"A可溶性銅塩、B有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩、C次の一般式1式1中、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なっても良く、水素原子、C1~C4アルキル基、ハロゲン、フェニル基、C1~C4アルキル基、ハロゲン又はスルホン酸基で置換されたフェニル基を示すで表されるフェナントロリンジオン化合物を含有することを特徴とする電気銅メッキ浴。さらにポリマー、ブライトナー、レベラー、塩化物よりなる群から選ばれた添加剤の少なくとも一種を含有する請求項1に記載の電気銅メッキ浴。請求項1又は2に記載の電気銅メッキ浴を用いて、銅の電着皮膜を形成した電子部品。電子部品がビアホール及びスルホールの混在するプリント基板であることを特徴とする請求項3に記載の電子部品。本発明は、電気銅メッキ浴において、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成することを技術的課題とする。本発明者らは、上記特許文献1~3に列挙された添加物とは異なる化合物を電気銅メッキに適用して、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性の両方を同時に達成させるべく鋭意研究した結果、上記特許文献1~3に開示されたフェナントロリン類に広義には属するがその開示例には全く包含されず、当該化合物から誘導されるフェナントロリンジオン化合物が、同フェナントロリン類に比べて上記ビア充填と均一電着性とを両立できる点で明らかな優位性を示すことを見い出し、本発明を完成した。即ち、本発明1は、A可溶性銅塩、B有機酸及び無機酸から選ばれた酸又はその塩、C次の一般式1式1中、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なっても良く、水素原子、C1~C4アルキル基、ハロゲン、フェニル基、C1~C4アルキル基、ハロゲン又はスルホン酸基で置換されたフェニル基を示すで表されるフェナントロリンジオン化合物を含有することを特徴とする電気銅メッキ浴である。本発明2は、上記本発明1において、さらにポリマー、ブライトナー、レベラー、塩化物よりなる群から選ばれた添加剤の少なくとも一種を含有する電気銅メッキ浴である。本発明3は、上記本発明1又は2の電気銅メッキ浴を用いて、銅の電着皮膜を形成した電子部品である。本発明4は、上記本発明3において、電子部品がビアホール及びスルホールの混在する電子部品である。本発明では、電気銅メッキ浴に特定のフェナントロリンジオン化合物を含有するため、ビアホールへの銅充填とスルホールへの均一電着性を共に良好に達成できる。特に、銅メッキ浴に上記特許文献1~3で開示されたフェナントロリン類を用いた場合、後述の試験結果に示す通り、スルホールの均一電着性の改善効果はほとんどなく、また、ビアホールへの銅析出ではボイドが発生してしまう。これに対して、フェナントロリン類から誘導される本発明のフェナントロリンジオン化合物を用いると、スルホールでの均一電着性とビア充填に優れ、フェナントロリン類に比べて優位性は明らかである。このため、ビアホールとスルホールが混在する基板などに本発明の電気銅メッキ浴を適用すると、形態の異なる2種類のホールを同時且つ円滑に銅メッキすることができ、生産性を向上できる。本発明は、第一に、A可溶性銅塩と、B酸又はその塩と、C特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有する電気銅メッキ浴であり、第二に、当該所定の電気メッキ浴を用いて銅皮膜を形成した電子部品である。本発明の上記可溶性塩Aは、水溶液中で第一又は第二銅イオンを発生させる可溶性の塩であれば任意のものが使用でき、特段の制限はなく、難溶性塩をも排除しない。具体的には、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅、酢酸銅、ピロリン酸銅、シュウ酸銅などが挙げられ、硫酸銅、酸化銅が好ましい。可溶性銅塩のメッキ浴に対する含有量金属換算は一般に0015~32モル/L、好ましくは01~12モル/Lである。本発明の酸又はその塩Bは、有機酸及び無機酸、或いはその塩から選択される。上記無機酸には、硫酸、ピロリン酸、ホウフッ酸などが挙げられる。また、有機酸には、グリコール酸や酒石酸等のオキシカルボン酸、メタンスルホン酸や2―ヒドロキシエタンスルホン酸等の有機スルホン酸などが挙げられる。酸又はその塩のメッキ浴に対する含有量は一般に01~12モル/L、好ましくは02~30モル/Lである。本発明のフェナントロリンジオン化合物Cは、前述の通り、次の一般式1で表される。上記フェナントロリンジオン化合物はフェナントロリン核の5位と6位にカルボニル基を有する。また、フェナントロリン核に結合する置換基R1、R2、R3及びR4は同一でも良いし、異なっても良く、これらの置換基R1、R2、R3及びR4は、a水素原子bC1~C4アルキル基cハロゲンdフェニル基eC1~C4アルキル基、ハロゲン又はスルホン酸基で置換されたフェニル基の中から選ばれる。本発明のフェナントロリンジオン化合物は、各種の置換基が結合した、或いは無置換のフェナントロリンを常法に従って、濃硫酸及び濃硝酸などを用いて酸化することにより製造される。本発明のフェナントロリンジオン化合物の具体例は次の通りである。1化合物1:フェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1、R2、R3及びR4=水素原子であり、下式で表される。2化合物2:2,9-ジメチルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1及びR3=メチルであり、下式で表される。3化合物3:3478-テトラメチルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1、R2、R3及びR4=メチルであり、下式で表される。4化合物4:29-ジブチルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1及びR3=ブチルであり、下式で表される。5化合物5:29-ジ4-クロロフェニルフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1及びR3=塩素で置換されたフェニル基であり、下式で表される。6化合物6:9-クロロフェナントロリン-5,6-ジオン上記一般式1のうち、置換基R1=塩素であり、下式で表される。本発明のフェナントロリンジオン化合物Cは単用又は併用でき、メッキ浴での含有量は001~100ppm、好ましくは01~50ppm、より好ましくは1~20ppm=0001~0020g/Lである。含有量が適正範囲より少ないと均一電着性やビア充填効果などが充分に得られず、多すぎるとヤケが生じたり、スルホールに無メッキ部が発生するなどの恐れがある。本発明の電気銅メッキ浴には、ポリマー、ブライトナー、レベラー、塩化物などの各種添加剤を含有することができる本発明2参照。上記ポリマーとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレンランダムコポリマー、ポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレンブロックコポリマーなどが挙げられる。上記ポリマーの分子量は一般に500~100万、好ましくは1000~10万の範囲内である。ポリマーのメッキ浴に対する添加量は一般に001~1000ppm、好ましくは01~100ppm、さらに好ましくは1~50ppmである。上記ブライトナー光沢剤には、チオ尿素又はその誘導体、2-メルカプトベンゾイミダゾール、チオグリコール酸などのメルカプタン類、22′-チオジグリコール酸、ジエチルスルフィドなどのスルフィド類、3-メルカプトプロパン-1-スルホン酸ナトリウムMPSなどのメルカプトスルホン酸類、ビス3-スルホプロピルジスルフィドSPS、ビス2-スルホプロピルジスルフィド、ビス3-スル-2-ヒドロキシプロピルジスルフィド、ビス4-スルホプロピルジスルフィド、ビスp-スルホフェニルジスルフィド、3-ベンゾチアゾリル-2-チオプロパンスルホン酸ZPS、N,N-ジメチル-ジチオカルバミルプロパンスルホン酸DPS、N,N-ジメチル-ジチオカルバミン酸-3-スルホプロピル-エステル、3-[アミノイミノメチルチオ]-1-プロパンスルホン酸UPS、O-エチル-ジエチル炭酸-S-3-スルホプロピル-エステル並びにこれらの塩例えば、ナトリウム塩、カリウム塩などが挙げられる。ブライトナーのメッキ浴への添加量は一般に002~200ppm、好ましくは01~50ppmである。上記レベラー平滑剤には、オーラミン及びその誘導体、メチルバイオレット、ベーシックレッド2、トルイジンブルー、ダイレクトイエロー、ヤーナスグリーンB、3-アミノ-6-ジメチルアミノ-2-メチルフェナジン塩酸、クリスタルバイオレット、チオ尿素及びその誘導体、グリシン、システイン、グルタミン酸、アスパラギン酸、オルニチンなどが挙げられ、これらの成分を単用又は併用することができる。そのメッキ浴に対する添加量は001~100ppm、好ましくは05~20ppmである。上記塩化物は上記ブライトナーやレベラーの光沢作用や平滑化作用を促進する働きがあり、塩素イオンを供給可能な化合物を意味する。塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、塩酸、塩化銅などの無機物、第4アルキルアンモニウムクロリド、クロリ酢酸などの塩素系有機化合物が挙げられる。そのメッキ浴に対する添加量は一般に1~500pm、好ましくは5~100ppmである。尚、上記各成分の添加濃度はバレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッキ、ラックレスメッキ、バンプメッキなどのメッキ方式に応じて任意に調整選択することになる。本発明の銅浴を用いた電気銅メッキでは、従来の電気銅メッキ浴と同様に処理すれば良く、特段の制約はない。浴温は一般に15~40°C、好ましくは20~30°Cである。陰極電流密度は一般に10~30A/dm2、好ましくは20~5A/dm2である。電気銅メッキ浴の撹拌方法は、空気撹拌、急速液流撹拌、撹拌羽根等による機械撹拌等を使用することができる。また、電気メッキにおける陽極は銅合金を材質とする可溶性陽極でも良いし、白金又はカーボンなどを材質とする不溶性陽極でも良い。ちなみに、通電時に銅の可溶性陽極を溶解させてメッキ槽に銅イオンを補給すると、銅の表面積が徐々に減少して一定の表面積の保持が困難になり、また、メッキ浴の組成が変動して、電流密度の分布が不均一になるうえ、陽極スライムが発生するなどの問題がある。そこで、メッキ槽に不溶性陽極を配置し、メッキ槽とは別個の補給槽で陽極電解溶出させた銅イオンをメッキ槽に補給可能にすると、陽極の形状変化がなく、メッキ槽の浴管理が容易になるうえ、陽極でのスライムの発生を防止できる利点がある。但し、この補給槽方式で電気メッキを行う場合には、銅メッキ浴に含有されるレベラーやブライトナーなどの添加剤が不溶性陽極で分解され易いため、陽極室をイオン交換膜アニオン、カチオンを問わないでメッキ槽から隔離して、上記添加剤が不溶性陽極に移動するのを防止し、電子の移動だけを可能にすることが好ましい。本発明では、上記可溶性陽極による電気銅メッキ、或は、不溶性陽極と補給槽の組み合わせによる電気銅メッキのいずれの方式をも適用できる。本発明3は、本発明1又は2のフェナントロリンジオン化合物を含有する電気銅メッキ浴を被メッキ物である電子部品に適用して、電子部品に銅皮膜を形成したものである。電子部品には、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フィルムキャリア、半導体集積回路、抵抗、コンデンサ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、スイッチ、リード線などが挙げられる。また、ウエハーのバンプ電極などのように電子部品の一部に本発明のメッキ浴を適用して皮膜形成しても良いことは言うまでもない。以下、本発明のフェナントロリンジオン化合物の製造例1~6前述の具体的化合物1~6と同じ、当該製造例で得られた化合物3~6を夫々含有させた電気銅メッキ浴の実施例1~4、当該実施例1~4で得られた銅皮膜についての均一電着性とビア充填の評価試験例を順次説明する。上記製造例、実施例、試験例の部、は基本的に重量基準である。尚、本発明は下記の製造例、実施例などに拘束されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得ることは勿論である。《フェナントロリンジオン化合物の製造例》1製造例11Lの四つ口フラスコに2,9-ジメチルフェナントロリン20gと臭化カリウム20gを加え、撹拌下10°C以下に冷却した。そして、濃硫酸240mLを液温10°C以下でゆっくり滴下した。次に、濃硝酸160mLを同様に液温10°C以下でゆっくり滴下した。滴下終了後、65~67°Cにて3時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却してから3kgの氷に反応物を注ぎ、撹拌下30°C以下にて炭酸ナトリウム590gを徐々に加えて中和した。これを塩化メチレン1Lで抽出し、塩化メチレン層を分液した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、乾燥した塩化メチレン層から塩化メチレンを留去して、残渣にメタノール320mLを加え、室温に冷却して再結晶した。結晶をろ別して127gの生成物を得た。そして、1H-NMRにより、上記生成物が2,9-ジメチルフェナントロリン-5,6-ジオン=前述のフェナントロリンジオン化合物2であることを確認した。1H-NMR:286、742、8382製造例2~6その他の前記フェナントロリンジオン化合物1、3~6も同様に処理して得ることができた。《電気銅メッキ浴の実施例》下記の実施例1~4のうち、実施例1は前記フェナントロリンジオン化合物3を含有する例、同じく、実施例2は前記化合物5を含有する例、実施例3は前記化合物6を含有する例、実施例4は前記化合物4を含有する例である。一方、下記の比較例1~2のうち、比較例1は実施例1を基本として、本発明のフェナントロリンジオン化合物を含まないブランク例である。比較例2は前記特許文献1~3に準拠したもので、実施例1を基本としながら、本発明のフェナントロリンジオン化合物に代えて同文献1~3に開示されたフェナントロリン類を含有した例である。1実施例1下記の組成により電気銅メッキ浴を建浴した。硫酸銅五水和物Cu2として100g/L硫酸160g/Lポリエチレングリコール平均分子量200010mg/Lポリビニルイミダゾール平均分子量1200010mg/LSPS10mg/L塩化物イオン10mg/L化合物310mg/L2実施例2下記の組成により電気銅メッキ浴を建浴した。硫酸銅五水和物Cu2として100g/L硫酸160g/Lポリエチレングリコール平均分子量200010mg/Lポリビニルイミダゾール平均分子量1200010mg/LSPS10mg/L塩化物イオン10mg/L化合物510mg/L3実施例3下記の組成により電気銅メッキ浴を建浴した。硫酸銅五水和物Cu2として100g/L硫酸160g/Lポリエチレングリコール平均分子量200010mg/Lポリビニルイミダゾール平均分子量1200010mg/LSPS10mg/L塩化物イオン10mg/L化合物610mg/L4実施例4下記の組成により電気銅メッキ浴を建浴した。硫酸銅五水和物Cu2として100g/L硫酸160g/Lポリエチレングリコール平均分子量200010mg/Lポリビニルイミダゾール平均分子量1200010mg/LSPS10mg/L塩化物イオン10mg/L化合物410mg/L5比較例1下記の組成により電気銅メッキ浴を建浴した。硫酸銅五水和物Cu2として100g/L硫酸160g/Lポリエチレングリコール平均分子量200010mg/Lポリビニルイミダゾール平均分子量1200010mg/LSPS10mg/L塩化物イオン10mg/L6比較例2下記の組成により電気銅メッキ浴を建浴した。硫酸銅五水和物Cu2として100g/L硫酸160g/Lポリエチレングリコール平均分子量200010mg/Lポリビニルイミダゾール平均分子量1200010mg/LSPS10mg/L塩化物イオン10mg/Lフェナントロリン10mg/L《スルホールでの均一電着性の評価試験例》そこで、先ず、スルホール径04mm、板厚20mmのガラスエポキシ系基板に、常法に従ってPd触媒活性を施し、薄付け無電解銅メッキを行って試験片を作成した。次いで、前記実施例1~4及び比較例1~2の各電気銅メッキ浴を用いて、浴温25°C、陰極電流密度2A/dm2の条件で、上記試験片に電気銅メッキを施した後、スルホールの中心を軸心方向に切断し、下式により均一電着性Tを算出して、スルホールでの均一電着性の優劣を評価した。T=×100T:均一電着性T1:スルホール端部のメッキ厚さT2:スルホール中央部のメッキ厚さ《ビアホールでの銅充填の評価試験例》先ず、開口部40μm角、深さ100μm、アスペクト比25のビアホールを有する基板を用意し、前記実施例又は比較例の浴で電気銅メッキする部分に予め公知の方法で下地層として膜厚03μmの銅メッキ皮膜を形成して、試験片を作成した。次いで、前記実施例1~4及び比較例1~2の各電気銅メッキ浴を用いて、浴温25°C、陰極電流密度2A/dm2、30分の条件で、上記試験片に電気銅メッキを施した後、ビアホールの中心を軸心方向に切断し、ビアホール底部のボイド空隙の有無を顕微鏡で微視観察し、ビア充填の優劣を評価した。《試験評価》下表はその試験結果である。均一電着性ボイドの有無実施例193なし実施例291なし実施例390なし実施例493なし比較例171あり比較例275あり本発明のフェナントロリンジオン化合物を含まない比較例1ブランク例を見ると、スルホール中心での析出厚みがスルホール端部に比べて足りず、スルホールの均一電着性に劣るとともに、ビア底部でもボイドの発生が確認された。また、特許文献1~3に準拠してフェナントロリンを含有した比較例2では、スルホールでの均一電着性については比較例1よりほんの少し優位性はあるものの、あまり変わらないうえ、ビアホールでは比較例1と同じく底部にボイドの発生が確認された。これに対して、本発明のフェナントロリンジオン化合物を含む実施例1~4を見ると、スルホール中心での析出厚みはスルホール端部と遜色のないレベルであり、スルホールの均一電着性は比較例1~2より大きく改善されていた。しかも、ビアホールではボイドの発生もなく、銅がビアホール内に良好に析出充填していることが確認された。従って、実施例1~4では、スルホールの均一電着性とビア充填を同時に達成できることが裏付けられ、スルホールとビアホールの異なる形態のホールへの銅メッキを両立できる点で、本発明のフェナントロリンジオン化合物の前記比較例2のフェナントロリンへの優位性は明らかである。しかも、フェナントロリンジオン化合物は母核への所定の官能基の置換又は無置換のいずれの場合であっても、上記両立性が達成できるとともに、そのメッキ浴への含有量はppmオーダーの微量で有効に作用することが確認できた。"