"パッケージ部材と、基板と、前記基板に対して変位する錘および前記錘の変位を電気信号に変換する検出電極を具備し前記基板上に設けられるセンサ検出部と、を有する第1の半導体チップと、前記パッケージ部材上に設けられ、前記電気信号に対する演算を行う演算回路を有する第2の半導体チップと、第1の防振部と、前記第1の防振部よりヤング率の大きい材料からなる第2の防振部とを具備し、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップの間に設けられる防振構造と、を有し、前記第1の防振部の周囲は、前記第2の防振部、または前記第2の防振部と前記パッケージ部材との組み合わせによって囲まれることを特徴とする慣性センサ装置。請求項1において、前記第1半導体チップは、前記電気信号を前記第2半導体チップへ伝送するワイヤを接続するボンディングパッドをさらに有し、前記基板の表面と垂直な方向における前記ボンディングパッドの射影は、前記第2の防振部に重なることを特徴とする慣性センサ装置。請求項1において、前記防振構造は、前記基板の表面に平行な第1の方向における固有振動数と、前記基板の表面に平行かつ前記第1の方向と垂直な第2の方向における固有振動数が、互いに異なる構造であることを特徴とする慣性センサ装置。請求項3において、前記第1の防振部の形状は、前記第1の方向に長辺を有し、前記第2の方向に短辺を有する長方形であることを特徴とする慣性センサ装置。請求項1において、前記第1の防振部は、前記第2の防振部によって複数に分割された形状であることを特徴とする慣性センサ装置。請求項1において、前記第1の防振部の周囲のうち、一辺は前記パッケージ部材と接し、他の部分は前記第2の防振部によって囲まれることを特徴とする慣性センサ装置。請求項1において、前記防振構造および前記センサ検出部からなる構造は、前記基板の表面に平行な第1の方向における固有振動数と、前記基板の表面に平行かつ前記第1の方向と垂直な第2の方向における固有振動数が、互いに異なる構造であることを特徴とする慣性センサ装置。パッケージ部材と、基板と、前記基板に設けられ第1の電気信号を出力する第1のセンサ検出部と、前記基板に設けられ第2の電気信号を出力する第2のセンサ検出部と、を有する第1の半導体チップと、前記第1の電気信号および前記第2の電気信号に対する演算を行う演算回路を有する第2の半導体チップと、第1の防振部と、前記第1の防振部よりヤング率の大きい材料からなる第2の防振部とを有し、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップの間に設けられる防振構造と、を有し、前記第1のセンサ検出部は、前記基板の表面に対して平行な第1の方向に振動する第1の錘と、前記基板の表面と垂直な第3の方向を中心として前記基板が回転したときの、前記基板の表面に対して平行かつ前記第1の方向と垂直な第2の方向における前記第1の錘の変位を前記第1の電気信号へ変換する第1の検出電極と、を有し、前記第2のセンサ検出部は、前記第1の方向に振動する第2の錘と、前記第1の方向に加速度が印加されたときの前記第1の方向における前記第2の錘の変化を前記第2の電気信号へ変換する第2の検出電極と、を有し、前記第1の防振部の周囲は、前記第2の防振部、または前記第2の防振部と前記パッケージ基板の組み合わせによって囲まれ、前記第1の防振部および前記第2の防振部からなる構造は、前記第1の方向における固有振動数または前記第2の方向における固有振動数を、前記第1のセンサ検出部と前記第2のセンサ検出部との間で異ならせる構造であることを特徴とする慣性センサ装置。請求項8において、前記第1の半導体チップは、前記第1の電気信号を前記第2半導体チップへ伝送する第1のワイヤを接続する第1のボンディングパッドと、前記第2の電気信号を前記第2半導体チップへ伝送する第2のワイヤを接続する第2のボンディングパッドと、をさらに有し、前記基板の表面と垂直な方向における、前記第1のボンディングパッドの射影、および前記第2のボンディングパッドの射影は、前記第2の防振部と重なることを特徴とする慣性センサ装置。請求項8において、前記第1の半導体チップは、前記基板に設けられ第3の電気信号を出力する第3のセンサ検出部をさらに有し、前記第3のセンサ検出部は、前記第2の方向に振動する第3の錘と、前記第2の方向に加速度が印加されたときの前記第2の方向における前記第3の錘の変化を前記第3の電気信号へ変換する第3の検出電極と、を有することを特徴とする慣性センサ装置。請求項8において、前記防振構造の振動伝達率が、前記第1の錘の位置と、前記第2の錘の位置で、互いに異なることを特徴とする慣性センサ装置。請求項8において、前記第1の防振部および前記第2の防振部から構成される構造の固有振動数は、前記第1の方向と、前記第2の方向において、互いに異なることを特徴とする慣性センサ装置。請求項12において、前記第1の防振部の形状は、前記第1の方向に長辺を有し、前記第2の方向に短辺を有する長方形であることを特徴とする慣性センサ装置。請求項8において、前記第1の防振部は、前記第2の防振部を介して複数に分割された形状であることを特徴とする慣性センサ装置。請求項8において、前記第1の防振部の周囲のうち、一辺は前記パッケージ部材と接し、他の部分は前記第2の防振部によって囲まれることを特徴とする慣性センサ装置。しかし、低ヤング率の接着剤を介して、パッケージ部材にセンサ検出部を搭載した防振構造を形成し、この構造の固有振動数を低下させることを試みる場合、ヤング率の小さな接着剤ほど硬化前粘度も低く、流動性により接着剤が流れてしまうため、接着剤を所望の場所に適量塗布できない問題が発生する。また、センサ基板をパッケージ部材へ実装した後にLSI回路基板とワイヤボンディングで電気的に接続する際に、低ヤング率の接着剤を介してパッケージ部材にセンサ検出部を搭載した防振構造を形成した場合、センサ基板とパッケージ部材の間でワイヤボンディングに必要な振動伝達ができず、電気的接続が出来ない問題が発生する。これは、ワイヤボンディングが、配線金属とセンサ基板上のパッド金属の接触部に、熱と荷重を加えながら、およそ60kHzから100kHzの超音波振動を伝達することで金属同士を電気的に接着する接合方式であることに起因する。また、接着フィルムを介して、パッケージ部材にセンサ検出部を搭載した防振構造を形成し、接着フィルムの形状もしくは弾性率を調整して、この構造体の固有振動数を低下させることを試みる場合、形状を小さくするとフィルムを自動搬送するために必要な面積を満たせなくなり、実装利便性が低下する問題がある。また、弾性率を小さくしたフィルムを用いる場合、形状を維持したままフィルムを自動搬送することが出来なくなり、実装利便性が低下する問題がある。本発明の目的は、防振構造の固有振動数を下げて、センサの精度低下や誤出力による機能停止を引き起こす計測信号以外の加速度振動が慣性センサの検出部へ伝達することを抑制しながら、実装利便性を確保する技術を提供することである。本発明における課題を解決する手段のうち、代表的な例を簡単に説明すれば、慣性センサ装置であって、パッケージ部材と、基板と、前記基板に対して変位する錘および前記錘の変位を電気信号に変換する検出電極を具備し前記基板上に設けられるセンサ検出部と、を有する第1の半導体チップと、前記パッケージ部材上に設けられ、前記電気信号に対する演算を行う演算回路を有する第2の半導体チップと、第1の防振部と、前記第1の防振部よりヤング率の大きい材料からなる第2の防振部とを具備し、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップの間に設けられる防振構造と、を有し、前記第1の防振部の周囲は、前記第2の防振部、または前記第2の防振部と前記パッケージ部材との組み合わせによって囲まれることを特徴とする。また、他の代表的な例を説明すると、慣性センサ装置であって、パッケージ部材と、基板と、前記基板に設けられ第1の電気信号を出力する第1のセンサ検出部と、前記基板に設けられ第2の電気信号を出力する第2のセンサ検出部と、を有する第1の半導体チップと、前記第1の電気信号および前記第2の電気信号に対する演算を行う演算回路を有する第2の半導体チップと、第1の防振部と、前記第1の防振部よりヤング率の大きい材料からなる第2の防振部とを有し、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップの間に設けられる防振構造と、を有し、前記第1のセンサ検出部は、前記基板の表面に対して平行な第1の方向に振動する第1の錘と、前記基板の表面と垂直な第3の方向を中心として前記基板が回転したときの、前記基板の表面に対して平行かつ前記第1の方向と垂直な第2の方向における前記第1の錘の変位を前記第1の電気信号へ変換する第1の検出電極と、を有し、前記第2のセンサ検出部は、前記第1の方向に振動する第2の錘と、前記第1の方向に加速度が印加されたときの前記第1の方向における前記第2の錘の変化を前記第2の電気信号へ変換する第2の検出電極と、を有し、前記第1の防振部の周囲は、前記第2の防振部、または前記第2の防振部と前記パッケージ基板の組み合わせによって囲まれ、前記第1の防振部および前記第2の防振部からなる構造は、前記第1の方向における固有振動数または前記第2の方向における固有振動数を、前記第1のセンサ検出部と前記第2のセンサ検出部との間で異ならせる構造であることを特徴とする。本発明によれば、慣性センサの精度および実装利便性を向上しうる。本実施の形態1では、慣性センサが角速度センサである例について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態1における角速度センサ装置100の実装構成例を示す断面図である。図1に示すように、凹部を有するパッケージ部材101の底部に半導体チップ102が搭載されている。パッケージ部材101は、例えば、セラミクスで構成されている。半導体チップ102には、トランジスタや受動素子からなる集積回路が形成されている。この半導体チップ102に形成されている集積回路は、角速度センサ検出部からの出力信号を信号処理する機能を有しており、最終的に角速度信号を出力する回路である。半導体チップ102上には、防振構造として防振部103aおよび防振部103bを介して半導体チップ104が搭載されている。防振部103bを囲うようにして枠体を形成する防振部103aは、例えば、シリコーンゴムシートで構成されている。防振部103aに囲まれて半導体チップ104と接する防振部103bは、例えば、シリコーン接着剤やシリコーンゲルといった流動性の高い液体、もしくはそれを硬化させた材料で構成されている。ここで防振部103aは、流動性の高い材料103bを囲う枠として機能するため、防振部103aのほうが防振部103bよりヤング率の大きい材料で構成される。また、流動性の高い防振部103bは、防振部103aによって形成される枠体に過剰に流し込まれて設置され、防振部103bの表面張力により、防振部103bは半導体チップ104との接触面に薄く入り込む構造となる。半導体チップ104には、角速度センサを構成するMEMS構造体が形成されている。この半導体チップ104に形成されているパッド110と、半導体チップ102に形成されているパッド105aは、例えば、金属ワイヤ106aで接続されている。さらに、半導体チップ102に形成されているパッド105bは、パッケージ部材101に形成されている端子107と金属ワイヤ106bで接続され、パッケージ部材101の内部配線を通して、パッケージ部材101の外部につながる端子108へと電気的に接続されている。また、パッケージ部材101内に積層して配置された半導体チップ102と半導体チップ104は、パッケージ部材101の上部をリッド109で封止することにより密閉されている。図2は、本実施の形態1における角速度センサ装置の実装構成例を示す上面図である。図中に示したA-A直線による断面が図1に相当し、パッケージ部材を封止するリッドは図示していない。パッケージ部材101の底部に半導体チップ102が搭載されており、この半導体チップ102上には、防振部103aや防振部103bを介して半導体チップ104が搭載されている。防振部103bを囲うようにして枠体を形成する防振部103aは、例えば、シリコーンゴムシートで構成されている。防振部103aに囲まれて半導体チップ104と接する防新材料103bは、例えば、シリコーン接着剤やシリコーンゲルといった流動性の高い液体、もしくはそれを硬化させた材料で構成されている。ここで防振部103aは、流動性の高い材料103bを囲う枠として機能するため、防振部103aのほうが防振部103bよりヤング率の大きい材料である。半導体チップ104には、角速度を検出するためのMEMS構造体が形成されている。この半導体チップ104に形成されているパッド110と、半導体チップ102に形成されているパッド105aは、金属ワイヤ106aで接続されている。さらに、半導体チップ102に形成されているパッド105bは、パッケージ部材101に形成されている端子107と金属ワイヤ106bで接続され、パッケージ部材101の内部配線を通して、パッケージ部材101の外部につながる端子108へと電気的に接続されている。そして、パッケージ部材101内に積層して配置された半導体チップ102と半導体チップ104は、パッケージ部材101の上部を図示していないリッドで封止することにより密閉される。半導体チップ102上に形成された防振部103aと防振部103bの形状を、図2中の破線、もしくは、図3に示す。半導体チップ104上のパッド110に対し、図面に垂直な方向には、防振部103aの枠部が位置するような形状である。ここで防振部103aは、流動性の高い材料103bを囲う枠として機能するため、防振部103aのほうが防振部103bよりヤング率の大きい材料で構成される。係る構成によって、半導体チップ102や半導体チップ104をパッケージ部材101に実装した後、電気的接続を得るためのワイヤボンディングを実施する際、図面に垂直な方向にワイヤボンディングに必要な振動伝達を確保することが可能となる。図3は、本実施の形態1における角速度センサ装置の角速度を検出するためのMEMS構造体が形成された、半導体チップ104の詳細を示す断面図である。半導体チップ104は、支持基板201と絶縁酸化膜202とシリコン活性層203から構成されるSOI基板上に、フォトリソグラフィ技術とDRIEを用いて、MEMS構造体の可動部204と、MEMS構造体の固定部205が形成されている。また、MEMS構造体の可動部204や、MEMS構造体の固定部205は、シリコン活性層203と陽極接合技術、もしくは表面活性化接合技術を用いて接合されたガラスキャップ209により保護されている。また、MEMS構造体の可動部204や、MEMS構造体の固定部205は、支持基板201を貫通する貫通電極材料206を介して支持基板の裏面に形成されたパッド208と電気的に接続されており、角速度センサ検出部からの出力信号を信号処理する機能を有する集積回路へとワイヤボンディングにより接続される。図4は、本実施の形態1における角速度センサ装置の角速度を検出するためのMEMS構造体が形成された、半導体チップ104の詳細を示す上面図である。この場合の上面とは、図3におけるガラスキャップ209側からMEMS構造体を観察した図面に相当する。また、図4中のB-B断面が、図3に相当している。枠部221に囲まれるように空洞部222が形成され,その空洞部222の内部には、固定部223が設けられており、この固定部223には、梁弾性変形部224が接続されている。そして、梁224は、角速度センサの錘となる2つの励振素子である可動部225,226と接続されている。つまり、2つの励振素子である可動部225,226と固定部223は弾性変形可能な梁224で接続されており、励振素子である可動部225,226は、図4のx方向にそれぞれ変位できるようになっている。また,励振素子である可動部225,226は互いの振動エネルギーを共有する音叉振動系をなすため,リンク梁227で接続されている。励振素子である可動部225,226には、可動部と一体に形成された駆動用可動電極228aが形成されており、この駆動用可動電極228aと対向するように、駆動用固定電極228bおよび駆動用固定電極228cが形成されている。互いに対向することで容量素子を形成している駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228bの間にVcomVbVdで表される周期的な駆動信号を印加し,駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228cの間にVcomVb-Vdで表される周期的な駆動信号を印加し,励振素子である可動部225,226には共通の電極231を介してVcomを印加することで、駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228b、および、駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228cの間に静電気力が働き、駆動用可動電極228aが振動するようになっている。この駆動用可動電極228aがx方向に振動すると、駆動用可動電極228aと一体的に形成されている励振素子である可動部225,226が逆相振動することになる。つまり、駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228b、あるいは、駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228cから構成される容量素子は、励振素子である可動部225,226をx方向に逆相に強制振動させる強制振動生成部として機能する。また,励振素子である可動部225,226には、可動部225,226と一体に形成された駆動振幅モニタ用可動電極229aが形成されており、この駆動振幅モニタ用可動電極229aと対向するように、駆動振幅モニタ用固定電極229bおよび駆動振幅モニタ用固定電極229cが形成されている。この駆動振幅モニタ用可動電極229aと駆動振幅モニタ用固定電極229b、あるいは、駆動振幅モニタ用可動電極229aと駆動振幅モニタ用固定電極229cは、それぞれ容量素子を形成しており、駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228b、および、駆動用可動電極228aと駆動用固定電極228cの間に働く静電気力によって励振素子である可動部225,226がx方向に変位すると、上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり、駆動振幅モニタ用可動電極229aと駆動振幅モニタ用固定電極229b、あるいは、駆動振幅モニタ用可動電極229aと駆動振幅モニタ用固定電極229cから構成される容量素子は、励振素子である可動部225,226のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また,励振素子である可動部225,226には、梁230を介して、検出素子である可動部232,233が接続されている。さらに、検出素子である可動部232,233には、可動部と一体に形成された角速度検出用可動電極234aが形成されており、この駆動用可動電極234aと対向するように、角速度検出用固定電極234bが形成されている。この角速度検出用可動電極234aと角速度検出用固定電極234bは容量素子を形成している。基板と垂直なz軸を中心として基板全体が回転すると、回転力に応じたコリオリ力によって、検出素子である可動部232,233がy方向に変位し、上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり、角速度検出用可動電極234aと角速度検出用固定電極234bから構成される容量素子は、検出素子である可動部232,233のy方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また、各電極対に生じる容量変化は、貫通電極228d、228e、229d、229e、231、234cを通じて半導体チップ104の裏面へと電気的に接続されており、角速度センサ検出部からの出力信号を信号処理する機能を有する集積回路へとワイヤボンディングにより接続される。尚、半導体チップ104は、SOI基板をフォトリソグラフィ技術とDRIEを用いて加工する場合を想定しているが、ガラスシリコンガラスの接合技術などを使用して、シリコン基板の表面と裏面の両方を加工することでMEMS構造体を形成する、バルクMEMSプロセスにも適用することができる。さらに、予めトランジスタなどの信号処理回路が形成されているシリコン基板の表面に薄膜を堆積し、堆積した薄膜をパターニングすることを繰り返すことでMEMS構造体を形成する、表面MEMSプロセスにも適用することができる。このようにして、本実施の形態1における慣性センサである角速度センサが実装構成されている。実施の形態1における慣性センサである角速度センサは、MEMS構造体による角速度検出部が形成された半導体チップ104に対し、基板と垂直な第三の軸を中心として基板全体が回転すると、回転力に応じたコリオリ力によって、第一の軸方向図2のX方向に振動している錘が第二の軸方向図2のY方向に変位する。この錘の変位量を電気信号として半導体チップ102へ伝達し、半導体チップ102形成されている集積回路によって信号処理すると、最終的に角速度信号を出力する。よって、上述した角速度センサ装置では、MEMS構造体による角速度検出部が形成された半導体チップ104に回転力が加わったとき以外で、第二の軸方向図2のY方向に加速度が加わった場合でも、この加速度によって第一の軸方向図2のX方向に振動している錘は第二の軸方向図2のY方向に変位し、この錘の変位量を電気信号として半導体チップ102へ伝達し、半導体チップ102形成されている集積回路によって信号処理する。すなわち、角速度センサ装置は、センサ基板全体が基板と垂直な第三の軸を中心として回転しない場合であっても、第二の軸方向図2のY方向に加速度が加われば、錘の変位量を角速度によるものとして検出する。このように、角速度センサ基板の第二の軸方向図2のY方向に加速度が加わったときには、この加速度による錘の変位量がノイズとして加わってしまうため、角速度の検出精度が低下してしまうとも思える。しかしながら、実施の形態1における角速度センサは、図5に示すような形状の防振部103a、防振部103b、MEMS構造体による角速度検出部が形成された半導体チップ104から構成される構造を持つ。図5に示すような形状の防振部103a、防振部103b、MEMS構造体による角速度検出部が形成された半導体チップ104から構成される構造の固有振動数は、例えば、有限要素法を用いた構造計算により算出できる。シリコン基板で構成される半導体チップ104の寸法がおよそ4mm×6mmで厚さが0.5mmであり、防振部103aはヤング率が5MPa硬度40のシリコーンゴムシートで構成されており、防振部103bはヤング率が0.1MPaのシリコーン接着剤で構成されているとすると、当該構造の各軸方向の固有振動数f0ii=x、y、zは、f0y<f0x<f0zとなる。このとき、当該構造の振動伝達率の周波数特性は1式を用いて図6のように計算することができる。但し、MEMS構造体による角速度検出部の検出周波数をfdとするとき、検出軸である第二の軸方向図2のY方向の周波数fdにおける振動伝達率が目標数値を満たすように、防振部103aおよび防振部103bの厚さを調整して、当該構造のY軸方向の固有振動数を定めている。図5に示すような形状の防振部103a、防振部103b、MEMS構造体による角速度検出部が形成された半導体チップ104から構成される構造であれば、Y軸方向の振動伝達率は低く設定しながらも、Y軸方向以外の振動伝達率を同時に低下させない構造とできる。また、半導体チップ102や半導体チップ104をパッケージ部材101に実装した後、電気的接続を得るためのワイヤボンディングで用いられる超音波振動の周波数をfuとする場合、Z方向における振動伝達を確保することもできる。よって、本実施の形態1における慣性センサである角速度センサは、図5に示される防振部103aと防振部103bによって角速度センサ装置全体に対して計測に不要な加速度振動が加わった場合でも、この加速度振動が、MEMS構造体による角速度検出部が形成された基板104に伝達して、角速度センサの出力精度が低下しない構造となっている。このように、本実施の形態における発明は、パッケージ部材101と、基板201と、基板に対して変位する錘可動部225等および前記錘の変位を電気信号に変換する検出電極可動電極228aと固定電極228b等を具備し基板上に設けられるセンサ検出部と、を有する半導体チップ104と、パッケージ部材上に設けられ、電気信号に対する演算を行う演算回路を有する半導体チップ102と、第1の防振部103bと、前記第1の防振部よりヤング率の大きい材料からなる第2の防振部103aとを具備し、半導体チップの間に設けられる防振構造と、を有し、第1の防振部の周囲は、前記第2の防振部によって囲まれることを特徴とする。係る構造により、硬化前に流動性を有するシリコーン接着剤やゲル材料などハンドリングが困難な低ヤング率のやわらかい材料で防振構造を形成でき、実装利便性を向上しうる。そして、限られたパッケージ空間内でも防振構造の振動伝達率を下げることができ、慣性センサの精度を向上しうる。また、基板の表面と垂直な方向における前記ボンディングパッドの射影を、前記第2の防振部に重なる位置関係とすることによって、防振構造の振動伝達率を下げながら、半導体チップ104と信号処理用半導体チップ102とをワイヤボンディングで電気的に接続する際に必要な超音波振動を伝達し、実装利便性を確保することができる。また、ヤング率の大きく硬い防振部103aが、ヤング率の小さい防振部103bを囲う構造は、図5に示す構造に限られず、図7a~cに示すような構造であっても、実施例1における防振特性の効果を得ることができる。すなわち、第1の防振部の周囲は、第2の防振部、または第2の防振部とパッケージ部材との組み合わせによって囲まれていれば良い。係る構成によって、上述した精度の向上と実装利便性の向上とを両立するものである。その上で、特に図5と図7aは、第1の防振部の形状が第1の方向例えばX方向に長辺を有し、第2の方向例えばY方向に短辺を有する長方形であることを特徴とする。係る特徴によって、防振部103aと防振部103bと半導体チップ104から構成される防振構造のX軸方向とY軸方向の固有振動数を異ならせることが出来る。つまり、角速度検査装置に加わった振動が、センサパッケージを経て、半導体チップ102を経て、防振部103aと防振部103bとを経て、半導体チップ104に伝達する振動伝達率をX軸方向とY軸方向で異ならせる、具体的にはX軸方向の振動伝達率よりY軸方向の振動伝達率を小さくすることが出来る。この結果、半導体チップ104には、X軸方向よりY軸方向の振動が伝わりにくい構造とすることが出来る。また、図7aと図7cは、第1の防振部が第2の防振部によって複数に分割された形状であることを特徴とする。係る特徴によって、防振部103aと防振部103bと半導体チップ104から構成される防振構造のX軸方向とY軸方向の固有振動数を所望の値に調整することが出来る。この結果、半導体チップ104には、X軸方向よりY軸方向の振動が伝わりにくい割合を調整することが出来る。また、図7bと図7cは、第1の防振部の周囲のうち、一辺はパッケージ部材と接し、他の部分は前記第2の防振部によって囲まれることを特徴とする。係る特徴によって、ヤング率の大きい防振部103aを設置する面積に対して、ヤング率の小さい防振部103bを設置する面積の割合を増やすことが出来る。この結果、パッケージ部材と接しない場合と比べて、防振部103aと防振部103bと半導体チップ104から構成される防振構造の固有振動数をより低く設定することが出来る。つまり、パッケージ部材と接しない場合と比べて、振動伝達率をより小さく設定することが出来る。本実施の形態2では、慣性センサが一軸回転速度を検出する角速度センサと、二軸の加速度を検出する加速度センサから構成されるコンバインドセンサである例について、図面を参照しながら説明する。図8は、本実施の形態2におけるコンバインドセンサ装置300の実装構成例を示す断面図である。図8に示すように、凹部を有するパッケージ部材301の底部に半導体チップ302が搭載されている。パッケージ部材301は、例えば、セラミクスで構成されている。半導体チップ302には、トランジスタや受動素子からなる集積回路が形成されている。この半導体チップ302に形成されている集積回路は、角速度センサ検出部と加速度センサ検出部からの出力信号を信号処理する機能を有しており、最終的に角速度信号と加速度信号を出力する回路である。半導体チップ302上には、防振部303aや防振部303bを介して半導体チップ304が搭載されている。防振部303bを囲うようにして枠体を形成する防振部303aは、例えば、シリコーンゴムシートで構成されている。防振部303aに囲まれて半導体チップ304と接する防振部303bは、例えば、シリコーン接着剤やシリコーンゲルといった流動性の高い液体、もしくはそれを硬化させた材料で構成されている。ここで防振部303aは、流動性の高い材料303bを囲う枠として機能するため、防振部303aのほうが防振部303bよりヤング率の大きい材料である。また、流動性の高い防振部303bは、防振部303aによって形成される枠体に過剰に流し込まれて設置され、防振部303bの表面張力により、防振部303bは半導体チップ304との接触面に薄く入り込む構造となる。半導体チップ304には、角速度センサを構成するMEMS構造体と、加速度センサを構成するMEMS構造体が形成されている。この半導体チップ304に形成されているパッド305aと、半導体チップ302に形成されているパッドは、例えば、金属ワイヤ308aで接続されている。さらに、半導体チップ302に形成されているパッド306bは、パッケージ部材301に形成されている端子307bと金属ワイヤ308cで接続され、パッケージ部材301の内部配線を通して、パッケージ部材301の外部につながる端子310へと電気的に接続されている。また、パッケージ部材301内に積層して配置された半導体チップ302と半導体チップ304は、パッケージ部材301の上部をリッド309で封止することにより密閉されている。図9は、本実施の形態2におけるコンバインドセンサ装置の実装構成例を示す上面図である。図中に示したC-C直線による断面が図8に相当し、パッケージ部材を封止するリッドは図示していない。パッケージ部材301の底部に、コンバインドセンサの角速度検出部と加速度検出部の信号処理用半導体チップ302と、コンバインドセンサの角速度検出部の昇圧電源用半導体チップ311が搭載されている。半導体チップ302上には、防振部303aや防振部303bを介してコンバンイドセンサの検出部であるMEMS構造体が形成された半導体チップ304が搭載されている。防振部303bを囲うようにして枠体を形成する防振部303aは、例えば、シリコーンゴムシートで構成されている。防振部303aに囲まれて半導体チップ304と接する防振部303bは、例えば、シリコーン接着剤やシリコーンゲルといった流動性の高い液体、もしくはそれを硬化させた材料で構成されている。ここで防振部303aは、流動性の高い材料303bを囲う枠として機能するため、防振部303aのほうが防振部303bよりヤング率の大きい材料である。半導体チップ304には、角速度を検出するためのMEMS構造体と、加速度を検出するためのMEMS構造体が形成されている。この半導体チップ304に形成されているパッド305aと、半導体チップ302に形成されているパッド306aは、金属ワイヤ308aで接続されている。さらに、半導体チップ304に形成されているパッド305bは、パッケージ部材301に形成されている端子307aと金属ワイヤ308bで接続され、パッケージ部材301の内部配線を通して、パッケージ部材301の外部につながる端子へと電気的に接続されている。さらに、半導体チップ302に形成されているパッド306bは、パッケージ部材301に形成されている端子307bと金属ワイヤ308cで接続され、パッケージ部材301の内部配線を通して、パッケージ部材301の外部につながる端子へと電気的に接続されている。そして、パッケージ部材301内に配置された、コンバインドセンサの角速度検出部と加速度検出部の信号処理用半導体チップ302と、コンバンイドセンサの検出部であるMEMS構造体が形成された半導体チップ304と、コンバインドセンサの角速度検出部の昇圧電源用半導体チップ311は、パッケージ部材301の上部を図示していないリッドで封止することにより密閉される。半導体チップ302上に形成された防振部303aと防振部303bの形状を、図9中の破線、もしくは、図12中の破線、もしくは、図13に示す。半導体チップ304上のパッド305aや305bに対し、図面に垂直な方向には、防振部303aの枠部が位置するような形状である。ここで防振部303aは、流動性の高い材料303bを囲う枠として機能するため、防振部303aのほうが防振部303bよりヤング率の大きい材料である。係る構成によって、半導体チップ302や半導体チップ304をパッケージ部材301に実装した後、電気的接続を得るためのワイヤボンディングを実施する際、図面に垂直な方向にワイヤボンディングに必要な振動伝達を確保することが可能となる。図10は、本実施の形態2におけるコンバインドセンサ装置における、一軸の角速度を検出するためのMEMS構造体と、二軸の加速度を検出するためのMEMS構造体が形成された、半導体チップ304の詳細を示す断面図である。半導体チップ304は、支持基板401と絶縁酸化膜402とシリコン活性層403から構成されるSOI基板上に、フォトリソグラフィ技術とDRIEを用いて、MEMS構造体の角速度検出用可動部404aと、MEMS構造体の角速度検出用固定部405aと、MEMS構造体の加速度検出用可動部404bと、MEMS構造体の加速度検出用可動部405bが形成されている。また、MEMS構造体の角速度検出用可動部404aと、MEMS構造体の角速度検出用固定部405aと、MEMS構造体の加速度検出用可動部404bと、MEMS構造体の加速度検出用可動部405bは、シリコン活性層403と陽極接合技術、もしくは表面活性化接合技術を用いて接合されたガラスキャップ409により、それぞれが異なる空間内に保護されている。また、MEMS構造体の角速度検出用可動部404aと、MEMS構造体の角速度検出用固定部405aと、MEMS構造体の加速度検出用可動部404bと、MEMS構造体の加速度検出用可動部405bは、支持基板401を貫通する貫通電極材料406を介して支持基板の裏面に形成されたパッド408と電気的に接続されており、角速度センサ検出部、および加速度センサ検出部からの出力信号を信号処理する機能を有する集積回路へとワイヤボンディングにより接続される。図11は、本実施の形態2におけるコンバインドセンサ装置における、一軸の角速度を検出するための角速度検出用MEMS構造体と、二軸の加速度を検出するための加速度検出用MEMS構造体が形成された、半導体チップ304の詳細を示す上面図である。この場合の上面とは、図10におけるガラスキャップ409側からMEMS構造体を観察した図面である。また、図11中のD-D‘断面とE-E’断面が、図10に相当している。以下に,第一の軸方向図11のX方向の加速度検出用MEMS構造体の構成を説明する。図11に示すように、半導体チップ304には、枠部701が形成されており、この枠部701に囲まれるように空洞部702が形成されている。空洞部702の内部には、固定部703が設けられており、この固定部703には、第一の軸方向図11のX方向に変形する梁弾性変形部704が接続されている。そして、梁704は、加速度センサの錘となる可動部705と接続されている。つまり、固定部703と可動部705は弾性変形可能な梁704で接続されており、可動部705は、図11のx方向に変位できるようになっている。可動部705には、可動部705と一体に形成された検出用可動電極706aが形成されており、この検出用可動電極706aと対向するように、検出用固定電極706bおよび検出用固定電極706cが形成されている。この検出用可動電極706aと検出用固定電極706b、あるいは、検出用可動電極706aと検出用固定電極706cは、それぞれ容量素子を形成しており、外部から印加された加速度によって可動部705がx方向に変位すると、上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり、検出用可動電極706aと検出用固定電極706b、あるいは、検出用可動電極706aと検出用固定電極706cから構成される容量素子は、可動部705のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また、可動部705には、可動部705と一体に形成された診断用可動電極708aが形成されており、この診断用可動電極708aと対向するように、診断用固定電極708bおよび診断用固定電極708cが形成されている。診断用可動電極708aと診断用固定電極708b、あるいは、診断用可動電極708aと診断用固定電極708cは、それぞれ容量素子を形成している。この容量素子を形成している診断用可動電極708aと診断用固定電極708b、および、診断用可動電極708aと診断用固定電極708cの間に診断信号を印加すると、診断用可動電極708aと診断用固定電極708bの間、および、診断用可動電極708aと診断用固定電極708cの間に静電気力が働き、診断用可動電極708aが変位するようになっている。この診断用可動電極708aがx方向に変位すると、診断用可動電極708aと一体的に形成されている可動部705も変位することになる。つまり、診断用可動電極708aと診断用固定電極708b、あるいは、診断用可動電極708aと診断用固定電極708cから構成される容量素子は、可動部705をx方向に強制変位させる強制変位生成部として機能する。このように構成された加速度センサの構造体は、シリコンなどの半導体材料から構成されている。したがって、互いに梁704を介して接続されている固定部703と可動部705とは電気的に接続されており、可動部705に印加される電位は、固定部に形成されている貫通電極707から供給されるように構成されている。一方、検出用固定電極706bおよび検出用固定電極706cにも、それぞれ貫通電極706dおよび貫通電極706eが形成されており、可動部705がx方向に変位することで生じる容量変化により、検出用固定電極706bや検出用固定電極706cに電荷が流入あるいは流出できるように構成されている。また、診断用固定電極708bおよび診断用固定電極708cにも、それぞれ貫通電極708dおよび貫通電極708eが形成されており、貫通電極708dや貫通電極708eから、診断用固定電極708bや診断用固定電極708cに診断信号を印加できるようになっている。また、固定部709から、第二の軸方向図11のY方向に変形する梁弾性変形部710が接続されており、梁710から加速度検出部の錘となる可動部711が接続されている構成の第二の軸方向図11のY方向の加速度検出用MEMS構造体は、前述した第一の軸方向図11のX方向の加速度検出用MEMS構造体と同様のものが、半導体チップ304面上で90度回転して設置されているものである。同時に,図11に示すように、半導体チップ304には一軸の角速度を検出する角速度検出用MEMS構造体も形成されている。次に,角速度検出部の構成を説明する。前述した加速度検出用MEMS構造体の枠部と共通の枠部701に囲まれるように空洞部722が形成され,その空洞部722の内部には、固定部723が設けられており、この固定部723には、梁弾性変形部724が接続されている。そして、梁724は、角速度センサの錘となる2つの励振素子である可動部725,726と接続されている。つまり、2つの励振素子である可動部725,726と固定部723は弾性変形可能な梁724で接続されており、励振素子である可動部725,726は、図11のx方向にそれぞれ変位できるようになっている。また,励振素子である可動部725,726は互いの振動エネルギーを共有する音叉振動系をなすため,リンク梁727で接続されている。励振素子である可動部725,726には、可動部と一体に形成された駆動用可動電極728aが形成されており、この駆動用可動電極728aと対向するように、駆動用固定電極728bおよび駆動用固定電極728cが形成されている。互いに対向することで容量素子を形成している駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728bの間にVcomVbVdで表される周期的な駆動信号を印加し,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間にVcomVb-Vdで表される周期的な駆動信号を印加し,励振素子である可動部725,726には共通の電極731を介してVcomを印加することで、駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728b、および、駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間に静電気力が働き、駆動用可動電極728aが振動するようになっている。この駆動用可動電極728aがx方向に振動すると、駆動用可動電極728aと一体的に形成されている励振素子である可動部725,726が逆相振動することになる。つまり、駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728b、あるいは、駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cから構成される容量素子は、励振素子である可動部725,726をx方向に逆相に強制振動させる強制振動生成部として機能する。また,励振素子である可動部725,726には、可動部725,726と一体に形成された駆動振幅モニタ用可動電極729aが形成されており、この駆動振幅モニタ用可動電極729aと対向するように、駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび駆動振幅モニタ用固定電極729cが形成されている。この駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729b、あるいは、駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729cは、それぞれ容量素子を形成しており、駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728b、および、駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間に働く静電気力によって励振素子である可動部725,726がx方向に変位すると、上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり、駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729b、あるいは、駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729cから構成される容量素子は、励振素子である可動部725,726のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また,励振素子である可動部725,726には、梁730を介して、検出素子である可動部732,733が接続されている。さらに、検出素子である可動部732,733には、可動部と一体に形成された角速度検出用可動電極734aが形成されており、この駆動用可動電極734aと対向するように、角速度検出用固定電極734bが形成されている。この角速度検出用可動電極734aと角速度検出用固定電極734bは容量素子を形成している。基板と垂直なz軸を中心として基板全体が回転すると、回転力に応じたコリオリ力によって、検出素子である可動部732,733がy方向に変位し、上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり、角速度検出用可動電極734aと角速度検出用固定電極734bから構成される容量素子は、検出素子である可動部732,733のy方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また、各電極対に生じる容量変化は、貫通電極728d、728e、729d、729e、731、734cを通じて半導体チップ304の裏面へと電気的に接続されており、角速度センサ検出部からの出力信号を信号処理する機能を有する集積回路へとワイヤボンディングにより接続される。尚、半導体チップ304は、SOI基板をフォトリソグラフィ技術とDRIEを用いて加工する場合を想定しているが、ガラスシリコンガラスの接合技術などを使用して、シリコン基板の表面と裏面の両方を加工することでMEMS構造体を形成する、バルクMEMSプロセスにも適用することができる。さらに、予めトランジスタなどの信号処理回路が形成されているシリコン基板の表面に薄膜を堆積し、堆積した薄膜をパターニングすることを繰り返すことでMEMS構造体を形成する、表面MEMSプロセスにも適用することができる。また、角速度を検出するためのMEMS構造体は、半導体チップ304内のうち図12中のPと描かれた領域に形成されており、加速度を検出するためのMEMS構造体は、半導体チップ304内のうち図12中のQと描かれた領域に形成されている。このようにして、本実施の形態2における慣性センサであるコンバインドセンサが実装構成されている。実施の形態2におけるコンバンイドセンサのうち、角速度センサ部は、MEMS構造体による角速度検出部が形成された半導体チップ304に対し、基板と垂直な第三の軸を中心として基板全体が回転すると、回転力に応じたコリオリ力によって、第一の軸方向図9のX方向に振動している錘が第二の軸方向に図9のY方向変位する。この錘の変位量を電気信号として半導体チップ302へ伝達し、半導体チップ302形成されている集積回路によって信号処理すると、最終的に角速度信号を出力する。よって、上述した角速度センサ部では、MEMS構造体による角速度検出部が形成された半導体チップ304に回転力が加わったとき以外で、第二の軸方向図9のY方向に加速度が加わった場合でも、この加速度によって第一の軸方向図9のX方向に振動している錘は第二の軸方向図9のY方向に変位し、この錘の変位量を電気信号として半導体チップ302へ伝達し、半導体チップ302形成されている集積回路によって信号処理する。すなわち、角速度センサ部は、センサ基板全体が基板と垂直な第三の軸を中心として回転しない場合であっても、第二の軸方向図9のY方向に加速度が加われば、錘の変位量を角速度によるものとして検出する。このように、角速度センサ基板の第二の軸方向図9のY方向に加速度が加わったときには、この加速度による錘の変位量がノイズとして加わってしまうため、角速度の検出精度が低下してしまうとも思える。また、実施の形態2におけるコンバンイドセンサのうち、第一の軸方向図9のX方向の加速度センサ部は、MEMS構造体による加速度検出部が形成された半導体チップ304に対し、第一の軸方向図9のX方向に変位可能な支持梁で錘を支え、基板に印加された第一の軸方向図9のX方向の加速度によって錘が第一の軸方向図9のX方向へ変位する。この錘の変位量を電気信号として半導体チップ302へ伝達し、半導体チップ302形成されている集積回路によって計測で必要とされるDCから数10Hzの周波数信号のみ出力するよう信号処理し、最終的に第一の軸方向図9のX方向の加速度信号を出力する。よって、上述した第一の軸方向図9のX方向の加速度センサ部では、MEMS構造体による加速度検出部が形成された半導体チップ304に対して、計測で必要とされるDCから数10Hzの周波数以上で、前述した錘と第一の軸方向図9のX方向に変位可能な支持梁から構成される第一の軸方向図9のX方向の加速度検出部の構造の機械応答周波数より低い周波数帯域の加速度が加わった場合であれば、この加速度によって錘は変位可能な第一の軸方向図9のX方向に変位し、この錘の変位量をLSI回路で電気信号に変換する。このときの錘の変位量から換算された電気信号が、LSI回路で取り扱える信号範囲を超えていた場合、つまりLSI回路内部で信号の飽和を起こした場合は、本来計測したい第一の軸方向図9のX方向のDCから数10Hzの周波数帯域の加速度信号が飽和信号に埋もれてしまうため、第一の軸方向図9のX方向の加速度を正しく出力できず、加速度の検出機能が停止するという問題がある。尚、LSI回路で取り扱える信号範囲を超える錘の変位量となるような入力加速度の大きさと周波数帯域は、図14に示す加速度検出部のMEMS構造体の機械的な周波数応答より計算できる。入力加速度の周波数帯域が低い場合は、加速度検出部のMEMS構造体の応答倍率が0dB1倍に近いため、LSI回路で取り扱える信号範囲を超える錘の変位量となるような入力加速度の大きさは、LSI回路内部の加速度演算フルスケール範囲と同程度である。しかし、入力加速度の周波数帯域が高い場合は、加速度検出部のMEMS構造体の応答倍率が小さくなるため、LSI回路で取り扱える信号範囲を超える錘の変位量となるような入力加速度の大きさは、LSI回路内部の加速度演算フルスケール範囲より大きく取れる。具体的に、加速度検出部のMEMS構造体の応答倍率が-20dBとなるような周波数では、LSI回路内部の加速度演算フルスケール範囲の10倍の大きさまで加速度入力を許容することが出来る。また、実施の形態2におけるコンバンイドセンサのうち、第二の軸方向図9のY方向の加速度センサ部は、MEMS構造体による加速度検出部が形成された半導体チップ304に対し、第二の軸方向図9のY方向に変位可能な支持梁で錘を支え、基板に印加された第二の軸方向図9のY方向の加速度によって錘が第二の軸方向図9のY方向へ変位する。この錘の変位量を電気信号として半導体チップ302へ伝達し、半導体チップ302形成されている集積回路によって計測で必要とされるDCから数10Hzの周波数信号のみ出力するよう信号処理し、最終的に第二の軸方向図9のY方向の加速度信号を出力する。よって、上述した第二の軸方向図9のY方向の加速度センサ部では、MEMS構造体による加速度検出部が形成された半導体チップ304に対して、計測で必要とされるDCから数10Hzの周波数以上で、前述した錘と第二の軸方向図9のY方向に変位可能な支持梁から構成される第二の軸方向図9のY方向の加速度検出部の構造の機械応答周波数より低い周波数帯域の加速度が加わった場合であれば、この加速度によって錘は変位可能な第二の軸方向図9のY方向に変位し、この錘の変位量をLSI回路で電気信号に変換する。このときの錘の変位量から換算された電気信号が、LSI回路で取り扱える信号範囲を超えていた場合、つまりLSI回路内部で信号の飽和を起こした場合は、本来計測したい第二の軸方向図9のY方向のDCから数10Hzの周波数帯域の加速度信号が飽和信号に埋もれてしまうため、第二の軸方向図9のY方向の加速度を正しく出力できず、加速度の検出機能が停止するという問題がある。しかしながら、実施の形態2におけるコンバンイドセンサでは、図13に示すような形状の防振部303a、防振部303b、MEMS構造体による角速度検出部と、MEMS構造体による第一の軸方向の加速度検出部と、MEMS構造体による第二の軸方向の加速度検出部から形成された半導体チップ304から構成される構造を持つ。図13に示すような形状の防振部303a、防振部303b、MEMS構造体による角速度検出部と、MEMS構造体による第一の軸方向の加速度検出部と、MEMS構造体による第二の軸方向の加速度検出部から形成された半導体チップ304から構成される構造の各点における振動伝達率は、例えば、有限要素法を用いた構造計算により算出できる。シリコン基板で構成される半導体チップ304の寸法がおよそ4mm×9mmで厚さが0.5mmであり、防振部303aはヤング率が5MPa硬度40のシリコーンゴムシートで構成されており、防振部303bはヤング率が0.1MPaのシリコーンゲルで構成されているとすると、半導体チップ304のうち図12中のPで描かれた領域における第二の軸方向図9中のY方向の振動伝達率は、図15のPyで表される周波数特性となり、半導体チップ304のうち図12中のQで描かれた領域における第一の軸方向図9中のX方向の振動伝達率は、図15のQxで表される周波数特性となり、半導体チップ304のうち図12中のQで描かれた領域における第二の軸方向図9中のY方向の振動伝達率は、図15のQyで表される周波数特性となる。但し、MEMS構造体による角速度検出部の検出周波数をfdとするとき、検出軸である第二の軸方向図9のY方向の周波数fdにおける振動伝達率が目標数値を満たすように、防振部303aおよび防振部303bの厚さを調整して、当該構造の振動伝達率を定めている。よって、図13に示すような形状の防振部303a、防振部303b、MEMS構造体による角速度検出部と、MEMS構造体による第一の軸方向の加速度検出部と、MEMS構造体による第二の軸方向の加速度検出部から形成された半導体チップ304から構成される構造であれば、半導体チップ304のうち図12中のPで描かれた角速度検出部の形成された領域における第二の軸方向図9中のY方向の振動伝達率は低く設定しながらも、Y軸方向以外の振動伝達率を低下させない構造とできる。また、半導体チップ304のうち図12中のQで描かれた加速度検出部の形成された領域における第一の軸方向図9中のX方向の振動伝達率は、加速度検出部のMEMS構造体の応答倍率が0dB1倍に近い周波数帯域では100を超えない構造とできる。また、半導体チップ304のうち図12中のQで描かれた加速度検出部の形成された領域における第二の軸方向図9中のY方向の振動伝達率は、加速度検出部のMEMS構造体の応答倍率が0dB1倍に近い周波数帯域では100を超えない構造とできる。また、半導体チップ302や半導体チップ304をパッケージ部材301に実装した後、電気的接続を得るためのワイヤボンディングで用いられる超音波振動の周波数をfuとする場合、Z方向における振動伝達を確保することもできる。よって、本実施の形態2における慣性センサであるコンバインドセンサは、図13に示される防振部303aと防振部303bを備えており、コンバインドセンサ装置全体に対して計測に不要な加速度振動が加わった場合でも、この加速度振動が、MEMS構造体による角速度検出部、およびMEMS構造体による加速度検出部が形成された基板304に伝達して、コンバインドセンサの出力精度の低下や、誤出力による機能停止をしない構造となっている。なお、本実施の形態においては、加速度センサとしてX方向の加速度センサおよびY方向の加速度センサが設けられた構造で説明したが、少なくとも角速度検出センサと、いずれか一方向例えば、X方向の加速度センサがあればコンバインドセンサの構成として十分であり、本実施の形態に係る発明の効果を奏するものである。このように、本実施の形態に係る発明は、パッケージ部材301と、基板401と、基板に設けられ第1の電気信号を出力する第1のセンサ検出部角速度検出部と、基板に設けられ第2の電気信号を出力する第2のセンサ検出部例えば、X方向の加速度検出部と、を有する半導体チップ304と、第1の電気信号および第2の電気信号に対する演算を行う演算回路を有する半導体チップ302と、第1の防振部303bと、前記第1の防振部よりヤング率の大きい材料からなる第2の防振部303aとを有し、上述した半導体チップと間に設けられる防振構造と、を有し、第1のセンサ検出部は、基板の表面に対して平行な第1の方向に振動する第1の錘と、基板の表面と垂直な第3の方向を中心として基板が回転したときの基板の表面に対して平行かつ第1の方向と垂直な第2の方向における第1の錘の変位を第1の電気信号へ変換する第1の検出電極と、を有し、第2のセンサ検出部は、第1の方向に振動する第2の錘と、第1の方向に加速度が印加されたときの第1の方向における第2の錘の変化を第2の電気信号へ変換する第2の検出電極と、を有し、第1の防振部の周囲は、第2の防振部、または第2の防振部とパッケージ基板の組み合わせによって囲まれることを特徴とする。係る構造によって、硬化前に流動性を有するシリコーン接着剤やゲル材料などハンドリングが困難な低ヤング率のやわらかい材料で防振構造を形成できて実装利便性を向上し、限られたパッケージ空間内でも防振構造の振動伝達率を下げることができる。その上で、防振構造は、第1の方向における固有振動数または第2の方向における固有振動数の少なくとも一方を、第1のセンサ検出部と第2のセンサ検出部との間で異ならせる構造を有することを特徴とする。当然、両方の固有振動数が異なっていても良い。係る特徴によって、コンバインドセンサにおける異なる慣性センサ例えば、角速度センサと加速度センサのそれぞれにおいて、好適な周波数特性を実現し、各センサへの振動伝達率をより低減することが可能となる。また、基板の表面と垂直な方向における前記ボンディングパッドの射影を、前記第2の防振部に重なる位置関係とすることによって、防振構造の振動伝達率を下げながら、半導体チップ304と信号処理用半導体チップ302とをワイヤボンディングで電気的に接続する際に必要な超音波振動を伝達し、実装利便性を確保することができる点は、実施例1と同様である。また、ヤング率の大きく硬い防振部303aが、ヤング率の小さい防振部303bを囲う構造は、図13に示す構造に限られず、図16a~cに示すような構造であっても、防振特性の効果を得ることができる点も、実施例1と同様である。すなわち、第1の防振部の周囲は、第2の防振部、または第2の防振部とパッケージ部材との組み合わせによって囲まれていれば良い。係る構成によって、上述した精度の向上と実装利便性の向上とを両立するものである。その上で、図16a~bは、それぞれ図13には無い固有の効果を奏するものであるが、その効果は、図7a~bのうち対応するものと同様である。また、図16cは、第1の防振部303bとも、第2の防振部303aとも、異なるヤング率から構成される第3の防振部303cを設置しており、図13には無い固有の効果を奏するものであるが、その効果は、図7cに対応するものに加えて、半導体チップ304のうち図12中のQで描かれた領域における第一の軸方向図9中のX方向の振動伝達率と、半導体チップ304のうち図12中のQで描かれた領域における第二の軸方向図9中のY方向の振動伝達率を、容易に調整することが可能となる効果が得られる。例えば、第3の防振部を第1の防振部303bおよび第2の防振部303aよりもヤング率の大きい材料で構成し、角速度検出部と加速度検出部の振動伝達率の差を大きくすることで、よりセンサ精度を向上することが可能である。以上で詳述した構成によって、センサ検出部であるMEMS構造体の機械的な周波数応答が異なる角速度センサ、および加速度センサが同時に搭載されたコンバンイドセンサチップであっても、角速度センサ、および加速度センサ検出部であるMEMS構造体の、それぞれの機械特性にあわせた防振構造を提供することが可能となる。"