試験対象である発熱状態の半導体素子の温度を測定する温度センサから測定温度を示すセンサ情報を取得する取得手段と、設定温度を記憶する第1の記憶手段と、前記取得手段が取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶する第2の記憶手段と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較する第1の比較手段と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較する第2の比較手段と、前記第1の比較手段による比較結果と前記第2の比較手段による比較結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定する特定手段と、前記特定手段が特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させる制御手段と、を備える、ことを特徴とする温度試験装置。前記第2の測定温度は、前記第1の測定温度が測定される直前に前記温度センサによって測定された温度である、ことを特徴とする請求項1に記載の温度試験装置。前記第1の測定温度は、前記半導体素子の最新の測定温度である、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の温度試験装置。前記制御手段は、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記設定温度と略等しいとみなせる範囲であった又は前記第1の測定温度が前記範囲の下限値よりも低かった場合に、前記特定手段によって前記半導体素子の温度が上昇傾向にあると特定されると、前回以上の冷却強度で前記冷却装置を駆動し、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記設定温度と略等しいとみなせる範囲であった又は前記第1の測定温度が前記範囲の下限値よりも低かった場合に、前記特定手段によって前記半導体素子の温度が前記設定温度付近で遷移していると特定されると、前回と同じ冷却強度で前記冷却装置を駆動し、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記設定温度と略等しいとみなせる範囲であった又は前記第1の測定温度が前記範囲の下限値よりも低かった場合に、前記特定手段によって前記半導体素子の温度が下降傾向にあると特定されると、前回より弱い冷却強度で前記冷却装置を駆動し、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記範囲の上限値よりも高かった場合には、所定の冷却強度で前記冷却装置を駆動する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の温度試験装置。前記制御手段は、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記範囲の上限値よりも高かった場合には、最大の冷却強度で前記冷却装置を駆動する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の温度試験装置。前記取得手段は、前記温度センサから測定温度を示すセンサ情報を所定の周期で取得する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の温度試験装置。複数の動作モードを切り替える切替手段をさらに備え、前記制御手段は、前記切替手段が前記複数の動作モードのうち特定の動作モードに切り替えた場合に、前記特定手段が特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、前記冷却装置に前記半導体素子を冷却させる、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の温度試験装置。半導体素子の測定温度を示すセンサ情報を取得するステップと、設定温度を記憶するステップと、取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶するステップと、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較するステップと、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較するステップと、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較した結果と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較した結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定するステップと、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させるステップと、を備える、ことを特徴とする温度試験方法。コンピュータに、半導体素子の測定温度を示すセンサ情報を取得する処理と、設定温度を記憶する処理と、取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶する処理と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較する処理と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較する処理と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較した結果と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較した結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定する処理と、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させる処理と、を実行させるプログラム。特許文献1に係る技術では、閾値としての設定温度のみを冷却判断の基準としているため、ICの温度遷移状態を特定しにくく、特にICにかける負荷により熱量が大きく変動したような場合には、ICを所望の恒温状態に保つ精度に欠ける。本発明は上記実状に鑑みてなされたものであり、恒温槽を使用せずに、ICの温度を所望の設定温度に精度良く遷移させることができる温度試験装置、温度試験方法、及びプログラムを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る温度試験装置は、試験対象である発熱状態の半導体素子の温度を測定する温度センサから測定温度を示すセンサ情報を取得する取得手段と、設定温度を記憶する第1の記憶手段と、前記取得手段が取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶する第2の記憶手段と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較する第1の比較手段と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較する第2の比較手段と、前記第1の比較手段による比較結果と前記第2の比較手段による比較結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定する特定手段と、前記特定手段が特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させる制御手段と、を備える、ことを特徴とする。上記目的を達成するため、本発明の第2の観点に係る温度試験方法は、半導体素子の測定温度を示すセンサ情報を取得するステップと、設定温度を記憶するステップと、取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶するステップと、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較するステップと、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較するステップと、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較した結果と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較した結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定するステップと、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させるステップと、を備える、ことを特徴とする。上記目的を達成するため、本発明の第3の観点に係るプログラムは、コンピュータに、半導体素子の測定温度を示すセンサ情報を取得する処理と、設定温度を記憶する処理と、取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶する処理と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較する処理と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較する処理と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較した結果と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較した結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定する処理と、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させる処理と、を実行させる。本発明によれば、恒温槽を使用せずに、ICの温度を所望の設定温度に精度良く遷移させることができる。本発明の一実施形態に係る温度試験装置を図1~図4を参照して説明する。図1に示す温度試験装置1は、ICの温度を制御する機能を有する装置例えば、サーバ製品等に備えられ、通常動作時のICの温度を制御することに加え、ICの通常動作時では到達しない温度にまでICの温度を上昇させて、IC部品の温度試験耐熱試験を行う装置である。温度試験装置1は、恒温槽を用いずに、試験対象であるIC自身の発熱を利用することで恒温試験を実現する。このような恒温試験を実現する主要な構成として、温度試験装置1は、図示するように、温度センサ10と、冷却装置20と、制御メモリ30と、温度制御部40と、を備える。温度センサ10は、半導体集積回路IC11の近傍に配置される表面温度センサであり、IC11の表面温度を測定し、測定値センサ値を示すセンサ情報を生成する。なお、IC11が本来の機能としてサーマルダイオードを内蔵している場合、温度センサ10としてそのサーマルダイオードを用いてもよい。この場合、温度センサは、IC11の内部温度を測定する。IC11は、例えば、温度試験対象となるCPU、メインメモリ等であり、図示しないテスタと導通接続され、負荷をかけると発熱し、冷却装置20によって冷却されなければオーバーヒートしてしまうものである。冷却装置20は、温度制御部40の制御の下、IC11を冷却するものであり、図示するように、冷却部21と、制御メモリ22と、冷却制御部23と、を備える。冷却部21は、エアーコンプレッサ等から構成され、冷却制御部23の制御の下、IC11に冷却媒体を吹き付け、IC11を冷却する。制御メモリ22は、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory、フラッシュメモリ等から構成され、冷却制御部23が実行する動作プログラム等が格納されている。冷却制御部23は、CPU等から構成され、制御メモリ22に格納されている動作プログラムを実行して、冷却部21を駆動する。冷却制御部23は、温度制御部40から供給された制御信号に従って設定された冷却強度で冷却部21を駆動し、例えば、後述する特別モードにおいては、まず、最大の冷却強度で冷却部21を駆動し、その後、IC11の測定温度の状況に応じて、強弱させた冷却強度で冷却部21を駆動する。制御メモリ30は、ROM、RAM、フラッシュメモリ等から構成されている。制御メモリ30には、図示するように、温度制御部40が実行する動作プログラムPG、動作モードOM、冷却強度テーブルTA、正常温度範囲データND、設定温度TS、等が予め記憶されている。なお、制御メモリ30に格納される各データは、既知のデータ登録手法を用いて、デフォルト値として又はユーザ自身の設定操作により適宜格納される。動作モードOMは、温度試験装置1の動作モードが現在通常モードと特別モードのどちらに設定されているかを示すデータである。動作モードは、例えば操作部図示せずからのユーザ操作により、通常モードと特別モードのいずれかが設定される。ここで、通常モードとは、通常動作時のIC11温度を制御する動作モードである。一方、特別モードとは、IC11の通常動作時では到達しない温度にまでIC11の温度を上昇させ、IC部品の温度試験耐熱試験を行う際の動作モードである。ユーザは、動作モードを切り替えることにより、温度試験装置1にIC11の温度試験を含めた様々な処理を実行させることができる。このように動作モードを設けることで、1つの装置で温度試験を含めた様々な処理を実現できるため、資源の有効活用や、製品評価の効率化に役立てることができる。設定された動作モードにより温度試験装置1がどのように動作するかは後述する。冷却強度テーブルTAは、例えば、図2に示すように、IC11の温度範囲と冷却強度とが対応付けて構成されたテーブルである。図示するように、IC11の温度範囲40°C以下には、最小の冷却強度1が対応付けられている。また、IC11の温度範囲60°C以上には、最大の冷却強度4が対応付けられている。正常温度範囲データNDは、IC11が正常動作の範囲内であるとみなせる温度範囲を示すデータである。正常動作の範囲内であるとみなせる温度範囲は、例えば、図2に示すようにIC11の温度が60°C未満である。設定温度TSは、恒温試験における設定温度であり、データとして記憶される。温度制御部40は、CPU等から構成され、制御メモリ30に格納されている動作プログラムを実行して、例として以下のように動作する。1適宜、温度センサ10からセンサ情報を取得する。2動作モードOMが通常モードを示すときは通常モードに従った温度制御処理を実行するが、特別モードを示すときは本実施形態に特有の特別モードに従った温度制御処理を実行する。3適宜、制御信号を冷却制御部23に供給することで、冷却装置20に対し冷却強度を設定し、測定温度が設定温度TS近傍で推移するよう冷却制御部23を制御する温度制御処理。4後述の冷却強度制御処理で、比較対象となる現在温度TNと設定温度TSとの差の絶対値が予め制御メモリ30に記憶されている基準値以下である場合、両者は略等しいと判断する。また、同様に、比較対象となる現在温度TNと前回温度TN-1が基準値以下である場合、両者は略等しいと判断する。基準値については、後述する。温度制御処理温度制御部40が実行する温度制御処理を、図3を参照して説明する。この処理は、例えばユーザ操作により操作部図示せずから処理の開始を指示する入力信号が温度制御部40に供給されると開始される。まず、温度制御部40は、制御メモリ30から動作モードOMを読み出し、動作モードが、通常モードと特別モードのどちらに設定されているかを判別するステップS1。通常モードに設定されている場合ステップS1;通常モード、温度制御部40は、処理をステップS11に進め、まず、温度センサ10からセンサ情報を取得するステップS11。続いて、温度制御部40は、IC11の動作が正常動作の範囲内か否かを判別するステップS12。具体的には、温度制御部40は、制御メモリ30から正常温度範囲データNDを読み出して、取得したセンサ情報が示す温度が、正常温度範囲データNDが示す温度範囲内例えば、図2に示すように60°C未満であれば、IC11の動作は正常動作の範囲内であると判別する。正常動作の範囲内であると判別した場合ステップS12;Yes、温度制御部40は、センサ値に対応する冷却強度を冷却装置20に設定する。具体的には、温度制御部40は、制御メモリ30に格納された冷却強度テーブルTAを参照し、センサ値に対応する冷却強度で冷却させるための制御信号を冷却装置20に供給するステップS13。例えば、センサ値が45°Cを示す場合、IC11の温度は、図2に示す40°C~50°Cの温度範囲内にあるといえるため、この温度範囲に対応する冷却強度2で冷却させるための制御信号を冷却装置20に供給する。制御信号を受信した冷却装置20は、冷却制御部23の制御により、冷却部21を駆動し、設定された冷却強度でIC11を冷却する。一方、正常動作の範囲内にないと判別した場合ステップS12;No、温度制御部40は、最大の冷却強度図2では、冷却強度4で冷却装置20にIC11を冷却させるステップS14。ステップS13又はステップS14の処理を終了すると、温度制御部40は、処理をステップS11へ戻す。温度制御部40は、例えばユーザ操作により操作部図示せずから終了指示を示す信号が供給されるまで上記処理通常モードでの処理を繰り返し実行する。特別モード制御メモリ30に記憶されている動作モードOMが特別モードを示す場合、ステップS1で特別モードと判別されステップS1;特別モード、温度制御部40は、最大の冷却強度図2では、冷却強度4で冷却装置20にIC11を冷却させるステップS21。続いて、温度制御部40は、温度センサ10からセンサ情報を取得し、センサ値を制御メモリ30に記憶させる。また、温度制御部40は、タイマ図示せずを起動し、計時を開始する。ここでのセンサ値温度は、後述のステップS24で記憶される温度現在温度TNから見た前回の温度である前回温度TN-1として記憶されるステップS22。続いて、温度制御部40は、ステップS22で起動したタイマの計時時間が所定期間に達したか否かを判別するステップS23。所定期間が経過していないと判別した場合ステップS23;No、温度制御部40は、所定期間が経過するまで、ステップS23の処理を繰り返す。一方、所定期間が経過したと判別した場合ステップS23;Yes、温度制御部40は、温度センサ10からセンサ情報を取得し、センサ値を現在温度TNとして制御メモリ30に記憶させるステップS24。さらに、温度制御部40は、タイマの計時時間をリセットし、再度計時を開始させる。このように計時をすることで、温度制御部40は、予め定めた所定期間を周期としてセンサ情報を取得できる。その後、温度制御部40は、処理をステップS25に進める。ステップS25で、温度制御部40は、図4に示す冷却強度設定処理を実行する。冷却強度制御処理については、後に詳述する。続いて、温度制御部40は、現在温度TNを前回温度TN-1として保存するステップS26。つまり、ここで温度制御部40は、ステップS24で取得したセンサ値を最新の前回温度TN-1として制御メモリ30に記憶させる。ステップS26の処理を終了すると、温度制御部40は、処理をステップS23へ戻す。以後、温度制御部40は、例えばユーザ操作により操作部図示せずから終了指示を示す信号が供給されるまで、ステップS23~ステップS26の処理を繰り返し実行する。冷却強度制御処理次に、図4を参照して、図3の冷却強度制御処理ステップS25について詳細に説明する。前述のステップS24図2参照でセンサ値を現在温度TNとして制御メモリ30に記憶させると、温度制御部40は、冷却強度制御処理を開始し、現在温度TNと予め記憶されている設定温度TSを制御メモリ30から読み出し、両者を比較するステップS31。現在温度TNと設定温度TSとが略等しいと判断された場合、即ち、現在温度TNと設定温度TSとの差の絶対値が予め設定された第1の基準値以下と判別された場合ステップS31;TN≒TS、温度制御部40は、現在温度TNと前回温度TNー1とが略等しいか否かを判別するステップS33。現在温度TNと前回温度TNー1とが略等しいと判断された場合、即ち、現在温度TNと前回温度TNー1との差の絶対値が予め設定された第2の基準値以下と判別された場合ステップS33;TN≒TN-1、IC11の温度は、所望の設定温度TS付近で安定して遷移しているといえる。この場合、温度制御部40は、特に冷却強度を変更せず、冷却装置20を駆動し続ける。なお、第1の基準値と第2の基準値は正の実数であり、冷却装置20の冷却能力の特性等を考慮して適宜定められる。一方、ステップS33で、現在温度TNが前回温度TN-1よりも低いと判断された場合、即ち、現在温度TNが前回温度TN-1-第2の基準値よりも低いと判別された場合ステップS33;TN<TN-1、IC11の温度は設定温度TSの近傍にあるが下降傾向にあるといえる。この場合、より一層の温度降下を抑えるため、温度制御部40は、冷却強度を弱めて冷却装置20を駆動するステップS34。また、ステップS33で、現在温度TNが前回温度TN-1よりも高いと判断された場合、即ち、現在温度TNが前回温度TN-1第2の基準値よりも高いと判別された場合ステップS33;TN>TN-1、IC11の温度は設定温度TSの近傍にあるが上昇傾向にあるといえる。この場合、これ以上の温度上昇を抑えるため、温度制御部40は、冷却強度を強めて冷却装置20を駆動するステップS35。ただし、既に冷却装置20が最大の冷却強度で動作していた場合は、これ以上冷却強度を強めることはできないため、温度制御部40は、特に冷却強度を変更せず、冷却装置20を最大の冷却強度のまま駆動し続け処理を終了する。一方、ステップS31で、現在温度TNが設定温度TSよりも低いと判断された場合、即ち、現在温度TNが設定温度TS-第1の基準値よりも低いと判別された場合ステップS31;TN<TS、温度制御部40は、現在温度TNと前回温度TN-1を比較するステップS32。ステップS32で、現在温度TNが前回温度TN-1よりも高いと判断された場合、即ち、現在温度TNが前回温度TN-1第2の基準値よりも高いと判別された場合ステップS32;TN>TN-1、IC11の温度は上昇しているが未だ所望の設定温度TSよりも低いため、温度制御部40は、特に冷却強度を変更せず現在の状態を維持したまま、冷却装置20を駆動し続ける。一方、現在温度TNと前回温度TN-1とが略等しいと判断された場合、即ち、現在温度TNと前回温度TN-1との差の絶対値が第2の基準値より小さいと判別された場合ステップS32;TN-1≒TN、又は、現在温度TNが前回温度TN-1よりも低いと判断された場合、即ち、現在温度TNが前回温度TN-1-第2の基準値よりも低いと判別された場合ステップS32;TN<TN-1、IC11の温度が設定温度TSよりも未だ低いにもかかわらず、温度が変わっていないか、低下していることになる。この場合、設定温度TSに温度を近づけるため、温度制御部40は、冷却強度を弱めて冷却装置20を駆動するステップS34。また、ステップS31で、現在温度TNが設定温度TSよりも高いと判断された場合、即ち、現在温度TNが設定温度TS第1の基準値よりも高いと判別された場合ステップS31;TN>TS、設定温度TSを超えてしまったIC11の温度を直ちに下降させる必要があるため、温度制御部40は、最大の冷却強度で冷却装置20を駆動するステップS36。温度制御部40は、冷却強度制御処理を終了すると、処理を図3のステップS26に進める。本実施形態に係る温度試験装置1の温度制御部40は、取得手段としての機能により、試験対象である発熱状態のIC11の温度を測定する温度センサ10から測定温度を示すセンサ情報を取得し、制御メモリ30と協調して第1の記憶手段としての機能により、設定温度TSを記憶し、制御メモリ30と協調して第2の記憶手段として機能により、取得したセンサ情報に基づいて現在温度TNと前回温度TN-1を記憶し、第1の比較手段としての機能により、現在温度TNと設定温度TSを比較し、第2の比較手段としての機能により、現在温度TNと前回温度TN-1を比較し、特定手段としての機能により、前記第1の比較手段による比較結果と前記第2の比較手段による比較結果に基づいて、設定温度TSに対するIC11の温度の遷移状態を特定し、制御手段としての機能により、前記特定手段が特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置20にIC11を冷却させる。このようにIC11の温度遷移状態を特定でき、特定した遷移状態に応じてIC11を冷却できるため、本実施形態に係る温度試験装置1によれば、恒温槽を使用せずに、IC11の温度を所望の設定温度に精度良く遷移させることができる。また、IC11にかける負荷により熱量が大きく変動する場合であっても、良好な恒温試験を実施することができ、IC11に負荷をかける際のプログラムについて、特別なものを用意せずに済むため便宜である。変形例なお、以上では、温度制御部40が、冷却強度テーブルTAを参照して、予め定められた複数の冷却強度のうちいずれかの冷却強度で冷却装置20を駆動する例を示したが、これに限られない。温度制御部40は、取得したセンサ値に応じて、基準となる冷却強度から強度を微少量増減させた冷却強度で冷却装置20を駆動してもよい。また、上記説明した温度制御処理では、温度制御部40は、IC11の最新の測定温度である現在温度TNと前回温度TN-1とを比較したがこれに限られない。例えば、現在温度と前々回の温度とを比較してもよいし、前回温度と前々回の温度とを比較してもよい。このようにしても、温度制御部40は、設定温度TSに対するIC11の温度の遷移状態を特定することができる。また、以上では、温度制御部40を独立した構成として説明したが、電源制御、障害監視等の様々な機能を有する制御モジュールに含まれる一機能として実現させてもよい。また、各部を異なる配線で温度制御部40に接続したが、共通のバスに全てを接続して制御系統を構成してもよい。また、温度制御処理を温度制御部40が実行するためのプログラムPGは、制御メモリ30に予め記憶されているものとして説明したが、このような動作プラグラム及び各種データは、温度試験装置1に含まれるコンピュータに対して、着脱自在の記録媒体により配布提供されてもよい。さらに、動作プログラム及び各種データは、電気通信ネットワーク等を介して接続された他の機器からダウンロードすることによって配布されるようにしてもよい。そして、各処理の実行形態も、着脱自在の記録媒体を装着することにより実行するものだけではなく、電気通信ネットワーク等を介してダウンロードした動作プログラム及び各種データを内蔵の記憶装置に一旦格納することにより実行可能としてもよいし、電気通信ネットワーク等を介して接続された他の機器側のハードウェア資源を用いて直接実行してもよい。さらには、他の機器と電気通信ネットワーク等を介して各種データの交換を行うことにより各処理を実行してもよい。上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。付記1試験対象である発熱状態の半導体素子の温度を測定する温度センサから測定温度を示すセンサ情報を取得する取得手段と、設定温度を記憶する第1の記憶手段と、前記取得手段が取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶する第2の記憶手段と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較する第1の比較手段と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較する第2の比較手段と、前記第1の比較手段による比較結果と前記第2の比較手段による比較結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定する特定手段と、前記特定手段が特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させる制御手段と、を備える、ことを特徴とする温度試験装置。付記2前記第2の測定温度は、前記第1の測定温度が測定される直前に前記温度センサによって測定された温度である、ことを特徴とする付記1に記載の温度試験装置。付記3前記第1の測定温度は、前記半導体素子の最新の測定温度である、ことを特徴とする付記1又は2に記載の温度試験装置。付記4前記制御手段は、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記設定温度と略等しいとみなせる範囲であった又は前記第1の測定温度が前記範囲の下限値よりも低かった場合に、前記特定手段によって前記半導体素子の温度が上昇傾向にあると特定されると、前回以上の冷却強度で前記冷却装置を駆動し、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記設定温度と略等しいとみなせる範囲であった又は前記第1の測定温度が前記範囲の下限値よりも低かった場合に、前記特定手段によって前記半導体素子の温度が前記設定温度付近で遷移していると特定されると、前回と同じ冷却強度で前記冷却装置を駆動し、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記設定温度と略等しいとみなせる範囲であった又は前記第1の測定温度が前記範囲の下限値よりも低かった場合に、前記特定手段によって前記半導体素子の温度が下降傾向にあると特定されると、前回より弱い冷却強度で前記冷却装置を駆動し、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記範囲の上限値よりも高かった場合には、所定の冷却強度で前記冷却装置を駆動する、ことを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の温度試験装置。付記5前記制御手段は、前記第1の比較手段による比較の結果、前記第1の測定温度が前記範囲の上限値よりも高かった場合には、最大の冷却強度で前記冷却装置を駆動する、ことを特徴とする付記1乃至4のいずれかに記載の温度試験装置。付記6前記取得手段は、前記温度センサから測定温度を示すセンサ情報を所定の周期で取得する、ことを特徴とする付記1乃至5のいずれかに記載の温度試験装置。付記7複数の動作モードを切り替える切替手段をさらに備え、前記制御手段は、前記切替手段が前記複数の動作モードのうち特定の動作モードに切り替えた場合に、前記特定手段が特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、前記冷却装置に前記半導体素子を冷却させる、ことを特徴とする付記1乃至6のいずれかに記載の温度試験装置。付記8半導体素子の測定温度を示すセンサ情報を取得するステップと、設定温度を記憶するステップと、取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶するステップと、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較するステップと、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較するステップと、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較した結果と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較した結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定するステップと、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させるステップと、を備える、ことを特徴とする温度試験方法。付記9コンピュータに、半導体素子の測定温度を示すセンサ情報を取得する処理と、設定温度を記憶する処理と、取得したセンサ情報に基づいて、ある時刻に測定された第1の測定温度と前記第1の測定温度よりも前に測定された第2の測定温度とを記憶する処理と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較する処理と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較する処理と、前記第1の測定温度と前記設定温度を比較した結果と、前記第1の測定温度と前記第2の測定温度を比較した結果に基づいて、前記設定温度に対する前記半導体素子の温度の遷移状態を特定する処理と、特定した前記遷移状態に基づいて、前回より強弱させた冷却強度又は前回と同じ冷却強度で、冷却装置に前記半導体素子を冷却させる処理と、を実行させるプログラム。