下面に流体出口を有する回路層と、上面に流体入口を有する流体室基板と、前記流体室基板を前記回路層の前記下面に電気的に接続する電気接点と、前記回路層の前記流体出口と前記流体室基板の前記流体入口との間に流体接続を形成するシールと、を備え、前記シール及び前記電気接点は共晶材料から成る、流体吐出装置。前記シールは前記流体入口を包囲する、請求項1に記載の流体吐出装置。前記流体室基板の前記上面にアクチュエータを更に備え、前記電気接点は前記アクチュエータと電気的に連通する、請求項1又は2に記載の流体吐出装置。前記回路層の前記下面にスタンドオフバンプを更に備え、前記スタンドオフバンプは前記アクチュエータと接触する、請求項3に記載の流体吐出装置。前記アクチュエータは、非作動可能部分を有する圧電材料を含み、前記スタンドオフバンプは、前記非作動可能部分と接触する、請求項4に記載の流体吐出装置。前記アクチュエータはチタン酸ジルコン酸鉛から形成され、前記スタンドオフバンプは金から形成され、前記共晶材料はSnAuである、請求項4又は5に記載の流体吐出装置。前記共晶材料は、第1材料及び第2材料から成り、前記スタンドオフバンプは、前記第1材料から形成され前記第2材料は含まない、請求項4又は5に記載の流体吐出装置。前記共晶材料はSnAuである、請求項1乃至5及び7のいずれかに記載の流体吐出装置。前記共晶材料は20:80SnAuである、請求項8に記載の流体吐出装置。前記回路層は複数の流体出口を有し、前記流体室基板は、複数の流体入口と、前記回路層と前記流体室基板との間の空間を当該装置の外側の環境から気密封止する、前記複数の流体出口及び前記複数の流体入口の周囲の周縁シールと、を有する、請求項1乃至9のいずれかに記載の流体吐出装置。前記シール及び前記電気接点は同じ材料から形成されている、請求項1乃至10のいずれかに記載の流体吐出装置。流体吐出装置を形成する方法であって、下面に流体出口を有する回路層の前記下面に、第1材料から成る接触バンプ及びシールバンプを形成する工程と、上面に流体入口を有する流体室基板の前記上面に、第2材料から成る接触バンプと前記第2材料から成るシールバンプとを形成する工程と、前記回路層の前記下面の前記第1材料から成る前記接触バンプと前記流体室基板の前記上面の前記第2材料から成る前記接触バンプとを合わせる工程と、前記回路層の前記下面の前記第1材料から成る前記シールバンプと前記流体室基板の前記上面の前記第2材料から成る前記シールバンプとを合わせる工程と、前記流体室基板の前記接触バンプを加熱して、前記回路層の前記下面の前記接触バンプと前記流体室基板の前記上面の前記接触バンプとの間に共晶結合を形成することにより、電気接点を形成する工程と、前記流体室基板の前記シールバンプを加熱して、前記回路層の前記下面の前記シールバンプと前記流体室基板の前記上面の前記シールバンプとの間に共晶結合を形成することにより、シールを形成する工程と、を含む方法。前記第1材料から成る前記シールバンプ及び前記第2材料から成る前記シールバンプの少なくとも一方はリング形状である、請求項12に記載の方法。前記リング形状は同心の二つのリングを含む、請求項13に記載の方法。前記シールは前記流体入口を包囲する、請求項12乃至14のいずれかに記載の方法。前記流体室基板の前記上面にアクチュエータを形成する工程と、前記電気接点を前記アクチュエータと電気的に接続する工程と、を更に含む、請求項12乃至15のいずれかに記載の方法。前記回路層の前記下面にスタンドオフバンプを形成する工程と、前記スタンドオフバンプを前記アクチュエータに接触させる工程と、を更に含む、請求項16に記載の方法。前記スタンドオフバンプを前記アクチュエータに接触させる工程において、前記スタンドオフバンプは前記アクチュエータの圧電材料の非作動可能部分と接触させる、請求項17に記載の方法。前記アクチュエータはチタン酸ジルコン酸鉛から形成され、前記スタンドオフバンプは金から形成され、前記共晶結合はSnAu共晶結合である、請求項17又は18に記載の方法。前記アクチュエータは圧電材料の層を含み、前記接触バンプの加熱及び前記シールバンプの加熱は、前記圧電材料のキュリー温度を下回る温度で行われる、請求項16乃至19のいずれかに記載の方法。前記回路層の前記下面の前記シールバンプと前記流体室基板の前記上面の前記シールバンプとの間に共晶結合を形成することにより、前記流体室基板の前記上面の前記シールバンプと前記アクチュエータとの間にスタンドオフ間隔がもたらされる、請求項16乃至20のいずれかに記載の方法。前記共晶結合は、第1材料及び第2材料から形成され、前記スタンドオフバンプは、前記第1材料から形成され前記第2材料は含まない、請求項17乃至19のいずれかに記載の方法。前記共晶結合はSnAu共晶結合である、請求項12乃至18及び20乃至22のいずれかに記載の方法。前記共晶結合は20:80SnAu共晶結合である、請求項23に記載の方法。前記シール及び前記電気接点は同じ材料から形成される、請求項12乃至24のいずれかに記載の方法。前記第1材料から成る前記接触バンプ及び前記シールバンプ並びに前記第2材料から成る前記接触バンプ及び前記シールバンプの少なくとも一方を化学機械研磨する工程を更に含む、請求項12乃至25のいずれかに記載の方法。下面に流体出口を有する流体供給基板と、上面に流体入口を有する流体室基板と、前記流体供給基板の前記流体出口と前記流体室基板の前記流体入口との間に流体接続を形成するシールであって、第1材料及び第2材料の共晶材料から成るシールと、前記流体供給基板と前記流体室基板との間のスタンドオフバンプであって、前記第1の材料は含むが前記第2の材料は含まないスタンドオフバンプと、を備える流体吐出装置。前記スタンドオフバンプは、前記流体室基板に面する前記流体供給基板の表面と接触する、請求項27に記載の流体吐出装置。前記スタンドオフバンプは、前記流体供給基板の上にある前記第2材料を含む層、即ち前記シールを形成する前記層の一部の開口部において、前記流体供給基板の表面と接触する、請求項28に記載の流体吐出装置。前記スタンドオフバンプは、圧電材料の一部と前記流体供給基板との間にある、請求項27乃至29のいずれかに記載の流体吐出装置。流体が、内部に回路が作製されている層を通って流体室を含む層内に流れ込む、流体吐出装置においては、回路層と流体室基板とが接合される。この接合により、回路層の流体出口が流体室基板の流体入口に接続される。更に、流体室基板上のトランスデューサやアクチュエータなどの電気部品が、回路層に電気的に接続される。一つの起こり得る問題は、回路層と流体室基板とを、流体が二つの層の間で漏れることがなく且つ電気部品間に短絡をもたらさないように接合することは、複雑且つ費用がかかる可能性があるということである。一態様では、流体吐出装置は、下面に流体出口を有する回路層と、上面に流体入口を有する流体室基板と、流体室基板を回路層の下面に電気的に接続する電気接点と、回路層の流体出口と流体室基板の流体入口との間に流体接続を形成するシールと、を備える。シール及び電気接点は共晶材料から成る。実施態様は、以下の特徴のうちの一つ又は複数を含むことができる。シールは、流体入口を包囲することができる。流体室基板の上面にアクチュエータを配置することができ、電気接点はアクチュエータと電気的に連通することができる。回路層の下面にスタンドオフバンプを配置することができ、それはアクチュエータと接触することができる。アクチュエータは、非作動可能部分を有する圧電材料を含むことができ、スタンドオフバンプは非作動可能部分と接触することができる。アクチュエータはチタン酸ジルコン酸鉛から形成し、スタンドオフバンプは金から形成し、共晶材料はSnAuとすることができる。共晶材料を、第1材料及び第2材料から形成することができ、スタンドオフバンプを、第1材料から形成して第2材料を含まないようにすることができる。共晶材料は、SnAu、例えば20:80SnAuとすることができる。回路層は、複数の流体出口を有することができ、流体室基板は、複数の流体入口を有することができ、複数の流体出口及び流体入口の周囲の周縁シールが、回路層と流体室基板との間の空間を装置の外側の環境から気密封止することができる。シール及び電気接点は同じ材料から形成することができる。別の態様では、流体吐出装置を形成する方法は、下面に流体出口を有する回路層の該下面に、第1材料から成る接触バンプ及びシールバンプを形成する工程と、上面に流体入口を有する流体室基板の該上面に、第2材料から成る接触バンプと第2材料から成るシールバンプとを形成する工程と、回路層の下面の第1材料から成る接触バンプと流体室基板の上面の第2材料から成る接触バンプとを合わせる工程と、回路層の下面の第1材料から成るシールバンプと流体室基板の上面の第2材料から成るシールバンプとを合わせる工程と、流体室基板の接触バンプを加熱して、回路層の下面の接触バンプと流体室基板の上面の接触バンプとの間に共晶結合を形成することにより、電気接点を形成する工程と、流体室基板のシールバンプを加熱して、回路層の下面のシールバンプと流体室基板の上面のシールバンプとの間に共晶結合を形成することにより、シールを形成する工程と、を含む。実施態様は、以下の特徴のうちの一つ又は複数を含むことができる。第1材料から成るシールバンプ及び第2材料から成るシールバンプの少なくとも一方は、リング形状を有することができる。リング形状は同心の二つのリングを含むことができる。シールは流体入口を包囲することができる。流体室基板の上面にアクチュエータを形成することができ、電気接点をアクチュエータと電気的に接続することができる。回路層の下面にスタンドオフバンプを形成することができ、スタンドオフバンプをアクチュエータと接触させることができる。スタンドオフバンプをアクチュエータと接触させる工程において、スタンドオフバンプを、アクチュエータの圧電材料の非作動可能部分と接触させることができる。圧電材料をチタン酸ジルコン酸鉛から形成し、スタンドオフバンプを金から形成し、共晶結合をSnAu共晶結合とすることができる。アクチュエータは圧電材料の層を含むことができ、接触バンプの加熱及びシールバンプの加熱を、圧電材料のキュリー温度を下回る温度で行うことができる。回路層の下面のシールバンプと流体室基板の上面のシールバンプとの間に共晶結合を形成することにより、流体室基板の上面のシールバンプとアクチュエータとの間にスタンドオフ間隔をもたらすことができる。共晶結合を、第1材料及び第2材料から形成することができ、スタンドオフバンプを第1材料から形成して第2材料を含まないようにすることができる。共晶結合は、SnAu共晶結合、例えば20:80SnAu共晶結合とすることができる。シール及び電気接点は同じ材料とすることができる。第1材料から成る接触バンプ及びシールバンプ並びに第2材料から成る接触バンプ及びシールバンプの少なくとも一方を、化学機械研磨することができる。別の態様では、流体吐出装置は、下面に流体出口を有する流体供給基板と、上面に流体入口を有する流体室基板と、流体供給基板の流体出口と流体室基板の流体入口との間に流体接続を形成するシールであって、第1材料及び第2材料の共晶材料から成るシールと、流体供給基板と流体室基板との間のスタンドオフバンプであって、第1の材料は含むが第2の材料は含まないスタンドオフバンプと、を備える。実施態様は、以下の特徴のうちの一つ又は複数を含むことができる。スタンドオフバンプは、流体室基板に面する流体供給基板の表面に接触することができる。スタンドオフバンプは、流体供給基板の上にある第2材料を含む層、即ちシールを形成する層の一部の開口部において、流体供給基板の表面と接触することができる。スタンドオフバンプは、圧電材料の一部と流体供給基板との間にあってもよい。本装置の実施態様は、以下の利点のうちの一つ又は複数を有することができる。同じ材料から成る二つの層の間に電気的結合及びシールを形成することにより、製造を簡略化することができる。材料が金属である場合、金属は、低い熱膨張係数を有することができ、したがって、膨張なしに二つの層を接合することができる。金属材料を研磨することができ、それにより、ある領域にわたって均一に付与することが困難な他の接合材料と比較して、均一性を向上させることができる。電気的結合及びシールが同じ材料から構成されるため、全ての接続を同じ温度で行うことができる。電気的結合及びシールを形成するために非腐食性材料を選択することができ、それにより腐食の可能性を低減することができる。腐食が低減することにより、装置の寿命を長くすることができる。シール及び電気的結合の一部を形成するために使用される材料の一つが、溶融温度が接合温度より高い場合、スタンドオフバンプをその材料から形成することができる。スタンドオフバンプを使用して、接合されている二つの層の間の均一な間隔を確実にすることができる。複数の噴射構造を備えた流体液滴吐出装置を構成する二つの層の間の均一性により、複数の噴射構造が均一な特徴を有することができる。シール及び電気接点は互いに同じ材料であることが可能であり、それは、それらの熱膨張係数が一致し、それにより結合を熱応力に対してより頑強にすることができることを意味する。二つの層の間の周縁シールにより、二つの層の間の電気部品を湿気から保護することができる。電気部品を湿気から保護することにより、装置寿命を長くすることができる。製造を更に簡略化するために、周縁シールを電気接点及びシールと同じ材料とすることができる。本発明の一つ又は複数の実施形態の詳細を、添付図面及び以下の説明において示す。本発明の他の特徴、目的及び利点は、説明及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかとなろう。インク等のプリント流体が、内部に集積回路が作製されている層を通ってポンプ室を含む層内に流れ込む、一部の多層プリントデバイスにおいては、集積回路層とポンプ室基板とが接合される。この接合により、集積回路層の流体出口がポンプ室基板の流体入口に接続される。更に、ポンプ室基板上のトランスデューサやアクチュエータ等、一部のポンプ室基板上の電気部品が、集積回路層に電気的に接続される。一つの起こり得る問題は、集積回路層とポンプ室基板とを、流体が二つの層の間で漏れることがなく且つ電気部品間に短絡をもたらさないように接合することは、複雑且つ費用がかかる可能性があるということである。処理を簡略化するために、二つの層の間の接合は、接合が電気的接続をもたらすためか又は流体シールをもたらすためかに関らず、同じ材料で成されることが可能である。トランスデューサが、圧電材料、例えばチタン酸ジルコニウム酸鉛PZT等の圧電材料から形成されるプリントデバイスの場合、接合材料の接合温度は、分極した圧電材料の減極を防止するように圧電材料のキュリー温度を下回ることが可能である。いくつかのタイプの共晶接合材料が所望の接合材料を構成する。図1に、複数の噴射構造を有する装置内の一つの噴射構造を示す。基板10、即ちポンプ室基板は、流体を吐出するノズル15を基板10の下面20に有している。ポンプ室25がノズル15と流体連通している。また、ポンプ室25は、基板10の上面35近くに位置する充填流路30とも流体連通している。充填流路30は、上面35にある入口40と流体連通している。任意に、ポンプ室25及び充填流路30を膜層45が覆っている。膜層45は、基板10の入口40に隣接し且つそれと流体連通する開口部50を有している。圧電材料の非活性部分60と、圧電アクチュエータを形成する圧電材料の活性部分66とが、基板10の上面35にある。圧電材料の活性部分66はポンプ室25の上部の領域に位置し、圧電アクチュエータの作動によってポンプ室25が膨張又は収縮するようになっていて、それにより、ポンプ室25が充填流路30からの流体で充填されるか、又はノズル15から流体が吐出される。圧電アクチュエータは、上部導電層と下部導電層との間に挟まれた圧電材料の層の活性部分を含む。基板10の上面、例えば膜層45の上か又は膜層の上の圧電層の上に形成された導電トレース75を含むことができる電気コネクタ構造が、駆動源、例えば集積回路層100の集積回路からの電気信号を圧電アクチュエータに伝達する。トレース75を、圧電アクチュエータの上部導電層又は下部導電層と同じ導電層から形成することができ、又は別個に作製された層とすることができる。実施態様によっては、電気コネクタ構造は、シード層及び構造層等、複数の層を含む。シード層を、チタンタングステンTiW及び金Au、又はチタンプラチナTiPt及び金等の材料から形成することができる。TiWやTiPt層の厚さは、50nm~200nm、例えば約100nmであってもよい。Au層の厚さは、100nm~300nm、例えば約200nmであってもよい。これらの層を、蒸着、例えばスパッタリング等によって付与することができる。金スズ層等の構造層を、シード層の上にメッキするか又は蒸着することができる。構造層の厚さは、2μm~20μmであってもよい。トレース75は、コンタクトパッドで終端する。単一の電気コネクタを図示しているが、実施態様によっては、各圧電アクチュエータは、例えば内部電極及び外部電極を含む二重電極構造の場合、一対のトレースを有する。実施態様によっては、圧電アクチュエータの厚さは、導電トレース75よりも薄く、それにより、圧電アクチュエータの上面と導電トレース75の上面との間に高さ差85がある。また、基板10の上面35は、下部シール部80即ちシールバンプも有している。集積回路層100即ちASIC層の下面に、対応する上部シール部90が形成されている。上部シール部90は、集積回路層100の流体出口115の周囲にある。集積回路層100に上部シール部90を形成することに加えて、集積回路層100の下面110には、導電電気接触バンプ105が形成されている。電気接触バンプ105は、集積回路層100内の回路、例えば集積回路と電気的に連通している。任意に、集積回路層100の下面110に、スタンドオフバンプ120も形成されている。実施態様によっては、集積回路層100の導電性材料に直接接触することになる、基板10の上面35の導電性材料即ち導電トレース75と、下部シール部80即ち下部シールバンプとは、互いに同じ材料である。実施態様によっては、基板10の上面35の導電性材料に直接接触することになる、集積回路層100の下面110の導電性材料即ち電気バンプ105と、上部シール部90と、更にスタンドオフバンプ120これは基板10上の導電性材料に接触しないとは、互いに同じ材料である。実施態様によっては、集積回路層100の下面110の導電性材料と、基板10の上面35の導電性材料とは、組成が異なる。実施態様によっては、導電性材料は金属である。基板10の上面35の材料と、集積回路層100の下面110の材料とは、共晶結合を形成することができる。多くの材料が、共晶結合を形成することができ、上面35の導電性材料及び下面110の導電性材料に対して選択され得る。上面35の導電性材料は、金例えば100金であってもよく、下面110の導電性材料は、スズ、又はスズ金混合物例えば、スズよりも金の量が多い混合物、例えば、80:20金スズ混合物であってもよい。用いられることができる混合物の他の例として、金及びシリコン、スズ及び銅、スズ及び銀、並びにインジウム及び金、を挙げることができる。集積回路層100が基板10と接触することにより、下部シール部80が上部シール部90と接触し、電気バンプ105が、トレース75のコンタクトパッド等、導電トレース75と接触すると、スズ等の一方の材料が、金等の他方の材料内に移動して結合を形成することができる。シール及び結合を形成する他の好適な材料は、銅及び金めっき銅等、共晶結合を形成しない材料であってもよい。結合は内部を流体が流れるシールを形成するので、非腐食性の材料の方が腐食し易い材料よりも長い装置寿命を提供することができる。結合を形成するために、導電性材料を加熱する必要がある場合もある。金及びスズ金は、約280°Cの接合温度で共晶結合を形成することができる。この温度は、約300°CであるスパッタPZTのキュリー温度を下回るため、スズ金共晶結合を、PZTを減極する危険なしに、スパッタPZTと共に使用することができる。スズ金共晶結合は、約380°C等のより高い温度まで加熱されなければ、リフローしない。したがって、装置を製造するために追加の加熱ステップが必要である場合、その加熱ステップが共晶結合リフロー温度を下回る限り、装置を、共晶結合又はシールのいずれをも破壊及び損傷することなく加熱することができる。バルクPZTのキュリー温度は約200°Cである可能性があり、接合温度がより低い他の接合材料をバルクPZTと共に用いることにより減極を防止することができる。図2に、基板と集積回路層とが接合された後の接合アセンブリを示す。接合後の導電層は、導電層に圧力又は熱のいずれかが加えられたために、電気接点205及びシール280を形成している。シールには、液体が出口から入口に流れるための開口部が貫通している。実施態様によっては、シールは環状である。良好な結合を確保するために、基板及び集積回路層を互いに押し付けながら、加熱及び接合を行うことができる。多くの噴射構造にわたって、基板と集積回路との間に一貫した間隔があることが望ましい。また、シールを形成する材料が集積回路層100の流体出口115や基板10の入口40を制限するほどには縮まないことを確実にすることが望ましい。スタンドオフバンプ120は、集積回路層100と基板10との間にスペーサを提供することができる。実施態様によっては、スペーサバンプ材料は、シール及び電気バンプの接合温度より融点が高い材料である。スペーサバンプは、接合温度では溶融しないので、アセンブリが接合される時に変形しない。したがって、複数のスペーサバンプが、複数の噴射構造を含むアセンブリにわたって一貫し且つ均一な間隔を維持することができる。実施態様によっては、スタンドオフバンプ120は、圧電材料の非活性部分60と接触するように配置される。スタンドオフバンプ120は、導電性材料ではなく圧電材料自体に接触することができる。スタンドオフバンプ120は、圧電材料の非活性部分60と接触する場合、圧電材料の活性部分66を妨害せず、したがって噴射を妨害しない。圧電アクチュエータの厚さと下部導電トレース75の厚さとの高さ差85図1参照により、シールや電気バンプの厚さとシール及び電気バンプを形成する導電層の厚さとの間で高さがどれくらい変形又は変化するかが決まる。図3に、アセンブリを形成する方法を説明する。各ステップが特定の順序で示されているが、ステップの多くを異なる順序で再配置又は実行することができる。基板の上面に導電層を付与するステップ310。実施態様によっては、導電層は、スパッタリング、めっき、蒸着又はこれら方法の組合せによって形成される。この時点で、基板は、内部に形成されたポンプ室、ノズル及び充填流路等の形状を有することができる。基板上に膜がある場合、導電層は膜の上に形成される。基板及び膜がシリコンから形成される場合、半導体プロセス技法を用いて、所望の形状を形成することができ、且つ膜を付与することができる。また、基板は、導電層を形成する前に、少なくとも圧電アクチュエータの圧電材料がその上に形成されている。導電層の厚さは、2μm~20μm、例えば約10μmであってもよい。実施態様によっては、導電層の厚さが圧電材料の厚さよりも大きいことにより、上部バンプ及び下部バンプが合わせられ且つスタンドオフバンプがある場合、基板上のバンプと集積回路層上の対応するバンプとが全て接触することが確実になる。そして、導電層をパターニングするステップ320。実施態様によっては、マスクを用いて導電層を形成することにより、ステップ310及び320が統合され、それにより別個のパターニングステップが不要になる。そして、集積回路層の下面に導電層を形成するステップ330。実施態様によっては、導電層は、スパッタリング、めっき、蒸着又はこれらの方法の組合せによって形成される。そして、導電層をパターニングするステップ340。基板上の導電層と同様に、マスクを用いて導電層を付与することにより、ステップ330及び340を統合することができる。導電層の厚さは、1μm~20μm、例えば約5μmであってもよい。実施態様によっては、集積回路層の下面の導電層は、基板の上面に形成された導電層よりも厚い。圧電層の厚さを3μmとし且つ基板上の導電層の厚さを5μmとする場合、スタンドオフ間隔、即ち変形間隔は2μmである。したがって、最終的なシール及び電気接点の厚さは、二つの導電層の厚さからスタンドオフ間隔を引いた厚さとし得る。任意に、導電層の一方又は両方を、化学機械研磨等によって研磨するステップ350。研磨ステップにより、導電層のバンプが、高さが均一であるか又は接合のために平滑面を有することを確実にすることができる。基板及び集積回路層を、二つの表面の電気バンプが互いに接触し且つ二つの表面の上のシール部分が互いに接触するように、合わせるステップ360。そして、アセンブリを加熱するステップ370。任意に、アセンブリを合わせる前に、基板又は集積回路層のみを加熱する。且つ任意に、アセンブリを合わせてから、バンプ及びシール部分を共に押し潰すように、基板又は集積回路層の一方又は両方に圧力を加える。実施態様によっては、シール及び電気的接続を形成することに加えて、導電層の一部を用いて、基板の上面及び集積回路層の下面の周囲に、周縁シールを形成することができる。周縁シールは、シール及び電気的接続と同じ導電層から形成される。周縁シールは、基板と集積回路層との間の空間を気密封止することができる。これにより、湿気が二つの層の間に入って電気部品の寿命を短くすることを防止することができる。更に、腐食から電気部品をより保護するために、二つの層の間の空間を窒素又はヘリウム等の不活性ガスで充填することができる。図4に、各ポンプ室が流体入口及び流体出口を有している装置の実施態様を示す。複数の噴射構造を図示する。図4では、集積回路層は透けて見えるように図示され、流体入口に接続されている上昇部405及び流体出口に接続されている下降部410のみが図示されていて、集積回路材料は図示されていない。図5は、集積回路層100の底面図であり、周縁シール505と共に、電気バンプ105、流体連結部90及びスタンドオフバンプ120が図示されている。図5では、圧電アクチュエータに対する上部導電層も図示して他の要素に対するその位置を示しているが、上部導電層は、集積回路層ではなくポンプ室基板の上にある。図6は、基板層の部分的な上面図であり、電気バンプ即ち導電トレース75及び流体シール部分80が図示されている。図7に示すように、実施態様によっては、流体供給基板700が集積回路層100の代りに用いられる。流体供給基板は、流体出口115を有しているが、集積回路層100が有している回路のいずれか又は全てを有してない。流体供給基板700の底面710に、Au:Sn、Au、又はSnの層等の共晶層を形成することができる材料の層715が形成されている。層715には、開口部725が形成されている。開口部725は、基板10及び流体供給基板700が合わせられた時に基板10のポンプ室の真上にはない層に、形成されている。流体供給基板700の全体に均一な層715を付与した後にその層715をエッチングすること等により、開口部725を形成することができる。均一な層715を形成する前か又は形成した後に、流体供給基板700に流体出口115を形成することができる。基板10及びその特徴は、上述した基板と同様である。しかしながら、不活性圧電材料730等の材料の一部の上にスタンドオフバンプ720が形成されている。実施態様によっては、スタンドオフバンプ720の厚さは、下部シール80の厚さと同じである。圧電材料の活性部分66の厚さと下部シール80の厚さとの間の差785により、流体供給基板700が基板10と合わせられた時且つ共晶結合が発生する前の、層715と圧電材料の活性部分66の上面との間の間隔が決まる。開口部725の深さとスタンドオフバンプ720の厚さとの差により、流体供給基板700が基板10と合わせられた時且つ共晶結合が発生する前の、スタンドオフバンプ720の上面と流体供給基板700の下面710との間の間隔790が決まる。間隔790により、共晶結合が形成される際に下部シール材料80と層715の材料との間に発生する可能性のある流れの量が決まる。共晶結合の後、層715と圧電材料の活性部分66の上面との間の間隔795は、差785と間隔790との差に等しい。実施態様によっては、スタンドオフバンプ720は、層715より例えば2μmだけ厚い。実施態様によっては、層715の高さは5μm~7μm、例えば5μmであり、スタンドオフバンプ720及びシール80の高さは7μm~9μm、例えば7μmである。実施態様によっては、圧電層、例えば圧電材料の活性部分66及び非活性圧電材料730の厚さは3μmである。したがって、圧電材料66とシール80との差785は4μmであり、開口部725における流体供給基板700の下面710とスタンドオフバンプ720の上部との間隔790は2μmである。共晶結合の後、層715と圧電材料の活性部分66の上面との間の間隔は、4μmと2μmとの差、即ち2μmである。層715及び下部シール80の少なくとも一方を加熱することにより、図8に示すように、基板10と流体供給基板700との間に共晶結合が形成される。共晶結合は、本明細書で説明する材料の任意のものとし得る。例えば、共晶結合が金:スズ結合である場合、流体供給基板700上に形成される層715を、金:スズ材料又はスズから形成することができる。この場合、下部シール80及びスタンドオフバンプは金から形成される。或いは、層715を金から形成することができ、下部シール80及びスタンドオフバンプは、金:スズ材料又はスズから形成される。スタンドオフバンプ720は、共晶結合の後で活性圧電材料66の上部と共晶層715との間に隙間、例えば少なくとも2μmの隙間があるように、十分な高さがあるべきである。図9、図10及び図11に、流体シールの別の実施態様を示す。シールは、流体入口及び流体出口を包囲していて、したがってリング又はドーナツ形状であるが、流体入口又は流体出口の外径を包囲する限り、正方形、楕円形、矩形又は別の形状等、他の何らかの形状とし得る。更に、シールの一方例えば基板900上を、同心の二つ以上のリングとして構成することができる。これにより、二つのリングの間に材料が流れ込む空間810が提供される。材料が流れるための空間を設けることにより、流体流路の入口又は出口内や材料が電気的接続と接触する可能性のある領域内などの望ましくない領域に、材料が無制御で流れ込むことを防止することができる。単一のプリントデバイスに関して、集積回路層とポンプ室基板とを共晶結合させることについて説明した。実施態様によっては、複数の集積回路層を含む第1ウエハ例えばシリコンウエハを、複数のポンプ室基板を含む第2ウエハと位置合せして共晶結合させることにより、複数のプリントデバイスを形成することができる。共晶結合により、複数のプリントデバイスを、個々のダイではなくウエハ全体で同時に作製することができる。例えば、個々のダイの場合では、複数の集積回路層が第1ウエハからそれぞれ分離され、複数のポンプ室基板が第2ウエハからそれぞれ分離され、その後、二つの層が個々に接合される。ウエハ全体での接合により、生産量を増大させることができ、処理中の個々の層に対する損傷を最小限にすることができる。本発明の多くの実施態様について説明した。しかしながら、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、様々な変更を行ってもよいことが理解されよう。例えば、実施態様によっては、流体シールに対して電気的接続がない。他の実施態様では、流体シールは接地される。本明細書で説明した特徴の任意のものを、本明細書で説明した実施態様の任意のものと共に用いることができる。それらの特徴は、それらが関連して記載されている実施態様に限定されるようには意図されていない。したがって、他の実施形態が以下の特許請求の範囲内にある。