"アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、前記絶縁層が、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜が、膜厚TAが20nm以上80μm以下の絶縁領域Aと、膜厚TBが2~1000μmの絶縁領域Bとを有し、前記絶縁領域Aの膜厚と前記絶縁領域Bの膜厚との比率TB/TAが、2~2000である絶縁基板。前記絶縁領域Aにおける300~700nmの波長領域での全反射率が、80以上である請求項1に記載の絶縁基板。前記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有する多孔質皮膜であり、前記マイクロポアの下記式iにより定義される規則化度が、20以上となる請求項1または2に記載の絶縁基板。規則化度=Y/X×100i前記式i中、Xは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Yは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を6個含むことになる前記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。前記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が、無孔質皮膜である請求項1または2に記載の絶縁基板。前記陽極酸化皮膜が凹凸形状を有し、前記絶縁領域Aが、前記陽極酸化皮膜の凹部を形成し、前記絶縁領域Bが、前記陽極酸化皮膜の凸部を形成する請求項1~4のいずれかに記載の絶縁基板。前記アルミニウム基板が凸部を有し、前記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が、前記アルミニウム基板の前記凸部の表面上に形成され、前記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜と、前記絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜とが略同一面を形成している請求項1~4のいずれかに記載の絶縁基板。請求項1~6のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。請求項7に記載の配線基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子とを有する半導体パッケージ。請求項7に記載の配線基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるLED発光素子とを有するLEDパッケージ。前記配線基板が、請求項5に記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板である請求項9に記載のLEDパッケージ。本発明者は、特許文献1~5に記載された基板について検討を行った結果、陽極酸化膜を形成させる部位や厚さによっては絶縁性耐電圧や放熱性熱伝導性に劣る場合があり、例えば、絶縁性向上の観点から陽極酸化膜の厚みを厚くすると放熱性が低下し、放熱性向上の観点から陽極酸化膜の厚みを薄くすると金属配線からの漏れ電流が陽極酸化膜を通り抜けて金属基板にリークしてショートしてしまう場合があることが明らかとなり、優れた絶縁性および熱伝導性を両立することが困難であることが分かった。そこで、本発明は、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる半導体パッケージおよびLEDパッケージを提供することができる絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびLEDパッケージを提供することを目的とする。本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、膜厚が特定の比率で異なる2つの絶縁領域を有する絶縁基板を用いることにより、優れた絶縁性と放熱性を両立できることを見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明は、以下の1~10を提供する。1アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記絶縁層が、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、上記陽極酸化皮膜が、膜厚TAが20nm以上80μm以下の絶縁領域Aと、膜厚TBが2~1000μmの絶縁領域Bとを有し、上記絶縁領域Aの膜厚と上記絶縁領域Bの膜厚との比率TB/TAが、2~2000である絶縁基板。2上記絶縁領域Aにおける300~700nmの波長領域での全反射率が、80以上である上記1に記載の絶縁基板。3上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有する多孔質皮膜であり、上記マイクロポアの下記式iにより定義される規則化度が、20以上となる上記1または2に記載の絶縁基板。規則化度=Y/X×100i上記式i中、Xは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Yは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を6個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。4上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が、無孔質皮膜である上記1または2に記載の絶縁基板。5上記陽極酸化皮膜が凹凸形状を有し、上記絶縁領域Aが、上記陽極酸化皮膜の凹部を形成し、上記絶縁領域Bが、上記陽極酸化皮膜の凸部を形成する上記1~4のいずれかに記載の絶縁基板。6上記アルミニウム基板が凸部を有し、上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が、上記アルミニウム基板の上記凸部の表面上に形成され、上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜と、上記絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜とが略同一面を形成している上記1~4のいずれかに記載の絶縁基板。7上記1~6のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。8上記7に記載の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子とを有する半導体パッケージ。9上記7に記載の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるLED発光素子とを有するLEDパッケージ。10上記配線基板が、上記5に記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板である上記9に記載のLEDパッケージ。以下に説明するように、本発明によれば、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる半導体パッケージおよびLEDパッケージを提供することができる絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびLEDパッケージを提供することができる。[絶縁基板]以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜であり、上記陽極酸化皮膜が膜厚TAが20nm以上80μm以下の絶縁領域Aと膜厚TBが2~1000μmの絶縁領域Bとを有し、上記絶縁領域Aの膜厚と上記絶縁領域Bの膜厚との比率TB/TAが2~2000である絶縁基板である。次に、本発明の絶縁基板の構成について、図1を用いて説明する。図1に示すように、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2と、アルミニウム基板2の表面に設けられる絶縁層3とを有するものである。また、図1B~Dに示すように、絶縁層3は、膜厚TAが20nm以上80μm以下の絶縁領域3Aと、膜厚TBが2~1000μmの絶縁領域3Bとを有する。そして、本発明においては、絶縁領域3Aの膜厚TAと絶縁領域3Bの膜厚TBとの比率TB/TAが2~2000を満たすものである。ここで、図1BおよびCに示す態様では、本発明の絶縁基板1は、絶縁層3を形成する陽極酸化皮膜が凹凸形状を有し、絶縁領域3Aが陽極酸化皮膜の凹部を形成し、絶縁領域3Bが陽極酸化皮膜の凸部を形成するものである。なお、この態様は、後述する本発明のLEDパッケージにおいては、蛍光発光体の土手剤が不要となるため好適態様となる。また、図1Dに示す態様では、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2が凸部を有し、絶縁領域3Aを形成する陽極酸化皮膜が、アルミニウム基板2の凸部の表面上に形成され、絶縁領域3Aを形成する陽極酸化皮膜と、絶縁領域3Bを形成する陽極酸化皮膜とが略同一面を形成するものである。以下に、アルミニウム基板および絶縁層のそれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について詳述する。アルミニウム基板本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム例えば、リサイクル材料に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等を用いることもできる。ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、10質量以下であるのが好ましい。このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法例えば、鋳造方法等等については特に限定されず、特許文献5国際公開第2010/150810号の[0031]~[0051]段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。本発明においては、上記アルミニウム基板の厚みは、0.1~2.0mm程度であり、0.15~1.5mmであるのが好ましく、0.2~1.0mmであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。また、本発明においては、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜絶縁層として、マイクロポアを有する多孔質皮膜を用いる場合、陽極酸化処理を施す表面は、アルミニウムの純度が高い方が好ましい。具体的には、アルミニウムの純度が、99.5質量以上であるのが好ましく、99.9質量以上であるのがより好ましく、99.99質量以上であるのが更に好ましい。特に、アルミニウム純度が上記範囲であると、陽極酸化処理を施して形成される絶縁層に存在するマイクロポアのポア配列の規則性が十分となり、後述する本発明のLEDパッケージにおける発光効率が良好となる。更に、本発明においては、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましく、また、後述する陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜絶縁層として、マイクロポアを有する多孔質皮膜を用いる場合、マイクロポアのポア配列の規則性を向上させる観点から、あらかじめ熱処理が施されるのが好ましい。また、本発明の絶縁基板を実装するLED素材の用途に応じて、例えば、光を散乱させる表面を形成する観点から、上記アルミニウム基板の表面に粗面化処理を施すこともできる。<熱処理>熱処理を施す場合は、200~350°Cで1~60分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。<脱脂処理>脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール例えば、メタノール等、各種ケトン例えば、メチルエチルケトン等、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法有機溶剤法;石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から80°Cまでの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法界面活性剤法;濃度10~200g/Lの硫酸水溶液を常温から70°Cまでの温度でアルミニウム基板表面に30~80秒間接触させ、その後、水洗する方法;濃度5~20g/Lの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に30秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度1~10A/dm2の直流電流を流して電解し、その後、濃度100~500g/Lの硝酸水溶液を接触させて中和する方法;各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度1~10A/dm2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法;濃度10~200g/Lのアルカリ水溶液を40~50°Cでアルミニウム基板表面に15~60秒間接触させ、その後、濃度100~500g/Lの硝酸水溶液を接触させて中和する方法;軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から50°Cまでの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法乳化脱脂法;炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から50°Cまでの温度でアルミニウム基板表面に30~180秒間接触させ、その後、水洗する方法リン酸塩法;等が挙げられる。これらのうち、アルミニウム基板表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。<鏡面仕上げ処理>鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、後述する封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤例えば、ダイヤ、アルミナとバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、1500のものが好ましい。これにより、アルミニウム基板表面の可視光領域波長300~700nmの全反射率を80以上とすることができる。化学研磨としては、例えば、アルミニウムハンドブック,第6版,社日本アルミニウム協会編,2001年,p.164-165に記載されている各種の方法等が挙げられる。また、リン酸-硝酸法、AlupolI法、AlupolV法、AlcoaR5法、H3PO4-CH3COOH-Cu法、H3PO4-HNO3-CH3COOH法が好適に挙げられる。中でも、リン酸-硝酸法、H3PO4-CH3COOH-Cu法、H3PO4-HNO3-CH3COOH法が好ましい。化学研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域波長300~700nmの全反射率を80以上とすることができる。電解研磨としては、例えば、アルミニウムハンドブック,第6版,社日本アルミニウム協会編,2001年,p.164-165に記載されている各種の方法;米国特許第2708655号明細書に記載されている方法;実務表面技術,vol.33,No.3,1986年,p.32-38に記載されている方法;等が好適に挙げられる。電解研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域波長300~700nmの全反射率を80以上とすることができる。これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さRa0.1μm以下、全反射率80以上の表面を得ることができる。平均表面粗さRaは、0.03μm以下であるのが好ましく、0.02μm以下であるのがより好ましい。また、全反射率は85以上であるのが好ましく、90以上であるのがより好ましい。<粗面化処理>粗面化処理は、上述したように、本発明の絶縁基板を実装するLED素材の用途に応じて、光を散乱させる表面を形成することを目的として行われる。粗面化処理としては、例えば、特許文献5国際公開第2010/150810号の[0053]~[0083]段落に記載された方法等により、適宜、所望の正反射率に調整しながら粗面化することができる。なお、粗面化処理を施す場合であっても、可視光領域の全反射率は80以上であるのが好ましく、90以上であるのがより好ましい。また、正反射率は20以下であるのが好ましく、10以下であるのがより好ましい。絶縁層本発明の絶縁基板を構成する絶縁層は、上記アルミニウム基板の表面の少なくとも一部に設けられる層であって、アルミニウムの陽極酸化皮膜である。ここで、上記絶縁層は、上記アルミニウム基板とは別のアルミニウム基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記アルミニウム基板の表面の一部に後述する陽極酸化処理を施すことによってアルミニウム基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。本発明においては、上記陽極酸化皮膜が、膜厚TAが20nm以上80μm以下の絶縁領域Aと、膜厚TBが2~1000μmの絶縁領域Bとを有し、上記絶縁領域Aの膜厚と上記絶縁領域Bの膜厚との比率TB/TAが、2~2000を満たすものである。ここで、上記絶縁領域Aは、後述する本発明の半導体パッケージおよびLEDパッケージ以下、これらをまとめて本発明のパッケージともいう。において、それぞれ半導体素子およびLED発光素子以下、これらをまとめて半導体素子等ともいう。を実装する領域であり、上記絶縁領域Bは、半導体素子等と電気的に接続する配線、即ち、後述する本発明の配線基板において設けられる金属配線層を設ける領域である。このような構成の絶縁層陽極酸化皮膜を有する絶縁基板を用いることにより、本発明のパッケージの絶縁性および放熱性がいずれも良好となる。これは、上記絶縁領域Aの膜厚TAが80μm以下であるため半導体素子等から発生する熱を上記アルミニウム基板に伝導しやすくなり、また、上記絶縁領域Bの膜厚TBが2μm以上であるため耐電圧が高くなり、更に、上記絶縁領域Aの膜厚と上記絶縁領域Bの膜厚との比率TB/TAが2~2000を満たすことにより、これらのバランスが良好になったためと考えられる。また、本発明においては、全反射率が向上し、後述する本発明のLEDパッケージにおける発光効率が良好となる理由から、上記絶縁領域Aの面積は、上記LED発光素子との接触面を少なくとも含み、かつ、上記接触面の面積の1.5倍以上の面積であるのが好ましく、2倍以上の面積であるのがより好ましい。一方、本発明のパッケージの絶縁性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Bの面積は、上記金属配線層との接触面を少なくとも含み、かつ、上記接触面の面積の1.2倍以下の面積であるのが好ましく、上記接触面のみであるのが好ましい。更に、本発明においては、本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、陽極酸化皮膜の少なくとも一部が上記アルミニウム基板に埋設されているのが好ましい。本発明においては、本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Aの膜厚TAは、80nm~80μmであるのが好ましく、100nm以上10μm未満であるのがより好ましい。また、本発明のパッケージの絶縁性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Bの膜厚TBは、20~300μmであるのが好ましく、20~200μmであるのがより好ましく、30~100μmであるのが更に好ましい。更に、本発明のパッケージの絶縁性と放熱性のバランスの観点から、上記絶縁領域Aの膜厚と上記絶縁領域Bの膜厚との比率TB/TAは、5~500であるのが好ましく、10~200であるのがより好ましく、20超100以下であるのが更に好ましい。また、本発明においては、後述する本発明のLEDパッケージにおける発光効率が良好となる理由から、上記絶縁領域Aにおける300~700nmの波長領域での全反射率が80以上であるのが好ましく、85以上であるのがより好ましく、90以上であるのが更に好ましい。ここで、全反射率は、分光光度計で測定された値をいう。更に、本発明においては、全反射率を80以上とする観点から、上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜がマイクロポアを有する多孔質皮膜であり、かつ、上記マイクロポアの下記式iにより定義される規則化度が20以上であるのが好ましく、40以上であるのがより好ましく、70以上となるのが更に好ましい。規則化度=Y/X×100i上記式i中、Xは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Yは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を6個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。ここで、図2を用いて、上記式iをより具体的に説明する。図2Aに示されるマイクロポア101は、マイクロポア101の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円103マイクロポア102に内接している。を描いた場合に、円3の内部にマイクロポア101以外のマイクロポアの重心を6個含んでいる。したがって、マイクロポア101は、Bに算入される。図2Bに示されるマイクロポア104は、マイクロポア104の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円106マイクロポア105に内接している。を描いた場合に、円106の内部にマイクロポア104以外のマイクロポアの重心を5個含んでいる。したがって、マイクロポア104は、Bに算入されない。また、図2Bに示されるマイクロポア107は、マイクロポア107の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円109マイクロポア108に内接している。を描いた場合に、円109の内部にマイクロポア107以外のマイクロポアの重心を7個含んでいる。したがって、マイクロポア107は、Bに算入されない。同様に、本発明においては、全反射率を80以上となり、更に本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が、無孔質皮膜であるのが好ましい。以下に、上述した本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。製造方法1図3参照図3に示すように、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2の表面に第1陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜31を形成する第1陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜31の表面に所定の開口パターンを有するマスク層4を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層4の開口部に第2陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜32を形成する第2陽極坂処理工程と、上記マスク層4を除去するマスク層除去工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。ここで、第1陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜31のうち、マスク層4の下部に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜陽極酸化皮膜31の一部と陽極酸化皮膜32が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを構成するものとなる。製造方法2図4参照図4に示すように、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2の表面に第1陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜32を形成する第1陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜32の表面に所定の開口パターンを有するマスク層4を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層4の開口部から陽極酸化皮膜32の一部を除去する皮膜除去工程と、上記マスク層4を除去するマスク層除去工程と、上記マスク層4を除去した後の基板に対して第2の陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜31を形成する第2陽極酸化処理工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。ここで、第2陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜31のうち、マスク層4陽極酸化皮膜32の開口部分に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜陽極酸化皮膜31の一部と陽極酸化皮膜32が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを構成するものとなる。製造方法3図5参照図5に示すように、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2の表面に第1陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜32を形成する第1陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜32の表面に所定の開口パターンを有するマスク層4を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層4の開口部から陽極酸化皮膜32の一部を除去する皮膜除去工程と、上記マスク層4および上記陽極酸化皮膜32の開口部に第2陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜31を形成する第2陽極坂処理工程と、上記マスク層4を除去するマスク層除去工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。ここで、第2陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜31が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜陽極酸化皮膜32が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを構成するものとなる。製造方法4図6参照図6に示すように、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2の表面の一部に窪み5を形成する窪み形成工程と、上記窪み5部分にマスク層4を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層4を形成した基板に第1陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜32を形成する第1陽極坂処理工程と、上記マスク層4を除去するマスク層除去工程と、上記マスク層4を除去した後の基板に対して第2の陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜31を形成する第2陽極酸化処理工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。ここで、第2陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜31のうち、マスク層4が形成されていた部分陽極酸化皮膜32の開口部分に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜陽極酸化皮膜31の一部と陽極酸化皮膜32が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを構成するものとなる。製造方法5図7参照図7に示すように、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2の表面に第1陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜32を形成する第1陽極坂処理工程と、上記陽極酸化皮膜32の深さ方向の一部に凹部6を形成する凹部形成工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。ここで、第1陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜32のうち、凹部6部分に残存している陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを構成するものとなる。製造方法6図8参照図8に示すように、本発明の絶縁基板1は、アルミニウム基板2の表面に第1陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜31を形成する第1陽極坂処理工程と、他のアルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して形成した陽極酸化皮膜32を上記陽極酸化皮膜31に所定の開口パターンを有するように部分的に貼り合わせる貼合工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。ここで、第1陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜31のうち、陽極酸化皮膜32を貼り合わせなかった開口部分を形成している陽極酸化皮膜が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aを構成し、それ以外の部分に形成された陽極酸化皮膜陽極酸化皮膜32が、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを構成するものとなる。次に、上述した陽極酸化処理工程、マスク層形成工程、マスク層除去工程、皮膜除去工程、窪み形成工程、凹部形成工程および貼合工程について具体的に説明する。<陽極酸化処理工程>上記陽極酸化処理工程は、陽極酸化処理を施して陽極酸化皮膜を形成し、本発明の絶縁基板を構成する絶縁層を形成する工程である。ここで、図3~8においては、第1陽極酸化処理および第2陽極酸化処理を施すことにより、陽極酸化皮膜31または陽極酸化皮膜32を形成しているが、これは、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aおよび絶縁領域Bを設けるためである。また、図3~8においては図示していないが、陽極酸化皮膜32を形成する際には、後述する本発明の配線基板における金属配線層の配線パターンに応じたマスク層を用いることにより、アルミニウム基板に対して部分的に陽極酸化処理を施してもよい。本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来公知の方法で施すことができる。具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属/アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第2、第3の成分が添加されていても構わない。ここでいう第2、第3の成分としては、例えば、Na、K、Mg、Li、Ca、Ti、Al、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn等の金属のイオン;アンモニウムイオン等の陽イオン;硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、0~10000ppm程度の濃度で含まれていてもよい。また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度1~80質量、液温5~70°C、電流密度0.5~60A/dm2、電圧1~600V、電解時間15秒~20時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭54-81133号、特開昭57-47894号、特開昭57-51289号、特開昭57-51290号、特開昭57-54300号、特開昭57-136596号、特開昭58-107498号、特開昭60-200256号、特開昭62-136596号、特開昭63-176494号、特開平4-176897号、特開平4-280997号、特開平6-207299号、特開平5-24377号、特開平5-32083号、特開平5-125597号、特開平5-195291号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。中でも、特開昭54-12853号公報および特開昭48-45303号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、10~300g/Lであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、1~25g/Lであるのが好ましく、2~10g/Lであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が50~200g/Lである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。本発明においては、上記陽極酸化処理工程において、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、上記アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。上記アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は1~60A/dm2であるのが好ましく、5~40A/dm2であるのがより好ましい。また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、上記アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる焼けが生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、5~10A/dm2の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、30~50A/dm2またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、上記アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭48-26638号、特開昭47-18739号、特公昭58-24517号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図9に示す装置が好適に用いられる。図9は、アルミニウム基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置410において、アルミニウム基板416は、図9中矢印で示すように搬送される。電解液418が貯溜された給電槽412にてアルミニウム基板416は給電電極420によってに荷電される。そして、アルミニウム基板416は、給電槽412においてローラ422によって上方に搬送され、ニップローラ424によって下方に方向変換された後、電解液426が貯溜された電解処理槽414に向けて搬送され、ローラ428によって水平方向に方向転換される。ついで、アルミニウム基板416は、電解電極430によって-に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽414を出たアルミニウム基板416は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置410において、ローラ422、ニップローラ424およびローラ428によって方向転換手段が構成され、アルミニウム基板416は、給電槽412と電解処理槽414との槽間部において、上記ローラ422、424および428により、山型および逆U字型に搬送される。給電電極420と電解電極430とは、直流電源434に接続されている。また、図9の陽極酸化処理装置410の特徴は、給電槽412と電解処理槽414とを1枚の槽壁432で仕切り、アルミニウム基板416を槽間部において山型および逆U字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるアルミニウム基板416の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置410の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、アルミニウム基板416を山型および逆U字型に搬送することによって、各槽412および414の槽壁432にアルミニウム基板416を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽412および414内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある1つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、2つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、後述する本発明のLEDパッケージの全反射率が向上する理由から、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜、すなわち、図3~6および8における陽極酸化皮膜31、図7における陽極酸化皮膜32としてマイクロポアを有する多孔質皮膜を用いる場合には、例えば、特許第3,714,507号、特開2002-285382号公報、特開2006-124827号公報、特開2007-231339号公報、特開2007-231405公報、特開2007-231340号公報、特開2007-238988号公報等に記載されている方法により、ハニカム状に配列したマイクロポアを形成する陽極酸化処理が好ましい。これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、後述する本発明のLEDパッケージの全反射率が向上し、本発明のパッケージの放熱性がより良好となる理由から、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜、すなわち、図3~6および8における陽極酸化皮膜31、図7における陽極酸化皮膜32として無孔質皮膜を用いる場合には、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等;水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属/アルカリ土類金属の水酸化物等;を1種単独または2種以上を併用した水溶液電解液として用いる陽極酸化処理が好ましい。ここで、上記水溶液中には、例えば、アルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていてもよい。また、上記水溶液中には、例えば、Na、K、Mg、Li、Ca、Ti、Al、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znなどの金属のイオン;アンモニウムイオンなどの陽イオン;硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオンなどの陰イオン;等の第2、第3成分が0~10000ppm程度の濃度で含まれていてもよい。更に、上記陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度1~80質量、液温5~70°C、電流密度0.5~60A/dm2、電圧1~600V、電解時間15秒~20時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。<マスク層形成工程>上記マスク層形成工程は、図3~5に示す態様においては、第1陽極酸化処理工程で形成した陽極酸化皮膜の表面に、所定の開口パターン開口部を有するマスク層を形成する工程であり、図6に示す態様においては、上記アルミニウム基板に形成された窪み部分にマスク層を形成する工程である。上記マスク層は、図3~5に示す態様においては、例えば、上記陽極酸化皮膜の表面に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して所定の開口パターンに現像する方法等により形成することができ、図6に示す態様においては、上記アルミニウム基板に形成された窪み部分に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層の全面に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して硬化させる方法等により形成することができる。ここで、上記画像記録層を形成する材料は特に限定されず、従来公知の感光層フォトレジスト層や感熱層を形成する材料を用いることができ、必要に応じて、赤外線吸収剤等の添加剤も含有していてもよい。<マスク層除去工程>上記マスク層除去工程は、上記マスク層を除去する工程である。ここで、上記マスク層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上記マスク層を溶解し、上記アルミニウム基板および上記陽極酸化皮膜が溶解しない溶液を用いて溶解し、除去する方法等が挙げられる。<皮膜除去工程>上記皮膜除去工程は、図4および5に示す通り、上記マスク層の開口部の下部に存在する陽極酸化皮膜を除去する工程である。ここで、上記陽極酸化皮膜を除去する方法は特に限定されず、例えば、アルカリエッチング水溶液や酸性水溶液を用いて陽極酸化皮膜を溶解させる方法等が挙げられる。<窪み形成工程>上記窪み形成工程は、図6に示す通り、上記アルミニウム基板の表面の一部に窪みを形成する工程である。ここで、上記窪みを形成する方法は特に限定されず、例えば、上記アルミニウム基板に金型をプレスして窪みを形成する方法等が挙げられる。<凹部形成工程>上記凹部形成工程は、図7に示す通り、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の一部に凹部を形成する工程である。ここで、上記凹部を形成する方法は特に限定されず、例えば、ダイサー等を用いて陽極酸化皮膜を機械的に削る方法等が挙げられる。<貼合工程>上記貼合工程は、図8に示す通り、他のアルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して形成した陽極酸化皮膜を先に形成された陽極酸化皮膜に所定の開口パターンを有するように部分的に貼り合わせる工程である。ここで、貼り合わせる方法は特に限定されず、例えば、熱融着や接着剤により貼り合わせる方法等が挙げられる。<封孔処理>本発明の絶縁基板の製造方法においては、上記陽極酸化皮膜絶縁層が多孔質の場合、本発明のパッケージの放熱性の観点から、皮膜中に存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭56-12518号公報、特開平4-4194号公報、特開平5-202496号公報、特開平5-179482号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。<水洗処理>また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。<その他の処理>更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。例えば、本発明のLEDパッケージの白色性散乱性を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、陽極酸化金属表面技術協会編.金属表面技術講座B1969PP.195~207、新アルマイト理論カロス出版1997PP.95~96等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Coイオン、Feイオン、Auイオン、Pbイオン、Agイオン、Seイオン、Snイオン、Niイオン、Cuイオン、Biイオン、Moイオン、Sbイオン、Cdイオン、Asイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。また、同様に酸化アルミニウムよりなる絶縁層に、更に絶縁性および反射性を高めるため、例えば、特開平6-35174号公報の段落[0016~[0035に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層セラミック層を形成する方法である。また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、AlO-Rn、BaO-Rn、BO-Rn、BiO-Rn、CaO-Rn、FeO-Rn、GaO-Rn、GeO-Rn、HfO-Rn、InO-Rn、KO-Rn、LaO-Rn、LiO-Rn、MgO-Rn、MoO-Rn、NaO-Rn、NbO-Rn、PbO-Rn、PoO-Rn、PoO-Rn、PO-Rn、SbO-Rn、SiO-Rn、SnO-Rn、SrO-Rn、TaO-Rn、TiO-Rn、VO-Rn、WO-Rn、YO-Rn、ZnO-Rn、ZrO-Rn等が挙げられる文章中Rは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、nは任意の自然数を示す。。中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、SiO-Rn系がより好ましい。本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。また、ゾル液の濃度としては、0.1~90質量が好ましく、1~80質量がより好ましく、5~70質量が特に好ましい。また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、0.01μm~20μmが好ましく、0.05μm~15μmがより好ましく、0.1μm~10μmが特に好ましい。この範囲より厚くなると、高反射率の観点から好ましくなく、この範囲より薄くなると絶縁性の観点から好ましくない。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。[配線基板]以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板である。次に、本発明の配線基板の構成について、図10を用いて説明する。図10に示すように、本発明の配線基板20は、本発明の絶縁基板1と、絶縁基板1の絶縁領域3Bを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる金属配線層7とを有するものである。本発明においては、上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニッケルNi等が挙げられ、これらを1種単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。これらのうち、電気抵抗が低い理由からCuを用いるのが好ましい。なお、Cuによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Au層やNi/Au層を設けていてもよい。また、本発明においては、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、0.5~1000μmが好ましく、1~500μmがより好ましく、5~250μmが特に好ましい。配線基板の製造方法以下に、本発明の配線基板の製造方法について詳細に説明する。本発明の配線基板は、例えば、図11に示すように、本発明の絶縁基板における絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜31の表面にマスク層4を形成するマスク層形成工程と、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜32の表面に金属配線層7を形成する金属配線層形成工程と、上記マスク層を除去して配線基板を得るマスク層除去工程とをこの順に有する製造方法により、作製することができる。次に、金属配線層形成工程について具体的に説明する。なお、上記マスク層形成工程および上記マスク層除去工程は、上述した本発明の絶縁基板の製造方法において説明したものと同様の方法で施すことができる。<金属配線層形成工程>上記金属配線層形成工程は、本発明の絶縁基板における絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する工程である。ここで、上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する方法は、例えば、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理;スパッタリング処理;蒸着処理;等を施す方法が挙げられる。これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜/均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。本発明においては、上記めっき処理は、非導電性物質絶縁基板に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。また、上記シード層の形成には、無電解めっきが用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分例えば、金属塩、還元剤等と補助成分例えば、pH調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、SE-650666680、SEK-670797、SFK-63いずれも日本カニゼン社製、メルプレートNI-4128、エンプレートNI-433、エンプレートNI-411いずれもメルテックス社製等の市販品を適宜用いることができる。また、上記金属配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。このようにして形成される金属配線層は、半導体素子等の実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際に半導体素子等が実装される箇所には、再度金属層半田も含むを設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすい用に適宜加工することができる。好適な金属層としては、半田、または、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニッケルNi等の金属素材が好ましく、加熱による半導体素子等の実装の観点では、半田、または、Niを介してのAu、Agを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。具体的には、パターンが形成された銅Cu配線上に、ニッケルNiを介して金Auを形成する方法としては、Niストライクめっきを施し、その後にAuめっきを施す方法が挙げられる。ここで、Niストライクめっきは、Cu配線層の表面酸化層の除去とAu層密着性確保を目的に施される。また、Niストライクめっきには、一般的なNi/塩酸混合液を用いてもよく、NIPS-100日立化成工業製等の市販品を用いてもよい。一方、Auめっきは、Niストライクめっきを施した後に、ワイアボンディングや半田の濡れ性を向上させる目的で施される。また、Auめっきは無電解めっきで生成させるのが好ましく、HGS-5400日立化成工業社製、ミクロファブAuシリーズ、ガルバノマイスターGBシリーズ、プレシャスハブIGシリーズいずれも田中貴金属社製等の市販の処理液を用いることができる。[半導体パッケージ]以下に、本発明の半導体パッケージについて詳細に説明する。本発明の半導体パッケージは、上述した本発明の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子とを有する半導体パッケージである。次に、本発明の半導体パッケージの構成について、図12を用いて説明する。図12に示すように、本発明の半導体パッケージ30は、本発明の配線基板20と、本発明の絶縁基板1の絶縁領域3Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられる半導体素子8とを有するものであり、半導体素子8と外部接続用の電極を兼ねた金属配線層7とがワイヤ9により接続ワイヤボンディングされている。本発明においては、上記半導体素子は、後述する本発明のLEDパッケージに用いるLED発光素子以外のパワー系の半導体素子であれば特に限定されず、その具体例としては、パワーモジュールに一般的に用いられるトランジスタ、CPU、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT等が挙げられる。[LEDパッケージ]以下に、本発明のLEDパッケージについて詳細に説明する。本発明のLEDパッケージは、上述した本発明の配線基板と、上記絶縁基板の上記絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるLED発光素子とを有するLEDパッケージである。次に、本発明のLEDパッケージの構成について、図13を用いて説明する。図13に示すように、本発明のLEDパッケージ40は、本発明の配線基板20と、本発明の絶縁基板1の絶縁領域3Aを形成する陽極酸化皮膜の上部に設けられるLED発光素子8とを有するものである。ここで、図13に示すLEDパッケージ40は、LED発光素子8がYAG系の蛍光粒子11を混入した透明樹脂10でモールドされており、YAG系の蛍光粒子11によって励起された光とLED発光素子8の残光とにより、白色系光が発光されるものであり、LED発光素子8が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層7にワイヤ9により接続ワイヤボンディングされている。また、図13においては図示していないが、例えば、図1Dに示す態様の絶縁基板を用いてLEDパッケージを作製した場合は、透明樹脂の周囲には透明樹脂を保持するための土手剤と呼ばれる絶縁層が円状に形成されることになる。そのため、本発明のLEDパッケージにおいては、上記土手剤が不要になる理由から、図13に示す態様、即ち、図1BまたはCに示す態様の絶縁基板を用いるのが好ましい。本発明においては、上記LED発光素子は、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。また、上記透明樹脂の材質は、熱硬化性樹脂が好ましい。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。また、透明樹脂は、青色LEDを保護するため硬質のものが好ましい。また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。更に、上記蛍光粒子は、青色LEDからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体;Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体;Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体;Eu等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体;等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。一方、本発明のLEDパッケージは、紫外~青色LEDとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系LEDパッケージとしても使用することができる。これらの蛍光発光体が青色LEDからの青色光を吸収して蛍光黄色系蛍光を生じ、この蛍光と青色LEDの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。上述した方式は、青色LED光源チップと黄色蛍光体1種とを組み合わせたいわゆる擬似白色発光型であるが、このほかにも、例えば紫外~近紫外LED光源チップと赤色/緑色/青色蛍光体等を数種組み合わせた紫外~近紫外光源型、及び、赤色/緑色/青色3光源で白色発光させるRGB光源型、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットとして本発明のLEDパッケージを使用することができる。本発明のパッケージにおいて、本発明の配線基板に半導体素子等を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は220~350°Cが好ましく、240~320°Cがより好ましく、260~300°Cが特に好ましい。これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から2秒~10分が好ましく、5秒~5分がより好ましく、10秒~3分が特に好ましい。また、アルミニウム基板と陽極酸化皮膜との熱膨張率差に起因して陽極酸化皮膜内に発生するクラックを抑制する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で5秒~10分、より好ましくは10秒~5分、特に好ましくは20秒~3分の熱処理を施す方法をとることもできる。所望の一定温度としては、80~200°Cであることが好ましく、100~180°Cがより好ましく、120~160°Cが特に好ましい。また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、80~300°Cが好ましく、90~250°Cがより好ましく、100~200°Cが特に好ましい。加熱時間としては、2秒~10分が好ましく、5秒~5分がより好ましく、10秒~3分が特に好ましい。以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。絶縁基板の作製実施例1<アルミニウム基板の作製>Si:0.06質量、Fe:0.30質量、Cu:0.005質量、Mn:0.001質量、Mg:0.001質量、Zn:0.001質量、Ti:0.03質量を含有し、残部はAlと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ500mm、幅1200mmの鋳塊をDC鋳造法で作製した。次いで、表面を平均10mmの厚さで面削機により削り取った後、550°Cで、約5時間均熱保持し、温度400°Cに下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ2.7mmの圧延板とした。更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を500°Cで行った後、冷間圧延で、厚さ1.0mmに仕上げ、JIS1050材のアルミニウム基板を得た。このアルミニウム基板を幅1030mmにした後、以下に示す電解研磨処理を施した。<電解研磨処理>上記アルミニウム基板に対して、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧25V、液温度65°C、液流速3.0m/minの条件で電解研磨処理を施した。陰極はカーボン電極とし、電源は、GP0110-30R高砂製作所社製を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22-10PCWASONE製を用いて計測した。電解研磨液組成85質量リン酸和光純薬社製試薬660mL純水160mL硫酸150mLエチレングリコール30mL<第1陽極酸化処理参考図:図3A⇒B>電解研磨処理を施したアルミニウム基板に対して、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、形成される陽極酸化皮膜の厚みが20nmとなるように処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面上に厚さ20nmの陽極酸化皮膜Xが形成された基板を作製した。<マスク層の形成参考図:図3B⇒C>第1陽極酸化処理を施した基板の陽極酸化皮膜Xの表面に、フォトレジストFC-230G、東洋紡社製をコートし、所定の開口パターンを付与するべくマスクを介してUV照射を施した。その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、陽極酸化皮膜Xの表面をパターン状に露出させた。なお、陽極酸化皮膜Xの露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Bを構成する部分であり、陽極酸化皮膜Xの非露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Aを構成する部分である。<第2陽極酸化処理参考図:図3C⇒D>マスク層を形成させた基板に対して、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが40μmとなるように処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、パターン状に表面露出した部分の陽極酸化皮膜Xの下部に更に陽極酸化皮膜Yが形成された基板を作製した。なお、陽極酸化皮膜Yは、アルミニウム基板に埋没された形で形成された。<マスク層の除去参考図:図3D⇒E>第2陽極酸化処理を施した後の基板に対して、モノメタノールアミン溶剤を用いてマスク層を除去し、絶縁基板を作製した。実施例2第1陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが500nmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例1と同様の方法により、絶縁基板を作製した。実施例3第1陽極酸化処理を以下に示す条件で行った以外は、実施例1と同様の方法により絶縁基板を作製した。<第1陽極酸化処理>電解研磨処理後のアルミニウム基板に、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で1時間陽極酸化処理を施した。更に陽極酸化処理後のサンプルに、0.5mol/Lリン酸の混合水溶液を用いて40°Cの条件で20分間浸漬して脱膜処理を施した。次いで、これらと同様の処理をこの順に4回数を繰り返した後、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、引き続いて施す脱膜処理後の最終的な陽極酸化皮膜の厚さが1.6μm1600nmとなるように処理時間を設定して再陽極酸化処理を施し、更に、0.5mol/Lリン酸の混合水溶液を用いて40°Cの条件で15分間浸漬させて脱膜処理を施すことにより、アルミニウム基板表面に、マイクロポアが直管状で且つハニカム状に配列された厚さ1.6μm1600nmの陽極酸化皮膜Xを形成させた。実施例4第1陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが2μm2000nmとなるように処理時間を変更し、また、第2陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが800μmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例3と同様の方法により絶縁基板を作製した。実施例5第1陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが9μm9000nmとなるように処理時間を変更し、また、第2陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが20μmとなるよう処理時間を変更した以外は、実施例1と同様の方法により絶縁基板を作製した。実施例6第1陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが500nmとなるように処理時間を変更し、かつ、濃度30g/Lのホウ酸、濃度20g/Lの四ホウ酸ナトリウムの混合水溶液にて、温度20°Cで陽極酸化処理を施すことにより、厚さ500nmの無孔質の陽極酸化皮膜Xを形成した以外は、実施例2と同様の方法により絶縁基板を作製した。実施例7第1陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが10μm10000nmとなるように処理時間を変更し、また、第2陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが50μmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例1と同様の方法により絶縁基板を作製した。実施例8第1陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが10μm10000nmとなるように処理時間を変更し、また、第2陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが200μmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例1と同様の方法により絶縁基板を作製した。実施例9<第1陽極酸化処理参考図:図4A⇒B>実施例1と同様の方法で電解研磨処理まで施したアルミニウム基板に対して、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、陽極酸化皮膜Yの厚みが800μmとなるよう処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面上に厚さ800μmの陽極酸化皮膜Yが形成された基板を作製した。<マスク層の形成参考図:図4B⇒C>第1陽極酸化処理を施した基板の表面に、フォトレジストFC-230G、東洋紡社製をコートし、所定の開口パターンを付与するべくマスクを介してUV照射を施した。その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、陽極酸化皮膜Yの表面をパターン状に露出させた。なお、陽極酸化皮膜Yの非露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Bを構成する部分である。<陽極酸化皮膜Yおよびマスク層の除去参考図:図4C⇒D⇒E>pH13に調整した水酸化カリウム水溶液を用いて露出部分の陽極酸化皮膜Yを除去した後、モノメタノールアミン溶剤を用いて残存するマスク層をすべて除去して、アルミニウム基板表面に陽極酸化皮膜Yをパターン状に形成させた。<第2陽極酸化処理参考図:図4E⇒F>上記マスク層を除去した後のアルミニウム基板に対して、0.30mol/L硫酸の電解液で、電圧25V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、陽極酸化皮膜の厚みが2μmとなるように処理時間を設定して陽極酸化処理を施し、陽極酸化皮膜Yの開口部アルミニウム基板の表面露出部および陽極酸化皮膜Yの下部に厚さ2μm2000nmの陽極酸化皮膜Xが形成された絶縁基板を作製した。なお、陽極酸化皮膜Xの露出部分は、最終的に作製される絶縁基板の絶縁領域Aを構成する部分である。比較例1第1陽極酸化処理を行わなかったこと以外は、実施例5と同様の方法により絶縁基板を作製した。なお、アルミニウム基板表面に自然酸化皮膜が形成されたことで絶縁領域Aを形成する酸化皮膜の厚みは5nmとなった。比較例2第2陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが1μmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例1と同様の方法により絶縁基板を作製した。比較例3第2陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが100μmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例1と同様の方法により絶縁基板を作製した。比較例4第1陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが2μm2000nmとなるように処理時間を変更し、また、第2陽極酸化処理において形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが2μmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例3と同様の方法により絶縁基板を作製した。比較例5厚み3.0mmのアルミニウム基板を用いて、実施例4と同じ方法で、第1陽極酸化処理およびマスク層の形成を行った後、第2陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜の全体陽極酸化皮膜Xおよび陽極酸化皮膜Yの合計の厚さが2000μmとなるように処理時間を変更して陽極酸化処理を施したが、100時間を超えたところで1000μmより皮膜の厚みが厚くならなくなったため、絶縁基板が作製できなかった。比較例6第1陽極酸化処理において、150g/Lの硫酸電解液を用い、50°C、20A/dm2の電流密度の条件にて定電流陽極酸化処理を施し、陽極酸化処理Xの厚みが20μm20000nmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例5と同様の方法により絶縁基板を作製した。比較例7第1陽極酸化処理において、形成される陽極酸化皮膜Xの厚さが100μm100000nmとなるように処理時間を変更した以外は、実施例4と同様の方法により、絶縁基板を作製した。<TAおよびTBの算出>作製した各絶縁基板について、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜陽極酸化皮膜Xの膜厚TA、および、絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜陽極酸化皮膜XおよびYの合計の膜厚TBについて、それぞれ面内の4方の4箇所とその間の5箇所の計9箇所を断面方向からのFE-SEMの観察により観察し、各箇所の厚みを10点の測定平均値から算出した後、9箇所の厚みを平均した。結果を下記第1表に示す。なお、比較例5においては、所望2000μmの膜厚TBを有する絶縁基板を作製することができなかったため、膜厚TBを-と表記している。<絶縁性>作製した各絶縁基板について、JISC2110規格の方法に従い、絶縁破壊電圧kVを計測した。測定結果から、絶縁性の指標として絶縁破壊電圧1kV以上を○、1kV未満を×とした。結果を下記第1表に示す。なお、比較例5においては、所望2000μmの膜厚TBを有する絶縁基板を作製することができなかったため、絶縁性の評価を-と表記している。<放熱性>作製した各絶縁基板の絶縁領域Aに、大きさが0.5mm×0.5mm、温度が300°Cの熱源を接触させて2秒後の裏面の基板の温度°Cを計測した。ここで、熱源には温度調節可能な半田ごてを用いた。測定結果から、250°C以上を◎、200°C以上250°C未満を○、100°C以上200°C未満を△、100°C未満を×とした。結果を下記第1表に示す。なお、放熱性の評価は、◎、○および△の評価であれば実用上問題はなく、また、比較例5においては、所望2000μmの膜厚TBを有する絶縁基板を作製することができなかったため、放熱性の評価を-と表記している。<膜厚分布>上記で絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の膜厚TA、絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の膜厚TBを算出した際に、それぞれについて9箇所の厚みを算出した。この各箇所の厚みTA1~TA9、TB1~TB9と9箇所の厚みの平均値TA、TBとの比率TA1/TA~TA9/TA、TB1/TB~TB9/TBが全て1/2~2の間となる場合を○、1/2~2/3または1.5~2の間となる場合を△、これ以外となる場合を×とした。結果を下記第1表に示す。なお、比較例5においては、所望2000μmの膜厚TBを有する絶縁基板を作製することができなかったため、膜厚分布の評価を-と表記している。<マイクロポアの規則化度の算出>作製した各絶縁基板について、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の表面をFE-SEMで観察した。観察した表面写真倍率20000倍から1μm×1μmの視野で任意のマイクロポア300個を用いて、上記式iで定義される規則化度を求めた。結果を下記第1表に示す。なお、実施例6で作製した絶縁基板は、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜が無孔質皮膜であるため、規則化度の結果を-と表記し、比較例5においては、所望2000μmの膜厚TBを有する絶縁基板を作製することができなかったため、規則化度の結果を-と表記している。<全反射率>作製した各絶縁基板について、絶縁領域Aにおける300~700nmの波長領域での全反射率を分光反射率測定器SP64、X-Rite社製にて測定した。結果を下記第1表に示す。なお、比較例5においては、所望2000μmの膜厚TBを有する絶縁基板を作製することができなかったため、全反射率の評価を-と表記している。第1表に示す結果から、比率TB/TAが2000より大きいと膜厚分布が非常に悪くなり、実用上問題があることが分かり比較例1および3、比率TB/TAが2より小さいと絶縁性または放熱性が悪くなることが分かった比較例4および6。また、膜厚TBが2μmより小さいと絶縁性が非常に悪くなることが分かり比較例2、また、1000μmよりも厚い陽極酸化皮膜は形成できないことが分かった比較例5。更に、膜厚TAが80μmより大きいと放熱性が非常に悪くなることが分かった比較例7。一方、膜厚TA、膜厚TBおよびこれらの比率TB/TAが所定の範囲にある実施例1~9で作製した絶縁基板は、いずれも絶縁性および放熱性が良好となることが分かった。特に、膜厚TAが10μm10000nm未満であると、放熱性がより良好となることが分かり、比率TB/TAが20超であると、絶縁性および放熱性がより良好となる傾向があることが分かった実施例1~6および9。また、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の規則化度を向上させることで、絶縁領域Aの全反射率が向上することが分かった実施例3。更に、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜を無孔質皮膜とすることで、放熱性が更に良好となり、絶縁領域Aの全反射率が向上することが分かった実施例6。配線基板の作製<マスク層の形成:参考図:図11A⇒B>実施例1、3および4ならびに比較例4および6で作製した各絶縁基板の表面に、フォトレジストFC-230G、東洋紡社製をコートし、絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜部分に開口パターンを付与するべくマスクを介してUV照射を施した。その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜の表面をパターン状に露出させ、絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜の表面のみにマスク層を形成させた。<金属配線層の形成参考図:図11B⇒C>絶縁領域Bを形成する陽極酸化皮膜上に、無電解Ni-Cuめっき法によりシード層を形成した後、電解銅めっき法により17μm厚のCu配線層を形成させた。<マスク層の除去参考図:図11C⇒D>Cu配線層を形成させた後、無電解Niめっき法および無電解Auめっき法を順に施し、Cu配線層の表面をコートした後、モノメタノールアミン溶剤を用いてマスク層を除去し、配線基板を作製した。半導体パッケージの作製<パワー半導体の実装>実施例1および4ならびに比較例4および6の絶縁基板を用いて作製した各配線基板の絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜上にSiパワー半導体をワイヤボンディング法により実装し、Cu配線層とパワー半導体とを接続した。<駆動テスト>配線基板のパワー半導体を実装した面と逆の面に、放熱フィンを熱伝導グリスで接触させた上で、パワー半導体を駆動させ、その表面の温度を測定した。結果を下記第2表に示す。なお、比較例4の絶縁基板を用いて作製した配線基板では、漏れ電流が絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜を通過し、アルミニウム基板にリークしてショートしてしまったため、下記第2表中では-と表記している。第2表に示す結果から、実施例1および4の絶縁基板を用いて作製した配線基板では、パワー半導体のチップ温度が低く抑えられることが分かった。LEDパッケージの作製<青色LEDの実装>実施例3および4ならびに比較例4および6の絶縁基板を用いて作製した各配線基板の絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜上に青色LED発光素子をワイヤボンディング法により実装し、Cu配線層と青色LED発光素子とを接続した。<黄色蛍光体含有封止材の形成>青色LED発光素子を実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型LEDパッケージを作製した。<発光効率>作製した各擬似白色型LEDパッケージについて、一定の電流値0.08Aで発光させた際の電圧EVと、色度X値=0.33での光拘束量lmとを測定し、下記式から発光効率lm/Wを算出した。結果を下記第3表に示す。なお、比較例4の絶縁基板を用いて作製した配線基板では、漏れ電流が絶縁領域Aを形成する陽極酸化皮膜を通り、アルミニウム基板にリークしてショートしてしまったため、下記第3表中では-と表記している。発光効率1m/W=光拘束量lm/0.08A×EV第3表に示す結果から、全反射率が高いほど発光効率が高くなることが分かった。"