所定の解像度でパターンを生成するパターン生成部と、前記パターン生成部で生成されたパターンの像を所定の分解能で被露光部材に投影する投影部と、前記パターン生成部と前記投影部との少なくとも一方に設けられ、前記被露光部材に投影される前記パターンの像の投影倍率を設定する倍率設定部とを備え、前記所定の解像度、前記所定の分解能及び前記投影倍率が所定の相関関係をもって設定されている露光装置。前記所定の解像度をX、前記所定の分解能をR、前記投影倍率をMとしたときに、2≦R/X/M≦3の式を満足する請求項1に記載の露光装置。前記所定の解像度及び前記投影倍率に応じて、前記所定の分解能を調整する第1調整装置を備える請求項1または2に記載の露光装置。前記第1調整装置は、前記パターン生成部と前記投影部との少なくとも一方における開口数を調整する請求項3に記載の露光装置。前記第1調整装置は、前記パターン生成部と前記投影部との少なくとも一方に設けられた開口絞りを備える請求項4に記載の露光装置。前記所定の解像度及び前記所定の分解能に応じて、前記投影倍率を調整する第2調整装置を備える請求項1から5のいずれか一項に記載の露光装置。前記第2調整装置は、前記パターン生成部における位置に応じて前記投影倍率が設定される光学素子と、該光学素子の位置を前記所定の解像度及び前記所定の分解能に応じて調整する調整部とを備える請求項6に記載の露光装置。前記第2調整装置は、互いに異なる複数の投影倍率にそれぞれ対応する複数の光学素子と、前記複数の光学素子のうち、前記所定の解像度及び前記所定の分解能に応じた光学素子を選択して、前記パターン生成部に移動させて前記投影倍率を切り替える切替部とを備える請求項6に記載の露光装置。前記所定の分解能及び前記投影倍率に応じて、前記所定の解像度を調整する第3調整装置を備える請求項1から8のいずれか一項に記載の露光装置。前記パターン生成部は、前記所定の解像度に対応する大きさの画素部が複数配列された光変調素子を有し、前記第3調整装置は、前記画素部の大きさが互いに異なる複数の前記光変調素子から、前記所定の分解能及び前記投影倍率に応じた大きさの画素部を有する前記光変調素子を選択する選択部を備える請求項9に記載の露光装置。前記パターン生成部は、前記所定の解像度に対応する大きさの画素部が複数配列された光変調素子を有し、前記第3調整装置は、前記所定の分解能及び前記所定の投影倍率に応じた数の複数の前記画素部を一つの単位として前記パターンを生成させる画素数調整部を備える請求項9に記載の露光装置。請求項1~11のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板に露光することと、露光された前記基板を現像することとを含んでいる、デバイス製造方法。しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。露光中に該当画素についてON/OFF制御する場合は、制御が複雑になり処理が煩わしくなってしまう。また、特許文献2の技術では、投影特性のみに着目しているため汎用性が低く、種々の制約がある状況での適用に難がある。本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、曲線や斜線のパターンを容易、且つ高い汎用性をもって滑らかに形成できる露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。本発明の第1の態様に従えば、所定の解像度でパターンを形成するパターン形成部と、パターン形成部で形成されたパターンの像を所定の分解能及び所定の投影倍率で被露光部材に投影する光学装置とを備え、所定の解像度、所定の分解能及び所定の投影倍率が所定の相関関係をもって設定されている露光装置が提供される。本発明の第2の態様に従えば、先に記載の露光装置を用いて基板に露光することと、露光された基板を現像することとを含んでいる、デバイス製造方法が提供される。本発明では、曲線や斜線のパターンを容易、且つ高い汎用性をもって滑らかに形成できる。以下、本発明の露光装置及びデバイス製造方法の実施の形態を、図1ないし図6を参照して説明する。説明に用いる図面において、各種構造の寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせている場合がある。第1実施形態図1は、第1実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。露光装置EXは、パターン生成装置パターン生成部PG、投影光学系投影部PL、ステージ装置ST、フォーカス装置不図示、画像取得装置CA、画像取得用照明装置EPI及び制御装置CONTを備えている。露光装置EXは、例えばMEMS等のデバイスを製造する際の露光工程で用いられる。露光装置EXは、例えば配線や絶縁膜など、デバイスの構成要素のパターン以下、デバイスパターンと表記するの像を投影し、当該デバイスパターンの露光パターンを基板Sに形成する。以下の説明では、XYZ直交座標系に基づいて、各種構成要素の位置関係等を説明する。このXYZ直交座標系において、Z軸方向は投影光学系PLの光射出側の光軸に平行な方向であり、X軸方向及びY軸方向は投影光学系PLの光射出側の光軸に直交する面内で互いに直交する方向である。例えば、X軸方向及びY軸方向が水平方向に設定され、Z軸方向が鉛直方向に設定される。パターン生成装置PGは、基板S上に転写するパターンを生成する。パターン生成装置PGは、露光光ELを射出する露光用光源4と、露光光ELを平行化するコレクタレンズ5と、平行化された露光光ELの開口数を調整する開口絞り6と、開口数が調整された露光光ELを導くリレーレンズ7と、露光光ELを空間変調することで露光光ELに光強度の分布を形成する光変調素子8と、空間変調された露光光ELを導光する対物レンズ第2対物レンズ9と、を有している。露光用光源4から射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm、及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光等が用いられる。露光用光源4の構成は、露光光ELの波長等に応じて、適宜選択される。制御装置CONTは、露光用光源4の点灯消灯等の動作を制御する。開口絞り6は、開口部を形成する複数の羽根部材を有している。開口絞り6は、制御装置CONTに接続されている。開口絞り6は、制御装置CONTにより、開口部の面積を調整可能に設けられている。開口部の面積を大きくすることで開口数を大きくすることができ、解像度を向上させることができるようになっている。一方、開口部の面積を小さくすることで焦点深度を深くすることができるようになっている。光変調素子8としては、例えばデジタルミラーデバイスDMDが用いられている。DMDは、二次元的に配列された複数の画素を有している。DMDの各画素は、それぞれマイクロミラー画素部8aを含んでいる。各マイクロミラー8aは、各画素に入射した露光光ELの分割光束を反射させる反射面を有している。各マイクロミラー8aは、反射面の姿勢を個別に調整できるようになっている。したがって、各分割光束の進行方向が当該分割光束毎に調整可能である。本実施形態では、光変調素子8から対物レンズ9へと向かう方向を露光光ELの進行方向としている。光変調素子8では、当該光変調素子8に入射する露光光ELを、例えば対物レンズ9へと向かう方向に沿って進行する分割光束と、当該対物レンズ9へと向かう方向とは異なる方向に進行する分割光束と、に分けて反射することができるようになっている。このため、対物レンズ9へと向かう方向に進行する露光光EL分割光束の集合は、進行方向に直交する方向において光強度の分布が形成されることになる。このように、光変調素子8は、各画素で反射した分割光束の進行方向を画素ごとに制御することにより、基板S上に転写するデバイスパターンを生成することができる構成となっている。本実施形態では、マイクロミラー8aは、当該マイクロミラー8aで反射した分割光束が基板S上でX方向及びY方向に沿ってマトリックス状格子状に並ぶように配列されている。制御装置CONTは、光変調素子8の動作、例えば個々のマイクロミラー8aの反射面の姿勢などを制御する。なお、露光用光源4及び光変調素子8に代えて、例えば自発光型のパネルを用いても構わない。この自発光型のパネルは、二次元的に配列された複数の発光素子を含んでいる。各発光素子は、露光光ELを射出する光源であり、例えばレーザーダイオードイや発光ダイオード等によって構成される。この場合、各発光素子は、発光素子ごとに点灯消灯が制御可能な構成である。自発光型のパネルは、各発光素子から各画素を示す露光光ELを射出するため、露光用光源4及び光変調素子8を用いた場合と同様のデバイスパターンを形成可能である。対物レンズ9から射出された露光光ELが入射する位置には、波長選択ミラー10が配置されている。波長選択ミラー10は、例えばダイクロイックミラー等によって構成されている。波長選択ミラー10は、露光光ELが反射し、後述する検出光が通過する特性を有している。対物レンズ9から射出されて波長選択ミラー10で反射した露光光ELは、波長選択ミラー10で反射し波長選択ミラー21を透過した後に、投影光学系PLに入射する。投影光学系PLは、レンズ等の光学部品第一対物レンズを1以上含んでいる。露光光ELが示すパターンの像を基板S上の投影領域PRに投影する。この投影領域PRは、投影光学系PLによってパターンの像を投影可能な領域を含む。投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Sの少なくとも一部に、デバイスパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系PLにはレンズなどの光学素子が複数設けられている。当該複数の光学素子は、例えば鏡筒2に保持されている。本実施形態では、縮小系の投影光学系PLが用いられている。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸は、例えばZ軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。ステージ装置STは、ステージ本体1及びステージ駆動装置不図示を有している。ステージ本体1は、基板Sを保持して移動可能に設けられている。ステージ本体1には、例えば減圧吸着や静電吸着等によって基板Sを着脱可能に保持する保持面1aが形成されている。基板Sは、表面Saの法線方向がZ軸方向と平行になるように、ステージ本体1の当該保持面1aに保持される。フォーカス装置は、AF用光源、コレクタレンズ、スリット、対物レンズ第二対物レンズ、絞り、分光部品、対物レンズ第二対物レンズ、反射ミラー、シリンドリカルレンズ、検出部等を含んでおり、例えばTTL型位相差方式のオートフォーカス以下、AFと略記するによって、投影光学系PLの焦点位置を露光面に合わせることが可能である。画像取得装置CAは、例えばカメラなどの撮像装置を有している。画像取得装置CAは、例えば上記の投影光学系PL縮小系を対物レンズ系として用いることで、ステージ装置STに支持された基板Sの表面Saの拡大像を対物レンズ第二対物レンズ30を介して撮像することができる構成となっている。このように、露光装置EXは、ステージ装置STに支持された基板Sを観察する顕微鏡として用いることもできる構成となっている。画像取得用照明装置EPIは、画像取得装置CAを顕微鏡として用いる場合の光源11、対物レンズ第二対物レンズを有しており、光源11から射出された照明光は、波長選択ミラー21を反射して、例えば投影光学系PLを介して基板Sの表面Saに照射されるようになっている。基板Sの表面Saの像は、上記画像取得装置CAによって撮像される。制御装置CONTは、露光装置EXの動作を総括的に制御する。制御装置CONTは、例えばコンピューターシステムを含む。制御装置CONTには、入力装置不図示が接続されている。例えば入力装置からの入力により、ステージ駆動装置を介してステージ本体1を移動することができるようになっている。本実施形態で用いられる基板Sとしては、例えばMEMSなどのデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造用の基板である。基板Sは、表面に形成された膜パターンや凹部、凸部等の段差や傾斜面を含むことがある。上記の段差や傾斜面は、例えばMEMSなどのデバイスの一部を構成する構成要素である。膜パターンの具体例として、電極や配線となる導電膜パターン、スイッチング素子の一部を構成する半導体膜パターン、パッシベーション膜等となる絶縁膜パターン等が挙げられる。また、基板Sは、表面に形成された感光膜フォトレジスト膜を含むことがある。基板Sは、デバイスの製造過程で又は製造後で機能する膜として、例えば露光光EL等の反射を防止する反射防止膜や、上記の感光膜を保護する保護膜トップコート膜等を含むことがある。次に、上記のように構成された露光装置EXの動作を説明する。制御装置CONTは、露光動作に用いるデバイスパターンのデータを読み出すと共に、露光条件を読み込んで、露光装置EXの基本的動作を決定する。制御装置CONTは、例えば光源の出力、フォーカス値、露光量等の基本的な条件を決定する。各条件を決定した後、制御装置CONTは、フォーカス装置を用いてフォーカス処理を行わせる。フォーカス処理の後、制御装置CONTは、露光処理を行わせる。露光処理においては、まず、制御装置CONTは、ステージ本体1の保持面1a上に基板Sを保持させる。基板Sの表面Saには、予め感光剤などを塗布しておく。制御装置CONTは、パターン生成装置PGの露光用光源4から露光光ELを射出させ、光変調素子8によって露光光ELを変調させる。光変調素子8によって変調された露光光ELは、進行方向に直交する方向に光強度の分布が形成された状態で対物レンズ9に入射し、波長選択ミラー10、21を介して投影光学系PLによって投影領域PRに投影される。ここで、例えば図2に示すように、デバイスパターンDPが、曲線や斜線を含む場合、光変調素子8のマイクロミラー8aがマトリックス状に配列されていることから、同図の部分拡大図に示すように、マイクロミラー8aの配列方向と交差する斜線の輪郭がギザギザ形状となり滑らかな形状とならないことがある。そして、本出願人は、光変調素子8の解像度マイクロミラー8aの大きさ、投影光学系PLからデバイスパターンの像を投影する際の光学的分解能、及び投影倍率を所定の相関関係で設定することにより、上記斜線や曲線等、マイクロミラー8aの配列方向と交差するデバイスパターンを露光形成した場合でも、上記のギザギザ形状が視覚的に問題とならないことを見出した。具体的には、例えばマイクロミラー8aの大きさをXμm×Xμmの正方形とした場合、解像度はXで表される。また、各マイクロミラー8aは、パターン生成装置PGにおいて1/M2に縮小され、投影光学系PLにおいて1/M1に縮小され、基板Sの表面に1/M=1/M1×M2に縮小されて投影されるものとする。そして、露光光ELの波長をλμm、投影光学系PLの開口数をNAとすると、光学的な分解能Rは次式レイリーの式で表せる。R=k×λ/NA...1kは係数であり、2点間の分解能を表す場合には、通常k=0.61が用いられる上記の諸元を用いて設定される投影特性PC=R/X/Mが下式2を満足する場合には、上記のギザギザ形状が視覚的に問題とならないことが確認された。2≦R/X/M...2また、光学的分解能Rが大きい分には、式2が成立するが、この場合、パターンの細線化に不利になるため、光学的分解能Rは3以下が好ましい。従って、細線化を実現し、ギザギザ形状が実質的に解消されるためには、次式3を満足することが好ましい。2≦R/X/M≦3...3図3aに、例えば露光光ELとしてg線λ=0.436μmを用い、X=14μmのマイクロミラー8aを有する光変調素子8を用い、市販の光学顕微鏡対物レンズM1=2.5~100を第2調整装置としての投影光学系PLとして用いた場合の投影特性PCを示す。図3aに示した条件では、倍率100の対物レンズ投影光学系PLを用いた場合に投影特性PCが2以上となり、デバイスパターンにおけるギザギザ形状の解消が確認された。図3bには、第1調整装置としての開口絞り6により開口率を調整することにより、投影特性PCを調整する例が示されている。この図に示すように、光変調素子8の解像度及び投影倍率に応じて開口絞り6の開口率を調整して開口数を調整することにより、光学的分解能Rの大きさを変更して投影特性PCを2以上とすることでデバイスパターンにおけるギザギザ形状の解消が確認された。図3cには、図3aで示した投影光学系PL対物レンズについて、開口数NAを調整したものを用いた例を示す。この図に示すように、光変調素子8の解像度及び投影倍率に応じて開口数が調整された投影光学系PL対物レンズを用いることにより、光学的分解能Rの大きさを調整して投影特性PCを2以上とすることでデバイスパターンにおけるギザギザ形状の解消が確認された。以上のように、本実施形態では、光変調素子8の解像度、光学的分解能R及び投影倍率で設定される投影特性PCを所定の相関関係2以上とすることにより、容易にデバイスパターンにおけるギザギザ形状を解消することができる。特に、本実施形態では、光変調素子8の解像度、光学的分解能R及び投影倍率の少なくともいずれか一つを調整することにより曲線や斜線のデバイスパターンを滑らかに形成できるため、光変調素子8の解像度、光学的分解能R及び投影倍率のいずれかに制約が課せられる場合であっても、他の要素を調整することでデバイスパターンを滑らかに形成でき、高い汎用性をもって適用することができる。また、本実施形態では、投影特性PCを3以下とすることにより、光学的分解能Rが悪化してパターンの細線化が不利になることを防止できる。なお、上記実施形態で説明した開口絞り6により開口率を調整することで投影特性PCを調整する場合には、露光光ELの光量が低下するため、デバイスパターンDPにおいて曲線や斜線を形成するところのみに適用することが好ましい。第2実施形態次に、露光装置の第2実施形態について、図3d及び図4を参照して説明する。第2実施形態では、パターン生成装置PGにおける中間変倍の倍率1/M2を調整することにより、投影特性PCを調整する場合について説明する。なお、これらの図において、図1乃至図3cに示す第1の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。図4は、第2実施形態の露光装置EXの概略構成を示す図である。図4に示すように、本実施形態におけるパターン生成装置PGにおいては、複数本実施形態では3つ、図4では2つのみ図示の対物レンズ第二対物レンズ、光学素子9A、9B、9Cが設けられている。各対物レンズ9A~9Cは、互いに異なる中間変倍の倍率を形成するものである。具体的には、対物レンズ9A~9Cは、図3dの第3列目に示されるように、中間変倍の倍率M2=4倍、2倍、1倍を有している。制御装置CONTは、光変調素子8の解像度、光学的分解能R及び投影光学系PLにおける投影倍率M1に応じて対物レンズ9A~9Cを適宜選択して、切替部として、パターン生成装置PGにおける露光光ELの光路上に切り替えて設置することにより、基板S上に投影されるデバイスパターンDPの像の投影倍率を調整する。これら対物レンズ9A~9C及び制御装置CONTによって、本発明に係る第2調整装置が構成される。上記構成の露光装置EXでは、図3dに示すように、光変調素子8の解像度、光学的分解能R及び投影光学系PLにおける投影倍率M1に応じて中間変倍の倍率M2=4~1倍の対物レンズ9A~9Cを適宜選択して露光光ELの光路に位置させることにより、総合投影倍率Mを調整する。これにより、基板S上のミラーサイズX/Mが調整され、第1実施形態と同様に、投影特性PCを2以上とすることでデバイスパターンにおけるギザギザ形状の解消が確認された。以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記第2実施形態では、複数の対物レンズ9A~9Cから投影特性PCを所定範囲とするために最適な対物レンズを選択して露光光ELの光路上に移動させる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば、図5に示すように、パターン生成装置PGにおける露光光ELの光路上に、当該光路上の位置に応じた中間変倍の倍率を形成する対物レンズ第二対物レンズ、光学素子9Dを設け、調整部としての制御装置CONTが、光変調素子8の解像度、光学的分解能R及び投影光学系PLにおける投影倍率M1に応じて対物レンズ9Dの位置を調整する構成としてもよい。この構成では、上記第2実施形態と同様の作用効果が得られることに加えて、第2実施形態で示したように、対物レンズの数と同数で投影倍率をステップ的に調整できるのではなく、対物レンズ9Dの位置に応じて連続的に投影倍率を調整することで投影特性PCをより微細に調整することが可能であり、より高い汎用性をもってデバイスパターンを滑らかに形成することができる。また、上記実施形態では、光学的分解能Rまたは投影倍率Mを調整することにより、投影特性PCを調整する例を用いて説明したが、これに限定されるものではなく、図3eの第5列目に示すように、ミラーサイズの異なるマイクロミラー8aを有する光変調素子8を複数用意し、制御装置CONTが第3調整装置における選択部として、光学的分解能R及び投影倍率Mに応じて、複数の光変調素子8から適切な光変調素子8を選択して用いることにより、基板S上のミラーサイズX/Mが調整され、投影特性PCを2以上とすることでデバイスパターンにおけるギザギザ形状を解消することができる。また、光変調素子8の解像度を調整する方法としては、ミラーサイズの異なる光変調素子8を用いる以外にも、例えば複数のマイクロミラー8aを一つの画素単位として設定し、設定した画素単位毎に、反射する分割光束を調整することにより、擬似的にミラーサイズを調整することも可能である。例えば、図3aに示したマイクロミラー8aX=14μmを縦×横=2×2の4つで一つの画素単位として設定することにより、画素単位ミラーサイズを28μm×28μmを擬似的に設定することができる。そして、制御装置CONTが、第3調整装置における画素数調整部として、光学的分解能R及び投影倍率Mに応じて、一つの画素単位として一括して制御するマイクロミラー8aの数を調整することにより、基板S上のミラーサイズX/Mが調整され、投影特性PCを2以上とすることでデバイスパターンにおけるギザギザ形状を解消することができる。本発明は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。本発明は、MEMSの他、基板に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。本発明は、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板上に形成することによって、基板上にラインアンドスペースパターンを露光する露光装置リソグラフィシステムに、適用することができる。上述の実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。図6は、本実施形態のデバイス製造方法の一例を示す図である。本例では、ステップ201で、例えば液晶パネル等のデバイスの機能性能設計を行う。マスクレス方式の露光装置を用いてデバイスを製造する場合には、ステップ202で、パターンの形状を例えば制御装置の内部又は外部の記憶装置に登録する。ステップ203で、デバイスの基材である基板を準備しておく。ステップ204で、基板上にデバイスを構成する導電膜パターンや絶縁膜パターン、半導体膜パターン等の膜パターンを形成する。ステップ204は、基板上に膜を形成することと、この膜上にレジストパターンを形成することと、このレジストパターンをマスクにして上記膜をエッチングすることと、を含む。レジストパターンを形成するには、レジスト膜を形成することと、上記の実施形態に従って、露光光で基板を露光することにより形成予定の膜パターンに応じたパターンの像を基板上のレジスト膜に投影することと、露光されたレジスト膜を現像することと、を行う。ステップ205で、製造するデバイスに応じて、例えば基板をダイシングすることや、一対の基板を貼り合せるとともに一対の基板間に液晶層を形成すること等を行って、デバイスを組み立てる。ステップ206で、デバイスに検査等の後処理を行う。以上のようにして、デバイスを製造することができる。