プラズマから荷電粒子を抽出して加速し、交互に正と負でなるバイアス電位に作用される少なくとも一つの抽出と加速のグリッド4、24を利用することで、プラズマビームPBを形成する方法であって、前記プラズマビームの電気的中性の質が検出されるステップと、前記プラズマビームを、少なくともほぼ電気的中性となるように、前記バイアス電位が調整されるステップと、を備えていることを特徴とする方法。前記プラズマビームの電気的中性は、前記抽出と加速のグリッド4、24に対する前記正電位と負電位の適用持続時間の少なくとも一方を調整することで、少なくとも部分的に得られることを特徴とする請求項1記載の方法。前記プラズマビームの電気的中性は、前記抽出と加速のグリッド4、24に印加される前記正電位と負電位の少なくとも一方の振幅を調整することで少なくとも部分的に得られることを特徴とする請求項1または2記載の方法。前記正のバイアス電位と前記負のバイアス電位の交互の周波数は、数kHzから数MHzの範囲に含まれる無線周波数であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記プラズマは、パルスとして発せられており、正電位と負電位の交互のシーケンスは、前記プラズマのパルス化と同調されており、正イオンは前記パルス化時に前記プラズマから抽出され、負の粒子は前記パルス化の間隔にて抽出されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の方法。正電位と負電位の交互のシーケンスは、連続曲線を形成することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の方法。前記連続曲線は、鋭角の縁部を有した矩形波形でなり、交互に正と負となることを特徴とする請求項6記載の方法。前記バイアス電位は約400ボルトであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の方法。プラズマから荷電粒子を抽出して加速する少なくとも1つのグリッド4、24を備えたプラズマ発生器と、前記グリッドの電気的なバイアス手段9、26とを有したプラズマビームPB形成装置であって、交互に正と負となるバイアス電位を発生させ、前記プラズマビームの電気的中性の質を表す信号を伝達するセンサ12、13、27、28を有しており、前記電気的なバイアス手段9、26を前記センサによって制御し、前記プラズマビームPBを少なくともほぼ電気的中性とすることを特徴とする装置。前記センサは誘導センサ12、27であり、前記プラズマビームPBの電気的中性の欠如を検出できることを特徴とする請求項9記載の装置。-アースされているか、または弱い負の電位に接続された少なくとも一つの追加のグリッド7、25が、抽出と分極のグリッド4、24の下流に設置されており、-前記センサは、前記グリッド7、25での電流の存在を検出する電流センサであることを特徴とする請求項9記載の装置。前記電気的なバイアス手段9、26はMOSFET高速スイッチを有していることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の装置。前記プラズマをパルス化し、前記電気的なバイアス手段9、26を前記プラズマのパルス化と同調させる手段10を有していることを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載の装置。前記電気的なバイアス手段9、26はほぼ400ボルトの正電位と負電位とを送達することを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載の装置。本発明の目的は、プラズマビームのさらに優れた電気的中性を達成するために、この公知方法を改良することである。この目的を達成するために、プラズマから帯電した粒子荷電粒子を抽出して加速し、交互に正と負であるバイアス電位を印加された少なくとも1つの抽出と加速のグリッド格子を使用することによるプラズマビームを形成する方法は、-このプラズマビームの電気的中性の質が検出され、-このプラズマビームが少なくともほぼ電気的中性となるようにこのバイアス電位が調節される、ことを特徴とする。本発明は、抽出されて加速された正と負の粒子の数が、抽出と加速のグリッドに印加された正と負の電位の持続時間および振幅により決定されるという事実を活用する。その結果、本発明による正及び/又は負のバイアス電位の持続時間及び/又は振幅の調整はプラズマビームの中性の質に作用した。この種の調整は、例えば、グリッド電流の分析を介して、あるいはこのプラズマビームを監視モニターする外部センサによってリアルタイムで実行できる。プラズマビームの電気的中性の質をさらに改善するため、正と負のバイアス電位の交替の頻度が、数kHzと数MHzの範囲に含まれる無線周波数高周波数であることが有利である。換言すれば、正または負の電位が抽出と加速のグリッドに印加される持続時間が数ミリ秒から数マイクロ秒の範囲に含まれることが有利である。実験によれば、このような頻度は正と負の粒子の組み合わせを促す。このプラズマがパルスとして発せられる状況では、正と負のバイアス電位の交互に連続する形態がプラズマのパルス動作と同調され、負の粒子がこのパルス動作の間隔中に抽出されると同時的に、そのパルス動作時に正イオンがプラズマから抽出されることも有利である。正と負のバイアス電位の交互連続形態は、例えば正弦波のような、好適な連続形状を有することができる。しかし、より好適には、鋭角の縁部を有する矩形波の連続形態であり、その立ち上がり時間はイオンのおおよその移行時間であるか、さらに速い。好適には、その抽出と加速のグリッドにバイアスをかける正および負の電位は、例えば400ボルトである数百ボルトである。本発明は、上記の方法を実行する装置にも関する。このプラズマから荷電粒子を抽出して加速するために少なくとも1つのグリッドと、このグリッドに電気的なバイアスをかけ、交互に正と負であるバイアス電位を発生させる手段とが提供されたプラズマ発生器を有する本発明によるこのような装置は、プラズマビームの電気的中性の質を表す信号を届ける検出器を有し、電気的にバイアスをかけるこの手段は、この検出器で制御され、プラズマビームを少なくともほぼ電気的中性とする。この種の検出器は、プラズマビームをモニターする連続的な記録を取る、例えば、誘導センサであるか、あるいは前記の装置のグリッド内の電流センサであるセンサでよい。この目的を達成するためには、-アースされているか、弱い負電位に接続された、少なくとも1つの追加のグリッドが、抽出と分極極性化のグリッドの下流に配置されており、-電流センサが追加のグリッドの電流の存在を検査することが有利である。好適には、この電気的なバイアス手段は、二つの反対の両極性を交互に切り替えるMOSFET高速スイッチを有する。本発明のプラズマ発生器は、電気的バイアス手段を、プラズマがパルスとして発せられる動作と同調させる手段も有することができる。添付の図面は本発明がどのように実施されるかに関する明確な理解を提供する。これら図面において使用される同一の符号番号は類似する要素を表す。図1で概略的に図示されている本発明のプラズマ発生装置Iは、ガス供給ルート2によってイオン化可能なガスA2が供給されるプラズマ中心部1を有している。このガスA2は図中にて符号3で示される連続的な無線周波数の電界高周波数の電場RFの作用下でイオン化される。従って、正イオンA、負イオンA-および電子e-を含んだ連続プラズマはプラズマ中心部1において発生される。プラズマ発生装置Iは、隣接領域5に存在するプラズマからの正イオンAと負イオンA-とを、例えば磁気フィルター6を介して電子e-を排除した後に、抽出して加速するためのプラズマと接触状態にあるグリッド4を有する。アースされているか、弱負電位例えば約-10Vに接続されたグリッド7が、抽出と加速のグリッド4の上流に設置される。負のバイアスが印加される中間グリッド8がグリッド4とグリッド7との間に配置可能である。グリッド4はプラズマ中心部1の内蔵電極と交換できる。その後にバイアス電位は、この内蔵電極と、従前同様に使用されているグリッド8とグリッド7とに適用される。抽出と加速のグリッド4は、電気的なバイアス装置9によって交互に正と負にバイアス印加バイアス電圧が印加され、電位を大きく超過させずに、例えば、2つの反対の電気的な極性を高速で切り替えるMOSFET高速スイッチを含む。この高速の概ねの意味は、イオンの移行時間である。グリッド4に適用可能な高電圧HTおよび-HT例えば、約400Vでのバイアス信号Bの知られた例が図2に示されている。これは時間t横座標の関数としての電圧V縦座標を表す。バイアス信号Bは、0とHTの間の鋭角の縁部を有した正の矩形波bと、0と-HTの間の鋭角の縁部を有した負の矩形波b-との交互のシーケンス連続、並びで成る。このバイアス信号Bにおいては、全ての正のバイアス波形bは等しい振幅aと持続時間dのものであり、この条件は負の波形b-にも同様に当て嵌まり、さらに極性以外では正の波形と同じである。フィルター6が完璧なものであり、加速と抽出のグリッド4の隣接領域5には電子が一切発見されず、バイアス信号Bがそのグリッドに適用される理想的な場合、-正の波形bが領域5でプラズマと接触状態にあるグリッド4の上に不意に現れると、正イオンAを加速して負イオンA-を阻止する負の鞘体が形成される。-一方、正の波形b-が領域4の上に不意に現れると、負イオンA-を加速して正イオンAを阻止する正の鞘体が形成される。従って、この理想的な場合には、発生器Iの出力部にて、交互であって同時的ではない同数の正イオンAと負イオンA-が出現し、組み合わされて、電気的中性であるプラズマビームPBが形成される。しかしながら実際には、様々な理由によって例えば、磁気フィルター6が不完全一部の電子e-が抽出と加速のグリッド4の隣接領域5で発見され、よって、プラズマビーム発生装置の出口で発見され、バイアス信号Bによってバイアス印加されるグリッド4からのプラズマビームPBは、電気的に中性ではあり得なくなる。この弱点を克服するため、本発明によれば、電気的なバイアス装置9は制御可能であり、その振幅a’と持続時間d’とが可変である正の矩形波形b’と負の矩形波形b’-のシーケンスで成るバイアス信号B’を発生させることができる。さらに、装置Iは、例えば、ビームPBでの電気的中性の欠如を検出でき、制御可能な電気的なバイアス装置9に作用することができる誘導センサであるセンサ12を有している。この装置は、この電気的中性の欠如を消滅させるために正の矩形波形b’及び/又は負の矩形波形b’-の振幅a’と持続時間d’とを変更させる。従って、プラズマビームPBはリアルタイムで電気的中性化が可能である。図3は、プラズマビームPBを電気的に中性化するように調整された異なる振幅a’と持続時間d’とを有したこのような波形b’とb’-の別例を示す。別例として、センサ12は、例えば、グリッド7の電流の存在を監視する電流センサ13と置き換えることができる。加えて、図1のプラズマ発生器IでプラズマビームPBの電気的中性をさらに向上させるため、図1の線10により象徴的に示すように、イオン化する電界RFが、スイッチング周波数を大幅に下回る周波数でパルス化され、電気的なバイアス装置9の運用、すなわち、バイアス信号B’の発生は、そのパルス化されたイオン化電界RFと同調され、正イオンAはそのパルス中にプラズマから抽出され、負イオンA-はパルス化の間隔で抽出され、領域5の電子e-はこの間隔の時に急速に失われる。図4で概略的に示される本発明のプラズマ発生装置IIは、供給ルート22を介して正電気ガスXが供給されるプラズマ中心部21を有する。この正電気ガスXは23で概略的に示されている無線周波数電界RFによってイオン化され、正イオンXと電子e-とを発生させる。荷電粒子、すなわち正イオンXと電子e-とはプラズマと接触状態のグリッド24によって抽出および加速される。アース接地されているか、あるいは弱い負電位に接続されているグリッドまたはグリッドセット25はグリッド24と協調する。この抽出と加速のグリッド24は、上述の装置9と同タイプの電気的なバイアス装置26によってバイアス印加され、その振幅aと持続時間dとが可変である一連の正波形bと負波形b-とで成る信号Bを発生できる。装置Iに関して上述したものと同様な形態で、正イオンXは、正波形b時に抽出および加速され、電子e-は負波形b-時に抽出および加速される。図5で示すように、正イオンXと電子e-との間の質量と移動性の相違によって、負波形b-の持続時間と振幅とは正波形bのものより大幅に小さい。加えて、装置IIは、例えば、ビームPBにおける電気的中性の欠如を検出でき、制御可能な電気的なバイアス装置26に作用することができる誘導センサあるいはグリッド25の電流の存在をモニターできるセンサ28を有し、その装置は、プラズマビームPBの電気的中性の欠如を消滅させるために、正波形b及び/又は負波形b-の振幅a及び/又は持続時間dを変更させる。従って、プラズマ発生装置IIの出口で、イオンXと電子e-が出現し、それらを組み合わせることで電気的に中性なプラズマビームPBを、補助的な電子源の助けを借りることなく形成する。プラズマ発生装置Iに関して前述したように、線10は、信号Bをパルスとして発せられたイオン化電界RFと確実に同調させることができる。