前記サファイア基板にSiO2パターン層を形成するステップと、前記サファイア基板のSiO2パターン層を有する表面に半導体発光構造を成長させるステップと、ドライエッチング方法により、前記半導体発光構造を複数の発光区域に分割し、これにより前記半導体発光構造の上表面から前記サファイア基板に延伸する分割溝を形成して、前記SiO2パターン層の一部を露出させるステップと、バッファ酸化物エッチング液で前記SiO2パターン層を除去し、前記半導体発光構造と前記サファイア基板との間にスルーホールを形成させるステップと、各々の前記発光区域の一部をエッチングして、電極プラットフォームを形成し、前記電極プラットフォーム及び前記複数の発光区域の表面に電極を設置するステップと、前記分割溝に沿って前記サファイア基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップと、を備えることを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。前記半導体発光構造は、前記サファイア基板上にn型GaN半導体層、多重量子井戸層、及びp型GaN半導体層を順に積み重ねてなることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップの製造方法。前記電極を設置するステップにおいて、前記発光区域の一部をエッチングしてn型GaN半導体層の一部の表面を露出させ、前記p型GaN半導体層の表面及び前記n型GaN半導体層の露出面にそれぞれp型接触電極及びn型接触電極を設置することを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードチップの製造方法。前記課題を解決するために、本発明は、高い光出力の発光ダイオードチップの製造方法を提供する。本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法は、サファイア基板にSiO2パターン層を形成するするステップと、前記サファイア基板のSiO2パターン層を有する表面に半導体発光構造を成長させるステップと、ドライエッチング方法により、前記半導体発光構造を複数の発光区域に分割することで、前記半導体発光構造の上表面から前記サファイア基板に延伸する分割溝を形成して、前記SiO2パターン層の一部を露出させるステップと、バッファ酸化物エッチング液で前記SiO2パターン層を除去し、前記半導体発光構造と前記サファイア基板との間にスルーホールを形成させるステップと、各々の前記発光区域の一部をエッチングして電極プラットフォームを形成し、前記電極プラットフォーム及び前記複数の発光区域の表面に電極を設置するステップと、前記分割溝に沿って前記サファイア基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップと、を備える。従来の技術と比べると、本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法は、バッファ酸化物エッチング液で半導体発光構造の底部のSiO2パターン層を除去することで、半導体発光構造とサファイア基板との間にスルーホールを形成させる。前記スルーホールは、半導体発光構造からサファイア基板に出射された光の反射率を増加させるので、サファイア基板によって吸収される光を低減させることができる。よって、発光ダイオードチップの高い光出力を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1及び図2に示すように、サファイア基板110にSiO2パターン層120を形成させる。この前記SiO2パターン層120は、平行に配列する複数の細長いSiO2パターンからなり、前記細長いSiO2パターンをその延伸方向に垂直に切断した場合の断面の形状は、梯形である図3を参照。また、この断面の形状は、半円形でもよい。次に図3に示すように、有機金属化学蒸着法MetalOrganicChemicalVaporDeposition、MOCVD或いは分子線エピタキシー法MolecularBeamEpitaxy、MBEにより、前記サファイア基板110のSiO2パターン層120を有する表面に、半導体発光構造130を成長させる。前記半導体発光構造130は、前記サファイア基板110上に、n型GaN半導体層131、多重量子井戸層132、及びp型GaN半導体層133を順に積み重ねてなる。図4及び図5に示すように、ドライエッチング方法により前記半導体発光構造130を複数の発光区域150に分割する。この時、前記半導体発光構造130の上表面から前記サファイア基板110に延伸する分割溝140が形成され、前記SiO2パターン層120の一部が露出する。本実施形態において、2つの分割溝140は、互いに交差し、前記半導体発光構造130を4つの発光区域150に分割する。図6に示すように、バッファ酸化物エッチング液BufferedOxideEtchant、BOEで前記SiO2パターン層120を除去する。前記バッファ酸化物エッチング液は、フッ化水素酸HFとフッ化アンモニウムNH4Fの混合物である。前記フッ化水素酸は、シリコンを含んだ物質に強い腐食性を持つので、前記バッファ酸化物エッチング液は、前記分割溝140に流れ込んだ際、前記SiO2パターン層120を効果的にエッチングすることができる。前記SiO2パターン層120が完全に除去された後、前記半導体発光構造130と前記サファイア基板110との間に、スルーホール160が形成される。図7を参照すると、前記SiO2パターン層120の除去が終わった後、必要に応じて前記発光区域150の表面に、前記発光区域150の表面の電流拡散性能を向上するためのインジウム-スズ酸化物Indium-TinOxide透明導電層134を設置することもできるため、図6に示した半導体構造に代わって、引き続き後の過程を行うことが可能である。図8を参照すると、前記複数の発光区域150の一部をエッチングしてn型GaN半導体層131の一部の表面を露出させて電極プラットフォーム170を形成し、前記p型GaN半導体層133の表面及び前記n型GaN半導体層131の表面即ち、電極プラットフォーム170にそれぞれp型接触電極171及びn型接触電極172を設置する。前記p型接触電極171及びn型接触電極172は、真空蒸着やスパッタリングによって形成することができる。前記p型接触電極171とn型接触電極172の材料は、チタンTi、アルミニウムAl、銀Ag、ニッケルNi、ウォルフラムW、銅Cu、パラジウムPb、クロムCr、金Auから選択される一種又はそれらの合金である。図9に示したように、レーザ切断や機械切断により、前記分割溝140に沿って前記サファイア基板110を切断し、複数の発光ダイオードチップ100を形成する。前記p型接触電極171及びn型接触電極172に電圧を印加させると、前記p型GaN半導体層133の正孔及び前記n型GaN半導体層131の電子は、電場の作用によって前記多重量子井戸層132で複合し、エネルギーが光の形で放出される。前記スルーホール160の断面は、傾斜状を呈するので、n型GaN半導体層131と空気との界面で光の入射角が増大される。そのため、前記多重量子井戸層132から前記サファイア基板110に出射された光は、n型GaN半導体層131と空気との界面で全反射し、次いで上へと反射された後、前記p型GaN半導体層133の表面から出射される。前記半導体発光構造130と前記サファイア基板110との間に位置するスルーホール160は、前記半導体発光構造130が前記サファイア基板110に向かって出射した光の反射率を増加させることにより、前記サファイア基板110によって吸収される光を低減させ、発光ダイオードチップ100の高い光出力を提供することができる。なお、前記SiO2パターン層120は、互いに平行する複数の細長いSiO2パターンに限定されるものではない。図10を参照すると、本発明の第二実形態に係るサファイア基板210の表面にSiO2パターン層220が形成され、前記SiO2パターン層220は、互いに交差して格子構造を形成する複数の細長いSiO2パターンからなる。前記サファイア基板210及び前記SiO2パターン層220は、本発明の第一実施形態に係るサファイア基板110及び前記SiO2パターン層120に取って代わることができる。