"A成分Cを含まないpHが3~9の範囲にある水性媒体中に分散した時、電気泳動移動度から証明される正に荷電した少なくとも一種の研磨剤粒子、B線状および分岐状のアルキレンオキサイドホモポリマーとコポリマーからなる群から選ばれる少なくとも一種の水溶性または水分散性のポリマー、及びC少なくとも一種のアニオン性リン酸塩anionicphosphate分散剤、を含む水性研磨組成物。上記研磨剤粒子Aがセリアを含むか、又はセリアからなる請求項1に記載の水性研磨組成物。上記研磨組成物の総質量に対して0.005~10質量の研磨剤粒子Aを含む請求項1又は2に記載の水性研磨組成物。上記線状および分岐状のアルキレンオキサイドホモポリマーとコポリマーBが、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドのホモポリマーとコポリマーからなる群から選ばれる請求項1~3のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。上記エチレンオキサイドホモポリマーBとしてポリエチレングリコールPEGを含む請求項4に記載の水性研磨組成物。上記アニオン性リン酸塩分散剤Cが水溶性縮合リン酸誘導体の群から選ばれる請求項1~5のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。上記水溶性縮合リン酸誘導体Cが、一般式I:[MnPO3n]I;のメタリン酸塩並びに、一般式II及びIII:MnPnO3n1II;MH2PnO3n1III;のポリリン酸塩式中、Mはアンモニウム、ナトリウム、又はカリウムであり、指数nは2~10,000であるからなる群から選ばれる請求項6に記載の水性研磨組成物。成分A、B及びCとは異なる少なくとも一種のpH調整剤または緩衝剤Eを含む請求項1~7のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。成分A、B及びCとは異なる少なくとも一種の機能性成分Dを含む請求項1~8のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。上記機能性成分Dが、粒子Aとは異なる有機、無機、複合有機無機研磨剤粒子と、下限臨界溶解温度LCST又は上限臨界溶解温度UCSTを持つ材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、水性媒体で解離不能な少なくとも2個のヒドロキシ基を有する有機ポリオール、水性媒体で解離不能な少なくとも2個のヒドロキシ基を有する少なくとも一種のモノマーから形成されるオリゴマー及びポリマー、錯化剤またはキレート剤、摩擦剤、安定化剤、レオロジー剤、界面活性剤、金属カチオン、及び有機溶媒からなる群から選ばれる請求項9に記載の水性研磨組成物。pH値が3~10である請求項1~10のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。基板を少なくとも一度水性研磨組成物に接触させ、且つ当該基板材料を所望の平面性が得られるまで研磨する電気装置、機械装置及び光学装置用の基板の研磨方法であって、前記水溶性研磨組成物として、請求項1~11のいずれか一項に記載の水性研磨組成物が用いられることを特徴とする方法。上記基板が、少なくとも一種の酸化ケイ素誘電体材料を含むか、又は酸化ケイ素誘電体材料からなる少なくとも一層、及びポリシリコンを含むか、又はポリシリコンからなる少なくとも一層を含む請求項12に記載の方法。酸化物/ポリシリコン選択性が50より大きい請求項13に記載の方法。上記基板材料がさらに窒化ケイ素を含むか、又は窒化ケイ素からなる少なくとも一層を含む請求項14に記載の方法。酸化物/窒化物選択性が3~6の範囲にある請求項15に記載の方法。窒化物/ポリシリコン選択性が>10である請求項15又は16に記載の方法。上記電気装置が、集積回路装置、液晶パネル、有機電界発光パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、磁気ヘッドであり;上記機械装置が高精度機械装置であり;上記光学装置が、フォトマスクやレンズ、プリズムなどの光学ガラス、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバー端面やシンチレータなどの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板である請求項12~17のいずれか一項に記載の方法。上記集積回路装置が、大規模集積化または超大規模集積化していて、その寸法が50nm未満である集積回路を含む請求項18に記載の方法。したがって本発明の目的は、先行技術の研磨組成物の欠点や問題点を示さない新規の水性研磨組成物、特に新規の化学機械的研磨CMP組成物、特に新規のセリア系CMPスラリーを提供することである。特にこの新規の水性研磨組成物、特に新規の化学機械的研磨CMP組成物、特に新規のセリア系CMPスラリーは、かなり改善された酸化物/窒化物選択性とを示すとともに、ウエハー内不均一性WIWNUとウエハー間不均一性WTWNUなどで示されるように、優れた全面的及び局所的な平面性を持つ研磨ウエハーを与える必要がある。したがって、IC構造物、特に大きさが50nm未満の構造を持つ、LSI大規模集積回路またはVLSI超大規模集積回路をもつIC製造物に、極めて適している必要がある。また、この新規の水性研磨組成物、特に新規の化学機械的研磨CMP組成物、特に新規のセリア系CMPスラリーは、集積回路装置の分野で極めて有用であるばかりか、液晶パネルや有機電界発光パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、磁気ヘッドなどの他の電気装置や、特に光マスクなどの光学ガラスや、レンズとプリズム、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバーやシンチレータの端面などの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板などの高精度の機械装置や光学装置の製造の分野でも、効率が最も高く好適である必要がある。特にこれらの新規のセリア系CMPスラリーは、また高い窒化物/ポリシリコン選択性と適度な酸化物/窒化物選択性を示す必要がある。本発明のもう一つの目的は、新規の電気装置や機械装置光学装置用の基板の化学機械的研磨方法であって、その基板材料が酸化ケイ素誘電体膜とポリシリコン膜を含み、また必要ならシリコン窒化膜を含む方法を提供することである。本発明において、新規の水性研磨組成物が見出された。この水性研磨組成物は、A成分Cを含まないpHが3~9の範囲にある水性媒体中に分散した時、電気泳動移動度から証明される正に荷電した少なくとも一種の研磨剤粒子、B線状および分岐状のアルキレンオキサイドホモポリマーとコポリマーからなる群から選ばれる少なくとも一種の水溶性または水分散性のポリマー、及びC少なくとも一種のアニオン性リン酸塩anionicphosphate分散剤、を含む。これ以降、この新規の水性研磨組成物を本発明の組成物とよぶ。また、機械装置、電気装置及び光学装置用の基板を研磨する新規の方法であって、この基板材料を少なくとも一度、本発明の組成物に接触させ、且つ所望の平面性が得られるまでこの基板材料を研磨する方法が見出された。以降、この新規の電気装置や機械装置光学装置用の基板の化学機械的研磨方法を本発明の方法とよぶ。[本発明の長所]先行技術を鑑みるに、本発明の目的が、本発明の組成物や本発明の方法で解決できるとは、熟練者には驚きであり予想もされていなかった。本発明の組成物が、大きく改善された酸化物/ポリシリコン選択性を示し、ウエハー内不均一性WIWNUやウエハー間不均一性WTWNUで例示されるように優れた全面的かつ局所的な平面性をもつ研磨ウエハーを与えることは特に驚きである。したがって、これらは、IC構造物の、特に大きさが50nm未満の構造のLSI大規模集積回路またはVLSI超大規模集積回路をもつIC構造物の製造に優れて適している。また本発明の組成物は、長期間の輸送や保管の間安定であり、このためその安定性が輸送や工程管理を大幅に改善した。また、本発明の組成物は、集積回路装置の分野で極めて有用であるばかりか、液晶パネルや有機電界発光パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、磁気ヘッドなどの他の電気装置や、特に光マスクなどの光学ガラスや、レンズとプリズム、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバーやシンチレータの端面などの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板などの高精度の機械装置や光学装置の製造の分野でも、効率が最も高く、好適である。特に本発明の組成物はまた、高い窒化物/ポリシリコン選択性と適度な酸化物/窒化物選択性を示した。したがって、本発明の組成物は本発明の利用に極めて好適である。本発明の方法は、液晶パネルや有機電界発光パネル、プリント基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、磁気ヘッドなどの電気装置用の基板材料や、高精度の機械装置や光学装置、特に光学ガラスやフォトマスク、レンズやプリズム、酸化インジウムスズITOなどの無機導電膜、光学集積回路、光学開閉素子、光導波路、光ファイバー端面やシンチレータなどの光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLED用サファイア基板、半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板用の基板材料の研磨、特に化学機械的研磨に最も好ましく用いられる。しかしながら本発明の方法は、特に酸化ケイ素誘電体膜とポリシリコン膜と、任意に窒化ケイ素膜を含む半導体ウエハーの研磨に極めて適している。本発明の方法は、ウエハー内不均一性WIWNUやウエハー間不均一性WTWNUで例示されるように、ディッシング、カッピングまたはホットスポットを形成することなく、優れた全面的かつ局所的平面性とバランスをもつ研磨ウエハーを与える。したがってこれらは、IC構造物の、特に大きさが50nm未満の構造のLSI大規模集積回路またはVLSI超大規模集積回路をもつIC構造物の製造に優れて適している。[発明の詳細な説明]本発明の組成物は水性の組成物である。この組成物が水、特に超純水を、主たる溶媒と分散剤として含むことを意味する。しかし本発明の組成物は少なくとも一種の水混和性有機溶媒を含んでいてもよい。ただしその量は、本発明の組成物の水性を変化させない程度の少量である。本発明の組成物は、水を、本発明の組成物総質量に対して好ましくは60~99.95質量の量で含み、より好ましくは70~99.9質量、さらに好ましくは80~99.9質量、最も好ましくは、90~99.9質量で含む。水溶性は、本発明の組成物の関連する成分または構成要素が、分子レベルで水相中に溶解していることを意味する。水分散性は、本発明の組成物の関連する成分または構成要素が、水相に分散可能であり、安定な乳化液または懸濁液を形成することを意味する。本発明の組成物の第一の必須の構成要素は、少なくとも一種の、好ましくは一種の研磨剤粒子Aである。この研磨剤粒子Aは、pHが3~9の範囲にあり下記のアニオン性リン酸塩分散剤Cを含まない水性媒体中に分散されると、正に荷電する。この正電荷は、この研磨剤粒子Aの電気泳動移動度μμm/sV/cmで証明される。この電気泳動移動度μは、マルバーン社のゼータサイザーナノなどの装置を用いて直接測定できる。研磨剤粒子Aの平均粒度は広く変動することができ、このため本発明の組成物と方法の特定の要件に応じて調整することが最も好ましい。ダイナミックレーザー光散乱で測定した平均粒度は、好ましくは1~2000nmの範囲であり、好ましくは1~1000nm、より好ましくは1~750、最も好ましくは1~500nmの範囲である。この研磨剤粒子Aの粒度分布は、単峰性であっても、二峰性または多峰性であってもよい。研磨剤粒子Aの性質が容易に再現可能であり、本発明の方法で容易に条件が再現可能であるためには、この粒度分布が単峰性であることが好ましい。またこの研磨剤粒子Aの粒度分布は、狭くても広くてもよい。研磨剤粒子Aの性質が容易に再現可能であり、本発明の方法で容易に条件が再現可能であるためには、この粒度分布が狭く、小型粒子と大型粒子がほんの少量であることが好ましい。この研磨剤粒子Aはいろいろな形状をとることができる。この粒子は、単一形状、あるいは実質的に単一形状であってもよい。しかしこの研磨剤粒子Aが異なる形状をとることもできる。特にある特定の本発明の組成物中に、二種の形状の異なる研磨剤粒子Aが含まれていてもよい。形状に関しては、これらが、立方体であっても、角のとれた立方体、八面体、二十面体、節状、突起または窪みを有するあるいは有さない球状であってよい。この形状が、突起または窪みをまったくあるいはほとんど含まない球状であることが最も好ましい。この形状が原則として好ましいのは、これにより、CMPプロセス中で研磨剤粒子Aが暴露される機械的な力への抵抗が増加するためである。原則として、いずれの種類の研磨剤粒子Aも上記の性質profileを持っている限り、本発明の組成物中で使用することができる。したがって、この研磨剤粒子Aは、有機粒子または無機粒子であっても、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。好ましくは、この研磨剤粒子Aは無機粒子である。原則として、いずれの種類の無機研磨剤粒子Aも、上記のいろいろな性質を持つ限り、本発明の組成物中で使用することができる。しかしながら、セリアを含む、あるいはセリアからなる無機研磨剤粒子Aを使用することが最も好ましい。このセリア含有研磨剤粒子Aは、少量の他の希土類酸化物を含んでいてもよい。このセリア含有研磨剤粒子Aは、セリアとは異なる少なくとも一種の他の研磨剤粒子状の材料、特にアルミナかシリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、これらの混合物を含むか、これからなるコアを含む複合粒子Aであることが好ましい。このような複合粒子Aは、例えば、WO2005/035688A1やUS6,110,396、US6,238,469B1、US6,645,265B1、K.S.Choietal.,Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.671,2001MaterialsResearchSociety,M5.8.1toM5.8.10,S.-H.Leeetal.,J.Mater.Res.,Vol.17,No.10,2002,pages2744to2749,A.Jindaletal.,JournaloftheElectrochemicalSociety,1505G314-G3182003,Z.Lu,JournalofMaterialsResearch,Vol.18,No.10,October2003,MaterialsResearchSociety,orS.Hedgeetal.,ElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G316-G3182004から既知である。複合粒子Aが、コアサイズが20~100nmである、アルミナとシリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物からなる群から選ばれるコアを含み、そのコアが粒度が10nm未満のセリア粒子で覆われているラズベリー型の被覆粒子であることが最も好ましい。本発明の組成物中で用いられる研磨剤粒子Aの量は広く変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。好ましくは、本発明の組成物が、本発明の組成物総質量に対して0.005~10質量の研磨剤粒子Aを含み、より好ましくは0.01~8質量、最も好ましくは0.01~6質量の研磨剤粒子Aを含む。本発明の組成物の第二の必須の構成要素は、線状および分岐状のアルキレンオキサイド好ましくはエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドのホモポリマーやコポリマーからなる群から選ばれる少なくとも一種の、好ましくは一種の水溶性ポリマーBである。この好ましいエチレンオキサイドプロピレンオキサイドコポリマーBは、ランダムコポリマーであっても、交互コポリマーまたはポリエチレンオキサイドブロックとポリプロピレンオキサイドブロックとを含むブロックコポリマーであってもよい。エチレンオキサイドプロピレンオキサイドブロックコポリマー中で、ポリエチレンオキサイドブロックの親水性/親油性バランスHLB値が10~15であることが好ましい。これらのポリプロピレンオキサイドブロックのHLB値は28~約32であることが好ましい。この水溶性ポリマーBは、従来から使用されている既知の市販材料である。適当な水溶性ポリマーBは、日本特許出願JP2001-240850Aの請求項2と段落[0007]~[0014]、米国特許出願US2007/0077865A1の欄1、段落[0008]~頁2、段落[0010]、米国特許出願US2006/0124594A1の頁3、段落[0036]~[0037]、米国特許出願US2008/0124913A1の頁3、段落[0031]~[0033]と請求項14に記載されているか、BASF社の会社文書プルオニックテトロニックブロックコポリマー界面活性剤、1996または米国特許US2006/0213780A1に示されるように、BASF社よりプルオニックTM、テトロニックTM、バセンソルTMという商標で販売されている。ポリエチレングリコールPEGの使用が最も好ましい。本発明の組成物中の水溶性ポリマーBの濃度は広く変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。本発明の組成物は水溶性ポリマーBを、好ましくは0.001~5質量の量で含み、より好ましくは0.005~2.5質量、さらに好ましくは0.0075~1質量、最も好ましくは0.0075~0.5質量の量で含む。本発明の組成物は、少なくとも一種の、好ましくは一種のアニオン性リン酸塩分散剤Cを含む。好ましくは、このアニオン性リン酸塩分散剤Cは、水溶性縮合リン酸誘導体からなる群から選ばれる。水溶性の縮合リン酸誘導体Cの例には、塩類、特に一般式I:[MnPO3n]I;のメタリン酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩、若しくはカリウム塩、又は一般式II及びIII:MnPnO3n1II;MH2PnO3n1III;のポリリン酸塩式中、Mはアンモニウム、ナトリウム又はカリウムであり、指数nは2~10,000であるがあげられる。式IとIIとIIIのポリリン酸塩に関して、指数nは好ましくは2~2,000であり、より好ましくは2~300、最も好ましくは2~50、特に2~15、例えば3~8である。特に好適な水溶性縮合リン酸塩Cの例は、グレアム塩NaPO340-50や、カルゴンTMNaPO315-20、クロール塩NaPO3nただし、n=約5000、並びにヘキサメタリン酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩が含まれる。本発明の組成物中の上記水溶性アニオン性リン酸塩分散剤Cの濃度は広く変動でき、このため、本発明の組成物と方法の特定の要件応じて調整することが最も好ましい。このアニオン性リン酸塩分散剤Bが、セリア/アニオン性リン酸塩分散剤Cの質量比が10~2000となる量で用いられることが好ましく、20~1000となる量で用いられることがより好ましい。本発明の組成物は、任意に構成要素または成分AとBとCとは異なる少なくとも一種の機能性成分Dを含むことができる。この機能性成分Dが、セリア系CMPスラリー中で通常使用される化合物の群から選ばれることが好ましい。このような化合物類Dの例は、冒頭に述べたが、例えば、Y.N.Prasadetal.inElectrochemicalandSolid-StateLetters,912G337-G3392006,Hyun-GooKangetal.inJournalofMaterialResearch,volume22,No.3,2007,pages777to787,S.Kimetal.inJournalofColloidandInterfaceScience,3192008,pages48to52,S.V.Babuetal.inElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G327-G3302004,Jae-DongLeeetal.inJournaloftheElectrochemicalSociety,1498G477-G481,2002に記載されてあり、また米国特許US5,738,800とUS6,042,741、US6,132,637、US6,218,305B、US5,759,917、US6,689,692B1、US6,984,588B2、US6,299,659B1、US6,626,968B2、US6,436,835B1、US6,491,843B1、US6,544,892B2、US6,627,107B2、US6,616,514B1、US7,071,105B2、米国特許出願US2002/0034875A1とUS2006/0144824A1、US2006/0207188A1、US2006/0216935A1、US2007/0077865A1、US2007/0175104A1、US2007/0191244A1andUS2007/0218811A1、また日本特許出願JP2005-336400Aに記載されている。また、この機能性成分Dは、粒子Dとは異なる有機、無機、複合有機無機研磨剤粒子と、下限臨界溶解温度LCSTまたは上限臨界溶解温度UCSTを持つ材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、3個の水性媒体で解離不能なヒドロキシル基をもつ有機ポリオール、少なくとも3個の水性媒体で解離不能なヒドロキシル基をもつ少なくとも一種のモノマーからのオリゴマーとポリマー、錯化剤またはキレート剤、摩擦剤、安定化剤、pH調整剤、緩衝剤、レオロジー剤、界面活性剤、金属カチオン、有機溶媒からなる群から選ばれる。適当な有機研磨剤粒子Dとこれらの効果的な量は、例えば、米国特許出願US2008/0254628A1の頁4、段落[0054]から、あるいは国際出願WO2005/014753A1から既知であり、ここでは、メラミンに加えて、アセトグアナミンやベンゾグアナミン、ジシアンジアミドなどのメラミン誘導体とからなる固体粒子が開示されている。適当な無機研磨剤粒子Dとこれらの効果的な量は、例えば国際特許出願WO2005/014753A1の頁12、行1~8または米国特許US6,068,787の欄6、行41~欄7、行65から既知である。適当なハイブリッド有機の-無機研磨剤粒子Dとこれらの効果的な量は、例えば、米国特許出願US2008/0254628A1の頁4、段落[0054]、あるいはUS2009/0013609A1の頁3、段落[0047]~頁6、段落[0087]から既知である。適当な酸化剤Dとこれらの効果的な量は、例えば欧州特許出願EP1036836A1の頁8、段落[0074]と[0075]、あるいは米国特許US6,068,787の欄4、行40~欄7、行45、あるいはUS7,300,601B2の欄4、行18~34から既知である。好ましくは有機酸化物および無機過酸化物が、より好ましくは無機過酸化物が用いられる。特に過酸化水素が用いられる。適当な不動態化剤Dとこれらの効果的量は、例えば米国特許US7,300,601B2の欄3、行59~欄4、行9から、あるいは米国特許出願US2008/0254628A1の頁4と5に示される段落[0058]から既知である。適当な錯化剤またはキレート剤D時には摩擦剤ともよばれる米国特許出願US2008/0254628A1の頁5、段落[0061]参照またはエッチング剤またはエッチング液米国特許出願US2008/0254628A1の頁4、文節[0054]参照とこれらの効果的な量は、例えば米国特許US7,300,601B2の欄4、行35~48から既知である。アミノ酸、特にグリシンと、さらにジシアンジアミドと少なくとも一個、好ましくは二個、より好ましくは三個の一級アミノ基を持つトリアジン例えば、メラミンや水溶性のグアナミン、特にメラミンやホルモグアナミン、アセトグアナミン、2,4-ジアミノ-6-エチル-1,3,5-トリアジンが最も好ましく用いられる。適当な安定化剤Dとこれらの効果的な量は、例えば米国特許US6,068,787の欄8、行4~56から既知である。適当なレオロジー剤Dとこれらの効果的な量は、例えば米国特許出願US2008/0254628A1の頁5、段落[0065]~頁6、段落[0069]から既知である。適当な界面活性剤Dとこれらの効果的量は、例えば国際特許出願WO2005/014753A1の頁8、行23~頁10、行17、あるいは米国特許US7,300,601B2の欄5、行4~欄6、行8から既知である。適当な多価金属イオンDとこれらの効果的な量は、例えば欧州特許出願EP1036836A1の頁8、段落[0076]~頁9、段落[0078]から既知である。適当な有機溶媒Dとこれらの効果的な量は、例えば米国特許US7,361,603B2の欄7、行32~48、あるいは米国特許出願US2008/0254628A1の頁5、段落[0059]から既知である。下限臨界溶解温度LCSTまたは上限臨界溶解温度UCSTを示す適当な材料Dは、例えば、H.Mori、H.Iwaya、A.NagaiandT.Endo,ChemicalCommunication,2005,4872-4874RAFT重合によるL-プロリン由来の熱応答性ポリマーの制御された合成、あるいはD.Schmaljohann,AdvancedDrugDeliveryReviews,volume582006,1655-1670熱応答性及びpH応答性ポリマーと薬物輸送に記載され、また米国特許出願US2002/0198328A1とUS2004/0209095A1US2004/0217009A1US2006/0141254A1US2007/0029198A1US2007/0289875A1US2008/0249210A1US2008/0050435A1US2009/0013609A1、米国特許US5,057,560とUS5,788,82US6.682.642B2、国際特許出願WO01/60926A1とWO2004/029160A1WO2004/0521946A1WO2006/093242A2WO2007/012763A1、欧州特許出願EP0583814A1とEP1197587B1EP1942179A1、ドイツ特許出願DE2610705に記載されている。原則として、CMPの分野で従来から用いられている公知の何れの電荷反転剤Dも使用可能である。この電荷反転剤Dは、カルボキシレートとスルホネート、スルフェート、ホスホネート基からなる群から選ばれる少なくとも一種のアニオン性基を有するモノマー状オリゴマー状高分子状化合物からなる群から選ばれることが好ましい。存在する場合、この機能性成分Dはいろいろの量で含まれる。Dの総量は、相当するCMP組成物の総質量に対して、好ましくは10質量質量は質量当りのパーセントを意味する以下であり、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは0.5質量以下、特に0.1質量以下、例えば0.01質量以下である。Dの総量は、相当する組成物の総質量に対して、好ましくは少なくとも0.0001質量であり、より好ましくは少なくとも0.001質量、最も好ましくは少なくとも0.008質量、特に少なくとも0.05質量、例えば少なくとも0.3質量である。本発明の組成物は、必要なら構成要素AとBとCとは物質的に異なる少なくとも一種のpH調整剤または緩衝剤Eを含むことができる。適当なpH調整剤または緩衝剤Eとこれらの効果的な量は、例えば、欧州特許出願EP1036836A1の頁8、段落[0080]と[0085]と[0086]から、国際特許出願WO2005/014753A1の頁12、行19~24、米国特許出願US2008/0254628A1の頁6、段落[0073]または米国特許US7,300,601B2の欄5、行33~63から既知である。pH調整剤または緩衝剤Eの例は、水酸化カリウムとアンモニウムヒドロキシド、テトラメテルアンモニウムヒドロキシドTMAH、硝酸、硫酸である。存在する場合、このH調整剤または緩衝剤Eはいろいろな量で含まれる。Eの総量は、相当するCMP組成物の総質量に対して、好ましくは20質量以下であり、より好ましくは7質量以下、最も好ましくは2質量以下、特に0.5質量以下、例えば0.1質量以下である。Eの総量は、相当するP組成物の総質量に対して、好ましくは少なくとも0.001質量であり、より好ましくは少なくとも0.01質量、最も好ましくは少なくとも0.05質量、特に少なくとも0.1質量、例えば少なくとも0.5質量である。好ましくは上記のpH調整剤Eを用いて。本発明の組成物のpHは、好ましくは3と10の間に設定され、より好ましくは3~8、さらに好ましくは3~7、最も好ましくは5~7に設定される。本発明の組成物の製造は特殊なものではなく、上記構成要素AとBとC、また任意にD及び/又はEを水性媒体中に、特に脱イオン水中に溶解または分散させて行われる。このために、従来から用いられている標準的な混合方法や、攪拌器やインライン溶解機、高せん断インペラー、超音波ミキサー、ホモジナイサーノズルまたは向流ミキサーなどの混合装置を使用できる。このようにして得られる本発明の組成物を適当な開口のフィルターを通して濾過して、固い微分散研磨剤粒子Aの凝集物または会合物などの粗大粒子を除くことが好ましい。本発明の組成物は、本発明の方法に極めて好適である。本発明の方法では、電気装置や機械装置光学装置用の、特に電気装置用、最も好ましくは集積回路装置用の基板を少なくとも一度本発明の組成物と接触させ、所望の平面性が得られるまで研磨、特に化学的機械的に研磨する。本発明の方法は、低誘電率のまたは超低誘電率の酸化ケイ素材料とからなる分離層と、ストップ層またはバリア層としての窒化ケイ素層とをもつケイ素半導体ウエハーのCMPにおいて、その特定の長所を示す。適当な低誘電率または超低誘電率材料と適度な絶縁性の誘電体層の製造方法が、例えば、米国特許出願US2005/0176259A1の頁2、段落[0025]~[0027]に、US2005/0014667A1の頁1、段落[0003]、US2005/0266683A1の頁1、段落[0003]と頁2、段落[0024]、またはUS2008/0280452A1の段落[0024]~[0026]、米国特許US7,250,391B2の欄1、行49~54、欧州特許出願EP1306415A2の頁4、段落[0031]に記載されている。本発明の方法は、回路パターンが形成されたウエハー基板上で、ポリシリコンより二酸化ケイ素を選択的に除去することが必要であるシャロートレンチアイソレーションSTIに特に適している。この方法では、エッチングされたトレンチが誘電体材料、例えば二酸化ケイ素で過充填され、窒化ケイ素バリアフィルムをストップ層としてこれを研磨する。この好ましい実施様態においては、本発明の方法は、バリアフィルムから二酸化ケイ素を除き、露出されるポリシリコンとトレンチ酸化ケイ素の除去を最小限に抑えて終了する。また、本発明の組成物は、高い酸化物/ポリシリコン選択性と適度な酸化物/窒化物選択性を示すため、本発明の方法はまた窒化ケイ素層も存在するシャロートレンチアイソレーションSTIに特に良く適している。したがって、本発明の方法は、50より大きな酸化物/ポリシリコン選択性を示し、好ましくは75を越える、最も好ましくは100を越える酸化物/ポリシリコン選択性を示し、10より大きな窒化物/ポリシリコン選択性、好ましくは20を越える、最も好ましくは25を越える窒化物/ポリシリコン選択性を示す。この酸化物/窒化物選択性は好ましくは3~10の範囲である。この窒化物/ポリシリコン選択性は好ましくは>10である。本発明の方法は特殊なものではなく、半導体ウエハーにICを形成する際のCMPで従来から用いられている方法や装置を用いて実施できる。当分野では既知のように、代表なCMP装置は、回転プラテンとこれを覆う研磨パッドとからなる。ウエハーは、支持体またはチャック上に、上面を下向きに研磨パッドに向けて取り付けられる。支持体がこのウエハーを水平の姿勢に保持する。この特定の研磨保持装置の配列は、ハードプラテンデザインとしても知られている。この支持体が、支持体の保持表面とウエハーの非研磨表面間に位置する支持体パッドを保持してもよい。このパッドは、ウエハーのクッションとして働くことができる。この支持体の下で、より大きな直径をもつプラテンも一般的には水平に位置しており、研磨ウエハーの表面に平行な表面を提供する。平坦化プロセスの間に、研磨パッドはウエハー表面と接触する。本発明のCMP方法の間に、連続流としてあるいは滴下により本発明の組成物が研磨パッド上に塗布される。支持体とプラテンの両方が、支持体とプラテンから垂直に延びるそれぞれのシャフトの回りを回転している。この回転する支持体シャフトは、回転するプラテンに対して位置的に固定されていてもよいし、プラテンに対して水平に往復移動してもよい。支持体の回転方向は、通常必ずしも必須ではないが、プラテンの回転方向と同じである。支持体とプラテンの回転速度は、一般的には必ずしも必須ではないが、異なる値に設定される。通常プラテンの温度は、10~70°Cの温度に設定される。さらに詳細には、国際特許出願WO2004/063301A1の、特に頁16、段落[0036]~頁18、段落[0040]と図1を参照されたい。本発明の方法により、優れた平面性を持つ、パターン状ポリシリコン層と低誘電率および超低誘電率材料層、特に二酸化ケイ素層を含むICを持つ半導体ウエハーが得られる。このため優れた平面性をもつ銅ダマシンパターンが得られ、最終的には優れた電気的機能をもつICが得られる。[実施例と比較試験][実施例1]水性研磨組成物1~6の製造水性研磨組成物1~6の製造のために、セリアダイナミックレーザー光散乱による平均粒度d50:120~140nmと、ポリエチレングリコールPEG10k;重量平均分子量:10,000、ヘキサメタリン酸ナトリウムPP;セリア/PP質量比=200、以降PP200と表記を超純水中に分散たまたは溶解した。これらの使用量を表1に示す。[実施例2、3及び比較例C1~C4]ケイ素半導体ウエハー上のポリシリコン層のCMP実施例1の組成物No.5を、実施例2に用いた。実施例1の組成物No.6を、実施例3に用いた。実施例1の組成物1~4を、それぞれ比較試験C1からC4に用いた。以降、次のCMPプロセスパラメーターを使用した:-研磨装置:ストラスバー6EGnHance型回転型:-プラテン速度:90rpm;-支持体速度:70rpm;-ロームアンドハース社製IC1000/Suba400K溝研磨パッド;-S603Mダイヤモンドコンディショナを用いる系内コンディショニング;-スラリー流速:200ml/分;-基板:200mmの熱酸化物とPETEOS、窒化ケイ素ウエハー、ポリシリコンウエハー;-ダウン力:3.5psi240mbar;-研磨時間:1分ポリシリコン材料除去率MRRは、レーザー干渉分光法フィルムテックTM2000を用いて、ポリシリコンウエハーの中心部のある一点位置1とウエハーの端に近い、位置1の回りに等距離に存在する4点位置2~5で測定した。高MRRを示す位置を、これ以降ホットスポットとよぶ。表2に、得られたMRRの概要を示す。表2の結果から、この組成物がセリアのみを含むときはポリシリコンMRRが非常に高いことがわかる。PEG10kの添加で平均MRRが低下した。しかしながら、ホットスポットの外観からは不均一なポリシリコン除去が観察された。PEG10kの濃度を増加するとレンジとMRRが低下した。PP200の添加もMRRを低下させ、この低下はPEG10kとPP200の併用で抑制された。これに加えて、試験2と3では、ウエハー上に吸着された粒子の数が、比較試験の場合よりかなり減少した。[実施例4、5]PP200とPEG10kを含む水性研磨組成物の選択性実施例4には、実施例1の水性研磨組成物5を使用した。実施例5には、0.25質量のセリアと0.05質量のPEG10kとPP200を含む研磨組成物を使用した。熱酸化物TOXとPETEOS、窒化ケイ素ウエハー、ポリシリコンウエハーのMRRは、上述のようにして測定した。得られたMRRを表3に示す。選択性の計算値を表4に示す。これらの結果から、これらの水性研磨組成物が、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とポリシリコン層を含む半導体ウエハーのCMPに極めて適していることが分る。このように、酸化物/ポリシリコンが極めて高く、他方、酸化物/窒化物選択性は、全面的に平坦化され、不均一で回路パターンが形成された、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とポリシリコン領域を含む表面にディッシングなどの損傷や欠陥を避けるのに有利な範囲にあった。また、窒化物/ポリシリコン選択性は10より大きかった。これらのウエハーを、CMP後に望ましくない残留フィルムが成形されているかどうかを検査した。しかし望ましくない残留フィルムは形成されていなかった。[実施例6~9]0.5質量のセリアと0.1質量のPEG10kといろいろな量のPPを含む水性研磨組成物の選択性セリアとPPの比率が、熱酸化物TOXとPETEOS、窒化ケイ素ウエハー、ポリシリコンウエハーのMRRに与える影響を、上述のようにして測定した。得られたMRRを表5に示す。選択性の計算値を表6に示す。これらの結果から、セリア:PP比を変更することでMRRと選択性を、最も好ましく調整できることが分る。極めて高い酸化物/ポリシリコン選択性と高い窒化物/ポリシリコン選択性が得られたが、酸化物/窒化物選択性は、全面的に平坦化された、不均一で回路パターンが形成された二酸化ケイ素と窒化ケイ素とポリシリコン領域を含む表面にディッシングなどの損傷や欠陥を避けるのに適当な範囲にあった。"