光透過部材により構成されたマスク基板を有し、半導体ウエハの各チップ領域に転写する転写パターンを、該マスク基板上に形成したフォトマスクであって、該マスク基板は、該半導体ウエハの隣接する複数のチップ領域に対応し、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域を複数含むパターン形成領域と、該マスク基板のパターン形成領域内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、該半導体ウエハのスクライブ領域に対応するスクライブ対応領域とを有し、該フォトマスクの位置合わせマークを、該マスク基板上の、該パターン形成領域の外側に、該スクライブ対応領域の延長線上に位置するよう配置したものである、フォトマスク。請求項1に記載のフォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域が、偶数行偶数列の行列状に配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板における該パターン形成領域の外側の部分であって、行方向あるいは列方向に沿った中央のスクライブ対応領域の延長線上に配置されている、フォトマスク。請求項2に記載のフォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する描画パターンが形成されたチップ対応領域が2行2列配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板上の該パターン形成領域の外側の部分であって、第1行のチップ領域と第2行のチップ領域との間のスクライブ対応領域の延長線上に、該パターン形成領域を挟むよう該パターン形成領域の両側に配置されている、フォトマスク。請求項1に記載のフォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域が、偶数行奇数列あるいは奇数行偶数列の行列状に配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板における該パターン形成領域の外側の部分であって、行方向あるいは列方向に沿った中央のスクライブ対応領域の延長線上に配置されている、フォトマスク。請求項4に記載のフォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域が3行2列配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板上の該パターン形成領域の外側の部分であって、第1行あるいは第3行のチップ領域と第2行のチップ領域との間のスクライブ対応領域の延長線上に、該パターン形成領域を挟むよう該パターン形成領域の両側に配置されている、フォトマスク。請求項1に記載のフォトマスクにおいて、前記マスク基板上に形成され、前記露光パターンを有する遮光膜を備えた、フォトマスク。請求項1に記載のフォトマスクを用いて半導体ウエハの感光性材料層に該フォトマスクの転写パターンを転写する露光装置であって、露光光を発生する光源と、該半導体ウエハを載置するウエハ載置台と、該フォトマスクを、該ウエハ載置台と該光源との間に位置するよう保持するマスク保持部とを備え、該ウエハ載置台を該フォトマスクに対して、該チップ領域の配列ピッチの整数倍の移動ピッチで相対移動させて、該半導体ウエハの複数のチップ領域毎に繰り返し該転写パターンを転写する露光装置。請求項7に記載の露光装置において、前記マスク保持部を移動可能に保持する移動機構を備え、前記フォトマスクの転写パターンを前記半導体ウエハのチップ領域に転写する際、該フォトマスクを通過した露光光により該半導体ウエハのチップ領域がスキャンされるよう、該マスク保持部を、該光源に対して該ウエハ載置台とともに相対的に移動させる、露光装置。請求項7または8に記載の露光装置において、前記フォトマスクは、半導体装置を構成する半導体層、絶縁層及び金属層の少なくとも1つの平面パターンを、前記半導体ウエハ上に形成した感光性材料層に転写するものである、露光装置。請求項9に記載の露光装置において、前記半導体装置は、複数の画素を配列してなり、被写体の撮像を行う撮像部を有し、該撮像部の各画素で光電変換により生成した信号電荷を画像信号として出力する固体撮像装置であり、該撮像部は、各チップ領域の中央部に位置し、該チップ領域の周辺部には、該撮像部の各画素からの信号電荷が画像信号として読み出されるよう該撮像部を制御する周辺回路が配置されている、露光装置。以上説明したように、レチクルの反射光によるレチクルの非転写部転写されるパターンではない部分のパターンが露光された固体撮像装置は、該非転写部の露光による2重部分とこの2重露光部分以外の部分で、露光後のパターンの線幅の違いが影響し、それぞれの場所で溜まる電荷量の違いから、レチクルの非転写部分のレイアウトが転写された撮像ムラとなる。その撮像ムラを無くすために、特許文献1あるいは2のように、レチクルの反射光によるレチクルの非転写部のパターンの露光を防止する対策が必要であるが、従来技術を取り入れた対策レチクルの場合、撮像ムラが発生するレチクルの構造は、反射防止膜、遮光膜、ガラスの3層構造であるのに対し、反射防止膜、遮光膜、反射防止膜、ガラスの4層構造となり、レチクル作成時に発生する工程数が増えるため、製造期間が長くなる、材料費が増加する、描画する膜厚の厚膜化に伴い描画精度が低下する等の問題点がある。このように、特許文献1あるいは2では、レチクルの遮光膜307を上下の反射防止膜306a及び306bで挟み、レンズへの反射を防止することで、露光光の反射による位置合わせマークの転写の問題を解決しているが、レチクルの作成時の遮光膜の下側だけでなく上側にも反射防止膜を形成しているため、上側の反射防止膜の形成工程が必要となり、工程数、コストの増加に繋がる。また、レチクルを構成するマスク基板上でのパターニングの際、エッチングする膜が、反射防止膜、遮光膜、及び反射防止膜の3層構造となってるため、その膜厚が厚くなり、描画精度が悪くなるといった問題もある。本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、転写パターンを形成する既存の層構造を変更することなく、位置合わせマークの転写による二重露光により半導体装置の性能劣化を回避して、特に固体撮像装置などの撮像ムラを防止することができるフォトマスク及びこのようなフォトマスクを用いた露光装置を得ることを目的とする。本発明に係るフォトマスクは、光透過部材により構成されたマスク基板を有し、半導体ウエハの各チップ領域に転写する転写パターンを、該マスク基板上に形成したフォトマスクであって、該マスク基板は、該半導体ウエハの隣接する複数のチップ領域に対応し、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域を複数含むパターン形成領域と、該マスク基板のパターン形成領域内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、該半導体ウエハのスクライブ領域に対応するスクライブ対応領域とを有し、該フォトマスクの位置合わせマークを、該マスク基板上の、該パターン形成領域の外側に、該スクライブ対応領域の延長線上に位置するよう配置したものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記フォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域が、偶数行偶数列の行列状に配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板における該パターン形成領域の外側の部分であって、行方向あるいは列方向に沿った中央のスクライブ対応領域の延長線上に配置されていることが好ましい。本発明は、上記フォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する描画パターンが形成されたチップ対応領域が2行2列配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板上の該パターン形成領域の外側の部分であって、第1行のチップ領域と第2行のチップ領域との間のスクライブ対応領域の延長線上に、該パターン形成領域を挟むよう該パターン形成領域の両側に配置されていることが好ましい。本発明は、上記フォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域が、偶数行奇数列あるいは奇数行偶数列の行列状に配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板における該パターン形成領域の外側の部分であって、行方向あるいは列方向に沿った中央のスクライブ対応領域の延長線上に配置されていることが好ましい。本発明は、上記フォトマスクにおいて、前記マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域が3行2列配置されており、前記位置合わせマークは、該マスク基板上の該パターン形成領域の外側の部分であって、第1行あるいは第3行のチップ領域と第2行のチップ領域との間のスクライブ対応領域の延長線上に、該パターン形成領域を挟むよう該パターン形成領域の両側に配置されていることが好ましい。本発明は、上記フォトマスクにおいて、前記マスク基板上に形成され、前記露光パターンを有する遮光膜を備えていることが好ましい。本発明に係る露光装置は、上述した本発明に係るフォトマスクを用いて半導体ウエハの感光性材料層に該フォトマスクの転写パターンを転写する露光装置であって、露光光を発生する光源と、該半導体ウエハを載置するウエハ載置台と、該フォトマスクを、該ウエハ載置台と該光源との間に位置するよう保持するマスク保持部とを備え、該ウエハ載置台を該フォトマスクに対して、該チップ領域の配列ピッチの整数倍の移動ピッチで相対移動させて、該半導体ウエハの複数のチップ領域毎に繰り返し該転写パターンを転写するものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記露光装置において、前記マスク保持部を移動可能に保持する移動機構を備え、前記フォトマスクの転写パターンを前記半導体ウエハのチップ領域に転写する際、該フォトマスクを通過した露光光により該半導体ウエハのチップ領域がスキャンされるよう、該マスク保持部を、該光源に対して該ウエハ載置台とともに相対的に移動させることが好ましい。本発明は、上記露光装置において、前記フォトマスクは、半導体装置を構成する半導体層、絶縁層及び金属層の少なくとも1つの平面パターンを、前記半導体ウエハ上に形成した感光性材料層に転写するものであることが好ましい。本発明は、上記露光装置において、前記半導体装置は、複数の画素を配列してなり、被写体の撮像を行う撮像部を有し、該撮像部の各画素で光電変換により生成した信号電荷を画像信号として出力する固体撮像装置であり、該撮像部は、各チップ領域の中央部に位置し、該チップ領域の周辺部には、該撮像部の各画素からの信号電荷が画像信号として読み出されるよう該撮像部を制御する周辺回路が配置されていることが好ましい。次に作用について説明する。本発明においては、フォトマスクを構成するマスク基板を、該半導体ウエハの隣接する複数のチップ領域に対応し、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域を複数含むパターン形成領域と、該マスク基板のパターン形成領域内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、該半導体ウエハのスクライブ領域に対応するスクライブ対応領域とを有する構造とし、該フォトマスクと該半導体ウエハとの位置合わせに用いる位置合わせマークを、該マスク基板上の、該パターン形成領域の外側に、該スクライブ対応領域の延長線上に位置するよう配置したので、このフォトマスクを用いてステップアンドリピートにより半導体ウエハのチップ領域を順次露光する際に、位置合わせマークのパターンはスクライブライン上に転写されることとなり、位置合わせマークの転写による二重露光により半導体装置の性能劣化、特に固体撮像装置などの撮像ムラを防止することができる。また、本発明では、フォトマスクの転写パターンを形成する層構造としては既存の構造、つまりマスク基板の下側に形成した遮光膜の表面を反射防止膜で被覆した構造を変更する必要がなく、フォトマスクの作成時の複雑な工程はなく、また転写パターンを形成する層構造の厚膜化に伴う描画精度の低下も回避することができる。以上のように、本発明によれば、フォトマスクを構成するマスク基板を、該半導体ウエハの隣接する複数のチップ領域に対応し、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域を複数含むパターン形成領域と、該マスク基板のパターン形成領域内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、該半導体ウエハのスクライブ領域に対応するスクライブ対応領域とを有する構造とし、該フォトマスクと該半導体ウエハとの位置合わせに用いる位置合わせマークを、該マスク基板上の、該パターン形成領域の外側に、該スクライブ対応領域の延長線上に位置するよう配置したので、転写パターンを形成する既存の層構造を変更することなく、位置合わせマークの転写による二重露光により半導体装置の性能劣化を回避して、特に固体撮像装置などの撮像ムラを防止することができるフォトマスク及びこのようなフォトマスクを用いた露光装置を実現することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1によるフォトマスクレチクルを説明する図であり、図1aは平面図、図1bは図1aのA-A’線部分の断面図である。本発明の実施形態1によるレチクル100は、ガラスなどの光透過部材により構成されたマスク基板108と、マスク基板108の下面に形成され、露光パターンを有する遮光膜107と、該遮光膜107の下面に形成された反射防止膜106とを有している。遮光膜107は通常クロムで構成されており、半導体ウエハ1の各チップ領域1a図12b参照に転写する転写パターンを有している。ここでは、レチクル100は固体撮像装置の製造に用いるものとしている。マスク基板108は、半導体ウエハ1の隣接する複数のチップ領域1aに対応し、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域Rp1~Rp4を複数含むパターン形成領域110と、マスク基板108のパターン形成領域110内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、半導体ウエハの水平スクライブ領域Hs及び垂直スクライブ領域Vs図12b参照に対応するスクライブ対応領域140及び150とを有している。ここで、マスク基板108は2行2列の行列状に配列された4つのチップ対応領域Rp1~Rp4を有し、各チップ対応領域には1つのチップ領域1a図12bに対応する転写パターン図示せずが形成されており、このレチクル100では、レチクル100と半導体ウエハ1との位置合わせに用いる位置合わせマーク110aは、第1行のチップ領域Rp1及びRp2と第2行のチップ領域Rp3及びRp4との間のスクライブ対応領域140の延長線上に、該パターン形成領域110を挟むよう該パターン形成領域110の両側に配置されている。この位置合わせマーク110aは、遮光膜107及び反射防止膜106に所定の平面パターンを有する開口を形成してなるものである。なお、図1bでは、図1aに示すレチクル100を図11に示す露光装置1000に取付付けて、レジスト膜2を塗布した半導体ウエハ1をウエハ載置台20上に載置し、半導体ウエハ1とレチクル100とを相対的に位置決めして、露光装置による露光を開始する準備をした状態を示している。次に、図11に示す露光装置により半導体ウエハのチップ領域にレチクルの転写パターンを投影して、半導体ウエハ上に形成したレジスト膜2を露光する動作について説明する。ここでは、図1aに示すレチクル100の水平方向紙面左右方向に沿って、半導体ウエハ1上で3ショット分の露光を行う場合を説明する。図2は1ショット目の露光処理後の露光状態を示す図であり、図2aは断面図、図2bは平面図であり、図2aでは、露光光の経路とともに、レジスト膜の露光状態を示し、図2bでは、1ショット目で露光される半導体ウエハのチップ領域を示している。図1bに示すようにレチクル100を半導体ウエハ1に対して位置決めした状態で、光源50からの露光光をコンデンサレンズ40を介してレチクル100に照射すると1ショット目、レチクル100のパターン形成領域110に露光光が導入され、このパターン形成領域110に形成されている、2行2列のチップ対応領域Rp1~Rp4の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の2行2列のチップ領域11a1~11a4に形成される。ここで、チップ領域11a1~11a4は1ショット目の露光領域11である。露光装置1000図11参照は、光源50からの露光光Leはレチクル100のパターン形成領域110にのみ入射する構造としているが、パターン形成領域110の周縁部では、一部の光がレチクル100の遮光膜107としてのクロム膜に入射すると、クロム膜は反射率が高いことから、反射した光はレンズ40に向かい、さらにレンズ40の表面で反射され、レンズ40の表面からの反射光Lrは、通常、露光光が通過しない位置合わせマーク110aを通過し、半導体ウエハ1上のレジスト2中の、露光対象となっている2行2列のチップ領域の外側の領域に露光部分11b1及び11b2を形成することとなる。ただし、これらの露光部分11b1及び11b2は、水平スクライブ領域Hs上に位置している。この露光装置は、ステージウエハ載置台20を移動して逐次露光を行うステッピングアンドリピート方式であるため、続いて、2回目以降の露光が行われる。図3は2ショット目の露光処理後の露光状態を示す図であり、図3aは断面図、図3bは平面図であり、図3aでは、露光光の経路とともに、レジスト膜の露光状態を示し、図3bでは、2ショット目で露光される半導体ウエハのチップ領域を示している。1ショット目の露光後に、ウエハ載置台20をX方向に2チップ領域に相当する距離だけ移動させた状態で、光源50からの露光光をコンデンサレンズ40を介してレチクル100に照射すると2ショット目、レチクル100のパターン形成領域110に露光光が導入され、このパターン形成領域110に形成されている、2行2列のチップ対応領域Rp1~Rp4の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の2行2列のチップ領域12a1~12a4に形成される。ここで、チップ領域12a1~12a4は2ショット目の露光領域12である。この場合、2行2列のチップ対応領域Rp1~Rp4の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の2行2列のチップ領域12a1~12a4に形成される。このとき、位置合わせマーク部110aからの露光光により露光され、露光部分12b1および12b2が形成され、露光部分12b1は、水平スクライブ領域Hs上に形成され、前回露光されたいずれのチップ領域の撮像部に相当する領域が二重露光されることはない。前回の位置合わせマークに転写部分露光部分11b2も、水平スクライブ領域Hs上に形成されているので、今回露光されたチップ領域の撮像部に相当する領域に二重露光されることはない。図4は3ショット目の露光処理後の露光状態を示す図であり、図4aは断面図、図4bは平面図であり、図4aでは、露光光の経路とともに、レジスト膜の露光状態を示し、図4bでは、3ショット目で露光される半導体ウエハのチップ領域を示している。2ショット目の露光後に、ウエハ載置台20をX方向に2チップ領域に相当する距離だけ移動させた状態で、光源50からの露光光をコンデンサレンズ40を介してレチクル100に照射すると3ショット目、レチクル100のパターン形成領域110に露光光が導入され、このパターン形成領域110に形成されている、2行2列のチップ対応領域Rp1~Rp4の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の2行2列のチップ領域13a1~13a4に形成される。ここで、チップ領域13a1~13a4は3ショット目の露光領域13である。この場合、2行2列のチップ対応領域Rp1~Rp4の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の2行2列のチップ領域13a1~13a4に形成される。このとき、位置合わせマーク部110aからの露光光により露光され、露光部分13b1および13b2が水平スクライブ領域Hs上に形成され、前回露光されたいずれのチップ領域の撮像部に相当する領域が二重露光されることはない。前回の位置合わせマークに転写部分露光部分12b2も、水平スクライブ領域Hs上に形成されているので、今回露光されたチップ領域の撮像部に相当する領域に二重露光されることはない。このようにステージウエハ載置台を移動して逐次露光を行う処理を、半導体ウエハの全領域に対して行い、その後、レジスト膜の現像処理を行い、さらに、現像して得られたレジストマスクを用いて、半導体層、絶縁層、あるいは金属膜のパターニングを行う。このように本実施形態1のフォトマスクレチクル100を用いた露光では、フォトマスク100を構成するマスク基板108を、半導体ウエハ1の隣接する複数のチップ領域1aに対応し、1つのチップ領域1aに対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域Rp1~R4を含むパターン形成領域110と、該マスク基板108のパターン形成領域110内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、該半導体ウエハ1のスクライブ領域Hs及びVsに対応するスクライブ対応領域140及び150とを有する構造とし、該フォトマスクと該半導体ウエハとの位置合わせに用いる位置合わせマーク110aを、該マスク基板108上の、該パターン形成領域110の外側に、該スクライブ対応領域140の延長線上に位置するよう配置したので、レチクル100の位置合わせマーク110aに対応する露光部分は、半導体ウエハの水平スクライブ領域上に形成されることとなる。このため、チップ領域の撮像部に対応する部分に、位置合わせマークの転写による二重露光されて半導体装置の性能劣化、特に固体撮像装置などの撮像ムラが生ずるのを防止することができる。その結果、マスク作成工程の削減により、経費削減、描画精度の向上、TAT短縮の効果がえられる。なお、上記実施形態1では、マスク基板のパターン形成領域には、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域が、2行2列配置されているものを示したが、このパターン形成領域でのチップ対応領域の配列は2行2列に限定されるものではなく、4行4列などの配列でもよく、基本的には偶数行偶数列の配列であれば、同様の効果が得られる。さらに、露光装置におけるレチクルの位置合わせマークを検知するカメラが、露光装置の光源に対して相対的に固定され、カメラの位置がレチクルの縦側辺の中央部に配置されているものでは、上記のとおり、パターン形成領域でのチップ対応領域の配列は、偶数行偶数列が望ましいが、露光装置の構成によっては、パターン形成領域でのチップ対応領域の配列は、偶数行偶数列の配列に限定されるものではなく、例えば、2行3列などの偶数行奇数列あるいは3行2列などの奇数行偶数列の行列状配列でもよい。実施形態2図5は、この本発明の実施形態2によるフォトマスクを用いる露光装置を説明する図である。この露光装置1000aは、本実施形態2によるフォトマスク以下レチクルともいう。100a図7参照を用いて半導体ウエハ1の感光性材料層に該レチクル100aの転写パターンを転写するものである。この露光装置1000aは、露光光を発生するライン状光源50aと、該半導体ウエハを載置するウエハ載置台20と、ウエハ載置台20をX方向及びY方向に移動可能に保持する固定基台10と、該レチクル100aを、該ウエハ載置台20と該光源50との間に位置するよう保持するマスク保持部201と、該光源50とレチクル100aとの間に位置し、光源50aからの光を平行光束に変換するシリンドリカルコンデンサレンズ40aと、該レチクル100aと半導体ウエハ1との間に位置し、レチクル100aの転写パターンを半導体ウエハ1上に投影する投影レンズ30とを備えている。この露光装置1000aも、図11に示す露光装置1000と同様、その露光方式はステージ移動して逐次露光を行うステッピングアンドリピート方式としているが、この露光装置1000aでは、1ショットの露光を行う際に、レチクル100aがその縦方向Y方向に移動するようマスク保持部201を、ウエハ載置台20と同期させて移動させる構成となっている。図6は、本発明の実施形態2によるフォトマスクを用いた露光装置における光源、半導体ウエハ及びレチクルの位置関係を示す平面図である。この露光装置1000aでは、レチクル保持部201及びウエハ載置台20は駆動系1010に接続されており、レチクル保持部201も移動可能となっている。そして、この露光装置1000aは、レチクル100aをレチクル保持部201に載置したとき、レチクル保持部201をY方向に移動させて、レチクルの位置合わせマーク111aの位置を認識し、この露光装置1000aとの位置関係を保持するよう構成されている。また、この露光装置1000aは、1ショットの露光を行う際には、レチクル保持部201とウエハ載置台20とが、半導体ウエハ1の、3行2列のチップ領域がレチクルの転写パターンで露光されるよう駆動系1010により駆動される構成となっている。なお、この露光装置1000aも、ウエハ載置台20をレチクル100aに対して、該チップ領域の配列ピッチの整数倍の移動ピッチで相対移動させて、該半導体ウエハの複数のチップ領域毎に繰り返し該転写パターンを転写するよう構成されている。次に、この露光装置1000aは、実施形態1のレチクルのように位置合わせマークが、レチクルの縦辺の中央部に位置するものだけでなく、図5及び図6に示すように、位置合わせマークが、レチクルの縦辺の中央部から一方の側辺側にずれて位置するものも用いることができる。図7は、本発明の実施形態2によるフォトマスクレチクルを説明する図であり、図7aは平面図、図7bは図7aのB-B’線部分の断面図である。本発明の実施形態2によるレチクル100aは、ガラスなどの光透過部材により構成されたマスク基板108と、マスク基板108の下面に形成され、露光パターンを有する遮光膜107と、該遮光膜107の下面に形成された反射防止膜106とを有している。遮光膜107は通常クロムで構成されており、半導体ウエハ1の各チップ領域1aに転写する転写パターンを有している。ここでは、レチクル100aは固体撮像装置の製造に用いるものとしている。マスク基板108は、半導体ウエハ1の隣接する複数のチップ領域に対応し、1つのチップ領域に対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域を複数含むパターン形成領域110bと、マスク基板108のパターン形成領域110b内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、半導体ウエハのスクライブ領域Hs及びVsに対応するスクライブ対応領域140a及び150aとを有している。ここで、マスク基板108は3行2列の行列状に配列された6つのチップ対応領域Rp1~Rp6を有し、各チップ対応領域には1つのチップ領域に対応する転写パターン図示せずが形成されており、このレチクル100aでは、レチクル100aと半導体ウエハ1との位置合わせに用いる位置合わせマーク111aは、1行目の左右のチップ対応領域Rp1及びRp2と、2行目の左右のチップ対応領域Rp3及びRp4との間のスクライブ対応領域140aの延長線上に、該パターン形成領域110bを挟むよう配置されている。この位置合わせマーク111aは、遮光膜107及び反射防止膜106に所定の平面パターンを有する開口を形成してなるものである。なお、図7bでは、図7aに示すレチクル100aを図5に示す露光装置1000aに取付付けて、レジスト膜2を塗布した半導体ウエハ1をウエハ載置台20上に載置し、半導体ウエハ1とレチクル200とを相対的に位置決めして、露光装置による露光を開始する準備をした状態を示している。次に、図5に示す露光装置1000aにより半導体ウエハ1のチップ領域1aにレチクルの転写パターンを投影して、半導体ウエハ1上に形成したレジスト膜2を露光する動作について説明する。ここでは、図7aに示すレチクル100aの水平方向紙面左右方向に沿って、半導体ウエハ1上で3ショット分の露光を行う場合を説明する。図8は1ショット目の露光処理後の露光状態を示す図であり、図8aは断面図、図8bは平面図であり、図8aでは、露光光の経路とともに、レジスト膜の露光状態を示し、図8bでは、1ショット目で露光される半導体ウエハのチップ領域を示している。図7bに示すようにレチクル100aを半導体ウエハ1に対して位置決めした状態で、ライン状光源50aからの露光光をシリンドリカルコンデンサレンズ40aを介してレチクル100に照射し、この状態で、図5及び図6に示すように、レチクル保持部201及びウエハ載置台20をY方向に移動させると1ショット目、レチクル100aのパターン形成領域110bに形成されている、3行2列のチップ対応領域Rp1~Rp6の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の3行2列のチップ領域121a1~121a6に形成される。ここで、チップ領域121a1~121a6は1ショット目の露光領域121である。このとき、露光装置1000a図5及び図6参照は、光源50aからの露光光Leはレチクル100aのパターン形成領域110bにのみ入射する構造としているが、パターン形成領域110bの周縁部では、一部の光がレチクル100aの遮光膜107としてのクロム膜に入射すると、クロム膜は反射率が高いことから、反射した光はレンズ40に向かい、さらにレンズ40の表面で反射され、レンズ40の表面からの反射光Lrは、通常、露光光が通過しない位置合わせマーク111aを通過し、半導体ウエハ1上のレジスト2中の、露光対象となっている3行2列のチップ領域の外側の領域に露光部分121b1及び121b2を形成することとなる。ただし、これらの露光部分121b1及び121b2は、水平スクライブ領域Hs上に位置している。続いて、この露光装置1000aは、ステージウエハ載置台20を移動して逐次露光を行うステッピングアンドリピート方式であるため、2回目以降の露光が行われる。図9は2ショット目の露光処理後の露光状態を示す図であり、図9aは断面図、図9bは平面図であり、図9aでは、露光光の経路とともに、レジスト膜の露光状態を示し、図9bでは、2ショット目で露光される半導体ウエハ1のチップ領域を示している。1ショット目の露光後に、ウエハ載置台20をX方向に2チップ領域に相当する距離だけ移動させた状態で、ライン状光源50aからの露光光をシリンドリカルコンデンサレンズ40aを介してレチクル100aに照射し、この状態で、図5及び図6に示すように、レチクル保持部201及びウエハ載置台20をY方向に移動させると2ショット目、レチクル100aのパターン形成領域110bに露光光が導入され、このパターン形成領域110bに形成されている、3行2列のチップ対応領域Rp1~Rp6の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の3行2列のチップ領域122a1~122a6に形成される。ここで、チップ領域122a1~122a6は2ショット目の露光領域122である。この場合、3行2列のチップ対応領域Rp1~Rp6の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の3行2列のチップ領域122a1~122a6に形成される。このとき、位置合わせマーク部111aからの露光光により露光され、露光部分122b1および122b2が形成され、露光部分122b1は、水平スクライブ領域Hs上に形成され、前回露光されたいずれのチップ領域の撮像部に相当する領域が二重露光されることはない。前回の位置合わせマークに転写部分露光部分121b2も、水平スクライブ領域Hs上に形成されているので、今回露光されたチップ領域の撮像部に相当する領域に二重露光されることはない。図10は3ショット目の露光処理後の露光状態を示す図であり、図10aは断面図、図10bは平面図であり、図10aでは、露光光の経路とともに、レジスト膜の露光状態を示し、図10bでは、3ショット目で露光される半導体ウエハのチップ領域を示している。2ショット目の露光後に、ウエハ載置台20をX方向に2チップ領域に相当する距離だけ移動させた状態で、光源50からの露光光をコンデンサレンズ40を介してレチクル100に照射し、この状態で、図5及び図6に示すように、レチクル保持部201及びウエハ載置台20をY方向に移動させると3ショット目、レチクル100aのパターン形成領域110bに露光光が導入され、このパターン形成領域110bに形成されている、3行2列のチップ対応領域Rp1~Rp6の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の3行2列のチップ領域123a1~123a6に形成される。ここで、チップ領域123a1~123a6は3ショット目の露光領域123である。この場合、3行2列のチップ対応領域Rp1~Rp6の転写パターンの像が、半導体ウエハ1上の3行2列のチップ領域123a1~123a6に形成される。このとき、位置合わせマーク部111aからの露光光により露光され、露光部分123b1および123b2が水平スクライブ領域Hs上に形成され、前回露光されたいずれのチップ領域の撮像部に相当する領域が二重露光されることはない。前回の位置合わせマークに転写部分露光部分122b2も、水平スクライブ領域Hs上に形成されているので、今回露光されたチップ領域の撮像部に相当する領域に二重露光されることはない。このようにステージウエハ載置台を移動して逐次露光を行う処理を、半導体ウエハの全領域に対して行い、その後、レジスト膜の現像処理を行い、さらに、現像して得られたレジストマスクを用いて、半導体層、絶縁層、あるいは金属膜のパターニングを行う。このように本実施形態2のフォトマスクレチクル100aを用いた露光では、フォトマスク100aを構成するマスク基板108を、半導体ウエハ1の隣接する複数のチップ領域1aに対応し、1つのチップ領域1aに対応する転写パターンが形成されたチップ対応領域Rp1~Rp6含むパターン形成領域110bと、該マスク基板108のパターン形成領域110b内に、隣接するチップ対応領域を分離するよう形成され、該半導体ウエハ1のスクライブ領域Hs及びVsに対応するスクライブ対応領域140a及び150aとを有する構造とし、該フォトマスクと該半導体ウエハとの位置合わせに用いる位置合わせマーク111aを、該マスク基板108上の、該パターン形成領域110の外側に、1行目のチップ対応領域と2行目のチップ対応領域との間の該スクライブ対応領域140aの延長線上に位置するよう配置したので、レチクル100aの位置合わせマーク111aに対応する露光部分は、半導体ウエハの水平スクライブ領域上に形成されることとなる。このため、チップ領域の撮像部に対応する部分に、位置合わせマークの転写による二重露光されて半導体装置の性能劣化、特に固体撮像装置などの撮像ムラが生ずるのを防止することができる。なお、上記実施形態では、レチクルの位置合わせマークは、水平方向のスクライブ対応領域の延長上に配置しているが、これに限らず、レチクルの位置合わせマークは、垂直方向のスクライブ対応領域の延長線上に配置していもよい。また、レチクルの位置合わせマークは、レチクルにおける3行2列のチップ対応領域の配列において、2行目のチップ対応領域と3行目のチップ対応領域の間の水平方向のスクライブ対応領域の延長上に配置してもよい。以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。