基板上に、有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を構成するAl合金膜、および発光層を含む有機層を有する配線構造であって、前記Al合金膜は、希土類元素を0.05~5原子含有し、且つ、硬度は2~3.5GPaであり、Al合金組織に存在する粒界三重点の密度は2×108個/mm2以上であり、前記Al合金膜の上に前記有機層が直接接続していることを特徴とする配線構造。前記希土類元素は、Nd、Gd、La、Y、Ce、PrおよびDyよりなる群から選択される1種以上の元素である請求項1に記載の配線構造。前記Al合金膜が、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソースドレイン電極に電気的に接続されている請求項1または2に記載の配線構造。請求項1~3のいずれかに記載の配線構造を備えた薄膜トランジスタ基板。請求項4に記載の薄膜トランジスタ基板を備えた有機ELディスプレイ。ところで、トップエミッションの有機ELディスプレイでは、陽極アノードから上層となる有機層への正孔注入を考えるとき、正孔は陽極材料の最高被占分子軌道HOMOから有機層のHOMOへと移動するため、これらの軌道のエネルギー差が注入障壁となる。現在、エネルギー障壁の低いITOが量産に使われているが、仮にITOの下地層の影響などによって、ITOの仕事関数が小さくなってしまうと、このエネルギー障壁が高くなってしまう。例えば、トップエミッション方式有機ELディスプレイ用反射アノード電極において、ITOなどの酸化物導電膜以下、ITOで代表させる場合がある。とAl反射膜またはAl合金反射膜との積層構造上層=ITO/下層=Al合金におけるITO膜表面の仕事関数は、現在量産されている積層構造上層=ITO/下層=Ag基合金に比べ、0.1~0.2eV程度低くなるという問題がある。この原因は詳細には不明であるが、ITO膜表面の仕事関数が0.1~0.2eV程度低くなると、このITO膜の上層に形成される有機発光層における発光開始電圧閾値が約数V程度高電圧側にシフトし、同じ発光強度を維持する場合、消費電力が高くなってしまうという問題がある。また、有機ELディスプレイでは、ITO膜のピンホールや、ITO膜とAl反射膜とのコンタクト特性の面内バラツキなどにより、発光強度にムラが生じるという問題もある。このような問題に対し、ITO膜を用いず、Al反射膜と有機層を直接接続することが可能な有機層の開発が進められている。しかし、Al反射膜を保護するITO膜が無い状況下では、有機層形成までの間にAl反射膜が剥き出しの状態で存在するため、例えば、当該Al反射膜を備えた基板を搬送する過程で上部からの衝撃などで発生する縦方向の変形応力などにより局所的に凹みが発生し、Al反射膜表面に凹状の形状異常などが入り易くなる。その結果、凹み部周辺に電界が集中して発光強度のムラが生じるだけでなく、発光素子の寿命が低下するという問題を招く。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、特に縦方向の応力に対する耐久性に優れており、Al反射膜を有機層と直接接続させても発光強度のムラがなく安定した発光特性を確保でき、しかも高歩留まりを実現可能なAl合金反射膜を備えた有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造を提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の配線構造は、基板上に、有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を構成するAl合金膜および有機層を有する配線構造であって、前記Al合金膜は、希土類元素を0.05~5原子含有し、且つ、硬度は2~3.5GPaであり、Al合金組織に存在する粒界三重点の密度は2×108個/mm2以上であり、前記Al合金膜の上に発光層を含む有機層が直接接続しているところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記希土類元素は、Nd、Gd、La、Y、Ce、PrおよびDyよりなる群から選択される1種以上の元素である。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜は、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソースドレイン電極に電気的に接続されている。本発明には、上記のいずれかに記載の配線構造を備えた薄膜トランジスタ基板、および当該薄膜トランジスタ基板を備えた有機ELディスプレイも包含される。本発明によれば、有機ELディスプレイ用反射アノード電極を構成するAl合金膜として、希土類元素を含むAl合金膜であって、且つ、当該Al合金膜の硬度および粒界三重点密度が適切に制御されたAl合金膜を使用しているため、特に、押し込み荷重などのような縦方向の応力に対する耐久性に優れており、その結果、当該Al反射膜を有機層と直接接続させても安定した発光特性を確保でき、信頼性の高い有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を提供することができた。本発明の有機ELディスプレイは、例えば携帯電話、携帯ゲーム機、タブレット型コンピュータ、テレビなどに好適に用いられる。本発明者らは、有機ELディスプレイ用の反射アノード電極として汎用されている電極材料、すなわち、希土類元素を含むAl合金膜以下、Al-希土類元素合金膜、または単にAl合金膜と略記する場合がある。において、当該Al合金膜を、酸化物導電膜を介さずに直接、有機層と接続させても、当該Al合金膜を備えた基板を搬送するなどの過程で上部からの衝撃などにより発生する縦方向の変形応力に対して適度な耐性を有しており、上記変形に伴う凹みの発生を防止し得、発光特性や寿命の劣化を防止することが可能な電極材料を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、上記Al-希土類元素合金膜として、所定の硬度と粒界密度を有するAl合金膜を用いれば所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明の特徴部分は、Al反射膜を有機層と直接接続させても安定した発光特性を確保でき、信頼性の高い有機ELディスプレイ用の反射アノード電極に用いられるAl合金膜として、希土類元素を含むAl合金膜であって、且つ、当該Al合金膜の硬度が2~3.5GPaであり、且つ、Al合金組織に存在する粒界三重点の密度が2×108個/mm2以上のAl-希土類元素合金膜を採用したところにある。まず、上記Al-希土類合金膜の硬度は2~3.5GPaとする。前述したように本発明のAl合金膜は、従来のようにITOなどの酸化物導電膜をその上に積層させることなく、有機発光層と直接接続させて使用されるものであるが、そのためには、有機ELディスプレイ用の反射アノード電極には、応力が一時的に集中して電極が変形したり劣化したりしても電極に凹みなどが発生しない程度の縦方向の応力に対する耐久性も備えていることが要求される。上記硬さはこのような観点から設定されたものであり、Al合金膜をITOなどの酸化物導電膜と積層させた場合の硬さやガラス基板などの硬さとのバランスも考慮して設定されたものである。詳細には、電極を構成する電極材料が軟らかすぎる場合には、応力集中により電極が変形し、発光ムラなどの不具合が生じる場合がある。一方、電極材料が硬すぎると、押し込み荷重に対して変形が起こり難くなるため、微小なクラックが入ったり剥がれなどの劣化が生じ得る。また、本発明のようにAl合金膜をITOなどの酸化物導電膜と積層させることなしに電極材料として用いる場合は、Al合金膜の硬度を設定するに当たり、酸化物導電膜との積層物としたときの硬度とのバランスも更に考慮する必要があり、Al合金膜の硬度の上限は、上記積層物とおおむね同程度の硬度に制御することが良く、一方、Al合金膜の硬度の下限は、ガラス基板に代表される基板の硬度とあまり差が大きくならない方が良い。このような観点に基づき、本発明では、Al合金膜の硬度を2GPa以上3.5GPa以下と定めた。好ましくは2.5GPa以上3.3GPa以下である。なお、Al合金膜の硬度は、後記する実施例に記載の方法で測定した値である。更に本発明に用いられるAl合金膜は、Al合金組織に存在する粒界三重点の密度以下、三重点密度と略記する場合がある。が2×108個/mm2以上を満足するものである。上述したように本発明では、Al合金膜の硬度を所定範囲に制御する必要があるが、通常、硬度は三重点密度と密接な関係を有し、希土類元素の含有量が本発明の範囲内5原子以下にあるときは、三重点密度が大きくなる程、硬度も大きくなる傾向にある。本発明では、Al合金膜の硬度の下限2GPaを確保するとの観点から、三重点密度を2×108個/mm2以上と定めた。好ましくは2.4×108個/mm2以上である。三重点密度の上限は、スパッタリング成膜の効率性などを考慮すると、8.0×108個/mm2であることが好ましい。なお、Al合金膜の三重点密度は、後記する実施例に記載の方法で測定した値である。以上、本発明を最も特徴付けるAl合金膜の硬度および三重点密度について説明した。本発明に用いられるAl合金膜は、希土類元素を0.05~5原子含有し、残部:Alおよび不可避的不純物である。本発明では、使用するAl合金膜の組成に特徴はなく、希土類元素を含むAl合金膜が耐熱性を有しており、電極材料として用いられることは知られているが、特に、有機ELディスプレイ用の反射アノード電極に好適な素材を提供するとの観点から硬度および三重点密度が制御されたAl合金膜はこれまで開示されていない。希土類元素の含有量の下限および上限は、本発明で規定する硬度および三重点密度の範囲を確保するために定められたものである。後記する実施例に示すように、希土類元素の含有量が少なくなるにつれ、硬度が低下する傾向にあり、希土類元素の含有量が本発明で規定する下限を下回るものは、硬度または三重点密度の少なくとも一方が、本発明の範囲を外れてしまう。一方、希土類元素の含有量が多くなるにつれ、硬度も増加する傾向にあり、希土類元素の含有量が本発明で規定する上限を超えるものは、硬度または三重点密度の少なくとも一方が、本発明の範囲を外れてしまう。本発明に用いられる希土類元素としては、ランタノイド元素周期表において、原子番号57のLaから原子番号71のLuまでの合計15元素に、ScスカンジウムとYイットリウムとを加えた元素群が挙げられる。本発明ではこれらの元素を、単独または2種以上を併用して用いることができ、上記希土類元素の含有量とは、単独で含むときは単独の量であり、2種以上を含むときはその合計量である。好ましい希土類元素は、Nd、Gd、La、Y、Ce、PrおよびDyよりなる群から選択される1種以上の元素である。本発明では、電極材料として、上記のAl合金膜を単独で用いても良いし、或いは上記Al合金膜の下に高融点金属膜が積層されたものを用いても良い。高融点金属膜は、Alの酸化を防止するためにAl合金膜の下地層などとして汎用されており、本発明でも、Mo、Ti、Cr、W、または上記金属を主体とする合金を用いることができる。上記Al合金膜の好ましい厚さは、おおむね150~600nmである。上記Al合金膜を単独で用いるときの好ましい厚さは、おおむね50~600nmである。また、上記Al合金膜を高融点金属膜との積層構造として用いるときの、好ましい合計厚さ基板側から順に、高融点金属膜Al合金膜は、おおむね80~700nmであり、そのときのAl合金膜の好ましい厚さは、おおむね50~600nm、高融点金属膜の好ましい厚さは、おおむね30~100nmである。本発明において、硬度および三重点密度が適切に制御されたAl合金膜を得るためには、所定の希土類元素を含有するAl合金膜を用いることに加え、成膜後のAl合金膜を、室温~230°Cの範囲内で熱処理アニールすることが好ましい。反射膜形成以降の有機ELディスプレイの製造プロセスでは、一般に室温~約250°C程度の熱履歴を被ることが多いが、アニール温度が高くなると、希土類元素の析出およびAl合金の粒成長のため、硬度および三重点密度が低下するようになる。具体的には希土類元素の添加量などに応じて、適切なアニール温度を設定すれば良いが、より好ましくは150~230°Cである。上記Al合金膜の成膜方法としては、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などが挙げられるが、本発明では、細線化や膜内の合金成分の均一化を図り、添加元素量を容易にコントロールできるなどの観点から、Al合金膜をスパッタリング法で形成することが好ましい。スパッタリング法では、スパッタリング時の成膜温度をおおむね、180°C以下、Arガス圧をおおむね、3mTorr以下に制御することが好ましい。基板温度や成膜温度が高いほど形成される膜の膜質はバルクに近づき、緻密な膜が形成され易く、膜の硬度が増加する傾向にある。また、Arガス圧を上げるほど膜の密度が低下し、膜の硬度が低下する傾向にある。この様な成膜条件の調整は、膜の構造が疎となって腐食が生じやすくなるのを抑制する観点からも好ましい。本発明では、有機層と直接接続するAl合金膜からなる電極に特徴があり、それ以外の構成は特に限定されず、有機ELディスプレイの分野で通常用いられる公知の構成を採用することができる。次に図1を用いて、本発明の反射アノード電極を備えた有機ELディスプレイの一実施形態の概略を説明する。ただし、本発明は、図1に示す有機ELディスプレイに限定する趣旨ではなく、当該技術分野において通常用いられる構成を適宜採用することができる。本実施形態では、基板1上にTFT2およびパシベーション膜3が形成され、さらにその上に平坦化層4が形成される。TFT2上にはコンタクトホール5が形成され、コンタクトホール5を介してTFT2のソースドレイン電極図示せずとAl合金膜反射膜6とが電気的に接続されている。本発明では、Al合金膜6が反射アノード電極を構成している。これを反射アノード電極と呼ぶこととしたのは、Al合金膜6が有機EL素子の反射電極として作用し、且つ、TFT2のソースドレイン電極に電気的に接続されているためにアノード電極として働くためである。また、反射アノード電極はソースドレイン電極と同一の電極であっても良く、これによっても本発明の効果が発揮される。Al合金膜6の直上に有機発光層8が形成され、さらにその上にカソード電極9が形成される。すなわち、従来の有機ELディスプレイでは、Al合金膜6と有機発光層8との間に酸化物導電膜が形成されているのに対し、本発明の反射アノード電極を有する図1の有機ELディスプレイでは、酸化物導電膜は不要である。本実施形態では、所定のAl合金膜6を使用しているため、Al合金膜6を有機発光層8に直接接続しても、発光特性のバラツキを抑えられる。また、このような有機ELディスプレイでは、有機発光層8から放射された光が本発明の反射アノード電極で効率よく反射されるので、優れた発光輝度を実現できる。以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、上記下記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1無アルカリ硝子板板厚0.7mm、直径4インチを基板とし、その表面に、DCマグネトロンスパッタリング法で、下記表1に示すように希土類元素の種類および含有量単位は原子であり、残部:Alおよび不可避的不純物が異なるAl合金膜膜厚はいずれも約500nmを形成した。成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度:1×106Torrにしてから、各Al合金膜と同一の成分組成の直径4インチの円盤型ターゲットを用い、下記に示す条件で行った。次に、成膜後のAl合金について、窒素雰囲気中、表1に記載の種々のアニール温度にて15分間熱処理を行なった。表1中、-とは加熱なしすなわち室温を意味する。尚、形成されたAl合金膜の組成は、誘導結合プラズマInductivelyCoupledPlasma:ICP質量分析法で確認した。スパッタリング条件Arガス圧:1mTorrArガス流量:20sccmスパッタパワー:130W成膜温度:100°C上記の様にして得られたAl合金膜を用いて、ナノインデンターによる膜の硬度試験を行った。この試験では、MTS社製NanoIndenterXP解析用ソフト:TestWorks4を用い、XPチップを用い、連続剛性測定を行った。押し込み深さを300nmとし、励起振動周波数:45Hz、振幅:2nmの条件で15点を測定した結果の平均値を求めた。また、上記試験において、押し込み深さを20nmとして測定した後、Al合金膜表面を光学顕微鏡倍率1000倍で観察し、塑性変形による変形の有無を確認した。更に上記の様にして得られたAl合金膜を倍率15万倍でTEM観察し、測定視野一視野は1.2μm×1.6μm中に観察される、粒界三重点に存在するAl合金の密度三重点密度を測定した。測定は合計3視野で行い、その平均値をAl合金の三重点密度とした。Al合金膜の代わりに純Al膜を形成した試料についても、上記と同様にして硬度および三重点密度を測定した。これらの結果を表1に併記する。表1中、E07とは107を意味する。例えば表1のNo.1の9.0E07とは9.0×107の意味である。表1中、No.5~18および37~39は、いずれも希土類元素としてNdを含むAl合金膜の例である。アニール温度が同じ場合、Nd量の増加に伴って硬度および三重点密度が増加する傾向にあり[例えばアニール温度が室温-の場合、No.5、9、13、37を参照]、硬度および三重点密度を所定範囲内に制御するためには、Nd量の上限を1原子にすることが有効であることが分かる。またNd量が同じであっても、アニール温度が本発明の好ましい範囲を超えて高くなると、硬度および三重点密度が減少する傾向にあり[例えばアニール温度が250°Cの場合、No.8、12、17を参照]、塑性変形により変形が生じたため、硬度および三重点密度を所定範囲内に制御して塑性変形による変形を無くすためには、アニール温度の上限を230°Cに制御することが有効であることが分かる。表1中、No.19~36は、Nd以外の希土類元素を含むAl合金膜を用いた例である。これらはいずれも、本発明で規定する希土類元素の含有量を含み、且つ、アニール温度を本発明の好ましい範囲に制御して作製したため、硬度および三重点密度が本発明の範囲内に制御されていた。また、Nd以外の上記希土類元素を用いた場合にも、上述したNdと同様の実験結果が見られることを実験により確認している表1には示さず。これらの結果より、本発明のAl-希土類元素合金膜を用いれば、縦方向の応力に対する耐久性に優れており、断線や経時的な電気抵抗の増加が起こり難い、信頼性の高い有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を提供できることが大いに期待される。これに対し、No.1~4は、希土類元素を含まない純Alの例であり、アニール温度をどのように制御しても、本発明で規定する硬度および三重点密度に制御することはできなかった。また、すべての例において、塑性変形による変形が生じた。