半導体素子を樹脂でモールドするための半導体装置の製造方法であって、一方の型と他方の型との間に形成されるキャビティ内に前記半導体素子を配置すると共に、前記一方の型または他方の型に形成された前記樹脂を前記キャビティ内に注入するための注入口と前記半導体素子との間に熱マス部材を配置した状態において前記注入口から樹脂を注入して前記半導体素子を樹脂でモールドすることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、1個もしくは複数個の貫通孔が形成された熱マス部材を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、金属材料からなる熱マス部材を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、前記半導体素子の配線用リードフレームを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。しかし、この特許文献1に記載された製造方法においては、モールド金型枠内に供給される封止用樹脂材料により、第1の金型および第2の金型の間に配置された半導体チップが破壊される恐れがあり、樹脂封止に係る製造時の歩留まりが低下するという問題があった。特に、ランナレス方式のトランスファ成形方式においては、ポットに投入された封止用樹脂がランナを介さないで直接モールド金型枠内に溶融圧入されるため、封止用樹脂が金型熱で十分に溶融されないうちに直接半導体チップに接触して半導体チップを損傷させる恐れがあった。本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、半導体素子を樹脂モールドする際に半導体素子を破壊する恐れが少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記の問題点を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、次の構成を有している。1半導体素子を樹脂でモールドするための半導体装置の製造方法であって、一方の型と他方の型との間に形成されるキャビティ内に前記半導体素子を配置すると共に、前記一方の型または他方の型に形成された前記樹脂を前記キャビティ内に注入するための注入口と前記半導体素子との間に熱マス部材を配置した状態において前記注入口から樹脂を注入して前記半導体素子を樹脂でモールドすることを特徴とする。21に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、1個もしくは複数個の貫通孔が形成された熱マス部材を用いることを特徴とする。31に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、金属材料からなる熱マス部材を用いることを特徴とする。41に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、前記半導体素子の配線用リードフレームを用いることを特徴とする。上記構成を有する本発明の半導体装置の製造方法の作用効果について説明する。1半導体素子を樹脂でモールドするための半導体装置の製造方法であって、一方の型と他方の型との間に形成されるキャビティ内に前記半導体素子を配置すると共に、前記一方の型または他方の型に形成された前記樹脂を前記キャビティ内に注入するための注入口と前記半導体素子との間に熱マス部材を配置した状態において前記注入口から樹脂を注入して前記半導体素子を樹脂でモールドするので、キャビティ内に注入される樹脂によって半導体素子が破壊される恐れが少なく、歩留まりを向上させることができるなどの優れた効果を奏する。21に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、1個もしくは複数個の貫通孔が形成された熱マス部材を用いたので、熱マス部材によって空洞が発生しにくく、品質が安定する。31に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、金属材料からなる熱マス部材を用いたので、キャビティ内に注入される樹脂は金属材料からなる熱マス部材に接触して軟化しやすく、成形性が向上する。41に記載する半導体装置の製造方法において、前記熱マス部材として、前記半導体素子の配線用リードフレームを用いたので、熱マス部材として特別の部材を必要とせず、構成が簡単となって安価に製造できると共に、半導体装置の品質が安定する。実施形態1以下、本発明に係る半導体装置の製造方法について、実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施例において図は、適宜簡略化或いは変形誇張されて描画されており、各部の寸法比および形状等は必ずしも実施例と同一ではない。図1は、本発明の半導体装置の製造方法を実施する実施形態1に係る樹脂封止装置を概略的に示す図である。図2は、半導体装置の第2のリードフレームのみを示す平面図である。図1において、半導体装置10の半導体素子12に樹脂をモールドするための樹脂封止装置14の金型は、図示しない本体フレームに固定された上型16と、図示しない昇降機構によって上下方向に移動可能に支持された下型18とで構成されている。前記上型16と前記下型18と間には、キャビティCが形成され、そのキャビティC内には、前記半導体素子12などが配置可能となっている。また、前記下型18には、前記キャビティC内に樹脂24を投入するための注入口を構成するところのポット20が形成され、そのポット20には、前記樹脂24を前記キャビティCに圧入するため圧入手段であるプランジャ22が備えられている。前記樹脂24には、熱硬化性樹脂が用いられ、具体的にはエポキシ樹脂が用いられ、前記ポット20の形状と一致したタブレット状樹脂24Aが用いられる。前記上型16および前記下型18は、図示しないヒータにより加熱されており、通常150°C~200°C、望ましくは、170°C~180°Cに加熱されている。前記半導体装置10は、前記半導体素子12が接着されたダイを兼ねる導電金属材料から成るヒートシンク30と、そのヒートシンク30より水平に延びる同じく導電金属材料から成る第1のリードフレーム32と、前記半導体素子12とは半田層34を介して接合された同じく導電金属材料から成る第2のリードフレーム36と、前記ヒートシンク30と前記第2のリードフレーム36との間に配置された絶縁体から成る支柱38と、前記半導体素子12などを封止する樹脂24とから構成されている。図2に示すように、前記支柱38は、前記半導体素子12を囲むようにして4個配置されている。また、前記第2のリードフレーム36には、図2に示すように、前記半田層34を避けるようにして2個の貫通孔40が穿設され、本発明の熱マス部材蓄熱部材に相当する。なお、前記半導体装置10は、前記第1のリードフレーム32が前記上型16および前記下型18に狭持されることにより、前記半導体素子12が前記キャビティC内に保持される。次に、以上のように構成された樹脂封止装置14を用いて半導体素子12を樹脂封止し、次いで、樹脂封止装置14から封止後の半導体装置10を外すまでの工程について説明する。図3a~fは、樹脂封止装置14を用いて半導体素子12を樹脂封止する工程を説明するための工程図である。図3aに示すように、あらかじめ、第1のリードフレーム32及び第2のリードフレーム36に対してダイボンディングおよびワイヤボンディングなどがされた半導体素子12が、樹脂封止装置14の上型16および下型18間に配置されると共に、ポット20にタブレット状樹脂24Aがセットされる。なお、この際、既に第1のリードフレーム32と第2のリードフレーム36との間には、支柱38も配置接着されている。次に、図3bに示すように、下型18を図示しない昇降機構によって上方向に移動させて上型16と接合させる。すると、半導体素子12などは、第1のリードフレーム32が、上型16および下型18との間に狭持されることによりキャビティC内に保持される。この際、ヒートシンク30の上面が上型16の内面に接するようにして半導体素子12などは、キャビティC内に保持される。次に、図3cに示すように、この状態において、図示しない駆動装置を用いてプランジャ22をポット20内において上昇させると、下型18の金型熱によって加熱されたタブレット状樹脂24Aは、金型熱により溶融されながらキャビティC内に注入される。この際、第2のリードフレーム36は、上型16および下型18からの熱により加熱されて熱が蓄積されており、キャビティC内に侵入したタブレット状樹脂24Aは、第2のリードフレーム36に当接してその溶融が促進される。溶融したタブレット状樹脂24Aは、図2に矢印で示すように、一部が第2のリードフレーム36に形成された貫通孔40から半導体素子12および半田層34の周りに流入し、それらを封入する。したがって、半導体素子12および半田層34の周りに空洞が発生しにくい。また、ポット20からキャビティC内に流入したタブレット状樹脂24Aが直接半導体素子12に接することがないため、完全に溶融していないタブレット状樹脂24Aによって半導体素子12やボンディングワイヤなどが損傷を受けることもない。さらに、その際、タブレット状樹脂24Aが当接することにより第2のリードフレーム36が変形しようとするが、第2のリードフレーム36が4個の支柱38およびヒートシンク30を介して上型16に支持されているので、変形する恐れも少ない。次に、図3dに示すように、この状態が保持され、キャビティC内に注入された樹脂24が硬化するのを待つ。この樹脂24の硬化によって、半導体素子12などは、樹脂24によって樹脂封入モールドされた状態となる。次に、図3eに示すように、樹脂封止装置14の下型18を図示しない昇降機構によって下方向に移動させた後に、樹脂封止装置14から半導体装置10を取り出すことで、全工程が修了する。以上に詳述したように本実施形態によれば、樹脂封止装置14の下型18に形成されたポット20と半導体素子12との間に第2のリードフレーム36を配置した状態においてポット20からタブレット状樹脂24Aを注入して半導体素子12を樹脂で封入モールドするようにしたので、キャビティ内に注入される樹脂によって半導体素子12が破壊される恐れが少なく、歩留まりを向上させることができる。また、第2のリードフレーム36には、貫通孔40が形成されているので、第2のリードフレーム36の存在によって半導体素子12の周りに空洞が発生することも防止できる。また、熱マス部材として、第2のリードフレーム36を用いたので、そのために特別な部材を必要とせず、構造が簡単となって安価に製作可能となる。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、たとえば、第2のリードフレーム36に設けた貫通孔40は、1個であっても良いし、2個以上の複数であっても良い。また、支柱38も4個に限らず、これ以上多くても良いし少なくても良い。実施形態2以上、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、別の態様でも実施され得る。図4は、本発明の半導体装置の製造方法を実施する実施形態2に係る樹脂封止装置を概略的に示す図であり、図5は、樹脂封止装置を用いて半導体素子12を樹脂封止する工程を示す図である。なお、その説明中、前述の実施例と同じ作用効果を奏すものには、同じ符号を付して説明する。すなわち、樹脂封止装置14は、実施形態1と変わることなく、半導体装置50の構成が実施形態1とは異なる。つまり、実施形態1の半導体装置10は、半導体素子12と樹脂封止装置14のポット20との間に、第2のリードフレーム36が配設されていたが、実施形態2の半導体装置50は、半導体素子12と樹脂封止装置14のポット20との間に、本発明の熱マス部材に相当し、平面形状略四角形をなす金属製の保護板52が配置されている点で異なる。前記保護板52は、半導体素子12を覆って存在し、4角に配置された4個の支柱54によりヒートシンク58に支持され、前記保護板52と前記半導体素子12との間には空間が存在する。また、前記保護板52の中央部には、貫通孔56が形成されている。前記支柱54は、絶縁性材料か導電性材料の何れかの材料で形成されている。また、前記保護板52は、銅、アルミニウム、鉄などの金属製材料により形成されている。前記ヒートシンク58からは、樹脂封止装置14の上型16および下型18間に狭持されるリードフレーム60が延びている。次に、以上のように構成された樹脂封止装置14を用いて半導体素子12を樹脂封止する工程について説明する。あらかじめ、リードフレーム60に対してダイボンディングおよびワイヤボンディングなどがされた半導体素子12が、樹脂封止装置14の上型16および下型18間に配置されると共に、ポット20にタブレット状樹脂24Aがセットされる。なお、この際、ヒートシンク58には、支柱54を介して保護板52もあらかじめ接着されている。次に、下型18を図示しない昇降機構によって上方向に移動させて上型16と接合させる。すると、半導体素子12などは、リードフレーム60が、上型16および下型18との間に狭持されることによりキャビティC内に保持される。この際、ヒートシンク30の上面が上型16の内面に接するようにして半導体素子12などは、キャビティC内に保持される。次に、図5に示すように、この状態において、図示しない駆動装置を用いてプランジャ22をポット20内において上昇させると、下型18の金型熱によって加熱されたタブレット状樹脂24Aは、溶融ながらキャビティC内に注入される。この際、タブレット状樹脂24Aは、保護板52に当接してその溶融が促進され、その溶融したタブレット状樹脂24Aは、一部が保護板52に形成された貫通孔56から半導体素子12の周りに流入し、それらを封入する。したがって、この際に、保護板52に貫通孔56が形成されているため、半導体素子12の周りに空洞が発生しにくい。また、ポット20からキャビティC内に流入したタブレット状樹脂24Aが直接半導体素子12に接することがないため、完全に溶融していないタブレット状樹脂24Aによって半導体素子12やボンディングワイヤなどが損傷を受けることもない。さらに、その際、タブレット状樹脂24Aが当接することにより保護板52が変形しようとするが、保護板52が4個の支柱54およびヒートシンク58を介して上型16に支持されているので、変形することがない。次に、プランジャ22によるタブレット状樹脂24Aの注入工程が完了すると、この状態が保持され、キャビティC内に注入された樹脂24が硬化するのを待つ。この樹脂24の硬化によって、半導体素子12などは、樹脂24によって樹脂封入モールドされた状態となる。次に、図示しない昇降機構によって下方向に移動させた後に、樹脂封止装置14から半導体装置10を取り出すことで、全工程が修了する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、たとえば、保護板52に設けた貫通孔56は、2個以上の複数であっても良い。また、支柱54も4個に限らず、これ以上多くても良いし少なくても良い。また、保護板52は、金属製材料に限定されることはなく、また非導電性材料で形成されても良い。実施形態3以上、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、別の態様でも実施され得る。図6は、本発明の半導体装置の製造方法を実施する実施形態3に係る樹脂封止装置を概略的に示す図である。なお、その説明中、前述の実施形態2と同じ作用効果を奏すものには、同じ符号を付して説明する。すなわち、前述の実施形態2においては、プランジャ22は、等速で移動制御されたが、この実施例においては、プランジャ22を駆動するためのモータからなる駆動手段70からプランジャ22に作用する負荷をロードセル72によって測定し、その測定結果に基づいて負荷が一定となるようにプランジャ22を駆動手段70が駆動するようにモータコントローラ74により駆動手段70を制御することを特徴とする。このように構成することにより、完全に溶融していないタブレット状樹脂24Aによって半導体素子12やボンディングワイヤなどが損傷を受けることがより少なくなる。なお、本発明の一実施例について、上述の実施例は、前述の実施形態2に適用した場合を例にとって説明したが、この実施例に限定されるものではなく、たとえば、実施形態1に係る樹脂封止装置14にも適用可能である。また、駆動手段70は、モータにより構成したが、エアーや油圧などのアクチュエータを用いても良い。また、上述した実施形態1~実施形態3では、上型16と下型18と間に形成されるキャビティC内に半導体素子12を配置した際には、ヒートシンク30が上型16に支持されるように構成したが、射出条件の調整やリードフレームの剛性を調整することによりヒートシンク30が上型16に接触しないように構成することも可能である。つまり、ヒートシンク30が上型16と間隔をおいてキャビティC内に配置されるように構成しても差し支えない。さらに、上述したのはあくまでも一実施形態であり、その他一々例示はしないが、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づいて種々変更、改良を加えた態様で実施することができる。