"支持基板と、前記支持基板の上に形成され、前記支持基板の上面の一部が露出するように少なくとも1つの第1貫通溝が形成された裏面電極層と、前記裏面電極層の上に光吸収層と、前記光吸収層の上にバッファ層と、前記バッファ層の上にウィンドウ層と、前記第1貫通溝を形成する裏面電極層の側面に形成され、前記光吸収層より高い抵抗値を有する高抵抗領域と、を含むことを特徴とする太陽電池。前記少なくとも1つの第1貫通溝は、下部の幅が上部の幅より広く形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記高抵抗領域は、空気を含むことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。前記高抵抗領域の幅は、前記支持基板から上部に向けて狭くなるように形成されることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。前記第1貫通溝の上部の幅は、60μm乃至70μmの幅に形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第1貫通溝の下部の幅は、60μm乃至150μmの幅に形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第1貫通溝を形成する前記裏面電極層の側面に形成されるフォトレジストまたはアクリルを含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第1貫通溝を形成する前記裏面電極層の側面は曲面に形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第1貫通溝を形成する前記裏面電極層の側面の傾きは上部へ行くほど緩やかになることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。支持基板の上の一部の領域にストライプ形状の突起を形成するステップと、前記支持基板及び突起の上に前記突起より低い高さの裏面電極層を形成するステップと、前記突起を除去するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする太陽電池製造方法。前記突起はアセトンまたは弱硫酸を用いて除去することを特徴とする請求項10に記載の太陽電池製造方法。前記突起を形成した後、熱または光硬化工程を実施するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の太陽電池製造方法。本発明の目的は、漏洩電流を減少させて信頼性が向上した太陽電池及びその製造方法を提供することにある。本発明の一実施形態に従う太陽電池は、支持基板、前記支持基板の上に形成され、前記支持基板の上面の一部が露出するように少なくとも1つの第1貫通溝が形成された裏面電極層、前記裏面電極層の上に光吸収層、前記光吸収層の上にバッファ層、前記バッファ層の上にウィンドウ層、及び前記第1貫通溝を形成する裏面電極層の側面に形成され、前記光吸収層より高い抵抗値を有する高抵抗領域を含む。また、本発明の一実施形態に従う太陽電池製造方法は、支持基板の上の一部の領域にストライプ形状の突起を形成するステップ、前記支持基板及び突起の上に裏面電極層を形成するステップ、前記突起を除去するステップ、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップ、及び前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップを含む。本発明によれば、支持基板の一部が露出するように裏面電極層の一部がエッチングされて形成される貫通溝が上部へ行くほどその幅が狭くなるように形成されるので、前記貫通溝を埋めるように形成される光吸収層が前記貫通溝を全部埋められず、前記貫通溝を形成する裏面電極層の側面と一部離隔して形成できる。したがって、前記貫通溝を形成する裏面電極層の側面に前記光吸収層より抵抗の高い高抵抗領域が形成されるので、前記貫通溝により離隔した裏面電極層の間に漏洩電流が流れることを減少させて、素子の信頼性が向上できる。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されるものを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽電池を示す平面図である。図2は、図1でA-A’線に沿って切断した断面を示す断面図である。図1乃至図2を参照すると、実施形態に従う太陽電池は、支持基板100、裏面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、及びウィンドウ層500を含む。前記支持基板100はプレート形状を有し、前記裏面電極層200、前記光吸収層300、前記バッファ層400、及びウィンドウ層500を支持する。前記支持基板100は絶縁体でありうる。前記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、前記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。前記支持基板100は透明でありうる。前記支持基板100はリジッドであるか、またはフレキシブルであることができる。前記裏面電極層200は前記支持基板100の上に配置される。前記裏面電極層200は導電層である。前記裏面電極層200に使われる物質の例としてはモリブデンなどの金属が挙げられる。また、前記裏面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成できる。前記裏面電極層200には第1貫通溝TH1が形成される。前記第1貫通溝TH1は前記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。前記第1貫通溝TH1は平面視して、一方向に延びる形状を有することができる。前記第1貫通溝TH1の幅は約40μm乃至100μmでありうる。前記第1貫通溝TH1により前記裏面電極層200は多数個の裏面電極に区分される。即ち、前記第1貫通溝TH1により前記裏面電極が定義される。前記裏面電極は前記第1貫通溝TH1により互いに離隔する。前記裏面電極はストライプ形態に配置される。これとは異なり、前記裏面電極はマトリックス形態に配置できる。この際、前記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成できる。前記第1貫通溝TH1は下部の幅m2が上部の幅m1より大きく形成できる。即ち、前記第1貫通溝TH1は上部へ行くほど幅が狭くなる区間を有するように形成できる。前記第1貫通溝TH1の上部の幅m1は60μm乃至70μmの幅に形成されることができ、前記第1貫通溝TH1の下部の幅m2は60μm乃至150μmの幅に形成できる。前記第1貫通溝TH1を形成する前記裏面電極層200の側面210は曲面形状に形成できる。より詳しくは、前記裏面電極層200の側面210の傾きは前記支持基板100と垂直しないように形成できる。そして、前記裏面電極層200の側面210の傾きは前記支持基板100から上部に向けて緩やかに形成できる。前記光吸収層300は前記裏面電極層200の上に配置される。また、前記光吸収層300に含まれた物質は前記第1貫通溝TH1に詰められる。前記第1貫通溝TH1が上部へ行くほど幅が狭くなるように形成されるので、前記光吸収層300が前記第1貫通溝TH1を全部埋められず、前記裏面電極層200の側面210には高抵抗領域310が形成できる。前記高抵抗領域310の幅は前記支持基板100から上部へ行くほど減少する。前記高抵抗領域310は前記光吸収層300より抵抗の高い領域であって、前記高抵抗領域310の内部には空気が存在することがある。前記高抵抗領域310により前記第1貫通溝TH1により離隔した裏面電極層200及び前記第1貫通溝TH1を埋める光吸収層300に電流が流れることを防止することができるので、漏洩電流が減少する。前記光吸収層300はI-III-VI族系化合物を含む。例えば、前記光吸収層300は銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。前記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは約1eV乃至1.8eVでありうる。また、前記光吸収層300は前記第2貫通溝TH2により多数個の光吸収部を定義する。即ち、前記光吸収層300は前記第2貫通溝TH2により前記光吸収部に区分される。前記バッファ層400は前記光吸収層300の上に配置される。本発明のような太陽電池はp型半導体であるCIGSまたはCIGSS化合物薄膜の光吸収層300とn型半導体であるウィンドウ層500の薄膜との間にpn接合を形成する。しかしながら、2物質は格子定数とバンドギャップエネルギーの差が大きいため、良好な接合を形成するためにはバンドギャップが2物質の中間に位置するバッファ層が必要である。前記バッファ層400は硫化カドミウムCdSを含み、前記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。前記光吸収層300及び前記バッファ層400には第2貫通溝TH2が形成される。前記第2貫通溝TH2は前記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。前記第2貫通溝TH2は前記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、前記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、前記第1貫通溝TH1のそばに形成される。前記第2貫通溝TH2の幅は約40μm乃至約100μmでありうる。前記ウィンドウ層500は前記バッファ層400の上に配置される。前記ウィンドウ層500は透明で、導電層である。また、前記ウィンドウ層500の抵抗は前記裏面電極層200の抵抗より高い。例えば、前記ウィンドウ層500の抵抗は前記裏面電極層200の抵抗より約10倍乃至200倍大きいことがある。前記ウィンドウ層500は酸化物を含むことができる。例えば、前記ウィンドウ層500はジンクオキサイドzincoxide、インジウムチンオキサイドindiumtinoxide;ITO、またはインジウムジンクオキサイドindiumzincoxide;IZOなどを含むことができる。また、前記酸化物は、アルミニウムAl、アルミナAl2O3、マグネシウムMg、またはガリウムGaなどの導電性不純物を含むことができる。より詳しくは、前記ウィンドウ層500はアルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZOまたはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどを含むことができる。前記接続部550は前記第2貫通溝TH2の内側に配置される。前記接続部550は前記ウィンドウ層500から下方に延びて、前記裏面電極層200に接続される。例えば、前記接続部550は前記第1セルのウィンドウから延びて、前記第2セルの裏面電極に接続される。したがって、前記接続部550は互いに隣接するセルを連結する。より詳しくは、前記接続部550は互いに隣接するセルC1,C2,..に各々含まれたウィンドウと裏面電極を連結する。前記接続部550は前記ウィンドウ層500と一体に形成される。即ち、前記接続部550に使われる物質は前記ウィンドウ層500に使われる物質と同一である。前記光吸収層300、バッファ層400、及びウィンドウ層500には、第3貫通溝TH3が形成される。前記第3貫通溝TH3は前記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。例えば、前記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。前記第3貫通溝TH3は前記第2貫通溝TH2に隣接する位置に形成される。より詳しくは、前記第3貫通溝TH3は前記第2貫通溝TH2のそばに配置される。即ち、平面視して、前記第3貫通溝TH3は前記第2貫通溝TH2のそばに並んで配置される。前記バッファ層400は前記第3貫通溝TH3により多数個のバッファに区分される。また、前記第3貫通溝TH3により前記ウィンドウ層500は多数個のウィンドウに区分される。即ち、前記ウィンドウは前記第3貫通溝TH3により定義される。前記ウィンドウは前記裏面電極と対応する形状を有する。即ち、前記ウィンドウはストライプ形態に配置される。これとは異なり、前記ウィンドウはマトリックス形態に配置できる。また、前記第3貫通溝TH3により多数個のセルC1,C2,..が定義される。より詳しくは、前記第2貫通溝TH2及び前記第3貫通溝TH3により前記セルC1,C2,..が定義される。即ち、前記第2貫通溝TH2及び前記第3貫通溝TH3により実施形態に従う太陽電池は前記セルC1,C2,..に区分される。上記のように、前記第1貫通溝TH1を形成する裏面電極層200の側面210に前記光吸収層300より抵抗の高い高抵抗領域310が形成されるので、前記第1貫通溝TH1により離隔された裏面電極層200の間に漏洩電流が流れることを減少させて素子の信頼性が向上できる。図3乃至図9は、本発明の実施形態に従う太陽電池の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は前述した太陽電池に対する説明を参考する。図3乃至図5を参照すると、支持基板100の上に突起150が形成される。前記突起150は平面視して、一方向に延びるストライプstripe形状を有することができる。前記突起150はフォトレジストまたは高分子化合物であるアクリルPolymethylmethacrylateで形成できるが、これに対して限定するものではなく、光または熱硬化され、水洗溶液で容易に除去が可能な物質であれば使用できる。前記突起150は表面が曲面に形成されることができ、上部へ行くほど幅が狭くなるように形成できる。以後、前記突起150に光または熱硬化工程を実施することができる。前記工程により前記突起150が固まるようになって、裏面電極層200の形成が容易になる。次に、前記支持基板100及び突起150の上面に裏面電極層200を蒸着する。前記裏面電極層200は前記突起150の高さh1より低く形成される。以後、前記突起150を除去して第1貫通溝TH1が形成される。前記突起150はアセトンまたは弱硫酸H2SO4などのストリップ溶液を用いて除去できるが、前記裏面電極層200の側面210に一部が残っていることがある。これによって、前記支持基板100の上に多数個の裏面電極が形成される。前記第1貫通溝TH1は前記支持基板100の上面を露出し、下部の幅m2が上部の幅m1より大きい値を有するように形成できる。また、前記支持基板100及び前記裏面電極層200の間に拡散防止膜などのような追加的な層が介されることができ、この際、前記第1貫通溝TH1は前記追加的な層の上面を露出するようになる。図6を参照すると、前記裏面電極層200の上に光吸収層300が形成される。前記光吸収層300はスパッタリング工程または蒸発法等により形成できる。例えば、前記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションSelenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションすることを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により前記裏面電極200の上に金属プリカーソル膜が形成される。以後、前記金属プリカーソル膜はセレニゼーションselenization工程により銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び前記セレニゼーション工程は、同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用するか、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレニゼーション工程によりCIS系またはCIG系光吸収層300が形成できる。前記光吸収層300は前記第1貫通溝TH1を埋めながら成長するが、前記第1貫通溝TH1が上部へ行くほど幅が狭くなるように形成されるので、前記第1貫通溝TH1を全部埋められず、前記裏面電極層200の側面210に空気が形成されるようになる。前記空気により高抵抗領域310が形成される。前記高抵抗領域310は前記光吸収層300より抵抗の高い領域であって、電流が前記裏面電極層200の側面に流れることを防止する役割をする。図7を参照すると、前記光吸収層300の上に前記バッファ層400が形成される。前記バッファ層400は、例えば、PVDPhysicalVaporDepositionまたはMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDepositionの方法により形成できる。図8を参照すると、前記光吸収層300及び前記バッファ層400の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。前記第2貫通溝TH2はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成できる。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップにより、前記光吸収層300及び前記バッファ層400はパターニングできる。また、前記第2貫通溝TH2は約200乃至600μmの波長を有するレーザーにより形成できる。この際、前記第2貫通溝TH2の幅は約40μm乃至約150μmでありうる。また、前記第2貫通溝TH2は前記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。次に、前記バッファ層400の上及び前記第2貫通溝TH2の内側にウィンドウ層500が形成される。即ち、前記ウィンドウ層500は前記バッファ層400の上及び前記第2貫通溝TH2の内側に透明な導電物質が蒸着して形成される。この際、前記第2貫通溝TH2の内側に前記透明な導電物質が詰められ、前記ウィンドウ層500は前記裏面電極層200に直接接触するようになる。この際、前記ウィンドウ層500は無酸素雰囲気で、前記透明な導電物質が蒸着して形成できる。より詳しくは、前記ウィンドウ層500は酸素を含まない不活性気体雰囲気でアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着して形成できる。図9を参照すると、光吸収層300、バッファ層400、及びウィンドウ層500の一部が除去されて第3貫通溝TH3が形成される。これによって、前記ウィンドウ層500はパターニングされて、多数個のウィンドウ及び多数個のセルC1,C2,..が定義される。前記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。このように、実施形態に従う太陽電池の製造方法により前記第1貫通溝TH1を形成する裏面電極層200の側面210に前記光吸収層300より抵抗の高い高抵抗領域310が形成されるので、前記第1貫通溝TH1により離隔した裏面電極層200の間に漏洩電流が流れることを減少させて素子の信頼性が向上できる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"