発電素子と、前記発電素子に接続される第1ダイオードと、前記第1ダイオードに接続される第1容量と、前記発電素子に接続される第2ダイオードと、第1電極が前記第2ダイオードに接続され、第2電極が第2容量に接続され、前記第1電極と前記第2電極の導通状態を制御する第3電極が前記第1容量に接続され、前記第1電極と前記第2電極が非導通状態から導通状態に遷移する際の前記第2電極と前記第3電極の電位差が、前記第1電極と前記第2電極が導通状態から非導通状態に遷移する際の前記第2電極と前記第3電極の電位差より大きい選択素子と、を有することを特徴とする蓄電回路。請求項1において、前記選択素子は、MEMSスイッチであることを特徴とする蓄電回路。請求項2において、前記MEMSスイッチは、前記第1電極の上方に設けられ、導体材料からなる可動部をさらに有し、前記第2電極は、前記可動部の表面のうち前記第1電極と対向する位置に設けられることを特徴とする蓄電回路。請求項2において、前記MEMSスイッチは、前記第1電極の上方に設けられ、絶縁材料からなる可動部をさらに有し、前記第2電極は、前記可動部の表面のうち前記第1電極と対向する位置に設けられることを特徴とする蓄電回路。請求項1において、前記第1容量に接続される第1端子と、前記第2容量に接続される第2端子と、をさらに有し、前記第1端子には、前記第2端子よりも消費電力の小さい回路が接続されることを特徴とする蓄電回路。請求項1において、前記第1容量の容量値は、前記第2容量の容量値より小さいことを特徴とする蓄電回路。発電素子と、前記発電素子に接続される第1ダイオードと、前記第1ダイオードに接続される第1容量と、前記発電素子に接続される第2ダイオードと、第1電極が前記第2ダイオードに接続され、第2電極が第2容量に接続され、前記第1電極と前記第2電極の導通状態を制御する第3電極が前記第1容量に接続され、第4電極に接地電位が印加され、前記第1電極と前記第2電極が非導通状態から導通状態に遷移する際の前記第3電極と前記第4電極の電位差が、前記第1電極と前記第2電極が導通状態から非導通状態に遷移する際の前記第3電極と前記第4電極の電位差より大きい選択素子と、を有することを特徴とする蓄電回路。請求項7において、前記選択素子は、MEMSスイッチであることを特徴とする蓄電回路。請求項8において、前記MEMSスイッチは、前記第1電極および前記第4電極の上方に設けられ、絶縁材料からなる可動部をさらに有し、前記第1電極および前記第4電極は、半導体基板上に設けられ、前記第2電極は、前記可動部の表面のうち前記第1電極と対向する位置に設けられ、前記第3電極は、前記可動部の表面のうち前記第4電極と対向する位置に設けられることを特徴とする蓄電回路。しかしながら、特許文献1に記載の発明には以下に述べる課題がある。上述の通り、電界検知型スイッチ12の電流経路に第1の容量および第2の容量を接続しているため、電界検知型スイッチ12がオンになると第1の容量に蓄積された電荷が第2の容量に移動することとなるが、これによって第1の容量側の蓄電が不安定となる。そのため、第2の容量側への供給可能な電荷も不安定なものとなる。また、第1の容量側を電源として用いることも困難となるため、第1の容量側および第2の容量側の両方を電源とする2系統の電源系を構成することも困難となる。本発明は、係る課題を解決することを目的とし、発電素子を有する蓄電回路において、より安定的な蓄電を可能とし、または2系統以上の安定的な電源系の構築を可能とすることを目的とする。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。すなわち、蓄電装置であって、発電素子と、発電素子に接続される第1ダイオードと、第1ダイオードに接続される第1容量と、発電素子に接続される第2ダイオードと、第1電極が第2ダイオードに接続され、第2電極が第2容量に接続され、第1電極と第2電極の導通状態を制御する第3電極が第1容量に接続され、第1電極と第2電極が非導通状態から導通状態に遷移する際の第2電極と第3電極の電位差が、第1電極と第2電極が導通状態から非導通状態に遷移する際の第2電極と第3電極の電位差より大きい選択素子と、を有することを特徴とする。または、蓄電装置であって、発電素子と、発電素子に接続される第1ダイオードと、第1ダイオードに接続される第1容量と、発電素子に接続される第2ダイオードと、第1電極が第2ダイオードに接続され、第2電極が第2容量に接続され、第1電極と第2電極の導通状態を制御する第3電極が第1容量に接続され、第4電極に接地電位が印加され、第1電極と第2電極が非導通状態から導通状態に遷移する際の第3電極と第4電極の電位差が、第1電極と第2電極が導通状態から非導通状態に遷移する際の第3電極と第4電極の電位差より大きい選択素子と、を有することを特徴とする。本発明によれば、発電素子を有する蓄電回路において、より安定的な蓄電が可能となり、または2系統以上の安定的な電源系の構成を可能となる。図1は、実施例1に係る蓄電回路900を示す図である。図1において、蓄電回路900は、第1の回路100と、第2の回路200と、発電素子300とを有する。第1の回路100は、発電素子300に接続される第1ダイオードD1と、第1ダイオードD1に接続される第1容量C1と、第1の容量C1に接続される第1の出力端子101とを有する。また、第2の回路200は、発電素子300に接続される第2ダイオードD2と、第2のダイオードD2に接続される選択素子S1と、選択素子S1に接続される第2の容量C2と、第2の容量C2に接続される第2の出力端子201とを有し、発電素子300に対して第1の回路100と並列に接続される。選択素子S1は、第1電極1が第2ダイオードD2に接続され、第2電極2が第2容量C2に接続され、第1電極1と第2電極2の導通状態を制御する駆動電極となる第3電極3が第1容量C1に接続されている。発電素子300は、例えば太陽電池やMEMS発電機のような、振動や熱などの生活空間エネルギーを電気エネルギーに変換する素子である。係る素子を用いることで、蓄電回路900の電池交換を不要としうる。第1ダイオードD1および第2ダイオードD2は、アノードが発電素子300に、カソードが容量第1容量または第2容量に接続されている。第1ダイオードD1および第2ダイオードD2には、発電素子で発電された電荷が供給され、初期状態では選択素子S1がオフ状態であることから、その電荷は第1容量C1に蓄積される。まず、第1容量C1に蓄積された電荷の量が少なく、選択素子S1の駆動電極となる第2電極2と第3電極3の間に発生する電位差本実施例においては、この電位差を駆動電圧Vと呼ぶが選択素子S1のプルイン電圧Von以下の場合には、選択素子S1はオフのままであり、第2容量C2には電流が流れない。そのため、発電素子300からの電荷を優先的に第1容量C1に蓄積することが可能となる。その結果、第1容量C1に接続された第1の出力端子101を介して、例えばクロック回路のような消費電力が小さい回路を早期に起動させることが可能となる。また、第1ダイオードD1および第2ダイオードD2によって、例えば発電素子300から第1容量C1に蓄積された電荷が第2容量C2に逆流する等の電荷の逆流を防止している。そのため、各容量から第1の出力端子101および第2の出力端子201のそれぞれに印加される蓄積電位が安定し、安定な2系統の電源系を構成できる。次に、発電素子300からの電荷が継続して第1容量C1に供給され、第2電極2と第3電極3の間の電位差がプルイン電圧Von以上になると、第1電極1と第2電極2が接触して導通状態となる。その結果、選択素子S1はオンとなって、第1電極1と第2電極2の間に電流が流れるようになり、発電素子300からの電荷は第2容量C2にも蓄積される。その後、第1容量C1に蓄積された電荷が第1の出力端子101を介して接続された回路によって消費されることで、駆動電圧Vが選択素子S1のプルアウト電圧Voff以下になると、第2電極2と第3電極3の電位差が不十分となって第1電極1と第2電極2が非接触すなわち非導通状態となる。その結果、選択素子S1がオフになり、第2容量C2への電荷の蓄積が停止される。このようにして、第2容量C2への電荷の蓄積および蓄積の停止を実現する。ここで、選択素子S1は特に、第1電極1と第2電極2が非導通状態から導通状態に遷移する際の第2電極2と第3電極3の電位差が、第1電極1と第2電極2が導通状態から非導通状態に遷移する際の第2電極2と第3電極3の電位差より大きいこと、すなわちプルイン電圧Vonがプルアウト電圧Voffより大きいことを特徴とする。係るヒステリシス特性を有することで、第2容量C2に十分な電荷を蓄積する時間を安定的に確保することができることとなる。すなわち、仮に選択素子S1のプルイン電圧Vonとプルアウト電圧Voffが一致していたとすると、選択素子S1はオンになった直後にオフすることとなってしまう。第1容量C1の電荷が第1の出力端子101を介して接続された回路により消費されることから、駆動電圧Vも徐々に低下しているためである。選択素子S1がヒステリシス特性を有することで、第1容量C1の電荷消費を踏まえてもなお、駆動電圧VがVoffとなるまでの間は選択素子S1をオン状態にすることが可能となり、第2容量C2に電荷を蓄積する時間を確保しうる。図2は、本実施例に係る蓄電回路900をセンシングモジュール1000に適用した構成を示す図である。センシングモジュール1000は、所定の時間間隔でセンシングを行い、データ処理して無線回路700から外部に送信するモジュールである。本実施例では、第1の端子101に接続される回路としてマイコン600、第2の端子201に接続される回路としてセンサ400、ADコンバータ500、無線回路700およびスイッチ回路800とした。各端子に接続される回路はこれに限定されないが、上述の理由から、第1の端子101に接続される回路は、第2の端子に接続される回路よりも、消費電力の小さい回路とするのが良い。以下に具体的な動作を説明する。当初選択素子1はオフなので、発電素子300から得られた電荷は全て、第1容量C1のみに供給される。第1容量C1は静電容量が小さいので、短時間で蓄電が完了する。この電荷を用いて、第1の端子101に接続されたマイコン600を省電力モードクロックおよびタイマ回路のみを動作で起動させる。これと並行して、第1容量C1の蓄積電位が高くなり、選択素子S1の駆動電圧Vがプルオン電圧Vonに達すると、選択素子S1がオンになり、第2容量C2容量値はC2C1の蓄電が開始される。第1容量C1の電荷量は、マイコン600の省電力モードでの消費電力による流出と、発電素子300からの流入減少により減少する。そのため、時間の経過とともにいずれは駆動電圧Vがプルアウト電圧Voffを下回り、選択素子S1がオフとなる。すると、発電素子300からの電荷は、再度第1容量C1のみに選択的集中的に蓄積されるため、駆動電圧Vはプルアウト電圧Voffを下限として、再び高くなりはじめる。そして第1容量C1の蓄電が完了すると、再び選択素子S1がオンとなり、第2容量C2の蓄電が再開される。上記により、マイコン600の動作電圧がプルアウト電圧Voff以上、かつマイコン600の省電力モードでの消費電力以上の電力が発電素子300から得られる場合、発電蓄電状態によらず常にマイコン600を動作させ続けることができる。マイコン600内のタイマー回路を用いて、所定の時間間隔で次の動作を行う。第2容量C2の端子間電圧が所定電圧を越えている場合=第2容量C2が十分な電荷を蓄積している場合、マイコン600は省電力モードから通常モードに切り替わり、第2容量C2に接続されているスイッチ回路800へ制御して、センサ400、ADコンバータ500、無線回路700に必要な電力を必要な時間だけ供給する。一方、第2容量C2の端子間電圧が所定電圧を越えていない場合=第2容量C2が十分な電荷を蓄積していない場合、マイコン600は省電力モードのままで第2容量C2への蓄電を優先する。すなわち、計測、データ処理、無線送信動作を行わないので、この場合にはデータ欠損が起こる。上記の実施例では第1容量C1、第2容量C2による並列数2の場合を示しているが、並列数3以上の構成も可能である。例えば、第1容量C1にはマイコン600が接続され、第2容量C2C2C1には第1のスイッチ回路800、センサ400、ADコンバータ500が接続され、第3容量C3C3C2C1には第2のスイッチ回路801、無線回路701が接続された構成においては、第1容量C1、第2容量C2が蓄電されており、第3容量C3が未蓄電である場合であっても、第2容量C2に接続されたセンサ400、ADコンバータ500を動作させて計測し、マイコン600内のメモリに蓄積しておくことができる。すなわち、蓄電量が不十分である場合の計測データを含めて、第3容量C3が蓄電されたときに無線送信することが可能であり、データ欠損を起こりにくくすることができる。選択素子S1は上述したヒステリシス特性を有する素子であれば限定されないが、特にこれを3端子型のMEMSスイッチとした構成を、図3で説明する。図3のMEMSスイッチはいずれも第1電極の上方に設けられる可動部10を有している。図3aに可動部10が導体材料からなるMEMSスイッチを、図3bに可動部10が絶縁材料からなるMEMSスイッチを示す。選択素子S1をMEMSスイッチとすることで、以下の効果を奏する。すなわち、MEMSスイッチは機械的にオンオフ動作を行うためリーク電流が無く、消費電力をほとんど0にすることが可能である。また、損失やアイソレーション性といったRF特性も既存のMESFETSを上回ることも可能である。図3aおよびbを例に3端子型のスイッチ構造を有するMEMSスイッチを説明する。なお、図3において後述する図4、図6でも同様、太い矢印は、電気的な接続を示している。例えば図3aにおいては、第1電極1はダイオードD2と電気的に接続され、第2電極2は第2容量C2と電気的に接続され、第3電極3は第1容量C1と電気的に接続されることを示している。図3aでは、導体で形成された可動部10の表面のうち第1電極1対向する位置に突起部が形成され、これが第2電極2として機能する。基板20上の、突起部である第2電極2と対向する位置に、第1電極1が形成されている。可動部10の下部に駆動電極となる第3電極3が配置され、第2電極2と第3電極3の間の電位差駆動電圧Vによってスイッチ動作を制御する。このとき、可動部10を第3電極3には接触しない構造とするため、第2電極2を可動部10の先端の突起部とした。図3aの構成には、可動部10自身を第2電極2からの配線としても利用しうるため、配線の引き回しが容易になる利点がある。図3bは、可動部10を絶縁体で形成したMEMSスイッチである。基板20上に第1電極1および第3電極3が配置され、絶縁体で形成した可動部10の表面のうち第1電極1および第3電極3と対向する位置に第2電極2が形成されている。図3aと同様に、駆動電圧Vによってスイッチ動作を制御し、第1電極1と第2電極2の接触/非接触を制御する。図3bでは、第1電極1の第2電極2と対向する部分に突起部を形成することで、第2電極2と第3電極3が接触しない構造としている。図4は、図3aのスイッチ構造を用いて、MEMSスイッチの動作メカニズムを説明する図であり、図4aがオフ状態を、図4bがオン状態を示している。第1電極1は第2ダイオードD2と接続され、可動部10を介して第2電極2は第2容量C2と接続され、第3電極3は第1容量C1と接続されている。図4のMEMSスイッチの初期状態において、第2電極2は電位0Vである。その後、発電素子300から供給される電荷が第1容量C1に蓄積されるに伴って、第2電極2と第3電極3の間の電位差である駆動電圧Vが増加する。駆動電圧Vが小さい段階では、可動部10が下方にわずかに変形する程度でスイッチをオンするまでには至らない。第1容量C1に蓄積される電荷量が増加するに従い、駆動電圧Vは徐々に大きくなり、クーロン力によって可動部10が第3電極3に大きく引き寄せられ、先端の第2電極2が第1電極1と接触し、第1電極1と第2電極2が導通する。このときの電圧をプルイン電圧Vonと定義する。第1電極1と第2電極2が導通すると同時に第1電極1と第2電極2の間の電位差は無くなり、駆動電圧Vが低下する。ここで、MEMSスイッチがプルイン電圧Von>プルアウト電圧Voffとなるヒステリシス特性を有することにより、駆動電圧Vが低下した後もMEMSスイッチは導通状態を維持することが可能である。さらに駆動電圧Vが減少していくと、第2電極2と第3電極3が引き合うクーロン力が弱くなり、第2電極2が第1電極1から離れ、MEMSスイッチはオフ状態となり、初期値に戻る。このときの駆動電圧Vをプルアウト電圧Voffと定義する。プルイン電圧Vonを設定するには、可動部10の長さや厚さなどの最適化により可動部10の剛性を調整する必要がある。ここでプルイン電圧Vonとプルアウト電圧Voffは以下の式で得られる。ここで、kは可動部のバネ定数、gはスイッチのオン状態でのギャップ間隔、ε0は真空中の誘電率、Sは第3電極3の面積、xはスイッチが駆動中の可動部の変位量、Δはスイッチがオン状態でのギャップ間隔、である。従って、特に選択素子S1をMEMSスイッチとすることで、この式を元に最適な材料選択とそれに伴う最適設計を行うことが可能となり、プルイン電圧Vonとプルアウト電圧Voffを独立に設定しうる。その結果、センシングモジュール1000に必要な選択素子S1のヒステリシス特性を設計することが可能となる。図5に、特に選択素子S1をMEMSスイッチとしたときの印加電圧依存性の一例を示す。図の横軸は駆動電圧V第2電極2と第3電極3の間の電位差、縦軸は第2電極2と第3電極3の間の容量値である。駆動電圧Vが27V近傍図5のA点近傍まで到達すると、可動部10が第3電極3に大きく引き寄せられ、第2電極2が第1電極1と接触し導通する。このA点における電圧がプルイン電圧Vonであり、図5においては27Vである。その後、駆動電圧Vが減少するにつれて第2電極2と第3電極3の引き付けあう力が弱くなり、駆動電圧Vが15V近傍図5のB点近傍まで低下すると、第2電極2が第1電極1から離れ、MEMSスイッチはオフ状態となり初期値に戻る。このB点における電圧が、プルアウト電圧Voffであり、図5においては1.5Vである。以上より、ここに一例として示したMEMSスイッチは、プルイン電圧Vonが27Vで、プルアウト電圧Voffが15Vのヒステリシス特性を有するスイッチであることが分かる。ここで、例えば、第1電極1と第2電極2が導通することで第2電極2の電位が高くなり、第2電極2と第3電極3の電位差が小さくなって、駆動電圧Vが22Vまで低下したとしても、ヒステリシス特性のため、MEMSスイッチは導通状態を維持することが可能である。従って、ヒステリシス特性によって、駆動電圧Vが15Vまで低下するまでの間に第2容量C2に電荷を蓄電する時間を確保することができる。実施例2においては、選択素子S1を特に4端子型のMEMSスイッチとする構成を説明する。選択素子S1以外の部分の説明は、実施例1と同様であるため省略する。図6は、4端子型のMEMSスイッチの一例を示す図である。半導体基板20上に、第1電極1およびGND電極4が設けられ、GND電極4には接地電位が印加され固定電位とされている。さらに、第1電極1およびGND電極4の上方に絶縁材料からなる可動部10が設けられ、その表面のうち第1電極1と対向する位置に第2電極2が形成され、GND電極4と対向する位置に第3電極3が形成されている。これらの4つの電極により、4端子型のMEMSスイッチが構成される。本実施例では、実施例1と異なり、第3電極3およびGND電極4が駆動電極となる、そのため本実施例においては、第3電極3とGND電極4の間の電位差が駆動電圧Vとなり、この電位差によってスイッチ動作を制御する。従って、本実施例におけるヒステリシス特性は、第1電極と第2電極が非導通状態から導通状態に遷移する際の第3電極と第4電極の電位差が、第1電極と第2電極が導通状態から非導通状態に遷移する際の第3電極と第4電極の電位差より大きいものであれば良い。本実施例のヒステリシス特性による効果は、実施例1のヒステリシス特性と同様のものである。ここで、MEMSスイッチがオンした時に第3電極3とGND電極4が接触しない構造とするために、第2電極2は、第3電極3よりも膜厚が厚い構造とするのが望ましい。また、4端子型のMEMSスイッチを適用する場合には、可動部10に第2電極2と第3電極3が個別に形成される。これらの電極を独立した電位にするため、可動部10は絶縁体で形成する。4端子型MEMSスイッチの場合には、第3電極3とGND電極4固定電位との電位差を駆動電圧Vとしてスイッチ動作が行われるため、第1電極1と第2電極2が導通して等電位になってもGND電極4の電位が高くならないため、駆動電圧Vを維持できる。そのため、実施例1で述べた3端子型のMEMSスイッチよりも、よりプルアウト電圧Voffを低くすることが可能となる。その結果、3端子型MEMSスイッチよりも長時間導通状態を維持することが可能であり、蓄電回路900をより第2容量C2への蓄電効果が高い回路とすることができる。図7は、蓄電回路900に適用する4端子型のMEMSスイッチの別の構成を示す図である。MEMSスイッチの構造は、SOI基板に形成した横方向に駆動する4端子型のMEMSスイッチである。図7aが上面図、図7bが上面図のaa’断面、7cが上面図のbb’断面である。SOI基板30上に形成された第3電極3とGND電極4は、SOI基板30上に直接形成された電極となり、SOI基板30のデバイス層33を介して、第3電極3とGND電極4の間の電位差を利用してスイッチ動作を制御する。ここで、第3電極3から接続されるSOI基板30のデバイス層33の領域は、GND電極4から接続されるSOI基板30のデバイス層33の領域と電気的に分離している。その上で、発電素子300から供給される電荷が第1容量C1に蓄積されるに伴って駆動電圧Vが増加し、中空構造となっている第3電極3とデバイス層33にて接続されている領域が可動する。その結果、スイッチバネ部41を介して接点42が接触/非接触状態となり、スイッチとして機能する。第1電極1と第2電極2は、SOI基板30上に絶縁膜34を形成した上層の電極膜35を形成する膜構造となっており、スイッチ駆動するSOI基板30のデバイス層33とは電気的に分離されている。SOI基板に形成した横方向に駆動する4端子型のMEMSスイッチにおいても同様に、第3電極3とGND電極4固定電位との電位差を駆動電圧Vとしてスイッチ駆動が行われるため、第1電極1と第2電極2が導通しても、駆動電圧Vを維持できる。その結果、3端子型MEMSスイッチよりも導通状態を維持することが可能であり、蓄電回路900をより第2容量C2への蓄電効果が高い回路とすることができる。