"[A]下記式1で表される繰り返し単位Iを有する重合体成分、及び[B]感放射線性酸発生体を含有する感放射線性組成物。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R3は、単結合又は炭素数1~10の鎖状炭化水素基である。Xは、1価の有機基である。R4~R6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。但し、R4~R6の少なくとも1つは、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。また、R5及びR6のいずれかとR4とが互いに結合して炭素数5~20の環構造を形成してもよい。上記R5及びR6のいずれかとR4とが互いに結合して炭素数5~20の環構造を形成している請求項1に記載の感放射線性組成物。[A]重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、上記Xが互いに異なる繰り返し単位Iを有する請求項1又は請求項2に記載の感放射線性組成物。上記互いに異なるXが、電子吸引性基と脂環式基である請求項3に記載の感放射線性組成物。上記脂環式基が下記式2で表される基である請求項4に記載の感放射線性組成物。式2中、R7~R18は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~15の炭化水素基である。A1~A4は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~15の炭化水素基、又はホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子及び硫黄原子からなる群より選択される1種以上の原子を含む有機基である。mは、0~2の整数である。但し、mが2の場合、複数のR13~R18は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R7~R18及びA1~A4のいずれか複数の基が結合して脂環式構造を形成してもよい。は、上記式1におけるR3との結合部位を示す。[A]重合体成分の含有量が、全固形分の70質量以上である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性組成物。1請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜を露光する露光工程、及び3上記露光されたレジスト膜を現像する現像工程を含むパターン形成方法。上記現像工程が、上記露光されたレジスト膜を加熱する工程である請求項7に記載のパターン形成方法。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は感度等の基本特性を満足し、LWRを指標としたリソグラフィー特性に優れ、さらにはパターン裾部分に残渣を生じることなく良好な矩形性のパターン形状を有するパターンを形成することができる感放射線性組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される繰り返し単位Iを有する重合体成分以下、[A]重合体成分ともいう、及び[B]感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体ともいうを含有する感放射線性組成物である。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R3は、単結合又は炭素数1~10の鎖状炭化水素基である。Xは、1価の有機基である。R4~R6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。但し、R4~R6の少なくとも1つは、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。また、R5及びR6のいずれかとR4とが互いに結合して炭素数5~20の環構造を形成してもよい。本発明の感放射線性組成物は、上記式1で表される繰り返し単位Iを有する[A]重合体成分を含有する。上記繰り返し単位Iは、ビニルエーテル誘導体由来の構造と、アルデヒド誘導体由来の構造とからなる。[A]重合体成分は、アセタール構造を含む上記特定構造を有することで、露光により[B]酸発生体から発生する酸の作用により、重合体主鎖及び側鎖部分の分解が起こる。その結果、このような[A]重合体成分を含有する当該感放射線性組成物は、感度等の基本特性を満足し、LWR等を指標としたリソグラフィー特性に優れ、さらにはパターン裾部分に残渣を生じることなく良好な矩形性のパターン形状のパターンを形成することができる。さらには、現像液を用いた現像操作を要することなく所望のパターンを形成することも可能であり、プロセス廃液を大幅に削減することによる環境負荷低減が達成できる。上記R5及びR6のいずれかとR4とが互いに結合して炭素数5~20の環構造を形成しているとよい。繰り返し単位Iを構成するアルデヒド誘導体由来の構造が脂環式基、芳香族基等の環構造を有することで、当該感放射線性組成物を用いて得られるパターンは、残渣が少なくLWR及びパターン形状に優れる。[A]重合体成分は、同一又は異なる重合体中に、上記Xが互いに異なる繰り返し単位Iを有することが好ましい。[A]重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、上記Xが互いに異なる繰り返し単位Iを有することで、当該感放射線性組成物は、感度を満足すると共に、得られるパターンのLWR及びパターン形状をより優れたものとすることができる。さらに、エッチング耐性にも優れる。上記互いに異なるXは、電子吸引性基と脂環式基であることが好ましい。上記式1のXが電子吸引性基であること、即ち繰り返し単位Iを与える単量体のひとつであるビニルエーテル誘導体が電子吸引性基を有することで、アルデヒド誘導体との重合が促進され、重合体中の繰り返し単位Iの含有率を向上させることができる。また、[A]重合体成分が、上記Xが脂環式基である繰り返し単位Iをさらに有することで、当該感放射線性組成物は、感度を満足すると共に、得られるパターンに十分なエッチング耐性を付与することができる。上記脂環式基は下記式2で表される基であることが好ましい。式2中、R7~R18は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~15の炭化水素基である。A1~A4は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~15の炭化水素基、又はホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子及び硫黄原子からなる群より選択される1種以上の原子を含む有機基である。mは、0~2の整数である。但し、mが2の場合、複数のR13~R18は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R7~R18及びA1~A4のいずれか複数の基が結合して脂環式構造を形成してもよい。は、上記式1におけるR3との結合部位を示す。上記脂環式基が、上記特定構造を有することで、当該感放射線性組成物は、感度を十分満足すると共に、得られるパターンのLWR及びパターン形状をより優れたものとすることができる。[A]重合体成分の含有量は、全固形分の70質量以上であることが好ましい。当該感放射線性組成物は、[A]重合体成分を全固形分の70質量以上含有することで、感度を十分満足すると共に、得られるパターンに十分なエッチング耐性を付与することができる。本発明のパターン形成方法は、1本発明の感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜を露光する露光工程、及び3上記露光されたレジスト膜を現像する現像工程を含む。本発明のパターン形成方法によると、残渣が少なくLWR及びパターン形状に優れるパターンを形成することができる。上記現像工程は、上記露光されたレジスト膜を加熱する工程であることが好ましい。本発明のパターン形成方法によると、現像液を用いた現像操作を要することなく、加熱するのみで所望のパターンを形成することも可能であり、プロセス廃液を大幅に削減することによる環境負荷低減が達成できる。本発明の感放射線性組成物は、感度等の基本特性を満足し、LWRを指標としたリソグラフィー特性に優れ、さらにはパターン裾部分に残渣を生じることなく良好な矩形性のパターン形状を有するパターンを形成することができる。また、本発明の感放射線性組成物を用いると、現像液を用いない加熱による現像工程を選択することが可能となるため、環境負荷を低減することもできる。<感放射線性組成物>当該感放射線性組成物は、[A]重合体成分及び[B]酸発生体を含有する。また、本発明の効果を損なわない限りその他の成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体成分>[A]重合体成分は、上記式1で表される繰り返し単位Iを有する。上記繰り返し単位Iは、ビニルエーテル誘導体由来の構造と、アルデヒド誘導体由来の構造とからなる。[A]重合体成分は、アセタール構造を含む上記特定構造を有することで、露光により[B]酸発生体から発生する酸の作用により、重合体主鎖及び側鎖において分解が起こる。即ち、繰り返し単位Iは、上記式1におけるR1が結合する炭素原子に、2つの酸素原子が結合する構造を有するため、上記酸の作用により、この炭素原子と酸素原子との結合が切れ、カルボニル化合物及びアルコールとなる。その結果、露光部において、[A]重合体成分は、モノマーレベルの低分子の分解物となり、加熱のみでも分解物を蒸発除去させることが可能となる。このような[A]重合体成分を含有する当該感放射線性組成物は、感度等の基本特性を満足し、LWRを指標としたリソグラフィー特性に優れ、さらにはパターン裾部分に残渣を生じることなく良好な矩形性のパターン形状のパターンを形成することができる。さらには、現像液を用いた現像操作を要することなく所望のパターンを形成することも可能である。なお、本発明の効果を損なわない限り、[A]重合体成分は、その他の繰り返し単位を有することができる。以下、繰り返し単位I及びその他の繰り返し単位について説明する。[繰り返し単位I]繰り返し単位Iは、上記式1で表される。上記式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R3は、単結合又は炭素数1~10の鎖状炭化水素基である。Xは、1価の有機基である。R4~R6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。但し、R4~R6の少なくとも1つは、炭素数1~10の鎖状炭化水素基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。また、R5及びR6のいずれかとR4とが互いに結合して炭素数5~20の環構造を形成してもよい。なお、繰り返し単位Iは、上記式1で表されるようにビニルエーテル誘導体由来の構造と、アルデヒド誘導体由来の構造とからなる。それぞれの構造について、順に説明する。ビニルエーテル誘導体由来の構造上記式1で表される繰り返し単位の、ビニルエーテル誘導体由来の構造について説明する。上記式1中、上記R3で表される炭素数1~10の鎖状炭化水素基としては、例えばメチレン基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基等が挙げられる。これらのうち、メチレン基、エタンジイル基、プロパンジイル基が好ましい。上記式1中、Xで表される1価の有機基としては、例えば電子吸引性基、脂環式基、酸解離性基、鎖状炭化水素基、複素環基等が挙げられる。上記Xで表される1価の有機基としての電子吸引性基としては、例えばハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、脂環式炭化水素基置換オキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、スルホン酸エステル基、オキソアルキル基等が挙げられる。上記アシル基としては、例えばホルミル基、アセチル基、プロピオニル基等の炭素数1~10の脂肪族アシル基、脂環式アシル基、芳香族アシル基等が挙げられる。上記アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2~10のアルコキシカルボニル基等が挙げられる。上記アリールオキシカルボニル基としては、例えばフェニルオキシカルボニル基等の炭素数7~11のアリールオキシカルボニル基等が挙げられる。上記脂環式炭化水素基置換オキシカルボニル基としては、例えばシクロへキシルオキシカルボニル基等の炭素数5~15の脂環式炭化水素置換オキシカルボニル基等が挙げられる。上記アラルキルオキシカルボニル基としては、例えばベンジルオキシカルボニル基等の炭素数8~12のアラルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。上記アルキルスルホニル基としては、例えば炭素数1~10のアルキルスルホニル基等が挙げられ、これらのうち炭素数1~6のアルキルスルホニル基が好ましい。上記スルホン酸エステル基としては、例えば炭素数1~10のスルホン酸エステル基等が挙げられ、これらのうち、炭素数1~6のスルホン酸エステル基が好ましい。上記オキソアルキル基としては、例えばオキソエチル基、オキソブチル基、オキソへキシル基等が挙げられる。上記電子吸引性基としては、これらのうち、塩素原子等のハロゲン原子が好ましい。上記Xで表される1価の有機基としての脂環式基は、単環の脂環式基であっても多環の脂環式基であってもよい。これらのうち、上記式2で表される基が好ましい。上記式2中、R7~R18は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~15の炭化水素基である。A1~A4は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~15の炭化水素基、又はホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子及び硫黄原子からなる群より選択される1種以上の原子を含む有機基である。mは、0~2の整数である。但し、mが2の場合、複数のR13~R18は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R7~R18、A1~A4のいずれか複数の基が結合して脂環式構造を形成してもよい。は、上記式1におけるR3との結合部位を示す。上記R7~R18で表される炭素数1~15の炭化水素基としては、例えば炭素数1~15の直鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数3~15の脂環式基、炭素数6~15の芳香族炭化水素基等が挙げられる。なお、上記炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐状の炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-へキシル基、i-へキシル基等が挙げられる。上記炭素数3~15の脂環式基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等が挙げられる。上記炭素数6~15の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記ホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子及び硫黄原子からなる群より選択される1種以上の原子を含む有機基としては、例えばラクトン環、環状カーボネート、スルトン環、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環等を含む基等が挙げられる。上記R7~R18、A1~A4のいずれか複数の基が結合して形成してもよい脂環式構造としては、例えば単環の脂環式基、多環の脂環式基等が挙げられる。これらのうち、3~8員環である脂環式基が好ましい。上記式2で表される脂環式基としては、例えば下記式2-1~2-6で表される基等が挙げられる。これらのうち、上記式2-1で表される基が好ましい。上記Xで表される1価の有機基としての酸解離性基としては、[B]酸発生体が発生する酸の作用により解離する基を含む基であれば特に限定されないが、例えば下記式で表される基等が挙げられる。式3中、R19~R21は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式基である。但し、R19及びR20は互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に2価の脂環式基を形成していてもよい。また、上記アルキル基及び脂環式基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記式で表される酸解離性基のうち、下記式3-1~3-8で表される基が好ましい。上記Xで表される1価の有機基としての鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-へキシル基、i-へキシル基等が挙げられる。これらのうち、i-ブチル基が好ましい。上記Xで表される1価の有機基としての複素環基としては、例えばラクトン基、スルトン基、環状カーボネート基等が挙げられる。これらのうち、ラクトン基が好ましく、δバレロラクトン基がより好ましい。上記式1中、Xで表される1価の有機基としては、電子吸引性基、脂環式基、酸解離性基、鎖状炭化水素基が好ましい。[A]重合体成分は、同一又は異なる重合体中に、上記Xが互いに異なる繰り返し単位Iを有することが好ましい。[A]重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、上記Xが互いに異なる繰り返し単位Iを有することで、当該感放射線性組成物は、感度を満足すると共に、得られるパターンのLWR及びエッチング耐性等のレジスト特性の制御性を向上させることができる。なお、互いに異なる上記Xとしては、電子吸引性基、脂環式基、酸解離性基、鎖状炭化水素基及び複素環基からなる群より選択される複数の基であることが好ましく、これらのうち電子吸引性基と脂環式基との組み合わせ、電子吸引性基と複素環基との組み合わせ、酸解離性基と鎖状炭化水素基との組み合わせがより好ましく、電子吸引性基と脂環式基との組み合わせがさらに好ましい。アルデヒド誘導体由来の構造上記式1で表される繰り返し単位の、アルデヒド誘導体由来の構造について説明する。上記式1中、R4~R6で表される炭素数1~10の鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基等が挙げられる。上記式1中、R4~R6で表される炭素数6~20の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R5及びR6のいずれかとR4とが互いに結合して形成してもよい炭素数5~20の環構造としては、例えば下記式4-1~4-10で表される基等が挙げられる。上記式4-1~4-10中、は、上記式1において重合体主鎖に結合する部位を示す。アルデヒド誘導体由来の構造としては、上記式1におけるR5及びR6のいずれかとR4とが互いに結合して環構造を形成している構造が好ましく、上記環構造が上記式4-5、4-8で表される基であることがより好ましく、上記環構造が上記式4-8で表される基であることがさらに好ましい。繰り返し単位Iは、ビニルエーテル誘導体及びアルデヒド誘導体を後述する合成方法に従って共重合させることにより得られる。ビニルエーテル誘導体としては、例えば2-クロロエチルビニルエーテル、2-ブロモエチルビニルエーテル、3-クロロプロピルビニルエーテル、3-ブロモプロピルビニルエーテル、2-シアノエチルビニルエーテル、2-メトキシカルボニルエチルビニルエーテル、2-エトキシカルボニルエチルビニルエーテル、2-フェノキシカルボニルエチルビニルエーテル、2-ベンジルオキシカルボニルエチルビニルエーテル、3-オキソブチルビニルエーテル等の電子吸引性基を有するビニルエーテル類;下記式1-1~1-20で表される脂環式基を有するビニルエーテル類;下記式1-21~1-26で表される酸解離性基を有するビニルエーテル類;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、n-プロピルビニルエーテル、i-プロピルビニルエーテル、n-ブチルビニルエーテル、sec-ブチルビニルエーテル、tert-ブチルビニルエーテル、i-ブチルビニルエーテル、メチルプロペニルエーテル、エチルプロペニルエーテル等の鎖状炭化水素基を有するビニルエーテル類;γ-ブチロラクトン、δ-バレロラクトン等の複素環基を有するビニルエーテル類等が挙げられる。これらのうち、電子吸引性基を有する2-クロロエチルビニルエーテル、脂環式基を有する上記式1-1で表されるビニルエーテル、酸解離性基を有する上記式1-22で表されるビニルエーテルが好ましい。アルデヒド誘導体としては、例えばベンズアルデヒド、2-メチルベンズアルデヒド、3-メチルベンズアルデヒド、4-メチルベンズアルデヒド、2-エチルベンズアルデヒド、3-エチルベンズアルデヒド、4-エチルベンズアルデヒド、2-イソプロピルベンズアルデヒド、3-イソプロピルベンズアルデヒド、4-イソプロピルベンズアルデヒド、2-t-ブチルベンズアルデヒド、3-t-ブチルベンズアルデヒド、4-t-ブチルベンズアルデヒド、2,3-ジメチルベンズアルデヒド、2,4-ジメチルベンズアルデヒド、2,5-ジメチルベンズアルデヒド、2,6-ジメチルベンズアルデヒド、2-ナフタルデヒド、メシタルデヒド、3-フェニルベンズアルデヒド、9-アントラセンカルバルデヒド、9-メチル-10-アントラアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、2,2‘-ビフェニルカルボキシアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、5-ホルミルインダン、p-クロロベンズアルデヒド、m-メトキシベンズアルデヒド、4-フェノキシベンズアルデヒド、シンナムアルデヒド等の芳香族アルデヒド類;、ペリルアルデヒド、3―ホルミルインドールー5-カルボン酸メチルエステル、3-クロモンカルバルデヒド、β-シクロシトラール、ミルテナール、5-メトキシ-2H-クロメン-3-カルバルデヒド、6-メトキシクロメン-3-カルバルデヒド、イソベレラール、6,8-ジメチル-4-オキソ-4H-1-ベンゾピラン-3-カルボキシアルデヒド、オフィオボリンA等の脂環式アルデヒド類等が挙げられる。これらのうち、ビニルエーテル誘導体類との共重合性、酸分解物の有害性などの観点から、ベンズアルデヒド、シンナムアルデヒド、β-シクロシトラール、ミルテナール、ペリルアルデヒドが好ましい。繰り返し単位Iとしては、例えば下記式I-1~I-14で表される繰り返し単位等が挙げられる。上記式I-1~I-14中、R1及びR2は、上記式1と同義である。これらのうち、上記式I-1~I-8及びI-14で表される繰り返し単位が好ましく、上記式I-1~I-3、I-8及びI-14で表される繰り返し単位がより好ましい。[A]重合体成分において、繰り返し単位Iが連続して配列されている部分が多いことが好ましい。即ち、[A]重合体成分において、上記ビニルエーテル誘導体とアルデヒド誘導体とが交互共重合している部分が多いことが好ましい。繰り返し単位Iが連続して配列されている部分が多いと、[B]酸発生体から発生する酸の作用で起こる重合体主鎖及び側鎖部分の分解により、モノマーレベルの低分子にまで分解が進む領域が増大するからである。[A]重合体成分において、繰り返し単位Iの含有率は、70モル以上100モル以下が好ましく、80モル以上100モル以下がより好ましく、90モル以上100モル以下がさらに好ましい。繰り返し単位Iの含有率を上記範囲とすることで、[B]酸発生体から発生する酸の作用で起こる重合体側鎖部分及び重合体主鎖部分の分解が高頻度で起こり、当該感放射線性組成物は、LWR等を指標としたリソグラフィー特性に優れ、さらにはパターン裾部分に残渣を生じることなく良好な矩形性のパターン形状を有するパターンを形成することができる。なお、[A]重合体成分は、繰り返し単位Iを1種、又は2種以上有してもよい。[その他の繰り返し単位]繰り返し単位Iと併用出来る繰り返し単位としては、カチオン重合可能な単量体成分由来の繰り返し単位であれば特に限定されない。上記カチオン重合可能な単量体成分としては、例えば脂肪族オレフィン類、芳香族ビニル類、ジエン類、シラン類、δバレロラクトン、εカプロラクトン、ビニルカルバゾール、β-ピネン、アセナフチレン等の単量体等が挙げられる。これらの単量体は、1種又は2種以上組み合わせて使用することができる。上記脂肪族オレフィン系単量体としては、例えばエチレン、プロピレン、1-ブテン、2-メチル-1-ブテン、3-メチル-1-ブテン、ペンテン、ヘキセン、シクロヘキセン、4-メチル-1-ペンテン、ビニルシクロヘキセン、オクテン、ノルボルネン等が挙げられる。上記芳香族ビニル系単量体としては、例えばスチレン、o-、m-又はp-メチルスチレン、α-メチルスチレン、β-メチルスチレン、2,6-ジメチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、α-メチル-o-メチルスチレン、α-メチル-m-メチルスチレン、α-メチル-p-メチルスチレン、β-メチル-o-メチルスチレン、β-メチル-m-メチルスチレン、β-メチル-p-メチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、α-メチル-2,6-ジメチルスチレン、α-メチル-2,4-ジメチルスチレン、β-メチル-2,6-ジメチルスチレン、β-メチル-2,4-ジメチルスチレン、o-、m-又はp-クロロスチレン、2,6-ジクロロスチレン、2,4-ジクロロスチレン、α-クロロ-o-クロロスチレン、α-クロロ-m-クロロスチレン、α-クロロ-p-クロロスチレン、β-クロロ-o-クロロスチレン、β-クロロ-m-クロロスチレン、β-クロロ-p-クロロスチレン、2,4,6-トリクロロスチレン、α-クロロ-2,6-ジクロロスチレン、α-クロロ-2,4-ジクロロスチレン、β-クロロ-2,6-ジクロロスチレン、β-クロロ-2,4-ジクロロスチレン、o-、m-又はp-t-ブチルスチレン、o-、m-又はp-メトキシスチレン、o-、m-又はp-クロロメチルスチレン、o-、m-又はp-ブロモメチルスチレン、シリル基で置換されたスチレン誘導体、インデン、ビニルナフタレン等が挙げられる。上記ジエン系単量体としては、例えばブタジエン、イソプレン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、ジシクロペンタジエン、ジビニルベンゼン、エチリデンノルボルネン等が挙げられる。シラン化合物としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、ジビニルジクロロシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジメチルシラン、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、トリビニルメチルシラン、γ-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。<[A]重合体成分の合成方法>[A]重合体成分は、公知のリビングカチオン重合法により合成できる。上記重合法に用いられる触媒系としては、カチオン重合をリビング的に進行させるものであれば特に制限されないが、例えば重合開始剤としてのHI及びルイス酸としてのI2を用いる系特開昭60-228509号公報参照;重合開始剤としてのプロトン酸、ルイス酸としての有機アルミニウム化合物及びルイス塩基としてのエーテル系化合物を用いる系、重合開始剤としてのプロトン酸、ルイス酸としての有機アルミニウム化合物及びルイス塩基としてのエステル系化合物を用いる系等の、プロトン酸と添加剤とを組み合わせた触媒系特許第3096494号明細書、特公平7-2805号公報、特開昭62-257910号公報、特開平1-108202号公報及び特開平1-108203号公報参照等が挙げられる。これらの触媒系のうち、特に工業的に装置の腐食対策等のコスト低減が可能な点から、重合開始剤としてのプロトン酸、ルイス酸としての有機アルミニウム化合物及びルイス塩基としてのエーテル系化合物を用いる系、重合開始剤としてのプロトン酸、ルイス酸としての有機アルミニウム化合物及びルイス塩基としてのエステル系化合物を用いる系等の、プロトン酸と添加剤とを組み合わせた触媒系が好ましい。上記触媒系に用いられるルイス塩基、ルイス酸及び重合開始剤の具体例を以下に示す。[A]重合体成分の合成におけるリビングカチオン重合に用いることができるルイス塩基としては、例えばピリジン系化合物、ピリジン系化合物以外のアミン系化合物、エステル系化合物、エーテル系化合物、チオエーテル系化合物、ホスフィン系化合物、スルホキシド系化合物、金属原子に結合した酸素原子を有する金属化合物等が挙げられる。これらのうち、弱いルイス塩基であるエステル系化合物、エーテル系化合物が好ましい。上記ピリジン系化合物としては、例えば2-メチルピリジン、3-メチルピリジン、3,5-ジメチルピリジン、2,6-ジメチルピリジン、2,6-ジ-t-ブチルピリジン、2-メチルピラジン等が挙げられる。上記ピリジン系化合物以外のアミン系化合物としては、例えばトリエチルアミン、トリフェニルアミン、1-メチルピロリジン、1-メチルピペリジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N,N,N’,N’-テトラアセチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルアセトアミド等が挙げられる。上記エステル系化合物としては、例えばギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸フェニル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の脂肪族モノカルボン酸エステル;安息香酸メチル、安息香酸エチル、エチル-p-アニセート等の芳香族モノカルボン酸エステル;クロロギ酸メチル、クロロギ酸エチル、クロロ酢酸メチル、クロロ酢酸エチル、ジクロロ酢酸エチル、トリクロロ酢酸エチル、トリフルオロ酢酸エチル等のハロゲン化脂肪族モノカルボン酸エステル;フタル酸ジメチル等のフタル酸ジアルキル;マレイン酸ジエチル等のマレイン酸ジアルキル;無水イソバレリン酸、アセト酢酸-n-アミル等が挙げられる。これらのうち、脂肪族モノカルボン酸エステル、ハロゲン化脂肪族モノカルボン酸エステルが好ましい。上記エーテル系化合物としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、1,2-ジメトキシエタン、4-メトキシ-4-メチル-3-ペンタノン等の鎖状エーテル;テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン等の環状エーテル等が挙げられる。これらのうち、環状エーテルが好ましい。上記チオエーテル系化合物としては、例えばテトラヒドロチオフェン、テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド等が挙げられる。上記ホスフィン系化合物としては、例えばトリアルキルホスフィン、トリアルキルホスフィンオキシド等が挙げられる。ルイス塩基の使用量としては、反応原料として用いるアルデヒド類、ビニルエーテル化合物の種類によっても異なるが、通常、アルデヒド類1モルに対して、0.001モル~100モルであり、0.1モル~25モルが好ましく、1モル~5モルがより好ましい。添加量が多過ぎると重合速度が遅くなり目的とする重合体を得るのに長時間かかり好ましくない。また、添加量が少なすぎると、その効果を発揮できず、重合挙動や末端官能化率が制御されなくなる場合がある。[A]重合体成分の合成におけるリビングカチオン重合に用いることができるルイス酸としては、例えば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム等の周期表4族元素、鉄等の同8族元素、亜鉛等の同12族元素、アルミニウム、ガリウム、インジウム等の同13族元素、ケイ素、ゲルマニウム、スズ等の同14族元素、ビスマス等の同15族元素のハロゲン化物、ルイス酸性を示す固体酸等が挙げられる。上記ハロゲン化物としては、例えばFeCl3、SnCl4、GaCl3、TiCl4、TiBr4、BCl3、BF3、SnCl4、SbCl5、SbF5、WCl6、TaCl5、VCl5、FeCl3、ZnBr2、AlCl3、AlBr3等の金属ハロゲン化物、Et2AlCl、EtAlCl2等の有機金属ハロゲン化物等が挙げられる。上記固体酸としては、例えばシリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化インジウム等の金属酸化物、ヘテロポリ酸、担持ハロゲン化金属等が挙げられる。これらのうち、上記ルイス酸としては、重合制御性に優れるという観点から、鉄、スズ、ガリウムのハロゲン化物が好ましく、鉄、スズ、ガリウムの塩化物がより好ましい。上記ルイス酸の使用量は、使用する単量体の重合特性、重合濃度等に鑑みて設定することができる。プロトン酸等の重合開始剤を用いない場合のルイス酸の使用量としては、単量体1モルに対して、通常0.1モル~100モルであり、1モル~60モルが好ましい。プロトン酸等の重合開始剤を用いる場合のルイスさんの使用量としては、アルデヒド類1モルに対して、通常0.0001~0.1モルであり、0.0005~0.05モルが好ましく、0.001~0.02モルがより好ましい。[A]重合体成分の合成におけるリビングカチオン重合に用いることができる重合開始剤としては、例えばプロトン酸、カチオン源となる化合物等が挙げられる。上記プロトン酸としては、例えば塩化水素等の鉱酸;酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸;メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等のスルホン酸等が挙げられる。これらのうち、環状三量体の副生抑止効果、生長種の安定化効果等の点でエタンスルホン酸等のスルホン酸が好ましい。上記カチオン源となる化合物としては、例えばハロゲン化トリメチルシリル、ビニルエーテルの二重結合にハロゲン化水素が付加した化合物等が挙げられる。これらのうち、トリメチルシリルアイオダイド、ビニルエーテルの二重結合に塩化水素が付加した化合物が好ましい。プロトン酸の使用量は、アルデヒド類1モルに対して、通常0.0001~0.1モルであり、0.0005~0.05モルが好ましく、0.001~0.02モルがより好ましい。リビングカチオン重合反応は適当な有機溶媒の存在下で行うことが好ましいが、非存在下で行ってもよい。上記有機溶媒としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;プロパン、n-ブタン、イソブタン、n-ペンタン、イソペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、イソオクタン、デカン、ヘキサデカン等の脂肪族炭化水素系溶媒;塩化メチレン、塩化エチレン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフランTHF、エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒が挙げられる。これらのうち、トルエン、塩化メチレン、THFが好ましい。上記有機溶媒は、単独又は2種以上を組み合わせて使用してもよい。リビングカチオン重合反応における重合温度は使用する重合開始剤、モノマー、溶媒の種類等により異なるが、通常-80~150°Cであり、-50~100°Cが好ましく、-20~80°Cがより好ましい。重合時間は使用する重合開始剤、モノマー、溶媒、反応温度等により異なるが、通常10分~100時間程度である。また、重合反応はバッチ式、連続式のいずれの方法でも好適に行うことができる。重合の停止は、メタノール等の低級アルコール、又は必要に応じてアンモニア、アミン等の塩基性化合物を極少量加えた低級アルコール溶液を添加することにより行う。生成物から、メタノール等による再沈殿法、薄膜蒸発法、カラム吸着法等によって未反応モノマー、溶媒、触媒を除くことにより[A]重合体成分が得られる。[A]重合体成分の含有量は、当該感放射線性組成物の全固形分の70質量以上であることが好ましく、80質量以上がより好ましく、85質量以上がさらに好ましい。[A]重合体成分の含有量を、上記範囲とすることで、当該感放射線性組成物はLWR及びパターン形状に優れるパターンを形成することができる。[A]重合体成分のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1,000以上500,000以下が好ましく、2,000以上400,000以下がより好ましい。なお、[A]重合体のMwが1,000未満であると、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向がある。一方、[A]重合体のMwが500,000を超えると、レジストとしたときの感度が低下する傾向がある。[A]重合体成分のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい。Mw/Mnをこのような範囲とすることで、フォトレジスト膜が解像性能に優れたものとなる。なお、本明細書のMw及びMnは、GPCカラム東ソー製、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した値をいう。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、レジストパターン形成の一工程である露光工程において、マスクを通過した光によって酸を発生する化合物である。当該感放射線性組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の態様以下、この態様を[B]酸発生剤ともいうでも、重合体の一部として組み込まれた態様でも、これらの両方の態様でもよい。[B]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、ジアゾメタン化合物等が挙げられる。これらの[B]酸発生剤のうち、遠紫外線、X線、荷電粒子線、EUVを用いるサブミクロン以下の微細パターン形成においては、感度、低汚染性の観点からオニウム塩化合物が好ましく、可視光、紫外光を用いるミクロン以上のパターン形成においては、コスト、パターン物性の観点からハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物を主に用いることが好ましい。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート及びトリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートが好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。これらのうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。これらのうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。これらのうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。ハロゲン含有化合物としては、例えばハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等が挙げられる。これらのうち、1,10-ジブロモ-n-デカン、1,1-ビス4-クロロフェニル-2,2,2-トリクロロエタン、フェニル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン、4-メトキシフェニル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン、スチリル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン、ナフチル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン、2-[2-5-メチルフラン-2-イルエテニル]-4,6-ビス-トリクロロメチル-s-トリアジン等のs-トリアジン誘導体が好ましい。ジアゾケトン化合物としては、例えば1,3-ジケト-2-ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等が挙げられる。これらの具体例としては、フェノール類の1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル化合物等が挙げられる。スルホン化合物としては、例えばβ-ケトスルホン化合物、β-スルホニルスルホン化合物、これらの化合物のα-ジアゾ化合物等が挙げられる。これらの具体例としては、4-トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビスフェナシルスルホニルメタン等が挙げられる。スルホン酸化合物としては、例えばアルキルスルホン酸エステル類、ハロアルキルスルホン酸エステル類、アリールスルホン酸エステル類、イミノスルホネート類等が挙げられる。これらのうち、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、o-ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、o-ニトロベンジルp-トルエンスルホネートが好ましい。ジアゾメタン化合物としては、例えばビストリフルオロメチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。これらの[B]酸発生剤は、発生する酸の酸強度が強い方が酸解離性基の解離反応、アセタール骨格の分解反応が生じやすく、酸の構造サイズが小さい方がレジスト膜中を拡散しやすいことが知られており、これらも加味して適宜選択して用いることができる。なお、[B]酸発生剤は、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。また、[B]酸発生体が剤である場合の使用量としては、当該感放射線性組成物により形成されるレジスト塗膜の感度及びリソグラフィー性能を確保する観点から、[A]重合体成分100質量部に対して、0.01質量部以上25質量部以下が好ましく、0.1質量部以上20質量部以下がより好ましい。<その他の任意成分>当該感放射線性組成物に含有されてもよいその他の任意成分としては、[C]酸拡散制御剤、[D]フッ素原子を含有する重合体、[E]添加剤、溶媒、脂環式骨格含有化合物、界面活性剤、増感剤等を挙げることができる。以下、各成分について詳述する。<[C]酸拡散制御剤>当該感放射線性組成物は、[C]酸拡散制御剤をさらに含有することが好ましい。この[C]酸拡散制御剤は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、未露光領域における好ましくない化学反応を抑制するものである。このような[C]酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間PEDの変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。[C]酸拡散制御剤としては、例えば、N-t-アルコキシカルボニル基を有する窒素含有化合物が好ましく用いられる。具体的には、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、S---1-t-アミロキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-アミロキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-アミロキシカルボニルピロリジン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-アミロキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-アミロキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-アミロキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-アミロキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-t-アミロキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、等の化合物が挙げられる。また、[C]酸拡散制御剤としては、上記化合物以外にも、例えば、3級アミン化合物、4級アンモニウムヒドロキシド化合物、含窒素複素環化合物等の含窒素化合物が用いられる。3級アミン化合物としては、例えば、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、2,6-ジメチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類;トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン等のアルカノールアミン類;N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼンテトラメチレンジアミン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル等が挙げられる。4級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、例えばテトラ-n-プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えば2-フェニル-ベンゾイミダゾール等が挙げられる。さらに、[C]酸拡散制御剤としては、露光により分解して酸拡散制御性としての塩基性を失うオニウム塩化合物を用いることもできる。このようなオニウム塩化合物の具体例としては、下記式5-1で表されるスルホニウム塩化合物、および下記式5-2で表されるヨードニウム塩化合物を挙げることができる。上記式5-1及び式5-2におけるR22~R26は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子である。また、Anb-は、OH-、R27-COO-、R27-SO3-但し、R27は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、又はアルカノール基である。、又は下記式5で表されるアニオンを表す。上記スルホニウム塩化合物およびヨードニウム塩化合物の具体例としては、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチレート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート等を挙げることができる。[C]酸拡散制御剤は、遠紫外線、X線、荷電粒子線、EUVを用いるサブミクロン以下の微細パターン形成においては、感度、低揮発性の観点からN-t-アルコキシカルボニル基を有する窒素含有化合物、オニウム塩化合物が好ましく、可視光、紫外光を用いるミクロン以上のパターン形成においては、コスト、パターン物性の観点から3級アミン化合物、4級アンモニウムヒドロキシド化合物、含窒素複素環化合物を主に用いることが好ましい。なお、[C]酸拡散制御剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。[C]酸拡散制御剤の含有割合としては、[A]重合体成分100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、0.1質量部以上8質量部以下がより好ましい。使用量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。<[D]フッ素原子を含む重合体>当該感放射線性組成物は、[D]フッ素原子を含む重合体以下、[D]重合体ともいうをさらに含有できる。[D]重合体はフッ素原子を含む重合体であり、[A]重合体成分よりフッ素原子含有率が高いことが好ましい。当該感放射線性組成物が[D]重合体を含有することで、レジスト膜の疎水性が向上し液浸露光を行った場合においても物質溶出抑制に優れ、また、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分に高くでき、高速でスキャン露光した場合に水滴が残らない等の効果を奏する。このため、液浸露光用の材料としての有用性があり、[D]重合体は本発明の感放射線性組成物の1成分として含有させるのみならず、フォトレジスト膜上に[D]重合体を単体で成膜することでも同様の疎水性向上効果を発現することができる。[D]重合体の態様としては、例えば主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造が挙げられる。主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばノルボルネン等の脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの、アクリル酸又はメタクリル酸の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物の側鎖をフッ素化アルキル基やその誘導体で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換し、かつ側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。なお、脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。[D]重合体の含有割合としては、[A]重合体成分100質量部に対して、1質量部~15質量部が好ましく、2質量部~10質量部がより好ましい。<溶媒>当該感放射線性組成物は、通常溶媒を含有する。溶媒としては、少なくとも[A]重合体成分、[B]酸発生体及びその他の成分を溶解可能な溶媒であれば特に限定されない。溶媒としては、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒、炭化水素系溶媒等を用いることができる。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、テトラヒドロフラン等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-i-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-i-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、δ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、i-ペンタン、n-ヘキサン、i-ヘキサン、n-ヘプタン、i-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、i-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、i-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、i-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-i-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[脂環式骨格化合物]脂環式骨格化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環式骨格化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-[2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチル]テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。[界面活性剤]界面活性剤は塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名として、KP341信越化学工業製、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学製、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ製、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子製等が挙げられる。[増感剤]増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを[B]酸発生体に伝達しそれにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。<感放射線性組成物の調製方法>当該感放射線性組成物は、例えば上記溶媒中で[A]重合体成分、[B]酸発生体及びその他の任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。当該感放射線性組成物は通常、その使用に際して、全固形分濃度が1質量~30質量、好ましくは1.5質量~25質量となるように溶媒に溶解した後、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって、調製される。<パターンの形成方法>本発明の感放射線性組成物を用いたレジストパターンの形成方法について以下に説明する。本発明の感放射線性組成物を用いたレジストパターンの形成方法は、1当該感放射線性組成物のレジスト膜を基板上に形成する工程以下、工程1ともいう、2上記レジスト膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程以下、工程2ともいう、及び3上記放射線が照射されたレジスト膜を現像する工程以下、工程3ともいうを有する。以下、各工程を詳述する。当該パターン形成方法によると、当該感放射線性組成物を用いるため、特にパターン裾の残渣が少なく、LWRも低減された矩形性に優れたパターンを与えることができる。従って、i線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV等の放射線であっても、当該感放射線性組成物から微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、今後更に微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用に好適に用いることができる。[工程1]本工程では、当該感放射線性組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布、インクジェット塗布等の塗布手段によって、シリコンウエハー、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウエハー、ガラス等の基板上に所定の膜厚となるように塗布し、場合によっては通常70°C~160°C程度の温度でプレベークPBすることにより組成物中の溶媒を揮発させレジスト膜を形成する。なお、フォトレジスト膜は複数層積層されて形成されても良く、同じ感放射線性組成物を2回以上重ね塗りしたり、特に液浸露光においては形成したフォトレジスト膜上にフッ素を含む重合体[D]を主成分とするフッ素樹脂膜層を形成する場合がある。[工程2]本工程では、工程1で形成されたレジスト膜に場合によっては、水等の液浸媒体を介して、放射線を照射し露光させる。なお、この際所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射する。放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線、EUV等から適宜選択して照射する。例えば、ArFエキシマレーザー波長193nm、KrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線がサブミクロンオーダーのパターン形成という観点からは好ましく、さらに微細なナノオーダーパターンを形成においてはEUV極紫外線、波長13.5nm等の光源を好適に使用できる。また、露光部の残渣低減という効果は光源に拠らず有効であるため、可視光線を用いたミクロンオーダーのパターン形成であっても適応することが出来る。次いで、ポストエクスポージャーベークPEBを行うことが好ましい。このPEBにより、[A]重合体成分と酸発生体より生じた酸の反応を円滑に進行させることが可能となる。PEBの加熱条件は、感放射線性組成物の配合組成によって適宜選定することができるが、通常50°C~180°C程度である。[工程3]本工程では、露光されたレジスト膜から露光された部分を除去することによりレジストパターンを形成する。本発明においては、現像液を用いて現像し、現像後は水で洗浄、乾燥する一般的方法と、露光後のPEBの後、さらに高い温度で加熱処理して露光部分の酸分解物を揮発除去する方法が可能である。これらの方法のうち、加熱処理する方法が好ましい。上記現像液を用いる現像方法において用いられる現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液の他、メタノール、ブタノール等の重合体成分を溶解しない有機溶剤でもよい。上記加熱処理する方法において、PEB後に再加熱する場合の再加熱温度はPEBより高く、レジスト膜の軟化点より低い方がパターン形状の変形がなく好ましい。なお、レジスト膜の軟化点が加熱により上昇する場合や、レジスト膜の熱変形を許容する場合はこの限りではなく所望の形状によって定められる。なお、液浸露光を行う場合は、工程2の前に、液浸液とレジスト膜との直接の接触を保護するために、液浸液不溶性の液浸用保護膜をレジスト膜上に設けてもよい。液浸用保護膜としては、工程3の前に溶媒により剥離する溶媒剥離型保護膜例えば、特開2006-227632号公報等参照、工程3の現像と同時に剥離する現像液剥離型保護膜例えば、WO2005-069076号公報、WO2006-035790号公報等参照のいずれを用いてもよい。以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。重合体の重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mnは、東ソー社製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を使用し、以下の条件により測定した。流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°C試料濃度:0.2質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレンまた、分散度Mw/Mnは、Mw及びMnの測定結果より算出した。1H-NMR分析及び13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置日本電子社、JNM-EX270により行った。なお、ベンズアルデヒド由来の構造の含有量は、1H-NMRを用い、芳香環の水素のピークとその他のピークとの面積比より求めた。また、ミルナールアルデヒド由来の構造の含有量は、ミルテナールの水素のピークとその他のピークとの面積比より求めた。<[A]成分の合成>[A]成分、後述する[D]重合体の合成に用いた単量体を下記に示す。また、合成した重合体の特性を表1に示す。なお、表1中の-は、該当する構造単位の含有率の測定を行っていないことを示す。[合成例1]反応容器にトルエン2.96mL、1,4-ジオキサン0.43mL、電子吸引性基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-10.3g50モル、及びアルデヒド誘導体化合物としての化合物M-20.3g50モルを順次加えた。その後、エタンスルホン酸の200mMジクロロメタン溶液をトルエンで希釈した40mM溶液0.5mL、及び塩化ガリウムの40mM溶液0.5mLを-78°Cにて加え48時間反応させた。なお、反応溶液中の未反応物量をガスクロマトグラフにて確認したところ、化合物M-2の0.03gが未反応であり、この時点での重合転化率は94であった。次に、アンモニア性メタノール溶液を用いて反応を停止し、抽出等の後処理操作を行い、0.54gの重合体A-1を得た。1H-NMR分析CDCl3溶媒の結果、化合物M-2由来の構造単位の含有率は47であった。重合体A-1のMnは17,300、Mw/Mnは1.12であった。分子量分析はGPCによりポリスチレン換算にて行い、RI、UVの両検出器を用いてMw及びMw/Mnを測定したところ、両検出基を用いて得られた結果はよく一致しており、化合物M-2由来であるベンズアルデヒドユニットが重合体A-1中に均一に取込まれていることを確認した。[合成例2]反応容器にトルエン2.96mL、1,4-ジオキサン0.43mL、脂環式基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-30.36g50モル、アルデヒド誘導体化合物としての化合物M-20.3g50モルを順次加えた。その後、エタンスルホン酸の200mMジクロロメタン溶液をトルエンで希釈した40mM溶液0.5mL、エタンスルホン酸の200mMジクロロメタン溶液をトルエンで希釈した40mM溶液0.5mL及び四塩化スズの40mM溶液0.5mLを-20°Cにて加え、20時間反応させた。なお、反応溶液中の未反応物量をガスクロマトグラフにて確認したところ化合物M-2の0.028gが未反応であり、この時点での重合転化率は96であった。次に、アンモニア性メタノール溶液を用いて反応を停止し、抽出等の後処理操作を行い、0.62gの重合体A-2を得た。1H-NMR分析CDCl3溶媒の結果、化合物M-2由来の構造単位の含有率は43であった。重合体A-2のMnは12,000、Mw/Mnは1.2であった。分子量分析はGPCによりポリスチレン換算にて行い、RI、UVの両検出器を用いてMw及びMw/Mnを測定したところ、両検出基を用いて得られた結果はよく一致しており、化合物M-2由来であるベンズアルデヒドユニットが重合体A-2中に均一に取込まれていることを確認した。[合成例3]窒素フロー下において、トルエン中に全体の系を5mLとして、1,4-ジオキサン0.50mL、複素環基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-40.1g20モル、電子吸引性基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-10.1g30モル、アルデヒド誘導体化合物としての化合物M-20.2g50モル、開始剤系としてCH3CHiBuOCOCH3の40mMトルエン溶液0.50mL、エタンスルホン酸の200mMジクロロメタン溶液をトルエンで希釈した40mM溶液0.5mLをこの順に加え、最後に塩化ガリウムの40mMトルエン溶液0.50mLを加えて、30°Cにおいてリビングカチオン重合を2.5時間行った。なお、反応溶液中の未反応物量をガスクロマトグラフにて確認したところBzAの0.05g未反応であり、この時点での重合転化率は88であった。次に、アンモニア性メタノール溶液を用いて反応を停止し、抽出等の後処理操作を行い、0.34gの重合体A-3を得た。1H-NMR分析CDCl3溶媒の結果、化合物M-2由来の構造単位の含有率は43であった。重合体A-3のMnは6,400、Mw/Mnは1.2であった。分子量分析はGPCによりポリスチレン換算にて行い、RI、UVの両検出器を用いてMw及びMw/Mnを測定したところ、両検出基を用いて得られた結果はよく一致しており、化合物M-2由来であるベンズアルデヒドユニットが重合体A-3中に均一に取込まれていることを確認した。[合成例4]窒素フロー下において、トルエン中に全体の系を5mLとして、酸解離性基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-50.19g20モル、鎖状炭化水素基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-60.12g30モル、アルデヒド誘導体化合物としての化合物M-70.28g50モル、1,4-ジオキサン0.50mL、開始剤系としてCH3CHiBuOCOCH3の40mMトルエン溶液0.50mL、エタンスルホン酸の200mMジクロロメタン溶液をトルエンで希釈した40mM溶液0.3mLをこの順に加え、最後にFeCl3の200mMトルエン溶液0.50mLを加えて、0°Cにおいてリビングカチオン重合を5時間行った。なお、反応溶液中の未反応物量をガスクロマトグラフにて確認したところ化合物M-5の0.06gが未反応であり、この時点での重合転化率は90であった。次に、アンモニア性メタノール溶液を用いて反応を停止し、抽出等の後処理操作を行い、0.48gの重合体A-4を得た。1H-NMR分析CDCl3溶媒の結果、化合物M-7MYRに由来するオレフィンユニットから計算されるA-4中のMYR含有量は53であった。重合体A-4のMnは8,200であり、Mw/Mnは1.3であった。分子量分析はGPCによりポリスチレン換算にて行い、RI、UVの両検出器を用いてMw及びMw/Mnを測定したところ、両検出基を用いて得られた結果はよく一致しており、化合物M-7由来であるミルテナールユニットが重合体A-4中に均一に取込まれていることを確認した。[合成例5]窒素気流下において、トルエン中に全体の系を5mLとして、酸解離性基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-50.19g20モル、鎖状炭化水素基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-6を0.12g30モル、アルデヒド誘導体化合物としてのシンナムアルデヒドM-100.25g50モル、開始剤系としてCH3CHiBuOCOCH3のトルエン溶液40mM0.50mLをこの順に加え、最後にFeCl3のトルエン溶液200mM0.50mLを加えて、0°Cにおいて反応を5時間行い、アンモニア性メタノール溶液を用いて反応を停止した。反応溶液中の未反応物量をガスクロマトグラフにて確認したところCynAの0.05g未反応であり、この時点での重合転化率は91であった。抽出などの後処理操作を行い、0.48gの固体A-5を得た。1H-NMR分析CDCl3溶媒の結果、シンナモイルアルデヒドに由来するユニットは40モル含有されていた。このポリマーの数平均分子量は10,200であり、重量平均分子量/数平均分子量は1.2であった。分子量分析はGPCによりポリスチレン換算にて行い、RI、UVの両検出器を用いてMw及びMw/Mnを測定したところ、両検出基を用いて得られた結果はよく一致しており、シンナムアルデヒド由来であるアルデヒドユニットが重合体A-5中に均一に取込まれていることを確認した。[合成例6]窒素気流下、30mLフラスコに乾燥トルエン3mL、乾燥酢酸エチル05mL、1ブトキシエチルアセテートの40mMトルエン溶液05mL、鎖状炭化水素基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-60.2g50モル、電子吸引性基を有するビニルエーテル誘導体化合物としての化合物M-10.12g50モルを添加して、0°Cに冷却した後、Et15AlCl15の200mMトルエン溶液05mLを添加して0°Cで撹拌した。2時間後メタノールを1mL添加して反応を停止した。反応液をトルエンで希釈して水洗した後、有機相から溶媒を留去し重合体a-1を得た。重合体a-1のMwは30200、Mw/Mnは118であった。<[D]重合体の合成>[合成例7]メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチルエステル化合物M-846.81g85モル、及び開始剤2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオン酸メチル4.53gをイソプロパノール40.00gに溶解させた単量体溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた200mLの三つ口フラスコにイソプロパノール50gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内の溶液を攪拌しながら、80°Cになるように加熱した。次に、滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに1時間反応を行い、ビニルスルホン酸化合物M-93.19g15モルのイソプロパノール溶液10gを30分かけて滴下した。その後、さらに1時間反応を行った後、30°C以下に冷却して、共重合液を得た。得られた共重合液を150gに濃縮した後、分液漏斗に移し、メタノール50g及びn-ヘキサン600gを投入し、分離精製を行った。分離後、下層液を回収した。この下層液をイソプロパノールで希釈して100gとし、再度、分液漏斗に移した。その後、メタノール50gとn-ヘキサン600gを上記分液漏斗に投入して、分離精製を行い、下層液を回収した。回収した下層液を4-メチル-2-ペンタノールに置換し、全量を250gに調整した。調整後、水250gを加えて分離精製を行い、上層液を回収した。回収した上層液は、4-メチル-2-ペンタノールに置換して重合体溶液とした。得られた重合体溶液に含有されている共重合体D-1の、Mwは10,010、Mw/Mnは1.55であり、収率は75であった。また、13C-NMRの結果、この共重合体に含有される、化合物M-8に由来する構造単位、及び化合物M-9に由来する構造単位の含有率は、98:2モルであった。<感放射線性組成物の調製>感放射線性組成物の調製に用いた[B]酸発生剤、[C]酸拡散制御剤、溶媒を以下に示す。<[B]酸発生剤>B-1~B-4:下記式で表される化合物<[C]酸拡散制御剤>C-1~C-4:下記式で表される化合物<溶媒>E-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-2:テトラヒドロフラン[実施例1]重合体成分A-150質量部、重合体成分A-250質量部、酸発生剤B-110質量部、酸拡散制御剤C-34質量部、重合体D-14質量部、溶媒E-12,050質量部及びE-2450質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、感放射線性組成物を調製した。[実施例5]重合体成分A-110質量部、重合体成分A-390質量部、酸発生剤B-17質量部、酸拡散制御剤C-23質量部、溶媒E-12,050質量部及びE-2450質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、感放射線性組成物を調製した。また、重合体D-1100質量部、溶媒4-メチル-2-ペンタノール9,000質量部を混合して固形分濃度1.1の溶液とし、得られた混合溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、トップコート用の組成物を調製した。[実施例2~4、6、7及び比較例1]表2に示す種類、量の各成分を使用した以外は実施例1と同様に操作して、各感放射線性組成物を調製した。なお、表2中の-は、該当する成分を使用しなかったことを示す。[実施例8、9]表2に示す重合体成分、酸発生剤及び酸拡散制御剤、並びに溶媒E-1800質量部及びE-2150質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.5μmのフィルターでろ過して、感放射線性組成物を調製した。<レジストパターンの形成>実施例1~9及び比較例1の各感放射線性組成物を用いて、下記パターン形成方法1~6に従ってパターンを形成した。[パターン形成方法-1]基板として、表面に膜厚50nmの下層反射防止膜ARC66、ブルワーサイエンス社製を形成した12インチシリコンウェハを用いた。上記下層反射防止膜上に各感放射線性組成物を用いて膜厚75nmのレジスト膜を形成し、100°Cで60秒間PBを行った。このレジスト膜上に、必要に応じてLithiusPro-i東京エレクトロン社製を用い、[D]重合体を含有する組成物をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて90°CでPBを行い、膜厚10nmのトップコート膜を形成した。次に、このレジスト膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、50nmLine100nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した。露光後、95°Cで60秒間PEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて23°Cで60秒間現像し、水洗及び乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。なお、この方法でパターンを形成する場合の感度の評価は以下のように行った。すなわち、50nmLine100nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅50nmのLineを形成する露光量を最適露光量Eopとし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。上記線幅の測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、CG4000を用いた。[パターン形成方法-2]基板として、表面に膜厚60nmの下層反射防止膜DUV42-6、日産化学工業社製を形成した8インチシリコンウエハを用いた。なお、この反射防止膜の形成には、半導体製造装置CLEANTRACKACT8、東京エレクトロン社製を用いた。次に、各感放射線性組成物を、上記半導体製造装置を用いて上記基板上にスピンコートし、85°Cで60秒間PBを行うことにより、膜厚500nmのレジスト膜を形成した。次いで、このレジスト膜を、KrFエキシマレーザー露光装置NSRS203B、NIKON社製を用い、NA=0.68、σ=0.75-1/2輪帯照明の条件で、被覆率100の250nmLine500nmPitchラインアンドスペースのパターンを有するフォトマスクを介して露光した。露光後、85°Cで60秒間PEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて23°Cで60秒間現像し、水洗及び乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。なお、この方法でパターンを形成する場合の感度の評価は以下のように行った。すなわち、250nmLine500nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅250nmのLineを形成する露光量を最適露光量Eopとし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。上記線幅の測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、S-9380を用いた。[パターン形成方法-3]基板として、表面に膜厚77nmの下層反射防止膜ARC29A、ブルワーサイエンス社製を形成した8インチシリコンウェハを用いた。なお、反射防止膜の形成には、半導体製造装置CLEANTRACKACT8、東京エレクトロン社製を用いた。次に、各感放射線性組成物を、上記半導体製造装置を用いて上記基板上にスピンコートし、90°Cで60秒間PBを行うことにより、膜厚60nmのレジスト膜を形成した。このレジスト膜に、簡易型の電子線描画装置HL800D、日立社製、出力;50KeV、電流密度;5.0アンペア/cm2を用いて、線幅50nmのラインアンドスペースパターン1L1Sを有するフォトマスクを介して電子線を照射した。80°Cで60秒間PEBを行ったのち、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23度で60秒間現像し、水洗及び乾燥して、ポジ型のパターンを形成した。なお、この方法でパターンを形成する場合の感度の評価は以下のように行った。すなわち、線幅50nmのラインアンドスペースパターン1L1Sを1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度μC/cm2とした。上記線幅の測長には走査型電子顕微鏡S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。[パターン形成方法-4]基板として、表面に膜厚60nmの下層反射防止膜DUV42-6、日産化学工業社製を形成した8インチシリコンウエハを用いた。なお、この反射防止膜の形成には、半導体製造装置CLEANTRACKACT8、東京エレクトロン社製を用いた。次に、各感放射線性組成物を、上記半導体製造装置を用いて上記基板上にスピンコートし、85°Cで60秒間PBを行うことにより、膜厚500nmのレジスト膜を形成した。次いで、このレジスト膜を、KrFエキシマレーザー露光装置NSRS203B、NIKON社製を用い、NA=0.68、σ=0.75-1/2輪帯照明の条件で、被覆率100の250nmLine500nmPitchラインアンドスペースのパターンを有するフォトマスクを介して露光した。露光後、85°Cで60秒間PEBを行い、次いで130°Cで2分間加熱してパターンを形成した。なお、この方法でパターンを形成する場合の感度の評価は以下のように行った。すなわち、250nmLine500nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅250nmのLineを形成する露光量を最適露光量Eopとし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。上記線幅の測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、S-9380を用いた。[パターン形成方法-5]6インチのシリコンウエハーに感放射線性組成物をスピンコーターミカサ社製、MS-A200を用いてスピンコートし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間加熱し、5μm厚の均一なレジスト膜を作製した。その後、アライナーSussMictotec社製MA-150を用い、5μmLine10μmPitchのパターンマスクを介して露光した。高圧水銀灯からの紫外線は特にフィルターを設けずに照射し、波長350nmにおける照射光量を露光量とした。露光後、90°Cで60秒間PEBを行い、次いで、2.38重量テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23°Cで3分浸漬現像し、水洗、乾燥してパターンを形成した。この方法でパターンを形成する場合の感度の評価は以下のように行った。すなわち、5μmLine10μmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅5μmのLineを形成する露光量を最適露光量Eopとし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。上記線幅の測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、S-9380を用いた。[パターン形成方法-6]パターン形成方法-5と同様にレジスト膜を形成し、露光を行った。露光後、90°Cで60秒間PEBを行い、次いで、150°Cで2分間加熱してパターンを形成した。この方法でパターンを形成する場合の感度の評価は以下のように行った。すなわち、5μmLine10μmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅5μmのLineを形成する露光量を最適露光量Eopとし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。上記線幅の測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、S-9380を用いた。<評価>各感放射線性組成物を用いて、上記パターン形成方法に従って得られた各パターンについて下記評価を行った。なお、各感放射線性組成物について用いたパターン形成方法、PB及びPEB条件、並びに各評価結果は、表3に合わせて示す。なお、表3中のは、パターンが得られなかったために評価ができなかったことを示す。また、パターン形成方法において、番号にTが付されているものは、感放射線性組成物を用いて形成したレジスト膜の上層にトップコートを行った場合を示す。[感度]上記各パターン形成方法に記載の方法により各感放射線性組成物の感度を測定した。[LWR]上記各パターン形成方法に従ってレジストパターンを形成し、Eopを測定した。上記Eopにて形成されたマスクパターンと同じサイズのラインパターンを、パターン上部から観察し、任意の10点において線幅を測定した。線幅の測定値の3シグマ値ばらつきをLWRnmとした。このLWRの値が、5μmのパターンにおいては150nm以下、250nmのパターンにおいては10nm以下、50nmのパターンにおいては6nm以下の場合、良好であると評価した。[パターン形状]上記各パターン形成方法により得られたラインアンドスペースパターンの断面形状を観察した。矩形性が高い場合を良好、トップラウンド形状、T-トップ形状等のように矩形性が低い場合、及びパターンを形成できなかった場合を不良とした。なお、断面形状の観察には日立ハイテクノロジーズ社製S-4800を用いた。表3に示す通り、本発明の感放射線性組成物は、比較例の感放射線性組成物と比較して、LWRが低減され、矩形性に優れる良好なパターンを形成することができ、感度をも十分満足することが分かった。また、実施例4、6及び9より、当該感放射線性組成物は、アルカリ現像液による現像工程を経なくとも、PEBに続く加熱のみの処理で良好なパターンを形成できることが明らかとなった。"