"光を出射する発光部と、前記発光部の一方の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、を備え、前記波長変換部は、前記発光部から出射する光の波長に基づいた前記蛍光体の量の分布を有することを特徴とする半導体発光装置。前記発光部が複数設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。前記波長変換部は、前記光の波長が短い位置における前記蛍光体の量が前記光の波長が長い位置における前記蛍光体の量よりも少なくなる前記蛍光体の量の分布を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記波長変換部は、色度差が0.015以下となる前記蛍光体の量の分布を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記波長変換部は、少なくとも前記発光部毎に前記蛍光体の量の割合が規定された前記蛍光体の量の分布を有することを特徴とする請求項2~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記波長変換部は、前記発光部の主面側に設けられた第1の層と、前記第1の層の前記発光部の主面側とは反対側に設けられた第2の層と、を有し、前記第1の層は前記蛍光体の量の割合が一定とされ、前記第2の層は前記蛍光体の量の分布を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記波長変換部は、厚み寸法の変化に応じた前記蛍光体の量の分布を有することを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記発光部毎に前記波長変換部の周縁を囲む壁部を備えたことを特徴とする請求項2~5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。光を出射する発光部と、前記発光部の一方の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光部から出射する光の波長を測定する工程と、前記測定された光の波長に基づいて前記蛍光体の量の分布を求める工程と、前記発光部の一方の主面側に、前記求められた蛍光体の量の分布に基づいて前記蛍光体が混合された樹脂を塗布する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。光を出射する発光部と、前記発光部の一方の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光部から出射する光の波長を測定する工程と、前記測定された光の波長に基づいて前記蛍光体の量の分布を求める工程と、前記発光部の一方の主面側に前記波長変換部を形成する工程と、前記求められた蛍光体の量の分布に基づいて前記波長変換部の厚み寸法を変化させる工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することである。実施形態に係る半導体発光装置は、光を出射する発光部と、前記発光部の一方の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、を備えている。そして、前記波長変換部は、前記発光部から出射する光の波長に基づいた前記蛍光体の量の分布を有している。以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また、以下においては、一例として、複数の発光部を有する半導体発光装置いわゆるマルチチップ型の半導体発光装置について例示をする。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光装置を例示するための模式断面図である。図1aに示すように、半導体発光装置1には、発光部2、電極部3、電極部4、接合部5、絶縁部6、封止部7、波長変換部8が設けられている。また、図1bに示すように、半導体発光装置1aには、発光部2毎に波長変換部の周縁を囲む壁部9がさらに設けられている。発光部2は、主面M1と、主面M1の反対面である主面M2とを有し、複数設けられている。光を出射する発光部2には、半導体部2a、活性部2b、半導体部2cが設けられている。半導体部2aは、n形の窒化物半導体を用いて形成されたものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、GaN窒化ガリウム、AlN窒化アルミニウム、AlGaN窒化アルミニウムガリウム、InGaN窒化インジウムガリウムなどを例示することができる。活性部2bは、半導体部2aと半導体部2cとの間に設けられている。活性部2bは、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層クラッド層と、によって構成された量子井戸構造とすることができる。量子井戸構造としては、単一量子井戸SQW;SingleQuantumWell構造としてもよいし、多重量子井戸MQW;MultipleQuantumWell構造としてもよい。また、単一量子井戸構造のものを複数積層するようにしてもよい。例えば、InGaNを用いて形成された井戸層と、GaNを用いて形成された障壁層とを有するものを例示することができる。この場合、例えば、青色光を発光させる場合にはInGaN/GaN等の多重量子井戸構造、紫外線を発光させる場合にはGaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN、InGaN/AlGaN等の多重量子井戸構造とすることができる。ただし、活性部2bの構成は量子井戸構造に限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜選択することができる。半導体部2cは、p形の窒化物半導体を用いて形成されたものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaNなどを例示することができる。発光部2は、例えば、ピークの発光波長が350nm~600nmの発光ダイオードとすることができる。電極部3、電極部4は、凹部7aの底面と封止部7の端面との間を貫通するようにして設けられている。電極部3、電極部4は、例えば、円柱状を呈しCu銅などの金属材料を用いて形成されたものとすることができる。電極部3の一方の端部は接合部5と電気的に接続され、接合部5を介して電極部3と半導体部2aとが電気的に接続されている。電極部4の一方の端部は半導体部2cと電気的に接続されている。また、電極部3、電極部4の封止部7から露出する側の端面を覆うようにして図示しない半田バンプや保護膜などを設けるようにすることができる。なお、電極部3、電極部4の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。接合部5は、電極部3と半導体部2aとの間に設けられている。接合部5は、例えば、Cu銅などの金属材料を用いて形成されたものとすることができる。なお、接合部5は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。絶縁部6は、封止部7に設けられた凹部7aを埋め込むようにして設けられている。絶縁部6は、絶縁材料を用いて形成されるようにすることができる。例えば、絶縁部6がSiO2などの無機材料や、樹脂などから形成されるものとすることができる。この場合、発光部2から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度も高い場合には、絶縁部6を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、絶縁部6を樹脂を用いて形成する場合には、青色光などにより劣化されにくい樹脂を用いるようにすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が1.5程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどを例示することができる。封止部7は、発光部2の主面M2側に設けられ、電極部3の端部と電極部4の端部とを露出させつつ、電極部3および電極部4を封止する。封止部7は、熱硬化性樹脂などを用いて形成されるものとすることができる。また、封止部7は凹部7aを有し、凹部7aの内部に設けられた発光部2、接合部5をも封止する役割を有している。なお、封止部7と絶縁部6とが一体的に形成されるようにすることもできる。波長変換部8は、発光部2の主面M1側に設けられ、後述する蛍光体を含有している。また、波長変換部8は、発光部2から出射する光の波長に基づいた蛍光体の量の分布を有している。なお、蛍光体の量の分布に関する詳細は後述する。波長変換部8は、波長変換可能な蛍光体が混合された樹脂などを用いて形成されたものとすることができる。波長変換部8の光の透過率は、例えば、420nm~720nmの波長領域において90以上となるようにすることができる。蛍光体の形態は、例えば、粒子状とすることができる。この場合、粒子状の蛍光体を少なくとも1つ以上含むものとすることができる。波長変換部8は、440nm以上470nm以下、500nm以上555nm以下、560nm以上580nm以下、600nm以上670nm以下にピークの発光波長を持つ蛍光体の少なくとも1種以上を含むものとすることができる。また、波長変換部8は、発光波長の帯域が380nm~720nmの蛍光体を含むものとすることができる。蛍光体としては、ケイ素Si、アルミニウムAl、チタンTi、ゲルマニウムGe、燐P、ホウ素B、イットリウムY、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素からなる群から選択される少なくとも1種の元素が含まれたものとすることができる。赤色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば、以下のものを例示することができる。ただし、赤色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわけではなく適宜変更することができる。La2O2S:Eu,Sm、LaSi3N5:Eu2、α-sialon:Eu2、CaAlSiN3:Eu2、SrCaAlSiN3:EuX、SrxSiyAl3zOxN:EuX緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば、以下のものを例示することができる。ただし、緑色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわけではなく適宜変更することができる。Ba,Sr,MgOaAl2O3:Mn、BrSrSiO4:Eu、α-sialon:Yb2、β-sialon:Eu2、CaSrSi2O4N7:Eu2、SrSiAlON:Ce青色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば、以下のものを例示することができる。ただし、青色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわけではなく適宜変更することができる。ZnS:Ag,Cu,Ga,Cl、Ba,EuMgAl10O17、Ba,Sr,EuMg,MnAl10O17、10Sr,Ca,Ba,Eu6PO4Cl2、BaMg2Al16O25:Eu、Y3Al,Ga5O12:Ce、SrSi2ON2.7:Eu2黄色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば、以下のものを例示することができる。ただし、黄色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわけではなく適宜変更することができる。LiEu,SmW2O8、Y,Gd3,Al,Ga5O12:Ce3、Li2SrSiO4:Eu2、SrCa,Ba3SiO5:Eu2、SrSi2ON2.7:Eu2黄緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば、以下のものを例示することができる。ただし、黄緑色の蛍光を発する蛍光体は、これに限定されるわけではなく適宜変更することができる。SrSi2ON2.7:Eu2なお、混合する蛍光体は1種類である必要はなく、複数種類の蛍光体が混合されるようにしてもよい。この場合、青味がかった白色光、黄味がかった白色光などのように色味を変えるために複数種類の蛍光体の混合割合を変えるようにすることもできる。蛍光体が混合される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート、環状ポリオレフィン、脂環式アクリル、アリルジグリコールカーボネート、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などを例示することができる。蛍光体が混合される樹脂の屈折率は蛍光体の屈折率以下とすることが好ましい。また、蛍光体が混合される樹脂における光の透過率は90以上とすることが好ましい。この場合、発光部2から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度も高い場合には波長変換部4を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部4を形成する樹脂としては、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が1.5程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などを例示することができる。ただし、蛍光体が混合される樹脂は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。ここで、発光部2は、例えば、エピタキシャル成長法などを用いて形成することができるが、形成過程において発光部2の厚み寸法にばらつきが生じる場合がある。そして、発光部2の厚み寸法にばらつきが生じると、発光部2から出射する光の波長がばらつくようになる。そして、発光部2から出射する光の波長がばらつくと色度もばらつくようになる。図2は、基板上に形成された複数の発光部から出射する光の波長の分布を例示するための模式図である。なお、基板上に形成された複数の発光部から出射する光の波長の分布をモノトーン色の濃淡で表し、光の波長が短い程濃く、光の波長が長い程淡くなるように表示した。図2に示すように、基板上の位置によって発光部から出射する光の波長が異なるものとなる場合がある。このことは、形成された発光部2から出射する光の波長にはばらつきがあることを意味する。図3は、波長と色度との関係を例示するための模式グラフ図である。なお、図3aは波長と色度図におけるX座標の値Cxとの関係を例示するための模式グラフ図、図3bは波長と色度図におけるY座標の値Cyとの関係を例示するための模式グラフ図である。また、図3a、b中のAは波長変換部の厚み寸法が100μm程度、Bは波長変換部の厚み寸法が65μm程度、Cは波長変換部の厚み寸法が45μm程度の場合である。なお、波長変換部に含まれる蛍光体の量の割合を一定とした場合である。図3a、bに示すように、波長が長くなると色度図におけるX座標の値Cx、Y座標の値Cyがともに低下する。このことは、発光部2から出射する光の波長がばらつくと色度もばらつくことを意味する。また、波長変換部8の厚み寸法が薄くなると色度図におけるX座標の値Cx、Y座標の値Cyがともに低下する。このことは、波長変換部8に含まれる蛍光体の量を少なくすれば色度図におけるX座標の値Cx、Y座標の値Cyを低下させることができることを意味する。すなわち、発光部2から出射する光の波長に基づいて波長変換部8に含まれる蛍光体の量を制御すれば、色度のばらつきを抑制することができることがわかる。例えば、図3a、b中のA、B、Cにおいて、短い波長図中の左側の光を出射する発光部2の上に形成される波長変換部8に含まれる蛍光体の量を少なくして値Cx、値Cyを低下させるようにすれば、長い波長図中の右側の光を出射する発光部2における値Cx、値Cyとの差を小さくすることができる。そのため、波長変換部は、光の波長が短い位置における蛍光体の量が光の波長が長い位置における蛍光体の量よりも少なくなるような蛍光体の量の分布を有したものとすることができる。この場合、図1a、bに示すように、発光部2から出射する光の波長に基づいて、含まれる蛍光体の量が異なる波長変換部8a~8eを適宜設けるようにすることができる。すなわち、波長変換部は、少なくとも発光部2毎に蛍光体の量の割合が規定された蛍光体の量の分布を有したものとすることができる。また、短い波長側における値Cxと、長い波長側における値Cxとの差である色度差ΔCxが0.015以下となるように蛍光体の量が決められるようにすることができる。また、短い波長側における値Cyと、長い波長側における値Cyとの差である色度差ΔCyが0.015以下となるように蛍光体の量が決められるようにすることができる。なお、蛍光体の量を変化させれば、色度差ΔCxと色度差ΔCyとがともに変化するので、色度差ΔCxと色度差ΔCyの内いずれか大きい値の方が0.015以下となるように蛍光体の量が決められるようにすることができる。この場合、少なくとも隣接する発光部2同士の間で色度差ΔCxと色度差ΔCyとが0.015以下となるようにすればよい。発光部2が多数設けられているような場合には、色度差ΔCxと色度差ΔCyとが0.015以下となるように分割して、分割された各領域毎に蛍光体の量を決めるようにすればよい。この場合、発光部2から出射する光の波長に基づいて、蛍光体の含有割合が異なる樹脂を発光部2の主面M1側に供給し、これを硬化することで含まれる蛍光体の量が異なる波長変換部8a~8eを形成するようにすることができる。また、図1bに示すように、発光部2毎に波長変換部8a~8eの周縁を囲む壁部9をそれぞれ設けるようにすれば、含まれる蛍光体の量が異なる樹脂が隣接する波長変換部に混入することを抑制することができる。また、壁部9は、発光部2から出射した光を波長変換部8a~8eの内部に拡散させるととともに半導体発光装置1aの正面側に向けて光を出射させる反射部としての機能を有するものとすることができる。この場合、発光部2から出射した光を反射させやすいように壁部9の反射率は、例えば、380nm~720nmの波長領域において90以上となるようにすることができる。また、壁部9の側面波長変換部側の面は、出射側先端が発光部2の側から離隔する方向に傾斜している。そのため、発光部2から出射した光を波長変換部8a~8eの内部に拡散させるととともに、光を半導体発光装置1aの正面側に向けて効率よく出射させることができる。壁部9を形成する材料としては、例えば、ポリフタル酸アミド樹脂PPA、シリコーン系樹脂などを例示することができる。また、壁部9の表面に光の反射率の高い材料からなる反射膜例えば、金属薄膜などを設けるようにしてもよい。ただし、例示をしたこれらの材料に限定されるわけではなく適宜変更することができる。図4は、他の実施形態に係る波長変換部について例示をするための模式断面図である。図4に示すように、半導体発光装置1cには、発光部2、電極部3、電極部4、接合部5、絶縁部6、封止部7、波長変換部18a第1の層の一例に相当する、波長変換部18b~18f第2の層の一例に相当するが設けられている。波長変換部18aは、含有される蛍光体の量の割合が一定とされ、すべての発光部2の主面M1側に設けられている。波長変換部18aは、蛍光体を所定の量含有した樹脂などを用いて形成されたものとすることができる。波長変換部18b~18fは、波長変換部18aの発光部2の主面側とは反対側に設けられている。波長変換部18b~18fは、前述した波長変換部8a~8eと同様に、発光部2から出射する光の波長に基づいた蛍光体の量の分布を有している。すなわち、図4に例示をした半導体発光装置1cには、発光部2の主面M1側に蛍光体の量の割合が一定とされた波長変換部18aと、波長変換部18aを覆うようにして設けられた蛍光体の量の分布を生じさせるための波長変換部18b~18fとが設けられている。この場合、波長変換部18a~18fに含まれる蛍光体は同色の光を放出するもの例えば、同じ種類の蛍光体とされ、含有する蛍光体の量が異なるものとすることができる。例えば、発光部2から青色光が出射され、青色と補色関係にある黄色の光を放出する蛍光体を設けて白色光を得るようにする場合などに適用させることができる。この様に、発光部2の主面M1側に蛍光体の量の割合が一定とされた波長変換部18aを設け、色度のばらつきを抑制するために蛍光体の量の分布を生じさせるための波長変換部8a~8eを適宜設けるようにすることができる。なお、図1bに例示をしたものと同様に、発光部2同士の間に波長変換部18a~18fの周縁を囲む壁部9をそれぞれ設けるようにすることもできる。本実施の形態によれば、前述したものと同様に、色度のばらつきを抑制することができる。また、波長変換部18aの形成後に波長変換部18b~18fを適宜設けるようにすることができるので、色度のばらつきが大きく不良となった部分のリペアなどにも適用させることができる。図5も、他の実施形態に係る波長変換部について例示をするための模式断面図である。なお、図5aは波長変換部が2層構造である場合、図5bは波長変換部が3層構造である場合である。図5aに示すように、半導体発光装置1dには、発光部2、電極部3、電極部4、接合部5、絶縁部6、封止部7、波長変換部28a~28fが設けられている。図4に例示をしたものは波長変換部18a~18fに含まれる蛍光体が同色の光を放出するものとしたが、図5aに例示をしたものは波長変換部28aに含まれる蛍光体と、波長変換部28b~28fに含まれる蛍光体とでは異なる色の光を放出するものとしている。例えば、発光部2から青色光が出射され、波長変換部28aに含まれる蛍光体が赤色の光を放出するもの、波長変換部28b~28fに含まれる蛍光体が緑色の光を放出するものとされ、青色光、赤色光、緑色光から白色光を得るようにする場合などに適用させることができる。また、波長変換部28aを覆うようにして設けられた波長変換部28b~28fは、発光部2から出射する光の波長に基づいて蛍光体の量が異なるものとされている。なお、図1bに例示をしたものと同様に、発光部2同士の間に波長変換部28a~28fの周縁を囲む壁部9をそれぞれ設けるようにすることもできる。図5bに示すように、半導体発光装置1eには、発光部2、電極部3、電極部4、接合部5、絶縁部6、封止部7、波長変換部28a~28f、波長変換部38が設けられている。すなわち、図5aに例示をした波長変換部28a~28fに加えて、波長変換部28aと発光部2の主面M1との間に波長変換部38が設けられている。例えば、発光部2から紫外光が出射され、波長変換部28aに含まれる蛍光体が赤色の光を放出するもの、波長変換部28b~28fに含まれる蛍光体が緑色の光を放出するもの、波長変換部38に含まれる蛍光体が青色の光を放出するものとされ、青色光、赤色光、緑色光から白色光を得るようにする場合などに適用させることができる。また、波長変換部28aを覆うようにして設けられた波長変換部28b~28fは、発光部2から出射する光の波長に基づいて蛍光体の量が異なるものとされている。なお、図1bに例示をしたものと同様に、発光部2同士の間に波長変換部28a~28f、波長変換部38の周縁を囲む壁部9をそれぞれ設けるようにすることもできる。また、図5においては、波長変換部を2層または3層に設ける場合を例示したがこれに限定されるわけではない。例えば、発光部2から出射される光の色などとの関係において、蛍光体の種類、波長変換部の層数などを適宜変更することができる。本実施の形態によれば、前述したものと同様に、色度のばらつきを抑制することができる。また、波長変換部38、波長変換部28aの形成後に波長変換部28b~28fを適宜設けるようにすることができるので、色度のばらつきが大きく不良となった部分のリペアなどにも適用させることができる。また、発光部2から出射される光の色に応じて蛍光体の種類を組み替えるようにすることができるので、適用範囲を拡げることができる。図6も、他の実施形態に係る波長変換部について例示をするための模式断面図である。図6に示すように、半導体発光装置1fには、発光部2、電極部3、電極部4、接合部5、絶縁部6、封止部7、波長変換部48が設けられている。図1に例示をしたものは蛍光体の量が調整された波長変換部8a~8eを設ける場合、図4、図5に例示をしたものは含まれる蛍光体の量を調整する波長変換部18b~18f、28b~28fを設ける場合である。これに対し、図6に例示をした波長変換部48は、発光部2から出射する光の波長に基づいて厚み寸法を変化させることで蛍光体の量を変化させ、蛍光体の量の分布を形成する場合である。すなわち、波長変換部48は、厚み寸法の変化に応じた蛍光体の量の分布を有している。この様な波長変換部48は、例えば、発光部2から出射する光の波長に基づいて波長変換部48の表面を削り取ることで形成するようにすることができる。なお、図1、図4、図5に例示をした波長変換部の厚み寸法を変化させるようにすることもできる。本実施の形態によれば、前述したものと同様に、色度のばらつきを抑制することができる。また、発光部2から出射する光の波長に基づいて波長変換部48の表面を削り取ることで蛍光体の量を調整することができるので、色度のばらつきが大きく不良となった部分のリペアなどにも適用させることができる。第2の実施形態図7、図8は、第2の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するための模式工程断面図である。なお、図8は図7に続く模式工程断面図である。まず、図7aに示すように、サファイアなどからなる基板100上に所定の形状を有する半導体部2a、活性部2b、半導体部2cをこの順で形成するステップS1。すなわち、サファイアなどからなる基板100上に所定の形状を有する発光部2を形成する。この場合、既知のスパッタリング法や気相成長法などを用いてこれらの成膜を行うようにすることができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法、ハイドライド気相成長HVPEHydrideVaporPhaseEpitaxy法、分子線エピタキシャル成長MBEMolecularBeamEpitaxy法などを例示することができる。そして、既知のリソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて、半導体部2a、活性部2b、半導体部2cの形状を成形するようにすることができる。次に、図7bに示すように、接合部5、絶縁部6を形成するステップS2。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長PVD:PhysicalVaporDeposition法、各種の化学的気相成長CVDChemicalVaporDeposition法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで接合部5、絶縁部6を形成するようにすることができる。次に、図7cに示すように、電極部3、電極部4を形成するステップS3。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長法、各種の化学的気相成長法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで電極部3、電極部4を形成するようにすることができる。次に、図7dに示すように、封止部7となる層17を形成するステップS4。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長法、各種の化学的気相成長法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで封止部7となる層17を形成するようにすることができる。次に、図7eに示すように、この様にして形成された積層体を基板100から剥離するステップS5。この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体を基板100から剥離するようにすることができる。なお、図7eは、積層体を反転させた状態で剥離する場合を表したものである。次に、図8aに示すように、層17の表面を研磨加工などして電極部3、電極部4の端部を露出させるステップS6。この際、封止部7が形成されることになる。次に、発光部2から出射する光の波長を発光部2毎に測定するステップS7。次に、測定された光の波長に基づいて蛍光体の量の分布を求めるステップS8。この場合、図2、図3において例示をしたように、光の波長、蛍光体の量、色度のばらつきにおける相関関係などを予め実験やシミュレーションなどにより求めておき、これらの相関関係に基づいて蛍光体の量の分布を求めるようにすることができる。そして、求められた蛍光体の量の分布に基づいて波長変換部を形成するステップS9。例えば、図1に例示をした波長変換部を形成する場合には、図8bに示すように、求められた量の蛍光体が含まれる波長変換部8a、8bなどを個別的に形成する。また、例えば、図4、図5に例示をした波長変換部を形成する場合には、図8cに示すように、すべての発光部2の主面M1側に波長変換部18aを形成し、求められた蛍光体の量に基づいて波長変換部18bなどを個別的に形成する。すなわち、発光部2の一方の主面M1側に求められた蛍光体の量の分布に基づいて、蛍光体が混合された樹脂を塗布することで波長変換部を個別的に形成する。また、例えば、図6に例示をした波長変換部を形成する場合には、例えば、図8dに示すように、すべての発光部2の主面M1側に波長変換部48を形成し、求められた蛍光体の量に基づいて波長変換部48の厚み寸法を変化させる。すなわち、発光部2の一方の主面M1側に蛍光体が混合された樹脂を塗布することで波長変換部を形成し、求められた蛍光体の量の分布に基づいて波長変換部の厚み寸法を変化させる。すべての発光部2の主面M1側に波長変換部を形成するような場合には、例えば、スキージ印刷法、コンプレッションモールド法、インプリント法、ディスペンス法、インクジェット法、エアロゾル法などの塗布方法を用いることができる。波長変換部を個別的に形成するような場合には、例えば、ディスペンス法、インクジェット法、エアロゾル法などの塗布方法を用いることができる。波長変換部の厚み寸法を変化させるような場合には、例えば、図8dに示すように、砥石101を用いた研磨加工により行うようにすることができる。なお、図1bにおいて例示をした壁部9を設ける場合には、波長変換部の形成前に壁部9を形成するようにすることができる。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長法、各種の化学的気相成長法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで壁部9を形成するようにすることができる。また、波長変換部の形成後、各発光部2における色度のばらつきを測定し、色度のばらつきが大きく不良となった部分のリペアを行うようにすることもできる。不良となった部分のリペアは、例えば、蛍光体が混合された樹脂を個別的に塗布したり、波長変換部の厚み寸法を薄くしたりすることで行うことができる。また、必要に応じて、電極部3、電極部4の端部に半田バンプなどを形成するようにすることもできる。次に、必要に応じて分割を行う。この場合、個片化を行うことで1つの発光部2を有する半導体発光装置とすることもできるし、複数の発光部を有する半導体発光装置とすることもできる。この場合、ブレードダイシング法などを用いて分割を行うようにすることができる。本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法によれば、色度のばらつきが抑制された半導体発光装置を容易に製造することができる。なお、半導体発光装置として、複数の発光部を有するマルチチップ型の半導体発光装置について例示をしたが、1つの発光部を有する半導体発光装置についても適用が可能である。例えば、発光部2の発光特性に面内分布が生じ、発光部2の中心部分と周縁部分とで色度のばらつきが生じる場合がある。その様な場合にも光の波長に基づいて蛍光体の量の分布を調整すれば色度のばらつきを抑制することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。例えば、半導体発光装置1、半導体発光装置1a~1fなどに備えられた各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。"