ターゲット100と、陰極アセンブリ102とを備えたX線管14であって、前記陰極アセンブリ102は、前記ターゲット100へ向けて第一の電子ビーム116を放出するように構成されている第一のフィラメント106と、該第一のフィラメント106に結合されている第一のグリッド制御電極112と、前記ターゲット100へ向けて第二の電子ビーム120を放出するように構成されている第二のフィラメント110と、該第二のフィラメント110に結合されている第二のグリッド制御電極114とを含んでいる、X線管14。前記陰極アセンブリ102は、第一の導線122を介して前記第一のグリッド制御電極112に第一のグリッド制御電圧を、また第二の導線124を介して前記第二のグリッド制御電極114に第二のグリッド制御電圧を選択的に印加するように構成されている、請求項1に記載のX線管14。前記陰極アセンブリ102は、第一の管電圧が当該陰極アセンブリ102と前記ターゲット100との間の間隙に跨がって印加されているときには第一の望ましい放出を達成し、第二の管電圧が当該陰極アセンブリ102と前記ターゲット100との間の前記間隙に跨がって印加されているときには第二の望ましい放出を達成するために、前記第一及び第二の電子ビーム116、120の放出を制御するように前記第一及び第二のグリッド制御電圧を選択的に印加するように構成されている、請求項2に記載のX線管14。前記第一及び第二のフィラメント106、110からの前記放出は、前記ターゲット100に一つの焦点スポット118を形成するように同時に生ずる、請求項1に記載のX線管14。前記陰極アセンブリ102は、放出が前記第一のフィラメント106及び前記第二のフィラメント110の一方のみから生ずるように構成されている、請求項1に記載のX線管14。前記第二のグリッド制御電極114は、前記第一のグリッド制御電極112から独立に制御可能である、請求項1に記載のX線管14。前記第一のフィラメント106及び前記第二のフィラメント110は、前記第一の電子ビーム116及び前記第二の電子ビーム120が両方とも前記ターゲットの同じ焦点スポット位置118に入射するように、予め決められた位置に向けて前記第一の電子ビーム116及び前記第二の電子ビーム120を放出するように配置されている、請求項1に記載のX線管14。それぞれのグリッド制御電極112に近接して配置されて、各々のそれぞれの電子ビーム116がオフにグリッド制御されていないときにそれぞれの電圧によりバイアスされる集束及び偏向電極の一つ113をさらに含んでいる請求項1に記載のX線管14。前記第一のグリッド制御電極112は、複数の桟材304を含む一次元メッシュ302を含んでいる、請求項1に記載のX線管14。前記複数の桟材304の各々の桟材が、前記第一のフィラメント106の巻線の間のそれぞれの間隙312に整列している、請求項9に記載のX線管14。前記陰極アセンブリ102は、当該陰極アセンブリ102に印加される管電圧レベルが前記第一のフィラメント106及び前記第二のフィラメント110の両方ともに印加されるように構成されている、請求項1に記載のX線管14。以下の段落では、本発明の主題である改善された電子ビーム制御方法を具現化するCTシステムについてのさらに詳細な説明を掲げる。但し、本発明はCTシステムに限定されず、1又は複数のX線管を含む全ての形式のイメージングシステムに適用され得ることを理解されたい。CTイメージングシステムは、エネルギ識別能力、多重エネルギ能力、又は二重エネルギ能力を含む場合がある。測定を得るための手法として、2種の別個のエネルギスペクトルによる走査を行なって、検出器でのエネルギ堆積によってフォトンエネルギを検出するものが挙げられる。システムは、入射したX線の低エネルギ部分及び高エネルギ部分に基づいてエネルギ識別及び物質の特徴評価を提供することができる。医用CTの所与のエネルギ領域では、二つの物理的過程すなわち1コンプトン散乱、及び2光電効果がX線減弱を支配する。従って、当技術分野で公知のように、二つのエネルギ領域からの検出信号が、被撮像物質のエネルギ依存性を分解して2種の仮想的な物質で構成される対象の相対的な組成を決定するのに十分な情報を提供する。従来の第三世代CTシステムは、放出されるX線ビームを構成する入射フォトンのエネルギのピーク及びスペクトルを変化させた異なるピークキロボルト数kVpレベルにおいて、相次いで投影を取得することができる。すると、二つの走査が、1時間的に逐次的に連続して取得されて、走査が被検体の周りの2回の回転を含むか、又は2管が例えば80kVp電位及び140kVp電位において動作するようにして回転角度の関数としてインタリーブされて取得されて、被検体の周りの一回転を必要とするかの何れかとなる。相次いで走査を行なうと、得られるデータは取得と取得との間の対象の僅かな運動のため位置ずれを生ずる場合がある。しかしながら、高周波発生器によって、交互のビュー毎にX線源の管電圧又は電位を切り換えることが可能になった。結果として、二つのエネルギ感知型走査についてのデータを数秒間で離隔して形成された二つの別個の走査として得るのではなく、時間的にインタリーブされた態様で得ることができる。このように、幾つかの撮像応用においては、マイクロ秒又はマイクロ秒未満での電子ビームの電流変調及び/又はグリッド制御を生じて、時間的にインタリーブされた走査データを取得し得るようにすることが望ましい。幾つかの技術は、電子ビーム電流を増大させたり減少させたりすることが可能であるが、かかる技術は、放出器温度、従って放出されるビーム電流を変化させることにより電流変調を達成する。かかる電流変調過程は、放出器の熱時定数のため緩慢である。すなわち、フィラメントの蓄熱容量thermalmassのため、マイクロ秒の時間尺度でこのアプローチによって有意の電流変調を達成するのは不可能である。高速の電流応答時間を達成するために、グリッド制御gridding技術を用いて、介在型グリッド又は非介在型グリッドの何れかを介して電子ビームの動作を静電的に制御して電流を変調させることができる。しかしながら、典型的には、高電圧が高まる又は低くなると、放出器表面における電場がそれぞれ高まる又は低くなる結果として電流は呼応して増大し又は減少し、このことは典型的に望ましい傾向とは逆である。すなわち、電圧が高まると電流が小さくなり、また反対になることが典型的には望ましい。検出器表面において十分なX線束を得るためには、電圧が低いときに電流が高まることが望ましい。というのは、物質のX線減弱係数は入射X線ビームのエネルギが高まるほど減少するからである。低い管電圧での動作について、電流又は管mAは高い方が典型的には望ましく、幾つかの応用では一例として80kVにおいて1000mA以上であることが望ましい。呼応して、140kVでは、電流又は管mAが低く、750mA以下であることが典型的には望ましい。現在の管では、フィラメント温度を高めることにより高放出を達成することが可能である。しかしながら、前述のようにこの過程は緩慢であり、フィラメントの温度変化の時間的な応答はミリ秒の範囲にある。第二に、フィラメントの温度を高めると、フィラメントの寿命が短縮し又は制限され得る。このように、高速kV切り換え動作については、システム動作及び寿命の要件のため、この高速kV切り換え動作の低管電圧動作時に望ましい電流での性能が制限され得る。従って、X線撮像装置において、放出器の寿命を損なわずに高電流放出を達成しつつ電子ビームのマイクロ秒電流変調が可能な装置及び方法を提供し得ると望ましい。本発明の各実施形態は、X線撮像装置において電子ビームの電流を変調することを提供することにより上述の欠点を克服する装置及び方法を提供する。本発明の一観点によれば、X線管が、ターゲットと、陰極アセンブリとを含んでいる。陰極アセンブリは、ターゲットへ向けて第一の電子ビームを放出するように構成されている第一のフィラメントと、第一のフィラメントに結合されている第一のグリッド制御電極と、ターゲットへ向けて第二の電子ビームを放出するように構成されている第二のフィラメントと、第二のフィラメントに結合されている第二のグリッド制御電極とを含んでいる。本発明のもう一つの観点によれば、多重エネルギ撮像の方法が、第一のX線管電圧レベルに基づいて第一のX線管電流を決定し、第二のX線管電圧レベルに基づいて第二のX線管電流を決定するステップと、第一のフィラメントに第一のフィラメント電流を印加し、第二のフィラメントに第二のフィラメント電流を印加するステップと、第一のフィラメント及び第二のフィラメントを収容する陰極アセンブリに第一のX線管電圧レベル及び第二のX線管電圧レベルを交互に印加するステップと、第一及び第二のフィラメントからの放出が管電圧に合わせてそれぞれ別個に制御可能となるように、陰極-陽極間隙に跨がる第一及び第二のX線管電圧レベルの印加時に、それぞれの第一及び第二のグリッド制御電極に第一及び第二のグリッド制御電圧を選択的に印加するステップと、焦点スポットにおいて発生されるX線から撮像情報を取得するステップと、この撮像情報を用いて画像を形成するステップとを含んでいる。本発明のさらにもう一つの観点では、イメージングシステムが、走査される対象を収容する開口を有するガントリと、ガントリに結合されて、開口を通してX線を投射するように構成されているX線源とを含んでいる。X線源は、ターゲットと、陰極アセンブリとを含んでいる。陰極アセンブリは、ターゲットへ向けて第一の電子ビームを放出するように構成されている第一のフィラメントと、第一のフィラメントに結合されている第一のグリッド制御電極と、ターゲットへ向けて第二の電子ビームを放出するように構成されている第二のフィラメントと、第二のフィラメントに結合されている第二のグリッド制御電極とを含んでいる。このシステムは、第一の管電圧レベル及び第二の管電圧レベルへの陰極アセンブリの通電時に陰極アセンブリから放出される電子によって発生されるX線から撮像データを取得して、取得された撮像データを用いて画像を形成するように構成されている制御器を含んでいる。他の様々な特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。X線源の応用としては、X線イメージングシステムにおいて用いられる撮像、医療、警備、及び産業検査の各応用等がある。本発明の動作環境を64スライス型計算機式断層写真法CTシステムに関して説明する。しかしながら、当業者には、本発明が他のマルチスライス型構成での利用にも同等に適用可能であることを認められよう。本発明は、CTシステムに限定されず、1又は複数のX線管を含む全ての形式のイメージングシステムに適用され得る。本発明を第三世代CTスキャナに関して説明するが、本発明は他のCTシステムでも同等に適用可能である。図1及び図2には、計算機式断層写真法CTイメージングシステム10が、第三世代CTスキャナに典型的なガントリ12を含むものとして示されている。ガントリ12はX線源14を有し、X線源14は、ガントリ12の反対側に位置する検出器アセンブリ又はコリメータ18へ向けてX線ビーム16を投射する。本発明の各実施形態では、X線源14は静止ターゲット又は回転ターゲットの何れかを含んでいる。検出器アセンブリ18は、複数の検出器20及びデータ取得システムDAS32によって形成されている。複数の検出器20は、患者22を透過する投射X線を感知し、DAS32は後続の処理のためにデータをディジタル信号へ変換する。各々の検出器20が、入射X線ビームの強度を表わし従って患者22を透過した減弱後のビームを表わすアナログ電気信号を発生する。X線投影データを取得するための1回の走査の間に、ガントリ12及びガントリ12に装着されている構成部品は回転中心24の周りを回転する。ガントリ12の回転及びX線源14の動作は、CTシステム10の制御機構26によって制御される。制御機構26は、X線源14に電力及びタイミング信号を供給するX線制御器28及び発生器29と、ガントリ12の回転速度及び位置を制御するガントリモータ制御器30とを含んでいる。画像再構成器34が、標本化されてディジタル化されたX線データをDAS32から受け取って高速再構成を実行する。再構成された画像はコンピュータ36への入力として印加され、コンピュータ36は大容量記憶装置38に画像を記憶させる。コンピュータ36はまた、キーボード、マウス、音声作動式制御器、又は他の任意の適当な入力装置のような何らかの形態の操作者インタフェイスを有するコンソール40を介して、操作者から命令及び走査用パラメータを受け取る。付設されている表示器42によって、操作者は、再構成された画像及びコンピュータ36からのその他のデータを観測することができる。操作者が供給した命令及びパラメータはコンピュータ36によって用いられて、DAS32、X線制御器28及びガントリモータ制御器30に制御信号及び情報を供給する。加えて、コンピュータ36は、電動テーブル46を制御するテーブルモータ制御器44を動作させて、患者22及びガントリ12を配置する。具体的には、テーブル46は患者22を図1のガントリ開口48を通して全体として又は部分的に移動させる。図3に示すように、検出器アセンブリ18は、コリメート用ブレード又はプレート19を間に配置したレール17を含んでいる。プレート19は、X線ビームが例えば検出器アセンブリ18に配置された図4の検出器20に入射する前にX線16をコリメートするように配置される。一実施形態では、検出器アセンブリ18は57個の検出器20を含んでおり、各々の検出器20が64×16のアレイ寸法のピクセル素子50を有している。結果として、検出器アセンブリ18は64列の横列及び912列の縦列16x57個の検出器を有し、これによりガントリ12の各回の回転によって64枚の同時スライスのデータを収集することを可能にしている。図4を参照すると、検出器20はDAS32を含んでおり、各々の検出器20が、パック51として構成されている多数の検出器素子50を含んでいる。検出器20は、検出器素子50に対してパック51の内部に配置されたピン52を含んでいる。パック51は、複数のダイオード59を有する背面照射型ダイオードアレイ53の上に配置されている。次に、背面照射型ダイオードアレイ53は多層基材54の上に配置されている。スペーサ55が多層基材54の上に配置されている。検出器素子50は背面照射型ダイオードアレイ53に光学的に結合され、次に背面照射型ダイオードアレイ53は多層基材54に電気的に結合される。軟質フレックス回路56が、多層基材54の面57及びDAS32に取り付けられている。検出器20は、ピン52の利用によって検出器アセンブリ18の内部に配置される。一実施形態の動作時には、検出器素子50の内部に入射するX線がフォトンを発生し、フォトンがパック51を横断することによりアナログ信号を発生して、この信号が背面照射型ダイオードアレイ53の内部のダイオードにおいて検出される。発生されるアナログ信号は、多層基材54を通り、フレックス回路56を通ってDAS32まで運ばれて、ここでアナログ信号がディジタル信号へ変換される。図5は、図1及び図2に示すシステム10の一実施形態の各部を示す。システム10は上述のように、X線源14と、X線制御器28及び発生器29を含む制御器26と、コンピュータ36とを含んでいる。X線源14は、ターゲット100ターゲットの縁端に隣接する視点から示すと陰極アセンブリ102とを含んでおり、両者の間に間隙が形成されている。陰極アセンブリ102は、第一のフィラメント106を有する第一のフィラメントカップ104と、第二のフィラメント110を有する第二のフィラメントカップ108とを含む。フィラメント106、110は同寸法であるように図示されているが、当業者は、第一及び第二のフィラメント106、110は必ずしも同寸法でなくてもよく、一つの小型フィラメント及び一つの大型フィラメントとして構成され得ることを認められよう。かかる態様において、各フィラメントは一例では、所期のmA放出に応じた寸法とされ、一方のフィラメントが低管電圧動作向けに設計され、他方のフィラメントが高管電圧動作向けに設計され得る。本発明の各実施形態によれば、各々のフィラメントカップ104、108が、それぞれのフィラメント106、110をグリッド制御する能力を含む。フィラメントをグリッド制御する能力は、当技術分野では理解されるように、典型的にはフィラメントに関して僅かに負電圧である電圧を印加して、フィラメントから放出される電子がグリッドに偏向されるようにすることを含んでおり、従って電子がターゲットに入射しないように急速にオフに切り換えることを可能にする。グリッド制御に用いられる電圧は典型的には、数千ボルト程度までであるので、応答時間はマイクロ秒程度となり、このようにして、当技術分野では他の場合であればmAとして指定されていた管電流の迅速で効率よい変調を可能にする。図5は、フィラメント106、110から放出される電子ビームに近接して配置された管電流又はmAグリッド制御電極の図を含んでいる。但し、電子の経路に配置される一次元グリッドを含む他の実施形態も同等に適用可能であり、このことについては後にあらためて説明する。第一のフィラメントカップ104は、第一のフィラメント106に近接して第一の対のmAグリッド制御電極112を含む。第二のフィラメントカップ108も同様に、第二のフィラメント110に近接して第二の対のmAグリッド制御電極114を含む。第一のフィラメント106は、焦点スポット118へ向けて第一の電子ビーム116を放出するように配置され、第二のフィラメント110は、焦点スポット118へ向けて第二の電子ビーム120を放出するように配置される。各々の一対のグリッド制御電極112、114が、グリッド制御電圧を各フィラメントに適用するように構成される。第一のフィラメント106のmAグリッド制御電極112は線122を介してX線制御器28に結合され、第二のフィラメント110のmAグリッド制御電極114は線124を介してX線制御器28に結合される。発生器29は、高電圧線126を介して陰極アセンブリ102に結合される。かかる態様で、高及び低管電圧を高電圧線126を介して陰極アセンブリ102に、選択的に、独立に、且つ交互に印加することができる。従って、各々のフィラメント106、110に印加される電圧は、高電圧線126を介して、またグリッド制御電極112、114を介して、選択的に且つ独立に制御され印加され得る。当業者は、本書に記載される動作は必ずしも単一のX線管構成に限定されず、任意のX線管構成に適用可能であることを認められよう。例えば、一実施形態ではX線管が接地陽極を有していてもよいし、もう一つの実施形態ではX線管は正電圧が陰極に印加され負電圧が陽極に印加される二極構成として動作してもよい。第一及び第二のmAグリッド制御電極112、114に印加されるグリッド制御電圧は典型的には、数百ボルトと数千ボルトとの間にある。各々の一対のmAグリッド制御電極112、114はそれぞれ一対の電極として図示されているが、グリッド制御電極は代替的には各々単体の電極であってもよいことを理解されたい。換言すると、一例として、mAグリッド制御電極112は開口又はアパーチャを有し、この開口又はアパーチャを通して電子を焦点スポット118へ向けて通過させるようにした単体であってよい。また、各々のグリッドに加えて、追加の集束及び偏向電極を設けて、さらに集束及び偏向を行なってもよいことを理解されたい。これにより、2本のビームを同時に動作させることにより生じ得る焦点スポット及び位置のシフトを補償する能力が提供される。動作について述べると、本発明の各実施形態によれば、X線管14の陰極アセンブリ102は、広いダイナミックレンジのmAを与えることが可能である。ダイナミックレンジの低域側端部では、第一及び第二の電子ビーム116、120の一方が、それぞれの第一及び第二の対のmAグリッド制御電極112、114を介して完全にオフにグリッド制御され、第一及び第二の電子ビーム116、120の他方が、それぞれの第一及び第二の対のmAグリッド制御電極112、114の他方を介して完全にオンとなるか、又は部分的に若しくは完全にオフにグリッド制御され得る。すると、管電圧又はエネルギレベルが低電圧レベルから高電圧レベルまで急速に切り換えられるのに伴って、mA又は焦点スポット118へのフィラメント放出は、フィラメントの一方又は両方からの放出を実質的にカットするグリッド制御電圧を介して呼応して制御され得る。かかる態様で、焦点スポット118への放出は、ゼロmAまでカットされてもよいし、例えば5mAのような低mAまでカットされてもよい。mAのダイナミックレンジの他端すなわち高域側端部では、合計mAが例えば1000mAを上回るようにするために、両方の電子ビーム116、120が焦点スポット118へ向けて同時に放出されるようにすることができる。当技術分野では理解されるように、各々の電子ビーム116、120は、各々のそれぞれのフィラメント106、110の動作温度を最大化することにより最大化され得る。さらに、焦点スポット118における合計mAは、グリッド電極112、114に位置する各々の可能な集束電極に印加される集束電圧を選択的に制御することにより、可変的に又は無限に制御され得る。すると、本発明の各実施形態によれば、ゼロmAフィラメント106、110を両方とも完全にグリッド制御するから完全mAグリッド制御せずに各々のフィラメント106、110から最大放出を行なうに到る完全なダイナミックレンジを実現することができる。このように、管電圧が高管電圧から低管電圧まで急速に切り換えられるのに伴って、合計焦点スポットmAも同様に、対応する低mA及び高mAまで所望に応じて急速に変調され得る。従って、高mAが実現され得るような態様でフィラメント106、110を組み合わせた組から、合計mAを焦点スポット118に放出することができる。空間電荷のため、2本のビームは両方ともオンにされると互いに影響し合う。これにより、ビームの位置又はビームの焦点スポット寸法の何れかがシフトする。この位置及び/又は焦点スポット寸法のシフトは、シミュレーション又は実測の何れかを介して特性決定され得る。このシフトを補償する一つの方法は、CTの画像再構成時にこれらの影響を較正して補償するものである。補償するもう一つの方法は、各々の電子ビーム116、120の位置及び/又は形状を独立に制御し得る機構を設けることである。このことは、グリッド制御電極112、114に近接して選択随意で配置され得るそれぞれの集束及び偏向電極113、115を介して達成され得る。こうすることにより、両方の位置及び形状が重なり合って焦点スポット118を形成するように各々の位置及び/又は形状を独立に制御することができる。一実施形態では、集束及び偏向電極の各々の対を、これらの電極に差電圧が印加され得るように互いから切り離してもよい。このように、追加の電極113、115を各々のフィラメント106、110の近傍に設けて、当技術分野で理解されているような作用範囲を提供することができる。換言すると、図示のような電極112、114の対は、焦点スポット118を形成するように用いられるときにmA変調、ビーム成形、及びビーム配置を含めて多数の作用範囲を提供することができる。しかしながら、多数の電極113、115を別個に設けて、当技術分野で理解されるように焦点スポット配置、グリッド制御、長さ、幅、偏向、及び形状の制御を独立に制御することもできる。すると、画像再構成は、所載のように各電極を用いて独立に調節され得る焦点スポット形状及び焦点スポット寸法等を補償することにより強化され得る。かかる補償は、システム10の制御器28が焦点スポット形状、焦点スポット寸法、又は両方を特性決定した後に生じ得て、次いで電極に印加される電圧を呼応して調節する。各々のフィラメント106、110からの放出は、例えば以下の実施形態に従って変調され得る。一実施形態では、フィラメント106、110を両方とも最高フィラメント温度に設定し、次いで、上述のようにグリッド制御電極112、114を介して別個に変調することができる。かかる態様では所載のように、焦点スポット118に放出される合計mAは、約ゼロmAから、1000mAを超える場合もあり各々のフィラメント106、110の最高温度設定点によってのみ限定される最大値両方のフィラメント106、110がグリッド制御されていないときまで動的に及び得る。このように、例えばそれぞれの対の電極112、114にグリッド制御電圧を与える能力によってのみ限定されるmA変調速度一例として典型的には1マイクロ秒程度を可能にしつつ、極端な動作のための最大mAを達成することができる1000mA以上。もう一つの実施形態では、一方のフィラメントを最高フィラメント温度に設定し、他方のフィラメントを最高温度の部分数に設定することができる。例として述べると、最高温度は低管電圧における望ましいmAに基づいて選択され、最高温度の部分数は高管電圧における望ましいmAに基づいて選択され得る。かかる態様で、グリッド制御電圧を低及び高管電圧の高速切り換えと共に印加することができ、グリッド制御動作は単純なオンオフ動作となり、従ってマイクロ秒程度の応答mA変調を高速管電圧切り換えと共に可能にすることができる。一実施形態によれば、各フィラメントの寸法を、低kVp動作及び高kVp動作、並びにフィラメント106、110の対応する放出に対応するようなものにすることができる。このようにして、フィラメント106、110を絶えず最高温度に保ち、次いで低及び高管電圧切り換えに対応して別個にグリッド制御することができる。一例として、第一のフィラメント106は第二のフィラメント110に対して小型のフィラメントであってよい。すると、第一のフィラメント106を高管電圧/低mA動作に対応する温度に設定し、第二のフィラメント110を低管電圧/高mA動作に対応する温度に設定することができる。従って、低管電圧から高管電圧への切り換えが生ずるのに伴って、グリッド制御を呼応して制御することができる。このように、フィラメントを、当技術分野では理解されるように例えば所期のmA、焦点スポット寸法、形状、及び偏向の各能力に基づく適正な寸法とすることができる。さらに、この実施形態はまた、迅速で効率よいmA変調を高速管電圧切り換えと共に可能にしつつ、所載のようにmA放出の両極端が約ゼロmAから1000mA以上にわたる完全ダイナミックレンジを達成することを可能にする。もう一つの実施形態によれば、放出及びmA変調を、負荷サイクル制御方式を介して制御することができる。この動作について述べると、各々のフィラメント106、110を例えば最大放出に設定して、一方又は両方のグリッド制御電極の対を図6に示すような高速電圧パルス列に接続することができる。図6を参照して述べると、第一の負電圧202から第二の負電圧204にわたる電圧パルス列200がグリッド制御電極112、114に印加され得る。電圧パルス列200は、第一の負電圧202にある第一のパルス集合206と、第二の負電圧204にある第二のパルス集合208とを含んでいる。第一のパルス集合206の各々のパルスがパルス幅210を含んでおり、パルス206は、図示のように繰り返しサイクル212にわたって繰り返すパルスのパターンとして設定される。パルス206、208は、第一及び第二の負電圧202、204、パルス幅210、並びに繰り返しサイクル212の合計時間に基づく大きさ216を有する平均電圧214を生ずる。当業者は、図示の平均電圧214はこのように負荷サイクルの関数として一般に表現され得ることを認められよう。従って、当業者は、電圧パルス列200の電極への印加が、パルス206、208の幅を考慮に入れ、またピーク負電圧204及び谷電圧202を考慮に入れてピークmA及び負荷サイクルの関数として一般に表現され得る合成mAを生ずることを認められよう。例えば、一例として、平均mAは、1第二のパルス集合208の負荷サイクルを第二の負電圧204倍したものに、2第二のパルス集合208の負荷サイクルを第一の負電圧202倍したものを1から減じたものを加えたもの[第二のパルス集合の負荷サイクル×第二の負電圧][1-第二のパルス集合の負荷サイクル×第一の負電圧]の関数として表現され得る。図5ではX線管14は、同図に図示されており焦点スポット118へ向けてそれぞれの第一及び第二の電子ビーム116、120を放出するように配置されている2個のフィラメント106、110を有するものとして示されているが、それぞれの電子ビームを焦点スポット118へ向けるように全てが配置され得る1又は多数の付加的なフィラメントを含めてもよいことを理解されたい。このように、本書の記載と一致して、各々のフィラメントは、複数の電子ビームが焦点スポット118へ向けられるように陰極アセンブリの内部のそれぞれのフィラメントカップに配置され得る。一実施形態図示されていないでは、10個のフィラメントが、各々が焦点スポット118へ向けてそれぞれの電子ビームを放出するように、図5の陰極アセンブリ102のような陰極アセンブリの内部に配置される。電圧パルス列200はグリッド制御電極に印加され得る。すると、フィラメントからの放出が呼応して制御され得る。一例では、200マイクロ秒のCT取得ビューの窓において、多数のサイクルを有するパルス列を介してグリッド制御電極を制御することができ、従って上述のようにグリッド制御電極に印加される電圧を制御すると応答時間をマイクロ秒の単位にすることができる。上述のような電極112又は114のような一対のグリッド制御電極の代わりに、一次元グリッド制御電極を用いてmA放出をグリッド制御してもよい。ここで図7を参照して述べると、本発明の各実施形態によれば、図5のフィラメント106又は110のようなフィラメント300が、フィラメント300の近傍に一次元1Dグリッド302を配置することによりグリッド制御され得る。上のグリッド制御電極112、114の場合と同様に、グリッド制御電圧は、オンオフ動作又は負荷サイクルの何れかを用いて1Dグリッド302に印加され得る。すると、フィラメント300からのmAを、所載のような1Dグリッド302に印加される電圧を介して制御することができる。一実施形態によれば、1Dグリッド302の桟材304が、フィラメント300からの放出に最小の影響を及ぼすように配置され得る。当技術分野で公知のように、フィラメント300からの放出は各々のフィラメントコイル306から一様に行なわれるのではなく、限定しないが例として述べるとコイル径308、フィラメント桟材の径310、及びフィラメントに印加されるkVを含む多数の設計パラメータ及び動作パラメータの関数となる。フィラメント300からの電子放出のプロファイルは、かかる設計パラメータ及び動作パラメータに基づいて、例えば経験的に又はコンピュータモデルによって決定されることができ、このプロファイルを用いて、放出が各々の桟材306の位置の関数として最小となる位置を決定することができる。決定された電子放出のプロファイルに基づいて、電圧が1Dグリッド302に印加されていないときにはフィラメント300からの放出が最小の影響を受けるように1Dグリッド302をフィラメント300に関して配置することができる。一例として、最小の放出が桟材の間312の等距離の位置に生ずるような一実施形態では、1Dグリッド302は、それぞれの桟材314が、対応する桟材316の間の等距離に最小放出位置が位置するように配置される。もう一つの実施形態では、桟材316は、コイル306の間の等距離に配置されるのではなく、代替的にこの配置から軸方向にずれて、前述のように経験的に又はコンピュータモデルによって決定されるような最小の放出を有する位置に配置される。さらにもう一つの実施形態では、1Dグリッド302は、桟材314によって形成される仮想的な平坦な表面が、電子が桟材314の間を通過する電子に対して全体的に垂直になるように配置され得る。但し、本発明はこのように限定されている訳ではなく、1Dグリッド302は、桟材314が傾き又は斜面を有し、電子が桟材314の間を通過するときに電子に対して全体的に垂直でなく数度以上傾斜するように配置されてもよい。従って、1Dグリッド302は、前述のようにmAをグリッド制御する能力を与えつつグリッド302からの放出時に電子の放出に最小の影響を与えるように選択的に配置され得る。図8は、非侵襲型小包検査システムと共に用いられるX線システム500の見取り図である。X線システム500は、小包又は手荷物を通過させ得る開口504を有するガントリ502を含んでいる。ガントリ502は、X線管506のような高周波電磁エネルギ源と、検出器アセンブリ508とを収容している。また、コンベヤシステム510が設けられており、コンベヤシステム510は、構造514によって支持されており走査のために小包又は手荷物516を自動的に連続的に開口504に通すコンベヤベルト512を含んでいる。物体516をコンベヤベルト512によって開口504に送り込み、次いで撮像データを取得し、コンベヤベルト512によって開口504から小包516を除去することを、制御された連続的な態様で行なう。結果として、郵便物検査官、手荷物積み降ろし員及び他の警備人員が、爆発物、刃物、銃及び密輸品等について小包516の内容を非侵襲的に検査することができる。当業者は、ガントリ502が静止型であっても回転式であってもよいことを認められよう。ガントリ502の場合には、システム500は、手荷物走査若しくは他の産業応用、又は医療応用向けのCTシステムとして動作するように構成され得る。開示される方法及び装置の技術的寄与は、これらの方法及び装置がコンピュータ実装型の電子ビーム放出の制御を提供することである。本発明の一実施形態によれば、X線管が、ターゲットと、陰極アセンブリとを含んでいる。陰極アセンブリは、ターゲットへ向けて第一の電子ビームを放出するように構成されている第一のフィラメントと、第一のフィラメントに結合されている第一のグリッド制御電極と、ターゲットへ向けて第二の電子ビームを放出するように構成されている第二のフィラメントと、第二のフィラメントに結合されている第二のグリッド制御電極とを含んでいる。本発明のもう一つの実施形態によれば、多重エネルギ撮像の方法が、第一のX線管電圧レベルに基づいて第一のX線管電流を決定し、第二のX線管電圧レベルに基づいて第二のX線管電流を決定するステップと、第一のフィラメントに第一のフィラメント電流を印加し、第二のフィラメントに第二のフィラメント電流を印加するステップと、第一のフィラメント及び第二のフィラメントを収容する陰極アセンブリに第一のX線管電圧レベル及び第二のX線管電圧レベルを交互に印加するステップと、第一及び第二のフィラメントからの放出が管電圧に合わせてそれぞれ別個に制御可能となるように、陰極-陽極間隙に跨がる第一及び第二のX線管電圧レベルの印加時に、それぞれの第一及び第二のグリッド制御電極に第一及び第二のグリッド制御電圧を選択的に印加するステップと、焦点スポットにおいて発生されるX線から撮像情報を取得するステップと、この撮像情報を用いて画像を形成するステップとを含んでいる。本発明のさらにもう一つの実施形態によれば、イメージングシステムが、走査される対象を収容する開口を有するガントリと、ガントリに結合されて、開口を通してX線を投射するように構成されているX線源とを含んでいる。X線源は、ターゲットと、陰極アセンブリとを含んでいる。陰極アセンブリは、ターゲットへ向けて第一の電子ビームを放出するように構成されている第一のフィラメントと、第一のフィラメントに結合されている第一のグリッド制御電極と、ターゲットへ向けて第二の電子ビームを放出するように構成されている第二のフィラメントと、第二のフィラメントに結合されている第二のグリッド制御電極とを含んでいる。このシステムは、第一の管電圧レベル及び第二の管電圧レベルへの陰極アセンブリの通電時に陰極アセンブリから放出される電子によって発生されるX線から撮像データを取得して、取得された撮像データを用いて画像を形成するように構成されている制御器を含んでいる。本発明の各実施形態は好適な実施形態に関して説明されており、明示的に述べた以外の均等構成、代替構成及び改変が可能であり特許請求の範囲内に含まれることを認められよう。