中央部分に貫通孔を有する誘電体基板と、前記貫通孔に嵌め込まれた円柱形状の磁性部材と、前記磁性部材の一主面から前記誘電体基板の一主面にかけて形成された導体と、前記磁性部材に対し、バイアス磁場を可変的に印加するバイアス磁場可変手段とを有し、前記導体は、前記磁性部材の径よりも小さい径を有する円形部と、該円形部から三方に張り出す伝送線路部とを一体に有し、前記バイアス磁場可変手段にて印加するバイアス磁場を変化させることにより、前記磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る範囲において動作可能であることを特徴とする非可逆回路素子。請求項1記載の非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段にて可変するバイアス磁場を変化させることにより、前記磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側と低磁場側とのいずれの範囲においても、挿入損失0.3dB以下で動作可能であることを特徴とする非可逆回路素子。請求項1又は2記載の非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段にて印加するバイアス磁場を変化させることにより、前記磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側と低磁場側とのいずれの範囲においても、100MHz以上の動作周波数帯を有することを特徴とする非可逆回路素子。中央部分に貫通孔を有する第1及び第2誘電体基板と、前記第1及び第2誘電体基板の前記貫通孔に、それぞれ嵌め込まれた円柱形状の第1及び第2磁性部材と、前記第1及び第2磁性部材の一主面から前記第1及び第2誘電体基板の一主面にかけて形成され、前記第1磁性部材及び前記第1誘電体基板と、前記第2磁性部材及び前記第2誘電体基板とに挟まれた導体と、前記第1及び第2磁性部材に対し、バイアス磁場を可変的に印加するバイアス磁場可変手段とを有し、前記導体は、前記第1及び第2磁性部材の径よりも小さい径を有する円形部と、該円形部から三方に張り出す伝送線路部とを一体に有し、前記バイアス磁場可変手段にて印加するバイアス磁場を変化させることにより、前記第1及び第2磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る範囲において動作可能であることを特徴とする非可逆回路素子。請求項4記載の非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段にて可変するバイアス磁場を変化させることにより、前記第1及び第2磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側と低磁場側とのいずれの範囲においても、挿入損失0.3dB以下で動作可能であることを特徴とする非可逆回路素子。請求項4又は5記載の非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段にて印加するバイアス磁場を変化させることにより、前記第1及び第2磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側と低磁場側とのいずれの範囲においても、100MHz以上の動作周波数帯を有することを特徴とする非可逆回路素子。請求項1~6のいずれか1項に記載の非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段は、永久磁石と、コアと該コアの側壁を囲むコイルとを有する電磁石と、を備え、前記永久磁石と、前記コアとが積層して構成されていることを特徴とする非可逆回路素子。請求項1~6のいずれか1項に記載の非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段は、永久磁石と、径可変機構を備えた軟磁性円板とが積層して構成されていることを特徴とする非可逆回路素子。請求項7又は8記載の非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段は、前記磁性部材の一方の主面側に設けられ、前記磁性部材の他方の主面側に、軟磁性裏打ち層が設けられていることを特徴とする非可逆回路素子。請求項1~9のいずれか1項に記載の非可逆回路素子において、前記伝送線路部は、前記円形部から前記磁性部材と前記誘電体基板との境界部にかけて形成された第1線路部と、前記誘電体基板の一主面に形成された第2線路部と、前記第1線路部と前記第2線路部との間に介在された接続部とを有し、前記第1線路部の幅をW1、前記第2線路部の幅をW2としたとき、W1>W2であることを特徴とする非可逆回路素子。請求項10記載の非可逆回路素子において、前記接続部は、前記第1線路部から前記第2線路部にかけて幅が連続的に縮小した形状を有することを特徴とする非可逆回路素子。請求項10又は11記載の非可逆回路素子において、前記第1線路部の長さをL1、前記接続部の長さをL2としたとき、L1/3≦L2≦2L1であることを特徴とする非可逆回路素子。請求項1~9のいずれか1項に記載の非可逆回路素子において、前記伝送線路部は、前記円形部から前記磁性部材と前記誘電体基板との境界部にかけて形成された第1線路部と、前記誘電体基板の一主面に形成された第2線路部とを有し、前記第2線路部には、キャパシタンス成分を付加するためのスタブが設けられていることを特徴とする非可逆回路素子。上記特許文献1記載の非可逆回路素子は、正円偏波透磁率の実数項μと、負円偏波透磁率の実数項μ-との差分の大きいところで動作させているが、磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側までの広範囲において動作させるには至っていない。また、磁性部材と、当該磁性部材と同直径の中央部分から突出した伝送線路部を有する導体とが積層された構造であるため、磁場分布の乱れが生じ易い問題がある。本発明は上記のような従来技術の問題を考慮してなされたものであり、磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る広範囲において安定して動作可能な非可逆回路素子を提供することを目的とする。第1の本発明に係る非可逆回路素子は、中央部分に貫通孔を有する誘電体基板と、前記貫通孔に嵌め込まれた円柱形状の磁性部材と、前記磁性部材の一主面から前記誘電体基板の一主面にかけて形成された導体と、前記磁性部材に対し、バイアス磁場を可変的に印加するバイアス磁場可変手段とを有し、前記導体は、前記磁性部材の径よりも小さい径を有する円形部と、該円形部から三方に張り出す伝送線路部とを一体に有し、前記バイアス磁場可変手段にて印加するバイアス磁場を変化させることにより、前記磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る範囲において動作可能であることを特徴とする。このような構成によれば、磁場可変手段によって、磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る広範囲にて動作させることが可能であると共に、誘電体基板に磁性部材を嵌め込み、磁性部材の一主面から誘電体基板の一主面にかけて形成された導体を有することにより、磁性部材の歪みや欠け等による磁場分布の乱れを低減することができ、さらに導体の伝送線路のインピーダンスを一致させることも容易になる。第1の本発明に係る非可逆回路素子において、磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側と低磁場側とのいずれの範囲においても、挿入損失0.3dB以下で動作させることができ、また、前記範囲において100MHz以上の動作周波数帯を有する。第2の本発明に係る非可逆回路素子は、中央部分に貫通孔を有する第1及び第2誘電体基板と、前記第1及び第2誘電体基板の前記貫通孔に、それぞれ嵌め込まれた円柱形状の第1及び第2磁性部材と、前記第1及び第2磁性部材の一主面から前記第1及び第2誘電体基板の一主面にかけて形成され、前記第1磁性部材及び前記第1誘電体基板と、前記第2磁性部材及び前記第2誘電体基板とに挟まれた導体と、前記第1及び第2磁性部材に対し、バイアス磁場を可変的に印加するバイアス磁場可変手段とを有し、前記導体は、前記第1及び第2磁性部材の径よりも小さい径を有する円形部と、該円形部から三方に張り出す伝送線路部とを一体に有し、前記バイアス磁場可変手段にて印加するバイアス磁場を変化させることにより、前記第1及び第2磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る範囲において動作可能であることを特徴とする。このような構成によれば、上記第1の本発明に係る非可逆回路素子と同様に、磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る広範囲にて動作させること、磁場分布の乱れを低減できること、伝送線路のインピーダンスの調整が容易になること、に加え、導体が磁性部材によって挟まれていることから、導体から電磁波が放射されることによる損失を抑えることができる。第2の本発明に係る非可逆回路素子においても、第1の本発明に係る非可逆回路素子と同様に、磁性部材が有する磁気共鳴点の高磁場側と低磁場側とのいずれの範囲においても、挿入損失0.3dB以下で動作させることができ、また、前記範囲において100MHz以上の動作周波数帯を有する。また、第1又は第2の本発明に係る非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段は、永久磁石と、コアと該コアの側壁を囲むコイルとを有する電磁石と、を備え、前記永久磁石と、前記コアとが積層して構成されていることが好ましく、さらに、前記バイアス磁場可変手段は、前記磁性部材の一方の主面側に設けられ、前記磁性部材の他方の主面側に、軟磁性裏打ち層が設けられていることが好ましい。これにより、磁性部材に生じる磁場分布を均一化することができ、より一層安定した動作が可能となる。さらに、第1又は第2の本発明に係る非可逆回路素子において、前記バイアス磁場可変手段は、永久磁石と、径可変機構を備えた軟磁性円板とが積層して構成されることを特徴とする。このような構成によれば、広範囲にバイアス磁場を変化させることができるとともに、一旦磁場強度を変化させた後にエネルギーを供給しなくとも、その磁場強度を保持することができる。この場合も、前記バイアス磁場可変手段は、磁性部材の一方の主面側に設けられ、前記磁性部材の他方の主面側に、軟磁性裏打ち層が設けられていてよい。またさらに、第1又は第2の本発明に係る非可逆回路素子において、前記伝送線路部は、前記円形部から前記磁性部材と前記誘電体基板との境界部にかけて形成された第1線路部と、前記誘電体基板の一主面に形成された第2線路部と、前記第1線路部と前記第2線路部との間に介在された接続部とを有し、前記第1線路部の幅をW1、前記第2線路部の幅をW2としたとき、W1>W2である。加えて、前記接続部は、前記第1線路部から前記第2線路部にかけて幅が連続的に縮小した形状を有していることが好ましく、さらに、前記第1線路部の長さをL1、前記接続部の長さをL2としたとき、L1/3≦L2≦2L1であることが好ましい。このような構成により、伝送線路部のインピーダンスの整合を図ることができる。また、第1又は第2の本発明に係る非可逆回路素子において、前記伝送線路部は、前記円形部から前記磁性部材と前記誘電体基板との境界部にかけて形成された第1線路部と、前記誘電体基板の一主面に形成された第2線路部とを有し、前記第2線路部には、キャパシタンス成分を付加するためのスタブが設けられていることを特徴とする。これによっても、伝送線路部のインピーダンスの整合を図ることが容易になる。本発明によれば、磁場可変手段によって、磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る広範囲にて動作させることが可能であると共に、誘電体基板に磁性部材を嵌め込み、磁性部材の一主面から誘電体基板の一主面にかけて形成された導体を有することにより、磁性部材の歪みや欠け等による磁場分布の乱れを低減することができ、さらに伝送線路部のインピーダンスの整合を図ることが容易になる。以下、本発明に係る非可逆回路素子について、好適な実施形態を挙げ、図1~図16を参照して詳細に説明する。先ず、第1実施形態について、図1~図9を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る非可逆回路素子10の断面図である。この非可逆回路素子10は、例えば、携帯電話端末や携帯電話基地局等の通信機器に組み込まれ、信号を一方向に伝送し、逆方向の伝送を防止する機能を有する。非可逆回路素子10は、中央部分に貫通孔を有する誘電体基板12と、その貫通孔に嵌め込まれた円柱形状の磁性部材14と、磁性部材14の一主面14aから誘電体基板12の一主面12aにかけて形成された導体16と、磁性部材14の他主面14bから誘電体基板12の他主面12bにかけて形成された接地導体18と、磁性部材14に対し、バイアス磁場を可変的に印加するバイアス磁場可変手段20を有する。誘電体基板12は、方形状のセラミック板からなる。セラミックとしては、非磁性且つ絶縁性の材料を用いることができる。例えば、アルミナは、これらの特性に優れ、さらに機械的強度にも優れる点で好ましい。アルミナとしては、例えば、周波数1MHzにおいて誘電率が8~10、誘電正接が1~10×10-4のものを用いることができる。誘電体基板12に設けられる中央部分の貫通孔には、磁性部材14が嵌め込まれる。誘電体基板12の厚みや貫通孔の大きさ、形状は、使用する磁性部材14に併せて設定される。磁性部材14は、円柱形状円板形状を有し、誘電体基板12の貫通孔に嵌め込まれる。磁性部材14と誘電体基板12との間は、ポリイミド等の樹脂を介して嵌合されてもよいし、クリアランスを小さくして直接嵌合された構成としてもよい。磁性部材14には、磁気損失及び強磁性共鳴半値幅ΔHが小さいフェライトを用いることができる。例えば、ニッケル亜鉛フェライト、YIGイットリウム鉄ガーネットを好適に用いることができる。YIG単結晶を用いてもよい。この場合、磁性部材14の飽和磁化は850G程度である。磁性部材14の飽和磁化としては、例えば850G以下、700G以下、600G以下のものを用いることができる。図2は、第1実施形態に係る非可逆回路素子10の誘電体基板12と磁性部材14と導体16とを一主面12a、14a側からみた平面図である。磁性部材14の一主面14aから誘電体基板12の一主面12aにかけて導体16が形成されている。磁性部材14の一主面14aと誘電体基板12の一主面12aとは、略同一平面を構成している。導体16は、磁性部材14の径よりも小さい径を有する円形部22と、該円形部22から三方に張り出す伝送線路部24とが一体に構成される。導体16は、例えば、導体ペーストの印刷焼き付け、メッキ、導電性接着剤による金属箔の貼り付け等の方法によって形成される。導体16の材料としては、Au、Ag、Cu、Al等が挙げられる。誘電体基板12及び磁性部材14の他主面12b、14bに設けられる接地導体18も、一主面12a、14aに形成される導体16と同様に形成される。接地導体18は、誘電体基板12と磁性部材14の他主面12b、14bを覆うように設けることができる。三方のうち一方の伝送線路部24は、図示しない終端抵抗に接続され、残部の一方の伝送線路部24から入力された信号が他方に伝送される。このとき、他方の伝送線路部24に接続された負荷からの反射波が戻ってきた場合に、反射波は、入力側には戻らず、終端抵抗が接続された伝送線路部24へ伝送されて終端抵抗により吸収される。伝送線路部24は、円形部22から磁性部材14と誘電体基板12との境界部にかけて形成された第1線路部24aと、誘電体基板12の一主面12aに形成された第2線路部24bと、前記第1線路部24aと前記第2線路部24bとの間に介在された接続部24cとを有する。ここで、図2中において円で囲った接続部24c近傍を拡大した一部平面図に示すように、前記接続部24cの幅をW1、前記第2線路部24bの幅をW2としたとき、W1>W2であることが好ましい。また、接続部24cは、前記第1線路部24aから前記第2線路部24bにかけて幅が連続的に縮小した形状を有する。さらに、前記第1線路部24aの長さをL1、前記接続部24cの長さをL2としたとき、L1/3≦L2≦2L1であることが好ましい。バイアス磁場可変手段20は、永久磁石26と、コア28と該コア28の側壁を囲むコイル30とを有する電磁石32と、を備える。永久磁石26としては、例えば、ストロンチウム、バリウム、ランタンーコバルト系等のフェライト磁石、又はサマリウム-コバルト系、ネオジウム-鉄-ボロン系等の金属磁石を用いることができる。この永久磁石26と、コア28とが積層される。コア28には、例えば、初透磁率μiが1000以上、より好ましくは50000以上、さらに好ましくは100000以上の金属材料を用いることが好ましく、また、飽和磁束密度Bsが0.4T以上、より好ましくは、0.5T以上、さらに好ましくは0.6T以上の金属材料を用いることが好ましい。例えば、FeNi合金パーマロイ、FeCoV合金パーメンダが好適に用いられる。コア28の径は、少なくとも磁性部材14の径よりも大きいことが好ましい。コア28の側壁を囲むコイル30の一端は、図示しない電流印加手段に接続され、他端は接地される。前記磁性部材14の一方の主面に対向して前記バイアス磁場可変手段20が設けられ、前記磁性部材14の他方の主面に対向して軟磁性裏打ち層34が設けられる。第1実施形態では、導体16が形成された一主面14a側にバイアス磁場可変手段20が設けられ、接地導体18が形成された他主面14b側に軟磁性裏打ち層34が設けられているが、これは、逆であっても構わない。すなわち、導体16が形成された一主面14a側に軟磁性裏打ち層34が設けられ、接地導体18が形成された他主面14b側にバイアス磁場可変手段20が設けられてもよい。軟磁性裏打ち層34には、初透磁率μiが1000以上、より好ましくは50000以上、さらに好ましくは100000以上の金属材料を用いることが好ましく、また、飽和磁束密度Bsが0.4T以上、より好ましくは、0.5T以上、さらに好ましくは0.6T以上の金属材料を用いることが好ましい。例えば、前記コア28に用いた材料と同じ材料を用いることができ、具体的には、FeNi合金、FeCoV合金を好適に用いることができる。なお、このように構成される非可逆回路素子10は、その外周を囲うケースヨークを有していてもよい。この場合、例えば、軟磁性裏打ち層34がケースを兼ねる構成としてもよく、また、バイアス磁場可変手段20がケースの外側に設けられた構成としてもよい。次に、以上のように構成される第1実施形態に係る非可逆回路素子10の作用効果について、図2~図9を参照しながら説明する。第1実施形態に係る非可逆回路素子10では、図2に示すように、誘電体基板12に磁性部材14を嵌め込んだ構成を有している。これにより、磁性部材14の歪みや欠けを効果的に防ぐことができ、磁場分布の乱れを低減することができる。特に第1実施形態では磁性部材14に印加するバイアス磁場を変化させるため、磁場分布が乱れ易いことからこのような構成とすることによって、より一層安定な動作が可能となる。また、非可逆回路素子10では、導体16の円形部22は、磁性部材14の径よりも小さい径を有する。そのため、磁性部材14の外側にはみ出す部分がないため、円形部22の形状、寸法通りの特性が容易に得られる。さらに、導体16の伝送線路部24は、第1線路部24aと第2線路部24bとの間に介在された接続部24cとを有し、磁性部材14上に位置する第1線路部24aの幅W1と誘電体基板12上に位置する第2線路部24bの幅W2は、所定の関係を有することから、誘電体基板12と磁性部材14との組合せにおいて、好適なインピーダンスマッチングが可能となる。さらに、接続部24cが、第1線路部24aから第2線路部24bにかけて連続的に縮小した形状を有し、前記第1線路部24aの長さL1と接続部24cの長さL2とが、所定の関係を有することから、より一層インピーダンスマッチングの好適化が図られる。図3は、第1実施形態に係る磁性部材14フェライト:誘電率15、飽和磁化450G、強磁性共鳴半値幅1Oeに対し、バイアス磁場450Oeを印加した場合の透磁率の周波数特性を示した図である。磁性部材14の寸法は、φ17mm×0.62mmとし、当該磁性部材14の寸法に併せた貫通孔を略中央に有し、52mm×52mm×厚み0.62mmの誘電体基板12アルミナ、誘電率9.36、誘電正接0.00024に嵌め込んだモデルとした。円形部22、伝送線路部24及び接地導体18は、導電率6.1×107S/mの銀とし、その厚みを0.01mm、円形部22の直径を10mm、伝送線路部24のうち、第1線路部24aの長さを3.5mm、幅を4mm、第2線路部24bの幅を1.2mmとした。第1線路部24aから第2線路部24bまでの間の接続部24cの長さは、3mmとし、その幅が4mmから1.2mmに縮小されるようにした。図3中のμ′、μ-′は、μ±=μ±′-jμ±′′で表され、複素数である円偏波透磁率μ、μ-の実数部である。μは正円偏波透磁率、μ-は負円偏波透磁率を意味し、μ′′、μ-′′は、その虚数部損失項を表している。また、μeffは、実効透磁率を示す。実効透磁率μeffは、μ、μ-によって実効透磁率μeff=2μμ-/μμ-と表すことができる。なお、図示していないが、損失項であるμ′′が最大値を示す周波数が磁気共鳴点となる。通常、非可逆回路素子は、μ′>0、μ′-μ-′<0、又はμ′>0、μ′-μ-′>0、の領域で使用される。また、実効透磁率μeffとの関係において、μ′>0、μeff>0の領域でも動作させることが可能なことがわかっている。図3の場合には、動作周波数帯2.3~2.4GHzにおいて、μ′>0、μ′-μ-′<0の関係を有していることから、第1実施形態に係る磁性部材14は、この領域で使用可能なことがわかる。この透磁率の周波数特性は、磁性部材14に対して印加するバイアス磁場によって、また伝送する周波数によっても異なることから、所望の動作周波数帯に応じてバイアス磁場を変化させることにより、広範囲の周波数帯で動作し得る非可逆回路素子10とすることができる。図4に動作周波数帯及びバイアス磁場を変化させた例を示す。図4は、第1実施形態に係る磁性部材14、すなわち図3と同一のフェライトに対し、バイアス磁場300Oeを印加した場合の透磁率の周波数特性を示した図である。この場合、動作周波数帯0.7~0.8GHzにおいて、μ′>0、μ′-μ-′>0の関係を有していることから、この領域で使用可能なことがわかる。図3に示した例は、磁気共鳴点の高磁場側において動作可能であることを示したものであるが、図4の例では、磁気共鳴点の低磁場側においても動作可能であることが示されている。図3及び図4で示した例の両帯域で動作する非可逆回路素子10の伝送特性を解析した結果を図5A~図6Bに示す。図5Aは、図3に示したように、磁性部材14に対しバイアス磁場450Oeを印加した場合の伝送特性を示したものであり、図5Bは、その挿入損失を示したものである。非可逆動作の中心周波数は、2.38GHzであり、挿入損失0.30dBであった。また、磁性部材14に対しバイアス磁場300Oeを印加した場合の伝送特性及び挿入損失は、図6A、図6Bに示すように、非可逆動作の中心周波数が0.74GHzであり、挿入損失0.28dBであった。このように、第1実施形態に係る磁性部材14に対し、印加するバイアス磁場を変化させることにより、磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る広範囲にて動作させることが可能になることがわかる。なお、図3~図6Bで示した例は、磁気共鳴点から離れた周波数帯での動作であるが、磁気共鳴点近傍で動作させる場合には、例えば、μ′>0、μeff>0の関係を有するように動作周波数に応じてバイアス磁場を変化させるとよい。磁性部材14に印加するバイアス磁場は、バイアス磁場可変手段20においてコイル30に印加する電流値を調整することによって変化させることができる。図7は、バイアス磁場可変手段20においてコイル30に印加する電流値とバイアス磁場との関係を示した図である。これは、図1に示すバイアス磁場可変手段20をモデルに解析を行ったものである。解析は、3次元有限要素法磁場解析シミュレータJMAG、日本総研ソリューションズ製を用い、磁性部材14をYIG単結晶飽和磁化850G、φ1.2mmとし、永久磁石26φ1.4mm、厚み0.05mm、コア28FeNi合金、初透磁率μi150000、飽和磁束密度Bs0.65T、φ1.6mm、厚み0.7mm、コイル30200巻、軟磁性裏打ち層Softmag.backlayermaterial34FeNi合金を積層したもので行った。なお、バイアス磁場の数値は、磁性部材14の厚み方向の中央部におけるものである。図7に示すように、この場合、電流値が50mAのとき、コア28側から軟磁性裏打ち層34に向かう方向に180Oeのバイアス磁場が印加される。一方、電流値が-10mAのとき、軟磁性裏打ち層34側からコア28側に向かう方向に100Oeのバイアス磁場が印加される。このときの磁場の向きを表したモデル図を図8A、図8Bに示す。図8Aは、電流値を50mAとしたときの磁場の向き磁束線、矢印Bを示したモデル図であり、図8Bは、電流値を-10mAとしたときの磁場の向き矢印Cを示したモデル図である。図8Aでは、磁性部材14に対して、永久磁石26が作る磁場の向き矢印Aと、コイル30が作る磁場の向きとが、同方向となっている。これにより、磁性部材14に対して印加されるバイアス磁場強度が高められる。一方、図8Bでは、磁性部材14に対して、永久磁石26が作る磁場の向きと、コイル30が作る磁場の向きとが、逆方向となっている。従って、永久磁石26が作る磁場とコイル30が作る磁場とが打ち消し合って、磁性部材14に対して印加されるバイアス磁場強度が低下する。このように、コイル30に印加する電流値を制御することによって、バイアス磁場を可変的に印加することができる。これは、非可逆回路素子のマルチバンド化を実現するうえで有利となる。図9は、上記解析モデルにおいて、磁性部材14における内部磁場の分布を示した図である。軟磁性裏打ち層34がない場合、バイアス磁場100Oe、180Oeのいずれの場合図9中△、▲で示すも、磁性部材14の中央部で磁場強度が低下していることがわかる。特に180Oeの場合に、中央部での磁場強度の低下が激しい。一方、軟磁性裏打ち層34を有する場合図9中○、●で示すには、中央部に生じる内部磁場分布の均一性が極めて高いことがわかる。これは、軟磁性裏打ち層34を有することで、磁気回路が形成され磁性部材14の中央部で強磁場が印加されることによる。これにより、磁性部材14に生じる磁場分布を均一化することができ、より一層安定した動作が可能となる。図10は、第1実施形態の変形例に係る非可逆回路素子40の断面図である。上記した非可逆回路素子10は、誘電体基板12の露出した一主面12aと磁性部材14のそれぞれ露出した一主面14aに伝送線路部24が形成された、いわゆるマイクロストリップ型の構成を採用しているのに対し、この変形例では、第1誘電体基板42A及び第2誘電体基板42Bと、第1磁性部材44A及び第2磁性部材44Bとによって、導体46が挟まれた、いわゆるストリップ型の構成を採用している。この非可逆回路素子40においても、第1誘電体基板42A及び第2誘電体基板42Bは、中央部に貫通孔を有し、第1磁性部材44A及び第2磁性部材44Bは、それぞれ前記貫通孔に嵌め込まれている。そして、第1誘電体基板42Aと第2誘電体基板42Bとの対向する一主面間から、第1磁性部材44Aと第2磁性部材44Bとの対向する一主面間にかけて導体46が内装されている。外方に向いた、それぞれの他の一主面には、第1接地導体48A及び第2接地導体48Bが設けられている。図11は、導体46を説明するために一部を省略して示す平面図である。導体46は、前記導体16と同様に、例えば、導体ペーストの印刷焼き付け等の方法によって形成され、第1磁性部材44A及び第2磁性部材44Bの径よりも小さい径を有する円形部50と、該円形部50から三方に張り出す伝送線路部52とが一体に構成される。伝送線路部52は、円形部50から第1磁性部材44A及び第2磁性部材44Bから第1誘電体基板42A及び第2誘電体基板42Bとの境界にかけて形成された第1線路部52aと、その外方に延びる第2線路部52bとを有する。この第1線路部52aと第2線路部52bは、上記したマイクロストリップ型の非可逆回路素子10の例と異なり、線幅は等しくなっている。ただし、第2線路部52bには、その一部が拡幅したスタブ54が形成されている。ここで、図11中において円で囲ったスタブ54近傍を拡大した一部平面図に示すように、スタブ54の幅をS1、第2線路部52bの幅をW2としたとき、S1<W2であることが好ましい。さらに、スタブ54の長さをS2としたとき、S1/5≦S2≦5S1であることが好ましい。このような構成の非可逆回路素子40によれば、伝送線路部52が第1磁性部材44A及び第2磁性部材44Bと、第1誘電体基板42A及び第2誘電体基板42Bによって挟まれていることから、伝送線路部52から電磁波が放射されることによる損失を抑えることができる。さらに、第2線路部52bに設けられたスタブ54により、キャパシタンス成分が付加されることによって、インピーダンスの整合を図ることが容易になる。この変形例において、バイアス磁場可変手段20は、第2磁性部材44B側に設けられているが、第1磁性部材44A側であってもよく、さらには、第1磁性部材44A側と、第2磁性部材44B側の両方に設けられてもよい。次に、第2実施形態に係る非可逆回路素子60について、図12~図16Bを参照しながら説明する。なお、上記した第1実施形態と同一又は共通する構成については、詳細な説明、図示を省略する。図12は、第2実施形態に係る非可逆回路素子60の断面図である。非可逆回路素子60は、図1に示した第1実施形態の永久磁石26と電磁石32とを組み合わせたバイアス磁場可変手段20に代わり、永久磁石26と、該永久磁石26と軟磁性層62とに挟持され、径可変機構を備えた軟磁性円板64とから構成されるバイアス磁場可変手段66を有している。この軟磁性円板64の径可変機構は、例えば、料理に使用される落とし蓋のような構造を備える。すなわち、図13A、図13Bに示すように、軟磁性円板64は、長穴68スリットが設けられた複数の扇形片70が要ピン72及び各扇形片70の円弧端部に設けられたリベット74により連結されて構成され、要ピン72の位置を、各扇形片70の長穴68の中でスライドさせることにより、拡径された図13Aの状態と、縮径された図13Bの状態との間で、その径を変化させることができる。図14は、第2実施形態に係る非可逆回路素子60におけるバイアス磁場可変手段66において、軟磁性円板64の直径と内部バイアス磁場との関係を解析した結果を示した図である。解析は、3次元有限要素法磁場解析シミュレータJMAG、日本総研ソリューションズ製を用い、磁性部材14をYIG単結晶とし、永久磁石26Nd-Fe-B磁石、φ2.4mm、厚み0.4mm、軟磁性円板64パーメンダ、YEP-2V、日立金属社製、最小直径2.0mm、最大直径4.0mm、厚み0.2mm、軟磁性層62パーメンダ、直径2.0mm、厚み0.2mm、軟磁性裏打ち層34パーメンダ、直径2.0mm、厚み0.2mmを積層したもので行った。なお、永久磁石26については、軟磁性円板64を最小直径2.0mmとしたときに、バイアス磁場1200Oeが得られるように設定した。図14に示すように、第2実施形態に係るバイアス磁場可変手段66によれば、軟磁性円板64の直径を2.0mmから3.2mmまで可変とすることにより、最小値100Oeから、その10倍以上の最大値1200Oeまで、広範囲にバイアス磁場を変化させることができることがわかった。また、上記第2実施形態に係る解析モデルにおいて、磁性部材14における内部バイアス磁場の分布を示す図15より、第2実施形態においても、軟磁性裏打ち層34の存在により内部バイアス磁場分布の均一性が高いことがわかる。図16A、図16Bは、軟磁性円板64の直径をそれぞれ、2.0mm、3.2mmとしたときの磁束線の流れを模式的に表した図である。図16A、図16Bから容易に理解されるように、径可変の軟磁性円板64の直径が最小の場合には、永久磁石26から出た磁束線は、途中でさほど拡がらずに、対向する軟磁性裏打ち層34に向かって流れるため、強いバイアス磁場が磁性部材14に印加される。一方、軟磁性円板64の直径が3.2mmと大きくなった場合には、永久磁石26から出た磁束線の大部分は、軟磁性円板64を水平方向に流れ、ショートカットして永久磁石26の背面に戻る。そのため、磁性部材14に加わる内部バイアス磁場は極めて小さくなる。このように、第2実施形態では、軟磁性円板64の直径を可変として調整することで、内部バイアス磁場を可変的に印加することができる。従って、第2実施形態においても、磁気共鳴点の高磁場側から低磁場側に至る広範囲にて動作させることが可能になることが明らかである。この場合、第1実施形態で用いた電磁石32が不要であり、磁場強度を保持するためにエネルギーを供給する必要もないことに加え、より一層容易に且つ広範囲に内部バイアス磁場を変化させることができる点で優れている。これは、非可逆回路素子のマルチバンド化を実現するうえで、さらに有利となる。本発明に係る非可逆回路素子10、40、60は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。例えば、第1実施形態の変形例に係るストリップ型の非可逆回路素子40と、第2実施形態の径可変の軟磁性円板64を備えるバイアス磁場可変手段66とを組み合わせた構成としてもよい。