"A下記一般式1で表される繰り返し単位、及び酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、Cフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式1中、Lは、単結合または2価の連結基を表し、R1は、水素原子又はアルキル基を表し、Zは、環状酸無水物基を表す。前記樹脂Cが、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基を含む、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記樹脂Cの含有率が、前記組成物中の全固形分に対し0.1~20質量の範囲である、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記一般式1におけるZが、縮合環構造を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記一般式1におけるZが、下記一般式2で表される基である請求項4に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式2中、Wは、存在しないか、または、アルキレン基、酸素原子、もしくは硫黄原子を表し、pは、1以上の整数を表し、qは、0~2の整数を表し、m1及びm2は、それぞれ独立に0~2の整数を表す。Rは1価の置換基を表し、sは0以上の整数を表す。は、前記一般式1におけるLに接続する結合手である。前記一般式1におけるZが、下記一般式3で表される基である請求項4又は5に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式3中、p’は、1または2を表す。は、前記一般式1におけるLに接続する結合手である。請求項1~6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。請求項7に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を露光することと、露光した膜を現像することとを含むパターン形成方法。請求項8に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項9に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。上記従来技術の問題に鑑み、本発明の目的は、水残り欠陥性能、パターン断面形状、及びパターン倒れ性能に優れるとともに、一定時間、放置されたレジスト溶液を用いて製造された場合においても、水残り欠陥性能及びパターン断面形状の性能が劣化しないレジスト膜を形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成されたレジスト膜及び該組成物を用いたパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することにある。本発明らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、下記に例示する発明を完成するに至った。1A下記一般式1で表される繰り返し単位、及び酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びにCフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式1中、Lは、単結合または2価の連結基を表し、R1は、水素原子又はアルキル基を表し、Zは、環状酸無水物基を表す。2前記樹脂Cが、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基を含む、1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。3前記樹脂Cの含有率が、前記組成物中の全固形分に対し0.1~20質量の範囲である、1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。4前記一般式1におけるZが、縮合環構造を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。5前記一般式1におけるZが、下記一般式2で表される基である4に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式2中、Wは、存在しないか、または、アルキレン基、酸素原子、もしくは硫黄原子を表し、pは、1以上の整数を表し、qは、0~2の整数を表し、m1及びm2は、それぞれ独立に0~2の整数を表す。Rは1価の置換基を表し、sは0以上の整数を表す。は、前記一般式1におけるLに接続する結合手である。6前記一般式1におけるZが、下記一般式3で表される基である4又は5に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式3中、p’は、1または2を表す。は、前記一般式1におけるLに接続する結合手である。71~6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。87に記載の感活性光線性又は感放射線性膜を露光することと、露光した膜を現像することとを含むパターン形成方法。98に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。109に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。11前記樹脂Cがフッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する1~6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。12前記樹脂Cが珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有する1~6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。13前記露光がArFエキシマレーザーによる露光である、8に記載のパターン形成方法。本発明によれば、水残り欠陥性能、パターン断面形状、及びパターン倒れ性能に優れるとともに、一定時間、放置されたレジスト溶液を用いて製造された場合においても、水残り欠陥性能及びパターン断面形状の性能が劣化しないレジスト膜を形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成されたレジスト膜及び該組成物を用いたパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書における基及び原子団の表記において、置換又は無置換を明示していない場合は、置換基を有さないものと置換基を有するものの双方が含まれるものとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。本発明において活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線EB等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も含まれるものとする。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、従来の一般式1で表される繰り返し単位、及び酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂、B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、Cフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有する。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えばポジ型の組成物であり、典型的にはポジ型のレジスト組成物である。本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物により、水残り欠陥性能、パターン断面形状、及びパターン倒れ性能に優れるとともに、一定時間、放置されたレジスト溶液を用いて製造された場合においても、水残り欠陥性能及びパターン断面形状の性能が劣化しないレジスト膜が形成可能な理由は、以下のように推定される。レジスト組成物における酸分解性樹脂は、レジスト膜の露光部のアルカリ現像液に対する親和性の向上を目的として、しばしば、ラクトン基を有する繰り返し単位を有する。しかしながら、このような一般的なレジスト組成物の液を調製し、一定時間放置した後に、レジスト膜を形成し、露光及び現像することにより形成したパターンは、レジスト組成物の液を調製後、直ちに、レジスト膜を形成してパターンを形成した場合を比較して、断面形状等のパターン性能が劣ることがある。詳細な理由は不明であるが、レジスト組成物の液中において、前記ラクトン基が何らかの改質を引き起こし、レジスト組成物の性能が変化したことによるものと推測される。よって、本発明者らは、ラクトン基に代替できるものとして、すなわち、レジスト膜の露光部のアルカリ現像液に対する親和性の向上できるものとして、-CO-O-CO-の構造を有し、アルカリ現像液により加水分解されて、2個のカルボン酸を生じることのできる環状酸無水物基に着目し、検討を行った。その結果、その理由は不明であるが、レジスト組成物の液を調製し、直ちにパターン形成を行った場合と、レジスト組成物の液を放置後にパターン形成を行った場合とで、パターン性能の差異がさほど生じないことが分かった。ところが、環状酸無水物基を有する酸分解性樹脂を含むレジスト膜は、液浸露光の際に使用される液浸液水がレジスト膜表面上に残存することに伴って発生する水残り欠陥が発生しやすく、また、これにより優れたパターンの断面形状も得難くなる傾向となった。これは、レジスト膜中に微量に含まれる水分により、-CO-O-CO-の構造を有する環状酸無水物基の一部が分解して、カルボン酸を発生することにより、レジスト膜の親水性が向上し、露光後においても、液浸液としての水を保持しやすくしているためと推測される。しかしながら、樹脂A環状酸無水物基を有する酸分解性樹脂と、樹脂Cフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂とを有する本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によれば、水残り欠陥の発生を極めて低減できるとともに、非常に優れたパターンの断面形状を得ることができた。これは、疎水性の高い樹脂Cが併用されることにより、レジスト膜の親水性向上が抑制され、露光後、液浸液としての水が残存しにくくなったことに加え、環状酸無水物基によってもたらされる、レジスト膜のアルカリ現像液に対する親和性が十分に発揮され、露光部をアルカリ現像液によって確実に除去できたことによるものと考えられる。また、本発明の上記組成物によれば、上記効果は、レジスト組成物の液を調製し、一定時間放置した後に、レジスト膜を形成し、露光及び現像することにより形成したパターンにおいても発現されたが、これは、上記したように理由は不明であるが、環状酸無水物基の構造によるものであると推測される。更に、本発明の上記組成物によれば、パターン倒れ性能にも優れるパターン倒れが起こりにくいが、これは、上記のように、樹脂Cの存在により、水残り欠陥の発生が起こりにくいこと、及び、樹脂Aの環状酸無水物基により、露光部をアルカリ現像液により確実に除去できること等により、得られるパターンの断面形状が、非常に優れるため、パターン倒れが起こりにくくなっているものと考えられる。以下、この組成物の各成分について説明する。[1]樹脂A1一般式1で表される繰り返し単位本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物における樹脂Aは、下記一般式1で表される繰り返し単位を有する。一般式1中、Lは、単結合又は2価の連結基を表し、R1は、水素原子又はアルキル基を表し、Zは、環状酸無水物基を表す。上記一般式1において、R1のアルキル基は、炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基であることが好ましい。R1のアルキル基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。R1は、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Lについての2価の連結基としては特に限定されないが、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、-O-、-S-、-C=O-、-SO2-、-SO3-、-NRd-、又はこれらの複数が組み合わさった2価の連結基を挙げることができる。式中、Rdは、水素原子又はアルキル基を表す。Lとして好ましくは、単結合、又はアルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-C=O-、-NH-若しくはこれらの複数が組み合わさった2価の連結基である。より好ましくは、単結合、又はアルキレン基と-O-を組み合わせた2価の連結基、アルキレン基と-C=O-と-O-を組み合わせた2価の連結基、若しくはアルキレン基と-C=O-と-NH-を組み合わせた2価の連結基である。さらに好ましくは、単結合、又はアルキレン基と-O-を組み合わせた2価の連結基、若しくはアルキレン基と-C=O-O-を組み合わせた2価の連結基である。単結合であることが特に好ましい。Lがアルキレン基を含む場合、Lに含まれるアルキレン基が、一般式1のエステル基におけるLに隣接する酸素原子と連結することが好ましい。アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基は置換基を有していても良い。置換基の例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、-OH、-NH2、-SO2NH2、-NRd2SO2Rd3が挙げられる。Rd2、Rd3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。アルキレン基は直鎖状、分枝状のいずれでも良く、炭素原子数1~20が好ましく、炭素原子数1~10がより好ましく、炭素原子数1~5が更に好ましい。シクロアルキレン基は環状構造を形成する炭素の炭素原子数3~20が好ましく、炭素原子数4~10がより好ましく、炭素原子数5~7が更に好ましい。Zは、-CO-O-CO-を含む環状構造である環状酸無水物基を表し、複数の環が連結した縮合環構造を有することが好ましい。Zが縮合環構造であることにより、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を溶剤に溶かした状態で保存する場合の保存安定性が向上する。複環構造の場合、閉環反応により、一度加水分解された酸無水物が元に戻るためである。Zとしての環状酸無水物基を形成する炭素原子は、置換基を有していてもよく、置換基としては一価の置換基が好ましい。一価の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、-OH、-NH2、-SO2NH2、-NRd4SO2Rd5が挙げられる。Rd4、Rd5はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。一価の置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基が好ましく、アルキル基であることがより好ましい。アルキル基は直鎖状、分枝状のいずれでも良く、その炭素原子数としては、1~20が好ましく、1~10がより好ましく、1~5が更に好ましい。アルコキシ基の炭素原子数は、1~10が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が更に好ましい。Zの置換基が複数ある場合、置換基が互いに連結して環を形成してもよい。置換基の数は、0~4であることが好ましく、より好ましくは0~2である。Zは、下記一般式2で表される構造であることがより好ましい。一般式2中、Wは、存在しないか、アルキレン基、酸素原子若しくは硫黄原子を表し、pは、1以上の整数を表し、qは、0~2の整数を表し、m1及びm2は、それぞれ独立に0~2の整数を表し、Rは1価の置換基を表し、sは0以上の整数を表す。は、前記一般式1におけるLに接続する結合手である。Wとしては、メチレン基、エチレン基又は酸素原子が好ましく、メチレン基又は酸素原子がより好ましく、メチレン基であることがより好ましい。pは、好ましくは1~2の整数であり、より好ましくは1である。m1及びm2は、共に0であることが好ましい。qは、0又は1であることが好ましい。Rについての1価の置換基としては、Zとしての環状酸無水物基が有していてもよい置換基についての一価の置換基として前述した具体例、好ましい例が挙げられる。sとしては、0~2の整数であることが好ましい。上記一般式2で表される構造のうち、下記一般式3で表される構造がより好ましい。一般式3中、p’は、1又は2を表し、p’は1を表すことが好ましい。は、前記一般式1におけるLに接続する結合手である。一般式1で表される構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。一般式1で表される構造を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対して5~70モルであることが好ましく、10~65モルであることがより好ましく、20~55モルであることが更に好ましい。2ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位また、樹脂Aは、ラクトン構造又はサルトン構造環状スルホン酸エステル構造を有する繰り返し単位を含有してもよい。ラクトン構造又はサルトン構造は、好ましくは5~7員環のラクトン構造又はサルトン構造であり、5~7員環のラクトン構造又はサルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17及びSL1-1~SL1-3のいずれかで表されるラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はサルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造又はサルトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-8であり、より好ましくはLC1-4である。特定のラクトン構造又はサルトン構造を用いることでパターン倒れ抑制、LERなどが良好になる。ラクトン構造部分又はサルトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、後述する酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。樹脂Aは、他の形態において、ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を含有することが好ましい。式III中、Aは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。R8は、ラクトン構造又はサルトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、1~5の整数を表し、1であることが好ましい。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は、換基を有してよい。Zは、好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基、R7におけるアルキル基は、各々、置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチル基、プロピオニル基等のアシル基、アセトキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては、炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレンとしては、炭素数3~20のシクロアルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造又はサルトン構造を有する置換基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として前述の一般式LC1-1~LC1-17及びSL1-1~SL1-3で表されるラクトン構造又はサルトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17及びSL1-1~SL1-3におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造又はサルトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造又はサルトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトン又はサルトン構造シアノサルトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に、一般式IIIで表されるラクトン構造又はサルトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。樹脂Aは、一形態において、ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式AII’で表される繰り返し単位することが好ましい。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。Rb0としては、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、ラクトン構造又はサルトン構造を含む1価の有機基を表す。好ましくは先に示した一般式LC1-1~LC1-17及びSL1-1~SL1-3の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。一般式AII’で表されるサルトン構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。一般式AII’で表されるラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。下記式中、Meはメチル基を表す。特に好ましい一般式AII’で表されるラクトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、パターン倒れ抑制などのパターンプロファイル、LER、疎密依存性が良好となる。ラクトン基又はサルトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。本発明の効果を高めるために、樹脂Aにおける一般式1で表される繰り返し単位におけるLが単結合であり、かつラクトン又はサルトン繰り返し単位が一般式IIIで表されることが特に好ましい。本発明の効果を高めるために、ラクトン基又はサルトン基を有する繰り返し単位を2種以上併用することも可能である。この場合、一般式IIIから選ばれる2種以上のラクトン又はサルトン繰り返し単位を併用することが好ましく、特に、一般式IIIの内、nが1であるラクトン又はサルトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。ラクトン構造又はサルトン構造を含有する繰り返し単位の含有量は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~45mol、更に好ましくは5~35molである。本発明において、前記樹脂A中の前記ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位の含有量に対する前記一般式1で表される繰り返し単位の含有量の割合が、0.25~4.0であることが好ましく、0.43~2.3であることがより好ましい。3酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位樹脂Aは、更に、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を有する。これにより、樹脂Aは、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂以下、酸分解性樹脂ということもある。となる。樹脂Aは、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位以下、酸分解性基を有する繰り返し単位ともいうは、酸の作用により分解して脱離する基でアルカリ可溶性基が保護された構造を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては、好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、15~70molが好ましく、20~65molであることがより好ましい。さらに好ましくは25~60molである。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbは、それぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは、0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式IIaにおけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。一般式AIで表される繰り返し単位は、以下の一般式Iで表される繰り返し単位及び一般式IIで表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有することがより好ましい。上記一般式I及びII中、R1及びR3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は水酸基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1又はR3としてのメチル基が有し得る置換基としては、フッ素原子などが挙げられる。R1及びR3は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R9における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式AIのR9で記載したものと同様である。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は、好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基などが挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R3は、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。R2、R4、R5、R6としてのアルキル基又はシクロアルキル基が有し得る置換基としては、後述する一般式IIaのR10において極性基を含む置換基として例示する基と同様のものが挙げられる。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。一般式1-a中、R1及びR2は、一般式Iにおける各々と同義である。一般式IIで表される繰り返し単位は、以下の一般式IIaで表される繰り返し単位であることが好ましい。式IIa中、R3~R5は、それぞれ、一般式IIにおけるものと同義である。R10は、極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又はこれらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは、0~15の整数を表す。pは、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。樹脂Aは、酸分解性基を有する繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び一般式IIにより表される繰り返し単位を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、酸分解性基を有する繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。樹脂Aが含有する酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種であってもよいし、2種以上を併用していてもよい。併用する場合の組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。4水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位樹脂Aは更に、前記一般式AI及びIII以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~40molが好ましく、より好ましくは5~30mol、更に好ましくは10~25molである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。5アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位樹脂Aは更に、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位のいずれであってもよく、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入してもよい。連結基は、単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。樹脂Aは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有していても、含有していなくてもよいが、含有する場合、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~15molが好ましく、より好ましくは3~10mol、更に好ましくは4~8molである。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。6極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位樹脂Aは、更に、極性基例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基等を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は、少なくとも1つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3~12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3~7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には、環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子が置換された基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~30モルが好ましく、より好ましくは2~20モルであり、更に好ましくは5モル~15モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。樹脂Aは、上記の繰り返し単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、下記の単量体から構成される繰り返し単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、樹脂Aに要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し単位を構成する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物を共重合させた繰り返し単位であってもよい。樹脂Aにおいて、各繰り返し単位の含有モル比は、レジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物をArF露光において用いる場合、ArF光への透明性の点から、樹脂Aは実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂Aの全繰り返し中、芳香族基を有する繰り返し単位が全体の5モル以下であることが好ましく、3モル以下であることがより好ましく、理想的には0モル、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂Aは、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Aは、後述する疎水性樹脂Cとの相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。樹脂Aとして好ましいのは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては、市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値とした場合、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~19,000、特に好ましくは3,000~18,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が低下することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.0~2.0、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物において、樹脂Aの配合量は、組成物の全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、樹脂Aを1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。なお、本発明の効果を損なわない範囲で、樹脂A以外の他の樹脂を併用してもよい。樹脂A以外の他の樹脂としては、前述した樹脂Aが含有し得る繰り返し単位を含有していてもよい酸分解性樹脂、またその他の公知の酸分解性樹脂を挙げることができる。[2]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B以下、酸発生剤ともいうを含有する。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-の非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基である。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐、フッ素化硼素、フッ素化アンチモン等を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸発生剤は、下記一般式Izで表されるスルホン酸を発生する化合物であることが好ましい。一般式Izで表されるスルホン酸は、環状の有機基を有するので、上記と同様の理由で、解像性、及び、ラフネス性能をより優れたものにできる。よって、酸発生剤が、例えば、一般式ZI又はZIIで表される化合物である場合、前記芳香族スルホン酸アニオンとしては、下記式Izで表される酸を生じるアニオンであることが好ましい。式Iz中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式Izについて、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体例としてはフッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1、R2のアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1、R2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましく、1が特に好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CONR-、-NRCO-Rは水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~6又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~10、アルケニレン基好ましくは炭素数2~6又はこれらの複数が組合された連結基などが挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。これらのなかでも―COO-、-OCO-、-CONR-、-NRCO-、-CO-、-O-、―SO2-、-COO-アルキレン基-、-OCO-アルキレン基-、-CONR-アルキレン基-、-NRCO-アルキレン基-がより好ましく、―COO-、-OCO-又は―SO2-が更に好ましい。Aの環状の有機基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含み、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環構造も含む。等が挙げられる。脂環基は、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、単環でも多環でもよく、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。複素環基としては、単環でも多環でもよく、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが好ましい。また、環状の有機基としては、ラクトン構造も挙げることができる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。R201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、及びZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つを置換していてもよいし、3つ全てを置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位を置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。次に、化合物ZI-3について説明する。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R1c~R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環例えばフェニル環が挙げられる。R5cとR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式ZI-3中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環特に好ましくは5~6員の環が挙げられる。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6c及びR7cの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、R6c及びR7cが各々炭素数1~4の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。また、R6cとR7cが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。Rx及びRyとしての2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。Rx及びRyとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。R5cとRxが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5cとRxが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式ZI-3中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環特に好ましくは5員の環が挙げられる。RxとRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。R1c~R7c、Rx及びRyは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記一般式ZI-3中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。上記一般式ZI-2又はZI-3で表される化合物のカチオンとしては、以下の具体例が挙げられる。次に、化合物ZI-4について説明する。化合物ZI-4は、下記一般式ZI-4で表される。一般式ZI-4中、R13は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は、複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基を有する基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基は、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。前記環構造は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。本発明における一般式ZI-4で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。次に、一般式ZII、ZIIIについて説明する。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物も挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤は、より好ましくは一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物である。更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。酸発生剤は、発生する酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。酸発生剤が下記一般式I’で表されることが本発明の好ましい1つの実施態様として挙げられる。下記一般式I’で表される化合物を使用することにより、露光の膜光透過性が向上し、ラインエッジラフネス、焦点深度DOFの良化に寄与することができる。上記一般式I’中、X’は、酸素原子、硫黄原子又は-NRx’-を表す。R1’とR2’は、互いに連結して環を形成していても良い。また、R6’~R9’中のいずれか2つ以上、R3’とR9’、R4’とR5’、R5’とRx’、R6’とRx’は、それぞれ、互いに連結して環を形成していても良い。R1’及びR2’は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R3’~R9’は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基又はアリールカルボニルオキシ基を表す。Rx’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アリールカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開2007-161707号公報に記載の方法に準じて合成することができる。酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。酸発生剤の組成物中の含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~35質量が好ましく、より好ましくは5~30質量、更に好ましくは15~25質量である。[3]疎水性樹脂C本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であって、C以下、疎水性樹脂ともいう。を更に含有する。樹脂Cに於けるフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかは、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。樹脂Cがフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61の少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ及びR65~R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R68は、フルオロアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましく、炭素数1~2のパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。R62及びR63は、それぞれ独立に水素原子又はパーフルオロアルキル基を表すことが好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62及びR63が水素原子を表すとき、R64は炭素数2~4のパーフルオロアルキル基が好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式C-Ia~C-Id中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、樹脂Cは、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式C-II及びC-III中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。樹脂Cは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられ、単結合、アルキレン基好ましくは炭素数1~4、フェニレン基、カルボニル基、エステル結合、及びエーテル結合からなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせが好ましく、アルキレン基好ましくは炭素数1~4、カルボニル基及びエーテル結合からなる群から選択される単独あるいは二つ以上の基の組み合わせがより好ましく、アルキレン基好ましくは炭素数1~4が更に好ましい。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位はメタアクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表し、X2は、-F又は-CF3を表す。樹脂Cは、下記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bを有することが好ましい。xアルカリ可溶基yアルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基以下、極性変換基とも言うz酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する繰り返し単位bとしては、以下の類型が挙げられる。1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位b’上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位b1つの側鎖上に上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位b樹脂Cは、繰り返し単位bとして繰り返し単位b’を有することがより好ましい。すなわち、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。なお、樹脂Cが、繰り返し単位bを有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位前記繰り返し単位b’、bとは異なる繰り返し単位とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位bにおける、下記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式K1のような位置関係にあることが好ましい。式中、B1は上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。上記x~zからなる群から選ばれる基は、好ましくは、xアルカリ可溶基又はy極性変換基であり、y極性変換基であることがより好ましい。アルカリ可溶性基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。繰り返し単位bxが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bxにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位bxにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの含有量は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。極性変換基yとしては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基-COO-、酸無水物基-COOCO-、酸イミド基-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基-COS-、炭酸エステル基-OCOO-、硫酸エステル基-OSO2O-、スルホン酸エステル基-SO2O-などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。極性変換基yは、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基yを有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。極性変換基yを有する繰り返し単位byの具体例としては、後述の式KA-1-1~KA-1-17で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。更に、極性変換基yを有する繰り返し単位byは、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位であるすなわち、前記繰り返し単位b’、bに相当することが好ましい。該繰り返し単位byを有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。繰り返し単位byとして、例えば、式K0で示される繰り返し単位を挙げることができる。式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。Rk2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。一般式KA-1又はKB-1におけるXは、カルボン酸エステル基:-COO-、酸無水物基:-COOCO-、酸イミド基:-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基:-COS-、炭酸エステル基:-OCOO-、硫酸エステル基:-OSO2O-、スルホン酸エステル基:-SO2O-を表す。Y1及びY2は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。なお、繰り返し単位byは、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式KA-1で表される部分構造、Y1及びY2が1価である場合のKB-1で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して樹脂Cの主鎖に連結している。一般式KA-1で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。一般式KA-1におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基即ち、KA-1としてラクトン環構造を形成する場合、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。一般式KA-1で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。Zka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環環状エーテル環、ラクトン環などが挙げられる。nkaは0~10の整数を表す。好ましくは0~8の整数、より好ましくは0~5の整数、更に好ましくは1~4の整数、最も好ましくは1~3の整数である。Zka1としての電子求引性基は、後述のY1及びY2としての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。Zka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。Zka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。Zka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1~30、更に好ましくは1~20であり、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3~30、更に好ましくは3~20であり、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、i-ヘキシル基、t-ヘキシル基、i-ヘプチル基、t-ヘプチル基、i-オクチル基、t-オクチル基、i-ノニル基、t-デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Zka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4等を挙げることができる。また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。一般式KA-1におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式KA-1が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5~7員環ラクトン環であることが好ましい。なお、下記KA-1-1~KA-1-17におけるように、一般式KA-1で表される部分構造としての5~7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。一般式KA-1で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記KA-1-1~KA-1-17におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。一般式KA-1が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記KA-1-1~KA-1-17のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、KA-1-1、KA-1-4、KA-1-5、KA-1-6、KA-1-13、KA-1-14、KA-1-17である。上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式KA-1が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。一般式KB-1のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基-COO-を挙げることができる。一般式KB-1におけるY1及びY2は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。電子求引性基は、下記式EWで示す部分構造である。式EWにおけるはKA-1に直結している結合手、又はKB-1中のXに直結している結合手を表す。式EW中、newは-CRew1Rew2-で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。Yew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、ハロシクロアルキル基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、ハロアリール基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式EWで表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。Yew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して樹脂Cの主鎖に連結していてもよい。Yew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。ここで、Rf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Rf2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。Rf1~Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、ハロシクロアルキル環、ハロアリール環等が挙げられる。Rf1~Rf3におけるハロアルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。Rf1~Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環におけるパーハロシクロアルキル基及びパーハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは-CnF2n-2Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、-CnFn-1で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5~13のものが好ましく、6がより好ましい。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式KA-1-1~KA-1-17で表される構造が挙げられる。なお、繰り返し単位by中に、一般式KA-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KB-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KA-1で表される部分構造と一般式KB-1で表される部分構造の両方を有していてもよい。なお、一般式KA-1の部分構造の一部又は全部が、一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式KA-1のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基として機能することもあり得る。また、繰り返し単位byが、上記繰り返し単位b又は繰り返し単位bに該当し、かつ、一般式KA-1で表される部分構造を有する場合、一般式KA-1で表される部分構造は、極性変換基が、一般式KA-1で示す構造における-COO-で表される部分構造であることがより好ましい。繰り返し単位byは、一般式KY-0で表わされる部分構造を有する繰り返し単位であってもよい。一般式KY-0に於いて、R2は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。R3は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。R4は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR-C=O-若しくはR-C=OO-で表される基Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。を表す。R4が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のR4が結合し、環を形成していても良い。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。oは、置換基数であって、1~7の整数を表す。mは、置換基数であって、0~7の整数を表す。nは、繰り返し数を表し、0~5の整数を表す。-R2-Z-の構造として好ましくは、-CH2l-COO-で表される構造が好ましいlは1~5の整数を表す。R2としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式bbのZ2における鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。R3としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1~30、更に好ましくは1~20であり、分岐状の場合、好ましくは3~30、更に好ましくは3~20であり、環状の場合、6~20である。R3の具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。R4及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。R4としてのアシル基としては、炭素数1~6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。R4としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。Xとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、R2としての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角は、温度23±3°C、湿度45±5において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。後退接触角とは、液滴-基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。また、繰り返し単位byは、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。繰り返し単位byが少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式KY-1で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式KY-1で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KY-1において、Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部=Oを形成してもよい。Rky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。Rky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky1、Rky4は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。Rky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられる。一般式KY-1で表される構造としては、下記一般式KY-2で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式KY-2で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。式KY-2中、Rky6~Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6~Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y1、Y2におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rky5~Rky10は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。式KY-2で表される構造は、下記一般式KY-3で示す部分構造であることがより好ましい。式KY-3中、Zka1及びnkaは各々前記一般式KA-1におけるZka1及びnkaと同義である。Rky5は前記式KY-2におけるRky5と同義である。Lkyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。繰り返し単位bは、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素-炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、スチレン系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。繰り返し単位byが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位byにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。樹脂Cに於ける、繰り返し単位byの含有率は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、10~100molが好ましく、より好ましくは20~99mol、更に好ましくは30~97mol、最も好ましくは40~95molである。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位byの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、前記樹脂Aの繰り返し単位a3の具体例として挙げたものも、繰り返し単位byの具体例として挙げることができる。具体例中、Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。樹脂Cに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzは、樹脂Aで挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。繰り返し単位bzが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bzにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。樹脂Cに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzの含有量は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。以上、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bについて説明したが、樹脂Cに於ける、繰り返し単位bの含有率は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、1~98molが好ましく、より好ましくは3~98mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位b’の含有率は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位bの含有率は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、1~90molが好ましく、より好ましくは3~80mol、更に好ましくは5~70mol、最も好ましくは10~60molである。繰り返し単位bと共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有率は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、10~99molが好ましく、より好ましくは20~97mol、更に好ましくは30~95mol、最も好ましくは40~90molである。繰り返し単位bの含有率は、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。樹脂Cは、更に、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子などで置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。樹脂Cは、更に、下記一般式BII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式BII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。以下に一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。なお、RaがCF3である場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。樹脂Cは、樹脂Aと同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、更に好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。樹脂Cは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、樹脂Aで説明した内容と同様である。以下に樹脂Cの具体例を示す。また、後掲の表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性の樹脂Cを含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に樹脂Cが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対する該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後で且つ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3°C、湿度45±5において60°~90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。樹脂Cは前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。樹脂Cは、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣スカム、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣スカム、BLOB欠陥性能が改善される。樹脂Cがフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、樹脂Cの分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂C中の全繰り返し単位に対し、10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。樹脂Cが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、樹脂Cの分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、樹脂Cの全繰り返し単位に対し、10~90モルであることが好ましく、20~80モルであることがより好ましい。樹脂Cの重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは2,000~50,000、更に好ましくは3,000~30,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPCキャリア:テトラヒドロフランTHFによって測定したポリスチレン換算分子量を示す。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の樹脂Cの含有率は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01~20質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~20質量、更に好ましくは0.1~10質量であり、特に好ましくは0.5~8質量である。樹脂Cは1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。[4]塩基性化合物本発明の感活性光線又は放射線性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式A及びE中、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式A及びE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ-7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン-1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-フェニルジエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-若しくはCH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。塩基性化合物の使用量は、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[5]界面活性剤本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が上記界面活性剤を含有することにより、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、製、フロラードFC430、431、4430製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08DIC株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報の段落[0015]~[0018]付近に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレート等との共重合体でもよい。上記に該当する市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472DIC製を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体などを挙げることができる。また、本発明では、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ-ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量溶剤を除く全量に対して、好ましくは0~2質量、更に好ましくは0.0001~2質量、特に好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性が上がり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[6]溶剤前記各成分を溶解させて感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;1-メトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが好ましく挙げられる。環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン、3-メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが好ましく挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130°C以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[7]その他成分本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、ProceedingofSPIE,2724,3551996等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。[パターン形成方法]本発明のパターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性膜を、露光することと、露光した膜を現像する工程を含んでいる。レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、1~10質量であることが好ましく、より好ましくは1~8.0質量、更に好ましくは1.0~6.0質量である。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。なお、フィルターは、複数種類を直列又は並列に接続して用いてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。さらに、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。本発明の組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布することができる。その後乾燥し、感光性のレジスト膜を形成することができる。当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画直描が一般的である。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~140°Cで行うことが好ましく、80~135°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、EUV光13nm、電子線等であり、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線が好ましい。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1~3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。リンス液としては、純水が好ましく、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。リンス工程においては、現像を行ったウェハをリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。また、現像工程又は、リンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。なお、感光性の感活性光線性又は感放射線性膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜に対しては、活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、更に屈折率を向上させるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物からなる膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じて更に疎水性樹脂Cを添加することができることについては前述の通りである。本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適性、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、レジストと混合せず、更にレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂Cはトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性が好ましいが、膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー波長:193nmにおいて、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。monomerUM-13の合成例無水5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸65.66g、0.4mol、クロロ酢酸75.60g、0.8molを三口フラスコに入れ、80°Cで加熱溶融して均一な溶液にした。これにトリフルオロスルホン酸3.5ml、40mmolを滴下し、100°Cで3時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を50°Cまで冷却した後、トルエン500mlを加え、25°Cまで冷却した。この溶液を、炭酸水素ナトリウム40g、蒸留水320ml、飽和食塩水160mlの溶液に攪拌しながら加え、分液精製を行った。その後、飽和食塩水480mlで有機層を洗浄した後、溶媒を減圧留去し、オイル状の化合物を80g得た。得られたオイルを三口フラスコに入れ、ジメチルアセトアミド550mlを加えた後、メタクリル酸34.61g、0.402mol、炭酸水素ナトリウム33.77g、0.402mol、ヨウ化カリウム12.82g、0.077molを加え、60°Cで4時間攪拌した。トルエン1.5Lを加えて25°Cまで冷却した後、pH=3になるまで1規定塩酸を加え、分液操作を行った。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した後、溶媒を減圧留去し、オイル状の化合物を50g得た。得られたオイルをカラム精製ヘキサン/酢酸エチル=2/1し、得られたオイルを酢酸エチル/ヘプタンで晶析し、monomerUM-13を26.4g得た白色結晶。1H-NMR400MHzinCD32CO:δppm=1.17-2.31m,7H,2.70-3.44m,4H,4.58-5.18m,3H,6.22s,1H,7.27s,1H。酸分解性樹脂の合成例窒素気流下、シクロヘキサノン4.2gを3つ口フラスコに入れ、これを85°Cに加熱した。このようにして、溶剤1を得た。次に、下記monomerUM-132.2g、monomerUH-20.42g、monomerUB-21.14g及びmonomerUB-70.74gを、シクロヘキサノン17.0gに溶解させ、モノマー溶液を調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製を、モノマーの合計量に対し6.5molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後、ヘプタン173g/酢酸エチル74gの混合溶媒に滴下し、析出した粉体をろ取及び乾燥して、5.0gの樹脂P-10を得た。得られた樹脂P-10の重量平均分子量は6900であり、分散度Mw/Mnは1.6であり、13C-NMRにより測定した組成比は40/35/15/10であった。樹脂P-10と同様にして、樹脂P-1~P-9、P-11~P-31を合成した。下記表2に、樹脂P-1~P-31における重量平均分子量Mw、分散度Mw/Mn、及び各繰り返し単位の組成比モル比を纏める。上記表2における各繰り返し単位を下記に示す。酸発生剤酸発生剤としては先に挙げた酸発生剤z1~z112から適宜選択して用いた。疎水性樹脂C疎水性樹脂としては、先に挙げた疎水性樹脂B-1~B-55から適宜選択して用いた。塩基性化合物DIA:2,6-ジイソプロピルアニリンTMEA:トリスメトキシエトキシエチルアミンPEA:N-フェニルジエタノールアミンTOA:トリオクチルアミンPBI:2-フェニルベンゾイミダゾールDHA:N,N-ジヘキシルアニリン界面活性剤W-1:メガファックF176DIC株製;フッ素系W-2:メガファックR08DIC株製;フッ素及びシリコン系W-3:トロイゾルS-366トロイケミカル株製;フッ素系W-4:PF656OMNOVA社製;フッ素系W-5:PF6320OMNOVA社製;フッ素系溶剤S1-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;1-メトキシ-2-アセトキシプロパンS1-2:シクロヘキサノンS2-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;1-メトキシ-2-プロパノールS2-2:プロピレンカーボネートS2-3:γ-ブチロラクトン実施例1~40及び比較例1~3露光条件:ArF液浸露光<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製>下記表3に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量の溶液を調製し、これを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。調製したポジ型感光性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を表3に示した。<画像性能試験>300mm口径12インチ口径シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、120°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚100nmの感活性光線性又は感放射線性膜レジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後120°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して線幅50nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。<パターンの断面形状観察評価>画像性能試験で得られた、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを、SEM株日立製作所S-4800にて、断面形状の観察をし、矩形なものを○、ややラウンドトップ形状のものを△、T-Top形状になっているものを×として評価した。このパターンの断面形状観察評価において、上記レジスト溶液を調製した後、直ちにレジスト膜を形成し露光を行った結果を、下記表3の通常欄に記載した。一方、上記レジスト溶液を40°Cで30日間放置した後、レジスト膜を形成し露光を行った結果を下記表3の経時欄に記載した。<水残り欠陥試験>線幅65nmの1:1ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量でパターン形成したウエハーを欠陥検査装置2360KLAテンコール社製で評価した。検出された現像欠陥をS9380IIHITACHI社製で観察し、全現像欠陥中の水残り欠陥の個数を評価した。この水残り欠陥試験において、上記レジスト溶液を調製した後、直ちにレジスト膜を形成し、露光を行った結果を、下記表3の通常欄に記載した。一方、上記レジスト溶液を調製した後、40°Cで30日間放置した後レジスト膜を形成し、露光を行った結果を下記表3の経時欄に記載した。ウエハー12インチウエハー1枚あたりの水残り欠陥数が0~5個であるものを◎、6~10個であるものを○、11個~20個であるものを△、20個を超えるものを×とした。水残り欠陥が少ないほど、液浸露光に好適であるといえる。<パターン倒れ>上記レジスト溶液を調製した後、直ちに形成したレジスト膜についてのパターン形成において、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量からさらに露光量を増大させて形成されるラインパターンの線幅を細らせた際に、パターンが倒れずに解像する線幅nmをもって定義した。値が小さいほど、より微細なパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れが発生しにくいことを示す。上記表3に示した結果から明らかなように、一般式1で表される繰り返し単位を含有するものの、フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂Cを有しないものは、水残り欠陥が多く、パターン形状が悪いことが分かる。また、一般式1で表される繰り返し単位を含有するものの、フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を有しないものは、パターン倒れが多いことが分かる。一方、フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂Cと、フッ素一般式1で表される繰り返し単位とを含有する樹脂Aを使用した実施例1~40は、パターン形状が良好であり、水残り欠陥及びパターン倒れも少ないことが分かる。また、レジスト溶液を一定時間放置させた後にレジスト膜を製造した場合でも、レジスト膜の水残り欠陥は少なく、パターン形状の劣化も小さいことがわかる。"