"圧電振動子と配線基板と回路素子とが順に積み重ねられて一体に構成される圧電デバイスであって、外底面に外部端子を有するパッケージ、及び前記パッケージ内に収容され前記外部端子に電気的に接続される圧電振動片を有する圧電振動子と、接続電極を有し、前記圧電振動子を駆動する回路素子と、前記外部端子の少なくとも一部、及び前記接続電極を露出させる貫通孔または切欠きを有する配線基板と、前記貫通孔または前記切欠きを貫通して、前記外部端子と前記接続電極とを接続する接続部材と、が備えられていることを特徴とする圧電デバイス。前記接続部材が、前記外部端子または/及び前記接続電極に形成されるバンプであること、を特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。回路素子の接続電極に第1バンプを形成する工程と、外底面に外部端子を有するパッケージに圧電振動片が収容された圧電振動子の前記外底面と、貫通孔または切欠きを有する配線基板と、を接合する工程と、前記貫通孔または前記切欠きによって露出された前記外部端子に前記第1バンプを前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において接続することにより、前記外部端子と前記接続電極とを電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。前記貫通孔または前記切欠きによって露出された前記外部端子に第2バンプを形成する工程と、前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において、前記第1バンプと前記第2バンプを接合することにより、前記外部端子と前記接続電極とを電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の圧電デバイスの製造方法。前記第2バンプの高さは、前記配線基板の厚さとほぼ同じ高さであること、を特徴とする請求項4に記載の圧電デバイスの製造方法。前記第2バンプを形成した後、前記第2バンプの上面を前記配線基板の上面とほぼ同じ高さに平坦化させる工程をさらに有していること、を特徴とする請求項4に記載の圧電デバイスの製造方法。前記第2バンプを形成する工程は、複数のバンプを積み重ねる多段バンプ形成工程であること、を特徴とする請求項4に記載の圧電デバイスの製造方法。前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において、前記第1バンプと前記外部端子とを接合し、前記接続電極と前記外部端子とを電気的に接続する工程と、を含み、前記第1バンプを形成する工程は、複数のバンプを積み重ねる多段バンプ形成工程であること、を特徴とする請求項3に記載の圧電デバイスの製造方法。前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において、前記第1バンプと前記外部端子とを接合し、前記接続電極と前記外部端子とを接続する工程と、を含み、前記接続電極は、前記外部端子に接続される接続電極と他の端子に接続される接続電極と、を有し、前記第1バンプを形成する工程は、前記外部端子に接続する接続電極にバンプを形成する工程と、前記他の端子に接続される接続電極にバンプを形成する工程と、を含み、前記外部端子に接続する前記接続電極に形成されるバンプは、前記配線基板の厚さよりも高く形成すること、を特徴とする請求項3に記載の圧電デバイスの製造方法。特許文献1によれば、ICチップの端子パッドと配線基板の上面側に設けられた内部接続端子とを金属ワイヤーで接続し、さらに内部接続端子と圧電振動子の外面に設けられた外部端子とを金属ワイヤーで接続することで、ICチップと圧電振動子とを接続している。よって、ICチップを配線基板に固定する工程に加え、2段階のワイヤーボンディング工程が必要となり、この工程の分は工数増となってしまう。また、貫通孔内でのボンディング作業は困難であり、キャピラリーを貫通孔内に通すため、金属ワイヤーを厚さ方向のループ形状にするために、貫通孔を大きくしなければならないこと、ICチップの端子と内部接続端子とを金属ワイヤーで接続することから、配線基板の平面サイズが大きくなること、等から小型化や薄型化に不利となっていた。さらに、ICチップと圧電振動子との接続を金属ワイヤーで行うため、両者間の熱伝導が悪く、ICチップと圧電振動子との温度差がでやすいことから、起動時の周波数の安定性が十分ではないという課題がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る圧電デバイスは、圧電振動子と配線基板と回路素子とが順に積み重ねられて一体に構成される圧電デバイスであって、外底面に外部端子を有するパッケージ、及び前記パッケージ内に収容され前記外部端子に電気的に接続される圧電振動片を有する圧電振動子と、接続電極を有し、前記圧電振動子を駆動する回路素子と、前記外部端子の少なくとも一部、及び前記接続電極を露出させる貫通孔または切欠きを有する配線基板と、前記貫通孔または前記切欠きを貫通して、前記外部端子と前記接続電極とを接続する接続部材と、が備えられていることを特徴とする。ここで、回路素子は、例えば発振回路を含むICチップであり、接続電極はパッドである。また、接続部材としては、例えば導電性と熱伝導性がよい金属材料が採用される。本適用例によれば、貫通孔または切欠きを貫通して接続部材によって回路素子の接続電極と圧電振動子とを電気的に接続すると共に、構造的に接合している。従って、従来技術に対して、回路素子を配線基板に接合する工程、及び2段階のワイヤーボンディング工程が不要であり、工数低減を図れる。また、接続部材によって回路素子の接続電極と圧電振動子とを貫通孔または切欠きの範囲内で直線的に接合することから、金属ワイヤーで接続する従来技術よりも、小型化薄型化を実現できる。さらに、回路素子と圧電振動子との接続を、導電性と熱伝導性がよく、金属ワイヤーよりも断面積が大きい接続部材で行えるため、両者間の熱伝導がよく、回路素子の発熱が圧電振動子に伝わりやすく、熱的に一体となるため、起動時の周波数の安定性がよく、信頼性が高くなるという効果がある。[適用例2]上記適用例に係る圧電デバイスにおいて、前記接続部材が、前記外部端子または/及び前記接続電極に形成されるバンプであること、が好ましい。ここで、接続部材としてのバンプは、例えば、Auスタッドバンプ等を用いることができる。Auスタットバンプは、外部端子または接続電極の一方、または外部端子と接続端子の両方に形成することが可能であり、しかも、多段に形成できることから高さ調整が容易にでき、また、断面積も適切な大きさに選択できるという利点がある。[適用例3]本適用例に係る圧電デバイスの製造方法は、回路素子の接続電極に第1バンプを形成する工程と、外底面に外部端子を有するパッケージに圧電振動片が収容された圧電振動子の前記外底面と、貫通孔または切欠きを有する配線基板と、を接合する工程と、前記貫通孔または前記切欠きによって露出された前記外部端子に前記第1バンプを前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において接続することにより、前記外部端子と前記接続電極とを電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする。本適用例によれば、貫通孔または切欠きを貫通して回路素子に形成した第1バンプと、外部端子とを接合することにより、圧電振動片と回路素子とを構造的に接合し、かつ電気的に接続する。従って、前述した従来技術における金属ワイヤーによる接続方法に対して、回路素子を配線基板に接合する工程、及びワイヤーボンディング工程が不要であり、工数低減を図れる。さらに、ワイヤーボンディング工程に必要な平面サイズ、金属ワイヤーのループを確保するための高さの余裕が必要ないため、従来技術よりも小型化薄型化を実現できる。さらに、回路素子と圧電振動子との接続を、導電性と熱伝導性がよく、金属ワイヤーよりも断面積が大きい第1バンプで行うため、両者間の熱伝導がよく、回路素子の発熱が圧電振動子に伝わりやすく、熱的に一体となるため、起動時の周波数の安定性がよいという効果がある。[適用例4]上記適用例に係る圧電デバイスの製造方法において、前記貫通孔または前記切欠きによって露出された前記外部端子に第2バンプを形成する工程と、前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において、前記第1バンプと前記第2バンプを接合することにより、前記外部端子と前記接続電極とを電気的に接続する工程と、を含むことが好ましい。貫通孔または切欠きを貫通して回路素子に形成した第1バンプと、外部端子に形成した第2バンプとを接合することにより、圧電振動片と回路素子とを構造的に接合し、かつ電気的に接続する。従って、前述した従来技術における金属ワイヤーによる接続方法に対して、回路素子を配線基板に接合する工程、及びワイヤーボンディング工程が不要であり、工数低減を図ることができる。[適用例5]上記適用例に係る圧電デバイスの製造方法において、前記第2バンプの高さは、前記配線基板の厚さとほぼ同じ高さであること、が好ましい。回路素子に形成する第1バンプには、外部端子と接続させるためのバンプと、例えば、外部機器等に接続するためのバンプと、が含まれる。よって、第1バンプを形成する際、これら全ての第1バンプを同じ条件でバンプ形成工程を行うことが好ましく、第1バンプサイズ平面積及び高さはほぼ同じになる。このような場合には、配線基板を貫通し、第2バンプに接続するだけの高さが確保できなくなることが考えられる。そこで、外部端子側に形成する第2バンプの高さを配線基板の高さとほぼ同じに形成することで、第1バンプと第2バンプとの接合を確実に行うことができる。なお、第2バンプは第1バンプとは別工程で形成するため、任意に高さに形成することが可能である。[適用例6]上記適用例に係る圧電デバイスの製造方法において、前記第2バンプを形成した後、前記第2バンプの上面を前記配線基板の上面とほぼ同じ高さに平坦化させる工程をさらに有していること、が好ましい。第1バンプ及び第2バンプは、共にスタッドバンプや半田バンプ等を用いることが可能であるが、これらのバンプは十面上面が平坦にはならない。そこで、第2バンプを平坦化することで、第1バンプとの接合面の面積を大きくして接合の信頼性を高めることができる。[適用例7]上記適用例に係る圧電デバイスの製造方法において、前記第2バンプを形成する工程は、複数のバンプを積み重ねる多段バンプ形成工程であること、が好ましい。本適用例は、第2バンプを多段形成し、第1バンプとの接合を行うものであって、第1バンプを全ての接続電極に対して一様な寸法で形成し、第2バンプを多段形成することで、バンプ高さを適切により容易に制御することができる。[適用例8]上記適用例に係る圧電デバイスの製造方法において、前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において、前記第1バンプと前記外部端子とを接合し、前記接続電極と前記外部端子とを電気的に接続する工程と、を含み、前記第1バンプを形成する工程は、複数のバンプを積み重ねる多段バンプ形成工程であること、が好ましい。本適用例は、回路素子側だけにバンプ第1バンプを含むを形成するものである。そして、第1バンプを、複数のバンプを積み重ねて多段形成することで、容易に配線基板の厚さよりも高くすることが可能であって、バンプの段数を選択することによって、配線基板の厚さに対応してバンプ高さを適切に制御することができるという効果がある。[適用例9]上記適用例に係る圧電デバイスの製造方法において、前記貫通孔または前記切欠きの配設位置において、前記第1バンプと前記外部端子とを接合し、前記接続電極と前記外部端子とを接続する工程と、を含み、前記接続電極は、前記外部端子に接続される接続電極と他の端子に接続される接続電極と、を有し、前記第1バンプを形成する工程は、前記外部端子に接続する接続電極にバンプを形成する工程と、前記他の端子に接続される接続電極にバンプを形成する工程と、を含み、前記外部端子に接続する前記接続電極に形成されるバンプは、前記配線基板の厚さよりも高く形成すること、が好ましい。本適用例は、回路素子側だけにバンプ第1バンプを形成するものである。そして、外部端子と接続する第1バンプを配線基板を貫通する高さとし、他の接続電極に形成するバンプは、配線基板の上面の電極に接合可能な高さにすることで、回路素子と外部端子、または回路素子と他の端子とを同じ工程で接合とすることができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明で参照する図は、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材ないし部分の縦横の縮尺は実際のものとは異なる模式図である。実施形態1まず、圧電デバイス10の構成について図1を参照して説明する。図1は、実施形態1に係る圧電デバイスの主要構成の1例を示し、aは回路素子側から視認した平面図、bは図1のA-A切断面を示す断面図である。図1に示すように、圧電デバイス10は、圧電振動子20と、配線基板60と、回路素子40とが順に積み重ねられて一体に構成されている。そして、圧電振動子20は、パッケージ21の内部に圧電振動片30を収納している。本実施形態では、圧電振動片30は水晶振動片であり、よって、圧電振動子20は水晶振動子である。圧電振動片30としては、例えば、音叉型水晶振動片、ATカット型水晶振動片等が用いられる。圧電振動片30は、容器状のパッケージベース22の内底面23に形成された内部電極25,26に、導電性接着剤27を用いて接合固定され、開口部がリッド24で密閉されている。内部電極25,26の各々は、圧電振動片30に形成された励振電極図示せずに接続されている。パッケージベース22には、セラミックグリーンシートを成形して焼成した酸化アルミニウム質焼結体等が用いられる。また、リッド24にはガラス等が用いられる。パッケージ21パッケージベース22の外底面22aには、外部端子50,51,52,53が形成されている。図示は省略するが、前述した圧電振動子20に形成されている内部電極25,26の各々は、外部端子50,53と電気的に接続されている。なお、内部電極25,26及び外部端子50~53は、タングステンなどのメタライズ層にNi、Auなどの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜によって形成されている。圧電振動子20の外底面22a側には、配線基板60が接着剤等で固定されている。配線基板60は、ポリイミド系またはガラスエポキシ系の基板を用いており、圧電振動子20の平面形状とほぼ同様な形状を有している。そして、外部端子50の一部と交差する位置に貫通孔61が開設されており、外部端子53の一部と交差する位置に貫通孔62が開設されている。従って、貫通孔61は外部端子50の一部を、貫通孔62は外部端子53の一部を露出させている。配線基板60の上面60aには、後述する回路素子40に設けられる接続電極41,43,46図1a、参照に接続される島状の接続端子55~58が形成されている。また、配線基板60の4隅には外部接続端子65~68が形成されている。そして、配線基板60の上面60aには、回路素子40が配設されている。回路素子40は、発振回路を含むICIntegratedCircuitチップであって、配線基板60に向かい合う面が能動面40aであって、接続電極41~46が設けられている。接続電極41~46は、ICチップにおけるパッドである。これら接続電極のうち、接続電極42が配線基板60の貫通孔61の範囲内に、接続電極45が貫通孔62の範囲内に配設されている。そして、接続電極42と圧電振動子20に設けられている外部端子50とが接続部材70によって接続され、接続電極45と外部端子53とが接続部材70によって接続されている。なお、接続部材70は、回路素子40に形成される第1バンプ72,75図2、参照と圧電振動子20に設けられる第2バンプ77,78図2、参照とが接合された状態を表している。また、回路素子40側に設けられる接続電極41,43,44,46は、それぞれ配線基板60に設けられる接続端子55,56,57,58とバンプ71,73,74,76によって接続される。具体的には、接続電極41と接続端子55とはバンプ71によって、接続電極43と接続端子56とはバンプ72によって、接続電極44と接続端子57とはバンプ73によって、接続電極46と接続端子58とはバンプ74によって、接続されている。なお、これらの接続は、電気的接続をすると共に構造的接合も行っている。ここで、回路素子40の接続電極の機能を例示する。接続電極41はVAFC端子、接続電極43はGND端子、接続電極44はO/P端子、接続電極46はVDD端子であって、接続電極42,45は励振電極への入力端子である。これらの端子のうちの入力用、電源用などの端子は、配線基板60の配線パターン図示せずによって、それぞれ所定の外部接続端子65,66,67,68に接続されている。外部接続端子65,66,67,68は、実装端子80によって外部機器に接続される。例えば、外部接続端子65はGND、外部接続端子66はOUT、外部接続端子67はVDD、外部接続端子68はVCCに接続される。また、図示は省略するが、配線基板60と回路素子40との接合後の隙間は、樹脂によって充填されている。このことによって、回路素子40の能動面の水分等からの保護、バンプによる接合の補強等を行っている。以上説明した本実施形態に係る圧電デバイス10は、貫通孔61,62を貫通する接続部材70によって回路素子40と圧電振動子20とを、電気的に接続すると共に構造的に接合している。従って、従来技術に対して、回路素子40を配線基板60に接合する工程、及び2段階のワイヤーボンディング工程が不要であり、工数低減を図れる。また、接続部材70によって回路素子40と圧電振動子20とを貫通孔61,62の範囲内で直線的に接合することから、金属ワイヤーで接続する従来技術よりも、小型化薄型化を実現できる。さらに、回路素子40と圧電振動子20との接続を、導電性と熱伝導性がよく、金属ワイヤーよりも断面積が大きい接続部材70で行えるため、両者間の熱伝導がよく、回路素子40の発熱が圧電振動子20に伝わりやすく、熱的に一体となるため、起動時の周波数の安定性がよいという効果がある。また、接続部材70は、回路素子40に形成される第1バンプ72,75と配線基板60に形成される第2バンプ77,78を接合して形成される。第1バンプ72,75と第2バンプ77,78は、Auスタッドバンプ等を用いることができる。Auスタットバンプは、厚さ方向に多段に形成できることからバンプ高さの調整が容易にでき、また、断面積も適切な大きさに選択できるという利点がある。続いて、本実施形態に係る圧電デバイス10の製造方法について説明する。以降説明する圧電デバイス10の製造方法は、回路素子40側の第1バンプ72,75、圧電振動子20側の第2バンプ77,78の形成方法に特徴を有している。圧電デバイスの製造方法実施例1図2a,b,cは、実施例1に係る圧電デバイスの製造方法の主要工程を示す断面図である。なお、図2では、図1bに表した回路素子40と圧電振動子20との接続構造を例示している。図1aも参照して説明する。図2aに示すように、回路素子40の接続電極41,42,43,44,45,46のそれぞれに、バンプ71,72,73,74,75,76を形成する。接続電極44,46、及びバンプ74,76は、図1aを参照する。バンプ71~76は、本実施例ではAuスタッドバンプによって、ほぼ同じ高さとなるように形成する。ここで、バンプ72,75を他と区別するために第1バンプ72,75とする。また、図2bに示すように、圧電振動子20に配線基板60を接着剤で接合し、その後、貫通孔61内に露出する外部端子50と、貫通孔62内に露出する外部端子53の各々に第2バンプ77,78を形成する。第2バンプ77,78は、Auスタッドバンプによって配線基板60の総厚さ接続端子55,56,57,58を含む厚さとほぼ同じ高になるように形成する。続いて、図2cに示すように、回路素子40のバンプ形成側を配線基板60側に対向するように配置し、第1バンプ72,75と第2バンプ77,78とを接合する。この際、同じ接合工程で他のバンプ71,73,74,75の各々を配線基板60の接続端子55,56,57,58に接合する。これらの接合は、フリップチップ実装法を用いて行う。なお第1バンプ72,75と第2バンプ77,78とを接合した状態を接続部材70と表している。なお、実装端子80は、圧電振動子20と回路素子40とを接合した後、外部接続端子65,66,67,68のみを露出するようにレジストで覆い、外部接続端子65,66,67,68の上部にCuなどの厚メッキを行い、レジストを除去し形成する。または、配線基板60に予め形成しておいてもよい。また、図示は省略するが、配線基板60と回路素子40との接合した後、両者の隙間に樹脂を充填する。このことによって、回路素子40の能動面40aを水分等から保護し、バンプによる接合の補強を行っている。上述した圧電デバイス10の製造方法によれば、貫通孔61,62を貫通して回路素子40に形成した第1バンプ72,75と、圧電振動子20に形成した第2バンプ77,78とを接合することにより、圧電振動片30と回路素子40とを電気的に接合し、かつ圧電振動子20と回路素子40とを構造的に接合する。従って、前述した従来技術における金属ワイヤーによる接続方法に対して、回路素子40を配線基板60に接合する工程、及び2段階のワイヤーボンディング工程が不要であり、工数低減を図ることができる。また、回路素子40に形成するバンプには、外部端子50,53と接続させるための第1バンプ72,75と、他のバンプ71,73,74,76と、が含まれる。従って、全バンプを第1バンプ72,75と同じ条件でバンプ形成工程を行うことが好ましく、第1バンプ72,75はほぼ同じ形状になる。このような場合には、配線基板60を貫通し、第2バンプ77,78に接合するのに必要な高さが確保できなくなることが考えられる。そこで、外部端子側に形成する第2バンプ77,78の高さを配線基板60の厚さとほぼ同じに形成することで、第1バンプ72,75と第2バンプ77,78との接合を確実に行うことができる。なお、第2バンプ77,78は第1バンプ72,75とは別工程で形成するため、任意の適切な高さに形成することが可能である。圧電デバイスの製造方法実施例2続いて、圧電デバイス10の製造方法実施例2について図面を参照して説明する。実施例2は、前述した実施例1の工程に、第2バンプ77,78の上面を平坦化させる工程を加えていることに特徴を有する。よって、実施例1との相違箇所を中心に、同じ符号を付して説明する。図3aは、Auスタッドバンプを示す断面図、図3bは実施例2に係る平坦化工程を示す断面図である。図3aは、圧電振動子20に設けられた外部端子50に第2バンプ77を形成する場合を例示している。Auスタッドバンプの形成は、キャピラリ96を通してAuワイヤーを送り出し、Auワイヤーの先端を放電溶融させてボールを形成し、これを第2バンプ77の表面上に超音波によって接合させ、Auワイヤーを切断するものである。従って、図3aに示すように、第2バンプ77は、ボールをつぶしたようなバンプ本体77aとAuワイヤー切断部77bとを有する形状をしている。よって、第1バンプ72との接合面には、Auワイヤー切断部77bが突出している。そこで、第1バンプ72との接合条件を良好にするため、平坦化工程を加えている。平坦化工程では、Auスタッドバンプにより第2バンプ77を外部端子50の表面に形成した後、図3bに示すように、平坦化治具95を用いて上面を押圧して平坦化させる。Auスタッドバンプでは、Auワイヤー切断部77bが配線基板60よりも突出させている。従って、平坦化工程では、第2バンプ77の上面が配線基板60の総厚さとほぼ同じ高さになるように押圧することが好ましい。このような実施例2によれば、第2バンプ77,78を平坦化することで、第1バンプ72.75との接合面の面積を大きくして接合の信頼性を高めることができる。なお、第1バンプ72,75の高さが、第2バンプ77,78との接合に十分な高さがあれば、第2バンプ77,78の平坦化後の高さは、配線基板60の総厚さよりも低くしてもよい。圧電デバイスの製造方法実施例3続いて、圧電デバイス10の製造方法の実施例3について図面を参照して説明する。実施例3は、回路素子40に第1バンプ72,75を多段形成し、圧電振動子20側にはバンプを設けないことを特徴としている。よって、実施例1、実施例2との相違箇所を中心に、共通部分には同じ符号を付して説明する。なお、図1aも参照する。図4は、実施例3に係る圧電デバイスの製造方法の一部を示す断面図である。なお、図4は、図1aのA-A切断面に相当する断面図である。回路素子40では、接続電極41,42,43,44,45,46のそれぞれに、バンプ71,72a,73,74,75,76を形成する。接続電極44,45,46、及びバンプ74,75,76は、図1aを参照する。バンプ71,72a,73,74,75,76は、Auスタッドバンプによって、ほぼ同じ高さとなるように形成する。圧電振動子20側では、バンプ72aに重ねてバンプ72bをAuスタッドバンプによって形成する。バンプ72aとバンプ72bとが接合した状態のバンプを第1バンプ72とする。同様にバンプ75においてもバンプを2段重ねて第1バンプ75とする。圧電振動子20側においては、配線基板60の貫通孔61,62によって、外部端子50,53が露出されている。ここで、第1バンプ72,75の高さをh1、配線基板60の厚さをh2と表すと、h1>h2となるように、第1バンプ72,75の高さh1を設定する。なお、高さh1と厚さh2との差は、第1バンプ72,75と外部端子50,53との接合と、他のバンプ71,73,74,76と配線基板60の接続端子55,56,57,58との接合とが、同時に行うことが可能な差とする。なお、上述したように第1バンプ72,75の高さが2段バンプ構成で不足する場合には、さらに、3段以上の多段に構成としてもよい。また、2段目以降のバンプは、1段目のバンプ72aと同じサイズであることに限定されない。上述した実施例3によれば、第1バンプ72,75を、複数のバンプを積み重ねて多段形成することで、容易に配線基板60の厚さよりも高くすることが可能であって、バンプの段数を選択することによって、配線基板60の厚さに対応してバンプ高さを適切に制御することができるという効果がある。また、圧電振動子20にパンプを形成する必要がなく、よって、圧電振動子20の製造にとって、異質なAuスタッドバンプ工程や設備がいらなくなくという利点がある。なお、実施例3に記載した第1バンプ72,75を多段バンプで形成する考え方は、実施例1の第2バンプ77,78にも応用できる。例えば、外部端子50,53の表面に2段または3段以上のバンプをAuスタッドバンプによって重ねて形成することができる。このようにすれば、配線基板60が、1段のバンプ構成では、第1バンプ72,75との接合ができない程度に厚い場合にも有効である。また、回路素子40に形成するバンプ71,72,73,74,75,76を一様な寸法高さで形成し、第2バンプ77,78を多段形成することで、バンプ高さを適切により容易に制御することができる。また、Auワイヤーの直径をバンプ72aとバンプ72bとで同じにすれば、同じ設備を使用して多段構成の第1バンプ72,75を形成することができる。圧電デバイスの製造方法実施例4次に、圧電デバイス10の製造方法の実施例4について図面を参照して説明する。実施例4は、回路素子40に形成されるバンプ71,72,73,74,75,76のうち、第1バンプ72,75を他のバンプよりも高く形成することを特徴とする。前述した実施例3との相違箇所を中心に、共通部分には同じ符号を付して説明する。図5は、実施例4に係る第1バンプの製造方法を示す断面図である。図1aも参照する。まず、回路素子40にバンプ71,73,74,76を形成する。バンプ71,73,74,76は、Auスタッドバンプによって、ほぼ同じ高さとなるように形成する。次に、第1バンプ72,75を形成する。第1バンプ72,75は、先に形成したバンプ71,73,74,76よりも高くする。第1バンプ72,75の形成は、AuスタッドバンプのAuワイヤーの直径を、パンプ71,73,74,76に用いるAuワイヤーの直径よりも大きくすること、加圧力を適切に調整することで、形成可能である。ここで、第1バンプ72,75の高さh1は、配線基板60の厚さをh2と表すと、h1>h2となるように、第1バンプ72,75の高さh1を設定する。なお、高さh1と厚さh2との差は、第1バンプ72,75と外部端子50,53との接合と、他のバンプ71,73,74,76と配線基板60の接続端子55,56,57,58との接合とが、同時に行うことが可能な差とする。実施例4は、回路素子40側だけにバンプを形成し、そのうちの第1バンプ72,75を他のバンプよりも高く形成するものであって、前述した実施例と同様な効果が得られる。なお、第1バンプ72,75はAuワイヤーを他のバンプよりも太いものを使用することで、接合断面積を大きくすることができ、導電性と熱伝導性をより高くすることができる。以上説明した実施例1~実施例4では、配線基板60に貫通孔61,62を開設して、この貫通孔61,62の範囲内で、回路素子40と圧電振動子20とをバンプによって接合しているが、貫通孔61,62の代わりに切欠きも設けてもよい。図6は、配線基板に切欠きを設ける構造を示す圧電デバイスの平面図である。実施形態1図1a、参照と共通部分には同じ符号を付し、相違箇所を説明する。図6において、配線基板60には、前述した貫通孔61,62に相当する位置を含む切欠き63,64が形成されている。切欠き63は外部端子50の一部を露出し、切欠き64は外部端子53の一部を露出させている。このように、貫通孔61,62の代わりに切欠き63,64を設ける構造でも、前述した圧電デバイス10を構成することが可能であり、実施例1~実施例4に記載した圧電デバイスの製造方法を適合することが可能である。また、切欠き63,64は、配線基板60と回路素子40との接合後の隙間を、樹脂によって充填する場合、気泡が抜けやすいという効果がある。"