半導体素子を直接上に搭載するヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダの周囲側面と接触して前記半導体素子の気密性を保持する多層セラミック基板と、前記ヒートスプレッダを下から支え、前記多層セラミック基板の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロックと、前記多層セラミック基板および前記金属ブロックの下面に接合された複数のはんだボールと、を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。前記ヒートスプレッダの線膨張係数は、前記半導体素子を構成する半導体材料の線膨張係数とほぼ同等であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。前記金属ブロックは、銅タングステン合金またはアルミダイヤモンドコンポジット材であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体パッケージ。半導体素子を直接上に搭載する金属ブロックと、前記金属ブロックの周囲側面を囲む多層セラミック基板と、前記金属ブロックを下から支え、前記多層セラミック基板の周囲側面と接触して前記半導体素子の気密性を保持し、前記多層セラミック基板とほぼ同等の線膨張係数を持つヒートスプレッダと、前記多層セラミック基板および前記ヒートスプレッダの下面に接合された複数のはんだボールと、を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。前記金属ブロックの線膨張係数は、前記半導体素子を構成する半導体材料の線膨張係数とほぼ同等であることを特徴とする請求項4に記載の半導体パッケージ。前記ヒートスプレッダは、銅タングステン合金またはアルミダイヤモンドコンポジット材であることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体パッケージ。しかしながら、上記従来の技術によれば、伝熱経路にセラミックが介在することは避けられないため、放熱特性には限界があり、増幅器等出力の大きい素子への適用は難しかった。また、セラミック基板と金属ブロックの間に隙間がありセラミックパッケージを気密に保持することも困難であった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、気密構造の半導体パッケージにおいて素子から電子機器の冷却装置取付け面までの熱抵抗を低減させることが可能となり、結果として半導体素子のジャンクション温度を下げ、半導体素子出力低下、半導体素子の寿命低下を防ぐことができる半導体パッケージを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、半導体素子を直接上に搭載するヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダの周囲側面と接触して前記半導体素子の気密性を保持する多層セラミック基板と、前記ヒートスプレッダを下から支え、前記多層セラミック基板の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロックと、前記多層セラミック基板および前記金属ブロックの下面に接合された複数のはんだボールとを備えたことを特徴とする。本発明によれば、セラミック基板を用いたBGA実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得るという効果を奏する。以下に、本発明にかかる半導体パッケージの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、実施の形態1にかかる半導体パッケージ100を示す断面図である。本実施の形態にかかる半導体パッケージ100は、多層セラミック基板1、ブロック15、ヒートスプレッダ4、枠状のリング2、リッド金属蓋/セラミック蓋3、はんだボール9を備える。半導体パッケージ100の気密性はヒートスプレッダ4の下部で保持されている。半導体素子5はヒートスプレッダ4の上に実装され、ヒートスプレッダ4とブロック15、ブロック15とはんだボール9サーマルボール9aはそれぞれ接続され、はんだボール9サーマルボール9aを介してプリント基板10へ接続される。半導体素子5はボンディングワイヤ6により多層セラミック基板1に接続されている。ここで半導体パッケージ100に使用される多層セラミック基板1は、アルミナセラミックスを主成分とするHTCCやガラスセラミックスを主成分とするLTCCのような立体配線ができる積層セラミック基板であり、半導体素子5の配置位置は枠状に繰りぬかれて貫通している。また、枠状に貫通している周囲にキャビティと呼ばれる凹状形状部を備えており、その凹状形状部底面には全面に基板導体7が配置されているものとする。ブロック15は多層セラミック基板1と線膨張係数がほぼ同等で熱伝導率が高い銅タングステン合金やアルミダイヤモンドコンポジット材を使用する。BGAの接続部寿命は多層セラミック基板1とプリント基板10との線膨張差が大きく関与することになるが、ブロック15と多層セラミック基板1の線膨張率を合わせることで、BGA接続部へ不均等に応力が発生することを抑えることができる。ブロック15の大きさについては、多層セラミック基板1の枠状に貫通している部分に収まる寸法とする。ヒートスプレッダ4は半導体素子5の搭載に適するように、半導体素子5を構成する半導体材料と線膨張係数が近接しておりかつ熱伝導率の高い金属とする。多層セラミック基板1とヒートスプレッダ4の接合面にて、気密を確保するため、ヒートスプレッダ4の大きさについては多層セラミック基板1の凹状形状部と同等の寸法とする。多層セラミック基板1とヒートスプレッダ4の間やブロック15とヒートスプレッダ4の間、リング2と多層セラミック基板1の間は接合材16高温はんだやろう材にて接合される。接合材16にて接合する際に半導体パッケージ100のはんだボール9の搭載面を基準面として昇温して組立てることで、ブロック15とヒートスプレッダ4の間はヒートスプレッダ/ブロック間接合部16aにより厚み方向の製造公差を吸収することができる。また、多層セラミック基板1とヒートスプレッダ4の間に、接合材16からなるセラミック/ヒートスプレッダ間接合部16bの層を設けることで半導体パッケージの気密を確保することが可能となる。接合材16の供給は、印刷、塗布、ヒートスプレッダ4へのプリコートなど種類は問わない。しかし、段差があるため印刷は難しく、量産性を考えるとプリコートが望ましい。はんだボール9の取り付けに関しては、上記で平面が保たれたはんだボール9の搭載面に対してフラックスを印刷後、はんだボール9を搭載し、再び昇温する。この2度目の昇温温度は1度目の昇温温度より低いため、接合材16は溶けずにはんだボール9が溶ける。これにより、はんだボール9の搭載面のブロック15および多層セラミック基板1の基板導体7にはんだボール9が接合される。特にブロック15に接合されるはんだボール9は信号の接続には用いられず、専ら熱伝導に使用されるためサーマルボール9aと呼ぶ。その後、ヒートスプレッダ4の上に半導体素子5を接着/接合する。さらに、枠状のリング2に薄い金属でできたリッド蓋3をAuSn封止やシーム溶接といった手段を用いて、真空下で封止もしくは窒素雰囲気で封止し気密パッケージとする。プリント基板10には、サーマルボール9aが接続するパッドに基板表面上で放熱面積を拡大させるサーマルパッド11を配置し、サーマルパッド11にはプリント基板10の厚み方向の熱伝導をよくするため、可能な限りのサーマルビア12が配置される。そのプリント基板10上にはんだを印刷により供給し上述した封止済の半導体パッケージ100を搭載し再び温度を上げることで、半導体パッケージ100がプリント基板10の上に実装される。特許文献1に記載の発明の実施の形態1をBGA実装構造に適用すれば、図3に示したようになり、セラミック上に半導体素子5を搭載する場合に比べて、半導体素子5から冷却装置13までの熱抵抗を削減することができる。しかし、伝熱経路にセラミックが介在することは避けられないため、放熱特性には限界があり、増幅器等出力の大きい素子への適用は難しい。また、特許文献1に記載の発明の実施の形態2または実施の形態3によれば、セラミック基板と金属ブロックがともに金属製のキャリア上に配置されるため、BGA実装をするセラミックパッケージに適用することができない。また、この方法ではセラミック基板と金属ブロックの間に隙間がありセラミックパッケージを気密に保持することも困難である。本実施の形態にかかる半導体パッケージ100においては、半導体素子5が動作する際に発生した熱は半導体素子5の下のヒートスプレッダ4に伝熱し、そこで伝熱面積が拡大する。ヒートスプレッダ4の熱は一部多層セラミック基板1に伝わるが、大半はブロック15を伝熱してはんだボール9サーマルボール9aからプリント基板10へと伝熱される。即ち、熱伝導の悪い多層セラミック基板1を除いてプリント基板10へ伝熱することが可能となる。プリント基板10では、サーマルパッド11やサーマルビア12を介して冷却装置13へ伝熱することにより、半導体パッケージ100の半導体素子5から冷却装置13までの熱抵抗を低減して放熱性を確保することが可能となる。実施の形態2.図2は、実施の形態2にかかる高放熱な半導体パッケージ200を示す断面図である。本実施の形態にかかる半導体パッケージ200は、多層セラミック基板1、ブロック15、ヒートスプレッダ4、枠状のリング2、リッド金属蓋/セラミック蓋3、はんだボール9を備える。半導体パッケージ200の気密性は半導体パッケージ200下部のヒートスプレッダ4の上面で保持されている。半導体素子5は、ヒートスプレッダ4の上に実装されているブロック15の上に実装される。ヒートスプレッダ4の下部には直接はんだボール9サーマルボール9aが接続され、はんだボール9サーマルボール9aを介してプリント基板10へ接続される。半導体素子5はボンディングワイヤ6により多層セラミック基板1に接続されている。先に説明した実施の形態1においては半導体素子5より大きい面積のヒートスプレッダ4と多層セラミック基板1の貫通部分より小さい面積のブロック15の組み合わせにより熱抵抗をさげている。この場合、大きい面積のヒートスプレッダ4を採用するため、半導体素子5と多層セラミック基板1の接続距離が長くなり、場合によってはアルミナセラミックの中継基板を用いることが必要となる。そのため、電気的には好ましくない場合がある。また、小さい面積のブロック15では、サーマルボール9aの数が十分ではなく、熱抵抗の低減が限定的となってしまう。そこで、実施の形態2においては、半導体素子5をブロック15に接合し、多層セラミック基板1の裏面にヒートスプレッダ4を配置した半導体パッケージ200のようにすることで、上記した問題を克服することができる。ただし、サーマルボール9aが増加する分相対的に半導体パッケージ200の裏面のセラミック部分面積が減少するため、接続できる配線数は減少してしまう。ここで半導体パッケージ200に使用される多層セラミック基板1は、実施の形態1で示したものと同様な材料を使用しているが、枠状に貫通している周囲にキャビティと呼ばれる凹状形状部を基板裏側に備えており、その凹状形状部底面には全面に基板導体7が配置されているものとする。ブロック15およびヒートスプレッダ4については、実施の形態1で説明した材料および適合をとる対象の組合せが逆となり、ブロック15は半導体素子5の搭載に適するように、半導体素子5を構成すると線膨張係数が近接しており、かつ熱伝導率の高い金属とする。大きさについては、多層セラミック基板1の枠状に貫通している部分と同等の寸法とする。ヒートスプレッダ4は多層セラミック基板1と線膨張係数がほぼ同等で熱伝導率が高い銅タングステン合金やアルミダイヤモンドコンポジット材を使用し、BGAの接続部寿命を考慮するとともに、ヒートスプレッダ4と多層セラミック基板1の線膨張率を合わせることでパッケージの気密保持部分についての信頼性も確保するものとする。大きさは上記したブロック15より一回り大きく、多層セラミック基板1の凹状形状部と同等の寸法とし、気密保持部分を設けるとともに、接続配線数を確保できる大きさに留める必要がある。多層セラミック基板1とヒートスプレッダ4の間やブロック15とヒートスプレッダ4の間、リング2と多層セラミック基板1の間は接合材16高温はんだやろう材にて接合される。ヒートスプレッダ4にはあらかじめ接合材16をプリコートしておき、セラミック基板1とブロック15を乗せる。半導体パッケージ200のはんだボール9の搭載面を基準面として昇温して組立てることで、ブロック15とヒートスプレッダ4の間はヒートスプレッダ/ブロック間接合部16aにより厚み方向の製造公差を吸収することができる。また、多層セラミック基板1とヒートスプレッダ4の間に、接合材16からなるセラミック/ヒートスプレッダ間接合部16bの層を設けることで半導体パッケージ200の気密を確保することが可能となる。接合材16の供給は、印刷、塗布、ヒートスプレッダ4へのプリコートなど種類は問わない。しかし、段差があるため印刷は難しく、量産性を考えるとプリコートが望ましい。はんだボール9の取り付けに関しては、上記で平面が保たれたはんだボール9の搭載面に対してフラックスを印刷後、はんだボール9を搭載し、再び昇温する。この2度目の昇温温度は1度目の昇温温度より低いため、接合材16は溶けずにはんだボール9が溶ける。これにより、はんだボール9の搭載面のヒートスプレッダ4および多層セラミック基板1の基板導体7にはんだボール9が接合される。特にヒートスプレッダ4に接合されるはんだボール9は信号の接続には用いられず、専ら熱伝導に使用されるためサーマルボール9aと呼ぶ。その後のプリント基板10への実装工程などは実施の形態1で説明したのと同様である。本実施の形態にかかる半導体パッケージ200においては、半導体素子5が動作する際に発生した熱は半導体素子5の下のブロック15を介して、ヒートスプレッダ4に伝熱する。ヒートスプレッダ4で伝熱面積が拡大され、実施の形態1より数の多いはんだボール9サーマルボール9aからプリント基板10へと伝熱される。即ち、熱伝導の悪い多層セラミック基板1を除いてより放熱性を高めてプリント基板10へ伝熱することが可能となる。プリント基板10では、サーマルパッド11やサーマルビア12により冷却装置13へ伝熱することにより、半導体パッケージ200の半導体素子5から冷却装置13までの熱抵抗を低減して放熱性を確保することが可能となる。更に、本願発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、上記実施の形態1または2それぞれに示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、上記実施の形態1または2にわたる構成要件を適宜組み合わせてもよい。