基板を水平に保持して回転させる回転保持部と、前記基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を供給するノズルと、塗布液の供給位置を、基板の中心位置と当該中心位置からずれた偏心位置との間で基板の径方向に沿って移動させるために前記ノズルを移動させる移動機構と、前記回転保持部による基板の回転と、前記ノズルからの塗布液の吐出と、移動機構によるノズルの移動とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の中心部に塗布液を供給すると共に、遠心力により前記塗布液を基板の周縁部に広げるために第1の回転速度で基板を回転させ、次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から前記偏心位置に向けて移動させ、次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止し、その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために、基板の回転速度が前記第3の回転速度よりも高くなるように制御信号を出力することを特徴とする塗布処理装置。基板が前記第2の回転速度で回転している間に、塗布液の供給位置が偏心位置で停止することを特徴とする請求項1記載の塗布処理装置。前記第3の回転速度は、0rpm~30rpmであることを特徴とする請求項1または2記載の塗布処理装置。前記第2の回転速度は、50rpm~1000rpmであることを特徴とする請求項1または2記載の塗布処理装置。基板を回転保持部により水平に保持する工程と、基板の表面にノズルから基板の中心部に塗布膜を形成するための塗布液を供給すると共に、第1の回転速度で基板を回転させて、塗布液を基板の周縁部に遠心力によって広げる工程と、次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から前記偏心位置に向けて移動させる工程と、次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止する工程と、その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために基板の回転速度を前記第3の回転速度よりも高くする工程と、を備えたことを特徴とする塗布処理方法。基板が前記第2の回転速度で回転している間に、塗布液の供給位置が偏心位置で停止する工程を含むことを特徴とする請求項5記載の塗布処理方法。前記第3の回転速度は、0rpm~30rpmであることを特徴とする請求項5または6記載の塗布処理方法。前記第2の回転速度は、50rpm~1000rpmであることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一項に記載の塗布処理方法。基板に対する塗布処理を行う塗布処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、請求項5ないし8のいずれか一つに記載の塗布処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、塗布膜を基板の面内に均一に形成することができる技術を提供することである。本発明の塗布処理装置は、基板を水平に保持して回転させる回転保持部と、前記基板の表面に塗布膜を形成するための塗布液を供給するノズルと、塗布液の供給位置を、基板の中心位置と当該中心位置からずれた偏心位置との間で基板の径方向に沿って移動させるために前記ノズルを移動させる移動機構と、前記回転保持部による基板の回転と、前記ノズルからの塗布液の吐出と、移動機構によるノズルの移動とを制御するために制御信号を出力する制御部と、を備え、前記制御部は、基板の中心部に塗布液を供給すると共に、遠心力により前記塗布液を基板の周縁部に広げるために第1の回転速度で基板を回転させ、次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から前記偏心位置に向けて移動させ、次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止し、その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために、基板の回転速度が前記第3の回転速度よりも高くなるように制御信号を出力することを特徴とする。上記の塗布処理装置の具体的な態様としては例えば下記の通りである。a基板が前記第2の回転速度で回転している間に、塗布液の供給位置が偏心位置で停止する。第2の回転速度で回転している間には、第2の回転速度から第3の回転速度に切り替えを行う時点も含むb前記第3の回転速度は、0rpm~30rpmである。c前記第2の回転速度は、50rpm~1000rpmである。本発明の塗布処理方法は、基板を回転保持部により水平に保持する工程と、基板の表面にノズルから基板の中心部に塗布膜を形成するための塗布液を供給すると共に、第1の回転速度で基板を回転させて、塗布液を基板の周縁部に遠心力によって広げる工程と、次いで、前記塗布液の供給を続けたまま、当該基板の中心部側の液膜を周縁部側の液膜に比べて盛り上げて、液溜まりを形成するために、前記第1の回転速度よりも小さい第2の回転速度で基板を回転させた状態で塗布液の供給位置を基板の中心位置から前記偏心位置に向けて移動させる工程と、次いで、液溜まりの厚さを大きくして、ノズルの液切れ時に当該液溜まりに垂れる液滴を馴染ませるために、基板の回転速度を前記第2の回転速度よりも小さい第3の回転速度に減速させた状態で、ノズルから前記偏心位置への塗布液の供給を停止する工程と、その後、液溜まりを基板の周縁部に広げて塗布膜を形成するために基板の回転速度を前記第3の回転速度よりも高くする工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の記憶媒体は、基板に対する塗布処理を行う塗布処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、上述の塗布処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。本発明によれば、塗布液の供給位置を基板の中心位置から偏心位置に移動させ、塗布液の供給を停止するときに、基板の回転速度を低下させて液だまりの厚さを大きくしている。ノズルから垂れる液滴が前記液だまりになじみやすくなると共に液溜まりの形状が歪むことが抑えられるので、基板の面内に均一性高く塗布膜を形成することができる。本発明の塗布処理装置に係る、レジスト塗布装置1について図1及び図2を参照しながら説明する。図1、図2は夫々レジスト塗布装置1の縦断側面図、平面図である。レジスト塗布装置1は、スピンチャック11を備えており、真空吸着によりウエハWを水平に保持するように構成されている。スピンチャック11には、回転モータなどを含む回転駆動部12に接続されている。回転駆動部12は、後述の制御部4から出力される制御信号に応じた回転速度で、スピンチャック11を鉛直回りに回転させる。図中13は、ウエハWの裏面を支持する3本の支持ピン図示の便宜上2本のみ示しているであり、昇降機構14により昇降自在に構成されている。支持ピン13によりウエハWの搬送機構10とスピンチャック11との間でウエハWが受け渡される。スピンチャック11の下方側には断面形状が山形のガイドリング15が設けられており、このガイドリング15の外周縁は下方側に屈曲して延びている。前記スピンチャック11及びガイドリング15を囲むように塗布液であるレジスト液の飛散を抑えるためのカップ16が設けられている。このカップ16は上側が開口し、スピンチャック11にウエハWを受け渡すことができるようになっており、カップ16の側周面とガイドリング15の外周縁との間に排出路をなす隙間17が形成されている。前記カップ16の下方側には起立した排気管18が設けられ、排気管18内は排気口18aとして構成されている。またカップ16の底部には排液口19が開口している。レジスト塗布装置1はレジスト液ノズル21を備えており、レジスト液ノズル21は鉛直下方にレジスト液を吐出する。前記レジスト液ノズル21は、レジスト液供給管22を介して、レジスト液が貯留されたレジスト液供給源23に接続されている。レジスト液供給源23はポンプを備え、レジスト液を下流側へ圧送する。前記レジスト液供給管22にはバルブや流量調整部等を含む供給機器群24が介設され、制御部4から出力される制御信号に基づいてレジスト液の給断を制御する。前記レジスト液ノズル21は、図2に示すように水平方向に伸びたアーム25を介して移動機構26に接続されている。移動機構26は、横方向に伸びたガイドレール20に沿って移動し、また、アーム25を昇降させることができる。これによって、レジスト液ノズル21はウエハWの直径に沿ってレジスト液を供給することができ、また、カップ16の外部に設けられた待機領域27とウエハW上との間で移動することができる。レジスト塗布装置1は溶剤ノズル31を備えており、溶剤ノズル31は鉛直下方に溶剤例えばシンナーを供給する。溶剤ノズル31は、溶剤供給管32を介してシンナーが貯留された溶剤供給源33に接続されている。図中34は、供給機器群であり、前記供給機器群24と同様に構成されている。溶剤ノズル31は、レジスト液ノズル21と同様にアーム35を介して移動機構36に接続され、カップ16の外部の待機領域37とウエハW上との間で移動自在に構成されている。続いて制御部4について説明する。制御部4はコンピュータにより構成され、プログラム格納部を備えている。このプログラム格納部には、後述の作用で説明する塗布処理が行われるように命令が組まれたプログラムが格納される。前記プログラム格納部に格納されたプログラムが制御部4に読み出され、制御部4はレジスト塗布装置1の各部へ制御信号を送信する。それによって、各ノズル21、31の移動、レジスト液ノズル21からのレジスト液の吐出及びウエハWの回転速度などが制御され、後述のステップ群が実施される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。続いて、このレジスト塗布装置1の作用について、図3~図10を参照しながら説明する。図3~図8は、各ステップにおけるウエハWの変化を示している。図9及び図10はウエハWの平面図であり、ウエハW表面の変化を示している。また、ウエハWの回転速度であるrpm1分あたりの回転数の変化を示した図11も適宜参照しながら説明する。図11のグラフの横軸、縦軸は時間、前記回転速度を夫々示しており、横軸には0.1秒間隔で目盛りを付している。なお、図11のグラフ中において、矢印A1はレジスト液Rが吐出される区間を示し、矢印A2はレジスト液ノズル21が移動し、レジスト液Rの供給位置がウエハWの中心位置から偏心位置へ移動する区間を示している。搬送機構10により、ウエハWがレジスト塗布装置1に搬送され、支持ピン13によりスピンチャック11に受け渡される。溶剤ノズル31が待機領域37からウエハWの中心部上に移動し、ウエハWの回転が例えば30rpmで回転する。溶剤ノズル31からウエハWの中心部にシンナーTが供給されると共にウエハWの回転速度が例えば2000rpmで回転する。遠心力により前記シンナーTがウエハWの周縁部に行き渡る。ウエハWの回転速度が500rpmに減少し、溶剤ノズル31が待機領域37へ戻ると共にレジスト液ノズル21が待機領域27からウエハWの中心部上に移動し、ウエハWの中心部にレジスト液Rが供給されるグラフ中時刻t1と共にウエハWの回転速度が上昇する。レジスト液Rは遠心力によりシンナーTで濡れたウエハWの表面上を周縁部に向かって広がり、ウエハWの表面全体にレジスト液Rが塗布される図3、ステップS1。ウエハWの回転速度が第1の回転速度である例えば3000rpmになると、回転速度が低下すると同時に、レジスト液ノズル41がウエハWの径方向に沿って周縁部側に向かって移動を開始する時刻t2図4、ステップS2。ウエハW表面では、ウエハWの減速により、レジスト液RがウエハWの中央部に向かって引き寄せられ、当該中央部に円形の液溜まり41が形成される。ウエハWの回転速度が例えば200rpmになると時刻t3、回転速度の低下が止まり、回転速度が200rpmに維持される。時刻t1から時刻t3までの間隔は例えば1.8秒である。引き続き、レジスト液ノズル21が移動するが、このとき、ウエハWの回転により受ける力により液溜まり41は円形に保たれる図9。200rpm以上で3000rpmより低い回転速度は特許請求の範囲で言う第2の回転速度である。時刻t3から例えば0.1秒経過すると、ウエハWの中心部上から例えば5mmずれた位置でレジスト液ノズル21の移動が停止すると同時に、ウエハWの回転速度がさらに低下し時刻t4、液溜まり41の厚さが大きくなる図5、ステップS3。ウエハWの回転速度が第3の回転速度である例えば10rpmになると、回転速度の低下が停止して時刻t5、10rpmで回転が続けられ、レジスト液ノズル21からレジスト液Rの吐出が停止する時刻t6図6、ステップS4。このレジスト吐出停止時にレジスト液ノズル21から液溜まり41に垂れる液滴R1の挙動について、ウエハWの表面の状態を示した図12~図16も参照しながら説明する。図12中42は、時刻t1~時刻t2にレジスト液ノズル21から吐出されたレジスト液Rからなる層であり、吐出された時にウエハWの回転が高速であるため、乾燥が進んでいる。また、図中43は時刻t2~時刻t6で供給されたレジスト液Rからなる層である。このレジスト液層43においても、先に供給されたレジスト液Rからなる下方領域44は、比較的乾燥が進んでいる。しかし、上記のように10rpmに回転速度を落とし、液溜まり41の厚さが大きくなったため、レジスト液層43において比較的乾燥が進んでいない上方領域45の厚さが大きい。従って、図13に示すように落下した液滴R1は、下方領域44に付着せずに前記上方領域45に留められる。そして、ウエハWの回転速度が比較的遅いので、上方領域45の乾燥度合いは、液滴R1の乾燥度合いと比べて大きな差が無いため、液滴R1はこの上方領域45のレジスト液Rに馴染み、次第に消失を始める図14レジスト液Rの吐出停止後、レジスト液ノズル21が待機領域27に戻ると共にウエハWの回転が上昇し時刻t7、液溜まり41は遠心力の作用によりウエハWの周縁部へ広げられる図7及び図10、ステップS5。このとき遠心力の作用を受けて、液滴R1は周囲のレジスト液Rと混ざり合い、消失する図15、図16。時刻t5から時刻t7までの間隔は、例えば0.8秒である。ウエハWの回転速度が例えば1500rpmになると、回転速度の上昇が停止し、1500rpmのまま回転が続けられて、ウエハW表面のレジスト液R中の溶剤が揮発する。それによって、レジスト膜R2が形成される図8、ステップS6。時刻t7から所定の時間経過後にウエハWの回転が停止し、支持ピン13によりウエハWは突き上げられ、搬送機構10に受け渡されて、レジスト塗布装置1から搬出される。このレジスト塗布装置1によれば、ウエハWにレジスト液供給中にウエハWの回転速度を落として、円形の液溜まり41を形成し、さらに液溜まり41の厚さを大きくするために回転速度を落とした後、レジスト液ノズル21からレジスト液の吐出を停止している。これにより、レジスト液ノズル21から垂れた液滴が液溜まり41に馴染むため、レジスト膜R2が形成されたときに塗布斑の発生を抑えることができる。また、レジスト液ノズル21の移動時には、ウエハWは、液溜まり41の形状が歪むことが抑えられる回転速度に制御されるので、上記のステップS5で液溜まり41は略円形のままウエハWの周縁部へ向けて広げられる。つまり、レジスト液が均一性高くウエハWの周縁部に向けて広げられる。この結果として、ウエハWの面内に均一性高い膜厚でレジスト膜を形成することができる。ステップS2における回転速度は、少なくとも上記の液溜まり41が形成される回転速度であり、従って0rpmよりも大きい回転速度である。そして、上記のようにレジスト液ノズル21の移動による外乱が抑えられ、液溜まり41が平面で見て正円に近い形状に保たれるように制御される回転速度であることが好ましく、例えば50rpm~1000rpmに制御される。また、ステップS4でレジスト液の供給停止を行うときの回転速度は、前記ステップS2の回転速度よりも小さく、液滴による塗布斑を抑えることができる回転速度であり、後述の実験から0rpm~30rpmであることが好ましい。また、上記の実施形態において、レジスト液ノズル21の移動開始及び移動停止のタイミングとしては時刻t2よりも後、且つ時刻t4よりも前であってもよい。時刻t2よりも前にレジスト液を吐出した状態でレジスト液ノズル21が移動すると、レジスト液RによるウエハWの被覆性及びレジスト膜の均一性が低下してしまう。また時刻t4より後にレジスト液を吐出した状態でレジスト液ノズル21の移動が行われると、液溜まり41の形状が歪みやすくなり、膜厚の均一性が低下してしまう。また、レジスト液の供給を停止するタイミングとしては、液滴による塗布斑の発生を抑えることができるように液溜まりが厚くなった状態で前記供給の停止が行われればよく、例えば回転速度が低下中の時刻t4~t5間で供給を停止させてもよい。このレジスト塗布装置1では塗布液としてレジスト液を供給しているが、塗布液としてはレジスト液に限られない。例えばレジスト膜の下層または上層に反射防止膜を形成するための薬液や、液浸露光時にレジスト膜を保護する保護膜形成用の薬液を供給してもよい。以下、本発明に関連して行った評価試験について説明する。[評価試験1]上記の実施形態に従ってウエハW1にレジスト膜を成膜した。そして、ウエハW1の直径に沿って間隔をおいた多数の位置でレジスト膜の膜厚を測定した。また、ウエハW2にレジスト膜を形成した。このレジスト膜の形成処理は、上記の実施形態と略同様であるが、差異点としてステップS2で回転速度を200rpmにした後、ステップS3でウエハWの回転速度の減速を行わず、0.2秒間回転速度を200rpmに維持している。200rpmに維持している間にステップS4を行い、然る後上記の実施形態と同様にステップS5を行っている。このように処理したウエハW2のレジスト膜について、ウエハW1と同様に直径方向の多数の位置で膜厚の測定を行った。また、ウエハW3にレジスト膜を形成した。このレジスト膜の形成処理は、上記の実施形態と略同様であるが、差異点としてステップS2で回転速度を10rpmに下げ、10rpmに維持した状態でステップS3、S4のレジスト液ノズル21の移動停止及びレジスト液の供給停止を行っている。従って、ウエハW3への処理では、液溜まりの膜厚を段階的に変化させていない。このウエハW3のレジスト膜についても、ウエハW1と同様に直径方向の多数の位置で膜厚の測定を行った。図17はウエハW1~W3の直径方向に沿った膜厚のデータを示したグラフであり、実線、鎖線、点線で夫々ウエハW1、W2、W3の測定結果を示している。グラフの縦軸は膜厚の大きさ単位nmを示している。グラフの横軸は測定位置を示しており、ウエハWの一端を0、他端を50として、測定位置を数値化している。この結果に示されるように、ウエハW3ではウエハWの一端と他端とで膜厚の差が大きかった。これは実施の形態で説明したように、液溜まり41の形状が、レジスト液の吐出位置の移動により乱れたためであると考えられる。[評価試験2]上記のウエハW1~W3を各々複数枚用意し、夫々の周縁部において、周方向に沿って間隔をおいた25箇所のレジスト膜の膜厚を測定し、3シグマを測定した。また、ウエハW1、W2、W3夫々について、3シグマの平均を演算した。図18のグラフは、ウエハWごとに得られた3シグマの値をプロットして示しており、グラフの縦軸は3シグマの値を示している。ウエハW1の3シグマの平均は0.99、ウエハW2の3シグマの平均は0.51、ウエハW3の3シグマの平均は1.36であった。上記の実施形態で説明したように、液滴の落下時にウエハWの回転速度を抑えることで、液滴を周囲のレジスト液に馴染ませて塗布斑の発生を抑えることができる。しかし、上記の評価試験1、2からウエハWの周縁部の面内均一性はウエハW2>ウエハW1>ウエハW3の順で高かった。この結果から、レジスト液を広げるために回転速度を上昇させた後、回転速度を急激に下げて10rpmにすると、液滴以外の要因により膜厚のばらつきが大きくなってしまうことが分かる。そして、ウエハW2では、背景技術の項目で述べたように液滴に起因した塗布斑が発生するおそれがあることから、ウエハの膜厚の面内均一性の低下を防ぎ、且つ液滴による塗布斑の発生を防ぐためには、上記の実施形態のようにレジストの吐出位置の変更時と、液切れ時とで回転速度を変化させることが有効であると言える。[評価試験3]上記の実施形態のステップS3~S4において、10rpmになるように回転速度を低下させた後、回転速度が10rpmに維持されている時刻t4からt7の間隔を変化させて各ウエハWに処理を行い、塗布斑の発生頻度を調べた。さらに、このステップS3~S4において、回転速度を10rpmにする代わりに10rpmとは異なる回転速度に制御してウエハWを処理し、塗布斑の発生頻度を調べた。この評価試験3ではレジスト液の吐出量を0.55mLに設定し、レジスト液の吐出時間を1.9秒に設定した。下記の表1は、この評価試験3の結果を示している。表1に示すように回転速度を10rpmに設定し、且つステップS3、S4の実行時間を0.2秒、0.4秒に設定した実験では、ウエハW25枚あたり1枚の割合で塗布斑が発生していた。回転速度を10rpmに設定し、且つステップS3、S4の実行時間を0.6秒、0.8秒に設定した実験では、ウエハW50枚のうち、すべてのウエハWに塗布斑の発生が見られなかった。回転速度を30rpmに設定し、且つステップS3、S4の実行時間を0.6秒に設定した実験ではウエハW50枚中、すべてのウエハWに塗布斑の発生は見られなかった。回転速度を50rpmに設定し、且つステップS3、S4の実行時間を0.6秒に設定した実験ではウエハW25枚あたり1枚の割合で塗布斑が発生していた。この評価試験3の結果から、ステップS3、S4の回転速度が小さいほど塗布斑の発生が抑えられ、またステップS3、S4の時間が長いほど塗布斑の発生が抑えられていることが分かる。上記のようにステップS3、S4の実行時間を0.6秒に設定した実験では、ウエハWの回転数が10rpm、30rpmであるものについては塗布斑が観察されていない。ステップS3、S4の実行時間を0.8秒に設定した実験では、ウエハWの回転数が10rpmに設定して塗布斑が観察されていない。これらの実験において、ウエハWの回転速度を10rpmより低く設定した場合には、液溜まり41の表面の乾燥がより抑えられ、液滴が液溜まり41により馴染みやすくなると考えられる。従って、この評価試験3より、ステップS3、S4で好ましい回転速度は0rpm~30rpmであると言える。