水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸塩及び水を含むことを特徴とするレジスト用現像液。過硫酸塩が過硫酸カリウム又は過硫酸アンモニウムであることを特徴とする請求項1に記載のレジスト用現像液。レジスト用現像液全体に対し、水酸化テトラメチルアンモニウムを0.1~8重量、過硫酸塩を0.01~1重量含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のレジスト用現像液。レジスト用現像液のpHが9以上14以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のレジスト用現像液。請求項1~4のいずれかに記載のレジスト用現像液を使用することを特徴とするレジストの現像方法。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造プロセスを簡略化することができるレジスト用現像液を提供することにある。本発明者らは、製造プロセスを簡略化するため、レジスト下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができるレジスト用現像液について鋭意検討した結果、水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸カリウム及び水を含む液が、レジストを現像すると同時にレジスト下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、以下に示すとおりのレジスト用現像液である。[1]水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸塩及び水を含むことを特徴とするレジスト用現像液。[2]過硫酸塩が過硫酸カリウム又は過硫酸アンモニウムであることを特徴とする上記[1]に記載のレジスト用現像液。[3]レジスト用現像液全体に対し、水酸化テトラメチルアンモニウムを0.1~8重量、過硫酸塩0.01~1重量を含むことを特徴とする上記[1]又は[2]に記載のレジスト用現像液。[4]レジスト用現像液のpHが9以上14以下であることを特徴とする上記[1]~[3]のいずれかに記載のレジスト用現像液。[5]上記[1]~[4]のいずれかに記載のレジスト用現像液を使用することを特徴とするレジストの現像方法。本発明のレジスト用現像液は、有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造において、レジストを現像すると同時にレジスト下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができるため、工業的に極めて有用である。本発明のレジスト用現像液の必須成分は、水酸化テトラメチルアンモニウム、過硫酸塩及び水である。本発明のレジスト用現像液における水酸化テトラメチルアンモニウムとしては、特に制限はなく、一般に流通しているものを使用することができる。本発明のレジスト用現像液を、有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造に使用する場合は、金属イオン含有量が少ないものを使用することが好ましい。本発明の現像液における過硫酸塩としては、例えば過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等が挙げられ、pH変動が小さく、性能への影響が小さい過硫酸カリウム又は過硫酸アンモニウムが特に好ましい。過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウムとしては工業的に流通しているものを使用することができる。本発明のレジスト用現像液において、水酸化テトラメチルアンモニウム及び過硫酸塩は水に溶解して使用される。発明のレジスト用現像液は、不溶部のレジストへのダメージがなく、レジスト現像性に優れた現像液となることから、pHが9以上14以下が好ましく、特に好ましくは10以上14以下である。本発明のレジスト用現像液の組成は、レジストの現像性、タングステン酸化物のエッチング性に優れたものとなることから、現像液全体に対し、水酸化テトラメチルアンモニウム0.1~8重量、過硫酸塩0.01~1重量が好ましく、特に好ましくは、水酸化テトラメチルアンモニウム0.2~3重量、過硫酸塩0.03重量~0.5重量である。本発明のレジスト用現像液は、非常に現像性能が高く、低温でも十分使用することができ、現像速度、水の蒸散蒸発の観点から、使用温度としては、0~100°Cが好ましい。本発明の現像液は、バッチ式、枚葉式のいずれも問題なく使用することができ、また、スプレー噴霧による洗浄やその他一般的な方法を使用しても差し支えない。さらに、必要に応じて超音波を併用することができる。被処理物上のフォトレジストを現像した後のリンスとしては、アルコールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリンスするだけで十分である。本発明のレジスト現像液は、半導体集積回路、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイに広く使用されているポジ型レジストを現像するのに使用されるが、タングステン酸化物のエッチングに優れているだけではなく、レジストの現像においても、優れた効果を発現する。例えば、露光部と非露光部の溶解選択性が優れている、露光部溶解の時間や温度依存性が少ない、現像不良率を低減できる、微細配線化が可能であるなどの効果が期待できる。本発明のレジスト用現像液は、有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造工程において、レジストを現像する現像液及びレジスト下層部のタングステン酸化物のエッチング液として使用される。本発明のレジスト用現像液は、現像処理速度及びタングステン酸化物のエッチング速度のバランスに優れるため、不溶部のレジストを溶解したり、タングステン酸化物のサイドエッチングが大きくなることはなく、レジスト現像と下層部のタングステン酸化物のエッチングを同時に行うことができる。本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。TMAH:水酸化テトラメチルアンモニウムKPS:過硫酸カリウムAPS:過硫酸アンモニウムWO:タングステン酸化物実施例1~4、比較例1~2膜厚20nmのタングステン酸化物層の上に、ノボラック系フォトレジスト層を成膜した基板に回路パターンをマスクして露光した。表1に記載の現像液に、25°Cで30~120秒浸漬した。これを水洗乾燥し、現像性能及びエッチング性能を確認した。レジスト現像性として、現像できたものは○、現像できなかったものは×と評価した。下層部のタングステン酸化物WOエッチング性は、エッチングできたものは○、エッチングできなかったものは×とした。それらの結果を表1にあわせて示す。表1から明らかなように、本発明のレジスト用現像液は、レジストを現像すると同時に下層部のタングステン酸化物をエッチングすることができる。一方、水酸化テトラメチルアンモニウムを用いなかった比較例1では、レジスト現像性が劣り、過硫酸塩を用いなかった比較例2では、WOエッチング性が劣るものであった。