真空チャンバと第1の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極上に被成膜基板が載置され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、前記第1の電極における前記第2の電極に対向する第1の主面の反対側の第2の主面は複数の給電点を有し、前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、前記高周波におけるパルスは、on時間における第1の期間に第1の電力を有し、前記on時間における前記第1の期間に続く第2の期間に第2の電力を有し、前記第1の電力は、前記第2の電力より5以上高いことを特徴とするプラズマ成膜装置。前記第1の期間は、前記on時間における最初の5以上20以下の期間であり、前記第2の期間は、前記on時間における残りの期間であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ成膜装置。前記複数の給電点は、第1の給電点と、前記第1の給電点より大きな高周波電力が給電される第2の給電点と、を有し、前記第1の給電点における前記第1の電力の前記第2の電力に対する割合は、前記第2の給電点における前記第1の電力の前記第2の電力に対する割合より大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ成膜装置。真空チャンバと第1の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極上に被成膜基板が載置され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜方法であって、前記第1の電極における前記第2の電極に対向する第1の主面の反対側の第2の主面は複数の給電点を有し、前記プラズマ成膜方法は、前記複数の給電点のそれぞれに、パルス変調された高周波電力が給電される給電工程を含み、前記給電工程は、前記複数の給電点のそれぞれに第1の電力を給電する第1の工程と、前記第1の工程に続いて、前記複数の給電点のそれぞれに第2の電力を給電する第2の工程と、を含み、前記第1の電力は、前記第2の電力より5以上高いことを特徴とするプラズマ成膜方法。前記第1の工程は、パルスのon時間における最初の5乃至20の期間に行われ、前記第2の工程は、前記on時間における残りの期間に行われることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ成膜方法。特許文献1に記載のプラズマ処理装置では、電極の4つの電力供給箇所への高周波の給電を、電極の左右で交互左側2箇所に対して右側2箇所にパルス的に切り替え、さらに各パルス出力に相対的な位相差を設けることにより、それぞれの電界分布が重なり合って時間平均で均一化するとされている。しかしながら、特許文献1に記載の高周波の周波数は27.12MHzであるため、より高い周波数のVHF帯では定在波の影響が顕著になり均一化が困難と推測される。そのため本発明者らは、特許文献1に記載のプラズマ処理装置の構成において、60MHzのVHFを用いて均一化の検証を試みた。その結果、高周波を給電する箇所を時間的に切り替えて位相差を設けると、確かに電界分布は変化するものの、プラズマを生成するとプラズマ分布は所望の分布に変化しない不具合が生じた。なお、検証の詳細と不具合が生じた原因とについては、後述の実施の形態に記載する。このように、特許文献1に記載のプラズマ処理装置を用いてVHF帯の高周波電力を供給し、メーターサイズの基板大面積の被処理基板を処理した場合、均一なプラズマを得ることは困難である。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、VHF帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の1つの側面にかかるプラズマ成膜装置は、真空チャンバと第1の電極とで成膜室が形成され、前記成膜室内に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極上に被成膜基板が載置され、前記第1の電極と前記第2の電極との間に発生させたプラズマを用いて成膜をおこなうプラズマ成膜装置であって、前記第1の電極における前記第2の電極に対向する第1の主面の反対側の第2の主面は複数の給電点を有し、前記複数の給電点のそれぞれには、パルス変調された高周波電力が給電され、前記高周波におけるパルスは、on時間における第1の期間に第1の電力を有し、前記on時間における前記第1の期間に続く第2の期間に第2の電力を有し、前記第1の電力は、前記第2の電力より5以上高いことを特徴とする。本発明によれば、パルスの初期の高周波電力を残りの期間より高めたことにより、プラズマを確実に形成できるため、パルスの繰り返し周波数を高めた場合でも所望のプラズマ分布を得ることができる。これにより、VHF帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができる。以下に、本発明にかかるプラズマ成膜装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態.実施の形態にかかるプラズマ成膜装置100の構成について図1を用いて説明する。図1は、実施の形態にかかるプラズマ成膜装置100の構成を概略的に示す断面図である。プラズマ成膜装置100は、図1に示すように、真空チャンバ1、排気口3、成膜室8、絶縁フランジ4、電極第1の電極5、ガス供給口6、シャワープレート7、ステージ第2の電極2、及び複数の高周波電源10a~10d図2参照を備える。真空チャンバ1は、プラズマ成膜装置100の外壁における側部及び底部を形成するとともに、成膜室8の側部及び底部を覆うように延びている。排気口3は、真空チャンバ1内成膜室8に連通されているとともに、排気管図示せずを介して真空ポンプ図示せずに接続されており、真空チャンバ1内を真空ポンプで排気するために設けられている。成膜室8は、電極5と真空チャンバ1とで覆われて形成された空間である。成膜室8では、後述のように、プラズマが生成される。絶縁フランジ4は、電極5と真空チャンバ1とを高周波電力的に絶縁するとともに、電極5と真空チャンバ1との間を真空封止している。これにより、成膜室8は、真空排気可能な空間となっている。電極5は、プラズマ成膜装置100の外壁における上部を形成するとともに、成膜室8の上部を覆うように延びている。また、電極5は、例えば、成膜室8の上部及び側部を覆うように延びている。電極5には、複数の高周波電源10a~10d図2参照が接続されている。ガス供給口6は、ガス供給管図示せずを介してガス供給源図示せずに接続されており、電極5とシャワープレート7との間の空間にガス供給源から成膜ガスを供給するために設けられている。シャワープレート7は、複数のガス穴を有しており、このガス穴から成膜ガスを成膜室8に導入する。ステージ2は、成膜室8内において電極5の第1の主面5aと対向するように配置されているとともに例えば接地されており、電極5に対する対向電極第2の電極として機能する。また、ステージ2上には、被成膜基板9が載置されている。複数の高周波電源10a~10dは、図2に示すように、電極5の第2の主面5bの左右端近傍における2箇所ずつに合計4箇所に接続されており、電極5へ高周波電力を供給する。第2の主面5bは、電極5におけるステージ2に対向する第1の主面5aの反対側の面である。プラズマ成膜装置100では、ガス供給口6から供給された成膜ガスが、シャワープレート7の複数のガス穴を介して成膜室8に導入され、成膜室8の圧力が真空ポンプ図示せずで適切な値に設定される。この状態で電極5に複数の高周波電源10a~10dから高周波を印加すると、電極5とステージ2との間にプラズマが生成されて被成膜基板9上に薄膜が堆積する。次に、プラズマ成膜装置100に適用した電極5への高周波電力の給電方法について図2を用いて説明する。図2は、プラズマ成膜装置における電極5へ高周波電力を給電するための複数の高周波電源10a~10dの給電系統構成を示す図である。図2では、一例として、電極5が長方形で、ステージ2と対向するシャワープレート7の大きさは1.2m×1.5mとし、成膜室8側の反対面である大気側から高周波を給電する場合の構成が示されている。給電する電力の周波数は高速成膜を実現するために例えば60MHzのVHF帯を用いる。まず、電極5の第2の主面5bにおける相対する2辺として両短辺5b1、5b2を考える。そして、両短辺5b1、5b2側から電極5へVHF帯の高周波電力を給電する方法について説明する。電極5の短辺5b1側には、高周波電力の給電点27a、27bが設けられ、電極5の短辺5b2側には、高周波電力の給電点27c、27dが設けられている。すなわち、電極5は、方形の形状を有しており、第2の主面5bは、その方形における相対する2辺の一方短辺5b1の側に配された複数の給電点複数の第1の給電点27a、27bと、相対する2辺の他方短辺5b2の側に配された複数の給電点複数の第2の給電点27c、27dとを有する。給電点27a、27b、27c、27dには、それぞれ、高周波電力の整合状態を調整するマッチャー整合器26a、26b、26c、26dが接続される。マッチャー26a~26dから給電点27a~27dへの接続は図示しない導電性の良い金属の板、棒あるいは、高周波同軸ケーブルが用いられる。この4つの給電点27a~27dは、それぞれが電極周縁から近い領域に設定される。マッチャー26a、26b、26c、26dには、それぞれ、高周波アンプ25a、25b、25c、25dで増幅された高周波電力が給電される。信号発生器21は、VHFの信号例えば、60MHzの正弦波を発生させ分配器22へ供給する。分配器22は、VHFの信号例えば、60MHzの正弦波を例えば4つの電力信号に分配し位相器23へ供給する。位相器23は、4つの信号のそれぞれの位相を調整する。すなわち、位相器23は、4つの信号に対応した4つの位相調整部23a~23dを有する。4つの位相調整部23a~23dは、4つの信号を受けて位相を調整する。各位相調整部23a~23dは、調整後の信号を、対応するオン/オフ切り替え器24a~24dへ供給する。オン/オフ切り替え器24a、24b、24c、24dは、位相器23からの出力信号をパルス化し、対応する高周波アンプ25a、25b、25c、25dに高周波信号を出力する。高周波アンプ25a、25b、25c、25dは、入力された高周波信号を増幅し、高周波電力として出力する。なお、位相器23における位相制御位相調整は、図示しない制御器により制御されてもよい。あるいは、オン/オフ切り替え器24a~24dには高周波出力をオン/オフするため、図示しない制御器からオン/オフ信号が入力されて制御されてもよい。あるいは、場合によっては、オン/オフ切り替え器24a~24dがオン/オフ動作をせず、連続出力として使用することも可能である。すなわち、各高周波電源10a~10dは、等価的に、信号発生器21、分配器22、位相器23、対応するオン/オフ切り替え器24a~24d、対応する高周波アンプ25a~25d、及び対応するマッチャー整合器26a~26dを有する電源回路として機能する。複数の高周波電源10a~10dは、複数の給電点27a~27dにVHF帯の高周波電力を給電する。本発明者らは、上記の構成において、まず前述した先行技術の問題点について検証した。信号発生器21でVHFの信号例えば、60MHzの正弦波を発生させ、位相器23により給電点27a、27bに供給すべき高周波電力の位相を同位相に設定し、給電点27c、27dに供給すべき高周波電力の位相を給電点27a、27bの高周波電力の位相に対して-60度に設定する。又、図3に示したパルスのシーケンスでオン/オフ切り替え器24a~24dを動作させ、パルスのデューティー図中のX40、1サイクル図中のSの繰り返し周波数1KHzに設定した。図3においてイは給電点27aと給電点27bとに給電するパルスのon、off動作を示している。ロはon動作時の位相量を示しており、ここでは位相量0°で給電している。一方ハは給電点27cと給電点27dとに給電するパルスのon、off動作を示しており、ニはon動作時の位相量を示している。ニにおいて、位相量は60°と-60°とを時間的に交互に切り替えて給電される。以上の給電シーケンスと位相制御とにより、高周波アンプ25a、25b、25c、25dから60MHzの高周波電力を給電すると、電極5の左右の給電点27a、27bと給電点27c、27dとには、位相差が60°と-60°とであるVHFが交互に給電される。その結果、電極5とステージ2との間には、位相量に対応した電界分布が1KHzで変化しながら形成される。なお、真空中における位相変化による電界分布の変化量移動量は、周波数60MHzの位相量60°~-60°において約167cmとなる。次に、上記のVHFの給電により、H2ガスによるプラズマ生成を行い、その分布を評価した。プラズマ分布は、ステージ表面に埋設したイオン捕集プローブ図示しないに負-電圧を印加して、プラズマからプローブに流入するイオン電流を計測して評価した。放電条件はH2流量1000sccm、圧力1000Pa、電極とステージとの間隔5mm、VHF電力1000W×4箇所とした。以上の条件でプラズマを生成すると、電極5とステージ2との間に形成される電界の定在波分布電界分布の山は、前述したように位相量の時間変化に対応して電極の左右に分かれて形成されると予想される。しかしながら、評価した結果では、図4に示すように、計測されたH2プラズマの分布は、電界の分布に対応して左右に分離することなく、電極中央部に局在して生成された。なお、イオン電流の計測では、繰り返し周波数1KHzに対して十分に平均化できるよう1秒間積算した。プラズマが電界分布に対応しないで局在して分布してしまう原因は以下のように考えられる。高周波がパルス的に印加されると、印加の瞬間における放電が開始するまでは、電極間のインピーダンスは無負荷状態まだプラズマが無い状態となっているので、位相量に対応した電界分布が形成される。次に電極間に形成された電界により放電が開始しプラズマが生成されると、プラズマが新たな電極間のインピーダンス負荷として生じることになる。そのため、初期時の無負荷状態で電極間に形成された電界は、プラズマ負荷を含めた電極間のインピーダンスに対して再形成された分布へと変化する。一瞬変化した電界分布は、当初の電界分布と異なるため、所望のプラズマ分布を形成しない。一旦プラズマが生成されると電極とステージとの間のインピーダンス負荷が確定するため電界分布が安定し、プラズマ分布も確定する。この現象は高周波をパルス的に印加すると、パルスの印加初期において電極間のインピーダンスがダイナミックに変化することに起因している。パルスの繰り返し周波数が秒程度の遅い場合は、上記のパルス印加の初期におけるインピーダンスのダイナミックな変化は無視できる。しかし、msec以下の高速になると、パルス幅に占めるインピーダンスがダイナミックに変化する期間が無視できなくなるため、所望のプラズマ分布が得られない問題を生じる。そのため前述の検証実験ではパルス的に印加する高周波の位相差-60°を1KHzで変化させて電界分布の山電界の強い凸部分の位置を変化させているにもかかわらず、プラズマ分布は大きく変化しなかったと考えられる。このような先行技術の結果は、電極への複数給電によりプラズマ分布の均一化を行う際に、給電箇所とVHF電力の位相とを高速で切り替えると、所望のプラズマ変化が得られず均一化が困難であることを示している。以上の課題を解決する本実施の形態による給電方法について述べる。まず、本実施の形態による図5に示す給電方法について説明する。給電点27a、27b、27c、27dにVHFを給電する方法を図5に示す。パルス的に給電するVHF電力を一定電力パルスの高さ一定で行うのではなく、パルスの初期時にVHF電力を所定値より高くしパルスの残りの期間にVHF電力を所定値にして給電する。図5に示すパルスにおける初期の電力H1H2は、パルスにおける定常状態の電力H1に対して5以上高くすることが好ましい。仮に、初期の電力H1H2がパルスにおける定常状態の電力H1に対して5未満の割合で高くなっている場合、インピーダンスのダイナミックな変化による電界形成への影響が顕在化し、所望のプラズマ分布が得られない傾向にある。また、電力を高くする期間W2は、例えば、パルス幅W1における最初の5以上20以下の期間であることが好ましい。仮に、電力を高くする期間W2がパルス幅W1の5未満である場合、インピーダンスのダイナミックな変化による電界形成への影響が顕在化し、所望のプラズマ分布が得られない傾向にある。あるいは、仮に、電力を高くする期間W2がパルス幅W1の20より長くなると、プラズマ特性に影響を及ぼすことになり、所望のプラズマ分布が得られない傾向にある。なお、これら値は、放電条件により最適化することができる。本実施の形態による図5に示す給電方法を用いて、プラズマ分布の評価を行った結果を図6に示す。この評価では、図5に示す初期の電力H1H2は、定常状態の電力H1に対して30増とした。又、高くする期間W2は、パルス幅W1における最初の10とした。その結果、図6に示すように、プラズマ分布は、分布の山凸部が電極の長辺方向に分離して2つ形成された。このように電界分布の変化に対応してプラズマが生成されるのは、パルスの初期時に定常のVHF電力H1より高い電力H2を印加することで、インピーダンスのダイナミックな変化による電界形成への影響を小さくできるからと考えられる。なお、分布の山と山との間隔は約80cmであり、前述した真空中の電界分布の移動量に対して小さい値となっているが、これはプラズマ中を伝播するVHFの波長短縮通常プラズマ中での短縮率は0.5~0.9によるものである。すなわち、先行技術に比べて、均一なプラズマ分布が得られることが確認された。次に、本実施の形態による図7に示す給電方法について説明する。図7に示す給電方法では、パルスの初期時にVHF電力を所定値より高くしパルスの残りの期間にVHF電力を所定値にして給電する点は、図5に示す給電方法と同様である。電極5に給電点27a、27b、27c、27dの4箇所からVHFをパルス的に給電するシーケンスと位相との関係を図7に示す。4箇所に給電するパターンはX、Y、Zの3つで1サイクルSとなっている。まずXの期間では、給電点27a~27dの4箇所とも0°の同位相で給電する。次のYの期間では、給電点27a、27bを0°の同位相で、給電点27c、27dを-180°の逆位相で給電する。最後のZ期間では、給電点27a、27cを0°の同位相で、給電点27b、27dを-180°の逆位相で給電する。X~Zの1サイクルの繰り返しを1KHzで行い、X、Y、Zの期間のそれぞれのデューティー比を30とした。以上の給電方法でプラズマを生成すると、図8に示した3つのパターンのプラズマ分布が形成される。Xの期間では、4つの給電点ともに同相で給電するので、電極の中央部に凸型のプラズマ分布が形成される。Yの期間では、電極長辺方向で同相/逆相給電をするので、電極の中央が谷となり、短辺の両側にかけてプラズマが強くなる分布が形成される。Zの期間では、電極短辺方向で同相/逆相給電をするので、電極の中央が谷となり、電極の中央から長辺の両側にかけてプラズマが強くなる分布が形成される。図7に示す3つのパターンX、Y、Zを1KHzで繰り返すことにより、プラズマ分布も図8に示すX、Y、Zの3つのパターンで変化移動しながら生成される。その結果、時間平均で図9に示すプラズマ分布が得られた。この場合のプラズマ分布の均一性は、1.4m×1.1mの領域において13が得られ、大面積に均一なプラズマを生成することができた。すなわち、先行技術に比べて、さらに均一なプラズマ分布が得られることが確認された。次に、プラズマ成膜装置100に上記の図7に示す給電方法を適用して、シランガスSiH4と水素ガスH2との混合ガスで高周波プラズマを発生させ、大面積のガラス基板上に微結晶シリコン膜を堆積させた実験例について説明する。図1において、ステージ2上には被成膜基板9として1400mm×1100mmのガラス基板厚み:4mmを設置した。被成膜基板9はステージ2に内蔵されている図示されないシースヒータを用いて200°Cに加熱した。次に、シャワープレート7と被成膜基板9との間隔が10mmになるようステージ2の高さ位置を調節した。この状態でガス供給口6にシランガスSiH4及び水素ガスH2をそれぞれ1slm及び50slmの流量で供給し、成膜室8のガス圧力が1000Paとなるよう調節した。ガス圧力が安定した後、電極5に図2に示した高周波電力供給系からVHF帯60MHzの高周波電力を供給して、シランSiH4/水素H2の混合プラズマを発生させた。高周波アンプ25a~25dの出力は、それぞれ2000Wとし、前述した図7に示す給電方法により給電点27a~27dに給電し、20分間成膜を行った。このような実験の結果、ガラス基板上にシリコン系薄膜が2μm堆積され、面内の膜厚分布は平均値に対して±15の範囲内であった。成膜した薄膜を太陽電池に利用することを想定して、ラマン分光法により見積もった膜の結晶化率はIc/Ia=7.2であり、微結晶シリコンを用いた薄膜太陽電池に適する微結晶シリコン薄膜が得られた。なお、高周波アンプ25a~25dの出力は前述の値に限ることなく、プロセス条件ガス圧力、ガス流量、電極とステージとの間の距離に対応してそれぞれの出力値を変えることにより均一なプラズマ分布を得ることができる。その場合、複数の給電点27a~27dには、定常状態の高周波電力H1の小さい給電点と定常状態の高周波電力H1の大きい給電点とが混在することになる。このとき、定常状態の高周波電力H1の小さい給電点は、定常状態の高周波電力H1の大きい給電点に比べて、パルスの初期に給電する高周波電力H1H2の定常状態の電力H1に対する割合すなわち、H1H2/H1を大きくする。これにより、所望のプラズマ分布が得られやすい。以上のように、実施の形態では、電極への複数給電をパルス的に切り替えて行う場合、パルスが切り替わる初期に高周波の電力を大きくする。すなわち、電極に複数の高周波の給電点を設け、給電点にはパルス変調された高周波を給電し、パルスのon時間の最初の5乃至20の期間は、残りの期間の高周波電力より5以上高く給電される。この給電方法において、プラズマ電極へ複数箇所からパルス的に高周波を給電する際、パルスの初期の高周波電力を残りの期間より高めたことにより、プラズマを確実に形成できるため、パルスの繰り返し周波数を高めた場合でも所望のプラズマ分布を得ることができ、大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができる。すなわち、VHF帯の高周波電力の供給を行って大面積の被処理基板を処理した場合でも均一なプラズマを得ることができる。ここで、仮に、定常状態の高周波電力H1の小さい給電点と大きい給電点とで割合H1H2/H1を同じにすると、高周波電力H1の小さい給電点では、パルスの初期時のプラズマインピーダンスのダイナミックな変化に対して影響を受け易いため、所望の電界を形成しにくくなる。それに対して、実施の形態では、定常状態の高周波電力H1の小さい給電点における割合H1H2/H1を、定常状態の高周波電力H1の大きい給電点における割合H1H2/H1よりも大きくするので、パルスの初期時のプラズマインピーダンスのダイナミックな変化に対する影響の受けやすさを両者で均等化できる。これにより、均一なプラズマを得ることが容易になる。なお、上記の実施の形態では、ガス流量、圧力、高周波電力等のパラメータに関して数値を示しているが、これらの数値は適宜変更可能である。また、シリコン薄膜形成のための成膜ガスとしてシランSiH4と水素H2との混合ガスの場合について説明したが、さらに、Ar、Ne等の希ガスを添加させてもよい。その他、プロセスの目的に応じて適切なガス種が選択される。また、上記の実施の形態にかかるプラズマ成膜装置では、真空チャンバ1と電極5とで成膜室8が形成される構成を例示しているが、成膜室8内に電極5とステージ2とを配置する構成に、上記の実施の形態で説明したような給電方法を適用しても同様の効果が得られる。また、上記の実施の形態にかかるプラズマ成膜装置は、例えば、プラズマエッチング装置、アッシング装置、スパッタリング装置などにも適用することが出来る。また、上記では横型の成膜室8について説明を行ったが、上記の実施の形態にかかるプラズマ成膜装置は縦型の成膜室にも適用可能である。どちらの型の成膜室を採用するかは当該プラズマ装置の用途等に応じて適宜選択が可能である。