"ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、前記光通信モジュールの異常を検知するための制御部と、不揮発性メモリとを備え、前記制御部は、検知した異常に関するログ情報を生成して前記不揮発性メモリに書き込み、前記不揮発性メモリにログ情報を書き込んだ回数が所定の回数に達した後は、前記不揮発性メモリに対してログ情報を書き込まない、光通信モジュール。前記制御部は、前記制御部に与えられた消去指示に応じて、前記不揮発性メモリに書き込まれたログ情報を消去する、請求項1に記載の光通信モジュール。前記ログ情報は、少なくとも、前記光通信モジュールの異常の発生を特定する時刻に関する情報を含む、請求項1または2に記載の光通信モジュール。前記制御部によって検知される前記異常は、前記光通信モジュールの温度に関する異常、前記光通信モジュールの通信光の強度に関する異常、前記光通信モジュールの電源電圧に関する異常のうちの少なくとも1つを含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の光通信モジュール。前記所定の回数は、1回、または、前記不揮発性メモリの書き込みの限界の回数よりも少ない複数回である、請求項1から4のいずれか1項に記載の光通信モジュール。ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールの異常を検知するステップと、前記光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、前記光通信モジュールの異常に関するログ情報を書き込むステップと、前記不揮発性メモリへのログ情報の書き込み回数が所定の回数に達した後は、前記不揮発性メモリへのログ情報の書き込みを禁止するステップとを備える、光通信モジュールのログ記録方法。光通信装置であって、ホスト基板と、第1の不揮発性メモリを含み、前記ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールとを備え、前記光通信モジュールは、前記光通信モジュールの異常を検知して、当該検知した異常に関する第1のログ情報を、前記第1の不揮発性メモリに書き込み、前記ホスト基板は、前記光通信装置の状況を監視して、当該監視に関する第2のログ情報を生成する制御部と、前記第2のログ情報を不揮発的に記憶する第2のメモリとを含み、前記光通信モジュールは、第1のログ情報の書込回数が所定の回数に達した後は、前記第1の不揮発性メモリへの第1のログ情報の書き込みを行なわず、前記第1および第2のログ情報の各々は、少なくとも時刻に関する情報を含む、光通信装置。光通信に異常が生じた場合に、光通信システムの運用者にとって重要なことは光通信を速やかに正常な状態へと復帰させることである。多くの場合、1つのホスト基板には複数の光通信モジュール多くの場合には光トランシーバが実装される。あるホスト基板が光通信の異常の原因であった場合、通常、運用者はホスト基板を交換することを検討する。したがって、ホスト基板に実装された複数の光通信モジュールに異常の原因があると推定される場合であっても、ホスト基板が交換されることがある。このような運用を考慮して、ホスト基板には、そのホスト基板の全体の状態に関するログ情報を記憶するためのメモリたとえば不揮発性メモリが実装されていることがある。光通信モジュールのメーカーの技術者は、光通信モジュール自体を試験することで、その光通信モジュールが故障しているかどうかを判断することが可能である。しかし、その光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を把握するためには、ホスト基板のメモリに保持されているログ情報を解析しなければならない。この場合、メーカーの技術者は、ログ情報を、光通信モジュールに関係する情報と、そうでない情報とに区別しなければならない。その上で、メーカーの技術者は、光通信モジュールに関係するログ情報に基づいて、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を推定しなければならない。したがって光通信モジュールのメーカーの技術者は、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を知るために多くの労力を必要とする。故障した光通信モジュールのみがメーカーの技術者に返却された場合には、メーカーの技術者は、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を知ることができない。その理由は、光通信モジュールに関するログ情報がホスト基板のメモリに記憶されているためである。このような課題を解決するために、上記の特開2004-222927号公報特許文献1あるいは国際公開公報WO2005/107105特許文献2に開示されたような、光トランシーバの内部に情報を保持するという方法を採用して光通信モジュールを構成することが考えられる。しかしながら、光通信モジュールの故障の原因の解析には、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報がより重要であると考えられる。上記の特許文献1、2のいずれも、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報を光通信モジュールの内部に残すための方法を記載していない。また、特開2004-222927号公報特許文献1は、故障に関する情報を記憶するためのメモリとして、揮発性記憶装置あるいは不揮発性記憶装置のいずれを用いてもよいと記載している。しかしながら、揮発性記憶装置を用いた場合、光通信モジュールへの電源電圧の供給が停止されると、揮発性記憶装置に記憶された情報が消失する。したがって、ホスト基板自体に異常が生じたことにより光通信モジュールへの電源電圧への供給が不能になった場合、あるいは、ホスト基板を光通信装置から取り外した場合に、光通信モジュールに記憶された情報が消失する可能性がある。一方、光通信モジュールに不揮発性記憶装置を実装し、その不揮発性記憶装置が情報を記憶する場合、光通信モジュールをホスト基板から取り外しても、光通信モジュールが情報を保持することができる。不揮発性記憶装置としては、EEPROMElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemoryあるいはフラッシュROMを用いることが考えられる。しかしながら、このような不揮発性半導体メモリでは、一般に、書込回数に制限があるたとえば数千回程度。したがって、このような書込回数の制限を考慮することなく、不揮発性半導体メモリへの情報の書込みを設定した場合には、不揮発性半導体メモリの寿命が縮められる可能性がある。たとえば、光通信モジュールの故障突入時の状態に関する情報を光通信モジュールの内部に残すために、光通信モジュールの異常の兆候に関する情報をログ情報として光通信モジュールに残すことが考えられる。しかし、光通信モジュールが異常を誤って検出した場合、所定の周期たとえば1秒ごとにログ情報を不揮発性半導体メモリに書き込む可能性が考えられる。このように不揮発性半導体メモリへの書込みが頻発した場合には、不揮発性半導体メモリの寿命に依存して光通信モジュールの寿命が縮まる可能性がある。以上説明したように、光通信モジュールの故障突入時の状態に関する情報を光通信モジュールの内部に残すための技術は、これまでに提案されていなかった。さらに、特許文献1、2の技術を用いて光通信モジュールの内部に情報を残そうとすれば、不揮発性半導体メモリへの書込みが頻発した場合に光通信モジュールの寿命が短縮される可能性がある。本発明の目的は、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況の状態に関するログ情報を光通信モジュールに残すことを可能にするとともに、そのログ情報の記録によって光通信モジュールの寿命を縮めることを防ぐことである。本発明のある局面に係る光通信モジュールは、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、光通信モジュールの異常を検知するための制御部と、不揮発性メモリとを備える。制御部は、検知した異常に関するログ情報を生成して不揮発性メモリに書き込み、不揮発性メモリにログ情報を書き込んだ回数が所定の回数に達した後は、不揮発性メモリに対してログ情報の書き込みを行なわない。この構成によれば、制御部によって検知された異常に関するログ情報が不揮発性メモリに記憶される。したがって光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュール内に残すことができる。たとえば、光通信モジュールが故障する直前に、光通信モジュールの温度が異常に高かったということが分かる情報を、ログ情報として光通信モジュール内に残すことができる。さらに、不揮発性メモリにログ情報を書き込んだ回数が所定の回数に達した後は、ログ情報の新たな書き込みを行なわない。したがって、ログ情報が頻繁に不揮発性メモリに記録されることにより、不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。不揮発性メモリの寿命が大幅に短縮されるのを防ぐことによって、光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。光通信モジュールは、光トランシーバのように送信および受信の両方の機能を有するものでもよく、あるいは、送信機能および受信機能のいずれか一方のみを有するもの例としては光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。好ましくは、制御部は、制御部に与えられた消去指示に応じて、不揮発性メモリ内のログ情報を消去する。この構成によれば、制御部が誤って異常を検知し、それにより不揮発性メモリへのログ情報の書き込み回数が所定の回数に達した場合にも、光通信モジュールを再使用することができる。制御部に消去指示を与えるための方法は特に限定されるものではない。好ましくは、ログ情報は、少なくとも、光通信モジュールの異常の発生を特定する時刻に関する情報を含む。この構成によれば、光通信モジュールに異常が発生した時刻を把握することができる。たとえば、その時刻に発生した事象に関する情報を用いれば、光通信モジュールの故障の原因を解析することが可能になる。異常の発生を特定する時刻とは、異常が発生した時刻でもよく、ログ情報を生成した時刻でもよく、ログ情報を不揮発性メモリに書き込む時刻でもよい。好ましくは、制御部によって検知される異常は、光通信モジュールの温度に関する異常、光通信モジュールの通信光の強度に関する異常、光通信モジュールの電源電圧に関する異常のうちの少なくとも1つを含む。この構成によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。たとえば複数の異常を検知する場合には、その複数の異常の少なくとも1つに関するログ情報を不揮発性メモリに書き込むことができる。通信光は、光通信モジュールの機能に対応して定義される。たとえば光通信モジュールが光レシーバとして実現される場合には、通信光は、その光レシーバの受信光である。たとえば光通信モジュールが光トランスミッタとして実現される場合には、通信光は、その光トランスミッタの送信光である。光通信モジュールが光トランシーバとして実現される場合には、通信光は、その光トランシーバの送信光および受信光の一方または両方でありえる。好ましくは、所定の回数は、1回、または、不揮発性メモリの書き込みの限界の回数よりも少ない複数回である。この構成によれば、不揮発性メモリの寿命が大幅に短縮されることを防ぐことができる。所定の回数が複数回である場合には、最初に発生した異常を含む、複数回発生した異常に関するログ情報を光通信モジュールに不揮発的に保存することができる。したがって、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュールに残すことができる。この発明の他の局面に係る、光通信モジュールのログ記録方法は、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールの異常を検知するステップと、光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、光通信モジュールの異常に関するログ情報を書き込むステップと、不揮発性メモリへのログ情報の書き込み回数が所定の回数に達した後は、不揮発性メモリへのログ情報の書き込みを禁止するステップとを備える。この構成によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュール内に残すことができる。さらに、ログ情報が頻繁に不揮発性メモリに記録されることにより、不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。したがって光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。この発明のさらに他の局面に係る光通信装置は、ホスト基板と、光通信モジュールとを備える。光通信モジュールは、第1の不揮発性メモリを含み、ホスト基板に挿抜可能である。光通信モジュールは、光通信モジュール自身の異常を検知して、当該検知した異常に関する第1のログ情報を、第1の不揮発性メモリに書き込む。ホスト基板は、制御部と、第2のメモリとを含む。制御部は、光通信装置の状況を監視して、当該監視に関する第2のログ情報を生成する。第2のメモリは、第2のログ情報を不揮発的に記憶する。光通信モジュールは、第1のログ情報の書込回数が所定の回数に達した後は、不揮発性メモリへの第1のログ情報の書き込みを行なわない。第1および第2のログ情報の各々は、少なくとも時刻を含む。この構成によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュール内に残すことができる。さらに、第1のログ情報が頻繁に光通信モジュールの内部の不揮発性メモリに記録されることにより、その不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。したがって光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。さらに、第1および第2のログ情報を照合することによって、光通信モジュールの異常が発生したときに起きた事象の整合性を保つことができる。したがって、光通信モジュールが故障した場合に、その故障の原因を、より正確に把握することができる。監視に関する第2のログ情報に含まれる時刻の情報は、ホスト基板の状況を制御部が監視したことを示す。第2のログ情報は、時刻だけでなく、その時刻におけるホスト基板の状況の情報を含んでいてもよい。第2のログ情報を不揮発的に記憶するとは、第2のログ情報を第2のメモリから取り出すことができるように、第2のログ情報が第2のメモリ内に保持されている状態を指す。したがって、第2のメモリは、たとえばEEPROMのような、電源の供給がなくとも情報を保持可能なメモリである。本発明によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュールに残すことができる。さらに本発明によれば、その情報の記録によって光通信モジュールの寿命が縮まることを防ぐことができる。以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。[実施の形態1]図1は、本発明の実施の形態1に係る光通信装置の概略的構成図である。図1を参照して、光通信装置101は、複数の光トランシーバ1と、ホスト基板2と、筐体5とを備える。光トランシーバ1は、本発明に係る光通信モジュールの1つの具体的な形態として図1に示されている。複数の光トランシーバ1は、ホスト基板2に実装される。複数の光トランシーバ1の各々は、プラガブル光トランシーバである。すなわち、光トランシーバ1は、ホスト基板2に対して挿抜可能に構成される。光トランシーバ1は、ホスト基板2から送られた電気信号を光信号に変換して、その光信号を光ネットワークに出力する。また、光トランシーバ1は、光ネットワークを通じて送られた光信号を電気信号に変換して、その電気信号をホスト基板2に送る。図1では詳細に示されていないが、光通信ケーブルの端部に設けられたコネクタ図示せずが光トランシーバ1の前面1aに着脱可能なように、光トランシーバ1の前面1aが構成される。ホスト基板2は、筐体5に設置される。筐体5は、たとえばラックでもよい。また、ホスト基板2の向きは特に限定されるものではない。複数の光トランシーバ1およびホスト基板2を分かりやすく示すために、図1は、ホスト基板2の表面を水平方向に平行にした配置を示す。図1に示すようにホスト基板2が配置されてもよく、ホスト基板2が縦置きホスト基板2が垂直方向に立てられるであってもよい。ホスト基板2には、ホストCPUCentralProcessingUnit3と、不揮発性メモリ4とが実装される。ホストCPU3と不揮発性メモリ4とは、ホスト基板2に実装される素子として代表的に示されたものである。ホストCPU3は、複数の光トランシーバ1の各々と通信する。ホストCPU3は、さらに、ホストCPU3によるホスト基板2の状況の監視に関するログ情報を生成する。そのログ情報は不揮発性メモリ4に記憶される。不揮発性メモリ4に記憶されるログ情報は、少なくとも時刻の情報を含む。この時刻の情報は、ホスト基板2の状況をホストCPU3が監視したことを示している。なお、時刻だけでなく、その時刻におけるホスト基板2の状況も、ログ情報として不揮発性メモリ4に記憶してもよい。不揮発性メモリ4は、情報の書き込みが可能であるとともに、その情報を不揮発的に保存可能なメモリである。不揮発性メモリ4は、たとえばEEPROMによって実現される。ホストCPU3と不揮発性メモリ4とが集積化されていてもよい。図2は、図1に示した光トランシーバ1の構成例を示したブロック図である。図2を参照して、光トランシーバ1は、光デバイス11と、送信回路14と、受信回路17と、コントローラ20とを備える。光デバイス11は、レーザダイオードLD12と、フォトダイオードPD13とを含む。レーザダイオード12は、送信回路14から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。レーザダイオード12は、送信回路14から送られた電気信号送信信号を光信号に変換して、その光信号を、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークに出力する。フォトダイオード13は、受信回路17から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。フォトダイオード13は、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークから光信号を受信して、その光信号を電気信号に変換する。フォトダイオード13は、その電気信号を受信信号として受信回路17に出力する。送信回路14は、レーザダイオード12に電源電圧および制御電圧を供給するためのドライバ15を含む。さらに、送信回路14は、D/AコンバータDAC16を含む。D/Aコンバータ16は、ホストCPU3から送られたデジタルの送信信号を、アナログ信号に変換する。ドライバ15は、そのアナログ信号をレーザダイオード12に供給する。さらに送信回路14は、送信回路14あるいはレーザダイオード12の状態を表わすモニタ電圧を、コントローラ20に出力する。このモニタ電圧は、たとえばレーザダイオード12の出力光強度を示す電圧である。受信回路17は、フォトダイオード13に電源電圧および制御電圧を供給する。受信回路17は、アンプ18およびA/DコンバータADC19を含む。アンプ18は、フォトダイオード13から送られた受信信号アナログ信号を増幅する。A/Dコンバータ19は、その増幅されたアナログ信号をデジタル信号に変換する。受信回路17は、そのデジタル信号をホストCPU3に出力する。さらに受信回路17は、受信回路17あるいはフォトダイオード13の状態を表わすモニタ電圧をコントローラ20に出力する。このモニタ電圧は、たとえばフォトダイオード13の受信光強度を示す電圧である。コントローラ20は、光トランシーバ1を統括的に制御する。このために、コントローラ20は、送信回路14および受信回路17の各々に制御信号および制御電圧を供給する。さらにコントローラ20は、送信回路14および受信回路17の各々からのモニタ電圧に基づいて、光トランシーバ1の状態を監視する。さらにコントローラ20は、ホストCPU3からの要求に応じて、光トランシーバ1の状態に関する情報をホストCPU3に送信する。図3は、図2に示したコントローラ20の構成を示したブロック図である。図3に示された構成は複数の半導体集積回路、または単一の半導体集積回路のいずれでも実現可能である。図3を参照して、コントローラ20は、制御部21と、不揮発性メモリ22と、揮発性メモリ23と、バス24と、A/Dコンバータ25と、D/Aコンバータ26と、データバスインタフェース27と、ロジックポート28と、データバスインタフェース29と、温度センサ30と、電圧センサ31とを備える。制御部21は、コントローラ20の全体の動作を制御する。不揮発性メモリ22は、情報の書込みおよび情報の読出しが可能なだけでなく、書き込まれた情報を不揮発的に記憶することが可能なメモリである。不揮発性メモリ22は、電源電圧の供給がない場合にも情報を保持することができ、たとえばEEPROMによって実現される。揮発性メモリ23は、情報の書込みおよび読出しが可能である。しかし揮発性メモリ23への電源電圧の供給が停止した場合、揮発性メモリ23に記憶された情報が消失する。揮発性メモリ23は、たとえばDRAMDynamicRandomAccessMemoryあるいはSRAMStaticRandomAccessMemoryなどによって実現される。バス24は、たとえば制御部21と不揮発性メモリ22との間、あるいは制御部21と揮発性メモリ23との間で情報を伝送するためのものである。A/Dコンバータ25は、たとえば図2に示された送信回路14あるいは受信回路17から送られたモニタ電圧をデジタル信号に変換する。A/Dコンバータ25は、そのデジタル信号を制御部21へ出力する。D/Aコンバータ26は、たとえば制御部21から送られるデジタルの制御信号をアナログの制御信号に変換する。D/Aコンバータ26は、そのアナログの制御信号を、図2に示された送信回路14あるいは受信回路17へと出力する。データバスインタフェース27は、たとえば図2に示された送信回路14あるいは受信回路17と制御部21との間でデータを授受するための回路である。ロジックポート28は、たとえば制御部21が送信回路14あるいは受信回路17に対してデジタルの制御信号を送信するための回路である。データバスインタフェース27は、たとえば図2に示された送信回路14あるいは受信回路17と制御部21との間でデータを授受するための回路である。データバスインタフェース29は、たとえば制御部21がホストCPU3あるいはホスト基板2に実装された他の素子たとえば、別の光トランシーバとの間でデータを授受するための回路である。温度センサ30は、光トランシーバ1の温度を検出して、その温度を示す信号を制御部21へと出力する。温度センサ30は光トランシーバ1の内部に配置されていればよいので、温度センサ30はコントローラ20とは別に設けられていてもよい。電圧センサ31は、光トランシーバ1に供給される電源電圧を検出して、その電源電圧を示す信号を制御部21へと出力する。制御部21は、光トランシーバ1の状態を監視する。制御部21は、光トランシーバ1の異常を検知した場合には、その異常に関するログ情報42を生成する。制御部21は、そのログ情報42を不揮発性メモリ22に書き込む。この実施の形態では、光トランシーバ1の温度がある基準値所定の上限値を超えた状態が、光トランシーバ1の異常として制御部21により検知される。検知した異常に関するログ情報42を不揮発性メモリ22に書き込むことができる回数は予め定められている。ログ情報42の書込回数が所定の回数に達するまでは、制御部21はログ情報42を不揮発性メモリ22に書き込むことができる。ログ情報42の書込回数が所定の回数に達した場合、不揮発性メモリ22はログ情報42の書き込みが不可能な状態となる。この実施の形態においては、不揮発性メモリ22へのログ情報42の書き込みが可能な回数すなわち上記の所定の回数は1である。通常は不揮発性メモリ22にはログ情報42は記録されていない。つまり光トランシーバ1の起動後に最初に発生した異常に関するログ情報が不揮発性メモリ22に記録される。そのログ情報42が記録された後、制御部21は、不揮発性メモリ22を書き込み不可の状態に設定する。不揮発性メモリ22が書き込み不可の状態に設定された後は、光トランシーバ1に新たな異常が発生したとしても、不揮発性メモリ22には、ログ情報42が新たに書き込まれない。不揮発性メモリ22にログ情報42を新たに書き込まないための具体的方法は、たとえば制御部21がログ情報を生成しないという方法である。あるいは、制御部21がログ情報を生成しても、不揮発性メモリ22はそのログ情報を受け付けないという方法でもよい。これらの方法によって、不揮発性メモリ22に新たなログ情報が書き込まれない状態を作ることができる。制御部21は、さらに、制御部21に入力された消去指示に応じて、不揮発性メモリ22内のログ情報を消去することができる。図4は、図3に示された不揮発性メモリのメモリマップの一例を示した図である。図4を参照して、メモリマップ40の一部の記憶領域がログ情報記憶エリア41として割り当てられる。他の記憶領域の用途は特に限定されるものではない。制御部21のみがログ情報記憶エリア41にログ情報を書き込むことができる。ログ情報記憶エリア41に記憶されたログ情報は、たとえば制御部21のみが読み出し可能であってもよく、制御部21およびホストCPU3の両方が読み出し可能であってもよい。図5は、図4に示されたログ情報記憶エリア41に記憶されたログ情報42の構成例を説明した図である。図4および図5を参照して、ログ情報42は、秒カウント値42aと、ステータス42bと、アラーム情報42cと、温度モニタ情報42dとを含む。さらに、ログ情報記憶エリア41には、ROMプロテクトコード43が記憶される。ROMプロテクトコードにはアドレスA1が割り当てられる。秒カウント値42a、ステータス42b、アラーム情報42c、および温度モニタ情報42dには、A2~A5がそれぞれ割り当てられる。アドレスA1~A5は、ROMプロテクトコード43、ログ情報の各項目のサイズに応じて決定される。ROMプロテクトコード43は、ログ情報記憶エリア41へのログ情報の書き込みの可能および不可、ならびにログ情報の消去を示すコードである。たとえば、以下の3種類のコードがROMプロテクトコード43として設定される。なおhは16進数を示す。1FFh:ログ情報が書込不可であることを示す。200h:ログ情報が書込可能であることを示す。380h:ログ情報の消去ログ情報記憶エリア41の初期化を示す。初期化は、光トランシーバ1の再起動時たとえば光トランシーバ1への電源の再投入時に実行される。秒カウント値42aは、異常の発生を特定する時刻を示す情報である。この時刻は、異常が発生した時刻でもよく、制御部21がログ情報を生成した時刻でもよく、制御部21がログ情報を不揮発性メモリに書き込むときの時刻でもよい。秒カウント値は、光トランシーバ1の起動から異常の発生を特定する時刻までの経過秒数を表わす数値である。秒カウント値42aは、光トランシーバ1の内部によって生成される。たとえば制御部21は、1秒ごとにカウント値をインクリメントするカウンタ機能を有する。秒カウント値42aの精度を高めるために補正が行なわれてもよい。たとえばホスト基板2がリアルタイムクロック回路を備える場合には、制御部21は、そのリアルタイムクロック回路の出力するクロック信号を用いて秒カウント値を補正し、その補正された秒カウント値をログ情報に含めてもよい。ステータス42bは、ログ情報42が記録されるときの光トランシーバ1の状態を示すコードである。アラーム情報42cは、光トランシーバ1の異常が生じたことを示す情報である。光トランシーバ1の温度が基準値を超えた場合に、そのことを示すフラグたとえば1がアラーム情報42cとして記憶される。温度モニタ情報42dは、光トランシーバ1の温度が基準値を超えたときのその温度を示す情報である。制御部21は温度センサ30の出力に基づいて温度測定値を生成し、その温度測定値を温度モニタ情報42dとしてログ情報42に含める。なお、ログ情報42は、少なくとも秒カウント値42aを含んでいればよい。その場合、光トランシーバ1に異常が発生した時刻を把握することができる。たとえば、その時刻に発生した事象に関する情報を用いれば、光トランシーバ1の異常の原因を解析することが可能になる。この実施の形態では、制御部21によって監視される異常は1種類である。したがって、ログ情報42に時刻が含まれていれば、その時刻に発生した異常を特定することができる。図6は、実施の形態1に係る光トランシーバの起動時の処理を示したフローチャートである。図6を参照して、光トランシーバ1への電源の投入により光トランシーバ1の起動が開始される。ステップS1において、制御部21は、秒カウント値の値を0にする。ステップS2において、制御部21は、揮発性メモリ23RAMおよび不揮発性メモリ22ROMをチェックする。ステップS3において、制御部21は、不揮発性メモリ22に記憶されたROMプロテクトコード43を参照する。ステップS4において、制御部21は、ROMプロテクトコード43が80hであるかどうかを判断する。ROMプロテクトコード43が80hである場合、処理はステップS5に進む。一方、ROMプロテクトコード43が80h以外の場合すなわち00hまたはFFhである場合、処理はステップS7に進む。ステップS5において、制御部21は、ログ情報記憶エリア41図4を参照のすべての値をFFhで上書きする。これによりログ情報記憶エリア41に記憶されたログ情報が消去される。ログ情報が消去された後、ステップS6において、制御部21は、ROMプロテクトコードを80hから00hへと変更する。以後、不揮発性メモリ22は、ログ情報が書き込み可能な状態となる。ステップS7において、制御部21は、各種の初期化処理を実行する。ステップS7の処理が終了すると、光トランシーバ1の処理はメインルーチンへと移行する。図7は、実施の形態1に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。図7を参照して、メインルーチンの処理が開始される。ステップS11において、制御部21は、温度センサ30の測定値を受けることにより、光トランシーバ1の温度を監視する。さらにステップS11において、制御部21は、制御部21の内部に記憶されたステータスを更新する。ステップS12において、制御部21は、温度測定値温度センサ30の測定値が基準値を超えたかどうかを判断する。温度測定値が基準値以下の場合ステップS12においてNO、処理はステップS11に戻る。つまり、温度測定値が基準値以下の場合には、ステップS11およびS12の処理が繰り返される。温度測定値が基準値を超えた場合ステップS12においてYES、処理はステップS13に進む。ステップS13において、制御部21は、ログ情報の記録条件が発生したと判断する。ステップS14において、制御部21は、不揮発性メモリ22に記憶されたROMプロテクトコード43を参照する読み出す。ステップS15において、制御部21は、ROMプロテクトコード43が00hであるかどうかを判断する。ROMプロテクトコード43が00h以外の場合すなわちFFhまたは80hである場合、処理はステップS11に戻る。すなわち、ROMプロテクトコード43が00h以外の場合には、ログ情報の記録条件が発生しても、制御部21は、不揮発性メモリ22にログ情報を書き込まない。ROMプロテクトコード43が00hである場合、処理はステップS16に進む。ステップS16において、制御部21は、ログ情報42を不揮発性メモリ22ROMに書き込む。ステップS17において、制御部21は、ROMプロテクトコード43を00hからFFhへと変更する。なお、ステップS16,S17の処理は、1回の書き込み処理の中で連続的に行なわれる。ステップS17の処理が終了すると、処理はステップS11に戻る。この場合、ROMプロテクトコード43が00hからFFhへと変更されているため、不揮発性メモリ22は書き込み不可の状態になる。したがって次回以後の処理では、温度測定値が基準値を超えた場合ステップS12においてYESであっても、処理はステップS15からステップS11へと戻る。図8は、ROMプロテクトコードを80hへと変更するための処理を説明するフローチャートである。なお、変更前のROMプロテクトコードは、たとえばFFhであるが、00hであってもよい。図8を参照して、ステップS21において、制御部21は、消去指示を受信する。消去指示は、たとえば以下の方法により制御部21に送られる。光トランシーバ1は試験用の基板のソケットに挿される。その基板は、たとえば試験装置に接続される。たとえばその光トランシーバ1のメーカーの技術者が試験装置を操作することにより、試験装置から基板を介して光トランシーバ1の制御部21に消去指示が送られる。ステップS22において、制御部21は、消去指示に応じて不揮発性メモリ22のROMプロテクトコードを80hに変更する。ステップS22の処理が終了すると、図8に示された処理は終了する。次に光トランシーバ1が起動された場合には、図6に示された処理が実行される。この実施の形態によれば、ホスト基板2に挿抜可能な光トランシーバ1の内部に、光トランシーバの異常に関するログ情報が不揮発的に記憶される。したがって、当該光トランシーバが故障した光トランシーバである場合、その故障した光トランシーバの内部に、故障状態に突入するときの状況に関する情報を残すことができる。図1に示されるように、ホスト基板2に複数の光トランシーバ1が接続され、その複数の光トランシーバ1のうちの1つが故障した場合、光通信装置101からホスト基板2ごと取り外して返却しなくてもよく、故障した光トランシーバ1のみを返却すればよい。したがって、光通信システムの運用者にとって、故障した光トランシーバ1の返却に要する手間を小さくすることができる。さらに、光通信に異常が生じた場合、その原因が光トランシーバにあるのか、上位装置ホスト基板にあるのかを容易に判別できる。たとえば、光通信の運用者は、故障した光トランシーバを新しい正常な光トランシーバに交換する。これにより光通信が復旧すれば、異常の原因が光トランシーバにあることを容易に判断できる。さらに、故障した光トランシーバ1の内部には、ログ情報が不揮発的に記憶される。これにより、最終的に光トランシーバ1への電源供給が停止するような故障が発生した場合にも、光トランシーバ1内にログ情報が残る確率が高くなる。たとえばメーカーの技術者は、故障のために返却された光トランシーバの内部に記憶されたログ情報を解析することによって、その光トランシーバが故障状態へと突入するときの状況を把握することができる。さらに、この実施の形態では、ログ情報の記録回数が1回に制限される。光トランシーバの通常の動作時には、ログ情報が不揮発性メモリ22には記録されていない。つまり、光トランシーバが故障に至るような異常が発生したときに初めて不揮発性メモリ22にログ情報が記録される。したがって光トランシーバ1の内部に、その光トランシーバ1が故障状態へと突入するときの状況に関する情報を残すことができる。さらに、EEPROMのように書き込み回数が制限された不揮発性メモリにログ情報を書き込んでも、不揮発性メモリの寿命を著しく短縮することを防ぐことができる。これにより、不揮発性メモリの書き込みの限界に起因して光トランシーバ1の寿命が短縮される可能性を小さくすることができる。さらに、この実施の形態では、不揮発性メモリに一旦書き込んだログ情報を消去することができる。たとえば光トランシーバに異常が生じていないにもかかわらず誤って異常が検出された場合を仮定する。この場合、光トランシーバの機能は正常である。しかし不揮発性メモリには、ログ情報が書き込まれている。この実施の形態では、不揮発性メモリにログ情報を記憶されている場合、不揮発性メモリへの新たなログ情報の書込みが禁止される。この実施の形態では、さらに、不揮発性メモリに記憶されたログ情報を消去することができる。したがって、たとえば光トランシーバ1の周囲温度のみ異常であり、光トランシーバ1の機能自体が正常であるならば、不揮発性メモリに記憶されたログ情報を消去することによって、光トランシーバ1を再使用することができる。また、光トランシーバの製造段階において、光トランシーバ1の調整および検査が行なわれる。光トランシーバの調整時に、たとえば温度センサ30の測定値、レーザダイオード12のバイアス電流、D/Aコンバータ16の設定値等、各種のパラメータが最適値となるように補正が実行される。たとえば、温度センサ30の測定値を補正するためのパラメータが最適値となるまでは、温度センサ30の測定値が実際の温度とずれている可能性が高い。温度センサの測定値を補正する間、温度センサ30の測定値がエラーとなるたとえば基準値を超える可能性が考えられる。すなわち、光トランシーバ1が異常を誤って検出する。この実施の形態によれば、不揮発性メモリ22へのログ情報の書込回数が所定の回数に達すると、以後、ログ情報が不揮発性メモリ22に書き込まれない。したがって、パラメータの補正時に不揮発性メモリ22の書込回数が増大することを防ぐことができる。これにより、不揮発性メモリ22の書込回数に依存して光トランシーバ1の寿命が縮まることを防ぐことができる。また、この実施の形態によれば、ROMプロテクトコードによって、パラメータの補正時には、不揮発性メモリ22にログ情報が全く書き込まれないようにすることもできる。たとえば、温度測定値が正しくなるように温度測定値を補正する。この段階では、ROMプロテクトコードはFFh書き込み不可である。図7のフローチャートに従って光トランシーバ1が動作する。温度測定値が正しくなるまでの間、温度測定値が基準値を超えたとしてもログ情報の記録処理はスキップされる。調整および検査の終了後に光トランシーバ1を再起動する。温度測定値が正しいことを確認した後、ROMプロテクトコードを00h書き込み可に変更する。ROMプロテクトコードを変更するための指示は、たとえば上述の試験装置を用いて制御部21に送られる。光トランシーバ1がホスト基板2に実装された後には、図6および図7のフローチャートに従って処理が実行される。故障の解析のために光トランシーバ1が返却された場合には、光トランシーバ1の不揮発性メモリに記憶されたログ情報を読み出す。そのログ情報に基づいて解析が行なわれる。その光トランシーバ1の再出荷が可能である場合、必要に応じて光トランシーバ1の調整および検査が行なわれる。ROMプロテクトコードを80hに設定し、光トランシーバ1を再起動する。これにより図6のフローチャートに示された処理が実行されて、ログ情報記憶エリア41図4を参照に記憶された値ログ情報が全てFFhに書き換えられる。その後にROMプロテクトコードが00h書き込み可に変更される。さらにこの実施の形態によれば、光トランシーバ1とホスト基板2とでそれぞれ、少なくとも時刻を含むログ情報を記憶する。光トランシーバ1とホスト基板2の各々のログ情報を参照することによって、光トランシーバ1の異常が発生したときに起きた事象の整合性を保つことができる。したがって、光トランシーバ1の異常の原因を、より正確に把握することができる。[実施の形態2]実施の形態1では、光トランシーバ内部の不揮発性メモリへのログ情報の書込回数が1回に制限される。実施の形態2では、ログ情報の書込可能回数は複数回である。なお、ログ情報の書込可能回数は、不揮発性メモリの書き込みの限界の回数よりは少ない。すなわち、実施の形態2でも実施の形態1と同様に、不揮発性メモリへのログ情報の書込回数が制限される。実施の形態2に係る光トランシーバの構成は、図2および図3に示された構成と同じである。したがって実施の形態2に係る光トランシーバの構成についての詳細な説明は繰り返さない。図9は、実施の形態2に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。図7および図9を比較すると、実施の形態2に係る光トランシーバのメインルーチンの処理は、ステップS18,S19の処理が追加される点で実施の形態1に係る光トランシーバのメインルーチンの処理と異なる。ステップS18,S19の処理は、ステップS16およびステップS17の間に実行される。以下ではステップS18,S19の処理について詳細に説明し、他のステップの処理についての詳細な説明は繰り返さない。この実施の形態では、制御部21は、ログ情報の不揮発性メモリ22への書込回数を保持する。書込回数の初期値は0である。ステップS16において制御部21はログ情報を不揮発性メモリ22ROMに書き込む。ステップS18において、制御部21は、書込回数を1増やす。ステップS19において、制御部21は、書込回数が所定の回数に達したかどうかを判断する。この実施の形態では所定の回数は複数回であるが、特に限定されるものではないたとえば5回。なお、所定の回数を1に設定した場合、図9に示された処理は、実質的に実施の形態1の処理と同じになる。書込回数が所定の回数に達していない場合ステップS19においてNO、処理はステップS11に戻る。書込回数が所定の回数に達した場合ステップS19においてYES、処理はステップS17に進む。ステップS18,S19の処理が追加されることによって、不揮発性メモリ22にログ情報を複数回書き込むことができる。なお、図4に示されたログ情報記憶エリア41では、新しいログ情報が書き込まれることによって、現在記憶されているログ情報に新しいログ情報が追加される。制御部21は、ログ情報42を不揮発性メモリ22に書き込むことができる残り回数を保持してもよい。残り回数の初期値は上述の所定の回数たとえば5回に等しい。この場合、ステップS18において、制御部21は、残り回数を1つ減少させる。ステップS19において制御部21は、残り回数が0に等しいかどうかを判断する。残り回数が0より大きい場合には処理はステップS11に戻る。残り回数が0に等しい場合には処理はステップS17に進む。なお、この実施の形態では、光トランシーバを起動したときの処理は、基本的には図6に示された処理と同じである。ただし、ステップS6において、制御部21はROMプロテクトコードを00hに変更する処理に加えて、制御部21が記憶する書込回数あるいは残り回数を初期値に戻す処理を実行する。また、この実施の形態では、1回の書き込み処理で、ステップS16,S18の処理、あるいは、ステップS16,S18,17の処理が実行される。実施の形態2によれば、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。特に実施の形態2によれば、最初に発生した異常を含む、複数回発生した異常に関するログ情報を光トランシーバに不揮発的に保存することができる。これにより、たとえば故障した光トランシーバがメーカーの技術者に返還された場合に、メーカーの技術者は、光トランシーバが故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。たとえば技術者は、そのログ情報から、光トランシーバ1が最終的に故障へと至るまでの光トランシーバ1の状態の時間的な変化を知ることができる。[実施の形態3]実施の形態1および実施の形態2では、光トランシーバの温度が基準値を超えたことが、光トランシーバの異常として検出される。実施の形態3では、複数の種類の異常が検知される。あるいは、光トランシーバの温度の異常に代わる別の異常が検知される。実施の形態3に係る光トランシーバの構成は、図2および図3に示された構成と同じである。したがって実施の形態3に係る光トランシーバの構成についての詳細な説明は繰り返さない。図10は、実施の形態3に係る光トランシーバで検知可能な光トランシーバの異常を示した図である。図3および図10を参照して、光トランシーバ1のコントローラ20は、光トランシーバ1の温度、レーザダイオード12の出力光強度、フォトダイオード13の受信光強度、および光トランシーバ1に供給される電源電圧を監視する。光トランシーバ1の温度を制御部21により監視する方法は、実施の形態1,2に係る方法と同じである。レーザダイオード12の出力光強度およびフォトダイオード13の受信光強度の監視は、たとえば以下のように実行される。送信回路14は、レーザダイオード12の出力光強度を示すモニタ電圧をコントローラ20に出力する。受信回路17は、フォトダイオード13の受信光強度を示すモニタ電圧をコントローラ20に出力する。コントローラ20は、送信回路14から出力されたモニタ電圧および受信回路17から出力されたモニタ電圧を、A/Dコンバータ25によってAD変換する。A/Dコンバータ25から出力されたデジタル信号は、出力光強度を示すモニタ値、あるいは受信光強度を示すモニタ値である。制御部21は、これらのモニタ値を受信する。これにより、制御部21は、レーザダイオード12の出力光強度およびフォトダイオード13の受信光強度を監視する。電源電圧の監視は、以下のように実行される。電圧センサ31図3を参照は、電源電圧の大きさを示す信号モニタ値を制御部21に出力する。これにより制御部21は、電源電圧を監視する。制御部21は、温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧の各々のモニタ値を、そのモニタ値に対応する基準値と比較することによって、異常を検出する。基準値としては、予め定められた上限値、予め定められた下限値あるいは、その両方が用いられる。温度の異常について、制御部21は、光トランシーバの温度が基準値予め定められた上限値よりも高いことを検出する。温度が高い場合、光トランシーバの構成部品たとえばレーザダイオードが損傷する可能性がある。あるいは、制御部21は、光トランシーバの温度が別の基準値予め定められた下限値よりも低いことを異常として検出する。たとえば下限値は0に設定される。すなわち、制御部21は、光トランシーバの温度が上限値を超えた場合だけでなく、0度より低下した場合氷点下の場合にも、光トランシーバの温度に関する異常を検出する。通常では、出力光強度が一定になるように、たとえばペルチェ素子などによってレーザダイオードの温度が管理されている。しかし、レーザダイオードの温度と、その周囲の温度との間の差が大きくなりすぎると、レーザダイオードの温度を一定に管理することが困難になる。このためレーザダイオードの出力光強度を一定に保つことが難しくなる。したがって、光トランシーバの温度が下限値を下回る場合にも制御部21は、光トランシーバ1の異常を検出する。出力光強度の異常について、制御部21は、出力光強度が予め定められた上限値よりも高いことを検出する。出力光強度が高すぎることは、たとえば安全性たとえば人間の目に対する安全性の観点から好ましくない。あるいは、制御部21は、出力光強度が予め定められた下限値よりも低いことを異常として検出する。出力光強度が下限値よりも低い場合には、レーザダイオード12が寿命に達した可能性がある。たとえば、予め想定された寿命よりも実際の寿命が短い場合には、レーザダイオード12あるいはレーザダイオード12を駆動するドライバ15図2参照の異常が考えられる。受信光強度の異常について、制御部21は、受信光強度が予め定められた上限値よりも高いことを検出する。通常、光通信には高感度を有するフォトダイオードが用いられる。光通信用のフォトダイオードに入力される光信号の強度が大きすぎると、フォトダイオードが損傷する可能性がある。したがって、光通信用のフォトダイオードに入力される光信号の強度が上限値を上回る場合に、制御部21は、光トランシーバ1の異常を検出する。電源電圧の異常について、制御部21は、電源電圧が予め定められた上限値よりも高いことを検出する。電源電圧が上限値よりも高い場合、たとえば光トランシーバの構成要素たとえばコントローラ20が損傷する可能性がある。あるいは、制御部21は、電源電圧が予め定められた下限値よりも低いことを異常として検出する。電源電圧が下限値よりも低い場合には、たとえばレーザダイオード12の出力光強度が低下する可能性がある。あるいはコントローラ20の動作が不安定になることが起こりえる。したがって、電源電圧が下限値を下回る場合に、制御部21は、光トランシーバ1の異常を検出する。図11は、実施の形態3に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。図7および図12を比較すると、実施の形態3に係る光トランシーバのメインルーチンの処理は、ステップS11,S12の処理に代えてステップS11A,S12Aの処理が実行される点で実施の形態2に係る光トランシーバのメインルーチンの処理と異なる。以下ではステップS11A,S12Aの処理について詳細に説明し、他のステップの処理についての説明は繰り返さない。ステップS11Aにおいて、制御部21は、温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧の各々のモニタ値を監視する。具体的には、制御部21は、そのモニタ値を、対応する基準値上限値、または下限値あるいはその両方と比較する。ステップS12Aにおいて、制御部21は、異常が発生したかどうかを判断する。たとえば温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧のモニタ値の少なくとも1つが、上限値を上回る、あるいは下限値を下回る場合に、異常が発生したと判断される。この場合ステップS12AにおいてYES、処理はステップS13に進む。一方、各モニタ値が上限値以下である場合、あるいは下限値以上である場合、あるいは、上限値以下であり下限値以上である場合、異常が発生していないと判断される。この場合ステップS12AにおいてNO、処理はステップS11Aに戻される。図11に示された処理によれば、温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧の少なくとも1つに異常が発生した場合に、ログ情報の記録条件が発生するステップS13。その異常に関するログ情報が不揮発性メモリ22に書き込まれるステップS16。以後、ログ情報の不揮発性メモリ22への書き込みが禁止されるステップS17。不揮発性メモリ22に記憶されたログ情報は1つの異常あるいは複数の異常に関する情報を含み得る。したがって、たとえば故障した光トランシーバがメーカーの技術者に返却された場合に、メーカーの技術者は、光トランシーバ1が故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。図12は、実施の形態3に係る光トランシーバのメインルーチンの処理の別の例を示したフローチャートである。図12に示された処理は、基本的には、図9に示された処理と同じである。ステップS11,S12の処理に代えてステップS11A,S12Aの処理が実行される。図12に示されたフローチャートによれば、不揮発性メモリ22に複数回のログ情報の書き込みが可能である。メーカーの技術者は、光トランシーバ1が故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。さらに、ステップS11A,S12Aにおいて、制御部21が検出する異常を1種類の異常に固定してもよい。実施の形態1および実施の形態2では、光トランシーバの温度が基準値を超えたことが、光トランシーバの異常として検出される。したがって、この実施の形態では、図10に示された複数種類の異常のうち、温度が高いという異常以外の1種類の異常をステップS11A,S12Aにおいて検出してもよい。さらに、光トランシーバの異常は、図10に示された異常の種類に限定されるものではない。図10に示された複数の種類の異常のいずれかに代えて、あるいは図10に示された複数の種類の異常に加えて、別の種類の異常を検出してもよい。本明細書では、本発明に係る光通信モジュールの1つの具体的な形態として光トランシーバを示した。しかしながら、本発明に係る光通信モジュールは、光トランシーバのように送信機能および受信機能の両方を備えるものと限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールは、送信機能および受信機能のうちのいずれか一方のみを有するものでもよい。したがって、本発明に係る光通信モジュールは、光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内で全ての変更が含まれることが意図される。"