"カルシウムチタンハイドロキシアパタイトに、亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープしてなることを特徴とする光触媒。チタンTiと、亜鉛及びゲルマニウムZnGeのモル比Ti:ZnGeが、1:3~3:1である請求項1に記載の光触媒。亜鉛及びゲルマニウム並びにチタンの総量が、亜鉛、ゲルマニウム、チタン、及びカルシウムの総量に対して、5モル~15モルである請求項1から2のいずれかに記載の光触媒。亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかが、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトにおけるカルシウムIサイト及びカルシウムIIサイトの少なくともいずれかにドープされてなる請求項1から3のいずれかに記載の光触媒。共沈法により請求項1から4のいずれかに記載の光触媒を製造することを特徴とする光触媒の製造方法。浸漬法によるイオン交換によりカルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子表面に亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープし、請求項1から4のいずれかに記載の光触媒を製造することを特徴とする光触媒の製造方法。本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、環境に対して有害な金属原子を含まず、紫外光のみならず可視光を含む光に対して優れた吸収性を示し、広帯域の光に対して光触媒活性を有する高性能な光触媒及び該光触媒の製造方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に記載した通りである。即ち、開示の光触媒は、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトに、亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープしてなる。開示の光触媒の製造方法は、共沈法により開示の光触媒を製造する方法である。開示の光触媒の製造方法は、浸漬法によるイオン交換によりカルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子表面に亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープし、開示の光触媒を製造する方法である。開示の光触媒によれば、環境に対して有害な金属原子を含まず、紫外光のみならず可視光を含む光に対して優れた吸収性を示し、広帯域の光に対して光触媒活性を有する高性能な光触媒を得ることができる。開示の光触媒の製造方法によれば、環境に対して有害な金属原子を含まず、紫外光のみならず可視光を含む光に対して優れた吸収性を示し、広帯域の光に対して光触媒活性を有する高性能な光触媒を製造することができる。光触媒本発明の光触媒は、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトに、亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープしてなり、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。言い換えれば、前記光触媒は、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトを構成する金属原子の少なくとも一部が、亜鉛及びゲルマニウムの少なくといずれかにより置換されてなり、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。<カルシウムチタンハイドロキシアパタイト>前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトは、カルシウムハイドロキシアパタイトCaHAP例えば、Ca10PO46OH2のCaカルシウムの少なくとも一部がTiチタンで置換されている化合物である。前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトとしては、例えば、Ca9TiPO46OH2、Ca8TiPO46OH2などが挙げられる。前記カルシウムハイドロキシアパタイトCaHAPは、カチオンに対してもアニオンに対してもイオン交換し易いため、各種の分解対象物に対する吸着特性に優れ、特にタンパク質等の有機物に対する吸着特性に優れており、加えて、ウイルス、カビ、細菌等の微生物等に対する吸着特性にも優れ、これらの増殖を阻止乃至抑制し得る点で好ましい。なお、前記分解対象物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、その成分としては、蛋白質、アミノ酸、脂質、糖質などが挙げられる。前記分解対象物は、これらを1種単独で含んでいてもよいし、2種以上を含んでいてもよい。前記分解対象物の具体例としては、一般に、人間の皮膚に由来する汚れ成分、ゴミ、埃、汚泥、不要成分、廃液成分、土壌中乃至空気中の有害物質、汚泥、微生物、ウイルスなどが挙げられる。前記有害物質としては、例えば、アセトアルデヒドガスなどが挙げられる。前記微生物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、原核生物であってもよいし、真核生物であってもよい。また原生動物も含まれる。前記原核生物としては、例えば、大腸菌、黄色ブドウ球菌等の細菌などが挙げられる。前記真核生物としては、例えば、酵母菌類、カビ、放線菌等の糸状菌類などが挙げられる。前記ウイルスとしては、例えば、DNAウイルス、RNAウイルスなど挙げられ、具体的にはインフルエンザウイルスなどが挙げられる。これらの分解対象物は、固体状、液体状、気体状のいずれの態様で存在していてもよい。前記液体状の場合には、前記分解対象物としては、例えば、廃液、栄養液、循環液、などが挙げられる。また、前記気体状の場合には、前記分解対象物としては、例えば、空気、排ガス、循環ガス、などが挙げられる。Tiチタンが、前記カルシウムハイドロキシアパタイトCaHAPの結晶構造を構成する金属原子の一部として結晶構造中に取り込まれる置換等されること、例えば、Caカルシウムサイトの一部がTiチタンによって置換されることによって、前記光触媒の結晶構造中には、光触媒機能を発揮し得る光触媒性部分構造が形成される。このような光触媒性部分構造金属酸化物構造を有すると、光触媒活性を有し、また、アパタイト構造部分が吸着特性に優れるため、光触媒活性を有する公知の金属酸化物よりも、分解対象物に対する吸着特性に優れるため、分解作用、抗菌作用、防汚作用、カビや細菌等の増殖阻止乃至抑制作用などに優れる。<亜鉛及びゲルマニウム>前記亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかが、前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトにドープされることにより、前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの光触媒機能に、可視光を含む光に対する応答性が付与され、ドープされた前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイト、即ち、前記光触媒は、可視光を含む光に対して、優れた吸収性を示し、広帯域の光に対して光触媒活性を有する高性能な光触媒となる。前記亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかは、前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトにおけるCaカルシウムIサイト、及びCaカルシウムIIサイトの少なくともいずれかにドープされてなることが高性能な光触媒が得られる点で好ましい。なお、前記亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかが、前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトにおけるCaカルシウムIサイト、及びCaカルシウムIIサイトの少なくともいずれかにドープされていることは、X線吸収法によるX線吸収端近傍微細構造解析XANES、及び中性子線回折によるリートベルト法により確認することができる。前記亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかが、前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトにドープされてなること、特に前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトにおけるCaカルシウムIサイト、及びCaカルシウムIIサイトの少なくともいずれかにドープされてなることにより、前記光触媒が、広帯域の光に対して光触媒活性を有する高性能な光触媒となる理由については、以下の理由が考えられる。図1~図4に、第一原理バンド計算密度汎関数法法により求めた、カルシウムハイドロキシアパタイトCa10PO46OH2、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトTiCa8PO46OH2、前記光触媒に相当するZnがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトTi0.5Zn0.5Ca8PO46OH2、及び前記光触媒に相当するGeゲルマニウムがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトTi0.5Ge0.5Ca8PO46OH2のバンド構造を示す。なお、密度汎関数法により計算したバンドギャップは一般的に過小評価される傾向にあるため、実際の値より小さいと考えられる。図1に示すように、カルシウムハイドロキシアパタイトCa10PO46OH2のバンド構造は、価電子帯と伝導帯とのバンドギャップが広く、光触媒機能を示さない。図2に示すように、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトTiCa8PO46OH2のバンド構造においては、伝導帯の構造はカルシウムハイドロキシアパタイトCa10PO46OH2の伝導帯の構造と変わらずに、Tiチタンがドープされたために、新たな伝導帯2.8eV超付近が形成される。その結果、バンドギャップが狭くなっている。しかし、バンドギャップの狭帯化は十分ではなく、可視光に応答性を示すには十分ではない。一方、図3及び図4に示すように、前記光触媒に相当する、ZnがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトTi0.5Zn0.5Ca8PO46OH2、及びGeがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトTi0.5Ge0.5Ca8PO46OH2のバンド構造は、伝導帯が全体的に下がる結果、カルシウムハイドロキシアパタイトにTiチタンがドープされたことに基づく伝導帯2eV付近も下がり、バンドギャップが更に狭帯化されているため、可視光に応答性を示す。前記光触媒における、前記チタンTiと、前記亜鉛及びゲルマニウムZnGeの割合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、モル比Ti:ZnGeで、1:3~3:1が好ましく、2:3~3:2がより好ましい。前記モル比が、前記好ましい範囲外であると、前記光触媒のバンドギャップが広くなり可視光応答性が低下することがある。前記モル比が、前記より好ましい範囲内であると、高性能な光触媒が得られる点で有利である。前記光触媒における、前記亜鉛及び前記ゲルマニウム並びに前記チタンの総量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記光触媒における、亜鉛、ゲルマニウム、チタン、及びカルシウムの総量に対して、5モル~15モルであることが、高性能な光触媒が得られる点で好ましい。前記総量が、15モルを超えると、バンドギャップが広くなりすぎ、可視光応答性が低下することがある。前記光触媒における前記亜鉛、前記ゲルマニウム、前記チタン、前記カルシウムの含有量は、例えば、ICP発光分光分析装置ICP-AESを用いた定量分析をすることにより測定することができる。前記光触媒は、紫外光のみならず可視光をも吸収可能であり広帯域な光吸収性を示し、光の利用効率に優れ、各種光の照射条件下における用途に好適に使用可能である。そして、前記光触媒は、可視光及び紫外光のいずれを照射した場合においても光触媒活性が飽和することがなく、長期間にわたって優れた光触媒活性を示し、特に紫外光を長期間にわたって照射した場合においても光触媒活性が飽和することがなく優れた光触媒活性を維持可能な点で有利である。<光触媒の形状など>前記光触媒の形状、構造、大きさなどについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記形状としては、例えば、粉状、粒状、タブレット状、ロッド状、プレート状、ブロック状、シート状、フィルム状などが挙げられる。これらの中でも、取扱性などの点で粉状粉末が好ましい。前記構造としては、例えば、単層構造、積層構造、多孔質構造、コアシェル構造などが挙げられる。なお、前記光触媒の同定形態等の観察は、例えば、TEM透過型電子顕微鏡、XRDX線回析装置、XPSX線光電子分光装置、FT-IRフーリエ変換赤外分光装置、ICP発光分光分析装置ICP-AESなどを用いて行うことができる。<使用態様>前記光触媒は、それ自体単独で使用してもよいし、他の物質等と併用してもよく、液に分散等させてスラリー状などとして使用してもよい。前記スラリー状として使用する場合、その液としては、水乃至アルコール系溶媒が好ましく、このスラリーを光触媒含有スラリーとして好適に使用することができる。前記光触媒は、それ自体単独で使用してもよいし、粉砕してから、他の組成物等に混合などして混合組成物として使用してもよいし、あるいは基材等に付着、塗布、蒸着などして膜化表面被膜して使用してもよい。なお、基材等に付着、塗布、蒸着などする場合には、コーティング液を好適に使用することができる。前記粉砕の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ボールミルなどを用いて粉砕する方法などが挙げられる。前記他の組成物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、印刷用インクなどが挙げられる。前記混合の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、混練装置、攪拌装置などを用いた方法が挙げられる。前記基材の材質、形状、構造、厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、材質としては、例えば、紙、合成紙、織布、不織布、皮革、木材、ガラス、金属、セラミックス、合成樹脂などが挙げられ、形状としては、例えば、箔、フィルム、シート、板などが挙げられる。前記付着の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、噴霧法などが挙げられる。前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スプレーコート法、カーテンコート法、スピンコート法、グラビヤコート法、インクジェット法、ディップ法などが挙げられる。前記蒸着の方法としては、例えば、CVD法、スパッタ法、真空蒸着法などが挙げられる。前記コーティング液としては、前記光触媒を含有していれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記光触媒をイソプロピルアルコールIPA等に添加して得たアルコール溶液を、無機コーティング液材としての常温硬化型無機コーティング剤日本山村硝子株式会社製、商品名S00の液材と商品名UTE01の液材を、10:1で混合したものなどに添加し混合して得られたものなどが好適に挙げられる。<用途など>前記光触媒は、広帯域光吸収特性に優れるため、広帯域の光を吸収し利用可能であり、また、分解対象物に対する吸着特性に優れるため、各種の分解対象物に対する光触媒活性乃至分解対象物の分解能に優れ、該分解対象物を効率的に分解可能であり、長期間光触媒活性の低下がなく飽和せず、更に、樹脂等と混合しても該樹脂等を変質、変色、劣化等させることがなく、該樹脂から前記光触媒が剥離乃至脱離等することがない。このため、前記光触媒は、各種分野において好適に使用することができる。前記光触媒は、太陽光の照射条件下で使用される各種製品、紫外光の照射条件下で使用される各種製品などに好適に使用可能であり、具体的には、OA機器パソコンの筐体、マウス、キーボード、電子機器電話機、コピー機、ファクシミリ、各種プリンター、デジタルカメラ、ビデオ、CD装置、DVD装置、エアコン、リモコン装置など、電気製品食器洗浄機、食器乾燥機、衣類乾燥機、洗濯機、空気清浄機、加湿器、扇風機、換気扇、掃除機、厨芥処理機など、携帯情報端末PDA、携帯電話など、フィルター気体用:空気清浄機、エアコン等に使用されるものなど、液体用:水耕栽培の液処理用など、固体用:土壌改良用など、カメラ用フィルターなど、壁紙、食品容器繰返し使用タイプ、使い捨てタイプなど、医療機器衛星用品酸素吸入器のマスク部、包帯、マスク、防菌手袋など、衣料等の繊維製品、入れ歯、内外装材樹脂製、紙製、布製、セラッミク製、金属製などの内外装材;風呂、プール、建材など;人間が使用する時には蛍光灯の光が照射され、人間が使用しない時には紫外光が照射されるような医療施設用、バイオ実験室用、クリーンベンチ用など、乗り物内装材、車両用後方確認ミラ-など、吊り輪電車、バスなど、ハンドル自転車、三輪車、自動二輪車、乗用車など、サドル自転車、三輪車、自動二輪車など、靴布製、樹脂製、人工皮革製、合成樹脂製など、鞄布製、樹脂製、人工皮革製、合成樹脂製など、塗料塗膜など、汚水排水処理材例えば、多孔質シリカ中に該広帯域光吸収性光触媒を混入させたもの、シート土壌処理シートなど、バイオチップの電極有機色素との組合せによる、鏡浴室用鏡、洗面所用鏡、歯科用鏡、道路鏡など、レンズ眼鏡レンズ、光学レンズ、照明用レンズ、半導体用レンズ、複写機用レンズ、車両用後方確認カメラレンズ、プリズム、ガラス建物や監視塔の窓ガラス;自動車、鉄道車両、航空機、船舶、潜水艇、雪上車、ロープウエイのゴンドラ、遊園地のゴンドラ、宇宙船のような乗物の窓ガラス;自動車、オートバイ、鉄道車両、航空機、船舶、潜水艇、雪上車、スノーモービル、ロープウエイのゴンドラ、遊園地のゴンドラ、宇宙船のような乗物の風防ガラス;冷凍食品陳列ケースのガラス、中華饅頭等の保温食品の陳列ケースのガラスなど、ゴーグル防護用ゴーグル、スポーツ用ゴーグルなど、シールド防護用マスクのシールド、スポーツ用マスクのシールド、ヘルメットのシールドなど、カバー計測機器のカバー、車両用後方確認カメラレンズのカバー、レンズレーザー歯科治療器等の集束レンズなど、カバー車間距離センサー等のレーザー光検知用センサーのカバー、赤外線センサーのカバー、フィルム、シート、シール、ワッペンなどなどに好適に使用可能である。また、前記光触媒は、昼間は蛍光灯が照射され、夜間は殺菌及び消毒のために紫外光が照射される、医薬品、飲食品、バイオ等の実験室における、壁材、装置クリーンベンチなど、実験道具スパーテルなど、器具ビーカーなど、備品マイクロピペット用チップ、エッペンドルフチューブなどなどに好適に使用できる。前記光触媒をこれらの用途に使用すると、24時間連続して高い光触媒活性が得られ、常時、分解対象物の分解等を行うことができる点で極めて有用である。更に、前記光触媒は、クリーンルーム室内、又はクリーンルーム内の局所空間の空気浄化のため、即ち、シリコンウエハ表面に付着するとシリコンウエハ表面が疎水性になり後に成膜される膜の付着力が弱くなる原因となる有機性ガス、の分解除去に好適に使用することができる。具体的には、前記光触媒は、クリーンルームの壁材、ダクトのフィルター、器具、備品などに好適に使用できる。前記光触媒をこれらの用途に使用すると、効率的に分解対象物の分解などを行うことができる点で極めて有用である。前記光触媒の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記製造方法で製造することが好ましい。光触媒の製造方法本発明の光触媒の製造方法は、共沈法により前記光触媒を製造する方法である。また、本発明の光触媒の製造方法は、浸漬法によるイオン交換によりカルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子表面に亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープし、前記光触媒を製造する方法である。<共沈法>前記共沈法としては、Caカルシウムイオンと、Tiチタンイオンと、Zn亜鉛イオン及びGeゲルマニウムイオンの少なくともいずれかとを含有する溶液からCaと、Tiと、Zn及びGeの少なくともいずれかとを共沈させることにより前記光触媒を製造する方法であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Caイオンを含む化合物と、Tiイオンを含む化合物と、Znイオンを含む化合物及びGeイオンを含む化合物の少なくともいずれかとを混合する工程、リン酸を添加する工程、pHを調整する工程、及びエージングをする工程を少なくとも含み、好ましくは濾別する工程、洗浄する工程、乾燥する工程、アニールする工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む方法が挙げられる。-混合する工程-前記混合する工程は、Caイオンを含む化合物と、Tiイオンを含む化合物と、Znイオンを含む化合物及びGeイオンを含む化合物の少なくともいずれかとを混合する工程である。前記Caイオンを含む化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸カルシウム、硫酸カルシウムなどが挙げられる。前記硝酸カルシウムとしては、例えば、硝酸カルシウム無水物、硝酸カルシウム四水和物、硝酸カルシウム六水和物などが挙げられる。前記Tiイオンを含む化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硫酸チタンなどが挙げられる。前記硫酸チタンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硫酸チタンIV溶液などが挙げられる。前記Znイオンを含む化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸亜鉛、硫酸亜鉛などが挙げられる。前記硝酸亜鉛としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硝酸亜鉛無水物、硝酸亜鉛六水和物などが挙げられる。前記Geイオンを含む化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ヨウ化ゲルマニウムなどが挙げられる。前記混合は、水の存在下で行うことが好ましい。前記水としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、純水が好ましい。また、前記水は、脱炭酸ガス処理されていることが好ましい。前記混合は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。前記不活性ガスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、窒素ガスなどが挙げられる。-リン酸を添加する工程-前記リン酸を添加する工程は、前記混合する工程により得られた混合物にリン酸を添加する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記リン酸の添加量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。-pHを調整する工程-前記pHを調整する工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記リン酸を添加する工程により得られた混合物に塩基を添加する工程が挙げられる。前記塩基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アンモニア水などが挙げられる。前記pHを調整する工程後のpHとしては、pH8.0以上が好ましく、pH8.0~11.0がより好ましく、pH9.0~10.0が特に好ましい。-エージングをする工程-前記エージングをする工程としては、前記pHを調整する工程により得られた懸濁液をエージングする、即ち加熱する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、80°C~120°Cで1時間~10時間加熱する工程が挙げられる。前記加熱する工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、乾燥炉を用いて加熱する方法などが挙げられる。-濾別する工程-前記濾別する工程としては、前記エージングする工程の後に得られた懸濁液を濾別する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。-洗浄する工程-前記洗浄する工程としては、前記濾別する工程により得られた沈殿物を洗浄する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水で前記沈殿物を洗浄する工程が挙げられる。前記水としては、例えば、純水などが挙げられる。-乾燥する工程-前記乾燥する工程としては、前記洗浄する工程により得られた洗浄物を乾燥する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、80°C~120°Cで1時間~24時間乾燥する工程が挙げられる。-アニールする工程-前記アニールannealする工程としては、前記乾燥する工程により得られた乾燥物を、アニールする工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、600°C~800°Cで10分間~2時間加熱する工程が挙げられる。最適なアニール温度は、X線回折法で結晶構造を確認しながら選択することが好ましい。前記共沈法により、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトに、亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかがドープされた光触媒、即ち、前記光触媒が得られる。<浸漬法>前記浸漬法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Znイオンを含む化合物及びGeイオンを含む化合物の少なくともいずれかを溶解させた水溶液中に、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子を浸漬させる方法、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子の分散液中に、Znイオンを含む化合物及びGeイオンを含む化合物の少なくともいずれかを添加し溶解させる方法などが挙げられる。前記Znイオンを含む化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記共沈法の説明において記載した前記Znイオンを含む化合物などが挙げられる。前記Geイオンを含む化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記共沈法の説明において記載した前記Geイオンを含む化合物などが挙げられる。前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトとしては、市販品を用いることができる。前記カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの市販品としては、例えば、PCAP-100TiHAP、太平化学産業株式会社製などが挙げられる。前記浸漬法においては、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子と、Znイオンを含む化合物及びGeイオンを含む化合物の少なくともいずれを混合した後に、更に必要に応じて、濾別する工程、洗浄する工程、乾燥する工程、アニールする工程などを行うことができる。-濾別する工程-前記濾別する工程としては、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子と、Znイオンを含む化合物及びGeイオンを含む化合物の少なくともいずれを混合して得られた混合物を濾別する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。-洗浄する工程-前記洗浄する工程としては、前記濾別する工程により得られた沈殿物を洗浄する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水で前記沈殿物を洗浄する工程が挙げられる。前記水としては、例えば、純水などが挙げられる。-乾燥する工程-前記乾燥する工程としては、前記洗浄する工程により得られた洗浄物を乾燥する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、80°C~120°Cで1時間~24時間乾燥する工程が挙げられる。-アニールする工程-前記アニールannealする工程としては、前記乾燥する工程により得られた乾燥物を、アニールする工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、600°C~800°Cで10分間~2時間加熱する工程が挙げられる。前記浸漬法によりイオン交換がされる、即ち、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子表面におけるCa及びTiの少なくともいずれかと、Zn及びGeの少なくともいずれかとがイオン交換されることで、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子表面に亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかがドープされた光触媒、即ち前記光触媒が得られる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら制限されるものではない。なお、以下の実施例において、特に明記のない限り、は、質量を意味する。以下の実施例、及び比較例において、カルシウム、チタン、亜鉛、ゲルマニウムの含有量は、ICP発光分光分析装置ICP-AESを用いた定量分析をすることにより測定した。実施例1<Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料1の作製>図5示す合成スキームにしたがって、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトを作製した。まず、1Lの脱炭酸ガス処理をした純水を用意し、窒素雰囲気下で、その純水に対して、21.250gのCaNO324H2Oと、0.744gのZnNO326H2Oと、6.000gの30-TiSO42水溶液を混合し、撹拌した。続いて、得られた混合物に6.918gの85-H3PO4を添加し、引き続いて、25-NH3OH水溶液を添加し、系のpHを9.50に調整し、懸濁液を得た。続いて、得られた懸濁液を、100°Cで6時間エージングし、引き続いて、沈澱が生じた懸濁液を吸引濾過により濾別し、分別した沈殿物を5Lの純水で洗浄し、更に、100°Cのドライオーブンで12時間乾燥させた後に、乳鉢を用いて粉砕を行った。得られた粉末を650°Cで1時間アニールし、更に乳鉢を用いて粉砕を行うことにより、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料1を得た。得られた試料1は、亜鉛とチタンの総量が、亜鉛、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと亜鉛Znの割合が、モル比Ti:Znで3:10.75:0.25であった。<評価>得られたZnがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料1、即ち、光触媒について、以下の評価を行った。-バンドギャップの測定-前記光触媒について、紫外可視分光光度計UV-VisSpectrophotometerを用いた拡散反射法による測定により反射率を求め、以下のKubelka-Munk変換、及びTAUCプロットによるバンドギャップの計算手順例えば、http://www.an.shimadzu.co.jp/apl/an/a/a428.pdf参照に従って、バンドギャップを求めた。結果を図10に示す。実施例2実施例1において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料2を得た。得られた試料2は、亜鉛とチタンの総量が、亜鉛、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、亜鉛Znの割合が、モル比Ti:Znで1:10.5:0.5であった。得られた試料2のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図7及び図10に示す。実施例3実施例1において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料3を得た。得られた試料3は、亜鉛とチタンの総量が、亜鉛、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、亜鉛Znの割合が、モル比Ti:Znで1:30.25:0.75であった。得られた試料3のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図10に示す。実施例4実施例1において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料4を得た。得られた試料4は、亜鉛とチタンの総量が、亜鉛、チタン、及びカルシウムの総量に対して、20モルであった。また、チタンTiと、亜鉛Znの割合が、モル比Ti:Znで1:10.5:0.5であった。得られた試料4のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図10に示す。比較例1実施例1において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、カルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料5を得た。得られた試料5は、亜鉛とゲルマニウムとチタンの総量が、亜鉛、チタン、ゲルマニウム、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、亜鉛及びゲルマニウムZnGeの割合が、モル比Ti:ZnGeで1:0、即ち、亜鉛及びゲルマニウムは含まれていなかった。得られた試料5のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図9、図10、及び図11に示す。比較例2実施例1において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、Znがドープされたカルシウムハイドロキシアパタイト試料6を得た。得られた試料6は、亜鉛とチタンの総量が、亜鉛、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、亜鉛Znの割合が、モル比Ti:Znで0:1、即ち、チタンは含まれていなかった。得られた試料6のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図10に示す。実施例5<Geがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料7の作製>図6示す合成スキームにしたがって、Geがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトを作製した。まず、1Lの脱炭酸ガス処理をした純水を用意し、窒素雰囲気下で、その純水に対して、21.250gのCaNO324H2Oと、0.816gのGeI2と、6.000gの30-TiSO42水溶液を混合し、撹拌した。続いて、得られた混合物に6.918gの85-H3PO4を添加し、引き続いて、25-NH3OH水溶液を添加し、系のpHを9.50に調整し、懸濁液を得た。続いて、得られた懸濁液を、100°Cで6時間エージングし、引き続いて、沈澱が生じた懸濁液を吸引濾過により濾別し、分別した沈殿物を5Lの純水で洗浄し、更に、100°Cのドライオーブンで12時間乾燥させた後に、乳鉢を用いて粉砕を行った。得られた粉末を650°Cで1時間アニールし、更に乳鉢を用いて粉砕を行うことにより、Geがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料7を得た。得られた試料7は、ゲルマニウムとチタンの総量が、ゲルマニウム、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、ゲルマニウムGeの割合が、モル比Ti:Geで3:10.75:0.25であった。得られた試料7のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図11に示す。実施例6実施例5において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、Geがドープされたカルシウムハイドロキシアパタイト試料8を得た。得られた試料8は、ゲルマニウムとチタンの総量が、ゲルマニウム、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、ゲルマニウムGeの割合が、モル比Ti:Geで1:10.5:0.5であった。得られた試料8のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図8、及び図11に示す。実施例7実施例5において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、Geがドープされたカルシウムハイドロキシアパタイト試料9を得た。得られた試料9は、ゲルマニウムとチタンの総量が、ゲルマニウム、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、ゲルマニウムGeの割合が、モル比Ti:Geで1:30.25:0.75であった。得られた試料9のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図11に示す。比較例3実施例5において、原料の配合を表1に記載の配合に変えた以外は、実施例1と同様にして、Geがドープされたカルシウムハイドロキシアパタイト試料10を得た。得られた試料10は、ゲルマニウムとチタンの総量が、ゲルマニウム、チタン、及びカルシウムの総量に対して、10モルであった。また、チタンTiと、ゲルマニウムGeの割合が、モル比Ti:Geで0:1、即ち、チタンは含まれていなかった。得られた試料10のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した。結果を図11に示す。比較例4市販の光触媒酸化チタンST-21、石原産業社製試料11のバンドギャップを実施例1と同様にして測定した、結果を図10、及び図11に示す。<評価>-光触媒活性の測定アセトアルデヒドガス分解-実施例2で得られた試料2TiZn-HAP、実施例6で得られた試料8TiGe-HAP、及び比較例1で得られた試料5Ti-HAPについて、光触媒活性の測定を行った。まず、各試料の粉末を比表面積測定結果に基づく表面積が85.5m2となるように秤量した。そして、その秤量した試料を、上蓋が石英ガラス製の容器容積500cm3の底面に、均一なるように入れ、合成空気酸素20容量-窒素80容量で容器内部を置換した。次に、アセトアルデヒドガス濃度が1体積となるように容器内部にアセトアルデヒドを注入し、アセトアルデヒドガスが試料粉末と吸着平衡に達するまで暗所に1時間静置した。その後、下記の所定の光の照射を開始暗所静置から1時間後し、その1時間後暗所静置から2時間後、2時間後暗所静置から3時間後、及び3時間後暗所静置から4時間後に、前記容器内部のガスをシリンジで抜き取り、ガスクロマトグラフィーGC-390B、GLサイエンス社製を用いて、CO2ガス濃度を計測した。光1UVカット光1には、バンドパスフィルターBandpassfilters、L-42、旭テクノ硝子社製で420nm以下の光をカットしたキセノンランプLA-251Xe、林時計工業社製、36,200luxの光を用いた。光2光2には、キセノンランプLA-251Xe、林時計工業社製、36,200luxの光を用いた。光1を用いた光触媒活性の測定結果を図12に示す。光2を用いた光触媒活性の測定結果を図13に示す。実施例1~7の光触媒は、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトに、亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかがドープされていることにより、カルシウムチタンハイドロキシアパタイト試料5よりも、バンドギャップが低下していた。図10に示すように、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトにおいて、ドープ量が、チタンTiと亜鉛Znのモル比Ti:Znで、2:3~3:2の場合には、そのバンドギャップはより低下し、バンドギャップは、酸化チタン試料11のバンドギャップよりも小さく、かつ3.1eV以下波長に換算して約400nm以下となり、可視光に対して十分な応答性を示すことが分かった。また、図11に示すように、Geがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトにおいて、ドープ量が、チタンTiと亜鉛Geのモル比Ti:Geで、1:3~3:1の場合には、そのバンドギャップは、酸化チタン試料11のバンドギャップよりも小さく、かつ約3.1eV以下波長に換算して約400nm以下となり、可視光に対して十分な応答性を示すことが分かった。図12に示すように、アセトアルデヒドガス分解性試験の結果、420nm以下の光をカットした光可視光を照射した場合においても、実施例2で得られた試料2TiZn-HAP、即ち、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト、及び実施例6で得られた試料8TiGe-HAP、即ち、Geがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトは、高い光触媒活性を示した。一方、比較例1で得られた試料5Ti-HAP、即ち、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトは、420nm以下の光をカットした光可視光を照射した場合には、ほとんど光触媒活性を示さなかった。また、図13に示すように、紫外線を含む光キセノンランプを照射した場合においても、実施例2で得られた試料2TiZn-HAP、即ち、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイト、及び実施例6で得られた試料8TiGe-HAP、即ち、Geがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトは、比較例1で得られた試料5Ti-HAP、即ち、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトよりも高い光触媒活性を示した。実施例8<浸漬法によるZnがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトの製造>硝酸亜鉛水和物を純水に溶解し、亜鉛の濃度が1×10-4Mである硝酸亜鉛水溶液を調製した。次に、300mLビーカーに、光触媒活性を有するチタンを有してなるアパタイトとして、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトTiHAP;太平化学産業社製、PCAP-1001.5gを秤量し、前記硝酸亜鉛水溶液に添加し、混合液を調製した。該混合液をマグネティックスターラーで5分間攪拌した後、ワットマンNo.5の濾紙でアスピレータを使用して、前記混合液の吸引濾過を行った。次いで、4L~5Lの純水で洗浄した後、100°Cのオーブンで2時間乾燥して、更に650°Cにて1時間のアニールを行い、Znがドープされたカルシウムチタンハイドロキシアパタイトを得た。以上の実施例1~8を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1カルシウムチタンハイドロキシアパタイトに、亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープしてなることを特徴とする光触媒。付記2チタンTiと、亜鉛及びゲルマニウムZnGeのモル比Ti:ZnGeが、1:3~3:1である付記1に記載の光触媒。付記3チタンTiと、亜鉛及びゲルマニウムZnGeのモル比Ti:ZnGeが、2:3~3:2である付記1から2のいずれかに記載の光触媒。付記4亜鉛及びゲルマニウム並びにチタンの総量が、亜鉛、ゲルマニウム、チタン、及びカルシウムの総量に対して、5モル~15モルである付記1から3のいずれかに記載の光触媒。付記5亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかが、カルシウムチタンハイドロキシアパタイトにおけるカルシウムIサイト及びカルシウムIIサイトの少なくともいずれかにドープされてなる付記1から4のいずれかに記載の光触媒。付記6粉末である付記1から5のいずれかに記載の光触媒。付記7共沈法により付記1から6のいずれかに記載の光触媒を製造することを特徴とする光触媒の製造方法。付記8共沈法が、Caイオンと、Tiイオンと、Znイオン及びGeイオンの少なくともいずれかとを含有する溶液からCaと、Tiと、Zn及びGeの少なくともいずれかとを共沈させる方法である付記7に記載の光触媒の製造方法。付記9共沈法が、硝酸亜鉛及びヨウ化ゲルマニウムの少なくともいずれかを用いて行われる付記7から8のいずれかに記載の光触媒の製造方法。付記10浸漬法によるイオン交換によりカルシウムチタンハイドロキシアパタイトの粒子表面に亜鉛及びゲルマニウムの少なくともいずれかをドープし、付記1から5のいずれかに記載の光触媒を製造することを特徴とする光触媒の製造方法。"