"表面を110面としたシリコンウェハーに、110面上であって、該110面に直交する第1の111面の面方向に切断予定線を設定し、該切断予定線上にシリコンウェハーを厚さ方向に貫通した貫通孔を複数列設し、該貫通孔は、第1の111面と、第1の111面と交差すると共に前記110面に直交する第2の111面と、該第2の111面と第1の111面とに交差すると共に前記110面に対して傾斜する第3の111面と、を有し、第2の111面と第3の111面の端縁との交差点を、隣り合う貫通孔に最も近接する点とし、第1の111面に直交する方向における前記交差点の位置を、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の相対する第1の111面の間に設定したことを特徴とするシリコンウェハーのブレイクパターン。前記交差点は、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の第2の111面に対向させたことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハーのブレイクパターン。請求項1または請求項2に記載のブレイクパターンが形成されたことを特徴とするシリコンウェハー。請求項1または請求項2に記載のブレイクパターンをエッチングによりシリコンウェハーに形成し、該シリコンウェハーをその中心から放射状に引っ張るエキスパンドブレイクによって前記ブレイクパターンで切断することで作成されたことを特徴とするシリコン基板。しかしながら、上記のような残存部の形状は管理し難く、エッチングのばらつきエッチング時間のばらつきによりその大きさがばらつき易い。この残存部の大きさがばらつくと、隣り合う貫通孔との間に形成された脆弱部の強度がばらつき、安定して切断予定線で切断できない虞がある。すなわち、例えば、意図しない部分で切断されたり、残存部の破片が飛び散る虞もある。また、より安定して切断予定線で切断するため、図8aに示すように、シリコンウェハーの表面81である110面に対して垂直な第1の111面82および第2の111面83により平行四辺形状に貫通孔84を形成し、その鋭角部分を隣り合う貫通孔84同士で対向させたブレイクパターンがある。この場合は、隣り合う貫通孔の鋭角部分の間が切断予定線となる。しかしながら、鋭角部分の内側はエッチングし難く、エッチングのばらつきによりシリコンウェハーの表面81に対して傾斜する第3の111面が残存部85として残り易い図8b参照。この残存部85があると、切断予定線と異なる線例えば、図8bにおける破線で切断される虞があるだけでなく、切断されなかったり、破片が飛び散ったりする虞がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、エッチングのばらつきによらず安定して切断することができるシリコンウェハーのブレイクパターン、シリコンウェハー、および、シリコン基板を提供することにある。本発明のシリコンウェハーのブレイクパターンは、上記目的を達成するために提案されたものであり、表面を110面としたシリコンウェハーに、110面上であって、該110面に直交する第1の111面の面方向に切断予定線を設定し、該切断予定線上にシリコンウェハーを厚さ方向に貫通した貫通孔を複数列設し、該貫通孔は、第1の111面と、第1の111面と交差すると共に前記110面に直交する第2の111面と、該第2の111面と第1の111面とに交差すると共に前記110面に対して傾斜する第3の111面と、を有し、第2の111面と第3の111面の端縁との交差点を、隣り合う貫通孔に最も近接する点とし、第1の111面に直交する方向における前記交差点の位置を、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の相対する第1の111面の間に設定したことを特徴とする。本発明のシリコンウェハーのブレイクパターンによれば、第2の111面と第3の111面の端縁との交差点から切断予定線に沿った仮想線上に隣り合う貫通孔が配置されるため、切断予定線に沿って切断することができる。また、エッチングがばらついたとしても、切断予定線に沿って切断することができ、安定して基板を切断することができる。なお、切断予定線とは、シリコンウェハーを個々のパーツに分割する際の目標とする切断位置想定される切断位置を示す仮想線を意味し、第1の111面に直交する方向に対し、貫通孔を超えない範囲で多少の幅を有する。上記構成において、前記交差点は、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の第2の111面に対向させた構成を採用することが望ましい。本発明のシリコンウェハーのブレイクパターンによれば、切断予定線の位置を第2の111面を通る位置に絞り込むことができ、より正確に切断することができる。これにより、より安定して基板を切断することができる。また、本発明のシリコンウェハーは、上記何れかの構成のブレイクパターンが形成されたことを特徴とする。さらに、本発明のシリコン基板は、上記何れかの構成のブレイクパターンをエッチングによりシリコンウェハーに形成し、該シリコンウェハーをその中心から放射状に引っ張るエキスパンドブレイクによって前記ブレイクパターンで切断することで作成されたことを特徴とする。以下、本発明を実施するための形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下においては、本発明の液体噴射装置として、インクジェット式記録装置1以下、プリンターを例に挙げて説明する。図1はプリンター1の構成を示す斜視図である。このプリンター1は、液体噴射ヘッドの一種である記録ヘッド2が取り付けられると共に、液体供給源の一種であるインクカートリッジ3が着脱可能に取り付けられるキャリッジ4と、記録動作時の記録ヘッド2の下方に配設されたプラテン5と、キャリッジ4を記録紙6記録媒体および着弾対象の一種の紙幅方向、即ち、主走査方向に往復移動させるキャリッジ移動機構7と、主走査方向に直交する副走査方向に記録紙6を搬送する搬送機構8と、を備えている。キャリッジ4は、主走査方向に架設されたガイドロッド9に軸支された状態で取り付けられており、キャリッジ移動機構7の作動により、ガイドロッド9に沿って主走査方向に移動する。キャリッジ4の主走査方向の位置は、位置情報検出手段の一種であるリニアエンコーダー10によって検出され、その検出信号、即ち、エンコーダーパルス位置情報の一種をプリンター1の制御部に送信する。また、キャリッジ4の移動範囲内における記録領域よりも外側の端部領域には、キャリッジ4の走査の基点となるホームポジションが設定されている。本実施形態におけるホームポジションには、記録ヘッド2のノズル形成面ノズルプレート25:図2参照を封止するキャッピング部材11と、ノズル形成面を払拭するためのワイパー部材12とが配置されている。そして、プリンター1は、このホームポジションから反対側の端部へ向けてキャリッジ4が移動する往動時と、反対側の端部からホームポジション側にキャリッジ4が戻る復動時との双方向で記録紙6上に文字や画像等を記録する所謂双方向記録を行う。記録ヘッド2は、図2に示すように、ヘッドケース15、振動子ユニット16、及び流路ユニット17から構成されている。ヘッドケース15は、例えば、エポキシ系樹脂により作製された中空箱体状部材であり、その先端面下面には流路ユニット17を固定し、ケース内部に形成された収容空部18内には振動子ユニット16を収容している。また、ヘッドケース15の内部には、その高さ方向を貫通してケース流路19が形成されている。このケース流路19は、インクカートリッジ3からのインクを後述するリザーバー27に供給するための流路である。振動子ユニット16は、櫛歯状に列設された複数の圧電振動子20と、この圧電振動子20に駆動基板からの駆動信号を供給するためのフレキシブルケーブル21配線部材と、圧電振動子20の一側端部を固定する固定板22と、から構成される。圧電振動子20の固定板22に固定されない自由端部の先端面は、後述する島部36振動板26に接合されている。そして、この圧電振動子20は、駆動信号の印加により伸縮して後述する圧力室29の容積を膨張又は収縮することで、圧力室29内のインクに圧力変動を生じさせ、この圧力変動の制御によりノズル31からインクを噴射させることができる。流路ユニット17は、流路形成基板24の一方の面にノズルプレート25を、流路形成基板24の他方の面に振動板26をそれぞれ接合して構成されている。この流路ユニット17には、ケース流路19と連通するリザーバー27共通液室と、流路幅の狭い狭窄部として形成されるインク供給口28と、インク供給口28を介してリザーバー27と連通する圧力室29と、圧力室29に開口したノズル31とが設けられている。本実施形態では、流路形成基板24は、結晶性を有する基材であるシリコンウェハー38をエッチング処理することによって作製されている。上記ノズルプレート25は、ドット形成密度に対応したピッチ例えば180dpiで複数のノズル31が列状に穿設されたステンレス等の金属製の薄いプレートである。本実施形態のノズルプレート25には、ノズル31を列設したノズル列が設けられており、1つのノズル列は、例えば180個のノズル31によって構成される。上記振動板26は、支持板32の表面に弾性体膜33を積層した二重構造である。本実施形態では、金属板の一種であるステンレス板を支持板32とし、この支持板32の表面に樹脂フィルムを弾性体膜33としてラミネートした複合板材を用いて振動板26を作製している。この振動板26には、圧力室29の容積を変化させるダイヤフラム部34が設けられている。また、この振動板26には、リザーバー27の一部を封止するコンプライアンス部35が設けられている。上記のダイヤフラム部34は、エッチング加工等によって圧力室29に対向する領域の支持板32を部分的に除去することで作製される。即ち、このダイヤフラム部34は、圧電振動子20の自由端部固定板22に固定される側とは反対側の端部の先端面が接合される島部36と、この島部36を囲む薄肉弾性部とからなる。上記のコンプライアンス部35は、リザーバー27の開口面に対向する領域の支持板32を、ダイヤフラム部34と同様にエッチング加工等によって除去することにより作製され、リザーバー27に貯留されたインクの圧力変動を吸収するダンパーとして機能する。そして、上記の島部36には圧電振動子20の先端面が接合されているので、この圧電振動子20の自由端部を伸縮させることで圧力室29の容積を変動させることができる。この容積変動に伴って圧力室29内のインクに圧力変動が生じる。そして、記録ヘッド2は、この圧力変動を利用してノズル31からインク滴を吐出させるようになっている。次に、上記流路形成基板24の材料となるシリコンウェハー38について説明する。図3は、シリコンウェハー38の平面図である。このシリコンウェハー38は、表面39が結晶方位面110面に設定され、厚さが流路形成基板24の厚さ例えば、400μmに設定されたシリコン単結晶基板である。このシリコンウェハー38の表面39上に、流路形成基板24となる基板領域24′を複数本実施形態では10箇所区画し、各領域に上記インク流路となる部分リザーバー27、圧力室29等をエッチングによって形成する。また、同じくエッチングによって厚さ方向に貫通した細長く小さな貫通孔40図4等参照を横切断予定線L1本発明における切断予定線に相当上に複数穿設すると共に、この横切断予定線L1に直交する縦切断予定線L2上に貫通孔40を複数穿設してブレイクパターンを形成する。本実施形態の横切断予定線L1は、110面上であって、この110面に直交する第1の111面42の面方向に設定されている。また、縦方向の縦切断予定線L2は、第1の111面42に垂直な軸方向に設定されている。なお、第1の111面4242′は、エッチング処理における基準面となるオリエンテーションフラット所謂オリフラOFに平行な面となっている。図4は、シリコンウェハー38における横切断予定線L1上に形成されたブレイクパターンの構成を説明する図であり、図4aはエッチング時間が相対的に長く又は、エッチングの進行が相対的に早く、残存部47が概ねなくなった状態のブレイクパターンの一部拡大図、図4bはエッチング時間が相対的に短く又は、エッチングの進行が遅く、残存部47が残った状態のブレイクパターンの一部拡大図である。エッチング時間を長くしたときの貫通孔40は、図4aに示すように、第1の111面42と、この第1の111面42と斜めに交差すると共に前記110面に直交する第2の111面43と、該第2の111面43と第1の111面42とに交差すると共に前記110面に対して傾斜する第3の111面44と、により形成される多角形状の孔である。なお、第2の111面43は、第1の111面42に対して110面表面39上で約110度の角度で交差している。また、第3の111面44は、表面39に対して約30度傾斜した面である図6参照。より具体的に貫通孔40の形状を説明すると、一側図4a中左側の第2の111面43に連続する第1の111面42は、当該第2の111面43とは反対側に向けて所定の長さだけ延在し、第2の111面である接続面45に連続している。接続面45は、一側の第3の111面44に連続する第1の111面42とは反対側に向けて延在し、他側図4a中右側の第3の111面44′に連続する第1の111面42′に連続している。また、一側の第3の111面44に連続する第1の111面42は、当該第3の111面44とは反対側に向けて所定の長さだけ延在し、前記した接続面45に相対する第2の111面である接続面45に連続している。この接続面45は、相対する接続面45と平行であると共に長さが揃えられており、他側の第2の111面43′に連続する第1の111面42′に連続している。即ち、貫通孔40は、第1の111面42,42′、第2の111面43,43′、接続面45、および第3の111面44,44′に囲まれた、細長い長孔詳しくは、六角形状の長孔を途中から幅方向にオフセットした十角形状の長孔に形成されている。そして、第2の111面43と第3の111面44の端縁との交差点Pを、隣り合う貫通孔40に最も近接する点とし、第1の111面4242′、即ちオリフラに直交する方向における交差点Pの位置を、隣り合う貫通孔40の当該交差点Pに近接する側の相対する第1の111面42′の間に設定している。本実施形態では、図4aに示すように、第1の111面4242′に直交する方向における交差点Pの位置を、隣り合う貫通孔40の第2の111面43′と第3の111面44′の端縁との交差点P′と、第2の111面43′に連続する第1の111面42′との間に設定している。換言すると、交差点Pを隣り合う貫通孔40の当該交差点Pに近接する側の第2の111面43′に対向させている。即ち、この交差点Pから横切断予定線L1に沿った仮想線Ls上に、隣り合う貫通孔40の第2の111面43′が位置する。一方、隣り合う貫通孔40の交差点P′から横切断予定線L1に沿った仮想線Ls′上には、第2の111面43が位置する。そして、この2つの仮想線Ls,Ls′のいずれか一方、或いはその間において切断が予定される。なお、本実施形態においては、ブレイクパターンの周囲を、シリコンウェハー38の厚さ方向の途中までエッチング所謂ハーフエッチングすることで、他の部分よりも薄い薄肉部48を設けている。これにより、より安定して切断できるようにしている。なお、切断方法については後述する。一方、図4aの場合よりもエッチング時間を短くしたときの貫通孔40は、図4bに示すように、その内側の長手方向の両端部にエッチングされずに残った残存部47が形成される。即ち、第2の111面43および第3の111面44が所定位置貫通孔40の開口縁までエッチングされずに、貫通孔40の貫通部分が予定よりも内側に形成される。しかしながら、第2の111面43および第3の111面44の両方が、予定よりも内側に形成されるため、第1の111面4242′に直交する方向における交差点Pの位置は、エッチング時間を長くしたときの貫通孔40の交差点Pの位置と比べて大きく変化することがない。このため、隣り合う貫通孔40同士において、お互いに交差点P,P′から横切断予定線L1に沿った仮想線Ls,Ls′上に、隣り合う貫通孔40の第2の111面43,43′が位置し、これらの仮想線Ls,Ls′のいずれか一方、或いはその間における切断を予定することができる。次に、上記したブレイクパターンの形成過程を説明する。図5a~eは、図4のブレイクパターンにおける貫通孔40の形成過程を説明する状態遷移図、図6a~eは、図5の各状態におけるA-A線断面図である。上記ブレイクパターンを作製するためには、まず、熱酸化処理によって、シリコンウェハー38の表面39表側と裏側の110面に、厚さ1μm~2μm程度のシリコン酸化膜SiO249以下、単に酸化膜49という。を形成する。酸化膜49を形成する方法としては、例示したものには限らず、他の方法、例えば、CVD化学蒸着法やイオン注入法などを採用することもできる。また、シリコン酸化膜には限らず、ホウ素やガリウム原子を添加した所謂p型シリコン膜や、ヒ素やアンチモン原子を添加したn型シリコン膜などを形成しても良い。その後、樹脂レジストを用いて、貫通孔40に対応する部分が開口したレジストパターンを設け、フッ化水素酸所謂フッ酸水溶液などのエッチング溶液によって、開口部に露出した酸化膜49を除去することで、図5a、図6aに示すように、エッチングに対するマスクパターンを形成する。酸化膜49によるマスクパターンを形成したならば、例えば、温度78°C、濃度20重量に調整された水酸化カリウムKOH水溶液からなるエッチング溶液を用いて、シリコンウェハー38の表面39表側と裏側の110面を異方性エッチングする第1エッチング工程。この第1エッチング工程を開始すると、図5b、図6bに示すように、表面39110面に対して約30度傾斜した第3の111面44が出現する。エッチングの浸食は、この第3の111面44に垂直な方向に、表側と裏側から同時に進行していき、しばらくするとシリコンウェハー38の厚さ方向を貫通する図5c、図6c。このとき、第2の111面43および第3の111面44は、所定位置マスクパターンの開口縁までエッチングされず、残存部47として形成される。なお、本実施形態において、この第1エッチング工程は160~180分間行われる。次に、貫通孔40の周囲に薄肉部48を、貫通孔40の形成と同時進行で形成する。そのため、図5d、図6dに示すように、薄肉部48を形成する部分の酸化膜49を除去した後、さらにエッチングを進める第2エッチング工程。これにより、残存部47が徐々に削られ、第2の111面43および第3の111面44が所定位置に近づく。このとき、第2の111面43および第3の111面44ともに削れるため、第1の111面42に直交する方向における交差点Pの位置は、大きく変化することがない。なお、この第2エッチング工程では、例えば、温度78°C、濃度37重量に調整された水酸化カリウム水溶液が用いられる。また、薄肉部48は、表面39からの深さが約80μm程度に設定される。そして、第2の111面43が所定位置に達するまで、エッチングを進めると、図5e、図6eに示すように、第3の111面44の端縁が形成された状態で浸食が止まる。なお、第2エッチング工程のエッチング時間は、流路形成基板24となる基板領域24′の出来栄え例えば、所定位置の圧力室29の寸法等により管理される。即ち、貫通孔40に残存部47が残っている状態であっても、基板領域24′の圧力室29等の寸法が所定の寸法になったところで、エッチングを終了する。このためエッチングのばらつきにより、残存部47の大きさが変化することになる。例えば、エッチングの進行が早い場合エッチング時間が長い場合、貫通孔40は図4a等に示す状態になる。一方、エッチングの進行が遅い場合エッチング時間が短い場合、貫通孔40は図4b等に示す状態になる。次に、上記工程を経たシリコンウェハー38を個々のパーツ流路形成基板24:本発明におけるシリコン基板に相当に切断する方法について説明する。本実施形態では、エキスパンドブレイクによってシリコンウェハー38をブレイクパターンで切断し、個々のパーツ流路形成基板24に分割するエキスパンドブレイク工程。図7は、このエキスパンドブレイク工程を説明する模式図である。エキスパンドブレイク工程では、まず、ブレイクパターンが形成されたシリコンウェハー38の表面に、伸張性を有するシート部材51ダイシングテープを貼着する。このシート部材51の周縁部には、内径がシリコンウェハー38の外径例えば、150mmよりも大きく例えば、180mm設定された輪状の保持リング52が取り付けられている。そして、シート部材51が貼着された状態のシリコンウェハー38は、図7aに示すように、テーブル53の上に載置され、その上方には、内径が保持リング52と揃えられたエキスパンドリング54が配置される。この状態でエキスパンドリング54を下方に降下させると、エキスパンドリング54が保持リング52に当接する。その後、エキスパンドリング54をさらに降下させると、これに伴って、図7bに示すように、シート部材51が伸張し、シリコンウェハー38は、中心から放射状に引っ張られる。その結果、シリコンウェハー38は、ブレイクパターンで切断され、個々の流路形成基板24に分割される。以上のように、本発明のシリコンウェハー38のブレイクパターンによれば、第2の111面43と第3の111面44の端縁との交差点Pから横切断予定線L1に沿った仮想線Ls上に隣り合う貫通孔40が配置されるため、横切断予定線L1に沿って切断することができる。また、エッチングがばらついたとしても、第1の111面42に直交する方向における交差点Pの位置が変化し難いため、横切断予定線L1に沿って安定して切断することがでる。即ち、意図しない位置で切断される等の不具合が防止される。また、本実施形態では、交差点Pを隣り合う貫通孔40の当該交差点Pに近接する側の第2の111面43に対向させたので、横切断予定線L1の位置を第2の111面43を通る位置に絞り込むことができ、より正確に切断することができる。これにより、より安定して基板を切断することができる。ところで、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて種々の変形が可能である。例えば、貫通孔の形状は、上記に例示したものには限定されず、貫通孔の長手方向の長さや交差点の位置等を任意に決定することができる。また、上記においては、シリコンウェハーを用いて記録ヘッドの流路形成基板を作製する例を示したが、これには限らず、例えば、シリコンウェハーを用いて半導体素子等を作製する場合においても、本発明を適用することができる。そして、本発明は、圧力発生手段を用いて液体の噴射制御が可能な液体噴射装置の液体噴射ヘッドであれば、プリンターに限らず、プロッター、ファクシミリ装置、コピー機等、各種のインクジェット式記録装置や、記録装置以外の液体噴射装置、例えば、ディスプレイ製造装置、電極製造装置、チップ製造装置等に用いられる液体噴射ヘッドにも適用することができる。そして、ディスプレイ製造装置では、色材噴射ヘッドからRRedGGreenBBlueの各色材の溶液を噴射する。また、電極製造装置では、電極材噴射ヘッドから液状の電極材料を噴射する。チップ製造装置では、生体有機物噴射ヘッドから生体有機物の溶液を噴射する。"