"同一半導体チップ上に、負荷を駆動するトランジスタと、前記負荷の電流を検出する電流検出回路と、電流指示値と前記電流検出回路が出力する電流値より、前記トランジスタのオンDutyを演算する補償器と、前記オンDutyに基づいて前記トランジスタをオンするパルスを生成するPWMタイマとを有する電流制御用半導体素子と、該電流制御用半導体素子に前記電流指令値を送信するマイクロコントローラと、を有する電流制御装置であって、前記マイクロコントローラは、前記電流制御用半導体素子から、前記電流検出回路が出力する電流値と、前記補償器が出力するオンDutyを受信し、受信した電流値とオンDutyから前記電流制御用半導体素子の故障を検出することを特徴とする電流制御装置。請求項1記載の電流制御装置において、前記マイクロコントローラは、受信した電流値が電流指示値と不一致の時、若しくは、受信したオンDutyがオンDutyの期待値と不一致の時、前記電流制御用半導体素子の故障を検出することを特徴とする電流制御装置。請求項2記載の電流制御装置において、前記マイクロコントローラは、前記電流制御用半導体の故障を検出後、前記電流制御用半導体素子へオンDuty指示値として0を送信し、前記電流制御用半導体素子は、受信した前記オンDuty指示値に従い、前記トランジスタをオフ制御することを特徴とする電流制御装置。請求項3記載の電流制御装置において、前記電流制御用半導体素子は、前記補償器が出力するオンDutyと、受信した前記オンDuty指示値とを選択するセレクタを備え、該セレクタは、前記マイクロコントローラが出力する有効ビットの情報に基づいて、受信した前記オンDuty指示値を選択し、この指示値に従い、前記トランジスタをオフ制御することを特徴とする電流制御装置。請求項3記載の電流制御装置において、前記電流制御用半導体素子は、受信した前記オンDuty指示値が0であることを検出する0検出器を備え、該0検出器は、前記PWMタイマの出力を0として、前記トランジスタをオフ制御することを特徴とする電流制御装置。請求項2記載の電流制御装置において、前記マイクロコントローラは、前記電流制御用半導体の故障を検出後、前記電流制御用半導体素子へオンDuty指示値を送信し、前記電流制御用半導体素子は、受信した前記オンDuty指示値に従い、前記トランジスタのオンオフ制御を行うことを特徴とする電流制御装置。請求項6記載の電流制御装置において、前記電流制御用半導体素子は、前記補償器が出力するオンDutyと、受信した前記オンDuty指示値とを選択するセレクタを備え、該セレクタは、前記マイクロコントローラが出力する有効ビットの情報に基づいて、受信した前記オンDuty指示値を選択し、この指示値に従い、前記トランジスタをオンオフ制御することを特徴とする電流制御装置。請求項6記載の電流制御装置において、前記電流制御用半導体素子は、前記補償器が出力するオンDutyから前記トランジスタをオンするパルスを生成する前記PWMタイマに加えて、受信した前記オンDuty指示値から前記トランジスタをオンするパルスを生成する第2のPWMタイマと、前記PWMタイマの出力するパルスと、前記第2のPWMタイマが出力するパルスを選択するセレクタを備え、該セレクタは、前記マイクロコントローラが出力する有効ビットの情報に基づいて、前記第2のPWMタイマが出力するパルスを選択し、このパルスに従い、前記トランジスタをオンオフ制御することを特徴とする電流制御装置。近年の電流制御装置では、モータ回転速度を推定することで、モータ回転速度センサ不要とする制御センサレス制御により、電流制御装置の小型化、低価格化を図っている。また、ソレノイド制御装置の場合は、モータ回転速度センサを備えていないものである。したがって、特許文献1のようにモータ回転速度センサを必要とする方式のものでは、電流検出回路の故障を検出することができないという問題がある。また、近年、電流制御装置を、同一半導体素子上で負荷を駆動するトランジスタと、前記負荷の電流を検出する電流検出回路と、電流指示値と前記電流検出回路が出力する電流値より、前記トランジスタのオンDutyを演算する補償器、とを有する電流制御用半導体素子と、前記電流制御用半導体素子に電流指令値を送信するマイクロコントローラとを用いて実装し、小型化、低価格化を図っている。そこで、本発明の目的は、このような実装形態の電流制御装置にて、モータ回転速度センサを不要とし、適用範囲の広い故障検出が可能な電流制御装置を提供することにある。1上記目的を達成するために、本発明は、同一半導体チップ上に、負荷を駆動するトランジスタと、前記負荷の電流を検出する電流検出回路と、電流指示値と前記電流検出回路が出力する電流値より、前記トランジスタのオンDutyを演算する補償器と、前記オンDutyに基づいて前記トランジスタをオンするパルスを生成するPWMタイマとを有する電流制御用半導体素子と、該電流制御用半導体素子に前記電流指令値を送信するマイクロコントローラと、を有する電流制御装置であって、前記マイクロコントローラは、前記電流制御用半導体素子から、前記電流検出回路が出力する電流値と、前記補償器が出力するオンDutyを受信し、受信した電流値とオンDutyから前記電流制御用半導体素子の故障を検出するようにしたものである。かかる構成により、適用範囲の広い故障検出が可能となる。2上記1において、好ましくは、前記マイクロコントローラは、受信した電流値が電流指示値と不一致の時、若しくは、受信したオンDutyがオンDutyの期待値と不一致の時、前記電流制御用半導体素子の故障を検出するようにしたものである。3上記2において、好ましくは、前記マイクロコントローラは、前記電流制御用半導体の故障を検出後、前記電流制御用半導体素子へオンDuty指示値として0を送信し、前記電流制御用半導体素子は、受信した前記オンDuty指示値に従い、前記トランジスタをオフ制御するようにしたものである。4上記3において、好ましくは、前記電流制御用半導体素子は、前記補償器が出力するオンDutyと、受信した前記オンDuty指示値とを選択するセレクタを備え、該セレクタは、前記マイクロコントローラが出力する有効ビットの情報に基づいて、受信した前記オンDuty指示値を選択し、この指示値に従い、前記トランジスタをオフ制御するようにしたものである。5上記3において、好ましくは、前記電流制御用半導体素子は、受信した前記オンDuty指示値が0であることを検出する0検出器を備え、該0検出器は、前記PWMタイマの出力を0として、前記トランジスタをオフ制御するようにしたものである。6上記2において、好ましくは、前記マイクロコントローラは、前記電流制御用半導体の故障を検出後、前記電流制御用半導体素子へオンDuty指示値を送信し、前記電流制御用半導体素子は、受信した前記オンDuty指示値に従い、前記トランジスタのオンオフ制御を行うようにしたものである。7上記6において、好ましくは、前記電流制御用半導体素子は、前記補償器が出力するオンDutyと、受信した前記オンDuty指示値とを選択するセレクタを備え、該セレクタは、前記マイクロコントローラが出力する有効ビットの情報に基づいて、受信した前記オンDuty指示値を選択し、この指示値に従い、前記トランジスタをオンオフ制御するようにしたものである。8上記6において、好ましくは、前記電流制御用半導体素子は、前記補償器が出力するオンDutyから前記トランジスタをオンするパルスを生成する前記PWMタイマに加えて、受信した前記オンDuty指示値から前記トランジスタをオンするパルスを生成する第2のPWMタイマと、前記PWMタイマの出力するパルスと、前記第2のPWMタイマが出力するパルスを選択するセレクタを備え、該セレクタは、前記マイクロコントローラが出力する有効ビットの情報に基づいて、前記第2のPWMタイマが出力するパルスを選択し、このパルスに従い、前記トランジスタをオンオフ制御するようにしたものである。本発明によれば、このような実装形態の電流制御装置にて、モータ回転速度センサを不要とし、適用範囲の広い故障検出が可能な電流制御装置を提供することにある。以下、図1~図4を用いて、本発明の第1の実施形態による電流制御装置の構成及び動作について説明する。最初に、図1を用いて、本実施形態による電流制御装置を用いたソレノイド制御システムの構成について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態による電流制御装置を用いたソレノイド制御システムの構成を示すブロック図である。本実施形態の電流制御装置は、電流制御用半導体素子1と、マイクロコントローラ6とから構成される。マイクロコントローラ6は、バッテリー3の電圧、ソレノイド温度センサ17、によって検出されたソレノイド2の温度、その他の図示していない種々のセンサから値を入力し、それらの値からソレノイド2に流す電流指令値を演算し、電流制御用半導体素子1にインタフェース回路10を介して送信する。電流制御用半導体素子1は、マイクロコントローラ6から送られた電流指令値に基づいて、バッテリー3からソレノイド2に流す電流を制御する。電流制御用半導体素子1は、ソレノイド2、およびソレノイド2に電圧を供給するバッテリー3に接続され、PWMPulseWidthModulationにより、ソレノイド2に印加する電圧をオンオフし、ソレノイド2に流れる電流を駆動する。マイクロコントローラ6は、電流制御用半導体素子1より、インタフェース回路10を介して、電流モニタ値I_m、およびオンDutyモニタ値Duty_mを読み出し、電流制御用半導体素子1の故障検出を行う。この故障検出方法については、図3を用いて後述する。また、マイクロコントローラ6は、電流制御用半導体素子1の故障検出時、電流制御用半導体素子1にインタフェース回路10を介してオンDuty指令値Duty_tを送信し、フェールストップ機能、および、フェールオペラティブ機能を実現する。その詳細については、図3及び図4を用いて後述する。電流制御用半導体素子1は、ハイサイドMOSFET4と、ローサイドMOSFET5と、電流検出回路7と、補償器8と、差演算器9と、インタフェースIF回路10と、セレクタ11と、PWMタイマ12と、電流指令値レジスタ13と、電流モニタ値レジスタ14と、オンDuty指令値レジスタ15と、オンDutyモニタ値レジスタ16とを備えている。ハイサイドMOSFET4は、ソレノイド2とバッテリー3との間のスイッチで、ハイサイドMOSFET4のゲート信号がハイレベル時にオンで、ローレベル時にオフとなる。ハイサイドMOSFET4がオン時はソレノイド2に流れる電流が上昇し、オフ時は減少する。また、ハイサイドMOSFET4がオンの時は、ローサイドMOFET5はオフとなっている。ローサイドMOFET5は、ハイサイドMOSFET4がオフの時、ソレノイド2に流れる電流を還流させる経路として使用し、ハイサイドMOSFET4がオフの期間、ローサイドMOFET5はオンとなる。電流検出回路7は、ソレノイド2に流れる平均電流値である電流モニタ値I_mを出力する。なお、本例では、電流検出回路7は、ソレノイド2に直列に接続され、ソレノイド2に流れる全電流を測定しているが、電流検出回路7を、ハイサイドMOSFET4、あるいはローサイドMOFET5に並列接続し、ソレノイド2に流れる電流を分流した電流を測定する構成でも良いものである。電流検出回路7出力した電流モニタ値I_mは、補償器8、および電流モニタ値レジスタ14に入力する。補償器8は、差演算器9により算出された電流指令値レジスタ13から入力した電流指令値I_tと、電流検出回路7から入力した電流モニタ値I_mとの差分より、ソレノイド2の電流を電流指令値I_tに追従させるための最適なオンDuty値duty_0を演算する。演算されたオンDuty値duty_0は、セレクタ11、およびオンDutyモニタ値レジスタ16に入力される。セレクタ11は、補償器8から入力したオンDuty値Duty_0と、オンDuty指令値レジスタ15から入力したオンDuty指令値Duty_tの一方を選択し、選択した値をDutyに出力する。ここで、図2を用いて、セレクタ11の選択方法の説明のために、オンDuty指令値レジスタ15のデータフォーマットについて説明する。図2は、本発明の第1の実施形態による電流制御装置にて用いるオンDuty指令値レジスタのデータフォーマットの説明図である。本例では、オンDuty指令値レジスタ15を16bitとしている。Duty指令値レジスタ15の各フィールドの内容は、以下である。bit0~14:オンDuty指令値Duty_tbit15:有効ビットVそして、有効ビットVが1の時Duty_tが有効であり、0の時Duty_tが無効となる。なお、有効ビットVの初期値は、0である。なお、オンDuty指令値レジスタ15としては、16bit以外に、必要精度に応じて他のbit数も選択可能である。図1に示したセレクタ11は、有効ビットVが1の時、Duty_tを選択し、有効ビットVが0の時、Duty_0を選択し、選択した値をDutyに出力する。PWMタイマ12は、セレクタ11からのDutyに応じて、ハイサイドMOSFET4をオンするパルスと、ローサイドMOFET5をオンするパルスをそれぞれ生成する。通常は、PWMタイマ12は、補償器8からのオンDuty値duty_0に基づいて、ハイサイドMOSFET4をオンするパルスと、ローサイドMOFET5をオンするパルスをそれぞれ生成する。IF回路10は、マイクロコントローラ6から、インタフェース回路10を介して、電流指令値レジスタ13、電流モニタ値レジスタ14、オンDuty指令値レジスタ15、オンDutyモニタ値レジスタ16が保持する値を送受信するインタフェース機能を提供する。次に、図3及び図4を用いて、本実施形態による電流制御装置の動作について説明する。図3は、本発明の第1の実施形態による電流制御装置におけるフェールストップ機能の動作を示すタイミングチャートである。図4は、本発明の第1の実施形態による電流制御装置におけるフェールオペラティブ機能の動作を示すタイミングチャートである。最初に、図3を用いて、本実施形態の電流制御装置のフェールストップ機能の動作について説明する。図3において、横軸は時刻を示している。図3Aの縦軸は、インタフェース回路10を介して、マイクロコントローラ6に取り込まれるインタフェース上を転送されるコマンド及びデータを示している。図3Bの縦軸は、ソレノイド2に流れる電流を示している。図3Cの縦軸は、電流モニタ値I_mを示している、図3Dの縦軸は、オンDutyモニタ値Duty_mを示している。図3Eの縦軸は、Duty値Dutyを示している。また、時刻t0~t3は正常動作時であり、時刻t4以降は異常動作時である。時刻t0にて、マイクロコントローラ6は、図3Aに示すように、インタフェース回路10上に電流モニタ値レジスタ14のリードコマンドを出力し、電流制御用半導体素子1の電流検出回路7が出力した電流モニタ値I_m図3Cを読み出す。続いて、時刻t1にて、マイクロコントローラ6は、図3Aに示すように、インタフェース回路10上にオンDutyモニタ値レジスタ14のリードコマンドを出力し、電流制御用半導体素子1の補償器8が出力したオンDutyモニタ値Duty_m図3Dを読み出す。ここで、マイクロコントローラ6は、読み出された電流モニタ値I_m、およびオンDutyモニタ値Duty_mを、それぞれの期待値と比較することにより、故障検出を行う。定常状態において、電流モニタ値I_mの期待値は、電流指令値I_tであり、オンDutyモニタ値Duty_mの期待値Duty_eは式1により算出され。Duty_e=I_tR/Vb...1ここで、Vbはバッテリー3の電圧であり、Rはソレノイド2の抵抗値である。なお、抵抗値Rは、常温のソレノイド抵抗値をソレノイド温度センサ17から入力されたソレノイドの温度によって温度特性を補正することで取得できる。時刻t0,t1にて読み出された電流モニタ値I_m、およびオンDutyモニタ値Duty_mは、それぞれの期待値と一致しているため電流制御用半導体素子1正常に動作していると判定される。引き続き、時刻t2,t3でも同様に電流モニタ値I_m、およびオンDutyモニタ値Duty_mを、それぞれの期待値と比較することで故障検出を行う。本図では省略しているが、これ以降も同様の故障検出を定期的に行う。時刻t4にて、電流検出回路7の出力が正常時より小さくなる故障が発生すると、電流モニタ値I_mが減少し、補償器8は電流モニタ値I_mを電流指令値I_tに近づける、すなわち減少した電流モニタ値I_mを増加させるために、Duty_0をΔD分増加させる。その結果、電流モニタ値I_mは電流指令値I_tと一致するが、実際のソレノイド平均電流は、電流指示値I_tより大きくなる。このように、電流検出回路7の出力が正常時より小さくなる故障が発生すると、補償器8は電流モニタ値I_mが電流指示値I_tに一致するようにフィードバック制御しているので、電流を次第に増加して危険である。そこで、このような電流検出回路の故障時には、電流制御装置の動作を停止するようにするフェールストップ機能。時刻t4で電流検出回路7の故障が発生したとすると、それ以降の時刻t5にて読み出された電流モニタ値I_mは、その期待値とは一致するため、故障は検出できないが、時刻t6にて読みだされるオンDutyモニタ値Duty_mとその期待値は不一致となるため、マイクロコントローラ6は、電流検出回路7の故障を検出する。なお、ここで、マイクロコントローラ6は、一致不一致の判定を、マイクロコントローラ6からの電流指示値がほぼ一定に保たれている定常時に行うようにしている。電流指示値が変動する過度時には指示値と測定値が離れて常に不一致と判定される可能性が大きいからである。また、一致とは、指示値と測定値の差が例えば±1以内の時とし、不一致とは、指示値と測定値の差が例えば±1より大きい時というように、一致不一致の判定基準は予め決めておくものである。電流検出回路7が故障した場合、電流制御装置の状態が不明であり、システムの安全性を保障できないため、電流制御装置を停止する必要がある。このために、時刻t7において、マイクロコントローラ6は、図3Aに示すように、オンDuty指令値レジスタ15のデータフォーマットの説明にて示した、有効ビットV=1、オンDuty指令値Duty_t=0の内容を送信して、オンDuty指令値レジスタ15に書き込む。これにより、時刻t8にてPWMタイマ12の出力が0に固定され、ソレノイド電流が停止する。以上説明した通り、本実施形態では、モータ回転速度センサを使用しない電流制御装置の故障検出が可能となる。また、本実施形態により、電流制御用半導体素子1とマイクロコントローラ6にて実装された、小型、低価格の電流制御装置のフェールストップ機能を実現することが可能となる。次に、図4を用いて、本実施形態の電流制御装置のフェールオペラティブ機能の動作について説明する。図4において、横軸は時刻を示している。図4A~図4Eの縦軸は、図3A~図3Eと同様である。また、時刻t0~t3は正常動作時であり、時刻t4以降は異常動作時である。時刻t0から時刻t4まで、図3の説明と同様の故障検出を行い、電流制御用半導体素子1は、正常に動作していると判定される。さらに、本図では省略しているが、これ以降も同様の故障検出を定期的に行う。時刻t4にて、電流検出回路7の出力が正常時より大きくなる故障が発生すると、電流モニタ値I_mが増加する。この例では、電流検出回路7は正常であるが、検出された電流が指示値に一致するようにフィードバック制御するフィードバックループ上に問題がある場合などである。このような場合、電流制御装置の動作を停止するのも一つの考え方であるが、一方では電流を減少するように制御するということは過大な電流が流れないため、ある程度制御可能な範囲で電流制御装置の動作を継続することも可能である。これにより、例えば、車両の走行中に電流検出回路が故障した際に、車両を路肩に移動するまで制御を可能にできる。例えば、電動ブレーキ装置のアクチュエータとしてソレノイドの電流制御装置が用いられる場合や、電動パワーステアリング装置のアクチュエータとしてモータの電流制御装置が用いられる場合が、これに該当する。そこで、このような電流検出回路の故障時には、電流制御装置の動作を継続するようにするフェールオペラティブ機能。図4の時刻t4にて、補償器8の出力が正常時より大きい値に固着する故障が発生すると、ソレノイド平均電流および電流モニタ値I_mが増加する。そして、この電流検出回路7の故障発生後の時刻t5にて読み出された電流モニタ値I_m図4Cとその期待値は不一致となり、マイクロコントローラ6は、故障を検出する。この時点では故障個所が特定できないため、動作を継続する可能性がある。このために、時刻t6において、マイクロコントローラ6は、オンDuty指令値レジスタ15の有効ビットV=1、オンDuty指令値Duty_t=Duty_eの内容を、オンDuty指令値レジスタ15に書き込む図4A。なお、Duty_eは、0以外の正の値である。これにより、PWMタイマ12の出力パルスのオンDutyがDuty_eとなり図4E、時刻t7にてソレノイド電流が正常状態であるI_tに復帰する図4C。続く時刻t8にて、マイクロコントローラ6は、電流モニタ値I_mを読み出し図4C,A、期待値との一致比較を行い、オンDuty指令値レジスタ15の書き込みにより、マイクロコントローラ6は、実際に電流制御装置が正常状態に復帰したことを確認する。但し、電流制御装置の一部は故障しているため、上位システムに動作継続可能である故障を通知し、早急に修理を促すための表示を行う。以上説明した通り、本実施形態により、電流制御用半導体素子1とマイクロコントローラ6にて実装された、小型、低価格の電流制御装置のフェールオペラティブ機能を実現することが可能となる。以上説明したように、本実施形態によれば、電流を制御する上で必ず演算されるオンDutyと電流検出回路の出力する電流値から電流制御装置の故障を検出するため、使用するセンサの種類に依存しない、適用範囲の広い電流制御装置の故障検出手段を実現することができる。また、故障診断機能を持たない電流制御用半導体素子に代わり、マイクロコントローラが、電流制御用半導体素子からオンDutyと電流検出回路の出力する電流値を読み出し故障診断を行う。これにより、電流制御用半導体素子とマイクロコントローラにて実装された電流制御装置の故障検出が可能となる。さらに、電流制御用半導体の故障時は、マイクロコントローラが故障した電流制御用半導体に代わりオンDuty指示値を演算,送信することで、電流制御用半導体素子とマイクロコントローラにて実装された電流制御装置のフェールストップ機能、あるいは、フェールオペラティブ機能を実現することができる。次に、図5を用いて、本発明の第2の実施形態による電流制御装置を用いたソレノイド制御システムの構成について説明する。図5は、本発明の第2の実施形態による電流制御装置を用いたソレノイド制御システムの構成を示すブロック図である。なお、図1と同一符号は同一部分を示している。本実施形態の電流制御用半導体素子1’は、図1で説明した第1の実施形態の電流制御用半導体素子1に、0検出器20と、ANDゲート21と、ANDゲート22を追加している。0検出器20は、オンDuty指令値レジスタ15の有効ビットV=1、オンDuty指令値Duty_t=0を検出した場合にZero_outに1を出力する。ANDゲート21及びANDゲート22は、Zero_outが1の場合、PWMタイマ12の出力を0に固定する。以上の構成により、セレクタ11、または、PWMタイマ12が故障した場合にも、オンDuty指令値レジスタ15に0を書き込むことにより、ハイサイドMOSFET4、ローサイドMOSFET5をオフにし、フェールセーフ機能を確実に実行することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、電流を制御する上で必ず演算されるオンDutyと電流検出回路の出力する電流値から電流制御装置の故障を検出するため、使用するセンサの種類に依存しない、適用範囲の広い電流制御装置の故障検出手段を実現することができる。また、故障診断機能を持たない電流制御用半導体素子に代わり、マイクロコントローラが、電流制御用半導体素子からオンDutyと電流検出回路の出力する電流値を読み出し故障診断を行う。これにより、電流制御用半導体素子とマイクロコントローラにて実装された電流制御装置の故障検出が可能となる。さらに、電流制御用半導体の故障時は、電流制御装置のフェールストップ機能を確実に実現することができる。次に、図6を用いて、本発明の第3の実施形態による電流制御装置を用いたソレノイド制御システムの構成について説明する。図6は、本発明の第3の実施形態による電流制御装置を用いたソレノイド制御システムの構成を示すブロック図である。なお、図1と同一符号は同一部分を示している。本実施形態の電流制御用半導体素子1は、図1で説明した第1の実施形態の電流制御用半導体素子1のPWMタイマ12を、メインのPWMタイマm12AとバックアップのPWMタイマb12Bで二重化し、二つのPWMタイマ12A,12Bの出力をセレクタ11A,セレクタ11Bを使い選択する構成となっている。セレクタ11A,セレクタ11Bは、オンDuty指令値レジスタ15の有効ビットV=0時、メインのPWMタイマm12Aの出力を選択し、有効ビットV=1時、バックアップのPWMタイマb12Bの出力を選択する。以上の構成により、PWMタイマm12Aが故障した場合にも、オンDuty指令値レジスタ15に値を書き込むことにより、その値に対応したオンDutyのパルスをハイサイドMOSFET4、ローサイドMOSFET5に出力し、フェールセーフ機能、およびフェールオペラティブ機能を確実に実行することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、電流を制御する上で必ず演算されるオンDutyと電流検出回路の出力する電流値から電流制御装置の故障を検出するため、使用するセンサの種類に依存しない、適用範囲の広い電流制御装置の故障検出手段を実現することができる。また、故障診断機能を持たない電流制御用半導体素子に代わり、マイクロコントローラが、電流制御用半導体素子からオンDutyと電流検出回路の出力する電流値を読み出し故障診断を行う。これにより、電流制御用半導体素子とマイクロコントローラにて実装された電流制御装置の故障検出が可能となる。さらに、電流制御用半導体の故障時は、電流制御装置のフェールストップ機能、あるいは、フェールオペラティブ機能を確実に実現することができる。次に、図7を用いて、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いた自動変速機制御装置の構成及び動作について説明する。図7は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いた自動変速機制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図7において、図1と同一符号は同一部分を示している。自動変速機制御装置ATCUは、図1に示したマイクロコントローラ6と、電流制御用半導体素子1に相当する複数の電流制御用半導体素子1a,...,1eとから構成される。マイクロコントローラ6は、エンジン回転数センサ52、シフトレバー位置センサ53、アクセルペダル位置センサ54からセンサ値を入力し、入力されたセンサ値から、最適な変速比を演算し、その変速比を実現するための、変速機51が備える複数のクラッチ図示せずの油圧指令値と、その油圧に対応したソレノイド20a,...,20eの電流値指令値を演算し、その電流値指令値Ia,...,Ieを電流制御用半導体素子1a,...,1eに出力する。前述の各実施形態における説明の通り、マイクロコントローラ6は、電流制御用半導体素子1a,...,1eの確実な故障検出と、フェールセーフ機能、およびフェールオペラティブ機能の実現により、自動変速機制御装置ATCUの信頼性を高めることができる。なお、図7ではマイクロコントローラ6がエンジン回転数センサ52、シフトレバー位置センサ53、アクセルペダル位置センサ54の3つのセンサからセンサ値を入力しているが、変速制御方式に対応して、入力するセンサの数や種類を変えても良い。また、図7ではマイクロコントローラ6がセンサからセンサ値を直接入力しているが、他のマイクロコントローラやICを経由して入力しても良い。また、図7では自動変速機51が5つのクラッチを備える例を示しているが、変速機構に対応して、クラッチの数、およびそれに対応したソレノイド電流制御装置の数を変えても良い。次に、図8を用いて、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブレーキ制御装置の構成及び動作について説明する。図8は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブレーキ制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図8において、図1と同一符号は同一部分を示している。ブレーキ制御装置BCUは、図1に示したマイクロコントローラ6と電流制御用半導体素子1とから構成される。マイクロコントローラ6は、ブレーキペダル位置センサ63、車速センサ64からセンサ値を入力し、入力されたセンサ値から、最適なブレーキの制動力を演算し、その制動力を実現するための、油圧ブレーキ61の油圧指令値と、その油圧に対応したソレノイド20の電流値指令値を演算し、その電流値指令値Iを電流制御用半導体素子1に出力する。前述の各実施形態における説明の通り、マイクロコントローラ6は、電流制御用半導体素子1の確実な故障検出と、フェールセーフ機能、およびフェールオペラティブ機能の実現により、ブレーキ制御装置BCUの信頼性を高めることができる。なお、図8ではマイクロコントローラ6がブレーキペダル位置センサ63、車速センサ64の2つのセンサからセンサ値を入力しているが、制動方式に対応して、入力するセンサの数や種類を変えても良い。また、図8ではマイクロコントローラ6がセンサからセンサ値を直接入力しているが、他のマイクロコントローラやICを経由して入力しても良い。次に、図9を用いて、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブラシレスモータ制御装置の構成及び動作について説明する。図9は、本発明の各実施形態による電流制御用半導体素子を用いたブラシレスモータ制御装置の構成を示すブロック図である。なお、図8において、図1と同一符号は同一部分を示している。ブラシレスモータ制御装置MCUは、図1に示したマイクロコントローラ6と電流制御用半導体素子1とから構成される。マイクロコントローラ6は、モータの目標回転数、およびトルクを実現するためのモータ71の3相コイルCu,Cv,Cwに対する3相電流指令値を演算し、その電流値指令値Iu,Iv,Iwを電流制御用半導体素子1a,...,1cに出力する。前述の各実施形態における説明の通り、マイクロコントローラ6は、電流制御用半導体素子1a,...,1cの確実な故障検出と、フェールセーフ機能、およびフェールオペラティブ機能の実現により、ブラシレスモータ制御装置MCUの信頼性を高めることができる。"