基板と、基板に対して相対的に移動可能な可動部を備えるMEMSデバイスであって、下側導電層、中間絶縁層および上側導電層を備えており、下側導電層が上側導電層より厚く形成されており、下側導電層の外側に、反り防止層が形成されており、反り防止層は、中間絶縁層に対応する範囲に形成されていることを特徴とするMEMSデバイス。反り防止層が中間絶縁層より薄く形成されている請求項1のMEMSデバイス。反り防止層が中間絶縁層とほぼ同じ厚さで形成されており、反り防止層の面積が中間絶縁層の面積より小さい請求項1のMEMSデバイス。一般的なMEMSデバイスの導電層に用いられている単結晶シリコンの線膨張係数は約2.6×106°Cであり、絶縁層に用いられている酸化シリコンの線膨張係数は約5.5×107°Cであり、導電層の線膨張係数は絶縁層の線膨張係数より大きい。従って、MEMSデバイスの製造過程において、高温での熱処理を経て常温まで冷却する際に、絶縁層に比べて導電層の方が強く収縮しようとする。導電層と絶縁層が積層された箇所では、導電層と絶縁層は互いの変形を拘束し合う関係にあるから、導電層には面内方向に収縮しようとする残留歪が生じ、絶縁層には面内方向に膨張しようとする残留歪が生じる。導電層のうち、絶縁層に接する部分では、絶縁層によって面内方向の変形が拘束されているので、残留歪を解消しようとする変形を生じない。しかしながら、導電層のうち、絶縁層に接していない部分では、上記のような残留歪を解消するように、面内方向に収縮する変形を生じる。このような変形が全体に亘って蓄積することで、MEMSデバイスの基板に反りを生じてしまう場合がある。特に、上側導電層に比べて下側導電層が厚く形成されている場合には、下側導電層の残留歪を解消するための変形が支配的となり、基板全体が上に凸となるような反りを生じてしまう場合がある。基板に反りを生じてしまうと、固定電極や可動電極の形状が変化してしまい、固定電極と可動電極の間の間隔が不均一なものとなってしまう。固定電極と可動電極の間の間隔が不均一となると、固定電極と可動電極の間で構成される静電容量に影響を及ぼし、MEMSデバイスが実現するセンサの検出精度やゼロ点容量にも影響を及ぼしてしまう。基板に反りが発生することを抑制することが可能な技術が期待されている。本明細書では、上記の課題を解決する技術を提供する。本明細書では、基板と可動部を備えるMEMSデバイスにおいて、基板に反りが発生することを抑制することが可能な技術を提供する。本明細書では、基板と、基板に対して相対的に移動可能な可動部を備えるMEMSデバイスを開示する。そのMEMSデバイスは、下側導電層、中間絶縁層および上側導電層を備えている。下側導電層は上側導電層より厚く形成されている。下側導電層の外側に、反り防止層が形成されている。反り防止層は、中間絶縁層に対応する範囲に形成されている。上記のMEMSデバイスでは、上側導電層よりも厚く形成された下側導電層の外側に、反り防止層が形成されている。この反り防止層が形成されていることで、下側導電層の残留歪を解消するための変形が抑制されて、基板に反りを生じてしまうことを防ぐことができる。反り防止層は、中間絶縁層に対応する範囲に形成されており、中間絶縁層がエッチング等により除去されている範囲については反り防止層が形成されていないことが好ましい。従って、中間絶縁層が除去されている範囲の下側導電層についても、線膨張係数の相違に起因する反りを生じてしまうことがない。上記のMEMSデバイスによれば、基板に反りが発生することを抑制することができる。特に、可動部に可動電極が形成されており、基板に固定電極が形成されている場合、上記のMEMSデバイスによれば、固定電極と可動電極の間の間隔を均一に保つことができる。上記のMEMSデバイスにおいて下側導電層が上側導電層よりも十分に厚い場合、上側導電層で生じる残留応力よりも下側導電層で生じる残留応力が大きくなる。このような場合には、膜厚方向に生じる残留応力の違いの程度が大きいため、反り防止層の厚みを中間絶縁層の厚みと同程度とすることで、反りを防止する効果を大きく得るのがよい。しかしながら、下側導電層の厚みが上側導電層の厚みよりも十分に厚いと言えない場合、反り防止層の厚みを中間絶縁層の厚みと同程度としてしまうと、反りを防止する効果が大き過ぎて、上側導電層と下側導電層が下に凸となるような逆方向の反りを生じてしまう。このような場合、上記のMEMSデバイスは、反り防止層が中間絶縁層より薄く形成されていることが好ましい。反り防止層の厚みを中間絶縁層より薄く形成することで、反り防止層による反り防止効果を中間絶縁層よりも小さくすることができ、上側導電層、中間絶縁層、下側導電層、反り防止層の応力バランスを取ることができる。あるいは、別の手段として、上記のMEMSデバイスは、反り防止層が中間絶縁層とほぼ同じ厚さで形成されており、反り防止層の面積が中間絶縁層の面積より小さいことが好ましい。一般的に、製造段階において、中間絶縁層や反り防止層の厚さを精確に管理することは難しい。中間絶縁層と反り防止層を同じ厚さで形成する場合、反り防止層の面積を小さくすることでも残留応力のバランスを取ることができ、製造が容易となる。本明細書が開示する技術によれば、可動部と基板を備えるMEMSデバイスにおいて、基板に反りが発生することを抑制することができる。実施例1以下では図1、図2を参照しながら、実施例1に係るセンサ10の構造について説明する。図2に示すように、センサ10は、下側導電層2と、中間絶縁層4と、上側導電層6の積層構造を有する基板8に形成されている。本実施例の基板8は、下側導電層2が不純物を添加した単結晶シリコンからなり、中間絶縁層4が酸化シリコンからなり、上側導電層6が不純物を添加した単結晶シリコンからなる、いわゆるSOISilicononInsulator基板である。本実施例の基板8では、上側導電層6は下側導電層2よりも薄く形成されている。図1および図2に示すように、センサ10は、下側支持基板12と、可動板14と、支持梁16と、上側支持基板18を備えている。下側支持基板12は下側導電層2に形成されている。可動板14と、支持梁16と、上側支持基板18は上側導電層6に形成されている。上側支持基板18は、矩形の枠形状に形成されている。上側支持基板18は、中間絶縁層4に形成された絶縁支持部20を介して、下側支持基板12に対して固定されている。絶縁支持部20は、上側支持基板18と同様に、矩形の枠形状に形成されている。支持梁16は可動板14と上側支持基板18の間を連結している。可動板14は、矩形の平板形状に形成されている。可動板14は、下側支持基板12から間隙を隔てて、下側支持基板12に対して略平行となるように、支持梁16によって支持されている。支持梁16は、Z方向についての曲げ剛性およびせん断剛性が低くなるように、細長い形状に形成されている。従って、可動板14にZ方向の慣性力が作用すると、支持梁16がZ方向に撓んで、可動板14は下側支持基板12に対してZ方向に相対変位する。このときの支持梁16の撓み量は、可動板14に作用する慣性力の大きさに応じたものとなる。言い換えると、下側支持基板12に対する可動板14の相対変位量は、可動板14に作用する加速度の大きさに応じたものとなる。従って、下側支持基板12に対する可動板14の変位量を検出することで、センサ10に作用している加速度を検出することができる。なお、可動板14には、センサ10の製造プロセスにおいて、可動板14と下側支持基板12の間に介在する中間絶縁層4をエッチングするための、複数のエッチングホール28が形成されている。センサ10は、Z方向検出部22を備えている。Z方向検出部22は、固定電極としての役割を果たす下側支持基板12と、可動電極としての役割を果たす可動板14から構成されている。下側支持基板12と可動板14の間には、両者の対向面積と距離に応じた静電容量が構成される。下側支持基板12に対して可動板14がZ方向に変位すると、下側支持基板12と可動板14の間の静電容量の大きさが変化する。この静電容量の変化を検出することで、可動板14の下側支持基板12に対するZ方向の変位量を検出することができる。本実施例のセンサ10では、可動板14と、支持梁16と、上側支持基板18が、継ぎ目無く一体的に形成されている。従って、可動板14と、支持梁16と、上側支持基板18は、互いに同電位に保たれている。センサ10は、上側支持基板18と導通するすなわち可動板14と導通する第1表面電極24aと、下側支持基板12と導通する第2表面電極24bを備えている。図2に示す静電容量検出回路26によって、これらの表面電極からの出力を検出し、図示しない演算回路で演算処理を行うことで、センサ10に作用するZ方向の加速度を検出することができる。図2に示すように、センサ10には、下側絶縁層反り防止層ともいう30と、保護層32が形成されている。下側絶縁層30は、下側導電層2の外側図2の下側に積層されており、保護層32は下側絶縁層30の外側図2の下側に積層されている。下側絶縁層30は、下側導電層2に比べて線膨張係数が小さい材料が用いられる。また、下側絶縁層30は、単層膜であってもよいし、複合膜であってもよい。本実施例では、下側絶縁層30は酸化シリコンからなり、保護層32はポリシリコンからなる。本実施例では、下側絶縁層30は、中間絶縁層4と略同じ厚さとなるように形成されている。また、保護層32は、下側絶縁層30の厚みの半分以下の厚みとなるように形成されている。下側絶縁層30は、センサ10に存在する中間絶縁層4に対応する範囲に形成されている。本実施例では、センサ10を平面視したときに、中間絶縁層4が形成されている範囲と、下側絶縁層30が形成されている範囲は重複している。後述するように、本実施例のセンサ10では、下側絶縁層30が形成されていることによって、下側支持基板12の可動板14に対向する箇所での反りの発生が抑制されている。これによって、下側支持基板12と可動板14の間の距離が均一に保たれており、下側支持基板12と可動板14により構成される静電容量のばらつきを抑制することができる。なお、本実施例では、保護層32は下側絶縁層30より薄く形成されているので、保護層32を形成することで下側支持基板12に反りを発生してしまうことはない。本実施例では、センサ10を平面視したときに、可動板14および支持梁16を取り囲む範囲に下側絶縁層30が形成されているということもできる。可動板14および支持梁16を下側支持基板12に対して可動とするために、可動板14および支持梁16の直下には中間絶縁層4が形成されていない。これに対して、可動板14および支持梁16を取り囲む上側支持基板18の直下には、中間絶縁層4が形成されている。上記のような範囲で下側絶縁層30を形成することで、残留応力のバランスを適切に取ることができ、反りの発生が抑制される。以下では図3-図9を参照しながら、本実施例のセンサ10の製造プロセスについて説明する。図3-図9は、図1のA-A線断面、すなわち、図2の断面に相当する。まず、図3に示すように、不純物を添加した単結晶シリコンからなる下側導電層2と、酸化シリコンからなる中間絶縁層4と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる上側導電層6の積層構造を有する基板8に、酸化シリコンからなる下側絶縁層30が積層されたSOIウェハ50を用意する。下側絶縁層30は、下側導電層2の表面に積層されている。通常、中間絶縁層4の酸化シリコンは、熱酸化により成膜されている。下側絶縁層30の酸化シリコンは、化学気相成長CVD:ChemicalVaporDeposition法により成膜してもよいが、中間絶縁層4の酸化シリコンと物性が等しくなるように、熱酸化により成膜してもよい。なお、下側導電層2は、製造されるセンサ10の下側支持基板12に相当する。次いで、図4に示すように、CVD法によって、下側絶縁層30の表面に、ポリシリコンからなる保護層32を成膜する。次いで、図5に示すように、上側導電層6の表面にフォトレジスト52を形成する。次いで、図6に示すように、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtching法により、上側導電層6のエッチングを行う。これにより、上側導電層6においてフォトレジスト52で保護されていない範囲がエッチングされる。上側導電層6に、可動板14、支持梁16、上側支持基板18がそれぞれ形成される。次いで、図7に示すように、上側導電層6の表面のフォトレジスト52を除去した後、保護層32の表面にフォトレジスト54を形成する。次いで、図8に示すように、RIE法により、保護層32のエッチングを行う。次いで、図9に示すように、フッ酸を用いたエッチングによって、犠牲層である中間絶縁層4の酸化シリコンを選択的に除去する。これによって、中間絶縁層4から、絶縁支持部20を除いた範囲が除去される。また、下側絶縁層30から、保護層32で覆われていない範囲が除去される。この中間絶縁層4の選択的なエッチングにより、可動板14が下側支持基板12からリリースされる。従来技術では、この時点で残留歪が開放されて、下側支持基板12に反りが生じてしまい、下側支持基板12と可動板14の間の間隔が不均一となってしまうことがあった。しかしながら、本実施例のセンサ10では、中間絶縁層4に対応する範囲に下側絶縁層30が形成されているので、下側支持基板12に反りを生じてしまうことがない。そのため、下側支持基板12と可動板14の間の間隔を均一に保ち、下側支持基板12と可動板14により構成される静電容量のばらつきを抑制することができる。その後、保護層32の表面のフォトレジスト54を除去し、CVD法等によって、第1表面電極24a、第2表面電極24bを形成することによって、図1および図2に示すセンサ10を製造することができる。実施例1の変形例上記では、下側絶縁層30を、中間絶縁層4と略同じ厚さで形成する場合について説明した。しかしながら、下側絶縁層30の厚さは、下側導電層2、中間絶縁層4および上側導電層6との間での残留応力のバランスが取れるように設定すべきである。従って、例えば下側導電層2の厚さと上側導電層6の厚さにそれほど大きな差がない場合などには、下側絶縁層30の影響は少ないほうが好ましい。このような場合には、図16に示すように、下側絶縁層30を中間絶縁層4よりも薄く形成してもよい。下側絶縁層30の厚みは、中間絶縁層4の厚みの90以下とすることが好ましい。あるいは、図17に示すように、下側絶縁層30を中間絶縁層4と略同じ厚さに形成しておいて、下側絶縁層30と保護層32を選択的にエッチングして、下側絶縁層30が形成される範囲の面積を中間絶縁層4が形成される範囲の面積よりも小さくしてもよい。下側絶縁層30の面積は、中間絶縁層4の面積の90以下とすることが好ましい。このような構成とした場合でも、図16に示すような下側絶縁層30を中間絶縁層4よりも薄く形成する構成と同様に、下側絶縁層30、下側導電層2、中間絶縁層4および上側導電層6の間での残留応力のバランスを取ることができる。なお、第1表面電極24aの材料として使用される金属の線膨張係数が単結晶シリコンの線膨張係数より大きい場合、第1表面電極24aが形成された箇所については、第1表面電極24aによって下側支持基板12での反りの発生がある程度抑制されている。従って、図16において、第1表面電極24aに対応する箇所の下側絶縁層30の厚みを部分的に薄く形成する、あるいは図17において、第1表面電極24aに対応する箇所の下側絶縁層30の面積を小さくすることもできる。一般的には、SOIウェハの製造段階において、下側絶縁層30は中間絶縁層4と略同じ厚さで形成されている。その後に下側絶縁層30を薄くするためには、エッチング等による下側絶縁層30の加工が考えられるが、このような手法では、下側絶縁層30の厚さを精度よく管理することが難しい。しかしながら、図17に示すように、下側絶縁層30を選択的にエッチングする手法であれば、エッチングする範囲の管理は容易となる。この手法によれば、下側絶縁層30の面積を精度よく調整することが容易であり、下側絶縁層30、下側導電層2、中間絶縁層4および上側導電層6の間での残留応力のバランスを精度よく取ることができる。実施例2図10に示すように、本実施例のセンサ110は、不純物を添加した単結晶シリコンからなる下側導電層102と、酸化シリコンからなる中間絶縁層104と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる上側導電層106の積層構造を有する基板108に形成されている。基板108では、上側導電層106は下側導電層102よりも薄く形成されている。本実施例のセンサ110は、支持基板112と、可撓板114を備えている。支持基板112は下側導電層102に形成されている。可撓板114は上側導電層106に形成されている。可撓板114は、支持基板112と略同じ大きさの平板形状に形成されている。可撓板114は、中間絶縁層104に形成された絶縁支持部116を介して、支持基板112に対して固定されている。絶縁支持部116は、矩形の枠形状に形成されている。可撓板114にZ方向の力や圧力が作用すると、可撓板114がZ方向に撓んで、可撓板114と支持基板112の間の距離が変化する。このときの可撓板114の撓み量は、可撓板114に作用する力や圧力の大きさに応じたものとなる。従って、支持基板112に対する可撓板114の変位量を検出することで、センサ110に作用している力や圧力を検出することができる。なお、支持基板112には、センサ110の製造プロセスにおいて、支持基板112と可撓板114の間に介在する中間絶縁層104を選択的にエッチングするための、複数のエッチングホール118が形成されている。センサ110は、Z方向検出部120を備えている。Z方向検出部120は、固定電極としての役割を果たす支持基板112と、可動電極としての役割を果たす可撓板114から構成されている。支持基板112と可撓板114の間には、両者の対向面積と距離に応じた静電容量が構成される。支持基板112に対して可撓板114がZ方向に変位すると、支持基板112と可撓板114の間の静電容量の大きさが変化する。この静電容量の変化を検出することで、可撓板114の支持基板112に対するZ方向の変位量を検出することができる。センサ110は、可撓板114と導通する第1表面電極122aと、支持基板112と導通する第2表面電極122bを備えている。図示しない静電容量検出回路によって、これらの表面電極からの出力を検出し、図示しない演算回路で演算処理を行うことで、センサ110に作用するZ方向の力や圧力を検出することができる。センサ110には、酸化シリコンからなる下側絶縁層130と、ポリシリコンからなる保護層132が形成されている。本実施例では、下側絶縁層130は、中間絶縁層104と略同じ厚さとなるように形成されている。下側絶縁層130は、センサ110に存在する中間絶縁層104に対応する範囲に形成されている。本実施例では、センサ110を平面視したときに、中間絶縁層104が形成されている範囲と、下側絶縁層130が形成されている範囲が完全に重複している。本実施例のセンサ110では、下側絶縁層130が形成されていることによって、支持基板112の可撓板114に対向する箇所での反りの発生が抑制されている。これによって、支持基板112と可撓板114の間の距離が均一に保たれており、支持基板112と可撓板114により構成される静電容量のばらつきを抑制することができる。実施例3図11から図13に示すように、本実施例のセンサ210は、不純物を添加した単結晶シリコンからなる下側導電層202と、酸化シリコンからなる中間絶縁層204と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる上側導電層206の積層構造を有する基板208に形成されている。基板208では、上側導電層206は下側導電層202よりも薄く形成されている。本実施例のセンサ210は、下側支持基板212と、上側支持基板214と、可動板216と、支持梁218と、固定板220を備えている。下側支持基板212と可動板216は下側導電層202に形成されている。上側支持基板214と、支持梁218と、固定板220は上側導電層206に形成されている。上側支持基板214は、矩形の枠形状に形成されている。上側支持基板214は、中間絶縁層204に形成された絶縁支持部222を介して、下側支持基板212に対して固定されている。絶縁支持部222は、上側支持基板214と同様に、矩形の枠形状に形成されている。支持梁218は、一端が上側支持基板214に固定されており、他端が中間絶縁層204に形成された絶縁支持部224を介して可動板216に固定されている。固定板220は、両端が上側支持基板214に固定されている。なお、固定板220には、センサ210の製造プロセスにおいて、固定板220と可動板216の間に介在する中間絶縁層204をエッチングするための、複数のエッチングホール226が形成されている。可動板216は、矩形の平板形状に形成されている。可動板216は、固定板220から間隙を隔てて、固定板220に対して略平行となるように、支持梁218によって支持されている。支持梁218は、Z方向についての曲げ剛性およびせん断剛性が低くなるように、細長い形状に形成されている。従って、可動板216にZ方向の慣性力が作用すると、支持梁218がZ方向に撓んで、可動板216は固定板220に対してZ方向に相対変位する。このときの支持梁218の撓み量は、可動板216に作用する慣性力の大きさに応じたものとなる。言い換えると、固定板220に対する可動板216の相対変位量は、可動板216に作用する加速度の大きさに応じたものとなる。従って、固定板220に対する可動板216の変位量を検出することで、センサ210に作用している加速度を検出することができる。センサ210は、Z方向検出部228を備えている。Z方向検出部228は、固定電極としての役割を果たす固定板220と、可動電極としての役割を果たす可動板216から構成されている。固定板220と可動板216の間には、両者の対向面積と距離に応じた静電容量が構成される。固定板220に対して可動板216がZ方向に変位すると、固定板220と可動板216の間の静電容量の大きさが変化する。この静電容量の変化を検出することで、可動板216の固定板220に対するZ方向の変位量を検出することができる。本実施例のセンサ210では、上側支持基板214と、支持梁218と、固定板220が、継ぎ目無く一体的に形成されている。従って、上側支持基板214と、支持梁218と、固定板220は、互いに同電位に保たれている。センサ210は、上側支持基板214と導通するすなわち固定板220と導通する第1表面電極234aと、可動板216と導通する第2表面電極234bを備えている。図示しない静電容量検出回路によって、これらの表面電極からの出力を検出し、図示しない演算回路で演算処理を行うことで、センサ210に作用するZ方向の加速度を検出することができる。センサ210には、酸化シリコンからなる下側絶縁層230と、ポリシリコンからなる保護層232が形成されている。本実施例では、下側絶縁層230は、中間絶縁層204と略同じ厚さとなるように形成されている。下側絶縁層230は、センサ210に存在する中間絶縁層204に対応する範囲に形成されている。本実施例では、センサ210を平面視したときに、中間絶縁層204が形成されている範囲と、下側絶縁層230が形成されている範囲が完全に重複している。可動板216は絶縁支持部224によって確実に支持梁218に接続される必要がある。このため、中間酸化膜204をエッチングし絶縁支持部224を形成する際に、側面からのアンダーカットがあることを考慮して、絶縁支持部224の面積は十分大きなものに形成される。この結果、絶縁支持部224によって可動板16に反りを発生してしまうことが問題となる。しかしながら、本実施例のセンサ210では、下側絶縁層230が形成されていることによって、固定板220における反りの発生と、可動板216における反りの発生がそれぞれ抑制されている。これによって、固定板220と可動板216の間の距離が均一に保たれており、固定板220と可動板216により構成される静電容量のばらつきを抑制することができる。実施例4図14および図15に示すように、本実施例のセンサ310は、不純物を添加した単結晶シリコンからなる下側導電層302と、酸化シリコンからなる中間絶縁層304と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる上側導電層306の積層構造を有する基板308に形成されている。基板308では、上側導電層306は下側導電層302よりも薄く形成されている。本実施例のセンサ310は、上側支持基板312と、下側支持基板314と、可動板316と、支持梁318と、固定板320と、支持板322を備えている。下側支持基板314と、固定板320は、下側導電層302に形成されている。上側支持基板312と、可動板316と、支持梁318と、支持板322は、上側導電層306に形成されている。上側支持基板312は、矩形の枠形状に形成されている。上側支持基板312は、中間絶縁層304に形成された絶縁支持部324を介して、下側支持基板314に対して固定されている。絶縁支持部324は、上側支持基板312と同様に、矩形の枠形状に形成されている。支持板322は、上側支持基板312から内側に向けて伸びている。固定板320は、中間絶縁層304に形成された絶縁固定部326を介して、支持板322に対して固定されている。支持梁318は可動板316と上側支持基板312の間を連結している。可動板316は、矩形の平板形状に形成されている。可動板316は、固定板320から間隙を隔てて、固定板320に対して略平行となるように、支持梁318によって支持されている。支持梁318は、Z方向についての曲げ剛性およびせん断剛性が低くなるように、細長い形状に形成されている。従って、可動板316にZ方向の慣性力が作用すると、支持梁318がZ方向に撓んで、可動板316は固定板320に対してZ方向に相対変位する。このときの支持梁318の撓み量は、可動板316に作用する慣性力の大きさに応じたものとなる。言い換えると、固定板320に対する可動板316の相対変位量は、可動板316に作用する加速度の大きさに応じたものとなる。従って、固定板320に対する可動板316の変位量を検出することで、センサ310に作用している加速度を検出することができる。なお、可動板316には、センサ310の製造プロセスにおいて、可動板316と固定板320の間に介在する中間絶縁層304をエッチングするための、複数のエッチングホール328が形成されている。センサ310は、Z方向検出部334を備えている。Z方向検出部334は、固定電極としての役割を果たす固定板320と、可動電極としての役割を果たす可動板316から構成されている。固定板320と可動板316の間には、両者の対向面積と距離に応じた静電容量が構成される。固定板320に対して可動板316がZ方向に変位すると、固定板320と可動板316の間の静電容量の大きさが変化する。この静電容量の変化を検出することで、可動板316の固定板320に対するZ方向の変位量を検出することができる。本実施例のセンサ310では、上側支持基板312と、可動板316と、支持梁318と、支持板322が、継ぎ目無く一体的に形成されている。従って、上側支持基板312と、可動板316と、支持梁318と、支持板322は、互いに同電位に保たれている。センサ310は、上側支持基板312と導通するすなわち可動板316と導通する第1表面電極336aと、固定板320と導通する第2表面電極336bを備えている。図示しない静電容量検出回路によって、これらの表面電極からの出力を検出し、図示しない演算回路で演算処理を行うことで、センサ310に作用するZ方向の加速度を検出することができる。センサ310には、下側絶縁層330と、保護層332が形成されている。本実施例では、下側絶縁層330は、中間絶縁層304と略同じ厚さとなるように形成されている。下側絶縁層330は、センサ310に存在する中間絶縁層304に対応する範囲に形成されている。本実施例では、センサ310を平面視したときに、中間絶縁層304が形成されている範囲と、下側絶縁層330が形成されている範囲が完全に重複している。本実施例のセンサ310では、下側絶縁層330が形成されていることによって、固定板320における反りの発生と、可動板316における反りの発生がそれぞれ抑制されている。これによって、固定板320と可動板316の間の距離が均一に保たれており、固定板320と可動板316により構成される静電容量のばらつきを抑制することができる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。