基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、前記検出部は、前記基板上に光を照射して前記基板上からの光を取得する取得部と、前記取得部で取得された光に基づいて、前記異物が存在するショット領域を特定する特定部と、を含み、前記光は、前記基板上の複数のマーク又は複数のパターンからの光と、前記基板上に存在する異物からの光とを含み、前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光から前記基板上の複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とするインプリント装置。前記検出部は、前記基板上の複数のショット領域の配列を表すレイアウト情報を記憶する記憶部を有し、前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光の分布に前記記憶部に記憶されたレイアウト情報をフィッティングさせることで前記基板上の複数のショット領域の配列を特定することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記マークは、前記基板上の複数のショット領域のスクライブラインに形成されているマークであることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。前記マークは、アライメントマークを含むことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。前記検出部の検出結果に基づいて前記インプリント処理を制御する制御部を更に有し、前記制御部は、前記基板上の複数のショット領域のうち前記特定部によって前記異物が存在すると特定されたショット領域には前記インプリント処理を行わないことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。前記インプリント処理を行う際に前記基板上の複数のショット領域のそれぞれに樹脂を供給する供給部を更に有し、前記制御部は、前記特定部によって前記異物が存在すると特定されたショット領域にも樹脂を供給するように前記供給部を制御することを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。前記取得部は、前記基板の外周部に光を照射して前記外周部からの光を取得することによって、前記基板の回転角度を検出可能であることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。前記パターンの転写時に前記基板を保持する基板ステージを備え、前記検出部は、前記パターンを転写すべき基板を前記基板ステージ上に搬送している間において、当該基板上の異物を検出可能に構成されていることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。基板にパターンを転写するリソグラフィ装置の内部において前記基板に存在する異物を検出する検出方法であって、前記基板上に光を照射して前記基板上からの光を取得する取得ステップと、前記取得ステップで取得された光に基づいて、前記異物が存在するショット領域を特定する特定ステップと、を有し、前記光は、前記基板上の複数のマーク又は複数のパターンからの光と、前記基板上に存在する異物からの光とを含み、前記特定ステップでは、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光から前記基板上の複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とする検出方法。請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成するステップと、前記パターンが形成された基板を加工するステップと、を有することを特徴とする物品の製造方法。複数のショット領域を有する基板上に存在する異物を検出する異物検出装置であって、前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、前記検出部は、前記基板上に光を照射して前記基板上からの光の分布を取得する取得部と、前記取得部で取得された光に基づいて、前記異物が存在するショット領域を特定する特定部と、を含み、前記光は、前記基板上の複数のマーク又は複数のパターンからの光と、前記基板上に存在する異物からの光とを含み、前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光から前記基板上の複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とする異物検出装置。しかしながら、インプリント装置では、基板上に異物が存在すると、モールドを押し付けた際にモールドと基板との間に異物が挟み込まれ、モールドのパターンが破損する懸念がある。そこで、上述した技術を適用して、インプリント装置の外部で基板上に存在する異物を検出し、かかる検出結果に応じて異物を除去した基板をインプリント装置に搬入することも考えられる。但し、この場合には、インプリント装置に基板を搬入している間に、基板上に異物が付着する可能性がある。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、装置内において基板上に存在する異物を検出することができる技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、前記検出部は、前記基板上に光を照射して前記基板上からの光を取得する取得部と、前記取得部で取得された光に基づいて、前記基板上に存在する異物が位置するショット領域を特定する特定部と、を含み、前記光は、前記基板上の複数のマーク又は複数のパターンからの光と、前記基板上に存在する異物からの光とを含み、前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光から前記基板上の複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、装置内において基板上に存在する異物を検出することができる技術を提供することを例示的目的とする。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離離型することで基板上にパターンを形成転写するインプリント処理を行う。図1を参照するに、基板ウエハ1は、搬送ハンドなどを含む搬送部35によってインプリント装置100の外部から搬入され、チャック2に保持される。微動ステージ3は、基板1のZ軸回りの回転を補正する機能、基板1のZ軸方向の位置を補正する機能及び基板1の傾きを補正する機能を有する。微動ステージ3は、基板1をX軸方向及びY軸方向の所定の位置に位置決めするためのXYステージ4に配置される。なお、微動ステージ3とXYステージ4とは、パターンの転写時に基板1を保持して移動させる基板ステージを構成する。XYステージ4は、ベース定盤5に載置される。微動ステージ3には、微動ステージ3のX軸方向及びY軸方向の位置を計測するレーザ干渉計からの光を反射するバーミラー不図示が取り付けられている。モールド10は、基板1に転写すべきパターンを表面に有し、モールドチャック11に固定される。モールドチャック11は、モールドステージ12に載置される。モールドステージ12は、モールド10のZ軸回りの傾きを補正する機能を有する。モールドチャック11のX軸方向及びY軸方向の位置は、アライメント棚18に支持されたレーザ干渉計によって計測される。モールドチャック11及びモールドステージ12のそれぞれは、UV光源16からコリメータレンズを介して照射されるUV光を通過させる開口不図示を有する。また、モールドチャック11又はモールドステージ12には、モールド10の押し付け力押印圧を検出するためのロードセルが配置されている。ガイドバープレート13は、一端がモールドステージ12に固定され、天板9を貫通するガイドバー14の他端を固定する。モールド昇降用アクチュエータ15は、エアシリンダ又はリニアモータで構成され、ガイドバー14をZ軸方向に駆動して、モールドチャック11に保持されたモールド10を基板1に押し付けたり、基板1から引き離したりする。アライメント棚18は、支柱19を介して天板9に懸架される。アライメント棚18には、ガイドバー14が貫通している。また、アライメント棚18には、例えば、斜入射像ずれ方式を用いて、チャック2に保持された基板1の高さ平坦度を計測するための高さ計測系不図示が配置されている。モールドアライメント用のTTMスルーザモールドアライメントスコープ20は、基板ステージ上の基準マークとモールド10に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系及び撮像系を有する。TTMアライメントスコープ20は、基板ステージとモールド10とのX軸方向及びY軸方向の位置ずれを計測する。また、TTMアライメントスコープ20は、ショット毎に基板上のマークとモールド10に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測し、その位置ずれを補正計測する、所謂、ダイバイダイ方式を採用する際にも使用される。樹脂供給部30は、基板1の表面に液状の光硬化型の樹脂レジストを滴下するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板上の複数のショット領域のそれぞれに樹脂を供給塗布する機能を有する。樹脂供給部30は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板上に1pLピコリットル程度の非常に微小な容積の樹脂を供給することができる。また、樹脂供給部30を構成するディスペンサヘッドは、シングルノズルであってもよいし、ノズルの数が100を超えるリニアノズルアレイであってもよい。オフアクシスアライメントOAスコープ40は、基板上の複数のショット領域に設けられたアライメントマークを計測し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理を行う。TTMアライメントスコープ20によってモールド10と基板ステージとの位置関係を求め、OAスコープ40によって基板ステージと基板1との位置関係を求めることでモールド10と基板1との相対的な位置合わせを行うことができる。検出部異物検出装置50は、インプリント装置100の内部において、基板上に存在する異物即ち、基板1に付着した異物を検出する。検出部50は、後述するように、基板上に光を照射する照射部502と、基板上で散乱された散乱光を検出するセンサ504と、基板上に存在する異物が位置するショット領域を特定する特定部506とを含む。また、検出部50は、基板上の複数のショット領域の配列を表すレイアウト情報を記憶する記憶部508を含んでいてもよい。制御部60は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の全体動作を制御する。例えば、制御部60は、検出部50の検出結果に基づいてインプリント処理に関する動作を制御する。ここで、検出部50による基板上に存在する異物の検出以下、異物検出処理と称するについて説明する。検出部50において、照射部502は、図2a及び図2bに示すように、基板1に対して斜入射方式で即ち、基板1の表面に対して角度をもたせて光を照射する。この際、基板1の上に異物が存在していない場合、照射部502から照射された光は、図2aに示すように、基板1の表面で正反射するため、照射部502の光軸上に配置されていないセンサ504には、基板1の表面で正反射された光が入射しない。一方、基板1の上に異物FPが存在している場合、照射部502から照射された光は、図2bに示すように、異物FPで散乱し、その一部がセンサ504に入射する即ち、センサ504で検出される。このように、照射部502及びセンサ504は、基板上に光を照射して基板上で散乱された散乱光の分布を取得する取得部として機能する。特定部506は、照射部502及びセンサ504によって取得される散乱光の分布に基づいて、基板上に異物FPが存在しているかどうか即ち、異物FPの有無を判定する。例えば、図2a及び図2bに示す例では、センサ504が散乱光を検出した場合には、基板上に異物FPが存在していると判定し、センサ504が散乱光を検出しない場合には、基板上に異物FPが存在していないと判定することが可能である。なお、特定部506は、センサ504で検出される散乱光の強度に基づいて、異物FPの寸法を特定することもできる。これは、異物FPの寸法が大きい場合には、センサ504で検出される散乱光の強度が大きくなり、異物FPの寸法が小さい場合には、センサ504で検出される散乱光の強度が小さくなるからである。図3は、異物検出処理の対象となる基板1実素子ウエハを模式的に示す図である。図3aに示すように、基板1には、所定の寸法をそれぞれ有する複数のショット領域が配列レイアウトされ、かかるショット領域の配列に対応して下地パターンが形成されている。図3bは、図3aに示す基板1の上の1つのショット領域を含む領域αの拡大図である。図3bに示すように、1つのショット領域は、チップを個片化する際に切断されるスクライブラインSLと、パターンが形成された或いは、パターンが形成される実素子部分RDとを含む。実素子部分RDには、実際にICなどを構成するためのパターンが形成されており、かかるパターンは、数十nm程度の線幅でパターニングされている。スクライブラインSLには、次に転写すべきパターンと下地パターンとの位置合わせを行うためのアライメントマークAMが形成されている。アライメントマークAMは、一般的に、0.5μm~数μm程度の線幅で構成されるマークであって、OAスコープ40やTTMアライメントスコープ20によって計測される。センサ504で検出される散乱光の強度は、上述したように、異物FPの寸法によって変化する。例えば、図3cに示すように、実素子部分RDのパターンRPが表面に露出している場合を考えると、アライメントマークAMとパターンRPとの線幅差は一桁以上となる。従って、センサ504において、アライメントマークAMで散乱された散乱光と実素子部分RDのパターンRPで散乱された散乱光との強度差が大きく現れるため、アライメントマークAMからの散乱光とパターンRPからの散乱光とは識別可能である。また、図3dに示すように、基板1が樹脂などの層で覆われている場合を考えると、アライメントマークAMは大きな凹凸構造を有するため、表層に凹凸が現れる。但し、実素子部分RDのパターンRPは微細な凹凸構造であるため、表層に凹凸が現れない。従って、センサ504において大きな強度差が現れるため、アライメントマークAMを覆った樹脂の表層からの散乱光と実素子部分RDのパターンRPを覆った樹脂の表層からの散乱光とは識別可能である。図4を参照して、検出部50による異物検出処理を具体的に説明する。図4aは、実素子部分RDにパターンRPが形成され、スクライブラインSLにアライメントマークAMが形成された基板1を示している。なお、かかる基板1には、異物FPが存在しているものとする。本実施形態では、図4aに示す基板1の実素子部分RDに新たなパターンを転写するインプリント処理を行う前に、検出部50による異物検出処理を行う。具体的には、まず、図4aに示す基板1に対して照射部502から光を照射し、基板1からの散乱光をセンサ504で検出する。センサ504で検出される基板1からの散乱光には、アライメントマークAMからの散乱光と、異物FPからの散乱光とが含まれているが、上述したように、実素子部分RDのパターンRPからの散乱光は殆ど含まれていない。従って、図4bに示すように、アライメントマークAMからの散乱光の分布SLD1と異物FPからの散乱光の分布SLD2とを含む散乱光の分布SLDが取得される。散乱光の分布SLDが取得されると、特定部506は、図4cに示すように、アライメントマークAMからの散乱光の分布SLD1から基板上の複数のショット領域の配列を特定する。この際、特定部506は、アライメントマークAMからの散乱光の分布SLD1に対して、図4dに示すような記憶部508に記憶されたレイアウト情報をフィッティングさせてもよい。これにより、基板上の複数のショット領域の配列をより確実に特定することができる。また、基板上の複数のショット領域の配列が特定されると、特定部506は、異物FPからの散乱光の分布SLD2に基づいて特定した複数のショット領域のうち異物FPが位置するショットを特定する。なお、本実施形態では、センサ504で検出される基板1からの散乱光には実素子部分RDからの散乱光が殆ど含まれないものとみなしている。但し、実素子部分RDが識別可能な特徴的パターン例えば、大きい又は太いパターンを有する場合には、アライメントマークからの散乱光の代わりに、実素子部分RDの特徴的パターンからの散乱光を用いることも可能である。なお、異物検出処理を行う際には、基板1が基準の状態から回転した状態例えば、基準の状態を0°とし、基準の状態から90°、180°、270°回転した状態などになっていることもある。このような場合、基板上のショット領域の形状が正方形でなければ、基板1が基準の状態から90°回転した状態及び270°回転した状態は判別することができるが、180°回転した状態は判別することができない。基板1が基準の状態から180°回転した状態を判別するためには、基板1の外周部に形成されたシリコンの結晶方向を示すノッチ又はオリフラ欠け領域を用いればよい。例えば、基板1の外周部まで照射部502から光を照射し、基板1の外周部に形成されたノッチ又はオリフラで散乱された散乱光をセンサ504で検出することで、基板1が基準の状態から180°回転した状態を判別することが可能となる。換言すれば、基板1の外周部に光を照射して外周部からの光を取得することによって、基板1の回転角度は検出可能である。また、本実施形態の異物検出処理では、照射部502からの光を基板1の全面に照射して、図4bに示すような基板1の全面からの散乱光の分布SLDを取得する必要がある。照射部502からの光を基板1の全面に照射するためには、図5a乃至図5d、及び、図5e乃至図5hに示すように、2種類の方法が考えられる。第1の方法は、照射部502からの光を、基板1の上において円を描くように走査することと、一軸方向に走査することとを組み合わせた方法である。具体的には、まず、図5aに矢印で示すように、基板1の中心位置から半径方向にずれた第1の位置に照射部502からの光を照射すると共に、かかる光を基板1の上において円を描くように走査する。次いで、図5bに矢印で示すように、基板1の中心から半径方向にずれた第1の位置とは異なる第2の位置に照射部502からの光を照射すると共に、かかる光を基板1の上において円を描くように走査する。このような動作を繰り返すことで、図5a乃至図5dに斜線で示すように、照射部502からの光が基板1の全面に照射され、図4bに示すような基板1の全面からの散乱光の分布SLDを取得することができる。なお、基板1の半径方向への光の走査量を大きくすれば、基板1の半径方向への光の走査回数を少なくすることができるが、基板1の上に存在する異物FPの検出能は低下してしまう。第2の方法は、照射部502からの光を、基板1の上において二軸方向に走査する方法である。具体的には、図5eに矢印で示すように、基板1の外周部の第1の端部に照射部502からの光を照射すると共に、かかる光を基板1の第1の方向に走査する。照射部502からの光を、第1の端部から第1の方向に沿った第2の端部まで走査したら、図5fに示すように、第2の端部から第1の方向に直交する第2の方向に走査して第3の端部に位置させる。そして、図5fに矢印で示すように、第3の端部に位置させた光を基板1の第1の方向と反対の方向に走査する。このような動作を繰り返すことで、図5e乃至図5hに斜線で示すように、照射部502からの光が基板1の全面に照射され、図4bに示すような基板1の全面からの散乱光の分布SLDを取得することができる。本実施形態では、照射部502からの光を走査することで基板1の全面に光を照射している。但し、照射部502からの光は走査せず、かかる光に対して基板1を上述したように駆動させることで基板1の全面に光を照射することも可能である。また、照射部502からの光の走査と基板1の駆動とを組み合わせてもよい。また、本実施形態の異物検出処理は、例えば、搬送部35による基板1の搬送中に行うことができる。図6に示すように、インプリント装置100に搬入された基板1は、搬送部35によって、基板1の温度を調整するための温調ステージ351に載置される。なお、温調ステージ351は、基板1の温度即ち、インプリント装置100の外部における基板1の温度をインプリント装置100の内部の温度に調整するために、基板1を加熱又は冷却する。また、温度を調整された基板1は、搬送部35によって、粗位置合わせ用のステージ352に載置される。ステージ352では、基板1に形成されたアライメントマークやノッチ又はオリフラが計測され、基板1のプリアライメントが行われる。プリアライメントが行われたら、基板1は、搬送部35によって、チャック2に載置される。インプリント装置100の生産性を考慮すると、ある基板にインプリント処理を行っている間に、次にインプリント処理を行う基板に対して異物検出処理を行うことが好ましい。従って、搬送部35による基板1の搬送中、例えば、温調ステージ351やステージ352に基板1が載置されているときに異物検出処理を行うとよい。また、搬送部35が基板1を保持している間に異物検出処理を行うことも可能である。なお、インプリント装置100が十分な生産性を有している場合やツインステージの構成を有している場合には、基板ステージに基板1を載置した後で異物検出処理を行ってもよい。また、インプリント装置100がツインステージの構成を有している場合には、計測ステーションにおいてアライメント計測やフォーカス計測を行う際に、異物検出処理を行ってもよい。上述したように、本実施形態では、インプリント装置100の内部において、基板上に存在する異物を検出することが可能であり、更に、かかる異物が位置する基板上のショット領域を特定することができる。この結果、即ち、異物検出処理の結果に応じて、制御部60は、以下のように、インプリント処理に関する動作を制御する。例えば、異物が位置する基板上のショット領域にインプリント処理を行うと、モールド10と基板1との間に異物が挟み込まれ、モールド10のパターンが破損する可能性がある。そこで、制御部60は、基板上の複数のショット領域のうち異物が位置すると特定されたショット領域にはインプリント処理を行わないようにする。また、インプリント処理を行っていないショット領域を特定するための情報は、後工程の処理装置に出力して後工程での処理に影響を与えないようにする必要がある。但し、異物が位置すると特定されたショット領域にインプリント処理を行わない場合には、異物が存在しない他のショット領域との連続性が維持できない。具体的には、異物が位置すると特定されたショット領域に樹脂が供給塗布されていないため、後工程のエッチングなどで他のショット領域に影響を与えてしまう可能性がある。このような場合には、制御部60は、異物が位置すると特定されたショット領域にも樹脂を供給するように樹脂供給部30を制御する。なお、ショット領域における異物の位置又は寸法によっては、インプリント処理に対する影響が少ない例えば、モールド10のパターンが破損しない場合もある。例えば、スクライブライン上であって、アライメントマークが形成されていない領域に異物が位置している場合には、インプリント処理を行っても異物の影響は殆どないと考えられる。このような場合には、制御部60は、異物が位置すると特定されたショット領域に対してもインプリント処理を行うようにするとよい。また、基板1に異物が存在した場合には、制御部60は、かかる基板1に対してインプリント処理を行わずにインプリント装置100の外部に搬出するようにしてもよい。インプリント装置100の外部に搬出された基板1は、例えば、洗浄装置などを用いて異物が除去され、インプリント装置100に再度搬入される。このように、本実施形態のインプリント装置100は、基板上に存在する異物を検出し、かかる検出結果に基づいてインプリント処理を行うことができる。従って、インプリント装置100は、基板上に存在する異物によるモールド10の破損やパターンの転写不良などを防止することが可能であり、半導体デバイスなどの物品を効率的に製造することができる。物品としてのデバイス半導体デバイス、液晶表示素子等の製造方法は、インプリント装置100を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等にパターンを転写形成するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。また、本実施形態では、アライメントマークからの散乱光の分布を取得し、この分布を用いてショット領域の配列を特定する例について説明した。但し、マークからの光を取得し、取得された光からショット領域の配列を特定可能であれば、散乱光の分布に限られない。本実施形態では、インプリント装置に搬入された基板上に存在する異物の検出を例に説明した。但し、本発明は、インプリント装置に限定するものではなく、半導体露光装置、液晶露光装置、EUV極端紫外線光を用いた露光装置EUV露光装置、電子線露光装置などの他のリソグラフィ装置にも適用することができる。例えば、EUV露光装置や電子線露光装置では、大気による露光光の吸収を低減するために、露光光の光路内、或いは、チャンバ内を真空に維持している。露光光の光路内又はチャンバ内では、上方から下方への気流所謂、ダウンフローによって、露光光の光路内又はチャンバ内の異物を低減させている。但し、上述したように、真空にしたことでダウンフローによる異物低減ができないため、露光装置の外部から流入する異物の検出をより厳重に行う必要がある。従って、露光光の光路内又はチャンバ内に搬入される基板の異物の検出に本発明を適用することが有用となる。また、異物検出処理の対象も下地パターンを有する基板に限定するものではなく、既知のパターンを有する部材、例えば、レチクルなどであってもよい。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。