"半導体チップと、上記半導体チップが上面に搭載される第1導体と、上記半導体チップと電気的に接続される第2導体と、上記第1導体、上記第2導体、および上記半導体チップを、上記第1導体の下面の一部、上記第2導体の下面の一部を底面に露出させつつ封止する樹脂パッケージと、を備えた半導体装置であって、上記第1導体および上記第2導体のうち、少なくとも一方は、下面が上記樹脂パッケージの底面に露出する厚肉部と、下面が上記樹脂パッケージの底面から上方に離間している薄肉部とを有しており、上記薄肉部は、厚みが一様であり、かつ、その端面の少なくとも一部は、上記樹脂パッケージの底面と直交する平坦面となっていることを特徴とする、半導体装置。上記第1導体と上記第2導体の双方が上記厚肉部と上記薄肉部とを備える、請求項1に記載の半導体装置。上記厚肉部と上記薄肉部とは、当該厚肉部から当該薄肉部にかけて連続する端面を有しており、当該連続する端面は、上記樹脂パッケージの底面と直交する平坦面となっている、請求項1または2に記載の半導体装置。上記第1導体は、平面視矩形である、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。上記第1導体は、中央が上記厚肉部とされているとともに、当該第1導体の両側に、上記第2導体が配置されている、請求項1に記載の半導体装置。上記第1導体は、その大部分が上記薄肉部とされている、請求項5に記載の半導体装置。上記半導体チップは、上記第1導体の上面と上記第2導体の上面とにまたがって搭載されている、請求項1、2、3、5および6のいずれかに記載の半導体装置。上記半導体チップと上記第2導体とは、ワイヤによって電気的に接続されている、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。上記薄肉部は、スタンピング加工によって形成され、上記薄肉部の端面は、打ち抜き加工によって形成されている、請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体装置。本願発明は、このような事情のもとに考えだされたものであって、大型化を招来することなく、作業性良く、コスト的に有利に製造できる半導体装置を提供することを課題としている。本願発明では、上記した課題を解決するために次の技術的手段を講じている。すなわち、本願発明により提供される半導体装置は、半導体チップと、上記半導体チップが上面に搭載される第1導体と、上記半導体チップと電気的に接続される第2導体と、上記第1導体、上記第2導体、および上記半導体チップを、上記第1導体の下面の一部、上記第2導体の下面の一部を底面に露出させつつ封止する樹脂パッケージと、を備えた半導体装置であって、上記第1導体および上記第2導体のうち、少なくとも一方は、下面が上記樹脂パッケージの底面に露出する厚肉部と、下面が上記樹脂パッケージの底面から上方に離間している薄肉部とを有しており、上記薄肉部は、厚みが一様であり、かつ、その端面の少なくとも一部は、上記樹脂パッケージの底面と直交する平坦面となっていることを特徴としている。好ましい実施の形態では、上記第1導体と上記第2導体の双方が上記厚肉部と上記薄肉部とを備える。好ましい実施の形態では、上記厚肉部と上記薄肉部とは、当該厚肉部から当該薄肉部にかけて連続する端面を有しており、当該連続する端面は、上記樹脂パッケージの底面と直交する平坦面となっている。好ましい実施の形態では、上記第1導体は、平面視矩形である。好ましい実施の形態では、上記第1導体は、中央が上記厚肉部とされているとともに、当該第1導体の両側に、上記第2導体が配置されている。この場合においてさらに好ましくは、上記第1導体は、その大部分が上記薄肉部とされる。好ましい実施の形態では、上記半導体チップは、上記第1導体の上面と第2導体の上面とにまたがって搭載されている。好ましい実施の形態では、上記半導体チップと上記第2導体とは、ワイヤによって電気的に接続されている。好ましい実施の形態では、上記薄肉部は、スタンピング加工によって形成され、上記薄肉部の端面は、打ち抜き加工によって形成されている、本願発明のその他の利点および特徴については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかとなるであろう。以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。図1ないし図3は、本願発明に係る半導体装置の一例を示している。半導体装置X1は、第1導体1、2つの第2導体2、半導体チップ3、ワイヤ4および樹脂パッケージ5を有している。第1導体1は、平面視矩形状の形態を有している。第1導体1の第1面11は平坦面とされており、第1面11が接続面を構成している。一方、第1導体1の第2面12は、2つの凸部13が設けられて凹凸状とされている。凸部13の表面14は平坦面とされており、この平坦面は、樹脂パッケージ5の底面50から露出して端子面を構成している。第1導体1は、凸部13が形成された部分以外は、厚み寸法が小さくされており、当該部分が薄肉部15を構成している。第2導体2は、直方体状の本体部20から薄肉部21が延出した形態とされている。この第2導体の第1面22は、平坦面とされて接続面を構成している。第2面23は、本体部20が突出して凸面とされており、本体部20の表面24が樹脂パッケージ5の底面50から露出して端子面を構成している。半導体チップ3は、図面上に表れていないが上面および下面に電極が形成されている。この半導体チップ3は、ハンダペーストや銀ペーストなどの導電性材料を用いた実装作業により第1導体1の接続面11上に実装されている。半導体チップ3の下面には電極が形成されていることから、導電性材料を用いて第1導体1上に半導体チップ3を実装すれば、第1導体1と半導体チップ3の下面の電極とが導通する。一方、半導体チップ3の上面の電極は、ワイヤ4を介して第2導体2の接続面22と導通接続されている。樹脂パッケージ5は、半導体チップ3およびワイヤ4を封止している。この樹脂パッケージ5の底面50からは、上述したように端子面14,24が露出している。これにより、半導体装置X1が回路基板などに対して面実装可能とされている。また、第1および第2導体1,2は、薄肉部15,21を有しているので、この薄肉部15,21が樹脂パッケージ4に食い込むことによって樹脂パッケージ4と第1および第2導体1,2とが分離することが抑制されている。以上の構成を有する半導体装置X1は、半導体装置製造用のフレームの製造工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、、フレームカット工程、樹脂パッケージング工程、およびダイシング工程あるいはフレームカット工程を経て製造される。なお、以下に説明する製造方法においては、上記した工程のうち、フレームの製造工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程およびフレームカット工程が同一のフープラインにおいて行われるものとする。図4に示したように、フープラインにおいては、ロール状に巻き取られたフープ状の板状導体6が、ロールRから引き出されつつ支持台60に沿ってピッチ送りされる。フレーム製造工程においては、板状導体6の搬送が停止した瞬間に、板状導体6に対して第1回目の打ち抜き加工、スタンピング加工、および第2回目の打ち抜き加工が施される。第1回目および第2回目の打ち抜き加工は、打ち抜き領域に対応して打ち抜き刃が形成された金型70,71を上方側から押し付けることにより行われる。スタンピング加工は、スタンピング領域に対応した凸部を有する金型72を、下方側から押し付けることにより行われる。第1回目の打ち抜き加工を施した場合には、たとえば図5板状導体6を裏面側から見た状態を示してあるに示したように半導体装置X1における第1および第2導体1,2となるべき領域Eが複数形成される。各領域Eには、大小の貫通孔E1,E2が設けられている。大の貫通孔E1は、略矩形状の領域から半島部e1が突出した形態とされているとともに、切欠e2が形成されている。スタンピング加工においては、図6板状導体6を裏面側から見た状態を示してあるに示したように半島部e1、小の貫通孔E2における半島部e1側の周辺部、および切欠e2の周辺部が、板状導体6の厚みの半分程度にまで圧し潰されてスタンピング部e3,e4が形成される。これらのスタンピング部e3,e4は、後において半導体装置X1の薄肉部15,21を構成するものである。板状導体6には大小の貫通孔E1,E2や切欠e2が設けられているから、スタンピング加工を施した場合には、上記した部位E1,E2,e2を利用してスタンピング領域を拡げることができる。そのため、スタンピング領域に作用する応力がスタンピング領域が拡がることによって緩和されるため、形成されたスタンピング部e3,e4にはさほど大きな応力が残存することもなく、歪みの発生が抑制される。第2回目の打ち抜き加工においては、図7板状導体6を裏面側から見た状態を示してあるに示したように半導体装置X1における第1および第2導体1,2となるべき第1および第2部分1A,2Aやそれらを支持するフレームF1,F2,F3を除いた領域が打ち抜かれる。つまり、スタンピング部e3,e4の周縁部を含む不要部分が除去されてフレーム6Aが形成される。このとき、半導体装置X1の薄肉部15,21となるべき薄肉部e3′,e4′が形成される。スタンピング部e3,e4については、周縁部の厚みが他の部分に比べて小さくてエッジがシャープではないが、その周縁部を打ち抜き加工により除去した薄肉部e3′,e4′では、厚みが一様で、エッジ端面が平坦面とされた薄肉部15,21を形成することができる。薄肉部15,21に限らず、第1部分1Aの他の端面および第2部分2Aの端面についても、平坦面とすることができる。このため、半導体装置X1が製造されたときに第1および第2部分1A,2Aの端面が樹脂パッケージ5から露出する場合には、図15aに示したようにエッチング処理により端面が非平坦面になる場合に比べれば、その部分への樹脂バリの付着が抑制され、バリ取りも容易となる。また、エッチング処理を施す場合では、図15bを参照して説明したようにエッチング液の周り込みにより角部が丸まってしまうが、打ち抜き加工では、金型71の打ち抜き刃の形状に則して第1部分1Aの形状を設定できるため、図7に良く表れているように第1部分1Aや第2部分2Aの角部を直角に近づけることができる。そのため、第1部分1Aの周縁により近いところまでを半導体チップ3の実装領域とすることができ、半導体チップ3の実装領域を大きく確保できるようになる、また第2部分2Aにおけるワイヤボンディング領域を大きく確保できるようになる。ダイボンディング工程は、図4に示したように下面の電極にハンダペーストなどの導電性材料が塗布された半導体チップ3を、吸着コレット73を用いてリードフレーム6Aの第1部分1Aの一面側に載置した後に、加熱炉74においてハンダペーストなどをリフローさせることにより行われる。ワイヤボンディング工程は、既存のワイヤボンダーを用いて行われる。より具体的には、ワイヤボンディング工程は、ワイヤボンダーのキャピラリ75から突出したワイヤ4の先端部を溶融させて半導体チップ3における上面の電極に押し付けた後、キャピラリ75からワイヤを引出しつつ第2部分2Aの上面図7参照にワイヤ4を押し付けて切断することにより行われる。板状導体6Aでは、第1および第2部分1A,2Aでの歪みの発生が抑制されているために第1および第2部分1A,2Aにおけるダイボンディング部位やワイヤボンディング部位の平坦性が十分に確保されており、ダイボンディング工程およびワイヤボンディング工程を適切に行うことができる。リードカット工程は、切断刃76を有する金型を用いて行われ、これにより図8に示したように短寸のフレーム6Bが得られる。樹脂パッケージング工程は、短寸のフレーム6Bに対して、上金型および下金型を用いて行われる。これらの金型は、型締め状態においてキャビティ空間を形成するものである。すなわち、樹脂パッケージング工程は、キャビティ空間内に半導体チップ3およびワイヤ4を収容した状態でキャビティ空間内に熱硬化性樹脂を注入した後に熱硬化性樹脂を熱硬化させることにより行われる。なお、樹脂パッケージング工程においては、全ての半導体チップ3を収容する1つのキャビティを形成可能な金型を用いて、全ての半導体チップ3に対して一括して樹脂封止を行ってもよいし、複数のキャビティを形成可能な金型を用いて、個々の半導体チップ3毎に個別に樹脂封止を行ってもよい。ダイシング工程は、ダイヤモンドカッタなどの既存の切断手段により、フレームF2,F3やこれに対応する樹脂封止部分を切断することにより行うことができる。これにより、図1ないし図3に示したような個々の半導体装置X1が複数得られる。また、個々の半導体チップ3に対して個別に樹脂パッケージ3を形成する場合には、必ずしも樹脂パッケージ3を切断する必要はなく、その場合にはダイシング工程は不要となる。その代わり、フレームF2,F3などを切断するためのフレームカット工程が必要となる。以上に説明した半導体装置X1の製造方法では、打ち抜き加工とスタンピング加工とを組み合わせた機械的加工により、図7に示したような薄肉部を有するフレーム6Aを製造することができる。このフレーム6Aは、ダイボンディングやワイヤボンディングと同一のフープラインにおいて製造できるため、フープラインにより半導体装置製造用フレームを製造することのできないエッチング処理に比べれば、作業性が良くて製造コスト的に有利である。また、板状導体フープに対するマスクの形成除去も不要となるため、この点からも作業性が良くて製造コスト的に有利であるといえる。上記した半導体装置の製造方法は、図1ないし図3を参照して説明した半導体装置X1に限らず、薄肉部を有する半導体装置の全般、たとえば図9ないし図14に例示した半導体装置X2~X15にも適用可能である。図9に示した半導体装置X2は、第1および第2導体1,2を有し、第1導体1に薄肉部15が形成され、第1導体1に半導体チップ3が搭載されている点において先に説明した半導体装置X1と共通している。その一方で、半導体装置X2においては、ワイヤ4に代えて、導体片を折り曲げた接続片4′によって半導体チップ3の上面の電極と第2導体2との導通接続が図られている点において異なっている。図10に示した半導体装置X3は、第1導体1と第2導体2との間を跨ぐようにして半導体チップ3が搭載されている点において半導体装置X1と異なっている。半導体装置X3においても、図9に示した半導体装置X2と同様に、ワイヤ4に代えて導体片4′を用いて半導体チップ3と第2導体2との間の導通接続を図ったものであってもよい。図11に示した半導体装置X4は、第1導体1の全体が薄肉部15とされ、この第1導体1の両サイドに第2導体2が配置されている。この半導体装置X4においては、第1導体1の一部が図11に仮想線で示したように凸部とされていてもよい。もちろん、ワイヤ4に代えて図9に示した半導体装置X2のように導体片4′を用いて半導体チップ3と第2導体2との間を導通接続してもよい。図12に示した半導体装置X5は、第1および第2導体1,2の双方が薄肉部15,25を有するとともに、これらの導体部を繋ぐようにして半導体チップ3が搭載されている。そして、第1および第2導体1,2とはワイヤ4を介して半導体チップ3が導通接続されている。半導体装置X5においては、ワイヤ4を用いずに、半導体チップ3をフェイスダウン方式で実装し、半導体チップ3の電極と第1および第2導体1,2との間を接続したものであってもよい。図13aないしeに示した半導体装置X6~X10のように、先に説明した半導体装置X1~X5において、第1および第2導体1,2に端部を上方側から下方に凹入させて、第1および第2導体1,2の端部に薄肉部15′25′を形成したものであってもよい。さらに、図14aないしeに示した半導体装置X11~X15のように、第1および第2導体1,2の端子面14,23が樹脂パッケージ5の外部に延出した形態のものであっても、薄肉部を有する限りは、本願発明の技術思想を適用することができる。もちろん、端子面14,23の全体が樹脂パッケージ5の外部に延出しているものであってもよい。"