"Aポリオルガノシロキサン、B無機充填剤、およびC硬化触媒を含有し、前記B無機充填剤として、一次粒径が0.1μm以上7.0μm以下の、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを含有することを特徴とする、半導体発光装置用樹脂成形体用材料。更にD白色顔料を含有することを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光装置用樹脂成形体用材料。前記半導体発光装置用樹脂成形体用材料全体に占める、前記B無機充填剤の含有量が、10重量以上、80重量以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体発光装置用樹脂成形体用材料。請求項1~3のいずれか1項に記載の樹脂成形体用材料を成形してなる半導体発光装置用樹脂成形体。請求項1~3のいずれか1項に記載の樹脂成形体用材料を含む絶縁性の半導体素子用シリコーン接着剤。メタルベース基板上に絶縁層を介して導電性金属配線を有する半導体発光装置実装用メタルベース配線基板であって、該絶縁層として請求項4に記載の半導体発光装置用樹脂成形体を備えることを特徴とする半導体発光装置実装用メタルベース配線基板。しかしながら、上記特許文献1においては、近紫外領域の波長の光反射率については何ら検討されていない。また、実施例の組成から本発明者らが検討したところでは、近紫外領域の波長の光反射率は低いものと推測される。本発明は、熱伝導率が高く、かつ、近紫外領域の波長の光反射率が高い、光半導体発光装置用樹脂成形体用材料を提供することを課題とする。そこで本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、Aポリオルガノシロキサン、B無機充填剤、およびC硬化触媒を含有する半導体発光装置用樹脂成形体用材料において、B無機充填剤として、特定の一次粒子径を有する、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを含有することにより上記課題を解決できることを見出した。すなわち、本発明は以下の通りである。Aポリオルガノシロキサン、B無機充填剤、およびC硬化触媒を含有し、前記B無機充填剤として、一次粒子径が0.1μm以上7.0μm以下の、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを含有することを特徴とする、半導体発光装置用樹脂成形体用材料。また、本発明は、更にD白色顔料を含有することが好ましい態様である。また、本発明は、樹脂成形体用材料全体に占める、前記B無機充填剤の含有量が、10重量以上、80重量以下であることが好ましい態様である。また、本発明の別の態様は、上記樹脂成形体用材料を成形してなる半導体発光装置用樹脂成形体である。さらに、本発明の別の態様は、メタルベース基板上に絶縁層を介して導電性金属配線を有する半導体発光装置実装用メタルベース配線基板であって、該絶縁層として前記半導体発光装置用樹脂成形体を備える半導体発光装置実装用メタルベース配線基板である。また、本発明の別の態様は、上記樹脂成形体用材料を含む絶縁性の半導体素子用シリコーン接着剤である。本発明により、熱伝導率が高く、かつ、近紫外領域の波長の光反射率が高い半導体発光装置用樹脂成形体材料を提供することができる。加えて、成形した際の成形性も高い光半導体発光装置用樹脂成形体を提供することができる。以下、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。<1.半導体発光装置用樹脂成形体用材料>本発明において半導体発光装置用樹脂成形体用材料とは、半導体発光装置用樹脂成形体の成形に用いる材料である。具体的には、Aポリオルガノシロキサン、B無機充填剤、およびC硬化触媒を含有する。ここで、半導体発光装置用樹脂成形体とは、材料を硬化させた成形体であり、リードフレームなどの導電性金属配線と共に成形することにより半導体発光装置用パッケージとなる。また、半導体発光装置とは、上記半導体発光装置用樹脂成形体に半導体発光素子を含む発光装置である。半導体発光装置の断面の略図を図1に示す。<1-1.Aポリオルガノシロキサン>本発明におけるポリオルガノシロキサンとは、ケイ素原子が酸素を介して他のケイ素原子と結合した部分を持つ構造に有機基が付加している高分子物質を指す。ここでポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体であることが好ましい。これは、半導体発光装置用樹脂成形体を成形する際に、材料の扱いが容易となるからである。また、常温常圧下において固体のポリオルガノシロキサンは、一般的に硬化物としての硬度は比較的高いが、破壊に要するエネルギーが小さく靭性が低いものや、耐光性、耐熱性が不十分で光や熱により変色しやすいものが多い傾向にあるからである。なお、上記常温とは20°C±15°C5~35°Cの範囲の温度をいい、常圧とは大気圧に等しい圧力をいい、ほぼ一気圧である。また、液体とは流動性の有る状態をいう。上記ポリオルガノシロキサンは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば以下に示す一般組成式1で表される化合物や、その混合物が挙げられる。R1R2R3SiO12MR4R5SiO22DR6SiO32TSiO42Q1ここで、上記式1中、R1からR6は独立して、有機官能基、水酸基、水素原子から選択される。またM、D、TおよびQは0から1未満であり、MDTQ=1を満足する数である。主なポリオルガノシロキサンを構成する単位は、1官能型R3SiO05、2官能型R2SiO、3官能型RSiO15、4官能型SiO2であり、これら4種の単位の構成比率を変えることにより、ポリオルガノシロキサンの性状の違いが出てくるので、所望の特性が得られるように適宜選択し、ポリオルガノシロキサンの合成を行う。上記構成単位が1~3官能型のポリオルガノシロキサンは、オルガノクロロシランと呼ばれる一連の有機ケイ素化合物をもとにして合成することができる。例えば、メチルクロロシランは塩化メチルとケイ素SiとをCu触媒下高温で直接反応させて合成することができ、また、ビニル基などの有機基を持つシラン類は、一般の有機合成化学の手法によって合成することができる。単離されたオルガノクロロシランを、単独で、あるいは任意の割合で混合し、水により加水分解を行うとシラノールが生成し、このシラノールが脱水縮合するとシリコーンの基本骨格であるポリオルガノシロキサンが合成される。ポリオルガノシロキサンは、硬化触媒の存在下で、熱エネルギーや光エネルギー等を与えることにより硬化させる事ができる。ここで硬化とは、流動性を示す状態から、流動性を示さない状態に変化することをいい、例えば、対象物を水平より45度傾けた状態で30分間静置しても流動性がある状態を未硬化状態といい、全く流動性がない状態を硬化状態として判断することができる。但し、後述するフィラーを高濃度に添加した場合、チキソ性の発現により対象物を水平より45度傾けた状態で流動性が無くとも硬化していないケースが考えられる。この場合においては、対象物が塑性変形せず、硬度をデュロメータタイプAにて測定し、硬度測定値が5以上であれば、硬化状態であると判断する。ポリオルガノシロキサンは、硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのポリオルガノシロキサンを挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ付加型ポリオルガノシロキサン、および縮合硬化タイプ縮合型ポリオルガノシロキサンが好適である。中でも、副生成物の発生が無く、また、反応が可逆性でないヒドロシリル化付加重合によって硬化する付加型ポリオルガノシロキサンがより好適である。これは、成形加工時に副生成物が発生すると、成形容器内の圧を上昇させたり、硬化材料中に泡として残存したりする傾向にあるからである。以下、付加型ポリオルガノシロキサン、および縮合型ポリオルガノシロキサンについて説明する。<1-1-1.付加型ポリオルガノシロキサン>付加型ポリオルガノシロキサンとは、ポリオルガノシロキサン鎖が、有機付加結合により架橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビニルシラン等のC1アルケニル基を有する珪素含有化合物と、例えばヒドロシラン等のC2ヒドロシリル基を含有する珪素化合物とを総ヒドロシリル基量が0.5倍以上、2.0倍以下となる量比で混合し、C3Pt触媒などの付加縮合触媒の存在下反応させて得られるSi-C-C-Si結合を架橋点に有する化合物等を挙げることができる。C1アルケニル基を有する珪素含有化合物としては、下記一般式2RnSiO22で表わされる、1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するポリオルガノシロキサンが挙げられる。ただし、式2中、Rは同一または異種の置換または非置換の1価炭化水素基、アルコキシ基、または水酸基で、一分子中少なくとも2個のRはアルケニル基であり、nは1≦n<3を満たす正の数である。上記C1アルケニル基を有する珪素含有化合物においてアルケニル基とは、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基などの炭素数2~8のアルケニル基であることが好ましい。Rが炭化水素基である場合は、メチル基、エチル基などのアルキル基、ビニル基、フェニル基等の炭素数1~20の1価炭化水素基から選択される。好ましくは、メチル基、エチル基、フェニル基である。それぞれは異なっても良いが、耐UV性が要求される場合には、上記式中Rのうちの65程度がメチル基であることが好ましくつまり、Siの個数mol数に対してメチル基以外の官能基の含有数として0.5個mol程度であることが好ましい。、上記式中Rのうちの80以上がメチル基であることがより好ましい。Rは炭素数1~8のアルコキシ基や水酸基であってもよいが、アルコキシ基や水酸基の含有率は、C1アルケニル基を有する珪素含有化合物の重量の10以下であることが好ましい。また、nは1≦n<3を満たす正の数であるが、この値が3以上であると樹脂成形体用材料とリードフレーム等の導電体との接着に十分な強度が得られなくなり、1未満であるとこのポリオルガノシロキサンの合成が困難になる。上記C1アルケニル基を有する珪素含有化合物としては、例えばビニルシラン、ビニル基含有ポリオルガノシロキサンを挙げることができ、これらを1種単独で、または2種以上を任意の比率および組み合わせで用いることができる。上記の中でも分子内に2個以上のビニル基を有するビニル基含有ポリオルガノシロキサンが好ましい。分子内に2個以上のビニル基を有するビニル基含有ポリオルガノシロキサンとして具体的には以下のものが挙げられる。両末端ビニルポリジメチルシロキサンDMS-V00、DMS-V03、DMS-V05、DMS-V21、DMS-V22、DMS-V25、DMS-V31、DMS-V33、DMS-V35、DMS-V41、DMS-V42、DMS-V46、DMS-V52いずれもGelest社製両末端ビニルジメチルシロキサン-ジフェニルシロキサンコポリマーPDV-0325、PDV-0331、PDV-0341、PDV-0346、PDV-0525、PDV-0541、PDV-1625、PDV-1631、PDV-1635、PDV-1641、PDV-2331、PDV-2335いずれもGelest社製両末端ビニルフェニルメチルシロキサンPMV-9925Gelest社製トリメチルシリル基封鎖ビニルメチルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマーVDT-123、VDT-127、VDT-131、VDT-153、VDT-431、VDT-731、VDT-954いずれもGelest社製ビニルT-構造ポリマーVTT-106、MTV-124いずれもGelest社製また、C2ヒドロシリル基を有する珪素含有化合物としては、例えばヒドロシラン、ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンを挙げることができ、これらを1種単独で、または2種以上を任意の比率および組み合わせで用いることができる。上記の中でも分子内に2個以上のヒドロシリル基を有するヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンが好ましい。分子中に2個以上のヒドロシリル基を含有するポリオルガノシロキサンとして具体的には以下のものが挙げられる。両末端ヒドロシリルポリジメチルシロキサンDMS-H03、DMS-H11、DMS-H21、DMS-H25、DMS-H31、DMS-H41いずれもGelest社製両末端トリメチルシリル封鎖メチルヒドロシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマーHMS-013、HMS-031、HMS-064、HMS-071、HMS-082、HMS-151、HMS-301、HMS-501いずれもGelest社製本発明における上記C1アルケニル基を有する珪素化合物およびC2ヒドロシリル基を有する珪素化合物の使用量は、C1アルケニル基を有する珪素化合物のアルケニル基1molに対して、C2ヒドロシリル基を有する珪素化合物のヒドロシリル基が通常0.5mol以上であり、好ましくは0.7mol以上、より好ましくは0.8mol以上であり、また、通常3.5mol以下、好ましくは3.0mol以下、より好ましくは2.5mol以下となる配合比である。アルケニル基に対するヒドロシリル基のモル数をコントロールすることにより硬化後の未反応末端基の残存量を低減し、点灯使用時の着色や剥離等の経時変化が少ない硬化物を得ることができる。また、バリ等、成形時の不具合も低減することができる。また、ヒドロシリル化を起こす反応点架橋点の個数は、アルケニル基およびヒドロシリル基ともに白色顔料を含まない樹脂自体中において0.15mmol/g以上、20mmol/g以下であることが好ましい。さらに好ましくは0.25mmol/g以上、10mmol/g以下である。また、白色顔料添加前の樹脂の粘度としては、取り扱いのし易さから、通常100000cp以下、好ましくは20000cp以下、さらに好ましくは10000cp以下である。下限は特には制限されないが、揮発度沸点との関係上一般的には15cp以上である。さらに、樹脂のポリスチレンを標準物質として測定したゲルパーミエーションクロマトグラフィーでの平均分子量測定値として、樹脂の平均分子量は500以上、100000以下であることが好ましい。より好ましくは700以上50000以下である。さらに、揮発成分を少なくする他部材との接着性を維持するため目的から1000以上、また、成形前の材料の取扱いのし易さから25000以下であることがより好ましい。最も好ましくは20000以下、特に好ましくは10000以下である。<1-1-2.縮合型ポリオルガノシロキサン>縮合型ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分解重縮合で得られるSi-O-Si結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる。具体的には、下記一般式3および/若しくは4で表わされる化合物、並びに/またはそのオリゴマーを加水分解重縮合して得られる重縮合物が挙げられる。MmXnY1m13式3中、Mは、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、およびチタンより選択される少なくとも1種の元素を表わし、Xは、加水分解性基を表わし、Y1は、1価の有機基を表わし、mは、Mの価数を表わす1以上の整数を表わし、nは、X基の数を表わす1以上の整数を表わす。但し、m≧nである。MSXtY1st1uY24式4中、Mは、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、およびチタンより選択される少なくとも1種の元素を表わし、Xは、加水分解性基を表わし、Y1は、1価の有機基を表わし、Y2は、u価の有機基を表わし、sは、Mの価数を表わす1以上の整数を表わし、tは、1以上、s-1以下の整数を表わし、uは、2以上の整数を表わす。縮合型ポリオルガノシロキサンは公知のものを使用することができ、例えば、特開2006-77234号公報、特開2006-291018号公報、特開2006-316264号公報、特開2006-336010号公報、特開2006-348284号公報、および国際公開2006/090804号パンフレットに記載の半導体発光デバイス用部材が好適である。縮合型ポリオルガノシロキサンの中で、特に好ましい材料について、以下に説明する。ポリオルガノシロキサンは、一般に半導体発光装置に用いた場合、半導体発光素子や半導体素子を配置する基板、樹脂成形体等との接着性が弱いことがあるが、これらと密着性が高いポリオルガノシロキサンとするため、特に、以下の[1]および[2]のうち1つ以上の特徴を有する縮合型ポリオルガノシロキサンが好ましい。[1]ケイ素含有率が20重量以上である。[2]測定した固体Si-核磁気共鳴NMRスペクトルにおいて、下記aおよび/またはbのSiに由来するピークを少なくとも1つ有する。aピークトップの位置がシリコーンゴムを基準としてケミカルシフト-40ppm以上、0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上、3.0ppm以下であるピーク。bピークトップの位置がシリコーンゴムを基準としてケミカルシフト-80ppm以上、-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピーク。本発明においては、上記の特徴[1]および[2]のうち、特徴[1]を有する縮合型ポリオルガノシロキサンが好ましい。さらに好ましくは、上記の特徴[1]および[2]を有する縮合型ポリオルガノシロキサンが好ましい。なお、縮合型ポリオルガノシロキサンにおいては、縮合反応の進行に伴い脱離成分が発生するが、成形加工方法により、該成分の成形加工性への影響が大きくない場合に用いることができる。その場合には、特に縮合型ポリオルガノシロキサン中のシラノール含有率が0.01重量以上、10重量以下であることが好ましい。本発明の樹脂成形体用材料中におけるAポリオルガノシロキサンの含有量は、通常、材料中に10重量以上含有し、20重量以上が好ましく、25重量以上が更に好ましい。一方上限値は、通常60重量以下であり、50重量以下であることが好ましく、40重量以下であることがより好ましい。<1-2.B無機充填剤>本発明は無機充填剤フィラーとして、一次粒子径が0.1μm以上7.0μm以下の、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを含有することを特徴とする。無機充填剤は、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを含んでいれば良く、窒化ホウ素と窒化アルミニウムの両方を含む場合も本発明の範囲に含まれる。また、窒化ホウ素または窒化アルミニウム以外の無機充填剤を含有してもよい。本発明の樹脂成形体用材料は、無機充填剤として窒化ホウ素または窒化アルミニウムを含むため、近紫外領域の波長の光反射率が高く、かつ熱伝導率が高い。そのため、成形した成形体は、半導体発光装置用パッケージとして用いた場合に近紫外領域の波長の光反射率が高いため装置の光出力が向上し、かつパッケージの放熱性が良いため、半導体発光装置の寿命が延びるという効果が得られる。光反射率の観点からは、窒化ホウ素を含むことが、より好ましい。通常の高熱伝導性材料は成形可能な範囲で無機充填剤が高充填となるように、複合材の熱伝導度及び成形性をもとに粒子形状や粒子径が選定されるが、本発明の樹脂成形体材料は半導体発光装置用に用いるため、熱伝導率が高いことに加えて高反射率であることが好ましい。高反射率であるためには、反射に寄与する下記特定の一次粒子径、特定形状の無機充填剤が後述する白色顔料を合わせた全無機充填剤のうち50を超えるようにし、該無機充填剤粒子を樹脂中に高充填すれば良い。また、一次粒子径が0.1μm以上7.0μm以下と非常に細かい粒子を用いるため、成形性にも優れている。無機充填剤が窒化ホウ素である場合は、上記一次粒子径は、0.3μm以上であることが好ましく、1.0μm以上であることがより好ましく、また、上限値については、5.0μm以下であることが好ましく、4.0μm以下であることがより好ましい。無機充填剤が、窒化アルミニウムである場合は、上記一次粒子径は、0.3μm以上であることが好ましく、0.5μm以上であることがより好ましく、また、上限値については、5.0μm以下であることが好ましく、4.0μm以下であることがより好ましく、2.0μm以下であることが特に好ましい。本発明において一次粒子とは、粒子間の界面が明瞭に観察することができる粒子のことであり、複数の一次粒子が凝集したバルク状粒子は除かれる。また、一次粒子径とは、SEMなどの電子顕微鏡観察により計測した一次粒子の粒子径をいい、観察する方向によって面積が異なる粒子の場合には、面積が最大となる方向から観察した際の長軸の長さを、一次粒子径とする。また、面積が最大となる方向から観察した際の、前記一次粒子径長軸に直角方向で最も長い部分の長さを短軸長さとする。また、面積が最小となる方向から観察した際の、長軸に直角方向で最も長い部分の短軸の長さを、一次粒子厚とする。扁平な粒子の場合は、一次粒子の短軸長さと、一次粒子厚の差が大きくなる傾向にある。一方、観察方向による面積の変化がない粒子の場合には、一次粒子厚と一次粒子の短軸長さとが一致することとなる。加えて、上記窒化ホウ素または窒化アルミニウムの形状は、偏平な形状であることが好ましく、鱗片状であることが好ましい。このような形状であることによって、熱導電性が向上する傾向にある。また、上記窒化ホウ素または窒化アルミニウムの一次粒子の平均アスペクト比は、通常1以上であり、1.2以上が好ましく、1.3以上がより好ましい。また、通常5以下であり、好ましくは3以下、より好ましくは2以下である。一次粒子の平均アスペクト比が上記範囲の場合には、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。アスペクト比は、粒子等の形状を定量的に表現する簡便な方法として一般に用いられており、本発明では、上記一次粒子径を一次粒子の短軸長さで除することで、算出することができる。軸長さにばらつきがある場合は、複数点例えば5点をSEMで計測し、その平均値から算出することができる。あるいは、10点、30点、100点を計測しても同様の算出結果を得ることができる。一次粒子の平均アスペクト比を上記範囲とするためには、窒化ホウ素または窒化アルミニウムの表面処理をしたり、研磨したりする等の一般的な方法によることができる。また、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを破砕粉砕して微細化することや、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを焼成により生成することによっても、達成できる。また、本発明では、一次粒子の平均アスペクト比が上記範囲に含まれる粒子が、B無機充填剤全体の60体積以上、より好ましくは70体積以上、特に好ましくは80体積以上を占めることが好ましく、必ずしも全てのB無機充填剤が上記一次粒子の平均アスペクト比の範囲を満たさなければいけないわけではないことは当業者が当然に理解できる事項である。また、上記窒化ホウ素または窒化アルミニウムのBET法による比表面積は、通常1m2/g以上、好ましくは2m2/g以上である。また、通常50m2/g以下、好ましくは30m2/g以下である。BET法による比表面積が上記範囲の場合には、適当な流動性を持ち、成形性に優れるため好ましい。本発明の半導体発光装置用樹脂成形体材料全体に占めるB無機充填剤の含有量は、白色顔料の添加の有無などにより適宜選択されるが、通常10重量以上、好ましくは50重量以上、より好ましくは55重量以上である。また、通常80重量以下、好ましくは75重量以下である。上記範囲とすることで、本願の無機充填剤を含むことにより効果が十分に発揮される。<1-3.C硬化触媒>本発明におけるC硬化触媒とは、Aのポリオルガノシロキサンを硬化させる触媒である。ポリオルガノシロキサンは触媒により重合反応が早まり硬化する。この触媒はポリオルガノシロキサンの硬化機構により付加重合用触媒、縮合重合用触媒がある。付加重合用触媒としては、C1成分中のアルケニル基とC2成分中のヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を促進するための触媒であり、この付加縮合触媒の例としては、白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。なお、このC3付加縮合触媒の配合量は触媒量とすることができるが、通常、白金族金属としてC1およびC2成分の合計重量に対して通常1ppm以上、好ましくは2ppm以上であり、通常500ppm以下、好ましくは100ppm以下である。これにより触媒活性を高いものとすることができる。縮合重合用触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、有機酸などの酸、アンモニア、アミン類などのアルカリ、金属キレート化合物などを用いることができ、好適なものとしてTi、Ta、Zr、Al、Hf、Zn、Sn、Ptのいずれか1以上を含む金属キレート化合物を用いることができる。なかでも、金属キレート化合物は、Ti、Al、Zn、Zrのいずれか1以上を含むものが好ましく、Zrを含むものがさらに好ましく用いられる。これらの触媒は半導体発光装置用樹脂成形体材料として配合した際の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性などを考慮して選択される。縮合重合用触媒の配合量は、上記式3および/または4で表される成分の合計重量に対して通常0.01重量以上、好ましくは0.05重量以上である。上限値は、通常10重量以下であり、6重量以下であることが好ましい。添加量が上記範囲であると半導体発光装置用樹脂成形体材料の硬化性、保存安定性、樹脂成形体の品質が良好である。添加量が上限値以上と成ると樹脂成形体材料の保存安定性に問題が生じ、下限値未満と成ると硬化時間が長くなり樹脂成形体の生産性の低下、未硬化成分により樹脂成形体の品質が低下する。<1-4.D白色顔料>本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料は、反射率の観点から、さらにフィラーとしてD白色顔料を含有することが好ましい。白色顔料としては、樹脂の硬化を阻害しない公知の顔料を適宜選択する事ができ、無機および/または有機の材料を用いる事ができる。ここで白色とは、無色であり透明ではない事をいう。すなわち可視光領域に特異な吸収波長を持たない物質により入射光を乱反射させる事による色をいう。白色顔料として用いることができる無機粒子としては、アルミナ以下、アルミナ微粉、または酸化アルミニウムと称する場合がある。、酸化珪素、酸化チタンチタニア、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等の金属酸化物;炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム等の金属塩;アルミナホワイト、コロイダルシリカ、珪酸アルミニウム、珪酸ジルコニウム、硼酸アルミニウム、クレー、タルク、カオリン、雲母、合成雲母などが挙げられる。また、白色顔料として用いることができる有機微粒子としては、弗素樹脂粒子、グアナミン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子等の樹脂粒子などを挙げることができるが、いずれもこれらに限定されるものではない。中でも白色度が高く少量でも光反射効果が高く変質しにくい点からは、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛などが好ましく、アルミナが特に好ましい。これらは、単独もしくは2種以上混合して用いる事ができる。酸化チタンを用いる場合は、光触媒性、分散性、白色性等の問題が出ない程度に含有する事ができる。酸化チタンは、ルチル型、アナターゼ型の何れも好ましく用いることが出来る。ルチル型酸化チタンは光触媒性が少なく少量でも高い反射率とすることが出来る。また、アナターゼ型酸化チタンは、紫外域の反射率がルチル型より高いため、400nm以下の紫外域の光を発する半導体発光素子と組み合わせると高輝度な発光装置を得ることができる。酸化チタンとしては具体的には富士チタン工業社製のTA100、TA200、TA300、TA500、TR840等が挙げられ、アルミナとしては具体的には日本軽金属社製A30シリーズ、ANシリーズ、A40シリーズ、MMシリーズ、LSシリーズ、AHPシリーズ、アドマテックス社製AdmafineAluminaAO5タイプ、AO8タイプ、日本バイコウスキー社製CRシリーズ、大明化学工業社製タイミクロン、Aldrich社製10μm径アルミナ粉末、昭和電工社製A42シリーズ、A43シリーズ、A50シリーズ、ASシリーズ、AL43シリーズ、AL47シリーズ、AL160SGシリーズ、A170シリーズ、AL170シリーズ、住友化学社製AMシリーズ、ALシリーズ、AMSシリーズ、AESシリーズ、AKPシリーズ、AAシリーズ等が挙げられ、ジルコニアとしては具体的には第一希元素化学工業社製UEP100等が挙げられ、酸化亜鉛としては具体的にはハクスイテック社製酸化亜鉛2種等が挙げられる。Aポリオルガノシロキサンの屈折率とD白色顔料の屈折率差が大きいほど、少量の白色顔料添加でも白色度がより高く、反射散乱効率の良い半導体発光装置用樹脂成形体を得ることができるため好ましい。Aポリオルガノシロキサンは屈折率が1.41なので、屈折率が1.76のアルミナ粒子をD白色顔料として好適に用いることができる。本発明においてD白色顔料はアルミナであることが好ましい。本発明においてアルミナはアルミニウムの酸化物をいい、その結晶形態は問わないが、化学的に安定、融点が高い、機械的強度が大きい、硬度が高い、電気絶縁抵抗が大きい等の特性を持つαアルミナが好適に使用できる。アルミナ中にアルミニウム、酸素以外の元素を不純物として含むと可視光領域に吸収を持つために着色するために好ましくない。例えばわずかでもクロムを含有すると一般にルビーと呼ばれ赤色を呈し、鉄やチタンを不純物として含有すると一般にサファイアと呼ばれ青色を呈する。本発明におけるアルミナは、クロム、鉄、チタンの含有量がそれぞれ0.02以下、好ましくは0.01以下のものを使用できる。本発明の樹脂成形体用材料の硬化時の熱伝導率は、前述のとおり高い方が好ましいが、熱伝導率を高くするためには、純度が98以上のアルミナを用いることが好ましく、純度99以上のアルミナを用いることがより好ましく、特に低ソーダアルミナを用いることが好ましい。本発明におけるD白色顔料のアスペクト比は1.2~4.0であることが好ましく、1.2~3.0であることがより好ましい。アスペクト比が上記範囲である場合には、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。アスペクト比は、粒子の形状が繊維状や棒状か、あるいは球状かの指標となり、粒子が繊維状の場合はアスペクト比が大きくなり、粒子が球状の場合は、1.0となる。本発明では、アスペクト比が上記範囲であることにより、D白色顔料の好ましい形状からは、球状、真球状に形成されたものが除かれる。また、極端に細長い形状のものも、かえって反射率を低下させてしまうため、本発明に係るD白色顔料からは除かれる。本発明では、アスペクト比が上記範囲に含まれる粒子が、D白色顔料全体の60体積以上、より好ましくは70体積以上、特に好ましくは80体積以上を占めることが好ましく、必ずしも全てのD白色顔料が上記アスペクト比の範囲を満たさなければいけないわけではないことは当業者が当然に理解できる事項である。アスペクト比を上記範囲とするためには、白色顔料の表面処理をしたり、研磨したりする等の一般的な方法を採ってもよい。また、白色顔料を破砕粉砕して微細化することや、白色顔料を焼成により生成することによっても、達成できる。本発明におけるD白色顔料は、形状が破砕形状であるものが好ましい。ここで破砕形状とは、主に白色顔料を破砕によって微細化した形状をいい、破砕後の処理により結晶の角が少ない丸みを帯びた形状となったもの、焼成などによって生成した球状でない顔料の形状も含まれる。すなわち、製造工程の性格上、球状、真球状に形成されたものを除く趣旨である。破砕形状の白色顔料を使用した材料では、球状の白色顔料を使用した材料に比べ、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光特に、波長360nm~460nmの光の反射が大きい。また、球状の顔料に比べて、経済面でも有利な場合がある。これにより、かかる形状の白色顔料を含有した樹脂成形体材料からなるパッケージを用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。また、本発明におけるD白色顔料の一次粒子径は、0.1μm以上2μm以下であることが好ましい。下限値については好ましくは0.15μm以上、更に好ましくは0.2μm以上であり、上限値については好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.8μm以下、特に好ましくは0.5μm以下である。一次粒子径が上記範囲にある場合には、反射率が向上するため、好ましい。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、一次粒子径が2μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。なお、上記一次粒子径は、B無機充填剤における一次粒子径の概念と同様である。また、一次粒子が凝集してできる凝集粒子を二次粒子といい、二次粒子径は粉体を適当な分散媒例えばアルミナの場合は水に分散させて粒度分析計等で測定した粒径を言う。上記D白色顔料は、二次粒子の中心粒径が、0.2μm~10μmであるものが好ましく、0.2μm~5μmであるものがより好ましい。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、二次粒子径が10μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。なお、中心粒径とは積算の体積基準粒度分布曲線が50の横軸と交差するポイントの粒子径を言い、一般的に50粒子径D50、メディアン径と呼ばれるものを指す。また、本発明におけるD白色顔料の一次粒子径xと二次粒子径yの比y/xは、通常1以上、好ましくは1より大きく、特に好ましくは1.2以上であり、また、通常10以下、好ましくは5以下である。ここで、一次粒子径xと二次粒子径yの比y/xが上記範囲であることにより、D白色顔料の好ましい形状からは、球状、真球状に形成されたものが除かれる。一次粒子径xと二次粒子径yの比y/xが上記範囲である場合には、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。本発明において半導体発光装置用樹脂成形体材料中のD白色顔料の含有量は、使用する顔料の粒径や種類、ポリオルガノシロキサンと顔料の屈折率差により適宜選択される。D白色顔料を含有する場合、Aポリオルガノシロキサン100重量部に対し通常10重量部以上、好ましくは20重量部以上、より好ましくは50重量部以上、更に好ましくは100重量部以上であり、通常900重量部以下、好ましくは600重量部以下、更に好ましくは400重量部以下である。上記範囲内であると反射率、成形性等が良好である。上記下限未満である場合には光線が透過してしまい半導体発光装置の反射効率が低下する傾向にあり、上限以上である場合には材料の流動性が悪化することにより成形性が低下する傾向にある。また、D白色顔料がアルミナである場合には、半導体発光装置用樹脂成形体材料中の含有量は、B無機充填剤の種類により適宜選択される。B無機充填剤が窒化ホウ素の場合には、Aポリオルガノシロキサン100重量部に対して、窒化ホウ素とアルミナの合計が通常10重量部以上、好ましくは20重量部以上、より好ましくは50重量部以上、更に好ましくは100重量部以上であり、通常900重量部以下、好ましくは600重量部以下、更に好ましくは400重量部以下である。かつ、窒化ホウ素とアルミナの含有量比窒化ホウ素/アルミナ、重量比が0.1以上であることが好ましく、0.2以上であることがより好ましい。更に1.0以上であることが、最も好ましい。一方、B無機充填剤が窒化アルミニウムの場合には、Aポリオルガノシロキサン100重量部に対して、窒化アルミニウムとアルミナの合計が通常10重量部以上、好ましくは20重量部以上、より好ましくは50重量部以上、更に好ましくは100重量部以上であり、通常900重量部以下、好ましくは600重量部以下、更に好ましくは400重量部以下である。かつ、窒化アルミニウムとアルミナの含有量比窒化アルミ/アルミナ、重量比が0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましい。上限値としては0.7以下であることが好ましく、0.5以下であることがより好ましい。樹脂成形体用材料の熱伝導率を0.4~3.0の範囲に制御するためには、D白色顔料としてアルミナを樹脂成形体用材料全体量に対して40~90重量添加することが好ましい。<1-5.その他の成分>半導体装置用樹脂成形体用材料中には、上記Aポリオルガノシロキサン、B無機充填剤、C硬化触媒、D白色顔料以外に、本発明の要旨を損なわない限り、必要に応じて他の成分を1種、または2種以上を任意の比率および組み合わせで含有させることができる。例えば、半導体装置用樹脂成形体用材料の流動性コントロールや白色顔料の沈降抑制の目的でシリカ微粒子を含有させることができる。上記シリカ微粒子の含有量は、通常、ポリオルガノシロキサン100重量部に対し60重量部以下、好ましくは40重量部以下である。本発明に使用するシリカ微粒子は、特に限定されるものではないが、BET法による比表面積が、通常50m2/g以上、好ましくは80m2/g以上、さらに好ましくは100m2/g以上である。また、通常300m2/g以下、好ましくは200m2/g以下である。比表面積が小さすぎるとシリカ微粒子の添加効果が認められず、大きすぎると樹脂中への分散処理が困難になる。シリカ微粒子は、例えば親水性のシリカ微粒子の表面に存在するシラノール基と表面改質剤を反応させることにより表面を疎水化したものを使用してもよい。表面改質剤としては、アルキルシラン類の化合物が挙げられ、具体例としてジメチルジクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン、オクチルシラン、ジメチルシリコーンオイルなどが挙げられる。シリカ微粒子としては、例えばフュームドシリカを挙げることができる。フュームドシリカは、H2とO2との混合ガスを燃焼させた1100~1400°Cの炎でSiCl4ガスを酸化、加水分解させることにより作製される。フュームドシリカの一次粒子は、平均粒径が5~50nm程度の非晶質の二酸化ケイ素SiO2を主成分とする球状の超微粒子であり、この一次粒子がそれぞれ凝集し、粒径が数百nmである二次粒子を形成する。フュームドシリカは、超微粒子であるとともに、急冷によって作製されるため、表面の構造が化学的に活性な状態となっている。具体的には、例えば日本アエロジル株式会社製アエロジル登録商標が挙げられ、親水性アエロジル登録商標の例としては、90、130、150、200、300、疎水性アエロジル登録商標の例としては、R8200、R972、R972V、R972CF、R974、R202、R805、R812、R812S、RY200、RY200SRX200が挙げられる。また、樹脂成形体用材料の粘度を調整するため、流動性調整剤増粘剤を含有させることができる。流動性調整剤としては、25°Cにおける粘度が、通常、0.001Pas~3Pas、好ましくは0.001Pas~1Pas、より好ましくは0.001Pas~0.7Pasであり、ヒドロキシル価が、通常、1.0×102~7.7×105mol/g、好ましくは1.0×102~9.5×105mol/g、より好ましくは1.0×102~10.3×105mol/gであり、一分子中に少なくとも1個のケイ素原子に結合したヒドロキシル基すなわち、シラノール基を含有する、直鎖状ポリオルガノシロキサンを配合することができる。この流動性調整剤としてのヒドロキシル基含有直鎖状ポリオルガノシロキサンは、分子中にアルケニル基および/またはSiH基等のヒドロシリル化付加反応に関与する官能性基を含有しないものであり、分子中のヒドロキシル基は分子鎖末端のケイ素原子に結合したものであっても、分子鎖非末端分子鎖途中のケイ素原子に結合したものであっても、これらの両方に結合したものであってもよいが、好ましくは分子鎖両末端のケイ素原子に結合したヒドロキシル基を含有する直鎖状ポリオルガノシロキサンすなわち、α、ω‐ジヒドロキシジオルガノポリシロキサンであることが望ましい。このケイ素原子に結合した有機基としてはメチル、エチル、プロピル等のアルキル基やフェニル基等のアリル基などの一価炭化水素基が挙げられ、該ポリオルガノシロキサンの主鎖を構成するジオルガノシロキサン繰返し単位としてはジメチルシロキサン単位、ジフェニルシロキサン単位、メチルフェニルシロキサン単位等の一種または二種以上の組み合わせであることが好ましい。具体的には、α、ω‐ジヒドロキシジメチルポリシロキサン、α、ω‐ジヒドロキシジフェニルポリシロキサン、α、ω‐ジヒドロキシメチルフェニルポリシロキサン、α、ω‐ジヒドロキシジメチルシロキサンジフェニルシロキサン共重合体、α、ω‐ジヒドロキシジメチルシロキサンメチルフェニルシロキサン共重合体等が挙げられる。流動性調整剤の配合量はAポリオルガノシロキサン100重量部に対して、通常、0~10重量部、好ましくは0.1~5重量部、より好ましくは0.5~3重量部程度とすることができる。また、材料の熱硬化後の強度、靭性を高める目的で、ガラス繊維などの無機物繊維を含有させてもよく、また、熱伝導性を高めたるため、熱伝導率の高い窒化ホウ素、窒化アルミ、繊維状アルミナ等を前述の白色顔料とは別に含有させることができる。その他、硬化物の線膨張係数を下げる目的で、石英ビーズ、ガラスビーズ等を含有させることができる。これらを添加する場合の含有量は、少なすぎると目的の効果が得られず、多すぎると半導体装置用樹脂成形体用材料の粘度が上がり、加工性に影響するので、十分な効果が発現し、材料の加工性を損なわない範囲で適宜選択できる。通常、ポリオルガノシロキサン100重量部に対し500重量部以下、好ましくは200重量部以下である。本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料は、さらに硬化速度制御剤を含有することも好ましい。ここで硬化速度制御剤とは、樹脂成形体用材料を成形する際に、その成形効率を向上させるために硬化速度を制御するためのものであり、硬化遅延剤または硬化促進剤が挙げられる。硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等が挙げられ、これらを併用してもかまわない。脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、3-ヒドロキシ-3-メチル-1-ブチン、3-ヒドロキシ-3-フェニル-1-ブチン、1-エチニル-1-シクロヘキサノール等のプロパギルアルコール類、エン-イン化合物類、ジメチルマレート等のマレイン酸エステル類等が例示される。脂肪族不飽和結合を含有する化合物の中でも、三重結合を有する化合物が好ましい。有機リン化合物としては、トリオルガノフォスフィン類、ジオルガノフォスフィン類、オルガノフォスフォン類、トリオルガノフォスファイト類等が例示される。有機イオウ化合物としては、オルガノメルカプタン類、ジオルガノスルフィド類、硫化水素、ベンゾチアゾール、チアゾール、ベンゾチアゾールジサルファイド等が例示される。窒素含有化合物としては、アンモニア、1~3級アルキルアミン類、アリールアミン類、尿素、ヒドラジン等が例示される。スズ系化合物としては、ハロゲン化第一スズ2水和物、カルボン酸第一スズ等が例示される。有機過酸化物としては、ジ-t-ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、過安息香酸t-ブチル等が例示される。これらの硬化遅延剤のうち、遅延活性が良好で原料入手性がよいという観点からは、ベンゾチアゾール、チアゾール、ジメチルマレート、3-ヒドロキシ-3-メチル-1-ブチン、1-エチニル-1-シクロヘキサノールが好ましい。硬化遅延剤の添加量は種々設定できるが、使用するC硬化触媒1molに対する好ましい添加量の下限は101モル、より好ましくは1モルであり、好ましい添加量の上限は103モル、より好ましくは50モルである。また、これらの硬化遅延剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7-テトラフェニルボレート等が挙げられ、中でも高い反応促進性を示す点でイミダゾール類を用いるのが好ましい。上記イミダゾール類としては、例えば、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、商品名としては、2E4MZ、2PZ-CN、2PZ-CNS四国化成工業株式会社等がある。硬化促進剤の添加量は、Aポリオルガノシロキサン熱硬化性樹脂とC硬化触媒の合計100重量部に対して、0.1~10重量部の範囲で添加することが好ましい。硬化速度制御剤の種類や配合量を上記のように設定とすることにより、樹脂成形体用材料の成形が容易となる。例えば、金型への充填率が高くなったり、射出成形においては金型からの漏れがなく、バリが生成しにくくなったりするメリットが得られる。また、上記樹脂成形体用材料中には、その他、イオンマイグレーションエレクトロケミカルマイグレーション防止剤、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤などを本発明の目的および効果を損なわない範囲において含有させることができる。上記カップリング剤としては例えばシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、分子中に有機基と反応性のある官能基と加水分解性のケイ素基を各々少なくとも1個有する化合物であれば特に限定されない。有機基と反応性のある基としては、取扱い性の点からエポキシ基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビニル基、カルバメート基から選ばれる少なくとも1個の官能基が好ましく、硬化性および接着性の点から、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基が特に好ましい。加水分解性のケイ素基としては取扱い性の点からアルコキシシリル基が好ましく、反応性の点からメトキシシリル基、エトキシシリル基が特に好ましい。好ましいシランカップリング剤としては、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン等のエポキシ官能基を有するアルコキシシラン類;3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキシシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラン等のメタクリル基あるいはアクリル基を有するアルコキシシラン類が例示できる。<1-6.樹脂成形体用材料の粘度>本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料は、25°Cにおける剪断速度100s1での粘度が10~10000Pasであることが好ましい。上記粘度は、半導体装置用樹脂成形体を成形する際の成形効率の観点から、50~5000Pasであることがより好ましく、100~2000Pasであることがさらに好ましい。これらの25°Cにおける剪断速度100s1での粘度は、例えばARES-G2-歪制御型レオメータティーエイインスツルメントジャパン株式会社製を用いて測定することができる。樹脂成形体用材料の粘度が上記範囲にある場合、樹脂成形体の成形を容易とすることができる。上記粘度が10000Pasより大きいと、金型への充填が不十分となったり、また例えば射出成形を行う際に材料供給に時間がかかったりして、成形が困難になることがある。また、上記粘度が10Pasより小さいと、金型から材料が漏れたりバリが生成したりして、やはり成形効率が低下する傾向にある。上記粘度は、半導体発光装置用樹脂成形体用材料に前述の流動性調整剤増粘剤を添加したり、B無機充填剤、D白色顔料の粒径や粒度分布、添加量を調整したりすることにより、上記範囲に制御することができる。<1-7.樹脂成形体用材料の熱伝導率>本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料は、硬化時の熱伝導率が1.0以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましい。硬化時の熱伝導率は、例えばアイフェイズモバイルアイフェイズ社製を用いて測定することができる。ここで硬化時とは、10kg/cm2の圧力下、150°Cで3分間熱硬化させた時点をいう。半導体発光装置においては、発光時に半導体発光素子から発熱が生じ、特に該素子の出力が大きい場合は発熱量がより大きくなる。この場合、発熱により樹脂成形体に隣接する蛍光体層の劣化が生じ、該装置の耐久性を低下させてしまう。また、温度消光により蛍光発光量が低下してしまう。かかる問題に対し、本発明者らは、硬化時の、すなわち成形により樹脂成形体とした時の熱伝導率が上記範囲であることにより、樹脂成形体およびそれを用いて構成した半導体発光装置において半導体発光素子の発熱に対する放熱性が向上するため、該装置の耐久性が向上することを見出した。上記熱伝導率が1.0より小さいと、該装置において半導体発光素子の発熱により該装置に含まれる蛍光体層が熱劣化する傾向にある。上記熱伝導率は、半導体発光装置用樹脂成形体用材料に含有させるB無機充填剤として窒化ホウ素や窒化アルミニウムを用いることにより上記範囲に制御することができる。また、D白色顔料としてアルミナを含有することでも、上記範囲に制御することができる。<1-8.樹脂成形体の反射率>また、本発明の樹脂成形体用材料を用いた樹脂成形体は、可視光について高反射率を維持することができることが好ましい。具体的には、460nmの光の反射率が80以上であることが好ましく、90以上であることがより好ましい。また、波長400nmの光の反射率が60以上であることが好ましく、80以上であることがより好ましく、90以上であることが更に好ましい。ここで、樹脂成形体の反射率は、本発明の樹脂成形体用材料を熱硬化させて、厚さ0.4mmに成形した成形物について測定した場合の反射率をいう。前記熱硬化は、例えば、10kg/cm2の圧力下、150°Cで3分間、硬化させることにより行うことができる。樹脂成形体の反射率は、Aポリオルガノシロキサンの種類やB無機充填剤の種類、含有量、D白色顔料の種類、含有量、粒径などにより制御することができる。なお、反射率は、厚さ0.4mmの成形体試料を作成し、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETERCM-2600dのような測色計を用いて測定することができる。パッケージのように小型の形状の成形体しか入手出来ない場合は、パッケージを研磨するなどして厚さ0.4mmの試料を作成し、反射率測定装置として日本電色VSR400のような微小面反射率計を用いて0.05mmφ以上の面積における反射率を測定することにより測定することができる。<1-9.樹脂成形体用材料の製造方法>使用原料使用する原料としては、上述したAポリオルガノシロキサン、B無機充填剤、およびC硬化触媒の他、適宜、D白色顔料、シリカ微粒子、硬化遅延剤、およびその他の添加剤を用いることができる。ここで、各原料の配合量は、本発明の効果が得られる範囲内であれば特に制限はないが、Aポリオルガノシロキサンの配合量は、樹脂組成物100重量部に対し15~70重量部、好ましくは20~50重量部であり、フィラーB無機充填材及びD白色顔料を含むの配合量は、樹脂組成物100重量部に対し30~85重量部、好ましくは50~80重量部であり、シリカ微粒子の配合量は、樹脂組成物100重量部に対し0~50重量部、好ましくは3~30重量部である。また、硬化触媒の配合量は、例えば白金系触媒であればポリオルガノシロキサンに対する白金濃度として1~20ppm、好ましくは2~10ppmである。硬化遅延剤の配合量は、使用する硬化触媒1molに対して0.1~1000mol、好ましくは1~50molである。また、これらの硬化遅延剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。混合方法各原料を混合する際は、液状媒体としてポリオルガノシロキサンを使用することができる。例えば、所定量のポリオルガノシロキサン、フィラー、硬化触媒等を計量し、ミキサー、高速ディスパー、ホモジナイザー、3本ロール、ニーダー、遠心脱泡装置等で混合する等、従来公知の方法で混合することができる。本発明において、フィラー等の無機粒子を混合する方法は特に制限されないが、通遊星攪拌ミキサー、自転公転式真空ミキサー、薄膜旋回型ミキサー等を用いて脱泡しつつ混合することが好ましい。例えば、遊星攪拌ミキサーとしては、プライミクス社製T.K.ハイビスミックス、淺田鉄工社製プラネタリーミキサーやプラネタリーデスパ、井上製作所社製プラネタリーミキサーやトリミックス、PDミキサー、アシザワファインテック社製二軸プラネタリーミキサーPLM、三軸プラネタリーミキサー3PLM等が挙げられる。遠心撹拌する場合には、自転公転式真空ミキサー具体的には、シンキー社製ARV310、EME社製V-mini300V、クラボウ社製マゼルスター等が挙げられる。を用いることができる。また、薄膜旋回型ミキサーとしては、プライミクス社製T.K.フィルミックスが挙げられ、臼型混練機として、淺田鉄工社製ミラクルKCKが挙げられる。なお、アエロジルのような凝集しやすい小粒子を混合する場合には、小粒子の混合後、必要に応じてビーズミルや三本ロールなどを用いて凝集粒子の解砕を行ってからフィラー等の混合容易な大粒子成分を混合してもよい。各原料を混合する工程において、製造される樹脂組成物が水分を多く含むと樹脂成形体中のSiH存在量が少なくなり、水分を少なくすると樹脂成形体中のSiH存在量が多くなる傾向にあるので、SiH存在量が特定の範囲となるよう、水分の含有量を調整することが好ましい。樹脂組成物への水分の混入を少なくするために、混合を減圧雰囲気下で行うことができる。減圧時の気圧としては、通常0kPa以上、好ましくは0.1kPa以上、さらに好ましくは0.5kPa以上、また、通常40kPa以下、好ましくは30kPa以下、さらに好ましくは20kPa以下である。この範囲を下回ると、減圧度の維持が困難で高精度の装置を要し、経済的ではない可能性がある。また、この範囲を上回ると、水分の除去が不十分になる傾向にある。また、減圧時の雰囲気としては、大気や、窒素、希ガス等の不活性ガス等が好ましい。減圧時の雰囲気の相対湿度は、温度や圧力、減圧工程に用いる機器の種類や操作方法により異なるので一概には言えないが、一般に減圧操作前の相対湿度が25°Cにおいて通常0以上、好ましくは5以上であり、また、通常80以下、好ましくは70以下、さらに好ましくは60以下である。この範囲を下回ると、水分の除去効率は上がるものの特殊なデシカント装置を使用することとなり、不経済かつ生産性に劣るという可能性がある。また、この範囲を上回ると、水分の除去が不十分になる傾向にある。また、雰囲気の温度に比較して混合時の材料温度を低くし過ぎる場合、局所的な結露により樹脂組成物の水分含有量を増加させる。また、フィラーやシリカ微粒子等を混合前に熱風乾燥することで、樹脂組成物への水分含有量を減らすこともできる。熱風乾燥時の温度としては150°C以上が好ましく、250°C以上が更に好ましい。混合の形態上述の原料成分を全て混合して、1液型の樹脂組成物を製造してもよいが、2液型にしてもよい。2液型の場合、例えば、iポリオルガノシロキサンとフィラー無機充填材、白色顔料等とシリカ微粒子とを主成分とするポリオルガノシロキサン樹脂組成物と、ii硬化触媒と硬化遅延剤とを主成分とする架橋剤液の2液を調製しておき、使用直前にiポリオルガノシロキサン樹脂組成物とii架橋剤液とを混合することもできる。配線基板用絶縁膜材料としてスクリーン印刷などの手法で塗布する場合には、必要に応じて沸点が好ましくは200°C以下、より好ましくは175°C以下の揮発性有機溶媒で希釈した液とすることもできる。樹脂組成物の保管樹脂組成物の保管方法に特に制限はないが、保管時の環境温度を15°C以下とすると、硬化反応の急速な進行を抑制することで、成形の際の金型への充填不良を防止することができるので好ましい。<2.半導体発光装置用樹脂成形体の成形方法>本発明の半導体発光装置用樹脂成形体の成形方法として圧縮成形法やトランスファー成形法や射出成形法を挙げる事ができる。これらのうち、好ましい成形法としては、無駄な硬化物が発生せず二次加工が不要であるすなわちバリが発生しにくい点から、樹脂成形体の成形工程の自動化、成形サイクルの短縮化、成形品のコスト削減が可能になる等大きなメリットがある、射出成形法、特に液状射出成形法が挙げられる。射出成形法では射出成形機を用いて行う事ができる。シリンダー設定温度は材料に応じて適宜選択すればよいが、通常100°C以下、好ましくは80°C以下、さらに好ましくは、60°C以下である。金型温度は通常80°C以上、300°C以下、好ましくは100°C以上、250°C以下、さらに好ましくは、120°C以上、200°C以下である。射出時間は材料によって変わるが、通常数秒あるいは秒以下である。成形時間は材料のゲル化速度や硬化速度に応じて適宜選択すればよいが、通常3秒以上、1200秒以下、好ましくは5秒以上、900秒以下、さらに好ましくは10秒以上、600秒以下である。圧縮成形法ではコンプレッション成形機を用いて行う事ができる。成形温度は材料に応じて適宜選択すればよいが、通常80°C以上、300°C以下、好ましくは100°C以上、250°C以下、さらに好ましくは、120°C以上、200°C以下である。成形時間は材料の硬化速度に応じて適宜選択すればよいが、通常3秒以上、1200秒以下、好ましくは5秒以上、900秒以下、さらに好ましくは10秒以上、600秒以下である。トランスファー成形法ではトランスファー成形機を用いて行う事ができる。成形温度は材料に応じて適宜選択すればよいが、通常80°C以上、300°C以下、好ましくは100°C以上、250°C以下、さらに好ましくは、120°C以上、200°C以下である。成形時間は材料のゲル化速度や硬化速度に応じて適宜選択すればよいが、通常3秒以上、1200秒以下、好ましくは5秒以上、900秒以下、さらに好ましくは10秒以上、600秒以下である。いずれの成形法でも必要に応じて後硬化を行う事ができ、後硬化温度は通常100°C以上、300°C以下、好ましくは150°C以上、250°C以下、さらに好ましくは、170°C以上、200°C以下である。後硬化時間は通常3分以上、24時間以下、好ましくは5分以上、10時間以下、さらに好ましくは10分以上、5時間以下である。メタルベース配線基板用絶縁材として用いる場合には、本発明の半導体発光装置用成形体用材料を溶媒等で適宜希釈してベース基板上に塗布後、120°C以上の温度で加熱硬化する方法、無溶剤の半導体発光装置用成形体用材料をPETフィルムやポリイミドフィルム等に塗布し、100°C以下の温度で半硬化状態とした後フィルムを剥離し、硬化物を金属箔やメタルベース基板上に貼り付け後、120°C以上の温度で追硬化する方法などで成形することができる。シリコーン接着剤、特にダイボンド剤として用いる場合には、発光素子を実装する予定の場所に本発明の半導体発光装置用成形体用材料をディスペンサー等で定量塗布し、その後、吸引コレット等を用いて発光素子をその上に載置、120°C以上の温度で加熱硬化するとよい。<3.半導体発光装置用樹脂成形体の用途><3-1.半導体発光装置用パッケージ>本発明の半導体発光装置用樹脂成形体は、通常半導体発光素子を搭載して半導体発光装置として用いられる。半導体発光装置は、例えば図1に示す様に、半導体発光素子LEDチップ1、樹脂成形体2、ボンディングワイヤ3、封止材4、リードフレーム5等から構成される。この場合、リードフレーム5等の導電性材料と絶縁性の樹脂成形体2からなるものを、パッケージと称する。本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料を用いて形成された半導体発光装置用樹脂成形体は、好ましいものとして以下の特徴を有する。<3-1-1.半導体発光装置パッケージの反射率>本発明の半導体発光装置パッケージは、可視光のみならず、紫色よりも短い波長の近紫外光、紫外光についても高反射率を維持することができることが特徴である。波長400および460nmの光の反射率が、それぞれ通常60以上、好ましくは80以上、更に好ましくは90以上である。紫外光領域から可視光領域まで高反射率を有する本発明の本発明は、従来の半導体発光装置パッケージに認められないきわめて優れた特性を有する。特にポリオルガノシロキサン等の樹脂製の半導体発光装置パッケージにおいては、これまで当業者が容易に想到できなかった特性であり、技術的意義が極めて高い。<3-1-2.半導体発光装置パッケージの厚み>本発明の半導体発光装置パッケージは、通常、チップ装着面と前記チップ装着面と反対側に底面を有する。この場合、前記チップ装着面と底面の間の距離、すなわち半導体発光装置パッケージの厚みは、通常100μm以上、好ましくは200μm以上である。また、通常3000μm以下であり好ましくは2000μm以下である。厚みが薄すぎると底面に光が透過して反射率が低下する、パッケージの強度が不十分で取り扱い上変形する、などの問題が生じるおそれがあり、厚すぎるとパッケージ自体も厚く嵩高くなるため、半導体発光装置の適用用途が限られる。<3-2.チップオンボード型半導体発光装置への適用>本発明の樹脂成形体は、図2に示されるような半導体発光装置に用いるメタルベース配線基板において、メタルベース基板と導電性金属配線とを介する絶縁層50に適用することができる。その他、図2に示されるような半導体発光装置に用いる配線基板における樹脂成形体13、またはダイボンド剤図示せず等にも適用することもできる。半導体発光装置においては、放熱性の良いメタルベース基板ベース基板材料としてアルミニウムや銅などの高熱伝導材料を用いるものの、導電性金属配線金属配線とこれら発光素子の間には絶縁層が必要であり、発光素子の発する熱を放熱基板に効率的に逃がすことが重要である。発光素子から基板への放熱が悪いと発光素子のジャンクション温度が異常に上昇し、発光効率が低下するからである。従来の配線基板では絶縁層として熱伝導率の低い樹脂組成物が用いられていたため、放熱に課題があった。また、同時に絶縁層はその一部が発光素子近くで露出するために、高い反射率を有するものが求められていた。絶縁層に用いる樹脂としてアルミナなどの高熱伝導性充填剤を添加した組成物も知られているが、未だ組成物の熱伝導率は十分でなかった。さらに熱伝導率向上を主目的とするため高い反射率を達成することが考慮されておらず、熱や光により変色しやすいエポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂が用いられていたり、成形性を重視して反射率に寄与の少ない真球状の粒子やアスペクト比が5を超える繊維状充填剤、7μmを超える大粒子径の充填剤が多く含まれていたりした。本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料を用いた樹脂成形体は、高反射率と高放熱性を兼ね備えているので、絶縁層に用いる樹脂として好ましく使用することが出来る。図2のチップオンボード実装型半導体発光装置での実施態様について以下に詳細に説明する。なお、図2の半導体発光装置はカップ型のリフレクタを設けていないが、図1と同様のカップ型のリフレクタを設けることもできる。このような態様では、半導体発光素子20はメタルベース配線基板70上に設置され、前記メタルベース配線基板70はメタルベース基板80上に絶縁層50が設けられさらにその上に導電性金属配線を備える構成からなる。前記導電性金属配線には、リード、インナーリード、リードフレームが含まれる。また、前記メタルベース基板80には、アルミニウムや銅などの金属を含む材料が用いられる。本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料を成形して絶縁層50として用いる場合、好ましい絶縁層の厚さは成形方法や配線基板の構造、得られる絶縁層の熱伝導率にもよるが、通常10μm以上150μm以下、好ましくは20μm以上120μm以下、特に好ましくは30μm以上100μm以下である。この範囲よりも薄くなると成形が困難となったり得られる絶縁層の反射率が低下したりすることがある。また、この範囲よりも厚くなると熱のパスが長くなるため熱抵抗が大きくなり、ジャンクション温度上昇に伴い発光素子の初期輝度が低下したり発光素子の劣化が加速されたりすることがある。なお、図2における絶縁層50は透明であっても反射材としての機能をも有していてもよく、高放熱機能をも有していることが好ましいため、本発明の樹脂成形体は好適である。図2の態様でも、リード11,12は、ボンディングワイヤ40を介して発光素子20と接続部で接続している。リード11,12のうち、封止材30の中にあり発光素子20とダイボンド材又はボンディングワイヤ、バンプなどにより直接電気的接続をとる部位がインナーリード部11a,12a、封止材30の外に露出し、外部配線基板等の電極と電気的接続を取る部位がアウターリード部11b,12bに相当する。また、これらの態様では、リード11,12の一部が樹脂成形体13により被覆されている。樹脂成形体13は、白色の絶縁層としての機能も有しており、この厚さを大きくすることもできる。なお、発光素子20は複数存在してもよい。封止材により、複数の実装部を一括に封止してもよい。封止材30は発光装置の使用目的により透明であっても、蛍光体を含有していてもよく、リフレクタや堰部を用いない場合には金型成形により一括封止されていてもよい。図2のようなチップオンボード型半導体発光装置では、メタルベース配線基板70上に直接発光装置部を設けることができるので、表面実装の手間が省け発光素子からメタルベース配線基板70への放熱をとりやすいメリットがある。アウターリード部はメタルベース配線基板70の発光素子搭載側と同じ面に露出していてもよいが、実装後のパッケージを配線基板ごと分割し個片化して用いる場合など、他の配線基板上に表面実装する必要がある場合にはパッケージを構成する配線基板にスルーホールなどを設けて裏面に電気的導通を取り、発光装置裏面にアウターリード部を設けることができる。<4.シリコーン接着剤>本発明の別の態様は、上記樹脂成形体用材料を含む絶縁性の半導体素子用シリコーン接着剤である。本発明の樹脂成形体用材料は、適度な粘性を有する熱硬化性シリコーン樹脂であり、半導体素子のダイボンド材として好適に使用することができる。本発明の樹脂成形体用材料を含むシリコーン接着剤は、硬化後、高い光反射率を有するため半導体素子からの光を効果的に反射し、接着力も高く、熱伝導性が良いため放熱性に優れる。本発明の樹脂成形体用材料を含むシリコーン接着剤は、その目的を損なわない限り、添加剤を適宜含むことが可能であり、金属配線やベース基板との接着性を向上させるためのエポキシ基やアクリル基、メタクリル基、水酸基などを有するシランカップリング剤や変性シリコーンオイル、エポキシ基などの接着性基を含有する有機化合物、耐熱耐久性を挙げるためにヒンダードアミンを含有したり、酸化防止剤や重合禁止剤等を添加したりすることができる。本発明の樹脂成形体用材料をシリコーン接着剤用途として用いる場合には、半導体発光装置用樹脂成形体材料全体に占めるB無機充填剤の含有量は、通常40重量以上、好ましくは50重量以上、より好ましくは60重量以上である。また、通常90重量以下、好ましくは80重量以下である。また、半導体発光装置用樹脂成形体材料中のD白色顔料の含有量は、Aポリオルガノシロキサン100重量部に対し通常100重量部以上であり、通常900重量部以下、好ましくは600重量部以下である。以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定される物ではない。[ポリオルガノシロキサンの合成]ビニル基含有ポリジメチルシロキサンビニル基:1.2mmol/g含有、シリカ微粒子を添加して粘度を1000mPasに調整したもの。また、白金錯体触媒6.8ppmを含有。とヒドロシリル基含有ポリジメチルシロキサンビニル基:0.3mmol/g含有、ヒドロシリル基:1.8mmol/g含有、シリカ微粒子を添加して粘度を2100mPasに調整したもの。とを1:1で混合し、粘度1500mPas、白金濃度3.4ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン1を得た。[樹脂成形体用材料の調製、試験片の作製]上記で得られた液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン1、フィラー1:無機充填剤、フィラー2:白色顔料後掲の表1参照を表2に示す重量比で配合し、攪拌により無機充填剤および/または白色顔料を前記液状熱硬化性ポリオルガノシロキサンに分散させ、白色の樹脂成形体用材料をそれぞれ得た。これらの材料を、熱プレス機にて150°C、10kg/cm2、硬化時間180秒の条件で硬化させ、直径13mm、厚み0.4mmの円盤形の試験片テストピースを得た。なお、表1に示す窒化アルミニウム1乃至3の製造方法を以下に示す。[窒化アルミニウムの製造方法]窒化アルミニウム1板状アルミナキンセイマテック社製:商品名セラフ、平均粒子径0.6μm35.06gにカーボンブラック三菱化学社製MA60014.89g対酸化アルミニウム3.6倍モルと純水100mlをカッターミル大阪ケミカル株社製アブソリュートミルの容器に入れ、37,000rpmで3分間粉砕混合した。その後、更に20mlの純水を加えて3分間粉砕混合し、この操作を2回行なった最終的な純水添加量は140ml。スラリー状の混合物を取り出し、通風式乾燥器内で150°C、20時間乾燥した。乾燥した板状アルミナ-炭素混合物を乳鉢で軽く粉砕し、アルミナ製坩堝2個にそれぞれ20g充填し、高温雰囲気炉中にセットした。窒素を0.5l/min流通させながら、昇温速度200°C/時で1600°Cまで昇温し、その温度で24時間保持した。反応終了後、自然冷却し、坩堝よりサンプルを取り出し、タングステンカーバイド製乳鉢を使って軽く解砕した。更に、残存している炭素を除去するためマッフル炉を用いて酸化雰囲気下、650°Cで3時間、700°Cで1時間熱処理し、サンプルを作製した。X線回折装置XRDで測定し、回折パターンから生成相を同定した。XRDの測定結果から原料アルミナは窒化アルミニウムに変換されていることが確認された。窒化アルミニウム2板状アルミナキンセイマテック社製:商品名セラフ、平均粒子径5.0μm35.06gにカーボンブラック三菱化学社製MCC1014.89g対酸化アルミニウム3.6倍モルと純水100mlをカッターミル大阪ケミカル株社製アブソリュートミルの容器に入れ、37,000rpmで3分間粉砕混合した。その後、更に20mlの純水を加えて3分間粉砕混合し、この操作を2回行なった最終的な純水添加量は140ml。スラリー状の混合物を取り出し、通風式乾燥器内で150°C、20時間乾燥した。乾燥した板状アルミナ-炭素混合物を乳鉢で軽く粉砕し、アルミナ製坩堝2個にそれぞれ20g充填し、高温雰囲気炉中にセットした。窒素を0.5l/min流通させながら、昇温速度200°C/時で1600°Cまで昇温し、その温度で24時間保持した。反応終了後、自然冷却し、坩堝よりサンプルを取り出し、タングステンカーバイド製乳鉢を使って軽く解砕した。更に、残存している炭素を除去するためマッフル炉を用いて酸化雰囲気下、650°Cで3時間、700°Cで1時間熱処理し、サンプルを作製した。X線回折装置XRDで測定し、回折パターンから生成相を同定した。XRDの測定結果から原料アルミナは窒化アルミニウムに変換されていることが確認された。窒化アルミニウム3アルミナ繊維酸化アルミニウム:シリカ=95:5wt、直径6μm以上300μm以下、L/D=108gにカーボンブラックアルドリッチ社製3.42g対酸化アルミニウム3.6倍モルと純水75mlをカッターミル大阪ケミカル株社製アブソリュートミルの容器に入れ、37,000rpmで3分間粉砕混合した。その後、スラリー状の混合物を取り出し、通風式乾燥器内で120°C、10時間乾燥した。乾燥したアルミナ繊維-炭素混合物を乳鉢で軽く粉砕し、アルミナ製坩堝に20g充填し、高温雰囲気炉中にセットした。窒素を0.5l/分流通させながら、昇温速度200°C/時で1600°Cまで昇温し、その温度で24時間保持した。反応終了後、自然冷却し、坩堝よりサンプルを取り出し、タングステンカーバイド製乳鉢を使って軽く解砕した。更に、残存している炭素を除去するためマッフル炉を用いて酸化雰囲気下、650°Cで3時間、700°Cで1時間熱処理し、サンプルを作製した。X線回折装置XRDで測定し、回折パターンから生成相を同定するとともに、走査型電子顕微鏡SEMで形態を観察した結果、シリカに由来すると考えられる不純物ピークおよびAl9O3N7に由来すると考えられるピークが僅かに観察されたが、原料のアルミナ繊維は窒化アルミニウムに変換されていることが確認された。[無機充填剤の一次粒子径、一次粒子厚、および一次粒子の平均アスペクト比の測定]実施例および比較例で用いた無機充填剤フィラー1のSEM観察により一次粒子径一次粒子の長軸長さ、一次粒子の短軸長さおよび一次粒子厚を計測した。面積が最大となる方向から観察した際の、長軸長さを一次粒子径とし、長軸に直角方向で最も長い部分の長さを短軸長さとした。前記一次粒子径を前記短軸長さで除した値を一次粒子のアスペクト比とし、その平均値を求め、一次粒子の平均アスペクト比とした。これらの結果を表1に示す。また、面積が最小となる方向から観察した際の、長軸に直角方向で最も長い部分の短軸の長さを一次粒子厚とした。なお、特にばらつきが大きいもの極微量含まれる微小粒子や粗大粒子を除き、最低5点の粒子について上述した各々の長さを計測し、その平均値から一次粒子径、一次粒子の平均アスペクト比、一次粒子厚を求めた。[試験片の反射率測定]上記実施例1~3および比較例1~4の各試験片について、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETERCM-2600dを用いて測定径6mmにて400nmの波長における光反射率を測定した。結果を表3に示す。[熱伝導率測定]上記実施例1~3および比較例1~4の各試験片について、以下のようにして、熱伝導率を測定した。Ai-PhaseMobileアイフェイズ社を用いて、各試験片の熱拡散率aを測定し、分析天びん用密度測定キットメトラートレド社を用いて、各試験片の密度ρを測定した。得られた熱拡散率a、密度ρ、および比熱Cを用いて、以下の式より熱伝導率Kを算出した。なお、比熱Cは、文献値から求めた各試験片の比熱である。K=aCρ得られた結果を表3に示す。[放熱性シミュレーション計算]絶縁層部分の熱伝導率と発光素子のジャンクション温度Tjの相関を検討するため、上記実施例1~3および比較例1~4の各組成における樹脂成形体を絶縁層として備えるアルミベース配線基板に発光素子を直接実装した発光装置部を想定し、以下の条件にてシミュレーション計算を行った。<計算の前提>発光素子:1mm角×厚み0.1mm熱伝導率30W/mK発熱量1Wダイボンド剤:厚さ1μm熱伝導率0.3W/mKのシリコーン樹脂ベース基板の裏面温度:25°C固定封止材:曲率R=4mmの半球熱伝導率0.3W/mKのシリコーン樹脂導電性金属配線:銅厚み0.03mm熱伝導率400W/mK絶縁層:厚み0.05mm熱伝導率0.59~1.92W/mKメタルベース基板:基材=アルミニウム厚み0.3mm熱伝導率237W/mK金属配線上の堰:厚み0.5mm熱伝導率1W/mKの白色ソルダーペースト放熱シミュレーションは熱流体解析ソフトウェアとしてSolidWorksFlowSimulationを用いて行った。放熱シミュレーションの対象となる半導体発光装置は、図2に示すものとし、その構成は半導体発光素子、ダイボンド層、導電性金属配線リード、絶縁層、メタルベース基板、堰、及び封止材からなるものとした。また、半導体発光装置用パッケージ裏面に達した熱は、十分に放熱されるものとした。上述した放熱シミュレーション結果を400nm反射率の結果と合わせて表4に示す。なお、反射率は上述の[試験片の反射率測定]にて測定された各試験片の実測値を転記した数値である。実施例の1~3のように熱伝導度率の高い絶縁層を用いる場合には、比較例1~4のような熱伝導率の低い絶縁層を用いる場合と比較して、Tj及び半導体発光装置部の熱抵抗が相対的に大きく低下することがわかった。半導体発光装置は一定の電流が供給される場合に、半導体発光素子の温度が高くなるほど放射束が低下することが知られており、実施例1及び実施例2の半導体発光装置部は比較例の半導体発光装置と比較して、優れた放熱性を有し、更には高い輝度特性を有すると考えられる。また、実施例の絶縁層はいずれも400nmにおいて高い反射率を有しており、比較例の絶縁層を有する配線基板と比較して熱伝導率と反射率が共に優れていることが分かる。ここでは一例として1W、1mm角の発光素子が1個実装されている場合について計算を行ったが、最適な構成はこれに限るものではない。さらに熱抵抗を低くしたい場合、1mm角より小型の発光素子を複数実装し、各々の合計が1Wになるように点灯すれば良い。また、発光素子を金属配線上に実装すると、放熱面積を広げてから絶縁層に接触させることが出来る。絶縁層厚みを薄くすることも効果がある。また、計算ではダイボンド剤として厚さ1μm、熱伝導率が0.3W/mKのシリコーン樹脂接着剤を想定しているが、この部分にも本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料を用いると、発光素子の熱をさらに効率的に放熱し、かつ高い反射率により発光素子の発光を従来ダイボンド剤より多く外部に取り出すことができると考えられる。"