"プラズマ処理チャンバの部品であって、非金属材料の第1の層であって、相対する第1及び第2の表面を有し、前記第1の表面は、前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマに暴露され、前記第2の表面は、前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマに暴露されない、第1の層と、導電性材料の第2の層であって、前記第1の層の前記第2の表面に接合される第2の層と、前記第1の層及び前記第2の層の全体に貫いて、前記プラズマ処理チャンバの内側に開かれているヴォイド空間と、前記第2の層が前記ヴォイド空間内に露出されないように、及び、前記ヴォイド空間内のパラシティックプラズマが阻止されるように、前記第2の層内で前記ヴォイド空間の内表面を覆う管状スリーブと、を備え、前記管状スリーブの一方の端は、前記第1の層及び前記第2の層の対向表面と同一平面にあり、前記管状スリーブのもう一方の端は、前記第2の層の下表面と同一平面にある、部品。請求項1に記載の部品であって、前記管状スリーブは、前記第1の層と同じ材料で作成されている、前記管状スリーブは、前記第2の層よりも低い誘電率の材料で作成されている、前記管状スリーブは、プラスチック若しくはセラミックで作成されている、及び/又は、前記管状スリーブは、被覆である、部品。請求項1に記載の部品であって、前記管状スリーブは、前記第1の層内の前記ヴォイド空間の内径に等しい内径を有する、部品。請求項1に記載の部品であって、前記管状スリーブは、接着剤、固定具、及び/又は、前記管状スリーブの外表面上のネジ山によって、前記ヴォイド空間の前記内表面に固定される、部品。請求項1に記載の部品であって、前記第1の層は、アルミナ、窒化アルミニウム、非ドープシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、及び/又は、イットリアで作成され、前記第2の層は、金属、グラファイト、及び/又は、ドープシリコンで作成される、部品。請求項1に記載の部品であって、前記管状スリーブは、前記第2の層内の嵌め合い凹所に収まる外向きに突き出した上フランジ又は外向きに突き出した下フランジを有する、部品。請求項1に記載の部品であって、前記管状スリーブは、少なくとも0.01インチ0.0254センチの壁厚を有する、部品。請求項1に記載の部品であって、前記プラズマ処理チャンバ内に存在する高周波数における前記導電性材料の比誘電率は、前記高周波数における前記非金属材料の比誘電率の少なくとも20倍である、部品。請求項1に記載の部品であって、前記第2の層は、0.5~5mmの厚さを有する、部品。請求項1に記載の部品であって、更に、前記第2の層に熱的に接触している少なくとも1つのヒータを備える部品。請求項10に記載の部品であって、前記少なくとも1つのヒータは、前記第2の層に埋め込まれた又は前記第2の層の底面に取り付けられた薄膜ヒータである、部品。請求項1に記載の部品であって、前記部品は、上方電極若しくは基板サポートである、並びに/又は、前記ヴォイドは、ガスホール、リフトピンホール、ヘリウム通路、導管、及び/若しくはプレナムである、部品。請求項1に記載の部品であって、前記第2の層は、接着剤によって前記第2の表面に接合される、部品。請求項1に記載の部品であって、更に、少なくとも1つの埋め込みESC電極を備える部品。請求項1に記載の部品であって、前記ヴォイド空間の内径は、0.02~0.08インチおおよそ0.0508~0.203センチである、部品。請求項1に記載の部品であって、更に、前記第2の層に取り付けられて高周波数電力が供給されるベースを備えており、前記ベースは、埋め込み流体チャネルを有する、及び/又は、前記ベースは、前記ヴォイド空間と流体連通している少なくとも1つのプレナムを有する、部品。請求項16に記載の部品であって、前記ベースは、前記第2の層に接合される、支えられる、留め付けられる、及び/又は、接着される、部品。請求項1に記載の部品を備えるプラズマ処理チャンバ。請求項1に記載の部品を製造する方法であって、前記第2の層が前記ヴォイド空間内で露出されないように、及び、前記ヴォイド空間内のパラシティックプラズマが阻止されるように、前記第2の層内で前記ヴォイド空間の前記内表面を覆うことと、前記第2の層を前記第1の層の前記第2の表面に接合することと、を備える方法。請求項19に記載の方法であって、更に、前記第2の層にベースを取り付けることを備える方法。本明細書で説明されるのは、パラシティックプラズマ寄生プラズマを排除するための方法及びプラズマ処理チャンバの部品である。方法及び部品は、特定のタイプのプラズマ処理チャンバ又はプラズマ処理技術に限定されない。プラズマ処理チャンバは、誘導結合変成器結合、ヘリコン、電子サイクロトロン共鳴、容量結合平行平板などの種々様々なプラズマ生成メカニズムに依存することができる。例えば、高密度プラズマは、変成器結合プラズマTCP登録商標処理チャンバ内で、又は電子サイクロトロン共鳴ECR処理チャンバ内で生成することができる。RFエネルギがチャンバ内に誘導結合されている変成器結合プラズマ処理チャンバは、カリフォルニア州フリーモントのラムリサーチコーポレーションLamResearchCorporationから入手可能である。高密度プラズマを提供することができる高流量プラズマ処理チャンバの一例が、参照によってその開示内容を本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第5,948,704号に開示されている。平行平板プラズマ処理チャンバ、電子サイクロトロン共鳴ECRプラズマ処理チャンバ、及び変成器結合プラズマTCP登録商標処理チャンバは、参照によってその開示内容を本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第4,340,462号、第4,948,458号、第5,200,232号、及び5,820,723号に開示されている。例えば、プラズマは、参照によってその開示内容を本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第6,090,304号に記載されている二重周波数プラズマエッチングチャンバなどの平行平板処理チャンバ内で生成することができる。好ましい平行平板プラズマ処理チャンバは、上方シャワーヘッド電極と基板サポートとを含む二重周波数容量結合プラズマ処理チャンバである。例示のために、本明細書では、平行平板タイプのプラズマ処理チャンバに言及して実施形態の説明がなされる。プラズマエッチングのための平行平板プラズマ処理チャンバが、図1に例示されている。プラズマ処理チャンバ100は、チャンバ110と、入口ロードロック112と、随意の出口ロードロック114とを含み、更なる詳細は、参照によってその全体を本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第6,824,627号に記載されている。ロードロック112及びもし提供されるならばロードロック114は、ウエハなどの基板をウエハ供給部162からチャンバ110を経てウエハ容器164に出すための移送機器を含む。ロードロックポンプ176は、ロードロック112内及びロードロック114内に所望の真空圧力を提供することができる。ターボポンプなどの真空ポンプ172が、チャンバ110内を所望の圧力に維持するように適応される。プラズマエッチング中、チャンバ圧力は制御され、好ましくは、プラズマを持続させるのに十分なレベルに維持される。高すぎるチャンバ圧力は、エッチストップに不当に寄与する可能性があり、低すぎるチャンバ圧力は、プラズマ消滅を招く可能性がある。平行平板プラズマ処理チャンバなどの中密度のプラズマ処理チャンバ内では、好ましくは、チャンバ圧力は、約200ミリトール未満例えば、20~50ミリトールなどのように100ミリトール未満の圧力に維持される本明細書で使用される約は、±10を意味する。真空ポンプ172は、チャンバ110の壁の出口につなぐことができ、チャンバ内の圧力を制御するために、弁173によって絞り調整することができる。好ましくは、真空ポンプは、チャンバ110にエッチングガスが流れ込む間、チャンバ110内の圧力を200ミリトール未満に維持することができる。チャンバ110は、上方電極125例えば、シャワーヘッド電極を含む上方電極アセンブリ120と、基板サポート150とを含む。上方電極アセンブリ120は、上方ハウジング130内に取り付けられる。上方ハウジング130は、上方電極125と基板サポート150との間の間隔を調節するために、メカニズム132によって垂直移動させることができる。1種以上のガスを含むプロセスガスを上方電極アセンブリ120に供給するために、ケース130に、プロセスガス源170をつなぐことができる。好ましいプラズマ処理チャンバ内では、上方電極アセンブリは、基板の表面付近の領域にプロセスガスを供給するために使用することができるガス分配システムを含む。ガス分配システムは、1つ以上のガスリング、注入器、及び/又はシャワーヘッド例えば、シャワーヘッド電極を含むことができ、参照によってその開示内容を本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第6,333,272号、第6,230,651号、第6,013,155号、及び第5,824,605号に開示されている。上方電極125は、好ましくは、プロセスガスを通らせて分配するためのガスホール不図示を含むシャワーヘッド電極を含む。ガスホールは、0.02~0.2インチおおよそ0.0508~0.508センチの直径を有することができる。シャワーヘッド電極は、プロセスガスの望ましい分配を促すことができる1枚以上の垂直方向に相隔てられた邪魔板を含むことができる。上方電極及び基板サポートは、グラファイト、シリコン、炭化シリコン、アルミニウム例えば、陽極酸化アルミニウム、又はそれらの組み合わせなどの、任意の適切な材料で形成することができる。上方電極アセンブリ120には、熱伝達液体源174をつなぐことができ、基板サポート150には、別の熱伝達液体源をつなぐことができる。基板サポート150は、基板サポート150の上表面155サポート表面上に基板を静電クランプするための1つ以上の埋め込みクランプ電極を有することができる。基板サポート150は、RF源と、RF整合回路構成などの付随の回路構成不図示とによって通電することができる。基板サポート150は、好ましくは温度制御され、随意として加熱構成不図示を含むことができる。加熱構成の例は、参照によって本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第6,847,014号及び第7,161,121号に開示されている。基板サポート150は、フラットパネル又は200mm若しくは300mmのウエハなどの半導体基板をサポート表面155上で支えることができる。基板サポート150は、基板のプラズマ処理中に基板の温度を制御するために、好ましくは、サポート表面155上で支えられている基板の下にヘリウムなどの熱伝達ガスを供給するための通路を含んでいる。例えば、ヘリウムによる裏面冷却は、基板上のフォトレジストの燃焼を阻止するのに十分な低さにウエハ温度を維持することができる。加圧ガスを基板と基板サポート表面との間の空間に導入することによって基板の温度を制御する方法が、参照によってその開示内容を本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第6,140,612号に開示されている。基板サポート150は、リフトピンホール不図示を含むことができ、これらのホールには、リフトピンが通されて、適切なメカニズムによって垂直方向に作動させられ、基板をサポート表面155から持ち上げて、チャンバ110に対して出し入れすることができる。リフトピンホールは、約0.08インチおおよそ0.203センチの直径を有することができる。リフトピンホールの詳細は、参照によってその開示内容を本明細書に組み込まれる共同所有の米国特許第5,885,423号及び第5,796,066号に開示されている。上方電極125内及び基板サポート150内のガスホール、ヘリウム通路、リフトピンホールなどのヴォイド空間空洞は、パラシティックプラズマを生じやすい。例えば、もし、RF周波数における比誘電率が異なる複数の材料層にヴォイド空間が跨る場合は、或る種の条件例えば、ガス圧力、RF負荷、RF周波数など下では、層間に過剰なRF電圧が発生する可能性がある。このような過剰なRF電圧例えば、20V又はそれ以上は、ヴォイド空間内にパラシティックプラズマを生じさせるのに十分である恐れがある。上方電極125及び基板サポート150に一般的に使用されている導電性材料には、アルミニウム、鋼、グラファイト、及びドープシリコンなどがある。処理チャンバ100内にプラズマを発生させるために処理チャンバ100にRF電力が供給されたときに、ヴォイド空間例えばガスホール内の露出した伝導性の内表面は、それらの付近で電場を集中させる及びパラシティックプラズマを増強させる可能性がある。圧力p及び間隔距離dの関数として表される平行平板内のガスのDC破壊電圧VBは、パッシェンの方程式:によって与えられる。ここで、A及びBは、ガスの性質例えば、温度、ガス組成、及びイオン化ポテンシャルによって決定される定数であり、γは、平行平板の材料に関連したパラメータである。AC破壊電圧は、なかでも、ガス及び集中電場に暴露されている伝導性表面の付近では、VBの10分の1もの小ささになる可能性がある。図2は、プラズマ処理チャンバの部品200例えば、上方電極又は基板サポート内のヴォイド空間210の断面図を示している。部品は、非金属材料例えば、セラミック又は非ドープシリコンの層220と、導電性材料例えば、アルミニウムの層230とを含む。層220は、プラズマ処理チャンバ内でプラズマ260に暴露される表面220aと、プラズマ260に暴露されない表面220bとを有する。層230は、接着剤例えば、シリコーンゴムを使用するなどの適切な技術を使用して、表面220bに接合することができる。各ヴォイド空間210は、層220及び層230の全体を貫いて、プラズマ処理チャンバの内側に開かれている。層220の厚さ及び層230の厚さは、それぞれ、0.5~5mmであることが好ましい。ヴォイド空間210は、直径が約0.02インチおおよそ0.0508センチから約0.08インチおおよそ0.203センチであることができる。層220は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、非ドープシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、及び/又はイットリアで作成することができる。層230は、例えば、金属、グラファイト、及び/又はドープシリコンで作成することができる。層230は、ヴォイド空間210の内側で露出される伝導性表面235を有する。ヴォイド空間210の内側では、パラシティックプラズマ250が発生し、空間内で浸食及び/又は腐食を引き起こす可能性がある。部品200は、ベース290に取り付ける接合する、支える、留め付ける、及び/又は接着することができる。このベースは、例えば、その中の埋め込み流体チャネル290aに液体を流すことによって、温度制御することができる。このベースは、ヴォイド210と流体連通している少なくとも1つのプレナム290bも有することができる。プラズマ260を発生させるために、ベース290には、RF電力が供給可能である。層220は、その中に埋め込まれた少なくとも1つの静電チャックESC電極220cを有することができる。層230には、少なくとも1つのヒータ240例えば、薄膜ヒータが熱的に接触していることが好ましい。好ましくは、プラズマ処理チャンバ内に存在する高周波数における層230の導電性材料の比誘電率は、それらの高周波数における層220の非金属材料の比誘電率の少なくとも20倍の大きさである。ヴォイド空間210が30トールのヘリウムガスで満たされ、層220がおおよそ0.1インチおおよそ0.254センチの厚さであり、層230がおおよそ0.03インチおおよそ0.0762センチの厚さの接着層によって層220に接合され、部品が27MHzにおいて2500WのRF電力を受け、プラズマ260がおおよそ60Ωのインピーダンスを有する一例では、層230と表面220aとの間におおよそ15.5VのRFポテンシャルが展開し、これは、ヴォイド空間210内のヘリウムガスの破壊電圧を超えて、空間内にパラシティックプラズマ150を発生させる可能性がある。図3に示されるような一実施形態では、ヴォイド空間210の内表面を、管状スリーブ300が内張りしている。スリーブ300は、層230よりも低い誘電率の、プラスチック例えば、ポリエーテルエーテルケトン又はセラミック例えば、アルミナなどの材料で作成されることが好ましい。好ましくは、ヴォイド空間210のうち、層220内の部分は、スリーブ300を通る通路と同じ断面形状例えば、円、多角形、又はその他の任意の適切な形状を有する。ヴォイド空間210は、円筒又は角柱の形状をとることができる。具体的には、もし、ヴォイド空間210が円筒形状であるならば、管状スリーブ300は、層220内のヴォイド空間210の内径に等しい内径を有する。スリーブ300の半径方向の厚さは、ヴォイド空間210内のパラシティックプラズマを抑制するのに十分であることが望ましく、好ましくは、少なくとも0.01インチ0.0254センチである。好ましくは、スリーブ300は、層220と同じ材料で作成され、プラズマ260に直接暴露されない。層230の伝導性表面235がスリーブ300によって全体に覆われるように、すなわち、ヴォイド空間210内に露出された伝導性表面がないように、スリーブ300は、層230の上表面と同一平面である一方の端を有することが好ましく、もう一方の端は、層230の下表面と同一平面であることが好ましい。スリーブ300は、ベース290までは達していないことが好ましい。スリーブ300は、接着剤や圧入などの任意の適切な手段によって部品200に固定される自立型のスリーブであることができる。しかしながら、スリーブ300は、その外表面上に、積層体200内のネジ山と合わさるネジ山を有することができる。スリーブ300は、また、任意の適切な被覆手段によってヴォイド空間210の内表面に施される被覆の形態をとることもできる。例えば、CVDやプラズマ溶射などがある。図4に示されるような別の一実施形態では、管状スリーブ400は、上フランジ410を有することを除き、スリーブ300と同じである。フランジ410は、好ましくは、層230の上表面と同一平面である上表面を有する。スリーブ400は、層220を層230に接合する前に、ヴォイド空間210内に装着することができる。図5は、更に別の一実施形態を示している。管状スリーブ500は、下フランジ510を有することを除き、スリーブ300と同じである。この場合は、フランジは、層230の下表面と同一平面である下表面を有する。スリーブ500は、ベース290を層230に取り付ける前に、ヴォイド空間210内に装着することができる。本明細書で説明されるスリーブは、プラズマ処理チャンバ内でパラシティックプラズマを生じやすいキャビティ空洞、穴、導管、ヴォイド空洞、プレナム、及び/又はその他の空間に使用することもできる。スリーブは、これらの空間の伝導性内表面にちょうど嵌る形状に作成することができる。例えば、基板サポート150は、リフトピンホール内及び/又はヘリウム通路内にスリーブを有することができる。パラシティックプラズマを排除するためのスリーブ、及び該スリーブを内側に有するプラズマ暴露積層体が、それらの具体的な実施形態に言及して詳細に説明されてきたが、当業者ならば、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく様々な変更及び修正が加えられること並びに均等物が採用されることが可能であることが明らかである。"