート電極を形成した後、基体及びゲート電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、Bゲート絶縁層上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Bと工程Cの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。[16]《半導体装置の製造方法:第5の態様:トップゲートボトムコンタクト型》A基体上に一対のソース/ドレイン電極を形成し、次いで、B一対のソース/ドレイン電極の間に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。[17]《半導体装置の製造方法:第6の態様:トップゲートボトムコンタクト型》A基体上に一対のソース/ドレイン電極を形成し、次いで、B一対のソース/ドレイン電極の間に有機半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、併せて、各ソース/ドレイン電極の上方に有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部を形成した後、Cチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、各ソース/ドレイン電極上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。[18]《半導体装置の製造方法:第7の態様:トップゲートトップコンタクト型》A基体上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、Bチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、Cチャネル形成領域及び一対のソース/ドレイン電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで、電荷注入層前駆体層の電気伝導度の値よりも高い電気伝導度の値を有する電荷注入層を形成する工程を更に備えている半導体装置の製造方法。[19]《半導体装置の製造方法:第8の態様:トップゲートトップコンタクト型》A基体上に、有機半導体材料から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、Bチャネル形成領域延在部の上方に一対のソース/ドレイン電極を形成した後、Cチャネル形成領域及び一対のソース/ドレイン電極の上にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域上のゲート絶縁層の部分の上にゲート電極を形成する、各工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記工程Aと工程Bの間において、チャネル形成領域延在部上に、有機化合物から成る電荷注入層前駆体層を形成した後、電荷注入層前駆体層に酸化処理を施すことで電荷注入層を形成する工程を更に備えており、有機化合物は、ヴァイツ型酸化還元系の有機化合物、π電子の数が4n3nは正の整数である環状構造を有する有機化合物、ジカルコゲン五員環を含む有機化合物、及び、モノカルコゲン六員環を含む有機化合物から成る群から選択された少なくとも1種類の有機化合物から成る半導体装置の製造方法。[20]電荷注入層前駆体層に施す酸化処理は、大気雰囲気下における自然酸化である[12]乃至[19]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。"