基材層と、前記基材層の上に形成している接着剤層と、前記接着剤層に形成され、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に存在するスリットと、を有する半導体ウェハの保護シート。複数の前記スリットを並列に有している請求項1に記載の半導体ウェハの保護シート。円形の前記スリットが互いに同心となるように形成されている請求項2に記載の半導体ウェハの保護シート。前記スリットの内壁および底面に親水性の被膜が形成されている請求項2に記載の半導体ウェハの保護シート。前記被膜が酸化チタンによって形成されている請求項4に記載の半導体ウェハの保護シート平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に、らせん状に前記スリットが形成されている請求項2の半導体ウェハの保護シート。基材層の上に設けた接着剤層と、前記接着剤層に平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に設けたスリットと、前記基材層を含む半導体ウェハの保護シートを貼り付ける工程と、半導体ウェハの裏面を研削する工程と、を含む半導体装置の製造方法。半導体ウェハの表面は、電子回路が形成されているチップ領域と、チップ領域を分割するために導入されているスクライブ線を有している。なお、チップ領域とスクライブ線との間には、窪みが存在している。この段差が原因となり、半導体ウェハに保護シートを貼り付ける際、保護シートが半導体ウェハ表面から剥離してしまう可能性があった。半導体ウェハ表面と保護シートとの接合が十分でない場合、研削水が半導体ウェハ内部に浸入してくる。これによって、半導体チップが故障してしまう原因を引き起こす。したがって、半導体ウェハの保護シートを接合する面に段差があったとしても、剥離することなく接合する保護シートが必要である。本発明によれば、基材層と、上記基材層の上に形成している接着剤層と、上記接着剤層に形成され、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に存在するスリットと、を有する半導体ウェハの保護シートが提供される。また、この保護シートは、複数の上記スリットを並列に有している。または、円形の上記スリットが互いに同心となるように形成されていてもよい。さらに、上記スリットの内壁および底面に親水性の被膜が形成されていてもよく、上記複膜は酸化チタンによって形成されていることが好ましい。さらに、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に、らせん状に上記スリットが形成されていても良い。さらに、本発明では、基材層の上に設けた接着剤層と、上記接着剤層に平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に設けたスリットと、上記基材層を含む半導体ウェハの保護シートを貼り付けた半導体ウェハの裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、平面視において半導体ウェハの外周と重なる位置に複数のスリットが並列に形成している。また、スリットは接着剤層にのみ導入してある。このスリットによって、研削水を毛細管現象によりスリットに取り込むことができる。また、半導体ウェハにおけるチップとスクライブ線との間の段差を埋めることができる。このため、半導体ウェハと保護シートとの間の密着性も高めることができる。本発明によれば、半導体ウェハの保護シートを接合する面に段差が生じていても、剥離することなく接合する保護シートを提供できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、本実施形態に係る半導体ウェハの保護シートの側面図、図2は平面図である。図1に示すように半導体ウェハの保護シート100は、基材層110と、基材層110の上に形成している接着剤層120と、接着剤層120に形成された平面視において半導体ウェハ200の外周と重なる位置に存在するスリット130と、を有する。なお、図2に示すように保護シート100は、複数のスリット130を並列に有し、かつ円形のスリット130が互いに同心となるように形成されている。また、保護シート100におけるスリット130は、半導体ウェハ200において有効チップ210が位置している領域より外側と重なるようになっている。保護シート100に関して、より具体的に述べる。スリット130は、半導体ウェハとの密着性を高め、かつ半導体ウェハ内部への研削水の浸入を抑制するために導入されている。図3は、保護シートを貼付し、スクライブ線230を形成した後の半導体ウェハを示す平面図である。図3に示すように、半導体ウェハ200は有効チップ210、非成形チップ220、およびスクライブ線230によって形成されている。半導体ウェハにおいてチップ領域は、半導体ウェハ200は上に電子回路を搭載した領域であるため、チップ領域とスクライブ線230との間には段差が生じる。この段差は、スクライブ線230による窪みに起因している。なお、半導体ウェハ200表面に保護シート100を貼り付けた際、スリット130は主に非成形チップ220とスクライブ線230の末端と重なる位置に配置される。ただし、スリット130が有効チップ210と重なってしまう場合もある。次に図1に示した保護シート100を用いた半導体装置の製造方法における工程について説明する。ここで示す半導体ウェハの製造方法とは、基材層110の上に設けた接着剤層120と、接着剤層120に平面視において半導体ウェハ200の外周と重なる位置に設けたスリット130と、基材層110を含む半導体ウェハの保護シート100を貼り付ける工程と、半導体ウェハ200の裏面を研削する工程と、を含む。なお上記の工程をより具体的に述べると、半導体ウェハ200の裏面に保護シート100を貼り付け、半導体ウェハ200の裏面を研削する。その後、ダイシングを行うことにより、個々の半導体チップに分割する。図4は、半導体ウェハの裏面研削を説明するための図である。図4に示す半導体ウェハ裏面研削装置を用いて、半導体ウェハ200の裏面を研削する。半導体ウェハ裏面研削装置は、スピンドル400、マウンタ410、研削ホイール420、研削ブレード430、枠体440、ポーラスセラミック450、および吸引ライン460から成る。この半導体ウェハ裏面研削装置における研削ブレード430と枠体440との間に、保護シート100を貼り付けた半導体ウェハ200をセットする。このとき半導体ウェハ200の裏面が研削ブレード430側になるようセットする。吸引ライン460によりポーラスセラミック450に固定された半導体ウェハ200は、スピンドル400を回転させることによって裏面が研削される。これによって、半導体ウェハ200の裏面におけるスクライブ線230まで研削することで、個々の半導体チップを半導体ウェハ200から分割する。また、半導体ウェハ200の裏面を研削する際、研削ブレード430と半導体ウェハ200の裏面との間に研削水や研削屑が生じる。図5は、研削水の取り込みを説明するための保護シート100を貼付した半導体ウェハ200を示す図である。図5に示すように、半導体ウェハ200に貼り付けた保護シート100は裏面研削において生じた研削水を取り込むことができる。これは、窪みを生じているスクライブ線230と非成形チップ220上にスリット130を配置したことによって、研削水がスリット130に取り込まれている。次に、本実施の形態の効果について説明する。保護シート100は基材層110、接着剤層120、および接着剤層120中にスリット130を有している。スリット130は、半導体ウェハにおける非成形チップ220から外周と重なる位置に配置されている。このスリット130が存在することによって、窪み上に接合したとしても剥離することなく接合できる。これは、スリット130は、自由度が高いため、スクライブ線230とチップ領域との間に存在する段差内部まで入り込めるためである。また、スリット130は、研削水をスクライブ線230に沿って半導体ウェハ200内部に侵入させることなく回収できる。これは、スクライブ線230と比べスリット130の幅が狭いため、スリット130において毛細管現象が生じる。このため、研削水はスリット130方向へ流れ込むことができる。第2の実施形態図6は、本実施形態に係る半導体ウェハの保護シートの側面図である。図6に示すように、本実施形態ではスリット130の内壁および底面に被膜140が形成されている。被膜140としては、例えば酸化チタンが挙げられる。本実施形態においても半導体ウェハの製造方法は第1の実施形態と同じである。また、第1の実施形態と同様の効果が得られる。第3の実施形態図7は、本実施形態に係わる半導体ウェハの保護シートの平面図である。図7に示すように、本実施形態ではスリット130がらせん状にスリット130が形成されている。本実施形態においても半導体ウェハの製造方法は第1の実施形態と同じである。また、第1の実施形態と同様の効果が得られる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。