光学系と撮像素子とを有する撮像系を少なくとも3つ備え、前記撮像系は、前記撮像素子の画素の配列方向に配置され、第一の撮像系の撮像画像中の所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記第一の撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向のサンプリング位相が0.2から0.8画素ずれて撮像されることを特徴とする撮像装置。前記撮像系は前記配列方向に略等間隔に配置され、前記撮像系の光軸は略平行であることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が0.2から0.8画素ずれて撮像されることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が略0.5画素ずれて撮像されることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相がほぼずれなく撮像されることを特徴とする請求項3または4に記載の撮像装置。所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれか2つの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が略1/3画素ずつずれて撮像されることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。しかしながら、複眼方式の画素ずらしにより高解像度画像を得るためには、各撮像素子における画像間のずれ量視差を計算しなければならない。特許文献2において、画素ずらし方向における撮像素子のずれ量は撮像距離に依らず約1/2画素であるが、画素ずらし方向と垂直な方向に関しては、基線長が大きく、撮像距離によって画像間のずれ量が変化するため、そのずれ量を知る必要がある。その方法として、例えば、ステレオマッチングという方法がある。ステレオマッチングとは、同一の被写体を撮影した視点の異なる複数の画像上において、一方の画像を基準とし、その画像中の各画素に対し対応点同じ空間点の投影点を他方の画像中から探索することである。ステレオマッチングには、テンプレートマッチングを利用して対応点を求める領域ベースマッチングやエッジやコーナーなどの特徴点を抽出して求める特徴ベースマッチングなど様々な方法がある。そして、このようにして得られた画像間のずれ量をもとに、各画素を生成する高解像度画像上の対応する点に配置する事により、高解像度画像を生成する。この際、特許文献2に示すように、垂直方向に異なる高さに配置された撮像系の画像を合成して高解像度画像を生成する際には、対応点が画像中の垂直方向にずれた場所に位置する。従って、ハードウェアによる処理時に画像の読み出しを画像左上から行う際、各撮像系で対応点の存在する領域に到達するタイミングが異なるため、データを保持しておく必要があり、ラインメモリあるいはフレームメモリを利用する必要がある。また、特許文献2の構成では水平垂直全ての方向について高解像度化をするためには、水平垂直にそれぞれ1/2画素ずれた2眼が必要となり、水平あるいは垂直方向に各カメラを並置し、一方向に薄い構成を実現する事が出来ない。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、水平、あるいは垂直の一方向に各カメラを配置し、ハードウェア化した際にメモリの使用量が少ない構成で、被写体の距離に依らず高解像度化することができる撮像装置を提供することを目的とする。本発明は上述した課題を解決するためになされたもので、本発明の第一の技術手段は、光学系と撮像素子とを有する撮像系を少なくとも3つ備え、前記撮像系は、前記撮像素子の画素の配列方向に配置され、第一の撮像系の撮像画像中の所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記第一の撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向のサンプリング位相が0.2から0.8画素ずれて撮像されることを特徴とする。第二の技術手段は、第一の技術手段において、前記撮像系は前記配列方向に略等間隔に配置され、前記撮像系の光軸は略平行であることを特徴とする。第三の技術手段は、第一または第二の技術手段において、所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が0.2から0.8画素ずれて撮像されることを特徴とする。第四の技術手段は、第一または第二の技術手段において、所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が略0.5画素ずれて撮像されることを特徴とする。第五の技術手段は、第三または第四の技術手段において、所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれかの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相がほぼずれなく撮像されることを特徴とする。第六の技術手段は、第一または第二の技術手段において、所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれかの撮像系の撮像画像に対し、他のいずれか2つの撮像系により、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が略1/3画素ずつずれて撮像されることを特徴とする。第七の技術手段は、光学系と撮像素子とを有する撮像系を少なくとも3つ備え、前記撮像系は略直線上に配置され、前記直線を含む平面の法線と前記撮像系の光軸とが略平行をなし、前記直線と前記撮像素子の画素の一方の配列方向とが略平行をなし、前記撮像系のいずれかの撮像系により、所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記配列方向のサンプリング位相がずれて撮像されるように構成されることを特徴とする。第八の技術手段は、第七の技術手段において、前記撮像系のいずれかの撮像系により、所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記配列方向のサンプリング位相が0.2から0.8画素ずれて撮像されるように構成されることを特徴とする。第九の技術手段は、第七の技術手段において、前記撮像系の光軸は、前記配列方向に等間隔に配置されることを特徴とする。第十の技術手段は、第七から第九のいずれかの技術手段において、前記撮像系のいずれかの撮像系により、所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相がずれて撮像されるように構成されることを特徴とする。第十一の技術手段は、第七から第九のいずれかの技術手段において、前記撮像系のいずれかの撮像系により、所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が0.2から0.8画素ずれて撮像されるように構成されることを特徴とする。第十二の技術手段は、第七から第九のいずれかの技術手段において、前記撮像系のいずれかの撮像系により、所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が0.5画素ずれて撮像されるように構成されることを特徴とする。第十三の技術手段は、第十一または第十二の技術手段において、前記撮像系のいずれかの撮像系により、所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相がずれなく撮像されるように構成されることを特徴とする。第十四の技術手段は、第十または第十一の技術手段において、前記撮像系のいずれか3つの撮像系により、所定範囲内の撮像距離にある被写体が、前記配列方向と垂直な方向のサンプリング位相が1/3画素ずつずれて撮像されるように構成されることを特徴とする。本発明によれば、複数の撮像系を用いて共通の被写体を撮像する撮像装置において、撮像系を水平あるいは垂直のどちらか一方向に並置することにより、得られた複数の画像を合成し画素数が多く解像度の高い画像を生成する際に、メモリの使用量を低減することが可能となる。また、一方向に並置することにより薄型化することが可能となる。<第一の実施形態>以下、本発明の第一の実施形態について、図面を参照して説明する。図1は本実施形態の構成を示す図である。図1は、本実施形態における撮像装置内に備えられる3つの撮像系の配置を示す図である。撮像系101は光学系102と撮像素子103を備え、撮像系104は光学系105と撮像素子106を備え、撮像系107は光学系108と撮像素子109を備えている。3つの光学系101、104、107は略同一平面上に配置されており、それぞれの光軸は略平行である。また、3つの撮像素子103、106、109は略同一平面上に配置されており、光学系が配置されている平面と撮像素子が配置されている平面は略平行である。本実施形態では、図2Aに示すように、撮像素子106の画素の配列方向を水平方向X軸、垂直方向Y軸とし、光軸と平行な方向を撮像距離Z軸とし、原点を光学系105の主点とする。また、図2Bに示すように、撮像素子103と109の画素の配列方向は撮像素子106の画素の配列方向と略平行である。また、撮像素子103、106、109の水平方向の画素ピッチは等しく、垂直方向の画素ピッチも等しい。また、各撮像素子の画素の読み出し方向はX方向であるものとする。図3は、図1に示す撮像装置を上から見たXZ平面図である。図3を用いて、撮像系104と107の水平方向のサンプリング位相の関係について述べる。図3に示すように、Z=H0の点P0にある被写体は、撮像系104では撮像素子106の画素106aの中央に結像しており、撮像系107では撮像素子109の画素109aの中央に結像している。即ち、撮像距離H0では、撮像系104と107の水平方向のサンプリング位相は揃っている。サンプリング位相は光学系と撮像素子の相対的な位置関係を変化させることで変わるが、図3においては、撮像距離P0において撮像系104と107の水平方向のサンプリング位相が揃っている状態にあるとする。次に、撮像距離を変化させた場合のサンプリング位相の変化について述べる。図4に、焦点距離fを5mm、基線長B=RSを12mm、撮像距離H0を500mmとして、撮像距離をH0から変化させた場合の結像位置のシフト量を1式より計算した結果を示す。横軸は撮影距離、縦軸が結像位置のシフト量である。撮像距離の変化とともに、シフト量が変化している。次に、サンプリング位相のずれ量を計算する。サンプリング位相は、前記シフト量を撮像素子の画素ピッチで除した値と撮像距離H0でのサンプリング位相のずれ量の和の小数点以下の値から算出出来る。例えば、図4において、撮像距離H1=600mmでのシフト量は1式より、u0-u1=5×12×1/500-1/600=0.02mmとなり、画素ピッチを6μmとして、シフト量を画素ピッチで除すると、0.02÷0.006≒3.33画素となり、撮像距離H0=500mmから3.33画素シフトしている。撮像距離H0でサンプリング位相が0.5画素ずれているとすると、撮像距離H1でのサンプリング位相のずれ量は、3.330.5=3.83画素となり、小数点以下の0.83画素が撮像距離H1でのサンプリング位相のずれ量となる。上記計算によりサンプリング位相のずれ量が負の値となる場合は、1を足した値がサンプリング位相のずれ量となる。図5にサンプリング位相の撮像距離依存性を示す。水平方向の画素ピッチは6μmとする。基準とした撮像距離H0=500mmではサンプリング位相が揃っているとする。撮像距離を変えるとサンプリング位相が変化することがわかる。従って、撮像系104と107は撮像距離によってサンプリング位相が揃う距離があり、撮像距離に依っては高解像度化出来ない距離がある。そこで、本実施形態では、撮像系104と107では高解像度化出来ない撮像領域を、撮像系104と101により高解像度化し、撮像領域全体に渡る高解像度化を実現する。前述のように、基準とした撮像距離H0で撮像系104と107のサンプリング位相が揃っているため、撮像系104と101のサンプリング位相が1/2画素ずれるよう、撮像素子103を配置する。図3において、点P0にある被写体は、撮像系104では撮像素子106の画素106aの中央に結像しているが、撮像系101では撮像素子103の画素103aと撮像素子103bの間に結像しており、サンプリング位相が1/2画素ずれている。次に、撮像距離を変化させた場合のサンプリング位相の変化について述べる。図6に、焦点距離fを5mm、基線長B=QRを12mm、撮像距離H0を500mmとして、撮像距離をH0から変化させた場合の結像位置のシフト量を1式より計算しサンプリング位相のずれを計算した結果を示す。基準とした撮像距離H0=500mmではサンプリング位相が1/2が画素ずれており、撮像距離を変えるとサンプリング位相が変化することがわかる。次に、図5に示した撮像系104と107のサンプリング位相のずれと、図6に示した撮像系104と101のサンプリング位相のずれを重ねた結果を図7に示す。撮像系104と107のサンプリング位相のずれを細線で、撮像系104と101のサンプリング位相のずれを太線で示している。図7からわかるように、一方のサンプリング位相が揃う撮像距離において、他方のサンプリング位相がずれており、すべての撮像距離において少なくとも一方は画素ずらしの状態となっている。図7の縦軸の表示範囲を0.25画素から0.75画素にしたものを、図8に示す。すべての撮像距離において、サンプリング位相のずれ量のどちらか一方が必ず0.25画素から0.75画素の範囲内に入っていることがわかる。次に、高解像度化するために必要なサンプリング位相のずれ量について述べる。図30に、2つの撮像系を用いて高解像度化の検証を行った結果を示す。水平に配置した2つの撮像系で解像度測定用のチャートを撮像し、2つの画像を合成し、合成画像の水平方向の解像度を評価した。図の横軸は撮像系からチャートまでの撮像距離を示しており、チャートを100cmから1cm刻みで125cmまで、順に計26点に配置して撮像した。図の縦軸は、合成画像の水平方向の解像度を示している。また、縦軸には、サンプリング位相のずれ量も合わせて示している。サンプリング位相のずれ量は、撮像系の焦点距離や画素ピッチ、撮像距離等を用いて、上述の方法で算出した。図より、十分に解像度を向上させるには、0.20画素から0.80画素のサンプリング位相のずれが必要であることがわかる。したがって、3つの撮像系を用い、すべての撮像距離において、サンプリング位相のずれ量のどちらか一方が必ず0.25画素から0.75画素の範囲内に入っている図8の条件においては、すべての撮像距離において高解像度化出来る。本実施形態では、撮像系104と101の水平方向の基線長QRと、撮像系104と107の水平方向の基線長RSをいずれも12mmと等しい構成とし、焦点距離fも5mmと等しくした。基線長、焦点距離を等しくすることで、撮像距離に変化に伴うシフト量の変化量が等しくなり、基準とする距離において、ある1つの撮像系ここでは撮像系104とサンプリング位相の揃う撮像系ここでは撮像系107と、サンプリング位相の1/2画素ずれる撮像系ここでは撮像系101を備えることで、すべての撮像距離にある被写体を、高解像度化可能な画素ずらしの状態で撮像することが可能となる。次に、垂直方向の高解像度化について述べる。図9に、撮像素子106と109を光軸方向から見た図を示す。R’とS’は撮像系104と107のそれぞれの光軸と撮像素子が交わる点を示しており、光軸の高さは一致している。撮像素子109は、撮像素子106に対し、垂直方向にサンプリング位相が1/2画素ずれるよう配置されている。光軸の高さが一致していることから、垂直方向の基線長は零であり、式1より、撮像距離が変化してもサンプリング位相が変化しない。従って、すべての撮像距離において垂直方向のサンプリング位相が1/2画素ずれており、すべての撮像距離において高解像度化出来る。また、水平方向と同様、垂直方向の高解像度化についても、3つの撮像系のうち、少なくとも2つの撮像系のサンプリング位相が高解像度化可能な0.20から0.80画素ずれていればよい。以上のような構成により、撮像系を水平方向に3つ配置することで、撮像距離に依らず、垂直方向にも水平方向にも高解像度化可能となる。なお、垂直方向の高解像度化については、3つの撮像系のうち、少なくとも2つの撮像系のサンプリング位相が高解像度化可能な0.20から0.80画素ずれた状態であればよいため、3つの撮像系の配置は、上記に限らない。例えば、図10に示すように、3つの撮像系のサンプリング位相が1/3画素ずつずれた構成でもよいし、図11に示すように、基準の撮像系に対し、一方の撮像系のサンプリング位相が1/2画素ずれており、他方の撮像系のサンプリング位相が揃う構成でもよいし、図12に示すように、基準の撮像系に対し、2つの撮像系のサンプリング位相が共に1/2画素ずれており、その2つの撮像系のサンプリング位相が揃う構成にしてもよい。次に、複眼方式の画素ずらしにより高解像度画像を得るために必要な、複数の画像のずれ量視差の計算について述べる。図13は、2つの撮像系1301と1302が垂直方向に並置され、被写体1303を撮像している。図14に、図13の状態で撮像した場合の撮像系1301の撮像画像1401と、撮像系1302の撮像画像1402を示す。被写体1303は垂直方向にずれて撮像される。ハードウェア処理により、撮影画像1402を基準とし撮影画像1401中から対応点を探索する場合、例えば、網掛けで示す撮影画像1402中の画素1404に対応する点は、撮影画像1401中の画素1403となるが、対応点の探索を斜線で示す左上の画素1405から行うと、対応点である画素1403に到達するまでデータを保持しておく必要があり、ラインメモリあるいはフレームメモリを利用する必要が生じる。一方、図15は、2つの撮像系1501と1502が水平方向に並置され、被写体1503を撮像している。図16に、図15の状態で撮像した場合の撮像系1501の撮像画像1601と、撮像系1502の撮像画像1602を示す。被写体1503は水平方向にずれて撮像される。ハードウェア処理により、撮影画像1602を基準とし撮影画像1601中から対応点を探索する場合、例えば、網掛けで示す撮影画像1602中の画素1604に対応する点は、撮影画像1601中の画素1603となるが、垂直方向のずれがないため、対応点の探索を斜線で示す左上の画素1605から行う必要はなく、対応点である画素1603と同じ高さのライン上の左端の画素である横線で示す画素1606から探索すればよく、対応点に到達するまで保持しておくデータ量を、撮像系を垂直に並置する場合に比べて大幅に低減することが可能となる。また、3つの撮像系を水平方向に並置することにより、従来の垂直方向と水平方向に並置する構成と比較し、垂直方向に薄型化することが可能となる。<第二の実施形態>次に、本発明の第二の実施形態について述べる。第一の実施形態では、焦点距離の等しい3つの撮像系を水平方向の基線長が等しくなるよう配置することで、撮像距離に依らず垂直方向、水平方向ともに高解像度化可能な構成を実現した。第二の実施形態では、撮像装置の実際の製造過程において位置精度に誤差が生じた場合においても撮像距離に依らず高解像度化可能な構成について説明する。3つの撮像系が等間隔に並んでいない場合、撮像距離の変化に伴うシフト量の大きさが異なるが、基線長の違いが微小であれば、サンプリング位相に与える影響も微小となり、撮像距離に依らず高解像度化可能となる。例えば、図3において、3つの撮像系の焦点距離fを5mm、基線長RSとQRを12mmとして、高解像度化したい撮像距離の範囲を1000mmから3000mmとした場合において、上記撮像距離範囲内において高解像度化出来るよう撮像するための基線長QRの許容誤差を求める。撮像距離1500mmで撮像系104と撮像系107のサンプリング位相が1/2画素ずれる状態とし、撮像系101と撮像系104のサンプリング位相が揃った状態とする。QRをQR=12mmの状態から1mmずつ変化させると、QR=11.7mmからQR=12.4mmの範囲においては、撮像距離1000mmから3000mmの間における撮像系104と撮像系107のサンプリング位相と、撮像系101と撮像系104のサンプリング位相の少なくとも一方が0.20から0.80画素ずれており、撮像距離に依らず高解像度化出来ると言える。図17にQR=11.7mmの場合のサンプリング位相のずれ量を示し、図18にQR=11.0mmの場合のサンプリング位相のずれ量を示す。図18では、丸で示した撮像距離2320mm付近と2980mm付近において2つのサンプリング位相のずれ量が共に0.20から0.80画素の範囲に入っておらず、高解像度化出来ない状態となっている。一方、図17では、すべての距離において2つのサンプリング位相のずれ量のいずれか一方が0.20から0.80画素の範囲に入っており、高解像度化出来る状態となっている。以上のように、第二の実施形態では、撮像系101と104の基線長QRと撮像系104と107の基線長RS基線長に誤差がある場合においても、許容範囲内にその誤差を抑えることにより、所定の撮像距離の範囲内において、撮像距離に依らず高解像度化することが可能となる。なお、サンプリング位相は基線長だけでなく、光軸と撮像素子の相対的な位置関係、焦点距離、画素ピッチによっても変化し、また、高解像度化したい撮像距離の範囲にも依存するため、許容される誤差の範囲を基線長だけで定義することは出来ないが、光学系の光軸と撮像素子の相対的な位置関係、焦点距離、画素ピッチ、高解像度化したい撮像距離の範囲が決まれば、許容範囲は式1から求まるシフト量より計算することが可能となる。本実施形態では、所定の撮像距離の範囲内において、2つのサンプリング位相のずれ量のうち、少なくとも一方が、高解像度化可能な0.20から0.80画素の範囲に入るよう3つの撮像系を配置することで、撮像距離に依らず、水平方向の解像度を向上させることが可能となる。また、垂直方向に関しては、第一の実施形態と同様の構成にすることで、撮像距離に依らず高解像度化可能となる。<第三の実施形態>次に、本発明の第三の実施形態について述べる。第三の実施形態では、図11や図12に示すように、水平方向に配置した3つの撮像系のうち、2つの撮像系の垂直方向のサンプリング位相が揃い、もう1つの撮像系の垂直方向のサンプリング位相が他の2つの撮像系に対し1/2画素ずれる構成とする。本発明では、基線長の小さな垂直方向については撮像距離に依らずサンプリング位相のずれがほぼ一定であるが、基線長の大きな水平方向については撮像距離によってサンプリング位相のずれが変化するため、画像間のずれ量視差をステレオマッチングなどの方法を用いて求める必要がある。ステレオマッチング法において対応点を探索する際、サンプリング位相にずれがある場合には、完全に一致する対応点は存在せず、所定の対応点は画素と画素の間に存在することになる。図19を用いて説明する。図19は、水平方向に並置した2つの撮像系で撮像した画像1901と1902を示している。撮像画像1902中の画素1903に対応する点を撮像画像1901中から探索すると、対応する点は画素1904と画素1905の間に存在する。更に、垂直方向にもサンプリング位相にずれがある場合について、図20を用いて説明する。図20は、水平方向に並置した2つの撮像系で撮像した画像2001と2002を示しており、垂直方向のサンプリング位相も1/2画素ずれている。図20において、撮像画像2002中の画素2003に対応する点は、撮像画像2001中の4つの画素2004、2005、2006、2007の間に存在する。このように、対応点探索の際、サンプリング位相にずれがある場合は完全に一致する対応点が存在せず、計算精度が低下する恐れがある。第三の実施形態では、2つの撮像系の垂直方向のサンプリング位相が揃っており、対応点探索をする際、少なくとも垂直方向にはずれのない2つの画像から検索することが可能となり、計算精度が向上する。計算精度が向上することにより、画像間のずれ量をもとに各画素を対応する点に配置し高解像度画像上を生成する際の誤差が小さくなり、より解像度の高い画像を生成することが可能となる。<第四の実施形態>次に、本発明の第四の実施形態について述べる。第四の実施形態では、図10に示すように、3つの撮像系の垂直方向のサンプリング位相が1/3画素ずつずれる構成とする。上述のように、2つの撮像系で高解像度化する場合、サンプリング位相が1/2画素ずれている状態が最適な条件であるが、これは、サンプリングの間隔が最も狭くなるためである。例えば、垂直方向のサンプリング位相が0.3画素ずれている状態であるとすると、上下方向のうち、一方は0.3画素ずれているが、他方は0.7画素ずれており、サンプリングの間隔が広い。垂直方向のサンプリング位相が1/2画素ずれている状態であれば、上下方向ともに1/2画素となる。したがって、撮像系を3つ備える場合は、サンプリング位相が1/3画素ずつずれている状態が、サンプリングの間隔が最も狭くなる構成であり、高解像度化に好適である。上述のように、本発明は、3つの撮像系を画素の配列方向に配置し、所定範囲の撮像距離内にある被写体が、いずれか2つの撮像系により、高解像度化の条件であるサンプリング位相のずれが0.2から0.8画素ずれた状態で撮像される構成にすることで、水平垂直両方向を高解像度化するとともに、3つの撮像系を一方向に配置することで、ハードウェアで視差算出などの画像処理を行うために必要な処理量やメモリ量を削減することが出来る。