基板を真空処理する真空処理室と、前記基板と、前記基板を載置可能なトレイと、前記トレイに載置されるマスクと、からなる組体と、前記組体を前記真空処理室内に搬送する搬送アームと、前記真空処理室内に設置され、前記組体を支持する支持台と、前記真空処理室内に設置され、前記搬送アームと前記支持台の間で前記組体を移動させるリフタと、を備え、前記組体の状態を検出可能な複数の検出手段を有し、前記検出手段からの複数の検出結果によって前記マスクと前記トレイとの位置がずれた状態と判断する判断手段が設けられたことを特徴とする真空処理装置。前記検出手段は、前記支持台に取り付けられた複数の重量計を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。前記リフタは、前記トレイの下面に接触可能な複数のピン部を有し、前記検出手段は、前記複数のピン部のそれぞれの先端に取り付けられた重量計を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。前記検出手段は、前記支持台に取り付けられた複数の光放出部と、前記複数の光放出部のそれぞれから放出される光が前記マスクに照射し前記マスクから反射される前記光を受光するそれぞれの受光部と、を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。前記検出手段は、前記搬送アームの表面に取り付けられた複数の重量計を含むことを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。請求項1に係る真空処理装置において、前記複数の検出結果のそれぞれの値のばらつきが許容値内にないときは、前記トレイと前記マスクとの位置がずれていると判断し、前記真空処理を停止させることを特徴とする真空処理方法。前記複数の検出結果は、前記支持台に前記組体が載置された後、前記支持台に取り付けられた複数の重量計によって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。前記複数の検出結果は、前記リフタの複数のピンの上に前記組体が載置された後、前記リフタの前記複数のピン部のそれぞれの先端に取り付けられた重量計によって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。前記複数の検出結果は、前記支持台に前記組体が載置された後、前記支持台に取り付けられた複数の光放出部のそれぞれから放出される光が前記マスクに照射し前記マスクから反射される前記光を受光部のそれぞれが受光することによって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。前記複数の検出結果は、前記搬送アームの表面に取り付けられた複数の重量計によって検出されることを特徴とする請求項6記載の真空処理方法。本発明の目的は、トレイに対するマスクの位置ずれをより正確に検知する真空処理装置および真空処理方法を提供することにある。本発明の一態様によれば、基板を真空処理する真空処理室と、前記基板と、前記基板を載置可能なトレイと、前記トレイに載置されるマスクと、からなる組体と、前記組体を前記真空処理室内に搬送する搬送アームと、前記真空処理室内に設置され、前記組体を支持する支持台と、前記真空処理室内に設置され、前記搬送アームと前記支持台の間で前記組体を移動させるリフタと、を備え、前記組体の状態を検出可能な複数の検出手段を有し、前記検出手段からの複数の検出結果によって前記マスクと前記トレイとの位置がずれた状態と判断する判断手段が設けられたことを特徴とする真空処理装置が提供される。また、本発明の一態様によれば、上述した真空処理装置において、前記複数の検出結果のそれぞれの値のばらつきが許容値内にないときは、前記トレイと前記マスクとの位置がずれていると判断し、前記真空処理を停止させることを特徴とする真空処理方法が提供される。本発明によれば、トレイに対するマスクの位置ずれをより正確に検知する真空処理装置および真空処理方法が実現する。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜説明を省略する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る真空処理装置の平面模式図である。真空処理装置1は、いわゆるマルチチャンバ型の真空処理装置である。真空処理装置1は、例えば、電力制御用のパワーMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、発光デバイスなどのディスクリート半導体デバイス個別半導体デバイスにおける裏面電極の成膜に好適である。真空処理装置1は、例えば、搬送室10と、ロードロック室20と、前処理室30と、複数の真空処理室41~44と、を有する。搬送室10、ロードロック室20、前処理室30、および真空処理室41~44は、いずれも大気に対して気密遮断された構造となっている。搬送室10、ロードロック室20、前処理室30、および真空処理室41~44は、いずれも真空排気系により減圧可能である。ロードロック室20、搬送室10、前処理室30はそれぞれ1つに限らず複数設けてもよい。真空処理室の数も図示する数に限られない。ロードロック室20は大気ゲート弁21の開閉により、ロードロック室20内に被処理体である基板を搬入することができる。ロードロック室20は、真空ゲート弁22を介して搬送室10に連結している。搬送室10内には、前後方向に動作する搬送アーム51を有し、旋回および昇降動作をするシングル搬送アームロボット構造の真空ロボット50が設けられている。搬送アーム51は、基板と、基板を載置可能なトレイと、およびトレイに載置されるマスクと、が一組になった組体60を支持しつつ、組体60をロードロック室20、前処理室30、または真空処理室41~44に搬送する。組体60の構造については後述する。前処理室30は、真空ゲート弁30Vを介して搬送室10に連結している。前処理室30は、真空処理室41~44において基板が真空処理される前に、基板に対して加熱、表面処理等をすることができる。真空処理室41~44のそれぞれは、真空ゲート弁41V~44Vのそれぞれを介して搬送室10に連結している。真空処理室41~44のそれぞれは、スパッタ源45を備える。真空処理室41~44のそれぞれは、例えば、スパッタリング装置である。真空処理室41~44のそれぞれの形態は、同様であってもよく、真空処理室41~44のそれぞれにおいて、スパッタ源45の材質を変えてもよい。このほか、真空処理装置1には、ロードロック室20に、基板を搬入出する基板搬送機構いわゆる、大気ローダーユニット等を備えてもよい。真空処理室41~44の代表例としての真空処理室41を、図2および図3に示す。図2は、真空処理室の断面模式図である。図3は、真空処理室の平面模式図である。図2には、図3のX-X’矢視が示されている。図3には、真空処理室41内の支持台41s付近を透過した状態が示されている。真空処理室41は真空壁41wによって外部と遮断されている。真空処理室41内には、ガス導入系によって各種ガスを導入可能である。真空処理室41内は、排気系によって真空排気が可能である。各種ガスの導入量と、真空処理室41内の雰囲気の排気量と、をそれぞれ制御することにより、真空処理室41内を所望のガスによる所望の圧力下に維持することができる。真空処理室41の底面上には、支持台41sが設けられている。支持台41sは、組体60を支持する。支持台41sは、基体41bと、静電チャックとして機能するセラミック板41dと、を有する。基板61の被成膜面全面に均一に成膜するため、支持台41sに吸着固定された基板61を回転させながらスパッタ成膜をする。支持台41sの回転軸41raは、真空処理室41の外部で回転駆動機構に連結されている。支持台41sは、1点鎖線C1で示す回転中心のまわりに回転可能である。支持台41sの上部に設けられたセラミック板41dは、静電チャックとして機構する。セラミック板41dは、例えば、円盤状である。セラミック板41d内には、内部電極が内設されている。セラミック板41dの上面は、円形状の静電吸着面41aになっている。静電吸着面41aには、基板61が静電吸着される。例えば、セラミック板41dの内部電極に、真空処理室41の外部から電圧を印加すると、静電吸着面41aが静電荷が帯び、基板61が静電吸着面41aに吸着固定される。静電チャックの内部電極に給電するためのケーブルは、支持台41sの回転軸41raの内部を通されて、回転軸41raの端部でスリップリングを介して、真空処理室41の外部に設けられた電力供給源に接続されている。また、支持台41sの上部には、静電吸着面41aよりも外側であって静電吸着面41aよりも下方に位置するトレイ載置部41trが設けられている。ここで、静電吸着面41aに静電吸着される基板61と、基板61を支持するトレイ62と、およびトレイ62を被覆するマスク63と、について説明する。図4は、基板、トレイ、およびマスクの断面模式図であり、aは、全体図、bは、図3のY-Y’断面における基板、トレイ、およびマスクの断面模式図である。図4bには、支持台41s等が併せて表示されている。基板61は、例えば、円形の半導体ウェーハであり、その厚みは、0.1mmである。トレイ62は、平面形状が円形リング状に形成されている。トレイ62は、基板61の外縁を支持する基板支持部62aと、基板支持部62aよりも外側であって基板支持部62aの上面よりも上方に位置するマスク支持部62bと、を有する。トレイ62は、支持台41sのトレイ載置部41trの上に載置される。基板支持部62aおよびマスク支持部62bは、ともにトレイ62の上面側に設けられている。基板支持部62aと、マスク支持部62bと、の間には、溝部62tが設けられている。トレイ62の外径は、基板61の直径よりも大きく、トレイ62の内径は、基板61の直径よりも小さい。マスク支持部62bは、トレイ62において、基板61の直径よりも大きな外周側に設けられ、このマスク支持部62bよりも内周側に基板支持部62aが設けられている。基板61は、その外縁部周縁部がトレイ62の基板支持部62a上に載置されることでトレイ62に支持される。マスク支持部62bの内径は、基板61の直径よりも大きい。マスク支持部62bの内周面よりも内側に基板61が収められる。マスク支持部62bの内周面によって基板61の径方向の位置ずれが規制される。マスク63は、トレイ62と同様に円形リング状に形成されている。マスク63の外径は、トレイ62の外径よりも大きい。マスク63の内径は、トレイ62の内径よりも小さい。マスク63はトレイ62のマスク支持部62bの上に載置されつつ、重ね合わされる。マスク63がマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、マスク63は、基板支持部62aも含むトレイ62のすべてを覆う。さらに、トレイ62によって基板61が支持されている場合には、マスク63は、基板61の外縁部を覆うことになる。マスク63の最外周部には、下方に突出する円形リング状のリブ63rが設けられている。マスク63は、トレイ62のマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、トレイ62に嵌合される。また、リブ63rの内周側にトレイ62が収まることでトレイ62とマスク63との径方向の相互の位置ずれが規制される。基板支持部62aの上面は、マスク支持部62bの上面より低く構成されている。基板61が静電吸着面41aに吸着固定されている状態では、基板61の被処理面基板61の上面と、マスク63の下面との間には、隙間が形成される。また、基板61が静電吸着面41aに吸着固定されている状態では、基板61の下面と、トレイ62の基板支持部62aの上面との間には、隙間が形成される。すなわち、基板61が静電吸着面41aに吸着固定されている状態では、トレイ62およびマスク63は、基板61に接触しない。トレイ62の下面に接触可能な複数のピン部41pは、昇降機構によって昇降可能である。ピン部41pの上端部がトレイ62の下面に接触し、トレイ62を持ち上げることにより、基板61、トレイ62、およびマスク63が支持台41sから離れる。この際、静電チャックによる静電吸着は解除されている。ピン部41p等の構造について、再び、図1、2に戻り説明する。真空処理室41内には、リフタ41lfが設置されている。リフタ41lfは、搬送アーム51と支持台41sの間で組体60を移動させる。リフタ41lfは、基板61を支持するトレイ62、およびトレイ62を覆うマスク63を昇降可能にする。これにより、基板61が静電吸着面41aに対して昇降する。リフタ41lfの昇降機構41maは、テーブル部41tbと、テーブル部41tbに接続されたピン部41pを昇降することができる。また、昇降機構41maは、真空壁41wの底壁部を貫通し、真空処理室41の外部で、シリンダ装置またはモーターなどの駆動機構に連結されている。駆動機構の駆動により、昇降機構41maは上下に昇降する。昇降機構41maには、テーブル部41tbが接続されている。テーブル部41tbの中央には、支持台41sの回転軸41raが貫通する貫通孔が形成されている。テーブル部41tbは、回転軸41raに対して相対的に上下にスライド可能となっている。テーブル部41tbの上には、上方に延在する複数のピン部41pが設けられている。複数のピン部41pのそれぞれは、基体41bの上下方向に貫通するガイド孔41hに挿入されている。複数のピン部41pのそれぞれの上端部は、基体41bの上方に突出可能となっている。さらに、真空処理室41においては、組体60の状態を検出可能な複数の検出手段を有する。そして、検出手段からの複数の検出結果によってマスク63とトレイ62との位置がずれた状態と判断する判断手段80図1参照が設けられている。例えば、トレイ62に対するマスク63の位置ずれを検出可能な検出手段が取り付けられている。検出手段は、支持台41sのトレイ載置部41trの表面に取り付けられた複数の重量計46a~46fである。判断手段80は、複数の検出結果のそれぞれの値のばらつきが許容値内にないときは、トレイ62とマスク63との位置がずれていると判断する。そして、基板61への真空処理を停止させる。重量計46a~46fの表面は、トレイ載置部41trの表面から若干上方に突出している。トレイ載置部41trに複数の重量計46a~46fを設置することにより、マスク63がトレイ62を覆った状態の重量バランスを計測することができる。重量計46a~46fのそれぞれには、その内部に、例えば、歪みゲージが組み込まれている。重量計46a~46fのそれぞれにある荷重が印加されると、歪みゲージに機械的な微小変化が生ずる。すなわち、トレイ載置部41trにトレイ62およびマスク63が載置されたとき、それぞれの重量計46a~46fのそれぞれに印加される荷重が測定される。真空処理装置1では、この微小変化量であるひずみを重さに変換した値を電気信号として検出することができる。電気信号を検出するためのケーブルは、支持台41sの回転軸41raの内部を通されて、回転軸41raの端部でスリップリングを介して、真空処理室41の外部に設けられた測定器に接続されている。重量計の数については、図示する数に限られない。複数の重量計のそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。また、真空処理室41においては、支持台41sの上方に、スパッタ源45が設けられている。スパッタ源45は、真空処理室41に複数実施形態では例えば2つ設けられている。スパッタ源45は、ターゲット45tを有する。ターゲット45tは、カップ状のケース45c内に収容されている。スパッタ源45は、真空壁41wの上部に取り付けられている。ケース45cは、真空処理室41の放電空間41spに向けて開口されている。ターゲット45tは、例えば、円盤状に形成されている。真空処理室41においては、ターゲット45tの被スパッタ面は、静電吸着面41aに対し非平行あるいは、傾斜状態な状態で対向している。例えば、2つのターゲット45tは、静電吸着面41aの中心のまわりに対称的に配置されている。さらに、2つのターゲット45tは、静電吸着面41a側に近い部分ほど互いの離間距離が広がるように傾いて設けられている。また、真空処理室41においては、真空処理室41の上方にシャッター機構41mbが設けられている。シャッター機構41mbは、真空処理室41の外部で回転駆動機構に連結されている。シャッター機構41mbは、1点鎖線C2で示す回転中心のまわりに回転可能に設けられた回転軸41rbと、回転軸41rbの下端部に接続され、ケース45cの開口を遮蔽可能なシャッター板41stと、を有する。回転軸41rbが回転することで、シャッター板41stは、一方のスパッタ源45の開口に対向する位置図中の実線で示される位置と、他方のスパッタ源45の開口に対向する位置図中の2点鎖線で示される位置とを選択可能となっている。シャッター板41stがスパッタ源45の開口に対向することで、そのスパッタ源45に装着されたターゲット45tを、放電空間41spに対して遮蔽することができる。また、シャッター機構41mbは上下動も可能となっている。真空処理装置1の動作を、図1~図4を参照しながら説明する。まず、成膜処理前の基板61をトレイ62およびマスク63に保持された状態で、ロードロック室20内に搬入する。このとき、ロードロック室20内は大気圧下である。次に、ロードロック室20内を真空引きし所望の減圧雰囲気にした後、ロードロック室20の真空ゲート弁22を開けて、搬送室10内に設置されている真空ロボット50の搬送アーム51をロードロック室20内に進入する。さらに、搬送アーム51の上に、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を載せて、減圧下の搬送室10へと取り出す。続いて、必要に応じて、真空ゲート弁30Vを開け、搬送アーム51によって基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を減圧下の前処理室30内に搬入する。搬入後、真空ゲート弁30Vを閉じる。そして、基板61に加熱、クリーニング等の前処理を行う。次に、前処理室30の真空ゲート弁30Vを開けて、真空ロボット50により、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を前処理室30から搬送室10に取り出す。その後、真空処理室41の真空ゲート弁41Vを開けて、真空ロボット50の搬送アーム51を真空処理室41内に進入する。さらに、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62を減圧下の真空処理室41内に搬入する。この搬入後、真空処理室41の真空ゲート弁41Vを閉じる。真空処理室41内で、トレイ62は、真空ロボット50の搬送アーム51の上から、リフタ41lfの複数のピン部41pの上に移載される。そして、ピン部41pが下降し、基板61は支持台41sの静電吸着面41aに吸着固定される。この際、基板61は、トレイ62の支持から外れた状態で静電吸着面41aに吸着され、静電吸着面41aに吸着された状態の基板61に対してはトレイ62およびマスク63は接触していない。真空処理室41内の支持台41sにはヒーター等の加熱機構が内蔵され、静電吸着面41aに吸着された基板61は所望の温度に制御される。その状態で、支持台41sが回転されて基板61に対するスパッタ成膜処理が行われる。続いて、真空処理室42、43、44においても、同様な動作によってスパッタ成膜処理が行われる。スパッタ成膜処理が終了すると、基板61およびマスク63を載置支持したトレイ62は、真空ロボット50によって搬送室10を介して、ロードロック室20に戻される。真空処理室41~44においては、真空処理室41には、マスク63がトレイ62から外れた状態を検出可能な検出手段が取り付けられている。マスク63がトレイ62のマスク支持部62bに重ね合わされた状態が正常か否かを検出する。検出手段は、真空処理室42~44にも取り付けられている。図5は、検出手段の作用を説明するための図であり、aは、マスクとトレイとの重なりが正常な場合の平面図、bは、マスクがトレイから外れた場合の平面図である。検出手段は、例えば、支持台41sのトレイ載置部41trの表面に取り付けられた複数の重量計46a~46fである。複数の検出手段による検出結果は、支持台41sに組体60が載置された後、支持台41sに取り付けられた複数の重量計46a~46fによって検出される。図5aに示すトレイ62およびマスク63の状態は、図4に例示された状態と同じである。マスク63は、トレイ62のマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、トレイ62に嵌合されている。この状態を、マスク63とトレイ62との位置関係の正常状態とする。すなわち、図4および図5aにおいては、トレイ62は、支持台41sのトレイ載置部41trの上に載置されている。基板61は、トレイ62の基板支持部62a上に載置されている。マスク支持部62bの内周面によって基板61の径方向の位置ずれが規制されている。マスク63はトレイ62のマスク支持部62bの上に載置されつつ、重ね合わされている。マスク63がマスク支持部62bに重ね合わされた状態で、マスク63は、基板支持部62aも含むトレイ62のすべてを覆っている。さらに、マスク63は、基板61の外縁部を覆っている。リブ63rの内周側にトレイ62が収まることでトレイ62とマスク63との径方向の相互の位置ずれが規制されている。マスク63とトレイ62との位置関係が正常状態では、マスク63がトレイ62上に載置された状態で、マスク63の第1中心点63cと、トレイ62の第2中心点62cと、は、略重なっている。このような状態では、重量計46a~46fのそれぞれには、略同じ重量が加重され、重量計46a~46fのそれぞれによって検出された重量値はほぼ同じになる。換言すれば、重量計46a~46fに加重されている重量が略同じであって、許容値内であれば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態にある。そして、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にある場合は、基板61に対する真空処理を実施する。これに対し、図5bでは、マスク63の第1中心点63cと、トレイ62の第2中心点62cと、がずれている。このずれは、例えば、マスク63がトレイ62に充分に嵌め合わされず、マスク63がトレイ62から外れたときに起きる。このような状態では、重量計46a~46fのそれぞれには、略同じ重量が加重されない。例えば、重量値は、重量計46e側ほど高く、重量計46b側ほど低くなる。従って、重量計46a~46fのそれぞれによって検出された値にはばらつきが生じる。換言すれば、重量計46a~46fに加重されている重量が略同じであって、許容値外でないならば、トレイ62と、マスク63と、は正常でない状態にある。そして、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にない場合は、基板61に対する真空処理を中断する。中断した場合は、基板61、トレイ62、およびマスク63を直ちに、ロードロック室20に戻し、トレイ62とマスク63との位置関係を正常状態に復元する。あるいは、エラーとして停止する。仮に、マスク63とトレイ62との位置関係が正常状態にない状態で、基板61、トレイ62、およびマスク63を搬送室10を介して、各真空処理室41~44に搬送すると、基板61の欠け、マスク63自体が搬送室10、真空処理室41~44、または真空ゲート弁41V~44Vのいずれかにおいて落下する可能性がある。基板61の欠けが静電吸着面41aに付着すると、静電吸着面41aに吸着される基板61が欠けによって損傷を受ける場合がある。また、真空処理装置1内でのマスク63の落下は、真空処理装置1内の部材に損傷を与える場合がある。その結果、製造工程の遅延、製造コスト上昇を招来してしまう。真空処理装置1では、真空処理室41~44において、事前に、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出できる。従って、基板61の欠け、マスク63自体の落下を事前に予防できる。従って、製造工程の遅延、製造コスト上昇が抑えられる。真空処理装置1では、真空処理室41~44において、基板61が真空処理されている最中にも、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出できる。従来の真空処理装置のように、真空処理装置外に光センサを取り付ける構造では、真空処理の最中には、窓材の汚染を回避するために、窓材を遮蔽しなければならなかった。このため、真空処理の最中には、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出できなかった。また、従来の真空処理装置のように、真空処理装置外に光センサを取り付ける構造では、光センサの取り付け場所の自由度が真空ポート、圧力計、真空ライン、電極等が配置により制約を受ける場合があった。真空処理装置1においては、基板61に真空処置の最中には、重量計46a~46fは、トレイ62によって覆われている。従って、真空処理を長く継続しても、重量計46a~46fの表面に被膜は形成されない。重量計46a~46fは、真空処理装置1の内部に取り付けるので、上述したセンサ用の窓部材、遮蔽機構を要しない。従って、真空処理装置1は、より簡便な構造になり、真空処理装置のコスト上昇が抑制される。続いて、検出手段の変形例について説明する。以下に示す変形例においても第1実施形態と同様の効果を奏する。第2実施形態図6は、第2実施形態に係る真空処理装置の模式図であり、aは、真空処理室の平面模式図であり、bは、aのY-Y’位置での断面模式図である。図6aには、真空処理室47内の支持台41s付近を透過した状態が示されている。図6aには、図6bに表示した基板61、トレイ62、およびマスク63が表示されていない。真空処理室47の基本構造は、真空処理室41の基本構造と同じである。但し、真空処理室47においては、リフタ41lfのそれぞれのピン部41pの上端部に重量計46a、46b、46cが取り付けられている。第2実施形態においては、複数のピン部41pのそれぞれの先端に取り付けられた重量計46a、46b、46cが検出手段になっている。すなわち、複数の検出手段による検出結果は、リフタ41lfの複数のピン部41pの上に組体60が載置された後、リフタ41lfの複数のピン部41pのそれぞれの先端に取り付けられた重量計46a、46b、46cによって検出される。トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態では、重量計46a、46b、46cのそれぞれには、許容値内の重量が加重され、重量計46a、46b、46cのそれぞれによって検出された重量値は許容値内になる。換言すれば、重量計46a、46b、46cに加重されている重量が略同じであって、許容値内であれば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態にあると判断できる。トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にないときは、重量計46a、46b、46cのそれぞれには、許容値内の重量が加重されない。重量計46a、46b、46cのそれぞれによって検出された重量値は許容値外の値を示す。換言すれば、重量計46a、46b、46cに加重されている重量が許容値外の値を示せば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態でないと判断できる。このように第2実施形態に係る検出手段は、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出することができる。重量計46a、46b、46cに接続されたケーブルは、ピン部41pの内部、テーブル部41tbの内部、および昇降機構41maの内部を通じて、真空処理室47の外部に設けられた測定器に接続されている。ピン部41pの数については、図示する数に限られない。また、複数のピン部41pのそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。複数のピン部41pのそれぞれに、重量計が取りけられる。第3実施形態図7は、第3実施形態に係る真空処理装置の平面模式図である。図8は、図7のZ-Z’断面図であり、aは、トレイとマスクとの位置関係が正常状態にある図、bは、トレイとマスクとの位置関係が正常状態にない状態の図である。図7には、真空処理室48内の支持台41s付近を透過した状態が示されている。図7には、図8に表示した基板61、トレイ62、およびマスク63が表示されていない。図7に示す真空処理室48の基本構造は、真空処理室41の基本構造と同じである。但し、真空処理室48においては、支持台41sのトレイ載置部41trに、複数の光放出部70a~70fが取り付けられている。さらに、支持台41sのトレイ載置部41trには、複数の光放出部70a~70fのそれぞれに隣接する、各受光部71a~71fが取り付けられている。光放出部70a~70fは、例えば、半導体レーザ、LEDLightEmittingDiode等の半導体発光素子等である。受光部71a~71fは、例えば、電荷結合素子等の光センサである。第3実施形態に係る検出手段は、支持台41sのトレイ載置部41trに取り付けられた複数の光放出部70a~70fと、複数の光放出部70a~70fのそれぞれから放出される光がマスク63に照射し、マスク63から反射される光を受光するそれぞれの受光部71a~71fと、を含む。光放出部70a~70fのそれぞれは、光放出部70a~70fのそれぞれから放出される光70pがマスク63の外端部63eに当たるように配置されている。複数の検出手段による検出結果は、支持台41sに組体60が載置された後、支持台41に取り付けられた複数の光放出部70a~70fのそれぞれから放出される光がマスク63に照射し、マスク63から反射される光を光受光部71a~71fのそれぞれが受光することによって検出される。例えば、図8aの正常状態においては、光放出部70dから放出された光70pは、マスク63の外端部63eを照射する。光70pは、外端部63eによって、受光部71d側に反射する。受光部71dは、この反射された光70pを受光する。すなわち、トレイ62とマスクとの位置関係が正常状態にあるときは、光放出部70a~70fのそれぞれから放出される光は、受光部71a~71fのそれぞれによって受光される。この場合、受光部71a~71fのそれぞれによって受光される光強度は略同じである。これに対し、図8bに示すように、マスク63がトレイ62から外れた場合は、光放出部70dから放出された光70pは、マスク63の外端部63eを照射せず、真空処理室48の上方に透過してしまう。上方に透過した光70pは、真空処理室48の上壁等によって反射されるものの、その強度は、外端部63eによって反射された光70pに比べ弱くなる。すなわち、トレイ62とマスクとの位置関係が正常状態にないときは、光放出部70a~70fのそれぞれから放出される光は、受光部71a~71fのそれぞれによって受光されものの、受光部71a~71fのそれぞれによって受光される光強度はばらついてしまう。このように第3実施形態に係る検出手段は、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出することができる。光放出部70a~70fのそれぞれ、および受光部71a~71fのそれぞれには、電気配線が接続されている。それぞれの電気配線は、支持台41sの回転軸41raの内部を通されて、回転軸41raの端部でスリップリングを介して、真空処理室48の外部に設けられた測定器に接続されている。なお、電気配線に代えて、光ファイバを用いてもよい。光放出部および受光部の数については、図示する数に限られない。また、複数の光放出部および受光部のそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。第4実施形態図9は、第4実施形態に係る真空処理装置の斜視模式図であり、aは、搬送室内に設けられた真空ロボットの搬送アームの斜視模式図、bは、搬送アームが基板、トレイ、およびマスクが一組になった組体を支持する状態の斜視模式図である。第4実施形態に係る検出手段は、真空ロボット50の搬送アーム51の表面に取り付けられた複数の重量計75a~75eである。搬送室10内には、マスク63がトレイ62から外れた状態を検出可能な検出手段が取り付けられている。複数の検出手段による検出結果は、搬送アーム51の表面に取り付けられた複数の重量計75a~75eによって検出される。基板61、トレイ62、およびマスク63が一組になった組体60が搬送アーム51によって搬送されている際には、組体60は、搬送アーム51によって支持されている。トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態では、重量計75a~75eのそれぞれには、略同じ重量が加重され、重量計75a~75eのそれぞれによって検出された重量値はほぼ同じになる。換言すれば、重量計75a~75eに加重されている重量が略同じてあって、許容値内であれば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態にあると判断できる。トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にないときは、重量計75a~75eのそれぞれには、許容値内の重量が加重されない。重量計75a~75eのそれぞれによって検出された重量値は違う値を示す。換言すれば、重量計75a~75eに加重されている重量が許容値外の値を示せば、トレイ62とマスク63との位置関係は正常状態でないと判断できる。このように第4実施形態に係る検出手段は、トレイ62とマスク63との位置関係が正常状態にあるか否かを検出することができる。重量計75a~75eに接続されたケーブルは、真空ロボット50の内部を通じて、搬送室10の外部に設けられた測定器に接続されている。重量計の数については、図示する数に限られない。また、複数の重量計のそれぞれは、等間隔で周期的に配置されてもよく、非周期的に配置されてもよい。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。