"基板上のレジストを照射するリソグラフィ方法であって、前記レジストが、前記基板上に位置する第1の要素と前記基板上に位置する第2の要素との間の領域を充填し、前記第1の要素が、第1の長さ、第1の幅、及び第1の高さを有し、前記第2の要素が、第2の長さ、第2の幅、及び第2の高さを有し、前記第1の高さが、前記第2の高さに実質的に等しく、前記第1の長さが、前記第2の長さに実質的に平行であり、前記第1の方向に延在し、レジストで充填された領域を画定する前記第1の要素と前記第2の要素の対向する側壁間の距離が、前記レジストを照射するために使用される放射の波長よりも短く、前記方法が楕円偏光放射で前記レジストを照射するステップであって、前記第1の高さ及び第2の高さで、前記楕円偏光放射が、前記第1の方向に垂直に、前記第1及び第2の長さに対して実質的に垂直に偏光するように構成されたステップを含む方法。前記レジストがまた、前記基板上に位置する第3の要素と前記基板上に位置する第4の要素との間の別の領域を充填し、前記第3及び第4の要素が、前記第1及び第2の要素の間に位置し、前記第3の要素が、第3の長さ、第3の幅、及び第3の高さを有し、前記第4の要素が、第4の長さ、第4の幅、及び第4の高さを有し、前記第3の高さが前記第4の高さに実質的に等しく、前記第3及び第4の高さが前記第1及び第2の高さより低く、前記第3の長さが前記第4の長さに実質的に平行であり、第2の方向に延在し、レジストで充填された前記別の領域を画定する前記第3の要素と前記第4の要素の対向する側壁間の距離が、前記レジストを照射するために使用される放射の波長よりも短く、前記方法が実質的に同時に楕円偏光放射で前記別の領域内の前記レジストを照射するステップであって、前記第1の高さ及び第2の高さで、前記楕円偏光放射が、前記第1及び第2の長さに実質的に垂直の第1の方向に偏光し、前記第3の高さ及び第4の高さで、前記楕円偏光放射が、前記第3及び第4の長さに実質的に垂直の前記第2の方向に垂直に偏光するように構成されたステップを含む、請求項1に記載の方法。前記偏光方向が、前記第1の高さ及び前記第2の高さと、前記第3の高さ及び前記第4の高さの間の距離にわたって、前記第1の方向に垂直の方向から前記第2の方向に垂直の方向へ変化する、請求項2に記載の方法。前記第2の方向が、前記第1の方向に実質的に垂直である、請求項2又は3に記載の方法。前記第3及び第4の要素が、前記第1及び第2の要素の間に延在する、請求項2から4のいずれか1項に記載の方法。前記第3及び第4の要素が、FINFETトランジスタのフィンであるか又は将来フィンになる、請求項2から5のいずれか1項に記載の方法。前記第1及び第2の要素が、トランジスタのゲートであるか又はゲートになる、前記請求項のいずれか1項に記載の方法。前記第1及び第2の要素及び/又は前記第3及び第4の要素が、前記放射を実質的に透過する前記基板上に提供された層上にあり、前記基板が、その放射を実質的に透過しない、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。前記層がSiO2を含み、及び/又は前記基板がSiを含む、請求項8に記載の方法。前記レジストが、少なくとも部分的に前記第1及び第2の要素を覆い、前記方法が、前記第1及び第2の要素の間の前記領域内のレジストを照射するステップと実質的に同時に前記第1及び第2の要素を覆う前記レジストの少なくとも一部を照射するステップを含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。前記第1の要素が、前記第2の要素と実質的に同じサイズと形状であるか、又は前記第3の要素が、前記第4の要素と実質的に同じサイズと形状であるか、あるいはその両方である、請求項1から10のいずれか1項に記載の方法。請求項1から11のいずれか1項に記載の方法を用いて製造されたデバイス又はデバイスの一部。放射ビームを提供するように構成された照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスと、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、前記基板が、使用時にレジストを担持し、前記レジストが、前記基板上に位置する第1の要素と前記基板上に位置する第2の要素との間の領域を充填し、前記第1の要素が、第1の長さ、第1の幅、及び第1の高さを有し、前記第2の要素が、第2の長さ、第2の幅、及び第2の高さを有し、前記第1の高さが前記第2の高さに実質的に等しく、前記第1の長さが前記第2の長さに実質的に平行であり、第1の方向に延在し、レジストで充填された前記領域を画定する前記第1の要素と前記第2の要素の対向する側壁の間の距離が、前記レジストを照射するために使用される放射の波長よりも短い基板ホルダと、前記基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、使用時に、前記基板上に投影された際に前記放射が楕円偏光するように構成され、前記第1の高さと第2の高さで、前記楕円偏光放射が前記第1の方向に垂直に、前記第1及び第2の長さに対して実質的に垂直に偏光するように構成された楕円偏光装置と、を備えるリソグラフィ装置。前記楕円偏光装置が、前記放射が所望の高さで所望の偏光状態を確実に有するようにする際に使用する1つ又は複数の交換可能な部品又は調整可能な部品を備える、請求項13に記載の装置。前記楕円偏光装置が、基板平面の焦点較正センサに隣接する位置の、又はその一部を形成する偏光センサを備えるか、又はそれに関連し、又はそれと併用することができる、請求項13又は14に記載の装置。前記楕円偏光装置が、前記リソグラフィ装置の焦点領域、焦点面又は焦点に関して偏光状態又は偏光方向を移動させる前記リソグラフィ装置の光軸に沿って調整可能な1つ又は複数の要素を備える、請求項13から15のいずれか1項に記載の装置。0005本明細書に記載されているか否かを問わず、従来技術の1つ又は複数の問題を防止又は緩和し、又は既存のリソグラフィ方法及び/又は装置の代替案を提供するリソグラフィ方法及び/又は装置を提供することが望ましい。0006本発明の第1の態様によれば、基板上のレジストを照射するリソグラフィ方法であって、上記レジストが基板上に位置する第1の要素と基板上に位置する第2の要素との間の領域を充填し、第1の要素が第1の長さ、第1の幅、及び第1の高さを有し、第2の要素が第2の長さ、第2の幅、及び第2の高さを有し、第1の高さが第2の高さに実質的に等しく、第1の長さが第2の長さに実質的に平行であり、第1の方向に延在し、レジストで充填された領域を画定する第1の要素と第2の要素の対向する側壁との間の距離がレジストを照射するために使用される放射の波長よりも短い方法であって、該方法が楕円偏光放射でレジストを照射するステップであって、上記楕円偏光放射が第1の方向に垂直に、第1及び第2の長さに対して実質的に垂直に偏光するステップを含む方法が提供される。0007レジストはまた、基板上に位置する第3の要素と基板上に位置する第4の要素との間の領域を充填していてもよく、第3及び第4の要素が第1及び第2の要素の間に位置し、第3の要素が第3の長さ、第3の幅、及び第3の高さを有し、第4の要素が第4の長さ、第4の幅、及び第4の高さを有し、第3の高さが第4の高さに実質的に等しく、第3及び第4の高さが第1及び第2の高さより低く、第3の長さが第4の長さに実質的に平行であり、第2の方向に延在し、レジストで充填された別の領域を画定する第3の要素と第4の要素の対向する側壁の間の距離がレジストを照射するために使用される放射の波長よりも短くてもよい。上記方法は、実質的に同時に楕円偏光放射で別の領域内のレジストを照射するステップであって、第1の高さ及び第2の高さで、楕円偏光放射が第1及び第2の長さに実質的に垂直の第1の方向に偏光し、第3の高さ及び第4の高さで、楕円偏光放射が第3及び第4の長さに実質的に垂直の第2の方向に垂直に偏光するように楕円偏光放射が構成されたステップを含んでいてもよい。実質的に同時にとは、第1及び第2の要素間の領域内のレジストの同じ照射工程中と解釈してよく、第3及び第4の要素の高さがより低いために極めて小さい時間差が含まれる。0008偏光方向は、第1の高さ及び第2の高さすなわち、高さが異なる要素間と、第3の高さ及び第4の高さの間の距離にわたって、第1の方向に垂直の方向から第2の方向に垂直の方向へ変化することがある。0009第2の方向は、第1の方向に実質的に垂直であってもよい又は異なる向き又は同じ方向にあってもよい。0010第3及び第4の要素は、第1及び第2の要素の間に少なくとも部分的に延在していてもよい。0011第3及び第4の要素は、FINFETトランジスタのフィンであってもよく、又はフィンを形成するためのものであってもよい例えば、別の処理の後に。0012第1及び第2の要素は、トランジスタのゲートであってもよく、又はゲートを形成するためのものであってもよい例えば、別の処理の後に。0013第1及び第2の要素及び/又は第3及び第4の要素は放射を実質的に透過する基板上に提供された層上にあってもよく、基板はその放射を実質的に透過しなくてもよい。0014基板上に提供された層はSiO2を含んでいてもよく、及び/又は基板はSiを含んでいてもよい。0015またレジストは少なくとも部分的に第1及び第2の要素を覆っていてもよく、上記方法は、第1及び第2の要素の間の領域内のレジストを照射するステップと実質的に同時に第1及び第2の要素を覆うレジストの少なくとも一部を照射するステップを含んでいてもよい。0016第1の要素は第2の要素と実質的に同じサイズと形状であってもよく、及び/又は第3の要素は第4の要素と実質的に同じサイズと形状であってもよい。0017BARCは本発明の実施形態で場合によって不要なため以下に詳述するように、BARCを最初に基板上に提供することなく照射を実行してもよい。0018本発明の第2の態様によれば、本発明の第1の態様の方法を用いて製造されたデバイス又はデバイスの一部が提供される。0019本発明の第3の態様によれば、放射ビームを提供するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスと、基板を保持するように構成された基板ホルダであって、基板が、使用時にレジストを担持し、該レジストが基板上に位置する第1の要素と基板上に位置する第2の要素との間の領域を充填し、第1の要素が第1の長さ、第1の幅、及び第1の高さを有し、第2の要素が第2の長さ、第2の幅、及び第2の高さを有し、第1の高さが第2の高さに実質的に等しく、第1の長さが第2の長さに実質的に平行であり、第1の方向に延在し、レジストで充填された領域を画定する第1の要素と第2の要素の対向する側壁の間の距離がレジストを照射するために使用される放射の波長よりも短い基板ホルダと、基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムと、使用時に、基板上に投影された際に放射が楕円偏光し、第1の高さと第2の高さで、楕円偏光放射が第1の方向に垂直に、第1及び第2の長さに対して実質的に垂直に確実に偏光するようにする楕円偏光装置例えば、位相固定要素とを含むリソグラフィ装置が提供される。0020楕円偏光装置は、本発明の第1の態様の方法の1つ又は複数のいずれかの部分を実行するように構成することができ、又はそのように制御可能であってもよい。0021楕円偏光装置は、放射が所望の高さで所望の偏光状態を確実に有するようにする際に使用する1つ又は複数の交換可能な部品又は調整可能な部品を含んでいてもよい。0022楕円偏光装置は、基板平面すなわち、画像平面の焦点較正センサに隣接する位置の、又はその一部を形成する偏光センサを含み、又はそれに関連し、又はそれと併用することができる。0023楕円偏光装置は、リソグラフィ装置の焦点領域、焦点面又は焦点に関して偏光状態又は偏光方向を移動させるリソグラフィ装置の光軸に沿って調整可能な1つ又は複数の要素を含んでいてもよい。0032本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール又はメトロロジーツール又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0033本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nmの波長を有する及び極端紫外線EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0034本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。0035パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィ分野で周知であり、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフト、及びハーフトーン型attenuated位相シフトならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーの行列構成を使用し、ミラーの各々は、入射する放射ビームを様々な方向に反射するように個別に傾けることができる。このようにして、反射ビームがパターニングされる。0036支持構造はパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法でパターニングデバイスを保持する。この支持体は、機械式クランプ、真空、又は他のクランプ技術、例えば真空条件下での静電クランプを使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0037本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、及び反射屈折光学システムを含む様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なされる。0038照明システムはまた、放射ビームを誘導し、整形し、又は制御する屈折、反射、及び反射屈折光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントを包含してよく、このようなコンポーネントも以下においては集合的に又は単独でレンズとも呼ばれることがある。0039リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板ホルダ及び/又は2つ以上の支持構造を有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のホルダを並行して使用するか、1つ又は複数の他のホルダを露光に使用している間に1つ又は複数のホルダで予備工程を実行することができる。0040リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように水などの比較的高い屈折率を有する液体内に基板が浸漬されるタイプであってもよい。投影システムの開口数を増加させる液浸技術は当技術分野で周知である。0041図1は、リソグラフィ装置の一例を概略的に示す。この装置は、放射ビームPB例えば、UV放射又はEUV放射を調節する照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持し、部品PLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第1の位置決めデバイスPMに接続されたパターニングデバイス支持体又は支持構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、部品PLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決めデバイスPWに接続された基板ホルダ例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上に結像するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズPLとを含む。0042本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する。0043イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような例では、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは例えば好適な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダを含むビームデリバリシステムBDの助けを借りて放射源SOからイルミネータILへ通過する。すなわち、放射源SOはリソグラフィ装置に関連していてもよい。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0044イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成された調整デバイスAMを含んでいてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、通常、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを含んでいる。イルミネータは、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とを有する、調整された放射ビームPBを提供する。イルミネータILは、基板上に投影される放射が、以下に詳述するように、楕円偏光することを確実に行う楕円偏光装置PO広義に楕円偏光器と呼んでもよいをさらに備える。楕円偏光装置又は偏光器POは、イルミネータILの一部を形成していてもよく、例えばイルミネータILの調整デバイスAMの一部を形成していてもよい。別の実施形態では、楕円偏光装置又は偏光器は、放射ビームがリソグラフィ装置を横断する際の放射ビームの経路内の適当な場所にあってもよく、イルミネータILの外側にあってもよい。0045放射ビームPBは、パターニングデバイス支持体MT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射する。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームPBは、投影システムPLを通過し、投影システムPLは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF例えば干渉計デバイスの助けにより、基板ホルダWTを、例えば放射ビームPBの経路において様々なターゲット部分Cを位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPM及び別の位置センサ図1には明示されていないを使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームPBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブル/ホルダMTとWTの移動は、位置決めデバイスPMとPWの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。しかしながら、ステッパの場合スキャナとは対照的に、パターニングデバイス支持体MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。0046図示のリソグラフィ装置は以下の好適なモードにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体MT及び基板ホルダWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームPBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板ホルダWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体MT及び基板ホルダWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームPBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影するすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板ホルダWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cのスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板ホルダWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームPBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板ホルダWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0047上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0048図2及び図3は、基板上に提供された構造のそれぞれ概略側面図と概略平面図を示す。図2及び図3は組み合わせて言及してもよい。この構造は、4つの要素、すなわち、第1の要素2、第2の要素4、第3の要素6、第4の要素8を含む。第1の要素2は、第1の長さ10と、第1の幅12と、第1の高さ14とを有する。第2の要素4は、第1の要素2と実質的に同じサイズと形状である。第2の要素4は、第2の長さ16と、第2の幅18と、第2の高さ20とを有する。0049第1の長さ10は第2の長さ16に実質的に平行で、第1の長さ10と第2の長さ16は第1の方向すなわち、この実施形態ではY方向に延在する。第1の要素2と第2の要素4の対向する側壁の間の距離22は、その後、レジストで充填される領域を画定する。距離22は、その後、上記レジストを照射するために使用される放射の波長より短い例えば、100nm以下。0050また上記のように、基板上には、第3の要素6及び第4の要素8とが提供される。第3の要素6は、第3の長さ24と、第3の幅26と、第3の高さ28とを有する。第4の要素8は、第3の要素6と実質的に同じサイズと形状である。第4の要素8は、第4の長さ30と、第4の幅32と、第4の高さ34とを有する。0051第3の長さ24は第4の長さ30に実質的に平行で、第3の長さ24と第4の長さ30は第1の要素2と第2の要素4が長手方向に延在する第1の方向に実質的に垂直の第2の方向すなわち、この実施形態ではX方向に延在する。第3の要素6と第4の要素8の対向する側壁の間の距離36は、その後、レジストで充填される領域を画定する。距離36は、その後、上記レジストを照射するために使用される放射の波長より短い例えば、100nm以下。0052第1の要素2及び第2の要素4は、第3の要素6及び第4の要素8の長手方向に実質的に垂直の方向に、長手方向に延在することが理解されよう。さらに、第3の要素6及び第4の要素8は、第3の要素6及び第4の要素8が第1の要素2及び第2の要素4の間に少なくとも部分的に位置するように第1の要素2及び第2の要素4の間に少なくとも部分的に延在する。第3の要素6及び第4の要素8は、FinFETトランジスタのフィンなどを形成してもよく、又は後で形成してもよい。第1の要素2と第2の要素4は、トランジスタ例えば、FinFETトランジスタのゲートを形成してもよく、又は後で形成してもよい。0053構造は、全体として基板40例えば、図1に関連して上述した基板上に位置し、周知のリソグラフィ技術光学又はインプリントベースのを用いて提供することができる。基板40は、材料層42を備え、したがって、構造全体はその材料層42上に位置する。材料層42は構造の形成で、又は構造の後続の処理中に有用であってもよい。材料層42は、基板40上に提供されたレジストをその後照射するために使用される放射を意図的に又は意図せずに実質的に透過してもよい。基板40は、放射を意図的に又は意図せずに実質的に透過しなくてもよい。層42は、例えば、SiO2から形成することができる。基板はSiから構成することができ、又はSiを含んでいてもよい。0054第1、第2、第3及び/又は第4の要素の幅、長さ及び高さは、設計依存であってもよい例えば、この要素が一部を形成するか又は将来形成するデバイスに関連していてもよい。例えば、第1、第2、第3及び/又は第4の要素の幅、長さ及び高さはナノメートル程度、例えば、100nm以下であってもよい。0055構造の要素例えば、第1及び第2の要素、又は第3及び第4の要素がこれらの要素間に位置するレジストをその後照射するための波長より短い距離だけ離間している時には、そのレジストを適切に照射し、その後、照射されたレジストを除去しようとする時にいくつかの問題があることが分かっている。0056図4は、レジスト50が要素2、4,6、8を覆い、これらの要素2、4,6、8間の領域を充填した状態の図2及び図3の構造を示す。レジスト50は、従来の方法で提供してもよい。0057本発明の一実施形態によれば、上述した問題は防止又は緩和できる。これは、上記方法と同様または同じ方法で、レジストで覆われた構造を楕円偏光放射で照射することで達成できる。上記の構造に関連して、楕円偏光放射は、第1の要素の第1の高さと第2の要素の第2の高さ実質的に同じであるで、楕円偏光放射が第1の要素の第1の長さと第2の要素の第2の長さ両方の長さは同一方向に延在するに実質的に垂直の方向すなわち、第1の方向に偏光するように構成されている。言い換えれば、偏光方向はこれらの平行に延在する要素の対向する側壁の間に垂直に延在する距離に平行である。レジストを照射するために使用される放射がこのように偏光すると、放射は第1の要素と第2の要素の対向する側壁間の領域に位置するレジストを容易に照射することができる。追加的に又は代替的に、この方向の偏光によって定常波の形成を阻害し又は防止することができる。こうして第1及び第2の要素の間の領域内のレジストをより容易かつ均一に照射して後続の現像工程でその領域からレジストを完全に除去することができる。さらに、定常波の強度を解消又は低減するために照射前にBARCを提供する必要はない。これによって製造のコスト及び/又は複雑さを低減することができる。0058第3及び第4の要素も存在する場合上記定義された構造と同様に、楕円偏光放射は、第3の要素の第3の高さと第4の要素の第4の高さ互いに実質的に同じであるが第1及び第2の要素の高さとは異なるで、楕円偏光放射が第3の要素の第3の長さと第4の要素の第4の長さ両方の長さは同一方向に延在するに実質的に垂直の方向すなわち、第2の方向に偏光するように構成することができる。言い換えれば、偏光方向はこれらの要素間のギャップの距離に平行である。放射が第1及び第2の要素、及び第3及び第4の要素の高さの差を横断する際に第1の方向から第2の方向へ変化するように偏光方向を構成することができる。0059図5は、図4の構造及びレジストの放射による照射時の図を示す。図5は、パターニングデバイス62の方へ誘導された状態の放射60を示す。この例では、パターニングデバイス62は基本的な透過マスクであるが、他の実施形態では、パターニングデバイスは多少とも複雑であってもよく放射内又は放射に提供されたパターンに関して、及び/又は本来透過性又は反射性を有していてもよい。パターニングデバイス62は、構造とそれを覆うレジスト50の特定の部分すなわち、特定の要素2、4、6、8又はこれらの要素2、4、6、8の一部だけが放射60で確実に照射されるようにする。例えば、特定の要素2、4、6、8又はこれらの要素2、4、6、8の間の領域の特定の部分を露出するためにレジスト50の特定の領域を除去しなければならないことがある。これは、例えば、その後、構造を形成する特定の要素2、4、6、8上又は内でインプラント工程などを実行するために実行することができる。インプラント工程は、例えば、トランジスタ例えば、FinFETトランジスタなどの一部を形成するために実行することができる。上記のように、レジスト50を照射するために使用される放射60の波長は、第1の要素2と第2の要素4の対向する側壁の間の距離よりも大きい。0060放射60は楕円偏光される。楕円偏光の使用は特に融通性がある。何故なら、楕円偏光装置又は偏光器以下に詳述するを用いた偏光の適当な調整すなわち、構成によって、放射60を特定の方向と特定の高さ例えば、この実施形態ではZ方向に偏光するように構成することができ、またこの偏光方向を構造の異なる要素の異なる高さで特定の異なる方向又は同じ方向になるように構成することができるからである。0061図6は、図5の簡略化された平面図である。構造の基底の要素2、4、6、8が見えるように、レジストは図示していない。図中の矢印は、構造の各々の要素2、4、6、8の高さでの放射の偏光方向を示す。第1の要素2と第2の要素4の高さ実質的に同じ高さであるで、放射はこれらの要素2、4の長さに実質的に垂直にすなわち、この実施形態では上記要素間のギャップをまたいでX方向に偏光する。第3の要素6と第4の要素8の高さは、第1の要素2と第3の要素4の高さよりも低い。第3の要素6と第4の要素8の低い方の高さでの放射の偏光方向は、やはりこれら第3の要素と第4の要素6、8の長さに実質的に垂直の方向すなわち、この実施形態では、上記要素間のギャップをまたいでY方向である。したがって、第1及び第2の要素2、4の高さと第3及び第4の要素6、8のそれより低い高さとの間で偏光方向は90°回転している。これは、光学装置業界の当業者には明らかなように、例えば、放射ビームの2つの直交する成分の間に適当な位相差を導入することで確実にすることができる。0062図6では偏光方向が90°回転しているが、これは一例に過ぎない。別の例で偏光方向を異なる高さについて同じにし、又は異なる高さについて異なるがこれらの異なる高さで90°以外の角度に向けることができるように、偏光方向を任意の特定の高さで任意の特定の方向に制限することができる。0063上記のように、放射は、それぞれの要素の異なる高さでそれぞれの要素の長さに実質的に垂直の方向にすなわち、これらの要素の幅に平行に、又は言い換えればこれらの要素間の距離に平行に偏光するため、放射は、これらの要素の間の領域内に位置するレジスト内を通過しこれを照射することがより容易になる。図7は、照射されたレジストの後続の現像後に、要素間の領域からレジストが十分に除去されていることを示す。このような除去は、デバイスなどを形成するためのその構造の後続の処理例えば、インプラント工程中などにとって、及び/又はその構造から形成されるデバイスの動作によって有益である。0064上記の方法は、図1に関連して説明したリソグラフィ装置を用いて実行することができる。図1に関連して説明した楕円偏光装置又は偏光器を用いて、放射が、使用時に、基板上に投影された時に楕円偏光し、第1及び第2の要素の第1の高さ及び第2の高さで、楕円偏光放射がこれらの要素の第1及び第2の長さに実質的に垂直の第1の方向に偏光するように確実に構成されるようにすることができる。第3及び第4の要素が存在する場合、放射が、使用時に、第3及び第4の要素の第3及び第4の高さで、楕円偏光放射が第3及び第4の要素の第3及び第4の長さに実質的に垂直の方向に確実に偏光するように楕円偏光装置又は偏光器を構成することができる。0065楕円偏光装置又は偏光器は、通常、第1及び第2の要素実質的に同じであると第3及び第4の要素実質的に同じで第1及び第2の要素よりも高さが低いとの高さの差に関連する厚さを備えたλ/4デバイスであってもよく又はそれを含んでいてもよく、それによって、異なる高さで必要な方向に放射を所望のように確実に偏光させることができる。位相固定デバイス又は要素は、楕円偏光装置又は偏光器の一部を形成して放射の2つの直交成分の間の相対位相が偏光方向が基板上の異なる構造の異なる必要な高さで特定の所望の方向を確実に有するのに十分なようにすることができる。0066楕円偏光装置又は偏光器は、放射が所望の高さ例えば、上記の第1及び第2の要素の高さ、及び/又は第3及び第4の要素の高さで所望の偏光状態例えば、一定方向の直線偏光を確実に有するようにできるように1つ又は複数の交換可能な部品又は調整可能な部品を含んでいてもよい例えば、調整可能又は交換可能な偏光器などの調整可能な厚さを有する部品又は厚さが異なる部品と交換可能な部品を有していてもよい。楕円偏光装置又は偏光器は、異なる高さの要素を有する異なる構造に本発明の方法を適用できるように1つ又は複数の交換可能な部品又は調整可能な部品を含んでいてもよい例えば、調整可能又は交換可能な偏光器などの調整可能な厚さを有する部品又は厚さが異なる部品と交換可能な部品を有していてもよい。0067楕円偏光装置又は偏光器は、リソグラフィ装置の焦点領域、焦点面又は焦点に関して異なる偏光状態又は方向を移動できるように、リソグラフィ装置の光軸に沿って例えば、位置、又は延在、又はサイズなどに関して調整可能な1つ又は複数の要素を含んでいてもよい。楕円偏光装置又は偏光器は、基板平面画像平面とも呼ばれるの焦点較正センサに隣接する位置の又はその一部を形成する偏光センサを含み、又はそれと併用することができる例えば、それに関連して使用することができる。偏光センサを用いて楕円偏光装置又は偏光器にフィードバックを提供し、偏光状態及び焦点を互いに対して、又は互いに関して正確に構成する例えば、整列させることができる。0068上記実施形態では、これらの要素の長さに実質的に垂直の方向に偏光する放射について説明してきた。これは、代替的に又は追加的に、放射がこれらの要素の幅に実質的に平行な方向に、又はある要素の側壁から平行な要素の対向する側壁まで垂直に延在する距離に実質的に平行な方向に偏光すると説明してもよい。0069本発明の実施形態は、FinFETを形成するか又は将来形成する構造の、又はその構造の要素の照射に限定されない。上記の寸法を有する任意のレジストで覆われた構造の照射は本発明の範囲内に含まれる例えば、他のトランジスタの設計と意図されている。0070以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記説明は本発明を限定するものではなく、本発明は添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。"