半導体チップ、及び該半導体チップに固定され、該半導体チップの縁よりも外方まで配置された絶縁性の樹脂からなる支持ベースを含む再構築ウエハと、前記再構築ウエハの一方の表面である第1の表面に形成され、絶縁性樹脂からなる絶縁膜、前記絶縁膜内に配置された複数の配線、前記絶縁膜内であって、前記半導体チップとは重ならない位置に配置された金属製の複数の第1のパッド、及び前記絶縁膜の表面に露出する金属製の複数の第2のパッドを含む再配線層と、前記再構築ウエハの前記第1の表面とは反対側の第2の表面から、前記支持ベースを貫通して、前記第1のパッドまで達するスルーホールと、前記スルーホール内に配置され、前記第1のパッドに接続された導電ビアとを有する半導体装置。前記第1のパッドの厚さが5μm以上である請求項1に記載の半導体装置。前記第1の金属パッドと前記第2の金属パッドとが前記配線で接続されている請求項1または2に記載の半導体装置。半導体チップ、及び該半導体チップに固定され、該半導体チップの縁よりも外方まで配置された絶縁性の樹脂からなる支持ベースを含む再構築ウエハを形成する工程と、前記再構築ウエハの一方の表面である第1の表面に、絶縁性の樹脂からなる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に、複数の配線、前記半導体チップとは重ならない位置に配置された金属製の第1のパッドを形成する工程と、前記再構築ウエハの、前記第1の表面とは反対側の第2の表面にレーザビームを入射させることにより、前記支持ベースに、前記第1のパッドまで達するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内に、前記第1のパッドに接続された導電ビアを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。前記再構築ウエハを形成する工程は、仮の支持体の支持面上に前記半導体チップを、前記半導体チップの回路形成面が前記仮の支持体に対向する向きで仮固定する工程と、前記半導体チップ、及び前記仮の支持体の支持面を、樹脂組成物で覆う工程と、前記樹脂組成物及び前記半導体チップを、前記仮の支持体から引き離す工程と、前記樹脂組成物を硬化させることにより、前記支持ベースを形成する工程と、を含む請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記再構築ウエハを形成する工程で形成された前記再構築ウエハの前記支持ベースは、前記半導体チップの回路形成面とは反対側の表面及び側面に密着しており、前記第1の電極パッドを形成した後、前記スルーホールを形成する前に、前記再構築ウエハを、前記第2の表面から、前記半導体チップが露出するまで研磨する工程を、さらに含む請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のパッドの厚さが5μm以上である請求項4乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。再構築ウエハの片側の表面に再配線を形成すると、再構築ウエハの反りが大きくなる。反りが大きくなると、露光時に像のボケが生じるため、再配線の微細化を行うことが困難である。また、樹脂の支持ベースには、一般的に無機フィラーが、体積密度で80程度含有されている。半導体装置を積み重ねて三次元実装を行うには、再構築ウエハに貫通孔を形成しなければならない。無機フィラーを多く含む支持ベースにドリルを用いて貫通孔を形成すると、ドリル先端部の摩耗が避けられない。本発明の一観点によると、半導体チップ、及び該半導体チップに固定され、該半導体チップの縁よりも外方まで配置された絶縁性の樹脂からなる支持ベースを含む再構築ウエハと、前記再構築ウエハの一方の表面である第1の表面に形成され、絶縁性樹脂からなる絶縁膜、前記絶縁膜内に配置された複数の配線、前記絶縁膜内であって、前記半導体チップとは重ならない位置に配置された金属製の複数の第1のパッド、及び前記絶縁膜の表面に露出する金属製の複数の第2のパッドを含む再配線層と、前記再構築ウエハの前記第1の表面とは反対側の第2の表面から、前記支持ベースを貫通して、前記第1のパッドまで達するスルーホールと、前記スルーホール内に配置され、前記第1のパッドに接続された導電ビアとを有する半導体装置が提供される。本発明の他の観点によると、半導体チップ、及び該半導体チップに固定され、該半導体チップの縁よりも外方まで配置された絶縁性の樹脂からなる支持ベースを含む再構築ウエハを形成する工程と、前記再構築ウエハの一方の表面である第1の表面に、絶縁性の樹脂からなる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に、複数の配線、前記半導体チップとは重ならない位置に配置された金属製の第1のパッドを形成する工程と、前記再構築ウエハの、前記第1の表面とは反対側の第2の表面にレーザビームを入射させることにより、前記支持ベースに、前記第1のパッドまで達するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内に、前記第1のパッドに接続された導電ビアを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。スルーホールの底に第1のパッドが配置されているため、レーザ加工でスルーホールを形成する際に、レーザビームが再構築ウエハを貫通してしまうことがない。これにより、高品質のスルーホールを形成することができる。機械式ドリルを用いることなく、スルーホールを形成することができる。[実施例1]図1A~図1Pを参照して、実施例1による半導体装置の製造方法について説明する。図1Aに示すように、仮の支持体10の支持面に、粘着フィルム11を積層し、その上に、フリップチップボンダを用いて、複数の半導体チップ12を仮固定する。半導体チップ12の回路形成面14に、複数のパッド13が露出している。半導体チップ12は、その回路形成面14が仮の支持体10に対向する姿勢で、仮の支持体10に仮固定される。仮の支持体10には、平坦な支持面を有する板、例えばシリコン基板、ガラス基板、ステンレス板等が用いられる。粘着フィルム11には、耐熱性及び剥離性の観点から、熱発泡タイプの粘着フィルム、紫外線照射によって密着力が低下する紫外線剥離タイプの粘着フィルム等が用いられる。半導体チップ12には、例えばシリコン基板が用いられ、その回路形成面に、能動素子を含む電子回路が形成されている。半導体チップ12の大きさは、5mm×5mmの正方形であり、厚さは0.2mmである。なお、半導体チップ12として、半導体集積回路素子の他に、マイクロエレクトロメカニカルシステムMEMS、センサ、受動部品等を用いてもよいし、1つの仮の支持体10の上に、これらの複数の種類の部品を混在させてもよい。図1Bに示すように、半導体チップ12及び仮の支持体10の支持面具体的には粘着フィルム11に、樹脂組成物15aを塗布する。樹脂組成物15aの塗布には、例えばディスペンサを用いる。樹脂組成物15aには、無機フィラーが含有されている。無機フィラーには、例えばアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等を用いることができる。図1Cに示すように、樹脂組成物15aをプレスして、その表面を平坦化する。これにより、半導体チップ12及び仮の支持体10の支持面の全域が、樹脂組成物15aで覆われる。図1Dに示すように、仮の支持体10及び粘着フィルム11を、半導体チップ12及び樹脂組成物15aから剥離する。粘着フィルム11が熱発泡タイプのものである場合には、粘着フィルム11を加熱することにより、また、紫外線剥離タイプのものである場合には、粘着フィルム11に紫外線を照射することにより、仮の支持体10及び粘着フィルム11を容易に剥離することができる。剥離後、樹脂組成物15aのキュアを行う。図1Eに示すように、樹脂組成物15a図1Dが熱硬化することにより、機械的支持力を有する支持ベース15が得られる。支持ベース15には、体積密度で約80の無機フィラーが含有されている。半導体チップ12を固定し、半導体チップ12の縁よりも外方まで配置された支持ベース15、及び半導体チップ12を、再構築ウエハ17という。例えば、再構築ウエハ17の厚さは0.4mmであり、平面形状は直径150mmの円形である。再構築ウエハ17の一方の表面に、半導体チップ12の回路形成面14が露出する。回路形成面14が露出した表面を、再構築ウエハ17の第1の表面18と呼び、反対側の表面を第2の表面19と呼ぶこととする。図1Fに示すように、再構築ウエハ17の第1の表面18の上に、絶縁膜20を形成する。以下、絶縁膜20の形成方法について説明する。まず、再構築ウエハ17の第1の表面18に、感光性エポキシワニスを塗布する。なお、感光性エポキシワニスに代えて、感光性ポリベンゾオキサゾール、感光性ポリイミド等の感光性樹脂のワニスを用いることができる。プリベーキング、露光、及び現像を行うことにより、エポキシワニスの膜に開口21を形成する。開口21は、半導体チップ12のパッド13に対応する位置に配置され、パッド13を露出させる。開口21を形成した後、キュアリング、及び酸素プラズマ処理を行う。ここまでの工程で、膜厚10μmの絶縁膜20が形成される。開口21の直径は、例えば30μmである。図1Gに示すように、絶縁膜20の上、及び開口21の側面と底面に、シード層24を形成する。シード層24は、例えば厚さ0.1μmのチタンTi膜と、厚さ0.3μmの銅Cu膜との2層で構成される。Ti膜及びCu膜の成膜には、例えばスパッタリングを適用することができる。Ti膜は、密着強度を高める機能を持つ。なお、Ti膜に代えてクロムCr膜を用いてもよい。図1Hに示すように、シード層24の上に、フォトレジストパターン25を形成する。フォトレジストパターン25には、形成すべき配線やパッドに対応する開口26が形成されている。図1Iに示すように、銅の電気めっきを行うことにより、開口26内に銅のめっき膜28を形成する。電気めっき後、図1Jに示すように、フォトレジストパターン25を除去する。フォトレジストパターン25が形成されていた領域に、シード層24が露出する。図1Kに示すように、露出しているシード層24を、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去する。これにより、シード層24と銅のめっき膜28との積層構造を有する配線30及びパッド31が形成される。なお、パッド31及び配線30の上に形成する樹脂膜の密着性を高めるために、シード層24のエッチング後に、シランカップリング処理等の表面処理を行なってもよい。パッド31は、平面視において半導体チップ12と重ならない位置に配置される。一部の配線30は、パッド31に連続している。図1Lに示すように、配線30、パッド31、及び絶縁膜20の上に、2層目の絶縁膜33を形成する。絶縁膜33に開口を形成し、さらに、この開口内を経由して下の配線30またはパッド31に接続される露出パッド34を形成する。絶縁膜33及び露出パッド34の形成方法は、その下の絶縁膜20、配線30、及びパッド31の形成方法と同一である。絶縁膜20、配線30、パッド31、2層目の絶縁膜33、及び露出パッド34を、再配線層35ということとする。図1Lでは、再配線層35内の配線30を単層構造としたが、2層以上の多層構造としてもよい。図1Mに示すように、再構築ウエハ17の第2の表面19に、フォトレジスト膜37を形成する。フォトレジスト膜37の露光及び現像を行うことにより、フォトレジスト膜37に、マーカ38を形成する。マーカ38は、再配線層35内のパッド31に対応する位置に形成される。このため、マーカ38は、半導体チップ12と重ならない位置に配置される。マーカ38とパッド31との位置合わせには、両面マスクアライナを用いる。図1Nに示すように、マーカ38の位置にレーザビームを入射させることにより、支持ベース15及び絶縁膜20を貫通し、パッド31まで達するスルーホール40を形成する。加工用のレーザビームには、例えば、赤外波長域の炭酸ガスレーザが用いられる。ビアホール40の直径は、例えば0.2mmである。スルーホール40を形成した後、フォトレジスト膜37を除去する。その後、プラズマ処理を行うことにより、スルーホール40内を清浄化する。図1Oに示すように、スルーホール40内、及び再構築ウエハ17の第2の表面19の上に、導電膜43を形成する。以下、導電膜43の形成方法について説明する。まず、無電解銅めっきにより、スルーホール40の側面と底面、及び再構築ウエハ17の第2の表面19に、シード層を形成する。その後、銅を電気めっきすることにより、スルーホール40内を銅で埋め込む。これにより、シード層と銅のめっき膜で構成された導電膜43が得られる。図1Pに示すように、再構築ウエハ17の第2の表面19上の導電膜43図1Oをパターニングすることにより、配線43bを形成する。スルーホール40内には、導電膜43からなる導電ビア43aが残留する。以下、導電膜43をパターニングする方法について説明する。まず、導電膜43図1Oの上にドライフィルムレジスト膜を貼り付ける。このドライフィルムレジスト膜を露光及び現像することにより、配線に整合するレジストパターンを形成する。レジストパターンをエッチングマスクとして、導電膜43をエッチングすることにより、配線43bを形成する。配線43bを形成した後、ドライフィルムレジストを除去する。配線43bの幅は、例えば50μmとする。必要に応じて、再構築ウエハ17の第2の表面19に形成される配線も、多層配線構造としてもよい。図2に、実施例1による半導体装置の各構成部分の平面配置図を示す。半導体チップ12が2次元面内に配置され、その外方に支持ベース17が配置されている。露出パッド34は、半導体チップ12の内部に配置されるとともに、一部の露出パッド34は、半導体チップ12よりも外側の支持ベース17内に配置されるファンアウトされている。貫通ビア34a図1Pに接続されるパッド31は、半導体チップ12と重ならない位置に配置されている。再構築ウエハに関するプロセスが終了すると、再構築ウエハ17をダイシング等により個片化する。個片化された半導体装置には、1つの半導体チップ12のみが含まれる場合もあり、複数の半導体チップ12が含まれる場合もある。複数の半導体チップ12が含まれる場合には、半導体チップ12間が再配線層35内の配線で相互に接続される。実施例1においては、図1Nに示したように、レーザビームを用いてスルーホール40を形成する際に、スルーホール40の底面に金属製のパッド31が露出する。赤外波長域においてパッド31の反射率が高いため、パッド31はほとんど加工されない。本願の発明者らは、支持ベースの両面に金属膜を形成していない状態で、レーザビームによりスルーホールを形成する評価実験を行った。スルーホールが支持ベースを貫通した後、レーザビームがレーザ照射面とは反対側の表面から出射する。レーザビームが、照射面とは反対側の表面から出射してしまうと、レーザビームの出射側の表面におけるスルーホールの断面形状が円形にならず、不定形になってしまった。断面形状が不定形であると、スルーホール内を導電材料で再現性よく埋め込むことが困難になる。さらに、レーザビームが再構築ウエハを貫通して出射すると、レーザ加工によって飛散した樹脂の残渣が、照射面とは反対側の表面、すなわち半導体チップの回路形成面に付着する。回路形成面の損傷を防止するために、レーザ加工時に、保護フィルム等で回路形成面を保護しておくことが好ましい。実施例1においては、スルーホール40の底面の形状をほぼ円形にすることができた。これは、レーザビームがパッド31によって反射されたためと考えられる。また、半導体チップ12の回路形成面14に樹脂の残渣が付着することも防止できる。このため、レーザ加工時に、保護フィルムによる保護が不要である。また、再構築ウエハ17の両面に配線層が形成されるため、片側のみに配線層が形成される場合に比べて、再構築ウエハ17の反りを抑制することができる。上記実施例1において、図1Nに示したスルーホール17と、パッド31との位置ずれを防止するために、パッド31を直径200μm以上の円形、または直径200μmの円を内包する多角形にすることが好ましい。再配線層35内のパッド31には、スルーホール40を加工するレーザビームの波長域において高い反射率を有する材料を用いることが好ましい。例えば、銅や銅合金を用いることが好ましい。ただし、パッド31が薄すぎると、レーザ照射によってパッド31が貫通してしまう場合もある。レーザビームの貫通を防止するために、パッド31の厚さを1μm以上にすることが好ましく、5μm以上にすることがより好ましい。実施例1では、図1Mに示した工程で、フォトレジスト膜37をパターニングすることにより、レーザ照射位置決め用のマーカ38を形成した。フォトレジスト膜37を用いる代わりに、支持ベース17に直接レーザマーキングを行なってもよい。レーザマーキングに用いるレーザビームには、スルーホール40を形成するためのレーザビームに比べて、パワーの低いものを用いることができる。低パワーのレーザビームを用いる場合には、両面アライナを用いて、マーキング用レーザの入射位置とパッド31との位置合わせを行うことが可能である。また、実施例1では、機械式ドリルを用いないため、支持ベース15に無機フィラーが含有されている場合でも、ドリル先端の摩耗等によるコスト上昇を回避することができる。[実施例2]次に、図3A~図3Eを参照して、実施例2による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例1との相違点に着目して説明し、同一の構成については、説明を省略する場合がある。図3Aに示すように、再構築ウエハ17の第1の表面18の上に、再配線層35を形成する。この段階では、半導体チップ12の側面及び底面回路形成面とは反対側の面が、支持ベース15に密着している。再構築ウエハ17及び再配線層35の形成は、図1A~図1Lに示した実施例1の方法と同一である。再配線層35の表面に、保護フィルム50を貼付する。図3Bに示すように、再構築ウエハ17を、第2の表面19から、半導体チップ12が露出するまで研磨する。再構築ウエハ17の厚さは、約0.2mmまで薄くなる。研磨時に、保護フィルム50が再配線層35を保護する。研磨後には、半導体チップ12は、その側面においてのみ支持ベース15に密着している。図3Cに示すように、再構築ウエハ17の第2の表面19にレーザビームを入射させることにより、スルーホール40を形成する。スルーホール40は、再配線層35内のパッド31まで達する。レーザビームの照射位置は、第2の表面19に露出した半導体チップ12の縁を基準にして決定することができる。図3Dに示すように、スルーホール40内を導電ビア43aで埋め込むと共に、再構築ウエハ17の第2の表面19に配線43bを形成する。導電ビア43a及び配線43bの形成は、図1O~図1Pに示した実施例1の方法と同一である。図3Eに示すように、保護フィルム50図3Dを再配線層35から剥離する。実施例2においては、レーザ加工前に再構築ウエハ17を研磨して薄くするため、レーザ加工時間を短縮することができる。また、半導体チップ12の縁を、レーザ入射位置合わせの基準として用いることができる。このため、図1Mに示したような実施例1で用いたマーカ38の形成が不要である。[実施例3]図4に、実施例3による半導体装置の断面図を示す。再構築ウエハ17及び再配線層35からなる半導体装置55が、複数枚積み重ねられている。半導体装置55の各々は、実施例1または実施例2による方法で作製されたものである。再配線層35の表面に露出パッド34が露出している。再構築ウエハ17の第2の表面19に、パッド43cが形成されている。パッド43cは、図1P及び図3Dに示した配線43bの平面形状をパッド状にすることにより形成される。上下に積み重ねられた半導体装置55のうち一方の半導体装置55の再配線層35側の露出パッド34が、他方の半導体装置55の第2の表面19側のパッド43cに、はんだ57によって接続されている。このように、実施例1または実施例2による半導体装置を三次元実装することが可能である。再構築ウエハ17の第2の表面19に、パッド43cの他に配線を形成する場合には、配線部分を絶縁樹脂の保護膜で覆ってもよい。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。