"サファイアの下地基板と、前記下地基板の上に配されたIII族窒化物半導体の半導体層と、を備え、前記下地基板の上面は、{1-100}面群に属するm面から、前記m面に直交し{11-20}面群に属するa面の法線に対して、0.5°以上4°以下の角度で傾けた結晶面であることを特徴とする構造体。第1の期間に、サファイアの下地基板を第1の温度に加熱した状態で、前記下地基板の上面へV族原料を供給せずにIII族原料を供給することにより、前記下地基板の上面を処理する第1の工程と、前記第1の期間に続く第2の期間に、前記下地基板を前記第1の温度に加熱した状態で、前記下地基板の上面へ前記III族原料に加えて前記V族原料を供給することにより、前記下地基板の上にIII族窒化物半導体の半導体層を成長させる第2の工程と、を備え、前記下地基板の上面は、{1-100}面群に属するm面から、前記m面に直交し{11-20}面群に属するa面の法線に対して、0.5°以上4°以下の角度で傾けた結晶面であることを特徴とする半導体基板の製造方法。前記第1の期間の長さは、10秒以上300秒以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の製造方法。前記第2の期間に続く第3の期間に、前記半導体層の上面へ前記III族原料を供給せずに前記V族原料を供給しながら、前記下地基板の温度を前記第1の温度から第2の温度へ昇温する第3の工程と、前記第3の期間に続く第4の期間に、前記下地基板を前記第2の温度に加熱した状態で、前記半導体層の上面へ前記III族原料及び前記V族原料を供給することにより、前記半導体層の上にIII族窒化物半導体の第2の半導体層を成長させる第4の工程と、をさらに備えたことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体基板の製造方法。しかし、本発明者が検討を行ったところ、サファイア基板の上面をジャストm面として、サファイア基板の上にGaNを成長させると、GaN内に非常に多くの双晶が発生する上、サファイア基板の上面m面とGaNの成長面m面との間における格子不整合が大きいために、GaNIII族窒化物半導体の結晶性も良くできないことを見出した。本発明の目的は、m面を成長面とするIII族窒化物半導体の半導体層における結晶性を向上することにある。本発明の第1側面にかかる構造体は、サファイアの下地基板と、前記下地基板の上に配されたIII族窒化物半導体の半導体層とを備え、前記下地基板の上面は、{1-100}面群に属するm面から、前記m面に直交し{11-20}面群に属するa面の法線に対して、0.5°以上4°以下の角度で傾けた結晶面であることを特徴とする。本発明の第2側面にかかる半導体基板の製造方法は、第1の期間に、サファイアの下地基板を第1の温度に加熱した状態で、前記下地基板の上面へV族原料を供給せずにIII族原料を供給することにより、前記下地基板の上面を処理する第1の工程と、前記第1の期間に続く第2の期間に、前記下地基板を前記第1の温度に加熱した状態で、前記下地基板の上面へ前記III族原料に加えて前記V族原料を供給することにより、前記下地基板の上にIII族窒化物半導体の半導体層を成長させる第2の工程とを備え、前記下地基板の上面は、{1-100}面群に属するm面から、前記m面に直交し{11-20}面群に属するa面の法線に対して、0.5°以上4°以下の角度で傾けた結晶面であることを特徴とする。本発明の第3側面にかかる半導体基板の製造方法は、本発明の第2側面にかかる半導体基板の製造方法の特徴に加えて、前記第1の期間の長さは、10秒以上300秒以下であることを特徴とする。本発明の第4側面にかかる半導体基板の製造方法は、本発明の第2側面又は第3側面にかかる半導体基板の製造方法の特徴に加えて、前記第2の期間に続く第3の期間に、前記半導体層の上面へ前記III族原料を供給せずに前記V族原料を供給しながら、前記第1の温度から第2の温度へ昇温する第3の工程と、前記第3の期間に続く第4の期間に、前記下地基板を前記第2の温度に加熱した状態で、前記半導体層の上面へ前記III族原料及び前記V族原料を供給することにより、前記半導体層の上にIII族窒化物半導体の第2の半導体層を成長させる第4の工程とをさらに備えたことを特徴とする。本発明によれば、m面を成長面とするIII族窒化物半導体の半導体層における結晶性を向上することができる。本発明の実施形態にかかる半導体基板の製造方法を、図1及び図2を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる半導体基板の製造方法を示す工程断面図である。図2は、本発明の実施形態にかかる半導体基板の製造方法を示すタイムフロー図である。図3は、本発明で使用したサファイア結晶の表面と結晶面結晶方位の関係を表した模式図であり、本発明の実施形態における結晶面を説明するための図である。以下では、III族窒化物半導体として主にGaNを例として説明するが、他の物質系例えば、In-Ga-N、Ga-Al-N、In-Ga-Al-Nに関しても同様である。図1aに示す工程では、下地基板10を準備する。下地基板10は、サファイアAl2O3の単結晶で形成されている。下地基板10の上面10aは、m面からa面の法線に対して角度θ1で傾けた結晶面CS1である図3参照。m面は、{1-100}面群に属する面である。a面は、そのm面に直交し{11-20}面群に属する面である。θ1は、0.5°以上4°以下の値である。サファイアの単結晶は、擬似六方晶系の結晶構造を有する。図3aに示すように、{1-100}面群に属するm面は、例えば、10-10面である。そのm面に直交し{11-20}面群に属するa面は、例えば、-12-10面である。図3bに示すように、a面の法線は、<-12-10>方位群に属する[-12-10]方位を向いている。このとき、図3cに示すように、下地基板10の上面10aを構成する結晶面CS1は、m面10-10におけるa面-12-10と反対側の辺CS1aを軸として、a面の法線[-12-10]に対して角度θ1で傾けた結晶面である。角度θ1は、0.5°以上4°以下の値である。ここで、仮に、角度θ1を0.5°未満とすると、後の工程で下地基板10の上にIII族窒化物半導体の半導体層例えば、GaN層を成長させた場合に、その半導体層内に非常に多くの双晶が発生するために、半導体層の結晶性も良くできない可能性がある図8参照。加えて、角度θ1を0.5未満に制御するように加工することは、加工装置の加工精度の制約があるので困難である。それに対して、本実施形態では、角度θ1を0.5°以上とするので、後の工程で下地基板10の上にIII族窒化物半導体の半導体層例えば、GaN層を成長させた場合に、後述のように半導体層内に発生する双晶を大幅に低減できるので、半導体層の結晶性を向上できる図8参照。また、仮に、角度θ1を4°より大きくすると、後の工程で下地基板10の上にIII族窒化物半導体の半導体層例えば、GaN層を成長させた場合に、その半導体層の表面に発生するピットの密度が実用的に許容される範囲すなわち、5×105/cm2以下を超えて大きくなってしまう可能性がある図6参照。それに対して、本実施形態では、角度θ1を4°以下とするので、後の工程で下地基板の上にIII族窒化物半導体の半導体層例えば、GaN層を成長させた場合に、その半導体層の表面に発生するピットの密度を実用的に許容される範囲すなわち、5×105/cm2以下内に収めることができる図6参照。次に、図2aに示すように、時刻t0~t1の期間において、下地基板10の温度を常温から第1の温度T1まで加熱する。第1の温度T1は、700°C以上900°C以下の温度である。ここで、仮に、第1の温度T1を700°C未満とすると、後の工程で下地基板10の上にIII族窒化物半導体の半導体層20の品質低下、ひいては半導体層20を成長できない可能性がある。また、仮に、第1の温度T1を900°Cより高くすると、m面を成長面とするIII族窒化物半導体の半導体層20を成長させようとしても、表面ラフネスの増加、ひいては成長面が他の面方位の混ざった面となってしまうので、所望の成長面を有する半導体20を得ることが困難になる。また、このとき、図2bに示すように、下地基板10の上面10aへV族原料及びIII族原料を供給せずにキャリアガスを供給する。以後、キャリアガスは、下地基板10の上面10aへ継続的に供給する。キャリアガスは、結晶成長に対して不活性であるガスである。キャリアガスは、例えば、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガスなどである。そして第1の工程、第1の期間TP1に、サファイアの下地基板10を第1の温度T1に加熱した状態で、下地基板10の上面10aへV族原料を供給せずにIII族原料を供給する。これにより、下地基板10の上面10aを処理する。V族原料は、窒素の水素化物又は有機金属である。V族原料は、例えば、アンモニアガスである。III族原料は、III族原子の塩化物又は有機金属である。すなわち、III族原料は、III原子-ClやIII原子-Cl3、又はこれらの有機金属であるトリメチルIII族化合物やトリエチルIII族化合物などである。しかしながら、III族原料は、特にこの例示した物質に限定されるものではない。成長すべきIII族窒化物半導体がGaNである場合、III族原料は、例えば、GaClガスである。なお、III族窒化物半導体が他の物質系である場合、III族原料は、その含まれるIII族原子In、Ga、Alのうちの1つ以上の塩化物又は有機金属になる。ここで、仮に、第1の期間TP1に、下地基板10の上面10aへV族原料とIII族原料との両方を供給すると、m面を成長面とするIII族窒化物半導体の半導体層20を成長させようとしても、成長面が他の面方位の混ざった面となってしまうので、所望の成長面を有する半導体20を得ることが困難になる。それに対して、本実施形態では、第1の期間TP1に、下地基板10の上面10aへV族原料を供給せずにIII族原料を供給する。これにより、下地基板10の上面10aを処理するので、下地基板10の上面10aを、m面を成長面とするIII族窒化物半導体の半導体層20がその上に成長しやすい状態にすることができる。これにより、後の工程で、m面を成長面とするIII族窒化物半導体の半導体層20を下地基板10の上に成長させることができる。なお、III族原料の供給を開始する時刻第1の期間TP1の開始時刻における下地基板10の温度は、700°Cから900°Cの間であれば問題ないが、さらに望ましくは750°Cから850°C、さらに望ましくは775°Cから825°Cである。すなわち、第1の期間TP1の開始時刻は、下地基板10の温度が第1の温度T1に達する時刻t1の直前であってもよい。このIII族原料の供給を開始する際の下地基板10の温度が700°Cより低いと、その後に成長させる半導体層20の結晶学的な品質結晶性が低下するため、さらにその後に成長させた半導体層第2の半導体層30の結晶性も低下してしまう。また、III族原料の供給を開始する際の下地基板10の温度が900°Cより高いと、その後に成長させる半導体層20の表面ラフネスが増加する上、クラックなどの発生も起こってしまう。また、第1の期間TP1の長さは、10秒以上300秒以下である。第1の期間TP1の長さは、10秒から300秒の間の値であれば問題ないが、望ましくは30秒から180秒、さらに望ましくは40秒から120秒の間の値である。仮に、第1の期間TP1の長さが10秒より短いと、III族原料が十分に下地基板サファイア10の上面10aに供給されないので、後の工程でIII族窒化物半導体の半導体層20の結晶成長が良好に行われない。第1の期間TP1の長さが300秒より長いと、下地基板サファイア10の上面10aにIII族原料の凝集等が起こり、後の工程における異常成長成長面の乱れの原因となってしまう。図1bに示す工程第2の工程では、第1の期間TP1に続く第2の期間TP2に、下地基板10を第1の温度T1に加熱した状態で、下地基板10の上面10aへIII族原料に加えてV族原料を供給する。これにより、すなわち気相成長法により、下地基板10の上にIII族窒化物半導体の半導体層20を成長させる。気相成長法は、III族原料がIII族原子の水素化物である場合、例えば、HVPEHydrideVaporPhaseEpitaxy法である。あるいは、気相成長法は、III族原料がIII族原子の有機金属である場合、例えば、MOVPEMetal-OrganicVaporPhaseEpitaxy法である。具体的には、第1の期間TP1の完了した際に、下地基板10の温度を第1の温度T1に保持した状態で、III族原料の供給を中断することなく、V族原料を下地基板10の上面10aへ供給し始める。そして、第2の期間TP2に、下地基板10の温度を第1の温度T1に保持した状態で、III族原料とV族原料とを同時に下地基板10の上面10aへ供給する。半導体層20は、後の工程でその上に成長させる半導体層30と下地基板10との格子不整合を緩和するためのバッファ層として機能するのに十分な厚さに成長させる。そのような半導体層20の厚さは、例えば、数十nm以上である。この半導体層20は、その含まれる双晶が大幅に低減されており、下地基板サファイアの上面結晶面CS1と半導体層例えば、GaN層20の成長面m面との間における格子不整合が低減されているので、結晶性が向上したものとなっている。次に第3の工程、第2の期間TP2に続く第3の期間TP3に、半導体層20の上面20aへIII族原料を供給せずにV族原料を供給しながら、下地基板10の温度を第1の温度T1から第2の温度T2へ昇温する。すなわち、図2bに示すように、第2の期間TP2が完了する際時刻t2に、20の上面20aへのIII族原料の供給を停止する。時刻t2~t3の期間第2の期間TP2に、半導体層20の上面20aへV族原料を供給しながら、下地基板10の温度を第2の温度T2まで昇温する。第2の温度T2は、1000°C以上の温度である。ここで、仮に、第2の温度T2を1000°C未満とすると、後の工程で半導体層20の上にIII族窒化物半導体の半導体層30を成長させた場合に、半導体層30の結晶性を十分に向上できない可能性がある。あるいは、仮に、第3の期間TP3に、半導体層20の上面20aへIII族原料とV族原料とを両方とも供給しながら、下地基板10の温度を第1の温度T1から第2の温度T2へ昇温する場合を考える。この場合、第3の期間TP3に、1000°C未満の温度でIII族窒化物半導体の半導体層30が成長し始めてしまうので、結晶としては成長可能であるが、温度変化を行いながら半導体層30の成長を行うため、半導体層30の成長制御が十分に行えない可能性がある。それに対して、本実施の形態では、第3の期間TP3に、半導体層20の上面20aへIII族原料を供給せずにV族原料を供給することを望ましい方法と考え実施した。すなわち、III族窒化物半導体の半導体層30が成長し始めない。これにより、後の工程で第2の温度T21000°C以上になってから、III族窒化物半導体の半導体層30の成長を開始させることができる。あるいは、仮に、第3の期間TP3に、半導体層20の上面20aへV族原料を供給せずにIII族原料を供給しながら、下地基板10の温度を第1の温度T1から第2の温度T2へ昇温する場合を考える。この場合、第3の期間TP3に、III族原料のみを供給しながら昇温を行った場合、結晶表面にIII族金属が析出し、それが引き金となって結晶欠陥等、結晶が不完全になる原因となる。それに対して、本実施の形態では、第3の期間TP3に、半導体層20の上面20aへIII族原料を供給せずにV族原料を供給するので、結晶表面に新たな結晶析出は行われないものの、V族原料が供給されているため結晶の分解も起こらず、第2の期間が終了した状態を保った形で、第4の期間での結晶成長を行うことが可能となる。図1cに示す工程第4の工程では、第3の期間TP3に続く第4の期間TP4に、下地基板10を第2の温度T2に加熱した状態で、半導体層20の上面20aへIII族原料及びV族原料を供給する。これにより、すなわち気相成長法により、半導体層20の上にIII族窒化物半導体の半導体層第2の半導体層30を成長させる。この半導体層例えば、GaN層30は、その含まれる双晶が大幅に低減されており、結晶性が向上したものとなっている図8参照。このようにして、下地基板10、半導体層20、及び半導体層30が順に積層された構造体STを得ることができる。この構造体STにおいて、上述のように、下地基板10の上面10aは、{1-100}面群に属するm面から、そのm面に直交し{11-20}面群に属するa面の法線に対して、0.5°以上4°以下の角度θ1で傾けた結晶面SC1となっている図3参照。さらに、半導体層20と半導体層30は異なったIII族窒化物半導体であっても良く、半導体層30にはLED、LD、FET,HEMT,太陽電池等のデバイス構造が含まれていても問題ないし、半導体層30において、一度第4の工程にある条件での結晶成長を行えば、結晶成長温度や原料供給条件を変更することは何の問題もない。図1dに示す工程では、構造体STから下地基板10を剥離する。構造体STから下地基板10を剥離する方法は、公知の方法を用いることができる。これにより、半導体層20及び半導体層30を含む半導体基板SBを得ることができる。実施例及び比較例の概要本発明の実施例を以下に示すが、以下の実施例は本発明を限定するものではない。実施例1及び比較例1~4の結晶成長はHVPE水素化物気相成長法を用いて確認した。キャリアガスとして、水素ガスを用いた。III族原料としては、HClガスと金属Gaを750°Cで反応させたGaClを用いた。V族原料としては、アンモニアNH3ガスを用いた。成長圧力は、常圧約1013hPaとした。なお、キャリアガスとして窒素を用いた場合も行ったが、結果としては同様なものであったので、説明を省略している。比較例1m面10-10から傾斜していない結晶面の上面を有するサファイアの下地基板を1040°Cで10分間アニールを行い、そののち、温度を1040°Cに保った状態でアンモニアを1slmで30分間導入してサファイアの下地基板の上面の窒化を行った。その後、温度を1040°Cに保ったままV/III比=40の条件でGaN層を10分間かけて30μmほど成長した。成長したGaN層の表面のSEM写真とX線分析ω-2θscanの結果とを図10に示す。図10のX線分析の結果に示されるように、比較例1におけるGaN層では、10-10面に加えて10-13面や11-22面も成長している。すなわち、比較例1におけるGaN層は、10-10面m面以外の成長面を含むので、所望の成長面を有するGaN層半導体層となっていない。また、図10のSEM写真に示されるように、比較例1におけるGaN層は、凹凸を多く含む平坦でない表面を有している。このことから、比較例1におけるGaN層は多くの双晶を含んでいるものと考えられる。比較例2m面10-10から傾斜をしていない結晶面の上面を有するサファイアの下地基板を用いて、水素キャリアガス以外のものを導入せず、下地基板の温度が800°Cになったのち1分間25sccmの条件でアンモニアガスV族原料を供給せずにGaClガスIII族原料を供給した。その後、下地基板の温度を800°Cに保ったままV/III比=50の条件でGaClガスIII族原料とアンモニアガスV族原料とを供給して5分間窒化ガリウムのバッファ層半導体層を成長した。その後、GaClガスIII族原料の供給をやめて、アンモニアガスV族原料とキャリアガスとを供給しながら、結晶成長温度である1040°Cとなるまで昇温した。1040°Cの結晶成長温度に達したのちに再度GaClガスIII族原料をV/III比=40の条件で10分間供給して、10-10のGaN層半導体層を約30μm成長した。成長したGaN層のX線分析ω-2θscanの結果を図4に示す。成長したGaN層の表面の光学顕微鏡写真は、図5aと同様であった。図4のX線分析の結果に示されるように、比較例2におけるGaN層では、10-10面m面が成長しており、他の面が成長していないことが分かる。すなわち、比較例2におけるGaN層は、10-10面m面以外の成長面を含まないので、所望の成長面を有するGaN層半導体層となっている。しかし、図5aの光学顕微鏡写真に示されるように、比較例2におけるGaN層は、依然として、凹凸を多く含む平坦でない表面を有している。このことから、比較例2におけるGaN層は、依然として、多くの双晶を含んでいるものと考えられる。なお、この成長において、アンモニアガスV族原料を供給せずにGaClガスIII族原料を供給する時間を10から300秒の間で変更したが、得られた結果は同じであった。また、GaClガスIII族原料の供給開始温度も700から900°Cの間で確認を行ったが、同様の結果が得られた。さらに、その後に続いて行われるバッファ層半導体層の成長を、V/III比=20~100の範囲で、時間を1から60分の範囲で変更したが、この場合もやはり同様の結果が得られた。このように、上記の実施形態において、第1の期間T1に、サファイアの下地基板10を第1の温度T1に加熱した状態で、下地基板10の上面10aへV族原料を供給せずにIII族原料を供給することは、所望の成長面m面を有するGaN層半導体層を得るために有効な条件であるが、GaN層内の双晶を低減するためには十分な条件でないことが確認された。比較例3次に、m面10-10から<0001>方向に0°、1°、2°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板を準備した。1°、2°傾けた場合では、図9に示すように、下地基板の上面は、m面10-10からc面0001の法線[0001]に対して角度θ2で傾けた結晶面CS2である。m面は、{1-100}面群に属する面である。c面は、そのm面に直交し{0001}面群に属する面である。この下地基板を加熱した温度が800°Cになったのち、1分間25sccmの条件でGaClガスIII族原料を導入した。その後、800°Cの温度でV/III比=50の条件で5分間窒化ガリウムのバッファ層半導体層を2.5μm成長した。成長したバッファ層半導体層の光学顕微鏡による表面の観察結果を図11に示す。図11a、b、cは、それぞれ、m面10-10から<0001>方向に0°、1°、2°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板の上に成長したバッファ層半導体層の表面を示す。図11a~cの光学顕微鏡写真に示されるように、<0001>方向に傾けた場合、m面10-10から傾いていない場合と同様に、表面に長方形、もしくは細長い三角形に似た形の模様が観察された。この模様の原因が何であるかを確認するために、サファイアの下地基板がm面10-10から<0001>方向に1°傾けた場合のGaNのバッファ層の表面を、0.25mol/L、温度200°CのKOH溶液を用いて10分間エッチングを行った。その結果の表面のSEM写真を図12に示す。図12のSEM写真に示されるように、長方形の短辺が突き合わさった部分のエッチングは深くなっていることが観察された。このエッチングが深くなった部分は、GaNの結晶格子における2つのN原子面すなわち2つの000-1面が互いに向かい合ったものであると考えられる。すなわち、180°回転させても同様のピークが得られたというX線分析図4の小さい方のXRDチャートであるphi-Scanの図の結果とあわせて考えると、この線状に見える表面に垂直な面に鏡面対称となるような双晶が形成されていることがわかった。さらに、m面10-10から<0001>方向に1°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板を用いた場合の、エッチングを行っていないGaNのバッファ層に対して、GaClガスIII族原料の供給をやめて、アンモニアガスV族原料とキャリアガスとを供給しながら、結晶成長温度である1040°Cとなるまで昇温した。1040°Cの結晶成長温度に達したのちに再度GaClガスIII族原料をV/III比=40の条件で10分間供給して、10-10のGaN層半導体層を約30μm成長した。成長したGaN層の表面のSEM写真を図13に示す。図13のSEM写真に示されるように、m面10-10から<0001>方向に1°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板上に成長させたGaN層の表面では、明らかにうろこ状の欠陥が存在していることが分かる。このように、m面10-10から<0001>方向に傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板の上にIII族窒化物半導体の半導体層バッファ層を成長させることは、GaN層内の双晶を低減するために有効でないことが確認された。実施例1次に、m面10-10から<-12-10>方向に0°、1°、2°、3°、5°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板を準備した。そして、比較例3と同様の条件で、下地基板の上にGaNのバッファ層半導体層を2.5μm成長した。成長したGaNのバッファ層の光学顕微鏡による表面の観察結果を図5に示す。10-10から傾けていない下地基板を用いた場合に存在していた双晶は、<-12-10>方向に1°傾けた時点で完全に消失している。しかしながら、この傾斜角が大きくなるに従ってピット状の欠陥は増加する傾向にあった。この欠陥密度ピット密度と傾斜角の関係をグラフにしたものが図6である。図6に示されるように、良好な発光素子を作るのに必要だと思われる欠陥密度Dth1=5×105cm-2以下にするためには、10-10から<-12-10>方向への傾斜角を4°以下にすれば良いことが分かる。また、m面10-10から<-12-10>方向に1°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板の上に成長させたGaNのバッファ層の表面のSEM写真を図7に示す。図7のSEM写真に示されるように、実施例1におけるGaNのバッファ層は、非常に滑らかで平坦な表面を有している。このことから、実施例1におけるGaN層では、双晶が大幅に低減されていると考えられる。さらに、m面10-10から<-12-10>方向に0°、1°、2°、3°、5°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板の上に成長させたGaNのバッファ層の表面のX線分析10-10のX線ロッキングカーブの半値全幅FWHMの結果を、ぞれぞれ、図8に、Just、a-1、a-2、a-3、a-5として示している。なお、図8には、比較例3における、m面10-10から<0001>方向に1°、2°傾けた結晶面の上面を有するサファイアの下地基板の上に成長させたGaNのバッファ層の表面のX線分析の結果を、c-1、c-2として、比較のために併せて示している。図8に示されるように、Justからa-1にかけてX線半値全幅が劇的に減少しており結晶性が大幅に向上していることが分かる。すなわち、m面10-10から<-12-10>方向に傾ける角度の臨界値は、0.5°であることが分かる。このときのX線半値全幅の値を閾値Wth1とすると、a-1、a-2、a-3、a-5のいずれの条件のX線半値全幅も閾値Wth1以下に収まっている。すなわち、a-1、a-2、a-3、a-5のいずれの条件のGaNのバッファ層も良好な結晶性を有していることが分かる。このように、上記の実施形態において、下地基板10の上面10aをm面からa面の法線に対して角度θ10.5°以上4°以下の値で傾けた結晶面CS1とすることは、その上にIII族窒化物半導体の半導体層例えば、GaN層を成長させた場合に、半導体層内の双晶を低減し半導体層の結晶性を向上するために有効な条件であることが確認された。一方、図8に示されるように、c-1、c-2の条件のX線半値全幅はJustの条件のX線半値全幅と同様であり、半導体層の結晶性を向上するために有効でないことが確認された。"