正反射が小さく乱反射が大きくなるよう研磨処理された裏面を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される高反射パターンとを有する半導体装置。半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に高反射パターンを形成する工程と、前記半導体基板の裏面を正反射が小さく乱反射が大きくなるよう研磨処理する工程とを有する半導体装置の製造方法。しかし、特許文献1に示す半導体装置は、低反射率パターンとして酸化膜層を用いることで照射される光が基板に達するために低反射パターンの反射率が基板の反射率にも依存し、さらにはウエハ上において基板の反射率のばらつきがある場合には、高反射率パターンと低反射率パターンのコントラストが十分でないものが製造され、識別性が確保できない場合があった。従って、本発明の目的は、基板の反射率のばらつきを減少し、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明の一態様は、正反射が小さく乱反射が大きくなるよう研磨処理された裏面を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される高反射パターンとを有する半導体装置を提供する。また、本発明の一態様は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に高反射パターンを形成する工程と、前記半導体基板の裏面を正反射が小さく乱反射が大きくなるよう研磨処理する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。本発明によれば、基板の反射率のばらつきを減少し、アライメントマークの識別性を確保することができる。半導体装置の構成図1Aは、実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示す概略平面図である。また、図1Bは、実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示す概略断面図である。この半導体装置1は、半導体プロセスによって作製され、位置合わせ用のアライメントマーク2と、図示しない半導体回路部とを有する。アライメントマーク2は、シリコン基板24上に形成された酸化膜23と、酸化膜23上に形成された窒化膜21と、窒化膜21上に形成された高反射パターンとしてのアルミパターン20とを有する。なお、アルミパターン20以外の領域が低反射パターンとなる。シリコン基板24の裏面24Bは、一例として、600番の砥石を用いて研磨されており、その厚みは300μmである。なお、砥石の番手は、用いられる基板の材料及び厚みに合わせて変更することができる。製造工程まず、シリコン基板24に図示しない回路部を形成する。次に、シリコン基板24上にSiO2等の酸化膜23をプラズマCVD法又は熱酸化法等により形成する。なお、適宜マスクの形成やエッチング等により酸化膜23に開口等を設けることができる。次に、酸化膜23上にプラズマCVD法によりSiNx等の窒化膜21を形成する。次に、アルミパターン20と回路部のアルミ電極等とを同時にスパッタリング等により形成する。最後に、シリコン基板24の裏面24Bを砥石によって研磨する。なお、研磨は、最初に行っても良い。図2は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示す概略平面図である。半導体装置1は、一例として、直径4インチのシリコンウエハ10上に複数作製される。ここで、シリコンウエハ10の裏面は、研磨前の状態において荒さが各領域で均一ではないため、裏面の反射率が各領域において異なる値となる。一例として、シリコンウエハ10の領域をCENTER、LEFT、RIGHT、TOP、BOTTOMと分けたとき、後述する図5、図7に示すように各領域の半導体装置1Center、1Left、1Right、1Top、1Bottomの裏面の反射率がばらつく。ウエハ裏面の反射率及び乱反射率の測定反射率測定は、半導体装置1の裏面24Bに波長1300nmのレーザー光を照射して、その反射光の強度を測定し、照射光と反射光の強度比から反射率を算出することで行う。また、乱反射率測定は、半導体装置1の裏面24Bに波長1300nmのレーザー光を照射して、正反射光を除去し、拡散反射光を測定するSCE方式により行う。図3a及びbは、本発明の実施の形態に係る半導体装置の裏面24Bの反射率及び乱反射率を示すグラフ図である。図3aに示すように、半導体装置1Left、1Right、1Top、1Bottomの裏面24Bの反射率について、それぞれ20~25に分布し、ばらつきは5の範囲内に収まっている。また、図3bに示すように、半導体装置1Center、1Left、1Right、1Top、1Bottomの裏面の乱反射率は、いずれも25程度と、後述する裏面研磨前の乱反射率図5、図7等に比べて大きい。これは、研磨により裏面24Bに凹凸が存在することを示し、また、各領域において凹凸の程度にばらつきがないことを示している。図5、図6、図7は、比較例として、本実施の形態のシリコンウエハと異なるウエハの裏面の反射率及び乱反射率を示すグラフ図である。なお、いずれのウエハも、裏面を研磨していないものである。図5a及びbは、厚み639μmのシリコンウエハ上に酸化膜及び窒化膜を形成したものについて計測したものである。反射率は、図5aに示すように、Center及びTopの領域の反射率が低く、Center及びTop以外の領域の反射率が10程度高い。また、乱反射率は、図5bに示すように、Center及びTop以外の領域は10程度低くなっている。このように、Center及びTopの領域の裏面の正反射率が小さく、乱反射率が大きい理由は、裏面の凹凸が多いためと考えられる。また、Center及びTop以外の領域の裏面の正反射率が大きく、乱反射率が小さい理由は、裏面の凹凸が少ないためと考えられる。図6a及びbは、厚み625μmのP型ウエハについて計測したものである。反射率は、図6aに示すように、いずれの領域においても低く、また、乱反射率は、図6bに示すように、いずれの領域においても高くなっている。これは、いずれの領域においても裏面の凹凸が多いためと考えられる。本実施の形態のシリコン基板24の裏面24Bの性質に近いものと言える。図7a及びbは、厚み540μmのシリコンウエハについて計測したものである。反射率は、図7aに示すように、多少のばらつきがあるもののいずれの領域においても高く、また、乱反射率は、図7bに示すように、いずれの領域においても低くなっている。これは、いずれの領域においても裏面の凹凸が少ないためと考えられる。アライメントマークの反射率の測定図1Bに示すように、半導体装置1の上方からアライメントマーク2全体を走査する場合を測定Lと呼ぶ。なお、測定Lは、波長1300nmのレーザー光を照射して、その反射光の強度を測定し、照射光と反射光の強度比から反射率を算出することで行う。図4は、本実施の形態に係る半導体装置及び従来の半導体装置のアライメントマーク全体を走査した場合測定Lの反射強度を示すグラフ図である。図4に示すように、シリコンウエハ10の各領域における半導体装置1Center、1Left、1Right、1Top、1Bottomのいずれにおいても、アルミパターン20の反射率のばらつきが少ない。また、アルミパターン20以外の領域における反射率のばらつきが少ない。さらに、アルミパターン20の反射率とアルミパターン20以外の領域における反射率との差が20~25程度である。実施の形態の効果上記した実施の形態によると、アライメントマーク2の低反射パターンとしてのシリコン基板24の裏面24Bに凹凸を形成したため、基板24に達した光の反射率が低くなりつまり、低反射パターンの反射率が低くなり、また、シリコンウエハ10のいずれの領域から半導体装置1を作製したとしても低反射パターンの反射率のばらつきが少なくなる。これにより、高反射パターンであるアルミパターン20と低反射パターンであるシリコン基板24との反射率の差が大きくなるとともに、反射率の差のばらつきが少なくなり、アライメントマーク2の識別性を確保できる。なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは調整しない範囲内で種々の変形が可能である。例えば、高反射パターンの材料は、Alに限らず低反射パターンと高反射パターンの反射率の差がアライメントマークを識別する装置又は利用者の識別能力内にあれば他の材料を用いることができる。