基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有し、前記吸収層には転写回路パターンが形成された反射型マスクにおいて、前記転写回路パターン領域の外側に形成され、且つ多層反射層の各界面により発生する反射強度を抑制する遮光枠を有し、当該遮光枠に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質が、前記転写回路パターン領域に対応する領域に位置する前記吸収層と同等であることを特徴とする反射型マスクブランク。請求項1に記載の反射型マスクブランクを製造する反射型マスクブランクの製造方法において、多層反射層の少なくとも成膜以降に、遮光枠となる領域に予め電子線を照射することによって、前記多層反射層内部のミキシング層を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。前記多層反射層の遮光枠領域への電子線による加熱処理温度は、少なくとも150度以上であることを特徴とする請求項2に記載の反射型マスクブランクの製造方法。前記多層反射層内部のミキシング層を形成する電子線照射は、加速電圧が少なくとも20kV以上であることを特徴とする請求項2に記載の反射型マスクブランクの製造方法。前記多層反射層内部のミキシング層を形成する電子線照射は、ドーズ量が少なくとも10μC/cm2以上であることを特徴とする請求項2に記載の反射型マスクブランクの製造方法。基板と、前記基板表面に形成された前記多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有し、前記吸収層に形成された回路パターンの領域の外側に極端紫外光の反射率の低い遮光枠を有することを特徴とする反射型マスク。請求項6に記載の反射型マスクを製造する反射型マスクの製造方法において、基板のマスク作製工程中あるいは工程後に、遮光枠となる領域に電子線を照射することによって、前記多層反射層内部のミキシング層を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。しかしながら、吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することで遮光枠を形成する場合、遮光枠の形成にリソグラフィによるパターニング工程が新たに発生し、反射型マスクを製造する工程が複雑となるため、歩留まりの悪化が懸念される。特にマスク作製工程における多層反射層の掘り込みはSiとMoの合計80層を加工する必要があり、加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招いてしまう。さらにこの方法では、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がほんの数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。さらには多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。そこでレーザ照射やイオン注入に比べて、パターン領域への膜ダメージが少なく、なおかつ後工程を必要としない簡易的な手段が必要とされる。本発明は遮光枠の形成において、マスク作製時のリソグラフィ、エッチングなどによるパターニング工程を必要しないので欠陥面でのマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供することを目的とする。本発明の請求項1に係る反射型マスクブランクは、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有し、前記吸収層には転写回路パターンが形成された反射型マスクにおいて、前記回路パターン領域の外側に形成され、且つ多層反射層の各界面により発生する反射強度を抑制する遮光枠を有し、当該遮光枠に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質が、前記転写回路パターン領域に対応する領域に位置する前記吸収層と同等であることを特徴とする。請求項2に係る発明は、請求項1に記載の反射型マスクブランクを製造する反射型マスクブランクの製造方法において、多層反射層の少なくとも成膜以降に、遮光枠となる領域に予め電子線を照射することによって、前記多層反射層内部のミキシング層を形成することを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項2に記載の反射型マスクブランクの製造方法において、前記多層反射層の遮光枠領域への電子線による加熱処理温度は、少なくとも150度以上であることを特徴とする。請求項4に係る発明は、請求項2に記載の反射型マスクブランクの製造方法において、前記多層反射層内部のミキシング層を形成する電子線照射は、加速電圧が少なくとも20kV以上であることを特徴とする。請求項5に係る請求項2に記載の反射型マスクブランクの製造方法において、前記多層反射層内部のミキシング層を形成する電子線照射は、ドーズ量が少なくとも10μC/cm2以上であることを特徴とする。請求項6に係る反射型マスクは、基板と、前記基板表面に形成された前記多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有し、前記吸収層に形成された回路パターンの領域の外側に極端紫外光の反射率の低い遮光枠を有することを特徴とする。請求項7に係る発明は、請求項6に記載の反射型マスクを製造する反射型マスクの製造方法において、基板のマスク作製工程中あるいは工程後に、遮光枠となる領域に電子線を照射することによって、前記多層反射層内部のミキシング層を形成することを特徴とする。本発明は、多層反射層のミキシング工程に電子線描画装置を使用することにより、既存のマスク製造ラインを使用することができるため、新たな装置導入の負担がない。また、遮光枠の反射率を低下させる別な方法として、多層反射層をエッチングする工程が提案されているが、本発明ではそのような後工程は不要である。以上より、本発明はマスクの欠陥品質を低下することなく、多層反射層から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠を形成することができる。この反射型マスクを使用することによって、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。本発明の反射型マスクブランクの構成以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。まず、本発明の反射型マスクブランクの構成について説明する。図1a~dは、本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400の断面を示している。即ち、本発明のブランクの構成は、100、200、300、400のいずれを用いてもよい。図2は、図1a~dの本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400を上面から見た図である。図1aに示す反射型マスクブランク100は、基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されている。図1bに示す反射型マスクブランク200は基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されていると共に、基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。つまり、図1bの反射型マスクブランク200は、図1aの反射型マスクブランク100の基板11の裏面に導電膜71が形成されている。図1cの反射型マスクブランク300は、基板11の表面に多層反射層21、緩衝層41、吸収層51が順次形成されている。図1dの反射型マスクブランク400は、図1cの反射型マスクブランク300の基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。遮光枠となる領域の多層反射層21には、EUV光の反射率が低くなるように処理されたミキシング層領域21aを有する。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細次に、反射型マスクブランクの構成多層反射層、緩衝層、吸収層、裏面導電膜について説明する。これらの膜はいずれもスパッタリング法により形成する。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:多層反射層図1a、bの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデンMoとシリコンSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウムRuで構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。この場合、Mo一層とSi一層を交互に積層したものを一対1ペアとする。MoやSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収消衰係数が小さく、且つMoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、MoとSiの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層の最上層のRuは、吸収層の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。或いは、多層反射層を構成する材料は、EUV光の反射率特性の良いモリブデンMoとベリリウムBeを用いても良い。図1c、dの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、最上層はSi層で構成されている。この場合の多層反射層の最上層のSiも、上述したRuと同様の役割を果たす。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:緩衝層図1c、dの緩衝層41は、吸収層51のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層21の最上層であるSi層を保護するために設けられており、クロムCrの窒素化合物CrNで構成されている。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:吸収層図1a~dの吸収層51は、13.5nm近傍のEUVに対して吸収率の高いタンタルTaの窒素化合物TaNで構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBN、タンタルシリコンTaSi、タンタルTaや、それらの酸化物TaBON、TaSiO、TaOでも良い。図1a~dの吸収層51は、上層に波長190~260nmの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた2層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。本発明の反射型マスクブランクの構成の詳細:裏面導電膜図1b及び図1dの導電膜71は、一般にはCrNで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。本発明の反射型マスクの説明本発明の反射型マスクの構成を説明する。前記図1aの反射型マスクブランク100から作製した反射型マスク101を図3aに示す。前記図1bの反射型マスクブランク200から作製した反射型マスク201を図3bに示す。前記図1cの反射型マスクブランク300から作製した反射型マスク301を図3cに示す。前記図1dの反射型マスクブランク400から作製した反射型マスク401を図3dに示す。いずれも、多層反射層21の上部の吸収層51及び緩衝層41がある場合は緩衝層41を掘り込むことによって、回路パターン領域85を有する反射型マスクが形成される。また、図4は、図3a~dの本発明の反射型マスク101、201、301、401を上面からみた図である。通常の吸収層領域非遮光枠領域80と遮光枠領域90と回路パターン領域85から構成されている。このようにして、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスクを得る。本発明のマスクブランクからマスクを製造する方法次に、反射型マスク及び反射型マスクの製造方法について説明する。図1に示す反射型マスクブランク100もしくは200を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層51をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51に回路パターン領域85が形成された、図3に示す反射型マスク101もしくは201を得る。あるいは、図1に示す反射型マスクブランク300もしくは400を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層51をエッチングし、次いで塩素プラズマにより緩衝層41をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51および緩衝層41に回路パターン領域85が形成された、図3に示す反射型マスク301もしくは401を得る。このようにして、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスクを得る。本発明の遮光枠となるミキシング層の製造方法について説明する。電子線を一定の時間、連続的に照射して熱エネルギーを蓄積させることで、遮光枠となる多層反射層の領域を局所的に加熱して、MoとSiの材料のミキシング層拡散層を形成させることができる。これによってミキシング層のEUV光の反射率は、ミキシングさせる前の多層反射層に比べて反射率が急激に低下する。多層反射層のミキシングを発生させるには、150°Cの温度で少なくとも60分以上、あるいは600°Cの温度で少なくとも1分以上の加熱が必要である。定性的には高温になるほど、加熱処理は短時間で済む。我々の実験によれば、加熱温度150°Cの場合は60分の処理で、600度の場合は1分で、反射率が概ね4分の1に低下する。4分の1以下にすれば、実際のEUV露光において、隣接するチップの重なり合う部分多重露光部の感光は充分に防げる。何故なら、本発明のブランクの構成は、遮光枠となる多層反射層領域の上層に、吸収層を残しているからである。照射する電子線は、典型的には加速電圧1kV以上を利用する。電子線照射で被照射物が蓄積するエネルギーは、電子線の加速電圧V×電流密度A/cm2×照射時間secの積で表される。ここで、電流密度×照射時間=ドーズ量μC/cm2であるため、加速電圧とドーズ量が電子線のエネルギーを決定することになる。電子線が高エネルギーである程、すなわち、加速電圧が高くドーズ量が大きいほど、被照射物は高温で加熱される。そこで、本発明のミキシング工程を効率的に行うには、電子線の入射条件はできる限り高い加速電圧と大きいドーズ量であることが好ましい。例えば、加速電圧が50kVの場合には、ドーズ量は少なくとも40μC/cm2の照射条件であればよく、多層反射層にミキシング層を十分に形成できる。これよりも加速電圧が低い場合には、ドーズ量を上げる必要がある。次に、多層反射層のミキシング工程を行うタイミングについて説明する。反射型マスクブランクに対してミキシング工程を施す場合、少なくとも多層反射層が形成された後であれば良く、多層反射層、緩衝層、吸収層、裏面導電膜の有無には限定されない。反射型マスクに対してミキシング工程を施す場合には、少なくともレジスト膜が形成されていない状態でミキシング工程の処理を行う。なぜなら、レジスト膜が形成された工程で、ミキシング工程を目的とした電子線照射を行うと、レジストヒーティングの影響によって、回路パターン領域のCD寸法の変動や、描画機への汚染の懸念があるためである。以上により、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスクブランクと反射型マスクを得る。以下、本発明の反射型マスクブランクの製造方法の実施例を説明する。図5aに本実施例で用意した低熱膨張ガラス基板111を示す。次いで、波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64程度となるように設計されたMoとSiの40ペアの積層及び最上層にRuをもつ多層反射層121とTaNからなる吸収層151をスパッタリング装置により順次形成し、反射型マスクブランクを作製した図5b、。このとき、吸収層151の膜厚は50nmとした。上記遮光枠となる領域の多層反射層121は、EUV光の反射率が低くなるように処理されたミキシング層領域121aを有する。次いで、前記反射型マスクブランクに対して、ホットプレートにより温度と処理時間を振った加熱テストを行い、処理後のEUV光の反射率を測定したところ、温度と処理時間に対して、反射率の低下が確認できた。図6に結果を示す。まず、温度150°C、時間10分の加熱処理条件1では、反射率は1.7であった。一方、温度を300°Cに上げた場合、時間10分の加熱処理条件にて反射率は0.4となり、加熱処理条件1に比べて1/4に低下した。また、時間を60分に長くした場合は、温度150°Cの加熱処理条件で反射率が0.4となった。このようにして、温度と時間を適宜設定することで、反射率が1/4以下に低下する。その結果、実際のEUV露光において、隣接するチップの重なり合う部分多重露光部の感光は十分に防ぐことができる。実施例1と同様に反射型マスクブランクを作製し、加速電圧とドーズ量を振った電子線照射テストを行い、そのEUV光の反射率を測定したところ、加速電圧とドーズ量に対して、反射率の低下が確認できた。結果を図7に示す。まず、加速電圧20kVの場合、ドーズ量10μC/cm2の照射条件1では、反射率は、1.8であった。この加速電圧から、さらにドーズ量を100μC/cm2に上げることによって、反射率は0.4に低下した。また、加速電圧50kVの場合には、ドーズ量40μC/cm2の照射条件で、反射率が0.4に低下した。さらに、加速電圧100kVの場合には、ドーズ量10μC/cm2の照射条件で、反射率が0.4に低下した。このように、加速電圧が高い程、反射率が低下するために必要とするドーズ量は少なくてすむ。あるいは、加速電圧を固定している場合、ドーズ量を適宜上げることによって、前記の加熱テストと同様に、反射率を1/4以下に低下することができる。実施例2の結果から、加速電圧50kV、ドーズ量40μC/cm2の電子線照射条件にて作製した遮光枠を有する反射型マスクを作製し、露光テストを実施した。まず、図8にその作製工程を示す。反射型マスクブランク100に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥離洗浄を行い、吸収層151に回路パターン185を形成し、本発明の遮光枠チップ外周部を取り囲むように幅2mmの帯状に配置を有する反射型マスク101を作製した。電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジストFEP171富士フイルムエレクトニクスマテリアルズ製を用いて、レジスト層161を形成する。レジスト層形成には、公知の塗布方法を使用することができる。均一に塗布するためにスピンコーターを使用することが望ましい。次に、描画機JBX9000日本電子製によってドーズ15μC/cm2描画した後に、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム2.38現像液によりレジストパターン184を形成した図8c。吸収層151のエッチングにはCl2の誘導結合型プラズマを適用した。作製した反射型マスク101を用いて13.5nmのEUVを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した4つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。