所定の電磁波を散乱体に入射させて、所定の位置における該散乱体からの第1の散乱波を算出する工程と、前記散乱体と同じ形状および大きさを有する領域の内部に複数の球形微粒子を含む球形微粒子群を配置した状態で、前記所定の電磁波を前記球形微粒子群に入射させた場合の、前記所定の位置における該球形微粒子群からの第2の散乱波をT-matrix法を用いて算出する工程と、前記第1の散乱波と前記第2の散乱波とが等しくなるような、前記複数の球形微粒子の条件を決定する工程と、前記決定した球形微粒子の条件に基づいて、任意の電磁波を前記散乱体に入射させた際の、任意の位置における該散乱体からの散乱波を得る工程と、を有することを特徴とする散乱波の導出方法。前記球形微粒子の条件は、該球形微粒子の半径、個数、および、屈折率に関する条件であることを特徴とする請求項1に記載の散乱波の導出方法。前記球形微粒子の半径は、前記領域の体積に対する前記球形微粒子群の体積分率を一定にした状態で、該球形微粒子の半径を小さくして該球形微粒子の個数を増やした場合に前記第2の散乱波が変化しなくなるように決定され、前記球形微粒子の屈折率の初期値は、該球形微粒子の屈折率および前記体積分率から決定される有効屈折率が前記散乱体の屈折率に一致するように設定される、ことを特徴とする請求項2に記載の散乱波の導出方法。前記球形微粒子群は、少なくとも第1の球形微粒子と該第1の球形微粒子よりも大きい第2の球形微粒子からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の散乱波の導出方法。前記球形微粒子群を不作為に複数回配置し、前記T-matrix法を用いて前記球形微粒子群からの散乱波の平均値を算出し、前記平均値を前記第2の散乱波とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の散乱波の導出方法。前記散乱体のT-matrixを定義し、任意の位置に配置された複数の前記散乱体からの多重散乱波を前記T-matrix法により導出する請求項1又は2に記載の散乱波の導出方法。微粒子を含有するレンズの製造方法であって、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の散乱波の導出方法を用いて、散乱体としての前記微粒子を含有するレンズの散乱波を導出する工程を備えることを特徴とするレンズの製造方法。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の散乱波の導出方法をコンピュータに実行させるように構成されていることを特徴とするプログラム。しかしながら、従来の電磁波導出方法による散乱波の導出方法では、限られた条件でしか導出できなかった。例えばMie散乱による手法では、完全な球体しか扱うことができず、粒子が複数存在する場合の多重散乱を扱うこともできない。また導出コストの問題から、手法によってはモデルが計算機環境に大きく制限されるものがある。例えばFDTD法や境界要素法に代表される電磁場導出方法においては、導出領域の全てまたは一部をメッシュ状に分割しなければならないため、導出時間やコンピュータのメモリ消費量が膨大となる。またDDAにおいては、散乱体の内部に微小な双極子を密に配置しなければならないため、導出コストが膨大になる。これにより、設定可能な散乱体の数が制限され、また、散乱体の微細な構造を表現するために十分なメッシュ分割や双極子の配置ができなくなる場合がある。近年では、非特許文献1、2に開示されているように、T-matrix法を改良して非球形粒子にも適用可能な導出方法があるが、楕円体など球形に近い形状の粒子を扱えるにとどまる。そこで本発明は、任意の形状を有する散乱体からの散乱波を高速かつ高精度に導出可能な散乱波の導出方法、その導出方法を用いたレンズの製造方法、およびプログラムを提供する。本発明の一側面としての散乱波の導出方法は、所定の電磁波を散乱体に入射させて、所定の位置における該散乱体からの第1の散乱波を算出する工程と、前記散乱体と同じ形状および大きさを有する領域の内部に複数の球形微粒子を含む球形微粒子群を配置した状態で、前記所定の電磁波を前記球形微粒子群に入射させた場合の、前記所定の位置における該球形微粒子群からの第2の散乱波をT-matrix法を用いて算出する工程と、前記第1の散乱波と前記第2の散乱波とが等しくなるような、前記複数の球形微粒子の条件を決定する工程と、前記決定した球形微粒子の条件に基づいて、任意の電磁波を前記散乱体に入射させた際の、任意の位置における該散乱体からの散乱波を得る工程とを有する。本発明の他の側面としてのレンズの製造方法は、前記散乱体は微粒子を含有するレンズであり、前記散乱波の導出方法を用いて前記レンズを製造する。本発明の他の側面としてのプログラムは、前記散乱波の導出方法をコンピュータに実行させるように構成されている。本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。本発明によれば、任意の形状を有する散乱体からの散乱波を高速かつ高精度に導出可能な散乱波の導出方法、その導出方法を用いたレンズの製造方法、および、プログラムを提供することができる。以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。T-matrix法は広く知られている手法であり、球形粒子に対して球面ベクトル関数を用いて散乱波を表現することにより、近似なしで厳密に散乱波を導出することができる。更に、球形粒子が複数存在した場合の多重散乱についても、球面ベクトル関数を用いることで近似なしに厳密な散乱波を導出することが可能である。任意の形状を有する散乱体を球形微粒子の集合であるとみなし、球形微粒子に対してT-matrix法を用いることにより散乱体の散乱波を導出する。その際、球形微粒子のパラメータを散乱体による散乱波と球形微粒子による散乱波が等しくなるように導出する必要があるため、散乱体の散乱波を他の方法により算出する必要がある。一度球形微粒子のパラメータを算出すれば、散乱体に入射する電磁場の偏光状態や入射角度が変化した場合でも、散乱波をT-matrix法を用いて高速に導出することができる。次に図1を参照して、本実施例における散乱波の導出方法について説明する。図1は、本実施例における散乱波の導出方法のフローチャートであり、散乱波の導出方法の中の球形微粒子の条件球形微粒子の半径、個数、および、屈折率に関する条件を決定する際のフローチャートである。まずステップ1において、散乱波を発生する散乱体の形状、大きさサイズ、屈折率、入射させる電磁波入射波、および、散乱波の観測位置などの諸条件を設定する。ステップ2では、ステップ1で設定した電磁波を入射させ、ステップ1で設定した観測位置における散乱体による散乱波Esを算出する。本実施例では、散乱波EsはFDTD法Finite-differencetime-domainmethodを用いて算出されるが、これに限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。このように、ステップ1、2において、所定の電磁波を散乱体に入射させて、所定の位置における散乱体からの散乱波Es第1の散乱波を算出する。続いてステップ3において、球形微粒子の個数Nを設定する。Nの値は任意であるが、計算時間や計算機の環境から制限される。ステップ4では、球形微粒子の半径aa1=aを設定する。球形微粒子のサイズ半径aとしては、散乱体のサイズより小さい任意の値が用いられるが、散乱体のサイズの1/10以下であることが望ましい。ステップ5では、球形微粒子の屈折率npを設定する。まず、散乱体の体積と球形微粒子の半径a、個数Nから、散乱体の体積に占める球形微粒子の体積濃度fを求める。そして、散乱体の屈折率nsと球形微粒子を散布配置する領域内で球形微粒子に占有されていない領域の屈折率n0を用いて、それぞれの体積分率により、球形微粒子の屈折率np=1/f×ns-1-f/f×n0が導出される。球形微粒子の屈折率npの初期値は、例えば、球形微粒子の屈折率および体積分率から決定される有効屈折率が散乱体の屈折率nsに一致するように設定される。続いてステップ6において、散乱体と同じ形状および大きさを有する領域を設定し、その内部に複数の球形微粒子からなる球形微粒子群を散布配置する。球形微粒子の散布位置は、乱数により無作為に決定される。ステップ7では、ステップ1で設定した電磁波入射波を半径a1の球形微粒子に入射させ、T-matrix法を用いてステップ1で設定した観測位置での球形微粒子群からの散乱波Ea1第2の散乱波を算出する。ステップ8では、球形微粒子の半径a1を変更し、ステップ4で設定した値半径a1よりも小さい半径a2=a1-Δaを設定する。ステップ9では、ステップ5で算出した球形微粒子の体積濃度fが不変となるように球形微粒子の個数Nをa1/a23×Nに再設定する。このとき、計算時間や計算機環境の制限内に球形微粒子の個数を収めるため、ステップ8で変更された球形微粒子の半径a2は、元の半径a1に近い値にするのが望ましい。続いてステップ10では、ステップ8、9で設定した球形微粒子を散乱体と同形状および同サイズの領域に散布する。ステップ11では、ステップ1で設定した入射電磁波を半径a2の球形微粒子に入射させ、T-matrix法を用いてステップ1で設定した観測位置における球形微粒子の散乱波Ea2を演算する。ステップ12では、ステップ7で得られた散乱波Ea1とステップ11で得られた散乱波Ea2を比較する。半径半径a1、a2を変化させる前後での球形微粒子の散乱波Ea1、Ea2が等しくない場合Ea1≠Ea2、ステップ13において変化後の球形微粒子の半径a2を変化前の球形微粒子の半径a1に変更し、ステップ5に戻る。このように、球形微粒子の半径は、前記領域の体積に対する球形微粒子群の体積分率体積の割合を一定にした状態で、球形微粒子の半径を小さくして球形微粒子の個数を増やした場合に球形微粒子群の散乱波が変化しなくなるように決定される。一方、ステップ12において、半径を変化させる前後での球形微粒子の散乱波が等しい場合Ea1=Ea2、ステップ14に進む。ここで、半径を変化させる前後での球形微粒子の散乱波が等しい、とは、互いの散乱波の差が所定の閾値を下回っていれば、互いの散乱波が等しい、とみなす。この所定の閾値は、散乱体被検体、被検物からの散乱波を導出する求める際の精度によって変化させれば良い。当然のことながら、散乱波の導出精度と高くしたい場合には閾値を小さくし、散乱波の導出精度を落としても導出にかかる時間コンピュータ等での演算時間を短くしたい場合には閾値を大きくすれば良い。但し、いずれにしても初期値よりは小さくなっていることが望ましい。また、散乱波同士の差は、2つの散乱波の間の空間の体積でも良いし、複数の位置での散乱波の差距離の和や平均値でも良いし、特定の1つの位置での散乱波の差距離としても構わない。ステップ14では、ステップ2で得られた散乱体による散乱波Es第1の散乱波とステップ7で得られた球形微粒子による散乱波Ea1第2の散乱波とを比較する。散乱体による散乱波Esと球形微粒子による散乱波Ea1が等しくない場合Es≠Ea1、ステップ15に進む。ステップ15では、球形微粒子の屈折率npを屈折率npΔnpに変更する。続いてステップ16では、球形微粒子を散乱体と同形状および同サイズの領域に散布する。そしてステップ17では、ステップ1で設定した入射電磁波を球形微粒子に入射させ、T-matrix法を用いてステップ1で設定した観測位置での球形微粒子による散乱波Ea1を演算し、ステップ14に戻る。一方、ステップ14において散乱体による散乱波Esと球形微粒子による散乱波Ea1が等しい場合Es=Ea1には終了する。ここでの散乱波が等しいか否かについても、ステップ12と同様である。このように、本実施例の導出方法では、第1の散乱波と第2の散乱波とが等しくなるようなステップ14、複数の球形微粒子の条件球形微粒子の半径、個数、および、屈折率に関する条件を決定するステップ9、13、15。そして、決定された球形微粒子の条件を用いて、任意の電磁波を散乱体に入射させて、任意の位置における散乱体からの散乱波を導出する算出する、得る。なお本実施例では、球形微粒子の個数を設定した後に球形微粒子の半径を設定し、最後に球形微粒子の屈折率を設定しているが、これに限定されるものではなく、これら3つのパラメータは任意の順序で設定可能である。また、演算精度を高める場合には、球形微粒子による散乱波の値として球形微粒子の配置を変更し、複数回の演算から得られた散乱波の平均値を採用してもよい。第1実施形態次に、本発明の第1実施形態について説明する。図2は、本実施形態における散乱体および球形微粒子群の概略図である。図2aは三角柱の形状を有する散乱体1を示し、図2bは散乱体1と等しい大きさおよびサイズを有する三角柱領域2の内部に球形微粒子群3複数の球形微粒子を散布配置させた状態を示している。図3は、散乱体および球形微粒子群の配置図である。図3aは散乱体1に入射波4電磁波を入射させて散乱波を演算する際の配置を示し、図3bは散乱体1を球形微粒子群3に置き換えた状態を示している。図4は、散乱体1と球形微粒子群3による散乱波の強度を示す図である。図3aに示されるように、入射波4はX偏光を有し、散乱体1からz方向に5nm離れた位置にx軸方向の観測線5が設定されている。本実施形態では、観測線5上で電磁場のx成分の強度を求めるものとして説明する。本実施形態ではFDTD法を用いて電磁場を計算するが、これに限定されるものではなく、他の方法を用いることも可能である。また本実施形態では、図3bに示されるような配置により、観測線5上の電磁場をT-matrix法により演算する。表1は、本実施形態における演算に用いられるパラメータである。散乱体1は、縦10nm、横20nm、高さ10nmで屈折率1.1を有する三角柱である。このときの観測線5上における散乱体1のx方向の電磁場の強度散乱体による散乱波の強度は、図4中のFDTDとして示されている。本実施形態において、散乱体1と同じ形状およびサイズを有する三角柱領域2の内部に散布される球形微粒子の個数を190個にした。また、球形微粒子の半径は0.5nmに設定されている。これにより、球形微粒子群3と三角柱領域2の内部で球形微粒子群3に占有されていない領域の体積比は、0.1:0.9となる。全体の屈折率が1.1となるように、球形微粒子群3の屈折率を図1のステップ5に示される式から求めると、2.0となりこれを初期値とする。ただし、三角柱領域2の内部で球形微粒子群3に占有されていない領域は真空であるとし、その領域の屈折率は1.0とする。この条件で演算した観測線5上における球形微粒子群3の散乱波のX方向の電磁場の強度球形微粒子群3による散乱波は、図4中のT-matrix粒子屈折率2.0として示されている。次に、球形微粒子の半径を0.5nmから0.45nmに変更し、その個数を260個とすることで、三角柱領域2に対する球形微粒子群3の体積分率体積濃度を不変する。この場合の観測線5上での散乱波のX方向の電磁場の強度は、その半径が0.5nmの場合に得られた結果と変わらない。このため、球形微粒子の個数190個、半径0.5nmという値が採用される。図4において、T-matrix粒子屈折率2.0はFDTDを上回り、両者は一致しない。そこで球形微粒子群3の屈折率を3.0として同様に散乱波を導出すると、図4のT-matrix粒子屈折率3.0で示される結果が得られ、FDTDを下回る。これにより、散乱体1と球形微粒子群3による散乱波が一致するための球形微粒子群3の屈折率は、2.0と3.0の間に存在することになる。続いて、球形微粒子群3の屈折率を0.1ずつ2.0から3.0まで変化させると、2.3の場合には散乱波の強度がFDTDの結果を上回るが2.4の場合にはそれを下回る。これにより、球形微粒子群3の屈折率は2.3と2.4の間にあることになる。このため、球形微粒子群3の屈折率を2.3から2.4まで0.01ずつ変化させると、屈折率が2.38のときに散乱波の強度がFDTDの結果と一致する。図4に示されるように、球形微粒子群3の屈折率が2.38の場合に両者は一致している。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、2種類の大きさを有する球形微粒子を領域内に散布することで、球形微粒子による散乱波の導出をより高速に行うことができる。すなわち本実施形態において、球形微粒子群は、少なくとも第1の球形微粒子と第1の球形微粒子よりも大きい第2の球形微粒子からなる。図5は、本実施形態における散乱体、球形微粒子群、および、球形粒子の概略図である。図5aは立方体の形状を有する散乱体6を示し、図5bは散乱体6と等しい大きさおよびサイズを有する立方体領域7の内部に球形微粒子群8複数の球形微粒子を散布配置させた状態を示している。図5cは、散乱体6と等しい大きさおよびサイズの立方体領域9の内部に散乱体6立方体の一辺と同じ直径を有する球形粒子10第2の球形微粒子を配置した状態を示している。更に図5cでは、立方体領域9の内部で球形粒子10に占有されていない領域に、球形微粒子群11複数の第1の球形微粒子を散布配置させている。図6は、散乱体、球形微粒子群、および、球形粒子の配置図である。図6aは散乱体6に入射波4電磁波を入射させて散乱波を演算する際の配置を示し、図6bは散乱体6を球形微粒子群8に置き換えた状態を示している。また図6cは、散乱体6を球形粒子10第2の球形粒子および球形微粒子群11第1に置き換えた状態を示している。図7は、散乱体6、球形微粒子群8、および、球形粒子10と球形微粒子群11の組合せによる散乱波の強度を示す図である。図6aに示されるように、入射波4はx偏光を有し、散乱体6からz方向に15nm離れた位置にx軸方向の観測線5が設定されている。本実施形態では、観測線5上で電磁場のx成分の強度散乱波の強度を導出するものとして説明する。本実施形態ではFDTD法を用いて演算を行うが、これに限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。図6b、cは図6aの散乱体6をそれぞれ図5b、cの構成に置き換えたものであり、これらの散乱波の強度はT-matrix法を用いて演算される。表2は、本実施形態における演算に用いられるパラメータである。散乱体6は、一辺が10nmで屈折率1.1を有する立方体である。このときの観測線5上における散乱体6のx方向の電磁場の強度散乱体による散乱波の強度は、図7中のFDTDとして示されている。図6bでは、第1実施形態と同様の処理を行って電磁場の強度を演算している。その結果は、図7中の球形微粒子として示されている。なお、本実施形態の散乱体の形状は第1実施形態の場合と異なるため、球形微粒子群8の屈折率を2.65とした場合にFDTDと一致する。次に図6cでは、散乱体6と同じサイズの立方体領域9に内接する球形粒子10を配置する。球形粒子10の屈折率は、散乱体6と同じ屈折率の1.1である。更に、立方体領域9の内部で球形粒子10に占有されていない領域に球形微粒子を90個散布する球形微粒子群11。球形微粒子の半径は0.5nmと設定される。これにより、球形微粒子群11の体積と、立方体領域9の内部で球形粒子10および球形微粒子群11のいずれにも占有されていない領域の体積との比は、0.1:0.9となる。立方体領域9の内部で球形粒子10に占有されていない領域の屈折率が1.1となるように球形微粒子群11の屈折率を図1のステップ5に示される式から算出すると2.0となり、これを初期値として設定する。ただし、ステップ5での散乱体領域を立方体領域9の内部で球形粒子10および球形微粒子群11のいずれにも占有されていない領域で真空である仮定して計算し、その屈折率を1.0とする。これにより、立方体領域9の内部の球形粒子10の体積と、球形微粒子群11の体積と、立方体領域9の内部で球形粒子10および球形微粒子群11のいずれにも占有されていない領域の体積の比率から算出される全体の屈折率も1.1となる。まず、この条件で観測線5上における立方体領域9による散乱のx方向の電磁場の強度散乱光の強度を導出する。次に、球形微粒子群11の各々の球形微粒子の半径を0.5nmから0.45nmに変更し、球形微粒子の個数を123個とすることで、立方体領域9に対する球形粒子10と球形微粒子群11の混合粒子群の体積濃度を不変とする。この場、に観測線5上での散乱のx方向の電磁場の強度散乱光の強度は、球形微粒子の半径が0.5nmの場合の結果と変化しないため、球形微粒子の個数は90個、半径は0.5nmという値を採用する。この条件で第1実施形態と同様の処理を行った場合の電磁場計算の結果散乱光の強度は、図7中の球形粒子球形微粒子として示されている。このとき、図6bの場合と異なり球形粒子と球形微粒子の両方が配置されているため、球形微粒子群11の屈折率を2.75とした場合にFDTDと一致する。表3は、本実施形態の導出に使用した計算機のスペックと電磁場導出に要した時間である。球形粒子10と球形微粒子群11の混合による導出時間は、球形微粒子群8のみの場合と比較して約2.8倍速くなっている。ただし、この導出時間には球形微粒子群8、球形微粒子群11のパラメータを設定するための時間は含まれていない。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、球形微粒子の粒子配置を変更して散乱波の平均値を求めることにより、散乱波の導出を行う。すなわち、球形微粒子群を不作為に複数回配置し、T-matrix法を用いて前記球形微粒子群からの散乱波の平均値を算出し、この平均値を前記第2の散乱波とする。このため本実施形態によれば、散乱波の導出をより精密に行うことができる。図8は、本実施形態における散乱体および球形微粒子群の概略図である。図8aは立方体の形状を有する散乱体12を示し、図8bは散乱体12と等しい大きさおよびサイズを有する立方体領域13の内部に球形微粒子群14複数の球形微粒子を散布配置させた状態を示している。図9は、散乱波の導出時における球形微粒子群14の配置図である。図10は、球形微粒子群14による散乱波の強度を示す図である。図9において、入射波4はx偏光を有し、球形微粒子群14からz方向に10nm離れた位置にx軸方向の観測線5が設定されている。このような条件で、T-matrix法により散乱波の導出を行う。表4は、本実施形態における演算に用いられるパラメータである。散乱体12は、一辺が20nmの立方体である。散布される球形微粒子の屈折率は2.0、半径は3.0nm、個数は7個にそれぞれ固定されている。第2実施形態で説明したように、散乱体12による散乱波の導出演算では、x偏光の電磁場の強度散乱波の強度はx=0に対して左右対称である。球形微粒子群14の粒子配置を固定した場合の球形微粒子群14よる散乱のx方向の電磁場の強度は、図10中に粒子配置固定として示されている。また、球形微粒子群14の粒子配置を5回変更し、その5つの強度の平均値を算出した場合の球形微粒子群14よる散乱のx方向の電磁場の強度は、図10中に粒子配置変更として示されている。粒子配置を固定した場合には電磁場の強度がx=0に対して左右非対称になっているの。一方、粒子配置を変更して平均値を算出した場合にはx=0に対して左右対称になっている。第4実施形態次に、本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、散乱体を2個配置して多重散乱の導出演算を行う。すなわち、散乱体のT-matrixを定義し、任意の位置に配置された複数の散乱体からの多重散乱波をT-matrix法により導出する。このため本実施形態によれば、複数の散乱体からの多重散乱波の導出を高速に行うことができる。図11は、本実施形態における散乱体および球形微粒子群の概略図である。図11aは楕円形状を有する散乱体15を示し、図11bは散乱体15と等しい大きさサイズを有する楕円領域16の内部に球形微粒子群17複数の球形微粒子を散布配置させた状態を示している。図12は、散乱体および球形微粒子群の配置図である。図12aは散乱体15に入射波4電磁波を入射させて散乱波を導出演算する際の配置を示し、図12bは散乱体15を球形微粒子群17に置き換えた状態を示している。図13は、散乱体15と球形微粒子群17による散乱波の強度を示す図である。図12aにおいて、入射波4はx偏光を有し、散乱体15からz方向に14nm離れた位置にx軸方向の観測線5が設定されている。本実施形態では、観測線5上で電磁場のx成分の強度を導出演算するものとして説明する。本実施形態では、FDTD法を用いて電磁場の導出演算を行うが、これに限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。次に図12bは、図12aの散乱体15を球形微粒子群17に置き換えたものを示している。この配置では、観測線5上の電磁場散乱波の強度をT-matrix法により導出演算する。図14は、2つの散乱体18の配置図である。図14では、2つの散乱体18をx軸方向に並べ、z方向に14nm離れたx軸方向の観測線5上でx偏光の電磁場の強度多重散乱波の強度を観測する場合のパラメータ設定を示している。図15は、散乱体18と球形微粒子群17による散乱波の強度を示す図である。本実施形態では、観測線5上で電磁場のx成分の強度を導出演算するものとして説明する。散乱体18を散乱体15とした場合にはFDTDを用いて電磁場の導出演算を行うが、これに限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。また散乱体18を球形微粒子群17に置き換えた場合には、球形微粒子群17のT-matrixを用いて導出演算を行う。表5は、本実施形態における導出演算に用いられるパラメータである。散乱体15は、その長軸半径が6.0nm、短軸半径が3.0nm、一辺が10nmで屈折率1.1を有する楕円体である。このときの観測線5上における散乱体15のx方向の電磁場の強度散乱体による散乱波の強度は、図13中のFDTDとして示されている。図12bでは、第1実施形態と同様の処理を行って電磁場の強度を導出演算している。このときの球形微粒子の屈折率は2.65であり、FDTDと一致する。その結果は、図13中のT-matrix粒子屈折率2.65として示されている。次に、2つの散乱体18をx軸方向に並べた場合の、観測線5上におけるx偏光の電磁場の強度は、図15中にFDTDとして示されている。表5に示されるように、球形微粒子群17は、球形微粒子群17のT-matrixを定義して多重散乱導出を行うことにより求めた観測線5上におけるx偏光の電磁場の強度は、図15中にT-matrixとして示しされている。このとき球形微粒子群17は、半径が0.5nm、体積濃度が0.1、屈折率が2.65である。図15に示されるように、FDTDとT-matrixは一致する。表6は、本実施形態の導出に使用した計算機のスペックと電磁場導出に要した時間である。散乱体15のT-matrixを定義して要する導出時間は、FDTDによる導出時間と比較して約750倍速くなっている。ただし、この導出時間には散乱体15のT-matrixを算出するための時間は含まれていない。これにより、一度散乱体のT-matrixを算出すれば、散乱体の多重散乱を計算した場合にFDTDよりも高速に導出することができる。上記各実施形態によれば、任意の形状を有する散乱体からの散乱波を高速かつ高精度に導出可能な散乱波の導出方法を提供することができる。各実施形態の導出方法は、例えば微粒子を含有するレンズ散乱体を製造する際に適して用いられる。このようなレンズでは、レンズ中の微粒子から余分な散乱波が出ないように設計することが好ましい。各実施形態の導出方法を散乱体としてのレンズに適用することにより、高精度なレンズの製造方法を提供することができる。また上記各実施形態は、散乱波の導出方法をコンピュータに実行させるように構成されたプログラムとして提供することもできる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。