"磁気抵抗素子を並列または直列に接続して磁気抵抗素子群とし、該磁気抵抗素群を並列に接続したセルを検知部として備えた磁気センサと、該磁気センサで検知する磁界発生源を電流源とし、その周波数、強度、および位相に基づいて、前記磁気抵抗素子群および/または前記セルの組み合わせを切り替える制御手段と、を備えた磁気センサ制御装置。前記検知部は、前記セルをさらに並列および/または直列に接続したものであることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ制御装置。前記検知部の近傍に交流磁界印加部を設け、前記検知部を構成する前記磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、前記制御手段は、前記電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、前記交流磁界印加部を制御することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置。前記検知部を圧電素子とともに基板に配置し、前記圧電素子に交流電圧を印加して前記基板を振動させ、前記検知部を構成する前記磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、前記制御手段は、前記電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、前記圧電素子を制御することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置。前記検知部の近傍に硬磁性材料からなる硬磁性体部を有する可動部を設け、該可動部の駆動により前記硬磁性体部を変位させ、前記検知部を構成する前記磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、前記制御手段は、前記電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、前記可動部を制御することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置。前記検知部の近傍に軟磁性材料からなる軟磁性体部およびコイル部材を有する可動部を設け、前記コイル部材へ直流電流を印加して前記軟磁性体部が磁化された状態で前記可動部を駆動させることにより前記軟磁性体部を変位させ、前記検知部を構成する前記磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、前記制御手段は、前記電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、前記可動部を制御することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置。前記制御手段は、当該装置の消費電力、または/および印可電圧を検知する電力検知部を備え、該電力検知部による検知に基づいて前記磁気センサを制御することを特徴とする請求項1から6までのいずれかに記載の磁気センサ制御装置。前記制御手段は、当該装置の電源となる電池部を備え、前記電力検知部による検知、および前記電池部に基づいて前記磁気センサを制御することを特徴とする請求項7に記載の磁気センサ制御装置。前記制御手段は、当該装置の電源となる外部エネルギーを受動する外部エネルギー受動部を備え、前記電力検知部による検知、および前記外部エネルギー受動部に基づいて前記磁気センサを制御することを特徴とする請求項7または8のいずれかに記載の磁気センサ制御装置。これまでTMR素子等のスピントロニクス素子は、磁界に対する変化率は大きいが、電子デバイス特有の低周波ノイズが大きいと考えられていたが、近年、検知に必要な素子の面積の微小化が進み、微細加工の限界まで検知素子として機能させることができることがわかってきた。しかしながら、TMR素子などのスピントロニクス素子を用いた磁気センサにおけるノイズの低減および高感度化のための技術は検討の余地が残されていた。そこで本発明は、磁気抵抗素子を用いた磁気センサであって、磁気抵抗素子を並列または直列に接続して磁気抵抗素子群とし、該磁気抵抗素群を並列に接続したセルを検知部として備えた磁気センサについて、磁気センサの測定対象に合わせて、ノイズを低減し、かつ、検知の高感度化を図ることができる磁気センサ制御装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するため、請求項1に記載の磁気センサ制御装置は、磁気抵抗素子を並列または直列に接続して磁気抵抗素子群とし、該磁気抵抗素群を並列に接続したセルを検知部として備えた磁気センサと、該磁気センサで検知する磁界発生源を電流源とし、その周波数、強度、および位相に基づいて、磁気抵抗素子群および/またはセルの組み合わせを切り替える制御手段と、を備えたものである。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の磁気センサ制御装置において、検知部は、セルをさらに並列および/または直列に接続したものである。また、請求項3に記載の発明は、請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置において、検知部の近傍に交流磁界印加部を設け、検知部を構成する磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、制御手段は、電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、交流磁界印加部を制御するものである。また、請求項4に記載の発明は、請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置において、検知部を圧電素子とともに基板に配置し、圧電素子に交流電圧を印加して基板を振動させ、検知部を構成する磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、制御手段は、電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、圧電素子を制御するものである。また、請求項5に記載の発明は、請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置において、検知部の近傍に硬磁性材料からなる硬磁性体部を有する可動部を設け、該可動部の駆動により硬磁性体部を変位させ、検知部を構成する磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、制御手段は、電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、可動部を制御するものである。また、請求項6に記載の発明は、請求項1または2のいずれかに記載の磁気センサ制御装置において、検知部の近傍に軟磁性材料からなる軟磁性体部およびコイル部材を有する可動部を設け、コイル部材へ直流電流を印加して軟磁性体部が磁化された状態で可動部を駆動させることにより軟磁性体部を変位させ、検知部を構成する磁気抵抗素子の外部磁界の大きさを変動させ、制御手段は、電流源の周波数、強度、および位相に基づいて、可動部を制御するものである。また、請求項7に記載の発明は、請求項1から6までのいずれかに記載の磁気センサ制御装置において、制御手段は、当該装置の消費電力、または/および印可電圧を検知する電力検知部を備え、該電力検知部による検知に基づいて磁気センサを制御するものである。また、請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の磁気センサ制御装置において、制御手段は、当該装置の電源となる電池部を備え、電力検知部による検知、および電池部に基づいて磁気センサを制御するものである。また、請求項9に記載の発明は、請求項7または8のいずれかに記載の磁気センサ制御装置において、制御手段は、当該装置の電源となる外部エネルギーを受動する外部エネルギー受動部を備え、電力検知部による検知、および外部エネルギー受動部に基づいて磁気センサを制御するものである。本発明によれば、磁気センサの測定対象に合わせて、ノイズを低減し、かつ、検知の高感度化を図ることができる。以下、本発明に係る構成を図1から図18に示す実施の形態に基づいて詳細に説明する。検知用素子部構成図1及び図2に検知用素子部以下、磁気抵抗素子、検知素子、素子ともいうの構成例を示す。図1に示す検知用素子部10は、キャップ層7、フリー層6、トンネル層5A、ピンド層4、反強磁性AFM層3、シード層2、基板1からなるTMR層構成による検知用素子部10の一例である。基板1としては、例えば、SiやSi上熱酸化基板を用いる。また、超高真空スパッタ装置やイオンビームスパッタ装置、EB蒸着装置などを用いて、Taなどのシード層2、FeMn,PtMnIrMn,NiMn,PdPtMn,CrPtMn,CoMnなどやそれらの合金などからなるAFM層3を構成する。なお、厚みは各設計値によって3nm~400nm程度か、もしくは、それ以上に設定されるが、10nm~100nmが好適である。また、AFM層3の上部にピンド層4シンセティックフェリ層を設ける構成スピンバルブ構成としている。トンネル層5Aは、例えば、Al-OやMgOで構成され、厚みは0.5nm~6nmの間で設計されるが、1nm~4nmが好適である。ここで、MgOによる構成とすると、比較的厚い膜厚であっても優れた磁気抵抗変化率特性が得られるため、抵抗値を大きくとりたい場合には厚みを厚くすることで実現可能となるメリットを有する。なお、図示はしないが、MgO層をトンネル層5Aとする場合には、例えば、CoFeSiBなどのアモルファス膜をアズデポで作製後、アニール時に結晶化することも好ましい。このようにすることにより、MgOの再配列を促して、結晶性を高めることにより磁気抵抗変化率を著しく向上させることができるため、さらに検知性能の向上を図ることができる。フリー層6は、例えば、NiFe,CoFe,CoNiFe,CoZrNb等の軟磁気特性を有するもので構成することにより、センサ特性を発揮することが可能となる。また、キャップ層7としては、Taなどを成膜する。検知用素子部10は、所望の形状にフォトリソグラフィー、EB露光等を用いた微細加工により形状を作製し、上下に電極を配して完成させる。なお、本実施形態における検知用素子部10は、図1に示すTMR層構成に限られるものではなく、例えば、図2に示すようなGMR層構成であっても良い。図2に示す検知用素子部10は、トンネル層5Aに替えて非磁性金属層5Bを有し、その他の層構成は同様である。ここで、非磁性金属層5Bには、例えば、Cu,Agなどが適している。磁気センサ構成磁気センサ20は、以下に詳細に説明するように、磁気抵抗素子よりなる磁気センサであって、2重階層を持って構成され、磁気抵抗素子を並列または直列になるセンサとして機能される群磁気抵抗素子群であって、それらの群どうしがさらに並列になるセンサをもってセルとしてなり、セルごとの機能状態に応じて出力の合成または分離を行なうものである。すなわち、センサを素子群で構成し、かつ配置しやすいように2重階層を持って構成されることから、適宜、ノイズ対信号出力を測定対象に合わせて検知可能とし、検知情報をより高度に得ることができるものである。図3に磁気センサ20の一例を示す。磁気センサ20は、検知素子10を直列に配置して磁気抵抗素子群88a,8b,8cとし、これらを並列に配置してセル検知部、素子配列部9とし、磁気抵抗素子群8を連動させるものである。このようにすることにより、素子数に比例して、抵抗値を高めることができる。また、基準抵抗固定抵抗11を直列に配置することにより、磁気抵抗値の変化につれて出力変化を実現することが可能となる。さらに、直列接続としていることにより、同一電圧であれば接続した素子分の電圧変化が得られることとなりセンサの高感度化への寄与が大きい。なお、直列接続の方法としては、図4aに示すように素子に対して互い違いに電流を流す方法、図4bに示すように同一方向に電流を流す方法のいずれであっても良い。また、図5に示すように図3に示した磁気センサ20に、さらにスイッチスイッチ部13を配置した構成とすることも好ましい。ここで、スイッチは、例えば、CMOS等で構成することができる。以上のように素子群と連動させて動作させることにより磁気センサの高感度化および1/fノイズの低減を図ることができる。また、図6に磁気センサ20の他の例を示す。図6に示すように検知素子10を並列に配置して磁気抵抗素子群88a,8b,8cとし、これらを並列に配置してセル検知部、素子配列部9とし、これらを連動させることとしても良い。このように素子を並列に配置することにより、ノイズ低減、特に1/fノイズの低減を図ることができる。また、図7に示すように図6に示した磁気センサ20に、さらにスイッチスイッチ部13を配置した構成とすることも好ましい。さらに、図8に示すように、並列化した素子配列部9a図6と直列化した素子配列部9b図5に示すスイッチ部付きの構成とを複合的に配置して、各素子配列部の配列をスイッチ部14により適宜変更可能とする構成とすることも好ましい。このように構成した磁気センサ20を用いて、目的のノイズ特性と必要とされる信号出力、さらには検知可能な素子数を可変させることによりセンサとしての検知面積を適宜変更し、センサの検知性能の向上を図ることができる。例えば、信号が大きな領域についてのみ素子を機能させる等の検知方法が実現可能となる。また、図8に示す例では、各素子の階層数を2としているが、それらをさらに群として並列化や直列化を行うことも好ましい。例えば、図1に示した検知素子10のそれぞれを並列化した素子で置き換えるようにしても良い。このような微細な加工に際しては、例えば、電子ビーム露光プロセスや自己組織化膜を用いたパターンニングなどのナノメータnmオーダでの微細加工を行うようにすれば良い。このように階層性を多重とすることにより、さらなるノイズの低減、高感度化が可能となる。磁気センサ制御以下、磁気センサ制御装置40磁気センサ20を含んで構成される制御回路であるが実行する磁気センサ20の制御制御方法について説明する。本実施形態の磁気センサ制御装置40が実行する処理を図9のフローチャートに示す。また、図10に磁気センサ制御装置40の機能ブロック図の一例を示す。図9に示した処理を実行するために、磁気センサ制御装置40は、磁気センサ20からのセンサ出力に基づいて各種の制御を実行する制御部41を有し、当該制御部41は、スイッチ部13,14を制御するスイッチ切替部42と、周波数、振幅および位相の検知内容等を一次記憶するための記憶部メモリ43と、を有している。ここで、目的とする検知信号を電流源として検知すること場合は、真の電流源とみなせ、また、解析を通して電流源とする場合には実効的な電流源とみなすことができる。そこで、本実施形態に係る磁気センサ制御装置40は、そのときの電流源の周波数、振幅、位相に応じて、素子部を切り替えて、より検知出力を増加させるものである。制御手段41は、先ず、磁界を検知してS1、その周波数、振幅および位相を検知するS2。これらは、記憶部43に一時的に記憶される。次に、スイッチ切替部42によりスイッチ部を切り替えて、セル9および/または磁気抵抗素子群8を適宜異なる組み合わせで選択しS3、選択した素子による検知を行い、新たな磁界異なる磁界を検知しS4、新たな周波数、振幅、位相異なる周波数、振幅、位相を検知するS5。所定の設定条件例えば、検知精度が所望の精度を満たすを満たす場合S7:Yesは、当該時点で選択されている素子構成で検知を行う。一方、設定条件を満たさない場合S7:Noは、S3へ戻り、再度検知素子の選択を行い、設定条件を満たすまで処理S3~S7を繰り返すものである。磁気センサ20をこのように制御することにより、ノイズ対信号出力を測定対象に合わせて検知可能とした磁気センサ20について、より検知出力を増加させて、高精度な検知情報を得ることができる。また、測定対象に合わせて最適なセンシングが実行可能なように磁気センサ20の制御がされるので、様々の測定対象について、長期に亘って使用することができる。第2の実施形態以下、磁気センサ20のその他の実施形態について説明する。上述の実施の形態と同様の点についての説明は省略する。また、検知素子の配列直列、並列、スイッチ部の有無等は、以下に説明する構成においても適宜組み合わせ可能なものである。図10に示す磁気センサ20は、検知素子10に加えて、交流AC磁界印加用のコイル部交流磁界印加部16と、コイル部16への交流AC磁界印加用の電流源17を付加したものである。このように構成することにより、検知素子10に外部から交流磁界を重畳し、検知する実効的な周波数領域をシフトさせて検知を実現することができ、ノイズの低減、特に、1/fノイズの低減を図ることができる。また、図10に示す磁気センサ20を用いて、図9に示した処理を実行し、かつ、制御手段41により交流磁界印加部16を制御する外部からの重畳させる交流磁界の周波数、強度、および位相を可変させることにより、さらに、高感度化を実現することができる。第3の実施形態図11に示す磁気センサ20は、圧電素子18を配置した基板19に検知部を設け、圧電素子18は、駆動用電圧印加用の電極部21を備えるものである。このように構成した磁気センサ20では、駆動用電圧源22によって電極部21に駆動用電圧交流電圧を印加して、圧電素子18を駆動させ、基板19全体を機械的に一定周期で振動させる。さらに、直流DC磁界印加用コイル部23と直流DC磁界印加用電流源24を配置し、直流磁界を印加可能とすることも好ましい。なお、直流磁界印加用コイル部23と直流磁界印加用電流源24を配置した状態で、DC磁界印加の有無を選択可能とする構成としても良い。このような構成とすることにより、外部に対して振動させることによりAC分の成分が重畳された状態で検知できるためノイズ低減、特に、1/fノイズの低減を図ることができる。また、圧電素子による交流磁界の印加は簡便であり、磁気的には設計パラメータの自由度が大きく、効率的なノイズ低減が実現できる。また、図11に示す磁気センサ20を用いて、図9に示した処理を実行して、かつ、制御手段41により圧電素子18を制御する外部からの重畳させる圧電素子の交流電圧印加による機械振動の周波数、強度、および位相を可変させることにより、さらに、高感度化を実現することができる。なお、本実施形態では、機械的に一定周期で振動を与える手段として圧電素子18を配置したが、これに限られるものではなく、例えば、他のMEMS技術等で用いられる駆動系静電型駆動方式、電磁駆動方式などを用いることも好ましい。第4の実施形態図12aに上面図、bに断面図を示す磁気センサ20は、柔構造の梁部25によりフレーム26に固定された可動部27上に硬磁性材料からなる硬磁性体部28を配置したものであり、また、可動部27は圧電素子を備えた圧電素子部および梁部29とも接続されている。さらに、可動部27は圧電素子印加用配線および電源図示せずによって、屈曲させることができ、結果として、硬磁性体部28を変位させることができる。なお、可動部27の全部または一部を硬磁性材料からなる磁性体で構成するようにしても良い。すなわち、基板上30の検知部9においては、硬磁性体部28からの磁界強度が周期的に変動することとなるので、実質上AC磁界中において外来磁界を検知することとなる。よって、実効的な動作周波数をよりノイズ分、特に1/fノイズ成分が少ないところで機能させることが実現でき、その結果、より鋭敏な検知を実現することができる。また、測定対象に応じて屈曲の周波数を変化させることにより、測定の感度を高めることもできる。このような構成とすることにより、可動部27を大きく振幅させることができ、ノイズ低減の設計パラメータを大きく設定することができる。また、図12に示す磁気センサ20を用いて、図9に示した処理を実行して、かつ、制御手段41により可動部27を制御する外部からの重畳させる交流磁界の周波数、強度、および位相を可変させることにより、さらに、高感度化を実現することができる。第5の実施形態図13aに上面図、bに断面図を示す磁気センサ20は、柔構造の梁部25によりフレーム26に固定された可動部27上に軟磁性材料からなる軟磁性体部31および軟磁性体を磁化するためのコイル部32を配置したものであり、また、可動部27は圧電素子を備えた圧電素子部および梁部29とも接続されている。さらに、可動部27は圧電素子印加用配線および電源図示せずによって、屈曲させることができ、結果として、軟磁性体部31およびコイル部32を変位させることができる。また、コイル部32は、DC電源部図示せずに接続されており、コイル部32に電流を流すことにより軟磁性体部31を磁化させることができる。なお、可動部27の全部または一部を軟磁性材料からなる磁性体で構成するようにしても良い。すなわち、基板上30の検知部9においては、軟磁性体部31およびコイル部32による磁界の磁界強度が周期的に変動することとなるので、実質上AC磁界中において外来磁界を検知することとなる。よって、実効的な動作周波数をよりノイズ分、特に1/fノイズ成分が少ないところで機能させることが実現でき、その結果、より鋭敏な検知を実現することができる。また、測定対象に応じて屈曲の周波数を変化させることにより、測定の感度を高めることもできる。さらに、コイル部32に流す電流をDCからACとすることにより、2重の周期を重畳させることが可能となり、測定対象によってはノイズ分低減が実現可能となる。このような構成とすることにより、ノイズ低減の設計パラメータをさらに大きく設定することができる。また、複数の周波数でのノイズ低減が可能となる。また、図13に示す磁気センサ20を用いて、図9に示した処理を実行して、かつ、制御手段41により可動部27を制御する外部からの重畳させる交流磁界の周波数、強度、および位相を可変させることにより、さらに、高感度化を実現することができる。上記第1~第5の実施形態で説明した磁気センサ制御装置40によれば、スイッチ切替部42によって、スイッチ部13,14を適宜切り替えることにより、検知対象物と、その検知結果に応じて、磁気抵抗素子群8、セル9を選択的に設定することができ、磁気センサ20の検知位置や検知面積を切り替えることができる。切り替える方向によって、感度を増加させることができ、検知対象物に沿った検知が可能となり、磁気センサ20の検知の高感度化を図ることができる。例えば、磁界を発生する電流源に近いことや、磁界の解析によって、ベクトル成分解析が可能となり、磁界の方向性を検知して、検知の高感度化を実現することができる。その他の実施形態さらに、磁気センサ制御装置40は、図15に示すように、装置の消費電力や印可電圧を検知する電力検知部44を備えることが好ましい。電力検知部44を備える磁気センサ制御装置40が実行する処理では、図16のフローチャートに示すように、電力検知部44が消費電力を検知する処理S17が追加される。なお、図9のフローチャートと同様の処理についての説明は省略する。この磁気センサ制御装置40によれば、装置全体の消費電力消費電流,印加電圧を検知しつつ、センシングを行うことが可能となるので、消費電力の最適化を行いつつ、検知の高感度化を実現することができる。さらに方向性を検知させるように、検知部を各部分に分けた上で、それぞれの検出データをもとに検知信号の値を維持しながら、消費電力の最適化を行うことができる。また、磁気センサ制御装置40は、電力検知部44とともに、図17に示すように、1次電池、および/または、2次電池からなり、装置の電源となる電池部45を備え、電力検知部44と電池部45を用いて駆動制御を行うことにより、消費電力の低減を図る自律型センサとして機能させることができる。さらに、図18に示すように、外部からエネルギー駆動源を受動する外部エネルギー受動部外部磁界エネルギー吸収用アンテナ46を備え、電力検知部44と電池部45を用いて駆動制御を行うことにより、消費電力の低減を図り、より長期駆動可能な自律型センサとして機能する。さらに方向性を検知させるように、検知部を各部分に分けた上で、それぞれの検出データをもとに検知信号の値を維持しながら、消費電力の最適化を行って、稼動時間を長期化することができる。尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施の例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。"