基体と、前記基体の上面に設けられた温度ヒューズエレメントと、前記基体の下面に設けられた実装パッドと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記実装パッドと重なる領域に配置された実装パッド発熱体とを備えたヒューズ装置。請求項1に記載のヒューズ装置であって、前記基体の上面に前記温度ヒューズエレメントと間を空けて配置され、前記実装パッド発熱体に電気的に接続された実装パッド発熱端子を備えたことを特徴とするヒューズ装置。請求項1に記載のヒューズ装置であって、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に配置された発熱抵抗体を備えたことを特徴とするヒューズ装置。請求項3に記載のヒューズ装置であって、前記実装パッド発熱体は、前記発熱抵抗体と間を空けて配置されていることを特徴とするヒューズ装置。基体と、前記基体の上面に設けられた一対の接続パッドと、前記基体の上面に設けられ、一対の前記接続パッドの両者にわたって接続された温度ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記接続パッドと重なる領域に配置された接続パッド発熱体とを備えたヒューズ装置。ヒューズの開発において、ヒューズ装置が所望する条件にて的確に作動するかどうかの作動特性の向上が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係るヒューズ装置は、基体と、前記基体の上面に設けられた温度ヒューズエレメントと、前記基体の下面に設けられた実装パッドと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記実装パッドと重なる領域に配置された実装パッド発熱体とを備えている。本発明の一実施形態に係るヒューズ装置は、基体と、前記基体の上面に設けられた一対の接続パッドと、前記基体の上面に設けられ、一対の前記接続パッドの両者にわたって接続された温度ヒューズエレメントと、前記基体内に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重ならない領域であって、前記接続パッドと重なる領域に設けられた接続パッド発熱体とを備えている。本発明によれば、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置を提供することができる。添付図面を参照して、本発明にかかるヒューズ装置の実施形態を説明する。<ヒューズ装置の概略構成>図1は、本実施形態に係るヒューズ装置の概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを透過したものである。また、図2は、ヒューズ装置の発熱抵抗体、実装パッド発熱体、接続パッド発熱体を示す基体の一部の透過斜視図である。また、図3は、図2に対応する基体の一部の透過斜視図であって、接続パッド発熱体を示している。また、図4は、図2に対応する基体の一部の透過斜視図であって、発熱抵抗体を示している。また、図5は、図2に対応する基体の一部の透過斜視図であって、実装パッド発熱体を示している。また、図6は、図1のX-X’に沿ったヒューズ装置の断面図である。本実施形態のヒューズ装置は、回路保護素子として用いるものであって、外部回路に組み込むものである。そして、外部回路に異常が発生して、外部回路の温度が上がると、その異常温度に起因して、温度ヒューズエレメントが溶断し、外部回路の動作を緊急停止させるものである。また、ヒューズ装置に、温度ヒューズエレメントを発熱する発熱抵抗体を設けた場合は、外部回路の異常発生時に、外部回路にヒューズ装置とともに組み込んだ異常検出器が外部回路の異常を検出し発熱抵抗体を通電する。その結果、ヒューズ装置は、発熱抵抗体が高温となり、その温度によって温度ヒューズエレメントを溶断することで、回路の動作を緊急停止させることができる。本実施形態に係るヒューズ装置1は、基体2と、基体2の上面に設けられた温度ヒューズエレメント3と、基体2内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重なる領域に配置された発熱抵抗体4と、基体2の下面に設けられた実装パッド5と、基体2内に発熱抵抗体4と間を空けて配置され、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重ならない領域であって、実装パッド5と重なる領域に設けられた実装パッド発熱体6とを備えている。なお、本実施形態においては、ヒューズ装置1に発熱抵抗体4を設けた構造について説明するが、温度ヒューズエレメント3が溶断可能な構造であれば、ヒューズ装置1から発熱抵抗体4を除いた構造であっても構わない。また、本実施形態に係るヒューズ装置1は、基体2と、基体2の上面に設けられた一対の接続パッド7と、基体2の上面に設けられ、一対の接続パッド7の両者にわたって接続された温度ヒューズエレメント3と、基体2内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重なる領域に配置された発熱抵抗体4と、基体2内に発熱抵抗体4と間を空けて配置され、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重ならない領域であって、接続パッド7と重なる領域に設けられた接続パッド発熱体8とを備えている。基体2は、絶縁性の複数の基板を積層したものであって、基体2を構成する基板が、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミックス材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基体2を構成する基板の厚みは、例えば、0.05mm以上2mm以下に設定されている。また、基体2を構成する基板の熱伝導率は、例えば、14W/mK以上200W/mK以下に設定されている。基体2の上面には、温度ヒューズエレメント3を実装したときに、温度ヒューズエレメントと電気的に接続パッド7が形成されている。接続パッド7は、温度ヒューズエレメント3と接続されるものである。接続パッド7は、温度ヒューズエレメント3の両端部のそれぞれに対応して基体2の最上層の上面に形成されている。基体2の上面には、接続パッド7と電気的に接続される電極層9が形成されている。電極層9は、温度ヒューズエレメント3に電流を流すものである。また、電極層9の一部は、基体2の上面から基体2の側面を介して基体2内にわたって形成されている。電極層9は、温度ヒューズエレメント3が溶断したときに、電極層9が電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層9は、接続パッド7および温度ヒューズエレメント3と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層9の幅は、例えば、0.05mm以上10mm以下に設定されている。ここで、電極層9の幅とは、電極層9に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。電極層9は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。また、基体2の上面には、接続パッド発熱端子10が設けられている。接続パッド発熱端子10は、電極層9と間を空けて配置されている。接続パッド発熱端子10は、外部から接続パッド発熱端子10に電流を流すことで、接続パッド発熱体8の温度を上昇させるものである。接続パッド発熱体8の温度が上昇すると、その接続パッド発熱体8と重なる領域に位置する接続パッド7の温度が上昇する。そして、接続パッド7上にて半田等を溶かしやすくすることができ、短時間で温度ヒューズエレメント3を溶けた半田等を介して基体2に実装しやすくすることができる。また、接続パッド7の温度が上昇するため、半田等を用いずに、温度ヒューズエレメント3の端部を局所的に溶かして、温度ヒューズエレメント3と接続パッド7を接続することもできる。なお、接続パッド発熱端子10は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。接続パッド発熱端子10の一部は、基体2の上面から基体2の側面を介して基体2内にまで延在されている。そして、基体2内の接続パッド発熱体8と電気的に接続されている。接続パッド発熱体8は、平面透視して接続パッド7と重なる領域に配置されている。そして、接続パッド発熱体8は、基体2内に位置する基体2を構成する基板の上面に導電材料がパターニングされて構成されているが、接続パッド7と重なる領域がその周囲のパターニングよりも細く形成されている。そして、接続パッド発熱体8の細く形成されている箇所が、その周囲のパターニングの太く形成されている箇所よりも発熱する。その結果、接続パッド発熱端子10から流れる電流の多くが接続パッド発熱体8の細くパターニングされた箇所にて発熱し、その直上に基体2を構成する基板を介して設けられた接続パッド7の温度を上昇させることができる。また、基体2の上面には、実装パッド発熱端子11が設けられている。実装パッド発熱端子11は、電極層9および接続パッド発熱端子10と間を空けて配置されている。実装パッド発熱端子11は、外部から実装パッド発熱端子11に電流を流すことで、実装パッド発熱体6の温度を上昇させるものである。実装パッド発熱体6の温度が上昇すると、その実装パッド発熱体6と重なる領域に位置する実装パッド5の温度が上昇する。そして、実装パッド5上にて半田等を溶かしやすくすることができ、短時間で基体2を溶けた半田等を介して外部基板に実装しやすくすることができる。なお、実装パッド発熱端子11は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。実装パッド発熱端子11の一部は、基体2の上面から基体2の側面を介して基体2内にまで延在されている。そして、基体2内の実装パッド発熱体6と電気的に接続されている。実装パッド発熱体6は、平面透視して実装パッド5と重なる領域に配置されている。そして、実装パッド発熱体6は、基体2内に位置する基体2を構成する基板の上面に導電材料がパターニングされて構成されているが、実装パッド5と重なる領域がその周囲のパターニングよりも細く形成されている。そして、実装パッド発熱体6の細く形成されている箇所が、その周囲のパターニングの太く形成されている箇所よりも発熱する。その結果、実装パッド発熱端子11から流れる電流の多くが実装パッド発熱体6の細くパターニングされた箇所にて発熱し、その直下に基体2を構成する基板を介して設けられた実装パッド5の温度を上昇させることができる。基体2の上面には、温度ヒューズエレメント3が実装される。温度ヒューズエレメント3は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント3は、例えば、インジウム、ビスマスまたは錫等の導電材料、あるいはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント3の溶断する融点は、例えば、80°C以上180°C以下に設定されている。なお、温度ヒューズエレメント3の両端は、接続パッド7と接続されている。温度ヒューズエレメント3は、平面透視したときに発熱抵抗体4と重なる領域に設けられ、矩形状に形成される。また、温度ヒューズエレメント3は、平面透視したときに発熱抵抗体4が存在する領域から食み出さないように設けられると、発熱抵抗体4の温度を効率良く温度ヒューズエレメント3に伝えることができる。なお、温度ヒューズエレメント3の厚みは、例えば、0.1mm以上3.0mm以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、0.1mm以上10.0mm以下に設定されている。基体2上には、温度ヒューズエレメント3と重なる領域の一部に被覆層12が形成されている。被覆層12は、基体2の温度ヒューズエレメント3が実装される実装面上に形成されている。被覆層12は、温度ヒューズエレメント3の溶融体との濡れ性が基体2の上面に形成された温度ヒューズエレメント実装面の濡れ性よりも小さい濡れ性の材料であって、例えば、ガラスまたはテフロン等の材料から成る。被覆層12は、温度ヒューズエレメント3の両端部に対応させて二つ設けられている。そして、一対の被覆層12同士の間に空隙ASが存在する。空隙ASは、温度ヒューズエレメント3が溶断したときに、その溶断した一部が空隙ASに落ち込んで、温度ヒューズエレメント3に電気が流れないようにするためのものである。実装面は、温度ヒューズエレメント3が溶断したときに、温度ヒューズエレメント3を構成する材料の溶融体が濡れやすくするためのものであって、被覆層12上に溶断した温度ヒューズエレメント3の一部が付着しにくくするものである。実装面は、実装面上に溶断した温度ヒューズエレメント3を構成する材料の溶融体が濡れ、溶融体の表面張力作用により被覆層12上の温度ヒューズエレメント3を構成する材料の溶融体を吸収する作用により、被覆層12上に温度ヒューズエレメント3を構成する材料の溶融体が残存付着しにくくなり、一対の電極層9の間を電気的にオープンにすることができる。温度ヒューズエレメント3は、フラックス13で被覆されている。フラックス13は、熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、あるいは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス13は、温度ヒューズエレメント3に発熱抵抗体4の温度を伝えやすくするものである。そして、フラックス13が温度ヒューズエレメント3を被覆することで、発熱抵抗体4の温度と温度ヒューズエレメント3の温度差を小さくすることができる。基体2の下面には、実装パッド5が形成されている。実装パッド5は、基体2を外部の外部回路と電気的に接続するものである。なお、実装パッド5は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。実装パッド5は、基体2の最下層に位置する基板の下面から基体2の側面を介して基体2内にまで形成された導電層14と電気的に接続されている。そして、導電層14は、ヒューズ装置1とともに外部回路に組込まれた異常検出器が、外部回路の異常を検出することにより、導電層14を介して、発熱抵抗体4に通電し、発熱抵抗体4の温度を上昇させる。その結果、発熱抵抗体4の温度上昇に起因して、温度ヒューズエレメント3を溶断することができる。なお、導電層14の幅は、例えば、0.05mm以上10mm以下に設定されている。ここで、導電層14の幅とは、導電層14に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。導電層14は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。基体2内には、発熱抵抗体4が形成されている。発熱抵抗体4は、温度ヒューズエレメント3に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント3を溶断するものである。発熱抵抗体4は、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重なる領域であって、温度ヒューズエレメント3と基体2を構成する基板を介して設けられている。発熱抵抗体4は、一端が電極層9と接続され、他端が導電層14と接続される。発熱抵抗体4は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、その抵抗値確保方法の例示として、そのパターン形状は基体2の下面にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体4の幅は、電極層9および導電層14の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体4の幅を電極層9および導電層14の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体4の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体4にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。発熱抵抗体4には、ヒューズ装置1とともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出によって、導電層14を介して発熱抵抗体4に通電する。そして、発熱抵抗体4の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体4の温度が上昇する。さらに、その温度が、基体2を構成する基板を介して温度ヒューズエレメント3に伝わり、温度ヒューズエレメント3が所定温度以上になると溶断する。なお、発熱抵抗体4は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金、プラチナまたはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。基体2内には、平面透視して実装パッド5と温度ヒューズエレメント3との間に空隙Pが設けられている。空隙Pは、基体2内に伝わる温度の伝達を抑制するものである。温度ヒューズエレメント3を実装した状態の基体2を、外部回路に接続するときに、実装パッド発熱体6に電流を流して、実装パッド6の表面の温度を上昇させるが、その温度によって温度ヒューズエレメント3が溶断しないように基体2内に空隙Pが設けられている。空隙Pは、平面透視して高温になる実装パッド5と溶断される虞がある温度ヒューズエレメント3の間に配置されればよい。仮に、温度ヒューズエレメント3を基体2に実装するときに、温度ヒューズエレメント3が溶断する温度状態では温度ヒューズエレメント3を基体2に実装することが困難となるが、本実施形態に係るヒューズ装置1は、基体2の接続パッド7が瞬間的に高温になることで、温度ヒューズエレメント3が溶断する前に温度ヒューズエレメント3を基体2の接続パッド7に接続することができる。また、仮に、温度ヒューズエレメント3を実装した状態の基体を外部回路に実装するときに、温度ヒューズエレメント3が溶断する温度状態では基体2を外部回路に実装することが困難となるが、本実施形態に係るヒューズ装置1は、基体2の実装パッド5が瞬間的に高温になることで、温度ヒューズエレメント3が溶断することなくヒューズ装置1を外部回路に接続することができる。このように、温度ヒューズエレメント3が溶断しないようにすることで、ヒューズ装置が所望する条件にて的確に作動することができ、作動特性の向上に寄与することが可能なヒューズ装置1を提供することができる。なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述した実施形態では、実装パッド発熱体6と接続パッド発熱体8は、一つしか設けていないが、複数設けた構造であっても構わない。また、発熱抵抗体4は、平面透視して温度ヒューズエレメント3と直交するように基体2内に設けられていてもよい。なお、温度ヒューズエレメント3が実装されている側に、実装パッドを設けた構造であってもよい。また、ヒューズ装置1に搭載されているヒューズエレメントの作動温度溶断温度が、例えば半田等を用いて外部回路1Xに平面実装する場合の半田の作業温度と同等、もしくは、作業温度よりも低い場合には、実装作業時にヒューズ装置1の温度がヒューズエレメントの作動温度溶断温度よりも高温となって温度ヒューズエレメント3が溶断する虞がある。ヒューズ装置1と外部回路1Xとは、例えば図7に示す例のように、ヒューズ装置1の側面部に設けた楕円形状を2つに割った形等のキャスタレーション部の下面に金属片15を貼り付け、金属片15と外部回路1Xの接続する個所とを位置合わせし、金属片15に対して、例えばレーザー光等を照射して、スポット照射加熱によって接続することができる。ヒューズ装置1と外部回路1Xとの接続をスポット照射加熱によって接続することで、温度ヒューズエレメント3にまで熱が伝わらないようにすることができ、温度ヒューズエレメント3が溶断するのを抑制することができる。なお、キャスタレーションの形状は半円形に限定されず、矩形状等であってもよい。また、金属片15の上面が露出している部位に貫通孔を設けて、外部回路1Xとの接続時に、金属片15の下面であって、貫通孔よりも外方に位置する個所と外部回路1Xとを接続してもよい。金属片15の上面であって、貫通孔よりも外方に位置する個所に対してスポット照射加熱することで、金属片15の下面であって貫通孔よりも外方に位置する個所に設けた半田を溶かして外部回路1Xと接続することができる。そして、貫通孔が開いていることで、基体2に熱が伝わるのを抑制することができ、ヒューズ装置1の温度ヒューズエレメント3が溶断するのを抑制することができる。また、リード端子を用いずに、ヒューズ装置1と外部回路1Xとを接続することができるため、リード端子を用いた場合に比べて、ヒューズ装置1を小型化することができる。このように、ヒューズ装置1を外部回路1Xに平面実装するときの熱の影響による温度ヒューズエレメント3の溶断を抑制し、ヒューズ装置1と外部回路1Xとの接続個所を小さくすることができ、ヒューズ装置1の小型化を実現することができる。また、図8から図10に示す例のように、ヒューズ装置1の下面と外部回路1Xの上面との間に空間を設け、この空間に絶縁性樹脂16を充填することによって、ヒューズ装置1の電極間または外部回路1Xの電極間での電位差勾配によるマイグレーション等によるショートまたはリーク電流の発生の虞を抑制することができる。かかるマイグレーションを防止するために、ヒューズ1装置の下面に凹凸部を設けること、あるいは外部回路1Xの上面に凹部を設けることにより、ヒューズ装置1と外部回路1Xとの間に、マイグレーション防止用の空間を設けることができる。そして、空間に絶縁性樹脂16を充填して、電極間のショートを効果的に抑制することができる。<ヒューズ装置の製造方法>ここで、図1に示すヒューズ装置1の製造方法について説明する。まず、基体2を準備する。基体2は、複数のグリーンシートを積層して焼結させたものである。基体2を構成するグリーンシートは、例えば酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤および溶剤等を添加混合して得た混合物より成型することで得られる。次に、金属ペーストを準備する。金属ペーストは、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して得られる。そして、基体2となる複数のグリーンシートに対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って発熱抵抗体4、実装パッド5、接続パッド7、電極層9および導電層13を形成する。次に、準備した焼結前の基体2となるグリーンシートを積層して接続させた状態で、約1600度の温度で焼成する。そして、複数のグリーンシートを一体焼結する。一体焼結後の基体2に対して、例えばめっきを施すことで、接続パッド発熱端子10および実装パッド発熱端子11を形成する。次に、基体2の接続パッド発熱端子10に電流を流して、接続パッド発熱体8を瞬間的に高温にし、半田を介して温度ヒューズエレメント3と接続パッド7を接続する。また、基体2上に、温度ヒューズエレメント3を被覆するようにフラックス13を形成する。このようにして、抵抗温度ヒューズ1を作製することができる。なお、実装パッド5または接続パッド7、および接続パッド7から基体2の側面部を介して実装パッド5まで延材する導通部の鍍金皮膜層に少なくとも比抵抗の小さい銅等の鍍金材料層を含め、例えば電気鍍金法または無電界鍍金法によって一体形成してもよい。この場合は、図11に示すように、基体2の側面に、実装パッド5および接続パッド7を一体形成した鍍金層17が形成される。ヒューズ装置1は、異常温度管理対象である電子電気モジュールや部品の異常に対応して温度ヒューズエレメント3を溶断することによって電子電気機器における発煙発火等の虞を排除するために設置されるものであり、ヒューズ装置1の温度ヒューズエレメント3が正常に作動するためには、温度ヒューズエレメント3が温度ヒューズエレメント3を管理する温度のみの影響により溶断することが好ましい。そこで、実装パッド5と温度ヒューズエレメント3との間に配置される引出配線部を無くし、基体2の下面、側面および上面にかけて連続して延在した鍍金層17を形成することで、管理対象である電子電気モジュール等が正常に作動している間は、温度ヒューズエレメント装置自体の導通による発熱を抑制することができ、温度ヒューズエレメント3は管理対象である電子電気モジュールの異常時のみ溶断することができる。引出配線部がなくなることにより、ヒューズ装置1の小型化を実現することができる。なお、鍍金層17の下地には、下地メタライズを形成し、その上に、例えば、ニッケル、銅または金等の層構成の鍍金を施す。ヒューズ装置1の温度ヒューズエレメント3実装側の鍍金面に、外部回路への実装時の半田の這い上がり等を防止するために、耐熱性樹脂または厚膜ガラスのコーティング部を形成してもよい。また、図11に示す例のように、基体2の側面部の形状は平面視にてキャスタレーション部を形成しており、その形状は半円形に限定されず、矩形状等であってもよい。本変形例は温度ヒューズ装置、抵抗温度ヒューズ装置、電流ヒューズと温度ヒューズ機能を有する複合ヒューズ等の少なくとも温度ヒューズ機能を有するヒューズ類の温度ヒューズ機能部分に適用することができる。