入口と出口とを有する誘電体ハウジング内に位置した少なくとも1つの電極に無線周波高電圧を印加する一方、プロセスガスを入口から電極を通過して出口へと流れるようにして非平衡大気圧プラズマを生成し、噴霧した又はガス状の表面処理剤を前記非平衡大気圧プラズマに組み込み、基板を前記誘電体ハウジングの出口に隣接して、該基板の表面がプラズマと接触し、誘電体ハウジングの出口に対して移動するように位置付けることにより基板をプラズマ処理するに当たり、前記プロセスガスの流れと、前記誘電体ハウジングの出口及び基板の間の間隙とを、プロセスガスが誘電体ハウジング内で乱流様式を有するように制御することを特徴とする基板のプラズマ処理方法。前記誘電体ハウジングの出口及び基板の間の間隙を1.5mm未満になるように制御することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記プロセスガスの流れをモニターし、前記プラズマの出口及び基板の間の間隙を添付図面の図4に示した線より下になるように制御することを特徴とする請求項2に記載の方法。前記誘電体ハウジングの出口及び基板の間の間隙の表面積が、プロセスガス用入口の面積の35倍未満であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記誘電体ハウジングの出口及び基板の間の間隙の表面積が、プロセスガス用入口の面積の2~10倍であることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記電極又はそれぞれの電極が、針電極であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記電極又はそれぞれの電極を、プロセスガスが流れる狭いチャネルによって囲むことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記基板を金属板を覆う誘電体層上に位置付け、対電極を使用しないことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。接地対電極を前記プラズマの管の外に位置付け、該プラズマ管に沿った位置に配置することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記プロセスガスが、前記電極を通過する表面処理剤を運ぶことを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。前記電極を、前記ハウジング内の表面処理剤用のアトマイザーと組み合わせることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。前記無線周波高電圧を、前記アトマイザーを囲み、同じ極性を有する誘導体ハウジング内に位置付けた少なくとも2つの電極に印加することを特徴とする請求項11に記載の方法。前記電極が、前記アトマイザーを囲む管電極であることを特徴とする請求項11に記載の方法。プロセスガス用入口と、該プロセスガスが前記入口から電極を通過して出口へと流れるように配置した出口とを有する誘電体ハウジング内に位置付けた少なくとも1つの電極に接続した無線周波高圧電源と、噴霧された表面処理剤を前記誘電体ハウジング内に導入する手段と、前記誘電体ハウジングの出口に隣接した基板の支持手段とを備える基板をプラズマ処理する装置で、前記誘電体ハウジングの出口及び基板の間の間隙の表面積が前記プロセスガス用入口の面積の35倍未満となるように前記支持手段を位置付けることを特徴とする基板のプラズマ処理装置。図1の装置は、誘電体ハウジング14によって画定され、出口15を有するプラズマ管13内に位置した2つの電極11、12を備える。電極11、12は針電極であり、双方とも同じ極性を有し、好適な無線周波RF電源に接続されている。電極11、12は、例えば電極の幅より0.1~5mm広い、好ましくは電極の幅より0.2~2mm広い、プラズマ管13と連通する狭いチャネルそれぞれ16及び17内にそれぞれ位置する。プロセスガスはチャンバ19に供給され、このチャンバの出口は電極の周囲のチャネル16、17である。チャンバ19は熱抵抗性の電気絶縁材で作製され、金属の箱の底の開口部に固定される。所望により、金属の箱を接地する。あるいは、全ての電気接続が隔離され、プラズマと接触し得る全ての部分が絶縁材で覆われるのであれば、チャンバ19は導電性材料で作製されてもよい。このようにして、チャネル16、17は誘電体ハウジング14へのプロセスガス用入口を形成する。表面処理剤用入口22を有するアトマイザー21は、電極チャネル16、17に隣接して配置されており、噴霧手段図示せずと噴霧した表面処理剤をプラズマ管13に供給する出口23とを有する。チャンバ19はネブライザー21及び針電極11、12を定位置に保持する。誘電体ハウジング14は任意の誘電体材料で作製され得る。下記の実験を石英の誘電体ハウジング14を使用して行ったが、例えばガラス又はセラミック、又はポリアミド、ポリプロピレン若しくは例えばTeflon商標で販売されているポリテトラフルオロエチレンのようなプラスチック材料など、その他の誘電体を使用してもよい。誘電体ハウジング14は、高温抵抗性のために設計された例えば繊維強化プラスチックなどの複合材料で形成されてもよい。被処理基板25をプラズマ管の出口15に位置付ける。基板25は誘電性支持体27上に置かれる。基板25を、プラズマ管の出口15に対して移動可能に配置する。誘電性支持体27は、例えば金属支持板28を覆う誘電体層27であってもよい。図の金属板28は接地されているが、この板の接地は任意でよる。金属板28を接地しない場合、それは例えばシリコンウェハなどの導電性基板へのアーク放電の減少に貢献する場合がある。誘電体ハウジング14の出口端及び基板25の間の間隙30は、プラズマ管13に供給されたプロセスガス用の唯一の出口である。電極11、12は尖鋭な表面であり、好ましくは針電極である。尖った先端を有する金属電極の使用はプラズマ形成を促進する。電位を電極に印加すると電場が生成され、それがガス中の荷電粒子を加速してプラズマを形成する。電場密度は電極の曲率半径と反比例するので、尖った先端はこのプロセスを促進する。したがって、針の尖った先端部における電場の増強により、針電極はより低い電圧源を用いてガスのブレークダウンをもたらすという便益を有する。動力を印加すると、局在的電場が電極の周りに形成される。これらが電極周囲のガスと相互作用し、プラズマを形成する。したがってこのプラズマ生成装置は対電極が特に提供されなくても動作できる。あるいは、接地対電極をプラズマ管の軸に沿った任意の場所に位置付けてもよい。1つ又は複数の電極への電源は、プラズマ生成において既知の1kHz~300GHzの範囲の無線周波電源である。本発明者らが最も好む範囲は3kHz~30kHzの超長波VLF帯であるが、30kHz~300kHzの範囲の低周波LFもまた成功裡に使用できる。1つの好適な電源は複極性パルス波の高周波高電圧発生器であるHaidenLaboratoriesInc.のPHF-2K装置である。これは、従来の正弦波高周波電源が供するより速い上昇時間及び下降時間<3μsを有する。したがって、イオン生成及び処理効率の向上を提供する。この装置の周波数はプラズマシステムに合わせて可変1~100kHzでもある。好適な代替電源は、PlasmaTechnicsInc.がETI110101の参照名で販売するような電子オゾン変換機である。これは一定の周波数で作動し、最大100ワットの電力を送達する。アトマイザー21に供給される表面処理剤は、例えば重合可能な前駆体であり得る。重合可能な前駆体をプラズマに導入すると、制御されたプラズマ重合反応が生じ、その結果、プラズマ出口に隣接して置かれた任意の基板にポリマーが堆積する。これまでに、本発明のプロセスを用いて、広範な機能性コーティングを数多くの基板に堆積してきた。基板にグラフトされたこれらのコーティングは、前駆体分子の機能性化学を維持する。アトマイザー21は好ましくはガスを用いて表面処理剤を噴霧する。例えば、プラズマを生成するために用いられるプロセスガスをアトマイザーガスとして用いて表面処理剤を噴霧する。アトマイザー21は、例えば空気式ネブライザーであってよく、具体的には、カナダのオンタリオ州MississaugaのBurgenerResearchInc.がAriMistHPの商標で販売しているような、又は米国特許第6634572号に記載されているような、パラレルパス方式のネブライザーであってよい。あるいは、アトマイザーは、ポンプを用いて液体の表面処理剤を超音波ノズルに輸送し、次いで噴霧対象の表面に液膜を形成する超音波アトマイザーであってもよい。超音波は、結果的に液滴の形成をもたらす溜まり波の形成を液膜に生じさせる。アトマイザーは、好ましくは10~100μm、より好ましくは10~50μmの液滴径をもたらす。本発明での使用に好適なアトマイザーとしては、米国ニューヨーク州MiltonのSono-TekCorporationの超音波ノズルが挙げられる。代替アトマイザーとしては、例えば、静電気によって非常に細かいエアロゾルを生成する方法であるエレクトロスプレー法が挙げられる。最も一般的なエレクトロスプレー装置は先が鋭く尖った中空の金属管を使用し、液体はその管を通してポンプで汲み上げられる。高電圧電源を管の出口に接続する。電源を入れ、適切な電圧に調節すると、管を通して汲み上げられた液体は変形して細かい液滴の連続的なミストになる。また、インクジェット技術を用いて、担体ガスを必要とせずに熱、圧電、静電及び音響による方法を使用して液滴を生成してもよい。アトマイザー21をハウジング14内に装備することが好ましいが、外付けアトマイザーもまた使用できる。これは例えば、ネブライザー21の出口23と同様の位置に出口を有する入口管に供給できる。あるいは、例えばガス状態にある表面処理剤を、チャンバ19に入るプロセスガスの流れに組み込むことができる。更なる代替方法として、アトマイザーが電極として作用するような方法で電極をアトマイザーと組み合わせることができる。例えば、パラレルパスアトマイザーが導電性材料で作られている場合、アトマイザーデバイス全体を電極として用いることができる。あるいは、針のような導電性構成要素を非導電性のアトマイザーと統合して、電極-アトマイザー一体式システムを形成してもよい。チャンバ19に入るプロセスガスは、電極11、12を通過して2つの狭いチャネル16、17を通って流れるように制限される。好ましくは、プロセスガスはヘリウム及び/又はアルゴンで実質的に構成される不活性ガスを含み、これはつまり、これらのガスのどちらか1つ又は両方のガスの混合物を体積百分率で少なくとも90、好ましくは少なくとも95含み、所望により例えば窒素又は酸素などの別のガスを最高5又は10含むことを言う。表面処理剤と反応させる必要がある場合は、酸素のような活性ガスをより高い比率で使用してもよい。電極11、12を低いRF振動源と接続すると、チャネル16及び17のそれぞれからのプロセスガスの流れにおいてプラズマが形成される。チャネル16、17が作り出す2つのプラズマジェットはプラズマ管13に入り、プラズマ管の出口15まで概ね延びる。ガス流様式を変える工程が行われない限りは、図2に示すようにプラズマジェットを層流様式において方向性を持って維持し得る。図2は、毎分5リットルのヘリウムプロセスガス流量及び広い出口のプラズマ管13を有する、図1の装置の動作の際に観測した2つのプラズマジェットの写真である。本発明者らは、プロセスガスとしてヘリウムを使用して形成されたプラズマジェットは層流様式において維持される傾向が特に強いことを見出した。この層流様式は、表面処理剤を基板に適用するときに不利な点が幾つかある場合がある。方向性を持つジェットは堆積のパターニングにつながる場合がある。更に、ジェットは最高数十メートル/秒もの非常に高速のガスで構成されており、これらのジェットが互いに及び管の壁と相互作用して渦を作り出す場合があり、噴霧した表面処理剤がこの渦に捉えられる場合がある。噴霧した表面処理剤が基板表面に形成されるポリマーの前駆体である場合、噴霧した前駆体が渦に捉えられていることはプラズマのホットゾーンにおける前駆体の滞留時間が大きく増し、これは気相での重合に好都合な因子であり、粉末状の低密度の膜の堆積につながる。また、針電極11、12及び基板25又は使用される場合は接地電極の間にストリーマーが生じる場合がある。ストリーマーもまた、ストリーマーにおける高いエネルギー集中度による表面処理剤の早すぎる反応によるプラズマの粉末形成の原因である。導電ウェハのような導電性基板上の堆積では、導電体表面に広がる電荷のため、ストリーマーを回避することは更に困難である。通電した電極11、12及び基板25の間のストリーマーの発生を防ぐための1つの方法は、国際公開第2009/034012号に記載されているようにプロセスガスに窒素を付加してプラズマをクエンチングすることであるが、この解決法は、例えばプラズマから前駆体のポリマーを堆積するときの前駆体の解離に利用可能なエネルギーなど、噴霧した表面処理剤に付加したエネルギーにとって弊害となる。結果として、プロセスガスへの窒素の付加は、重合の不十分な柔らかい膜の堆積をもたらす原因となる場合がある。ストリーマーの形成を防ぐための別の方法は、電極11、12及び誘電体27で覆われた接地板28の間の距離を増すことによって電場を減少させることである。これもまた、前駆体の解離及びポリマー堆積に利用可能なエネルギーを減少させる。本発明によると、プラズマにおける粉末形成を、プラズマ管13内にガスの乱流様式を作り出すことによって抑制する。所与のプロセスガスに関して、このガスの流れは、プラズマ管13の出口の間隙30、すなわち誘電体ハウジング14及び基板25の間の間隙並びにチャネル16、17を通り管13に入るプロセスガスの流量を変更することにより層流及び乱流の間で変化させることができる。ヘリウムを用いて形成したプラズマジェットは層流のまま維持される可能性がより高いので、プロセスガスとしてヘリウムを用いたとき、本発明のプロセス及び装置はガスの乱流様式を促進するのに特に有利である。より低い運動学的粘性を有するアルゴンなど、ヘリウムより重いガスをプロセスガスとして使用すると運動学的粘性は流体の動的粘度及び流体の密度の比率である、それに応じてレイノルズ数が大きくなるため、ガス流はプラズマ管内でより乱流になりやすくなる。しかし、本発明のプロセス及び装置は、そのようなより重いガスと使用しても確実に乱流を達成できる。乱流様式にあるプラズマジェットは図3のように見える。図3は、針の周囲に直径2mmのチャネル16、17を作る誘電体によって囲まれた2つの針電極11、12を有し、毎分10リットルのヘリウムプロセスガス流量並びに誘電体ハウジング14及び基板25の間の間隙30が1mmの状態の、図1の装置の動作の際に観測したプラズマジェットの写真である。誘電体ハウジング14は、直径が18mm、電極11、12から出口15までの長さが75mmのプラズマ管13を画定する。本発明者らは、図1の装置でプロセスガスとしてヘリウムを用い、様々な間隙30の幅を用いて様々な流量で実験を行い、形成されたプラズマジェットが図2のような層流様式又は図3のような乱流様式のどちらを示すかを観測した。それぞれの流量で、間隙30を漸増した。PlasmaTechnicsETI110101装置を20kHz、最大電力100ワットで使用したときの結果を図4のグラフに示す。図4は、所与のヘリウム流下の目盛りで図3のような形のプラズマ放電を達成するための最大出口間隙30左側の目盛りのグラフである。2.1リットル/分の流量で、出口でのガス速度は10m/秒、レイノルズ数は27であった。6.3リットル/分の流量で、出口でのガス速度は30m/秒、レイノルズ数は467であった。図4に示した線より上の全ての間隙/プロセスガス条件で層流様式が生じており、この線は2つの様式間の境界である。図4に示した線より上のほとんどの間隙/プロセスガス条件で、図2に示したような2つの分離したプラズマジェットが明らかに視認できる。図4に示した線よりごくわずかに上の幾つかの間隙/プロセスガス条件では、2つの不安定なプラズマジェットが見られる一過性様式がある可能性がある。線より下の間隙/プロセスガス条件では、その様式は乱流であり、図3に示すような強い白色光を呈する。放電の色の変化に伴い、プラズマ管内に拡散することができるN2又はO2が減るため、誘電管内のガス組成物の変化が生じる。その理由は、大きい流量と小さい間隙とを組み合わせたときの管出口での高いガス速度である。乱流様式を有するプラズマからガラス基板上に前駆体のポリマーを堆積すると、粉末状でない密な膜が堆積されることを本発明者らは見出した。プラズマ管内の渦の形成は、乱流様式によってもたらされる空間的均質化によって回避される。導電性シリコンウェハへの堆積では、窒素を全く付加せずに電源が全エネルギーで作動しているときでさえストリーマーは検出されなかった。図4に見られるように、広範な流量で1.5mm未満の間隙30で乱流様式が達成される。これは、1~12リットル/分のヘリウム流量に当たる。したがって、本発明は、入口と出口とを有する誘電体ハウジング内に位置した少なくとも1つの電極に無線周波高電圧を印加する一方、ヘリウムプロセスガスを入口から電極を通過して出口へと流れるようにして非平衡大気圧プラズマを生成し、噴霧した表面処理剤を非平衡大気圧プラズマに組み込み、基板をプラズマの出口に隣接して、その基板の表面がプラズマと接触し、プラズマの出口に対して移動するように位置付けることにより基板をプラズマ処理するプロセスを含み、プラズマの出口及び基板の間の間隙を1.5mm未満に制御することを特徴とする。間隙30は好ましくは1.5mm未満、より好ましくは1mm未満、最も好ましくは0.75mm未満であり、例えば0.25mm~0.75mmである。本発明による乱流様式は、例えば最高3mmまでのより大きい間隙で、例えば14リットル/分のより高いヘリウム流量を用いても達成することができるが、間隙が小さいほど低いヘリウム流量で乱流様式を達成することが可能になり、故に、より経済的に実行しやすい条件となる。本発明の好ましい態様によると、間隙30の表面積はプロセスガスの1つ又は複数の入口の面積の35倍未満である。図1の装置では、間隙30の表面積はチャネル16及び17の合計面積の好ましくは25倍未満、より好ましくは20倍未満である。より好ましくは、間隙30の表面積はプロセスガスの1つ又は複数の入口の面積の10倍未満であり、例えばプロセスガスの1つ又は複数の入口の面積の2~10倍である。したがって、直径2mmのチャネル16、17によって囲まれた2つの直径1mmの針電極11、12を有する図1の装置では、針の周囲のガスの流れが利用できるそれぞれのチャネルの面積は2.35mm2合計4.7mm2である。誘電体ハウジング14及び基板25の間の間隙30が1.5mmの場合、間隙30の面積は70mm2となり、したがって間隙30の表面積はプロセスガス用入口の合計面積の約15倍である。間隙30が1mmの場合、間隙30の表面積はプロセスガス用入口の合計面積の約10倍であり、間隙30が0.75mmの場合、間隙30の表面積はプロセスガス用入口の合計面積の約7.5倍である。今日、数多くのプラズマジェットが研究されている。そのほとんどは空気中を流れ、表面に衝突するものである。本発明の好ましい形態の特徴は、2つの衝突ジェットが直径2cmの単一の管の中に閉じ込められていることである。この管は、透明で絶縁性の物質である石英で作られる。それは、表面に衝突する前のジェットと空気との相互作用を制限することを助け、放電の発達に寄与する。それぞれのヘリウムジェットにおいてプラズマを開始するために針を用いる。励起周波数は20kHzの範囲である。放電の発達は、短い露出時間の写真、発光分光法、及び電圧電流測定によって特徴付けられる。図2及び3に示されるように、放電の外観はガスの動的流れによって大きく変化する。1つの様式から別の様式への遷移は、例えばガスの流れの変更又は閉じ込め空間の底及び表面の間の距離の変更によって生じる。FLUENTソフトウェアによる流動力学モデリングに従って、1つの様式から別の様式への放電の遷移を層流から乱流への遷移と相関した。この遷移は、閉じ込め管の底による空気の取り入れの変化にも関連付けられる。放電の発達の詳細な研究は、それら2つの様式においてそれぞれのブレークダウンが針の所で始まることを示しているが、乱流様式ではそれはより均質なグロー様の放電である。本発明者らは、層流様式において正のブレークダウンの直前に、負のブレークダウンでも乱流形態でも生じないプラズマ弾丸現象を観測した。本発明者らは、所与のヘリウム流量では、プラズマ放電が図2に示したような一対のプラズマジェット及び図3に示したようなより均一な放電の間で変化する間隙30の幅は、その間隙が広げられるか狭められるかによって変化することを見出した。それぞれのヘリウム流量で間隙30を漸次的に減少する補足的な実験で、図4の実験を繰り返した。所与のヘリウム流量下の目盛り又は速度上の目盛りで図3の形の放電を達成するための最大出口間隙30左側の目盛りのグラフとして、結果を図5に示す。上部の線は、放電が図3の形の放電から図2の形の放電に変わるように所与の流量で間隙30を増したときの結果を示す。この結果は図4に示した結果と類似している。下部の線は、放電が図2の形の放電から図3の形の放電に変わるように所与の流量で間隙30を減少したときの結果を示す。理解されるように、図5はそれら2つの放電の形を交互に切り替えるための一種のヒステリシスを示す。図3の形の放電から図2の形の放電への遷移は、図2の形の放電から図3の形の放電への遷移より大きい間隙30の幅で現れる。図4の実験を繰り返し、直径18mm及び電極11、12から出口15までの長さ75mmのプラズマ管13を画定する誘電体ハウジング14と、直径16mm及び電極11、12から出口15までの長さ55mmのプラズマ管を画定する誘電体ハウジングとを比較した。所与のヘリウム流量下の目盛りで図3の形のプラズマ放電を達成するための最大出口間隙30左側の目盛りのグラフとして、結果を図6に示す。上部の線は75mmプラズマ管13での結果を示し、この結果は図4の結果と同様である。下部の線は55mmプラズマ管での結果を示す。75mmプラズマ管の結果及び55mmプラズマ管の結果の相違は大きくないが、短い方のプラズマ管では図3の形のプラズマ放電を得ることがより困難であり、すなわち、所与のヘリウム流量での出口間隙30がより小さくなくてはならないことがわかる。管の長さを75mmより長くすれば、間隙30の表面積がプロセスガスの1つ又は複数の入口の面積の35倍未満であるときでさえもより容易に均一の放電を達成することができる。本発明者らはまた、より細いプラズマ管13、例えば直径18mmのプラズマ管でなく直径8mmのプラズマ管を画定する誘電体ハウジング14を使用すると図3の形のプラズマ放電がより容易に得られること、つまり所与のヘリウム流量での出口間隙30がそれほど小さくなくてもよいことを見出した。管の直径が18mm未満であれば、間隙30の表面積がプロセスガスの1つ又は複数の入口の面積の35倍未満であるときでさえもより容易に均一の放電を達成することができる。本発明で使用した表面処理剤は、非平衡大気圧プラズマ内で又はプラズマ増強化学蒸着PE-CVD処理の一部として反応性の前駆体材料であり、任意の適切なコーティングの作製に使用できるものであり、例えば、膜の成長又は既存の表面の化学的改質に使用可能な材料を含む。本発明を用いて多くの異なるタイプのコーティングを形成することができる。基板に形成されるコーティングのタイプは使用されるコーティング形成材料によって決定され、本発明のプロセスは基板表面のコーティング形成モノマー材料の共重合に使用することができる。コーティング形成材料は有機物でも無機物でもよく、固体、液体若しくは気体、又はそれらの混合物でもよい。好適な有機コーティング形成材料としては、カルボン酸塩、メタクリレート、アクリレート、スチレン、メタクリロニトリル、アルケン、及びジエンが挙げられ、例えばメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、及び他のアルキルメタクリレート、並びにそれに相当するアクリレートであり、これには有機官能性メタクリレート及びアクリレートが含まれ、これにはポリエチレングリコールアクリレート及びメタクリレート、グリシジルメタクリレート、トリメトキシシリルプロピルメタクリレート、アリルメタクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ジアルキルアミノアルキルメタクリレート、及びフルオロアルキルメタアクリレート、例えば次式のヘプタデシルフルオロデシルアクリレートHDFDA、メタクリル酸、アクリル酸、フマル酸及びエステル、イタコン酸及びエステル、無水マレイン酸、スチレン、α-メチルスチレン、ハロゲン化アルケン、例えば塩化ビニル及びフッ化ビニルのようなハロゲン化ビニル、並びにフッ化アルケン、例えば過フッ化アルケン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、エチレン、プロピレン、アリルアミン、ハロゲン化ビニリデン、ブタジエン、N-イソプロピルアクリルアミド、メタクリルアミドのようなアクリルアミド、エポキシ化合物、例えばグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドール、スチレンオキシド、ブタジエン一酸化物、エチレングリコールジグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテル及びそのオリゴマー、ビニルシクロヘキセンオキシド、ピロール及びチオフェン並びにそれらの誘導体のような導電ポリマー、及びリン含有化合物、例えばジメチルアリルホスホネートが含まれる。コーティング形成材料は、アクリル官能性オルガノシロキサン及び/又はシランもまた含むことができる。好適な無機コーティング形成材料としては、金属及び金属酸化物が挙げられ、コロイド状金属も含まれる。有機金属化合物もまた好適なコーティング形成材料であり得、これにはチタン酸塩、スズアルコキシド、ジルコン酸塩、並びにゲルマニウム及びエルビウムのアルコキシドのような金属アルコキシドが含まれる。本発明者らは、シリコン含有材料を含むコーティング形成組成物を用いるシロキサン系コーティングを有する基板の提供において、本発明が特定の有用性を有することを見出した。本発明の方法での使用に好適なシリコン含有材料としては、シラン例えば、シラン、アルキルシラン、アルキルハロシラン、アルコキシシラン、シラザン、ポリシラザン、並びに直鎖例えば、ポリジメチルシロキサン又はポリヒドロゲンメチルシロキサン及び環状シロキサン例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン又はテトラメチルシクロテトラシロキサンが挙げられ、これには有機官能性直鎖及び環状シロキサン例えば、Si-H含有、ハロ官能性及びハロアルキル官能性の直鎖及び環状シロキサンであり、例えば、テトラメチルシクロテトラシロキサン及びトリノノフルオロブチルトリメチルシクロトリシロキサンが含まれる。異なるシリコン含有材料の混合物を使用して、例えば特定の必要性例えば熱特性、屈折率など光学特性、及び粘弾性のために基板コーティングの物理的特性をカスタマイズしてもよい。重合SiCO膜の堆積に特に好ましいシリコン含有前駆体は、テトラエチルオルトケイ酸塩SiOC2H54及びテトラメチルシクロテトラシロキサンCH3HSiO4である。プロセスガスに酸素が存在する場合は、テトラエチルオルトケイ酸塩はSiO2層の堆積にも好適である。これまでのプラズマジェットプロセスでは、プラズマ管への酸素の逆拡散retrodiffusionのために、プロセスガス中に酸素がなくてもSiO2層の堆積は可能であった。本発明では、低い間隙及び大きいヘリウム流量による管の出口でのプロセスガス速度が高いため、プラズマ管内で酸素の逆拡散retrodiffusionをするには条件が好ましくない。しかし、SiO2層の堆積はプロセスガスへのO2の付加、例えば0.05~20体積のO2、特に0.5~10体積のO2によって容易に達成され得る。本発明者らは、SiO2への遷移が、O2/He混合物を用いた乱流様式において生じることを見出した。本発明のプロセスは、テキスタイル及び織物系の電子機器プリント回路基板を含む電子機器、可撓性の表示機を含む表示機、並びに半導体ウェハ、抵抗器、ダイオード、キャパシタ、トランジスタ、発光ダイオードleds、有機leds、レーザーダイオード、集積回路ic、icダイ、icチップ、メモリデバイス、ロジックデバイス、コネクタ、キーボード、半導体基板、ソーラー電池及び燃料電池のような電子機器コンポーネンツのコーティングに特に好適である。レンズ、コンタクトレンズ及び他の光学基材のような光学的コンポーネンツも、同様に処理することができる。その他の用途としては、例えば、ガスケット、シール、プロファイルprofile、ホース、電子コンポーネンツ及び診断用コンポーネンツなど軍事、航空宇宙又は輸送設備、台所、風呂場及び調理器具が含まれる家庭用物品、オフィス家具、及び実験器具が挙げられる。本発明を以下の実施例によって例示する。実施例1~3図1の装置を使用してSiCO膜を導電性シリコンウェハ基材に堆積した。20kHz及び最大電力100ワットで動作したPlasmaTechnicsETI110101に電極11、12を接続した。ヘリウムプロセスガスを8リットル/分で装置に流した。2つの直径1mmの針電極11、12の周囲を囲む誘電体は直径2mmのチャネル16、17を形成し、チャネルはそれらの針を取り巻いてガスが特定の速度を得てジェットを形成するようにガスを強制する。BurgenerIncにより供給されたAriMistHPアトマイザー21にテトラエチルオルトケイ酸塩前駆体を供給した。誘電体ハウジング14は、直径18mm及び電極11、12から出口15までの長さ75mmのプラズマ管13を画定する。石英ハウジング14及びシリコンウェハ基板の間の間隙30は0.8mmとした。間隙30の表面積は、プロセスガス用入口16、17の合計面積の約10倍であった。実施例1では、接地対電極を管ハウジング14の頂部において、通電した針電極11、12の近くの位置でプラズマ管13の外に配置した。実施例2では、対電極は使用しなかった。実施例3では、接地対電極を誘電体ハウジング14の底から14mmに位置付け、プラズマ管13の外に配置した。プラズマ管13内で乱流様式を生成したところ、実施例1~3のそれぞれにおいて図3に示したような強烈な白色の発光を観測した。Jobinyvon製の分光エリプソメータUVSELを使用し、実施例のそれぞれで得られた膜について、堆積した膜による光の反射レベルを光の散乱と比較として測定した。波長450mm可視スペクトルの中間の光線を70.4°の角度で膜の表面に当てた。正反射がある場合に光が検出器で収集されるように、正反対側に光電光検出器を位置付けた。膜が滑らかで反射性が高いほど高い電圧が光検出器によって記録された。この電圧は検出器が収集する光に比例する。本発明者らはまず表面が研磨されたシリコンウェハを測定し、130mVの電圧を記録した。この電圧は、完璧に平らな反射性の高い表面での反射後に収集した光の場合に相当する。それぞれの実施例の膜に関して記録した電圧を表1に記載する。比較実施例C1~C3は、石英ハウジング14及びシリコンウェハ基板の間の間隙30を3mmとしたことを除き、それぞれ実施例1~3と同じ条件を用いて行った。比較実施例C1~C3のそれぞれで、プラズマ管13内に層流様式を生成したところ、2つの分離したプラズマジェットが明らかに視認できた。実施例1~3に関して記録した高い電圧は高水準の膜反射性及び低水準の散乱を意味し、滑らかな低有孔率の膜の指標となるものである。以上のように、小さい間隙30を用いてプラズマ管13内に乱流様式を生成する実施例1~3は、比較実施例より滑らかな、より有孔率の低い膜を形成した。比較実施例C1で記録した低い電圧は、粗い膜によって光が検出器へと反射しないがあらゆる方向に散乱したことを示している。