"直流電源からの電力を半導体素子からなるスイッチング素子を介して電力変換して電力駆動する負荷に出力する高圧電力系統と、低圧グラウンドとの間に、前記スイッチング素子の駆動による発熱温度上限値以上の耐熱温度を有する複数の半導体デバイスを、それらの導通方向が逆向きになるように直列接続したことを特徴とするノイズ低減回路。前記半導体デバイスを、スイッチング素子を搭載した回路を内包するケース内に配置したことを特徴とする請求項1に記載のノイズ低減回路。前記半導体デバイスは、ダイオードであることを特徴とする請求項1又は2に記載のノイズ低減回路。前記半導体デバイスは、MOSFETであることを特徴とする請求項1又は2に記載のノイズ低減回路。前記複数のダイオードは、前記スイッチング素子が実装される基板上に重ねて設けられることを特徴とする請求項1ないし4の何れか一項に記載のノイズ低減回路。しかしながら、上述したYコンデンサとして用いられるフィルムコンデンサやセラミックコンデンサなどのキャパシタは、図10に示すように、高温時に容量低下が生じてしまう。とりわけ電源回路のインバータに用いられるスイッチング素子の近傍にYコンデンサを配置した場合、駆動状況によってスイッチング素子が高温となるため、コンデンサが高温となり容量が低下してコモンモードノイズを十分に抑制できなくなる虞があるという課題がある。一方、スイッチング素子からの影響を抑制するためにインバータユニットの外部にYコンデンサを配置することも考えられるが、Yコンデンサ用の配置スペースを確保する分だけ機器小型化が妨げられてしまう。この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、機器小型化を図ることができるとともに高温下であってもコモンモードノイズを十分に抑制することができるノイズ低減回路を提供するものである。上記の課題を解決するために、請求項1に記載した発明は、直流電源例えば、実施形態におけるバッテリ19からの電力を半導体素子からなるスイッチング素子例えば、実施形態における半導体スイッチング素子11,12を介して電力変換して電力駆動する負荷に出力する高圧電力系統と、低圧グラウンド例えば、実施形態におけるボディ17との間に、前記スイッチング素子の駆動による発熱温度上限値以上の耐熱温度を有する複数の半導体デバイス例えば、実施形態におけるダイオード26,27,26a,27a、n型MOSFET126,127、p型MOSFET226,227を、それらの導通方向が逆向きになるように直列接続したことを特徴としている。請求項2に記載した発明は、請求項1に記載の発明において、前記半導体デバイスを、スイッチング素子を搭載した回路を内包するケース例えば、実施形態におけるケースC内に配置したことを特徴としている。請求項3に記載した発明は、請求項1又は2に記載の発明において、前記半導体デバイスは、ダイオード例えば、実施形態におけるダイオード26,27,26a,27aであることを特徴としている。請求項4に記載した発明は、請求項1又は2に記載の発明において、前記半導体デバイスは、MOSFET例えば、実施形態におけるn型MOSFET126,127、p型MOSFET226,227であることを特徴とする。請求項5に記載した発明は、請求項1ないし4の何れか一項に記載の発明において、前記複数のダイオードは、前記スイッチング素子が実装される基板例えば、実施形態における基板ユニット30上に重ねて設けられることを特徴とする。請求項1に記載した発明によれば、高圧電力系統と低圧グラウンドとの間に、導通方向が対向するように複数の半導体デバイスが直列接続されるので、半導体デバイスの寄生容量を用いてコモンモードノイズを十分に抑制することができる。さらに、コモンモードノイズを低減するためのキャパシタンスとして高温下の温度特性に優れる半導体デバイスの寄生容量を利用することで、インバータのスイッチング素子近傍に半導体デバイスを配置しつつキャパシタンスの変化を少なくすることができるため、コモンモードノイズを十分に抑制しつつ機器小型化を図ることができる効果がある。請求項2に記載した発明によれば、駆動状況によっては高温となるスイッチング素子と同一ケース内に、従来のYコンダクタ用のキャパシタよりも温度特性に優れる半導体デバイスを配置してケース内のスペースを有効利用することができるため、ケース外にYコンダクタ用のキャパシタを配置する場合と比較して機器小型化を図ることができる効果がある。請求項3に記載した発明によれば、従来のYコンダクタ用のキャパシタよりも高温下の温度特性に優れるダイオードの寄生容量をYコンデンサのキャパシタンスとして利用して、コモンモードノイズの低減および機器小型化を図ることができる効果がある。請求項4に記載した発明によれば、従来のYコンダクタ用のキャパシタよりも高温下での温度特性に優れるMOSFETの寄生容量をYコンデンサのキャパシタンスとして利用して、コモンモードノイズの低減および機器小型化を図ることができる効果がある。請求項5に記載した発明によれば、ダイオードを2つ重ねて直列接続することで、2つのダイオードをそれぞれ平置きして直列接続する場合と比較して基板の面積を縮小して更なる機器小型化を図ることができる効果がある。次に、この発明の第1実施形態におけるノイズ低減回路について図面を参照しながら説明する。図1は、この実施形態のノイズ低減回路が適用されたインバータ装置1を示しており、このインバータ装置1は、例えば車両に搭載されたモータ制御系のインバータ装置として用いられる。インバータ装置1は、直列に接続された一対の半導体スイッチング素子11,12と、正極端子13と、負極端子14と、出力端子15とを具備する半導体モジュール16と、この半導体モジュール16に対して絶縁されたボディ低圧系グラウンド17とを備え、直流電源であるバッテリ19が接続される。半導体モジュール16は、負荷であるモータの相数に応じた数だけ設けられ、各半導体モジュール16の出力端子15間にモータコイルが接続される。なお、図1においては、1相分の半導体モジュール16を示す以下、図2、図5、図6も同様。半導体スイッチング素子11,12は、例えばp型MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorであって、ハイ側の半導体スイッチング素子11のソースとロー側の半導体スイッチング素子12のドレインとが出力端子15に接続されている。つまり、1対の半導体スイッチング素子11,12は、直列接続されて、その中点18が出力端子13に接続されている。ハイ側の半導体スイッチング素子11は、そのドレインが正極端子P13に接続され、ロー側の半導体スイッチング素子12は、そのソースが負極端子N14に接続されている。各半導体スイッチング素子11,12のドレイン-ソース間には、ソースからドレインに向けて順方向となるようにして、転流用のダイオード20,20が並列接続されている。正極端子P13はバッテリ19の正極側に接続され、負極端子N14はバッテリ19の負極側に接続されている。ボディ17と正極端子13との間、および、ボディ17と負極端子14との間には、バッテリ19の正極側および負極側のラインに重畳されるコモンモードノイズを低減する目的でノイズ低減回路25が接続されている。ノイズ低減回路25は、複数の半導体デバイス、より具体的には2つのダイオード26,27をこれらの導通順方向が逆向き、より具体的にはアノード同士が接続されるように直列接続されたものを、ボディ17と正極端子13との間、および、ボディ17と負極端子14との間に接続して備える。つまり、ノイズ低減回路25には、正極端子13側、負極端子14側、および、ボディ17側の何れの方向からも直流電流が流入しないような回路構成になっている。なお、上記ノイズ低減回路25では、アノード同士を接続して2つのダイオード26,27を直列接続する場合について説明したが、導通方向すなわちダイオード26,27の順方向が逆向きになるように直列接続されていればよく、例えば、図2に示す第1実施形態の第1変形例のように、ノイズ低減回路25aのダイオード26,27の互いのカソード同士を接続して、2つのダイオード26,27を直列接続するようにしても良い。ノイズ低減回路25のダイオード26,27は、PN接合された電力整流用のいわゆるパワー半導体であって、スイッチング素子11,12の駆動による発熱温度以上の十分な耐熱温度を有している。半導体モジュール16は、半導体スイッチング素子11,12を搭載した基板ユニット30図3参照を内包するケースCを具備しており、上述したノイズ低減回路25のダイオード26,27は、半導体スイッチング素子11,12と同一のケースC内に収められる。図3は、上述した半導体モジュール16の平面図であって、絶縁基板31の互いに平行な辺部32,33のうち、一方の辺部32に正極端子13が取り付けられ、他方の辺部33に負極端子14が取り付けられる。また、正極端子13が取り付けられる辺部32と負極端子14が取り付けられる辺部33とを繋ぐ辺部34には出力端子15が取り付けられる。絶縁基板31の周縁には、その全周に帯状且つ略矩形状の低圧グラウンド用電極面35が露出される。この低圧グラウンド用電極面35は、上述したボディ17と電気的に接続されている。上記正極端子13、負極端子14、および、出力端子15は、低圧グラウンド用電極面35上を跨いでおり、これら正極端子13、負極端子14、および、出力端子15は、低圧グラウンド用電極面35とは電気的に絶縁されている。絶縁基板31には、低圧グラウンド用電極面35の露出部分よりも内側に、正極端子13側から負極端子14側に向かって順に、正極側の高圧側電極面36、中点の高圧側電極面38、および、負極側の高圧側電極面37がそれぞれ並んでパターニングされている。正極側の高圧側電極面36には、上述した半導体モジュール16の半導体スイッチング素子11と転流用のダイオード20とがマウントされ、半導体スイッチング素子11のドレインとダイオード20のカソードとがそれぞれ正極側の高圧側電極面36に電気的に接続される。さらに半導体スイッチング素子11のソースおよびダイオード20のアノードは、中点の高圧側電極面38にボンディングワイヤ40により電気的に接続される。なお、図3においては、図示都合上、半導体スイッチング素子11のゲートに接続される接続線を省略している。中点の高圧側電極面38には、半導体スイッチング素子12と転流用のダイオード20がマウントされ、半導体スイッチング素子12のドレインとダイオード20のカソードとがそれぞれ負極側の高圧側電極面37に電気的に接続される。半導体スイッチング素子12のソースおよびダイオード20のアノードは、負極側の高圧側電極面37にボンディングワイヤ40により電気的に接続される。なお、ボンディングワイヤ40を用いて半導体スイッチング素子11のソースおよびその転流用のダイオード20のアノードを中点の高圧側電極面38に接続したり、半導体スイッチング素子12のドレインとその転流用のダイオード20のカソードとを負極側の高圧側電極面37に接続する一例を説明したが、半導体スイッチング素子11およびダイオード20を中点の高圧側電極面38、負極側高圧側電極面37に接続可能であれば接続手段はボンディングワイヤ40に限られるものではない。図3、図4に示すように、半導体モジュール16の正極側の高圧側電極面36と負極側の高圧側電極面37とには、それぞれノイズ低減回路25を構成するチップ型の2つのダイオード26,27が重ねて接続換言すれば、積層して接続される。これら重ねて接続された2つのダイオード26,27のうち、下側のダイオード26は、そのアノードが正極側の高圧側電極面36および負極側の高圧側電極面37に電気的に接続される。そして、2つのダイオード26,27の互いに対向する側には、それぞれのカソードが配置されて、これらカソード同士が電気的に接続される。さらに2つのダイオード26,27のうち、上側のダイオード27は、そのアノードがワイヤボンディング41により低圧グラウンド用電極面35に接続される。上述した正極端子13は、正極側の高圧側電極面36に電気的に接続され、出力端子15は、中点の高圧側電極面38に電気的に接続され、負極端子14は、負極側の高圧側電極面37に電気的に接続される。つまり、ノイズ低減回路25は、正極端子13と低圧グラウンド用電極面35との間に接続されるとともに、負極端子14と低圧グラウンド用電極面35との間に接続されることとなる。したがって、上述した第1実施形態のノイズ低減回路25によれば、高圧電力系統であるバッテリ19のプラス側に接続される正極端子13、および、バッテリ19の負極側に接続される負極端子14と、ボディ17との間に、それぞれ導通方向が対向するように2つのダイオード26,27が直列接続されるので、ダイオード26,27の寄生容量を用いてコモンモードノイズを十分に抑制することができる。さらに、コモンモードノイズを低減するためのキャパシタンスとして高温下の温度特性に優れるダイオード26,27の寄生容量を利用することで、インバータ装置1の半導体スイッチング素子11,12の近傍にノイズ低減回路25のダイオード26,27を配置しつつキャパシタンスの変化を少なくすることができるため、コモンモードノイズを十分に抑制しつつ機器小型化を図ることができる。また、駆動状況によっては高温となるインバータ装置1の半導体スイッチング素子11,12と同一ケースC内に、従来のYコンダクタ用のキャパシタよりも温度特性に優れるノイズ低減回路25のダイオード26,27を配置してケースC内のスペースを有効利用することができるため、ケースCの外部にYコンダクタ用のキャパシタを配置する場合と比較して機器小型化を図ることができる。さらに、ノイズ低減回路25のダイオード26,27を2つ重ねて直列接続することで、2つのダイオード26,27をそれぞれ平置きして直列接続する場合と比較して基板ユニット30の面積を縮小して更なる機器小型化を図ることができる。次に、この発明の第2実施形態におけるノイズ低減回路125について図面を参照しながら説明する。なお、ノイズ低減回路125を除く構成については上述した第1実施形態と同一であるため、同一部分に同一符号を付して詳細説明を省略する。図5は、この実施形態におけるノイズ低減回路125が適用されたインバータ装置101であり、このインバータ装置101は、上述した第1実施形態のインバータ装置1と同様に、直列に接続された一対の半導体スイッチング素子11,12と、正極端子13と、負極端子14と、出力端子15とを具備する半導体モジュール16と、半導体モジュール16に対して絶縁されたボディ低圧系グラウンド17と、直流電源であるバッテリ19とを備えて構成される。ボディ17と正極端子14との間、および、ボディ17と負極端子14との間には、バッテリ19の正極側および負極側のラインに重畳されるコモンモードノイズを低減する目的でノイズ低減回路125が接続されている。ノイズ低減回路125は、複数の半導体デバイス、より具体的には2つのn型MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor126,127をこれらn型MOSFET126,127の導通方向が逆向き、より具体的には、ドレイン同士が接続されるように直列接続して形成される。n型MOSFET126,127は、電力のスイッチングを行ういわゆるパワースイッチング素子であり、上述した半導体スイッチング素子11,12の駆動による発熱温度以上の十分な耐熱温度を有している。上記n型MOSFET126,127は、ゲート電圧のハイローにかかわらず、ソースからドレインに向かう電流が阻止されるため、n型MOSFET126,127のドレイン同士を接続したノイズ低減回路125には、正極端子13側、負極端子14側、および、ボディ17低圧グラウンド用電極面35側の何れの方向からも直流電流が流れない。上述したノイズ低減回路125においては、n型MOSFET126,127のドレイン同士を接続して2つのn型MOSFET126,127を直列接続していたが、直流電流が流れる導通方向が逆向きになるように直列接続されていればよく、例えば、図6に示す第2実施形態の第1変形例のノイズ低減回路125aのように、n型MOSFET126,127のソース同士を接続して、2つのn型MOSFET126,127を直列接続するようにしてもよい。さらに、上述した第2実施形態のノイズ低減回路125では、n型MOSFET126,127のドレイン同士を接続して用いていたが、例えば、図7に示す第2実施形態の第2変形例のノイズ低減回路125bのように、上述したn型MOSFET126,127を、ドレイン同士を接続して直列接続したp型MOSFET226,227に置き換えることもできる。これはp型MOSFET226,227が、ゲート電圧にかかわらずドレインからソースに向かう直流電流を流さないためである。さらに、図8に示す第3変形例のノイズ低減回路125cのように、p型MOSFET226,227のソース同士を接続するようにしても良い。したがって、上述した第2実施形態によれば、従来のYコンダクタ用のキャパシタよりも高温下での温度特性に優れるn型MOSFET126,127の寄生容量をYコンデンサのキャパシタンスとして利用することができるため、半導体スイッチング素子11,12近傍が高温下であっても、半導体スイッチング素子11,12の近傍の同一ケースC内に配置されるn型MOSFET126,127の寄生容量変化が少なく、十分なコモンモードノイズの低減および機器小型化を図ることができる。なお、この発明は上述した各実施形態の構成に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、上記各実施形態では、ノイズ低減回路25,125,25a,125a~125cが、各2つの半導体デバイスを直列接続して形成される場合について説明したが、これら構成に限られるものではなく、3つ以上の半導体デバイスを直列接続するようにしてもよい。さらに、上述した各実施形態では、半導体スイッチング素子11,12がMOSFETの場合を一例に説明したが、インバータ用のスイッチング素子であればMOSFETに限られるものではない。また、上述した第1実施形態では、ダイオード26,27を重ねて接続する場合について説明したが、図9に示す第1実施形態の第2変形例のように、高圧側電極面36,37と低圧グラウンド用電極面35とにそれぞれダイオード26,27を載置して、各カソード、又は各アノードを、高圧側電極面36,37と低圧グラウンド用電極面35とにそれぞれ接続して、これらダイオード26,27のアノード同士又はカソード同士をボンディングワイヤ41などで互いに接続するようにしても良い。"