電力増幅器であって、入力信号を受信し、上記入力信号に基づいてスイッチモジュール信号を生成するスイッチモジュールと、上記スイッチモジュール信号を受信し、出力信号を生成する出力モジュールとを備え、上記電力増幅器は、複数の電力増幅器のクラスの複数のモード特性で動作し、上記出力モジュールの構成は、上記入力信号に対する上記モードの間での動作を実行するために変更されることを特徴とする電力増幅器。上記スイッチモジュールは、スイッチング素子を有し、上記スイッチング素子は、当該スイッチング素子において電圧および電流を生成するために上記入力信号に対して応答することを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器。上記出力モジュールは、少なくとも一つの容量性素子および誘導性素子を含み、上記容量性素子の値は、第一モードでの動作をもたらすために、増加または減少のいずれかがなされることを特徴とする、請求項2に記載の電力増幅器。上記容量性素子の上記値は、第二モードでの動作をもたらすために、増加または減少の他方がなされることを特徴とする、請求項3に記載の電力増幅器。上記複数のモードのうちの一つがクラスABであり、上記複数のモードのうちの他方がクラスEであることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器。上記スイッチモジュールがトランジスタを備えることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器。上記トランジスタがMOSFETデバイスであることを特徴とする、請求項6に記載の電力増幅器。電力増幅器であって、入力信号を受信し、上記入力信号に基づいてスイッチモジュール信号を生成するスイッチモジュールと、上記スイッチモジュール信号を受信して出力信号を生成し、少なくとも一つのキャパシタおよびインダクタを含む出力モジュールとを備え、上記電力増幅器は、複数の電力増幅器のクラスの複数のモード特性で動作し、上記キャパシタの値は、上記入力信号に対する上記モードの間での動作を実行するために変更されることを特徴とする電力増幅器。上記キャパシタの上記値は、第一モードでの動作をもたらすために、増加または減少のいずれかがなされることを特徴とする、請求項8に記載の電力増幅器。上記キャパシタの上記値は、第二モードでの動作をもたらすために、増加または減少の他方がなされることを特徴とする、請求項9に記載の電力増幅器。上記複数のモードのうちの一つがクラスABであり、上記複数のモードのうちの他方がクラスEであることを特徴とする、請求項8に記載の電力増幅器。上記スイッチモジュールがトランジスタを備えることを特徴とする、請求項11に記載の電力増幅器。上記トランジスタがMOSFETデバイスであることを特徴とする、請求項12に記載の電力増幅器。電力増幅器であって、入力信号に応答し、上記入力信号に基づいて第一スイッチモジュール信号を生成する第一スイッチモジュールと、上記第一スイッチモジュールとプッシュプル方式に構成され、上記入力信号に応答し、上記入力信号に基づいて第二スイッチモジュール信号を生成する第二スイッチモジュールと、合成スイッチモジュール信号を受信し、出力信号を生成する出力モジュールとを備え、上記第一スイッチモジュール信号と上記第二スイッチモジュール信号とにより上記合成スイッチモジュール信号が生成され、上記電力増幅器は、複数の電力増幅器のクラスの複数のモード特性で動作し、上記出力モジュールの構成は、上記入力信号に対する上記モードの間での動作を実行するために変更されることを特徴とする電力増幅器。上記出力モジュールは、少なくとも一つの誘導性素子および第一容量性素子を含むことを特徴とする、請求項14に記載の電力増幅器。さらに第二容量性素子を備えることを特徴とする、請求項15に記載の電力増幅器。上記第一スイッチモジュールは第一スイッチ素子を備え、上記第二スイッチモジュールは第二スイッチ素子を備えることを特徴とする、請求項14に記載の電力増幅器。上記第一スイッチ素子は第一トランジスタデバイスを備え、上記第二スイッチ素子は第二トランジスタデバイスを備え、上記第一トランジスタおよび上記第二トランジスタの出力端子は、上記プッシュプル方式を構成するよう接続されていることを特徴とする、請求項17に記載の電力増幅器。上記出力モジュールは、一次巻線および二次巻線を有する変圧器を含み、上記第一トランジスタおよび上記第二トランジスタの上記出力端子は、上記一次巻線の第一端子および第二端子にそれぞれ接続されていることを特徴とする、請求項18に記載の電力増幅器。上記一次巻線の少なくとも一部を介して、上記第一トランジスタおよび上記第二トランジスタの上記出力端子のうちの少なくとも一つと電気的に接続されている電圧源をさらに備えることを特徴とする、請求項19に記載の電力増幅器。上記電圧源と上記一次巻線の上記少なくとも一部との間に配置されるインダクタンスをさらに備えることを特徴とする、請求項20に記載の電力増幅器。上記出力モジュールは、インダクタおよび第一キャパシタを含む回路をさらに備えることを特徴とする、請求項14に記載の電力増幅器。上記出力モジュールは第二キャパシタをさらに備え、上記第一キャパシタ、上記第二キャパシタ、および上記インダクタはCLC回路に構成されていることを特徴とする、請求項22に記載の電力増幅器。電力増幅器であって、入力信号に応答し、上記入力信号に基づいて第一スイッチモジュール信号を生成する第一スイッチモジュールと、上記第一スイッチモジュールとプッシュプル方式で構成され、上記入力信号に応答し、上記入力信号に基づいて第二スイッチモジュール信号を生成する第二スイッチモジュールと、合成スイッチモジュール信号を受信して出力信号を生成し、第一容量性素子および誘導性素子を含む出力モジュールとを備え、上記第一スイッチモジュール信号と上記第二スイッチモジュール信号とにより上記合成スイッチモジュール信号が生成され、上記電力増幅器は、複数の電力増幅器のクラスの複数のモード特性で動作し、上記容量性素子の値は、上記モードの間での動作を実行するために変更されることを特徴とする電力増幅器。上記第一スイッチモジュールは第一スイッチ素子を備え、上記第二スイッチモジュールは第二スイッチ素子を備え、上記第一スイッチ素子および上記第二スイッチ素子は、上記スイッチ素子において電圧および電流を生成するために上記入力信号に応答することを特徴とする、請求項24に記載の電力増幅器。上記容量性素子は、第一モードでの動作をもたらすために、増加または減少のいずれかがなされることを特徴とする、請求項24に記載の電力増幅器。上記容量性素子は、第二モードでの動作をもたらすために、増加または減少の他方がなされることを特徴とする、請求項26に記載の電力増幅器。第二容量性素子をさらに備え、上記第一容量性素子、上記第二容量性素子、および上記誘導性素子はPI回路に構成されていることを特徴とする、請求項26に記載の電力増幅器。上記複数のモードのうちの一つがクラスABであり、上記複数のモードのうちの他方がクラスEであることを特徴とする、請求項24に記載の電力増幅器。上記第一スイッチモジュールは第一スイッチ素子を備え、上記第二スイッチモジュールは第二スイッチ素子を備えることを特徴とする、請求項24に記載の電力増幅器。上記第一スイッチ素子および上記第二スイッチ素子がトランジスタを備えることを特徴とする、請求項30に記載の電力増幅器。上記出力モジュールは、一次巻線および二次巻線を有する変圧器を含み、上記第一スイッチモジュールおよび上記第二スイッチモジュールは、第一出力端子および第二出力端子をそれぞれ含み、上記第一出力端子および上記第二出力端子は、上記一次巻線の第一端子および第二端子にそれぞれ接続されていることを特徴とする、請求項24に記載の電力増幅器。上記一次巻線の少なくとも一部を介して、上記第一スイッチモジュールおよび上記第二スイッチモジュールの上記第一出力端子および上記第二出力端子のうちの少なくとも一つと電気的に接続されている電圧源をさらに備えることを特徴とする、請求項32に記載の電力増幅器。上記電圧源と上記一次巻線の上記少なくとも一部との間に配置されるインダクタンスをさらに備えることを特徴とする、請求項33に記載の電力増幅器。電力増幅器であって、入力信号に応答し、第一スイッチングデバイス信号を生成する第一スイッチングデバイスと、上記第一スイッチングデバイスとプッシュプル方式で構成され、上記入力信号に応答し、第二スイッチングデバイス信号を生成する第二スイッチングデバイスと、合成スイッチングデバイス信号を受信して出力信号を生成し、第一キャパシタおよびインダクタを含む出力モジュールとを備え、上記第一スイッチングデバイス信号と上記第二スイッチングデバイス信号とにより上記合成スイッチングデバイス信号が生成され、上記電力増幅器は、クラスABまたはクラスEの電力増幅器のクラスのうちの一つの複数のモード特性で動作し、上記第一キャパシタの値は、上記モードの間での動作を実行するために変更されることを特徴とする電力増幅器。上記第一スイッチングデバイスおよび上記第二スイッチングデバイスは、上記各スイッチング素子において電圧および電流を生成するために上記入力信号に応答することを特徴とする、請求項35に記載の電力増幅器。上記第一キャパシタの上記値は、第一モードでの動作をもたらすために、増加または減少のいずれかがなされることを特徴とする、請求項35に記載の電力増幅器。上記第一キャパシタの上記値は、第二モードでの動作をもたらすために、増加または減少の他方がなされることを特徴とする、請求項37に記載の電力増幅器。上記第一キャパシタの上記値を増加させることによりクラスEのモードでの動作が行われ、上記第一キャパシタの上記値を減少させることによりクラスABのモードでの動作が行われることを特徴とする、請求項35に記載の電力増幅器。第二キャパシタをさらに備え、上記第一キャパシタ、上記第二キャパシタ、および上記インダクタはPI回路に構成され、上記第一キャパシタは、上記合成スイッチングデバイス信号を受信する上記端子の反対側に位置する上記インダクタの端子と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項35に記載の電力増幅器。上記第一スイッチングデバイスおよび上記第二スイッチングデバイスが、第一トランジスタおよび第二トランジスタをそれぞれ備えることを特徴とする、請求項35に記載の電力増幅器。上記第一トランジスタデバイスおよび上記第二トランジスタデバイスが、MOSFETデバイスであることを特徴とする、請求項41に記載の電力増幅器。上記出力モジュールは、一次巻線および二次巻線を有する変圧器を含み、上記第一スイッチングデバイスおよび上記第二スイッチングデバイスは、第一出力端子および第二出力端子をそれぞれ含み、上記第一出力端子および上記第二出力端子は、上記一次巻線の第一端子および第二端子にそれぞれ接続されていることを特徴とする、請求項35に記載の電力増幅器。上記一次巻線の少なくとも一部を介して、上記第一スイッチングデバイスおよび上記第二スイッチングデバイスの上記第一出力端子および上記第二出力端子のうちの少なくとも一つと電気的に接続されている電圧源をさらに備えることを特徴とする、請求項43に記載の電力増幅器。上記電圧源と上記一次巻線の上記少なくとも一部との間に配置される電圧供給インダクタをさらに備えることを特徴とする、請求項43に記載の電力増幅器。上記電圧供給インダクタと並列の抵抗素子をさらに備えることを特徴とする、請求項45に記載の電力増幅器。