"基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、前記光導波路は、基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコア層形成用樹脂が充填されてコアパターンが形成され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成されてなり、前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる光ファイバコネクタ。前記光ファイバガイド用クラッドパターン及び前記コアガイド用クラッドパターンが、同一のガイド用クラッド層から形成されている請求項1に記載の光ファイバコネクタ。前記光ファイバ用溝と前記コア用溝とが接合されている請求項1又は2に記載の光ファイバコネクタ。前記光ファイバ用溝の幅が、前記コア用溝の幅よりも広い請求項1~3のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。前記コア用溝の底に、第1下部クラッド層を有し、かつ、前記光ファイバ用溝の深さが、前記コア用溝の深さより深い請求項1~4に記載の光ファイバコネクタ。前記コアガイド用クラッドパターンが前記第1下部クラッド層上に形成され、前記光ファイバガイド用クラッドパターンが、前記基板上に形成された請求項5に記載の光ファイバコネクタ。前記基板上に接着層を有し、該接着層上に前記第1下部クラッド層及び前記光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された請求項6に記載の光ファイバコネクタ。前記接着層が、第2下部クラッド層である請求項7に記載の光ファイバコネクタ。前記基板が、電気配線板である請求項1~8のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。前記基板表面から光ファイバガイド用クラッドパターンの上面までの高さが、前記光ファイバの半径以上である請求項1~9のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以下である請求項1~10のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以上であり、光ファイバ用溝上部に蓋材を備えてなる請求項1~10のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。前記光導波路が、光路変換ミラー付きの光導波路である請求項1~12のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。前記基板上に第1下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の形成部分の第1下部クラッド層を除去する第1の工程、第1下部クラッド層形成面側にガイド用クラッド層を積層し、第1下部クラッド層上に前記コアガイド用クラッドパターンを、また、基板上に前記光ファイバガイド用クラッドパターンを一括形成する第2の工程と、光ファイバガイド用クラッドパターン及びコアガイド用クラッドパターン形成面側にコアパターン形成用樹脂を積層し、光ファイバ用溝のコアパターン形成用樹脂を除去し、かつ前記コア用溝にコア用樹脂を充填して前記コアパターンとする第3の工程を順に有する請求項1~13のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。前記第3の工程の後に、コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂を積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の上部クラッド層形成用フィルムを除去する第4の工程を有する請求項14に記載の光ファイバコネクタの製造方法。前記第2の工程の後に、光ファイバ用溝と反対側のコア用溝端のガイド用クラッド層に、光路変換用の斜面を形成する第5の工程を有する請求項14又は15に記載の光ファイバコネクタの製造方法。前記第5の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第6の工程を有する請求項16に記載の光ファイバコネクタの製造方法。前記第3の工程の後又は前記第4の工程の後に、前記コアパターンに、光路変換用の斜面を形成する第7の工程を有する請求項14又は15に記載の光ファイバコネクタの製造方法。前記第7の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第8の工程を有する請求項18に記載の光ファイバコネクタの製造方法。前記第3の工程の後、前記第4の工程の後、前記第5の工程の後、前記第6の工程の後、前記第7の工程の後、前記第8の工程の後のすくなくともいずれかにおいて、光ファイバを接続する前記コアパターンの端面を平滑化するために、ダイシングソーによってスリット溝を形成する第9の工程を有し、該スリット溝の深さが基板表面以下である請求項14~19のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、基板によらずに光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、以下の発明を提供するものである。1基板上に、光ファイバを固定するための光ファイバ用溝を有する光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された光ファイバガイド部材と、光導波路とが並設された光ファイバコネクタであって、前記光導波路は、基板上にコアパターンを形成するためのコア用溝を有するコアガイド用クラッドパターンが形成され、該コア用溝にコア層形成用樹脂が充填されてコアパターンが形成され、該コアパターン上に上部クラッド層が形成されてなり、前記光ファイバ用溝に固定された光ファイバと、前記コアパターンとが、光信号を送受可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部材と前記光導波路が並設されてなる光ファイバコネクタ、2前記光ファイバガイド用クラッドパターン及び前記コアガイド用クラッドパターンが、同一のガイド用クラッド層から形成されている1に記載の光ファイバコネクタ、3前記光ファイバ用溝と前記コア用溝とが接合されている1又は2に記載の光ファイバコネクタ、4前記光ファイバ用溝の幅が、前記コア用溝の幅よりも広い1~3のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、5前記コア用溝の底に、第1下部クラッド層を有し、かつ、前記光ファイバ用溝の深さが、前記コア用溝の深さより深いことを特徴とする1~4に記載の光ファイバコネクタ、6前記コアガイド用クラッドパターンが前記第1下部クラッド層上に形成され、前記光ファイバガイド用クラッドパターンが、前記基板上に形成された5に記載の光ファイバコネクタ、7前記基板上に接着層を有し、該接着層上に前記第1下部クラッド層及び前記光ファイバガイド用クラッドパターンが形成された6に記載の光ファイバコネクタ、8前記接着層が、第2下部クラッド層である7に記載の光ファイバコネクタ、9前記基板が、電気配線板である1~8のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、10前記基板表面から光ファイバガイド用クラッドパターンの上面までの高さが、前記光ファイバの半径以上である1~9のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、11前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以下である1~10のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、12前記基板表面から光ファイバガイド部材の上面までの高さが、前記光ファイバの直径以上であり、光ファイバ用溝上部に蓋材を備えてなる1~10のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、13前記光導波路が、光路変換ミラー付きの光導波路である1~12のいずれかに記載の光ファイバコネクタ、14前記基板上に第1下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の形成部分の第1下部クラッド層を除去する第1の工程、第1下部クラッド層形成面側にガイド用クラッド層を積層し、第1下部クラッド層上に前記コアガイド用クラッドパターンを、また、基板上に前記光ファイバガイド用クラッドパターンを一括形成する第2の工程と、光ファイバガイド用クラッドパターン及びコアガイド用クラッドパターン形成面側にコアパターン形成用樹脂を積層し、光ファイバ用溝のコアパターン形成用樹脂を除去し、かつ前記コア用溝にコア用樹脂を充填して前記コアパターンとする第3の工程を順に有する1~13のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法、15前記第3の工程の後に、コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂を積層し、エッチングによって、光ファイバ用溝の上部クラッド層形成用フィルムを除去する第4の工程を有する14に記載の光ファイバコネクタの製造方法、16前記第2の工程の後に、光ファイバ用溝と反対側のコア用溝端のガイド用クラッド層に、光路変換用の斜面を形成する第5の工程を有する14又は15に記載の光ファイバコネクタの製造方法、17前記第5の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第6の工程を有する16に記載の光ファイバコネクタの製造方法、18前記第3の工程の後又は前記第4の工程の後に、前記コアパターンに、光路変換用の斜面を形成する第7の工程を有する14又は15に記載の光ファイバコネクタの製造方法、19前記第7の工程の後に、光路変換用の斜面に光信号反射用の金属層を形成する第8の工程を有する18に記載の光ファイバコネクタの製造方法、20前記第3の工程の後、前記第4の工程の後、前記第5の工程の後、前記第6の工程の後、前記第7の工程の後、前記第8の工程の後のすくなくともいずれかにおいて、光ファイバを接続する前記コアパターンの端面を平滑化するために、ダイシングソーによってスリット溝を形成する第9の工程を有し、該スリット溝の深さが基板表面以下である14~19のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。本発明の光ファイバコネクタは、基板によらずに光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、光ファイバの位置ずれがしにくい。本発明の光ファイバコネクタを、図1~3を用いて説明する。図1~3は、接着層として第2下部クラッド層201を用いた態様を示すものである。なお、図2d-7のみ、光ファイバ用溝10の一部に光ファイバ30を固定している態様を示す。本発明の光ファイバコネクタは、基板1の上に形成された第2下部クラッド層201上に、光ファイバ30図2d-7参照を固定するための光ファイバ用溝11を有する光ファイバガイド用クラッドパターン7が形成された光ファイバガイド部材9と光導波路20とが並設されてなる光ファイバコネクタ40であって、この光導波路20は、第2下部クラッド層201上に形成された下部クラッド層3上にコア用溝10が形成され、該コア用溝10にコア層形成用樹脂が充填されてなるコアパターン5上に上部クラッド層6が形成されてなり、光ファイバガイド部材9の光ファイバ用溝11に固定された光ファイバ30と、光導波路20のコアパターン5とが、光信号を送受可能な位置に接合するように、光ファイバガイド部材9と前記光導波路20が並設されてなる。また、図5に示すような蓋材15を有する光ファイバコネクタの場合、上部クラッド層6を形成後、蓋材15にて光ファイバ用溝11上に蓋をすればよい。また、使用する光ファイバ30に制限はないが、以下光ファイバの直径と表記した場合、光ファイバ30のコア径又はクラッド外径又被覆外径を表すこととする。以下、本発明の光ファイバコネクタを構成する各層について説明する。下部クラッド層、上部クラッド層、ガイド用クラッド層以下、本発明で使用される下部クラッド層第1下部クラッド層,第2下部クラッド層201,3、上部クラッド層6、ガイド用クラッド層4について説明する。下部クラッド層201,3、上部クラッド層6、ガイド用クラッド層4としては、クラッド層形成用樹脂又はクラッド層形成用樹脂フィルムを用いることができる。本発明で用いるクラッド層形成用樹脂としては、コアパターン5より低屈折率で、光又は熱により形成し得る樹脂組成物を用いることができる。光硬化性の樹脂組成物であれば、第1、第2、第4の工程において、露光及びエッチング工程を経ることによって各クラッド層をパターン化できる。クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物は、下部クラッド層201,3、上部クラッド層6、ガイド用クラッド層4において、該樹脂組成物に含有する成分が同一であっても異なっていてもよく、該樹脂組成物の屈折率が同一であっても異なっていてもよい。また、第2下部クラッド層201については、接着層2としての機能があれば、屈折率や光硬化性の性質は必要なく、後述の接着剤やコア形成用樹脂フィルムを用いても良い。本発明においては、クラッド層の形成方法は特に限定されず、例えば、クラッド層形成用樹脂の塗布又はクラッド層形成用樹脂フィルムのラミネートにより形成すれば良い。塗布による場合には、その方法は限定されず、クラッド層形成用樹脂組成物を常法により塗布すれば良い。また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、クラッド層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解して、支持フィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。支持フィルムの種類としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドが好適に挙げられる。支持フィルムの厚さは、5~200μmであることが好ましい。5μm以上であると、支持フィルムとしての強度が得やすいという利点があり、200μm以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、支持フィルムの厚さは10~100μmの範囲であることがより好ましく、15~50μmであることが特に好ましい。下部クラッド層201,3及び上部クラッド層6の厚さに関しては、特に限定するものではないが、乾燥後の厚さで、5~500μmの範囲が好ましい。5μm以上であると、光の閉じ込めに必要なクラッド厚さが確保でき、500μm以下であると、膜厚を均一に制御することが容易である。以上の観点から、下部クラッド層201,3及び上部クラッド層6の厚さは、さらに10~100μmの範囲であることがより好ましい。また、第1下部クラッド層3は、光ファイバの中心とコアパターン中心合わせのため、硬化後のフィルム厚みが、{光ファイバの半径-第1下部クラッド層3上に形成されたコアパターン厚み/2}の厚みのフィルムを用いることが更に好ましい。具体例に、光ファイバの直径80μm、光ファイバのコア径50μmの光ファイバを用いたときの好ましい第1下部クラッド層3の厚みを示す。まず、光導波路のコア径は、光ファイバからコアパターンへ光信号が伝搬してくる場合、光ファイバのコア径に外接する正方形が光損失なく伝搬できる。この場合、光導波路のコアは50μm×50μmコア高さ;50μmとなる。上記の式に当てはめると最適な第1下部クラッド層3の厚みは15μmとなる。また、上記と同一の光ファイバを用いて、光ファイバからコアパターンへ光信号が伝搬してくる場合、光ファイバのコア径に内接する正方形が光損失なく伝搬できる。この場合、光導波路のコアは40μm×40μmコア高さ;40μmとなる。上記の式に当てはめると最適な第1下部クラッド層3の厚みは20μmとなる。本発明の光ファイバコネクタは、上述の光ファイバとコアパターンの中心合わせの観点からは、コア用溝10の底に、第1下部クラッド層3を有し、かつ、光ファイバ用溝11の深さが、コア用溝10の深さより深いことが好ましい。これは、部分的に第1下部クラッド層3が形成された、段差を有する基板1上にガイド用クラッド層4を積層して、第1下部クラッド層3上の樹脂が基板1側に流入させることで実現できる。また、光導波路20において、コアパターン5上に形成するための上部クラッド層6の厚みは、光の閉じ込めの観点、及び膜厚の制御の観点から10~100μmの範囲が好ましいが、蓋材15を用いない光ファイバコネクタ40の場合、基板1表面から上部クラッド層上面までの高さが光ファイバの直径以下になるように適宜調整すれば良い。一方、蓋材15を用いた光ファイバコネクタ40の場合、基板1と蓋材15間の光ファイバ用溝11の高さを光ファイバの直径以上になるように適宜調整すれば良い。光ファイバガイド用クラッドパターン7及びコアガイド用クラッドパターン8を形成するためのガイド用クラッド層4の厚みは、積層後のコアガイド用クラッドパターン8形成部分の厚みが、所望するコアパターン5の厚み-コアガイド用クラッドパターン上部に残存するコア層形成用樹脂の厚みとなるように調整すれば良く、かつ、積層後の光ファイバガイド用クラッドパターン7形成部分の厚みが、光ファイバの半径以上、直径以下になるように調整すると良い。また、第1下部クラッド層3、上部クラッド層6、ガイド用クラッド層4のパターン形成方法としては特に限定されず、エッチングによって形成しても、型により成型しても良い。エッチングはドライ系エッチングでもウェット系エッチングでも良いが、除去する樹脂の深さを制御する観点からウェット系エッチングが好ましい。本発明においては、ガイド用クラッド層4を積層した後、同一フォトマスクによるパターン露光及びエッチングにてコア用溝10及び光ファイバ用溝11を同時に形成することにより、効率よく、かつ光ファイバの位置ずれがしにくい光ファイバコネクタを製造することができる。型による成型をする場合、第2下部クラッド層201の形成、第1下部クラッド層3のパターン化、ガイド用クラッド層のパターン化を単一層のクラッド層によって形成しても良く、コア用溝及び光ファイバ用溝の形状も矩形、V字、U字、多角形等であっても良い。コア層形成用樹脂及びコア層形成用樹脂フィルム本発明においては、コア用溝10に充填して形成するコアパターン5用のコア層形成用樹脂の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートによりコア用溝10に充填し、エッチングにより光ファイバ溝等の不要な部分のコア層を除去すれば良い。このとき、2本以上コア用溝10が並列されている場合には、コア用溝10間のコアガイド用クラッドパターン8上のコア層形成用樹脂を除去することにより、コアパターン間のクロストークを軽減することもできる。コアパターン5に用いるコア層形成用樹脂は、クラッド層3より高屈折率であるように設計され、活性光線によりコアパターンを形成し得る樹脂組成物を用いることができる。ワニス状でもフィルム状でも良く、フィルム状の場合、パターン化する前のコア層形成用樹脂フィルムの形成方法は限定されず、前記コア層形成用樹脂組成物を常法により塗布する方法等が挙げられる。コア層形成用樹脂フィルムの厚さについては特に限定されず、コア用溝10を埋め込める範囲であれば良い。乾燥後のコア層の厚さが、通常は10~100μmとなるように調整されると良い。また、コア用溝10に埋め込んだ後のコアパターン5の厚さが10μm以上であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、100μm以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。また、形成後のコアパターン5の厚さと幅からなる矩形が、光ファイバからコアパターンへ光を伝達する場合は、光ファイバのコア径の外側になれば光の損失が少なく、コアパターンから光ファイバへ光を伝達する場合は、コアパターンの厚さと幅からなる矩形が、光ファイバのコア径の内側になるように調整する光の損失が少なく更に良い。第3の工程において、コア用溝10にのみコアパターンを形成する方法としては、コア用溝10方向からコア層形成用樹脂フィルムを積層し、露光及びエッチングを経ることにより、コア用溝10にのみコア用樹脂を充填してコアパターンとすることができる。基板基板1の材質としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板などが挙げられる。基板1として柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、前記クラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムの支持フィルムを基板として用いることで、フレキシブルな光ファイバコネクタとしてもよい。本発明において、光ファイバ30を光ファイバガイド部材9の光ファイバ用溝11に固定する方法としては、特に限定されないが、例えば、蓋材15を用いない光ファイバコネクタの場合、ガラスブロックで光ファイバを抑えて光ファイバ用溝11に押し込み、コアパターン5の中心と光ファイバ30の中心を位置合わせして、接着剤等により固定すれば良い。この際、図1~3に示すX方向の位置合わせは光ファイバガイド用クラッドパターン7により行い、Z方向の位置合わせは基板1により行うことができる。一方、蓋材15を用いた光ファイバコネクタ40の場合、基板1と蓋材15間の光ファイバ用溝11に基板1と平行方向に光ファイバ30を挿入し固定すれば良い。この際、図3に示すX方向の位置合わせは光ファイバガイド用クラッドパターン7により行い、Z方向の位置合わせは基板1及び蓋材15により行うことができる。蓋材15を用いない光ファイバコネクタの場合、光ファイバガイド部材9の基板面から光導波路20の上部クラッド層6の上面までの距離が、光ファイバ30の直径以下だと、ガラスブロックで光ファイバを抑えて光ファイバ用溝8に押し込むなどの作業がしやすい。蓋材15を用いた光ファイバコネクタの場合、光ファイバガイド部材9の基板面から光導波路20の上部クラッド層6の上面までの距離が、光ファイバ30の直径以上だと、光ファイバを光ファイバ用溝8に挿入するなどの作業がしやすい。また、光ファイバガイド部材9の光ファイバガイド用クラッドパターン7の高さ厚さが、光ファイバ30の半径以上であると光ファイバ30の位置ずれがしにくい。さらに光ファイバの半径より5μm以上高く、直径より3μm以上低いと光ファイバの実装性が良いため更に好ましい。本発明においては、具体的には、光ファイバの直径が200μm以下であればガイド用クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚が制御しやすいという観点から好ましく、125μm径や80μm径の光ファイバを用いることが更に好ましい。光ファイバガイド用クラッドパターン7の光ファイバ用溝11の横幅としては、光ファイバの直径以上の幅であればよく、光ファイバの実装性及びトレランスの観点から、光ファイバの直径より0.1~10μm広い幅であると更に良い。図1~4の光ファイバコネクタの場合、第1下部クラッド層3を除去する面積を低減することで基板表面からの光ファイバガイド用クラッドパターン7の高さ厚みばらつきを低減できるという理由及び光ファイバを固定する際のガラスブロックと上部クラッド層の接地領域を多くするという理由から、光ファイバガイド部材10において、光ファイバガイド用クラッドパターン7の下に第2下部クラッド層9を、光ファイバガイド用クラッドパターン7の上に上部クラッド層6が設けられていても良い。蓋材15を用いた光ファイバコネクタの場合、全ての光ファイバガイド用クラッドパターン7の上面に上部クラッド層6を形成すると、蓋材15のたわみを抑制できるため好ましい。蓋材蓋材15の材質としては、特に限定されないが、上部クラッド層6に接着性がある場合、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板などが挙げられる。さらには、柔軟性及び強靭性のある蓋材15として、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドを蓋材7として用いてもよい。これらのうち、耐熱性、寸法安定性の観点から、ポリアミドイミド、ポリイミドが特に好ましい。また、上部クラッド層6に接着性が無い場合、上記に列挙した蓋材15に接着層を積層し、接着層付きの蓋材15とすると良い。蓋材15の厚さとしては、板の反りや寸法安定性により、適宜変えてよいが、好ましくは10μm~10.0mmである。また、蓋材15に形成する接着層の厚さとしては、0.1μm~50μmであれば良く、20μm以下であると光ファイバ用溝15への接着剤の流れ込みが押さえられ更に良い。また、光ファイバガイド用クラッドパターン5が、特に基板1に密着性が無い場合には、接着層2付きの基板1を用いてもよく、接着層2が第2下部クラッド層201であっても良い。接着層2の種類としては特に限定されないが、両面テープ、UVまたは熱硬化性接着剤、プリプレグ、ビルドアップ材、電気配線板製造用途に使用される種々の接着剤が好適に挙げられる。光信号が基板1を透過する場合には、光信号波長において透明であればよくその際には、基板1と接着力のあるクラッド層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂フィルムを用いて接着層2とするのが好ましい。また、電気配線板は特に限定されるものではないが、金属配線103がFR-4上に形成された電気配線板でもよく、金属配線103がポリイミドやポリアミドフィルム上に形成されたフレキシブル配線板であってもよい。なお、金属配線103は金属層102から形成することができる。光路変換用の斜面第5及び第7の工程において、光路変換用の斜面の形成方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ダイシングソーを用いてガイド用クラッド層4やコアパターン5を切削し、斜面を形成すればよい。このとき基板面に対して45°の斜面を形成すると基板1に対して垂直方向に光路変換することが可能となる。また第5の工程において、光路変換用の斜面12を形成する位置に関しては、コア用溝10と同軸方向のガイド用クラッド層4であればよく、該コア用溝10の光ファイバ用溝11と反対方向の終点のガイド用クラッド層4に斜面を形成しても、コア用溝10の途中にガイド用クラッド層を残し、該ガイド用クラッド層に光路変換用の斜面12を形成しても良い。こうすることによって、光路変換用の斜面12を形成する位置を視認しやすく、位置精度よく斜面12を形成しやすい利点がある。第7の工程において、光路変換用の斜面12を形成する位置に関しては、コアパターン5と同軸方向であればよく、コアパターン5に光路変換用の斜面12を形成しても、コア用溝10の光ファイバ用溝11と反対方向の終点のガイド用クラッド層4に斜面を形成してもよい。光路変換用の斜面の形成方法としては、上記第7の工程によれば光伝搬損失を低減することができる点で好ましい。金属層第6及び第8の工程において、光路変換用の斜面12への金属層14の形成方法としては、特に限定はないが、蒸着、スパッタリング、めっき等の各種方法が用いられる。特に、蒸着、スパッタリングで光路変換用の斜面12に局部的に金属層を形成する場合は、金属層14を形成しない部分にレジストを形成し、その後、所望の部分に金属層14を形成し、最後にレジスト部分を剥離することによって形成できる。また、所望の部分が開口したメタルマスク等を介して金属層14を形成することも可能である。金属層に用いられる金属としては特に限定はないが、Au、Ag、Cu、Al、Pd、Cr、Ni、Ti等の各種金属が好適に挙げられ、反射率の観点からAu、Alが更に良い。スリット溝第9の工程において、光ファイバと光導波路を接続する光導波路端面の平滑化方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ダイシングソーを用いて光導波路端面を切削し、スリット溝9を形成すると共に平滑化すればよい。この際のダイシングブレードの切削深さは、基板1表面以下にすると光ファイバ30が良好に実装できるため好ましい。以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。実施例1[クラッド層形成用樹脂フィルムの作製][Aベースポリマー;メタアクリルポリマーA-1の作製]撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート46質量部及び乳酸メチル23質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を65°Cに上昇させ、メチルメタクリレート47質量部、ブチルアクリレート33質量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート16質量部、メタクリル酸14質量部、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル3質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート46質量部、及び乳酸メチル23質量部の混合物を3時間かけて滴下後、65°Cで3時間撹拌し、さらに95°Cで1時間撹拌を続けて、メタアクリルポリマーA-1溶液固形分45質量を得た。重量平均分子量の測定]A-1の重量平均分子量標準ポリスチレン換算をGPC東ソー株製SD-8022、DP-8020、及びRI-8020を用いて測定した結果、3.9×104であった。なお、カラムは日立化成工業株製GelpackGL-A150-S及びGelpackGL-A160-Sを使用した。[酸価の測定]A-2の酸価を測定した結果、79mgKOH/gであった。なお、酸価はA-2溶液を中和するのに要した0.1mol/L水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。[クラッド層形成用樹脂ワニスの調合]Aベースポリマーとして、前記A-1溶液固形分45質量84質量部固形分38質量部、B光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタンメタアクリレート新中村化学工業株製U-200AX33質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタンメタアクリレート新中村化学工業株製UA-420015質量部、C熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液固形分75質量住化バイエルウレタン株製スミジュールBL317520質量部固形分15質量部、D光重合開始剤として、1-[4-2-ヒドロキシエトキシフェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オンチバジャパン株製イルガキュア29591質量部、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキシドチバジャパン株製イルガキュア8191質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート23質量部を攪拌しながら混合した。孔径2μmのポリフロンフィルタアドバンテック東洋株製PF020を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。上記で得られたクラッド層形成用樹脂組成物を、PETフィルム東洋紡績株製コスモシャインA4100、厚み50μmの非処理面上に、前記塗工機を用いて塗布し、100°Cで20分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理PETフィルム帝人デュポンフィルム株製ピューレックスA31、厚み25μmを貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用した第1下部クラッド層及び第2下部クラッド層接着層の厚みに付いては、実施例中に記載する。また、第1下部クラッド層及び第2下部クラッド層の硬化後の膜厚と塗工後の膜厚は同一であった。本実施例で用いた上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚についても実施例中に記載する。実施例中に記載するガイド用クラッド層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。[コア層形成用樹脂フィルムの作製]Aベースポリマーとして、フェノキシ樹脂商品名:フェノトートYP-70、東都化成株式会社製26質量部、B光重合性化合物として、9,9-ビス[4-2-アクリロイルオキシエトキシフェニル]フルオレン商品名:A-BPEF、新中村化学工業株式会社製36質量部、及びビスフェノールA型エポキシアクリレート商品名:EA-1020、新中村化学工業株式会社製36質量部、C光重合開始剤として、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィンオキサイド商品名:イルガキュア819、チバスペシャリティケミカルズ社製1質量部、及び1-[4-2-ヒドロキシエトキシフェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン商品名:イルガキュア2959、チバスペシャリティケミカルズ社製1質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を用いたこと以外は上記製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスBを調合した。その後、上記製造例と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスBを、PETフィルム商品名:コスモシャインA1517、東洋紡績株式会社製、厚さ:16μmの非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型PETフィルム商品名:ピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μmを離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用したコア層形成用樹脂フィルム厚みに付いては、実施例中に記載する。実施例中に記載するコア層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。[基板の作製]サブトラクティブ法による電気配線形成金属層102として片面銅箔付きのポリイミドフィルム101ポリイミド;ユーピレックスVT宇部日東化成製、厚み;25μm、銅箔;NA-DFF三井金属鉱業社製、厚み;9μm図1a-1、図2c-1参照の銅箔面に感光性ドライフィルムレジスト商品名:フォテック、日立化成工業株式会製、厚さ:25μmをロールラミネータ日立化成テクノプラント株式会社製、HLM-1500を用い圧力0.4MPa、温度110°C、ラミネート速度0.4m/minの条件で貼り、次いで紫外線露光機株式会社オーク製作所製、EXM-1172にて感光性ドライフィルムレジスト側から幅50μmのネガ型フォトマスクを介し、紫外線波長365nmを120mJ/cm2照射し、未露光部分の感光性ドライフィルムレジストを35°Cの0.1~5重量炭酸ナトリウムの希薄溶液で除去した。その後、塩化第二鉄溶液を用いて、感光性ドライフィルムレジストが除去されむき出しになった部分の銅箔をエッチングにより除去し、35°Cの1~10重量水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光部分の感光性ドライフィルムレジストを除去し、Lライン幅/S間隙幅=60/190μmの直線の電気配線103を形成しフレキシブル配線板を得た。Ni/Auめっきの形成その後、フレキシブル配線板を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄し、無電解Niめっき用増感剤商品名:SA-100、日立化成工業株式会社製に25°Cで5分間浸漬後水洗し、83°Cの無電解Niめっき液奥野製薬社製、ICPニコロンGM-SD溶液、pH4.6に8分間浸漬して3μmのNi被膜を形成し、その後、純水にて洗浄を実施した。次に、置換金めっき液100mL;HGS-500及び1.5g;シアン化金カリウム/Lで建浴商品名:HGS-500、日立化成工業株式会社製、に85°Cで8分間浸漬し、Ni被膜上に0.06μmの置換金被膜を形成した。これにより、カバーレイフィルムのない電気配線103部分が、Ni及びAuのめっきに被覆されたフレキシブル配線板を得た図1a-2、図2c-2参照。接着層2として上記で得られた10μm厚のクラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ100×100mmに裁断し、保護フィルムである離型PETフィルムピューレックスA31を剥離し、上記で形成したフレキシブル配線板のポリイミド面に、平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ株式会社名機製作所製、MVLP-500を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度100°C、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、第2下部クラッド層201付きの電気配線板を形成した。紫外線露光機株式会社オーク製作所製、EXM-1172にて支持フィルム側から紫外線波長365nmを4J/cm2照射し、次いで支持フィルムを剥離し、170°Cで1時間加熱処理することにより、厚さ10μmの第2下部クラッド層201付きの基板1を形成した図1a-3、図2c-3参照。[光ファイバコネクタの作製]上記で得られた15μm厚の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ100×100mmに裁断し、保護フィルムを剥離して、第2下部クラッド層201面側に上記と同様の条件で、真空ラミネータによって積層した。500μm×3mmの非露光部を有したネガ型フォトマスクを介し、紫外線露光機株式会社オーク製作所製、EXM-1172にて支持フィルム側から紫外線波長365nmを250mJ/cm2照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液1炭酸カリウム水溶液を用いて、第1下部クラッド層3をエッチングした。続いて、水洗浄し、170°Cで1時間加熱乾燥及び硬化し、光ファイバ溝形成部分の第1下部クラッド層3を除去した第1下部クラッド層3付きの基板1を作製した図1a-4、図2c-4、図2d-4参照。これにより、光導波路20形成部分には、第1下部クラッド層3が形成され、光ファイバガイド部材10形成部分には、第1下部クラッド層3が無い状態となっている。次に、上記の第1下部クラッド層3面に上記で得られた47μm厚のガイド用クラッド層形成用樹脂フィルムを大きさ100×100mmに裁断し、保護フィルムを剥離して、上記の真空ラミネータを用い、同様の条件でラミネート加熱圧着した。その後、コア用溝幅50μmコア用溝ピッチ;125μm、4本と光ファイバ用溝幅85μm光ファイバ用溝ピッチ;125μm、4本がそれぞれ接合したネガ型フォトマスク図2c-5、図2d-5の左右の図示されない部分及び図3eに図示されない領域は遮光部としたを介し、コア用溝10が第1下部クラッド層3上に、光ファイバ用溝11が、基板1第2下部クラッド層201上に形成されるように位置合わせをし、上記紫外線露光機にて紫外線波長365nmを350mJ/cm2照射した。その後、支持フィルムを剥離し、現像液1炭酸カリウム水溶液を用いて、ガイド用クラッド層4をエッチングした。続いて、水洗浄し、170°Cで1時間加熱乾燥及び硬化し、コアガイド用クラッドパターン8及び光ファイバガイド用クラッドパターン7を形成し、同時に50μm幅のコア用溝10と、85μm幅の光ファイバ用溝11が形成された。このとき、第1下部クラッド層3表面からコアガイド用クラッドパターン8表面の高さコア用溝10の深さを測定したところ47μm、基板1第2下部クラッド層201表面から光ファイバガイド用クラッドパターン7の高さ光ファイバ用溝11の深さを測定したところ62μmであった図1a-5、図1b-5、図2c-5、図2d-5参照。次に、上記のガイド用クラッド層4形成面に上記で得られた48μm厚のコア層形成用樹脂フィルムを大きさ100×100mmに裁断し、保護フィルムを剥離して、上記の真空ラミネータを用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度120°C、加圧時間300秒の条件にて加熱圧着した。その後、コア用溝に開口幅60μm開口幅ピッチ;125μm、4本を有したネガ型フォトマスク光ファイバ用溝11部分は非露光部を介し、上記紫外線露光機にて紫外線波長365nmを700mJ/cm2照射し、次いで80°Cで5分間露光後加熱を行った。その後、支持フィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/N,N-ジメチルアセトアミド=8/2、質量比を用いて、コア層形成用樹脂をエッチングした。続いて、洗浄液イソプロパノールを用いて洗浄し、100°Cで10分間加熱乾燥し、コア用溝10にコア層形成用樹脂が充填されたコアパターン5を形成し、同時に光ファイバ用溝11のコア層形成用樹脂が除去された図1a-6、図1b-6、図2c-6、図2d-6、図3e参照。このとき、コアパターン5の高さを測定したところ50μmであった。これにより、光ファイバ30を光ファイバ用溝11に固定した際に、光ファイバ30がコアパターン5に光信号を伝達可能な位置に接合するように形成された。次いで、保護フィルムを剥離した15μm厚の上部クラッド層樹脂フィルムをコアパターン5形成面側から上記の真空加圧式ラミネータ株式会社名機製作所製、MVLP-500を用い、500Pa以下に真空引きした後、圧力0.4MPa、温度110°C、加圧時間30秒の条件にて加熱圧着して、ラミネートした。さらに、第1下部クラッド層3形成の際に使用したネガ型フォトマスクを使用して紫外線波長365nmを150mJ/cm2照射後、支持フィルムを剥離し、現像液1炭酸カリウム水溶液を用いて、光ファイバ用溝11部分の上部クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。続いて、水洗浄し、170°Cで1時間加熱乾燥及び硬化し、125μmピッチ、ファイバ径80μm、4チャンネル用の光ファイバコネクタ40を作製した図1a-7、図1b-7、図2c-7、図2d-7参照。得られた光ファイバコネクタにおいて、基板1第2下部クラッド層201表面から光ファイバガイド部材9光ファイバガイド用クラッドパターン上に形成された上部クラッド層6表面までの高さは、77μmであった。光路変換ミラーの形成得られた光導波路20の上部クラッド層6側からダイシングソーDAC552、株式会社ディスコ社製を用いて45°の光路変換用の斜面光路変換ミラー12を形成した図1a-8、図1b-8参照。スリット溝の形成得られた光導波路20の光ファイバ接続端面を平滑化するためにダイシングソーDAC552、株式会社ディスコ社製を用いて40μm幅のスリット溝13を形成した図1a-9、図1b-9参照。併せて、ファイバーガイドコアに対して平行に基板を切断し光導波路端面から3mm地点、基板端面に光ファイバ用溝11が現れるように外形加工を行った。金属層の形成次いで光路変換用の斜面12部分を開口させたメタルマスクをミラー付きの光ファイバコネクタに設置し、蒸着装置RE-0025、ファースト技研製を用いて金属層14としてAuを0.5μm蒸着させた図1a-10、図1b-10、図5参照。以上のようにして得られた光ファイバコネクタの溝8に、125μmピッチ、4チャンネルの光ファイバ30コア径;50μm、クラッド径;80μmをガラスブロックで抑えて光ファイバ用溝8に押し込んだところ、光導波路20のコアパターン5の光伝達面に接合し、光ファイバ30から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ30が位置ずれすることもなかった。実施例2実施例1においてコアガイド用クラッドパターン8をコア用溝10の光ファイバ30接合面から3mm地点で幅100μm分断したネガ型フォトマスクを用いて、コアガイド用クラッドパターン8を形成し、その後、分断した部分のコアガイド用クラッドパターン8に、実施例1と同様の方法で、光路変換用の斜面12及び、金属層14を形成し、その後、コアパターン5を形成した。上部クラッド層は実施例1で用いたネガ型フォトマスクを用いてパターン化した。これにより、光路変換用の斜面12がコア層によって充填された光ファイバコネクタ40を作製した。以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ用溝11に、125μmピッチ、4チャンネルの光ファイバコア径;50μm、クラッド径;80μmをガラスブロックで抑えて光ファイバ用溝8に押し込んだところ、光導波路20のコアパターン5の光伝達面に接合し、光ファイバ30から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ30が位置ずれすることもなかった図4参照。実施例3実施例2において全ての光ファイバガイド用クラッドパターン7上に上部クラッド層6を形成し、上部クラッド層の厚みを23μmのクラッド層形成用樹脂フィルムを用いた以外は同様の方法で光ファイバコネクタ40を形成した。その後、ポリイミドフィルムユーピレックスRN宇部日東化成製、厚み;25μm上に上記で得られた10μm厚のクラッド層形成用樹脂フィルムの保護フィルムを剥離して、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって積層し蓋材15を形成した。次に、蓋材15に積層したクラッド層形成用樹脂フィルムの支持フィルムを剥離し、上記の光ファイバコネクタの上部クラッド層6形成面側から、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって加熱圧着した。次いで、180°C1h加熱硬化し、蓋材15付きの光ファイバコネクタ40を形成した。光ファイバ用溝11の基板1第2下部クラッド層201表面から蓋材15の底面までの高さは、82μmであった。以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ用溝8に、125μmピッチ、4チャンネルの光ファイバコア径;50μm、クラッド径;80μmを基板1と平行方向に光ファイバ用溝8に挿入したところ、光導波路20のコアパターン5の光伝達面に接合し、光ファイバ30から光信号を伝達することが可能であり、かつ、光ファイバ30が位置ずれすることもなかった図5参照。"