"電子線の光源と、前記電子線を試料に照射する照射光学系と、前記試料に前記電子線を照射して得られる前記試料の像を結像する対物レンズと、当該対物レンズにより結像された前記試料の像を拡大結像または縮小結像するための少なくとも第1電磁レンズと第2電磁レンズとを有する電子線干渉装置において、前記対物レンズにより結像される前記試料の像面に対応する位置に配置される第1の電子線バイプリズムと、前記第1の電子線バイプリズムよりも電子線の進行方向下流側で、かつ、前記第1の電子線バイプリズムの陰の空間内に配置される第2の電子線バイプリズムとを有し、前記第1電磁レンズは、前記第2電磁レンズよりも前記電子線の進行方向上流側に配置され、前記第1電磁レンズ内に前記第1の電子線バイプリズムが配置されていることを特徴とする電子線干渉装置。電子線の光源と、前記光源から放出される電子線を試料に照射するための照射光学系と、前記電子線が照射する試料を保持するための試料保持装置と、前記試料の像を結像するための少なくとも1つの電磁レンズから構成される対物レンズ系と、対物レンズ系により結像された前記試料の像を拡大結像もしくは縮小結像するための少なくとも2つの電磁レンズから構成される結像レンズ系と、前記試料の像を観察あるいは記録するための手段を有するとともに、電子光学系の光軸上で前記対物レンズ系により結像される前記試料の像面のいずれか1つの位置に一致する第1の電子線バイプリズムと、前記第1の電子線バイプリズムよりも電子線の進行方向下流側で、かつ、前記第1の電子線バイプリズムの陰の空間内に配置される第2の電子線バイプリズムと、を備えた電子線干渉装置であって、前記結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズは、磁場を発生させる電磁コイルと、磁路を形成する高透磁率材と、電子線の進行方向の上流側第1番目に位置する第1の磁極を成す高透磁率材と、前記第1の磁極の下流側に位置する第2の磁極を成す高透磁率材と、前記第1の磁極と前記第2の磁極とを接続固定する非磁性材と、から成る前記磁路から着脱可能な一体型ポールピースを構成するとともに、前記第1の磁極と第2の磁極を含む空間内に前記第1の電子線バイプリズムを配置する、ための手段を有することを特徴とする電子線干渉装置。前記結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズの前記ポールピースの下流側に前記第2の電子線バイプリズムを配置する、ための手段を有することを特徴とする請求項2に記載の電子線干渉装置。前記結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズの前記ポールピースを構成する前記第2の磁極に前記第2の電子線バイプリズムを配置する、ための手段を有することを特徴とする請求項2に記載の電子線干渉装置。前記結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズの前記ポールピースを構成する前記第1の磁極と前記第2の磁極との間に前記第2の電子線バイプリズムを配置する、ための手段を有することを特徴とする請求項2に記載の電子線干渉装置。前記結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズを構成する電磁コイルが、コイルの軸が一致する少なくとも2つのコイルにより構成されるとともに、該電磁コイルの間に前記第1の電子線バイプリズムもしくは前記第2の電子線バイプリズム、もしくは前記第1の電子線バイプリズムと前記第2の電子線バイプリズムの両方を、着脱もしくは駆動させるための手段を有することを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載の電子線干渉装置。前記第1の磁極に前記第1の電子線バイプリズムが配置されていることを特徴とする請求項2から6のいずれかに記載の電子線干渉装置。前記結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズが、焦点距離5mm~20mmの範囲で使用されることを特徴とする請求項7に記載の電子線干渉装置。前記第1の磁極と前記第2の磁極との間に前記第1の電子線バイプリズムが配置されていることを特徴とする請求項2から6のいずれかに記載の電子線干渉装置。前記結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズが、焦点距離1mm~10mmの範囲で使用されることを特徴とする請求項9に記載の電子線干渉装置。電子線の光源と、前記電子線を試料に照射する照射光学系と、前記試料に前記電子線を照射して得られる前記試料の像を結像する対物レンズと、当該対物レンズにより結像された前記試料の像を拡大結像または縮小結像するための少なくとも第1電磁レンズと第2電磁レンズとを有する電子線干渉装置において、前記対物レンズにより結像される前記試料の像面に対応する位置に配置される第1の電子線バイプリズムと、前記第1の電子線バイプリズムよりも電子線の進行方向下流側で、かつ、前記第1の電子線バイプリズムの陰の空間内に配置される第2の電子線バイプリズムとを有し、前記第1の電子線バイプリズムは、前記第1電磁レンズ内における当該第1電磁レンズ主面の電子線の進行方向上流側で、かつ主面の近傍に配置され、前記第2の電子線バイプリズムは、前記第1電磁レンズ主面の電子線の進行方向下流側で、かつ主面の近傍に配置されていることを特徴とする電子線干渉装置。前記対物レンズの直下の前記光源の像面から前記対物レンズによる前記試料の像面までの距離をDUとし、前記第1電磁レンズの直下の前記光源の像面から前記第1電磁レンズによる前記試料の像面までの距離をDLとしたとき、より前記距離DUと、前記距離DLとが、前記照射光学系の励磁条件に依存しないことを特徴とする請求項11に記載の電子線干渉装置。前記電子線の波長をλとし、前記第1の電子線バイプリズムによる電子線の偏向角度をαUとし、前記第2の電子線バイプリズムによる電子線の偏向角度をαLとし、前記対物レンズの直下の前記光源の像面と前記第1電磁レンズの主面との距離をa2とし、前記第1電磁レンズの主面と前記第1電磁レンズの直下の前記光源の像面との距離をb2とし、前記対物レンズの直下の前記光源の像面から前記対物レンズによる前記試料の像面までの距離をDUとし、前記第1電磁レンズの直下の前記光源の像面から前記第1電磁レンズによる前記試料の像面までの距離をDLとし、前記第2の電子線バイプリズムと前記第1電磁レンズによる前記試料の像面までの距離をLLとしたとき、数式5で表わされる前記第1電磁レンズによる前記試料の像面に形成される干渉縞の縞間隔sが、前記照射光学系の励磁条件に依存しないことを特徴とする請求項11に記載の電子線干渉装置。前記対物レンズの直下の前記光源の像面から前記対物レンズによる前記試料の像面までの距離をDUとし、前記第1電磁レンズの直下の前記光源の像面から前記第1電磁レンズによる前記試料の像面までの距離をDLとしたとき、より前記距離DUと、前記距離DLとが、前記照射光学系の励磁条件に依存しないことを特徴とする請求項1に記載の電子線干渉装置。前記電子線の波長をλとし、前記第1の電子線バイプリズムによる電子線の偏向角度をαUとし、前記第2の電子線バイプリズムによる電子線の偏向角度をαLとし、前記対物レンズの直下の前記光源の像面と前記第1電磁レンズの主面との距離をa2とし、前記第1電磁レンズの主面と前記第1電磁レンズの直下の前記光源の像面との距離をb2とし、前記対物レンズの直下の前記光源の像面から前記対物レンズによる前記試料の像面までの距離をDUとし、前記第1電磁レンズの直下の前記光源の像面から前記第1電磁レンズによる前記試料の像面までの距離をDLとし、前記第2の電子線バイプリズムと前記第1電磁レンズによる前記試料の像面までの距離をLLとしたとき、数式5で表わされる前記第1電磁レンズによる前記試料の像面に形成される干渉縞の縞間隔sが、前記照射光学系の励磁条件に依存しないことを特徴とする請求項1に記載の電子線干渉装置。従来の電子顕微鏡において2段の電子線バイプリズムを用いた干渉計の構成について、電磁レンズと電子線バイプリズムとの機械的な位置関係を図5Aに、対応する光学系を図5Bに示す。一般に、対物レンズ下側の結像レンズは電磁コイルの中央部にポールピースが配置される構成となっており、電子線バイプリズムは電磁レンズフランジの間に設置される。すなわち、図5Aに示すごとく、第1の電子線バイプリズム91は対物レンズフランジ550と第1の結像レンズフランジ561の間に、第2の電子線バイプリズム93は第1の結像レンズフランジ561と第2の結像レンズフランジ562の間に設置される。この機械的構成のため、第1の結像レンズ61にとっては、第2の電子線バイプリズム93は第1の結像レンズ61のレンズ主面よりかなり下側に位置することになり、2段電子線バイプリズム干渉光学系を構築するためには、第1の結像レンズ61は弱励磁条件で使用しなければならない。そのため、第1の結像レンズ61による第2の像面位置72が第2の結像レンズ62の主面に近づきすぎたり、第2の結像レンズの主面より後方になる場合があり、第2の結像レンズ、および第3の結像レンズ63など後段の結像レンズの励磁条件には大きな制約が課せられてしまうことになる。さらに、上記光学系図5Bでは、第1の結像レンズ61による光源の像12は、対物レンズ5による光源の像11に対して十分に縮小結像されない拡大の場合もあるため、照射光学系4により、試料3への電子線の照射条件を変更する試料上方の光源の像14の位置を変更すると光軸2上の光源の像12の位置が大きく変化してしまう。すなわち図13の式3中のパラメータDL図3参照が大きく変化してしまい、結果として干渉条件干渉縞間隔sと干渉領域幅Wに大きな変化が生じてしまう。このため同じ干渉条件の干渉顕微鏡像を得ようとすると、試料3への電子線の照射条件を変更する都度、光学系の再調整が必要であった。上記課題を解決するための一例として本発明では、電子線の光源と、前記電子線を試料に照射する照射光学系と、前記試料に前記電子線を照射して得られる前記試料の像を結像する対物レンズと、当該対物レンズにより結像された前記試料の像を拡大結像または縮小結像するための少なくとも第1電磁レンズと第2電磁レンズとを有する電子線干渉装置において、前記対物レンズにより結像される前記試料の像面に対応する位置に配置される第1の電子線バイプリズムと、前記第1の電子線バイプリズムよりも電子線の進行方向下流側で、かつ、前記第1の電子線バイプリズムの陰の空間内に配置される第2の電子線バイプリズムとを有し、前記第1電磁レンズは、前記第2電磁レンズよりも前記電子線の進行方向上流側に配置され、前記第1電磁レンズ内に前記第1の電子線バイプリズムが配置されている電子線干渉装置を提供する。試料への電子線の照射条件の変更に起因した干渉条件干渉縞間隔sと干渉領域幅Wを変化させることなく、観察領域の変更や観察倍率の変更に伴う光学系の修正を必要としない、汎用性の高い2段電子線バイプリズム干渉計が実現できる。図6Aは、本願における2段の電子線バイプリズムを搭載した電子線干渉装置の対物レンズフランジ550と、対物レンズフランジ550の下側の結像レンズフランジ2段561、562の構成について示した模式図である。図中、上部に描かれている対物レンズポールピース511の磁極間に試料3と対物絞り53が配されている。試料3と対物絞り54はサイドエントリー型で対物レンズフランジ550の側面から差し込む機構で描かれているが、これは一例でありこの形式に限るものではない。対物レンズ5の電磁コイル515は3段構成で各電磁コイルの間には、励磁電流によるジュール熱を冷却するための冷却装置517が配されている。この電磁コイル515の段数やヨーク516の形状、冷却装置517の位置構成についても本図に限るものではない。対物レンズフランジ550の下側電子線の進行方向下流側に、第1の結像レンズフランジ561が配され、さらに第1の結像レンズフランジ561の下側に第2の結像レンズフランジ562が描かれている。第1の結像レンズ61のポールピース611の上部磁極612には、第1の電子線バイプリズム91を設置するための手段が設けられており、第2の電子線バイプリズム93は第1の結像レンズポールピース611の直下に配される構成である。第1の結像レンズポールピース611の上部第1磁極612と下部第2613磁極を含む空間内において、上部磁極612に第1の電子線バイプリズムを設置するに際しては、該上部磁極612に溝をつける、もしくは孔を空けるなどの構造上機構上の工夫が施されていることは言うまでもない。また、第1結像レンズ61の電磁コイル615は一体ではなく電子線バイプリズムホルダ92、94もしくはその着脱および駆動機構を挟んで上下に分割された構造を成すことにより、第1の結像レンズフランジ561の中央部に位置する第1結像レンズポールピース611の上部磁極612に第1の電子線バイプリズム91を配置すること、第1の結像レンズポールピース611の直下に第2の電子線バイプリズム93を配置することが可能となる。該両電子線バイプリズムホルダ92、94も、試料ホルダ35や対物絞りホルダ54と同様にサイドエントリー型であり、第1の結像レンズフランジ561の側面から導入される機構であるが、このためにはヨーク616に孔を空けるなどの工夫が施されている。また、第1の結像レンズ61の電磁コイル615は対物レンズ5の電磁コイル515と同じ3段構成としているが、これは第1結像レンズ61が対物レンズ5と同様の強励磁条件で使用されることを模式的に表すためで、電磁レンズを短焦点にするには、この図の様に巻数Nを増やして電磁コイルのアンペアターンNIを増大させる方法だけでなく、式1に示したように、ポールピースの磁極間距離dgや磁極の孔径dpを小さくする方法も有効であることは言うまでもない。また、ヨーク616の形状、電磁コイルの冷却装置617の構成についても図6Aの構成の限りではない。第1の結像レンズフランジ561の下側の第2の結像レンズフランジ562に関しては、従来型の電磁コイル625、ヨーク626、ポールピース621の構成を一例として示している。図6Bに、図6Aに描いた電子レンズの構成で構築される2段電子線バイプリズム干渉光学系の一例を示している。試料3の上側に照射光学系4による光源の像14があり、これを新たな光源14として射出した電子線により試料3が照射される。試料の像31は、対物レンズ5により第1の電子線バイプリズムの極細線電極91の位置71に結像され、さらにその像31が第1の結像レンズ61で第2の結像レンズ62の物面に結像されている第2像面72。このとき第2の電子線バイプリズムの極細線電極93は第1の電子線バイプリズムの極細線電極91の陰の領域に配置される。第1の電子線バイプリズムの極細線電極91が、第1の結像レンズ61の主面近傍の上側例えば機械構成としてはポールピース611の上部磁極612の近傍図6Aに位置しているので、第1の結像レンズ61は十分に短焦点の拡大光学系として利用可能となる。また、第2の電子線バイプリズム93が第1の結像レンズ61の主面の下側近傍例えば第1結像レンズ61のポールピース611の直下の、第1の結像レンズ61が光源の像12を結像する空間位置の近傍に配置されるので、第2の電子線バイプリズムの極細線電極93は第1の電子線バイプリズムの極細線電極91の陰の領域に容易に配置することが可能となる。さらに、本実施例1の光学系図6Bは、図5Bに記載した従来の2段電子線バイプリズム干渉系の光学系と比較すれば明らかな様に、第1の結像レンズ61を経た試料の像72の拡大率が向上しているとともに、光源の像12の縮小率も向上している。すなわち、試料3への電子線の照射条件を照射光学系4により変更しても、第1の結像レンズ61による光源の像12の光軸2上の位置はほとんど変化せず図13中の式3、および式4中のDLとLLの値が変化しない、結果として干渉条件sとWは変化しない。すなわち、照射条件の変更に伴う干渉条件の変化は発生せず、同じ干渉顕微鏡像を得ることが可能となる。図7に実施例1と同様に、上部第1磁極612と下部第2613磁極を含む空間内の内、第1の電子線バイプリズム91を第1の結像レンズポールピース611の上部磁極612に配置し、第2の電子線バイプリズム93を第1の結像レンズポールピース611の直下に配置するとともに、対物レンズフランジを2段551、552に構成した、第2の実施例の構成を模式的に示す。第1の対物レンズフランジ551は従来と同様の強励磁型の構造をとり、試料ホルダ35とともに対物絞りホルダ54もサイドエントリー型とした一例を示している。第2の対物レンズフランジ552は、従来型の結像レンズと同様の構成としている。これらの構成は一例であり、この例に限るものではない。第1の対物レンズフランジ551と第2の対物レンズフランジ552の間には電子線バイプリズム45と絞りホルダ44主には制限視野絞りとして利用されることが想定されるが配置されている。また、第2の対物レンズフランジ552と第1の結像レンズフランジ561の間、そして、第1の結像レンズフランジ561と第2の結像レンズフランジ562の間にも、それぞれ電子線バイプリズム45と絞りホルダ44を配置しているが、これらは従来の電子顕微鏡により構成される2段電子線バイプリズム干渉光学系図5A参照を本願における電子線干渉装置においても構築可能とするための設置であり、これにより電子光学系および電子線干渉光学系の構築に際して飛躍的に汎用性を高めることが可能となる。しかし、多数の電子線バイプリズム45、絞りホルダ44の設置は、本願の干渉光学系に必須のものではない。図8は、本願における第3の実施例を示したものである。図中、上部に描かれている対物レンズフランジ550と最下部に描かれている第2の結像レンズフランジ562は、第1の実施例と同じ構成である。また、第1の結像レンズ61のポールピース611の上部磁極612に、第1の電子線バイプリズム91を設置するための手段が設けられているところも、第1の実施例と同じ構成である。しかし、本実施例においては、第1の結像レンズポールピース611の下部磁極613に、第2の電子線バイプリズム93を設置するための手段が設けられている。これにより、第1の実施例の光学系よりも第2の電子線バイプリズム93を、第1の結像レンズ61による光源の像12の近傍、特に第1の結像レンズ61をより強励磁条件としたときの光源の像12の近傍に配置することが可能となり、第2の電子線バイプリズム93による電子線への偏向角度αLが小さい場合でも、大きな干渉領域幅Wを得ることが可能となる。すなわち、電界型電子線バイプリズムの場合には、極細線電極の耐電圧性能への要求条件は緩和される。第1の電子線バイプリズム91と第2の電子線バイプリズム93を図8に示した位置に設置する手段として、第1の結像レンズポールピース611の上下の磁極612、613への構造機構上の配慮、電磁コイル615の分割振り分け配置、ヨーク616への孔の設置と電子線バイプリズム着脱駆動機構の設置などの工夫が成されていることは実施例1と同様である。また、図8に描かれた対物レンズフランジ550と第1の結像レンズフランジ561と第2の結像レンズフランジ562の、それぞれのポールピース511、611、621、電磁コイル515、615、625、ヨーク516、616、626、そして電磁コイルの冷却装置517、617、627の構成は、いずれも一例であり、図示の構成の限りではない点も実施例1と同様である。なお、実施例2と同様に、対物レンズ系を複数の電磁レンズから構成すること、各電磁レンズフランジの間に複数の別なる電子線バイプリズム45や複数の絞りホルダ44を設置すること、などの汎用性を高める構成についても図示は省略するが実施可能である。本第3の実施例の構成により構築される2段電子線バイプリズム干渉計の光学系は、第1の結像レンズ61と第2の電子線バイプリズム93との距離が実施例1図6Bとは異なるが、光学系としての特徴は一致しているため、図示を省略する。図9は、本願における第4の実施例を示したものである。図中、上部に描かれている対物レンズフランジ550と最下部に描かれている第2の結像レンズフランジ562は、第1、第3の実施例と同じ構成である。また、第1の結像レンズ61のポールピース611の上部磁極612に、第1の電子線バイプリズム91を設置するための手段が設けられているところも第1、第3の実施例と同じ構成である。しかし、本第4の実施例においては、第1の結像レンズポールピース611の磁極間に、第2の電子線バイプリズム93を設置するための手段が設けられている。この第2の電子線バイプリズム93の設置位置は、対物レンズポールピース511における対物絞り54の設置位置と対応している。すなわち、第2の電子線バイプリズム93を強励磁のときの第1の結像レンズ61による光源の像面712に一致させる、もしくは第1の結像レンズによる光源の像面712に極めて近い位置に配置することが可能となる構成である。これは、先述の2段電子線バイプリズム干渉光学系での第2の電子線バイプリズム93の位置に関して、DL-LL=0の条件を容易に実現可能な構成であり、干渉顕微鏡像のパラメータ干渉縞間隔sと干渉領域幅Wを完全独立に制御可能な干渉計とできる。第1の電子線バイプリズム91と第2の電子線バイプリズム93を図9に示した位置に設置する手段として、第1の結像レンズポールピース611の上下の磁極612、613への構造機構上の配慮、電磁コイル615の分割振り分け配置、ヨーク616への孔の設置と電子線バイプリズム着脱駆動機構の設置などの工夫が成されていることは、実施例1、実施例3と同様である。また、図9に描かれた対物レンズフランジ550と第1の結像レンズフランジ561と第2の結像レンズフランジ562の、それぞれのポールピース511、611、621、電磁コイル515、615、625、ヨーク516、616、626、そして電磁コイルの冷却装置517、617、627の構成は、いずれも一例であり、図示の構成の限りではない点も実施例1、実施例3と同様である。なお、実施例2と同様に、対物レンズ系を複数の電磁レンズから構成すること、各電磁レンズフランジの間に複数の別なる電子線バイプリズム45や複数の絞りホルダ44を設置すること、などの汎用性を高める構成についても図示は省略するが実施可能である。本実施例の構成により構築される2段電子線バイプリズム干渉計の光学系は、第1の結像レンズ61と第2の電子線バイプリズム93との距離が実施例1図6Bとは異なるが、光学系としての特徴は一致しているため、図示を省略する。図10は、本願における第5の実施例を示したものである。図中、上部に描かれている対物レンズフランジ550と最下部に描かれている第2の結像レンズフランジ562は、第1、第3、第4の実施例と同じ構成である。また、第1の結像レンズ61のポールピース611の直下に、第2の電子線バイプリズム93を設置するための手段が設けられているところは、第1の実施例と同じ構成である。しかし、本実施例においては、上部第1磁極と下部第2磁極を含む空間内の内、第1の結像レンズポールピース611の磁極間に、第1の電子線バイプリズム91を設置するための手段が設けられている。この第1の電子線バイプリズム91の設置位置は、対物レンズポールピース511における試料3の位置と対応している。すなわち、第1の結像レンズ61は、対物レンズ5と同程度に強励磁条件で使用可能であり、焦点距離fも前記実施例よりもさらに短く、1mmから2mm程度にすることが可能である。これにより、前記実施例よりもさらに第1の結像レンズ61の下側の光源の像12の光軸2上の位置が照射光学系4の使用条件に依存しなくなり、図13中の式3および式4中のDLとLLの値が変化せず、同じ干渉条件での干渉顕微鏡像観察が可能となる。第1の電子線バイプリズム91と第2の電子線バイプリズム93を図10に示した位置に設置する手段として、第1の結像レンズポールピース611の上下の磁極612,613への構造機構上の配慮、電磁コイル615の分割振り分け配置、ヨーク616への孔の設置と電子線バイプリズム着脱駆動機構の設置などの工夫が成されていることは、実施例1など前記実施例と同様である。また、図10に描かれた対物レンズフランジ550と第1の結像レンズフランジ561と第2の結像レンズフランジ562の、それぞれのポールピース511、611、621、電磁コイル515、615、625、ヨーク516、616、626、そして電磁コイルの冷却装置517、617、627の構成は、いずれも一例であり、図示の構成の限りではない点も実施例1など前記実施例と同様である。なお、実施例2と同様に、対物レンズ系を複数の電磁レンズから構成すること、各電磁レンズフランジの間に複数の別なる電子線バイプリズム45や複数の絞りホルダ44を設置すること、などの汎用性を高める構成についても図示は省略するが実施可能である。本実施例の構成により構築される2段電子線バイプリズム干渉計の光学系は、第1の電子線バイプリズム91と第1の結像レンズ61との距離が実施例1図6Bとは異なるが、光学系としての特徴は一致しているため、図示を省略する。図11は、本願における第6の実施例を示したものである。図中、上部に描かれている対物レンズフランジ550と最下部に描かれている第2の結像レンズフランジ562は、第1、第3、第4、第5の実施例と同じ構成である。また、第1の結像レンズ61のポールピース611の磁極間に、第1の電子線バイプリズム91を設置するための手段が設けられているところは第5の実施例と、第1の結像レンズポールピース611の下部磁極613に第2の電子線バイプリズム93を設置するための手段が設けられているところは、第3の実施例と同じ構成である。第1の電子線バイプリズム91の設置位置は、対物レンズポールピース511における試料3の位置と対応しており、第1の結像レンズ61は、対物レンズと同程度に強励磁条件で、すなわち、1mmから2mm程度の短焦点距離で使用可能である。これにより、前記、第1、第3、第4の実施例よりもさらに第1の結像レンズ61の下側の光源の像12の光軸2上の位置が照射光学系4の使用条件に依存しなくなり、図13中の式3および式4中のDLとLLの値が変化せず、同じ干渉条件での干渉顕微鏡像観察が可能となる。また、第2の電子線バイプリズム93は、第5の実施例の光学系よりも第1の結像レンズ61による光源の像12の近傍、特に第1の結像レンズ61をより強励磁条件としたときの光源の像12の近傍に配置することが可能となり、第2の電子線バイプリズム93による電子線への偏向角度αLが小さい場合でも、大きな干渉領域幅Wを得ることが可能となる。すなわち、電界型電子線バイプリズムの場合には、極細線電極の耐電圧性能への要求条件は緩和される。第1の電子線バイプリズム91と第2の電子線バイプリズム93を図11に示した位置に設置する手段として、第1の結像レンズポールピース611の上下の磁極612、613への構造機構上の配慮、電磁コイル615の分割振り分け配置、ヨーク616への孔の設置と電子線バイプリズム着脱駆動機構の設置などの工夫が成されていることは、実施例1など前記実施例と同様である。また、図11に描かれた対物レンズフランジ550と第1の結像レンズフランジ561と第2の結像レンズフランジ562の、それぞれのポールピース511、611、621、電磁コイル515、615、625、ヨーク516、616、626、そして電磁コイルの冷却装置517、617、627の構成は、いずれも一例であり、図示の構成の限りではない点も実施例1など前記実施例と同様である。なお、実施例2と同様に、対物レンズ系を複数の電磁レンズから構成すること、各電磁レンズフランジの間に複数の別なる電子線バイプリズム45や複数の絞りホルダ44を設置すること、などの汎用性を高める構成についても図示は省略するが実施可能である。本第6の実施例の構成により構築される2段電子線バイプリズム干渉計の光学系は、第1の電子線バイプリズム91と第1の結像レンズ61との距離、および第1の結像レンズ61と第2の電子線バイプリズム93との距離が実施例1図6Bとは異なるが、光学系としての特徴は一致しているため、図示を省略する。図12は、本願における第7の実施例を示したものである。図中、上部に描かれている対物レンズフランジ550と最下部に描かれている第2の結像レンズフランジ562は、第1、第3、第4、第5、第6の実施例と同じ構成である。また、第1の結像レンズ61のポールピース611の磁極間に、第1の電子線バイプリズム91を設置するための手段が設けられているところは第5、第6の実施例と、第2の電子線バイプリズム93を設置するための手段も第1の結像レンズポールピース611の磁極間に設けられているところは第4の実施例と同じ構成である。第1の電子線バイプリズム91の設置位置は、対物レンズポールピース511における試料3の位置と対応しており、第1の結像レンズ61は、対物レンズ5と同程度に強励磁条件で、すなわち、1mmから2mm程度の短焦点距離で使用可能である。これにより、前記、第1、第3、第4の実施例よりもさらに第1の結像レンズ61の下側の光源の像12の光軸2上の位置が照射光学系の使用条件に依存しなくなり、図13中の式3および式4中のDLとLLの値が変化せず、同じ干渉条件での干渉顕微鏡像観察が可能となる。第2の電子線バイプリズム93の設置位置は、対物レンズポールピース511における対物絞り54の設置位置と対応している。すなわち、第2の電子線バイプリズム93を、強励磁条件としたときの第1の結像レンズ61による光源の像面712に一致させる、もしくは光源の像面712に極めて近い位置に配置することが可能となる構成である。これは、先述の2段電子線バイプリズム干渉光学系での電子線バイプリズムの位置に関して、DL-LL=0の条件を容易に実現可能な構成であり、干渉顕微鏡像のパラメータ干渉縞間隔sと干渉領域幅Wを完全独立に制御可能な干渉計とできる。第1の電子線バイプリズム91と第2の電子線バイプリズム93を図12に示した位置に設置する手段として、第1の結像レンズポールピース611の上下の磁極612、613への構造機構上の配慮、電磁コイル615の分割振り分け配置、ヨーク616への孔の設置と電子線バイプリズム着脱駆動機構の設置などの工夫が成されていることは、実施例1など前記実施例と同様である。また、図12に描かれた対物レンズフランジ550と第1の結像レンズフランジ561と第2の結像レンズフランジ562の、それぞれのポールピース511、611、621、電磁コイル515、615、625、ヨーク516、616、626、そして電磁コイルの冷却装置517、617、627の構成は、いずれも一例であり、図示の構成の限りではない点も実施例1など前記実施例と同様である。なお、実施例2と同様に、対物レンズ系を複数の電磁レンズから構成すること、各電磁レンズフランジの間に複数の別なる電子線バイプリズム45や複数の絞りホルダ44を設置すること、などの汎用性を高める構成についても図示は省略するが実施可能である。本第7の実施例の構成により構築される2段電子線バイプリズム干渉計の光学系は、第1の電子線バイプリズム91と第1の結像レンズ61との距離、および第1の結像レンズ61と第2の電子線バイプリズム93との距離が実施例1図6Bとは異なるが、光学系としての特徴は一致しているため、図示を省略する。上述の実施例1から7において説明したように、本発明においては、2段電子線バイプリズム干渉計として好適な干渉光学系を実現するため、電子線バイプリズムが配置される電磁レンズの構成と、該電子線バイプリズムと該電磁レンズの干渉光学系での相対位置の構成に関して成されたもので、1第1の電子線バイプリズムの下側の第1の結像レンズを強励磁条件で使用すること、2第1、第2の電子線バイプリズムを、第1の結像レンズの主面近傍、かつ主面を挟んだ上下に設置すること、32を実現するために、第1の結像レンズのポールピースへ電子線バイプリズムを設置する手段を設けること、43に加えて、第1の結像レンズの電磁コイルを分割する、もしくは、該電磁コイルとポールピースの空間位置を分離するなどの構成上機構上の工夫を施すこと、により試料への電子線の照射条件の変更に伴って生じる干渉条件の変化を抑制することができる。以上、第1から第7の実施例において、2段の電子線バイプリズム91、93が配置される第1の結像レンズフランジ561の構成として、電磁コイル615が上下に振り分けられた構成の物を図示図6から図12したが、これらは一例であり、電子線バイプリズム91、93が、第1の結像レンズ61のポールピース611近傍に配置できる構成であれば、本願を実施することは可能であり、例えば、第1の結像レンズフランジ561として、対物レンズフランジ550の構成を用いることも可能である。上述してきた実施例における内容を確認的に例示すると、電子線干渉装置において、電子線の光源と、前記電子線を試料に照射する照射光学系と、前記試料に前記電子線を照射して得られる前記試料の像を結像する対物レンズと、当該対物レンズにより結像された前記試料の像を拡大結像または縮小結像するための少なくとも第1電磁レンズと第2電磁レンズとを有し、前記対物レンズにより結像される前記試料の像面に対応する位置に配置される第1の電子線バイプリズムと、前記第1の電子線バイプリズムよりも電子線の進行方向下流側で、かつ、前記第1の電子線バイプリズムの陰の空間内に配置される第2の電子線バイプリズムとを有し、前記第1電磁レンズは、前記第2電磁レンズよりも前記電子線の進行方向上流側に配置され、前記第1電磁レンズ内に前記第1の電子線バイプリズムが配置されていることを特徴とする電子線干渉装置を含むものである。また、結像レンズ系に属する電子線の進行方向の上流側第1番目の電磁レンズは、磁場を発生させる電磁コイルと、電子線の進行方向の上流側に位置する第1の磁極と、第1の磁極の下流側に位置する第2の磁極と、第1の磁極と前記第2の磁極とを接続固定する部材とを有し、磁路より着脱可能なポールピースを構成するとともに、第1の磁極と第2の磁極とを含む空間に第1の電子線バイプリズムを配置し、第1の電子線バイプリズムよりも電子線の進行方向下流側で、かつ、第1の電子線バイプリズムの陰の空間内に第2の電子線バイプリズムが配置された電子線干渉装置を含むものである。"