サブマウントと、前記サブマウントの上の発光素子チップと、前記発光素子チップとの間に空間を含むようにして前記サブマウントの上に形成された波長フィルタと、前記波長フィルタの上の蛍光体層と、を含み、前記空間は、空気air、アルゴンガスArgas、窒素ガスN2gas、真空のうち、少なくとも1つによって満たされることを特徴とする、発光素子パッケージ。前記蛍光体層は、均一な厚さを有する蛍光体層であることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記波長フィルタは、互いに異なる屈折率を有する複数の誘電体層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記波長フィルタは、第1屈折率を有する第1誘電体層と、前記第1屈折率と異なる第2屈折率を有し、前記第1誘電体層の上に形成された第2誘電体層と、を含むことを特徴とする、請求項3に記載の発光素子パッケージ。前記第1誘電体層はSiO2層を含み、前記第2誘電体層はTiO2層を含むことを特徴とする、請求項4に記載の発光素子パッケージ。前記第1誘電体層と前記第2誘電体層の厚さは、λ/4n×cosθ但し、λは光の波長、nは各誘電体層の屈折率、θは光の入射角であることを特徴とする、請求項4に記載の発光素子パッケージ。前記波長フィルタは、上面が均一な平面を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記サブマウントと前記波長フィルタとの間にシーリングSealing物質を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。請求項1の発光素子パッケージを備える発光モジュール部を含むことを特徴とする、照明システム。本発明の目的は、効果的な演色指数を得ることができる発光素子パッケージ及び照明システムを提供することをその目的とする。本発明に従う発光素子パッケージは、サブマウントと、上記サブマウントの上の発光素子チップと、上記発光素子チップとの間に空間を含むようにして上記サブマウントの上に形成された波長フィルタと、上記波長フィルタの上の蛍光体層と、を含み、上記空間は、空気air、アルゴンガスArgas、窒素ガスN2gas、真空のうち、少なくとも1つによって満たされることができる。また、本発明に従う照明システムは、上記発光素子パッケージを具備する発光モジュール部を含む。本発明に従う発光素子パッケージ及び照明システムによれば、発光素子チップと蛍光体層との間に位置した選択的波長フィルタが青色Blue可視光または紫外線のような高いエネルギーを有する短波長の光は通過する一方、蛍光体から励起された低いエネルギーを有する長波長の光は反射させることによって、効果的な演色指数を得ることができる。以下、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージ及び照明システムを添付の図面を参照しつつ説明する。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。[実施形態]図1は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージ200の断面図である。実施形態に従う発光素子パッケージ200は、サブマウント210と、上記サブマウント210の上に発光素子チップ100と上記発光素子チップ100との間に空間spaceSを含んで上記サブマウント210の上に形成された波長フィルタ320、及び上記波長フィルタ320の上に形成された蛍光体層330を含むことができる。上記蛍光体層330は、均一な厚さを有する蛍光体層でありうるが、これに限定されるのではない。実施形態によれば、上記波長フィルタ320が均一な上面を有することによってコンフォーマルコーティングconformalcoating蛍光体層の形成が容易でありうる。上記波長フィルタ320は、互いに異なる屈折率を有する複数の誘電体層を含むことができる。例えば、上記波長フィルタ320は第1屈折率を有する第1誘電体層321と上記第1屈折率と異なる第2屈折率を有し、上記第1誘電体層321の上に形成された第2誘電体層322を含むことができる。この際、上記第1誘電体層321と上記第2誘電体層322の厚さはλ/4n×cosθ但し、λは光の波長、nは各誘電体層の屈折率、θは光の入射角でありうる。図2乃至図5は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの光特性に対する図表である。また、図6は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの発光例示図である。具体的に、図2は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの内部から外部への、波長に対する透過率を示す図であり、図3は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの外部から内部への、波長に対する反射率を示す図表である。実施形態によれば、発光素子チップ100と蛍光体層330との間に位置した選択的波長フィルタ320が屈折率の低い物質と高い物質とを積層した構造で形成されることによって、発光素子パッケージの内部から外部へ透過される短波長の光はよく通過する一方図2参照、蛍光体層から変換された長波長の光を再反射させることによって、発光素子パッケージ内部への進入を止める特性を表す図3参照。また、実施形態に従う発光素子パッケージによれば、上記選択的波長フィルタ320と発光素子チップ100との間の空間space:Sが設けられ、上記空間Sは、空気air、アルゴンガスArgas、窒素ガスN2gas、真空のうち、少なくとも1つにより満たされる。これによって、図6に示すように、発光素子チップ100から出る短波長の光L1はフィルタを介して外部に抽出され易い一方、蛍光体から変換された長波長の光L2は高い屈折率から低い屈折率への内部全反射効果を用いてより効率的に反射率を増加させることができる。例えば、図4は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージにおいて空気層有/無withairgap/woairgapによって発光素子の内部で発生した短波長光の透過率を示す図表である。図4に示すように、空気層がある場合withairgapに入射角が30 ゚以上の全体的な領域で光の透過率が高まる。特に、図5は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージにおいて空気層の有/無withairgap/woairgapによって発光素子の外部の蛍光体で発生した長波長光の反射率を示す図表であって、空気層がある場合withairgapの入射角が40 ゚より若干高い領域を除いて全体領域で長波長の反射率が高まる。実施形態に従う発光素子パッケージによれば、発光素子チップと蛍光体層との間に位置した選択的波長フィルタが青色Blue可視光または紫外線のように高いエネルギーを有する短波長の光は通過する一方、蛍光体から励起された低いエネルギーを有する長波長の光は反射させることによって、効果的な演色指数を得ることができる。以下、図7乃至図16を参照して本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの製造方法を説明する。まず、図7のようにサブマウント210を用意する。上記サブマウント210は、熱膨張係数が発光素子チップ材料の熱膨張係数と類似し、熱伝導度に優れる材質でありうる。例えば、上記サブマウント210は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成できる。例えば、サブマウント210はシリコンSiで形成できるが、これに限定されるのではなく、サブマウント210にPCBまたは低温同時焼成セラミックLTCCなどが利用できる。以後、図8のように上記サブマウント210を一部除去してキャビティーCを形成することができる。上記キャビティーCが形成されたサブマウント210に対し、単位チップ別にアイソレーション工程図示せずが進行できる。次に、図9のように上記サブマウント210に第1電極層220及び第2電極層230を形成することができる。上記第1電極層220及び第2電極層230は互いに電気的に分離され、上記発光素子チップ100に電源を提供する役割をする。また、上記第1電極層220及び第2電極層230は、上記発光素子チップ100で発生した光を反射させて光効率を増加させる役割をすることができ、上記発光素子チップ100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記サブマウント210は別途の反射カップreflectorcup図示せずを含むことができ、上記サブマウント210の内にツェナダイオード等の静電気ESDの防止のための素子を含むことができる。以後、図10のように発光素子チップ100を製造し、上記サブマウント210の上に発光素子チップ100を付着する。上記発光素子チップ100は、GaN、GaAs、GaAsP、GaPなどの物質で形成できる。例えば、Green~BlueLEDはGaNInGaN、Yellow~RedLEDはInGaAIP、AlGaAsを使用することができ、物質の組成の変更に従ってフルカラーFullColor具現も可能である。以下、発光素子チップ100の製造工程を説明するが、実施形態がこれに限定されるのではない。まず、第1基板図示せずを用意する。上記第1基板図示せずは伝導性基板または絶縁性基板を含み、例えば上記第1基板は、サファイアAl2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、及びGa2O3のうち、少なくとも1つを使用することができる。上記第1基板に対して湿式洗浄を行って表面のドーパントを除去することができる。以後、上記第1基板の上に、第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層113を含む発光構造物110を形成することができる。上記第1導電型半導体層112は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族化合物半導体で具現されることができ、上記第1導電型半導体層112がN型半導体層の場合、上記第1導電型ドーパントはN型ドーパントであって、Si、Ge、Sn、Se、及びTeを含むことができるが、これに限定されるのではない。上記第1導電型半導体層112は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第1導電型半導体層112は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのうち、いずれか1つ以上で形成できる。上記第1導電型半導体層112は、化学蒸着方法CVD、分子線エピタキシーMBE、スパッタリング、または水酸化物気相エピタキシーHVPEなど方法を使用してN型GaN層を形成することができる。また、上記第1導電型半導体層112は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びシリコンSiのようなn型ドーパントを含むシランガスSiH4が注入されて形成できる。上記活性層114は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子線QuantumWire構造、または量子点QuantumDot構造のうち、少なくともいずれか1つで形成できる。例えば、上記活性層114は、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて多重量子井戸構造が形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層114の井戸層/障壁層は、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs、/AlGaAsInGaAs、GaP/AlGaPInGaPのうち、いずれか1つ以上のペア構造で形成できるが、これに限定されるのではない。上記井戸層は、上記障壁層のバンドギャップより低いバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層114の上または/及び下には導電型クラッド層が形成できる。上記導電型クラッド層は、AlGaN系半導体で形成されることができ、上記活性層114のバンドギャップよりは高いバンドギャップを有することができる。上記第2導電型半導体層113は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第2導電型半導体層113は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第2導電型半導体層113がP型半導体層の場合、上記第2導電型ドーパントはP型ドーパントであって、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。上記第2導電型半導体層113は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第2導電型半導体層113はチャンバーに、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びマグネシウムMgのようなp型ドーパントを含むビセチルサイクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2Mg{MgC2H5C5H42}が注入されてp型GaN層が形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態において、上記第1導電型半導体層112はN型半導体層、上記第2導電型半導体層113はP型半導体層で具現できるが、これに限定されるのではない。また、上記第2導電型半導体層113の上には上記第2導電型と反対の極性を有する半導体、例えばN型半導体層図示せずを形成することができる。これによって、発光構造物110は、N-P接合構造、P-N接合構造、N-P-N接合構造、P-N-P接合構造のうち、いずれか1つ構造で具現できる。以後、上記発光構造物110の上に第2電極層120を形成する。上記第2電極層120は、オーミック層図示せず、反射層図示せず、接合層図示せず、支持基板図示せずなどを含むことができる。例えば、上記第2電極層120はオーミック層図示せずを含むことができ、上記オーミック層は上記発光構造物110にオーミック接触されて発光構造物に電源が円滑に供給されるようにすることができ、単一金属または金属合金、金属酸化物などを多重で積層して形成できる。例えば、上記オーミック層図示せずは、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IZONIZONitride、AGZOAlGaZnO、IGZOInGaZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含んで形成されることができ、このような材料に限定されるのではない。また、上記第2電極層120は、反射層図示せずを含んで上記発光構造物110から入射される光を反射させて、光抽出効率を改善させることができる。例えば、上記反射層図示せずは、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち、少なくとも1つを含む金属または合金で形成できる。また、上記反射層は、上記金属または合金とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATOなどの透光性伝導性物質を用いて多層で形成することができ、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層できる。また、上記第2電極層120は、接合層を含む場合、上記反射層が接合層の機能をするか、バリアー金属またはボンディング金属などを含むことができる。例えば、上記接合層は、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができる。また、第2電極層120は支持基板図示せずを含むことができる。上記支持基板は上記発光構造物110を支持し、上記発光構造物110に電源を提供することができる。上記支持基板は、電気伝導性に優れる金属、金属合金、または伝導性半導体物質からなることができる。例えば、上記支持基板図示せずは、銅Cu、銅合金CuAlloy、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅-タングステンCu-W、キャリヤウエーハ例えば、Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、SiC等のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記支持基板を形成させる方法は、電気化学的な金属蒸着方法、メッキ方法やユーテクティックメタルを用いたボンディング方法などを使用することができる。次に、上記第1導電型半導体層112が露出されるように上記第1基板を除去する。上記第1基板を除去する方法は、レーザリフトオフLaserLiftOff方法または化学的リフトオフChemicalLiftOff方法を利用することができる。また、上記第1基板は物理的に磨き出すことによって除去することもできる。次に、上記サブマウント210の上に上記発光素子チップ100を付着する。上記発光素子チップ100の上記サブマウント210の上の付着は、高分子接着体を用いて発光素子チップを接着する方法、または発光素子チップにプレーティングされたユーテクティックeutecticメタルを用いる方法などにより進行できる。例えば、工程性に優れるシルバー伝導性エポキシAgconductiveepoxyによるソルダリングsolderingにより発光素子チップを付着するか、高熱伝導性を必要とする場合にはユーテクティック接合方式が採用できるが、これに限定されるのではない。上記発光素子チップ100は、上記第1電極層220及び第2電極層230と電気的に連結できる。次に、図11のように、上記発光素子チップ100はワイヤ240を介して上記第1電極層220及び/または第2電極層230と電気的に連結されることができ、実施形態では垂直型タイプの発光素子チップ100が例示されているため、1つのワイヤ240が使われたものが例示されている。他の例として、上記発光素子チップ100が水平型タイプの発光素子の場合、2つのワイヤ240が使用できる。以後、上記サブマウント210の上にシーリングSealing物質250を形成することができる。上記シーリング物質250は、ガラスglass、ユーテクティックeutectic物質、エポキシ物質などが使用できるが、これに限定されるのではない。次に、図12乃至図14を参照して蛍光体層330を含む波長フィルタ320を説明する。まず、図12のように、支持層cappinglayer310を用意する。上記支持層310はガラスglassで形成できるが、これに限定されるのではない。以後、図13のように上記支持層310の上に波長フィルタ320を形成する。上記波長フィルタ320は、屈折率が異なる誘電体層を繰り返して積層した複数の誘電体層を含むことができる。例えば、上記波長フィルタ320は、第1屈折率を有する第1誘電体層321と上記第1屈折率と異なる第2屈折率を有し、上記第1誘電体層321の上に形成された第2誘電体層322を含むことができる。上記第1誘電体層321と上記第2誘電体層322の積層は複数の周期で形成できる。例えば、450nm青色波長に対し、屈折率が1.46のSiO2層が第1誘電体層321に、屈折率が2.44のTiO2層が第2誘電体層322にquarterwavestackλ/4nmで繰り返して積層すれば、積層数に従って外部励起光の高い反射率を得ることができ、内部発生光の高い透過率を得ることができるが、このような誘電体層の材質及び積層数に限定されるのではない。この際、上記第1誘電体層321と上記第2誘電体層322の厚さはλ/4n×cosθ但し、λは光の波長、nは各誘電体層の屈折率、θは光の入射角でありうる。実施形態によれば、選択的波長フィルタ320が屈折率の低い物質と高い物質を積層した構造で形成されることによって、発光素子パッケージの内部から外部に透過される短波長の光はよく通過する一方図2参照、蛍光体層から変換された長波長の光を再反射させることによって、発光素子パッケージの内部への進入を止める特性を表す図3参照。以後、上記波長フィルタ320が形成された支持層310の反対側の上に蛍光体層330を形成することができる。上記蛍光体層330はコンフォーマルコーティングconformalcoatingにより均一な厚さを有する蛍光体層でありうるが、これに限定されるのではない。実施形態において、蛍光体層330は青色LEDチップに黄色蛍光体YAG、TAGなどの蛍光体を使用を加えるか、UVLEDに赤/禄/青の三色蛍光体を使用することができるが、これに限定されるのではない。上記蛍光体は、ホスト物質及び活性物質を含むことができ、例えば、イトリウムアルミニウムガーネットYAGのホスト物質にセリウムCe活性物質が、シリゲート系列のホスト物質にユロピウムEu活性物質を採用できるが、これに限定されるのではない。次に、図15のように上記サブマウント210の上に上記波長フィルタ320を接合することができる。この際、上記波長フィルタ320と上記発光素子チップ100との間には空間Sが形成できる。実施形態に従う発光素子パッケージによれば、上記選択的波長フィルタ320と発光素子チップ100との間の空間space:Sを置いて、上記空間Sは、空気air、アルゴンガスArgas、窒素ガスN2gas、真空のうち、少なくとも1つによって満たされる。これによって、図6に示したように、発光素子チップ100から出る短波長の光L1はフィルタを介して外部に抽出され易い一方、蛍光体から変換された長波長の光L2は高い屈折率から低い屈折率への内部全反射効果を用いて、より効率的に反射率を増加させることができる。例えば、図4は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージにおける空気層の有/無によって発光素子の内部で発生した短波長光の透過率を示す図表である。図4のように、空気層がある場合withairgapに入射角が30 ゚以上の全体的な領域で光の透過率が高まる。特に、図5は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージにおける空気層の有/無によって発光素子の外部の蛍光体で発生した長波長光の反射率を示す図表であって、空気層がある場合、入射角が40 ゚より若干高い領域を除いて全体領域で長波長の反射率が高まる。最後に、図16のようにチップ別に発光素子パッケージを分離して実施形態に従う発光素子パッケージを完成することができる。実施形態に従う発光素子パッケージは照明システムに適用できる。上記照明システムは、図17に図示された照明ユニット、及び図18に図示されたバックライドユニットを含み、信号灯、車両前照灯、看板などが含まれることができる。図17は、本発明の実施形態に従う照明ユニット1100の斜視図である。図17を参照すると、上記照明ユニット1100は、ケース胴体1110、上記ケース胴体1110に設けられた発光モジュール部1130、及び上記ケース胴体1110に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1120を含むことができる。上記ケース胴体1110は、放熱特性が良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール部1130は、基板1132、及び上記基板1132に載置される少なくとも1つの発光素子パッケージ200を含むことができる。上記基板1132は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることができ、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板1132は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。上記基板1132の上には上記少なくとも1つの発光素子パッケージ200が載置できる。上記発光素子パッケージ200の各々は、少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiode100を含むことができる。上記発光ダイオード100は、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード、及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール部1130は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ200の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。上記連結端子1120は、上記発光モジュール部1130と電気的に連結されて電源を供給することができる。図17の図示によると、上記連結端子1120はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1120は、ピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。図18は、本発明の実施形態に従うバックライトユニット1200の分解斜視図である。実施形態に従うバックライトユニット1200は、導光板1210、上記導光板1210に光を提供する発光モジュール部1240、上記導光板1210の下に反射部材1220、及び上記導光板1210と発光モジュール部1240と反射部材1220とを収納するボトムカバー1230を含むことができるが、これに限定されるのではない。上記導光板1210は光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1210は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール部1240は上記導光板1210の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には上記バックライトユニットが設けられるディスプレイ装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール部1240は上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。具体的には、上記発光モジュール部1240は、基板1242、及び上記基板1242に載置された多数の発光素子パッケージ200を含むが、上記基板1242が上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。上記基板1242は、回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1242は一般PCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB:MetalCorePCB、軟性PCBFPCB:FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するのではない。そして、上記多数の発光素子パッケージ200は、上記基板1242の上に光が放出される発光面が上記導光板1210と所定距離離隔するように載置できる。上記導光板1210の下には上記反射部材1220が形成できる。上記反射部材1220は、上記導光板1210の下面に入射された光を反射させて上方に向かうようにすることによって、上記バックライトユニットの輝度を向上させることができる。上記反射部材1220は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、上記導光板1210、発光モジュール部1240、及び反射部材1220などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1230は上面が開口されたボックスbox形状で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。