"ホスト基を側鎖に有する高分子からなるホスト体と、ゲスト基を側鎖に有する高分子からなるゲスト体を接触させてなる集合体。ホスト体とゲスト体との間の会合定数が50以上である、請求項1に記載の集合体。ホスト体が、下記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体である、請求項1又は2に記載の集合体。ここで、上記式1中のXは、水酸基、CONH2、COOHを表す。nは1~200000を示す。ここで、上記式2中のCDは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリンを表す。mは1~200000を示す。ホスト体が、シクロデキストリンを側鎖に有するアクリルアミドおよびアクリルアミドとの共重合体である、請求項3に記載の集合体。ホスト体が、前記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体を架橋させたゲルである、請求項3又は4に記載の集合体。ゲスト体が、下記一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体である、請求項1~5のいずれか1項に記載の集合体。ここで、上記式1中のXは、水酸基、CONH2、COOHを表す。nは1~200000を示す。ここで、上記式3中のAは、O又はNHを示す。Rは、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基を表す。lは1~200000を示す。ゲスト体が、アクリル酸のアルキルエステル、アクリル酸のアリールエステルおよびシクロアルキル基を側鎖に有するアクリルアミドからなる群から選ばれるアクリル化合物と、アクリルアミドとの共重合体である、請求項6に記載の集合体。ゲスト体が、前記一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体を架橋させたゲルである、請求項6又は7に記載の集合体。ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する、下記一般式2および3で表される繰り返し単位を有する重合体。ここで、上記式2中のCDは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリンを表す。mは1~200000を示す。ここで、上記式3中のAは、O又はNHを示す。Rは、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基を表す。lは1~200000を示す。請求項9記載の重合体を架橋させたゲル。請求項10記載のゲル同士を、水性溶媒中で接触させて選択的に接着させる方法。ホスト基を側鎖に有する高分子からなるホスト体と、ゲスト基を側鎖に有する高分子からなるゲスト体を、水性溶媒中で接触させて選択的に接着させる方法。本発明は、分子認識に基づいた、マクロスケール材料の選択的接着方法および自己組織化方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の課題に鑑みて鋭意研究を行った結果、ホスト基を側鎖に有する高分子からなるホスト体と、ゲスト基を側鎖に有する高分子からなるゲスト体を、溶媒中で振動させることにより、集合体が形成されることを見出した。上記ホスト体およびゲスト体は、分子認識により、選択的に集合体を形成することも見出した。かかる知見に基づき、さらに研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、分子認識に基づいた、マクロスケール材料の、選択的接着方法および自己組織化方法を提供する。項1.ホスト基を側鎖に有する高分子からなるホスト体と、ゲスト基を側鎖に有する高分子からなるゲスト体を接触させてなる集合体。項2.ホスト体とゲスト体との間の会合定数が50以上である、項1に記載の集合体。項3.ホスト体が、下記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体である、項1又は2に記載の集合体。ここで、上記式1中のXは、水酸基、CONH2、COOHを表す。nは1~200000を示す。ここで、上記式2中のCDは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリンを表す。mは1~200000を示す。項4.ホスト体が、シクロデキストリンを側鎖に有するアクリルアミドおよびアクリルアミドとの共重合体である、項3に記載の集合体。項5.ホスト体が、前記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体を架橋させたゲルである、項3又は4に記載の集合体。項6.ゲスト体が、下記一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体である、項1~5のいずれか1項に記載の集合体。ここで、上記式1中のXは、水酸基、CONH2、COOHを表す。nは1~200000を示す。ここで、上記式3中のAは、O又はNHを示す。Rは、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基を表す。lは1~200000を示す。項7.ゲスト体が、アクリル酸のアルキルエステル、アクリル酸のアリールエステルおよびシクロアルキル基を側鎖に有するアクリルアミドからなる群から選ばれるアクリル化合物と、アクリルアミドとの共重合体である、項6に記載の集合体。項8.ゲスト体が、前記一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体を架橋させたゲルである、項6又は7に記載の集合体。項9.ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する、下記一般式2および3で表される繰り返し単位を有する重合体。ここで、上記式2中のCDは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリンを表す。mは1~200000を示す。ここで、上記式3中のAは、O又はNHを示す。Rは、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基を表す。lは1~200000を示す。項10.項9記載の重合体を架橋させたゲル。項11.項10記載のゲル同士を、水性溶媒中で接触させて選択的に接着させる方法。項12.ホスト基を側鎖に有する高分子からなるホスト体と、ゲスト基を側鎖に有する高分子からなるゲスト体を、水性溶媒中で接触させて選択的に接着させる方法。本発明によれば、分子認識に基づいて、マクロスケール材料を選択的に接着させることができる。また、ホスト-ゲストの分子を適切に選択することによって、選択的接着および自己組織化が可能となり、さらには水中で選択的に接着できる。以下、本発明を詳細に説明する。1.ホスト体本発明のホスト体は、ホスト基を側鎖に有する高分子からなる。ホスト基としては、例えば、シクロデキストリンCD、カリックスアレーン、クラウンエーテル、シクロファン、ククルビットウリルの誘導体などの人工ホスト分子が挙げられる。具体的には、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリン、カリックス6アレーンスルホン酸、カリックス8アレーンスルホン酸、12-クラウン-4、18-クラウン-6、6パラシクロファン、22パラシクロファン、ククルビット6ウリル、ククルビット8ウリルなどが挙げられる。このうち好ましくはα-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ―シクロデキストリンである。また、当該ホスト基を側鎖に有する高分子としては、例えば、前記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体が挙げられる。前記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体は、その繰り返し単位数nおよびmが、1~200000であり、好ましくは、5000~15000である。前記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する高分子は、例えば、下記一般式4で表される単量体を、下記一般式5で表される単量体と反応させて製造することができる。ここで、上記式4中のXは、水酸基、CONH2、COOHを表す。ここで、上記式5中のCDは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリンを表す。上記一般式4で表される水溶性のモノマー化合物は、いずれも公知のものを用いることができる。また、1種のみ用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。特に、一般式4で表される単量体としては、XがCONH2で示される化合物、すなわちアクリルアミドが好ましい。上記一般式5で表される単量体は、アクリル酸クロライドに、6-アミノシクロデキストリンを反応させて製造する。通常、溶媒中で、アクリル酸クロライドと、6-アミノシクロデキストリンとを混合し、攪拌する。上記反応は、無溶媒、或いは有機合成反応で一般に使用される溶媒有機溶媒又は水性溶媒を使用することができる。有機溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシドDMSO、ジメチルホルムアミドDMF等が挙げられる。また、水性溶媒としては、水、必要に応じ、リン酸ナトリウムや炭酸ナトリウムなどの塩を含むバッファー等が挙げられる。溶媒を使用する場合、溶媒の使用量は、適宜調節すればよい。他にも、アクリル酸に、11カルボニルジイミダゾールCDIや1エチル3カルボジイミド塩酸塩EDCを氷冷下添加し、その後アミノシクロデキストリンを添加して一晩撹拌することでアミド結合を形成する方法や、アクリル酸に、ジシクロヘキシルカルボジイミドDCCと、1ヒドロキシベンゾトリアゾール又はNヒドロキシスクシンイミドを縮合剤として用い、活性エステルを経てアミド化合物を得る方法で製造することもできる。このようにして得られた一般式5で表される単量体と、一般式4で表される公知の単量体とを反応させて一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体を製造するが、当該重合体を、架橋剤を用いてゲルとすることが好ましい。一般式1で表される繰り返し単位90~99モルに対し、一般式2で表される繰り返し単位10~1モルであって、そのうちの0.1~10が架橋されている高分子ゲルが好ましい。特に好ましくは、一般式1で表される繰り返し単位95~98モルに対し、一般式2で表される繰り返し単位5~2モルで、そのうち0.5~1が架橋されているものである。また、一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体全体に対し、シクロデキストリンが1.0~5.0モルの割合で含有されていることが好ましい。特に好ましくは2.0~5.0モルである。以下、一般式1および2で表される繰り返し単位を有する高分子ゲルの具体的な製造方法を説明する。一般式1および2で表される繰り返し単位を有する重合体は、一般式4および5で表される単量体と架橋剤をラジカル重合させて製造する。通常、不活性ガスで置換した容器あるいは真空脱気した容器で、一般式4および5で表される単量体と架橋剤、必要に応じラジカル重合開始剤を混合し撹拌する。ラジカル重合反応は、無溶媒、或いはラジカル重合で一般に使用される溶媒有機溶媒又は水性溶媒を使用することができる。有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、NNジメチルホルムアミドDMF、ジメチルスルホキシドDMSO、アセトン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラヒドロフランTHF、酢酸エチル、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、アニソール等が挙げられる。また、水性溶媒としては、水、必要に応じメタノール、エタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチルセロソルブ、ブチロセロソルブ、1-メトキシ-2-プロパノール等を含む溶媒が挙げられる。溶媒を使用する場合、溶媒の使用量としては、適宜調節すればよいが、例えば、重合に用いる単量体の総量1molに対して、一般に0.1~1リットル、好ましくは0.2~0.5リットルである。架橋剤としては、公知の架橋剤のいずれも用いることができる。例えば、NN’メチレン-ビスアクリルアミドが好ましい。ラジカル重合反応は、ラジカル重合開始剤の存在下又は不存在下で実施することができる。通常、ラジカル重合開始剤の存在下で実施することが好ましい。もちろん、ラジカル重合開始剤の不在下に自然熱重合したり、ラジカル重合開始剤の存在下又は不在下に光照射によりラジカル重合することも可能である。光照射によるラジカル重合の場合、通常、水銀灯、キセノンランプ等の光源を使用して重合する。光源は、ビニルモノマーの種類、重合開始剤の種類等により適宜選択できる。2.ゲスト体本発明のゲスト体は、ゲスト基を側鎖に有する高分子からなる。ゲスト基としては、対応するホスト基に対してゲスト基となりうる基であればいずれでもよい。例えば、置換基を有してもよいアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有してもよいアリール基などが挙げられる。当該ゲスト基を側鎖に有する高分子としては、例えば、前記一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体が挙げられる。前記一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体は、その繰り返し単位数nおよびlが、1~200000であり、好ましくは、5000~15000である。前記一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体は、例えば、下記一般式4で表される単量体を、下記一般式6で表される単量体と反応させて製造することができる。ここで、上記式4中のXは、水酸基、CONH2、COOHを表す。ここで、上記式6中のAは、O又はNHを示す。Rは、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基を表す。上記一般式4で表される水溶性のモノマー化合物は、いずれも公知のものを用いることができる。また、1種のみ用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。特に、ホスト体に用いたモノマー化合物と同じものを用いることが好ましい。特に、一般式4で表される単量体としては、XがCONH2で示される化合物、すなわちアクリルアミドが好ましい。上記一般式6において、Rで示される置換基を有してもよいアルキル基のアルキル基としては、例えば、直鎖、分岐又は環状のC1~18のアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、イソへキシル、ドデシル、オクタデシル、アダマンチル等のアルキル基が挙げられる。このうち好ましくはアダマンチル基またはブチル基であり、特に好ましくはアダマンチル基である。該アルキル基は、例えば、ハロゲン原子例えば、フッ素、塩素、臭素等、カルボキシル基、エステル基、アミド基、保護されていてもよい水酸基等の置換基を1~3個有していてもよい。有機金属錯体であるフェロセンを置換基として結合させたアルキル基でもよい。上記一般式6において、Rで示される置換基を有してもよいアリール基としては、例えば、単環又は2環以上のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル、トルイル、キシリル、ナフチル、アンスリル、フェナンスリル等が挙げられる。該アリール基は、例えば、アルキル基例えば、C1~18アルキル基等、ハロゲン原子例えば、フッ素、塩素、臭素等、カルボキシル基、エステル基、アミド基、アリール基を有するアゾ基、保護されていてもよい水酸基等の置換基を1~3個有していてもよい。上記一般式6で表される単量体は、アクリル酸クロライドに、Rで示される置換基となるアルキル又はアリールのアミン体を反応させて製造する。通常、溶媒中で、アクリル酸クロライドと、Rで示される置換基となるアルキル又はアリールのアミン体とを混合し、攪拌する。上記反応は、前記一般式5で表される単量体の製造に用いられる溶媒と同じ溶媒を使用することができる。溶媒を使用する場合、溶媒の使用量は、適宜調節すればよい。他にも、アクリル酸に、11カルボニルジイミダゾールCDIや1エチル3カルボジイミド塩酸塩EDCを氷冷下添加し、その後アミノシクロデキストリンを添加し、一晩撹拌することでアミド結合を形成する方法や、アクリル酸に、ジシクロヘキシルカルボジイミドDCCと、1ヒドロキシベンゾトリアゾール又はNヒドロキシスクシンイミドを縮合剤として用い、活性エステルを経てアミド化合物を得る方法で製造することもできる。このようにして得られた一般式6で表される単量体と、一般式4で表される公知の単量体とを反応させて一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体を製造するが、当該重合体を、架橋剤を用いてゲルとすることが好ましい。一般式1で表される繰り返し単位90~99モルに対し、一般式3で表される繰り返し単位10~1モルであって、そのうちの0.1~10が架橋されている高分子ゲルが好ましい。特に好ましくは、一般式1で表される繰り返し単位95~98モルに対し、一般式3で表される繰り返し単位が5~2モルで、そのうち0.5~1が架橋されているものである。また、一般式1および3で表される繰り返し単位を有する重合体全体に対し、ゲスト基が1.0~5.0モルの割合で含有されていることが好ましい。特に好ましくは2.0~5.0モルである。一般式1および3で表される繰り返し単位を有する高分子ゲルは、前記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する高分子ゲルと同様の製造方法により製造される。3.ホスト基およびゲスト基を有する重合体本発明における、ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体は、下記一般式2および3で表される繰り返し単位を有する重合体である。ここで、上記式2中のCDは、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリンを表す。mは1~200000を示す。ここで、上記式3中のAは、O又はNHを示す。Rは、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基を表す。lは1~200000を示す。上記一般式2および3で表される繰り返し単位を有する重合体は、その繰り返し単位数mおよびlが、1~200000であり、好ましくは、5000~15000である。前記一般式2および3で表される繰り返し単位を有する重合体は、例えば、前記1.において記載された一般式5で表される単量体を、前記2.において記載された一般式6で表される単量体と反応させて製造することができる。その際、前記一般式4で表される単量体をさらに重合させてもよい。また、得られた重合体は、架橋剤を用いてゲルとすることが好ましい。一般式2で表される繰り返し単位40~60モルに対し、一般式3で表される繰り返し単位60~40モルであって、そのうちの0.1~10が架橋されている高分子ゲルが好ましい。特に好ましくは、一般式2で表される繰り返し単位50モルに対し、一般式3で表される繰り返し単位が50モルで、そのうち0.5~1が架橋されているものである。また、一般式2および3で表される繰り返し単位を有する重合体全体に対し、ホスト基が40~60モル、ゲスト基が60~40モルの割合で含有されていることが好ましい。特に好ましくは50モルである。一般式2および3で表される繰り返し単位を有する高分子ゲルは、前記一般式1および2で表される繰り返し単位を有する高分子ゲルと同様の製造方法により製造される。4.集合体本発明の集合体は、上記ホスト体とゲスト体、上記ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体同士、上記ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体と上記ホスト体、上記ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体と上記ゲスト体、をそれぞれ接触させることにより得られる。特に好ましくは、上記ホスト体、ゲスト体、ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体について、それぞれゲルとしたものを、水性溶媒中で接触させることにより得ることができる。例えば、上記ホスト体とゲスト体を接触させる場合について説明すると、具体的には、水性溶媒中に、上記ホスト体とゲスト体のゲルを置き、振動あるいは攪拌により接触させる方法が挙げられる。上記水性溶媒としては、水、必要に応じ、リン酸ナトリウムや炭酸ナトリウムなどの塩を含む水溶液や、アルコール等と水との混合溶媒が挙げられる。好ましくは水である。振動あるいは攪拌の方法としては、ホスト体とゲスト体を一定距離以内に近づけることができればいずれの手段でもよく、例えば、ボルテックスミキサーやシェーカー等の攪拌機や振とう機を用いる方法、超音波を照射する方法などが挙げられる。上記ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体を用いる場合についても、上記同様の溶媒、振動攪拌の方法を用いることができる。本発明の集合体とは、ホスト体とゲスト体とが、あるいはホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体同士などが、その表面で接触し、接着している態様を指す。本発明の集合体は、例えば、ホスト体とゲスト体とを一定距離以内に近づけると互いに引き合い、その近接する表面同士で接着して得られるものである。そして、本発明のホスト体とゲスト体とは、その組み合わせにより、選択的に接着する。同様に、ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体も、そのホスト基とゲスト基の組み合わせにより、選択的に接着する。すなわち、分子認識に基づいて接着しており、ホスト体基とゲスト体基とが引き合うための一定距離および引力は、ホスト体基とゲスト体基の組み合わせにより左右される。ゲスト体基が、ホスト体基の内部空間に取り込まれる大きさを有し、かつ、ホスト体基と相互作用疎水性相互作用ファンデルワールス力、水素結合、静電相互作用、および配位結合のうちの少なくとも1つ以上が関与する相互作用を有する場合に、接着することができる。当該選択性には、その会合定数Kが関係していると考えられる。ここで、上記会合定数Kとは、NMRピークシフトを基に、BenesiHildebrand法にて求めた値を指す。具体的には下記のとおりである。一定濃度のゲスト分子モノマーやポリマーのゲスト部位の濃度を一定に設定するにシクロデキストリンを添加し、そのときのゲスト部位由来のシグナルのシフトを測定する。シグナルのシフト量をΔδ、最大シフト量シクロデキストリンが全てのゲスト部位と結合したときのシフト量をΔδmaxとしたとき、下記の式で会合定数Kが算出される。式:1/Δδ=1/KΔδmax1/シクロデキストリン1/Δδmaxここで1/Δδと1/シクロデキストリンをそれぞれ縦軸、横軸にプロットつまりΔδとシクロデキストリンの両逆数プロットすると、その縦軸切片からΔδmaxを、傾きと先に求めたΔδmaxからKを算出することができる。本発明の集合体は、ホスト体基とゲスト体基との間の会合定数が約50以上であることが好ましい。例えば、ホスト体基としてα-シクロデキストリン空洞サイズ:47~52Åを用いる場合、上記条件を満たすゲスト体基としては、炭素数4~18のアルキル化合物およびそのアルコール誘導体、カルボン酸誘導体、アミノ誘導体、環状アルキル基又はフェニル基を有するアゾベンゼン誘導体、桂皮酸誘導体等が挙げられる。上記炭素数4~18のアルキル化合物基としては、n-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基が挙げられる。また、β-シクロデキストリン空洞サイズ:60~65Åを用いる場合、上記条件を満たすゲスト体基としては、t-ブチル基、アダマンチル基、芳香族化合物およびそのアルコール誘導体、カルボン酸誘導体、アミノ誘導体、フェロセン誘導体、アゾベンゼン、ナフタレン誘導体、ダンシル基等が挙げられる。さらに、γ-シクロデキストリン空洞サイズ:75~85Åを用いる場合、上記条件を満たすゲスト体基としては、炭素数18までのアルキル基およびそのアルコール誘導体、カルボン酸誘導体、アミノ誘導体、アダマンチル基、フラーレン等の炭素原子で構成されるクラスター類、および芳香族系ダンシル基、フェロセン誘導体、アントラセン誘導体等が挙げられる。また、当該集合体は、ホスト体とゲスト体の間の会合定数が大きいほど、破断強度が大きくなる傾向にある。当該集合体は、破断強度200~1000kPa、破断伸度10~90であることが好ましい。ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体同士の接着についても、上記ホスト体とゲスト体の接着と同様であるが、当該ホスト基およびゲスト基を側鎖に有する重合体のゲルは、どこを切断してもホスト基とゲスト基が露出するため、切断した後、再び接着させることができる。本発明によれば、分子認識に基づいて、マクロスケール材料を選択的に接着させることができる。また、ホスト-ゲストの分子を適切に選択することによって、選択的接着および自己組織化が可能となり、さらには水中で選択的に接着できる。本発明は、ホスト-ゲストの分子認識に基づいて、マクロスケール材料を選択的に接着させるという特徴を有するものである。したがって、ホスト-ゲストの分子を適切に選択することによって、接着力の大小を調節することが可能であり、選択的接着および自己組織化が可能になる。また、水中で選択的に接着できるという特徴も有している。したがって、本発明の分子認識に基づく選択的接着および自己組織化は、その選択性を生かして、例えば、細胞組織固定材料、臓器癒着阻止材料、縫合代替材料、DDS材料などの用途に用いることができる。また、マクロスケールであることから、例えば、センサー材料などにも用い得る。さらには、ゲルの状態で接着可能であることから、接着後に乾燥させ、小さく硬い集積体を作製するというプラスチック加工技術への応用も考えられる。本発明を、実施例を用いて更に詳述するが、これに限定されるものではない。[測定機器]実施例および比較例において、各種物性測定は以下の機器により測定した。1HNMR:JEOLECA500500MHzMS:島津製作所製AXIMACFR飛行時間型元素分析:ヤナコ製CHNコーダーMT6型差動熱伝導度法破断強度および伸度:RhenonerRE33005YamadenLtd試験片:1cm×1cm、引張速度:01mmsec、測定温度:室温[ホスト体重合用単量体の製造]製造例16-アクリルアミド-α-シクロデキストリン6-アミノ-α-シクロデキストリン058g060mmolを50mlのNaHCO3水溶液05gに溶解し、その溶液のpHを、NaOHを用いて約10に調整した。氷浴下、6-アミノ-α-シクロデキストリン溶液にアクリル酸クロライド90μl12mmolを加え、そのまま6時間攪拌した。反応後、全量の約50になるまで濃縮し、アセトン500mLに注いだ。その後、沈殿物を遠心分離により集め、真空オーブン中で一晩乾燥させた。得られた粗生成物を、HP20ポリスチレンゲルメタノール/水を用いて、逆相クロマトグラフィ-で生成し、6-アクリルアミド-α-シクロデキストリン049g収率:79を得た。1HNMRDMSOd6:δ800、627、602、558534、489474、454438、384320moverlapswithHODMALDITOFMS;mz=10253C39H63NO30Na=10483C39H63NO30K=10644元素分析C39H63NO306:C,4131;H,667;N,124測定結果:C,4124;H,636;N,130製造例26-アクリルアミド-β-シクロデキストリン6-アミノ-β-シクロデキストリン068g060mmolを50mlのNaHCO3水溶液05gに溶解し、その溶液のpHを、NaOHを用いて約10に調整した。氷浴下、6-アミノ-β-シクロデキストリン溶液にアクリル酸クロライド90μl12mmolを加え、そのまま6時間攪拌した。反応後、全量の10になるまで濃縮し、アセトン500mLに注いだ。その後、沈殿物を遠心分離により集め、真空オーブン中で一晩乾燥させた。得られた粗生成物を、HP20ポリスチレンゲルメタノール/水を用いて、逆相クロマトグラフィ-で生成し、6-アクリルアミド-β-シクロデキストリン053g収率:74を得た。1HNMRDMSOd6:δ790t1Hamido、627、602、590560、489474、454438、384320moverlapswithHODMALDITOFMS;mz=12080C45H73NO35Na=1210412238C45H73NO35K=12265元素分析C45H73NO35332:C,4154;H,617;N,107測定結果:C,4154;H,637;N,116[ゲスト体重合用単量体の製造]製造例3N-1-アダマンチルアクリルアミド氷浴下、1-アダマンチルアミン076g50mmolとトリエチルアミン077ml55mmolを、乾燥THF40mLに溶解し、その溶液にアクリル酸クロライド045ml55mmolを滴下した後、そのまま4時間攪拌した。反応後、沈殿物を濾過により除去し、上澄み液を減圧下で濃縮した。得られた粗生成物を、クロロホルムで再結晶し、N-1-アダマンチルアクリルアミド085mg収率:83を得た。1HNMRSO:δ615dd1Holefin、596、556、556、515、206、159m6HadamantineMALDITOFMS;mz=2286C13H19NONa=2281C39H63NO30K=2444元素分析C13H19NO016:C,7409;H,924;N,664測定結果:C,7406;H,918;N,661[ホスト体高分子の製造]重合例1水中で、製造例2で得られた6-アクリルアミド-β-シクロデキストリン68mmolとアクリルアミド340mmolとを、過硫酸アンモニウムAPS0006mmolおよびNNN’N’-テトラメチルエチレンジアミンTMEDA0006mmolを開始剤として用いて、ラジカル重合反応を行った。12時間反応させた後、透析にて未反応物を除去した。得られた溶液を減圧下で濃縮し、ホスト高分子収率87を得た。1HNMRδ520510、410360、250210、200-150。重合例26-アクリルアミド-β-CDを、製造例1で得られた6-アクリルアミド-α-CDに換えた以外は、重合例1と同様にしてホスト高分子収率83を得た。1HNMRδ520510、410360、250210、200-145。[ゲスト体高分子の製造]重合例3製造例3で得られたN-1-Adアクリルアミド062mmolとアクリルアミド31mmolとを、22’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN004mmolを用いて、ジメチルスルホキシドDMSO30ml中、60°Cでラジカル重合反応を行った。12時間反応させた後、メタノールで再沈を行い、減圧乾燥にて粗生成物を得た。この操作を3回繰り返し、ゲスト高分子収率93を作製した。1HNMRδ250195、195-140。[ホスト体ゲルの製造]架橋例1水中で、製造例2で得られた6-アクリルアミド-β-CD031mmol、アクリルアミド62mmolおよびNN’-メチレンビスアクリルアミド003mmolを、APS00013mmolおよびTMEDA00052mmolを開始剤として用いて、ラジカル重合反応を行い、ホスト体ゲルを得た。架橋例26-アクリルアミド-β-CDを、製造例1で得られた6-アクリルアミド-α-CDに換えた以外は、架橋例1と同様にしてホスト体ゲルを得た。[ゲスト体ゲルの製造]架橋例3製造例3で得られたN-1-Adアクリルアミド032mmol、アクリルアミド62mmolおよびNN’-メチレンビスアクリルアミド012mmolを、AIBN003mmolを用いて、DMSO35ml中、63°Cでラジカル重合反応を行った。12時間反応後、水でゲル中の溶媒を置換する操作を繰り返し、ゲスト体ゲルを得た。架橋例4N-1-Adアクリルアミドを、アクリル酸n-ブチル東京化成工業株式会社製に換えた以外は、架橋例3と同様にしてゲスト体ゲルを得た。架橋例5N-1-Adアクリルアミドを、アクリル酸t-ブチル東京化成工業株式会社製に換えた以外は、架橋例3と同様にしてゲスト体ゲルを得た。[ゲルの接触]上記架橋例1~5で得られたゲルを、それぞれ3mm×3mm×3mmの立方体にカットした。また、集合体形成を目視確認するために、上記架橋例1で得られたβ-CDを有するゲルを、赤い染色剤エリストシン、赤色3号の溶液に浸して赤色に染色した。同様に、架橋例2で得られたα-CDを有するゲルを青色ブリリアントブルー、青色1号に、架橋例3で得られたAdを有するゲルを薄緑色マラカイトグリーンあるいは低濃度の青色1号と黄色4号の混合物に、架橋例4で得られたnBu基を有するゲルを黄色タートラジン、黄色4号に、架橋例5で得られたtBu基を有するゲルを緑色青色1号と黄色4号の混合物に、それぞれ染色した。実施例1架橋例1で得られたホスト基としてβ-CDを有するゲルと、架橋例3で得られたゲスト基としてAdを有するゲルとを、シャーレに入れ、5mLの水を加え、室温下で数分間、EYELACM1000により振動させた。図1に示すように、β-CD含有ホスト体ゲルとAd含有ゲスト体ゲルは近づくと、互いに引き合い、強固に接着して集合体を形成した。得られた集合体の破断伸度および破断強度を測定し、得られた応力-ひずみ曲線を図3に示した。また、得られた結果を表1に示した。実施例2架橋例2で得られたホスト基としてα-CDを有するゲルと、架橋例3で得られたゲスト基としてAdを有するゲルとを、シャーレに入れ、5mLの水を加え、室温下で数分間、EYELACM1000により振動させた。α-CD含有ホスト体ゲルとAd含有ゲスト体ゲルは近づくと、互いに引き合い、接着して集合体を形成した。得られた集合体の破断伸度および破断強度を測定し、結果を表1に示した。実施例3架橋例1で得られたホスト基としてβ-CDを有するゲル、架橋例2で得られたホスト基としてα-CDを有するゲル、架橋例4で得られたゲスト基としてnBu基を有するゲル、架橋例5で得られたゲスト基としてtBu基を有するゲルを、シャーレに入れ、5mLの水を加え、室温下で数分間、EYELACM1000により振動させた。図2に示すように、β-CD含有ホスト体ゲルは、nBu基含有ゲスト体ゲルとは接着せず、tBu基含有ゲスト体ゲルとのみ選択的に集合体を形成した。α-CD含有ホスト体ゲルは、tBu基含有ゲスト体ゲルとは接着せず、nBu基含有ゲスト体ゲルとのみ選択的に集合体を形成した。得られた集合体の破断伸度および破断強度を測定し、結果を表1に示した。表1の結果から、会合定数が大きい集合体は、破断強度も大きいことがわかる。"