電子部品が搭載された基板と、前記電子部品を封止する絶縁性の樹脂層と、前記樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層と、を備え、前記シールド層には、前記樹脂層まで達するとともに1μm以上の開口幅を有する開口部が形成されていることを特徴とする高周波モジュール。前記開口部は50μm以上の開口幅を有することを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。前記開口部は複数形成されており、前記開口部は50μm以上100μm以下の開口幅および開口長さを有することを特徴とする請求項2に記載の高周波モジュール。前記樹脂層の表面には凹凸が形成されており、前記樹脂層の表面の凸部の先端面と前記シールド層の表面とは面一に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。前記シールド層は前記樹脂層の上面に設けられた上面部と前記樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、前記開口部は前記シールド層の上面部に形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の高周波モジュール。前記開口部は標章を兼ねることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。電子部品が搭載された基板を準備する工程と、前記電子部品を封止する樹脂層を設ける工程と、前記樹脂層の表面に導電性のシールド層を設ける工程と、を備え、前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層まで達するとともに1μm以上の開口幅を有する開口部を、前記シールド層に形成する工程を含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層の表面にマスクを配置する工程と、前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、前記マスクを除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュールの製造方法。前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、レーザ加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュールの製造方法。前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、機械加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュールの製造方法。前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、エッチング加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュールの製造方法。前記開口部は標章を兼ねることを特徴とする請求項7~11のいずれか1項に記載の高周波モジュールの製造方法。前記樹脂層を設ける工程は、前記電子部品を封止するように前記樹脂層を配置する工程と、前記樹脂層の表面に凹凸を形成する工程とを含み、前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、前記シールド層の表面を研磨することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュールの製造方法。前記樹脂層を設ける工程は、内面に凹凸が形成された成型金型を用いて、表面に凹凸が形成された前記樹脂層を形成する工程を含み、前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、前記シールド層の表面を研磨することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュールの製造方法。前記開口部は50μm以上の開口幅を有することを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュールの製造方法。前記開口部は複数形成されており、前記開口部は50μm以上100μm以下の開口幅および開口長さを有することを特徴とする請求項15に記載の高周波モジュールの製造方法。前記シールド層は前記樹脂層の上面に設けられた上面部と前記樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、前記開口部は前記シールド層の上面部に形成されることを特徴とする請求項7~16のいずれか1項に記載の高周波モジュールの製造方法。しかしながら、上記特許文献1では、水分の排出経路であるマイクロチャンネルクラックの幅は1nm~60nm程度であるので、マイクロチャンネルクラックが形成されていることを確認するのが困難であるという問題点がある。なお、ナノオーダーのクラックを確認する場合、電子顕微鏡等を用いる必要があり、確認するのに時間がかかる。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールおよびその製造方法を提供することである。上記目的を達成するために、この発明の高周波モジュールは、電子部品が搭載された基板と、電子部品を封止する絶縁性の樹脂層と、樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層と、を備え、シールド層には、樹脂層まで達するとともに1μm以上の開口幅を有する開口部が形成されている。なお、開口幅とは、例えば、開口部が矩形状である場合は開口部の短辺の長さを言い、開口部が円形状である場合は開口部の直径の大きさを言い、開口部が楕円形状である場合は開口部の短径の大きさを言う。また、後述する開口長さとは、例えば、開口部が矩形状である場合は開口部の長辺の長さを言い、開口部が円形状である場合は開口部の直径の大きさを言い、開口部が楕円形状である場合は開口部の長径の大きさを言う。この高周波モジュールでは、上記のように、シールド層には、樹脂層まで達する開口部が形成されている。これにより、高周波モジュールを例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層に含まれる水分は開口部を介して外部に排出されるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離してシールド層が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュールに電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。また、上記のように、1μm以上の開口幅を有するように開口部を形成することによって、水分の排出経路である開口部が形成されていることを、容易に確認することができる。例えば20倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部が形成されていることを十分確認することができる。また、このような開口部は、後述するように様々な方法で形成することが可能である。上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は50μm以上の開口幅を有する。このように構成すれば、開口部が形成されていることを目視でも十分確認することができる。上記開口部が50μm以上の開口幅を有する高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は複数形成されており、開口部は50μm以上100μm以下の開口幅および開口長さを有する。このように構成すれば、開口部が大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。上記高周波モジュールにおいて、樹脂層の表面には凹凸が形成されており、樹脂層の表面の凸部の先端面とシールド層の表面とは面一に形成されていてもよい。上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、シールド層は樹脂層の上面に設けられた上面部と樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、開口部はシールド層の上面部に形成されている。このように構成すれば、剥離が生じやすい部分樹脂層とシールド層の上面部との界面近傍の水分を効率よく開口部から排出させることができるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は標章を兼ねる。このように構成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。なお、本明細書および特許請求の範囲において、標章とは文字、図形、記号等を含む概念である。この発明の高周波モジュールの製造方法は、電子部品が搭載された基板を準備する工程と、電子部品を封止する樹脂層を設ける工程と、樹脂層の表面に導電性のシールド層を設ける工程と、を備え、シールド層を設ける工程は、樹脂層まで達するとともに1μm以上の開口幅を有する開口部を、シールド層に形成する工程を含む。この高周波モジュールの製造方法では、上記のように、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程を備える。これにより、高周波モジュールを例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層に含まれる水分は開口部を介して外部に排出されるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離してシールド層が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュールに電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。また、上記のように、1μm以上の開口幅を有する開口部をシールド層に形成する工程を備えることによって、水分の排出経路である開口部が形成されていることを、容易に確認することができる。例えば20倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部が形成されていることを十分確認することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にマスクを配置する工程と、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、マスクを除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、レーザ加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、機械加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、エッチング加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は標章を兼ねる。このように構成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、樹脂層を設ける工程は、電子部品を封止するように樹脂層を配置する工程と、樹脂層の表面に凹凸を形成する工程とを含み、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、シールド層の表面を研磨することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、樹脂層を設ける工程は、内面に凹凸が形成された成型金型を用いて、表面に凹凸が形成された樹脂層を形成する工程を含み、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、シールド層の表面を研磨することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。なお、任意の位置に開口部を形成することも可能である。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は50μm以上の開口幅を有する。このように構成すれば、開口部が形成されていることを目視でも十分確認することができる。上記開口部が50μm以上の開口幅を有する高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は複数形成されており、開口部は50μm以上100μm以下の開口幅および開口長さを有する。このように構成すれば、開口部が大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層は樹脂層の上面に設けられた上面部と樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、開口部はシールド層の上面部に形成される。このように構成すれば、剥離が生じやすい部分樹脂層とシールド層の上面部との界面近傍の水分を効率よく開口部から排出させることができるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。以上のように、本発明によれば、水分の排出経路開口部の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを容易に得ることができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、理解を容易にするために、断面図であってもハッチングを施さない場合がある。第1実施形態まず、図1~図7を参照して、本発明の第1実施形態による高周波モジュール1の構造について説明する。本発明の第1実施形態による高周波モジュール1は携帯電話等の通信機器電子機器に搭載されるものであって、電子機器全体を制御するメイン基板図示せずに実装されるものである。高周波モジュール1は図1および図2に示すように、高周波半導体チップや他の半導体チップからなるIC2と、抵抗やコンデンサなどからなる部品3と、IC2および部品3が搭載された基板4と、IC2および部品3を封止する絶縁性の樹脂層5と、IC2および部品3を電磁シールドするために樹脂層5の表面に設けられた導電性のシールド層6とを備えている。なお、IC2および部品3は、本発明の電子部品の一例である。IC2および部品3は図2に示すように、半田層図示せずなどにより基板4の接続端子4aに実装されている。基板4には、接続端子4aと、基板4の4隅に配置されたグランド層4b図3参照と、基板4の裏面に配置された外部接続端子図示せずと、接続端子4a、グランド層4bおよび外部接続端子に接続された配線図示せずとが設けられている。樹脂層5は例えば黒色のエポキシ樹脂により形成されており、エポキシ樹脂を熱硬化させることにより形成されている。このため、樹脂層5は、基板4、IC2および部品3に対する熱膨張差を減らすために、例えば球状のシリカフィラーを含有している。樹脂層5の上面5aから基板4までの厚みT1は約1mm以下であり、IC2および部品3上の樹脂層5の厚みは約0.2mm以上となっている。樹脂層5は上面5aと側面5bとを有しており、本実施形態では上面5aは略平坦面に形成されている。樹脂層5の4つの側面5bには、側面5bの横幅方向に沿って延びる図2の紙面に対して垂直方向に延びる段差部5cが形成されている。樹脂層5の4隅には図3に示すように、段差部5c図2参照よりも深く、基板4のグランド層4bに達する凹部5dが形成されている。シールド層6は金属により形成されている。例えば、シールド層6は樹脂層5側から、約0.5μmの厚みを有するNi層と、約10μmの厚みを有するCu層と、約2μmの厚みを有するNi層とによって形成されている。例えば、約0.5μmの厚みを有するNi層は無電解メッキ法により形成され、Cu層および約2μmの厚みを有するNi層は電解メッキ法により形成される。Cu層はシールド層6の導電性を高くするために設けられており、約2μmの厚みを有するNi層はCu層の酸化を防止するために設けられている。シールド層6の構造および製造方法は上記に限定されない。例えば、樹脂層5側から、約0.05μmの厚みを有するSUSステンレス鋼層と、約1.5μmの厚みを有するCu層と、約0.15μmの厚みを有するSUS層とをスパッタ法によって形成してもよい。スパッタ法を用いる場合、Ni層よりもSUS層を形成する方がスパッタ効率がよい。Cu層はシールド層6の導電性を高くするために設けられ、約0.15μmの厚みを有するSUS層はCu層の酸化を防止するために設けられる。シールド層6は樹脂層5の上面5aに設けられた上面部6aと、側面5bに設けられた側面部6bとを含んでいる。側面部6bは樹脂層5の段差部5cおよび凹部5dを覆うように設けられており、側面部6bおよび上面部6aは基板4のグランド層4bに電気的に接続されている。上面部6aには図1および図2に示すように、樹脂層5まで達する開口部6cが形成されている。開口部6cは図4に示すように、複数設けられており、例えば約50μm以上約100μm以下の開口幅W1および開口長さL1を有する。なお、図1に描かれた開口部6cは、図4に描かれた複数の開口部6cの集合を1個の開口部6cとして簡略化して表示したものである。複数の開口部6cは約100μmの間隔を隔てて配置されている。そして、複数の開口部6cによって、例えば×形状十字形状が形成されている。なお、1つの開口部6cは図5に示すような矩形状ではなく、例えば図6に示すように円形状であってもよい。また、複数の開口部6cではなく1つの開口部6cによって、例えば図1に示したような×形状十字形状が形成されていてもよい。また、開口部6cによって×形状以外の形状が形成されていてもよい。例えば、開口部6cを、文字、図形、記号等の形に形成して高周波モジュール1の機種名や製造ロット番号を表すようにしてもよい。言い換えると、開口部6cは高周波モジュール1の機種名や製造ロット番号を表す標章を兼ねてもよい。開口部6cは図7に示すように、VCO電圧制御発振器のインダクタ等のノイズ放射源となる部品3aの真上に位置しないように形成されている。これにより、高周波モジュール1からの放射ノイズが他の機器に悪影響を及ぼすのを抑制することが可能である。次に、図2、図3および図8~図23を参照して、高周波モジュール1の製造方法について説明する。まず、図8~図10に示すように、所定の位置にIC2および部品3が搭載された基板14を準備する。この基板14は基板4を例えば6個含んでおり、後述するように、1つの基板14から6個の高周波モジュール1が製造される。なお、図8の破線は、個片に分離する位置を示している。そして、図11~図13に示すように、IC2および部品3を封止するように絶縁性のエポキシ樹脂を流し込み配置し、熱硬化させることにより樹脂層5を形成する。このとき、成型金型図示せずを用いて樹脂層5を形成してもよい。その後、図14および図15に示すように、ダイシングブレード図示せずを用いて、個片に分離する位置に分割溝5eを形成する。このとき、例えば樹脂厚の半分程度の深さを有するように分割溝5eを形成する。そして、図14および図16に示すように、分割溝5eの交点に、グランド層4bまで達するビアホール5fを形成する。このとき、溶融樹脂の飛散や樹脂残渣を低減するために、短波長レーザであるUV-YAGレーザを用いることが好ましい。その後、図17および図18に示すように、樹脂層5の上面5aのうちの開口部6cを形成する位置にマスク10を配置形成する。そして、メッキ法やスパッタ法を用いて樹脂層5の表面にシールド層6を配置形成し、マスク10を除去することにより、図19および図20に示すように、樹脂層5まで達する開口部6cを有するシールド層6が形成される。なお、メッキ法を用いる場合、例えば、無電解メッキ法により約0.5μmの厚みを有するNi層を形成し、その上に電解メッキ法により約10μmの厚みを有するCu層および約2μmの厚みを有するNi層を形成してもよい。スパッタ法を用いる場合、例えば、約0.05μmの厚みを有するSUS層、約1.5μmの厚みを有するCu層および約0.15μmの厚みを有するSUS層を形成してもよい。最後に、図21~図23に示すように、ダイシングブレード図示せずを用いて、分割溝5eをフルカットフルダイシングすることによって、個片化された高周波モジュール1が得られる。このとき、分割溝5eおよびビアホール5f図16参照は、それぞれ、段差部5c図2参照および凹部5d図3参照になる。本実施形態では、上記のように、シールド層6には、樹脂層5まで達する開口部6cが形成されている。これにより、高周波モジュール1を例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層5に含まれる水分は開口部6cを介して外部に排出されるので、樹脂層5とシールド層6との界面で剥離してシールド層6が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュール1に電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。また、膨れが増大することに起因してシールド層6と基板4のグランド層4bとの接続が切断されることがないので、シールド性が低下するのも抑制することができる。また、上記のように、開口部6cは約50μm以上の開口幅W1を有する。これにより、水分の排出経路である開口部6cが形成されていることを目視でも十分確認することができる。なお、樹脂層5を黒色の樹脂により形成することによって、シールド層6と樹脂層5とのコントラストを向上させることができ、開口部6cが形成されていることの確認をより容易にしている。また、上記のように、開口部6cは約100μm以下の開口幅W1および開口長さL1を有する。これにより、開口部6cが大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。また、上記のように、開口部6cはシールド層6の上面部6aに形成されている。これにより、剥離が生じやすい部分樹脂層5とシールド層6の上面部6aとの界面近傍の水分を効率よく開口部6cから排出させることができるので、樹脂層5とシールド層6との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。また、上記のように、標章を兼ねるように開口部6cを形成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。また、上記のように、樹脂層5の表面にマスク10を配置し、樹脂層5の表面にシールド層6を配置した後、マスク10を除去することにより、樹脂層5まで達する開口部6cをシールド層6に形成する。これにより、樹脂層5まで達する開口部6cをシールド層6に容易に形成することができる。また、シールド層6の任意の位置に開口部6cを形成することができる。例えば樹脂層5の厚み、電子部品IC2および部品3の大きさ、モジュール構成材料等により樹脂層5とシールド層6との界面に含まれる水分量が異なるので、任意の位置に開口部6cを形成することによって、剥離を効果的に抑えることが可能である。第2実施形態この第2実施形態では、図14~図16、図19、図20および図24~図26を参照して、上記第1実施形態と異なり、レーザ加工、機械加工またはエッチング加工によりシールド層6に開口部6cを形成する場合について説明する。図14~図16に示すように、上記第1実施形態と同様にして、樹脂層5に分割溝5eおよびビアホール5fを形成する。そして、図24~図26に示すように、樹脂層5の表面にシールド層6を配置する。その後、シールド層6の上面部6aを選択的に除去することにより、図19および図20に示すように、樹脂層5まで達する開口部6cをシールド層6に形成する。このとき、レーザ装置図示せずを用いたレーザ加工により、シールド層6に開口部6cを形成してもよい。また、ドリル加工などの機械加工により、シールド層6に開口部6cを形成してもよい。また、ウェットエッチング加工などのエッチング加工により、シールド層6に開口部6cを形成してもよい。そして、上記第1実施形態と同様、ダイシングブレード図示せずを用いて、分割溝5eをフルカットフルダイシングすることによって、個片化された高周波モジュール1が得られる。なお、第2実施形態の構造およびその他の製造方法は、上記第1実施形態と同様である。本実施形態では、上記のように、レーザ加工、機械加工またはエッチング加工によりシールド層6を選択的に除去することによって、樹脂層5まで達する開口部6cをシールド層6に形成する。これにより、樹脂層5まで達する開口部6cをシールド層6に容易に形成することができる。また、シールド層6の任意の位置に開口部6cを形成することができる。上記第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。第3実施形態図27~図29を参照して、本発明の第3実施形態による高周波モジュール1の構造について説明する。本発明の第3実施形態による高周波モジュール1では図27および図28に示すように、シールド層6の上面部6aに、樹脂層5まで達する開口部6cが多数形成されている。具体的には図29に示すように、樹脂層5の上面5aには凹凸複数の凹部5gおよび複数の凸部5hが形成されている。凹部5gはシールド層6で埋められている。凸部5hの先端面上面はシールド層6の表面と面一に形成されている。そして、凸部5hの位置に、シールド層6の開口部6cが形成されている。この開口部6cは約1μm以上約100μm以下の開口幅および開口長さを有する。また、複数の開口部6cは、シールド層6の上面部6aの全域にわたって形成されている。なお、図では理解を容易にするために、開口部6cを大きく描いている。第3実施形態のその他の構造は、上記第1および第2実施形態と同様である。次に、図29~図32を参照して、高周波モジュール1の製造方法について説明する。上記第1および第2実施形態と同様にして、IC2および部品3を封止するように絶縁性のエポキシ樹脂を配置し、熱硬化させることにより樹脂層5を形成する。その後、図30および図31に示すように、樹脂層5の上面5aに、例えばサンドブラスト処理により、凹凸複数の凹部5gおよび複数の凸部5hを形成する。このとき、後の工程で形成するシールド層6の厚みと同等以上の高さまたは深さを有する凹凸を形成する。例えば、シールド層6をメッキ法により形成する場合は約13μm以上の高さまたは深さを有する凹凸を形成することが好ましく、シールド層6をスパッタ法により形成する場合は約1.7μm以上の高さまたは深さを有する凹凸を形成することが好ましい。また、このとき、後で行われる研磨工程において約1μm以上約100μm以下の開口幅および開口長さを有する開口部6cが形成されるように、凹部5gおよび凸部5hの寸法を設定して形成する。そして、上記第1および第2実施形態と同様にして、樹脂層5に分割溝5eおよびビアホール5fを形成する。なお、樹脂層5の上面5aに凹凸を形成する前に、樹脂層5に分割溝5eおよびビアホール5fを形成してもよい。その後、図32に示すように、樹脂層5の表面にシールド層6を配置する。そして、樹脂層5の上面5aが露出するまでシールド層6の上面を研磨する。これにより、図29に示すように、シールド層6に多数の開口部6cが形成される。このとき、凸部5hの先端面がシールド層6の表面に露出し、シールド層6の表面と面一になる。その後、上記第1および第2実施形態と同様、ダイシングブレード図示せずを用いて、分割溝5eをフルカットフルダイシングすることによって、個片化された高周波モジュール1が得られる。なお、第3実施形態のその他の製造方法は、上記第1および第2実施形態と同様である。本実施形態では、上記のように、約1μm以上の開口幅を有するように開口部6cを形成することによって、水分の排出経路である開口部6cが形成されていることを、容易に確認することができる。例えば20倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部6cが形成されていることを十分確認することができる。また、上記のように、樹脂層5の上面5aに例えばサンドブラスト処理により凹凸複数の凹部5gおよび複数の凸部5hを形成し、樹脂層5の表面にシールド層6を配置する。その後、シールド層6の上面5aを研磨することにより、開口部6cをシールド層6に形成する。これにより、樹脂層5まで達する開口部6cをシールド層6に容易に形成することができる。上記第3実施形態のその他の効果は、上記第1および第2実施形態と同様である。第4実施形態この第4実施形態では、図30~図34を参照して、上記第3実施形態と異なり、成型金型50により樹脂層5に凹凸を形成する場合について説明する。内面の上面に凹凸50aが形成された成型金型50図33参照を用いて、図34に示すようにIC2および部品3を封止するようにエポキシ樹脂を配置充填し硬化させることにより、樹脂層5を形成する。これにより、図30および図31に示すように、樹脂層5の上面5aに凹凸が形成される。すなわち、樹脂層5はエポキシ樹脂を用いた射出成型により形成され、射出成型時に樹脂層5の上面5aに凹凸が形成される。そして、上記第1~第3実施形態と同様にして、樹脂層5に分割溝5eおよびビアホール5fを形成し、樹脂層5の表面にシールド層6を配置する。その後、上記第3実施形態と同様にして、樹脂層5の上面5aが露出するまでシールド層6の上面を研磨し、分割溝5eをフルカットフルダイシングすることによって、個片化された高周波モジュール1が得られる。なお、第4実施形態の構造およびその他の製造方法は、上記第3実施形態と同様である。本実施形態では、上記のように、内面に凹凸50aが形成された成型金型50を用いることによって、表面に凹凸複数の凹部5gおよび複数の凸部5hが形成された樹脂層5を容易に形成することができる。上記第4実施形態のその他の効果は、上記第1~第3実施形態と同様である。なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。例えば、上記実施形態では、高周波モジュールを携帯電話に適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、携帯電話以外の電子機器にも適用可能である。また、シールド層の材質や厚みは適宜変更可能である。