"一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、前記一方表面と前記他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、前記半導体装置の前記一方表面と接触させるための第1の電極部を備え、前記第1の電極部の前記半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されており、さらに前記半導体装置の前記一方表面と接触させることができるように前記通路内に挿通され、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置の前記一方表面と前記他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部と、前記第1および第2の電極部のそれぞれの前記半導体装置の前記一方表面と接触する面の高さが互いに揃うように前記第1および第2の電極部のそれぞれを固定する支持部とを備えた、半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、前記一方表面と前記他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、前記半導体装置の前記一方表面と接触させるための第1の電極部を備え、前記第1の電極部の前記半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されており、さらに前記半導体装置の前記一方表面と接触させることができるように前記通路と離れた位置に配置され、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置の前記一方表面と前記他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部を備え、前記第2の電極部は、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向に前記第1の電極部に対して相対的に移動可能に構成されている、半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。前記半導体装置を加熱するためのヒーター部をさらに備え、前記通路は、前記第1の電極部の前記半導体装置の前記一方表面と接触する側の面に対して前記半導体装置と反対側に配置された通路部を含み、前記ヒーター部は、前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向において、前記第1の電極部と前記通路部との間に配置されている、請求項1または2に記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。前記第2の電極部の前記半導体装置の前記一方表面と接触する面は、前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向から見て、矩形形状を有している、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造を備え、前記半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造により前記半導体装置の電気的特性を検査可能な半導体装置の電気的特性検査装置。半導体装置の電気的特性検査装置では、コレクタ電極に接して半導体装置の電圧を検査するセンス部が可動する構造も考えられる。この構造に上記公報に記載された方法を組合せることも想定可能である。つまり、上記公報に記載されたように半導体装置のコレクタ電極側が真空吸着され、かつコレクタ電極に接して半導体装置の電圧を検査するセンス部が可動する構造も考えられる。この構造では、真空状態の通路内において、センス部を支持する樹脂部がその周囲の樹脂部に対して可動するように設けられる。この構造では、センス部を支持する樹脂部とその周囲の樹脂部との隙間から真空リークが生じることがある。この真空リークを防止するため、センス部を支持する樹脂部とその周囲の樹脂部との隙間にグリースを塗布しなければならない。この場合、このグリースがセンス部の先端に付着し、半導体装置のコレクタ電極に転写されることが考えられる。その結果、センス部と半導体装置のコレクタ電極との間にグリースが挟まることにより半導体装置の電気的特性が正確に検査できないという問題が生じる。本発明は上記課題を鑑みなされたものであり、その目的は、電気的特性を正確に検査できる半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置を提供することである。本発明の一の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造は、一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、一方表面と他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、半導体装置の一方表面と接触させるための第1の電極部を備えている。第1の電極部の半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されている。本発明の一の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造は、さらに半導体装置の一方表面と接触させることができるように通路内に挿通され、半導体装置の一方表面と接触させた状態で半導体装置の一方表面と他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部と、第1および第2の電極部のそれぞれの半導体装置の一方表面と接触する面の高さが互いに揃うように第1および第2の電極部のそれぞれを固定する支持部とを備えている。本発明の他の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造は、一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、一方表面と他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、半導体装置の一方表面と接触させるための第1の電極部を備えている。第1の電極部の半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されている。本発明の他の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造は、さらに半導体装置の一方表面と接触させることができるように通路と離れた位置に配置され、半導体装置の一方表面と接触させた状態で半導体装置の一方表面と他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部を備えている。第2の電極部は、半導体装置の一方表面と接触させた状態で半導体装置と第1の電極部とが重なる方向に第1の電極部に対して相対的に移動可能に構成されている。本発明の一の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造によれば、第2の電極部は真空チャック用の通路内に挿通され、支持部に固定されているため、第2の電極部は可動しない。第2の電極部が可動しないため、第2の電極部を固定する支持部とその周囲の支持部とに可動のための隙間が生じることはない。このため、この隙間に塗布するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置の一方表面と第2の電極部との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置の一方表面と第2の電極部との間にグリースが挟まることによって半導体装置の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置の電気的特性を正確に検査できる。本発明の他の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造によれば、第2の電極部は、通路と離れた位置に配置され、半導体装置の一方表面と接触させた状態で半導体装置と第1の電極部とが重なる方向に第1の電極部に対して相対的に移動可能に構成されているため、第2の電極部の移動によって通路から真空リークが生じることはない。このため、真空リークを防止するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置の一方表面と第2の電極部との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置の一方表面と第2の電極部との間にグリースが挟まることによって半導体装置の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置の電気的特性を正確に検査できる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1最初に本発明の実施の形態1の半導体装置の電気的特性検査装置の構成について説明する。なお、本実施の形態では、半導体装置の一例として縦型IGBTが適用されている。図1を参照して、電気的特性検査装置10は、電極構造1と、プローブ電極2と、電圧計14と、真空ポンプ15とを主に有している。なお、図1では、半導体装置11が電極構造1上に載置された状態が示されている。半導体装置11は一方表面11aと、一方表面11aに対向する他方表面11bとを有している。一方表面11aにはコレクタ電極図示せずが形成されている。他方表面11bにはエミッタ電極図示せずおよびゲート電極図示せずが形成されている。半導体装置11は、コレクタ電極とエミッタ電極との間に電流を流すことにより一方表面11aと他方表面11bとの間に電流を流すことができるように構成されている。電気的特性検査装置10は、電極構造1が半導体装置11の一方表面11aと電気的に接続され、プローブ電極2が他方表面11bと電気的に接続された状態で、半導体装置11の電気的特性を検査するためのものである。電気的特性検査装置10は、電極構造1により半導体装置11の電気的特性を検査可能に構成されている。電極構造1とプローブ電極2とは相対的に移動可能に設けられている。電極構造1とプローブ電極2とは半導体装置11を挟み込み可能に設けられている。図1および図2を参照して、電極構造1は、第1の電極部3と、第2の電極部4と、センス電極部4bと、接続部4cと、支持部5と、通路6と、ヒーター部7とを主に有している。プローブ電極2は、プローブ保持部12と、エミッタ側プローブ13eと、ゲート側プローブ13gとを主に有している。電極構造1において、第1の電極部3は、半導体装置11の一方表面11aと接触させるためのものである。第1の電極部3は、半導体装置11の一方表面11aに設けられたコレクタ電極図示せずと接触して電気的に接続可能に設けられている。第1の電極部3は、第1の電極部3の半導体装置11と接触する側の面3aに開口3bを有している。第2の電極部4は、半導体装置11の一方表面11aと接触させた状態で半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間の電圧を検出するためのものである。第2の電極部4は、半導体装置11の一方表面11aに設けられたコレクタ電極図示せずと接触させて電気的に接続可能に設けられている。第1の電極部3および第2の電極部4のそれぞれは支持部5に固定されている。第1の電極部3は、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aと対向する面側で支持部5に固定されている。第2の電極部4は、半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aと対向する面側で支持部5に固定されている。第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aの高さと第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aの高さとが互いに揃うように第1の電極部3および第2の電極部4は支持部5に固定されている。第1および第2の電極部3,4のそれぞれの半導体装置11の一方表面11aと接触する面3a,4aの高さが互いに揃うためには、互いの接触する面3a,4aが同一平面上に位置することが理想的である。しかし、真空吸引の際に、半導体装置11が湾曲するため、この湾曲した状態で第1および第2の電極部3,4の互いの接触する面3a,4aはそれぞれ半導体装置11の一方表面11aに接触するように位置していればよい。第1の電極部3の半導体装置11と接触する側の面3aに開口するように真空チャック用の通路6が形成されている。通路6は半導体装置11を真空チャックするために用いられるものである。第1の電極部3および支持部5には、開口3bと連通するように通路6が設けられている。通路6は、図中矢印A方向への真空吸引による真空チャックにより半導体装置11を第1の電極部3に保持するために設けられている。通路6の少なくとも一部は第2の電極部4に沿うように設けられている。通路6は、第1の電極部3と支持部5とを貫通するように設けられている。通路6の開口3bと反対側の開口部分は、支持部5に配置されている。通路6は、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する側の面3aに対して半導体装置11と反対側に配置された通路部6aを有していてもよい。通路部6aは、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する側の面3aに沿う方向に延びるように設けられていてもよい。この場合、通路6の開口3bと反対側の開口部分は、支持部5の側面に配置されていてもよい。つまり、通路6は曲がるように設けられていてもよい。第2の電極部4は、半導体装置11の一方表面11aと接触させることができるように通路6内に挿通されている。第2の電極部4は、半導体装置11と接触する面4aを有している。第2の電極部4は開口3bから露出するように通路6で支持部5に固定されている。第2の電極部4は第1の電極部3と離れた位置に配置されている。第2の電極部4は第1の電極部3と電気的に絶縁されている。第2の電極部4は、センス電極部4bに接続部4cで電気的に接続されている。センス電極部4bは第1の電極部3と離れた位置に設けられている。センス電極部4bは第1の電極部3と電気的に絶縁されている。半導体装置11の電気的特性を検査するために、電気的特性検査装置10により半導体装置11を高温にした状態での試験高温試験が行われる。この高温試験では半導体装置11を高温にするために半導体装置11が加熱される。本実施の形態では、半導体装置11を加熱するためのヒーター部7が設けられていてもよい。ヒーター部7は支持部5の内部に固定されている。ヒーター部7は支持部5の内部に第1の電極部3の半導体装置11と接触する面3aに沿う方向に延びるように配置されている。ヒーター部7は、半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向において、第1の電極部3と通路部6aとの間に配置されている。図1および図3を参照して、第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向から見て、矩形形状を有していてもよい。第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、幅広形状を有している。なお、図3では半導体装置11は破線で示されている。第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、半導体装置11の中央部に接触している。第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、半導体装置11と面接触可能に設けられている。第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、半導体装置11の複数のセル間に渡って接触するように設けられている。なお、第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向から見て、矩形形状に限定されず、たとえば円形状であってもよい。第1の電極部3の開口3bは、開口3bの開口面積の全てが半導体装置11に覆われるように設けられている。第1の電極部3の開口3bの開口面積の全てが半導体装置11に覆われるように設けられているため、開口3bでの真空リークが抑制される。再び図1を参照して、プローブ電極2において、プローブ保持部12は、エミッタ側プローブ13eと、ゲート側プローブ13gとを保持するためのものである。プローブ保持部12により、エミッタ側プローブ13eと、ゲート側プローブ13gとは半導体装置11に対して接触可能に保持されている。エミッタ側プローブ13eは、半導体装置11のエミッタ電極図示せずと電気的に接続可能に設けられている。エミッタ側プローブ13eは、半導体装置11のエミッタ電極図示せずにエミッタE電位を印加可能に設けられている。ゲート側プローブ13gは、半導体装置11のゲート電極図示せずと電気的に接続可能に設けられている。ゲート側プローブ13gは、半導体装置11のゲート電極図示せずにゲートG電位を印加可能に設けられている。なお、第1の電極部3は、半導体装置11のコレクタ電極図示せずにコレクタC電位を印加可能に設けられている。電圧計14の一方端子側は、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4および接続部4cを介して電気的に接続されたセンス電極部4bに電気的に接続されている。電圧計14の他方端子側は半導体装置11の他方表面11bに電気的に接続されている。電圧計14は、第2の電極部4が半導体装置11の一方表面11aに設けられたコレクタ電極図示せずと接触して電気的に接続された状態で半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間の電圧を検出可能に設けられている。真空ポンプ15は、通路6の開口3bとは反対側の開口部分に接続されている。真空ポンプ15は、真空引きにより開口部分から通路6の内部を真空状態減圧状態にすることができるように設けられている。真空ポンプ15は真空引きにより半導体装置11を第1の電極部3に吸い付けて保持可能に設けられている。次に、本実施の形態の半導体装置の電気的特性検査装置の動作について説明する。再び図1を参照して、電気的特性検査装置10において、電極構造1の第1の電極部3および第2の電極部4に半導体装置11の一方表面11aが接するように半導体装置11が載置される。第1の電極部3は、半導体装置11のコレクタ電極図示せずと接触する。この状態で真空ポンプ15によって図中矢印A方向に真空吸引されて通路6の内部が減圧される。通路6の内部が減圧されることにより、第1の電極部3の半導体装置11と接触する側の面3aおよび第2の電極部4の半導体装置11と接触する側の面4aに半導体装置11が圧着される。これにより、半導体装置11が電極構造1に真空チャックされる。第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aの高さと第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aの高さとが互いに揃っているため、開口3bからの真空リークが抑制される。そのため、確実に半導体装置11が電極構造1に固定される。電圧計14は、半導体装置11の他方表面11bと、センス電極部4bおよび接続部4cを介して第2の電極部4に電気的に接続された半導体装置11の一方表面11aとに電気的に接続される。続いて、図4を参照して電極構造1とプローブ電極2とが相対的に互いに近づくように移動する。そして、プローブ電極2のエミッタ側プローブ13eおよびゲート側プローブ13gが半導体装置11の他方表面11bと接触する。この際、エミッタ側プローブ13eは、半導体装置11のエミッタ電極図示せずと接触する。ゲート側プローブ13gは、半導体装置11のゲート電極図示せずと接触する。この状態で半導体装置11のゲート電極図示せずにゲートG電位が印加され、エミッタ電極図示せずにエミッタE電位が印加され、コレクタ電極図示せずにコレクタC電位が印加される。たとえばゲートG電位にはHigh高が印加され、エミッタE電位には接地電位が印加され、コレクタC電位にはプラス正電位が印加される。この結果、半導体装置11の他方表面11bに設けられたエミッタ電極図示せずから一方表面11aに設けられたコレクタ電極図示せずに電流が流れる。したがって、半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間に電流が流れる。この半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間に電流が流れている状態での半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間の電圧が電圧計14によって検出される。このようにして、電気的特性検査装置10によって半導体装置11の電気的特性が検査される。なお、上述の動作は一例であって、これに限定されず、電圧計14の接続、真空ポンプ15の動作のタイミングなどについて検査に適した動作が適宜適用され得る。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、第2の電極部4は真空チャック用の通路6内に挿通され、支持部5に固定されているため、第2の電極部4は可動しない。第2の電極部4が可動しないため、第2の電極部4を固定する支持部5とその周囲の支持部5とに可動のための隙間が生じることはない。このため、この隙間に塗布するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることによって半導体装置11の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。また、第1の電極部3とヒーター部7との間に通路部6aが配置された場合には、通路部6a内が真空状態減圧状態にされることでヒーター部7による熱が第1の電極部3に対して通路部6aによって断熱される。その結果、第1の電極部3へのヒーター部7による熱の伝導度が悪くなる。このため、ヒーター部7による第1の電極部3の温度調節の際に、第1の電極部3の温度の変動幅が大きくなる。そのため、半導体装置11の温度の変動の影響が大きくなる。したがって、ヒーター部7によって半導体装置11を高温にした状態での試験高温試験において、半導体装置11の電気的特性の検査が不正確になるおそれがある。それに対して、本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、ヒーター部7は、半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向において、第1の電極部3と通路部6aとの間に配置されている。このため、通路部6aによって第1の電極部3へのヒーター部7による熱の伝導が妨げられない。そのため、第1の電極部3へのヒーター部7による熱の伝導度を良くすることができる。これにより、ヒーター部7による第1の電極部3の温度調節の際に、第1の電極部3の温度の変動幅を抑制できる。第1の電極部3の温度の変動幅を抑制できるため、半導体装置11の温度の変動の影響を抑制できる。したがって、ヒーター部7によって半導体装置11を高温にした状態での試験高温試験において、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。また、第2の電極部4として複数本の細いセンスピンが適用された場合、複数本の細いセンスピンで半導体装置11の中央部に数箇所において点接触させて半導体装置11の電気的特性が測定される。この場合、電流経路によって電圧の測定値のばらつきが大きくなるおそれがある。それに対して、本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向から見て、矩形形状を有している。このため、第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aは、複数本の細いセンスピンが適用された場合と比較して、半導体装置11の広い領域に接触することができる。これにより、半導体装置11の広い領域において、複数のセルなど複数の箇所に接触することができる。よって、半導体装置11の広い領域において、複数の箇所のそれぞれの電流値に基づく電流経路の影響を抑制することができる。そのため、半導体装置11の広い領域で安定して電圧を検出することができる。したがって、半導体装置11の電気的特性を安定して正確に検査できる。本発明の半導体装置の電気的特性検査装置によれば、上記の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造により前記半導体装置の電気的特性を検査可能に構成されている。これにより、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。実施の形態2本発明の実施の形態2では、実施の形態1と比較して電極構造の構成が主に異なっている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。図5および図6を参照して、電極構造1は、第1の電極部3と、第2の電極部4と、センス電極部4bと、接続部4cと、支持部5と、通路6と、ヒーター部7と、空孔21と、弾性部材22とを主に有している。電極構造1において、第1の電極部3は、第1の電極部3の半導体装置11と接触する側の面3aに開口3bおよび開口3cを有している。開口3bと開口3cとはそれぞれ別個に設けられている。開口3bと連通するように第1の電極部3および支持部5に通路6が設けられている。通路6はたとえば4本設けられている。そのため開口3cも4個設けられている。また通路6の開口3bと反対側の開口部分も支持部5の側面に4個配置されている。開口3bと連通するように第1の電極部3および支持部5に空孔21が設けられている。空孔21と通路6とはそれぞれ別個に離れた位置に配置されている。第2の電極部4は空孔21内に挿通されている。第2の電極部4は、半導体装置11の一方表面11aと接触させることができるように通路6と離れた位置に配置されている。第2の電極部4は弾性部材22により支持部5に保持されている。弾性部材22はたとえばばねが用いられる。第2の電極部4は弾性部材22により空孔21の延びる方向に移動可能に設けられている。第2の電極部4は、半導体装置11の一方表面11aと接触させた状態で半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向に第1の電極部3に対して相対的に移動可能に構成されている。図5および図7を参照して、第1の電極部3の4個の開口3bのそれぞれは、開口3cの外周側に配置されている。第1の電極部3の4個の開口3bは、第2の電極部4を挟んで第2の電極部4に対して略線対称に2個ずつ配置されている。なお、図7では半導体装置11は破線で示されている。第1の電極部3の4個の開口3bは、4個の開口3bの開口面積の全てが半導体装置11に覆われるように設けられている。4個の開口3bの開口面積の全てが半導体装置11に覆われるように設けられているため、開口3bでの真空リークが抑制される。次に、本実施の形態の半導体装置の電気的特性検査装置の動作について説明する。再び図5を参照して、半導体装置11が載置されていない状態では、第2の電極部4は、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aより突出するように配置されている。この状態で第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aに半導体装置11が載置されると、第2の電極部4が弾性部材22に付勢されながら半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向において第1の電極部3側に移動する。第2の電極部4は、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aに半導体装置11の一方表面11aが接触するまで移動する。このようにして、電極構造1の第1の電極部3および第2の電極部4に半導体装置11の一方表面11aが接するように半導体装置11が載置される。第1の電極部3は、半導体装置11のコレクタ電極図示せずと接触する。この状態で真空ポンプ15によって図中矢印A方向に真空吸引されて4本の通路6の内部が減圧される。4本の通路6の内部が減圧されることにより、第1の電極部3の半導体装置11と接触する側の面3aおよび第2の電極部4の半導体装置11と接触する側の面4aに半導体装置11が圧着される。これにより、半導体装置11が電極構造1に真空チャックされる。この状態では、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aの高さと第2の電極部4の半導体装置11の一方表面11aと接触する面4aの高さとが互いに揃っている。第2の電極部4は弾性部材22により付勢されているため、第2の電極部4の半導体装置11と接触する側の面4aは半導体装置11の一方表面に確実に接触する。電圧計14は、半導体装置11の他方表面11bと、センス電極部4bおよび接続部4cを介して第2の電極部4に電気的に接続された半導体装置11の一方表面11aとに電気的に接続される。続いて、図8を参照して電極構造1とプローブ電極2とが相対的に互いに近づくように移動する。そして、プローブ電極2のエミッタ側プローブ13eおよびゲート側プローブ13gが半導体装置11の他方表面11bと接触する。この際、エミッタ側プローブ13eは、半導体装置11のエミッタ電極図示せずと接触する。ゲート側プローブ13gは、半導体装置11のゲート電極図示せずと接触する。この状態で半導体装置11のゲート電極図示せずにゲートG電位が印加され、エミッタ電極図示せずにエミッタE電位が印加され、コレクタ電極図示せずにコレクタC電位が印加される。たとえばゲートG電位にはHigh高が印加され、エミッタE電位には接地電位が印加され、コレクタC電位にはプラス正が印加される。この結果、半導体装置11の他方表面11bに設けられたエミッタ電極図示せずから一方表面11aに設けられたコレクタ電極図示せずに電流が流れる。したがって、半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間に電流が流れる。この半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間に電流が流れている状態での半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間の電圧が電圧計14によって検出される。このようにして、電気的特性検査装置10によって半導体装置11の電気的特性が検査される。なお、上述の動作は一例であって、これに限定されず、電圧計14の接続、真空ポンプ15の動作のタイミングなどについて検査に適した動作が適宜適用され得る。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、第2の電極部4は、通路6と離れた位置に配置され、半導体装置11の一方表面11aと接触させた状態で半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向に第1の電極部3に対して相対的に移動可能に構成されているため、第2の電極部4の移動によって通路6から真空リークが生じることはない。このため、真空リークを防止するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることによって半導体装置11の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。なお、上記では半導体装置11の一例として縦型IGBTが適用された場合について説明したが、半導体装置11はこれに限られない。半導体装置11として、縦型MOSEFT、ダイオードなども適用され得る。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"