"半導体デバイスであって、半導体基板と、前記半導体基板上に配置された埋め込み絶縁体層であって、前記半導体デバイスによる放射線曝露に応じて、ある電荷量を複数の電荷トラップ内にトラップするように構成された埋め込み絶縁体層と、前記埋め込み絶縁体層上に配置された半導体層と、前記半導体層上に配置された第2の絶縁体層と、前記第2の絶縁体層上に配置されたゲート導体層と、前記半導体層に電気的に接続された1つ又は複数の側面コンタクトと、前記半導体基板に電気的に接続された裏面コンタクトであって、放射線曝露中、バックゲート電圧を受け取るように構成された裏面コンタクトと、を含む半導体デバイス。前記埋め込み絶縁体層の1cm3当たりの電荷トラップ数は、1×1017から1×1018までの間である、請求項1に記載の半導体デバイス。前記半導体基板の厚さは、800ミクロンより薄い、請求項1に記載の半導体デバイス。前記半導体基板は、シリコンSi、ゲルマニウムGe、シリコンゲルマニウムSiGe、又はヒ化ガリウムGaAsのうちの1つを含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記埋め込み絶縁体層の厚さは、500オングストロームから2000オングストロームまでの間である、請求項1に記載の半導体デバイス。前記埋め込み絶縁体層の厚さは、1400オングストロームから1600オングストロームまでの間である、請求項5に記載の半導体デバイス。前記埋め込み絶縁体層は、酸化シリコン又は窒化シリコンのうちの一方を含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記第2の絶縁体層の厚さは、5オングストロームから50オングストロームまでの間である、請求項1に記載の半導体デバイス。前記第2の絶縁体層の誘電率は4を下回る、請求項1に記載の半導体デバイス。前記第2の絶縁体層は、酸化物、酸化シリコン、又は窒化シリコンのうちの1つを含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記ゲート導体層は、ポリシリコン、金属、又はシリサイドのうちの1つを含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記1つ又は複数の側面コンタクトは、注入シリコン、シリサイド、又は金属のうちの1つを含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記ゲート導体と前記1つ又は複数の側面コンタクトのうちの少なくとも1つとの間の容量をさらに含み、前記容量は、前記埋め込み絶縁体層内にトラップされた電荷量の関数として変化する、請求項1に記載の半導体デバイス。前記放射線は、イオン化放射線、陽子ビーム、X線、光子、ガンマ線、又は中性子ビーム放射線のうちの1つ又は複数を含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記ゲート導体層に電気的に接続された1つ又は複数のインダクタをさらに含み、前記1つ又は複数のインダクタ、並びに前記1つ又は複数の側面コンタクトの少なくとも1つは、共振周波数を有する共振回路を形成する、請求項1に記載の半導体デバイス。前記共振周波数は、前記埋め込み絶縁体層内にトラップされた電荷量の関数として変化する、請求項15に記載の半導体デバイス。メモリを有する無線周波数タグをさらに含み、前記メモリは、放射線量の表示を格納する、請求項1に記載の半導体デバイス。前記半導体デバイスを身体内に配置して、前記身体が被曝した放射線量を求める、請求項1に記載の半導体デバイス。前記半導体デバイスは、医用画像形成の際に受けた放射線量を求める、請求項18に記載の半導体デバイス。前記半導体デバイスは、前記身体内の腫瘍が被曝した放射線量を求める、請求項18に記載の半導体デバイス。放射線の空間的分布を求めるための、アレイ状に配置された複数の半導体デバイスをさらに含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記アレイは、線形アレイ、2次元アレイ、又は3次元アレイのうちの1つである、請求項21に記載の半導体デバイス。前記複数の半導体デバイスの第1のものは、前記複数の半導体デバイスの第2のものとは異なる方向からの放射線を検出するように構成される、請求項21に記載の半導体デバイス。前記異なる方向は、直角である、請求項23に記載の半導体デバイス。前記半導体デバイスと前記放射線の供給源との間に配置された1つ又は複数のフィルタ層をさらに含み、前記フィルタ層は、前記放射線の一部が前記半導体デバイスを透過するのを防止するか、或いは入射放射線のタイプに対する前記半導体デバイスの感度をより大きく又は小さくするように構成される、請求項1に記載の半導体デバイス。前記半導体基板上に配置された第2のデバイスをさらに含む、請求項1に記載の半導体デバイス。前記第2のデバイスは、メモリセル、クロック、マイクロプロセッサ、DNAセンサ、生体センサ、危険物センサ、グルコースセンサ、赤血球センサ、又はカメラのうちの1つを含む、請求項26に記載の半導体デバイス。前記半導体デバイスは、携帯電話、携帯情報端末PDA、コンピュータ、電子機器の一部分、自動車、建物、エアフィルタ、クレジットカード、パスポート、運転免許証、紙、封筒、食物、食品雑貨店、又はセキュリティバッジのうちの1つの中に組み込まれる、請求項1に記載の半導体デバイス。放射線モニタリングのための方法であって、電界効果トランジスタFETを含む放射線モニタにバックゲート電圧を印加することと、前記放射線モニタを放射線に曝露することと、前記放射線モニタの閾値電圧の変化を求めることと、前記閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めることと、を含む方法。前記閾値電圧の変化を求めることは、負のバイアスを含む読み出し電圧を前記放射線モニタのゲート導体に印加することを含む、請求項29に記載の方法。前記バックゲート電圧は、前記放射線モニタの半導体基板に電気的に接続された裏面コンタクトに印加される、請求項29に記載の方法。前記バックゲート電圧は、前記半導体基板のわたる正のバイアスを含む、請求項29に記載の方法。前記放射線モニタは、半導体層によって分離された埋め込み絶縁体層及びゲート絶縁体層を含む、請求項29に記載の方法。前記半導体層の厚さは、40ナノメートルより薄い、請求項33に記載の方法。前記半導体層は、非ドープシリコンを含む、請求項33に記載の方法。前記放射線により、正電荷が前記埋め込み絶縁体層内に蓄積し、記閾値電圧は、前記正電荷に基づいて変化する、請求項33に記載の方法。前記FET放射線モニタは、nチャネルFETを含む、請求項33に記載の方法。前記放射線モニタのゲート導体と側面コンタクトとの間の容量の変化を求めることと、前記容量の変化に基づいて前記閾値電圧の変化を求めることとをさらに含む、請求項29に記載の方法。従って、このようなFET型線量計における放射線量を求めるためのVthシフトの電気的読み出しが、放射線誘起電荷の損失をもたらし、不正確な長期の総線量データを導くことがある。さらに、トラップ電圧及び読み出し電圧の両方をゲートに印加し、これらを同時に印加することができないため、放射線量に関するリアルタイムの情報を得ることができない。1つの態様において、半導体デバイスが、半導体基板と、半導体基板上に配置された埋め込み絶縁体層であって、半導体デバイスによる放射線曝露に応じてある電荷量を複数の電荷トラップ内に保持するように構成された埋め込み絶縁体層と、埋め込み絶縁体層上に配置された半導体層と、半導体層上に配置された第2の絶縁体層と、第2の絶縁体層上に配置されたゲート導体層と、半導体層に電気的に接続された1つ又は複数の側面コンタクトとを含む。1つの態様において、放射線モニタリングのための方法が、電界効果トランジスタFETを含む放射線モニタにバックゲート電圧を印加することと、放射線モニタを放射線に曝露することと、放射線モニタの閾値電圧の変化を求めることと、閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めることとを含む。この例示的な実施形態の技術を通して、さらなる特徴が実現される。他の実施形態は、本明細書で詳細には説明されず、特許請求の範囲に記載された発明の一部とみなされる。例示的な実施形態の特徴をより良く理解するために、説明及び図面を参照されたい。ここで、幾つかの図面において同様の要素に同様の番号が付されている図面を参照する。FET放射線モニタのためのシステム及び方法の実施形態が提供され、例示的な実施形態が、以下に詳細に説明される。完全空乏型シリコンオンインシュレータFDSOIMOSFETを用いて、種々のタイプのイオン化放射線の線量を検出することができ、かつ、長期の電荷保持を示し、総放射線量の長期にわたる追跡を可能にするFET放射線モニタを製造することができる。このFET放射線モニタは、半導体ウェハ製造技術を用いて所望のように小さく又は大きく作ることができ、比較的低いパワードレインを有することができる。FET放射線モニタは、比較的小さく、安価なものとすることができ、自動車、建物、エアフィルタ、或いは、コンピュータ、携帯電話、音楽プレーヤー、PDA又はGPSのような携帯用電子機器、或いはこれらに限定されるものではないが、パスポート、クレジットカード又は運転免許証を含む他の品目に組み込むことができる。この装置は、FET放射線モニタが被曝した放射線量をRFタグリーダーに通信することができる無線周波数RFタグと通信状態にあることが可能である。緊急事態に迅速に処置を決定できるように、放射線モニタから積算放射線量情報を求めることができる。放射線治療を受ける患者の身体の中に放射線モニタを埋め込み、腫瘍への放射線量又は医用画像処理の際に受けた放射線量を求めることもできる。埋め込まれた放射線モニタからリアルタイムの放射線量情報を収集して、適切な放射線量が患者に与えられていることを確認することができる。FET放射線モニタは、比較的小さいバッテリ又は予め充電されたキャパシタと共に用いることができる。FET放射線モニタはまた、1つ又は複数のインダクタと電気的に接続することもでき、かつ、その全体が引用により本明細書に組み入れられる2009年11月30日に出願された米国特許出願第12/627,076号Cabral他に記載されるようなLC回路と共に用いることもできる。図1は、放射線モニタの断面100の実施形態を示す。放射線モニタは、ゲート導体層101と、絶縁体層102と、半導体層103と、埋め込み絶縁体層104と、半導体基板105と、ソース106と、ドレイン107と、側面コンタクト108a-bと、スペーサ材料109と、裏面コンタクト110とを含む。幾つかの実施形態においては、ゲート導体層101は、ポリシリコン、金属、又はシリサイドのうちの1つを含むことができる。幾つかの実施形態においては、絶縁体層102は、酸化シリコン又は酸化窒化シリコンのような酸化物を含むことができ、絶縁体層102の誘電率は、約4を下回るものとすることができる。幾つかの実施形態においては、半導体層103は、シリコンオンインシュレータSOI層を含むことができ、また、非ドープシリコンを含むことができ、FET放射線モニタの通常の動作のために用いられる電圧下で完全空乏型SOIFDSOIを形成することができる。幾つかの実施形態においては、埋め込み絶縁体層104は、埋め込み酸化シリコンBOX、酸化シリコン、又は窒化シリコンを含むことができる。幾つかの実施形態において、半導体基板105は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、又はヒ化ガリウムのうちの1つを含むことができる。幾つかの実施形態において、側面コンタクト108は、注入シリコン、金属、又はシリサイドを含むことができる。幾つかの実施形態において、スペーサ材料109は、窒化シリコンを含むことができる。裏面コンタクト110は、半導体基板105に電気的に接続され、側面コンタクト108a及び108bは、それぞれソース106及びドレイン107に電気的に接続される。FET放射線モニタは、nチャネルFETデバイス又はpチャネルFETデバイスのいずれかを含むことができる。幾つかの実施形態においては、絶縁体層102は、約5オングストロームから約50オングストロームまでの厚さとすることができる。幾つかの実施形態においては、半導体層103は、約40ナノメートルnmの厚さより薄くすることができる。比較的薄い半導体層103は、ゲート導体層101、絶縁体層102、及び半導体層103を含むFDSOIFETの閾値電圧の変化を監視することによる放射線量の有効な検出を容易にすることができる。半導体層103の所望の厚さは、SOIウェハの表面の熱酸化によって達成することができる。次に、酸化されたシリコン層を除去し、比較的薄いSOI層を残すことができる。さもなければ、標準的な半導体製造プロセスを用いて、FET放射線モニタを製造することができる。幾つかの実施形態においては、埋め込み絶縁体層104は、約500オングストロームから2000オングストロームまでの間の厚さとすることができ、幾つかの例示的な実施形態においては、約1400オングストロームから1600オングストロームまでの厚さとすることができる。幾つかの実施形態においては、半導体基板105は、800ミクロンより薄い厚さとすることができる。図2は、環状FETとして構成された放射線モニタの実施形態の平面図200の実施形態を示す。図1を参照して図2を説明する。放射線モニタは、スペーサ材料109によってゲート導体101から分離されたソース106を含む。ゲート導体101は、スペーサ材料109によってドレイン107から分離される。側面コンタクト108a及び108bは、それぞれソース領域106及びドレイン領域107上に配置される。図2の環状FET放射線モニタの構成は、例示目的のためだけに示されるものであり、放射線モニタは、ソース、ドレイン、及びゲートを含むFETのいずれの適切な構成も含むことができる。図3は、イオン化放射線301への曝露後のFET放射線モニタの断面300の実施形態を示す。放射線301は、これらに限定されるものではないが、高エネルギーのイオン化放射線、陽子ビーム、X線、光子、ガンマ線、又は中性子ビーム放射線を含むことができる。放射線301により、電子-正孔対が、半導体層102及び埋め込み絶縁体層104内に生成され、これにより、正電荷302が蓄積し、埋め込み絶縁体層104内に保持される。正電荷302の量は、放射線モニタが曝露された放射線の量を示す。正電荷302は、デバイスの劣化及びFET放射線モニタの閾値Vthの変化をもたらす。放射線量は、Vthの変化に基づいて求めることができる。Vthの変化を追跡することにより、総放射線量の測定が可能になる。放射線曝露301により生成された電子-正孔対の再結合を防止するために、裏面コンタクト110においてバックゲート電圧Vbgを半導体基板105に印加して、絶縁体層102及び埋め込み絶縁体層104にわたる正のバイアスを形成し、電子がゲート導体101及び半導体基板105の方向にドリフトし、正孔が半導体層103と埋め込み絶縁体層104との間の界面の方向に移動し、正電荷302を形成するようにする。埋め込み絶縁体層104は、電荷302をトラップする複数の電荷トラップを含むことができ、幾つかの実施形態においては、埋め込み絶縁体材料の1cm3当たりの電荷トラップ数は、約1×1017から1×1018までとすることができる。その結果、Vbgを印加することにより、正電荷302が埋め込み絶縁体層104内にトラップされ、トラップされた電荷302により、Vthの変化がもたらされる。放射線曝露中、半導体基板105においてVbgを印加し、埋め込み絶縁体層104内にトラップされた、放射線301によって生じた正孔を保持する。これにより、FET放射線モニタのゲート101がトラップされた電荷302から分離される。読み出し電圧をゲート導体101に印加することによって、Vthを求めることができる。読み出し電圧は、埋め込み絶縁体層104及び半導体層102にわたる負のバイアスを含むことができる。読み出し電圧は正電荷302を妨げないので、ゲート導体101において読み出し電圧を印加することにより、Vthを非侵襲的にリアルタイムで求めることが可能になる。キャパシタ構成内にFET放射線モニタを配線し、ゼロのゲート電圧又は一定のゲート電圧におけるゲート導体101と側面コンタクト108a又は108bの一方との間の容量の変化を測定することによって、Vthの変化を測定することもできる。埋め込み絶縁体層104は、周囲環境及びFET放射線モニタの電極すなわち、ゲート導体101、ソース106及びドレイン107から電気的に絶縁されているので、FET放射線モニタは、時間の経過に伴い良好な電荷302の保持を示すことができ、劣化はごく僅かである。例えば、放射線が誘起したVthシフトの劣化は、PFET放射線モニタにおいては約25日間にわたり、NFET放射線モニタにおいては約15日間にわたって約10より少ないものであり得る。電荷保持により、長期にわたる累積放射線治療の追跡のために放射線モニタを使用することが可能になる。図4は、FET放射線モニタを用いる放射線モニタリングのための方法400の実施形態を示す。図3を参照して図4を説明する。ブロック401において、正のバイアスを含むバックゲート電圧VbgをFET放射線モニタのシリコン基板105に印加する。ブロック402において、FET放射線モニタを放射線に曝露する。放射線曝露中、Vbgをシリコン基板に印加し続ける。ブロック403において、埋め込み絶縁体層104内に蓄積された正電荷302のために、FET放射線モニタに曝露された放射線の量に基づいてFET放射線モニタの閾値電圧Vthが変化する。ブロック404において、読み出し電圧をFET放射線モニタのゲート導体101に印加して、Vthの変化を求める。幾つかの実施形態においては、読み出し中、Vbgをシリコン基板に印加し続けることができる。ブロック405において、Vthの変化に基づいて、放射線曝露量が求められる。単一の半導体基板105は、各々が、別個のゲート導体層、絶縁体層、半導体層、埋め込み絶縁体層、ソース、ドレイン、側面コンタクト、スペーサ材料、及び裏面コンタクトを含む、複数のFET放射線モニタを保持することができる。複数のFET放射線モニタを、これらに限定されるものではないが、線形アレイ、2次元アレイ、又は3次元アレイを含むアレイ状に配置して、異なる領域における放射線量及び異なる方向からの放射線量を検出することもできる。異なる方向は、直角とすることができる。幾つかの実施形態において、フィルタをFET放射線モニタと放射線301の供給源との間に配置して、放射線301の一部がデバイスを透過するのを防止すること、或いは、入射放射線のタイプに対するデバイスの感度をより大きく又は小さくすることができる。半導体基板105内に、これらに限定されるものではないが、メモリセル、クロック、マイクロプロセッサ、DNAセンサ、生体センサ、危険物センサ、グルコースセンサ、赤血球センサ、又はカメラを含む別のタイプのデバイスを組み込むこともできる。例示的な実施形態の技術的効果及び利点として、長期にわたる又はリアルタイムの放射線量情報を求めるために用いることができる、比較的小さく安価な放射線モニタが挙げられる。"