セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の放熱器が接合された液冷一体型基板において、前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係は次式1を満たし、t2/t1≧21前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmである、液冷一体型基板。前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項1に記載の液冷一体型基板。前記金属ベース板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項1または2に記載の液冷一体型基板。前記金属回路板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項1~3のいずれかに記載の液冷一体型基板。前記セラミックス基板と前記金属回路板との接合、前記セラミックス基板と前記金属ベース板との接合および前記金属ベース板と前記放熱器との接合は、溶湯接合法あるいはろう接合法によって行われる、請求項1~4のいずれかに記載の液冷一体型基板。セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の放熱器が接合された液冷一体型基板の製造方法であって、前記金属回路板および前記金属ベース板と前記セラミックス基板との接合は溶湯接合法によって行われ、前記金属ベース板と前記放熱器との接合はろう接合法によって行われ、前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係は次式1を満たす厚さに形成される、液冷一体型基板の製造方法。t2/t1≧21前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmである、請求項6に記載の液冷一体型基板の製造方法。前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項6または7に記載の液冷一体型基板の製造方法。前記金属ベース板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項6~8のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。前記金属回路板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項6~9のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。しかしながら、上記特許文献1に記載の金属-セラミックス基板においては、放熱を行う機構として金属ベース板の一方の面に放熱フィンを一体的に設けるとしており、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース板に対して一体的に放熱フィンを形成するために、例えば鋳型等を用いてフィン形状を加工する必要があり、加工コストや原材料コストが増大してしまうといった問題があった。また、フィン形状を加工する際に、加工時に金属ベース板に発生する残留応力によって金属ベース板に反りが発生してしまう恐れもあった。さらに、複数の放熱フィンを形成するために溝加工を行う場合、金属-セラミックス基板全体一体型基板全体としての強度が不十分になってしまう恐れがあった。また、上記特許文献1に記載の金属-セラミックス基板においては、過渡熱伝導が十分に確保されない恐れがあることから、その放熱性冷却効率について更なる改良の余地があった。また、上記特許文献2、特許文献3に記載の冷却ジャケットを金属-セラミックス基板に取り付ける接合することにより、放熱性冷却効率の面で優れた金属-セラミックス基板一体型基板が得られるが、上記特許文献2、特許文献3に記載された金属-セラミックス基板は、金属ベース板に放熱フィンが形成され、その放熱フィンを覆うように収納するように冷却ジャケットが接合されているため、上述した問題点である加工コスト原材料コストの増大や一体型基板全体としての強度が不十分になってしまうといった問題点は解消されないと考えられる。さらには、特許文献3の扁平管に直接金属-セラミックス基板を接合すると、扁平管や金属-セラミックス基板の金属回路板の反りが大きくなり、電子部品の実装が困難になったり、熱衝撃が加わったときの信頼性の問題が発生することが判明した。そこで、上記問題点に鑑み、本発明の目的は、原材料コストや加工コストを低く抑え、一体型基板としての反り形状変形が低減され、優れた強度および放熱性を備えた液冷一体型基板およびその液冷一体型基板の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明によれば、セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の放熱器が接合された液冷一体型基板において、前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係は次式1を満たし、t2/t1≧21前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmである、液冷一体型基板が提供される。上記液冷一体型基板においては、前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることが好ましく、前記金属ベース板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましく、前記金属回路板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましい。前記金属ベース板と前記放熱器をろう接合法で一体化する場合、ろう接合性を阻害しない程度に各元素の添加量を抑制する必要がある。そこで、例えば、Mg量を0.9質量以下にすることが好ましい。また、前記金属回路板の表面粗さは、素子実装のための半田濡れを良くするためにRa0.3~2.0μm程度が好ましい。前記セラミックス基板と前記金属回路板との接合、前記セラミックス基板と前記金属ベース板との接合および前記金属ベース板と前記放熱器との接合は、溶湯接合法あるいはろう接合法によって行われてもよい。前記金属ベース板の放熱器接合側の表面粗さはろう接合性を良くするために、Ra1.0~2.0μmが好ましい。なお、前記放熱器と前記金属ベース板を溶湯接合法で接合する場合はRa0.3~2.0μmでも構わない。ろう接合する場合、放熱器の表面粗さは、一般的な押出し材及び板材で得られる程度で良い。また、別な観点からの本発明によれば、セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の放熱器が接合された液冷一体型基板の製造方法であって、前記金属回路板および前記金属ベース板と前記セラミックス基板との接合は溶湯接合法によって行われ、前記金属ベース板と前記放熱器との接合はろう接合法によって行われ、前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係は次式1を満たす厚さに形成される、液冷一体型基板の製造方法が提供される。t2/t1≧21上記液冷一体型基板の製造方法においては、前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmであることが好ましい。また、前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることが好ましく、前記金属ベース板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましく、前記金属回路板は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましい。さらに、前記金属回路板の表面粗さは素子実装のための半田濡れを良くするためにRa0.3~2.0μm程度が好ましい。ろう接合する場合、放熱器の表面粗さは、一般的な押出し材及び板材で得られる程度で良い。本発明によれば、原材料コストや加工コストを低く抑え、一体型基板としての反り形状変形が低減され、熱衝撃に対する信頼性に優れ、優れた強度および放熱性を備えた液冷一体型基板およびその液冷一体型基板の製造方法が提供される。以下、本発明の実施の形態を、図を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図1は本発明の実施の形態にかかる液冷一体型基板1の側面断面図である。図1に示すように、液冷一体型基板1においては、例えばAlN基板窒化アルミニウム基板やSiN基板窒化珪素基板であるセラミックス基板10の上面図1中上方にアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金からなる金属回路板15が接合されており、また、セラミックス基板10の下面図1中下方にはアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金からなる金属ベース板20が接合されている。また、金属ベース板20の下面図1中下方には押出し材によって構成される中空角柱形状の放熱器30が接合されている。ここで、押出し材とは、押出し加工によって一体的に成形される部材を示している。なお、本実施の形態ではセラミックス基板10と金属回路板15の接合およびセラミックス基板10と金属ベース板20の接合は溶湯接合法によって接合が行われているものとし、金属ベース板20と放熱器30の接合はろう接合法によって接合が行われている。即ち、金属ベース板20と放熱器30との接合において、その間隙部31には接合のためのろう材層33が形成されることとなる。ろう接合法が行われる際に、接合対象物には所定の厚さ以上の厚みろう接合に耐えうるだけの厚みが必要となるため、この場合、特に放熱器30の上面接合対象面の厚みが十分に例えば0.5mm以上確保されている必要がある。また、図1に示すように、放熱器30は内部空間が中空であり、その内部空間を仕切る仕切り部材35が設けられている。本実施の形態にかかる放熱器30では、図示のように内部空間を14箇所に仕切るように仕切り部材35が設けられ、放熱器30の内部空間には仕切り板35によって複数14箇所の各流路38が形成されることとなる。仕切り部材35が設けられた放熱器30は押出し加工により一体物として作製される。また、図2は、液冷一体型基板1と蓋部材40の斜視図である。蓋部材40は放熱器30の手前側図2中手前側の開口部の側面30aを覆うように取り付けられる部材であり、蓋部材40は、蓋部41と蓋部41の側面放熱器30に取り付けた際の側面30aに対応する面の2箇所に設けられる液循環ポート4545a、45bから構成される。また、放熱器30において図2中手前側の開口部の反対側に設けられた開口部には、図示しない液循環ポートを有していない以外は同様の蓋部材が取り付けられる。蓋部材40は、実際に液冷一体型基板1において、金属回路板15に取り付けられた例えば半導体素子等の発熱により、液冷却が行われる場合に放熱器30に取り付けられる。液循環ポート4545a、45bには図示しない冷却液循環機構が接続され、冷却液循環機構から液循環ポート45aを介して放熱器30の内部流路38に冷却液が供給され、液循環ポート45bを介して放熱器30の内部から冷却液が冷却液循環機構に排出される。即ち、冷却液循環機構の作動により冷却液が流路38に流れこみ、その後、再度冷却液循環機構に戻るといったように、冷却液が放熱器30内と冷却液循環機構との間で循環し、放熱器30の冷却能力を一定に保つような構成となっている。この蓋部材40と放熱器30とは、金属ベース20と放熱器30とがろう接合される時、同時にろう接合しても構わない。一方、本実施の形態にかかる液冷一体型基板1においては、金属回路板15の高さt1と、金属ベース板20の高さt2の関係は、以下の1式のようになっている。例えば図1参照t2/t1≧21また、この時の各値としては、t1が0.4~3mmであり、t2が0.8~6mmである。金属回路板15の高さt1と、金属ベース板20の高さt2の関係が上記1に示すような関係であることが望ましいのは、充分な過渡熱の放熱性を得ること、一体型基板の反りを抑制するためである。また、t1が0.4~3mmであり、t2が0.8~6mmであることが望ましいのは、充分な過渡熱の放熱性を得ること、一体型基板の反りを抑制するためである。なお、t1が0.4~1.0mm、t2が0.8~2mmであることがさらに好ましい。また、放熱器30の材質としては、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金が望ましい。また、金属回路板15および放熱器30の表面粗さは、素子実装のための半田濡れを良くするためにRa0.3~2.0μm程度が好ましい。放熱器30の表面粗さは、一般的な押出材及び板材で得られる程度で良い。また、金属ベース板20の放熱器30接合側の表面粗さはろう付性を良くするために、Ra1.0~2.0μmが好ましい。なお、放熱器30と金属ベース板20を溶湯接合法で接合する場合はRa0.3~2.0μmでも充分に接合できる。以上、図1および図2を参照して説明した液冷一体型基板1において、例えば半導体素子等の電子部品が金属回路板15に取り付けられ使用された場合に、その電子部品から発生した熱は、上記説明したように内部に冷却液が循環する放熱器30によって放熱され、液冷一体型基板1全体が冷却される。ここで、上述したように、金属回路板15の高さt1と、金属ベース板20の高さt2の関係が以下の1式となっていることや、t2/t1≧21各値を、それぞれt1が0.4~3mmであり、t2が0.8~6mmであるとしたことにより、十分な放熱性を発揮する液冷一体型基板1が得られることとなる。また、金属回路板15、金属ベース板20および放熱器30の材質を、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金とすることで、一体型基板としての強度や信頼性耐熱衝撃性等が十分に確保された液冷一体型基板1が得られる。さらには、溶湯接合法やろう接合法を用いて各部材同士を接合することで接合信頼性が十分に確保される。また、放熱器30をアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる押出し材で構成することで、放熱器30をフィン形状に加工する場合等に比べ、放熱器30における反り形状変形の発生が抑えられると共に、押出し加工で一体的に成形を行うため、原材料コストや加工コストの面で優れた液冷一体型基板1を製造することが可能となる。以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、上記実施の形態において放熱器30の構成断面形状は、仕切り板35によって放熱器30の内部空間が14箇所に仕切られるものとしたが、これに限られるものではない。図3は液冷一体型基板1において放熱器30の構成断面形状を異なるものとした場合の、本願発明の変形例にかかる液冷一体型基板1の断面図である。この変形例においては、放熱器30の内部空間は仕切り板35によって7箇所の流路38に仕切られており、流路38において上記実施の形態と同様、冷却液が循環する構成となっている。なお、この変形例では仕切り板35によって放熱器30の内部空間が7箇所に仕切られ流路38を形成するとしたが、この仕切り方や流路38の形成数は任意に設定可能であり、放熱器30の放熱性冷却効率が好適になるように適宜定めることが好ましい。本発明に従って液冷一体型基板を作製し、製品の評価を行った。まず、セラミックス基板10としてAlN基板を準備し、その一方の面に金属回路板15、他方の面に金属ベース板20を、それぞれ溶湯接合により接合し、金属-セラミックス接合基板アルミック商標登録基板を得た。セラミックス基板10及び金属回路板15、金属ベース板20のサイズは表1に示す通りであり、本発明に基づく実施例1、2、3と、本発明の範囲を外れた比較例1、2のサンプルを作製した。金属回路板および金属ベース板の材質は、0.4massSi-0.04massB-残部Alとした。金属回路板15および金属ベース板20は、夫々セラミックス基板10の中央に接合した。なお、比較例1、2において、本発明の範囲を外れた部分に下線を付した。次に、放熱器30としてアルミニウムの押出し材からなる多穴管を準備し、放熱器1個につき表1に示す各金属-セラミックス接合基板4個を、ろう材を介して接合し、液冷一体型基板を作製した。放熱器30の外形寸法は122mm×90mm×8mm、上板および下板の厚さはそれぞれ1mm、流路38は高さ仕切り板の高さ6mm、幅1.5mm、リブ幅仕切り板の幅0.7mmが連続している構造とした。4個の金属-セラミックス接合基板は、放熱器30の上面天板を4分割した位置の中央部に接合した。また、金属ベース板20と放熱器30とのろう接は、真空中で600°C×10分保持し、ろう材をA4045とした。液冷一体型基板の評価は、半田および各接合界面のクラック、ヒートショック試験、放熱器上面の反り形状に関して行った。半田および各接合界面のクラックは、超音波探傷機で検査した。なお、半田クラックのサンプルについては、液冷一体型基板の金属回路板上に共晶半田を介して半導体チップを接合し、評価した。ヒートショック試験は、液槽冷熱衝撃装置を用いて行い、-40°Cで2分保持した後110°Cで2分保持する過程を1サイクルとして、これを繰り返した。半田クラックについては、初期と、ヒートショック1000サイクル後、2500サイクル後、4000サイクル後に、それぞれ超音波探傷機で半田クラックの面積率を求めて評価した。接合界面のクラックについては、ヒートショック4000サイクル後の、金属-セラミックス接合基板の金属ベース板縁面から接合界面方向に延びるクラックの最も進展した箇所の長さについて、超音波探傷機による評価を行った。なお、クラックの長さは、サンプルの断面観察でも確認した。多孔管の反り形状反り量は多孔管の中央部と端部の高さの差とし、3次元反り測定器を用いて、接合後、半田付け後、ヒートショック4000サイクル後にそれぞれ測定し、接合後と4000サイクル後との反りの差を求めた。以上の評価方法によって、各放熱器に接合された4個の前記金属-セラミックス接合基板のうち、最もクラックが進展していたサンプルの評価結果を表2に示す。なお、比較例1、2の結果において、本発明に基づいて作製した実施例1、2、3と比べて特性が劣る部分に下線を付した。金属回路板の厚さt1と金属ベース板の厚さt2との比t1/t2が本発明の範囲よりも小さい比較例は、ヒートショックに弱く、クラックが多く発生した。