ステムと、該ステム上に被着するキャップとからなる容器内部に、赤外線検知素子とIC素子を含む電子回路素子とを実装するとともに実装する一部の電子回路素子を内蔵した基板部を収納し、前記ステムの上面に設けた基板搭載部から前記基板部方向に突出させた端子ピンと前記基板部とを接合固定することで前記基板搭載部上方に前記基板部を固持させたものであって、前記基板部は下面を前記端子ピンの上端に当接して前記端子ピンに接合固定され、前記ステムは前記基板搭載部のみに絶縁層を形成していて、前記基板部は、金属箔により形成したシールド層を有する多層構造であることを特徴とする赤外線検出器。上述の特許文献1に開示されているような赤外線検出器の場合、焦電素子Xが赤外線を受けたときに赤外線エネルギが逃げないようにするために焦電素子Xの受光面を回路基板104より浮かす支持部105を設けているが、この支持部105が回路基板104とは別部品であるため、別途部品実装工程が必要となりコストアップの要因となっていた。また別部品として支持部105を設ける場合、取り付け誤差により支持部105の高さが変わり、焦電素子Xの熱絶縁の効果にばらつきが発生するなどの問題があった。また特許文献1の赤外線検出器の場合、図5bのような外付け回路部が必要で、そのため電子回路素子113を大きなプリント基板111に実装する構成であるため回路規模が非常に大きくなるという問題があり、昨今の小型化薄型化の要請には答えられないという問題があり、また回路部品が外付けになると電磁ノイズの影響を受けやすくなり、ノイズ環境が悪いところでは、誤動作の要因となっていた。これを防ぐために、外付け回路部に大きなシールド板を取り付けることが必要となるという問題もあった。一方特許文献2に開示されている赤外線検出器のように3次元回路ブロック200を用いたものは、特許文献1に開示されている赤外線検出器の問題点を或る程度解決できる。すなわち3次元回路ブロック200に直接焦電素子Xを浮かす凹部202を形成するためため、部品点数削減や低コスト化が可能となり、また電子回路素子201を金属製のキャップとステムからなる容器に内蔵するCANパッケージとすることで、小型化が可能となる上に、バンドパスアンプやウィンドコンパレータをIC化することで回路部を小型化することも可能である。また焦電素子Xとバンドパスアンプの入力部までの距離を短くすることができるため、プリント基板による外付け部品で増幅する方法より外来ノイズが入りにくくなり、ノイズに強い構成となる。更に焦電素子Xと回路部全体を金属製キャップとステムからなる容器内に内蔵してシールドすることにより、外来ノイズに非常に強い構成が実現できるという利点がある。しかしながら、この特許文献2に開示されている赤外検出器では、3次元回路ブロック200が縦長で起立して表立面と裏立面とを形成した回路部に電子部品やICを実装しているため、パッケージが縦長になるのは避けられない。そのため、この特許文献2に開示されている赤外線検出器を取り付ける機器の厚みに制限が発生し薄型化が困難になるなどの、更なる小型化、薄型化の要請には応えられなかった。本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、その目的とするところは薄型化と同時に部品削減が図れる赤外線検出器を提供することにある。本発明の赤外線検出器は、ステムと、該ステム上に被着するキャップとからなる容器内部に、赤外線検知素子とIC素子を含む電子回路素子とを実装するとともに実装する一部の電子回路素子を内蔵した基板部を収納し、前記ステムの上面に設けた基板搭載部から前記基板部方向に突出させた端子ピンと前記基板部とを接合固定することで前記基板搭載部上方に前記基板部を固持させたものであって、前記基板部は下面を前記端子ピンの上端に当接して前記端子ピンに接合固定され、前記ステムは前記基板搭載部のみに絶縁層を形成していて、前記基板部は、金属箔により形成したシールド層を有する多層構造であることを特徴とする。本発明は、形成精度の低いスペーサ等を用いる必要がなくなり、部品点数の削減と赤外線検出器全体の薄型化を同時に達成することができるという効果がある。また、焦電素子の下部層に、特定電位若しくはグランド電位をもつシールド層を設けることで、焦電素子とその下部の回路部との容量結合を遮断し、これにより非常に精度の高い測定が可能になる。以下本発明を実施形態により説明する。実施形態1本実施形態の赤外線検出器Aは、図1a、b及び図2a、bに示すように円盤状の金属製のステム1と、金属製のキャップ2とからなるCANパッケージ用の容器内に、赤外線検知素子である焦電素子Xと、IC素子16やチップ状電子部品17からなる電子回路素子とを実装するとともに例えばチップ状の電子部品17を内蔵した基板部3を収納して構成されたものである。尚焦電素子X以外の赤外線検知素子サーモパイルや、ボローメータを用いてもよい。ステム1は中央部を周辺部より一段上方へ突出させて基板搭載部1aを形成するとともにこの基板搭載部1aの周部には基板搭載部1aの面よりも低い環状のフランジ1bを形成している。キャップ2は下部が開口し、天井部の中央には光学フィルタ5を装着した矩形の赤外線通過窓4を開口しており、ステム1の基板搭載部1aの周辺のフランジ1b上にキャップ2の下端周縁に突出形成した鍔部2aを載せて抵抗溶接等によって接合することでキャップ2はステム1上に被着されて容器を形成するとともに、容器内を封止するとともに電磁シールドを行うようになっている。赤外線通過窓4に装着する光学フィルタ5は、特定の波長域の赤外線のみを通過させるもので、外乱光の影響を低減するためのもので、人体検知の場合、おおよそ4μm以上の波長の光を通し、それより低い赤外線をカットするようにコーティングを施したものを用いる。基板部3は、ガラスエポキシ等から形成された回路基板7と、この回路基板7上に配置形成される樹脂層体8と、この樹脂層体8上に配置されるガラスエポキシ等から形成された基板9と、この基板9上に配置形成される樹脂層体10とからなる多層構造の基板ユニットから構成され、樹脂層体10、8は基板7、9に一体的に積層されるように形成される。基板部3の上面となる樹脂層体10の上面中央部には凹部11を形成しており、この凹部11は焦電素子Xの検知部受光面を空中に浮かすことによって熱絶縁を図るためのもので、凹部11の両側の樹脂層体10の上面部位が焦電素子Xの両側を支える支持受け部を構成する。この支持受け部には焦電素子Xの両側の電極を接合するランド図示せずを設けている。このように基板部3の上面に設けた凹部11で焦電素子Xの検知部の熱絶縁を図ることで、非常に感度の高い測定を可能としている。基板9は、焦電素子Xの出力と後段のバンドパスアンプ図4参照との容量結合などによる発振現象を防ぐための金属箔例えば銅箔により形成したシールド層図示せずを上面又は下面若しくは両面に形成している。尚銅箔や金属板層のみでシールド層を形成しても勿論良い。また焦電素子Xの増幅部で余り大きく増幅しない場合は、容量結合などによる発振現象が起こりにくいため、シールド層を設けなくても良いため基板9を省略することができる。最下層となる回路基板7は図1に示すように下面側に増幅器図4参照やウィンドウコンパレータ図4参照を構成するIC素子16を実装し、上面には図2eに示すようにチップ状電子部品17を実装する面とし、夫々の面にはこれら電子回路素子を接続することで赤外線検出器として必要な回路部を構成するための回路パターン図示せずを形成している。そしてチップ状電子部品17をリフロー半田により回路パターンに接続実装し、IC素子16をフリップチップ或いはワイヤボンディングにより回路パターンに実装している。回路基板7の上部と基板9との間に配置形成される樹脂層体8は回路基板7の上面側に実装された電子部品17を内蔵する埋め込むことで多層基板ユニット構造である基板部3全体の薄型化を図っている。上述のように構成される回路基板7、樹脂層体8、基板9、樹脂層体10が積層されて多層の基板部3が構成されることになり、焦電素子Xの出力は基板部3の上面側から貫通させ、内面に導電メッキを施したスルーホール図示せずを介してIC素子16及び電子部品17から構成される回路部に電気的に接続され、また上述のシールド層が所定の電位部位例えばグランド電位に接続されることになる。ここで容器をキャップ2とで構成するステム1は金属製SPC、コバールなどであって、上述したように中央部に基板搭載部1aを形成するとともに、その周部にフランジ1bを形成し、基板搭載部1aの上面のみに所定の耐電圧規格によって設定された厚み例えば0.05mm程度の絶縁層6を形成している。尚絶縁層6は、Bステージ未架橋状態でフィルム状のエポキシ樹脂に対して予め端子ピン12の位置をくり抜き、この端子ピン12をくり抜いたフィルム状のエポキシ樹脂をステム1の基盤搭載部1a上面に治具によってスタンピングすることで形成している。そして基板搭載部1aには周方向に所定間隔を開けた位置で3本の端子ピン12を貫通保持しており、3本の端子ピン12の内グランド電位に接続する端子ピン12は基板搭載部1a及び絶縁層6に直接貫通するとともに、基板搭載部1aの下面側において半田13により貫通部位を封止する形でステム1に固定保持され、その他の端子ピン12は基板搭載部1aに貫通させた孔1cを埋める形で設けたガラス等の絶縁材14にインサートされることでステム1に固定保持されている。尚絶縁材14の上面に対応する絶縁層6の部位には絶縁材14の直径相当の孔6aを形成してある。而して赤外線検出器を組み立てるに当たっては、まず上述のように基板部3の下面に各端子ピン12に対応して設けたランド図示せずを端子ピン12の上端に当接し、各ランド12を対応する端子ピン12に対して銀ペースト若しくは半田などの導電材図示せずで接合固定することで、ステム1の基板搭載部1aの上方に配置固定するとともに回路基板7に形成した回路パターンと電気的に接続することで基板部3の回路から出力を端子ピン12を通じて容器外へ取り出すことができるようになる。ここで端子ピン12の上端で基板部3下面を固定保持するとともに、絶縁層6を基板搭載部1aの上面に形成していることで、スペーサを必要とせず、しかも端子ピン12の上端から絶縁層6の上面までの距離を、回路基板7の下面に実装するIC素子16の厚み寸法に対応させても絶縁層6によって所定の絶縁性能を確保することで、基板部3の上面の高さ位置を低くしてある。さて基板部3をステム1の基板搭載部1aの上方に配置固定した後、キャップ2の鍔部3aをステム1のフランジ1a上に載せて抵抗溶接等により接合して封止することで、ステム1とキャップ2とからなる気密構造の容器内に基板部3を収納した所望の赤外線検出器Aが完成することになる。このように完成された本実施形態の赤外線検出器Aは、薄型且つ小型で、信頼性の高いものとなる。更に基板9のシールド層により焦電素子Xの出力と増幅された後段出力の距離が近くなることに起因する容量結合の問題を解消できる。つまり焦電素子Xの下部層に、特定電位若しくはグランド電位をもつシールド層を設けることで、焦電素子Xとその下部の回路部との容量結合を遮断し、これにより非常に精度の高い測定が可能になる。尚焦電素子Xの受光面に対向するように別部品の集光用レンズを設ける場合、基板部3の上面側に実装される焦電素子Xと、集光用レンズとの間の位置精度を高くすることができ、感度などの検出性能を向上させることも可能となる。実施形態2上記実施形態1では端子ピン12の上端を基板部3の下面に接合させて基板部3を固定保持する構成であったが、本実施形態では、図3a、bに示すように基板部3を上下方向に貫通させた貫通孔18に端子ピン12を貫挿させてその端子ピン12の上端を基板部3の上面に設けた電極等の接続部19に半田付けや導電性接着剤で接合固定させるものであって、基板部3の下面側に実装するフリップチップ実装するIC素子16の平坦な面を基板搭載部1aの上面に絶縁性の接着剤20で接合固定することで、基板部3の下面とステム1の基板搭載部1aの上面との間の距離を確保し、スペーサを不要としている。而して本実施形態の赤外線検出器Aでは、スペーサが不要となる上にその分だけ高さ寸法を小さくすることが可能となって、部品点数の削減と全体構成の薄型化が図れる。また精度の低い別部品であるスペーサを用いないため回路ブロック3の上面側に実装される焦電素子Xと、別部品として設ける例えば集光用レンズとの間の位置精度が高くなって感度などの検出性能を向上させることも可能となる。尚上述以外の構成は実施形態と同じであるため、図3a、bにおいて、図1a、b及び図2a、bで示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。