"下記の一般式1または一般式2式中、Ar、Ar1及びAr2は同一または異なって、置換または無置換のアリール基を表す。また、Ar1及びAr2は縮環しても良い。で表されるアリールカーバメート化合物を加熱し脱炭酸反応することを特徴とする、アリールアミン類の製造方法。脱炭酸反応を、ニッケル触媒の存在下で行う、請求項1記載のアリールアミン類の製造方法。ニッケル触媒の使用量が、前記アリールカーバメート化合物に対し、0.1~20.0モルである、請求項2記載のアリールアミン類の製造方法。脱炭酸反応を、さらにニッケルに配位可能な配位子の存在下で行う、請求項2記載のアリールアミン類の製造方法。前記配位子の使用量が、前記アリールカーバメート化合物に対し、0.1~20.0モルである、請求項4記載のアリールアミン類の製造方法。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来の方法では満足できなかったアリールアミノ化反応による炭素-窒素結合の生成方法により、アリールアミン類を製造する方法を提供することにある。すなわち、本発明は、従来の問題点を解決し、安価で経済性に優れた方法を提供することにある。本発明者らは、従来の問題点を解決すべく鋭意検討した結果、アリールカーバメート化合物をニッケル触媒及び配位子の存在下、加熱することにより、塩基の存在を必要とすることなく、安価にトリアリールアミンなどのアリールアミン類が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、一般式1または2式中、Ar、Ar1及びAr2は同一または異なって、置換または無置換のアリール基を表す。また、Ar1及びAr2は縮環しても良い。で表されるアリールカーバメート化合物を加熱し脱炭酸反応することを特徴とするアリールアミン類の製造方法に関する。ここで、上記の脱炭酸反応は、ニッケル触媒の存在下で行うことが好ましい。ニッケル触媒の使用量は、アリールカーバメート化合物に対し、好ましくは0.1~20.0モルである。また、上記の脱炭酸反応は、ニッケル触媒に加えて、さらにニッケルに配位可能な配位子の存在下で行うことが好ましい。配位子の使用量は、アリールカーバメート化合物に対し、好ましくは0.1~20.0モルである。本発明の方法によれば、従来の問題点を解決して、トリアリールアミンなどのアリールアミン類を経済的に得ることが可能となる。以下、本発明を詳細に説明する。<アリールカーバメート化合物>本発明の方法において、原料として使用されるアリールカーバメート化合物は、上記一般式1、または2で表される化合物である。上記一般式1または2において、Ar、Ar1及びAr2は置換または無置換のアリール基であり、フェニル基、p-ビフェニル基、m-ビフェニル基、p,p-ターフェニル基、p,m-ターフェニル基、テトラフェニル基、ナフチル基、フルオレン基、ピリジル基等が挙げられる。ここで、Ar1及びAr2は、縮合して環を形成しても良く、例としてカルバゾール基を挙げることができる。また、Ar、Ar1及びAr2の置換基の種類に特に制限は無く、例としてアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン等が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、2-メチルプロピル基、n-ペンチル基、sec-ペンチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、2,2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、1,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、sec-ヘキシル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基、1,1-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、3,3-ジメチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、1,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1,2,2-トリメチルプロピル基、2-エチルヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ビニル基、プロペニル基、エチニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、フッ素、塩素等を挙げることができる。上記一般式1で表されるアリールカーバメート化合物の具体例としては、フェニル-N,N-ジフェニルカーバメート、フェニル-N,N-ジビフェニリルカーバメート、フェニル-N,N-ビス4-メチルフェニルカーバメート、フェニル-N,N-ビス2,4-ジメチルフェニルカーバメート、フェニル-N,N-ビス4-メトキシフェニルカーバメート、フェニル-N,N-ビス4-フルオロフェニルカーバメート、フェニル-N-フェニル-N-ビフェニリルカーバメート、フェニル-N,N-ビス4-t-ブチルフェニルカーバメート、フェニル-N-フェニル-N-p-ターフェニルカーバメート、フェニル-N,N-ビス2-9,9-ジメチルフルオレニルカーバメート、フェニル-N-フェニル-N-2-9,9-ジメチルフルオレニルカーバメート、9H-カルバゾール-9-カルボン酸フェニル、ナフチル-N,N-ジフェニルカーバメート、ナフチル-N,N-ジビフェニリルカーバメート、ナフチル-N,N-ビス4-メチルフェニルカーバメート、ナフチル-N,N-ビス2,4-ジメチルフェニルカーバメート、ナフチル-N,N-ビス4-メトキシフェニルカーバメート、ナフチル-N,N-ビス4-フルオロフェニルカーバメート、ナフチル-N-フェニル-N-ビフェニリルカーバメート、ナフチル-N,N-ビス4-t-ブチルフェニルカーバメート、ナフチル-N-フェニル-N-p-ターフェニルカーバメート、ナフチル-N,N-ビス2-9,9-ジメチルフルオレニルカーバメート、ナフチル-N-フェニル-N-2-9,9-ジメチルフルオレニルカーバメート、9H-カルバゾール-9-カルボン酸ナフチル等が挙げられる。また、一般式2で表されるアリールカーバメート化合物の具体例としては、フェニル-N-フェニルカーバメート、フェニル-N-ビフェニリルカーバメート、フェニル-N-4-メチルフェニルカーバメート、フェニル-N-2,4-ジメチルフェニルカーバメート、フェニル-N-4-メトキシフェニルカーバメート、フェニル-N-4-フルオロフェニルカーバメート、フェニル-N-4-t-ブチルフェニルカーバメート、フェニル-N-p-ターフェニルカーバメート、フェニル-N-2-9,9-ジメチルフルオレニルカーバメート等を挙げることができる。<アリールカーバメートの合成>一般式Iで表されるアリールカーバメート化合物は、ヒドロキシアレンをホスゲン、トリホスゲンなどの試剤によりクロロ炭酸エステルとした後、アミノアレン類と反応させることで収率良く合成することができる。また、一般式で表されるN,Nジアリールカーバメート化合物は、ジアリールアミンをホスゲン、トリホスゲンなどの試剤によりカルバミン酸クロライドとし、更に、ヒドロキシアレン類と反応させることで収率良く合成することができる。<ニッケル触媒>本発明では、上記の脱炭酸反応を、ニッケル触媒の存在下で行うことが好ましい。本発明の方法において使用されるニッケル触媒に特に制限はなく、ニッケルを含む化合物であれば、任意のものが使用される。具体的には、ビス1,5-シクロオクタジエンニッケル、1,2-ビスジフェニルホスフィノエタンニッケル、1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパンニッケルなどの0価錯体、ハロゲン化ニッケル、酢酸ニッケル、炭酸ニッケルなどの2価のニッケル塩、ビスシクロペンタジエニルニッケル、ビストリフェニルホスフィンニッケルクロライド、ジクロロ[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ニッケル、ニッケルアセチルアセトナートなどの2価錯体などが例示され、中でも反応性が良好なことから、ビス1,5-シクロオクタジエンニッケルの使用が好ましい。ニッケル触媒の使用量は、特に限定するものではないが、アリールカーバメート化合物に対して、通常、0.1モル以上、20.0モル以下の範囲、好ましくは5~15モルである。使用量が0.1モル未満では反応の進行が遅く、一方20.0モルを超えると副生物が生成する上、コストの面からも好ましくない。<配位子>また、本発明においては、上記の脱炭酸反応を、ニッケル触媒に加えて、さらにニッケルに配位可能な配位子の存在下で行うことが好ましい。本発明の方法において使用される配位子に特に制限はなく、ニッケルに配位が可能な化合物であれば任意のものが使用される。例えば、ニッケルに配位する化合物として窒素原子、リン原子、酸素原子を含む化合物が挙げられ、具体的には、2,2’-ビピリジン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、1,3-ビス1-アダマンチルイミダゾリウムクロライド、1,3-ビス2,6-ジイソプロピルフェニルイミダゾール-2-イリデン、1,10-フェナンスロリン、1,2-ビスジフェニルホスフィノエタン、1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパン、1,4-ビスジフェニルホスフィノブタン、4,6-ビスジフェニルホスフィノフェノキサジン、ビス2-ジフェニルホスフィノフェニルエーテル、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン、1,1’-ビスジイソプロピルホスフィノフェロセン、2-ジ-t-ブチルホスフィノビフェニル、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’6’-ジメトキシ-1,1’-ビフェニル、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’-N,N-ジメチルアミノビフェニル、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,4’,6’-トリイソプロピル-1,1’ビフェニル、9,9-ジメチル-4,5-ビスジフェニルホスフィノザンテン、トリ-t-ブチルホスフィン、1,1’-ビスジ-t-ブチルホスフィノフェロセン、22ビスジフェニルホスフィノ11ビナフチル、トリシクロヘキシルホスフィン、2,2’-ビオキサゾールなどが例示され、中でも反応性が良好なことから、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセンの使用が好ましい。配位子の使用量は、特に限定するものではないが、アリールカーバメート化合物に対して、通常、0.1モル以上、20.0モル以下の範囲、好ましくは5~15モルである。使用量が0.1モル未満では反応の進行が遅く、一方20.0モルを超えると副生物が生成する上、コストの面からも好ましくない。<溶媒>本発明の方法においては、通常、反応溶媒が使用される。使用される反応溶媒に格別の限定はないが、原料となるアリールカーバメート化合物、触媒、及び配位子を好適に溶解または分散でき、かつこれらの原料類に対して不活性な有機溶媒であれば、任意の有機溶媒を使用することができる。中でも、原料に対する溶解性の点から、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などが使用され、具体的には、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサンなどが挙げられる。また、反応溶媒は、単独で用いても混合溶媒で用いてもどちらでも良い。反応溶媒の使用量は、特に限定するものではないが、主原料アリールカーバメート化合物の反応溶媒に対する重量比が、通常、5.0重量以上、20重量以下、好ましくは10~15重量となるよう調整される。本発明の方法における反応温度は、0°C~200°Cの範囲であり、好ましくは、50°C~150°Cの範囲である。また、反応時間は、1~48時間、好ましくは5~24時間程度である。本発明の方法における反応の実施形態に格別の限定はなく、任意の反応剤を任意の順番で添加することができる。本発明によって得られるトリアリールアミンなどのアリールアミン類の種類は特に制限されず、使用される原料のアリールカーバメート化合物の種類を適切に選択することにより任意のアリールアミン類を得ることが可能である。反応終了後は、常法に従い反応液を濃縮し、続いて晶析等により、粗アリールアミン類を得る。得られた粗アリールアミン類は、更に再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの操作により精製を加え、目的とするアリールアミン類を得ることができる。なお、本方法により製造されたアリールアミン類は、1HNMR、13CNMR、質量分析、ガスクロマトグラフィーGCなどによって、その構造を特定することができる。すなわち、1HNMRでは、水素原子の化学シフトを解析すること、13CNMRでは、炭素の化学シフトを解析すること、質量分析では、親イオンの質量数を測定すること、ガスクロマトグラフィーでは、標準物質との溶出時間を比較すること、により、容易にその構造を特定することができる。以下に、本発明の方法を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。実施例1窒素雰囲気で置換した100mlフラスコに、トルエン50mL、ナフチル-N,N-ジフェニルカーバメート3.4g10mmol、ビス1,5-シクロオクタジエンニッケル0.28g1mmol、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン0.55g1mmolを仕込み、攪拌しながら反応液を100°Cまで昇温した。同温度にて24時間熟成後、室温まで冷却し、有機層を分取した後、これをGCで内部標準法により分析した結果、目的物であるジフェニルナフチルアミンが60の収率で生成していた。反応液を減圧濃縮後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒:ヘキサン酢酸エチル混合溶媒により精製したところ、ジフェニルナフチルアミン1.4g48が得られた。1HNMR400MHz,CDCl3,TMSδ7.04t,J=7.6Hz,2H,7.13d,J=8.4Hz,4H,7.247.43m,8H,7.59d,J=7.9Hz,1H,7.71d,J=8.9Hz,1H,7.75d,J=7.9Hz,1H。実施例2実施例1のナフチル-N,N-ジフェニルカーバメートをナフチル-N,N-ビス4-t-ブチルフェニルカーバメートに変えた他は、実施例1に記載の方法に準じて反応を行った結果、ビス4-t-ブチルフェニルナフチルアミンが79の収率で生成していた。反応液を減圧濃縮後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒:ヘキサンにより精製したところ、ビス4tブチルフェニルナフチルアミン2.4g60が得られた。1HNMR400MHz,CDCl3,TMSδ1.32s,18H,7.05d,J=8.6Hz,4H,7.247.41m,8H,7.59d,J=8.0Hz,1H,7.68d,J=8.9Hz,1H,7.73d,J=8.2Hz,1H。"