"陰極と、陽極と、無機基板と、前記陰極および無機基板との間、または前記陽極および無機基板との間の少なくとも一方に配置された、少なくとも1つの有機窓層と、を有する装置。前記少なくとも1つの有機窓層を有さない装置に比較して、以下の少なくとも1つの特性を示す請求項1に記載の装置:1サンAM1.5G照明における上昇したVOC;1サンAM1.5G照明における増大した電力変換;向上したショットキー障壁高さ;または低減されたフォワード暗電流。前記無機基板上に配置された、少なくとも1つの無機エピ層をさらに含む請求項1に記載の装置。前記無機基板と前記少なくとも1つの無機エピ層との間に配置された、少なくとも1つの無機バッファ層をさらに含む請求項3に記載の装置。前記有機窓層は、前記陰極および前記無機エピ層との間;および/または前記陽極および前記無機エピ層との間において配置される、請求項3に記載の装置。前記陰極は、p型またはn型半導体から選択された半導体材料を含む請求項1に記載の装置。前記陰極は、ITOを含む請求項6に記載の装置。前記陽極は、半導体材料とオーミック接触を形成するのに十分な1つ以上の材料を含む請求項1に記載の装置。半導体材料とオーミック接触を形成するのに十分な前記材料は、Zn、Au、Al、Ag、その合金および積層から選択される請求項8に記載の装置。前記無機基板は、半導体材料を含む請求項1に記載の装置。前記半導体材料は、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTe、ZnTe、二セレン化銅インジウムガリウムCIGSおよびこれらの組合せから選択される請求項10に記載の装置。前記少なくとも一つの無機エピ層は、少なくとも1つのIII-V材料、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTe、ZnTe、二セレン化銅インジウムガリウムCIGSおよびその組合せを含む請求項3に記載の装置。前記少なくとも1つの無機エピ層は、GaAsおよびInPから選択された少なくとも1つの材料を含む請求項12に記載の装置。前記少なくとも1つの無機バッファ層は、少なくとも1つのIII-V材料を含む請求項3に記載の装置。前記少なくとも1つの無機バッファ層は、GaAsおよびInPから選択された少なくとも1つの材料を含む請求項14に記載の装置。前記少なくとも1つの有機窓層は、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物PTCDA、またはナフタレン四カルボン酸無水物NTCDAを含む請求項1に記載の装置。前記少なくとも1つの有機窓層は、25nmまでの厚さを有する請求項16に記載の装置。前記装置は、ショットキーバリア太陽電池である請求項1に記載の装置。陰極、陽極および無機基板を有する感光性装置の性能を向上する方法であって、少なくとも1つの有機窓層を、前記陰極および前記無機基板との間;および/または前記陽極および前記無機基板との間に配置する方法。前記少なくとも1つの有機窓層を有さない装置に比較して、前記装置が、以下の少なくとも1つの特性を示す請求項19に記載の方法:1サンAM1.5G照明における上昇したVOC;1サンAM1.5G照明における増大した電力変換;向上したショットキー障壁高さ;または低減されたフォワード暗電流。前記無機基板上に配置された、少なくとも1つの無機エピ層をさらに含む請求項19に記載の方法。前記無機基板と前記少なくとも1つの無機エピ層との間に配置された、少なくとも1つの無機バッファ層を配置することをさらに含む請求項21に記載の方法。前記陰極および前記無機エピ層との間;および/または前記陽極および前記無機エピ層との間に、前記有機窓層を配置することをさらに含む請求項22に記載の方法。前記陰極は、p型またはn型半導体材料から選択された半導体材料を含む請求項19に記載の方法。前記陰極は、ITOを含む請求項24に記載の方法。前記陽極は、Zn、Au、Al、Ag、その合金および積層から選択される請求項19に記載の方法。前記無機基板は、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTe、ZnTe、二セレン化銅インジウムガリウムCIGSおよびこれらの組合せから選択された材料を含む請求項19に記載の方法。前記少なくとも一つの無機エピ層は、少なくとも1つのIII-V材料、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTe、ZnTe、二セレン化銅インジウムガリウムCIGSおよびその組合せを含む請求項19に記載の方法。前記少なくとも1つの無機バッファ層は、GaAsおよびInPから選択された少なくとも1つのIII-V材料を含む請求項22に記載の方法。前記少なくとも1つの有機窓層は、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物PTCDA、またはナフタレン四カルボン酸無水物NTCDAを含む請求項19に記載の方法。前記少なくとも1つの有機窓層は、25nmまでの厚さを有する請求項30に記載の方法。前記有機窓層は、光を吸収して、前記装置の無機部分に移動する励起子を生成する請求項19に記載の方法。前記生成された励起子は、光電流に変換する請求項32に記載の方法。陰極、陽極および無機基板を含む感光性装置のショットキー障壁高さを向上する方法であって、少なくとも1つの有機窓層を、前記陰極および前記無機基板との間;および/または前記陽極および前記無機基板との間に配置することを含み、前記少なくとも1つの有機窓層を有さない装置に比較して、前記装置が、以下の少なくとも1つの特性を示す方法:1サンAM1.5G照明における上昇したVOC;1サンAM1.5G照明における増大した電力変換;向上したショットキー障壁高さ;または低減されたフォワード暗電流。無機太陽電池の性能は、シリコン太陽電池に用いられるGaAsおよびInPの太陽電池の上面に成長された格子整合したIII-V合成物、または酸化物および他のアモルファス材料から形成されうる、大きなバンドギャップ窓層またはヘテロ接触層を用いることによって向上されうる。これらの層は、太陽電池の光電流と、ショットキーバリアおよびPN接合タイプの装置における開放電圧とを改善できる。窓層またはヘテロ接触層のために現在用いられている材料は、無機半導体および誘電体に限られていた。ここでは、無機太陽電池のための窓層としての導電有機材料を用いることが開示される。従前、無機基板上における有機分子の成長速度論および接合特性が、くまなく調査された。また、有機材料は無機材料の表面を不動態化でき、光検出器の暗電流を低減でき、トランジスタのゲート誘電体として機能できることが示される。研究者らはまた、太陽電池の応用のために、無機ハイブリッド接合を用いることを試している。しかしながら、目標は、励起子分離および電荷収集を支援する無機材料を有機マトリックスに追加することである。無機太陽電池の性能を向上するための窓層としての有機材料を用いることは、示されていない。有機材料の表面不動態化効果および広範なエネルギー準位のため、それらは、無機太陽電池の窓層の応用に非常に適している。ここに議論されるように、InPショットキーバリア太陽電池の窓層として、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物PTCDAが開示される。従前、PTCDA分子は、平坦にならされ、無機半導体表面上において均一な薄膜に成長でき、また多くの場合にショットキーバリアの障壁高さを高めることができることが示された。以下より詳細に議論されるように、PTCDAの薄い層は、開放電圧およびInP太陽電池の電力変換効率を向上できる。本開示は、陰極と、陽極と、無機基板と、少なくとも1つの有機窓層とを有する装置に関する。一実施形態では、前記装置は、少なくとも1つの無機エピ層を含む。ここに開示される前記有機窓層は、無機半導体層および接触間等、前記陰極および前記少なくとも1つの無機エピ層間を含む、陰極および陽極間に配置される。一実施形態では、開示される装置は、前記少なくとも1つの有機窓層を有さない装置に比較して、以下の少なくとも1つの特性を示す:1サンAM1.5G照明における上昇したVOC;1サンAM1.5G照明における増大した電力変換;向上したショットキー障壁高さ;または低減されたフォワード暗電流。また、陰極、陽極、無機基板、および少なくとも1つの無機エピ層を有する感光性装置の性能を向上する方法であって、少なくとも1つの有機窓層を、前記陰極および前記無機基板との間に配置する方法が開示される。さらに、陰極、陽極、無機基板、および少なくとも1つの無機エピ層を含む感光性装置のショットキー障壁高さを向上する方法であって、少なくとも1つの有機窓層を、前記陰極および前記無機エピ層との間に配置することを含む方法が開示される。本開示の前述およびその他の特徴は、添付の図面と共に、以下の例示的な実施形態の詳細な記載からより容易に明らかであろう。便宜のため、装置の全ての図は、高さ寸法が幅に対して誇張されていることに留意される。ここで用いられるように、感光性光電子工学装置は、太陽電池、特にショットキーバリア太陽電池でありうる。ここで用いられるように、用語有機は、有機感光性光電子工学装置を作成するために使用される高分子材料および小分子有機材料を含む。小分子は、高分子ではないいかなる有機材料を指し、小分子は、実際には非常に大きいこともある。小分子は、ある状況では反復単位を含む。たとえば、代替として長鎖アルキル基を使用することは、小分子区分から分子を除外しない。小分子はまた、たとえば高分子の主鎖上の側基または主鎖の一部として、高分子に組み込まれうる。小分子は、核部分上に構築された一連のケミカルシェルからなるデンドリマーの核部分としても機能する。デンドリマーの核部分は、蛍光性またはリン光性小分子発光体である。デンドリマーは、小分子である場合がある。一般的に、小分子は、分子毎に同一の分子量を有する規定の化学式を有する一方、高分子は、分子毎に変化する分子量を有する規定の化学式を有する。ここで用いられるように、有機は、ヒドロカルビルおよびヘテロ原子置換型ヒドロカルビルリガンドの金属錯体を含む。また、ここに記載される有機材料は、高分子材料または小分子有機材料化に関わらず、p型またはn型の有機半導体を含むものと解される。ここで用いられるように、用語層は、その主な次元がX-Y、すなわちその長さおよび幅である、感光性装置の部材または要素を指す。用語層は、必ずしも単一の層またはシート状材料に限定されるものではないと解されるべきである。さらに、他の材料または層を伴うそのような層の接触面を含む、所定の層の表面は、不完全な場合もあると解されるべきである。ここで、そのような表面は、他の材料または層と相互に貫通したり、絡み合っていたり、巻き込まれていたりするネットワークを表す。また、同様に、X-Y次元に沿った前記層の連続性が他の層または材料によって阻害またはさもなければ遮られる等、層は、連続的ではない可能性があると解されるべきである。用語電極および接触は、ここでは、外部回路に光発生された電流を搬送するため、または装置にバイアス電流や電圧を提供するための媒体を提供する層を指す。すなわち、電極または接触は、有機感光性光電子工学装置の活性領域と、外部回路からまたは外部回路に電荷キャリアを移送するための配線、リード線、基板配線またはその他の手段との間の接合部分を提供する。陰極および陽極は、その例である。電極の開示のため、ここに組み込まれる米国特許第6,352,777号は、感光性光電子工学装置に使用される電極または接触を提供する。感光性光電子工学装置では、装置外部からの大気中電磁放射線の最大量が、光起電的に活性な内部領域に受け入れられることを可能にすることが望ましい。すなわち、電磁放射線は、それが光導電吸収によって電気に変換されることのできる光導電層に到達しなくてはならない。これは、しばしば、少なくとも一つの電気的接触が、入射電磁放射線を最小限に吸収しており、最小限に反射していることを決定付ける。いくつかの場合では、そのような接触は、実質的に透明であるべきである。反対電極は、吸収されることなくセルを通過した光がセルを通して反射され返すように、反射性材料からなる。ここで用いられるように、材料の層または異なる材料のいくつかの層の連続は、1または複数の層が当該層を通して透過される関連波長の大気放射線のうち少なくとも約50を許容する場合、透明であると言われる。同様に、いくらかしかし約50より少ない関連波長の大気放射線を許容する層は、半透明であると言える。用語陽極は、以下のように使用される。大気放射下で抵抗性負荷に接続され、PV装置等の外部印加電圧を有さない、非積層PV装置または積層PV装置の1つのユニット内において、電子は、光導電性材料から陽極に移動する。同様に、用語陰極は、ここでは、照射下におけるPV装置内において、正孔が光導電材料から陰極に移動することを指す。これは、電子が反対方向に移動することに相当する。ここで用いられるように、陰極および陽極は、電極または電荷移送層であるものとして述べられる。ここで用いられるように、頂部は存在する場合は基板構造から最も離れた部分を意味し、底部は基板構造から最も近い部分を意味する。装置が基板構造を含まない場合、頂部は、反射電極から最も離れた部分を意味する。たとえば、2つの電極を有する装置について、底部電極は、基板構造に最も近い電極であり、一般的に最初に作成される電極である。底部電極は、基板に最も近い底面および基板からより離れた方の上面の2つの表面を有する。第1層が、第2層上にまたはその上面にわたって配置されると記載されるところ、第1層は、基板から離れて配置される。第1層が第2層と物理的に接触していると特定されない限り、第1層および第2層の間にその他の層がある場合もある。たとえば、陽極は、間に様々な有機層がある場合にも、陰極上にまたはその上面にわたって配置されると記載される。光は、必ずしも表面から入射するわけではないと解される。むしろ、開口部aperture窓が背部金属接触に在る場合、光は、基板側から入射できる。換言すると、上部接触は、装置が逆構造を有するように、不透明でありうる。本実施形態では、基板は、エピ層に吸収される光に透過的でなくてはならない。上部接触は、光が上面上に入射する場合、半透明な薄い金属でもありうる。それは、あらゆる透明な導電性酸化物TCOの一つでもありうる。いくつかの実施形態では、透明な導電性酸化物は、透明な酸化物および金属、または透明または半透明となるほど十分な薄さを有する金属または金属代替物から選択される。いくつかの実施形態では、透明な電極は、インジウムスズ酸化物ITO、ガリウムインジウムスズ酸化物GITO、フッ素ドープされたスズ酸化物SnO2:FまたはFTO、および亜鉛インジウムスズ酸化物ZITO等の透明な導電性酸化物から選択される。本開示は、典型的に陰極および陽極として参照される2つの接触と、半導体基板等の無機基板と、1つの接触および無機基板の間に位置する、少なくとも1つの有機窓層とを含む。有機窓層は、基板上に直接、または基板の頂部上の無機エピ層上に配置されると解される。したがって、有機窓層が、陰極および陽極の間に配置されるものと概して記載される一方、それは、陰極および無機基板の間、または陽極および無機基板の間に配置されるものとして特に記載されうる。無機エピ層が在る時、有機窓層は、前述の接触陰極または陽極および無機エピ層の間に配置される。一実施形態では、有機窓層は、光を吸収し、無機物に移動して光電流に変換される励起子を生成する。この仕組みにより、装置の効率はさらに上昇する。図1は、本発明に係るp-InPショットキーバリア太陽電池を示す。本実施形態では、p-InPショットキーバリア太陽電池の層構造は、断面状に、4μm厚で軽度にドープされた吸収領域を有し、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物PTCDA接触界面層を有さずa、PTCDA界面層を有してb示されている。図2は、計測EQEに対する、3nmのPTCDA層を有するおよびPTCDA層を有しない装置のための波長は、400nmから850nmの範囲のスペクトルにわたって非常に類似していることを示す。図3は暗条件および1サン照射条件下における、様々な厚さのPTCDA層を有するInP太陽電池の電流‐電圧特性を示す。全ての装置は、非常に似た光電流を示しており、同様の計測されたEQEプロファイルと一貫している。しかしながら、PTCDA窓層を有しない装置およびそれを有する装置の間には、開放電圧VOCにおいて明確な差異がある。1サン照射において、PTCDAを有しない装置のVOCは0.65Vである一方、4nmPTCDAを有する装置のVOCは0.75Vに向上している。開放電圧vs.照射光強度は、図4に示される。図4は、PTCDAを有する装置のVOCは、PTCDA層を有さない装置と比べると、全ての照射強度において高い。PTCDA窓層を有する全ての装置において曲線因子には劣化がないので、電力変換効率は、PTCDAを有さない装置の13.2±0.5から、1サンAM1.5G照射における4nmPTCDA図5を有する装置の15.4±0.4に付随的に向上されている。より薄く2μm軽度にドープされた吸収層図6aを有するInPショットキーバリア太陽電池の電流‐電圧曲線の他の組が、図6bに示されている。装置の開放電圧は、1サン照射下において、PTCDAを有さない装置の0.62Vから、3nmPTCDA窓層を有する装置の0.78Vに向上されている。窓層によるVOCの向上の理由は、多様である。PTCDA層の機能を理解するために、紫外線光電子分光法UPSを用いて、InP-PTCDA接触面におけるエネルギー準位を計測した。図7は、計測されたエネルギー準位ダイヤグラムを示す。真空準位は、小さい界面双極子に起因して、InP-PTCDA接触面において0.3eVだけずれている。PTCDAの最も低い未占有の分子軌道LUMOエネルギー準位と、InPの伝導帯端Ecとの差は、0.1eVよりも小さい。InPの価電子帯端EvとPTCDAの最も高い占有分子軌道HOMOエネルギー準位との差は、0.8eVである。この計測されたエネルギー準位配置により、正孔は、InPからPTCDAに到達するために、大きなエネルギーバリアを克服しなくてはならない一方、電子伝導は、InP-PTCDA接触面において妨げられない。その結果、InPからITOへのショットキー障壁を超える正孔熱イオン放射のため、ショットキーダイオードのフォワードバイアスされた暗電流が抑制される。そうではなく、フォワードバイアスされた暗電流は、InP内の正孔およびITOから注入された電子の、主にバルクおよび接触面の再結合電流である。フォワード暗電流の抑制は、VOCの向上を招来する。PTCDA層によって導入された正孔エネルギーバリアはまた、正しい電極において、光発生されたキャリアを収集することを助ける、すなわち、光発生された正孔をITO電極ではなくp‐InP基板に導く。この効果は、電荷キャリアを収集する装置内には大きなビルトイン電場があるので、ゼロバイアスにおいて顕著ではない。しかしながら、VOC辺りの電圧では、装置内のビルトイン電場がずっと低い場合、光発生された正孔は、ITO接触に拡散でき、光電流の損失という結果となる。PTCDA正孔エネルギーバリアは、電流-電圧特性に見られるようにVOC辺りの光電流を向上する、p-InP基板への正孔の拡散を誘導できる。それはまた、I-V曲線を第4象限に引き込み、VOCの増大に貢献する。太陽電池のその他の重要なパラメータは、表面再結合速度またはキャリア寿命である。キャリア表面再結合と寿命を量的に比較するために、PTCDAキャッピング層を有さないおよびそれを有するInPフィルムに対し、正確に同一条件において、光ルミネセンスPLを計測した。結果は、図8に描かれている。PTCDAキャッピング層を有するウェハのPLは、それを有しないウェハよりも著しく高く、ずっと長いキャリア寿命であることを示すことが観察される。キャリア再結合およびキャリア寿命の向上は、高い開放電圧を達成するには重要である。ショットキー障壁高さの変化も、VOCの増大に貢献する。効果的なショットキー障壁高さは、p-InPショットキーダイオード上のPTCDA界面層を使用する場合に高められることが示されている。我々の分析から、PTCDA窓層を有するp-InPショットキーバリア太陽電池のVOC増大は、複数要素の結果である。最も広い意味では、ショットキーバリア太陽電池のような装置が開示される。当該装置は、陰極と、陽極と、無機基板と、陰極および陽極間に配置される少なくとも1つの有機窓層とを含む。一実施形態では、前記少なくとも一つの有機窓層を有さない装置と比較される場合、ここに記載された装置は、以下の1つ以上の特徴を示す:1サンAM1.5G照明における増加したVOC;1サンAM1.5G照明における増大した電力変換;向上したショットキー障壁高さ;そして、低減されたフォワード暗電流。一実施形態では、ここに記載された装置は、無機基板と少なくとも1つの無機エピ層との間に配置された、少なくとも1つの無機バッファ層をさらに含む。一実施形態では、記載された装置の陰極は、透明な導電性酸化インジウムスズ酸化物ITO等の透明な導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、透明な導電性酸化物は、透明または半透明であるほど十分な薄さを有する透明な酸化物および金属または金属代替物から選択される。いくつかの実施形態では、透明電極は、インジウムスズ酸化物ITO、ガリウムインジウムスズ酸化物GITO、フッ素ドープされたスズ酸化物SnO2:FまたはFTOおよび亜鉛インジウムスズ酸化物ZITO等の透明な導電性酸化物から選択される。一実施形態では、記載された装置の陽極は、Zn、Au、Al、Ag、これらの合金および積層から選択された1つ以上の材料を含む。たとえば、陽極は、Zn/Auを含む。その他の実施形態では、無機基板は、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTe、およびこれらの組合せから選択された材料を含む。使用可能なその他の材料は、二セレン化銅インジウムガリウムCIGSを含む。一実施形態では、無機基板は、p型InPを含む。無機エピ層は、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTeおよびこれらの組合せを含む、無機基板について上記された同じ材料を含む。使用可能なその他の材料は、二セレン化銅インジウムガリウムCIGSを含む。その他の実施形態では、少なくとも1つの無機バッファ層は、GaAsおよびInPから選択される少なくとも1つの材料等、少なくとも1つのIII-V材料を含む。前述されたように、少なくとも1つの有機窓層は、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物PTCDA、または、ナフタレン四カルボン酸無水物NTCDAを含む。いくつかの実施形態では、これらの結晶有機物は、所望の波長に半透明であるいかなる有機半導体ポリマーを含むでもよく、p型またはn型導電性であり、および/またはpまたはn型基板のバリア高さを向上する。制限されない例としては、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、フェニル‐C61-酪酸メチルエステルPCBM、サブフタロシアニンSubPc、スクエアレインsquaraine、銅フタロシアニンCuPc、スズフタロシアニンSnPcを含む。最小の1の有機層は、たとえば、10nm、25nmまでの厚さを有する。また、陰極、陽極、無機基板および少なくとも1つの無機エピ層を有する感光性装置の性能を向上する方法が開示される。当該方法は、陰極と少なくとも1つの無機エピ層との間に少なくとも1つの有機窓層を配置することを含む。感光性装置性能を向上する方法は、前記少なくとも1つの有機窓層を有さない装置と比較して、1つ以上の以下の特徴を示す装置によって確証される:1サンAM1.5G照明における増加したVOC;1サンAM1.5G照明における増大した電力変換;向上したショットキー障壁高さ;そして、低減されたフォワード暗電流。ここに開示された方法は、無機基板と少なくとも1つの有機エピ層との間に配置された、少なくとも1つの無機バッファ層を含む。一実施形態では、陰極は、ITO、その合金および積層から選択された1つ以上の材料を含む。その他の実施形態では、陽極は、Zn、Au、Al、その合金および積層から選択された金属等、半導体材料とオーミック接触を形成するのに十分ないかなる材料も含む。一実施形態では、無機基板は、Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、CdTeおよびこれらの組合せから選択された材料を含む。無機基板に使用しうるその他の材料は、二セレン化銅インジウムガリウムCIGSを含む。一実施形態では、少なくとも1つの無機エピ層は、GaAsおよびInPから選択された少なくとも1つの材料等、少なくとも1つのIII-V材料を含む。一実施形態では、少なくとも1つの無機バッファ層は少なくとも1つのIII-V材料を含み、少なくとも1つの無機バッファ層はGaAsおよびInPから選択された少なくとも1つの材料を含む。一実施形態では、少なくとも1つの有機窓層は、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物PTCDA、またはナフタレン四カルボン酸無水物NTCDAを含む。当該少なくとも1つの有機層は、10nmまでの厚さを有する。ここでは、陰極、陽極、無機基板および少なくとも1つの無機エピ層を含む感光性装置のショットキー障壁高さを向上する方法であって、当該方法は、陰極と少なくとも1つの無機エピ層との間に、少なくとも1つの有機窓層を配置し、ここで、前記装置は、前記少なくとも1つの有機窓層を有さない装置と比較して、1つ以上の以下の特徴を示す:1サンAM1.5G照明における増加したVOC;1サンAM1.5G照明における増大した電力変換;そして、低減されたフォワード暗電流。ここに記載の本願発明の実施形態は、以下の限定的ではない例によってさらに示される。実施例エピタキシャル太陽電池構造は、p型、Znドープされた100InP基板上に、ガス源分子ビームエピタキシー法によって成長された。エピタキシャル構造は、0.1μm厚でBeドープされた3×1018cm3p型InPバッファ層、および4μm厚で軽度にBeドープされた3×1016cm3p型InP吸収層から構成された。その後、エピタキシャルウェハは、PTCDA窓層を有しないショットキーバリア太陽電池と、PTCDA窓層を有するショットキーバリア太陽電池とに形成された。装置処理の直前に、InPエピウェハの表面には、自然酸化物を除去するために、1分間NR4OH浸漬が施された。従来のInPショットキーバリア太陽電池を作成するために、インジウムスズ酸化物ITO電極が、表面処理されたInPエピウェハ上にスパッタされ、図1aに示した構造が形成された。PTCDA窓層を有する装置を作成するために、PTCDAの薄い層が、表面処理されたInPエピウェハ上に真空熱蒸着によりまず堆積された。その後、ITO電極が、図1bに示される装置構造を形成するために、PTCDA層上にスパッタされた。装置に使用されたPTCDA材料は、堆積の前に昇華連続精製により3度浄化された。成長に続き、エピタキシャルウェハは、自然酸化物を除去するために、5分間アセトン、140°Cに維持されたイソプロパノール、そして、1分間25NH4OH:H2Oでの連続的な浸漬により洗浄された。背部接触は、20nmPd/5nmZn/20nmPd/200nmAuからなり、1分間400°Cで合金化された。従来のInPショットキーバリア太陽電池は、1mm径の円形開口を有するシャドーマスクを介したITOスパッタ堆積により作成された。堆積率は、初めの100Åについては0.1Å/sec、その後合計厚さ1000Åに到達するまでは0.3Å/secに上昇された。PTCDA原材料は、堆積前に昇華により3度浄化された。δ=1nmから30nmの厚さの窓層は、1Å/secの率、<2×106トールの基底圧で、高真空チャンバにおいて真空熱蒸着により堆積された。窓層装置のITOスパッタ堆積率および厚さは、ITO/InPダイオードについて用いられた厚さと同様であった。OI接触面におけるエネルギー準位配置は、紫外線光子放出分光法UPSおよびX線光子放出分光法XPSを用いて計測された。光ルミネセンスPLデータは、45°の入射および検出角度での蛍光分光計を用いて取得された。ダイオードの外部量子効率EQEは、単色光分光器、ロックイン増幅器、および、強度がキャリブレーションされたSi光検出器にタングステン‐ハロゲン照明源を用いて取得された。電流密度Jvs.電圧V特性は、暗条件かつシミュレートされたAM1.5G照明下において、半導体パラメータ分析器を用いて計測された。照明強度は、国立再生エネルギー研究所Si標準太陽電池を用いて補正された。PTCDAが表面再結合を低減するという結論は、特にδ=5nmPTCDAが短い波長領域において励起信号を減衰することに留意すると、PL強度向上が短いλ<420nmよりも長い波長λ>580nmにおいて十分により大きいことを示す励起子スペクトルによって確証付けられる。また、PTCDAによって覆われたサンプルのPL強度は、時間経過とともに照度をわずかに上昇し、最も深い準位の表面トラップの中身は、完了するのに数分かかることを示すことが見て取れる。図11は、様々なδについてのEQEvs.λを示す。δ<3nmでは、EQEは、λ>500nmにおけるITO/InP太陽電池のそれに近い。しかしながら、より短い波長では、PTCDAにより覆われたセルのEQEは、増加したPTCDAの透明性および減少した表面再結合のため上昇する。δ=10nmの時、EQEは、λ=420nmおよび580nm間のPTCDA吸収領域において顕著に減少する。PTCDA内に生成された励起子が、図11の差し込み図内のこれらのサンプルについてのPLスペクトルから推測されるように、その表面上に堆積されたITOによって抑制されることを、クオーツ基板上におけるPTCDAPLの計測は示す。抑制を減少するために、バクトプロインBCPまたはMoO3励起子抑止層EBLがPTCDAおよびITO陽極間に挟み込まれ、PTCDAPL強度の顕著な上昇の結果となる。BCPが窓層太陽電池内に実装される場合、λ=480nmにおけるEQE損失は消滅する一方、MoO3の使用は、PTCDA吸収最大値に対応する、この波長におけるピークをもたらす。これらの結果は、有機物たとえばPTCDA内の励起子が無機半導体InPとの接合において解離でき、究極的に、従来の不活性な窓層により取得される効率を超越した、上昇した太陽電池効率に寄与することを示す。PTCDA-InP装置の安定性は、数日間の空気への露出後でも性能劣化が見られなかったが、体系的には試験されていない。これは、PTCDAが、高度に安定的な有機化合物であるという観測と一貫する。以上のように、PTCDAは、ITO/PTCDA/InP太陽電池内のInP表面における励起子解離に起因して光電流を生成する一方、再結合率を減少する窓層として使用されうることが発見された。InP表面状態の中和に起因する、付随するVOCの上昇を主たる理由として、4nm厚のPTCDA窓層を用いることにより、太陽電池電力変換率は13.2±0.5から15.4±0.4に上昇される。ここに全般的に述べられ、上記例において特に例示されたように、有機材料が、無機太陽電池の窓層として使用されうる。p-InPショットキーバリア太陽電池のVOCは、窓層としてのPTCDAを使用することによって向上される。いかなる理論によって拘束されることなく、効果は、少なくとも以下に起因する:1PTCDAは、フォワード正孔熱イオン放出暗電流を抑制するために正孔エネルギーバリアを生成する、2PTCDAは、VOC辺りの電圧において、p-InP基板に光生成された正孔を導くことを助ける、3PTCDA窓層は、キャリア再結合を低減し、キャリア寿命を向上する、そして、4PTCDA接合層は、ショットキー障壁を高める。無機窓層と比較すると、有機材料は、いくつかの利点を有する。有機材料は、熱蒸着または溶解処理を利用することでより容易に堆積されうる。また、有機材料は、無機半導体および誘電体が時には満たすことのできない、異なる材料および構造の太陽電池の必要性に適合できる、広範なエネルギー準位を有する。たとえば、p-InPショットキーバリア太陽電池用の良好な窓層は存在しない。In052Al048Asは、わずかに大きなバンドギャップを有するが、InPとの接合において電子エネルギー障壁および正孔シンクを形成するので、p-InPショットキーバリア太陽電池には適していない。PTCDAは、この場合、窓層としてずっとより適したエネルギー準位を有する。示される場合を除き、本明細書に使用された内容物の量、反応条件およびその他の特性またはパラメータを表す全ての数字は、全ての場合において約という用語によって変更されうると解されるべきである。したがって、示される場合を除き、以下の明細書および添付の特許請求の範囲において説明された数値パラメータは、近似値であると解されるべきである。最低限でも、特許請求の範囲への均等論の適用を制限する試みとしてではなく、数値パラメータは、報告された有効桁数および通常の丸め技法を踏まえて読まれるべきである。本発明のその他の発明は、本明細書の考慮およびここに開示された発明の実施から当業者には明らかである。明細書および例は、例示としてのみ考慮され、本発明の真の範囲および思想は、以下の特許請求により示される。"