アノード層と、カソード層と、前記アノード層と前記カソード層との間に形成され、かつ、半導体発光層、半導体非発光層、及び前記アノード層または前記カソード層へ移動するキャリアを閉じ込める半導体閉込層が積層されて成るゲート層と、を備えた発光サイリスタ。前記半導体閉込層は、前記半導体非発光層と前記アノード層との間に設けられた請求項1に記載の発光サイリスタ。前記半導体発光層は、非導電型の半導体層である、請求項1または請求項2に記載の発光サイリスタ。前記ゲート層が、前記半導体発光層の上下層の各々に前記半導体非発光層及び前記半導体閉込層を備えた、請求項1または請求項2に記載の発光サイリスタ。前記請求項1から前記請求項4のいずれか1項に記載の発光サイリスタを光源として複数個備えた、光源ヘッド。感光体と、前記感光体表面を帯電する帯電手段と、前記請求項5に記載の光源ヘッドを備え、かつ前記帯電手段により帯電された前記感光体表面に静電潜像を形成するために前記光源ヘッドの出射光により露光する露光手段と、前記露光手段により形成された前記静電潜像を現像する現像手段と、前記現像手段により現像された前記静電潜像を定着する定着手段と、を備えた画像形成装置。本発明は、本構成を有しない場合と比較して、キャリアの発光再結合の確率が向上された発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の発光サイリスタは、アノード層と、カソード層と、前記アノード層と前記カソード層との間に形成され、かつ、半導体発光層、半導体非発光層、及び前記アノード層または前記カソード層へ移動するキャリアを閉じ込める半導体閉込層が積層されて成るゲート層と、を備える。請求項2に記載の発光サイリスタは、請求項1に記載の発光サイリスタにおいて、前記半導体閉込層は、前記半導体非発光層と前記アノード層との間に設けられた。請求項3に記載の発光サイリスタは、請求項1または請求項2に記載の発光サイリスタにおいて、前記半導体発光層は、非導電型の半導体層である。請求項4に記載の発光サイリスタは、請求項1または請求項2に記載の発光サイリスタにおいて、前記ゲート層が、前記半導体発光層の上下層の各々に前記半導体非発光層及び前記半導体閉込層を備えた。請求項5に記載の光源ヘッドは、前記請求項1から前記請求項4のいずれか1項に記載の発光サイリスタを光源として複数個備える。請求項6に記載の画像形成装置は、感光体と、前記感光体表面を帯電する帯電手段と、前記請求項5に記載の光源ヘッドを備え、かつ前記帯電手段により帯電された前記感光体表面に静電潜像を形成するために前記光源ヘッドの出射光により露光する露光手段と、前記露光手段により形成された前記静電潜像を現像する現像手段と、前記現像手段により現像された前記静電潜像を定着する定着手段と、を備える。請求項1、請求項5、及び請求項6に記載の発明によれば、本構成を有しない場合と比較して、キャリアの発光再結合の確率が向上される。請求項2に記載の発明によれば、本構成を有しない場合と比較して、電子がアノード層側に移動するのを抑制する。請求項3に記載の発明によれば、半導体発光層を導電型とした場合と比較して、半導体発光層内に両キャリアを閉じ込めて発光再結合させられる。請求項4に記載の発明によれば、半導体発光層の片側にのみ半導体非発光層及び半導体閉込層を備える場合と比較して、キャリアの発光再結合の確率が向上される。以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。図1に、本実施の形態の画像形成装置の一例の概略を示す概略構成図を示す。図2に、本実施の形態の光源ヘッドの一例の内部構成を示す概略断面図を示す。図3に、本実施の形態に係る発光サイリスタアレイの一例の外観を示す斜視図を示す。図4に、本実施の形態の発光サイリスタの一例を示す概略断面図を示す。本実施形態に係る画像形成装置10は、図1に示すように、矢印A方向に定速回転する感光体12を備えている。この感光体12の周囲には、感光体12の回転方向に沿って、感光体12表面を帯電する帯電器14、帯電器14により帯電された感光体12表面に静電潜像を形成するために露光するための光源ヘッド16露光手段、トナー像を形成するために静電潜像を現像剤により現像する現像器18現像手段、トナー像を用紙28記録媒体に転写する転写体20転写手段、転写後に感光体12の残存した残トナーを除去するためのクリーナ22、感光体12を除電し電位を均一化するイレーズランプ24が順に配設されている。すなわち、感光体12は、帯電器14によって表面が帯電された後、光源ヘッド16によって光ビームが照射されて、感光体12上に潜像が形成される。なお、光源ヘッド16は駆動部不図示と接続されており、駆動部によって発光サイリスタ100の点灯を制御して、画像データに基づいて光ビームを出射するようになっている。形成された潜像には、現像器18によってトナーが供給されて、感光体12上にトナー像が形成される。感光体12上のトナー像は、転写体20によって、搬送されてきた用紙28に転写される。転写後に感光体12に残留しているトナーはクリーナ22によって除去され、イレーズランプ24によって除電された後、再び帯電器14によって帯電されて、同様の処理を繰り返す。一方、トナー像が転写された用紙28は、加圧ローラ30Aと加熱ローラ30Bからなる定着器30定着手段に搬送されて定着処理が施される。これにより、トナー像が定着されて、用紙28上に所望の画像が形成される。画像が形成された用紙28は装置外へ排出される。次に、本実施の形態の光源ヘッド16の構成を詳細に説明する。本実施の形態の光源ヘッド16は、SLEDSelf-scanningLED:自己走査型LEDを用いている。SLEDは、LEDアレイとその駆動部分を一体化したものであり、複数のサイリスタ構造を有する発光部発光サイリスタ100、詳細後述を備えている。図2に示すように、発光サイリスタアレイ50と、発光サイリスタアレイ50を支持するとともに、発光サイリスタアレイ50の駆動を制御する各種信号を供給するための回路不図示とが実装された実装基板52と、セルフォックスレンズアレイ等のセルフォックは、日本板硝子株の登録商標ロッドレンズアレイ54と、を備えている。実装基板52は、発光サイリスタアレイ50の取り付け面を感光体12に対向させて、ハウジング56内に配設され、板バネ58によって支持されている。発光サイリスタアレイ50は、図3に示すように、例えば、感光体12の軸線方向に沿って当該軸線方向の解像度に応じて、複数の発光サイリスタ100が配列されて構成されたチップ62が、さらに複数個直列に配列して構成されており、感光体12の軸線方向に、予め定められた解像度で光ビームを照射するようになっている。なお、本実施の形態では、チップ62が複数個直列に1次元状に配列された例を示したが、これに限らず、複数列に分けて2次元状に配置してもよい。例えば千鳥状に配置する場合には、複数のチップ62は、感光体12の軸線方向に沿って並ぶように一列に配置されると共に、当該軸線方向と交わる方向に一定間隔ずらして二列に配置される。複数のチップ62単位に分けられていても、複数の発光サイリスタ100の各々は、互いに隣接する2つの発光サイリスタ100の感光体12の軸線方向の間隔が、ほぼ一定の間隔となるように配列されている。ロッドレンズアレイ54は、図2に示すように、ホルダー64によって支持されており、各発光サイリスタ100から出射された光ビームを感光体12上に結像させる。次に、本実施の形態の発光サイリスタ100について説明する。図4を参照して、本実施の形態の発光サイリスタ100の概略構成について説明する。本実施の形態の発光サイリスタ100は、p型GaAs基板104と、p型GaAs基板104上に順に積層されたp型AlGaAs系のアノード層106と、n型AlGaAs系のゲート層108A及びp型AlGaAs系のゲート層108Bから成るゲート層108、n型AlGaAs系のカソード層112と、n型GaAs系のコンタクト層114と、を備えて構成されている。また、発光サイリスタ100は、アノード電極102、ゲート電極116、及びカソード電極118が備えられている。アノード電極102は、p型GaAs基板104の裏面共振器が形成されていない面に設けられている。ゲート電極116は、p型AlGaAs系のゲート層108Bの一部の端部の領域が他の部位よりも薄膜に形成された領域に設けられている。一方、カソード電極118は、p型AlGaAs系のゲート層108Bの薄膜に形成された領域を除く領域に順に積層されたn型AlGaAs系のカソード層112及びn型GaAs系のコンタクト層114の上に設けられている。アノード電極102、ゲート電極116、及びカソード電極118の材料は、接触する半導体層またはp型GaAs基板104との良好なオーミック接触を保つために適した材料がそれぞれ用いられる。具体的例としては、金Auや、金とゲルマニウムとの合金AuGe、金と亜鉛との合金AuZn、ニッケルNi等が挙げられる。本実施の形態の発光サイリスタ100では、n型AlGaAs系のカソード層112及びp型AlGaAs系のアノード層106のバンドギャップが大きく、ゲート電極116に信号電圧を印加し、ゲート電極116からカソード電極118へゲート電流を流すことにより、アノード電極102-カソード電極118間を導通させる。これにより、n型AlGaAs系のカソード層112及びp型AlGaAs系のアノード層106よりもバンドギャップが小さい発光層ゲート層108の一部、詳細後述内でキャリア電子及び正孔が再結合し、再結合により発光した光が、最上層n型GaAs系のコンタクト層114を経て出射される。なお、出射される光の波長は、発光層のバンドギャップの値により定まる。本実施の形態の発光サイリスタ100の様にAlGaAs系で構成する場合は、発光層のAlの組成で定まり、Alの組成が大きいほど、バンドギャップが大きくなり、Al組成が0.12~0.13程度で、780nm付近にピークを有する波長の光が得られる。次に、図面を参照して発光サイリスタ100の主要構造について詳細に説明するが、まず、本実施の形態の発光サイリスタ100との比較のため、従来の発光サイリスタ1000の主要構造について説明する。図9に、従来の発光サイリスタ1000の主要構造について模式的に示す。従来の発光サイリスタ1000は、p型GaAs基板1104と、p型AlGaAs系のアノード層1106と、n型AlGaAs系のゲート層1108Aと、p型AlGaAs系のゲート層1108Bと、n型AlGaAs系のカソード層1112と、n型GaAs系のコンタクト層1114と、が順次積層された構造となっている。従来の発光サイリスタ1000では、p型AlGaAs系のアノード層1106及びn型AlGaAs系のカソード層1112は、ゲート層1108よりもバンドギャップが大きく、AlGaAs系では、Alの組成が大きい。また、n型AlGaAs系のゲート層1108A及びp型AlGaAs系のゲート層1108BのAl組成を0.12とすることにより、n型AlGaAs系のゲート層1108A及びp型AlGaAs系のゲート層1108Bに隣接したp型AlGaAs系のアノード層1106及びn型AlGaAs系のカソード層1112から少数キャリアが注入される。具体的には、n型AlGaAs系のゲート層1108Aには、p型AlGaAs系のアノード層1106及びp型AlGaAs系のゲート層1108Bから正孔が注入され、n型AlGaAs系のゲート層1108A内の電子と発光再結合する。また、p型AlGaAs系のゲート層1108Bには、n型AlGaAs系のカソード層1112及びn型AlGaAs系のゲート層1108Aから電子が注入され、p型AlGaAs系のゲート層1108B内の正孔と発光再結合する。これにより、n型AlGaAs系のゲート層1108A及びp型AlGaAs系のゲート層1108Bゲート層1108全体が発光層として機能し、780nm近傍にピーク波長を有する光が出射される。一般に、発光サイリスタでは、サイリスタ素子として、安定したサイリスタ動作を行うには、耐圧の点から、ゲート層を厚くすることが望ましい。一方、従来の発光サイリスタ1000では、ゲート層108全体が発光層であるため、キャリアが広範囲に拡散し、発光層内のキャリア密度が低くなるため、再結合確率が低下し、そのため、発光効率が低下するという問題が発生する。また、従来の発光サイリスタ1000では、n型AlGaAs系のゲート層1108A及びp型AlGaAs系のゲート層1108Bから隣接するp型AlGaAs系のアノード層1106及びn型AlGaAs系のカソード層1112にキャリアが移動オーバーフローしやすく、p型AlGaAs系のアノード層1106及びn型AlGaAs系のカソード層1112で発光再結合が生じるという問題が発生する。特に、n型AlGaAs系のゲート層1108Aからp型AlGaAs系のアノード層1106へ電子が移動しやすく、p型AlGaAs系のアノード層1106で発光再結合する。このように、p型AlGaAs系のアノード層1106及びn型AlGaAs系のカソード層1112での発光再結合により発生した光は、n型AlGaAs系のゲート層1108A及びp型AlGaAs系のゲート層1108Bで光吸収されるため、発光サイリスタ1000外部への出射光量にほとんど寄与しない。実施例1次に、本実施の形態の発光サイリスタ100の主要構造について説明する。図5に、本実施の形態の実施例1における発光サイリスタ100の主要構造について模式的に示す。本実施例の発光サイリスタ100は、p型GaAs基板104と、p型AlGaAs系のアノード層106と、ゲート層108と、n型AlGaAs系のカソード層112と、n型GaAs系のコンタクト層114と、が積層された構造となっている。また、本実施例の発光サイリスタ100のゲート層108は、n型AlGaAs系のゲート層108Aとして、Alの組成が0.12のn型AlGaAs系のトラップ層108Aを備える。また、ゲート層108は、p型AlGaAs系のゲート層108Bとして、発光層として機能しないAlの組成が0.24のp型AlGaAs系のゲート層108B1及び発光層として機能するAlの組成が0.12のp型AlGaAs系の発光層108B0を備えている。本実施例の発光サイリスタ100では、p型AlGaAs系のゲート層108B1には、p型AlGaAs系のアノード層106側からキャリア正孔が移動してくる。当該キャリア正孔がp型AlGaAs系の発光層108B0に注入され、n型AlGaAs系のカソード層112側から小数キャリアとして注入されたキャリア電子と発光再結合する。図6に発光サイリスタ100の各層のAl組成及び膜厚の具体的一例を示す。なお、本実施例の発光サイリスタ100では、一例として、p型の場合は、ドーパントとしてZnを用いており、n型の場合は、ドーパントとしてSiを用いている。p型GaAs基板104上に、p型GaAs系のバッファ層を介して、p型AlGaAs系のアノード層106が積層されている。なお、図4、5では図示を省略しているが、本実施例の発光サイリスタ100では、図6に示すように、p型GaAs基板104とまた、p型AlGaAs系のアノード層106との結晶性を良好にするためにp型GaAs系のバッファ層を設けている。p型AlGaAs系のアノード層106は、厚さが410nmのAlの組成が0.33のAlGaAs層である。n型AlGaAs系のトラップ層108Aは、厚さが260nmのAlの組成が0.12のAlGaAs層である。なお、本実施例の発光サイリスタ100では、n型AlGaAs系のトラップ層108A2においてもキャリアの発光再結合が生じるため、発光層としての機能も有する詳細後述。p型AlGaAs系のゲート層108B1は、厚さが360nmのAlの組成が0.24のAlGaAs層である。また、p型AlGaAs系の発光層108B0は、厚さが100nmのAlの組成が0.12のAlGaAs層である。n型AlGaAs系のカソード層112は、厚さが510nmのAlの組成が0.33のAlGaAs層である。n型GaAs系のコンタクト層114は、膜厚が25nmとしている。なお、これら各層のAl組成及び膜厚は具体的一例であり、以下に示した範囲であれば、これに限定されるものではない。例えば、ゲート層全体の厚さは、ゲート電極116とアノード電極102との間に電位差例えば、3~5Vがあっても、ゲート電極116とアノード電極102間で電流が流れない程度の厚さがあればよい。なお、p型AlGaAs系の発光層108B0とp型AlGaAs系のゲート層108B1の合わせた厚さは、図4に示したように、本実施例の発光サイリスタ100では、一部を露出させる必要があるため、作製成膜上の精度の観点から、0.1μm程度以上あることが好ましい。また、例えば、各層のAl組成は、サイリスタとして動作させるためには、p型AlGaAs系の発光層108B0<p型AlGaAs系のゲート層108B1<n型AlGaAs系のカソード層112p型AlGaAs系のアノード層106が適正範囲である。なお、発光サイリスタ100の各層の結晶成長には、例えば、MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition法が適用される。以上説明したように、本実施例の発光サイリスタ100では、p型AlGaAs系のアノード層106とn型AlGaAs系のカソード層112との間に積層されたゲート層108を、p型AlGaAs系のアノード層106側から順に、バンドギャップが小さいn型AlGaAs系のトラップ層108A2、バンドギャップが大きいp型AlGaAs系のDBRゲート層108B1、及びバンドギャップが小さいp型AlGaAs系の発光層108B0が積層されるように構成している。本実施例の発光サイリスタ100では、ゲート層108の一部であるp型AlGaAs系の発光層108B0を発光層としているため、ゲート層108全体図9に示した従来の発光サイリスタ1000の場合では、n型AlGaAs系のゲート層1108及びp型AlGaAs系のゲート層1110を発光層として機能させる場合に比べて、発光層が薄膜化される。これにより、キャリアが狭い範囲内に閉じ込められるようになり、広範囲に拡散するのを抑制し、キャリアの発光再結合確率が高くなる。一方、ゲート層108全体の厚さは維持されるため、耐圧が維持される。また、p型AlGaAs系の発光層108B0に隣接するp型AlGaAs系のゲート層108B1のAl組成を大きくp型AlGaAs系の発光層108B0よりもバンドギャップを大きくしているため、キャリアがp型AlGaAs系の発光層108B0内に閉じ込められ、発光再結合確率がより高くなる。また、本実施例の発光サイリスタ100では、p型AlGaAs系のゲート層108B1とp型AlGaAs系のアノード層106との間に、n型AlGaAs系のトラップ層108A2を設けている。これにより、n型AlGaAs系のトラップ層108A2には、n型AlGaAs系のカソード層112側からキャリア電子が注入され、p型AlGaAs系のゲート層108B1またはp型AlGaAs系のアノード層106から少数キャリアとして注入されたキャリア正孔と発光再結合する。従って、p型AlGaAs系のアノード層106にキャリア電子が移動するのを抑制し、p型AlGaAs系のアノード層106でのキャリアの発光再結合を抑制する。また、p型AlGaAs系のアノード層106への無効電流が抑制される。また、n型AlGaAs系のトラップ層108A2は、発光することにより発光層としてみなせる機能を有するため、出射光の光量を増加させられる。実施例2実施例1では、p型AlGaAs系のアノード層106と発光層p型AlGaAs系の発光層108B0との間にトラップ層n型AlGaAs系のゲート層108A1及びゲート層p型AlGaAs系のゲート層108B1を設けているがこれに限られるものではなく、n型AlGaAs系のカソード層112との間に同様にゲート層及びトラップ層を設けるようにしてもよい。このような発光サイリスタ100の実施例を実施例2として示す。図7に、本実施例の形態の実施例2における発光サイリスタ100の主要構造について模式的に示す。また、図8に、実施例2における発光サイリスタ100の各層のAl組成及び膜厚の具体的一例を示す。図7及び図8に構造を示した発光サイリスタ100では、ゲート層を、p型AlGaAs系のアノード層106側から順に、Alの組成が0.12のn型AlGaAs系のトラップ層108A2、Alの組成が0.24のn型AlGaAs系のゲート層108A1、Alの組成が0.12のノンドープのAlGaAs系の発光層108C0、Alの組成が0.24のp型AlGaAs系のゲート層108B1、及びAlの組成が0.12のp型AlGaAs系のトラップ層108B2が積層された構造としている。このように、実施例2の発光サイリスタ100では、p型AlGaAs系のアノード層106側にn型AlGaAs系のトラップ層108A2を備えると共に、n型AlGaAs系のカソード層112側にp型AlGaAs系のトラップ層108B2を備えるため、ノンドープのAlGaAs系の発光層108C0内に、両方の小数キャリア電子正孔が閉じ込められるため、発光再結合確率が高まる。また、n型AlGaAs系のトラップ層108A2には、n型AlGaAs系のカソード層112側からキャリア電子が注入されて閉じ込められる。閉じ込められたキャリア電子は、p型AlGaAs系のゲート層108B1またはp型AlGaAs系のアノード層106から少数キャリアとして注入されたキャリア正孔と発光再結合する。一方、p型AlGaAs系のトラップ層108B2には、p型AlGaAs系のアノード層106側からキャリア正孔が注入されて閉じ込められる。閉じ込められたキャリア正孔は、n型AlGaAs系のゲート層108A1またはn型AlGaAs系のカソード層112から少数キャリアとして注入されたキャリア電子と発光再結合する。従って、無効電流が抑制されると共に、n型AlGaAs系のトラップ層108A2及びp型AlGaAs系のトラップ層108B2が発光層としても機能するため、出射光の光量を増加させられる。なお、本実施の形態の発光サイリスタ100は、実施例1及び実施例2に示した上記構成、組成に限られるものではなく、ゲート層108が発光層と、発光層よりもバンドギャップが大きい発光層として機能しないゲート層と、当該ゲート層とp型AlGaAs系のアノード層106またはn型AlGaAs系のカソード層112との間に設けられ、当該ゲート層、p型AlGaAs系のアノード層106、及びn型AlGaAs系のカソード層112のいずれよりもバンドギャップが小さく、キャリアを閉じ込め、かつ発光することにより発光層としてみなせる機能するトラップ層と、を備えた構成であればよい。例えば、トラップ層は、p型AlGaAs系のアノード層106側及びn型AlGaAs系のカソード層112側のいずれか一方のみに設けてもよいし、実施例2に示したように両側に設けてもよい。なお、電子の方が正孔に比べてバンドギャップにかかわらず移動しやすいため、実施例1に示したように、少なくとも、p型AlGaAs系のアノード層106側にトラップ層を設けることが好ましい。また、実施例1では、トラップ層をn型の層n型AlGaAs系のトラップ層108A2としているが、p型AlGaAs系のアノード層106に電子が移動するのを抑制するものであるため、このように電子が空間的に広がりやすいn型の層とすることが好ましい。また、発光層として機能させるゲート層108は、実施例2に示したように、ノンドープであってもよいし、p型、n型、いずれでもよい。なお、正孔は、電子に比べて移動度が小さいため、空間的な広がり厚み方向及び層の面内方向の広がりが小さく発光効率が高いため、p型またはノンドープとすることが好ましい。特に、上述の実施例2に示したようにノンドープの発光層とすることにより、発光層内に両方の小数キャリア電子正孔を閉じ込めて発光再結合させられるため、より発光効率が高くなるため、好ましい。また、本実施の形態では、具体的一例として、p型GaAs基板70上に、PNPN型構造の第1導電型がp型、第2導電型がn型の発光サイリスタ100について説明したが、これに限られず、NPNP型構造の第1導電型がn型、第2導電型がp型の発光サイリスタであってもよい。また、本実施の形態では、具体的一例として、AlGaAs系材料を用いた発光サイリスタ100について説明したがこれに限られず、InGaAsP系や、AlGaInP系、InGaN/GaN系材料等を用いた発光サイリスタに対しても適用してもよい。また、本実施の形態では、自己走査型の電子写真式の画像形成装置10の光源ヘッド16に適用した場合について説明したがこれに限らず、本実施の形態の発光サイリスタ100を他の光源ヘッドや他の画像形成装置に適用するようにしてもよい。また、発光サイリスタ100を、例えば、スキャナ等、他の装置の光源に適用してもよい。