二次電池と負荷もしくは充電器との電流経路に設けられた制御トランジスタを制御して、前記二次電池の充放電を制御する充放電制御回路であって、前記制御トランジスタに流れる電流によって発生する電圧と、第一の基準電圧と、を比較する第一の比較回路と、前記第一の比較回路の出力によってオンオフが制御され、前記制御トランジスタと特性が等しい基準トランジスタと、前記基準トランジスタに電流を流す定電流回路と、を備え、第二の基準電圧を出力する第二の基準電圧回路と、前記制御トランジスタに流れる電流によって発生する電圧と前記第二の基準電圧とを比較する第二の比較回路と、を有する過電流保護回路を備え、前記第一の基準電圧は、前記第二の基準電圧よりも低い電圧であり、前記制御トランジスタに過電流が流れたときに、先ず前記基準トランジスタがオンして、さらに電流が増加したときに前記制御トランジスタをオフする、ことを特徴とする充放電制御回路。前記過電流保護回路は、前記制御トランジスタに流れる放電過電流を検出する放電過電流保護回路、または、前記制御トランジスタに流れる充電過電流を検出する充電過電流保護回路、または、その両方であることを特徴とする請求項1に記載の充放電制御回路。充放電が可能な二次電池と、前記二次電池の充放電経路に設けられ、前記二次電池の充放電を制御する制御トランジスタと、制御トランジスタを制御することによって前記二次電池の充放電を制御する請求項1または2に記載の充放電制御回路と、を備えたバッテリ装置。しかしながら従来の技術では、常にNchFET901、902に電流が流れているので、充放電制御回路の消費電流が大きくなるという課題があった。本発明は、以上のような課題を解決するために考案されたものであり、低消費電流で精度のよい過電流保護回路を備えた充放電制御回路及びバッテリ装置を提供するものである。従来の課題を解決するために、本発明の充放電制御回路は以下のような構成とした。二次電池と負荷もしくは充電器との電流経路に設けられた制御トランジスタを制御して、前記二次電池の充放電を制御する充放電制御回路であって、前記制御トランジスタに流れる電流によって発生する電圧と、第一の基準電圧と、を比較する第一の比較回路と、前記第一の比較回路の出力によってオンオフが制御され、前記制御トランジスタと特性が等しい基準トランジスタと、前記基準トランジスタに電流を流す定電流回路と、を備え、第二の基準電圧を出力する第二の基準電圧回路と、前記制御トランジスタに流れる電流によって発生する電圧と前記第二の基準電圧とを比較する第二の比較回路と、を有する過電流保護回路を備え、前記第一の基準電圧は、前記第二の基準電圧よりも低い電圧であり、前記制御トランジスタに過電流が流れたときに、先ず前記基準トランジスタがオンして、さらに電流が増加したときに前記制御トランジスタをオフする、ことを特徴とする充放電制御回路。また、その充放電制御回路を備えたバッテリ装置。本発明の過電流保護回路を備えた充放電制御回路によれば、低消費電流で精度のよい過電流保護回路を備えた充放電制御回路及びバッテリ装置を提供することが出来る。[第1の実施形態]図1は、第一の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。第一の実施形態のバッテリ装置は、二次電池101と、抵抗102と、容量103と、充電器124または負荷123が接続される外部端子155及び156と、充放電制御回路161と、を備えている。充放電制御回路161は、基準電圧回路104と、コンパレータ111、116と、NchFET113、115、118と、PchFET112、117と、定電流回路114と、Nch放電制御FET105と、端子151、152、154と、から成る放電過電流保護回路を備えている。その他の過放電検出回路、過充電検出回路などは図示していない。二次電池101は、正極は抵抗102および外部端子155に接続され、負極は容量103及び充放電制御回路161の端子152に接続される。抵抗102のもう一方の端子は容量103のもう一方の端子及び充放電制御回路161の端子151に接続され、外部端子156は充放電制御回路161の端子154に接続される。コンパレータ111は、非反転入力端子は基準電圧回路104に接続され、反転入力端子は端子154に接続され、出力端子はPchFET112のゲートとNchFET113のゲートに接続される。基準電圧回路104のもう一方の端子は端子152に接続される。PchFET112は、ソースは端子151に接続され、ドレインはNchFET115のゲートに接続される。NchFET113は、ソースは端子152に接続され、ドレインはNchFET115のゲートに接続される。NchFET115は、ソースは端子152に接続され、ドレインは定電流回路114に接続される。定電流回路114のもう一方の端子は端子151に接続される。コンパレータ116は、反転入力端子はNchFET115のドレインに接続され、非反転入力端子は端子154に接続され、出力端子はPchFET117のゲートおよびNchFET118のゲートに接続される。PchFET117は、ソースは端子151に接続され、ドレインはNch放電制御FET105のゲートに接続される。NchFET118は、ソースは端子152に接続され、ドレインはNch放電制御FET105のゲートに接続される。Nch放電制御FET105は、ソース及びバックゲートは端子152に接続され、ドレインは端子154に接続される。次に、第一の実施形態のバッテリ装置の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Nch放電制御FET105のソースドレイン間に電流が流れ、Nch放電制御FET105のオン抵抗によりコンパレータ111の反転入力端子の電圧が上昇する。コンパレータ111の反転入力端子の電圧が基準電圧回路104の電圧を上回ると、コンパレータ111はLoの信号を出力する。すると、PchFET112はオン、NchFET113はオフし、NchFET115のゲートにHiの信号を出力してNchFET115をオンさせる。NchFET115がオンすると定電流回路114から電流が流れ、NchFET115のオン抵抗によりコンパレータ116の反転入力端子の電圧が下降して一定電圧を保持する。Nch放電制御FET105のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ116の非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧を上回ると、コンパレータ116はHiの信号を出力する。すると、PchFET117はオフ、NchFET118はオンし、Nch放電制御FET105のゲートにLoの信号を出力してNch放電制御FET105をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路104の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ116の反転入力端子の電圧より低く設定する。このように構成すると、過電流保護をかける設定電流に達する前にNchFET115がオンするので、設定電流を超えた時に過電流保護をかける事ができる。そして、通常状態ではNchFET115がオフしているので、過電流保護回路の消費電流を小さくすることができる。Nch放電制御FET105のオン抵抗Ron105とNchFET115のオン抵抗Ron115はRon105÷Ron115=N定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路114の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron105÷Ron115となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、NchFET115のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、NchFET115に、Nch放電制御FET105と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。なお、図示はしないがコンパレータ111の出力を直接NchFET115のゲートに接続して制御してもよい。以上に説明したように、第一の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときNchFET115をオフさせることで消費電流を低減させることができる。[第2の実施形態]図2は、第二の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。第二の実施形態は、図1のバッテリ装置から、放電制御FETをPch放電制御FET202に変更した。それに伴って、放電過電流保護回路の論理を変更した。二次電池101は、負極は抵抗102および外部端子156に接続され、正極は容量103及び充放電制御回路261の端子151に接続される。抵抗102のもう一方の端子は容量103のもう一方の端子及び充放電制御回路261の端子152に接続され、外部端子155は充放電制御回路261の端子153に接続される。コンパレータ111は、非反転入力端子は基準電圧回路104に接続され、反転入力端子は端子153に接続され、出力端子はPchFET112のゲートとNchFET113のゲートに接続される。基準電圧回路104のもう一方の端子は端子152に接続される。PchFET112は、ソースは端子151に接続され、ドレインはPchFET201のゲートに接続される。NchFET113は、ソースは端子152に接続され、ドレインはPchFET201のゲートに接続される。PchFET201は、ソースは端子151に接続され、ドレインは定電流回路114に接続される。定電流回路114のもう一方の端子は端子152に接続される。コンパレータ116は、反転入力端子はPchFET201のドレインに接続され、非反転入力端子は端子153に接続され、出力端子はPchFET117のゲートおよびNchFET118のゲートに接続される。PchFET117は、ソースは端子151に接続され、ドレインはPch放電制御FET202のゲートに接続される。NchFET118は、ソースは端子152に接続され、ドレインはPch放電制御FET202のゲートに接続される。Pch放電制御FET202は、ソース及びバックゲートは端子151に接続され、ドレインは端子153に接続される。次に、第二の実施形態のバッテリ装置の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Pch放電制御FET202のソースドレイン間に電流が流れ、Pch放電制御FET202のオン抵抗によりコンパレータ111の反転入力端子の電圧が下降する。コンパレータ111の反転入力端子の電圧が基準電圧回路104の電圧を下回ると、コンパレータ111はHiの信号を出力する。すると、PchFET112はオフ、NchFET113はオンし、PchFET201のゲートにLoの信号を出力してPchFET201をオンさせる。PchFET201がオンすると定電流回路114から電流が流れ、PchFET201のオン抵抗によりコンパレータ116の反転入力端子の電圧が上昇し一定の電圧を保持する。Pch放電制御FET202のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ116の非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧を下回ると、コンパレータ116はLoの信号を出力する。すると、PchFET117はオン、NchFET118はオフし、Pch放電制御FET202のゲートにHiの信号を出力してPch放電制御FET202をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路104の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ116の反転入力端子の電圧より高く設定する。こうして、過電流保護をかける設定電流に達する前にPchFET201がオンし過電流保護をかける事ができる。また、設定電流に達する前までPchFET201をオフさせるため、過電流保護がかかっていないときの消費電流を小さくすることができる。Pch放電制御FET202のオン抵抗Ron202とPchFET201のオン抵抗Ron201はRon202÷Ron201=N定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路114の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron202÷Ron201となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、PchFET201のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、PchFET201に、Pch放電制御FET202と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。なお、図示はしないがコンパレータ111の出力を直接PchFET201のゲートに接続して制御してもよい。以上に説明したように、第二の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときPchFET201をオフさせることで消費電流を低減させることができる。[第3の実施形態]図3は、第三の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。図1との違いはNchFET301、NchディプレッションFET302を追加し、NchFET115および過電流保護回路361の接続を変更した点である。NchFET301は、ゲートはPchFET112のドレインおよびNchFET113のドレインに接続され、ドレインは端子151に接続され、ソースは定電流回路114に接続される。NchFET115は、ゲートは端子151に接続され、ドレインはコンパレータ116の反転入力端子および定電流回路114のもう一方の端子に接続され、ソースは端子152に接続される。NchディプレッションFET302は、ドレインはコンパレータ116の出力に接続され、ゲートおよびソースは端子152に接続される。次に、第三の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Nch放電制御FET105のソースドレイン間に電流が流れ、Nch放電制御FET105のオン抵抗によりコンパレータ111の反転入力端子の電圧が上昇する。コンパレータ111の反転入力端子の電圧が基準電圧回路104の電圧を上回ると、コンパレータ111はLoの信号を出力する。すると、PchFET112はオン、NchFET113はオフし、NchFET301のゲートにHiの信号を出力してNchFET301をオンさせる。NchFET115は常にオンしている。NchFET301がオンすると定電流回路114から電流が流れ、NchFET115のオン抵抗によりコンパレータ116の反転入力端子の電圧が上昇して一定電圧を保持する。Nch放電制御FET105のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ116の非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧を上回ると、コンパレータ116はHiの信号を出力する。すると、PchFET117はオフ、NchFET118はオンし、Nch放電制御FET105のゲートにLoの信号を出力してNch放電制御FET105をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路104の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ116の反転入力端子の電圧より低く設定する。こうして、過電流保護をかける設定電流に達する前にNchFET301がオンし過電流保護をかける事ができる。また、設定電流に達する前までNchFET301をオフさせるため、過電流保護がかかっていないときの消費電流を小さくすることができる。Nch放電制御FET105のオン抵抗Ron105とNchFET115のオン抵抗Ron115はRon105÷Ron115=N定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路114の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron105÷Ron115となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、NchFET115のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、NchFET115に、Nch放電制御FET105と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。NchFET301でNchFET115に流れる電流のオンオフを行うため、NchFET115の調整を容易に行うことができる。NchディプレッションFET302は外部端子155、156間が短絡しておらずNchFET301がオフしているとき、コンパレータ116の出力をプルダウンして不定になる事を防止している。なお、図示はしないがコンパレータ111の出力を直接NchFET301のゲートに接続して制御してもよい。以上に説明したように、第三の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときNchFET301をオフさせることで消費電流を低減させることができる。さらに、NchFET301でNchFET115に流れる電流のオンオフを行うことで、NchFET115の調整を容易に行うことができる。[第4の実施形態]図4は、第四の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。図2との違いはPchFET401、402を追加し、PchFET201および過電流保護回路461の接続を変更した点である。PchFET401は、ゲートはPchFET112のドレインおよびNchFET113のドレインに接続され、ドレインは端子152に接続され、ソースは定電流回路114に接続される。PchFET201は、ゲートは端子152に接続され、ドレインはコンパレータ116の反転入力端子および定電流回路114のもう一方の端子に接続され、ソースは端子151に接続される。PchFET402は、ゲートは端子152に接続され、ドレインはコンパレータ116の出力に接続され、ソースは端子151に接続される。次に、第四の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Pch放電制御FET202のソースドレイン間に電流が流れ、Pch放電制御FET202のオン抵抗によりコンパレータ111の反転入力端子の電圧が下降する。コンパレータ111の反転入力端子の電圧が基準電圧回路104の電圧を下回ると、コンパレータ111はHiの信号を出力する。すると、PchFET112はオフ、NchFET113はオンし、PchFET401のゲートにLoの信号を出力してPchFET401をオンさせる。PchFET401がオンすると定電流回路114から電流が流れ、PchFET201のオン抵抗によりコンパレータ116の反転入力端子の電圧が下降し一定の電圧を保持する。Pch放電制御FET202のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ116の非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧を下回ると、コンパレータ116はLoの信号を出力する。すると、PchFET117はオン、NchFET118はオフし、Pch放電制御FET202のゲートにHiの信号を出力してPch放電制御FET202をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路104の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ116の反転入力端子の電圧より高く設定する。こうして、過電流保護をかける設定電流に達する前にPchFET401がオンし過電流保護をかける事ができる。また、設定電流に達する前までPchFET401をオフさせるため、過電流保護がかかっていないときの消費電流を小さくすることができる。Pch放電制御FET202のオン抵抗Ron202とPchFET201のオン抵抗Ron201はRon202÷Ron201=N定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路114の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron202÷Ron201となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、PchFET201のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、PchFET201に、Pch放電制御FET202と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。PchFET401でPchFET201に流れる電流のオンオフを行うため、PchFET201の調整を容易に行うことができる。PchFET402は外部端子155、156間が短絡しておらずPchFET401がオフしているとき、コンパレータ116の出力をプルアップして不定になる事を防止している。なお、図示はしないがコンパレータ111の出力を直接PchFET401のゲートに接続して制御してもよい。以上に説明したように、第四の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときPchFET401をオフさせることで消費電流を低減させることができる。さらに、PchFET401でPchFET201に流れる電流のオンオフを行うことで、PchFET201の調整を容易に行うことができる。[第5の実施形態]図5は、第五の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。図3との違いはNchFET113のドレインとPchFET112のドレインの出力信号でコンパレータ116のオンオフを制御するように過電流保護回路561の接続を変更した点である。次に、第五の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Nch放電制御FET105のソースドレイン間に電流が流れ、Nch放電制御FET105のオン抵抗によりコンパレータ111の反転入力端子の電圧が上昇する。コンパレータ111の反転入力端子の電圧が基準電圧回路104の電圧を上回ると、コンパレータ111はLoの信号を出力する。すると、PchFET112はオン、NchFET113はオフし、NchFET301のゲートにHiの信号を出力してNchFET301およびコンパレータ116をオンさせる。NchFET115は常にオンしている。NchFET301がオンすると定電流回路114から電流が流れ、NchFET115のオン抵抗によりコンパレータ116の反転入力端子の電圧が上昇して一定電圧を保持する。Nch放電制御FET105のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ116の非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧を上回ると、コンパレータ116はHiの信号を出力する。すると、PchFET117はオフ、NchFET118はオンし、Nch放電制御FET105のゲートにLoの信号を出力してNch放電制御FET105をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路104の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ116の反転入力端子の電圧より低く設定する。こうして、過電流保護をかける設定電流に達する前にNchFET301およびコンパレータ116がオンし過電流保護をかける事ができる。また、設定電流に達する前までNchFET301およびコンパレータ116をオフさせるため、過電流保護がかかっていないときの消費電流をさらに小さくすることができる。Nch放電制御FET105のオン抵抗Ron105とNchFET115のオン抵抗Ron115はRon105÷Ron115=N定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路114の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron105÷Ron115となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、NchFET115のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、NchFET115に、Nch放電制御FET105と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。NchFET301でNchFET115に流れる電流のオンオフを行うため、NchFET115の調整を容易に行うことができる。なお、コンパレータ116は、オフしているときは出力をプルダウンさせてコンパレータ116の出力が不定になる事を防止する構成にしたほうが良い。また、図示はしないがコンパレータ111の出力を直接NchFET301のゲートに接続して制御してもよい。以上に説明したように、第五の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときNchFET301およびコンパレータ116をオフさせることで消費電流をさらに低減させることができる。さらに、NchFET301でNchFET115に流れる電流のオンオフを行うことで、NchFET115の調整を容易に行うことができる。[第6の実施形態]図6は、第六の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。図4との違いはNchFET113のドレインとPchFET112のドレインの出力信号でコンパレータ116のオンオフを制御するように過電流保護回路661の接続を変更した点である。次に、第六の実施形態の過電流保護回路を備えた充放電制御回路の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Pch放電制御FET202のソースドレイン間に電流が流れ、Pch放電制御FET202のオン抵抗によりコンパレータ111の反転入力端子の電圧が下降する。コンパレータ111の反転入力端子の電圧が基準電圧回路104の電圧を下回ると、コンパレータ111はHiの信号を出力する。すると、PchFET112はオフ、NchFET113はオンし、PchFET401のゲートにLoの信号を出力してPchFET401およびコンパレータ116をオンさせる。PchFET401がオンすると定電流回路114から電流が流れ、PchFET201のオン抵抗によりコンパレータ116の反転入力端子の電圧が下降し一定の電圧を保持する。Pch放電制御FET202のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ116の非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧を下回ると、コンパレータ116はLoの信号を出力する。すると、PchFET117はオン、NchFET118はオフし、Pch放電制御FET202のゲートにHiの信号を出力してPch放電制御FET202をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路104の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ116の反転入力端子の電圧より高く設定する。こうして、過電流保護をかける設定電流に達する前にPchFET401およびコンパレータ116がオンし過電流保護をかける事ができる。また、設定電流に達する前までPchFET401およびコンパレータ116をオフさせるため、過電流保護がかかっていないときの消費電流をさらに小さくすることができる。Pch放電制御FET202のオン抵抗Ron202とPchFET201のオン抵抗Ron201はRon202÷Ron201=N定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路114の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron202÷Ron201となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、PchFET201のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、PchFET201に、Pch放電制御FET202と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。PchFET401でPchFET201に流れる電流のオンオフを行うため、PchFET115の調整を容易に行うことができる。なお、コンパレータ116は、オフしているときは出力をプルアップさせてコンパレータ116の出力が不定になる事を防止する構成にしたほうが良い。また、図示はしないがコンパレータ111の出力を直接PchFET401のゲートに接続して制御してもよい。以上に説明したように、第六の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときPchFET401およびコンパレータ116をオフさせることで消費電流を低減させることができる。さらに、PchFET401でPchFET201に流れる電流のオンオフを行うことで、PchFET201の調整を容易に行うことができる。[第7の実施形態]図7は、第七の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。第七の実施形態のバッテリ装置は、二次電池101と、定電流回路601と、NchFET602、603と、コンパレータ604、621と、過放電検出回路605と、過充電検出回路606と、放電制御回路607と、充電制御回路608と、Nch放電制御FET609と、Nch充電制御FET610と、基準電圧回路622と、外部端子155、156と、を備えている。二次電池101は、正極は定電流回路601および過放電検出回路605および過充電検出回路606および外部端子155に接続され、負極はNMOS603のソースおよびバックゲートとNch放電制御FET609のソースおよびバックゲートに接続される。定電流回路601のもう一方の端子はNchFET602のソースに接続され、過放電検出回路605のもう一方の端子は放電制御回路607に接続され、過充電検出回路606のもう一方の端子は充電制御回路608に接続される。コンパレータ604は、反転入力端子はNchFET602のソースおよびバックゲートに接続され、非反転入力端子は外部端子156に接続され、出力端子は放電制御回路607に接続される。NchFET602は、ゲートは充電制御回路608およびNch充電制御FET610のゲートに接続され、ドレインはNchFET603のドレインに接続される。コンパレータ621は、反転入力端子は基準電圧回路622に接続され、非反転入力端子は外部端子156およびNch充電制御FET610のソースに接続され、出力端子はNchFET603のゲートに接続される。Nch放電制御FET609は、ゲートは放電制御回路607に接続され、ドレインはNch充電制御FET610のドレインに接続され、ソースは基準電圧回路622のもう一方の端子に接続される。次に、第七の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Nch放電制御FET609のソースドレイン間およびNch充電制御FET610のソースドレイン間に電流が流れ、Nch放電制御FET609およびNch充電制御FET610のオン抵抗によりコンパレータ621の非反転入力端子の電圧が上昇する。コンパレータ621の非反転入力端子の電圧が基準電圧回路622の電圧を上回ると、コンパレータ621はHiの信号を出力する。すると、NchFET603はオンし定電流回路601から電流が流れ、NchFET602、603のオン抵抗により発生する電圧がコンパレータ604の反転入力端子へ出力される。Nch放電制御FET609のソースドレイン間およびNch充電制御FET610のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ604の非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧を上回ると、コンパレータ604はHiの信号を出力する。すると、放電制御回路607を介してNch放電制御FET609のゲートにLoの信号を出力してNch放電制御FET609をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路622の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ604の反転入力端子の電圧より低く設定する。こうして、過電流保護をかける設定電流に達する前にNchFET603がオンし設定電流のときに過電流保護をかける事ができる。また、設定電流に達する前までNchFET603をオフさせるため、過電流保護がかかっていないときの消費電流を小さくすることができる。Nch充電制御FET610のオン抵抗Ron610とNch放電制御FET609のオン抵抗Ron609とNchFET602、603のオン抵抗Ron602、Ron603はRon609Ron610÷Ron602Ron603=M定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路601の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron609Ron610÷Ron602Ron603となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、NchFET602、603のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、NchFET602、603は、Nch放電制御FET609およびNch充電制御FET610と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。なお、図示はしないがコンパレータ621の出力信号でコンパレータ604の動作をオンオフさせ、さらに消費電流を低減させることもできる。さらに、コンパレータ621の出力を、インバータなどを介してNchFET603のゲートに接続して制御してもよい。また、NchFET602のソースドレイン間を結線しNchFETを削除しても同様に動作させることができる。以上に説明したように、第七の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときNchFET603をオフさせることで消費電流を低減させることができる。[第8の実施形態]図8は、第八の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。図7との違いはNchFET602、603をPchFET701、702に変更し、Nch放電制御FET609およびNch充電制御FET610をPch放電制御FET703およびPch充電制御FET704に変更した点である。二次電池101は、負極は定電流回路601および過放電検出回路605および過充電検出回路606および外部端子156に接続され、正極はPMOS701のソースおよびバックゲートとPch放電制御FET703のソースおよびバックゲートに接続される。定電流回路601のもう一方の端子はPchFET702のソースおよびバックゲートに接続され、過放電検出回路605のもう一方の端子は放電制御回路607に接続され、過充電検出回路606のもう一方の端子は充電制御回路608に接続される。コンパレータ604は、非反転入力端子はPchFET702のソースおよびバックゲートに接続され、反転入力端子は外部端子155に接続され、出力端子は放電制御回路607に接続される。PchFET702は、ゲートは充電制御回路608およびPch充電制御FET704のゲートに接続され、ドレインはPchFET701のドレインに接続される。コンパレータ621は、反転入力端子は基準電圧回路622に接続され、非反転入力端子は外部端子155およびPch充電制御FET704のソースおよびバックゲートに接続され、出力端子はPchFET701のゲートに接続される。基準電圧回路622のもう一方の端子は二次電池101の負極に接続される。Pch放電制御FET703は、ゲートは放電制御回路607に接続され、ドレインはPch充電制御FET704のドレインに接続される。次に、第八の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置の動作について説明する。外部端子155、156が短絡すると、Pch放電制御FET703のソースドレイン間およびPch充電制御FET704のソースドレイン間に電流が流れ、Pch放電制御FET703およびPch充電制御FET704のオン抵抗によりコンパレータ621の非反転入力端子の電圧が下降する。コンパレータ621の非反転入力端子の電圧が基準電圧回路622の電圧を下回ると、コンパレータ621はLoの信号を出力する。すると、PchFET701はオンし定電流回路601へ電流が流れ、PchFET702、701のオン抵抗により発生する電圧がコンパレータ604の非反転入力端子へ出力される。Pch放電制御FET703のソースドレイン間およびPch充電制御FET704のソースドレイン間に電流が流れ続け、コンパレータ604の反転入力端子の電圧が非反転入力端子の電圧を下回ると、コンパレータ604はHiの信号を出力する。すると、放電制御回路607を介してPch放電制御FET703のゲートにHiの信号を出力してPch放電制御FET703をオフさせる。こうして、外部端子155、156間が短絡したとき過電流保護をかける事ができる。基準電圧回路622の電圧は、過電流保護をかける設定電流のときに発生するコンパレータ604の非反転入力端子の電圧より高く設定する。こうして、過電流保護をかける設定電流に達する前にPchFET701がオンし過電流保護をかける事ができる。また、設定電流に達する前までPchFET701をオフさせるため、過電流保護がかかっていないときの消費電流を小さくすることができる。Pch充電制御FET704のオン抵抗Ron704とPch放電制御FET703のオン抵抗Ron703とPchFET701、702のオン抵抗Ron701、Ron702はRon703Ron704÷Ron701Ron702=M定数となるように設定する。過電流検出電流をIoc、定電流回路601の電流をIrefとすると、Iref=Ioc×Ron703Ron704÷Ron701Ron702となるように設定する。Iocは、Irefの電流値と温度特性および、PchFET702、701のオン抵抗と温度特性、ゲートソース間電圧特性を調整する事で設定できる。例えば、PchFET702、701は、Pch放電制御FET703およびPch充電制御FET704と類似の温度特性およびゲートソース電圧特性を有するFETを用いればよい。なお、図示はしないがコンパレータ621の出力信号でコンパレータ604の動作をオンオフさせ、さらに消費電流を低減させることもできる。さらに、コンパレータ621の出力を、インバータなどを介してPchFET701のゲートに接続して制御してもよい。また、PchFET702のソースドレイン間を結線しPchFETを削除しても同様に動作させることができる。以上に説明したように、第八の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置によれば、過電流保護がかかっていないときPchFET701をオフさせることで消費電流を低減させることができる。[第9の実施形態]図10は、第九の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。第九の実施形態のバッテリ装置は、第七の実施形態の放電過電流保護回路に対して、充電過電流保護回路を備えた例を示している。第九の実施形態のバッテリ装置は、二次電池101と、定電流回路601bと、NchFET602b、603bと、コンパレータ604b、621bと、過放電検出回路605と、過充電検出回路606と、放電制御回路607と、充電制御回路608と、Nch放電制御FET609と、Nch充電制御FET610と、基準電圧回路622bと、外部端子155、156と、を備えている。二次電池101は、正極は定電流回路601bおよび過放電検出回路605および過充電検出回路606および外部端子155に接続され、負極はNch放電制御FET609のソースおよびバックゲートに接続される。Nch充電制御FET610は、ドレインはNch放電制御FET609のドレインに接続され、ソースおよびバックゲートは外部端子156に接続される。定電流回路601bのもう一方の端子は、NchFET602bのソースおよびバックゲートに接続される。過放電検出回路605のもう一方の端子は、放電制御回路607に接続される。過充電検出回路606のもう一方の端子は、充電制御回路608に接続される。NchFET603bは、ドレインはNchFET602bのドレインに接続され、ソースおよびバックゲートは外部端子156に接続される。放電制御回路607のもう一方の端子は、Nch放電制御FET609のゲートおよびNchFET602bのゲートに接続される。充電制御回路608のもう一方の端子は、Nch充電制御FET610のゲートに接続される。コンパレータ604bは、反転入力端子はNchFET602bのソースおよびバックゲートに接続され、非反転入力端子はNch放電制御FET609のソースおよびバックゲートに接続され、出力端子は充電制御回路608に接続される。コンパレータ621bは、反転入力端子は外部端子156に接続され、非反転入力端子は基準電圧回路622bに接続され、出力端子はNchFET603bのゲートに接続される。基準電圧回路622bのもう一方の端子は、Nch放電制御FET609のソースおよびバックゲートに接続される。以上のように構成することによって、第九の実施形態のバッテリ装置は、第七の実施形態の放電過電流保護回路と同様に低消費電流の充電過電流保護回路を備えることが出来る。[第10の実施形態]図11は、第十の実施形態の過電流保護回路を備えたバッテリ装置のブロック図である。第十の実施形態のバッテリ装置は、第八の実施形態の放電過電流保護回路に対して、充電過電流保護回路を備えた例を示している。第十の実施形態のバッテリ装置は、二次電池101と、定電流回路601bと、PchFET701b、702bと、コンパレータ604b、621bと、過放電検出回路605と、過充電検出回路606と、放電制御回路607と、充電制御回路608と、Pch放電制御FET703と、Pch充電制御FET704と、基準電圧回路622bと、外部端子155、156と、を備えている。二次電池101は、正極はPch放電制御FET703のソースおよびバックゲートに接続され、負極は定電流回路601bおよび過放電検出回路605および過充電検出回路606および外部端子156に接続される。Pch充電制御FET704は、ドレインはPch放電制御FET703のドレインに接続され、ソースおよびバックゲートは外部端子155に接続される。定電流回路601bのもう一方の端子は、PchFET702bのソースおよびバックゲートに接続される。過放電検出回路605のもう一方の端子は、放電制御回路607に接続される。過充電検出回路606のもう一方の端子は、充電制御回路608に接続される。PchFET701bは、ドレインはPchFET702bのドレインに接続され、ソースおよびバックゲートは外部端子155に接続される。放電制御回路607のもう一方の端子は、Pch放電制御FET703のゲートおよびPchFET702bのゲートに接続される。充電制御回路608のもう一方の端子は、Pch充電制御FET704のゲートに接続される。コンパレータ604bは、非反転入力端子はPchFET702bのソースおよびバックゲートに接続され、反転入力端子はPch放電制御FET703のソースおよびバックゲートに接続され、出力端子は充電制御回路608に接続される。コンパレータ621bは、反転入力端子は外部端子155に接続され、非反転入力端子は基準電圧回路622bに接続され、出力端子はPchFET701bのゲートに接続される。基準電圧回路622bのもう一方の端子は、二次電池101の負極に接続される。以上のように構成することによって、第十の実施形態のバッテリ装置は、第八の実施形態の放電過電流保護回路と同様に低消費電流の充電過電流保護回路を備えることが出来る。以上説明したように、本発明によれば、低消費電流で精度のよい過電流保護回路を備えた充放電制御回路及びバッテリ装置を提供することが出来る。また、第一から第八の実施形態は放電過電流に対するか電流保護回路の実施例を示し、第九から第十の実施形態は充電過電流に対するか電流保護回路の実施例を示したが、その両方の保護回路を備える構成であってもよい。