"パワー半導体素子が搭載された第1金属基板と、パワー半導体素子が搭載されていない第2金属基板とを封止した電気絶縁性樹脂パッケージで構成されたパワー半導体モジュールであって、上記第1金属基板のパワー半導体素子塔載面とは反対側の裏面を、上記樹脂パッケージ外に露出させ、放熱面を形成したことを特徴とするパワー半導体モジュール。上記2種類の金属基板を上記樹脂パッケージ内で同一平面状に横並びに配置すると共に、上記樹脂パッケージの第1金属基板埋設箇所に凹部を設けることによって、上記第1金属基板の反対側裏面を上記樹脂パッケージ外に露出させ、放熱面を形成したことを特徴とする請求項1記載のパワー半導体モジュール。上記樹脂パッケージ内において、上記2種類の金属基板をずらせて段違いに配置することによって、上記第1金属基板の反対側裏面を上記樹脂パッケージ外に露出させ、放熱面を形成したことを特徴とする請求項1記載のパワー半導体モジュール。上記第1金属基板の露出面と、この露出面を除く上記樹脂パッケージの外側面とを、同一平面にそろえると共に、この同一平面部をヒートシンクに接する放熱面としたことを特徴とする請求項3に記載のパワー半導体モジュール。複数個の上記第1金属基板を上記樹脂パッケージ内に離間して配置し、この離間部に、上記第2金属基板を埋設状態で配置したことを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。請求項1から請求項5記載のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュールの放熱面を、ヒートシンクに形成した台座面に電気絶縁性接合部材を介して取り付けたことを特徴とするパワー半導体モジュールの取り付け構造。上記電気絶縁性接合部材に、この接合部材の厚みに相当する径の固形物からなる粒子を混合したことを特徴とする請求項6記載のパワー半導体モジュールの取り付け構造。上記パワー半導体モジュールの放熱面、又は上記パワー半導体モジュールが取り付けられる上記ヒートシンクの取り付け面に、上記電気絶縁性接合部材の厚さを規制する突起を設けたことを特徴とする請求項6又は請求項7記載のパワー半導体モジュールの取り付け構造。上記第2金属基板を覆うパワー半導体モジュールの放熱面に、上記第2金属基板に達する孔を設けたことを特徴とする請求項6又は請求項7記載のパワー半導体モジュールの取り付け構造。上記パワー半導体モジュールが取り付けられたヒートシンクの取付面に、電気絶縁性の板材、又はシート材を貼り付けたことを特徴とする請求項6に記載のパワー半導体モジュールの取り付け構造。上記パワー半導体モジュールの放熱面、又はパワー半導体モジュールが取り付けられたヒートシンクの取付面に、電気絶縁性材被膜を設けたことを特徴とする請求項6に記載のパワー半導体モジュールの取り付け構造。上記ヒートシンクは、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、上記電気絶縁性皮膜を酸化皮膜で形成したことを特徴とする請求項11に記載のパワー半導体モジュールの取り付け構造。しかしこのような構成のパワー半導体モジュールにおいては、半導体素子からの発熱は熱伝導性の低い樹脂パッケージを通過する構造であるため、放熱性が良好ではないという問題があった。MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorなどのパワー半導体素子は通電損失やスイッチング損失などの電力の損失を有し、損失は熱に変換される。放熱性が良好でなければ熱は効率的に外部に放出されず、パワー半導体素子の温度を過剰に上昇させ、パワー半導体素子自体やその接合部材にダメージを与え、モジュールの故障や寿命低下を引き起こす。従って放熱性はパワー半導体モジュールに求められる重要な性能の一つである。特に搭載スペースに制約のある自動車用の回転電気機器に組み込まれるパワー半導体モジュールは小型であることが求められ放熱面積が制限される場合が多いため、放熱性の問題は重大である。放熱性を向上させるために、放熱基板を樹脂パッケージから露出させて、放熱接着剤を介してヒートシンクに直接接合するモジュールの構造が考えられる。この構造では放熱経路に熱伝導性の低い樹脂パッケージが介在しないため放熱性が向上するが、その反面、モジュールの放熱面には異なる複数の導電性の放熱基板が露出することになり、製造過程において放熱基板間をまたいで金属くずなどの導電性異物が付着した際には回路の短絡故障が発生してしまう問題がある。この発明は、このような課題を解決するためになされたものであって、小型であっても放熱性が良好あって、なおかつ短絡故障が防止されたパワー半導体モジュール及びその取り付け構造を提供するものである。この発明に係わるパワー半導体モジュールは、パワー半導体素子が搭載された第1金属基板と、パワー半導体素子が搭載されていない第2金属基板とを封止した電気絶縁性樹脂パッケージで構成されたパワー半導体モジュールであって、上記第1金属基板のパワー半導体素子塔載面とは反対側の裏面を、上記樹脂パッケージ外に露出させ放熱面を形成したものである。また、パワー半導体モジュールの取り付け構造は、パワー半導体モジュールの放熱面を、ヒートシンクに形成した台座面に電気絶縁性接合部材を介して取り付けたものである。この発明のパワー半導体モジュールによれば、複数の金属基板の内で、少なくともパワー半導体素子の塔載された金属基板は、パワー半導体素子の塔載面とは反対側の裏面が樹脂パッケージの放熱面に露出しており、その他の金属基板は大部分が樹脂パッケージ内に埋設されているので、高い放熱性を得ることができる。また、その結果として放熱性向上のための放熱面積増大が抑えられるためパワー半導体モジュールを小型化することができる。またそれ以外の金属基板は内部配線などの役割を担っており放熱の必要性が低いため絶縁性の樹脂パッケージ内に埋設されて保護されており、パワー半導体モジュールをヒートシンクに組み付けていく過程の中で金属基板の間をまたいで導電性異物が付着して、短絡故障が引き起こされるリスクを低減することができる。もしも全ての金属基板を放熱面に露出させると前述のリスクを低減するために金属基板同士の間隔を拡大する必要があるがこの発明によれば、その必要がないためパワー半導体モジュールを小型化することができる。この発明におけるパワー半導体モジュールは、内部の回路構成を限定するものではないが、以下の実施の形態では、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorを用いたリレー回路を有するパワー半導体モジュールを例として説明する。以下、図面に基づいて、この発明の各実施の形態を説明する。なお、各図間において、同一符号は同一あるいは相当部分を示す。実施の形態1.以下、図1~4に基づいてこの発明の実施の形態1について説明する。まずパワー半導体モジュール100について説明する。図1は、実施形態1におけるパワー半導体モジュール100の構成を示す斜視図で、破線で示した樹脂パッケージ3を透視して内部も示している。図2は、パワー半導体モジュール100の別の角度から見た斜視図である。図3は、図2のパワー半導体モジュール100のA―A線における断面図であって、ヒートシンクHSに取り付けた状態を示す。図1に示すように、電気絶縁性のエポキシ樹脂などからなる樹脂パッケージ3は、2個のパワー半導体素子1と4枚の金属基板2第1金属基板2a、第2金属基板2b及び2本のリード55a、5bをインサート部材として、周知のトランスファモールディング法によって一体成形することでパワー半導体モジュール100を形成したもので、下面の放熱面7側が後述するようにヒートシンクHSに取り付けられる。4枚の金属基板2第1金属基板2a、第2金属基板2bの内、面積が大きい2枚の第1金属基板2aには、各々1つずつのパワー半導体素子1が搭載されている。パワー半導体素子1は、MOSFETのチップであって、一面にソース電極1aとゲート電極1bを有しており、その反対面にはドレイン電極図示せずを有している。パワー半導体素子1のドレイン電極と第1金属基板2aは、ハンダや導電性接着剤などの導電性の接続部材図示せずによって機械的、電気的に接続されている。金属基板2第1金属基板2a、第2金属基板2bは、例えば銅合金などの熱伝導性及び導電性の良好な金属からなり、全面もしくは部分的にスズめっき処理やニッケルめっき処理などが適宜なされている。また、樹脂パッケージ3内に埋設された4枚の金属基板2第1金属基板2a、第2金属基板2bは、図3に示すように同一平面状に横並びに配置されている。そして、パワー半導体素子1が塔載された第1金属基板は、パワー半導体素子1の塔載面とは反対側の裏面が、樹脂パッケージの放熱面7に露出している段落番号0019で詳述。2個のパワー半導体素子1のそれぞれのソース電極1aの間は、リード5aによって電気的に接続されている。リード5aは、ハンダなどの接続部材図示せずによってソース電極1aと接続されている。また、リード5aの中間部は、パワー半導体素子1が搭載されていない第2金属基板2bに、ハンダなどの接続部材図示せずで電気的に接続されている。同様にゲート電極1b間にもリード5bが接続されており、その中間部は、リード5aが接続された第2金属基板2bとは別の第2金属基板2bに電気的に接続されている。そして、2つの第2金属基板2bは、2つの第1金属基板2aの間に挟まれるように配置されている。すなわち、2つの第1金属基板2aは,樹脂パッケージ3内で離間して配置されており、この離間部間に、2つの第2金属基板2bが埋設状態で配置された構成になっている。なお、リード55a、5bの代わりにアルミ線で接続してもよい。アルミ線の場合は、周知のワイヤボンディング法が用いられ、許容電流に応じてアルミ線の直径本数と線径が適宜選択される。このような構成によれば、放熱面として露出した複数の第1金属基板2aの間に、第2金属基板2bを覆う樹脂パッケージ3の突出樹脂部3bの外面が存在するため、金属の露出面の間隔を広く確保することができる。その結果、パワー半導体モジュール100を後述するヒートシンクHSに接合する工程において第1金属基板2aの間をまたいで導電性異物が付着した場合の短絡故障となるリスクをさらに低減することができる図4参照。樹脂パッケージ3からは、複数の外部接続端子2cが伸びている。この外部接続端子2cは、外部機器端子図示せずとの接続箇所に導かれるように曲げ上げられている。接続手段としては各種溶接法やハンダ付け、ボルトによる締結などが挙げられる。また、この実施の形態1では外部接続端子2cと第1金属基板2a、外部接続端子2cと第2金属基板2bとは一体的に形成されたものであるが、それぞれ別に用意したものを接合したものであってもよい。次に第1金属基板2aのパワー半導体素子塔載面とは反対側の裏面を、樹脂パッケージ3外に露出させる構造について説明する。同一平面状に横並びに配置された4枚の金属基板2第1金属基板2a、第2金属基板2bの内、表面にパワー半導体素子1が搭載された第1金属基板2aは、その裏面の一部が図2に示すように放熱面6を構成するため樹脂パッケージ3の放熱面7側に露出している。すなわち、第1金属基板2aは、裏面の一部6を露出させるため、樹脂パッケージ3の放熱面7から一段奥まった箇所第1金属基板埋設箇所の凹部3a内にそれぞれ配置されている。一方、パワー半導体素子1が搭載されていない第2金属基板2bは、凹部3a間で放熱面の一部7aを形成する突出樹脂部3b内に位置し、樹脂パッケージ3内に完全に埋設された状態で外部に露出されていない。次にパワー半導体モジュール100のヒートシンクHSへの取り付け構造を、図3に基づいて説明する。図3において、パワー半導体モジュール100を組み付ける外部機器のヒートシンクHSには,金属基板2aの放熱面6に対応した2箇所の対向位置に、台座8がそれぞれ設けられており、これら台座8の上面と放熱面6とは電気絶縁性の接合部材9によって接合される。接合部材9としては、特に指定するものではないが、例えばシリコーン接着剤やシリコーングリス、エポキシ接着剤であり、熱伝導性を高めるためにシリカや窒化ホウ素などのフィラーが混合されている。このパワー半導体モジュールの取り付け構造によれば、放熱が必要なパワー半導体素子1が塔載された第1金属基板2aの露出面が、接合部材9を介して直接ヒートシンクHSに取り付けられているため高い放熱性を得ることができる。また、その結果として放熱性向上のために放熱面積を拡大する必要がなく放熱面積の増大が抑えられるため、結果的にパワー半導体モジュール100を小型化することができる。またそれ以外の金属基板2は、内部配線などの役割を担っており放熱の必要性が低いため電気絶縁性の樹脂パッケージ内に埋設されて保護されており、パワー半導体モジュール100をヒートシンクSに組み付けていく過程の中で、万が一導電性異物を噛み込んでしまった場合、あるいは金属基板の間をまたいで導電性異物が付着し場合に、回路が短絡故障となるリスクを低減することができる。電気絶縁性接合部材9は、その厚みを管理するために、接合部材の厚みに相当する径の固形物例えばプラスチックなどからなる粒子図示せずが混合されている。接合部材9は、液状の状態でヒートシンクHSの台座8の上面に塗布され、その上にパワー半導体モジュール100が取り付けられ加熱硬化される。加熱硬化時には、パワー半導体モジュール100は、ヒートシンクHSに押し付けられていることが望ましい。これによって余分な接着剤は押し出されるため、接合部材9の厚みを混合された粒子の径に従ったものとすることができる。接合部材9の厚みは、厚すぎると放熱性の低下につながり、また、薄過ぎるとパワー半導体モジュール100とヒートシンクHSとの短絡のリスクが高まるため、両者のバランスを勘案して決定される。このような構造によれば粒子の径によって接合部材の厚みを管理することができるため、厚すぎて放熱性を損なったり、薄過ぎてパワー半導体モジュール100とヒートシンクHSとの間の絶縁性を損なったりすることを防止することができる。ヒートシンクHSの材料は、特に指定するものではないが、例えばアルミニウム合金などの金属材料が挙げられる。なおパワー半導体モジュール100との絶縁性を確実にするために、ヒートシンクHSの台座8の上面や側面及び/又はパワー半導体モジュール100に面する面などには電気絶縁性の表面被膜図示せずが形成されていることが望ましい。例えばアルミニウム合金の場合にはアルマイトなどの酸化皮膜が挙げられる。また、ポリイミドなどの高分子膜を形成しておいてもよい。このような構造によれば、金属など導電性材料からなるヒートシンクHSを用いても、パワー半導体モジュール100を取り付ける面に電気絶縁性を持たせることができる。上記のように、ヒートシンクHSの少なくともパワー半導体モジュール100が取り付けられた面に電気絶縁性を持たせることにより、万が一パワー半導体モジュール100をヒートシンクHSに組み付ける際に導電性異物が挟まったとしても、パワー半導体モジュール100とヒートシンクの間の短絡を防止でき、パワー半導体モジュール100の短絡故障のリスクをさらに低減することができる。なお、ヒートシンクHSが、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されている場合、パワー半導体モジュール側の放熱面に電気絶縁性を持たせても同様の効果が期待できる。また、図3に示すようにヒートシンクHSと樹脂パッケージ3下面の放熱面7との間には、間隙Sが設けられており干渉を防止している。また、パワー半導体モジュール100をヒートシンクHSに組み付ける際の位置ずれを許容するために放熱面6の幅Dは、台座8の幅dに対して大きく設定されている。次に、図4に導電性異物10が噛み込んだ状態の一例を示す。導電性異物10としては、製造装置や金属基板2、ハンダなどから発生する金属くずなどが懸念される。導電性異物10は、一端が金属基板2aに接触し他端が金属基板2bの真下の樹脂パッケージ下面の放熱面7aにまで達している。もしも第2金属基板2bが放熱面7に露出していれば、導電性異物10は金属基板2aと2bを短絡してしまうが、第2金属基板2bが絶縁材である樹脂パッケージ3の樹脂に覆われているため短絡することがない。また、樹脂パッケージ3に埋設されている第2金属基板2bは、放熱面6が露出している第1金属基板2aの間に挟まれるように配置されているため、放熱面6が露出した2個の第1金属基板2a同士の間隔が十分に確保されている。よって余程大きな導電性異物でない限り第1金属基板2a間を短絡するようなことはない。また、ヒートシンクHSのパワー半導体モジュール100の取り付け面には、絶縁皮膜が形成されているため、導電性異物がパワー半導体モジュール100とヒートシンクHSとの間に噛み込んだとしても、回路短絡を防止することができる。実施の形態2.図5は、この発明の実施の形態2におけるパワー半導体モジュール200の構成を示す斜視図、図6はパワー半導体モジュール200の図5におけるB―B線の断面図で、ヒートシンクHSに取り付けた状態を示す。なお図1から図4に示した実施の形態1と対応する構成部分には、同一の符号を用いている。実施の形態2のパワー半導体モジュール200は、実施の形態1のパワー半導体モジュール100に対して、樹脂パッケージ3の内部の構造は基本的には同様であるが、パワー半導体素子1の搭載されていない第2金属基板2bが、パワー半導体素子1の搭載された第1金属基板2aに対して一段下げられたところに配置されている点が異なる。すなわち、第2金属基板2bを第1金属基板2aから一段ずらせて段違いに配置することにより、第2金属基板2bを覆う樹脂パッケージ3の放熱面7aは、第1金属基板2aの露出面第1金属基板の反対側裏面と同一平面上の外面を有しており、両者の各面を同一平面にそろえることにより放熱面6と一つのつながった領域を形成している。このため放熱面6に対応したヒートシンクHSの台座8も一つとなっている。この実施の形態2の構成によれば、実施の形態1で述べた効果に加え、ヒートシンクHSの台座8が一つで済み形状が簡素であるためヒートシンクHSの加工が容易となる。また、放熱面6が一つの領域として形成されているため複数の領域に分かれている実施の形態1の構成に比べて台座8との接合面積を大きく取ることができ、放熱性をさらに高めることができる。このことは図3と図6を比較すれば明らかである。また、露出した第1金属基板2a同士の間は、電気絶縁性の接合部材9で充填されるため、使用中に導電性異物が侵入して金属基板の間をまたいで付着するリスクをさらに低減され、短絡故障が防止される。また、このような構成によれば、第2金属基板2bを覆う樹脂パッケージの樹脂部の放熱面7aは、第1金属基板の露出面と同一平面上の外面を有して一つの放熱面を形成しており、ヒートシンク接合面に図3に示すような凹凸を設ける必要がなく一つの面とすることができ、また、ヒートシンクの台座も一つだけでよいことから、ヒートシンクHSの形状が簡素化できるだけでなく、凹凸に伴う接合面積のロスを無くすことができ、放熱性をさらに向上させることができる。また、露出した第1金属基板2a同士の間は、電気絶縁性の接合部材が充填されるため、使用中に導電性異物が侵入して第1金属基板2aの間をまたいで付着するリスクをさらに低減することができ、短絡故障をさらに防止することができる。なお、第2金属基板2bの少なくとも一部を、第1金属基板2aに対して段違いに配置し、その他を段違いにしなかった場合、第2金属基板2bのために図3のような突出樹脂部を設けたとしても、その突出樹脂部による樹脂パッケージの下面の高さを低くできる。これによりパワー半導体モジュールを接合するヒートシンクHSの接合面の凹凸が低減でき形状を簡素化できる。その結果、例えばヒートシンクの接合面を切削で仕上げる場合において切削加工が容易となる。図7は、実施の形態2の変形例であるパワー半導体モジュール300を示す斜視図である。この変形例の放熱面7aには、第2金属基板2bに達するピン穴11が形成されている。従って第2金属基板2bは、ピン穴11の箇所において一部が樹脂パッケージ3から露出している。ピン穴11を設けることで、パワー半導体モジュール300を製造する過程のトランスファモールド工程において第2金属基板2bを支持ピン図示せずで支えることができる言い換えれば支持ピンの跡としてピン穴11を残すことができる。また、これによって樹脂パッケージ3の樹脂の注入圧力によって第2金属基板2bが変形するのを防止することができる。また、ピン穴11に対応した第2金属基板2bの露出部をプロービング電極として利用することでパワー半導体モジュール300の電気特性検査を実施することも可能である。このようにパワー半導体素子1の塔載されていない第2金属基板2bは、必ずしも全てが樹脂パッケージ3の内部に埋設されている必要はない。一部が露出していても大部分が樹脂パッケージ3の内部に埋設されていれば導電性異物の噛み込みに対する回路短絡の防止効果が期待できる。また、この変形例の放熱面7aには、樹脂パッケージ3の樹脂からなる突起12が複数個形成されている。突起12はパワー半導体モジュール300をヒートシンクHSに組み付ける際の接合部材9の厚みを管理するために設けられている。即ち突起12の高さによって接合部材9の厚みが規制され、実施の形態1で述べた粒子と同様の効果が得られる。このような構造によれば、突起12の高さによって接合部材9の厚みを管理することができるため、厚すぎて放熱性を損なったり、薄過ぎてパワー半導体モジュール300とヒートシンクHSとの間の絶縁性を損なったりすることを防止することができる。なお、突起12はパワー半導体モジュール300が取り付けられるヒートシンクHSの取り付け面側に設けてもよい。図8は、実施の形態2のパワー半導体モジュール200をヒートシンクHSへ取り付けた状態の変形例を示す断面図である。図8において、アルミニウム合金などの金属からなるヒートシンクHSの台座8の上面には、電気絶縁性を持たせるため、電気絶縁性の板材、又はシート材などの絶縁板13が接着剤やグリスなど図示せずを介して貼り付けられている。絶縁板13の上には、接合部材9を介して半導体モジュール200が取り付けられている。絶縁板13の材料としては、特に指定するものではないが熱伝導性の良好な電気絶縁材料が好ましいことからセラミックが望ましい。その中でも、特に熱伝導率の高い窒化ケイ素や窒化アルミニウムが望ましい。あるいはプラスチックからなるものであってもよい。また絶縁板13は硬直したものである必要はなく、フレキシブルなシート状やフィルム状であってもよい。この取り付け構造では接合部材9の厚みが薄くなりすぎたとしても、モジュールがヒートシンクHSと短絡する懸念がないため、厚みを管理する突起12などは不要である。このような構成によれば、ヒートシンクHSに絶縁皮膜を形成しなくても、パワー半導体モジュール200とヒートシンクとの間の絶縁を確実にすることができる。また、絶縁皮膜に対し比較的容易に厚みを持たせることができるため、絶縁性はより確実なものとなる。その他の実施の形態以上に述べた各実施の形態は、この発明の実施の形態の一例に過ぎず、発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更が加えられたり、実施の形態1及び2が組み合わせられたりしたものであっても良い。また、上述の各実施の形態は、パワー半導体素子としてMOSFET素子を用いたリレー回路であったが、別の回路機能を有するパワー半導体モジュールであってもよい。例えば、三相回転機のための三相ブリッジインバータ回路であっってもよく、インバータ回路の一部を構成するパワー半導体モジュールであってもよい。また、半導体素子としてはパワーMOSFET素子に限らず、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor素子などのパワー半導体素子であってもよい。また、モジュールに配設される素子はパワー半導体素子のみに限らず、ロジック系の半導体素子やチップ型のコンデンサ素子、抵抗素子も同時に配設され樹脂パッケージに埋設されていてもよい。また、以上の実施の形態で説明したパワー半導体モジュールは自動車用の回転電気機器に組み込まれて使用されるものとして好適である。以上の各実施の形態にかかるパワー半導体モジュールは、小型であるから自動車のように限られたスペースに搭載される回転電気機器の小型化に貢献できる。"