半導体チップと、前記半導体チップの表側主面に形成された複数のボンディングパッドと、前記半導体チップをパッケージングするモールド材と、前記モールド材から突出する複数のアウターリードと、前記複数のアウターリードと一体的に形成されてリードとして機能する、前記モールド材内に形成された複数のインナーリードと、内側ワイヤボンディング、内側ボンディング用端子、配線、外側ボンディング用端子、外側ワイヤボンディングを具備し、この順に、前記ボンディングパッドから前記インナーリードまでを電気的に接続する信号伝送手段と、を備え、前記内側ボンディング用端子、前記配線、前記外側ボンディング用端子は、絶縁性部材上に形成されており、前記信号伝送手段は、前記ボンディングパッドから前記アウターリードの先端までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、前記配線の配線長によって調整されている半導体装置。前記配線の長さは、最短の配線を前記内側ボンディング用端子から前記外側ボンディング用端子までの直線形状とし、それ以外の配線を非直線形状を有する引き回し配線としていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記絶縁性部材は、アイランド上に形成されている中継基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記配線は、前記ボンディングパッドから前記アウターリードまでの間に要求される合成インピーダンスに基づいてその幅が決定されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記配線よりも中心側に、GND電位を供給して、GND配線を短絡させるためのGNDプレーンが形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。特許文献1に記載の方法によれば、特殊で複雑な形状のリードフレームを精密に製造しなければならないという問題があった。また、ボンディングパッド290の位置が、半導体チップ210の表側主面の中央ライン近辺に配置するために半導体チップ210の設計自由度が制約されるという問題があった。また、特許文献2の図9の構成においても、ボンディングワイヤの長さを所望の値に調整するためにボンディングパッド390の位置が制約されていた。ボンディングパッド390の位置を調整するために、半導体チップの面積を増大させなければならなくなる場合もあった。また、半導体チップ310のチップ辺の中央近辺のボンディングワイヤ320は、ワイヤ長が長くなるためにモールド材380によって封止する際にボンディングワイヤ320が流れやすくなり、隣接するボンディングワイヤ320同士で短絡しやすいという問題もあった。ボンディングワイヤを波型や螺旋状のような形状にする方法においても、モールド材によって封止する際にボンディングワイヤが流れやすくなるという問題があった。例えば、波型のボンディングワイヤであれば、同一配線内の波の山と山の部分が短絡して電気的な長さが短くなり、半導体装置の信号遅延がずれる危険性があった。また、隣接するボンディングワイヤ同士が短絡しやすくなるという問題もあった。本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップの表側主面に形成された複数のボンディングパッドと、前記半導体チップをパッケージングするモールド材と、前記モールド材から突出する複数のアウターリードと、前記複数のアウターリードと一体的に形成されてリードとして機能する、前記モールド材内に形成された複数のインナーリードと、内側ワイヤボンディング、内側ボンディング用端子、配線、外側ボンディング用端子、外側ワイヤボンディングを具備し、この順に、前記ボンディングパッドから前記インナーリードまでを電気的に接続する信号伝送手段とを備える。前記内側ボンディング用端子、前記配線、前記外側ボンディング用端子は、絶縁性部材上に形成されており、前記信号伝送手段は、前記ボンディングパッドから前記アウターリードの先端までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、前記配線の配線長によって調整されているものである。本発明に係る半導体装置によれば、信号伝送手段は、伝送手段に設けられた配線の配線長によってボンディングパッドからアウターリードの先端までの距離が実質的に等しくなるようにしているので、各信号伝送路において信号の遅延時間が生じるのを防止できるという優れた効果を有する。また、本発明においては、伝送手段に設けられた配線の長さによってボンディングパッドからアウターリード先端までの距離を実質的に等しくなるように調整しているので、汎用的なリードフレームを用いることが可能となる。また、ワイヤボンディングを、伝送路の長さを調整のために長くする必要がない。このため、品質の高い半導体装置を提供することができる。本発明によれば、信号伝送速度を高速化しても信頼性が高く、かつ、汎用的なリードフレームを利用可能な半導体装置を提供できるという優れた効果を有する。以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、実際のものとは異なる。また、以降の図において、上記実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。図1に、第1実施形態に係る半導体装置において、モールド材を透視した状態の模式的上面図を示す。また、図2に、第1実施形態に係る半導体装置のモールド材を透視した状態の模式的側面図を示す。半導体装置1は、半導体チップ10、内側ボンディングワイヤ20、外側ボンディングワイヤ30、中継基板40、アイランド50、インナーリード60、アウターリード70、リード用接続端子76、モールド材80、ボンディングパッド90、内側ボンディング用端子100、配線110、外側ボンディング用端子120等を有する。インナーリード60、アウターリード70は、リードとして機能する。ボンディングパッド90からインナーリード60までの信号を電気的に接続する信号伝送手段として、内側ワイヤボンディング20、内側ボンディング用端子100、配線110、外側ボンディング用端子120、外側ワイヤボンディング30が設けられている。内側ワイヤボンディング20、内側ボンディング用端子100、配線110、外側ボンディング用端子120及び外側ボンディングワイヤ30が、ボンディングパッド90からインナーリード60までこの順に接続されている。内側ボンディング用端子100、配線110、外側ボンディング用端子120は、絶縁性部材である中継基板40に形成されている。これらは、中継基板40の直上に形成してもよいし、下地層などを介して積層されていてもよい。中継基板40は、アイランド50上に固設されている。但し、絶縁性部材の例は一例であって、種々の部材を適用することができる。例えば、絶縁性部材は、金属基板や半導体基板上に被覆した絶縁膜であってもよい。アイランド50は、通常、リード75と同一のリードフレームから構成されたものが用いられる。無論、リードフレーム以外の基板を用いてもよい。用途に応じて、アイランド50は、絶縁性材料等を用いてもよい。アイランド50は、図1に示すように、主面中央部に中継基板40が載置されている。換言すると、アイランド50上に、これより一回り小さい中継基板40が載置されており、中継基板40上にこれより一回り小さい半導体チップ10が載置されている。半導体チップ10は、図1中の紙面側である表側主面に素子形成面が形成されている。半導体チップ10の素子形成面の反対側の裏面側は、接着材を介して中継基板40に固設されている。半導体チップ10の表側主面には、複数のボンディングパッド90が形成されている。複数のボンディングパッド90は、図1に示すように、半導体チップ10の表側主面上において、外周部を取り囲むように枠体状に配列されている。ボンディングパッド90を外周部に設けることによって、ボンディングパッド90から内側ボンディング用端子120までのワイヤボンディング20の長さを短くすることができる。中継基板40上には、半導体チップ10の表側主面に形成されたボンディングパッド90に対応して、内側ボンディング用端子100、配線110及び外側ボンディング用端子120が複数形成されている。第1実施形態においては、複数の内側ボンディング用端子100が、中継基板40上で半導体チップ10を取り囲むように配置されている。また、外側ボンディング用端子120は、中継基板40の表側主面の外周部を取り囲むように配置されている。配線110は、対応する内側ボンディング用端子100及び外側ボンディング用端子120と接続するように形成されている。内側ワイヤボンディング20は、半導体チップ10の表側主面に設けられたボンディングパッド90と、中継基板40上に形成された内側ボンディング用端子100を接続するように配設されている。外側ワイヤボンディング30は、中継基板40上に形成された外側ボンディング用端子120とインナーリード60のリード用接続端子76を接続するようにこれらの間に配設されている。内側ワイヤボンディング20、及び外側ワイヤボンディング30の材料は、特に限定されないが、Au線、Al線、Cu線、低融点半田ワイヤなどの金属細線が好適な例として挙げられる。第1実施形態によれば、内側ワイヤボンディング20、及び外側ワイヤボンディング30の長さを全て同一としている。これによって、製造工程の複雑化を避けることができる。上記特許文献2のようにワイヤボンディングの長さによって、信号伝送手段の長さを同一にする場合、長いワイヤボンディングは、モールド材による封止の際にワイヤボンディングが流れやすく、短絡や断線が生じやすいという問題があった。一方、第1実施形態によれば、ボンディングパッド90を半導体チップ10の表側主面の外周部近傍に配置しているので、内側ワイヤボンディング20の長さを短くすることができる。また、外側ボンディング用端子120を中継基板40の表側主面の外周部近傍に配置しているので、外側ボンディングワイヤ30の長さを短くすることができる。このため、モールド材による封止の際にワイヤボンディングが短絡したり断線したりする問題を解決することができる。無論、ボンディングパッド90の位置を半導体チップ10の表側主面の外周部近傍よりも内側に配設してもよい。すなわち、半導体チップ10に応じてボンディングパッド90の位置を適宜調整することが可能である。インナーリード60は、前述したようにモールド材80内に収容された部分であり、アウターリード70は、モールド材80から突出した部分である。第1実施形態に係る複数のアウターリード70は、同一の長さ及び同一の形状となっている。一方、第1実施形態に係るインナーリード60は、半導体装置1のコーナー部に近づくにつれて長さが長くなる。換言すると、半導体装置1の辺の中央部に近づくほどインナーリード60の長さが短い。モールド材80は、例えば封止樹脂であり、パッケージ構造となるようにモールド成形されている。半導体チップ10、内側ボンディングワイヤ20及び外側ボンディングワイヤ30、中継基板40、アイランド50及びインナーリード60がモールド材80によって封止される。リード60のうち突出した部分がアウターリード70となる。半導体チップ10は、ボンディングパッド90を介して、アウターリード70まで電気的に接続されている。具体的には、半導体チップ10上のボンディングパッド90から、内側ボンディングワイヤ20に接続され、次いで、中継基板40上の第1のボンディング端子100、配線110、第2のボンディング端子120に接続される。そして、第2のボンディング端子120から外側ボンディングワイヤ30を介して、インナーリード60に接続され、これと一体的に形成されたアウターリード70まで接続される。すなわち、ボンディングパッド90からアウターリード70までが電気的に接続されている。第1実施形態においては、ボンディングパッド90からモールド材80が形成されているインナーリード60のアウターリード70までの境目までが、実質的に共通の接続長となっている。このように構成するための手段として、中継基板40上に形成された配線110の配線長を調整している。以下、配線基板40上の配線110の形状について詳細に説明する。図3に、図1の拡大図を示す。ここで、半導体チップ10に形成されたボンディングパッド90のうち、コーナー部近傍にあるものを第1ボンディングパッド91とし、第1ボンディングパッド91の隣に配設されたものを第2ボンディングパッド92、その隣接に配設されたものを第3ボンディングパッド93とする。また、内側ボンディングワイヤ20のうち、第1ボンディングパッド91と接続されるものを第1内側ボンディングワイヤ21、第2ボンディングパッド92と接続されるものを第2内側ボンディングワイヤ22、第3ボンディングパッド93と接続されるものを第3内側ボンディングワイヤ23とする。また、内側ボンディング用端子100のうち、第1内側ボンディングワイヤ21と接続されるものを第1内側ボンディング用端子101、第2内側ボンディングワイヤ22と接続されるものを第2内側ボンディング用端子102、第3内側ボンディングワイヤ23と接続されるものを第3内側ボンディング用端子103とする。さらに、配線110のうち、第1内側ボンディング用端子101と接続される配線を第1配線111、第2内側ボンディング用端子102と接続される配線を第2配線112、第3内側ボンディング用端子103と接続される配線を第3配線113とする。また、外側ボンディングワイヤ30のうち、第1配線111と接続されるものを第1外側ボンディングワイヤ31、第2配線112と接続されるものを第2外側ボンディングワイヤ32、第3配線113と接続されるものを第3外側ボンディングワイヤ33とする。さらに、第1外側ボンディングワイヤ31と接続されるインナーリード60を第1インナーリード61、第2外側ボンディングワイヤ32と接続されるインナーリード60を第2インナーリード62、第3外側ボンディングワイヤ33と接続されるインナーリード60を第3インナーリード63とする。信号の伝播速度は式1で表すことができる。周囲絶縁体がモールド材80であるボンディングパッド90からインナーリード60のアウターリード70との境目までの信号伝送路の長さを等しくし、周囲絶縁体が大気であるアウターリード70の長さを等しくすることで、半導体装置1の信号遅延を揃えることができる。[式1]V=1/√式1但し、Vは、信号の伝播速度であり、εは、周囲絶縁体の誘電率であり、μは、周囲絶縁体の透磁率である。半導体装置1の信号遅延を揃えるために、第1実施形態においては、以下のような構成を採用している。半導体チップ10のコーナー部近傍にあたる第1ボンディングパッド91は、第1内側ボンディングワイヤ21を介して第1内側ボンディング用端子101、第1配線111、第1外側ボンディング用端子121に接続される。第1配線111は、第1内側ボンディング用端子101と第1外側ボンディング用端子121間を最短で接続するように直線状に形成されている。一方、半導体チップのコーナー部近傍にあたる第1ボンディングパッド91に隣接する第2ボンディングパッド92は、第2内側ボンディングワイヤ22を介して第2内側ボンディング用端子102、第2配線112、第2外側ボンディング用端子122に接続される。第2配線112は、第2ボンディングパッド92からインナーリード60のアウターリードとの境目以下、インナーリード60の先端部とも云うまでの長さが他の信号伝送路と等しくなるように長さが調整されている。具体的には、内側ボンディング用端子102から半導体チップ10側に向かって第2配線112を延在させ、折り返して第2外側ボンディング用端子122まで延在させている。また、第2ボンディングパッド92に隣接する第3ボンディングパッド93は、第3内側ボンディングワイヤ23を介して第3内側ボンディング用端子103、第3配線113、第3外側ボンディング用端子123に接続される。第3配線113は、第3ボンディングパッド93からインナーリード60の先端部までの長さが他の信号伝送路と等しくなるように長さが調節されている。具体的には、第3内側ボンディング用端子103から半導体チップ10側に向かって第3配線113を延在させ、折り返して第3外側ボンディング用端子123まで延在させている。この際、第3インナーリード63が第2インナーリード62よりも短くなっている分だけ、第3配線113は、第2配線112より長くなるようにする。半導体チップ10のチップ辺の中央に配置されるボンディングパッド90と接続される配線110は、内側ボンディング用端子100から半導体チップ10側となる内側に延在する距離を延ばす。半導体チップ10のチップ辺の中央に行くに従って配線110の長さを徐々に延ばして距離を調整することによって、ボンディングパッド90から、インナーリード60のアウターリード70の境目までの信号伝送路の距離を実質的に等しくすることができる。さらに、モールド材80から突出する信号伝送用のアウターリード70の長さを等しくすることによって、ボンディングパッド90からアウターリード70先端までの信号伝送路の距離を実質的に等しくすることができる。その結果、各信号伝送路において信号の遅延時間が生じるのを防止できる。また、ボンディングパッド90からアウターリード70先端までの長さを配線110により調整しているので、汎用的なリードフレームを利用することも可能となる。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する。但し、本発明は、以下の製造方法に限定されるものではなく、種々の製造方法を適用できる。まず、アイランド50、インナーリード60、アウターリード70を含むリードフレームを用意する。また、内側ボンディング用端子100、配線110、外側ボンディング用端子120を形成した中継基板40、及び半導体チップ10を用意する。そして、アイランド50上に接着材を塗布して中継基板40をダイボンディングする。次いで、接着材を介して中継基板40上に半導体チップ10をダイボンディングする。次いで、半導体チップ10の表面に形成されたボンディングパッド90と、内側ボンディング用端子100が電気的に接続するように内側ワイヤボンディング20を配設する。また、外側ボンディング用端子120とリード用接続端子76が電気的に接続するように外側ワイヤボンディング30を配設する。続いて、モールド材80を用いてモールド成形を行う。その後、アウターリード70に外装メッキを施すためにリードフレームにメッキ電流を流す。次いで、切断金型を用いて、アウターリード70の長さが同一となるようにカットして半導体装置1を個別分離する。これにより、図2のような構成となる。得られた半導体装置1は、電子機器に搭載される。具体的には、半導体装置1において、モールド材80から突出するアウターリード70と、実装基板不図示等の電子部品に形成された電極が半田フィレット等の導電性部材を介して接続される。第1実施形態に係る半導体装置1によれば、信号伝送手段として設けられた配線110の配線長によって、ボンディングパッド90からアウターリード70の先端までの距離が実質的に等しくなるようにしているので、各信号伝送路間の信号の遅延時間の差が生じるのを防止できるという優れた効果を有する。特許文献1においては、インナーリードの長さを調整することによって、ボンディングパッドからアウターリード先端までの距離を実質的に等しくなるようにしていた。この方法によれば、リードフレームの製造が複雑になるという問題があった。また、特許文献2においては、ワイヤボンディングの長さや形状を調整することによって、ボンディングパッド90からアウターリード70先端までの距離を実質的に等しくなるようにしていた。しかしながら、この方法によれば、モールド材80による封止の際にワイヤボンディングが流れやすく断線しやすいという問題があった。また、特許文献1、2においては、半導体チップの表側主面上に形成されるボンディングパッドの位置が制約されるという問題もあった。第1実施形態によれば、半導体チップ10のチップ辺のコーナー部にあたるリードと接続する中継基板40の配線110を最短にして、半導体チップ10のチップ辺の中央に行くに従って中継基板40に形成された配線110を長くしている。これによって、ボンディングパッド90からアウターリード70の先端までの信号伝送路の実質的な長さが等しくなり、半導体装置1の信号遅延を揃えることができる。また、ワイヤボンディングやインナーリードの長さではなく、信号伝送手段に設けられた配線110の長さによって調整しているので、品質の高い半導体装置を提供することができる。また、汎用的なリードフレームやニーズに応じたリードフレームを用いることができる。また、ボンディングパッドを半導体チップの表側主面の外周部近傍に配置することによって、ボンディングワイヤのワイヤ長を信号の遅延時間を調整するために長くする必要がない。これによって、ワイヤによる製造不良を抑制することができる。さらに、第1実施形態によれば、ボンディングパッドの位置は特に限定されないので、半導体チップの設計自由度が高いという優れた効果もある。なお、第1実施形態においては、アイランド50上に中継基板40を搭載し、その上層に半導体チップを搭載する例を挙げたが、一例であって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、図2Bに示すように、中継基板40を枠体状に形成し、半導体チップを中継基板40の枠体の開口部内に収容する半導体装置1Bとしてもよい。すなわち、半導体チップ10をアイランド50の上に直接積層した半導体装置1Bであってもよい。このような構成によって、半導体チップ10の放熱をより効率的に実施することができる。また、半導体チップ10の裏面側で電気的接続が必要な場合に特に有用である。半導体チップ10とアイランド50の接続は、導電性接着材を介して接合してもよいし、アンダーフィル樹脂と半田ボール等を用いて接合してもよい。また、第1実施形態においては、アイランド50がリードと同一材料であるリードフレームによって構成される例を挙げたが、図2Cに示すように、アイランドとして絶縁性基板150を用いた半導体装置1Cとしてもよい。モールド材や絶縁性基板150によって放熱性を確保できる場合には特に有用である。かかる構成によって、中継基板40を設けずに、直接、絶縁性基板150上に配線110、内側ボンディング用端子100、外側ボンディング用端子120等を設けることができる。また、アイランド50上に絶縁性部材として機能する絶縁層を設け、その上層に内側ボンディング用端子100、配線110、外側ボンディング用端子120等を配置してもよい。第1実施形態においては、半導体チップ10の表側主面のコーナー部近傍のボンディングパッドに接続される配線を最短とし、それ以外の中継基板40上の配線110は、内側ボンディング用端子100から半導体チップ10側となる内側に延在させ、その後に外側ボンディング用端子120に配線110を延在させる構成としている例を挙げたが、この例に限定されない。例えば、配線110は、外側ボンディング用端子120からアウターリード70側となる外側に延在させ、その後に内側ボンディング用端子100の方向に配線110を延在させる構成としてもよい。また、前者と後者の構成を交互に配置したり、任意に混在して配置したりしてもよい。また、第1実施形態においては、中継基板40上に内側ボンディング用端子100、配線110、第2ボンディング用端子120を配設する例を述べたが、他の部材が配設されていてもよい。また、第1実施形態においては、信号伝送用のアウターリード70の長さが全て同一である例を述べたが、用途やニーズに応じて、アウターリード70の長さが異なるものが含まれていてもよい。信号伝送用のアウターリード70の長さが異なる場合においても、配線110によって配線長を調整し、ボンディングパッド90からアウターリード70先端までの長さが実質的に同一となるようにすればよい。[第2実施形態]次に、上記第1実施形態とは異なる半導体装置の例について説明する。第2実施形態に係る半導体装置は、以下の点を除く基本的な構成は、上記実施形態と同一である。すなわち、第1実施形態の信号用の配線110は、配線幅が同一であったのに対し、第2実施形態の対応する配線110は、配線幅が異なるものを有する点において相違する。図4は、第2実施形態に係る半導体装置2の模式的平面図である。第2実施形態に係る半導体装置2の中継基板40上には、ボンディングパッド90に対応する複数の配線110が形成されている。第1実施形態と同様に、ボンディングパッド90からインナーリード60までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、配線110の長さによって調整されている。一方、配線110は、標準配線114、幅細配線115、幅太配線116の異なる配線幅を有する。配線110の幅は、ボンディングパッド90からアウターリード70までの間に要求される合成インピーダンスに基づいて決定されている。配線幅を調整することによって、中継基板40の配線110のインピーダンスを調整することができる。すなわち、ボンディングパッド90からアウターリード70までの合成インピーダンスを所望の値に調整することが可能となる。なお、図4の配線幅の例は、一例であって、これに限定されるものではないことは言うまでもない。第2実施形態に係る半導体装置2によれば、ボンディングパッド90からインナーリード60までの距離が実質的に等しくなるように、配線110の長さによって調整されているので、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。これに加えて、ボンディングパッド90からアウターリード70までの合成インピーダンスを所望の値に調整することが可能となる。[第3実施形態]第3実施形態に係る半導体装置は、以下の点を除く基本的な構成は、上記第1実施形態と同一である。すなわち、第3実施形態に係る半導体装置においては、GNDのインダクタンス及び抵抗を低減するために、GNDプレーンを設けている点において相違する。図5に、第3実施形態に係る半導体装置3の模式的平面図を示す。第3実施形態に係る半導体チップ10の裏側主面には、半導体チップ10より一回りサイズが大きく、外周領域が半導体チップ10よりも平面視上において突出するGNDプレーン130が中継基板40上に設けられている。GNDプレーン130は、中継基板40に設けられたGND配線141、142、143、144と接続されている。このような構成によって、GND配線141、142、143、144を全て短絡することができる。中継基板40上に設けられた内側ボンディング用端子104、105、106は、GNDプレーン130と電気的に接続されている。これによって、GNDのアウターリードがなくとも、ボンディングパッド94、95、96にGND電位を供給することができる。第3実施形態に係る半導体装置によれば、信号伝送用のボンディングパッド90からアウターリード70の先端までの信号用伝送路の距離が実質的に等しくなるように、配線110の長さによって調整されているので、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。これに加えて、GNDのインダクタンス及び抵抗を低減することが可能となるという優れた効果を有する。また、GND用のインナーリードやアウターリードが不要なので、半導体装置の小型化を実現できるというメリットもある。[第4実施形態]図6に、第4実施形態に係る半導体装置4の模式的平面図を示す。第4実施形態に係る半導体チップ10の裏側主面には、半導体チップ10より一回りサイズが大きく、外周領域が半導体チップ10よりも平面視上において突出しているGNDプレーン130が中継基板40上に設けられている。中継基板40上には、GNDプレーン130と短絡しているGND用内側ボンディング端子108、109が配設されている。そして、これらのGND用内側ボンディング端子108、109の間に内側ボンディング用端子107が配設されている。内側ボンディング用端子107と対応するボンディングパッド90は、内側ボンディングワイヤ27によって接続されている。また、GND用内側ボンディング端子108と対応するボンディングパッド90はGND用ボンディングワイヤ151により、GND用内側ボンディング端子109と対応するボンディングパッド90はGND用ボンディングワイヤ152によって接続されている。また、内側ボンディング用端子107に接続する配線117の両脇に、GND用内側ボンディング端子108、109と接続するGND配線145を延在させ、GND配線145を外側ボンディング用端子125に電気的に接続する。上記以外の構成は、第3実施形態と同様とした。第4実施形態によれば、第3実施形態と同様の効果を得ることができる。それに加えて、配線117に対応するアウターリード71に対して、隣接するGNDのアウターリードを設けなくても、ボンディングワイヤ27、配線117に対してGNDのシールドを行い、ノイズ対策を行うことができるという優れた効果がある。なお、上記実施形態においては、半導体装置に半導体チップが1つ搭載された例を説明したが、複数の半導体チップを1つのパッケージに混載した半導体装置においても本発明を適用することができる。