"カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、下記一般式1で示される基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。式中、X、YはCH又は窒素原子、mは1又は2、R1は水素原子、又は炭素数1~4のアルキル基であり、nは0又は1である。上記一般式1で示される基を有する繰り返し単位が、下記一般式2で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項1記載のポジ型レジスト材料。式中、X、Y、mは前述の通り、R2は水素原子又はメチル基である。Zは-C=O-O-R3-又は-C=O-NH-である。R3は単結合、又は直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基又はエーテル基を有していてもよい。下記一般式aで示される繰り返し単位と、下記一般式b1及び/又はb2で示される酸不安定基を有する繰り返し単位が共重合されてなる下記一般式3で示される重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とする請求項1又は2記載のポジ型レジスト材料。式中、R1、R2、X、Y、Z、m、nは前述と同様である。R4、R6は水素原子又はメチル基、R5、R9は酸不安定基を表す。R7は単結合、又は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R8は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、pは1又は2であり、qは0~4の整数である。Y1は単結合、エステル基、エーテル基又はラクトン環を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。Y2は単結合、-C=O-O-、又は-C=O-NH-である。0<a<1.0、0≦b1<1.0、0≦b2<1.0、0<b1b2<1.0、0.1≦ab1b2≦1.0の範囲である。上記一般式3中の繰り返し単位aと、カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位b1及び/又はb2に加えて、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ラクトン環、カーボネート基、チオカーボネート基、カルボニル基、環状アセタール基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、シアノ基、アミド基、-O-C=O-G-Gは硫黄原子又はNHであるから選ばれる密着性基の繰り返し単位cを共重合したここで、0<c≦0.9、0.2≦ab1b2c≦1.0の範囲である、重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とする請求項3記載のポジ型レジスト材料。上記繰り返し単位a、b1、b2、cと、下記一般式4で示されるスルホニウム塩d1~d3から選ばれる1つ以上の繰り返し単位を共重合したここで、0.2≦ab1b2c<1.0、0≦d1≦0.5、0≦d2≦0.5、0≦d3≦0.5、0<d1d2d3≦0.5の範囲である、重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とする請求項4記載のポジ型レジスト材料。式中、R20、R24、R28は水素原子又はメチル基、R21は単結合、フェニレン基、-O-R-、又は-C=O-Y0-R-である。Y0は酸素原子又はNH、Rは炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R22、R23、R25、R26、R27、R29、R30、R31は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Z0は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R32-、又は-C=O-Z1-R32-である。Z1は酸素原子又はNH、R32は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Mは非求核性対向イオンを表す。更に、有機溶剤及び酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト材料であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のポジ型レジスト材料。更に、添加剤として塩基性化合物及び/又は界面活性剤を配合してなることを特徴とする請求項6記載のポジ型レジスト材料。請求項1乃至7のいずれか1項記載のポジ型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。露光する高エネルギー線が、電子ビーム、又は波長3~15nmの範囲の軟X線であることを特徴とする請求項8記載のパターン形成方法。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度でエッジラフネスLER、LWRが小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、近年要望される高感度、高解像度、エッジラフネスが小さいポジ型レジスト材料を得るべく鋭意検討を重ねた結果、これにはヒドロキシピリジンを有する繰り返し単位を含むポリマーをポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として用いれば極めて有効であることを知見した。更に、酸拡散を抑えて溶解コントラストを向上させるためにカルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、下記一般式1で示されるフェノール性水酸基を有するピリジンを有するメタクリレートとの共重合により得られるポリマーをポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として用いることにより、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、酸拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料が得られることを知見したものである。フェノール基はEB、EUVに増感作用があり、アルカリ水現像液中での膨潤防止効果があり、酸拡散抑制効果が高いピジリンを同一分子内に有するため、複数の機能を同一分子内に持たせることができる。本発明のポジ型レジスト材料は、特に、酸拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、エッジラフネスが小さく、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好である。従って、これらの優れた特性を有することから実用性が極めて高く、超LSI用レジスト材料及びマスクパターン形成材料として非常に有効である。即ち、本発明は、下記ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法を提供する。<1>カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、下記一般式1で示される基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。式中、X、YはCH又は窒素原子、mは1又は2、R1は水素原子、又は炭素数1~4のアルキル基であり、nは0又は1である。<2>上記一般式1で示される基を有する繰り返し単位が、下記一般式2で示される繰り返し単位であることを特徴とする<1>記載のポジ型レジスト材料。式中、X、Y、mは前述の通り、R2は水素原子又はメチル基である。Zは-C=O-O-R3-又は-C=O-NH-である。R3は単結合、又は直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基又はエーテル基を有していてもよい。<3>下記一般式aで示される繰り返し単位と、下記一般式b1及び/又はb2で示される酸不安定基を有する繰り返し単位が共重合されてなる下記一般式3で示される重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とする<1>又は<2>記載のポジ型レジスト材料。式中、R1、R2、X、Y、Z、m、nは前述と同様である。R4、R6は水素原子又はメチル基、R5、R9は酸不安定基を表す。R7は単結合、又は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R8は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、pは1又は2であり、qは0~4の整数である。Y1は単結合、エステル基、エーテル基又はラクトン環を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。Y2は単結合、-C=O-O-、又は-C=O-NH-である。0<a<1.0、0≦b1<1.0、0≦b2<1.0、0<b1b2<1.0、0.1≦ab1b2≦1.0の範囲である。<4>上記一般式3中の繰り返し単位aと、カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位b1及び/又はb2に加えて、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ラクトン環、カーボネート基、チオカーボネート基、カルボニル基、環状アセタール基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、シアノ基、アミド基、-O-C=O-G-Gは硫黄原子又はNHであるから選ばれる密着性基の繰り返し単位cを共重合したここで、0<c≦0.9、0.2≦ab1b2c≦1.0の範囲である、重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とする<3>記載のポジ型レジスト材料。<5>上記繰り返し単位a、b1、b2、cと、下記一般式4で示されるスルホニウム塩d1~d3から選ばれる1つ以上の繰り返し単位を共重合したここで、0.2≦ab1b2c<1.0、0≦d1≦0.5、0≦d2≦0.5、0≦d3≦0.5、0<d1d2d3≦0.5の範囲である、重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とする<4>記載のポジ型レジスト材料。式中、R20、R24、R28は水素原子又はメチル基、R21は単結合、フェニレン基、-O-R-、又は-C=O-Y0-R-である。Y0は酸素原子又はNH、Rは炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R22、R23、R25、R26、R27、R29、R30、R31は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Z0は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R32-、又は-C=O-Z1-R32-である。Z1は酸素原子又はNH、R32は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Mは非求核性対向イオンを表す。<6>更に、有機溶剤及び酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト材料であることを特徴とする<1>~<5>のいずれかに記載のポジ型レジスト材料。<7>更に、添加剤として塩基性化合物及び/又は界面活性剤を配合してなることを特徴とする<6>記載のポジ型レジスト材料。<8><1>~<7>のいずれかに記載のポジ型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。<9>露光する高エネルギー線が、電子ビーム、又は波長3~15nmの範囲の軟X線であることを特徴とする<8>記載のパターン形成方法。以上のような本発明のポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料の用途としては、例えば、半導体回路形成におけるリソグラフィーだけでなく、マスク回路パターンの形成、あるいはマイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド回路形成にも応用することができる。本発明のポジ型レジスト材料は、酸の拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超LSI製造用あるいはEB描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料、EUV露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。以下、本発明につき更に詳しく説明する。本発明に係るレジスト材料は、カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、下記一般式1で示される基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とするレジスト材料である。式中、X、YはCH又は窒素原子、mは1又は2、R1は水素原子、又は炭素数1~4のアルキル基であり、nは0又は1である。一般式1で示される基は、好ましくはメタアクリル酸のカルボキシル基の水素原子を置換したもの、あるいはメタアクリルアミドの窒素原子に結合したものであり、下記一般式2で示すことができる。式中、X、Y、mは前述の通り、R2は水素原子又はメチル基である。Zは-C=O-O-R3-又は-C=O-NH-である。R3は単結合、又は直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基-COO-又はエーテル基-O-を有していてもよい。この場合、特にベース樹脂としては、少なくとも下記一般式aで示される繰り返し単位と、下記一般式b1及び/又はb2で示される酸不安定基を有する繰り返し単位が共重合されてなる下記一般式3で示される重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物が好ましい。式中、R1、R2、X、Y、Z、m、nは前述と同様である。R4、R6は水素原子又はメチル基、R5、R9は酸不安定基を表す。R7は単結合、又は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R8は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、pは1又は2であり、qは0~4の整数である。Y1は単結合、エステル基、エーテル基又はラクトン環を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。Y2は単結合、-C=O-O-、又は-C=O-NH-である。0<a<1.0、0≦b1<1.0、0≦b2<1.0、0<b1b2<1.0、0.1≦ab1b2≦1.0の範囲である。一般式aに示される繰り返し単位を得るためのモノマーMaは、具体的には下記に例示することができる。式中、R1、R2、X、Y、Z、m、nは前述の通り。このモノマーはジヒドロキシピリジン、トリヒドロキシピリジン、ジヒドロキシピリミジン、トリヒドロキシピリミジン、ジヒドロキシトリアジン、トリヒドロキシトリアジンのヒドロキシ基の1つをメタクリレートエステルにする、あるいはヒドロキシアミノピリジンのアミノ基をメタクリルアミドにすることによって合成することができる。上記繰り返し単位aを得るためのモノマーMaとしては、具体的には下記に例示することができる。式中、R2は前述の通り。本発明のポジ型レジスト材料中の繰り返し単位aとしては、ピリジンとフェノール性水酸基の両方を1分子内に有するために、優れた酸拡散制御特性、密着性、アルカリ溶解性、EUVやEB露光での増感効果を発揮することができる。EUVやEB露光での増感効果向上のためには、ベンゼン環中のヒドロキシ基の位置としては3位又は4位が好ましいが、窒素原子の位置は特に限定されない。一般式3中の酸不安定基を有する繰り返し単位b1、b2を得るためのモノマーMb1、Mb2は、具体的には下記に例示することができる。式中、R4~R9、Y1、Y2、p、qは前述の通り。この場合、Y1のラクトン環を有する炭素数1~12の連結基としては、下記のものを例示することができる。繰り返し単位b1を得るためのモノマーMb1としては、具体的には下記に例示される。式中、R4、R5は前述の通り。繰り返し単位b2を得るためのモノマーMb2としては、具体的には下記に例示される。式中、R6、R9は前述の通り。酸不安定基一般式3中のR5、R9の酸不安定基は、種々選定されるが、同一でも異なっていてもよく、特に下記式A-1~A-3で置換された基で示されるものが挙げられる。式A-1において、RL30は炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式A-3で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が挙げられる。A1は0~6の整数である。式A-2において、RL31、RL32は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基等を例示できる。RL33は炭素数1~18、好ましくは1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。RL31とRL32、RL31とRL33、RL32とRL33とは結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するRL31、RL32、RL33はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示し、好ましくは環の炭素数は3~10、特に4~10である。上記式A-1の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。更に、下記式A-1-1~A-1-10で示される置換基を挙げることもできる。ここで、RL37は互いに同一又は異種の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基、RL38は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。また、RL39は互いに同一又は異種の炭素数2~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基である。A1は前述の通りである。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、直鎖状又は分岐状のものとしては、下記式A-2-1~A-2-69のものを例示することができる。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、環状のものとしては、テトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が挙げられる。また、下記一般式A-2aあるいはA-2bで表される酸不安定基によってベース樹脂が分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。式中、RL40、RL41は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、RL40とRL41は結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL40、RL41は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。RL42は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、B1、D1は0又は1~10、好ましくは0又は1~5の整数、C1は1~7の整数である。Aは、C11価の炭素数1~50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。この場合、好ましくは、Aは2~4価の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数6~30のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、C1は好ましくは1~3の整数である。一般式A-2a、A-2bで示される架橋型アセタール基は、具体的には下記式A-2-70~A-2-77のものが挙げられる。次に、式A-3においてRL34、RL35、RL36は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基であり、又は炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルケニル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、RL34とRL35、RL34とRL36、RL35とRL36とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に、炭素数3~20の脂環を形成してもよい。式A-3に示される三級アルキル基としては、tert-ブチル基、トリエチルカルビル基、1-エチルノルボニル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロペンチル基、2-2-メチルアダマンチル基、2-2-エチルアダマンチル基、tert-アミル基等を挙げることができる。また、三級アルキル基としては、下記に示す式A-3-1~A-3-18を具体的に挙げることもできる。式A-3-1~A-3-18中、RL43は同一又は異種の炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。RL44、RL46は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。RL45は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。更に、下記式A-3-19、A-3-20に示すように、2価以上のアルキレン基、アリーレン基であるRL47を含んで、ポリマーの分子内あるいは分子間が架橋されていてもよい。式A-3-19、A-3-20中、RL43は前述と同様、RL47は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又はフェニレン基等のアリーレン基を示し、酸素原子や硫黄原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。E1は1~3の整数である。特に式A-3の酸不安定基としては下記式A-3-21に示されるエキソ体構造を有するメタアクリル酸エステルの繰り返し単位が好ましく挙げられる。式中、Rαは水素原子又はメチル基、RLc3は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示す。RLc4~RLc9及びRLc12、RLc13はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、RLc10、RLc11は水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示す。RLc4とRLc5、RLc6とRLc8、RLc6とRLc9、RLc7とRLc9、RLc7とRLc13、RLc8とRLc12、RLc10とRLc11又はRLc11とRLc12は互いに環を形成していてもよく、その場合には炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。またRLc4とRLc13、RLc10とRLc13又はRLc6とRLc8は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。ここで、一般式A-3-21に示すエキソ構造を有する繰り返し単位を得るためのエステル体のモノマーとしては特開2000-327633号公報に示されている。具体的には下記に挙げることができるが、これらに限定されることはない。更に、式A-3に示される酸不安定基としては、下記式A-3-22に示されるフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルを有するメタアクリル酸エステルの酸不安定基を挙げることができる。式中、Rαは前述の通りである。RLc14、RLc15はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。RLc14、RLc15は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。RLc16はフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルから選ばれる2価の基を示す。RLc17は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。フランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルを有する酸不安定基で置換された繰り返し単位を得るためのモノマーは下記に例示される。なお、Acはアセチル基、Meはメチル基を示す。繰り返し単位b1のカルボキシル基の水素原子を下記一般式A-3-23で示される酸不安定基によって置換することもできる。式中、R231は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。m23は1~4の整数である。式A-3-23で示される酸不安定基によって置換されたカルボキシル基を有するモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位b1のカルボキシル基の水素原子を下記一般式A-3-24で示される酸不安定基によって置換することもできる。式中、R241、R242は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を有していてもよい炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、又は炭素数6~10のアリール基である。R243、R244、R245、R246は水素原子、あるいはR243とR244、R244とR245、R245とR246が結合してベンゼン環を形成してもよい。m24、n24は1~4の整数である。式A-3-24で示される酸不安定基によって置換されたカルボキシル基を有するモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位b1のカルボキシル基の水素原子を下記一般式A-3-25で示される酸不安定基によって置換することもできる。式中、R251は同一又は異種で、水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、m25が2以上の場合、R251同士が結合して炭素数2~8の非芳香環を形成してもよく、円は炭素CAとCBとのエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基から選ばれる結合を表し、R252は炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。円がエチレン基、プロピレン基のとき、R251が水素原子となることはない。m25、n25は1~4の整数である。式A-3-25で示される酸不安定基によって置換されたカルボキシル基を有するモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位b1のカルボキシル基の水素原子を下記一般式A-3-26で示される酸不安定基によって置換することもできる。式中、R261、R262は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。m26、n26は1~4の整数である。式A-3-26で示される酸不安定基によって置換されたカルボキシル基を有するモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位b1のカルボキシル基の水素原子を下記一般式A-3-27で示される酸不安定基によって置換することもできる。式中、R271、R272は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。m27、n27は1~4の整数である。Jはメチレン基、エチレン基、ビニレン基、又は-CH2-S-である。式A-3-27で示される酸不安定基によって置換されたカルボキシル基を有するモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位b1のカルボキシル基の水素原子を下記一般式A-3-28で示される酸不安定基によって置換することもできる。式中、R281、R282は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。m28、n28は1~4の整数である。Kはカルボニル基、エーテル基、スルフィド基、-S=O-、又は-S=O2-である。式A-3-28で示される酸不安定基によって置換されたカルボキシル基を有するモノマーは、具体的には下記に例示される。また、本発明において、ベース樹脂は、一般式3中の繰り返し単位aと、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換された繰り返し単位b1及び/又はフェノール性水酸基が酸不安定基で置換された繰り返し単位b2に加えて、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ラクトン環、カーボネート基、チオカーボネート基、カルボニル基、環状アセタール基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、シアノ基、アミド基、-O-C=O-G-Gは硫黄原子又はNHであるから選ばれる密着性基の繰り返し単位cを共重合したここで、0<c≦0.9、0.2≦ab1b2c≦1.0の範囲である重量平均分子量が1,000~500,000の範囲である高分子化合物であることが好ましい。ヒドロキシ基、カルボキシル基、ラクトン環、カーボネート基、チオカーボネート基、カルボニル基、環状アセタール基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、シアノ基、アミド基、-O-C=O-G-Gは硫黄原子又はNHであるを密着性基とする繰り返し単位cを得るためのモノマーとしては、具体的には下記に例示することができる。ヒドロキシ基を有するモノマーの場合、重合時にヒドロキシ基をエトキシエトキシ基などの酸によって脱保護し易いアセタールで置換しておいて重合後に弱酸と水によって脱保護を行ってもよいし、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基等で置換しておいて重合後にアルカリ加水分解を行ってもよい。本発明では、下記一般式4で示されるスルホニウム塩を持つ繰り返し単位d1、d2、d3を共重合することができる。特開2006-045311号公報には、特定のスルホン酸が発生する重合性オレフィンを有するスルホニウム塩、ヨードニウム塩が提案されている。特開2006-178317号公報には、スルホン酸が主鎖に直結したスルホニウム塩が提案されている。式中、R20、R24、R28は水素原子又はメチル基、R21は単結合、フェニレン基、-O-R-、又は-C=O-Y0-R-である。Y0は酸素原子又はNH、Rは炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基-CO-、エステル基-COO-、エーテル基-O-又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R22、R23、R25、R26、R27、R29、R30、R31は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Z0は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R32-、又は-C=O-Z1-R32-である。Z1は酸素原子又はNH、R32は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Mは非求核性対向イオンを表す。なお、0≦d1≦0.5、0≦d2≦0.5、0≦d3≦0.5、0≦d1d2d3≦0.5であり、配合する場合、0<d1d2d3≦0.5で、0.2≦ab1b2cd1d2d3≦1.0であることが好ましい。ポリマー主鎖に酸発生剤を結合させることによって酸拡散を小さくし、酸拡散のぼけによる解像性の低下を防止できる。また、酸発生剤が均一に分散することによってエッジラフネスLER、LWRが改善される。Mの非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、1,1,1-トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、1,2,3,4,5-ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネート、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスパーフルオロエチルスルホニルイミド、ビスパーフルオロブチルスルホニルイミド等のイミド酸、トリストリフルオロメチルスルホニルメチド、トリスパーフルオロエチルスルホニルメチドなどのメチド酸を挙げることができる。更には、下記一般式K-1に示されるα位がフルオロ置換されたスルホネート、下記一般式K-2に示されるα,β位がフルオロ置換されたスルホネートが挙げられる。一般式K-1中、R102は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、エーテル基、エステル基、カルボニル基、ラクトン環、又はフッ素原子を有していてもよい。一般式K-2中、R103は水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アシル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、又はアリーロキシ基であり、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はラクトン環を有していてもよい。なお、上記式4のいずれかの繰り返し単位を共重合した高分子化合物をレジスト材料のベース樹脂に用いた場合、後述する光酸発生剤の配合を省略し得る。また、下記一般式5に示されるインデンe1、アセナフチレンe2、クロモンe3、クマリンe4、ノルボルナジエンe5などの繰り返し単位eを共重合することもできる。式中、R110~R114は水素原子、炭素数1~30のアルキル基、一部又は全てがハロゲン原子で置換されたアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又は1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール基である。X0はメチレン基、酸素原子、又は硫黄原子である。e1は0≦e1≦0.5、e2は0≦e2≦0.5、e3は0≦e3≦0.5、e4は0≦e4≦0.5、e5は0≦e5≦0.5、0<e1e2e3e4e5≦0.5である。繰り返し単位a、b、c、d、e以外に共重合できる繰り返し単位fとしては、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、メチレンインダンなどが挙げられる。これら高分子化合物を合成するには、1つの方法としては、繰り返し単位a~fを与えるモノマーのうち所望のモノマーを、有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を加えて加熱重合を行い、共重合体の高分子化合物を得ることができる。重合時に使用する有機溶剤としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン、シクロヘキサン、シクロペンタン、メチルエチルケトン、γ-ブチロラクトン等が例示できる。重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは50~80°Cに加熱して重合できる。反応時間としては2~100時間、好ましくは5~20時間である。ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンを共重合する場合は、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンの代わりにアセトキシスチレン、アセトキシビニルナフタレンを用い、重合後上記アルカリ加水分解によってアセトキシ基を脱保護してポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシポリビニルナフタレンにする方法もある。アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また反応温度としては-20~100°C、好ましくは0~60°Cであり、反応時間としては0.2~100時間、好ましくは0.5~20時間である。ここで、繰り返し単位a~dの割合は、0<a<1.0、0≦b1<1.0、0≦b2<1.0、0.1≦b1b2<1.0、0<c≦0.9、0≦d1≦0.5、0≦d2≦0.5、0≦d3≦0.5、0≦d1d2d3≦0.5、好ましくは0.02≦a≦0.9、0≦b1≦0.8、0≦b2≦0.8、0.1≦b1b2≦0.8、0.1≦c≦0.9、0≦d1≦0.4、0≦d2≦0.4、0≦d3≦0.4、0≦d1d2d3≦0.4であり、より好ましくは0.05≦a≦0.8、0≦b1≦0.7、0≦b2≦0.7、0.1≦b1b2≦0.75、0.15≦c≦0.8、0≦d1≦0.3、0≦d2≦0.3、0≦d3≦0.3、0≦d1d2d3≦0.3、更に好ましくは0.07≦a≦0.7、0≦b1≦0.65、0≦b2≦0.65、0.1≦b1b2≦0.70、0.20≦c≦0.8、0≦d1≦0.2、0≦d2≦0.2、0≦d3≦0.2、0≦d1d2d3≦0.25である。また、繰り返し単位e、fの割合は、0≦e1≦0.5、0≦e2≦0.5、0≦e3≦0.5、0≦e4≦0.5、0≦e5≦0.5、好ましくは0≦e1≦0.4、0≦e2≦0.4、0≦e3≦0.4、0≦e4≦0.4、0≦e5≦0.4、より好ましくは0≦e1≦0.3、0≦e2≦0.3、0≦e3≦0.3、0≦e4≦0.3、0≦e5≦0.3であり、0≦f≦0.5、好ましくは0≦f≦0.4、より好ましくは0≦f≦0.3である。なお、ab1b2cd1d2d3e1e2e3e4e5f=1であることが好ましい。本発明のポジ型レジスト材料に用いられる高分子化合物は、それぞれ重量平均分子量が1,000~500,000、好ましくは2,000~30,000である。重量平均分子量が小さすぎるとレジスト材料が耐熱性に劣るものとなり、大きすぎるとアルカリ溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象が生じ易くなってしまう。なお、重量平均分子量Mwは、溶剤としてテトラヒドロフランTHFを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算測定値である。更に、本発明のポジ型レジスト材料に用いられる高分子化合物においては、多成分共重合体の分子量分布Mw/Mnが広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために、露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりする。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は1.0~2.0、特に1.0~1.5と狭分散であることが好ましい。また、組成比率や分子量分布や分子量が異なる2つ以上のポリマーや、一般式2で示される繰り返し単位aを共重合していないポリマーをブレンドすることも可能である。本発明に用いられる高分子化合物は、ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適で、このような高分子化合物をベース樹脂とし、これに有機溶剤、酸発生剤、溶解制御剤、塩基性化合物、界面活性剤等を目的に応じ適宜組み合わせて配合してポジ型レジスト材料を構成することによって、露光部では前記高分子化合物が触媒反応により現像液に対する溶解速度が加速されるので、極めて高感度のポジ型レジスト材料とすることができ、レジスト膜の溶解コントラスト及び解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好でありながら、より優れたエッチング耐性を示し、特に酸拡散を抑制できることから粗密寸法差が小さく、これらのことから実用性が高く、超LSI用レジスト材料として非常に有効なものとすることができる。特に、酸発生剤を含有させ、酸触媒反応を利用した化学増幅ポジ型レジスト材料とすると、より高感度のものとすることができると共に、諸特性が一層優れたものとなり、極めて有用なものとなる。また、ポジ型レジスト材料に溶解制御剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができる。更に、塩基性化合物を添加することによって、例えばレジスト膜中での酸の拡散速度を抑制し、解像度を一層向上させることができるし、界面活性剤を添加することによってレジスト材料の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。本発明のポジ型レジスト材料には、本発明のパターン形成方法に用いる化学増幅ポジ型レジスト材料を機能させるために酸発生剤を含んでもよく、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物光酸発生剤を含有してもよい。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。以下に詳述するが、これらは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。酸発生剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載されている。本発明のレジスト材料は、更に、有機溶剤、塩基性化合物、溶解制御剤、界面活性剤、アセチレンアルコール類のいずれか1つ以上を含有することができる。有機溶剤の具体例としては特開2008-111103号公報の段落[0144]~[0145]、塩基性化合物としては段落[0146]~[0164]、界面活性剤としては段落[0165]~[0166]、溶解制御剤としては特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]、アセチレンアルコール類は段落[0179]~[0182]に記載されている。特開2008-239918号公報記載のポリマー型のクエンチャーを添加することもできる。このものは、コート後のレジスト表面に配向することによってパターン後のレジストの矩形性を高める。ポリマー型のクエンチャーは、液浸露光用の保護膜を適用したときのパターンの膜減りやパターントップのラウンディングを防止する効果もある。なお、酸発生剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対し0.01~100質量部、特に0.1~80質量部とすることが好ましく、有機溶剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対し50~10,000質量部、特に100~5,000質量部であることが好ましい。また、ベース樹脂100質量部に対し、溶解制御剤は0~50質量部、特に0~40質量部、塩基性化合物は0~100質量部、特に0.001~50質量部、界面活性剤は0~10質量部、特に0.0001~5質量部の配合量とすることが好ましい。本発明のポジ型レジスト材料、例えば有機溶剤と、一般式3で示される密着性基と酸脱離基を有する高分子化合物と、酸発生剤、塩基性化合物を含む化学増幅ポジ型レジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を適用することができる。例えば、本発明のポジ型レジスト材料を、集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等あるいはマスク回路製造用の基板Cr、CrO、CrON、MoSi等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が0.1~2.0μmとなるように塗布する。これをホットプレート上で60~150°C、10秒~30分間、好ましくは80~120°C、30秒~20分間プリベークする。次いで、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線、真空紫外線軟X線等の高エネルギー線から選ばれる光源で目的とするパターンを所定のマスクを通じてもしくは直接露光を行う。露光量は1~200mJ/cm2程度、特に10~100mJ/cm2、又は0.1~100μC/cm2程度、特に0.5~50μC/cm2となるように露光することが好ましい。次に、ホットプレート上で60~150°C、10秒~30分間、好ましくは80~120°C、30秒~20分間ポストエクスポジュアーベークPEBする。更に、0.1~10質量、好ましくは2~5質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドTEAH、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシドTPAH、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドTBAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、3秒~3分間、好ましくは5秒~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像することにより、光を照射した部分は現像液に溶解し、露光されなかった部分は溶解せず、基板上に目的のポジ型のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも電子線、真空紫外線軟X線、X線、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターニングに最適である。一般的に広く用いられているTMAH水溶液よりも、アルキル鎖を長くしたTEAH、TPAH、TBAHは現像中の膨潤を低減させてパターンの倒れを防ぐ効果がある。特許第3429592号公報には、アダマンタンメタクリレートのような脂環構造を有する繰り返し単位と、t-ブチルメタクリレートのような酸不安定基を有する繰り返し単位を共重合し、親水性基が無くて撥水性の高いポリマーの現像のために、TBAH水溶液を用いた例が提示されている。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH現像液は2.38質量の水溶液が最も広く用いられている。これは0.26Nに相当し、TEAH、TPAH、TBAH水溶液も同じ規定度であることが好ましい。0.26NとなるTEAH、TPAH、TBAHの質量は、それぞれ3.84質量、5.31質量、6.78質量である。EB、EUVで解像される32nm以下のパターンにおいて、ラインがよれたり、ライン同士がくっついたり、くっついたラインが倒れたりする現象が起きている。これは、現像液中に膨潤して膨らんだライン同士がくっつくのが原因と考えられる。膨潤したラインは、現像液を含んでスポンジのように軟らかいために、リンスの応力で倒れ易くなっている。アルキル鎖を長くした現像液はこのような理由で、膨潤を防いでパターン倒れを防ぐ効果がある。有機溶剤現像によってネガ型のパターンを得ることもできる。現像液としては、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる1種以上を挙げることができる。現像の終了時には、リンスを行う。リンス液としては、現像液と混溶し、レジスト膜を溶解させない溶剤が好ましい。このような溶剤としては、炭素数3~10のアルコール、炭素数8~12のエーテル化合物、炭素数6~12のアルカン、アルケン、アルキン、芳香族系の溶剤が好ましく用いられる。具体的に、炭素数6~12のアルカンとしてはヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナンなどが挙げられる。炭素数6~12のアルケンとしては、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどが挙げられ、炭素数6~12のアルキンとしては、ヘキシン、ヘプチン、オクチンなどが挙げられ、炭素数3~10のアルコールとしては、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、1-オクタノールなどが挙げられる。炭素数8~12のエーテル化合物としては、ジ-n-ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテルから選ばれる1種以上の溶剤が挙げられる。前述の溶剤に加えてトルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、メシチレン等の芳香族系の溶剤を用いることもできる。以下、合成例、比較合成例及び実施例、比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、重量平均分子量Mwは、溶剤としてテトラヒドロフランTHFを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算測定値である。また、下記合成例で用いたモノマー1~5、密着性モノマー1,2及びPAGモノマー1~6は以下の通りである。モノマー1:メタクリル酸2-ヒドロキシピリジル-6-イルモノマー2:メタクリル酸4-ヒドロキシピリジル-6-イルモノマー3:メタクリル酸5-ヒドロキシピリジル-6-イルモノマー4:メタクリル酸4-ヒドロキシピリミジル-6-イルモノマー5:メタクリルアミド5-ヒドロキシピリジル-6-イル密着性モノマー1:メタクリル酸2-オキソ-1,3-ベンゾオキサチオール-5-イル密着性モノマー2:メタクリル酸2-オキソ-2,3-ジヒドロベンゾオキサゾール-5-イルPAGモノマー1:トリフェニルスルホニウム1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-メタクリロイルオキシプロパン-1-スルホネートPAGモノマー2:5-フェニルジベンゾチオフェニウム1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-メタクリロイルオキシプロパン-1-スルホネートPAGモノマー3:10-フェニルフェノキサチイニウム1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-メタクリロイルオキシプロパン-1-スルホネートPAGモノマー4:トリフェニルスルホニウム1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-3-メタクリロイルオキシ-アダマンタン-1-カルボニルオキシ-プロパン-1-スルホネートPAGモノマー5:5-フェニルジベンゾチオフェニウム1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-3-メタクリロイルオキシ-アダマンタン-1-カルボニルオキシ-プロパン-1-スルホネートPAGモノマー6:10-フェニルフェノキサチイニウム1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-3-メタクリロイルオキシ-アダマンタン-1-カルボニルオキシ-プロパン-1-スルホネート[合成例1]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル8.2g、モノマー1を12.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:モノマー1=0.30:0.70重量平均分子量Mw=12,700分子量分布Mw/Mn=2.06この高分子化合物をポリマー1とする。[合成例2]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル6.3g、モノマー1を5.3g、インデン1.7g、4-アセトキシスチレン6.0g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体をメタノール100mL及びテトラヒドロフラン200mLの混合溶剤に再度溶解し、トリエチルアミン10g、水10gを加え、70°Cで5時間アセチル基の脱保護反応を行い、酢酸を用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン100mLに溶解し、上記と同様の沈殿、濾過、60°Cで乾燥を行い、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:モノマー1:インデン:4-ヒドロキシスチレン=0.23:0.30:0.10:0.37重量平均分子量Mw=8,500分子量分布Mw/Mn=1.77この高分子化合物をポリマー2とする。[合成例3]2Lのフラスコにメタクリル酸2エチル-2-アダマンチル6.2g、モノマー1を5.3g、アセナフチレン1.7g、4-アセトキシスチレン6.0g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体をメタノール100mL及びテトラヒドロフラン200mLの混合溶剤に再度溶解し、トリエチルアミン10g、水10gを加え、70°Cで5時間アセチル基の脱保護反応を行い、酢酸を用いて中和した。反応溶液を濃縮後、アセトン100mLに溶解し、上記と同様の沈殿、濾過、60°Cで乾燥を行い、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸2エチル-2-アダマンチル:モノマー1:アセナフチレン:4-ヒドロキシスチレン=0.25:0.30:0.10:0.35重量平均分子量Mw=9,200分子量分布Mw/Mn=1.85この高分子化合物をポリマー3とする。[合成例4]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル8.2g、モノマー1を3.6g、メタクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルを11.1g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:モノマー1:メタクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル=0.30:0.20:0.50重量平均分子量Mw=7,700分子量分布Mw/Mn=1.87この高分子化合物をポリマー4とする。[合成例5]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル8.2g、モノマー1を3.6g、密着性モノマー1を9.4g、PAGモノマー1を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:モノマー1:密着性モノマー1:PAGモノマー1=0.30:0.20:0.40:0.10重量平均分子量Mw=7,200分子量分布Mw/Mn=1.72この高分子化合物をポリマー5とする。[合成例6]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル8.2g、モノマー2を3.6g、密着性モノマー2を8.7g、PAGモノマー1を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:モノマー2:密着性モノマー2:PAGモノマー1=0.30:0.20:0.40:0.10重量平均分子量Mw=7,000分子量分布Mw/Mn=1.70この高分子化合物をポリマー6とする。[合成例7]2Lのフラスコにメタクリル酸アセナフテニル8.3g、モノマー2を5.4g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル6.7g、PAGモノマー1を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸アセナフテニル:モノマー2:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー1=0.30:0.30:0.30:0.10重量平均分子量Mw=9,300分子量分布Mw/Mn=1.68この高分子化合物をポリマー7とする。[合成例8]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル5.5g、メタクリル酸4-tert-ブトキシフェニル3.5g、モノマー3を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル7.8g、PAGモノマー1を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:メタクリル酸4-tert-ブトキシフェニル:モノマー3:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー1=0.20:0.15:0.20:0.35:0.10重量平均分子量Mw=9,100分子量分布Mw/Mn=1.69この高分子化合物をポリマー8とする。[合成例9]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル8.2g、モノマー4を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル9.1g、PAGモノマー1を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:モノマー4:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー1=0.30:0.20:0.40:0.10重量平均分子量Mw=9,100分子量分布Mw/Mn=1.88この高分子化合物をポリマー9とする。[合成例10]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル5.5g、t-アミロキシスチレン2.9g、モノマー3を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル7.8g、PAGモノマー1を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:t-アミロキシスチレン:モノマー3:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー1=0.20:0.15:0.20:0.35:0.10重量平均分子量Mw=9,300分子量分布Mw/Mn=1.93[合成例11]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル5.5g、t-アミロキシスチレン2.9g、モノマー5を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル7.8g、PAGモノマー2を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:t-アミロキシスチレン:モノマー5:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー2=0.20:0.15:0.20:0.35:0.10重量平均分子量Mw=9,300分子量分布Mw/Mn=1.96この高分子化合物をポリマー11とする。[合成例12]2Lのフラスコにメタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル5.5g、6-t-ブトキシ-2-ビニルナフタレン3.6g、モノマー3を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル7.8g、PAGモノマー3を5.7g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:6-t-ブトキシ-2-ビニルナフタレン:モノマー3:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー3=0.20:0.15:0.20:0.35:0.10重量平均分子量Mw=9,600分子量分布Mw/Mn=1.96この高分子化合物をポリマー12とする。[合成例13]2Lのフラスコにメタクリル酸6,7,8,9-テトラヒドロ-5H-ベンゾシクロヘプテン-5-イル6.9g、モノマー4を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル9.05g、PAGモノマー1を5.6g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸6,7,8,9-テトラヒドロ-5H-ベンゾシクロヘプテン-5-イル:モノマー4:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー1=0.30:0.20:0.40:0.10重量平均分子量Mw=9,300分子量分布Mw/Mn=1.85この高分子化合物をポリマー13とする。[合成例14]2Lのフラスコにメタクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチル5.2g、t-アミロキシスチレン2.9g、モノマー5を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル6.7g、PAGモノマー4を11.0g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチル:t-アミロキシスチレン:モノマー5:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー4=0.20:0.15:0.20:0.30:0.15重量平均分子量Mw=9,100分子量分布Mw/Mn=1.84この高分子化合物をポリマー14とする。[合成例15]2Lのフラスコにメタクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチル5.2g、t-アミロキシスチレン2.9g、モノマー5を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル6.7g、PAGモノマー5を11.0g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチル:t-アミロキシスチレン:モノマー5:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー5=0.20:0.15:0.20:0.30:0.15重量平均分子量Mw=9,200分子量分布Mw/Mn=1.78この高分子化合物をポリマー15とする。[合成例16]2Lのフラスコにメタクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチル5.2g、t-アミロキシスチレン2.9g、モノマー5を3.6g、メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル6.7g、PAGモノマー6を11.0g、溶剤としてテトラヒドロフランを40g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、-70°Cまで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNアゾビスイソブチロニトリルを1.2g加え、60°Cまで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60°Cで減圧乾燥し、白色重合体を得た。得られた重合体を13C,1H-NMR、及びGPC測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比メタクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチル:t-アミロキシスチレン:モノマー5:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー6=0.20:0.15:0.20:0.30:0.15重量平均分子量Mw=8,600分子量分布Mw/Mn=1.88この高分子化合物をポリマー16とする。[比較合成例1]上記合成例と同様の方法で下記ポリマーを合成した。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:メタクリル酸4-ヒドロキシフェニル=0.30:0.70重量平均分子量Mw=9,900分子量分布Mw/Mn=1.99この高分子化合物を比較ポリマー1とする。[比較合成例2]上記合成例と同様の方法で下記ポリマーを合成した。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:メタクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル:メタクリル酸4-ヒドロキシフェニル=0.30:0.40:0.30重量平均分子量Mw=8,200分子量分布Mw/Mn=1.89この高分子化合物を比較ポリマー2とする。[比較合成例3]上記合成例と同様の方法で下記ポリマーを合成した。共重合組成比モル比メタクリル酸3-エチル-3-エキソテトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカニル:メタクリル酸4-ヒドロキシフェニル:メタクリル酸3-オキソ-2,7-ジオキサトリシクロ[4.2.1.048]ノナン-9-イル:PAGモノマー1=0.30:0.20:0.40:0.10重量平均分子量Mw=7,300分子量分布Mw/Mn=1.88この高分子化合物を比較ポリマー3とする。[実施例、比較例]上記で合成した高分子化合物を用いて、界面活性剤として住友スリーエム株製界面活性剤のFC-4430を100ppm溶解させた溶剤に表1に示される組成で溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料を調製した。下記表中の各組成は次の通りである。ポリマー1~16:上記合成例1~16で得られた高分子化合物比較ポリマー1~3:上記比較合成例1~3で得られた高分子化合物有機溶剤:PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEプロピレングリコールモノメチルエーテルCyHシクロヘキサノンCyPシクロペンタノン酸発生剤:PAG1下記構造式参照塩基性化合物:Amine1下記構造式参照電子ビーム描画評価得られたポジ型レジスト材料を直径6インチφのヘキサメチルジシラザンHMDSベーパープライム処理したSi基板上に、クリーントラックMark5東京エレクトロン株製を用いてスピンコートし、ホットプレート上で110°Cで60秒間プリベークして100nmのレジスト膜を作製した。これに、株日立製作所製HL-800Dを用いてHV電圧50kVで真空チャンバー内描画を行った。描画後、直ちにクリーントラックMark5東京エレクトロン株製を用いてホットプレート上で表1に記載の温度で60秒間ポストエクスポジュアーベークPEBを行い、2.38質量のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。得られたレジストパターンを次のように評価した。100nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における、最小の寸法を解像力とし、100nmLSのエッジラフネスLWRをSEMで測定した。レジスト組成とEB露光における感度、解像度の結果を表1に示す。EUV露光評価上記で合成した高分子化合物を用いて、表2に示される組成で溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料を調製した。得られたポジ型レジスト材料をヘキサメチルジシラザンHMDSベーパープライム処理した直径4インチφのSi基板上にスピンコートし、ホットプレート上で105°Cで60秒間プリベークして50nmのレジスト膜を作製した。これに、NA0.3、ダイポール照明でEUV露光を行った。露光後直ちにホットプレート上で60秒間ポストエクスポジュアーベークPEBを行い2.38質量のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。得られたレジストパターンを次のように評価した。35nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における、最小の寸法を解像力とし、35nmLSのエッジラフネスLWRをSEMで測定した。レジスト組成とEUV露光における感度、解像度の結果を表2に示す。表1,2の結果より、本発明のヒドロキシピリジンを有するモノマーを共重合した高分子化合物を用いたレジスト材料は、十分な解像力と感度とエッジラフネスを満たしており、更に酸発生剤を共重合することによって解像度とエッジラフネスの特性を一段と向上させることができることがわかった。"