電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成された2本の光導波路と、前記基板の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層の上方に配置された中心導体と接地導体からなる進行波電極と、前記基板を保持する台座とを具備する光変調器において、前記基板の裏面全面に導電性膜を具備し、該導電性膜を介して前記基板が接着層により前記台座に固定されて構成され、前記接着層は、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路から遠い第1基板側壁側に配置されていることを特徴とする光変調器。前記接着層が導電性を有することを特徴とする請求項1に記載の光変調器。前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路のうち前記第1基板側壁に近い方を第1光導波路とし、もう1本の方を第2光導波路とするとき、前記接着層が、前記第1光導波路の下方から前記2本の光導波路に近い側の第2基板側壁までの領域を除く位置に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路のうち前記第1基板側壁に近い方を第1光導波路とし、もう1本の方を第2光導波路とするとき、前記接着層が、前記第2光導波路の下方から前記2本の光導波路に近い側の第2基板側壁までの領域を除く位置に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記接着層より耐剪断特性が低い第2接着層をさらに備え、当該第2接着層は、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記第2基板側壁側に配置されていることを特徴とする請求項3または4に記載の光変調器。前記台座に、前記接着層を溜まらせて所望位置に配置するための溝部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器。前記台座に、前記第2接着剤を溜まらせて所望位置に配置するための別の溝部がさらに形成されていることを特徴とする請求項5または6に記載の光変調器。前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記接地導体は、前記中心導体を中心に、前記第1基板側壁の近傍に配置された第1接地導体と、前記第2基板側壁の近傍に配置された第2接地導体とで構成され、前記第2接地導体は、前記中心導体に相対向する部位が所定幅で所定厚さを有して形成されるとともに、当該相対向する部位から前記第2基板側壁に向かう部位が当該所定厚さよりも薄く形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光変調器。以上のように、従来技術ではマッハツェンダを構成する2本の光導波路のうち、片方の光導波路がLN基板の側壁に近いために、環境温度が変化した場合にマッハツェンダを構成する2本の光導波路に異なる大きさの応力が加わり、その結果生じる応力複屈折率を打ち消すために温度ドリフトが生じていた。そしてこの温度ドリフトを安価に効率良く抑圧できる光変調器構造の開発が急務となっていた。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、光変調特性が高性能であるとともに、安定性とコストについて改善された光変調器を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成された2本の光導波路と、前記基板の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層の上方に配置された中心導体と接地導体からなる進行波電極と、前記基板を保持する台座とを具備する光変調器において、前記基板の裏面全面に導電性膜を具備し、該導電性膜を介して前記基板が接着層により前記台座に固定されて構成され、前記接着層は、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路から遠い第1基板側壁側に配置されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の光変調器は、請求項1に記載の光変調器において、前記接着層が導電性を有することを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路のうち前記第1基板側壁に近い方を第1光導波路とし、もう1本の方を第2光導波路とするとき、前記接着層が、前記第1光導波路の下方から前記2本の光導波路に近い側の第2基板側壁までの領域を除く位置に配置されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項4に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路のうち前記第1基板側壁に近い方を第1光導波路とし、もう1本の方を第2光導波路とするとき、前記接着層が、前記第2光導波路の下方から前記2本の光導波路に近い側の第2基板側壁までの領域を除く位置に配置されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項5に記載の光変調器は、請求項3または4に記載の光変調器において、前記接着層より耐剪断特性が低い第2接着層をさらに備え、当該第2接着層は、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記第2基板側壁側に配置されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項6に記載の光変調器は、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器において、前記台座に、前記接着層を溜まらせて所望位置に配置するための溝部が形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項7に記載の光変調器は、請求項5または6に記載の光変調器において、前記台座に、前記第2接着剤を溜まらせて所望位置に配置するための別の溝部がさらに形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項8に記載の光変調器は、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光変調器において、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記接地導体は、前記中心導体を中心に、前記第1基板側壁の近傍に配置された第1接地導体と、前記第2基板側壁の近傍に配置された第2接地導体とで構成され、前記第2接地導体は、前記中心導体に相対向する部位が所定幅で所定厚さを有して形成されるとともに、当該相対向する部位から前記第2基板側壁に向かう部位が当該所定厚さよりも薄く形成されていることを特徴としている。本発明に係る光変調器では、LN光変調器の環境温度が変化した際に、台座とz-カットLN基板の熱膨張係数の差に起因して発生する2本の光導波間における応力複屈折率の差を極力小さくすることができるので、温度ドリフト特性を著しく改善した信頼性の高いLN光変調器を実現することが可能となる。以下、本発明の実施形態について説明するが、図7から図9に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。第1の実施形態図1aに本発明の第1の実施形態についてその横断面図を示す。本断面図は、図9aに示した断面図と同位置における断面を示す。ここで、8は導電性膜であり、Si導電層、金属、銀ペースト、あるいはその他の電気伝導性を有する材料からなる。9は導電性膜8と台座7を接合する接着層であるが、導電性膜8の電位を台座7の電位と同じにするためには銀ペーストのような導電性接着剤が好適である。この導電性を有する接着層を介して導電性膜8即ち、z-カットLN基板1の裏面と通常アースとなっている台座7とを同電位としている。接着層9は断面における基板側壁51側だけに設けられ、接着層9が設けられていない導電性膜8の下方には空隙60が形成されている。10は焦電効果により発生する電界である。前述のように、本発明ではz-カットLN基板1の裏面全体に導電性膜8を形成しているので、空隙60があるにも係わらず、焦電効果により発生する電界10はz-カットLN基板1の中で一定とすることができている。ここで最も重要なことは、z-カットLN基板1はその横断面方向において裏面の一部のみで台座7に固定されていることである。従って、z-カットLN基板1と台座7の熱膨張係数の違いによりz-カットLN基板1と台座7の熱膨張あるいは熱収縮の大きさが互いに異なっても、図1bに示すように光導波路3aと3bへ加わる応力の差ΔG3a-3bは従来技術と比較して格段に小さい。室温25°Cを基準として、LN変調器の環境温度を-5°Cから70°Cまで変えた時における、本実施形態の光変調器におけるバイアス電圧シフトの様子を図2に示す。また、比較のため図2には図10に示した従来技術の特性も合わせて示す。図2からわかるように、本実施形態のLN光変調器のバイアスシフト電圧は1V以下であり、温度ドリフトを効果的に抑圧することができた。また、本実施形態はマッハツェンダ光導波路を構成する光導波路3aとz-カットLN基板の側壁図1における50との距離を小さくすることができる。従来は応力緩和のために、図9における光導波路3aと基板側壁50との距離Laを所定長さ設ける必要があったが、それが必要なくなったからであるなお、接地導体4c側にはフィードスルー部が設けられているので、光導波路3bと基板側壁51との距離Lbを小さくするには制限がある。これを換言すれば、基板の幅を小さくできるということであり、一枚のウェーハから多くの変調器チップを製作できることを意味しており、コスト低減に有用である。本実施形態を実現するには、z-カットLN基板1の側壁図1における50に最も近い光導波路3aの下方が台座7に固定されていないことが好ましく、好適にはマッハツェンダ光導波路を構成する2本の光導波路3a、3bの両方の下方が台座7に固定されていなければ非常に好適である。また、LN基板1の長手方向光導波路の光導波方向における接着層9の接着部分は、長手方向全面でもよいし、好適にはLN基板1を保持できるだけの所定長さで接着するようにすればよい。図1に示した態様では空隙60を有した片持ち状の模式的な図としたが、実際には図3に示すように基板側壁50側の端が金属台座7に接し、温度変化に応じてスライドするように構成される。なお、この図3自体も模式的な図であり、実際には本図ほどLN基板1が傾くことはない。この構成は第2の実施形態でも同様である。第2の実施形態図4に本発明における第2の実施形態の横断面図を示す。本実施形態では、台座7に導電接着剤である接着層9の溜り部11溝部11を形成しており、接着剤が想定以上に基板側壁50側にはみ出るのを防止し、z-カットLN基板1正確には、導電性膜8と台座7の接着位置の制御性を高めている。第3の実施形態図5に本発明における第3の実施形態の横断面図を示す。本実施形態では、z-カットLN基板1正確には、導電性膜8と台座7を接着するために、第1および第2の実施形態と同様の接着層9に加え、接着層9よりも柔らかい換言すれば耐剪断特性が低い別の接着剤12接着層12を用いている。接着層12は、熱膨張時あるいは熱収縮時の変形に追従できる剪断特性を持った接着剤である。本構成により、z-カットLN基板1正確には、導電性膜8を台座7に第1の実施形態よりもより強固に固定している。なお、導電接着剤である接着層9の溜り部11の他に、別の接着剤12のための別の溜り部13別の溝部13を形成しており、第2の実施形態と同様にz-カットLN基板1と台座7の接着の制御性を高めている。なお、本実施形態においては硬さの異なる2種の接着剤を使用するとしたが、3種類以上用いても良いことは言うまでもない。第4の実施形態本発明における第4の実施形態の横断面図を図6に示す。本実施形態の一例として、図5に示した第3の実施形態を例に説明する。本実施形態では、第1~3の実施形態のように接地導体4bの厚みを一定と構成せず、z-カットLN基板1の側壁50側の厚みを薄く構成している図6においては4b ́としている。具体的には、接地導体4b ́は光導波路3aの上方のみに従来と同等の厚みを残して他の部位を薄くして形成されている。接地導体4b例えばAuとLN基板1とは熱膨張係数が異なっており、温度変化時に発生する熱膨張および熱収縮により台座7の場合と同様に応力が発生している。これの対策として、接地導体4b ́のように構成することにより、接地電極4b ́の熱膨張および熱収縮影響をほぼ無視できるようになる。なお、接地導体4cを接地導体4b ́のように一部を薄くして形成してもよい。具体的には、中心導体4aを中心とした接地導体4b ́の対称位置に、接地導体4b ́と略同等の形で対称形で形成すればよい接地導体4c ́。このように構成することにより、材料としてAuを使用していた場合には高価なAuの使用量を減らすことができ、コスト低減の効果がある。なお、この接地導体4b ́および4c ́の構成は、本発明の全ての実施形態に適用可能である各実施形態分岐光導波路の例としてマッハツェンダ光導波路を用いたが、方向性結合器などその他の分岐合波型の光導波路にも本発明を適用可能であることは言うまでもなく、本発明の思想は3本以上の光導波路にも適用可能である。また光導波路の形成法としてはTi熱拡散法の他に、プロトン交換法など光導波路の各種形成法を適用できるし、バッファ層としてAl2O3等のSiO2以外の各種材料も適用できる。なお、以上の説明においてはz-カットLN基板の表面が平坦なプレーナ構造について説明したが、本発明は光導波路近傍のz-カットLN基板の近傍を掘り込むリッジ構造についても適用できることは言うまでもない。また、分極反転を用いた構造にも有用である。さらに、複数のマッハツェンダ光導波路を有するDQPSKやDP-QPSKなどのネスト構造にも適用可能であることは言うまでもない。また、z-カットLN基板について説明したが、x-カットやy-カットなどその他の面方位のLN基板でも良いし、リチウムタンタレート基板など異なる材料の基板でも良い。