素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた配線層と、前記配線層と電気的に接続された電極パッドと、前記素子領域を囲うように、少なくとも前記配線層内に設けられ、かつ前記配線層の表面から突出した突出部を有するチップリングと、前記電極パッドを露出させつつ、前記半導体基板の前記チップリングより内側領域に前記配線層を覆うように設けられた絶縁樹脂膜と、前記絶縁樹脂膜上に設けられ、かつ前記電極パッドと電気的に接続された金属配線と、前記チップリングの突出部の少なくとも一部、および前記絶縁樹脂膜の外周部の段差の少なくとも一部を包み込むように設けられた金属膜とを具備し、前記金属配線と前記金属膜とは、同一の金属材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた配線層と、前記配線層と電気的に接続された電極パッドと、前記素子領域を囲うように、少なくとも前記配線層内に設けられ、かつ前記配線層の表面から突出した突出部を有するチップリングと、前記電極パッドを露出させつつ、前記半導体基板の前記チップリングより内側領域に前記配線層を覆うように設けられた絶縁樹脂膜と、前記チップリングの突出部の少なくとも一部を包み込むように設けられた金属膜とを具備することを特徴とする半導体装置。素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた配線層と、前記配線層と電気的に接続された電極パッドと、前記電極パッドを露出させつつ、前記半導体基板の内側領域に前記配線層を覆うように設けられた絶縁樹脂膜と、前記絶縁樹脂膜の外周部の段差の少なくとも一部を包み込むように設けられた金属膜とを具備することを特徴とする半導体装置。請求項2または請求項3記載の半導体装置において、さらに、前記絶縁樹脂膜上に設けられ、かつ前記電極パッドと電気的に接続された金属配線を具備し、前記金属膜と前記金属配線とは、同一の金属材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた配線層と、前記配線層と電気的に接続された電極パッドと、前記素子領域を囲うように、少なくとも前記配線層内に設けられ、かつ前記配線層の表面から突出した突出部を有するチップリングと、前記電極パッドを露出させつつ、前記半導体基板の前記チップリングより内側領域に前記配線層を覆うように設けられたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に設けられ、かつ前記電極パッドと電気的に接続された金属配線と、前記チップリングの突出部の少なくとも一部を包み込むように設けられた金属膜と、前記金属配線および前記金属膜を覆うように前記半導体基板上に設けられ、かつ前記金属配線の一部を露出させる開口部を有する絶縁樹脂膜と、前記開口部内に設けられた接続端子とを具備することを特徴とする半導体装置。本発明が解決しようとする課題は、チップリングの剥離や除去等に起因する半導体装置の製造歩留りや信頼性の低下を抑制した半導体装置を提供することにある。実施形態の半導体装置は、素子領域を有する半導体基板と、半導体基板上に設けられた配線層と、配線層と電気的に接続された電極パッドと、素子領域を囲うように、少なくとも配線層内に設けられ、かつ配線層の表面から突出した突出部を有するチップリングと、電極パッドを露出させつつ、半導体基板のチップリングより内側領域に配線層を覆うように設けられた絶縁樹脂膜と、チップリングの突出部の少なくとも一部を包み込むように設けられた金属膜とを具備する。以下、実施形態の半導体装置について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は第1の実施形態による半導体装置を示している。図1に示す半導体装置1は半導体基板2を具備している。半導体基板2にはシリコンSi基板等が用いられる。半導体基板2は図示を省略した素子領域を有している。半導体基板2の素子領域には、トランジスタ等の素子構造体が形成されている。半導体基板2の素子領域を有する表面上には、配線層3が形成されている。ここでは図示を省略したが、配線層3は多層配線構造を有することが一般的であり、例えば複数層の絶縁膜例えば低誘電率絶縁膜とそれらで層間絶縁されたCu配線等の金属配線とで構成されている。配線層3の外周側には、半導体基板2の素子領域を囲うようにチップリング4が設けられている。チップリング4は配線層3内に埋め込まれ、かつ一部が配線層3から突出するように設けられている。チップリング4の配線層3内に埋め込まれた部分4aは、配線層3の金属配線を構成するCu等の金属で形成されており、配線層3から突出した部分突出部4bは後述する電極パッドを構成するAl等の金属で形成されている。チップリング4は半導体ウエハのダイシング時に生じるチッピングが素子領域にまで進展することを抑制すると共に、素子領域を外界の雰囲気等から侵入する水分やイオン等から保護する役割を果たすものである。チップリング4は半導体基板2内に達するように設けてもよい。素子領域内の配線層3上には、例えばAlパッドからなる電極パッド5が形成されている。電極パッド5は、配線層3の金属配線Cu配線等と電気的に接続されている。配線層3の表面は、酸化珪素SiOx膜や窒化珪素SiNx膜等の絶縁膜からなるパッシベーション膜6で覆われている。パッシベーション膜6上には、絶縁保護膜として絶縁樹脂膜7が設けられている。パッシベーション膜6および絶縁樹脂膜7は、電極パッド5の表面が露出するように形成されている。さらに、パッシベーション膜6および絶縁樹脂膜7は、半導体基板2のチップリング4より内側領域に素子領域およびその上に形成された配線層3を覆うように設けられている。なお、パッシベーション膜6は半導体基板2の表面全体を覆うように設けられていてもよい。絶縁樹脂膜7は、後述する半導体ウエハのダイシング時における絶縁樹脂膜7の剥離やダイシングブレードの目詰まりによる切断不良チッピングや欠け等の発生等を抑制するために、半導体基板2のチップリング4より内側領域を覆うように形成されている。言い換えると、絶縁樹脂膜7は半導体基板2のダイシング領域を含む外周領域を除く部分を覆うように形成されている。絶縁樹脂膜7には、例えばポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁性を有する有機樹脂が用いられる。絶縁樹脂膜7は熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂のいずれで形成してもよい。絶縁樹脂膜7の厚さは3~50μmの範囲とすることが好ましい。絶縁樹脂膜7の厚さが3μm未満であると絶縁樹脂膜7による保護性が低下し、一方50μmを超えると反りが大きくなるおそれがある。絶縁樹脂膜7の熱分解温度は300°C以上であることが好ましい。絶縁樹脂膜7の熱分解温度が300°C未満であると、リフローやスパッタ等の熱が印加される工程で分解や変質等が発生するおそれがある。絶縁樹脂膜7のガラス転移温度Tgは150~400°Cの範囲であることが好ましい。絶縁樹脂膜7のガラス転移温度Tgが150°C未満であると、リフロー時に樹脂が軟化して配線が切断するおそれがある。ガラス転移温度Tgが400°Cを超える絶縁樹脂膜7は作製することが困難である。絶縁樹脂膜7のガラス転移温度Tg以下の熱膨張係数α1は5~300ppmの範囲であることが好ましい。熱膨張係数α1が5ppm未満であると、フィラーを多量に入れる必要があるため、絶縁樹脂膜7の形成が困難になる。熱膨張係数α1が300ppmを超えると、半導体ウエハの反りが大きくなるおそれがある。絶縁樹脂膜7の弾性率は0.1~20GPaの範囲であることが好ましい。絶縁樹脂膜7の弾性率が0.1GPa未満であると、絶縁樹脂膜7が柔らかすぎて配線が切断するおそれがある。弾性率が20GPaを超えると、半導体ウエハのウエハ反りが大きくなるおそれがある。絶縁樹脂膜7上には、外部端子としての半田バンプ等の形成部を設けたり、また電極パッド5の位置を再配置するために、電極パッド5と電気的に接続された金属配線からなる再配線層8が形成されている。すなわち、半導体装置1をWCSP構造に適用する場合には、絶縁樹脂膜7上に電極パッド5と電気的に接続された半田バンプ等の接続端子が設けられる。この際に、電極パッド5と半田バンプとを接続するために、UBMやCuポスト等を含む再配線層8が適用される。また、他の半導体装置や外部配線等とのワイヤ接続性やフリッチチップFC接続性を考慮して、ワイヤ接続用の接続パッドやFC接続用の半田バンプのような接続端子の位置を、電極パッド5の位置から再配置する必要がある場合にも、絶縁樹脂膜7上に再配線層8が形成される。再配線層8の一方の端部は電極パッド5と電気的に接続され、他方の端部には接続パッドや半田バンプが形成される。再配線層8は、各種の導電性材料で構成することができる。再配線層8の構成材料としては、例えばCu、Ni、Ta、W、Al、Ti、Cr、Au、Ag、Pd、Pt等の金属材料やそれらを含む合金材料、TiN、TiW、TaN等の導電性化合物材料、これらの複合膜や積層膜等が用いられる。再配線層8を構成する金属配線の具体例としては、厚さが0.1μmのTi層と厚さが3μmのNi層と厚さが1μmのAu層との積層膜が挙げられる。再配線層8を構成する金属配線の他の例としては、厚さが0.1μmのTi層と厚さが3μmのAl層Al-0.5質量Cu合金等のAl合金を含むとの積層膜が挙げられる。なお、再配線層は2層以上の金属配線で構成してもよい。上述した再配線層8を構成する積層膜において、Ti層は密着層として形成されるものであり、その厚さは0.03~0.5μmの範囲とすることが好ましい。Ti層の厚さが0.03μm未満であると密着性が低下し、また0.5μmを超えるとエッチングに長時間要して製造コストが増加する。Ni層はバリア層として形成されるものであり、その厚さは1~10μmの範囲とすることが好ましい。Ni層の厚さが1μm未満であるとバリア性が低下し、また10μmを超えるとエッチングに長時間要して製造コストが増加する。Au層はボンディング層として形成されるものであり、その厚さは0.03~2μmの範囲とすることが好ましい。Au層の厚さが0.03μm未満であるとワイヤボンディング性等が低下し、また2μmを超えると製造コストが増加する。再配線層8を形成するにあたっては、まず絶縁樹脂膜7上を含めて半導体基板2の表面全面に金属膜をスパッタ法等で形成する。次に、金属膜上に再配線層8の形成パターンに応じてレジストを形成した後、レジストをマスクとして金属膜の不要部分をエッチングにより除去することで、所望のパターンを有する再配線層8を形成する。再配線層8を形成する際のエッチング工程において、Al等からなるチップリング4の突出部4bはエッチング液に晒されることになる。このため、チップリング4の突出部4bの剥離や除去、さらには配線層3内に埋め込まれた部分4aの除去が生じるおそれがある。チップリング4に剥離や除去が生じると、半導体ウエハのダイシング工程でチッピングの発生を十分に抑制することができず、半導体装置1の製造歩留りが低下する。さらに、ダイシング工程で生じたチッピングが素子領域に向けて進展すると、半導体基板2の素子領域を覆う絶縁樹脂膜7の外周部に剥離が生じやすくなる。これも半導体装置1の製造歩留りや信頼性を低下させる要因となる。また、チップリング4の剥離や除去に伴ってチッピングが進展した場合に限らず、半導体基板2の内側領域に設けられた絶縁樹脂膜7の外周部は、ダイシング工程における剥離の起点となりやすい部分であり、ウエハ段階での熱処理工程等によっても剥離するおそれがある。そこで、第1の実施形態の半導体装置1においては、チップリング4の突出部4bおよび絶縁樹脂膜7の外周部の段差を包み込むように金属膜9を設けている。このように、チップリング4の突出部4bを金属膜9で包み込むことによって、再配線層8の形成時のエッチング工程において、チップリング4の突出部4bをエッチング液から保護することができる。従って、チップリング4の剥離や除去を抑制することができる。さらに、チップリング4は金属膜9で補強されることになる。これらによって、半導体ウエハのダイシング工程におけるチッピングの発生や進展を十分に抑制することが可能となる。チッピングの発生や進展を抑えることで、ダイシング工程における絶縁樹脂膜7の剥離を抑制することができる。さらに、チップリング4の突出部4bに加えて、絶縁樹脂膜7の外周部の段差自体も金属膜9で包み込んで保護することによって、ダイシング工程や熱処理工程における絶縁樹脂膜7の剥離をより効果的に抑制することが可能となる。従って、製造歩留りや信頼性に優れる半導体装置1を提供することができる。すなわち、再配線層8を有する半導体装置1を歩留りよく得ることが可能となる。また、再配線層8を有しない半導体装置においても、ダイシング工程や熱処理工程におけるチップリング4や絶縁樹脂膜7の剥離が抑制されるため、製造歩留りの向上を図ることができる。金属膜9は再配線層8の形成工程とは別工程で形成してもよいが、再配線層8の形成と同時に同一材料で形成することが好ましい。すなわち、半導体基板2の表面全体に形成した金属膜を覆うレジストをパターニングする際に、再配線層8の形成部分に加えて、チップリング4の突出部4bや絶縁樹脂膜7の外周部の段差を包み込む部分を覆うようにレジストを形成する。この後、金属膜のレジストで覆われていない残余の部分をエッチングすることによって、再配線層8の形成と同時に、チップリング4の突出部4bや絶縁樹脂膜7の外周部の段差を包み込む金属膜9を形成することができる。これによって、半導体装置1の製造工数や製造コストを増加させることなく、ダイシング工程におけるチッピングの発生や進展、さらには絶縁樹脂膜7の剥離を抑制することが可能となる。金属膜9は図2に示すように、チップリング4の全周および絶縁樹脂膜7の外周部の全周を覆うように形成することが好ましい。これによって、チップリング4や絶縁樹脂膜7の外周部の保護効果を高めることができる。さらに、チップリング4がグランドに接続されている場合、金属膜9でグランドを強化できるだけでなく、金属膜9に素子領域のシールド効果を持たせることができる。ただし、チップリング4や絶縁樹脂膜7の外周部の剥離を抑制する効果を得るだけであれば、金属膜9をチップリング4や絶縁樹脂膜7の外周部の一部を覆うように形成してもよい。この場合、図3に示したように、金属膜9をチップリング4や絶縁樹脂膜7の外周部の四隅を少なくとも覆うことが好ましい。なお、図2および図3では絶縁樹脂膜7上に形成される再配線層8等の図示を省略している。第1の実施形態の半導体装置1の製造工程について、図4を参照して説明する。なお、第1の実施形態の半導体装置1は、図4に示す製造工程で作製されたものに限られるものではない。まず、図4aに示すように、配線層3、チップリング4、電極パッド5、パッシベーション膜6等を有する半導体基板2を用意する。半導体基板2は、例えば12インチの半導体ウエハとして準備される。次いで、図4bに示すように、パッシベーション膜6上に例えば厚さが5μmの絶縁樹脂膜7を形成する。絶縁樹脂膜7はチップリング4より内側領域に配線層3を覆うように形成される。すなわち、半導体基板2の外周部分や電極パッド5に相当する部分の絶縁樹脂膜7は除去される。図4aおよび図4bは、パッシベーション膜6に電極パッド5を露出させる開口を形成した後に絶縁樹脂膜7を形成し、次いで絶縁樹脂膜7に開口を形成する工程を示している。開口の形成工程は、これに限られるものではない。例えば、半導体基板2上にパッシベーション膜6を形成し、その上に絶縁樹脂膜7を形成し、絶縁樹脂膜7に開口を形成した後、パッシベーション膜6に開口を形成する、一括開口方式でパッシベーション膜6および絶縁樹脂膜7に電極パッド5を露出させる開口を形成してもよい。次に、図4cに示すように、絶縁樹脂膜7上を含めて半導体基板2の表面全面に金属膜11をスパッタ法等で形成する。金属膜11としては、例えば厚さが0.1μmのTi層と厚さが3μmのNi層と厚さが1μmのAu層との積層膜が用いられる。さらに、金属膜11上にレジスト12を形成する。レジスト12を露光現像処理して、金属膜11の再配線層8の形成部分とチップリング4や絶縁樹脂膜7の外周部を包み込む部分とが残るようにレジスト12をパターニングする。そして、金属膜11のレジスト12で覆われていない残余の部分をエッチングすることによって、図4dに示すように再配線層8とチップリング4や絶縁樹脂膜7の外周部を覆う金属膜11とを有する半導体装置1が作製される。Au層のエッチングは、例えばヨウ化カリウムを主成分とするエッチング液を用いて行われる。Ni層のエッチングは、例えば塩酸と硝酸を使用した王水系のエッチング液を用いて行われる。Ti層のエッチングは、例えばKOH系やHF系のエッチング液を用いて行われる。金属膜11のエッチング工程において、チップリング4の突出部4bは金属膜11およびレジスト12で覆われているため、チップリング4の剥離や除去が抑制される。さらに、チップリング4は金属膜11で補強されているため、ダイシング工程におけるチッピングの発生や進展の抑制効果を十分に得ることができる。また、チップリング4でチッピングの発生や進展を抑制することに加えて、絶縁樹脂膜7の外周部の段差を金属膜9で包み込んで保護することによって、ダイシング工程や熱処理工程における絶縁樹脂膜7の剥離を効果的に抑制することができる。上述したようなウエハ工程が終了した後に、半導体ウエハをダイシングすることによって、信頼性に優れる半導体装置1を歩留りよく得ることができる。具体的には、熱サイクル試験TCTや高加速加熱加湿試験HASTにおける剥離等を抑制することが可能となる。後述するように、再配線層8上に接続パッドや半田バンプ等を形成する工程を実施する場合には、これらの工程が終了した後に半導体ウエハのダイシング工程を実施する。なお、金属膜11はスパッタ法に代えて、めっき法、インクジェット法、印刷法等で形成してもよい。さらに、スパッタ法で形成した金属膜にめっき処理を施し、金属膜の厚さをめっき法で増やす方法等を適用することも可能である。図1に示した半導体装置1において、再配線層8上には図5に示すような接続パッド13や図6に示すような半田バンプ14が形成される。半導体基板2の接続パッド13や半田バンプ14を除く部分は、絶縁性樹脂からなる保護膜15で覆われている。このようにして、再配線層8で再配置された接続パッド13を有する半導体装置1Aや、再配線層8上に設けられた半田バンプ14を有する半導体装置1Bが構成される。半導体装置1Aによれば、ワイヤ接続部となる接続パッド13の位置を任意に設定することができるため、他の半導体装置や外部配線等とのワイヤ接続の汎用性を高めることが可能となる。同様に、半導体装置1Bによれば、他の半導体装置や外部配線等とのFC接続の汎用性を高めることが可能となる。半導体装置1BはWCSPとして使用することができる。図7は半導体装置1Aを適用したメモリカードの構成例を示している。図7に示すメモリカード21は、端子部材と配線部材と素子搭載部材とを兼ねるリード回路部材としてリードフレーム22を具備している。リードフレーム22は、複数の外部接続端子23と、少なくとも一部が外部接続端子23に接続された複数のリードを有するリード部24と、リード部24に設けられたチップ部品搭載部25と、半導体チップ搭載部26とを備えている。チップ部品搭載部25には、チップ部品受動部品27が搭載されている。リードフレーム22は、封止樹脂層28で封止されている。半導体チップ搭載部26上には、コントローラチップ29とNAND型フラッシュメモリのようなメモリチップ30が配置されている。メモリチップ30には、図5に示した半導体装置1Aが適用されている。コントローラチップ29は、外部接続端子23とメモリチップ30との間に配置されている。コントローラチップ29は、リード部24と金属ワイヤ31を介して電気的に接続されており、またメモリチップ30と金属ワイヤ32を介して電気的に接続されている。コントローラチップ29とメモリチップ30の電極パッドの配列や種類等によっては、メモリチップ30の電極パッドを再配置する必要が生じる。上記したような場合において、図5に示した半導体装置1Aが有効である。すなわち、メモリチップ30の電極パッド335は、再配線層348で所望の位置に再配置されており、再配線層348の端部に金属ワイヤのボンディング部となる接続パッド3513が形成されている。メモリチップ30の接続パッド35は、金属ワイヤ32を介してコントローラチップ29の電極パッドと電気的に接続されている。このように、再配線層8を利用することによって、半導体装置1A図7のメモリチップ30と他の半導体装置図7ではコントローラチップ29等との接続性を高めることができる。図1では金属膜9をチップリング4の突出部4bおよび絶縁樹脂膜7の外周部の段差を包み込むように設けているが、金属膜9は図8に示すように、チップリング4の突出部4bのみを包み込むように設けてもよい。前述したように、チップリング4の突出部4bを金属膜9で包み込むことで、チップリング4がエッチング液から保護されるため、チップリング4の剥離や除去を抑制することができる。従って、半導体ウエハのダイシング工程におけるチッピングの発生や進展を十分に抑制することが可能となる。さらに、チッピングの発生や進展を抑えることで、絶縁樹脂膜7の剥離を抑制することができる。また、図9に示すように、金属膜9は絶縁樹脂膜7の外周部の段差のみを包み込むように設けてもよい。前述したように、絶縁樹脂膜7の外周部の段差を金属膜9で包み込んで保護することによって、ダイシング工程や熱処理工程における絶縁樹脂膜7の剥離を抑制することができる。なお、図8や図9に示す構造を適用する場合においても、金属膜9は図2に示したように、チップリング4の全周や絶縁樹脂膜7の外周部の全周を覆うように形成してもよいし、また図3に示したように、チップリング4や絶縁樹脂膜7の外周部の少なくとも一部、好ましくは少なくとも四隅を覆うように形成してもよい。さらに、電極パッド5の形成ピッチが狭くなった場合、再配線層8の形成が困難になるおそれがある。そこで、図10に示す半導体装置1では、2層構造の絶縁樹脂膜7、すなわち第1の絶縁樹脂膜7aと第2の絶縁樹脂膜7bとを有する絶縁樹脂膜7を適用している。電極パッド5を露出させる第1の絶縁樹脂膜7aの開口を第2の絶縁樹脂膜7bで狭めることで、再配線層8の形成密度を高めることができる。このような場合、金属膜9は図10に示すように、第1および第2の絶縁樹脂膜7a、7bの外周部の段差を包み込むように設けられる。これによって、2層構造の絶縁樹脂膜7の剥離が抑制される。第2の実施形態図11は第2の実施形態による半導体装置とその製造方法を示している。図11に示す第2の実施形態において、第1の実施形態と同一部分については同一符号を付し、重複する説明の一部を省略する。まず、図11aに示すように、配線層3、チップリング4、電極パッド5、パッシベーション膜6等を有する半導体基板2を用意する。半導体基板2は第1の実施形態と同様に半導体ウエハとして準備される。配線層3、チップリング4および電極パッド5の構成は、第1の実施形態と同様である。パッシベーション膜6は、電極パッド5の表面を露出させつつ、半導体基板2のチップリング4より内側領域に素子領域およびその上に形成された配線層3を覆うように形成される。このような半導体基板2の表面全面に、めっき下地膜41となる金属膜をスパッタ法で形成する。再配線層の形成にCuめっきを適用する場合、例えばめっき下地膜41として厚さが0.1μmのTi層と厚さが0.2μmのCu層との積層膜が適用される。次に、図11bに示すように、めっき下地膜41上にレジスト42を形成する。レジスト42を露光現像処理して、めっき下地膜41の再配線層の形成部分とチップリング4を包み込む部分とが露出するようにレジスト42をパターニングする。めっき下地膜41のレジスト42で覆われていない部分にCuめっき処理を施すことによって、例えば厚さが10μmのCuめっき層からなる再配線層8および金属膜9を形成する。Cuめっき層の厚さは0.5~50μmの範囲とすることが好ましい。なお、再配線層8は2層以上の金属配線で構成してもよい。図11cに示すように、レジスト42を除去した後、めっき下地膜41の不要部分をエッチングして除去する。Cu層のエッチングは、例えば硫酸と過酸化水素水とを使用したエッチング液を用いて行われる。Ti層のエッチングは、例えばKOH系やHF系のエッチング液を用いて行われる。めっき下地膜41のエッチング工程において、チップリング4の突出部4bは金属膜9となるCuめっき層で覆われているため、チップリング4の剥離や除去を抑制することが可能となる。次いで、図11dに示すように絶縁樹脂膜43を形成する。絶縁樹脂膜43は、例えばポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁性を有する有機樹脂で形成される。絶縁樹脂膜43は熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂のいずれで形成してもよい。絶縁樹脂膜43の厚さは3~50μmの範囲とすることが好ましい。絶縁樹脂膜43の厚さが3μm未満であると絶縁樹脂膜43による保護性が低下し、一方50μmを超えると反りが大きくなるおそれがある。絶縁樹脂膜43の熱分解温度は300°C以上であることが好ましい。絶縁樹脂膜43の熱分解温度が300°C未満であると、リフローやスパッタ等の熱が印加される工程で分解や変質等が発生するおそれがある。絶縁樹脂膜43のガラス転移温度Tgは150~400°Cの範囲であることが好ましい。絶縁樹脂膜43のガラス転移温度Tgが150°C未満であると、リフロー時に樹脂が軟化して配線が切断するおそれがある。ガラス転移温度Tgが400°Cを超える絶縁樹脂膜43は作製することが困難である。絶縁樹脂膜43のガラス転移温度Tg以下の熱膨張係数α1は5~300ppmの範囲であることが好ましい。熱膨張係数α1が5ppm未満であると、フィラーを多量に入れる必要があるため、絶縁樹脂膜43の形成が困難になる。熱膨張係数α1が300ppmを超えると、半導体ウエハの反りが大きくなるおそれがある。絶縁樹脂膜43の弾性率は0.1~20GPaの範囲であることが好ましい。絶縁樹脂膜43の弾性率が0.1GPa未満であると、絶縁樹脂膜43が柔らかすぎて配線が切断するおそれがある。弾性率が20GPaを超えると、半導体ウエハのウエハ反りが大きくなるおそれがある。絶縁樹脂膜43にバンプ形成部となる開口部を形成した後、例えば開口部に半田ボールを載置してリフローすることによって、再配線層8に電気的に接続された半田バンプ44を接続端子として形成する。この後、半導体ウエハをダイシングして半導体装置45を得る。半導体ウエハのダイシング工程において、チッピングの発生や進展は金属膜9で保護および強化されたチップリング4で抑制される。従って、信頼性に優れる半導体装置45を歩留りよく得ることが可能となる。図11に示す半導体装置45は、例えばWCSPとして使用されるものである。再配線層8上には半田バンプ44に代えて、第1の実施形態と同様に接続パッドを形成してもよい。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。