トランジスタで構成される差動対と、該差動対に定電流を供給する定電流源とを具備する、複数の増幅部と、電源が各一端に接続され、前記各増幅部の差動対の出力が他端にそれぞれ並列に接続され、該各増幅部で増幅された信号が該各他端に発生する、1対の抵抗と、前記各増幅部の定電流源に対してそれぞれ設けられ、該各定電流源の定電流のレベルを制御する制御信号を、該各定電流源にそれぞれ入力するか否かのスイッチ動作を切り替える、複数のスイッチ部と、前記各スイッチ部に対してそれぞれ設けられ、該各スイッチ部のスイッチ動作を制御するためのゲイン制御信号がそれぞれ入力される、複数の入力ポートと、を備え、基準レベルの信号を前記抵抗の各他端に発生させるために必要とする前記増幅部の回路数を基に、ゲインを設定するために必要とする増幅部の回路数から生成されたゲイン制御信号が、前記入力ポートにそれぞれ加えられると、ゲインを設定する、ことを特徴とする可変利得増幅回路。基準レベルの信号を前記抵抗の各他端に発生させるために必要とする前記増幅部の回路数を基に、対数ゲインの各ステップを設定するために必要とする回路数をそれぞれ算出し、算出した各回路数の中の1つから生成したゲイン制御信号を前記入力ポートにそれぞれ加えて、対数ゲインを設定する、ことを特徴とする請求項1に記載の可変利得増幅回路。先に述べた従来の可変利得増幅回路には次ぎの課題がある。可変利得増幅回路のMOSFET111~113では、この回路を使用する周囲の雰囲気の温度変動によって、キャリアの移動度μn等が変動する。また、MOSFET113のゲートソース電圧が同じであっても、温度変動によって定電流源の定電流ISSが変動する。このために、温度変動の影響を受けることなく、安定して対数ゲインを変化させるためには、次のようにしていた。温度に応じた制御電圧の演算のために、温度毎の制御電圧を表す制御電圧テーブルを作成する。そして、この制御電圧テーブルを基に温度に応じた制御電圧のデータを得た後、DACディジタル/アナログコンバータを用いて制御電圧を生成し、この電圧を可変利得増幅回路の制御電圧入力に加える。つまり、各温度、各設定値で最適な定電流値になるように、DACから細かな電圧設定をすることで、定電流ISSを可変にしている。また、温度変動によって対数ゲインが変化しないように、定電流源に対する温度補償等の改善対策が行われている。しかし、この場合には、定電流源の構成が複雑になり、IC製造プロセスでの、ゲート幅等のMOSパラメータの変化に対して、定電流源が敏感であるために、MOSパラメータの製造偏差に応じた、安定した対数ゲインの制御をすることが難しい。この発明の目的は、前記の課題を解決し、差動対に流れる定電流を制御するための制御電圧の演算や、温度補償等の対策を不要にすることができる可変利得増幅回路を提供することにある。前記の課題を解決するために、請求項1の発明は、トランジスタで構成される差動対と、該差動対に定電流を供給する定電流源とを具備する、複数の増幅部と、電源が各一端に接続され、前記各増幅部の差動対の出力が他端にそれぞれ並列に接続され、該各増幅部で増幅された信号が該各他端に発生する、1対の抵抗と、前記各増幅部の定電流源に対してそれぞれ設けられ、該各定電流源の定電流のレベルを制御する制御信号を、該各定電流源にそれぞれ入力するか否かのスイッチ動作を切り替える、複数のスイッチ部と、前記各スイッチ部に対してそれぞれ設けられ、該各スイッチ部のスイッチ動作を制御するためのゲイン制御信号がそれぞれ入力される、複数の入力ポートと、を備え、基準レベルの信号を前記抵抗の各他端に発生させるために必要とする前記増幅部の回路数を基に、ゲインを設定するために必要とする増幅部の回路数から生成されたゲイン制御信号が、前記入力ポートにそれぞれ加えられると、ゲインを設定する、ことを特徴とする可変利得増幅回路である。請求項1の発明では、前もって、基準レベルの信号を抵抗の各他端に発生させるために必要とする前記増幅部の回路数を得ておく。また、ゲインを設定するために必要とする増幅部の回路数も得ておく。そして、ゲインを設定するための回路数から生成されたゲイン制御信号が、入力ポートにそれぞれ加えられると、可変利得増幅回路はゲインを設定する。請求項2の発明は、請求項1に記載の可変利得増幅回路において、基準レベルの信号を前記抵抗の各他端に発生させるために必要とする前記増幅部の回路数を基に、対数ゲインの各ステップを設定するために必要とする回路数をそれぞれ算出し、算出した各回路数の中の1つから生成したゲイン制御信号を前記入力ポートにそれぞれ加えて、対数ゲインを設定する、ことを特徴とする。請求項1の発明によれば、周囲の雰囲気の温度変動によって定電流源の定電流が変動しても、ゲインを設定するための回路数の比率は変わらない。この結果、温度変動時にも、ゲインの変化量を安定させることができる。請求項2の発明によれば、温度変動に対して、対数ゲインの各ステップを安定して可変にすることができる。次に、この発明の各実施の形態について、図面を用いて詳しく説明する。実施の形態1この実施の形態による可変利得増幅回路を図1に示す。この可変利得増幅回路は、抵抗R1、R2と、増幅部11~1nと、スイッチ部21~2nと、入力ポート31~3nとを備えている。抵抗R1、R2と、増幅部11~1nと、スイッチ部21~2nとは、半導体パッケージ内の同一の半導体チップに形成されている。これにより、周囲の雰囲気で温度変動が発生すると、増幅部11~1nは、それぞれ同じ温度変動を受けることになる。つまり、増幅部11~1nの温度変動は同じ状態となる。また、同一の半導体チップに形成されている増幅部11~1nについては、増幅度等の特性はすべて同じである。可変利得増幅回路の抵抗R1、R2の一端は電源入力に接続され、他端は信号出力の端子41、42にそれぞれ接続されている。抵抗R1、R2の他端は、増幅部11~1nに対して並列に接続されている。これにより、抵抗R1、R2は、増幅部11~1nの共通の負荷抵抗を形成している。このとき、増幅部11~1nでそれぞれ増幅された信号が、抵抗R1、R2で加算されることになる。つまり、信号出力の端子41、42には、増幅部11~1nでそれぞれ増幅され、かつ、加算された信号が発生する。可変利得増幅回路の増幅部11~1nは、MOSFET11~13を備えている。MOSFET11、12のドレインつまり出力は、抵抗R1、R2にそれぞれ接続されている。MOSFET11、12のゲートつまり入力は、信号入力の端子43、44にそれぞれ接続されている。これにより、増幅対象の信号が、増幅部11~1nのMOSFET11、12のゲートにそれぞれ加えられる。つまり、端子43、44に対して、増幅部11~1nのゲートがそれぞれ並列に接続されている。増幅部11~1nのMOSFET11、12のソースは互いに接続されている。これにより、MOSFET11、12による差動対が構成されている。増幅部11~1nのMOSFET11、12の接続点は、MOSFET13のドレインに接続されている。増幅部11~1nのMOSFET13のゲートは、スイッチ部21~2nにそれぞれ接続されている。増幅部11~1nのMOSFET13のソースは接地されている。これにより、MOSFET13は定電流源を形成する。つまり、増幅部11~1nのMOSFET11、12で形成される各差動対は、定電流源の定電流ISSにより、先に述べた数1式で与えられる相互コンダクタンスGmとゲインAを持つ。なお、この実施の形態では、説明の重複を避けるために、図3の説明で述べた値Aを増幅部11~1nのゲインとして用いる。さらに、値Rを抵抗R1、R2の大きさとして用いる。スイッチ部21~2nはFET14で構成されている。スイッチ部21~2nのFET14のドレインは、増幅部11~1nのMOSFET13のゲートに接続されている。各FET14のソースは制御電圧入力の端子45に接続されている。つまり、各FET14のソースは、制御電圧入力の端子45に対して並列に接続されている。スイッチ部21~2nのFET14のゲートは、ゲイン制御入力ポート31~3nにそれぞれ接続されている。これにより、各FET14は、ゲイン制御入力ポート31~3nのゲイン制御信号のハイレベルとロウレベルにより、オン、オフのスイッチ動作を行う。つまり、増幅部11~1nの定電流源を制御する、制御電圧入力の制御信号である制御電圧を、各定電流源にそれぞれ入力するか否かのスイッチ動作を、ハイレベルとロウレベルとにより切り替える。つまり、スイッチ部21~2nは、制御電圧入力の端子45に加えられる制御電圧を、増幅部11~1nのMOSFET13に入力するか否かのスイッチ動作を、ハイレベルとロウレベルとにより切り替える。これにより、制御電圧が加えられた増幅部は、数1式を基にゲインAの増幅を行う。また、電圧が加えられない増幅部については数1式の定電流ISSがゼロになるので、この増幅部は、増幅を行わず、信号を信号出力の端子41、42に出力しない。ゲイン制御入力ポート31~3nに加えるゲイン制御信号は、この実施の形態による可変利得増幅回路のゲインAを設定するためのものである。以下では、ゲイン制御信号の説明と、この実施の形態の作用とを併せて説明する。この実施の形態では、抵抗R1、R2に対して増幅部11~1nの出力が並列に接続されている。このために、増幅部11~1nの中からa個の増幅部回路数aを選択するための信号であって、ハイレベルまたはロウレベルのゲイン制御信号を、ゲイン制御入力ポート31~3nにそれぞれ加える。この状態で、信号入力の端子43、44にレベルViの信号を加えると、信号出力の端子41、42に発生する信号のレベルVoaは、a個の増幅部からの出力のレベルAViを加算した値となる。つまり、になる。同じように、b個の増幅部回路数bを選択したときには、信号出力の端子41、42に発生する信号のレベルVobは、になる。このとき、増幅部11~1nの中からa個の増幅部を選択した場合の信号のレベルVoaを基準にすると、b個の増幅部を選択したときのゲイン、つまり、可変利得増幅回路のゲインは、その値をTabとすると、となる。つまり、可変利得増幅回路のゲインは、基準となるレベルVoaを出力するために必要とする、増幅部の回路数aと、レベルVobを出力するために必要とする、増幅部の回路数bとの比率となる。一方、可変利得増幅回路の対数ゲインは、であり、上記の数5式を利用すると、となる。つまり、可変利得増幅回路の対数ゲインは、基準となるレベルVoaを出力するために必要とする、増幅部の回路数aと、レベルVobを出力するために必要とする、増幅部の回路数bとの比率の対数値となる。したがって、例えば1デシベル毎に利得を調整する場合には、次ぎのようにする。基準となるレベルVoaを出力するための増幅部の回路数aを63回路とすると、所定ステップのゲインを得るために必要とする回路数、例えば対数ゲインを0デシベル、...、6デシベルの各値にするために必要とする回路数は、数6式から、0デシベル...63回路1デシベル...71回路2デシベル...80回路3デシベル...90回路4デシベル...100回路5デシベル...112回路6デシベル...126回路となる。つまり、この実施の形態では、対数ゲインが例えば4デシベルとなるように可変利得増幅回路を設定するために、増幅部11~1nの中から100回路を選択するためのゲイン制御信号を、入力ポート31~3nに加えればよい。このように、この実施の形態では、可変利得増幅回路の対数ゲインを設定するために、増幅部の回路数を設定すればよい。なお、端子45に加えられる制御電圧により、増幅部11~1nの定電流ISSが調整されるので、信号出力の端子1、2に発生する信号のレベルつまりトータルゲインの調整が可能である。なお、例えば10倍、...、20倍といったゲインの設定も、対数ゲインの設定と同じように、増幅部の回路数を設定することにより行われる。この結果、この実施の形態によれば、可変利得増幅回路を使用する周囲の雰囲気の温度変動によって、動作電流である定電流源の定電流ISSが変動しても、対数ゲインを設定するための回路数の比率は変わらない。このために、この実施の形態による可変利得増幅回路は、温度変動に対して、対数ゲインを安定して可変にすることができる。つまり、入力ポート31~3nへの信号で設定された対数ゲインを安定して得ることができる。また、従来の方式では、対数ゲインのデシベルの確度を維持するために、DACと補正テーブルを用意したが、この実施の形態によれば、DACを不要にすることができる。また、従来の方式では、温度変動時に対数ゲインの可変量を一定にするには、定電流源の電流量を各温度毎に補正する必要があるが、この実施の形態によれば、温度により絶対ゲインは変動しても、回路比率は変わらない。このため、温度補償等の対策を行わなくても、相対値であるデシベルの可変量の変動を防ぐことができる。さらに、例えば無線機では、トータルゲインを一定とするために、従来の方式では固体偏差、温度偏差を可変ゲインアンプで補正する。このような使い方をする場合、従来の可変ゲインアンプの定電流ISSの値も含めた調整が必要となるため、テーブルが複雑になっている。しかし、この実施の形態によれば、デシベルの可変量が温度によらず一定のため、テーブル作成が容易になる。さらに、この実施の形態によれば、トータルゲインの設定は、制御電圧入力の端子45に加える制御電圧によって調整することができる。実施の形態2この実施の形態では、実施の形態1の可変利得増幅回路が演算部51と選択部52とを備えている。なお、この実施の形態では、先に説明した実施の形態1と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号を付けて、その説明を省略する。この実施の形態では、演算部51は、ゲインの設定に必要とする回路数を演算する。このために、図示を省略しているが、演算部51には対数ゲインの値がデシベル単位で入力される。この値が入力されると、演算部51は、先に述べた数7式を基に、入力された対数ゲインの値に対して、増幅部の必要とする回路数を算出する。この後、演算部51は、算出した回路数を選択部52に出力する。選択部52は、ゲイン制御入力ポート31~3nに接続されている。選択部52は、演算部51から回路数を受け取ると、ゲイン制御信号を生成する。そして、選択部52は生成したゲイン制御信号をスイッチ部21~2nにそれぞれ出力する。このとき、選択部52は、回路数に相当する数のゲイン制御信号をロウレベルにし、残りのゲイン制御信号をハイレベルにする。この後、選択部52は、ロウレベルのゲイン制御信号を例えばゲイン制御入力ポート31から順に出力し、次にハイレベルのゲイン制御信号を残りのゲイン制御入力ポートに順に出力する。これにより、回路数に相当するゲイン制御信号がゲイン制御入力ポートを経てスイッチ部に加えられる。こうして、この実施の形態により、デシベルの値を入力するだけで、可変利得増幅回路の対数ゲインを変えることを可能にする。