外周部に加工が施されるとともに該外周部に付着物を有するウエーハを洗浄するウエーハの洗浄方法であって、ウエーハを保持する保持面と該保持面に直交する回転軸とを有する保持テーブルでウエーハを保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該回転軸周りで回転する該保持テーブルで保持されたウエーハに対向した洗浄液噴出口から洗浄液を噴出させつつ、該洗浄液噴出口をウエーハの中心と外周との間で移動させてウエーハを洗浄する洗浄ステップと、を具備し、該洗浄ステップでは、ウエーハの中心から所定距離外周方向に離れた第1地点までを第1の速度で該洗浄液噴出口を移動させた後、該第1地点からウエーハの外周までを該第1の速度よりも低速の第2の速度で該洗浄液噴出口を移動させることを特徴とするウエーハの洗浄方法。しかし外周部に集中的に付着物加工物が付着したウエーハでは、所定時間洗浄しただけでは外周部において付着物を除去しきれないため、洗浄時間を長く設定せざるをえず、生産性が非常に悪いという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、外周部に付着物が集中したウエーハでも洗浄時間を過剰に長く設定する必要がなく、従来に比べて生産性を向上可能なウエーハの洗浄方法を提供することである。本発明によると、外周部に加工が施されるとともに該外周部に付着物を有するウエーハを洗浄するウエーハの洗浄方法であって、ウエーハを保持する保持面と該保持面に直交する回転軸とを有する保持テーブルでウエーハを保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該回転軸周りで回転する該保持テーブルで保持されたウエーハに対向した洗浄液噴出口から洗浄液を噴出させつつ、該洗浄液噴出口をウエーハの中心と外周との間で移動させてウエーハを洗浄する洗浄ステップと、を具備し、該洗浄ステップでは、ウエーハの中心から所定距離外周方向に離れた第1地点までを第1の速度で該洗浄液噴出口を移動させた後、該第1地点からウエーハの外周までを該第1の速度よりも低速の第2の速度で該洗浄液噴出口を移動させることを特徴とするウエーハの洗浄方法が提供される。本発明のウエーハの洗浄方法によると、ウエーハの外周部付近では洗浄液噴出口の移動速度をウエーハ中央付近の移動速度に比べて低速にするため、ウエーハの外周部が集中的に洗浄される。所定の洗浄時間でも外周部を集中的に洗浄できるため、外周部に集中した付着物を有するウエーハでも洗浄時間を過剰に長く設定する必要がなく、従来に比べて生産性を向上できる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のウエーハの洗浄方法を適用するのに適した切削装置2の斜視図が示されている。切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるCRT等の表示モニタ6が設けられている。切削装置2の切削対象である半導体ウエーハ11は、図2に示すように、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート分割予定ライン13が格子状に形成されているとともに、複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平担部に備えている。半導体ウエーハ11の外周部には円弧状の面取り部11eが形成されている。21はシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチである。図2に示した半導体ウエーハ以下単にウエーハと略称することがある11は、環状フレームFに装着されたダイシングテープTに貼着された後、図1に示したウエーハカセット8中に複数枚収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハ11を搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入ユニット10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入ユニット10との間には、搬出入対象のウエーハ11が一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハ11を一定の位置に位置合わせする位置合わせ機構14が配設されている。仮置き領域12の近傍には、ウエーハ11を吸着して搬送する旋回アームを有する搬送ユニット16が配設されており、仮置き領域12に搬出されて位置合わせされたウエーハ11は、搬送ユニット16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、このチャックテーブル18に吸引保持される。チャックテーブル18は、回転可能且つ図示しない加工送り機構によりX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハ11の切削すべき領域を検出するアライメントユニット22が配設されている。20は環状フレームFをクランプするクランプである。アライメントユニット22は、ウエーハ11の表面を撮像する撮像ユニット24を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべき領域を検出することができる。撮像ユニット24によって取得された画像は、表示モニタ6に表示される。アライメントユニット22の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハ11に対して切削加工を施す切削ユニット26が配設されている。切削ユニット26はアライメントユニット22と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。切削ユニット26は、回転可能なスピンドル28の先端に外周に切刃を有する切削ブレード30が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード30は撮像ユニット24のX軸方向の延長線上に位置している。切削ユニット26のY軸方向の移動は図示しない割り出し送り機構により達成される。34は切削加工の終了したウエーハ11を洗浄するスピンナ洗浄ユニットであり、切削加工の終了したウエーハ11は搬送ユニット32によりスピンナ洗浄ユニット34まで搬送され、スピンナ洗浄ユニット34でスピン洗浄及びスピン乾燥される。このように構成された切削装置2を使用してウエーハ11のエッジトリミングを実施するには、ウエーハカセット8中に収容されているウエーハ11を、搬出入ユニット10により仮置き領域12に引き出す。仮置き領域12では、位置合わせ機構14により中心位置合わせが行われた後、搬送ユニット16でウエーハ11は吸着されてチャックテーブル18上に載置され、チャックテーブル18に吸引保持されるとともに、環状フレームFがクランプ20によりクランプされて固定される。加工送り機構を駆動してチャックテーブル18に保持されているウエーハ11を撮像ユニット24の直下に位置付け、撮像ユニット24でウエーハ11を撮像して、ウエーハ11の外周部分を円形に切削加工エッジトリミングする加工領域を検出する。次いで、加工送り機構及び割り出し送り機構を駆動してウエーハ11の切削開始点を切削ブレード30の直下に位置付け、図3及び図4に示すように、高速で回転する切削ブレード30でウエーハ11に所定量切り込みながらチャックテーブル18を低速で回転することにより、ウエーハ11の面取り部11eを円形に切削加工して切削溝23を形成するエッジトリミングを実施する。尚、図3及び図4ではダイシングテープTと環状フレームFは省略されている。このエッジトリミングを実施すると、ウエーハ11の外周部に加工屑等の付着物が集中的に付着する。エッジトリミングが終了したウエーハ11を保持したチャックテーブル18は図1に示される原点位置に戻された後、ウエーハ11の吸引保持を解除するとともにクランプ20をアンクランプしてから、搬送ユニット32でウエーハ11が吸引保持されてスピンナ洗浄装置34まで搬送される。図5を参照して、スピンナ洗浄装置34の詳細構造について説明する。スピンナ洗浄装置34は、スピンナテーブル機構36と、スピンナテーブル機構36を包囲して配設された洗浄水受け機構38を備えている。スピンナテーブル機構36は、吸引保持部42を有するスピンナテーブル保持テーブル40と、スピンナテーブル40を回転駆動する電動モータ44と、電動モータ44を上下方向に移動可能に支持する支持機構46とから構成される。スピンナテーブル40の外周には4個の振り子式のクランプ48が配設されている。スピンナテーブル40は吸引保持部42の保持面に直交する回転軸を有している。スピンナテーブル40は、電動モータ44の出力軸44aに連結されている。支持機構46は、複数本実施形態においては3本の支持脚50と、支持脚50にそれぞれ連結された電動モータ44に取り付けられた複数本実施形態においては3本のエアシリンダ52とから構成される。洗浄水受け機構38は、洗浄水受け容器54と、洗浄水受け容器54を支持する3本図6においては2本のみ図示の支持脚56と、電動モータ44の出力軸44aに装着されたカバー部材57とから構成される。スピンナ洗浄装置34は、スピンナテーブル40に保持されたエッジトリミング後のウエーハ11を洗浄するための洗浄液供給ノズル58及びエア供給ノズル60を具備している。洗浄液供給ノズル58は、その先端に洗浄液噴出口58aを有している。洗浄液としては例えば純水が使用される。洗浄液供給ノズル58は図示しないモータに連結されており、このモータを駆動することにより洗浄液供給ノズル58が洗浄位置と図示した待機位置との間で回動される。更に、洗浄位置において、スピンナテーブル40の吸引保持部42に保持されたウエーハ11の中心から外周領域に渡り洗浄液噴出口58aが揺動される。次に図6を参照して、本発明の特徴とする洗浄ステップについて説明する。この洗浄ステップでは、ウエーハ11の中心から所定距離外周方向に離れた第1地点P1までを第1の速度S1で洗浄液噴出口58aを移動させた後、第1地点P1からウエーハ11の外周までを第1の速度S1よりも低速の第2の速度S2で洗浄液噴出口58aを移動させながらウエーハ11の表面を洗浄する。この洗浄時に、スピンナテーブル40は矢印R1方向に回転される。例えば、エッジトリミング後の12インチウエーハを洗浄する場合には、第1地点P1はウエーハの中心から130~140mmに設定され、ウエーハ11の外周部分10~20mmを低速の第2の速度S2で洗浄する。好ましくは、第1の速度S1は20~25°/s、第2の速度S2は2~5°/sである。このように、ウエーハ11の外周部付近では洗浄液噴出口58の移動速度をウエーハ11の中央付近の移動速度に比べて低速にするため、ウエーハ11の外周部を集中的に洗浄できる。よって、所定の洗浄時間でも外周部を集中的に洗浄できるため、外周部に集中した加工屑等の付着物を有するウエーハ11でも洗浄時間を過剰に長く設定することなく、従来の洗浄方法に比べて生産性を向上できる。上述した実施形態では、ウエーハ11の面取り部11eを切削加工するエッジトリミングされたウエーハに本発明の洗浄方法を適用した例について説明したが、切削ブレードでウエーハの外周部分を円形に加工するサークルカットを施した場合や、レーザビームを用いたエッジトリミングやサークルカットの加工においても、本発明の洗浄方法を適用することができる。