"下記式1で表される芳香族アミン誘導体。式中、Zは、それぞれ独立に、下記式2で表される基である。Lは、n価の連結基である。Lは、さらに1以上の置換基を有してもよい。nは、2~10の整数である。式中、Ar1は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~25の1p価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~25の1p価の芳香族複素環基である。Ar2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~25の1q価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~25の1q価の芳香族複素環基である。Ar3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~25の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~25の2価の芳香族複素環基である。A1及びA2は、それぞれ独立に下記式3で表される1価の基である。p及びqは、それぞれ0又は1の整数であり、pq≧1である。式中、Xは、-O-、-S-、-N-、又は-NRa-であり、Raは、水素原子、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、及び環形成原子数5~25のヘテロアリール基からなる群より選ばれる基である。ここで、Xが-N-とは、Xが窒素原子であって、XでAr1又はAr2と結合している場合をいう。R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、環形成原子数5~25のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基からなる群より選ばれる基であり、隣接する複数のR1同士、隣接する複数のR2同士、並びに隣接するR1及びR2は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。a及びbは、それぞれ独立に0~3の整数である。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の環を形成する原子数5~25の基である。但し、式2で表わされる基において、A1p-Ar1-が下記式4で表され、qが1の場合は、A2のXは-O-、-S-、又は-NRa-であり、式2で表わされる基において、A1p-Ar1-が下記式4で表され、qが0の場合は、Ar2は、置換もしくは無置換の環形成炭素数9~25の多環構造を有する芳香族炭化水素基であり、Ar2が結合する窒素原子の結合軸に対して非対称な基である。式中、R1、R2、a、及びbは式3と同様である。mは0~2の整数を表す。前記式1で表される芳香族アミン誘導体に含まれる水素原子には重水素原子が含まれる。A1及びA2が、それぞれ下記式5又は6で表される1価の基である請求項1に記載の芳香族アミン誘導体。式中、Xは、-O-、-S-、又は-NRa-である。R1、R2、a、b、Q1、Q2、及びRaは式3と同様である。A1及びA2が、それぞれ前記式6で表される1価の基である請求項2に記載の芳香族アミン誘導体。A1及びA2が、それぞれ下記式7で表される1価の基である請求項1に記載の芳香族アミン誘導体。式中、Xは、-O-、-S-、又は-NRa-である。R1、R2、a、b及びRaは、式3と同様である。A1及びA2が、それぞれ下記式8-1又は8-2で表される1価の基である請求項1に記載の芳香族アミン誘導体。式中、Xは、-O-、-S-、又は-NRa-である。R1、R2、a、b及びRaは、式3と同様である。Ar1及びAr2の少なくとも1つが、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、及びフェナントレニレン基のいずれかから選ばれる連結基である請求項1~5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。Ar1及びAr2の少なくとも1つが、下記式9で表される2価の基である請求項1~5のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。式中、R4及びR5は、それぞれ水素原子、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、及び環形成原子数5~25のヘテロアリール基からなる群より選ばれる基であり、R4及びR5は、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。R1、R2、a、及びbは式3と同様である。式2のA1p-Ar1-とA2q-Ar2-が互いに異なるZを1以上含む請求項1~7のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。Ar3が、それぞれ、下記式10で表される2価の基である請求項1~8のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。式中、R3は、それぞれ炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、環形成原子数5~25のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基からなる群より選ばれる基である。複数のR3同士は、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。cは、0~4の整数である。tは、1~3の整数である。複数のZが互いに異なる請求項1~9のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。Lが下記のいずれかで表される基を含む連結基である請求項1~10のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。式11中、R21、R22は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、又はt-ブチル基であり、mは、2~20の整数である。式12中、R23、R24、R25、R26は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~20のアルキル基及び環形成炭素数6~24のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基、又は環形成原子数5~24のヘテロアリール基であり、R23とR24、R25同士又はR26同士は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。xは1~3の整数、yは1~3の整数である。但し、xが2以上の整数の場合、複数のR25はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、yが2以上の整数の場合、複数のR26はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。式13中、R27は、水素原子、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~20のアルキル基及び環形成炭素数6~24のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基、又は環形成原子数5~24のヘテロアリール基であり、zは1~4の整数である。但し、zが2以上の整数の場合、複数のR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。式14中、R28、R29は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~20のアルキル基及び環形成炭素数6~24のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基、又は環形成原子数5~24のヘテロアリール基であり、cはそれぞれ1~3の整数である。但し、cが2以上の整数の場合、複数のR29はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。R28同士又はR29同士は、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。前記Lが下記のいずれかで表される基を含む連結基である請求項11に記載の芳香族アミン誘導体。式11は、前記式11と同じである。式12-1、12-2中、R23、R24、R25、R26、x、yは、前記式12と同じである。式13は、前記式13と同じである。式14は、前記式14と同じである。請求項1~12のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含んでなる有機デバイス用材料。請求項1~12のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含んでなる正孔注入輸送用材料。請求項1~12のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層を挟持する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機薄膜層の少なくとも1層が、請求項1~12のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機薄膜層が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層を有し、前記正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層が、前記芳香族アミン誘導体を含有する請求項16に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層が、前記芳香族アミン誘導体を主成分として含む請求項17に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機薄膜層が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層を有し、前記正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層が、アクセプター材料を含有する請求項16~18のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明の芳香族アミン誘導体は、下記式1で表される。尚、本明細書にいて、水素原子は重水素原子も含む。式中、Zはそれぞれ独立に、下記式2で表される基である。Lは、n価の連結基である。好ましくは、4価の炭素原子、4価のケイ素原子、3価の窒素原子、4価のゲルマニウム原子、3価のリン原子、3価のホウ素原子、2価の酸素原子、1以上のアルキレンと1以上の-O-を組み合わせた2価の基、炭素数1~20のn価のアルカン残基、環形成炭素数3~20のn価のシクロアルカン残基、炭素数1~20のアルキル基を有するn価のトリアルキルアミン残基、炭素数6~24のアリール基を有するn価のトリアリールアミン残基、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数6~24のアリール基を有するn価のアルキルアリールアミン残基、環形成炭素数6~24のn価の芳香族炭化水素基、及び環形成原子数3~24のn価の芳香族複素環基からなる群から選択される連結基、又はこれらを含む連結基である。ここで、連結基Lは、前記の基原子を含むを含めばよく、単独で用いてもよいし、複数の同一の基を繰り返し結合させてもよいし、複数の異なる基を組み合わせて用いてもよい。Lは、さらに1以上の置換基を有してもよく、当該置換基は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、環形成原子数5~25のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。nは、2~10の整数である。好ましくは2,3又は4である。式中、Ar1は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~25の1p価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~25の1p価の芳香族複素環基である。Ar2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~25の1q価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~25の1q価の芳香族複素環基である。Ar3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~25の2価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~25の2価の芳香族複素環基である。Ar1、Ar2及びAr3が有する置換基は、Lの置換基と同様である。A1及びA2は、それぞれ独立に下記式3で表される1価の基である。p及びqは、それぞれ0又は1の整数であり、pq≧1である。式中、Xは、酸素原子-O-、硫黄原子-S-、窒素原子-N-、又は-NRa-であり、Raは、水素原子、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、及び環形成原子数5~25のヘテロアリール基からなる群より選ばれる基である。ここで、Xが-N-とは、Xが窒素原子であって、XでAr1又はAr2と結合している場合をいう。R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、環形成原子数5~25のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基からなる群より選ばれる基であり、隣接する複数のR1同士、隣接する複数のR2同士、並びに隣接するR1及びR2は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。a及びbは、それぞれ独立に0~3の整数である。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の環を形成する原子数5~25の基である。但し、式2で表わされる基において、A1p-Ar1-が下記式4で表され、qが1の場合は、A2のXは-O-、-S-、又は-NRa-であり、式2で表わされる基において、A1p-Ar1-が下記式4で表され、qが0の場合は、Ar2は、置換もしくは無置換の環形成炭素数9~25の多環構造を有する芳香族炭化水素基であり、Ar2が結合する窒素原子の結合軸に対して非対称な基である。式中、R1、R2、a、及びbは式3と同様である。mは0~2の整数を表す。上記Ar2が結合する窒素原子の結合軸に対して非対称な基とは、Ar2が以下に示す窒素原子の結合軸に対して非対称な基をいう。また、Xが-NRa-である場合、XでAr1及びAr2と結合している場合は含まない。本発明の芳香族アミン誘導体の芳香族アミンユニットZは、有機デバイス、特に有機EL素子の正孔注入輸送層の材料として高い機能を有する。具体的には芳香族アミンユニットZは、電子を遮断して発光層に効率よく正孔と電子を再結合させる広いバンドギャップ、発光層への正孔注入に適したイオン化ポテンシャル、低電圧化のための高い正孔移動度等を有する。また、本発明の芳香族アミン誘導体は、連結基Lを介して芳香族アミンユニットZを1分子内に複数有するので、高耐熱性、非結晶性及び溶媒への高い溶解性を有する。尚、芳香族アミン誘導体が結晶性の場合には、特に有機EL素子の電極間でのショートを生じやすくなるうえ、耐熱性に悪影響を及ぼす可能性がある。本発明の芳香族アミン誘導体において、式2のA1及びA2は、好ましくはそれぞれ下記式5又は6で表される1価の基であり、より好ましくはそれぞれ下記式6で表される1価の基である。A1及びA2を、式5又は6で表される1価の基にすることによって、芳香族アミン誘導体の耐電子性かつ正孔移動度を高めつつ、非対称構造による溶媒への溶解性、及び非結晶性を高めることができる。式中、Xは、-O-、-S-、又は-NRa-である。R1、R2、a、b、Q1、Q2及びRaは、式3と同様である。式2のA1及びA2は、好ましくはそれぞれ下記式7で表される1価の基である。式中、Xは、-O-、-S-、又は-NRa-である。R1、R2、a、b及びRaは、式3と同様である。式2のA1及びA2は、好ましくはそれぞれ下記式8-1又は8-2で表される1価の基である。A1及びA2を、式8-1又は8-2で表される1価の基にすることによって、芳香族アミン誘導体の合成及び精製が容易となって、純度を向上させることができ、得られる有機EL素子等のデバイスの長寿命化が可能となる。式中、Xは、-O-、-S-、又は-NRa-である。R1、R2、a、b及びRaは式3と同様である。式2において、好ましくはAr1及びAr2の少なくとも1つがフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、及びフェナントレニレン基のいずれかから選ばれる連結基である。これら連結基にすることによって、芳香族アミン誘導体の耐熱性を向上でき、得られる有機EL素子等のデバイスの発光層へのホール注入性を高めることができる。また、式2において、好ましくはAr1及びAr2の少なくとも1つが下記式9で表される2価の基である。Ar1及びAr2の少なくとも1つを式9で表される2価の基にすることによって芳香族アミン誘導体の正孔移動度を高めつつ、非対称構造による溶媒への溶解性、及び非結晶性を高めることができる。式中、R4及びR5は、それぞれ水素原子、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、及び環形成原子数5~25のヘテロアリール基からなる群より選ばれる基であり、R4及びR5は、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。R1、R2、a、及びbは式3と同様である。本発明の芳香族アミン誘導体は、好ましくは式2のA1p-Ar1-とA2q-Ar2-が互いに異なるZを1以上含む。A1p-Ar1-とA2q-Ar2-が互いに異なるZを含むことで、芳香族アミン誘導体の非結晶性及び溶媒への溶解性を高めることができる。本発明の芳香族アミン誘導体は、好ましくは式2のAr3が下記式10で表される2価の基である。Ar3を下記式10で表される2価の基とすることによって、芳香族アミン誘導体の耐熱性を向上することができるうえ、得られる有機EL素子等のデバイスの発光層へのホール注入性を高めることができる。式中、R3は、それぞれ炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~15の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~15のシクロアルキル基、炭素数1~15のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~15のアルキル基及び環形成炭素数6~25のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~25のアリール基、環形成原子数5~25のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基からなる群より選ばれる基である。複数のR3同士、好ましくは隣接する複数のR3同士は、互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を形成してもよい。cは、0~4の整数である。tは、1~3の整数である。以上、芳香族アミンユニットZについて説明したが、本発明の芳香族アミン誘導体は、好ましくは式1の複数のZが互いに異なる。複数のZが互いに異なることにより、芳香族アミン誘導体の非結晶性及び溶媒への溶解性を高めることができる。式1において、連結基Lは、好ましくは下記のいずれかで表される基又はこれらを含む基である。ここで、連結基Lは、下記の基を含めばよく、単独で用いてもよいし、複数の同一の基を繰り返し結合させてもよいし、複数の異なる基を組み合わせて用いてもよい。これらの連結基は、複数の芳香族アミンユニットを結合させ、芳香族アミン誘導体の非結晶性及び溶媒への溶解性を高め、均一な大画面塗布成膜を容易にすることができる。式11中、R21及びR22は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基であり、mは、2~20の整数である。式12中、R23、R24、R25、R26は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~20のアルキル基及び環形成炭素数6~24のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基、又は環形成原子数5~24のヘテロアリール基であり、R23及びR24、R25同士、又はR26同士は、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。xは1~3の整数であり、yは1~3の整数である。但し、xが2以上の整数の場合、複数のR25はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、yが2以上の整数の場合、複数のR26はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。式13中、R27は、水素原子、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~20のアルキル基及び環形成炭素数6~24のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基、又は環形成原子数5~24のヘテロアリール基であり、zは1~4の整数である。但し、zが2以上の整数の場合、複数のR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。式14中、R28、R29は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~20のアルキル基及び環形成炭素数6~24のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基、又は環形成原子数5~24のヘテロアリール基であり、cは、それぞれ1~3の整数である。但し、cが2以上の整数の場合、複数のR29はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。R28同士又はR29同士は、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。上記の連結基のうち、より好ましくは下記の基又はこれらを含む基である。ここで、連結基は、下記の基を含めばよく、単独で用いてもよいし、複数の同一の基を繰り返し結合させてもよいし、複数の異なる連結基を組み合わせて用いてもよい。これら連結基は、さらに、複数のZ間の共役を遮断して、芳香族アミン誘導体が電子を遮断して発光層に効率よく正孔と電子を再結合させる広いバンドギャップ、及び発光層への正孔注入に適したイオン化ポテンシャルを発現することができる。式11は、上記式11と同じである。式12-1、12-2中、R23、R24、R25、R26、x、yは、上記式12と同じである。式13は、上記式13と同じである。式14は、上記式14と同じである。Lの酸素原子を含む連結基として、好ましくは、酸素原子を含む芳香族複素環基、1以上のアルキレンと1以上の-O-を組み合わせた基が挙げられる。酸素原子を含む芳香族複素環基の例として、上記式14で表わされる基が挙げられる。アルキレンと-O-を組み合わせた基の例として、-R--O-R’x-Rは炭素数1~4好ましくは炭素数1又は2のアルキレン、R’は同じでも異なってもよい炭素数1~4好ましくは炭素数1又は2のアルキレン、xは1~10好ましくは1~5の整数で表わされる基が挙げられる。好適なLとして、置換又は無置換のベンゼン環残基、置換又は無置換のフルオレン環残基、上記式14で表わされる基、炭素数1~20のアルカン残基、上記-R--O-R’x-で表わされる基が挙げられる。好ましい置換基は炭素数1~15好ましくは炭素数1~10のアルキル基等である。式1~10の各置換基の具体例を以下説明する。アリール基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、ビフェニル-2-イル基、ビフェニル-3-イル基、ビフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル-3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニル基、p-2-フェニルプロピルフェニル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフェニル-4-イル基、4-t-ブチル-p-ターフェニル-4-イル基、フルオレン-1-イル基、フルオレン-2-イル基、フルオレン-3-イル基、フルオレン-4-イル基等が挙げられる。中でも、好ましくはフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、ビフェニル-2-イル基、ビフェニル-3-イル基、ビフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、フルオレン-2-イル基、フルオレン-3-イル基であり、より好ましくはフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、m-トリル基、p-トリル基、フルオレン-2-イル基、フルオレン-3-イル基である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシイソブチル基、1,2-ジヒドロキシエチル基、1,3-ジヒドロキシイソプロピル基、2,3-ジヒドロキシ-t-ブチル基、1,2,3-トリヒドロキシプロピル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基である。アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する置換基が挙げられる。シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、4-フルオロシクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、1-ノルボルニル基、2-ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリブチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘプチルシリル基、トリヘキシルシリル基等が挙げられ、好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基である。シリル基に置換したアルキル基は同一でも異なっていてもよい。トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられ、好ましくはトリフェニルシリル基である。シリル基に置換したアリール基は同一でも異なっていてもよい。アルキルアリールシリル基としては、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基等が挙げられ、好ましくはジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基である。シリル基に置換したアルキル基、アリール基は同一でも異なっていてもよい。ヘテロアリール基としては、1-ピロリル基、2-ピロリル基、3-ピロリル基、ピラジニル基、2-ピリジニル基、3-ピリジニル基、4-ピリジニル基、1-インドリル基、2-インドリル基、3-インドリル基、4-インドリル基、5-インドリル基、6-インドリル基、7-インドリル基、1-イソインドリル基、2-イソインドリル基、3-イソインドリル基、4-イソインドリル基、5-イソインドリル基、6-イソインドリル基、7-イソインドリル基、2-フリル基、3-フリル基、2-ベンゾフラニル基、3-ベンゾフラニル基、4-ベンゾフラニル基、5-ベンゾフラニル基、6-ベンゾフラニル基、7-ベンゾフラニル基、1-イソベンゾフラニル基、3-イソベンゾフラニル基、4-イソベンゾフラニル基、5-イソベンゾフラニル基、6-イソベンゾフラニル基、7-イソベンゾフラニル基、キノリル基、3-キノリル基、4-キノリル基、5-キノリル基、6-キノリル基、7-キノリル基、8-キノリル基、1-イソキノリル基、3-イソキノリル基、4-イソキノリル基、5-イソキノリル基、6-イソキノリル基、7-イソキノリル基、8-イソキノリル基、2-キノキサリニル基、5-キノキサリニル基、6-キノキサリニル基、1-カルバゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基、1-フェナントリジニル基、2-フェナントリジニル基、3-フェナントリジニル基、4-フェナントリジニル基、6-フェナントリジニル基、7-フェナントリジニル基、8-フェナントリジニル基、9-フェナントリジニル基、10-フェナントリジニル基、1-アクリジニル基、2-アクリジニル基、3-アクリジニル基、4-アクリジニル基、9-アクリジニル基、1,7-フェナントロリン-2-イル基、1,7-フェナントロリン-3-イル基、1,7-フェナントロリン-4-イル基、1,7-フェナントロリン-5-イル基、1,7-フェナントロリン-6-イル基、1,7-フェナントロリン-8-イル基、1,7-フェナントロリン-9-イル基、1,7-フェナントロリン-10-イル基、1,8-フェナントロリン-2-イル基、1,8-フェナントロリン-3-イル基、1,8-フェナントロリン-4-イル基、1,8-フェナントロリン-5-イル基、1,8-フェナントロリン-6-イル基、1,8-フェナントロリン-7-イル基、1,8-フェナントロリン-9-イル基、1,8-フェナントロリン-10-イル基、1,9-フェナントロリン-2-イル基、1,9-フェナントロリン-3-イル基、1,9-フェナントロリン-4-イル基、1,9-フェナントロリン-5-イル基、1,9-フェナントロリン-6-イル基、1,9-フェナントロリン-7-イル基、1,9-フェナントロリン-8-イル基、1,9-フェナントロリン-10-イル基、1,10-フェナントロリン-2-イル基、1,10-フェナントロリン-3-イル基、1,10-フェナントロリン-4-イル基、1,10-フェナントロリン-5-イル基、2,9-フェナントロリン-1-イル基、2,9-フェナントロリン-3-イル基、2,9-フェナントロリン-4-イル基、2,9-フェナントロリン-5-イル基、2,9-フェナントロリン-6-イル基、2,9-フェナントロリン-7-イル基、2,9-フェナントロリン-8-イル基、2,9-フェナントロリン-10-イル基、2,8-フェナントロリン-1-イル基、2,8-フェナントロリン-3-イル基、2,8-フェナントロリン-4-イル基、2,8-フェナントロリン-5-イル基、2,8-フェナントロリン-6-イル基、2,8-フェナントロリン-7-イル基、2,8-フェナントロリン-9-イル基、2,8-フェナントロリン-10-イル基、2,7-フェナントロリン-1-イル基、2,7-フェナントロリン-3-イル基、2,7-フェナントロリン-4-イル基、2,7-フェナントロリン-5-イル基、2,7-フェナントロリン-6-イル基、2,7-フェナントロリン-8-イル基、2,7-フェナントロリン-9-イル基、2,7-フェナントロリン-10-イル基、1-フェナジニル基、2-フェナジニル基、1-フェノチアジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フェノチアジニル基、4-フェノチアジニル基、10-フェノチアジニル基、1-フェノキサジニル基、2-フェノキサジニル基、3-フェノキサジニル基、4-フェノキサジニル基、10-フェノキサジニル基、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル基、5-オキサゾリル基、2-オキサジアゾリル基、5-オキサジアゾリル基、3-フラザニル基、2-チエニル基、3-チエニル基、2-メチルピロール-1-イル基、2-メチルピロール-3-イル基、2-メチルピロール-4-イル基、2-メチルピロール-5-イル基、3-メチルピロール-1-イル基、3-メチルピロール-2-イル基、3-メチルピロール-4-イル基、3-メチルピロール-5-イル基、2-t-ブチルピロール-4-イル基、3-2-フェニルプロピルピロール-1-イル基、2-メチル-1-インドリル基、4-メチル-1-インドリル基、2-メチル-3-インドリル基、4-メチル-3-インドリル基、2-t-ブチル1-インドリル基、4-t-ブチル1-インドリル基、2-t-ブチル3-インドリル基、4-t-ブチル3-インドリル基等が挙げられる。好ましくは、1-ピロリル基、2-ピロリル基、3-ピロリル基、1-カルバゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。Lのアルカン残基及びシクロアルカン残基としては、上述のアルキル基及びシクロアルキル基に対応する残基が挙げられる。Lのトリアルキルアミン残基、トリアリールアミン残基及びアルキルアリールアミン残基としては、アミンに上述のアリール基及びアルキル基が置換した残基が挙げられる。また、L、Ar1、Ar2及びAr3の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、上述のアリール基及びヘテロアリール基に対応する残基が挙げられる。本発明の芳香族アミン誘導体の具体例を以下に示す。本発明の芳香族アミン誘導体は、以下の有機デバイス用材料、正孔注入輸送用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に好適に利用でき、得られる有機デバイス、特に有機EL素子において、寿命、発光効率等の素子特性に優れ、さらに、ディスプレイや照明用途で実用的な高温駆動を行っても、劣化が小さく、実用に適した有機EL素子を提供することができる。また、塗布法で正孔注入輸送層が均一に形成できるため、ディスプレイや照明用途の低コスト化又は大画面化に適している。ここで、有機デバイスの例としては、有機EL素子のほかに、有機TFT、有機太陽電池等の光電変換素子、イメージセンサー等が挙げられる。有機EL素子の例としては、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、一般又は特殊照明、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の芳香族アミン誘導体は、電子写真感光体用材料としても使用できる。本発明の有機EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層を挟持し、上記有機薄膜層の少なくとも1層が、本発明の芳香族アミン誘導体を含有するものである。本発明の有機EL素子においては、有機薄膜層が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層を有し、本発明の芳香族アミン誘導体が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層に含まれることが好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体が、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層の主成分として含有されていることがより好ましい。具体的には、正孔輸送層又は正孔注入層において、本発明の芳香族アミン誘導体の含有量は、好ましくは51~100重量である。その他の成分として、種々の架橋材例えば、Chem.Mater.2008,20,413-422、Chem.Mater.2011,233,658-681等の公知の架橋材を添加して、熱、光等で正孔輸送層又は正孔注入層を不溶化してもよい。また、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層を有する場合、アクセプター材料を正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも1層が含有することが好ましい。特に、陽極に接する層に含有させることが好ましい。アクセプター材料を含有させることにより、正孔注入輸送層中の正孔密度を増加したり、正孔移動度が高まるので、得られる有機EL素子の駆動電圧を低下させたり、キャリアバランスが向上して、長寿命化が可能になる。アクセプター材料は、好ましくは電子吸引性の置換基又は電子欠乏環を有する有機化合物である。電子吸引性の置換基として、例えば、ハロゲン、CN-、カルボニル基、アリールホウ素基等が挙げられる。電子欠乏環として、例えば、2-ピリジル、3-ピリジル、4-ピリジル、2-キノリル、3-キノリル、4-キノリル、2-イミダゾール、4-イミダゾール、3-ピラゾール、4-ピラゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、3-1,2,4-N-トリアゾリル、5-1,2,4-N-トリアゾリル、5-テトラゾリル、4-1-O,3-N-オキサゾール、5-1-O,3-N-オキサゾール、4-1-S,3-N-チアゾール、5-1-S,3-N-チアゾール、2-ベンゾキサゾール、2-ベンゾチアゾール、4-1,2,3-N-ベンゾトリアゾール、及びベンズイミダゾールからなる群から選択される化合物等が挙げられるが、必ずしもこれらに限定されるわけではない。上記アクセプター材料は、キノイド誘導体であると好ましい。キノイド誘導体は、下記式1a~1iに示される化合物が挙げられ、より好ましくは1a、1bに示される化合物である。式1a~1iにおいて、R1~R48は、それぞれ水素、ハロゲン、フルオロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アルキル基又はアリール基であり、好ましくは水素、シアノ基である。式1a~1iにおいて、Xは電子吸引基であり、下記式j~pの構造のいずれかからなる。好ましくは、j、k、lの構造である。式中、R49~R52は、それぞれ水素、フルオロアルキル基、アルキル基、アリール基又は複素環であり、R50とR51が環を形成してもよい。式1a~1iにおいて、Yは、-N=又は-CH=である。R1~R48のハロゲンとして、フッ素、塩素が好ましい。R1~R48のフルオロアルキル基として、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基が好ましい。R1~R48のアルコキシル基として、メトキシ基、エトキシ基、iso―プロポキシ基、tert-ブトキシ基が好ましい。R1~R48のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、iso-プロピル基、tert-ブチル基、シクロヘキシル基が好ましい。R1~R48のアリール基として、フェニル基、ナフチル基が好ましい。R49~R52のフルオロアルキル基、アルキル基、アリール基は、R1~R48と同様である。R49~R52の複素環は、好ましくは下記式に示す置換基である。R50とR51が環を形成する場合、Xは、好ましくは下記式に示す置換基である。式中、R51’及びR52’は、それぞれメチル基、エチル基、プロピル基、tert-ブチル基である。キノイド誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。上記アクセプター材料は、下記式Aで表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体を用いることも好ましい。式中、R7~R12は、それぞれ独立にシアノ基、-CONH2、カルボキシル基、又は-COOR13R13は、炭素数1~20のアルキル基である。であり、R7及びR8、R9及びR10、又はR11及びR12は、互いに結合して-CO-O-CO-で示される基であってもよい。R13のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。ヘキサアザトリフェニレン誘導体の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。本発明の有機EL素子は、青色発光するものであることが好ましい。本発明の芳香族アミン誘導体は、広いバンドギャップを有しているため、有機薄膜層に用いることにより、青色発光する有機EL素子を実用的な高輝度、高温条件下で駆動する場合も、長寿命化が可能である。本発明の有機EL素子の代表的な素子構成としては、1陽極/発光層/陰極2陽極/正孔注入層/発光層/陰極3陽極/発光層/電子注入層/陰極4陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極5陽極/有機半導体層/発光層/陰極6陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極7陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極8陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極9陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極10陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極11陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極12陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極13陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極等の構造を挙げることができる。これらの中で通常8の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。<透光性基板>本発明の有機EL素子は、透光性の基板上に上記各種の層構成を有する複数の層を積層して作製される。ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400~700nmの可視領域の光の透過率が50以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン等を挙げることができる。<陽極>本発明の有機EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。<陰極>陰極に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。この陰極は上記の導電性物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~1μm、好ましくは50~200nmである。<絶縁層>有機EL素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。<発光層>有機EL素子の発光層は以下1~3の機能を併せ持つものである。1注入機能:電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能2輸送機能:注入した電荷電子と正孔を電界の力で移動させる機能3発光機能:電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。前記複数の層には、必要に応じて、本発明の芳香族アミン誘導体が使用できる。さらに、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機EL素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できるホスト材料又はドーピング材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、9,10-ジフェニルアントラセン、9,10-ビスフェニルエチニルアントラセン、1,4-ビス9’-エチニルアントラセニルベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス8-キノリノラートアルミニウム、ビス-2-メチル-8-キノリノラート-4-フェニルフェノリナートアルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、フルオランテン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。正孔注入輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.6eV以下と小さい。このような正孔注入輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104~106V/cmの電界印加時に、少なくとも10-4cm2/V秒であれば好ましい。前記のように、本発明の芳香族アミン誘導体は、特に正孔注入輸送層として好ましく用いられる。本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の正孔輸送材料単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入輸送層を形成する他の材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機EL素子の正孔注入輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本発明においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。正孔注入輸送層用の本発明の芳香族アミン誘導体以外の他の材料の具体例としては、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子ポリアニリン、ポリチオフェン等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の有機EL素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、N,N’-ジフェニル-N,N’-3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N,N’,N’-4-メチルフェニル-1,1’-フェニル-4,4’-ジアミン、N,N,N’,N’-4-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジナフチル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N’-メチルフェニル-N,N’-4-n-ブチルフェニル-フェナントレン-9,10-ジアミン、N,N-ビス4-ジ-4-トリルアミノフェニル-4-フェニル-シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。フタロシアニンPc誘導体としては、例えば、H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、HOAlPc、HOGaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。また、本発明の有機EL素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン誘導体及び/又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。次に、電子注入層輸送層について述べる。電子注入層輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。また、有機EL素子は発光した光が電極この場合は陰極により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は数nm~数μmの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、104~106V/cmの電界印加時に電子移動度が少なくとも10-5cm2/Vs以上であることが好ましい。電子注入層に用いられる材料としては、具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。本発明の有機EL素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素五員環誘導体である。前記金属錯体化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス8-ヒドロキシキノリナート亜鉛、ビス8-ヒドロキシキノリナート銅、ビス8-ヒドロキシキノリナートマンガン、トリス8-ヒドロキシキノリナートアルミニウム、トリス2-メチル-8-ヒドロキシキノリナートアルミニウム、トリス8-ヒドロキシキノリナートガリウム、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナートベリリウム、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート亜鉛、ビス2-メチル-8-キノリナートクロロガリウム、ビス2-メチル-8-キノリナートo-クレゾラートガリウム、ビス2-メチル-8-キノリナート1-ナフトラートアルミニウム、ビス2-メチル-8-キノリナート2-ナフトラートガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記含窒素五員誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5-ビス1-フェニル-1,3,4-オキサゾール、ジメチルPOPOP、2,5-ビス1-フェニル-1,3,4-チアゾール、2,5-ビス1-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール、2-4’-tert-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル1,3,4-オキサジアゾール、2,5-ビス1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール、1,4-ビス[2-5-フェニルオキサジアゾリル]ベンゼン、1,4-ビス[2-5-フェニルオキサジアゾリル-4-tert-ブチルベンゼン]、2-4’-tert-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-チアジアゾール、2,5-ビス1-ナフチル-1,3,4-チアジアゾール、1,4-ビス[2-5-フェニルチアジアゾリル]ベンゼン、2-4’-tert-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-トリアゾール、2,5-ビス1-ナフチル-1,3,4-トリアゾール、1,4-ビス[2-5-フェニルトリアゾリル]ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の有機EL素子においては、発光層中に、本発明の芳香族アミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも1種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。本発明の有機EL素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を10以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン-パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン-エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン-ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。本発明の有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm~10μmの範囲が適しているが、10nm~0.2μmの範囲がさらに好ましい。本発明の芳香族アミン誘導体を含有する層特に正孔注入輸送層を形成する方法としては、例えば、芳香族アミン誘導体の溶液を成膜する方法が挙げられる。成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スリットコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、等が挙げられ、パターン形成をする場合には、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法が好ましい。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができ、その詳細は省略する。成膜後、真空、加熱高くても200°C乾燥して、溶媒を除去すればよく、光、高温200°C以上加熱による重合反応は不要である。従って、光、高温加熱による性能劣化は抑制される。一方、種々の架橋材例えば、Chem.Mater.2008,20,413-422、Chem.Mater.2011,233,658-681等の公知の架橋材を添加すれば、性能劣化をできるだけ抑制しつつ、熱、光等で正孔輸送層又は正孔注入層を不溶化することができる。成膜用溶液は、少なくとも1種類の本発明の芳香族アミン誘導体を含有していればよく、また上記材料以外に他の正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、アクセプター材料、溶媒、安定剤等の添加剤を含んでいてもよい。上記成膜用溶液中の芳香族アミン誘導体の含有量は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して20~100重量が好ましく、51~100重量であり、溶媒を除いた組成物の主成分であることがより好ましい。溶媒の割合は、成膜用溶液の1~99.9重量が好ましく、80~99重量がより好ましい。成膜用溶液は、粘度及び/又は表面張力を調節するための添加剤、例えば、増粘剤高分子量化合物、本発明の芳香族アミン誘導体の貧溶媒等、粘度降下剤低分子量化合物等、界面活性剤等を含有していてもよい。また、保存安定性を改善するために、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等、有機EL素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有していてもよい。使用可能な高分子量化合物としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。成膜用溶液の溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、アニソール等のエーテル系溶媒;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;シクロへキサン、メチルシクロへキサン、n-ペンタン、n-へキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン、べンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒;エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体;メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。これらのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、n-ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、5-ブチルベンゼン、n-へキシルベンゼン、シクロへキシルベンゼン、1-メチルナフタレン、テトラリン、1,3-ジオキサン、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロへキサン、ビシクロへキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、n-ヘプチルシクロへキサン、n-へキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロへキサノン、2-プロピルシクロへキサノン、2-へプタノン、3-へプタノン、4-へプタノン、2-オクタノン、2-ノナノン、2-デカノン、ジシクロへキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。<有機EL素子の製造方法>以上例示した各種材料及び層形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入輸送層、及び必要に応じて電子注入輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。合成例1中間体1の合成アルゴン気流下、1000mlの三つ口フラスコに4-ブロモビフェニルを47g、ヨウ素を23g、過ヨウ素酸2水和物を9.4g、水を42ml、酢酸を360ml、硫酸を11ml入れ65°Cで30分撹拌後、90°Cで6時間反応した。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより67gの白色粉末を得た。得られた白色粉末についてフィールドディソープションマススペクトル以下、FD-MSの分析した結果、C12H8BrI=359に対し、m/z=358と360の主ピークが得られ、中間体1と同定した。合成例2中間体2の合成合成例1において4-ブロモビフェニルのかわりに2-ブロモ-9,9-ジメチルフルオレンを用いた他は同様に反応を行ったところ、61gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体2と同定した。合成例3中間体3の合成アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン28.3g、カルバゾール16.7g、ヨウ化銅CuI0.2g及び燐酸三カリウム42.4gに、trans-1,2-シクロヘキサンジアミンを2ml及び1,4-ジオキサンを300ml入れ、100°Cにて20時間撹拌した。反応終了後、水300mlを加えた後分液し、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶18.3gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体3と同定した。合成例4中間体4の合成合成例3において、4-ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体1を36g用いた他は同様に反応を行ったところ、23.1gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体4と同定した。合成例5中間体5の合成合成例3において、4-ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体2を40g用いた他は同様に反応を行ったところ、25.4gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体5と同定した。合成例6中間体6の合成アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン28.3g、ジベンゾフラン-4-ボロン酸22.3g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム02.31gにトルエン300ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液150mlを加え、10時間還流させながら加熱した。反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶26.2gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体6と同定した。合成例7中間体7の合成アルゴン気流下、1-アセトアミドナフタレン58g、中間体5を44g、炭酸カリウム54g、銅粉1.3g及びデカリン200mlを仕込み、190°Cにて4日間反応した。反応後冷却し、トルエン200mlを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム450mlに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン300mlを加え、析出晶を27g濾取した。FD-MSの分析により、得られた析出晶を中間体7と同定した。合成例8中間体8の合成アルゴン気流下、中間体727gをエチレングリコール500ml、水5mlに懸濁し、85水酸化カリウム水溶液21gを添加後、120°Cで8時間反応した。反応後、水1リットル中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン300mlに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、21gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体8と同定した。合成例9中間体9の合成合成例7において、1-アセトアミドナフタレンの代わりにアセトアミドを、中間体5の代わりに中間体6を用いた他は同様に反応を行ったところ、17gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体9と同定した。合成例10中間体10の合成合成例7において、1-アセトアミドナフタレンの代わりに中間体9を、中間体5の代わりに中間体4を用いた他は同様に反応を行ったところ、16.3gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体10と同定した。合成例11中間体11の合成合成例8において、中間体7の代わりに中間体10を用いた他は同様に反応を行ったところ、15gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体11と同定した。合成例12中間体12の合成合成例7において、1-アセトアミドナフタレンの代わりに中間体9を、中間体5の代わりに中間体3を用いた他は同様に反応を行ったところ、28.5gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体12と同定した。合成例13中間体13の合成合成例8において、中間体7の代わりに中間体12を用いた他は同様に反応を行ったところ、26.8gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体13と同定した。合成例14中間体14の合成合成例7において、1-アセトアミドナフタレンの代わりに中間体9を、中間体5の代わりに中間体6を用いた他は同様に反応を行ったところ、29.5gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体14と同定した。合成例15中間体15の合成合成例8において、中間体7の代わりに中間体14を用いた他は同様に反応を行ったところ、26.7gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体15と同定した。合成例16中間体16の合成合成例6において、4-ヨードブロモベンゼンの代わりに中間体2を用いた他は同様に反応を行ったところ、35.7gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体16と同定した。合成例17中間体17の合成合成例7において、1-アセトアミドナフタレンの代わりにアセトアミドを、中間体5の代わりに中間体16を用いた他は同様に反応を行ったところ、32.5gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体17と同定した。合成例18中間体18の合成合成例8において、中間体7の代わりに中間体17を用いた他は同様に反応を行ったところ、30.7gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体18と同定した。合成例19中間体19の合成9-フェニルカルバゾール17.7g、ヨウ化カリウム6.03g、ヨウ素酸カリウム7.78gに、硫酸5.90ml及びエタノール75mlを入れ、75°Cにて2時間反応した。冷却後、上水、酢酸エチルを加えて分液、抽出した後、重曹水、上水を用いて有機層を洗浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィートルエンで精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、21.8gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、得られた白色固体を中間体19と同定した。合成例20中間体20の合成アルゴン気流下、中間体19を13.1gに脱水トルエン、脱水エーテルを加え、-45°Cに冷却し、n-ブチルリチウムヘキサン溶液1.58Mを25ml滴下して、攪拌しながら1時間かけて-5°Cまで昇温した。再び-45°Cまで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル25mlをゆっくり滴下してから2時間反応させた。室温に戻した後、10希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィートルエンで精製し、得られた固体をn-ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、7.10gの固体を得た。FD-MSの分析により、得られた固体を中間体20と同定した。合成例21中間体21の合成アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン28.3g、中間体20を30.1g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム02.31gにトルエン300ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液150mlを加え、10時間還流させながら加熱した。反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶20.2gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体21と同定した。合成例22中間体22の合成合成例7において、1-アセトアミドナフタレンの代わりにアセトアミドを、中間体5の代わりに中間体21を用いた他は同様に反応を行ったところ、25.4gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体22と同定した。合成例23中間体23の合成合成例8において、中間体7の代わりに中間体22を用いた他は同様に反応を行ったところ、22.7gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体23と同定した。合成例24中間体24の合成合成例7において、中間体5の代わりに中間体4を用いた他は同様に反応を行ったところ、23.4gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体24と同定した。合成例25中間体25の合成合成例8において、中間体7の代わりに中間体24を用いた他は同様に反応を行ったところ、20.3gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色粉末を中間体25と同定した。合成例26中間体26の合成アルゴン雰囲気下、3-ヨードブロモベンゼン28.3g、3-クロロフェニルボロン酸を15.6g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム02.31gにトルエン300ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液150mlを加え、10時間還流させながら加熱した。反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶15.2gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体26と同定した。合成した中間体1~26を以下に示す。実施例1化合物H1の合成アルゴン気流下、中間体8を15.0g、1,3,5-トリス4-ブロモフェニルベンゼン5.4g、t-ブトキシナトリウム1.3g、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム046mg、トリ-t-ブチルホスフィン21mg及び脱水トルエン50mlを入れ、80°Cにて8時間反応させた。冷却後、水500mlを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、5.4gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H1と同定した。実施例2化合物H2の合成実施例1において、中間体8の代わりに中間体11を17.3g用いた他は同様に反応を行ったところ、4.8gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H2と同定した。実施例3化合物H3の合成実施例1において、中間体8の代わりに中間体13を15.0g用いた他は同様に反応を行ったところ、4.4gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H3と同定した。実施例4化合物H4の合成実施例1において、中間体8の代わりに中間体15を15.0g用いた他は同様に反応を行ったところ、5.8gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H4と同定した。実施例5化合物H5の合成実施例1において、中間体8の代わりに中間体18を22.0g用いた他は同様に反応を行ったところ、5.2gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H5と同定した。実施例6化合物H6の合成実施例1において、中間体8の代わりに中間体23を19.6g用いた他は同様に反応を行ったところ、4.8gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H6と同定した。実施例7化合物H7の合成実施例1において、中間体8の代わりに中間体25を13.8g用いた他は同様に反応を行ったところ、4.1gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H7と同定した。実施例8化合物H8の合成アルゴン気流下、中間体15を10.0g、中間体26を5.4g、t-ブトキシナトリウム2.6g、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム092mg、トリ-t-ブチルホスフィン42mg及び脱水トルエン100mlを入れ、80°Cにて8時間反応させた。冷却後、水500mlを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、8.4gの淡黄色粉末を得た。アルゴン気流下、調製した淡黄色粉末を6.9g、中間体11を5.8g、t-ブトキシナトリウム1.3g、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム046mg、トリ-t-ブチルホスフィン21mg及び脱水トルエン50mlを入れ、80°Cにて16時間反応させた。冷却後、水500mlを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、7.5gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末を化合物H8と同定した。実施例9化合物H9の合成1中間体27の合成アルゴン気流下、4-ブロモ-4’-ヒドロキシビフェニル50.0g、ターシャリーブチルジメチルクロロシラン33.0g、塩化メチレン220ml、N,N-ジメチルホルムアミド50mlに塩化メチレン200mlに溶解させたイミダゾール15.0gを滴下し、室温において1時間撹拌した。反応終了後、水500mlを加えた後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4-4’-ブロモビフェニロキシターシャリーブチルジメチルシランを69.0g得た。酢酸パラジウム0.61g、トリターシャリーブチルホスフィン5.40gにトルエン1リットルを加え、室温において30分撹拌した後、4-4’-ブロモビフェニロキシターシャリーブチルジメチルシラン49.0g、中間体11を78.0g、トルエン700mlを加え、90°Cまで加熱した。反応液にナトリウムターシャリーブトキシド18.2gを加えた後、105°Cにおいて4時間加熱した。反応終了後、水1.5リットルで洗浄し、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体を100g得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体27と同定した。2中間体28の合成アルゴン気流下、中間体27を100g、テトラヒドロフラン1.5リットルにテトラブチルアンモニウムフルオリド三水和物73.4gを加え、室温において2時間撹拌した。反応終了後、クエン酸水溶液1リットルに反応液を加えた後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体を78.0g得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体28と同定した。3中間体29の合成アルゴン気流下、中間体28を78.0g、トリエチルアミン19.0ml、塩化メチレン780mlにトリフルオロメタンスルホン酸無水物38.0gを滴下し、室温において30分撹拌した。反応終了後、水500mlを加えた後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体を71.0g得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体29と同定した。4化合物H9の合成アルゴン雰囲気下、中間体29を2.89g、を9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジボロン酸ビス1,3-プロパンジオールエステル0.84g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム00.09gにジメチルグリコール15ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液8mlを加え、7時間還流させながら加熱した。反応終了後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体1.36gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色固体をH9と同定した。実施例10化合物H10の合成1中間体30の合成アルゴン雰囲気下、中間体1を5.0g、9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジボロン酸を3.4g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム00.3gにDME20ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液20mlを加え、6時間還流させながら加熱した。反応終了後、ジクロロメタン100ml、水100mlを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、カラムクロマトグラフィにより単離し、白色結晶2.8gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体30と同定した。2化合物H10の合成アルゴン気流下、中間体15を3.0g、中間体30を2.3g、t-ブトキシナトリウム1.6g、酢酸パラジウム018mg、トリ-t-ブチルホスフィン44mg及び脱水トルエン10mlを入れ、還流させながら8時間反応させた。冷却後、水500mlを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、2.8gの淡黄色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた淡黄色粉末をH10と同定した。実施例11化合物11の合成1中間体31の合成500mlの三口ナス型フラスコに冷却管及び滴下ロートを取り付け、マグネチックスターラー攪拌子を入れ、反応は全て窒素気流下にて充分攪拌しながら行なった。また、脱水グレード溶媒を反応に用いた。溶媒THFテトラヒドロフラン100ml及び4-ブロモベンジルブロマイドを22.74gを三口ナス型フラスコに入れ、還流下、THF100mlに希釈したn-ブチルマグネシウムクロライド0.91M-ヘキサン溶液で100mlを滴下ロートからゆっくり滴下した。還流下、5時間反応を行なった。反応終了後、反応液を大量の水に注ぎ、その後分液ロートを用いて塩化メチレンにて抽出を行なった。次に減圧下有機層溶媒塩化メチレン及びTHFを留去し、粗生成物を得た。この粗生成物から、塩化メチレンとヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶精製し精製物を10.0g得た。1H-NMRにて、構造を確認し、中間体31であることを確認した。2中間体32の合成200mlの二口ナス型フラスコにマグネチックスターラー攪拌子を入れ、反応は全て窒素気流下にて充分攪拌しながら行なった。また、脱水グレード溶媒を反応に用いた。溶媒THF75ml及び上記1で得られた5.10gの中間体31を二口ナス型フラスコに入れ、-78°Cに冷却した。これにn-ブチルリチウム1.6M-ヘキサン溶液28.15mlをゆっくり滴下し、滴下終了後室温までゆっくり昇温し、その後室温にて1時間反応を行なった。次に、再びこの反応液を-78°Cに冷却し、これにトリ-n-ブチルボレート6.50gを滴下した。滴下終了後室温までゆっくり昇温し、その後室温にて1時間反応を行なった。最後にこの反応液を大量の水に注ぎ、反応液が酸性になるまで希塩酸3Nを加え、よく攪拌させた。生じた白色固体をろ過、乾燥し、中間体32を得た3.04g。3化合物H11の合成200mlの二口ナス型フラスコにマグネチックスターラー攪拌子を入れ、充分攪拌しながら反応を行なった。200mlの二口ナス型フラスコに中間体29を3.53g、中間体32を0.44g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム0を0.188g、炭酸ナトリウム2.29g、溶媒としてDME1,2-ジメトキシエタン40ml及び水20mlを順次入れ、還流下5時間反応させた。反応終了後、反応液を大量の水に注ぎ、その後分液ロートを用いて塩化メチレンにて抽出を行なった。次に減圧下有機層溶媒塩化メチレン及びDMEを留去し、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマト展開溶媒:塩化メチレンを用い分離精製し、さらにトルエンに溶解させ、これをろ紙を通しながら大量のアセトンに攪拌しながら注ぐことで固体を析出させた0.80g。この固体をFD-MSの分析により、H11と同定した。実施例12化合物12の合成1中間体33の合成200mlの二口ナス型フラスコにマグネチックスターラー攪拌子を入れ、充分攪拌しながら反応を行なった。200mlの二口ナス型フラスコに4,4’-ジブロモ-4’’-フェニルトリフェニルアミン3.91g、9-フェニルカルバゾール-3-ボロン酸2.34g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム00.471g、炭酸ナトリウム5.72g、溶媒としてDME1,2-ジメトキシエタン100ml及び水50mlを順次入れ、還流下5時間反応させた。反応終了後、反応液を大量の水に注ぎ、その後分液ロートを用いて塩化メチレンにて抽出を行なった。次に減圧下有機層溶媒塩化メチレン及びDMEを留去し、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマト展開溶媒:塩化メチレン50体積及びヘキサン50体積の混合溶液を用い分離精製し、中間体33を1.90g得た。2化合物H12の合成200mlの二口ナス型フラスコにマグネチックスターラー攪拌子を入れ、充分攪拌しながら反応を行なった。200mlの二口ナス型フラスコに中間体33を1.10g分子量641.60、1.71ミリモル、中間体32を0.220g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム0を0.094g、炭酸ナトリウム1.15g、溶媒としてDME20ml及び水10mlを順次入れ、還流下5時間反応させた。反応終了後、反応液を大量の水に注ぎ、その後分液ロートを用いて塩化メチレンにて抽出を行なった。次に減圧下有機層溶媒塩化メチレン及びDMEを留去し、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマト展開溶媒:塩化メチレン50体積及びヘキサン50体積の混合溶液を用い分離精製し、H12を0.60g得た。FD-MSの分析によりH12であることを確認した。実施例13化合物H13の合成1中間体34の合成アルゴン気流下、1-ブロモ-4-ヨードベンゼン23.8gに脱水テトラヒドロフラン300mlを加え、-78°Cに冷却し、n-ブチルリチウムヘキサン溶液1.65Mを102ml滴下して、1時間攪拌した後、1,6-ジヨードヘキサン4.95mlをゆっくり滴下してから2時間反応させた。室温に戻した後、10希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた液体を、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、1,6-ビス4-ブロモフェニルヘキサンを無色油状物として6.89g得た。アルゴン気流下、1,6-ビス4-ブロモフェニルヘキサン6.89gに脱水テトラヒドロフラン100mlを加え、-45°Cに冷却し、n-ブチルリチウムヘキサン溶液1.65Mを27.4ml滴下して、攪拌しながら1時間かけて-5°Cまで昇温した。再び-45°Cまで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル14.1mlをゆっくり滴下してから2時間反応させた。室温に戻した後、10希塩酸溶液を加えて攪拌し、濃縮した。得られた固体を、水200mlで洗浄、減圧乾燥した後、得られた固体に1,3-プロパンジオール4.88ml、トルエン30mlを加え、5時間還流させながら加熱した。反応終了後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色結晶1.13gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色結晶を中間体34と同定した。2化合物H13の合成アルゴン雰囲気下、中間体33を3.11g、中間体34を0.89g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム00.13gにジメチルグリコール27ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液13mlを加え、7時間還流させながら加熱した。反応終了後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体3.04gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色固体をH13と同定した。実施例14化合物14の合成1中間体35の合成アルゴン雰囲気下、氷浴下においてトリエチレングリコール3.00g、テトラヒドロフラン80mlに、水素化ナトリウム1.76gを加え、30分撹拌後、4-ブロモベンジルブロミド11.0gを加え、40°Cにおいて5時間撹拌した。反応終了後、水30mlを加えた後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、1,12-ビス4-ブロモフェニル-2,5,8,11-テトラオキサドデカンを無色油状物として8.90g得た。アルゴン気流下、1,12-ビス4-ブロモフェニル-2,5,8,11-テトラオキサドデカン2.44gに脱水テトラヒドロフラン40mlを加え、-45°Cに冷却し、n-ブチルリチウムヘキサン溶液1.58Mを8.20ml滴下して、攪拌しながら1時間かけて-5°Cまで昇温した。再び-45°Cまで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル4.04mlをゆっくり滴下してから2時間反応させた。室温に戻した後、10希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、1.56gの無色油状物を得た。FD-MSの分析により、得られた無色油状物を中間体35と同定した。2化合物H14の合成アルゴン雰囲気下、中間体29を3.95g、中間体35を0.63g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム00.09gにジメチルグリコール15ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液8mlを加え、6時間還流させながら加熱した。反応終了後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体1.33gを得た。FD-MSの分析により、得られた白色固体をH14と同定した。実施例15化合物15の合成1中間体36の合成アルゴン気流下、2,2’-ジヒドロキシ-5,5’-ジメチルジフェニルメタンを5g、2,6-ルチジン5.6g、脱水ジクロロメタン150mlを加え、氷水欲にて0°Cまで冷却した。次に無水トリフルオロメタンスルホン酸を14.8gを加え、その後、自然昇温にて室温まで戻し、5時間反応させた。反応終了後、水150mlを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、カラムクロマトグラフィにより単離し、10.2gの薄オレンジ色の固体を得た。FD-MSの分析により、得られた固体を中間体36と同定した。2中間体37の合成アルゴン気流下、中間体36を2.0g、p-トリメチルシリルフェニルボロン酸を2.4g、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム00.2gにDME12ml、2M濃度の炭酸ナトリウム水溶液12mlを加え、6時間還流させながら加熱した。反応終了後、ジクロロメタン100ml、水100mlを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、カラムクロマトグラフィにより単離し、1.7gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた粉末を中間体37と同定した。3中間体38の合成アルゴン気流下、中間体37を2.0g、脱水ジクロロメタンを加え、氷水浴にて0°Cに冷却した。次に塩化ヨウ素を1.4g加え、その後、自然昇温にて室温まで戻し、1時間撹拌した。チオ硫酸ナトリウムを加えてクエンチした。水50mlを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、カラムクロマトグラフィにより単離し、2.2gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた粉末を中間体38と同定した。4中間体39の合成中間体38に対し、中間体37及び中間体38の合成と同様の方法を再度行い、中間体39を合成した。5化合物H15の合成アルゴン気流下、中間体15を7.4g、中間体39を5.0g、t-ブトキシナトリウム1.3g、酢酸パラジウム045mg、トリ-t-ブチルホスフィン108mg及び脱水トルエン10mlを入れ、還流させながら8時間反応させた。冷却後、水500mlを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、7.0gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色固体をH15と同定した。実施例16化合物16の合成アルゴン気流下、中間体11を8.7g、2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチルフルオレンを3.8g、t-ブトキシナトリウム1.3g、酢酸パラジウム045mg、トリ-t-ブチルホスフィン108mg及び脱水トルエン10mlを入れ、還流させながら8時間反応させた。冷却後、水500mlを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、7.1gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、得られた白色固体をH16と同定した。合成した化合物H1~H16を以下に示す。実施例17有機EL素子作製と評価25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基板ジオマティック社製を、イソプロピルアルコール中で5分間超音波洗浄した後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSSPSSはアクセプターの混合物を10nmの膜厚で成膜した。ついで、正孔輸送性材料として、実施例1で調製した化合物H1のキシレン溶液1.0重量を調製して、スピンコート法で40nmの膜厚で成膜し、100°Cで30分間乾燥し、均一な正孔輸送層が得られた。ついで、さらに化合物EM1を蒸着し膜厚40nmの発光層を成膜した。同時に発光層の材料として、下記のスチリル基を有するアミン化合物D1を、EM1とD1の重量比が40:2になるように蒸着した。この膜上に下記Alqを膜厚10nmに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるLiLi源:サエスゲッター社製とAlqを二元蒸着させ、電子注入層陰極としてAlq:Li膜膜厚10nmを形成した。このAlq:Li膜上に金属Alを蒸着させ金属陰極を形成し、窒素中でガラス封止して、有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子に電流を流して性能を評価したところ、青色に発光し、発光効率7.0cd/A、室温での輝度半減寿命LT50=4000hr1,000cd/m2であった。また、作製した有機EL素子を60°Cのオーブン内で駆動させたところ、輝度半減寿命LT50=1,760hr1,000cd/m2であり、60°C輝度半減寿命/室温輝度半減寿命比は、0.44であった。結果を表1に示す。実施例18-32正孔輸送材料として化合物H1の代わりに表1に示す正孔輸送材料を用いた他は実施例17と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。比較例1正孔輸送材料として化合物H1の代わりに表1に示す正孔輸送材料比較化合物1を用いた他は実施例17と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。尚、比較化合物1のキシレンに対する溶解性は不十分であり、得られた正孔輸送層も不均一であった。作製した有機EL素子に電流を流して性能を評価したところ、青色に発光し、発光効率2.3cd/A、室温での輝度半減寿命LT50=500hr1,000cd/m2であった。また、作製した有機EL素子を60°Cのオーブン内で駆動させたところ、輝度半減寿命LT50=100hr1,000cd/m2であり、60°C輝度半減寿命/室温輝度半減寿命比は、0.20であった。結果を表1に示す。比較例2正孔輸送材料として化合物H1の代わりに比較化合物2を用いた他は実施例17と同様にして有機EL素子を作製した。しかし、得られた正孔輸送層の不均一性が高いため、作製した有機EL素子は電流リークにより発光することができなかった。表1の結果から、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機EL素子は、同じ芳香族アミン誘導体である比較化合物を用いた有機EL素子と比べて、発光効率、寿命で優れており、かつ、高温駆動しても、寿命低下の割合は小さいことが分かる。"