ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層に接して離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極を兼ねていることを特徴とする表示装置。ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層に接して離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極を兼ね、前記ソース電極及びドレイン電極の他方は信号線を兼ね、前記ソース電極及びドレイン電極の他方上には低抵抗な導電層が設けられていることを特徴とする表示装置。基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第1のエッチングマスクを形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1の導電膜を加工することでゲート電極を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第2のエッチングマスクを形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記半導体膜を加工することで半導体層を形成し、前記第2のエッチングマスクを除去し、前記ゲート絶縁層上に前記半導体層を覆って透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第3のエッチングマスクを形成し、前記第3のエッチングマスクを用いて前記透明導電膜を加工することで信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極を形成し、前記第3のエッチングマスクを除去することを特徴とする表示装置の作製方法。基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第1のエッチングマスクを形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1の導電膜を加工することでゲート電極を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第2のエッチングマスクを形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記半導体膜を加工することで半導体層を形成し、前記第2のエッチングマスクを除去し、前記ゲート絶縁層上に前記半導体層を覆って透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第3のエッチングマスクを形成し、前記第3のエッチングマスクを用いて前記透明導電膜を加工することで信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極を形成し、前記第3のエッチングマスクを除去し、前記信号線を兼ねる電極上にのみ低抵抗な導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項4において、前記低抵抗な導電層が電気メッキ法により形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。請求項3において、前記第3のエッチングマスクを除去した後に、前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極上にサイドウォール絶縁膜を形成し、前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極を露出させるように前記サイドウォール絶縁膜をエッチバック処理を行ってサイドウォール絶縁層を形成し、その後前記信号線を兼ねる電極上に電気メッキ法により低抵抗な導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項4において、前記第3のエッチングマスクを除去した後に、前記低抵抗な導電層を形成する領域以外の部分に保護マスクをインクジェット法により形成し、前記信号線を兼ねる電極及び前記保護マスク上に低抵抗な導電膜を形成し、前記保護マスクをリフトオフすることで前記低抵抗な導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項4において、前記第3のエッチングマスクを除去した後に低抵抗な導電膜を形成し、前記低抵抗な導電膜上の低抵抗な導電層を形成する領域に第4のエッチングマスクをインクジェット法により形成し、前記第4のエッチングマスクを用いて低抵抗な導電膜を加工することで、低抵抗な導電層を形成し、前記第4のエッチングマスクを除去することを特徴とする表示装置の作製方法。請求項3乃至請求項8のいずれか一に記載の作製方法の後に、信号線を兼ねる電極と画素電極を兼ねる電極のエッチングを行うことを特徴とする表示装置の作製方法。本発明の一態様は、ドレイン電極またはソース電極と画素電極の間の接触抵抗が生じない表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、配線抵抗を増大させずに実現可能な、ドレイン電極またはソース電極と画素電極の間の接触抵抗が生じない表示装置を提供することを課題とする。更には、本発明の一態様は、従来よりもマスク枚数を少なくして作製することが可能な表示装置の作製方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、アクティブマトリクス基板におけるドレイン電極またはソース電極が画素電極と同一の層により設けられていることを特徴とする表示装置である。本発明の一態様は、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層に接して離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極を兼ねていることを特徴とする表示装置である。本発明の一態様は、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層に接して離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極を兼ね、前記ソース電極及びドレイン電極の他方は信号線を兼ね、前記ソース電極及びドレイン電極の他方上には低抵抗な導電層が設けられていることを特徴とする表示装置である。なお、本明細書中において、低抵抗な導電層は、少なくとも、信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極よりも低抵抗であればよい。本発明の一態様は、基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第1のエッチングマスクを形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1の導電膜を加工することでゲート電極を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第2のエッチングマスクを形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記半導体膜を加工することで半導体層を形成し、前記第2のエッチングマスクを除去し、前記ゲート絶縁層上に前記半導体層を覆って透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第3のエッチングマスクを形成し、前記第3のエッチングマスクを用いて前記透明導電膜を加工することで信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極を形成し、前記第3のエッチングマスクを除去することを特徴とする表示装置の作製方法である。なお、その後、前記半導体層の上部をエッチングすることで前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極の間の残渣などを除去することが好ましい。本発明の一態様は、基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第1のエッチングマスクを形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1の導電膜を加工することでゲート電極を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第2のエッチングマスクを形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記半導体膜を加工することで半導体層を形成し、前記第2のエッチングマスクを除去し、前記ゲート絶縁層上に前記半導体層を覆って透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第3のエッチングマスクを形成し、前記第3のエッチングマスクを用いて前記透明導電膜を加工することで信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極を形成し、前記第3のエッチングマスクを除去し、前記信号線を兼ねる電極上にのみ低抵抗な導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法である。なお、その後、前記半導体層の上部をエッチングすることで前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極の間の残渣などを除去することが好ましい。前記構成の本発明の一態様である表示装置の作製方法において、前記低抵抗な導電層は、電気メッキ法により金属層を形成すればよい。前記低抵抗な導電層を電気メッキ法により形成する場合には、前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極まで形成した前記基板と、メッキしようとする金属または不溶性の金属により形成された陽極と、をメッキしようとする金属のイオンを含む電解液に浸し、前記陽極と前記信号線を兼ねる電極との間に電位差を生じさせることで前記信号線を兼ねる電極の表面に陽イオンが還元されて金属層が形成される。なお、その後、前記半導体層の上部をエッチングすることで前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極の間の残渣などを除去することが好ましい。なお、メッキしようとする金属としては、電気抵抗が低く、イオン化傾向が小さい金属であればよい。また、前記構成の本発明の一態様である表示装置の作製方法において、電気メッキ法によって前記金属層を形成するに際し、前記陽極と前記信号線を兼ねる電極との間に電位差を生じさせるためには、前記信号線に入力する電位を前記基板上の信号線側入力端子に接触する面の前記基板を搬送するアームから供給すればよい。すなわち、前記基板を搬送する前記アームは、前記信号線入力端子に接触する部分に導電層を有する。従って、本発明の一態様は、前記構成の本発明の一態様である表示装置の作製方法により前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極まで形成した前記基板上の信号線側入力端子に導電層が接触するアームにより前記基板を搬送し、前記アームにより前記基板を保持した状態で、前記基板をメッキしようとする金属または不溶性の金属により形成された陽極と、をメッキしようとする金属のイオンを含む電解液に浸し、前記陽極と前記アームの前記導電層の間に電位差を生じさせて前記信号線を兼ねる電極の表面に金属層を形成することを特徴とする表示装置の生産システムである。前記構成の本発明の一態様である表示装置においては、前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極の側壁にサイドウォール絶縁層が設けられていることが好ましい。すなわち、前記構成の本発明の一態様である表示装置の作製方法において、前記第3のエッチングマスクを除去した後に、前記ゲート絶縁層、前記半導体層、前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極上にサイドウォール絶縁層を形成するための絶縁膜以下、サイドウォール絶縁膜と呼ぶ。を形成し、前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極を露出させるようにエッチバック処理を行ってサイドウォール絶縁層を形成し、その後、前記信号線を兼ねる電極上に電気メッキ法により低抵抗な導電層を形成することが好ましい。このように前記信号線を兼ねる電極及び前記画素電極を兼ねる電極の側壁に接してサイドウォール絶縁層を形成することで、低抵抗な導電層の形成方法にかかわらず、前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極の間の距離チャネル長Lを透明導電膜の加工時に決定できる。そのため、基板内でのチャネル長のばらつきを防ぎ、表示装置の表示むらを防ぐことができる。なお、その後、前記半導体層の上部をエッチングすることで前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極の間の残渣などを除去することが好ましい。なお、前記構成の本発明の一態様である表示装置の作製方法においては、前記サイドウォール絶縁層を形成する際に、前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極にはプラズマダメージが混入しやすい。そのため、前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極を形成した後にこれらの電極の表面をわずかにエッチングし、またはウエットエッチング工程若しくは洗浄工程を経るなどしてプラズマダメージが混入した部分を除去することが好ましい。または、前記構成の本発明の一態様である表示装置の作製方法において、前記低抵抗な導電層の形成は、電気メッキ法以外の方法により行ってもよい。例えば、前記第3のエッチングマスクを除去した後に、前記低抵抗な導電層を形成する領域以外の部分に保護マスクをインクジェット法などのフォトマスクを使用しない方法により形成し、前記信号線を兼ねる電極及び前記保護マスク上に低抵抗な導電膜を形成し、前記保護マスクをリフトオフすることで前記低抵抗な導電層を形成してもよい。なお、前記保護マスクを除去した後、前記半導体層の上部をエッチングすることで前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極の間の残渣などを除去することが好ましい。または、前記構成の本発明の一態様である表示装置の作製方法において、前記低抵抗な導電層の形成は、リフトオフに代えて液滴吐出法により行ってもよい。例えば、前記第3のエッチングマスクを除去した後に低抵抗な導電膜を形成し、前記低抵抗な導電膜上の低抵抗な導電層を形成する領域に第4のエッチングマスクを液滴吐出法により形成し、前記第4のエッチングマスクを用いて前記低抵抗な導電膜を加工することで低抵抗な導電層を形成し、前記第4のエッチングマスクを除去してもよい。なお、前記第4のエッチングマスクを除去した後、前記半導体層の上部をエッチングすることで前記信号線を兼ねる電極と前記画素電極を兼ねる電極の間の残渣などを除去することが好ましい。前記構成の表示装置及び前記構成の表示装置の作製方法を適用した表示装置は、電子機器に搭載される表示部に適用することができる。なお、本明細書中において、膜とは、CVD法プラズマCVD法などを含む。またはスパッタリング法などにより、被形成面の全面に形成されたものをいう。一方で、層とは、膜が加工されたもの、または被形成面の全面に形成された状態で加工を要しないものをいう。ただし、膜と層を特に区別することなく用いてもよい。なお、本明細書中において、半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にはオーミックコンタクト層を明記していないが、半導体層とソース電極、または半導体層とドレイン電極のそれぞれの間には、オーミックコンタクト層が設けられていることが好ましい。オーミックコンタクト層は、半導体層に一導電性を付与する元素n型トランジスタの場合にはリンまたはヒ素など、p型トランジスタの場合にはホウ素などを加えることで形成することができる。本発明の一態様によれば、ドレイン電極またはソース電極が画素電極を兼ねるため、ドレイン電極またはソース電極と画素電極との間の接触抵抗が生じない表示装置を得ることができる。更には、本発明の好ましい一態様において、ソース電極またはドレイン電極により形成される信号線を兼ねる電極上に低抵抗な導電層が設けられていることで、配線抵抗を増大させずに画素電極との間の接触抵抗が生じない表示装置を得ることができる。更には、本発明の一態様である表示装置の作製方法によれば、従来よりもマスク枚数を少なくすることが可能である。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置に設けられる画素トランジスタとその作製方法について説明する。まず、本実施の形態の画素トランジスタの作製方法について説明する。本実施の形態の画素トランジスタの作製方法は、基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第1のエッチングマスクを形成し、前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1の導電膜を加工することでゲート電極を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第2のエッチングマスクを形成し、前記第2のエッチングマスクを用いて前記半導体膜を加工することで半導体層を形成し、前記第2のエッチングマスクを除去し、前記ゲート絶縁層上に前記半導体層を覆って透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第3のエッチングマスクを形成し、前記第3のエッチングマスクを用いて前記透明導電膜を加工することで信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極を形成し、前記第3のエッチングマスクを除去することを特徴とする。はじめに、基板100上に第1の導電膜102を形成し、第1の導電膜102上に第1のエッチングマスク104を形成する図1A。基板100としては、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、ステンレス基板またはプラスチック基板などを用いることができ、基板の材料などは特に限定されない。第1の導電膜102は、例えば、スパッタリング法またはCVD法プラズマCVD法または熱CVD法などを含む。などを用いて導電膜例えば金属膜、または一導電型の不純物元素が添加された半導体膜などを形成すればよい。または、インクジェット法などを用いて形成してもよい。なお、第1の導電膜102は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層またはMo層によりAl層を挟持した3層の積層構造とすればよい。第1のエッチングマスク104としては、例えば、レジストマスクを形成すればよいが、エッチング工程においてマスクとして用いることができるものであれば特定のものに限定されない。次に、第1のエッチングマスク104を用いて第1の導電膜102を加工することでゲート電極106を形成する図1A。次に、第1のエッチングマスク104を除去する図1B。次に、ゲート電極106を覆ってゲート絶縁層108を形成し、ゲート絶縁層108上に半導体膜110を形成し、半導体膜110上に第2のエッチングマスク112を形成する図1C。ゲート絶縁層108としては、例えば、スパッタリング法またはCVD法プラズマCVD法または熱CVD法などを含む。などを用いて絶縁性材料例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンなど膜を形成すればよい。なお、ゲート絶縁層108は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。なお、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。半導体膜110は、半導体膜であればよく、単層であってもよいし、複数の層が積層された積層構造であってもよい。半導体膜110として、例えば、酸化物半導体膜またはシリコン膜が挙げられる。半導体膜110が酸化物半導体膜である場合には、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物半導体、In-Sn-Zn系酸化物半導体、In-Al-Zn系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn系酸化物半導体、Al-Ga-Zn系酸化物半導体、Sn-Al-Zn系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるIn-Zn系酸化物半導体、Sn-Zn系酸化物半導体、Al-Zn系酸化物半導体、Zn-Mg系酸化物半導体、Sn-Mg系酸化物半導体、In-Ga系酸化物半導体、In-Mg系酸化物半導体や、In系酸化物半導体、Sn系酸化物半導体、Zn系酸化物半導体などを用いることができる。また、酸化物半導体膜がSiO2を含んでいてもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn系酸化物半導体膜とは、In、GaまたはZnを有する酸化物半導体膜をいい、その化学量論比はとくに問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。半導体膜110が酸化物半導体膜である場合には、例えば、化学式InMO3ZnOmm>0で表記されるものを用いることもできる。ここで、Mは、Ga、Al、Mn及びCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどが挙げられる。または、酸化物半導体膜はSiO2を含んでいてもよい。また、酸化物半導体膜をスパッタリング法で形成するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いる。ただし、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の酸化物ターゲットを用いてもよい。ここでは、半導体膜110が酸化物半導体膜であり、スパッタリング法で形成される場合には、希ガス例えばAr雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化物ターゲットの充填率は90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下である。このように、充填率の高い酸化物ターゲットを用いることにより、成膜される酸化物半導体膜を緻密な膜とすることができる。または、半導体膜110として、シリコン膜を用いてもよい。シリコン膜としては、アモルファスシリコン膜を用いればよい。または、キャリア移動度が高いシリコン膜上にキャリア移動度が低いシリコン膜が設けられた積層シリコン膜であってもよい。キャリア移動度が高いシリコン膜としては、結晶性シリコン膜が挙げられる。結晶性シリコンとしては、例えば、微結晶シリコンが挙げられる。ここで、微結晶シリコンとは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含む。の中間的な構造のものをいう。微結晶シリコンは、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有し、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なシリコンであり、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは20nm以上50nm以下の柱状または針状の結晶粒が基板表面に対して法線方向に成長しているシリコンである。このため、柱状または針状の結晶粒の界面には、粒界が形成されることもある。なお、ここでの結晶粒径は、基板表面に対して平行な面における結晶粒の最大直径である。また、結晶粒は、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶の結晶子を有する。なお、結晶粒は双晶を有する場合もある。微結晶シリコンでは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側にシフトしている。すなわち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するために水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませているとよい。さらに、He、Ar、Kr、またはNeなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶シリコンが得られる。キャリア移動度が低いシリコン膜としては、アモルファスシリコン膜を用いればよいが、好ましくは、非晶質シリコンと微小シリコン結晶粒を有し、従来の非晶質シリコン膜と比較して、一定光電流法CPM:ConstantPhotocurrentMethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ないシリコン膜であるとよい。このようなシリコン膜は、従来の非晶質シリコン膜と比較して欠陥が少なく、価電子帯のバンド端移動度端における準位のテイル裾の傾きが急峻であり、秩序性が高い。キャリア移動度が低いシリコン膜には、ハロゲンまたは窒素を含んでいてもよい。窒素が含まれる場合には、NH基またはNH2基として含んでいてもよい。なお、ここで、キャリア移動度が高いシリコン膜とキャリア移動度が低いシリコン膜の界面領域は、微結晶半導体領域、及び当該微結晶半導体領域の間に充填される非晶質半導体領域を有する。具体的には、キャリア移動度が高いシリコン膜から錐形状に伸びた微結晶半導体領域と、キャリア移動度が低いシリコン膜と同様の非晶質半導体を含む領域と、で構成される。キャリア移動度が低いシリコン膜が、ソース電極及びドレイン電極とキャリア移動度が高いシリコン膜の間に設けられると、トランジスタのオフ電流を小さくすることができる。また、上記の界面領域において、錐形状に伸びた微結晶シリコン領域を有するため、縦方向膜の成長方向の抵抗を低くすることができ、トランジスタのオン電流を高めることができる。すなわち、従来の非晶質シリコンを適用した場合と比較すると、オフ電流を十分に低減させつつ、オン電流の低下を抑制することもでき、トランジスタのスイッチング特性を高くすることができる。なお、微結晶シリコン領域は、キャリア移動度が高いシリコン膜の表面から厚さ方向に成長するが、原料ガスにおいて堆積性ガス例えば、シランに対する水素の流量が小さい場合すなわち、希釈率が低い場合、または窒素を含む原料ガスの濃度が高い場合には、微結晶シリコン領域における結晶成長が抑制され、結晶粒が錐形状になり、堆積されて形成されるシリコンは、大部分が非晶質シリコンとなる。第2のエッチングマスク112としては、例えば、レジストマスクを形成すればよいが、エッチング工程においてマスクとして用いることができるものであれば特定のものに限定されない。次に、第2のエッチングマスク112を用いて半導体膜110を加工することで半導体層114を形成する図1D。次に、第2のエッチングマスク112を除去し、ゲート絶縁層108上に半導体層114を覆って透明導電膜116を形成する図2A。透明導電膜116は、透光性を有する導電性高分子導電性ポリマーともいう。を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した透明導電膜116は、シート抵抗が10000Ω/□以下であり、且つ波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましい。次に、透明導電膜116上に第3のエッチングマスク118を形成する図2B。第3のエッチングマスク118としては、例えば、レジストマスクを形成すればよいが、エッチング工程においてマスクとして用いることができるものであれば特定のものに限定されない。次に、第3のエッチングマスク118を用いて透明導電膜116を加工することで信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bを形成する図2C。その後、第3のエッチングマスク118を除去する図2D。なお、その後、半導体層114の上部をエッチングすることで信号線を兼ねる電極120aと画素電極を兼ねる電極120bの間の残渣などを除去し、完全に絶縁化することが好ましい。以上説明したように、画素トランジスタを作製することができる。この画素トランジスタの上面図を図3に示す。本実施の形態の画素トランジスタでは、ドレイン電極またはソース電極と画素電極との間の接触抵抗が生じない。ドレイン電極またはソース電極が画素電極を兼ねるからである。また、本実施の形態の画素トランジスタの作製方法によれば、従来よりもマスク枚数を少なくすることが可能である。具体的には、3枚のマスクで画素トランジスタを作製することができる。なお、信号線を兼ねる電極120a上には低抵抗な導電層122が設けられていることが好ましい図4A。そして、信号線を兼ねる電極120a上に設けられる低抵抗な導電層122は、マスク枚数を増やすことなく形成することが好ましい。このようにマスク枚数を増やすことなく信号線を兼ねる電極120a上に低抵抗な導電層122を形成するには、電気メッキ法により金属層を形成すればよい。なお、このように、信号線に電気メッキ法により処理を施す技術は、例えば特許文献2に開示されている。すなわち、図2Dの画素トランジスタが形成された基板100と、メッキしようとする金属または不溶性の金属により形成された陽極と、をメッキしようとする金属のイオンを含む電解液に浸し、この陽極と信号線を兼ねる電極120aとの間に電位差を生じさせることで信号線を兼ねる電極120aの表面に陽イオンが還元されて金属層が形成される。なお、ここで、メッキしようとする金属としては、電気抵抗が低く、イオン化傾向が小さい金属であればよく、例えば、銀、金、または白金が好ましい。ただし、これらに限定されるものではない。なお、その後、半導体層114の上部をエッチングすることで信号線を兼ねる電極120aと画素電極を兼ねる電極120bの間の残渣などを除去し、完全に絶縁化して半導体層124を形成することが好ましい図4B。このように作製した画素トランジスタの上面図を図5に示す。図5に示す画素トランジスタでは、低抵抗な導電層により配線抵抗が低減されており、ドレイン電極またはソース電極と画素電極との間の接触抵抗が生じない。本実施の形態によれば、このような表示装置を少ないマスク枚数で作製することができる。実施の形態2実施の形態1の第1のエッチングマスク104と第2のエッチングマスク112は、同一のフォトマスクにより形成することができる。従って、フォトマスクの枚数は、実施の形態1よりも更に少なくすることができる。本実施の形態では、実施の形態1よりも更にフォトマスクの枚数が少ない表示装置の作製方法について図6乃至図10を参照して説明する。なお、図6A、図7A、図8A、図9A、図10Aには上面図を示し、図6B、図7B、図8B、図9B、図10Bには図6A、図7A、図8A、図9A、図10AのA-Bにおける断面図を示す。まず、実施の形態1と同様に、基板100上に第1の導電膜102を形成し、第1の導電膜102上に第1のエッチングマスク104を形成する図6A及びB。次に、第1のエッチングマスク104を用いて第1の導電膜102を加工することでゲート電極106を形成し、第1のエッチングマスク104を除去し、ゲート電極106を覆ってゲート絶縁層108を形成し、ゲート絶縁層108上に半導体膜110を形成し、半導体膜110上に第2のエッチングマスク前駆体111を形成する図7A及びB。ここで、第2のエッチングマスク前駆体111は、第1のエッチングマスク104と同一のフォトマスクを用いて形成する。次に、第2のエッチングマスク前駆体111を縮小させて第2のエッチングマスク112を形成する図8A及びB。第2のエッチングマスク前駆体111を縮小させるには、例えばアッシング工程を行えばよい。ここで、第2のエッチングマスク112は島状に形成する。そのため、第2のエッチングマスク前駆体111を縮小させる際に島状になるように加工する。ここで、第2のエッチングマスク前駆体111がアッシングされる幅をaとおくと、ゲート電極106により形成される走査線の線幅bが2aよりも小さければよい。すなわち、本実施の形態では、b<2aであることを要する。ただし、走査線の線幅が小さすぎると形成不良が生じやすく、十分な電流を流すことが難しくなる。そのため、走査線の線幅bは、aよりも大きいことが好ましい。従って、a<b<2aであることが最も好ましい。次に、第2のエッチングマスク112を用いて半導体膜110を加工することで半導体層114を形成し、第2のエッチングマスク112を除去し、ゲート絶縁層108上に半導体層114を覆って透明導電膜116を形成し、透明導電膜116上に第3のエッチングマスク118を形成する図9A及びB。第3のエッチングマスク118を用いて透明導電膜116を加工することで信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bを形成し、第3のエッチングマスク118を除去する図10A及びB。なお、その後実施の形態1と同様に、低抵抗な導電層122を形成することが好ましい。本実施の形態にて説明したように、2枚のフォトマスクにより画素トランジスタを作製することができる。実施の形態3実施の形態1及び実施の形態2で好ましい形態として説明した、信号線を兼ねる電極上に低抵抗な導電層が設けられた画素トランジスタを作製するに際しては、基板面内でのチャネル長を均一にすることが難しい。そこで、本実施の形態では、信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極にサイドウォール絶縁層を形成する形態について説明する。信号線を兼ねる電極及び画素電極を兼ねる電極にサイドウォール絶縁層を設けると、信号線を兼ねる電極と画素電極を兼ねる電極との間の距離チャネル長Lを透明導電膜の加工時に決定できるため、基板面内でのチャネル長Lのばらつきを防ぐことができ、表示装置の表示むらを防ぐことができる。まず、実施の形態1と同様に、信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bまで形成する。そして、第3のエッチングマスク118を除去した後に、ゲート絶縁層108、半導体層114、信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120b上にサイドウォール絶縁膜126を形成する図11A。サイドウォール絶縁膜126としては、例えば、スパッタリング法またはCVD法プラズマCVD法または熱CVD法などを含む。などを用いて絶縁性材料例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンなど膜を形成すればよい。なお、サイドウォール絶縁膜126は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。次に、信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bを露出させるようにエッチバック処理を行ってサイドウォール絶縁層128を形成する図11B。次に、信号線を兼ねる電極120a上に電気メッキ法により低抵抗な導電層122を形成する図11C。以上説明したように、信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bにサイドウォール絶縁層を設けることができる。このように信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bにサイドウォール絶縁層を設けることで、低抵抗な導電層122の形成方法にかかわらず、信号線を兼ねる電極120aと画素電極を兼ねる電極120bとの間の距離チャネル長Lを透明導電膜116の加工時に決定できるため、基板内でのチャネル長Lのばらつきを防ぐことができる。そのため、表示装置の表示むらを防ぐことができる。なお、その後、半導体層114の上部をエッチングすることで信号線を兼ねる電極120aと画素電極を兼ねる電極120bの間の残渣などを除去し、完全に絶縁化して半導体層124を形成することが好ましい図11D。実施の形態4実施の形態1では、マスク枚数を増加させることなく低抵抗な導電層122を設ける方法として、電気メッキ法を例示している。ただし、これに限定されず、低抵抗な導電層122は、他の方法を用いて形成してもよい。本実施の形態では、このような方法の一例としてリフトオフを用いる。なお、リフトオフとは、所望のパターンを形成するに際し、所望のパターンの保護マスクの形成後に所望のパターンを形成するための膜を形成し、その後に前記保護マスクを除去することで、前記保護マスクが形成されていない部分に所望のパターンを形成する方法をいう。まず、実施の形態1と同様に、信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bまで形成する。そして、低抵抗な導電層122を形成する部分以外の領域に保護マスク130を形成する図12A。ここで、保護マスク130は、例えばレジスト材料により形成すればよい。次に、低抵抗な導電層122を形成するための低抵抗な導電膜132を形成する図12B。ここで、低抵抗な導電膜132は全面に形成されるため、保護マスク130上にも形成される。次に、リフトオフを行って保護マスク130を除去する。保護マスク130を除去することで、保護マスク130上の低抵抗な導電膜132も除去され、所望の領域に低抵抗な導電層122が形成される図12C。なお、その後、半導体層114の上部をエッチングすることで信号線を兼ねる電極120aと画素電極を兼ねる電極120bの間の残渣などを除去し、完全に絶縁化して半導体層124を形成することが好ましい図12D。以上説明したように、フォトマスク及びエッチングマスクのマスク枚数を増加させず、電気メッキ法を用いることなく、低抵抗な導電層122を形成することができる。なお、リフトオフでは、約2μm以下の微細なパターンを形成しづらいという問題がある。しかし、例えば非晶質半導体を用いた大画面液晶表示装置の信号線は概ね3μm以上であること、そして、本実施の形態でも説明したように、低抵抗な導電層122は信号線の部分にのみ形成され、電極部分には形成されなくてもよい。そのため、リフトオフの微細加工の困難性は問題にならない。なお、本実施の形態にて説明したリフトオフは、実施の形態2及び実施の形態3にて説明した画素トランジスタの作製方法に適用してもよい。実施の形態5実施の形態1及び実施の形態4では、フォトマスク及びエッチングマスクのマスクのマスク枚数を増加させることなく低抵抗な導電層122を設ける方法として、電気メッキ法とリフトオフを例示している。ただし、これらに限定されず、低抵抗な導電層122は、他の方法を用いて形成してもよい。本実施の形態では、このような方法の一例として液滴吐出法を用いる。なお、液滴吐出法とは、所望の層を形成するための組成物の液滴を選択的に吐出または噴出するなどして、所定のパターンを形成する方法をいう。インクジェット法は、液滴吐出法に含まれるものである。まず、実施の形態1と同様に、信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bまで形成する。そして、低抵抗な導電膜134を形成し、低抵抗な導電膜134上に第4のエッチングマスク136を液滴吐出法により形成する図13A。ここで、第4のエッチングマスク136は、例えばレジスト材料により形成すればよい。次に、第4のエッチングマスク136を用いて低抵抗な導電膜134をエッチングすることで低抵抗な導電層122を形成する図13B。その後、第4のエッチングマスク136を除去する図13C。なお、その後、半導体層114の上部をエッチングすることで信号線を兼ねる電極120aと画素電極を兼ねる電極120bの間の残渣などを除去し、完全に絶縁化して半導体層124を形成することが好ましい図13D。以上説明したように、フォトマスクのマスク枚数を増加させず、電気メッキ法及びリフトオフを用いることなく、低抵抗な導電層122を形成することができる。なお、液滴吐出法でも、約2μm以下の微細なパターンを形成しづらいという問題がある。しかし、例えば非晶質半導体を用いた大画面液晶表示装置の信号線は概ね3μm以上であること、そして、本実施の形態でも説明したように、低抵抗な導電層122は信号線の部分にのみ形成され、電極部分には形成されなくてもよい。そのため、液滴吐出法の微細加工の困難性は問題にならない。なお、本実施の形態にて説明した本発明の一態様は上記説明に限定されず、低抵抗な導電層122自体を液滴吐出法により形成してもよい。なお、本実施の形態にて説明した液滴吐出法は、実施の形態2及び実施の形態3にて説明した画素トランジスタの作製方法に適用してもよい。なお、本実施の形態にて説明した液滴吐出法は、実施の形態4で説明したリフトオフと組み合わせてもよい。すなわち、実施の形態4における保護マスク130の形成を液滴吐出法により行ってもよい。実施の形態6実施の形態1で説明したように、電気メッキ法を用いて、信号線を兼ねる電極120a上に低抵抗な導電層122を形成する場合、基板面内において均一に形成するには、信号線を兼ねる電極120aの電位を電気メッキ可能な等しいものとすることが好ましい。本実施の形態では、信号線を兼ねる電極120aの電位を等しい電位として電気メッキを行うことができる表示装置の生産システムについて説明する。まず、実施の形態1と同様に、信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bまで形成する。図14Aは、実施の形態1で説明したように信号線を兼ねる電極120a及び画素電極を兼ねる電極120bまで形成した基板100の概略図を示す。基板100上には、複数の画素150がマトリクス状に形成されている。また、各入力端子は、画素150に対して信号または電源電位を供給する。複数の画素150のそれぞれには信号線152及び走査線154が接続され、基板100の外縁には信号または電源電位を供給する信号線側入力端子156及び走査線側入力端子158が形成されている。基板100を搬送するための上部アーム170及び下部アーム172は、基板100の信号線側入力端子156を領域160において挟持するように配される。上部アーム170及び下部アーム172は、基板100上の信号線側入力端子156の一方のみを挟持してもよいし、対向する一辺に設けられた他方の信号線側入力端子156も挟持してもよい。図14Bは、図14Aの上部アーム170、下部アーム172、及び基板100の位置関係を示したものである。図14Bに示されているように、上部アーム170と下部アーム172が基板100を挟持する。上部アーム170には導電部174が設けられ、下部アーム172には導電部176が設けられており、導電部174または導電部176が信号線側入力端子156に接続される。上部アーム170及び下部アーム172により挟持された基板100は、メッキしようとする金属または不溶性の金属により形成された陽極とともにメッキしようとする金属のイオンを含む電解液に浸される。このように電解液に浸された状態で、前記陽極と導電部174または導電部176との間に電位差を生じさせることで信号線を兼ねる電極120aの表面に陽イオンが還元されて低抵抗な導電層が形成される。以上説明したように、実施の形態1にて説明した画素トランジスタを有する表示装置のアクティブマトリクス基板を作製することができる。なお、本実施の形態の生産システムにより、実施の形態2にて説明した画素トランジスタを有する表示装置のアクティブマトリクス基板を作製することもできる。実施の形態7上記のように作製した画素トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパーが挙げられる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、デジタルサイネージ、PIDPublicInformationDisplay、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図15に示す。図15は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍200は、筐体202および筐体204の2つの筐体で構成されている。筐体202および筐体204は、軸部214により一体とされており、該軸部214を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍と同様に取り扱うことが可能となる。筐体202には表示部206及び光電変換装置208が組み込まれ、筐体204には表示部210及び光電変換装置212が組み込まれている。表示部206及び表示部210は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図15では表示部206に文章を表示し、左側の表示部図15では表示部210に画像を表示することができる。また、図15では、筐体202に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体202において、電源216、操作キー218、スピーカ220などを備えている。操作キー218により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍200は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍200は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。実施の形態8上記のように作製した画素トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパー以外にもさまざまな電子機器遊技機も含むが挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図16Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置222は、筐体224に表示部226が組み込まれている。表示部226により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド228により筐体224を支持した構成を示している。テレビジョン装置222の操作は、筐体224が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機234により行うことができる。リモコン操作機234が備える操作キー232により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部226に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機234に、当該リモコン操作機234から出力する情報を表示する表示部230を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置222は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図16Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム236は、筐体238に表示部240が組み込まれている。表示部240は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム236は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部240に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム236は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図17は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。図17の携帯型のコンピュータは、上部筐体242と下部筐体244とを接続するヒンジユニットを閉状態として表示部246を有する上部筐体242と、キーボード248を有する下部筐体244とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部246を見て入力操作を行うことができる。また、下部筐体244はキーボード248の他に入力操作を行うポインティングデバイス252を有する。また、表示部246をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体244はCPUやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体244は他の機器、例えばUSBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート250を有している。上部筐体242には更に上部筐体242内部にスライドさせて収納可能な表示部254を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部254の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部254をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。表示部246または収納可能な表示部254は、液晶表示パネル、有機発光素子または無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。また、図17の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体242と下部筐体244とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部254をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部246を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。