銅Cuまたは銅合金からなる芯材、純度99質量以上のパラジウムPdからなる中間被覆層からなる表面被覆された線径が10~25μmのボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて、前記中間被覆層のボンディング接合の界面となる側の表面層上に上記パラジウムPdと純度99.9質量以上の金Auの熱成長によって形成され、かつ、該混在層のパラジウム表面が水素拡散処理された、走査電子顕微鏡観察による断面の平均厚さが5nm以下の混在層を有していることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記混在層断面の平均厚さが3nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記混在層断面の平均厚さが1nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記パラジウムPdが湿式メッキされた請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記混在層が強伸線加工された金AuおよびパラジウムPdが被覆された銅ワイヤに対して、ストランスキークラスタノフ成長を利用して、金Auの被覆層中にパラジウムPdを3次元成長させ、金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層を形成させるものである請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記混在層が強伸線加工された金AuおよびパラジウムPdが被覆された銅ワイヤに対して450°C~700°Cの水素含有不活性雰囲気下で行われたものである請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記金Auが室温でマグネトロンスパッタされたものである請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。中間被覆層が湿式メッキされたパラジウムPdである請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記芯材の銅Cuが純度99.999質量以上の銅Cuであることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記芯材の銅Cuが純度99.9999質量以上の銅Cuであることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記芯材の銅合金が01~500質量ppmリンPおよび残部銅Cuからなることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記芯材の銅合金が05~99質量ppmのジルコニウムZr、スズSn、バナジウムV、ホウ素BおよびチタンTiのうちの少なくとも1種を総量で05~99質量ppm含み、および残部が純度99.9質量以上の銅Cuからなることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記芯材の銅合金が05~99質量ppmのジルコニウムZr、スズSn、バナジウムV、ホウ素BおよびチタンTiのうちの少なくとも1種を総量で05~99質量ppm、と01~500質量ppmリンPとを含み、および残部が純度99.9質量以上の銅Cuからなることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。上記芯材の銅合金が05~99質量ppmのジルコニウムZr、スズSn、バナジウムV、ホウ素BおよびチタンTiのうちの少なくとも1種を総量で05~99質量ppm、と1~80質量ppmリンPとを含み、および残部が純度99.9質量以上の銅Cuからなることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。パラジウム被覆銅ワイヤそのものは、従来より知られているが、主として酸化されやすい銅芯材の酸化防止やパラジウム被覆リードフレームに対するウエッジボンディングを行うものに用いられるものであって、単に、このようなパラジウム被覆層を設けても溶融ボール形成時に芯材の銅中に取り込まれて肝心のボール表面層に必要な濃度のパラジウムが分散したものとはならなかった。一般にこれらのパラジウム被覆層は、素材のパラジウムが高価であるため、比較的薄く、銅Cuの芯材に対して高価なパラジウムPd被覆層の占める割合は、20分の1以下と少ないので、銅Cuボールの形成と同時にパラジウムPdが銅Cu中に拡散してしまい、溶融ボールの外側にパラジウムPdを均一微細に分散させるに至らない。また、特許文献4記載のパラジウム被覆銅ワイヤはパラジウム被覆リードフレームとのウエッジ接合を行うためのワイヤであるが、パラジウム被覆層の表面に3~80nmの厚さを有する金とパラジウムとを含む合金層を形成することが行われている。しかしながら、このようにパラジウムの合金化を行ってもやはり、芯材の銅に拡散してしまい、溶融ボール表面のパラジウム分散層を形成することはできなかった。本発明者らは、芯材の銅Cuよりも融点の低い金Auを芯材の銅Cuの外側に配置し、金Auを誘い水として芯材の銅Cuを先に溶融し、銅Cuよりも融点の高いパラジウムPdを後から溶融することによって溶融ボールの外側にパラジウムPdを均一微細に分散させることができる構造にしようとするものである。このため、パラジウムPd上に金Auの被覆層を形成した後、中程度の熱処理を施して金AuとパラジウムPdを合金化することなく、いわゆるストランスキークラスタノフ成長を利用して、金Auの被覆層中にパラジウムPdを3次元成長させ、金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層を形成させるものである。このストランスキークロスタノフ型の成長により形成される組織は、極めて薄い金属層で発生し、下地金属から成長したアイランド構造を形成して表面層の平坦性を損なうことで知られている特許文献5が、本発明の構成においてこのストランスキークラスタノフ成長により形成される組織は、パラジウム被覆層上に形成される金層が極めて薄く、厚さ数nm以下の金層中でパラジウムが3次元成長して形成され、微細なパラジウム相と金相とが混在する構造となる。金AuとパラジウムPdは、本来すべての割合で完全に混ざり合い、結晶格子が約4.9だけわずかに食い違うだけなので、金Au/パラジウムPd二層の密着性は良く、金Au層が極薄の場合にはストランスキークラスタノフ成長を利用して金Au層表面にパラジウムPd下地層を析出させることができる。ところで、この金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層は不安定であり、金AuとパラジウムPdの純度が高くなればなるほど合金化しやすくなる。そこで、本発明者らは、この金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層を安定化させるため、高温で水素ガスをパラジウムPd表面に接触させてパラジウムPd中に水素原子を吸収させ、この混在層をより安定化させることにした。熱処理後、急冷する水溶液にエタノール等のアルコールを混入しておくと、アルコールが熱分解した水素原子を急冷されたパラジウムPd表層が取り込むので、更に好ましい。本発明者らは、連続伸線後の最終熱処理を適当に調整することによって、上記のストランスキークラスタノフ成長を利用する熱処理と銅Cuボンディングワイヤの伸び引張り強度を調質する最終アニールとを併せて行うことにし、短時間の最終熱処理に続いてそのままワイヤを液冷することによって、より安定化した金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層の構造を確実に保持することにした。さらに、本発明者らは、連続伸線後の最終熱処理を適当に調整することによって、上記のストランスキークラスタノフ成長を利用する熱処理とパラジウムPd中に水素原子を吸収させる高温処理と銅Cuボンディングワイヤの伸び引張り強度を調質する最終アニールとをまとめて行うことにし、短時間最終熱処理に続いてそのままワイヤを液冷することによって、より安定化した金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層の構造を確実に保持することにした。本発明は、上記の課題を解決することを目的とし、具体的には以下の構成を特徴とする。1本発明のボールボンディング用被覆銅ワイヤは、銅Cuまたは銅合金からなる芯材、パラジウムPdからなる中間被覆層からなる表面被覆された線径が10~25μmのボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて、前記中間被覆層は純度99質量以上のパラジウムPdであり、さらに該中間層上に金Auの最上層を形成してその該中間被覆層の芯材とは反対側の接合界面上に前記パラジウムPdと純度99.9質量以上の金Auが熱成長によって入り乱れた、走査電子顕微鏡観察による断面の平均厚さが5nm以下の混在層を有し、かつ、この混在層のパラジウム表面が水素拡散処理されていることを特徴とする。本発明のボールボンディング用被覆銅ワイヤの具体的な態様は、次のとおりである。2上記混在層断面の平均厚さが3nm以下である上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。3上記混在層断面の平均厚さが1nm以下である上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。4上記パラジウムPdが湿式メッキされた上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。5上記混在層が強伸線加工された金AuおよびパラジウムPdが被覆された銅ワイヤに対して、ストランスキークラスタノフ成長により、金Auの被覆層中にパラジウムPdを3次元成長させ、金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層を形成させた上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。6上記混在層が強伸線加工された金AuおよびパラジウムPdが被覆された銅ワイヤに対して450°C~700°Cの水素含有不活性雰囲気下で行われた上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。7上記金Auが室温でマグネトロンスパッタされた上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。8中間被覆層が湿式メッキされたパラジウムPdである上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。9上記芯材の銅Cuが純度99.999質量以上の銅Cuである上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。10上記芯材の銅Cuが純度99.9999質量以上の銅Cuである上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。11上記芯材の銅合金が01~500質量ppmリンPおよび残部銅Cuからなる上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。12上記芯材の銅合金が0.5~99質量ppmのジルコニウムZr、スズSn、バナジウムV、ホウ素BおよびチタンTiのうちの少なくとも1種を総量で05~99質量ppm含み、および残部が純度99.9質量以上の銅Cuからなる上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。13上記芯材の銅合金が0.5~99質量ppmのジルコニウムZr、スズSn、バナジウムV、ホウ素BおよびチタンTiのうちの少なくとも1種を総量で05~99質量ppm、と0.1~500質量ppmリンPとを含み、および残部が純度99.9質量以上の銅Cuからなる上記1に記載のボールボンディング用被覆銅ワイヤ。本発明によれば、第一ボンドの溶融ボール形成時に、まず溶けやすい金Auを誘い水にして芯材の銅Cuを溶融させ、次いで銅Cuに接しているパラジウムPdが溶融し、最後に水素原子を吸蔵した表面のパラジウムPdが溶融するようにしたので、パッド上のアルミニウムAl界面と相接する溶融ボールの表面にパラジウムPdを均一微細に分散させることができた。また、本発明は、純度99.9質量以上の金Auの膜厚と最終熱処理を適当に調整することによって、金AuとパラジウムPdの合金層ではなく、金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層を形成することができた。さらに、最終熱処理中に水素ガスを導入することにより、金Au表面層に顔を出したパラジウムPdと水素分子を反応させ、水素原子をパラジウムPd内に吸収させて、金AuとパラジウムPdが入り乱れた混在層をより確実に安定化させることができた。本発明のワイヤ構造では、第一ボンドの溶融ボール形成時に、先ずストランスキークラスタノフ構造の最表層中で最も融点の低い1064°C金Aが溶融を始め、同じ層中に混在するパラジウムを伴って流動し、中間層のパラジウム層からワイヤ端面に至って露出した銅芯材の表面を覆う。銅Cuは、金Au、パラジウムPdよりも融点が高い1085°Cが、ワイヤ端面で溶融した金Auに直接接して速やかに溶融し、いわば溶融した金Auを誘い水として速やかに溶融して、ボールを形成する。ワイヤの構造中で最も融点の高い1555°CパラジウムPdは、先に銅が溶融する間その周囲に一旦は薄い鞘状に残るが、銅の溶融ボールが形成する間に溶融しながら銅ボール中に取り込まれて拡散して行き、一方、先に溶融した金Auに伴ってワイヤ端面に至った混在層のパラジウムは吸蔵した水素原子により安定化されて合金化することなく最後に溶融し、ボール表面近傍に偏析して高いパラジウムPd濃度を維持するものと考えられる。本発明のボンディングワイヤは、上記の構造を有するので、高温に長期間放置してもワイヤとパッドとのボンディング接合界面にアルミニウム酸化物等が発生することがなく、長期間の高温安定性に優れている。本発明の被覆銅ワイヤにおいて、超極薄の表面層の理論的な厚さの上限は10nmであり、この上限は8nmが好ましく、より好ましくは上限7nm以下である。ここで、理論的な厚さとは、このような超極薄の全表面層を直接測定することはきわめて困難であるため、連続伸線前の乾式メッキ時の表面層の厚さから比例計算で求めたものである。理論的な厚さを求めるときの比例定数は、ボンディングワイヤとしての連続伸線の終了後の線径を連続伸線の開始前のワイヤの直径で除した値である。実際の厚さは、高倍率の走査電子顕微鏡で直接観察することができるが、理論的な厚さで見てもナノオーダーであるため、およその平均膜厚しか得られない。薄ければ薄いほど、金AuとパラジウムPdのストランスキークラスタノフ成長がおきやすい。逆に厚くなり過ぎると、金AuとパラジウムPdの相互作用よりも金Au相互の相互作用が強くなってパラジウムPdが金Au表面から顔を出すことができなくなり、水素原子をパラジウムPd内に吸収させることができなくなる。超極薄の金Au表面層は、付きまわり性および中間被覆層との接合性の観点から、スパッタリング法によるコーティングがよい。スパッタリング法によりコーティングされた金Au等は純度99.9質量以上であっても気体分子の衝突によって硬質となり、付きまわり性がよい。金Au等の表面層は、冷間での連続伸線時に相対的にさらに硬質となるパラジウムPd析出物の微細な凹凸の接合界面内部まで入り込み、冷間伸線中にしっかり接合される。なお、スパッタリング法によりコーティングされた金Au等の超極薄の表面層は、線材の円周方向の断面形状で幾何学的に均一な円形の膜とはならないが、溶融ボール形成時の表面張力によって芯材の銅Cu中に速やかに吸収され、表面層の不均一さは解消され、真球状の溶融ボールが形成される。芯材の特に好ましい態様は、芯材が1~80質量ppmリンPを含有し、残部が純度99.999質量以上の銅Cuから構成されている。リンPは微量でも、銅ワイヤの再結晶温度を上昇させ、ワイヤ自体の強度を硬くする効果があるからである。ここで、純度99.999質量以上とは、リンPおよび銅Cu以外の金属の不純物元素が0.001質量未満であることをいい、銅Cu中に存在する酸素や窒素や炭素などのガス状元素を除いたものをいう。芯材に所定量のリンPが含まれると、第一ボンディングにおいて溶融した銅ボールが凝固していく過程で、銅Cuボールの脱酸素作用をする。銅Cuの純度99.999質量以上あれば、リンPは1質量ppm以上の範囲で脱酸素作用をし、80質量ppm以下の範囲であれば、伸線時に銅Cu芯材が加工硬化することはない。このリンPの脱酸素効果により、芯材の銅Cuに酸化していた部分があっても、溶融ボールの表面層近傍でリンPが濃縮することにより銅Cuの酸化を分断消去させることで、溶融ボール形成時に芯材の銅Cuが酸化していた部分の影響をないようにすることができる。中間層は、パラジウムPdから構成される。パラジウムPdの融点1554°Cは、銅Cuの融点又は微量元素を添加した銅合金の融点のいずれもよりも高い。このため芯材の銅Cuまたは銅合金が球状の溶融ボールを形成していく最初の段階では、パラジウムPdが薄皮となって溶融ボールの側面からの酸化を防止する。パラジウム中間層の純度は、溶融ボールの真球性にさほど影響を与えず、薄くても厚くても偏芯とならないが、連続伸線する上から純度99質量以上のパラジウムPdが必要である。中間層の厚さは適宜定まるが、パラジウムPd中間層が厚くなればなるほど銅Cuまたは銅合金の芯材の劣化が遅くなる傾向がある。パラジウムPd中間被覆層の形成方法には、乾式メッキや湿式メッキを利用することができる。乾式メッキにはスパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着等を利用することができる。不純物の混入を避ける観点からは乾式メッキが好ましいが、断面が均一な円環形状を得るには湿式メッキがよい。銅Cuは純度が高いので、その純度を維持するためパラジウムPdの電解メッキ浴もハロゲンイオンや硫酸イオンの含まないアンモニア性水溶液やシアン系水溶液のものが好ましい。また、高分子化合物や金属塩の光沢剤は溶融ボールの真球性に悪影響を与えるので、膜成分としては含まないのが好ましい。銅Cu等の芯材に電解メッキされた膜はその後の連続伸線によって強圧縮加工されるので、膜性状は膜成分ほど重要ではない。膜成分にイオウSが存在すると、溶融ボールの形成時に銅Cuに混入して溶融ボールを加工硬化させるおそれがあるからである。パラジウムPd電解メッキ浴としては、パラジウムp-ソルトPdNH32NO22、亜硝酸アンモニウムおよび硝酸カリウム、またはパラジウムp-ソルトPdNH32NO22、硝酸アンモニウムおよびアンモニア水の弱アルカリ性アンモニア性水溶液、PdNH32COO2およびNH42HPO4の中性アンモニア性水溶液米国特許第S4715935号などが利用できる。パラジウムp-ソルトを用いた浴では、PHが高いほど、析出物の粒径は大きくなる傾向にあった。パラジウムPdを乾式メッキする場合、スパッタ膜等の異常析出を防ぐため銅Cuの純度は99.99質量よりも99.999質量以上のものが好ましい。なお、溶融ボールの形成時に金Au表面極薄層が銅Cu芯材に溶け込むタイミングを調整するため、パラジウムPdメッキをする前にパラジウムPdや白金PtやニッケルNi等のストライクメッキ極薄メッキを施すこともできる。アーク放電による溶融ボールの形成において各被覆層中の金属の融点は非常に重要である。ボンディングワイヤの大部分は高純度の銅Cuの芯材が占めるので、銅Cuの融点約1085°Cが基準になる。芯材の高純度の銅Cuは、還元性雰囲気中でアーク放電によって完全な真球形状となることが知られている。また、パラジウムPdを被覆した高純度銅Cuの芯材も非酸化性雰囲気中でアーク放電によって真球形状となることが知られている。パラジウムPdの融点約1555°Cは銅Cuの融点約1085°Cよりも高いので、非酸化性雰囲気中で銅Cuが真球形状となるのに引きずられて真球形状となるものと考えられる。しかし、高純度の金Auのボンディングワイヤは雰囲気を問わずアーク放電により溶融ボールを形成すると真球状の溶融ボールが得られるにもかかわらず、高純度の金Auを高純度銅Cuの芯材に直接被覆したボンディングワイヤは、槍状になってしまい、真球形状のボールが得られない。金Auの融点約1064°Cは、銅Cuの融点約1085度よりも低いので、銅Cuが球状の溶融ボールを形成していく段階で、低融点の金Au表面層が銅Cuよりも早く早期に融解してワイヤ端面をすばやく包もうとするが、高融点のパラジウムPdが邪魔となる。その結果、低融点の金Auは銅Cu中への拡散が優先して、溶融銅Cuに吸収されていき、その後パラジウムPdが溶融していくものと考えられる。銅Cu中の微量添加元素は、溶融現象にほとんど影響しない。このように一般的なパラジウム被覆銅ワイヤにおいて、最表層の金Au層の厚さが溶融ボールの真球性に影響を及ぼすが、本発明においては前記したように先に溶融した金Auはワイヤ端面において銅Cuの融解を促進するが、本発明における金Au-パラジウムPd混在層は数nmのオーダーであって、金Auの量が微量であるためその影響は抑制され、溶融ボールの真球性に悪影響を及ぼすことはない。パラジウムPd中間層の湿式メッキは、レべリング剤や光沢剤などが含まれていないので、不規則な粒状に析出する傾向にある。また、その乾式メッキは高純度の銅Cuの芯材の結晶面に沿って層状に析出する傾向にある。いずれの場合もワイヤ断面は完全な円輪形状でないが、表面層の厚みが1nm以上あれば十分である。高純度の金Au等の表面層は、スパッタリングによる付きまわりだけでなく、スパッタリング中にワイヤを軸中心に回転させながら移動したり、スパッタリング中にワイヤを往復させて移動したり、ワイヤの両側からスパッタしたりして、高純度の金Auを中間被覆層上により均一な厚さで析出させることができる。高純度の金Au等の表面層は、展延性が良いので、ダイヤモンドダイスのダイス穴形状にしたがって最終線径まで連続伸線加工することができる。連続伸線加工中に金Au等の表面層と中間被覆層との界面の隙間は埋められ、パラジウムPd中間層の湿式メッキに異常析出等があっても機械的に表面層を突き破って析出するようなことはなく、ボンディングワイヤの表面は金Au等が全面的に被覆されている。連続伸線は冷却液中で行う湿式伸線が良い。最表層の被覆層が薄いため乾式伸線では強圧縮作用に伴う熱によって超極薄の表面層の金Auが銅Cuの芯材中へ拡散して消失してしまうおそれがあるからである。ダイヤモンドダイスと金Auとの摩擦抵抗を下げるため、市販の界面活性剤を添加した金属潤滑液を水やアルコール等の希釈液で希釈して使用するほか、エチルアルコール、メチルアルコールまたはイソプロピルアルコールだけを含有した水溶液などの溶液中で連続伸線するのが良い。以下、実施例について説明する。表1に記載の銅Cuインゴットから500μmの線径まで伸線加工した銅ワイヤを芯材とし、そのワイヤ表面に通常の方法でパラジウムPd中間層の電解メッキを2.0μm析出させた。このパラジウムPdメッキ浴は、中性のジニトロジアンミンパラジウム浴に10gW/lのリン酸塩を添加したものを使用し、得られたパラジウムPdの純度は99であった。次いで、室温で純度99.99質量の金Auをマグネトロンスパッタし、0.08μm析出させた。なお、メッキ厚はオージェ電子分光法AESで測定した。その後、この被覆銅ワイヤを最終径の17μmまでダイス伸線した。金Auの理論的膜厚は0.0027μmである。次いで、加工歪みを取り除き、伸び値が10程度になるように所定の最終熱処理を施した。最終熱処理条件は、5水素窒素雰囲気で700°Cの熱処理炉の長さ50cmを8m/秒で通過させ、10エタノール水溶液20°C中で冷却した。実施例1と同じ条件で製造した被覆銅ワイヤを5水素窒素雰囲気で600°Cの熱処理炉を5m/秒で通過させ、純水40°C中で冷却した。比較例1純度99質量の金Auを純金メッキ日本エレクトロプレーティングエンジニアーズ株式会社製のオートロネクスシリーズGVCS浴により0.0027μm理論的膜厚0.0027μm析出させ、窒素雰囲気で550°Cの熱処理炉を5m/秒で通過させた以外は、実施例1と同様にした。比較例2最終熱処理条件を、5水素窒素雰囲気で800°Cの熱処理炉を8m/秒で通過させた以外は、実施例2と同様にした。以上の実施例及び比較例のワイヤについて、製造条件を表2に示す。以上の実施例及び比較例の線材について、アルミ電極上にボンディング及びステッチ接合を行い、高温信頼性評価、接合強度性評価、軸上偏芯評価を行った。それらの接合条件、試験条件及び評価結果を次に示す。ボンディングワイヤの接続には、市販の自動ワイヤボンダKS社製の超音波熱圧着ワイヤボンダMAXμmUltraを使用しボールステッチ接合を行った。溶融ボールはMaxμmplusCopperKitを用いて、流量05で4体積水素と残部窒素からなる混合ガスを使用して、ガス雰囲気中でアーク放電によりワイヤ先端にボールを作製した。それをシリコン基板上の08μmアルミニウム電極膜に接合し、ワイヤ他端を4μmの銀メッキした200°Cのリードフレーム上にステッチ接合した。キャピラリーはSPT社製を使用し、溶融ボールに関するワイヤボンダの設定値は、EFOFireModeをBalSizeとし、FABSizeは実際の溶融ボール径がワイヤ径の2倍となるように調整した。圧着径はワイヤ径の25倍となるように、ボンディング時の接合条件を調整した。高温信頼性評価上記の条件でボンディングされ、1st接合部がアルミニウム電極膜に、2nd接合部が銀メッキしたリードフレームにボンディングしたサンプルを用いた。当該サンプルの1st接合部のパッド形状は角90μmから成り、100μmピッチで配置されている。また、隣接する1st接合部は一部電気的に通電するように回路設計されている。ボンディング後はハロゲンが含まれる市販の封止樹脂で樹脂モールドした後、余分なタイバー等を切断し、その後温度175°Cで2時間キュアし、最終的に温度220°Cの高温加熱炉で任意の時間放置した。電気抵抗は、KEITHLEY社製の製品名ソースメーター型式2004を用い、専用のICソケットおよび専用に構築した自動測定システムでおこなった。測定方法はいわゆる直流四端子法で測定している。測定用プローブから隣接する外部リード間ICチップ上のパッドが短絡した対を選択に一定電流を流し、プローブ間の電圧が測定される。電気抵抗は外部リード100対200ピンについて、放置前と放置後に電気抵抗測定を行い電気抵抗の上昇率が20以上となるものを不良とした。良否判定は各サンプルの不良率が50に達するまでの時間が長いものを良好とした。時間が200時間以上であれば実用上の大きな問題はないと判断して◎印、150時間以上200時間未満であれば○印、100時間以上~150時間未満である場合に△印、100時間未満である場合に×印で表記した。これらの結果を表3に示す。接合強度性評価接合強度性評価は、上記のアルミニウム電極膜は使用せずに、ワイヤ両端を4μmの銀メッキした200°Cのリードフレーム上にボールステッチ接合した。3920本のワイヤをボンディングし、不圧着回数が0~1本を◎、2~3本を○、4~20本を△、21本以上を×とした。これらの結果を表4に示す。軸上偏芯評価軸上偏芯評価は、KS社製の超音波熱圧着ワイヤボンダMAXμmUltraを使用しLoopParameterをFABModeとして連続的にFABを作成して評価を実施した。ボンディングは、厚み4μmの銀メッキした200°Cのリードフレーム上へ連続ボンディングし、アルミニウム電極膜は使用しなかった。なお、その他のワイヤボンディングに関する設定値は、上記のアルミニウム電極膜のダメージ評価と同様に行なった。判定は、接合前の溶融ボール形状を200個観察して、軸上偏芯と寸法精度が良好であるか等を判定した。ワイヤに対するボール位置の芯ずれが5nm以上ある個数を測定し、芯ずれが1個以下である場合は、ボール形成は良好であるため◎印、2~4個であれば実用上の大きな問題はないと判断して○印、5~9個である場合に△印、10個以上である場合に×印で表記した。これらの結果を表5に示す。以上の各表の評価結果から、実施例1と実施例2とは表2に示すように熱処理条件及び冷却条件に相違があり、混合層の厚さではほとんど差がないが、評価において若干低下する。これらに対して比較例1は混在層の厚さに差がないが、熱処理雰囲気中に水素添加を行っていないため好結果を得られていない。また、Au被覆方法がAuメッキであるため、湿式メッキと比べて膜の密着性緻密性が低く、局所的に不均一な膜厚が存在することや、添加剤やPH調整材などの不純物が多く含有されるため好結果が得られない。また、比較例2は熱処理温度が高すぎるため混在層の厚さが本発明範囲を大きく超えて肥大し、効果が得られていない。即ち、混在層の厚さが決定的であり、また水素添加効果が大きいことが解る。