複数の電子部品が実装された回路基板を評価するための加熱冷却試験方法であって、前記電子部品の上に載せられたレーザ吸収体に、レーザビームを照射して加熱することにより前記電子部品を昇温させる、昇温ステップと、前記回路基板の前記電子部品が実装されていない側の面から、冷却装置によって前記電子部品を冷却する、冷却ステップと、前記昇温ステップおよび前記冷却ステップを交互に繰り返す繰り返しステップとを備えた、加熱冷却試験方法。前記レーザ吸収体の下面は、前記電子部品の上面外形よりも大きい、請求項1に記載の加熱冷却試験方法。前記レーザ吸収体の下面は、前記電子部品の上面に接触しており、前記レーザ吸収体は、前記下面に平行な面方向の熱伝導率が、前記下面に垂直な面方向の熱伝導率よりも大きい異方性熱伝導体である、請求項1または2に記載の加熱冷却試験方法。前記昇温ステップでは、前記電子部品の表面温度の測定値に基づいて、少なくとも前記電子部品の最高温度および前記最高温度の保持時間を制御し、前記冷却ステップでは、前記測定値に基づいて、少なくとも前記電子部品の最低温度および前記最低温度の保持時間を制御する、請求項1に記載の加熱冷却試験方法。前記昇温ステップでは、前記レーザビームを前記レーザ吸収体に照射する際、前記レーザ吸収体の上面の、前記電子部品の発熱源の真上に位置する部分に前記レーザビームを照射する、請求項1に記載の加熱冷却試験方法。前記昇温ステップでは、前記回路基板上に実装されている複数の前記電子部品に対して、ガルバノミラーで前記レーザビームの照射位置を制御して、任意の前記電子部品の上に載せられた前記レーザ吸収体に照射する、請求項1に記載の加熱冷却試験方法。前記昇温ステップでは、前記ガルバノミラーによって前記レーザビームを前記レーザ吸収体の上面全体に亘って平面的に走査させて、前記レーザビームを前記レーザ吸収体に照射する、請求項6に記載の加熱冷却試験方法。前記冷却装置は、固体冷却体であり、前記冷却ステップでは、前記固体冷却体に設置されている局所冷却プレートを、前記回路基板の前記電子部品が実装されていない側の前記面の、前記電子部品に対応するそれぞれの位置に接触させることによって冷却する、請求項1に記載の加熱冷却試験方法。前記回路基板および前記冷却装置は密閉された槽の中に設置され、前記槽の少なくとも一部は前記レーザビームに対して透過性のある材料で構成され、前記昇温ステップでは、前記槽の外部から、前記透過性のある材料で構成された部分を介して、前記電子部品の上に載せられた前記レーザ吸収体に前記レーザビームを照射する、請求項1に記載の加熱冷却試験方法。前記槽内の雰囲気を、低湿度雰囲気、真空雰囲気、および不活性雰囲気のいずれかに変更することができる、請求項9に記載の加熱冷却試験方法。複数の電子部品が実装された回路基板を評価する加熱冷却試験装置であって、レーザビームを発振させるレーザ発振器と、前記レーザビームを整形するビーム整形光学系と、前記回路基板を冷却する冷却装置と、前記電子部品の温度を測定する温度測定器と、前記電子部品の上面に載せられるレーザ吸収体と、前記電子部品の上面に載せられた前記レーザ吸収体の上面に前記レーザビームを照射して前記電子部品を昇温させる昇温ステップ、および前記電子部品を冷却する冷却ステップを繰り返し行なわせる制御装置と、を備えた加熱冷却試験装置。前記制御装置は、前記レーザ発振器から発振される前記レーザビームのレーザ出力および照射時間を制御し、また、前記ビーム整形光学系によって整形される前記レーザビームの形状を制御する、請求項11に記載の加熱冷却試験装置。前記回路基板上に実装されている複数の前記電子部品に対して、前記レーザビームの照射位置を制御して、任意の前記電子部品に載せられる前記レーザ吸収体に照射することができるガルバノミラーを備えた、請求項11または12に記載の加熱冷却試験装置。しかしながら、上記した従来の加熱冷却試験方法の構成では、回路基板上に実装された複数の小さな電子部品に対して、選択的に温度サイクルを与えるのは困難であった。すなわち、ペルチェ素子101を面接触させて温度サイクルを与えるため、回路基板上の高さの異なる電子部品に対して、1つのペルチェ素子101によって同時に温度サイクルを与えることができない。また、ペルチェ素子101の面積が大きいため、面接触した複数の小さな電子部品に対し選択的に温度サイクルを与えることができない。また、従来の加熱冷却試験方法を用いて様々な形状の複数個の電子部品に対し同時に温度サイクルを与えるには、その個数だけのペルチェ素子101と電流制御装置103が必要となり、非現実的な試験方法となってしまう。本発明は、上記従来の課題を考慮して、回路基板上に実装されている複数の電子部品に対して、同時にまたは個別に温度サイクルを与えることができる、加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、第1の本発明は、複数の電子部品が実装された回路基板を評価するための加熱冷却試験方法であって、前記電子部品の上に載せられたレーザ吸収体に、レーザビームを照射して加熱することにより前記電子部品を昇温させる、昇温ステップと、前記回路基板の前記電子部品が実装されていない側の面から、冷却装置によって前記電子部品を冷却する、冷却ステップと、前記昇温ステップおよび前記冷却ステップを交互に繰り返す繰り返しステップとを備えた、加熱冷却試験方法である。また、第2の本発明は、前記レーザ吸収体の下面は、前記電子部品の上面外形よりも大きい、第1の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第3の本発明は、前記レーザ吸収体の下面は、前記電子部品の上面に接触しており、前記レーザ吸収体は、前記下面に平行な面方向の熱伝導率が、前記下面に垂直な面方向の熱伝導率よりも大きい異方性熱伝導体である、第1または第2の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第4の本発明は、前記昇温ステップでは、前記電子部品の表面温度の測定値に基づいて、少なくとも前記電子部品の最高温度および前記最高温度の保持時間を制御し、前記冷却ステップでは、前記測定値に基づいて、少なくとも前記電子部品の最低温度および前記最低温度の保持時間を制御する、第1の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第5の本発明は、前記昇温ステップでは、前記レーザビームを前記レーザ吸収体に照射する際、前記レーザ吸収体の上面の、前記電子部品の発熱源の真上に位置する部分に前記レーザビームを照射する、第1の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第6の本発明は、前記昇温ステップでは、前記回路基板上に実装されている複数の前記電子部品に対して、ガルバノミラーで前記レーザビームの照射位置を制御して、任意の前記電子部品の上に載せられた前記レーザ吸収体に照射する、第1の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第7の本発明は、前記昇温ステップでは、前記ガルバノミラーによって前記レーザビームを前記レーザ吸収体の上面全体に亘って平面的に走査させて、前記レーザビームを前記レーザ吸収体に照射する、第6の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第8の本発明は、前記冷却装置は、固体冷却体であり、前記冷却ステップでは、前記固体冷却体に設置されている局所冷却プレートを、前記回路基板の前記電子部品が実装されていない側の前記面の、前記電子部品に対応するそれぞれの位置に接触させることによって冷却する、第1の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第9の本発明は、前記回路基板および前記冷却装置は密閉された槽の中に設置され、前記槽の少なくとも一部は前記レーザビームに対して透過性のある材料で構成され、前記昇温ステップでは、前記槽の外部から、前記透過性のある材料で構成された部分を介して、前記電子部品の上に載せられた前記レーザ吸収体に前記レーザビームを照射する、第1の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第10の本発明は、前記槽内の雰囲気を、低湿度雰囲気、真空雰囲気、および不活性雰囲気のいずれかに変更することができる、第9の本発明の加熱冷却試験方法である。また、第11の本発明は、複数の電子部品が実装された回路基板を評価する加熱冷却試験装置であって、レーザビームを発振させるレーザ発振器と、前記レーザビームを整形するビーム整形光学系と、前記回路基板を冷却する冷却装置と、前記電子部品の温度を測定する温度測定器と、前記電子部品の上面に載せられるレーザ吸収体と、前記電子部品の上面に載せられた前記レーザ吸収体の上面に前記レーザビームを照射して前記電子部品を昇温させる昇温ステップ、および前記電子部品を冷却する冷却ステップを繰り返し行なわせる制御装置と、を備えた加熱冷却試験装置である。また、第12の本発明は、前記制御装置は、前記レーザ発振器から発振される前記レーザビームのレーザ出力および照射時間を制御し、また、前記ビーム整形光学系によって整形される前記レーザビームの形状を制御する、第11の本発明の加熱冷却試験装置である。また、第13の本発明は、前記回路基板上に実装されている複数の前記電子部品に対して、前記レーザビームの照射位置を制御して、任意の前記電子部品に載せられる前記レーザ吸収体に照射することができるガルバノミラーを備えた、第11または第12の本発明の加熱冷却試験装置である。本発明により、回路基板上に実装されている複数の電子部品に対して、同時にまたは個別に温度サイクルを与えることができる、加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置を提供できる。以下、本発明の実施の形態について、図1~図12に基づいて説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における加熱冷却試験方法の実施に使用する加熱冷却試験装置の構成図を示す。本実施の形態1の加熱冷却試験装置20の概要は、複数の電子部品6a~6eが実装された回路基板5において、電子部品6a~6eの上表面にレーザ吸収体7a、7b、7c、7eを載せ、レーザ発振器1から出たレーザビーム3をビーム整形光学系2で整形させ、レーザ吸収体7a、7b、7c、7eに照射して加熱させ、レーザ吸収体7a、7b、7c、7eからの熱伝導により電子部品6a~6eを昇温させ、その後レーザビーム3の照射を停止すると共に、電子部品6a~6eが実装されている反対側から回路基板5に固体冷却体ペルチェ素子9を接触させて、電子部品6a~6eを冷却する温度サイクルを繰り返すものである。図1において、試験試料は、電子部品6a、6b、6c、6d、6eが表面に実装された回路基板5であって、この回路基板5を試験する加熱冷却試験装置20は次のように構成されている。電子部品6a、6b、6c、6d、6eの上表面には、それらの上面の外形より大きなサイズのレーザ吸収体7a、7b、7c、7eが、熱伝導ペーストを介してそれらの上面を包含するように載せられている。例えば同じ電子部品6c、6dが隣接していると、それらの表面に載せるレーザ吸収体7cは、共通化を図り1個にまとめることもできる。本実施の形態1の加熱冷却試験装置20には、電子部品6a、6b、6c、6d、6eを加熱するためのレーザ発振器1と、レーザビーム3を整形するビーム整形光学系2が設けられている。更に、電子部品6a、6b、6c、6d、6eの上に載せたレーザ吸収体7a、7b、7c、7eにレーザビーム3a、3b、3c、3eを照射するために、レーザビーム3を偏向させるガルバノミラー4がレーザビーム3の光軸上に設置されている。また、回路基板5の下方には、電子部品6a、6b、6c、6d、6eを冷却するために、固体冷却体であるペルチェ素子9が設置されている。更に、そのペルチェ素子9には、そのペルチェ素子9を回路基板5の方向に昇降して回路基板5の下面に接触させる機構を持つ昇降機11が取り付けられている。また、図1に示すように、回路基板5上には、コネクターなどの突起物10も設けられている。なお、ペルチェ素子9が、本発明の冷却装置の一例にあたる。次に、本実施の形態1の加熱冷却試験装置20における加熱時の試験方法を、図2を用いて説明する。図2は、本実施の形態1の加熱冷却試験装置20の加熱時の構成図を示している。図2では、わかりやすく説明するために、電子部品に関しては1個の電子部品6bのみを表示している。回路基板5上に、電子部品6bがはんだ接続部8bを介して実装されており、その電子部品6bの上表面に電子部品6bの上面の外形より大きなサイズのレーザ吸収体7bが熱伝導ペーストを介して載せられている。具体的には、電子部品6bは上面が1辺30mm角のBGAボールグリッドアレイの半導体パッケージであり、はんだ接続部8bは数十個からなるはんだボールで形成されており、レーザ吸収体7bのサイズは1辺35mm角、厚み2mmとなっている。更に、電子部品6bにはその表面温度を測定する温度測定器12aが取り付けられており、はんだ接続部8bにはその表面温度を測定する温度測定器12bが取り付けられている。温度測定器12a、12bとして、接触式の熱電対や、熱放射光を利用した非接触式温度測定器がある。回路基板5の下方にあるペルチェ素子9は、電子部品6bの加熱時には回路基板5と接触はしていない。また、本実施の形態1の加熱冷却試験装置20の制御装置13には、電子部品6bとはんだ接続部8bの温度測定機能、レーザ発振器1の出力制御機能、ビーム整形光学系2のビーム形状制御機能、ペルチェ素子9の温度制御機能、ペルチェ素子9の昇降機11の昇降制御機能、及び、温度サイクル制御機能がある。まず、レーザ発振器1から発振されたレーザビーム3は、ビーム整形光学系2で所定のレーザビーム形状に整形される。次に、整形されたレーザビーム3は、ガルバノミラー4で偏向され、レーザビーム3bがレーザ吸収体7bに照射され加熱される。加熱されたレーザ吸収体7bからの熱伝導により、電子部品6bの温度が上昇し、その時の温度を温度測定器12aで測定する。また、加熱された電子部品6bからはんだ接続部8bを介して回路基板5へ熱が伝わり、そのはんだ接続部8bの温度を温度測定器12bで測定する。制御装置13は、温度測定器12aで測定した電子部品6bの温度と、制御装置13に予め設定された温度プロファイルの加熱曲線を照らし合わせて、加熱時には、温度測定器12aでの検出温度がその温度プロファイルから読み出した時々の目標温度に近付けるようにレーザ発振器1に出力の指示を与え、所定の最高温度に達した後は、その最高温度をその温度プロファイルにおいて設定されている時間だけ維持するように指示を出す。このように、制御装置13が、温度プロファイルの加熱曲線に合わせて加熱制御し、温度プロファイルに設定されている時間だけ最高温度を維持させる制御が、本発明の昇温ステップの一例にあたる。本実施の形態1のレーザ吸収体7bは、レーザビーム3bの熱エネルギを吸収する材料であり、かつ、レーザビーム3bの熱エネルギで損傷しない材料、例えば、鉄、銅、アルミなどの金属材料で構成されている。電子部品6bは一般に樹脂モールドされており、電子部品6bの樹脂モールド部にレーザビーム3bを直接照射した場合、電子部品6bの樹脂モールド表面部分でレーザビーム3bの熱エネルギが吸収され、その樹脂モールド表面部分のみが急激に温度上昇し、例えば、表面温度が160°C以上になると焦げてしまうことがある。図3および図4は、レーザ吸収体7bを使用せずに、レーザビーム3bを直接電子部品6bの樹脂モールド表面に照射して加熱した時の、電子部品6bおよびはんだ接続部8bの温度変化を示す図である。図3は、レーザ出力20W時の各温度変化を示し、図4は、レーザ出力18W時の各温度変化を示している。図3および図4において、T1は電子部品6bの温度変化曲線、T2ははんだ接続部8bの温度変化曲線を示している。例えば、レーザ出力20Wでレーザビーム3bを電子部品6bの樹脂モールド表面に直接照射し加熱させると、図3に示すような温度変化をしていく。つまり、レーザ照射後5分後に電子部品6bの温度T1は160°Cに達し、電子部品6bの樹脂モールド部が焦げてしまう。尚、その時のはんだ接続部8bの温度T2は80°Cで、必要温度105°Cまで達していない。逆に、樹脂モールド表面部分を焦がさないようにレーザビーム3の出力を18Wまで下げると、図4で示すように、電子部品6bの温度T1は150°C以下となるが、はんだ接続部8bの温度T2は飽和して15分経過しても70°Cまでしか上がらず、必要温度105°Cまで達していない。この飽和状態は、電子部品6bへの投入エネルギと、電子部品6bおよび回路基板5からの放熱エネルギが均衡するため、はんだ接続部8bの温度はこれ以上上がらない。ここで本実施の形態1では、電子部品6bの温度を必要温度まで上げるために、レーザビーム3の出力を上げて熱エネルギを電子部品6bに投入する際に、電子部品6bにレーザビーム3bの熱エネルギで損傷を受けないようなレーザ吸収体7bを載せてこの問題を解決している。図5は、レーザ吸収体7bを用いた本実施の形態1の加熱冷却試験装置20における加熱時の、電子部品6bおよびはんだ接続部8bの温度変化を示す図である。例えば、レーザ吸収体7bを使用したより具体的事例として、電子部品6bに対して、レーザ出力30W、レーザビーム径φ30mmでレーザ吸収体7bに照射すると、図5に示すような温度変化をしていく。レーザ照射5分後には、電子部品6bの温度T1は電子部品6bが焦げない150°Cに達し、はんだ接続部8bの温度T2は105°Cに達し、その後10分間、その温度を維持している。なお、各図において、レーザビーム3、3a、3b、3c、3eを示す矢印は、光軸が通る位置を示している。この場合、電子部品6bの30mm角の上面に載せられた35mm角のレーザ吸収体7bのほぼ中央の位置にレーザビーム径φ30mmのレーザビーム3bが照射されるので、電子部品6bの上面全体に亘って加熱されるとともに、レーザ吸収体7bの外側の部分へは照射されず、電子部品6bのみが選択的に加熱される。一方、これより短時間ではんだ接続部8bの温度を上げようとレーザ出力を上げると、電子部品6bの温度が160°C以上となりその樹脂モールド部が焦げてしまう。短時間ではんだ接続部8bの温度を上げるには、レーザ吸収体7bとして、電子部品6bとの接触面と平行な面方向の熱伝導率が、電子部品6bとの接触面と垂直な方向の熱伝導率より大きい異方性熱伝導体、例えば、グラファイト材料などを使用すればよい。このような異方性熱伝導体特性を持つレーザ吸収体7bにレーザビーム3bを照射すると、電子部品6bの接触面と平行なレーザ吸収体7bのレーザ照射側の表面内にすばやく均一に熱が伝わる一方で、厚み方向には直ぐに熱が伝わらないため、このレーザ吸収体7bに熱エネルギが蓄積される。その後、この熱エネルギは、レーザ吸収体7bの電子部品6bと接触している面側に伝わる。更に、レーザ吸収体7bと電子部品6b間の熱伝導ペーストを介して、効率よく、電子部品6bのレーザ吸収体7bと接している面側に伝わり、電子部品6bのはんだ接続部8bの温度が上がる。そのため、更にレーザ出力を上げても、レーザ吸収体7bに熱エネルギが蓄積されるため、電子部品6bの樹脂モールド部が焦げることなく、はんだ接続部8bの温度を上昇させることができる。図6は、レーザ吸収体7bとして異方性熱伝導体を用いた本実施の形態1の加熱冷却試験装置20における加熱時の、電子部品6bおよびはんだ接続部8bの温度変化を示す図である。その具体的事例として、電子部品6bに対して、レーザ出力45W、レーザビーム径φ30mmでレーザ吸収体7bに照射すると、図6に示すような温度変化をしていく。レーザ照射2分後には、電子部品6bの温度T1は電子部品6bが焦げない150°Cに達し、はんだ接続部8bの温度T2は105°Cに達し、その後5.5分間、その温度を維持している。次に、本実施の形態1の加熱冷却試験装置20における冷却時の試験方法を、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態1の加熱冷却試験装置20の冷却時の構成図を示している。図7では、わかりやすく説明するために、電子部品に関しては1個の電子部品6bのみを表示している。制御装置13は、冷却時には、レーザ発振器1から発振するレーザビーム3を停止させると共に、ペルチェ素子9の昇降機11を制御して、ペルチェ素子9を上昇させ、回路基板5の底面に接触させる。それと同時に、制御装置13は、温度測定器12bで測定したはんだ接続部8bの温度と、制御装置13に予め設定された温度プロファイルの冷却曲線を照らし合わせて、冷却時には温度測定器12aでの検出温度がその温度プロファイルから読み出した時々の目標温度に近付けるようにペルチェ素子9への通電を制御して、所定の最低温度に達した後は、その最低温度をその温度プロファイルにおいて設定されている時間だけ維持するようにペルチェ素子9への通電を制御する。このように、制御装置13が、温度プロファイルの冷却曲線に合わせて冷却制御し、温度プロファイルに設定されている時間だけ最低温度を維持させる制御が、本発明の冷却ステップの一例にあたる。図8は、本実施の形態1の加熱冷却試験装置20における加熱冷却時の、電子部品6bおよびはんだ接続部8bの温度変化を示す図である。例えば、図8に示すように、冷却時にペルチェ素子9の温度を-45°Cに設定すると、7.5分間レーザ加熱した後にレーザ照射を停止し、ペルチェ素子9を回路基板5に接触させて2分間経過した9.5分の位置では電子部品6bの温度T1は-40°Cに達していた。加熱や冷却に要する時間は、それぞれ従来の大型試験槽では30分程度を要していたものに比べて、約1/4に時間短縮できることがわかる。そして、制御装置13は、上記した昇温ステップと冷却ステップを、交互に所定回数行なうように制御して、所定回数の加熱冷却試験を実施する。この昇温ステップと冷却ステップを繰り返し行う処理が、本発明の繰り返しステップの一例にあたる。なお、上記では、昇温ステップの後に冷却ステップを行なうこととして説明したが、繰り返しステップの最初に昇温ステップおよび冷却ステップのいずれを行うようにしてもよく、また繰り返しステップの最後に昇温ステップおよび冷却ステップのいずれを行うように制御してもよい。本実施の形態1における上記の説明は、電子部品6bが1個だけの場合の事例であったが、ガルバノミラー4を動かしレーザビーム3の照射方向を変えることにより、図1における回路基板5上の任意の電子部品6a、6b、6c、6d、6eの上のレーザ吸収体7a、7b、7c、7eに個別にレーザビーム3a、3b、3c、3eを照射することができる。また、任意の電子部品6a、6b、6c、6d、6eに対して、制御装置13により最適なレーザ条件を選択したり、レーザ発振器1に対してレーザ出力制御を行ったり、ビーム整形光学系2でレーザビーム3を整形したりすることで、任意の電子部品6a、6b、6c、6d、6eの温度プロファイルを個別に制御することができる。従来の加熱冷却試験では、複数個の電子部品6a、6b、6c、6d、6eの加熱冷却試験を行うには、例えば、先ず初めに電子部品6aに対して所定サイクルの加熱冷却試験を行い、次に、同様に、電子部品6b、6c、6d、6eに対しても所定サイクルの加熱冷却試験を行なうことで、全電子部品6a、6b、6c、6d、6eの加熱冷却試験が完了する。一方、本実施の形態1の加熱冷却試験装置20の場合には、ガルバノミラー4を高速に走査して、複数個の電子部品6a、6b、6c、6d、6e上のレーザ吸収体7a、7b、7c、7eに対して順番にレーザビーム3a、3b、3c、3eを高速で繰返し照射することで、複数個の電子部品6a、6b、6c、6d、6eを同時に昇温させることができる。例えば、ガルバノミラー4を1Hzの周期で高速に走査して位置決めを行ない、複数個の電子部品6a、6b、6c、6d、6e上のレーザ吸収体7a、7b、7c、7eに対して順番にレーザビーム3a、3b、3c、3eを1秒間弱だけ照射する。本実施の形態1の構成では、レーザ照射の対象となるレーザ吸収体7a、7b、7c、7eが4個あるため、各レーザ吸収体7a、7b、7c、7eに対して、4秒毎にレーザビーム3が1秒間だけ照射され、これが連続的に繰り返される。例えば、1つの電子部品を昇温させるのに必要なレーザ出力に対してレーザ出力を4倍に上げることにより、4秒毎にレーザビーム3a、3b、3c、3eが1秒間だけ照射されても、各レーザ吸収体7a、7b、7c、7eは、連続照射時とほぼ同様な温度プロファイルで加熱させることができる。その後、ペルチェ素子9で、電子部品6a、6b、6c、6d、6eを一気に冷却することができる。従って、本実施の形態1の構成では、5個の電子部品6a、6b、6c、6d、6eに対して同時に加熱冷却試験を行うことができるため、従来に比べて1/5の時間で加熱冷却試験を行うことができる。したがって、本実施の形態1の加熱冷却試験方法を利用すれば、回路基板5上に同じ電子部品をN個搭載して、それらのN個の電子部品に対して同時に同じレーザ照射条件で加熱し冷却させることにより、同じ加熱冷却条件でのN増し確認が1回の試験でできる。また、同じ電子部品を搭載しても、各々の電子部品に対して異なるレーザ照射条件で同時に加熱させることができるため、異なった加熱条件での加熱冷却試験が1回の試験でできる。実施の形態2図9は、本発明の実施の形態2の加熱冷却試験装置の要部の断面構成図である。図2と同じ構成部分には、同じ符号を用いている。図9は、電子部品6b上のレーザ吸収体7bに対するレーザビーム3bのレーザ照射位置を示している。実施の形態1では、図2に示すように、電子部品6b上のレーザ吸収体7bのほぼ中央に光軸がくるようにレーザビーム3bを照射している。しかし、あるBGAの半導体パッケージからなる電子部品6bにおいては、その内部には、発熱源14であるICチップがレイアウト上、中央部からシフトして配置されている場合がある。そのような電子部品6bにおけるレーザ吸収体7bに対しては、その発熱源14の真上の位置に光軸がくるようにレーザビーム3bを照射し電子部品6bを加熱すれば、より実使用状態に近い発熱状態が再現でき、より信頼性の高い加熱冷却試験が可能となる。そこで、本実施の形態2の制御装置13は、電子部品6bの発熱源14の真上となるレーザ吸収体7bの位置にレーザビーム3bが照射されるように、ガルバノミラー4を制御している。実施の形態3図10は、本発明の実施の形態3の加熱冷却試験装置21の加熱時の構成図である。図2と同じ構成部分には、同じ符号を用いている。本実施の形態3の制御装置13は、図10に示すように、電子部品6b上のレーザ吸収体7bに対してレーザビーム3bを全面に走査させるようにガルバノミラー4を制御する。実施の形態1および2の構成では、レーザビーム3bは、電子部品6b上のレーザ吸収体7bの所定の位置に固定して照射しているため、照射するレーザビーム3bのレーザビーム径に対して相対的に電子部品6bの面積が大きい場合には、レーザ吸収体7bの全面に亘って完全に均一に加熱させることができない場合がある。例えば、電子部品6bが30mm角、レーザ吸収体7bが35mm角の場合に、レーザビーム径がφ10mmのレーザビーム3bを照射した場合、電子部品6b上面の中央付近は加熱されるものの、上面の外側部分までは十分に加熱されない。一方、本実施の形態3の加熱冷却試験装置21では、ガルバノミラー4を使って、電子部品6b上のレーザ吸収体7bに対してレーザビーム3bを全面に走査させることで、大きな面積の電子部品6bでも概略均一に加熱させることができる。更に、ガルバノミラー4の走査領域は容易に自由に設定できるため、様々な形状やサイズの電子部品およびレーザ吸収体に対応することができる。なお、レーザ吸収体7b全面に亘ってレーザビーム3bの照射位置を走査させる際、レーザビーム3bがレーザ吸収体7bの外側にはみ出ない範囲で走査させるのが好ましい。レーザ吸収体7bの外側にレーザビーム3bの照射範囲がはみ出ると、レーザ吸収体7bの外側にある加熱する必要のない部品や基板面まで加熱されてしまうからである。実施の形態4図11は、本発明の実施の形態4の加熱冷却試験装置22の構成図である。図1と同じ構成部分には、同じ符号を用いている。図11は、電子部品6a、6b、6c、6d、6eに対して、選択的に冷却していることを示している。実施の形態1では、図1に示すように、回路基板5の下面にペルチェ素子9が全面的に接触して冷却を行っている。しかし、実際の回路基板5の下面には、別の電子部品やコネクターなどの突起物10a、10bがある場合があり、その場合には、回路基板5の下面にペルチェ素子9を全面的に接触させることができない。そのために、本実施の形態4の加熱冷却試験装置22では、ペルチェ素子9の上面回路基板5と接触する面上に、冷却したい電子部品6a、6b、6c、6dの下面外形のサイズより大きく、熱伝導性の良い、例えば、銅アルミなどからなる局所冷却プレート15a、15b、15cを取り付けており、このようにすることで、回路基板5の下面の突起物10a、10bを回避すると共に、電子部品6a、6b、6c、6dを選択的に冷却させることができる。図11に示す本実施の形態4の構成では、電子部品6eは冷却させたくないため、その下部のペルチェ素子9の位置には、局所冷却プレートは取り付けていない。実施の形態5図12は、本発明の実施の形態5の加熱冷却試験装置23の構成図である。図1と同じ構成部分には、同じ符号を用いている。本実施の形態5の加熱冷却試験装置23は、図12に示すように、主要部分が密閉可能な試験槽16内に入れられており、レーザビーム3a、3b、3c、3eは、試験槽16の外周の一部に取り付けられた透過窓17を通してレーザ吸収体7a、7b、7c、7eに照射される。また、試験槽16には、試験槽16内部を真空にしたり、他の気体に置き換えたりすることができる、置換装置18が設けられている。なお、試験槽16が、本発明の密閉された槽の一例にあたり、透過窓17が、本発明の、レーザビームに対して透過性のある材料で構成された部分の一例にあたる。実施の形態1~4の加熱冷却試験装置では、大気中で、ペルチェ素子9を用いて、電子部品6a、6b、6c、6d、6eを冷却しているため、冷却温度を-45°Cまで下げると、ペルチェ素子9が結露して、回路基板5や電子部品6a、6b、6c、6d、6eへの冷却性能が低下する場合がある。それに対し、本実施の形態5の加熱冷却試験装置は、置換装置18によって、試験槽16内を低湿度雰囲気にしたり、真空雰囲気にしたり、アルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気にしたりすることで、結露を防止し、冷却性能の低下を防止することができる。なお、各実施の形態では、冷却装置としてペルチェ素子9を用いることとして説明したが、他の冷却装置を用いてもよい。例えば、回路基板5の下面に気体冷媒を通過させて冷却させるような構成であってもよい。以上に説明したように、本発明の加熱冷却試験方法を用いることにより、形状の異なる複数個の電子部品に対して、自己発熱と同様の熱伝導現象を起こすことで、実際の破壊現象を引き起こすような熱過程の温度サイクルを与えることができるだけでなく、信頼性試験を短い時間で行うことができる。また、様々な形状の複数個の電子部品に対し同時に温度サイクルを与えたりすることができる。