n型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層の上に設けられたi型窒化物半導体層と、前記i型窒化物半導体層の上に設けられたp型窒化物半導体層とがpin接合されてなる光電変換素子であって、前記n型窒化物半導体層と前記i型窒化物半導体層との間に設けられ、構成元素の種類が前記i型窒化物半導体層とは同一である一方、構成元素の組成比が前記i型窒化物半導体層とは異なる介在層をさらに備え、前記介在層のIn組成比は、前記i型窒化物半導体層のIn組成比よりも低い光電変換素子。前記介在層は、バンドギャップエネルギーが互いに異なる複数の半導体層が積層されて構成されており、前記複数の半導体層は、前記i型窒化物半導体層から前記n型窒化物半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが高くなるように配置されている請求項1に記載の光電変換素子。前記i型窒化物半導体層は、AlxInyGaN0≦x≦1、0<y≦1、0<xy≦1からなり、前記介在層は、AlxInzGaN0≦x≦1、0<z≦1、0<xz≦1、0<z<yからなる単層である、または前記n型窒化物半導体層の上にAlxInznGaN層、AlxInzGaN層、、AlxInz2GaN層、およびAlxInz1GaN層0<zn<zn-1<<z2<z1<y、但しnは自然数であり、n≧4が順に積層された積層構造を有する請求項1または2に記載の光電変換素子。前記介在層は、膜厚が1nm以上5nm以下の単層である、または膜厚が1nm以上5nm以下の層が積層された積層構造を有する請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記i型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に設けられ、構成元素の種類が前記i型窒化物半導体層とは同一である一方、構成元素の組成比が前記i型窒化物半導体層とは異なる第2の介在層を備え、前記第2の介在層のIn組成比は、前記i型窒化物半導体層のIn組成比よりも低い請求項1~4のいずれかに記載の光電変換素子。前記第2の介在層は、In組成比が互いに異なる複数の第2の半導体層が積層されて構成されており、前記複数の第2の半導体層は、前記i型窒化物半導体層から前記p型窒化物半導体層へ向かうにつれてIn組成比が低くなるように配置されている請求項5に記載の光電変換素子。前記第2の介在層は、膜厚が1nm以上5nm以下の単層である、または膜厚が1nm以上5nm以下の層が積層された積層構造を有する請求項5または6に記載の光電変換素子。前記第2の介在層は、AlxInwGaN0≦x≦1、0≦w≦1、0<xw≦1からなる請求項5~7のいずれかに記載の光電変換素子。前記n型窒化物半導体層のAl組成比は、前記介在層のAl組成比よりも高く、前記n型窒化物半導体層のIn組成比は、前記介在層のIn組成比よりも低く、前記n型窒化物半導体層の絶対屈折率値は、前記介在層の絶対屈折率値よりも小さい請求項1~8のいずれかに記載の光電変換素子。前記p型窒化物半導体層のAl組成比は、前記第2の介在層のAl組成比よりも高く、前記p型窒化物半導体層のIn組成比は、前記第2の介在層のIn組成比よりも低く、前記p型窒化物半導体層の絶対屈折率値は、前記第2の介在層の絶対屈折率値よりも小さく、前記p型窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーは、前記第2の介在層のバンドギャップエネルギーよりも大きい請求項5~8のいずれかに記載の光電変換素子。前記p型窒化物半導体層の上面上には、透明導電膜が設けられており、前記透明導電膜は、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む単層である、または当該単層が積層された積層構造を有し、2.3よりも小さな絶対屈折率値を有し、250nm以上500nm以下の膜厚を有する請求項1~10のいずれかに記載の光電変換素子。前記n型窒化物半導体層、前記i型窒化物半導体層、および前記p型窒化物半導体層は、この順で基板の上面上に結晶成長され、前記基板は、AlpInqGaN0≦p≦1、0≦q≦1、0<pq≦1、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、およびZrB2のいずれかからなる請求項1~11のいずれかに記載の光電変換素子。前記基板の下面上には、光反射層が設けられており、前記光反射層は、Agからなる単層であり、10nm以上1000nm以下の膜厚を有する請求項12に記載の光電変換素子。光電変換素子は、格子定数が異なる複数の層から構成されている。そのため、それぞれの層の界面に格子欠陥が形成されること、および/または格子定数の差に起因して層に圧縮応力または引っ張り応力が発生することなどの理由から、圧電電界が発生する。圧電電界の発生により内部電界が減少するため、光電変換素子として活用したときには短絡電流が小さくなるおそれがあった。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フォトキャリアの発生量そのものを増加させることにより短絡電流が大きく光電変換効率が高い光電変換素子を提供することにある。本発明に係る光電変換素子は、n型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層の上に設けられたi型窒化物半導体層と、i型窒化物半導体層の上に設けられたp型窒化物半導体層とがpin接合されてなる。この光電変換素子は、n型窒化物半導体層とi型窒化物半導体層との間に設けられ、構成元素の種類がi型窒化物半導体層とは同一である一方、構成元素の組成比がi型窒化物半導体層とは異なる介在層をさらに備えている。介在層のIn組成比は、i型窒化物半導体層のIn組成比よりも低い。介在層は、バンドギャップエネルギーが互いに異なる複数の半導体層が積層されて構成されていても良い。このとき、複数の半導体層は、i型窒化物半導体層からn型窒化物半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが高くなるように配置されていれば良い。i型窒化物半導体層がAlxInyGaN0≦x≦1、0<y≦1、0<xy≦1からなるとき、介在層は、AlxInzGaN0≦x≦1、0<z≦1、0<xz≦1、0<z<yからなる単層であっても良いし、n型窒化物半導体層の上にAlxInznGaN層、AlxInzGaN層、、AlxInz2GaN層、およびAlxInz1GaN層0<zn<zn-1<<z2<z1<y、但しnは自然数であり、n≧4が順に積層された積層構造を有しても良い。介在層は、膜厚が1nm以上5nm以下の単層であっても良いし、膜厚が1nm以上5nm以下の層が積層された積層構造を有しても良い。本発明に係る光電変換素子は、i型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に設けられ、構成元素の種類がi型窒化物半導体層とは同一である一方、構成元素の組成比がi型窒化物半導体層とは異なる第2の介在層を備えていることが好ましい。このとき、第2の介在層のIn組成比は、i型窒化物半導体層のIn組成比よりも低いことが好ましい。第2の介在層は、In組成比が互いに異なる複数の第2の半導体層が積層されて構成されていることが好ましい。複数の第2の半導体層は、i型窒化物半導体層からp型窒化物半導体層へ向かうにつれてIn組成比が低くなるように配置されていることが好ましい。第2の介在層は、膜厚が1nm以上5nm以下の単層であっても良いし、膜厚が1nm以上5nm以下の層が積層された積層構造を有しても良い。第2の介在層は、AlxInwGaN0≦x≦1、0≦w≦1、0<xw≦1からなれば良い。n型窒化物半導体層のAl組成比は介在層のAl組成比よりも高いことが好ましく、n型窒化物半導体層のIn組成比は介在層のIn組成比よりも低いことが好ましい。n型窒化物半導体層の絶対屈折率値は、介在層の絶対屈折率値よりも小さいことが好ましい。p型窒化物半導体層のAl組成比は第2の介在層のAl組成比よりも高いことが好ましく、p型窒化物半導体層のIn組成比は第2の介在層のIn組成比よりも低いことが好ましい。p型窒化物半導体層の絶対屈折率値は、第2の介在層の絶対屈折率値よりも小さいことが好ましい。p型窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーは、第2の介在層のバンドギャップエネルギーよりも大きいことが好ましい。p型窒化物半導体層の上面上には、透明導電膜が設けられていることが好ましい。透明導電膜は、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む単層であっても良いし、当該単層が積層された積層構造を有していても良い。また、透明導電膜は、2.3よりも小さな絶対屈折率値を有していれば良く、250nm以上500nm以下の膜厚を有していれば良い。n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層、およびp型窒化物半導体層は、この順で基板の上面上に結晶成長されていれば良い。基板は、AlpInqGaN0≦p≦1、0≦q≦1、0<pq≦1、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、およびZrB2のいずれかからなれば良い。基板の下面上には、光反射層が設けられていることが好ましい。光反射層は、Agからなる単層であれば良く、10nm以上1000nm以下の膜厚を有していれば良い。本発明に係る光電変換素子では、フォトキャリアの発生量そのものが増加するため、短絡電流が大きくなり、また光電変換効率が高くなる。以下、本発明の光電変換素子について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。さらに、本発明は、以下に示す事項に限定されない。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態に係る光電変換素子1の側面図である。図2は、本実施形態に係る光電変換素子1におけるエネルギーバンド図n側である。図3は、本実施形態に係る光電変換素子1に生じる応力および電界の向きを示す図である。図4は、i型窒化物半導体層の規格化されたPLスペクトルを示すグラフである。図5は、本実施形態に係る光電変換素子1におけるエネルギーバンド図p側である。なお、図2および図3では、第2の介在層19を図示していない。<光電変換素子の構成>本実施形態に係る光電変換素子1は、n型窒化物半導体層13とi型窒化物半導体層17とp型窒化物半導体層21とがpin接合されてなる。具体的には、図1に示すように、光電変換素子1では、基板11の上面上に、n型窒化物半導体層13、介在層15、i型窒化物半導体層17、第2の介在層19、p型窒化物半導体層21、および透明導電膜23がこの順に積層されており、基板11の下面上に光反射層25が設けられている。このような光電変換素子1では、光たとえば太陽光101がp型窒化物半導体層21側から入射され、この入射光101がi型窒化物半導体層17で吸収される。これにより、フォトキャリア電子および正孔が形成され、電子はn型窒化物半導体層13の伝導帯へ拡散し、正孔はp型窒化物半導体層21の価電子帯へ拡散する。<基板>基板11は、その材料に特に限定されないが、たとえば、AlpInqGaN0≦p≦1、0≦q≦1、0<pq≦1、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、およびZrB2のいずれかからなれば良く、好ましくはAlpInqGaNからなることである。基板11は、その膜厚に特に限定されないが、たとえば0.3mm以上0.5mm以下の膜厚を有していれば良い。<n型窒化物半導体層>n型窒化物半導体層13は、i型窒化物半導体層17および介在層15のそれぞれよりも大きなバンドギャップエネルギーを有していれば良く、その材料に特に限定されない。n型窒化物半導体層13は、たとえばSi、P、As、またはSbなどのn型不純物がAlsIntGaN0≦s≦1、0≦t≦1、0<st≦1層にドーピングされた層であれば良く、好ましくはSiがGaN層にドーピングされた層である。n型窒化物半導体層13におけるn型不純物濃度は、特に限定されないが、1×1018cm3以上1×1020cm3以下であれば良い。<i型窒化物半導体層>i型窒化物半導体層17は、光電変換素子1に入射された光入射光101を吸収してフォトキャリア電子および正孔を発生させる。このようなi型窒化物半導体層17は、介在層15およびn型窒化物半導体層13のそれぞれよりも小さなバンドギャップエネルギーを有していれば良く、その材料に特に限定されない。i型窒化物半導体層17は、AlxInyGaN0≦x≦1、0≦y≦1、0<xy≦1層からなる単層であっても良いし、AlxInyGaN層を発光層とするMQW多重量子井戸構造であっても良いし、AlxInyGaN層を発光層とするSQW単一量子井戸構造であっても良い。i型窒化物半導体層17の膜厚は、特に限定されない。しかし、この膜厚が大きすぎると、n型窒化物半導体層13とp型窒化物半導体層21とで作られる内部電界がi型窒化物半導体層17に十分に印加されない場合がある。そのため、i型窒化物半導体層17の膜厚は、たとえば400nm以下が好ましい。<p型窒化物半導体層>p型窒化物半導体層21は、i型窒化物半導体層17よりも第2の介在層19よりも大きなバンドギャップエネルギーを有していれば良く、その材料に特に限定されない。p型窒化物半導体層21は、たとえばBeまたはMgなどのp型不純物がAluInvGaN0≦u≦1、0≦v≦1、0<uv≦1層にドーピングされた層であれば良く、好ましくはMgがGaN層にドーピングされた層である。p型窒化物半導体層21におけるp型不純物濃度は、特に限定されないが、たとえば1×1017cm3以上1×1019cm3以下であれば良い。<介在層>介在層15は、構成元素の種類がi型窒化物半導体層17と同一である一方、構成元素の組成比がi型窒化物半導体層17とは異なるように構成されている。介在層15のバンドギャップエネルギーEgzは、図2に示すように、i型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーEgyよりも大きく、n型窒化物半導体層13のバンドギャップエネルギーEg0よりも小さい。窒化物半導体層のIn組成比が高くなるとそのバンドギャップエネルギーが小さくなることを考慮すれば、n型窒化物半導体層13がn-AlsIntGaN0≦s≦1、0≦t≦1、0<st≦1層であり、かつi型窒化物半導体層17がAlxInyGaN0≦x≦1、0≦y≦1、0<xy≦1層であるときには、介在層15はAlxInzGaN0≦x≦1、0≦z≦1、0<xz≦1、0<t<z<y層であれば良い。介在層15が存在しない場合、i型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーEgyがn型窒化物半導体層13のバンドギャップエネルギーEg0よりも低いため、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリア特に電子から見てポテンシャル障壁VeVが形成される。ポテンシャル障壁VeVは比較的大きいため、電子の移動が妨げられる。たとえばn型窒化物半導体層13のIn組成が0であれば、つまりn型窒化物半導体層13がAlxGa1-xN0≦x≦1からなれば、n型窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーは3.4eV~6.0eVとなるため、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリア特に電子から見たポテンシャル障壁VeVは非常に大きくなる。よって、電子の移動の妨げが顕著となる。それだけでなく、介在層15が存在しなければ、n型窒化物半導体層13とi型窒化物半導体層17とはヘテロ接合されることとなるため、n型窒化物半導体層13とi型窒化物半導体層17との格子不整合格子定数が異なることの度合いは大きい。したがって、i型窒化物半導体層17においてミスフィット転位が形成されるおそれがある。これにより、i型窒化物半導体層17において生成されたフォトキャリアがn型窒化物半導体層13とi型窒化物半導体層17との界面近傍で消失するおそれがある。一方、介在層15が設けられていれば、図2に示すように、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリア特に電子から見て、ポテンシャル障壁V’V’=Egz-Egy<Vが形成される。そのため、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリア特に電子は、階段状のポテンシャル障壁に沿ってn型窒化物半導体層13へ移動できる。よって、電子の移動の妨げを防止することができる。また、介在層15とi型窒化物半導体層17とでは、構成元素の種類が同一である。そのため、介在層15が設けられていれば、n型窒化物半導体層13とi型窒化物半導体層17との格子不整合の度合いが低減する。よって、i型窒化物半導体層17におけるミスフィット転位の形成を防止できるので、より多くのフォトキャリア電子をn型窒化物半導体層13の伝導帯へ拡散させることができる。これにより、短絡電流が向上するので、介在層15を設けることは光電変換素子にとって非常に好ましい。介在層15のIn組成比zについて記す。介在層のIn組成比zが0である場合、すなわち介在層がAlxGaN0≦x≦1からなる場合、介在層のバンドギャップエネルギーは3.4eV~6.0eVとなり、介在層15がInを含む場合のバンドギャップエネルギーよりも大きくなる。そのため、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリアから見たポテンシャル障壁は介在層15がInを含む場合よりも非常に大きくなり、電子の移動が妨げられる。また、介在層15のIn組成比zがi型窒化物半導体層17のIn組成比y以上であればz≧y、介在層15のバンドギャップエネルギーEgzはi型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーEgy以下となる。この場合、介在層15はn型窒化物半導体層13のポテンシャル障壁とi型窒化物半導体層17のポテンシャル障壁とに挟まれ、n型窒化物半導体層13と介在層15とi型窒化物半導体層17とでSQW構造が形成されることとなる。そのため、生成されたフォトキャリアが介在層15に閉じ込められるという不具合を招く。しかし、介在層15のIn組成比zが0よりも高くi型窒化物半導体層17のIn組成比yよりも低ければ0<z<y、電子はn型窒化物半導体層13へスムーズに拡散し、また生成されたフォトキャリアが介在層15に閉じ込められるという不具合を防止できる。介在層15のIn組成比zは、i型窒化物半導体層17のIn組成比yよりも例えば1でも低ければ良く、n型窒化物半導体層13のIn組成比yの0.02倍以上0.99倍以下であることが好ましい。介在層15の膜厚dは特に限定されないが、1nm以上5nm以下であることが好ましい。フォトキャリアである電子は、介在層15のポテンシャル障壁に沿ってn型窒化物半導体層13へ拡散するが、その電子の一部は、トンネル効果によりn型窒化物半導体層13へ拡散する。トンネル効果が生じる確率、つまりトンネル確率Pは、介在層15のバンドギャップエネルギーEgzとi型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーEgyとの差つまりポテンシャル障壁V’の大きさと介在層15の膜厚dとに大きく依存する。介在層15の膜厚dが5nmよりも大きい場合、フォトキャリアである電子と正孔とがトンネル中で再結合する時間再結合寿命が短いため、トンネル確率Pは小さくなることがある。一方、介在層15の膜厚dが1nm未満である場合、トンネル確率Pは大きくなるが、介在層15の膜厚が薄すぎるためにn型窒化物半導体層13の表面におけるカバレッジ被覆率が不十分になる傾向があるため、生産技術面での制御が困難となることがある。一方、介在層15の膜厚dが1nm以上5nm以下であれば、トンネル確率Pが最適化され、またn型窒化物半導体層13の表面におけるカバレッジを十分確保することができる。よって、フォトキャリアを多く取り出すことができるので、短絡電流が向上する。したがって、介在層15の膜厚dが1nm以上5nm以下であることは、光電変換素子にとって好ましい。なお、c面上に成長したInGaNにおける電子と正孔との再結合寿命に関しては、例えば、非特許文献1で議論されている。n型窒化物半導体層の上に形成される窒化物半導体層以下ではn型窒化物半導体層の直上層または単に直上層と記すについては、その構成元素の種類またはその構成元素の組成比とその膜厚とに相関があることが知られている。n型窒化物半導体層の直上層の結晶の品質を決定付ける要因の1つに、不純物を添加したAlsIntGaNからなるn型窒化物半導体層とその直上層との格子不整合の度合いが挙げられる。たとえば、n型窒化物半導体層のIn組成比tが0であるとき、つまりn型窒化物半導体層がAlsGaN0≦s≦1からなるとき、n型窒化物半導体層とその直上層とはヘテロ接合されるため、n型窒化物半導体層のAl組成比sまたは直上層のIn組成比が高くなるに伴い上記格子不整合の度合いも大きくなる。よって、n型窒化物半導体層の直上層には、圧縮応力または引っ張り応力が働く。この歪に起因するエネルギーを緩和するため、n型窒化物半導体層の直上層にはミスフィット転位が生じる。ミスフィット転位が形成される格子不整合の度合いは、n型窒化物半導体層の直上層の膜厚によって異なるミスフィット転移が形成されない最大の膜厚を臨界膜厚と記す。n型窒化物半導体層の直上層の膜厚が厚くなるほど、ヘテロ構造全体にかかる応力が増加するため、ミスフィット転位がn型窒化物半導体層の直上層に形成されやすい。n型窒化物半導体層の直上層のIn組成比が高くなることに伴う臨界膜厚の減少については、たとえば非特許文献2で詳細に議論されている。また、n型窒化物半導体層の直上層の膜厚が臨界膜厚に到達したときに当該直上層に形成される欠陥とそのメカニズムとについては、たとえば非特許文献3で詳細に議論されている。非特許文献2には、n型窒化物半導体層の直上層がAlxInzGaNx=0、z=0.25からなるときに、当該直上層の臨界膜厚は5nmであると開示されている。つまりx=0であり、且つz>0.25であるとき、n型窒化物半導体層の直上層の膜厚を5nm未満としなければ、上記歪みが緩和されてn型窒化物半導体層の直上層にミスフィット転位が形成されることになる。生産技術面から、AlxInzGaNx=0、z=0.25からなるn型窒化物半導体層の直上層の形成は困難である。非特許文献2で議論されているようにn型窒化物半導体層の直上層のIn組成比zが高くなると当該直上層の臨界膜厚が減少することを考慮すれば、介在層15本実施形態では、n型窒化物半導体層の直上層は介在層15であるの膜厚dを1nm以上5nm以下とすれば、ミスフィット転位が形成されない高品質な介在層15を形成できると期待でき、生成されたフォトキャリア電子が介在層15のポテンシャル障壁に沿ってn型窒化物半導体層13へ拡散すると期待できる。これにより、フォトキャリアを多く取り出せることができるので、短絡電流が向上する。よって、介在層15の膜厚が1nm以上5nm以下であることは、光電変換素子1にとって非常に好ましい。非特許文献2には、n型窒化物半導体層の直上層がAlxInzGaNx=0、z=0.40からなるとき、当該直上層の臨界膜厚は凡そ3nmであること、およびn型窒化物半導体層の直上層がAlxInzGaNx=0、z=0.50からなるとき、当該直上層の臨界膜厚は凡そ2nmであることが記載されている。このようにn型窒化物半導体層の直上層のIn組成比zが高くなるにつれて当該直上層の臨界膜厚が薄くなるので、介在層15のIn組成比zの値に応じて介在層15の膜厚dを1nm以上5nm以下の範囲で適宜設定することが好ましい。介在層15のIn組成比zがi型窒化物半導体層17のIn組成比yよりも低く、且つ介在層15の膜厚dが1nm以上5nm以下であることが好ましい理由をさらに示す。介在層15が設けられていない場合、n型窒化物半導体層とi型窒化物半導体層との格子不整合の度合いは大きい。よって、i型窒化物半導体層は圧縮応力を受ける。図3に示すように、この圧縮応力が内部電界とは逆向きの圧電電界を生じさせるため、内部電界を弱めてしまう。しかし、介在層15の膜厚dが1nm以上5nm以下の範囲であり、且つ介在層15のIn組成比zがi型窒化物半導体層17のIn組成比yよりも低ければ、n型窒化物半導体層13とi型窒化物半導体層17との格子不整合の度合いを小さくできる。その理由は、介在層15とi型窒化物半導体層17とでは、構成元素の組成比は異なるが構成元素の種類は同一であるため格子定数の差を小さく抑えることができるからであり、また、介在層15が薄いのでi型窒化物半導体層17は介在層15との界面での格子の連続性を保って成長するからである。よって、i型窒化物半導体層17におけるミスフィット転位の形成を阻止できる。また、介在層15を設けることにより上記格子不整合の度合いが小さくなるため、介在層15は当該介在層15にコヒーレントに成長したi型窒化物半導体層17の緩衝層として働く。これらのことから、n型窒化物半導体層13から受ける圧縮応力が緩和されるので、圧電電界が減少する。したがって、内部電界が弱くなることを防止できるので、フォトキャリアを多く取り出せることとなり、短絡電流が向上する。以上のことから、介在層15の膜厚dが1nm以上5nm以下の範囲であり、且つ介在層15のIn組成比zがi型窒化物半導体層17のIn組成比yよりも低いことは、光電変換素子にとって非常に好ましい。結晶欠陥の少ない高品質なi型窒化物半導体層を形成するためには、一般に、i型窒化物半導体層との界面の平坦性の向上が求められる。これが求められる理由は、i型窒化物半導体層の成長中に、原子原子は気相より供給されるの衝突などで形成される核形成からの三次元島の形成が抑制されるからであるということが挙げられる。三次元島の形成を抑制するためには、n型窒化物半導体層の表面エネルギーEs、n型窒化物半導体層とi型窒化物半導体層との界面における界面エネルギーEi、およびi型窒化物半導体層の成長エネルギーi型窒化物半導体層の成長エネルギー=i型窒化物半導体層の表面エネルギーi型窒化物半導体層の歪エネルギーi型窒化物半導体層の内部エネルギーEfがEs>EiEfを満たしていれば良い。ここで、介在層15がn型窒化物半導体層13とi型窒化物半導体層17との格子不整合の度合いを小さくする緩衝層として機能するので、i型窒化物半導体層17の歪のエネルギーを小さくすることができる。よって、i型窒化物半導体層17の成長エネルギーEfが小さくなるので、Es>EiEfを維持でき、高品質なi型窒化物半導体層17を形成できる。このことは、図4から明らかである。図4中のL1は介在層15を形成しなかった場合のi型窒化物半導体層のPLスペクトルであり、図4中のL2は介在層15を形成した場合のi型窒化物半導体層17のPLスペクトルであり、どちらのスペクトルも規格化されている。PLスペクトルの半値全幅については、L1ではd1=214meVであったが、L2ではd2=174meVであり、介在層15を設けると減少した。また、介在層15を設けると、低エネルギー領域におけるスペクトルの強度が低下した。これらの結果は、介在層15を設けると高品質なi型窒化物半導体層が形成されることを意味している。よって、介在層15を設けると、フォトキャリアを多く取り出せることになり、したがって、短絡電流が向上する。このことからも、介在層15を設けることは光電変換素子にとって非常に好ましい。なお、図4に示すPLスペクトルは、i型窒化物半導体層17を6周期のGaN/InGaNで構成し、介在層15をn型窒化物半導体層13からi型窒化物半導体層17へ向かうにつれて膜厚が2nmのIn006Ga094N層と膜厚が2nmのIn007Ga093N層と膜厚が2nmのIn008Ga092N層との順に積層して、得たものである。<第2の介在層>第2の介在層19は、構成元素の種類がi型窒化物半導体層17と同一である一方、構成元素の組成比がi型窒化物半導体層17とは異なるように構成されている。第2の介在層19のバンドギャップエネルギーEgwは、図5に示すように、i型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーEgyよりも大きく、p型窒化物半導体層21のバンドギャップエネルギーEg0よりも小さい。窒化物半導体層のIn組成比が高くなるとそのバンドギャップエネルギーが小さくなることを考慮すれば、p型窒化物半導体層21がp-AluInvGaN0≦u≦1、0≦v≦1、0<uv≦1層であり、かつi型窒化物半導体層17がAlxInyGaN0≦x≦1、0≦y≦1、0<xy≦1層であるときに、第2の介在層19はAlxInwGaN0≦x≦1、0≦w≦1、0<xw≦1、0<v<w<y層であれば良い。光電変換素子1への光101の入射によりi型窒化物半導体層17で生成した電子の中には、図5に示すように、p型窒化物半導体層21の伝導帯に拡散しようとするものが存在する。しかし、第2の介在層19のバンドギャップエネルギーがi型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーよりも大きいため、その電子をn型窒化物半導体層13の伝導帯に追い返すことができる。よって、n型窒化物半導体層13の伝導帯へ拡散する電子の数を増やすことができ、短絡電流が向上する。また、第2の介在層19とi型窒化物半導体層17とでは、構成元素の種類が同一である。そのため、第2の介在層19が設けられていれば、i型窒化物半導体層17とp型窒化物半導体層21との格子不整合の度合いが低減する。よって、i型窒化物半導体層17とp型窒化物半導体層21との界面におけるミスフィット転位の形成を防止することができる。ここで、i型窒化物半導体層17で生成した電子のうちp型窒化物半導体層21の伝導帯に拡散しようとした電子は、第2の介在層19がなければ、p型窒化物半導体層21とi型窒化物半導体層17との界面におけるミスフィット転位に起因する界面準位に捕らえられて消滅する。しかし、第2の介在層19が設けられていれば、p型窒化物半導体層21とi型窒化物半導体層17との界面におけるミスフィット転位の形成を防止できるので、電子がp型窒化物半導体層21とi型窒化物半導体層17との界面まで拡散したとしてもミスフィット転位に捕らえられて消滅することを防止できる。これらのことからも、第2の介在層19を設けることは光電変換素子にとって好ましい。第2の介在層19の膜厚は特に限定されないが、1nm以上5nm以下であることが好ましい。p型窒化物半導体層21とi型窒化物半導体層17との間にAlxInwGaN0<w<yからなる第2の介在層19が存在すれば、第2の介在層19のバンドギャップエネルギーEgwはi型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーEgyよりも大きくなりEgy<Egw、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリア正孔から見てポテンシャル障壁V’eVが形成される図5。たとえばp型窒化物半導体層21のIn組成比zが0であるとき、つまりp型窒化物半導体層21がp-AlxGaN0≦x≦1層であるとき、p型窒化物半導体層21のバンドギャップエネルギーEg0は3.4eV~6.0eVと大きい。しかし、i型窒化物半導体層17で生じた正孔は、第2の介在層19の形成により生じたポテンシャル障壁V’に沿って、またはトンネル効果により第2の介在層19内を通って、p型窒化物半導体層21の価電子帯へ拡散することが出来る。正孔がトンネル効果により第2の介在層19を通ってp型窒化物半導体層21の価電子帯へ移動するとき、第2の介在層19を通過中の正孔は、p型窒化物半導体層21の伝導帯に拡散しようとする電子を感じると、第2の介在層19内で電子と再結合を起こして消失する。したがって、第2の介在層19の膜厚は、正孔が再結合寿命以内に通過できる膜厚であることが望まれる。再結合寿命に関しては例えば非特許文献1で詳細に議論されており、その議論によれば第2の介在層19の膜厚は5nm以下が好ましい。一方、第2の介在層19の膜厚を1nm未満に制御することは生産技術的に困難を伴うことがある。第2の介在層19の臨界膜厚については、介在層15と同様のことが言える。つまり、非特許文献2には、第2の介在層19がAlxInwGaNx=0、w=0.40からなるとき第2の介在層19の臨界膜厚は凡そ3nmであること、および第2の介在層19がAlxInwGaNx=0、w=0.50からなるとき第2の介在層19の臨界膜厚は凡そ2nmであることが記載されている。このように第2の介在層19のIn組成比wが高くなるにつれて第2の介在層19の臨界膜厚が薄くなるので、第2の介在層19のIn組成比wの値に応じて第2の介在層19の膜厚を1nm以上5nm以下の範囲で適宜設定することが好ましい。<窒化物半導体材料のAl組成比およびIn組成比と絶対屈折率値との関係>窒化物半導体層のIn組成比が高くなると当該窒化物半導体層の絶対屈折率値が大きくなることが知られている。介在層15のIn組成比zはi型窒化物半導体層17のIn組成比yよりも低い。よって、介在層15の絶対屈折率nzはi型窒化物半導体層17の絶対屈折率値nyよりも小さくなるnz<ny。また、n型窒化物半導体層13のIn組成比tは介在層15のIn組成比zよりも低いことが好ましく、n型窒化物半導体層13のAl組成比sは介在層15のAl組成比xよりも高いことが好ましい。これにより、n型窒化物半導体層13の絶対屈折率nnは介在層15の絶対屈折率nzよりも小さくなりnn<nz、本発明が対象とする0.4μm~0.5μmの領域では2.3~2.6となる。第2の介在層19のIn組成比wはi型窒化物半導体層17のIn組成比yよりも低い。よって、第2の介在層19の絶対屈折率nwはi型窒化物半導体層17の絶対屈折率nyよりも小さくなるnw<ny。また、p型窒化物半導体層21のIn組成比vは第2の介在層19のIn組成比wよりも低いことが好ましく、p型窒化物半導体層21のAl組成比uは第2の介在層19のAl組成比xよりも高いことが好ましい。これにより、p型窒化物半導体層21の絶対屈折率npは第2の介在層19の絶対屈折率nwよりも小さくなりnp<nw、本発明が対象とする0.4μm~0.5μmの領域では2.3~2.6となる。<透明導電膜>透明導電膜23は、その材料に特に限定されないが、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む単層であっても良いし、Zn、In、Sn、およびMgのうちの少なくとも1つを含む層が積層されて構成されていても良い。なお、Znを含む単層としては、たとえば、ZnOにAlがドープされたAZOaluminumdopedzincoxide層、ZnOにGaがドープされたGZOgalliumdopedzincoxide層、ZnOにMgがドープされたMZOmagnesiumdopedzincoxide層、またはZnOにInがドープされたIZOindiumdopedzincoxide層などが挙げられる。また、Mgを含む単層としては、たとえば、CがドープされたMgOH2層などが挙げられる。また、透明導電膜23として、たとえば、Al濃度の異なるZnOターゲットを用いて厚さ方向にAl濃度の異なるAZO膜を形成しても良く、GZO層とITO層などとを積層させて形成しても良い。透明導電膜23は、その膜厚に特に限定されないが、250nm以上500nm以下の膜厚を有することが好ましい。透明導電膜23の膜厚が250nm未満であれば、p型窒化物半導体層21と透明導電膜23との最適なオーミック接触を形成できない傾向があり、F.Fが低下する傾向がある。透明導電膜23の膜厚は、p型窒化物半導体層21の膜厚に応じて適宜変更することが好ましい。しかし、透明導電膜23の絶対屈折率値が1.5より大きく2.3より小さく、且つ透明導電膜23の膜厚が250nm以上500nm以下であるとき、0.4~0.5μmの短波長領域に対して透明導電膜23の透過率が高くなり、よって、i型窒化物半導体層17に多くの光が入るため、i型窒化物半導体層17で生成されるフォトキャリアが多くなる。これにより、光電変換素子1の短絡電流がさらに向上し、曲線因子もさらに向上する。したがって、透明導電膜23の絶対屈折率値が1.5より大きく2.3より小さく、且つ透明導電膜23の膜厚が250nm以上500nm以下であることは、光電変換素子にとって非常に好ましい。<光反射層>光反射層25は、光を反射させる層になり得るならばその材料に特に限定されない。しかし、光を反射させる金属元素のうち入手が容易で且つ反射率が大きいという点では、光反射層25は、Al単層またはAg単層であることが好ましい。0.5μm以下の短波長領域の光に対して優れた感度が要求される本実施形態では、光反射層25は、短波長側の反射率が大きいAg単層であることがより好ましい。光反射層25は、その膜厚に特に限定されないが、10nm以上1000nm以下の膜厚を有することが好ましい。光反射層25の膜厚がこの範囲外であれば、光反射層25が基板11の下面から剥がれやすい傾向にある。そして、本実施形態に係る光電変換素子1が光反射層25を備えていれば、下記光閉じ込め効果5を得ることができる。<光電変換素子での光路>本実施形態に係る光電変換素子1では、p型窒化物半導体層21側から入射された光101は、介在層15と第2の介在層19とによってi型窒化物半導体層17に閉じ込められる光閉じ込め効果1。これにより、i型窒化物半導体層17での光路長が増加するので、フォトキャリアが多く生成され、よって、光電変換素子の短絡電流が向上する。詳細には、光閉じ込め効果1は、介在層15とi型窒化物半導体層17との界面、およびi型窒化物半導体層17と第2の介在層19との界面における絶対屈折率値の不連続により生じる。上記<窒化物半導体材料のAl組成比およびIn組成比と絶対屈折率値との関係>で示したように、nw<nyであり、nz<nyである。一般に、光は、絶対屈折率値の低い層から絶対屈折率値の高い層へ透過可能であるが、絶対屈折率値の高い層から絶対屈折率値の低い層へ透過し難い。よって、光101をp型窒化物半導体層21側から入射すると、その入射光101はp型窒化物半導体層21から第2の介在層19を通ってi型窒化物半導体層17へ入射される。ここで、nz<nyであるので、入射光101はi型窒化物半導体層17と介在層15との界面で反射して反射光102となってi型窒化物半導体層17へ戻り、i型窒化物半導体層17に吸収される。反射光102のうちi型窒化物半導体層17で吸収されなかった光は第2の介在層19へ向かって拡散する。ここで、nw<nyであるので、この光はi型窒化物半導体層17と第2の介在層19との界面で反射して反射光103となってi型窒化物半導体層17へ戻り、i型窒化物半導体層17に吸収される。このように、nz<nyであり且つnw<nyであるので、光閉じ込め効果1が得られる。入射光101の大部分は反射光102となるが、入射光101の一部が反射光102となり得ず介在層15に入射することがある。本実施形態に係る光電変換素子1では、上記<窒化物半導体材料のAl組成比およびIn組成比と絶対屈折率値との関係>で示したように2.3≦nn<nz<nyであるので、介在層15に入射した光はn型窒化物半導体層13と介在層15との界面で反射して反射光104となってi型窒化物半導体層17へ戻る光閉じ込め効果2。これにより、フォトキャリアがさらに多く生成されるので、光電変換素子の短絡電流がさらに向上する。反射光103となり得なかった光が第2の介在層19に入射することがある。本実施形態に係る光電変換素子1では、上記<窒化物半導体材料のAl組成比およびIn組成比と絶対屈折率値との関係>で示したように2.3≦np<nw<nyであるので、第2の介在層19に入射した光は第2の介在層19とp型窒化物半導体層21との界面で反射して反射光105となってi型窒化物半導体層17へ戻る光閉じ込め効果3。これにより、フォトキャリアがさらに多く生成され、光電変換素子の短絡電流がさらに向上する。それだけでなく、図5に示すように、p型窒化物半導体層21のバンドギャップエネルギーEg0と第2の介在層19のバンドギャップエネルギーEgwとi型窒化物半導体層17のバンドギャップエネルギーEgyとは、Egy<Egw<Eg0を満たしているので、p型窒化物半導体層21および第2の介在層19による入射光の吸収が抑制され、よって、i型窒化物半導体層17に多くの光を入射させることができる。さらに、入射光101は絶対屈折率値が小さいp型窒化物半導体層21から絶対屈折率値が大きい第2の介在層19を透過するので、反射による光強度の損失を阻止できる。これらのことからも光電変換素子1の短絡電流は向上するので、光電変換素子1にとっては好ましい。反射光103となり得なかった光の一部が反射光105ともなり得ずp型窒化物半導体層21に入射することがある。本実施形態に係る光電変換素子1では、透明導電膜23の絶対屈折率値が2.3未満であるので、透明導電膜23の絶対屈折率値はp型窒化物半導体層21の絶対屈折率値よりも小さい。よって、p型窒化物半導体層21へ入射した光は、p型窒化物半導体層21と透明導電膜23との界面で反射して反射光106となってi型窒化物半導体層17へ戻る光閉じ込め効果4。これにより、フォトキャリアがさらに多く生成されるので、光電変換素子の短絡電流がさらに向上する。反射光102となり得なかった光の一部が反射光104ともなり得ずn型窒化物半導体層13および基板11を透過することがある。本実施形態に係る光電変換素子では、光反射層25が設けられているので、基板11を透過した光は、基板11と光反射層25との界面で反射して反射光107となってi型窒化物半導体層17へ戻る光閉じ込め効果5。これにより、フォトキャリアがさらに多く生成されるので、光電変換素子の短絡電流がさらに向上する。なお、介在層の構成は、図2に示す構成に限定されず、下記第1の変形例で示す構成であっても良い。<第1の変形例>図6は、第1の変形例に係る光電変換素子におけるエネルギーバンド図n側である。なお、図6では、第2の介在層19を図示していない。以下では、上記第1の実施形態とは異なる点を主に示す。本変形例に係る光電変換素子では、介在層35は、3層の半導体層35A、35B、35Cで構成されている。なお、3層の半導体層35A、35B、35Cを区別するため、i型窒化物半導体層17からn型窒化物半導体層13へ向かう順に第1の層35A、第2の層35B、および第3の層35Cと記す。第1の層35Aは、i型窒化物半導体層17の直下に設けられており、i型窒化物半導体層17よりも大きなバンドギャップエネルギーEgz1を有している。第2の層35Bは、第1の層35Aの直下に設けられており、第1の層35Aよりも大きなバンドギャップエネルギーEgz2を有している。第3の層35Cは、第2の層35Bとn型窒化物半導体層13との間に設けられており、第2の層35Bよりも大きく且つn型窒化物半導体層13よりも小さなバンドギャップエネルギーEgz3を有している。このように、第1の層35Aと第2の層35Bと第3の層35Cとは、互いに異なるバンドギャップエネルギーを有し、i型窒化物半導体層17からn型窒化物半導体層13へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが順次大きくなるように配置されているEgz1<Egz2<Egz3。このようにバンドギャップエネルギーがi型窒化物半導体層17からn型窒化物半導体層13へ向かうにつれて階段状に大きくなるため、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリア電子から見て階段状のポテンシャル障壁V1、V2、V3、およびV4が順に形成され、電子は階段状のポテンシャル障壁に沿ってn型窒化物半導体層13の伝導帯へ拡散する。これにより、多くのフォトキャリアを取り出せることとなり、よって、短絡電流が向上する。具体的には、第1の層35AはAlxInz1GaNからなり、第2の層35BはAlxInz2GaNからなり、第3の層35CはAlxInz3GaNからなり、0<z3<z2<z1<yただし、yはi型窒化物半導体層17のIn組成比であるを満たしている。第1の層35A、第2の層35Bおよび第3の層35Cのそれぞれの膜厚dは、1nm以上5nm以下であれば良い。これにより、i型窒化物半導体層17で生成されたフォトキャリア電子は、階段状のポテンシャル障壁に沿ってn型窒化物半導体層13の伝導帯へ拡散できる。その上、i型窒化物半導体層17の結晶性の悪化を防止できる。介在層35を構成する半導体層の層数は特に限定されない。複数の半導体層は、In組成比が互いに異なるように構成されていれば良く、i型窒化物半導体層17からn型窒化物半導体層13へ向かうにつれてIn組成比が低くなるように配置されていれば良い。具体的には、n型窒化物半導体層13の上には、AlxInznGaN層、AlxInzGaN層、、AlxInz2GaN層、およびAlxInz1GaN層0<zn<zn-1<<z2<z1<y、但しnは自然数であり、n≧4が順に積層されていれば良い。以上、本発明に係る光電変換素子を第1の実施形態および第1の変形例で示したが、本発明に係る光電変換素子は第1の実施形態および第1の変形例の記載に限定されない。たとえば、バンドギャップエネルギーの大きさおよび絶対屈折率値のそれぞれを調整する方法はIn組成比の制御に限定されない。また、金属層が透明導電膜を挟んでp型窒化物半導体層の上に設けられていても良い。また、介在層は、層内つまり、i型窒化物半導体層との界面およびn型窒化物半導体層との界面以外の部分においては、In濃度が不均一であっても良く、よって、絶対屈折率値が不均一であっても良い。このことは、第2の介在層についても言える。また、第2の介在層が第1の変形例における介在層35と略同一の構成を有していれば良い。具体的には、第2の介在層は、In組成比が互いに異なる複数の第2の半導体層が積層されて構成されており、複数の第2の半導体層は、i型窒化物半導体層からp型窒化物半導体層へ向かうにつれてIn組成比が低くなるように配置されていれば良い。これにより、複数の第2の半導体層は、i型窒化物半導体層からp型窒化物半導体層へ向かうにつれてバンドギャップエネルギーが大きくなるように配置されることとなる。よって、i型窒化物半導体層で生成されたフォトキャリア正孔から見て階段状のポテンシャル障壁が順に形成されるので、正孔は階段状のポテンシャル障壁に沿ってp型窒化物半導体層の価電子帯へ拡散する。これにより、多くのフォトキャリアを取り出せることとなり、よって、短絡電流が向上する。このとき、第2の介在層を構成する複数の半導体層のそれぞれの膜厚は1nm以上5nm以下であれば良い。これにより、i型窒化物半導体層で生成されたフォトキャリア正孔が階段状のポテンシャル障壁に沿ってp型窒化物半導体層の価電子帯へ拡散できるだけでなく、p型窒化物半導体層の結晶性の悪化を防止できる。<実施例1>図1は、本発明の実施例1に係る光電変換素子1の側面図である。本実施例に係る光電変換素子1は、MOCVD法により製造されたものであり、透明導電膜23の表面から基板11側に向かって入射光101を入射させることにより作動される。本実施例では、基板11として、47フッ化水素で表面洗浄を施したGaN基板を用いた。該GaN基板11を1100°Cまで加熱、より好ましくは1120°Cまで加熱し、トリメチルガリウムTMG:Tri-methylGalliumを125μmol用い、アンモニアNH3を270mmol用いて、膜厚1.5μmのn型窒化物半導体層13を形成した。該n型窒化物半導体層13は、Siを2×1018個cm3ドープしたGaN層である。n型不純物ガスとして、供給量が2mmolのモノシランSiH4を用いた。該n型窒化物半導体層13は、たとえば0.1μm以上4μm以下の膜厚にすることができる。n型窒化物半導体層13を形成後、800°Cまで降温させ、より好ましくは750°Cまで降温させ、膜厚が2nmのIn005Ga095N層、膜厚が2nmのIn006Ga094N層、および膜厚が2nmのIn007Ga093N層の順に積層された3層から成る介在層15を形成した図1では、介在層15を1層として記載している。In005Ga095N層は、TMGを10μmol、トリメチルインジウムTMI:Tri-methylIndiumを29μmol、およびNH3を420mmol用いて形成された。In006Ga094N層は、TMGを10μmol、TMIを33μmol、およびNH3を420mmol用いて形成された。In007Ga093N層は、TMGを10μmol、TMIを38μmol、およびNH3を420mmol用いて形成された。介在層15を形成後、In010Ga090Nからなるi型窒化物半導体層17を形成した。In010Ga090N層の臨界膜厚を実験的に求めるために、オージェ電子分光法でInの深さ方向分布を得た。その結果を図7に示す。図7に示す地点XがIn010Ga090N層の成長開始地点を示す。膜厚が51nm図7の横軸における84nm付近までIn濃度を9に保ちながら成長した後、図7に示す地点Yから以降急峻にIn濃度が11になった。このことは、In濃度9のInGaNの臨界膜厚が50nm程度であることを示している。臨界膜厚よりも厚くなるとIn濃度が急峻に増加する理由としては、断定できないが、刃状転位を形成して格子間隔が異なることに起因する歪を緩和させる際、転位が形成された表面には未結合手が多く存在することになるため、その表面には多くのInが吸着されることになるからである、と考えられる。本実施例の成長条件で形成されるIn010Ga090N層の臨界膜厚を実験的に得た後、膜厚45nmのIn010Ga090N層をi型窒化物半導体層17として形成した。i型窒化物半導体層17は、TMGを10μmol、TMIを54μmol、およびNH3を420mmol用いて形成された。i型窒化物半導体層17を形成後、膜厚が2nmのIn005Ga095N層からなる第2の介在層19を形成した。第2の介在層19は、TMGを10μmol、TMIを38μmol、およびNH3を420mmol用いて、形成された。介在層15および第2の介在層19は、入射光101をi型窒化物半導体層17に閉じ込める役割を果たす光閉じ込め効果1。光閉じ込め効果1は、介在層15とi型窒化物半導体層17との界面、およびi型窒化物半導体層17と第2の介在層19との界面における絶対屈折率値の不連続により生じる。入射光101は、まずi型窒化物半導体層17で吸収される。i型窒化物半導体層17で吸収し切れずに介在層15とi型窒化物半導体層17との界面に到達した入射光101は、その界面で反射して反射光102となってi型窒化物半導体層17へ戻されて当該i型窒化物半導体層17で吸収される光閉じ込め効果1。介在層15とi型窒化物半導体層17との界面で反射されずに介在層15を透過して介在層15とn型窒化物半導体層13との界面まで到達した入射光101は、その界面で反射して反射光104となってi型窒化物半導体層17へ戻されて当該i型窒化物半導体層17で吸収される光閉じ込め効果2。これら反射光102および反射光104は、i型窒化物半導体層17で吸収されてフォトキャリアの生成に寄与する。i型窒化物半導体層17で吸収し切れなかった反射光102および反射光104がi型窒化物半導体層17と第2の介在層19との界面に到達したとき、反射光102および反射光104はその界面で反射して反射光103となってi型窒化物半導体層17へ戻されて当該i型窒化物半導体層17で吸収される光閉じ込め効果1。また、i型窒化物半導体層17と第2の介在層19との界面で反射されずに反射光103にならずに第2の介在層19を透過した光は、第2の介在層19とp型窒化物半導体層21との界面で反射して反射光105となってi型窒化物半導体層17へ再び戻されて当該i型窒化物半導体層17に吸収される光閉じ込め効果3。この光閉じ込め効果1、2、および3により、i型窒化物半導体層17では多くのフォトキャリアが生成される。第2の介在層19を形成後、1000°Cまで昇温、より好ましくは1070°Cまで昇温してから、TMGを125μmolおよびNH3を270mmol用いて膜厚が50nmのp型窒化物半導体層21を形成した。該p型窒化物半導体層21は、Mgを2×1019個cm3ドープしたGaN層である。p型不純物ガスとして、0.3μmolの供給量のビスシクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgを用いた。該p型窒化物半導体層21は、たとえば50nm以上2000nm以下の膜厚にすることができる。アニール炉を用いてp型窒化物半導体層21に対して熱処理を行なった。熱処理温度を800°Cとし、5分間保持した。熱処理の気相の雰囲気は、窒素のみで構成した。p型窒化物半導体層21に熱処理を施した後、マグネトロンスパッタを用いて、Al濃度2のZnOターゲットから、膜厚0.32μmのAZO透明導電膜23を形成した。基板温度を180°Cとし、製膜時の分圧をO2/Ar=3.8で行った。なお、透導電率および透過率の向上のためには、分圧を3.0~10.0で変化させてAl濃度が異なるZnOターゲットから形成したAZO膜を透明導電膜23としても良い。また、同様の目的のために、ドーパントをGaとしたGZO膜またはITO膜などのAZOとは異なる組成の膜を透明導電膜23としても良い。透明導電膜23を形成後、結晶性および密着性向上のために、アニール炉を用いて熱処理をした。熱処理温度を600°Cとし、10分間保持した。熱処理の気相の雰囲気を酸素分圧2.0の真空中で構成した。透明導電膜23の絶対屈折率値は、2.3よりも小さい。そのため、第2の介在層19とp型窒化物半導体層21との界面で反射されずにp型窒化物半導体層21と透明導電膜23との界面まで到達した光はその界面で反射されて反射光106となってi型窒化物半導体層17へ戻される光閉じ込め効果4。この光閉じ込め効果4により、より多くのフォトキャリアがi型窒化物半導体層17で生成される。透明導電膜23に熱処理を施した後、図1に示すように、基板11の裏面上に、マグネトロンスパッタを用いて、Ag純度99.9のAgターゲットから膜厚150nmの光反射層25を形成した。なお、本実施例ではAgの単膜としたが、光を反射し得る金属ならば、たとえばAl、Au、Ni、TiまたはPtの単膜を用いても良いし、これを積層したものを用いても良い。本実施例では、マグネトロンスパッタで該光反射層25を形成したが、光反射層25の製膜装置は限定されるものでなく、たとえば真空蒸着法またがイオンプレーティング法による製膜装置であっても良い。図8には光反射層25の反射率を示す。L3はAg膜の反射率の波長依存性を示し、L4はAl膜の反射率の波長依存性を示す。L3とL4とを比較すると、短波長側0.35μm以上0.5μm以下ではAg膜の方が反射率が高い。そのため、光電変換素子1の光反射層25としては、Ag膜を用いることが好ましいことが分かる。なお、市販の光学素子測定装置の自動測定で光反射層25の反射率を測定した。反射率の導出としてはフレネルの式を用いた。光反射層25は、入射光101のうちi型窒化物半導体層17およびn型窒化物半導体層13で吸収されなかった光を反射させる。その反射光107は、n型窒化物半導体層13を再び透過して、i型窒化物半導体層17に再び入射される光閉じ込め効果5。この光閉じ込め効果5により、さらに多くのフォトキャリアがi型窒化物半導体層17で生成される。透明導電膜23に熱処理を施した後、表面に所定の形状のマスクを形成してからエッチング装置でマスクの上からエッチングし、n型窒化物半導体層13の一部を露出させた。p型窒化物半導体層21およびn型窒化物半導体層13の上面上に所定のパターンを有するマスクレジストマスクを形成し、そのマスクの上にNi/Pt/Auから成る金属膜を蒸着法によって順に積層し、リフトオフ法により当該金属膜からなるパッド電極不図示を形成した。次いで、ランプアニール装置にて400~600°Cで熱処理を施し、基板を研削および研磨し、次いで剥離の工程を経て、得られた基板を所定の箇所で分割した。これにより、本実施例に係る光電変換素子を得た。得られた光電変換素子におけるパッド電極を金線でリードフレームへ接続し、リードフレームの正極と負極とにプローブを接触させて電流および電圧測定用の回路を形成した。分光分布AM1.5、エネルギー密度100mW/cm2の1SUN疑似太陽光を光電変換素子に照射して、雰囲気温度と光電変換素子の温度とを25°Cの環境下で、光電変換素子1の出力特性を測定した。<比較例>介在層15および第2の介在層19を形成しなかったことを除いては上記実施例1と同様の方法にしたがって、比較例における光電変換素子を作製した。上記実施例1で記載の方法にしたがって、得られた光電変換素子の出力特性を測定した。比較例における光電変換素子では、開放端電圧Vocは1.73Vであり、短絡電流Jscは0.80mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.41であり、光変換効率は0.57であった。一方、図1に示す実施例1に係る光電変換素子では、開放端電圧Vocは1.85Vであり、短絡電流Jscは1.85mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.60であり、光変換効率は2.05であった。このように実施例1では、比較例に比べて短絡電流が向上し、且つ曲線因子が向上した。<実施例2>i型窒化物半導体層17の構成が異なることを除いては上記実施例1と同様の方法にしたがって、実施例2に係る光電変換素子を作製した。以下では上記実施例1とは異なる点を主に示す。介在層15を形成後、介在層15の上に膜厚3.5nmのIn020Ga080Nからなる井戸層と膜厚6nmのGaNからなる障壁層とが交互に6層積層されたMQW多重量子井戸構造のi型窒化物半導体層17を形成した。なお、本実施例では、介在層15を井戸層と障壁層とが6層積層されたMQW構造としたが、井戸層と障壁層との積層数は6層より多くても良いし、介在層15は単一量子井戸構造であっても良い。また、n型窒化物半導体層13と介在層15との格子不整合を緩和する緩衝層が形成されていても良い。この緩衝層は、たとえば、膜厚2nm未満のInxGa1xNx<0.1からなる井戸層と膜厚2nm未満のGaNからなる障壁層とが交互に20層積層されたMQW構造であれば良い。その後、上記実施例1と同様の方法にしたがって、第2の介在層19、p型窒化物半導体層21、透明導電膜23、光反射層25、およびパッド電極を形成した。このようにして実施例2に係る光電変換素子を得た。上記実施例1と同様の方法にしたがって、得られた光電変換素子の出力特性を測定した。比較例における光電変換素子では、開放端電圧Vocは1.73Vであり、短絡電流Jscは0.80mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.41であり、光変換効率は0.57であった。一方、実施例2に係る光電変換素子では、開放端電圧Vocは2.21Vであり、短絡電流Jscは1.97mA/cm2であり、曲線因子F.Fは0.66であり、光変換効率は2.87であった。このように実施例2では、比較例に比べて短絡電流が向上し、且つ曲線因子が向上した。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。