フォトダイオードとこのフォトダイオードの出力電流を増幅する電流増幅回路とを有する光信号検出デバイスと、上記電流増幅回路の出力信号を電圧変換して増幅すると共に交流成分を抽出する信号増幅抽出デバイスとを備え、上記光信号検出デバイスは、上記電流増幅回路の出力信号を出力する信号出力端子が上記電流増幅回路を駆動する直流電流を供給するための端子を兼ねていることを特徴とする光信号検出装置。請求項1に記載の光信号検出装置において、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、上記フォトダイオードの出力電流を電圧変換する第1の抵抗と、コレクタとベースとの間に上記第1の抵抗が接続され、ベースに上記フォトダイオードのカソードが接続され、エミッタが上記フォトダイオードのアノードとグランド端子に接続された第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのコレクタに第1のバイアス電流を供給する第1の定電流回路と、上記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタホロア回路を形成する第2のトランジスタと、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に接続された第2の抵抗と、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に上記第2の抵抗と並列に接続され、第2のバイアス電流を流す第2の定電流回路とを有し、上記第2のトランジスタのコレクタ電流の値は、上記第1の抵抗の抵抗値を上記第2の抵抗の抵抗値で除算した値を、上記フォトダイオードの出力電流の値に乗算した値であることを特徴とする光信号検出装置。請求項2に記載の光信号検出装置において、上記第1の抵抗の抵抗値は、上記第2の抵抗の抵抗値の10倍以上であることを特徴とする光信号検出装置。請求項1に記載の光信号検出装置において、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、上記フォトダイオードの出力電流を電圧変換するダイオードと、上記ダイオードのアノードにコレクタが接続され、上記ダイオードのカソードと上記フォトダイオードのカソードにベースが接続され、エミッタが上記フォトダイオードのアノードとグランド端子に接続された第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのコレクタに第1のバイアス電流を供給する第1の定電流回路と、上記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、信号出力端子にコレクタが接続された第2のトランジスタと、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に接続され、第2のバイアス電流を流す第2の定電流回路と、上記第2のトランジスタのエミッタにベースが接続され、上記グランド端子にエミッタが接続され、上記信号出力端子にコレクタが接続された第3のトランジスタとを有し、上記第3のトランジスタのコレクタ電流の値は、上記第1のバイアス電流の値を上記第2バイアス電流の値で除算した値を、上記フォトダイオードの出力電流の値に乗算した値であることを特徴とする光信号検出装置。請求項4に記載の光信号検出装置において、上記第1のバイアス電流の値が上記第2バイアス電流の値の10倍以上であることを特徴とする光信号検出装置。請求項1に記載の光信号検出装置において、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、上記フォトダイオードの出力電流を電圧変換するダイオードと、上記ダイオードのアノードにコレクタが接続され、上記ダイオードのカソードと上記フォトダイオードのカソードにベースが接続され、エミッタが上記フォトダイオードのアノードとグランド端子に接続された第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのコレクタに第1のバイアス電流を供給する第1の定電流回路と、上記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、信号出力端子にコレクタが接続された第2のトランジスタと、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に接続され、第2のバイアス電流を流す第2の定電流回路と、上記第2のトランジスタのエミッタにベースが接続され、上記グランド端子にエミッタが接続され、上記信号出力端子にコレクタが接続された第3のトランジスタとを有し、上記第3のトランジスタのコレクタ電流の値は、上記第1のバイアス電流の値を上記第2バイアス電流の値で除算した値と、上記第2のトランジスタのエミッタ面積と上記第3のトランジスタのエミッタ面積との積を上記第1のトランジスタのエミッタ面積と上記ダイオードのエミッタ面積との積で除算した値とを、上記フォトダイオードの出力電流の値に乗算した値であることを特徴とする光信号検出装置。請求項6に記載の光信号検出装置において、上記第1のバイアス電流の値を上記第2バイアス電流の値で除算した値と、上記第2のトランジスタのエミッタ面積と上記第3のトランジスタのエミッタ面積との積を上記第1のトランジスタのエミッタ面積と上記ダイオードのエミッタ面積との積で除算した値とを乗算した値を、10以上にしたことを特徴とする光信号検出装置。請求項1に記載の光信号検出装置において、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、第1から第nまでのn個のカレントミラー回路と、上記フォトダイオードに並列に接続され、バイアス電流を流す定電流回路とを備え、上記第1のカレントミラー回路は、コレクタとベースを上記フォトダイオードのカソードに接続した第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのベースにベースを接続した第2のトランジスタとを有し、上記n個のカレントミラー回路のうちの第kのカレントミラー回路は、コレクタとベースを第のカレントミラー回路の第のトランジスタのコレクタに接続した第のトランジスタと、上記第のトランジスタのベースにベースを接続した第のトランジスタとを有し、上記第1のトランジスタのコレクタ電流に対する第2のトランジスタのコレクタ電流の増幅率をAとし、上記第のトランジスタのコレクタ電流に対する第のトランジスタのコレクタ電流の増幅率をAとすると、上記フォトダイオードの出力電流に上記バイアス電流を加えた電流に、次式で算出されるKを乗算した電流値の信号電流を出力することを特徴とする光信号検出装置。K=1AΣΠA...上式において、ΠAは増幅率Aのj=1からkまでの総積であり、Σは、上記総積ΠAのk=2からnまでの総和である。請求項8に記載の光信号検出装置において、上式で表される電流増幅率Kが10以上であることを特徴とする光信号検出装置。請求項1から9のいずれか1つに記載の光信号検出装置において、上記光信号検出デバイスは、上記フォトダイオードと上記電流増幅回路とが同一半導体基板上に形成されていることを特徴とする光信号検出装置。請求項1から10のいずれか1つに記載の光信号検出装置において、上記信号増幅抽出デバイスは、インダクタによって負帰還をかけた電流電圧変換回路を有することを特徴とする光信号検出装置。浮遊微粒子の流入を可能とすると共に外乱光の進入を防ぐラビリンス構造を有するチャンバー部と、上記チャンバー部内の上記浮遊微粒子の検出領域に向けて光を出射する発光素子と、請求項1から11のいずれか1つに記載の光信号検出装置とを備え、上記光信号検出装置の上記光信号検出デバイスは、上記チャンバー部内に配置されて、上記検出領域内の浮遊微粒子によって散乱された散乱光を検出し、さらに、上記チャンバー部に装着され、上記光信号検出装置の上記信号増幅抽出デバイスと、上記信号増幅抽出デバイスの出力を信号処理する信号処理回路と、上記発光素子の動作を制御する駆動回路とが実装された回路基板とを備えることを特徴とする浮遊微粒子検出装置。請求項12に記載の浮遊微粒子検出装置を搭載した火災報知器。そこで、この発明の課題は、端子構造の複雑化を回避しつつ、ノイズの影響を抑制できる光信号検出装置、浮遊微粒子検出装置および火災警報装置を提供することにある。上記課題を解決するため、この発明の光信号検出装置は、フォトダイオードとこのフォトダイオードの出力電流を増幅する電流増幅回路とを有する光信号検出デバイスと、上記電流増幅回路の出力信号を電圧変換して増幅すると共に交流成分を抽出する信号増幅抽出デバイスとを備え、上記光信号検出デバイスは、上記電流増幅回路の出力信号を出力する信号出力端子が上記電流増幅回路を駆動する直流電流を供給するための端子を兼ねていることを特徴としている。この発明の光信号検出装置によれば、上記光信号検出デバイスが、上記フォトダイオードの受光信号を増幅する電流増幅回路を有するので、微小信号を扱うフォトダイオードの出力ラインは光信号検出デバイス内に収まり、出力ラインを短くすることが可能となり入力ノイズの影響を低減できる。また、上記光信号検出デバイスにおいて、上記電流増幅回路で上記フォトダイオードの受光信号を増幅する分だけ、上記信号増幅抽出デバイスのゲインを抑制でき、入力ノイズの影響を低減できる。また、上記光信号検出デバイスは、上記電流増幅回路が増幅した出力信号を出力する信号出力端子が上記電流増幅回路を駆動する直流電流を供給するための端子を兼ねているので、光信号検出デバイスを2端子デバイスとすることができ、光信号検出デバイスをフォトダイオードのみで構成する受光素子と容易に置き換えて、電磁ノイズによる誤動作を低減することが可能になる。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、上記フォトダイオードの出力電流を電圧変換する第1の抵抗と、コレクタとベースとの間に上記第1の抵抗が接続され、ベースに上記フォトダイオードのカソードが接続され、エミッタが上記フォトダイオードのアノードとグランド端子に接続された第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのコレクタに第1のバイアス電流を供給する第1の定電流回路と、上記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、エミッタホロア回路を形成する第2のトランジスタと、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に接続された第2の抵抗と、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に上記第2の抵抗と並列に接続され、第2のバイアス電流を流す第2の定電流回路とを有し、上記第2のトランジスタのコレクタ電流の値は、上記第1の抵抗の抵抗値を上記第2の抵抗の抵抗値で除算した値を、上記フォトダイオードの出力電流の値に乗算した値である。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記光信号検出デバイスが有する電流増幅回路は、フォトダイオードで検出した微小な電流信号を第1の抵抗により電圧変換し、上記第2の抵抗により電流変換することにより、電流増幅を可能にする。上記第1の抵抗と第2の抵抗の比により、電流増幅率を設計することが可能である。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記第1の抵抗の抵抗値は、上記第2の抵抗の抵抗値の10倍以上である。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記電流増幅回路の増幅率を10倍以上に設計することができ、フォトダイオードの検出電流が100pA以下の微小な検出信号である場合において、信号増幅抽出デバイスの入力インピーダンスを10分の1以下に低減できる。よって、光信号検出装置の耐ノイズ性を高めることができる。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、上記フォトダイオードの出力電流を電圧変換するダイオードと、上記ダイオードのアノードにコレクタが接続され、上記ダイオードのカソードと上記フォトダイオードのカソードにベースが接続され、エミッタが上記フォトダイオードのアノードとグランド端子に接続された第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのコレクタに第1のバイアス電流を供給する第1の定電流回路と、上記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、信号出力端子にコレクタが接続された第2のトランジスタと、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に接続され、第2のバイアス電流を流す第2の定電流回路と、上記第2のトランジスタのエミッタにベースが接続され、上記グランド端子にエミッタが接続され、上記信号出力端子にコレクタが接続された第3のトランジスタとを有し、上記第3のトランジスタのコレクタ電流の値は、上記第1のバイアス電流の値を上記第2バイアス電流の値で除算した値を、上記フォトダイオードの出力電流の値に乗算した値である。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記光信号検出デバイスの上記電流増幅回路は、入力信号をダイオードにて電圧変換し、その後電流変換することにより電流増幅を可能にする。その際、アンプ用の第1のトランジスタに流す第1のバイアス電流とエミッタホロア用の第2のトランジスタに流す第2のバイアス電流の比を用いて電流増幅率を設計することが可能である。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記第1のバイアス電流の値が上記第2バイアス電流の値の10倍以上である。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路の増幅率を10倍以上に設計することができ、上記フォトダイオードの出力電流が100pA以下の微小な検出信号である場合において、上記信号増幅抽出デバイスの入力インピーダンスを10分の1以下に低減することができる。よって、光信号検出装置の耐ノイズ性を高めることができる。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、上記フォトダイオードの出力電流を電圧変換するダイオードと、上記ダイオードのアノードにコレクタが接続され、上記ダイオードのカソードと上記フォトダイオードのカソードにベースが接続され、エミッタが上記フォトダイオードのアノードとグランド端子に接続された第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのコレクタに第1のバイアス電流を供給する第1の定電流回路と、上記第1のトランジスタのコレクタにベースが接続され、信号出力端子にコレクタが接続された第2のトランジスタと、上記第2のトランジスタのエミッタと上記グランド端子との間に接続され、第2のバイアス電流を流す第2の定電流回路と、上記第2のトランジスタのエミッタにベースが接続され、上記グランド端子にエミッタが接続され、上記信号出力端子にコレクタが接続された第3のトランジスタとを有し、上記第3のトランジスタのコレクタ電流の値は、上記第1のバイアス電流の値を上記第2バイアス電流の値で除算した値と、上記第2のトランジスタのエミッタ面積と上記第3のトランジスタのエミッタ面積との積を上記第1のトランジスタのエミッタ面積と上記ダイオードのエミッタ面積との積で除算した値とを、上記フォトダイオードの出力電流の値に乗算した値である。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記電流増幅回路は、入力側の第1のトランジスタのエミッタ面積と電圧変換するダイオードのエミッタ面積との比率、および、エミッタホロア用第2のトランジスタのエミッタ面積と出力側の第3のトランジスタのエミッタ面積との比率を変えることで入力電流を増幅する増幅率を設定できる。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記第1のバイアス電流の値を上記第2バイアス電流の値で除算した値と、上記第2のトランジスタのエミッタ面積と上記第3のトランジスタのエミッタ面積との積を上記第1のトランジスタのエミッタ面積と上記ダイオードのエミッタ面積との積で除算した値とを乗算した値を、10以上にした。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路の増幅率を10倍以上に設計でき、フォトダイオードの検出電流が100pA以下の微小な検出信号である場合において、信号増幅抽出デバイスの入力インピーダンスを10分の1以下に低減することができる。よって、光信号検出装置の耐ノイズ性を高めることができる。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、第1から第nまでのn個のカレントミラー回路と、上記フォトダイオードに並列に接続され、バイアス電流を流す定電流回路とを備え、上記第1のカレントミラー回路は、コレクタとベースを上記フォトダイオードのカソードに接続した第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタのベースにベースを接続した第2のトランジスタとを有し、上記n個のカレントミラー回路のうちの第kのカレントミラー回路は、コレクタとベースを第のカレントミラー回路の第のトランジスタのコレクタに接続した第のトランジスタと、上記第のトランジスタのベースにベースを接続した第のトランジスタとを有し、上記第1のトランジスタのコレクタ電流に対する第2のトランジスタのコレクタ電流の増幅率をAとし、上記第のトランジスタのコレクタ電流に対する第のトランジスタのコレクタ電流の増幅率をAとすると、上記フォトダイオードの出力電流に上記バイアス電流を加えた電流に、次式で算出されるKを乗算した電流値の信号電流を出力し、K=1AΣΠA...上式において、ΠAは増幅率Aのj=1からkまでの総積であり、Σは、上記総積ΠAのk=2からnまでの総和である。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路は、フォトダイオードに接続したカレントミラー回路でフォトダイオードの出力電流を増幅することが可能である。また、一実施形態の光信号検出装置では、上式で表される電流増幅率Kが10以上である。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記光信号検出デバイスの電流増幅回路の増幅率を10倍以上に設計でき、フォトダイオードの検出電流が100pA以下の微小な検出信号である場合において、信号増幅抽出デバイスの入力インピーダンスを10分の1以下に低減することができる。よって、光信号検出装置の耐ノイズ性を高めることができる。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記光信号検出デバイスは、上記フォトダイオードと上記電流増幅回路とが同一半導体基板上に形成されている。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記フォトダイオードの出力端子と電流増幅回路の入力端子を接続する配線を短くすることができて、外来ノイズの影響を抑制できる。また、一実施形態の光信号検出装置では、上記信号増幅抽出デバイスは、インダクタによって負帰還をかけた電流電圧変換回路を有する。この実施形態の光信号検出装置によれば、上記信号増幅抽出デバイスは、インダクタによって負帰還をかけた電流電圧変換回路によって、上記光信号検出デバイスの出力信号の直流成分は電圧変換せず、交流信号のみ電圧変換し、フォトダイオードに入射した光信号の変化成分のみを抽出することが可能となる。また、一実施形態の浮遊微粒子検出装置では、浮遊微粒子の流入を可能とすると共に外乱光の進入を防ぐラビリンス構造を有するチャンバー部と、上記チャンバー部内の上記浮遊微粒子の検出領域に向けて光を出射する発光素子と、上記光信号検出装置とを備え、上記光信号検出装置の上記光信号検出デバイスは、上記チャンバー部内に配置されて、上記検出領域内の浮遊微粒子によって散乱された散乱光を検出し、さらに、上記チャンバー部に装着され、上記光信号検出装置の上記信号増幅抽出デバイスと、上記信号増幅抽出デバイスの出力を信号処理する信号処理回路と、上記発光素子の動作を制御する駆動回路とが実装された回路基板とを備える。この実施形態の浮遊微粒子検出装置によれば、上記光信号検出装置を備えたことで、端子構造の複雑化を回避しつつ、ノイズの影響を抑制でき、煙や微粒子の浮遊量を精度よく検出できる浮遊微粒子検出装置を実現できる。また、一実施形態の火災報知器では、上記浮遊微粒子検出装置を搭載した。この実施形態の火災報知器によれば、上記浮遊微粒子検出装置により、煙の浮遊量を精度よく検知して火災警報を発する火災報知器を実現できる。この発明の光信号検出装置によれば、光信号検出デバイスが、フォトダイオードの受光信号を増幅する電流増幅回路を有するので、微小信号を扱うフォトダイオードの出力ラインは光信号検出デバイス内に収まり、出力ラインを短くすることが可能となって入力ノイズの影響を低減できる。また、上記光信号検出デバイスにおいて、上記電流増幅回路で上記フォトダイオードの受光信号を増幅する分だけ、上記信号増幅抽出デバイスのゲインを抑制でき、入力ノイズの影響を低減できる。また、上記電流増幅回路は、増幅した信号を出力する端子と上記電流増幅回路を駆動する直流電流を供給するための端子とを共用しているので、光信号検出デバイスを2端子デバイスとすることができ、光信号検出デバイスをフォトダイオードのみで構成する受光素子と容易に置き換えて、電磁ノイズによる誤動作を低減でき、耐ノイズ性を向上できる。以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。図1は、この発明の実施形態としての浮遊微粒子検出装置11のブロック図である。この浮遊微粒子検出装置11は、浮遊微粒子15を検知する装置であり、LED等からなる発光素子13と光信号検出デバイス14とが装着されたチャンバー部12と、制御回路基板16とを備える。この制御回路基板16は、信号増幅抽出デバイスとしてのアンプ兼信号抽出デバイス17と、このアンプ兼信号抽出デバイス17の出力信号が入力される信号処理回路としてのマイクロコンピュータ18と、上記発光素子13を駆動する駆動回路19とを有する。このチャンバー部12は、浮遊微粒子の流入を可能とすると共に外乱光の進入を防ぐラビリンス構造を有する。図1に示すように、上記光信号検出デバイス14は、フォトダイオード101と、このフォトダイオード101の受光信号である出力電流を増幅する電流増幅回路102を備える。上記フォトダイオード101は、GND端子100と電流増幅回路102との間に接続されている。この電流増幅回路102は、微粒子による微弱な反射光を受光したフォトダイオード101の受光信号である出力電流を増幅して信号出力端子103から出力信号を出力する。上記光信号検出デバイス14では、電流増幅回路102を備えているので、この電流増幅回路102を駆動する直流電流が信号出力端子103とGND端子100との間に流れる。上記アンプ兼信号抽出デバイス17は、入力端子111に接続された電流電圧変換回路105と、上記電流電圧変換回路105に接続された電圧増幅回路106とを有する。上記電流電圧変換回路105は、増幅器120とゲイン抵抗121とで構成され、上記電圧増幅回路106はコンデンサCで交流結合された増幅器123および増幅器124で構成されている。この実施形態の浮遊微粒子検出装置11によれば、上記光信号検出デバイス14では、上記フォトダイオード101の出力電流を、上記電流増幅回路102で増幅して出力信号として、上記アンプ兼信号抽出デバイス17の入力端子111に出力する。したがって、上記アンプ兼信号抽出デバイス17では、制御回路基板16に設けたアンプ兼信号抽出デバイス17のゲイン抵抗121を、従来に比べて低減でき、入力端子111のインピーダンスを低下させて入力ノイズの影響を低下させることができる。また、微小信号を扱うフォトダイオード101の出力ラインは光信号検出デバイス14内に収まり、上記出力ラインを短くすることが可能となり入力ノイズの影響を低減できる。また、上記電流増幅回路102は、増幅した信号を出力する信号出力端子103が上記電流増幅回路102を駆動する直流電流を供給するための端子を兼ねている。したがって、光信号検出デバイス14を2端子デバイスとすることができ、光信号検出デバイス14をフォトダイオードのみで構成する受光素子と容易に置き換えて、電磁ノイズによる誤動作を低減することが可能になる。図2Aのブロック図に示すように、上記光信号検出デバイス14とアンプ兼信号抽出デバイス17とが、本発明の第2実施形態である光信号検出装置21を構成している。また、図2Bは、上記フォトダイオード101が出力する光信号電流の波形図であり、図2Cは、電流増幅回路102における光信号電流の波形と消費電流の波形を示す波形図である。また、図2Dは、光信号検出デバイス14の出力電流信号の波形図であり、図2Eはアンプ兼信号抽出デバイス17の入力電流信号と出力電流信号の波形図である。前述の如く、上記光信号検出デバイス14は、フォトダイオード101と電流増幅回路102を有する。また、上記アンプ兼信号抽出デバイス17は、電流電圧変換回路105と、交流結合を含む電圧増幅回路106を有している。この電圧増幅回路106は交流信号のみを増幅して出力する。なお、図2Aにおいて、矢印Y1Y2は、信号電流が流れる方向を表している。上記光信号検出デバイス14は、フォトダイオード101による微小な受光信号を電流信号として出力し、電流増幅回路102に入力する。この電流増幅回路102は、入力された電流信号を増幅し、出力電流として信号出力端子103からアンプ兼信号抽出デバイス17の入力端子111に出力する。このとき、上記電流増幅回路102にて消費される直流電流も同様に、信号出力端子103から入力端子111に出力される。このため、光信号検出デバイス14の出力電流は、受光信号の交流成分に回路電流の直流成分が加えられて信号出力端子103から出力され、アンプ兼信号抽出デバイス14に入力される。すなわち、図2B図2Cの波形図に示すように、フォトダイオード101が出力する微弱な光信号電流S1は、電流増幅回路102により増幅されて光信号電流S2となる。また、電流増幅回路102にて消費される直流電流S3は、光信号電流S2に加え合わされて、図2Dに示す波形の出力電流信号S4が、信号出力端子103からアンプ兼信号抽出デバイス17の入力端子111に出力される。このアンプ兼信号抽出デバイス17の入力端子111に入力された上記出力電流信号S4は、電流電圧変換回路105で電圧信号に変換されて、電圧増幅回路106に入力される。この電圧増幅回路106は、交流結合により直流成分の入力電流を出力せず、交流成分のみを増幅して出力する。したがって、この電圧増幅回路106は、図2Eの波形図に示すように、上記入力端子111から入力された出力信号の交流成分のみを増幅した出力電圧信号S5を出力端子113から出力する。したがって、光信号検出デバイス14の回路電流成分により、アンプ兼信号抽出デバイス17の出力ダイナミックレンジを低減することなく、光信号電流のみを増幅して抽出することができる。この第2実施形態の光信号検出装置21によれば、上記光信号検出デバイス14が、上記フォトダイオード101の受光信号を増幅する電流増幅回路102を有するので、微小信号を扱うフォトダイオード101の出力ラインは光信号検出デバイス14内に収まり、出力ラインを短くすることが可能となり入力ノイズの影響を低減できる。また、上記光信号検出デバイス14において、上記電流増幅回路102で上記フォトダイオード101の受光信号を増幅する分だけ、上記アンプ兼信号抽出デバイス17のゲインを抑制でき、入力ノイズの影響を低減できる。また、上記光信号検出デバイス14は、上記電流増幅回路102が増幅した信号を出力する信号出力端子103が上記電流増幅回路102を駆動する直流電流を供給するための端子を兼ねているので、光信号検出デバイス14を2端子デバイスとすることができ、光信号検出デバイスをフォトダイオードのみで構成する受光素子と容易に置き換えて、電磁ノイズによる誤動作を低減することが可能になる。尚、光信号検出デバイス14をシールドケースで覆うことによりさらにノイズ耐量を向上した光信号検出装置を実現できる。次に、図3に、上記光信号検出デバイス14が備える電流増幅回路102の第1構成例の電流増幅回路152を示す。この第1構成例の電流増幅回路152は、フォトダイオード101がベースエミッタ間に接続されていると共に第1の抵抗としての帰還抵抗R1がコレクタベース間に接続された第1のトランジスタQ1と、この第1のトランジスタQ1のコレクタにベースが接続された第2のトランジスタQ2とを備える。上記第1のトランジスタQ1のコレクタと信号出力端子305との間には第1のバイアス電流I1を供給する第1の定電流回路301が接続されている。この第1の定電流回路301は、エミッタホロア回路を形成する第2のトランジスタQ2のベースに接続されている。また、上記第2のトランジスタQ2のエミッタと電源GND端子306との間には第2の抵抗R2と第2の定電流回路302とが接続されている。この第2の定電流回路302は、第2のバイアス電流I2を流す。また、第1のトランジスタQ1のベースエミッタ間にはフォトダイオード101のバイアス電流Ibiasを流す第3の定電流回路303が接続されている。上記第1のトランジスタQ1のベースコレクタ間に接続された帰還抵抗R1とは、フォトダイオード101に照射された光による受光電流iscを、次式で表される信号電圧v1に変換する。次式において、r1は、帰還抵抗R1の抵抗値である。なお、以下の各式において、電圧電流抵抗面積の単位はそれぞれ統一されていることは言うまでもない。v1=isc×r1...次に、エミッタホロアを構成する第2のトランジスタQ2のエミッタ電圧は、上記受光電流iscを電圧変換した信号電圧v1だけ上昇する。したがって、第2のトランジスタQ2のエミッタに接続された抵抗R2には、次式で表される出力電流ioが流れる。次式において、r2は抵抗R2の抵抗値である。io=v1/r2=isc×...したがって、フォトダイオード101による受光電流iscを、倍することができる。また、この実施形態では、上記第1の定電流回路301により第1のトランジスタQ1に常時流れる第1のバイアス電流I1と上記第2の定電流回路302により第2のトランジスタQ2に常時流れるバイアス電流I2を、上記第1のトランジスタQ1のエミッタベース間電圧VBE1と第1のトランジスタQ2のエミッタベース間電圧VBE2とが等しくなるように設計している。また、バイアス電流I2は、I2>>ioとなるように設計する。なお、上記第3の定電流回路303によりバイアス電流Ibiasを流すことで、フォトダイオード101の入力光が無い状態において、第2の定電流回路302の動作電圧を確保することができる。ところで、光信号検出装置としては、一例として、フォトダイオード101の受光信号が100pAのときに、制御回路基板16に形成された電圧増幅回路106の出力電圧として300mV以上を得ることにより、上記受光信号の検出が可能になる。このため、上記光信号検出デバイス14から電流増幅回路102を取り去った比較例においては、上記制御回路基板16に設けた増幅回路のゲインを、300mV/100pA=3GΩと非常に大きくすることを要するので、入力端子111に印加される外来ノイズの影響により出力信号が変動し易い。これに対して、上記光信号検出デバイス14のように、上記電流増幅回路102を備え、この電流増幅回路102のゲインを10倍以上に設定することにより、光信号検出時の光信号検出デバイス14の出力信号を1nA以上として、アンプ兼信号抽出デバイス17の入力端子111に入力することができる。よって、アンプ兼信号抽出デバイス17のゲインを300MΩ以下に設計できる。このように、上記電流増幅回路102のゲインを10倍以上に設定することで、アンプ兼信号抽出デバイス17の入力インピーダンスが低下するのと同時に全体のゲインを10分の1以下に抑えることができて、外来ノイズの影響低減に有効である。すなわち、光信号検出装置21により、微小な受光信号を安定して検出するために、光信号検出デバイス14のゲインは大きく設計することが望ましい。次に、図4に、上記光信号検出デバイス14が備える電流増幅回路の第2構成例を示す。この第2構成例の電流増幅回路162は、図3の第1の抵抗R2に替えてダイオードD1を備える点と、図3の第2の抵抗R2に替えて第3のトランジスタQ3を備える点とが、前述の第1構成例と異なる。よって、この第2構成例の電流増幅回路162は、前述の第1構成例と同様の部分には同様の符号を付して、前述の第1構成例と異なる部分を主に説明する。図4に示すように、上記ダイオードD1のアノードが上記第1のトランジスタQ1のコレクタに接続され、上記ダイオードD1のカソードが第1のトランジスタQ1のベースとフォトダイオード101のカソードに接続されている。また、上記第3のトランジスタQ3は、ベースが上記第2のトランジスタQ2のエミッタに接続され、コレクタが信号出力端子305に接続され、エミッタが電源GND端子306に接続されている。この第2構成例の電流増幅回路102は、第1のトランジスタQ1のコレクタベース間に接続されたダイオードD1で、フォトダイオード101に照射された光による受光電流iscを、次式で表される信号電圧vd1に変換する。なお、次式において、Vtは、kTq、Isは、ダイオードD1の飽和電流である。vd1=Vtln...第1のトランジスタQ1のベースエミッタ間電圧VBE1とエミッタホロアを構成するトランジスタQ2のベースエミッタ電圧間電圧VBE2と上記ダイオードD1の電圧信号vd1から、次式で出力トランジスタである第3のトランジスタQ3のベースエミッタ間電圧vbe3を算出できる。vbe3=VBE1vd1-VBE2...上記電圧の関係式から、出力トランジスタQ3のコレクタ電流ioと受光電流iscとの間には、次式の関係が成り立つ。次式において、I1は第1の定電流回路301による第1のバイアス電流、I2は第2の定電流回路302による第2のバイアス電流である。io=isc×I1/I2...したがって、受光電流iscを第1第2のバイアス電流I1I2の比で増幅できる。上記式のを、10以上にすることで、電流増幅率を10倍以上に設計できる。したがって、フォトダイオード101の検出電流が100pA以下の微小な検出信号である場合において、アンプ兼信号抽出デバイス17の入力インピーダンスを10分の1以下に低減できる。よって、光信号検出装置の耐ノイズ性を高めることができる。なお、フォトダイオードのバイアス電流Ibiasを流す第3の定電流回路303を備えることで、フォトダイオード101への入力光が無い状態において、第2の定電流回路302の動作電圧を確保することができる。また、図4に示す電流増幅回路162において、電圧変換用のダイオードD1および第1第2第3トランジスタQ1Q2Q3のエミッタ面積を変えることによって電流増幅率を変えることもできる。すなわち、第1トランジスタQ1のエミッタ面積をE1、電圧変換用のダイオードD1のエミッタ面積をE2、第2トランジスタQ2のエミッタ面積をE3、第3トランジスタQ3のエミッタ面積をE4とすると、次式の関係が成り立つ。io=isc×/×...したがって、受光電流iscの増幅率を、第2第3のトランジスタQ2Q3のエミッタ面積E3E4の積と第1トランジスタQ1電圧変換用ダイオードD1のエミッタ面積E1E2の積との比率で設定することができる。また、上記式の/×を、10以上にすることで、電流増幅率を10倍以上に設計できる。したがって、フォトダイオード101の検出電流が100pA以下の微小な検出信号である場合において、アンプ兼信号抽出デバイス17の入力インピーダンスを10分の1以下に低減できる。よって、光信号検出装置の耐ノイズ性を高めることができる。尚、第1第2バイアス電流I1I2は回路電流として消費される電流であるため、極力増やさないほうが電池寿命の観点からは好ましい。したがって、上述の様に、エミッタ面積E1~E4の比率によって増幅率を設計することで、バイアス電流を増やさなくても増幅率を高く設計でき消費電流を低減できる。次に、図5に、上記光信号検出デバイス14が備える電流増幅回路の第3構成例を示す。この第3構成例の電流増幅回路172は、フォトダイオード101と、フォトダイオード101のバイアス電流Ibiasを流す定電流回路303と、第1~第nのn個のカレントミラー回路M1~Mnを備える。第1のカレントミラー回路M1はトランジスタQQで構成され、第2のカレントミラー回路M2はトランジスタQQで構成される。また、第nのカレントミラー回路MnはトランジスタQQで構成される。この第3構成例の電流増幅回路172では、フォトダイオード101の電流信号をn段のカレントミラー回路M1~Mnの電流増幅により増幅できる。ここで、カレントミラー回路M1を構成するトランジスタQのコレクタ電流ic1とトランジスタQのコレクタ電流ic2とで決まる電流増幅率A1=は、カレントミラー回路の動作として周知のように、トランジスタQQのエミッタ面積の比率やエミッタに接続する抵抗の大きさなどで設計できる。n個のカレントミラー回路M1~Mnにおけるそれぞれの電流増幅率をA~Aとすると、n個目のカレントミラー回路Mnを構成するトランジスタQのコレクタ電流は、次式となる。ic=isc××A×A...信号出力端子305は全てのカレントミラー回路M1~Mnの電流ic~icの総和を出力する。よって、出力電流ioは、次式となる。io=icic...ic=isc×...すなわち、フォトダイオード101の受光電流iscを、上式で表される出力電流ioに増幅できる。なお、上記第3の定電流回路303によりバイアス電流Ibiasを流すことで、フォトダイオード101の入力光が無い状態において、カレントミラー回路M1に電流が供給されて動作状態が保たれるので、光信号入力時の出力応答速度を速くすることができる。また、上式の=Kは、電流増幅率であり、この電流増幅率Kを10倍以上に設計することで、フォトダイオード101の検出電流が100pA以下の微小な検出信号である場合において、アンプ兼信号抽出デバイス17の入力インピーダンスを10分の1以下に低減することができる。よって、光信号検出装置の耐ノイズ性を高めることができる。次に、図6Aに、上記光信号検出デバイス14の第1構成例を示す。この第1構成例としての光信号検出デバイス601は、1つのフレーム610にフォトダイオード101と電流増幅回路102を配置している。このフォトダイオード101と電流増幅回路102は、1つの半導体基板611上に形成されている。上記フォトダイオード101のアノードが、半導体基板611に形成されたパッド617リードワイヤ615によってGND端子613に接続されている。また、上記電流増幅回路102の信号出力端子が、半導体基板611に形成されたパッド618リードワイヤ616によって出力端子614に接続されている。この光信号検出デバイス601は、GND端子613と出力端子614の2端子のみを備え、電源端子を設けていない。よって、光信号検出デバイス601に電源端子が無いことと出力信号が電流信号であることから、フォトダイオードのみで構成した受光素子との置き換えが可能である。また、上記説明した様に、電流増幅回路102によりフォトダイオード101の検出電流が増幅されて出力される。このため、制御回路基板16に設けたアンプ兼信号抽出デバイス17のゲインを低減でき、電磁ノイズによる誤検出を低減することができる。尚、図6Bに示すように、フォトダイオード101と電流増幅回路102をそれぞれ、別の半導体基板625626上に形成してもよい。この場合、フォトダイオード101のアノードは、半導体基板625のパッド630リードワイヤ631半導体基板626のパッド632半導体基板626のパッド633リードワイヤ634によって、GND端子613に接続される。また、上記電流増幅回路102の信号出力端子が、半導体基板626に形成されたパッド635リードワイヤ636によって出力端子614に接続される。次に、図7に、上記アンプ兼信号抽出デバイス17の変形例としてのアンプ兼信号抽出デバイス701を示す。このアンプ兼信号抽出デバイス701は、入力端子711に接続された電流電圧変換回路705と、上記電流電圧変換回路705に接続された電圧増幅回路706とを有する。上記電流電圧変換回路705は、増幅器720と帰還回路をなすインダクタ721とで構成され、上記電圧増幅回路706は増幅器721および増幅器722で構成されている。増幅器722は出力端子713に接続されている。この変形例のアンプ兼信号抽出デバイス701によれば、入力アンプである増幅器720の帰還回路にインダクタ721を備えることにより、光信号検出デバイス14の出力信号の直流電流成分を増幅せずに、電流変化のある交流信号成分のみを増幅することができる。よって、電圧増幅回路706は交流結合のためのコンデンサを備える必要が無くなり、入力端子711から光信号検出デバイス14へ回路電流を供給することが可能になる。