周期表第13族金属窒化物半導体基板の表面を洗浄する洗浄工程、および該洗浄工程を経た半導体基板と該半導体基板に付着した液体とを機械的に分離する機械乾燥工程、を含む周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法であって、前記洗浄工程を経た半導体基板は、該半導体基板に付着した液体の蒸発を抑制しつつ、次工程である機械乾燥工程に供されることを特徴とする、周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。前記洗浄工程を経た半導体基板は、半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体に浸漬させた後、次工程である機械乾燥工程に供されることを特徴とする、請求項1に記載の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。前記半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体は、蒸気圧が2.3kPa未満の化合物を含むことを特徴とする、請求項2に記載の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。前記半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体は、過酸化水素を含むことを特徴とする、請求項2または3に記載の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。本発明者らは、特許文献に記載された方法も含め、様々な基板の洗浄方法を検討していたところ、洗浄工程で基板表面に付着している不純物を除去したとしても、または付着する不純物を抑制したとしても、洗浄工程から乾燥工程に至る過程において、基板表面に付着した液体が自然乾燥することで、液体と基板上の乾燥部分の境界に水シミウォーターマークが発生することを見出した。このようなウォーターマークが発生する理由は定かではないが、最終リンス中の不純物か、乾燥開始までの間に、基板上に存在する液体に付着した空気中の汚染物ではないかと本発明者らは推定する。基板上の液体は自然乾燥で凝集され、同時に不純物も凝集される。本発明者らが、基板上の液体が乾燥したことにより生じたウォーターマークをSEMで確認したところ、付着物を確認することができた。ウォーターマークが存在する基板上にLEDエピタキシャル成長を実施した場合には、このウォーターマークに沿ってエピ荒れと呼ばれる成長異常が生じ、デバイス特性の悪化が懸念される。本発明はこのような問題を解決するものであり、洗浄工程を経ても、ウォーターマークの存在しない周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法を提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討し、基板の洗浄工程を経た後、基板表面に存在する液体の自然蒸発を低減し、すなわち基板上で液体を凝集させることなく、基板と基板上に存在する液体とを機械的に分離する機械乾燥することで上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち本発明は以下のとおりである。1周期表第13族金属窒化物半導体基板の表面を洗浄する洗浄工程、および該洗浄工程を経た半導体基板と該半導体基板に付着した液体とを機械的に分離する機械乾燥工程、を含む周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法であって、前記洗浄工程を経た半導体基板は、該半導体基板に付着した液体の蒸発を抑制しつつ、次工程である機械乾燥工程に供されることを特徴とする、周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。2前記洗浄工程を経た半導体基板は、半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体に浸漬させた後、次工程である機械乾燥工程に供されることを特徴とする、1に記載の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。3前記半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体は、蒸気圧が2.3kPa未満の化合物を含むことを特徴とする、2に記載の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。4前記半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体は、過酸化水素を含むことを特徴とする2または3に記載の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法。本発明の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法によると、基板上にウォーターマークが存在せず、LEDエピタキシャル成長を実施してもエピ荒れが生じない、高品質な周期表第13族金属窒化物半導体基板を提供することができる。本発明の窒化物半導体基板の製造方法について、以下詳細に説明する。構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づきされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。本発明において、周期表第13族金属窒化物半導体基板は、例えばGaxAlyIn1xyN結晶式中0≦x≦1、0≦y≦1で表され、具体的には窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶があげられる。本発明の窒化物半導体基板は主面の面指数はとくに限定されず、極性面であるC面、非極性面であるA面、M面や、半極性面のいずれでもよい。本発明の周期表第13族金属窒化物半導体基板の製造方法は、周期表第13族金属窒化物半導体基板の表面を洗浄する洗浄工程、および該洗浄工程を経た半導体基板と該半導体基板に付着した液体とを機械的に分離する機械乾燥工程、を含む。<洗浄工程>本発明の洗浄工程に供する周期表第13族金属窒化物半導体基板以下、単に半導体基板ともいう。は、公知の方法に従って準備されたものを用いることができ、特段限定されない。通常、アズグロウン結晶からスライス、研削研磨などの形態加工を実施して得られたものを用いることができる。このように加工を実施して得られた半導体基板には、表面を研磨した際に使用したワックスの残留物やスラリーの残留物砥粒、添加剤、不純物などが付着しており、これらのワックスの残留物やスラリーの残留物を洗浄する必要がある。本発明の洗浄工程では、半導体基板表面に付着したワックスの残留物やスラリーの残留物を洗浄することが可能であればその方法に特段の制限はない。洗浄で用いる洗浄剤は、半導体基板表面に付着したワックスの残留物やスラリーの残留物の種類に応じて適宜選択すればよく、例えばIPAイソプロピルアルコールなどの有機溶剤や、界面活性剤、アンモニウム塩、フッ化水素、酸化剤などを含む水溶液などが挙げられる。また、本発明の洗浄工程において、これらの洗浄剤を用いた洗浄後には洗浄剤を除去するためにリンス工程を実施することが好ましい。リンス工程には、純度の高い液体を用いることが好ましく、純水を用いることが好ましい。純水としては、導電率が1μS/cm以下のものを用いることが好ましい。純水は純度が高ければ高いほど好ましいが、純度が高い純水はコストも比例して高くなる。<機械乾燥工程>本発明の機械乾燥工程は、洗浄工程で洗浄した際に半導体基板表面に付着した液体を、自然乾燥ではなく、機械的に半導体基板から分離する乾燥工程である。そして本発明は、上記洗浄工程を経た半導体基板を、半導体基板に付着した液体の蒸発を抑制した状態で機械乾燥工程に供することを特徴とするものである。上記説明したとおり、本発明者らは、洗浄工程で基板表面に付着している不純物を除去したとしても、または付着する不純物を抑制したとしても、洗浄工程から乾燥工程に至る過程において、基板表面に付着した液体が自然乾燥することで、液体と基板上の乾燥部分の境界に水シミウォーターマークが発生することを見出した。通常、洗浄工程において洗浄剤を除去するために、最後に純水リンスを実施することが多い。純水リンスを半導体基板に施した場合、23°C、1気圧、湿度50のような通常の環境下においては、おおよそ30秒程度で純水の自然乾燥による凝集が始まる。そして、自然乾燥により凝集した純水と、基板表面の自然乾燥した部分との境界付近においては、純水中に存在する不純物や空気中の汚染物も凝集され、乾燥後にウォーターマークが生じる。本発明では、洗浄工程において基板に付着した液体を乾燥させない状態、つまり液体が凝集しない状態で次工程である機械乾燥工程に供し、半導体基板から液体を機械的に分離することで、このようなウォーターマークの問題を解決したものである。本発明の機械乾燥工程で用いる乾燥方法は、自然乾燥などの液体の凝集を伴う乾燥方法ではなく、機械的に半導体基板と液体とを分離することによる乾燥方法である。本発明での乾燥方法は、乾燥機などを用いて機械的に乾燥する限り、特段限定されない。具体的には、遠心力を利用して半導体基板に付着した液滴を飛ばす方法や、吸引乾燥、エアブロー乾燥などが挙げられる。特に、遠心力を利用して半導体基板に付着した液滴を飛ばす方法を行うために、遠心力を利用したスピン乾燥機を用いることが、手順が簡便であり好ましく例示できる。上記スピン乾燥機を用いる場合には、半導体基板の大きさにより適宜回転速度、乾燥時間を設定すればよく、通常500~3000rpmの回転速度で、3~10分程度乾燥させればよい。本発明では、洗浄工程後の半導体基板について、半導体基板に付着した液体の蒸発を抑制した状態において、機械乾燥工程に供されることを特徴とするものであり、液体の蒸発の抑制手段については、このような状態が達成可能であれば特段限定されるものではない。具体的には、半導体基板に付着する液体が水である場合には、相対湿度100の雰囲気下において洗浄工程から機械乾燥工程へ半導体基板を供することが挙げられ、その他、洗浄工程を経た半導体基板を、半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体以下、単に遅延液体と略することがあるに浸漬させた後、機械乾燥工程へ半導体基板を供することが挙げられる。半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体は、半導体基板に付着した液体が水の場合には、水よりも自然蒸発の速度が遅い液体を意味する。水の蒸発は水の蒸気圧と関係があり、水よりも蒸気圧が小さい化合物を含む液体は、水よりも蒸発速度を下げることが可能となり、蒸発を遅延させる液体として機能する。また、半導体基板に付着した液体が水の場合には、半導体基板を遅延液体に浸漬した際に、水の全てが遅延液体によって置換されていてもよいし、水の一部が遅延液体に置換されて、水と遅延液体の両方が半導体基板に付着していてもよい。具体的には、水の蒸気圧は20°Cにおいて約2.3kPaであり、これよりも蒸気圧が小さい化合物を含む液体が、水よりも蒸発を遅延させる液体である。つまり、蒸気圧が2.3kPa未満の化合物を含む液体が好ましく、蒸気圧が2.0kPa以下の化合物を含む液体がより好ましく、蒸気圧が1.5kPa以下の化合物を含む液体がさらに好ましく、蒸気圧が1.0kPa以下の化合物を含む液体がよりさらに好ましく、蒸気圧が0.5kPa以下の化合物を含む液体が特に好ましい。水よりも蒸気圧が小さい化合物の例示としては、酢酸、過酸化水素などが挙げられ、特に過酸化水素が蒸発遅延に効果がある。また、半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体そのものの蒸気圧としては、2.3kPa未満が好ましく、2.0kPa以下がより好ましい。なお、上述の水よりも蒸気圧が小さい化合物が、25°C、100kPaで液体である場合には、他の液体に含ませることなく、そのまま用いても良い。その場合には、蒸気圧が水よりも小さい化合物を含む液体とは、蒸気圧が水よりも小さい化合物そのものを意味する。なお、蒸気圧を上記範囲にするために酢酸を用いる場合には、溶媒に溶かすことなくそのままの状態で用いることが好ましい。過酸化水素を用いる場合には、酢酸と同様に溶媒に溶かすことなく用いても良く、水溶液として用いる際には10重量以上の濃度の水溶液にして用いるのが好ましく、18重量以上の濃度の水溶液にして用いるのがより好ましい。また、安全性及び取り扱い性の観点から、80重量以下の濃度の水溶液にして用いるのが好ましく、60重量以下の濃度の水溶液にして用いるのがより好ましく、40重量以下の濃度の水溶液にして用いるのが特に好ましい。また、半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体は、機械乾燥工程で乾燥できるものである必要があるため、機械乾燥工程で半導体基板と分離可能なものである粘性を有するものである。具体的には20°Cで1.5×103/Pas以下であるものが好ましく、1.4×103/Pas以下であることがより好ましく、1.3×103/Pas以下であることがさらに好ましく、1.2×103/Pas以下であることが特に好ましい。また、半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体は、濡れ性が半導体基板に付着した液体と同じか、より接触角が小さいものが好ましい。また、半導体基板に付着した液体の蒸発を遅延させる液体の濃度については、洗浄工程後、機械乾燥工程までの間に、エッジエクスクルージョン領域を除く半導体基板の表面に付着した液体の自然乾燥を抑制可能な範囲で、適宜調整できる。すなわち、洗浄工程後、機械乾燥工程までの時間とエッジエクスクルージョン領域を考慮して適宜調整できる。なお、エッジエクスクルージョン領域とは、半導体基板端部付近のデバイス作成に適さない領域である。本発明では、半導体基板に付着した液体の蒸発を抑制することで、半導体基板を成長させた際のエピ荒れを抑制するものである。従来、ウォーターマークの低減のためには、イソプロピルアルコールベーパー乾燥が用いられているが、この方法を用いた場合であっても、イソプロピルアルコール乾燥してウォーターマークが発生する場合がある。イソプロピルアルコールベーパー乾燥により乾燥させた場合と比較して、エピ荒れが抑制されていた場合には、本発明の製造方法を実施している可能性が高いと推定することができる。以下、実施例と比較例を挙げて、本発明を更に詳細に説明するが、以下の実施例に示す具体的な形態にのみ限定的に解釈されることはない。<実施例1>C軸方向に成長したアズグロウンGaN結晶を、20-21面を主面としてスライス法によって切断してウェハを得た。切断はスライスワイヤーをa軸と平行とし、Ga面からN面に向かって切断した。次に得られたウェハを、120°Cに加熱した水酸化カリウム水溶液に10分間浸漬し、表裏をエッチングしてスライスにより生じた表面の加工歪みを低減した。表裏をエッチングしたウェハは、20-21面を研磨するために、20-2-1面を研磨プレートにワックスで張り付けた。研磨は、平均径3μm、平均径1μm、平均径0.5μm、および平均径0.25μm、のダイヤモンド遊離砥粒を順番に用いて表面のラッピングを行い、ラッピング後、コロイダルシリカおよびスウェードパッドを用いてポリシングを20時間行った。研磨終了後、研磨プレートを加熱してウェハを取り外し、洗浄するためのウェハカセットに入れた。沸騰したイソプロピルアルコールIPAにウェハカセットを10分間浸漬することでウェハ表面のワックスを取り除いた。次に、ウェハカセットからウェハを取り出し、スウェードと界面活性剤を用いてスクラブ洗浄を行った。最後に、ウェハをウェハカセットに入れ、純水導電率:0.1μS/cmで5分間流水洗浄した後、フッ酸水溶液に3分間浸漬し、再度純水で5分間流水洗浄を行った。洗浄後のウェハをウェハカセットに入れたまま、常温の30重量過酸化水素水蒸気圧:1.8kPa、20°Cに30秒以上浸漬した。過酸化水素水中のウェハカセットからウェハを真空吸着式のピンセットを用いて取り出し、表面に過酸化水素水が付着した状態でスピン乾燥機のトレーに18枚を並べてセットした。18枚のウェハのセットに要した時間は3分間であった。スピン乾燥機にセットした基板は、セットまでに要した時間の3分間、スピン乾燥機のトレーで放置されたが、スピン乾燥を実施する直前のウェハ表面は、目視観察で、自然乾燥領域がウェハ端部から1mm以内であり、全面濡れたままとなっていた。スピン乾燥を4分間実施し、ウェハ上に存在する水滴を除去した。こうして得られたGaNウェハ上に、MOCVD法でGaN結晶を4μm成長させたが、エピモフォロジー荒れは観察できなかった。<実施例2>洗浄後にウェハを浸漬した過酸化水素水の濃度を20重量蒸気圧:2.0kPa、20°Cとした以外は実施例1と同様にして、ウェハの加工洗浄乾燥を行なった。スピン乾燥機のトレー上での放置時間が4分間であったが、スピン乾燥を実施する直前のウェハ表面は、目視乾燥で、自然乾燥領域がウェハ端部から1mm以内であり、全面濡れたままとなっていた。<実施例3>洗浄後にウェハを浸漬した過酸化水素水の濃度を15重量蒸気圧:2.1kPa、20°Cとした以外は実施例1と同様にして、ウェハの加工洗浄乾燥を行った。スピン乾燥機のトレー上での放置時間が3分間であったが、スピン乾燥を実施する直前のウェハ表面は、目視乾燥で、自然乾燥領域がウェハ端部から約1mmであった。<実施例4>洗浄後にウェハを浸漬した過酸化水素水を100酢酸蒸気圧:1.5kPa、20°Cとした以外は、実施例1と同様にして、ウェハの加工洗浄乾燥を行なった。スピン乾燥機のトレー上での放置時間が1分間であったが、スピン乾燥を実施する直前のウェハ表面は、目視乾燥で、自然乾燥領域がウェハ端部から約1mmであった。得られたGaNウェハ上に、MOCVD法でGaN結晶を4μm成長させたが、エピモフォロジー荒れは、ウェハ端部から約1mmの領域に限定された。<比較例1>洗浄後にウェハを浸漬した過酸化水素水を純水蒸気圧:2.3kPa、20°Cとした以外は実施例1と同様にして、ウェハの加工洗浄乾燥を行った。スピン乾燥機のトレー上での放置時間が30秒間でウェハの端部から1mm以上の範囲に自然乾燥領域が発生し、3分間ではウェハ端部から3mm以上の範囲に自然乾燥領域が発生した。得られたGaNウェハ上に、MOCVD法でGaN結晶を4μm成長させたが、エピモフォロジー荒れは、ウェハ端部から約3mm以上の領域で観察された。<比較例2>洗浄後にウェハを浸漬した過酸化水素水を100イソプロピルアルコール蒸気圧:4.4kPa、20°Cとした以外は実施例1と同様にして、ウェハの加工洗浄乾燥を行った。スピン乾燥機のトレー上での放置時間が30秒間でウェハの端部から数mmの範囲に自然乾燥領域が発生し、1分間ではウェハの全面が自然乾燥した。得られたGaNウェハ上に、MOCVD法でGaN結晶を4μm成長させたが、エピモフォロジー荒れは、ウェハ全面に観察された。