"電気活性ポリマーEAPで形成されたEAP層と、前記EAP層への物質の浸透を防止する保護層と、活性電極と、を有する単位層を含むことを特徴とする多層電気活性ポリマーデバイス。前記保護層は、前記電気活性ポリマーEAPを溶解する第1溶媒に溶解しないポリマーで形成されることを特徴とする請求項1に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記保護層は、前記電気活性ポリマーが溶解しない第2溶媒に溶解するポリマーで形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記EAP層は、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロフルオロエチレン及びポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロトリフルオロエチレンからなる群から選択される少なくとも1種のポリマーで形成され、前記保護層は、ポリビニルフェノール、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリジメチルシロキサン、ポリ4-ビニルピリジン及びポリアクリル酸からなる群から選択される少なくとも1種のポリマーで形成される、請求項2または3に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記保護層は、前記EAP層上に形成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記EAP層、前記活性電極、および前記保護層がこの順に積層されてなることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記EAP層上に形成された第1保護層に加えて、さらに第2保護層を含み、前記活性電極は、前記第1保護層と前記第2保護層との間に形成されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記活性電極は、導電性ポリマーまたは100nm以下の厚さを有する金属で形成されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記金属は、金Au、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、ニッケルNi、クロムCr、及び鉄Feからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項8に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記導電性ポリマーは、ポリアニリン、ポリピロール、及びポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSSからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項8に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記電気活性ポリマーは、シリコン系誘電エラストマーまたはポリウレタン系誘電エラストマーであることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記単位層は、前記活性電極に電気的に接続された延長電極をさらに含み、隣合う二つの単位層の延長電極は、前記活性領域に対して互いに対向する位置に配されていることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記延長電極の側面と上面とを電気的に接続するように形成された共通電極をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記共通電極の一面と接触するエッチング停止層と、上側に行くほどその幅が増加する形状を有するビアホールと、をさらに含み、前記共通電極は、前記ビアホール内に形成されていることを特徴とする請求項13に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。一側面が階段状を有する非活性層と、前記共通電極の一面と接触するエッチング停止層と、をさらに含み、前記共通電極は、前記非活性層の一側面に形成されていることを特徴とする請求項13に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。基板上に電気活性ポリマーEAP溶液をフィルム状に形成した後に、前記EAP溶液の溶媒を除去して第1EAP層を形成する段階と、前記第1EAP層への物質の浸透を防止する保護層を形成する段階と、導電性物質で活性電極を形成する段階と、前記保護層上にEAP溶液をさらにフィルム状に形成した後に、前記EAP溶液の溶媒を除去して第2EAP層を形成する段階と、を含むことを特徴とする多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。前記保護層は、前記EAP溶液の溶媒に対して溶解しないポリマーで形成することを特徴とする請求項16に記載の多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。前記保護層は、前記多層電気活性ポリマーが溶解しない溶媒に溶解するポリマーで形成することを特徴とする請求項17に記載の多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。前記保護層は、前記第1EAP層上に形成し、前記活性電極は、前記保護層上に形成することを特徴とする請求項16~18のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。前記活性電極は、前記第1EAP層上に形成し、前記保護層は、前記活性電極が形成された前記第1EAP層上に形成することを特徴とする請求項16~18のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。前記第1EAP層上に第1保護層を形成する段階と、前記第1保護層上に前記活性電極を形成する段階と、前記活性電極が形成された前記第1保護層上に第2保護層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項19に記載の多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。前記EAP層は、スピンコーティング法を用いて、前記EAP溶液をフィルム状に形成することによって得られることを特徴とする請求項16~21のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。前記EAP層が第1EAP層及び第2EAP層の少なくとも2つのEAP層を含み、前記多層電気活性ポリマーデバイスは、活性領域及び前記活性領域にそれぞれ隣接した第1非活性領域と第2非活性領域とに区画され、前記第1EAP層への物質の浸透を防止する第1保護層と、前記活性領域から前記第1非活性領域まで延びるように形成された第1活性電極と、前記第1EAP層上に電気活性ポリマーで形成された第2EAP層と、前記第2EAP層への物質の浸透を防止する第2保護層と、前記活性領域から前記第2非活性領域まで延びるように形成された第2活性電極と、を含むことを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記第1保護層は、前記第1EAP層上に形成され、前記第2保護層は、前記第2EAP層上に形成されることを特徴とする請求項23に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記第1保護層は、前記第1活性電極上に形成され、前記第2保護層は、前記第2活性電極上に形成されることを特徴とする請求項23に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記第1保護層及び前記第2保護層は、それぞれ2つの層で構成され、前記第1活性電極と前記第2活性電極は、それぞれ前記2つの層の間に形成されることを特徴とする請求項24に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記第1及び第2保護層は、それぞれ前記電気活性ポリマーが溶解する第1溶媒に溶解せず、また前記電気活性ポリマーが溶解しない第2溶媒に溶解するポリマーで形成されることを特徴とする請求項23~26のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記第1活性電極と電気的に連結されるように、前記第1非活性領域に形成された第1延長電極と、前記第2活性電極と電気的に連結されるように、前記第2非活性領域に形成された第2延長電極と、をさらに含み、前記第1非活性領域に積層されている複数の前記第1延長電極を電気的に連結する第1共通電極と、前記第2非活性領域に積層されている複数の前記第2延長電極を電気的に連結する第2共通電極と、を含むことを特徴とする請求項23~27のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記第1非活性領域には、前記第1延長電極の上面の一部を露出させるように、上側に行くほどその幅が段階的に増加する第1ビアホールが形成されており、前記第2非活性領域には、前記第2延長電極の上面の一部を露出させるように、上側に行くほどその幅が段階的に増加する第2ビアホールが形成されており、前記第1共通電極は、前記第1ビアホールに形成されており、前記第2共通電極は、前記第2ビアホールに形成されていることを特徴とする請求項28に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。一側面が階段状である第1非活性層、及び一側面が階段状である第2非活性層を有し、前記第1共通電極は、前記第1非活性層の一側面に形成され、前記第2共通電極は、前記第2非活性層の一側面に形成されていることを特徴とする請求項28に記載の多層電気活性ポリマーデバイス。前記EAP溶液は、ポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロフルオロエチレン及びポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロトリフルオロエチレンからなる群から選択される少なくとも1種のポリマーを含み、前記保護層は、ポリビニルフェノール、ポリアクリル酸及びポリビニルアルコールからなる群から選択される少なくとも1種のポリマーで形成される請求項16~22のいずれか1項に記載の多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法。しかしながら、特許文献1に開示された多層構造を溶媒キャスト法を用いて製造する場合、後から形成される層の溶媒が、既に蒸着された層に浸透する場合があった。その結果、活性電極にクラックが発生したり、EAP層の表面が損傷する場合があり、薄膜の厚さが不均一となってしまう。したがって、多層構造を形成する際の溶媒キャスト法の望ましくない特性を解決する必要がある。本発明の目的は、製造工程が簡便で生産性が向上し、また製造コストが節減されるだけではなく、活性電極に損傷が少なく、生産性が向上した多層電気活性ポリマーデバイス及びその製造方法を提供することである。上記課題を解決するために鋭意検討した結果、単位層が、電気活性ポリマーEAPで形成されたEAP層と、前記EAP層への物質の浸透を防止する保護層と、活性電極と、を含むことを特徴とする多層電気活性ポリマーデバイスにより上記課題が解決されることを見出した。本発明の多層電気活性ポリマーデバイス活性電極によれば、損傷が少なく、生産性が向上する。本発明の一実施形態による多層電気活性ポリマーデバイスは、積層された単位層unitlayersを含む。そして、単位層は、電気活性ポリマーEAPで形成されたEAP層と、EAP層への物質の浸透を防止するように形成された保護層protectinglayerと、活性電極activeelectrodeと、を含む。活性電極は、保護層上に形成されるか、またはEAP層上に形成される。本発明の一実施形態では、保護層は、活性電極が形成されたEAP層上に形成することができる。本発明の一実施形態では、保護層は、2つの層からなり、活性電極は、二つの保護層の間に挟まれる。本発明の一実施形態による多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法では、まず基板上に電気活性ポリマーEAP溶液をフィルム状に形成した後、溶媒を除去して第1EAP層を形成する。そして、第1EAP層に物質の浸透を防止する保護層と活性電極とを形成する。この際、保護層を第1EAP層上に形成し、活性電極は、保護層上に形成しうる。または、活性電極を第1EAP層上に形成し、保護層は、活性電極が形成された第1EAP層上に形成することもできる。または、第1EAP層上に第1保護層を形成した後、第1保護層上に活性電極を形成し、活性電極が形成された第1保護層上に第2保護層を形成することもできる。そして、保護層または上面に活性電極が形成された保護層上に電気活性ポリマーEAP溶液をさらにフィルム状に形成した後に、EAP溶液の溶媒を除去して第2EAP層を形成する。本発明の他の実施形態による多層EAPデバイスは、活性領域及びこれにそれぞれ隣接した第1非活性領域と第2非活性領域とに区画される。そして、多層EAPデバイスは、電気活性ポリマーEAPで形成された第1EAP層と、第1EAP層への物質の浸透を防止するように形成された第1保護層と、活性領域から第1非活性領域まで延びるように導電性物質で形成された第1活性電極と、第1保護層上に電気活性ポリマーで形成された第2EAP層と、第2EAP層への物質の浸透を防止するように形成された第2保護層と、活性領域から第2非活性領域まで延びるように配置された第2活性電極と、を含む。保護層は、活性電極の下部にのみ形成されるか、または上部にのみ形成されるか、または活性電極の上下部にいずれも形成される。本発明の他の実施形態による多層電気活性ポリマーデバイスの製造方法では、次の過程からなるサイクルを複数回反復する。まず、活性領域及びこれにそれぞれ隣接した第1非活性領域と第2非活性領域とに区画されうる基板上に電気活性ポリマーEAP溶液をフィルム状に形成した後に、溶媒を除去して第1EAP層を形成する。そして、第1EAP層上に第1保護層を形成し、少なくとも活性領域をカバーし、第1非活性領域に延びるように第1保護層上に第1活性電極を形成する。そして、第1活性電極が形成された第1保護層上に電気活性ポリマーEAP溶液をフィルム状に形成した後に、溶媒を除去して第2EAP層を形成し、第2EAP層上に第2保護層を形成する。次いで、少なくとも活性領域をカバーし、第2非活性領域に延びるように第2保護層上に第2活性電極を形成する。ここで、保護層を形成する過程と活性電極を形成する過程は、順序が変わりうる。または、活性電極を形成した後に、保護層を形成する過程が追加されることもある。以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を詳しく説明する。使われる用語は、実施形態での機能を考慮して選択された用語である。したがって、後述する実施形態で使われた用語の意味は、本明細書に具体的に定義された場合には、その定義に従い、具体的な定義がない場合は、当業者が一般的に認識する意味として解釈される。また、第1物質層が、第2物質層上に形成されるとする場合に、それは、第1物質層が、第2物質層の真上に形成される場合はもとより、明示的にこれを排除する記載のない限り、他の第3の物質層が、第2物質層と第1物質層との間に介在されている場合も含むものと解釈されなければならない。さらに、EAP層が電気活性ポリマーで形成されたとは、EAP層が電気活性ポリマーを主成分として構成されていることを意味し、EAP層が他の成分を含むことを排除するものではない。したがって、電気活性ポリマーを含むEAP層と同義である。これは、保護層を形成するポリマーにおいても同様である。EAPデバイスは、電気的な刺激によって変形を行うことができるEAPの物理的特性を利用する電子機器であれば、あらゆる種類の電子機器が含まれうる。例えば、電気エネルギーを機械的なエネルギーに変換するアクチュエータやダイアフラムなどはもとより、機械的なエネルギーを電気的なエネルギーに変換するセンサーや電荷を保存するキャパシタなどもEAPデバイスに含まれうる。多層EAPデバイスは、EAP層と活性電極とが交互に配された構造を有するEAPデバイスを示す。すなわち、多層EAPデバイスは、少なくともEAP層及び活性電極を含む単位層が好適には複数個が積層されている構成を含む。単位層の積層数は、単位層の厚さにより適宜設定されうるが、単位層の厚さが0.8~1.5μmである場合には、5~25、好ましくは10~25の単位層が積層されうる。積層構造により、アクチュエータやダイアフラムなどの駆動電圧を減少させることができ、あるいはセンサーで発生する電流を増幅させる、またはキャパシタの容量を増大させることができると推測される。図1は、本発明の一実施形態による多層電気活性ポリマーデバイスmultilayeredElectro-ActivePolymerEAPdevice100の概略的な構造を示す斜視図であり、図2A及び図2Bは、それぞれ図1の多層EAPアクチュエータ100を構成する単位層の一例を概略的に示す斜視図である。図1、図2A、及び図2Bを参照すると、多層電気活性ポリマーデバイス100は、保護層120120a及び120bとEAP層110110a及び110bとを含む。但し、図1、図2A、及び図2Bでは、説明及び図示の便宜上、延長電極140140a及び140bを連結する構成要素例えば、図6の非活性領域II、IIIに形成されたビアホールviaholeH1、H2、及び共通電極151、152や多層EAPデバイス100の駆動に必要な電路やその他の周辺構造物例えば、固定フレームなどに対する図示は省略した。そして、図1、図2A、及び図2Bには、多層EAPデバイス100の平面形状が四角形の場合を示しているが、これは単に例示的なものである。多層EAPデバイスの平面形状には制限がなく、多層EAPデバイスが適用される装置の種類によって適宜適切な形状を採り得る。例えば、多層EAPデバイスは、図9Aと図9Bとに示されているもののような多角形状を有しうる。図1、図2A、及び図2Bを参照すると、多層EAPデバイス100は、活性領域Iと非活性領域II、IIIとに区画されうる。このような区画は、当該領域の物理的な構造はもとより、機能なども考慮したものである。例えば、活性領域Iは、駆動電圧が印加された時、変位を提供する領域多層EAPアクチュエータである場合、変形すると電流が発生する領域多層EAPセンサーである場合、または電荷を保存する領域多層EAPキャパシタである場合を示すことができる。したがって、活性領域Iの平面形状は、相異なる電位を有する一対の活性電極間に配置される平面形状に対応することができる。このような活性領域Iの平面形状も、特別な制限がなく、必要に応じて多様な形状をとりうる。例えば、活性領域Iは、梯形のように少なくとも一つの平行な辺を有する多角形状であるか、円状などであり得る。非活性領域II、IIIは、活性領域I以外の部分を示すが、好ましくは、積層された活性電極の電気的連結に利用される部分を示す。非活性領域II、IIIは、それぞれ活性領域Iに隣接した少なくとも二つの部分、すなわち、第1非活性領域II及び第2非活性領域IIIを含み、この場合に、非活性領域II、IIIは、積層された活性電極130130a及び130bを電気的に連結するのに利用される。非活性領域II、IIIは、また多層EAPデバイス100を他の構成要素例えば、固定フレームに物理的に固定するもののような付随的な用途として利用することもできる。多層EAPデバイス100は、一対の単位層が積層されている構造、より具体的に、2つの類型の単位層が交互に積層されている構造であり得る。例えば、図6に示されたような8つの層で構成された多層EAPデバイス100である場合に、奇数番目すなわち、1、3、5、7番目の単位層には、下記で説明する図2Aの構造を有する単位層A以下、第1単位層A、Aとも称するが配され、偶数番目すなわち、2、4、6、8番目の単位層には、下記で説明する図2Bに示されている単位層B以下、第2単位層B、Bとも称するが配される。または、逆に多層EAPデバイス100の奇数番目すなわち、1、3、5、7番目の単位層には、第2単位層Bが配され、多層EAPデバイス100の偶数番目すなわち、2、4、6、8番目の単位層には、それぞれ第1単位層Aが配される。図2A及び図2Bを参照すると、第1単位層Aと第2単位層Bは、それぞれEAP層110a、110b、保護層120a、120b、活性電極130a、130b、及び延長電極extensionelectrode140a、140bを含むという点で、互いに共通する。そして、ともに、活性領域Iと非活性領域II、IIIとに区画されうる。各単位層A、Bの活性領域Iは、EAP層110a、110b、保護層120a、120b、及び活性電極130a、130bを含み、各単位層の非活性領域II、IIIは、EAP層110a、110b、保護層120a、120b、活性電極130a、130b、及び延長電極140a、140bを含む。但し、第1単位層Aと第2単位層Bは、延長電極140a、140bが形成される位置が異なる。例えば、第1単位層Aの延長電極140aと第2単位層の延長電極140bは、それぞれ活性電極130a、130bに対して互いに対向するように配される。延長電極140a、140bの位置が、単位層Aおよび単位層Bにおいて異なっている限り、必ずしも活性領域Iに対して互いに対向する位置に配される必要はない。このように、延長電極140a、140bの位置を単位層A、Bにおいて変化させることによって第1単位層Aの活性電極が一つのグループを形成し、第2単位層Bの活性電極が他のグループを形成し、各グループに異なる電位を付与することができる。その結果、図1の多層EAPデバイス100は、正の電位と連結される活性電極例えば、130aと負の電位に連結される活性電極例えば、130bとが活性領域Iに対して交互に積層されて配された構造を有しうる。または、正の電位に連結される活性電極130aと負の電位に連結される活性電極130bとが活性領域Iに対して同じ側に位置するが、水平的に異なる位置に形成される形態で積層されて配された構造を有しうる。図3Aは、図2Aの第1単位層AをY-Y’線に沿って切断した断面図である。以下、図3Aを参照して、図2Aの第1単位層Aの積層構造に関して説明するが、後述する積層構造は、図2Bに示されている第2単位層Bにも同様に適用可能である。図3Aを参照すると、保護層120aは、EAP層110a上に形成されており、保護層120aの活性領域Iの上面には、活性電極130aが形成されており、保護層120aの非活性領域IIIの上面には、延長電極140aが形成されている。活性電極130aは、少なくとも活性領域Iの全体をカバーし、一部が非活性領域IIIまで延びる大きさを有しうる。非活性領域IIIまで延びる活性電極130aの部分は、延長電極140aとの接続のためのものであって、その大きさや形態にも制限はない。後述するように、活性電極130aと接続されている延長電極140aは、積層されている複数の活性電極130aを電気的に連結するのに利用される。このような各単位層A、Bの積層構造は、一例に過ぎず、他の形態の積層構造に適宜変更されうる。図3B及び図3Cは、それぞれ積層構造の他の例を示すものである。図3Bを参照すると、単位層A’は、活性電極130aと延長電極140aとがEAP層110a上に形成され、保護層120a’は、活性電極130aと延長電極140aとが形成されたEAP層110a上に形成される。すなわち、EAP層110a、電極130a、延長電極140a、及び保護層120a’の順序で形成されるという点で、EAP層110a、保護層120a、及び電極130a、延長電極140aの順序で積層された図3Aの単位層Aとは異なる。そして、図3Cを参照すると、単位層Aは、図3Aに示された積層構造、すなわち、EAP層110a、保護層120a、及び電極130a、140aの積層構造上にさらに他の保護層120a’が形成されているという点で、図3A及び図3Bの単位層A、A’とは異なる。すなわち、図3Cに示された単位層Aの構造では、電極130a、延長電極140aは、第1保護層120aと追加された第2保護層120a’との間に形成されている。このように、多層EAPデバイスを構成する単位層は、その類型に関係なく、EAP層および/または電極を保護するための保護層とをさらに含む。保護層は、活性電極と延長電極との下側にのみ形成図3A参照されるか、または上側にのみ形成図3B参照されるか、または上下側の双方に形成図3C参照される。以下では、電極130、延長電極140が、保護層120上にのみ形成される場合を中心に説明し、他の積層構造に関しては、これとの差異点についてのみ説明する。次いで、図1、図2A、及び図2Bを参照すると、EAP層110110a及び110bは、電気的な刺激によって変形を起こす特性を有する誘電性ポリマー物質を含む。EAP層110は、例えば、シリコン系誘電エラストマーまたはポリウレタン系誘電エラストマー;PVDFポリフッ化ビニリデンまたはPVDF-TrFEポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレンのような強誘電性ポリマーferro-electricpolymer;PVDF-TrFE-CFEポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロフルオロエチレンのようなリラクサ強誘電性ポリマーrelaxorferro-electricpolymerを用いて形成することができる。また、PVDF-TrFE-CTFEポリフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン-クロロトリフルオロエチレンで形成することもできる。EAP層は1種単独のポリマーで形成されていてもよいし、2種以上併用してもよい。中でも、電圧駆動による収縮および拡張において、素早く元に戻り、また、耐張が大きいことから、EAP層に用いられるポリマーは、シリコン系系誘電エラストマーまたはポリウレタン系誘電エラストマーであることが好ましい。EAP層110は、約2μm以下、望ましくは、約1μm以下の薄い厚さを有しうる。EAP層の厚さの下限は特に限定されないが、好ましくは1nm以上であり、より好ましくは10nm以上である。保護層120120a及び120bは、多層EAPデバイス100の製造過程で溶媒キャストsolutioncasting法を用いてEAP層110を形成する時、その下部に形成されている活性電極130のような電極やEAP層110が溶媒等により損傷されないように保護する機能を担う。溶媒キャスト法は、EAPのような試料が所定の溶媒に溶解した溶液を注いで、所望の形状を作った後に、溶媒を除去して所望の物質層を形成する方法を包括して指す。溶媒キャスト法の代表的な例は、スピンコーティングspincoating法、浸漬コーティングdipcoating法、スプレーコーティングspraycoating法などである。EAP層110のようなポリマー薄膜を形成する時、溶媒キャスト法を利用することは、フィルムラミネーション法filmlaminationmethodと比較して、次のような長所がある。ここで、フィルムラミネーション法とは、別途に準備されたポリマー薄膜を移動して整列させた後に、熱圧着などで接着させる方法である。まず、溶媒キャスト法は、薄膜を移動して整列させる工程が必要がないので、製造工程が簡便であって、コストを節減することができる。また、相対的に狭い空間でも製造することが可能である。そして、溶媒キャスト法は、フィルムラミネーション法に比べて下部構造物の形状に関係なく、より平らな上面を有するポリマー薄膜が得られ、層間の接着力もさらに優れている。また、溶媒キャスト法を利用すれば、汚染や欠陥が少ない薄膜をより薄く形成することができる。複数のポリマー薄膜が積層されている多層EAPデバイスの製造過程では、一般的にEAP層の形成過程で溶媒キャスト法を適用しにくい。なぜならば、従来の多層EAPデバイスで溶媒キャスト法を用いてEAP層を形成すれば、活性電極などにクラックが生じたり、EAP層に表面損傷が生じたり、膜の厚さが不均一になる場合があるためである。より具体的に、多層EAPデバイスに含まれる活性電極は、後述するように、好ましくは100nm以下、より好ましくは50nm以下の非常に薄い厚さを有する金属や導電性ポリマーなどで形成される。これは、活性電極によって多層EAPデバイスの変位が減少することを抑制するためである。もし、従来の多層EAPデバイス、すなわち、保護層が含まれておらず、単にEAP層ならびに活性電極及び延長電極のみで構成された単位層が積層されている多層EAPデバイスの製造に溶媒キャスト法を使ってEAP層を形成すれば、上部EAP層の形成のために、塗布された溶液に含まれた溶媒が下部EAP層に浸透する。そして、上下部EAP層は、同じポリマー材料で形成されるので、上部EAP層の形成のために塗布された溶液の溶媒によって下部EAP層の材料も溶解してしまう。下部EAP層に溶媒が浸透して、既に形成された下部EAP層が溶解すると、膨張現象によって下部EAP層110の形状が変化する。それにより、EAP層110の表面にある活性電極130にバックリングbuckling現象が発生し、その結果、活性電極130には、シワwrinkling図示せずが形成される。激しい場合、クラックが発生することもある。活性電極130に発生したシワは、多層EAPデバイス100の駆動時に電場の不均一性をもたらして性能を低下させるか、場合によっては、絶縁破壊electricalbreakdownが発生して、多層EAPデバイス100が損傷されることもある。前述した従来の溶媒キャスト法による問題点は、図11を参照すると、よりよく理解することができる。図11は、保護層を使わず、溶媒キャスト法で多層EAPを形成した場合に発生する損傷を示す図である。より具体的には、図11の左側にあるダイヤグラムと写真図面にAfterAlDepositionと表示されているは、溶媒キャスト法で形成した多層EAP素子の第1単位層を示す。これを参照すると、第1単位層は、溶媒キャスト法によって損傷を受けないことが分かる。しかし、溶媒キャスト法で第1単位層上に第2単位層がコーティングされると、第1単位層に損傷が発生する図11の右側にある絵と写真図面にPVDF-TrFE-CTFEのスピンコーティング後と表示されている。ウェハーの絵を参照すると、第2単位層から溶媒が第1単位層に浸透して、下部層に損傷が生じたことが分かる。図11において、ウェハーの一電極に対するSEM写真を比べると、このような損傷をより明確に確認することができる。右側にあるSEM写真左側にあるSEM写真と対比した場合は、溶媒キャスト法でさらに単位層を形成する場合に電極に生じた損傷を示す。一方、図3Aまたは図3Cの単位層A、Aを有する多層EAPデバイスでは、EAP層110aの上面に形成されている保護層120aにより、その上側に再びEAP層を溶媒キャスト法で形成しても、EAP溶液の溶媒が下部のEAP層110aに浸透することが抑制される。そして、図3Bまたは図3Cの単位層A’、Aを有する多層EAPデバイスでは、活性電極130aと延長電極140aとが形成されたEAP層110aの上面に形成されている保護層120a’により、その上側に再びEAP層を溶媒キャスト法で形成しても、EAP溶液の溶媒が隣接したEAP層110aに浸透することが抑制される。したがって、保護層120a’が、EAP層110aへの物質例えば溶媒の浸透を抑制して、EAP層110aの膨張現象による活性電極130aのシワの形成を防止することができる。その結果、多層EAPデバイス100の駆動段階で、EAP層110aにかかる電場electricfieldを均一に保持することができる。図3Aまたは図3Bに示されたように、単位層A、A’が、一つの保護層120a、120a’のみを含む場合には、保護層120a、120a’の厚さは一定の厚さ以上であることが好ましい。なぜならば、保護層120a、120a’の厚さが非常に薄い場合には、溶媒の浸透を効果的に防止できないためである。但し、保護層120a、120a’は、EAP層110が変形を起こすのに障害要素として作用するので、多層EAPアクチュエータの変位減少を最小化するためには、その厚さが過度に厚くないことが望ましい。具体的には、保護層の厚さは、200~5000Åであることが好ましい。図3Cに示されたように、保護層120a、120a’が、電極130a、延長電極140aの上下側のいずれにも配される単位層Aの構造では、保護層120a、120a’の全体の厚さを図3Aまたは図3Bの単位層A、A’の保護層より薄く形成しても、溶媒の浸透防止という機能を効果的に行うことができる。これは、順次積層された第1保護層120a、電極130a、延長電極140a、及び第2保護層120a’が一体になって、溶媒の浸透を防止する機能を担うためである。例えば、保護層120a、120a’は、全体として約2000~3500Å程度の厚さを有しうる。そして、図3Cに示された単位層Aで、第1保護層120aは、溶媒の浸透からその下部のEAP層を保護する機能を主に担い、第2保護層120a’は、第1保護層120aの機能をさらに強化し、溶媒の浸透から電極130a、延長電極140aを保護する機能も付加的に有する。したがって、第1保護層120aは、第2保護層120a’よりさらに厚い厚さを有することが望ましい。例えば、第1保護層120aは、約1500~2500Å程度の厚さを有し、第2保護層120a’は、約500~1000Å程度の厚さを有しうる。溶媒キャスト法を用いてEAP層を形成する時、活性電極130などに損傷が生じることを防止できるように、保護層120は、EAPを溶解する溶媒に溶解しない特性を有する物質で形成されることが好ましい。この実施形態の場合、保護層120を形成する物質の種類は、EAPを溶解する溶媒の種類によって変わりうる。そして、保護層120も、溶媒キャスト法を使って形成するためには、保護層120を形成する物質は、EAPが溶解しない溶媒に溶解する特性を有する物質であることが好ましい。例えば、PVDF-TrFE-CFTEポリマーを、メチルイソブチルケトンMIBKやメチルエチルケトンMEKのようなケトン類の溶媒に溶解した溶液を用いて溶媒キャスト法によりEAP層110を形成するとする。PVDF-TrFE-CFTEポリマーは、水およびアルコールには溶解しないので、保護層120は、水やアルコールには溶解するが、ケトン類の溶媒には溶解しないポリマー物質を用いて形成することができる。例えば、ポリビニルフェノールPolyVinylPhenol、図4A参照、ポリメチルメタクリレートPolyMethylMethAcrylate、PMMA、図4B参照、ポリビニルアルコールPolyVinylAlchol、PVA、図4C参照、ポリジメチルシロキサンPolyDiMethylSiloxane、PDMS、図4D参照、ポリ4-ビニルピリジンPoly4-VinylPyridine、P4VP、図4E参照、またはポリアクリル酸PolyAcrylicAcid、PAA、図4F参照およびこれらの組合わせが保護層120を形成するポリマーとして使われる。より好適には、保護層120は、パラポリビニルフェノール、ポリアクリル酸およびポリビニルアルコールからなる一群から選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。保護層は1種単独のポリマーで形成されていてもよいし、2種以上併用してもよい。活性電極130は、多層EAPデバイス100の種類によって機能が変わりうる。例えば、多層EAPデバイス100が、アクチュエータやダイアフラムのように電気エネルギーを機械的エネルギーに転換する電子機器であれば、活性電極130は、EAP層110の変形を誘導する電場を誘導する機能を有する。そして、多層EAPデバイス100が、センサーなどのように機械的エネルギーを電気エネルギーに転換する電子機器であれば、活性電極130は、EAP層110の変形によって生成されたキャリアを収容する機能を果たす。したがって、活性電極130は、好適には導電性物質で形成される。例えば、活性電極130は、金Au、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、ニッケルNi、クロムCr、または鉄Feのような金属物質;これらの合金;およびこれらの組合わせで形成されうる。または、活性電極130は、ポリアニリンpolyaniline、ポリピロールpolypyrrole、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホン酸PEDOT[Poly3,4-EthyleneDiOxyThiophene]:PSS[Poly4-StyreneSulfonicacidのような導電性ポリマーで形成されうる。活性電極130、特に、金属で形成される活性電極130は、多層EAPデバイス100の性能に影響を与えないために、可能な限り薄い厚さで形成されることが好ましい。例えば、高い導電性を有する金属で活性電極130を形成する場合に、活性電極130は、好ましくは100nm以下、より好ましくは約50nm以下の薄い厚さに形成することが望ましい。活性電極130が導電性ポリマーで形成する場合には、金属ほどには厚さに対する制限は課されないが、薄いほうが好ましく、好ましくは100nm以下、より好ましくは約50nm以下の薄い厚さに形成することが望ましい。活性電極の厚さの下限は特に制限されず薄ければ薄いほど好ましいが、0.1nm以上であることが好ましく、1nm以上であることがより好ましい。非活性領域II、IIIに配された延長電極140は、活性領域Iから非活性領域II、IIIまで延びるように配置された活性電極130と電気的に接続される。非活性領域II、IIIは、活性領域Iに隣接した領域であって、その位置や大きさ、形状などに特別な制限もない。延長電極140を通じて駆動電圧が活性電極130で加えられるか、または活性電極130に集められた電流が延長電極140を通じて外部の回路部に流れることができる。延長電極140は、抵抗を最小化することができる形状及び/または厚さに形成される。例えば、非活性領域II、IIIに棒状に長く形成されるが、これに限定されるものではない。そして、延長電極140は、金属物質を用いて活性電極130より厚い厚さ、例えば、50nm以上の厚さに形成しうる。金属物質としては、レーザに対する反応性が高い物質例えば、アルミニウム/銅の合金やアルミニウム/チタンの合金を除いた他の金属物質、例えば、金Au、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、ニッケルNi、クロムCr、または鉄Feのような金属物質、その合金、またはこれらの組合わせで形成しうる。図5は、保護層を含まず、フィルムラミネーション法で形成された従来の多層EAPアクチュエータ三角形のラインと保護層を含む多層EAPアクチュエータ丸活性電極厚さ20nm、四角活性電極厚さ40nm、ひし形活性電極厚さ60nm形状のラインのそれぞれの駆動電圧を示す図である。各多層EAPデバイスには、活性電極としてアルミニウム電極を使い、EAPとしてはPVDF-TrFE-CFTEを使い、保護層のポリマーとしてPAAを使って、単位層を13層積層させた。保護層の厚さを280nmに固定し、EAP層の厚さを変化させた。単位層の厚さを横軸に示す。図5を参照すると、単位層の厚さが増加すると、駆動電圧が増加する。保護層が存在する場合、単位層の駆動電圧は保護層がない場合と比較して若干大きくなるが、これによる影響はあまり大きくないということも分かる。特に、単位層の厚さが1μm以下である場合に、保護層を有する多層EAPアクチュエータは、活性電極の厚さに関係なく駆動電圧が約21~22V程度以下であって、要求される規格specificationである24Vの駆動電圧より小さいということが分かる。図12A及び図12Bは、本発明の実施形態によって溶媒キャスト法で製造された多層EAPアクチュエータに対するSEM写真であって、図12Aは、断面写真であり、図12Bは、図12Aの多層EAPアクチュエータの第1単位層の電極に対する平面写真である。図12Aを参照すると、多層EAPアクチュエータは、総10個の単位層で構成されており、各単位層の厚さは、約1.5μmである。そして、EAP層は、約1.15μm厚さのPVDF-TrFE-CTFE、活性電極は、約500Å厚さのアルミニウムAl、そして、保護層は、約3000Å厚さのPAAで製造された。また、図12Cは、従来技術による多層EAPアクチュエータの第1単位層の電極層に対する平面写真であって、保護層がないということを除き、残りの工程条件物質の種類及び各層の厚さは、図12Bと同一である。図12B及び図12Cを参照すると、従来技術による多層EAPアクチュエータは、電極にクラックが生じるが、本発明の実施形態によって製造された多層EAPアクチュエータは、電極に損傷が生じないということが分かる。図6は、図1に示された多層EAPデバイス100のXX‘ラインに沿って切り取った断面図の一例である。図6には、多層EAPデバイス100が、8つの単位層、すなわち、4つの第1単位層Aと4つの第2単位層Bとからなると示されているが、このような単位層の個数は、単に例示的なものである。そして、図6の多層EAPデバイス100には、積層された活性電極111~118をグループ別に電気的に連結する共通電極151第1共通電極、152第2共通電極も共に示されている。以下、多層EAPデバイス100が、多層EAPアクチュエータの場合を説明するが、他の多層EAPデバイスにも、同様に適用可能である。図6を参照すると、活性領域Iと非活性領域II、IIIとに区画されている多層EAPアクチュエータ100は、8つの単位層を含む。各単位層は、EAP層111~118、保護層121~128、活性電極131~138、及び延長電極141~148を含む。各保護層121~128は、各EAP層111~118上に形成される。そして、各保護層121~128の一面上に形成されている活性電極131~138は、少なくとも活性領域Iをカバーし、非活性領域II、IIIにまで延びるように配置されている。延長電極141~148は、非活性領域II、IIIに形成され、非活性領域II、IIIにまで延びている活性電極131~138と接続されるように形成されている。前述したように、保護層121~128、電極131~138及び延長電極141~148は、図6で示した位置関係以外に、位置が互いに変わることもある図3参照。より具体的には、一実施形態では、図3Bのように、各EAP層111~118上には、活性電極131~138と延長電極141~148とが形成され、また保護層121~128は、活性電極131~138と延長電極141~148とが形成されているEAP層111~118上に形成される。また他の一実施形態では、図3Cのように、活性電極131~138及び延長電極141~148が形成された保護層121~128上に、他の保護層が追加される。多層EAPアクチュエータ100では、正と負との駆動電圧が交互に活性電極131~138に印加されるように、活性電極131~138は、二つのグループに分けられて、それぞれ正の電位と負の電位とに連結される。そのために、各グループの活性電極は、非活性領域II、IIIに形成されている連結電極構造体によって互いに電気的に連結される。より具体的に、奇数番目の層に配された単位層である第1単位層の活性電極131、133、135、137は、それぞれ活性領域Iの右側に隣接した非活性領域IIIにまで延ばされて第1単位層の延長電極141、143、145、147と接続されており、第1単位層の延長電極141、143、145、147は、第1共通電極commonelectrode151によって互いに接続されている。そして、偶数番目の単位層である第2単位層の活性電極132、134、136、138は、それぞれ活性領域Iの左側に隣接した非活性領域IIにまで延ばされて第2単位層の延長電極142、144、146、148と接続されており、第2単位層の延長電極142、144、146、148は、第2共通電極152によって互いに接続されている。したがって、多層EAPアクチュエータ100は、このような連結電極構造体を一対で有しうる。連結電極構造体は、狭義では、延長電極141~148及び共通電極151、152のような導電性の構成要素のみを示すが広義では、このような導電性の構成要素以外に非活性領域II、IIIを構成するその周辺の構成要素、例えば、EAP層、保護層、ビアホール、エッチング停止層etchstoppinglayerなどをいずれも含みうるため、以下、広義の連結電極構造体に関してより具体的に説明する。図6に示された非活性領域II、IIIを参照すると、連結電極構造体は、それぞれ複数の非活性層と共通電極151、152とを含み、エッチング停止層161、162をさらに含む。エッチング停止層161、162は、連結電極構造体を形成する工程で多層EAPアクチュエータの下側に位置する構造物がエッチングされることを防止する機能を担い、エッチング停止層161、162の上面に共通電極151、152の下部の一面が接触するこれに関しては後述する。右側の非活性領域IIIで、複数の非活性層のそれぞれは、EAP層111~118、EAP層111~118上に形成されている保護層121~128、及び第1単位層の保護層121、123、125、127上に形成されている延長電極141、143、145、または147を含む。そして、延長電極141、143、145、147は、それぞれ第1単位層の活性電極111、113、115、117と接続されている。同様に、左側の非活性領域IIで、複数の非活性層のそれぞれは、EAP層111~118、EAP層111~118上に形成されている保護層121~128、及び第2単位層の保護層122、124、126、128上に形成されている延長電極142、144、146、または148を含む。そして、延長電極142、144、146、148は、それぞれ第2単位層の活性電極122、124、126、128と接続されている以下、右側の非活性領域IIIを基準に説明するが、後述する内容は、左側の非活性領域IIにも同様に適用可能である。延長電極141~148は、導電性物質で形成され、その材質に特別な制限はない。但し、延長電極141~148は、レーザに対してポリマーよりは反応性が低い物質で形成される。例えば、延長電極141~148は、金、銅、銀、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデン、鉄などで形成される。アルミニウムと銅または、チタンとの合金は、レーザに対して反応性が大きいために、延長電極141~148用の物質としては適切ではない。このように、延長電極141~148を金属物質などで形成すれば、ただ一回のレーザを非活性領域に投射して、後述するように、その幅が段階的に増加する構造のビアホールH1を形成することができる。延長電極141~148は、活性電極131~138よりは厚い厚さ、例えば、50~500nmの厚さに形成しうる。複数の非活性層の内部には、ビアホールH1、H2が形成されている。ビアホールH1、H2は、上側に行くほどその幅XX’方向が増加するが、層別に段階的に増加する構造を有する。その結果、非活性領域IIIでは、第1単位層の保護層121、123、125、127の上面に形成されている延長電極141、143、145、147は、上側に行くほどその幅XX’方向が狭くなる。同様に、非活性領域IIでは、第2単位層の保護層122、124、126、128の上面に形成されている延長電極142、144、146、148も、上側に行くほどその幅が狭くなる。このようなビアホールH1、H2の構造は、延長電極141~148のそれぞれの上面の一部をビアホールH1、H2によって外部に露出させる。すなわち、延長電極141~148のそれぞれは、その一部のみが上面に形成されるEAP層によって隠れるが、残りは階段状を含むビアホールH1、H2によって外部に露出される。そして、ビアホールH1内には、共通電極151が形成されている同様に、ビアホールH2内には、共通電極152が形成されている。共通電極151は、ビアホールH1の形状によって均一な厚さに形成されるか、またはその厚さが位置によって変わることもある。また、共通電極は、ビアホールH1をほぼ満たすように形成されることもある。如何なる形態で形成されても、共通電極151は、少なくとも階段状の形状を含む。このような共通電極151は、ビアホールH1に露出された延長電極141、143、145、147の上面と接続されるので、積層されている複数の延長電極141、143、145、147、及びこれらのそれぞれに接続されている複数の活性電極131、133、135、137を互いに電気的に連結させることができる。図7は、図6の点線の円で表示されている部分を拡大した部分拡大図である。図7を参照すると、第2EAP層112、第2保護層122、第3EAP層113、及び第3保護層123と、その上面に形成されている第3延長電極143とを含む第2非活性層のXX’方向の幅は、第1EAP層111及び第1保護層121と、その上面に形成されている第1延長電極141とを含む第1非活性層の幅より小さい。その結果、第1延長電極の一部の上面141aには、第2非活性層が形成されていない。同様に、第3延長電極の一部の上面143aにも、第3非活性層が形成されていない。このように、延長電極の上面の一部141a、143aが露出される非活性層または、非活性領域IIIで、その幅が上側に行くほど段階的に増加するビアホールH1の構造は、ビアホールH1に形成される共通電極151が階段状の形状を有することによる。このように、階段状の形状を含む共通電極151は、ビアホールH1を通じて外部に露出された側面とともに、延長電極の上面を通じても延長電極141、143、145、147と電気的に接続されるために、共通電極151と接触する延長電極141、143、145、147の面積を増加させる。したがって、図6に示された連結電極構造体の構造は、共通電極151と延長電極141、143、145、147との電気的連結を向上させ、積層されている活性電極131、133、135、137間の電気的連結も向上する。図8は、連結電極構造体の他の例を示す図である。図8を参照すると、連結電極構造体は、複数の非活性層と共通電極151’とを含み、共通電極151’の一部と接触するエッチング停止層161’をさらに含む。複数の非活性層は、EAP層111’~118’、各EAP層111’~118’の上面にそれぞれ形成されている保護層121’~128’、及び各第1単位層の保護層121’、123’、125’、127’の上面にそれぞれ形成されている延長電極141’、143’、145’、または147’を含む。そして、延長電極141’、143’、145’、147’は、活性電極131’、133’、135’、137’と接続されている。複数の非活性層の内部にビアホールが形成されている前述した連結電極構造体とは異なって、図8の連結電極構造体では、複数の非活性層の一側面部階段状、すなわち、上側に行くほどその幅が段階的に減少する非アクチュエーター層non-actuateinglayerを有する。したがって、EAP層111’~118’’、保護層121’~128’、及び第1単位層の保護層121’、123’、125’、127’の上面に形成されている延長電極141’、143’、145’、147’の幅は、上層に行くほど狭くなる。このような非活性層の構造でも、延長電極141’、143’、145’、147’の上面の一部が露出され、該露出された延長電極141’、143’、145’、147’の上面には、共通電極151’が接触している。積層された延長電極141’、143’、145’、147’を連結する共通電極151’は、階段状の形状を有し、共通電極151’と延長電極141’、143’、145’、147’との間には、より確実に電気的接続がなされうる。前述した多層EAPデバイス、例えば、多層EAPアクチュエータは、小さくて軽いだけではなく、変位駆動を大きくすることができるために、多用途に応用することができる。例えば、多層EAPアクチュエータは、モバイル機器用の高性能カメラに使われる超小型のイメージセンサーモジュールImageSensorModule、ISMの自動焦点AF機能、オプティカルイメージスタビライザーOIS機能、可変焦点機能などを具現するための装置の一つである可変焦点液体レンズに利用される。図9A及び図9Bは、それぞれ前述した多層EAPアクチュエータ100が利用される可変焦点液体レンズの構造の一例を示す部分切断斜視図と分離斜視図とである。図9A及び図9Bを参照すると、可変焦点液体レンズは、基板10、スぺーサフレーム20、メンブレン30、多層EAPアクチュエータ100’、及びアクチュエータフレーム40を含む。多層EAPアクチュエータ100’としては、図1の多層EAPアクチュエータ100を用いることができる。基板10は、透明な材質からなるが、例えば、ガラス基板や透明なポリマー基板であり得る。スぺーサフレーム20は、光学流体が満たされる所定の内部空間を区切り、シリコンSiのような不透明な材質で形成される。スペーサフレームは、中央のレンズ部と複数の駆動部とに分けられ、上下に貫通する内部空間には光学流体が自在に流動する。図面では、駆動部がレンズ部の外側に4つの領域で構成されているが、これは単に例示的なものである。レンズ部は、光学流体が満たされて入射光が通過するレンズとしての機能を行う部分である。そして、駆動部は、レンズ部を覆っているメンブレン30の部分レンズ面のプロファイルを変更させることができる駆動力を伝達する部分である。メンブレン30は、少なくともレンズ部を覆い、この部分はレンズ面になる。そして、メンブレン30は、駆動部も覆うことができるが、実施形態によっては、駆動部の上側には、メンブレンが存在しないこともある。メンブレン30の上側に配される多層EAPアクチュエータ100’は、活性領域が少なくとも駆動部をカバーする。多層EAPアクチュエータ100’の共通電極を通じて駆動電圧が活性電極に加えられれば、多層EAPアクチュエータ100’は、下側に変位を起こし、駆動部に所定の圧力を加える。そして、駆動部の上側から所定の圧力が加えられれば、駆動部にある光学流体は、レンズ部側に移動する。そして、移動した光学流体によってレンズ部の光学流体の量が増加すれば、レンズ部は、上に凸状に飛び出す形状に変形される。多層EAPアクチュエータ100’上には、アクチュエータフレーム40が配されている。より正確には、多層EAPアクチュエータ100’は、アクチュエータフレーム40を基板として使って、その一面上に製造可能である。この場合に、多層EAPアクチュエータ100’が形成されているアクチュエータフレーム40は、ひっくり返してメンブレン30が上に配置されているスぺーサフレーム20の上側に配されて固定される。アクチュエータフレーム40は、少なくともレンズ部を露出させる平面状を有し、多層EAPアクチュエータ100’の活性領域を露出させる形状にもなりうる。アクチュエータフレーム40は、シリコンで形成することができるが、これに限定されるものではない。次いで、図10A~図10Jを参照して、基板上に図6の多層EAPデバイス100を製造する方法に関して説明する。図面では、一つの多層EAPデバイス100を製造する過程が示されているが、これは単に図示の便宜のためのものである。多層EAPデバイス100は、半導体製造工程のようにウェハーレベルでマトリックス状に配列された複数のデバイスを同時に製造することもできる。多層EAPデバイス100の製造工程は、基板上に2つの類型の単位層図2A及び図2B参照を交互に積層する過程と積層された単位層の非活性領域II、IIIに連結電極構造体を形成する過程とを含む。そして、後述する製造方法では、EAP層、保護層、及び電極の順序で形成して単位層を製造する図3A参照が、保護層と電極とを形成する順序は変更されうる図3B参照。または、単位層は、EAP層、第1保護層、電極、及び第2保護層の順序で形成されることもある図3C参照。この場合には、後述する製造方法で第2保護層を形成する過程のみが追加される。まず、図10Aを参照すると、まず基板Sを準備する。基板Sは、シリコンで形成されたアクチュエータフレームであり得るが、これは例示的なものである。基板Sの背面には、活性領域Iに該当する大きさを有する溝が形成されているが、これは、後続工程で活性領域Iに該当する部分の基板Sの除去を容易にするためである。そして、図面に図示されていないが、基板Sの表面には、シリコン酸化膜SiO2のような絶縁膜がさらに形成されていることもある。そして、準備された基板S上にエッチング停止層161、162を形成する。エッチング停止層161、162は、後述するビアホールの形成過程図10I参照で基板Sがエッチングされることを防止する。したがって、エッチング停止層161、162は、非活性領域II、IIIに予定された位置に形成される。そして、ビアホールの形成過程でレーザビームを利用する場合であれば、エッチング停止層161、162は、レーザビームに対して耐性が大きい物質で形成することが好ましい。図10Bを参照すると、エッチング停止層161、162が形成された基板S上に第1EAP層111を形成する。第1EAP層111は、溶媒キャスト法を用いて形成しうる。例えば、PVDF-TrFE-CFTEポリマーで第1EAP層111を形成するとする。この場合に、まずPVDF-TrFE-CFTEポリマーをMIBKまたはMBKのような溶媒に溶かしてEAP溶液を準備する。EAP溶液におけるポリマーと溶媒との含有比は、特に制限なく、ポリマーの溶解性および溶媒の揮発性を考慮して適宜設定すればよい。そして、準備されたEAP溶液を注いで、フィルムのような所望の形状に作るが、この際、スピンコーティング法を利用できる。そして、塗布された溶液から溶媒を除去例えば、揮発すれば、第1EAP層111が作られる。第1EAP層111は、エッチング停止層161、162を完全に覆うか、またはエッチング停止層161、162を露出させることもできる。第1EAP層111は、例えば、1μm以下の薄い厚さに形成される。そして、第1EAP層111上に第1保護層121を形成する。第1保護層121を形成する方法には、特別な制限はないが、第1EAP層111と同様に、スピンコーティング法等を用いて形成しうる。MIBKまたはMBKのような溶媒にPVDF-TrFE-CFTEポリマーが溶解された溶液を用いて第1EAP層111を形成する場合、第1保護層121は、水および/またはアルコールにポリマー材料、例えば、ポリビニルフェノールPVP、ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリビニルアルコールPVA、ポリジメチルシロキサンPDMS、ポリ4-ビニルピリジンP4VP、またはポリアクリル酸PAAならびにこれらの混合物などが溶解した溶液を用いて、スピンコーティング法で第1保護層121を形成しうる。保護層を形成する際に用いるポリマー及び溶媒の混合溶液におけるポリマーと溶媒との含有比は、特に制限なく、ポリマーの溶解性および溶媒の揮発性を考慮して適宜設定すればよい。そして、図10Cを参照すると、第1保護層121の上面に第1活性電極131を形成する。第1活性電極131は、活性領域Iをカバーするだけではなく、その一部が右側の非活性領域IIIに延びる。第1活性電極131は、金Au、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、ニッケルNi、クロムCr、または鉄Feのような金属物質、これらの合金、またはこれらの組合わせで、あるいは導電性ポリマーなどで形成される。金属物質で第1活性電極131を形成する場合には、スパッタリングsputtering法や物理気相蒸着PhysicalVaporDeposition、PVD法のような通常の金属膜の蒸着法が利用される。活性電極が導電性ポリマーで形成される場合の活性電極の形成方法には、特別な制限がないが、EAP層及び保護層と同様に、スピンコーティング法等を用いて形成しうる。そして、図10Dを参照すると、非活性領域IIIに第1延長電極141を形成する。第1延長電極141は、第1保護層121の上面に形成されて、その一部が第1活性電極131、より具体的に、非活性領域IIIに延びた第1活性電極131の一部と接続する。第1延長電極141は、抵抗が低いだけではなく、ポリマーに比べてレーザビームに対する反応性が低い物質で形成される。例えば、第1延長電極141は、金、銅、チタン、クロム、モリブデン、アルミニウムのような金属物質で約50~500nmの厚さに形成される。第1延長電極141は、第1活性電極131と同じ方法で形成しうる。そして、図10Eを参照すると、上面に第1活性電極131と第1延長電極141とが形成されている第1保護層121の上に第2EAP層112を形成する。第2EAP層112の形成方法や厚さ、材質などは、第1EAP層111と同一である。すなわち、第2EAP層112も、溶媒キャスト法を使って形成し、この際、第1保護層121によって溶媒が第1EAP層に浸透することを防止することができる。そして、第2EAP層112上には、第2保護層122が形成されるが、第2保護層122の形成方法や厚さ、材質などは、第1保護層121と同一である。次いで、図10Fを参照すると、第2保護層122の上面に第2活性電極132を形成する。第2活性電極132は、活性領域Iをカバーするだけではなく、その一部は左側の非活性領域IIに延びる。第2活性電極132の形成方法や材質、厚さなどは、第1活性電極131と同一であり得るので、以下、これについての詳しい説明は省略する。そして、図10Gを参照すると、非活性領域IIに第2延長電極142を形成する。第2延長電極142は、第2保護層122の上面に形成されて、その一部が第2活性電極132、より具体的に、非活性領域IIに延びた第2活性電極132の一部と接続する。第2延長電極142の形成方法や材質、厚さなども、第1延長電極141と同一であり得るので、以下、これについての詳しい説明は省略する。図10Bないし図10Gを参照して、前述したEAP層の形成工程、保護層の形成工程、活性電極の形成工程、及び延長電極の形成工程を所定の回数本実施形態の場合に、総4回ほど反復して行えば、図10Hに示されているような積層構造物が作られる。次いで、図10Iを参照すると、積層構造物の非活性領域II、III、より正確には、非活性層の延長電極141~148の中心部の位置で延長電極141~148、保護層121~128、及びEAP層111~118をエッチングしてビアホールH1、H2を形成する。ビアホールH1、H2は、延長電極141~148の上面の一部が露出されるように、上側に行くほど幅が段階的に増加する階段状を有する。実施形態によっては、図8に示されているような階段型の構造が作られるように、延長電極141~148の外側の縁部で延長電極141~148、保護層121~128、及びEAP層111~118をエッチングすることもできる。延長電極141~148を形成する金属物質と保護層121~128及びEAP111~118を形成するポリマーとの間には、物性例えば、弾性係数、熱膨張係数などの差が存在する。もし、図10Hに示されている積層構造物で非活性領域II、IIIにビアホールを形成するために、EAP層111~118、保護層121~128、及び延長電極141~148を機械的な方法で切断すれば、切断面でポリマー層111~118及び保護層121~128が伸びることによって、延長電極141~148の切断面を取り囲む問題が発生することがある。これは、切断過程で発生する摩擦熱及びポリマーの固有の物性によるものである。延長電極141~148の切断面が外部に露出されなければ、積層された延長電極141~148を互いに連結させることが難しくなる。それだけではなく、乾式エッチングや湿式エッチングのような既存のエッチング技術は、ポリマー層111~118及び保護層121~128を損傷させる場合があるだけではなく、層間の剥離現象delaminationを起こして、ビアホールの形成工程に適用しにくい。上側に行くほどその幅が段階的に増加する形状のビアホールH1、H2を形成するために、本実施形態では、ポリマーに対する反応性は大きいが、延長電極141~148を形成する金属物質に対する反応性が低いレーザを用いて、ポリマー層111~118及び保護層121~128と延長電極141~148とをエッチングする。レーザは、例えば、二酸化炭素CO2レーザや緑色レーザgreenlaserであり得るが、これに限定されるものではない。より具体的に、所定のエネルギーを有する二酸化炭素レーザのようなレーザを上部から積層構造物の右側の非活性領域IIIに照射するとする。レーザが照射されれば、レーザに対して反応性が高いポリマーからなる第8EAP層118と第8保護層128は、相対的に多く除去され、この過程でエネルギーの消耗もほとんどない。そして、第8EAP層118と第8保護層128とを通過したレーザは、第7延長電極147に触れるようになるが、反応性が相対的に低い金属物質からなる第7延長電極147をエッチングするために、レーザは相対的に多くのエネルギーが消耗される。その結果、レーザによって除去される第7延長電極147は、第8EAP層118及び第8保護層128に比べて少なく断面で見る場合に、その幅が狭い、その下部にもエネルギーが減少したレーザが照射される。但し、第6及び第7EAP層と保護層116、117、126、及び127とをエッチングする過程では、エネルギーの消耗がほとんどないために、エッチングされる第6及び第7EAP層116、117及び保護層126、127の幅は、第8延長電極148のそれとほとんど同一である。このような方式で、積層構造物の上側から照射されたレーザは、延長電極131、133、135、137をエッチングするために、相当な量のエネルギーが消耗されるために、下層側に行くほどEAP層、保護層、及び延長電極に加えられるレーザのパワーは、段階的または不連続的に減る。その結果、積層構造物の非活性領域II、IIIには、示されたような階段状の形状を有するビアホールH1、H2が形成される。そして、このビアホールH1、H2を通じて延長電極141~148の上面の一部が露出される。次いで、図10Jを参照すると、非活性領域II、IIIのビアホールH1、H2に共通電極151、152を形成する。共通電極151、152は、金属のような導電性物質で形成され、その形成方法に特別な制限はない。共通電極151、152は、例えば、ビアホールH1、H2の形状に沿って所定の厚さ例えば、1000nm以上の厚さに形成しうる。または、共通電極151、152は、ビアホールH1、H2をほとんど満たすように厚く形成することもできる。このように形成された共通電極151、152は、露出された延長電極141~148の上面と接触するので、少なくとも階段状の形状を含む。以上の説明は、本発明の実施形態に過ぎず、この実施形態によって、本発明の技術思想が限定されると解釈されてはならない。本発明の技術思想は、特許請求の範囲に記載の発明によってのみ特定されなければならない。したがって、本発明の技術思想を外れない範囲で前述した実施形態は、多様な形態で変形されて具現可能であるということは、当業者に自明である。"