"走査電子顕微鏡を用いた成形アパーチャの開口パターンの検査において検査対象の成形アパーチャを保持する検査用の治具において、少なくとも、前記成形アパーチャに照射する検査用の一次電子が前記成形アパーチャの開口パターンを通して到達する部分に、二次電子の放出を抑制する吸収層を備える、ことを特徴とする成形アパーチャの検査用治具。請求項1に記載の成形アパーチャの検査用治具であって、前記吸収層として、二次電子の放出効率が、成形アパーチャの材料であるシリコンよりも小さい材料を用いることを特徴とする成形アパーチャの検査用治具。請求項2に記載の成形アパーチャの検査用治具であって、二次電子の放出効率が成形アパーチャの材料であるシリコンよりも小さい材料を用いて表面全体を形成することで、前記部分に前記吸収層を備えるように構成したことを特徴とする成形アパーチャの検査用治具。請求項1、2、3のいずれかの検査用治具に成形アパーチャを搭載して走査電子顕微鏡により一次電子を前記開口パターンのエッジ領域に照射することで、前記開口パターンのパターン形状を検査する検査工程を含む、ことを特徴とする成形アパーチャの製造方法。しかしながら、図3に示すような治具9に搭載して開口パターン1を観察すると、SEM像のコントラストが充分に得られないといった課題がある。図4のa、bはそれぞれ図3に示す治具に搭載した場合の、成形アパーチャ8上の開口パターン1におけるエッジ領域11のSEM観察像加速電圧は1kV、倍率は50,000倍、画像の観察領域はおよそ2.5μm四方を示す説明図である。aは開口幅12が約2μmの小開口、bは開口幅12が約2mmの大開口である。いずれも画像の左側がシリコンの自立薄膜2、右側が開口パターン1である。両者を比較すると、bはaと比較して画像のコントラストが大幅に悪化しているのが分かる。エッジラフネスは、閾値を設定してエッジの輪郭線を抽出し、近似直線からのズレを算出することで得られるが、bの画像ではエッジの輪郭線が充分な精度で抽出できないため、精度良くラフネスを求めることが出来ない。図4a、bの画像コントラストの違いは、SEM画像生成の原理と、成形アパーチャ8および治具9の構造に起因している。SEM画像は、電子銃から発生した電子線ビーム13を加速させ、試料に二次元的に走査しながら照射し、試料から発生した二次電子14を検出器により検出することで得られる。図5は、図4a、bのSEM画像512×512ピクセルを取得した際の、二次電子14の検出数をプロットしたものである。図5のグラフの右半分は開口パターン1SEM内では真空に相当するため、原理的には二次電子はほとんど発生しないはずである。しかし、自立薄膜2からの検出数の半分以上の数の二次電子14が、大開口の開口パターン部1から検出されている。これは、開口パターン1をパターン上方から下方へ通過した電子線13が治具9に照射され、治具9から発生する二次電子14が、開口パターン1をパターン下方から上方へ通過して成形アパーチャ8の上に出てしまい、上方に設置されている検出器16によって検出されてしまうからである。図6は、図3に示す従来の治具に装着した成形アパーチャ8に電子線13を照射したときの模式図である。開口パターン1が大きいほど、治具9から発生する二次電子14が開口パターン1を通過しやすくなるため、SEM画像のコントラストが小さくなる。本発明は前記事情に鑑みなされたもので、本発明は、成形アパーチャの開口パターンを走査電子顕微鏡SEMを用いて観察する際に、SEM像のコントラストが充分に得られようにすることを課題とする。上述の課題を解決するために、治具の形状および材質、並びに、成形アパーチャの製造方法の検討を行った。これは、開口パターンを通過した電子線が治具に直接照射されることによる二次電子の放出を抑制するためである。請求項1に記載の本発明は、走査電子顕微鏡を用いた成形アパーチャの開口パターンの検査において検査対象の成形アパーチャを保持する検査用の治具において、少なくとも、前記成形アパーチャに照射する検査用の一次電子が前記成形アパーチャの開口パターンを通して到達する部分に、二次電子の放出を抑制する吸収層を備えることを特徴とする成形アパーチャの検査用治具である。請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の成形アパーチャの検査用治具であって、前記吸収層として、二次電子の放出効率が、成形アパーチャの材料であるシリコンよりも小さい材料を用いることを特徴とする成形アパーチャの検査用治具である。請求項3に記載の本発明は、請求項2に記載の成形アパーチャの検査用治具であって、二次電子の放出効率が成形アパーチャの材料であるシリコンよりも小さい材料を用いて表面全体を形成することで、前記部分に前記吸収層を備えるように構成したことを特徴とする成形アパーチャの検査用治具である。請求項4に記載の本発明は、請求項1、2、3のいずれかの検査用治具に成形アパーチャを搭載して走査電子顕微鏡により一次電子を前記開口パターンのエッジ領域に照射することで、前記開口パターンのパターン形状を検査する検査工程を含むことを特徴とする成形アパーチャの製造方法である。本発明は、成形アパーチャの開口パターンを観察する際に、SEM像のコントラストが充分に得られないといった課題を解消する効果がある。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。図7は、本発明の一実施形態に係る治具に図1の成形アパーチャを装着して電子線を照射したときの模式図である。本実施形態の治具9は、成形アパーチャ8を搭載して押さえ10により固定した際に、開口パターン1が真上にくる治具9の領域上に、二次電子の放出を抑制する吸収層15を備えている。この図では治具9の表面の一部にのみ吸収層15を設けているが、治具9の表面全体を吸収層15で覆うような構造であっても差し支えない。治具9は、一般的には加工性耐食性に優れかつ軽量のアルミを用いて作製される。照射される一次電子電子線13の加速電圧を1keVとすると、アルミの二次電子放出効率は2.10と大きく、成形アパーチャ8の材料であるシリコンのそれ1.60を上回っている。そのため、一次電子が開口パターン1を通過して治具9の表面に照射された際に、治具9から二次電子14が多数放出され、成形アパーチャ8の自立薄膜2とのコントラストを悪くしている。このコントラストの改善には、開口パターン1を通して一次電子電子線13が照射される部分から放出される二次電子14の数を少なくするアプローチが有効である。この開口パターン1を通して一次電子電子線13が照射される部分というのは治具9の表面であるため、治具9表面の、少なくとも一次電子電子線13が照射される部分を、二次電子14の放出効率の小さい物質に置き換えることが有効である。図8は一次電子の加速電圧を1keVとしたときの、各物質の二次電子放出効率を表に纏めたものである。図7に示す、治具9表面の開口パターン1を通して一次電子電子線13が照射される部分に形成する吸収層15としては、成形アパーチャ8の材質であるシリコンより放出効率が小さいものを選択すると良い。図8に示すように、金属としては鉄0.87やチタン0.82、マグネシウム0.43、非金属としてはカプトン0.25やポリイミド0.72、テフロン登録商標1.00、二酸化シリコン1.02などがシリコンより小さい。図7に示す治具9の表面に形成する吸収層15の厚みは、一次電子が治具9の表面にまで侵入しないよう、その侵入深さよりも厚くなるように設定する。この侵入深さは吸収層15として選択する材質により異なるが、加速電圧が1keVであれば、ほぼ全ての物質で厚みが1μm以上あればよい。上述した吸収層15として適する材質のうち、チタンなどの金属については導電性を有しているため、そのまま治具9の材料とすることが可能である。即ち、吸収層15を表面に有する治具9は、二次電子放出効率の小さいチタンなどで形成したものとすることもできる。これらの治具9を用いることにより、大きな開口パターン1を有する成形アパーチャ8のエッジ領域11についても、鮮明なSEM画像が得られることとなり、精度の高い検査が可能となる。このように、図7に示す治具9に成形アパーチャ8を搭載し、走査電子顕微鏡17の電子銃から発生した電子線ビーム13一次電子を、成形アパーチャ8の開口パターン1のエッジ領域11に照射し、成形アパーチャ8の開口パターン1の周縁部分で発生した二次電子14を検出器16で検出し画像解析することで、開口パターン1のラフネスを精度よく検査できる検査工程を構成することができる。そして、この検査工程を含む製造方法により、精度のよい開口パターン1を有する成形アパーチャ8を得ることができる。実施例として、本発明の成形アパーチャの検査用治具を用いた検査方法について、図9を用いて説明する。まずは従来の治具の表面に吸収層15を接着した。吸収層15としてはカプトン製のテープ厚み約50μmを用いた。今回観察した成形アパーチャ8は開口パターン1が一辺2.0mmの正方形、メンブレンエッジ部3が一辺2.9mmの正方形で、双方のパターン中心が一致していた。よって、吸収層15は両者のおよそ中間の大きさである一辺2.4mmの正方形とした。また、成形アパーチャ8を装着したときに、開口パターン1の中心と、吸収層15の中心がおおよそ一致するような位置に接着した。次に、吸収層15の端にメンブレンエッジ3が掛からないように成形アパーチャ8を治具9上に置き、押さえ10により固定した。上記の成形アパーチャ8を搭載した治具9を走査電子顕微鏡内に入れ、エッジ領域11を観察したときのSEM画像を図10に示す。吸収層15を搭載していない治具9で観察した場合のSEM画像図4のbと比較するとコントラストが良く、この画像を用いてエッジのラフネスを精度良く測定することができた。"