"基板と、前記基板上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成され、非晶質と結晶からなる真性半導体層と、前記真性半導体層上に形成された第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層上に形成された第2電極と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層のうちp型の半導体層と、前記真性半導体層の間に形成され、p型の非晶質層である界面層と、を備え、前記界面層は、不純物としてボロンを含有する薄膜太陽電池。請求項1に記載の薄膜太陽電池において、前記界面層の厚さは、5nm以上40nm以下である薄膜太陽電池。請求項2に記載の薄膜太陽電池において、前記界面層の厚さは、5nm以上20nm以下である薄膜太陽電池。請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池において、前記界面層の不純物濃度は、2×1018cm-3以上2×1019cm-3以下である薄膜太陽電池。基板上に第1導電型半導体層を形成する工程と、前記第1導電型半導体層上に、非晶質と結晶の混晶である真性半導体層を形成する工程と、前記真性半導体層上に第2導電型半導体層を形成する工程と、を備え、さらに、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層のうちp型の半導体層を形成する工程と、前記真性半導体層を形成する工程の間に、p型の非晶質層である界面層を、原料ガス中のジボラン濃度が、シランに対して20ppm以上200ppm以下で形成する工程を備える薄膜太陽電池の製造方法。請求項5に記載の薄膜太陽電池の製造方法において、前記界面層を形成する工程と、前記p型の半導体層を形成する工程を、同一の処理槽内で行う薄膜太陽電池の製造方法。薄膜太陽電池には、光電変換効率をさらに高めることが求められている。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光電変換効率が高い薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明によれば、基板と、前記基板上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成され、非晶質と結晶からなる真性半導体層と、前記真性半導体層上に形成された第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層上に形成された第2電極と、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層のうちp型の半導体層と、前記真性半導体層の間に形成され、p型の非晶質層である界面層と、を備え、前記界面層は、不純物としてボロンを含有する薄膜太陽電池が提供される。本発明によれば、基板上に第1導電型半導体層を形成する工程と、前記第1導電型半導体層上に、非晶質と結晶の混晶である真性半導体層を形成する工程と、前記真性半導体層上に第2導電型半導体層を形成する工程と、を備え、さらに、前記第1導電型半導体層及び前記第2導電型半導体層のうちp型の半導体層を形成する工程と、前記真性半導体層を形成する工程の間に、p型の非晶質層である界面層を、原料ガス中のジボラン濃度が、シランに対して20ppm以上200ppm以下で形成する工程を備える薄膜太陽電池の製造方法が提供される。本発明によれば、薄膜太陽電池の発電効率を上昇させることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。この薄膜太陽電池は、基板10、第1電極210、n型半導体層110第1導電型半導体層、真性半導体層120、p型半導体層130第2導電型半導体層、第2電極220、及び界面層132を有している。基板10は可撓性を有している。n型半導体層110は第1電極210上に形成されている。真性半導体層120は、n型半導体層110上に形成されており、非単結晶Siである。p型半導体層130は、真性半導体層120上に形成されている。界面層132は、真性半導体層120とp型半導体層130の間に形成されており、真性半導体層120よりもバンドギャップが大きい材料、例えばp型の非晶質層である。以下、詳細に説明する。基板10は、可撓性を有しており、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルイミドPEI、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、及びポリエーテルスルホンPESなどの絶縁性の基材である。基板10とn型半導体層110の間には、第1電極210が形成されている。第1電極210は、例えばAgとZnOをこの順に積層したものである。なお、基板10は、全体が導電性を有していても良い。この場合、基板10が第1電極210を兼ねてもよい。n型半導体層110、真性半導体層120、p型半導体層130、及び界面層132は、本実施形態では、ずれもSi膜である。n型半導体層110及びp型半導体層130は、非単結晶系のSi膜、例えば微結晶Si膜である。真性半導体層120は、不純物が導入されていない真性半導体層であり、例えば微結晶Si膜である。界面層132は、例えば微結晶Si膜である。n型半導体層110の膜厚は、例えば5nm以上100nm以下であり、真性半導体層120の膜厚は、例えば200nm以上3000nm以下である。また界面層132の膜厚は、5nm以上40nm以下、好ましくは5nm以上20nm以下である。p型半導体層130の膜厚は、例えば5nm以上100nm以下である。また、n型半導体層110の不純物濃度は、例えば1019cm-3以上1021cm-3以下であり、p型半導体層130の不純物濃度は、例えば1019cm-3以上1021cm-3以下である。さらに、界面層132の不純物濃度は、例えば2×1018cm-3以上2×1019cm-3以下である。界面層132の不純物は、例えばBである。また、p型半導体層130の上には、第2電極220が形成されている。第2電極220は透明電極であり、例えばITOIndiumTinOxide膜である。なお、n型半導体層110、真性半導体層120、p型半導体層130、及び界面層132は、他のSi系膜、例えばSiGeであっても良い。図2は、図1に示した薄膜太陽電池を製造する装置の構成を示す図である。この装置は、基板10に光電変換層を形成する装置であり、成膜室301,302,303,304、基板送出部300、基板巻取部305、及び連結部401,402,403,404,405を備えている。基板送出部300は、ロール状に巻かれた基板10を保持しており、成膜室301,302,303,304に基板10を送り出す。本実施形態において、基板10は、ポリイミドやポリアミドなどの絶縁性の基材の上に予め第1電極210を形成したものである。成膜室301,302,303,304は、基板10に成膜処理を行う。具体的には、成膜室301はn型半導体層110をCVD法により成膜し、成膜室302は真性半導体層120をCVD法により成膜し、成膜室303は、界面層132及びp型半導体層130をCVD法により成膜する。成膜室304は、第2電極220を直流のスパッタリング法により成膜する。基板巻取部305は、成膜室301,302,303,304で成膜処理された基板10をロール状に巻き取る。成膜室301と基板送出部300は連結部401で連結されており、成膜室301と成膜室302は連結部402で連結されている。成膜室302と成膜室303は連結部403で連結されており、成膜室303と成膜室304は連結部404で連結されている。成膜室304と基板巻取部305は連結部405で連結されている。連結部401,402,403,404,405はゲートバルブ図示せずを有している。図3は、成膜室301の構成を示す断面図である。成膜室301は、成膜容器310、カソード電極320、及びアノード電極330を備えている。カソード電極320及びアノード電極330は成膜容器310の中に配置されている。カソード電極320は、整合器340を介して高周波電源350に接続している。またカソード電極320は、処理ガスを成膜容器310に導入するシャワーヘッドとなっており、プロセスガスを導入するための配管図示せずが接続されている。アノード電極330は接地されており、基板10に接している。そしてアノード電極330は、基板10を加熱するためのヒーターを内蔵している。本図に示す例において、カソード電極320が上側に位置しており、アノード電極330が下側に位置しているが、これは、実際の装置においてカソード電極320及びアノード電極330がこのような位置関係にあることを示すものではない。なお成膜室302,303の構成も、上記した成膜室301の構成と略同様である。成膜室301で用いられるプロセスガスは、例えばシランSiH4、水素、及び不純物ガス例えばPH3である。成膜室302で用いられるプロセスガスは、例えばシランSiH4及び水素である。成膜室303で用いられるプロセスガスは、例えばシランSiH4、水素、及び不純物ガス例えばB2H6である。次に、図2に示した成膜装置を用いて、図1に示した薄膜太陽電池の光電変換層を形成する方法を説明する。まずロール状の基板10を基板送出部300にセットし、この基板10の始端部を、連結部401、成膜室301、連結部402、成膜室302、連結部403、成膜室303、連結部404、成膜室304を介して基板巻取部305に取り付ける。次いで、基板10に、成膜室301におけるn型半導体層110の成膜処理、成膜室302における真性半導体層120の成膜処理、成膜室303における界面層132及びp型半導体層130の成膜処理を、この順に行なう。これにより、基板10上に光電変換層が形成される。次いで、成膜室304において第2電極220の形成処理を行う。なお、上記したn型半導体層110の形成処理、真性半導体層120の形成処理、並びに界面層132及びp型半導体層130の形成処理を、この順に複数回繰り返しても良い。次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態によれば、真性半導体層120とp型半導体層130の間には、界面層132が形成されている。界面層132は、真性半導体層120よりもバンドギャップ大きい。このため、真性半導体層120で励起した電子がp型半導体層130に流れ込んだり、真性半導体層120とp型半導体層130の界面で再結合して消滅することが抑制される。これにより、薄膜太陽電池の発電効率が上昇する。また界面層132は、p型である。このため、p型半導体層130と真性半導体層120の間でキャリアすなわちホールを伝導させることができる。従って、界面層132を設けることによって薄膜太陽電池の発電効率が低下することはない。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係る薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。この薄膜太陽電池は、基板10の上に、第1電極210、p型半導体層130、界面層132、真性半導体層120、n型半導体層110及び第2電極220の順に積層されている点を除いて、第1の実施形態に係る薄膜太陽電池と同様の構成である。ただし、第1電極210は透明電極であり、第2電極220はAgとZnOの積層膜である。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。実施例1図1に示した薄膜太陽電池を作成した。成膜条件の一例を、表1に示す。表1において、希釈率は、シラン流量に対する水素流量の比率である。また、n型のドーピングガスにはホスフィンを使用し、p型のドーピングガスにはジボランを使用した。本実施例において、第2電極220の成膜条件スパッタリング条件を、Ar-O2のガス流量が20sccm、圧力が3mtorr、パワーが300W、基板温度が200°Cとした。第2電極220の膜厚は、70nmとした。各層は、界面層132を除いて全て微結晶シリコンμc-Siで形成されている。界面層132は、アモルファスシリコンで形成されている。界面層132を形成するとき、ジボランをドーピングガスとして用いたが、表2に示すように、このジボランの添加量は、SiH4に対する不純物ガス濃度比として、を0~1000ppmの間で変化させることにより、複数の試料を作成した。ただし、n型半導体層に対しては、不純物ガスPH3に対する濃度比とした。表2には、ジボランの添加量と、光電変換効率の関係を示している。光電変換効率の測定を行う際、第2電極220の上に、Agの櫛型電極を蒸着した。そして、ソーラーシミュレータで100mW/cm2の光を照射して電流電圧特性を測定することにより、薄膜太陽電池の光電変換効率を評価した。また、実施例1に示した薄膜太陽電池において界面層132を形成しないものを作成した比較例1。この比較例1における光電変換効率も、表2に示す。表2より、シランガスに対するジボラン濃度比を0~1000ppmに変化させると、ジボラン濃度比が20~200ppmの範囲内で、光電変換効率が比較例と同等以上になることが判明した。特にジボラン濃度比が50~150ppmの場合、光電変換効率は高くなると考えられ、ジボラン濃度比が100ppmの時が特に好ましい。なお、ジボラン濃度比を20~200ppmとした試料における界面層132のB密度は、SIMS測定により、おおよそ2×1018cm-3~2×1019cm-3であることが判明した。よって、特に好ましい条件ジボラン濃度比が100ppmにおいて、界面層132のB密度は、1×1019cm-3である。実施例2実施例1に示した薄膜太陽電池において、界面層132の厚さを変えることにより、複数の試料を作成した。なお、界面層132におけるシランガスに対するジボラン濃度比を、100ppmとした。各試料における光電変換効率を、表3に示す。また、界面層132を10nmとした上で、界面層132を成膜している間にジボランガスの添加量を徐々に変化させてp型半導体層130と界面層132を連続して形成した試料を作成した。なお、p型半導体層130におけるシランガスに対するジボラン濃度比を、10000ppmとした比較例2。比較例2における光電変換効率も、表3に示す。表3より、実施例の各資料は、比較例2よりも光電変換効率が高いことが判明した。以上、図面を参照して本発明の実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。"