"各々が光電変換部及び該光電変換部で生じた信号を処理もしくは該信号を読み出すための読み出し回路を有する複数の画素と、前記複数の画素の信号を読み出すための周辺回路とを有し、前記複数の光電変換部は第1部材に配され、少なくとも前記読み出し回路の一部、及び前記周辺回路が第2部材に配されており、前記光電変換部からの信号を前記第2の部材に配された前記読み出し回路が受けるように前記第1部材と前記第2部材とが貼り合わせられて構成された固体撮像装置であって、前記固体撮像装置の外部から前記複数の画素及び前記周辺回路への水分の浸入を抑制するシール部を有し、該シール部は、前記第1部材に配された第1シール部と、前記第2部材に配された第2シール部とを有し、前記第1シール部の一部と前記第2シール部の一部とが接していることを特徴とする固体撮像装置。前記固体撮像装置は配線構造を有し、前記第1シール部及び前記第2シール部は、前記配線構造の一部により構成されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記配線構造は、複数の配線層が絶縁層を介して積層された構造を有しており、前記複数の配線層どうしは前記絶縁層を貫通するプラグにより電気的に接続されており、前記第1シール部及び前記第2シール部は、前記複数の配線層及び前記プラグとにより構成されていることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。前記第1部材は、前記複数の光電変換部が配された第1基板と、該第1基板の前記複数の光電変換部が配された一主面上に配された第1配線構造と、を有し、前記第2部材は、前記読み出し回路の前記一部及び前記周辺回路とが配された第2基板と、該第2基板の前記読み出し回路の前記一部及び前記周辺回路とが配された一主面上に配された第2配線構造と、を有し、前記第1シール部は前記第1配線構造の一部により構成されており、前記第2シール部は前記第2配線構造の一部により構成されている、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1基板の前記複数の光電変換部が配された領域は、前記第1シール部を前記第1基板の一主面に投影した領域の内側に配されることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。前記第2基板の前記読み出し回路の前記一部及び前記周辺回路が配された領域は、前記第2シール部を前記第2基板の一主面に投影した領域の内側に配されることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、各々が、外部回路からの信号の入力もしくは外部回路への信号の出力のいずれかを行う複数のパッドを有し、前記複数のパッドは前記第1配線構造の一部を用いて構成されており、前記複数のパッドの各々を前記第2基板の前記一主面に投影した領域は、前記第1シール部を前記第2基板の前記一主面に投影した領域に囲まれていることを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1シール部の一部と前記第2シール部の一部とが絶縁体で構成されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記絶縁体はSiNもしくはSiONであることを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置。各種回路を有する半導体基板は、半導体基板の周囲の雰囲気等から侵入する水分やイオンから素子を保護する必要がある。そこで、特許文献1に記載されるような第1の半導体基板と第2の半導体基板を有する固体撮像装置において、周囲の雰囲気等から侵入する水分やイオンからの保護が求められていた。そこで本発明においては、耐湿性が改善された固体撮像装置を提供することを目的とする。本発明の固体撮像装置は、各々が光電変換部及び該光電変換部で生じた信号を処理もしくは該信号を読み出すための読み出し回路を有する複数の画素と、前記複数の画素の信号を読み出すための周辺回路とを有し、前記複数の光電変換部は第1部材に配され、少なくとも前記読み出し回路の一部、及び前記周辺回路が第2部材に配されており、前記光電変換部からの信号を前記第2の部材に配された前記読み出し回路が受けるように前記第1部材と前記第2部材とが貼り合わせられて構成された固体撮像装置であって、前記固体撮像装置の外部から前記複数の画素及び前記周辺回路への水分の浸入を抑制するシール部を有し、該シール部は、前記第1部材に配された第1シール部と、前記第2部材に配された第2シール部とを有し、前記第1シール部の一部と前記第2シール部の一部とが接している。本発明によれば、例えば、外部からの水分の浸入が抑制された固体撮像装置が提供可能である。以下、本発明について図面を用いて詳細に説明を行う。なお、実施例の説明において、第1基板の一主面及び第2基板の一主面とは光電変換部もしくはトランジスタが配される基板表面である。該主面と対向する反対側の面が、第1基板の裏面及び第2基板の裏面である。また、特に説明上方向は裏面から主面に向かう方向とし、下方向及び深さ方向は基板の主面から裏面に向かう方向とする。また本発明においては外部からの水分の侵入を抑制するシール部としてシールリングを例にとり説明するが水分などの侵入を抑制する機能を有していればリング形状に限られるものではない。実施例1本発明の実施例1について、図1から図8を用いて説明する。図1は、実施例1の固体撮像装置を示しており、図1Aが固体撮像装置の斜視図であり、図1Bは、図1Aの固体撮像装置を光入射側から見た平面図である。図1Aに示すように、本実施例の固体撮像装置は、第1部材308と第2部材309とが貼り合わされた構造を有する。第1部材308及び第2部材309はそれぞれが第1基板、第2基板を有している。第1基板と第2基板との間には配線構造が配され、好ましくはこの配線構造は複数の配線層を含む。以下、添え字でA、Bが振られている場合には、便宜上、第1部材308に配される構成にA、第2部材309に配される構成にBを振ることとする。第1部材308は、第2部材309よりも光入射側に配されている。図1Bにおいて、図の左半分が第1部材308を示し、右半分は第1部材308が存在する部分を図示せず、第2部材309を示している。第1部材308を図示していない右半分に関しても、左半分と同様にレイアウトすることができる。図1において、301A、301Bは画素部である。画素部301Aにはそれぞれが画素に対応する複数の光電変換部が配されている。118はマイクロレンズである。マイクロレンズ118は各光電変換部に光を集光させる。120は周辺回路である。画素部301の信号を読み出すための種々の回路が配されている。周辺回路120の主たる部分は第2部材309に配されるが、周辺回路120の一部を第1部材308に配することもできる。312Aはパッド部である。パッド部312Aには複数のパッド313が配置されている。複数のパッド313は、外部回路との信号等のやり取りを行う入力パッド、出力パッド以下パッドを含み得る。パッド313は、例えば、配線構造の一部である導電パターンにより構成されうる。通常、配線を構成する導電パターンは絶縁体により囲まれているが、パッドと外部回路とを電気的に接続するため、パッド上の絶縁体に開口100が配置されている。そして、外部からの水分の浸入を抑制するためのシールリング150A、151A、152A、150Bが配置されている。第1部材308には、第1部材308の最外周にシールリング150Aが配置され、シールリング150Aの内側であって、パッド部312Aと画素部301Aとの間にシールリング152Aが配置される。また、パッド部312Aに配された各パッド313を囲むようにシールリング151Aが配置されている。また、第2部材309には最外周にシールリング150Bが配置されている。つまり第1部材308はシールリング150A~152Aを含んで構成される第1シール部を有し、第2部材は150Bを含んで構成される第2シール部を有している。シールリングは主にそれぞれが配される部材に対して外部からの水分の浸入を抑制する。後述するように、第1シール部の一部と第2シール部の一部とが接している。より具体的には第1シール部の第2部材309に対向する面と、前記第2シール部の第1部材308に対向する面とが接している。ここでシールリングに関してさらに詳細に説明する。本発明におけるシールリングは配置により4種類に分類でき、以下の実施例ではこれら4種類のシールリングを適宜組み合わせてシール部を構成する。まず一つ目の分類としては、それぞれの部材の最外周部に配されるシールリングである。以下の実施例では符号150A、150Bが振られる。シールリング150A、150Bは、各部材が有する、画素部、周辺回路部、パッド部よりも外側に配置される。二つ目の分類としては、パッド部に配される各パッドの周囲に配され、該パッドを囲うように配されるシールリングである。以下の実施例では符号151A、151Bが振られる。三つ目の分類としては、パッド部と画素部もしくはパッドと周辺回路部との間に配されるシールリングである。以下の実施例では符号152A,152Bが振られる。四つ目の分類としては、それぞれの部材の貼り合わせ面に配された絶縁体により構成されたシール部である。このシール部はパッシベーション層と兼ねることができる。具体的にはSiN、SiONを用いることができる。これらはSiO2に比べて吸湿性が高いためシール機能も高い。本発明においては以上の四つに分類されたシールリングを適宜組み合わせてシール部を構成する。より具体的には第1部材に配された第1シール部と第2部材に配された第2シール部とが互いに接してシール部を構成する。シール機能を高めるためには、それぞれの部材に配されるシール部のうち、同じ分類のシールリングどうしを接触させるのがよい。次に、図2を用いて実施例1の固体撮像装置の等価回路図を説明する。本実施例では、信号電荷が電子の場合について説明を行う。図2の固体撮像装置300は、各々が光電変換部と光電変換部で生じた信号を処理もしくは該信号を読み出すための読み出し回路を有する複数の画素が配列された画素部301を有する。更に、複数の画素からの信号を読み出すための周辺回路部302を有する。周辺回路部302には図1の複数の周辺回路120が配される。画素部301には、光電変換部303と、転送トランジスタ304と、増幅トランジスタ306と、リセットトランジスタ307が複数配置されている。1つの光電変換部303を含む構成を画素とする。本実施例の1つの画素は、光電変換部303と、転送トランジスタ304と、増幅トランジスタ306と、リセットトランジスタ307を含む。転送トランジスタ304のソースは光電変換部303と接続しており、転送トランジスタ304のドレインは増幅トランジスタ306のゲートと接続している。この増幅トランジスタ306のゲートと同一のノードをノード305とする。リセットトランジスタ307のソースはノード305に接続し、ノード305の電位を任意の電位例えば、リセット電位に設定する。リセットトランジスタ307のドレインにはリセット電圧が供給可能な構成となっている。ここで、増幅トランジスタ306はソースフォロア回路の一部であり、ノード305の電位に応じた信号を信号線RLに出力する。ノード305はフローティングディフュージョンを含んで構成することができる。周辺回路部302は複数の周辺回路が配されている。例えば、画素部301のトランジスタのゲートへ制御信号を供給するための垂直走査回路VSRと、画素部301から出力された信号を増幅もしくは加算もしくはAD変換などの信号処理を行う読み出し回路RCを有する。また、周辺回路部302は、読み出し回路RCから信号を順次出力するためのパルスを供給する水平走査回路HSRを有する。ここで、実施例1の固体撮像装置は、複数の光電変換部303は第1部材308に配されており、少なくとも画素の読み出し回路の一部、及び前記周辺回路が第2部材309に配されている。具体的には光電変換部303と転送トランジスタ304とが第1部材308に配された画素部301Aとなり、それ以外の画素の構成要素が第2部材309に配された画素部である。なお、第1基板と第2基板の画素部の各トランジスタの配置は上記の構成に限られず、適宜、状況に合わせて変更可能である。接続部310は、第1基板に配された転送トランジスタ304のゲートと第2の部材に配された周辺回路120とを電気的に接続するノードである。接続部310の具体的な構成については後述する。光電変換部303にて生じた電荷は、転送トランジスタ304のドレイン、即ちノード305に読み出される。ノード305は、第1部材308に配された構成と第2部材309に配された構成とを含み得る。具体的に第1部材308に含まれる構成は、フローティングディフュージョン、及びフローティングディフュージョンと電気的に接続された第1配線構造の一部である。第2部材309に含まれる構成は、リセットトランジスタ307のソース、増幅トランジスタ306のゲートと、及びこれらと第1配線構造の一部とを電気的に接続する第2配線構造の一部である。このような構成によって、従来の1つの部材即ち1つの基板に画素部、周辺回路部の全てを配置する場合に比べて、光電変換部303の面積を大きくすることが可能となり感度を向上させることが可能となる。また、従来の構成に比べて、光電変換部の面積を同一とするならば、光電変換部303を多く設けることが可能となり、多画素化が可能となる。そして、第1部材308の第1配線構造の一部と、第2部材309の第2配線構造の一部とにより、固体撮像装置の外部から侵入する水分を抑制するシール部を構成することができる。固体撮像装置の具体的な平面レイアウトを、図3の固体撮像装置の平面模式図を用いて説明する。図3Aは第1部材308の平面レイアウトを示すための上面図であり、図3Bは第2部材309の平面レイアウトを示すための上面図である。図1と図2と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。図3Aにおいて、第1部材308には、複数の光電変換部303が配された画素部301Aと、複数のパッド313が配されたパッド部312Aとが配されている。画素部301Aには、光電変換部303と転送トランジスタ304とが複数配されている。また、パッド313と平面的に同一位置に第2部材309との電気的接続のための接続部314Aが配されている。接続部は配線構造に含まれる配線層と同一層で形成される導電パターンにより構成することができる。パッド313が入力パッドの場合には、パッド313に入力された信号もしくは電源電圧等が、接続部314Aを介して、第2の部材309の回路に供給される。パッド313が出力パッドの場合には、第2の部材309からの信号が接続部314Aを介して、パッド313に伝達される。なお、パッドには、配線層に配置された、外部回路が電気的に接続される電極パッドや半導体基板の一方の面から対向する他方の面に貫通する貫通電極と接続される電極パッドが含まれる。次に、図3Bにおいて、第2部材309には、画素部301Bと周辺回路部302Bとパッド部312Bとが配されている。パッド部312Bにはパッドそのものが配されるわけではなく、第2部材309においてパッド313と電気的接続を取るための導電パターンが配される領域である。画素部301Bには画素の読み出し回路を構成するトランジスタが配されており、例えば、図2における増幅トランジスタ306とリセットトランジスタ307が複数配置されている。周辺回路部302には水平走査回路HSR、垂直走査回路VSR、読み出し回路RCが配されている。パッド部312Bには、第1部材308に配された接続部314Aとの接続のための接続部314Bが配されている。水平走査回路HSR、垂直走査回路VSR、読み出し回路RCと、夫々に対応する接続部314Bとは引き出し配線316を介して電気的に接続されている。図3A及び図3Bに示した平面レイアウトを有する第1部材308と第2部材309とは、図1で示した2つの部材が貼り合わせられた本実施例の固体撮像装置を個々に説明するための図である。具体的には、画素部301Aと画素部301Bとが重なるように配置される。そして、接続部314Aと接続部314Bとが接続する。なお、図3では、第2部材309の周辺回路部302Bに対応する第1部材308の領域を周辺回路部302Aとして示している。周辺回路部302Aには走査回路の一部を配置してもよいし、回路素子を配さなくてもよい。なお、第1部材308と第2部材309との役割の関係において、第1部材308は少なくとも光電変換部を有し、第2部材309は画素の読み出し回路あるいは周辺回路の少なくとも一部を有する。次に、第1部材308のシール部について説明する。以下の説明では、シール部は、第2部材309側から第1基板101に垂直に投影した場合における配置を示している。第1部材308は、最外周部にシールリング150Aが配置されている。ここで最外周部とは、例えば、これよりも外側に回路素子が配されていない、もしくは導電パターンが配されていないことを示す。更に、画素部301の周辺に配置された複数のパッド313には、個々のパッド313の周囲を囲むようにシールリング151Aが配置されている。シールリング151Aは、パッド313と第1基板101に配された半導体領域との両者に電気的に接続させることができる。なお、シールリング151Aが接続された半導体領域を含んで静電破壊保護回路を形成することが可能である。静電破壊保護回路の一例としては保護ダイオードを用いることができる。シールリング151Aにより、パッド開口部100からの水分浸入を抑制すると共に、外部からのノイズによる影響を抑制することができる。そして、パッド部312Aと画素部301との間にはシールリング152Aが配置されている。シールリング151Aを有する場合には、シールリング152Aは、シールリング151Aの画素部側の端部と、画素部301との間に配置されるのがよい。好ましくは、シールリング152Aは画素部301の周囲を囲んでいる。次に、第2部材309のシール部について説明する。以下の説明における配置は、第1部材308側から第2基板121に垂直に投影した場合における配置を示している。第2部材309のシールリング150Bは、第2部材309の最外周部に配されている。各周辺回路120と各接続部314Bとを電気的に接続するための複数の引き出し配線316を有する場合は、複数の引き出し配線316よりも外側にシールリング150Bを配置するのがよい。好ましくはシールリング150Bは、図示するように複数の引き出し配線316を囲むように配するのがよい。また、第2部材309のパッド部312Bにパッド313が配置される場合は、第1部材308のシールリング151Aと同様に配置されたシールリング151B不図示を設けてもよい。第1部材308と第2部材309とが貼り合わされた時の各部材におけるシールリングの位置関係は、重なる配置、重ならない配置のどちらでも可能である。特に、パッシベーション層が配線構造の表面側に配置されている場合は、第1、第2部材の各シールリングは重ならなくても良い。これはパッシベーション層がシール部の一部を構成するためである。この時パッシベーション層は配線構造の他の絶縁膜よりも吸湿性が高い材料で構成されるのがよい。具体的な材料としては、窒素を含む材料であり、SiN、SiONなどを用いることができる。また、第1部材308及び第2部材309の、導電体で構成したシールリングどうしを接するように配置することで防湿性が向上し、更には、信頼性が向上する。また、第1、第2部材の導電体で構成したシールリングどうしを接触させ連続的に一体化してシール部を構成することも考えられる。この場合は、第1部材308のウエハと第2部材309のウエハとを結合させた後でダイシングする時に、チッピングの範囲の拡大をシールリングで抑えることができる。更には、歩留まりや信頼性が向上する。図4は、図1のX-X’線での断面模式図であり、図2及び図3に示した回路、平面レイアウトを有する固体撮像装置を説明する図である。図4では、図1~図3と同一の構成には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。本実施例の固体撮像装置は、第1基板と、第2基板と、第1基板と第2基板の間に配置された配線構造と、を有する。第1基板は好ましくは半導体基板であり、第1の部材308に含まれる。第2基板は好ましくは半導体基板であり、第2の部材309に含まれる。配線構造は、好ましくは、複数の配線層が絶縁層を介して積層された構造を有している。また、配線構造は、第1の部材308が第1の配線構造を有し第2の部材309が第2配線構造を有して構成されてもよい。この場合は第1配線構造及び第2配線構造の両者が複数の配線層が絶縁層を介して積層された構造を有しているとよい。もしくは第1及び第2の部材の一方のみが配線構造を有して構成されてもよい。第1部材308は、絶縁層と配線層とを少なくとも有する第1配線構造と第1基板101とを有する。第1基板101は例えば半導体基板であり、主面102と裏面103とを有する。本実施例における第1基板101はn型のシリコン半導体基板である。第1基板の主面102には光電変換部303が配置されている。第1配線構造は、層間絶縁膜104~106と、ゲート電極やゲート配線を含むゲート電極層107を含む。更に、複数の配線を含む配線層109、111と、複数のコンタクトプラグあるいはビアプラグを含むプラグ層108、110とを有する。層間絶縁膜106は、第1配線構造の最表面に配置されたパッシベーション層である。ここではパッシベーション層としてSiNを有する絶縁膜を用いている。第1基板101には、光電変換部303を構成するn型半導体領域112と、転送トランジスタのドレインつまりフローティングディフュージョンであるn型半導体領域114が配されている。更に、素子分離構造119が配されている。素子分離構造119は絶縁体を用いて構成してもよいし、絶縁体を用いずにPN接合分離を用いてもよい。もしくは両者を組み合わせて用いてもよい。転送トランジスタ304はn型半導体領域112とn型半導体領域114とゲート電極層107に含まれるゲート電極113とを含んで構成される。ここで、n型半導体領域112の電荷は、ゲート電極113に供給される駆動パルスによって、n型半導体領域114に転送される。n型半導体領域114に転送された電荷に基づく電位はプラグ層108、配線層109、プラグ層110、配線層111を介して、第2部材309へと伝達される。配線層111に含まれる導電パターンの一部が接続部311Aを構成する。なお、光電変換部303は更に受光面側にp型半導体領域を有する埋込みフォトダイオードであってもよく、フォトゲートであってもよく、適宜変更可能である。画素部301Aの第1基板101の裏面103側には、平坦化層115、複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層116、平坦化層117、複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズ層118がこの順に配置されている。図4において、複数のカラーフィルタ及び複数のマイクロレンズはそれぞれが1つの光電変換部に対応して、すなわち画素毎に配置されているが、複数画素に対して1つずつ設けられていてもよい。本実施例の固体撮像装置は、このマイクロレンズ層118側から光が入射し光電変換部が受光する、所謂裏面照射型の固体撮像装置である。第1部材308のパッド部312Aには、パッド313と、パッド313上を露出する開口部100とが配されている。また、パッド313と電気的に接続された接続部314Aが配置されている。接続部314Aは配線層111に含まれる導電パターンにより構成される。第1部材308の第1配線構造の一部でシールリングが構成されている。シールリング150A、151A、152Aは、配線層やプラグ層と同一工程で形成される導電パターンで形成することができる。シールリング150Aを第2部材309側から第1基板101に垂直に投影した領域は、第1部材の最外周に配される。したがって第1基板の複数の光電変換部が配された領域、つまり画素部301Aはシールリング150Aを投影した領域の内側に配される。シールリング150Aは、画素部301A及びパッド部312Aの両者の外側に設けられ、それらの全体を囲んでいる。シールリング152Aを第2部材309側から第1基板101に垂直に投影した領域は、画素部302とパッド部312Aとの間に配される。更に好ましくは、シールリング152Aは画素部301Aを囲んでいる。この配置関係は、図4と図3Aとを参照すればより容易に理解される。そして、シールリング150A,152Aは第1基板101の主面102から層間絶縁膜106の第1基板101とは反対側の表面まで配置されている。言い換えると、シールリング150A,152Aは、半導体基板からパッシベーション膜として機能する層間絶縁膜106の第2部材309と接する面まで導電体が連続して配された構造である。本実施例においては、更に、パッド部312Aに配された各パッド313周囲にシールリング151Aを有する。シールリング150Aと152Aの少なくとも一方を有していれば、固体撮像装置の端部、およびパッド開口部から固体撮像装置内の素子への水分の浸入経路が狭くなるため、防湿性が確保できる。また各シールリングは、第1基板101内に配置された、例えば、第1基板101と同じ導電型である半導体領域114 ́、112 ́を介して基板電位が供給されている。このような構成とすると、外来ノイズの影響を抑制することができる。第2部材309は、第2配線構造と第2基板121とを有する。第2基板121は例えば半導体基板であり、主面122と裏面123とを有する。第2基板の主面122にはトランジスタが配置される。第2配線構造は、層間絶縁膜124~127と、ゲート電極や配線を含むゲート電極層128と、複数の配線を含む配線層130、132、134と、複数のコンタクトあるいはビアを含むプラグ層129、131、133とを有する。更に、最上配線層である配線層134に含まれる導電パターンは、第1部材308との電気的接続部を含む。層間絶縁膜127は、第2配線構造の最表面に配置されたパッシベーション層である。ここではパッシベーション層として窒素を含むSiN,SiONを用いることができる。第2基板121の画素部301Bには、増幅トランジスタ306のチャネルを提供するp型の半導体領域135と、増幅トランジスタ306のn型のソース領域、ドレイン領域138と、素子分離構造136とが配されている。増幅トランジスタ306は、ゲート電極層128に含まれるゲート電極137と、ソース領域、ドレイン領域138とで構成される。ここで、第1部材308の接続部311Aと増幅トランジスタのゲート電極137とは、配線層134、プラグ層133、配線層132、プラグ層131、配線層130、プラグ層129とを介して電気的に接続される。ここで、図2のノード305は、図4のn型半導体領域114と、配線層109、111、134、132、130の配線と、プラグ層108、110、133、131、129のコンタクトプラグあるいはビアプラグと、ゲート電極137と、を含んで構成される。画素部301Bの他の回路例えば、リセットトランジスタは不図示である。第2部材309の周辺回路部302には、水平走査回路HSRや垂直走査回路VSRが配置されている。図4では、周辺回路部302に含まれる任意の回路のn型のトランジスタとp型のトランジスタを示している。n型トランジスタは、ゲート電極層128に含まれるゲート電極140とP型の半導体領域139に配されたn型のソース領域、ドレイン領域141とを含んで構成されている。そして、p型のトランジスタは、ゲート電極層128に含まれるゲート電極143とn型の半導体領域142に配されたp型のソース領域、ドレイン領域144とを含んで構成されている。シールリング150Bは、第2配線構造を構成する配線層やプラグ層の一部を用いて構成することができる。シールリング150Bを第1部材308側から第2基板121に垂直に投影した領域は第2部材309の最外周部に配される。もしくは各種周辺回路を含む周辺回路部302の外側に配置されている。この配置関係は、図4と図3Bとを参照すればより容易に理解される。そして、シールリング150Bは第2基板121の主面122からパッシベーション膜として機能する層間絶縁膜127の第2基板121とは反対側の表面まで配置されている。言い換えると、シールリング150Bは、半導体基板からパッシベーション膜として機能する層間絶縁膜106の第1部材308と接する面まで導電体が連続して配された構造である。図4に示したようにシールリング150Aと150Bとは互いに接している。より具体的には、シールリング150Aの第2部材309側の最表面を構成する配線層111の導電パターンと、シールリング150Bの第1部材308側の最表面を構成する配線層134の導電パターンとが接している。シールリング150Bは、第2基板121内に配置された、第2基板121と同じ導電型の半導体領域138 ́、139 ́を介して基板電位が供給されている。そのため、シールリング150Bによって、外来ノイズの影響を抑制することができる。以上のような、第1基板101の主面102と第2基板121の主面122とが向かい合って、第1部材308と第2部材309とが貼り合わされ対向配置、固体撮像装置を構成している。このような構成によって、第1部材308の画素部301Aや、第2部材309の画素部301Bと周辺回路部302Bとを含む素子領域への水分の浸入を抑制することが可能となる。また、第1部材308の裏面側にパッド313の露出面が配置されることにより、外部回路からパッド313への電気的接続が容易となり、接続不良が抑制される。ここで、図4の固体撮像装置の変形例を示す断面模式図の図5A及び図5Bを用いて説明する。図5Aの固体撮像装置が、図4の固体撮像装置と異なる点は、第1及び第2配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がSiNなどより小さい絶縁層106’が配置されている構成である。その他、図4の構成と同様の機能を有する部分には同様の符号を付し詳細な説明は省略する。また、図5Aの構成においてはシールリング152Aを設けていない。この場合であってもシールリング151Aにより一定の防湿性を確保することが可能である。これに対してシールリング150A、150Bは配置されている。この構成により、パッシベーション層が配置されていないことによる第1、第2部材308、309の各最表面からの水分などの浸入の可能性を抑制することができる。次に、図5Bの固体撮像装置を説明する。図5Bの固体撮像装置が図4の固体撮像装置と異なる点は、シールリング150A、151Aを有さない点である。そして、パッシベーション層として機能する層間絶縁膜106 ́、127 ́が第1、第2部材308、309の各最表面に配置されている。シールリング152A、150Bは配置されている。このような構造の場合には、パッド313と第2部材309との電気的接続を取るための、第1部材308の導電パターン、第2部材309の導電パターンもシール部の一部を構成している。この構成により、パッド開口100での第1配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。各シールリングは、配線構造に含まれる配線層とプラグ層と同じ材料で構成された導電パターンの積層構造を有する。次に、本実施例の図4の固体撮像装置の製造方法を、図6~8を用いて説明する。図6は第1部材308の製造工程を示す断面模式図であり、図7は第2部材309の製造工程を示す断面模式図であり、図8は第1部材308と第2部材309とを接合した後の製造工程を示す断面模式図である。図4の第1部材308の製造工程を図6を用いて説明する。図6においては、後に図4の第1部材308になる構成を308’とし、図4の画素部301、周辺回路部302、パッド部312、回路素子になる領域を301’、302’、312’としている。そして、シールリング150A、151A、152Aになる領域をシールリング150A’、151A’、152A’としている。まず、半導体基板401を準備し、半導体基板401に素子を形成する。半導体基板401は主面402と裏面403を有し、その厚みはD3である。半導体基板401を構成する主たる材料はシリコンである。半導体基板401に、素子分離構造119を形成する。素子分離構造119は、絶縁体を有し、例えばLOCOSやSTI構造である。もしくはPN接合分離、絶縁体とPN接合分離の両者を有する構造としてもよい。そして、半導体基板401にP型及びN型のウエルとして機能する半導体領域不図示を形成する。その後、光電変換部を構成するn型半導体領域112、114を形成する。また、シールリングを構成する導電体に電気的に接続されるn型半導体領域112’、114’を形成する。n型半導体領域112’、114’は基板と同じ導電型とすることができる。次にゲート電極層107を形成する。ゲート電極層107は例えば、ポリシリコンで形成され、ゲート電極のみではなく配線をも含みうる。ここで、ゲート電極、素子分離及び半導体領域の形成方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図6Aの構成が得られる。次に、半導体基板401の主面上に第1配線構造321を形成する。第1配線構造321は、層間絶縁膜104、105、106と、プラグ層108、110と、配線層109、111とを有する。ここで、層間絶縁膜はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、あるいは有機樹脂等で形成され、配線層はアルミニウムを主成分とする配線や銅を主成分とする導電体からなる。最表面の層間絶縁膜である層間絶縁膜106は、パッシベーション膜としてシリコン酸窒化膜やシリコン窒化膜で形成されうる。コンタクトプラグは例えばタングステンで形成され、ビアプラグはタングステンで形成される。配線材料として銅を用いた場合にはいわゆるダマシン構造として、ビアプラグを構成する材料として銅を主成分とすることができる。ここで、配線層111を構成する導電パターンにより接続部314Aが構成される。導電パターンの材料としては銅を主成分とすることができる。また、配線層109に含まれる導電パターンによりパッド313が構成される。パッドの材料はアルミニウムを主成分とする。これら配線層、プラグ層、層間絶縁膜の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図6Bの構成が得られる。次に、図4の第2部材309の製造工程を、図7を用いて説明する。図7においては、後に図4の第2部材309となる構成を309’とし、図4の画素部301B、周辺回路部302B、パッド部312Bになる領域を301’、302’、312’としている。そして、シールリング150Bになる領域を150B ́としている。まず、半導体基板404を準備し、半導体基板404に素子を形成する。半導体基板404は主面405と裏面406を有し、その厚みはD4である。そして、半導体基板404にLOCOSやSTI構造を用いて素子分離構造136を形成する。また、半導体基板404にp型のウエルとして機能するP型の半導体領域135、139やn型のウエルとして機能するn型の半導体領域142を形成する。その後、トランジスタを構成するソース領域、ドレイン領域となりうるn型半導体領域138、141、及びp型半導体領域144や、保護ダイオードを構成する半導体領域を形成する。また、シールリングを構成する導電体に電気的に接続されるn型半導体領域138’、139’を形成する。n型半導体領域138’、139’は基板と同じ導電型とすることができる。そして、トランジスタのゲート電極137、140、143及び配線抵抗を含むゲート電極層128をポリシリコン層の堆積及びパターニングによって形成する。ここで、ゲート電極、素子分離及び半導体領域の形成方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図7Aの構成が得られる。次に、半導体基板404の主面上に第2配線構造322を形成する。配線構造は、層間絶縁膜124~127と、プラグ層129、131、133と、配線層130、132、134とを有する。ここで、層間絶縁膜はシリコン酸化膜である。シリコン窒化膜、あるいは有機樹脂等で形成され、配線層はアルミニウムを主成分とする配線や銅を主成分とする配線からなる。ここで、配線層134の導電パターンにより接続部314Bが構成され、銅を主成分とする材料から構成される。最表面の層間絶縁膜である層間絶縁膜106は、パッシベーション膜として機能するようにシリコン酸窒化膜やシリコン窒化膜で形成される。これら配線層、プラグ層、層間絶縁膜の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。以上によって、図7Bの構成が得られる。次に、図6B及び図7Bに示した第1部材308’と第2部材309’とを、互いの半導体基板の主面402及び主面405とが向かい合うように貼り合わせる。つまり、第1部材308’の配線構造の最上面と第2部材309’の配線構造の最上面とが接合される。ここで、第1接続部311及び314及び801は銅を主成分とする導電パターンから構成されているため、貼り合わせの際は銅の金属接合によって行うことが可能である。シールリング150Aのシールリング150Bと直接接する最表面の導電パターンとシールリング151Bのシールリング150Aと直接接する最表面の導電パターンとが接続部152を構成する。また、図6Bで示した第1配線構造321と図7Bで示した第2配線構造322とにより配線構造320が形成される。第1部材308’と第2部材309’とが接合された後に、第1部材308’の半導体基板401の裏面403側を除去して厚みを減少させてもよい。すなわち第1部材308’を薄膜化する。また、第2部材309’の半導体基板404の裏面406側を除去して厚みを減少させてもよい。すなわち第2部材309’を薄膜化する。なお、本実施例の薄膜化は、CMPやエッチングによって行うことが可能である。そして、半導体基板401は半導体基板101となり、厚みがD3からD1D1<D3となる図8A。このように半導体基板401を薄膜化し半導体基板101とすることで、後に入射光が光電変換部に効率良く入射することを可能にする。半導体基板404は半導体基板121となり、厚みがD4からD2D2<D4となる図8A。また、この時、半導体基板101の厚みD1<半導体基板121の厚みD2となる。第2部材309’の薄膜化を行わない場合は、半導体基板101の厚みD1<半導体基板404の厚みD4となる。次に、半導体基板101の裏面408に、樹脂からなる平坦化層115、カラーフィルタ層116、樹脂からなる平坦化層117、マイクロレンズ層118をこの順に形成する。これら平坦化層、カラーフィルタ層、マイクロレンズ層の製造方法については、一般的な半導体プロセスで形成可能であり、詳細な説明は省略する。ここでマイクロレンズ層はパッド部となる312’の領域まで形成されていてもよい。以上の工程によって、図8Bの構成が得られる。そして、パッド313表面を露出するための開口100を形成する。ここでは、フォトリソグラフィ技術を用いてマイクロレンズ層118の上に任意の開口を有するフォトレジストマスクを設ける。そして、ドライエッチング技術を用いて、マイクロレンズ層118、平坦化層117、カラーフィルタ層116、平坦化層115、半導体基板101及び層間絶縁膜104’を除去し、パッド313を露出させる開口100を形成する。そして、マイクロレンズ層118、平坦化層117、115、カラーフィルタ層116、半導体基板101及び層間絶縁膜104が形成される。以上の工程によって、図8Cの構成、すなわち図4と同じ構成が得られる。以上のように、シールリング150A、151A、152A、150Bは配線構造の配線と同一工程で形成可能である。なお、エッチングの際には、パッド313をエッチングストッパとして機能させることが可能である。本発明は本実施例の製造方法において説明した工程に限定されるものではなく、工程順が変更されていてもよい。また、第2部材309は第1部材308に引き続いて形成してもよいし、並行して形成してもよい。更には、第1部材308と第2部材309とを購入し、貼り合わせて形成することも可能である。なお、半導体基板401、402にはSOI基板を適用することも可能である。実施例2本発明の実施例2について、図9を用いて説明する。図9A、図9B及び図9Cは固体撮像装置の断面模式図であり、それぞれ図4で示した固体撮像装置の変形例を示す断面図である。図9において図4と同様の構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施例において、実施例1と異なる点は、パッド313から第2部材への電気経路である。実施例1においては第1部材に配されたパッド313を第2部材方向に垂直投影した領域内にプラグ、配線を配していた。そして、第2部材の下層の配線層まで電気経路を形成した後、第2部材の回路素子との信号の受け取りが可能なように電気的接続を行なっていた。これに対して本実施例においては、第1部材内でパッド313から周辺回路部まで電気経路を設けた後、プラグ等を介して第2部材との電気的接続を行なっている。図9Aに示すように、第1部材808において、パッド313から周辺回路部まで水平方向に延伸した引き出し配線316を有する。また、第2部材809は第1部材808の引き出し配線316により水平方向に延伸された領域に接続部を有する。シールリング150A、151A、152A、150Bは、実施例1と同様の構成である。なお、図9Aの固体撮像装置はシールリング151Aを配することにより、シールリング150Aと152Aの少なくとも一方が配置されていれば良い。しかし、150Aと152Aが連続的に配されている構成は実施例1で説明したように防湿効果やチッピング対策として有効である。またパッド313は第2部材809の主面122よりも第1部材808側に配されていればどのような位置に配置されていてもよい。次に、図9Bについて説明する。図9Bの図9Aの固体撮像装置と異なる点は、パッシベーション層を有していない点である。配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がSiNなどより小さい絶縁層106’が配置されている。この場合は、シールリング151Aを有しているため、図9Bで示すようにシールリング152Aは必ずしも必要ではないが、シールリング150A、151Bは配置され、各々の最表面を構成する導電パターンどうしが接している。この構成により、パッシベーション層が配置されていないことによる第1、第2部材の各最表面からの水分などの浸入を抑制することができる。また、第2部材809のシールリング150Bは、パッド部の内側の周辺回路部より外側で、パッド部より外側の外周部までの間に配置すればよい。図9Bの固体撮像装置では、第2部材の最外周にシールリング150Bを配置して図9Aと同様な効果を得ている。次に、図9Cの固体撮像装置の説明をする。図9Cの固体撮像装置が図9Aの固体撮像装置と異なる点は、シールリング151Aを有さずに、パッシベーション層が第1、第2部材の各最表面に配置されている構成である。この場合は、シールリング150A、150Bは必ずしも必要ではないが、シールリング152Aは配置される。またこのような構成はパッシベーション層がシールリングの一部を構成しているともいえる。この構成により、パッド部の開口での配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。実施例3本発明の実施例3について、図10、図11を用いて説明する。図10A、図10B及び図10Cは固体撮像装置の断面模式図であり、それぞれ図4で示した固体撮像装置の変形例を示す断面図である。図11は図10の固体撮像装置の更なる変形例である。図10、図11において図4と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施例において、実施例1と異なる構成はパッドの配置である。図10Aが図4の固体撮像装置と異なる点はパッド1013を構成する導電パターンが第2部材909に配されている点である。そして第1部材908のパッド部に対応する第1部材908の一部が貫通されている。また、第2部材909は、パッド313から水平方向への引き回しを行う引き出し配線316を有する。シールリングは、実施例1と同様の構成を用いることができる。また、外部ノイズの影響も抑制できる。なお、図10Aの固体撮像装置はシールリング151Aを有するため、シールリング150Aと152Aの少なくとも一方が配置されていれば良い。150Aと150Bとが全周で接続されている構成は実施例1で説明したように防湿効果やチッピング対策として有効である。次に、図10Bが図10Aの固体撮像装置と異なる点は、パッシベーション層を有していない点である。配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がSiNなどより小さい絶縁層106’が配置されている。図9Bと同様の趣旨の実施形態である。この場合は、シールリング151A、151Bを有しているため、図9Bで示すようなシールリング152Aは必ずしも必要ではないが、シールリング150A、150Bは配置する。この構成により、パッシベーション層が配置されていないことによる第1、第2部材の各最表面からの水分などの浸入の可能性を抑制することができる。また、第2部材809のシールリングは、パッド部の内側の周辺回路部より外側で、パッド部より外側の外周部までの間に配置すればよい。図10Bの固体撮像装置では、外周部にシールリング150Aを配置して図10Aと同様な効果を得ることができる。次に図10Cの固体撮像装置について説明する。図10cが図10Aの固体撮像装置と異なる点は、シールリング151Aを有さずに、パッシベーション層が第1、第2部材の各最表面に配置されている構成である。図9cの構成と同趣旨の実施形態である。この場合は、シールリング150Aは必ずしも必要ではないが、シールリング152A、150B、151Bは配置する。この構成により、パッド部の開口での配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。なお、シールリング150A、150Bとは、全周にわたって接続されていなくても良い。図11は、図10の固体撮像装置の変形例で、第2部材1009にパッド313が配されている。そしてパッド313に対して第2基板の裏面側から第2基板を貫通する貫通電極317を有する。パッド313は、配線層と同じ導電パターンで形成され、半導体基板の一方の面から対向する他方の面に貫通する貫通電極317と接続される電極パッドである。そして、他の実施例で説明したパッド部のシールリング151Aを形成する必要がなく、シールリング150A、150Bを有していればよい。固体撮像装置の裏面で他の回路基板と接続できるため、固体撮像装置の小型化が実現できる。実施例4本発明の実施例4について、図12を用いて説明する。図12A、図12B及び図12Cは固体撮像装置の断面模式図であり、それぞれ図4で示した固体撮像装置の変形例を示す断面図である。図12において図4と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施例において、実施例1と異なる構成は、引き出し配線316とパッド部の配置である。なお、図12は図10で示した固体撮像装置と同様にワイヤーボンディング用に、パッド上の第1部材1108、第2部材1109の一部が除去されている。図12Aが図4の固体撮像装置と異なる点は、第1部材1108のパッド部に対応する部分が除去されており、第2部材1109にパッド313を有する点である。また、第2部材1109のパッド313と周辺回路部とを電気的に接続するために第1部材1108に配置された引き出し配線316を有する。第1部材1108に第1シール部として、シールリング150A、151A、152Aが配される。そして、第2部材1109に第2シール部として150B、151B、152Bが配される。これまでの実施例と同様に第1シール部、第2シール部に外部からのノイズの影響を抑制する機能を持たせてもよい。また、第2部材1109のシールリング152Bはパッド部と周辺回路との間に配置される。更に、シールリング152Bは、第1部材1108側から第2部材1109の第2基板に垂直に投影した場合に、周辺回路部の周囲を囲むように配置されているのがよい。なお、図12Aの固体撮像装置はシールリング151Aを有するため、シールリング150Aと152Aの少なくとも一方が配置されていれば良い。そして、シールリング151Bを有するため、シールリング150Bと152Bの少なくとも一方が配置されていれば良い。次に、図12Bの固体撮像装置の説明をする。図12Bの構成が図12Aの固体撮像装置と異なる点は、パッシベーション層を有していない点である。配線構造の最表面にパッシベーション層としての機能がSiNなどより小さい絶縁層106’が配置されている構成である。図9B、図10Bと同趣旨の実施形態である。この場合は、シールリング151A、151Bを有しているため、図12Bで示すようにシールリング152Aは必ずしも必要ではないが、シールリング150Aは配置する。この構成により、パッシベーション層が配置されていなくても第1、第2部材の各最表面からの水分などの浸入の可能性を抑制することができる。なお、シールリング150B、151Bが配置されていればシールリング152Bは必ずしも必要ではないが、シールリング152Bを配置すればより防湿性が向上する。次に図12Cの固体撮像装置の説明を行う。図12Cの構成が図12Aの固体撮像装置と異なる点は、配線構造が、シールリング151Aを有さずに、パッシベーション層が第1、第2部材の各最表面に配置されている構成である。シールリング150Aとシールリング152Aは配置されている。そして、シールリング152Bも配置されている。この構成により、パッド部の開口での配線構造の断面からの水分などの浸入を抑制することができる。なお、パッド313が第2部材の最表面に配置されている場合は、シールリング152Bは配置されていなくても良いが、配置すれば、より防湿性が向上する。以上、第1部材と第2部材とを重ねて接続した固体撮像装置の説明を行ったが、第1部材と第2部材のシールリング150A、150Bが電気的に接続され、且つ、各々が基板に配された半導体領域と接続される場合にはそれら半導体領域は同じ導電型がよい。第1部材のシールリングと第2部材のシールリングを接続せず、独立して配置する場合は、異なる導電型の半導体基板を用いることが可能である。この独立して配置する構成は、第1部材、第2部材の半導体基板が同じ導電型であっても異なる導電型であっても、どちらかの部材にノイズが混入した場合に、もう一方の基板はその影響を受けにくいという効果を有する。実施例5図13を用いて実施例5の固体撮像装置に関して説明する。実施例5の固体撮像装置の実施例1~4の固体撮像装置と異なる点は、第1部材と第2部材のシール部において、導電体で構成されたシールリングどうしは接触しておらず、第1部材、第2部材の最表面に配されたパッシベーション層が互いに接している点である。第1部材1308は導電体により構成されたシールリング152Aを有している。第2部材1309は導電体により構成されたシールリング150Bを有している。シールリング152Aと150Bとは水平方向にオフセットして配されており、互いの最表面を構成する導電パターンどうしが接していない。しかしながら最表面を吸湿性の高いパッシベーション層1301A,1301Bを配することにより、シール特性を維持している。以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、固体撮像装置が組み込まれた撮像システムについて例示的に説明する。撮像システムには、撮影を主目的とするカメラなどの装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末も含まれる。例えば、カメラは、本発明に係る固体撮像装置と、固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。この処理部とは、例えば、A/D変換器、及びA/D変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。以上述べてきたように、本発明の固体撮像装置によれば、光電変換部や周辺回路部への水分の浸入が抑制可能である。また、本発明の製造方法によれば、第1部材と第2部材との接続部による結合と同時にシールリングの結合を同時に行うことができるため、製造工程に必要な時間を増やすことなく防湿性向上やチッピング抑制が可能となる。なお、本発明は明細書記載の構成に限定されるものではなく、導電型や回路も逆導電型にするなど変更可能である。また、接続部が画素部とは異なる領域例えば、周辺回路部にのみ配置されている場合においても、本発明は適用可能である。また、各実施例の構成を適宜組み合わせることも可能である。"