シリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を、光起電力PV素子を作製するために好適である、所望のテクスチャに修飾するための方法であって、該方法は、該基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するステップと、該基板または蒸着された層を予加熱するステップと、該基板または蒸着された層を、外部周囲環境からパージガス封込めカーテンを通して開放大気リアクタの中に、エッチングするために連続的に移動させるステップと、該基板を、該リアクタ内側のエッチング液送達特徴の中にまたはそれを通して、連続的に移動させるステップと、該適用されるエッチング液ガスの流量および角度を制御することによって該基板上に該所望のテクスチャを生成するように、該リアクタの中で、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を該基板または蒸着された層に適用するステップと、該基板または蒸着された層を、該開放大気リアクタから、さらなるまたは同一の組のパージガス封込めカーテンを通して該外部周囲環境まで、エッチングするために連続的に移動させるステップとを含み、該少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を含む群から選択される、方法。前記エッチング液は、いかなるプラズマの必要もなく、熱的に活性化される、請求項1に記載の方法。前記プロセスは、連続通過プロセスとして行われる、請求項1に記載の方法。前記ガス形態のエッチング液ガスは、大気圧下において、前記基板または蒸着された層に適用される、請求項1~3のうちのいずれかに記載の方法。前記リアクタの反応領域は、パージガスカーテンによって密閉される、請求項1~4のうちのいずれかに記載の方法。前記予加熱ゾーンは、前記パージガスカーテンの内側に位置する、請求項5に記載の方法。結果として生じた基板の表面テクスチャは、その反射率を減少させ、吸収される光を増加させるように、粗面である、請求項1~6のうちのいずれかに記載の方法。結果として生じた基板の表面テクスチャは、平滑である、請求項1~6のうちのいずれかに記載の方法。前記エッチング液ガスは、フッ素分子もしくは原子、または熱活性化を可能にするエネルギー結合値を有する任意の他のシリコンエッチングガスである、請求項1~8に記載の方法。前記フッ素含有ガスは、テトラフルオロメタン、トリフルオロメタン、フッ化カルボニル、六フッ化硫黄、三フッ化窒素、二フッ化キセノン、およびフッ素元素を含む群から選択される、請求項1~9に記載の方法。前記塩素系化合物テトラクロロメタン、トリクロロシランと水素の混合物、および塩化水素を含む群から選択される、請求項1~10に記載の方法。酸素またはオゾンが、前記テクスチャ加工プロセスを向上させるために付加的に提供される、請求項1~11に記載の方法。エッチングのための前記基板は、太陽光電池、シリコンウエハ、またはガラス、AlTiC、ITO、およびFR4積層を含む群から選択される基板上に蒸着された層を含む群から選択される、請求項1~12に記載の方法。プラズマの不在下において行われる、請求項1~13に記載の方法。光起電力PV素子を作製するために好適である、ガスのみ使用して制御可能な方式でシリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を修飾するための装置であって、、該装置は、i筐体と、ii大気リアクタと、iii少なくとも1つのエッチング液ガス排気プレナムと、iv該基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するための手段と、v該基板または蒸着された層を予加熱するための手段と、vi該エッチング液ガスを加熱するための手段と、vii該大気リアクタを通してエッチングするために、該基板または蒸着された層を連続的に移動させるように適応されたコンベヤと、viiiガス形態の少なくとも1つのエッチング液を該リアクタ内の該基板または蒸着された層に適用するに際して、該リアクタ内側のエッチング液送達モジュール下にある該コンベヤを使用して該基板を連続的に移動させるための手段とixプロセスのエッチング速度を制御する手段とを含み、該少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を含む群から選択される、装置。前記大気リアクタの中のエッチング液ガスは、前記ドライエッチングを行うための塩基ラジカルを産生するように加熱される、請求項15に記載の装置。前記大気リアクタは、約室温と約450°Cとの間の温度まで加熱される、請求項15または請求項16に記載の装置。ガス形態の前記エッチング液は、大気圧下において、前記基板または蒸着された層に適用される、請求項15~17のいずれかに記載の装置。前記プロセスのエッチング速度を制御する手段は、前記適用されるガス形態のエッチング液の流量および角度を制御することを含む、請求項15~18のいずれかに記載の装置。請求項1~14のいずれかに記載の方法によってエッチングされた基板を含む、素子。光起電力太陽電池、シリコンウエハ、ガラス基板、またはウエハ基板非晶質シリコン、SiNx、SiOx上に蒸着された層を含む群から選択される、請求項20に記載の素子。したがって、前述の問題を克服する結晶シリコン太陽光電池ウエハのドライエッチング/テクスチャ加工および制御のためのプロセスならびに装置を提供する必要性がある。本明細書によると、添付の請求項に記載されるように、光起電力PV素子を作製するために好適である、シリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を所望のテクスチャに修飾するための方法であって、基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するステップと、基板または蒸着された層を予加熱するステップと、基板または蒸着された層を、外部周囲環境からパージガス封込めカーテンを通して開放大気リアクタの中まで、エッチングするために連続的に移動させるステップと、リアクタ内側のエッチング液送達特徴の中をまたはそれを通して、基板を連続的に移動させるステップと、適用されるエッチング液ガスの流量および角度を制御することによって、基板上に所望のテクスチャを生成するように、リアクタ内の基板または蒸着された層に、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を適用するステップと、開放大気リアクタから、さらなるまたは同一の組のパージガス封込めカーテンを通して、外部周囲環境へと、基板または蒸着された層をエッチングするために連続的に移動させるステップとを備え、少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を備える群から選択される、方法が、提供される。解決された技術的問題は、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を使用するエッチングプロセスを支援するために、プラズマまたは真空を必要とせず、大気圧で行われる、高生産性ドライエッチング法の提供である。これまでに使用されている他のエッチング液のいずれよりも有意に低い結合エネルギーを有するフッ素原子の使用は、フッ素原子をそのエッチングラジカルに分解するために、遥かに低い電力エネルギー源の使用を可能にする。この方法は、大気圧で実行することができ、一組のパージガス封込めカーテンを利用することができるため、エッチングゾーン内およびそれを通して、ワークピースの連続移動を可能にし、PV業界によって必要とされる、遥かに高い生産性をもたらす。基板のドライエッチングのために、大気圧におけるプラズマの支援を伴わないフッ素元素または分子の使用は、基板または蒸着された層の制御されたエッチングのための単純かつ効果的プロセスを提供し、基板材料上に所定のテクスチャおよび構造の生成をもたらす。達成することができる、単純性およびテクスチャのタイプにわたっての高レベル制御は、全体的電池製造プロセスの最適化を可能にし、特定のテクスチャを電池設計に整合するように選択させる。一実施形態では、エッチング液は、任意のプラズマの支援を伴うことなく、熱的に活性化される。一実施形態では、エッチングは、他のプロセスステップと容易に統合することができる、すなわち、容易に不動態化され、光捕集能力における向上をもたらすことができる、所定のテクスチャを基板上にもたらすように制御されてもよい。ここで、我々は、基板と相互作用するのに伴って、エッチング液の流量を変化させることによって、エッチング速度を制御することができることを見出した。ガス流量およびエッチング液ガス送達モジュールの幾何学形状を変動させることによって、約0.1から3m/秒までの速度が達成される。異なる幾何学形状パラメータとして、約2-40mmの範囲の基板とエッチング液送達ハードウェアとの間の間隙が挙げられる。エッチング液ガス流の角度は、通過に伴って、基板の方向および速度によって最適化することができる。流動の角度は、エッチングされる基板表面に対して、約0-180度変動させることができる。これらのパラメータを慎重に調節することによって、異なるエッチング速度が達成され、異なるテクスチャを生成することができる。一実施形態では、結果として生じたテクスチャの特徴サイズは、エッチング速度を変動させることを通して、制御することができる。達成される典型的エッチング速度範囲は、約2-40μm/分であって、特徴を有する送達テクスチャは、約0.1μmから5μmまでのサイズを有する。一実施形態では、ガス送達モジュールは、一組のノズルを備える。一実施形態では、ガス送達モジュールは、一組のパターンの複数の開口を有する平板を備える。一実施形態では、ガス送達モジュールは、異なるまたは同一の長さの一組あるいは一列の開口を備える。好ましい実施形態では、開口は、細隙または間隙開口部を備える。一実施形態では、ガス送達モジュールは、細隙を備える。一実施形態では、単一リアクタは、基板をエチングするために、1つ以上のタイプのガス送達システムを有してもよい。ガス送達システムは、それぞれ、基板上に同一または異なるテクスチャを送達するように、配設することができる。一実施形態では、異なるガス送達モジュールは、同一基板上において、順々に、後続エッチングステップを行うように配設され、それによって、既にテクスチャ加工された表面上にさらなるテクスチャをもたらし得る。一実施形態では、プロセスは、連続通過プロセスとして行われる。一実施形態では、プロセスは、基板が、リアクタゾーン内で停止することなく、行われる。一実施形態では、プロセスは、基板がリアクタゾーン内で1回または数回、停止することができるように行われる。一実施形態では、エッチングされる基板は、リアクタゾーン内に送達され、エッチングプロセスが完了すると、基板は、次いで、送達された方向において、リアクタから移動される。一実施形態では、基板の片側が、反対側をエッチングすることなく、エッチングされてもよい。一実施形態では、エッチング液は、大気圧下、基板または蒸着された層に適用される。一実施形態では、リアクタの反応領域は、ガスカーテンをパージすることによって、密閉される。一実施形態では、予加熱ゾーンは、パージガスカーテン内側に位置する。一実施形態では、結果として生じた基板の表面テクスチャは、その反射率を減少させ、吸収される光を増加させるように、粗面である。一実施形態では、結果として生じた基板の表面テクスチャは、平滑である。一実施形態では、エッチング液ガスは、フッ素分子または原子、あるいは熱活性化を可能にするエネルギー結合値を伴う、任意の他のシリコンエッチングガスである。フッ素濃度は、約5から100までの範囲内の任意の濃度であることができる。一実施形態では、フッ素含有ガスは、テトラフルオロメタン、トリフルオロメタン、フッ化カルボニル、六フッ化硫黄、三フッ化窒素、二フッ化キセノン、およびフッ素元素を備える群から選択されてもよい。一実施形態では、塩素系化合物は、テトラクロロメタン、トリクロロシランと水素の混合物、および塩化水素を備える群から選択されてもよい。各エッチングガスは、エッチングラジカル形成のその独自の方法を有してもよい。一実施形態では、エッチングのための基板は、太陽光電池、シリコンウエハ、または、例えば、ガラス、AlTiCアルミニウムチタンカーボン、ITOインジウムスズ酸化物、およびFR4積層耐燃性である、エポキシ樹脂粘結剤を伴う、織布繊維ガラス布等の基板上に蒸着された層を備える群から選択されてもよい。別の実施形態では、この大気ドライエッチング技術は、レーザマイクロマシニングプロセスと併用されてもよい。レーザ機械加工/掘削が、切断される材料の領域を損傷し、ドライエッチングが、損傷された領域を除去/修復するための機械加工/掘削プロセス後またはその間に、行われてもよい。別の実施形態では、この方法は、容量感知タッチスクリーンの製造において使用されてもよく、微笑孔の基質が、ITOおよびFR4繊維ガラス補強エポキシ積層およびPCB印刷回路基板にエッチングされる。本発明のさらなる実施形態によると、光起電力PV素子を作製するために好適である、ガスのみ使用して、制御可能な様式において、シリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を修飾するための装置であって、i筐体と、ii大気リアクタと、iii少なくとも1つのエッチング液ガス排気プレナムと、iv基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するための手段と、v基板または蒸着された層を予加熱するための手段と、vi大気リアクタを通して、エッチングするために、基板または蒸着された層を連続的に移動させるための手段と、viiリアクタ内の基板または蒸着された層に、圧力下、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を適用するに際して、リアクタ内側のエッチング液送達モジュール下において、基板を連続的に移動させるための手段と、viiiプロセスのエッチング速度を制御する手段とを備え、少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を備える群から選択される装置が提供される。本発明の別の側面によると、基板をドライエッチングするための装置であって、i筐体と、iiエッチング液ガス送達リアクタと、iii少なくとも1つのエッチング液ガス排気プレナムと、iv大気圧において、エッチング液ガスを筐体に送達するための手段とを備える装置が提供される。一実施形態では、大気リアクタ内のエッチング液ガスは、塩基ラジカルを生成するように加熱され、ドライエッチングを行ってもよい。一実施形態では、大気リアクタは、約室温と450°Cとの間の温度まで加熱されてもよい。本明細書では、RTと略される、用語室温は、約20°Cと約25°Cと約68°Fと約77°Fとの間の温度を意味すると理解されたい。本発明のさらなる側面では、前述の方法によってエッチングされる基板を備える、素子が、提供される。一実施形態では、素子は、太陽光電池、シリコンウエハ、ガラス基板、ウエハ基板非晶質シリコン、SiNx、SiOx上に蒸着された層を備える群から選択されてもよい。別の実施形態では、その表面構造を修飾する、または制御された厚さを除去するために、基板または蒸着された層をドライエッチングするための方法であって、i支持基板上にエッチングのための基板を配置するステップと、ii基板を予加熱するステップと、iiiエッチングのための基板をエッチングチャンバに送達するステップと、ivチャンバ内の基板に、圧力下、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を適用するステップとを備え、少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を備える群から選択される方法が提供される。好ましくは、圧力は、大気圧であってもよい。本発明は、添付図面を参照して、一例としてのみ与えられる、その実施形態の以下の説明から、より明白に理解されるであろう。本発明は、新規ドライエッチング化学を使用し、エッチングは、エッチングされる表面の結晶構造によって限定されない。エッチング液は、制御可能にガス状形態で送達され、圧力下においてエッチングされる表面に適用される。真空チャンバ内に含有されるエッチングゾーンに対する要件は存在しない。図1は、図2~6に関連して、より詳細に説明される光起電力PV素子を作製するために好適である、ガスのみ使用して、制御可能な態様において、シリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を修飾するための本発明の方法の一般的流れ図を例示する。図2および3に例示されるように、本発明の方法を行うために装置が提供される。装置は、本発明の一実施形態によると、概して、参照番号1で呼ばれる。装置は、壁4、カバー6、およびカバー6に対して反対側のおよび平行な面における支持部8を有する筐体2を備える。筐体2内には、壁4に近接してネスト化されるパージガス保持カーテン10、11が位置する。リアクタゾーンは、カーテン10、11内の領域によって画定される。このゾーン内側にあって、筐体2の中心に向かって設置されるのは、それぞれ、カーテン10、11に並置されるエッチング液ガス排気プレナム14、15である。排気プレナム14、15は、シュート19を介して筐体2内側から外側に排ガスを還流させる配管17、18を介して相互に接続される。プレナム14、15の間に位置するのは、エッチング液ガス送達リアクタ20である。送達リアクタ20は、リアクタ20の基部26において、開口24から、ガス22のカーテンを放出する。次いで、エッチング液ガスは、開口24から、基板30上に放出される。実施形態に概略されるように、異なるエッチングパラメータに対して設定することができるいくつかの異なる設定および構成が存在する。図6は、この点に関するさらなる詳細を示し、以下により詳細に論じられる。使用時において、図3に例示されるように、基板30の複数のレーンがコンベヤベルト32上に設置され、加熱デバイス34に送達される。基板は、装置1内への通過に先立って、約室温と約450°Cとの間の温度に予加熱される。基板30は、装置1のチャンバ40内において加熱されたエッチング液ガスに暴露される。基板30が、所定の時間の間、エッチング液ガスに暴露されると、コンベヤベルト32は、装置1を通ってエッチングされた基板30を移動させ、エッチングされる次の基板が、エッチング液ガスに暴露される。本発明の好ましい実施形態では、送達リアクタ20内での単純加熱によって分解または励起されるフッ素F2ガスを使用して、フッ素系ラジカルを産生し、基板30の表面上でエッチング行う。図4を参照すると、本発明の方法を行うように適応された大気リアクタ101が、例示される。基板または、蒸着された層103は、反応エリア109内側にある加熱ゾーン107に、基板103を送達するために、連続的に移動するように適応される可動搬送装置105、例えば、基板コンベヤ上に設置される。加熱ゾーンはまた、反応エリア外側にあることができる。反応エリア109は、入口および出口において、パージカーテン111、112によって密閉される。予加熱ゾーン107は、パージカーテンによって画定される周縁境界内側に設置される。予加熱ゾーンはまた、それらの画定された周縁境界外側に設置されてもよい。基板または蒸着された層103は、加熱器115によって予加熱され、続いて、連続コンベヤ105によって化学リアクタゾーン119に送達される。コンベヤは、リアクタ内側のエッチング液送達特徴117の下において、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液が、リアクタ内の基板または蒸着された層に、大気圧下で適用されるように制御された態様において、反応エリア109を通って基板を移動させる。少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を含む群から選択される。次に、図5a-dを参照すると、5aおよび5bは両方とも、同一バッチから得られ、本発明の方法を使用して、異なるパラメータでエッチングされた<100>-n-型研磨Cz-シリコンウエハのSEM画像を例示する。画像は、本発明のエッチングパラメータを変動させることによって、種々のテクスチャを達成することができることを明白に実証する。約0.1-0.2μmの範囲内の微細テクスチャを有する構造が、図5bに示され、約3-4μmの範囲内のより粗いテクスチャのピラミッド形構造が、図5aに示される。図5aおよび5bに例示されるそれらのウエハの場合、変動されたパラメータは、ガス流量およびガスが基板に衝突する角度である。他のパラメータはすべて一定のままである、すなわち、大気圧、温度350°C、およびF2濃度15である。5cおよび5dに例示されるSEM画像は、異なるパラメータを使用してエッチングされる、2つの異なる<100>-n-型研磨Cz-シリコンウエハから得られた。調節されたパラメータは、ガス流量およびガスが基板に衝突する角度であった。結果として生じたテクスチャは、より微細であって、結果として生じた構造は、非常に非晶質であって、概して、不動態化が困難であるタイプである。本発明の装置の反応ゾーン内でエッチングされる基板へのガス送達を変動および制御するために、異なる機構を使用することができる。図7には、201aおよび201bと標識される2つの異なる機構が例示されている。基板204aおよび204b、基板204aおよび205bをそれぞれ搬送するためのコンベヤ205aおよび205b、ならびにエッチングガス送達モジュール202aおよび202bもまた、それぞれ、機構201aおよび201bに対して例示されている。また、コンベヤ205aおよび206bに内蔵された基板を加熱する方法も示され、それぞれ、参照番号206aおよび206bが与えられている。図7は、エッチングガス203aおよび203bを、それぞれ、エッチングされる基板204aおよび204b上に指向することができる異なる方法を示す。201aにおいて、コンベヤ205a、続いて、基板204aを、ガス送達モジュール202aに対して異なる角度θに配設することができる。201bにおいて、ガス流リアクタ、ひいては、ガス送達モジュール202bを、異なるテクスチャを達成するために、種々の角度θに配設することができる。201aおよび201bの両方の場合において、基板とガス送達モジュール202aおよび202bとの間の間隙は、それぞれ、種々の高さhに設定することができる。図8は、エッチングガスが送達される角度を設定するための代替選択肢を例示する。図8に示されるように、基板302は、ガス送達モジュール303および304の下を通過する。ガス送達モジュール303および304は両方とも、図8に示されるように、平面図および側面図に示される。ガス送達モジュール304は、一連のプレート308を備え、それぞれ、パターン化された複数の開口309を有する。プレート308は、ウエハ表面に平行である平面において、相互に対して移動することができる。このように、開口309の整列によって生成されるガス送達チャネルの角度は、必要に応じて修正および設定することができる。ガス306が、基板302に衝突する角度が例示されている。同一概念は、ガス送達モジュール303に対して実証されており、モジュール303は、プレート310のアレイを備え、それぞれ、細隙の形態の開口を有する。プレート310は、ウエハ表面に平行な平面において、相互に対して自由に移動し、したがって、前述のように、ガス送達モジュール304のための所望のガス送達角度を設定する。本明細書では、用語comprise、comprises、comprised、およびcomprisingまたはそれらの任意の変形例、ならびに用語include、includes、included、およびincludingまたはそれらの任意の変形例は、完全に互換可能であると見なされ、すべて、最も広範な可能性として考えられる解釈を与えられるべきであって、逆もまた同様である。本発明は、前述の実施形態に限定されず、構造および詳細の両方において、可変であってもよい。