"光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させてなる光電気混載基板であって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と、このアンダークラッド層の表面に形成された光路用のコアと、このコアを被覆するオーバークラッド層と、このオーバークラッド層の表面に形成された電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴とを備え、上記電気回路ユニットが、電気回路基板と、この電気回路基板上の所定部分に実装された光学素子と、上記嵌合穴に嵌合する突起部とを備え、上記光導波路ユニットの上記嵌合穴が、上記コアの端面に対して所定位置に位置決め形成され、上記電気回路ユニットの上記突起部が、上記光学素子に対して所定位置に位置決め形成され、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットの上記嵌合穴に、上記電気回路ユニットの上記突起部を嵌合させた状態でなされていることを特徴とする光電気混載基板。上記電気回路ユニットに、上記光導波路ユニットの端部が嵌合する凹部が形成され、その凹部内に、上記突起部が形成されている請求項1記載の光電気混載基板。光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させる請求項1記載の光電気混載基板の製法であって、上記光導波路ユニットの作製が、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、光路用のコアを形成する工程と、上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程とを備え、このオーバークラッド層を形成する工程において、上記コアの端面に対して位置決めされた所定位置に、電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴を形成することが行われ、上記電気回路ユニットの作製が、電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板上の所定部分に光学素子を実装する工程とを備え、上記電気回路基板を形成する工程において、上記光学素子の実装予定位置に対して位置決めされた所定位置に、上記嵌合穴に嵌合させる突起部を形成することが行われ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させ光電気混載基板にすることが、上記光導波路ユニットの上記嵌合穴に、上記電気回路ユニットの上記突起部を嵌合させることにより行われることを特徴とする光電気混載基板の製法。上記電気回路ユニットに、上記光導波路ユニットの端部が嵌合する凹部を形成し、その凹部内に、上記突起部を形成する請求項3記載の光電気混載基板の製法。しかしながら、上記特許文献1の調芯方法では、高精度な調芯が可能であるものの、手間と時間とを要し、量産性に欠ける。また、上記特許文献2の調芯方法では、孔部とピンとの嵌合という簡単な方法で位置合わせが可能であるものの、コネクタおよびピンそれぞれの作製の際の寸法誤差だけでなく、光導波路ユニットに対するコネクタの取り付け位置の位置ずれ,電気回路ユニットに対する位置決め用のピンの取り付け位置の位置ずれ等も生じるため、それら寸法誤差および位置ずれが累積することで、調芯精度が悪化する。そこで、調芯精度を高めようとすると、上記寸法誤差や位置ずれが発生しないよう、寸法精度の管理が必要となるため、コストが高くなるとともに、量産性に欠けたものとなる。本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯作業が不要であり、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法の提供をその目的とする。上記の目的を達成するため、本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させてなる光電気混載基板であって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と、このアンダークラッド層の表面に形成された光路用のコアと、このコアを被覆するオーバークラッド層と、このオーバークラッド層の表面に形成された電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴とを備え、上記電気回路ユニットが、電気回路基板と、この電気回路基板上の所定部分に実装された光学素子と、上記嵌合穴に嵌合する突起部とを備え、上記光導波路ユニットの上記嵌合穴が、上記コアの端面に対して所定位置に位置決め形成され、上記電気回路ユニットの上記突起部が、上記光学素子に対して所定位置に位置決め形成され、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットの上記嵌合穴に、上記電気回路ユニットの上記突起部を嵌合させた状態でなされている光電気混載基板を第1の要旨とする。また、本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させる上記光電気混載基板の製法であって、上記光導波路ユニットの作製が、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、光路用のコアを形成する工程と、上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程とを備え、このオーバークラッド層を形成する工程において、上記コアの端面に対して位置決めされた所定位置に、電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴を形成することが行われ、上記電気回路ユニットの作製が、電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板上の所定部分に光学素子を実装する工程とを備え、上記電気回路基板を形成する工程において、上記光学素子の実装予定位置に対して位置決めされた所定位置に、上記嵌合穴に嵌合させる突起部を形成することが行われ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させ光電気混載基板にすることが、上記光導波路ユニットの上記嵌合穴に、上記電気回路ユニットの上記突起部を嵌合させることにより行われる光電気混載基板の製法を第2の要旨とする。本発明の光電気混載基板は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを、結合させたものとなっている。上記光導波路ユニットでは、コアの端面と、電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴とが、互いに位置決めされた位置関係になっている。また、上記電気回路ユニットでは、光学素子と、上記光導波路ユニットの嵌合穴に嵌合する突起部とが、互いに位置決めされた位置関係になっている。そのため、上記光導波路ユニットの嵌合穴に、上記電気回路ユニットの突起部が嵌合した状態、すなわち、光導波路ユニットと電気回路ユニットとが結合した状態では、光導波路ユニットのコアと、電気回路ユニットの光学素子とが、自動的に調芯された状態になる。しかも、上記光導波路ユニットの嵌合穴は、その光導波路ユニットを構成するオーバークラッド層の表面に形成されたものであり、上記電気回路ユニットの突起部は、その電気回路ユニットに形成されたものであることから、上記嵌合穴と上記突起部との嵌合に、コネクタ等の他の部品は設けられていない。そのため、光導波路ユニットと電気回路ユニットとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積がなく、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯は、高精度になっている。本発明の光電気混載基板は、以上のように、上記光導波路ユニットの嵌合穴と上記電気回路ユニットの突起部とを嵌合するという簡単な作業により、コアと光学素子とが自動的に高精度に調芯される構造となっていることから、手間と時間とを要する調芯作業が不要であるため、量産性に優れている。また、上記嵌合穴と上記突起部との嵌合に、コネクタ等の他の部品が不要であることから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要であるため、この点からも、量産性に優れている。特に、上記電気回路ユニットに、上記光導波路ユニットの端部が嵌合する凹部が形成され、その凹部内に、上記突起部に形成されている場合には、上記光導波路ユニットの端部を、上記電気回路ユニットの上記凹部に嵌合させることにより、上記電気回路ユニットに対する上記光導波路ユニットの位置ずれが、より確実に防止されるため、コアと光学素子との調芯を、より確実に維持することができる。本発明の光電気混載基板の製法は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを、結合させることにより行われる。上記光導波路ユニットを作製する工程では、コアの端面に対して位置決めされた所定位置に、電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴を形成している。また、上記電気回路ユニットを作製する工程では、光学素子に対して位置決めされた所定位置に、上記光導波路ユニットの嵌合穴に嵌合させる突起部を形成している。そのため、上記光導波路ユニットの上記嵌合穴に、上記電気回路ユニットの上記突起部を嵌合させ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させると、光導波路ユニットのコアと、電気回路ユニットの光学素子とを、自動的に調芯することができる。しかも、上記光導波路ユニットの嵌合穴は、その光導波路ユニットを構成するオーバークラッド層の表面に形成され、上記電気回路ユニットの突起部は、その電気回路ユニットを構成する電気回路基板の一部に形成されることから、上記嵌合穴と上記突起部との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しない。そのため、光導波路ユニットと電気回路ユニットとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積が生じず、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯が、高精度になる。本発明の光電気混載基板の製法は、以上のように、上記光導波路ユニットの嵌合穴と上記電気回路ユニットの突起部とを嵌合するという簡単な作業により、コアと光学素子とが自動的に高精度に調芯されることから、手間と時間とを要する調芯作業が不要であるため、量産性に優れている。また、上記嵌合穴と上記突起部との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しないことから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要であるため、この点からも、量産性に優れている。特に、上記電気回路ユニットに、上記光導波路ユニットの端部が嵌合する凹部を形成し、その凹部内に、上記突起部を形成する場合には、上記光導波路ユニットの端部を、上記電気回路ユニットの上記凹部に嵌合させることにより、上記電気回路ユニットに対する上記光導波路ユニットの位置ずれを、より確実に防止することができる。つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。図1aは、本発明の光電気混載基板の一実施の形態を模式的に示す縦断面図であり、図1bは、その底面図図1aを矢印Bから見た矢視図である。この光電気混載基板は、電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴3aを有する光導波路ユニットWと、その嵌合穴3aに嵌合する突起部11aを有する電気回路ユニットEとを、個別に作製し、上記光導波路ユニットWの上記嵌合穴3aに、上記電気回路ユニットEの上記突起部11aを嵌合することにより、上記光導波路ユニットWと上記電気回路ユニットEとを結合して一体化したものとなっている。ここで、光導波路ユニットWにおいて、上記嵌合穴3aは、コア2の一端面傾斜面2aに対して所定位置両ユニットW,Eの結合時に光導波路ユニットWのコア2の一端面2aが電気回路ユニットEの光学素子10と対面するよう予め設定された位置に位置決め形成されている。また、上記電気回路ユニットEにおいて、上記嵌合穴3aに嵌合する上記突起部11aは、光学素子10に対して所定位置両ユニットW,Eの結合時に電気回路ユニットEの光学素子10が光導波路ユニットWのコア2の一端面2aと対面するよう予め設定された位置に位置決め形成されている。このため、上記光電気混載基板では、上記嵌合穴3aと上記突起部11aとの嵌合により、コア2の一端面2aと光学素子10とが、適正に位置決めされ、調芯された状態になっている。すなわち、コア2の一端面2aで光を反射して、コア2と光学素子10との間で光伝達が可能な状態になっている。図1aにおいて、一点鎖線Aは、光の伝達路を示しており、その光伝達が上記調芯により、損失なくなされていることを示している。より詳しく説明すると、上記光導波路ユニットWは、その縦断面図を図2aに、その底面図図2aを矢印Bから見た矢視図を図2bに示すように、アンダークラッド層1と、このアンダークラッド層1の表面に所定パターンの線状に形成された光路用のコア2と、このコア2を被覆した状態で上記アンダークラッド層1の表面に形成されたオーバークラッド層3とを備えている。また、光導波路ユニットWの一端縁図2a,bでは左端縁は、上記コア2の軸方向に対して45°傾斜した傾斜面に形成され、その傾斜面に位置するコア2の一端面2aが光反射面になっている。そして、上記オーバークラッド層3の表面に、コア2の一端面2aに対して所定位置に位置決めされた状態で、上記電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴3aが形成されている。この実施の形態では、その嵌合穴3aは、円柱状であり、コア2を挟んで対称な位置に2個形成されている。これら2個の嵌合穴3aは、上記コア2の一端面光反射面2aに対して所定位置に位置決め形成されている。一方、上記電気回路ユニットEは、その縦断面図を図3aに、その底面図図3aを矢印Bから見た矢視図を図3bに示すように、基板11と、この基板11の表面に形成された絶縁層12と、この絶縁層12の表面に形成された光学素子実装用パッド13aを含む電気回路13と、上記光学素子実装用パッド13aに実装された光学素子10とを備えている。また、電気回路ユニットEには、上記光学素子10の下方に対応する部分に、光路用の貫通孔15が形成されている。そして、この実施の形態では、上記基板11の一部分が、上記光導波路ユニットWの嵌合穴3a図2a,b参照に嵌合する突起部11aに形成され、その突起部11aを残して、周りの上記基板11の略四角形状の部分が、除去され、凹部11bに形成されている。その凹部11bは、上記光導波路ユニットWの一端部が嵌合可能に、その一端部に対応する形状に形成されている。また、上記突起部11aは、上記光学素子10に対して、所定位置に位置決め形成されている。さらに、上記突起部11aの形状は、この実施の形態では、円錐台状に形成されている。なお、上記絶縁層12の表面には、上記光学素子実装用パッド13aを含む電気回路13とともに、上記突起部11aを位置決め形成する際の目印アライメントマークとして利用される突起部位置決め用回路14が形成されている。この突起部位置決め用回路14は、上記突起部11aに対応する位置の裏面側に形成されている。さらに、これら光学素子実装用パッド13a,電気回路13,突起部位置決め用回路14の表面には、めっき層図示せずが形成されている。上記光学素子10は、この実施の形態では、フリップチップタイプの素子が用いられており、その発光部または受光部は、光学素子10の実装側の面図3aでは下面に形成されている。そして、上記光電気混載基板は、図1a,bに示すように、上記光導波路ユニットWの上記嵌合穴3aに、上記電気回路ユニットEの上記突起部11aが嵌合されている状態で、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとが結合され一体化されている。ここで、先に述べたように、光導波路ユニットWに形成された上記嵌合穴3aは、コア2の一端面2aに対して所定位置に位置決め形成されている。また、電気回路ユニットEに形成された突起部11aは、光学素子10に対して所定位置に位置決め形成されている。そのため、上記嵌合穴3aと突起部11aとの嵌合により、コア2の一端面2aと光学素子10とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になっている。さらに、この実施の形態では、電気回路ユニットEの上記突起部11aが円錐台状に形成されているため、上記嵌合穴3aの内径や上記突起部11aの外径に寸法収縮等が発生しても、上記嵌合穴3aと突起部11aとは、同軸的に嵌合し、その軸に直角な平面方向の、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの位置ずれが防止される。上記光電気混載基板は、下記の1~3の工程を経て製造される。1上記光導波路ユニットWを作製する工程図4a~e参照。2上記電気回路ユニットEを作製する工程図5a~f参照。3上記光導波路ユニットWを上記電気回路ユニットEに結合する工程。1光導波路ユニットWの作製工程上記1の光導波路ユニットWの作製工程について説明する。まず、アンダークラッド層1を形成する際に用いる平板状の基台20図4a参照を準備する。この基台20の形成材料としては、例えば、ガラス,石英,シリコン,樹脂,金属等があげられる。なかでも、ステンレス製基板が好ましい。ステンレス製基板は、熱に対する伸縮耐性に優れ、上記光導波路装置の製造過程において、様々な寸法が設計値に略維持されるからである。また、基台20の厚みは、例えば、20μm~1mmの範囲内に設定される。ついで、図4aに横断面図で示すように、上記基台20の表面の所定領域に、フォトリソグラフィ法により、アンダークラッド層1を形成する。このアンダークラッド層1の形成材料としては、感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が用いられる。アンダークラッド層1の厚みは、例えば、5~50μmの範囲内に設定される。つぎに、図4bに横断面図で示すように、上記アンダークラッド層1の表面に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア2およびアライメントマーク図示せずを同時に形成する。すなわち、上記コア2とアライメントマークとは、互いに位置決めされた位置関係になっている。上記コア2およびアライメントマークの形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層1およびオーバークラッド層3図4c参照の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。コアの数は、1本でも複数本でもよい図4bでは1本。コア2のパターンは、例えば、直線状,分岐状,交差状等があげられ、それらが混在していてもよい図4bでは直線状。コア2の厚みは、例えば、20~100μmの範囲内に設定される。コア2の幅は、例えば、20~100μmの範囲内に設定される。そして、図4cに横断面図で示すように、上記コア2を被覆するよう、上記アンダークラッド層1の表面に、フォトリソグラフィ法により、前記嵌合穴3aが形成されたオーバークラッド層3を形成する。すなわち、このオーバークラッド層3の形成に用いるフォトマスクは、そのフォトマスクを上記コア2の形成工程で形成されたアライメントマークを基準に位置決めした際に、上記嵌合穴3aに形成される部分が未露光となるようなパターンに形成されている。上記オーバークラッド層3の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられる。上記オーバークラッド層3の厚みアンダークラッド層1の表面からの厚みは、例えば、コア2の厚みを上回り1000μm以下の範囲内に設定される。また、上記嵌合穴3aの内径は、例えば、0.25~5.0mmの範囲内に設定される。ついで、図4dに縦断面図で示すように、上記アンダークラッド層1の裏面から基台20図4c参照を剥離する。その後、図4eに縦断面図で示すように、上記アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3からなる積層体の一端部分を、上記アライメントマークを基準とした所定位置で、回転刃による切削またはレーザ加工等により、コア2の軸方向に対して45°傾斜した傾斜面に形成する。これにより、アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3を備え、そのオーバークラッド層3の表面に電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴3aが形成された光導波路ユニットWを得る。この光導波路ユニットWの厚みは、例えば、30~1150μmの範囲内に設定される。ここで、上記傾斜面に位置するコア2の一端面2aと上記オーバークラッド層3の嵌合穴3aとは、いずれも上記アライメントマークを基準とする所定位置に形成されたものであるため、互いに位置決めされた位置関係になっている。このようにして、上記1の光導波路ユニットWの作製工程が完了する。2電気回路ユニットEの作製工程つぎに、上記2の電気回路ユニットEの作製工程について説明する。まず、前記基板11図5a参照を準備する。この基板11の形成材料としては、例えば、金属等があげられる。なかでも、加工容易性および寸法安定性の観点から、ステンレス製基板が好ましい。また、上記基板11の厚みは、例えば、0.02~0.1mmの範囲内に設定される。ついで、図5aに縦断面図で示すように、上記基板11の表面の所定領域に、絶縁層12に形成する。この絶縁層12の形成は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の、絶縁層形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理して乾燥させ、絶縁層形成用の感光性樹脂層を形成する。そして、その感光性樹脂層を、フォトマスクを介して紫外線等の照射線により露光することにより、所定形状の絶縁層12に形成する。絶縁層12の厚みは、例えば、5~15μmの範囲内に設定される。つぎに、図5bに縦断面図で示すように、上記絶縁層12の表面に、光学素子実装用パッド13aを含む電気回路13と、突起部位置決め用回路14とを、同時に形成し、電気回路基板を作製する。これら電気回路13等の形成は、例えば、セミアディティブ法により行われる。すなわち、まず、上記絶縁層12の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により金属層厚み60~260nm程度を形成する。この金属層は、後の電解めっきを行う際のシード層電解めっき層形成の素地となる層となる。ついで、上記基板11,絶縁層12およびシード層からなる積層体の両面に、感光性レジストをラミネートした後、上記シード層が形成されている側の感光性レジストに、フォトリソグラフィ法により上記電気回路13等のパターンの孔部を同時に形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、電解めっき層厚み5~20μm程度を積層形成する。そして、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層部分をソフトエッチングにより除去し、残存した電解めっき層とその下のシード層とからなる積層部分を上記電気回路13等に形成する。このようにして、上記基板11,絶縁層12、光学素子実装用パッド13aを含む電気回路13,および突起部位置決め用回路14からなる電気回路基板を得る。そして、その電気回路基板の裏面側基板11側に、感光性レジストをラミネートした後、その電気回路基板を露光機にセットし、表面側電気回路13側と裏面側とをカメラで撮影し、その画像を基に、上記表面側の突起部位置決め用回路14を目印アライメントマークとして、その突起部位置決め用回路14を基準とする所定の位置に、上記裏面側における突起部形成予定部上記突起部位置決め用回路14に対応する部分およびその周りの前記凹部{光導波路ユニットW図1a,b参照の一端部が嵌合する凹部}形成予定部の位置を適正に位置決めする。ついで、上記突起部位置決め用回路14を基準としたフォトリソグラフィ法により、上記凹部形成予定部に対応する感光性レジストの部分を除去し、その除去部分の底に上記基板11の表面部分を露呈させる。つぎに、図5cに縦断面図で示すように、その露呈した基板11の部分を、塩化第2鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記基板11の部分に、上記凹部11bと上記突起部11aとを形成する。これら凹部11bおよび突起部11aは、上記セミアディティブ法により光学素子実装用パッド13aと同時に形成した突起部位置決め用回路14を基準に形成されているため、上記凹部11bおよび突起部11aは、上記光学素子実装用パッド13aに対して所定位置に位置決め形成される。また、上記突起部11aの高さは、上記基板11の厚みと同等であり、その外径は、それが嵌合する前記嵌合穴3a図1a参照の内径と同等ないしそれよりも僅かに大きく設定される。ついで、図5dに縦断面図で示すように、上記光学素子実装用パッド13aの中央部分に対応する上記電気回路基板絶縁層12の部分に、光路用の貫通孔15を、レーザ加工等により形成する。つぎに、電解めっき処理を施すことにより、図5eに縦断面図で示すように、上記光学素子実装用パッド13aを含む電気回路13,および突起部位置決め用回路14の表面に、めっき層16を形成する。その後、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。なお、上記めっき層16の成分としては、金,ニッケル等があげられる。また、そのめっき層16の厚みは、通常、0.2~0.5μmの範囲内に設定される。そして、図5fに縦断面図で示すように、光学素子実装用パッド13aの表面に、上記めっき層16を介して、上記光学素子10を実装する。その後、必要に応じて、上記光学素子10およびその周辺部を、樹脂封止図示せずする。これにより、上記突起部11aを有する電気回路ユニットEを得る。ここで、先に述べたように、図5cの工程で形成された凹部11bおよび突起部11aが、上記光学素子実装用パッド13aに対して所定位置に位置決め形成されているため、その光学素子実装用パッド13aに実装した光学素子10と上記凹部11bおよび突起部11aとは、互いに位置決めされた位置関係になっている。このようにして、上記2の電気回路ユニットEの作製工程が完了する。3光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合工程つぎに、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合工程について説明する。この結合は、上記電気回路ユニットEの凹部11bに、上記光導波路ユニットWの一端部を嵌合させるとともに、上記凹部11b内の突起部11aを、上記光導波路ユニットWの嵌合穴3aに嵌合させ、上記光導波路ユニットWと上記電気回路ユニットEとを一体化する図1a,b参照。その後、必要に応じて、上記光導波路ユニットWと上記電気回路ユニットEとを接着剤または粘着テープ等により固定してもよい。このようにして、上記3の光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合工程が完了し、目的とする光電気混載基板が完成する。ここで、先に述べたように、上記光導波路ユニットWでは、コア2の一端面2aと電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴3aとが互いに位置決めされた位置関係になっている。また、上記光学素子10が実装された電気回路ユニットEでは、光学素子10と上記嵌合穴3aに嵌合する突起部11aとが互いに位置決めされた位置関係になっている。そのため、上記のように、上記嵌合穴3aに上記突起部11aを嵌合させて、上記光電気混載基板を作製すると、コア2の一端面2aと光学素子10とが、自動的に調芯される。その結果、上記光電気混載基板を作製には、手間と時間とを要する調芯作業が不要となる。すなわち、上記光電気混載基板は、量産性に優れたものとなっている。さらに、この実施の形態では、電気回路ユニットEに、光導波路ユニットWの一端部が嵌合する凹部11bが形成されているため、その凹部11bに光導波路ユニットWの一端部が嵌合することにより、上記電気回路ユニットEに対する上記光導波路ユニットWの位置ずれが、より確実に防止され、コア2と光学素子10との調芯を、より確実に維持することができる。しかも、上記光導波路ユニットWの嵌合穴3aは、その光導波路ユニットWを構成するオーバークラッド層3の表面に形成されたものである。また、上記電気回路ユニットEの突起部11aは、その電気回路ユニットEを構成する基板11の一部分から形成されたものである。すなわち、上記嵌合穴3aと上記突起部11aとの嵌合に、コネクタ等の他の部品は設けられていない。そのため、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積がなく、光導波路ユニットWのコア2と電気回路ユニットEの光学素子10との調芯は、高精度になっている。また、上記嵌合穴3aと上記突起部11aとの嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しないことから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要となっており、この点からも、量産性に優れている。なお、上記実施の形態では、電気回路ユニットEの基板11の所定範囲を除去することにより、光導波路ユニットWの一端部が嵌合する凹部11bを形成したが、上記突起部11aが形成されていれば、その凹部11bは形成しなくてもよい。すなわち、光導波路ユニットWの一端部よりも広い範囲の上記基板11の部分を除去してもよい。このようにしても、電気回路ユニットEの上記突起部11aを、光導波路ユニットWの嵌合穴3aに嵌合することにより、コア2の一端面2aと光学素子10とを、自動的に調芯することができる。また、上記実施の形態では、光電気混載基板の一端部について説明したが、他端部においても、上記実施の形態と同様の構成としてもよい。この場合は、上記光学素子10として、例えば、一端部側に発光素子、他端部側に受光素子を実装することにより、その発光素子からの光を、コア2を介して、上記受光素子で受光するようにすることができる。さらに、上記実施の形態では、電気回路ユニットEの作製工程において、光学素子実装用パッド13a,電気回路13,突起部位置決め用回路14の表面に、めっき層16を形成したが、このめっき層16は、必要に応じて形成され、不要な場合は、形成しなくてもよい。つぎに、実施例について説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。アンダークラッド層,オーバークラッド層の形成材料成分A固形エポキシ樹脂:芳香環骨格を含むエポキシ樹脂三菱化学社製、エピコート100270重量部。成分B固形エポキシ樹脂:脂環骨格を含むエポキシ樹脂ダイセル化学工業社製、EHPE315030重量部。成分C光酸発生剤:トリアリールスルホチニウム塩の50プロピオンカーボネイト溶液サンアプロ社製、CPI-200K2重量部。これら成分A~Cを乳酸エチル武蔵野化学研究所社製55重量部に撹拌溶解温度80°C、撹拌250rpm×3時間させ、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度は、デジタル粘度計ブルックフィールド社製、HBDV-ICPで測定すると、1320mPasであった。コアの形成材料成分D:O-クレゾールノボラックグリシジルエーテル新日鐡化学社製、YDCN-700-10100重量部。この成分Dと上記成分C1重量部とを乳酸エチル武蔵野化学研究所社製60重量部に撹拌溶解温度80°C、撹拌250rpm×3時間させ、コアの形成材料感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度は、上記デジタル粘度計で測定すると、1900mPasであった。実施例1光導波路ユニットの作製上記アンダークラッド層,コア,オーバークラッド層の各形成材料を用い、上記実施の形態と同様にして、電気回路ユニット位置決め用の円柱状の嵌合穴を有する光導波路ユニットを作製した。アンダークラッド層の厚みは25μm、コアの厚みは50μm、オーバークラッド層の厚みアンダークラッド層の表面からの厚みは75μmとした。上記嵌合穴の寸法は、内径を2.0mm、深さを75μmとした。電気回路ユニットの作製上記実施の形態と同様にして、ステンレス製基板厚み55μm,絶縁層厚み10μm,めっき層が形成された電気回路および突起部位置決め用回路めっき層を含む厚み12.5μm,上記光導波路ユニットの一端部が嵌合する四角形状の凹部,ならびに上記電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴に嵌合する円錐台状の突起部を有する電気回路ユニットを作製した。上記突起部の寸法は、底面大径部分の直径を2.0mm、頂面小径部分の直径を1.6mm、高さを55μmとした。なお、光学素子として、フリップチップタイプの発光素子ULMPhotonics社製、ULM850-10-TT-C0104Uを実装した。また、その光学素子を実装した後、その光学素子を透明樹脂日東電工社製、LED封止用樹脂NT-8038によりアンダーフィル封止した。光電気混載基板の製造上記光導波路ユニットの嵌合穴に、上記電気回路ユニットの突起部を嵌合させ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを一体化した。その後、その両者を接着剤で固定した。光伝播試験上記実施例1の光電気混載基板の発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させた。そして、光電気混載基板のコアの他端部から光が出射されることを確認した。実施例2光導波路ユニットの作製上記実施例1の光導波路ユニットにおいて、他端部にも、一端部と同様に、電気回路ユニット位置決め用の嵌合穴を有する光導波路ユニットを作製した。それ以外は、上記実施例1と同様にした。電気回路ユニットの作製上記実施例1と同様の電気回路ユニットを作製した。さらに、上記実施例1の電気回路ユニットにおいて、発光素子に代えて、フリップチップタイプの受光素子Albis社製、PDCA04-70-GSを実装したものを作製した。光電気混載基板の製造上記実施例1と同様にして、光導波路ユニットの一端部に、上記発光素子が実装された電気回路ユニットを固定し、他端部に、上記受光素子が実装された電気回路ユニットを固定した。信号伝送試験上記実施例2の光電気混載基板の発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させた。そして、その光が受光素子で受光されていることを確認した。上記実施例1,2の結果から、上記製法では、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子発光素子,受光素子との調芯作業をしなくても、得られた光電気混載基板は、適正に光伝播することがわかる。なお、上記電気回路ユニットに上記凹部を形成しないものを作製し、上記と同様の試験を行った場合も、調芯作業をすることなく、適正に光伝播するという結果が得られた。"