"不活性ガスが導入されるチャンバと、前記チャンバ内においてシリコン融液を支持するルツボと、前記ルツボ内の前記シリコン融液を加熱するヒータと、前記ルツボを昇降駆動する昇降駆動手段と、前記ルツボの上方に配置された筒状の熱輻射シールドと、前記熱輻射シールドの内側に設けられた前記不活性ガスを整流する略円筒状のパージチューブと、前記シリコン融液の液面に映る前記熱輻射シールドの鏡像を前記パージチューブ越しに撮影するカメラと、前記カメラによって撮影された前記鏡像の位置から前記シリコン融液の液面レベルを算出する液面レベル算出部と、単結晶引き上げ開始前に前記ルツボを昇降させて前記シリコン融液の液面レベルを任意に変化させたときの当該液面レベルと前記鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成する換算テーブル作成部とを備え、前記液面レベル算出部は、前記カメラによって撮影された前記鏡像の位置及び前記換算テーブルに基づいて前記液面レベルを算出することを特徴とすることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ装置。前記液面レベル算出部は、前記カメラによって撮影された鏡像内の複数の測定点から前記シリコン融液の液面レベルを算出し、前記換算テーブル作成部は、前記複数の位置に基づいて換算テーブルを作成することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶引き上げ装置。前記パージチューブは、前記カメラの光軸との交点を含む一部の領域に形成された平坦面を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン単結晶引き上げ装置。前記液面レベル算出部によって算出された液面レベルに基づいて前記昇降駆動手段を制御して前記ルツボの高さを制御することにより、前記熱輻射シールドに対する前記液面レベルを制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶引き上げ装置。前記カメラは、前記パージチューブが光軸上に介在しない状態で前記鏡像を撮影し、前記換算テーブル作成部は、単結晶引き上げ開始前に前記ルツボを昇降させて前記シリコン融液の液面レベルを任意に変化させたときの当該液面レベルと、前記パージチューブが介在しない状態における前記鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶引き上げ装置。チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、単結晶引き上げ開始前には、ルツボの高さを変えながら前記ルツボ内のシリコン融液の液面をパージチューブ越しに撮影して得た画像から前記シリコン融液の液面に映る熱輻射シールドの鏡像の位置と液面レベルとの関係を示す換算テーブルを作成し、単結晶引き上げ中には、前記シリコン融液の液面に映る熱輻射シールドの鏡像を前記パージチューブ越しに撮影し、前記換算テーブルを用いて前記鏡像の位置から液面レベルを算出し、当該液面レベルに基づいてルツボの高さを制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。上記のように、不純物をドープしたシリコン単結晶の製造においてドーパントの量を精密に制御するためにはシリコン融液の液面レベルを精密に制御することが必要である。しかしながら、パージチューブを用いた従来のシリコン単結晶引き上げ装置においては、パージチューブが円筒形状を有し、パージチューブの設置位置、肉厚、表面状態等に起因してパージチューブ越しに捕らえた液面の画像も歪んでしまうため、液面に映る基準反射体の鏡像に基づいて液面レベルを正確に測定することが非常に難しいという問題がある。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、熱輻射シールドの内側にパージチューブが設置されている場合であっても液面レベルを正確に測定することができ、シリコン単結晶の引き上げ方向での抵抗率分布の安定性を向上させることが可能なシリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明によるシリコン単結晶引き上げ装置は、不活性ガスが導入されるチャンバと、前記チャンバ内においてシリコン融液を支持するルツボと、前記ルツボ内の前記シリコン融液を加熱するヒータと、前記ルツボを昇降駆動する昇降駆動手段と、前記ルツボの上方に配置された熱輻射シールドと、前記熱輻射シールドの内側に設けられた前記不活性ガスの整流する略円筒状のパージチューブと、前記シリコン融液の液面に映る前記熱輻射シールドの鏡像を前記パージチューブ越しに撮影するカメラと、前記カメラによって撮影された前記鏡像の位置から前記シリコン融液の液面レベルを算出する液面レベル算出部と、単結晶引き上げ開始前に前記ルツボを昇降させて前記シリコン融液の液面レベルを任意に変化させたときの当該液面レベルと前記鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成する換算テーブル作成部とを備え、前記液面レベル算出部は、前記カメラによって撮影された前記鏡像の位置及び前記換算テーブルに基づいて前記液面レベルを算出することを特徴とすることを特徴とする。また、上記課題を解決するため、本発明によるシリコン単結晶の製造方法は、単結晶引き上げ開始前には、前記ルツボの高さを変えながら前記シリコン融液の液面をパージチューブ越しに撮影して得た画像から前記シリコン融液の液面に映る熱輻射シールドの鏡像の位置と液面レベルとの関係を示す換算テーブルを作成し、単結晶引き上げ中には、前記シリコン融液の液面に映る熱輻射シールドの鏡像を前記パージチューブ越しに撮影し、前記換算テーブルを用いて前記鏡像の位置から液面レベルを算出し、当該液面レベルに基づいてルツボの高さを制御することを特徴とする。本発明において、パージチューブとは、チャンバ内に導入されるパージガスの流れを制御することを主たる目的として、引き上げられるシリコン単結晶の周囲を覆うように設けられる円筒状の整流部材のことをいう。パージチューブの少なくとも一部は透明部材で構成されており、パージチューブ越しに融液面を観測することが可能である。本発明において、前記液面レベル算出部は、前記カメラによって撮影された鏡像内の複数の測定点から前記シリコン融液の液面レベルを算出し、前記換算テーブル作成部は、前記複数の位置に基づいて換算テーブルを作成することが好ましい。この構成によれば、パージチューブが有する歪みの影響を抑えてより正確な液面レベルの測定が可能となる。本発明において、前記パージチューブは、前記カメラの光軸との交点を含む一部の領域に形成された平坦面を有することが好ましい。この構成によれば、パージチューブによる歪みをできるだけ少なくすることができ、液面レベルの測定誤差を小さくすることが可能となる。本発明によるシリコン単結晶引き上げ装置は、前記液面レベル算出部によって算出された液面レベルに基づいて前記昇降駆動手段を制御して前記ルツボの高さを制御することにより、前記熱輻射シールドに対する前記液面レベルを制御する制御手段をさらに備えることが好ましい。本発明において、前記カメラは、前記パージチューブが光軸上に介在しない状態で前記鏡像を撮影し、前記換算テーブル作成部は、単結晶引き上げ開始前に前記ルツボを昇降させて前記シリコン融液の液面レベルを任意に変化させたときの当該液面レベルと、前記パージチューブが介在しない状態における前記鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成することが好ましい。この構成によれば、パージチューブによる影響を正確に把握することができるので、液面レベルの測定結果に含まれるパージチューブの影響を確実に排除することができる。本発明において、前記熱輻射シールドは、下端から上端に向かって直径が拡大した逆円錐台形の筒状部材であるシールド本体と、前記シールド本体の下端部から内側に向かって水平方向に延設された内側フランジ部とを有し、前記パージチューブは前記内側フランジ部の上面に載置されていることが好ましい。この構成によれば、パージチューブを簡単に設置することができ、熱輻射シールドとパージチューブとを容易に接続することができる。このように、本発明によれば、熱輻射シールドの内側にパージチューブが設置されている場合であっても液面レベルを正確に測定することができ、シリコン単結晶の引き上げ方向での抵抗率分布の安定性を向上させることができる。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の好ましい実施の形態によるシリコン単結晶引き上げ装置の構成を概略的に示す側面断面図である。図1に示すように、シリコン単結晶引き上げ装置10は、チャンバ11と、チャンバ11内においてシリコン融液1を支持するルツボ12と、ルツボ12の周囲に設けられたヒータ15と、ヒータ15及びルツボ12からの輻射熱によるシリコン単結晶2の加熱を防止すると共にシリコン融液1の温度変動を抑制するための熱輻射シールド16と、チャンバ11内に導入されるパージガスの誘導路を構成するパージチューブ17と、シリコン融液1の液面を撮影するCCDカメラ18と、各構成要素を制御する制御部30とを備えている。ルツボ12は、石英ルツボ13と、石英ルツボ13を支持するグラファイトサセプタ14からなり、シリコン融液1は石英ルツボ13内に収容されている。ヒータ15の外側には、円筒状のヒートシールド19が設けられており、ヒートシールド19のさらに外側には円筒状の断熱体20が設けられている。ルツボ12はチャンバ11の底部中央を貫通して鉛直方向に設けられたシャフト21の上端部に固定されており、シャフト21はシャフト駆動機構22によって昇降及び回転駆動される。シャフト駆動機構22は制御部30からの命令に従って動作する。ルツボ12の上方には、種結晶を保持するシードチャック23と、シードチャック23を吊設する引き上げワイヤ24と、引き上げワイヤ24を巻き取るためのワイヤ巻き取り機構25が設けられている。単結晶の引き上げ時には種結晶がシリコン融液1に浸漬され、ルツボ12と種結晶を互いに逆方向に回転させながら種結晶を徐々に引き上げる。ワイヤ巻き取り機構25は制御部30からの命令に従って動作する。チャンバ11の上部にはガス導入口26が設けられており、チャンバ11の底部にはガス排出口27が設けられている。Ar等の不活性ガスはパージガスとしてガス導入口26から導入され、その流量はバルブ28によって制御される。また、パージガスの排出量もガス排出口27に設けられたバルブ29によって制御される。これらのバルブ28,29は制御部30によって制御される。熱輻射シールド16はルツボ12の上方に配置された筒状の部材であり、下端から上端に向かって直径が拡大した逆円錐台形状を有している。熱輻射シールド16の材料としてはグラファイトを用いることができる。さらに、詳細は後述するが、熱輻射シールド16は、シリコン融液1の表面付近におけるパージガスの流れを整流するガス整流部材としての役割も果たし、パージチューブ17と共にパージガス誘導路の一部としても機能する。熱輻射シールド16は、逆円錐台形状のシールド本体16aと、シールド本体16aの下端部から内側に向かって水平方向に延設された内側フランジ部16bと、シールド本体の上端部から外側に向かって水平方向に延設された外側フランジ部16cと、外側フランジ部の外周部からさらに下方に直角に折り曲げられた外側円筒部16dとを有し、外側円筒部16dは断熱体20に固定されている。この構造により、チャンバ11の上部に設けられたガス導入口26と、融液表面近傍と、ヒータ15とヒートシールド19との間の空間と、ガス排出口27とが連通され、ガス導入口26から導入されたパージガスはこの連通空間を通ってガス排出口27から排出される。パージチューブ17は、熱輻射シールド16の内側フランジ部16bによる平坦面に載せるような形で設置される。本実施形態によるパージチューブ17は単一の円筒部材からなるが、複数の円筒部材を連結した構成であってもよい。円筒部材の内径はいずれも引き上げる単結晶の最大径より大きいが、その値はパージガスの整流性を考慮して決定することができる。パージチューブ17は、覗き窓11aからパージチューブ越しに融液表面の温度や単結晶の成長状態を観測できるように透明石英ガラス材料からなることが好ましい。この場合、パージチューブ17全体を透明石英ガラスとしてもよく、CCDカメラ18の光軸Xとの交点を含む一部分だけを透明石英ガラスとし、残りの部分を不透明石英ガラスとしてもよい。図2は、パージチューブ17の構造の変形例を示す略斜視図である。図2に示すように、このパージチューブ17は、外周面の一箇所に平坦面17aを有している。平坦面17aは、CCDカメラ18の光軸Xとの交点を含む領域に設けられている。この場合のパージチューブ17としては、石英ガラスからなる円筒部材の一部をくり貫き、その部分に平坦な透明石英ガラス板を溶接したものを用いることができる。或いは、平坦面17aの部分だけを石英ガラスとし、それ以外をグラファイト材料とすることも可能である。熱輻射シールド16及びパージチューブ17は、矢印A1~A3で示すパージガス誘導路を構成しており、チャンバ11内はパージガス誘導路によって内部空間と外部空間とに分けられている。ガス導入口26からチャンバ11内に導入されたパージガスは、外部空間に拡散することなく、矢印A1で示すパージチューブ17内を通ってシリコン融液1の表面近傍に到達し、次いで矢印A2で示すように熱輻射シールド16に誘導されて石英ルツボ13の側壁部の上方に到達し、さらに矢印A3で示すようにヒータ15とヒートシールド19との間の隙間を通ってチャンバ11の下部空間に送り込まれ、チャンバ11の底部に設けられたガス排出口27から排出される。なお、チャンバ11の下部空間まで誘導されたパージガスの一部は外部空間に拡散できるように構成されている。パージガス誘導路の形状は、シリコン単結晶2の成長及びシリコン融液1の消耗とともに変化する。引き上げ開始の段階では、ガス導入口26から導入したパージガスは、パージチューブ17内の広い空間を通ってシリコン融液1の表面近傍に流下する。また、単結晶がある程度成長した段階では、パージガスはパージチューブ17とシリコン単結晶2の側面との間の隙間を通って流れる。チャンバ11の上部には、シリコン融液1の液面の状態を観測するための覗き窓11aが配置されており、CCDカメラ18は覗き窓11aの外側に設置されている。CCDカメラ18は、覗き窓11aを通して見えるルツボ12内のシリコン融液1の液面を撮影する。CCDカメラ18は液面レベル算出部31に接続されており、撮影された画像は、液面レベル制御に用いられる。CCDカメラ18は、一次元CCDカメラであってもよく、二次元CCDカメラであってもよいが、二次元CCDカメラを用いた場合には二次元画像内の複数の測定点に基づいて液面レベルを算出することができるので、液面レベルをより正確に測定することができる。本実施形態においては単結晶の直径を観察するためのCCDカメラが本CCDカメラ18とは別に設けられているが、液面レベルの測定と単結晶の直径の測定とを本CCDカメラ18で行ってもよい。シリコン融液1の液面レベルには二つの意味があり、一つはルツボに対する液面レベルであり、これは主に単結晶の引き上げに伴うシリコン融液1の消耗によって変化するが、さらにルツボの変形によってルツボの容積が変化した場合にも変化することがある。もう一つは、熱輻射シールド16に対する液面レベルであり、これは上述したルツボに対する液面レベルの変化に加えて、ルツボの上下方向の位置高さの移動によっても変化する。なお本明細書において液面レベルと言うときは、特に断らない限り、熱輻射シールド16に対する液面レベルのことを言うものとする。換算テーブル作成部32は、シリコン融液2の液面に映る熱輻射シールド16の鏡像の位置と実際の液面レベルとの関係を示す換算テーブルを作成する。CCDカメラ18や熱輻射シールド16が設計上の決められた位置に決められた角度で正確に設置されていれば、撮影画像内に表れた熱輻射シールド16の鏡像位置から液面レベルを幾何光学的に算出することが可能である。しかし、CCDカメラ18や熱輻射シールド16の実際の設置位置や角度には微妙なずれがあり、これが液面レベルの算出誤差の要因となる。さらに、パージチューブ17を用いた単結晶引き上げ装置においては、パージチューブ17による歪みの影響を強く受けるため、幾何光学的方法による液面レベルの算出は非常に困難である。また上述したように、シリコン融液16の液面レベルと当該液面に映る熱輻射シールド16の鏡像位置との関係を直線近似させた換算式を用いる従来の液面レベル測定方法は、液面レベルの変化に対する鏡像位置の変化が直線的である場合には有効である。しかし、CCDカメラからシリコン融液の液面までの光路上にパージチューブが介在する場合には、そのパージチューブの肉厚のバラツキや表面状態等によって像が歪み、液面位置の変化に対する鏡像位置の変化は直線的にならない。このような問題は、換算式が1次式である場合に限らず、2次式等に変更しても同様に起こり得るものである。そのため、本実施形態においては、パージチューブ17を通して実際に撮影された画像に写る熱輻射シールド16の鏡像位置と液面レベルとの関係を示す換算テーブルを単結晶引き上げ前に予め求めておき、単結晶引き上げ中にはこの換算テーブルを参照して液面レベルを算出する。具体的には、シリコン原料の溶融が完了し、シリコン融液が安定した後、単結晶引き上げ開始前に、初期位置にあるルツボ12を昇降させて熱輻射シールド16に対する液面レベルを変化させ、CCDカメラ18で撮影した画像に写る熱輻射シールド16の鏡像位置と、このときの液面レベルとの一対一の関係を求め、これを換算テーブルとして保存する。換算テーブルに登録されているシリコン融液の液面レベルは、熱輻射シールド16からの絶対的な距離を示すものではない。シリコン融液の初期液面レベルは、ルツボ12内のシリコン原料を溶融し、シリコン融液とした後、例えばオペレータが覗き窓11aから液面を観察しながらルツボを昇降させて、初期液面レベルとして適切な位置に調整することにより設定されるが、このとき熱輻射シールド16から初期液面レベルまでの正確な距離が不明な場合があるからである。しかしながら、この初期液面レベルを基準として液面レベルを変化させ、液面レベルと鏡像位置との関係を示す換算テーブルを作成し、この換算テーブルを用いて現在の液面レベルを算出する場合、初期液面レベルから見た相対的な液面レベルの算出が可能である。図3は、引き上げ開始前に測定した鏡像位置と液面レベルとの関係を示すグラフであり、横軸は液面レベル相対値、縦軸は鏡像位置の変化pixelを示している。図中の6本の曲線P1~P6は、二次元CCDカメラによって撮影された画像に写る熱輻射シールド16の鏡像から選んだ6箇所の測定結果である。そして、各曲線は、ルツボ12と共に液面レベルを一定速度で変化させたときの各測定点の変化、つまり鏡像に対応する画素の移動を示している。図3に示すように、液面レベルと画素との関係は6箇所の測定点すべてにおいて複雑に変化しており、パージチューブ17による歪みの影響を受けていることがわかる。また、パージチューブ17の歪みにより液面レベル画素が変化しても、画素の変化が小さい領域があることがわかる。たとえば曲線P1、P2で示すデータの左側の部分がその領域にあたり、そのような部分では、シリコン融液1の揺らぎ等により大きなばらつきを発生することとなる。このような誤差に対しては、複数の測定点にて液面レベルを算出することにより、前述の問題を解消することができる。図4は、3つの測定点での測定値に基づいて液面レベルを算出した結果を示すグラフであり、横軸は測定時間分、縦軸は液面レベル相対値を示している。この測定では、時間の経過と共に液面レベルが徐々に低下するようにルツボ12の位置を意図的に制御しながら単結晶の引き上げを行ったものである。図4に示すように、3つの測定点での測定値に基づいて液面レベルを測定した場合、シリコン融液1の液面レベルが時間の経過と共に変化し、実際の測定条件と非常に近い結果が得られていることが分かる。このように、複数の測定点の測定値を用いる場合、液面レベルの正確な測定が可能となる。この結果テーブルを用いてルツボ12の上昇速度を制御することにより、熱輻射シールド16に対する液面レベルを制御することができ、熱輻射シールド16と液面レベルとの間の適切な距離を確保することが可能となる。上述したように、シリコン融液1の表面からはSiOやドーパント酸化物等の蒸発物質がたえず蒸発している。特に、蒸発量の大きいSiOの場合、従来は比較的低温のチャンバ11内壁に容易に凝縮固着して、その後に剥離し、異物として融液に混入することが避けられない。しかし、パージガス誘導路は、チャンバ11の外部空間と内部空間とを分離しているので、蒸発物質がチャンバ11の内壁に直接拡散して凝縮固着することを防止することができる。特に、パージチューブ17を設けたことにより、そのような異物が融液に混入することを回避することができる。また逆に、熱輻射シールド16は、チャンバ11内壁側で発生した異物がシリコン融液1に混入することを防止することができる。また、熱輻射シールド16はパージガスをチャンバ11の下部空間へ誘導できるため、パージガスの整流性を高めることができる。よって、融液表面からの蒸発物質をパージガス中に効率よく取り込んで、周囲の部品に付着させることを抑制し、チャンバ11の外に排出することができる。次に、シリコン単結晶引き上げ装置10を用いたシリコン単結晶の製造方法について詳細に説明する。図5は、第1の実施形態によるシリコン単結晶の製造方法を説明するためのフローチャートである。図5に示すように、第1の実施形態によるシリコン単結晶の製造では、ルツボ12内に適量の多結晶シリコンナゲットを充填し、チャンバ11内を減圧下のArガス雰囲気とした後、ルツボ内のシリコン原料をヒータ15で加熱し溶融するS101。このとき、ワイヤ24の先端に装着された種結晶は石英ルツボよりも十分に高い位置にあり、溶融中の多結晶シリコンから引き離されている。次に、シリコン融液1が安定するまで温度調整を行った後、ルツボ12の高さを調整してシリコン融液の初期液面レベルh0を設定するS102。特に限定されるものではないが、初期液面レベルh0の設定は、オペレータがシリコン融液の液面を観察しながらルツボを昇降させることにより行うことができる。次に、ルツボ12の高さをさらに変化させて、初期液面レベルに対する現在の液面レベルh1と、パージチューブ17を通して見えるルツボ12内のシリコン融液1の液面に映る熱輻射シールド16の鏡像位置との関係を示す換算テーブルを作成するS103。換算テーブルの作成では、ルツボを一定速度で降下させながら液面をCCDカメラ18で撮影し、得られたCCDカメラ18の画像に写った熱輻射シールド16の鏡像の位置を求め、液面レベルと鏡像位置との関係を示す換算テーブルを作成する。ただしこの場合、h0の正確な値は不明である。図6a及びbは、単結晶引き上げ開始前においてルツボの高さ方向の位置を変化させた状態を示す略断面図であり、aは初期位置の状態、bはルツボを降下させた状態をそれぞれ示している。換算テーブルの作成では、図6aに示す初期位置から図6bに示す降下位置まで例えば1mm/分の一定速度でルツボ12を降下させ、熱輻射シールド16の下端から液面までの距離をh0からh0h1まで変化させる。このときのルツボ12の降下量はh1である。このルツボ位置の移動と共に、シリコン融液1の液面を6秒ピッチで撮影する。これにより、0.1mmピッチの液面レベルの変化に対する換算テーブルを作成することができる。二次元CCDカメラを用いる場合、熱輻射シールド16の鏡像は、撮影画像中に二次元的に表れるので、異なる複数の測定点をサンプリングすることができる。各測定点での液面レベルの変化は、各測定点の移動ピクセル数から求めることができ、最終的な液面レベルは各液面レベルの平均値から求めることができる。このように複数の測定位置に基づいて液面レベルを算出することにより、パージチューブ17の歪みやシリコン融液1の揺らぎ等に起因するばらつきを防止することができる。次に、シリコン単結晶の引き上げを開始するS104。CZ法によるシリコン単結晶の引き上げでは、シャフト21及びワイヤ24を互いに逆方向に回転させながら、種結晶をゆっくりと引き上げることにより、種結晶の下端にシリコン単結晶を成長させていく。シリコン単結晶の成長では、まず単結晶を無転位化するためダッシュ法によるシード絞りネッキングを行う。次に、必要な直径のシリコン単結晶を得るためにショルダー部を育成し、シリコン単結晶が所望の直径になったところで直径を一定にしてボディ部を育成する。ボディ部を所定の長さまで育成した後、無転位の状態で単結晶をシリコン融液1から切り離すためにテール絞りテール部の形成を行なう。ネッキングでは、種結晶に元から含まれる転位や、着液時の熱衝撃により種結晶中に生じるスリップ転位を消滅させるため、種結晶を相対的に回転させながら上方にゆっくりと引き上げてその最小直径が3~5mm程度になるまで細く絞り込む。ネック部の長さが10~20mmとなりスリップ転位が完全に除去されたら、種結晶の引き上げ速度とシリコン融液1の温度を調整してネック部の直径を拡大し、ショルダー部の育成に移行する。ショルダー部が所定の直径に達すると、今度はボディ部の育成に移行する。ウェーハ収率を高めるためボディ部の直径は一定とする必要があり、単結晶育成中は、ボディ部がほぼ一定の直径を維持して育成されるように、ヒータ15の出力、引き上げ速度、ルツボ12の上昇速度等が制御される。特に、シリコン単結晶の成長に伴ってシリコン融液1が減少し、液面が下がるので、液面の低下に合わせてルツボ12を上昇させる。液面レベルを制御するため、CCDカメラ18で液面の画像を撮影し、熱輻射シールド16の鏡像位置をもとに液面レベルを算出するS105,S106。上記のように、円筒状のパージチューブ17越しに見える融液面の画像は歪んでいるため、直線近似の換算式を用いたのでは誤差の大きな液面レベルが算出されてしまう。しかし、本実施形態においては、鏡像位置と液面レベルとの一対一の対応関係を示す換算テーブルから液面レベルを求め、この液面レベルに基づいてルツボの上昇速度を制御するのでS107、正確な制御が可能となる。制御部30は、液面レベル算出部31が算出した液面レベルに基づいてシャフト駆動機構22を制御してルツボ12の高さを制御し、これにより液面レベルを制御する。熱輻射シールド16は、シリコン融液1の表面付近におけるパージガスの流れを整流するガス整流部材としても機能する。ここで、シリコン単結晶の引き上げにあわせてルツボ12の位置上昇速度を適宜調節することにより、熱輻射シールド16の下端部から融液表面までの距離を制御することができ、シリコン融液の表面近傍パージガス誘導路を流れるパージガスの流速を制御することができる。したがって、シリコン融液からのドーパントの蒸発量を制御することができ、シリコン単結晶の引き上げ方向での抵抗率分布の安定性を向上させることができる。ボディ部が所定の長さに達すると、その後はテール部の形成に移行する。結晶成長界面に存在したシリコン融液1とシリコン単結晶2との間の熱均衡が崩れて結晶に急激な熱衝撃が加わり、スリップ転位や異常酸素析出等の品質異常が発生することを防止するため、直径を徐々に縮小して円錐状のテール部を形成し、シリコン融液1からのシリコン単結晶を切り離し、単結晶引き上げが完了するS108。その後、シリコン融液1から切り離したシリコン単結晶インゴットは所定の条件で冷却され、シリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェ-ハは種々の半導体デバイスの基板材料として用いられる。以上説明したように、本実施形態によれば、パーチューブを用いたCZ法によるシリコン単結晶引き上げにおいてシリコン融液の液面レベルの正確な制御が可能となり、シリコン単結晶インゴット中に取り込まれるドーパントの量を適正に制御することができる。次に、第2の実施形態によるシリコン単結晶の製造方法について説明する。第2の実施形態は、パージチューブ17が設置されていない状態と設置されている状態の両方の換算テーブルを作成することを特徴とするものである。そのため、本実施形態によるパージチューブ17は昇降可能に構成されている。図7は、第2の実施形態によるシリコン単結晶の製造方法を説明するためのフローチャートである。また、図8a及びbは、パージチューブ17の状態を示す略斜視図であり、aはパージチューブ17が引き上げられた状態、bはパージチューブ17が通常位置に設置された状態をそれぞれ示している。図7に示すように、第2の実施形態によるシリコン単結晶の製造では、第1の実施形態と同様に、ルツボ12内の多結晶シリコンナゲットをヒータ15で加熱し溶融するS201。次に、シリコン融液1が安定するまで温度調整を行った後、ルツボ12の高さを調整してシリコン融液の初期液面レベルh0を設定するS202。特に限定されるものではないが、初期液面レベルh0の設定は、オペレータがシリコン融液の液面を観察しながらルツボを昇降させることにより行うことができる。次に、図8aに示すようにパージチューブ17を上昇させ、パージチューブ17の非設置状態において、初期液面レベルh0から見た相対的な液面レベルとルツボ12内のシリコン融液1の液面に映る熱輻射シールド16の鏡像位置との関係を示す換算テーブルを、ルツボ12を昇降させて高さを変更することにより作成するS203,S204。次に、図8bに示すようにパージチューブ17を下降させ、パージチューブ17の設置状態において、初期液面レベルh0から見た相対的な液面レベルとパージチューブ17を通して見えるルツボ12内のシリコン融液1の液面に映る熱輻射シールド16の鏡像位置との換算テーブルを前記パージチューブ17の非設置状態のときと同様の操作により作成するS205,S206。換算テーブルの作成では、液面をCCDカメラ18で撮影し、得られた画像から融液面に映った熱輻射シールド16の鏡像の位置を特定し、この鏡像位置と液面レベルとの関係を記録する。その後、シリコン単結晶の引き上げを開始するS207。単結晶の引き上げ中は液面レベルを制御するため、CCDカメラ18で液面の画像を撮影し、熱輻射シールド16の鏡像の位置をもとに液面レベルを算出するS208,S209。上記のように、円筒状のパージチューブ17越しに見える融液面の画像は歪んでいるため、直線近似の換算式を用いたのでは誤差の大きな液面レベルが算出されてしまう。しかし、本実施形態においては、鏡像位置と液面レベルとの一対一の対応関係を示す換算テーブルから液面レベルを求め、この液面レベルに基づいてルツボの上昇速度を制御するのでS210、正確な制御が可能となる。単結晶の引き上げ中は、ネック部、ショルダー部、ボディ部を順次形成し、ボディ部が所定の長さに達すると、その後は円錐状のテール部を形成し、シリコン融液1からのシリコン単結晶を切り離し、単結晶引き上げが完了するS211。以上説明したように、本実施形態によれば、第1の実施形態による発明の作用効果に加えて、パージチューブ17の影響を正確に把握することができる。以上、本発明をその好ましい実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本願発明に包含されるものであることは言うまでもない。例えば、上記実施形態においては、パージチューブ17が石英ガラスからなる場合について説明したが、パージチューブ17の材料は石英ガラスに限定されず、熱履歴変動の少ないグラファイト等、他の材料を用いることも可能である。例えば、パージチューブ17を複数の円筒部材の連結によって構成する場合、上部円筒部材をグラファイトで構成し、CCDカメラの光軸上に配置される下部円筒部材を石英ガラスで構成することが可能である。また、図2に示すパージチューブ17の平坦面17aは一つに限定されず、複数設けられていてもよい。また、上記実施形態においては、シリコン融液の液面を撮像する手段としてCCDカメラを用いているが、本発明はCCDカメラに限定されるものではなく、シリコン融液の液面に映る熱輻射シールド16の鏡像を捉えることが可能な種々のタイプの撮像手段を用いることができる。"