"Ba,NdおよびTiを含有する主結晶相と、残部とからなり、前記主結晶相はTiの一部がAlで置換されているとともに、前記主結晶相に含有されるAlの含有量が、前記主結晶相および前記残部に含有されるAlの含有量の合計量に対してAl2O3換算で10以上であることを特徴とする誘電体セラミックス。前記主結晶相の組成式が、aBaObNd2O3cxTiO21/2Al2O3であって、前記a,b,c,xが下記式1~5を満足することを特徴とする請求項1に記載の誘電体セラミックス。13.50≦a≦16.10117.60≦b≦19.40265.30≦c≦67.8030<x<14abc=1005前記xが下記式6を満足することを特徴とする請求項2に記載の誘電体セラミックス。0.830≦x≦0.9406前記a,b,c,xが下記式7を満足することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の誘電体セラミックス。0.612≦cx/abcx≦0.6617前記残部は、Ba-Al-Ti系酸化物,Al2O3,Nd2O3またはこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の誘電体セラミックス。前記Ba-Al-Ti系酸化物は、Ba1.23Al2.46Ti5.54O16であることを特徴とする請求項5に記載の誘電体セラミックス。前記主結晶相および前記残部の合計に対して全体を占める体積比率が10体積以下0を含まずであることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の誘電体セラミックス。前記主結晶相および前記残部に含まれる、Ba,Nd,TiおよびAl以外の元素Oを除くの含有量が酸化物換算で合計1.0質量以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の誘電体セラミックス。請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の誘電体セラミックスと、該誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、前記誘電体セラミックスと電磁界結合されて前記誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備えることを特徴とする誘電体フィルタ。しかしながら、特許文献1に記載のBaO-Nd2O3-TiO2系の誘電体セラミックスでは、Al2O3を添加することによって比誘電率εrを維持しつつ共振周波数の温度特性τfを0ppm°C近傍に近づけることができるものの、Qf値を向上することができなかった。本発明は、高い比誘電率εrを維持しつつ、高いQf値と、0ppm/°Cに近い安定した共振周波数の温度係数τfとを有する誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体フィルタを提供することを目的とするものである。本発明の誘電体セラミックスは、Ba,NdおよびTiを含有する主結晶相と、残部とからなり、前記主結晶相はTiの一部がAlで置換されているとともに、前記主結晶相に含有されるAlの含有量が、前記主結晶相および前記残部に含有されるAlの含有量の合計量に対してAl2O3換算で10以上であることを特徴とするものである。また、本発明の誘電体フィルタは、上記誘電体セラミックスと、該誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、前記誘電体セラミックスと電磁界結合されて前記誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備えることを特徴とするものである。本発明の誘電体セラミックスによれば、Ba,NdおよびTiを含有する主結晶相と、残部とからなり、主結晶相はTiの一部がAlで置換されているとともに、主結晶相に含有されるAlの含有量が、主結晶相および残部に含有されるAlの含有量の合計量に対してAl2O3換算で10以上であるので、主結晶相を構成する元素のイオンが対称性のある秩序を持った配列となることによって、高い比誘電率,高いQf値が得られ、また誘電体セラミックスの共振周波数の温度依存性を安定化させることができる。また、本発明の誘電体フィルタによれば、所望の比誘電率が安定して得られるとともに高いQf値が得られ、気温差の激しい場所において長期間にわたって安定して良好な性能を維持できる。以下に、本発明の誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体フィルタの実施の形態の例について説明する。本実施形態の誘電セラミックスは、Ba,NdおよびTiを含有する主結晶相と、残部とからなり、主結晶相はTiの一部がAlで置換されているとともに、主結晶相に含有されるAlの含有量が、主結晶相および残部に含有されるAlの合計量に対してAl2O3換算で10以上である。このように、誘電体セラミックスの主結晶相は、Tiの一部が、Alと上記の範囲で置換されていると、高い比誘電率εrが安定して得られ、品質係数Qf値Q値と共振周波数fの積が高く、共振周波数の温度係数τfの絶対値が小さくなる傾向がある。これは、誘電体セラミックスの主結晶相がタングステンブロンズ型構造の結晶相で、Alが主結晶相中のTiと置換することによってタングステンブロンズ型結晶構造の結晶相の歪みが緩和されることによると考えられる。また、主結晶相に含有されるAlの含有量は、主結晶相および残部に含有されるAlの合計量の50以上96以下の範囲であることがより好ましい。ここで、主結晶相以外の残部は結晶相であることが好ましいが、残部が結晶相以外にガラス相を含んでいたり、ガラス相のみからなっていても構わない。また、主結晶とは、誘電体セラミックスに含まれる結晶相をX線回折法またはTEMによる電子回折法等により、結晶相のJCPDSカードを参照することによって誘電体セラミックスに含まれる結晶相を同定し、同定した結晶相のうち最も体積比率の大きい結晶相を示し、残部とは主結晶以外に誘電体セラミックスを構成するものを示す。なお、本実施形態において、誘電体セラミックスの主結晶相は固溶体であって、誘電体セラミックスの磁器表面および内部断面を、EPMAまたはTEMによるEDSEnergyDispersiveSpectroscopy分析等により、主結晶相を構成している元素のピークを解析したとき、Ba,NdTiおよびAl元素のピークを観測できれば、主結晶相はこれらの元素の固溶体で構成されていると判別でき、さらにこのピークの値から、主結晶相中に含有される元素の量を測定することができる。また、誘電体セラミックス中のBa,NdTiおよびAlの含有量は、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICP発光分光分析装置島津製作所製:ICPS8100を用いてBa,Nd,TiおよびAlの含有量を測定し酸化物換算することにより得られる。ここで、測定装置の誤差は分析値をnとするとn±√nである。本実施形態の誘電セラミックスは、主結晶相の組成式が、aBaObNd2O3cxTiO21/2Al2O3であって、a,b,c,xが式1~5を満足することが好ましい。1350≦a≦161011760≦b≦194026530≦c≦678030<x<14abc=1005本実施形態の誘電体セラミックスは、a,b,c,xが式1~5を満足するときには、主結晶相はタングステンブロンズ型構造の結晶相となりやすく、600以上という高い比誘電率εrが安定して得られ、品質係数Qf値Q値と共振周波数fの積が高く、共振周波数の温度係数τfの絶対値が小さくなる傾向がある。また、モル比a,b,c,xの値の範囲が1413≦a≦1560,1816≦b≦1923,6538≦c≦6739,0<x<1かつabc=100の範囲にあることで、主結晶相が固溶体でより構成されやすく、より高い比誘電率εrがより安定して得られ、品質係数Qf値がより高く、共振周波数の温度係数τfの絶対値がより小さくなる傾向がある。さらに、本実施形態の誘電体セラミックスは、xが式6を満足することが好ましい。0830≦x≦09406本実施形態の誘電体セラミックスは、xが式6を満足すれば、600以上の比誘電率εrがさらに安定して得られ、品質係数Qf値がより高く、共振周波数の温度係数τfの絶対値がより小さくなる傾向がある。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、a,b,c,xが式7を満足することが好ましい。0612≦cx/abcx≦06617本実施形態の誘電体セラミックスは、cx/abcxの値が0612以上0661以下の範囲であれば、比誘電率εr,品質係数Qf値がより高く、また共振周波数の温度係数τfの絶対値がより小さくなる傾向がある。また、本実施形態の誘電体セラミックスにおいて、主結晶相以外の残部は、Ba-Al-Ti系酸化物,Al2O3Nd2O3またはこれらの混合物を含むことが好ましい。本実施形態の誘電体セラミックスは、残部が結晶相であって、Ba-Al-Ti系酸化物,Al2O3Nd2O3またはこれらの混合物を含むと、誘電特性が低下することを抑制でき、高い比誘電率εrと高い品質係数Qf値とを維持し、また誘電体セラミックスの共振周波数の温度係数τfの絶対値が大きくなることを抑制することができる。なお、Ba-Al-Ti系酸化物としては、誘電体セラミックスの比誘電率εrおよび品質係数Qf値を大きく低下させないもの、具体的には、比誘電率εrが30以上、品質係数Qf値が10000GHz以上となるものであれば好ましく、特には、Ba1.23Al2.46Ti5.54O16であると、さらに誘電特性を高く維持することができるので好ましい。なお、残部に含まれる、Ba-Al-Ti系酸化物,Al2O3,Nd2O3またはこれらの混合物の合計体積比率は、残部全体の体積に対して90以上あればよい。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、主結晶相および残部の合計に対して全体を占める体積比率が10体積以下0を含まずであることが好ましい。本実施形態の誘電体セラミックスは、誘電体セラミックスの主結晶相以外の結晶相の占める体積比率が誘電体セラミックス全体の10体積以下ならば、比誘電率εr,品質係数Qf値を特に高く、また温度係数τfの絶対値を特に小さく維持できる傾向がある。さらに主結晶相以外の結晶相の占める体積比率は5体積以下とするのがより好ましい。主結晶相および残部の体積比率を求める方法は、例えば、100μm×100μmの範囲が観察できるように、任意の倍率に調節した金属顕微鏡,SEM,BEMまたはEPMA等により、誘電体セラミックスの磁器表面および内部断面の数カ所を写真または画像として撮影し、この写真または画像を画像解析装置により解析することにより、数カ所の結晶相比率を算出し、この平均値を求めることで算出することが可能である。また画像解析装置としては、例えば、ニレコ社製のLUZEX-FS等を用いればよい。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、残部において、Ba,NdTiおよびAl以外の元素Oを除くの含有量が酸化物換算で合計10質量以下含むことが好ましい。本実施形態の誘電体セラミックスは、主結晶および残部において、Ba,NdTiおよびAl以外の元素Oを除くの含有量が酸化物換算で合計10質量以下であると、誘電体セラミックスの焼結性が向上し、より高密度かつ高い機械的特性を有する傾向がある。なお、Ba,NdTiおよびAl以外の元素の例としては、Na,K,Ca,Mg,Sr,Fe,Si,La,Ce,PrおよびZrなどである。また、Na,K,Ca,Mg,Sr,Fe,Si,La,Ce,PrおよびZrは、誘電体セラミックスの粒界において、低融点化合物を形成しやすく、誘電体セラミックスの焼結温度よりも低温度域で液相を形成して焼結を促進させやすい。また、Na,K,Ca,Mg,Sr,Fe,Si,La,Ce,PrおよびZrの少なくとも1つの含有量が酸化物換算で合計10質量以下であると、低融点化合物の含有量が多くなりすぎず、比誘電率や品質係数Qf値の低下、共振周波数の温度依存性が高まるのを抑制することができる。また、主結晶および残部において、Ba,NdTiおよびAl以外の元素Oを除くの含有量は、酸化物換算で04質量以下とするのがより好ましい。また、Ba,NdTiおよびAl以外の元素Oを除くは、残部に含まれているほうが、比誘電率や品質係数Qf値の低下、共振周波数の温度依存性が高まるのをより抑制することができる。なお、Na,K,Ca,Mg,Sr,Fe,Si,La,Ce,PrおよびZrの各元素の含有量は、Ba,NdTiおよびAlと同様に、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICP発光分光分析装置島津製作所製:ICPS-8100を用いてNa,K,Ca,Mg,Sr,Fe,Si,La,Ce,PrおよびZrの含有量をそれぞれ測定し、これを酸化物換算してその合計量を算出することにより得られる。ここで、測定装置の誤差は分析値をnとするとn±√nである。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、比誘電率εr≧60,Qf≧13000GHz、25~85°Cにおける共振周波数の温度特性τfが-10ppm/°C以上20ppm/°C以下であることが好ましい。本実施形態の誘電体セラミックスは上記特性を示すならば、比誘電率が高いので誘電体フィルタの小型化が容易で、品質係数Qf値が高いので電気的損失が比較的に小さく、また、一般的な使用環境である25~85°Cにおける共振周波数の温度特性τfが小さいので温度変化が大きい環境での使用にも耐えられる傾向がある。また、本実施形態の誘電体セラミックスはその表面および内部の平均ボイド率が5以下であることが好ましい。本実施形態の誘電体セラミックスは、平均ボイド率を5以下とすると、比誘電率εr,品質係数Qf値の低下が生じにくく、誘電特性の低下が抑えられ、誘電特性が安定しやすい。より好ましくはボイド率を3以下にすると、誘電特性が安定化しやすい。なお、本実施形態の誘電体セラミックスを含むセラミック体を用いた誘電体フィルタとするときにおいて、誘電体セラミックスの平均ボイド率を5以下とすると、セラミック体の密度が低下しすぎることがないため、機械的特性の低下を抑えることができる。よって、セラミック体のハンドリング時や落下時、共振器内への取付け時、各基地局へ設置した後にかかる振動や衝撃が加わった時などに、セラミック体のカケ、割れ、破損が生じにくくなる。なお、上記ボイド率は例えば100μm×100μmの範囲が観察できるように、任意の倍率に調節した金属顕微鏡またはSEM等により、誘電体セラミックスの磁器表面および内部断面の数カ所を写真または画像として撮影し、この写真または画像を画像解析装置により解析することにより、単位面積あたりのボイドの面積が占める割合をボイド率として、数カ所のボイド率を算出し、この平均値を求めることで算出することが可能である。画像解析装置としては例えばニレコ社製のLUZEX-FS等を用いればよい。次に、本実施形態の誘電体セラミックスの製造方法について説明する。例えば以下の工程a~gにより製造することが可能である。a原料として、高純度の炭酸バリウムBaCO3,酸化ネオジウムNd2O3,酸化チタンTiO2,および酸化アルミニウムAl2O3の各粉末を準備する。そして、BaCO3,Nd2O3,TiO2,およびAl2O3を所望の割合となるように秤量する。次に秤量された粉末に純水を加え、混合原料の平均粒径が20μm以下となるまで1~50時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより粉砕を行い、混合物を得る。bこの混合物を乾燥後、900~1300°Cで1~10時間仮焼して仮焼原料を得る。ここで、仮焼温度または仮焼時間を調整することで、残部の結晶相の体積比率を任意に調整することができる。例えば、仮焼温度が低い場合または仮焼時間が短い場合は主結晶相の合成が進みづらくなり、誘電体セラミックス中に主結晶相以外の結晶相の体積比率が増加しやすくなる。c得られた仮焼原料を平均粒径05~3μmとなるまで、ボールミル等により粉砕し、得られた混合物を容器に移し、この仮焼原料をASTME11-61に記載されている粒度番号が80のメッシュの篩いに通すことによって、例えば、粒径が177μm以下に分級された仮焼粉末を得る。なお、仮焼原料の粉砕には、ボールミルの代わりにマスコロイダーを用いてもよい。dcで得られた仮焼粉末に純水を加えた後、平均粒径が20μm以下となるまで1~30時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより混合を行う。e3~10質量のバインダ、例えば、パラフィンワックスやアクリル系ポリマー,ウレタン系ポリマー,ポリビニルアルコールPVA,またはポリエチレングリコールPEG等の有機バインダを加えて、その後、例えばスプレードライ法等により造粒または整粒し、得られた造粒体又は整粒粉体等を、例えば金型プレス法、冷間静水圧プレス法、又は押し出し成形法等により任意の形状に成形する。f得られた成形体を大気雰囲気中1350°C~1550°Cで1~10時間保持して焼成し焼成体を得る。より好ましくは1400~1500°Cで焼成するのがよい。g必要に応じて、得られた焼成体を酸素5~30体積以上含むガス中において、温度900~1500°C,圧力01~300MPaで、30分~100時間熱処理する。より好ましくは、温度1000~1300°C,圧力1~1000気圧で1~60時間熱処理するのがよい。次に、本実施形態の誘電体セラミックスを使用した誘電体フィルタの一例について以下に説明する。図1は、本実施形態の誘電体フィルタの断面の一例を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態のTEモ-ド型の誘電体フィルタ1は、金属ケース2、入力端子3、出力端子4、セラミック体5および載置台6を有する。金属ケース2は、軽量なアルミニウム等の金属からなり、入力端子3および出力端子4は、金属ケース2の内壁の相対向する両側に設けられている。また、セラミック体5は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる。そして、セラミック体5は、入力端子3と出力端子4の間に配置され、入力端子3および出力端子4とそれぞれ電磁界結合されている。このような、誘電体フィルタ1において、外部から電気信号を入力端子3に入力することによって、金属ケース2内の入力端子3で磁界が発生する。その磁気エネルギーによって、セラミック体5は特定の周波数で共振を起こして、磁界が発生する。この磁気エネルギーによって出力端子4で磁界が発生して電流が流れ、出力端子4から電気信号が出力される。このように、誘電体フィルタ1は、誘電体セラミックスの共振周波数に対応した電気信号を選択的に出力することができる。なお、TEモードに限らず、TMモード、TEMモードもしくは多重モードとしてもよい。また、誘電体フィルタ1の構成は上述した構成に限定されず、入力端子3および出力端子4をセラミック体5に直接設けてもよい。また、セラミック体5は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる所定形状の共振媒体であるが、その形状は筒状体、直方体、立方体、板状体、円板、円柱、多角柱またはその他共振が可能な立体形状であればよい。また、入力される高周波信号の周波数は500MHz~500GHz程度であり、共振周波数としては2GHz~80GHz程度が好ましい。そして、本実施形態の誘電体フィルタは、フィルタとして、高い比誘電率、高い品質係数,Qf値が得られ、0ppm/°Cに近い温度係数τfを有する、本実施形態の誘電体セラミックスを備えるので、良好な性能を有する誘電体フィルタとすることができる。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、各種誘電体フィルタ用材料以外に、MICMonolithicIC用誘電体基板、誘電体導波路、誘電体アンテナまたは積層型セラミックコンデンサの誘電体等に使用してもよい。本実施形態によるBaO-Nd2O3-TiO2-Al2O3系材料のa,b,cおよびxの値とcx/abcxの値とを種々変更して試料を作製し、比誘電率εr,品質係数Qf値および25~85°Cの共振周波数の温度係数τfの測定をした。製造方法および特性測定方法の詳細を以下に説明する。出発原料として、純度995質量以上のBaCO3,Nd2O3,TiO2およびAl2O3を準備した。次に、それぞれの材料を表1の割合となるように秤量する。そして、BaCO3,Nd2O3,TiO2およびAl2O3を混合したものを、ボールミル内に投入し、ボールミル内に純水を加える。その後、混合原料の平均粒径が05~20μmの範囲内となるまで、ジルコニアボールを使用したボールミルにより粉砕して混合物を得た。そして、得られた混合物を乾燥後、1100°Cで仮焼し仮焼原料を得て、その仮焼原料をASTME11-61に記載されている粒度番号が80のメッシュの篩いに通すことによって、例えば、粒径が177μm以下に分級された仮焼粉末を得た後、その仮焼粉末に純水を加えて1~30時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより粉砕を行うことによって05~2μmの平均粒径となるようにし、表1に示す試料No.1~45それぞれのスラリーを得た。次に、上記スラリーに、それぞれ3~10質量のポリビニルアルコールを加えてから所定時間混合した後、このスラリーをスプレードライヤーで噴霧造粒して2次原料を得た。この2次原料を金型プレス成形法によりφ20mm,高さ15mmの円柱体に成形し成形体を得た。得られた成形体を大気雰囲気中1400°C~1500°Cで2時間保持して焼成し、試料No.1~45を得た。なお、これら試料は、焼成後に上下面と側面の一部に研磨加工を施し、アセトン中で超音波洗浄を行ったものである。次に、これら試料No.1~45について、誘電特性を評価した。誘電特性の評価は、試料No.1~45を用いて誘電体円柱共振器法国際規格IEC6133813により測定周波数4~5GHzにおける比誘電率εrとQ値を測定した。なお、Q値については測定周波数fとの積で表される品質係数Qf値に換算している。また、25~85°Cの温度範囲における共振周波数を測定し、25°Cでの共振周波数を基準にして25~85°Cの共振周波数の温度係数τfを算出した。なお、試料は入力端子および出力端子が接続された金属キャビティ内にセットされ、その金属キャビティを恒温槽内にセットした後、所望の温度で観測される共振周波数を測定して、25~85°Cの共振周波数の温度係数τfは次の式で算出することができる。τf=f85-f25/f25/85-25ここで、f85は85°Cのときに測定された共振周波数、f25は25°Cのときに測定された共振周波数である。また、作製した試料No.1~45それぞれについて、主結晶相中に含有されるAlの量を、TEMによるEDS分析で、主結晶相を特定し、主結晶相に固溶するAlのATOMを測定して、その値をAl2O3の値モルに換算して求めた。また、試料の主結晶相および残部に含有するAlの合計量を、試料の一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸に溶解した後、ICP発光分光分析装置島津製作所製:ICPS-8100を用いてAlの含有量を測定し、その値をAl2O3の値モルに換算することにより求めた。そして、これらの求めた値を用いて、試料の主結晶相に含有するAlの、主結晶相および残部に含まれるAlの合計量に対する割合を算出した。結果を表1に示す。表1から、主結晶相に含有するAlの含有量が、主結晶相および残部に含有されるAlの合計量に対しての10以上である試料No.1~40,44および45は、主結晶相に含有するAlの含有量が、主結晶相および残部に含有されるAlの合計量に対しての10未満である試料No.41~43に比べて、品質係数Qf値および温度係数τfの値においてより高い特性を示す傾向があることがわかった。また、主結晶相に含有するAlの含有量が、主結晶相および残部に含有されるAlの合計量に対しての50以上である試料No.2~7,10~15,18~23,25~40,44および45は、主結晶相に含有するAlの含有量が、主結晶相および残部に含有されるAlの合計量に対しての50未満である試料1,8,9,16,17および24に比べて、比誘電率εr,品質係数Qf値および温度係数τfの値がより良好な特性を示す傾向があることがわかった。また、表1から、a,b,cの値が、1350≦a≦1610,1760≦b≦1940,6530≦c≦6780かつabc=100小数点以下を四捨五入を満足する試料No.2~7,10~15,18~23,25~40,44および45は、比誘電率εr≧60,Qf≧13000GHz、温度特性τfが-10ppm/°C以上20ppm/°C以下となり、良好な特性が得られる傾向があることがわかった。なお、a,b,cの値が、1413≦a≦1560,1816≦b≦1923,6538≦c≦6779かつabc=100小数点以下を四捨五入を満足する試料No.4,6,13,14,19~21,25,26,29,30,35~38および45は、比誘電率εr≧634,Qf≧14900GHz、温度特性τfが-72ppm/°C以上56ppm/°C以下となり、より良好な特性を示す傾向があることがわかった。また、a,b,cの値が、1350≦a≦1610,1760≦b≦1940,6530≦c≦6780かつabc=100小数点以下を四捨五入を満足し、さらにxの範囲が0830以上0940以下を満足する試料No.3~7,11~15,18~22,25~30,34~38および45は、良好な特性が得られる傾向があることがわかった。また、a,b,cの値が、1350≦a≦1610,1760≦b≦1940,6530≦c≦6780かつabc=100小数点以下を四捨五入を満足し、かつcx/abcxの値が0612以上0661以下を満足すると良好な特性が得られる傾向があることがわかった。次に、主結晶相以外の残部が誘電特性に与える影響について確認する試験を実施した。試験に用いる試料は、a,b,cおよびxの値が表1の試料No.12と同様になるように材料を調合し、仮焼温度および仮焼時間を任意に変更した以外は実施例1と同様の製造方法により実施した。製造した試料No.46~52については、比誘電率εr、品質係数Qf値、25~85°Cの共振周波数の温度係数τf、主結晶相中のAl量を実施例1と同様の測定方法により測定した。また、主結晶相および残部の体積比率は、各試料の任意の内部断面の100μm×100μmの範囲が観察できるように倍率を調節し、EPMAを用いて撮影し、撮影した各画像を画像解析装置により解析することにより主結晶相および残部の結晶相比率を算出した。これを、任意の断面の5か所において測定し、その平均値を求めることで算出した。なお、主結晶相および残部を構成する成分の同定は、TEMによる電子回折法により求めた。なお、試料No.46~52をTEMによる電子回折法により、残部を同定したところ、試料No.47~52はBa1.23Al2.46Ti5.54O16表2では、BATと表記,Al2O3またはNd2O3で表せられる結晶相であることがわかった。また、試料No.46は、残部がBaTi4O9,Nd2Ti2O7およびNdAlO3であることがわかった。結果を表2に示す。表2から、主結晶相以外の残部が、Ba-Al-Ti系酸化物であるBa1.23Al2.46Ti5.54O16、Al2O3またはNd2O3で表せる結晶相である試料No.47~52は、残部にこれらの結晶相を有さない試料No.46に比べて、品質係数Qf値および共振周波数の温度係数τfがより高くなる傾向があることがわかった。また、主結晶相以外の残部の体積比率は10体積以下であれば、比誘電率εrを高く維持し、品質係数Qf値がより高く、温度係数τfがより0ppm/°Cに近くなる傾向があることがわかった。次に、誘電体セラミックス中のBa,Nd,TiおよびAl以外の元素Oを除くの合計含有量が誘電特性に与える影響について確認する試験を実施した。試験に用いる試料の作製は、仮焼原料を粉砕する際に、予め準備した炭酸ナトリウムNaCO3,炭酸カリウムK2CO3,炭酸カルシウムCaCO3,炭酸マグネシウムMgCO3,炭酸ストロンチウムSrCO3,酸化鉄Fe2O3,酸化ケイ素SiO2,酸化ランタンLa2O3,酸化セリウムCeO2,酸化プラセオジウムPr6O11および酸化ジルコニウムZrO2の少なくとも1つを表3に示す量を添加して、実施例1と同様の製造方法により実施した。また、表3に示す、試料No.53~64の組成については、前記各成分の含有量以外は実施例1の表1に示す試料No.18と同様の組成とした。製造した試料No.53~64については、比誘電率εr,品質係数Qf値,共振周波数の温度係数τfを実施例1と同様の測定方法により測定した。結果を表2に示す。表3に示すように、誘電体セラミックス中のBa,Nd,TiおよびAl以外の元素Oを除くの含有量の合計が10質量以下では、実施例1の試料No.18と比較して、誘電特性の低下を抑制できることがわかった。また、表2の試料No.55~58によれば、Ba,NdTiおよびAl以外の元素Oを除くの含有量は、酸化物換算で001質量以上04質量以下とすれば、実施例1の試料No.18と比較して、比誘電率εr,品質係数Qf値がより高く、また共振周波数の温度係数τfがより小さくなり、さらに好ましいことがわかった。次に、BaO-Nd2O3-TiO2-Al2O3系材料のボイド率が誘電特性に与える影響について確認する試験を実施した。試験に用いる試料の作製は、焼成保持時間をそれぞれ2,3,4,6,8,10時間と変更した以外は実施例1と同様の製造方法により実施した。製造した試料No.65~70については、比誘電率εr、品質係数Qf値、温度係数τfを実施例1と同様の測定方法により測定した。また、ボイド率については、各試料表面の任意の5か所について、100μm×100μmの範囲が観察可能な倍率に調整してSEM写真を撮影し、これを画像解析装置ニレコ社製LUZEX-FSにより解析してボイド率を算出し、その平均値を求めた。結果を表3に示す。表3に示すように、ボイド率が5以下である試料No.65~69は、比誘電率εr,品質係数Qf値の低下が生じにくく、誘電特性の低下が抑えられ、誘電特性が安定しやすいので、比誘電率εrは、ボイド率が小さくなるに従い特性が向上する傾向を示した。"