"第1の非酸化性雰囲気、または酸素と窒素の混合ガスの雰囲気下で、第1の半導体ウエハに1100°C以上の第1の熱処理を行い、第2の半導体ウエハを形成する第1の工程と、前記第2の半導体ウエハの表面への絶縁層の形成、および加速されたイオンの照射による前記第2の半導体ウエハ中への脆化領域の形成を行う第2の工程と、前記絶縁層を介して、前記第2の半導体ウエハとベース基板とを貼り合わせる第3の工程と、前記脆化領域で前記第2の半導体ウエハを分割するための前記第2の半導体ウエハへの第2の熱処理を行う工程であり、前記絶縁層を介して前記ベース基板に固定された半導体層と、前記半導体層が分離された第3の半導体ウエハとを形成する第4の工程と、を有することを特徴とするSOI基板の作製方法。第1の非酸化性雰囲気、または酸素と窒素の混合ガスの雰囲気下で、第1の半導体ウエハに1100°C以上の第1の熱処理を行い、第2の半導体ウエハを形成する第1の工程と、前記第2の半導体ウエハの表面への絶縁層の形成、および加速されたイオンの照射による前記第2の半導体ウエハ中への脆化領域の形成を行う第2の工程と、前記絶縁層を介して、前記第2の半導体ウエハとベース基板とを貼り合わせる第3の工程と、前記脆化領域で前記第2の半導体ウエハを分割するための前記第2の半導体ウエハへの第2の熱処理を行う工程であり、前記絶縁層を介して前記ベース基板に固定された半導体層と、前記半導体層が分離された第3の半導体ウエハとを形成する第4の工程と、前記第3の半導体ウエハの表面を平坦化し、第4の半導体ウエハを形成する第5の工程と、前記第4の半導体ウエハを前記第2の半導体ウエハに用いて、前記第2乃至前記第5の工程を1回以上行う第6の工程と、前記第4の半導体ウエハに、第2の非酸化性雰囲気下で1100°C以上の第3の熱処理を行い、第5の半導体ウエハを形成する第7の工程と、前記第5の半導体ウエハを前記第2の半導体ウエハに再利用して、前記第2乃至前記第5の工程を1回行う第8の工程と、有し、前記第1乃至第5の工程を順次1回行った後、前記第6乃至第8の工程を繰り返すことを特徴とするSOI基板の作製方法。第1の非酸化性雰囲気、または酸素と窒素の混合ガスの雰囲気下で、第1の半導体ウエハに1100°C以上の第1の熱処理を行い、第2の半導体ウエハを形成する第1の工程と、前記第2の半導体ウエハの表面への絶縁層の形成、および加速されたイオンの照射による前記第2の半導体ウエハ中への脆化領域の形成を行う第2の工程と、前記絶縁層を介して、前記第2の半導体ウエハとベース基板とを貼り合わせる第3の工程と、前記脆化領域で前記第2の半導体ウエハを分割するための前記第2の半導体ウエハへの第2の熱処理を行う工程であり、前記ベース基板、前記絶縁層および前記第2の半導体ウエハから分割された半導体層を含むSOI基板と、前記半導体層が分離された第3の半導体ウエハとを形成する第4の工程と、前記第3の半導体ウエハの表面を平坦化して、第4の半導体ウエハを形成する第5の工程と、前記第4の半導体ウエハの結晶欠陥を測定し、前記測定結果に基づいて前記第4の半導体ウエハの良否を判定する第6の工程と、前記第6の工程で良と判定された前記第4の半導体ウエハを前記第2の半導体ウエハとして前記第2の工程で再利用する第7の工程と、前記第6の工程で不良と判定された前記第4の半導体ウエハに、第2の非酸化性雰囲気中で1100°C以上の第4の熱処理を行い、第5の半導体ウエハを形成する第8の工程と、前記第5の半導体ウエハを前記第2の半導体ウエハとして前記第2の工程で再利用する第9の工程と、を有するSOI基板の作製方法。請求項3において、前記第6の工程において、前記結晶欠陥の測定として、前記第4の半導体ウエハのライフタイムの測定を行うSOI基板の作製方法。請求項2乃至4のいずれか1項において、前記第2の非酸化性雰囲気は、希ガス雰囲気、水素ガス雰囲気、または希ガスと水素ガスとの混合雰囲気であることを特徴とするSOI基板の作製方法。請求項2乃至4のいずれか1項において、前記第2の非酸化性雰囲気は、アルゴンガス雰囲気、水素ガス雰囲気、またはアルゴンガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気であることを特徴とするSOI基板の作製方法。請求項1乃至6のいずれか1項において、前記第1の非酸化性雰囲気は、希ガス雰囲気、水素ガス雰囲気、または希ガスと水素ガスとの混合雰囲気であることを特徴とするSOI基板の作製方法。請求項1乃至6のいずれか1項において、前記第1の非酸化性雰囲気は、アルゴンガス雰囲気、水素ガス雰囲気、またはアルゴンガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気であることを特徴とするSOI基板の作製方法。請求項1乃至8のいずれか1項において、前記第1の半導体ウエハの酸素濃度は、2×1018atoms/cm3以下であることを特徴とするSOI基板の作製方法。請求項1乃至9のいずれか1項において、前記ベース基板は、耐熱温度が1100°C以下の基板であることを特徴とするSOI基板の作製方法。請求項1乃至9のいずれか1項において、前記ベース基板は、ガラス基板、または石英基板であることを特徴とするSOI基板の作製方法。請求項1乃至9のいずれか1項において、前記ベース基板は、単結晶シリコンウエハであることを特徴とするSOI基板の作製方法。SOI基板の品質を維持して、ボンド基板を再利用するためには、ボンド基板の再生処理として、SOI基板の作製過程で析出した酸素に起因する結晶欠陥を消滅することが必要になる。特許文献3、4では、このような結晶欠陥を消滅させるために、1150°C以上の高温の熱処理を行っている。よって、ボンド基板には高温の熱処理が繰り返されるため、使用回数が増えるほどボンド基板は破損しやすくなる。また、高温の熱処理は、基板を炉に入れてから基板の温度を一定温度まで上昇させる時間、基板を炉から取り出すまでの冷却時間を含めると、24時間以上要する場合がある。そこで、本明細書では、再生処理におけるボンド基板の熱処理回数を減らすための技術を開示する。本明細書に開示される発明の一形態は、非酸化性雰囲気下で、第1の半導体ウエハに1100°C以上の第1の熱処理を行い、第2の半導体ウエハを形成する第1の工程と、第2の半導体ウエハの表面への絶縁層の形成、および加速されたイオンの照射による第2の半導体ウエハ中への脆化領域の形成を行う第2の工程と、絶縁層を介して、第2の半導体ウエハとベース基板とを貼り合わせる第3の工程と、脆化領域で第2の半導体ウエハを分割するための第2の半導体ウエハへの第2の熱処理を行う工程であり、絶縁層を介してベース基板に固定された半導体層と、半導体層が分離された第3の半導体ウエハとを形成する第4の工程とを有するSOI基板の作製方法である。上記形態において、非酸化性雰囲気は、希ガス雰囲気、水素ガス雰囲気、または希ガスと水素ガスとの混合雰囲気である。希ガスとしては、代表的にはアルゴンおよびヘリウムである。また、非酸化性雰囲気の代わりに、酸素と窒素の混合ガス雰囲気としてもよい。半導体ウエハの酸素濃度は2×1018atoms/cm3以下が好ましい。なお、本明細書に記載される発明は、実施の形態、実施例および図面の記載内容に限定されるものではなく、本明細書等の書類で開示される発明の趣旨から逸脱することなく、その形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。SOI基板を作製する前に、アルゴンガス雰囲気などの非酸化性雰囲気下で、または酸素と窒素の混合ガス雰囲気下で、1100°C以上の熱処理を半導体ウエハに対して行うことで、半導体ウエハの再生処理に1100°C以上の高温の熱処理を再生処理の度に行う必要がなくなる。以下、図面を用いて、本明細書で開示される発明の実施の形態および実施例について説明する。なお、本明細書で参照される図面において、異なる図面間で同じ符号が付されている構成要素は、同一の構成要素を表している。そのため、このような構成要素に関する説明は、重複するため、省略することがある。ここでは、SOI基板の作製方法について説明する。本実施の形態のSOI基板の作製方法では、ボンド基板となる半導体ウエハに対して、まず、非酸化性雰囲気下で半導体ウエハに1100°C以上の熱処理を行う。しかる後、半導体ウエハに絶縁層および脆化領域を形成する。そして、絶縁層を介して半導体ウエハとベース基板とを貼り合わせ、脆化領域で半導体ウエハを分割し、半導体層、絶縁層およびベース基板を有するSOI基板を作製する。さらに、ここでは、分割後の半導体ウエハを再利用するための再生処理についても説明する。本実施の形態では、再生処理は少なくとも、半導体層が分離された表面を平坦化するための工程を含む。また、半導体ウエハをN回Nは2以上の整数SOI基板の作製に使用する度に、再生処理として、平坦化処理に加えて、1100°C以上の熱処理を半導体ウエハに施す。つまり、高温の熱処理は半導体ウエハを再利用する度に行うのではなく、再生処理のN回に1回行われる。<SOI基板作製方法のフローチャート>図1は、本実施の形態のSOI基板の作製方法の一例を示すフローチャートであり、ボンド基板として半導体ウエハを繰り返し使用する場合の再生処理工程を含んだフローチャートである。まず、ステップS1に示すように、ボンド基板となるバルク状の半導体ウエハを用意する。半導体ウエハとしては、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、シリコンゲルマニウムウエハなど、第14族元素でなる半導体ウエハを挙げることができる。SOI基板から高性能な集積回路を形成するためには、半導体ウエハは単結晶半導体ウエハが好ましい。また、半導体ウエハはFZ法フローティングゾーン法で作製されたインゴットをスライスしたFZ半導体ウエハ、CZ法チョクラルスキー法で作製されたインゴットをスライスしたCZ半導体ウエハを用いることができる。また、CZ半導体ウエハには、MCZ法MagneticfieldappliedCZ法で作製されたインゴットをスライスしたMCZ半導体ウエハがある。MCZ法とはCZ法の一種であり、半導体の融液に磁場を印加することで、融液の対流を抑制して半導体の結晶成長を制御する技術である。半導体ウエハに対してSOI基板作製プロセスステップS4-S7を行う前に、半導体ウエハに対して、非酸化性雰囲気下での熱処理を行うステップS2。この熱処理は、半導体ウエハ中の酸素を外方拡散させて、表面近傍を無欠陥層DZ、DenudedZoneとするためである。また、この熱処理によって、半導体ウエハ内部には、半導体ウエハ内部で過飽和の酸素が酸化物となって析出し、微小な結晶欠陥を生成する。このような酸素析出物による微小な欠陥はBMDBulkMicroDefectと呼ばれている。半導体ウエハ内部に形成されたBMDはSOI基板の作製過程で金属元素のゲッタリングシンクとして機能させることができる。なお、本明細書では、DZとは完全な無欠陥層のことではなく、BMDが存在しない領域の意味で使用される。ステップS2での熱処理温度は、酸素の外方拡散が生じる温度であり、1100°C以上が好ましく、1200°C以上がより好ましい。加熱温度の上限は半導体ウエハが変形しない温度であり、シリコンの融点1400°Cを考慮して、熱処理温度は1100°C以上1300°C以下が好ましく、1200°C以上1300°C以下がより好ましい。この熱処理は、バッチ式の加熱炉拡散炉なども含むで行うことができる。バッチ式の加熱炉は、一度に多数の基板を処理することができ、また温度の制御性が良い。加熱炉での処理時間被処理物の温度を処理温度で維持する時間は、少なくとも1時間とする。加熱時間が短いと酸素の外方拡散が十分に行われず、半導体ウエハ表面近傍の酸素濃度が高くなるからである。熱処理の効果と生産性を考慮すると、処理時間は1時間以上24時間以下が適当であり、6時間以上20時間以下がより好ましい。また、非酸化性雰囲気とは、加熱処理によって半導体ウエハに酸化膜を成長させない雰囲気であり、水素および/または希ガスでなる雰囲気とすればよい。具体的には、水素100雰囲気、希ガス100雰囲気、水素ガスと希ガスの混合ガス雰囲気である。希ガスとしては、代表的には、HeおよびArである。また、コスト面、安全性、雰囲気の制御性の点から、非酸化性雰囲気としてはArガス100雰囲気が好ましい。また、ステップS2においては、非酸化性雰囲気の代わりに、N2およびO2の混合ガス雰囲気とすることができる。この場合、N2に対しO2が1-10体積混合された雰囲気とすることが好ましい。窒素ガス100でなる非酸化性雰囲気としないのは、窒素ガス100雰囲気中でシリコンなどの半導体ウエハを1100°C以上で熱処理すると、半導体ウエハの表面が荒れてしまうからである。そこで、酸素ガスを窒素ガスに混合することで、半導体ウエハに酸化物を形成しその表面を保護する。ステップS2において、新品の半導体ウエハにこの熱処理を行うことで、再利用するたびに高温の熱処理を半導体ウエハに施すことが不要になる。よって、高温の熱処理の回数が少なくなるため、半導体ウエハの機械的強度が低下することを抑えることができる。したがって、ステップS2により、SOI基板作製のコスト削減、生産性の向上につながる。また、ステップS2の熱処理を行うことで、SOI基板の半導体層を初期の半導体ウエハよりも酸素が低減されたDZから形成することが可能になる。したがって、SOI基板からトランジスタなどの半導体装置を作製する過程で、半導体層にBMDが発生することが抑制されるため、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。なお、ステップS2において半導体ウエハの表面領域にDZをより確実に形成するには、ステップS1において、酸素濃度が2×1018atoms/cm3以下の半導体ウエハを準備するとよい。このような半導体ウエハとして、例えば、市販のCZ単結晶ウエハが挙げられる。半導体ウエハの酸素濃度を少なくすることで、半導体ウエハ表面近傍で酸素に起因する結晶欠陥の発生が抑制されるため、ステップS2でDZをより確実に形成でき、またDZを厚くすることが容易になる。DZを確実に形成することは、SOI基板の歩留まりの向上につながる。また、DZを厚くすることは、半導体ウエハの再利用回数に対して、再生処理のための高温の熱処理の回数を少なくすること、および処理時間を短縮することにつながる。また、半導体ウエハに対する熱処理の繰り返しによって、半導体ウエハ中のBMDが成長して、転位、積層欠陥などの結晶欠陥になることもある。よって、半導体ウエハの酸素濃度を低くすることは、BMDに起因する結晶欠陥の発生を抑制するができ、半導体ウエハの利用回数の増加、およびSOI基板の半導体層の品質向上などにつながる。よって、ステップS1では、酸素濃度が2×1018atoms/cm3を越えない半導体ウエハを準備するとよい。半導体ウエハの酸素濃度は1.8×1018atoms/cm3以下が好ましく、1.4×1018atoms/cm3以下がより好ましい。酸素濃度が1.4×1018atoms/cm3以下の半導体ウエハとしては、例えば、MCZ単結晶シリコンウエハなどがある。半導体ウエハの酸素濃度は、SIMS二次イオン質量分析法や赤外分光法InfraredAbsorptionSpectroscopyにより測定することができる。本明細書においては、半導体ウエハの酸素濃度は赤外分光法で測定することにする。赤外分光法は、非破壊で半導体ウエハ全体の酸素濃度を算出することができる方法であり、単結晶シリコンウエハの場合、測定された赤外吸収スペクトルから、酸素濃度Oconcを算出するには、下記の式1および式2を用いる。I=I0exp-α1t1Oconc=α1×K2式1において、I0は赤外吸収スペクトルのバックグラウンドの透過率であり、Iは1106cm-19.1μm付近に現れるピークの透過率であり、α1は同ピークの吸収係数であり、tは単結晶シリコンウエハの厚さである。式2において、Kは定数である。ここでは定数KとしてASTMAmericanSocietyforTestingMaterials規格の値4.81×1017[cm-2]ASTM-121を用いる。式1から吸収係数α1を求め、そして、式2に示すように吸収係数α1に定数Kを乗じることで、酸素濃度Oconcを求めることができる。なお、赤外吸収スペクトルのバックグラウンドの影響を除去するためのレファレンスとして用いた試料が空気である場合、式2のα1にα2=α1-0.4[cm-1]を代入して、酸素濃度Oconcを求める。次に、1回目のSOI基板の作製工程を行う。ステップS4-S7はSOI基板作製の工程である。図1のフローチャートにおいて、kは、ステップS1、S2で用意された半導体ウエハを用いてSOI基板の作製工程を実施した回数を示す。よって、ステップS2を行った後のステップS4においては、k=0となるステップS3。図1においては、SOI基板の作製工程をN回Nは、2以上の整数ごとに1回、再生処理として半導体ウエハを熱処理して、半導体ウエハ表面近傍の結晶欠陥を低減する。ステップS4は半導体ウエハに対する処理であり、半導体ウエハに絶縁層および脆化領域を形成する工程である。半導体ウエハの少なくともベース基板との貼り合わせ面に絶縁層を形成する。この絶縁層は単層でも複数層でもよい。この絶縁層を構成する層として、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層などを形成することができる。また、これらの絶縁層は、化学気相法CVD法、スパッタ法、原子層エピタキシ法ALE法で形成することができる。また、半導体ウエハの酸化処理および/または窒化処理により絶縁層を構成する層を形成することができる。脆化領域は、運動エネルギーを有するイオンを半導体ウエハに照射することで形成することができる。脆化領域の形成には、イオン注入装置、イオンドーピング装置を用いることができる。ステップS4において、絶縁層の形成と脆化領域の形成の順序は限定されない。なお、脆化領域の形成時の金属による汚染を防ぐため、絶縁層を少なくとも1層形成した後に、イオンを照射することが好ましい。例えば、HClおよび酸素含有雰囲気で半導体ウエハを熱酸化して、酸化シリコン層を半導体ウエハに形成した後、酸化シリコン層を介して水素イオンを半導体ウエハに照射して、脆化領域を作製すればよい。また、脆化領域を形成した後、酸化シリコン層上に、CVD法などにより酸化窒化シリコン層などの2層目の絶縁層を形成してもよい。ベース基板の準備を行うステップS5。ベース基板には、絶縁体でなる基板、バルク状の半導体ウエハを用いることができる。絶縁体でなる基板としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、およびサファイア基板等が挙げられる。なお、ガラス基板の材料としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどが挙げられる。また、ベース基板に適用される半導体ウエハとしては、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウム基板、シリコンゲルマニウム基板など、第14族元素でなる半導体ウエハを挙げることができる。もちろん、ベース基板にはSOI基板の作製工程のプロセス温度に耐えうる基板を選択する。なお、本明細書において、酸化窒化物とは窒素原子よりも酸素原子の数が多い物質とし、窒化酸化物とは酸素原子より窒素原子の数が多い物質とする。また、ステップS5において、必要に応じてベース基板上に単層または複数層の絶縁層が形成される。この絶縁層を構成する層として、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層などを形成することができる。また、これらの絶縁層は、化学気相法CVD法、スパッタ法、原子層エピタキシ法ALE法で形成することができる。また、ベース基板に半導体ウエハを用いた場合は、半導体ウエハを酸化する、窒化する等の方法により絶縁層を構成する層を形成することができる。なお、図1のフローチャートにおいてステップS4とステップS5の順序は限定されない。次に、ベース基板と半導体ウエハを貼り合わせるステップS6。ベース基板に絶縁層を形成しない場合は、ベース基板表面と半導体ウエハの絶縁層表面とを接触させ、加圧することで、ベース基板と絶縁層を貼り合わせる。また、ベース基板に絶縁層を形成する場合は、ベース基板の絶縁層表面と半導体ウエハの絶縁層表面とを貼り合わせる。なお、ステップS6において、1枚のベース基板に対して、複数の半導体ウエハを貼り合わせてもよい。次にステップS7を行う。ステップS7は、熱処理を施して、脆化領域で半導体ウエハを分割する工程である。この工程で、半導体層、絶縁層およびベース基板を含むSOI基板が形成される。ステップS7の熱処理は、RTA装置、加熱炉、または周波数帯域が300MHz-300GHzの電磁波の照射装置具体的には、マイクロ波照射装置、ミリ波照射装置で行うことができる。以上により、1回目のSOI基板の作製工程が完了する。つまり、ステップS8において、k=1である。次に、ステップS7で分割された半導体ウエハを再利用するために、再生処理を行う。図1においては、再生処理として、半導体ウエハの表面を平坦化する平坦化処理ステップS9と、半導体ウエハの結晶欠陥を低減するための熱処理ステップS11の2つの処理が記載されている。1回目のSOI基板の作製工程を行う前に、ステップS2の熱処理を半導体ウエハに施しているため、この時点では、SOI基板の不良の原因となるような結晶欠陥が半導体ウエハの表面近傍に存在しないため、再生処理として欠陥低減のための高温の熱処理を行う必要がない。したがって、ステップS10に示すように、ステップS9の平坦化処理を行った後、ステップS11の熱処理を行わずに、2回目のSOI基板の作製工程S4-S7を行う。ステップS9の平坦化処理には、化学機械研磨CMPなどの研磨処理、ウエットエッチングなどのエッチング処理、およびレーザ光の照射処理などが挙げられる。ステップS9では1または1以上の処理を行うことができ、少なくとも研磨処理を行うことが好ましい。次に、ステップS9で平坦化された半導体ウエハを用いて、2回目のSOI基板の作製工程S4-S7を行う。そして、SOI基板の作製工程の回数がN回になるまで、図1に示すように、再生処理ステップS9とSOI基板の作製工程ステップS4-S7を繰り返す。そして、ステップS10において、ステップS4-S7の実施回数がN回k=Nになった場合、平坦化処理ステップS9の後に、非酸化性雰囲気下での熱処理を行うステップS11。ステップS11の熱処理は、半導体ウエハの酸素析出物による結晶欠陥BMDを消滅するための熱処理である。ステップS4-S9を繰り返すことにより、半導体ウエハ内部にBMDが発生し、また半導体ウエハは次第に薄くなる。よって、ステップS4-S9を繰り返すと、半導体ウエハ表面近傍は、結晶欠陥の増加により、SOI基板の半導体層とすることができなくなる。そこで、ステップS11では、半導体ウエハに対して、非酸化性雰囲気下で1100°C以上の熱処理を行う。この熱処理は、半導体ウエハ中の酸素を外方拡散させる条件で行われ、ステップS2と同様に行うことができる。よって、ステップS11の熱処理については、ステップS2の記載を準用する。なお、図1のフローチャートにおいて、ステップS2とステップS11の熱処理は同じ条件である必要はない。また、ステップS11は複数回行われるが、それらの熱処理は同じ条件である必要はない。そして、ステップS11を行った後、ステップS3に戻る。そしてSOI基板の作製工程の回数kがゼロにリセットされる。そして、ステップS4-S9をN回行った後、ステップS11の熱処理を行う。半導体ウエハを再利用できるかぎり、ステップS3-S11が繰り返される。なお、図1のフローチャートでは、半導体ウエハ再生のための熱処理ステップS11は、SOI基板の作製工程をN回行った後で実施されるが、Nの値は、ステップS11を実施する度に異なっていてもよい。例えば、SOI基板の作製工程を6回繰り返した後に1回目のステップS11の熱処理を行い、次に、SOI基板の作製工程を4回繰り返した後に2回目のステップS11の熱処理を行うことができる。また、ステップS11の熱処理を行うかを決定するために、ステップS9の平坦化処理を行った後、半導体ウエハの結晶欠陥を測定するとよい。本実施の形態では、SOI作製工程前の高温熱処理の効果について説明する。このようなSOI基板の作製方法の一例を示すフローチャートを図8に示す。ステップS4-S7を繰り返すことにより、ボンド基板半導体ウエハ内部にBMDが発生し、またボンド基板は次第に薄くなる。そのため、ボンド基板の表面近傍の結晶欠陥が増えて、SOI基板の半導体層とすることができなくなるほどその結晶性が劣化してしまう。他方、ボンド基板に用いられる半導体ウエハは、通常、半導体インゴットをスライスして作製される。そのため、同じ半導体インゴットから作製された半導体ウエハであっても、半導体ウエハごとに酸素濃度分布は異なる。したがって、複数の半導体ウエハに、同じ条件下で高温の熱処理を行っても、半導体ウエハに生成される酸素析出物、および結晶欠陥の生成密度や、その分布は異なる。したがって、同じ条件でSOI基板の作製ステップS4-S7を行っても再生処理としての熱処理を行うタイミングは半導体ウエハごとに異なる。そこで、適切なタイミングで熱処理を実施するために、平坦化処理された半導体ウエハの結晶欠陥を測定する。そして、その測定結果を用いて、半導体ウエハの良否を判定し、半導体ウエハに対して再生処理として熱処理を行うかを決定する。判定結果が不良であれば熱処理を行って半導体ウエハの表面近傍の結晶欠陥を低減してから、半導体ウエハを再利用する。図8に示すように、ステップS9の平坦化処理を行った後、ステップS21として半導体ウエハの結晶欠陥を測定する。次のステップS22は、ステップS21での測定結果に基づいて、半導体ウエハの結晶性を判定する工程である。ステップS22で、良と判定された場合、ステップS11の高温の熱処理を行わずに、半導体ウエハをステップS4の半導体ウエハとして再利用する。他方、不良と判定された半導体ウエハは、ステップS11の高温の熱処理を行って、半導体ウエハの表面近傍の結晶欠陥を低減してから、半導体ウエハをステップS4の半導体ウエハとして再利用する。ステップS21での半導体ウエハの結晶欠陥の測定方法は、非破壊で半導体ウエハの結晶欠陥を評価する方法であればよい。例えば、赤外光吸収分光法、赤外干渉法、ラマン分光法、カソードルミネッセンス法、フォトルミネッセンス法、およびマイクロ波光導伝減衰法などがある。マイクロ波光導伝減衰μ-PCD:MicrowavePhotoconductiveDecay法は、マイクロ波の反射率の時間変化から、測定試料の結晶状態を反映するライフタイムを非破壊で測定する方法である。ステップS22は、ステップS21の測定結果に基づいて半導体ウエハの良否を判定し、ステップS11の熱処理を行うか否かを決定する。図8のSOI基板の作製方法では、再生処理としての熱処理ステップS11を行うか否かを半導体ウエハごとに決定できるので、図1の作製方法とよりも、SOI基板の品質の維持が容易になる。次に、断面図を用いて、SOI基板の作製工程の2つの例を説明する。以下、図1のフローチャートを参照して、2つの作製例を説明するが、これらの作製例は図8のフローチャートにも適用することが可能である。<作製方法例1>図2A-図2Hを用いて、SOI基板の作製方法の一例を説明する。図2Aは、図1のステップS1、S2に対応する工程を説明する断面図である。本作製例においては、ボンド基板として、新品の単結晶シリコンウエハシリコンウエハと呼ぶを用いる。そして、単結晶シリコンウエハに非酸化性雰囲気下で1100°C以上1300°C以下の熱処理を行う。ここでは、縦型拡散炉を用いて、シリコンウエハを1200°Cで2時間加熱する。加熱処理の雰囲気は100アルゴン雰囲気とする。図2Aには、熱処理後のシリコンウエハ100が記載されている。新品のシリコンウエハにこの熱処理を行うことで、再生処理に高温の熱処理をせずに、シリコンウエハを複数回利用することができる。高温の熱処理をせずに再利用できる回数は、熱処理の温度および時間や、再生処理での研磨処理の条件などに依存するが、上記の条件での高温熱処理によって、研磨量が6μm以下であれば、図1のステップS11の高温熱処理を行わずに、市販のCZ単結晶シリコンウエハを少なくとも3回利用することが可能である。加熱処理が終了したら、図2Bに示すように、シリコンウエハ100に絶縁層を形成する。ここでは、シリコンウエハ100を熱酸化して、酸化シリコン層110を形成する。熱酸化処理は、ドライ酸化でもよいが、O2ガスにハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスが添加された雰囲気下での熱酸化処理が好ましい。このようなガスとしてHCl、HF、NF3、HBr、Cl2、ClF3、BCl3、F2、およびBr2等から選ばれた一種類または複数種類のガスを用いることができる。例えば、O2に対し0.5-10体積HClを含む雰囲気中で、900-1100°Cで熱処理することで、塩素を含む酸化シリコン層110を形成することができる。処理時間は0.1-6時間とすることができる。また、酸化シリコン層110の膜厚は、50nm-200nmにすることができる。ここでは、3体積HClを含むO2ガス雰囲気下で、シリコンウエハ100を950°Cで熱処理して、酸化シリコン層110熱酸化物層を厚さ100nm形成する。次に、図2Cに示すように、イオン120を照射して、シリコンウエハ100中に脆化領域111を形成する。イオン120の照射には、イオン注入装置またはイオンドーピング装置を用いることができる。イオン注入装置は、ソースガスを励起してイオン種を生成し、生成されたイオン種を質量分離して、所定の質量を有するイオン種を被処理物に照射する。イオンドーピング装置は、プロセスガスを励起してイオン種を生成し、生成されたイオン種を質量分離せずに被処理物に照射する。なお、質量分離装置を備えているイオンドーピング装置では、イオン注入装置と同様に、質量分離を伴うイオンの照射を行うこともできる。イオン120は電界で加速され、運動エネルギーを有するため、イオン120の照射により、シリコンウエハ100の表面から所定の深さの領域に脆化領域111を形成することができる。脆化領域111が形成される深さは、イオン120の加速エネルギーや、イオン120の入射角によって制御することができ、脆化領域111は、イオン120の平均侵入深さと同程度の深さの領域に形成されることになる。また、上述の脆化領域111が形成される深さにより、シリコンウエハ100から分離される半導体層の厚さが決定される。脆化領域111が形成される深さは、シリコンウエハ100の表面から30nm以上1μm以下であり、好ましくは50nm以上300nm以下である。イオン120の代表的なソースガスはH2ガスである。H2ガスの他にヘリウムやアルゴンなどの希ガス、フッ素ガスや塩素ガスに代表されるハロゲンガス、フッ素化合物ガス例えば、BF3などのハロゲン化合物ガスを用いることができる。ソースガスには1種類のガスだけでなく、複数種類のガスを用いることができる。脆化領域111を形成するため、イオン120の照射を複数回行うこともできる。この場合、ソースガスを異ならせてイオン照射を行っても良いし、同じソースガスを用いてもよい。例えば、ソースガスとして希ガスを用いてイオン照射を行った後、水素を含むガスをソースガスとして用いてイオン照射を行うことができる。あるいは、初めにハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスを用いてイオン照射を行い、次に、水素を含むガスを用いてイオン照射を行うこともできる。ここでは、脆化領域111の形成にイオンドーピング装置を用い、イオン120のソースガスにH2ガスを用いる。例えば、加速電圧50kV、ドーズ量2.7×1016ions/cm2の条件で、酸化シリコン層110を介して水素イオンをシリコンウエハ100に照射する。次に、図2Dに示すように、ベース基板とシリコンウエハ100を貼り合わせる。ここでは、ベース基板としてガラス基板200を用いる。ガラス基板200の代わりに、シリコンウエハ100と同じ、単結晶シリコンウエハを用いてもよい。また、ガラス基板200にPECVD法などにより、図1のステップS5で述べたように、絶縁層を形成してもよい。貼り合わせる前に、シリコンウエハ100およびガラス基板200に洗浄処理を行い、貼り合わせ面を清浄にする。ガラス基板200の表面と酸化シリコン層110の表面とを接触させた状態で、シリコンウエハ100およびガラス基板200を押圧することで、ガラス基板200と酸化シリコン層110が接合し、ガラス基板200とシリコンウエハ100が貼り合わされる。そして、ガラス基板200およびシリコンウエハ100を熱処理して、貼り合わせの強度を高める。この熱処理温度は、脆化領域111で分離が進行しない温度とする必要があり、200°C以上300°C以下とすればよい。次に、図2Eに示すように、シリコンウエハ100を脆化領域111で分割し、シリコンウエハ100から単結晶シリコン層113を形成する。ここでは、加熱炉において、ガラス基板200に固定されたシリコンウエハ100の熱処理を行う。熱処理の温度は400°C以上が好ましく、ガラス基板200ベース基板の耐熱温度などによって制限される。この熱処理には、加熱炉やRTA装置を用いることができる。熱処理を行うことで、脆化領域111に亀裂が生じ、シリコンウエハ101と、単結晶シリコン層113、酸化シリコン層110およびガラス基板200でなるSOI基板とに分離される。シリコンウエハ101は、再生処理前のウエハである。ここでは、加熱炉において、ガラス基板200と酸化シリコン層110間の接合強度を高める処理と、シリコンウエハ100の分割処理を一連の熱処理で行う。具体的には、ガラス基板200に固定されたシリコンウエハ100を、加熱炉において、まず200°Cで2時間加熱し、次いで、温度を600°Cに上昇し2時間加熱する。次に、図2Fに示すように、SOI基板の単結晶シリコン層113を平坦化し、単結晶シリコン層114を形成する。ここでは、SOI基板のベース基板が耐熱性の低いガラス基板200であるので、熱処理による平坦化が困難なため、平坦化処理として、単結晶シリコン層113にレーザ光を照射する。なお、このレーザ光照射処理を行う前に、必要に応じて、単結晶シリコン層113をエッチングする処理を行ってもよい。このエッチング処理で単結晶シリコン層113表面に残存している脆化領域111を除去することができる。レーザ光照射処理に用いるレーザには、例えば、XeClレーザ、KrFレーザ等のエキシマレーザ、Arレーザ、Krレーザ等の気体レーザがある。また、固体レーザも用いることができ、例えば、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、GdVO4レーザ、KGWレーザ、KYWレーザ、Y2O3レーザ等がある。レーザ光としては、これらレーザ発振器の基本波、高調波第2高調波、第3高調波、第4高調波等を用いることができる。なお、これらの固体レーザには、同じレーザ媒質を用いても、発振の仕方が連続発振、または疑似連続となる発振器もある。レーザ光を照射すると、単結晶シリコン層113がレーザ光を吸収し、溶融する。溶融した領域はレーザ光のエネルギーが供給されなくなると急激に温度が下がり、固化する。そのため、平坦性が向上された単結晶シリコン層114を形成することができる。また溶融によって、単結晶シリコン層113の結晶を再配列させることができるため、単結晶シリコン層113中のダングリングボンドなどを減少させることができる。よって、レーザ光照射処理によって、平坦性および結晶性が向上された単結晶シリコン層114が形成される。しかしながら、単結晶シリコン層113中に存在するBMDは、レーザ光の照射処理でほとんど消滅しない。そのため、耐熱温度が1100°C以下のベース基板を用いた場合、SOI基板の作製前に半導体ウエハに高温の熱処理を行うことは、SOI基板の品質向上に非常に有効である。それはベース基板の耐熱温度が1100°C以下であると、ベース基板上の半導体層からBMDを効果的に消滅できる温度での熱処理を行うことができず、また、この熱処理に代わる適切な手段がないからである。そのために、低耐熱性のベース基板を用いる場合には、酸素析出物ができるだけ少ない状態で半導体層をベース基板に形成することが要求される。したがって、酸素濃度が低減されたDZから半導体層を形成することは、低耐熱性のベース基板でなるSOI基板の品質の向上に非常に有効である。よって、本実施の形態により、ガラス基板のように耐熱温度が700°C以下のベース基板を用いても、品質の良いSOI基板を作製することが可能になる。また、図2FのSOI基板の単結晶シリコン層114を薄くする薄膜化工程を行ってもよい。ここでは、ベース基板にガラス基板200が用いられているため、薄膜化処理には、ドライエッチング処理および/またはウエットエッチング処理を適用すればよい。ベース基板に半導体ウエハが用いられている場合は、熱酸化処理とエッチング処理を組み合わせた公知の薄膜化処理を行えばよい。以下、図2Eの工程で、単結晶シリコン層113が分離されたシリコンウエハ101の再生処理について説明する。再生処理には、平坦化処理図2G、および非酸化性雰囲気下での1100°C以上の温度での熱処理図2Hがある。図1のフローチャートで示したように、図2Gの平坦化処理は、ボンド基板を再処理する度に行われる。図2Gには、平坦化処理により再生された再生シリコンウエハ102が示されている。この再生シリコンウエハ102は、図2Bのボンド基板シリコンウエハ100として再利用される。また、図2Hの熱処理は間欠的に行われ、SOI基板の作製工程図2B-図2Eを複数回行った後の再生処理として、図2Gの平坦化処理の後に、再生シリコンウエハ102に行われる。熱処理後の再生シリコンウエハ103が、図2Bのボンド基板シリコンウエハ100として再利用される。図2Gの平坦化処理によって再生シリコンウエハ102を作製するには、例えば、次のように行うことができる。まずバッファードフッ酸によるウエットエッチングで、シリコンウエハ101に残存している酸化シリコン層110を除去する。そして、単結晶シリコン層113の分離面をCMP装置で研磨する。また、CMP装置で研磨する前に、ダッシュ液、サト液、またはフッ酸と過酸化水素の混合液などによるエッチング処理を行ってもよい。このエッチング処理により、シリコンウエハ101の周辺部の突出部ガラス基板200に貼り合わせられなかった部分を除去することができるため、CMP装置での研磨量を少なくすることができる。また、図2Hの熱処理によって再生シリコンウエハ103を作製するには、例えば、図2Aの熱処理と同様、加熱炉を用いて、100アルゴン雰囲気下でシリコンウエハ101を1200°Cで1時間以上加熱する。<作製方法例2>図3A-図3Eを用いて、SOI基板の作製方法の他の一例を説明する。この作製例では、絶縁層、および脆化領域の形成工程について、図2B、図2Cと異なる工程を説明する。他の工程については、作製例1と同様に行うことができる。まず、図3Aに示すように、高温の熱処理を行ったシリコンウエハ100を作製する。次いで、シリコンウエハ100を洗浄し、絶縁層を形成する。ここでは、図3Bに示すように、PECVD装置により、酸化窒化シリコン層141および窒化酸化シリコン層142を連続的に形成する。そのため、SiH4およびN2OをPECVD装置のチャンバーに供給し、このプロセスガスのプラズマを生成し、酸化窒化シリコン層141をシリコンウエハ100表面に形成する。次に、チャンバーに導入するガスをSiH4、N2O、NH3、およびH2に変更する。これらの混合ガスのプラズマを生成して、酸化窒化シリコン層141上に窒化酸化シリコン層142を形成する。酸化窒化シリコン層141および窒化酸化シリコン層142の成膜温度は300°Cとすることができる。なお、酸化窒化シリコン層141の代わりに、PECVD装置で有機シランを原料に酸化シリコン層を形成してもよい。また、窒化酸化シリコン層142の代わりに、PECVD装置で、SiH4、N2、NH3およびH2のガスから窒化シリコン層を形成してもよい。次に、図3Cに示すように、イオン120を照射してシリコンウエハ100中に脆化領域111を形成する。この工程は、図2Cの工程と同様に行えばよい。脆化領域111を形成した後、図3Dに示すように、窒化酸化シリコン層142の上面に酸化シリコン層143を形成する。ここでは、PECVD装置で、成膜温度300°CでTEOSとO2から酸化シリコン層143を形成する。なお、各絶縁層141-143の厚さは、50nm-200nmとすることができる。以降の工程は、図2D-図2Fと同様に行うことで、平坦化された単結晶シリコン層114、3層構造の絶縁層141-143、およびガラス基板200を有するSOI基板を作製することができる。この作製例では、半導体ウエハへの絶縁層の形成を、熱酸化処理ではなく、PECVD装置で300°Cを越えないプロセス温度で行っているので、作製例1よりも半導体ウエハに対しての高温の熱処理回数を減らすことができる。以下、SOI基板作製工程前に熱処理を行うことの有用性について説明する。以下の実施例では、半導体ウエハに単結晶シリコンウエハを利用し、SOI基板の作製方法には、図2A-2Hに記載の方法を適用した。本実施例では、新品のCZ単結晶シリコンウエハ以下、CZウエハと呼ぶを用いてSOI基板を作製し、SOI基板作製のいくつかの過程でCZウエハ中の結晶欠陥の観察を行った。<実験方法>a1CZウエハの準備新品のCZウエハ株式会社SUMCO製5インチ平方、p型、面方位100を用いた。1枚のCZウエハを4分割し、約2インチ平方の4枚のCZウエハを作製した。これら4枚のCZウエハを以下、ウエハA1-A4と呼ぶ。a2非酸化性雰囲気下での熱処理全てのウエハA1-A4を同時に、加熱炉において100Arガス雰囲気で1200°C、8時間の熱処理を行った。ウエハA1には以降の工程を行わない。a3熱酸化処理絶縁層形成3枚のウエハA2-A4に対して同時にHCl熱酸化処理を行い、熱酸化物層を形成した。HClを3体積含むO2ガス雰囲気で、950°Cで3.5時間熱処理をして、熱酸化物層を100nm程度形成した。ウエハA2にはこれ以降の工程を行わない。a4水素ドーピング脆化領域形成イオンドーピング装置でウエハA3、A4に水素イオンを照射し、脆化領域を形成した。100H2ガスを励起し、加速電圧40kV、ドーズ量2.6×1016ions/cm2の条件で、水素イオンをウエハA3、A4に照射した。ウエハA3にはこれ以降の工程を行わない。a5熱処理次に、LPCVD装置のチャンバーでウエハA4を熱処理した。この熱処理は、チャンバーを減圧下とし、200°Cで2時間加熱し、600°Cで2時間加熱することで行った。この熱処理は、図2Eの半導体ウエハの分割処理に対応する熱処理であるが、本実施例では、ウエハA4をベース基板に貼り付けていないため、この熱処理でウエハA4には脆化領域で分割しなかった。そして、ウエハA1-A4、およびこれらと同じSUMCO製の新品CZウエハ以下、ウエハA0と呼ぶの深さ方向の結晶欠陥を評価した。この評価に赤外レーザ散乱トモグラフィ装置IR-LST:IR-LaserScatteringTomographyを用い、各ウエハA0-A4を劈開しその劈開面を撮影した。図4に、IR-LST装置による観察像以下、IR-LST像と呼ぶ。を示す。観察倍率は500倍、100倍である。IR-LSTは、半導体ウエハ中のBMD分布を評価できる方法として知られている。結晶欠陥は光散乱体であるため、IR-LST像では輝点明るい画像となり、結晶欠陥が無い領域は、暗い像黒い像となる。図4に示すように、ウエハA1とウエハA0とを比較すると、新品ウエハに対する高温の熱処理によって、ウエハA1内部にはBMDが形成されていることが確認できる。他方、ウエハA1の表面近傍には、BMDが存在せず、無欠陥層DZ、DenudedZoneとなっていることが確認できる。上述したように、本明細書では、DZとは完全な無欠陥層のことではなく、BMDが存在しない領域の意味で使用されている。具体的には、図4に示すような観察倍率500倍のIR-LST像において輝点が確認されない領域をDZとすることができる。実施例1-3では、このような領域をDZとしている。図4の各ウエハA1-A4のIR-LST像を比較すると、SOI基板の作製工程ではDZの厚さ幅、深さとも呼ぶは大きな変化がなく、工程a2の高温熱処理で形成されたDZが、1回目のSOI作製過程で消滅しないことが確認できる。したがって、ウエハA4を再利用する場合、再生処理として、酸素外方拡散をさせるための高温の熱処理を必ず行う必要がない。実施例1と同様に、本実施例では、SOI作製工程前の高温の熱処理の有用性について説明する。さらに、半導体ウエハの酸素濃度の影響についても説明する。本実施例では、CZウエハよりも、酸素濃度が低いMCZ単結晶シリコンウエハ以下、MCZウエハと呼ぶ。が用いられる。インゴットの作製時、CZ法ではシリコン融液と接触する石英ルツボ表面が溶融しているため、酸素が育成中のインゴットの中に取り込まれてしまう。MCZ法では、融液に磁場を印加して融液の対流を制御し、インゴットに取り込まれる酸素を少なくしている。<実験方法>b1MCZウエハの準備新品のMCZウエハ株式会社SUMCO製5インチ平方、p型、面方位100を用いた。b2非酸化性雰囲気下での熱処理実施例1と同じ条件で、加熱炉において100Arガス雰囲気で1200°C、8時間の熱処理を行った。b3熱酸化処理絶縁層形成実施例1と同じ条件で、HCl熱酸化処理を行った。HClを3体積含むO2ガス雰囲気で、950°Cで3.5時間熱処理をして、熱酸化物層を100nm程度形成した。b4水素ドーピング脆化領域形成イオンドーピング装置で、水素イオンをMCZウエハに照射し、脆化領域を形成した。100H2ガスを励起し、加速電圧50kV、ドーズ量2.5×1016ions/cm2の条件で、水素イオンをMCZウエハに照射した。b5熱処理ウエハ分割MCZウエハをガラス基板に貼り付けた後、LPCVD装置で実施例1と同じ条件で、MCZウエハを分割し、SOI基板を作製した。熱処理として、2時間200°Cでの加熱と、2時間600°Cでの加熱を行った。b6レーザ照射処理単結晶シリコン層の平坦化工程b5で作製されたSOI基板の単結晶シリコン層を平坦化するため、単結晶シリコン層にレーザ光を照射した。レーザには、XeClエキシマレーザを用いた。レーザ光は、波長308nm、パルス幅25n秒、繰り返し周波数30Hzであった。また、レーザ光が照射される領域に100N2ガスを吹き付けながら、線状のレーザ光を走査して単結晶シリコン層に照射した。b7研磨処理ウエハ再生工程b5で分割されたMCZウエハを再利用するため、まず、バッファードフッ酸によるウエットエッチングで熱酸化物層を除去し、さらに、ダッシュ液でMCZウエハを処理した。そして、単結晶シリコン層が分離された面側をCMP装置で研磨した。b8ウエハ再利用そして、研磨処理とSOI基板作製工程を繰り返して、1枚のMCZウエハから複数枚のSOI基板を作製した。本実施例では、3枚のMCZウエハを用意し、それぞれ4回のSOI基板工程を行った。本工程で作製された12枚のSOI基板をSOI基板Bと呼ぶことにする。<比較実験>比較例として、工程b2の高温の熱処理を行わずに、MCZウエハからSOI基板を作製した。その他の工程は、上記のSOI基板Bと同じ条件で行った。比較実験では、2枚のMCZウエハを用意し、それぞれ4枚のSOI基板を作製した。比較例のSOI基板をSOI基板Xと呼ぶことにする。<評価方法1>SOI基板BおよびSOI基板Xの単結晶シリコン層以下、シリコン層と呼ぶの表面を光学顕微鏡で観察し、シリコン層の結晶性を評価した。それは、シリコン層の結晶性を評価することで、MCZウエハが再利用可能な回数を知ることができるからである。具体的には、光学顕微鏡において倍率200倍の暗視野モードで、シリコン層表面を観察し、観察者の目視によって輝点を計数した。発明者らの経験上、倍率200倍では、輝点の大きさが0.5μm程度であれば人の目で確認することが可能である。輝点は、結晶欠陥、ゴミなどによる散乱物である。走査透過電子顕微鏡STEMによるシリコン層の断面観察により、酸素析出物および転位結晶欠陥が光学顕微鏡で輝点として観察されることを確認している。そのため、輝点の数からMCZウエハの品質を判断することができる。図5Aに輝点を計数した領域を示す。図5AはSOI基板300の上面図であり、SOI基板300において、x軸方向の長さLx=1.25mm、y軸方向の長さLy=107mmのライン状の3つ領域301-303中の輝点を計数した。SOI基板300の中心の座標をx,y=0mm,0mmとした場合、領域301の中心のx座標は0mmであり、領域302の中心のx座標は-31.75mmであり、領域303の中心のx座標は53.1mmである。図5B、図5Cに輝点の計数結果を示す。図5BはSOI基板Bのデータであり、図5CはSOI基板Xのデータである。図5B、図5C共に、横軸はSOI基板の作製工程の回数であり、新品のMCZウエハの利用回数に相当する。また、縦軸は暗視野像における輝点の数であるが、輝点の数は、図5Aの3つの領域301-303中の輝点の数を、107mm2当たりの輝点の数に換算した値である。つまり、縦軸は1枚のSOI基板に存在する輝点の数に相当する。図5B、図5Cのグラフから、SOI基板を作製する前にMCZウエハに非酸化性雰囲気下での1100°C以上の熱処理を行うことで、MCZウエハの利用回数が増えても輝点の増加が抑えられていることが分かる。本発明者らの経験では、5インチ平方のシリコンウエハをボンド基板に用い、ガラス基板をベース基板に用いた場合、1枚のSOI基板当たりの輝点数が1×104個以下であることが好ましい。SOI基板で電界効果型トランジスタを作製したとき、輝点の数が1×104個を越えていると、リーク電流が発生しやすいことが分かっている。よって、図5B、図5Cのグラフは、CZウエハと比較して低酸素濃度であるとされるMCZウエハでも、SOI基板の作製に利用する前に1100°C以上の熱処理を行うことは有効であることを示している。<評価方法2>さらに、実施例1と同様に、工程b1で用意した新品のCZウエハウエハC0、および工程b2の熱処理を行ったMCZウエハウエハC1を劈開し、IR-LST像を観察した。図6にウエハC0およびウエハC1のIR-LST像を示す。さらに、SOI基板作製工程と研磨処理が2回行われたMCZウエハこれをウエハC8とよぶの断面のIR-LST像も図6に示す。なお、ウエハC8については、実施例1の工程a5と同様、ベース基板への貼り付けは行わず、工程b5と同じ条件で熱処理のみ行っている。図4のウエハA1CZウエハと図6のウエハC1MCZウエハを比較すると、ウエハC1の方が輝点BMDの数が少ないことが確認できる。また、観察倍率500倍のIR-LST像から求めたDZの厚さは、図4のSOI基板の作製に1回用いられたCZウエハウエハA4は40μm程度であり、図6のウエハC8は80μm程度であり、MCZウエハのほうがDZが厚い。CZウエハとMCZウエハのDZの厚さの違いは主に酸素濃度による。ウエハC0の方がウエハA0よりも酸素濃度が低いため、同じ条件による高温熱処理でも、BMDの発生が少なくなるからである。フーリエ変換赤外分光光度計で測定された酸素濃度は、ウエハA0CZウエハは1.3×1018-1.8×1018atoms/cm3であり、ウエハC0MCZウエハは0.8×1018-1.4×1018atoms/cm3であった。実施例1、2から、半導体ウエハの酸素濃度が低いほど、DZが厚くなることが分かった。DZが厚いほど、高温熱処理の再生処理を行わずに半導体ウエハを再利用できる回数を多くできるため好ましい。また、初期の酸素濃度が2×1018atoms/cm3を越える単結晶シリコンウエハを用いた場合、高温の熱処理をせずに2回目のSOI基板の作製に利用した場合、SOI基板が不良となる確率が大きくなる。したがって、半導体ウエハの初期の酸素濃度は、2×1018atoms/cm3以下にして、SOI基板の歩留まりの低下を抑制することが好ましい。よって、半導体ウエハの初期の酸素濃度は低くすることが好ましく、1.8×1018atoms/cm3以下が好ましく、1.4×1018atoms/cm3以下がより好ましい。なお、酸素濃度が1×1016atoms/cm3以下と高純度な半導体ウエハとして、FZ単結晶シリコンウエハが知られているが、高純度な故に破損しやすい。半導体ウエハを20回以上利用するには、初期の酸素濃度が1×1017atoms/cm3以上であることが望ましい。本実施例では、SOI作製工程前の高温熱処理の処理時間について説明する。<実験方法>d1CZウエハの準備実施例1と同じ新品のCZウエハを用いた。d2非酸化性雰囲気下での熱処理加熱炉において100Arガス雰囲気で1200°Cでの熱処理を行った。また、本実施例では、加熱時間に2時間、8時間、16時間の3つの条件を設定した。d3熱酸化処理絶縁層形成実施例1と同じ条件で、HClを3体積含むO2ガス雰囲気で、950°Cで3.5時間熱処理をして、熱酸化物層を100nm程度形成した。d4水素ドーピング脆化領域形成イオンドーピング装置で、100H2ガスを励起し、加速電圧50kV、ドーズ量2.5×1016ions/cm2の条件で、水素イオンをCZウエハに照射した。d5熱処理ウエハ分割CZウエハとガラス基板を貼り合わせた後、LPCVD装置で実施例2と同じ条件で、CZウエハを分割し、SOI基板を作製した。熱処理としては、2時間200°Cでの加熱と、2時間600°Cでの加熱を行った。d6レーザ照射処理単結晶シリコン層の平坦化工程d5で作製されたSOI基板の単結晶シリコン層を平坦化するため、単結晶シリコン層にレーザ光を照射した。レーザには、XeClエキシマレーザを用いた。レーザ光は、波長308nm、パルス幅25nsec、繰り返し周波数30Hzであった。また、レーザ光が照射される領域に100N2ガスを吹き付けながら、線状のレーザ光を走査し単結晶シリコン層に照射した。d7研磨処理ウエハ再生実施例2と同様に研磨処理を行った。バッファードフッ酸によるウエットエッチングで熱酸化物層を除去し、しかる後、単結晶シリコン層が分離された面側をCMP装置で研磨した。d8ウエハ再利用そして、実施例2と同様に、研磨処理とSOI基板作製工程を繰り返して、1枚のCZウエハから複数のSOI基板を作製した。ここでは、工程d2の熱処理時間が2時間の2枚のウエハから、それぞれ、6枚のSOI基板を作製した。また工程d2の熱処理時間が8時間の3枚のCZウエハからそれぞれ6枚のSOI基板を作製し、工程d2の熱処理時間が16時間の3枚のCZウエハからは、13枚のSOI基板を作製した。<評価方法1>本実施例も実施例2と同じ方法で、光学顕微鏡倍率200倍、暗視野モードでSOI基板のシリコン層表面を観察して、図5Aの領域301-303での輝点の数を計数した。そして、領域301-303中の輝点の数を実施例2と同じ方法で、107mm2当たりSOI基板1枚当たりの輝点の数に換算した。その結果を図7A、図7Bおよび図7Cに示す。図7Aは、工程d2の熱処理時間が2時間のデータであり、図7Bは8時間のデータであり、図7Cは16時間のデータである。なお、図7Aにおいて工程回数が4回の時は輝点の数を計数していない。実施例2で述べた理由から、本実施例の条件下では1枚のSOI基板中の輝点の数が1×104個を越えた場合、SOI基板に不良が発生したとみなす。よって、図7Aのデータから、2時間の高温熱処理によって、高温熱処理を行わずにウエハを5回利用できることが分かる。また、図7A-図7Cのデータから、熱処理時間が長くなるほど、高温熱処理を行わずにウエハを再利用できる回数を増やすことができることが分かる。また、発明者らの実験において、再生処理として行う非酸化性雰囲気下での熱処理によって、上記実施例1-3で説明したSOI基板作製前の熱処理と同様の効果が得られている。よって、熱処理時間を長くすることで、次のウエハ再生のための高温熱処理を行わずに、ウエハを再利用できる回数を多くすることができる。再生処理のための熱処理時間は1時間以上とすることができ、1時間以上24時間とすればよい。また、熱処理によるDZ形成の効果と生産性を考慮すると、熱処理時間は6時間以上20時間以下が好ましい。本実施例では、SOI作製工程前の高温熱処理の効果について説明する。本実施例では、新品のCZウエハを繰り返し用いて実施例2と同様にSOI基板を作製した。本実施例では、新品のCZウエハに対する高温の熱処理は、加熱炉において、N2ガスに3体積のO2ガスを混合した雰囲気下で、1200°C、2時間行った。そして、実施例2と同様な方法でSOI基板のシリコン層を評価した。光学顕微鏡倍率200倍、暗視野モードでSOI基板のシリコン層表面を観察して、図5Aの領域301-303での輝点の数を計数した。そして、領域301-303中の輝点の数を実施例2と同じ方法で、107mm2当たりSOI基板1枚当たりの輝点の数に換算した。その結果を図9に示す。図9の横軸はSOI基板の作製回数であり、新品のCZウエハの使用回数に相当する。縦軸は107mm2当たりSOI基板1枚当たりの輝点の数である。図9には4枚のSOI基板のデータが記載されている。ただし、作製回数が1回目のデータは記載されていない。図9と実施例2の図5Bとを対比すると、窒素ガスに酸素ガスを添加した雰囲気下での熱処理も、Arガス100のような非酸化性雰囲気と再生処理のための熱処理と同様な効果を得ることができることが確認された。本実施例では、SOI作製工程前の高温熱処理の効果について説明する。本実施例では、新品のMCZウエハを繰り返し用いて実施例2と同様にSOI基板を作製した。本実施例では、新品のMCZウエハに対する高温の熱処理は、加熱炉において、雰囲気100Arガス、温度1200°C、処理時間16時間の条件で行った。そして、実施例2と同様な方法でSOI基板のシリコン層を評価した。光学顕微鏡倍率200倍、暗視野モードでSOI基板のシリコン層表面を観察して、図5Aの領域301-303での輝点の数を計数した。そして、領域301-303中の輝点の数を実施例2と同じ方法で、107mm2当たりSOI基板1枚当たりの輝点の数に換算した。その結果を図10に示す。図10の横軸はSOI基板の作製回数であり、新品のMCZウエハの使用回数に相当する。縦軸は107mm2当たりSOI基板1枚当たりの輝点の数である。図10には5枚のSOI基板のデータが記載されている。ただし、11回目は4枚のSOI基板のみ記載されている。図10は、再生処理のための熱処理を行わずに1枚のMCZウエハを11回使用して、SOI基板を作製しても、輝点の数はSOI基板1枚当たり1×104個未満であったことを示している。図10は、SOI基板の作製に使用する前に半導体ウエハに高温の熱処理をすることにより、再生処理のたびに熱処理を行う必要がないことを示している。ここでは、図8のSOI基板作製の実施例について説明する。本実施例のSOI基板の作製工程は実施例1と同様であり、半導体ウエハにCZウエハを用いた。また、半導体ウエハの結晶欠陥の測定として、半導体ウエハのライフタイムを測定した。図11はSOI基板の作製回数に対するCZウエハのライフタイムの測定結果を示すグラフである。図11に示すように、本実施例では、100アルゴンガス雰囲気下で1200°Cの熱処理を次のタイミングで行っている。新品のCZウエハに対して、2時間の熱処理CZウエハを4回使用した後に、8時間の熱処理CZウエハを10回使用した後に、16時間の熱処理図11には、3枚のCZウエハのライフタイムの測定結果が示されている。ただし、作製回数が1、2および11回目のデータは示されていない。測定装置には、μ-PCD法でライフタイムを測定する装置株式会社コベルコ科研製LTA-1800SPを用いた。また、CZウエハの表面の酸化物を除去するためにフッ酸で処理してから測定を行った。測定箇所は5インチ平方のCZウエハに対して529箇所であった。図11からは、再生処理の熱処理を実施した後では、CZウエハのライフタイムが増加していることが分かる。本実施例でも、実施例2と同様にSOI基板のシリコン層を光学顕微鏡で観察した。作製回数が3、4、9および10回目のSOI基板のシリコン層を光学顕微鏡で観察した場合、多数の輝点が観察され、ライフタイムと光学顕微鏡で観察される輝点の数に相関があることが確認された。このことから、半導体ウエハのライフタイムを測定し、その結果が基準値以下あるいは未満であれば、半導体ウエハに再生処理として熱処理を行えばよい。本発明者らの経験では、5インチ平方のシリコンウエハをボンド基板に用い、ガラス基板をベース基板に用いた場合、ボンド基板となるシリコンウエハのライフタイムが3μ秒以上であることが好ましい。発明者らの経験では、ライフタイムが3μ秒未満のシリコンウエハでは、品質の良いSOI基板を作製することが困難であった。なお、3μ秒という基準は、上記のライフタイム測定装置LTA-1800SPで1枚のシリコンウエハにおいてライフタイムの測定箇所が1インチ平方または、1.5インチ平方で1乃至2箇所の場合である。ライフタイムの基準値は実施者が適宜設定することが可能である。また、同じ条件でSOI基板を作製しても、ウエハごとにライフタイムが1μ秒以上異なる場合があることが分かる例えば、図11の5回目、6回目のデータ参照。そのため、半導体ウエハごとに結晶欠陥を評価して、再生処理の熱処理を実施すべきかを判断することは、再生処理された半導体ウエハが使用されたSOI基板の品質維持、歩留まり維持に非常に有効である。本実施例では、SOI基板の作製に用いられた半導体ウエハの結晶欠陥の測定結果を示す。本実施例も実施例6と同様に半導体ウエハのライフタイムを測定した。本実施例では、半導体ウエハにMCZウエハを用いた。新品のMCZウエハに対する最初の熱処理として、Arガス100雰囲気下で1200°C、16時間の熱処理を行った。図12はSOI基板の作製回数に対する3枚のMCZウエハのライフタイムの測定結果を示すグラフである。図12からは、CZウエハと比較して低酸素であるとされるMCZウエハでも、同じ条件でSOI基板を作製しても、MCZウエハごとにライフタイムが2μ秒以上異なる場合があることが分かる。よって、本実施例からも半導体ウエハごとに結晶欠陥を評価して、再生処理の熱処理を実施するかどうかを判断することは、再生処理された半導体ウエハが使用されたSOI基板の品質維持、歩留まり維持に非常に有効であることが確認された。"