基板と、前記基板上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層上に形成されたn型半導体から作られた第1の層と、p型半導体から作られた第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に配置された活性層と、を備えた発光素子において、前記第1の層、前記第2の層、および、前記活性層が、それらの層の間に異相界面を形成する、閃亜鉛鉱型相構造を備えた層およびウルツ鉱型相構造を備えた層の組み合わせを形成することを特徴とする発光素子。前記活性層が、閃亜鉛鉱型相構造を備えた半導体から作られ、前記第1の層および前記第2の層が、ウルツ鉱型相構造を備えた半導体から作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記基板が、アルミナオキサイドから作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記基板が、シリコンカーバイドから作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記基板が、ガリウムナイトライドから作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記バッファー層が、ガリウムナイトライドから作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記バッファー層が、アルミナイトライドから作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1のコンタクト層が、シリコンがドーピングされたガリウムナイトライドから作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第2のコンタクト層が、マグネシウムがドーピングされたガリウムナイトライドから作られることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記活性層が、ガリウムナイトライドGaNから作られ、あるいは、ホウ素-アルミニウム-ガリウム-インジウム窒化物BxAlyGazIn1-zNboron-aluminum-gallium-indiumnitrideBxAlyGazIn1-zNの固溶体からなることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記活性層が、前記異相界面を形成する、閃亜鉛鉱型相構造を備えた半導体から作られた層と層間に配置されたウルツ鉱型相構造を備えた障壁とを含む複合材料から作られることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。本発明が、以下に説明されるいくつかの実施形態によって明らかとなる。以下に説明されるこれらの実施形態は、単なる1つの例であり、本発明のすべてを網羅するものではないことに、注意されたい。図2は、例えば、アルミナオキサイド、シリコンカーバイド、または、ガリウムナイトライドから作られた絶縁基板上に形成された異相構造を備えたLED200の概略図である。LED200は、絶縁基板110と、例えば、ガリウムナイトライドまたはアルミナイトライドから作られたバッファー層120と、n-コンタクト170が付加されたウルツ鉱型相を備えたn型半導体から作られた第1の層130と、p-コンタクト160が付加されたウルツ鉱型相を備えたp型半導体から作られた第2の層150と、第1の層と第2の層との間に配置された閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240とからなる。異相構造を備えたLED200のベースは、2つの異相界面である。第1の異相界面は、ウルツ鉱型相を備えたn型半導体から作られた第1の層130と閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240との間に形成される。第2の異相界面は、閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240とウルツ鉱型相を備えたp型半導体から作られた第2の層150との間に形成される。異相構造を使用することは、正孔に対するポテンシャル井戸の除去を可能にし、それによって、活性層における正孔の分布は、より均一なものとなり、かつ、発光素子の効率は、増大する。活性層240の厚さが、10~100nmの範囲をとる場合には、電子に対するポテンシャル井戸は、量子閉じ込めを保証せず、かつ、LEDは、単一の異相量子井戸を備えた発光ダイオードとして動作する。異相構造を備えた発光ダイオードは、閃亜鉛鉱型相を備えたIII族窒化物半導体から作られた活性層を備えるが、この活性層では、非放射オージェ再結合が、本質的に抑制され、そのために、異相構造を備えた発光ダイオードは、その効率が、本質的に、ウルツ鉱型相を有する結晶構造を備えたIII族窒化物半導体からすべてが作られた通常の発光ダイオードよりも大きい。図3は、絶縁基板上にいくつかの異相量子井戸を備えたLED300の概略図を示す。LED300は、絶縁基板110と、バッファー層120と、n-コンタクト170が付加されたウルツ鉱型相を備えたn型半導体から作られた第1の層130と、p-コンタクト160が付加された硫化亜鉛鉱型相を備えたp型半導体から作られた第2の層150とからなる。第1の層と第2の層との間には、複合活性層が存在するが、この複合活性層は、閃亜鉛鉱型相構造を備えた半導体から作られた層340、342、344と、それらの層340、342、344の間に配置された硫化亜鉛鉱型相構造を備えた障壁341、343とからなる。したがって、得られる異相量子井戸のそれぞれは、閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた層340、342、344と硫化亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた層341、343との間の2つの異相界面によって形成される。いくつかの異相量子井戸を使用することは、正孔に対するポテンシャル井戸の除去を可能にし、それによって、活性層における正孔の分布は、より均一なものとなり、発光素子の効率は、増大する。いくつかの異相量子井戸を備えたLEDにおいて閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層の厚さは、1~10nmの範囲をとるが、これは、電子に対する量子閉じ込めを保証する。さらにまた、いくつかの異相量子井戸を備えたLED300は、閃亜鉛鉱型相を備えたIII族窒化物半導体から作られた活性層を有するが、この活性層では、非放射オージェ再結合が、本質的に抑制され、そのために、そのようなLEDは、その効率が、本質的に、ウルツ鉱型相を有する結晶構造を備えたIII族窒化物半導体からすべてが作られた通常の発光ダイオードよりも大きい。図4は、導電性基板上に形成された異相構造を備えたLED400の概略図を示す。LED400は、n-コンタクト170が付加された導電性基板410と、バッファー層120と、ウルツ鉱型相を備えたn型半導体から作られた第1の層130と、p型コンタクト160が付加された硫化亜鉛鉱型相を備えたp型半導体から作られた第2の層150と、第1の層と第2の層との間に配置された閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240とからなる。III族窒化物における閃亜鉛鉱型相とウルツ鉱型相との間の異相界面は、II型のヘテロ界面である。異相構造を備えたLED400のベースは、2つの異相界面である。第1の異相界面は、硫化亜鉛鉱型相を備えたn型半導体から作られた第1の層130と閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240との間に形成される。第2の異相界面は、閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240とウルツ鉱型相を備えたp型半導体から作られた第2の層150との間に形成される。発光素子において異相構造を使用することは、正孔に対するポテンシャル井戸の除去を可能にし、それによって、活性層における正孔の分布は、より均一なものとなり、かつ、発光素子の効率は、大きな電流密度において増大する。閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240の厚さが、10~100nmの範囲をとる場合には、電子に対するポテンシャル井戸は、量子閉じ込めを保証せず、かつ、LEDは、二重異相構造を備えた発光ダイオードとして動作する。閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層240の厚さが、1~10nmの範囲をとる場合には、電子に対するポテンシャル井戸は、量子閉じ込めを保証し、かつ、LEDは、単一の異相量子井戸を備えた発光ダイオードとして動作する。異相構造を備えた発光ダイオードは、閃亜鉛鉱型相を備えたIII族窒化物半導体から作られた活性層を有するが、この活性層では、非放射オージェ再結合が、本質的に抑制される。そのために、二重異相構造を備えた発光ダイオードおよび単一異相量子井戸を備えた発光ダイオードの両方は、その効率が、ウルツ鉱型相の結晶構造を備えたIII族窒化物半導体からすべてが作られた通常の発光ダイオードよりも大きい。図5は、導電性基板上のLED500の概略図を示す。LED500は、n-コンタクト170が付加された導電性基板110と、バッファー層120と、ウルツ鉱型相を備えたn型半導体から作られた第1の層130と、p-コンタクト160が付加されたウルツ鉱型相を備えたp型半導体から作られた第2の層150と、第1の層と第2の層との間に配置され、かつ、複合的に作られた活性層とからなる。この活性層は、閃亜鉛鉱型相構造を備えた半導体から作られた層340、342、344と、それらの層340、342、344の間に配置されたウルツ鉱型相構造を備えた障壁341、343とからなる。それぞれの異相量子井戸は、閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた層340、342、344とウルツ鉱型相を備えた半導体から作られた層341、343との間の2つの異相界面によって形成される。いくつかの量子井戸を備えた異相構造を使用することは、正孔に対するポテンシャル井戸の除去を可能にし、それによって、活性層における正孔の分布は、より均一なものとなり、かつ、発光素子の光放射の効率は、増大する。いくつかの異相量子井戸を備えたLEDにおいて閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた活性層の厚さは、1~10nmの範囲をとるが、これは、電子に対する量子閉じ込めを保証する。さらにまた、非放射オージェ再結合は、ウルツ鉱型相と比較すると、閃亜鉛鉱型相を備えたIII族窒化物半導体から作られた異相量子井戸において、本質的に抑制され、そのために、いくつかの異相量子井戸を備えたLED500は、その効率が、ウルツ鉱型相を備えたIII族窒化物半導体から作られたいくつかの量子井戸を備えた公知の発光ダイオードよりも大きい。上述の異相界面を備えた発光素子は、正孔のより均一な分布および活性ポテンシャル井戸におけるオージェ再結合の抑制によって、大きな効率の光放射を保証する。それに加えて、異相界面は、非放射再結合およびリーク電流の原因となる結晶育成時導入転位thegrownindislocationsの拡大を防止し、それによって、ここで提案された異相界面を備えた発光素子の信頼性および効率は、さらに増大する。素子の動作が、図2の実施形態によって説明される。図2に示される素子200は、以下のように動作する。電圧をコンタクト170、160に印加すると、電流が、層130、240、および、150によって形成された異相構造に流れる。さらに、電流は、ウルツ鉱型相の結晶構造を有する、層130内の電子および層150内の正孔によって伝達され、電子と正孔の再結合が、閃亜鉛鉱型相の結晶構造を有する活性層240において発生する。再結合の結果、電気エネルギーの一部は、光に変換され、そして、素子200によって放射される。活性層240と層130および150との間に存在する異相界面は、II型のヘテロ界面であり、したがって、層130、240、および、150のためのIII族窒化物半導体の固溶体の組成の選択が、活性層240において、電子に対する深いポテンシャル井戸、それと同時に、正孔に対する浅いポテンシャル井戸の保証を可能にする。III族窒化物半導体における正孔は、小さい移動度を有し、そして、それらの正孔に対するポテンシャル井戸の浅い深さは、活性層における正孔の移動を容易にし、かつ、活性層における正孔の分布の均一性を改善する。電気エネルギーを光に変換する効率能力は、非放射再結合率に対する放射再結合率の比によって決定される。素子の活性層240は、閃亜鉛鉱型相の結晶構造を有するIII族窒化物半導体から作られるが、この活性層240では、ウルツ鉱型相と比較すると、非放射オージェ再結合は、本質的に抑制される。したがって、層240における電子と正孔の再結合の結果として、光に変換される電気エネルギーがより多くなり、そして、熱エネルギーに変換される電気エネルギーがより少なくなる。図3に示されるLED300は、図2に示される素子200と同じように動作するが、活性領域において、LED300は、3つの異相量子井戸を生成する閃亜鉛鉱型相の結晶構造を備えた3つの層340、342、および、344を有する。電圧をコンタクト170、160に印加すると、電流が、層130、340、341、342、343、344、および、150によって形成された異相構造に流れる。さらに、電流は、ウルツ鉱型相の結晶構造を有する、層130内の電子および層150内の正孔によって伝達される。電子と正孔の再結合は、閃亜鉛鉱型相の結晶構造を備えた層340、342、および、344によって形成された3つの異相量子井戸において発生する。再結合の結果、電気エネルギーの一部は、光に変換され、かつ、LED300によって放射される。閃亜鉛鉱型相を備えた半導体から作られた層340、342、344とウルツ鉱型相を備えた半導体から作られた層341、343との間に存在する3つの異相量子井戸を形成する異相界面は、II型のヘテロ界面である。層340、341、342、343、および、344のためのIII族窒化物半導体の固溶体の組成の選択が、電子に対する深いポテンシャル井戸、それと同時に、正孔に対する浅いポテンシャル井戸の提供を可能にする。III族窒化物半導体における正孔は、小さい移動度を有し、そして、それらの正孔に対するポテンシャル井戸の浅い深さは、活性層における正孔の移動を容易にし、かつ、活性層における正孔の分布の均一性を改善する。電気エネルギーを光に変換する効率能力は、非放射再結合率に対する放射再結合率の比によって決定される。電子と正孔の再結合が発生する層340、342、および、344によって形成された異相量子井戸は、閃亜鉛鉱型相の結晶構造を有するIII族窒化物半導体から作られが、これらの異相量子井戸では、ウルツ鉱型相と比較すると、非放射オージェ再結合は、本質的に抑制される。したがって、層340、342、および、344によって形成された量子井戸における電子と正孔の再結合の結果として、光に変換される電気エネルギーがより多くなり、そして、熱エネルギーに変換される電気エネルギーがより少なくなる。図4および図5に示される素子は、図2および図3にそれぞれ示される上述の素子と同じように動作するが、図4および図5に示されるこれらの素子は、導電性基板上に作られ、そのために、導電性基板410に付加されたn-コンタクトを有する。このように、発光素子には、異相界面が存在するが、この異相界面は、正孔に対するポテンシャル井戸の形成の回避を可能にし、活性層における正孔分布の均一性の増大を可能にし、かつ、非放射オージェ再結合の抑制の保証を可能にする、という事実により、発光素子の効率能力が、増大する。本発明が、本発明の実施形態によって説明および図示されたが、本発明は、いかなる場合においても、実施形態に限定されないことに注意されたい。