"少なくとも、一対の電極と、該電極の間に活性層を有する光電変換素子において、該活性層がエネルギーバンドギャップが1.0eV以上1.8eV以下の高分子p型半導体化合物及び式n1で表されるモノ付加体フラーレン化合物を含むことを特徴とする光電変換素子。式n1において、FLNはフラーレンを示す。Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族基であり、R1~R4は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、又は置換基を有していてもよいアルキルチオ基である。R1又はR2は、R3又はR4のいずれか一方と結合して環を形成していてもよい。前記高分子p型半導体化合物が、下記式1Aで表される繰り返し単位と式1Bで表される繰り返し単位とを含むコポリマーである、請求項1に記載の光電変換素子。式1A中、Aは周期表第16族から選ばれる原子を表し、R11はヘテロ原子有していてもよい炭化水素基を表す。式1B中、Qは周期表第14族から選ばれる原子を表す。X1及びX2は各々独立して、酸素原子又は硫黄原子を表す。R12~R15は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基を表す。R12~R15は隣接するもの同士で結合して環を形成していてもよい。太陽電池である、請求項1又は2に記載の光電変換素子。請求項3に記載の光電変換素子を備えることを特徴とする、太陽電池モジュール。しかしながら、我々の検討によれば非特許文献1に記載の光電変換素子は耐熱性が低く、例えば130°Cで60分間の熱処理で光電変換特性が顕著に低下することがわかった。一般的に、光電変換素子は、空気中の水や酸素との接触を避けるために樹脂等の封止材により封止されるが、その際、加熱工程を含むことが多い。しかし、光電変換素子の耐熱性が低い場合、加熱工程により素子が劣化し光電変換効率が低下してしまう。これを防ぐため加熱温度を低くすると、十分に封止できなかったり、使用可能な封止材樹脂等が制限されたりして封止効果が低下してしまう。また、特許文献1、2に記載の光電変換素子は変換効率が未だ十分でなく、より優れた光電変換特性を有する光電変換素子が求められていた。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、光電変換効率が高く、かつ高い耐熱性を備えた光電変換素子を提供することを目的とする。本発明者らは上記課題を解決するべく鋭意検討した結果、光電変換素子において、特定のエネルギーバンドギャップを有する高分子化合物と特定の構造を有するフラーレン化合物を組み合わせると、高い光電変換効率と高い耐熱性を同時に達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明の要旨は、以下のとおりである。[1]少なくとも、一対の電極と、該電極の間に活性層を有する光電変換素子において、該活性層がエネルギーバンドギャップが1.0eV以上1.8eV以下の高分子p型半導体化合物及び式n1で表されるモノ付加体フラーレン化合物を含むことを特徴とする光電変換素子。式n1において、FLNはフラーレンを示す。Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族基であり、R1~R4は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、又は置換基を有していてもよいアルキルチオ基である。R1又はR2は、R3又はR4のいずれか一方と結合して環を形成していてもよい。[2]前記高分子p型半導体化合物が、下記式1Aで表される繰り返し単位と式1Bで表される繰り返し単位とを含むコポリマーである、[1]に記載の光電変換素子。式1A中、Aは周期表第16族から選ばれる原子を表し、R11はヘテロ原子有していてもよい炭化水素基を表す。式1B中、Qは周期表第14族から選ばれる原子を表す。X1及びX2は各々独立して、酸素原子又は硫黄原子を表す。R12~R15は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基を表す。R12~R15は隣接するもの同士で結合して環を形成していてもよい。[3]太陽電池である、[1]又は[2]に記載の光電変換素子。[4][3]に記載の光電変換素子を備えることを特徴とする、太陽電池モジュール。本発明に係わる光電変換素子は、光電変換効率が高く、かつ高い耐熱性を備える。またこのため、本素子を用いた太陽電池モジュールは、封止工程による劣化が少ない利点がある。以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の一例代表例であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定はされない。1.光電変換素子本発明に係る光電変換素子は、少なくとも活性層と一対の電極とを含む光電変換素子であって、該活性層中に1.0eV以上1.8eV以下のエネルギーバンドギャップEgを有する高分子p型半導体化合物以下、本発明に係るp型半導体化合物と称する場合があると、下記式n1で表されるモノ付加体フラーレン化合物以下、本発明に係るフラーレン化合物と称する場合があると、を含む。式n1において、FLNはフラーレンを示す。Ar1は置換基を有していてもよい芳香族基であり、R1~R4は各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、又は置換基を有していてもよいアルキルチオ基であり、R1又はR2は、R3又はR4との間のいずれか一方と結合して環を形成していてもよい。本発明に係る光電変換素子は、光電変換効率が高いという利点がある。また、耐熱性も高いことから、製造プロセス上、加熱工程を有する光電変換素子が製造しやすい。更には耐久性及び長期間保存安定性にも優れる利点がある。理由として、詳細は不明であるが、本発明に係るp型半導体化合物の最高占有順位HOMO準位に対して上記フラーレン化合物の最低非占有準位LUMO準位が適切であること、また本発明に係るp型半導体化合物中では上記フラーレン化合物が凝集しにくく、活性層中で両化合物が安定な相分離構造を形成することが関係すると推察される。次に、本発明に係る光電変換素子の一例として、一般的な有機薄膜太陽電池に用いられる光電変換素子を図1に示す。図1において、光電変換素子107は、基板106、電極101、正孔取り出し層102、有機活性層103、電子取り出し層104、及び電極105をこの順に有する。電極101としては、正孔の捕集に適した電極101以下、アノードと記載する場合もあるを用いることが好ましく、電極105としては、電子の捕集に適した電極以下、カソードと記載する場合もあるを用いることが好ましい。前記の各層の間には、後述の各層機能に影響を与えない程度に、別の層を有していてもよい。また、光電変換素子107の用途に応じて、基板106、正孔取り出し層102、及び/又は電子取り出し層104は設けなくてもよい。また、図1の例においては基板106はアノード101側に配置されているが、基板106がカソード105側に配置されていてもよい。1.1活性層103本発明に係る光電変換素子において、活性層103は光電変換が行われる層を指し、p型半導体化合物とn型半導体化合物を含む。光電変換素子107が光を受けると、光が活性層103に吸収され、p型半導体化合物とn型半導体化合物の界面で電気が発生し、発生した電気が電極101及び105から取り出される。活性層103は本発明の化合物以外に無機化合物又は有機化合物を含んでいてもよいが、簡易な塗布プロセスにより形成しうる層であることが好ましい。より好ましくは、活性層103は有機化合物からなる有機活性層である。以下では、活性層103が有機活性層であるものとして説明する。有機活性層の層構成としては、p型半導体化合物とn型半導体化合物が積層された薄膜積層型、又はp型半導体化合物とn型半導体化合物が混合したバルクヘテロ接合型等が挙げられる。バルクへテロ接合型においては、p型、n型両半導体化合物を混合する層があればよく、他にp型半導体化合物のみ、n型のみ半導体化合物の層を有していてもよい。光電変換効率の点で、活性層は好ましくはバルクヘテロ接合型である。1.1.1薄膜積層型の活性層薄膜積層型の活性層は、p型半導体化合物を含むp型半導体層と、n型半導体化合物を含むn型半導体層とが積層された構造を有する。薄膜積層型の活性層は、p型半導体層と、n型半導体層とをそれぞれ形成することにより作製することができる。p型半導体層とn型半導体層とが別の方法によって形成されてもよい。1.1.1.1p型半導体層p型半導体層は、本発明に係るp型半導体化合物を含む層である。p型半導体層の膜厚に制限はない。ただし、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、一方、通常500nm以下、好ましくは200nm以下である。p型半導体層の膜厚が500nm以下であると、直列抵抗が低くなる点で好ましい。p型半導体層の膜厚が5nm以上であると、より多くの光を吸収できる点で好ましい。p型半導体層は、任意の方法により形成することができるが、塗布法を用いるとより簡単にp型半導体層を形成できる点で好ましい。塗布法によりp型半導体層を作製する場合、p型半導体化合物を含む塗布液を調製し、この塗布液を塗布すればよい。塗布方法としては任意の方法を用いることができるが、例えば、スピンコート法、インクジェット法、ドクターブレード法、ドロップキャスティング法、リバースロールコート法、グラビアコート法、キスコート法、ロールブラッシュ法、スプレーコート法、エアナイフコート法、ワイヤーバーバーコート法、パイプドクター法、含浸コート法又はカーテンコート法などが挙げられる。塗布液の塗布後に、加熱などすることにより乾燥処理を行ってもよい。p型半導体化合物のうち、通常50重量以上、好ましくは70重量以上、より好ましくは90重量以上が、本発明に係るp型半導体化合物である。p型半導体層には他のp型半導体化合物を含んでいてもよいが、その量は、本発明に係る高分子p型半導体化合物の奏する効果を著しく阻害しない範囲とする。例えば、エネルギーバンドギャップが1.8より大きい高分子化合物や、低分子有機化合物等が挙げられる。但し、本発明に係るp型半導体化合物は本発明に係るフラーレン化合物と組み合わせて高い効果を奏するため、p型半導体層はp型半導体化合物として本発明に係るp型半導体化合物のみを含むのが特に好ましい。1.1.1.2n型半導体層n型半導体層は、n型半導体化合物として本発明に係るフラーレン化合物を含む層である。n型半導体層の膜厚に特段の制限はないが、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、一方、通常500nm以下、好ましくは200nm以下である。n型半導体層の膜厚が500nm以下であると、直列抵抗が低くなる点で好ましい。n型半導体層の膜厚が5nm以上であると、より多くの光を吸収できる点で好ましい。n型半導体層は、塗布法及び蒸着法を含む任意の方法により形成することができるが、塗布法を用いると簡単にn型半導体層を形成できる点で好ましい。塗布法によりn型半導体層を作製する場合、n型半導体化合物を含む塗布液を調製し、この塗布液を塗布すればよい。塗布方法としては任意の方法を用いることができ、例えばp型半導体層を形成する方法として挙げた方法を用いることができる。塗布液の塗布後に、加熱などすることにより乾燥処理を行ってもよい。n型半導体化合物のうち、通常50重量以上、好ましくは70重量以上、より好ましくは90重量以上が、本発明に係るフラーレン化合物である。本発明のフラーレン化合物以外に含まれていてもよいn型半導体化合物としては、本発明に係るフラーレン化合物以外のフラーレン化合物、N-アルキル置換されたペリレンジイミド誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド又はn型高分子半導体化合物等が挙げられる。但し、その量は、本発明に係るフラーレン化合物の奏する効果を著しく阻害しない範囲とする。本発明に係るフラーレン化合物は本発明に係るp型半導体化合物と組み合わせて高い効果を奏するため、n型半導体層が、n型半導体化合物として本発明に係るフラーレン化合物のみを含むのが特に好ましい。1.1.2バルクヘテロ接合型の活性層バルクヘテロ接合型の活性層は、p型半導体化合物とn型半導体化合物とが混合されている層i層を有する。i層はp型半導体化合物とn型半導体化合物とが相分離した構造を有し、相界面でキャリア分離が起こり、生じたキャリア正孔及び電子が電極まで輸送される。i層に含まれるp型半導体化合物のうち、通常50重量以上、好ましくは70重量以上、より好ましくは90重量以上が、本発明に係るp型半導体化合物である。また、i層に含まれるn型半導体化合物のうち、通常50重量以上、好ましくは70重量以上、より好ましくは90重量以上が、本発明に係るフラーレン化合物である。これらの他にp型半導体化合物やn型半導体化合物を含んでもよいが、その種類や量は前述の通りである。最も好ましくは、i層がp型半導体化合物として本発明に係るp型半導体化合物のみを含み、n型半導体化合物として本発明に係るフラーレン化合物のみを含むものである。i層の膜厚に制限はない。ただし、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、一方、通常500nm以下、好ましくは200nm以下である。i層の膜厚が500nm以下であると、直列抵抗が低くなる点で好ましい。i層の膜厚が5nm以上であると、より多くの光を吸収できる点で好ましい。i層は、塗布法を含む任意の方法により形成することができるが、塗布法を用いると、より簡単にi層を形成できるため好ましい。塗布法によりi層を作製する場合、p型半導体化合物及びn型半導体化合物を含む塗布液を調製し、この塗布液を塗布すればよい。p型半導体化合物及びn型半導体化合物を含む塗布液は、p型半導体化合物を含む溶液とn型半導体化合物を含む溶液をそれぞれ調製後混合して作製してもよく、後述する溶媒にp型半導体化合物及びn型半導体化合物を溶解して作成してもよい。塗布方法としては任意の方法を用いることができ、例えばp型半導体層を形成する方法として挙げた方法を用いることができる。塗布液の塗布後に、加熱などすることにより乾燥処理を行ってもよい。1.1.2.1添加剤バルクヘテロ接合型の活性層を塗布法によって形成する場合、p型半導体化合物とn型半導体化合物とを含む塗布液に、さらに添加剤を加えてもよい。バルクヘテロ接合型の活性層におけるp型半導体化合物とn型半導体化合物との相分離構造は、光吸収過程、励起子の拡散過程、励起子の乖離キャリア分離過程、キャリア輸送過程などに対する影響がある。したがって、相分離構造を最適化することにより、良好な光電変換効率を実現することができるものと考えられる。塗布液が溶媒とは異なる揮発性を有する添加剤を含むと、有機活性層形成時に好ましい相分離構造が得られ、光電変換効率が向上しうる点で、添加剤を含むのが好ましい。添加剤の例としては、例えば国際公開第2008/066933号公報に記載されている化合物等が挙げられる。添加剤のより具体的な例としては、置換基を有するアルカン、又は置換基を有するナフタレンのような芳香族化合物などが挙げられる。置換基としては、アルデヒド基、オキソ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、チオール基、チオアルキル基、カルボキシル基、エステル基、アミン基、アミド基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、ハロゲン基、ニトリル基、エポキシ基、芳香族基及びアリールアルキル基などが挙げられる。置換基は1つでもよいし、複数、例えば2つでもよい。アルカンが有する置換基として好ましくは、チオール基又はヨード基である。また、ナフタレンのような芳香族化合物が有する置換基として好ましくは、ブロモ基又はクロロ基である。添加剤は沸点が高いことが好ましいため、添加剤として用いられる脂肪族炭化水素の炭素数は6以上が好ましく、8以上がさらに好ましい。また添加剤は常温で液体であることが好ましいため、脂肪族炭化水素の炭素数は14以下が好ましく、12以下がさらに好ましい。同様の理由により、添加剤として用いられる芳香族炭化水素の炭素数は、通常6以上、好ましくは8以上、より好ましくは10以上であり、一方、通常50以下、好ましくは30以下、より好ましくは20以下である。添加剤として用いられる芳香族複素環の炭素数は、通常2以上、好ましくは3以上、より好ましくは6以上であり、一方、通常50以下、好ましくは30以下、より好ましくは20以下である。添加剤の沸点は、常圧一気圧において通常100°C以上、好ましくは、200°C以上であり、一方、通常600°C以下、好ましくは500°C以下である。p型半導体化合物とn型半導体化合物とを含む塗布液に含まれる添加剤の量は、塗布液全体に対して通常0.1重量以上、好ましくは0.5重量以上がである。また、塗布液全体に対して通常10重量以下、好ましくは3重量以下である。添加剤の量がこの範囲にあることにより、有機活性層内に残留する添加剤を減らしながら、好ましい相分離構造を得ることができる。以上のように、p型半導体化合物とn型半導体化合物と、必要により添加剤とを含む塗布液インクを塗布することによって、バルクヘテロ接合型の活性層を形成することができる。1.1.3活性層の熱処理薄膜積層型の活性層を形成した後又はバルクヘテロ接合型の活性層を形成した後に、得られた層を熱処理することが好ましいこの工程をプレアニーリング処理工程と称する場合がある。プレアニーリング処理工程の温度は、通常80°C以上、好ましくは100°C以上、一方、通常200°C以下、好ましくは160°C以下、より好ましくは150°C以下である。このプレアニーリング処理工程の温度を100°C以上にすることで、活性層103に含まれる残留溶媒成分が揮発する、又は活性層中のp型半導体化合物に結晶性が付与されるなどの理由で耐熱性が向上しうる点で好ましい。このプレアニーリング処理工程の温度が200°C以下にすることで、活性層の有機化合物が熱分解する可能性が低くなるため、好ましい。熱処理の方法としては、ホットプレートなどの熱源に光電変換素子を載せてもよいし、オーブンなどの加熱雰囲気下に光電変換素子を入れてもよい。また、バッチ式であっても連続方式であっても構わない。なお、温度操作については上記範囲内で段階的に熱処理してもよい。プレアニーリング処理工程の時間としては、通常1分以上、好ましくは3分以上であり、一方、通常3時間以下、好ましくは1時間以下である。プレアニーリング処理工程の圧力は、特段の制限はなく、常圧条件下、減圧条件下及び加圧条件下のいずれかでよい。プレアニーリング処理工程の雰囲気は不活性ガス雰囲気で実施することが、活性層を劣化させにくい点で好ましい。1.1.4塗布液の溶媒上述の、p型半導体化合物を含む塗布液、n型半導体化合物を含む塗布液、及びp型半導体化合物とn型半導体化合物とを含む塗布液の溶媒としては、p型半導体化合物及び/又はn型半導体化合物を均一に溶解できるものであれば特に限定されないが、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン若しくはデカン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、クロロベンゼン若しくはオルトジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、テトラリン若しくはデカリン等の脂環式炭化水素類;メタノール、エタノール若しくはプロパノール等の低級アルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン若しくはシクロヘキサノン等の脂肪族ケトン類;アセトフェノン若しくはプロピオフェノン等の芳香族ケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル若しくは乳酸メチル等のエステル類;クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン若しくはトリクロロエチレン等のハロゲン炭化水素類;エチルエーテル、テトラヒドロフラン若しくはジオキサン等のエーテル類;又は、ジメチルホルムアミド若しくはジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられる。なかでも好ましくは、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、クロロベンゼン若しくはオルトジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、テトラリン若しくはデカリン等の脂環式炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン若しくはシクロヘキサノン等のケトン類;クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン若しくはトリクロロエチレン等のハロゲン炭化水素類;又は、エチルエーテル、テトラヒドロフラン若しくはジオキサン等のエーテル類である。より好ましくは、トルエン、キシレン、メシチレン若しくはシクロヘキシルベンゼン等の非ハロゲン芳香族炭化水素類;シクロペンタノン若しくはシクロヘキサノン等の非ハロゲン系ケトン類;アセトフェノン若しくはプロピオフェノン等の芳香族ケトン類;テトラヒドロフラン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、テトラリン若しくはデカリン等の脂環式炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン若しくはシクロヘキサノン等のケトン類;又は、1,4-ジオキサン等の非ハロゲン系脂肪族エーテル類である。特に好ましくは、トルエン、キシレン、メシチレン又はシクロヘキシルベンゼン等の非ハロゲン芳香族炭化水素類である。なお、溶媒としては1種の溶媒を単独で用いてもよいし、任意の2種以上の溶媒を任意の比率で併用してもよい。2種以上の溶媒を併用する場合、沸点が60~150°Cである低沸点溶媒と、沸点が180~250°Cである高沸点溶媒とを組み合わせることが好ましい。低沸点溶媒と項沸点溶媒との組み合わせの例としては、非ハロゲン芳香族炭化水素類と脂環式炭化水素類、非ハロゲン芳香族炭化水素類と芳香族ケトン類、エーテル類と脂環式炭化水素類、エーテル類と芳香族ケトン類、脂肪族ケトン類と脂環式炭化水素類、又は脂肪族ケトン類と芳香族ケトン類、等が挙げられる。好ましい組み合わせの具体例としては、トルエンとテトラリン、キシレンとテトラリン、トルエンとアセトフェノン、キシレンとアセトフェノン、テトラヒドロフランとテトラリン、テトラヒドロフランとアセトフェノン、メチルエチルケトンとテトラリン、メチルエチルケトンとアセトフェノン、等が挙げられる。1.1.5n型半導体化合物本発明に係る光電変換素子107の有機活性層103は、n型半導体化合物として下記式n1で表されるモノ付加体フラーレン化合物本発明に係るフラーレン化合物を含む。式n1において、FLNはフラーレンを示す。Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族基であり、R1~R4は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、又は置換基を有していてもよいアルキルチオ基である。R1又はR2は、R3又はR4のいずれか一方と結合して環を形成していてもよい。フラーレンFLNとは、閉殻構造を有する炭素クラスターである。フラーレンの炭素数は、通常、60~130の偶数であればよい。フラーレンとしては、例えば、C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94、及びC96などが挙げられる。更に、本発明に係るフラーレンはこれらよりも多くの炭素を有する高次の炭素クラスターであってもよい。なかでもC60及びC70が好ましく、C60が特に好ましい。本発明に係るフラーレンには、フラーレン環上の炭素-炭素結合の一部が切れているフラーレンも含まれる。また、フラーレンを構成する一部の炭素原子が他の原子に置き換えられているフラーレン、及び、金属原子、非金属原子あるいはこれらから構成される原子団を内包するフラーレンも含まれる。Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族基である。具体的には、置換基を有していてもよい炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は炭素数2~20の芳香族複素環基であり、好ましくはフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、チエニル基、フリル基、ピリジル基、ピリミジル基、キノリル基又はキノキサリル基であり、さらに好ましくはフェニル基、チエニル基又はフリル基である。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、特に限定は無いが、フッ素原子、塩素原子、水酸基、シアノ基、シリル基、ボリル基、アルキル基で置換されていてもよいアミノ基、炭素数1~14のアルキル基、炭素数1~14のアルコキシ基、炭素数2~14のアルキルカルボニル基、炭素数1~14のアルキルチオ基、炭素数2~14のアルケニル基、炭素数2~14のアルキニル基、エステル基、アリールカルボニル基、アリールチオ基、アリールオキシ基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は炭素数2~20の複素環基が挙げられる。なかでも、フッ素原子、炭素数1~14のアルキル基、炭素数1~14のアルコキシ基、炭素数2~14のアルキルカルボニル基、エステル基又はアリールカルボニル基が好ましい。炭素数1~14のアルキル基はフッ素で置換されていてもよい。炭素数1~14のアルキル基としては、メチル基、エチル基又はプロピル基が好ましい。炭素数1~14のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシル基が好ましい。炭素数2~14のアルキルカルボニル基としては、アセチル基が好ましい。エステル基としては、メチルエステル基又はn-ブチルエステル基が好ましい。アリールカルボニル基としては、ベンゾイル基が好ましい。Ar1が置換基を有する場合、その数に限定は無いが、1~4が好ましく、1~3がより好ましい。置換基が複数の場合、その種類は異なっていてもよいが、同一が好ましい。式n1中のR1~R4は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、又は置換基を有していてもよいアルキルチオ基である。なかでも、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基が好ましく、さらに好ましくは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基である。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素が挙げられ、好ましくはフッ素又は塩素である。アルキル基としては、炭素数1~20のものが好ましく、具体例としてはメチル基、エチル基、i-プロピル基、n-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数1~20のものが好ましく、具体例としてはメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、t-ブトキシ基など直鎖又は分岐のアルコキシ基が挙げられる。アルキルチオ基としては、炭素数1~20のものが好ましく、具体例としてはメチルメルカプト基、エチルメルカプト基、n-プロピルメルカプト基、i-プロピルメルカプト基、n-ブチルメルカプト基、i-ブチルメルカプト基又はt-ブチルメルカプト基など直鎖又は分岐のアルキルチオ基が挙げられる。アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、及びアルキルチオ基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、カルボキシル基、シアノ基、アルキル基、アリール基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、複素環基などが挙げられる。なかでも、フッ素原子、シアノ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~16のアリール基、炭素数12~30のアリールアミノ基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数6~16のアリールオキシ基、炭素数2~10のアルコキシカルボニル基、炭素数7~17のアリールオキシカルボニル基又は炭素数2~20の芳香族複素環基が好ましい。なお、アルキル基はフッ素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよい。また、R1又はR2は、R3又はR4のいずれか一方と環を形成していてもよい。環を形成する場合における構造は、式n2表される、芳香族基が縮合したビシクロ構造が好ましい。式n2において、Xは、酸素原子、硫黄原子、アミノ基、アルキレン基又はアリーレン基である。アルキレン基としては炭素数1~2が好ましい。アリーレン基としては炭素数5~12が好ましく、例えばフェニレン基である。アミノ基は、メチル基やエチル基等の炭素数1~6のアルキル基で置換されていてもよい。アルキレン基は、メトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~5の脂肪族炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は炭素数2~20の芳香族複素環基で置換されていてもよい。アリーレン基は、メトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~5の脂肪族炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基又は炭素数2~20の芳香族複素環基で置換されていてもよい。式n1の構造として特に好ましくは、下記式n3又は式n4で表される構造である。Ar1、又は置換基R1~R4が金属への配位能を有する場合、これらのいずれかの置換基と金属原子との配位結合を介して金属錯体を形成していてもよい。本発明に係るフラーレン化合物は高い安定性を有しており、加熱により付加基が脱離しにくい傾向にある。本発明に係るフラーレン化合物の分解温度は、通常250°C以上であり、好ましくは300°C以上である。分解温度は公知の方法で測定すれば良く、例えば熱重量測定TGAや示差熱―熱重量同時測定TG-DTA等が挙げられる。本発明に係るフラーレン化合物のガラス転移温度としては、特に限定はないが、120°C以上が好ましく、さらに好ましくは150°C以上である。上限は特にないが、通常400°C以下、好ましくは350°C以下である。ガラス転移温度が観測されなくてもよい。ガラス転移温度が120°C以上であることで、封止に必要な温度以上でも化合物のアモルファス状態の膜が安定に保たれ、結果としてn型半導体としての機能が保持される。またガラス転移温度が観測されないことは熱による相変化が少ないことを意味し、加熱によってn型半導体としての機能は失われない。ガラス転移温度は公知の方法で測定すれば良く、例えば示差熱―熱重量同時測定TG-DTAや示差走査熱量測定DSCが挙げられる。フラーレン化合物の分解温度とガラス転移温度とが共に高いことにより、素子作製時に加熱できる温度範囲が広くなり、また太陽電池として使用した際の耐久性も高くなるため好ましい。分解温度300°C以上で且つガラス転移温度120°C以上であることが好ましく、分解温度300°C以上で且つガラス転移温度150°C以上であることがさらに好ましい。本発明に係るフラーレン化合物のLUMOエネルギー準位は、特に限定はされないが、通常-4.20eV以上、好ましくは-4.10eV以上である。光電変換素子の開放電圧Vocはp型半導体材料のHOMOエネルギー準位とn型半導体材料のLUMOエネルギー準位との差で決定される。このため、n型半導体材料として用いられる本発明に係るフラーレン化合物のLUMOエネルギー準位を高くすると、Vocが高くなる傾向があり好ましい。一方、LUMOエネルギー準位は通常-3.0eV以下、好ましくは-3.5eV以下、より好ましくは-3.7eV以下である。n型半導体材料として用いられる本発明に係るフラーレン化合物のLUMOエネルギー準位を低くすることで、電子の移動が起こりやすくなり、光電変換素子の短絡電流Jscが高くなる傾向があり好ましい。一方、HOMOエネルギー準位の値は、特に限定は無いが、通常-5.0eV以下、好ましくは-5.5eV以下である。一方、通常-7.0eV以上、好ましくは-6.6eV以上である。本発明に係るフラーレン化合物のHOMOエネルギー準位が-7.0eV以上であることにより、本発明に係るフラーレン化合物が吸収した光も発電に利用出来る点で好ましい。また、本発明に係るフラーレン化合物のHOMOエネルギー準位が-5.0eV以下であることにより、正孔の逆移動を阻止できる点で好ましい。本発明に係るフラーレン化合物のLUMOエネルギー準位の算出方法は、本明細書においては、フラーレン化合物のLUMOエネルギー準位はサイクリックボルタモグラム測定法により測定するものとする。具体的には、例えば公知文献国際公報第2011/016430号に記載の方法で測定することができる。サイクリックボルタモグラム測定法においては、得られた第一還元電位の値を基に、C60PCBMフロンティアカーボン社製PCBM:1-3-メトキシカルボニルプロピル-1-フェニル6,6-C60のLUMOエネルギー準位を-3.80eV非特許文献:J.Am.Chem.Soc.2008,130,15429-15436とした場合の相対値より、LUMOエネルギー準位の算出を行うものとする。また、フラーレン化合物のHOMOエネルギー準位も、サイクリックボルタモグラム測定法により測定するものとする。本発明に係るフラーレン化合物の電子移動度は、特段の制限はないが、通常1.0×10-6cm2/Vs以上であり、1.0×10-5cm2/Vs以上が好ましく、5.0×10-5cm2/Vs以上がより好ましく、1.0×10-4cm2/Vs以上がさらに好ましい。一方、通常1.0×103cm2/Vs以下であり、1.0×102cm2/Vs以下が好ましく、5.0×101cm2/Vs以下がより好ましい。本発明に係るフラーレン化合物の電子移動度が1.0×10-6cm2/Vs以上であることは、光電変換素子の電子拡散速度向上、短絡電流向上、変換効率向上などの効果が大きくなる傾向にある傾向にあるため、好ましい。測定方法としてはFET法が挙げられ、公知文献特開2010-045186号公報に記載の方法により実施することができる。本発明に係るフラーレン化合物は、塗布法に適用できるようにするために、化合物自体が液状で塗布可能であるか、又は何らかの溶媒に対する溶解性を有することが好ましい。溶解性の好適な範囲をあげると、25°Cでのトルエンに対する溶解度は、通常0.1重量以上、好ましくは0.3重量以上、より好ましくは0.5重量以上である。一方、通常90重量以下が好ましく、50重量以下がより好ましく、30重量以下がさらに好ましい。25°Cでのトルエンに対する溶解度が0.1重量以上であることで、フラーレン化合物の分散安定性が増加し、凝集、沈降、分離などが起こりにくくなるため好ましい。フラーレン化合物を溶解する溶媒に特段の制限はない。環境負荷の面からは非ハロゲン溶媒を用いることが好ましいが、クロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒を用いることもできる。非ハロゲン系溶媒としては、例えば、非ハロゲン系芳香族炭化水素類が挙げられる。なかでもトルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン又はテトラリンが好ましい。有機活性層103は、複数の種類の本発明に係るフラーレン化合物を、n型半導体材料として含んでいてもよい。この複数の種類のフラーレン化合物は、フラーレン骨格の炭素数が互いに異なっていてもよい。この場合、C60フラーレン化合物とC70フラーレン化合物との混合物を用いることが好ましい。C60フラーレン化合物とC70フラーレン化合物との混合物を用いる場合、フラーレン骨格の炭素数がさらに多いフラーレン化合物が少量混入していてもよい。この場合、フラーレン骨格の炭素数がさらに多いフラーレン化合物の、フラーレン化合物全体に対する混入量は、モル比で20以下であることが好ましく、10以下であることがさらに好ましく、5以下であることがより好ましく、2以下であることがさらにより好ましく、1以下であることがとりわけ好ましく、0.5以下であることが特に好ましい。以下に、本発明に係るフラーレン化合物の具体的な例を示す。1.1.5.1本発明に係るフラーレン化合物の製造方法本発明に係るフラーレン化合物の製造方法としては、特に制限はない。本発明のフラーレン化合物の製造方法としては、特に制限はないが、Angew.Chem.Int.Ed.Engl.1993,32,78-80、特公表8-505859、ChemicalReview1999、99、3199-3246に記載されている公知文献を参考にして実施可能である。なかでも、例えば以下の反応式11で示されるフラーレンとオルトキノジメタン誘導体IIとのディールスアルダー反応によって合成することが好ましい。本発明に係るフラーレン化合物は、キノジメタン誘導体は逆ディースルアルダー反応が進行しにくく熱安定性に優れるため、素子作製時あるいは素子作製後の加熱温度をより高温に設定でき、結果として、耐久性の向上した光電変換素子を得ることができる。1.1.5.2他のn型半導体化合物本発明に係る光電変換素子107において、有機活性層103は、本発明に係るフラーレン化合物とは別のn型半導体化合物を含有していてもよい。但し、その量は、本発明に係るフラーレン化合物の奏する効果を著しく阻害しない範囲とする。有機活性層103が含みうる別のn型半導体化合物としては、特段の制限はないが、具体的には本発明に係るフラーレン化合物以外のフラーレン化合物、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘導体金属錯体;ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド又はペリレンテトラカルボン酸ジイミドなどの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類;ペリレンジイミド誘導体、ターピリジン金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体、ペリノン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、ベンゾチアジアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、ビピリジン誘導体、ボラン誘導体、アントラセン、ピレン、ナフタセン又はペンタセンなどの縮合多環芳香族炭化水素の全フッ化物;単層カーボンナノチューブ、n型高分子半導体化合物などが挙げられる。1.1.5.2.1本発明に係るフラーレン化合物以外のフラーレン化合物有機活性層103が含みうる、本発明に係るフラーレン化合物以外のフラーレン化合物としては、特に限定されないが、国際公開第2011/016430号に記載されているフラーレン化合物等が挙げられる。具体的には、SIMEF又はSIMEF2等のシリルメチル基付加体フラーレン化合物;C60Ind2又はC70Ind2等のビスインデン付加体フラーレン化合物;C60QM2又はC70QM2等のビスキノジメタン付加体フラーレン化合物;C60PCBM、C70PCBM、C60PCBNB又はC70PCBNB等のメタノフラーレン化合物が挙げられる。例えば市販されているC60PCBM、C70PCBM又はC60PCBNBフロンティアカーボン社などを使用できる。1.1.5.2.2N-アルキル置換されたペリレンジイミド誘導体有機活性層103が含みうるN-アルキル置換されたペリレンジイミド誘導体としては、特段の制限はないが、具体的には国際公開第2008/063609号、国際公開第2009/115513号、国際公開第2009/098250号、国際公開第2009/000756号及び国際公開第2009/091670号に記載されている化合物が挙げられる。N-アルキル置換されたペリレンジイミド誘導体は電子移動度が高く、可視域に吸収を有するため、電荷輸送と発電との両方に寄与する点から好ましい。1.1.5.2.3ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド有機活性層103が含みうるナフタレンテトラカルボン酸ジイミドとしては、特段の制限はないが、具体的には国際公開第2008/063609号、国際公開第2007/146250号及び国際公開第2009/000756号に記載されている化合物が挙げられる。ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドは電子移動度が高く、溶解性が高く塗布性に優れている点から好ましい。1.1.5.2.4n型高分子半導体化合物有機活性層103が含みうるn型高分子半導体化合物としては、特段の制限はないが、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸ジイミドなどの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、ペリレンジイミド誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾチアジアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、ビピリジン誘導体及びボラン誘導体のうち少なくとも一つを構成ユニットとするn型高分子半導体化合物が挙げられる。なかでも、ボラン誘導体、チアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾチアジアゾール誘導体、N-アルキル置換されたナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びN-アルキル置換されたペリレンジイミド誘導体のうち少なくとも一つを構成ユニットとするポリマーが好ましく、N-アルキル置換されたペリレンジイミド誘導体及びN-アルキル置換されたナフタレンテトラカルボン酸ジイミドのうち少なくとも一つを構成ユニットとするn型高分子半導体化合物がより好ましい。これらの化合物を一種又は二種以上含んでもよい。具体的には国際公開第2009/098253号、国際公開第2009/098250号、国際公開第2010/012710号及び国際公開第2009/098250号に記載されている化合物が挙げられる。n型高分子半導体化合物は可視域に吸収を有するため、発電に寄与し、粘度が高く、塗布性に優れている点から好ましい。1.1.6高分子p型半導体化合物本発明に係る光電変換素子107の有機活性層103は、1.0eV以上1.8eV以下のエネルギーバンドギャップを有する高分子p型半導体化合物以下、本発明に係るp型半導体化合物と称する場合があるを含む。以下、本発明に係るp型半導体化合物について説明する。本発明に係るp型半導体化合物が高分子化合物であることにより、本発明に係るp型半導体化合物を含有する塗布液の粘性が上がるため、活性層をスロットダイ法等の塗布法で作成しやすくなり好ましい。また、低分子化合物と比較して、活性層の機械強度が向上する傾向にあり好ましい。さらに、バルクヘテロ型活性層の場合には、p型半導体化合物とn型半導体化合物との相分離した構造を取りやすくなり好ましい。ここで、p型半導体化合物のエネルギーバンドギャップは、励起子を生成するために必要となる最低のエネルギーをいう。本発明に係るp型半導体化合物のエネルギーバンドギャップは1.0eV以上であり、好ましくは1.1eV以上、より好ましくは1.2eV以上であり、一方、1.8eV以下であり、好ましくは1.7eV以下である。エネルギーバンドギャップが高いと開放電圧Vocが高くなる傾向がある。また、エネルギーバンドギャップが低いと吸収できる波長領域が増え、短絡電流密度Jscが高くなる傾向がある。本発明に係るp型半導体化合物は、エネルギーバンドギャップが比較的小さい範囲にあり、光電変換素子の短絡電流密度Jscが高くなり、かつLUMOエネルギー準位も低くなることから、本発明に係るフラーレン化合物と併用することにより、光電変換素子の変換効率が向上するものと考えられる。本明細書においてp型半導体化合物のエネルギーバンドギャップは、p型半導体化合物の薄膜紫外可視吸収スペクトルUV-visスペクトルの吸収端から決定するものとする。具体的には、光エネルギーhνに対してahν1/2をプロットし、吸収端近傍における外挿線とベースラインとの交点をエネルギーバンドギャップとする。ここでaは吸光度、hはプランク定数、νは光の振動数である。p型半導体化合物の薄膜紫外可視吸収スペクトルの測定方法は、公知文献Adv.Funct.Mater.2009,19,1913-1921記載の方法を用いうる。具体的にはガラス基板上に、塗布法又は蒸着法でp型半導体化合物の薄膜を成膜し、この薄膜に、紫外-可視光を透過させて得た紫外可視吸収スペクトルを測定する。紫外可視吸収スペクトルは、例えば、分光光度計オーシャンオプティクス社製、USB2000を使用して測定することができる。本発明に係るp型半導体化合物は、薄膜紫外可視吸収スペクトルにおいて、400nm以上1000nm以下の波長範囲における吸収極大波長が、700nm以上1000nm以下にあることが好ましい。吸収極大波長がこの範囲にあることで、長波長の光を吸収することができるため、本発明に係るp型半導体化合物を用いた光電変換素子の変換効率を向上させることができる。本発明に係るp型半導体化合物のHOMOエネルギー準位は、通常-6.0eV以上、好ましくは-5.7eV以上、より好ましくは-5.5eV以上である。一方、通常-4.4eV以下、好ましくは-4.6eV以下、より好ましくは-5.0eV以下、特に好ましくは-5.2eV以下である。p型半導体化合物のHOMOエネルギー準位が当該範囲にあると、光電変換素子の開放電圧が向上し光電変換効率が向上しうる点、及び大気に対し安定になる点で好ましい。本発明に係るp型半導体化合物のLUMOエネルギー準位は、通常-4.0eV以上、好ましくは-3.9eV以上である。一方、通常-3.3eV以下、好ましくは-3.5eV以下である。p型半導体化合物のLUMOエネルギー準位が-3.3eV以下であることにより、エネルギーバンドギャップが調整され長波長の光エネルギーを有効に吸収することができ、短絡電流密度が向上する。p型半導体化合物のLUMOエネルギー準位が-4.0eV以上であることにより、n型半導体への電子移動が起こりやすくなり短絡電流密度が向上する。本明細書において、p型半導体化合物のHOMOエネルギー準位及びLUMOエネルギー準位は、以下のように測定及び算出された値である。まず、ITO基板上に成膜したp型半導体化合物試料についてイオン化ポテンシャルを測定する。イオン化ポテンシャルは、例えばイオン化ポテンシャル測定装置OPTEL社製、PCR-101を用いて測定することができる。得られたイオン化ポテンシャル及び前述のエネルギーバンドギャップから、下記計算式b1、b2に従ってLUMOエネルギー準位及びHOMOエネルギー準位を算出する。LUMOエネルギー準位eV=-イオン化ポテンシャルeV-エネルギーバンドギャップeV...b1HOMOエネルギー準位eV=-イオン化ポテンシャルeV...b2本発明に係るp型半導体化合物は、エネルギーバンドギャップが1.0eV以上1.8eV以下の高分子p型半導体化合物であれば特に限定されないが、具体的には、二種以上のモノマー単位を共重合させた半導体ポリマー、例えばNatureMaterial,2006vol.5,p328に記載のポリチオフェン-チエノチオフェン共重合体、国際公報第2008/000664号に記載のポリチオフェン-ジケトピロロピロール共重合体、AdvMater,2007p4160に記載のポリチオフェン-チアゾロチアゾール共重合体,NatureMat.vol.62007,p497に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、国際公報第2011/028827に記載のイミドチオフェンを含む共重合体、国際公報第2011/011545号に記載のチエノチオフェンとベンゾジチオフェンの共重合体などが挙げられる。また、これらポリマーの誘導体や、ここに挙げたモノマーの組み合わせで合成し得るポリマーも同様に用いうる。これらポリマーやモノマーの置換基は、溶解性、結晶性、成膜性、HOMOレベル、LUMOレベルなどを制御するために適宜選択しうる。1.1.6.1コポリマー本発明の高分子p型半導体化合物のなかでも、下記式1Aで表される繰り返し単位と式1Bで表される繰り返し単位とを含むコポリマーが好ましい。このようなコポリマーは、溶解性と結晶性を両方バランスよく有する点で好ましい。また、光吸収波長領域が長波長化し、かつ光吸収性が高い点で好ましい。1.1.6.1.1式1Aで表される繰り返し単位式1A中、R11はヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基を表す。なかでも、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基又は置換基を有していてもよい芳香族基を表す。R11をこれらの基とすることにより、コポリマーの有機溶媒への溶解性が優れたものとなりやすく、塗布成膜プロセスにおいて有利となり得るために好ましい。さらに好ましくは、R11は置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香族基である。アルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよいが、直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。直鎖状のアルキルはポリマーの結晶性が向上しうるために移動度が大きくなりうる点で好ましく、分岐状のアルキル基はポリマーの溶解性が向上しうる点で好ましい。また、R11が置換基を有していてもよい芳香族基であることは、コポリマーがより長波長の光を吸収しうる点、及び、ポリマーの結晶性が向上しうるために移動度が大きくなりうる点で好ましい。本明細書において、置換基を有していてもよい置換基としては、式1Aで表される繰り返し単位と式1Bで表される繰り返し単位とを含むコポリマーが導電性を有する限り特に限定はないが、好ましくはハロゲン原子、水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、カルバモイル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、シリル基、ボリル基、シアノ基、ニトロ基、ニトリル基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又は芳香族基等が挙げられる。隣接する置換基同士で連結して環を形成していてもよい。アルキル基の炭素数は、通常1以上、好ましくは3以上、より好ましくは4以上、特に好ましくは6以上であり、一方、通常30以下、好ましくは25以下、より好ましくは20以下である。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、3-メチルブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基、ノニル基、シクロノニル基、デシル基、シクロデシル基、ラウリル基、シクロラウリル基、又は1-2-エチルヘキシル-3-エチルへプチル基等が挙げられる。なかでも、n-プロピル基、iso-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、3-メチルブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、シクロオクチル基、ノニル基、シクロノニル基、デシル基、シクロデシル基、ラウリル基、シクロラウリル基、又は1-2-エチルヘキシル-3-エチルへプチル基が好ましく、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、又は1-2-エチルヘキシル-3-エチルへプチル基がより好ましい。アルケニル基の炭素数が、通常1以上、好ましくは3以上、より好ましくは4以上であり、一方、通常20以下、好ましくは16以下、より好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。このようなアルケニル基としては、例えば、エテン基、プロペン基、ブテン基、ペンテン基、ヘキセン基、ヘプテン基、オクテン基、ノネン基、デセン基、ウンデセン基、ドデセン基、トリデセン基、テトラデセン基、ペンタデセン基、ヘキサデセン基、ヘプタデセン基、オクタデセン基、ノナデセン基、イコセン基又はゲラニル基等が挙げられる。好ましくは、プロペン基、ブテン基、ペンテン基、ヘキセン基、ヘプテン基、オクテン基、ノネン基、デセン基、ウンデセン基又はドデセン基であり、より好ましくは、ブテン基、ペンテン基、ヘキセン基、ヘプテン基、オクテン基、ノネン基、又はデセン基である。芳香族基の炭素数は、通常2以上であり、一方、通常60以下、好ましくは20以下、より好ましくは14以下である。このような芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフタレン基、インダン基、インデン基、フルオレン基、アントラセン基、又はアズレン基等の芳香族炭化水素基;チエニル基、フラニル基、ピリジル基、ピリミジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、トリアゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、又はベンゾトリアゾリル基等の芳香族複素環基が挙げられる。なかでも、フェニル基、ナフタレン基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、チアゾリル基、又はオキサゾリル基が好ましい。Aは周期表第16族から選ばれる原子を表す。本明細書において、周期表とは、IUPAC2005年推奨版をいう。具体的には、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子が挙げられる。なかでも、酸素原子又は硫黄原子が好ましい。酸素原子は、光電変換素子の開放電圧Vocが向上する点で好ましく、硫黄原子は、コポリマー同士の分子間相互作用が向上する点で好ましい。1.1.6.1.2式1Bで表される繰り返し単位式1B中、Qは周期表第14族から選ばれる原子を表す。具体的には、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子又はスズ原子が挙げられる。なかでも、炭素原子、ケイ素原子又はゲルマニウム原子が好ましく、より好ましくは炭素原子又はケイ素原子である。炭素原子は、結晶性の点で好ましく、ケイ素原子は、溶解性の点で好ましい。X1及びX2は各々独立して、酸素原子又は硫黄原子を表す。好ましくは、X1及びX2が同一であることが好ましく、X1及びX2が硫黄原子であることがより好ましい。共鳴エネルギーが大きく、主鎖共役系が広がり長波長化する点で好ましい。R12~R15は、導電性を有すれば特段の制限はないが、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基を表す。ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基又は置換基を有していてもよい芳香族基を表す。アルキル基、アルケニル基、及び芳香族基としては、R11について上述したのと同様の基を用いることができる。また、アルキル基、アルケニル基、及び芳香族基が有していてもよい置換基としては、R11について上述したのと同様の置換基が挙げられる。また、R12~R15は隣接するもの同士で結合して環を形成していてもよい。なかでも、R14及びR15の少なくともひとつが置換基を有していてもよいアルキル基又は芳香族基であることが好ましく、R14とR15との双方が置換基を有していてもよいアルキル基又は芳香族基であることがさらに好ましい。直鎖状のアルキル基では、ポリマーの結晶性が向上することにより移動度が大きくなりうる点で好ましく、分岐状のアルキル基では、ポリマーの溶解性が向上することにより塗布プロセスによる成膜が容易となる点で好ましい。R14及びR15の少なくともひとつがアルキル基であることは、コポリマーがより長波長の光を吸収しうるという点で好ましい。R14及びR15の少なくともひとつが炭素数1以上20以下のアルキル基であることが好ましく、炭素数6以上20以下のアルキル基であることが特に好ましい。また、芳香族基であることは、π電子間の相互作用により分子間の相互作用が向上するために移動度が大きくなる傾向がある点で好ましく、また、ジチエノペンタジエン又はジチエノシロール等の複素5員環の3,3’位が第14族から選ばれる原子で架橋されたジチエノ縮環誘導体の安定性が向上する傾向がある点で好ましい。周期表第14族から選ばれる原子であるQ周辺の立体障害を大きくすることによりコポリマーの耐久性を向上させるという点からは、R14及びR15が、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよい芳香族基であることが好ましい。また、R12及びR13の少なくともひとつがハロゲン原子であると、コポリマーの耐熱性、耐候性、耐化学薬品性又は撥水撥油性等が向上する点で好ましい。コポリマー中の前記式1Aで表される繰り返し単位の比率は、特段の制限は無いが、通常1モル以上、好ましくは5モル以上、より好ましくは15モル以上、さらに好ましくは30以上である。一方、通常99モル以下、好ましくは95モル以下、より好ましくは85モル以下、さらに好ましくは70以下である。コポリマー中の前記式1Bで表される繰り返し単位の比率は、特段の制限は無いが、通常1モル以上、好ましくは5モル以上、より好ましくは15モル以上、さらに好ましくは30以上である。一方、通常99モル以下、好ましくは95モル以下、より好ましくは85モル以下、さらに好ましくは70以下である。コポリマー中の前記式1Aで表される繰り返し単位に対する前記式1Bで表される繰り返し単位の比は、特段の制限は無いが、通常0.01以上、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.5以上である。一方、通常100以下、好ましくは10以下、より好ましくは2以下である。繰り返し単位1A及び1Bの配列状態は、交互、ブロック及びランダムのいずれでもよい。好ましくは交互に配列しているものである。また、本発明の効果を損なわない範囲で、他の繰り返し単位を含有していてもよい。例えばチエニリル基やチザゾリル基等の芳香族複素環等が挙げられる。コポリマーの好ましい具体例を示すが、以下の例示に限られるものではない。C4H9、C6H13、C8H17、及びC12H25は、所定の炭素数をもつ直鎖のアルキル基を表す。又、Bu、Hex及びOctはそれぞれn-ブチル基、n-ヘキシル基及びn-オクチル基を表す。本発明のコポリマーが複数の繰り返し単位を含む場合は、含まれる複数の繰り返し単位間の比率は任意である。1.1.6.2他のp型半導体化合物本発明に係る光電変換素子107において、有機活性層103は、前記高分子p型半導体化合物とは別のp型半導体化合物とを含有していてもよい。但し、その量は、本発明に係る高分子p型半導体化合物の奏する効果を著しく阻害しない範囲とする。有機活性層103が含みうる別のp型半導体化合物としては、特段の制限はないが、具体的にはポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリアニリン等の共役ポリマー半導体;アルキル基やその他の置換基が置換されたオリゴチオフェン等のポリマー半導体等の、エネルギーバンドギャップが1.8eVより大きい高分子p型半導体化合物、ナフタセン、ペンタセン、ピレン等の縮合芳香族炭化水素;α-セキシチオフェン等のチオフェン環を4個以上含むオリゴチオフェン類;チオフェン環、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、アントラセン環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環を合計4個以上連結したもの;フタロシアニン化合物及びその金属錯体並びにテトラベンゾポルフィリン等のポルフィリン化合物及びその金属錯体等の大環状化合物等の低分子有機半導体化合物が挙げられる。上記化合物としては、国際公報第2011/016430号に記載の化合物を用いることができる。なお、低分子有機半導体化合物を用いる際に、国際公報第2011/016430号に記載のように、低分子有機半導体化合物前駆体を塗布後に低分子有機半導体化合物に変換することで成膜してもよい。1.2バッファ層102,104本発明に係る光電変換素子107は、1対の電極101,105、及びその間に配置された有機活性層103の他に、さらにバッファ層を1以上有することが好ましい。バッファ層としては、電子取り出し層104及び正孔取り出し層102に分類することができ、それぞれ、有機活性層103と電極101,105の間に設けることができる。バッファ層を設けることで、活性層と電極の間での電子や正孔の移動度が高まるほか、電極間の短絡を防止しうるという利点がある。電子取り出し層104と正孔取り出し層102とは、1対の電極間101,105に、有機活性層103を挟むように配置される。すなわち、本発明に係る光電変換素子107が電子取り出し層104と正孔取り出し層102の両者を含む場合、電極101、正孔取り出し層102、有機活性層103、電子取り出し層104、電極105がこの順に配置されている。本発明に係る光電変換素子107が電子取り出し層104を含み正孔取り出し層102を含まない場合は、電極101、有機活性層103、電子取り出し層104、電極105がこの順に配置されている。電子取り出し層104と正孔取り出し層102とは積層順序が逆であってもよいし、また電子取り出し層104と正孔取り出し層102との少なくとも一方が異なる複数の膜により構成されていてもよい。1.2.1電子取り出し層104電子取り出し層104の材料は、p型半導体化合物とn型半導体化合物を含む有機活性層103から電極101へ電子の取り出し効率を向上させることが可能な材料であれば特に限定されない。具体的には、無機化合物又は有機化合物が挙げられる。1.2.1.1無機化合物無機化合物としては、Li、Na、K又はCsなどのアルカリ金属の塩;酸化チタンTiOxや酸化亜鉛ZnOのようなn型半導体金属酸化物が望ましい。アルカリ金属塩としては、LiF、NaF、KF又はCsFのようなフッ化物塩が好ましい。このような材料の動作機構は不明であるが、Alなどの電子取り出し電極カソード105と組み合わされてカソード105の仕事関数を小さくし、光電変換素子内部に印加される電圧を上げることが考えられる。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化鉛、酸化ジルコニウム又は酸化ガリウム等が挙げられる。なかでも、酸化亜鉛、酸化チタン又は酸化スズが好ましい。また、金属酸化物は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。金属酸化物は、ポーラス多孔質構造であることが望ましい。また、金属酸化物は粒子状であることが好ましく、その平均一次粒径は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、より好ましくは20nm以上であり、一方、通常100nm以下、好ましくは60nm以下、より好ましくは40nm以下である。平均一次粒径が5nm以上であると金属酸化物の一次粒子が凝集しにくく、平均二次粒径が好適な大きさの金属酸化物が得られるため、好ましい。また、平均一次粒径が100nm以下であることで、金属酸化物の二次粒子ひとつひとつが適度な大きさとなり、均一な膜厚の電子取り出し層が形成されるため好ましい。金属酸化物の平均一次粒径は、動的光散乱粒子径測定装置や透過型電子顕微鏡TEM等で測定することができる。平均一次粒径が5nm以上100nm以下の金属酸化物金属酸化物のナノ粒子と記すこともあるとしては、具体的には、ナノジンク60本荘ケミカル社製、FINEX-30、FINEX-50堺化学工業社製等が挙げられる。また、金属酸化物の粒子は、分散しやすくするために表面処理剤で表面処理されていてもよい。表面処理剤としては、特段の制限はないが、メチルハイドロジェンポリシロキサン、ポリメトキシシラン、ジメチルポリシロキサン又はジメチコンPEG-7コハク酸塩等のポリシロキサン化合物及びその塩;シラン化合物等メチルジメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシラン又は3-カルボキシプロピルトリメチルトリメトキシシラン等の有機ケイ素化合物、ラウリン酸、ステアリン酸、2-2-メトキシエトキシ酢酸又は6-ヒドロキシヘキサン酸等のカルボン酸化合物;ラウリルエーテルリン酸又はトリオクチルホスフィン等の有機リン化合物;ポリイミン、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ尿素などのバインダー化合物等が挙げられる。なお、表面処理剤は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。1.2.1.2有機化合物有機化合物としては、具体的には、バソキュプロインBCP、バソフェナントレンBphen、8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3、ホウ素化合物、オキサジアゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、ナフタレンテトラカルボン酸無水物NTCDA、ペリレンテトラカルボン酸無水物PTCDA、又はホスフィンオキシド化合物若しくはホスフィンスルフィド化合物などの第16族から選ばれる原子とリン原子との間に二重結合を有するホスフィン化合物が挙げられる。好ましくは、アリール基で置換されたホスフィンオキシド化合物又はアリール基で置換されたホスフィンスルフィド化合物などのアリール基で置換された第16族から選ばれる原子とリン原子との間に二重結合を有するホスフィン化合物であり、より好ましくは、トリアリールホスフィンオキシド化合物、トリアリールホスフィンスルフィド化合物、ジアリールホスフィンオキシドユニットを2つ以上有する芳香族炭化水素化合物、ジアリールホスフィンスルフィドユニットを2つ以上有する芳香族炭化水素化合物又はジアリールホスフィンオキシドユニットを2つ以上有する芳香族炭化水素化合物である。アリール基は、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基などのフッ素原子置換アルキル基で置換されていてもよい。また、これら材料に加えてアルカリ金属又はアルカリ土類金属をドープしてもよい。電子取り出し層104の材料のLUMOエネルギー準位は、特に限定は無いが、通常-5.0eV以上、好ましくは-4.5eV以上である。一方、通常-1.9eV以下、好ましくは-2.0eV以下である。用いる電極の仕事関数、n型半導体のLUMOエネルギー準位にも多少影響されるが、電子取り出し層104の材料のLUMOエネルギー準位が当該範囲にあることにより、活性層で発生した電子が選択的に電極に取り出され、また開放電圧のロスがなくなるため、高い光電変換効率につながる。電子取り出し層104の材料のLUMOエネルギー準位の算出方法としては、サイクリックボルタモグラム測定法が挙げられる。例えば、公知文献国際公報第2011/016430号に記載の方法を参考にして実施することができる。電子取り出し層104の材料のHOMOエネルギー準位は、特に限定は無いが、通常-9.0eV以上、好ましくは-8.0eV以上である。一方、通常-5.5eV以下、好ましくは-6.0eV以下である。電子取り出し層104の材料のHOMOエネルギー準位が-5.5eV以下であることにより、正孔が移動してくることを阻止出来る点で好ましい。電子取り出し層104の材料が有機化合物である場合の、この化合物のDSC法によるガラス転移温度以下、Tgと記載する場合もあるは、特段の制限はないが、観測されないか、又は55°C以上であることが好ましい。DSC法によるガラス転移温度が観測されないとは、ガラス転移温度がないことを意味する。具体的には400°C以下のガラス転移温度の有無により判別する。DSC法によるガラス転移温度が観測されない材料は、熱的に高い安定性を有している点で好ましい。また、DSC法によるガラス転移温度が55°C以上の化合物のなかでも、ガラス転移温度が好ましくは65°C以上、より好ましくは80°C以上、さらに好ましくは110°C以上、特に好ましくは120°C以上である化合物が望ましい。一方、ガラス転移温度の上限は特に限定はないが、通常400°C以下、好ましくは350°C以下、より好ましくは300°C以下である。また、電子取り出し層104の材料は、DSC法によるガラス転移温度が30°C以上55度未満に観測されないものであることが好ましい。本明細書におけるガラス転移温度とは、化合物のアモルファス状態の固体において、熱エネルギーにより局所的な分子運動が開始される温度とされている温度であり、比熱が変化する点として定義される。Tgよりさらに温度が上がると、固体構造が変化して結晶化が起こるこの時の温度を結晶化温度Tcとする。さらに温度が上がると、融点Tmで融解し液体状態に変化することが一般的である。但し、高温で分子が分解したり、昇華したりして、これらの相転移が見られないこともある。ガラス転移温度は公知の方法で測定すればよく、例えばDSC法が挙げられる。DSC法とは、JISK-0129熱分析通則に定義された熱物性の測定法示差走査熱量測定法である。ガラス転移温度は、ガラス状態から分子運動が開始する温度であり、比熱の変化する温度としてDSCで測定できる。ガラス転移温度をより明確に決める為には、一度ガラス転移点以上の温度に加熱したサンプルを急冷した後に測定することが望ましい。例えば、公知文献国際公開第2011/016430号に記載の方法により、実施することができる。電子取り出し層に用いられる化合物のガラス転移温度が55°C以上である場合、この化合物は、印加される電場、流れる電流、曲げや温度変化による応力などの外部ストレスに対して構造が変化しにくいため、耐久性の面で好ましい。さらに、化合物の薄膜の結晶化が進みにくい傾向も有すことから、使用温度範囲においてこの化合物がアモルファス状態と結晶状態との間で変化しにくくなることにより、電子取り出し層としての安定性がよくなるため、耐久性の面で好ましい。この効果は、材料のガラス転移温度が高ければ高いほど、より顕著に表れる。電子取り出し層104の膜厚は特に限定はないが、通常0.01nm以上、好ましくは0.1nm以上、より好ましくは0.5nm以上である。一方、通常40nm以下、好ましくは20nm以下である。電子取り出し層104の膜厚が0.01nm以上であることでバッファ材料としての機能を果たすことになり、電子取り出し層104の膜厚が40nm以下であることで、電子が取り出し易くなり、光電変換効率が向上する。電子取り出し層104の形成方法に制限はない。例えば、昇華性を有する材料を用いる場合は真空蒸着法などにより形成することができる。また、例えば、溶媒に可溶な材料を用いる場合は、スピンコートやインクジェットなどの湿式塗布法などにより形成することができる。1.2.2正孔取り出し層102正孔取り出し層102の材料に特に限定は無く、有機活性層103からアノード101へ正孔の取り出し効率を向上させることが可能な材料であれば特に限定されない。具体的には、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアセチレン、トリフェニレンジアミン又はポリアニリンなどに、スルホン酸及び/又はヨウ素などがドーピングされた導電性ポリマー、スルホニル基を置換基に有するポリチオフェン誘導体、アリールアミンなどの導電性有機化合物、上述のp型半導体化合物などが挙げられる。なかでも、スルホン酸をドーピングした導電性ポリマーが好ましく、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルホン酸をドーピングしたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSSがより好ましい。また、金、インジウム、銀又はパラジウムなどの金属などの薄膜も使用することができ、特に三酸化モリブデンのような金属酸化物を用いることも好ましい。さらに、金属などの薄膜は、単独で形成してもよく、上記の有機材料と組み合わせて用いることもできる。正孔取り出し層102の膜厚は特に限定はないが、通常2nm以上である。一方、通常40nm以下、好ましくは20nm以下である。正孔取り出し層102の膜厚が2nm以上であることでバッファ材料としての機能を果たすことになり、正孔取り出し層102の膜厚が40nm以下であることで、正孔が取り出し易くなり、光電変換効率が向上する。正孔取り出し層102の形成方法に制限はない。例えば、昇華性を有する材料を用いる場合は真空蒸着法などにより形成することができる。また、例えば、溶媒に可溶な材料を用いる場合は、スピンコートやインクジェットなどの湿式塗布法などにより形成することができる。塗布方法の場合は、塗布液にはさらに界面活性剤も含有させてもよい。界面活性剤の使用により、微小な泡、異物等の付着による凹み、乾燥工程での塗布むら等の発生が抑制される。界面活性剤としては、公知の界面活性剤カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤を用いることができる。なかでも、ケイ素系界面活性剤、アセチレンジオール系界面活性剤又はフッ素系界面活性剤が好ましい。なお、界面活性剤は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。1.3電極101,105本発明に係る電極101,105は、光吸収により生じた正孔及び電子を捕集する機能を有するものである。1対の電極は、いずれか一方が透光性であればよく、両方が透光性であっても構わない。透光性があるとは太陽光が40以上透過する程度のものである。また、透明電極の太陽光線透過率が70以上であることが、透明電極を透過させて活性層に光を到達させるためには、好ましい。なお、光の透過率は、通常の分光光度計で測定可能できる。1.3.1アノード正孔の捕集に適した電極101アノードとは、一般には仕事関数がカソードよりも高い値を有する導電性材料で、有機活性層103で発生した正孔をスムーズに取り出す機能を有する電極である。アノード101の材料としては、例えば、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化インジウム、酸化スズインジウムITO、インジウム-ジルコニウム酸化物IZO、酸化チタン、酸化インジウム又は酸化亜鉛などの導電性金属酸化物;金、白金、銀、クロム又はコバルトなどの金属あるいはその合金が挙げられる。これらの物質は高い仕事関数を有するため、好ましく、さらに、ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルホン酸をドーピングしたPEDOT/PSSで代表されるような導電性高分子材料を積層することができるため、好ましい。このような導電性高分子を積層する場合には、その導電性高分子材料の仕事関数が高いことから、上記のような高い仕事関数の材料でなくとも、AlやMgなどのカソードに適した金属も広く用いることが可能である。ポリチオフェン誘導体にポリスチレンスルホン酸をドーピングしたPEDOT/PSSや、ポリピロール又はポリアニリンなどにヨウ素などのドーピングした導電性高分子材料をアノードの材料として使用することもできる。また、アノード101が透明電極である場合には、ITO、酸化亜鉛又は酸化スズなどの透光性がある導電性金属酸化物を用いることが好ましく、特にITOが好ましい。アノード101の膜厚は特に制限は無いが、通常10nm以上、好ましくは20nm以上、さらに好ましくは、50nm以上である。一方、通常10μm以下、好ましくは1μm以下、さらに好ましくは500nm以下である。アノード101の膜厚が10nm以上であることにより、シート抵抗が抑えられ、アノード101の膜厚が10μm以下であることにより、光透過率が低下せずに効率よく光を電気に変換することができる。透明電極に用いる場合には、光透過率とシート抵抗を両立する膜厚を選ぶ必要がある。アノード101のシート抵抗は、特段の制限はないが、通常1Ω/□以上、一方、1000Ω/□以下、好ましくは500Ω/□以下、さらに好ましくは100Ω/□以下である。アノード101の形成方法は、蒸着若しくはスパッタなどの真空成膜方法又はナノ粒子や前駆体を含有するインクを塗布して成膜する方法などがある。1.3.2カソード電子の捕集に適した電極105カソードとは、一般には仕事関数がアノードよりも高い値を有する導電性材料で、有機活性層103で発生した電子をスムーズに取り出す機能を有する電極である。図1の例においては、カソード105は電子取り出し層104と隣接する。カソード105の材料としては、例えば、白金、金、銀、銅、鉄、スズ、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム又はマグネシウムなどの金属及びその合金;フッ化リチウムやフッ化セシウムなどの無機塩;酸化ニッケル、酸化アルミニウム、酸化リチウム又は酸化セシウムのような金属酸化物などが挙げられる。これらの材料は低い仕事関数を有する材料のため、好ましい。カソード105についてもアノード101と同様に、電子取り出し層104にチタニアのようなn型半導体で導電性を有するものを用いることにより、アノード101に適した高い仕事関数を有する材料も用いることができる。電極保護の観点から、アノード101材料として好ましくは、白金、金、銀、銅、鉄、スズ、アルミニウム、カルシウム又はインジウムなどの金属及びこれらの金属を用いた合金である。カソード105の膜厚は特に制限は無いが、通常10nm以上、好ましくは20nm以上下、より好ましくは50nm以上である。一方、通常10μm以下、好ましくは1μm以下、より好ましくは500nm以下である。透明電極に用いる場合には、光透過率とシート抵抗を両立する膜厚を選ぶ必要がある。カソード105の膜厚が10nm以上であることにより、シート抵抗が抑えられ、カソード105の膜厚が10μm以下であることにより、光透過率が低下せずに効率よく光を電気に変換することができる。カソード105のシート抵抗は、特に制限は無いが、通常1000Ω/□以下、好ましくは500Ω/□以下、さらに好ましくは100Ω/□以下である。下限に制限は無いが、通常は1Ω/□以上である。カソード105の形成方法は、蒸着若しくはスパッタなどの真空成膜方法又はナノ粒子や前駆体を含有するインクを塗布して成膜する方法などがある。さらに、アノード101又はカソード105は2層以上積層してもよく、表面処理により特性電気特性やぬれ特性などを改良してもよい。1.3.3電極積層後の熱処理アノード101及びカソード105を積層した後に、得られた光電変換素子を通常50°C以上、好ましくは80°C以上、一方、通常250°C以下、好ましくは200°C以下、より好ましくは180°C以下の温度範囲において、熱処理することが好ましいこの工程をポストアニーリング処理工程と称する場合がある。このアニーリング処理工程の温度を50°C以上にすることで、電子取り出し層104と電極101及び/又は電子取り出し層104と活性層103の密着性が向上する効果が得られるため、好ましい。このアニーリング処理工程の温度が300°C以下にすることで、活性層の有機化合物が熱分解する可能性が低くなるため、好ましい。なお、温度操作については上記範囲内で段階的に加熱してもよい。加熱する時間としては、通常1分以上、好ましくは3分以上、一方、通常3時間以下、好ましくは1時間以下である。ポストアニーリング処理は太陽電池性能のパラメータである開放電圧、短絡電流及びフィルファクターが一定の値になったところで終了させることが好ましい。また、このアニーリング処理の雰囲気は常圧下、かつ不活性ガス雰囲気で実施することが好ましい。ポストアニーリング処理工程により、電子取り出し層104と電極101及び/又は電子取り出し層104と活性層103の密着性を向上させることで、光電変換素子の熱安定性や耐久性などが向上する効果とともに、有機活性層の自己組織化が促進される効果が得られる。加熱する方法としては、ホットプレートなどの熱源に光電変換素子を載せてもよいし、オーブンなどの加熱雰囲気下に光電変換素子を入れてもよい。また、バッチ式であっても連続方式であっても構わない。1.4基板106本発明に係る光電変換素子107は、通常は支持体となる基板106を有する。すなわち、基板上に、電極と、活性層、バッファ層とが形成される。基板の材料基板材料は効果を著しく損なわない限り任意である。基板材料の好適な例としては、石英、ガラス、サファイア又はチタニアなどの無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂フィルム、塩化ビニル又はポリエチレンなどのポリオレフィン、セルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリノルボルネン又はエポキシ樹脂などの有機材料;紙又は合成紙などの紙材料;ステンレス、チタン又はアルミニウムなどの金属に、絶縁性を付与するために表面をコート又はラミネートしたものなどの複合材料などが挙げられる。ガラスとしてはソーダガラスや青板ガラスや無アルカリガラスなどが挙げられる。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましい。基板106の形状に制限はなく、例えば、板、フィルム、シートなどの形状を用いることができる。基板106の膜厚に制限はない。ただし、通常5μm以上、なかでも20μm以上であり、一方、通常20mm以下、なかでも10mm以下に形成することが好ましい。基板の膜厚が5μm以上であると、半導体デバイスの強度が不足する可能性は少なくなるため、好ましい。基板の膜厚が20mm以下であることで、コストが抑えられ、かつ重量が重くならず、好ましい。又、基板がガラスの場合の膜厚は、通常0.01mm以上、好ましくは0.1mm以上であり、一方、また、通常1cm以下、好ましくは0.5cm以下である。ガラス基板の膜厚が0.01mm以上であると、機械的強度が増加し、割れにくくなるために、好ましい。ガラス基板の膜厚が0.5cm以下であると、重量が重くならず好ましい。2.太陽電池本実施形態に係る光電変換素子107は、太陽電池、なかでも薄膜太陽電池の太陽電池素子として使用されることが好ましい。図2は本発明の一実施形態としての薄膜太陽電池の構成を模式的に示す断面図である。図2に示すように、本実施形態の薄膜太陽電池14は、耐候性保護フィルム1と、紫外線カットフィルム2と、ガスバリアフィルム3と、ゲッター材フィルム4と、封止材5と、太陽電池素子6と、封止材7と、ゲッター材フィルム8と、ガスバリアフィルム9と、バックシート10とをこの順に備える。そして、耐候性保護フィルム1が形成された側図中下方から光が照射されて、太陽電池素子6が発電するようになっている。なお、後述するバックシート10としてアルミ箔の両面にフッ素系樹脂フィルムを接着したシートなどの防水性の高いシートを用いる場合は、用途によりゲッター材フィルム8及び/又はガスバリアフィルム9を用いなくてもよい。2.1耐候性保護フィルム1耐候性保護フィルム1は天候変化から太陽電池素子6を保護するフィルムである。耐候性保護フィルム1で太陽電池素子6を覆うことにより、太陽電池素子6等を天候変化等から保護し、発電能力を高く維持するようにしている。耐候性保護フィルム1は、薄膜太陽電池14の最表層に位置するため、耐候性、耐熱性、透明性、撥水性、耐汚染性及び/又は機械強度等の、薄膜太陽電池14の表面被覆材として好適な性能を備え、しかもそれを屋外暴露において長期間維持する性質を有することが好ましい。また、耐候性保護フィルム1は、太陽電池素子6の光吸収を妨げない観点から可視光を透過させるものが好ましい。例えば、可視光波長360~830nmの光の透過率が80以上であることが好ましく、上限に制限はない。さらに、薄膜太陽電池14は光を受けて熱せられることが多いため、耐候性保護フィルム1も熱に対する耐性を有することが好ましい。この観点から、耐候性保護フィルム1の構成材料の融点は、通常100°C以上350°C以下である。耐候性保護フィルム1を構成する材料は、天候変化から太陽電池素子6を保護することができるものであれば任意である。その材料の例を挙げると、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ASアクリロニトリル-スチレン樹脂、ABSアクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、フッ素系樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリアクリル系樹脂、各種ナイロン等のポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド-イミド樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、シリコーン系樹脂又はポリカーボネート樹脂等が挙げられる。なお、耐候性保護フィルム1は1種の材料で形成されていてもよく、2種以上の材料で形成されていてもよい。また、耐候性保護フィルム1は単層フィルムにより形成されていてもよいが、2層以上のフィルムを備えた積層フィルムであってもよい。耐候性保護フィルム1の厚みは特に規定されないが、通常10μm以上200μm以下である。また耐候性保護フィルム1には、他のフィルムとの接着性の改良のために、コロナ処理及び/又はプラズマ処理等の表面処理を行なってもよい。耐候性保護フィルム1は、薄膜太陽電池14においてできるだけ外側に設けることが好ましい。薄膜太陽電池14の構成部材のうちより多くのものを保護できるようにするためである。2.2紫外線カットフィルム2紫外線カットフィルム2は紫外線の透過を防止するフィルムである。紫外線カットフィルム2を薄膜太陽電池14の受光部分に設け、紫外線カットフィルム2で太陽電池素子6の受光面6aを覆うことにより、太陽電池素子6及び必要に応じてガスバリアフィルム3、9等を紫外線から保護し、発電能力を高く維持することができるようになっている。紫外線カットフィルム2に要求される紫外線の透過抑制能力の程度は、紫外線例えば、波長300nmの透過率が50以下であることが好ましく、下限に制限はない。また、紫外線カットフィルム2は、太陽電池素子6の光吸収を妨げない観点から可視光を透過させるものが好ましい。例えば、可視光波長360~830nmの光の透過率が80以上であることが好ましく、上限に制限はない。さらに、薄膜太陽電池14は光を受けて熱せられることが多いため、紫外線カットフィルム2も熱に対する耐性を有することが好ましい。この観点から、紫外線カットフィルム2の構成材料の融点は、通常100°C以上350°C以下である。また、紫外線カットフィルム2は、柔軟性が高く、隣接するフィルムとの接着性が良好であり、水蒸気や酸素をカットしうるものが好ましい。紫外線カットフィルム2を構成する材料は、紫外線の強度を弱めることができるものであれば任意である。その材料の例を挙げると、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系又はエステル系の樹脂に紫外線吸収剤を配合して成膜したフィルム等が挙げられる。また、紫外線吸収剤を樹脂中に分散あるいは溶解させたものの層以下、適宜紫外線吸収層というを基材フィルム上に形成したフィルムを用いてもよい。紫外線吸収剤としては、例えば、サリチル酸系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系のものを用いることができる。なお、紫外線吸収剤は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。前記したように、紫外線吸収フィルムとしては紫外線吸収層を基材フィルム上に形成したフィルムを用いることもできる。このようなフィルムは、例えば、紫外線吸収剤を含む塗布液を基材フィルム上に塗布し、乾燥させることで作製できる。基材フィルムの材質は特に限定されないが、耐熱性、柔軟性のバランスが良好なフィルムが得られる点で、例えばポリエステルが挙げられる。紫外線カットフィルム2の具体的な商品の例を挙げると、カットエースMKVプラスティック株式会社等が挙げられる。なお、紫外線カットフィルム2は1種の材料で形成されていてもよく、2種以上の材料で形成されていてもよい。また、紫外線カットフィルム2は単層フィルムにより形成されていてもよいが、2層以上のフィルムを備えた積層フィルムであってもよい。紫外線カットフィルム2の厚みは特に規定されないが、通常5μm以上200μm以下である。紫外線カットフィルム2は、太陽電池素子6の受光面6aの少なくとも一部を覆う位置に設ければよいが、好ましくは太陽電池素子6の受光面6aの全てを覆う位置に設ける。ただし、太陽電池素子6の受光面6aを覆う位置以外の位置にも紫外線カットフィルム2が設けられていてもよい。2.3ガスバリアフィルム3ガスバリアフィルム3は水及び酸素の透過を防止するフィルムである。ガスバリアフィルム3で太陽電池素子6を被覆することにより、太陽電池素子6を水及び酸素から保護し、発電能力を高く維持することができる。ガスバリアフィルム3に要求される防湿能力の程度は、太陽電池素子6の種類等に応じて様々である。例えば、太陽電池素子6が有機太陽電池素子である場合には、単位面積1m2の1日あたりの水蒸気透過率が、通常1×10-1g/m2/day以下であることが好ましく、下限に制限はない。ガスバリアフィルム3に要求される酸素透過性の程度は、太陽電池素子6の種類等に応じて様々である。例えば、太陽電池素子6が有機太陽電池素子である場合には、単位面積1m2の1日あたりの酸素透過率が、通常1×10-1cc/m2/day/atm以下であることが好ましく、下限に制限はない。また、ガスバリアフィルム3は、太陽電池素子6の光吸収を妨げない観点から可視光を透過させるものが好ましい。例えば、可視光波長360~830nmの光の透過率は、通常60以上であり、上限に制限はない。さらに、薄膜太陽電池14は光を受けて熱せられることが多いため、ガスバリアフィルム3も熱に対する耐性を有することが好ましい。この観点から、ガスバリアフィルム3の構成材料の融点は、通常100°C以上350°C以下である。ガスバリアフィルム3の具体的な構成は、太陽電池素子6を水から保護できる限り任意である。ただし、ガスバリアフィルム3を透過しうる水蒸気や酸素の量を少なくできるフィルムほど製造コストが高くなるため、これらの点を総合的に勘案して適切なものを使用することが好ましい。なかでも好適なガスバリアフィルム3としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET或いはポリエチレンナフタレートPEN等の基材フィルムにSiOxを真空蒸着したフィルム等が挙げられる。なお、ガスバリアフィルム3は1種の材料で形成されていてもよく、2種以上の材料で形成されていてもよい。また、ガスバリアフィルム3は単層フィルムにより形成されていてもよいが、2層以上のフィルムを備えた積層フィルムであってもよい。ガスバリアフィルム3の厚みは特に規定されないが、通常5μm以上200μm以下である。ガスバリアフィルム3は、太陽電池素子6を被覆して湿気及び酸素から保護できればその形成位置に制限は無いが、太陽電池素子6の正面受光面側の面。図2では下側の面及び背面受光面とは反対側の面。図2では上側の面を覆うことが好ましい。薄膜太陽電池14においてはその正面及び背面が他の面よりも大面積に形成されることが多いためである。本実施形態ではガスバリアフィルム3が太陽電池素子6の正面を覆い、後述するガスバリアフィルム9が太陽電池素子6の背面を覆うようになっている。なお、後述するバックシート10としてアルミ箔の両面にフッ素系樹脂フィルムを接着したシート等の防水性の高いシートを用いる場合は、用途によりゲッター材フィルム8及び/又はガスバリアフィルム9を用いなくてもよい。2.4ゲッター材フィルム4ゲッター材フィルム4は水分及び/又は酸素を吸収するフィルムである。ゲッター材フィルム4で太陽電池素子6を覆うことにより、太陽電池素子6等を水分及び/又は酸素から保護し、発電能力を高く維持するようにしている。ここで、ゲッター材フィルム4は前記のようなガスバリアフィルム3とは異なり、水分の透過を妨げるものではなく、水分を吸収するものである。水分を吸収するフィルムを用いることにより、ガスバリアフィルム3等で太陽電池素子6を被覆した場合に、ガスバリアフィルム3及び9で形成される空間に僅かに浸入する水分をゲッター材フィルム4が捕捉して水分による太陽電池素子6への影響を排除できる。ゲッター材フィルム4の水分吸収能力の程度は、通常0.1mg/cm2以上であり、上限に制限は無いが、通常10mg/cm2以下である。また、ゲッター材フィルム4が酸素を吸収することにより、ガスバリアフィルム3及び9等で太陽電池素子6を被覆した場合に、ガスバリアフィルム3及び9で形成される空間に僅かに浸入する酸素をゲッター材フィルム4が捕捉して酸素による太陽電池素子6への影響を排除できる。さらに、ゲッター材フィルム4は、太陽電池素子6の光吸収を妨げない観点から可視光を透過させるものが好ましい。例えば、可視光波長360~830nmの光の透過率は、通常60以上であり、上限に制限はない。さらに、薄膜太陽電池14は光を受けて熱せされることが多いため、ゲッター材フィルム4も熱に対する耐性を有することが好ましい。この観点から、ゲッター材フィルム4の構成材料の融点は、通常100°C以上350°C以下である。ゲッター材フィルム4を構成する材料は、水分及び/又は酸素を吸収することができるものであれば任意である。その材料の例を挙げると、水分を吸収する物質としてアルカリ金属、アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属の酸化物;アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物;シリカゲル、ゼオライト系化合物、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム又は硫酸ニッケル等の硫酸塩;アルミニウム金属錯体又はアルミニウムオキサイドオクチレート等の有機金属化合物等が挙げられる。具体的には、アルカリ土類金属としては、Ca、Sr又はBa等が挙げられる。アルカリ土類金属の酸化物としては、CaO、SrO又はBaO等が挙げられる。その他にZr-Al-BaOやアルミニウム金属錯体等も挙げられる。具体的な商品名を挙げると、例えば、OleDry双葉電子社製等が挙げられる。酸素を吸収する物質としては、活性炭、シリカゲル、活性アルミナ、モレキュラーシーブ、酸化マグネシウム又は酸化鉄等が挙げられる。またFe、Mn、Zn、及びこれら金属の硫酸塩塩化物塩硝酸塩等の無機塩も挙げられる。なお、ゲッター材フィルム4は1種の材料で形成されていてもよく、2種以上の材料で形成されていてもよい。また、ゲッター材フィルム4は単層フィルムにより形成されていてもよいが、2層以上のフィルムを備えた積層フィルムであってもよい。ゲッター材フィルム4の厚みは特に規定されないが、通常5μm以上200μm以下である。ゲッター材フィルム4は、ガスバリアフィルム3及び9で形成される空間内であればその形成位置に制限は無いが、太陽電池素子6の正面受光面側の面。図2では下側の面及び背面受光面とは反対側の面。図2では上側の面を覆うことが好ましい。薄膜太陽電池14においてはその正面及び背面が他の面よりも大面積に形成されることが多いため、これらの面を介して水分及び酸素が浸入する傾向があるからである。この観点から、ゲッター材フィルム4はガスバリアフィルム3と太陽電池素子6との間に設けることが好ましい。本実施形態ではゲッター材フィルム4が太陽電池素子6の正面を覆い、後述するゲッター材フィルム8が太陽電池素子6の背面を覆い、ゲッター材フィルム4、8がそれぞれ太陽電池素子6とガスバリアフィルム3、9との間に位置するようになっている。なお、後述するバックシート10としてアルミ箔の両面にフッ素系樹脂フィルムを接着したシート等防水性の高いシートを用いる場合は、用途によりゲッター材フィルム8及び/又はガスバリアフィルム9を用いなくてもよい。2.5封止材5封止材5は、太陽電池素子6を補強するフィルムである。太陽電池素子6は薄いため通常は強度が弱く、ひいては薄膜太陽電池の強度が弱くなる傾向があるが、封止材5により強度を高く維持することが可能である。また、封止材5は、薄膜太陽電池14の強度保持の観点から強度が高いことが好ましい。具体的強度については、封止材5以外の耐候性保護フィルム1やバックシート10の強度とも関係することになり一概には規定しにくいが、薄膜太陽電池14全体が良好な曲げ加工性を有し、折り曲げ部分の剥離を生じないような強度を有するのが望ましい。また、封止材5は、太陽電池素子6の光吸収を妨げない観点から可視光を透過させるものが好ましい。例えば、可視光波長360~830nmの光の透過率は、通常60以上であり、上限に制限はない。封止材5の厚みは特に規定されないが、通常2μm以上通常700μm以下である。封止材5の基板に対するT型剥離接着強さは通常1N/inch以上通常2000N/inch以下である。T型剥離接着強さが1N/inch以上であることは、モジュールの長期耐久性を確保できる点で好ましい。T型剥離接着強さが2000N/inch以下であることは、太陽電池モジュールを廃棄する際に、基材やバリアフィルムと接着材を分別して廃棄できる点で好ましい。T型剥離接着強さはJISK6854に準拠する方法により測定する。封止材5の構成材料としては、上記特性を有する限り特段の制限はないが、有機無機の太陽電池の封止、有機無機のLED素子の封止、又は電子回路基板の封止等に一般的に用いられている封止用材料を用いる事ができる。具体的には、熱硬化性樹脂組成物又は熱可塑性樹脂組成物および活性エネルギー線硬化性樹脂組成物が挙げられる。活性エネルギー線硬化性樹脂組成物とは例えば、紫外線、可視光、電子線などで硬化する樹脂のことである。より具体的には、エチレン-酢酸ビニル共重合体EVA樹脂組成物、炭化水素系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、アクリル系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、又はシリコーン系樹脂組成物等が挙げられ、それぞれの高分子の主鎖、分岐鎖、末端の化学修飾、分子量の調整、添加剤等によって、熱硬化性、熱可塑性及び活性エネルギー線硬化性等の特性が発現する。また、薄膜太陽電池14は光を受けて熱せられることが多いため、封止材5も熱に対する耐性を有することが好ましい。この観点から、封止材5の構成材料の融点は、通常100°C以上350°C以下である。封止材5中の封止材用構成材料の密度は、0.80g/cm3以上が好ましく、上限に制限はない。なお、密度の測定と評価は、JISK7112に準拠する方法によって実施することができる。封止材5を設ける位置に制限は無いが、通常は太陽電池素子6を挟み込むように設ける。太陽電池素子6を確実に保護するためである。本実施形態では、太陽電池素子6の正面及び背面にそれぞれ封止材5及び封止材7を設けるようにしている。2.6太陽電池素子6太陽電池素子6は、前述の光電変換素子と同様である。太陽電池素子6は、薄膜太陽電池14一個につき一個だけを設けてもよいが、通常は2個以上の太陽電池素子6を設ける。具体的な太陽電池素子6の個数は任意に設定すればよい。太陽電池素子6を複数設ける場合、太陽電池素子6はアレイ状に並べて設けられていることが多い。太陽電池素子6を複数設ける場合、通常は、太陽電池素子6同士は電気的に接続され、接続された一群の太陽電池素子6から生じた電気を端子図示せずから取り出すようになっていて、この際、電圧を高めるため通常は太陽電池素子は直列に接続される。このように太陽電池素子6同士を接続する場合には、太陽電池素子6間の距離は小さいことが好ましく、ひいては、太陽電池素子6と太陽電池素子6との間の隙間は狭いことが好ましい。太陽電池素子6の受光面積を広くして受光量を増加させ、薄膜太陽電池14の発電量を増加させるためである。2.7封止材7封止材7は、上述した封止材5と同様のフィルムであり、配設位置が異なる他は封止材7と同様のものを同様に用いることができる。また、太陽電池素子6よりも背面側の構成部材は必ずしも可視光を透過させる必要が無いため、可視光を透過させないものを用いることもできる。2.8ゲッター材フィルム8ゲッター材フィルム8は、上述したゲッター材フィルム4と同様のフィルムであり、配設位置が異なる他はゲッター材フィルム4と同様のものを同様に必要に応じて用いることができる。また、太陽電池素子6よりも背面側の構成部材は必ずしも可視光を透過させる必要が無いため、可視光を透過させないものを用いることもできる。2.9ガスバリアフィルム9ガスバリアフィルム9は、上述したガスバリアフィルム3と同様のフィルムであり、配設位置が異なる他はガスバリアフィルム9と同様のものを同様に必要に応じて用いることができる。また、太陽電池素子6よりも背面側の構成部材は必ずしも可視光を透過させる必要が無いため、可視光を透過させないものを用いることもできる。2.10バックシート10バックシート10は、上述した耐候性保護フィルム1と同様のフィルムであり、配設位置が異なる他は耐候性保護フィルム1と同様のものを同様に用いることができる。また、このバックシート10が水及び酸素を透過させ難いものであれば、バックシート10をガスバリア層として機能させることも可能である。また、太陽電池素子6よりも背面側の構成部材は必ずしも可視光を透過させる必要が無いため、可視光を透過させないものを用いることもできる。2.11寸法等本実施形態の薄膜太陽電池14は、通常、膜状の薄い部材である。このように膜状の部材として薄膜太陽電池14を形成することにより、薄膜太陽電池14を建材、自動車又はインテリア等に容易に設置できるようになっている。薄膜太陽電池14は、軽く、割れにくく、従って安全性の高い太陽電池が得られ、また曲面にも適用可能であるため更に多くの用途に使用しうる。薄くて軽いため輸送や保管等流通面でも好ましい。更に、膜状であるためロールトゥロール式の製造が可能であり大幅なコストカットが可能である。薄膜太陽電池14の具体的な寸法に制限は無いが、その厚みは、通常300μm以上3000μm以下である。2.12製造方法本実施形態の薄膜太陽電池14の製造方法に制限は無いが、例えば、図2の形態の太陽電池製造方法としては、図2に示される積層体を作成した後に、ラミネート封止工程を行う方法が挙げられる。本発明の太陽電池素子は、耐熱性に優れるため、ラミネート封止工程による劣化が低減される点で好ましい。図2に示される積層体作成は周知の技術を用いて行うことができる。ラミネート封止工程の方法は、本発明の効果を損なわなければ特に制限はないが、例えば、ウェットラミネート、ドライラミネート、ホットメルトラミネート、押出しラミネート、共押出成型ラミネート、押出コーティング、光硬化接着剤によるラミネート、サーマルラミネートなどが挙げられる。なかでも有機ELデバイス封止で実績のある光硬化接着剤によるラミネート法、太陽電池で実績のあるホットメルトラミネート、サーマルラミネートが好ましく、さらに、ホットメルトラミネート、サーマルラミネートがシート状の封止材を使用できる点でより好ましい。ラミネート封止工程の加熱温度は通常130°C以上、好ましくは140°C以上であり、通常180°C以下、好ましくは170°C以下である。ラミネート封止工程の加熱時間は通常10分以上、好ましくは20分以上であり、通常100分以下、好ましくは90分以下である。ラミネート封止工程の圧力は通常0.001MPa以上、好ましくは0.01MPa以上であり、通常0.2MPa以下、好ましくは0.1MPa以下である。圧力をこの範囲とすることで封止を確実に行い、かつ、端部からの封止材5、7がはみ出しや過加圧による膜厚低減を抑え、寸法安定性を確保しうる。なお、2個以上の太陽電池素子6を直列又は並列接続したものも上記と同様にして、製造することができる。2.13用途本発明の太陽電池、特には上述した薄膜太陽電池14の用途に制限はなく、任意の用途に用いることができる。本発明の薄膜太陽電池を適用する分野の例を挙げると、建材用太陽電池、自動車用太陽電池、インテリア用太陽電池、鉄道用太陽電池、船舶用太陽電池、飛行機用太陽電池、宇宙機用太陽電池、家電用太陽電池、携帯電話用太陽電池又は玩具用太陽電池等である。本発明の太陽電池、特には薄膜太陽電池はそのまま用いても、基材上に太陽電池を設置して太陽電池モジュールとして用いてもよい。例えば、図3に模式的に示すように、基材12上に薄膜太陽電池14を備えた太陽電池モジュール13を用意し、これを使用場所に設置して用いればよい。具体例を挙げると、基材12として建材用板材を使用する場合、この板材の表面に薄膜太陽電池14を設けることにより、太陽電池モジュール13として太陽電池パネルを作製することができる。基材12は太陽電池素子6を支持する支持部材である。基材12を形成する材料としては、例えば、ガラス、サファイアおよびチタニア等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂、塩化ビニル、ポリエチレン、セルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアリレートおよびポリノルボルネン等の有機材料;紙および合成紙等の紙材料;ステンレス、チタンおよびアルミニウム等の金属;ステンレス、チタンおよびアルミニウム等の金属に、絶縁性を付与するために表面をコート又はラミネートしたもの等の複合材料;などが挙げられる。なお、基材の材料は、1種を用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、これら有機材料あるいは紙材料に炭素繊維を含ませ、機械的強度を補強させてもよい。基材12の例を挙げると、アルポリック登録商標;三菱樹脂製等が挙げられる。基材12の形状に制限はないが、通常は板材を使用する。また、基材12の材料、寸法等は、その使用環境に応じて任意に設定すればよい。この太陽電池パネルは、建物の外壁等に設置することができる。以下、本発明の実施例を示して本発明についてさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。フラーレン化合物のLUMOエネルギー準位測定方法サイクリックボルタモグラム測定により得られた第一還元電位の値を基に、C60PCBMフロンティアカーボン社製、1-3-メトキシカルボニルプロピル-1-フェニル6,6-C60のLUMOエネルギー準位を-3.80eVとした場合の相対値より、LUMOエネルギー準位の算出を行った非特許文献:J.Am.Chem.Soc.2008,130,15429-15436参照。サイクリックボルタモグラム測定は以下の条件で行った。温度:室温作用電極:グラッシーカーボン電極対極:白金電極参照電極:Ag/Ag電解質:過塩素酸テトラブチルアンモニウムTBAP0.1Mを含むo-ジクロロベンゼンとアセトニトリルの混合溶液4:1、容積比フラーレン化合物濃度:約0.5mM電位基準:フェロセンの酸化還元電位重量平均分子量及び数平均分子量の測定方法ポリスチレン換算の重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィGPCにより求めた。ゲル浸透クロマトグラフィGPC測定は以下の条件で行った。カラム:Shim-packGPC-803島津製作所社製、内径8.0mm、長さ30cm、Shim-packGPC-804島津製作所社製、内径8.0mm、長さ30cmそれぞれ1本ずつ直列接続ポンプ:LC-10AT島津製作所社製オーブン:CTO-10A島津製作所社製検出器:示差屈折率検出器島津製作所社製:RID-10A及びUV-vis検出器島津製作所社製:SPD-10Aサンプル:試料をテトラヒドロフランTHFに溶解させた液5μL移動相:THF流速:1.0mL/min解析:LC-Solution島津製作所社製元素分析測定試料を湿式分解後、分解液中のパラジウムPd及びスズSnをICP質量分析装置にて分析し、量を求めた。また、試料を試料燃焼装置三菱化学アナリテック社製、QF-02型にて燃焼し、燃焼ガスを還元剤入りのアルカリ吸収液に吸収し、吸収液中の臭素イオンBr-及びヨウ素イオンI-をICP質量分析装置にて分析し、量を求めた。装置:ICP質量分析装置AgilentTechnologies社製、7500ce型解析:検量線法p型半導体化合物の薄膜吸収スペクトル測定方法p型半導体化合物の薄膜に紫外-可視光を照射し、透過光の紫外可視吸収スペクトルを分光光度計オーシャンオプティクス社製、USB2000で測定した。なお、塗布法で成膜する場合には、ガラス基板上に、スピンコーターを用いてp型半導体化合物溶液溶媒:トルエン0.15mlをスピンコートし、60°Cで乾燥して溶媒を除去することにより、p型半導体化合物膜膜厚:120nmを成膜した。p型半導体化合物のエネルギーバンドギャップ測定方法p型半導体化合物のエネルギーバンドギャップeVは、分光光度計オーシャンオプティクス社製、USB2000を用いて測定したUV-visスペクトルの吸収端から決定した。具体的には、光エネルギーhνに対してahν1/2をプロットし、吸収端近傍における外挿線とベースラインとの交点をエネルギーバンドギャップとした。ここでaは吸光度、hはプランク定数、νは光の振動数である。p型半導体化合物のイオン化ポテンシャル測定方法ITO基板上のp型半導体化合物膜について、イオン化ポテンシャル測定装置OPTEL社製、PCR-101を用いてイオン化ポテンシャルを測定した。塗布法でp型半導体化合物膜を成膜する場合には、塗布溶液として1.3重量のトルエン溶液を用い、ITO基板上に0.5mlをスピンコートし、60°Cで乾燥して溶媒を除去することによりp型半導体化合物膜膜厚:100nmを成膜した。p型半導体化合物のエネルギー準位算出方法LUMOエネルギー準位及びHOMOエネルギー準位は、上記のエネルギーバンドギャップ測定及びイオン化ポテンシャル測定の結果を用いて、下記計算式b1b2に従って算出した。LUMOエネルギー準位eV=-イオン化ポテンシャルeV-エネルギーバンドギャップeV...b1HOMOエネルギー準位eV=-イオン化ポテンシャルeV...b2光電変換素子の評価光電変換素子に4mm角のメタルマスクを付け、照射光源としてエアマスAM1.5G、放射照度100mW/cm2のソーラシミュレータを用い、ソースメーターケイスレー社製、2400型により、ITO電極とアルミニウム電極との間における電流-電圧特性を測定した。上記測定結果から、開放電圧VocV、短絡電流密度JscmA/cm2、形状因子FF、光電変換効率PCEを算出する。ここで、開放電圧Vocとは電流値=0mA/cm2の際の電圧値、短絡電流密度Jscとは電圧値=0Vの際の電流密度である。形状因子FFとは内部抵抗を表すファクターであり、最大出力点をPmaxとすると次式で表される。FF=Pmax/Voc×Jscまた、光電変換効率PCEは、入射エネルギーをPinとすると次式で与えられる。PCE=Pmax/Pin=Voc×Jsc×FF/Pin×100<合成例1:イミドチオフェンモノマー1の合成>500mLナスフラスコにチオフェンジカルボン酸5.3g30.7mmol、無水酢酸100mLを加え140°Cで6時間加熱した。減圧留去により溶媒を除去し、トルエンで再結晶を行い3.5gの1H,3H-thieno[3,4-c]furan-1,3-dioneを得た。窒素下、100mLナスフラスコ中で1H,3H-thieno[3,4-c]furan-1,3-dione3.57g0.023molを脱水DMF35mLに溶解した。次いで、氷浴中でn-オクチルアミン4.2mL0.025molを加えた後、140°Cで2時間加熱した。放冷後水と混合して析出した肌色粉末を濾取し、冷メタノールで洗浄を行い、4-[[1-octylamino]carbonyl]-3-thienophenecarboxylicacid5.3gを得た。100mLナスフラスコに、4-[[1-octylamino]carbonyl]-3-thienophenecarboxylicacid5.27g18.6mmolと塩化チオニル18mLを加えバス温度を72°Cに設定して3時間加熱した。放冷後、1N水酸化ナトリウム水溶液に滴下し、析出した茶色粉末を濾取した。冷メタノールを用いて洗浄し、乾燥させ5-octyl-4H-thieno[3,4-c]pyrrole-4,65H-dioneを4.55g得た収率91。窒素下、200mLナスフラスコ中で5-octyl-4H-thieno[3,4-c]pyrrole-4,65H-dione2.65g10mmolを、トリフルオロ酢酸50mL、濃硫酸15mLに溶解した。氷浴中で、更にNBS5.33g30mmolを溶解するまで攪拌後、氷浴を外して室温まで上昇させ20時間攪拌した。氷水と混合してクエンチ後、クロロホルムを用いて抽出、溶媒を減圧留去により除去し、カラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:クロロホルム2:1→1:1にて精製した。ヘキサンを用いて懸濁洗浄後、イミドチオフェンモノマー11,3-dibromo-5-octyl-4H-thieno[3,4-c]pyrrole-4,6-5H-dioneを2.58g得た収率61。<合成例2:ジチエノシロールモノマー1の合成>50mL多口フラスコに4,4’-dioctyl-5,5-dibromo-dithieno[3,2-b:2’,3’-d]silole0.1gを加え、真空ポンプとドライヤーを用いて十分に窒素置換を行った。脱水THF5mLを加え、ドライアイス-アセトンバスで系を冷やした後、nBuLiinhexane溶液0.28mLを加え、15分間攪拌した。その後トリメチルスズクロリド105mgを加え室温まで上昇させ2時間攪拌した。水を加えてクエンチし、ヘキサンで抽出後硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、減圧留去により溶媒を除去し、ジチエノシロールモノマー14,4’-dioctyl-5,5-bistrimethyltin-dithieno[3,2-b:2’,3’-d]silole、緑色オイル125mgを得た。<合成例3:コポリマーAの合成>窒素下50mLナスフラスコに、合成例1で得られたイミドチオフェンモノマー1:187mg1,3-dibromo-5-octyl-4H-thieno[3,4-c]pyrrole-4,6-5H-dione、0.443mmol、合成例2で得られたジチエノシロールモノマー1:340mg4,4’-dioctyl-5,5-bistrimethyltin-dithieno[3,2-b:2’,3’-d]silole、0.443mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0価15mg0.013mmol、酸化銅II35mg0.443mmol、トルエン6.75mL及びDMF1.62mLを加え、100°Cで20時間攪拌した。その後末端処理として、その後ブロモベンゼン0.1mLを加え3時間過熱攪拌し、さらにトリメチルフェニルティン0.1mLを加え3時間過熱攪拌後、トルエンで5倍に希釈した反応溶液をメタノール400mLに滴下した。析出したコポリマーを濾取した後、シリカゲルを用いて精製し目的のコポリマーAを得た。JAIGEL-3H40φ、2H40φを取り付けたJAL908-C60装置日本分析工業社製を用いて、展開液としてクロロホルムを用い、流速14mL/minの条件下、粗ポリマー50~100mgのクロロホルム溶液10mLを充填し、分取精製をおこなった。分取されたコポリマーAの重量平均分子量、数平均分子量及び分子量分布PDIは、それぞれ、16.2×104、6.1×104及び2.7であった。コポリマーAの元素分析を行ったところ、それぞれの元素量はBr:73ppm、Pd:40ppm、Sn:153ppmであった。<合成例4:C60Indの合成>C60Indフラーレン化合物G1の合成は、特許文献国際公開第2008/018931号を参考にして行った。フラーレン化合物G1は、高次の付加体との混合物よりGPCで分取精製した。質量分析APCI法、negativeにより、フラーレン化合物G1の質量と一致するm/z:836[M-]を検出した。また、フラーレン化合物G1の合成過程ではC60Ind2フラーレン化合物G2も副生するため、これを単離することによりフラーレン化合物G2を得た。フラーレン化合物のLUMO測定結果本発明に係るフラーレン化合物G1のLUMOエネルギー準位を表1に示す。また、フラーレン化合物G2のLUMOエネルギー準位を併せて表1に示す。更に、C60PCBM1-3-メトキシカルボニルプロピル-1-フェニル6,6-C60、フロンティアカーボン社製及びC60フロンティアカーボン社製についても、LUMOエネルギー準位を上述のように算出した結果を表1に示す。p型半導体化合物の特性測定結果前述の方法に従って、合成例1で得られたポリマーA及びP3HTRieke社製について塗布法により薄膜を作製し、薄膜吸収スペクトルを測定した。結果を図4に示す。図4から、本発明に係るp型半導体化合物であるポリマーAは、P3HTとは異なり、400nm以上での最も強い吸収極大波長が、700nm以上1000nm以下に存在することが分かった。このことはポリマーAが比較的狭いエネルギーバンドギャップを有し、電荷分離及びキャリア移動が起こりやすいことを示唆する。また、ポリマーAは長波長領域で比較的高い光吸収性を有することから、ポリマーAを用いる光電変換素子は長波長の光をより有効に利用しうる。また、前述の方法に従い、ポリマーA及びP3HTのエネルギーバンドギャップ、HOMOエネルギー準位、及びLUMOエネルギー準位を測定算出した。結果を表2に示す。表2に示すように、ポリマーAはP3HTよりも狭いエネルギーバンドギャップを有し、かつLUMOエネルギー準位が低い。従ってポリマーAを、比較的低いLUMOエネルギー準位を有するフラーレン化合物G1などと組み合わせると好適であり、電荷分離が効率よく起こると考えられる。即ち、本発明に係るp型半導体化合物を本発明に係るフラーレン化合物と組み合わせた光電変換素子は良好な光電変換特性を有する。<実施例1>活性層塗布液Ink1の作製p型半導体化合物として合成例3で得られたポリマーAと、n型半導体化合物として合成例4で得られたフラーレン化合物G1とを重量比が1:2となるように混合し、混合物が1.2重量の濃度となるように窒素雰囲気中でオルトキシレン:テトラリンの混合溶媒体積比4:1に溶解させた。この溶液をホットスターラー上で80°Cの温度にて1時間攪拌混合した。攪拌混合後の溶液を0.45μmのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターで濾過することにより、活性層塗布液Ink1を得た。光電変換素子の作製インジウムスズ酸化物ITO透明導電膜がパターニングされたガラス基板ジオマテック社製をアセトンによる超音波洗浄、次いでイソプロパノールによる超音波洗浄の後、窒素ブローで乾燥させた。次に、酸化亜鉛ZnOのナノ粒子分散液カタログナンバー721107、アドルリッチ社製をプロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタートPGMEA、東京化成工業社製により5倍に希釈した分散液を調製した。得られた分散液を、洗浄した基板に1ml滴下後、スピンコートにより塗布し、塗布後の基板を150°Cのホットプレート上で10分間、大気中で加熱した。こうして形成された電子取り出し層の膜厚は約100nmであった。電子取り出し層を成膜した基板をグローブボックスに持ち込み、窒素雰囲気下150°Cで3分間熱処理し、冷却後に活性層塗布液Ink1を70rpmの速度にてスピンコートすることにより、約200nmの厚みの活性層を形成した。その後同じくグローブボックス中にて、ホットプレートを用い130°Cで30分間熱処理し、活性層の成膜を完了させた。更に、正孔取り出し層として2.5nmの三酸化モリブデンMoO3、次いで電極層として100nmの銀を抵抗加熱型真空蒸着法により順次成膜し、5mm角の光電変換素子を作製した。光電変換素子の評価このようにして作製した光電変換素子に4mm角のメタルマスクを付け、照射光源としてエアマスAM1.5G、放射照度100mW/cm2のソーラシミュレータを用い、ソースメーターケイスレー社製、2400型により、ITO電極とアルミニウム電極との間における電流-電圧特性を測定したこの測定値を初期値と記す。素子の耐熱性を評価するため、素子を130°Cに設定したホットプレート上で60分間熱処理し、基板冷却後に同じ装置にて電流-電圧特性を測定したこの測定値を熱処理後値と記す。評価結果を表3に示す。<比較例1>n型半導体化合物としてフラーレン化合物G1の代わりに合成例4で得られたフラーレン化合物G2を用いたことを除いて実施例1と同様の方法で光電変換素子を作製し、評価した。結果を表3に示す。<比較例2>n型半導体化合物としてフラーレン化合物G1の代わりにC60PCBMフロンティアカーボン社製を用いたことを除いて実施例1と同様の方法で光電変換素子を作製し、評価した。結果を表3に示す。<比較例3>活性層塗布液Ink2の作製p型半導体化合物としてレジオレギュラーポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT、RiekeMetals社製と、n型半導体化合物として合成例4で得られたC60Indとを、重量比が1:1となるように混合し、混合物が2.0重量の濃度となるように窒素雰囲気中でオルトキシレンに溶解させた。この溶液をホットスターラー上で80°Cの温度にて1時間攪拌混合した。攪拌混合後の溶液を0.45μmのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターで濾過することにより、活性層塗布液Ink2を得た。光電変換素子の作製評価まず実施例1と同様に、ITOがパターニングされたガラス基板を洗浄し、ガラス基板上に電子取り出し層ZnO層を成膜した。これをグローブボックスに持ち込み、窒素雰囲気下150°Cで3分間熱処理し、冷却後に活性層塗布液Ink2を150rpmの速度にてスピンコートすることにより、約200nmの厚みの活性層を形成した。その後同じくグローブボックス中にて、ホットプレートを用い150°Cで10分間アニール処理し、活性層の成膜を完了させた。更に、正孔取り出し層として30nmの三酸化モリブデンMoO3、次いで電極層として100nmの銀を抵抗加熱型真空蒸着法により順次成膜し、5mm角の光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子は実施例と同様の方法で評価した。結果を表3に示す。表3に示すように、本発明に基づく実施例1で得られた光電変換素子は、比較例1~3で得られた光電変換素子と比較して、作製直後の光電変換効率PCEが高く、かつ高温熱処理後も高効率が維持されていることが判る。一方、ビスインデン付加体フラーレン化合物C60Ind2フラーレン化合物G2を用いた比較例1やP3HTを用いた比較例3では、PCEは低い値に留まっている。また、比較例2では高温熱処理後のPCEの低下が大きい。このように、本願発明のp型半導体化合物とフラーレン化合物とを含む活性層を有する光電変換素子は、高い光電変換効率と耐熱性を備えることがわかる。"