"圧電薄膜を支持基板で支持する複合圧電基板の製造方法であって、圧電基板にイオン化した元素を注入して、前記圧電基板の中に前記元素の濃度がピークになる部分を形成するイオン注入工程と、前記圧電基板のイオン注入側の面に、前記圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、前記圧電基板との界面に作用する熱応力が前記支持基板と前記圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する仮支持工程と、前記仮支持基板を形成した前記圧電基板を加熱し、前記圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として前記圧電基板から前記圧電薄膜を分離する加熱工程と、前記圧電基板から分離した前記圧電薄膜に前記支持基板を形成する支持工程と、を実施する複合圧電基板の製造方法。前記支持工程は、前記支持基板を、前記圧電薄膜における前記圧電基板からの分離面に形成する工程であり、前記支持工程の後で、前記圧電薄膜のイオン注入側の面に形成した前記仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程と、前記仮支持基板を除去したイオン注入側の面に圧電デバイスの機能電極を形成する電極形成工程とを実施する、請求項1に記載の複合圧電基板の製造方法。前記仮支持基板は被エッチング層を備え、前記仮支持基板除去工程は、前記被エッチング層をエッチングすることで前記仮支持基板を除去する、請求項1ないし2に記載の複合圧電基板の製造方法。前記加熱工程は、加熱により前記圧電基板から前記圧電薄膜を分離した後で、当該圧電薄膜を分離するための加熱温度よりも高温に前記圧電薄膜を加熱するアニール工程を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の複合圧電基板の製造方法。前記支持基板は、前記圧電薄膜に積層される誘電体膜を備える、請求項1~4のいずれか1項に記載の複合圧電基板の製造方法。前記電極形成工程は、圧電デバイスの機能電極として前記圧電薄膜にIDT電極を形成する、請求項2~5のいずれか1項に記載の複合圧電基板の製造方法。前記支持基板は、犠牲層領域および支持層領域からなり圧電薄膜に形成されるメンブレン層と、前記メンブレン層に形成される支持基板とを備え、前記支持工程の後で、前記犠牲層領域を除去して空洞部を形成する工程を実施する、請求項1~6のいずれか1項に記載の複合圧電基板の製造方法。圧電基板に注入されたイオン化した元素の濃度がピークになる部分を分離面として前記圧電基板から分離されることにより形成された圧電薄膜と、前記圧電薄膜の前記分離面に形成された支持基板と、前記圧電薄膜のイオン注入側の面に形成された機能電極と、を備える、圧電デバイス。前記機能電極がIDT電極である、請求項8に記載の圧電デバイス。前記支持基板と前記圧電薄膜との間に、前記圧電薄膜を前記支持基板に支持させる支持層領域と、犠牲層領域が除去されてなる空洞部と、を設けた構成である、請求項8または9に記載の圧電デバイス。イオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による複合圧電基板の製造方法では、支持基板に接合した状態の圧電薄膜圧電基板は上述のように分離温度やアニール温度に加熱される。その加熱の際、支持基板と圧電薄膜との界面に作用する熱応力が大きければ、圧電薄膜の剥がれや割れが発生して問題になることがある。このような圧電薄膜の不具合は、大きな基板サイズで複合圧電基板を製造する場合に特に生じ易く、大きい基板サイズの複合圧電基板を工業的に安定して製造することが困難な要因となっている。このため、支持基板は、熱処理で発生する熱応力が小さい構成材料で構成する必要があり、構成材料の線膨張係数に関する制約条件が厳しかった。支持基板の特性に応じて圧電デバイスでは様々なメリットが得られるため、支持基板の構成材料は選択性が高いことが望まれる。例えばフィルタ用途のデバイスでは、支持基板の線膨張係数を小さくすることでフィルタの温度-周波数特性を向上させられるが、線膨張係数に関する制約から線膨張係数が圧電薄膜よりも大幅に小さい構成材料を選定することはできない。また、支持基板の熱伝導性を高めて放熱性および耐電力性を改善し、支持基板の構成材料を安価なものにしてデバイス製造コストを低減することが望まれるが、そのような構成材料が、線膨張係数に関する制約条件を満足するものであるとは限らない。また、支持基板の構成材料が加工性の高いもの例えばシリコンなどであれば、支持基板の構造を複雑化することができ、MEMSやジャイロなど多様なデバイスにイオン注入層を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を展開することが可能になる。しかし、この加工性の高い支持基板の材料では、線膨張係数に関する制約条件を満足することは難しかった。このように、支持基板として選定しうる構成材料には大幅な制限があった。また、特許文献1では、イオン注入層から形成された分離面に電極を形成して弾性表面波デバイスを形成しているが、この場合、圧電性回復処理を施したとしても、一定程度のイオンの残留があるため、分離面の近傍領域では圧電性の劣化の程度が大きい、という問題もあった。本発明の目的は、支持基板の構成材料の選択性を高められる圧電デバイスの製造方法、および、より良好な特性が得られる圧電デバイスを提供することにある。この発明は、圧電薄膜を支持基板で支持する複合圧電基板の製造方法であって、圧電基板にイオン化した元素を注入して、圧電基板の中に元素の濃度がピークになる部分を形成するイオン注入工程と、圧電基板のイオン注入側の面に、圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、圧電基板との界面に作用する熱応力が支持基板と圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する仮支持工程と、仮支持基板を形成した圧電基板を加熱し、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離する加熱工程と、圧電基板から分離した圧電薄膜に支持基板を形成する支持工程と、を実施する。この製造方法では、圧電薄膜を支持基板で支持してなる複合圧電基板が、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を用いて製造できる。仮支持基板は、圧電薄膜との界面に作用する熱応力がほとんど存在しない、あるいは、圧電薄膜との界面に作用する熱応力が支持基板と圧電薄膜との界面に作用する熱応力よりも小さいものであり、この仮支持基板を圧電基板のイオン注入側の面に形成して加熱工程を実施するため、同工程における圧電薄膜と仮支持基板との界面に作用する熱応力を低減できる。なお、所定界面に作用する熱応力は、当該界面における拘束が無いと仮定した状態での当該界面両側近傍領域の線膨張の差に応じて定まる。支持基板自体は、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分での分離や圧電性回復のための加熱工程の後で圧電薄膜に形成するので、支持基板の構成材料として任意の線膨張係数のものを選定できる。この発明の支持工程は、支持基板を、圧電薄膜における圧電基板からの分離面に形成する工程であり、支持工程の後で、圧電薄膜のイオン注入側の面に形成した仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程と、そのイオン注入側の面に圧電デバイスの機能電極を形成する電極形成工程とを実施すると好適である。この製造方法では圧電薄膜の表裏が従来の製造方法とは逆を向き、圧電薄膜の分離面が支持基板側を、圧電薄膜のイオン注入側の面が支持基板とは逆側を向くことになる。また、圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜では、注入イオンの残留密度が小さいほど局所的な圧電性の劣化が少ない傾向があって、圧電基板における注入された元素の濃度がピークになる部分であった分離面近傍よりもイオン注入側の面近傍のほうが、圧電性の劣化が少ない。このように、本発明では圧電性の劣化が少ないイオン注入面に機能電極を形成することで、従来よりも良好なデバイス特性の圧電デバイスを製造することが可能になる。この発明の仮支持基板は被エッチング層を備え、仮支持基板除去工程は、被エッチング層をエッチングすることで仮支持基板を除去すると好適である。エッチングにより仮支持基板の分離を行うことで、圧電薄膜に不要な応力や衝撃を与えることなく仮支持基板を除去でき、圧電薄膜における不具合の発生をさらに抑止できる。これにより、デバイス特性を安定させて圧電デバイスを製造することが可能になる。また、被エッチング層を除去した後の仮支持基板本体の再利用が可能になり、コスト面でも有利である。この発明の加熱工程は、所定温度への加熱により圧電基板から圧電薄膜を分離した後で、その所定温度よりも高温に圧電薄膜を加熱する工程であると好適である。圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として分離した圧電薄膜は、高温で熱処理を行った場合、結晶格子間に残留する残留イオンが抜けること、イオン注入時に生じた結晶格子歪が小さくなって結晶性が回復すること、により圧電性が回復する。これにより、高温での熱処理アニール処理を施す場合、良好なデバイス特性で圧電デバイスを製造することが可能になる。この発明の支持基板は、圧電薄膜に積層される誘電体膜を備えると好適である。例えば、フィルタなどでは伝搬する波の伝搬速度をコントロールしたり信頼性を向上させたりすることなどを目的に、圧電薄膜に誘電体膜を積層する場合がある。そのような構成の場合、誘電体膜としてその目的に応じた適切な誘電率の構成材料を選定する必要があるが、従来は、熱応力の制約からやはり誘電体膜として選定しうる構成材料には大幅な制限があった。本発明によれば誘電体膜を備える支持基板を加熱工程の後で圧電薄膜に形成するので、圧電薄膜と誘電体膜との界面に作用する熱応力を考慮する必要がなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。この発明の電極形成工程は、圧電デバイスの機能電極として圧電薄膜にIDT電極を形成すると好適である。これにより、複合圧電基板を表面波デバイスや境界波デバイスとして利用することができる。この発明の支持基板は、犠牲層領域および支持層領域からなり圧電薄膜に積層されるメンブレン層を備え、支持工程の後で犠牲層領域を除去して空洞部を形成する工程を実施すると好適である。圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜では、イオン注入側の面近傍ほど、注入イオンの衝突エネルギーが大きく結晶格子の格子間隔が伸びる傾向にあり、分離面側が凹、イオン注入面側が凸となるような応力が圧電薄膜に残留する。従来は、圧電薄膜のイオン注入側の面がメンブレン構造の空洞部に露出する構造であったため、空洞部側に圧電薄膜が凸となり、スティッキング現象空洞部が潰れる現象が生じ易かった。本発明によれば前述のように圧電薄膜の表裏が従来とは逆になるので、メンブレン構造の空洞部とは逆側に圧電薄膜が凸となりスティッキング現象が生じ難くなる。したがって、特性の安定した圧電デバイスを製造することが可能になる。この発明の圧電デバイスは、圧電基板に注入されるイオン化した元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から分離された圧電薄膜と、圧電薄膜の分離面に形成された支持基板と、圧電薄膜のイオン注入側の面に形成された機能電極と、を備える。また、この発明の圧電デバイスは、機能電極がIDT電極であると好適である。また、この発明の圧電デバイスは、支持基板と圧電薄膜との間に、圧電薄膜を支持基板に支持させる支持層領域と、犠牲層領域が除去されてなる空洞部とを設けた構成であると、好適である。この発明によれば、加熱工程では、圧電基板との界面に作用する熱応力がほとんど存在しない、あるいは、圧電基板との界面に作用する熱応力が支持基板と圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい仮支持基板を、圧電基板のイオン注入側の面に形成しておくので、同工程での加熱による圧電薄膜の不具合の発生を従来よりも抑止できる。また、この発明による複合圧電基板が、圧電単結晶材料による場合は、より不具合を抑制して製造できる。支持基板自体は加熱工程の後で圧電薄膜に形成するので、加熱工程で圧電薄膜との界面に作用する熱応力を考慮する必要がなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。したがって、圧電薄膜の構成材料と支持基板の構成材料との組み合わせの選択性を高められる。例えば、フィルタ用途のデバイスでは、支持基板の構成材料の線膨張係数を圧電薄膜の線膨張係数よりも大幅に小さくすることで、フィルタの温度-周波数特性を向上させることが可能になる。また、支持基板に熱伝導率性が高い構成材料を選定して放熱性および耐電力性を向上させることが可能になり、安価な構成材料を選定してデバイスの製造コストを低廉にすることが可能になる。また、例えばシリコンなどの加工性の高い構成材料を選定して、支持基板の構造を複雑化することが可能になり、MEMSやジャイロなど多様なデバイスに圧電基板に注入された元素の濃度がピークになる部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法を展開することができる。また、圧電性の劣化がより小さい、圧電薄膜のイオン注入側の面に電極が形成されているため、良好な特性の圧電デバイスを得ることができる。《第1の実施形態》本発明の第1の実施形態に係る複合圧電基板を備える弾性表面波デバイスの製造方法を、図1~4を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図2,図3は図1のフローチャートで示される製造過程での模式構成を示す断面図である。まず、圧電体の単結晶基板である圧電基板1を用意し、イオン注入工程を行う図1,図2:S101。イオン注入工程では、圧電基板1の平坦な一方主面からイオンを注入し、この一方主面イオン注入側の面近傍の内部にイオン注入部分2を形成する。ここでは圧電基板1として、LTLiTaO3単結晶基板を用いる。なお、圧電基板1は、イオン注入部分2での後述する熱による分離が可能で、圧電性を有する材質であればどのようなものであってもよく、LTの他、LNLiNbO3、LBOLi2B4O7、ランガサイトLa3Ga5SiO14、KNKNbO3、KLNK3Li2Nb5O15等を用いることができる。ここでは、加速エネルギー150KeV、ドーズ量1.0×1017atom/cm2の条件で、水素イオンを圧電基板1に注入する。これにより、圧電基板1ではイオン注入側の面から深さ約1μmの領域に水素イオンの分布が集中し、その領域がイオン注入部分2となる。このイオン注入部分2は、圧電基板に注入されたイオン元素の濃度がピークになる部分である。なお、注入するイオンは圧電基板1の材質に合わせて選定するとよく、ヘリウムイオンやアルゴンイオンなどを用いることができる。また、イオン注入の条件も、圧電基板1の材質および圧電薄膜の厚みに応じて適宜設定するとよく、例えば加速エネルギーが75KeVであれば、深さ約0.5μmの領域がイオン注入部分2となる。次に、圧電基板1のイオン注入面に被エッチング層3を積層形成する被エッチング層形成工程を行う図1,図2:S102。被エッチング層3は、後の仮支持基板除去工程において、圧電薄膜や支持基板に対して選択性を確保してエッチングできる構成材料を採用するとよく、ZnO、SiO2、AlNなどの無機材料やCu、Al、Tiなどの金属材料、ポリイミド系などの有機材料、あるいはそれらの多層膜などを用いることができる。なお、被エッチング層は設けられずともよい。次に、圧電基板1に積層した被エッチング層3に仮基板4を貼り合わせる仮支持工程を行う図1,図2:S103。ここで、仮基板4は被エッチング層3とともに仮支持基板を構成する。被エッチング層3と仮基板4とからなる仮支持基板は、圧電基板1との界面に作用する熱応力が後述する支持基板よりも小さく、好ましくは、問題とならない程度に十分小さくすることが可能な構成材料を選定する。ここでは仮基板4の構成材料として圧電基板1と同種のLT基板を採用し、被エッチング層3の構成材料としてCu膜およびSiO2膜をそれぞれスパッタ成膜により積層したものを採用する。したがって仮基板4単体の線膨張係数と圧電基板1単体の線膨張係数は等しく、これにより、被エッチング層3と仮基板4とからなる複合材である仮支持基板と圧電基板1圧電薄膜11との界面に作用する熱応力を、問題とならない程度に十分小さくすることができる。なお、被エッチング層3の線膨張係数はLT基板の線膨張係数と相違するが、上記Cu膜のような延性が高い構成材料金属材料などを圧電基板1に直接積層するとともに、被エッチング層3の厚みを必要十分な程度に薄く圧電基板や仮基板の1/10以下しておくことにより、圧電基板1圧電薄膜11との界面における熱応力を低減することができる。次に、被エッチング層3および仮基板4が配設された圧電基板1を加熱する加熱工程を行う図1,図2:S104。これにより、圧電基板1の内部のイオン注入部分2を分離面として圧電基板1から圧電薄膜を分離し、仮基板4および被エッチング層3が形成された圧電薄膜11からなる複合圧電基板を形成する。ここでは、圧電薄膜11を分離するのと同時にその圧電性を回復するために、圧電基板1から圧電薄膜11を加熱分離するために必要な分離温度具体的には400°C程度よりも高温のアニール温度で長時間具体的には500°C、3時間の熱処理を行う。これにより、昇温過程でイオン注入部分2を分離面として圧電薄膜11が分離され、その後、結晶格子間に残留する水素イオンが抜けるとともに、イオン注入時に生じた結晶格子歪が小さくなって、結晶性が回復し、その結果圧電性が回復する。次に、圧電薄膜11の分離面を平坦化し、誘電体膜12を形成する平坦化誘電体膜形成工程を行う図1,図2:S105。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよいが、誘電体膜12は本発明に必須の構成ではなく設けなくてもよい。ここでは、圧電薄膜11の分離面をCMP処理等により研磨し表面粗さRaを1nm以下にする。また誘電体膜12として例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、金属酸化物、金属窒化物、ダイヤモンドライクカーボンなどを成膜する。これにより、弾性表面波デバイスにおける弾性表面波の伝搬速度を誘電体膜12の誘電率に応じてコントロールすることが可能になり、所望のデバイス特性を容易に実現できるようになる。なお、誘電体膜12としては、適切な誘電率であることは当然として、熱伝導性が大きく線膨張係数が小さい材質を用いると好適である。そのため、例えば線膨張係数の小さい層と熱伝導率の大きい層との二層構造のように、複数の層によって誘電体膜12を構成してもよい。熱伝導性が大きければ、弾性表面波デバイスの放熱性と耐電力性を改善でき、線膨張係数が小さければ、弾性表面波デバイスの温度-周波数特性を改善できる。次に、圧電薄膜11に積層した誘電体膜12にベース基板13を貼り合わせる支持工程を行う図1,図2:S106。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。ベース基板13は誘電体膜12とともに支持基板を構成する。誘電体膜12とベース基板13とからなる支持基板は、前述の仮支持基板のように加熱工程における圧電基板圧電薄膜との界面に作用する熱応力を考慮する必要が無く、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。そのため、誘電体膜12やベース基板13として、単体での線膨張係数が圧電薄膜11に比べて著しく小さな構成材料を採用することも可能になり、弾性表面波デバイスの温度―周波数特性を大幅に改善できる。また、誘電体膜12やベース基板13として熱伝導性の良い構成材料を採用することで、弾性表面波デバイスの放熱性、耐電力性を良化できる。さらに、誘電体膜12やベース基板13として安価な構成材料、形成方法を採用することで、弾性表面波デバイスの製造コストを低廉にできる。次に、被エッチング層3および仮基板4からなる仮支持基板を除去する仮支持基板除去工程を行う図1,図3:S107。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。ここでは、被エッチング層3および仮基板4からなる仮支持基板を除去するために、被エッチング層3をウエットエッチング、あるいはドライエッチングする。一般的には、被エッチング層3が無機系材料、金属系材料であればウエットエッチングを用い、有機系材料であればドライエッチングを用いる。これにより、圧電薄膜11に不要な応力や衝撃を与えることなく被エッチング層3および仮基板4を除去でき、圧電薄膜11における不具合の発生を抑止できる。なお、被エッチング層3から分離した仮基板4は、その後の弾性表面波デバイスの製造で再利用すると好適である。次に、圧電薄膜11上に、IDT電極14、引き回し配線16などを形成し、IDT電極保護膜15としてSiO2膜を形成する電極形成保護膜形成工程を行う図1,図3:S108。IDT電極14は、2つの櫛歯状電極を互い違いに配置した構成のものであり、デバイスの仕様に応じて、Al、W、Mo、Ta、Hf、Cu、Pt、Ti、Au等を単体もしくは複数積層して用いる。また、これらの合金でもよい。引き回し配線16はAl、Cu等を用いる。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。次に、外部端子となるバンプ17およびハンダボール18を形成し、圧電薄膜11、誘電体膜12、およびベース基板13からなる複合圧電基板をダイシングし、複数の弾性表面波デバイス10を形成する外部端子形成デバイスカット工程を行う図1,図3:S109。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。以上の各工程により弾性表面波デバイス10を製造することで、イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による極薄の圧電薄膜11を、誘電体膜12およびベース基板13からなる支持基板に形成した複合圧電基板を形成できる。加熱工程における熱応力を抑制することができる仮支持基板を用いて弾性表面波デバイス10を製造することで、熱応力に基づく圧電薄膜11の不具合の発生を従来よりも抑止できる。誘電体膜12およびベース基板13は加熱工程の後で圧電薄膜11に形成するので、加熱工程における熱応力を考慮することなく構成材料を選定できる。また、イオン注入部分で分離して単結晶基板から切り出された単結晶膜の圧電薄膜は、成膜等で形成された圧電薄膜と比べて劈開による圧電膜の破壊が起こり易く、これまでは圧電性回復のための熱処理時に線膨張係数差によって生じる応力に対して格段の配慮が必要であった。しかし本発明であれば、線膨張係数差による応力を抑制でき、容易に単結晶の圧電薄膜を得ることができる。また、誘電体膜12およびベース基板13からなる支持基板は、圧電薄膜11における圧電基板1からの分離面に積層することになる。このため、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜11の分離面側とイオン注入側が逆向きの弾性表面波デバイス10が得られる。ここで、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜11の分離面側とイオン注入側が逆向きの弾性表面波デバイス10の構造に基づく本発明の作用効果の一例を、図4を参照して説明する。図4Aは、従来方法で製造する弾性表面波デバイスの模式図、図4Bは、本発明で製造する弾性表面波デバイスの模式図である。いずれの場合も、イオン注入工程で圧電基板1にイオン注入面Aからイオンを注入することでイオン注入部分2を形成し、イオン注入部分2を分離面Bとして圧電基板1から圧電薄膜11を分離する。従来方法では、イオン注入側の面Aに支持基板を形成することになり、圧電薄膜11の分離面Bにデバイスの機能電極を形成することになる。一方、本発明では、イオン注入側の面Aに仮支持基板を形成した後、分離面Bに支持基板を形成し、仮支持基板を除去した後のイオン注入側の面Aにデバイスの機能電極を形成することになる。イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜11では、加熱工程で結晶性や圧電性を回復していても一定程度の水素イオンの残留がある。そして、水素イオンの残留密度は圧電基板1におけるイオン注入部分2となる領域、即ち圧電薄膜11における分離面Bの近傍領域で大きく、イオン注入側の面Aの近傍領域で小さい。水素イオンの残留密度が小さい領域ほど局所的な圧電性の劣化が少ない傾向があるため、分離面Bの近傍領域では圧電性の劣化の程度が大きく、イオン注入側の面A近傍では圧電性の劣化の程度が小さい。したがって、本発明で製造する弾性表面波デバイスでは、圧電性の劣化が少ないイオン注入側の面Aに機能電極を形成することで、従来方法で製造する弾性表面波デバイスよりも良好なデバイス特性が得られる。なお、この第1の実施形態では弾性表面波デバイスの製造方法を示したが、弾性境界波デバイスも同様の工程にて作製できる。《第2の実施形態》次に、本発明の第2の実施形態に係る複合圧電基板を備えるバルク波デバイスの製造方法を、図5~図8を参照して説明する。図5は、本実施形態に係るバルク波デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図6,図7は図5のフローチャートで示される製造過程での模式構成を示す断面図である。第1の実施形態と同様に、まず、イオン注入工程を行う図5:S201。次に、被エッチング層形成工程を行う図5:S202。次に、仮支持工程を行う図5:S203。次に、加熱工程を行う図5,図6:S204。これにより、1μm程度の厚みの圧電薄膜31のイオン注入側の面に、被エッチング層23および仮基板24からなる仮支持基板を配設する。なお、第1の実施形態と同じく、被エッチング層は設けられずともよい。次に、圧電薄膜31の分離面を平坦化し、バルク波デバイスを駆動させるための下部側電極34下部駆動電極および下部引き回し配線を形成する図5,図6:S205。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。なお、下部駆動電極の電極材料は、バルク波デバイスの要求する物性値に応じたどのような材料でもよく、WやMoやTaやHfなどの高融点金属材料、CuやAlなどの低抵抗金属、Ptなどの熱拡散を起こしにくい金属材料、Ti、Niといった圧電材料との密着性の高い金属材料、もしくは、それらを含む多層構造膜を採用することができる。また、電極形成方法は、電極材料の種類や所望の物性値に応じた、どのような方法でもよく、EB蒸着、スパッタリング、CVDなどを採用することができる。下部引き回し配線の電極材としては、CuやAlなどを用いることができる。次に、メンブレン構造の犠牲層領域32Aを形成する図5,図6:S206。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。次に、メンブレン構造の支持層領域32Bを形成する図5,図6:S207。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。なお、支持層領域32Bの表面はポリッシングを行って平坦化する。メンブレン構造の犠牲層領域32Aと支持層領域32Bとがメンブレン層を構成する。犠牲層領域32Aの材料は、後の犠牲層除去時に下部側電極34とのエッチング選択性を得られるようなエッチングガスあるいはエッチング液を選択可能な材料を選ぶとよい。NiCuAlなどの金属や、SiO2ZnOPSGフォスフォシリケートグラスなどの絶縁膜や、有機膜などが、犠牲層材料として用いることができる。次に、犠牲層領域32Aと支持層領域32Bとからなるメンブレン層にベース基板33を接合する図5,図6:S208。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。ベース基板33はメンブレン層とともに支持基板を構成する。この支持基板ベース基板33、犠牲層領域32A、および支持層領域32Bは、圧電基板圧電薄膜31との界面に作用する熱応力を考慮することなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。次に、被エッチング層23をエッチングして、被エッチング層23および仮基板24からなる仮支持基板を除去する図5,図7:S209。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。次に、圧電薄膜31のイオン注入面にバルク波デバイスを駆動させるための上部側電極35上部駆動電極および上部引き回し配線を形成する図5,図7:S210。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。この際、圧電薄膜31に複数の窓36を開ける加工を行い、犠牲層を除去するためのエッチャント導入孔と、下部電極配線の取り出し孔とを設ける。下部電極配線の取り出し孔には、ビア電極およびパッド電極を形成する。窓開け加工は、フォトリソグラフィー技術を用いてレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとしたドライエッチングにより行う。上部電極材料も、下部電極材料と同様に、バルク波デバイスの要求する物性値に応じた材料を適宜用いればよい。次に、犠牲層領域32Aに連通する窓36から、犠牲層領域32Aにエッチャントを導入し、犠牲層領域32Aの構成材料を除去し、メンブレン構造の空洞部38を形成する図5,図7:S211。犠牲層領域32Aの構成材料に応じてウエットエッチング、もしくはドライエッチングを選択する。ウエットエッチング液およびエッチングガスは、圧電薄膜31や電極34,35に対して影響を与えないものを選択するとよい。次に、バンプおよびハンダボールからなる外部端子39を形成し、圧電薄膜31、支持層領域32B、およびベース基板33からなる複合圧電基板をダイシングし、複数のバルク波デバイス30を形成する図5,図7:S212。以上の各工程によりバルク波デバイス30を製造することで、イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による極薄の圧電薄膜31を、支持層領域32Bおよびベース基板33からなる支持基板に形成した複合圧電基板を形成できる。加熱工程における熱応力を抑制することができる仮支持基板を用いてバルク波デバイス30を製造することで、熱応力に基づく圧電薄膜31の不具合の発生を従来よりも抑止できる。犠牲層領域32A、支持層領域32Bおよびベース基板33は加熱工程の後で圧電薄膜31に形成するので、加熱工程における熱応力を考慮することなく構成材料を選定できる。また、支持層領域32Bおよびベース基板33からなる支持基板は、圧電薄膜31における圧電基板21からの分離面に積層することになる。このため、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜31の分離面側とイオン注入側が逆向きのバルク波デバイス30が得られる。ここで、従来方法で製造する場合とは圧電薄膜31の分離面側とイオン注入側が逆向きのバルク波デバイス30の構造に基づく本発明の作用効果の一例を、図8を参照して説明する。図8Aは、従来方法で製造するバルク波デバイスの模式図、図8Bは、本発明で製造するバルク波デバイスの模式図である。いずれの場合も、イオン注入工程で圧電基板21にイオン注入側の面Aからイオンを注入することでイオン注入部分22を形成し、イオン注入部分22を分離面Bとして圧電基板21から圧電薄膜31を分離する。従来方法では、イオン注入側の面Aにメンブレン層を形成して、メンブレン構造の空洞部38を構成することになる。一方、本発明ではイオン注入側の面Aに仮支持基板を形成した後、分離面Bにメンブレン層を形成して、メンブレン構造の空洞部38を構成することになる。イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法により形成した圧電薄膜31では、イオン注入側の面Aの近傍ほど、水素イオンの衝突エネルギーが大きく、結晶格子の格子間隔が広がっている。このため、分離面側が凹、イオン注入面側が凸となるような応力が圧電薄膜に残留する。したがって、本発明で製造するバルク波デバイスでは、凸になるイオン注入面側がメンブレン構造の空洞部とは逆側を向き、従来方法で製造するバルク波デバイスよりも、空洞部が潰れるスティッキング現象が生じ難く、信頼性が高い構造が得られる。なお、この第2の実施形態における製造方法は、その他のメンブレン構造を有するデバイス、例えば、FBARデバイスや板波デバイス、ラム波デバイスに適用できる。《第3の実施形態》次に、本発明の第3の実施形態に係る複合圧電基板を備えるジャイロデバイスの製造方法を、図9~図11を参照して説明する。なお、ジャイロデバイスは、圧電振動子でシリコン振動板を屈曲振動させ、回転によってシリコン振動板に作用するコリオリの力を圧電振動子により検出する構成である。ここでは、ジャイロデバイスにおける圧電薄膜と駆動電極とからなる圧電振動子と、圧電振動子が形成されるシリコン振動板とからなる音叉型のジャイロデバイスの製造方法を例に説明する。図9は、本実施形態に係るジャイロデバイスの製造方法の一部を示すフローチャートである。図10,図11は図9のフローチャートで示される製造過程での模式構成を示す断面図である。第1第2の実施形態と同様に、まず、イオン注入工程を行う図9:S301。次に、被エッチング層形成工程を行う図9:S302。次に、仮支持工程を行う図9:S303。次に、加熱工程を行う図9,図10:S304。これにより、1μm程度の厚みの圧電薄膜51のイオン注入面に、被エッチング層43および仮基板44からなる仮支持基板を配設する。なお、被エッチング層は設けられずともよい。次に、圧電薄膜51の分離面を平坦化し、後述する振動子50Aを駆動させるための下部側電極54を形成し、下部側電極54に対して絶縁層56を積層形成する図9,図10:S305。絶縁層56は、後述する振動子50Aとシリコン振動板50Bとの接合層となる。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。なお、下部側電極54の電極材料は、ジャイロデバイスの要求する物性値に応じたどのような材料でもよく、WやMoやTaやHfなどの高融点金属材料、CuやAlなどの低抵抗金属、Ptなどの熱拡散を起こしにくい金属材料、Ti、Niといった圧電材料との密着性の高い金属材料、もしくは、それらを含む多層構造膜を採用することができる。また絶縁層56は、酸化シリコンや窒化シリコンなどを用いることができる。次に、絶縁層56に対してシリコン振動板50Bを貼り合わせる図9,図10:S306。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。シリコン振動板50Bは下部側電極54および絶縁層56とともに支持基板を構成する。この支持基板下部側電極54、絶縁層56、およびシリコン振動板50Bは、圧電基板圧電薄膜との界面に作用する熱応力を考慮することなく、任意の線膨張係数の構成材料を選定できる。次に、被エッチング層43を除去し、被エッチング層43および仮基板44からなる仮支持基板を除去する図9,図10:S307。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。次に、圧電薄膜51のイオン注入面にジャイロデバイスを駆動させるための上部側電極55を形成し、所定形状に上部側電極55、圧電薄膜51および下部側電極54をパターニングして振動子50Aを形成する図9,図10:S308。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。上部側電極材料も、下部側電極材料と同様に、ジャイロデバイスの要求する物性値に応じた材料を適宜用いればよい。次に、シリコン振動板50Bに、粘着剤を塗布したサポート基板57を貼り合わせる図9,図11:S309。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。次に、シリコン振動板50BをF系ガスによりドライエッチングし、所望形状音叉型に加工する図9,図11:S310。この工程は、少なくともアニール温度以下、好ましくは分離温度以下で実施できればどのような方法を採用して実現してもよい。次に、サポート基板57を取り除き、振動子50Aとシリコン振動板50Bとからなるジャイロデバイス50を形成する図9,図11:S310。以上の各工程によりジャイロデバイス50を製造することで、イオン注入部分を分離面として圧電基板から圧電薄膜を分離形成する方法による極薄の圧電薄膜51を備える振動子50Aを、シリコン振動板50Bに形成した複合圧電基板を形成できる。加熱工程における熱応力を抑制することができる仮支持基板を用いてジャイロデバイス50を製造することで、熱応力に基づく圧電薄膜51の不具合の発生を従来よりも抑止できる。シリコン振動板50Bは加熱工程の後で振動子50Aに形成するので、加熱工程における熱応力を考慮することなく構成材料を選定できる。なお、この製造方法と同様にして、RFスイッチデバイスなど各種MEMSデバイスを作製できる。MEMSデバイスでは、加工性から、デバイス支持材として、シリコン基板を用いる場合が多いが、シリコン基板の線膨張係数は、圧電基板圧電薄膜に比べて小さいため、従来の方法ではアニール温度まで加熱することが困難であったが、本発明では、問題なくシリコン基板を支持基板としたMEMSデバイスを作製することが可能である。"