"少なくともSF6ガスを含むエッチングガスを使用して生成されるプラズマを用いるSiC基板のドライエッチング方法において、前記エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合が0を含まない5以下であり、前記SiC基板にバイアスを加えるバイアスのパワーが300W以上であることを特徴とする、ドライエッチング方法。前記SiC基板にバイアスを加えるバイアスのパワーが350W以上であることを特徴とする、請求項1に記載のドライエッチング方法。少なくともSF6ガスを含むエッチングガスを使用して生成されるプラズマを用いるSiC基板のドライエッチング方法において、前記エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合が0を含まない5以下であり、前記SiC基板にバイアスを加えるバイアスの電力密度が2.65Wcm2以上であることを特徴とする、ドライエッチング方法。前記SiC基板にバイアスを加えるバイアスの電力密度が3.09Wcm2以上であることを特徴とする、請求項1に記載のドライエッチング方法。前記エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合が0を含まない2以下である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のドライエッチング方法。従来のこの種の技術におけるエッチング条件では、エッチングガスに含まれるSF6ガスを比較的高濃度に設定する一方、SiC基板に印加するバイアス電力を比較的低く設定している。具体的には、アルゴンAr等の希ガスよって希釈するSF6ガスの濃度を例えば10程度以上の比較的高い濃度で設定している。また、SiC基板に印加するバイアスは100W未満程度の低バイアスとしている。これらの条件に加え、圧力条件を低圧高真空度とした場合、トレンチの底面中央にSF6ガスに由来する硫化物が堆積するのを防止しつつ、トレンチの底面端部にマイクロトレンチと呼ばれる小さな溝が形成されるのを抑制でき、形状制御性は概ね良好である。しかし、従来のこの種の技術のエッチング条件は、低バイアスであるためエッチングレートが低い。つまり、従来のこの種の技術では、マイクロトレンチの抑制と高エッチングレートが両立しない。特に、従来のこの種の技術では、アスペクト比トレンチの深さのトレンチの幅に対する比が1.5以上の高アスペクト比の場合にマイクロトレンチの抑制や高エッチングレートを実現するための条件について、何ら考慮されていない。本発明は、エッチングガスとしてSF6を使用したSiC基板のドライエッチングにおいて、高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制することを課題とする。本発明は、少なくともSF6ガスを含むエッチングガスを使用して生成されるプラズマを用いるSiC基板のドライエッチング方法において、前記エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合が0を含まない5以下であり、前記SiC基板にバイアスを加えるバイアスのパワーが300W以上電力密度で2.65Wcm2以上であることを特徴とする、ドライエッチング方法を提供する。前記SiC基板にバイアスを加えるバイアスのパワーが350W以上電力密度で3.09Wcm2以上であることがより好ましい。前記エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合が0を含まない2以下であることがより好ましい。エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合を0を含まない5以下、好ましくは0を含まない2以下とし、かつSiC基板にバイアスを加えるバイアスのパワーを300W以上電力密度で2.65Wcm2以上より好ましくは350W以上電力密度で3.09Wcm2以上とすることで、高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制できる。図1は、本発明のドライエッチング方法を実行可能な誘導結合プラズマICPInductivelyCoupledPlasma型のドライエッチング装置1の一例を示す。ドライエッチング装置1は、SiC基板2図2を併せて参照を搬入出するための図示しない出入口を備えるチャンバ真空チャンバ3を備える。チャンバ3のガス導入口3aにはエッチングガス源4が接続され、排気口3bにはチャンバ3内を真空排気するための真空ポンプを含む減圧機構5が接続されている。チャンバ3の頂部は誘電体壁6で閉鎖され、その上方には上部電極としてのアンテナプラズマ源7が配置されている。アンテナ7は第1の高周波電源8Aに電気的に接続されている。一方、チャンバ3内の底部側には、SiC基板2が載置されて保持されるステージ11が配置されている。ステージ11は金属ブロック上に配置され、金属ブロックはベース部13内に収容されている。金属ブロック12は第2の高周波電源部8Bに電気的に接続されて下部電極として機能する。ステージ11の冷却装置14は、金属ブロック12内に形成された冷媒流路12aと、温調された冷媒を冷媒流路12a中で循環させる冷媒循環装置15とを備える。ステージ11には、SiC基板2を静電吸着するための静電吸着用電極16が備えられている。この静電吸着用電極16には、駆動電源17が電気的に接続されている。ステージ11には、基板5が載置される位置には、図示しない伝熱ガスの供給孔が設けられている。これらの供給孔は伝熱ガス源18に接続されている。コントローラ19は、第1及び第2の高周波電源8A,8B、エッチングガス源4、伝熱ガス源18、減圧機構5、冷却装置14、及び駆動電源17を含むドライエッチング装置1を構成する要素の動作を制御する。図2を参照すると、基板2は炭化珪素SiCからなる以下、SiC基板という。SiC基板2の表面にはトレンチ2a図3参照を形成するための開口を備えた二酸化珪素SiO2膜からなるマスク21を設けている。このドライエッチング装置1を使用したドライエッチング方法の概要は以下の通りである。まず、SiC基板2をチャンバ3内に搬入してステージ11の上面に位置する。次に、静電吸着用電極16に対して駆動電源17から直流電圧を印加し、SiC基板2をステージ11に静電吸着させる。続いて、伝熱ガス源18からSiC基板2の下面に伝熱ガスとしてヘリウムHeを供給して充填する。その後、エッチングガス源4からチャンバ3内にエッチングガスを供給され、減圧機構5によりチャンバ2内を所定圧力に維持する。続いて、高周波電源8Aから上部電極としてのアンテナ17に高周波電圧を印加してチャンバ3内にプラズマを発生させると共に、高周波電源8Bにより下部電極としての金属ブロック12に高周波電力バイアス電力を印加して、ステージ11上のSiC基板2にバイアスが印加される。チャンバ3内に発生するプラズマにより基板2がエッチングされる。エッチング中は、冷媒循環装置15によって冷媒流路12a中で冷媒を循環させて金属ブロック12を冷却する。SiC基板2で発生する熱は、伝熱ガス前述のように本実施形態ではヘリウムを介した熱伝導によりステージ11に伝わり、さらに金属ブロック12に伝わる。その結果、金属ブロック12を冷却することで、ステージ11上に保持されたSiC基板2は、ステージ11を介して冷却される。本発明者は、図1のドライエッチング装置1でエッチングガス源4から供給されるエッチングガスとして少なくともSF6ガスを含むものを使用し、種々の条件でSiC基板2のドライエッチングを実行する実験を行った。前述のように、従来のこの種のドライエッチングでは、エッチングガスとしてSF6ガスの濃度が高くSF6ガスは低希釈、かつ低バイアが一般的である。しかし、実験の結果、本発明者は、エッチングガス中のSF6ガスの割合が極めて低く、すなわちSF6ガスは高希釈で、かつ高バイアスの場合、すなわち従来とはまったく異なるエッチング条件により、高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制できることを新たに見出した。以下、この実験について説明する。以下の表1に示すように、実験例No1~26で示す種々のエッチング条件でSiC基板2のドライエッチングを実行した。実験No1~13が本発明の実施例に相当し、実験No14~26が比較例に相当する。実験No1~26の具体的なエッチング条件は以下の通りである。エッチングガスに含まれるSF6の割合は、実験No3が0.89、実験No18が0.90、実験No2,4,5,10が1.47、実験No17が1.92、実験No1,6~9,13が1.96、実験No12,14~16,19が2.0、実験No11が4.0である。また、実験No20が10、実験No26が55.56、実験No25が71.43、実験No21~24が100である。エッチングガスの組成は以下の通りである。実験No1~5,7,9,10,13,18はSF6ガス、O2ガス、及びArガスの混合ガスである。実験No6,8,11,17はSF6ガス、O2ガス、及びHeガスの混合ガスである。実験No12は、SF6ガスとArガスの混合ガスである。実験No11,14~16,19,20はSF6ガスとHeガスの混合ガスである。実験No25,26はSF6ガスとO2ガスの混合ガスである。実験No21~24のエッチングガスはSF6ガスのみを含有する。アンテナ7に供給するパワーは実験No21,23~26が1000W、実験No4,5,10が1200W、これら以外の実験No1~3,6~9,11~20,22が1500Wである。下部電極としての金属ブロック12に供給するバイアスのパワーについては、実験No19では250W、実験No1,8,9,12,13,16では350W、実験No10では360W、実験No2~7,18は450W、実験No11,14,15,17,20~26は500Wに設定している。本実施形態では、金属ブロック12の上面ステージ11が配置されている面の面積は、113.39cm2である。従って、下部電極としての金属ブロック12に供給するバイアスのパワーを、単位面積当たりの電力密度で表すと、実験No19では2.20Wcm2、実験No1,8,9,12,13,16では3.09Wcm2、実験No10では3.17Wcm2、実験No2~7,18は3.97Wcm2、実験No11,14,15,17,20~26は4.41Wcm2である。チャンバ3内の圧力絶対圧力表記については、実験No23では比較的高圧な8Paに設定したが、それ以外の実験No1~22,24~26では比較的低圧の4Paに設定している。実験No22ではSiC基板2の下面への伝熱ガスの供給を行わなかったが、それ以外の実験No1~20,22~26では伝熱ガスとしてHeガスを使用し、その供給圧力絶対圧力表記は900Paとした。実験No1~26について、マイクロトレンチ率、SiC基板2のエッチングレート、選択比、及びアスペクト比率を測定した。図3を参照すると、マイクロトレンチ率は、トレンチ深さをDと、マイクロトレンチ2bが存在することに起因するトレンチ2aの底面の上向きの突出量Mとにより、以下の式で表される。マイクロトレンチ率の値が小さいほどマイクロトレンチ2bを抑制効果が高いことを示す。選択比はSiO2のマスク21のエッチングレートに対するSiC基板2のエッチングレートの比である。選択比が大きいことは、精度の良好なエッチングが可能であることを示す。アスペクト比は、トレンチの幅に対するトレンチの深さの比であり、トレンチ2aの幅が例えば1300nmとなる位置で評価している。図4から図9に主な項目についてデータを成立した分布図を示す。図4及び図5は、エッチングガス中のSF6ガスの割合に対するマイクロトレンチ率とSiC基板2のエッチングレートを示す。図4より、5以下のマイクロトレンチ率、つまりマイクロトレンチの良好な抑制を実現できる、エッチングガス中のSF6ガスの割合が5以下の場合である。また、エッチングガス中のSF6ガスの割合が2以下であればマイクロトレンチ率がより低くなる傾向がある。次に、図5より、300nmmin以上の高いエッチングレートを実現できるのは、エッチングガス中のSF6ガスの割合が5以下の場合である。以上より、高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制するには、エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合は0を含まない5以下が好ましく、より好ましくは0を含まない2以下である。図6及び図7は下部電極としての金属ブロック12に供給するバイアスのパワーに対するマイクロトレンチ率とSiC基板2のエッチングレートを示す。図6より、バイアスが300W以上、特に35OW以上電力密度で言えば3.09Wcm2以上の場合には、5以下の良好なマイクロトレンチ率を実現できる。また、図7よりバイアスが300W以上2.65Wcm2以上、特に350W以上3.09Wcm2以上であれば、300nmmin以上の高いエッチングレートを実現できる。以上より、高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制するには、ステージ11に保持されるSiC基板2にバイアスを加えるバイアスのパワーが300W以上2.65Wcm2以上が好ましい。図8及び図9はチャンバ3内の圧力に対するマイクロトレンチ率とSiC基板2のエッチングレートを示す。これら図8及び図9に示すように、本発明の実施例SF6ガスの割合が0を含まない5以下でSiC基板2にバイアスを加えるバイアスのパワーが300W以上2.65Wcm2以上である実験No1~13では圧力は4Paであり、この圧力条件下で5以下の良好なマイクロトレンチ率と300nmmin以上の高いエッチングレートを実現している。つまり、圧力条件としては4Pa前後の高圧低真空度である。以上のように、4Pa前後の高圧低真空度条件下で、エッチングガスに含まれるSF6ガスの割合を0を含まない5以下、好ましくは0を含まない2以下とし、かつSiC基板2にバイアスを加えるバイアスのパワーを300W以上2.65Wcm2以上より好ましくは350W以上3.09Wcm2以上とすることで、高エッチングレートを確保しつつマイクロトレンチを抑制できる。これは、高圧化低真空度によるトレンチ側壁へのイオン集中の緩和と、SF6の高希釈化と高バイアスによるトレンチへのエッチングデポの再付着防止効果の相乗によるものと推察される。"