"半導体チップと、前記半導体チップがダイボンディング材を介してダイボンディングされたアイランドとを備えた半導体装置であって、前記アイランドは、前記半導体チップがダイボンディングされるダイボンディング領域を有し、前記ダイボンディング領域の外周部には、前記ダイボンディング領域の外周の少なくとも一部に沿った溝が、前記ダイボンディング領域の各角の近傍を通るように形成され、前記ダイボンディング材は、前記半導体チップの裏面の全域と前記ダイボンディング領域との間に介在していることを特徴とする半導体装置。前記溝は、前記ダイボンディング領域の外周のうち、少なくとも、向かい合う2辺の夫々に沿って形成されている請求項1に記載の半導体装置。前記溝は、前記ダイボンディング領域の外周の全部に沿う溝である請求項1又は2に記載の半導体装置。前記ダイボンディング領域における前記溝より内側には、前記溝に沿う他の溝が形成されている請求項1~3のいずれか1に記載の半導体装置。前記ダイボンディング領域の中央部には、凹部が形成されている請求項1~4のいずれか1に記載の半導体装置。しかしながら、図10に示した半導体装置110では、ダイボンディング材115が、半導体チップ111の裏面111bの一部と凹部116との間にのみ介在していて、凹部116が形成されていない部分と半導体チップ111の裏面111bとの間には、ダイボンディング材115が介在していないため、半導体チップ111とアイランド112との接合面積が少ない。従って、熱応力や温度サイクルによる収縮応力が生じた場合には、ダイボンディング材115にクラックが発生したり、半導体チップ111がダイボンディング材115から剥離したりするという問題があった。特に、ダイボンディング材115は、アイランド112に形成された凹部116内にのみ充填されるため、ダイボンディング材115の厚さを確保することが困難であり、クラックや剥離が生じ易いという問題があった。また、図11に示した半導体装置120では、アイランド122に、所定間隔をあけて規則的に、平面視円形状を有する複数の凹部126が形成され、凹部126が形成されていない部分が平面視正格子状を呈して連続している。従って、温度変化による膨張や収縮がアイランド122に生じた場合、その膨張や収縮は、アイランド122の内側から、凹部126が形成されていない部分を介して、アイランド122の外周側へ伝わるため、アイランド122では外周側に近いほど厚さ方向に反る力が強く加わってしまう。その結果、半導体装置120では、図9に示した半導体装置110と同様に、ダイボンディング材125の角半導体チップ121の裏面121bの角の下側に、厚さ方向に反る力が強く加わることになり、ダイボンディング材125の角近傍からクラックが生じてしまう場合があった。本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイボンディング材にクラックが生じて半導体チップがアイランドから剥離することを防止することが可能な半導体装置を提供することにある。上述した課題を解決するために、本発明は、以下のようなものを提供する。1半導体チップと、上記半導体チップがダイボンディング材を介してダイボンディングされたアイランドとを備えた半導体装置であって、上記アイランドは、上記半導体チップがダイボンディングされるダイボンディング領域を有し、上記ダイボンディング領域の外周部には、上記ダイボンディング領域の外周の少なくとも一部に沿った溝が、上記ダイボンディング領域の各角の近傍を通るように形成され、上記ダイボンディング材は、上記半導体チップの裏面の全域と上記ダイボンディング領域との間に介在していることを特徴とする半導体装置。1の発明によれば、ダイボンディング領域の外周部には、上記ダイボンディング領域の外周の少なくとも一部に沿った溝が、上記ダイボンディング領域の各角の近傍を通るように形成されているため、上記ダイボンディング領域の各角の近傍では、上記溝によって上記ダイボンディング領域が内側と外周側とに分割される。従って、温度変化による膨張や収縮がダイボンディング領域の内側から外周側に伝わり難くなり、ダイボンディング領域の角近傍に生じる厚さ方向に反る力が低減されるため、ダイボンディング領域の角近傍上を起点としてダイボンディング材にクラックが生じることを防止することができる。また、上記溝の直上では、ダイボンディング材の厚さが確保されるため、ダイボンディング領域の角近傍を起点としてダイボンディング材にクラックが生じたとしても、上記溝の直上において、上記クラックが上記ダイボンディング領域の内側へ進出することを食い止めることができる。すなわち、溝の直上においては、ダイボンディング材が、内側へのクラックの進出を食い止める厚さを有している。この厚さは溝内のダイボンディング材の厚みと、半導体チップとアイランドとの間のダイボンディング材の厚みとによって確保されている。また、ダイボンディング領域の外周部に形成された溝によって、クラックの進出を食い止めることができるため、ダイボンディング領域の外周部にクラックが生じたとしても、アイランドと半導体チップとの接合面積を広く確保することができる。さらに、ダイボンディング材は、半導体チップの裏面の全域とダイボンディング領域との間に介在していて、半導体チップとダイボンディング領域との接合面積が広く確保される。従って、1の発明によれば、ダイボンディング領域の角近傍を起点としてダイボンディング材にクラックが生じることを防止することができるとともに、ダイボンディング領域の角近傍を起点としてダイボンディング材にクラックが生じたとしても、溝によって、クラックの進出を食い止めることができるため、半導体チップがアイランドから剥離することを防止することができる。さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。2上記1の半導体装置であって、上記溝は、上記ダイボンディング領域の外周のうち、少なくとも、向かい合う2辺の夫々に沿って形成されていることを特徴とする。2の発明によれば、溝は、ダイボンディング領域の外周の辺のうち、少なくとも、向かい合う2辺の夫々に沿って形成されているため、当該溝が沿うダイボンディング領域の辺上を起点としたクラックが生じたとしても、当該溝上でクラックの進出を食い止めることができる。さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。3上記1又は2の半導体装置であって、上記溝は、上記ダイボンディング領域の外周の全部に沿う溝であることを特徴とする。3の発明によれば、ダイボンディング領域の外周の全部に沿って溝が形成されているため、ダイボンディング領域の外周側からクラックが生じたとしても、上記溝によって、上記クラックがダイボンディング領域の内側へ進出することを防止することができる。さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。4上記1~3のいずれか1の半導体装置であって、上記ダイボンディング領域における上記溝より内側には、上記溝に沿う他の溝が形成されていることを特徴とする。4の発明によれば、ダイボンディング領域における溝より内側には、上記溝に沿う他の溝が形成されている。すなわち、ダイボンディング領域には、溝が、ダイボンディング領域の内側方向に間隔をあけて複数形成されている。従って、ダイボンディング領域を多数の領域に分割して厚さ方向に反る力を分散し、クラックの発生を確実に防止することができる。また、外周側に形成された溝の直上にクラックが生じたとしても、内側の他の溝上で、クラックが内側へ進出すること食い止めることができる。さらに、本発明は、以下のようなものを提供する。5上記1~4のいずれか1の半導体装置であって、上記ダイボンディング領域の中央部には、凹部が形成されていることを特徴とする。5の発明によれば、ダイボンディング領域の中央部には、凹部が形成されているため、中央部では、ダイボンディング材の厚さが確保されている。従って、半導体チップとアイランドとを強固に接合することが可能である。本発明の半導体装置によれば、ダイボンディング材にクラックが生じて半導体チップがアイランドから剥離することを防止することができる。[第1実施形態]図1aは、第1実施形態に係る半導体装置を模式的に示す縦断面図であり、bは、aに示した半導体装置の部分平面透視図である。半導体装置10は、半導体チップ11、アイランド12、リード端子13、ワイヤ14、吊りリード18、及び、樹脂パッケージ部19を備えている。図1aに示すように、半導体装置10は、表面に複数の電極11aが形成された半導体チップ11を備えている。半導体チップ11としては、種々のものを用いることが可能であり、その具体的な機能や内部の回路構成は、特に限定されるものではない。アイランド12の略中央に位置するダイボンディング領域17には、その外周部に溝16が形成されていて、半導体チップ11は、ダイボンディング領域17に半田材15ダイボンディング材を介してダイボンディングされている。なお、ダイボンディング領域17は、半導体チップ11の裏面11bと正対する領域図1bでは、二点鎖線により示す領域である。なお、本発明において、ダイボンディング領域の外周部とは、ダイボンディング領域の中心位置からの距離が、ダイボンディング領域の中心位置からダイボンディング領域の外周までの距離の1/2を超える部分をいう。一方、ダイボンディング領域の中央部とは、ダイボンディング領域の中心位置からの距離が、ダイボンディング領域の中心位置からダイボンディング領域の外周までの距離の1/2以内の部分をいう。図1bに示すように、溝16は、平面視環形状を有しており、ダイボンディング領域17の外周部にダイボンディング領域17の外周17aの全部に沿うように形成されていて、ダイボンディング領域17の各角17bの近傍を通っている。ダイボンディング領域17は、溝16によって、溝16よりも外側の第1の領域17cと溝16よりも内側の第2の領域17dとに分割されていて、溝16には、半田材15が入り込んでいる。溝16は、エッチングにより形成されたものであり、断面視U字形状を有する。溝16の深さは、アイランド12の厚さの1/2程度であり、溝16の幅は、アイランド12の厚さと略同じである。また、ダイボンディング領域17の外周17aから溝16までの距離は、アイランド12の厚さと略同じである。本発明において、ダイボンディング領域の角の近傍とは、ダイボンディング領域の角からの距離が、該角と隣り合う他の角までの距離の1/5以内にあるダイボンディング領域の部分をいう。図1aに示すように、半田材15は、半導体チップ11の裏面11bの全域とダイボンディング領域17との間に介在している。従って、溝16の直上では、半田材15が厚くなっていて、第1の領域17cと第2の領域17dとの直上では、半田材15が薄くなっている。アイランド12の周辺には、複数のリード端子13が配置されている。リード端子13は、半導体チップ11の表面に形成された電極11aと電気的に接続されている。半導体装置10には、リード端子13の一部のみを露出させて半導体チップ11等を封止する樹脂パッケージ部19が形成されている。第1実施形態に係る半導体装置10によれば、ダイボンディング領域17の外周部には、ダイボンディング領域17の外周17aの全部に沿った溝16が形成されているため、ダイボンディング領域17の外周部では、溝16によってダイボンディング領域17が溝16よりも外側の第1の領域17cと溝16よりも内側の第2の領域17dとに分割される。従って、温度変化による膨張や収縮がダイボンディング領域17の内側から外周側に伝わり難くなり、ダイボンディング領域17の外周部に生じる厚さ方向に反る力が低減されるため、ダイボンディング領域17の外周17a上を起点として半田材15にクラックが生じることを防止することができる。また、溝16の直上では、半田材15の厚さが確保されるため、ダイボンディング領域17の外周17a上を起点として半田材15にクラックが生じたとしても、溝16の直上において、上記クラックがダイボンディング領域17の内側へ進出することを食い止めることができる。すなわち、溝16の直上においては、半田材15が、内側へのクラックの進出を食い止める厚さを有している。この厚さは溝16内の半田材の厚みと、半導体チップ1の裏面とアイランド12との間の半田材15の厚みとによって確保されている。また、ダイボンディング領域17の外周部に形成された溝16によって、クラックの進出を食い止めることができるため、ダイボンディング領域17の外周部にクラックが生じたとしても、アイランド12と半導体チップ11との接合面積を広く確保することができる。さらに、半田材15は、半導体チップ11の裏面11bの全域とダイボンディング領域17との間に介在していて、半導体チップ11とダイボンディング領域17との接合面積が広く確保される。従って、半導体装置10によれば、ダイボンディング領域17の外周17a上を起点として半田材15にクラックが生じることを防止することができるとともに、ダイボンディング領域17の外周17a上を起点として半田材15にクラックが生じたとしても、溝16によって、クラックの進出を食い止めることができるため、半導体チップ11がアイランド12から剥離することを防止することができる。[第2実施形態]図2aは、第2実施形態に係る半導体装置を模式的に示す縦断面図であり、bは、aに示した半導体装置の部分平面透視図である。半導体装置20は、半導体チップ21、アイランド22、リード端子23、ワイヤ24、吊りリード28及び樹脂パッケージ部29を備えている。図2aに示すように、アイランド22の略中央に位置するダイボンディング領域27には、溝26a、溝26bが形成されていて、半導体チップ21は、ダイボンディング領域27に半田材25を介してダイボンディングされている。図2bに示すように、溝26aは、平面視環形状を有しており、ダイボンディング領域27の外周部にダイボンディング領域27の外周27aの全部に沿うように形成されていて、ダイボンディング領域27の各角27bの近傍を通っている。ダイボンディング領域27は、溝26aによって、溝26aよりも内側の領域と溝26aよりも外側の第1の領域27cとに分割されていている。溝26aよりも内側の領域には、平面視環形状を有しており、溝26aの全部に沿う溝26b他の溝が形成されている。溝26aよりも内側の領域は、この溝26bによって、溝26bよりも外側の第2の領域27dと溝26bよりも内側の第3の領域27eとに分割されていている。溝26a、溝26bは、エッチングにより形成されたものであり、断面視U字形状を有する。溝26a、溝26bの深さは、アイランド22の厚さの1/2程度であり、溝26a、溝26bの幅は、アイランド22の厚さと略同じである。また、ダイボンディング領域27の外周27aから溝26aまでの距離は、アイランド22の厚さと略同じである。また、溝26aと溝26bとの間隔第2の領域27dの幅は、アイランド22の厚さと略同じである。図2aに示すように、半田材25は、半導体チップ21の裏面21bの全域とダイボンディング領域27との間に介在している。従って、ダイボンディング領域27に形成された溝26a、溝26bの直上では、半田材25が厚くなっている。一方、第1の領域27c、第2の領域27d及び第3の領域27eの直上では、半田材25が薄くなっている。アイランド22の周辺には、複数のリード端子23が配置されている。リード端子23は、半導体チップ21の表面に形成された電極21aと電気的に接続されている。半導体装置20には、リード端子23の一部のみを露出させて半導体チップ21等を封止する樹脂パッケージ部29が形成されている。第2実施形態に係る半導体装置20によれば、ダイボンディング領域27における溝27aより内側には、溝26aに沿う溝26bが形成されている。すなわち、ダイボンディング領域27には、溝26a、溝26bが、ダイボンディング領域27の内側方向に間隔をあけて形成されている。従って、ダイボンディング領域27を多数の領域に分割して厚さ方向に反る力を分散し、クラックの発生を確実に防止することができる。また、外周側に形成された溝26aの直上にクラックが生じたとしても、内側の溝26b上で、クラックが内側へ進出すること食い止めることができる。[第3実施形態]図3aは、第3実施形態に係る半導体装置を模式的に示す縦断面図であり、bは、aに示した半導体装置の部分平面透視図である。半導体装置30は、半導体チップ31、アイランド32、リード端子33、ワイヤ34、吊りリード38及び樹脂パッケージ部39を備えている。図3aに示すように、アイランド32の略中央に位置するダイボンディング領域37には、溝36a、溝36b及び凹部37gが形成されていて、半導体チップ31は、ダイボンディング領域37に半田材35を介してダイボンディングされている。図3bに示すように、溝36aは、平面視環形状を有しており、ダイボンディング領域37の外周部にダイボンディング領域37の外周37aの全部に沿うように形成されていて、ダイボンディング領域37の各角37bの近傍を通っている。ダイボンディング領域37は、溝36aによって、溝36aよりも内側の領域と溝36aよりも外側の第1の領域37cとに分割されていている。また、溝36aよりも内側の領域には、平面視環形状を有しており、溝36aの全部に沿う溝36b他の溝が形成されている。溝36aよりも内側の領域は、この溝36bによって、溝36bよりも内側の領域と溝36bよりも外側の第2の領域37dとに分割されていている。溝36bよりも内側の領域は、ダイボンディング領域37の中心位置37fを含むようにダイボンディング領域37の中央部に形成された矩形の凹部37gと、凹部37gが形成されていない第3の領域37eとからなる。第3の領域37eは、溝36bと凹部37gとに囲まれた環形状を有しており、その幅は、溝36aと同じである。溝36a、溝36bは、エッチングより形成されたものであり、断面視U字形状を有する。溝36a、溝36bの深さは、アイランド32の厚さの1/2程度であり、溝36a、溝36bの幅は、アイランド32の厚さと略同じである。また、ダイボンディング領域37の外周37aから溝36aまでの距離は、アイランド32の厚さと略同じである。また、溝36aと溝36bとの間隔第2の領域37dの幅は、アイランド32の厚さと略同じである。また、溝36bと凹部37gとの間隔第3の領域37eの幅は、アイランド32の厚さと略同じである。また、凹部37gの開口面積は、ダイボンディング領域37の20程度であり、凹部37gの深さは、アイランド32の厚さの1/2程度である。図3aに示すように、半田材35は、半導体チップ31の裏面31bの全域とダイボンディング領域37との間に介在している。従って、ダイボンディング領域37に形成された溝36a、36b及び凹部37gの直上では、半田材35が厚くなっている。一方、第1の領域37e、第2の領域37f及び第3の領域37eの直上では、半田材25が薄くなっている。アイランド32の周辺には、複数のリード端子33が配置されている。リード端子33は、半導体チップ31の表面に形成された電極31aと電気的に接続されている。半導体装置30には、リード端子33の一部のみを露出させて半導体チップ31等を封止する樹脂パッケージ部39が形成されている。第3実施形態に係る半導体装置30によれば、ダイボンディング領域37の中央部には、凹部37gが形成されているため、中央部では、半田材35の厚さが確保されている。従って、半導体チップ31とアイランド32とを強固に接合することが可能である。本発明において、溝外周部に形成されている溝及び他の溝の幅は、特に限定されるものではないが、アイランドの厚さの1/2以上であることが望ましい。溝に幅を持たせることにより、ダイボンディング領域の角上を起点としたクラックが生じたときに、溝の直上において、上記クラックの内側への進出を確実に食い止めることができるからである。また、本発明において、溝外周部に形成されている溝及び他の溝の深さは、アイランドの厚さの1/4~3/4であることが望ましい。アイランドの強度を確保しつつ、溝直上のダイボンディング材の厚さを確保することができるからである。本発明において、外周部に形成されている溝よりも内側に形成される他の溝は、ダイボンディング領域の内側方向に所定間隔をあけて複数配置されてもよい。複数配置されていれば、ダイボンディング領域をさらに多数の領域に分割することができ、厚さ方向に反る力を格段に低減することができるとともに、外周側にある他の溝上にまでクラックが生じたとしても、さらにその内側の他の溝上でクラックが内側へ進出することを食い止めることができ、半導体チップの剥離をより確実に防止できるからである。また、このようにする場合、上記他の溝の数は、特に限定されるものではないが、例えば、半導体チップの底面積が大きい場合には、ダイボンディング領域の内側方向に多数の溝が配置されることが望ましい。半導体チップの底面積が大きくなると、厚さ方向に反る力が大きくなるため、多数の領域に分割することにより、厚さ方向に反る力を効果的に低減することができるからである。本発明において、ダイボンディング領域の外周から溝外周部に形成されている溝までの距離は、特に限定されないが、アイランドの厚さの4倍以下が望ましい。ダイボンディング材にクラックが生じたとしても、より外周側でクラックの進出を食い止めることができるからである。本発明において、ダイボンディング領域の内側方向に対する溝の間隔最も外周側に形成されている溝と他の溝との間隔、又は、他の溝同士の間隔は、特に限定されないが、アイランドの厚さの1/2以上が望ましい。アイランドの強度を充分に確保することができるからである。[第4実施形態]図4aは、第4実施形態に係る半導体装置を模式的に示す縦断面図であり、bは、aに示した半導体装置の部分平面透視図である。半導体装置40は、半導体チップ41、アイランド42、リード端子43、ワイヤ44、吊りリード48及び樹脂パッケージ部49を備えている。図4aに示すように、アイランド42の略中央に位置するダイボンディング領域47には、その外周部に2つの溝46溝46a1、溝46a2が形成されていて、半導体チップ41は、ダイボンディング領域47に半田材45を介してダイボンディングされている。図4bに示すように、すなわち、溝46a1は、ダイボンディング領域47の角47b1と角47b2との近傍を通っている。また、溝46a2は、溝46a1が沿うダイボンディング領域47の辺に向かい合う辺に沿って溝46a1と同様に形成されている。すなわち、溝46a2は、平面視直線形状を有しており、ダイボンディング領域47の角47b3の近傍から角47b3と隣り合う角47b4の近傍までダイボンディング領域47の辺外周47aに沿って形成されている。溝46が沿うダイボンディング領域47の外周47a近傍では、ダイボンディング領域47が、溝46によって、溝46よりも外側の第1の領域47cと溝46よりも内側の第2の領域47dとに分割されていて、溝46には、半田材45が入り込んでいる。溝46は、プレス加工により形成されたものであり、断面視V字形状を有する。溝46の深さは、アイランド42の厚さの1/2程度であり、溝46の幅は、アイランド42の厚さと略同じである。また、ダイボンディング領域47の外周47aから溝46までの距離は、アイランド42の厚さと略同じである。図4aに示すように、半田材45は、半導体チップ41の裏面41bの全域とダイボンディング領域47との間に介在している。従って、ダイボンディング領域47に形成された溝46aの直上では、半田材45が厚くなっている。一方、溝46aが形成されていない第1の領域47cと第2の領域47dの直上では、半田材45が薄くなっている。アイランド42の周辺には、複数のリード端子43が配置されている。リード端子43は、半導体チップ41の表面に形成された電極41aと電気的に接続されている。半導体装置40には、リード端子43の一部のみを露出させて半導体チップ41等を封止する樹脂パッケージ部49が形成されている。第4実施形態に係る半導体装置40によれば、溝46は、ダイボンディング領域47の外周47aの向かい合う2辺の夫々に沿って形成されているため、溝46が沿うダイボンディング領域47の辺上を起点としたクラックが生じたとしても、溝46上でクラックの進出を食い止めることができる。[第5実施形態]図5は、第5実施形態に係る半導体装置を模式的に示す部分平面透視図である。半導体装置50は、半導体チップ51、アイランド52、リード端子53、ワイヤ54、吊りリード58及び樹脂パッケージ部59を備えている。図5aおよび図5bに示すように、アイランド52の略中央に位置するダイボンディング領域57には、4つの溝56溝56a、溝56bが形成されていて、半導体チップ51は、ダイボンディング領域57に半田材55を介してダイボンディングされている。図5bに示すように、溝56a外側溝は、平面視直線形状を有しており、ダイボンディング領域57の向かい合う2辺の夫々に沿って形成されていて、溝56aの両端部は、ダイボンディング領域57の角57bの近傍を通っているが、ダイボンディング領域57の外周57aにまでは達していない。なお、溝56aの位置、形状等は、図4を用いて説明した溝46aと同じであるから、ここでの詳細な説明は省略する。溝56aが沿うダイボンディング領域57の外周57a近傍では、ダイボンディング領域57が、溝56aによって、溝56aよりも内側の領域と溝56aよりも外側の第1の領域57cとに分割されていている。また、溝56aよりも内側の領域には、溝56aに沿う溝56b他の溝。内側溝が形成されている。溝56bも、ダイボンディング領域57の外周57aにまでは達していない。溝56aよりも内側の領域は、この溝56bによって、溝56bよりも外側の第2の領域57dと溝56bよりも内側の第3の領域57eとに分割されていている。従って、ダイボンディング領域57を多数の領域に分割して厚さ方向に反る力を分散し、クラックの発生を確実に防止することができる。また、外周側に形成された溝56aの直上にクラックが生じたとしても、内側の溝56b上で、クラックが内側へ進出すること食い止めることができる。溝56a、溝56bは、プレス加工より形成されたものであり、断面視V字形状を有する。溝56a、溝56bの深さは、アイランド52の厚さの1/2程度であり、溝56a、溝56bの幅は、アイランド52の厚さと略同じである。また、ダイボンディング領域57の外周57aから溝56aまでの距離は、アイランド52の厚さと略同じである。また、溝56aと溝56bとの間隔第2の領域57dの幅は、アイランド52の厚さと略同じである。図5aに示すように、半田材55は、半導体チップ51の裏面51bの全域とダイボンディング領域57との間に介在している。従って、ダイボンディング領域57に形成された溝56a、溝56bの直上では、半田材55が厚くなっている。一方、溝56が形成されていない第1の領域57cと第2の領域57dの直上では、半田材55が薄くなっている。アイランド52の周辺には、複数のリード端子53が配置されている。リード端子53は、半導体チップ51の表面に形成された電極51aと電気的に接続されている。半導体装置50には、リード端子53の一部のみを露出させて半導体チップ51等を封止する樹脂パッケージ部59が形成されている。[第6実施形態]図6aは、第6実施形態に係る半導体装置を模式的に示す縦断面図であり、bは、aに示した半導体装置の部分平面透視図である。半導体装置60は、半導体チップ61、アイランド62、リード端子63、ワイヤ64、吊りリード68及び樹脂パッケージ部69を備えている。図6aに示すように、アイランド62の略中央に位置するダイボンディング領域67には、溝66溝66a、溝66bが形成されていて、半導体チップ61は、ダイボンディング領域67に半田材65を介してダイボンディングされている。図6bに示すように、溝66aは、平面視直線形状を有しており、ダイボンディング領域67の向かい合う2辺の夫々に沿って形成されていて、溝66aの両端部は、ダイボンディング領域67の角67bの近傍を通っているが、ダイボンディング領域57の外周67aにまでは達していない。なお、溝66aの位置、形状等は、図4を用いて説明した溝46aと同じであるから、ここでの詳細な説明は省略する。また、溝66bは、平面視直線形状を有しており、溝66aの長手方向に対して直交する方向に長手方向を有するように、ダイボンディング領域67の向かい合う2辺に沿って形成されている。溝56bも、ダイボンディング領域57の外周57aにまでは達していない。溝66bの両端部と溝66aとの間には、肉逃げ部67hが設けられている。従って、溝66a,66bは連続していない。ダイボンディング領域67には、溝66aと溝66bとにより、ダイボンディング領域67の略外周67aの全部に沿う溝が形成されていることになる。ダイボンディング領域67は、溝66によって、溝66よりも外側の第1の領域67cと溝66よりも内側の第2の領域67dとに分割されていて、溝66には、半田材65が入り込んでいる。溝66は、プレス加工により形成されたものであり、断面視V字形状を有する。溝66a、溝66bの深さは、アイランド62の厚さの1/2程度であり、溝66a、溝66bの幅は、アイランド62の厚さと略同じである。また、ダイボンディング領域67の外周67aから溝66溝66a又は66bまでの距離は、アイランド62の厚さと略同じである。図6aに示すように、半田材65は、半導体チップ61の裏面61bの全域とダイボンディング領域67との間に介在している。従って、ダイボンディング領域67に形成された溝66a、溝66bの直上では、半田材65が厚くなっている。一方、溝66が形成されていない第1の領域67cと第2の領域67dの直上では、半田材65が薄くなっている。アイランド62の周辺には、複数のリード端子63が配置されている。リード端子63は、半導体チップ61の表面に形成された電極61aと電気的に接続されている。半導体装置60には、リード端子63の一部のみを露出させて半導体チップ61等を封止する樹脂パッケージ部69が形成されている。本発明において、外周の全部に沿う溝とは、外周の全部に沿って連続して形成されている溝例えば、溝16のみではなく、連続していない箇所があっても、全体として外周の略全部に沿っている溝をも含む。すなわち、例えば、第6実施形態の溝66a、溝66bのように、プレス加工により形成された溝において、所定箇所又は所定間隔毎に、プレスによる肉逃げ部としての溝が形成されていない箇所があるといったように、一部に連続しない箇所があっても、全体として外周の略全部に沿っている場合には、当該溝も、本発明の外周の全部に沿う溝に含まれる。[第7実施形態]図7aは、第7実施形態に係る半導体装置を模式的に示す縦断面図であり、bは、aに示した半導体装置の部分平面透視図である。半導体装置70は、半導体チップ71、アイランド72、リード端子73、ワイヤ74、吊りリード78及び樹脂パッケージ部79を備えている。図7aに示すように、アイランド72の略中央に位置するダイボンディング領域77には、溝76が形成されていて、半導体チップ71は、ダイボンディング領域77に半田材75を介してダイボンディングされている。図7bに示すように、溝76は、ダイボンディング領域77の外周の互いに隣接する2辺に沿って平面視L字形状に形成されており、ダイボンディング領域77の4つの角77bの近傍の4箇所に形成されている。L字形状の各直線部分は、夫々ダイボンディング領域77の角77bの近傍から、ダイボンディング領域77の辺外周77aに沿うように延びている。ダイボンディング領域77の各角77bの近傍では、溝76によって、ダイボンディング領域77が、溝76よりも外側の第1の領域77cと溝76よりも内側の第2の領域77dとに分割されていて、溝76には、半田材75が入り込んでいる。溝76は、エッチングにより形成されたものであり、断面視U字形状を有する。溝76の深さは、アイランド72の厚さの1/2程度であり、溝76の幅は、アイランド72の厚さと略同じである。また、ダイボンディング領域77の外周77aから溝76までの距離は、アイランド72の厚さと略同じである。図7aに示すように、半田材75は、半導体チップ71の裏面71bの全域とダイボンディング領域77との間に介在している。従って、溝76の直上では、半田材75が厚くなっている。一方、溝76が形成されていない第1の領域77cと第2の領域77dの直上では、半田材75が薄くなっている。その結果、溝76の直上では、半田材75の厚さが確保されるため、ダイボンディング領域77の角近傍77bを起点として半田材75にクラックが生じたとしても、溝76の直上において、上記クラックがダイボンディング領域77の内側へ進出することを食い止めることができる。アイランド72の周辺には、アイランド72から所定間隔を空けて、複数のリード端子73が配置されている。リード端子73は、半導体チップ71の表面に形成された電極71aと電気に接続されている。半導体装置70には、リード端子73の一部のみを露出させて半導体チップ71等を封止する樹脂パッケージ部79が形成されている。樹脂パッケージ部79は、例えば、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである。次に、本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。ここでは、第1実施形態に係る半導体装置10の製造方法について説明するが、第2実施形態~第7実施形態に係る半導体装置においても同様の製造方法を採用することできる。まず、リードフレーム図示せずのアイランド12に、エッチングにより環形状の溝16を形成する。エッチングにより溝16を形成することによって、断面視U字形状を有する溝16を形成することができる。なお、溝の形成方法は、エッチングに限定されず、例えば、プレス加工により形成することとしてもよい。次に、アイランド12のダイボンディング領域17に、ペースト状の半田材を塗布し、半導体チップ11を載置する。このとき、所定量のペースト状の半田材をダイボンディング領域17の中央部に塗布し、半導体チップ11を押し付けることにより、半導体チップ11の裏面11bの全域とダイボンディング領域17との間に、ペースト状の半田材を均一に広げることができる。なお、半田材としては、例えば、Sn-Pb合金、Sn-Pb-Ag合金、Sn-Pb-Bi合金、Sn-Pb-In合金、Sn-Pb-In-Sb合金、Sn-Ag系合金、Sn-Cu系合金、Sn単体金属等の合金を含む半田ペーストを挙げることができる。また、半田ペーストとして、Pb系高温半田ペースト85質量以上のPbを含有するPb-Sn合金の半田ペーストを用いることができる。このようなPb系高温半田ペーストとしては、例えば、Pb-8Sn-2Ag合金Snを8重量、Agを2重量含み、残部がPb及び不可避不純物からなる合金を含む半田ペーストを挙げることができる。また、本発明においては、ダイボンディング材として、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂組成物を用いることとしてもよい。続いて、所定温度で加熱してペースト状の半田材を溶融させることにより、半田材15を介して半導体チップ11をダイボンディングする。次に、半導体チップ11の表面に形成された電極11aと、リードフレームのリード端子13とを、金線等のワイヤ14を用いてワイヤボンディングする。続いて、リード端子13の一部を露出させて半導体チップ11等を封止するように、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物で樹脂パッケージ部19を形成する。その後、リードフレームの所定箇所を切断してリードフレームを分割することにより、半導体装置10を製造することができる。本発明において、溝の平面視形状は、特に限定されるものではなく、例えば、図1~図7を用いて説明したように、環形状、直線形状、L字形状を挙げることができる。本発明において、溝は、外周部にあり、各角の近傍を通っていれば、特に限定されるものではないが、近接するダイボンディング領域の辺外周に平行であることが望ましい。近接するダイボンディング領域の辺外周に平行であれば、より角近傍に溝を形成することができるため、ダイボンディング領域の角上を起点としたクラックが生じたとしても、ダイボンディング領域のより角の近傍上でクラックが内側へ進出するのを食い止めることができるからである。本発明において、ダイボンディング領域の外周の少なくとも一部に沿った溝の数は、当該溝が各角の近傍を通り、ダイボンディング領域の最も外周側に形成されていれば、特に限定されるものではなく、例えば、第1実施形態~第3実施形態のように、1つであってもよく、第4実施形態~第6実施形態のように、2つであってもよく、第7実施形態のように、4つであってもよい。なお、溝は、外周部にあり、各角の近傍を通っていれば、ダイボンディング領域の辺外周に平行でなくともよく、また、ダイボンディング領域の外周を含むように形成されていてもよい。このような溝を有する半導体装置としては、以下のようなものが挙げられる。図8a、bは、本発明に係る半導体装置の他の一例を模式的に示す部分平面透視図である。図8aに示すように、半導体装置80が備えるアイランド82には、ダイボンディング領域87の対角線に直交する直線形状の溝86が形成されている。溝86はダイボンディング領域87の外周87aの4つの角の近傍の4箇所に形成されている。また、図8bに示すように、半導体装置90が備えるアイランド92には、ダイボンディング領域97の外周97aを含むように溝96が形成されている。すなわち、溝96はダイボンディング領域97の外周97aの互いに隣接する2辺に沿って平面視L字状に形成され、ダイボンディング領域97の外周の4つの角の4箇所に形成されている。この場合、平面視において、溝96と半導体チップの角とが重なることになる。このような半導体装置であっても、ダイボンディング領域の角の近傍のダイボンディング材の厚さを確保することによって、ダイボンディング材の角を起点としたクラックを防止することができる。以上、第1~第7実施形態に係る半導体装置について説明したが、本発明の半導体装置は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。本実施形態においては、半導体装置のパッケージ方式がSOPSmallOutlinePackageである場合について説明したが、本発明において、パッケージ方式としては、特に限定されるものではなく、例えば、QFPQuadFlatPackage、QFNQuadFlatNonleadedpackage、QFJQuadFlatJleadedpackage、SOJSmallOutlineJleadedpackage、DIPDualInlinePackage、SIPSingleInlinePackage等を挙げることができる。"