"酢酸ニッケルを還元性雰囲気下、300°C以下で加熱処理を行うことを特徴とするニッケル微粒子粉末の製造法。酢酸ニッケルが、予め微粉砕されたものであることを特徴とする請求項1記載のニッケル微粒子粉末の製造法。平均粒子径DSEMが100nmを超えると共に、単結晶化度[平均粒子径DSEM/結晶子径DX111]が10以下である請求項1又は請求項2記載の製造法によって得られるニッケル微粒子粉末。前出特許文献1から特許文献4には、ニッケル粉末の結晶性の改善方法が開示されているが、いずれも実施例において400°C以上で加熱処理されており、粒度分布がシャープなニッケル粉末を得ることは困難である。また、特許文献5には、酢酸金属塩を出発原料として金属超微粉を製造する方法が開示されているが、熱分解における雰囲気が非酸化性雰囲気又は減圧下で行なっており、また、原材料としての酢酸金属塩を予め粉砕分級することについても考慮されておらず、平均粒子径が100nmを超える結晶性の高いニッケル粉末を得ることは困難である。また、高価な酢酸パラジウムを原材料として用いているため、工業的にも不利である。そこで、本発明は、300°Cを超える高温での加熱処理を必要としない、平均粒子径100nm以上で結晶性の高いニッケル微粒子粉末の製造法並びに該製造法によって得られるニッケル微粒子粉末を提供することを技術的課題とする。前記技術的課題は、次の通りの本発明によって達成できる。即ち、本発明は、酢酸ニッケルを還元性雰囲気下、300°C以下で加熱処理を行うことを特徴とするニッケル微粒子粉末の製造法である本発明1。また、本発明は、酢酸ニッケルが、予め微粉砕されたものであることを特徴とする発明1のニッケル微粒子粉末の製造法である本発明2。また、本発明は、平均粒子径DSEMが100nmを超えると共に、単結晶化度[平均粒子径DSEM/結晶子径DX111]が10以下である本発明1又は本発明2の製造法によって得られるニッケル微粒子粉末である本発明3。本発明に係るニッケル微粒子粉末の製造法は、300°Cを超える高温での加熱処理を必要としないため、工業的に有利であると共に、粒子の融着等による粗粒の生成が少ないためシャープな粒度分布を有するニッケル微粒子粉末を得ることが可能である。本発明の製造法により得られたニッケル微粒子粉末は、シャープな粒度分布を有すると共に、結晶性が高いため、積層セラミックコンデンサの内部電極用材料として好適である。本発明の構成をより詳しく説明すれば、次の通りである。まず、本発明に係るニッケル微粒子粉末の製造法について述べる。本発明に係るニッケル微粒子粉末は、酢酸ニッケルを還元性雰囲気下、300°C以下で加熱焼成を行うことによって得ることができる。原料の酢酸ニッケルとしては、酢酸ニッケル4水和物を用いることができる。また、原料の酢酸ニッケルは、予め微粉砕されたものを用いることが好ましい。酢酸ニッケルをジェットミル等の粉砕機により微粉砕し、予め粒度をそろえておくことにより、シャープな粒度分布を有するニッケル微粒子粉末が得られると共に、加熱焼成において、酢酸ニッケル水和物からの脱水及び反応が均一に起こることにより、結晶性の高いニッケル微粒子粉末を得ることができる。還元性雰囲気を形成するためのガスとしては、H2ガス、COガス、NH3ガス等の還元性ガス、もしくはこれら還元性ガスとN2ガス、Arガス等の不活性ガスとの混合系を用いることができるが、装置の腐食及び安全性等を考慮した場合、H2ガスとN2ガスの混合系が好ましい。加熱焼成における昇温速度は0.5°C/min.~6.0°C/min.が好ましく、より好ましくは1.0°C/min.~3.0°C/min.である。昇温速度が速すぎる場合には、ニッケル粒子同士がシンタリングを起こし、粗大粒子が生成するため好ましくない。加熱焼成温度は、300°C以下であり、好ましくは240~300°Cの範囲であり、より好ましくは250~290°Cである。加熱焼成温度が300°Cを超える場合には、粒子径が大きくなると共に、粒度分布がブロードになる傾向があるため好ましくない。加熱焼成における保持時間は、1~12時間が好ましく、より好ましくは1.5~10時間である。加熱焼成における保持時間が1時間未満の場合には、酢酸ニッケル水和物からの脱水及び反応が不充分であり、X線回折における結晶相にNi相以外の異相が生じるため好ましくない。得られたニッケル微粒子粉末は、必要により粉砕を行ってもよい。次に、本発明に係るニッケル微粒子粉末について述べる。本発明に係るニッケル微粒子粉末は、平均粒子径DSEMが100nmを超えると共に、単結晶化度[平均粒子径DSEM/結晶子径DX111]が10以下であることを特徴とする。本発明に係るニッケル微粒子粉末の平均粒子径DSEMは100nmを超えるものであり、好ましくは100nmを超えて1μm以下、より好ましくは100を超えて800nm以下である。ニッケル微粒子粉末の平均粒子径DSEMが100nm以下の場合には、これを用いて積層セラミックコンデンサの内部電極を作製した場合、デラミネーションやクラック等の内部構造欠陥が発生しやすくなるため好ましくない。また、近年、積層セラミックコンデンサ等は小型化高容量化が望まれており、それに伴いセラミック誘電体層及び内部電極層の薄層化多層化が進んでいることから、ニッケル微粒子粉末の平均粒子径DSEMが1μmを超える場合には、内部電極膜厚より大きい粒径の粒子を含むこととなるため、内部電極膜の薄膜化が困難となる。本発明に係るニッケル微粒子粉末の単結晶化度は、[平均粒子径DSEM/結晶子径DX111]が10以下であり、好ましくは9以下、更に好ましくは8以下である。単結晶化度が1に近いほど結晶性が高いことを意味し、殊に、積層セラミックコンデンサの内部電極材料用のニッケル粉末としては、結晶性の高いもの、即ち単結晶化度が1に近いものほど好ましい。単結晶化度が10を超える場合には、ニッケル粉末の結晶性が低く、内部エネルギーの増大によりニッケル粒子の異常粒成長を引き起こすため好ましくない。本発明に係るニッケル微粒子粉末の粗大粒子の存在割合は、後述する評価方法において、20以下であることが好ましく、より好ましくは15以下、更により好ましくは10以下である。粗大粒子の存在割合が20を超える場合には、粗大なニッケル粒子の存在割合が多いため、導電性ペースト中での分散性が阻害されるため好ましくない。本発明に係るニッケル微粒子粉末のBET比表面積値は、0.5~8.0m2/gであることが好ましい。BET比表面積値が8m2/gを超える場合、これを用いて得られる導電性ペーストの粘度が高くなるため好ましくない。本発明に係るニッケル微粒子粉末の熱収縮開始温度は、430°C以上であることが好ましく、より好ましくは450°C以上である。熱収縮開始温度が430°C未満の場合には、誘電体材料との焼結開始温度との差が大きくなり、積層セラミックコンデンサを作製する際にデラミネーションやクラック等の内部構造欠陥が発生しやすくなるため好ましくない。本発明に係るニッケル微粒子粉末の分散性は、後述する評価方法において、表面粗度Raが4.0μm以下であることが好ましく、より好ましくは3.8μm以下、更により好ましくは3.6μm以下である。表面粗度Raが4.0μmを超える場合、内部電極となるニッケル塗膜における表面平滑性が劣るため、内部電極間でショート不良が発生しやすくなるため好ましくない。本発明に係るニッケル微粒子粉末の純度は、90以上であることが好ましく、より好ましくは92以上、更により好ましくは94以上である。<作用>本発明において重要な点は、酢酸ニッケルを還元性雰囲気下、300°C以下で加熱還元を行うことにより得られたニッケル微粒子粉末は、結晶性が高いと共に、導電性ペースト中での分散性に優れるという事実である。本発明に係るニッケル微粒子粉末の結晶性が高いと共に、導電性ペースト中での分散性に優れている理由として、本発明者は、次のように考えている。従来知られているニッケル粉末の製造法は、液相還元法及び電解法等の湿式法と気相還元法及び噴霧熱分解法等の乾式法に大別され、湿式法の場合には、粒度分布がシャープなニッケル粉末が容易に得られるが、粒子が生成する温度が低いため、結晶性の高いニッケル粉末を得ることが困難である。一方、気相還元法及び噴霧熱分解法の場合には、1000°C前後の高温状態を経由することから、結晶性の高いニッケル粉末を得ることができるが、粒度分布がブロードとなることが知られており、粒度分布の改善と高い結晶性を両立することはトレードオフの関係にある。本発明においては、酢酸ニッケル粉末を300°C以下の低い温度で加熱還元するため、ニッケル粒子間でのシンタリング等が発生しにくく、且つ、酢酸ニッケルの粒度を予めそろえておくことにより、粒度分布のシャープなニッケル微粒子粉末を得ることが可能になったと考えている。また、粒度を予めそろえておくことにより、酢酸ニッケル水和物からの脱水が均一に起こることにより、より結晶性の高いものが得られたものと考えている。以下に、本発明における実施例を示し、本発明を具体的に説明する。ニッケル微粒子粉末の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡写真S-4800HITACHI製を用いて粒子の写真を撮影し、該写真を用いて粒子500個以上について粒子径を測定し、その平均値を算出し、平均粒子径DSEMとした。ニッケル微粒子粉末の粗大粒子の存在割合は、前述の走査型電子顕微鏡を用いて撮影した複数の視野の写真から、粒子約500個分以上の視野を選び、視野中の全粒子の個数を測定し、次いで、粒子径が上述の平均粒子径DSEMの1.5倍以上の粗大粒子の数を測定し、全粒子の個数に対する割合で示した。ニッケル微粒子粉末の結晶子径DX111は、X線回折装置RINT2500株式会社リガク製を用いて、CuのKα線を線源とした面指数1,1,1面のピークの半値幅を求め、Scherrerの式より結晶子径を計算した。ニッケル微粒子の単結晶化度は、平均粒子径DSEMと結晶子径DXの比[平均粒子径DSEM/結晶子径DX111]で示した。ニッケル微粒子粉末の比表面積は、モノソーブMS-11カンタクロム株式会社製を用いて、BET法により測定した値で示した。ニッケル微粒子粉末の熱収縮開始温度は、ニッケル微粒子粉末2gとペレット形成成分エチルセルロースを10wt含有するトルエン:テルピネオール=50:40溶液0.13gを均一に混合したものを金型に入れて0.1225Paの圧力で圧縮成形し、直径4mm、高さ約5mmに成型したニッケル粉末円柱状ペレットを作製し、熱機械分析装置ThermoplusTMA8310株式会社リガク製によって測定した。熱機械分析装置の測定条件は、N2が98、H2が2の混合ガス気流中で昇温速度10°C/minで室温から250°Cまで昇温し、250°Cで10分間保持した後、更に10°C/minで1000°Cまで試料温度を昇温させ、その間で10収縮した時の温度を収縮開始温度とした。ニッケル微粒子粉末の純度は、振動試料型磁力計VSM-3S-15東英工業株式会社製を使用し、外部磁場397.9kA/m5KOeまでかけて測定し、Ni-Disk標準品を100とした時の相対値で示した。ニッケル微粒子粉末の分散性は、ニッケル微粒子粉末1gとエチルセルロースを溶解させたテルピネオール溶液エチルセルロース:テルピネオール=1.94:98.062.3g及び分散剤0.2gとをフーバー式マーラーで練ってペースト状とし、得られたペーストを、バーコーターを用いてPETフィルム上に塗布塗膜厚み:6μmすることで塗布片を作製し、Surfcom-575A東京精密株式会社製を用いて測定し、塗膜の中心線平均粗さRaで示した。<実施例1-1:ニッケル微粒子の製造>ジェット式粉砕機により予め微粉砕された酢酸ニッケル4水和物30gをレトルト炉に入れ、N2:H2=1:8の還元性ガスを45L/min.で導入しながら1.5°C/min.の速度で280°Cまで昇温し、240分保持した後、室温まで冷却して実施例1のニッケル微粒子粉末を得た。得られたニッケル微粒子の粒子形状は粒状、平均粒子径DSEMは450nm、結晶子径DX111は61.5nm、DSEM/DX111は7.3、結晶相はNi相単相であり、粗大粒子の存在割合は6.9、BET比表面積値は1.7m2/g、熱収縮開始温度は470°C、ニッケル純度は96.0、分散性Raは3.2μmであった。前記実施例1に従ってニッケル微粒子粉末を作製した。各製造条件及び得られたニッケル微粒子粉末の諸特性を示す。実施例2~4及び比較例1~2:ニッケル微粒子粉末の生成条件を種々変更することにより、ニッケル微粒子粉末を得た。このときの製造条件を表1に、得られたニッケル微粒子粉末の諸特性を表2に示す。"