下部電極層と、該下部電極層上に設けられた第1の比誘電率を有する第1のPZT圧電体層と、該第1のPZT圧電体層上に設けられた前記第1の比誘電率より小さい第2の比誘電率を有する第2のPZT圧電体層とを具備する圧電アクチュエータ。前記第1のPZT圧電体層のPbZrxTi1xO3の組成比xが前記第2のPZT圧電体層のPbZrxTi1xO3の組成比xより大きい請求項1に記載の圧電アクチュエータ。アーク放電イオンプレーティング法によってPb蒸発量、Zr蒸発量及びTi蒸発量を制御して下部電極層上にPbZrxTi1xO3よりなる第1のPZT圧電体層を形成する第1の圧電体層形成工程と、アーク放電イオンプレーティング法によってPb蒸発量、Zr蒸発量及びTi蒸発量を制御して前記第1のPZT圧電体層上にPbZrxTi1xO3よりなる第2のPZT圧電体層を形成する第2の圧電体層形成工程とを具備し、前記第1のPZT圧電体層の第1の比誘電率より前記第2のPZT圧電体層の第2の比誘電率を小さくした圧電アクチュエータの製造方法。前記第1のPZT圧電体層のPbZrxTi1xO3の組成比xが前記第2のPZT圧電体層のPbZrxTi1xO3の組成比xより大きい請求項3に記載の圧電アクチュエータの製造方法。前記第1のPZT圧電体層形成工程及び前記第2のPZT圧電体層形成工程は同一のアーク放電イオンプレーティング装置内で連続的に実行される請求項3に記載の圧電アクチュエータの製造方法。しかしながら、上述の図12の圧電アクチュエータにおいては、モルフォトロピック相境界MPB近傍かつ正方晶構造を有する組成のPZT圧電体層5Aの成膜をおこなうと、表面ラフネスが大きくなってしまう。従って、モルフォトロピック相境界MPB近傍かつ正方晶構造をもつ組成のPZT圧電体層5A上のPt上部電極層6の表面ラフネスも大きくなる。この結果、Pt上部電極層6とPt下部電極層4との間に電圧を印加すると、局所的に電場が集中して破壊し易く、これにより、PZT圧電体層5A側のPt上部電極層6の凸部に対応するPZT圧電体層5Aに生じた結晶粒界に、図12に示すごとく、リークパスLPが発生し、耐電圧特性を低下させるという課題があった。上記の課題を解決するために、本発明に係る圧電アクチュエータは、下部電極層と、下部電極層上に設けられた第1の比誘電率を有する第1のPZT圧電体層と、第1のPZT圧電体層上に第1の比誘電率より小さく表面ラフネスの小さい第2のPZT圧電体層を具備するものである。また、本発明に係る圧電アクチュエータの製造方法は、ADRIP法によってPb蒸発量、Zr蒸発量及びTi蒸発量を制御して下部電極層上にPbZrxTi1xO3よりなる第1のPZT圧電体層を形成する第1の圧電体層形成工程と、ADRIP法によってPb蒸発量、Zr蒸発量及びTi蒸発量を制御して第1のPZT圧電体層上にPbZrxTi1xO3よりなる第2のPZT圧電体層を形成する第2の圧電体層形成工程とを具備し、第1のPZT圧電体層の第1の比誘電率より第2のPZT圧電体層の第2の比誘電率を小さくしたものである。本発明によれば、比誘電率の小さい第2のPZT圧電体層によって比誘電率の大きい第1のPZT圧電体層の大きな表面ラフネスを補償することによりリークパスの発生を抑制するので、耐電圧特性を大幅に向上できる。図1は本発明に係る圧電アクチュエータの実施の形態を示す断面図である。図1においては、図12のPZT圧電体層5A上にPZT圧電体層5Aより比誘電率の小さなPZT圧電体層5Bを形成している。尚、PZT圧電体層5AのPbZrxTi1xO3の組成比xはモルフォトロピック相境界MPB、一般的にはx052近傍、かつ一般的に耐電圧特性が高いと言われている正方晶構造をもつ組成領域x052である。図2はPZT圧電体層の比誘電率と耐電圧特性を表すグラフである。PZT圧電体層はADRIP法で作成した。図2によると、比誘電率が大きくなると、耐電圧特性は小さくなることがわかる。さらに、比誘電率は表面ラフネスとも関係が見られる傾向がある。図1に示すように、比誘電率の高いPZT圧電体層5Aは表面ラフネスは大きいが、それよりも比誘電率が低いPZT圧電体層5Bの表面ラフネスは小さい。この結果、PZT圧電体層5B上のPt上部電極層6の表面ラフネスも小さくなる。従って、Pt上部電極層6とPt下部電極層4との間に電圧を印加しても、局所的に電場が集中しにくく、しかも、PZT圧電体層5B側のPt上部電極層6の凸部に対応するPZT圧電体層5Bの結晶粒界に、図1に示すごとく、リークパスLPがほとんど発生せず、耐電圧特性を向上できる。PZT圧電体層5Bの比誘電率はPZT圧電体層5Aの比誘電率よりも低ければ表面ラフネスは小さくなるが、比誘電率の低い層が入るとデバイス性能にまで影響を与える。そのため、PZT圧電体層5Aの比誘電率は1100以上、PZT圧電体層5Bの比誘電率は700以上1000以下となっている。また、表面ラフネスの改善効果を得つつ、デバイス性能への影響を抑えるためPZT圧電体層5Bは、PZT圧電体層5Aと合わせたPZT圧電体膜厚の10以上15以下とする。PZT圧電体層5A、PZT圧電体層5Bの比誘電率は酸素含有量、Pb含有量、Pb、PbZrxTi1xO3の組成比xなどの影響に左右される。本発明においてはPbZrxTi1xO3の組成比xを変化させることでPZT圧電体層5AとPZT圧電体層5Bの比誘電率を変化させた。一般的には組成比xがモルフォトロピック相境界MPB、一般的にはx052に近づけば誘電率も大きくなり、遠ざかれば小さくなる。よって、PZT圧電体層5BはPZT圧電体層5Aよりもxの値が小さく、PZT圧電体層5AよりもTiリッチな層となっている。PZT圧電体層5Aのxは052以下043以上、PZT圧電体層5Bは045以下040以上の範囲内から選んだ。この範囲は共に正方晶かつ酸素含有量、Pb含有量、Pbの影響があったとしても、PZT圧電体層5Aの比誘電率は1100以上、PZT圧電体層5Bの比誘電率は700以上1000以下となるような範囲となっている。PZT圧電体層5Aは正方晶としての単層膜の作成の容易さを考えると、さらに049以下043以上の範囲内とすることが望ましい。図15のA、Bを比べると、ともにきれいな柱状構造を有し、良好な配向性と圧電特性を示すものの、圧電特性は図15のAのほうが比誘電率は大きくより良好で、耐電圧特性は図15のBのほうが表面ラフネスが小さくより良好であるという違いがある。図15のA、Bはそれぞれ単一の層として設けたものの写真であるが、本発明ではこれらと同じ層を連続し重ねて成膜する。すなわち、図15のAは高い比誘電率をもち本発明のPZT圧電体層5Aに当たり、図15のBはそれよりもTiリッチとして比誘電率を下げたPZT圧電体層であり本発明のPZT圧電体層5Bに当たる。図3は図1の圧電アクチュエータの製造方法を説明するためのフローチャートである。図3においては、図13のフローチャートにPZT圧電体層5AよりもTiリッチなPZT圧電体層5Bを形成するためのADRIP処理ステップ301を付加してある。この場合、高誘電率PZT圧電体層5Aを形成するためのADRIP処理ステップ1301とPZT圧電体層5AよりもTiリッチなPZT圧電体層5Bを形成するためのADRIP処理ステップ301とは同一のADRIP装置を用いて連続的に実行される。従って、プロセスマージンの狭小化を防ぐことができる。また、図1の圧電アクチュエータにおいては、高誘電率PZT圧電体層5A、PZT圧電体層5AよりもTiリッチなPZT圧電体層5Bの結晶成長が連続となり、この結果、この組成比が連続的に変化する界面部分が圧電アクチュエータの駆動による機械的振動によって割れ、圧電アクチュエータが破損することを防止できる。発明者は次の実験を行った。図1の圧電アクチュエータの構造において、高誘電率PZT圧電体層5Aを厚さ25μmで形成し、次いで、それよりもTiリッチなPZT圧電体層5Bを厚さ03μmで形成した。比誘電率は高誘電率PZT圧電体層5Aは1120、それよりもTiリッチなPZT圧電体層5Bを980とした。これらの値は同じ条件で単一の層を設けた場合での数値である。PZT圧電体層5A、PZT圧電体層5Bを合わせた比誘電率は1090程度となった。この結果、図4に示す圧電ヒステリシス特性を得た。また、耐電圧特性は2278Vμmであり、Pt上部電極層6の表面ラフネスの平均粗さRa及び粗さ曲線の最大断面高さRtは、それぞれ、65Å及び580Åであった。さらに、比誘電率εは1051、誘電損失係数は212であった。これに対し、図13の圧電アクチュエータの高誘電率PZT圧電体層5Aを厚さ25μmで形成した。この結果、図5に示す圧電ヒステリシス特性を得た。また、耐電圧特性は146Vμmであり、Pt上部電極層6の表面ラフネスの平均粗さRa及び粗さ曲線の最大断面高さRtは、それぞれ、103Å及び1947Åであった。さらに、比誘電率εは1048、誘電損失係数は253であった。このように、図13の圧電アクチュエータと比較して図1の圧電アクチュエータは圧電ヒステリシスつまり圧電特性はほとんど変化がなく、また、表面ラフネスは抑制されたので、リークパスの発生は抑止でき、この結果、耐電圧特性を大幅に向上できる。尚、上述の実施の形態に限らず、高誘電率PZT圧電体層5AとそれよりもTiリッチなPZT圧電体層5Bは、PZT圧電体層5Aのxの値がPZT圧電体層5Bの値よりも大きく、かつモルフォトロピック相境界MPB、一般的にはx052よりxの値が小さければよい。つまり、PZT圧電体層5Aの比誘電率がPZT圧電体層5Bの比誘電率よりも大きければよい。