ムライト粉末と、アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末との焼結体であって、前記アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末の含有割合が合計で10~50質量であることを特徴とするムライトを主成分とする焼結体。前記焼結体は、室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数が5.5~6.5ppm/Kであることを特徴とする請求項1に記載のムライトを主成分とする焼結体。前記焼結体の主表面の面粗さRaが0.1~3.0nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のムライトを主成分とする焼結体。III族窒化物半導体との貼り合わせ基板用の下地基板であって、請求項1~3のいずれかに記載の焼結体からなることを特徴とする下地基板。前記III族窒化物半導体が窒化ガリウムGaNであることを特徴とする請求項4に記載の下地基板。本発明は上記問題点に鑑み、任意のIII族窒化物半導体との熱膨張係数の差が小さい、ムライトを主成分とする焼結体を提供することを課題とする。また、エピタキシャル層成長用III族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板として、熱膨張係数がIII族窒化物半導体に近く、かつ、III族窒化物半導体基板との貼り合わせ性に優れた下地基板を安価に提供することを課題とする。本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意探求を重ねた結果、ムライトを主成分とする焼結体を用いることが有効であることを見出し、本発明を完成させた。本発明は以下の構成よりなる。1ムライト粉末と、アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末との焼結体であって、前記アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末の含有割合が合計で10~50質量であることを特徴とするムライトを主成分とする焼結体。2前記焼結体は、室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数が5.5~6.5ppm/Kであることを特徴とする上記1に記載のムライトを主成分とする焼結体。3前記焼結体の主表面の面粗さRaが0.1~3.0nmであることを特徴とする上記1又は2に記載のムライトを主成分とする焼結体。4III族窒化物半導体との貼り合わせ基板用の下地基板であって、上記1~3のいずれかに記載の焼結体からなることを特徴とする下地基板。5前記III族窒化物半導体が窒化ガリウムGaNであることを特徴とする上記4に記載の下地基板。本発明により、任意のIII族窒化物半導体との熱膨張係数の差が小さい、ムライトを主成分とする焼結体を提供することができる。更に、III族窒化物半導体基板との貼り合わせ性に優れたエピタキシャル層成長用III族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板を安価に提供することができる。本発明に係るムライトを主成分とする焼結体は、ムライト粉末と、アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニア以下、YSZとも記すからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末との焼結体であって、前記アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末の含有割合が合計で10~50質量であることを特徴とするムライトを主成分とする。ムライトは酸化アルミニウムアルミナと酸化ケイ素シリカの化合物であるが、本発明においては、アルミナとシリカを3:2の割合で混合して焼結して得られたムライト3Al2O32SiO2を好ましく使用することができる。これにより、任意のIII族窒化物半導体基板と熱膨張係数が近似した下地基板を安価に得ることができる。また、下地基板とIII族窒化物半導体基板との熱膨張係数が近似しているため、下地基板とIII族窒化物半導体基板とを貼り合わせて、III族窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長用の種基板として用いた場合にも、貼り合わせ面での剥離やクラックの発生を減少させることができる。更に、本発明のムライトを主成分とする焼結体は多結晶であるから表面の加工性が良好であり、III族窒化物半導体基板と下地基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ性にも優れている。例えば、III族窒化物半導体のなかでもGaNの熱膨張係数は6.0ppm/Kである。これに対し、ムライトの熱膨張係数は5.2ppm/Kであるから、ムライトに更に熱膨張係数の大きな物質を添加して焼結することにより、GaN基板との熱膨張係数の差が小さい焼結体を得ることができる。具体的には、例えば、ムライト粉末にYSZ粉末を30質量混合して焼結することにより、室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数が6.0ppm/Kの焼結体を得ることができる。同様にして、ムライト粉末に、アルミナ、ジルコニア、およびYSZからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末を混合して焼結することにより、任意のIII族窒化物半導体の熱膨張係数に近似した熱膨張係数の焼結体を得ることができる。すなわち、前記アルミナ、ジルコニア、およびYSZからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末の含有割合が合計で10~50質量となる範囲でムライト粉末との混合比率を調整することにより、得られる焼結体の熱膨張係数を調整することができる。焼結方法は特に限定されないが、例えば、HPホットプレスやHIP熱間静水圧成形による方法が好ましい。焼結体の密度を高くできる方法が好ましい。また、本発明の焼結体は、室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数が5.5~6.5ppm/Kの範囲にあることが好ましい。これにより本発明の焼結体と、任意のIII族窒化物半導体の熱膨張係数とが同じであるか、又はその差を小さくすることができる。上記の、室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数は、5.8ppm/K~6.2ppm/Kであることがより好ましい。また、本発明の焼結体は、主表面の面粗さRaが0.1nm~3.0nmであることが好ましい。これにより、本発明の焼結体をIII族窒化物半導体との貼り合わせ基板用の下地基板として良好に用いることができる。貼り合わせ基板用の下地基板として用いる場合には、主表面は可能な限り平滑であることが好ましく、前記Raは0.1nm~2.0nmであることがより好ましく、0.1nm~1.0nmであることが更に好ましい。なお、ここで主表面とは、表面のうち最も面積の大きい主要な面をいう。本発明に係る下地基板は、III族窒化物半導体との貼り合わせ基板用の下地基板であって、上記本発明の焼結体からなることを特徴とする。前述のように、上記本発明の焼結体はGaN半導体のようなIII族窒化物半導体との貼り合わせ基板用の下地基板として好ましく利用することができる。下地基板の厚さは特に限定されないが、III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させる際において充分な強度を持っていることが望ましい。この観点から下地基板の厚さは、400μm~700μmであることが好ましい。以下、図面を参照しながら本発明に係る焼結体の製造方法について説明する。図1のフローチャートに示すように、まず粉末準備工程S10を実施する。これは具体的には、上述したムライトを主成分とする基板を形成する材料としての粉末を準備する工程である。次に図1に示す成形工程S20を実施する。これは具体的には、プレス成形またはCIPColdIsostaticPressing;冷間等方圧加工法により成形する。たとえば工程S10で準備した混合粉末を、まずプレス成形により予備成形した後、CIPを行ない、成形体を得ることが好ましい。ただしここではプレス成形とCIPとのいずれか一方のみを行なってもよいし、たとえばプレス成形を行なった後にCIPを行なうなど、両方を行なってもよい。ここでプレス成形においてはたとえば10MPa以上300MPa以下、特に20MPaの圧力を用いることが好ましく、CIPにおいてはたとえば160MPa以上250MPa以下、特に180MPa以上230MPa以下の圧力を用いることが好ましい。次に図1に示す焼結工程S30を実施する。焼結工程として具体的には、大気雰囲気下に成形体を載置して焼結する大気焼結法や、たとえばアルゴン雰囲気下に成形体を載置して加圧焼結するHIPHotIsostaticPressing;熱間等方加圧を用いることが好ましい。あるいは上記方法の代わりにホットプレス法を用いてもよい。大気焼結法とHIPなどとのいずれかのみを行なってもよいし、たとえば大気焼結法を行なった後にHIPを行なうなど、複数を行なってもよい。さらにHIP後に再度熱処理を行なってもよい。大気焼結法においては具体的には、成形体を大気雰囲気中に載置し、1400°C以上1700°C以下に加熱し、1時間以上3時間以下保持することが好ましい。このようにすれば、密度が95以上の焼結体を形成することができる。またHIPにおいては、上記焼結体をあるいはホットプレスによる焼結を行なっていない成形体をアルゴン雰囲気中に載置し、150MPa以上250MPa以下の圧力を加えながら1500°C以上1800°C以下に加熱し、1時間以上3時間以下保持することにより焼結する。上述した圧力および温度により焼結を行なえば、形成される焼結体の密度を、最終的に形成される基板に要求される条件を満たすに足りる密度とすることができる。これは加圧によりムライトを主成分とする焼結体の組成変形が起こるとともに、拡散機構により当該焼結体内部の空孔が外部へ除去されるためである。以上により焼結がなされた焼結体に対して、図1に示すように加工工程S40を行なう。これは具体的には、まず上記焼結体を所望の基板1の厚みとなるようにスライス加工により切断切削加工する。これにより、所望の厚みを有する基板1の下地が完成する。なおここで所望の厚みとは、最終的に形成したい基板1の厚みと、後工程における基板1の主表面1aの研磨しろ等を考慮した上で決定することが好ましい。次に、上記基板1の下地の主表面を研磨する。具体的には、上述したように最終的に形成される基板1の主表面1aを、平均粗さRaが所望の値となるように研磨する工程である。基板1の主表面1aを、優れた平坦度を達成するために研磨する場合は、粗研磨と通常研磨と、ダイヤ砥粒を用いた研磨との3段階の研磨を順に行なうことが好ましい。具体的には、第1段階である粗研磨および第2段階である通常研磨において、研磨機を用いて主表面1aを鏡面加工する。ここで粗研磨と通常研磨とでは、研磨に用いる砥粒の番手が異なる。具体的には、粗研磨においては砥粒の番手が800~2000であるGC砥石を、通常研磨においては砥粒の粒径が3~5μmであるダイヤモンド砥石を用いることが好ましい。次に第3段階である仕上げ加工としての研磨は、上述したようにダイヤ砥粒を用いて行なうことが好ましい。ダイヤ砥粒は硬度が非常に高く、かつ砥粒の平均粒径が0.5μm~1.0μm程度と非常に小さいことから、高精度な鏡面加工用の砥粒として用いることに適している。当該砥粒を用いて例えば10分間研磨加工を行なう。このようにすれば、上述した主表面1aの平均粗さRaが0.1nm以上3.0nm以下である平坦性の高い主表面1aを実現することができる。以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。[実施例1]ムライト粉末にYSZY2O310mol粉末を30質量混合した。この混合粉末をプレス成形により予備成形し、続いてCIPを行なって成形体を得た。プレス成形においては10MPaの圧力をかけ、CIPにおいては200MPaの圧力をかけた。続いて、上記成形体を大気雰囲気下に載置し、1500°Cで、9時間、保持することにより焼結を行った。更に、得られた焼結体をアルゴン雰囲気中に載置し、200MPaの圧力を加えながら1600°Cに加熱し、2時間、保持することによりHIPを行った。上記HIP後の焼結体を、700μmの厚みとなるようにダイシング加工をして下地基板を得た。続いて該下地基板の主表面の研磨を行った。研磨は、粗研磨、通常研磨、仕上げ加工の研磨の順で行った。粗研磨では♯800のGC砥石を、通常研磨では粒径が3μmのダイヤモンド砥粒を、仕上げ加工の研磨では粒径が1μmのダイヤモンド砥粒を用いて研磨を行った。得られた下地基板の室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数は6.0ppm/Kであり、表面粗さは0.6nmであった。[実施例2]原料ムライト粉末にジルコニア粉末を30質量混合した以外は、実施例1と同様にして下地基板を作製した。得られた下地基板の室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数は5.7ppm/Kであり、表面粗さは0.8nmであった。[実施例3]原料ムライト粉末にアルミナ粉末を12質量混合した以外は、実施例1と同様にして下地基板を作製した。得られた下地基板の室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数は5.4ppm/Kであり、表面粗さは0.8nmであった。[実施例4]原料ムライト粉末にアルミナ粉末を12質量とYSZY2O310mol30質量を混合した以外は、実施例1と同様にして下地基板を作製した。得られた下地基板の室温から1000°Cまでの平均熱膨張係数は6.3ppm/Kであり、表面粗さは0.9nmであった。以上のように、本発明に係るムライトを主成分とする焼結体は、ムライト粉末に添加する他の材料粉末の量を調製することにより、任意の熱膨張係数の焼結体とすることができた。また、表面加工性にも優れており、III族窒化物半導体基板との貼り合わせ性にも優れていることが示された。以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。