基板の上に、それぞれが窒化物半導体からなる第1導電型層、活性層及び第2導電型層を前記基板側から積層する工程と、前記第2導電型層の上部に対して選択的にエッチングを行って、前記活性層の上方に一方向に延び且つ上面及び互いに対向する側面を有するリッジ部を形成する工程と、前記第2導電型層の上に、前記リッジ部の上面及び側面を覆うと共に、前記リッジ部の側面上の厚さが前記リッジ部の下部側よりも上部側が厚い第1の誘電体膜を形成する工程と、前記第1の誘電体膜の上における前記リッジ部の両側方で、且つ、該リッジ部の上方から見て前記第1の誘電体膜における前記リッジ部の側面上部分と重ならない領域に、前記活性層からの光を吸収する薄膜を自己整合的に形成する工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体発光装置の製造方法。前記薄膜を自己整合的に形成する工程は、法線蒸着法を用いることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。前記薄膜は、シリコン又はアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。前記第1の誘電体膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。前記薄膜を形成する工程よりも後に、前記第1の誘電体膜の上に前記薄膜を覆うように第2の誘電体膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。前記第2の誘電体膜は、酸化ジルコニウムからなることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。前記薄膜を形成する工程よりも後に、前記第2導電型層の前記リッジ部と電気的に接続されるリッジ部側電極を形成する工程と、前記第1導電型層と電気的に接続される基板側電極を形成する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。前記リッジ部側電極を形成する工程は、前記リッジ部側電極を含む前記第2の誘電体膜の上にパッド電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。前記窒化物半導体は、一般式InxAlyGa1-x-yN但し、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1である。からなるIII-V族窒化物化合物半導体であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。基板上に該基板側から積層された第1導電型層、活性層、及び上部に光の共振方向に延びるリッジ部を有する第2導電型層を含む半導体積層体と、前記第2導電型層における前記リッジ部の両側方及び両側面上に形成され、該両側面上において下部側よりも上部側が厚い第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜の上における前記リッジ部の両側方で、且つ、該リッジ部の上方から見て前記第1の誘電体膜における前記リッジ部の側面上部分と重ならない領域に形成され、前記活性層からの光を吸収する薄膜と、前記第1の誘電体膜の上に、前記薄膜を覆うと共に前記リッジ部側の端部が前記リッジ部と反対側の端部よりも厚く形成され、前記光の共振方向に対して垂直な方向の断面が順メサ形状となる厚膜部を有する第2の誘電体膜とを備え、前記リッジ部は、その側面が前記第1の誘電体膜の上面に対して90°又は90°を超えて内側に傾いた順メサ形状を有し、前記薄膜の前記リッジ部側の端部は、前記第2の誘電体膜における前記厚膜部の外側の境界位置よりも前記リッジ部に近接するように形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光装置。前記薄膜は、シリコン又はアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項10に記載の窒化物半導体発光装置。前記第1の誘電体膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項10又は11に記載の窒化物半導体発光装置。前記第2の誘電体膜は、酸化ジルコニウムからなることを特徴とする請求項10~12のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置。前記半導体積層体は、一般式InxAlyGa1-x-yN但し、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1である。からなるIII-V族窒化物化合物半導体により構成されていることを特徴とする請求項10~13のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光装置。上記の特許文献1には、波長が405nmの光よりも長波長側に吸収端を有するアモルファスシリコンがp-AlGaNからなるp型クラッド層と直接に接してリッジ部の両側方に形成されている。[表1]に、主な材料の熱膨張係数及び屈折率を示す。[表1]に示すように、GaNの熱膨張係数は5.6×10-6/Kであるのに対して、アモルファスシリコンの熱膨張係数は0.6×10-6/Kであり、両者の間には、1桁程度の差がある。従って、熱膨張係数の差に起因して生じる応力は、p型クラッド層の誘電率に変化を与え、リッジ部の内外における屈折率の変化が増大する。このため、光分布は、リッジ部の外側に拡がるように変形し、水平拡がり角が小さくなる。また、吸収膜で発生する水平基本横モードの導波路損失が増大して、スロープ効率の低下と動作電流値の増大とを招くことになる。また、レーザ発振時のジュール発熱によっても、p型クラッド層には熱膨張係数の差に起因する応力変化が生じる。ウルツ鉱型結晶であるGaNに加わる応力により結晶格子に歪みが生じると、圧電分極によって結晶の内部にピエゾ電界が生じる。生じたピエゾ電界は、活性層に注入される電子とホールとを分離して、再結合確率を低下させる。このため、内部量子効率が低くなって、外部量子効率を低下させる。また、特許文献1に記載された吸収膜は、通常、マスク合わせを行って、リッジ部に対して左右対称の位置に形成する。しかしながら、この場合、吸収膜とリッジ部との離間距離には、マスク合わせのマージンによって生じる0.2μm程度の左右の位置ずれが生じる。従って、リッジ部と吸収膜との離間距離を1μm以下にまで近接していくと、水平高次横モードの制御が困難となる。これにより、製造される素子ごとに、水平拡がり角のばらつきが増大したり、光軸のずれが発生したりする。その上、高出力レーザダイオードにおけるしきい電流値及び動作電流値にもばらつきが生じるため、光ピックアップ装置における光路設計が困難となる。本発明は、前記の問題を解決し、リッジ部の側方に設けられ且つ発光光を吸収する吸収膜に起因する応力を低減すると共に、水平拡がり角のばらつきを抑制でき、且つ水平拡がり角が安定したFFP特性を実現できるようにすることを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、窒化物半導体発光装置を、発光光を吸収する吸収膜を、リッジ部を有する半導体層の上に直接に形成するのではなく、誘電体膜を介在させて形成すると共に該誘電体膜をリッジ部の側面に上部が下部よりも厚くなるように設ける構成とする。具体的に、本発明に係る窒化物半導体発光装置の製造方法は、基板の上に、それぞれが窒化物半導体からなる第1導電型層、活性層及び第2導電型層を基板側から積層する工程と、第2導電型層の上部に対して選択的にエッチングを行って、活性層の上方に一方向に延び且つ上面及び互いに対向する側面を有するリッジ部を形成する工程と、第2導電型層の上に、リッジ部の上面及び側面を覆うと共に、リッジ部の側面上の厚さがリッジ部の下部側よりも上部側が厚い第1の誘電体膜を形成する工程と、第1の誘電体膜の上におけるリッジ部の両側方で、且つ該リッジ部の上方から見て第1の誘電体膜におけるリッジ部の側面上部分と重ならない領域に、活性層からの光を吸収する薄膜を自己整合的に形成する工程とを備えている。本発明の窒化物半導体発光装置の製造方法によると、第2導電型層の上に、リッジ部の上面及び側面を覆うと共にリッジ部の側面上の厚さがリッジ部の下部側よりも上部側が厚い第1の誘電体膜を形成し、その後、第1の誘電体膜の上におけるリッジ部の両側方で、且つ該リッジ部の上方から見て第1の誘電体膜におけるリッジ部の側面上部分と重ならない領域に、活性層からの光を吸収する薄膜を自己整合的に形成する。これにより、発光光を吸収する薄膜が、第2導電型層と直接に接することがない。その上、該薄膜はリッジ部に対して自己整合的に形成されるため、リッジ部の側面からの離間距離のばらつきが低減する。これにより、水平拡がり角が安定したFFP特性を実現することができる。本発明の窒化物半導体発光装置の製造方法において、薄膜を自己整合的に形成する工程は、法線蒸着法を用いてもよい。この場合に、薄膜は、シリコン又はアモルファスシリコンからなっていてもよい。本発明の窒化物半導体発光装置の製造方法において、第1の誘電体膜は、シリコン酸化膜であってもよい。本発明の窒化物半導体発光装置の製造方法は、薄膜を形成する工程よりも後に、第1の誘電体膜の上に薄膜を覆うように第2の誘電体膜を形成する工程をさらに備えていてもよい。この場合に、第2の誘電体膜は、酸化ジルコニウムからなっていてもよい。本発明の窒化物半導体発光装置の製造方法は、薄膜を形成する工程よりも後に、第2導電型層のリッジ部と電気的に接続されるリッジ部側電極を形成する工程と、第1導電型層と電気的に接続される基板側電極を形成する工程とをさらに備えていてもよい。この場合に、リッジ部側電極を形成する工程は、リッジ部側電極を含む第2の誘電体膜の上にパッド電極を形成する工程を含んでいてもよい。本発明の窒化物半導体発光装置の製造方法において、窒化物半導体は、一般式InxAlyGa1-x-yN但し、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1である。からなるIII-V族窒化物化合物半導体であってもよい。このようにすると、活性層における光の発振波長を青紫色から緑色の領域とすることができる。本発明に係る窒化物半導体発光装置は、基板上に該基板側から積層された第1導電型層、活性層、及び上部に光の共振方向に延びるリッジ部を有する第2導電型層を含む半導体積層体と、第2導電型層におけるリッジ部の両側方及び両側面上に形成され、該両側面上において下部側よりも上部側が厚い第1の誘電体膜と、第1の誘電体膜の上におけるリッジ部の両側方で、且つ該リッジ部の側面の上方から見て第1の誘電体膜におけるリッジ部の側面上部分と重ならない領域に形成され、活性層からの光を吸収する薄膜と、第1の誘電体膜の上に、薄膜を覆うと共にリッジ部側の端部がリッジ部と反対側の端部よりも厚く形成され、光の共振方向に対して垂直な方向の断面が順メサ形状となる厚膜部を有する第2の誘電体膜とを備え、リッジ部は、その側面が第1の誘電体膜の上面に対して90°又は90°を超えて内側に傾いた順メサ形状を有し、薄膜のリッジ部側の端部は、第2の誘電体膜における厚膜部の外側の境界位置よりもリッジ部に近接するように形成されている。本発明の窒化物半導体発光装置によると、第1の誘電体膜は、第2導電型層におけるリッジ部の両側方及び両側面上に、該両側面上において下部側よりも上部側が厚くなるように形成されている。さらに、活性層からの光を吸収する薄膜は、第1の誘電体膜の上におけるリッジ部の両側方で、且つ該リッジ部の側面の上方から見て第1の誘電体膜におけるリッジ部の側面上部分と重ならない領域に形成されている。これにより、薄膜とリッジ部との離間距離が、リッジ部の両側方において実質的に等しい構造となるため、レーザ光の光軸のずれを発生させることなく、リッジ部と薄膜との離間距離を近接して例えば、0.3μm程度以下にまで設けることが可能となる。その結果、水平高次横モード発振の抑制が容易に達成される。このため、電流-光出力特性におけるキンクの発生をリッジ部の幅を小さくすることなく抑制することが可能となる。また、水平拡がり角を大きく維持できると共に、水平拡がり角のばらつき、光軸のずれ、並びにしきい電流値及び動作電流値のばらつきを抑制することができる。本発明の窒化物半導体発光装置において、薄膜は、シリコン又はアモルファスシリコンからなっていてもよい。本発明の窒化物半導体発光装置において、第1の誘電体膜は、シリコン酸化膜であってもよい。本発明の窒化物半導体発光装置において、第2の誘電体膜は、酸化ジルコニウムからなっていてもよい。本発明の窒化物半導体発光装置において、半導体積層体は、一般式InxAlyGa1-x-yN但し、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1である。からなるIII-V族窒化物化合物半導体により形成されていてもよい。このようにすると、活性層における光の発振波長を青紫色から緑色の領域とすることができる。本発明に係る窒化物半導体発光装置及びその製造方法によると、リッジ部の側方に設けられ且つ発光光を吸収する吸収膜に起因する応力を低減すると共に、水平拡がり角のばらつきを抑制でき、且つ水平拡がり角が安定したFFP特性を実現することができる。一実施形態本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光装置ついて、GaN系半導体レーザダイオードに適用した場合を例として図1を参照しながら説明する。図1に示すように、本実施形態に係るGaN系半導体レーザダイオードは、N型GaNからなる基板1の主面上に、N型AlxGa1-xNからなるN型クラッド層2、N型GaNからなるN型光ガイド層3、InyGa1-yNからなる障壁層とInsGa1-sNからなる井戸層とを複数対含む多重量子井戸活性層4、P型GaNからなるP型光ガイド層5、及び上部にP型GaNからなるP型コンタクト層図示せずを含むP型AltGa1-tNからなるP型クラッド層6が順次形成されている。ここで、例えば、N型クラッド層2は、厚さが2.5μmで組成xは0.03であり、N型光ガイド層3は厚さが0.1μmである。多重量子井戸活性層4は、障壁層の組成yが0.08であり、井戸層の組成sが0.03である。P型光ガイド層5は厚さが0.1μmであり、P型クラッド層6は、厚さが0.5μmで組成tが0.03である。P型クラッド層6は、共振器における光の共振方向にリッジストライプ状に加工されたリッジ部6aを有し、P型コンタクト層はその上部に形成される。リッジ部6aの幅は、例えば1.4μm程度であり、共振器長は、例えば800μmである。また、レーザダイオードのチップの幅は、例えば200μmである。本実施形態の特徴として、リッジ部6aの側面上を含め、P型クラッド層6の上には、酸化シリコンSiO2からなる第1の誘電体膜7が形成されている。ここで、第1の誘電体膜7は、リッジ部6aの側面上の厚さが該リッジ部6aの下部側よりも上部側が厚くなるように、すなわち、リッジ部6aの側面に対して逆メサ形状となるように形成されている。第1の誘電体膜7の上におけるリッジ部6aの両側方には、アモルファスシリコンa-シリコンからなる薄膜である吸収膜8がそれぞれ形成されている。ここで、各吸収膜8は、リッジ部6aの上方から見て、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの側面上部分と重ならない領域に形成される。さらに、第1の誘電体膜7の上には、吸収膜8を覆うと共にリッジ部6a側の端部が該リッジ部6aと反対側の端部よりも厚く形成され、さらにリッジ部6aの側面に対して順メサ形状となる厚膜部を有する第2の誘電体膜9が形成されている。なお、第2の誘電体膜9は、例えば酸化ジルコニウムZrO2から構成される。また、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの側面上部分は、その上端面が第2の誘電体膜9の厚膜部順メサ部から露出している。P型クラッド層6のリッジ部6aの上には、該リッジ部6aの上部に形成されたP型コンタクト層を覆うように、リッジ部側電極であるP電極10が形成されている。ここで、P電極10には、P型GaNと低接触抵抗で接続できるパラジウムPd又はニッケルNi等の金属を用いることができる。第1の誘電体膜7及び第2の誘電体膜9の上には、リッジ部6aの上部、すなわちP電極10を覆うようにパッド電極11が形成されている。パッド電極11には、チタンTi又は金Auを用いることができる。基板1のN型クラッド層2とは反対側の面、すなわち裏面には、N型GaNからなる基板1と低接触抵抗で接続できるように、例えば、基板1側から積層されたチタンTi/Pt白金/金Auからなる基板側電極であるN電極12が形成されている。以下、前記のように構成されたGaN系半導体レーザダイオードの製造方法について図2a~図7bを参照しながら説明する。リッジストライプの形成まず、図2aに示すように、例えば有機金属気相成長MetalorganicChemicalVaporDeposition:MOCVD法を用いて、N型GaNからなる基板1Aの主面上に、N型AlxGa1-xNからなるN型クラッド層2、N型GaNからなるN型光ガイド層3、InyGa1-yNからなる障壁層とInsGa1-sNからなる井戸層とを交互に積層した多重量子井戸活性層4、P型GaNからなるP型光ガイド層5、P型AltGa1-tNからなるP型クラッド層6、及びP型GaNからなるP型コンタクト層図示せずを順次成長により形成して、半導体積層体を得る。なお、各窒化物半導体層における組成x、y、s及びtは、上述したように、例えば、0.03、0.08、0.03及び0.03である。続いて、P型コンタクト層の上にシリコン酸化膜を堆積し、リソグラフィ法及びドライエッチング又はウエットエッチング法により、堆積したシリコン酸化膜をリッジストライプ状にパターニングしたマスクパターン13を形成する。次に、マスクパターン13を用いて、リッジ部6aの側面の基板面に対する角度θが90°又は90°よりも大きく、好ましくは110°程度以下の順メサ形状となる所望のエッチング条件により、例えば塩素Cl2プラズマを用いたドライエッチングを行う。その後、図2bに示すように、マスクパターン13を、例えばバッファードフッ酸BufferedHydrofluoricAcid:BHFを用いたウエットエッチングで除去することにより、所定の寸法を有し、側面の角度θが90°以上且つ110°程度以下の順メサ状のリッジ部6aを得る。電流ブロック層の形成大気圧下において、約300°C程度で成膜する常圧化学気相成長ChemicalVaporDeposition:CVD法における堆積種の平均自由行程は、約100nmであり、一般的なレーザダイオードにおけるリッジ型の共振器の段差構造は0.3μm~1.0μm程度である。そこで、図3aに示すように、堆積種の平均自由行程が約100nm程度である常圧CVD法を用いて、P型クラッド層6の上にリッジ部6aを覆うように、SiO2からなる第1の誘電体膜7Aを形成する。平均自由行程が小さい常圧CVD法を用いると、堆積種のリッジ部6aの下部への回り込みが抑制される。このため、リッジ部6aの側面の角度θが90°~110°程度の順メサ状のリッジ部6aに対して、該リッジ部6aの側面の上部が基板1の主面に平行な方向に張り出した逆メサ形状を有する第1の誘電体膜7Aを形成することができる。この第1の誘電体膜7Aにおけるリッジ部6aの側面上の逆メサ状部分が電流ブロック層として機能する。なお、第1の誘電体膜7Aは、SiO2であれば、常圧CVD法により、リッジ部6aの上部に横方向に張り出す逆メサ形状を容易に形成できるためで好ましい。但し、第1の誘電体膜7Aは、リッジ部6aの両側面の上部を横方向に互いに等しい距離で張り出すように形成できれば、SiO2に限られない。ここで、P型クラッド層6と接する、SiO2からなる第1の誘電体膜7Aは、リッジ部6aの上部の横方向への張り出し距離に基づいて堆積する膜厚が決定される。すなわち、レーザ発振における閾値電流に影響がない範囲で、吸収膜8を可能な限りリッジ部6aに近づけることができるようにする。具体的には、例えば、リッジ部6aの側面の上部から約0.3μmで張り出すように形成するには、第1の誘電体膜7Aの膜厚を、約100nm~1000nmの範囲で所望の膜厚に成膜する。第1の誘電体膜7Aにおけるリッジ部6aの側面を除く基板面に垂直な方向の膜厚は、光分布水平方向における横モードを制御する上での重要なパラメータである。従って、第1の誘電体膜7Aの側方部分の膜厚が厚くなると、GaNとの熱膨張係数の差に起因して発生する応力も大きくなる。逆に、第1の誘電体膜7の側方領域の膜厚が薄くなり過ぎると、水平基本横モードの導波路損失が増大してしまう。このため、第1の誘電体膜7Aの膜厚は、上記の張り出し寸法とは独立して所望の膜厚を設定することが好ましい。このような場合、図3bに示すように、第1の誘電体膜7Aに対して、例えば反応性イオンエッチングRIE法による異方性エッチバックを行って、第1の誘電体膜7Aの膜厚が0nmよりも大きく且つ500nm程度以下となるように薄膜化して、第1の誘電体膜7とすればよい。これにより、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの側面上の膜厚である横方向への張り出し寸法を一定に保ちつつ、P型クラッド層6におけるリッジ部6aの側方領域の膜厚を独立に制御することができる。吸収膜の形成次に、図4aに示すように、リソグラフィ法により、第1の誘電体膜7の上に、吸収膜8を自己整合的に形成する第1のレジストマスク14を形成する。続いて、第1のレジストマスク14を用いて、第1の誘電体膜7の上にアモルファスシリコンからなる吸収膜8を法線蒸着する。この法線蒸着には、例えば、電子ビーム蒸着法等を用いることができる。吸収膜8の膜厚は、5nm~500nm程度の所望の膜厚とする。このようにすると、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの上部の横方向への張り出し寸法に応じて、吸収膜8はリッジ部6aに対して両側に互いに等しい距離となるように自己整合的に離間して形成される。吸収膜8は、前述した特許文献1における構成と異なり、第1の誘電体膜7を介在させて形成される。このため、吸収膜8に取り込まれる光分布の割合が小さくなるので、吸収膜8における光吸収損失が小さくなる。従って、吸収膜8とリッジ部6aとの離間距離をより近接して形成することが要求される。しかしながら、本実施形態によると、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの上部の横方向への張り出し寸法を、1μm程度以下にまで容易に制御することができる。このため、吸収膜8のリッジ部6aとの離間距離を水平高次横モード発振が抑制できる位置に安定して形成することが可能となる。なお、吸収膜8は、アモルファスシリコンに限られず、多重量子井戸活性層4からの発光光の発振波長に対して吸収係数を持つ種々の材料、例えば、酸化チタンTiO2を用いることができる。次に、図4bに示すように、第1のレジストマスク14を、例えばアセトン等の有機溶剤を用いてリフトオフする。これにより、アモルファスシリコンからなる吸収膜8が、リッジ部6aに対する離間距離が両側方で互いに等しく自己整合的に決定されるように形成する。このとき、両吸収膜8のリッジ部6a側の端部は、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの各側面から離間して形成される。このように、アモルファスシリコンからなる吸収膜8を、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの各側面から離間して形成することは、リッジ部6aの側面に吸収膜8が接触する場合に問題となる、水平基本横モードに対する導波路損失を抑えることができるため好ましい。第2の誘電体膜の形成次に、図5aに示すように、第1の誘電体膜7及び吸収膜8を覆う第2の誘電体膜9を形成する。第2の誘電体膜9は、真空下で行うスパッタ法により、熱膨張係数が比較的に大きい酸化ジルコニウムZrO2膜を、リッジ部6aの側面上で逆メサ形状に形成された第1の誘電体膜7を覆うように、順メサ形状に形成する。すなわち、リッジ部6aの側面の下部が厚く、リッジ部6aの側面の上部が薄くなるように形成する。なお、第2の誘電体膜9における順メサ形状は、第2の誘電体膜9を成膜した後、アルゴンAr等の不活性ガスを用いた反応性イオンエッチングRIE法によるドライエッチングを、第2の誘電体膜9の全面に施すことにより形成してもよい。この場合、RIE法において、アルゴンArにフッ素Fをドープしたプラズマ雰囲気を用いれば、第2の誘電体膜9に対してフッ素のドーピング量を増やすことにより、該第2の誘電体膜9を低誘電率の電流ブロック層とすることができる。このため、後工程で形成されるパッド電極とP型クラッド層6とに挟まれる第2の誘電体膜9により構成されるコンデンサの容量値を小さくすることができる。この容量値が小さくなることにより、パルス駆動時の電圧の立ち上がり及び立ち下がりが急峻となるため、駆動特性を向上することができる。その上、低誘電率である第2の誘電体膜9がP型クラッド層6におけるリッジ部6aの両側方部分で接することにより、該接触部の界面及びその近傍における電気的な変化が抑制される。その結果、多重量子井戸活性層4に注入される電流経路を安定化することができる。このように、第2の誘電体膜9を低誘電率化することが好ましい。なお、ここでは第2の誘電体膜9に酸化ジルコニウムZrO2を用いたが、これに代えて酸化シリコンSiO2を用いることができる。電流ブロック層の開口次に、図5bに示すように、リソグラフィ法により、第2の誘電体膜9の上に、リッジ部6aの上側部分に開口パターンを有する第2のレジストマスク15を形成する。次に、図6aに示すように、ドライエッチング法又はウエットエッチング法により、第2のレジストマスク15を用いて、第2の誘電体膜9におけるリッジ部6aの上側部分及び両側方部分、リッジ部6aの上に形成された吸収膜8及び第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの上側部分及び両側方の上部をエッチングする。ここでは、ZrO2からなる第2の誘電体膜9及びアモルファスシリコンからなる吸収膜8は、三塩化ホウ素BCl3/塩素Cl2プラズマを用いたドライエッチングを行う。また、SiO2からなる第1の誘電体膜7に対しては、リッジ部6aの上部のP型コンタクト層にドライエッチングによるダメージを与えないように、BHFを用いたウエットエッチングを行うことが好ましい。なお、本工程において、第2のレジストマスク15を形成する際に、リッジ部6aにおける長手方向の一部をマスクすることにより、第2の誘電体膜9におけるリッジ部6aの上側に開口しない領域を設けると、リッジ部6aの上面の一部、例えばリッジ部6aの端面の近傍に電流の非注入構造を形成することができる。すなわち、断面形状が順メサ形状である端面非注入構造を形成することができる。このようにすると、劈開工程において、第2の誘電体膜9における共振器端面の近傍部分に生じる割れ又は剥がれが抑制されるため好ましい。以上の工程により、リッジ部6aの上側に開口部を有する逆メサ状の第1の誘電体膜7と、リッジ部6aの両側面に第1の誘電体膜7を介在させて共振器に対称に且つ近接して形成された吸収膜8と、リッジ部6aの上側に開口部を有し、第1の誘電体膜7におけるリッジ部6aの逆メサ状の側面及び吸収膜8を覆う順メサ状の第2の誘電体膜9とからなる電流ブロック層を得る。このとき、各吸収膜8のリッジ部6a側の端部は、第2の誘電体膜9における順メサ部の外側の境界位置よりもリッジ部6aに近接するように形成される。このように、本実施形態の製造方法によると、リッジ部6aの側面の下部に、各吸収膜8を第1の誘電体膜7の膜厚程度の寸法に自己整合的に近接して形成することができる。また、各吸収膜8のリッジ部6a側の端部の上面には、順メサ状の第2の誘電体膜9が形成された構成とすることができる。P電極の形成次に、図6bに示すように、例えば、真空蒸着法により、リッジ部6aを露出する開口部を含む第2のレジストマスク15の上に、パラジウムPd又はニッケルNiからなるP電極10を成膜する。次に、図7aに示すように、第2のレジストマスク15を、例えばアセトン等の有機溶剤によってリフトオフすることにより、P電極10をリッジ部6aの頂部に形成する。次に、図7bに示すように、第3のレジストマスク図示せずを用いた蒸着リフトオフ法により、P電極10の上にパッド電極11を形成する。パッド電極11は、P電極10だけでなく、第2の誘電体膜9を覆うように形成する。なお、パッド電極11は、金属相互拡散を抑止可能な金Au等を含む2層以上の構成が好ましく、例えばTi/Pt/Auの積層構造とする。N電極の形成次に、N型GaNからなる基板1Aの裏面を、100μm以下の所望の厚さにまで研削及び研磨して、基板1を得る。その後、図1に示すように、基板1の裏面に、該基板1と接続されるTi/Pt/Auの積層膜からなるN電極12を形成する。以上のプロセスにより、図1に示す高出力GaN形半導体レーザダイオードを得る。本実施形態によると、P型クラッド層6と接することなく、リッジ部6aに対して、自己整合的に且つ対称となるように、吸収膜8を形成することができる。このように、吸収膜8とリッジ部6aとの離間距離が、リッジ部6aに対して等しいレーザ構造を得ることができるため、レーザ光の光軸のずれが発生しない。このため、リッジ部6aと吸収膜8との離間距離を約0.3μm以下にまで近接して設けることができるので、水平高次横モード発振を容易に抑制することができる。その結果、電流-光出力特性におけるキンクの発生を、リッジ部6aの幅を狭めることなく抑制することが可能となる。また、同時に製造される複数のレーザダイオード同士の間であっても、水平拡がり角を大きく維持でき、且つ、水平拡がり角のばらつき及び光軸のずれ、しきい電流値及び動作電流値のばらつきを抑制することができる。なお、P電極10に用いられるNi若しくはPd、又はパッド電極11に用いられるTi若しくはAu等の熱膨張係数が大きい金属と、熱膨張係数が小さい吸収膜8とが直接に接する場合には、レーザ発振時のジュール発熱に伴ってP電極10又はパッド電極11が吸収膜8から剥離してしまい、放熱が阻害されて素子の温度特性を低下させる。しかしながら、本実施形態においては、アモルファスシリコンからなる吸収膜8が、P型クラッド層6及びパッド電極11と直接に接することがない、逆メサ形状の第1の誘電体膜7と順メサ形状の第2の誘電体膜9とに挟まれた構造としている。これにより、P型クラッド層6に、第1の誘電体膜7及び第2の誘電体膜9との熱膨張係数の差に起因する応力を効果的に縮減することができる。その結果、同時に製造される複数のレーザダイオード同士の間で水平拡がり角を大きく維持でき、且つ、P電極10の吸収膜8からの剥れを抑制することができる。特に、吸収膜8におけるリッジ部6a側の端部において、該吸収膜8の上に第2の誘電体膜9の順メサ状部分が厚く形成されるため、吸収膜8に印加される、各誘電体膜7、9との熱膨張係数の差に起因する応力をさらに低減することができる。なお、本発明は、GaN系半導体レーザダイオードに限られず、半導体積層体にリッジ部を有する、一般式がInxAlyGa1-x-yN但し、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1である。からなるIII-V族窒化物化合物半導体よりなる半導体発光装置に適用可能である。