"流体を流すための流路を有するボディと、前記流路内で、該流路に対して垂直な回転軸を中心として回転可能な弁体と、を備えた流路開閉装置であって、前記弁体の縁部に沿って、前記弁体の全閉時に形成される前記ボディと前記弁体との隙間における流路方向のシール長を拡張するシール長拡張壁を突設したことを特徴とする流路開閉装置。前記弁体は、前記回転軸を隔てて、前記弁体の回転方向の前方へ臨んだ第1領域と第2領域を有し、前記第1領域の縁部には、前記弁体の回転方向の前方へ臨んで第1シール長拡張壁が突設され、前記第2領域の縁部には、前記弁体の回転方向の前方へ臨んで第2シール長拡張壁が突設されていることを特徴とする請求項1に記載の流路開閉装置。前記第1シール長拡張壁及び第2シール長拡張壁の高さは、前記弁体の半径の30~70であることを特徴とする請求項2に記載の流路開閉装置。前記第1シール長拡張壁と前記第2シール長拡張壁は、前記回転軸に対して対称に形成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の流路開閉装置。前記弁体において、前記流路に対するコンダクタンスが最大になるように前記弁体を傾けたときに、流路方向に沿った前記弁体の投影断面積が最小になるように前記シール長拡張壁の位置を流路方向にずらして形成したことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の流路開閉装置。前記ボディの内部に画される前記流路の断面形状は、前記回転軸の付近に該回転軸と垂直な直線成分を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の流路開閉装置。前記流路の断面形状において、前記回転軸の付近に該回転軸と垂直な直線成分を有すると共に、円成分を有し、前記直線成分の部分の長さは、前記弁体と前記シール長拡張壁とを合わせた長さと同等であり、それ以外の部分は、前記直線成分の端部から前記円成分より外側の領域内を最短経路で前記円成分に繋いで形成していることを特徴とする請求項6に記載の流路開閉装置。請求項1から7のいずれか1項に記載の流路開閉装置をチャンバと排気ポンプとの間に備えることを特徴とする真空処理装置。請求項1から7のいずれか1項に記載の流路開閉装置を具備する冷却チャンバを有することを特徴とするインライン式製造装置。しかしながら、バタフライバルブは弁体が非接触であり、排気能力が高く、応答速度も速いという長所を有しているが、バタフライバルブのみを設置したのでは非接触の構造上高圧力下での気密性に劣る。そのため、特許文献1では、チャンバ内の圧力を数百Paまで上げる場合は、一旦バタフライバルブを全閉にした後、シートリングを動作させている。したがって、特許文献1の技術では2段階の動作が必要となり、高速処理の用途には不向きであった。そこで本発明は、上記の課題に鑑み、弁体が非接触であり、排気能力が高く、応答速度も速いという長所を維持しつつ、気密性を向上させて、高圧力下における高速処理に対応しうる流路開閉装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。即ち、本発明に係る流路開閉装置は、流体を流すための流路を有するボディと、前記流路内で、該流路に対して垂直な回転軸を中心として回転可能な弁体と、を備えた流路開閉装置であって、前記弁体の縁部に沿って、前記弁体の全閉時に形成される前記ボディと前記弁体との隙間における流路方向のシール長を拡張するシール長拡張壁を突設したことを特徴とする流路開閉装置である。本発明によれば、弁体の縁部に沿ってシール長拡張壁を設けることにより、弁体の全閉時に形成されるボディと弁体との隙間における流路方向のシール長が長くなる。これにより気密性が高くなり、高い圧力帯域での使用が可能となる。したがって、弁体が非接触であり、排気能力が高く、応答速度も速いという長所を維持しつつ、気密性を向上させて、高圧力下における高速処理に対応しうるという優れた効果を発揮する。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。<第1の実施形態>まず、主に図1及び図2を参照して、本発明に係る流路開閉装置の一例として、バタフライバルブの第1の実施形態について説明する。図1は、本発明に係る第1の実施形態のバタフライバルブについての説明図である。具体的には、図1aは本実施形態のバタフライバルブを示す概略図である。図1bは、本実施形態のバタフライバルブの一部を拡大して示す概略断面図である。図1cは、シール長拡張壁を設けることが可能な領域を説明する図である。図1dは、本実施形態のバタフライバルブの全閉状態を弁軸の方向から見た概略図である。図1eは、本実施形態のバタフライバルブの全開状態を弁軸の方向から見た概略図である。図2は、第1の実施形態のバタフライバルブにおけるシール長拡張壁の高さを変えたときの圧力変化を示す説明図である。バタフライバルブ63は、例えば真空処理装置において、処理容器チャンバ61と排気ポンプ64との間に接続される後述する図8参照。チャンバ61内の圧力を調整する手法として、ガス導入管62からのガス流量を制御する方法や、チャンバ61と排気ポンプ64との間にコンダクタンス可変バルブバタフライバルブ63を設置してコンダクタンスの制御を行なう手法とがある。なお、真空処理装置の排気系については、後で詳述する。一般に、バタフライバルブには主に3つの役割がある。第1は弁体を制御して、チャンバ61内の圧力を制御することである。第2は弁体を全開にした状態で排気を行い、チャンバ61の到達圧力をできる限り低くすることである。第3は弁体を全閉にした状態でガスを流し、チャンバ61内の圧力をなるべく高くすることである。本発明は、特に第3の役割である封止能力を強化するものである。即ち、本実施形態のバタフライバルブは、図1abに示すように、ボディ20、流路21、弁体23、弁軸28、及び弁体の全閉時に形成されるボディ20と弁体23との隙間aにおける流路方向のシール長Lを拡張するシール長拡張壁66を備えている。尚、シール長拡張壁66を、以下拡張壁と称する場合がある。本実施形態のボディ20は、例えば円筒体状を呈しており、このボディ20を貫通するように流体の流路21が形成されている。流路内には、この流路21を開閉する弁体23が回転可能に軸支されている。本実施形態の弁体23は円板状の形状を有しており、回転軸である弁軸28に取り付けられている。弁軸28はボディ20の直径に沿うように流路21に対して垂直方向に支承され、この弁軸28を中心として、弁体23は回転可能となっている。即ち、弁軸28は不図示のステッピングモータ等に接続され、ステッピングモータ等を制御することで弁体23を任意の角度に動かすことができる。従来構造の弁体23は単なる円板であるのに対し図7参照、本実施形態では、円板状の弁体23の縁部に弁体23と直交するように拡張壁66が設けられている点が異なる。なお、弁体の形状はボディ20内の流路21の断面形状によって決定され、円板状に限定されず、例えば矩形の板状部材であってもよい。真空処理装置の大きさなどによって、使用されるバタフライバルブの容量が変わってくる。本実施形態では、一般の半導体製造装置等で採用されている流路21の直径が200mmのものをベースとしている。一般にボディ20、弁体23、弁軸28及び拡張壁66は真空下で使用するため、材質はステンレス鋼やアルミニウムなどの金属であることが多く、本実施形態においても金属を想定している。なお、弁体23及び拡張壁66については回転動作をするため、回転モーメントを小さくできる比重の小さな金属を採用することが望ましい。弁体23と拡張壁66の役割は気体の流れを遮ることである。そのため、気体の流れを遮ることができる所望の形状が得られるのであれば、拡張壁66を弁体23に固定する方法は任意に選択でき、さらに弁体23と拡張壁66とを一体形成したものを使用しても同様の効果が得られる。次に、拡張壁66の役割について説明する。バタフライバルブは、例え弁体23を閉じたとしても、弁体23とボディ20との間に隙間aが存在し、この隙間aからガスが漏れるため、チャンバ内の圧力を高くすることができない図7b参照。弁体23は非接触で回転する可動部であるため、ボディ20と接触しないように隙間aが設けられている。一般にこの隙間aの値は0.1mmから0.5mm程度と非常に小さな値である。しかし、チャンバ内の圧力が数百Paのときの気体分子の平均自由行程は0.01mm以下と更に小さいため、この隙間aを通じてガスが漏れてしまう。このような粘性流に対する隙間aのコンダクタンスConductanceは、下記式1に示される。上記式1で示すように、コンダクタンスは隙間aの二乗に比例して大きくなり、隙間aの長さシール長Lに反比例する。図1bに示すように、本実施形態のバタフライバルブは、全閉時におけるボディ20と弁体23との隙間aが従来構造のバタフライバルブと同一の間隔で設定されている。しかし、本実施形態のバタフライバルブは、弁体23の縁部に拡張壁66が突設されたことにより、上記隙間aにおける流路方向のシール長Lが拡張され、従来構造の0.2mm~4.0mmに比し、20mm~70mm程度と長く設定されている。即ち、本実施形態のバタフライバルブは、上記隙間aにおける流路方向のシール長Lを長く設定しているため、コンダクタンスが非常に小さいものとなり、バタフライバルブの全閉時において、真空チャンバの気密性を向上させることができる。次に、拡張壁66の最適な形状について検討する。図1bdから分かるように、拡張壁66a、66bは、弁軸28を中心として、互いに点対称形状になるように設計されている。このように形成する理由は、仮に点対称でない場合には慣性モーメントの重心が弁軸28から外れ、スムーズな回転を損なうためである。具体的には、弁体23は、弁軸28を隔てて、弁体23の回転方向の前方へ臨んだ第1領域23aと第2領域23bを有している。第1領域23aの縁部には、弁体23の回転方向の前方へ臨んで第1シール長拡張壁66aが突設されている。一方、第2領域23bの縁部には、弁体23の回転方向の前方へ臨んで第2シール長拡張壁66bが突設されている。そして、第1シール長拡張壁66aと第2シール長拡張壁66bは、弁軸28に対して、点対称に形成されている。拡張壁66の高さHには制限があり、この拡張壁66の高さHが弁体23の半径Rより高くなると、弁体23を90度傾けて全開にしたときに拡張壁66がボディ20に干渉してしまう。したがって、本実施形態のバタフライバルブの拡張壁66の高さHは、弁体23の半径Rより短いことを要する。このような制限を考慮すると、拡張壁66を設けることが可能な領域は図1cの67のような形状になる。これは半径R、高さRの半円柱二つ68、69と、半径Rの球を1/4に切ったもの70を用意し、これらを重ねたときに3者が重なる部分で定義される。なお、図1cにおいて、68は半径R,高さRの半円柱縦に立たせたもの、69は半径R,高さRの半円柱横に寝かせたもの、70は半径Rの球を1/4に切ったもの、67は拡張壁を設けることのできる領域である。次に、この領域内のどの部分に拡張壁66を設けるかを検討する。上記式1から分かるように、拡張壁66とボディ20との隙間aが少しでも大きくなると、コンダクタンスが増大してガスが漏れてしまうため、拡張壁66を設ける意味がなくなってしまう。そのため、拡張壁66を設けるべき領域は図1cにおいてハッチ部で示される曲面である。即ち、弁体23の縁部に沿って拡張壁66を設けることが必要かつ十分な条件となる。再度、拡張壁66の高さHについて検討する。拡張壁66の高さHは高ければ高いほど全閉時のコンダクタンスが小さくなり、チャンバの気密性は向上する。しかし、逆に全開にしたときにはその拡張壁66の側面が排気の邪魔になり、排気速度の低下により排気時間が長くなったり、到達圧力の悪化を招くことになる。図2はその様子をグラフで表したものであり、横軸は拡張壁の高さmm/弁体の半径Rmmである。上側の実線は、チャンバにガス100sccmを流した状態で、弁体23を全閉にして圧力を上げたときの計算データである。従来構造のバタフライバルブ0高さでは60Pa程度の圧力だったものが、拡張壁66を設けることで、チャンバ内の圧力が急激に上昇し、最大で4000Pa程度まで上昇しているのが分かる。一方、チャンバを真空に引くという意味では、弁体23の開度を全開にしたときにどれだけコンダクタンスを大きくできるかという点も重要である。ここでいう開度全開とは、排気コンダクタンスが最大になるという意味である。即ち、従来構造のバタフライバルブでは、弁体23が平面から成る円板であるため、弁体23を流路21に対して90度傾けたときにコンダクタンスが最大になる図7c参照。しかし、本実施形態のバタフライバルブには拡張壁66が存在し、3次元的な構造を有しているため、弁体23を回転させたときに流路方向に沿った投影断面積が最小になる角度が開度全開の角度となる。その角度は拡張壁66の高さHによって異なるが、拡張壁66が半径Rの20高さのときには81度、70高さのときには67度と、90度よりは少ない角度になる。開度全開のときの圧力を図2の下側の実線に示した。拡張壁66の高さHを上げていくと、緩やかにコンダクタンスが悪くなっていき、100高さ付近で急激に圧力が上がっているのが分かる。つまり、拡張壁66の高さHを高くすると、全開のときの排気特性は悪化することになる。このように気密特性と排気特性はトレードオフの関係になるため、バランスの良い高さを選ぶ必要がある。圧力制御バルブの特性としては、低圧から高圧まで広い範囲で調圧できることが望ましい。そのための指標として全開時の圧力と全閉時の圧力の比これはコンダクタンスの比に相当するを求め、これを点線で示した。即ち、この値が大きいほど、制御可能な圧力幅が大きいといえる。この点線から、拡張壁66は半径Rの30~70高さのときに最も制御可能な圧力幅が大きくなることが分かる。実際には、気密特性を重視する用途であれば拡張壁66の高さは半径Rの70程度で、排気特性を重視する場合は30程度が良いと思われる。以上のように、本実施形態のバタフライバルブによれば、弁体23が非接触であり、排気能力が高く、応答速度も速いという長所を維持しつつ、気密性を向上させて、高圧力下における高速処理に対応しうる。具体的には、本実施形態のバタフライバルブ半径Rの50高さによれば、全閉時の圧力を従来構造の60Paから4000Paへと大きく引き上げることができる。また、制御可能な圧力幅も、従来構造の140倍から8000倍へと大きくなり、幅広い圧力帯で使用することが可能となる。<第2の実施形態>次に図3を参照して、第2の実施形態のバタフライバルブについて説明する。図3は、第2の実施形態のバタフライバルブを示す概略図である。図7は、比較例従来構造のバタフライバルブを示す概略図である。第1の実施形態のバタフライバルブ半径Rの50高さのでは、全開時の圧力が従来構造の0.4Paから0.6Paに上昇しており、このことから排気時のコンダクタンスが悪化していることが判る。成膜装置など到達圧力の重要な装置では、排気時のコンダクタンスの悪化はできる限り避けたいところである。ここで、図7を参照して、比較例従来構造のバタフライバルブについて概説する。図7aに示すように、ボディ20の内側には円板状の弁体23が設けられている。チャンバを真空に引く場合は、図7cに示すように、排気の妨げにならないように弁体23を流路21と平行になるように位置させる。この状態を開度が全開開度=100であると呼ぶ。逆に、弁体23が流路21と垂直に位置する場合を開度が全閉開度=0であると呼ぶ。プロセス処理を行う場合は、チャンバ内にガスを流す必要があるが、このとき弁体23の開度が全開では、ガスが効率よく排気され、チャンバ内の圧力が低くなる。圧力を上げるには弁体23の開度を小さくして、ガスの流れを遮蔽するようにすると、ボディ20と弁体23との間のコンダクタンスが小さくなり、チャンバ内の圧力を高くすることができる。図7cに示すように、比較例のバタフライバルブを全開して排気を行っているときには、弁体23が流路21と平行になるように位置し、このとき流路方向に沿った投影断面積が最小になる。このときの流路21の断面積に対する弁体23の占める割合は、面積比で4程度である。次に、第1の実施形態のバタフライバルブ半径Rの50高さで排気しているときの様子を図1eに示す。この場合、弁体23は全閉の位置から約70度回転させたときに、流路方向に沿った投影断面積が最小になる。このとき流路21に対する弁体23の占める割合は、面積比で40にもなり、これが排気特性の悪化を招いているものと考えられる。図3は、本実施形態のバタフライバルブ半径Rの50高さの構成を示す。第1の形態では、弁体23の上に拡張壁66が直接設けられている。これに対し、本実施形態では拡張壁66を流路方向にずらして配置している。さらに、弁体23と拡張壁66との間に隙間が生じないように、弁体23も折り曲げてある。これは全開時排気時になるべくコンダクタンスが小さくなるように、流路方向に沿った投影断面積が最小になるようにずらしたものである。これにより、第1の実施形態では排気時に流路21の40を拡張壁66で遮ってしまうのに対し、本実施形態では29に抑えられる。一方、流路方向にずらして配置したものの、各場所における拡張壁66の流路方向の高さLは第1の実施形態と変わらないため、全閉気密時のコンダクタンスも第1の実施形態と変わらない。結果的に本実施形態は、第1の実施形態と比べると、全閉気密時の圧力はそのままに、全開排気時のコンダクタンスの悪化を最小限に抑えることができる。したがって、本実施形態によれば、第1の実施形態に比して、弁体23の全開時におけるコンダクタンスを高めることができ、チャンバの到達圧力及び排気時間の改善を図ることができる。<第3の実施形態>次に図4及び図5を参照して、第3の実施形態のバタフライバルブについて説明する。図4は、第3の実施形態のバタフライバルブを示す概略図である。図5は、第3の実施形態のバタフライバルブにおけるシール長拡張壁の高さを変えたときの圧力変化を示す説明図である。第1の実施形態では拡張壁66を設けたことで全閉時の圧力が約70倍も高くなったものの、用途によってはまだ不十分な場合も考えられる。第1の実施形態を詳細にみると、弁軸28付近の拡張壁66が設けられていない場所からガスが漏れる可能性がある。したがって、更に気密性を上げようとした場合、弁軸28付近の隙間からの漏れを減らす必要がある。弁軸28付近に拡張壁66を設けることができない理由は、弁軸28付近の面が曲面になっているためである。仮にこの場所に拡張壁66を設けると、回転時に拡張壁66とボディ20が干渉し、回転することができない。拡張壁66を設けて、かつ回転可能とさせるためには、弁軸28付近の面が曲面ではなく平面である必要がある。今回、弁軸28付近の面を平面にした例として、流路21の断面形状を円ではなく、正四角形にしたものを取り上げる。図4aに示すように、流路21の断面形状は正四角形になっており、一辺の長さは半径Rの2倍に設定してある。またこれに合わせ、弁体23を流路21方向から見た断面形状も同じ大きさの正四角形に変更してある。流路21の断面形状が正四角形のときには、拡張壁66を設けることが可能な部分範囲は比較的シンプルになり、図4bのようになる。この中から必要な拡張壁66の領域を決めることになるが、簡易化のために、流路21の断面形状が円である第1の実施形態と同様に、拡張壁66の高さHを変えてその傾向を確認した。図5は、本実施形態のバタフライバルブを用いて、拡張壁66の高さHを0~100まで変化させたときのチャンバ内の圧力の変化を示したものである。流路21の断面形状が円のときと大きな差はない。しかし、流路21の断面形状が円の場合、全閉時においても弁軸28付近から気密漏れの影響が大きく、拡張壁66の高さHをいくら上げても4000Pa止まりであった。これに対し、流路21の断面形状が正四角形の場合は、弁体23の周上のすべての場所に拡張壁66を設けることが可能なため、全閉時において最大20000Paまで上げることが可能である点が異なる。一方、流路21の断面形状が円のときと同様に、拡張壁66の高さHを高くすると、全開時排気時のコンダクタンスが悪化するため、最適な高さHは半径Rの20~60である。例として、拡張壁が半径Rの20高さのときの本実施形態のバタフライバルブの断面図を図4cに示した。拡張壁の高さHそのものは半径Rの20と低いものの、第1の実施形態半径Rの50高さのときと同一のコンダクタンスが得られている。また図4dから分かるように、排気時に流路21の断面積に対する拡張壁66の割合は13と小さく、排気コンダクタンスも第1の実施形態よりも改善していることが分かった。このように本実施形態によれば、ボディ20の内部に画される流路21の断面形状は四角形であり、弁軸28の付近に該弁軸28と垂直な直線成分を有する。したがって、弁軸28の付近にも拡張壁66を設けることが可能となり、より気密性を向上させることができる。<第4の実施形態>次に図6を参照して、第4の実施形態のバタフライバルブについて説明する。図6は、第4の実施形態のバタフライバルブを示す概略図である。第3の実施形態では、弁軸28の付近に該弁軸28と垂直な直線成分を有する例として、流路21の断面形状が正四角形のものを取り上げた。このように断面形状が正四角形であるもの以外に、正多角形、長方形と楕円の組み合わせなど任意の形状でも上記の概念は成り立つ。ただし、その際に断面形状に求められる条件として、弁体23を回転させたときに弁体23がボディ20に干渉しないように、流路21の断面における直線成分の部分の長さが、弁体23とシール長拡張壁66とを合わせた長さより長いことが要求される。一方、流路21の断面における直線成分の部分の長さが長くなると、全閉時に漏れるガスの量も増加してしまう。この2つの点を考慮すると、流路21の断面形状における直線部分の長さは、弁体23と拡張壁66とを合わせた長さに等しくすれば良いことが分かる。実際の例として円形開口を持つターボ分子ポンプと組み合わせた例を図6に示した。この例における流路21の断面形状は弁軸28付近に弁体23と拡張壁66とを合わせた長さと同等の長さの直線成分の部分を持ち、それ以外の部分は直線成分の端部から半径Rの円円成分より外側の領域内を最短経路で円成分に繋いでいる。この形状では断面が正四角形のものに比べ弁体23とボディ20間の隙間の総長が21減るため、全閉時の余分なガス漏れが減り、気密性が向上する。なお、拡張壁はどちらも半径Rの20高さとした。このように本実施形態によれば、弁体23とボディ20との隙間aの周方向の総長を最低限に抑えることができるため、弁体23の全閉時における余分なガス漏れが減り、より気密性が向上する。<第5の実施形態>次に、第1から第4の実施形態のバタフライバルブの適用例について説明する。[真空処理装置]まず図8を参照して、第1から第4の実施形態のバタフライバルブを適用する真空処理装置について説明する。図8は、一般的な真空処理装置の排気系を示す概略図である。図8に示すように、チャンバ61の端面には排気口が設けられており、排気ポンプ64によってチャンバ61内が真空に引かれる。プロセス処理を行うときには、ガス導入管62からチャンバ61の内部にガスが導入された後、ガスは排気ポンプ64によってチャンバ61の外へと排気される。排気口と排気ポンプ64の間には、上述したバタフライバルブコンダクタンス可変バルブ63が備えられており、これによってガスの流れやすさ=コンダクタンスを変化させることで、チャンバ61内の圧力を調節する。本発明に係るバタフライバルブコンダクタンス可変バルブ63を適用することで、主に圧力調整機能、軽量かつ応答速度が速いという特長を有するだけでなく、バタフライバルブ63の全閉時における気密性も向上させることができる。また、本発明に係るバタフライバルブはフットプリントが小さく、慣性モーメントが小さいために応答速度が速く、また非接触であるため粉塵を出さないという長所があり、真空処理装置には好適である。[磁気記録媒体]次に、上記真空処理装置や後述するインライン式薄膜形成装置で処理する基板の例として、磁気記録媒体を例示する。図9は、磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。図9に示すように、磁気記録媒体は、例えば、基板100と、基板100の両面あるいは片面上に順次積層された第1軟磁性層101aを備える。さらに、スペーサー層102、第2軟磁性層101b、シード層103、磁性層104、交換結合制御層105、第3軟磁性層106及び保護層107を備えている。基板100の材料としては、磁気記録媒体用基板として一般的に用いられているガラス、NiPメッキ膜が形成されたAl合金、セラミックス、可曉性樹脂、及びSi等の非磁性材料を用いることができる。本実施形態における基板100は、中心に孔を有する円板状部材であるが、これに限定されるものではなく、例えば、矩形部材であってもよい。基板100上に形成される第1軟磁性層101aは、磁気記録に用いる磁気ヘッドからの磁束を制御して記録再生特性を向上するために形成することが好ましい層であるが、省略することもできる。この第1軟磁性層101aの構成材料としては、例えば、CoZrNb、CoZrTa、FeCoBCrを直上の膜に合わせて使用することができる。スペーサー層102の材料としては、例えばRu、及びCrを使用することができる。スペーサー層102上に形成される第2軟磁性層101bは、第1軟磁性層101aと同様である。第1軟磁性層101a、スペーサー層102、及び第2軟磁性層101bにより、軟磁性下地膜Softunderlayerが構成される。この軟磁性下地膜の上に形成されているシード層103は、磁性層104の結晶配向性、結晶粒径、粒径分布、粒界偏析を好適に制御するために磁性層104の直下に形成されることが好ましい層である。シード層103の材料としては、例えば、MgO、Cr、Ru、PtおよびPdを採用することができる。磁気記録層5は、Ku値の大きな磁性層104と、交換結合制御層105と、及びKu値の小さな第3軟磁性層106とを含む。シード層103の上に形成されているKu値の大きな磁性層104は、磁気記録層全体のKu値を担う層であり、Ku値ができるだけ大きい材料であることが好ましい。磁化容易軸が基板面に対して垂直な材料で、このような性能を示す材料として、強磁性粒子が酸化物の非磁性粒界成分によって分離された構造であるものを使用することができる。例えば、CoPtCr-SiO2、CoPt-SiO2など、少なくともCoPtを含む強磁性材料に、酸化物を添加したものを使用することができる。また、他の材料としては、Co50Pt50、Fe50Pt50、及びCo50yFeyPt50を使用してもよい。磁性層104の上に形成されている交換結合制御層105は、結晶質の金属若しくは合金と、酸化物とを含む。そして、結晶質となる金属或いは合金の材料としては、例えば、Pt若しくはPd、或いはそれらの合金を用いることができる。結晶質の合金としては、例えば、Co、Ni、Feから選ばれた元素と非磁性の金属との合金も用いることができる。磁性層104と第3軟磁性層106との交換結合力の強さは、交換結合制御層105の膜厚を変化させることにより、最も簡単に制御することができる。膜厚としては、例えば、0.5~2.0nmとすることが望ましい。交換結合制御層105の上に形成されている第3軟磁性層106は、磁化反転磁界を低減させる役割を主に担うため、Ku値ができるだけ小さい材料が好ましい。この材料としては、例えば、Co、NiFe、及びCoNiFeを使用することができる。第3軟磁性層106の上に形成されている保護層107は、ヘッドと媒体表面の接触による損傷を防ぐために形成されるものである。保護層107としては、例えば、C、SiO2、ZrO2等の単一成分またはそれぞれを主成分とし、これに添加元素を含有させた膜を使用することができる。[インライン式製造装置]次に、第1から第4の実施形態のバタフライバルブを適用可能なインライン式製造装置以下、磁気記録媒体製造装置ともいうの一例について説明する。図10は、本発明に係るバタフライバルブを適用可能なインライン式製造装置を説明する概略図である。図10に示すように、磁気記録媒体製造装置には、キャリア2に基板100図9の搭載を行うロードロックチャンバ81、キャリア2から基板100の回収を行うアンロードロックチャンバ82が備えられている。さらに、複数のチャンバ201、202、203、204、205、206、208、209、210、211、212、213、214、215、216、217及び218が方形の輪郭に沿って配置されている。ロードロックチャンバ81、チャンバ201~218、アンロードロックチャンバ82に沿って搬送路が形成されている。搬送路には、基板100を搭載可能な、複数のキャリア2が設けられている。各チャンバにおいて処理に要する処理時間タクトタイムは、予め決められており、この処理時間タクトタイムが経過すると、キャリア2は、順次、次のチャンバに搬送されるように構成されている。磁気記録媒体製造装置が1時間あたり約1000枚の基板を処理するためには、1つのチャンバにおけるタクトタイムは、約5秒以下、望ましくは約3.6秒以下となる。ロードロックチャンバ81、アンロードロックチャンバ82、及びチャンバ201~218の各々は、専用又は兼用の排気系によって排気可能なチャンバである。ロードロックチャンバ81、アンロードロックチャンバ82、及びチャンバ201~218の各々の境界部分には、ゲートバルブ不図示が設けられている。具体的には、磁気記録媒体製造装置のチャンバ201は、基板100に第1軟磁性層101aを形成する。方向転換チャンバ202は、キャリア2の搬送方向を転換する。チャンバ203は、第1軟磁性層101a上にスペーサー層102を形成する。チャンバ204は、スペーサー層102上に第2軟磁性層101bを形成する。チャンバ205は、第2軟磁性層101b上にシード層103を形成する。方向転換チャンバ206は、キャリア2の搬送方向を転換する。また、磁気記録媒体製造装置は基板100を予め加熱するためのプレヒート用のチャンバ207第1加熱チャンバと、チャンバ208第2加熱チャンバと、を有する。更に、チャンバ209はシード層103を形成することが可能である。チャンバ210は、シード層103上に磁性層104を形成するためのスパッタ装置として機能することが可能である。冷却チャンバ211は、磁性層104が形成された基板100を冷却する。高速で冷却するため、冷却チャンバ211には、冷却ガス水素が導入されるが、冷却効率の観点から、数百Paという高圧力が必要となる。そのため、この冷却チャンバ211において、本発明に係るバタフライバルブ63を採用している。方向転換チャンバ212はキャリア2の方向を転換する。冷却チャンバ213は、基板100を冷却する。チャンバ214は、磁性層104上に交換結合制御層105を形成depositする。チャンバ215は交換結合制御層105上に第3軟磁性層106を形成する。方向転換チャンバ216は、キャリア2の方向を転換する。チャンバ217、及び218は、保護層107を形成する。第1から第4の実施形態のバタフライバルブは、このように数百Paという高圧力が必要な冷却チャンバ211の圧力制御手段として具備される。以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。また、本発明のバタフライバルブは、各実施形態で述べられたいかなる特徴をも組み合わせることによって構成することができる。例えば、上記実施形態では、拡張壁66は、弁体23の周りに流路方向に沿って起立させるように突設している。これは流体力学の点からみれば、凹凸が多く、乱流、共振などが発生し動作不良の原因になる虞がある。この点については、拡張壁66の上に平板を掛け渡したり、弁軸28に向かって閉じる形にすることで回避できると考えられる。"