"24個のシリコンSi原子のみからなり、六角形かつ平行対峙する2個の平行面と12個の五角形の面とからなる14面体構造のクラスタを、内部エネルギが最小化するように各シリコンSi原子の位置を調整して複数連結してなることを特徴とする微細ワイヤ。請求項1記載の微細ワイヤの製造方法であって、シリコンSi基板上に遷移金属からなる触媒を載置し、この状態でシリコンSiをスパッタリングすることを特徴とする微細ワイヤの製造方法。ところで、現状の報告では、非特許文献1に記載された直径が1~7ナノメートルnmのシリコンナノワイヤが最も細いものである。しかしながら、半導体集積回路に関する技術展望として、この1ナノメートル程度の微細ワイヤでは2015年までが限界であり、これ以降の半導体集積回路ではさらに細線化された配線材が必要である、という見方がある。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、1ナノメートルよりも細い微細ワイヤの提供を目的とするものである。上記目的を達成するために、本発明では、微細ワイヤに係わる第1の解決手段として、24個のシリコンSi原子のみからなり、六角形かつ平行対峙する2個の平行面と12個の五角形の面とからなる14面体構造のクラスタを、内部エネルギが最小化するように各シリコンSi原子の位置を調整して複数連結してなる、という手段を採用する。この発明によれば、24個のシリコンSiからなるクラスタを複数連結して形成されるので、1ナノメートルよりも細く、かつ、導電性を有するシリコン微細ワイヤを形成することができる。また、本発明では、微細ワイヤの製造方法に係わる第1の解決手段として、請求項1記載の微細ワイヤの製造方法であって、シリコンSi基板上に遷移金属からなる触媒を載置し、この状態でシリコンSiをスパッタリングする、という手段を採用する。この発明によれば、シリコンSi基板上にシリコンSiからなるクラスタを積み上げるようにして成長させることが可能であり、よってシリコンSiからなる1ナノメートルよりも細く、かつ、導電性を有するシリコン微細ワイヤを容易に製造することができる。また、この発明によれば、シリコンSi基板上にシリコンSiからなるクラスタを積み上げるための触媒として遷移金属を採用するので、シリコン微細ワイヤを容易に製造することができる。以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。本実施形態は、後述するように、シリコンSiを構成原子とするクラスタつまりシリコンクラスタを連結したシリコン微細ワイヤに関するものである。なお、クラスタあるいは原子クラスタは、一般的に数個から数千個の原子からなる原子の集合体を指す用語であるが、本実施形態においてもこれと同様の意味でクラスタという用語を用いる。図1は、本シリコン微細ワイヤを構成するシリコンクラスタAの斜視図である。このシリコンクラスタAは、24個のシリコン原子1から構成されたクラスタSi24クラスタであり、各シリコン原子1が互いに隣り合う3つのシリコン原子1と結合関係を持つことにより14面体を構成している。この図から分かるように、シリコンクラスタAの各面のうち、斜線で示す六角形の面mは互いに平行に対峙する平行面である。なお、この平行面m以外の面は、図示するように五角形の面である。このようなシリコンクラスタAは、幅が最も大きい部分の幅が0.8ナノメートルnm以下である。図2は、上記シリコンクラスタAを6つ連結して構成したシリコン微細ワイヤBの構成を示す側面図である。平行面mを互いに繋ぎ合わせるようにシリコンクラスタAを連結することにより、このシリコン微細ワイヤBは、直線状のワイヤ形状となると共に、その直径は0.8ナノメートルnm以下となる。続いて、図3は、このようなシリコン微細ワイヤBの構造体としての安定性を示す特性図である。この特性図は、周知の第一原理分子動力学法に基づくコンピュータシミュレーションにより、シリコンクラスタAの連結数に応じた結合エネルギを求めたものであり、連結数が増加するに従って結合エネルギが低下し、構造体としての安定性が増すことを示している。また、この特性図では、連結数が6以上になると結合エネルギの低下が略飽和して変化しなくなる傾向にあることをも示している。この特性図によれば、シリコンクラスタAが複数連結したシリコン微細ワイヤBは構造体として十分に安定であることを示している。図4は、シリコン微細ワイヤBの物質としての反応性をHOMO-LUMOギャップとして示す特性図である。この特性図は、第一原理分子動力学法に基づくコンピュータシミュレーションにより、シリコンクラスタAの連結数に応じたHOMO-LUMOギャップを求めたものであり、連結数が増加するに従って、つまりシリコン微細ワイヤBが長くなる程にHOMO-LUMOギャップが低下し、シリコン微細ワイヤBが長く成長するための必要な反応性が高まることを示している。また、このHOMO-LUMOギャップについては、連結数が5あるいは6になると低下傾向が略飽和して変化しなくなる。図5は、上記シリコン微細ワイヤBの電気伝導性を示す特性図である。この特性図は、第一原理分子動力学法に基づくコンピュータシミュレーションにより、シリコン微細ワイヤBを有限長例えば2つのシリコンクラスタAを連結した長さとした場合の電子状態密度を求めたものである。なお、この図5では、エネルギeVを示す縦軸がフェルミ準位フェルミエネルギを基準エネルギーつまりエネルギ0として示している。このようなシリコン微細ワイヤBの電子状態密度を見ると、フェルミエネルギを有する電子が存在するので、シリコン微細ワイヤBが金属であることが分かる。すなわち、シリコンSiは一般的には真性半導体として知られているが、シリコンクラスタAを連結して構成されたシリコン微細ワイヤBは、金属として電気伝導性を示す。したがって、半導体デバイスの配線材として利用することができる。図6は、シリコンSi原子の3s軌道と3p軌道の各電子状態密度及び当該2つの軌道の合計電子状態密度を第一原理分子動力学法に基づいて計算した結果である。なお、この図でも、エネルギeVを示す横軸は、フェルミ準位フェルミエネルギを基準エネルギーつまりエネルギ0として示している。この計算結果を見ると、シリコンSi原子の3p軌道の電子状態密度は、図5に示したシリコン微細ワイヤBの電子状態密度と良く似た傾向を示しており、したがって当該シリコン微細ワイヤBの電子状態密度は、シリコンSi原子の3p軌道の電子状態密度の寄与が大であることが分かる。以上のように、本シリコン微細ワイヤBは、構造物として安定しているだけでなく、直径が0.8オングストローム以下、かつ金属としての電気導電性を有する微細ワイヤである。したがって、本シリコン微細ワイヤBは、将来の半導体集積回路の配線材として十分な性能を有している。続いて、このようなシリコン微細ワイヤBの製造方法について、図7を参照して説明する。なお、図7は、本シリコン微細ワイヤBを製造するためのスパッタリング装置の概略図である。この図に示されているように、本シリコン微細ワイヤBは、表面に触媒が載置されたシリコン基板上にシリコンターゲットから飛散したシリコン原子を堆積させることによって製造される。ここで、触媒は、例えば遷移金属であり、シリコン原子をシリコンクラスタAの形態でシリコン基板上に成長さるためのものである。このようなスパッタリング装置製造装置によれば、本シリコン微細ワイヤBの構成原子であるシリコンを原子単位でシリコン基板上に降らせることができる一方、触媒の存在によって各シリコン原子を上述したシリコンクラスタAの形態でシリコン基板上に順次成長さることができ、結果としてシリコンクラスタAが順次積み上げられた形態のシリコン微細ワイヤBを製造することができる。ここで、図3に示したように、本シリコン微細ワイヤBは結合エネルギが小さく、構造体として十分に安定なものであるが、シリコンクラスタAにおける各シリコン原子1の位置を最適化することにより上記結合エネルギをさらに低減させて、安定性を向上させることができる。図8は、上記シリコンクラスタA及び各シリコン原子1の位置が最適化されたシリコンクラスタA’の側面図である。上述した第一原理分子動力学法に基づくコンピュータシミュレーションによって内部エネルギが最小化される各シリコン原子1の位置を求め、このようにして最適化されたシリコンクラスタA’は、上記シリコンクラスタAよりも内部エネルギが小さく、よってより安定である。したがって、このようなシリコンクラスタA’を連結して構成したシリコン微細ワイヤB’図9参照は、上述したシリコン微細ワイヤBよりも結合エネルギが小さく、よってより安定である。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。1上記実施形態では、シリコンSiを構成原子とするシリコンクラスタA,A’を連結したシリコン微細ワイヤB,B’について説明したが、クラスタの構成原子はシリコンに限定されない。クラスタの構成原子は。例えば水素H、ヘリウムHe、リチウムLi、ベリリウムBe、ボロンB、炭素C、窒素N、酸素O、フッ素F、ネオンNe、ナトリウムNa、マグネシウムMg、アルミニウムAl、シリコンSi、リンP、硫黄S、塩素Cl、アルゴンAr、カリウムK、カルシウムCa、チタンTi、バナジウムV、クロムCr、マンガンMn、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、ガリウムGa、ゲルマニウムGe、ヒ素As、セレンSe、臭素Br、クリプトンKr、ルビジウムRb、ストロンチウムSr、イットリウムY、ジルコニウムZr、ニオブNb、モリブデンMo、テクネチウムTc、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、銀Ag、カドニウムCd、インジウムIn、スズSn、アンチモンSb、テルルTe、ヨウ素I、キセノンXe、セシウムCs、バリウムBa、ランタンLa、セリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、プロメチウムPm、サマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTm、イッテルビウムYb、ルテチウムLu、ハフニウムHf、タンタルTa、タングステンW、レニウムRe、オスミウムOs、インジウムIr、白金Pt、金Au、水銀Hg、タリウムTl、鉛Pd、ビスマスBi、ポロニウムPo、アスタチンAt、ラドンRnの中のいずれかであれば良い。2上記実施形態では、微細ワイヤを構成する全てのクラスタがシリコンを構成原子としているが、本発明はこれに限定されない。構成原子が異なるクラスタを連結して微細ワイヤを構成しても良い。スパッタリングにおけるターゲットを交換することにより異なる構成原子からなるクラスタを連結成長させて微細ワイヤを製造することができる。3また、上記実施形態では、24個のシリコン原子1から構成されたSi24クラスタを用いた。これは互いに平行に対峙する六角形の面mが平行面であり、この平行面を突合せ面としてシリコンクラスタAを連結することにより直線状のシリコン微細ワイヤBを構成することができるからである。しかしながら、このような平行面を有しないシリコンクラスタ、例えば20個のシリコン原子からなるSi20クラスタや28個のシリコン原子からなるSi28クラスタを連結することによってもシリコン微細ワイヤを構成することが可能である。但し、この場合のシリコン微細ワイヤは湾曲したものとなる。"