"発光ダイオードチップであって、-n導電型半導体層3と、-p導電型半導体層4と、-前記n導電型半導体層3と前記p導電型半導体層4との間の活性領域2と、-前記n導電型半導体層3、前記p導電型半導体層4、および前記活性領域2の、横方向における境界を形成している側面14と、-前記発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されているドーピング領域1、もしくは、-中和領域1、またはその両方と、を備えており、-前記ドーピング領域1もしくは前記中和領域1またはその両方が、前記側面14において、少なくとも前記活性領域の領域に形成されており、-前記発光ダイオードチップが、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供される、発光ダイオードチップ。前記ドーピング領域1もしくは前記中和領域1またはその両方が、前記側面14において電気的パッシベーション部を形成している、もしくは、前記側面14における導電率を低下させる、またはその両方である、請求項1に記載の発光ダイオードチップ。前記ドーピング領域1もしくは前記中和領域1またはその両方が、前記側面14全体に形成されている、請求項1または請求項2のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記ドーピング領域1もしくは前記中和領域1またはその両方が、前記側面14からの厚さとして、少なくとも10nm、最大で100μmの厚さを有する、請求項1から請求項3のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記活性領域2が窒化物化合物半導体材料をベースとしており、前記ドーパントが亜鉛またはマグネシウムである、請求項1から請求項4のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記側面14に、少なくとも前記活性領域2の領域において、さらなるパッシベーション層8が存在しない、請求項1から請求項5のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記側面14が、前記n導電型半導体層3および前記p導電型半導体層4の成長方向に対して90 ゚未満の角度で延びている、請求項1から請求項6のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。発光ダイオードチップを製造する方法であって、-成長基板10を形成するステップと、-前記成長基板10の上に、n導電型半導体層3と、活性領域2と、p導電型半導体層4とを形成するステップと、-少なくとも前記活性領域2に、複数の拡散領域11もしくは複数の中和領域11またはその両方を形成するステップと、-前記発光ダイオードチップの側面14を形成する目的で、複数の前記拡散領域11もしくは複数の前記中和領域11またはその両方を通るように個片化するステップであって、前記側面14のそれぞれにおいて、少なくとも前記活性領域の領域に、ドーピング領域1もしくは中和領域1またはその両方が形成される、前記ステップと、を含んでおり、-前記発光ダイオードチップが、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供される、方法。前記成長基板とは反対の前記活性領域2の側から、ドーパントが前記活性領域内に導入される、請求項8に記載の方法。前記拡散領域もしくは前記中和領域1またはその両方が、前記n導電型半導体層3、前記活性領域2、および前記p導電型半導体層4を貫いている、請求項8または請求項9に記載の方法。請求項1から請求項7のいずれかに記載の発光ダイオードチップが製造される、請求項8から請求項10のいずれかに記載の方法。本発明の1つの目的は、電気的に特に安定した、すなわち低電流の欠点が低減した、発光ダイオードチップを開示することである。本発明のさらなる目的は、このような発光ダイオードチップの製造方法を開示することである。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供される。すなわち、本発光ダイオードチップは、特に、動作時にコヒーレントな電磁放射を放出するレーザではなく、例えば大きな立体角範囲へのインコヒーレントな電磁放射を放出する発光ダイオードチップである。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、n導電型半導体層と、p導電型半導体層と、これらn導電型半導体層とp導電型半導体層との間に配置されている活性領域と、を備えている。これらの導電型半導体層は、例えは、半導体材料から構成されている層であって、対応する導電型にドープされており、例えば互いに重なるようにエピタキシャル成長させた層である。n導電型半導体層とp導電型半導体層の界面には、例えば少なくとも1層の放射放出層を備えた活性領域が形成されており、本発光ダイオードチップの動作時、この放射放出層において電磁放射が生成される。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、n導電型半導体層、p導電型半導体層、および活性領域の、横方向における境界を形成している側面を備えている。したがって、この側面は、発光ダイオードチップの側腹部である。この場合、本発光ダイオードチップは、例えば、本発光ダイオードチップの底面と本発光ダイオードチップの上面とを互いに結合している4つの側面を備えていることができる。本発光ダイオードチップは、横方向すなわち、例えば半導体層の成長方向に対して垂直、または成長方向を横切る方向には、少なくとも1つの側面によって境界が形成されている。言い換えれば、本発光ダイオードチップの半導体材料は、側面において終了している。側面は、周囲の媒体例えば、パッシベーション層、封止体、または空気に隣接していることができる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップはドーピング領域を備えている。このドーピング領域においては、発光ダイオードチップの半導体材料にドーパントが導入されている。この場合、このドーパントは、例えば、n導電型半導体層およびp導電型半導体層をそれぞれn型およびn型にドープするドーパントとは異なるドーパントである。この場合、ドーピング領域は、側面において、少なくとも活性領域の領域に形成されている。すなわち、本発光ダイオードチップの側面には、活性領域の領域にドーピング領域が形成されている。この場合、ドーピング領域は、側面に沿って発光ダイオードチップの他の層例えばn導電型半導体層およびp導電型半導体層の上に延在していることも可能である。側面にドーピング領域が形成されているとは、側面から離れている発光ダイオードチップの中央領域には、ドーピング領域のドーパントがまったく、または実質的に存在しないことをさらに意味する。言い換えれば、ドーピング領域は、側面において局所的にこの場合には少なくとも活性領域の領域に形成されている。ドーパントは、例えば、側面の領域、例えば活性領域またはその周囲の領域におけるn導電型領域を、p導電型領域に変換する。すなわち、ドーパントは、存在しているn型ドーピングを過補償overcompensatesする。逆に、このような再ドーピングによって、p導電型領域のドーピングを反転させてn導電型領域を形成することも可能である。これにより、実際の放射生成領域が発光ダイオードチップの側面から内側に移行する。したがって、この拡散領域は、pn接合を、より大きなバンドギャップを有する材料に置き換える効果を持つ。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、側面の領域、例えば活性領域もしくはその周囲またはその両方の領域において、n導電型領域もしくはp導電型領域またはその両方が中和されているneutralized。この目的のため、それぞれのドーパントが、例えば水素によって中和され、したがって、このように処理されるn導電型領域もしくはp導電型領域またはその両方が、本質的に導電性の半導体領域になる。言い換えれば、この場合、本発光ダイオードチップは、側面において、少なくとも活性領域の領域に形成された中和領域を備えている。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、n導電型半導体層と、p導電型半導体層と、これらn導電型半導体層とp導電型半導体層との間に配置されている活性領域と、を備えている。さらには、本発光ダイオードチップは、n導電型半導体層、p導電型半導体層、および活性領域の、横方向における境界を形成している側面と、発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されているドーピング領域、もしくは、中和領域、またはその両方と、を備えている。この場合、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、側面において、少なくとも活性領域の領域に形成されている。本発光ダイオードチップは、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供されており、すなわち、本発光ダイオードチップは、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する。ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、発光ダイオードチップのすべての側面に形成することができる。この場合、本明細書に記載されている発光ダイオードチップは、特に、以下の原理に基づいている。すなわち、側面の領域において、活性領域が、例えば適切なドーパントの内部拡散によって、同じ導電型の半導体に変換される。すなわち、元のn型ドーピングまたはp型ドーピングが、追加のドーパントによって過補償される。例えば、もともとn型にドープされていた領域が、弱くp型にドープされた領域になる。放射を生成するために設けられる実際の活性領域は、ドーピング領域によって、発光ダイオードチップの側面から内側に移行する。これに代えて、またはこれに加えて、上述した中和を側面において行うことができる。これらの結果として、側面には、電圧降下がほとんど、またはまったく存在せず、したがって、例えば上述した残渣などのさらなる短絡経路が、本発光ダイオードチップの電気的挙動および光学的挙動に影響しない。したがって、発光ダイオードチップの側面に、電気的絶縁のための追加の層を形成する必要がない。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、発光ダイオードチップの側面全体に形成されている。すなわち、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、発光ダイオードチップの側面、好ましくは発光ダイオードチップのすべての側面において、発光ダイオードチップの半導体材料全体にわたり延在している。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、側面から発光ダイオードチップの内部方向に測定したときの厚さとして、少なくとも10nm、最大で100μmの厚さを有する。この最小厚さでは、側面の十分な保護が確保される。光学的活性領域を形成するための十分な空間が半導体チップの内側に残されているように、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方の浸透深さは限定されていることが好ましい。発光ダイオードチップの半導体材料内に配置されているドーピング領域の境界は、例えば、ドーピング領域を形成しているドーパントの濃度が、発光ダイオードチップの半導体材料内におけるその最大濃度の1/eまで低下する位置にあるものと想定する。例えば、中和領域における水素の導入についても、これと同様の想定がなされる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、活性領域と、さらに好ましくはn導電型半導体層およびp導電型半導体層は、窒化物化合物半導体材料をベースとしている。窒化物化合物半導体材料をベースとしているとは、本明細書においては、活性領域と、適切な場合には上記の半導体層またはその少なくとも一部分とが、窒化物化合物半導体材料、好ましくはAlnGamIn1-n-mN0≦n≦1、0≦m≦1、nm≦1を含んでいる、またはこのような材料からなることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、例えば上記の層のn型導電性およびp型導電性を付与する1種類または複数種類のドーパントを含んでいる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、活性領域と、さらに好ましくはn導電型層およびp導電型層は、リン化物化合物半導体材料をベースとしている。リン化物化合物半導体材料をベースとしているとは、本明細書においては、活性領域と、適切な場合には上記の半導体層またはその少なくとも一部分とが、AlnGamIn1-n-mPまたはAsnGamIn1-n-mP0≦n≦1、0≦m≦1、nm≦1を含んでいることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、例えば上記の層のn型導電性およびp型導電性を付与する1種類または複数種類のドーパント、および追加の構成成分を含んでいることができる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、活性領域と、さらに好ましくはn導電型層およびp導電型層は、ヒ化物化合物半導体材料をベースとしている。ヒ化物化合物半導体材料をベースとしているとは、本明細書においては、活性領域と、適切な場合には上記の半導体層またはその少なくとも一部分とが、ヒ化物化合物半導体材料、好ましくはAlnGamIn1-n-mAs0≦n≦1、0≦m≦1、nm≦1を含んでいる、またはこのような材料からなることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、例えば上記の層のn型導電性およびp型導電性を付与する1種類または複数種類のドーパントを含んでいる。この場合、ドーピング領域を形成するためのドーパントは、亜鉛またはマグネシウムであることが好ましい。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、側面には、少なくとも活性領域の領域において、さらなるパッシベーション不動態化層が存在しない。すなわち、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方によって側面の電気的不動態化が行われることにより、少なくとも活性領域の領域においては、側面にさらなる絶縁材料例えば、二酸化ケイ素、または窒化ケイ素を堆積させるステップを省くことができる。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ドーピング領域に加えて、さらなるパッシベーション層が形成されている。したがって、本発光ダイオードチップは、特に良好な電気的挙動を特徴とし、なぜなら、個片化工程において残渣さらなるパッシベーション層によって覆われるが生じても、ドーピング領域が存在することによって、発光ダイオードチップの低電流という弱点につながらないためである。さらには、このようなさらなるパッシベーション層は、発光ダイオードチップの機械的保護および化学的保護としても有利である。本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、側面は、n導電型半導体層およびp導電型半導体層の成長方向に対して90 ゚未満の角度で延びている。一例として、側面は、上記の半導体層が上に配置されているキャリアに対して90 ゚未満の角度、好ましくは50 ゚未満の角度で延びている。さらには、発光ダイオードチップの製造方法を開示する。本方法によって、特に、本明細書に記載されている発光ダイオードチップを製造することができる。すなわち、本発光ダイオードチップに関して開示されている特徴は、本方法にもあてはまり、逆も同様である。本方法の少なくとも一実施形態によると、本方法は、最初に成長基板を形成するステップを含んでいる。この成長基板の上に、n導電型半導体層と、活性領域と、p導電型半導体層とを、好ましくは連続的に堆積させる。この場合、上記の層と成長基板との間に、1層または複数のさらなる層例えばバッファ層を配置することができる。次の方法ステップにおいては、活性領域に、複数の拡散領域もしくは中和領域またはその両方を形成する。拡散領域は、ドーパントの選択的な内部拡散により、ドーパントを局所的に導入することによって形成されることが好ましい。この場合、ドーパントは、成長基板とは反対の活性領域の側から例えば、成長基板とは反対側のp導電型半導体層の面から、活性領域内に導入することができる。選択的な内部拡散は、例えば、マスクを画成することによって、または構造化された拡散源を使用することによって、行うことができる。中和領域は、例えば、水素イオンのイオン打ち込みによって形成することができる。次の方法ステップにおいては、複数の、好ましくはすべての拡散領域もしくは中和領域またはその両方を通るように個片化し、この場合、製造される発光ダイオードチップの側面が形成され、側面の1つには、少なくとも活性領域の領域に、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方が形成される。言い換えれば、本発光ダイオードチップのドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、拡散領域もしくは中和領域またはその両方を通るように個片化することによって形成される。本発明の方法においては、活性領域に拡散領域もしくは中和領域またはその両方を形成する工程は、温度の影響を受ける材料例えば金属を堆積させる前に行われる。すなわち、特に、発光ダイオードチップの金属コンタクトもしくは金属ミラーまたはその両方を形成する前に、拡散を行う。結果として、半導体材料内へのドーピング領域の拡散を、比較的高い温度例えば280°Cを超える温度まで上昇させることによって支援することができる。本方法の少なくとも一実施形態によると、拡散領域したがって拡散領域によって形成されるドーピング領域、もしくは中和領域、またはその両方は、n導電型半導体層と、活性領域と、p導電型半導体層とを貫いている。すなわち、本発光ダイオードチップの完成後に本発光ダイオードチップの半導体材料の横方向における境界を形成しているすべての側面において、ドーピング領域が領域全体に形成されており、側面全体にわたり延在している。上述した製造方法の代替形態として、発光ダイオードチップの側面を介して、すなわち発光ダイオードチップを個片化した後、ドーパントを局所的に導入することも可能である。この場合、拡散領域を通るように個片化を行う必要がない。以下では、本発明の発光ダイオードチップおよび本発明の方法について、例示的な実施形態に基づき、関連する図面を参照しながらさらに詳しく説明する。図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素間の互いに対するサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、図を見やすくする、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1の概略断面図は、本発明の発光ダイオードチップの例示的な実施形態を示している。図1の例示的な実施形態においては、本発光ダイオードチップは、キャリア5を備えている。キャリア5は、例えば導電性材料によって形成されている。この場合、キャリア5は、例えば、ゲルマニウムを含んでいる、またはゲルマニウムからなる、あるいは、シリコンを含んでいる、またはシリコンからなることができ、あるいは、金属によって形成することができ、例えば電気めっき法によって形成することができる。キャリア5の上面には、はんだ層6例えば金を含んでいることができるが配置されている。キャリア5とは反対側のはんだ層6の面には、ミラー層例えば銀もしくはアルミニウムまたはその両方を含んでいるが配置されている。はんだ層6とは反対側のミラー層7の面には、本発光ダイオードチップの半導体層が続いている。この場合、本発光ダイオードチップは、p導電型半導体層4と、n導電型半導体層3と、これら2層の半導体層の間に配置されている活性領域2とを備えている。活性領域は、本発光ダイオードチップの放射生成領域である。本発光ダイオードチップの動作時、活性領域において、一例として、紫外線領域、可視スペクトル領域、または赤外線領域の電磁放射が生成される。横方向、すなわち例えば、キャリア5の上面本発光ダイオードチップの半導体層が配置されているに平行な方向においては、半導体層2,3,4は、その境界が側面14によって形成されている。この実施形態の場合、側面14は、キャリアの上面に対して90 ゚未満の角度で延びている。側面14にはドーピング領域1が形成されており、このドーピング領域においては、発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されている。ドーパントは、例えば亜鉛である。発光ダイオードチップの半導体層2,3,4は、例えば、窒化物化合物半導体材料をベースとしている。ドーピング領域は、側面において、活性領域2の領域に形成されており、この実施形態の場合、側面14全体にわたりすなわちn導電型半導体層3およびp導電型半導体層4の上にも延在している。本発光ダイオードチップの半導体層の半導体材料のバンドギャップは、ドーピング領域1の外側の活性領域よりもドーピング領域1において大きい。ドーピング領域を形成しているドーパントの浸透深さすなわち側面14から測定したときのドーピング領域1の厚さは、この場合、例えば最大で100μmである。ドーピング領域1は、側面14において電気的パッシベーション部を形成しており、これにより、側面14にドーピング領域1が存在しない発光ダイオードチップと比較して、発光ダイオードチップの低電流挙動が改善される。ドーピング領域1の代わりとして、例えば、上述した中和領域1を使用することができる。ドーピング領域1による電気的パッシベーション部に加えて、n型電極9によって覆われている領域以外の、発光ダイオードチップの露出した外側領域は、パッシベーション層8例えば窒化ケイ素からなるによって被覆されている。パッシベーション層8は、ミラー層7を覆っており、この場合、ミラー層7を側面において封止している。しかしながら、本発明のドーピング領域の存在により、少なくとも活性領域の領域においてはパッシベーション層8を省くことが可能であるこの点において図2Fも参照。図2Fは、本発明の発光ダイオードチップのさらなる例示的な実施形態を示しており、この発光ダイオードチップにはさらなるパッシベーション層8が存在しない。以下では、本発明の発光ダイオードチップを製造するための、本発明の方法の例示的な実施形態について、図2A~図2Fの概略断面図を参照しながらさらに詳しく説明する。最初の方法ステップ図2Aにおいては、成長基板10を形成し、この成長基板は、例えばサファイアによって形成されている、またはサファイアからなる。これに代えて、成長基板10は、例えばSiCまたはGaAsによって形成することもできる。その後、成長基板10の成長面の上に、n導電型半導体層3と、活性領域2と、p導電型半導体層4とを、エピタキシャルに堆積させるこの点において図2Bを参照。次いで、図2Cに示したように、成長基板10とは反対側のp導電型半導体層4の面に、マスク12をパターニングする。拡散領域11を形成するためのドーパントを、マスクによって覆われていない領域の中に内部拡散させる。この段階では、上述した半導体層が形成された半導体ウェハは、温度の影響を受ける材料例えばコンタクトの金属またはミラーの金属をまだ備えていない。したがって、ドーパントの内部拡散を支援する目的で、半導体を高温に加熱することができる。この場合、ドーパントを半導体層2,3,4の中に内部拡散させるのみならず、成長基板10まで到達させることが可能である。次の方法ステップにおいては、半導体層2,3,4を、成長基板10とは反対側の面において、キャリア5の上に固定し、例えば、はんだ層6によってはんだ付けするオプションとしてミラー層7が存在することができる。次いで、成長基板10を、湿式化学的に、またはレーザ分離法によって除去する図2D。図2Eを参照すると、例えばレーザ分離法によって、分離線13に沿って拡散領域11を通るように個片化を行う状況を示している。この場合、側面14に堆積しうる残渣は、発光ダイオードチップの低電流挙動による品質低下にはつながらず、なぜなら、このような残渣は、個片化によって形成されるドーピング領域1の上に堆積し、これらのドーピング領域が電気的絶縁効果を有するためである。さらなる方法ステップにおいては図2Fを参照、例えば、キャリア5とは反対側のn導電型半導体層3の面に、n型電極を形成することができる。このステップは、個片化の前に行うこともできる。ドーピング領域1の代わりとして、例えば、上述した中和領域1を使用することができ、中和領域11は、例えば水素イオンの打ち込みによって形成される。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010026518.7号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"