"ビーム経路上に光出力を生成する発振器と、照射箇所における前記ビーム経路上の光と相互作用するためのターゲット材料と、ビーム折り返し光学構成を有する、前記ビーム経路上のビーム遅延器と、前記ビーム経路に沿って位置決めされ、前記発振器と前記ビーム遅延器との間に挿入されるスイッチと、を備えるデバイスであって、前記スイッチは、前記ビーム経路上の光のうちの少なくとも一部を前記ビーム経路から経路変更するように閉鎖可能であり、該スイッチは、閉鎖時間t1を有し、該ビーム経路は、該スイッチから前記照射箇所までの経路に沿って長さL1を有し、cが前記経路上の光の速度である場合、t1<cL1であり、前記発振器を保護するようになっているデバイス。前記スイッチは、音響-光学変調AOMスイッチである、請求項1に記載のデバイス。前記ビーム経路上に位置決めされた増幅器を更に備える、請求項1に記載のデバイス。前記ビーム経路上に位置決めされた光学アイソレーターを更に備える、請求項1に記載のデバイス。前記光学アイソレーターは、偏光識別光学体及び位相遅延光学体を備える、請求項4に記載のデバイス。前記スイッチは、300~500nsの範囲の閉鎖時間t1を有する、請求項1に記載のデバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記発振器は、主パルスシード出力を発生させる第1の発振器であり、前記デバイスは、予備パルスシード出力を発生させる第2の発振器を更に備えることを特徴とするデバイス。前記ビーム遅延器は、80メートルから120メートルの範囲の長さを有する、請求項1に記載のデバイス。ビーム経路上に光出力を生成し、出力カプラを有する発振器と、前記ビーム経路上に位置決めされた増幅器と、前記ビーム経路上の照射箇所においてビームくびれ部直径Dを有する集束光との相互作用のために速度vで移動し、前記くびれ部においてT=D/2vである予備シード相互作用時間Tを有するターゲット材料小滴と、ビーム折り返し光学構成を有する、前記ビーム経路上のビーム遅延器と、を備えるデバイスであって、前記ビーム経路は、前記出力カプラから前記照射箇所までの前記経路に沿って長さlを有し、cが該経路上の光の速度である場合、2cl>Tであり、前記出力カプラと前記小滴との間の振動を低減するようになっているデバイス。前記小滴速度vは、毎秒50メートルから100メートルの範囲にあり、前記ビームくびれ部直径は、80μmから120μmの範囲にある、請求項9に記載のデバイス。前記ビーム経路上に位置決めされた光学アイソレーターを更に備える、請求項9に記載のデバイス。請求項9に記載のデバイスであって、前記発振器は、予備パルスシード出力を発生させる第1の発振器であり、前記デバイスは、主パルスシード出力を発生させる第2の発振器を更に備えることを特徴とするデバイス。前記増幅器は、1×105から1×107の範囲のワンパス主パルス利得を有する、請求項12に記載のデバイス。前記ビーム遅延器は、60メートルから140メートルの範囲の長さを有する、請求項9に記載のデバイス。前記ビーム経路上の光を、ビームくびれ部直径Dを有するくびれ部に集束させるレンズを更に備える、請求項9に記載のデバイス。光学増幅器と、予備パルスシードレーザーと、主パルスシードレーザーと、予備パルス出力と主パルス出力とを前記光学増幅器を通る共通のビーム経路上に導くためのビーム合成器と、前記予備パルスシードレーザーと前記ビーム合成器との間に挿入される第1のスイッチと、前記主パルスシードレーザーと前記ビーム合成器との間に挿入される第2のスイッチと、を備えるデバイス。前記第1及び第2のスイッチの各々は、音響-光学変調AOMスイッチを備える、請求項16に記載のデバイス。前記光学増幅器と前記ビーム合成器との間の前記ビーム経路上に位置決めされた光学アイソレーターを更に備える、請求項16に記載のデバイス。前記ビーム合成器は、部分反射光学体である、請求項16に記載のデバイス。前記ビーム合成器は、ダイクロイックビーム合成器を備える、請求項16に記載のデバイス。本明細書に開示する第1の態様では、デバイスは、ビーム経路上に光出力を生成する発振器と、照射箇所におけるビーム経路上の光と相互作用するターゲット材料と、ビーム折り返し光学構成を有する、ビーム経路上のビーム遅延器と、ビーム経路に沿って位置決めされ、発振器とビーム遅延器との間に挿入され、ビーム経路上の光のうちの少なくとも一部分をビーム経路から経路変更するように閉じることが可能なスイッチとを備え、発振器を保護するために、スイッチは閉鎖時間t1を有し、ビーム経路はスイッチから照射箇所までの経路に沿って長さL1を有し、t1<cL1cであるcは経路上の光の速度。本態様の1つの実施形態では、スイッチは、音響-光学変調AOMスイッチとすることができる。本態様の特定の実施形態では、デバイスは、ビーム経路上に位置決めされた増幅器を更に備えることができる。本態様の1つの実例では、デバイスは、ビーム経路上に位置決めされた光学アイソレーターを更に備えることができる。本態様の特定の実例では、光学アイソレーターは、偏光識別光学体及び位相遅延光学体を備える。本態様の1つの構成では、スイッチは、300~500nsの範囲内の閉鎖時間t1を有することができる。本態様の特定の構成では、発振器は、主パルスシード出力を発生させる第1の発振器であり、デバイスは、予備パルスシード出力を発生させる第2の発振器を更に備える。本態様の1つの実施形態では、ビーム遅延器は、80メートルから120メートルの範囲内の長さを有することができる。本明細書で更に開示する別の態様では、デバイスは、ビーム経路上に光出力を生成し、出力カプラを有する発振器と、ビーム経路上に位置決めされた増幅器と、ビーム経路上の照射箇所においてビームくびれ部直径Dを有する集束光と相互作用し、くびれ部においてT=D/2vである予備シード相互作用時間Tを有する、速度vで移動するターゲット材料小滴と、ビーム折り返し光学構成を有するビーム経路上のビーム遅延器とを備え、ビーム遅延器は、cが経路上の光の速度である場合に、出力カプラと小滴との間の振動を低減するために、ビーム経路が、出力カプラから照射箇所までの経路に沿って2cl>Tである長さlを有するcは経路上の光の速度。本態様の1つの実施形態では、小滴速度vは、毎秒50メートルから100メートルの範囲内にあり、ビームくびれ部直径は、80μmから120μmの範囲内にある。本態様の特定の実施形態では、ビーム経路上に光学アイソレーターを位置決めすることができる。本態様の特定の実例では、発振器は、予備パルスシード出力を発生させる第1の発振器であり、デバイスは、主パルスシード出力を発生させる第2の発振器を更に備える。本態様の1つの実例では、増幅器は、1×105から1×107の範囲内にワンパス主パルス利得を有する。この態様の特定の実装では、ビーム遅延器は、60メートルから140メートルの範囲内の長さを有する。本態様の1つの実例では、デバイスは、ビーム経路上の光を、ビームくびれ部直径Dを有するくびれ部に集束させるレンズを更に備えることができる。本明細書に更に開示する別の態様では、デバイスは、光学増幅器と、予備パルスシードレーザーと、主パルスシードレーザーと、予備パルス出力と主パルス出力とを光学増幅器を通る共通のビーム経路上に導くためのビーム合成器と、予備パルスシードレーザーとビーム合成器との間に挿入される第1のスイッチと、主パルスシードレーザーとビーム合成器との間に挿入される第2のスイッチとを備えることができる。本態様の特定の実例では、第1及び第2のスイッチの各々は、音響-光学変調AOMスイッチを備えることができる。本態様の特定の実施形態では、光学増幅器とビーム合成器との間のビーム経路上に光学アイソレーターを位置決めすることができる。本態様の特定の実施形態では、ビーム合成器は、部分反射光学体である。本態様の特定の実例では、ダイクロイックビーム合成器を備える。最初に図1を参照すると、EUV光源の実施形態、例えばレーザー生成プラズマEUV光源20の簡略化した概略図が示されている。図1に示すように、LPP光源20は、光を発生させ、この光をチャンバ26に送達するためのシステム22を含むことができる。光源20では、光は、システム22からチャンバ26内へ1つ又はそれ以上のビーム経路に沿って進むことができ、照射領域28においてそれぞれのターゲット小滴を照らす。図1に示すシステム22での使用に適するものとすることができるレーザー構成の例を以下に詳細に説明する。図1に更に示すように、EUV光源20は、例えば、ターゲット材料の小滴をチャンバ26の内部の照射領域28へと送達するターゲット材料送達システム24を含むこともでき、この照射領域28において、小滴は、1つ又はそれ以上の光パルス、例えば、ゼロ、1つ、又はそれ以上の予備パルス、及びその後の1つ又はそれ以上の主パルスと相互作用して、最終的にプラズマを生成してEUV放出を発生させることになる。様々な小滴滴出器構成及び関連する利点に関する更なる詳細は、2010年3月10日出願のLASERPRODUCEDPLASMAEUVLIGHTSOURCEレーザー生成プラズマEUV光源米国特許出願第12/721,317号、代理人整理番号2008-0055-01、2008年6月19日出願のSYSTEMSANDMETHODSFORTARGETMATERIALDELIVERYINALASERPRODUCEDPLASMAEUVLIGHTSOURCEレーザー生成プラズマEUV光源におけるターゲット材料送達のためのシステム及び方法米国出願第12/214,736号、代理人整理番号2006-0067-02、2007年7月13日出願のLASERPRODUCEDPLASMAEUVLIGHTSOURCEHAVINGADROPLETSTREAMPRODUCEDUSINGAMODULATEDDISTURBANCEWAVE変調擾乱波を用いて生成された小滴流を有するレーザー生成プラズマEUV光源米国特許出願第11/827,803号、代理人整理番号2007-0030-01、2006年2月21日に出願され、2006年11月16日にUS2006/0255298A-1として公開されたLASERPRODUCEDPLASMAEUVLIGHTSOURCEWITHPRE-PULSE予備パルスを用いたレーザー生成プラズマEUV光源米国特許出願第11/358,988号、2005年2月25日に出願され、現在では2008年7月29日に特許付与された米国特許第7,405,416号であるMETHODANDAPPARATUSFOREUVPLASMASOURCETARGETDELIVERYEUVプラズマ源ターゲット送達のための方法及び装置米国特許出願第11/067,124号、及び2005年6月29日に出願され、現在では2008年5月13日に特許付与された米国特許第7,372,056号であるLPPEUVPLASMASOURCEMATERIALTARGETDELIVERYSYSTEMLPPEUVプラズマ源材料ターゲット送達システム米国特許出願第11/174,443号、代理人整理番号2005-0003-01に見出すことができ、これらの各々の開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。ターゲット材料は、錫、リチウム、キセノン、又はこれらの組み合わせを含むことができるが、必ずしもこれらに限定されない。EUV放出元素、例えば、錫、リチウム、キセノン等は、液体小滴及び/又は液体小滴内に含まれる固体粒子の形態にあるものとすることができる。例えば、錫元素は、純錫として、錫化合物、例えば、SnBr4、SnBr2、SnH4として、錫合金、例えば、錫-ガリウム合金、錫-インジウム合金、錫-インジウム-ガリウム合金として、又はこれらの組み合わせとして用いることができる。用いられる材料に依存して、ターゲット材料は、照射領域28に室温又はほぼ室温例えば、錫合金、SnBr4、高温例えば純錫、又は室温よりも低い温度例えばSnH4を含む様々な温度で与えることができ、幾つかの場合には、比較的高い揮発性のもの、例えばSnBr4とすることができる。LPPEUV光源におけるこれらの材料の使用に関する更なる詳細は、2006年4月17日に出願され、現在では2008年12月16日に特許付与された米国特許第7,465,946号であるALTERNATIVEFUELSFOREUVLIGHTSOURCEEUV光源のための代替燃料米国特許出願第11/406,216号、代理人整理番号2006-0003-01に提示されており、この開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。引き続き図1を参照すると、EUV光源20は、例えば、モリブデンとシリコンとの交番層を有し、幾つかの場合には1つ又はそれ以上の高温度拡散バリア層、平滑化層、キャッピング層、及び/又はエッチング停止層を有する傾斜多層被覆を有する長球面すなわち、楕円がその主軸の回りに回転されたものの形態にある反射面を有する近法線入射コレクターミラー等の光学体30を含むこともできる。図1は、光学体30に、システム22によって発生する光パルスが通過して照射領域28に達することを可能にする開口部を形成できることを示す。図示のように、光学体30は、例えば、照射領域28内又はその近くに第1の焦点を有し、EUV光を、EUV光源20から出力して、EUV光を利用するデバイス、例えば集積回路リソグラフィツール図示せずに入力することができる、いわゆる中間領域40に第2の焦点を有する長球面ミラーとすることができる。EUV光を利用するデバイスへの後続の送達のために光を中間の場所へと集光して導くために、長球面ミラーの代わりにその他の光学体を用いることができることは明らかであり、例えば、光学体は、放物線がその主軸の回りに回転されたものとすることができ、又は円環形断面を有するビームを中間の場所に送達するように構成することができ、例えば、引用によって本明細書に組み込まれている、2006年8月16日出願のEUVOPTICSEUV光学系米国特許出願第11/505,177号、代理人整理番号2006-0027-01を参照されたい。また、図1は、光源20が、システム22と集束ユニット46との間でビームを拡大、操向、パルス整形、及び/又は整形するための1つ又はそれ以上の光学体を有するビーム調節ユニット42を含むことができることを示す。ビーム調節に関する更なる詳細は、2004年3月17日に出願され、現在では2006年8月8日に特許付与された米国特許第7,087,914号であるHIGHREPETITIONRATELASERPRODUCEDPLASMAEUVLIGHTSOURCE高繰り返し率レーザー生成プラズマEUV光源米国特許出願第10/803,526号、2004年7月27日に出願され、現在では2007年1月16日に特許付与された米国特許第7,164,144号であるEUVLIGHTSOURCEEUV光源米国出願第10/900,839号、代理人整理番号2004-0044-01、及び2009年12月15日出願のBEAMTRANSPORTSYSTEMFOREXTREMEULTRAVIOLETLIGHTSOURCE極紫外光源のためのビーム転送システム米国特許出願第12/638,092号、代理人整理番号2009-0029-01に提示されており、これらの開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。光源22では、集束ユニット46は、照射箇所にある集束スポットにビームを集束させるための1つ又はそれ以上の光学体を含むことができる。例えば、集束ユニットは、1つ又はそれ以上のミラー、レンズ、色収差補正ダブレット等の色収差補正レンズ、又はこれらの組み合わせを含むことができる。本明細書で用いる光学体という用語及びその派生語は、入射光を反射及び/又は透過する、及び/又はそれに対して動作する1つ又はそれ以上の構成要素を含むが、必ずしもこれらに限定されず、1つ又はそれ以上のレンズ、窓、フィルタ、楔、プリズム、グリズム、グレーディング、透過ファイバ、エタロン、拡散器、ホモジナイザ、検出器及びその他の機器構成要素、開口部、アキシコン、及び多層ミラー、近法線入射ミラー、かすめ入射ミラー、鏡面反射体、拡散反射体を含むミラー、並びにこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。更に、別途明示しない限り、本明細書で用いる光学体という用語又はその派生語のどちらも、単独で動作する構成要素、又はEUV出力光波長、照射レーザー波長、計測に適する波長、又は何らかの他の波長等の1つ又はそれ以上の特定の波長範囲内の利点に限定されることを意味しない。図2Aは、図1に示す光源20で使用するためのレーザー源22aの実施例を示す。図22aに示すように、レーザー源22aは、シード保護ユニット59及び増幅器54を通るビーム経路52上に導かれる出力を生成するシードレーザー56を含むことができる。図2Bは、図1に示す光源20で使用するためのレーザー源22の実施例を示す。図2Bに示すように、レーザー源22は、共通の増幅器54を通るビーム経路52上に導かれる出力を生成する予備パルスシードレーザー50と、シード保護ユニット59及び共通の増幅器54を通るビーム経路58上に導かれる出力を生成する主パルスシードレーザー56とを含むことができる。予備パルスシードレーザー50を保護するために、シード保護ユニットをビーム経路52上に配置できることを理解されたい。図3は、図1に示す光源20で使用するためのレーザー源の別の例22’を示す。図3に示すように、レーザー源22’は、光学体60からの反射の後に共通のビーム経路52’上に導かれ、共通の増幅器54を通る出力を生成する予備パルスシードレーザー50と、光学体60を通過して共通のビーム経路52’上に導かれ、共通の増幅器54を通る出力を生成する主パルスシードレーザー56とを含むことができる。図3に示す構成では、光学体60は、ダイクロイックビーム合成器、偏光識別ビーム合成器プリズム、体積ブラッグ格子、又は部分反射ビーム合成器とすることができる。予備パルスシードレーザー出力が光学体60を透過し、主パルスシードレーザー出力が光学体60によって反射されるように構成を修正することができることを理解されたい。図3からは、シード保護ユニット59を、主パルスシードレーザー56と光学体60との間のビーム経路52’上に位置決めできることも分かる。図示のシード保護ユニット59の代わりに、又はそれに加えて、シード保護ユニットを、予備パルスシードレーザー50と光学体60との間に位置決めすることもできる。シード保護ユニットのうちの幾つか又は全ては、光学体60と増幅器54との間に位置決めすることができ、複数のシード保護ユニットが、1つ、幾つか、又は全てのシード保護ユニット構成要素を共有することができることを更に理解されたい。図3Aは、図1に示す光源20で使用するためのレーザー源22a’の別の実施例を示す。図3Aに示すように、レーザー源22a’は、光学体60aからの回折の後に共通のビーム経路52’上に導かれ、共通の増幅器54を通る出力を生成する予備パルスシードレーザー50と、光学体60aから共通のビーム経路52’上に回折され、共通の増幅器54を通る出力を生成する主パルスシードレーザー56とを含むことができる。図3に示す構成では、光学体60aは、回折格子とすることができる。図3Aからは、シード保護ユニット59を、光学的に主パルスシードレーザー56と光学体60aとの間に位置決めできることも分かる。図示のシード保護ユニット59の代わりに、又はそれに加えて、予備パルスシードレーザー50と光学体60aとの間にシード保護ユニットを位置決めすることができる。シード保護ユニットのうちの幾つか又は全ては、光学体60と増幅器54との間に位置決めすることができ、複数のシード保護ユニットが、1つ、幾つか、又は全てのシード保護ユニット構成要素を共有することができることを更に理解されたい。図4は、図1に示す光源20で使用するためのレーザー源22’’の別の実施例を示す。図4に示すように、レーザー源22’’は、光学体60からの反射の後に共通の経路52’上に導かれ、共通の増幅器54’を通る出力を生成する予備パルスシードレーザー50と、光学体60を通過して共通のビーム経路52’上に導かれ、増幅器54’を通る出力を生成する主パルスシードレーザー56とを含むことができる。更に図示するように、増幅器54’は、各々が、独自の活性媒質及び励起源、例えばポンピング電極を有するチャンバを有する2つ又はそれ以上の増幅ユニット62、64を有することができる。図4に示す構成では、光学体60は、ダイクロイックビーム合成器、偏光識別ビーム合成器、部分反射ビーム合成器プリズム、体積ブラッグ格子、又は回折格子とすることができる図3Aを参照されたい。予備パルスシードレーザー出力が光学体60を透過し、主パルスシードレーザー出力が光学体60によって反射されるように構成を修正できることを理解されたい。図4では、シード保護ユニット59を、主パルスシードレーザー56と光学体60との間のビーム経路52’上に位置決めできることも分かる。図示するシード保護ユニット59の代わりに、又はそれに加えて、予備パルスシードレーザー50と光学体60との間にシード保護ユニットを位置決めすることができる。シード保護ユニットのうちの幾つか又は全てを光学体60と増幅器54’との間に位置決めすることができ、複数のシード保護ユニットが、1つ、幾つか、又は全てのシード保護ユニット構成要素を共有することができることを更に理解されたい。図5は、図1に示す光源20で使用するためのレーザー源22’’’の別の実施例を示す。図5に示すように、レーザー源22’’’は、各々が独自の活性媒質及び励起源、例えばポンピング電極を有する2つ又はそれ以上の増幅ユニット62’、64’を有する増幅器54’’を含むことができる。更に図示するように、光学体60’からの反射の後に共通のビーム経路58’上に導かれ、共通の増幅ユニット64’を通る出力を生成する予備パルスシードレーザー50を設けることができる。図5は、増幅ユニット64’を通り、続いて光学体60’を通って共通のビーム経路58’上に導かれ、共通の増幅器54’’を通る出力を生成する主パルスシードレーザー56を設けることができることも示す。図3に示す構成では、光学体60’は、ダイクロイックビーム合成器、偏光識別ビーム合成器プリズム、体積ブラッグ格子、又は部分反射ビーム合成器とすることができる。予備パルスシードレーザー出力が光学体60’を透過し、主パルスシードレーザー出力が光学体60’によって反射されるように構成を修正できることを理解されたい。光学体60’と主パルスシードレーザー56との間に1つよりも多くの増幅ユニットを位置決めすることができる、及び/又は予備パルスシードレーザー出力と増幅ユニット62’の出力との両方を増幅するために、共通のビーム経路58’上に1つよりも多くの共有増幅ユニットを位置決めすることができることを更に理解されたい。図5からは、シード保護ユニット59を、主パルスシードレーザー56と増幅器62’との間に位置決めできることも分かる。図示するシード保護ユニット59の代わりに、又はそれに加えて、予備パルスシードレーザー50と光学体60’との間にシード保護ユニットを位置決めすることができる。図6は、図2~図5及び図13~図15に示すレーザー源のうちのいずれかで使用するための波長可変予備パルスシードレーザーの実施形態50の簡略化した概略図を示す。図示するように、予備パルスシードレーザー50は、格子70、出力カプラ72、ミラー74a、74b、及びビーム経路76によって定義される光学空洞を含むことができる。更に図示するように、ビーム経路76は、活性媒質78を通過することができる。この構成では、出力カプラは、部分反射光学体とすることができ、格子70は、入射ビームに対してリトロー構成で配置されたブレーズ回折のエシェル型格子とすることができる。予備パルスシードレーザー50では、格子70を回転させ、予備パルスシードレーザー出力の中心波長を変更するために、アクチュエータ80を設けることができる。例えば、アクチュエータは、ステッパモータ、圧電体要素/積層体、又はステッパモータ/圧電体の組み合わせを含むことができる。他のアクチュエータ設計が可能である。リトロー構成にある格子を、プリズムミラー構成、空洞内エタロン、又は格子/ミラーの組み合わせ等の他の構成に置き換えできることを理解されたい。図6は、予備パルスシードレーザー出力ビームの診断部分を検出器82に導くために、部分反射ビームスプリッタ又はピックオフミラー等の光学体81を設けることができることを更に示す。検出器82は、中心波長を示す信号を制御回路84に出力することができ、続いて制御回路84は、アクチュエータ80を駆動する制御信号を発生させることができる。図6は、光学空洞の品質Qを制御して、20~150khzの範囲内のパルス繰り返し率でパルスレーザー出力を供給するために、音響-光学変調AOMスイッチ等のスイッチ86を設けることができることを更に示す。1つの構成では、予備パルスシードレーザー50は、無線周波数放電によってポンピングされる準大気圧、例えば0.05~0.2atmのCO2を含む気密充填ガスを有するCO2レーザーとすることができる。この構成を用いると、予備パルスシードレーザー50を選択された回転線へ同調させるために、格子を回転させることができる。図7は、図2~図5及び図13~図15に示すレーザー源のうちのいずれかで使用するための、パルス整形ユニットを有する波長可変予備パルスシードレーザーの実施形態50’の簡略化した概略図を示す。図示するように、予備パルスシードレーザー50’は、格子70、出力カプラ72、ミラー74a、74b、及びビーム経路76によって定義される光学空洞を含むことができる全ては、図6を参照しながら上記に説明したように。更に図示するように、ビーム経路76は活性媒質78を通過することができ、図6を参照して説明したように、格子70を回転させるために、アクチュエータ80を設けることができる。図7は、予備パルスシードレーザー出力ビームの診断部分を検出器82に導くために、部分反射ビームスプリッタ又はピックオフミラー等の光学体81を設けることができることを更に示す。検出器82は、中心波長を示す信号を制御回路84に出力することができ、続いて制御回路84は、アクチュエータ80を駆動する制御信号を発生させることができる。図7は、光学空洞の品質Qを制御して、20~150khzの範囲内のパルス繰り返し率でパルスレーザー出力を供給するために、音響-光学変調AOMスイッチ等のスイッチ86を設けることができることを更に示す。図7に示す予備パルスシードレーザー50’は、光学空洞の出力に対して動作可能なパルス整形ユニットを含むこともできる。図7、図8、及び図9Aを相互参照することによって良く分かるように、パルス整形ユニットは、予備パルスシード光学空洞によって出力されるパルス81の一部分をトリミングするためのシャッターを含むことができる。図8は、シャッターの開放破線83及び閉鎖破線85を示す破線によって示すように、シャッターを、時間t=t0において開放状態から閉鎖状態へと切り替えることができることを示す。図示するように、シャッターは、パルス81の後方部分87をトリミングして、より短いパルス持続時間及び比較的速い立ち下がり時間を有するトリミング済みパルス89図9Aを生成するように閉鎖することができる。この短いパルス持続時間及び比較的速い立ち下がり時間は、パルスとターゲットとの間の短い相互作用時間、及びパルスの不必要な部分が増幅器利得を減少させないことから、EUV出力及び光源効率を高めることができる。予備パルスの一部分をトリミングする代わりに、又はそれに加えて、パルス整形ユニットは、以下に詳細に説明するように、主パルスの一部分をトリミングするために用いることができる。予備パルスシードと主パルスシードとをトリミングするために、共通のパルス整形ユニット又は2つの異なるパルス整形ユニットを用いることができる。図9Bは、シャッターの閉鎖破線83a、開放破線83b、及び閉鎖破線83cを示す破線によって示すように、シャッターを、t=t1において閉鎖状態から開放状態へと切り替え、その後t=t2において閉鎖状態へと切り替えることができることを示す。図示するように、シャッターは、パルス81’の前方部分87a及び後方部分87bをトリミングして、より短いパルス持続時間及び比較的速い立ち上がり時間及び立ち下がり時間を有するトリミング済みパルス89’図9Cを生成するように閉鎖することができる。この短いパルス持続時間及び比較的速い立ち上がり時間及び立ち下がり時間は、パルスとターゲットとの間の短い相互作用時間、及びパルスの不必要な部分が増幅器利得を減少させないことから、EUV出力及び光源効率を高めることができる。要約すると、図7、図8、図9A~図9Dは、前方部分、後方部分、又はこれらの両方を、予備パルスシード、主パルスシード、又はこれらの両方からトリミングすることができることを例示す。予備パルスシードレーザー50’では、光学空洞を出射する光が主偏光方向を有するように、1つ又はそれ以上の偏光子及び/又はブルースター窓を用いることができる。この構成では、シャッターは、電気-光学スイッチ91、例えばポッケルスセル又はカーセル、並びに主偏光方向に対して平行に整列された透過軸を有する薄膜偏光子等の偏光子93を含むことができる。従って、合スイッチが消勢されると、光は出力カプラ72から光学体81へ進むことができ、スイッチが付勢されると、光は出力カプラ72から光学体81へ進むことができない。シャッターの構成要素のうちの幾つか又は全てを光学体81の下流に配置できることを理解されたい。前述の構成の1つの用途において、予備パルスシード光学空洞から出力される約200nsよりも長い半値全幅FWHMパルス持続時間を有するパルスは、約200nmよりも短いFWHMパルス持続時間を有するパルスを生成するようにトリミングすることができる。1つの特定の用途では、予備パルスシード光学空洞から出力される約500nmFWHMのパルス持続時間を有するパルスを、約8nsの立ち上がり時間及び30nmFWHMのパルス持続時間を有するパルスを生成するようにトリミングすることができる。図6又は図7に示す波長可変シードレーザーの実施形態は、図2~図5及び図11~図15に示す構成のうちのいずれかにおいて主パルスシードレーザー56として用いることもできる、又は図10に示すレーザー56等のより単純化されたレーザーの実施形態を用いることができる。図10に示すように、主パルスシードレーザー56は、完全反射後部ミラー90、出力カプラ92、ミラー94a、94b、及びビーム経路96によって定義される光学空洞を含むことができる。更に図示するように、ビーム経路96は、活性媒質98を通過することができる。この構成では、出力カプラ92は、部分反射光学体とすることができる。図7に示す予備パルスシードレーザー50’に対してパルス整形ユニットを用いる代わりに、又はそれに加えて、主パルス出力をトリミングして比較的速い立ち上がり時間を有する主パルスを生成するために、図10に示す主パルスシードレーザー56等の主パルスシードレーザーに対してパルス整形ユニットを用いることができる。1つの構成では、主パルスシードレーザー56は、無線周波数放電によってポンピングされる、準大気圧、例えば0.05~0.2atmのCO2を含む気密ガスを有するCO2レーザーとすることができる。この構成を用いると、主パルスシードレーザーは、波長10.5910352μmを有する10P20線等の主線のうちの1つに自己同調することができる。場合によっては、後部ミラー90を移動させてモードホッピングを防止するために、アクチュエータ図示していないを設けることができる。前述の構成の1つの用途において、主パルスシード光学空洞から出力される約200nsよりも長いFWHMパルス持続時間を有するパルスは、約200nsよりも短いFWHMパルス持続時間を有するパルスを生成するようにトリミングすることができる。1つの特定の用途において、主パルスシード光学空洞から出力される約500nsFWHMのパルス持続時間を有するパルスは、約150nsFWHMのパルス持続時間を有するパルスを生成するようにトリミングすることができる。図9Dは、約150nsFWHMの持続時間を有するトリミング済み主パルスでシードされた増幅済みレーザービームで錫小滴を照射することによって形成されたEUV出力パルスに関して、EUV変換効率パーセントすなわち、レーザー出力パワーに対するEUV出力パワーのパーセント対時間の測定曲線91を示す。図2から図5を再び参照すると、各構成は、1つ又はそれ以上の増幅ユニット54、62、64、62’、64’を有する増幅器54、54’、54’’を含むことが分かる。予備パルスシードレーザー50、50’及び主パルスシードレーザー56が前述のCO2を含む活性媒質を含む場合、増幅ユニット54、62、64、62’、64’での使用に適するレーザーは、DC励起又はRF励起によってポンピングされるCO2ガスを含む活性媒質を含むことができる。1つの特定の実施例では、増幅器は、約16~20メートルの総利得長を有し、比較的高いパワー、例えば20kW又はそれ以上で協働して作動する3つ又は4つ等の複数の軸流RFポンピング連続した又はパルス変調を含むCO2増幅ユニットを含むことができる。ファイバ形態、ロッド形態、平板形態、又は円盤形態の活性媒質を有する他の種類の増幅ユニットを用いることができる。幾つかの場合には、固体活性媒質を用いることができる。図2B、図3、図3A、図4、及び図5に示すレーザー源22、22’、22a’、22’’、及び22’’’では、予備パルスシード出力と主パルスシード出力とは同じ中心波長を有すること、又は異なる波長とすることができる。これらの波長は、予備パルス対主パルスのシード出力コントラスト比を改善する、予備パルス利得減損を低減する、及び/又は集束レンズの色収差を低減するように選択することができる。予備パルス及び主パルスの波長選択に関する更なる詳細は、2010年6月24日出願のMASTEROSCILLATOR-POWERAMPLIFIERDRIVELASERWITHPRE-PULSEFOREUVLIGHTSOURCEEUV光源のための予備パルスを用いる主発振器-パワー増幅器駆動レーザー米国特許出願第61/398,452号、代理人整理番号2009-0038-01に求めることができ、この開示内容は引用によって本明細書に組み込まれている。図11は、シード保護ユニット102を有するデバイス100の第1の実施例をより詳細に示す。この図から分かるように、デバイス100は、スイッチ108、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後に、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する光出力をビーム経路106上に生成する、図6、図7、図10に示すシードレーザー、又は任意の他の適切なシードレーザー等の発振器104を含むことができる。デバイス100では、増幅器は、各々が気密ガス及び励起源を有する1つ又はそれ以上の増幅ユニットを有することができ、ビーム調節及び集束ユニット114は、ビームを拡大する、操向する、パルス整形する、集束させる、及び/又は整形するための1つ又はそれ以上の光学体を有することができる。デバイス100では、スイッチ100は、光が、スイッチを通ってビーム経路106に沿って実質的に妨害されずに流れることを可能にする第1の開放状態と、光のうちの実質的な部分をビーム経路106から偏向/拡散させる第2の閉鎖状態との間で再設定可能な、ラマン‐ナスAOMスイッチとも呼ばれる場合もある音響-光学変調スイッチとすることができる。幾つかの場合には、スイッチが閉鎖されている場合にビーム経路から偏向される光量を増加させるために、2つのスイッチをビーム経路に沿って互いに隣接して直列に配置することができる。ラマン‐ナスAOMスイッチでは、3mm径ビームに対して約300~500nsの範囲の完全開放から完全閉鎖への切り替え時間を得ることができ、幾つかの場合には、設計目的で、約400nsの閉鎖時間を想定することができる。また、図11は、デバイス100が、増幅器112とスイッチ108との間のビーム経路106上にビーム遅延器110を含むことができること示す。図示するように、ビーム遅延器は、ミラー、プリズム等の光学体を含み、光学遅延距離ddelayを設定する折り返し光学構成をもつことができる。毎秒約3E08の推定光速度を用いると、ビーム遅延器の各メートルは、ビーム経路106上の光に対して付加的な3.33nsの伝搬時間を追加することになる。適切な遅延器構成は、2010年12月29日出願のMULTI-PASSOPTICALAPPARATUS多重通過光学装置米国特許出願第12/980,939号、代理人整理番号2010-0012-01に求めることができ、この開示内容全体は、引用によって本明細書に組み込まれている。1つの構成では、ビーム遅延器110は、照射箇所においてターゲット材料から反射される光が、出力カプラ、偏光子、後部ミラー、格子、電気-光学変調EOMスイッチ等の発振器104の壊れやすい光学体に到達して損傷するのを防止する長さで形成される。例えば1つの設計では、ビーム遅延器110は、スイッチ108から照射箇所116まで及びとその戻りの往復時間に適切な安全範囲を加えたものが、スイッチ108の閉鎖時間を超えるような長さで形成することができる。この往復時間は、スイッチ108からビーム遅延器110までの伝搬時間の2倍、ビーム遅延器110内の片道伝搬時間の2倍、ビーム遅延器110から増幅器112までの伝搬時間の2倍、増幅器112内の片道伝搬時間の2倍、増幅器112から調節ユニット114までの伝搬時間の2倍、ビーム調節及び集束ユニット114内の片道伝搬時間の2倍、及びビーム調節及び集束ユニット114から照射箇所116までの伝搬時間の2倍を含むことができる。従って、約300~500nsの範囲の閉鎖時間を有するスイッチ108では、約800~1000nsの往復時間が適切とすることができる。図11に示すデバイス100の動作では、最初に、例えば約100nsのパルス持続時間を有する光パルスがt=0において発振器から放出される。パルスの後方エッジは、時間スイッチ108が閉鎖するように作動する約t=100nsにおいてスイッチを出ていく。100mのパルス遅延333ns及びパルス遅延から照射箇所116までの約150nsの光伝搬時間を想定すると、パルスの前方エッジは照射箇所116に約t=483nsで到達し、後方エッジは約583nsで到達することになる。t=500nsにおいて、約400nsの閉鎖時間を有するスイッチ108は完全に閉鎖されることになる。小滴からの反射は、閉鎖されたスイッチ108に到達することになり前方エッジがt=966nsで後方エッジがt=1066nsにおいて、約466nsの安全係数が与えられる。図12は、シード保護ユニット102及び光学アイソレーター202を有するデバイス200の別の実施例を示す。この図で分かるように、デバイス200は、全てが図11を参照して説明したとおり、スイッチ108、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後に、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する光出力をビーム経路106上に生成する発振器104を含むことができる。デバイス200では、発振器104は、発振器104を出射する光が主偏光方向を有するように、1つ又はそれ以上の偏光子及び/又はブルースター窓を含むことができる。図示するように、光学アイソレーター202は、4分の1波長組立体等の位相遅延光学体204と、発振器の主偏光方向に対して平行に整列された偏光子206とを含むことができる。この構成を用いると、主偏光方向で発振器を出射する光が偏光子206を通過し、位相遅延光学体2044分の1波長組立体によって変更を受けることになり、そこから円偏光で出射する。この光は、増幅器112、更にビーム調節器及び集束ユニット114へと続き、ターゲット材料から反射し、ここでプラズマ反射に起因して付加的な位相遅延が発生することになり、ビーム調節器及び集束ユニット114、更に増幅器112を通って戻り、位相遅延光学体2044分の1波長組立体上に楕円偏光状態で入射することになる。位相遅延光学体2044分の1波長組立体を通過する時に、光は再度変更を受けることになり、光のうちの約6~7が偏光子206を通じて漏れる偏光状態で位相遅延光学体2044分の1波長組立体を出射する。偏光子206では、位相遅延光学体2044分の1波長組立体からの光のうちの実質的な部分、例えば92~93が吸収/反射されることになる。増幅器112の大きい利得、例えば300~350ワット又はそれ以上に起因して実在する、偏光子206を通じて漏れる光は、ビーム遅延器110を通過して閉鎖されたスイッチ108に到達することになる。図13は、予備パルスシードレーザー、主パルスシードレーザー、及びシード保護ユニットを有するデバイス300の別の実施例を示す。この図に示すように、デバイス300は、出力を共通のビーム経路106上に導くビーム合成器306上に入射する光出力をビーム経路304上に生成する、図6、図7、図10に示すシードレーザー又は何らかの他の適切なシードレーザー等の、予備パルスシードレーザー302を含むことができる。例えば、ビーム合成器306は、回折格子、ダイクロイックビーム合成器、プリズム、体積ブラッグ格子偏光識別ビーム合成器、又は部分反射ビーム合成器とすることができる。ビーム合成器306は、予備パルスシードを反射し、主パルスシードを透過するように示されるが、ビーム合成器306は、主パルスシードを反射し、予備パルスシードを透過するように構成できることを理解されたい。共通のビーム経路106に入ると、予備パルスシード出力は、全て図11を参照して説明したように、スイッチ108、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後に、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する。また、デバイスは、共通のビーム経路106上に出力を導くビーム合成器306上に入射する光出力を生成する、図6、図7、図10に示すシードレーザーのうちの1つ又は何らかの他の適切なシードレーザー等の主パルスシードレーザー308を含む。共通のビーム経路106に入ると、主パルスシード出力は、スイッチ108、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する。デバイス300の1つの用途では、スイッチ108は最初に開放されて、予備パルスシードレーザーからのレーザーパルスがスイッチを通過することを可能にし、その後閉鎖されて、小滴からの予備パルス反射を遮断する。予備パルス持続時間及びスイッチ108から小滴までの経路長に関連する所定の期間の後に、主パルスシードレーザーからのレーザーパルスがスイッチを通過することを可能にするようにスイッチ108を開放することができ、その後スイッチ108は、小滴からの主パルス反射を遮断するように閉鎖される。その後、別のターゲット材料小滴を照射するために、このプロセスを繰り返すことができる。図14は、予備パルスシードレーザー、主パルスシードレーザー、及びシード保護ユニットを有するデバイス400の別の実施例を示す。この図に示すように、デバイス400は、出力を共通のビーム経路106上に導くビーム合成器306上に入射する光出力をビーム経路304上に生成する、図6、図7、図10に示すシードレーザー、又は何らかの他の適切なシードレーザー等の予備パルスシードレーザー302を含むことができる。例えば、ビーム合成器306は、回折格子、ダイクロイックビーム合成器、プリズム、体積ブラッグ格子偏光識別ビーム合成器、又は部分反射ビーム合成器とすることができる。共通のビーム経路106に入ると、予備パルスシード出力は、全て図11を参照して説明したように、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後に、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する。また、デバイスは、スイッチ108を通過した後に、共通のビーム経路106上に出力を導くビーム合成器306上に入射する光出力を生成する、図6、図7、図10に示すシードレーザーのうちの1つ、又はいずれかその他の適切なシードレーザー等の主パルスシードレーザー308を含む。共通のビーム経路106に入ると、主パルスシード出力は、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後に、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する。デバイス400の1つの用途では、スイッチ108は最初に閉鎖される。予備パルスシードレーザーからのレーザーパルスが発生して小滴へと導かれる。スイッチ108は、主パルスシードレーザーを小滴からの予備パルス反射から保護するように閉鎖される。予備パルス持続時間及びスイッチ108から小滴までの経路長に関連する所定の期間の後に、主パルスシードレーザーからのレーザーパルスがスイッチを通過することを可能にするようにスイッチ108を開放することができ、その後スイッチ108は、小滴からの主パルス反射を遮断するように閉鎖される。その後、別のターゲット材料小滴を照射するために、このプロセスを繰り返すことができる。図15は、予備パルスシードレーザー、主パルスシードレーザー、及びシード保護ユニットを有するデバイス500の別の実施例を示す。この図に示すように、デバイス500は、スイッチ108bを通過した後、出力を共通のビーム経路106上に導くビーム合成器306上に入射する光出力をビーム経路304上に生成する、図6、図7、図10に示すシードレーザー、又は何らかの他の適切なシードレーザー等の予備パルスシードレーザー302を含むことができる。例えば、ビーム合成器306は、回折格子、ダイクロイックビーム合成器、偏光識別ビーム合成器プリズム、体積ブラッグ格子、又は部分反射ビーム合成器とすることができる。共通のビーム経路106に入ると、予備パルスシード出力は、全て図11を参照して説明したように、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する。デバイスは、スイッチ108aを通過した後、共通のビーム経路106上に出力を導くビーム合成器306上に入射する光出力を生成する、図6、図7、図10に示すシードレーザーのうちの1つ、又は何らかの他の適切なシードレーザー等の主パルスシードレーザー308も含む。共通のビーム経路106に入ると、主パルスシード出力は、ビーム遅延器110、増幅器112、ビーム調節ユニット114を通過した後に、照射箇所116においてターゲット材料と相互作用する。デバイス500の1つの用途では、スイッチ108aは最初に閉鎖される。予備パルスシードレーザーからのレーザーパルスが発生して、開放されたスイッチ108bを通過し、小滴へと導かれる。続いて予備パルスシードレーザーを小滴からの予備パルス反射と主パルス反射との両方から保護するように、スイッチ108bが閉鎖される。予備パルス持続時間及びスイッチ108から小滴までの経路長に関連する所定の期間の後に、主パルスシードレーザーからのレーザーパルスがスイッチを通過することを可能にするようにスイッチ108aを開放することができ、その後、スイッチ108aは、小滴からの主パルス反射を遮断するように閉鎖される。その後、別のターゲット材料小滴を照射するために、このプロセスを繰り返すことができる。幾つかの実施例では、予備パルス反射がビーム合成器306に到達する間に、主パルスからのレーザーパルスが依然として到達するようにスイッチ108aを開放することができる。例えば、予備パルスと主パルスとの間の望ましい遅延は、予備パルス反射の間にスイッチ108aが開放されるようなものとすることができる。幾つかの場合には、ビーム合成器306は、入射光のうちの50パーセント超を反射し、50パーセント未満を透過する部分反射体とすることができる。例えば、ビーム合成器306が90パーセント反射体である場合には、光学アイソレーター202を通じて漏れる光のうちの90パーセントが閉鎖されたスイッチ108bに到達することになり、約10パーセントだけが主パルスシードレーザーに到達することになる。1つのプロセスでは、約100nsの予備パルス持続時間及び約100nsの主パルス持続時間の場合、予備パルスと主パルスとの間の約1000nsの遅延が適切とすることができる。図16は、図2Aに示す構成等の、予備パルスシードを用いない発振器-増幅器システムに対応することができる集束光ビームくびれ部400を示す。図16は、速度vで移動し、小滴404からの実質的な反射が始まる時点を示すためにビームくびれ部400への途中に置かれたターゲット材料小滴404を示す。特に、図示するように、実質的な反射は、ビーム経路406に垂直な表面を有する小滴404の一部がビームくびれ部400に進入する時に始まる。言い換えれば、小滴404の反射率は、増幅器54、54’、54’’、112例えば、図2A、図2B、図3~図5、及び図11~図15を参照されたいを通るビーム経路上で実質的になる。更に、この時点で、小滴404の反射率は、例えばシードレーザー出力カプラ等の光学体を備える増幅器を通る光学空洞を確立するのに十分なものとすることができる。更に、利得は、小滴及び光学体によって定義される光学空洞上の損失を超えることができ、光学体は、シード主パルスによる増幅器のシードの前に増幅器利得を減損させる、例えば出力カプラである。このことを念頭に置いて、本出願人は、予備シード相互作用の時間の間に光子が伝搬することができる往復数を低減することによって、増幅器シードの前の著しい増幅器利得減損を防止するように小滴-出力カプラ空洞の経路長が形成される構成を開示する。より具体的には、1つの構成において、ビーム経路上の照射箇所でビームくびれ部の直径Dを有する集束光との相互作用のために速度vで移動する、約25μmから40μmの範囲の直径を有するターゲット材料小滴に関して、くびれ部における予備シード相互作用時間Tを、T=D/2vと定義することができる。この構成では、lが出力カプラから照射箇所までの経路に沿った長さ、cがこの経路上の光の速度である場合、図11から図15のビーム遅延器110等のビーム折り返し光学構成を有するビーム遅延器は、往復伝搬時間2clがくびれ部における予備シード相互作用時間Tよりも長いように2cl>T形成することができる。定量的に説明すると、一般的な構成は、約25μmから40μmの範囲の直径dを有するターゲット材料小滴と、毎秒約50メートルから100メートルの範囲の小滴速度vと、約80μmから120μmの範囲のビームくびれ部直径Dとを含むことができる。v=65m/s及びD=100μmの構成では、約70メートルよりも長いビーム遅延器長に対応するものとすることができ、残りの長さが約45メートルの増幅器を含む約450nsよりも大きな長さlを用いることができる。図17は、異なる波長を有する予備パルス光と主パルス光とが、集束レンズの色収差に起因して異なるスポットに集束することを示す、EUV光源の一部分の簡略化した断面図を示す。更に詳細には、集束光学体46は、色収差を発生させる少なくとも1つのレンズ又は他の要素を含むことができる。図17に示すように、色収差は、波長λ1を有する予備パルス光ビーム500を小滴経路504に沿う場所502に集束させることができ、一方で波長λ2を有する主パルス光ビーム506を場所502からdだけ離間した場所508に集束させることができる。図18は、前述の集束光学体の色収差に起因して空間的に分離された予備パルスビームくびれ部602と主パルスビームくびれ部600とを示す。図18は、速度vで移動し、小滴604からの実質的な反射が始まる時点を示すために、予備パルスビームくびれ部602への途中に置かれたターゲット材料小滴604を示す。特に、図示するように、実質的な反射は、ビーム経路606に垂直な面を有する小滴604の一部分が主パルスビームくびれ部602に進入する時に始まる。言い換えれば、小滴604の反射率は、増幅器54、54’、54’’、112例えば、図2A、図2B、図3~図5、及び図11~図15を参照されたいを通るビーム経路上で実質的になる。更にこの時点で、小滴604の反射率は、シードレーザー出力カプラ、例えば、図6、図7に示す出力カプラ72、及び図10に示すもの出力カプラ92等の光学体を備える増幅器を通る光学空洞を確立するのに十分なものとすることができる。更に、利得は、小滴及び光学体によって定義される光学空洞上の損失を超えることができ、光学体は、シード主パルスによる増幅器のシードの前に増幅器利得を減損させる、例えば出力カプラである。このことを念頭に置いて、本出願人は、予備シード相互作用時間の間に光子が伝搬することができる往復数を低減することによって、増幅器シードの前の著しい増幅器利得減損を防止するように小滴-出力カプラ空洞の経路長を形成する構成を開示する。1つの構成において、ビーム経路上の照射箇所で予備パルスビームくびれ部の直径Dを有する集束光との相互作用のために速度vで移動する、約25μmから40μmの範囲の直径を有するターゲット材料小滴に関して、くびれ部における予備シード相互作用時間Tを、T=D/2vと定義することができる。この構成では、lが出力カプラから照射箇所までの経路に沿った長さ、cがこの経路上の光の速度である場合、ビーム遅延器は、図11から図15のビーム遅延器110等のビーム折り返し光学構成を有することができ、往復伝搬時間2clがくびれ部における予備シード相互作用時間Tよりも長いように2cl>T形成することができる。定量的に説明すると、一般的な構成は、約25μmから40μmの範囲の直径dを有するターゲット材料小滴と、毎秒約50メートルから100メートルの範囲の小滴速度vと、約80μmから120μmの範囲の予備パルスビームくびれ部直径Dとを含むことができる。v=65m/s及びD=100μmの構成では、約70メートルよりも長いビーム遅延器長に対応するものとすることができ、残りの長さが約45メートルの増幅器を含む約450nsよりも大きな長さlを用いることができる。米国特許法第112条を満たすことが必要とされる、本明細書で詳細に説明及び例示した特定の実施形態は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、述の実施形態のここで説明した態様は、請求した本発明によって広く考察された内容を単に例示しかつ代表することは、当業者によって理解されるであろう。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が1つ及び1つのみであることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、1つ又はそれよりも多いを意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び/又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び/又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が~のための手段という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が作用ではなく段階として列挙されていない限り、米国特許法第112条第6項の規定に基づいて解釈されないものとする。"