基板に第1電極層を形成するステップと、前記第1電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層の酸素含有量を減少させるように熱処理するステップと、前記バッファ層の上に第2電極層を形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽電池の製造方法。前記熱処理するステップは、急速アニーリングrapidthermalannealing;RTA工程により遂行されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記熱処理するステップの熱処理温度が250乃至400°Cであることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記熱処理するステップは、真空または水素雰囲気下で遂行されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記熱処理するステップにより熱処理されたバッファ層の酸素含有量が2乃至5atであることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記熱処理するステップの以前に前記バッファ層の酸素含有量が6at以上であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記バッファ層を形成するステップでは、化学溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDにより前記バッファ層を形成することを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記バッファ層が硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSを含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。基板と、前記基板の上に位置する第1電極層と、前記第1電極層の上に位置する光吸収層と、前記光吸収層の上に位置し、酸素含有量が2乃至5atであるバッファ層と、前記バッファ層の上に位置する第2電極層と、を含むことを特徴とする、太陽電池。前記バッファ層が硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSを含むことを特徴とする、請求項9に記載の太陽電池。本発明の目的は、光電変換効率が向上できる太陽電池及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う太陽電池の製造方法は、基板に第1電極層を形成するステップ、上記第1電極層の上に光吸収層を形成するステップ、上記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップ、上記バッファ層の酸素含有量を減少させるように熱処理するステップ、及び上記バッファ層の上に第2電極層を形成するステップを含む。上記熱処理するステップは、急速アニーリングrapidthermalannealing;RTA工程により遂行できる。上記熱処理するステップの熱処理温度が250乃至400°Cでありうる。上記熱処理するステップは、真空または水素雰囲気下で遂行できる。上記熱処理するステップにより熱処理されたバッファ層の酸素含有量が2乃至5atでありうる。上記熱処理するステップの以前に上記バッファ層の酸素含有量が6at以上でありうる。上記バッファ層を形成するステップでは、化学溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDにより上記バッファ層を形成することができる。上記バッファ層が硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSを含むことができる。本発明に従う太陽電池は、基板、上記基板の上に位置する第1電極層、上記第1電極層の上に位置する光吸収層、上記光吸収層の上に位置し、酸素含有量が2乃至5atであるバッファ層、及び上記バッファ層の上に位置する第2電極層を含む。上記バッファ層が硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSを含むことができる。本発明によれば、バッファ層を熱処理して酸素含有量を調節することによって、光吸収層の界面での再結合を防止しながらも光電変換効率が向上できる太陽電池を製造することができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されるという記載は、直接directlyまたは他の層を介して形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層膜、領域、パターン、または構造物の厚さやサイズは説明の明確性及び便宜のために変形できるので、実際のサイズを全的に反映するものではない。以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。図1は、本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す工程流れ図である。そして、図2乃至図7は、本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法の各ステップを示す断面図である。図1を参照すると、実施形態に従う太陽電池の製造方法は、第1電極層を形成するステップST10、光吸収層を形成するステップST20、バッファ層を形成するステップST30、熱処理するステップST40、高抵抗バッファ層を形成するステップST50、及び第2電極層を形成するステップST60を含むことができる。このようなステップを各々図2乃至図7を参照してより詳細に説明する。まず、図2に示すように、第1電極層を形成するステップST10では、基板10を用意し、この基板10に第1電極層31を形成する。基板10はプレート形状を有し、これに形成される第1電極層31などを支持する。このような基板10はガラスまたはプラスチックなどの絶縁体で形成される。一例に、基板10がソーダライムガラスsodalimeglassでありうる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、基板10が金属基板からなることができる。即ち、要求される太陽電池の特性によって、基板10をリジッドligidな物質で形成したり、またはフレキシブルflexibleな物質で形成することができる。第1電極層31は伝導性のある多様な物質を含むことができるが、例えば、モリブデンMo、銅Cu、ニッケルNi、アルミニウムAl、これらの合金などを含むことができる。このような第1電極層31は多様な工程により形成できる。一例として、第1電極層31はスパッタリング工程によりモリブデンを蒸着して形成することができる。また、第1電極層31は2つ以上の層を含むことができるが、この各々の層は同じ金属で構成されることもでき、互いに異なる金属で構成されることもできる。このように2つ以上の層を含む第1電極層31は、工程条件が互いに異なる2回の工程により形成される。図面では基板10の上に直ぐ第1電極層31が形成されることが例示として図示されたが、これに限定されるものではない。したがって、基板10と第1電極層31との間に拡散防止膜図示せずのような層が介されることもできる。次に、図3に示すように、光吸収層を形成するステップST20では、第1電極層31の上に光吸収層33を形成する。このような光吸収層33は、非シリコン系半導体物質からなることができる。一例として、光吸収層33がIIIIIV族化合物を含むことができる。例えば、光吸収層33が銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CIGS系化合物、銅-インジウム-セレナイド系CIS系化合物、または銅-ガリウム-セレナイド系CGS系化合物を含むことができる。または、光吸収層33がIIIV族化合物またはIIIIV族化合物を含むことができる。例えば、光吸収層33は、カドミウムCd-テルニウムTe化合物、またはガリウムGa-砒素As化合物を含むことができる。このような光吸収層33のエネルギーバンドギャップbandgapは、約1eV乃至1.8eVでありうる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、光吸収層33が多様なエネルギーバンドギャップを有することができることは勿論である。このような光吸収層33は多様な方法により形成できるが、一例として、蒸発法またはスパッタリング工程などにより形成できる。一例として、蒸発法またはスパッタリング法を用いてCIGS系光吸収層33を形成する方法をより詳しく説明すれば、次の通りである。蒸発法では、銅、インジウム、ガリウム、及びセレニウムを同時または区分して蒸発させてCIGS系光吸収層33を形成することができる。スパッタリング法を用いる場合には、スパッタリング工程により金属プリカーサ膜を形成した後、セレン化selenization工程を遂行してCIGS系光吸収層33を形成することができる。即ち、スパッタリング工程で、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用して、銅、インジウム、及びガリウムを含む金属プリカーサ膜を形成し、以後にセレン化工程を遂行してCIGS系光吸収層33を形成することができる。または、スパッタリング工程とセレン化工程を同時に進行してCIGS系光吸収層33を形成することもできる。前述した方法では、CIGS系光吸収層33を形成することを例示したが、所望の物質によって、ターゲット、蒸発物質などを異にして多様な種類の光吸収層33を形成することができる。次に、図4に示すように、バッファ層を形成するステップST30では、光吸収層33の上にバッファ層35aを形成する。バッファ層35aは、第2電極29との格子定数差及びエネルギーバンドギャップ差を緩和するための層であって、一例に、硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSなどからなることができる。このようなバッファ層35aは、化学溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDにより形成される。一例に、化学溶液成長法を用いて硫化カドミウムを含むバッファ層35aを形成する方法をより詳しく説明すれば、次の通りである。硫化カドミウムを含むバッファ層35aは、Cd2及びS2-を過飽和した状態で含んだバッファ層形成溶液に光吸収層33をディッピングdippingした後、一定の反応温度に維持して形成される。一例として、バッファ層形成溶液がカドミウムアセテートcadmiumacetate及びチオウレアthioureaを含むことができ、緩衝剤及びアンモニアなどをさらに含むことができる。そして、反応温度は約50°C乃至約100°Cでありうる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではない。このように形成されたバッファ層35aは、酸素含有量が略6at以上でありうる。次に、図5に示すように、熱処理するステップST40では、バッファ層35aの酸素含有量を減少させる熱処理を行なって酸素含有量が低減したバッファ層以下、熱処理されたバッファ層35を形成する。本実施形態では、急速アニーリングrapidthermalannealing;RTA工程によりバッファ層35aを熱処理してバッファ層35aの酸素含有量を低減させることができる。この場合、熱処理温度は250乃至400°Cでありうる。熱処理温度が400°Cを超過する場合には、再蒸着redeposition現象及び亀裂現象によってバッファ層35aが損傷されることがあり、熱処理温度が250°C未満の場合には熱処理による酸素含有量を減らす効果が小さいことがある。即ち、このような熱処理温度はバッファ層35aを損傷させないながら、バッファ層35aの酸素含有量を適切に低減できる温度に決定されたものである。そして、熱処理ステップは、バッファ層35aの酸素含有量の低減に適した雰囲気で遂行できる。一例として、真空または水素雰囲気で遂行できる。このような熱処理ステップST40により形成された、熱処理されたバッファ層35は酸素含有量が2乃至5atでありうる。次に、図6に示すように、高抵抗バッファ層を形成するステップST50では熱処理されたバッファ層35の上に高抵抗バッファ層37を形成することができる。高抵抗バッファ層37は、第2電極層39の形成時、バッファ層35の損傷を防止するために形成される層である。一例として、高抵抗バッファ層37は酸化亜鉛ZnOを蒸着して形成することができる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、多様な方法を用いて多様な物質で構成された高抵抗バッファ層37を形成することができる。しかしながら、このような高抵抗バッファ層37が必須のものではなく、省略することもできる。次に、図7に示すように、第2電極層を形成するステップST60では、バッファ層35の上に、より正確には高抵抗バッファ層37の上に第2電極層または、ウィンドウ層39を形成する。このような第2電極層39は透明であるので、光の入射が可能であり、かつ伝導性により電極として機能できる投光性伝導性物質で形成される。また、n型半導体の特性を有するので、バッファ層35と共にn型半導体層を形成してp型半導体層である光吸収層33とpn接合を形成することができる。このために、第2電極層39は、例えば、アルミニウムドーピングされた酸化亜鉛aluminumdopedzincoxide;AZO、ふっ素ドーピングされた酸化スズfluorinedopedtinoxide;FTO、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛galliumdopedzincoxide;GZO、ボロンドーピングされた酸化亜鉛borondopedzincoxide;BZOなどの透明伝導性物質で形成される。このような第2電極層39は、多様な方法により形成できる。前述したような太陽電池の製造方法により製造された太陽電池は、基板10、第1電極層31、光吸収層33、熱処理されたバッファ層35、及び第2電極層39を含む。そして、バッファ層35と第2電極層39との間に高抵抗バッファ層37が位置する。この際、熱処理されたバッファ層35は、硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSを含み、酸素含有量が2乃至5atでありうる。このような熱処理されたバッファ層35の酸素含有量が5at以下であるので、太陽電池の光電変換効率を向上することができる。即ち、熱処理されたバッファ層35の内に酸素含有量が5atを超過すれば、熱処理されたバッファ層35の内の酸素が電子トラップelectrontrapとして作用して光電変換効率を低下させることができる。これによって、本実施形態では熱処理されたバッファ層35の酸素含有量を5at以下に維持して光電変換効率を向上することができる。そして、熱処理されたバッファ層35の酸素含有量が2at以上であるので、光吸収層33との界面での再結合recombinationを効果的に防止することができる。熱処理されたバッファ層35と光吸収層33との界面で再結合を防止する物質が概して酸化物一例として、酸化ナトリウムであるが、熱処理されたバッファ層35の酸素含有量があまり低くなれば、このような酸化物の量が減って再結合が発生することがある。これによって、本実施形態では熱処理されたバッファ層35の酸素含有量を2at以上に維持して光吸収層33の界面での再結合を防止することができる。図8は、バッファ層の酸素含有量に従う太陽電池の相対的効率を示すグラフである。図8を参照すると、即ち、バッファ層35の酸素含有量が2未満または5を超過する場合には、太陽電池の相対的な効率が90未満と低い一方、バッファ層35の酸素含有量が2~5atの時、太陽電池の相対的な効率が90以上と優れる値を有することが分かる。即ち、本実施形態によれば、バッファ層35の酸素含有量を制御して太陽電池の効率が向上できることが分かる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。