半導体基板に設けられる画素領域にて行列状に配列され、入射光を受光し光電変換により信号電荷を生成して蓄積する複数の電荷蓄積部と、前記複数の電荷蓄積部の配列における列毎に設けられ、前記半導体基板に設けられる電荷転送部、および前記半導体基板上に設けられる転送電極を有し、前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部と、前記電荷蓄積部と該電荷蓄積部により生成された信号電荷が読み出される前記垂直転送部との間に設けられ、電位を変動させることで前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を前記垂直転送部へ読み出させる読み出し部と、前記電荷蓄積部の前記読み出し部が設けられる側と反対側にて前記電荷蓄積部と前記垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部と、前記半導体基板の前記入射光が入射する側に設けられ、前記電荷蓄積部に対応する位置に開口部を有する遮光膜と、を備え、前記電荷蓄積部、前記電荷転送部、前記読み出し部、および前記チャネルストップ部は、水平方向について、前記画素領域の中央部に対して前記画素領域の周辺部では、前記開口部に対して外側へずれた位置に設けられている、固体撮像素子。前記電荷蓄積部、前記電荷転送部、前記読み出し部、および前記チャネルストップ部は、水平方向について、前記開口部に対する外側へのずれ量が前記画素領域の中央部から前記画素領域の周辺部にかけて大きくなるように設けられている、請求項1に記載の固体撮像素子。前記読み出し部は、水平方向の寸法が前記画素領域の前記電荷蓄積部から前記電荷転送部への信号電荷の読み出し方向側の端部から前記読み出し方向と反対方向側の端部にかけて小さくなるように設けられている、請求項2に記載の固体撮像素子。固体撮像素子と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動部と、を有し、前記固体撮像素子は、半導体基板に設けられる画素領域にて行列状に配列され、入射光を受光し光電変換により信号電荷を生成して蓄積する複数の電荷蓄積部と、前記複数の電荷蓄積部の配列における列毎に設けられ、前記半導体基板に設けられる電荷転送部、および前記半導体基板上に設けられる転送電極を有し、前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部と、前記電荷蓄積部と該電荷蓄積部により生成された信号電荷が読み出される前記垂直転送部との間に設けられ、電位を変動させることで前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を前記垂直転送部へ読み出させる読み出し部と、前記電荷蓄積部の前記読み出し部が設けられる側と反対側にて前記電荷蓄積部と前記垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部と、前記半導体基板の前記入射光が入射する側に設けられ、前記電荷蓄積部に対応する位置に開口部を有する遮光膜と、を備え、前記電荷蓄積部、前記電荷転送部、前記読み出し部、および前記チャネルストップ部は、水平方向について、前記画素領域の中央部に対して前記画素領域の周辺部では、前記開口部に対して外側へずれた位置に設けられている、固体撮像装置。確かに、特許文献1の技術によれば、斜め光が入射する画角の周辺部において、電荷蓄積部の周囲部分での光電変換として、半導体基板の深い位置での光電変換により生じる電子を原因とするスミアは抑制できると考えられる。しかしながら、上記のとおり遮光膜下から混入するスミア成分は半導体基板の表面側で光電変換されるが、特許文献1の技術では、このような半導体基板の表面側で光電変換されるスミア成分を抑制することができない。また、特許文献1の技術によれば、電荷蓄積部の形成に際し、半導体基板の深さ方向に段階的に不純物プロファイルを形成する必要がある。このため、特許文献1の技術を用いた場合、製造工程が増加するというデメリットがある。本技術の目的は、製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制することができ、画質を向上することができる固体撮像素子および固体撮像装置を提供することである。本技術に係る固体撮像素子は、半導体基板に設けられる画素領域にて行列状に配列され、入射光を受光し光電変換により信号電荷を生成して蓄積する複数の電荷蓄積部と、前記複数の電荷蓄積部の配列における列毎に設けられ、前記半導体基板に設けられる電荷転送部、および前記半導体基板上に設けられる転送電極を有し、前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部と、前記電荷蓄積部と該電荷蓄積部により生成された信号電荷が読み出される前記垂直転送部との間に設けられ、電位を変動させることで前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を前記垂直転送部へ読み出させる読み出し部と、前記電荷蓄積部の前記読み出し部が設けられる側と反対側にて前記電荷蓄積部と前記垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部と、前記半導体基板の前記入射光が入射する側に設けられ、前記電荷蓄積部に対応する位置に開口部を有する遮光膜と、を備え、前記電荷蓄積部、前記電荷転送部、前記読み出し部、および前記チャネルストップ部は、水平方向について、前記画素領域の中央部に対して前記画素領域の周辺部では、前記開口部に対して外側へずれた位置に設けられているものである。本技術に係る固体撮像素子によれば、画角の外側において画角の中央側から周辺側に向かう斜め光に対して、その斜め光の入射する側に電荷蓄積部がずれた位置に存在するので、画角の外側において、スミアシェーディングの原因となる電荷蓄積部の周囲部分での光電変換が抑制される。また、本技術に係る固体撮像素子においては、好ましくは、前記電荷蓄積部、前記電荷転送部、前記読み出し部、および前記チャネルストップ部は、水平方向について、前記開口部に対する外側へのずれ量が前記画素領域の中央部から前記画素領域の周辺部にかけて大きくなるように設けられている。このような構成によれば、画角の外側ほど傾斜が大きくなる斜め光の入射角度に応じて、電荷蓄積部3等のずれ量が大きくなり、電荷蓄積部の周囲部分での光電変換が効果的に抑制される。また、本技術に係る固体撮像素子においては、好ましくは、前記読み出し部は、水平方向の寸法が前記画素領域の前記電荷蓄積部から前記電荷転送部への信号電荷の読み出し方向側の端部から前記読み出し方向と反対方向側の端部にかけて小さくなるように設けられている。このような構成によれば、画角に応じた読み出し部の水平方向の寸法による信号電荷の読み出しやすさの変化により、画角に応じた電荷蓄積部と転送電極との相対的な位置関係による信号電荷の読み出しやすさが相殺される。本技術に係る固体撮像装置は、固体撮像素子と、前記固体撮像素子を駆動するための駆動信号を生成する駆動部と、を有し、前記固体撮像素子は、半導体基板に設けられる画素領域にて行列状に配列され、入射光を受光し光電変換により信号電荷を生成して蓄積する複数の電荷蓄積部と、前記複数の電荷蓄積部の配列における列毎に設けられ、前記半導体基板に設けられる電荷転送部、および前記半導体基板上に設けられる転送電極を有し、前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部と、前記電荷蓄積部と該電荷蓄積部により生成された信号電荷が読み出される前記垂直転送部との間に設けられ、電位を変動させることで前記電荷蓄積部により生成された信号電荷を前記垂直転送部へ読み出させる読み出し部と、前記電荷蓄積部の前記読み出し部が設けられる側と反対側にて前記電荷蓄積部と前記垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部と、前記半導体基板の前記入射光が入射する側に設けられ、前記電荷蓄積部に対応する位置に開口部を有する遮光膜と、を備え、前記電荷蓄積部、前記電荷転送部、前記読み出し部、および前記チャネルストップ部は、水平方向について、前記画素領域の中央部に対して前記画素領域の周辺部では、前記開口部に対して外側へずれた位置に設けられているものである。本技術によれば、製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制することができ、画質を向上することができる。本技術は、固体撮像素子が備える電荷蓄積部、垂直転送部、読み出し部、およびチャネルストップ部を、半導体基板上に設けられる遮光膜の開口部の中央位置に対して画角に応じて段階的に外側にずらして配置することで、スミアシェーディングを改善しようとするものである。以下、本技術の実施の形態を説明する。[固体撮像素子の全体構成]本技術の第1実施形態に係る固体撮像素子の全体構成について、図1を用いて説明する。図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像素子1は、CCD型の固体撮像素子であり、半導体基板上に構成される矩形状の撮像領域である画素領域2を有する。固体撮像素子1は、画素領域2に、複数の電荷蓄積部3を備える。複数の電荷蓄積部3は、半導体基板に設けられる画素領域2にて行列状に配列される。つまり、複数の電荷蓄積部3は、矩形状の画素領域2に沿って、縦方向横方向に2次元行列状に配置される。本実施形態の固体撮像素子1では、図1において、縦方向上下方向を垂直方向とし、横方向左右方向を水平方向とする。電荷蓄積部3は、入射光を受光し光電変換により信号電荷を生成して蓄積する。本実施形態では、電荷蓄積部3は、受光素子としてのフォトダイオードにより構成され、光電変換により信号電荷を生成し、蓄積する。つまり、電荷蓄積部3は、受光面を有するセンサ部として構成され、その受光面に入射した光の光量強度に応じた信号電荷を生成し、生成した信号電荷を蓄積する。各電荷蓄積部3は、画素領域2における各画素を構成する。固体撮像素子1は、電荷蓄積部3で生成された信号電荷を転送する構成転送レジスタとして、複数の垂直転送部4と、水平転送部5とを備える。垂直転送部4は、複数の電荷蓄積部3の行列状の2次元配列における各列方向垂直方向の並びに沿って設けられる。つまり、図1に示すように、複数の垂直転送部4は、行列状に配置される複数の電荷蓄積部3の垂直方向に並ぶ列毎に、各列の一側図1では左側に、電荷蓄積部3の垂直方向の並びに沿って互いに平行に配された状態で設けられる。このように、複数の垂直転送部4は、複数の電荷蓄積部3の配列における列毎に設けられ、電荷蓄積部3により生成された信号電荷を垂直方向に転送する。電荷蓄積部3により生成された信号電荷は、垂直転送部4に読み出され、垂直転送部4によって垂直方向に転送される。電荷蓄積部3の信号電荷は、読み出し部6を介して垂直転送部4に読み出される。垂直転送部4は、対応する列に配置された複数の電荷蓄積部3、つまり水平方向の一側図1において右側に隣接配置された複数の電荷蓄積部3の各電荷蓄積部3から読み出し部6を介して信号電荷を読み出し、読み出した信号電荷を垂直方向へ順次転送する。読み出し部6は、半導体基板にて電荷蓄積部3とこの電荷蓄積部3により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部4との間に設けられ、電荷蓄積部3により生成された信号電荷を垂直転送部4に読み出させる読み出しゲートとして機能する。読み出し部6は、垂直転送部4を構成する所定の転送電極である読み出し電極が読み出し用の電圧クロックパルスの印加を受けることで電位ポテンシャルを変動させ、電荷蓄積部3において生成され蓄積されている信号電荷を垂直転送部4に転送させる。このように、読み出し部6は、電荷蓄積部3とこの電荷蓄積部3により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部4との間に設けられ、電位を変動させることで電荷蓄積部3により生成された信号電荷を垂直転送部4へ読み出させる。また、固体撮像素子1においては、電荷蓄積部3の読み出し部6が設けられる側と反対側非読み出し側において、電荷蓄積部3と垂直転送部4との間に、チャネルストップ部7が設けられている。つまり、チャネルストップ部7は、垂直転送部4と、この垂直転送部4に信号電荷が読み出される電荷蓄積部3とは反対側図1において左側に位置する電荷蓄積部3との間に設けられる。チャネルストップ部7は、電荷蓄積部3の非読み出し側図1において右側において、垂直転送部4との間に障壁となる電位を形成することで、電荷蓄積部3に蓄積された信号電荷の移動を規制する。チャネルストップ部7は、上記のような垂直転送部4の読み出し電極に対する読み出し用の電圧の印加にともない、電荷蓄積部3と垂直転送部4との間に障壁となる電位を形成する。このように、チャネルストップ部7は、電荷蓄積部3の非読み出し側にて電荷蓄積部3と垂直転送部4との間に設けられる。チャネルストップ部7により、電荷蓄積部3の非読み出し側と垂直転送部4との間において信号電荷の移動が規制される。なお、図1では、チャネルストップ部7は、垂直方向について電荷蓄積部3ごとに非連続的に形成される態様で示されているが、電荷蓄積部3の列ごとに垂直方向に連続して形成されてもよい。水平転送部5は、複数の垂直転送部4により転送された信号電荷を水平方向に転送する。水平転送部5は、電荷蓄積部3の垂直方向の並びに沿って互いに平行に配される複数の垂直転送部4の一方の端部側図1では下側に設けられ、矩形状の画素領域2に対して垂直方向の一側図1では下側の水平方向の辺に沿って配置される。したがって、垂直転送部4は、電荷蓄積部3から読み出された信号電荷を、水平転送部5側図1では下側に向けて垂直方向に転送する。垂直転送部4および水平転送部5により転送された信号電荷は、水平転送部5の終端側に設けられる出力部8から出力される。出力部8は、信号電荷を電圧に変える電荷電圧変換部として機能し、水平転送部5から転送された信号電荷を、FDFloatingDiffusionアンプ等の出力アンプによって電気信号に変換して出力する。本実施形態では、垂直転送部4は、4相駆動パルスにより駆動される。このため、垂直転送部4は、4相駆動に対応する4種類の転送電極を有する。垂直転送部4において、4種類の転送電極は、垂直方向に2画素ごとに所定の順序で繰り返し設けられる。そして、垂直転送部4を構成する4種類の転送電極には、駆動電圧としての4相のクロックパルスVφ1、Vφ2、Vφ3、Vφ4が、外部から入力され、各電極に独立して与えられる。この4相のクロックパルスの大きさとタイミングが適切に制御されることにより、各電荷蓄積部3から垂直転送部4に読み出された信号電荷が、垂直転送部4の電極の並びに従って転送される。なお、垂直転送部4は、4相駆動に限定されず、例えば8相駆動等であってもよい。本実施形態では、水平転送部5は、2相駆動パルスにより駆動される。このため、水平転送部5は、2相駆動に対応する2種類の転送電極を有する。そして、水平転送部5を構成する2種類の転送電極には、駆動電圧としての2相のクロックパルスHφ1、Hφ2が外部から入力される。この2相のクロックパルスHφ1、Hφ2の大きさとタイミングが適切に制御されることにより、水平転送部5は、垂直転送部4において垂直方向へ転送された信号電荷を、水平方向へ転送する。なお、水平転送部5は、2相駆動に限定されず、例えば3相駆動や4相駆動等であってもよい。[固体撮像素子の詳細構成]本実施形態の固体撮像素子1の詳細な構成について、図1から図4を用いて説明する。なお、以下の説明では、固体撮像素子1の画素領域2において、水平方向図1における左右方向のうち、電荷蓄積部3から垂直転送部4に信号電荷が読み出される方向図1における左を左とし、その反対方向図1における右を右とする。つまり、図1において、画素領域2の左側が画角の左側となり、画素領域2の右側が画角の右側となる。図2から図4は、転送方向に垂直な面を断面の方向とする断面図であり、例えば図1におけるA-A’位置の部分断面図に相当する。そして、図2は画角中央部における断面図を、図3は画角左端部における断面図を、図4は画角右端部における断面図をそれぞれ示す。図2に示すように、固体撮像素子1は、半導体基板11を備える。本実施形態では、半導体基板11は、第1導電型であるn型のシリコン基板である。半導体基板11上には、半導体層12が設けられる。半導体層12は、n型のシリコン半導体基板である半導体基板11に対して、第2導電型であるp型の半導体ウェル領域として形成される。なお、半導体基板11における半導体層12よりも上側には、例えばp-領域やノンドープ領域やn-領域等の高抵抗領域が形成される。半導体基板11の表層側の部分には、電荷蓄積部3が設けられる。電荷蓄積部3は、上述したように半導体基板11に設けられる画素領域2にて行列状に配列される。電荷蓄積部3は、具体的には、n不純物領域と、このn不純物領域上に形成されるp不純物領域とを有する。電荷蓄積部3が有するn不純物領域は、高濃度にn型不純物を含有し、光電変換によって生成された電荷の蓄積を行う領域である。電荷蓄積部3が有するp不純物領域は、高濃度にp型不純物を含有し、界面準位による暗電流の発生を抑制する領域である。電荷蓄積部3は、例えば、半導体基板11の表面から0.5μm程度の深さまで形成される。半導体基板11の表層側の部分において、左右方向水平方向の電荷蓄積部3間には、垂直転送部4が構成される。図2に示すように、垂直転送部4は、半導体基板11に設けられる電荷転送部13と、半導体基板11上に設けられる転送電極14とを有する。電荷転送部13は、左右方向に隣り合う電荷蓄積部3の間において、半導体基板11の表層部分に設けられる。電荷転送部13は、n型の不純物領域である転送チャネル領域として形成される。電荷転送部13は、上述したように垂直転送部4を構成する転送電極14に駆動電圧が印加されることによって、電荷が蓄積される電位の井戸を転送電極14の並びに沿って移動させることで、電荷蓄積部3から読み出された信号電荷を転送する。電荷転送部13は、例えば、半導体基板11の表面から0.2μm程度の深さまで形成される。転送電極14は、上記のとおり駆動電圧の印加を受けることで、電位の井戸を形成する電荷転送部13の部分の電位を変化させる。転送電極14は、電荷転送部13上に絶縁膜等を介して設けられる。転送電極14は、例えば多結晶シリコンからなる。本実施形態の固体撮像素子1は、上述したように、垂直転送部4を構成する転送電極14として、読み出し電極を含む4種類の転送電極を有する。このように、電荷転送部13と転送電極14とを含む構成により、CCD構造の垂直転送部4が構成される。半導体基板11の表層側の部分において、電荷蓄積部3と、この電荷蓄積部3の信号電荷が読み出される電荷転送部13との間には、読み出し部6が設けられる。読み出し部6は、p型不純物領域からなる可変ポテンシャル領域として形成される。読み出し部6は、垂直転送部4を構成する転送電極14のうちの読み出し電極が読み出し用の電圧クロックパルスの印加を受けることで電位ポテンシャルを変動させ、電荷蓄積部3において生成され蓄積されている信号電荷を垂直転送部4の電荷転送部13に転送させる。半導体基板11の表層側の部分において、電荷蓄積部3に対して読み出し部6が設けられる側と反対側非読み出し側に、チャネルストップ部7が設けられる。チャネルストップ部7は、高濃度のp型不純物領域として形成される。チャネルストップ部7は、電荷蓄積部3の非読み出し側図2において右側において、電荷蓄積部3と電荷転送部13との間に障壁となる電位を形成することで、電荷蓄積部3に蓄積された信号電荷の移動を規制する。半導体基板11上においては、垂直転送部4を構成する転送電極14上に、層間絶縁膜15を介して遮光膜16が設けられている。層間絶縁膜15は、転送電極14を被覆するように設けられる。遮光膜16は、図2に示すように、半導体基板11の入射光が入射する側図2において上側に設けられる。具体的には、遮光膜16は、半導体基板11上に設けられる転送電極14を、層間絶縁膜15を介して覆うように設けられる。遮光膜16は、例えばタングステンWやアルミニウムAl等の金属材料により構成される。図2に示すように、遮光膜16は、電荷蓄積部3に対応する位置に開口部以下遮光開口部という。16aを有する。言い換えると、遮光膜16は、半導体基板11上において電荷蓄積部3が設けられる領域に遮光開口部16aを位置させ、主として電荷蓄積部3が設けられる領域を除く領域に設けられる。遮光膜16は、図2に示す断面視で、左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間を跨ぐように略門状に形成される。したがって、遮光膜16は、互いに隣り合う電荷蓄積部3間の境界部分に沿って設けられ、平面視で格子状に形成される。また、遮光膜16は、電荷蓄積部3に対して一部オーバーラップするように、つまり電荷蓄積部3側に張り出すように形成されている。これにより、遮光膜16は、スミアを生じさせる一因となる電荷転送部13に対する入射光の一部に対する遮光機能を発揮する。半導体基板11上においては、遮光膜16を被覆するように、全面的に平坦化膜17が設けられている。平坦化膜17は、例えば、アクリル樹脂などの有機塗布膜やシリコン酸化膜SiO2膜等により形成される。平坦化膜17上には、パシベーション膜等を介してカラーフィルタ層が設けられる図示略。カラーフィルタ層は、各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分される。各カラーフィルタは、例えば、赤色R、緑色G、および青色Bのいずれかの色のフィルタ部分であり、各色の成分の光を透過させる。平坦化膜17上には、上述したようなカラーフィルタ層等を介して、複数のオンチップレンズ18が設けられる。オンチップレンズ18は、いわゆるマイクロレンズであり、各画素の電荷蓄積部3に対応して画素ごとに形成される。したがって、複数のオンチップレンズ18は、電荷蓄積部3と同様に平面的に行列状に配置される。オンチップレンズ18は、外部からの入射光を、対応する画素の電荷蓄積部3に集光する。オンチップレンズ18により集光された光は、電荷蓄積部3の上方に設けられた遮光膜16の遮光開口部16aから電荷蓄積部3に入射する。オンチップレンズ18は、例えば、SiN窒化シリコン等の無機材料により構成される。本実施形態の固体撮像素子1においては、上述したように平坦化膜17上に設けられる複数のオンチップレンズ18の配置について、いわゆる瞳補正が施されている。本実施形態の固体撮像素子1においては、画素領域2への入射光を導く光学系の光学中心が画素領域2の中心位置に対応するように用いられる。このため、射出瞳距離が有限である場合、画角中央部画素領域2の中央部では光は入射面に対して垂直に入射するが、画角の外側、つまり画角の周辺部では光が斜め方向に入射する。斜め方向に入射する光は、スミアの原因となる。そこで、画角の周辺部における集光対策として、各画素に対応して設けられるオンチップレンズ18が、光が斜め方向に入射する画角の周辺部においてはオンチップレンズ18の光軸が光の入射側にシフトするように配置されている。瞳補正によれば、画角端でも入射光が遮光開口部16aの中央部に集光されるようにオンチップレンズ18の位置が補正される。具体的には、図2に示すように、画角中央部においては、画素領域2への入射光は、半導体基板11の表面に対して略垂直方向に入射し、遮光開口部16aを介して電荷蓄積部3に対して真っすぐに入射する矢印B1参照。このため、画角中央部では、左右方向について、オンチップレンズ18は、その光軸C1が遮光開口部16aの中央位置D1に一致するように設けられる。これに対し、図3に示すように、画角左端部においては、画素領域2への入射光は、半導体基板11の表面に対して画素領域2の中央側から周辺側に向かうように斜め方向に入射し、遮光開口部16aを介して電荷蓄積部3に対して斜め光として入射する。つまり、画角左端部では、画素領域2への入射光は、図3において右側から左斜め下向きに入射する斜め光となる矢印B2参照。このため、画角左端部では、左右方向について、オンチップレンズ18は、その光軸C1が遮光開口部16aの中央位置D1に対して光の入射側、つまり右側にシフトするように配置されている矢印E1参照。言い換えると、オンチップレンズ18は、水平方向について、画角中央部に対して画角左端部では、遮光開口部16aの中央位置に対して内側右側にずれた位置に設けられている。図4に示すように、画角右端部においては、画角左端部の場合と同様に、画素領域2への入射光は、半導体基板11の表面に対して画素領域2の中央側から周辺側に向かうように斜め方向に入射し、遮光開口部16aを介して電荷蓄積部3に対して斜め光として入射する。つまり、画角右端部では、画素領域2への入射光は、図4において左側から右斜め下向きに入射する斜め光となる矢印B3参照。このため、画角右端部では、左右方向について、オンチップレンズ18は、その光軸C1が遮光開口部16aの中央位置D1に対して光の入射側、つまり左側にシフトするように配置されている矢印E2参照。言い換えると、オンチップレンズ18は、水平方向について、画角中央部に対して画角右端部では、遮光開口部16aの中央位置に対して内側左側にずれた位置に設けられている。このような瞳補正によるオンチップレンズ18の遮光開口部16aの中央位置に対するずれ量は、画角に応じて調整される。つまり、オンチップレンズ18の配置は、遮光開口部16aの中央位置に対するずれ量が画素領域2の中央部から画素領域2の周辺部にかけて大きくなるように設計される。以上のような構成を備える本実施形態の固体撮像素子1においては、半導体基板11において形成される電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7が、水平方向について、画素領域2の中央部に対して画素領域2の周辺部では、遮光開口部16aに対して外側へずれた位置に設けられている。言い換えると、電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7の配置が、画角中央部に対して画角外側では画角外側方向へシフトされている。図2に示すように、画角中央部に配置される画素は、左右方向について、遮光開口部16aの中央に電荷蓄積部3を配置させる。つまり、画角中央部においては、電荷蓄積部3は、その左右方向の中央位置F1が遮光開口部16aの左右方向の中央位置D1に一致するように設けられる。そして、画角中央部においては、このような遮光開口部16aの中央に合わせた電荷蓄積部3の配置に対応して、左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間に、左右方向の右側から順に、読み出し部6、電荷転送部13、およびチャネルストップ部7が、それぞれ所定の幅で設けられる。このような画角中央部における画素構造に対し、左右方向において画角の外側に配置される画素は、電荷蓄積部3を遮光開口部16aの中央に対して画角の外側方向へずらして配置させる。具体的には、図3に示すように、画角左端部においては、電荷蓄積部3は、その左右方向の中央位置F1が遮光開口部16aの中央位置D1から左側にずれるように設けられる矢印G1参照。つまり、画角左端部においては、左右方向について、遮光開口部16aの位置として遮光開口部16aの中央位置D1を基準とした場合、電荷蓄積部3の中央位置F1は、遮光開口部16aの中央位置D1に対してずれ量ΔH1の分だけ左側にずれている。そして、画角左端部においては、このような遮光開口部16aの中央に対して左側にずれた電荷蓄積部3の配置に対応して、左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間に設けられる読み出し部6、電荷転送部13、およびチャネルストップ部7についても、左側にずれた状態で配置される矢印J1参照。つまり、画角中央部に対して左側にずれた状態で設けられる電荷蓄積部3の配置に対応して、左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間において右側から順にそれぞれ所定の幅で設けられる読み出し部6、電荷転送部13、およびチャネルストップ部7が形成される領域部分も、左側にずらして配置される。図4に示すように、画角右端部においては、画角左端部の場合と同様に、電荷蓄積部3は、その左右方向の中央位置F1が遮光開口部16aの中央位置D1から右側にずれるように設けられる矢印G2参照。つまり、画角右端部においては、左右方向について、遮光開口部16aの位置として遮光開口部16aの中央位置D1を基準とした場合、電荷蓄積部3の中央位置F1は、遮光開口部16aの中央位置D1に対してずれ量ΔH2の分だけ右側にずれている。そして、画角右端部においては、このような遮光開口部16aの中央に対して右側にずれた電荷蓄積部3の配置に対応して、左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間に設けられる読み出し部6、電荷転送部13、およびチャネルストップ部7についても、右側にずれた状態で配置される矢印J2参照。つまり、画角中央部に対して右側にずれた状態で設けられる電荷蓄積部3の配置に対応して、左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間において右側から順にそれぞれ所定の幅で設けられる読み出し部6、電荷転送部13、およびチャネルストップ部7が形成される領域部分も、右側にずらして配置される。このように画角の外側に配置される画素では電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7が画角の外側にずらして配置される構成においては、その外側へのずれ量が画角中央部側から画角の外側ほど大きいことが好ましい。つまり、本実施形態の固体撮像素子1においては、電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7は、水平方向について、遮光開口部16aに対する外側へのずれ量が画素領域2の中央部から画素領域2の周辺部にかけて大きくなるように設けられていることが好ましい。具体的には、画角の中央から左側に位置する画素は、遮光開口部16aの中央位置D1に対する電荷蓄積部3の中央位置F1のずれ量ΔH1図3参照が画角中央部側から画角左端部側にかけて徐々に大きくなるように構成される。つまり、電荷蓄積部3は、画角の中央から画角の左端にかけて左側に段階的にずらして配置される。このように画角の中央から左側の端部にかけて段階的に左側にずらされる電荷蓄積部3の配置に対応して、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7も、画角の中央から左端部にかけて遮光開口部16aの中央位置D1に対して徐々に左側へのずれ量が大きくなるように外側にずらして配置される。同様にして、画角の中央から右側に位置する画素は、遮光開口部16aの中央位置D1に対する電荷蓄積部3の中央位置F1のずれ量ΔH2図4参照が画角中央部側から画角右端部側にかけて徐々に大きくなるように構成される。つまり、電荷蓄積部3は、画角の中央から画角の右端にかけて右側に段階的にずらして配置される。このように画角の中央から右側の端部にかけて段階的に右側にずらされる電荷蓄積部3の配置に対応して、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7も、画角の中央から右端部にかけて遮光開口部16aの中央位置D1に対して徐々に右側へのずれ量が大きくなるように外側にずらして配置される。以上のような本実施形態の固体撮像素子1によれば、製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制することができ、画質を向上することができる。このような効果が得られることについて、固体撮像素子において従来採用されていた構成の一例以下比較例という。を示して説明する。図5に、比較例の構成を示す。なお、図5に示す比較例の構成において、本実施形態の固体撮像素子1と共通する構成については同一の符号を付している。図5に示すように、比較例の構成においては、画角にかかわらず、電荷蓄積部3が、図2に示すような本実施形態の固体撮像素子1の画角中央部と同様に、左右方向の中央位置F1が遮光開口部16aの左右方向の中央位置D1に一致するように設けられている。したがって、比較例の構成では、画角の外側においてはオンチップレンズ18が上述したような瞳補正によって内側にずらされているのに対し、電荷蓄積部3、並びに左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間に設けられる電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7は、電荷蓄積部3が遮光開口部16aの中央に位置するように配置される。なお、図5は、比較例の構成における画角の外側の部分として、画角左端部を示している。また、図5に示す断面図では、便宜上、ハッチングを一部省略している。図5に示すように、画角の外側では、固体撮像素子に対する入射光は、斜め方向に入射する。こうした斜め方向に入射する光は、その入射角度が大きい場合、電荷蓄積部3の外側に集光されることがある。このため、遮光開口部16aを介して電荷蓄積部3に入射する斜め光矢印K1参照により、電荷蓄積部3の周囲部分、つまり電荷蓄積部3からずれた位置で光電変換が生じる。このように電荷蓄積部3の周囲部分での光電変換により生じた電子は、電荷蓄積部3と垂直転送部4の電荷転送部13との間の電位分布にしたがって電荷転送部13に入り込むことで、スミアを発生させる原因となる。つまり、画角の外側では、斜め光によって、電荷蓄積部3の信号電荷の読み出し側でのスミア成分が増える。図5に示す画角左端部の場合、電荷蓄積部3の左方における半導体基板11の深い位置での光電変換が生じる。また、画角の外側においては、遮光開口部16aから入射した斜め光が遮光膜16の周囲において回折、反射、散乱等することによって遮光膜16下から混入する現象が生じる。このように遮光膜16下から混入する光は、電荷蓄積部3の周囲部分において半導体基板11の表面側で光電変換され、電荷転送部13に入り込むことで、スミアを発生させる原因となる。図5に示すような比較例の構成によれば、画角外側において、斜め光により、半導体基板11の深い部分および表面側の部分で電荷蓄積部3の周囲部分での光電変換が生じ、スミアシェーディングが生じやすい。この点、本実施形態の固体撮像素子1においては、上述したように、電荷蓄積部3、並びに左右方向に隣り合う電荷蓄積部3間に設けられる電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7が、画角に応じて画角の外側方向へ段階的にずらして配置されている。このため、画角の外側において画角の中央側から周辺側に向かう斜め光に対して、その斜め光の入射する側に電荷蓄積部3がずれた位置に存在するので、電荷蓄積部3の周囲部分での光電変換を抑制することができる。また、電荷蓄積部3が画角の外側方向にずらして配置されていることから、画角の外側において、斜め光の入射により、電荷蓄積部3の周囲部分における半導体基板11の深い部分で光電変換が生じた場合であっても、その光電変換により生じた電子を、電荷転送部13よりも電荷蓄積部3の方に入りやすくすることができる。同様に、遮光膜16の周囲において斜め光が回折等することによって遮光膜16下から混入する光による半導体基板11の表面側での光電変換についても、その光電変換により生じた電子を、電荷転送部13よりも電荷蓄積部3の方に入りやすくすることができる。このように、本実施形態の固体撮像素子1によれば、電荷蓄積部3の周囲部分、特に半導体基板11の深い部分と表面側の部分との両方において、光電変換により生じた電子を電荷転送部13よりも電荷蓄積部3の方に入りやすくすることができ、画角外側におけるスミアを低減することができる。つまり、本実施形態の固体撮像素子1によれば、画角の外側における半導体基板11の深い部分および表面側の部分の両方についてスミア成分を抑制することができる。結果として、スミアシェーディングを抑制することができ、画質を向上することができる。また、本実施形態の固体撮像素子1において、上述したようなスミア低減の効果は、固体撮像素子1を構成する電荷蓄積部3等の各部の配置を画角の外側方向にずらすことで得られる。したがって、本実施形態の固体撮像素子1において、画角の外側方向にずらされて配置される電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7の各部分そのものは、従来と同様の製造工程によって形成することができる。このため、本実施形態の固体撮像素子1によれば、製造工程を増加させることがない。そして、本実施形態の固体撮像素子1においては、画角の中央から外側に位置する画素は、遮光開口部16aに対する電荷蓄積部3等のずれ量が画角中央部側から画角端側にかけて徐々に大きくなるように構成されている。このため、画角の外側ほど傾斜が大きくなる斜め光の入射角度に応じて、電荷蓄積部3等のずれ量が大きくなるので、効果的にスミア成分を抑制することができる。ただし、遮光開口部16aに対する電荷蓄積部3等の左右方向のずれ量については、画角中央部側から画角端側にかけて徐々に大きくなる場合に限定されず、ずれ量が一定であってもよい。電荷蓄積部3等のずれ量が一定の場合、例えば、固体撮像素子1の画素領域2が左右方向について中央部、左側部、および右側部の3つの領域に区画され、左側部および右側部の各領域において、電荷蓄積部3等が画角の外側方向に一律に所定量ずれて配置されるというような態様が考えられる。また、本実施形態の固体撮像素子1のように、オンチップレンズ18について瞳補正が行われることにより、上述したようなスミアシェーディングの抑制に加え、画角の中央部分よりも周辺部分が暗くなるという、いわゆる輝度シェーディングについても改善効果が得られる。つまり、本実施形態の固体撮像素子1によれば、スミアシェーディングを抑制することができるとともに、輝度シェーディングも抑制することができ、画質について高い改善効果が得られる。[第2実施形態]本技術の第2実施形態について説明する。なお、第1実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態の固体撮像素子は、電荷蓄積部3と垂直転送部4の電荷転送部13との間に設けられる読み出し部26の構成が画角に応じて変化している点で、第1実施形態の固体撮像素子1と異なる。第1実施形態の固体撮像素子1のように、電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部6、およびチャネルストップ部7が画角に応じて画角の外側方向へ段階的にずらして配置されると、その位置のずれ量に応じて、電荷蓄積部3から電荷転送部13への信号電荷の読み出し特性が変化する。すなわち、半導体基板11上に設けられる遮光膜16や転送電極14に対して、電荷蓄積部3等が画角に応じてずらして配置されると、画角に応じて、転送電極14としての読み出し電極と電荷蓄積部3との位置関係、具体的には左右方向の距離の大きさが変化し、読み出し特性が変化する。具体的には、画角左端部では、電荷蓄積部3が左側にずらして配置されることから、電荷蓄積部3と、この電荷蓄積部3の信号電荷の読み出し側左側に位置する読み出し電極転送電極14との距離が近づき、電荷蓄積部3から電荷転送部13への信号電荷の読み出しが行われやすくなる図3参照。一方、画角右端部では、電荷蓄積部3が右側にずらして配置されることから、電荷蓄積部3と、この電荷蓄積部3の左側に位置する読み出し電極転送電極14との距離が離れ、電荷蓄積部3から電荷転送部13への信号電荷の読み出しが行われにくくなる図4参照。このように、電荷蓄積部3等を画角に応じて画角の外側方向へ段階的にずらして配置する構造を採用した場合、信号電荷の読み出し特性の画角依存性が生じ、読み出し特性のチップ内バラツキが大きくなる。そこで、本実施形態では、画角に応じて、読み出し部26のポテンシャルが調整される。つまり、電荷蓄積部3等の画角に応じた段階的なずれ量の変化に応じて、読み出し部26のポテンシャルが調整される。読み出し部26のポテンシャルは、上記のとおりp型不純物領域からなる可変ポテンシャル領域として形成される読み出し部26において、p不純物の注入パターン不純物プロファイルパターンにより調整される。具体的には、不純物注入によって形成される読み出し部26の水平方向の寸法左右幅を調整することで、読み出し部26のポテンシャル調整が行われる。読み出し部26は、読み出し電極が読み出し用の電圧クロックパルスの印加を受けることでポテンシャルを変動させ、信号電荷の読み出しを行う。このようにポテンシャルの変動によって信号電荷を電荷蓄積部3から電荷転送部13へと転送する読み出し部26は、左右幅が太くなるほど、バリアとしての機能が大きくなり、信号電荷が読み出しにくくなる。そこで、本実施形態の固体撮像素子においては、電荷蓄積部3等の画角に応じた段階的なずれ量の変化に応じて、読み出し部26の左右幅が調整される。具体的には、電荷蓄積部3と読み出し電極転送電極14との左右方向の相対的な位置関係により信号電荷が読み出しやすくなる画角左端部から、同相対的な位置関係により信号電荷が読み出しにくくなる画角右端部にかけて、読み出し部26の左右幅が徐々に細くなるように、読み出し部26が形成される。したがって、図6に示すように、画角左端部においては、読み出し部26の左右幅が比較的太くなるように、読み出し部26が形成される左右幅L1参照。これに対し、図7に示すように、画角中央部においては、読み出し部26の左右幅が、画角左端部における読み出し部26の左右幅L1よりも細くなるように、読み出し部26が形成される左右幅L2参照。また、図8に示すように、画角右端部においては、読み出し部26の左右幅が、画角中央部における読み出し部26の左右幅L2よりもさらに細くなるように、読み出し部26が形成される左右幅L3参照。このように、図6に示す画角左端部における読み出し部26の左右幅をL1とし、図7に示す画角中央部における読み出し部26の左右幅をL2とし、図8に示す画角右端部における読み出し部26の左右幅をL3とした場合、L1>L2>L3の関係が成り立つように、読み出し部26の左右幅が調整される。すなわち、本実施形態の固体撮像素子1においては、画角左端部から、画角中央部、画角右端部と画角の左側から右側にかけて、読み出し部26の左右幅が小さくなるように読み出し部26が形成される。以上のように、本実施形態に係る固体撮像素子においては、読み出し部26は、水平方向の寸法左右幅が画素領域2の電荷蓄積部3から電荷転送部13への信号電荷の読み出し方向側左側の端部から読み出し方向と反対方向側右側の端部にかけて小さくなるように設けられている。本実施形態の固体撮像素子1では、画角左端部においては、電荷蓄積部3と読み出し電極転送電極14との距離が近付くことによる信号電荷の読み出しやすさと、読み出し部26の左右幅が相対的に太く形成されることによる信号電荷の読み出しにくさとが相殺される。一方、画角右端部においては、電荷蓄積部3と読み出し電極転送電極14との距離が離れることによる信号電荷の読み出しにくさと、読み出し部26の左右幅が相対的に細く形成されることによる信号電荷の読み出しやすさとが相殺される。このように、本実施形態の固体撮像素子1によれば、電荷蓄積部3等を画角に応じて画角の外側方向へ段階的にずらして配置する構造に起因するチップ内における読み出し特性のバラツキを低減することができ、画角にかかわらず読み出し特性を均一にすることができる。つまり、電荷蓄積部3等を画角に応じて画角の外側方向へ段階的にずらすことにより生じる信号電荷の読み出し特性の画角依存性が軽減され、チップ内の読み出し特性を均一にすることができる。なお、以上説明した本技術の実施の形態では、画角の外側で斜め方向に入射する斜め光を、半導体基板11の表面に対して画素領域2の中央側から周辺側に向かう斜め光として説明したが、例えば瞳射出距離がプラスの場合のように画素領域2の周辺側から中央側に向かう斜め光に対しても、本技術を適用することができる。この場合、電荷蓄積部3、電荷転送部13、読み出し部626、およびチャネルストップ部7が、水平方向について、画素領域2の中央部画角中央部に対して画素領域2の周辺部画角左端部、画角右端部では、遮光開口部16aに対して内側へずれた位置に設けられる。[固体撮像装置の構成]以下では、上述した実施形態の固体撮像素子1を備える固体撮像装置50について、図9を用いて説明する。本実施形態に係る固体撮像装置50は、例えば、いわゆるデジタルカメラと称されるデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話器等に内蔵されるカメラユニット等において、撮像装置モジュールを構成する。固体撮像装置50は、上述した実施形態に係る固体撮像素子1と、固体撮像素子1を所定のタイミングで駆動するための駆動信号を生成するタイミングジェネレータ51とを備える。タイミングジェネレータ51は、固体撮像素子1を駆動するための各種のパルス信号を生成する機能と、生成したパルス信号を、固体撮像素子1を駆動するためのドライブパルスに変換するドライバとしての機能とを有する。また、固体撮像装置50は、タイミングジェネレータ51等に電源を供給するバッテリ等の電源部、撮像により生成した画像データ等を記憶する記憶部、装置全体を制御する制御部等を有する。本実施形態では、固体撮像素子1が有する電源部、記憶部、および制御部を構成する回路は、固体撮像素子1とは別回路別チップとして設けられる。ただし、これらの各部を構成する回路は、固体撮像素子1と同一のチップに設けたり、複数のチップに機能を分割して設けたりしてもよい。タイミングジェネレータ51は、固体撮像素子1が備える垂直転送部4を駆動する4相駆動パルスを固体撮像素子1に入力する。つまり、タイミングジェネレータ51は、垂直転送部4を構成する4種類の転送電極14に、駆動電圧としての4相のクロックパルスVφ1、Vφ2、Vφ3、Vφ4を、各転送電極14に独立して供給印加する。固体撮像素子1は、タイミングジェネレータ51からのクロックパルスVφ1、Vφ2、Vφ3、Vφ4の入力を独立して受けるための入力部を有する。すなわち、固体撮像素子1は、クロックパルスVφ1が入力される信号入力端子である第1駆動信号入力部52aと、クロックパルスVφ2が入力される信号入力端子である第2駆動信号入力部52bと、クロックパルスVφ3が入力される信号入力端子である第3駆動信号入力部52cと、クロックパルスVφ4が入力される信号入力端子である第4駆動信号入力部52dとを有する。各駆動信号入力部52a、52b、52c、52dに入力されるクロックパルスVφ1、Vφ2、Vφ3、Vφ4は、バスラインや所定の配線等を介して、各垂直転送部4を構成する各転送電極14に印加される。この4相のクロックパルスVφ1、Vφ2、Vφ3、Vφ4の大きさとタイミングが、固体撮像素子1が有する制御部によって適切に制御されることにより、各電荷蓄積部3から垂直転送部4に読み出された信号電荷が、垂直転送部4の転送電極14の並びに従って転送される。タイミングジェネレータ51は、固体撮像素子1が備える水平転送部5を駆動する2相駆動パルスを固体撮像素子1に入力する。つまり、タイミングジェネレータ51は、水平転送部5を構成する2種類の転送電極に、駆動電圧としての2相のクロックパルスHφ1、Hφ2を供給印加する。固体撮像素子1は、タイミングジェネレータ51からのクロックパルスHφ1、Hφ2の入力を独立して受けるための入力部を有する。すなわち、固体撮像素子1は、クロックパルスHφ1が入力される信号入力端子である第1駆動信号入力部53aと、クロックパルスHφ2が入力される信号入力端子である第2駆動信号入力部53bとを有する。各駆動信号入力部53a、53bに入力されるクロックパルスHφ1、Hφ2は、バスラインや所定の配線等を介して、水平転送部5を構成する各転送電極に印加される。この2相のクロックパルスHφ1、Hφ2の大きさとタイミングが、固体撮像素子1が有する制御部によって適切に制御されることにより、垂直転送部4から水平転送部5に転送された信号電荷が、水平方向に転送される。以上のような構成を備える本実施形態の固体撮像装置50においては、タイミングジェネレータ51が、固体撮像素子1を駆動するための駆動信号を生成する駆動部として機能する。そして、本実施形態の固体撮像素子1を備える固体撮像装置50によれば、上述したように製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制することができ、画質を向上することができる。以上説明した実施の形態において、固体撮像素子1が備える信号電荷の転送方向等に関して用いる垂直、水平の語は、慣用的に用いられる語であり、固体撮像素子1が備える垂直転送部4および水平転送部5による信号電荷の転送方向の方向性を限定するものではない。すなわち、例えば垂直転送部4による信号電荷の転送方向を第1の方向とした場合、水平転送部5による信号電荷の転送方向は、第1の方向に直交する第2の方向ということができる。