絶縁層と、前記絶縁層に形成された凹部と、前記凹部の側面及び底面に形成された被覆層と、前記被覆層上に形成され、前記絶縁層の表面から突出した上面を有する接合金属層と、を備える接合電極。前記接合金属層の上面の突出する高さが、前記凹部の側面に形成されている前記被覆層の厚さよりも大きい請求項1に記載の接合電極。前記凹部の底面に形成されている前記被覆層が、前記接合金属層の上面の突出する高さ以上の厚さに形成されている請求項1に記載の接合電極。前記凹部の側面に形成されている前記被覆層の厚さが、前記凹部の底面に形成されている前記被覆層の厚さよりも小さい請求項1に記載の接合電極。半導体基体と、前記半導体基体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成された凹部と、前記凹部の側面及び底面に形成された被覆層と、前記被覆層上に形成され、前記絶縁層の表面から突出した上面を有する接合金属層と、を備える半導体装置。絶縁層に凹部を形成する工程と、前記絶縁層の表面、及び、凹部内の側面と底面に被覆層を形成する工程と、前記被覆層上に接合金属層を形成する工程と、前記絶縁層の表面から前記被覆層を除去し、前記接合金属層の上面を前記絶縁層の表面から突出させる研磨工程と、を有する接合電極の製造方法。前記研磨工程は、前記被覆層が表面に露出するまで前記接合金属層を除去する第1研磨工程と、前記絶縁層の表面が露出するまで、前記第1研磨工程で露出した前記被覆層を除去する第2研磨工程と、を有する請求項6に記載の接合電極の製造方法。前記第2研磨工程において、前記被覆層の研磨比が前記接合金属層の研磨比よりも大きい条件で研磨する請求項7に記載の接合電極の製造方法。前記第1研磨工程において、前記接合金属層を選択的に研磨することができる条件で研磨する請求項7に記載の接合電極の製造方法。前記第2研磨工程において、前記凹部の側面に形成された前記被覆層の厚さ以上の粒径の研磨剤を用いる請求項7に記載の接合電極の製造方法。半導体基体上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面、及び、凹部内の側面と底面に被覆層を形成する工程と、前記被覆層上に接合金属層を形成する工程と、前記絶縁層の表面から前記被覆層を除去し、前記接合金属層の上面を前記絶縁層の表面から突出させる研磨工程と、を有する半導体装置の製造方法。上述の電極接合では、接続信頼性の向上が求められている。本技術は、接続信頼性の高い接合電極を提供するものである。本技術の接合電極は、絶縁層と、絶縁層に形成された凹部と、凹部の側面及び底面に形成された被覆層と、被覆層上に形成され、絶縁層の表面から突出した上面を有する接合金属層とを備える。また、本技術の半導体装置は、半導体基体に上述の接合電極を備える。また、本技術の接合電極の製造方法は、絶縁層に凹部を形成する工程と、絶縁層の表面、及び、凹部内の側面と底面に被覆層を形成する工程とを有する。そして、被覆層上に接合金属層を形成する工程と、絶縁層の表面から被覆層を除去し、接合金属層の上面を絶縁層の表面から突出させる研磨工程とを有する。また、本技術の半導体装置の製造方法は、半導体基体に上述の工程により接合電極を製造する。本技術の接合電極及び半導体装置によれば、絶縁層の表面から突出した上面を有する接合金属層を備えることにより、接続信頼性を向上させることができる。また本発明の接合電極の製造方法及び半導体装置の製造方法によれば、接続信頼性を向上が可能な凸形状の接合金属層を形成することができる。本技術によれば、接合電極の接続信頼性を向上させることができる。以下、本技術を実施するための最良の形態の例を説明するが、本技術は以下の例に限定されるものではない。なお、説明は以下の順序で行う。1.接合電極の概要2.接合電極、半導体装置の実施の形態3.接合電極、半導体装置の製造方法1.接合電極の概要三次元実装における電極の接合方法について説明する。図1Aに接合電極の構成図を示す。接合電極10は、基体11上に形成された絶縁層12と、絶縁層12の凹部15内に形成されたバリアメタル層13及び接合金属層14とから構成される。この接合電極10は、一般的にCMP法を用いたダマシン法により形成される。まず、基体11上に絶縁層12を形成する。そして、絶縁層12に、電極となる接合金属層14を形成するための凹部15を形成する。凹部15内面を含む絶縁層12全面を覆って、例えば、スパッタリング法やめっき法を用いてバリアメタル層13を形成する。そして、バリアメタル層13上に接合金属層14を形成する。このとき、接合金属層14により凹部15の段差を埋めこむ。次に、CMP法を用いて、絶縁層12上に形成されている、余剰な接合金属層14とバリアメタル層13とを除去する。除去により、凹部15内にバリアメタル層13と接合金属層14が残存する。この絶縁層12の凹部内に残存するバリアメタル層13と接合金属層14とが接合電極となる。しかしながら、一般的なCMP法では、ディッシングと呼ばれる現象により、図1Aに示す接合金属層14のように、接合金属層14の上面が絶縁層12の表面よりも後退する。このため、図1Aに示すように、接続面が後退した接合金属層14同士を接触させると、接合金属層14同士の間に空洞ができるため、接合電極の接続信頼性が低下する。また、ディッシングにより上面が後退した電極の接続方法として、図1Bに示すように、接合金属層14の周囲の絶縁層12を後退させる方法が考えられる。絶縁層12を後退させる方法としては、例えば、CMP法を用いて接合金属層14を平坦化した後、ドライエッチング又はウェットエッチングにより絶縁層12の表面の除去を行う。しかし、接合金属層14の材料にCu等の絶縁層12へ拡散しやすい材料が含まれている場合には、絶縁層12と接合金属層14との間にバリアメタル層13を設けなければならない。このため、図1Bに示すように、接合金属層14周囲の絶縁層12を後退させた場合にも、接合金属層14の側壁にバリアメタル層13が残存する。また、通常バリアメタル層13には、タンタル系金属等の化学的に不活性な金属が含まれる。バリアメタル層13は、絶縁層2をドライエッチング又はウェットエッチングにおいて後退させる工程において、絶縁層12と同じ速度でエッチングすることが困難である。このため、絶縁層12の除去工程において、過剰なエッチングによるバリアメタル層13の窪みや、接合電極の表面のラフネスの悪化が発生する。上述のように、従来のCMP法を用いた接合電極の形成方法では、ディッシングによる接合金属層14の上面の窪みが、接続信頼性を低下させている。上面に窪みが形成された接合金属層14を用いて信頼性の高い電極接合を得るためには、電極接合部となる接合金属層14を絶縁層12及びバリアメタル層13よりも突出した形状とすることが好ましい。2.接合電極、半導体装置の実施の形態以下、接合電極、及び、接合電極を備える半導体装置の具体的な実施の形態について説明する。図2に、接合電極を備える半導体装置の概略構成図を示す。図2に示す半導体装置20は、半導体基体21と、半導体基体21上に形成された絶縁層22とを備える。また、絶縁層22には、接合電極形成用の配線溝である凹部25が形成されている。そして、凹部25内に接合電極26が形成されている。接合電極26は、凹部25の底面及び側面に形成された被覆層23と、被覆層23上に形成された接合金属層24とからなる。絶縁層22の凹部25の底面及び側面にされている被覆層23は、例えば、バリアメタル層や犠牲研磨層からなる。バリアメタル層及び犠牲研磨層としては、絶縁層への拡散性が低く、緻密な層形成が可能な材料を用いる。また、CMPによるエッチング速度に充分な差が発生する材料を用いる。例えば、TiN、TaN、Ta等を用いる。バリアメタル層は、接合金属層24の絶縁22層へ拡散を防ぐこと、及び、後述の研磨工程における被覆層の厚さを確保するために形成する。また、犠牲研磨層は、接合金属層24の絶縁22層へ拡散を考慮せず、後述の研磨工程における被覆層の厚さを確保するために形成することもできる。凹部25内に形成されている接合金属層24は、接合金属層24の上面24Aが、絶縁層22の表面、及び、凹部25の側面に形成された被覆層23の上面よりも高い位置に形成されている。つまり、接合金属層24が、絶縁層22の表面から突出した形状凸形状に形成されている。接合金属層24は、例えば、Cu、Al及びW等を用いて形成する。図3に、絶縁層22の凹部25の底面及び側面に形成される被覆層23の厚さと、接合金属層24の高さの関係を示す。図3に、接合金属層24が絶縁層22の表面から突出する高さ凸量をAとして示す。また、凹部25の底面に形成される被覆層23の厚さをBとし、凹部25の側面に形成される被覆層23の厚さをCとして示す。絶縁層22の表面からの接合金属層24の凸量Aは、被覆層23の凹部25の底面に形成されている厚さB以下A≦Bに形成される。また、接合金属層24の絶縁層22の表面からの凸量Aは、被覆層23の凹部25の側面に形成されている厚さCよりも大A>Cに形成される。接合金属層24の凸量Aは、後述する製造方法の条件により、凹部25の底面に形成されている被覆層23の厚さBと同程度の厚さ、又は、被覆層23の厚さBよりも小さくなる。例えば、接合金属層24の凸量Aは、被覆層23の厚さBの1/2以上、特に好ましくは2/3以上である。また、被覆層23は、凹部25の側面の厚さCが、凹部25の底面の厚さBよりも小さいことC≦Bが好ましい。上述のように、被覆層23の凹部25の底面の厚さBは、接合金属層24の凸量Aに依存して、凸量Aとほぼ同じかそれ以上の厚さに形成される。このため、凹部25内の被覆層23を側面と底面とで同じ厚さに形成した場合には、凹部25の側面の被覆層23の厚さCが、必要以上に厚く形成される場合がある。凹部25の側面の被覆層23の厚さCは、凸量Aの大きさに依存せずに、接合金属層24と絶縁層22との間のバリア層として機能する厚さであればよい。このため、凹部25の側面の被覆層23の厚さCは、凹部25の底面の厚さBよりも小さくてよい。例えば、凹部25の側面の被覆層23の厚さCは、凹部25の底面の厚さBの1/2以下、より好ましくは1/3以下である。同様に、凹部25の側面の被覆層23の厚さCは、接合金属層24の絶縁層22の表面からの凸量Aの1/2以下、より好ましくは1/3以下であることが好ましい。凹部25の側面の被覆層23の厚さCを小さくすることにより、配線溝凹部25内での接合金属層24の形成面積を大きくすることができる。また、凹部25の側面の被覆層23の厚さCを小さくすることにより、絶縁層22及び接合金属層24の表面の平坦化の際の被覆層23の除去を防ぐことができる。凹部25の側面において被覆層23が除去されると、絶縁層22と被覆層23との間に段差が形成される。研磨工程において、この段差部分にスラリーや研磨屑等の残渣成分が堆積しやすい。また、被覆層23が薄く形成されるため、段差部分が狭く残渣成分を洗浄により除去することが難しい。残渣成分の残存は、導電体層の腐食や脱ガスにより配線信頼性の低下を招く恐れがある。従って、凹部25の側面の被覆層23の厚さCを小さくすることにより、絶縁層22と被覆層23との間の段差の発生を抑制し、接合電極の信頼性を向上させることができる。上述の構成の接合電極26を用いて、例えば図4に示すように半導体装置20を接合することができる。接合電極26を接合することにより、接合電極26を介して半導体基体21同士を電気的に接続することができる。また、半導体基体21の非接合面側に、上述の絶縁層と接合電極とを形成し、形成した接合電極を用いてさらに半導体基体を接合することにより、半導体装置を積層構造とすることができる。接合後に絶縁層22間に形成される空洞には、アンダーフィル樹脂を充填してもよい。なお、上述の実施の形態では、接合電極26を形成する配線溝として、半導体基体21上に形成された絶縁層22の凹部25を用いているが、接合電極26を形成する位置は絶縁層に形成された溝であれば特に限定されない。半導体基体上に形成された層間絶縁層や、絶縁基板等に形成された凹部内に、上述の被覆層と接合金属層とからなる接合電極を形成することもできる。また、半導体基体等に溝や孔部を形成し、この溝や孔部内に絶縁層と、被覆層及び接合金属層とを形成して、接合電極とすることもできる。3.接合電極、半導体装置の製造方法次に、上述の接合電極の製造方法、及び、接合電極を有する半導体装置の製造方法について説明する。まず、図5Aに示すように、半導体基体21上に、絶縁層22、被覆層23、及び、接合金属層24を形成する。半導体基体21上に、CVD、スパッタ法等の公知の方法を用いて絶縁層22を形成する。絶縁層22の形成後、接合電極の形成箇所の絶縁層24に凹部25を形成する。すなわち、絶縁層22上にフォトリソグラフィを用いて凹部形成位置を開口するパターンを形成する。そして、絶縁層22をエッチングすることにより凹部25を形成する。絶縁層22上に被覆層23を形成する工程では、絶縁層22の表面、凹部25の底面、及び、凹部25の側面に被覆層23を形成する。被覆層23は、バリアメタル層、又は、犠牲研磨層を単独で形成してもよく、また、バリアメタル層上に犠牲研磨層を形成する構成としてもよい。被覆層23は、例えば、TiやTaターゲットとN2プラズマを用いて通常の反応性スパッタリング法により形成する。絶縁層22上に被覆層23を形成する工程では、絶縁層22の表面の被覆層23の厚さを、製造後の接合電極において、接合金属層24が絶縁層22の表面から突出する高さ凸量以上に形成する。また、上述のスパッタリング法等の形成方法を用いて、絶縁層22の凹部25の底面に、絶縁層22の表面と同じ厚さの被覆層23を形成する。さらに、凹部25の側面への被覆層23の堆積量を、底面及び表面の堆積量よりも減少させ、凹部側面には、凹部底面よりも薄い被覆層23を形成する。上述のように、絶縁層22の表面と凹部25の底面とで厚さを同じくし、凹部25の側面のみの厚さを小さくするためには、リスパッタ効果の低い条件のスパッタリング法により被覆層23を形成する。スパッタ効果の低い条件としては、例えばバイアスパワーを300W以下として被覆層23を形成することが好ましい。また、例えば被覆層23をタンタルで形成する場合には、Arガス流量10sccm、Arガス圧0.1Pa以下、ターゲットDCパワー10kW、及び、基板高周波バイアスパワー300Wの条件で行う。接合金属層24を形成する工程では、例えば、被覆層23上にスパッタリング法によりめっきシード層を形成した後、電解めっき法を用いて接合金属層24を形成する。接合金属層24は、被覆層23及び絶縁層22の凹部25の段差を埋める以上の厚さに形成する。接合金属層24は、例えば、Cu、Al及びW等を用いて形成する。次に、図5Bに示すように、被覆層23が表面に露出するまで、接合金属層24を除去する。接合金属層24の除去は、CMPChemicalMechanicalPolishing法を用いて、接合金属層24を選択的に研磨することができる条件で行う。例えば、被覆層23に対する接合金属層24の研磨速度が100倍以上、好ましくは200倍以上となる条件で研磨する。このように、接合金属層24の研磨速度を、被覆層23に対して充分に速い条件を用いて接合金属層24の除去を行う。被覆層23と接合金属層24とに充分な研磨速度の差があれば、上述の接合金属層24の研磨工程において、被覆層23の除去量を抑えることができる。そして、被覆層23の除去量を抑えることにより、絶縁層22の表面に形成された被覆層23の厚さが保持される。このため、接合金属層24の研磨工程において、絶縁層22の表面に形成された被覆層23をエッチングストッパとして使用し、接合金属層24の上面の位置を被覆層23の表面と同一面に合わせることができる。次に、図5Cに示すように、絶縁層22上の被覆層23を研磨する。被覆層23の除去は、CMP法を用いて、被覆層23の研磨速度が接合金属層24に対して充分に速い条件で行う。例えば、被覆層23に対する接合金属層24の研磨速度が1/2以下、好ましくは1/3以下となる条件で研磨する。被覆層23の研磨工程において、被覆層23の研磨速度を速くすることにより、接合金属層24の厚さを保持したまま、絶縁層22表面の被覆層23を除去することができる。この結果、接合金属層24の厚さが維持され、絶縁層22の表面に接合金属層24の上面が突出する形状となる。また、被覆層23の研磨工程において、接合金属層24が除去されなければ、接合金属層24の上面の突出する高さ凸量は、研磨工程の前に絶縁層22の表面に形成される被覆層23の厚さと等しい。あるいは、絶縁層22の表面に形成されていた被覆層22と、絶縁層23の凹部25の底面に形成される被覆層23とは、同じ厚さで形成する。このため、例えば、被覆層23に対する接合金属層24の研磨速度が1/2以下であれば、接合金属層24の凸量は、絶縁層22の凹部25の底面に形成される被覆層23の厚さの1/2以上が残存する。また、例えば、被覆層23に対する接合金属層24の研磨速度が1/3以下であれば、接合金属層24の凸量は、絶縁層22の凹部25の底面に形成される被覆層23の2/3以上が残存する。このように、接合金属層24の凸量は、上述の絶縁層22表面の被覆層23の厚さと、被覆層23の研磨工程における、被覆層23と接合金属層24の研磨速度比により、制御することができる。上述の接合金属層24の研磨工程、及び、被覆層23の研磨工程において、それぞれ選択的に研磨する方法について説明する。接合金属層24の研磨工程における接合金属層24を選択的な研磨は、例えば、酸化剤や錯形成剤を用いたCMP法により行う。酸化剤や錯形成剤を用いることにより、接合金属層24を構成する金属の酸化を促進させ、被覆層23に対する接合金属層24の研磨速度を向上させることが可能である。被覆層23の研磨工程における被覆層23の選択的な研磨は、接合金属層24の研磨速度の抑制する方法と、被覆層23の研磨速度の向上させる方法とを組み合わせ、任意の選択比に調整する。接合金属層24の研磨速度の抑制は、例えば、酸化抑制、及び、酸化防止剤の添加により行う。酸化抑制や酸化防止剤を添加することにより、接合金属層24の研磨速度を遅くすることが可能である。また、一般的に被覆層23に用いられる材料は、接合金属層24よりも不活性である。このため、研磨剤の濃度を高くして機械的作用を増すことにより、被覆層23の研磨速度が向上させることが可能である。このとき、スラリーのpH調整、研磨剤の表面改質等を行うことで、研磨剤と被覆層23表面の相互作用を増加させ、機械的研磨をより効果的に行うことも可能である。この方法は、被覆層23の材料の種類や、使用する研磨剤に依存する。例えば、被覆層23として一般的なタンタルでは、比表面積が大きいシリカ粒子を酸性水溶液中に分散することで高い研磨速度が得られる。このとき、接合金属層24を構成する金属の酸化剤、例えばCu酸化を促す薬液等を含まなければ、接合金属層24の研磨を抑制することができる。上述のように、第1段階として、接合金属層24を選択的に除去して、接合金属層24の上面が被覆層23と同じ面となるまで研磨する。そして、第2段階として、被覆層23を優先的に除去し、接合金属層24の厚さを維持した状態で、絶縁層22の表面の被覆層23を除去する。これにより、図5Cに示すように、接合金属層24が絶縁層22の表面から突出した接合電極26を形成することができる。また、被覆層23の研磨工程において、CMP法に用いる研磨剤は、図6Aに示すように、研磨剤27の粒子径Dが凹部25の側面に形成される被覆層23の厚さC以上であることが好ましい。また、研磨剤が球形ではなく、楕円体のように長径、短径が存在する場合には、短径が凹部25の側面に形成される被覆層23の厚さC以上であることが好ましい。特に、研磨剤27の粒子系又は短径が、凹部25の側壁に形成される被覆層23の厚さCの1/2以下であることが好ましい。例えば、図6Bに示すように、凹部25の側面に形成される被覆層23の厚さCよりも研磨剤の粒子系Dが小さい場合には、絶縁層22の表面が露出した後に、凹部25内の被覆層が研磨される。この状態で研磨が継続されると、被覆層23が凹部25内の深部まで除去される。これに対し、図6Cに示すように、粒径Dが凹部25の側面に形成される被覆層23の厚さC以上であれば、凹部25の側面の被覆層23の表面が研磨されるが、被覆層23の深部まで研磨が進行しない。このため、凹部25の側面に被覆層23が残存する。絶縁層22と接合金属層24との間に被覆層23が残存することにより、絶縁層22への接合金属層24の拡散を防ぎ、接合電極の信頼性が向上する。また、研磨により凹部25の側面の被覆層23が選択的に研磨されると、研磨により形成された被覆層23の窪みにスラリー成分や研磨屑が溜まりやすい。このような急峻な窪みでは、内部まで洗浄が困難であり、残存する上記の成分が配線腐食や脱ガスによる配線信頼性の劣化の要因となる。このため、研磨剤の粒子径Dを凹部25の側面に形成される被覆層23の厚さC以上とすることより、凹部25の側面の被覆層23の除去による信頼性の低下を防ぐことができる。上述の接合電極の製造方法によれば、絶縁層22上に被覆層23及び接合金属層24を形成した後、接合金属層24を選択的に研磨する工程と、被覆層23を優先的に研磨する工程とにより、凸形状の接合電極を形成する。ディッシングにより接合金属層表面が減退した場合にも、接合金属層自体が凸形状に形成されているため、確実に接触させることができる。従って、電極接合の信頼性を向上させることが可能である。また、接合金属層24を選択的に研磨する工程において、接合金属層24の上面を被覆層23の表面と同じ面にする。そして、被覆層23を優先的に研磨する工程において、被覆層23の研磨速度と接合金属層24の研磨速度とを、任意の速度比とすることにより、絶縁層22上に被覆層23を残存させずに、接合金属層24を絶縁層の表面から突出した形状に加工することができる。そして、上述の構成の接合電極を用いて、図4に示すように半導体装置を接合することにより、接続信頼性の高い電極接合が可能である。その他の構成なお、本技術は以下のような構成も取ることもできる。1絶縁層と、前記絶縁層に形成された凹部と、前記凹部の側面及び底面に形成された被覆層と、前記被覆層上に形成され、前記絶縁層の表面から上部が突出した接合金属層とを備える接合電極。2前記接合金属層の上面の突出する高さが、前記凹部の側面に形成されている前記被覆層の厚さよりも大きい前記1に記載の接合電極。3前記凹部の底面に形成されている前記被覆層が、前記接合金属層の上面の突出する高さ以上の厚さに形成されている前記1又は2に記載の接合電極。4前記凹部の側面に形成されている前記被覆層の厚さが、前記凹部の底面に形成されている前記被覆層の厚さよりも小さい前記1から3のいずれかに記載の接合電極。5前記1から4のいずれかに記載の接合電極を備える半導体装置。6絶縁層に凹部を形成する工程と、前記絶縁層の表面、及び、凹部内の側面と底面に被覆層を形成する工程と、前記被覆層上に接合金属層を形成する工程と、前記絶縁層の表面から前記被覆層を除去し、前記接合金属層の上面を前記絶縁層の表面から突出させる研磨工程と、を有する接合電極の製造方法。7前記研磨工程は、前記被覆層が表面に露出するまで前記接合金属層を除去する第1研磨工程と、前記絶縁層の表面が露出するまで、前記第1研磨工程で露出した前記被覆層を除去する第2研磨工程と、を有する前記6に記載の接合電極の製造方法。8前記第2研磨工程において、前記被覆層の研磨比が前記接合金属層の研磨比よりも大きい条件で研磨する前記6又は7のいずれかに記載の接合電極の製造方法。9前記第1研磨工程において、前記接合金属層を選択的に研磨することができる条件で研磨する前記6から8のいずれかに記載の接合電極の製造方法。10前記第2研磨工程において、前記凹部の側面に形成された前記被覆層の厚さ以上の粒径の研磨剤を用いる前記6から9のいずれかに記載の接合電極の製造方法。11前記6から10のいずれかに記載の方法により接合電極を形成する半導体装置の製造方法。