"所定の波長帯域の励起光を放射する励起光源と、前記励起光を受けて蛍光を発光するセラミック蛍光体層と、前記セラミック蛍光体層上に形成された所望の波長の光を反射する薄膜と、を備えた光源装置。セラミック蛍光体層に回転機構を備えた請求項1記載の光源装置。薄膜は、励起光源側に向けられ、励起光を透過し、蛍光を反射することを特徴とする請求項1又は2に記載の光源装置。薄膜は、励起光源と反対側に向けられ、励起光を透過し、蛍光を反射することを特徴とする請求項1又は2に記載の光源装置。蛍光体層及び薄膜を冷却する冷却手段を備えた請求項1、3又は4のいずれか1項に記載の光源装置。冷却手段が、ファンであることを特徴とする請求項5記載の光源装置。冷却手段が放熱体であり、前記放熱体に蛍光体層及び薄膜を固定する固定手段を備えたことを特徴とする請求項5記載の光源装置。蛍光体層の厚みが0.1mm~3mmであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の光源装置。蛍光体層の表面に、反射防止膜を備えたことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の光源装置。蛍光体層の表面に、誘電体多層膜を備えたことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の光源装置。所定の波長帯域の励起光を放射する励起光源と、前記励起光を受けて蛍光を発光する円錐台形のセラミック蛍光体層と、前記セラミック蛍光体層に該セラミック蛍光体層とで円柱形となるよう形成された酸化チタンと無機バインダとからなるリフレクターと、前記リフレクター側の少なくとも前記セラミック蛍光体層上に形成された所望の波長の光を反射する薄膜と、を備えた光源装置。請求項1~11いずれか1項に記載の光源装置を備えたプロジェクタ。ところで、プロジェクタでは、高輝度、高強度の光を射出可能な光源装置が求められる。そこで、光の利用効率を高める為に、蛍光体上への光学薄膜などを構成する技術が知られている。しかしながら、特許文献1に記載される構成では、蛍光体層は、蛍光体と、該蛍光体が均一に分散されたバインダと、から形成されているため、上記光学薄膜の処理を行うことが困難である。また、特許文献2に記載される構成では、蛍光体層と励起光を放射する固体光源が空間的に離れて配置されているため、励起光を放射する該固体光源からの発熱の影響を軽減することは可能であるが、前記蛍光体層の面のうち励起光が入射する側の面とは反対側に設けられた反射面による反射を用いて蛍光を取り出すため、蛍光体層と反射面の界面での光ロスが生じ、高効率化を行うことが困難である。また、反射面と蛍光体層との界面で熱抵抗が生じるため、励起光源からの出力を上昇させた場合、蛍光体の温度消光によって、輝度が低下する現象が発生する。また、セラミック蛍光体内部で発生した熱応力により、セラミック蛍光体が破損する問題が発生する特許文献2の0036。そこで、本発明は、光の利用効率が高く、かつ、破損が起こり難い高輝度、高強度の光源装置を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明の光源装置は、所定の波長帯域の励起光を放射する励起光源と、前記励起光を受けて蛍光を発光するセラミック蛍光体層と、前記セラミック蛍光体層上に形成された所望の波長の光を反射する薄膜と、を備えたものである。この構成により、蛍光体と反射面との界面での光ロスを改善することができ、高輝度な光源装置を提供することが出来る。また、セラミック蛍光体層に回転機構を備えたことにより、セラミック蛍光体内部での温度分布を均一化することにより、蛍光体の温度消光と熱応力を改善することができ、高輝度かつ、破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。また、薄膜は、励起光源側に向けられ、励起光を透過し、蛍光を反射することにより、透過型のプロジェクタシステムにも適応することが出来る。また、薄膜は、励起光源と反対側に向けられ、励起光を透過し、蛍光を反射することにより、反射型のプロジェクタシステムにも適応することが出来る。また、蛍光体層及び薄膜を冷却する冷却手段を備えたことにより、セラミック蛍光体内部での温度分布を均一化することにより、蛍光体の温度消光と熱応力を改善することができ、高輝度かつ、破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。また、冷却手段が、ファンであることにより、より効果的に蛍光体の温度消光と熱応力を改善することができ、高輝度かつ、破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。また、冷却手段が放熱体であり、前記放熱体に蛍光体層及び薄膜を固定する固定手段を備えたことにより、より効果的に蛍光体の温度消光と熱応力を改善することができ、高輝度かつ、破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。また、蛍光体層の厚みが0.1mm~3mmであることにより、蛍光体の内部吸収ロスをより効果的に軽減し、かつ蛍光体の温度消光と熱応力を改善することができるため、高輝度かつ、破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。また、蛍光体層の表面に、反射防止膜を備えたことにより、より効果的に光ロスを改善することができ、高輝度かつ、破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。また、蛍光体層の表面に、誘電体多層膜を備えたことにより、より効果的に光ロスを改善することができ、かつ所望の波長領域の色純度を高めることが出来るため、高輝度、かつ高色純度、かつ破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。また、所定の波長帯域の励起光を放射する励起光源と、前記励起光を受けて蛍光を発光する円錐台形のセラミック蛍光体層と、前記セラミック蛍光体層に該セラミック蛍光体層とで円柱形となるよう形成された酸化チタンと無機バインダとからなるリフレクターと、前記リフレクター側の少なくとも前記セラミック蛍光体層上に形成された所望の波長の光を反射する薄膜と、を備えたことにより、より効果的に光ロスを改善することができ、高輝度かつ、破損が起こり難い光源装置を提供することが出来る。さらに、本発明のプロジェクタは、上記いずれかの光源装置を備えたものである。請求項1から10記載の発明によれば、従来の構成よりも高輝度かつ、破損が生じにくい光源装置を提供することが可能となる。以下、本発明にかかる実施の形態を、図を用いて説明する。第1の実施の形態本発明の光源装置の実施の形態1を図1及び図2を用いて説明する。図1は、光源装置の概略構成図である。光源装置100の出力光は蛍光により構成されており、画像表示装置などの照明光として使用することが可能である。レーザー光源101は、波長約445nmで発振する青色半導体レーザーであり、高輝度の光源装置を実現するために、複数の半導体レーザーにより構成されている。本実施の形態では、5×5のマトリクス状に合計25個の半導体レーザーが配置されている。なお、その数は特に限定されるものではなく、半導体レーザーの光強度や光源装置から取り出したい出力光の強度などに応じて適宜設定される。レーザー光の波長についても、445nm付近の青色に限定されるものではなく、例えば、405nm付近で発振する紫色半導体レーザーや、400nm以下の紫外半導体レーザーなどを適用することも可能である。レーザー光源101から出射されたレーザー光は、コリメートレンズアレイ102によってコリメートされる。コリメートレンズアレイ102の各レンズセルに対して、1つのレーザーダイオードが配置されている。すなわち、コリメートレンズアレイ102は25個のレンズセルにより構成されている。本実施の形態では、コリメートレンズとしてレンズアレイを使用したが、それぞれのレーザーダイオードに対して独立したコリメートレンズを使用してもよい。コリメートレンズアレイ102によってコリメートされたレーザー光は、コンデンサレンズ103によって集光され、ダイクロイックミラー104を透過し、更にコンデンサレンズ105によって集光される。コンデンサレンズ105によって集光されたレーザー光は、蛍光体デバイス108によって、蛍光光に変換される。変換された蛍光光は、ダイクロイックミラー104によって反射され、さらに、コンデンサレンズ106によって集光され、ロッドインテグレーター107に入射する。光源装置の構成は上記に問わないが、所定波長帯域光を放射する励起光源と、該励起光源からの放射光を励起光として、所定波長域の蛍光発光光を放射する蛍光体層を、少なくとも1つ以上備え、前記蛍光体層はセラミック蛍光体であり、蛍光体の熱を放熱させる為の、放熱構造を備えた光源装置であることを特徴とする。次に、本実施形態における蛍光体デバイスの構成を図2に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。蛍光体デバイスは、蛍光体層201と蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層202と、放熱体203によって構成されている。また、蛍光体層201は、レーザー光源101からの励起光により励起され、レーザー光の波長よりも、長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類以上の蛍光体を含んでいる。また、蛍光体層201はセラミックス蛍光体であることを特徴とする。蛍光体セラミックスは、蛍光体の製造過程において、焼成前に材料を任意の形状に成形し、焼成した蛍光体の塊である。更にセラミック蛍光体には、反射作用を持つ面202が形成されている。反射作用を持つ面は、セラミック蛍光体の表面に、蒸着やCVDなどの薄膜形成プロセスによって、直接的に形成されている。また、薄膜形成プロセスは上記の手法に問わない。また蛍光体層の厚みは、0.1mm~3mmである。図10に蛍光体層の厚みを変化させた場合の発光効率を示すグラフを示す。横軸に蛍光体層の厚み、縦軸に、最も高い発光効率が得られた際の効率を100とした場合の発光効率を記載する。蛍光体の発光効率は、図1に示す光源ユニットを用いて、蛍光体層からの発光強度/蛍光体層に照射される励起強度を測定した。図10に示すとおり、蛍光体層の厚みが0.1mm以下の場合、最も高い発光効率が得られた0.5mmの板厚での発光効率に比べて、<90の発光効率であった。また、厚みが5mmの場合でも同様に、発光効率は<90であった。以上の結果から厚みは0.1mm~3mmの範囲が最適であることを確認した。蛍光体層の厚みが、この厚みであることで、蛍光体での内部吸収ロスを軽減することが可能となり、蛍光体デバイスの高効率化が可能となり、更に蛍光体自体の発熱も軽減することが可能となり、高出力化することが可能となる。放熱体203は、アルミや銅など高い熱伝導率を有する材料で形成されていることが好ましい。放熱体は図2の構成に問わず、更にフィンなどが形成されているヒートシンクなどでも構わない。また、表面にアルマイト加工や放射塗料が塗布されており、放射率を高めた構成であることが好ましい。第2の実施の形態本発明の実施形態2における蛍光体デバイスの構成を図3に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。レーザー光を可視光に変換する蛍光体層301と蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層302と、蛍光体を回転させる機構である303によって構成される。反射層302は、誘電体材料やアルミ材料が、セラミック蛍光体の表面に、蒸着やCVDなどの薄膜形成プロセスによって、直接的に形成されている。蛍光体層301及び反射層302にはモーターなどによる回転機構303が設けられており、蛍光体層301を含む構造体が、回転機構によって冷却される。本構成によれば、従来構成のようなバインダを放熱基板に塗布する必要が無く、蛍光体自体が回転構造によって回転し放熱されるため、より効率的に放熱される。第3の実施の形態本発明の実施形態3における蛍光体デバイスの構成を図4に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。レーザー光を可視光に変換する蛍光体層401と、レーザー光を透過し、蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層402と、蛍光体を回転させる機構である403によって構成される。反射層402はレーザーからの励起光を透過し、蛍光体の蛍光光を反射する。レーザーから照射された励起光は、反射層を透過し、蛍光体へと照射される。蛍光体によって変換された蛍光光は、反射層によって、励起光源側とは反対の方向へと放射される。上記の構成により、透過型のプロジェクタシステムにも適応することが出来る。第4の実施の形態本発明の実施形態4における蛍光体デバイスの構成例を図5に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。レーザー光を可視光に変換する蛍光体層501と、蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層502と、蛍光体からの発熱を放熱するための放熱体503と、蛍光体層を板バネ等で機械的に固定する蛍光体層固定機構504によって構成される。ここで、反射層502は、誘電体材料やアルミ材料が、セラミック蛍光体の表面に、蒸着やCVDなどの薄膜形成プロセスによって、直接的に形成されている。放熱体と蛍光体層の間には、有機接着剤、無機接着剤、低融点ガラス、金属金属のろう付けなどの高熱伝導材料が使用されており、界面の空気などによる熱抵抗を軽減することができる。第5の実施の形態本発明の実施形態5における蛍光体デバイスの構成例を図6に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。レーザー光を可視光に変換する、蛍光体層601と蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層602と、蛍光体を回転させる回転機構603と、蛍光体を冷却するファン604と、ファン604からの風を蛍光体へと伝える送風路605によって構成される。蛍光体層601は回転機構603により放熱されることに加え、ファン604によって発生した風が送風路605を介して蛍光体に伝わるため、より効果的に蛍光体の温度を低減することが可能となる。第5の実施の形態では、回転機構を有しているが、直接放熱体に取り付けた場合でも同様の効果が得られる。第6の実施の形態本発明の実施形態6における蛍光体デバイスの構成例を図7に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。レーザー光を可視光に変換する、蛍光体層701と蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層702と、蛍光体を回転させる機構である703と、蛍光体層表面の反射防止膜704によって構成される。ここで、反射防止膜704は蒸着やスパッタなどによって、蛍光体層である701上に直接形成されていることが好ましい。セラミック蛍光体は、屈折率が1.5~1.9程度であるため、レーザー光の光路である空気層との屈折率差が大きく、蛍光体層表面での反射ロスが大きい。蛍光体層表面に反射防止膜704を設けることで、蛍光体層表面での反射ロスが軽減され、高効率化が可能となる。従来のようなバインダを用いた構成では、蛍光体層に直接反射層を形成することが困難であったが、上記構成によって、蛍光体層に直接反射防止膜を形成することが可能となり、高効率化が可能となる。本実施の形態では、回転機構を有しているが、直接放熱体に取り付けた場合でも同様の効果が得られる。第7の実施の形態本発明の実施形態7における蛍光体デバイスの構成例を図8に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。レーザー光を可視光に変換する、蛍光体層801,802と蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層803と、蛍光体を回転させる回転機構804と、誘電体多層膜805,806によって構成される。ここで、誘電体多層膜805,806は蒸着やスパッタなどによって、蛍光体層である801,802上に直接形成されていることが好ましい。蛍光体層801,802は、レーザー光を異なる波長の蛍光光に変換することを特徴とする。例えば、蛍光体層801は、レーザー光を緑色蛍光に変換することを特徴とし、蛍光体層802は、レーザー光を赤色蛍光に変換することを特徴とする。その場合、蛍光体層801上に構成された、誘電体多層膜805は、レーザー光である青色光および、蛍光体層の蛍光光である緑色光を透過し、赤色光を反射する。更に、蛍光体層802上に形成された、誘電体多層膜806は、レーザー光である青色光および、蛍光体層の蛍光光である赤色光を透過し、緑色光を反射する。上記の構成により、各蛍光体層からの蛍光光の色純度を高めることが可能となり、更に、従来構成で必要であった誘電体多層膜のハーフミラーを別途設ける必要がない。当該構成では、蛍光体層801,802表面に誘電体多層膜805,806を直接形成することが可能となるため、従来構成で設けられていた、蛍光体デバイスと誘電体多層膜のハーフミラーの間の空間を設ける必要がなく、光ロスを軽減することが可能となり、高効率化が可能となる。更に、光源装置の小型化も可能となる。当該実施例では、回転機構を有する構成をあげているが、直接放熱体に取り付けされる場合でも同様の効果が得られる。また、蛍光体の1部に空洞部を設け、レーザー光を直接透過させる構成にすることも可能である。第8の実施の形態本発明の実施形態8における蛍光体デバイスの構成例を図9に示す。同図aは、その側面図であり、同図bは、その正面図である。レーザー光を可視光に変換する、蛍光体層901と蛍光光を効率的に反射するために用いられる反射層902と、蛍光体からの発熱を放熱するための放熱体903と、蛍光体層表面の周囲にスクリーン印刷などにより形成されたリフレクター904によって構成される。リフレクター904は、酸化チタンと無機バインダの複合体で構成されている。本実施の形態では、セラミック蛍光体層が円錐台形で、そのセラミック蛍光体層とで円柱形となるようリフレクターが形成されている。当該無機バインダは、放熱性の観点からガラスフリットであることがより好ましい。蛍光体層の周辺に酸化チタンと無機バインダの複合体からなるリフレクターを備えることで、蛍光体からの発光光を効率的に前方へ放射することが可能となる。反射材として用いる酸化物には、酸化チタン以外に酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニアなどを用いても構わない。無機バインダは、テルライト系、ホウ酸塩系、リン酸塩系、ケイ酸塩系の低融点ガラス粉末やガラスフリットであることが好ましい。当該実施の形態では、放熱体に直接蛍光体層が取り付けされているが、回転機構を有する場合でも同様の効果が得られる。"