半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された窒化物半導体層とを備え、前記半導体基板は、通常領域、キャリア供給領域及び界面電流阻止領域を有し、前記窒化物半導体層は、素子領域及び該素子領域を囲む素子分離領域を有し、前記界面電流阻止領域は、前記通常領域及びキャリア供給領域を囲み、前記界面電流阻止領域と前記キャリア供給領域とは、それぞれ不純物を含み、前記素子領域の少なくとも一部は、前記通常領域の上方に形成され、前記キャリア供給領域は、前記窒化物半導体層と前記半導体基板との界面に、前記窒化物半導体層と前記半導体基板との間に印加される電界に応じて形成されるキャリア層へのキャリアの供給源となり且つ前記キャリアの排出先となる導電型を有し、前記界面電流阻止領域は、前記キャリアに対してポテンシャル障壁を形成する導電型を有する窒化物半導体装置。前記キャリア供給領域は、前記通常領域と同一の導電型であり、前記キャリア供給領域の不純物濃度は、前記通常領域よりも高い請求項1に記載の窒化物半導体装置。前記キャリア供給領域は、前記通常領域と異なる導電型である請求項1に記載の窒化物半導体装置。前記キャリア供給領域は、前記通常領域と同一の導電型である第1のキャリア供給部と、前記通常領域と異なる導電型である第2のキャリア供給部とを有し、前記第1のキャリア供給部の不純物濃度は、前記通常領域よりも高い請求項1に記載の窒化物半導体装置。前記第1のキャリア供給部と前記第2のキャリア供給部とは互いに間隔をおいて形成されている請求項4に記載の窒化物半導体装置。前記キャリア供給領域の不純物濃度は、1×1016cm3以上である請求項1~5のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記キャリア供給領域は、前記半導体基板における前記素子領域の直下を除く部分に形成されている請求項1~6のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記界面電流阻止領域は、前記通常領域と同一の導電型であり、前記界面電流阻止領域の不純物濃度は、前記通常領域よりも高い請求項1~7のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記界面電流阻止領域は、前記通常領域と異なる導電型である請求項1~7のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記界面電流阻止領域は、前記通常領域と同一の導電型である第1の界面電流阻止部と、前記通常領域と異なる導電型である第2の界面電流阻止部とを有し、前記第1の界面電流阻止部の不純物濃度は、前記通常領域よりも高い請求項1~7のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記第1の界面電流阻止部と前記第2の界面電流阻止部とは互いに間隔をおいて形成されている請求項10に記載の窒化物半導体装置。前記界面電流阻止領域の不純物濃度は、1×1016cm3以上である請求項1~11のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記界面電流阻止領域は、前記半導体基板における前記素子領域の直下を除く部分に形成されている請求項1~12のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記窒化物半導体層は、第1の層と、該第1の層の上に形成され前記第1の層よりもバンドギャップが大きい第2の層とを有している請求項1~13のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記窒化物半導体層の上に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極をさらに備えている請求項1~14のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記窒化物半導体層の上に形成されたカソード電極及びアノード電極をさらに備えている請求項1~14のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記半導体基板の前記窒化物半導体層と反対側の面に形成された裏面電極と、前記窒化物半導体層及び半導体基板を貫通し、前記裏面電極と接続された貫通電極とをさらに備えている請求項1~16のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記貫通電極は、前記半導体基板の上面において、前記界面電流阻止領域に囲まれている請求項17に記載の窒化物半導体装置。前記貫通電極は、前記界面電流阻止領域を貫通するように形成されている請求項17に記載の窒化物半導体装置。前記素子領域と前記キャリア供給領域とは、平面視において位置がずれている請求項1~19のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。しかしながら、本願発明者らはSi基板の耐圧を大きくしても半導体装置の縦方向耐圧がほとんど変化しないことを見出した。また、Si基板だけでなく炭化珪素SiC基板及び砒化ガリウムGaAs基板等の他の半導体の基板においても同様の問題が生じることを見出した。さらに、半導体装置の縦方向耐圧を大きくできない原因が、半導体装置のスイッチング特性及び高周波特性等の電気的特性にも影響を与えることを見出した。本開示は、本願発明者らが見出した知見に基づき、半導体基板を用いた場合において、縦方向耐圧及び電気的特性を向上した窒化物半導体装置を実現できるようにすることを目的とする。前記の目的を達成するため、本開示は窒化物半導体装置を、電界に応じてキャリアの供給源となると共にキャリアの排出先となる導電型を有するキャリア供給領域を半導体基板に設けた構成とする。具体的に、例示の窒化物半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上に形成された窒化物半導体層とを備え、半導体基板は、通常領域、キャリア供給領域及び界面電流阻止領域を有し、窒化物半導体層は、素子領域及び該素子領域を囲む素子分離領域を有し、界面電流阻止領域は、通常領域及びキャリア供給領域を囲み、界面電流阻止領域とキャリア供給領域とは、それぞれ不純物を含み、素子領域の少なくとも一部は、通常領域の上方に形成され、キャリア供給領域は、窒化物半導体層と半導体基板との界面に、窒化物半導体層と半導体基板との間に印加される電界に応じて形成されるキャリア層へのキャリアの供給源となり且つキャリアの排出先となる導電型を有し、界面電流阻止領域は、キャリアに対してポテンシャル障壁を形成する導電型を有する。例示の窒化物半導体装置は、窒化物半導体層と半導体基板との間に印加される電界に応じて形成されるキャリア層へのキャリアの供給源となり且つキャリアの排出先となる導電型を有するキャリア供給領域を半導体基板に設けている。このため、半導体装置のオン状態とオフ状態とを切り換える際に、キャリア層の生成及び消滅が速やかに行われる。従って、窒化物半導体装置のスイッチング特性及び高周波特性等を向上することができる。また、界面に生成されるキャリアに対してポテンシャル障壁を形成する導電型を有する界面電流阻止領域を有しているため、界面に電流パスが形成されにくくなる。従って、窒化物半導体装置の縦方向耐圧を向上することも可能となる。例示の窒化物半導体装置において、キャリア供給領域は通常領域と同一の導電型であり、キャリア供給領域の不純物濃度は通常領域よりも高い構成としてもよい。また、キャリア供給領域は通常領域と異なる導電型としてもよい。さらに、キャリア供給領域は通常領域と同一の導電型である第1のキャリア供給部と、通常領域と異なる導電型である第2のキャリア供給部とを有し、第1のキャリア供給部は不純物濃度を通常領域よりも高い構成としてもよい。この場合において、第1のキャリア供給部と第2のキャリア供給部とは互いに間隔をおいて形成されていることが好ましい。例示の窒化物半導体装置において、キャリア供給領域の不純物濃度は、1×1016cm3以上であることが好ましい。例示の窒化物半導体装置において、キャリア供給領域は半導体基板における素子領域の直下を除く部分に形成されていることが好ましい。例示の半導体装置において、界面電流阻止領域は通常領域と同一の導電型であり、界面電流阻止領域の不純物濃度は通常領域よりも高い構成としてもよい。また、界面電流阻止領域は通常領域と異なる導電型としてもよい。さらに、界面電流阻止領域は通常領域と同一の導電型である第1の界面電流阻止部と、通常領域と異なる導電型である第2の界面電流阻止部とを有し、第1の界面電流阻止部の不純物濃度は通常領域よりも高い構成としてもよい。この場合において、第1の界面電流阻止部と第2の界面電流阻止部とは互いに間隔をおいて形成されていることが好ましい。例示の窒化物半導体装置において、界面電流阻止領域の不純物濃度は、1×1016cm3以上であることが好ましい。例示の窒化物半導体装置において、界面電流阻止領域は、半導体基板における素子領域の直下を除く部分に形成されていることが好ましい。例示の窒化物半導体装置において、窒化物半導体層は、第1の層と、該第1の層の上に形成され第1の層よりもバンドギャップが大きい第2の層とを有していてもよい。例示の窒化物半導体装置は、窒化物半導体層の上に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極をさらに備えていてもよく、窒化物半導体層の上に形成されたカソード電極及びアノード電極をさらに備えていてもよい。例示の窒化物半導体装置は、半導体基板の窒化物半導体層と反対側の面に形成された裏面電極と、窒化物半導体層及び半導体基板を貫通し、裏面電極と接続された貫通電極とをさらに備えていてもよい。例示の窒化物半導体装置において、貫通電極は、半導体基板の上面において、界面電流阻止領域に囲まれていることが好ましい。例示の窒化物半導体装置において、貫通電極は、界面電流阻止領域を貫通するように形成されていることが好ましい。例示の窒化物半導体装置において、素子領域とキャリア供給領域とは、平面視において位置がずれていることが好ましい。本開示の半導体装置によれば、半導体基板を用いた場合において、窒化物半導体装置の縦方向耐圧向上と優れたスイッチング特性又は高周波特性とを両立することができる。本明細書においてAlGaNとは、3元混晶AlxGa1xN但し0≦x≦1のことを表す。多元混晶はそれぞれの構成元素記号の配列、例えばAlInN、GaInN等と略記する。例えば、窒化物半導体AlxGa1xyInyN但し0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1はAlGaInNと略記する。また、アンドープとは、不純物が意図的に導入されていないことを意味する。まず、本願発明者らが見出した、半導体基板の耐圧と半導体装置の縦方向耐圧との関係について説明する。まず、評価用半導体装置としてキャリア不純物濃度が異なる種々のp型Si基板及びn型Si基板の上に所定の膜厚の窒化物半導体層を形成し、形成した評価用半導体装置の縦方向耐圧を測定した。評価用半導体装置の縦方向耐圧は、Si基板の縦方向耐圧と窒化物半導体層の縦方向耐圧の合計値となることが予測される。Siは、そのキャリア濃度により破壊耐圧が大きく変化することが知られている。一般に、Siはキャリア濃度が低いほど空乏層の幅が大きくなるため、破壊耐圧が大きくなる傾向がある。従って、キャリア濃度が低いSi基板上に形成した評価用半導体装置の縦方向耐圧が高くなることが期待される。しかし、測定により得られた評価用半導体装置の縦方向耐圧の値は、Si基板のキャリア濃度に依存せずほぼ一定となった。これは、評価用半導体装置の縦方向耐圧にSi基板の縦方向耐圧がほとんど寄与していないことを示している。さらに、本願発明者らは評価用半導体装置について電気容量の測定を行った。これにより、p型Si基板上に形成した窒化物半導体層において、p型Si基板を基準として窒化物半導体層に正の電圧を印加すると、p型Si基板と窒化物半導体層との界面付近のp型Siがn型に反転し、高濃度の電子反転層が形成されることを見出した。また、p型Si基板を基準として窒化物半導体層に負の電圧を印加すると、p型Si基板と窒化物半導体層との界面に正孔蓄積層が形成されることを見出した。同様に、n型Si基板上に形成した窒化物半導体においては、n型Si基板を基準として窒化物半導体層に負の電圧を印加すると、n型Si基板と窒化物半導体の界面付近のn型半導体層がp型に反転し、高濃度の正孔反転層が形成されることを見出した。また、n型Si基板を基準として窒化物半導体層に正の電圧を印加すると、n型Si基板と窒化物半導体層の界面に電子蓄積層が形成されることを見出した。窒化物半導体層とSi基板との界面に電子反転層、電子蓄積層、正孔反転層及び正孔蓄積層といったキャリア層が形成されると、窒化物半導体層とSi基板との界面においてSi基板の側面に達する電流パスが形成される。このため、窒化物半導体層に縦方向の電圧を印加すると、電流はSi基板内ではなく、窒化物半導体層とSi基板との界面に形成された電流パス及びSi基板の側面を伝って流れる。従って、Si基板の縦方向耐圧は半導体装置の縦方向耐圧にほとんど寄与しない。また、電界の印加に応じて生じるキャリア層の生成及び消滅に遅延が生じることにより、半導体装置のスイッチング特性及び高周波特性が劣化してしまうという現象も認められた。このような、窒化物半導体とSi基板の界面におけるキャリア層の形成は、窒化物半導体層をSi基板上に結晶成長する技術が向上したことにより検出が可能となったと考えられる。結晶成長技術の向上により、高い結晶性を有する窒化物半導体をSi基板上に成長することが可能となった。これにより、Si基板と窒化物半導体層との界面において組成の切り替わりが狭い範囲で生じるようになり、いわゆる界面急峻性が向上したことにより、キャリア層が生じると考えられる。以上説明したように、窒化物半導体層とSi基板との界面に生じる電流パスの影響を抑えることにより縦方向耐圧を向上することが可能となる。また、窒化物半導体層とSi基板との界面におけるキャリア層の生成速度及び消滅速度を速くすることにより、スイッチング特性及び高周波特性を向上することが可能となる。以下に、縦方向耐圧並びにスイッチング特性及び高周波特性を向上した半導体装置について詳細に説明する。図1a及びbは一実施形態に係る半導体装置であり、aは平面構成を示し、bはaのIb-Ib線における断面構成を示している。図1に示すように本実施形態の半導体装置は、ヘテロ接合電界効果トランジスタHFETであり、半導体基板101と、半導体基板101の上に形成された窒化物半導体層102とを有している。本実施形態において半導体基板101は、主面の面方位が111面であるp型Si基板である。窒化物半導体層102は、半導体基板101の主面上に順次形成されたバッファ層121と、チャネル層122と、キャップ層123とを有している。バッファ層121は、例えば窒化物半導体であるAlNからなる。チャネル層122は、例えば厚さが1μmのアンドープGaNからなる。キャップ層123は、例えば厚さが25nmのアンドープAlGaNからなる。キャップ層123のAl組成比は25程度とすればよい。窒化物半導体層102は、素子領域102Aと素子領域102Aを囲むように形成された素子分離領域102Bとを有している。素子分離領域102Bは、キャップ層123とチャネル層122との界面よりも下側に達するように形成され、素子領域102Aよりも高抵抗な領域である。素子分離領域102Bは、例えばアルゴン等の非導電性の不純物をイオン注入することにより形成すればよい。素子領域102Aの上には、ソース電極131、ドレイン電極132及びゲート電極133が形成されている。ソース電極131及びドレイン電極132はキャップ層123とチャネル層122との界面に形成される2次元電子ガス層とオーミック接合している。ソース電極131及びドレイン電極132は、例えばチタンとアルミニウムとの積層膜等とすればよい。ゲート電極133はキャップ層123とショットキー接合している。ゲート電極133は、例えばニッケルと金との積層膜とすればよい。ゲート電極133は、素子領域102Aを横断し、素子分離領域102Bに跨るように形成されている。なお、ソース電極131及びドレイン電極132についても同様の構成としてもよい。窒化物半導体層102の表面を覆うように、厚さが200nmの窒化シリコンSiNからなるパッシベーション膜141が形成されている。半導体基板101における窒化物半導体層102と反対側の面裏面には、アルミニウム等からなる裏面電極135が形成されている。裏面電極135は配線図示せず等によりソース電極131と接続されている。半導体基板101は、通常領域101A、界面電流阻止領域101B及びキャリア供給領域101Cを有している。界面電流阻止領域101B及びキャリア供給領域はそれぞれ、通常領域101Aよりも高濃度の不純物を含み、界面電流阻止領域はp型不純物を含み、キャリア供給領域101Cはn型不純物を含む。通常領域101A及びキャリア供給領域101Cは、界面電流阻止領域101Bに囲まれている。キャリア供給領域101Cと界面電流阻止領域101Bとは、互いに間隔をおいて形成されている。キャリア供給領域と界面電流阻止領域とは双方とも不純物濃度が高いので、互いに間隔をおいて形成されている方が好ましい。但し、キャリア供給領域101Cと界面電流阻止領域101Bとが接していてもよい。図1において、通常領域101A、界面電流阻止領域101B及びキャリア供給領域101Cは、バッファ層121と接している。キャリア供給領域101Cはドレイン電極132の外側方に形成されており、キャリア供給領域101Cの直上には素子分離領域102Bが形成されている。界面電流阻止領域101Bは、半導体基板101の側面に露出している。次に、本実施形態の半導体装置の動作について説明する。ソース電極131と裏面電極135とが接続されている場合において、ソース電極131の電位を基準として、ドレイン電極132に正の電圧が印加されている場合を考える。この場合、ゲート電極133に負の電圧が印加されると、HFETはオフ状態となるため、ドレイン電極132から半導体基板101に向かって電界が形成される。これにより、p型の半導体基板101とバッファ層121との界面に電子反転層が形成される。一方、ゲートに正の電圧が印加されると、HFETはオン状態となるため、ドレイン電極132から半導体基板101に向かって形成された電界はほぼ0となり、p型の半導体基板101とバッファ層121との界面に形成された電子反転層は消滅する。HFETのスイッチング特性及び高周波特性を向上するためには、HFETのオン状態とオフ状態との遷移の際に、電子反転層の形成と消滅とが素早く行われることが好ましい。本実施形態の半導体装置は、高濃度のn型不純物を含むキャリア供給領域101Cを有している。このため、ゲート電極133に負の電圧が印加された際には、キャリア供給領域101Cから電子反転層を形成する電子が供給される。一方、ゲート電極133に正の電圧が印加された際には、電子反転層を形成する電子がキャリア供給領域101Cへ排出される。その結果、電子反転層の形成と消滅とが素早く行われ、HFETのスイッチング特性及び高周波特性が向上する。キャリア供給領域101Cは、HFETのオン状態とオフ状態との遷移の際に、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面に生成されるキャリアである電子の供給源及び排出先となることができればよい。このため、半導体基板101がp型の場合、キャリア供給領域101Cはn型不純物を含み、n型不純物の濃度を通常領域101Aのp型不純物の濃度よりも高くすればよい。具体的には、n型不純物の濃度を1×1016cm3以上とすればよい。n型不純物の濃度は高い方が好ましいが、高くしすぎるとイオン注入等が困難となり、基板の結晶性等にも影響が出るため1×1021cm3程度以下とすることが好ましい。なお、半導体基板101がn型の場合にも、キャリア供給領域はn型不純物を含んでいればよく、n型不純物の濃度を通常領域101Aのn型不純物の濃度よりも高くすればよい。本実施形態の半導体装置は、高濃度のp型不純物を含む界面電流阻止領域101Bを有している。界面電流阻止領域101Bは、電子に対してポテンシャル障壁となる。従って、バッファ層121と半導体基板101との界面に電子反転層が形成されている場合においても、界面に電流パスが生じることが抑えられ、半導体基板101の側面に電流が到達できなくなる。その結果、リーク電流は半導体基板101を縦方向に貫通するように流れるようになり、半導体装置の縦方向耐圧に半導体基板101の縦方向耐圧が寄与することになり、半導体装置の縦方向耐圧を大幅に向上することが可能となる。本実施形態の半導体装置においては、半導体装置の縦方向耐圧は、窒化物半導体層102の縦方向耐圧と半導体基板101の縦方向耐圧とによって決まる。窒化物半導体層102の膜厚が一定の場合には、半導体装置の縦方向耐圧は半導体基板101の縦方向耐圧が大きいほど大きくなる。半導体基板101の縦方向耐圧は、半導体基板101の厚さと、半導体基板101に含まれる不純物の濃度とによって決まる。半導体基板101に含まれる不純物濃度が低いほど、半導体基板101の縦方向耐圧は高くなる。従って、半導体基板101の不純物濃度は低い方が好ましい。半導体基板101がSi基板である場合には、通常領域101Aの不純物濃度は1×1012cm3程度~1×1016cm3程度とすることが好ましい。本実施形態の半導体装置においては、界面電流阻止領域101Bは、電子に対してポテンシャル障壁となればよい。従って、半導体基板101がp型である場合、界面電流阻止領域101Bは通常領域101Aよりもp型不純物の濃度が高い領域であればよい。通常領域101Aに含まれるp型不純物の濃度が1×1012cm3程度~1×1016cm3程度の場合には、1×1016cm3程度以上とすればよい。さらに、ポテンシャル障壁としての機能を高めるためには、1×1018cm3程度以上とすることが好ましく、さらに好ましくは1×1019cm3程度以上とすればよい。不純物濃度は高い方が好ましいが、高くしすぎるとイオン注入等が困難となり、基板の結晶性等にも影響が出るため1×1021cm3程度以下とすることが好ましい。図1において、素子領域102Aは通常領域101Aの直上に形成されており、キャリア供給領域101Cの直上には素子分離領域102Bが形成されている。従って、素子領域102Aとキャリア供給領域101Cとは平面視においてずれた位置に形成されている。キャリア供給領域101Cは不純物濃度が高いため、縦方向の電界に対して弱いと考えられる。このため、キャリア供給領域101Cの直上に、チャネルが形成されていない方が好ましい。従って、素子領域102Aのうち少なくともソース電極131とドレイン電極132との間の部分は、通常領域101Aの直上に形成されていることが好ましい。しかし、素子領域102Aの一部がキャリア供給領域101Cの直上に形成されていても問題ない。特に、キャリア供給領域101Cの不純物濃度が低い場合には、キャリア供給領域101Cの直上にチャネルを形成する場合もあり得る。なお、通常領域101Aの直上とは、通常領域101Aの上側における平面視において通常領域101Aと重なり合う位置であり、キャリア供給領域101Cの直上とは、キャリア供給領域101Cの上側における平面視においてキャリア供給領域101Cと重なり合う位置である。また、図1においてキャリア供給領域101Cは、ドレイン電極132の外側方に形成されている。しかし、図2に示すようにキャリア供給領域101Cは、ソース電極131の外側方に形成されていてもよく、図3に示すようにソース電極131の外側方とドレイン電極132の外側方とのそれぞれに形成されていてもよい。図1~図3には、キャリア供給領域101Cをソース電極131又はドレイン電極132に沿って配置した例を示したが、図4に示すように、ソース電極131とドレイン電極132とを結ぶ方向にもキャリア供給領域101Cを形成してかまわない。図4においては、4つの独立したキャリア供給領域101Cが形成されている例を示しているが、全てのキャリア供給領域101Cが接続され、平面視において素子領域102Aを囲むようにしてもよい。また、キャリア供給領域101Cを平面L字状としてもよい。図5に示すように、複数の島状のキャリア供給領域101Cを形成してもよい。図5においては、島状のキャリア供給領域101Cが、素子領域102Aを囲むように形成しているが、ソース電極131又はドレイン電極132に沿った方向にだけ形成してもよい。界面電流阻止領域101Bは、素子領域102A中を縦方向に流れ、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面に達した電流が、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面を横方向に流れて、半導体基板101の側面に達しないようにできればよい。このため、界面電流阻止領域101Bは、素子領域102Aを囲むように形成すればよい。また、窒化物半導体層102における電流の拡がりを考慮すると、界面電流阻止領域101Bが半導体基板101の側面に達している方が好ましい。また、半導体基板101を縦方向に電流が流れる経路を形成するためには、素子領域102Aの直下が界面電流阻止領域101Bではなく、通常領域101Aであることが好ましい。なお、素子領域102Aの直下とは、素子領域102Aの下側における平面視において素子領域102Aと重なり合う位置をいう。但し、素子領域102Aの直下の一部が界面電流阻止領域101Bとなっていても問題ない。界面電流阻止領域101Bと通常領域101Aとの境界は、電界の局所的な集中を抑制するため、角がない形状とすることが好ましい。例えば、図1aに示すように、平面形状は角部が面取りされ曲線となった長方形状、角丸長方形状又は長円形状等とすることが好ましい。また、図1bに示すように断面形状についても、面取りされた形状又は楕円扇形状等の角がない形状とすることが好ましい。また、図6に示すようにソース電極131と裏面電極135とを接続する貫通電極139を設けてもよい。貫通電極139を形成する場合には、図6に示すように貫通電極139が半導体基板101の上面において界面電流阻止領域101Bに取り囲まれているようにすることが好ましい。窒化物半導体層102と半導体基板101との界面に達した電流が、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面を横方向に流れて貫通電極139に達すると、その電流が貫通電極139を介して縦方向に流れるおそれがある。また、貫通電極139を縦方向に流れる電流が、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面において横方向に流れるおそれもある。しかし、図6に示すような構成とすることにより、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面を横方向に流れる電流が貫通電極139に達することを抑えることができる。また、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面において、貫通電極139から横方向に電流が流れることを抑えることも可能となる。なお、図7、図8、図9及び図10に示すように、キャリア供給領域101Cをどのような配置とする場合にも、貫通電極139を形成することができる。本実施形態において、ソース電極131を基準としてドレイン電極132に正の電圧が印加される場合について説明した。しかし、半導体装置の用途によっては、ソース電極131とドレイン電極132との間のチャネルを閉じた状態において、ソース電極131を基準としてドレイン電極132に負の電圧が印加される場合もある。この場合には、半導体基板101からドレイン電極132に向かって電界が形成される。これにより、バッファ層121と半導体基板101との界面には正孔蓄積領域が形成される。この場合には、キャリア供給領域101Cは、キャリアである正孔の供給及び排出ができるようにp型不純物を含む領域とすればよい。また、界面電流阻止領域101Bは、正孔に対してポテンシャル障壁となるようにn型不純物を含む領域とすればよい。半導体基板101がp型の場合、キャリア供給領域101Cは通常領域101Aよりもp型不純物の濃度が高ければよい。具体的には、不純物濃度が1×1016cm3以上であることが望ましい。キャリア供給領域101Cのp型不純物の濃度は高い方が好ましいが、高くしすぎるとイオン注入等が困難となり、基板の結晶性等にも影響が出るため1×1021cm3程度以下とすることが好ましい。なお、半導体基板101がn型の場合にも、キャリア供給領域101Cはp型不純物を含んでいればよく、p型不純物の濃度を通常領域101Aのn型不純物の濃度よりも高くすればよい。界面電流阻止領域101Bにおけるn型不純物の濃度は、窒化物半導体層102と半導体基板101との間に生成されるキャリアに対するポテンシャル障壁が形成できればどのような値であってもよい。例えば、1×1016cm3程度以上とすればよい。さらに、ポテンシャル障壁としての機能を高めるためには、1×1018cm3程度以上とすることが好ましく、さらに好ましくは1×1019cm3程度以上とすればよい。不純物濃度は高い方が好ましいが、高くしすぎると基板の結晶性等に影響が出るため1×1021cm3程度以下とすることが好ましい。なお、ソース電極131を基準としてドレイン電極132に負の電圧を印加する場合には、ドレイン電極132と裏面電極135とを接続する貫通電極を形成してもよい。ドレイン電極132に正の電圧が印加される状態と、負の電圧が印加される状態とを切り換える動作が要求される場合がある。この場合には、図11に示すようにn型不純物を含む第1のキャリア供給部113とp型不純物を含む第2のキャリア供給部114とを形成すればよい。これにより、半導体基板101と窒化物半導体層102との界面に電子と正孔のどちらのキャリアが形成されても、キャリアの形成と消滅とを素早く行うことが可能となる。界面電流阻止領域についても、n型不純物を含む第1の界面電流阻止部111とp型不純物を含む第2の界面電流阻止部112とを形成すればよい。第1の界面電流阻止部111は正孔に対してポテンシャル障壁となり、第2の界面電流阻止部112は電子に対してポテンシャル障壁となる。従って、ドレイン電極132に正の電圧が印加された状態においても、ドレイン電極132に負の電圧が印加された状態においても、バッファ層121と半導体基板101との界面に電流パスが生じることを抑えることができる。この場合にも、図12に示すように貫通電極139を設けることができる。図12において、貫通電極139は、半導体基板101の上面において外側に形成された第1の界面電流阻止部111に囲まれている。このため、窒化物半導体層102と半導体基板101との界面において貫通電極139から、横方向に電流が流れることも抑えることができる。図11及び図12において第1の界面電流阻止部111が第2の界面電流阻止部112よりも外側に形成された例を示したが、第2の界面電流阻止部112が第1の界面電流阻止部111よりも外側に形成されていてもよい。また、第1の界面電流阻止部111と第2の界面電流阻止部112とは互いに間隔をおいて形成されていることが好ましい。第1の界面電流阻止部111と第2の界面電流阻止部112とを間隔をおいて形成した場合には、第1の界面電流阻止部111と第2の界面電流阻止部112との界面においてトンネル電流が流れることを抑えることができる。図11及び図12においては、第1の界面電流阻止部111及び第2の界面電流阻止部112がそれぞれ1つずつ形成されている例を示したが、第1の界面電流阻止部111と第2の界面電流阻止部112とは交互に複数形成されていてもよい。図11及び図12においては、第1のキャリア供給部113及び第2のキャリア供給部114がそれぞれ複数形成されている例を示したが、第1のキャリア供給部113及び第2のキャリア供給部114がそれぞれ形成されていれば、それぞれの個数に限定はない。全ての例において、半導体基板の上に形成する半導体素子はHFET等のトランジスタに限らない。例えば、ダイオードとしてもよい。この場合には、図13に示すように、素子領域102Aの上にアノード電極137とカソード電極138とを形成すればよい。キャリア供給領域101Cの配置は、図2~図5と同様にアノード137側としたり、素子領域102Aを囲むようにしたりしてもよい。キャリア供給領域101Cの導電型は、ダイオードに印加する電圧に応じて適宜選択すればよい。界面電流阻止領域101Bの導電型は、裏面電極135をアノード電極137と接続する場合にはp型とすればよく、カソード電極138と接続する場合にはn型とすればよい。半導体素子がダイオードの場合にも、図14に示すように、貫通電極139を設けることができる。また、窒化物半導体によりチャネル層及びキャップ層を形成したトランジスタ及びダイオードの例を示したが、他のトランジスタやダイオードでもよい。例えば、窒化物半導体を用いたバイポーラトランジスタ、PN接合ダイオード及びPIN接合ダイオード等としてもよい。図1~図14において、半導体基板の上に1つの半導体素子が形成されている例を示した。しかし、半導体基板の上に複数の半導体素子が形成されている場合にも同様の効果が得られる。この場合、図15及び図16に示すように、複数の素子領域102Aを囲むように半導体基板の外縁部に界面電流阻止領域101Bを形成すればよい。この場合には、キャリア供給領域101Cは、図15に示すように、それぞれの素子領域102Aを囲むように形成してもよいし、図16に示すように、複数の素子領域102Aを囲むように形成してもよい。また、図17に示すようにそれぞれの素子領域102Aを囲むように界面電流阻止領域101Bを形成してもよい。この場合には、キャリア供給領域101Cはそれぞれの素子領域102Aを囲むように形成すればよい。図15~図17には界面電流阻止領域及びキャリア供給領域のそれぞれが、1つの導電型の領域からなる例を示したが、界面電流阻止領域及びキャリア供給領域のそれぞれが、n型不純物を含む領域とp型不純物を含む領域とを有している構成としてもよい。第1の界面電流阻止部と第2の界面電流阻止部とを形成する場合には、一方は素子領域102Aのそれぞれを囲み、もう一方は複数の素子領域102Aをまとめて囲む構成としてもよい。なお、素子領域102Aの数は特に限定されない。図15~図17においては、全ての素子領域102Aにトランジスタが形成されている例を示したが、1つ以上の素子領域102Aにダイオード等の他の素子が形成されていてもよい。素子領域102Aを複数形成する場合にも、キャリア供給領域101Cの形状は特に限定されず、いくつかのキャリア供給領域が一体となっていても、全てのキャリア供給領域が一体となっていてもよい。また、島状のキャリア供給領域を複数形成してもよい。このように、界面電流阻止領域及びキャリア供給領域が形成された半導体基板上に、複数の半導体素子を形成してインバータ又はコンバータ等の集積装置を形成すれば、集積装置の耐圧を大幅に向上させ、優れたスイッチング動作や高周波動作が可能となる。全ての例において、半導体基板がSi基板である例を示した。しかし、Si基板に代えて炭化珪素SiC基板、砒化ガリウムGaAs基板、窒化ガリウムGaN基板又は酸化亜鉛ZnO基板等を用いてもよい。また、半導体基板がp型である場合について説明したが、半導体基板はn型であってもよい。半導体基板がSi基板である場合には、p型の不純物はホウ素B等とすればよく、n型の不純物はリンP等とすればよい。全ての例において、素子分離領域がバッファ層に達していない例を示した。しかし、素子分離領域はバッファ層に達していてもよい。さらに、半導体基板に達していてもよい。素子分離領域は、アルゴンAr等の導電型に寄与しない不純物を注入することにより形成すればよい。