真空槽と、前記真空槽内に配置された冷却手段と、前記真空槽内で前記冷却手段とは離間して配置された溶解容器と、前記溶解容器内のシリコンを溶融させる加熱手段とを有するシリコン精錬装置。前記溶解容器を前記冷却手段上に保持する支持部材を有し、前記支持部材には、前記溶解容器の外側底面と前記冷却手段の表面とが対面するように開口部が設けられた請求項1記載のシリコン精錬装置。前記溶解容器の内側底面に対する、前記開口部の前記内側底面と平行な断面の面積比は50以上である請求項2記載のシリコン精錬装置。前記支持部材と前記溶解容器との間には、第一の断熱材が設けられた請求項2又は請求項3のいずれか1項記載のシリコン精錬装置。前記開口部には第二の断熱材が設けられた請求項4記載のシリコン精錬装置。前記第一の断熱材と前記第二の断熱材はそれぞれカーボンフェルトから構成された請求項5記載のシリコン精錬装置。溶解容器内に金属シリコンからなる母材を配置し、真空雰囲気中で前記溶解容器に配置された前記母材を加熱して全部溶融させ、前記溶解容器の底面を冷却して前記溶解容器の内側底面と溶融シリコンが接触する部分からシリコンを凝固し、凝固シリコンを上方に成長させ、前記凝固シリコンの上部に位置する未凝固シリコンを前記溶解容器から除去するシリコン精錬方法であって、前記溶解容器の底面を冷却するときには、前記溶解容器の外側底面を冷却手段と離間して対面させて冷却するシリコン精錬方法。前記溶解容器の底面を冷却するときには、前記溶解容器の外側底面と前記冷却手段との間に、前記溶解容器の外側底面と前記冷却手段の表面とに接触する第二の断熱材を配置しておく請求項7記載のシリコン精錬方法。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、シリコン原料から不純物を低コストで除去する技術を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置された冷却手段と、前記真空槽内で前記冷却手段とは離間して配置された溶解容器と、前記溶解容器内のシリコンを溶融させる加熱手段とを有するシリコン精錬装置である。本発明はシリコン精錬装置であって、前記溶解容器を前記冷却手段上に保持する支持部材を有し、前記支持部材には、前記溶解容器の底部と前記冷却手段の表面とが対面するように開口部が設けられたシリコン精錬装置である。本発明はシリコン精錬装置であって、前記溶解容器の内側底面に対する、前記開口部の前記内側底面と平行な断面の面積比は50以上であるシリコン精錬装置である。本発明はシリコン精錬装置であって、前記支持部材と前記溶解容器との間には、第一の断熱材が設けられたシリコン精錬装置である。本発明はシリコン精錬装置であって、前記開口部には第二の断熱材が設けられたシリコン精錬装置である。本発明はシリコン精錬装置であって、前記第一の断熱材と前記第二の断熱材はそれぞれカーボンフェルトから構成されたシリコン精錬装置である。本発明は、溶解容器内に金属シリコンからなる母材を配置し、真空雰囲気中で前記溶解容器に配置された前記母材を加熱して全部溶融させ、前記溶解容器の底面を冷却して前記溶解容器の内側底面と溶融シリコンが接触する部分からシリコンを凝固し、凝固シリコンを上方に成長させ、前記凝固シリコンの上部に位置する未凝固シリコンを前記溶解容器から除去するシリコン精錬方法であって、前記溶解容器の底面を冷却するときには、前記溶解容器の外側底面を冷却手段と離間して対面させて冷却するシリコン精錬方法である。本発明はシリコン精錬方法であって、前記溶解容器の底面を冷却するときには、前記溶解容器の外側底面と前記冷却手段との間に、前記溶解容器の外側底面と前記冷却手段の表面とに接触する第二の断熱材を配置しておくシリコン精錬方法である。溶解容器底面の抜熱効率を抑え、溶解容器の内側底面と接触する部分にスカルが生じないため、精製ムラ無く良好に精製できる。溶解容器の外側底面に対面して冷却手段を設けることにより、底面から効率よく抜熱し、固液界面の温度勾配を大きくすることができる。溶解容器にて底面以外を断熱することにより、水冷銅るつぼに比べて電子線出力を50以下に低減できる。冷却手段の引き下げ機構が不要であるため、装置構造を簡素化できる。不純物が凝集している部分を液体状態で除去することで、インゴットの切削加工が不要になり、低コスト化できる。図1の符号10は、本発明のシリコン精錬装置を示している。このシリコン精錬装置10は、真空槽11を有している。真空槽11の内部には、冷却手段21が配置されており、冷却手段21の上方には、冷却手段21と離間して、溶解容器31が配置されている。ここでは溶解容器31は炭素材料例えば黒鉛で形成されている。溶解容器31の外側底面と冷却手段21の上方を向いた表面は、平坦であり、互いに平行にされている。溶解容器31の外側表面のうち、外側底面の中心を含む所定の大きさの領域と冷却手段21の表面との間には、何も配置されておらず、少なくとも外側底面の中心を含む領域は、冷却手段21の表面に対面するようにされている。冷却手段21はここでは銅又はステンレスで形成されている。冷却手段21には、冷却媒体の循環経路23が配置されており、真空槽11の外部に設けられた冷却装置25を動作させ、冷却手段21の内部に冷却された冷却媒体を流すと、冷却手段21と対面する溶解容器31の底面が冷却される。真空槽11には真空排気装置13が接続され、内部は真空排気されて真空雰囲気に維持されている。真空槽11には、溶解容器31内のシリコンを溶融させる加熱手段12が設けられている。加熱手段12はここでは電子銃であるが、溶解容器31内のシリコンを溶融させることができるならば電子銃に限定されず、誘導加熱手段でもよい。溶解容器31の内側に塊状又は小片状の金属シリコンからなる母材であるシリコン原料を配置し、シリコン原料に電子ビーム電子線を照射して溶解容器31内のシリコン原料を全部溶融させ、溶解容器31の内部を溶融シリコンで満たす。このとき、シリコンは溶解容器31の炭素材料としか接触していない。電子ビームは真空槽11内を真空排気しながらシリコンに照射されており、シリコン原料に含まれたシリコンよりも蒸気圧の高い不純物はガス化し、真空排気によって真空槽11の外部に排出される。特に、シリコン原料に含まれていた燐リンはガス化して除去され、溶融シリコンは高純度化する。冷却手段21の内部に冷却された冷却媒体が流されて、溶解容器31の底面が冷却された状態で、電子ビームの照射幅面を変えずに出力強度照射密度を徐々に弱めると、溶解容器31の内側底面の表面と接触する部分からシリコンが凝固し、凝固シリコンが下方から上方に向かって成長する。溶融シリコンである未凝固シリコンは、凝固シリコン上部に位置している。シリコンよりも固液分配係数の小さなFe、Alなどの元素は、シリコンが凝固する際に固相から液相に排出されるため、固相中と液相中で不純物の濃度差が生じる液相中の不純物濃度は固相中の不純物濃度より高くなる。従って、溶解容器31内の溶融シリコンを、溶解容器31の鉛直下方側で冷却し、溶融シリコンを鉛直下方側から上方に向かって凝固を進行させる場合、凝固部分の上方に位置する溶融シリコン中の不純物濃度が次第に高くなる。溶解容器31には、傾斜装置39が設けられている。本実施例では、未凝固シリコンが全体の2割まで減少したときに、電子ビームの照射を停止した状態で、溶解容器31は傾斜装置39によって傾けられ、溶融している部分は溶解容器31から流出し、真空槽11内に配置された回収容器14によって受け止められて回収される。もしくは、溶融シリコンの全体を下方から上方に向かって一旦凝固させた後、凝固した凝固シリコンに電子ビームを再照射し、上方から全体の2割に相当する部分を再溶解させ、電子ビームの照射を停止し、傾斜装置39によって溶解容器31を傾けて、再溶融した部分を外部に流出させ、流出された溶融シリコンを回収容器14で受け止めて回収してもよい。なお、上記実施例では、未凝固シリコンが全体の2割まで減少したときに未凝固シリコンを回収したが、回収するときの未凝固シリコンの割合は全体の2割に限定されず、原料の純度によってあらかじめ決めておけばよい。次に、電子銃12を再動作させて電子ビームを凝固シリコンに照射し、凝固シリコンを溶融させる。溶解容器31内の凝固シリコンが全部溶融されたところで、冷却手段21による溶解容器31の底面の冷却を継続しながら、電子ビームの照射幅面を変えずに出力強度を徐々に弱めて、溶解容器31の内側底面と接触した部分からシリコンを凝固し、凝固シリコンを溶解容器31の内側底面と接触する部分から上方に向けて成長させる。上方に位置する未凝固シリコンが、本実施例では溶解容器31内のシリコンの2割まで減少したところで、電子ビームの照射を停止し、傾斜装置39によって溶解容器31を傾斜させ、凝固シリコン上に位置する未凝固シリコンを溶解容器31の外部に流出させ、流出された溶融シリコンを回収容器14で受け止めて回収する。もしくは、溶融シリコンの全体を下方から上方に向かって一旦凝固させた後、凝固したシリコンに電子ビームを照射し、上方から全体の2割に相当する部分を再溶解させ、電子ビームの照射を停止し、傾斜装置39によって溶解容器31を傾けて、再溶融した部分を外部に流出させ、流出された溶融シリコンを回収容器14で受け止めて回収してもよい。なお、上記実施例では、未凝固シリコンが全体の2割まで減少したときに未凝固シリコンを回収したが、回収するときの未凝固シリコンの割合は全体の2割に限定されず、原料の純度によってあらかじめ決めておけばよい。このように、金属シリコンからなる母材の溶融、溶解容器31の内側底面と接触する部分からの凝固シリコンの成長、凝固シリコンの上方に位置する不純物が濃縮された未凝固シリコンの除去、の工程を繰り返し行うと、不純物は、除去された溶融シリコンに含有されるので、凝固シリコン中の不純物を少なくすることができる。本発明のシリコン精錬装置10は、溶解容器31を冷却手段21上に保持する支持部材33を有し、支持部材33には、溶解容器31の外側底面と冷却手段21の上方を向いた表面とが対面するように開口部29が設けられている。なお、開口部29は溶解容器31の外側底面と冷却手段21の表面とが対面できるならば、図5を参照し、支持部材33によって外周の輪郭が閉じられた領域に限定されず、図6を参照し、外周の輪郭が開かれた領域であってもよい。すなわち、溶解容器31と冷却手段21との間の空間のうち、溶解容器31の外側底面の外周の内側に位置する領域を対面空間と呼ぶと、開口部29は対面空間のうち支持部材33以外の部分から成る。本実施形態では、溶解容器31は、外側表面の外周部分や底面部分すなわち外側側面や外側底面に第一の断熱材32が接触されて、第一の断熱材32が接触した部分が保持具支持部材33によって支持されて冷却手段21上に配置されており、溶解容器31と冷却手段21とは非接触の状態になっている。第一の断熱材32はここではカーボンフェルトである。仮に保持具支持部材33と溶解容器31とが接触していると、その接触面は冷却されやすいため、溶解容器31の内周面内側側面からの凝固が起こりやすくなり、溶解容器31の底面から上面へ向けて良好な凝固が阻害される。そこで、本実施形態では、第一の断熱材32を保持具支持部材33と溶解容器31との間に入れることで冷却を抑制し、良好な凝固成長が可能となっている。また、溶解容器31と冷却手段21とは非接触であるため、溶解容器31の内側底面もシリコン融点1414°C以上に加熱される。そのため、スカルの発生を抑制でき、溶融シリコンと溶解容器31との接触面も凝固精製が可能となる。図2に示すように、溶解容器31と冷却手段21との間は、真空槽11の内部空間の一部となって、溶解容器31の外部表面のうち底面の部分すなわち外側底面全部と冷却手段21の表面とが対面するようにしても良いし、図1に示すように、外側底面の外周部分が第一の断熱材32に接触し、接触した部分よりも内側の部分が冷却手段21と対面するようにしてもよい。図5を参照し、溶解容器31の内側底面の面積Aに対する、開口部29の溶解容器31の内側底面と平行な断面積、すなわち溶解容器31の外側底面のうち冷却手段21の表面と対面する部分の面積Bの面積比R=B/Aは、50以上200以下が好ましい。なぜなら、面積比Rが50未満の場合は、固液界面が水平に成らず、溶解容器31の上面中心に向かって良好に一方向凝固できない。また、面積比Rが200より大きい場合は、抜熱効率が大きくなり溶解容器31の底面にスカル原料中不純物濃度のまま、精製されずに凝固したものが発生してしまう。上記実施例では開口部29は溶解容器31の内側底面と同心円状に設けられていたが、本発明は面積比Rが50以上200以下であるならばこれに限定されず、例えば図6に示すように、二本以上の柱状の保持具支持部材33により、溶解容器31を冷却手段21と非接触で保持しても良い。図3に示すように、溶解容器31の外部表面のうちの底面の表面すなわち外側底面と冷却手段21の表面との間に、外側底面と冷却手段21の表面の両方に接触した第二の断熱材35が配置されていてもよい。第二の断熱材35はここではカーボンフェルトである。溶解容器31の外側底面と冷却手段21の表面との間に第二の断熱材35が配置されている場合は、第二の断熱材35が冷却手段21の表面と溶解容器31の外側底面とに接触し、主として第二の断熱材35の小さい熱伝導によって冷却される。何も配置されていない対面空間を設けた場合よりも、溶解容器31の底面の抜熱効率が小さくなり、溶解容器31の内側底面と接触する部分にスカルが発生することを防止できる。溶解容器31の外周外側側面は、図1~図3に示すように溶解容器31と保持具支持部材33との間に挟まれた第一の断熱材32で取り囲まれていても良いし、図4に示すように第一の断熱材32とは異なる第三の断熱材36で取り囲まれていてもよい。ここで第三の断熱材36は溶解容器31と保持具支持部材33との間に挟まれていない。溶解容器31の外側表面のうち、外側底面と冷却手段21の表面との間には何も配置されていない場合は、溶解容器31は、主として底面から放出される輻射が側面から放出される輻射よりも大きいことによって、容器底面が冷却される。容器側面の冷却を抑えながら容器底面の冷却を強くすることにより、シリコンは、下方から上方に向かって一方向凝固される。上記実施例では電子ビームによるシリコンの加熱を開始する前から、冷却手段21による溶解容器31の底面の冷却を開始していたが、電子ビームの照射中に冷却手段21による冷却を開始してもよい。<実施例1>図1を参照し、表面を酸化させた銅からなる冷却手段21の上方に、冷却手段21と離間して黒鉛からなる溶解容器31深さ60mm、内径300mmを配置した。ここで冷却手段21の表面の放射率は0.1以上である。高純度シリコンSi7.5kgにアルミニウムAlと鉄Feをそれぞれ重量比250ppmになるように添加し、作成されたシリコン原料を、溶解容器31内に装填し、電子ビームを照射密度1000kW/m2で照射して、シリコン原料を完全に溶解した。電子ビームの照射幅面を変えずに、凝固速度1mm/minとなるように、出力強度を徐々に弱め、上方に位置する溶融シリコンが全体の2割になったところで、溶解容器31を傾倒し、溶融シリコンを除去した。溶融シリコンを除去した後、溶解容器31内に残ったシリコンを任意の大きさに切り出し、高さ方向に4mm厚で層状に切断し、それぞれをICP-MSで分析した。分析結果を表1に示す。不純物であるAlとFeを完全に除去できたことがわかる。<実施例2>図3を参照し、冷却手段21と黒鉛からなる溶解容器31深さ60mm、内径300mmの間に熱伝導度0.3W/mKの第二の断熱材35カーボンフェルトを挟んで配置した。高純度Si7.5kgにAl、Feをそれぞれ重量比250ppmになるように添加して作成したシリコン原料を、溶解容器31内に装填し、電子ビームを照射密度1000kW/m2で照射して、シリコン原料を完全に溶解した。電子ビームの照射幅面を変えずに、凝固速度1mm/minとなるように、出力強度を徐々に弱め、溶融シリコンが全体の2割になったところで、溶解容器31を傾倒し、溶融シリコンを除去した。溶融シリコンを除去した後、溶解容器31内に残ったシリコンを任意の大きさで切り出し、高さ方向に4mm厚で層状に切断し、それぞれをICP-MSで分析した。分析結果を表2に示す。冷却手段21と溶解容器31の間に第二の断熱材35を設けることで、溶解容器31の底面からの抜熱効率が小さくなり、内部底面と接触する部分でのスカルの発生を抑制できていることが分かる。しかしながら、抜熱効率が小さくなると、固液界面の温度勾配が小さくなる。そのため本実施例では、組成的過冷却が起こり、精製途中で不純物濃度が急上昇したことが分かる。<比較例1>高純度Si7.5kgにAl、Feをそれぞれ重量比250ppmになるように添加して作成したシリコン原料を、水冷銅るつぼ深さ60mm、内径300mm内に装填し、電子ビームを照射密度2000kW/m2で照射し、シリコン原料を完全に溶解した。ここで電子ビームの照射密度が実施例1、2の2倍である理由は、水冷銅るつぼの抜熱効率が大きく、実施例1、2と同じ照射密度では、水冷銅るつぼの内側底面と接触する部分で固体のシリコンを完全に溶解できなかったからである。電子ビームの照射幅面を変えずに、凝固速度1mm/minとなるように、出力強度を徐々に弱め、溶融シリコンが全体の2割になったところで、水冷銅るつぼを傾倒し、溶融シリコンを除去した。溶融シリコンを除去した後、水冷銅るつぼ内に残ったシリコンを任意の大きさで切り出し、高さ方向に4mm厚で層状に切断し、それぞれをICP-MSで分析した。分析結果を表3に示す。水冷銅るつぼは抜熱効率が大きすぎるため、水冷銅るつぼの内側底面と接触する部分でスカルが発生し、その部分は精製効率が低いことが分かる。<比較例2>冷却手段上に、冷却手段と接触して、黒鉛からなる溶解容器深さ60mm、内径300mmを配置した。高純度Si7.5kgにAl、Feをそれぞれ重量比250ppmになるように添加して作成したシリコン原料を、溶解容器内に装填し、電子ビームを照射密度1000kW/m2で照射して、シリコン原料を完全に溶解した。電子ビームの照射幅面を変えずに、凝固速度1mm/minとなるように、出力強度を徐々に弱め、溶融シリコンが全体の2割になったところで、溶解容器を傾倒し、溶融シリコンを除去した。溶融シリコンを除去した後、溶解容器内に残ったシリコンを任意の大きさで切り出し、高さ方向に4mm厚で層状に切断し、それぞれをICP-MSで分析した。分析結果を表4に示す。冷却手段に溶解容器を直接接触させると、比較例1の水冷銅るつぼと同様に、抜熱効率が大きすぎるため、溶解容器の内側底面との接触部分にスカルが発生し、その部分は精製効率が低いことが分かる。<比較例3>図1を参照し、表面を鏡面研磨した銅から成る冷却手段21の上方に、冷却手段21と離間して黒鉛から成る溶解容器31深さ60mm、内径300mmを配置した。鏡面研磨することにより、冷却手段21の放射率は0.1未満となっている。高純度Si7.5kgにAl、Feをそれぞれ重量比250ppmになるように添加して作成されたシリコン原料を、溶解容器31内に装填し、電子ビームを照射密度1000kW/m2で照射して、シリコン原料を完全に溶解した。電子ビームの照射幅面を変えずに、凝固速度1mm/minとなるように、出力強度を徐々に弱め、溶融シリコンが全体の2割になったところで、溶解容器31を傾倒し、溶融シリコンを除去した。溶融シリコンを除去した後、溶解容器31内に残ったシリコンを任意の大きさで切り出し、高さ方向に層状に4mm厚で切断し、それぞれをICP-MSで分析した。分析結果を表5に示す。冷却手段21の放射率が0.1未満であるため、溶解容器31の外側底面からの輻射熱が冷却手段21に反射され、抜熱効率が低下する。そのため、実施例2と同じ現象が起こり、精製途中で不純物濃度が急上昇したことが分かる。<実施例3>図1を参照し、表面を酸化させた銅からなる冷却手段21の上方に、冷却手段21と離間して黒鉛からなる溶解容器31深さ60mm、内径300mmを配置した。溶解容器31の内側底面の面積に対する、開口部29の溶解容器31の内側底面と平行な断面積の面積比Rを40以上200以下の値に設定した。高純度Si7.5kgにAl、Feをそれぞれ重量比250ppmになるように添加して作成したシリコン原料を、溶解容器31内に装填し、電子ビームを照射密度1000kW/m2で照射して、シリコン原料を完全に溶解した。電子ビームの照射幅面を変えずに、凝固速度1mm/minとなるように、出力強度を徐々に弱め、溶融シリコンが全体の2割になったところで、溶解容器31を傾倒し、溶融シリコンを除去した。溶融シリコンを除去した後、溶解容器31内に残ったシリコンを再度溶解し、完全に溶解したところで、サンプラーにて5cc取り出し、ICP-MSで分析した。面積比Rを40以上200以下の範囲で変更して、上記分析試験を繰り返した。分析結果を表6に示す。面積比Rが50未満の場合は、溶解容器31の上面中心に向かって良好に一方向凝固できず、面積比Rが200より大きい場合は、抜熱効率が大きくなり底面にスカルが発生したことが分かる。すなわち面積比Rは50以上200以下が好ましいことが分かる。