絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、前記基板内に互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の少なくとも一部を埋設する金属体、及び前記貫通孔の残部を埋設し、前記金属体を固定する非金属体とを具え、前記貫通孔を埋設する前記金属体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板。前記金属体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項1に記載のインダクタ内蔵配線基板。絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、前記基板内において、互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の内壁面の少なくとも一部に形成された金属膜体とを具え、前記内壁面に形成された前記金属膜体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板。前記金属膜体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項3に記載のインダクタ内蔵配線基板。絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔を埋設する金属体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップと、前記貫通孔の前記金属体が埋設された部分の残部を非金属体で埋設し、前記金属体を固定するステップと、を具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。前記金属体は金属粉末を含むことを特徴とする、請求項5に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。前記金属体及び前記非金属体が交互に積層された棒状体を形成し、当該棒状体を前記貫通孔内に挿入することにより、前記貫通孔を埋設する金属体の量を調節することを特徴とする、請求項5に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。前記金属体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項5~7のいずれか一に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に形成する金属膜体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属膜体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップを具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。前記金属膜体は磁性金属又は非磁性金属からなることを特徴とする、請求項9に記載のインダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法。本発明は、破損を生ぜしめることなく、必要に応じてインダクタンス値を自在に制御することが可能であって、完成後においてインダクタンス値が変動することのないインダクタンス内蔵配線基板及びそのインダクタンス値の制御方法を提供することを目的とする。上記目的を達成すべく、本発明は、絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、前記基板内に互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の少なくとも一部を埋設する金属体、及び前記貫通孔の残部を埋設し、前記金属体を固定する非金属体とを具え、前記貫通孔を埋設する前記金属体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板第1のインダクタ内蔵配線基板に関する。また、本発明は、絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔を埋設する金属体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップと、前記貫通孔の前記金属体が埋設された部分の残部を非金属体で埋設し、前記金属体を固定するステップと、を具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法第1のインダクタンス値制御方法に関する。さらに、本発明は、絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして配設された複数の配線層と、前記基板内において、互いに離隔するようにして配設された複数のコイル導体と、前記基板の、前記複数のコイル導体によって囲まれた領域の中心部に形成された貫通孔の内壁面の少なくとも一部に形成された金属膜体とを具え、前記内壁面に形成された前記金属膜体の量に依存してインダクタンス値が決定されることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板第2のインダクタンス内蔵配線基板に関する。また、本発明は、絶縁性の基板内に互いに離隔するようにして形成された複数の配線層及び互いに離隔するようにして形成された複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板のインダクタンスの制御方法であって、前記基板内において、前記複数のコイル導体で形成される領域の中心部に貫通孔を形成し、前記貫通孔の内壁面に形成する金属膜体の量を調節することにより、前記複数のコイル導体及び前記金属膜体で構成されるインダクタのインダクタンス値を制御するステップを具えることを特徴とする、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値制御方法第2のインダクタンス値制御方法に関する。本発明の第1のインダクタ内蔵配線基板及び第1のインダクタンス値制御方法によれば、絶縁性の基板内で、複数の配線層及び複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板において、絶縁性基板の、複数のコイル導体で囲まれた領域に貫通孔を形成し、この貫通孔の少なくとも一部に金属体を埋設することにより、インダクタ内蔵配線基板の内蔵インダクタを複数のコイル導体及び金属体から構成するようにしている。この場合、金属体はインダクタのコアを構成するので、金属体の、貫通孔に対する埋設度合い、すなわち貫通孔に対する埋設深さを調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。また、上記第1のインダクタ内蔵配線基板及び第1のインダクタンス値制御方法によれば、基板の貫通孔内に金属体を埋設した後、貫通孔内の残部に非金属体を埋設して金属体を固定するようにしている。したがって、インダクタ内蔵配線基板の完成後において、金属体の貫通孔内における埋設深さが変化して、インダクタンス値が当初設定した値からずれてしまうことがない。このため、上記インダクタ内蔵配線基板を目的とする電子装置に適用することができなくなるという問題を回避することができる。さらに、上述のように、貫通孔の残部を非金属体で埋設することにより、その後のインダクタ内蔵配線基板の製造工程における、部品実装の際のリフロー処理等の加熱処理によって貫通孔の残部空隙が膨張することがない。したがって、インダクタ内蔵配線基板の製造工程における、当該インダクタ内蔵配線基板の破損を防止することができる。なお、金属体は、磁性金属又は非磁性金属から構成することができる。この磁性金属は、当該金属が化合物となった場合においても、当該化合物が前記金属の物性に基づいて磁性を示す、例えばフェライトなどの酸化物磁性体をも含むものである。磁性金属の場合、コイル導体から発生した磁場磁束が金属体に集束するので、上記貫通孔内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを小さくする。一方、非磁性金属の場合は、磁場のエネルギーが金属体へ漏洩するようになるので、上記貫通孔内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを小さくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを大きくする。また、本発明の第2のインダクタ内蔵配線基板及び第2のインダクタンス値制御方法によれば、絶縁性の基板内で、複数の配線層及び複数のコイル導体を有するインダクタ内蔵配線基板において、絶縁性基板の、複数のコイル導体で囲まれた領域に貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁面の少なくとも一部に金属膜体を形成するようにしている。この場合、金属膜体はインダクタのコアの一部を構成することになるので、金属膜体の、貫通孔の内壁面に対する形成度合い、すなわち貫通孔の内壁面に対する形成深さを調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。なお、金属膜体は磁性金属又は非磁性金属から構成することができる。磁性金属の場合、上記貫通孔内への形成深さが増大すると、コイル導体から発生した磁場磁束が金属膜体に集束するので、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを小さくする。一方、非磁性金属の場合は、上記貫通孔内への形成深さが増大すると、磁場のエネルギーが金属膜体へ漏洩するようになるので、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを小さくし、インダクタ内蔵配線基板のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体の貫通孔中への形成深さを大きくする。上述のように、本発明において、磁性金属は室温で強磁性を示す強磁性金属あるいはフェライト等の酸化物磁性体を意味するものであり、非磁性金属は、室温で常磁性あるいは超常磁性を示す金属を意味するものである。以上、本発明によれば、破損を生ぜしめることなく、必要に応じてインダクタンス値を自在に制御することが可能であって、完成後においてインダクタンス値が変動することのないインダクタンス内蔵配線基板及びそのインダクタンス値の制御方法を提供することができる。以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。第1の実施形態図1は、本実施形態のインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図であり、図2は、図1に示すインダクタ内蔵配線基板の、インダクタ部分の断面を拡大して示す図である。なお、図1では、本発明の特徴を明確に説明すべく、互いに離隔して配設された配線層を電気的に接続する層間接続体については記載を省略している。本実施形態のインダクタ内蔵配線基板10は、絶縁性の基板11内において、下側から順次に第1の配線層21、第2の配線層22、第3の配線層23、第4の配線層24、及び第5の配線層25が互いに離隔するようにして配設されている。また、絶縁性の基板11の両主面には、電子部品を表面実装するための、又はインダクタ内蔵配線基板10をマザーボード等に実装するための第6の配線層26及び第7の配線層27が形成されている。なお、第1の配線層21から第7の配線層27は、図示しない層間接続体で電気的に接続されている。また、絶縁性の基板11内において、第1の配線層21から第7の配線層27の内側には、第1のコイル導体31、第2のコイル導体32、第3のコイル導体33、第4のコイル導体34及び第5のコイル導体35がこの順に積層されている。また、これら第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で囲まれた領域の中心には貫通孔11Hが形成され、貫通孔11Hの上方には金属体41が充填されているとともに、貫通孔11Hの下方には非金属体42が充填されている。第1のコイル導体31から第5のコイル導体35及び貫通孔11H内に充填された金属体41はインダクタ内蔵配線基板10のインダクタを構成し、金属体41は上記インダクタのコアを構成する。なお、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35は、図示しない外部回路に接続され、当該外部回路から所定の電流が流れるようになっている。また、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35の平面レベルは、それぞれ第1の配線層21から第5の配線層25の平面レベルと同一とすることができる。この場合、いわゆる汎用の配線基板の製造方法において、第1の配線層21から第5の配線層25の形成と、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35の形成とを同時に行うことができるので、本実施形態のインダクタ内蔵配線基板10の製造工程を簡略化することができる。絶縁性の基板11は、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの熱硬化性樹脂から構成することができる。第1の配線層21から第7の配線層27及び第1のコイル導体31から第5のコイル導体35は、金、銀、銅などの電気的良導体から構成することができる。本実施形態のインダクタ内蔵配線基板10においては、絶縁性の基板11内の、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で囲まれた領域に貫通孔11Hを形成し、この貫通孔11Hの上方に金属体41を埋設している。上述のように、金属体41はインダクタのコアを構成するので、金属体41の、貫通孔11Hに対する埋設度合い、すなわち貫通孔11Hに対する埋設深さ図1及び図2に示す金属体41の占める領域を調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。また、本実施形態では、絶縁性の基板11の貫通孔11H内に金属体41を充填して埋設するとともに、貫通孔11内の残部に非金属体42を充填して埋設し、金属体41を非金属体42で固定するようにしている。したがって、インダクタ内蔵配線基板10の完成後において、金属体41の貫通孔11H内における埋設深さが変化して、インダクタンス値が当初設定した値からずれてしまうことがない。このため、インダクタ内蔵配線基板10を目的とする電子装置に適用することができなくなるという問題を回避することができる。さらに、貫通孔11Hの残部を非金属体42で埋設することにより、その後のインダクタ内蔵配線基板10の製造工程における、部品実装の際のリフロー処理等の加熱処理によって貫通孔11Hの残部空隙が膨張することがない。したがって、インダクタ内蔵配線基板10の製造工程における、当該インダクタ内蔵配線基板10の破損を防止することができる。金属体41は、鉄、コバルト、ニッケルなどの強磁性金属又はフェライトなどの酸化物金属体から構成することができる。この場合、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35から発生した磁場磁束が金属体41に集束するので、金属体41の、貫通孔11H内への挿入深さ図1及び図2に示す金属体41の占める領域が増大すると、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体の貫通孔中への挿入深さを小さくする。但し、金属体41を強磁性金属等から構成した場合は、金属体41を貫通孔11H中に多少でも埋設することによって、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値は増大する。したがって、金属体41を用いたインダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値の制御は、金属体41を用いない場合に比較して、インダクタンス値の増大の程度を制御することになる。一方、金属体41を、金、銀、銅などの常磁性金属又は強磁性金属あるいはフェリ磁性金属がナノ粒子化した超常磁性金属から構成した場合は、磁場のエネルギーが金属体41へ漏洩するようになるので、貫通孔11H内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属体41の貫通孔中への挿入深さ図1及び図2に示す金属体41の占める領域を小さくし、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属体41の貫通孔11H中への挿入深さを大きくする。但し、金属体41を常磁性金属等から構成した場合は、金属体41を貫通孔11H中に多少でも埋設することによって、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値は減少する。したがって、金属体41を用いたインダクタ内蔵配線基板10のインダクタンス値の制御は、金属体41を用いない場合に比較して、インダクタンス値の減少の程度を制御することになる。なお、非金属体42は、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂をバインダーとしてセラミック粒子を分散させたもの等から構成することができる。しかしながら、安価であって取扱が容易である熱硬化性樹脂を担体で用いることが好ましい。次に、本実施形態におけるインダクタ内蔵配線基板10のインダクタンスの調整方法、すなわち金属体41の埋設深さの調整方法について説明する。図3及び図4は、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンスの調整方法を説明するための図である。最初に、ビースクエアイットB2it:登録商標あるいはアリブALIVH等の汎用の配線基板の製造方法を用いて、絶縁性の基板11内に第1の配線層21から第5の配線層25及び第1のコイル導体31から第5のコイル導体35を形成する。また、図示しない第6の配線層26及び第7の配線層27を形成し、インダクタ内蔵配線基板10のアセンブリを形成する。次いで、図3に示すように、上記アセンブリを上下反転した後、絶縁性の基板11の第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔11Hを形成する。次いで、貫通孔11Hの下部を図示しない蓋体で塞いだ後、貫通孔11H内に金属体41の粉末あるいは当該粉末を含むペーストを、上記アセンブリのインダクタンス値を測定しながら充填する。なお、インダクタンス値の測定は、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35を外部のインダクタンス測定装置に接続することによって行う。上記アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後は、金属体41の粉末あるいは当該粉末を含むペーストの充填を止め、図4に示すように、貫通孔11Hの残部空隙に対して熱硬化性樹脂等の非金属体42を充填して埋設する。これによって、図1及び図2に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板10を得ることができる。なお、金属体41の粉末あるいは当該粉末を含むペーストを用いることにより、貫通孔11H内への充填を簡易に行うことができる。すなわち、貫通孔11Hの開口が小さい場合においても、粉末の粒径を微細化し、あるいはペーストの粘度を減少させることによって、貫通孔11H内への金属体41の充填を簡易に行うことができるようになる。図5及び図6は、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンスの他の調整方法を説明するための図である。最初に、上述のようにしてインダクタ内蔵配線基板10のアセンブリを形成する。次いで、図3に示すようにして、上記アセンブリを上下反転した後、絶縁性の基板11の第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔11Hを形成する。次いで、貫通孔11Hの下部を図示しない蓋体で塞いだ後、貫通孔11H内に金属体41の粉末あるいは当該粉末を含むペーストを所定量充填し、貫通孔11Hを部分的に埋設する。次いで、図5又は図6に示すように、上記アセンブリのインダクタンス値を測定しながら、充填した金属体41をレーザ光L又はドリルDで除去する。そして、アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後は、レーザ光L又はドリルDによる金属体41の除去を止め、図4に示すようにして、貫通孔11Hの残部空隙に対して熱硬化性樹脂等の非金属体42を充填して埋設する。これによって、図1及び図2に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板10を得ることができる。図7及び図8は、インダクタ内蔵配線基板10のインダクタンスのその他の調整方法を説明するための図である。最初に、上述のようにしてインダクタ内蔵配線基板10のアセンブリを形成する。次いで、図3に示すようにして、上記アセンブリを上下反転した後、絶縁性の基板11の第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔11Hを形成する。次いで、図7に示すように、金属体41及び非金属体42が交互に積層された図では、非金属体42が金属体41で挟まれたような構成を呈している棒状体45を準備し、この棒状体45を少なくとも金属体41の一部が内部に残留するようにして貫通孔11H内に挿入する。次いで、上記アセンブリのインダクタンス値を測定しながら、棒状体45の位置を調整する。そして、図8に示すように、アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後は、棒状体45の位置を固定し、アセンブリの両主面から突出した部分を除去する。これによって、貫通孔11Hが金属体41によって所定の深さだけ埋設され、非金属体42によって金属体41が固定された、図1及び図2に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板10を得ることができる。第2の実施形態図9は、本実施形態のインダクタ内蔵配線基板の概略構成を示す断面図であり、第1の実施形態のインダクタ内蔵配線基板10における図2に相当する。なお、類似あるいは同一の構成要素については同一の参照数字を用いている。本実施形態のインダクタ内蔵配線基板50は、絶縁性の基板11の、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で囲まれた領域の中心に形成された貫通孔11Hの内壁面の少なくとも一部に金属膜体51が形成されている点を除き、第1の実施形態のインダクタ内蔵配線基板10と同一の構成を採っている。本実施形態のインダクタ内蔵配線基板50において、金属膜体51はインダクタのコアの一部を構成することになるので、金属膜体51の、貫通孔11Hの内壁面に対する形成度合い、すなわち貫通孔11Hの内壁面に対する形成深さを調整することによって、上記インダクタのインダクタンス値が変化するようになる。したがって、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値を必要に応じて適宜調節することができるようになる。金属膜体51は、鉄、コバルト、ニッケルなどの強磁性金属から構成することができる。この場合、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35から発生した磁場磁束が金属膜体51に集束するので、金属膜体51の、貫通孔11Hの内壁面での形成深さ図9に示す金属膜体51の占める領域が増大すると、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値は増大する。したがって、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体51の貫通孔11Hの内壁面への形成深さを大きくし、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体51の貫通孔11Hの内壁面への挿入深さを小さくする。但し、金属膜体51を強磁性金属から構成した場合は、金属膜体51を貫通孔11H中に多少でも埋設することによって、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値は増大する。したがって、金属膜体51を用いたインダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値の制御は、金属膜体51を用いない場合に比較して、インダクタンス値の増大の程度を制御することになる。一方、金属膜体51を、金、銀、銅などの常磁性金属又は強磁性金属あるいはフェリ磁性金属がナノ粒子化した超常磁性金属から構成した場合は、磁場のエネルギーが金属膜体51へ漏洩するようになるので、貫通孔11H内への挿入深さが増大すると、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値は減少する。したがって、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値を増大させたい場合は、金属膜体51の貫通孔11Hの内壁面への形成深さ図9に示す金属膜体51の占める領域を小さくし、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値を減少させたい場合は、金属膜体51の貫通孔11Hの内壁面への形成深さを大きくする。但し、金属膜体51を常磁性金属等から構成した場合は、金属膜体51を貫通孔11Hの内壁面に多少でも形成することによって、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値は減少する。したがって、金属膜体51を用いたインダクタ内蔵配線基板50のインダクタンス値の制御は、金属膜体51を用いない場合に比較して、インダクタンス値の減少の程度を制御することになる。次に、本実施形態におけるインダクタ内蔵配線基板50のインダクタンスの調整方法、すなわち金属膜体51の形成深さの調整方法について説明する。図10は、インダクタ内蔵配線基板50のインダクタンスの調整方法を説明するための図である。最初に、ビースクエアイットB2it:登録商標あるいはアリブALIVH等の汎用の配線基板の製造方法を用いて、絶縁性の基板11内に第1の配線層21から第5の配線層25及び第1のコイル導体31から第5のコイル導体35を形成する。また、図示しない第6の配線層26及び第7の配線層27を形成し、インダクタ内蔵配線基板50のアセンブリを形成する。次いで、図3に示すように、絶縁性の基板11の第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で囲まれた領域の中心において、ドリル加工あるいはレーザ加工により、貫通孔11Hを形成する。次いで、図10に示すように、貫通孔11Hの内壁面の全体にめっき法等により金属膜体51Xを形成する。その後、アセンブリのインダクタンス値を測定しながらドリル等で金属膜体51Xを研削し、上記アセンブリのインダクタンス値が所定の値になった後に研削を止める。これによって、貫通孔11Hの内壁面に金属膜体51が形成され、図9に示すような所望のインダクタンス値を有するインダクタ内蔵配線基板50を得ることができる。なお、ドリル研削の代わりにレーザ光研削を用いることもできる。以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、第1の配線層21から第7の配線層27の内側に、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35を配設しているが、第1の配線層21から第7の配線層27の外側に、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35を配設することもできる。但し、この場合は、第1のコイル導体31から第5のコイル導体35で構成されるインダクタの磁場がノイズとして第1の配線層21から第7の配線層27に重畳してしまい、インダクタ内蔵配線基板10又は50が上手く機能しなくなる場合がある。