被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外照明光を供給する赤外照明手段と、前記赤外照明手段と前記シリコン基板との間の光路中に設けられ、前記赤外照明光のうち、前記シリコン基板へ照射させる直線偏光成分を射出する第1の直線偏光フィルタと、前記シリコン基板を透過した前記直線偏光成分を撮像する第1の撮像手段および第2の撮像手段と、前記シリコン基板と前記第1の撮像手段との間の光路中に設けられ、前記シリコン基板の基板面に平行な方向に偏光方向が設定された第2の直線偏光フィルタと、前記シリコン基板と前記第2の撮像手段との間の光路中に設けられ、前記基板面に垂直な方向に偏光方向が設定された第3の直線偏光フィルタと、前記第1の撮像手段から入力された画像データと、前記第2の撮像手段から入力された画像データとを比較演算する画像処理手段と、を有することを特徴とするシリコン基板の検査装置。前記直線偏光成分のうち、前記基板面に平行な方向を偏光方向とする第1の偏光成分と、前記基板面に垂直な方向を偏光方向とする第2の偏光成分と、のバランスをベクトルとして表記する場合に、前記第1の直線偏光フィルタの偏光方向は、前記基板面に垂直な方向を基準として45度より大きくかつ135度未満に設定されることを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板の検査装置。前記直線偏光成分は、前記基板面の法線に対して30度から60度の角度をなして前記シリコン基板へ入射することを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン基板の検査装置。被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外照明光を供給する赤外照明手段と、前記赤外照明手段と前記シリコン基板との間の光路中に設けられ、前記赤外照明光のうち、前記シリコン基板へ照射させる直線偏光成分を射出する直線偏光フィルタと、前記シリコン基板を透過した前記直線偏光成分を撮像する撮像手段と、前記シリコン基板と前記撮像手段との間の光路中に設けられ、前記シリコン基板の基板面に平行な方向と、前記基板面に垂直な方向とに偏光方向が切り換え可能とされた偏光切り換え手段と、前記撮像手段から入力された画像データを比較演算する画像処理手段と、を有することを特徴とするシリコン基板の検査装置。赤外照明光を供給する赤外照明工程と、前記赤外照明光のうちの直線偏光成分を取り出し、被検査体であるシリコン基板へ射出する直線偏光射出工程と、前記シリコン基板を透過した前記直線偏光成分のうち、前記シリコン基板の基板面に平行な方向を偏光方向とする第1の偏光成分を取り出し、撮像する第1の撮像工程と、前記シリコン基板を透過した前記直線偏光成分のうち、前記基板面に垂直な方向を偏光方向とする第2の偏光成分を取り出し、撮像する第2の撮像工程と、前記第1の撮像工程において得られた画像データと、前記第2の撮像工程において得られた画像データとを比較演算する画像処理工程と、を含むことを特徴とするシリコン基板の検査方法。シリコン基板を透過した赤外照明光による画像は、主にシリコン基板の内部の状態が反映される一方、シリコン基板を反射した赤外照明光による画像は、主にシリコン基板の表面の状態が反映されることとなる。このため、シリコン基板の内部におけるクラックの有無に関わらず、両画像には差異が生じることがあり得る。例えば、多結晶シリコン基板を被検査体とする場合、クラックが含まれていない領域であっても、結晶粒界等の影響から両画像が一致せず、欠陥として検出してしまう場合がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、シリコン基板の内部に存在するクラック等の欠陥を正確に検出可能とする、シリコン基板の検査装置および検査方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、被検査体であるシリコン基板へ向けて赤外照明光を供給する赤外照明手段と、前記赤外照明手段と前記シリコン基板との間の光路中に設けられ、前記赤外照明光のうち、前記シリコン基板へ照射させる直線偏光成分を射出する第1の直線偏光フィルタと、前記シリコン基板を透過した前記直線偏光成分を撮像する第1の撮像手段および第2の撮像手段と、前記シリコン基板と前記第1の撮像手段との間の光路中に設けられ、前記シリコン基板の基板面に平行な方向に偏光方向が設定された第2の直線偏光フィルタと、前記シリコン基板と前記第2の撮像手段との間の光路中に設けられ、前記シリコン基板の基板面に垂直な方向に偏光方向が設定された第3の直線偏光フィルタと、前記第1の撮像手段から入力された画像データと、前記第2の撮像手段から入力された画像データとを比較演算する画像処理手段と、を有することを特徴とする。検査装置は、シリコン基板を透過した直線偏光成分を、偏光方向が基板面に平行な偏光成分と、偏光方向が基板面に垂直な偏光成分とに分離して画像データを得る。検査装置は、クラックが存在しない部分を透過した直線偏光成分と、クラックでの乱反射によって生じる無偏光とを、2つの画像データの差異によって識別する。これにより、結晶粒界等の影響による輝度差が生じ得る場合であっても、クラック等の欠陥の正確な検出が可能となる。以下に、本発明にかかるシリコン基板の検査装置および検査方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかるシリコン基板の検査装置の概略構成を示す図である。検査装置は、赤外照明手段1、第1の撮像手段9、第2の撮像手段11、第1の直線偏光フィルタ3、第2の直線偏光フィルタ8、第3の直線偏光フィルタ10、ビームスプリッタ7および画像処理手段12を有する。赤外照明手段1は、被検査体であるシリコン基板5へ向けて赤外照明光2を供給する。赤外照明手段1は、例えば、ハロゲンランプ等の光源と、光源からの可視光を遮蔽し赤外光を射出するフィルタとを備える。赤外照明手段1から射出される赤外照明光2は、偏光状態がランダムな無偏光である。第1の直線偏光フィルタ3は、赤外照明手段1とシリコン基板5との間の光路中に設けられている。第1の直線偏光フィルタ3は、赤外照明光2のうち、シリコン基板5へ照射させる直線偏光成分4を射出する。第1の直線偏光フィルタ3は、予め設定された偏光方向に対応する向きで設置されている。ビームスプリッタ7は、シリコン基板5を透過した直線偏光成分4’を2方向へ分割する。シリコン基板5は、搬送手段図示省略によって、第1の直線偏光フィルタ3とビームスプリッタ7との間の光路中へ搬送される。第1の直線偏光フィルタ3からの直線偏光成分4は、シリコン基板5の裏面へ入射する。シリコン基板5を透過した直線偏光成分4’は、シリコン基板5のうち裏面とは反対側の表面から射出する。第2の直線偏光フィルタ8は、ビームスプリッタ7および第1の撮像手段9との間の光路中に設けられている。第2の直線偏光フィルタ8の偏光方向は、シリコン基板5の基板面に平行な方向に設定されている。第3の直線偏光フィルタ10は、ビームスプリッタ7および第2の撮像手段11との間の光路中に設けられている。第3の直線偏光フィルタ10の偏光方向は、シリコン基板5の基板面に垂直な方向に設定されている。基板面とは、シリコン基板5の裏面あるいは表面とする。第1の撮像手段9は、直線偏光成分4’のうち、第2の直線偏光フィルタ8を透過した第1の偏光成分を撮像する。第2の撮像手段11は、直線偏光成分4’のうち、第3の直線偏光フィルタ10を透過した第2の偏光成分を撮像する。画像処理手段12は、第1の撮像手段9から入力された画像データと、第2の撮像手段11から入力された画像データとを比較演算する。本実施の形態では、図8に示すように、シリコン基板5の基板面に平行な方向を偏光方向とする第1の偏光成分をp波成分、基板面に垂直な方向を偏光方向とする第2の偏光成分をs波成分、とする。一般に、透光性の物質へ斜めに照明光を入射した場合、s波成分の透過率は、p波成分の透過率より低くなる。基板面の法線Nに対して斜めに進行する直線偏光をシリコン基板5へ入射したときの、透過前後におけるp波成分とs波成分との強度バランスを比較すると、p波成分に対するs波成分の相対強度は、透過前に対して透過後のほうが小さくなる。図2は、シリコン基板への入射前における直線偏光成分のp波成分およびs波成分の強度バランスを表した図である。図3は、シリコン基板の透過後における直線偏光成分のp波成分およびs波成分の強度バランスを表した図である。ここでは、p波成分およびs波成分の強度バランスを、二次元ベクトルとして表記するものとする。直線偏光成分4、4’については、ベクトルの向きは、その光の偏光方向とみなす。シリコン基板5への入射前における直線偏光成分4の偏光方向が、s波成分の偏光方向を基準として角度θ1をなしているとする。シリコン基板5の透過後の直線偏光成分4’は、シリコン基板5への入射前の直線偏光成分4と比較して、p波成分に対するs波成分の相対強度が減少する。直線偏光成分4’の偏光方向が、s波成分の偏光方向を基準として角度θ2をなしているとすると、θ1<θ2の関係が成り立つ。直線偏光成分4’に含まれるp波成分およびs波成分の強度バランスは、ビームスプリッタ7での分離の前後において保持される。第2の直線偏光フィルタ8は、直線偏光成分4’のうちのp波成分を選択的に透過させる。第1の撮像手段9は、第2の直線偏光フィルタ8を透過したp波成分を撮像する。第3の直線偏光フィルタ10は、直線偏光成分4’のうちのs波成分を選択的に透過させる。第2の撮像手段11は、第3の直線偏光フィルタ10を透過したs波成分を撮像する。直線偏光成分4’に含まれるp波成分およびs波成分の強度バランスは、画像処理手段12での比較演算によって観測されることとなる。図4は、シリコン基板のうちクラックが存在する箇所を撮像した状態を示す図である。シリコン基板5の内部に存在するクラック6へ入射した直線偏光成分4は、乱反射によって、偏光状態がランダムな無偏光13へと変化する。図5は、クラックへの入射を経てシリコン基板から射出した光の、p波成分およびs波成分の強度バランスを表した図である。ここでも、図2および図3と同様、p波成分およびs波成分の強度バランスを、二次元ベクトルとして表記するものとする。無偏光13には偏光の方向性は無いため、p波成分およびs波成分の強度は同等となる。p波成分およびs波成分の強度バランスを表すベクトルの角度θ3は、45度付近となる。本実施の形態にかかる検査装置は、シリコン基板5のうちクラック6が無い箇所から射出する直線偏光成分4’について、p波成分の強度がs波成分の強度に対して常に大きくなるようにする。具体的には、第1の直線偏光フィルタ3の偏光方向は、基板面に垂直な方向を基準として45度より大きくかつ135度未満に設定される45度<θ1<135度。これにより、第1の直線偏光フィルタ3の偏光方向は、s波成分の偏光方向よりもp波成分の偏光方向に近くなるような傾きを持たせて設定されている。第1の直線偏光フィルタ3は、第1の直線偏光フィルタ3が所望の偏光方向となるように、配置する向きが決定されている。このような第1の直線偏光フィルタ3を適用することで、シリコン基板5へ入射させる直線偏光成分4は、p波成分の強度がs波成分の強度に対して常に大きい状態となる。シリコン基板5のうちクラック6が存在しない箇所から射出した直線偏光成分4’は、透過前後においてp波成分に対するs波成分の強度が減少し、p波成分の強度がs波成分の強度に対して常に大きい状態となる。これに対して、シリコン基板5のうちクラック6が存在する箇所から射出した無偏光13は、p波成分およびs波成分の強度は同等となる。検査装置は、p波成分の強度とs波成分の強度とを比較することにより、クラック6の有無を識別する。画像処理手段12は、第1の撮像手段9から入力された画像データと、第2の撮像手段11から入力された画像データとから、シリコン基板5上の同一箇所の信号レベルのベクトル演算を実施する。画像処理手段12は、両画像データの差分を、予め設定されている閾値と比較する。検査装置は、画像処理手段12における比較結果に応じて、p波成分およびs波成分の強度が同等であるか否かを判断する。両画像データの差分が、p波成分およびs波成分の強度を同等とみなす範囲から外れている場合、検査装置は、シリコン基板5のうち直線偏光成分4を入射させている箇所にクラック6が存在しないものと判断する。一方、両画像データの差分が、p波成分およびs波成分の強度を同等とみなす範囲に含まれる場合、検査装置は、シリコン基板5のうち直線偏光成分4を入射させている箇所にクラック6が存在するものと判断する。このように、本実施の形態にかかる検査装置は、同一の箇所から射出されたp波成分とs波成分との強度バランスを観測する。結晶粒界の影響、照明系および光学系に起因する光量分布のムラや歪み等により、シリコン基板5から射出する光に輝度差が発生する場合であっても、本実施の形態にかかる検査方法を採用することで、検査結果への影響を低減させることが可能となる。これにより、本実施の形態にかかる検査装置および検査方法は、クラック6を正確に検出することが可能となる。図6および図7は、シリコン基板に対する直線偏光成分の入射角度について説明する図である。図6に示すように、直線偏光成分4は、法線Nに対して斜めに進行する。直線偏光成分4の進行方向と法線Nとがなす角度θ4は、30度から60度である。図6の紙面に対して垂直な面内においては、直線偏光成分4は、図7に示すように、法線Nに平行に進行する。このような進行方向の直線偏光成分4をシリコン基板5へ入射させることで、シリコン基板5におけるp波成分とs波成分との透過率差を大きくすることが可能となる。これにより、画像データ同士の差分が、p波成分およびs波成分の強度を同等とみなす範囲に含まれるか否かを明確に識別することができ、クラック6の容易かつ正確な検出が可能となる。実施の形態2.図9は、本発明の実施の形態2にかかるシリコン基板の検査装置の概略構成を示す図である。図10は、シリコン基板のうちクラックが存在する箇所を撮像した状態を示す図である。検査装置は、赤外照明手段1、撮像手段22、第1の直線偏光フィルタ3、液晶パネル21および画像処理手段12を有する。実施の形態1と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。液晶パネル21は、シリコン基板5と撮像手段22との間の光路中に設けられる。液晶パネル21は、偏光方向を電気的に切り換え可能とされている。液晶パネル21は、シリコン基板5の基板面に平行な方向と、基板面に垂直な方向とに偏光方向が切り換え可能とされた偏光切り換え手段として機能する。液晶パネル21は、印加電圧に応じて偏光方向を順次切り換え、第1の偏光成分と第2の偏光成分とを交互に射出する。撮像手段22は、液晶パネル21から入射される第1の偏光成分と第2の偏光成分とを撮像する。画像処理手段12は、第1の偏光成分による画像データと、第2の偏光成分による画像データとを撮像手段22から取得し、比較演算する。本実施の形態では、液晶パネル21において偏光方向を切り換え、1つの撮像手段22においてp波成分の画像とs波成分の画像とを撮像可能とする。これにより、検査装置は、複数の撮像手段を使用する場合に比べ、システム構成を簡略化させることができる。また、検査装置は、画素を一致させるための撮像手段同士の調整作業が不要となるため、装置の構築の容易化が可能となる。