複数の処理操作の際にウェーハを支持する方法であって、第1処理操作の間に、上面を有する支持リングによりウェーハを支持すること、第1処理操作終了後に、上面を有する第2ウェーハ支持構造体にウェーハを移送すること、および第2処理操作の間に第2支持構造体によりウェーハを支持することを含んで成り、第1処理操作ではウェーハ表面の第1の複数部位でウェーハと支持リングの上面とを接触させ、第2処理操作では第1の複数部位とは異なるウェーハの第2の複数部位でウェーハと第2支持構造体の上面とを接触させる、方法。第1処理操作が熱処理である、請求項1に記載の方法。第2処理操作が熱処理である、請求項1に記載の方法。第3処理操作の間に第3の複数部位でウェーハを支持することを更に含んで成る、請求項1に記載の方法。第3の複数部位が第1の複数部位とは異なる、請求項4に記載の方法。第3の複数部位が第2の複数部位とは異なる、請求項4に記載の方法。第3の複数部位が第2の複数部位と同じである、請求項4に記載の方法。ウェーハを支持リングの上面の第1接触エリアおよび第2接触エリアの一方にて支持リングと接触させる、請求項1に記載の方法。中央開口部、上面および底面を有する弧状のウェーハ支持リングであって、10mm~25mmの幅を有する内側接触エリア、および支持リングの内側接触エリアと外側周縁部との間に設けられたチャネルを含んで成り、内側接触エリアが支持リングの上面の少なくとも一部を規定しており、チャネルが25mm~40mmの幅を有しており、支持リングが200mmの内径および300mmの外径を有しており、内側接触エリアの幅とチャネルの幅との合計が50mmに等しい、支持リング。内側接触エリアが15mmの幅を有しており、チャネルが35mmの幅を有している、請求項9に記載の支持リング。内側接触エリアが10mmの幅を有しており、チャネルが40mmの幅を有している、請求項9に記載の支持リング。1mm~10mmの幅を有する外側接触エリアを更に含んで成り、外側接触エリアが支持リングの上面の少なくとも一部を規定している、請求項9に記載の支持リング。内側接触エリアの幅、チャネルの幅、および外側接触エリアの幅の合計が50mmに等しい、請求項12に記載の支持リング。外側接触エリアが支持リングのチャネルと外側周縁部との間に設けられている、請求項12に記載の支持リング。中央開口部、上面および底面を有する弧状のウェーハ支持リングであって、幅および厚さを有する内側接触エリア、幅および厚さを有する外側接触エリア、内側接触エリアと外側接触エリアとの間に設けられたチャネル、および外側接触エリアから径方向外側に設けられた外側リップを有して成り、内側接触エリアが支持リングの上面の少なくとも一部を規定し、外側接触エリアが支持リングの上面の少なくとも一部を規定し、チャネルが幅および深さを有し、外側リップが外側接触エリアの厚さ未満である幅および深さを有し、ウェーハを支持する際、内側接触エリアの幅、外側接触エリアの幅、チャネルの幅、および外側リップの幅は、第2処理操作で第2ウェーハ支持構造体により接触させた部位とは異なる部位で支持リングの上面がウェーハと接触するような寸法を有している、支持リング。支持リングの上面がウェーハと接触する部位は、ウェーハを支持する際第3処理操作で第3ウェーハ支持構造体により接触させる部位とは異なる、請求項15に記載の支持リング。支持リングの中央開口部から外側周縁部まで延在する径方向の開口部を更に含んで成る、請求項15に記載の支持リング。複数の処理操作の際にウェーハを支持するためのシステムであって、ウェーハの表面の第1の複数部位での第1ウェーハ支持構造体の上面とウェーハの表面との間の接触によって、ウェーハを支持するように構成された第1ウェーハ支持構造体、およびウェーハの表面の第2の複数部位での第2ウェーハ支持構造体の上面とウェーハの表面との間の接触によって、ウェーハを支持するように構成された第2ウェーハ支持構造体を含んで成り、第2の複数部位の少なくとも1つが第1の複数部位の少なくとも1つとは異なる、システム。第3の複数部位での第3ウェーハ支持構造体の上面とウェーハの表面との接触によってウェーハを支持するように構成された第3ウェーハ支持構造体を更に含んで成り、第3の複数部位の少なくとも1つが第1の複数部位の少なくとも1つとは異なる、請求項18に記載のシステム。第2の複数部位の全てが第1の複数部位の全てと異なる、請求項18に記載のシステム。図面を参照して、特に図1~4を参照して、支持リングは一般的に符号100で示される。支持リング100は、シリコンウェーハのような半導体ウェーハを支持するための寸法に一般的に形成される。ウェーハWは、ある態様では、シリコンオンインシュレーターSOIウェーハであってよい。ウェーハWの一部は図2に示される一方でウェーハWは図3からは除外され、図4に点線で示される。ある態様では、支持リング100およびウェーハWは、高温でウェーハをアニーリングする間炉内に順に設けられる垂直のウェーハボートに設けられている。支持リング100の底面102は、フィンガー又は垂直のウェーハWボートから延在する他の支持構造体にある一方、上面104はその上にあるウェーハを支持する。支持リング100は一般的に弧状であり、中央開口部106および中央開口部106から支持リングの外側周縁部まで延在する径方向の開口部108を有する。支持リング100はシリコンカーバイド又はシリコン等の任意の適当な材料から構成されてよい。支持リング100は外径OD、内径IDおよび厚さTを有する。ある態様では、支持リングの厚さTは3mmであり、一方、他の態様では、支持リングの厚さは1mm~10mmである。図3および図4に示すように、支持リング100は、一般的に弧状であり、支持リングの上面104に形成されるチャネル120を有する。チャネル120は、支持リング100の対向するエッジを介して径方向の開口部108に各々延在する対向する開口端122、124を有する。又、図3に示すように、チャネル120は幅CWおよび深さCDを有する。チャネル120の深さCDは支持リング100の厚さT未満であり、ある態様では0.2mmである。他の態様では、チャネル120の深さCDは支持リング100の厚さT未満の任意の距離である。内側接触エリア130は、チャネル120から中央開口部106に向かって径方向内側に径方向に設けられている。内側接触エリア130は幅IWを有する。外側接触エリア140は、中央開口部106から離れてチャネル120から外側に径方向に設けられている。外側接触エリア140は幅OWを有する。ある態様では、内側接触エリア130および外側接触エリア140の各々の厚さは支持リング100の厚さTと同じである。他の態様では、内側接触エリア130および外側接触エリアの各々の厚さは、支持リング100の厚さTとは異なる。下記に更に説明するように、他の処理操作の間にウェーハが接触される部位とは異なるウェーハの部位で、支持リング100の上面104がウェーハWと接触するための外側接触エリア140の幅OW、内側接触エリア130の幅IW、およびチャネルの幅CW寸法にされる。例えば、支持リング100は、高温の熱処理プロセスの間にウェーハWを支持するためにこの態様で使用されている。図7に示すように、ウェーハWは、第1プロセスの間に第1ウェーハ支持リング300により支持され、後続の処理操作の間に第2ウェーハ支持構造体310および第3ウェーハ支持構造体320により続けて支持されている。すなわち、支持リング100は、支持リングがウェーハと接触する部位とは異なる部位でこれらの他の支持構造体がウェーハを支持するように構成されている。特定の理論に縛られることなく、多くの処理操作の間に同じ部位でウェーハWを接触させることは接触点にあるウェーハに損傷を与えると考えられている。損傷は、ウェーハWと支持構造体との間の接触点で熱ストレスが増えることにより生じるかもしれない。又、この損傷によりウェーハWにスリップが生じるかもしれず、又接触点が他の転位の核となる点となるかもしれない。後に他の支持構造体と接触させるウェーハ上の部位とは異なる部位で支持リング100がウェーハWと接触するように、支持リング100を構成することで、ウェーハの損傷のおそれが著しく低減される。従って、図1~4の態様では、支持リング100の内径IDは200mmであり、その一方で外径ODは292mm~298mmであり、又外側接触エリア140の幅OWは10mmであり、内側接触エリア130の幅IWは10mmである。チャネルCWの幅は30mmであり、支持リング100の内径IDは192mm~198mmである。従って、内径が192mmである際外径は292mmであり、内径が198mmである際外径は298mmであるように、支持リングの内径IDおよび外径ODは相互に依存している。従って、続く処理操作の間に他の支持構造体すなわち、第2のウェーハ支持構造体310および第3のウェーハ支持構造体320がウェーハと接触する部位とは異なるウェーハの上面104の部位すなわち、内側接触エリア130および外側接触エリア140で、支持リング100はウェーハWと接触するように構成されている。別の態様では、支持リング100の内径IDは200mmである一方、外径ODは300mmであり、外側接触エリアは使用されない。内側接触エリア130の幅IWは10mm~25mmである一方、チャネルの幅CWは25mm~40mmである。従って、接触エリアの幅が10mmである際チャネルの幅は40mmであり、接触エリアの幅が25mmである際チャネルの幅が25mmであるように、内側接触エリア130の幅IWおよびチャネル120の幅CWは相互に依存している。図5および図6は、一般的に符号200で示される支持リングの別の態様を示す。ウェーハWは図5に示されておらず、その代わりに図6に点線で示されている。支持リング200は上記に説明した支持リング100と同様であり、同様の構成要素を有する。支持リング200は底面202、上面204、中央開口部206、径方向の開口部208およびチャネル220を有する。支持リング200は、内側接触エリア230、外側接触エリア240、外側リップ250、および対向端部222、224を有する。支持リング200は内径ID、外径OD、および厚さTを有する一方、チャネル220はチャネル幅CWおよびチャネル深さCDを有する。内側接触エリア230は幅IWを有し、外側接触エリア240は幅OWを有し、および外側リップ250は幅LWおよび深さLDを有する。外側リップ250の深さLDとチャネル220の深さCDとは本発明の範囲から逸脱することなく異なっていてもよいが、ある態様では外側リップ250の深さLDはチャネル220の深さCDと等しい。その上、支持リング200の厚さTは、支持リング100に関して上記に説明した厚さの範囲と同様又は同じである。同様に、チャネル220の深さCDは、支持リング100のチャネル120に関して上記に説明した深さの範囲と同様又は同じである。図5および図6の態様では、支持リングの外径ODは300mmであり、内径IDは200mmである。内側接触エリア230の幅IWは10mmであり、外側接触エリア240の幅OWは10mmである。チャネル220の幅CWは27~29mmである一方、外側リップ250の幅LWは3mm~10mmである。従って、チャネルの幅が27mmである際外側リップの幅は3mmであり、チャネルの幅が29mmである際外側リップの幅は1mmであるように、チャネル220の幅CWおよび外側リップ250の幅LWは相互に依存している。従って、続く処理操作の間に他の支持構造体すなわち、第2ウェーハ支持構造体310および第3ウェーハ支持構造体320がウェーハと接触する部位とは異なる上面204上の部位すなわち、内側接触エリア230および外側接触エリア240で、支持リング200がウェーハWと接触するように構成されている。上記で説明する支持リング100、200の寸法は、300mmの外径を有するウェーハを支持するように構成されているが、小さな又は大きな径のウェーハをそれぞれ収容するため支持リングの寸法を小さくしてもよいし、又は大きくしてもよい。そのため、支持リング100、200の様々な部分の寸法は、支持リングの外径に基づき直線的に増えてもよいし、又は減らされてもよい。その上、支持リング100、200の様々な部分の寸法は実際典型的であるが、限定されるものと解釈されるべきではない。むしろ、接触エリア130、140、230、240、支持リング100、200の内径および外径、および外側リップ250の寸法は、本発明の範囲から逸脱することなく任意の寸法に変えられてよく、それによって、ウェーハが続く操作ですなわち、第2ウェーハ支持構造体310又は第3ウェーハ支持構造体320により支持される際接触される部位とは異なる部位で、ウェーハWが支持リング100、200の上面104、204と接触する。ある態様では、これらの続く処理操作は熱処理であってよく、ある部位で支持リング100、200とウェーハWとを接触させ、別の部位で他の支持構造体とウェーハWとを接触させることで、ウェーハへの損傷のおそれが著しく低減され又は除かれる。図8を参照すると、複数の処理操作の際にウェーハを支持する方法400が示される。ある態様では処理操作は熱処理操作であり、一方、他の態様ではその操作は他のタイプから成ってもよい。方法400は、支持リング100、200すなわち、第1ウェーハ支持構造体300のいずれか一方でウェーハを支持し、それによって第1処理操作の間に内側接触エリア130、230および外側接触エリア140、240広義には、第1の複数部位にある各々の上面104、204とウェーハを接触させるブロック402で始まる。第1処理操作の終了後、第2処理操作の間にウェーハがブロック404で、ブロック406でウェーハを支持し、それによってウェーハと接触する第2ウェーハ支持構造体310に移送される。第2ウェーハ支持構造体310は、支持リング100、200がウェーハと接触する部位すなわち、第1の複数部位とは異なるウェーハの表面の部位広義には、第2の複数部位でウェーハと接触する。この処理工程の終了後、ウェーハはブロック408で、第3処理操作の間にブロック410でウェーハを支持し、それによってウェーハと接触する第3ウェーハ支持構造体320に移送される。支持リング100、200がウェーハと接触する部位とは異なるウェーハの表面の部位広義には、第3の複数部位で、第3ウェーハ支持構造体320はウェーハと接触する。ある態様では、第3ウェーハ支持構造体320は、第2ウェーハ支持構造体310と同じ部位でウェーハと接触する。ウェーハは、連続して後続の処理操作の終わりに後続のウェーハ支持構造体に移送されてよい。ある態様では、支持構造体310、320は同じ部位でウェーハと接触する一方、他の態様では、支持構造体310、320の各々は他の支持構造体および支持リング100、200のいずれかとは異なる部位でウェーハと接触する。他に特定されない限り、本明細書に例示され、説明された本発明の態様の実施順序又は操作性能は必要不可欠ではない。すなわち、特に特定されない限り、操作は任意の順序で行われてよく、本発明の態様は、本明細書に示した態様に別の操作を加えたもの又は態様から操作を減らしたものを含んでよい。例えば、別の操作の前に、同時に、又は後に特定の操作を遂行する又は実施することは、本発明の態様の範囲内である。本発明の要素又は態様を導く際に、冠詞a、an、the、およびsaidは一つ又はそれよりも多い要素があることを意味していることを指す。用語は、含むという意味であり、列挙した要素以外に追加の要素があってもよいことを意味している。本発明の範囲から逸脱することなく上記構成に様々な変更がされるので、上記記載に含まれ、添付図面に示される全ての事項は例示であって、限定的意義はないと理解できよう。