光取り出し面側に複数の突起物を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように設けられた波長408nmにおける屈折率1.50以下の封止材とを有することを特徴とする半導体発光装置。前記封止材の波長408nmにおける屈折率が、1.42以下である請求項1に記載の半導体発光装置。前記封止材が、フッ素原子含有ポリシロキサンを含有する封止材である請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体発光装置。封止材の屈折率を高くすると、半導体発光素子の発光面から封止材への光の取り出し効率は向上するが、封止材の屈折率が高くなると、封止材と外部空気:屈折率=約1.00との屈折率差が大きくなり、封止材と外部との界面で反射し、最終的に半導体発光素子の発光面から外部への光の取り出し効率は低下する。半導体素子の半導体層に高屈折率のGaNやInGaNなどを用いる場合、半導体発光素子の発光面と封止材との界面の反射を抑制するために、封止材の屈折率を高くする必要があり、最終的に半導体発光素子の発光面から外部への光の取り出し効率は低下する問題があった。本発明は、半導体発光素子の発光面から外部への光取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供することを目的とする。本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する半導体発光装置により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の[1]~[3]に関する。[1]光取り出し面側に複数の突起物を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように設けられた波長408nmにおける屈折率1.50以下の封止材とを有することを特徴とする半導体発光装置。[2]前記封止材の波長408nmにおける屈折率が、1.42以下である前記[1]に記載の半導体発光装置。[3]前記封止材が、フッ素原子含有ポリシロキサンを含有する封止材である前記[1]または前記[2]のいずれかに記載の半導体発光装置。本発明によれば、半導体発光素子からでる光を効率よく外部に取り出すことができる。以下、本発明の実施形態について説明する。1.半導体発光素子本発明における半導体発光素子は、光取り出し面側に複数の突起物を有する。屈折率が3.00以上の半導体発光素子と、屈折率が1.45以下の封止材との間の臨界角は約29度以下である。半導体発光素子の発光層から封止材に向かう光のうち、半導体発光素子と封止材との界面に対する入射角が臨界角より大きい光は全反射することから、臨界角が29度以下では、多くの光が界面で反射することになる。しかしながら、本発明の半導体発光素子の光取り出し面側には複数の突起物を有していることから、臨界角より大きい入射角を有する光が、半導体発光素子と封止材との界面で全反射しても、反射光は別の界面に向かい、その反射光の入射角が臨界角よりも小さければ、光を封止材側に取り出すことができる。このように半導体発光素子の光取り出し面側に複数の突起物を有することにより、一度、界面で全反射しても、その反射光は別の界面に向かい光を取り出せる可能性があることから、結果的に、半導体発光素子の発光層から封止材に向かう光の取り出し効率は向上することができる。図1にその原理を示す。半導体発光素子の光取り出し面側に突起物を有しない場合a参照、半導体発光素子と封止材との界面で反射した光は、半導体発光素子の内部に向かい、封止材側へ光を取り出すことはできない。一方、半導体発光素子の光取り出し面側に突起物を有する場合b参照、半導体発光素子と封止材との界面で反射した光は、別の界面に臨界角より小さい入射角で向かう可能性があり、その結果、一度全反射した光を封止材側へ光を取り出すことができる。半導体発光素子は、特に限定なく、例えば、特開2009-170655号公報、特開2007-173530号公報、特開2007-157778号公報、特開2005-294870号公報、特開2004-296979号公報、特開2004-047662号公報、特開2003-243703号公報、特開2003-86841号公報、特開2002-329885号公報、特開2002-064221号公報、特開2001-274456号公報、特開2001-196629号公報、特開2001-177147号公報、特開2001-068786号公報、特開2000-261029号公報、特開2000-124502号公報、特開平10-294531号公報、特開平09-312442号公報及び特開平09-237916号公報に記載の公知の構造や材料や製法の半導体発光素子を用いることができる。半導体発光素子の構造は、例えば、ダブルへテロ接合型、量子井戸接合型などを挙げることができる。また、半導体発光素子には、電流阻止層、パッシベーション層、カラーフィルター層等を設けてもよい。半導体発光素子の半導体層の材質は、例えば、InGaN、InGaAlN、GaNなどの窒化ガリウム系化合物や、SiC、InN、AlN、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInPなどの他の無機化合物、銅フタロシアニン系誘導体、ポリフェニレンビニレン系誘導体、ポリアルキルチオフェン系誘導体、ポリアルキルフルオレン系誘導体などの有機化合物が挙げられる。これらの中でも、より顕著に本発明の効果を示せることから、高屈折率の窒化ガリウム系化合物が好ましい。突起物は、どのような構造や数であってもよいが、半導体発光素子から封止材への光の取り出し効率を向上させるためには、突起物の形状は錐体状であり、突起物の底面と側面との交差角が異なる、できるだけ多くの突起物少なくとも、10個以上を有している方が好ましい。突起物は突起物を形成する際に半導体層へのダメージを防ぐため、通常、パッシベーション層に形成する。突起物は、レジストを用いたフォトファブリケーションや、インプリントにより形成することができる。2.封止材本発明における封止材は、前記半導体発光素子を覆うように設けられ、波長408nmにおける屈折率1.50以下である。封止材から外部への光取り出し効率を向上させるには、できるだけ封止材と外部との屈折率の差を小さくする、つまり、外部の屈折率は一定であることから、封止材の屈折率をできるだけ小さくするのが好ましい。ただし、封止材の屈折率を下げすぎると、半導体発光素子と封止材との間の臨界角が低くなりすぎ、半導体発光素子の発光面に形成した複数の突起物だけでは、半導体発光素子から封止材へ光りを取り出せなくなることから、封止材の屈折率は通常1.50以下好ましくは1.42以下、下限値は通常1.20以上好ましくは1.30以上である。封止材の屈折率が1.50以下であれば、封止材と外部との間の臨界角は、約42度以下となり、多くの光を封止材から外部へ取り出すことができる。また、封止材の屈折率が1.42以下であれば、封止材と外部との間の臨界角は、約45度以下となり、大部分の光を封止材から外部へ取り出すことができる。なお、本発明における屈折率は、1気圧、25°C、波長408nmにおける絶対屈折率を意味する。屈折率は分光エリプソメータ例えばJ.A.Woollam社製の装置名M-2000などにより測定できる。封止材の材質は、屈折率が1.50以下であり、且つ、可視光領域でできるだけ透明な材料であれば、有機系材料であっても、無機系材料であってもよい。これらの中でも、耐熱性、耐光性に優れる無機系材料の方が好ましい。また、無機系材料の中では、汎用性が高いことから、通常、ポリシロキサンを含有する材料を用いる。ポリシロキサンを含有する材料の中でも、フッ素原子を含有するポリシロキサンは、屈折率を容易に下げることができることから好ましい。本発明における封止材には、粘度を調整するためのシリカなどの無機粒子や、光の波長を変換するための蛍光体、熱を放出するための窒化硼素などの伝熱性粒子などを含有することができる。また、半導体発光素子と同じく、封止材から外部への光取り出し効率を向上させるために、封止材の光取り出し面に複数の突起物を形成してもよい。3.半導体発光装置本発明の半導体発光装置は、光取り出し面側に複数の突起物を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように設けられた波長408nmにおける屈折率1.50以下の封止材とを有することを特徴とする。本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子の光取り出し面側に複数の突起物を形成した後、半導体発光素子と外部電極を電気的に接続し、その後、波長408nmにおける屈折率1.50以下の封止材で半導体発光素子を被覆することにより製造することができる。なお、本発明の半導体発光装置における半導体発光素子と外部電極との電気的接続は、ワイヤーボンディング型であっても、フリップチップ型であってもよい。図2に半導体発光装置の製法を模式的に示した例を示す。図2aに示すように、有機金属気相成長法などにより、サファイヤ基板上200上に、バッファ層201並びにn型GaNのクラッド層202、InGaN/GaNの活性層203及びp型のGaNクラッド層204を順次形成する。次いで、クラッド層204上にスパッタ法にてスズドープ酸化インジウムITO膜205を形成する。次いで図2bに示すように、パッシベーション膜206を形成し、インプリント法によりパッシベーション膜206に複数の突起物207を形成する。次いで、フォトファブリケーション法などにより、n型クラッド層202を露出させた後、スパッタ法などにより、外部接続用電極208を形成する。その後、レーザーダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子210を形成する。次いで図2cに示すように、半導体発光素子210を、すり鉢状の溝を有するパッケージ211の溝の底面に配置し、ワイヤーボンディングにより、外部電極212と外部接続用電極206とを電気的に接続する。次いで図2dに示すように、パッケージ211の溝内に蛍光体214などを含む封止材を形成するための塗料フッ素原子含有ポリシロキサンを含有する組成物を注型し、加熱処理により塗料を硬化させて、封止材213を形成し、半導体発光装置を形成することができる。本発明の半導体発光装置はあらゆる用途の光源として用いることができる。例えば、液晶ディスプレイのバックライト、ディスプレイの画素、赤外線センサーなどのセンサー光源、信号機や車両などのランプなどを挙げることができる。