第1ウエハー110、203、第1ウエハー110、203上の第1接合層120、220、第2ウエハー130、260、および、第2ウエハー130、260上の第2接合層140、240、を含む組立品200、200aであって、第1接合層と第2接合層120、220、140、240とが、直接接合されて、接合済み層を形成しており、かつ、第1接合層および第2接合層120、220、140、240が、それぞれ第1ウエハーおよび第2ウエハー110、203、130、260に格子整合している、組立品。第1接合層および第2接合層120、220、140、240が、AlGaInPAsSbである、請求項1に記載の組立品。第1接合層および第2接合層120、220、140、240が、約5×1018/cm3以上のドーパント濃度を有する、請求項1または請求項2に記載の組立品。ドーパント濃度が、約5×1018/cm3以下である、請求項1または請求項2に記載の組立品。第1接合層と第2接合層120、220、140、240とが、同様にドープされている、請求項1または請求項2に記載の組立品。第1接合層と第2接合層120、220、140、240とが、異なってドープされている、請求項1または請求項2に記載の組立品。接合層が、トンネル接合である、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の組立品。第1ウエハーおよび第2ウエハー110、203、130、260が、Si、Ge、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系およびGaInN系材料からなる群から選択される1層以上の層を含む、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の組立品。第1ウエハーおよび/または第2ウエハー110、203、130、260のいずれかまたは両方が、1層以上の半導体層を含む、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の組立品。第1ウエハーおよび/または第2ウエハー110、203、130、260のいずれかまたは両方が、1つ以上の半導体装置を含む、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の組立品。1つ以上の半導体装置が、InP系装置である、請求項10に記載の組立品。InP系装置が、太陽電池である、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の組立品。請求項1から請求項11のいずれかに記載の接合済み組立品を含む装置であって、光起電装置、太陽電池、光センサ、発光ダイオードおよびトランジスタのうちの少なくとも1つである装置。第1ウエハー110、203を設けること、第1ウエハー110、203上に第1接合層120、220を形成して、第1部分組立品102、202を形成すること、第2ウエハー130、260を設けること、第2ウエハー130、260上に第2接合層140、240を形成して、第2部分組立品104、204を形成すること、および、第1接合層120、220を第2接合層140、240に接合すること、を含む、接合済み組立品を作成するための方法であって、第1接合層および第2接合層120、220、140、240を、それぞれ第1ウエハーおよび第2ウエハー110、203、130、260に格子整合させる、方法。第1接合層と第2接合層とを、約300°Cから約500°Cまでの間の温度で接合する、請求項14に記載の方法。第1接合層と第2接合層とを、約20psiから約50psiまでの圧力で接合する、請求項14または請求項15に記載の方法。第1接合層および第2接合層が、約5×1018/cm3以上のドーパント濃度を有するAlGaInPAsSb層である、請求項14から請求項16のいずれか一項に記載の方法。第1接合層および第2接合層が、約5×1018/cm3以下のドーパント濃度を有する、請求項14から請求項16に記載の方法。第1接合層と第2接合層とを、同様にドープする、請求項14から請求項18のいずれか一項に記載の方法。第1接合層と第2接合層とを、異なってドープする、請求項14から請求項18のいずれか一項に記載の方法。第1ウエハーおよび第2ウエハーが、Si、Ge、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系およびGaInN系材料からなる群から選択される1層以上の層を含む、請求項14から請求項20のいずれか一項に記載の方法。第1ウエハーおよび/または第2ウエハーのいずれかまたは両方が、1層以上の半導体層を含む、請求項14から請求項21のいずれか一項に記載の方法。第1ウエハーおよび/または第2ウエハーのいずれかまたは両方が、1つ以上の半導体装置を含む、請求項14から請求項21のいずれか一項に記載の方法。1つ以上の半導体装置が、InP系装置である、請求項23に記載の方法。接合済み組立品が、太陽電池である、請求項14から請求項24のいずれか一項に記載の方法。可能な場合はいつでも、図面全体を通じて同じ部分を表すために同じ参照番号を用いる。本開示は、直接接合界面の端から端までの電気抵抗を制御するために所望の通りドープ可能な接合界面におけるエピタキシャル成長された接合層を取り上げ、機械的接合強度の向上を達成する。エピタキシャル成長された接合層は、高濃度にドープされたAlGaInPAsSb層である。図1は、本開示の一実施形態に係る組立て前の構造体100のある実施形態を示している。図1において理解可能なように、組立て前の構造体100は、第1部分組立品102および第2部分組立品104を含む。第1部分組立品102は、第1ウエハー110と、第1ウエハー110の第1表面110aに直接隣接かつ接触した第1接合層120とを含む。第1ウエハー110は、III-V族材料から選択される半導体である。ある実施形態において、第1ウエハー110は、シリコンSi、ゲルマニウムGe、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料からなる群から選択される。別の実施形態において、第1ウエハー110は、1層以上の材料層を含む。別の実施形態において、第1ウエハー110は、1つ以上の半導体材料層、構造体または装置を含む。ある実施形態において、第1ウエハー110は、光起電装置であってもよい。別の実施形態において、第1ウエハー110は、1つ以上のサブセルを有する太陽電池であってもよい。第1ウエハー110は、表面110aを含む。表面110aは、シリコンSi、ゲルマニウムGe、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料からなる群から選択される材料層の表面でなければならない。第1接合層120は、第1ウエハー110上、とりわけ、表面110a上にエピタキシャル成長されている。第1接合層は、AlGaInPAsSb材料である。ある実施形態において、第1接合層は、約5×1018/cm3以上のドーパント濃度を有するAlGaInPAsSb材料である。良好な機械的接合のために高いドーピング濃度は必要ないが、接合界面の端から端までで低い電気抵抗を達成するためには不可欠である。ある特定の装置に対して低い抵抗が必要ない場合、接合層における高いドーピング濃度は必要ない。ここで用いられているように、かつ、当該技術において従来通り、AlGaInPAsSb材料における括弧の使用は、アルミニウム、ガリウム、ヒ素およびアンチモンの組み込みが任意であることを示している。第1接合層120は、第1ウエハー110に格子整合している。第1接合層120は、接合表面120aを有する。ここで用いられているように、格子整合という語は、比較されている層の格子定数が1未満だけ異なることを意味し、格子不整合という語は、比較されている層の格子定数が1を超えて異なることを意味する。第2部分組立品104は、第2ウエハー130と、第2ウエハー130の表面130aに直接隣接かつ接触した第2接合層140とを含む。第2ウエハー130は、III-V族材料から選択される。ある実施形態において、第2ウエハー130は、シリコンSi、ゲルマニウムGe、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料からなる群から選択される。別の実施形態において、第2ウエハー130は、1層以上の材料層を含む。別の実施形態において、第2ウエハー130は、1つ以上の半導体材料層または構造体を含む。ある実施形態において、第2ウエハー130は、光起電装置であってもよい。別の実施形態において、第2ウエハー130は、1つ以上のサブセルを有する太陽電池であってもよい。第2ウエハー130は、表面130aを含む。表面130aは、シリコンSi、ゲルマニウムGe、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料からなる群から選択される材料層の表面でなければならない。第2接合層140は、第2ウエハー130上、とりわけ、表面130a上にエピタキシャル成長されている。とりわけ、第2接合層140は、第2ウエハー130の半導体材料層上に成長されている。第2接合層140は、約5×1018/cm3以上のドーパント濃度を有するAlGaInPAsSbである。上で取り上げたように、良好な機械的接合のために高いドーピング濃度は必要ないが、接合界面の端から端までで低い電気抵抗を達成するためには不可欠である。ある特定の装置に対して低い抵抗が必要ない場合、接合層における高いドーピング濃度は必要ない。第2接合層140は、第2ウエハー130に格子整合している。第2接合層140は、接合表面140aを有する。図1Aは、本開示の一実施形態に係る組立て前の構造体100aの別の実施形態を示している。図1Aにおいて理解可能なように、組立て前の構造体100aは、第1部分組立品202および第2部分組立品204を含む。第1部分組立品202は、第1ウエハー203と、第1ウエハー203の第1表面210aに直接隣接かつ接触した第1接合層220とを含む。第1ウエハー203は、第1層210および第1ベース層212を含む。別の実施形態において、第1ウエハー203は、2層以上の材料層を含む。別の実施形態において、第1ウエハー203は、2つ以上の半導体材料層、構造体または装置を含む。ある実施形態において、第1ウエハー203は、光起電装置であってもよい。別の実施形態において、第1ウエハー203は、多接合太陽電池であってもよい。別の実施形態において、第1ウエハー203は、1つ以上のサブセルを有する太陽電池であってもよい。別の実施形態において、第1ウエハー203は、多接合太陽電池であってもよい。ある実施形態において、第1ベース層212は、基板であってもよい。第1ウエハー203は、表面210aを含む。表面210aは、シリコンSi、ゲルマニウムGe、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料からなる群から選択される材料層の表面でなければならない。第1接合層220は、第1ウエハー203上、とりわけ、表面210a上にエピタキシャル成長されている。第1接合層は、AlGaInPAsSb材料である。ある実施形態において、第1接合層は、約5×1018/cm3以上のドーパント濃度を有するAlGaInPAsSb材料である。第1接合層220は、第1ウエハー203に格子整合している。第2部分組立品204は、第2ウエハー206と、第2ウエハー206の表面230aに直接隣接かつ接触した第2接合層240とを含む。第2ウエハー206は、第1層260および第2ベース層270を含む。別の実施形態において、第2ウエハー206は、2層以上の材料層を含む。別の実施形態において、第2ウエハー206は、2つ以上の半導体材料層、構造体または装置を含む。ある実施形態において、第2ウエハー206は、光起電装置であってもよい。別の実施形態において、第2ウエハー206は、多接合太陽電池であってもよい。別の実施形態において、第2ウエハー206は、1つ以上のサブセルを有する太陽電池であってもよい。ある実施形態において、第2ベース層270は、基板であってもよい。第2ウエハー206は、表面230aを含む。表面230aは、シリコンSi、ゲルマニウムGe、GaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料からなる群から選択される材料層の表面でなければならない。第2接合層240は、第2ウエハー206上、とりわけ、表面230a上にエピタキシャル成長されている。第2接合層240は、AlGaInPAsSb材料である。ある実施形態において、第2接合層240は、約5×1018/cm3以上のドーパント濃度を有するAlGaInPAsSb材料である。第2接合層240は、第2ウエハー206に格子整合している。図2は、本開示のある実施形態に係る接合済み組立品200を示している。図2において理解可能なように、第1部分組立品102を第2部分組立品104に結合するために第1接合層120と第2接合層140とが接合されている。ある実施形態において、接合済み組立品200は、光起電装置であってもよい。別の実施形態において、接合済み組立品200は、太陽電池、光センサ、発光ダイオード、トランジスタまたはその他の装置であってもよい。図2Aは、本開示のある実施形態に係る接合済み組立品200aを示している。図2Aにおいて理解可能なように、第1部分組立品202を第2部分組立品204に結合するために第1接合層220と第2接合層240とが接合されている。ある実施形態において、接合済み組立品200aは、光起電装置であってもよい。別の実施形態において、接合済み組立品200aは、太陽電池、光センサ、発光ダイオード、トランジスタまたはその他の装置であってもよい。ここで、図1の第1部分組立品102と第2部分組立品104とを接合して、図2の接合済み組立品を形成する方法の実施形態を取り上げる。図1および図2を参照して、本開示に係る第1部分組立品102と第2部分組立品104とを接合する方法の一例をここで取り上げる。第1接合層120と第2接合層140とが直接接触するよう配置することにより、第1部分組立品102と第2部分組立品104とを直接接合して、組立て済み構造体を形成し、かつ、熱および圧力を加えて第1部分組立品102と第2部分組立品104とを接合して、接合済み組立品200を形成する。第1接合表面120aと第2接合表面140aとは、接触するよう配置され、ともに拡散する。一実施形態において、第1接合表面120aおよび第2接合表面140aは、これらの層を接触させる前に研磨される。一実施形態において、研磨は、接合が従来のウエハー接合設備を用いて行われる状況で、化学機械研磨CMPにより行われてもよい。組立て済み構造体は、約300°Cから約500°Cの間の接合温度に加熱される。一実施形態において、接合温度は、約350°Cから約450°Cの間である。さらに別の実施形態において、接合温度は、約400°Cである。組立て済み構造体は、約20psiから約50psiまでの圧力で加熱される。一実施形態において、組立て済み構造体は、約30psiから約40psiまでの圧力で加熱される。さらに別の実施形態において、組立て済み構造体は、約35psiの圧力で加熱される。組立て済み構造体は、約20から300分間圧力下で加熱される。ある実施形態において、組立て済み構造体は、約60から約180分間圧力下で加熱される。さらに別の実施形態において、組立て済み構造体は、約120分間圧力下で加熱される。AlGaInPAsSb接合層による半導体の直接接合は、接合界面にわたって4.1J/m2を超える接合強度、0.3オームcm2まで低い電気抵抗および97を超える光学的透明性を達成している。第1接合層120と第2接合層140とは、ともに拡散して、接合層を形成する。接触している第1接合表面120aと第2接合表面140aとは、接合プロセス中に拡散して、強固な接合をもたらす。上で説明した一般的な直接接合方法のフロー図を図3に示す。ここで、図1Aの第1部分組立品202と第2部分組立品204とを接合して、図2Aの接合済み組立品200aを形成する方法の実施形態を取り上げる。第1接合層220と第2接合層240とが直接接触するよう配置することにより、第1部分組立品202と第2部分組立品204とを直接接合して、組立て済み構造体を形成し、かつ、熱および圧力を加えて第1部分組立品202と第2部分組立品204とを接合して、接合済み組立品200aを形成する。第1接合表面220aと第2接合表面240aとは、接触するよう配置され、ともに拡散する。一実施形態において、第1接合表面220aおよび第2接合表面240aは、これらの層を接触させる前に研磨される。一実施形態において、研磨は、接合が従来のウエハー接合設備を用いて行われる状況で、化学機械研磨CMPにより行われてもよい。組立て済み構造体は、約300°Cから約500°Cの間の接合温度に加熱される。一実施形態において、接合温度は、約350°Cから約450°Cの間である。さらに別の実施形態において、接合温度は、約400°Cである。組立て済み構造体は、約20psiから約50psiまでの圧力で加熱される。一実施形態において、組立て済み構造体は、約30psiから約40psiまでの圧力で加熱される。さらに別の実施形態において、組立て済み構造体は、約35psiの圧力で加熱される。組立て済み構造体は、約20から300分間圧力下で加熱される。ある実施形態において、組立て済み構造体は、約60から約180分間圧力下で加熱される。さらに別の実施形態において、組立て済み構造体は、約120分間圧力下で加熱される。AlGaInPAsSb接合層による半導体の直接接合は、接合界面にわたって4.1J/m2を超える接合強度、0.3オームcm2まで低い電気抵抗および97を超える光学的透明性を達成している。第1接合層220と第2接合層240とは、ともに拡散して、接合層を形成する。接触している第1接合表面220aと第2接合表面240aとは、接合プロセス中に拡散して、強固な接合をもたらす。直接接合後、第1ベース層212および/または第2ベース層270の一方または両方を除去してもよい。図4Aは、本開示に係る組立て前の構造体400のある実施形態を示している。組立て前の構造体400は、第1部分組立品402および第2部分組立品404を含む。第1部分組立品402は、第1PV構造体410および第1接合層420を含む。第1PV構造体410は、GaAs基板411、第1太陽電池412および第1トンネル接合413を含む。別の実施形態において、第1PV構造体410は、1つ以上の太陽電池、または言い換えると、サブセルを含んでいてもよい。別の実施形態において、第1PV構造体410は、1つ以上のトンネル接合により結合されている1つ以上の太陽電池、または言い換えると、サブセルを含んでいてもよい。別の実施形態において、第1太陽電池412は、GaAs基板411に格子整合している半導体材料から形成されていてもよい。GaAs基板411は、成長基板と呼ばれることもある。ある実施形態において、半導体材料は、III-V族材料であってもよい。別の実施形態において、第1PV構造体410は、GaAs基板411に格子整合しているGaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料、例えば、AlGaAs、GaInP、GaInPAs、AlGaPAsなどであってもよい。第1太陽電池412は、n型にドープされた窓層414と、n型にドープされたGaInPセル層415と、p型にドープされたGaInPセル層416と、p型にドープされた裏面電界BSF層417とを含む。第1トンネル接合413は、p型にドープされたトンネル接合層418およびn型にドープされたトンネル接合層419を含む。第1接合層420は、n型に高濃度にドープされたAlGaInPAsSb層である。ここで用いられているように、かつ、当該技術において従来通り、AlGaInPAsSb材料における括弧の使用は、アルミニウム、ガリウム、ヒ素およびアンチモンの組み込みが任意であることを示している。第1接合層420は、第1トンネル接合413上にエピタキシャル成長されている。第1接合層420は、約0.5ミクロンから約2ミクロンまでの厚みを有する。別の実施形態において、第1接合層420は、約0.75ミクロンから約1.5ミクロンまでの厚みを有する。さらに別の実施形態において、第1接合層420は、約1ミクロンの厚みを有する。第1接合層420は、高濃度にドープされた接合層である。ここで用いられているように、高濃度にドープされたとは、約5×1018/cm3以上のドーパント濃度を有するという意味である。ある実施形態において、第1接合層420は、約1×1019/cm3以上のドーパント濃度を有する。本実施形態において、ドーパントはn型ドーパントである。ドーパントは、n型ドーパントであってもよく、シリコンまたはテルルであってもよい。第1接合層420は、基板411に格子整合している。第1接合層420は、透明である。ここで用いられているように、透明という語は、その下に配置されているセルまたはサブセルを作動させるある波長の光または電磁放射の97以上の透過性を有することを意味する。第1接合層420は、平坦化および/または平滑化されていてもよい。一実施形態において、第1接合層420は、化学機械研磨CMPにより研磨されていてもよい。別の実施形態において、基板411の第2側面上に成長させた別の第1PV装置上で、別の接合層図示せずをエピタキシャル成長させる。ある実施形態において、次に、対向する接合層を除去してもよい。第2部分組立品404は、第2PV構造体430および第2接合層440を含む。第2PV構造体430は、InP基板431と、第2太陽電池432と、第2トンネル接合433とを含む。第2太陽電池432は、n型にドープされた窓層434と、n型にドープされたGalnAsセル層435と、p型にドープされたGalnAsセル層436と、p型にドープされた裏面電界BSF層437とを含む。第2トンネル接合433は、p型にドープされたトンネル接合層438およびn型にドープされたトンネル接合層439を含む。別の実施形態において、第2PV構造体430は、1つ以上の太陽電池、または言い換えると、サブセルを含むPV装置であってもよい。別の実施形態において、第2PV構造体430は、成長基板431と整合している格子定数を有するGaAs系、InP系、InAs系、AlAs系、GaSb系またはGaInN系材料、例えば、GalnAs、AlInAs、GaAsSbなどであってもよい。第2接合層440は、n型に高濃度にドープされたAlGaInPAsSb層である。第2接合層440は、n型にドープされた窓層434上にエピタキシャル成長されている。第2接合層440は、約0.5ミクロンから約2ミクロンまでの厚みを有する。別の実施形態において、第2接合層440は、約0.75ミクロンから約1.5ミクロンまでの厚みを有する。さらに別の実施形態において、第2接合層440は、約1ミクロンの厚みを有する。一実施形態において、第2接合層440は、第1接合層420と同じ厚みを有する。別の実施形態において、第2接合層440は、第1接合層420と異なる厚みを有する。本開示によると、接合層420と接合層440との厚みを一致させる/異ならせることは、接合層における光吸収を制御することにより接合界面の下の層に対する光透過を制御することが望ましい場合に、有利である可能性がある。また、例えば接合界面にpn接合が形成されている場合、接合界面の端から端までの電界勾配を制御することも有利である可能性がある。第2接合層440は、第2部分組立品404に格子整合している。第2接合層440は、透明である。第2接合層440は、平坦化および/または平滑化されていてもよい。一実施形態において、第2接合層440は、化学機械研磨CMPにより研磨されていてもよい。別の実施形態において、トンネル接合433は省かれる。トンネル接合433が必要であるか否かは、第2基板431の極性次第である。n型基板431が用いられていればトンネル接合433は必要となり、一方、p型基板431が用いられていればトンネル接合433は不要となる。別の実施形態において、同じ組成の対向する第2接合層図示せずを、基板431の第2側面上に成長させた別の第2PV装置上にエピタキシャル成長させる。一実施形態において、次に、対向する接合層を除去してもよい。別の実施形態において、第1トンネル接合413は省かれ、かつ、第1接合層420は、第2部分組立品404に結合されるとき、p型にドープされてトンネル接合を形成する。p型ドーパントは、炭素または亜鉛であってもよい。例示的な本実施形態において、第1部分組立品402と第2部分組立品404とを結合して、二接合太陽電池を形成してもよい。別の実施形態において、第2トンネル層433を省いてもよく、その結果、第1部分組立品402と第2部分組立品404とが結合されたときに二接合太陽電池が形成される。さらに、接合済み部分組立品400Aを加工してもよい。一実施形態において、GaAs第1基板411を除去してもよく、かつ、第1PV装置のn型にドープされた窓層414上に反射防止AR膜を堆積させてもよい。第1接合層420と第2接合層440とを直接接触するよう配置することにより、第1部分組立品402と第2部分組立品404とを直接接合して、組立て済み構造体400Aを形成し、次いで、熱および圧力を加えて第1部分組立品402と第2部分組立品404とを接合する。接触している表面は、ともに拡散するが、層全体がそうではない。一実施形態において、第1接合層420および第2接合層440は、これらの層を接触させる前に研磨される。一実施形態において、研磨は、接合が従来のウエハー接合設備を用いて行われる状況で、化学機械研磨CMPにより行われてもよい。組立て済み構造体は、約300°Cから約500°Cの間の接合温度に加熱される。一実施形態において、接合温度は、約350°Cから約450°Cの間である。さらに別の実施形態において、接合温度は、約400°Cである。組立て済み構造体は、約20psiから約50psiまでの圧力で加熱される。一実施形態において、組立て済み構造体は、約30psiから約40psiまでの圧力で加熱される。さらに別の実施形態において、組立て済み構造体は、約35psiの圧力で加熱される。組立て済み構造体は、約20から300分間圧力下で加熱される。ある実施形態において、組立て済み構造体は、約60から約180分間圧力下で加熱される。さらに別の実施形態において、組立て済み構造体は、約120分間圧力下で加熱される。AlGaInPAsSb接合層による半導体の直接接合は、接合界面にわたって4.1J/m2を超える接合強度、0.3オームcm2まで低い電気抵抗および97を超える光学的透明性を達成している。直接接合後に、基板411と基板431との一方または両方を除去してもよい。接合層420と接合層440とは、ともに拡散して、融合した強固な接合層450を形成する図4B。一般的な直接接合方法のフロー図を図6に示す。開示されている方法は、2つ以上のセルを有するPV装置の形成に用いられてもよい。一実施形態において、開示されている方法は、接合層の対向する側面上に等しいか、または、異なる数のPV装置を有するPV装置の形成に用いられてもよい。開示されている方法はまた、LED、センサまたはその他の装置といった非PV装置の作成に用いられてもよい。図4Bは、本開示に係る図4Aの組立て前の構造体400から形成された組立て済み構造体400Aを示している。組立て済み構造体400Aは、第1部分組立品402および第2部分組立品404を含む。第1部分組立品402と第2部分組立品404とは、それぞれの第1接合層420および第2接合層440において結合されている。例示的な本実施形態において、第1および第2接合層420はともに、n型にドープされ、または換言すると、同様にドープされて接合層450を形成する。図5Aは、本開示に係る組立て前の構造体500の別の実施形態を示している。組立て前の構造体500は、第1部分組立品502および第2部分組立品504を含む。第1部分組立品502は、第1PV構造体510および第1接合層520を含む。第1PV構造体510は、GaAs基板511および第1太陽電池512を含む。別の実施形態において、第1PV構造体510は、1つ以上の太陽電池、または言い換えると、サブセルを含んでいてもよい。別の実施形態において、第1PV構造体510は、1つ以上のトンネル接合により結合されている1つ以上の太陽電池、または言い換えると、サブセルを含んでいてもよい。別の実施形態において、第1太陽電池512は、GaAs基板511に格子整合している半導体材料から形成されていてもよい。GaAs基板511は、成長基板と呼ばれることもある。ある実施形態において、半導体材料は、III-V族材料であってもよい。別の実施形態において、第1PV構造体510は、GaAs基板511に格子整合しているGaAs系、InP系、GaP系、GaSb系、GaInN系材料であってもよい。第1太陽電池512は、n型にドープされた窓層514と、n型にドープされたGaInPセル層515と、p型にドープされたGaInPセル層516と、p型にドープされた裏面電界BSF層517とを含む。第1接合層520は、p型に高濃度にドープされたAlGaInPAsSb層である。ここで用いられているように、かつ、当該技術において従来通り、AlGaInPAsSb材料における括弧の使用は、アルミニウム、ガリウム、ヒ素およびアンチモンの組み込みが任意であることを示している。p型ドーパントは、炭素または亜鉛であってもよい。第1接合層520は、BSF層517上にエピタキシャル成長されている。第1接合層520は、約0.5ミクロンから約2ミクロンまでの厚みを有する。別の実施形態において、第1接合層520は、約0.75ミクロンから約1.5ミクロンまでの厚みを有する。さらに別の実施形態において、第1接合層520は、約1ミクロンの厚みを有する。第1接合層520は、基板511に格子整合されている。第1接合層520は、透明である。第1接合層520は、平坦化および/または平滑化されていてもよい。一実施形態において、第1接合層520は、化学機械研磨CMPにより研磨されていてもよい。別の実施形態において、基板511の第2側面上に成長させた別の第1PV装置上で、別の接合層図示せずをエピタキシャル成長させる。ある実施形態において、次に、対向する接合層を除去してもよい。第2部分組立品504は、第2PV構造体530および第2接合層540を含む。第2PV構造体530は、InP基板531と、第2太陽電池532と、第2トンネル接合533とを含む。第2太陽電池532は、n型にドープされた窓層534と、n型にドープされたGalnAsセル層535と、p型にドープされたGalnAsセル層536と、p型にドープされた裏面電界BSF層537とを含む。第2トンネル接合533は、p型にドープされたトンネル接合層538およびn型にドープされたトンネル接合層539を含む。別の実施形態において、第2PV構造体530は、1つ以上の太陽電池、または言い換えると、サブセルを含むPV装置であってもよい。別の実施形態において、第2PV構造体530は、成長基板531と整合している格子定数を有するInP系、InAs系、AlAs系、GaSb系またはGaInN系構造体、例えば、GalnAs、AlInAs、GaAsSbなどであってもよい。第2接合層540は、n型に高濃度にドープされたAlGaInPAsSb層である。第2接合層540は、n型にドープされた窓層534上にエピタキシャル成長されている。第2接合層540は、約0.5ミクロンから約2ミクロンまでの厚みを有する。別の実施形態において、第2接合層540は、約0.75ミクロンから約1.5ミクロンまでの厚みを有する。さらに別の実施形態において、第2接合層540は、約1ミクロンの厚みを有する。一実施形態において、第2接合層540は、第1接合層520と同じ厚みを有する。別の実施形態において、第2接合層540は、第1接合層520と異なる厚みを有する。本開示によると、厚みを一致させる/異ならせることは、接合層における光吸収を制御することにより接合界面の下の層に対する光透過を制御することが望ましい場合に、有利である可能性がある。また、接合界面にはpn接合が形成されているので、本実施形態における接合界面の端から端までの電界勾配を制御することも有利である可能性がある。第2接合層540は、第2部分組立品504に格子整合している。第2接合層540は、透明である。第2接合層540は、平坦化および/または平滑化されていてもよい。一実施形態において、第2接合層540は、化学機械研磨CMPにより研磨されていてもよい。別の実施形態において、トンネル接合533は省かれ、これにより、第1部分組立品502と第2部分組立品504とが結合されるときに二接合装置を形成する。トンネル接合533が必要であるか否かは、第2基板531の極性次第である。n型基板531が用いられていればトンネル接合533は必要となり、一方、p型基板531が用いられていればトンネル接合533は不要となる。別の実施形態において、同じ組成の対向する第2接合層図示せずを、基板531の第2側面上に成長させた別の第2PV装置上にエピタキシャル成長させる。一実施形態において、次に、対向する接合層を除去してもよい。第1部分組立品502と第2部分組立品504とは、上で説明した直接接合方法により直接接合されている。第1部分組立品502と第2部分組立品504とは、図5Bに示されている組立て済み構造体500Aを形成するために直接接合されている。例示的な本実施形態において、第1接合層520と第2接合層540とは異なってドープされ、すなわち、第1接合層520はp型にドープされ、第2接合層はn型にドープされており、かつ、結合されてpn接合またはトンネル接合550を形成している。さらに、接合済み部分組立品500Aを加工してもよい。一実施形態において、GaAs第1基板511を除去してもよく、かつ、第1PV装置のn型にドープされた窓層514上に反射防止AR膜を堆積させてもよい。図7A~図7Dは、本開示のある実施形態に係る多接合太陽電池のさまざまな実施形態を示している。図7A~図7Dにおいて理解可能なように、接合層は、接合層の対向する側面上に等しいか、または、異なる数のセルを有するPV装置を形成するために用いられてもよい。例えば、図7Aに示されている二接合太陽電池は、接合層の各側面上に1つの太陽電池を有する。図7Bは、接合層の対向する側面上に異なる数のセルを有する三接合PV装置を示している。図7Cは、接合層の対向する側面上に等しい数のセルを有する四接合PV装置を示している。図7Dは、対向する側面上に異なる数のセルを有する五接合PV装置を示している。開示されている直接接合方法は、2、3、4、5またはそれ以上の接合を有する半導体接合済み多接合太陽電池装置の形成に用いられてもよい。接合済み材料は、成長基板と、メサエッチ分離、反射防止膜、接点金属の堆積、フォトリソグラフィックパターニング、相互接続子のはんだ付けおよびソーダイシングといったその後の加工工程との排除を可能としたことにより、接合界面の優れた機械的強固さを裏付けている。開示されている直接接合方法により形成された太陽電池は、底面のサブセルにおいて85を超える曲線因子および90を超える外部量子効率を示したことにより、接合界面の低い電気抵抗および高い光学的透過性を裏付けている。本開示によると、限定はされないがGaInPからInPといったInおよびPを含む接合層を接合することにより、350°Cという比較的低い接合温度において達成可能な4J/m2を超える高い機械的強度を有する非常に均一なウエハー接合を生じるということを、本発明者らは思いがけなく発見した。これに加えて、接合界面の端から端までで、およそ0.3オームcm2の非常に低い電気抵抗および97を超える高い光学的透過性が達成される。例示の目的で本開示の特定の実施形態を詳細に説明したが、本開示の精神および範囲を逸脱することなく、さまざまな修正および増強を行ってもよい。したがって、本開示は、添付の請求項によって以外は限定されるものではない。