発光デバイスであって、第1のドーピング濃度の第1のドーピング種の半導体材料の基板を含むボディと、前記基板が上面を有し、該上面の一方の側において、絶縁材料のボディを用いる横方向アクティブ領域分離技法を利用するバルク半導体製造プロセスに従って前記基板内に形成される、第2のドーピング濃度の第2のドーピング種の第1の島状部であって、該第1の島状部と前記基板との間に第1の接合部が形成され、該第1の島状部は上面を有する、第1の島状部と、前記第1の島状部から横方向に離隔される、第3のドーピング濃度の第3のドーピング種の第2の島状部であって、それによって、前記第1の島状部が第1の面を有し、該第2の島状部が第2の面を有し、該第1の面及び該第2の面が互いに向かい合い、さらに、該第2の島状部は上面を有する、第2の島状部と、を備え、前記基板は、前記第1の面と前記第2の面との間に横方向に延在し、該基板の前記上面と一致する上面を有する結合部を提供し、それによって、該結合部の該上面、前記第1の島状部の前記上面及び前記第2の島状部の前記上面が集合的に、前記ボディと該デバイスの絶縁層との間の平坦な境界面を形成し、さらに、前記ボディに接続され、前記第1の接合部に逆バイアスをかけ、前記第1の接合部の降伏モードを引き起こし、それにより該デバイスに光を放射させるように構成される端子配列と、を備え、該デバイスは、該デバイスの1つの領域において、放射された光の伝搬を容易にするように構成され、該領域は、前記第1の面、及び前記第1の面から前記結合部の中に延在する空乏領域の少なくとも一部のうちの少なくとも一方を含むゾーンから垂直に離れるように、前記基板の前記上面の別の側に延在する、発光デバイス。前記第1のドーピング種は前記第2のドーピング種と逆であり、前記第3のドーピング種は前記第2のドーピング種と同じである、請求項1に記載の発光デバイス。前記端子配列は、前記第2の島状部と前記基板との間にある第2の接合部に順バイアスをかけるように構成される、請求項2に記載の発光デバイス。前記第1のドーピング種は前記第2のドーピング種と逆であり、前記第3のドーピング種は前記第1のドーピング種と同じであり、前記第1のドーピング濃度は前記第3のドーピング濃度よりも低い、請求項1に記載の発光デバイス。前記第1の面から延在する前記空乏領域が、前記第1の接合部が前記降伏モードに入る前に、前記結合部を突き抜けて延在し、前記第2の島状部に達するように構成される、請求項4に記載の発光デバイス。前記半導体材料は間接遷移半導体材料を含む、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光デバイス。前記間接遷移半導体材料はシリコンを含み、前記バルク半導体製造プロセスは、サブミクロンバルクCMOSプロセス及びサブミクロンバルクBiCMOSプロセスのうちの1つである、請求項6に記載の発光デバイス。平面図で見るときに、結合された前記第1の島状部及び前記第2の島状部は前記絶縁層によって少なくとも部分的に取り囲まれる、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光デバイス。発光デバイスを製造する方法であって、横方向アクティブ領域分離技法を用いるバルク半導体製造プロセスを利用するステップと、第1のドーピング種の半導体材料の基板内に、かつ該基板の上面の一方の側に、第2のドーピング種の第1の島状部と、該第1の島状部から横方向に離隔される、第3のドーピング種の第2の島状部とを形成するステップであって、それによって、該第1の島状部及び該第2の島状部は互いに向かい合う面を有する、形成するステップと、前記互いに向かい合う面の少なくとも一部の間に絶縁材料の障壁が形成されるのを阻止するステップと、前記第1の島状部と前記第2の島状部との間にあり、かつ前記上面の別の側にある該デバイスの領域を、該デバイスによって放射される光の伝搬を容易にするように適合させるステップと、を含む、発光デバイスを製造する方法。したがって、本発明の目的は、本出願人が上述の不都合を少なくとも緩和することができると考える、又は既知のデバイス及び方法の有用な代替手段を提供することができる発光デバイス及びそのデバイスの製造方法を提供することである。本発明によれば、発光デバイスであって、第1のドーピング濃度の第1のドーピング種の半導体材料の基板を含むボディと、前記基板が上面を有し、該上面の一方の側において、絶縁材料のボディを用いる横方向アクティブ領域分離技法を利用するバルク半導体製造プロセスに従って前記基板内に形成される、第2のドーピング濃度の第2のドーピング種の第1の島状部であって、該第1の島状部と前記基板との間に第1の接合部が形成され、該第1の島状部は上面を有する、第1の島状部と、前記第1の島状部から横方向に離隔される、第3のドーピング濃度の第3のドーピング種の第2の島状部であって、それによって、前記第1の島状部が第1の面を有し、該第2の島状部が第2の面を有し、該第1の面及び該第2の面が互いに向かい合い、さらに、該第2の島状部は上面を有する、第2の島状部と、を備え、前記基板は、前記第1の面と前記第2の面との間に横方向に延在し、該基板の前記上面と一致する上面を有する結合部を提供し、それによって、該結合部の該上面、前記第1の島状部の前記上面及び前記第2の島状部の前記上面が集合的に、前記ボディと該デバイスの絶縁層との間の平坦な境界面を形成し、さらに、前記ボディに接続され、前記第1の接合部に逆バイアスをかけ、前記第1の接合部の降伏モードを引き起こし、それにより該デバイスに光を放射させるように構成される端子配列と、を備え、該デバイスは、該デバイスの1つの領域において、放射された光の伝搬を容易にするように構成され、該領域は、前記第1の面、及び使用時に前記第1の面から前記結合部の中に延在する空乏領域の少なくとも一部のうちの少なくとも一方を含むゾーンから垂直に離れるように、前記基板の前記上面の別の側に延在する、発光デバイスが提供される。前記ゾーンは、前記第1の面、及び使用時に該第1の面から前記結合部の中に延在する前記空乏領域の少なくとも一部のうちの少なくとも一方、好ましくは両方を覆う上面ゾーンとすることができる。前記第1のドーピング種はp型とすることができ、代替的にはn型とすることができる。前記デバイスの一実施の形態では、前記第1のドーピング種は前記第2のドーピング種と逆にすることができ、前記第3のドーピング種は前記第2のドーピング種と同じにすることができる。前記第2のドーピング濃度及び前記第3のドーピング濃度は、前記第1のドーピング濃度よりも高くすることができる。前記端子配列は、前記第2の島状部と前記基板との間に形成される第2の接合部に順バイアスをかけるように構成することができる。前記デバイスの別の実施の形態では、前記第1のドーピング種は前記第2のドーピング種と逆にすることができ、前記第3のドーピング種は前記第1のドーピング種と同じにすることができ、前記第1のドーピング濃度は前記第3のドーピング濃度よりも低くすることができる。前記デバイスは、前記第1の面から延在する前記空乏領域が、前記第1の接合部が前記降伏モードに入る前に、前記結合部を突き抜けて延在し、前記第2の島状部に達するように構成することができる。前記半導体材料は間接遷移半導体材料を含むことができる。前記間接遷移半導体材料はシリコンを含むことができる。前記バルク半導体製造プロセスは、サブミクロンバルクCMOSプロセス及びサブミクロンバルクBiCMOSプロセスのうちの1つとすることができる。平面図で見るときに、結合された前記第1の島状部及び前記第2の島状部は前記デバイスの前記絶縁層によって少なくとも部分的に取り囲むことができる。発光デバイスを製造する方法であって、横方向アクティブ領域分離技法を用いるバルク半導体製造プロセスを利用するステップと、第1のドーピング種の半導体材料の基板内に、かつ該基板の上面の一方の側に、第2のドーピング種の第1の島状部と、該第1の島状部から横方向に離隔される、第3のドーピング種の第2の島状部とを形成するステップであって、それによって、該第1の島状部及び該第2の島状部は互いに向かい合う面を有する、形成するステップと、前記互いに向かい合う面の少なくとも一部の間に絶縁材料の障壁が形成されるのを阻止するステップと、前記第1の島状部と前記第2の島状部との間にあり、かつ前記上面の別の側にある該デバイスの領域を、該デバイスによって放射される光の、前記基板から離れる方向への伝搬を容易にするように適合させるステップと、を含む、発光デバイスを製造する方法も本発明の範囲内に含まれる。ここで、例にすぎないが、本発明を添付の図面を参照しながら更に説明する。本発明による発光デバイスは、図3及び図4において概して参照番号10によって示される。発光デバイス10は、半導体材料の基板12を含むボディ11を備える。図示される例示的な実施形態では、シリコンの形をとる、第1のドーピング種p及び第1のドーピング濃度の間接遷移半導体材料が用いられる。基板は上面14を有する。第2のドーピング種及び第2のドーピング濃度nの第1の島状部16、及び第3のドーピング種及び第3のドーピング濃度この場合には同じくnの第2の島状部18が、横方向アクティブ領域物理的分離LOCOS又はSTIを用いる横方向素子分離技法を利用する標準的なバルク半導体製造プロセス例えば、標準的な0.35μmCMOSプロセスなどの標準的なサブミクロンプロセス等に従って、基板12の上面14の一方の側に形成される。第1の島状部は、上面14に隣接する基板12内に埋め込まれ、第1の島状部16は上面16.1を有し、該上面は上面14と位置合わせされる。第2の島状部18は第1の島状部16から横方向に離隔され、その結果、第1の島状部及び第2の島状部は互いに向かい合う面16.2及び18.2を有する。第2の島状部18は上面18.1を有し、該上面も上面14と位置合わせされる。基板12は、第1の島状部16と第2の島状部18との間に延在する、横方向に延在する結合部20を提供する。結合部20は、基板12の上面14と一致する上面を有する。それゆえ、結合部の上面と第1の島状部の上面16.1と第2の島状部の上面18.1とは、集合的に、デバイスのボディ11と絶縁層19との間の平坦な境界面21を形成する。結合部20は、ボディ12によって一体的に設けられ、直線的に、すなわち、互いに向かい合う面16.2及び18.2の少なくとも一部の間に途切れることなく直線を成して延在する。端子配列図示せずはボディに接続され、基板12と第1の島状部16との間に形成される第1の接合部24に逆バイアスをかけ、第1の接合部24の降伏モードを引き起こし、それにより、デバイス10に光を放射させるように構成される。デバイス10は、デバイスの領域26において、放射された光が基板から離れる一般的な方向Aにおいてデバイス10から外に向かって、かつデバイス10に対して横に向かって伝搬するのを容易にするように構成される。領域26は、デバイスのゾーン28から垂直に離れるように、基板の上面14の別の側に延在する。ゾーン28は、第1の面16.2と、使用時に第1の面16.2から結合部20の中に延在する空乏領域図示せずの少なくとも一部とを覆う上面ゾーンであることが好ましい。例えば、デバイス10は、領域26が、ゲート構造の場合に用いられるような、導体又は半導体ボディなどの光伝搬阻止構造又は構成要素を一切含まないように構成することができる。図1及び図2を参照すると、本明細書の序論において参照された従来技術のデバイス100の一例が示される。注入アクティブ領域116及び118を横方向に分離するLOCOS又はSTI分離技法によって形成された二酸化シリコン分離障壁120が明確に示される。その結果として、従来技術のデバイスのボディ111と絶縁層119との間の境界面121が階段状になる。本明細書の序論において述べたように、これらの障壁120の不都合な点は、それらの障壁が、デバイス内のエレクトロルミネッセンス効果を改善するために都合良く用いることができる、パンチスルー効果及びリーチスルー効果を阻止することである。横方向素子分離技法を用いて分離障壁を形成し、ドープされた注入アクティブ領域を互いから分離するが、その分離技法は、選択されたアクティブ領域間に分離障壁が形成されないように適合されているタイプの標準的なバルク半導体製造プロセスを利用して発光デバイスを製造する本発明による方法は、上述の標準的なプロセスと完全に互換性を有する。一般的に、これらの標準的なプロセスにおいて、ACTIVE又はDIFFとして画定される層を用いて、フィールド酸化膜成長又はトレンチ形成が阻止されるべき場所を示す。注入画定ステップのために別々の1組のマスクが作製され、nドーパント又はpドーパントが注入されるべき場所が示される。幾つかの標準的なプロセスにおいて、アクティブ領域がnとして画定された場合には、他の全てのアクティブ領域は自動的にpにドープされることになる。しかしながら、本発明による方法では、nアクティブ領域及びpアクティブ領域を独立して別々に画定できる必要がある。別の要件は、nアクティブ領域及びpアクティブ領域を画定するフォトリソグラフィプロセスがこれらの領域を幾何学的に正確に画定するための許容できる解像度を有することである。図6a~図6dには、標準的な従来技術のp基板タイプCMOSプロセスが示されており、図1及び図2の2つのn領域116及び118が画定されている。ACTIVE領域マスク200が、LOCOSプロセスにおいてチャネルストップ注入物202及びフィールド酸化膜成長領域120の両方を画定する役割を果たし、Si3Ni4等が酸化を防止し続けることになる。フィールド酸化膜成長が行なわれない場合、ゲート酸化物のみが残る。別のマスク204を用いて、n領域116及び118を画定し、フォトレジスト及びフィールド酸化膜の両方が、望ましくない領域への注入を制限する。図6dには、バードビーク形成物300とともに、図1及び図2の阻止用酸化膜障壁120も示される。図7a~図7dには、本発明による方法の1つの形態が示される。その意図は、ドーピングマスク204が2つの領域16及び18を分離している間に、2つのn領域16と18との間にアクティブ領域結合部20を画定することである。結果として、n領域16及び18がそれほど明確には画定されない場合があるが、適合させた方法は、横方向酸化膜障壁120の形成を阻止し、該障壁をアクティブ材料pの結合部20で置き換える。該結合部はp基板12によって一体的に設けられ、互いに向かい合う面16.2及び18.2の少なくとも一部の間に途切れることなく直線的に延在する。図5において最もわかりやすく示されるように、フィールド酸化膜層19の領域19.1が環状の終端部を形成し、その終端部はアクティブ領域16及び18を少なくとも部分的に取り囲み、結合部20の両側20.1及び20.2を終端する。本発明によるデバイス10は、従来技術のデバイスより優れた少なくとも以下の利点を有することができると考えられる。第一に、図6dの300において示されるバーズビーク形成物を除去することに起因して、角度を成すSi/SiO2境界面において光生成が生じることは予想されないので、より多くの光が上面14から出ることができ、それゆえ、デバイスの外部量子効率を改善することができる。第二に、絶縁層、すなわちSiO2層19が、結合部の両側20.1及び20.2において結合部20を終端し、電界及びキャリアをアクティブ領域16と18との間の横方向に閉じ込める。第三に、上述の望ましくない分離障壁120が存在しないとき、リーチスルーデバイス及びパンチスルーデバイスの電気的特性を、n/p領域分離の影響を受けにくくすることができる。通常、サンドイッチ構造内の第1の領域と第3の領域との間の間隔は重要である。例えば、電子なだれが生じるまで、電子なだれ接合部に逆バイアスをかけることによって、物理的な空間電荷領域が増加する。順バイアスをかけられた接合部の空乏領域が、電子なだれ接合部の空乏領域につながらない場合には、パンチスルーは生じない。一方、間隔を小さくすると、非ルミネッセントトンネル効果の確率を高くすることができる。さらに、Si3Ni4LOCOSマスクの近接性が小さくなり、フィールド酸化膜成長が影響を受けるようになり、結果として、電子なだれ降伏から非発光性導通nonradiativeconductionへの急転が生じる。例えば、300nmの分離距離を有するリーチスルーデバイスはトンネル効果モードにおいて動作できるのに対して、450nmの分離を有するデバイスは、既に強い電子なだれを示しており、もはやリーチスルーしない。図8aには、従来技術の分離用フィールド酸化膜障壁120が空乏領域の空間的挙動に及ぼす影響が示される。図8bに示されるように、障壁120が除去されるとき、パンチスルーを受けるエリアは大きくなると予想される。降伏状態の接合部24に対して露出する注入領域の空乏領域の部分が大きくなる。これにより、結果として、降伏状態の接合部24に達する注入されたキャリアが増えると予想される。図9a及び図9bを参照すると、デバイスがリーチスルーモードに至らせられる場合の類似の状況を予想することができる。障壁120が除去されると、逆バイアスに応じた空間電荷領域の成長がより良好に分布するようになると考えられ、これにより、所与の空間範囲について、リーチスルー動作及びパンチスルー動作が成功する見込みを増加させることができると更に考えられる。図10には、シリコンにおいてパンチスルー又はリーチスルーいずれかの発光デバイスを形成するために、本発明の方法に従って適合させた、横方向アクティブ領域分離技法を用いる標準的なバルクCMOS/BiCMOSプロセスを利用する自明の流れ図が示される。