上金型および下金型からなり、挿入された被成形品を一括して樹脂封止する樹脂封止装置に用いる成形金型であって、前記上下金型のうちの一方の金型が、型開閉方向に形成された収納孔および該収納孔に続く拡径孔を有するクランパと、該クランパの前記収納孔内に収納されたキャビティブロックとを有し、前記一括して樹脂封止する領域に対応して金型に設けられるキャビティ凹部が、前記キャビティブロックの底面、該キャビティブロックの底面と前記拡径孔との間の、前記収納孔の内壁面の一部をなす段差壁面および前記拡径孔の内壁面をキャビティ面とする空間で形成され、前記収納孔内壁面と前記キャビティブロック外壁面との間に、前記キャビティ凹部に連通して、前記キャビティ凹部に沿って供給されるリリースフィルムをキャビティ凹部面に吸着する吸引孔が形成された成形金型において、前記キャビティブロックの底面の周縁部に、前記キャビティ凹部内方向に突出して、前記段差壁面の一部を覆うことにより前記キャビティ凹部の深さを浅くする突周部が設けられていることを特徴とする成形金型。前記突周部の内壁面と前記キャビティブロックの底面とのなす角が鈍角となるように前記突周部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の成形金型。前記拡径部の内壁面が、前記段差壁面の端部から延びるテーパー面に形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の成形金型。前記クランパが金型ベースとの間に所要の隙間を空けてスプリングを介して前記金型ベース側に支持され、前記キャビティブロックが前記金型ベース側に固定されて、該金型ベースおよびキャビティブロックが、前記スプリングの付勢力に抗して前記クランパに対して接離動可能に設けられて成り、前記金型ベースおよびキャビティブロックと共に、前記スプリングを介して前記クランパが他方の金型方向に相対的に移動して、該クランパが他方の金型面に当接する第1の型締めと、該第1の型締めから、前記スプリングが圧縮されて、前記キャビティブロックがさらに他方の金型方向に接近して前記キャビティ凹部の空間を狭める第2の型締めとの2段の型締めが可能になっていることを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載の成形金型。前記被成形品が、回路基板上に複数の半導体素子がマトリクス状に搭載され、該複数の半導体素子が一括して回路基板上に樹脂封止され、封止後ダイシングされて、半導体素子が個片に分離されるものであって、前記突周部は、樹脂封止部領域であって、最外ダイシング位置よりも外側となる位置に設けられていることを特徴とする請求項1~4いずれか1項記載の成形金型。請求項1~5いずれか1項記載の成形金型が装着されていることを特徴とする樹脂封止装置。しかしながら、上記TCM方法でも次のような課題が発生した。すなわち、TCM方法では、第1の型締めと第2の型締めとの2段階に亘って型締めを行う。第2の型締めによって、キャビティ凹部24の内底面が所要の高さとなるように設定される。そのため、第1の型締めの段階では、図15に示すように、キャビティブロック20と拡径部17との間に段差m段差壁面16aが生じることが避けられない。また、リリースフィルム38は、キャビティ凹部24内に供給された当初では、各段差のコーナー部には当接せず、図15に示すように、コーナー部との間に隙間が生じた状態となる。そして、吸引孔40から隙間内の空気を吸引することによって、図16に示すように、リリースフィルム38がコーナー部内壁にまで密着するのであるが、その際に、リリースフィルム38が無理して伸ばされることになり、リリースフィルム38に破れが生じる恐れがある。リリースフィルム38に破れが生じると、溶融樹脂が漏れ、図17~図19の漏れた樹脂51に示すように、漏れた樹脂が金型内壁に付着したり、吸引孔40が漏れた樹脂により詰まってしまうという課題が生じた。上記課題は、特開2003-291147号公報に示される成形金型でも生じる。この成形金型は、種々の厚さの被成形品を共通の金型で成形できるように、キャビティインサートの収納孔内に、キャビティブロックを移動可能に収納して、キャビティブロックの底面とキャビティインサートを支持する金型ベースとの間に、キャビティ凹部の深さ寸法を規定する調整ライナーを交換可能に取り付けた成形金型である。この成形金型の場合でも、キャビティブロックがキャビティ凹部内で移動される状態となるから、TCM金型の場合と同様に段差が生じ、リリースフィルムの破れが生じる恐れがあった。そこで、本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、リリースフィルムの破れを可及的に防止できる成形金型および樹脂封止装置を提供することにある。本発明に係る成形金型は、上金型および下金型からなり、挿入された被成形品を一括して樹脂封止する樹脂封止装置に用いる成形金型であって、前記上下金型のうちの一方の金型が、型開閉方向に形成された収納孔および該収納孔に続く拡径孔を有するクランパと、該クランパの前記収納孔内に収納されたキャビティブロックとを有し、前記一括して樹脂封止する領域に対応して金型に設けられるキャビティ凹部が、前記キャビティブロックの底面、該キャビティブロックの底面と前記拡径孔との間の、前記収納孔の内壁面の一部をなす段差壁面および前記拡径孔の内壁面をキャビティ面とする空間で形成され、前記収納孔内壁面と前記キャビティブロック外壁面との間に、前記キャビティ凹部に連通して、前記キャビティ凹部に沿って供給されるリリースフィルムをキャビティ凹部面に吸着する吸引孔が形成された成形金型において、前記キャビティブロックの底面の周縁部に、前記キャビティ凹部内方向に突出して、前記段差壁面の一部を覆うことにより前記キャビティ凹部の深さを浅くする突周部が設けられていることを特徴とする。前記突周部の内壁面と前記キャビティブロックの底面とのなす角が鈍角となるように前記突周部を設けると好適である。前記拡径部の内壁面を、前記段差壁面の端部から延びるテーパー面に形成することができる。また、前記クランパが金型ベースとの間に所要の隙間を空けてスプリングを介して前記金型ベース側に支持され、前記キャビティブロックが前記金型ベース側に固定されて、該金型ベースおよびキャビティブロックが、前記スプリングの付勢力に抗して前記クランパに対して接離動可能に設けられて成り、前記金型ベースおよびキャビティブロックと共に、前記スプリングを介して前記クランパが他方の金型方向に相対的に移動して、該クランパが他方の金型面に当接する第1の型締めと、該第1の型締めから、前記スプリングが圧縮されて、前記キャビティブロックがさらに他方の金型方向に接近して前記キャビティ凹部の空間を狭める第2の型締めとの2段の型締めが可能になっていることを特徴とする。また、前記被成形品が、回路基板上に複数の半導体素子がマトリクス状に搭載され、該複数の半導体素子が一括して回路基板上に樹脂封止され、封止後ダイシングされて、半導体素子が個片に分離されるものであって、前記突周部は、樹脂封止部領域であって、最外ダイシング位置よりも外側となる位置に設けられていることを特徴とする。本発明に係る樹脂封止装置は、上記いずれかの成形金型が装着されていることを特徴とする。本発明によれば、リリースフィルムの破れを可及的に防止できる成形金型および樹脂封止装置を提供できる。以下本発明の好適な実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、TCM成形金型における上型12の部分断面図を示す。TCM成形金型、あるいはTCM樹脂封止装置は図11~図14に示すのと同じであるから、図示は省略する。本実施の形態では、上記のように、上型12は、型開閉方向に形成された収納孔16および該収納孔16に続く拡径孔17を有するクランパ18と、該クランパ18の収納孔16内に収納されたキャビティブロック20とを有する。そして、一括して樹脂封止する領域に対応して金型に設けられるキャビティ凹部24が、キャビティブロック20の底面20a、該キャビティブロック20の底面20aと拡径孔17との間の、収納孔16の内壁面の一部をなす段差壁面16aおよび拡径孔17の内壁面17aをキャビティ面とする空間で形成されている。また、収納孔16内壁面とキャビティブロック20外壁面との間に、吸引孔40が形成されている。吸引孔40は、キャビティ凹部24に連通していて、図示しない吸引装置によりキャビティ凹部24内の空気を吸引することにより、キャビティ凹部24に沿って供給されるリリースフィルム38をキャビティ凹部24面に吸着する。本実施の形態において、特徴とする点は、キャビティブロック20の底面20aの周縁部に、キャビティ凹部24内方向に突出して、キャビティ凹部24の壁面の一部を構成する段差壁面16aの一部を覆うことにより、当該部位においてキャビティ凹部24の深さを浅くする突周部50を設けた点にある。突周部50の下面は平坦面に形成するのがよい。また、突周部50の内壁面とキャビティブロック20の底面20aとのなす角が鈍角鈍角の大きさは特に限定されないが135°程度が好ましいとなるように、突周部50の内壁面をテーパー面に形成するのが好適である。このような鈍角に形成することによって、この部位におけるリリースフィルム38の破れを防止することができる。また、図2に示すように、拡径部17の内壁面17aが、段差壁面16aの下端部から延びるテーパー面に形成すると好適である。このテーパー面の、金型パーティング面となす角は、概ね60~70°程度とするのが好ましい。なお、突周部50を設ける位置は、図3に示すように、被成形品の最外ダイシング位置P、Qよりも外側となる位置に設けるようにする。被成形品は、半導体装置の場合、回路基板44上に複数の半導体素子43がマトリクス状に搭載され、該複数の半導体素子43が一括して回路基板44上に樹脂封止され、封止後ダイシングされて、半導体素子が個片に分離されるものである。また、本実施の形態における樹脂封止装置は、上記成形金型が搭載された樹脂封止装置である。本実施の形態に係る成形金型もしくは樹脂封止装置は上記のように構成される。TCM方法による樹脂封止は、図11~図14に示すのと同様の方法によって行われる。図1および図2は、下型14と上型12内に供給されたリリースフィルム38を吸引孔40から空気を吸引することによりキャビティ凹部24面に吸着した状態を示す。本実施の形態では、上記のように、キャビティブロック20の底面20aの周縁部に、キャビティ凹部24内方向に突出して、キャビティ凹部24の壁面の一部を構成する段差壁面16aの一部を覆う突周部50を設けている。これにより、図1あるいは図2に示すように、当該部位のキャビティ凹部24の深さが浅くなり、当該部位に吸着されるリリースフィルム38の破れを可及的に少なくすることができた。突周部50の高さは、第2の型締め時に、図4に示すように、突周部50の下面が拡径部17の内壁面17aの上端と一致する高さ、あるいは、図5に示すように、拡径部17の内壁面17aの上端よりも若干高い位置となる高さ、あるいは、図6に示すように、拡径部17の内壁面17aの上端よりも若干低い位置となる高さ程度とすると、第2の型締め時にリリースフィルム38に無理な力が加わらないので良い。なお、図面では段差mの高さを誇張して描いているが、実際、段差mの高さは金型にもよるが0.5mm前後である。突周部50の高さは、0.05~0.25mm程度がよい。また、突周部50の形状は、図1あるいは図2のものに限られず、図7に示す断面階段状を成す突周部50や、図8に示す曲凹面50aを有する突周部50等であってもよい。図9および図10は、突周部の高さ、および樹脂圧力と、リリースフィルム38の破れ面積との関係を実測した結果を示すグラフである。図9、図10からわかるように、突周部50を設けた方が、リリースフィルム38の破れが格段に少なくなっている。なお、上記実施の形態では、TCM金型およびTCM金型を用いた成形金型および樹脂封止装置で説明したが、本発明は、特開2003-291147号公報に示すような、キャビティ凹部の内底面の高さが変動する成形金型および樹脂封止装置にも適用できることはもちろんである。