薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、絶縁表面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に配列された複数の短冊状の半導体膜と、前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面を覆うゲート電極を有する半導体装置。しかしながら、欠陥や結晶粒界又は結晶亜粒界が少なく、且つ、配向の揃った高品質の結晶性半導体膜を絶縁表面上に形成するためには、帯域溶融法などとして知られているように単結晶基板上の半導体膜を高温に加熱して溶融状態としてから再結晶化する方法が主流であった。公知のグラフォエピタキシー技術のように下地の段差を利用しているので、その段差に沿って結晶が成長し、形成された単結晶半導体膜の表面にその段差が残ることが問題であると考えられている。さらに、歪み点が比較的低いガラス基板上にグラフォエピタキィシーを用いて単結晶半導体膜を形成することは出来なかった。一方、平坦な表面上に形成された非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶化させると結晶は多結晶となり、結晶粒界等の欠陥が任意に形成されて配向の揃った結晶を得ることはできなかった。結晶粒界には結晶欠陥が多数生成され、それがキャリアトラップとなって、電子又は正孔の移動度が低下する要因と考えられている。また、結晶化に伴って起こる半導体の体積収縮、下地との熱応力や格子不整合などによる欠陥、結晶粒界又は亜粒界の存在しない半導体膜を形成することは出来なかった。よって、張り合わせSOIを省いては、絶縁表面上に形成され、結晶化又は再結晶化された結晶性半導体膜をもって、単結晶基板に形成されるMOSトランジスタと同等の品質を得ることはできなかった。いずれにしても、結晶化によって起こる半導体の体積収縮、下地との熱応力や格子不整合などによる欠陥、結晶粒界又は亜粒界の存在しない結晶性半導体膜を形成することは出来なかった。よって、張り合わせSOIを省いては、絶縁表面上に形成され、結晶化又は再結晶化された結晶性半導体膜をもって、単結晶基板に形成されるMOSトランジスタと同等の品質を得ることはできなかった。例えば、ガラス基板上に半導体膜を形成してTFTを作り込む場合には、TFTは任意に形成される結晶粒界と無関係に配置され、TFTのチャネル形成領域の結晶性を厳密な意味で制御することができず、任意に介在する結晶粒界や結晶欠陥により特性が低下し、且つ個々の素子特性がばらつく要因となっていた。本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、絶縁表面上に少なくともチャネル形成領域において結晶粒界が可能な限り存在しない結晶性半導体膜を形成し、高速動作が可能で電流駆動能力が高く、且つ複数の素子間においてばらつきの小さい半導体素子又は半導体素子群により構成される半導体装置を提供することを目的とする。上記問題点を解決するために本発明は、絶縁表面を有する基板上に開口部が設けられた絶縁膜を形成し、絶縁膜上及び開口部にかけて非晶質半導体膜又は結晶粒界が任意に存在する多結晶構造の半導体膜を形成し、その開口部を充填する形態で結晶性半導体膜を形成するものである。すなわち、その後絶縁膜の開口部に溶融した半導体を流し込むように当該半導体膜を溶融して結晶化又は再結晶化させて結晶性半導体膜を形成する。そして、開口部以外の領域に延在する結晶性半導体膜を除去して該開口部の結晶性半導体膜を残存せしめ、該結晶性半導体膜の上面部に接するゲート絶縁膜とゲート電極を形成することを特徴とするものである。開口部は絶縁基板の表面を直接エッチング処理して形成しても良いし、酸化珪素、窒化珪素、又は酸窒化珪素膜等を用い、それをエッチング処理して開口部を形成しても良い。開口部はTFTのチャネル形成領域を含む島状の半導体膜の配置に合わせて形成し、少なくともチャネル形成領域に合致するように形成されていることが望ましい。また、開口部はチャネル長方向に延在して設けられている。開口部の幅チャネル形成領域とする場合におけるチャネル幅方向が0.01μm以上2μm以下、好ましくは0.1~1μmで形成し、その深さは、0.01μm以上1μm以下、好ましくは0.05μm以上0.2μm以下で形成する。最初の段階において絶縁膜上及び開口部にかけて形成する半導体膜はプラズマCVD法、スパッタリング法、減圧CVD法で形成される非晶質半導体膜又は多結晶半導体膜、或いは、固相成長により形成された多結晶半導体膜などが適用される。尚、本発明でいう非晶質半導体膜とは、狭義の意味で完全な非晶質構造を有するものだけではなく、微細な結晶粒子が含まれた状態、又はいわゆる微結晶半導体膜、局所的に結晶構造を含む半導体膜を含む。代表的には非晶質シリコン膜が適用され、その他に非晶質シリコンゲルマニウム膜、非晶質シリコンカーバイト膜などを適用することもできる。また、多結晶半導体膜は、これら非晶質半導体膜を公知の方法で結晶化させたものである。結晶性半導体膜を溶融して結晶化させる手段としては、気体レーザー発振装置、固体レーザー発振装置を光源とするパルス発振又は連続発振レーザー光を適用する。照射するレーザー光は光学系にて線状に集光されたものであり、その強度分布が長手方向において均一な領域を有し、短手方向に分布を持っていても良く、光源として用いるレーザー発振装置は、矩形ビーム固体レーザー発振装置が適用され、特に好ましくは、スラブレーザー発振装置が適用される。或いは、Nd、Tm、Hoをドープしたロッドを用いた固体レーザー発振装置であり、特にYAG、YVO4、YLF、YAlO3などの結晶にNd、Tm、Hoをドープした結晶を使った固体レーザー発振装置にスラブ構造増幅器を組み合わせたものでも良い。スラブ材料としては、Nd:YAG、Nd:GGGガドリニウムガリウムガーネット、Nd:GsGGガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット等の結晶が使用される。スラブレーザーでは、この板状のレーザー媒質の中を、全反射を繰り返しながらジグザグ光路で進む。また、それに準ずる強光を照射しても良い。例えば、ハロゲンランプ、キセノンランプ、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマランプから放射される光を反射鏡やレンズ等により集光したエネルギー密度の高い光であっても良い。線状に集光され長手方向に拡張されたレーザー光又は強光は結晶性半導体膜に照射し、且つレーザー光の照射位置と結晶性半導体膜が形成された基板とを相対的に動かして、レーザー光が一部又は全面を走査することにより結晶性半導体膜を溶融させ、その状態を経て結晶化又は再結晶化を行う。レーザー光の走査方向は、開口部の長手方向又はトランジスタのチャネル長方向に沿って行う。これによりレーザー光の走査方向に沿って結晶が成長し、結晶粒界又は結晶亜粒界がチャネル長方向と交差することを防ぐことができる。上記の如く作製される本発明の半導体装置は、絶縁表面を有する基板上に開口部が形成された絶縁膜が設けられ、基板上に形成された結晶性半導体膜は前記開口部を充填する領域を有し、当該充填領域にチャネル形成領域が備えられていることを特徴としている。また、絶縁表面上に形成され、一対の一導電型不純物領域の間に連接して、複数の結晶方位を有し、結晶粒界が形成されることなく、チャネル長方向と平行な方向に延在する複数の結晶粒が集合した結晶性半導体膜を有し、当該結晶質半導体膜はその厚さと同じ又は同程度の深さの開口部に埋設されていることを特徴としている。また他の構成は、絶縁表面を有する基板上にチャネル長方向に延在する開口部が形成された絶縁膜が設けられ、基板上に形成された結晶性半導体膜は前記開口部を充填する領域を有し、当該充填領域にチャネル形成領域が備えられていて、開口部は前記結晶性半導体膜と同じかそれ以上の深さを有していることを特徴としている。すなわち、絶縁表面上に形成され、一対の一導電型不純物領域の間に連接して複数の結晶方位を有し、結晶粒界が形成されることなくチャネル長方向と平行な方向に延在する複数の結晶粒が集合した結晶性半導体膜と、当該結晶性半導体膜と絶縁層を介して重畳する導電層によりチャネル形成領域が形成される構成を有し、当該結晶性半導体膜はチャネル幅方向が0.01μm~2μm、好ましくは0.1~1μmであり、厚さが0.01μm以上1μm、好ましくは0.05~0.2μmであり、前記結晶質半導体膜はその厚さと同じ又は同程度開口部に埋設されていることを特徴としている。開口部の深さを半導体膜の厚さと同程度とすることにより、レーザー光又は強光の照射により溶融した半導体が表面張力により開口部即ち凹部に凝集して固化する。その結果、開口部即ち凸部にある半導体膜の厚さは薄くなり、そこに応力歪みを集中させることができる。また開口部の側面は結晶方位をある程度規定する効力を持つ。開口部の側面の角度は基板表面に対して5~90度、好ましくは30~90度で形成する。レーザー光をチャネル長方向と平行な方向に走査することにより、その方向に延在する開口部に沿って、特定の結晶方位を優先的に配向させることができる。半導体膜がレーザー光又は強光の照射により溶融した後、固化を開始するのは開口部の底面と側面とが交わる領域からであり、ここから結晶成長が始まる。例えば、図39に示すように絶縁膜1と絶縁膜2により段差形状が形成された系においてA~D点における熱解析シミュレーションを行った結果、図40のような特性が得られている。熱の逃げる場所として直下の絶縁膜2と側面に存在する絶縁膜1の両方があるため、B点が最も早く温度が下がることになる。以降、A点、C点、D点の順である。このシミュレーション結果は側壁の角度が45度の場合であるが、90度の場合にも定性的には同様な現象が考えられる。即ち、半導体膜を一旦溶融状態とし、表面張力により絶縁表面上に形成した開口部に凝集させ、開口部の底部と側壁の概略交点から結晶成長させることにより結晶化に伴い発生する歪みを開口部以外の領域に集中させることができる。即ち、開口部に充填されるように形成した結晶性半導体膜においては歪みから開放することができる。半導体膜を溶融状態として、表面張力により絶縁表面上に形成した開口部に凝集させ、開口部の底部と側面部の概略交点から結晶成長させることにより結晶化に伴い発生する歪みを開口部以外の領域に集中させることができる。即ち、開口部に充填されるように形成した結晶性半導体膜は歪みから開放することができる。そして、絶縁膜上に残存し、結晶粒界、結晶欠陥を含む結晶性半導体膜はエッチングにより除去してしまう。上記本発明によって、トランジスタ等の半導体素子、特にTFTのチャネル形成領域の場所を指定して、結晶粒界が存在しない結晶性半導体膜を形成することが可能となる。これにより不用意に介在する結晶粒界や結晶欠陥により特性がばらつく要因を無くすことができ、特性ばらつきの小さいTFT又はTFT素子群を形成することができる。以上説明したように、半導体膜を溶融状態として表面張力により絶縁表面上に形成した開口部に凝集させ、開口部の底部と側面部の概略交点から結晶成長させることにより結晶化に伴い発生する歪みを開口部以外の領域に集中させることができる。この開口部以外の領域にある結晶性半導体膜をエッチング除去することにより、結晶性の良い領域を選択的に取り出すことができる。さらに、トランジスタ等の半導体素子、特にTFTのチャネル形成領域の場所を指定して、結晶粒界が存在しない結晶性半導体膜を形成することができる。これにより不用意に介在する結晶粒界や結晶欠陥により特性がばらつく要因を無くすことができ、特性ばらつきの小さいTFT又はTFT素子群を形成することができる。本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本発明は、絶縁表面を有する基板上に開口部が設けられた絶縁膜を形成し、絶縁膜上及び開口部にかけて非晶質半導体膜又は結晶粒界が任意に存在する多結晶構造の半導体膜を形成し、その開口部を充填する形態で結晶性半導体膜を形成するものである。まず、その態様について図27を用いて説明する。図27において示す斜視図は、基板101上に第1絶縁膜102と帯状にパターン形成された第2絶縁膜103~105が形成された形態を示している。ここでは、第2絶縁膜による帯状のパターンが3本示されているが、勿論その数に限定されることはない。基板は市販の無アルカリガラス基板、石英基板、サファイア基板、単結晶又は多結晶半導体基板の表面を絶縁膜で被覆した基板、金属基板の表面を絶縁膜で被覆した基板を適用することができる。帯状に形成される第2絶縁膜の幅W1は0.1~10μm好ましくは0.5~1μm隣接する第2絶縁膜の間隔W2は0.1~5μm好ましくは0.5~1μmであり、第2絶縁膜の厚さdはその上に形成する非単結晶半導体膜の厚さと同程度かそれ以上の厚さをもって形成する。また、段差形状は規則的な周期パターンである必要はなく、TFTのチャネル形成領域を含む島状の半導体領域の配置及び形状に合わせて形成すれば良い。よって、第2絶縁膜の長さLも限定はなく、例えばTFTのチャネル形成領域を形成することができる程度の長さがあれば良い。第1絶縁膜は、窒化珪素又は窒酸化珪素を用いて形成する。また、第2絶縁膜は酸化珪素又は酸窒化珪素を用いて形成する。酸化珪素はオルトケイ酸テトラエチルTetraethylOrthoSilicate:TEOSとO2とを混合しプラズマCVD法で形成することができる。窒酸化珪素膜はSiH4、NH3、N2O又は、SiH4、N2Oを原料として用いプラズマCVD法で形成することができる。図27の形態であるように、開口部による凹凸形状を第1絶縁膜と第2絶縁膜により形成する場合には、エッチング加工における選択比を確保するために、第2絶縁膜のエッチング速度が相対的に早くなるように材料及び成膜条件を適宜調整することが望ましい。また、ナトリウムなどアルカリ金属イオンに対してブロッキング効果のあることが望ましい。そして、第2絶縁膜で形成される開口部の側壁の角度は5~90度、好ましくは30~90度の範囲で適宜設定すれば良い。図28で示すように、この第1絶縁膜102と第2絶縁膜103~105から成る表面上および開口部を覆う非晶質半導体膜106を50~200nmの厚さに形成する。非晶質半導体膜は、珪素、珪素とゲルマニウムの化合物又は合金、珪素と炭素の化合物又は合金を適用することができる。そして、この非晶質半導体膜106に連続発振レーザー光を照射して結晶化を行う。適用されるレーザー光は光学系にて線状に集光及び拡張されたものであり、その強度分布が長手方向において均一な領域を有し、短手方向に分布を持っていても良く、光源として用いるレーザー発振装置は、矩形ビーム固体レーザー発振装置が適用され、特に好ましくは、スラブレーザー発振装置が適用される。或いは、Nd、Tm、Hoをドープしたロッドを用いた固体レーザー発振装置であり、特にYAG、YVO4、YLF、YAlO3などの結晶にNd、Tm、Hoをドープした結晶を使った固体レーザー発振装置にスラブ構造増幅器を組み合わせたものでも良い。そして、線状の長手方向に対し交差する方向に走査する。この時、下地絶縁膜に形成される帯状のパターンの長手方向と平行な方向に走査することが最も望ましい。尚、ここでいう線状とは、短手方向の長さに対し、長手方向の長さの比が1対10以上のものをもって言う。スラブ材料としては、Nd:YAG、Nd:GGGガドリニウムガリウムガーネット、Nd:GsGGガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット等の結晶が使用される。スラブレーザーでは、この板状のレーザー媒質の中を、全反射を繰り返しながらジグザグ光路で進む。また、連続発振レーザー光の波長は、非晶質半導体膜の光吸収係数を考慮して400~700nmであることが望ましい。このような波長帯の光は、波長変換素子を用いて基本波の第2高調波、第3高調波を取り出すことで得られる。波長変換素子としてはADPリン酸二水素化アンモニウム、Ba2NaNb5O15ニオブ酸バリウムナトリウム、CdSeセレンカドミウム、KDPリン酸二水素カリウム、LiNbO3ニオブ酸リチウム、Se、Te、LBO、BBO、KB5などが適用される。特にLBOを用いることが望ましい。代表的な一例は、NdYVO4レーザー発振装置基本波1064nmの第2高調波532nmを用いる。また、レーザーの発振モードはTEM00モードであるシングルモードを適用する。最も適した材料として選ばれる珪素の場合、吸収係数が103~104cm1である領域はほぼ可視光域にある。ガラスなど可視光透過率の高い基板と、珪素により30~200nmの厚さをもって形成される非晶質半導体膜を結晶化する場合、波長400~700nmの可視光域の光を照射することで、当該半導体領域を選択的に加熱して、下地絶縁膜にダメージを与えずに結晶化を行うことができる。具体的には、非晶質珪素膜に対し、波長532nmの光の侵入長は概略100nm~1000nmであり、膜厚30nm~200nmで形成される非晶質半導体膜106の内部まで十分達することができる。即ち、半導体膜の内側から加熱することが可能であり、レーザー光の照射領域における半導体膜のほぼ全体を均一に加熱することができる。レーザー光の照射により溶融した半導体は、表面張力が働いて開口部凹部に集まる。それにより固化した状態では、図29で示すように表面がほぼ平坦になる。さらに結晶の成長端や結晶粒界又は結晶亜粒界は第2絶縁膜上凸部上に形成される図中ハッチングで示す領域110。こうして結晶性半導体膜107が形成される。その後図30で示すように、結晶性半導体膜107をエッチングして島状の半導体領域108、109を形成する。この時、図29で示したように、成長端や結晶粒界又は結晶亜粒界が集中する領域110をエッチング除去することにより良質な半導体領域のみ残すことができる。そして、この島状の半導体領域108、109の、特に開口部凹部を充填する結晶性半導体を使ってチャネル形成領域が位置せしめるようにゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。このような各段階を経てTFTを完成させることができる。図2は本発明者による実験結果から得られた結晶化の知見を概念図として示すものである。図2A~Eは第1絶縁膜及び第2絶縁膜により形成される開口部凹部の深さ及び間隔と結晶成長の関係を模式的に説明している。尚、図2で示す長さに関する符号に関し、t01:第2絶縁膜上凸部の非晶質半導体膜の厚さ、t02:開口部凹部の非晶質半導体膜の厚さ、t11:第2絶縁膜上凸部の結晶性半導体膜の厚さ、t12:開口部凹部の結晶性半導体膜の厚さ、d:第2絶縁膜の厚さ開口部の深さ、W1:第2絶縁膜の幅、W2:開口部の幅である。また、201は第1絶縁膜、202は第2絶縁膜、203は第3絶縁膜である。図2Aは、d<t02、W1、W2が1μmと同程度かそれより小さい場合であり、開口部の溝の深さが非晶質半導体膜204よりも小さい場合には、溶融結晶化の過程を経ても開口部が浅いので結晶性半導体膜205の表面が十分平坦化されることはない。即ち、結晶性半導体膜205の下地の凹凸形状が概略保存されたまま残ってしまう。図2Bは、d≧t02、W1、W2が1μmと同程度かそれより小さい場合であり、開口部の溝の深さが非晶質半導体膜204とほぼ等しいかそれより大きい場合には、表面張力が働いて開口部凹部に集まる。それにより固化した状態では、図2Bで示すように表面がほぼ平坦になる。この場合、t11<t12となり、第2絶縁膜202上の膜厚が薄い部分220に応力が集中しここに歪みが蓄積され、結晶粒界が形成されることになる。図2Cは、d>>t02、W1、W2が1μmと同程度かそれより小さい場合であり、この場合は結晶性半導体膜205が開口部を充填するように形成され、第2絶縁膜202上には殆ど残存しないようにすることも可能である。図2Dは、d≧t02、W1、W2が1μm同程度か若干大きい場合であり、開口部の幅が広がると結晶性半導体膜205が開口部を充填し、平坦化の効果はあるが、開口部の中央付近には結晶粒界や結晶亜粒界が発生する。また、第2絶縁膜上にも同様に応力が集中しここに歪みが蓄積され、結晶粒界が形成される。これは、間隔が広がることで応力緩和の効果が低減するためであると推定している。図2Eは、d≧t02、W1、W2が1μmよりも大きい場合であり、図2Dの状態がさらに顕在化してくる。図22で示す走査電子顕微鏡SEM写真はその一例を示し、170nmの段差を設け、1.8μmの凸部の幅と間隔を設けた下地絶縁膜上に150nmの非晶質珪素膜を形成して結晶化した結果を示している。結晶性半導体膜の表面は結晶粒界を顕在化させるためにセコ液でエッチングしてある。図21との比較において明らかなように、結晶粒界は、段差形状の凸部のもでなく、全体に広がっていることが分かる。従って、このような構造では、結晶粒界のない結晶性半導体膜を選択的に取り出すことはできない。以上、図2を用いて説明したように、半導体素子を形成する場合、特にTFTを形成する場合には、図2Bの形態が最も適していると考えられる。また、ここでは結晶性半導体膜を形成する下地の凹凸形状は、第1絶縁膜と第2絶縁膜で形成する一例を示したが、ここで示す形態に限定されず同様な形状を有するものであれば代替することができる。例えば、石英基板の表面をエッチング処理して直接開口部を形成し、凹凸形状を設けても良い。図13は、結晶化に際し適用することのできるレーザー処理装置の構成の一例を示す。図13はレーザー発振装置401a、401b、シャッター402、高変換ミラー403~406、シリンドリカルレンズ407、408、スリット409、載置台411、載置台411をX方向及びY方向に変位させる駆動手段412、413、当該駆動手段をコントロールする制御手段414、予め記憶されたプログラムに基づいてレーザー発振装置401や制御手段414に信号を送る情報処理手段415等から成っているレーザー処理装置の構成を正面図と側面図により示すものである。レーザー発振装置は矩形ビーム固体レーザー発振装置が適用され、特に好ましくは、スラブレーザー発振装置が適用される。或いは、YAG、YVO4、YLF、YAlO3などの結晶にNd、Tm、Hoをドープした結晶を使った固体レーザー発振装置にスラブ構造増幅器を組み合わせたものでも良い。スラブ材料としては、Nd:YAG、Nd:GGGガドリニウムガリウムガーネット、Nd:GsGGガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット等の結晶が使用される。その他にも、連続発振可能な気体レーザー発振装置、固体レーザー発振装置を適用することもできる。連続発振固体レーザー発振装置としてはYAG、YVO4、YLF、YAlO3などの結晶にCr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti又はTmをドープした結晶を使ったレーザー発振装置を適用する。発振波長の基本波はドープする材料によっても異なるが、1μmから2μmの波長で発振する。5W以上のより高い出力を得る為には、ダイオード励起の固体レーザー発振装置をカスケード接続しても良い。このようなレーザー発振装置から出力される円形状又は矩形状のレーザー光は、シリンドリカルレンズ407、408により照射面の断面形状において線状に集光される。また、照射面での干渉を防ぐため、高変換ミラーを適宜調節して10~80度の角度を持って斜め方向から入射する構成となっている。シリンドリカルレンズ407、408は合成石英製とすれば高い透過率が得られ、レンズの表面に施されるコーティングは、レーザー光の波長に対する透過率が99以上を実現するために適用される。勿論、照射面の断面形状は線状に限定されず、矩形状、楕円形又は長円形など任意な形状としても構わない。いずれにしても短軸と長軸の比が、1対10~1対100の範囲に含まれるものを指している。また、波長変換素子410は基本波に対する高調波を得るために備えられている。また、載置台411を駆動手段412、413により二軸方向に動かすことにより基板420のレーザー処理を可能としている。一方の方向への移動は基板420の一辺の長さよりも長い距離を1~200cmsec、好ましくは5~75cmsecの等速度で連続的に移動させることが可能であり、他方へは線状ビームの長手方向と同程度の距離を不連続にステップ移動させることが可能となっている。レーザー発振装置401a、401bの発振と、載置台411は、マイクロプロセッサを搭載した情報処理手段415により同期して作動するようになっている。載置台411は図中で示すX方向に直線運動をすることにより、固定された光学系から照射されるレーザー光で基板全面の処理を可能としている。位置検出手段416は基板420がレーザー光の照射位置にあることを検出して、その信号を情報処理手段415に伝送し、情報処理手段415によりレーザー光の照射タイミングを同期させている。つまり、基板420がレーザー光の照射位置にない時は、シャッター402を閉め、レーザー光の照射を止めている。このような構成のレーザー照射装置により基板420に照射されるレーザー光は、図中に示すX方向又はY方向に相対移動させることにより半導体膜の所望の領域または全面を処理することができる。以上のように、非晶質半導体膜に連続発振レーザー光を照射する結晶化において、下地絶縁膜に段差形状を設けることにより、その部分に結晶化に伴う歪み又は応力を集中させることができ、活性層とする結晶性半導体にその歪み又は応力がかからないようにすることができる。歪み又は応力から開放された結晶性半導体膜にチャネル形成領域が配設されるようにTFTを形成することにより、高速で電流駆動能力を向上させることが可能となり、素子の信頼性を向上させることも可能となる。実施形態1上記した本発明の態様について図1を用いて説明する。図1は本発明の結晶性半導体膜を形成する工程を説明する縦断面図である。図1Aにおいて、窒化珪素、窒素含有量が酸素含有量よりも大きな酸窒化珪素、窒化アルミニウム、又は酸窒化アルミニウムで形成される第1絶縁膜201は30~300nmの厚さで形成する。その上に酸化珪素又は酸窒化珪素で10~1000nm、好ましくは50~200nmの厚さで所定の形状で開口部が形成された第2絶縁膜202を形成する。所定の形状とは矩形、円形、多角形、帯状、又は作製するTFTの島状の半導体膜活性層の形状に合致する形状としても良い。酸化珪素はオルトケイ酸テトラエチルTetraethylOrthoSilicate:TEOSとO2とを混合しプラズマCVD法で形成することができる。酸窒化珪素膜はSiH4、N2O又はSiH4、NH3、N2Oを原料として用いプラズマCVD法で形成することができる。第1絶縁膜201と第2絶縁膜の選択的な加工は、緩衝フッ酸を用いたエッチング、又はCHF3を用いたドライエッチングにより行う。いずれにしても、エッチング加工における選択比を確保するために、第2絶縁膜のエッチング速度が第1絶縁膜のそれより相対的に早くなるように材料及び成膜条件を適宜調整することが望ましい。そして、第2絶縁膜で形成される開口部の側面部の角度は5~90度、好ましくは30~90度の範囲で適宜設定すれば良い。基板として用いる部材は市販の無アルカリガラス基板、石英基板、サファイア基板、単結晶又は多結晶半導体基板の表面を絶縁膜で被覆した基板、金属基板の表面を絶縁膜で被覆した基板を適用することが可能である。エッチング後に残存する第2絶縁膜202の幅W1に限定はなく0.1~10μm程度で形成する。また、第2絶縁膜202に形成する開口部の幅W2は0.01~2μm好ましくは0.1~1μmであり、第2絶縁膜の厚さdは0.01~1μm好ましくは0.05~0.2μmで形成する。また、開口部の長さ紙面と垂直な方向は特に限定されず、直線的又は曲部をもって形成されていても良く、例えばTFTのチャネル形成領域を形成することができる程度の長さがあれば良い。図1Bで示すように、この第1絶縁膜201と第2絶縁膜202から成る表面上および開口部を覆う非晶質半導体膜204を0.2~3μm好ましくは0.5~1.5μm、即ち第2絶縁膜で形成される開口部の深さと同程度かそれ以上の厚さで形成することが望ましい。非晶質半導体膜は、珪素、珪素とゲルマニウムの化合物又は合金、珪素と炭素の化合物又は合金を適用することができる。非晶質半導体膜は図示するように、下地の絶縁膜上及び開口部にかけて形成され、下地の凹凸形状を反映して堆積する。また、第1絶縁膜及び第2絶縁膜の表面に付着した硼素などの化学汚染の影響を排除し、しかも窒化珪素と非晶質半導体膜が直接に接しないように、非晶質半導体膜の下層側に第3絶縁膜203として酸窒化珪素膜を同一の成膜装置内で大気に触れさせることなく連続的に成膜すると良い。そして、この非晶質半導体膜204を瞬間的に溶融させ結晶化させる。この結晶化はレーザー光又はランプ光源からの放射光を光学系にて半導体膜が溶融する程度のエネルギー密度に集光して照射する。この工程においては、特に連続発振レーザー発振装置を光源とするレーザー光を適用することが好ましい。適用されるレーザー光は光学系にて線状に集光及び長手方向に拡張されたものであり、その強度分布が長手方向において均一な領域を有し、短手方向に分布を持たせておくことが望ましい。レーザー発振装置は、矩形ビーム固体レーザー発振装置が適用され、特に好ましくは、スラブレーザー発振装置が適用される。スラブ材料としては、Nd:YAG、Nd:GGGガドリニウムガリウムガーネット、Nd:GsGGガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット等の結晶が使用される。スラブレーザーでは、この板状のレーザー媒質の中を、全反射を繰り返しながらジグザグ光路で進む。或いは、Nd、Tm、Hoをドープしたロッドを用いた固体レーザー発振装置であり、特にYAG、YVO4、YLF、YAlO3などの結晶にNd、Tm、Hoをドープした結晶を使った固体レーザー発振装置にスラブ構造増幅器を組み合わせたものでも良い。そして、図中に矢印で示すように、線状の長手方向に対し交差する方向に走査する。尚、ここでいう線状とは、短手方向の長さに対し、長手方向の長さの比が1対10以上のものをもって言う。また、連続発振レーザー光の波長は、非晶質半導体膜の光吸収係数を考慮して400~700nmであることが望ましい。このような波長帯の光は、波長変換素子を用いて基本波の第2高調波、第3高調波を取り出すことで得られる。波長変換素子としてはADPリン酸二水素化アンモニウム、Ba2NaNb5O15ニオブ酸バリウムナトリウム、CdSeセレンカドミウム、KDPリン酸二水素カリウム、LiNbO3ニオブ酸リチウム、Se、Te、LBO、BBO、KB5などが適用される。特にLBOを用いることが望ましい。代表的な一例は、NdYVO4レーザー発振装置基本波1064nmの第2高調波532nmを用いる。また、レーザーの発振モードはTEM00モードであるシングルモードを適用する。最も適した材料として選ばれる珪素の場合、吸収係数が103~104cm1である領域はほぼ可視光域にある。ガラスなど可視光透過率の高い基板と、珪素により30~200nmの厚さをもって形成される非晶質半導体膜を結晶化する場合、波長400~700nmの可視光域の光を照射することで、当該半導体膜を選択的に加熱して、下地絶縁膜にダメージを与えずに結晶化を行うことができる。具体的には、非晶質珪素膜に対し、波長532nmの光の侵入長は概略100nm~1000nmであり、膜厚30nm~200nmで形成される非晶質半導体膜106の内部まで十分達することができる。即ち、半導体膜の内側から加熱することが可能であり、レーザー光の照射領域における半導体膜のほぼ全体を均一に加熱することができる。レーザー光の照射により瞬間的に溶融した半導体は、表面張力が働いて開口部凹部に集まる。それにより固化して形成される結晶性半導体膜205は、図1Cで示すように表面がほぼ平坦になる。結晶の成長端や結晶粒界は第2絶縁膜上凸部上に形成される図1Cで示す領域220。その後、好ましくは図1Dに示すように500~600°Cの加熱処理を行い、結晶性半導体膜に蓄積された歪みを除去すると良い。この歪みは、結晶化によって起こる半導体の体積収縮、下地との熱応力や格子不整合などにより発生するものである。この加熱処理は、例えば、ガス加熱方式の瞬間熱アニールRTA法を用いて1~10分の処理を行えば良い。尚、この工程は本発明において必須な要件ではなく、適宜選択して行えば良いものである。図1Eで示すように、結晶性半導体膜205の表面をエッチングして開口部凹部に埋め込まれている結晶性半導体膜206を選択的に抽出する。これは、第2絶縁膜202上に残存し結晶粒界、結晶欠陥を含む結晶性半導体膜を除去し、開口部凹部にある良質な結晶のみを残すことを目的としている。結晶性半導体膜206は、複数の結晶方位を有し、結晶粒界が形成されていないという特徴を有している。特に開口部凹部を充填する結晶性半導体を使ってチャネル形成領域が位置せしめるようにゲート絶縁膜及びゲート電極を形成するとTFTを完成させることができる。この時、TFTのチャネル長方向と平行な方向に開口部を形成し、且つレーザー光をその方向に走査することにより、結晶成長をその方向に行うことができ、特定の結晶方位を優先的に結晶成長させることができる。その詳細は、図2で示すものと同様であり、W1、W2が1μmと同程度かそれより小さく、開口部の溝の深さが非晶質半導体膜203の厚さとほぼ等しいかそれより大きくなる形状が最も適している。図21で示す走査電子顕微鏡SEM写真はその一例を示し、石英基板上に酸化珪素で形成した第2絶縁膜により170nmの段差を設け、0.5μmの凸部の幅W1と間隔W2を設けた下地上に150nmの非晶質珪素膜を形成して、その後レーザー光を照射して結晶化した結果を示している。結晶性半導体膜の表面は結晶粒界を顕在化させるためにセコ液でエッチングしてある。セコ液は、HF:H2O=2:1に添加剤としてK2Cr2O7を用いて調合した薬液である。この写真から明らかなように、結晶粒界は段差形状の凸部に集中していることが分かる。図23は開口部凹部に形成される結晶性半導体膜の配向性を反射電子回折パターンEBSP:ElectronBackScatterdiffractionPatternにより求めた結果を示している。EBSPは走査型電子顕微鏡SEM:ScanningElectronMicroscopyに専用の検出器を設け、電子ビームを結晶面に照射してその菊池線からの結晶方位同定をコンピューターで画像認識させることによって、そのミクロな結晶性を表面配向のみならず、結晶の全方向に関して測定するものである以下、この手法を便宜上EBSP法と呼ぶ。図23のデータは、開口部凹部においては線状に集光されたレーザー光の走査方向と平行な方向に結晶が成長していることを示している。成長の面方位は、特にチャネルが形成される表面近傍においては、<110>方位が優勢であるとみなすことができるが、その他に<100>方位の成長も存在している。以上のように、非晶質半導体膜に連続発振レーザー光を照射する結晶化において、半導体膜の下地側に開口部又は、それに伴う凹凸形状を設けることにより、当該開口部以外の領域に結晶化に伴う歪み又は応力を集中させることができ、結晶粒界など結晶性の悪い領域を選択的に形成することが可能となる。即ち、当該開口部に複数の結晶方位を有し、結晶粒界が形成されることなく、成長方向と平行な方向に延在する複数の結晶粒が集合した結晶性半導体膜を残存させることができる。このような結晶性半導体膜でチャネル形成領域が配設されるようにTFTを形成することにより、高速で電流駆動能力を向上させることが可能となり、素子の信頼性を向上させることも可能となる。実施形態2本発明の結晶性半導体膜の形成において、実施の形態1で示すように非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶化させても良いが、結晶化した後さらにレーザー光を照射して溶融させ、再結晶化しても良い。図3はその一例を示し、まず、実施の形態1と同様にして第1絶縁膜201、第2絶縁膜202、酸窒化珪素膜203、非晶質半導体膜204を形成する。非晶質半導体膜204には、珪素の結晶化温度を低温化させ配向性を向上させる等、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素としてNiを添加する。Niの添加法に限定はなく、スピン塗布法、蒸着法、スパッタ法などを適用するこができる。スピン塗布法による場合には酢酸ニッケル塩が5~10ppmの水溶液を塗布して金属元素含有層210を形成する。勿論、触媒元素はNiに限定されるものではなく、他の公知の材料を用いても良い。次いで、図3Bで示すように550~580°C、4~8時間の加熱処理により非晶質半導体膜204を結晶化させて結晶性半導体膜211を形成する。この結晶性珪素膜511は棒状または針状の結晶が集合して成り、その各々の結晶は巨視的にはある特定の方向性をもって成長しているため、結晶性が揃っている。また、特定方位の配向率が高いという特徴がある。図3Cで示すように、加熱処理により結晶化した結晶性半導体膜に対し、連続発振レーザー光又はそれと同等な強光を照射して溶融させ再結晶化する。こうして、表面がほぼ平坦化された結晶性半導体膜212を得ることができる。この結晶性半導体膜212も同様に結晶の成長端や結晶粒界は第2絶縁膜上凸部上に形成されている。また、結晶性半導体膜211において残存する非晶質領域もこの処理により結晶化させることができる。レーザー光を照射する対象として結晶性半導体膜を用いる利点は半導体膜の光吸収係数の変動率にあり、結晶化した半導体膜にレーザー光を照射して溶融させたとしても光吸収係数は殆ど変動しない。よって、レーザー照射条件のマージンを広くとることができる。その後、結晶性半導体膜212に残存する金属元素を取り除くゲッタリング処理を行うことが好ましい。結晶性半導体膜212に接して薄い酸化珪素等で形成されるバリア膜213を形成し、希ガス元素を1×1020cm3以上の濃度で含有する非晶質珪素膜214をゲッタリングサイトとして形成する。加熱処理は500~700°Cにて行えば良い。この技術の詳細については、特願2001-019367号出願又は特願2002-020801号出願を参照されたい。また、このゲッタリング処理に伴う加熱処理は、結晶性半導体膜212の歪みを緩和するという効果も合わせ持っている。その後、図3Eに示すように、非晶質珪素膜214、バリア膜213を除去し、実施の形態1と同様に、結晶性半導体膜212の表面をエッチングして開口部凹部に埋め込まれている結晶性半導体膜215を選択的に抽出する。こうして、複数の結晶方位を有し、結晶粒界が形成されていない結晶性半導体膜215を得ることができる。このような二段階の結晶化処理は、実施の形態1と比較して比較的歪みの少ない結晶性半導体膜を形成することを可能にする。実施形態3次に、本実施の形態において開口部を有する下地絶縁膜上に結晶性珪素膜を形成し、その開口部に充填された充填領域にチャネル形成領域が配設されるTFTを作製する一形態を図4乃至図10を用いて説明する。尚、各図面において、Aは上面図、B以降はそれに対応する各部位の縦断面図を示す。図4において、ガラス基板301上に30~300nmの窒化珪素膜又は酸窒化アルミニウム膜でなる第1絶縁膜302を形成する。その上に酸化珪素膜又は酸窒化珪素膜を形成し、写真蝕刻により矩形状のパターンを有する第2絶縁膜303を形成する。酸化珪素膜はプラズマCVD法でTEOSとO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度400°Cとし、高周波13.56MHz電力密度0.6Wcm2で放電させ1000nmの厚さに堆積し、その後エッチングにより開口部304を形成する。この場合、開口部の深さは第2絶縁膜の厚さとほぼ同じ厚さで形成され0.01~1μm、好ましくは0.05~0.2μmを有している。そして図5で示すように第1絶縁膜302及び第2絶縁膜303上に酸化膜又は酸窒化珪素膜から成る第3絶縁膜305と非晶質半導体膜306を同一のプラズマCVD装置を用い大気に触れさせることなく連続的に成膜する。非晶質珪素膜605は珪素を主成分に含む半導体膜で形成し、プラズマCVD法でSiH4を原料気体として用い形成する。この段階では、図示するように開口部304の底面及び側面を被覆して平坦でない表面形状が形成される。そして、図6で示すように連続発振レーザー光を照射して結晶化させる。結晶化の条件は、連続発振モードのYVO4レーザー発振器を用い、その第2高調波波長532nmの出力2~10Wを、光学系にて短手方向に対する長手方向の比が10以上である線状レーザー光に集光し、且つ長手方向に均一なエネルギー密度分布を有するように集光し、10~200cmsecの速度で走査して結晶化させる。均一なエネルギー密度分布とは、完全に一定であるもの以外を排除することではなく、エネルギー密度分布において許容される範囲は±10である。このようなレーザー光の照射は、図13で示す構成のレーザー処理装置を適用することができる。線状に集光されたレーザー光360の走査方向と開口部の配置との関係は図14に示されている。線状に集光されたレーザー光360の強度分布はその強度分布が長手方向において均一な領域を有していることが望ましい。これは加熱される半導体の温度が照射領域の温度を一定にすることが目的である。線状に集光されたレーザー光の長手方向走査方向と交差する方向に温度分布が生じると、結晶の成長方向をレーザー光の走査方向に限定することができなくなるためである。開口部304の配列は図示のように線状に集光されたレーザー光360の走査方向と合わせて配列させておくことで、結晶の成長方向と、全てのTFTのチャネル長方向とを合わせることができる。これによりTFTの素子間の特性ばらつきを小さくすることができる。この条件でレーザー光を照射することにより、非晶質半導体膜は瞬間的に溶融し結晶化させる。実質的には溶融帯が移動しながら結晶化が進行する。溶融した珪素は表面張力が働いて開口部凹部に凝集し固化する。これにより、図6に示すように開口部604を充填する形態で表面が平坦な結晶性半導体膜307が形成される。その後図7に示すように、少なくとも開口部304に結晶性半導体膜307が残存するようにエッチング処理を行いう。このエッチング処理により、第2絶縁膜303上にある結晶性半導体膜は除去され、開口部の形状に合わせて結晶性半導体膜から成る島状の半導体膜308が得られる。結晶性半導体膜はフッ素系のガスと酸素とをエッチングガスとして用いることにより下地の酸化膜と選択性をもってエッチングすることができる。例えば、エッチングガスとして、CF4とO2の混合ガスが適用される。この島状の半導体膜308は、実施の形態1で示したように、複数の結晶方位を有し、結晶粒界が形成されていないという特徴を有している。或いは、化学的機械研磨CMPにより上面部をエッチングしても良い。島状の半導体膜308の厚さは0.01~1μm、好ましくは0.05~0.2μmである。尚、図7は、この島状の半導体膜308の形状、即ち、第1絶縁膜及び第2絶縁膜により形成される開口部304の形状を限定的に示すものではなく、実施の形態1で述べた如く、所定のデザインルールに従う範囲内において、特に限定されるものではない。例えば、図7の島状の半導体膜の形状は、複数個の短冊状の結晶性半導体膜は一対の矩形の結晶性半導体膜と連接した形態を有しており、後述するように、複数個の短冊状の結晶性半導体膜にTFTのチャネル形成領域が配置される形態となっている。図8は、島状の半導体膜308の上面及び側面を覆いゲート絶縁膜として用いる第4絶縁膜310、ゲート電極として用いる導電膜311を形成する。第4絶縁膜310は、30~200nmの酸化珪素膜又は酸窒化珪素膜を形成する。また、導電膜311はタングステン又はタングステンを含有する合金等で形成する。図9では、島状の半導体膜308に一導電型の不純物領域313を形成する段階を示している。この不純物領域313は、ゲート電極として用いる導電膜311をマスクとして、自己整合的に形成しても良いし、フォトレジスト等でマスキングして形成しても良い。不純物領域313はソース及びドレイン領域を形成し、必要に応じて低濃度ドレイン領域を適宜設けることもできる。この不純物領域313は、不純物イオンを電界で加速して半導体膜に注入するイオン注入法又はイオンドーピング法などが適用される。この場合において、注入するイオン種の質量分離の有無は本発明を適用する上で本質的な問題とはならない。そして、図10に示すように50~100nm程度の水素を含有する窒化珪素膜又は酸窒化珪素膜による第5絶縁膜314を形成する。この状態で400~450°Cに熱処理をすることにより窒化珪素膜又は酸窒化珪素膜が含有する水素が放出され島状の半導体膜に対する水素化を行うことができる。酸化珪素膜等で形成する第6絶縁膜を形成し、ソース及びドレイン領域を形成する不純物領域313と接触する配線316を形成する。こうしてTFTを作製することができる。図4~図10を用いて説明したTFTの構成は、複数のチャネル形成領域が並列に配設され、一対の不純物領域と連接して設けられたマルチチャネル型のTFTを示している。この構成において、並列に配設するチャネル形成領域の数に限定はなく、必要に応じて複数個配設すれば良い。このチャネル形成領域は、複数の結晶方位を有し、結晶粒界が形成されることなく、チャネル長方向と平行な方向に延在する複数の結晶粒が集合した結晶性半導体膜で形成されている。実施形態4図11は低濃度ドレインLDD構造を持ったnチャネル型マルチチャネルTFTと、pチャネル型マルチチャネルTFTとでCMOS構造の基本回路であるインバータ回路を構成する一例を示している。図11において、第2絶縁膜320、開口部321、島状の半導体膜322、323は実施の形態3と同様にして形成される。図11Aは上面図を示し、島状の半導体膜322にはソース及びドレイン領域を形成する第1n型不純物領域333が形成され、島状の半導体膜323にはソース及びドレイン領域を形成する第1p型不純物領域334が形成され、その他にゲート電極を形成する導電層330、ソース及びドレイン配線337~339が形成されている。島状の半導体膜323の厚さは0.01~1μm、好ましくは0.05~0.2μmである。図11B及びCはG-G線及びH-H線に対応した縦断面図を示し、nチャネル型のTFTには第1n型不純物領域333に隣接してLDD領域を形成する第2n型不純物領域が形成されている。ゲート電極330は二層構造であり、第1n型不純物領域322、第2n型不純物領域及び第1p型不純物領域は自己整合的に形成することができる。331はチャネル形成領域である。このようなゲート電極と不純物領域、及びその作製方法の詳細については、特開2002-14337号公報又は特願2001-011085号出願を参照されたい。その他、図11で示す第5絶縁膜314、第6絶縁膜315は実施の形態3と同じものが適用されるのでここでは説明を省略する。実施形態5実施の形態3で示すマルチチャネルTFTにおいて、ゲート電極の構成が異なる一例を図12により示す。尚、ゲート電極及びLDD領域の構成以外は、実施の形態3と同じであり、共通の符号を用いて示し、詳細な説明は省略する。図12で示すTFTの構造はゲート電極を窒化チタン又は窒化タンタルなど窒化物金属350aとタングステン又はタングステン合金など高融点金属351bで形成する一例であり、ゲート電極350bの側面にスペーサ351を設けている。スペーサ351は酸化珪素などの絶縁体で形成しても良いし、導電性を持たせるためにn型の多結晶珪素で形成しても良く、異方性ドライエッチングにより形成する。LDD領域352はこのスペーサを形成する前に形成することにより、ゲート電極350bに対し自己整合的に形成することができる。スペーサを導電性材料で形成した場合には、LDD領域が実質的にゲート電極と重畳するゲートオーバーラップLDD構造とすることができる。このようなスペーサを設けて自己整合的にLDD領域を形成する構造は、特にデザインルールを微細化する場合において有効である。また、ここでは単極性のTFT構造を示したが、実施の形態4と同様にCMOS構造を形成することもできる。実施形態6本実施の形態は、開口部を有する下地絶縁膜上に結晶性珪素膜を形成し、その開口部に充填された充填領域にチャネル形成領域が配設されるTFTを作製する一例を示す。図31において、ガラス基板601上に100nmの窒酸化珪素膜でなる第1絶縁膜602を形成する。その上に酸化珪素膜を形成し、写真蝕刻により矩形状のパターンを有する第2絶縁膜603を形成する。酸化珪素膜はプラズマCVD法でTEOSとO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度400°Cとし、高周波13.56MHz電力密度0.6Wcm2で放電させ150nmの厚さに堆積し、その後エッチングにより開口部604a、604bを形成する。尚、図31においてAは上面図、BはA-A線に対応する縦断面図、CはB-B線に対応する縦断面図を示す。以降、図32~図36は同様の扱いとする。そして図32で示すように第1絶縁膜602及び第2絶縁膜603を覆う非晶質珪素膜605を150nmの厚さで形成する。非晶質珪素膜605はプラズマCVD法でSiH4を原料気体として用い形成する。そして、図33で示すように連続発振レーザー光を照射して結晶化させる。結晶化の条件は、連続発振モードのYVO4レーザー発振器を用い、その第2高調波波長532nmの出力5.5Wを長手方向に400μm、短手方向に50~100μmに光学系にて長手方向に均一なエネルギー密度分布を有するように集光し、50cmsecの速度で走査して結晶化させる。均一なエネルギー密度分布とは、完全に一定であるもの以外を排除することではなく、エネルギー密度分布において許容される範囲は±5である。このようなレーザー光の照射は、図13で示す構成のレーザー処理装置を適用することができる。光学系にて集光したレーザー光は、その強度分布が長手方向において均一な領域を有し、短手方向に分布を持っていても良い。結晶化はこの強度分布が長手方向において均一な領域で成されるようにし、これによりレーザー光の走査方向と平行な方向に結晶成長する効力を高めることができる。この条件でレーザー光を照射することにより、非晶質珪素膜は瞬間的に溶融し溶融帯が移動しながら結晶化が進行する。溶融した珪素は表面張力が働いて開口部凹部に凝集し固化する。これにより、開口部604a、604bを充填する形態で結晶性半導体膜606が形成される。その後図34に示すように、少なくとも開口部604a、604bに結晶性半導体膜が残存するようにマスクパターンを形成してエッチング処理を施し、チャネル形成領域を含む島状の半導体領域607、608を形成する。図35は、半導体領域607、608の上層側にゲート絶縁膜609、ゲート電極610、611が形成された状態を示している。ゲート絶縁膜は80nmの酸化珪素膜をプラズマCVD法で形成すれば良い。ゲート電極610、611はタングステン又はタングステンを含有する合金で形成する。このような構造とすることにより、開口部604a、604bを充填する島状の半導体領域にチャネル形成領域を設けることができる。以降、ソース及びドレイン領域、低濃度ドレイン領域等を適宜形成すればTFTを完成させることができる。実施形態7実施の形態6と同様な工程で形成されるものであるが、図36で示すように、第2絶縁膜603に形成する開口部の形状を、細長い短冊状の領域とそれと連接する領域とで形成し、その開口部604cに合わせて結晶性珪素膜で成る島状の半導体領域620を形成し、ゲート絶縁膜621、ゲート電極622を形成することにより、シングルゲートマルチチャネル型のTFTを形成することができる。実施形態8実施例7において、第2絶縁膜を非晶質半導体膜の厚さよりも厚く形成し、例えば350nmで形成することで、図37に示すように、結晶性半導体膜で形成される島状の半導体領域620を開口部604dに完全に埋め込むことができる。そして、ゲート絶縁膜621及びゲート電極622を同様に形成すればシングルゲートマルチチャネル型のTFTを形成することができる。実施形態9図38はシングルゲートマルチチャネル型のTFTの他の一例を示している。基板601上に第1絶縁膜602、第2絶縁膜603、島状の半導体領域630、ゲート絶縁膜631、ゲート電極632は実施例1乃至3と同様に形成するものである。図38において異なる部分は、第2絶縁膜603で形成される開口部604eの他に、島状の半導体領域630が形成された後において、チャネル形成領域が形成される当該半導体領域の周辺の第2絶縁膜を除去して第2の開口部625を形成している点にある。チャネル形成領域付近の形態を図38Dに拡大図として示すが、島状の半導体領域630の側面及び上面に接してゲート絶縁膜631が形成され、それを覆う形でゲート電極632が形成されることになり、この場合チャネル形成領域は半導体領域630の上部634と側面部635の両方に形成されることになる。これにより空乏化領域を増やすことができ、TFTの電流駆動能力を向上させることができる。実施形態10本発明は様々な半導体装置に適用できるものであり、実施の形態1乃至5に基づいて作製される表示パネルの形態を説明する。図15は基板900には画素部902、ゲート信号側駆動回路901a、901b、データ信号側駆動回路901c、入出力端子部908、配線又は配線群917が備えられている。シールパターン940はゲート信号側駆動回路901a、901b、データ信号側駆動回路901c及び当該駆動回路部と入力端子とを接続する配線又は配線群917と一部が重なっていても良い。このようにすると、表示パネルの額縁領域画素部の周辺領域の面積を縮小させることができる。外部入力端子部には、FPC936が固着されている。さらに、本発明のTFTを用いてマイクロプロセッサ、メモリ、又はメディアプロセッサ/DSP等が形成されたチップが実装されていても良い。これらの機能回路は、画素部902、ゲート信号側駆動回路901a、901b、データ信号側駆動回路901cとは異なるデザインルールで形成されるものであり、具体的には1μm以下のデザインルールが適用される。実装の方法に限定はなくCOG方式等が適用されている。例えば、実施の形態3乃至5で示すTFTは画素部902のスイッチング素子として、さらにゲート信号側駆動回路901a、901b、データ信号側駆動回路901cを構成する能動素子として適用することができる。図19はは画素部902の一画素の構成を示す一例であり、TFT801~803が備えられている。これらは、画素に備える発光素子や液晶素子を制御するそれぞれスイッチング用、リセット用、駆動用のTFTである。これらのTFTの作製工程は図16乃至図19により示されている。尚、工程の詳細は実施の形態3と同様であり詳細な説明は省略する。図16は第2絶縁膜503と、それに開口部504、505を形成した段階を示している。図17では、開口部504、505を形成した後、非晶質半導体膜506を堆積し、それに線状に集光されたレーザー光507を照射して結晶性半導体膜508を形成する段階を示している。図18は第2絶縁膜503上にある結晶性半導体膜をエッチングにより選択的に除去し、開口部を充填する形で結晶性半導体膜でなる島状の半導体膜509、510が形成された状態を示している。さらに、ゲート絶縁膜図示せず及びゲート電極又はゲート配線514~516を形成する。開口部511~513は島状の半導体膜509、510がゲート電極又はゲート配線514~516と交差する位置に合わせて形成されるものである。これにより、実施の形態3と同様なゲート構造を得ることができる。その後、n型又はp型の不純物領域を形成し、絶縁膜を介して電源線819、その他各種配線820、821及び画素電極517を形成することにより、図19で示す画素構造を得ることができる。図20Aは図19におけるA-A線に対応する縦断面図を示している。さらに図20Bに示すように画素電極517を用いて有機発光素子を形成することができる。図20Bは発光素子33からの発光が基板側とは反対側に放射する形態上方放射型のを示している。配線520と接続する発光素子33の一方の電極である陰極を画素電極517で形成する。有機化合物層27は陰極側から電子注入輸送層、発光層、正孔注入輸送層の順で形成する。その上層側に形成される陽極29との間には薄い透光性の金属層28が設けられている。陽極29は酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム亜鉛IZOなど透光性導電膜を抵抗加熱蒸着法で形成する。この金属層28は陽極29を形成するに当たり、有機化合物層27にダメージがおよび、素子特性が悪化するのを防いでいる。その後形成する保護膜24、パッシベーション膜25はを形成する。有機化合物層21を低分子有機化合物で形成する場合には、銅フタロシアニンCuPcと芳香族アミン系材料であるMTDATA及びα-NPDで形成される正孔注入輸送層、トリス-8-キノリノラトアルミニウム錯体Alq3で形成される電子注入層兼発光層を積層させて形成することができる。Alq3は一重項励起状態からの発光蛍光を可能としている。輝度を高めるには三重項励起状態からの発光燐光を利用することが好ましい。この場合には、有機化合物層21としてフタロシアニン系材料であるCuPcと芳香族アミン系材料であるα-NPDで形成される正孔注入輸送層上に、カルバゾール系のCBPIrppy3を用いて発光層を形成し、さらにバソキュプロインを用いて正孔ブロック層、Alq3による電子注入輸送層を積層させた構造とすることもできる。上記二つの構造は低分子系有機化合物を用いた例であるが、高分子系有機化合物と低分子系有機化合物を組み合わせた有機発光素子を実現することもできる。例えば、有機化合物層21として陽極側から、高分子系有機化合物のポリチオフェン誘導体により正孔注入輸送層、α-NPDによる正孔注入輸送層、CBPIrppy3による発光層、BCPによる正孔ブロック層、Alq3による電子注入輸送層を積層させても良い。正孔注入層をPEDOTに変えることにより、正孔注入特性が改善され、発光効率を向上させることができる。いずれにしても、三重項励起状態かからの発光燐光は、一重項励起状態からの発光蛍光よりも発光効率が高く、同じ発光輝度を得るにも動作電圧有機発光素子を発光させるに要する電圧を低くすることが可能である。このように本発明を用いて有機発光素子を用いた表示パネルを作製することができる。また、ここでは例示しなかったが、液晶の電気光学特性を利用した表示パネルを作製することもできる。実施の形態11本実施の形態では、図1に示した第2絶縁膜202を形成するにあたって、ガラス基板をエッチングストッパーとして用い、第2絶縁膜202上に第1絶縁膜201に相当する絶縁膜を形成する例を示す。図26Aにおいて、まずガラス基板701上に酸化珪素又は酸窒化珪素で10~3000nm、好ましくは100~2000nmの厚さで所定の形状で開口部が形成された第2絶縁膜702を形成する。詳細は、実施の形態1と同様である。開口部の形成は、ウェットエッチングでもドライエッチングでも良いが、本実施例では、CHF3ガスを用いたドライエッチングを用いる。この場合、ガス流量は30~40sccm、反応圧力は2.7~4.0kPa、印加電力は500W、基板温度は20°Cとすれば良い。また、本実施の形態の場合、ガラス基板701としては、酸化珪素膜との選択比の高い材質例えば、コーニング社製1737ガラス基板等を用いることが好ましい。選択比が高ければ第2絶縁膜702の形成にあたって、ガラス基板701をそのままエッチングストッパーとして用いることが可能だからである。そして、第2絶縁膜702を形成したら、その上を窒化珪素、窒素含有量が酸素含有量よりも大きな酸窒化珪素またはこれらの積層でなる第1絶縁膜703で覆い、さらにその上に非晶質半導体膜704を形成して、図26Bの状態を得る。これら第1絶縁膜703及び非晶質半導体膜704の詳細については、実施の形態1の記載を参照すれば良い。図26B以降の工程は、実施の形態1に従えば良いのでここでの説明は省略する。本実施の形態によれば、ガラス基板701と第2絶縁膜702との選択比を十分高く確保することが可能であるため、第2絶縁膜702の開口部を形成する際のプロセスマージンが向上する。また、第2絶縁膜702の下端部におけるえぐれ等の問題も起こることがない。さらに、第2絶縁膜702を設けない部分は、ガラス基板上に窒化珪素膜、窒素含有量が酸素含有量よりも大きな酸窒化珪素またはこれらの積層膜という構成となるため、窒化アルミニウム等の特殊な絶縁膜を用いる必要がない。尚、本実施の形態は、実施の形態1~10のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。実施の形態12本発明を用いて様々な装置を完成させることができる。その一例は、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ受像器、携帯電話、投影型表示装置等が挙げられる。それらの一例を図24、図25に示す。図24は本発明を適用してテレビ受像器を完成させる一例であり、筐体3001、支持台3002、表示部3003等により構成されている。本発明により作製されるTFTは表示部3003の他に、各種論理回路、高周波回路、メモリ、マイクロプロセッサ、メディアプロセッサ、グラフィクス用LSIなど様々な集積回路をガラス上に形成し組み込むことができ、本発明によりテレビ受像器を完成させることができる。図24は本発明を適用してビデオカメラを完成させた一例であり、本体3011、表示部3012、音声入力部3013、操作スイッチ3014、バッテリー3015、受像部3016等により構成されている。本発明により作製されるTFTは表示部3012の他に、各種論理回路、高周波回路、メモリ、マイクロプロセッサ、メディアプロセッサ、グラフィクス用LSIなど様々な集積回路をガラス上に形成し組み込むことができ、本発明によりビデオカメラを完成させることができる。図24は本発明を適用してノート型のパーソナルコンピュータを完成させた一例であり、本体3021、筐体3022、表示部3023、キーボード3024等により構成されている。本発明により作製されるTFTは表示部3023の他、各種論理回路、高周波回路、メモリ、マイクロプロセッサ、メディアプロセッサ、グラフィクス用LSI、暗号LSIなど様々な集積回路をガラス上に形成し組み込むことができ、本発明によりパーソナルコンピュータを完成させることができる。図24は本発明を適用してPDAを完成させた一例であり、本体3031、スタイラス3032、表示部3033、操作ボタン3034、外部インターフェース3035等により構成されている。本発明により作製されるTFTは表示部3033の他、各種論理回路、高周波回路、メモリ、マイクロプロセッサ、メディアプロセッサ、グラフィクス用LSI、暗号LSIなど様々な集積回路をガラス上に形成し組み込むことができ、本発明によりPDAを完成させることができる。図24は本発明を適用して音響再生装置を完成させた一例であり、具体的には車載用のオーディオ装置であり、本体3041、表示部3042、操作スイッチ3043、3044等により構成されている。本発明により作製されるTFTは表示部3042の他、各種論理回路、高周波回路、メモリ、マイクロプロセッサ、メディアプロセッサ、グラフィクス用LSI、増幅回路など様々な集積回路をガラス上に形成し組み込むことができ、本発明によりオーディオ装置を完成させることができる。図24は本発明を適用してデジタルカメラを完成させた一例であり、本体3051、表示部3052、接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部3055、バッテリー3056等により構成されている。本発明により作製されるTFTは表示部3052および表示部3055の他、各種論理回路、高周波回路、メモリ、マイクロプロセッサ、メディアプロセッサ、グラフィクス用LSI、暗号LSIなど様々な集積回路をガラス上に形成し組み込むことができ、本発明によりデジタルカメラを完成させることができる。図24は本発明を適用して携帯電話を完成させた一例であり、本体3061、音声出力部3062、音声入力部3063、表示部3064、操作スイッチ3065、アンテナ3066等により構成されている。本発明により作製されるTFTは表示部3064の他、各種論理回路、高周波回路、メモリ、マイクロプロセッサ、メディアプロセッサ、グラフィクス用LSI、暗号LSI、携帯電話用LSIなど様々な集積回路をガラス上に形成し組み込むことができ、本発明により携帯電話を完成させることができる。図25Aはフロント型プロジェクターであり、投射装置2601、スクリーン2602等を含む。図25Bはリア型プロジェクターであり、本体2701、投射装置2702、ミラー2703、スクリーン2704等を含む。尚、図25Cは、図25A及び図25B中における投射装置2601、2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2801、ミラー2802、2804~2806、ダイクロイックミラー2803、プリズム2807、液晶表示装置2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成される。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図25C中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。また、図25Dは、図25C中における光源光学系2801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源2812、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で構成される。尚、図25Dに示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。尚、ここで示す装置はごく一例であり、これらの用途に限定するものではない。