"シラボラン分子を注入するプロセスであって、イオン源内においてシラボラン分子を気化およびイオン化して、プラズマを発生させて、イオン化シラボラン分子および低質量のイオン化副生成物を生成する工程;イオン源開口部を介して、上記プラズマ内の上記イオン化シラボラン分子および上記低質量のイオン化副生成物を抽出し、イオンビームを形成する工程;質量分析電磁石を使用して、上記イオンビームの質量分析を行い、上記イオン化シラボラン分子、または低質量の副生成物の選択されたイオン化密集体を通過させることを可能にする工程;上記イオンビームを移送して、または、更なる加速度ポテンシャルもしくは減速度ポテンシャルを適宜印加して、あるいは、上記イオンビームを移送し、そして更なる加速度ポテンシャルもしくは減速度ポテンシャルを適宜印加して、最終エネルギーを設定する工程;および、上記イオン化シラボラン分子、または上記低質量の副生成物の選択されたイオン化密集体を被加工体に注入する工程を包含している、シラボラン分子を注入するプロセス。上記シラボラン分子が正二十面体構造を含む、請求項1に記載のプロセス。上記シラボラン分子がo-シラボラン分子を含む、請求項1に記載のプロセス。上記シラボラン分子が1,2-ジメチル-1,2-ジシラ-クロソ-ドデカボラン分子を含む、請求項1に記載のプロセス。上記シラボラン分子が、化学式BnHnSi12-nR12-n式中のRは、式中のシリコン原子に結合している原子または化合物を示すを有する正二十面体のシラボラン分子を含む、請求項1に記載のプロセス。上記Rが、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、または、これら一つを含んでいる組み合わせである、請求項5に記載のプロセス。上記シラボラン分子が、5個より多くのホウ素原子を有する、請求項1に記載のプロセス。上記イオン化シラボラン分子、または上記低質量の副生成物の選択されたイオン化密集体を被加工体に注入する工程が、スポットビームを形成すること、上記被加工体を少なくとも一つの側面にて機械的に走査することを包含し、上記スポットビームが、上記被加工体に対して垂直である、請求項1に記載のプロセス。上記イオン化シラボラン分子、または上記低質量の副生成物の選択されたイオン化密集体を被加工体に注入する工程が、リボンビームを形成すること、上記被加工体を垂直方向にて機械的に走査することを包含する、請求項1に記載のプロセス。上記イオン化シラボラン分子、または上記低質量の副生成物の選択されたイオン化密集体を被加工体に注入する工程が、垂直方向における第2機械軸を用いて、上記被加工体の全域において上記イオンビームを電磁的または静電的に走査することを包含する、請求項1に記載のプロセス。上記イオン源が、傍熱陰極イオン源である、請求項1に記載のプロセス。上記イオン源が、双対型のプラズマイオン源である、請求項1に記載のプロセス。上記イオン源が、単一型のプラズマイオン源である、請求項1に記載のプロセス。上記イオン源が、高周波イオン源である、請求項1に記載のプロセス。上記イオン源内における上記シラボラン分子の気化およびイオン化が、上記シラボラン分子を気化し、気化された上記シラボラン分子をイオン化器内においてイオン化することを包含する、請求項1に記載のプロセス。上記イオン源内における上記シラボラン分子の気化およびイオン化が、第1ガスから第1プラズマを発生させること;上記第1プラズマから電子を抽出すること;および、上記電子を気化された上記シラボラン分子と反応させることを包含し、上記イオン化シラボラン分子および上記低質量のイオン化副生成物を含んでいる第2プラズマを形成する、請求項1に記載のプロセス。上記第1ガスが、アルゴン、キセノン、アルゴン三フッ化ホウ素、アルシン、ホスフィン、酸素、三フッ化窒素、または、これらの組み合わせを含む、請求項16に記載のプロセス。被加工体にホウ素原子を注入するプロセスであって、シラボラン分子を気化する工程;上記シラボラン分子をイオン化し、イオン源からイオンを抽出してイオンビームを形成する工程;上記イオンビームの流れを移送し、または、更なる加速度ポテンシャルもしくは減速度ポテンシャルを適宜印加して、あるいは、上記イオンビームを移送し、そして更なる加速度ポテンシャルもしくは減速度ポテンシャルを適宜印加して、最終エネルギーを設定する工程;および、所望の電荷質量比を有する選択されたイオンを上記被加工体に注入し、上記選択されたイオンが上記ホウ素原子に分解する工程を包含している、被加工体にホウ素原子を注入するプロセス。上記選択されたイオンを注入することが、抽出された上記イオンの質量分析を行い、上記所望の電荷質量比を有するイオンを選択的に注入する工程を含む、請求項18に記載のプロセス。上記イオン源が、双対型のプラズマイオン源である、請求項18に記載のプロセス。上記イオン源が、単一型のプラズマイオン源である、請求項18に記載のプロセス。上記イオン源が、高周波由来のイオン源である、請求項18に記載のプロセス。"