"微細な凹凸形状パターンが形成されたモールドを基板に押し付けて、該微細な凹凸パターンを基板表面に転写するパターン形成方法において、前記モールドは、基板とモールドとの相対位置関係を決定するための複数のアライメントマークを有し、相対位置を決定する際に前記アライメントマークの破損の有無を検出する工程を有し、前記検出工程で破損したアライメントマークが検出された場合には、破損部を除くアライメントマークにより位置合わせすることを特徴とするパターン形成方法。請求項1に記載のパターン形成方法において、破損したアライメントマークの検出を、位置情報を参照することにより検出することを特徴とするパターン形成方法。請求項1に記載のパターン形成方法において、破損したアライメントマークの検出を、パターン形状を参照することにより検出することを特徴とするパターン形成方法。ディスク基板のように中心部に開口部が形成された基板とモールドとの位置合わせにおいて、以下の課題が生じる。特許文献1の方法ではディスク基板表面に凹凸パターンを形成した後、ディスク基板に穴を加工する必要が生じる。そのため、購入時に基板の回転中心軸が決められて穴が加工されている従来のディスク基板を使用することができない。さらに、本来であれば記録層を形成する前に加工されている穴を、記録層を形成した後に加工する場合もあり、製造工程を大幅に変更する必要が生じる。特許文献2の方法では、突起物の加工に高い精度が必要とされる。また、ディスク基板中央の穴径も加工時の誤差により変化することから、突起物のみでモールドとディスク基板の位置合わせを行う場合、位置合わせ精度は使用するディスク基板ごとに変化し、繰り返し精度良く位置合わせすることが困難である。特許文献3の方法ではマスター中心とディスク基板中央開口部を同時に撮影するため解像度が得にくく、その結果合わせ精度が低下する。以上のように、ディスク基板のように中心部に開口部が形成された基板とモールドとの高精度な位置合わせが困難という問題がある。また、従来のリソグラフィ装置では、パターン原画の形成されたレティクルとパターンを形成する基板は、非接触に保持された状態で光学的、あるいは、描画して転写されるので、アライメントする際の接触に伴う位置決め誤差要因はない。しかし、ナノインプリント技術を用いたパターン形成においては、パターン原画の形成されたモールドと、パターンを転写する基板表面に樹脂を塗布した後に、接触、押し付けた上で、加熱、あるいは、紫外線照射を行う必要がある。その結果、原理的に接触が避けられないため、物理的接触による位置合わせマークが損傷する可能性がある。位置合わせマークの損傷はパターン全体の位置合わせ不良の原因となり、単に転写パターン形成用の凹凸が破損する以上の悪影響を生じる。本発明の目的は、ナノインプリント技術を利用する微細パターン構造の形成において、基板中心部に穴が形成されたディスク基板とモールドとの高精度の位置合わせが可能なパターン形成方法を提供することにある。上記課題を解決する第1の手段は、微細な凹凸形状のパターンが形成されたモールドを基板に押し付けて、微細な凹凸パターンを基板表面に転写するパターン形成方法において、前記モールドは、基板とモールドとの相対位置関係を決定するためのアライメントマークを同心円上に2箇所以上有し、前記アライメントマークと基板の円形開口部の端部との相対位置関係よりモールドと基板との位置合わせを行うことを特徴とする。第2の手段は、微細な凹凸形状によりパターンを形成したモールドを基板に押し付けて、該微細な凹凸パターンを基板表面に転写するパターン形成方法において、モールドは、基板とモールドとの相対位置関係を決定するための複数のアライメントマークを有し、相対位置を決定する際にアライメントマークの破損の有無を検出する工程を有し、検出工程で破損したアライメントマークが検出された場合には、破損部を除くアライメントマークにより位置合わせすることを特徴とする。本発明を用いることにより、ナノインプリント技術を利用する微細パターン構造の形成において、接触時の位置合わせマークが損傷の有無に拘らず、基板中心部に穴が形成されたディスク基板とモールドとの高精度の位置合わせが可能なパターン形成方法を提供することができる。本発明に用いられるモールドは、転写されるべき微細な凹凸パターンを有するものであり、凹凸パターンを形成する方法は特に制限されない。例えばフォトリソグラフィ,集束イオンビームリソグラフィ或いは電子ビーム描画法等が所望する加工精度に応じて選択される。モールドの材料にはシリコン,石英,ガラス,ニッケル,樹脂等が使用可能であり、強度と要求される加工精度を有するものであればよい。また、表面に離型処理を施したものは剥離の際の転写パターン変形や損傷を抑えられるため好ましい。本発明に用いられる基板は特に限定されない。例えばガラス,シリコンやアルミニウム合金などの金属類,エポキシやポリイミド等の樹脂基板の各種材料およびこれらを組み合わせた材料を使用することができる。また、中心部に円形の開口部を有するディスク状基板を用いることもできる。ディスク状基板中心部の円形開口部は転写の際の位置合わせに用いられるためディスク基板外周部よりも高精度に加工されていることが好ましい。加工部端部はテーパ状に面取り加工されていても構わない。また、ディスク基板表面は非常に平滑性が高く、うねり等が小さい基板であることが好ましい。また、表面に磁性体等の基板と異なる材料による膜が形成されていても構わない。また、樹脂膜を基板上に形成しパターンを転写することもできる。その際、樹脂膜は特に限定されていないが、基板表面の所望する微細加工精度が得られるものが好ましい。熱可塑性,熱硬化性の樹脂のみでなく、光硬化性の樹脂を使用してもよい。好適な熱可塑性の材料には、主成分がシクロオレフィンポリマー,ポリメチルメタクリレート,ポリスチレン,ポリカーボネート,ポリエチレンテレフタレートPET,ポリ乳酸,ポリプロピレン,ポリエチレン,ポリビニルアルコール等が挙げられる。また、光硬化性の材料としては、ラジカル重合系,カチオン重合系等が挙げられるがこれらに限定されない。室温において液状で低粘度であり、紫外線等の光を照射することで硬化する樹脂であることが好ましい。本発明のモールドに形成されたアライメントマークは転写されるパターンと同一の面上や、転写されるパターンと反対の面に形成されている。このほか、転写される面と異なる面に形成されていてもかまわない。更にアライメントマークは同心円上に形成されていることが好ましい。これにより、特にディスク状基板中心部の円形開口部との相対位置を合わせる際に、基板とモールドとの相対位置関係を容易に認識できる。また、本発明のアライメントマークは同心円の中心に対して対称の位置に形成されていることが好ましい。対称の位置に形成することで、特にディスク状基板中心部の円形開口部との相対位置を同時に認識し、それぞれのずれ量の差を減少させる方向に位置合わせすることで、円形開口部中心位置にアライメントマークが存在しなくとも容易に正確な位置合わせが可能となる。また、これらアライメントマークはモールド上に複数組形成されていることが好ましい。複数組形成することで、転写時にこれらアライメントマークの一部が被転写材料により汚染されたり、物理的に欠損した場合でも、それ以外のアライメントマークを使用することが可能になり、基板とモールドの相対位置合わせが遂行できる。同様に本発明のアライメントマークはモールド上の異なる複数の面に形成されていることが好ましい。転写面以外にもアライメントマークを形成することにより汚染や欠損などの不具合を未然に防止することができる。本発明のアライメントマークは段差マークに限らず、モールドと異なる材料により形成されたものでも良く、より高いマーク検出信号を得られるものであれば特に限定されない。具体的にはCrなどを使用することもできる。また、段差マークの場合、転写パターンの深さとアライメントマークの深さが異なる場合もある。その際アライメントマークの深さはt=λ/2n:モールドの屈折率、t:パターン深さ、λ:照射光波長の関係を満たすことにより、より高い検出信号強度をうる事ができるため特に好ましい。また、本発明のアライメントマークは円弧状であることが好ましい。円弧状にすることでディスク状基板中心部の円形開口部と位置合わせする際に、円形開口部端部との形状が相似形になるためにより高精度に認知できる。円弧の中心角θは0°<θ≦360°の範囲のものを用いることができる。また、本発明のアライメントマークが形成されている同心円半径は基板円形開口部半径より小さいことがより好ましい。同心円半径を基板中心部開口径よりも小さくさせることで転写時の樹脂によるアライメントマーク汚染に対するリスクが小さくなるとともに、ディスク中心部の円形開口端部との認知性が向上する。また、本発明の破損したアライメントマークの検出法としては、アライメントマークが形成された相対的および絶対的位置情報を参照することにより検出する方法と、パターン形状を参照することにより検出する方法により行われる。また、これらを組み合わせた方法により検出してもよい。本発明の該微細な凹凸パターンを基板表面に転写するパターン転写装置は基板を保持するための基板保持部,モールドを固定するためのモールド固定部,基板とモールドとの相対位置関係を認識するためのアライメントモニター部より構成される。基板保持部は位置合わせの際、基板をX,Y,Zおよびθ方向に移動することができる駆動部を備えていることが好ましい。モールド固定部にも金型をX,Y,Z方向に移動する駆動部を備えていることが好ましい。また、これら駆動部にはステッピングモータのほかより微細な移動を可能にするピエゾ素子を用いた駆動系およびこれらを組み合わせた駆動系を用いることが高精度な位置合わせを行う上で好ましい。また、これら駆動部とアライメントモニター部の機能を組み合わせることにより破損したアライメントマークを検出することができる。アライメントモニター部はアライメントパターンを認知するための光源や顕微鏡やCCD等の光学系の他、パターン認識装置等を有する。光源にはレーザを使用してもよく、または単波長および複数の分離された波長を使用することもできる。更に、パターン転写装置には基板を加熱,冷却する機構や転写面に光を照射する機能を有するものであることが良好な転写パターンを形成する上で好ましい。図1に本実施例で使用したモールド1の平面図を示す。モールド1は石英基板で作製されており、厚さ1000マイクロメートル,直径100mmの円盤である。周知の電子線ビーム描画技術を利用することで、100ナノメートル以下の微小凹凸パターン2をモールド1の表面に容易に加工できる。モールド1の表面に形成される微小凹凸パターン2は、ディスク基板の中央開口部と同心円を成す幾周もの円周上に配列された。この凹凸パターン2は、まず電子線ビーム描画技術で、基板上に形成されたレジスト膜をパターニングすることで、レジストパターンを形成し、その後、レジストパターンをマスクとして利用して周知のドライエッチング技術によってモールド1上に凹部を形成することによって作製された。ここで作製した凹凸パターン2は、凹部上面の直径が35ナノメートル、凹部底面の直径が20ナノメートル、深さが100ナノメートルの断面を有するビア構造を有しており、これがパターン中心間隔40ナノメートルで並べられている。アライメントマークはパターン形成領域の中心と同一の中心を持つ半径999ミリメートルの同心円上に幅20μm,長さ100μm,深さ650nmの円弧状のアライメントマークを、仮想中心を中心とした点対称の位置に3組形成した。被転写基板となるディスク基板には、厚さ08ミリメートル,外円の直径65ミリメートル,中心穴の直径20ミリメートルに加工された、記録媒体用に製造販売されているガラス基板を用いた。微細な凹凸パターン2が形成されたモールド1を図2に示すようにディスク基板4の記録面に塗布された樹脂膜8に押し付けてレジストパターンを形成する際、モールド1の凹凸パターンがディスク基板の中央開口部と同芯円を成すように、ディスク基板4とモールド1の相対位置を精度よく一致させる必要がある。そこで、本発明で実施したアライメントマークの形成方法及びディスク基板とモールドとの位置合わせ方法を以下に説明する。モールド1の表面には、凹凸パターン2と共に、ディスク基板中心円形開口部の内円周部近傍に相当する位置に、ディスク基板4の中央開口部と同芯円周上に、3組の円弧線によって構成されるアライメントマーク3を形成した。本実施例では、ディスク基板の内径が20000ミリメートル~2002ミリメートルの加工精度で作製されていたため、直径1998ミリメートル円周上に設けてアライメントマークとした。アライメントマーク3の深さはアライメント用照明の波長が65628nmであることを考慮し656nmとした。また、アライメントマーク幅は20μmに設定した。アライメントマーク3は、凹凸パターン2を形成する前に周知のフォトリソプロセスとドライエッチング技術を利用してモールド1上に形成された。基板とモールドの相対位置合わせを行う前に、アライメントマーク破損の有無チェックをアライメントマークが形成された位置情報より行った。次に以下の方法により基板とモールドの相対的位置合わせを行った。図3に、アライメントマーク3を利用して、モールド1とディスク基板4を位置合わせするときの概略図を示す。図3には、平面から見た状態と側面から見た状態を示した。ディスク基板4には中央開口部7が設けられており、また記録面には膜厚100ナノメートルの光硬化性の樹脂膜8がスピンコート法で塗布されている。レジスト材には、ラジカル重合系の粘度4cPの光硬化性樹脂を塗布した。ディスク基板4のレジスト塗布面を、凹凸パターン2とアライメントマーク3が加工されているモールド1の表面と向き合うように設定した。このとき、ディスク基板4を稼動ステージに保持し、モールド1をモールド固定部に保持した。ディスク基板4の上部には、ディスク基板4の内円周のエッジと、モールド1上のアライメントマーク3を同時に観察できるように2台のカメラ5,6を設置した。カメラ5,6で観察される画像を利用して、始めにディスク基板4を大まかに動かしながら、複数のアライメントマーク3の中から破損していない1組のマークを選び出し、このマークを基準とした。次に、カメラ5で観察される基準線とディスク基板のエッジとの相対位置と、カメラ6で観察される基準線とディスク基板の端部との相対位置とが等しくなるようにディスク基板4の位置を微調整した。アライメントマーク3を用いた位置合わせにより、偏芯量を10マイクロメートル以下に抑えてモールド1の凹凸パターン2をディスク基板4に相対位置合わせを行った。位置合わせ終了後、ディスク基板4とモールド1との相対位置を維持したまま、モールド1を樹脂膜8に接触,加圧した。次に図示しない超高圧水銀灯を内蔵した露光装置により365nmの光を5J/cm2のエネルギーで照射し、樹脂を硬化させた。次に、ディスク基板4からモールド1を引き剥がした。これにより、樹脂膜8には、凸部底面部の直径が35ナノメートル、凸部上面部の直径が25ナノメートル,高さ100ナノメートルの断面を有する柱状構造がパターン中心間隔40ナノメートルで並べられているレジストパターンが作製された。このレジストパターンは、ドライエッチングを利用した加工プロセスでマスクとして利用された。ドライエッチングを用いた加工プロセスの終了後、ディスク基板上には凸部底面部の直径が30ナノメートル、凸部上面部の直径が20ナノメートル,高さ20ナノメートルの断面を有する柱状構造がパターン中心間隔40ナノメートルで並べられている微細な凹凸パターンが形成された。次に図4のように、この凹凸パターンが形成されたディスク基板上に、スパッタ技術を用いて厚さが約50ナノメートルの磁性層9を形成した後、その磁性層を覆うように保護膜10及び潤滑膜を形成した。以上により、凸部上の磁性層が記録ビットとして動作する、記録密度が約300ギガビット/平方インチの磁気記録媒体を作製できた。本実施例では、モールド1の表面に形成した凹凸パターン2を、断面を有する抜きテーパ構造としたが、矩形断面を有する抜きテーパ構造或いは溝がトラック状に加工されたテーパ構造にしてもよい。また、2つのアライメントマークと2つのカメラを用いて、アライメントマークとディスク基板のエッジとの相対位置を2箇所で観測したが、3つのアライメントマークとカメラを3台以上設置して3箇所以上で位置合わせしてもよい。モールドとディスク基板との位置合わせにおいて、モールド中央にディスク基板の中央開口部の径よりも小さい径の突起部を取り付けることによって、モールド中央に取り付けられた突起部をディスク基板の中央開口部に通してディスク基板とモールドの相対位置を大まかに決めた後、アライメントマークを用いて位置を調整することで、短時間で正確な位置合わせを容易に行えるようになり、かつ精度を高めることができる。本実施例では中央開口部を用いて位置合わせを行ったが、基板外周部にて簡易的な位置合わせを行った後、本実施例の中央開口部を用いて高精度な位置合わせを行うこともできる。また、高精度な位置合わせを要求しない場合は単に基板外周とモールドとの簡易位置合わせのみを行うことも可能である。なお、本実施例では磁気記録媒体を作製する場合について説明したが、光記録媒体の作製にも適用できる。実施例1と同様の方法により、モールドを作製した。ここで作製した凹凸パターンには底面の直径が35ナノメートル、上面の直径が20ナノメートル、高さが100ナノメートルの断面を有する柱状構造がパターン中心間隔40ナノメートルで並べられている。また、実施例1と同様のアライメントマークも形成されている。ディスク基板には厚さ08ミリメートル,外円の直径65ミリメートル,中央開口部の直径20ミリメートルに加工された、記録媒体用に製造販売されているガラス基板を用いた。モールドとディスク基板の位置合わせ方法、その後のディスク基板記録面に塗布されたレジスト膜への凹凸パターン転写方法は、実施例1と同様の方法で行った。この方法により、レジスト膜には、凹部底面部の直径が25ナノメートル、凹部上面部の直径が35ナノメートル,深さ100ナノメートルの断面を有する穴がパターン中心間隔40ナノメートルで並べられているレジストパターンが作製された。図5は、ディスク基板4の記録面に塗布された樹脂膜8に凹凸パターンが転写された状態から、ディスク基板記録面に記録層として磁性層を形成するまでの工程を示したものである。モールドに形成された凹凸パターンがディスク基板4に塗布された樹脂膜8に転写された状態では、樹脂膜8の凹部底には厚さ10ナノメートルのレジストベース層が残っているa。この状態からドライエッチングでレジストベース層のみを除去することで、凹部底にはディスク基板の記録面が現れたb。この状態で、スパッタ技術を用いてレジストパターン及びディスク基板表面に厚さ50ナノメートルの磁性層9を形成したc。その後、残っている樹脂膜及び樹脂膜上に形成されている磁性層をリフトオフ技術で取り除いたd。以上の方法により、ディスク基板4の記録面には、底面部の直径が20ナノメートル,上面部の直径が25ナノメートル,高さ50ナノメートルの断面を有する柱状構造の磁性層がパターン中心間隔40ナノメートルで並べられている微細な凹凸パターンが形成された。磁性層及びディスク基板表面を覆うように保護膜および潤滑膜を形成して、ディスク基板上の凸部が記録ビットとして動作する、記録密度が約300ギガビット/平方インチの磁気記録媒体を作製した。次に図6を用いてシリコンウエハ上へのナノインプリントによるパターン形成手順について説明する。この図は、光硬化型樹脂を用いた場合の配線パターン形成方法を模式的に説明する図である。ウエハ11には、配線パターン12が形成されている。その表面に上層の配線膜13をデポし、さらに、光硬化型樹脂14を塗布するI。次に、ウエハ11に対して、パターンが形成されたモールド15をウエハ11の上方から接近させ、接触する前に、モールド15とウエハ11の位置を合わせアライメントした後に、両者を相対的に押し付けてパターンを形成するII。モールド15は、石英でできており、光を透過する。モールド15を押し付けた後に、モールド15背面から紫外線を照射して樹脂膜の凹凸パターン2を硬化させるIII。モールド15を除去し、パターン凹の底に残るベース層を除去すると、樹脂パターン16が形成されているIV。この樹脂パターン16をマスクとして下地の配線膜をエッチングすれば配線パターン17が形成されるV。次に図7を用いてナノインプリント装置の概要を説明する。パターンを転写するウエハ11表面には樹脂が塗布され、ステージ18に保持される。このステージ18は、図の一軸方向Xのほか、紙面に垂直な方向Yと、XY面内の回転YAWの位置決めが可能な機構を備えている。ステージ18の位置は、レーザ測長器19により計測され、ステージ駆動手段26により所定の位置に移動される。また、ステージ18の上方には、ウエハ11に転写するパターンが形成されたモールド15を搭載した金型ステージ25が設置されている。金型ステージ25は、上下方向に位置決めが可能な構成をとっており、ウエハ基板までの距離を測定できるZセンサ20と、ウエハ基板1と接触後の荷重を測定可能な荷重センサ図示せずを備えている。Zセンサ20としては、レーザ測長器,静電容量型ギャップセンサ等を用いることができる。また、金型ステージの複数の位置にZセンサを設けることにより、金型と基板との平行度を確保しながら金型を基板に押し付けることができる。モールド15は、透明な基板、例えば、石英やガラスでできており、光を透過するようになっている。また、ウエハ11とモールド15のサイズは、同じでもよいし、モールド15のサイズをウエハ11の数分の一としてもよい。数分の一とした場合は、従来のステッパ装置のようにステップ移動しながらパターンを転写して、ウエハ全面にパターンを形成することになる。さらに上方には、水銀ランプ21aが備えられており、破線で示す光路をたどり照明光学系21bを透過して並行光に変換した照明光が、モールド15を透過して光硬化型樹脂膜を照明する。この照明は、図示しないシャッタにより露光量や露光時間を制御できる。ステージ18上方には、金型のパターン形成面の位置とウエハの位置を検出する位置検出器22a,22bがある。金型が下降してウエハ11と接触する直前、例えば、10μm上空で停止した位置から、接触するまでの領域においてモールド15の表面に予め形成されている金型アライメントマーク23の位置とウエハ上のアライメントマーク24の位置を位置検出器22a,22bを用いて測定できる。これによりウエハと金型の相対位置のアライメントが可能となる。さらに、この位置検出器22a,22bは、装置の基準位置に固定されており、金型の装置基準の絶対位置を測定する。また、試料であるウエハ11は、Si基板に限らず、GaAs基板,ガラス基板、またはプラスチック基板であっても良い。図8に本実施例で用いた金型の位置合わせ用マーク801の配置を示す。位置合わせ用マークは一塊の凹凸のパターンであり、ラインアンドスペースや十字の形状をしている。図8では長さ2μmの十字による位置合わせ用マークが、転写パターンのある領域の外周に位置しており、8つの対称的な位置に配置してある。位置合わせ用マークは転写パターンと同じ面上に同一工程で形成されており、パターン転写の際にウエハに押し付けられるために機械的接触に伴う損傷を生じる恐れがある。例えばマークの欠損であり、樹脂の付着である。合わせマークが損傷するとアライメント精度が劣化し、歩留まりに大きな影響を与える。本実施例では8つのマークの位置の測定結果の中で2つが500nm以上設計値からずれており、損傷を受けたものと考えられた。これに対して残りの6つのマークは30nmから50nmのずれに留まっていた。欠損,樹脂の付着した位置合わせ用マーク802,803を除いてアライメントを行った結果、精度の良い転写を行うことが出来た。アライメント精度は300nmから70nmへと改善された。また、図7のウエハアライメントマーク24は周期的パターンであっても良い。これは1次回折光を検出器により検出することでより高精度な位置検出を行うためである。この方法では例えば周期的パターンの1本のラインが損傷した場合でも位置検出誤差への影響が少なくなるため、破損したマークを見分けにくい。そこで、0次光を用いてマークの像を観察可能な光学的手段を別途設けることでこの問題の解決が図れる。それぞれのマークの像信号を損傷していないマークから得られる像信号と比較することにより損傷マークを選別することが出来る。このように高精度位置検出と損傷マークの識別を両立させることが可能となった。本実施例では更に損傷の影響を低減するために図9の断面構造を持つ金型を用いた。合わせマークの配置は図8と同様である。図9より明らかなように本実施例では合わせマークは転写パターンより奥転写時に試料より離れた位置に形成されている。これにより転写時に合わせマークが試料と接触することが無く、破損の危険性が無い。これにより連続しようにおいても高い歩留まりを維持できる。合わせマークとしては凹凸合わせパターン902を持つものを製作した。この金型を用いることで1000回使用での歩留まり90以上を維持し、良好な結果を得ることが出来た。これらの金型は基板の外周よりの部分を一旦エッチングして段差を設けることで異なる高さの平面を形成し、低い面に合わせマークを高い面に転写パターンを形成することにより、金型を製作している。マークの損傷危険性が小さい金型としてはこの他に金属膜パターン903や蛍光体パターン904を設けたものもある。凹凸パターンは転写パターンの形成とプロセスの共通化が可能であり、製作工程の観点からは有利である。しかし、光によるマーク検出でより高いコントラストを得るためには、高い反射率を持つ金属膜パターンや自ら蛍光を発する蛍光体パターンのような転写パターンとは異なる構造のマークを用いることが有効である。また、図10では転写パターン1001と反対側の面に裏面凹凸パターン1002,裏面金属膜パターン1003,裏面蛍光体パターン1004、などの位置合わせ用マークを形成してある。試料に押し付ける面と反対側に位置合わせ用マークがあるのでマークの損傷の可能性は軽減する。しかし、これらの方法では転写パターンと位置合わせ用マーク間の相対位置誤差が大きくなりやすい。そこで、これに対処するための工夫として転写パターン面とそれ以外の双方の面に位置合わせのためのマークを設ける場合の例を図11に示した。例えば図11aのように転写パターン1100と異なる面に第1の位置合わせマーク1101を設けると、位置合わせ用マークは転写パターンと同時に形成することが出来ないので、位置合わせマーク1101と転写パターン1100間の相対位置誤差が大きくなりやすい。従って、転写パターンと同じ面内にも第2の位置合わせマーク1102を設けることが有効となる。すなわち、第1の位置合わせマーク1101の位置を検出して転写したパターンの位置を転写パターンと同じ面内の第2の位置合わせマーク1102の転写結果を用いて校正するのである。一度両マークの関係を計測しておけば転写パターン面の位置合わせ用マークが損傷しても大きな問題とはならない。なお、転写パターン面と異なる面に形成する位置検出用マークは本実施例のような段差マークに限らず、基板と異なる材料により形成されたものでも良く、より高いマーク検出信号を得られることも可能となる。また、図11b,cに示したように、モールドを段差形状とし、突出した転写パターン面に対して高さの低い奥の面に位置合わせマークを形成することも同様に有効である。以上の4つの実施例は光硬化型樹脂を用いていたが、熱硬化型樹脂でも同様の効果を得ることが可能である。以上のように、微細な凹凸形状によりパターンを形成したモールドに、基板とモールドとの相対位置関係を決定するためのアライメントマークを2箇所以上同心円状に対称の位置に複数組形成し、それぞれのマークの位置情報や形状から破損したマークを同定し、破損したマークを除いてモールドと樹脂膜が塗布された基板との位置合わせを行うことにより、基板中心部に穴が形成されたディスク基板においても接触時に位置合わせマークが損傷することなく、高精度の位置合わせが行えるようになる。"