"成長容器内の一端側に種結晶を配置し、他端側に原料を配置して、前記原料を昇華させて化合物半導体単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造装置であって、前記成長容器を収容する加熱炉と、前記成長容器の周囲に配置されると共に前記加熱炉内を低温区画と高温区画に仕切る熱遮蔽部材と、前記高温区画内にあって前記成長容器における他端側の周囲に配置される原料加熱手段と、前記成長容器を支持すると共に前記成長容器を移動可能な支持部とを備え、前記支持部は、化合物半導体単結晶を成長させるときに、前記成長容器内の単結晶成長部が前記低温区画に存在し、前記成長容器内の原料部が前記高温区画に存在するように、前記低温区画側に前記成長容器を移動可能であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。前記支持部の移動時において、前記支持部の移動速度が前記化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体単結晶の製造装置。加熱炉内に収容される成長容器内で原料を昇華させて化合物半導体単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造方法であって、熱遮蔽部材が周囲に配置された前記成長容器を加熱して、前記加熱炉内を前記熱遮蔽部材で低温区画と高温区画に仕切る加熱工程と、前記成長容器内の単結晶成長部を前記低温区画に、前記成長容器内の原料部を前記高温区画に存在するように保ちながら、前記成長容器を支持する支持部を、前記成長容器と共に前記低温区画側に向かって移動させる成長容器移動工程と、を備えたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。前記成長容器移動工程において、前記支持部の移動速度が前記化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きくなるように、前記支持部を移動させることを特徴とする請求項3に記載の化合物半導体単結晶の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載の単結晶の製造方法では、長時間の結晶成長を行う場合、単結晶の成長速度が予想値よりも低減するという問題があった。単結晶の成長初期には、単結晶成長表面の位置が単結晶を加熱する比較的低温な低温区画に存在するため、原料を加熱する加熱手段からの対流熱や輻射熱を断熱することができる。その結果、成長方向の温度勾配が大きくなるため、成長速度が増大する。ところが、長時間の成長により単結晶の厚さが増加し、単結晶の成長表面の位置が原料を加熱する比較的高温な高温区画に到達すると、原料を加熱する加熱手段からの対流熱や輻射熱によって、単結晶成長表面の温度が本来目的とする温度よりも高温になってしまう。そのため、単結晶成長表面と原料表面との温度差が小さくなり、単結晶の成長速度が低減する。また、特許文献1に記載の単結晶の製造方法では、単結晶成長表面と原料表面との温度差を大きくするために、単結晶を加熱するヒータと、原料を加熱するヒータとの間に熱遮蔽部材が挿入されており、単結晶成長表面と原料表面との温度差を広げることが可能である。しかし、この場合、上記の温度差をほぼ一定の状態に保つことができるだけであって、成長方向の温度勾配がこれ以上増加しないため、成長速度をより向上させるためには、他の手段が必要であった。以上の問題点から、従来技術における成長速度のさらなる改善には、単結晶成長表面と原料表面との温度差、すなわち、成長方向の温度勾配の増加や、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な手段が必要であった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加することが可能であると共に、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、坩堝を支持する支持部自体に着目して鋭意検討した。その結果、支持部を移動させることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち本発明は、成長容器内の一端側に種結晶を配置し、他端側に原料を配置して、原料を昇華させて化合物半導体単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造装置であって、成長容器を収容する加熱炉と、成長容器の周囲に配置されると共に加熱炉内を低温区画と高温区画に仕切る熱遮蔽部材と、高温区画内にあって成長容器における他端側の周囲に配置される原料加熱手段と、成長容器を支持すると共に成長容器を移動可能な支持部とを備え、支持部は、化合物半導体単結晶を成長させるときに、成長容器内の単結晶成長部が低温区画に存在し、成長容器内の原料部が高温区画に存在するように、低温区画側に成長容器を移動可能であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置である。本発明の化合物半導体単結晶の製造装置によれば、加熱炉内が低温区画と高温区画に仕切ることができるよう成長容器の周囲に熱遮蔽部材が配置され、成長容器内の単結晶成長部が低温区画に、成長容器内の原料部が高温区画に存在できるように保持する。そして、この状態が保たれたまま、単結晶の成長中に、成長容器を支持する支持部が低温区画側に向かって成長容器を移動できるよう設定する。この場合、上記位置関係が保たれることにより、単結晶成長表面の位置を熱遮蔽部材よりも常に上部に保つことができる。したがって、結晶成長が進み、結晶膜厚が増えても、単結晶が原料部を過熱する高温区画に到達することがなくなるので、単結晶の成長表面と原料部との温度差を均一に保つことができ、長時間の結晶成長により単結晶の厚さが増加しても成長速度が落ちることがなく、結晶成長を行うことが可能となる。ここで、高温区画とは原料の昇華温度以上の温度で加熱された区画であり、低温区画とは高温区画よりも低温で加熱された区画である。また、本発明は、支持部の移動時において、支持部の移動速度が化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きいことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置である。本発明の化合物半導体単結晶の製造装置によれば、支持部が移動するときに、支持部の移動速度を、単結晶の成長速度よりも大きい移動速度で移動することができるよう設定する。この場合、単結晶の成長が進むにつれ、単結晶の成長表面が、既に設定されていた低温区画である加熱炉の上部側にシフトしていく。そのため、単結晶成長部と原料部との温度差がより大きくなり、従来技術よりも結晶成長速度をより一層向上することができる。また、本発明は、加熱炉内に収容される成長容器内で原料を昇華させて化合物半導体単結晶を製造する化合物半導体単結晶の製造方法であって、熱遮蔽部材が周囲に配置された成長容器を加熱して、加熱炉内を熱遮蔽部材で低温区画と高温区画に仕切る加熱工程と、成長容器内の単結晶成長部を低温区画に、成長容器内の原料部を高温区画に存在するように保ちながら、成長容器を支持する支持部を、成長容器と共に低温区画側に向かって移動させる成長容器移動工程と、を備えたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法である。本発明の化合物半導体単結晶の製造方法によれば、加熱炉内を低温区画と高温区画に仕切るように、熱遮蔽部材を成長容器の外周部を取り囲むように用いて、成長容器内の単結晶成長部を低温区画に、原料部を高温区画に存在できるように保持する。そして、この状態を保ちながら、単結晶の成長中に、成長容器を支持する支持部を、成長容器と共に低温区画側に向かって移動させる。この場合、上記位置関係が保たれることにより、単結晶成長表面の位置を熱遮蔽部材よりも常に上部に保つことができる。したがって、結晶成長が進み、結晶膜厚が増えても、単結晶が原料部を加熱する高温区画に到達することがなくなるので、単結晶の成長表面と原料部との温度差を均一に保つことができ、長時間の結晶成長により単結晶の厚さが増加しても成長速度が落ちることがなく、結晶成長を行うことが可能となる。また、本発明は、成長容器移動工程において、支持部の移動速度が化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きくなるように、支持部を移動させることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法である。本発明の化合物半導体単結晶の製造方法によれば、支持部を移動させるときに、支持部の移動速度が化合物半導体単結晶の成長速度よりも大きくなるように、支持部を移動させることにより、単結晶成長が進むにつれ、単結晶の成長表面が、既に設定されていた低温区悪である加熱炉の上部側にシフトしていく。そのため、単結晶成長部と原料部との温度差がより大きくなり、従来技術よりも結晶成長速度をより一層向上することができる。本発明によれば、従来技術と比べて、単結晶の成長表面と原料表面との温度差をより一層増加させることができ、単結晶の厚さが増加しても成長速度が落ちることなく、結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供することができる。1第一実施形態化合物半導体単結晶の製造装置以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明に係る化合物半導体単結晶の製造装置の第一実施形態を説明する概略図であって、aは誘導コイルを用いた場合の化合物半導体単結晶の製造装置を示す概略図、bは誘導コイルを用いない場合の化合物半導体単結晶の製造装置を示す概略図である。図1aに示すように、化合物半導体単結晶の製造装置以下、単に製造装置と呼ぶことがある。100は、化合物半導体単結晶5の成長が行われる成長容器1と、成長容器1を支持する支持部2と、成長容器1本体の外周に沿って配置され、原料6を加熱する原料加熱手段3と、これら各部を包囲する加熱炉4とから概略構成されている。成長容器1は、内底部に単結晶粉末などの原料6が収容される坩堝7と、坩堝7を密閉する蓋体8とを有している。蓋体8は、蓋体8の表面8aに種結晶9が固定された状態で、種結晶9を坩堝7の内側になるように向けて、坩堝7を密閉するように固定される。以下、蓋体8における種結晶9の固定面を表面8aと定義する。坩堝7および蓋体8を構成する材料としては、熱伝導性の材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、グラファイト、アルミナ、マグネシア、ジルコニアおよび石英などが用いられる。これらの材料の中でも、経済的、高温耐熱性の観点から、グラファイトを用いることが好ましい。なお、グラファイトを用いると、焼成中に生起される炭素雰囲気により炭素原子が単結晶5に入り込むため、黒鉛が核になって多結晶化したり、炭素ドープにより導電性が増加したりするなど結晶品質の低下が懸念される。したがって、これを防ぐために、坩堝7の内壁面7aおよび蓋体8の表面8aは、窒化タングステン等の金属窒化物で被覆されていることが好ましい。支持部2は、成長容器1を支持するために設けられており、成長容器1を載せた状態で上下移動や回転移動が可能な構造となっている。すなわち、結晶成長中に支持部2を上下移動や回転移動させることにより、成長容器1も上下移動もしくは回転移動することが可能となっている。また、支持部2の形状は、成長容器1を支持することが可能であれば、T字型や筒型等のいかなる形状であってもよい。支持部2の材料としては、熱伝導性や耐熱性に優れた黒鉛やタンタルカーバイド等が用いられるが、タンタルは比較的高価な材料であるため、全体的に黒鉛を使用するか、部分的にタンタルカーバイドを用いることで、コスト削減を図ることができる。原料加熱手段3の加熱方式としては、誘導加熱による自己発熱方式または抵抗加熱による自己発熱方式が用いられる。原料加熱手段3は、ヒータ等の抵抗加熱体で構成されている。抵抗加熱体としては、熱伝導性や耐熱性に優れた黒鉛等のカーボン系材料やタングステン系材料等の材料からなるものが用いられる。誘導加熱による自己発熱方式を用いる場合、図1aに示すように、原料加熱手段3と対向するように誘導コイル10が配設される。この場合、誘導コイル10は成長容器1本体の外周に沿って螺旋状に巻かれている。自己発熱方式では、誘導コイル10に、高周波電流を印加することにより、熱伝導性の材料からなる原料加熱手段3を誘導加熱し、その輻射熱により坩堝7を加熱することができる。このような誘導加熱による自己発熱方式を用いると、原料加熱手段3は発熱に伴う形状変化が少ないため、寿命が長くなり、結晶成長の安定性とコスト面から有効である。また、誘導コイル10による発熱の温度を一定に保つためには、誘導コイル10のコイルピッチを一定に保つ必要があるので、誘導コイル10のコイルは樹脂系材料で固定されている。なお、使用する誘導コイル10の個数は特に限定されるものではなく、多数個使用してもよい。抵抗加熱による自己発熱方式を用いる場合、図1bに示すように、誘導コイル10を用いずに、原料加熱手段3に設けられた抵抗体に通電することにより、抵抗体を自己発熱させて、坩堝7を加熱する。加熱炉4の外底部4aには、窒素ガスなどを供給するガス供給装置に接続されたガス導入口図示略が設けられている。また、加熱炉4の天井部4bには、加熱炉4内のガスを外部に排出するためのガス排出口図示略と、真空ポンプなどの減圧装置に接続されている圧力調整弁図示略が設けられており、これらのガス排出口と圧力調整弁により、加熱炉4内を所定のガス圧力に調節できるようになっている。結晶成長中に、坩堝7の内壁面7aおよび蓋体8の表面8aに被覆されている金属窒化物が昇華するのを防ぐため、坩堝7および加熱炉4の内部には不活性ガスが充填されている。加熱炉4内のガスが、ガス排出口を通して減圧装置によって排出された後、不活性ガスが、ガス導入口を通して不活性ガス供給装置から加熱炉4内に導入される。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、ヘリウムもしくはネオン等の希ガス、または、窒素ガスが用いられる。また、加熱炉4には、成長容器1を収容するための開口部図示略が設けられている。さらに、加熱炉4の上下端部外底部4aおよび天井部4bにはそれぞれ、成長容器1の下面および上面の温度を測定するための放射温度計11,11が設けられている。そして、加熱炉4の内部には、成長容器1の外周部を取り囲むように熱遮蔽部材12が設けられている。熱遮蔽部材12の形状は、板状またはブロック状であることが好ましい。また、熱遮蔽部材12の中心部には、成長容器1の挿通が可能な大きさの開口部12aが設けられ、この開口部12aに成長容器1が挿通されている。この場合、完全に他の区画からの熱を遮蔽できるように、熱遮蔽部材12と成長容器1との間に、出来る限り隙間が生じないように開口部12aの大きさを設定するのが望ましい。また、上記の熱遮蔽部材12の代わりに、成長容器1の周囲に、比較的サイズの小さい板状またはブロック状の断熱部材を多数配置させてもよい。この場合、完全に他の区画からの熱を遮蔽できるように、断熱部材同士の間、断熱部材と成長容器1との間、および、断熱部材と加熱炉4との間を、隙間なく配置することが好ましい。これにより、加熱炉4の内部を、低温区画17と高温区画18に仕切ることができる。熱遮蔽部材12を構成する材料としては、多孔質構造をなす断熱性の材料で構成されたものが用いられ、例えば、カーボンフェルト、グラファイトフェルト、リジッドフェルト、カーボンファイバーなどのカーボン繊維系材料、アルミナファイバーやセラミックファイバーなどの非カーボン繊維系材料、ポリウレタンやポリエチレンなどの発泡体材料、マイクロサームなどの粉末系材料または真空断熱材などが挙げられる。これらの中でも、経済的、高遮熱性、高温耐熱性の観点から、カーボン繊維系材料が好ましい。化合物半導体単結晶の製造方法次に、図1および図2を参照して、上記の製造装置100を用いた本実施形態に係る化合物半導体単結晶の製造方法について説明する。図2は、本発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法を示すフロー図である。まず、加熱炉4に設けられている不図示の搬入口を開けて、加熱炉4内から坩堝7を取り出し、坩堝7の内底部に原料6を収容するステップS1。製造装置100によって製造される化合物半導体単結晶5は、昇華性の単結晶であればいかなるものでもよく、例えば、SiC単結晶、AlN単結晶およびGaN単結晶などが挙げられる。そして、これらの単結晶の原料としては、これらの粉末の結晶が用いられる。次に、蓋体8と種結晶9との間が離間しないように、蓋体8の表面8aに種結晶9を固定し、蓋体8の表面8aを坩堝7の内壁面7a側に向けて坩堝7を密閉する。この状態で、成長容器1を、加熱炉4の開口部から内底部に収容し、搬入口を閉じて加熱炉4を密閉するステップS2。ここで、種結晶9の裏面蓋体8の表面8aと接している面には、種結晶9の裏面からの原子の脱離を防止する目的で、保護膜が設けられていてもよい。保護膜を構成する材料としては、単結晶5の成長温度における昇華速度が、種結晶9の昇華速度以下である材料であれば特に制限されるものではない。保護膜を構成する材料としては、例えば、感光レジストといった有機薄膜を炭化処理した炭素薄膜などが挙げられる。種結晶9としては、単結晶5を成長させることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、Si、Geなどの単元素半導体からなる半導体結晶基板、SiC、SiGeなどのIV族化合物半導体からなる半導体結晶基板、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、MgOまたはSiO2などの酸化物半導体からなる半導体結晶基板、GaAs、GaP、InP、BNまたはAlxInyGa1-x-yNただし、0≦x≦1、0≦y≦1、および0≦xy≦1などのIII-V族化合物半導体などからなる半導体結晶基板が用いられる。これらの中でも、欠陥の少ない高品質の単結晶を効率的に製造する観点から、熱特性に優れる種結晶が好ましく、例えば、SiC、Al2O3またはAlxInyGa1-x-yNただし、0≦x≦1、0≦y≦1、および0≦xy≦1からなる半導体結晶基板が好ましい。次に、加熱炉4内を、圧力調整弁を介して、減圧装置により真空引きして脱気するステップS3。その後、ガス導入口から加熱炉4内に不活性ガスを導入するとともに、ガス排出口から加熱炉4内のガスを排出させる。こうして、成長容器1の周囲を不活性ガス雰囲気とする。なお、この時、加熱炉4内の不活性ガスの圧力は、高品質な単結晶の作製が実現できるように、例えば、単結晶がSiCの場合には102Pa以上、単結晶がAlN、GaNの場合には104Pa以上に制御することが好ましい。次に、誘導加熱による自己発熱方式を用いる場合、誘導コイル10に高周波電流を印加することにより、原料加熱手段3に高周波磁場を印加する。すると、原料加熱手段3に誘導電流が流れ、原料加熱手段3が発熱し、その輻射熱により坩堝7が加熱されるステップS4;加熱工程。また、抵抗加熱による自己発熱方式を用いる場合、原料加熱手段3に設けられた抵抗体に通電することにより、抵抗体が自己発熱し、この熱により坩堝7が加熱される。このとき、熱遮蔽部材12により、原料加熱手段3からの対流熱や輻射熱を抑えることができるので、原料6の温度は種結晶9の温度よりも高温に制御される。したがって、成長容器1内部において温度勾配が形成されるため、坩堝7からの熱が原料6に伝わり、原料6が加熱されて分解、昇華される。これにより、昇華した原料のガスが、ガス導入口から流入した不活性ガスと混合して混合ガスとなる。そして、この混合ガスが蓋体8に固定された種結晶9に付着して再結晶し、化合物半導体単結晶5が成長する。ここで、単結晶5の成長温度は、吸着原子の表面マイグレーションを促進できるように、比較的高温であることが望ましい。具体的には、例えば、AlN単結晶を得る場合は、成長温度は1500~2000°C程度であることが望ましい。また、原料加熱手段3の温度調整は、誘導コイル10のコイルピッチを変えるだけでなく、誘導コイル10に印加する高周波電流を制御したり、原料加熱手段3のサイズを変えたりしても可能である。さらに、原料加熱手段3の輻射熱による成長容器1からの自己発熱を抑えるように、誘導コイル10の周波数を制御することで、成長容器1内部の温度ムラを防ぐことができ、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差を適切に保つことが可能となる。なお、坩堝7内部の雰囲気温度は、種結晶9の温度よりも高温になっているので、上記の混合ガスは、坩堝7の内壁面7a側に付着しにくくなり、種結晶9に向かって付着しやすくなる。また、昇華法による単結晶成長の際、より高品質な単結晶5が得られるように、単結晶成長前において、バッファ層として、種結晶9が昇華しない温度領域で、種結晶9の露出面を覆うように結晶薄膜を成膜してもよい。ここで、種結晶9の露出面を覆うように成膜された結晶薄膜は、単結晶であることが好ましい。さらに、結晶薄膜と単結晶5とが、同種の物質であることが好ましい。結晶薄膜と同種の物質を用いて単結晶5を成長させると、種結晶9と成長させる単結晶5との格子定数と熱膨張係数が一致する。そのため、異種の物質を用いた場合に比べ、単結晶5と結晶薄膜との格子不整合度をより低減することができ、単結晶5にかかる応力を抑制し、歪による単結晶5の割れを防ぐことができるので、高品質な単結晶5の作製が可能となる。次に、単結晶成長中に、支持部2を成長容器1とともに低温区画17側に移動させるステップS5。このとき、支持部2の移動速度を、成長容器1内の単結晶成長部15が低温区画17に、原料部16が高温区画18に存在できる範囲内で、単結晶5の成長速度よりも大きい移動速度に設定する。また、この移動は連続的に行ってもよいし、断続的に行ってもよい。さらに、単結晶成長中に、支持部2を回転してもよい。これにより、昇華ガスが種結晶9の表面全体に行き渡り易くなり、種結晶9の表面をより均一な結晶膜厚で覆うことが可能となる。なお、上記のステップS5と支持部2の回転の順序は逆であってもよい。以下、本実施形態の作用効果を説明する。従来、単結晶5の成長初期には、単結晶成長表面13の位置が、単結晶5を加熱する比較的低温な低温区画17に存在するため、原料部16を加熱する原料加熱手段3からの対流熱や輻射熱を断熱することができる。しかし、長時間の成長により単結晶5の厚さが増加し、単結晶成長表面13の位置が原料部16を加熱する比較的高温な高温区画18に到達すると、原料部16を加熱する原料加熱手段3からの対流熱や輻射熱により、単結晶成長表面13の温度が本来目的とする温度よりも高温になるため、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差が小さくなり、単結晶5の成長速度が低減されてしまう。そこで、上記問題の解決手段として、加熱炉4内を低温区画17と高温区画18に仕切ることができるように、熱遮蔽部材12を成長容器1の外周部を取り囲むように用いて、成長容器1内の単結晶成長部15を低温区画17に、原料部16を高温区画18に存在できるように保持する。そして、この状態を保ちながら、単結晶5の成長中に、支持部2を成長容器1とともに低温区画17側に向かって移動させる。この場合、上記位置関係を保つことにより、単結晶成長表面13の位置を熱遮蔽部材12よりも常に上部に保つことができる。したがって、結晶成長が進み、単結晶の厚さが増加しても、原料部16を加熱する高温区画18に到達することがなくなるので、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差を均一に保つことができ、長時間の結晶成長により単結晶の厚さが増加しても、成長速度が落ちることがなく結晶成長を行うことが可能となる。また、従来技術においては、単結晶5を加熱する単結晶加熱手段図示略と原料部16を加熱する原料加熱手段3との間に熱遮蔽部材12を挿入している。これにより、近接する加熱手段からの対流熱や輻射熱を断熱することが可能となり、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差を広げている。しかしながら、この場合、上記の温度差はほぼ一定の状態が保たれるだけであって、結晶成長方向の温度勾配がこれ以上増加しないため、成長速度をより向上させるためには、他の手段が必要であった。そこで、上記問題の解決手段として、本実施形態では、支持部2を移動させるときに、支持部2を、単結晶5の成長速度よりも大きい移動速度で移動させる。支持部2が単結晶5の成長速度と同等の速度で移動する場合、相対速度が同等となるため、事実上、単結晶成長表面13の位置はほぼ同等の位置に留まることになる。しかし、支持部2を、単結晶5の成長速度よりも大きい移動速度で移動させる場合は、単結晶成長が進むにつれ、単結晶成長表面13が、既に設定されていた低温区画である加熱炉4の上部側にシフトしていく。そのため、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差がより大きくなり、従来技術よりも成長速度をより一層向上することができる。2第二実施形態化合物半導体単結晶の製造装置次に、第二実施形態について説明する。図3は、本発明の第二実施形態に用いられる製造装置110の状態を示す概略図である。図3において、図1に示した製造装置100と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。製造装置110が、上述の製造装置100と異なる点は、成長容器1を加熱するために補助加熱手段19が設けられ、補助加熱手段19の上部に補助熱遮蔽部材20が設けられている点である。すなわち、製造装置110では、原料加熱手段3に加えて、成長容器1を加熱する補助加熱手段19が、熱遮蔽部材12の上部、言い換えれば、低温区画17側に設けられている。補助加熱手段19の加熱温度を制御することによって、成長中の単結晶成長表面13の温度の制御が容易となり、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差をより一層、適切に制御し易くなる。また、補助加熱手段19の上部で、かつ、蓋体8よりも下側に、補助熱遮蔽部材20が設けられている。このように補助熱遮蔽部材20を設けることにより、蓋体8において、補助加熱手段19からの輻射熱を断熱でき、蓋体8に伝導する熱を抑えることができるため、単結晶成長表面13と原料表面14との温度差をさらに適切に制御することが可能となる。なお、さらに低温区画17側に、補助加熱手段19や補助熱断熱部材20を設けてもよい。このように、低温区画17側に、補助加熱手段19や補助熱断熱部材20を設けることにより、低温区画17側の温度、すなわち単結晶成長表面13の温度制御を適切に制御できる。この単結晶加熱手段19と熱遮蔽部材20を用いて、上述の第一実施形態と同様の手順で化合物半導体単結晶5を製造してもよい。"