正側直流電源と交流電力を出力するブスの間に直列に接続された複数個のスイッチング素子と、負側直流電源と交流電力を出力するブスの間に直列に接続された複数個のスイッチング素子と、中性点直流電源と前記スイッチング素子との間に接続されたダイオード素子と、前記スイッチング素子の近傍に、導電性ガスによる短絡ルートを防止する絶縁壁と、を備えることを特徴とする電力変換装置。前記絶縁壁は、前記スイッチング素子と前記ダイオード素子との間に備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。前記絶縁壁は、前記スイッチング素子と前記ブスとの間に備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。前記電力変換装置は、さらに、前記スイッチング素子に流れる過電流を遮断するヒューズを備え、前記絶縁壁は、前記スイッチング素子と前記ヒューズとの間に備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。前記絶縁壁は、前記複数個のスイッチング素子の間に備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。前記絶縁壁は、前記スイッチング素子の周囲を覆うことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。前記スイッチング素子の周囲を覆う前記絶縁壁は、複数個の絶縁壁を組み合わせたことを特徴とする請求項6に記載の電力変換装置。前記複数個のスイッチング素子は、4個以上からなることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の電力変換装置。前記スイッチング素子はIGBTからなることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の電力変換装置。前記電力変換装置は、直流電力を三相交流電力に変換することを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の電力変換装置。しかしながら、電力変換装置を、主回路のIGBT素子が破損した状態で、運転した場合、前記の破損しているIGBT素子が破裂し、内部部材の飛散により導電性ガスが発生することがある。その結果、導電性ガスがIGBT素子とヒューズの周囲を覆うと、ヒューズ定格電圧を超える短絡ルートが発生する可能性がある。このような状況に対して、特許文献1を含めて、従来の電力変換装置は必ずしも充分な対策がとられていない。そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的とするところは、破損したIGBT素子が破裂し、内部部材の飛散により導電性ガスが発生する状況においても、短絡ルートが発生しにくい電力変換装置を提供することである。前記の課題を解決するために、本発明の電力変換装置を以下のように構成した。すなわち、正側直流電源と交流電力を出力するブスの間に直列に接続された複数個のスイッチング素子と、負側直流電源と交流電力を出力するブスの間に直列に接続された複数個のスイッチング素子と、中性点直流電源と前記スイッチング素子との間に接続されたダイオード素子と、前記スイッチング素子の近傍に、導電性ガスによる短絡ルートを防止する絶縁壁と、を備える。本発明によれば、破損したIGBT素子が破裂し、内部部材飛散により導電性ガスが発生する状況においても、短絡ルートが発生しにくい電力変換装置を提供できる。以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態の電力変換装置の回路と絶縁壁との関連を示す構成図である。第1実施形態の電力変換装置は、例えば、鉄鋼圧延プラントに適用される主機交流電動機の駆動用の大容量電力変換装置に用いられる。まず、電力変換装置の回路構成を先に説明し、その後に、電力変換装置における絶縁壁について説明する。<電力変換装置の回路構成第1実施形態>図1において、電力変換装置10は、三相のU相、V相、W相を、それぞれ形成する相電圧形成回路141、142、143を備え、正側直流電源正側直流電源P、負側直流電源負側直流電源N、中性点直流電源中性点直流電源COMから供給される直流電力を、可変電圧可変周波数の三相交流電力に変換する。電力変換装置10の出力端子であるUAC151、VAC152、WAC153から出力される前記可変電圧可変周波数の三相交流電力によって交流電動機ACM:AlternatingCurrentMotor20が駆動される。また、正側直流電源の母線31と中性点直流電源の母線33との間には、コンデンサ41が接続され、中性点直流電源の母線33と負側直流電源の母線32との間には、コンデンサ42が接続されている。コンデンサ41、42の役目は、直流電源の安定化と高調波成分の除去である。また、電力変換装置10にはアース34がとられている。IGBTモジュールスイッチング素子111は、IGBT111Aと、IGBT111Aに逆並列に接続されたダイオード111BもしくはIGBT111Aの構造から生ずる寄生ダイオードを備えて構成されている。また、IGBTモジュール112、113、114内の構成は前述のIGBTモジュール111内の構成と同様である。なお、図1においては、IGBTモジュール111はひとつのIGBT、もしくはIGBTモジュールからなるように表記しているが、実際は、電気的に大容量大電流とするために複数個並列に用いることもある。したがって、IGBTモジュールを適宜、IGBTモジュール群とも表記する。相電圧形成回路141には、4個のIGBTモジュール111、112、113、114が備えられ、直列に接続されている。IGBTモジュール正側IGBTモジュール群111のコレクタ主端子は、正側ヒューズ131を介して、正側直流電源の母線31に接続されている。IGBTモジュール負側IGBTモジュール群114のエミッタ主端子は、負側ヒューズ132を介して、負側直流電源の母線32に接続されている。IGBTモジュール111のエミッタ主端子とIGBTモジュール第1の中性点IGBTモジュール群112のコレクタ主端子の接続点は、ダイオードモジュール121のカソード主端子に接続されている。IGBTモジュール112のエミッタ主端子とIGBTモジュール第2の中性点IGBTモジュール群113のコレクタ主端子の接続点は、相電圧形成回路141の出力端子であるUAC151となっている。IGBTモジュール113のエミッタ主端子とIGBTモジュール114のコレクタ主端子の接続点は、ダイオードモジュール122のアノード主端子に接続されている。ダイオードモジュール正側ダイオードモジュール121のアノード主端子は、ダイオードモジュール負側ダイオードモジュール122のカソード主端子に接続されている。この正側ダイオードモジュール121と負側ダイオードモジュール122の接続点は、中性点ヒューズ133を介して、中性点直流電源の母線33に接続されている。なお、ダイオードモジュール121、122は電気回路としての機能は、ダイオードである。実際には複数のダイオードによって構成され、モジュール化し、さらに複数のモジュールで構成されているので、ダイオードモジュール、もしくはダイオードモジュール群と適宜、表記する。なお、IGBTモジュール111は、正側直流電源の母線31の電位を出力端子のUAC151に出力するものであり、また、IGBTモジュール114は、負側直流電源の母線32の電位を出力端子のUAC151に出力するものである。また、IGBTモジュール112とIGBTモジュール113は、中性点直流電源の母線33の電位を出力端子のUAC151に出力するものである。また、IGBTモジュール111~114におけるそれぞれのIGBTのゲートは統括的にPWMPulseWidthModulation制御されて、出力端子のUAC151に交流電力を出力する。なお、IGBTのゲートへ具体的に接続する配線回路については表記を省略している。以上において、相電圧形成回路141の回路構成について、説明したが、相電圧形成回路142、143の回路構成も同様である。相電圧形成回路141~143のそれぞれに備えられた計12個4個×3相のIGBTモジュールを統括的にPWM制御することによって、可変電圧可変周波数の三相U相、V相、W相交流電力を、出力端子のUAC151、VAC152、WAC153から出力する。なお、各IGBTモジュールのPWM制御を統括して行うPWM統括制御回路は図示していない。なお、正側IGBTモジュール群111と第1の中性点IGBTモジュール群112と第2の中性点IGBTモジュール群113と負側IGBTモジュール群114の動作関係は、正側IGBTモジュール群111と第1の中性点IGBTモジュール群112が導通状態のとき、第2の中性点IGBTモジュール群113と負側IGBTモジュール群114とは遮断状態となる。また、第1の中性点IGBTモジュール群112と第2の中性点IGBTモジュール群113が導通状態のとき、正側IGBTモジュール群111と負側IGBTモジュール群114は遮断状態となる。また、第2の中性点IGBTモジュール群113と負側IGBTモジュール群114が導通状態のとき、正側IGBTモジュール群111と第1の中性点IGBTモジュール群112は遮断状態である。<電力変換装置の絶縁壁第1実施形態>次に、第1実施形態に備えられた絶縁壁と、その実装について説明する。図1において、第1の絶縁壁101が、ダイオードモジュール群121、122とIGBTモジュール群111~114との間を隔離するように備えられている。また、第2の絶縁壁102が、IGBTモジュール群111~114の第1の絶縁壁101のある反対側の側面を覆っている。なお、第2の絶縁壁102は、出力端子のUAC151の取り出し箇所において、IGBTモジュール群112とIGBTモジュール群113とを隔離するように、絶縁壁を二重にして迂回した構成としている。この二重になった絶縁壁の間から出力端子のUAC151を取り出している。このように配置した理由を次に説明する。正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133の定格電圧をE[V]とする。図1の場合、電位差がE以上の短絡ルートを発生させないために、電位Eの地点と電位-Eの地点の間に導電性ガスが充満しないようにしなければならない。正側IGBTモジュール群111と第1の中性点IGBTモジュール群112が導通状態のときを考える。このときの電位Eの地点は正側ヒューズ131、正側IGBTモジュール群111、第1の中性点IGBTモジュール群112、出力端子のUAC151である。また、電位-Eの地点は負側ヒューズ132である。第1の中性点IGBTモジュール群112と第2の中性点IGBTモジュール群113が導通状態のときを考える。このときの電位Eの地点は正側ヒューズ131である。また、電位-Eの地点は負側ヒューズ132である。第2の中性点IGBTモジュール群113と負側IGBTモジュール群114が導通状態のときを考える。このときの電位Eの地点は正側ヒューズ131である。電位-Eの地点は負側ヒューズ132、第2の中性点IGBTモジュール群113、負側IGBTモジュール群114、出力端子のUAC151である。以上により、ダイオードモジュール群121、122とIGBTモジュール群111~114との間に第1の絶縁壁101を設け、かつ、第1の絶縁壁101がある側面を除いて、第2の絶縁壁102を前記したように設けている。したがって、第1の絶縁壁101と第2の絶縁壁102で、IGBTモジュール群111~114を覆った構成としている。このとき、隔離されていないのは、正側IGBTモジュール群111と第1の中性点IGBTモジュール群112との間、及び負側IGBTモジュール群114と第2の中性点IGBTモジュール群113との間、となる。これらのIGBTモジュール群の間は、前記した動作状態から電位差がE未満である。このような第1の絶縁壁101と第2の絶縁壁102が設けられていれば、IGBT素子が破損し、破裂して導電性ガスが飛散したとしても、電位差がEを超える短絡ルートが存在しないので、正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133のいずれかが正常に動作して、過電流を遮断する。なお、図1においては、図3で後記するラミネートブス積層化した平板電極361~363については表記していない。<各相の主回路がセルユニット化された電力変換装置の構造第1実施形態>図3は、電力変換装置において、各相の主回路がセルユニット化されている場合の複数の構造面を示した斜視図であり、a、b、cに異なる構造面を示している。図3aは、第1の絶縁壁101と、IGBTモジュール群111~114と、ダイオードモジュール群121、122と、正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133との関係を示したものであり、後記する図3b、cのラミネートブスブス361~363と第2の絶縁壁102は表記されていない構造面である。図3aおいて、第1の絶縁壁101によって、IGBTモジュール群111~114と、ダイオードモジュール群121、122との間は、隔離され、IGBT素子の破裂による導電性ガスの飛散に対して、正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133、およびダイオードモジュール群121、122における電位差がEを超える短絡ルートの形成を防止できる。また、図3bは、第1の絶縁壁101とラミネートブス361、362、そしてIGBTモジュール群111~114と、ダイオードモジュール群121、122と、正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133との関係を示したものであり、後記する図3cのラミネートブス363と第2の絶縁壁102は表記されていない構造面である。図3bにおいては、ラミネートブス361が、IGBTモジュール群111とIGBTモジュール群112との間を電気的に接続するように、また、ラミネートブス362が、IGBTモジュール群113とIGBTモジュール群114との間を電気的に接続するように設けられている構造を示している。また、図3cは、第2の絶縁壁102とラミネートブス363、そして、ダイオードモジュール群121、122と、正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133との関係を示したものである。なお、第1の絶縁壁101とラミネートブス361、362とIGBTモジュール群111~114は、存在しているが、第2の絶縁壁102によって、隠れて表記されていない。図3cにおいては、第2の絶縁壁102は、図の正面にしか表記されていないが、実際には、図1に示した第2の絶縁壁102のように、第1の絶縁壁101図1、図3のある反対側の側面、また背面側および上面と下面を覆っている。また、図1に示し、かつ前記したように、出力端子のUAC151の取り出し箇所において、IGBTモジュール群112とIGBTモジュール群113とを隔離するように、絶縁壁を二重にして迂回した構成としているが、図3cにおいてはラミネートブス363に隠れて表記されていない。また、図3cに示したラミネートブス363は、図1の出力端子のUAC151を取り出すためのものであり、電気的に接続されている。図1と図3a、b、cに示された第1の絶縁壁101と第2の絶縁壁102によって、IGBTモジュール群111~114は、ダイオードモジュール群121、122と、正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133、ラミネートブス363から隔離される。したがって、IGBTモジュール群111~114のIGBT素子の破裂による導電性ガスの飛散に対して、ダイオードモジュール群121、122と、正側ヒューズ131、負側ヒューズ132、中性点ヒューズ133、ラミネートブス363は隔離されて、電位差がEを超える短絡ルートの形成を防止できる。図2は、本発明の第2実施形態の電力変換装置の回路と絶縁壁との関連を示す構成図である。図1で示した第1実施形態の電力変換装置10と交流電動機20よりも高い電圧で第2実施形態の電力変換装置11と交流電動機21が使用される。図2の電力変換装置11が図1の電力変換装置10と異なるのは、相電圧形成回路241、242、243と相電圧形成回路141、142、143の回路構成と絶縁壁の構造においてである。また、相電圧形成回路241、242、243は、互いに同じ回路構成と絶縁壁の構造であるので、相電圧形成回路241についてのみ、以下に説明し、他の同じ構成要素については説明を省略する。<電力変換装置の回路構成第2実施形態>図2において、IGBTモジュールスイッチング素子は、U相における相電圧形成回路241において、IGBTモジュール211~218の8個が用いられる。他のV相、W相における相電圧形成回路242、243においても同様である。前記したように、相電圧形成回路241には、8個のIGBTモジュール211~218が備えられ、直列に接続されている。IGBTモジュール211のコレクタ主端子は、正側ヒューズ231を介して、正側直流電源の母線31に接続されている。IGBTモジュール218のエミッタ主端子は、負側ヒューズ232を介して、負側直流電源の母線32に接続されている。IGBTモジュール211のエミッタ主端子とIGBTモジュール212のコレクタ主端子は接続されている。IGBTモジュール211とIGBTモジュール212によって、正側IGBTモジュール群512図4aが構成されている。IGBTモジュール213のエミッタ主端子とIGBTモジュール214のコレクタ主端子は接続されている。IGBTモジュール213とIGBTモジュール214によって、第1の中性点IGBTモジュール群534図4aが構成されている。IGBTモジュール215のエミッタ主端子とIGBTモジュール216のコレクタ主端子は接続されている。IGBTモジュール215とIGBTモジュール216によって、第2の中性点IGBTモジュール群556図4aが構成されている。IGBTモジュール217のエミッタ主端子とIGBTモジュール218のコレクタ主端子は接続されている。IGBTモジュール217とIGBTモジュール218によって、負側IGBTモジュール群578図4aが構成されている。IGBTモジュール212のエミッタ主端子とIGBTモジュール213のコレクタ主端子は接続され、ダイオードモジュール221のカソード主端子に接続されている。IGBTモジュール214のエミッタ主端子とIGBTモジュール215のコレクタ主端子は接続され、相電圧形成回路241の出力端子であるUAC251となっている。IGBTモジュール216のエミッタ主端子とIGBTモジュール217のコレクタ主端子は接続され、ダイオードモジュール224のアノード主端子に接続されている。ダイオードモジュール221~224は順に直列に接続されている。ダイオードモジュール222のアノード主端子とダイオードモジュール223のカソード主端子は接続され、この接続点は中性点ヒューズ233を介して、中性点直流電源の母線33に接続されている。なお、図1では、2個のダイオードモジュール121、122が、図2においては、4個のダイオードモジュール221~224で構成されている。ダイオードモジュールの個数が増えている理由は、主として耐圧を確保するためである。また、図2の直列に接続されたダイオードモジュール221、222によって、図4におけるダイオードモジュール群412が構成されている。また、図2の直列に接続されたダイオードモジュール223、224によって、図4におけるダイオードモジュール群434が構成されている。なお、IGBTモジュール211とIGBTモジュール212による正側IGBTモジュール群512図4aは、正側直流電源の母線31の電位を出力端子のUAC251に出力するものである。また、IGBTモジュール217とIGBTモジュール218による負側IGBTモジュール群578図4aは、負側直流電源の母線32の電位を出力端子のUAC251に出力するものである。また、IGBTモジュール213とIGBTモジュール214による第1の中性点IGBTモジュール群534図4aは、中性点直流電源の母線33の電位を出力端子のUAC251に出力するものである。また、IGBTモジュール215とIGBTモジュール216による第2の中性点IGBTモジュール群556図4aは、中性点直流電源の母線33の電位を出力端子のUAC251に出力するものである。また、IGBTモジュール211~218におけるそれぞれのIGBTのゲートは統括的にPWM制御されて、出力端子のUAC251に一相分の交流電力を出力する。以上において、相電圧形成回路241の回路構成について説明したが、前記したように相電圧形成回路242、243の回路構成も同様である。相電圧形成回路241~243のそれぞれに備えられた計24個8個×3相のIGBTモジュールを統括的にPWM制御することによって、可変電圧可変周波数の三相U相、V相、W相交流電力を、出力端子のUAC251、VAC252、WAC253から出力する。なお、各IGBTモジュールのPWM制御を統括して行うPWM統括制御回路は図示していない。なお、正側IGBTモジュール群512、図4aと第1の中性点IGBTモジュール群534と第2の中性点IGBTモジュール群556と負側IGBTモジュール群578の動作関係は、正側IGBTモジュール群512と第1の中性点IGBTモジュール群534が導通状態のとき、第2の中性点IGBTモジュール群556と負側IGBTモジュール群578とは遮断状態なる。また、第1の中性点IGBTモジュール群534と第2の中性点IGBTモジュール群556が導通状態のとき、正側IGBTモジュール群512と負側IGBTモジュール群578は遮断状態となる。また、第2の中性点IGBTモジュール群556と負側IGBTモジュール群578が導通状態のとき、正側IGBTモジュール群512と第1の中性点IGBTモジュール群534は遮断状態である。以上の動作状態を考慮して絶縁壁を備える必要がある。図2に示した第2実施形態と、図1に示した第1実施形態と異なるものとしては、第2実施形態の電力変換装置をより高い電圧で使用するために、正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578が、それぞれ2個のIGBTモジュール群211、212、213、214、215、216、217、218を直列に構成したことがある。この構成を反映して絶縁壁を備える。<電力変換装置の絶縁壁第2実施形態>第2実施形態に備えられた絶縁壁と、その実装について説明する。図2において、第1の絶縁壁201が、ダイオードモジュール群221~224とIGBTモジュール群211~218との間を隔離するように備えられている。また、第2の絶縁壁202が、IGBTモジュール群211~218の第1の絶縁壁201のある反対側の側面を覆っている。なお、第2の絶縁壁202は、出力端子のUAC251の取り出し箇所において、第1の中性点IGBTモジュール群534、図4aと第2の中性点IGBTモジュール群556とを隔離するように、絶縁壁を二重にして迂回した構成としている。この二重になった絶縁壁の間から出力端子のUAC251を取り出している。なお、図2においては、図4で後記するラミネートブス461~463については表記していない。また、正側IGBTモジュール群512と第1の中性点IGBTモジュール群534とを隔離するために、第3の絶縁壁203が備えられている。また、負側IGBTモジュール群578と第2の中性点IGBTモジュール群556とを隔離するために、第4の絶縁壁204が備えられている。このように配置した理由を次に説明する。正側ヒューズ231、負側ヒューズ232、中性点ヒューズ233の定格電圧をE[V]とする。図1の場合、電位差がEを超える短絡ルートを発生させないために、電位Eの地点と電位-Eの地点の間に導電性ガスが充満しないようにしなければならない。第1の絶縁壁201と、第2の絶縁壁202の必要性については、図1に示した第1実施形態と同様である。図2における絶縁壁で図1と異なるのは、第3の絶縁壁203と第4の絶縁壁204である。第3の絶縁壁203は、正側IGBTモジュール群512がIGBTモジュール211とIGBTモジュール212との直列回路で構成され、かつ第1の中性点IGBTモジュール群534がIGBTモジュール213とIGBTモジュール214との直列回路で構成されたため、正側IGBTモジュール群512と第1の中性点IGBTモジュール群534との間にEを超える電圧の短絡ルートが生ずる可能性が生じたためである。また、第4の絶縁壁204は、負側IGBTモジュール群578がIGBTモジュール217とIGBTモジュール218との直列回路で構成され、かつ第2の中性点IGBTモジュール群556がIGBTモジュール215とIGBTモジュール216との直列回路で構成されたため、負側IGBTモジュール群578と第2の中性点IGBTモジュール群556との間にEを超える電圧の短絡ルートが生ずる可能性が生じたためである。以上のように第1の絶縁壁201と第2の絶縁壁202と第3の絶縁壁203と第4の絶縁壁204が設けられていれば、IGBT素子が破損破裂して導電性ガスが飛散したとしても、電位差がEを超える短絡ルートが存在しないので、正側ヒューズ231、負側ヒューズ232、中性点ヒューズ233のいずれかが正常に動作して、過電流を遮断する。<各相の主回路がセルユニット化された電力変換装置の構造第2実施形態>図4は、第2実施形態の電力変換装置において、各相の主回路がセルユニット化されている場合の複数の構造面を示した斜視図であり、a、b、cに異なる構造面を示している。図4aは、第1の絶縁壁201と、正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578と、ダイオードモジュール群412、434と、正側ヒューズ231、負側ヒューズ232、中性点ヒューズ233との関係を示したものであり、後記する図4b、cのラミネートブス461~463と第2の絶縁壁202、第3の絶縁壁203、第4の絶縁壁204は表記されていない構造面である。図4aおいて、第1の絶縁壁201によって、正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578と、ダイオードモジュール群412、434との間は、隔離され、IGBT素子の破裂による導電性ガスが飛散に対して、ダイオードモジュール群412、434における電位差がEを超える短絡ルートの形成を防止できる。また、図4bは、第1の絶縁壁201、第3の絶縁壁203、第4の絶縁壁204とラミネートブス461、462、そして正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578とダイオードモジュール群412、434と、正側ヒューズ231、負側ヒューズ232、中性点ヒューズ233との関係を示したものである。また、後記する図4cのラミネートブス463と第2の絶縁壁202は表記されていない構造面である。図4bにおいては、ラミネートブス461が、正側IGBTモジュール群512と第1の中性点IGBTモジュール群534との間を電気的に接続するように、また、ラミネートブス462が、第2の中性点IGBTモジュール群556と負側IGBTモジュール群578との間を電気的に接続するように設けられている構造を示している。また、図4cは、第2の絶縁壁202とラミネートブス463、そして、ダイオードモジュール群412、434と、正側ヒューズ231、負側ヒューズ232、中性点ヒューズ233との関係を示したものである。なお、第1の絶縁壁201、第3の絶縁壁203、第4の絶縁壁204と、ラミネートブス461、462と正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578は、存在しているが、第2の絶縁壁202によって、隠れて表記されていない。図4cにおいては、第2の絶縁壁202は、図の正面にしか表記されていないが、実際には、図2に示した第2の絶縁壁202のように、第1の絶縁壁201図2、図4のある反対側の側面、また背面側および上面と下面を覆っている。また、図2に示し、前記したように、出力端子のUAC251の取り出し箇所において、第1の中性点IGBTモジュール群534と第2の中性点IGBTモジュール群556とを隔離するように、絶縁壁を二重にして迂回した構成としているが、図4cにおいてはラミネートブス463に隠れて表記されていない。また、図4cに示したラミネートブス463は、図2の出力端子のUAC251を取り出すためのものであり、電気的に接続されている。図2と図4a、b、cに示された第1の絶縁壁201、第2の絶縁壁202、第3の絶縁壁203、第4の絶縁壁204とによって、正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578は、ダイオードモジュール群412、434と、正側ヒューズ231、負側ヒューズ232、中性点ヒューズ233、ラミネートブス463から隔離される。したがって、正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578のIGBT素子の破裂による導電性ガスの飛散に対して、ダイオードモジュール群412、434と、正側ヒューズ231、負側ヒューズ232、中性点ヒューズ233、ラミネートブス463は隔離されて、電位差がEを超える短絡ルートの形成を防止できる。また、第3の絶縁壁203、第4の絶縁壁204によって、正側IGBTモジュール群512、第1の中性点IGBTモジュール群534、第2の中性点IGBTモジュール群556、負側IGBTモジュール群578の相互の電位差がEを超える短絡ルートの形成を防止できる。その他の実施形態電力変換装置に用いるスイッチング素子として、IGBTを用いて説明したが、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor、BJTBipolarJunctionTransistor、BiCMOSBipolarComplementaryMetalOxideSemiconductor、SiCSiliconCarbide素子、あるいは、他の適切なスイッチング素子を用いても良い。電力変換装置における1相の相電圧形成回路に備えられるIGBTモジュール群の個数を4個、または8個とした場合の実施形態について説明したが、さらにIGBTモジュール群の個数を増やした場合においても本発明は適用できる。特にIGBTモジュールの直列の段数を増やして、電圧を高く用いる場合には、さらに絶縁壁を増やしてもよい。電力変換装置に用いるラミネートブスで説明したが、必ずしも積層化されていない一般的なブスbusbarでもよい。図1~図4において、絶縁壁でIGBTモジュールをすべて覆う場合について、説明したが、例えば図1、図3におけるダイオードモジュール群121、122とIGBTモジュール群111~114の間を隔離する第1の絶縁壁101のみであっても効果はある。また、図2、図4において、正側IGBTモジュール群512と第1の中性点IGBTモジュール群534とを隔離するための第3の絶縁壁203や、負側IGBTモジュール群578と第2の中性点IGBTモジュール群556とを隔離するための第4の絶縁壁204のみであっても効果はある。同様に、図1~図4における第2の絶縁壁102、202のみであっても効果はある。つまり、必ずしも、IGBTモジュールをすべて覆う必要はない。第1~第4の絶縁壁がある近傍において、IGBT素子の破損破裂による導電性ガスが飛散を防ぐ可能性が高まる。