三価のイリジウムイオンおよび四価のイリジウムイオンの少なくとも一方と、三価のチタンイオンとを含むことを特徴とする無電解イリジウムめっき液。前記イリジウムイオンの濃度が0.2mmol/L~60mmol/Lであり、前記チタンイオンの濃度が0.01mol/L~2mol/Lであり、めっき液のpHが1~6である請求項1に記載の無電解イリジウムめっき液。モノカルボン酸、ジカルボン酸およびそれらの塩からなる群から選択される安定化剤0.001mol/L~1mol/Lを更に含む請求項1または2に記載の無電解イリジウムめっき液。酸化還元電位ORPが-0.1V~0.8Vvs.SHEであり且つ窒素およびリンを含まない化合物から選択される酸化抑制剤0.001mol/L~1mol/Lを更に含む請求項1~3の何れか一項に記載の無電解イリジウムめっき液。前記酸化抑制剤が、アスコルビン酸、エリソルビン酸、カテコール、カテコールジスルホン酸およびそれらの塩からなる群から選択される請求項4に記載の無電解イリジウムめっき液。請求項1~5の何れか一項に記載の無電解イリジウムめっき液を用いて、銅または銅合金上にイリジウムめっき皮膜を形成することを特徴とする無電解めっき方法。このように、従来の無電解イリジウムめっき法は、工業化適性、めっき品質等において問題がある上に、銅材料に対してイリジウムめっきを直接形成することができないという致命的な問題があった。従って、本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、工業化適性が高く、品質の優れたイリジウムめっき皮膜を銅材料に対して直接形成することのできる無電解イリジウムめっき液および無電解めっき方法を提供することを目的とする。本発明者は、従来の無電解イリジウムめっき液組成について検討した結果、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン等の存在が銅材料に対するイリジウムめっき皮膜の形成を阻害しているのではないかという着想を得た。このような着想から、ジメチルアミンボランといった分子系還元剤ではなく、2つの価数を取り得る金属に着目して鋭意検討したところ、還元剤として三価のチタンイオンを用いることが有効であることに想到し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、三価のイリジウムイオンおよび四価のイリジウムイオンの少なくとも一方と、三価のチタンイオンとを含む無電解イリジウムめっき液である。また、本発明は、上記無電解イリジウムめっき液を用いて、銅または銅合金上にイリジウムめっき皮膜を形成する無電解めっき方法である。本発明によれば、工業化適性が高く、品質の優れたイリジウムめっき皮膜を銅材料に対して直接形成することのできる無電解イリジウムめっき液および無電解めっき方法を提供することができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明に係る無電解イリジウムめっき液は、塗着原料となる三価のイリジウムイオンおよび四価のイリジウムイオンの少なくとも一方と、還元剤として作用する三価のチタンイオンとを主成分とする。三価のイリジウムイオンおよび四価のイリジウムイオンの供給源となる化合物としては、例えば、三塩化イリジウム、四塩化イリジウム、三臭化イリジウム、四臭化イリジウム、六塩化イリジウム三カリウム、六塩化イリジウム二カリウム、六塩化イリジウム三ナトリウム、六塩化イリジウム二ナトリウム、六臭化イリジウム三カリウム、六臭化イリジウム二カリウム、六ヨウ化イリジウム三カリウム、トリス硫酸二イリジウム、ビス硫酸イリジウム等の溶解して三価または四価のイリジウムイオンを生成するイリジウム塩が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、めっき速度が高いという点で、三価のイリジウムイオン供給源となる六塩化イリジウム三カリウム、六塩化イリジウム三ナトリウム、六臭化イリジウム三カリウムおよび六ヨウ化イリジウム三カリウムが好ましい。ただし、アミン系イオンおよびリン系イオンを生成する化合物は、イリジウムめっき皮膜の形成を阻害する恐れがあるので好ましくない。無電解イリジウムめっき液におけるイリジウムイオンの濃度は、0.2mmol/L~60mmol/Lであることが好ましく、1mmol/L~40mmol/Lであることが更に好ましい。イリジウムイオンの濃度が上記範囲外であると、めっき速度が低下することがあるため好ましくない。三価のチタンイオンの供給源となる化合物としては、例えば、三塩化チタン、三フッ化チタン、三臭化チタン、第一硫酸チタン等の溶解して三価のチタンイオンを生成するチタン塩が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。ただし、アミン系イオンおよびリン系イオンを生成する化合物は、イリジウムめっき皮膜の形成を阻害する恐れがあるので好ましくない。無電解イリジウムめっき液におけるチタンイオンの濃度は、0.01mol/L~2mol/Lであることが好ましく、0.02mol/L~1mol/Lであることが更に好ましい。チタンイオンの濃度が2mol/Lを超えると、めっき反応の進行に伴い水酸化チタンが発生してめっき反応を阻害することがあるため好ましくなく、また、0.01mol/L未満であると、還元作用が不十分となりめっき反応が進行しなくなることがあるため好ましくない。無電解イリジウムめっき液のpHは、1~6であることが好ましく、2~5であることが更に好ましい。無電解イリジウムめっき液のpHが1未満であると、めっき対象物の腐食が激しくなったりめっき速度が低下することがあるため好ましくなく、また、6を超えると、三価および四価のチタンイオンが水酸化物を形成してめっき反応を阻害することがあるため好ましくない。pH調整剤としては、特に限定されるものではないが、アミン系イオンを生成するもの例えば、アンモニアやリン系イオンを生成するもの例えば、リン酸はイリジウムや銅材料に優先的に吸着してめっき反応を阻害することがあるため好ましくない。本発明の無電解イリジウムめっき液には、めっき反応の進行に伴い生成する四価のチタンイオンを安定化させる目的で、モノカルボン酸、ジカルボン酸およびそれらの塩からなる少なくとも1種の安定化剤を添加してもよい。モノカルボン酸の具体例としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸等が挙げられる。ジカルボン酸の具体例としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、リンゴ酸等が挙げられる。塩としては、これらのカルボン酸に対してナトリウム、カリウム、リチウム等が対イオンとして結合しているものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。ただし、アミン系イオンおよびリン系イオンを生成する化合物は、イリジウムめっき皮膜の形成を阻害する恐れがあるので好ましくない。安定化剤を使用する場合、その添加量は、0.001mol/L~1mol/Lであることが好ましく、0.01mol/L~0.5mol/Lであることが更に好ましい。安定化剤の添加量が0.001mol/L未満であると、安定化剤の効果が十分に得られないことがあるため好ましくなく、また、1mol/Lを超えると、めっき反応の界面に悪影響を及ぼしめっき速度を低下させることがあるため好ましくない。本発明の無電解イリジウムめっき液には、イリジウムイオンの価数を三価または四価で安定させる目的で、酸化抑制剤を添加してもよい。このような酸化抑制剤は、酸化還元電位ORPが好ましくは-0.1V~0.8Vvs.SHE標準水素電極、より好ましくは0V~0.8Vであり且つ窒素およびリンを含まない化合物から選択される。このような化合物の具体例としては、アスコルビン酸、エリソルビン酸、カテコール、カテコールジスルホン酸およびそれら塩等が挙げられる。塩としては、アスコルビン酸、エリソルビン酸、カテコール、カテコールジスルホン酸等に対してナトリウム、カリウム、リチウム等が対イオンとして結合しているものが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。ただし、アミン系イオンおよびリン系イオンを生成する化合物は、イリジウムめっき皮膜の形成を阻害する恐れがあるので好ましくない。酸化抑制剤を使用する場合、その添加量は、0.001mol/L~1mol/Lであることが好ましく、0.01mol/L~0.5mol/Lであることが更に好ましい。酸化抑制剤の添加量が0.001mol/L未満であると、酸化抑制剤の効果が十分に得られないことがあるため好ましくなく、また、1mol/Lを超えて添加してもほとんど効果が増強されることがないため好ましくない。本発明の無電解イリジウムめっき液には、本発明の効果を損なわない範囲で、緩衝剤、反応促進剤、光沢剤、界面活性剤、機能付与剤等の公知の添加剤を必要に応じて添加してもよい。ただし、アミン系イオンおよびリン系イオンを生成するものを添加することは、めっき反応を阻害する恐れがあるため、避けることが好ましい。緩衝剤としては、ホウ酸、酢酸、酒石酸等が挙げられる。緩衝剤を添加する場合、その添加量は、通常、無電解イリジウムめっき液に対して1g/L~100g/L程度である。反応促進剤としては、メソイオン化合物、スルホベタイン化合物等が挙げられる。反応促進剤を添加する場合、その添加量は、通常、無電解イリジウムめっき液に対して0.01g/L~1g/L程度である。光沢剤としては、ポリエチレングリコール等が挙げられる。光沢剤を添加する場合、その添加量は、通常、無電解イリジウムめっき液に対して0.01g/L~1g/L程度である。界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩等のアニオン界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を添加する場合、無電解イリジウムめっき液に対して10mg/L~30mg/L程度である。機能付与剤としては、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、テトラフルオロエチレン-パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体PFA、フッ素樹脂、フッ化化合物、ナイロン、ポリエチレン、二硫化モリブデン、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化チタン、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ等が挙げられる。PTFE粒子を機能付与剤として添加する場合、無電解イリジウムめっき液に対して1g/L~30g/L程度である。また、炭化ケイ素粒子を機能付与剤として添加する場合、無電解イリジウムめっき液に対して1g/L~10g/L程度である。次に、本発明に係る無電解めっき方法について、以下に説明する。本発明の無電解めっき方法では、上述の無電解イリジウムめっき液に銅を主成分とする被めっき物を浸漬して、皮膜均一性、耐食性および耐熱性に優れたイリジウムめっき皮膜を被めっき物表面に形成させることができる。めっき液温度浴温は、40°C~90°Cとすることが好ましく、50~80°Cとすることが更に好ましい。めっき液温度が40°C未満であると、十分なめっき速度が得られないことがあるため好ましくなく、また、90°Cを超えると、本発明の無電解イリジウムめっき液が不安定になることがあるため好ましくない。また、めっき中、必要に応じてめっき液を撹拌したり、被めっき物を揺動することにより、被めっき物の表面にイリジウムめっき皮膜をより均一に形成させることができる。この場合、めっき液の撹拌および被めっき物の揺動方法としては、当該技術分野において公知の撹拌方法や揺動方法を採用することができる。また、イリジウムめっき皮膜の析出速度めっき速度はめっき条件等によって変わるが、通常1nm/h~200nm/h程度である。めっき皮膜の膜厚は、めっき製品の使用目的等により適宜選定されるが、通常50nm~100nm程度である。更に、長期連続使用においては、めっきの進行に伴ってめっき液中のイリジウムイオン、還元剤である三価のチタンイオンおよび酸化抑制剤使用する場合が消費されてその濃度が低下したり、めっきの進行に伴ってめっき液中の安定化剤使用する場合が不足することがあるので、連続的に又は適当な時間ごとに、三価または四価のイリジウムイオン供給源、三価のチタンイオン供給源、安定化剤、酸化抑制剤、pH調整剤等をめっき液に補給することが好ましい。なお、被めっき物表面には、イリジウムめっき皮膜との付着性を良好にする目的で、無電解イリジウムめっき液に浸漬する前に、前処理を行い、銅または銅合金以外の被めっき物には、銅めっきを施すことが好ましい。そのような前処理としては、例えば、溶剤又はアルカリ溶液を用いた脱脂、亜鉛置換処理、酸浸漬処理等を挙げることができる。また、銅めっきとしては公知の電気銅めっき、無電解銅めっきいずれも用いることができる。また、本発明では、発明の効果を損なわない範囲で、還元剤の電界還元を行うことができる。本発明で用いる還元剤の三価のチタンイオンは、めっき反応後、四価のチタンイオンとなるが、電位を印加することにより四価のチタンイオンを三価のチタンイオンに還元することができる。ただし、アノード側では逆反応が生じるため、アニオン交換膜等を用いてアノード側へのチタンイオンの移動を抑制する必要がある。めっき対象物である被めっき物は、銅および銅合金に限られず、銅めっきを前処理として施せばいずれの材質でも使用することができ、例えば、金属、表面が導電化されたプラスチックやセラミック等も挙げられる。銅および銅合金としては、例えば、タフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅、Snが添加された銅、Agが添加された銅、Cr、Zr又はMg等が添加された銅合金、NiおよびSi等が添加されたコルソン系銅合金が挙げられる。上述したような本発明の無電解イリジウムめっき液および無電解めっき方法は、細かい部品を大量にめっき処理することができるので、従来の電気イリジウムめっき法に比べ高い生産性を有している。本発明により形成されたイリジウムめっき皮膜は、皮膜均一性、耐食性および耐熱性に優れているので、熱処理や大電流に起因した金属間化合物IMC層生成による接合信頼性低下やエレクトロマイグレーション、アーク放電による材料破壊の改善に用いることができる。これらのことから、本発明は、電子部品産業、重電機産業、自動車産業等の産業分野で極めて有用であるといえる。以下、実施例および比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない実施例1下記液組成の無電解イリジウムめっき液を調製し、浴温70°C、めっき時間1時間というめっき条件で5mm×20mm×厚さ0.01mmの純銅箔に無電解イリジウムめっきを施した。<液組成>六塩化イリジウム三ナトリウム5g/L三価のイリジウムイオンとして10mmol/L22三塩化チタン溶液40mL/L三価のチタンイオンとして0.057mol/LpH3.530重量NaOHおよび30重量H2SO4を添加することにより調整得られためっき皮膜について下記に示す項目を評価した。結果を表1に示す。<めっき速度>めっき処理前後の銅箔の重量増加分を銅箔の表面積、イリジウムの比重で割ることにより、めっき速度nm/cm2hourを求めた。<外観>めっきが施された銅箔の表面を目視にて観察し、下記判定基準に基づいて評価した。○:光沢のある皮膜△:ピット発生又は白っぽい皮膜×:光沢のない又は色ムラ光沢ムラのある皮膜<めっき液状態>1時間めっきを行った後の液の状態を目視にて観察し、めっき前の状態との変化を評価した。実施例2下記液組成の無電解イリジウムめっき液を用いる以外は、実施例1と同様にして、純銅箔にイリジウムめっきを施し、評価を行った。結果を表1に示す。<液組成>六塩化イリジウム二ナトリウム5g/L四価のイリジウムイオンとして11mmol/L22三塩化チタン溶液40mL/L三価のチタンイオンとして0.057mol/LpH3.530重量NaOHおよび30重量H2SO4を添加することにより調整実施例3下記液組成の無電解イリジウムめっき液を用いる以外は、実施例1と同様にして、純銅箔にイリジウムめっきを施し、評価を行った。結果を表1に示す。<液組成>六塩化イリジウム三ナトリウム5g/L三価のイリジウムイオンとして10mmol/Lシュウ酸10g/L0.11mol/L22三塩化チタン溶液40mL/L三価のチタンイオンとして0.057mol/LpH3.530重量NaOHおよび30重量H2SO4を添加することにより調整実施例4下記液組成の無電解イリジウムめっき液を用いる以外は、実施例1と同様にして、純銅箔にイリジウムめっきを施し、評価を行った。結果を表1に示す。六塩化イリジウム三ナトリウム5g/L三価のイリジウムイオンとして10mmol/Lシュウ酸10g/L0.11mol/Lアスコルビン酸24g/L0.14mol/L22三塩化チタン溶液40mL/L三価のチタンイオンとして0.057mol/LpH3.530重量NaOHおよび30重量H2SO4を添加することにより調整比較例1特許文献1を参考にして、5mm×20mm×厚さ0.01mmの純銅箔に、下記吸着浴組成の液を用いて80°Cで60分処理した後、下記還元浴組成の液を用いて40°Cで60分処理し、最後に下記成長浴組成の液を用いて75°Cで30分処理した。結果を表1に示す。<吸着浴>塩化イリジウムアンモニウム6.3g/Lアンモニア水63mL/LpH10.5<還元浴>水素化ホウ素ナトリウム0.5溶液1.5g/LpH緩衝液0.1N-NaOH0.1M-H3BO4pH9.5<成長浴>塩化イリジウム3.1g/Lジメチルアミンボラン5溶液50g/LpH緩衝液0.1N-NaOH0.1M-H3BO4pH9.5比較例2特許文献2を参考にして、5mm×20mm×厚さ0.01mmの純銅箔に、下記液組成のめっき液を用いて75°Cで1時間処理した。結果を表1に示す。<液組成>六塩化イリジウム二ナトリウム1.25g/LNH2OHHCl5水溶液100mL/LN2H4H2O20水溶液30mL/LpH7.7比較例3特許文献3を参考にして、5mm×20mm×厚さ0.01mmの純銅箔に、下記液組成のめっき液を用いて75°Cで1時間処理した。結果を表1に示す。<液組成>K[IrN2H5Cl5]1.3gpH2.8比較例4特許文献4を参考にして、5mm×20mm×厚さ0.01mmの純銅箔に、下記液組成の置換めっき液を用いて60°Cで1時間処理した。結果を表1に示す。<液組成>六塩化イリジウム二ナトリウム5g/LpH3.5表1の結果から、実施例1~4は、銅箔上にイリジウムめっき皮膜を形成することが可能であることが分かる。実施例3および4では、安定化剤としてシュウ酸が添加されているので、めっき液の白濁が防止されている。更に、実施例4では、酸化抑制剤としてアスコルビン酸が添加されているので、めっき速度が劇的に向上している。一方、比較例1~4はいずれも、銅箔上にイリジウムめっき皮膜を形成することができなかった。このように従来提案されている無電解イリジウムめっき液では不可能であった銅素材上へのイリジウムめっきが、本発明によりはじめて可能になったことは上記結果から明らかである。