"同一面側に一対の電極を有する発光素子の該電極上に金属部材を形成する工程と、該電極が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層を形成する工程と、該光反射層と該金属部材とを略同一面とする工程と、を有する発光素子の製造方法。同一面側に一対の電極を有する発光素子の該電極上にレジストを形成する工程と、該電極が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層を形成する工程と、該レジストを除去する工程と、を有する発光素子の製造方法。前記光反射層は、前記電極が形成されている側において、前記電極が形成されていない領域の全てを被覆するように形成されている請求項1又は2に記載の発光素子の製造方法。前記光反射層は、溶射、電着、静電塗装のいずれかにより形成される請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記光反射層の厚みが3μm以上である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記光反射層は、無機化合物の粒子の集合体からなる請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記無機化合物の粒子の粒子間に、少なくとも空気層を有する請求項6に記載の発光素子の製造方法。前記無機化合物の粒子の粒子間に、少なくともSi-O結合を含む部材を含浸させる請求項6又は請求項7に記載の発光素子の製造方法。前記光反射層は、保護膜を介して形成される請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記発光素子は、透光性基板上に形成された半導体層が連続して繋がったウエハ状態で複数個形成されており、前記半導体層及び前記光反射層を通る線で切断することにより、複数個の発光素子を個片化する工程をさらに備える、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。前記個片化は、前記透光性基板側から前記透光性基板の内部にパルスレーザ光を集光させることにより、前記透光性基板の内部に離間した複数の加工部を分割予定線に沿って形成する工程をさらに備える請求項10に記載の発光素子の製造方法。前記個片化は、前記光反射層側から前記光反射層、前記半導体層及び前記透光性基板にレーザ光を照射することで分離溝を形成する工程をさらに備える請求項10に記載の発光素子の製造方法。前記課題を解決するために、本発明に係る発光素子の製造方法は、同一面側に一対の電極を有する発光素子の該電極上に金属部材を形成する工程と、該電極が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層を形成する工程と、該光反射層と該金属部材とを略同一面とする工程と、を有することを特徴とする。また、本発明に係る発光素子の別の製造方法は、同一面側に一対の電極を有する発光素子の該電極上にレジストを形成する工程と、該電極が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層を形成する工程と、該レジストを除去する工程と、を有することを特徴とする。さらに、前記光反射層は、前記電極が形成されている側において、前記電極が形成されていない領域の全てを被覆するように形成されていることが好ましい。前記光反射層は、溶射、電着、静電塗装のいずれかにより形成されることが好ましい。前記光反射層の厚みが3μm以上であることが好ましい。前記光反射層は、無機化合物の粒子の集合体からなることが好ましい。前記無機化合物の粒子の粒子間に、少なくとも空気層を有することが好ましい。前記無機化合物の粒子の粒子間に、少なくともSi-O結合を含む部材を含浸させることが好ましい。前記光反射層は、保護膜を介して形成されることが好ましい。前記発光素子は、透光性基板上に形成された半導体層が連続して繋がったウエハ状態で複数個形成されており、前記半導体層及び前記光反射層を通る線で切断することにより、複数個の発光素子を個片化する工程をさらに備えることが好ましい。前記個片化は、前記透光性基板側から前記透光性基板の内部にパルスレーザ光を集光させることにより、前記透光性基板の内部に離間した複数の加工部を分割予定線に沿って形成する工程をさらに備えるか、あるいは、前記個片化は、前記光反射層側から前記光反射層、前記半導体層及び前記透光性基板にレーザ光を照射することで分離溝を形成する工程をさらに備えることが好ましい。本発明に係る発光素子の製造方法によれば、発光素子の実装面側において、電極間からの光の漏れを防止し、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子を得ることができる。また、発光素子の実装面側において電極間の適切な箇所に光反射部材を設けることができる。以下、本発明に係る発光素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。<第1実施形態>図1は、本発明の実施形態に係る発光素子100を示す断面図であり、図2~図6は、本実施形態に係る発光素子の製造工程を示す概略断面図である。本実施形態に係る発光装置の製造方法は、主として、半導体層11と、半導体層11の同一面側に少なくとも一対の電極を有する発光素子の電極16、17上に金属部材18、19を形成する工程第1の工程と、電極が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層20を形成する第2の工程と、前記光反射層20と金属部材17、18とを略同一面とする工程第3の工程と、を有する。第1の工程まず、図2に示すように、同一面側に少なくとも一対の電極を有する発光素子を準備する。この発光素子は、個々の発光素子に分割される前のウエハ状態の発光素子であり、透光性基板10上に半導体層11が形成され、半導体層11上に少なくとも一対の電極正電極16、負電極17が形成されている。透光性基板10は薄い半導体層11を保持する機能を有している。透光性基板10としては、半導体層11を結晶成長させる成長基板をそのまま使用することもできるし、一旦成長基板として利用した基板を剥離し、別の部材を貼り付けて透光性基板10として用いてもよい。成長用基板としては、サファイア、スピネル等の絶縁性基板を用いても良いし、GaN,SiC,ZnO,ZnS,GaP等の半導体材料を用いても良い。また、貼り付け用の基板としては、ガラス,樹脂シリコーン樹脂,エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,セラミックスAl2O3,AlN等でも良く、波長変換部材等をコートしたり、分散させたりした物でも良い。加えて透光性基板10の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO2、TiO2、Al2O3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減等を図ることもできる。透光性基板10上に配置される半導体層11は、少なくともn側半導体層12、活性層13、及びp側半導体層14が順に積層形成され、p側半導体層14と電気的に接続された正電極16と、p側半導体層14側からエッチング等により露出されたn側窒化物半導体層12と電気的に接続された負電極17と、を有し、各電極の表面の少なくとも一部を除いて保護膜15が形成されている。半導体層11については、IV-IV族、III-V族、II-VI族化合物半導体等が使用可能であり、少なくともp型とn型を有して、電流を流すことにより光を発することが可能な材料であれば特に限定されない。半導体層11の成膜方法としては、MOCVD法、LPE法、MBE法等を用いる事ができる。正電極16、負電極17については、半導体層11とオーミック接合を示す材料が好ましく、それぞれ単一の材料で構成してもよいし、2種以上の材料の積層でも良く、化合物としても良い。また、半導体層11との界面部には光反射率の高い材料を用いることが好ましい。ここで言う光反射率とは、半導体層11で生ずる波長に対しての光反射率を指す。また、オーミック特性と光反射特性を別々の層で構成しても構わない。具体的にはオーミック特性を得るのに透明電極を用い、その上に高反射金属層や、誘電体多層膜を用いても良い。また、光反射特性を持つ層を用いずに、第2の工程で設ける無機部材からなる光反射層20を、ここで言う光反射率の高い材料として兼用させても良い。また、正電極16、負電極17は1つの発光素子100に対して少なくとも1対は必要であり、これ以上については個数を限定する必要はない。例えば、n側半導体層12に複数の負電極17を形成しても良い。これにより、n側半導体層12に対して少ない負電極17の面積で、半導体層に均一に電流を流すことが可能になる。正電極16、負電極17の具体的な材料としては、亜鉛Zn、ニッケルNi、白金Pt、パラジウムPd、ロジウムRh、ルテニウムRu、オスミウムOs、イリジウムIr、チタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、コバルトCo、鉄Fe、マンガンMn、モリブデンMo、クロムCr、タングステンW、ランタンLa、銅Cu、銀Ag、金Au、イットリウムY等の金属、合金の単層膜又は積層膜等や、ZnO、In2O3、SnO2、ITOInとSnとの複合酸化物、MgO等の酸化物でも良い。正電極16、負電極17の成膜方法としては、スパッタ法,真空蒸着法,メッキ法,CVD法,印刷法,スプレーコート法等を用いる事が出来る。また、絶縁のため正電極16、負電極17間には間隙を設ける必要がある。また、発光素子100の様に個片化するときに発光素子100の外縁部に正電極16、負電極17が存在すると個片化が難しく、また、電極部材が半導体層側面に接して、n側半導体層12とp側半導体層14とを電気的にショートさせてしまうおそれがあるため、正電極16、負電極17は発光素子100の外縁部には形成しない。保護膜15は半導体層11の剥き出し部を保護するために用いられ、正電極16及び負電極17の表面が露出するように開口されて形成される。材料としてはSiO2、Al2O3、SiN等の絶縁性材料で形成される。成膜方法としては、スパッタ法、CVD法、蒸着法等を用いる事が出来る。なお、この層は必ずしも必要というわけではない。保護膜15が形成されている場合には、後述の光反射層20は、保護膜15を介して半導体層11の上に形成される。次に、図3に示すように、正電極16上に金属部材18を、負電極17上に金属部材19を形成する。金属部材18、19は、後に形成される無機部材からなる光反射層20を避けて電極端子を外部に露出させるために形成される。正電極16、負電極17と電気的に接続することが可能で、電気を流すものであれば特に限定されないが、例えば、金Au、銅Cu、ニッケルNi、銀Ag、アルミニウムAl、ロジウムRh等の単体、または、これらの多層膜や合金等を用いることができる。好ましくは、熱伝導率等に優れた金Auを単体で用いることである。また、金属部材18、19は一つの発光素子100に対して少なくとも1対は必要で、それ以上に対しては個数を限定する事はなく、例えば一つの正電極16又は負電極17に対して金属部材18、19が複数個に分かれて形成されていても良い。これにより金属部材18、19の使用量を少なくする事ができるため低コスト化に有利である。金属部材18、19は、5μm~200μm程度の厚みが好ましく、形成方法は、めっき法の他にスパッタ法や蒸着法等を用いることができる。形状は特に限定されず、種々の形状をとることができる。例えば、円柱、角柱等の柱状いわゆる導電ポストとすることで、後の工程で光反射層20を厚く形成した場合であっても、電極端子を光反射層20から露出させることができるため、発光素子の実装歩留まりが向上する。例えば、図10aに示す発光素子300では、負電極17よりも面積の広い正電極16が、一対の負電極17に挟まれるように配置され、各電極上にめっき法により形成された金属部材18、19が、各電極の面積よりも小さい面積で接合されている。また、図10bに示すように、発光素子400の金属部材18,19はワイヤーボンディング法等でバンプ状に形成しても良い。また、半田材のように溶融させて形成しても良い。円柱やバンプ状の場合の直径は、電気抵抗、放熱性、結合強度特性を良好にするために50μm以上とすることが好ましい。また、隣り合う金属部材18、19の間隔は、別極性間でのショートやマイグレーションを抑制するために、40μm以上であることが好ましい。また、各金属部材間には、後に光反射層20を埋設することになるため、用いる無機化合物の粒子の粒径よりも大きい間隔を取ることが好ましい。図10cに示す例では、発光素子500は実質的に同一面に正電極16及び負電極17が位置するように形成されており、各電極上に金属部材18、19が形成されている。第2の工程第1の工程の後に、図4に示すように無機部材からなる光反射層20を、電極が形成されている側の発光素子上に形成する。具体的には、光反射層20を、半導体層11上であって金属部材18、19間に埋設するように形成する。光反射層20は、正電極16と負電極17の間など、電極と電極の間から漏れる光を光取り出し面側に反射させるものである。従って、少なくとも半導体層11から発光する波長に対して50以上の光反射率を有することが好ましい。なお、少なくとも一部に形成されていれば、電極と電極の間から漏れる光を光取り出し面側に反射させることが可能である。好ましくは、図4に示すように、電極が形成されている側の面を全て被覆するように形成される。つまり、半導体層11上であって、正電極16及び負電極17が形成されていない領域の全てを被覆するように形成される。また、異なる極性を持つ電極に接して、電極間に形成されることから絶縁性である。本発明における光反射層20は無機部材からなり、有機部材を含まないため半導体層で発する熱や光による劣化が殆ど生じない。なお、光反射層20は、半導体層11から出射される光を、光取り出し面側に反射させるための部材であるが、光反射層20が半導体層11に直に接して配置される形態に限定されるものではない。光反射層20と半導体層11との間に、他の部材例えば、前述の保護膜15などの透光性の部材を介して光反射層20で半導体層11から出射される光を反射するものも含む。本明細書中において半導体層上とは、このように他の部材を介して半導体層11上に光反射層20が形成されているものを含むものとする。光反射層20は、好ましくは無機化合物の粒子の集合体であり、無機化合物の粒子として、具体的には、SiO2、Al2O3、AlOH3、MgCO3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、MgOH2、SrO、In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3等の酸化物、SiN、AlN、AlON等の窒化物、MgF2等のフッ化物等が挙げられる。これらは、単独でも化合物を用いてもよいし、混合して用いてもよい。あるいは、これらを積層させるようにしてもよい。これらの粒径等は特に限定する物ではないが、0.1~200μm程度の球形や鱗片状の物を用いる事が出来る。粒子の集合体で光反射層20を形成していることから、従来の樹脂材料に光反射性粒子を含有させたものよりも高密度で粒子を配置可能であり、光反射率を向上させることができる。発光素子100は、最終的には外部との電気的接続を取るために導電部材電極16、17又は金属部材18、19が露出している必要があるが、後の工程において導電部材を露出させればよいため、本工程においては、金属部材18、19を完全に被覆するように光反射層20が形成されていてもよい。また、本実施形態では、金属部材18及び金属部材19の側面には、光反射層20が被覆されている。このような構成によれば、光反射部材の保持力が強くなり、工程中で光反射層20や、光反射層20を形成する粒子が脱落することを抑制することができ、製造歩留まりが向上する。これらの光反射層20の形成方法としては、溶射、電着、静電塗装等の方法を用いることができる。溶射法では、加熱することで溶融またはそれに近い状態にした粒子を溶射材として用い、金属部材18、19側から半導体層11方向に吹き付けることで、半導体層11上であって金属部材18、19間に光反射層を形成する。溶射材としては、前述の無機化合物の粒子を用いることができる。光反射層20が接する面を予め荒面化しておくことにより、密着性を向上させてもよい。溶射法によれば、電極間の複雑な形状にも追随して粒子を吹き付けることが可能であり、容易に光反射層20を形成することができる。溶射により形成される光反射層20は、粒子を溶融状態にして形成するため、薄板状に形成される。粒子間に気泡を入れて形成することもでき、これにより粒子と空気との屈折率差により、反射率を向上させることができる。また、電着法では、粒子とその粒子を付着させたい箇所に、それぞれ違う極性の静電気を負わせることで粒子を付着させて光反射層20を形成する。具体的には、金属部材18、19の間の半導体層11上保護膜15が形成されている場合には保護膜15を介した半導体層11上に電着用の導電膜を形成する。電着用の導電膜の形成方法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング、スクリーン印刷、インクジェット塗布、スプレー塗布あるいはそれらを組み合わせた方法を挙げることができる。また、電着用の導電膜は、電着後に酸化させる事で高抵抗化させる。これにより、素子の2極間で電気的にショートする事が無くなるのと、光反射層20へ光を透過させることが可能となる。電着用の導電膜の材料としては、例えば、アルミニウムAl、チタンTi、タングステンWから選択された少なくとも一種を含む金属材料が挙げられる。このような材料は、発光素子からの光に対して透光性を有するものに変換することができるため好ましい。電着法によっても、電極間の複雑な形状にも追随して粒子を付着させることが可能であり、容易に光反射層20を形成することができる。なお、電着用の導電膜は必ずしも形成する必要はなく、例えば、半導体層11に電界を持たせて導電膜の代替として使用しても良い。このようにする事で、後から前記導電膜を高抵抗化する必要もなくなる。このように形成された光反射層20は、無機部材からなる光反射層を形成しており、熱や光による劣化が殆ど生じず、長期にわたって光反射率を維持することができる。また、これらの粒子をより強固に固定するために透光性の材料を含浸させて光反射層20としても良い。この透光性の材料としてはポリシラザンやゾルゲル等の無機材料であることが好ましく、特に少なくともSi-O結合を含む部材であることがより好ましい。Si-O結合系の材料は比較的屈折率が低いため、粒子との屈折率差を大きく取る事が出来、高い光反射率を得ることが可能である。さらに、粒子同士の結着力を強めることができるため、発光素子の信頼性が向上する。また、粒子の隙間を埋めない場合には粒子間に空気層が介在することとなる。この場合であっても、粒子と空気との屈折率差により、高い反射率を得る事が可能である。光反射層20の厚みは、半導体層11から出射された光を反射可能な厚みであれば特に限定されないが、例えば1~100μm程度、好ましくは3μm以上とすることにより、十分な反射率を確保することができ、発光素子の光取り出し効率が向上する。第3の工程次に、図5に示すように、光反射層20と金属部材18、19とが略面一になるように平坦化する。これにより、半導体層11に電流を流すための電極端子として機能する金属部材18、19を外部に露出させる。この平坦化方法としては、フォトリソグラフィー技術や研磨、研削等の技術を用いて行うことができる。第4の工程以上のように形成された発光素子は、透光性基板上に形成された半導体層が連続して繋がったウエハ状態で複数個形成されている。それら複数個の発光素子を、図6aで破線として示す分割予定線22に沿ってダイシングやスクライブ等によって個片化して、図1に図示するような発光素子100とする。分割予定線22は、透光性基板10、半導体層11、光反射層20を通る線であり、これらが面一に裁断されることで、発光素子100の側面が形成されることとなる。特に、本実施形態においては、光反射層20が無機材料で形成されているため、レーザスクライブ法等の破断による分割が可能となり、分割時に生じる発光素子への損傷が少なく、信頼性を向上させることができる。また、レーザスクライブ法等の破断による分割によれば、分割時の切りしろを少なくすることができるため、収率を向上させることができる。なお、切断面に樹脂材料が存在する場合には、ダイシング等による分割が必要となり、スクライブ等の破断による分割をすることができない。レーザスクライブ法では、分割予定線22に沿ってレーザ光を照射することによって、複数の加工部26や、分割溝28を形成する。例えば、図6bに図示した矢印で示すように透光性基板10側から透光性基板10の内部にパルスレーザ光を集光させることにより、透光性基板の内部に離間した複数の加工部26を分割予定線22に沿って形成することができる。これらの加工部26を繋ぐように亀裂を生じさせることにより、発光素子100を分割して個片化することができる。このような方法によれば、光反射層20や半導体11にはレーザ光を照射することがないため、レーザ光による光反射層20や半導体層11の変質が生じない。また、図6cに図示した矢印で示すように光反射層20側から、光反射層20、半導体層11及び透光性基板10にレーザ光を照射することで分離溝28を形成することもできる。この方法によれば、光反射層20から透光性基板10まで精度良く分割することが可能となる。これにより、個片化された後の発光素子100において、透光性基板10の側面、半導体層11の側面、光反射層20の側面を実質的に面一に形成することができるため、電極間のみならず発光素子の実装面側において、光の漏れを抑制することができる。発光素子100得られた発光素子100は、図1に示すように、透光性基板10と、透光性基板の10の主面上に形成された半導体層11と、半導体層上に形成された電極16、17と、電極16、17上に形成された金属部材18、19と、半導体層上に設けられ、金属部材18、19の端部を露出させる光反射層20とを有して形成されている。実装面側においては、外部端子となる金属部材18及び金属部材19の端部と光反射層20とが略平坦に形成されており、側面側においては透光性基板10、半導体層11、光反射層20が面一に裁断されることで、発光素子の側面を形成している。また、金属部材18、19の側面が光反射層20により被覆されているため、光反射層20の密着性が高められており、光反射層20の脱落が抑制されている。本実施形態により製造される発光素子100は、実装面側において、金属部材18、19が形成されていない領域の全てが光反射層20に被覆されている。これにより、実装面側に漏れる光を光取り出し面側に反射して取り出すことができるため、発光効率を向上させることができる。さらに、発光素子100は、金属部材18、19の厚みのぶん、従来の発光素子よりも実装面から半導体層11までの距離が長くなるように形成されている。これにより、半導体層11を光の吸収源である実装面から遠ざけ、光取り出し面側に近付けることができるため、さらに光取り出し効率の高い発光素子とすることができる。<第2実施形態>図7は、本発明の実施形態に係る発光素子200を示す断面図であり、図8及び図9は、本実施形態に係る発光素子の製造工程を示す概略断面図である。本実施形態に係る発光装置の製造方法は、主として、半導体層11と、半導体層11の同一面側に少なくとも一対の電極を有する発光素子の電極16、17上にレジスト24を形成する工程と、無機部材からなる光反射層20を、電極が形成されている側の発光素子上に形成する工程と、レジスト24を除去する工程と、を有する。第2実施形態は、第1実施形態に対して、金属部材18、19に代えて図8に示すようにレジスト24を形成して、第1実施形態と同様に光反射層20を形成した後に、図9に示すようにレジスト24を除去するものである。光反射層20は、半導体層11上であってレジスト24間に埋設される。研磨や研削等によってレジスト24と光反射層20とが面一になるように平坦化したのちにレジストを除去してもよいが、この平坦化は必ずしも必要ではない。その他の部分については、第1実施形態と同様にして形成することができる。このように形成された発光素子200は、図7に示すように正電極16及び負電極17の表面が光反射層20の端面から凹んで露出されてなる。このように金属部材18、19を形成しなくとも、第1実施形態と同様に、実装面側に漏れる光を光取り出し面側に反射して取り出すことができるため、発光効率を向上させることができる。"