pin接合を1以上含む薄膜シリコン系太陽電池であって、最も光入射側に位置するpin接合のi層はアモルファスシリコンからなりp層は計測波長1000nmにおける屈折率Ndが2.5以上2.9以下であり且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下であり、当該p層とi層とにそれぞれ接する界面層が、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層とからなる2層構造の層であることを特徴とする、薄膜シリコン系太陽電池。前記真性のアモルファス炭化ケイ素層は計測波長1000nmにおける屈折率Npiが3.2以上3.4以下である、請求項1に記載の薄膜シリコン系太陽電池。前記真性のアモルファスシリコン層は、それ単体でガラス基板上に膜厚30nmの膜を製膜した場合には微結晶シリコンであり、且つその微結晶シリコンの計測波長1000nmにおける屈折率Nibが3.1以上3.3以下である、請求項1または2に記載の薄膜シリコン系太陽電池。また、薄膜Si系太陽電池の発電効率改善方法として、а-Siセルを最も光入射側のトップセルとして用い、а-Siよりもバンドギャップの小さいμc-Si等をボトムセルとして用いるタンデム型或いはトリプル型太陽電池も提案されている。а-Siセル単体では太陽光のうち、およそ波長300nm~800nmの光しか発電に寄与していない。一方、前記タンデム型或いはトリプル型太陽電池は、а-Siセル単体では発電に寄与させることが出来なかった波長800nm以上の光も発電に利用することで発電効率を改善させている。これらタンデム型或いはトリプル型太陽電池の場合、高効率化のために各構成セルの発電電流を大きくすることが求められている。а-Siセルは最も光入射側に位置しているため、特に短波長300nm~500nmの光を発電に寄与させることが望ましい。波長500nm以上の光はミドルセル或いはボトムセルの発電にも寄与するため、а-Siセルで波長500nm以上の光を吸収してしまった場合、それだけミドルセル或いはボトムセルの発電電流が低下することになり、別の手段でミドルセル或いはボトムセルの発電電流を向上させる必要が生じる。しかしながら、波長300nm~500nmの光はа-Siセルのみで使用されるため、他のミドルセル或いはボトムセルに影響を与えることなく、а-Siセルの発電電流を向上させることが出来る。а-Siセルをその構成要素に持つ薄膜Si系太陽電池の発電効率改善には、а-Siセルの発電電流向上が重要であり、本発明は特に短波長300nm~500nmの光による発電電流を改善させることを目的とする。同時に、この改善によってа-Siセルの光劣化を抑制する、即ち保持率光劣化後発電効率/初期発電効率を改善することを目的とする。本発明の第1は、pin接合を1以上含む薄膜シリコン系太陽電池であって、最も光入射側に位置するpin接合のi層はアモルファスシリコンからなりp層は計測波長1000nmにおける屈折率Ndが2.5以上2.9以下であり且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下であり、当該p層とi層とにそれぞれ接する界面層が、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層とからなる2層構造の層であることを特徴とする、薄膜シリコン系太陽電池、である。特許文献2ではp層/i層界面の界面層を2層構造とし、このうち前記界面層のp層側は僅かにドーパントボロンBを添加し、前記界面層のi層側はさらに僅かなBの添加或いは添加なしとすることで発電効率が改善するとしている。これに対して本発明では、p層/i層界面の界面層を2層構造とする点では共通するが、この界面層のp層側すなわち光入射側は真性のアモルファス炭化ケイ素層であり、この界面層のi層側すなわち光入射側から遠い側は真性のアモルファスシリコン層で有る点で、特許文献2とは異なる。すなわち、p層/i層界面の界面層が、特許文献2ではわずかにボロンを添加しているためp型の性質を有するのに対して、本発明では真性である点が異なる。本発明では、p層/i層界面の界面層を真性である2層構造、すなわち、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層とからなる2層構造の層とすることによって、ボロン添加による膜中欠陥を抑制しながらp層/i層間のバンドギャップを緩やかに繋ぐという顕著な効果を有する。このとき、上記2層目の真性アモルファスシリコン層は、それ単体で製膜した場合単膜では微結晶だがセル構造で用いた場合にはアモルファスという界面層а-i層条件を採用した。通常、バンドギャップ整合性の観点や、界面層を製膜したときの下地層p層へのダメージの観点から、当業者は界面層の製膜条件は単膜において微結晶となる条件を検討しないものであった。しかしながら、本発明においては、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層単膜では微結晶となる条件とからなる2層構造の層を採用することによって、当業者が容易に予想できないp層/i層間のバンドギャップ整合性という効果を発現する。また、筆者らはバンドギャップを検討する際に、代わりの物性として屈折率計測波長1000nmを指標とした。バンドギャップは通常タウツプロットから算出するが、この算出値は誤差が大きくバンドギャップ整合性を検討する際に不適当であったためである。本発明の第2は、前記真性のアモルファス炭化ケイ素層は計測波長1000nmにおける屈折率Npiが3.2以上3.4以下である、前記の薄膜シリコン系太陽電池、である。Npiが3.2以上3.4以下である事によって、p層と前記真性のアモルファスシリコン層間のバンドギャップ整合性が良いという効果を有する点で好ましい。本発明の第3は、前記真性のアモルファスシリコン層はそれ単体でガラス基板上に膜厚30nmの膜を製膜した場合には微結晶シリコンであり、且つその微結晶シリコンの計測波長1000nmにおける屈折率Nibが3.1以上3.3以下である、前記の薄膜シリコン系太陽電池、である。Nibが3.1以上3.3以下である事によって、前記真性のアモルファス炭化ケイ素層とi層間のバンドギャップ整合性が良いという効果を有する点で好ましい。屈折率が、Nd2.5~2.9/Npi3.2~3.4/Nib3.1~3.3という順番であることによって、p層/前記真性のアモルファス炭化ケイ素層/前記真性のアモルファスシリコン層/i層計測波長1000nmにおける屈折率3.5~3.7の4層間のバンドギャップ整合性が良いという点で、好ましい。すなわち本発明の太陽電池は、pin接合を少なくとも1つは有する薄膜Si系太陽電池において、最も光入射側に位置するpin接合の光入射側のドーピング層p層の屈折率Nd計測波長:1000nmが2.5以上2.9以下で且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下とし、さらに当該p層と光電変換層i層との界面層p/i界面層を、ドーピングしないノンドープアモルファス炭化ケイ素а-SiCと、アモルファスi層a-i層との2層構造としたことを特徴とする薄膜Si系太陽電池である。また、本発明の太陽電池は、pin接合を少なくとも1つは有する薄膜Si系太陽電池において、最も光入射側に位置するpin接合の光入射側のp層のNdが2.5以上2.9以下で且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下とし、さらに当該p層とi層とのp/i界面層を、ノンドープа-SiCと、a-i層との2層構造とし、且つ前記а-SiCの屈折率Npi計測波長:1000nmを3.2以上3.4以下としたことを特徴とする薄膜Si系太陽電池、である。また、本発明の太陽電池は、pin接合を少なくとも1つは有する薄膜Si系太陽電池において、最も光入射側に位置するpin接合の光入射側のp層のNdが2.5以上2.9以下で且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下とし、さらに当該p層とi層とのp/i界面層を、ノンドープа-SiCと、a-i層との2層構造とし、且つ前記a-i層はそれ単体でガラス基板上に膜厚30nmの膜を製膜した場合には微結晶シリコンであり、且つその微結晶シリコンの屈折率Nib計測波長:1000nmを3.1以上3.3以下としたことを特徴とする薄膜Si系太陽電池、である。また本発明の太陽電池は、pin接合を少なくとも1つは有する薄膜Si系太陽電池において、最も光入射側に位置するpin接合の光入射側のp層のNdが2.5以上2.9以下で且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下とし、さらに当該p層とi層とのp/i界面層を、ノンドープа-SiCと、a-i層との2層構造とし、且つ前記а-SiCのNpiを3.2以上3.4以下とし、且つ前記a-i層はそれ単体でガラス基板上に膜厚30nmの膜を製膜した場合には微結晶シリコンであり、且つその微結晶シリコンの屈折率Nibを3.1以上3.3以下としたことを特徴とする薄膜Si系太陽電池、である。本発明により、pin接合を少なくとも1つは有する薄膜Si系太陽電池において、最も光入射側に位置するpin接合а-Siセルの短波長域の光感度短波長感度が改善され、а-Siセルの短絡電流密度Jscが向上する。また、保持率も改善される。p層/i層の界面層を、これまで2層構造のp型の層で形成してきた先行技術から、セルの直列抵抗が増加することや微結晶の製膜条件によって下地となるp層にダメージが生じるなどの阻害要因が有る関係で当業者は検討もしなかった2層構造のi型の層に代えることによって、これまで当業者が予想も出来ないほどの顕著なバンドギャップ整合性という効果が発現した。本発明の第1は、pin接合を1以上含む薄膜シリコン系太陽電池であって、最も光入射側に位置するpin接合のi層はアモルファスシリコンからなりp層は計測波長1000nmにおける屈折率Ndが2.5以上2.9以下であり且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下であり、当該p層とi層とにそれぞれ接する界面層が、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層とからなる2層構造の層であることを特徴とする、薄膜シリコン系太陽電池、である。pin接合を1以上含む薄膜シリコン系太陽電池とは、p型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも1つ有し、且つ各層の構成成分にシリコンを含むことを特徴とした太陽電池を指す。最も光入射側に位置するpin接合のi層はアモルファスシリコンからなるとは、i層単膜をラマン分光法により評価した場合に結晶ピーク520cm-1のピークが観察されないi層のことを指す。アモルファスシリコンは、例えばプラズマ化学気相成長プラズマCVD法を用いて原料ガスをシランSiH4と水素H2とし、H2/SiH4ガス混合比を0~50、圧力Paを10~700Pa、パワー密度mW/cm2を5~50mW/cm2とした製膜条件で製造される。最も光入射側に位置するpin接合のp層が計測波長1000nmにおける屈折率Ndが2.5以上2.9以下であり且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下であるとは、単膜膜厚30nmをガラス基板日本電気硝子製OA-10基板上に作製し、評価した結果の値である。屈折率は分光エリプソを用いて評価し、フィッティングモデルはOA-10/評価膜/表面酸化膜とした。導電率は、単膜上にコプラナー型電極を作製し評価した。上記のNd及び明導電率の範囲とすることにより、セルへの光取り込み量を増大させつつ、セルの直列抵抗成分の増加を抑えることが出来る。一般的な作り方は、例えばプラズマCVD法を用いて原料ガスをシランSiH4、水素H2、メタンCH4、ジボランB2H6とし、CH4/SiH4ガス混合比を1~10、H2B2H6/SiH4ガス混合比を5~150、シランに対するジボラン濃度B2H6/SiH4を0.5~7、圧力Paを10~700Pa、パワー密度mW/cm2を5~250mW/cm2とすることである。当該p層とi層とにそれぞれ接する界面層が、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層とからなる2層構造の層であることを特徴とする、薄膜シリコン系太陽電池について、説明する。アモルファス炭化ケイ素層の一般的な作り方は、例えばプラズマCVD法を用いて原料ガスをシランSiH4、水素H2、メタンCH4とし、CH4/SiH4ガス混合比を0.1~5、圧力Paを10~700Pa、パワー密度mW/cm2を5~250mW/cm2とすることである。アモルファスシリコン層の一般的な作り方は、例えばプラズマCVD法を用いて原料ガスをシランSiH4と水素H2とし、H2/SiH4ガス混合比を50~150、圧力Paを100~1400Pa、パワー密度mW/cm2を20~100mW/cm2とした製膜条件で製造される。このとき、上記界面層の真性アモルファスシリコン層は、単膜では微結晶シリコンだがセル構造で用いた場合にはアモルファスシリコンという点が光電変換層のアモルファスシリコンとは異なる。ここで言う微結晶シリコンとは、ラマン分光法により膜を評価した場合に結晶ピーク520cm-1のピークが観察されることを指す。微結晶シリコンはそのバンドギャップがアモルファスシリコンより小さいため、通常、バンドギャップ整合性の観点からp層とi層の間には挿入しない。また、微結晶シリコンのプラズマCVD法における製膜条件は、一般にH2/SiH4ガス混合比が高く、また印加電力パワー密度も大きいために、微結晶シリコンを製膜したときの下地層p層へのダメージが大きい。この観点から、当業者は界面層の製膜条件は単膜において微結晶シリコンとなる条件を検討しないものであった。しかしながら、本発明においては、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層単膜では微結晶シリコンとなる条件とからなる2層構造の層を採用することによって、当業者が容易に予想できないp層/i層間のバンドギャップ整合性という効果を発現する。本発明の第1は、pin接合を1以上含む薄膜シリコン系太陽電池であって、最も光入射側に位置するpin接合のi層はアモルファスシリコンからなりp層は計測波長1000nmにおける屈折率Ndが2.5以上2.9以下であり且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下であり、当該p層とi層とにそれぞれ接する界面層が、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層とからなる2層構造の層であることを特徴とする、薄膜シリコン系太陽電池、である。なお、本発明では、Ndが2.5以上2.9以下であり且つ明導電率が1×10-9S/cmより大きく1×10-6S/cm以下である事によって、セルへの光取り込み量を増大させつつ、セルの直列抵抗成分の増大を抑えるという効果を有する点で好ましい。本発明の第2は、前記真性のアモルファス炭化ケイ素層は計測波長1000nmにおける屈折率Npiが3.2以上3.4以下である、前記の薄膜シリコン系太陽電池、である。Npiが3.2以上3.4以下である事によって、p層と前記真性のアモルファスシリコン層間のバンドギャップ整合性が良いという効果を有する点で好ましい。Nibが3.1以上3.3以下である事によって、前記真性のアモルファス炭化ケイ素層とi層間のバンドギャップ整合性が良いという効果を有する点で好ましい。屈折率が、Nd2.5~2.9/Npi3.2~3.4/Nib3.1~3.3という順番であることによって、p層/前記真性のアモルファス炭化ケイ素層/前記真性のアモルファスシリコン層/i層の4層間のバンドギャップ整合性が良いという点で、好ましい。以下では薄膜а-Si太陽電池を中心にして説明するが、本発明はこれだけに限定されるものではない。特に、а-Siμc-Siのタンデム型太陽電池等のようにа-Siセルが光入射側に配置された太陽電池では、а-Siセルの短波長感度を向上させてJscを向上させることは前述のように非常に重要である。以下の実施例、比較例で示す各層の物性屈折率計測波長:1000nm、明導電率は、単膜膜厚30nmをガラス基板日本電気硝子製OA-10基板上に作製し、評価した結果の値である。屈折率は分光エリプソを用いて評価し、フィッティングモデルはOA-10/評価膜/表面酸化膜とした。導電率は、単膜上にコプラナー型電極を作製し評価した。界面層а-i層は、OA-10上に30nm製膜し、ラマン分光法により評価した結果、アモルファスではなく微結晶であることが判っている。一方、実際にセルにしたときの界面層はアモルファスであることが透過型電子顕微鏡TEM観察から判っている。通常、バンドギャップ整合性の観点や、界面層を製膜したときの下地層p層へのダメージの観点から、界面層の製膜条件は単膜において微結晶となる条件を採用しない。一方、特許文献1にあるように、積極的に微結晶の界面層を用いる場合もあるが、この場合はセルの状態でも当該界面層が微結晶となるように条件を選択する。我々はそれらのどちらでもなく、単膜では微結晶だがセルではアモルファスという界面層а-i層条件が薄膜а-Si太陽電池適していることを見出し、採用している。また、特許文献2にあるようにp層とi層の間の界面層を2層とし、なお且つ当該界面層に不純物ボロンBを添加した場合、i層製膜時に下地層であるp/i界面層からBが不純物としてi層に取り込まれ、発電効率を下げる原因となる。さらに、Bを添加することで当該p/i界面層での光吸収ロスも大きくなり、発電電流の低下に繋がる。特許文献2ではp層/i層界面の界面層を2層構造とし、このうち前記界面層のp層側は僅かにドーパントボロンBを添加し、前記界面層のi層側はさらに僅かなBの添加或いは添加なしとすることで発電効率が改善するとしている。これに対して本発明では、p層/i層界面の界面層を2層構造とする点では共通するが、この界面層のp層側すなわち光入射側は真性のアモルファス炭化ケイ素層であり、この界面層のi層側すなわち光入射側から遠い側は真性のアモルファスシリコン層で有る点で、特許文献2とは異なる。すなわち、p層/i層界面の界面層が、特許文献2ではわずかにボロンを添加しているためp型の性質を有するのに対して、本発明では真性である点が異なる。本発明では、p層/i層界面の界面層を真性である2層構造、すなわち、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層とからなる2層構造の層とすることによって、ボロン添加による膜中欠陥を抑制しながらp層/i層間のバンドギャップを緩やかに繋ぐという顕著な効果を有する。このとき、上記2層目の真性アモルファスシリコン層は、それ単体で製膜した場合単膜では微結晶だがセル構造で用いた場合にはアモルファスという界面層а-i層条件を採用した。通常、バンドギャップ整合性の観点や、界面層を製膜したときの下地層p層へのダメージの観点から、当業者は界面層の製膜条件は単膜において微結晶となる条件を検討しないものであった。しかしながら、本発明においては、光入射側から順に真性のアモルファス炭化ケイ素層と真性のアモルファスシリコン層単膜では微結晶となる条件とからなる2層構造の層を採用することによって、当業者が容易に予想できないp層/i層間のバンドギャップ整合性という効果を発現する。p層とi層の間の界面層を2層とした特許には例えば、特開昭62-165374などもある。当該特許では、界面層のカーボンC濃度に傾斜を持たせることを特徴としているが、下記比較例でも示すようにC濃度を傾斜させても短波長の光を充分に発電に寄与させられるわけではない。なお、保持率光劣化後発電効率/初期発電効率算出のための加速劣化条件は、光照射強度:5sun、サンプル温度:50°C、照射時間:20時間とした。比較例1p層として、屈折率Nd=2.96、明導電率=4.4×10-7S/cmの膜を用いた。界面層a-iとして、屈折率Nib=3.24の膜を用いた。図1に示すアモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。まず、透明導電膜TCO付きのガラス基板旭硝子製VU基板厚さ1.8mmのTCO面上にp層をプラズマ化学気相成長プラズマCVD法により製膜した。このときの条件は、シランSiH4/水素H2/メタンCH4/ジボランB2H6水素希釈ジボラン。濃度:1000ppm。以下同様。=27/100/40/250sccm、基板温度=190°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力133Pa、膜厚8nmとした。放電を維持したままガス条件をSiH4/H2/CH4/B2H6=27/200/0/0sccmに変更することで界面層p層を10nm製膜したガス、膜厚以外はp層と同じ製膜条件。放電を維持したままCH4、B2H6ガス流量を変更しているため、実質的にCH4及びB2H6の濃度傾斜した界面層p層が製膜されていることは容易に推測できる。次に、界面層a-i層を製膜した。このときの条件は、SiH4/H2=25/1950sccm、基板温度=225°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力400Pa、膜厚4nmとした。放電を維持したまま光電変換層a-i層、i/n界面層を製膜した。各々の条件は、a-i層:SiH4/H2=200/2000sccm、圧力533Pa、膜厚250nm、i/n界面層:SiH4/H2=25/1950sccm、圧力400Pa、膜厚4nmとしたいずれも基板温度、パワー密度は界面層a-i層に同じ。次に、n層を製膜した。製膜条件は、SiH4/H2/ホスフィン水素希釈ホスフィン。濃度:5000ppm。以下同様。=20/3000/100sccm、基板温度215°C、圧力200Pa、膜厚20nmとした。その後、裏面電極としてアルミドープ酸化亜鉛/銀を90nm/300nm製膜した。このセルの初期効率は9.5、分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jiは4.5mA/cm2だった。このセルを加速劣化装置により光劣化させた後の光劣化後効率は7.9保持率83、光劣化後の分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jdは3.7mA/cm2だった。実施例1p層として、屈折率Nd=2.80、明導電率=1.4×10-6S/cmの膜を用いた。界面層a-SiCとして、屈折率Npi=3.30の膜を用いた。界面層a-iとして、屈折率Nib=3.13の膜を用いた。図1に示すアモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。まず、透明導電膜TCO付きのガラス基板旭硝子製VU基板厚さ1.8mmのTCO面上にp層をプラズマCVD法により製膜した。このときの条件は、SiH4/H2/CH4/B2H6=15/1000/90/1000sccm、基板温度=190°C、パワー密度=9mW/cm2、圧力133Pa、膜厚10nmとした。p層製膜後一度放電を切り、B2H6排気を待つために、界面層a-SiCのガス条件SiH4/H2/CH4/B2H6=30/600/6/0sccmにて30秒間待機した。その後、界面層a-SiCを2nm製膜した。次に、界面層a-iを製膜した。このときの条件は、SiH4/H2=25/2500sccm、基板温度=225°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力400Pa、膜厚13nmとした。放電を維持したまま光電変換層、i/n界面層を製膜し、各々の条件は比較例の場合と同じである。また、以降n層、裏面電極を順次製膜し、これらの条件も比較例に同じとした。このセルの初期効率は9.0、分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jiは4.7mA/cm2だった。このセルを加速劣化装置により光劣化させた後の光劣化後効率は7.9保持率88、光劣化後の分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jdは4.4mA/cm2だった。比較例と比べて、光劣化後の効率は同等を維持しつつ、短波長域の積算発電電流密度を0.7mA/cm2改善した。実施例2p層として、屈折率Nd=2.58、明導電率=2.3×10-8S/cmの膜を用いた。界面層a-SiCとして、屈折率Npi=3.30の膜を用いた。界面層a-iとして、屈折率Nib=3.24の膜を用いた。図1に示すアモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。まず、透明導電膜TCO付きのガラス基板旭硝子製VU基板厚さ1.8mmのTCO面上にp層をプラズマCVD法により製膜した。このときの条件は、SiH4/H2/CH4/B2H6=27/600/100/250sccm、基板温度=190°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力133Pa、膜厚12nmとした。p層製膜後一度放電を切り、B2H6排気を待つために、界面層a-SiCのガス条件SiH4/H2/CH4/B2H6=27/600/15/0sccmにて30秒間待機した。その後、界面層a-SiCを2nm製膜した。次に、界面層a-iを製膜した。このときの条件は、SiH4/H2=25/1950sccm、基板温度=225°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力400Pa、膜厚10nmとした。放電を維持したまま光電変換層、i/n界面層を製膜し、各々の条件は比較例の場合と同じである。また、以降n層、裏面電極を順次製膜し、これらの条件も比較例に同じとした。このセルの初期効率は8.6、分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jiは4.7mA/cm2だった。このセルを加速劣化装置により光劣化させた後の光劣化後効率は7.5保持率87、光劣化後の分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jdは4.2mA/cm2だった。比較例と比べて、保持率を改善しつつ、短波長域の積算発電電流密度を0.5mA/cm2改善した。実施例3p層として、屈折率Nd=2.26、明導電率=1.0×10-9S/cmの膜を用いた。界面層a-SiCとして、屈折率Npi=3.30の膜を用いた。界面層a-iとして、屈折率Nib=3.24の膜を用いた。図1に示すアモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。まず、透明導電膜TCO付きのガラス基板旭硝子製VU基板厚さ1.8mmのTCO面上にp層をプラズマCVD法により製膜した。このときの条件は、SiH4/H2/CH4/B2H6=15/180/80/150sccm、基板温度=190°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力133Pa、膜厚12nmとした。p層製膜後一度放電を切り、B2H6排気を待つために、界面層a-SiCのガス条件SiH4/H2/CH4/B2H6=15/330/9/0sccmにて30秒間待機した。その後、界面層a-SiCを2nm製膜した。次に、界面層a-iを製膜した。このときの条件は、SiH4/H2=25/1950sccm、基板温度=225°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力400Pa、膜厚10nmとした。放電を維持したまま光電変換層、i/n界面層を製膜し、各々の条件は比較例の場合と同じである。また、以降n層、裏面電極を順次製膜し、これらの条件も比較例に同じとした。このセルの初期効率は6.3、分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jiは4.6mA/cm2だった。p層屈折率Nd、明導電率を前記まで低下させると、初期効率の時点で性能低下が顕著となり、太陽電池として適さない。実施例4p層として、屈折率Nd=2.57、明導電率=7.6×10-8S/cmの膜を用いた。界面層a-SiCとして、屈折率Npi=3.39の膜を用いた。界面層a-iとして、屈折率Nib=3.24の膜を用いた。図1に示すアモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。まず、透明導電膜TCO付きのガラス基板旭硝子製VU基板厚さ1.8mmのTCO面上にp層をプラズマCVD法により製膜した。このときの条件は、SiH4/H2/CH4/B2H6=30/0/180/1000sccm、基板温度=190°C、パワー密度=9mW/cm2、圧力133Pa、膜厚10nmとした。p層製膜後一度放電を切り、B2H6排気を待つために、界面層a-SiCのガス条件SiH4/H2/CH4/B2H6=15/300/1/0sccmにて30秒間待機した。その後、界面層a-SiCを2nm製膜した。次に、界面層a-iを製膜した。このときの条件は、SiH4/H2=25/1950sccm、基板温度=225°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力400Pa、膜厚10nmとした。放電を維持したまま光電変換層、i/n界面層を製膜し、各々の条件は比較例の場合と同じである。また、以降n層、裏面電極を順次製膜し、これらの条件も比較例に同じとした。このセルの初期効率は9.2、分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jiは4.6mA/cm2だった。このセルを加速劣化装置により光劣化させた後の光劣化後効率は7.9保持率86、光劣化後の分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jdは4.3mA/cm2だった。比較例と比べて、保持率を改善しつつ、短波長域の積算発電電流密度を0.6mA/cm2改善した。実施例5p層として、屈折率Nd=2.57、明導電率=7.6×10-8S/cmの膜を用いた。界面層a-SiCとして、屈折率Npi=3.28の膜を用いた。界面層a-iとして、屈折率Nib=3.24の膜を用いた。図1に示すアモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。まず、透明導電膜TCO付きのガラス基板旭硝子製VU基板厚さ1.8mmのTCO面上にp層をプラズマCVD法により製膜した。このときの条件は、SiH4/H2/CH4/B2H6=30/0/180/1000sccm、基板温度=190°C、パワー密度=9mW/cm2、圧力133Pa、膜厚10nmとした。p層製膜後一度放電を切り、B2H6排気を待つために、界面層a-SiCのガス条件SiH4/H2/CH4/B2H6=15/300/6/0sccmにて30秒間待機した。その後、界面層a-SiCを2nm製膜した。次に、界面層a-iを製膜した。このときの条件は、SiH4/H2=25/1950sccm、基板温度=225°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力400Pa、膜厚10nmとした。放電を維持したまま光電変換層、i/n界面層を製膜し、各々の条件は比較例の場合と同じである。また、以降n層、裏面電極を順次製膜し、これらの条件も比較例に同じとした。このセルの初期効率は9.0、分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jiは4.6mA/cm2だった。このセルを加速劣化装置により光劣化させた後の光劣化後効率は7.6保持率84、光劣化後の分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jdは4.3mA/cm2だった。比較例と比べて、保持率を改善しつつ、短波長域の積算発電電流密度を0.6mA/cm2改善した。実施例6p層として、屈折率Nd=2.57、明導電率=7.6×10-8S/cmの膜を用いた。界面層a-SiCとして、屈折率Npi=3.14の膜を用いた。界面層a-iとして、屈折率Nib=3.24の膜を用いた。図1に示すアモルファスシリコン太陽電池セルを作製した。まず、透明導電膜TCO付きのガラス基板旭硝子製VU基板厚さ1.8mmのTCO面上にp層をプラズマCVD法により製膜した。このときの条件は、SiH4/H2/CH4/B2H6=30/0/180/1000sccm、基板温度=190°C、パワー密度=9mW/cm2、圧力133Pa、膜厚10nmとした。p層製膜後一度放電を切り、B2H6排気を待つために、界面層a-SiCのガス条件SiH4/H2/CH4/B2H6=15/300/15/0sccmにて30秒間待機した。その後、界面層a-SiCを2nm製膜した。次に、界面層a-iを製膜した。このときの条件は、SiH4/H2=25/1950sccm、基板温度=225°C、パワー密度=23mW/cm2、圧力400Pa、膜厚10nmとした。放電を維持したまま光電変換層、i/n界面層を製膜し、各々の条件は比較例の場合と同じである。また、以降n層、裏面電極を順次製膜し、これらの条件も比較例に同じとした。このセルの初期効率は9.1、分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jiは4.6mA/cm2だった。このセルを加速劣化装置により光劣化させた後の光劣化後効率は7.2保持率79、光劣化後の分光光度計による短波長域の積算発電電流密度Jdは4.3mA/cm2だった。界面層a-SiCの屈折率Npiを前記まで低下させると、初期効率やJi、Jdは良好だが、保持率が低下し光劣化後の効率低下が顕著となってしまう。以上を表1にまとめる。比較例1と実施例1の比較から、Ndの上限は2.9、p層の明導電率上限は1×10-6S/cm、Nibの下限は3.1が好ましい。これにより、特許文献2の当業者の常識では、実施例1のようなデータは得られないところ、本発明では光劣化後の効率は比較例1と同等を維持しつつ、Jdを0.7mA/cm2改善した。比較例1と実施例2、実施例3の比較から、Ndの下限は2.5、p層の明導電率下限は1×10-9S/cm、Nibの上限は3.3が好ましい。これにより、特許文献2の当業者の常識では、実施例2のようなデータは得られないところ、本発明では比較例1と比べて保持率を改善しつつ、Jdを0.5mA/cm2改善した。比較例1と実施例4の比較から、Npiの上限は3.4が好ましい。これにより、特許文献2の当業者の常識では、実施例4のようなデータは得られないところ、本発明では比較例1と比べて保持率を改善しつつ、Jdを0.6mA/cm2改善した。比較例1と実施例5、実施例6の比較から、Npiの下限は3.2が好ましい。これにより、特許文献2の当業者の常識では、実施例5のようなデータは得られないところ、本発明では比較例1と比べて保持率を改善しつつ、Jdを0.6mA/cm2改善した。