電極と、該電極の少なくとも一主面を覆う固体誘電体とを備え、該固体誘電体は、前記電極と反対側の一主面が露出した第1セラミック焼結体を有し、該第1セラミック焼結体の前記一主面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、前記第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍以上であることを特徴とする放電用電極体。請求項1に記載の放電用電極体において、前記第1セラミック焼結体の前記一主面に続く一端面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、前記第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍以上であることを特徴とする放電用電極体。請求項2に記載の放電用電極体において、前記第1セラミック焼結体の前記一端面に対向する他端面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、前記第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍未満であることを特徴とする放電用電極体。請求項1に記載の放電用電極体において、前記電極と前記第1セラミック焼結体とを接続する接着剤をさらに備え、前記第1セラミック焼結体は、前記電極側の他主面に前記電極を収容する窪み部を有し、前記接着剤は、前記電極と前記窪み部の底面との間に介在しており、該底面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、前記第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍未満であることを特徴とする放電用電極体。請求項1に記載の放電用電極体において、前記第1セラミック焼結体は、前記電極側の他主面に前記電極を収容する窪み部を有し、前記電極は、前記窪み部の底面に当接しており、該底面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、前記第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍以上であることを特徴とする放電用電極体。請求項1に記載の放電用電極体において、前記固体誘電体は、前記第1セラミック焼結体と前記電極との間に介在した第2セラミック焼結体をさらに有し、前記第1セラミック焼結体の前記第2セラミック焼結体側の他主面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、前記第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍未満であることを特徴とする放電用電極体。請求項1に記載の放電用電極体において、前記第1セラミック焼結体の主成分は、イットリアまたはスピネルであることを特徴とする放電用電極体。請求項1に記載の放電用電極体において、前記第1セラミック焼結体は、前記一主面を有する第1平板部と、該第1平板部の前記一主面に直交して続く一側面を有する第2平板部とからなるL字形状であることを特徴とする放電用電極体。請求項1ないし8のいずれかに記載の放電用電極体を2つ備え、該2つの放電用電極体における前記第1セラミック焼結体の前記一主面同士は、間隙を介して対向していることを特徴とする放電用電極体アセンブリ。請求項9に記載の放電用電極体アセンブリと、該放電用電極体アセンブリの前記間隙にガスを供給するガス供給手段と、前記電極に電圧を印加することによって、前記間隙において前記ガスからプラズマを発生させる電圧印加手段とを備えたことを特徴とする放電処理装置。本発明は、パーティクルの脱落を低減する要求に応える放電用電極体、放電用電極体アセンブリおよび放電処理装置を提供するものである。本発明の一態様に係る放電用電極体は、電極と、該電極の少なくとも一主面を覆う固体誘電体とを備え、該固体誘電体は、前記電極と反対側の一主面が露出した第1セラミック焼結体を有し、該第1セラミック焼結体の前記一主面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、前記第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍以上である。本発明の一態様に係る放電用電極体アセンブリは、上記放電用電極体を2つ備え、該2つの放電用電極体における前記第1セラミック焼結体の前記一主面同士は、間隙を介して対向している。本発明の一態様に係る放電処理装置は、上記放電用電極体アセンブリと、該放電用電極体アセンブリの前記間隙にガスを供給するガス供給手段と、前記電極に電圧を印加することによって、前記間隙において前記ガスからプラズマを発生させる電圧印加手段とを備えている。本発明の一態様に係る放電用電極体によれば、固体誘電体は、電極と反対側の一主面が露出した第1セラミック焼結体を有し、この第1セラミック焼結体の一主面における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、第1セラミック焼結体における平均結晶粒径の5倍以上であることから、第1セラミック焼結体の露出した一主面における凹部の数を低減することによって、パーティクルの脱落を低減することができる。本発明の一態様に係る放電用電極体アセンブリによれば、上記放電用電極体を備えることから、パーティクルの脱落を低減することができる。本発明の一態様に係る放電処理装置によれば、上記放電用電極体アセンブリを備えることから、パーティクルの脱落を低減することができる。<放電処理装置>以下に、本発明の一実施形態による放電電極体を有する放電用電極体アセンブリを用いた放電処理装置について、図1ないし図3に基づいて詳細に説明する。図1および図3に示すように、本実施形態による放電処理装置1は、プラズマ化したガスを噴射することによって、被処理基板2の表面を改質させる装置である。この放電処理装置1は、被処理基板2を載置し搬送するコンベア等の搬送手段3と、この搬送手段3の上方に設けられた放電用電極体アセンブリ4と、この放電用電極体アセンブリ4にガスを供給するガス供給手段図示せずと、放電用電極体アセンブリ4に電圧を印加する電圧印加手段5とを備えている。この放電処理装置1は、以下のように作動する。まず、ガス供給手段から放電用電極体アセンブリ4にガスを供給する。次に、電圧印加手段5から放電用電極体アセンブリ4に電圧を印加することによって、放電用電極体アセンブリ4に電界を発生させる。この電界によって、供給されたガスに放電を発生させて、ガスをプラズマ化させる。このようにしてプラズマ化させたガスを、搬送手段3で搬送される被処理基板2に噴射することによって、被処理基板2の表面を改質させることできる。なお、ガスに放電を発生させる際には、グロー放電を安定的に発生させることが望ましい。放電処理装置1に用いられる被処理基板2としては、例えば半導体ウェハ、ガラス基板、有機EL基板または樹脂基板等を用いることができる。放電処理装置1において、プラズマ化させるガスとしては、例えば、フッ素含有化合物ガス、酸素元素含有化合物ガス、窒素元素含有化合物ガスまたは硫黄元素含有化合物ガスを用いることができる。このガスとしてフッ素含有化合物ガスを用いた場合には、被処理基板2の表面を撥水性とすることができる。また、ガスとして酸素元素含有化合物ガス、窒素元素含有化合物ガスまたは硫黄元素含有化合物ガスを用いた場合には、被処理基板2の表面にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、被処理基板2の表面を親水性とすることができる。なお、フッ素含有化合物ガスとしては、CF4、C2F6、CClF3またはSF6等を用いることができる。また、酸素元素含有化合物としては、O2、O3、水または空気等を用いることができる。また、窒素元素含有化合物としては、NO、N2O、N2またはNH3等を用いることができる。また、硫黄元素含有化合物としては、SO2またはSO3等を用いることができる。また、放電用電極体アセンブリ4に発生させる電界は、パルス波、高周波またはマイクロ波を用いることができ、なかでも、パルス波を用いることが望ましい。その結果、間隙G内のガスにおいて、アーク放電の発生を抑制しつつ、グロー放電を安定的に発生させることができる。このパルス波の電界強度は、例えば10~1000kV/cmに設定され、パルス電界の周波数は、例えば0.5kHz以上に設定され、パルス電界におけるひとつのパルス継続時間は、200μs以下に設定される。また、放電処理装置1は、例えば、大気圧近傍下の圧力下で用いることができる。この大気圧近傍の圧力下とは、1.333×104~10.664×104Paの圧力下を指すものとする。以下、本実施形態の放電用電極体アセンブリ4について、詳細に説明する。放電用電極体アセンブリ4は、上下方向に貫通する間隙Gを取り囲む枠体をなしており、この間隙G内において、ガス供給手段から供給されるガスに放電を発生させることによって、このガスをプラズマ化させるものである。この間隙Gは、ガス供給手段からガスが供給される供給口G1と、プラズマ化したガスを被処理基板2に向かって排出する排出口G2とを有している。この放電用電極体アセンブリ4は、平板状の第1放電用電極体6aと、該第1放電用電極体5aと間隙Gを介して対向する平板状の第2放電用電極体6bと、第1放電用電極体6aの一端部および第2放電用電極体6bの一端部に接続した平板状の第1板体7aと、第1放電用電極体6aの他端部および第2放電用電極体6bの他端部に接続した平板状の第2板体7bとを備えており、これらの部材によって、間隙Gを取り囲む枠体をなしている。第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bは、互いに対向しており、その間に位置する間隙Gに電界を発生させて、ガスに放電を発生させるものである。第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bそれぞれは、電極8と、この電極8の少なくとも一主面を覆う固体誘電体9と、電極8および固体誘電体9を接続する接着剤10とを備えており、固体誘電体9の電極8と反対側の一主面S1が間隙Gに露出している。また、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bそれぞれの固体誘電体9同士は、間隙Gを介して対向している。電極8は、電圧印加手段5から電圧が印加されることによって、間隙Gに電界を発生させるものである。この電極8は、例えば銅、アルミニウム、ステンレスまたは真鍮等の金属材料によって形成される。本実施形態においては、第1放電用電極体6aの電極8が印加電極として用いられ、第2放電用電極体6bの電極8が接地電極として用いられる。また、電極8は、長さX方向が例えば10mm以上3500mm以下に設定され、厚みY方向が例えば0.1mm以上100mm以下に設定され、高さZ方向が例えば10mm以上100mm以下に設定されている。固体誘電体9は、電極8の一主面を覆うことで、電極8が間隙Gに露出することを低減するとともに、間隙G内のガスにグロー放電を安定的に発生させるためのものである。この固体誘電体9は、本実施形態においては、1つのセラミック焼結体第1セラミック焼結体からなる平板状の部材である。固体誘電体9を構成する第1セラミック焼結体としては、例えば、酸化アルミニウムAl2O3、すなわちアルミナよりも耐プラズマ性の高いセラミック材料を主成分とするセラミック焼結体を用いることが望ましい。このように耐プラズマ性の高いセラミック焼結体としては、イットリアY2O3もしくはイットリウムアルミニウムガーネットYAG等の希土類を含むセラミック材料を主成分とするセラミック焼結体、または、アルミン酸マグネシウムMgAl2O4、すなわちスピネルを主成分とするセラミック焼結体を用いることができる。ここで、固体誘電体9がイットリア焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が向上するため、固体誘電体9が腐食性ガスのプラズマに曝される環境下またはプラズマ密度の高い環境下で用いられたとしても、長い寿命を保持することができる。この場合、固体誘電体9は、イットリアを主成分として例えば99体積以上99.99体積以下含んでおり、例えば焼結助剤としてジルコニウムZrまたはシリコンSiを0.01体積以上1体積以下含んでいる。また、固体誘電体9がスピネル焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が一定以上あり、且つイットリアなど希土類を含むセラミック焼結体よりも、機械的特性および熱的特性に優れている。この場合、固体誘電体9は、スピネルを主成分として例えば90体積以上99.9体積以下含んでおり、例えば焼結助剤としてカルシウムCa、ジルコニウムまたはマグネシウムMgを5体積以上10体積以下含んでいる。特に、スピネル焼結体の焼結助剤としては、カルシウムまたはジルコニウムを用いることが望ましい。その結果、耐プラズマ性を高めることができる。この固体誘電体9は、電極8と反対側の一主面S1と、電極8側の他主面S2と、ガス排出口G2側にて一主面S1に続く一端面S3と、ガス供給口G1側にて一主面S1に続く他端面S4とを含んでいる。一主面S1は間隙Gに露出しており、他主面S2は電極8の一主面を覆っており、一端面S3は被処理基板2側に露出しており、他端面S4はポリイミド樹脂またはシリコーン樹脂等の被覆部材図示せずに覆われている。また、固体誘電体9は、他主面S2に電極8を収容する窪み部Dを有しており、他主面S2における窪み部D以外の領域は、被覆部材に覆われている。また、固体誘電体9は、長さX方向が例えば10mm以上4000mm以下に設定され、厚みY方向が例えば1mm以上200mm以下に設定され、高さZ方向が例えば0.1mm以上200mm以下に設定されている。なお、この固体誘電体9の厚みは、窪み部Dが形成されていない領域の厚みである。また、窪み部Dの深さY方向は、例えば0.1mm以上150mm以下に設定されている。接着剤10は、電極8と窪み部Dの底面Bとの間に配されており、電極8と固体誘電体9との接着部材として機能するものである。接着剤10としては、例えばガラスや樹脂等を用いることができる。また、接着剤10は、厚みY方向が例えば0.1mm以上200mm以下に設定されている。なお、電極8と固体誘電体9とは、固体誘電体9に電極8を直接接着させることによって、接続していても構わない。また、電極8と固体誘電体9とは、ネジ止め等によって電極8を固体誘電体9に固定することによって、接続していても構わない。一方、第1板体7aおよび第2板体7bは、間隙Gを取り囲むことによって、放電用電極体アセンブリ4を枠状の部材とするものである。この第1板体7aおよび第2板体7bは、固体誘電体9を構成する第1セラミック焼結体と同様のセラミック焼結体からなる。ところで、固体誘電体9の一主面S1は、ガスをプラズマ化させる間隙Gに露出しており、間隙G内でプラズマ化された腐食性ガスに直接触れるため、腐食性ガスにアタックされやすい。特に、一主面S1に凹部が形成されていると、該凹部が腐食性ガスにアタックされることで、パーティクルが脱落しやすくなる。一般的に、表面状態を表すものとして算術平均粗さRaが知られているが、この算術平均粗さRaは輪郭曲線の算術平均高さを示すものであるため、凹部の高さに影響される。したがって、算術平均粗さRaが小さくても、本体の一端面における凹部の数を低減するものとは限らない。そして、従来の研磨加工では、焼成や研削加工による凹凸の高さを小さくして算術平均粗さRaを小さくしたとしても、研磨加工時の応力で結晶粒子が破砕して微小な凹部が新たに形成されるため、図4aに示すように、固体誘電体9 ́の一主面S1 ́における凹部の数を低減できない。すなわち、隣接する凹部間の距離を示す輪郭曲線要素の平均長さRsmを平均結晶粒径に対して大きくすることができない。それゆえ、凹部が腐食性ガスにアタックされることで、パーティクルが脱落しやすくなる。一方、本実施形態においては、固体誘電体9の一主面S1における凹部の数に着目し、後述する本実施形態の研磨加工を用いて加工時における結晶粒子の破砕を抑制することによって、図4bに示すように、固体誘電体9の一主面S1における凹部の数を低減し、固体誘電体9の一主面S1における輪郭曲線要素の平均長さRsmを、固体誘電体9を構成する第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の5倍以上とした。その結果、固体誘電体9の一主面S1における凹部の数を低減することによって、間隙G内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れたとしても、パーティクルの脱落を低減することができ、ひいてはウェハの不良を低減することができる。特に、固体誘電体9としてイットリア焼結体やスピネル焼結体を用いる場合は、アルミナ焼結体などと比較して材料強度が低く、通常の研磨加工では加工時に結晶粒子の破砕が起きやすいが、上述したように後述する本実施形態の研磨加工を用いて加工時における結晶粒子の破砕を抑制しているため、固体誘電体9の一主面S1における輪郭曲線要素の平均長さRsmを第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の5倍以上とすることができる。また、上述したように、間隙Gに露出した一主面S1における凹部の数を低減しているため、固体誘電体9の放電面に局所的な強電界が発生することを低減できる。なぜなら、一主面S1における凹凸の存在によって避雷針のようにプラズマ放電を集中させることを低減できるからである。その結果、固体誘電体9の放電面全体にわたって、プラズマの密度を均一にすることができるとともに、特に高電圧を印加して放電させた場合でも、アーク放電などの異常放電が起こりにくい。ここで、輪郭曲線要素の平均長さRsmは、JISB0601:2001に準拠しており、表面粗さ計を用いて測定する粗さ曲線の横方向のパラメーターであって、基準長さにおける凹凸間の距離の平均値である。輪郭曲線要素の平均長さRsmによって粒子脱落の程度を判定することが可能となり、輪郭曲線要素の平均長さRsmが大きい程、研磨加工による結晶粒子の破砕が少ないことを表す。また、固体誘電体9の一主面S1における輪郭曲線要素の平均長さRsmは、例えば第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の100倍以下に設定されている。また、固体誘電体9の一主面S1における算術平均粗さRaは、例えば0.05μm以下に設定されている。なお、算術平均粗さRaの定義は、JISB0601:2001に準拠している。また、固体誘電体9の一端面S3においても、輪郭曲線要素の平均長さRsmが第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の5倍以上であることが望ましい。その結果、ガス排出口G2から排出されるプラズマ化された腐食性ガスに直接触れる固体誘電体9の一端面S3においても、パーティクルの脱粒を抑制できる。一方、固体誘電体9の窪み部Dの底面Bは、輪郭曲線要素の平均長さRsmが第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の5倍未満であることが望ましい。その結果、接着剤10の一部が充填される底面Bの凹部の数を増加させることによって、固体誘電体9と接着剤10とのアンカー効果を高め、固体誘電体9と接着剤10との接着強度を高めることができる。なお、窪み部Dの底面Bは、接着剤10に覆われており、プラズマ化された腐食性ガスに触れないため、パーティクルが脱落しにくい。また、窪み部Dの底面Bは、輪郭曲線要素の平均長さRsmが第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の2倍以上4倍以下であることが望ましい。なお、電極8と固体誘電体9とを直接接着させる場合にも、同様の効果を奏する。また、固体誘電体9の他主面S2の窪み部D以外の領域においても、輪郭曲線要素の平均長さRsmが第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の5倍未満であることが望ましい。その結果、固体誘電体9と被覆部材とのアンカー効果を高め、固体誘電体9と被覆部材との接着強度を高めることができる。なお、他主面S2の窪み部D以外の領域は、被覆部材に覆われており、プラズマ化された腐食性ガスに触れないため、パーティクルが脱落しにくい。また、他主面S2の窪み部D以外の領域は、輪郭曲線要素の平均長さRsmが第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の2倍以上4倍以下であることが望ましい。また、固体誘電体9の他端面S4においても、輪郭曲線要素の平均長さRsmが第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の5倍未満であることが望ましい。その結果、固体誘電体9と被覆部材とのアンカー効果を高め、固体誘電体9と被覆部材との接着強度を高めることができる。なお、他端面S4は、被覆部材に覆われており、プラズマ化された腐食性ガスに触れないため、パーティクルが脱落しにくい。また、他端面S4は、輪郭曲線要素の平均長さRsmが第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の2倍以上4倍以下であることが望ましい。<放電処理装置の製造方法>次に、本実施形態による放電処理装置1の製造方法の一例を説明する。この放電処理装置1の製造方法は、放電用電極体アセンブリ4を作製する工程と、搬送手段3、放電用電極体アセンブリ4、ガス供給手段および電圧印加手段5を組み立てる工程とを備えている。また、放電用電極体アセンブリ4を作製する工程は、セラミック焼結体を作製する工程と、このセラミック焼結体を加工することによって、2つの固体誘電体9と、第1板体7aおよび第2板体7bとを作製する工程と、2つの固体誘電体9それぞれに対して、電極8を形成することによって、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bを作製する工程と、第1放電用電極体6a、第2放電用電極体6b、第1板体7aおよび第2板体7bを接続することによって、放電用電極体アセンブリ4を作製する工程とを備えている。以下、放電用電極体アセンブリ4を作製する工程について詳細に説明する。セラミック焼結体の作製まず、セラミック焼結体をイットリア焼結体で形成する場合について以下に説明する。まず、イットリア粉末に純水と有機バインダーを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。その後、スラリーをスプレードライにて造粒する。造粒したイットリア粉末を用いて、金型プレス法または冷間静水圧プレス成形法CIP成形法などの任意の成形法を用いて所定の形状に成形して成形体を得る。そして、成形体を必要に応じ400°C以上600°C以下で脱脂して有機バインダーを分解した後、大気雰囲気中または酸素雰囲気中のいずれかにて1400°C以上1700°C以下で焼成することにより、イットリア焼結体を得ることができる。次に、セラミック焼結体をスピネル焼結体で形成する場合について以下に説明する。まず、出発原料である高純度の水酸化マグネシウムMgOH2および酸化アルミニウムAl2O3を準備し、所定の割合となるよう秤量後、ボールミルで湿式混合して1次原料を得る。そして、1次原料を乾燥後、1100°C以上1300°C以下の温度で仮焼して仮焼体を得る。次に、仮焼体をボールミル等により平均粒径が2μm以下、好ましくは平均粒径が1.5μm以下となるまで湿式粉砕してスラリーを得る。そして、スラリーを容器に移し、乾燥機内で乾燥した後、メッシュを通過させることにより、仮焼粉体を得る。なお、カルシウムおよびジルコニウムについては、1次原料を得るための混合および粉砕時から添加してもよいが、この仮焼粉体に添加してもよい。次に、仮焼粉体に所定量の純水およびバインダーを加えた後、ボールミル等により所定時間湿式混合した後、スプレードライヤーで噴霧造粒して2次原料を得る。そして、この2次原料を用いて、金型プレス法または冷間静水圧プレス成形法などの任意の成形法を用いて所定の形状に成形して成形体を得る。その後、成形体を大気雰囲気中1550°C以上1750°C以下の温度で焼成することにより、本実施形態のスピネル焼結体を得ることができる。なお、緻密化を促進させるために熱間静水圧プレス法を用いても構わない。以上のようにして得られるイットリア焼結体およびスピネル焼結体は、形状を加工する前のセラミック焼結体であり、固体誘電体用または板体用のセラミック焼結体である。セラミック焼結体の加工セラミック焼結体の形状を所望のものとするための加工について、以下に説明する。まず、研削加工を用いて、固体誘電体用および板体用のセラミック焼結体の外形形状を形成する。この際、固体誘電体用のセラミック焼結体の他主面S2に窪み部Dを形成する。次に、研磨加工を用いて、固体誘電体用のセラミック焼結体の一主面S1および一端面S3を研磨する。ここで、イットリア焼結体またはスピネル焼結体からなる固体誘電体用のセラミック焼結体の一主面S1および一端面S3の研磨加工について、以下に詳細に説明する。まず、ダイヤモンド研磨剤と鋳鉄系ラップ盤とを用いた第1ラップ加工を行う。次に、ダイヤモンド研磨剤よりも硬度の低い軟質材料からなる研磨材17と軟質系研磨パッドなどのラップ盤18とを用いた第2ラップ加工仕上げ加工を行う。この仕上げ加工に使用する研磨材は、例えば、モース硬度が9であるアルミナ研磨材や、モース硬度が2.5であるセリア研磨材を用いることができる。研磨材の硬度は、加工対象となるセラミック焼結体に応じて適宜選択される。具体的には、例えばイットリア焼結体の場合であれば、平均粒径が1μmのアルミナ研磨材を使用し、ポリウレタンパッド上で2~10時間程度仕上げ加工を行えばよい。これにより、ダイヤモンド研磨材を用いた第1ラップ加工で、材料強度が低いイットリア焼結体やスピネル焼結体は、加工時の応力によって結晶粒子が破砕して破砕層が形成されるが、軟質材料からなる研磨材を用いた仕上げ加工を追加することにより、結晶粒子の破砕を抑制しつつ研磨することができるため、第1ラップ加工で発生した結晶粒子の破砕層を除去することができる。また、第2ラップ加工の前に第1ラップ加工を行って一端面S1の算術平均粗さRaを小さくしておくことによって、加工時間を短縮することができる。なお、本実施形態において、固体誘電体用のセラミック焼結体の他主面S2および他端面S4に対しては、研削加工は行なうが、研磨加工は行なわない。以上のようにして、2つの固体誘電体9と、第1板体7aおよび第2板体7bとを作製することができる。放電用電極体の作製2つの固体誘電体9それぞれの窪み部D内に電極8を形成することによって、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bを作製する。具体的には、板状の電極8を窪み部D内に挿入し、窪み部Dの底面Bに接着剤10を介して接着させることによって、窪み部D内に電極8を形成することができる。なお、イオンプレーティングまたはメタライズによって、窪み部D内に電極8を形成しても構わない。この場合、電極8は、底面Bに直接接着する。また、板状の電極8を窪み部D内に挿入し、電極8を固体誘電体9にネジ止めすることによって、窪み部D内に電極8を形成しても構わない。以上のようにして、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bを作製することができる。放電用電極体アセンブリの作製まず、第1放電用電極体6aの一端部および第2放電用電極体6bの一端部を、第1板体7aの間隙Gに露出する一側面に接続する。また、第1放電用電極体6aの他端部および第2放電用電極体6bの他端部を、第2板体7bの間隙Gに露出する一側面に接続する。なお、これらの各部材の接続は、例えばガラスもしくは樹脂等の接着剤を用いて接着することによって行なっても構わないし、ネジ止めで固定することによって行なっても構わない。以上のようにして、各部材を接続することによって、放電用電極体アセンブリ4を作製することができる。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。例えば、上述した実施形態において、放電処理装置を被処理基板の表面を改質させる用途に用いた構成を例に説明したが、放電処理装置は、被処理基板の表面の洗浄や乾燥に用いても構わない。また、上述した実施形態において、放電用電極体アセンブリは、第1放電用電極体、第2放電用電極体、第1板体および第2板体といった平板状の各部材を接続してなる構成を例に説明したが、放電用電極体アセンブリは、第1放電用電極体および第2放電用電極体をを備えていればよく、第1板体および第2板体を備えていなくてもよい。この場合、第1放電用電極体をコの字状として、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bを接続しても構わないし、図5に示すように、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bをL字状とし、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bを接続しても構わない。なかでも、図5に示す例が望ましく、コの字状である第1放電用電極体と比較して、L字状である第1放電用電極体6aの固体誘電体9の一主面S1の仕上げ加工を容易に行うことができる。なお、図5に示す例においては、第1放電用電極体6aおよび第2放電用電極体6bそれぞれは、電極と反対側の一主面S1を有する第1平板部11aと、一主面S1に直交して続く一側面を有する第2平板部11bとからなることによって、L字状をなしている。また、上述した実施形態において、固体誘電体が第1セラミック焼結体からなる構成を例に説明したが、図6および図7に示すように、固体誘電体9は、第1セラミック焼結体12aと、第1セラミック焼結体12aよりも電極8側に位置する第2セラミック焼結体12bとを有していても構わない。この場合、第1セラミック焼結体12aは、上述した実施形態の第1セラミック焼結体と同様のものを用いることができる。また、第2セラミック焼結体12bは、第1セラミック焼結体12aよりも誘電率の低いものを用いることができ、例えば、酸化アルミニウムAl2O3焼結体等を用いることができる。なお、第2セラミック焼結体12bは、第1セラミック焼結体12aと同じものを用いても構わない。また、第1セラミック焼結体12aと第2セラミック焼結体12bとは、例えばガラスまたは樹脂等の接着剤によって、接続することができる。また、第1セラミック焼結体12aの電極8側第2セラミック焼結体12b側の他主面は、輪郭曲線要素の平均長さRsmが、第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の5倍未満であることが望ましく、さらには、第1セラミック焼結体の平均結晶粒径の2倍以上4倍以下であることが望ましい。その結果、第1セラミック焼結体12aの他主面と接着剤とのアンカー効果を高め、第1セラミック焼結体12aと第2セラミック焼結体12bとの接着強度を高めることができる。以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。評価方法表1に示すように、各種セラミック焼結体および加工方法を用いて試料1~15の固体誘電体を作製し、各固体誘電体について、キーエンス社製のデジタルマイクロスコープ装置を用いて、表面観察することによって、固体誘電体の一主面における平均結晶粒径Dを測定した。また、各固体誘電体について、小坂研究所社製の表面粗さ装置を用いて、表面状態を測定することによって、固体誘電体の一主面における輪郭曲線要素の平均長さRsmおよび算術平均粗さRaを測定した。また、各固体誘電体について、アネルバ社製のプラズマエッチング装置を用いて、プラズマエッチング評価することによって、耐プラズマ性を評価した。なお、耐プラズマ性は、試料1を基準とした相対値を用いており、数値が低いと耐プラズマ性が高い。固体誘電体の作製条件まず、イットリア焼結体試料1~6およびスピネル焼結体試料7~15を作製した。イットリア焼結体は以下のように作製した。まず、イットリア粉末に純水およびバインダーを加え、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒した後、CIP成形法を用いて成形体を作製し、成形体を大気雰囲気中にて1400°C以上1700°C以下で焼成した。スピネル焼結体は以下のように作製した。まず、水酸化マグネシウムおよび酸化アルミニウムを1:1の割合となるように混合し、ボールミルで湿式混合して1次原料を作製した。そして、1次原料を1100°C以上1300°C以下の温度で仮焼して仮焼体を作製した後、仮焼体をボールミル等により平均粒径が2μmとなるまで湿式粉砕してスラリーを得た。そして、スラリーを乾燥した後、メッシュを通過させることにより、平均粒径が1.5μmの仮焼粉体を作製した。次に、仮焼粉体に純水およびバインダーを加え、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製した。次に、スラリーをスプレードライヤーにて造粒した後、CIP成形法等を用いて成形体を作製し、成形体を大気雰囲気中1550°C以上1750°C以下の温度で焼成した。なお、スピネル焼結体としては、湿式混合の際に添加する焼結助剤を調節することによって、ジルコニアZrO2を5~10体積含むスピネル焼結体試料13、カルシアCaOを5~10体積含むスピネル焼結体試料14、マグネシアMgOを5~10体積含むスピネル焼結体試料15を作製した。次に、セラミック焼結体の一主面を研磨加工した。研磨加工においては、各焼結体に対し、第1ラップ加工のみを行ったもの試料1~3、7~9と、第1ラップ加工の後に第2ラップ加工を行ったもの試料4~6、10~15を作製した。第1ラップ加工は、平均粒径が2μmのダイヤモンド研磨剤を使用し、鋳鉄系ラップ盤上で所定の時間ラップ加工を行った。第2ラップ加工は、平均粒径が1μmのアルミナ研磨剤を使用し、ポリウレタンパッド上で2時間ラップ加工を行った。結果表1に示すように、第1ラップ加工のみを行った試料1~3、7~9では、Rsm/Dが2倍以上4倍以下と小さくなっているのに対し、第1ラップ加工に加えて第2ラップ加工を行った試料4~6、10~15は、Rsm/Dが7倍以上20倍以下と大きくなっていた。そして、第1ラップ加工に加えて第2ラップ加工を行った試料4~6、10~15は、第1ラップ加工のみを行った試料1~3、7~9と比較して、耐プラズマ性が向上していた。さらに、試料13~15は、試料10~12と比較して、耐プラズマ性が向上していた。以上の結果より、本発明の放電用電極体によれば、固体誘電体の一主面における輪郭曲線要素の平均長さRsmをセラミック焼結体における平均結晶粒径Dの5倍以上とすることによって、耐プラズマ性を向上させることができるため、固体誘電体の一主面がプラズマ化したガスに晒された際にパーティクルの脱落を低減できることが確かめられた。