"基板上にゲート電極を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にアモルファス酸化物膜を所定のパターンで形成する工程と、該アモルファス酸化物膜上にソース電極及びドレイン電極を所定のパターンで形成する工程と、該ソース電極及び該ドレイン電極間で露出するアモルファス酸化物膜を少なくとも覆う保護膜を形成する工程とを有し、前記アモルファス酸化物膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該アモルファス酸化物膜を成膜し、前記保護膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該保護膜を成膜して前記アモルファス酸化物膜を半導体化することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。基板上にゲート電極を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を所定のパターンで形成する工程と、該ソース電極及び該ドレイン電極間で露出するゲート絶縁膜を少なくとも覆うとともに該ソース電極及びドレイン電極上にアモルファス酸化物膜を所定のパターンで形成する工程と、該アモルファス酸化物膜を少なくとも覆う保護膜を形成する工程とを有し、前記アモルファス酸化物膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該アモルファス酸化物膜を成膜し、前記保護膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該保護膜を成膜して前記アモルファス酸化物膜を半導体化することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。前記アモルファス酸化物膜がInMZnOMはGa,Sn,Al,Feのうち少なくとも1種を含むアモルファス酸化物膜であり、前記保護膜が、二酸化ケイ素膜又はInMZnOMはGa,Sn,Al,Feのうち少なくとも1種を含むアモルファス酸化物膜である、請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記アモルファス酸化物膜の形成工程を、酸素ガスが80以上で圧力が0.6Pa以下のRFスパッタリング条件下で行う、請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。本発明の目的は、低温成膜可能な酸化物で半導体膜を形成する逆スタガ型薄膜トランジスタの製造方法を提供することにあり、より詳しくは、薄膜トランジスタの製造工程で高温処理プロセスを適用することなく、酸化物半導体膜を効率的に製造できる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。本発明者は、低温成膜可能な酸化物半導体膜を有する逆スタガ型薄膜トランジスタの半導体特性を高めつつ効率的な製造を実現するための検討を行っている過程で、酸化物半導体膜の半導体特性が、酸化物半導体膜の成膜工程と保護膜の成膜工程に影響されることを見出し、本発明を完成した。上記課題を解決するための本発明の第1の観点に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にアモルファス酸化物膜を所定のパターンで形成する工程と、該アモルファス酸化物膜上にソース電極及びドレイン電極を所定のパターンで形成する工程と、該ソース電極及び該ドレイン電極間で露出するアモルファス酸化物膜を少なくとも覆う保護膜を形成する工程とを有し、前記アモルファス酸化物膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該アモルファス酸化物膜を成膜し、前記保護膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該保護膜を成膜して前記アモルファス酸化物膜を半導体化することを特徴とする。本発明の第2の観点に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を所定のパターンで形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を所定のパターンで形成する工程と、該ソース電極及び該ドレイン電極間で露出するゲート絶縁膜を少なくとも覆うとともに該ソース電極及び該ドレイン電極上にアモルファス酸化物膜を所定のパターンで形成する工程と、該アモルファス酸化物膜を少なくとも覆う保護膜を形成する工程とを有し、前記アモルファス酸化物膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該アモルファス酸化物膜を成膜し、前記保護膜の形成工程では、RFスパッタリング法で該保護膜を成膜して前記アモルファス酸化物膜を半導体化することを特徴とする。この第1及び第2の観点に係る発明によれば、RFスパッタリング法で成膜したアモルファス酸化物膜はキャリア濃度の低い絶縁膜として成膜されるが、その後に保護膜をRFスパッタリング法で成膜することによって、保護膜の成膜時のRFスパッタリングがアモルファス酸化物膜に負荷ダメージを与える。その結果、予めRFスパッタリング法で成膜されたアモルファス酸化物膜のキャリア濃度が増して半導体化する。本発明では、こうしたプロセスでアモルファス酸化物膜を半導体化するので、従来のような高温アニールが不要となり、耐熱性に劣る基板上に薄膜トランジスタを製造できるとともに、製造コストも低減できる。さらに、本発明では、アモルファス酸化物膜と保護膜とを同じRFスパッタリング法で成膜するので、製造コストを低減することができる。本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法において、前記アモルファス酸化物膜がInMZnOMはGa,Sn,Al,Feのうち少なくとも1種を含むアモルファス酸化物膜であり、前記保護膜が、二酸化ケイ素膜又はInMZnOMはGa,Sn,Al,Feのうち少なくとも1種を含むアモルファス酸化物膜であることが好ましい。この発明によれば、前記組合せであることが半導体膜のキャリア濃度の向上と特性安定化において好ましい。特にIGZO系酸化物膜で形成した保護膜は、可視光領域では良好な光透過性を有し、一方、紫外光領域では良好な遮光性を有するので、製造された薄膜トランジスタのトランジスタ特性の劣化を効果的に防ぐことができる。特に、紫外光に対する特性劣化や、水蒸気や酸素ガスに対する大気安定性が向上し、長期信頼性に優れた薄膜トランジスタを製造することができる。本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法において、前記アモルファス酸化物膜の形成工程を、酸素ガスが80以上で圧力が0.6Pa以下のRFスパッタリング条件下で行うことが好ましい。この発明によれば、上記したスパッタリング条件下でアモルファス酸化物膜を成膜するので、その条件で成膜されたアモルファス酸化物膜は酸素欠損が少なく、キャリア濃度が低く、半導性ではなくて絶縁性の酸化物膜となる。なお、こうして成膜された絶縁性のアモルファス酸化物膜は、その後の保護膜の形成工程でのRFスパッタリングで、キャリア濃度が向上し、半導性を呈する半導体膜となる。なお、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法においては、成膜後のアモルファス酸化物膜が半導性を示す場合は、その後の保護膜の形成工程をRFスパッタリングに代えてDCスパッタリングで行ってもよい。DCスパッタリングでの保護膜の成膜は、アモルファス酸化物膜にダメージを与えないので、アモルファス酸化物膜の半導性を維持しつつ保護膜を成膜することができる。本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法によれば、RFスパッタリング法で成膜したアモルファス酸化物膜はキャリア濃度の低い絶縁膜として成膜されるが、その後に保護膜をRFスパッタリング法で成膜することによって、そのRFスパッタリングがアモルファス酸化物膜に負荷ダメージを与えるので、予め成膜されたアモルファス酸化物膜のキャリア濃度が増して半導体化する。その結果、従来のような高温アニールが不要となり、耐熱性に劣る基板上に薄膜トランジスタを製造できるとともに、製造コストも低減できる。以下に、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法について、図面を参照して詳しく説明する。なお、本発明は、その技術的特徴を有すれば種々の変形が可能であり、以下に具体的に示す実施形態に限定されるものではない。本発明は、逆スタガ型の薄膜トランジスタの製造方法に関し、具体的には、図1~図3に示すように、ボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10A,10B又はボトムゲートボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Cの製造方法に関するものである。なお、以下において、逆スタガ型の薄膜トランジスタを符号10で表すことがある。以下では、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法で製造された薄膜トランジスタの構成を図1~図3を参照しつつ説明するとともに、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法を図4を参照しつつ説明する。本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法で製造された薄膜トランジスタ10は、図1~図3に示すように、基板1上に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体膜4、ソースドレイン電極6S,6D及び保護膜7が設けられた逆スタガ型の薄膜トランジスタである。このうち、ボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10A,10Bは、図1及び図2に示すように、基板1上に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、酸化物半導体膜4、ソースドレイン電極6S,6D及び保護膜7がその順に設けられたものであり、ボトムゲートボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Cは、図3に示すように、基板1上に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極6S,6D、酸化物半導体膜4及び保護膜7がその順に設けられたものである。このとき、保護膜7は、ソース電極6Sとドレイン電極6Dとの間に露出する酸化物半導体膜4図1,2参照又は最上層に露出する酸化物半導体膜4図3参照を覆うとともに、ソースドレイン電極6S,6Dを覆うように設けられている。本発明において、上にとは、そのものの上に直に設けられていることを意味し、直に設けられていない場合は上方にと言い分ける。また、覆うとは、そのものの上に直接設けられているとともに、そのものの周りにも設けられていることを意味する。また、成膜時のアモルファス酸化物膜4’は、保護膜が設けられた薄膜トランジスタ10では、最終的には酸化物半導体膜4となっている。こうした形態からなる逆スタガ型の薄膜トランジスタ10の製造方法は、逆スタガ型構造が図1及び図2に示すボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10A,10Bであるか、図3に示すボトムゲートボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Cであるかで若干異なる。具体的には、ボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10A,10Bの製造方法は、図4に示すように、基板1上にゲート電極2を所定のパターンで形成する工程と、ゲート電極2を覆うゲート絶縁膜3を所定のパターンで形成する工程と、ゲート絶縁膜3上にアモルファス酸化物膜4’を所定のパターンで形成する工程と、アモルファス酸化物膜4’上にソース電極6S及びドレイン電極6Dを所定のパターンで形成する工程と、ソース電極6S及びドレイン電極6D間で露出するアモルファス酸化物膜4’図2では露出したパッシベーション膜5を少なくとも覆う保護膜7を形成する工程とを有する。そして、この製造方法は、アモルファス酸化物膜4’の形成工程において、RFスパッタリング法でアモルファス酸化物膜4’を成膜し、保護膜7の形成工程において、RFスパッタリング法で保護膜7を成膜して前記アモルファス酸化物膜4’を半導体化して酸化物半導体膜とすることに特徴がある。なお、ボトムゲートトップコンタクト構造の場合は、アモルファス酸化物膜4’上にソースドレイン電極6S,6Dを設ける際の、アモルファス酸化物膜4’の成膜ダメージ防ぐこと等の目的で、図2に示すように、アモルファス酸化物膜4’上にパッシベーション膜5を設けてもよい。一方、ボトムゲートボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Cの製造方法具体的には図示しないが図3を参照は、基板1上にゲート電極2を所定のパターンで形成する工程と、ゲート電極2を覆うゲート絶縁膜3を所定のパターンで形成する工程と、ゲート絶縁膜3上にソース電極6S及びドレイン電極6Dを所定のパターンで形成する工程と、ソース電極6S及びドレイン電極6D間で露出するゲート絶縁膜3を少なくとも覆うとともに該ソース電極6S及びドレイン電極6D上にアモルファス酸化物膜4’を所定のパターンで形成する工程と、アモルファス酸化物膜4’を少なくとも覆う保護膜7を形成する工程とを有する。そして、この製造方法においても、上記した薄膜トランジスタ10A,10Bと同様、アモルファス酸化物膜4’の形成工程において、RFスパッタリング法でアモルファス酸化物膜4’を成膜し、保護膜7の形成工程において、RFスパッタリング法で保護膜7を成膜して前記アモルファス酸化物膜4’を半導体化して酸化物半導体膜とすることに特徴がある。以下、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法を、得られる薄膜トランジスタの各構成要素とともに、詳しく説明する。基板基板1の種類や構造は特に限定されるものではなく、用途に応じてフレキシブルな材質や硬質な材質等が選択される。基板1は透明であってもなくてもよい。透明な基板材料としては、例えば、ガラス、石英、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート等を挙げることができる。通常は、透明電極であるITO付きガラス基板やITO付きプラスチック基板等が好ましく用いられる。なお、金属膜や透明導電膜が形成されたガラス基板やプラスチック基板等を用いてもよい。なお、透明の定義は、薄膜トランジスタを利用する薄膜集積回路装置の用途に応じてその基準は異なるが、一基準を示せば、反射率で判断する場合には、波長350~650nmの可視光領域において、各膜の屈折率が約2以下で屈折率差が約0.5以下であることが透明性の点で好ましく、透過率で判断する場合には、波長350~650nmの可視光領域において、各膜の消光係数kが約0.1以下と低いことが透明性の点で好ましい基板1の厚さは、薄膜トランジスタ10を備えた薄膜集積回路装置にフレキシブル性を持たせるか否かによっても異なり特に限定されないが、例えばICタグ等に用いるフレキシブル性の薄膜集積回路装置とする場合には、厚さ5~300μmのプラスチック基板が好ましく用いられる。また、基板1の形状は特に限定されないが、チップ状、カード状、ディスク状等を挙げることができる。なお、枚葉状又は連続状の基板1上に薄膜集積回路装置を形成した後に個々のチップ状、カード状、ディスク状に分断加工してもよい。ゲート電極ゲート電極2は、図1~図3及び図4Aに示すように、基板1上に所定のパターンで設けられる。ゲート電極の形成材料としては、例えば、金、銀、銅、チタン、クロム、コバルト、ニッケル、アルミニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン等の金属膜;ITOインジウム錫オキサイド、酸化インジウム、IZOインジウム亜鉛オキサイド、SnO2、ZnO等の透明導電膜;を好ましく挙げることができる。なお、所望の導電性を有するものであれば、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような透明な導電性高分子等であってもよい。ゲート電極2の形成は、ゲート電極の形成材料の種類や基板1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、透明導電膜でゲート電極2を形成する場合には、成膜手段としてスパッタリング法や各種CVD法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ゲート電極2の形成に低温成膜が要求される場合には、成膜手段として低温成膜可能なスパッタリング法やプラズマCVD法を好ましく適用できる。また、導電性高分子でゲート電極2を形成する場合には、成膜手段として真空蒸着法やパターン印刷法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ゲート電極2の形成工程時には、同時に、ゲート電極用配線、グラウンド配線及び電源配線等の回路配線群を、ゲート電極2と同一材料で形成してもよい。ゲート電極2の厚さ、及び、ゲート電極2の形成時に同時に形成する回路配線群電極や配線の厚さは、通常、0.05~0.2μm程度である。ゲート絶縁膜ゲート絶縁膜3は、絶縁性が高く、誘電率が比較的高く、ゲート絶縁膜として適しているものであれば各種の材料を用いることができる。例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等のケイ素の酸化物、窒化物、酸窒化物等を好ましく挙げることができる。また、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化スカンジウム、チタン酸バリウムストロンチウムのうち少なくとも1種又は2種以上を挙げることができる。特に透明性の観点からは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等のケイ素の酸化物、窒化物、酸窒化物等が好ましい。ゲート絶縁膜3の形成は、図1~図3及び図4Bに示すように、ゲート絶縁膜の形成材料の種類や基板1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、ケイ素の酸化物、窒化物、酸窒化物等でゲート絶縁膜3を形成する場合には、成膜手段としてスパッタリング法や各種CVD法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ゲート絶縁膜3の成膜に低温成膜が要求される場合には、成膜手段として低温成膜可能なスパッタリング法やプラズマCVD法を好ましく適用できる。なお、ゲート絶縁膜3Aの厚さは、通常、0.1~0.3μm程度である。アモルファス酸化物膜アモルファス酸化物膜4’は、最終的には薄膜トランジスタ10を構成する酸化物半導体膜4となる膜であって、図1、図2及び図4Cに示すボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10A,10Bの場合には、ゲート電極2の上方にゲート絶縁膜3を間に介してそのゲート絶縁膜3上に、所定のパターンのアモルファス酸化物膜4’を設ける。一方、図3に示すボトムゲートボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Cの場合には、ゲート電極2の上方にゲート絶縁膜3を間に介してそのゲート絶縁膜3上にソースドレイン電極6S,6Dを所定のパターンで形成し、その後に、ソース電極6S及びドレイン電極6Sの間を跨ぐように、所定のパターンのアモルファス酸化物膜4’を設ける。このアモルファス酸化物膜4’は、本発明に係る製造方法を経ることによって、最終的には、薄膜トランジスタを構成するチャネル領域として使用できる程度の移動度を有する酸化物半導体膜4となるものであれば、その種類は特に限定されず、現在知られているアモルファス酸化物膜4’であっても、今後発見されるアモルファス酸化物膜4’であってもよい。アモルファス酸化物膜4’を構成する酸化物としては、例えば、InMZnOMはGa,Sn,Al,Feのうち少なくとも1種を主たる構成元素とする酸化物を挙げることができる。特に、MがGaであるInGaZnO系の酸化物が好ましく、この場合、In:Ga:Znの比が1:1:mm<6であることが好ましい。また、Mgをさらに含む場合においては、In:Ga:Zn1xMgxの比が1:1:mm<6で0<x≦1であることが好ましい。なお、組成割合は、蛍光X線XRF装置によって測定したものである。なお、InMZnOを含む酸化物でアモルファス酸化物膜4’を形成した場合、そのアモルファス酸化物膜4’は、特に可視光領域で良好な光透過性を示し、紫外光領域で良好な遮光性を示すので、後述するように、保護膜7としても好ましく適用でき、薄膜トランジスタ特性の劣化をより効果的に防ぐことができる。特にMがGaであるInGaZnO系のアモルファス酸化物膜4’が好ましい。そのため、ここでのアモルファス酸化物膜4’を、後述する保護膜7と同じInMZnOを含むアモルファス酸化物で形成すれば、製造装置や工程を共通化することができ、低コストの薄膜トランジスタを製造するのに便利である。InGaZnO系の酸化物については、InとGaとZnの広い組成範囲でアモルファス相を示す。この三元系でアモルファス相を安定して示す組成範囲としては、InxGayZnzO3x/23y/2zで比率x/yが0.4~1.4の範囲であり、比率z/yが0.2~12の範囲にあるように表すことができる。なお、ZnOに近い組成とIn2O3に近い組成で結晶質を示す。また、酸化物が、InxGa1x酸化物0≦x≦1、InxZn1x酸化物0.2≦x≦1、InxSn1x酸化物0.8≦x≦1、InxZn,Sn1x酸化物0.15≦x≦1から選ばれるいずれかの酸化物アモルファス酸化物であってもよい。本発明では、後述の実施例で用いたInGaZnO系以下IGZOと略す酸化物を好ましく挙げることができる。また、このIGZO系酸化物には、必要に応じて、Al、Fe、Sn等を構成元素として加えたものであってもよい。このIGZO系のアモルファス酸化物膜4’は、可視光を透過して透明膜となるので、透明性を要求される薄膜集積回路に好ましく用いられる。また、このIGZO系のアモルファス酸化物膜4’は、RFスパッタリング法により、室温から150°C程度の低温での成膜が可能であることから、ガラス転移温度が200°C未満の耐熱性に乏しいプラスチック基板に対して好ましく適用できる。アモルファス酸化物膜4’がアモルファス相であるか否かは、測定対象となる酸化物膜に入射角度0.5°程度の低入射角によるX線回折を行った場合に、結晶質の存在を示す明瞭な回折ピークが検出されないこと、すなわち所謂ブロードハロー形状パターンが見られることで確認できる。そうしたブロードパターンは、微結晶状態の酸化物膜でも見られるので、このアモルファス酸化物膜4’には、そのような微結晶状態の酸化物膜も含まれるものとする。アモルファス酸化物膜4’の形成は、酸化物材料の種類や基板1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。特に本発明に係る製造方法では、RFスパッタリング法を適用し、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用する。RFスパッタリング法で成膜したアモルファス酸化物膜4’は、キャリア濃度の低い絶縁性の膜として成膜される。ここで、絶縁性の膜とは、キャリア濃度が1014ion/cm3以下の範囲程度の場合をいう。こうして成膜された絶縁性のアモルファス酸化物膜4’は、本発明の製造方法では、その後に保護膜7をRFスパッタリング法で成膜することによって、そのRFスパッタリングがアモルファス酸化物膜4’に負荷ダメージを与える。その結果、予め成膜されたアモルファス酸化物膜4’のキャリア濃度が増して半導体化する。ここで、半導体化するとは、キャリア濃度が1015~1017ion/cm3の範囲程度に到った場合をいう。本発明に係る製造方法では、こうしたプロセスでアモルファス酸化物膜4’を半導体化して最終的に酸化物半導体膜4とするので、従来のような高温アニールが不要となり、耐熱性に劣る基板上にも薄膜トランジスタ10を製造できるとともに、製造コストも低減できる。さらに、本発明に係る製造方法では、アモルファス酸化物膜4’と保護膜である保護膜7とを同じRFスパッタリング法で成膜するので、製造コストを低減することができ、また、同じ酸化物で成膜すればさらにコスト低減を図ることができる。アモルファス酸化物膜4’の成膜は、酸素ガスを80以上とし、圧力を0.6Pa以下としたRFスパッタリング条件下で行うことが好ましい。この条件下でアモルファス酸化物膜4’を成膜するので、その条件で成膜されたアモルファス酸化物膜4’は酸素欠損が少なくてキャリア濃度が1012~1015ion/cm3と低く、半導性ではなくて絶縁性又はそれに近いものとなる。なお、こうして成膜された絶縁性のアモルファス酸化物膜4’は、その後の保護膜7の形成工程でのRFスパッタリングで、キャリア濃度が1015~1017ion/cm3程度に向上し、半導性を呈する酸化物半導体膜4となる。ここで、雰囲気中の酸素ガス以外のガスとしては、通常、アルゴンが用いられる。酸素ガスが80未満での成膜は、アモルファス酸化物膜4’の酸素欠損が増してキャリア濃度が1016ion/cm3を超えるようになる。その結果、成膜したアモルファス酸化物膜4’は導電膜又は導電性領域に近い半導体膜となり、その後の工程でキャリア濃度を低下させて半導性の膜まで抵抗を低下させる必要がある。そのための手段として高温アニール処理が必要になってしまうという難点がある。また、成膜チャンバー内の圧力が0.6Paを超えた場合での成膜も、アモルファス酸化物膜4’の酸素欠損が増してキャリア濃度が1016ion/cm3を超えるようになる。その結果、上記同様、成膜したアモルファス酸化物膜4’は導電膜又は導電性領域に近い半導体膜となり、その後の工程でキャリア濃度を低下させて半導性の膜まで抵抗を低下させる必要がある。そのための手段として高温アニール処理が必要になってしまうという難点がある。より好ましい範囲としては、酸素ガスが90~100で圧力が0.2~0.6Paの範囲であり、特に好ましくは、酸素ガスが100で圧力が0.2~0.4Paである。この範囲でRFスパッタリングを行うことにより、アモルファス酸化物膜4’中の酸素欠損が少なくなり、キャリア濃度の低い絶縁性の膜を得ることができる。その結果、その後の保護膜7の形成を広い条件範囲下でRFスパッタリングすることにより、アモルファス酸化物膜4’のキャリア濃度を漸増させて半導体化することができる。アモルファス酸化物膜4’の厚さとしては、10~100nmの範囲内であることが好ましく、20~100nmの範囲内であることがより好ましい。また、特に本発明に係る製造方法では、アモルファス酸化物膜4’を厚膜化することができるという利点がある。つまり、本発明では、アモルファス酸化物膜4’を酸素ガスが80以上で圧力が0.6Pa以下のRFスパッタリング条件下で成膜するが、この条件下で成膜したアモルファス酸化物膜4’は、上記のように、酸素欠損が少なく、キャリア濃度が小さい絶縁性の膜となる。そのため、アモルファス酸化物膜4’の厚さを10nm以上100nm以下の厚さとしても、絶縁性のままか、厚さに伴ってキャリア濃度が漸増した半導性の膜とすることができる。こうしたアモルファス酸化物膜4’を設けた場合には、その後に保護膜7の成膜時のスパッタダメージによりアモルファス酸化物膜4’の酸素欠損が増してキャリア濃度が向上しても、導電性のアモルファス酸化物膜にはなりにくい。そのため、厚さを10nm以上100nm以下の厚膜にすることが可能となる。半導体膜となるアモルファス酸化物膜4’を厚膜化できるということは、大面積の成膜を行う場合の膜厚分布によって生じる半導体特性のバラツキを抑制することができるという利点がある。なお、成膜条件例えば成膜時の酸素含有量が80未満の場合や圧力が0.6Pa超の場合や膜厚によっては、成膜後のアモルファス酸化物膜4’が半導性を示す場合がある。その場合は、その後の保護膜7の形成工程をRFスパッタリングに代えてDCスパッタリングで行うことができる。DCスパッタリングでの保護膜7の成膜は、アモルファス酸化物膜4’にダメージを与えないので、アモルファス酸化物膜4’の半導性を維持しつつ保護膜7を成膜することができる。この場合において、保護膜7の形成工程でのDCスパッタリング条件は、任意の条件を特に問題なく設定できる。パッシベーション膜パッシベーション膜5は、図2に示すように、ボトムゲートトップコンタクト構造の場合にアモルファス酸化物膜4’最終的には酸化物半導体膜4上に設けることができる。パッシベーション膜5を設けることは、アモルファス酸化物膜4’上に直接ソースドレイン電極6S,6Dを成膜する場合にそのアモルファス酸化物膜4’が受けるダメージを低減するのに有効である。したがって、パッシベーション膜5は、アモルファス酸化物膜4’のチャネル領域4Aを保護しつつ、ソース電極接続部4Bとドレイン電極接続部4Bとを形成するために設けられる。具体的には、パッシベーション膜5は、図2に示すように、アモルファス酸化物膜4’にソース電極接続部4Bとドレイン電極接続部4Bとを形成する部分にコンタクトホールを形成した形態でアモルファス酸化物膜4’最終的には酸化物半導体膜4を覆っている。パッシベーション膜5は、液状にしたシリカSiO2の水和物やポリイミド樹脂等のパッシベーション膜用材料を塗布法で成膜し、その後にレジストを用いたパターニングで形成することができる。また、感光性を有するパッシベーション膜用材料を塗布法で成膜し、その後に露光現像して所定パターンのパッシベーション膜5を形成してもよい。こうしたパッシベーション膜5の厚さは、通常、0.1~3μm程度である。パッシベーション膜5を設ける場合は、コンタクトホールを形成した後に活性化処理を行う。この活性化処理により、コンタクトホール部で露出したアモルファス酸化物膜4’の導電性を高めてソース電極接続部4B及びドレイン電極接続部4Bとすることができる。導電性を高めたソース電極接続部4B及びドレイン電極接続部4Bに後述するソース電極6S及びドレイン電極6Dをパターン成膜すると、ソース電極接続部4B及びドレイン電極接続部4Bそれぞれに対するソース電極6S及びドレイン電極6Dのオーミック抵抗を低減することができる。なお、活性化処理としてのプラズマ処理は、アモルファス酸化物膜4’に酸素欠損を生じさせて導電性を高める処理手段である。ソース電極、ドレイン電極ソース電極6S及びドレイン電極6Dは、図1、図2及び図4に示すボトムゲートトップコンタクト構造の場合には、アモルファス酸化物膜4’上に又はコンタクトホールが形成されたパッシベーション膜5上に所定のパターンで設けられる。一方、図3に示すボトムゲートボトムコンタクト構造の場合には、上記したアモルファス酸化物膜4’を成膜する前に、ゲート絶縁膜4上に所定のパターンで設けられる。ソース電極材料及びドレイン電極材料は、アモルファス酸化物膜4’のソース電極接続部4B及びドレイン電極接続部4Bとのオーミック接触が考慮されて選択され、例えば、ITOインジウム錫オキサイド、酸化インジウム、IZOインジウム亜鉛オキサイド、SnO2、ZnO等の透明導電膜を好ましく挙げることができる。また、所望の導電性を有するものであれば、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等であってもよい。ソース電極6S及びドレイン電極6Dの形成は、電極材料の種類や基板1の耐熱性に応じた成膜手段とパターニング手段が適用される。例えば、透明導電膜でソース電極6S及びドレイン電極6Dを形成する場合には、成膜手段としてスパッタリング法や各種のCVD法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できるが、低温成膜が要求される場合には、成膜手段として低温成膜可能なスパッタリング法やプラズマCVD法を好ましく適用できる。また、導電性高分子でソース電極6S及びドレイン電極6Dを形成する場合には、成膜手段として真空蒸着法やパターン印刷法等を適用でき、パターニング手段としてフォトリソグラフィを適用できる。ソース電極6S及びドレイン電極6Dの形成工程時には、同じ電極材料で、同時に、既に形成されている回路配線群への接続や新しい回路配線群の形成を行うことが好ましい。ソース電極6S及びドレイン電極6Dの厚さは、通常、0.1~0.3μm程度である。保護膜保護膜7は、薄膜トランジスタ構造の保護膜をなす絶縁膜であって、図1及び図2に示すボトムゲートトップコンタクト構造の場合にはソース電極6Sとドレイン電極6Dを形成した後に、ソースドレイン電極6S,6D間で露出するアモルファス酸化物膜4’最終的には酸化物半導体膜4となる。を少なくとも覆うように設けられている。また、図3に示すボトムゲートボトムコンタクト構造の場合には、所定のパターンのアモルファス酸化物膜4’を形成した後に、最上層で露出するアモルファス酸化物膜4’を少なくとも覆うように設けられている。なお、保護膜7は、露出するアモルファス酸化物膜4’を少なくとも覆っていれば、その部分を含む全面を覆うように設けても構わない。こうして成膜する保護膜7は、二酸化珪素膜又は既に説明したアモルファス酸化物膜4’と同じ膜であることが好ましい。アモルファス酸化物膜4’と同じ材料で成膜した場合には、アモルファス酸化物膜4’と保護膜7とを、同じ成膜チャンバーを用いて同じ又は類似の成膜条件で成膜できるので、低コストを実現することができる。なお、この場合、保護膜7は、絶縁性であり、半導性ではないことが条件である。保護膜7をアモルファス酸化物膜4’と同じ材料で成膜する場合には、アモルファス酸化物膜の説明欄で既に説明しているので、ここではその材料の詳細は省略するが、好ましくは、アモルファス酸化物膜4’の場合と同様、InMZnOMはGa,Sn,Al,Feのうち少なくとも1種を含むアモルファス酸化物からなることが好ましい。特にMがGaであるInGaZnO系のアモルファス酸化物からなることが好ましい。InMZnO特にInGaZnOを含むアモルファス酸化物からなる保護膜7は、特に可視光領域で良好な光透過性を示し、紫外光領域で良好な遮光性を示すので、薄膜トランジスタ特性の劣化をより効果的に防ぐことができる。そのため、従来の保護膜であるSiO2膜や有機無機複合化合物膜に比べて薄膜トランジスタ特性の劣化を効果的に防ぐことができるという効果がある。その結果、紫外光に対する耐特性劣化や、水蒸気や酸素ガスに対する大気安定性が向上し、長期信頼性に優れた薄膜トランジスタ10を提供できる。こうした保護膜7は、ソースドレイン電極6S,6D間ボトムゲートトップコンタクト構造の場合。図1及び図2を参照。又は最上層ボトムゲートボトムコンタクト構造の場合。図3を参照。で露出するアモルファス酸化物膜4’を少なくとも覆うように設けられているので、酸化物半導体膜4保護膜7の形成時にアモルファス酸化物膜4’のキャリア濃度が漸増して半導体化した膜である。が紫外線や大気雰囲気に曝されることによって閾値の変動やヒステリシスを抑制できる。保護膜7は、RFスパッタリング法で成膜される。保護膜7をRFスパッタリング法で成膜することによって、そのRFスパッタリングが予め成膜されたアモルファス酸化物膜4’に負荷ダメージを与えてアモルファス酸化物膜4’中のキャリア濃度を漸増させる。その結果、アモルファス酸化物膜4’が半導体化して酸化物半導体膜4となる。本発明では、保護膜7の成膜時にアモルファス酸化物膜4’を半導体化するので、従来のような高温アニールが不要となるという利点がある。なお、本発明に係る製造方法においては、成膜後のアモルファス酸化物膜4’を厚く成膜すること等によって、アモルファス酸化物膜4’が半導性を示して既に酸化物半導体膜4になっている場合がある。その場合には、保護膜7の形成工程をRFスパッタリングに代えてDCスパッタリングで行ってもよい。DCスパッタリングでの保護膜7の成膜は、アモルファス酸化物膜4’酸化物半導体膜4にダメージを与えないので、アモルファス酸化物膜4’の半導性を維持しつつ保護膜7を成膜することができる。この場合において、保護膜7の形成工程でのDCスパッタリング条件は、任意の条件を特に問題なく設定できる。保護膜7の厚さは、例えば100~500nmであることが好ましく、250~300nmであることが好ましい。保護膜7、特にIGZO系酸化物膜では紫外光領域での遮光性の点から、その厚さの下限は通常100nm程度であればよい。また、保護膜7の厚さが500nmを超えると、成膜時間が長くなる。その他の膜薄膜トランジスタ10には、その他の膜が形成されていてもよい。例えば、基板面に下地膜密着膜や、熱又は不純物原子に対するバッファ膜を設けて、ゲート電極2の密着性やゲート絶縁膜3の密着性や特性安定性を高めてもよい。下地膜としては、厚さ5~10nmのクロム膜、厚さ10~50nm程度の酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、及び酸窒化ケイ素膜等を好ましく挙げることができる。また、上記した保護膜7に加えて、他の保護膜図示しないを設けてもよい。ここでいう他の保護膜とは、例えば厚さ500~1000nm程度のPVPポリビニルピロリドン膜等や、厚さ100~500nm程度の酸化ケイ素や酸窒化ケイ素等からなるガスバリア性の膜を好ましく挙げることができる。以上説明した本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法によれば、RFスパッタリング法で成膜したアモルファス酸化物膜4’はキャリア濃度の低い絶縁膜として成膜されるが、その後に保護膜7をRFスパッタリング法で成膜することによって、そのRFスパッタリングがアモルファス酸化物膜4’に負荷ダメージを与えるので、予め成膜されたアモルファス酸化物膜4’のキャリア濃度が増して半導体化する。その結果、従来のような高温アニールが不要となり、耐熱性に劣る基板上に薄膜トランジスタを製造できるとともに、製造コストも低減できる。代表的な例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。なお、本発明は以下の例に限定解釈されることはない。[実施例1]図1に示す薄膜トランジスタ10を作製した。先ず、厚さ700μmのガラスを基板1として準備し、その基板1上の全面に厚さ150nmのアルミニウム膜をDCスパッタリング法で成膜し、ゲート電極膜とした。このときのDCスパッタリング法は、出力500W、圧力0.5Pa、アルゴンガス100の条件下で成膜した。その後、レジストパターンをフォトリソグラフィで形成した後に燐酸溶液でウェットエッチングし、アルミニウム膜がゲート電極2となるように所定のパターンでパターニングした図4A参照。次に、ゲート電極2を覆うように、全面に、厚さ300nmの酸化ケイ素をゲート絶縁膜3として全面に形成した。このゲート絶縁膜3は、RFマグネトロンスパッタリング装置を用い、8インチのSiO2ターゲットに投入電力2.0kW=3W/cm2、圧力0.3Pa、酸素ガス100の条件で成膜した図4B参照。次に、In:Ga:Znが1:1:1のInGaZnO系アモルファス酸化物膜InGaZnO4を厚さ25nmとなるように形成した。アモルファス酸化物膜4’は、RFマグネトロンスパッタリング装置を用い、室温25°C、出力500W、圧力0.4Pa、酸素ガス100の条件下で、4インチのInGaZnOIn:Ga:Zn=1:1:1ターゲットを用いて形成した。その後、レジストパターンをフォトリソグラフィで形成した後に燐酸溶液でウェットエッチングし、所定のパターンにパターニングした図4C参照。なお、得られたアモルファス酸化物膜4’が、X線回折測定で、特定の結晶性ピークを有さないブロード構造を示すアモルファス相であることは、株式会社リガク社製のSmartLabで確認した。なお、パターニングした後のアモルファス酸化物膜4’はこの段階では高抵抗の絶縁膜であり、そのキャリア濃度はホール効果測定でも測定できなかった。次に、アモルファス酸化物膜4’上に、Ti膜を厚さ200nmとなるようにDCスパッタリング法で形成した。チタン膜は、DCスパッタリング装置を用い、出力900W、圧力0.5Pa、アルゴンガス100の条件下で成膜した。その後、レジストパターンをフォトリソグラフィで形成した後に燐酸溶液でウェットエッチングし、Ti膜がソースドレイン電極6S,6Dとなるように所定のパターンにパターニングした。このソースドレイン電極6S,6Dは、ゲート絶縁膜3上であってゲート電極2の中央部直上以外に離間したパターンとなるように形成した図4D参照。なお、Tiは、下地のアモルファス酸化物膜4’にダメージを与えないDCスパッタリングで成膜されるので、アモルファス酸化物膜4’のキャリア濃度が漸増することはない。次に、上記したアモルファス酸化物膜4’を含む全面に二酸化珪素SiO2膜を保護膜として厚さ100nm成膜した。成膜は、アモルファス酸化物膜4’と同様、RFマグネトロンスパッタリング装置を用い、室温25°C、出力500W、圧力0.4Pa、酸素ガス100の条件下で、4インチのSiO2ターゲットを用いて形成した図4E参照。アモルファス酸化物膜4’は、保護膜7の成膜によってキャリア濃度が~1×1013ion/cm3にまで漸増して酸化物半導体膜4となった。そのときの結晶構造は、X線回折測定で特定の結晶性ピークを有さないブロード構造を示した。[実施例2]実施例1のアモルファス酸化物膜4’の成膜工程において、アモルファス酸化物膜4’の成膜圧力を0.6Paに変更した条件下で行った。それ以外は実施例1と同様にして、実施例2に係る薄膜トランジスを作製した。アモルファス酸化物膜4’は、保護膜7の成膜によってキャリア濃度が2.2×1015ion/cm3に漸増して酸化物半導体膜4となった。そのときの結晶構造は、X線回折測定で特定の結晶性ピークを有さないブロード構造を示した。[実施例3]実施例1のアモルファス酸化物膜4’の成膜工程において、アモルファス酸化物膜4’の成膜圧力を0.2Paに変更した条件下で行った。それ以外は実施例1と同様にして、実施例3に係る薄膜トランジスを作製した。アモルファス酸化物膜4’は、保護膜7の成膜によってキャリア濃度が~1×1015ion/cm3に漸増して酸化物半導体膜4となった。そのときの結晶構造は、X線回折測定で特定の結晶性ピークを有さないブロード構造を示した。[実施例4~7]実施例3のアモルファス酸化物膜4’の成膜工程において、アモルファス酸化物膜4’の成膜条件を酸素ガス100から、90、80、70、63にそれぞれ変更した条件下で行った。なお、残りのガスはアルゴンである。それ以外は実施例3と同様にして、実施例4~7に係る薄膜トランジスを作製した。アモルファス酸化物膜4’は、保護膜7の成膜によってキャリア濃度が、それぞれ、3.3×1014ion/cm390、8.9×1015ion/cm380、6.7×1017ion/cm370、3.9×1018ion/cm363に漸増して、それぞれ酸化物半導体膜4となった。そのときの結晶構造は、X線回折測定で特定の結晶性ピークを有さないブロード構造を示した。[実施例8]上記したアモルファス酸化物膜4’と同じ酸化物膜を保護膜7として全面に成膜した。すなわち、In:Ga:Znが1:1:1のInGaZnO系アモルファス酸化物膜InGaZnO4を厚さ200nmとなるように形成した。アモルファス酸化物膜4’の場合と同様に、アモルファス酸化物膜4’をRFマグネトロンスパッタリング装置を用い、室温25°C、出力500W、圧力0.4Pa、酸素ガス100の条件下で、InGaZnOIn:Ga:Zn=1:1:1ターゲットを用いて形成した図4E参照。それ以外は実施例1と同様にして、実施例8に係る薄膜トランジスを作製した。アモルファス酸化物膜4’は、保護膜7の成膜によって半導性を有するものとなり、酸化物半導体膜4となった。そのときの結晶構造は、X線回折測定で特定の結晶性ピークを有さないブロード構造を示した。[実施例9]実施例1では、パッシベーション膜を設けないボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Aを成膜したが、この実施例9では、図2に示すように、パッシベーション膜5を設けたボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Bを作製した。アモルファス酸化物膜4’の成膜工程とソースドレイン電極6S,6Dの成膜工程との間に、パッシベーション膜5の成膜工程を加えただけで、他の成膜種及び成膜条件等は実施例1と同じとし、図2に示す薄膜トランジスタ10Bを作製した。なお、パッシベーション膜5の成膜は、成膜材料として酸化珪素を用い、RFスパッタリング法で成膜した。[実施例10]実施例1では、ボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Aを成膜したが、この実施例10では、図3に示すボトムゲートボトムコンタクト構造の薄膜トランジスタ10Cを作製した。成膜順が一部異なるだけで、成膜条件等は実施例1と同じとし、図3に示す薄膜トランジスタを作製した。[比較例1]実施例1において、保護膜7をDCスパッタリングで成膜した。それ以外は、実施例1と同様にして比較例1に係る薄膜トランジスタを作製した。アモルファス酸化物膜4’は、保護膜7の成膜によってもキャリア濃度が変化せず、アモルファス酸化物膜4’は依然として絶縁性のままであった。そのときの結晶構造は、X線回折測定で特定の結晶性ピークを有さないブロード構造を示した。[各スパッタリング条件に因るキャリア濃度の評価実験]キャリア濃度は、次のような実験によっても評価できる。先ず、実施例1で用いた厚さ700μmのガラスを1cm四方に切り出したものを基板1とした。次に、その基板1上に、IGZOからなるアモルファス酸化物膜4’を厚さ25μm形成し、次いで、図5に示すように、各コーナーに1mm四方のTi電極6を厚さ200nmで形成した。次いで、露出しているアモルファス酸化物膜4’上に二酸化珪素からなる保護膜7を厚さ100nmで形成して測定用試料とした。各実験の成膜条件は実施例1の成膜条件を基本とし、変動させた条件酸素ガスの割合、成膜圧力は表1のとおりとした。なお、酸素ガス以外の成膜ガスは、アルゴンと酸素とした。表1中のは、移動度を10cm2/Vsとし、1/ρ=enμの式より、比抵抗値から算出した。ここで、ρは比抵抗値実測値、eは電荷素量1.6×10-19C、nはキャリア濃度、μは移動度10cm2/Vsである。表1に示すキャリア濃度の値から判断して、アモルファス酸化物膜4’を低温プロセスであるRFスパッタリング法で成膜することが好ましいとされる条件は、酸素ガス80以上、圧力0.2~0.6Paであることが分かった。[可視光透過性、紫外光遮光性の評価]実施例1で成膜した保護膜7の透過率を、光透過率及び反射率スペクトル測定装置FilmTek3000、SCI社製によって測定した。その結果を図6に示す。この結果から、保護膜7の透過率は、380nmまでは低く、80未満であるのに対し、それを超える可視光領域では、80以上の透過率となり、保護膜7は紫外光領域で良好な遮光特性を示し、可視光領域で良好な光透過性を示すことが確認できた。"