半導体素子をCu電極にBiを主成分とする接合材料により接合した接合構造体において、上記接合材料とその表面に形成した中間層とから積層体を構成し、この積層体を介して半導体素子の表面のCuと上記Cu電極とを接合して、上記半導体素子の表面のCuのヤング率をE1、中間層のヤング率をE2、接合材料のヤング率をE3、Cu電極のヤング率をE4とした場合に、各ヤング率E1~E4が、次の条件p及び/又はqE3<E2<E1...pE3<E2<E4...qを満たすように、上記積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする接合構造体。積層体が、接合材料と、その上下両面に形成した2つの中間層からなる3層積層体であって、半導体素子に臨む側の第1中間層のヤング率をE21とし、電極に臨む側の第2中間層のヤング率をE24とすると、各ヤング率E1、E21、E24、E3、E4が、次の条件p及びqE3<E21<E1...pE3<E24<E4...qを満たすように、上記3層積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする請求項1に記載の接合構造体。積層体が、接合材料と、その半導体素子に臨む面に形成した中間層からなる2層積層体であって、半導体素子に臨む中間層のヤング率をE21とした場合に、各ヤング率E1、E21、E3が、次の条件pE3<E21<E1...pを満たすように、上記2層積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする請求項1に記載の接合構造体。積層体が、接合材料と、その電極に臨む面に形成した中間層からなる2層積層体であって、電極に臨む中間層のヤング率をE24とした場合に、各ヤング率E24、E3、E4が、次の条件qE3<E24<E4...qを満たすように、上記2層積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする請求項1に記載の接合構造体。中間層が、AuSn化合物、AgSn化合物、CuSn化合物、Au、Agよりなる群から選ばれた金属の少なくとも一種であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の接合構造体。中間層がCuSn化合物であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の接合構造体。上記特許文献2では、保護樹脂を所定領域に被覆充填することにより、はんだ材料を介した半導体素子と電極からなる接合構造体の応力緩和性の向上を図っているが、本発明は、保護樹脂の充填を特徴とする上記特許文献2とは異なる手段で、パワー半導体モジュールの接合構造体において、上記応力緩和性を改善して、接合部でのクラックや剥離の発生を防止することを技術的課題とする。本発明者らは、接合材料から被接合材料半導体素子、Cu電極に向けて、外部応力に対する歪みが傾斜的に変化するような積層構造体を形成することにより、被接合材料半導体素子、Cu電極の熱膨張係数差に基づく熱応力を有効に緩和吸収することを着想し、本発明を完成した。即ち、本発明1は、半導体素子をCu電極にBiを主成分とする接合材料により接合した接合構造体において、上記接合材料とその表面に形成した中間層とから積層体を構成し、この積層体を介して半導体素子の表面のCuと上記Cu電極とを接合して、上記半導体素子の表面のCuのヤング率をE1、中間層のヤング率をE2、接合材料のヤング率をE3、Cu電極のヤング率をE4とした場合に、各ヤング率E1~E4が、次の条件p及び/又はqE3<E2<E1...pE3<E2<E4...qを満たすように、上記積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする接合構造体である。本発明2は、上記本発明1において、積層体が、接合材料と、その上下両面に形成した2つの中間層からなる3層積層体であって、半導体素子に臨む側の第1中間層のヤング率をE21とし、電極に臨む側の第2中間層のヤング率をE24とすると、各ヤング率E1、E21、E24、E3、E4が、次の条件p及びqE3<E21<E1...pE3<E24<E4...qを満たすように、上記3層積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする接合構造体である。本発明3は、上記本発明1において、積層体が、接合材料と、その半導体素子に臨む面に形成した中間層からなる2層積層体であって、半導体素子に臨む中間層のヤング率をE21とした場合に、各ヤング率E1、E21、E3が、次の条件pE3<E21<E1...pを満たすように、上記2層積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする接合構造体である。本発明4は、上記本発明1において、積層体が、接合材料と、その電極に臨む面に形成した中間層からなる2層積層体であって、電極に臨む中間層のヤング率をE24とした場合に、各ヤング率E24、E3、E4が、次の条件qE3<E24<E4...qを満たすように、上記2層積層体を半導体素子及び電極に対して構成したことを特徴とする接合構造体である。本発明5は、上記本発明1~4のいずれかにおいて、中間層が、AuSn化合物、AgSn化合物、CuSn化合物、Au、Agよりなる群から選ばれた金属の少なくとも一種であることを特徴とする接合構造体である。本発明6は、上記本発明1~5のいずれかにおいて、中間層がCuSn化合物であることを特徴とする接合構造体である。本発明は、接合材料と被接合材料半導体素子、Cu電極の間に、これらの中間に位置するヤング率を有する中間層を介在させたことを特徴とする。即ち、本発明では、接合材料から被接合材料半導体素子、Cu電極に向けて、ヤング率が傾斜的に増大するような積層構造を介して半導体素子とCu電極を接合することにより、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対して、いわゆるバネ効果を働かせて優れた応力緩和機能を発現させるため、半導体素子と電極とを品質良く接合し、もって接合信頼性を向上できる。本発明1は、接合材料とその表面に形成した中間層とから積層体を構成し、この積層体を介して半導体素子の表面のCuと上記Cu電極とを接合して、接合材料、中間層、半導体素子の一方向に向けて、或いは、接合材料、中間層、Cu電極の一方向に向けて各ヤング率を順次増大させるか、又はさらに、接合材料から中間層経由で半導体素子と電極との両方向に向けて各ヤング率を順次増大させた接合構造体である。これを分かり易く説明すると、接合構造体においては、上記半導体素子の表面のCuのヤング率をE1、中間層のヤング率をE2、接合材料のヤング率をE3、Cu電極のヤング率をE4とした場合に、各ヤング率E1~E4が、次の条件p及び/又はqE3<E2<E1...pE3<E2<E4...qを満たすように、上記積層体を半導体素子と電極に対して構成する。また、前記本発明2~4は上記本発明1の下位概念的発明であり、本発明2は、接合材料の上下両面に中間層を形成して、この3層積層体中間層、接合材料、中間層を半導体素子と電極の間に介在させて、接合材料から中間層経由で半導体素子と電極との両面に向けて各ヤング率を順次増大させて、応力緩和を図るものである。次いで、本発明3は、接合材料の半導体素子に臨む面に中間層を形成して2層の積層体中間層、接合材料を構成し、接合材料、中間層、半導体素子に向けて各ヤング率を順次増大させて、応力を緩和するものである。本発明4は、接合材料の電極に臨む面に中間層を形成して2層の積層体中間層、接合材料を構成し、本発明3と同様に各ヤング率を順次増大させて、応力緩和を図るようにした接合構造体である。尚、本発明では、電極、或いは後述するバリアメタル層の最下層の材質としての銅は、銅並びに銅合金を包含する概念である。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の接合構造体を構成要素とする実装構造体の断面図である。先ず、接合材料104により半導体素子102と電極103を接合して接合構造体106を形成し、次いで、当該接合構造体106を封止樹脂105で封止してパワー半導体モジュール100を形成し、最後に、当該パワー半導体モジュール100をはんだ材料109を用いて基板101に実装して、実装構造体110を形成している。次に、上記接合構造体106について詳述する。図2は、この接合構造体の製造工程図であり、接合材料の上下面に中間層を夫々形成する場合つまり、3層の積層体を介在させた上記第一の発明の場合を説明する。先ず、図2aは、電極103を供給する工程図である。電極103の供給に際しては、水素5を含んだ窒素雰囲気中室温に電極103を供給する。Cu合金で構成された電極103には、表面処理層として、予め電解めっき法によりAg層201、及び電極表面処理層202を成膜させている。次いで、電極103上にBi層203を具備した半導体素子102を載置する。図2bは、Bi層203を具備した半導体素子102を電極103の表面処理層であるAg層201の上に載置する工程図である。半導体素子102を載置するに際しては、水素5を含んだ窒素雰囲気中で、電極103を320°Cに加熱している。GaNで構成され、厚み0.3mm、4mm×5mmの大きさの半導体素子102には、予め蒸着法により、GaN側からCr0.1μm/Ni1μm/Cu3μmの多層よりなるバリアメタル層204、Bi下地層205を成膜し、また、電気めっき法によりBi下地層205上に厚み10μmのBiよりなるBi層203を成膜している。上記バリアメタル層204について述べると、半導体素子102側のCrは、Siとオーミック接合により導通を確保するために成膜される。また、バリアメタル層204のNiは、半導体素子のデバイスにCu成分が拡散することによるデバイスの機能低下を防ぐためつまりCuの拡散防止用に成膜される。最後に、バリアメタル層204のCuは前記Bi下地層205に接する層である。このCu層を設ける理由については、前記Bi層203のBiとNiは界面に金属間化合物Bi3Niを形成し、この脆い金属化合物層が例えばパワー半導体モジュールの使用時に熱応力により変形する際に亀裂の起点となる恐れがあることから、Biとバリアメタル層のNiとの間にCuを成膜してBiのNiへの拡散を防止するためである。Cuを選定したのは、Biに対する溶解量が少ない0.4at程度金属であることから、Biの拡散を防ぐバリア効果を発現させるためである。また、Cuの厚みに関しては、1μm以上あればBiの拡散を防ぐことが可能であるが、電気めっき法での成膜厚みのバラつき2μmを考慮し、3μmとしている。次いで、上記Bi層203は電極103の表面処理層であるAg層201に接するように、半導体素子102を50gf~150gf程度の荷重で、電極103の上に載置している。ちなみに、後述する本発明の実施例では60gfの荷重で、半導体素子102を電極103の上に載置している。次に、図2cは、溶融したBi層203にAg層201の一部が拡散した状態の接合材料104を自然冷却により凝固させる工程図である。図2cの工程では、水素5を含んだ窒素雰囲気中で自然冷却させ、接合材料104が凝固することにより電極103と半導体素子102とを接合させ、接合構造体106を製造する。次に、上記接合材料104について説明する。前述したように、図2b~cのBi層203が溶融して凝固するまでの間、Biには電極103の表面処理層であるAg層201が拡散する。上記Bi層203のBiはAgとBi-3.5重量Agの2元共晶を形成するため、Biに対してAgが拡散した後の接合材料104の融点は262°Cとなる。電極103の表面処理層としてAg層201を形成する目的は、半導体素子102の下部全面に対する溶融Biの濡れ性を確保するためである。次に、中間層中間層A206、中間層B207について説明する。先ず、中間層A206は、320°Cの加熱状態で電極表面処理層202中の拡散反応により、或いは電極表面処理層202と電極103のCuとの拡散反応により形成された層である。同様に、中間層B207も、320°Cの加熱状態でBi下地層205中の拡散反応により、或いはバリアメタル層204の最下層であるCuとBi下地層205との拡散反応により形成された層である。上述の接合構造体は、Cu電極と半導体素子の表面のCuを、中間層A206と接合材料と中間層B207との3層積層体を介して接合したものであり、接合部の応力緩和には、接合材料、中間層A206、Cu電極に向けて、また、接合材料、中間層B207、半導体素子に向けて、各ヤング率が順次つまり傾斜的に増大する必要がある。これは、上記中間層B207のヤング率が接合材料104のヤング率と半導体素子102の表面のヤング率との間にありつまり中間の値をとり、且つ、中間層A206のヤング率が接合材料104のヤング率と電極103のヤング率との間にあるつまり中間の値をとることにより達成される。そこで、この点を3層積層体に関する前記本発明2に基づいて説明すると、半導体素子に臨む側の第1中間層=中間層Bのヤング率をE21とし、電極に臨む側の第2中間層=中間層Aのヤング率をE24とすると、各ヤング率E1、E21、E24、E3、E4が、次の条件p及びqE3<E21<E1...pE3<E24<E4...qを満たすように、上記3層積層体を半導体素子及び電極に対して構成するのである。この場合、中間層のヤング率が中間の値をとるとは、例えば、半導体素子側に近い中間層Bで説明すると、接合材料のヤング率と半導体素子のバリアメタル層の下層Cuのヤング率とのほぼ中央寄りの数値だけを意味するのではなく、バリアメタル層の下層Cuのヤング率、又は接合材料のヤング率に近い数値つまり、中央値から一方のヤング率の方に偏った数値であっても差し支えない。後述の実施例1は前者の例、実施例3は後者の例である。一方、上記本発明3~4に示す通り、2層の積層体を半導体素子と電極の間に介在させて応力緩和を図ることができる。先ず、中間層を接合材料104の半導体素子側に形成する場合を説明する。Cu電極と半導体素子の表面のCuを、接合材料104と中間層B207との2層積層体を介して接合し、中間層B207のヤング率を接合材料104のヤング率と半導体素子102のバリアメタル層の下層Cuのヤング率との間に設定することにより、上記接合材料104と中間層B207の2層積層体の各ヤング率が、接合材料104、中間層B207、半導体素子102のバリアメタル層の下層Cuに向けて順次増大するように構成させる。そこで、この点を接合材料104の半導体素子側に中間層を形成した2層積層体に関する本発明3に基づいて説明すると、半導体素子に臨む中間層=中間層Bのヤング率をE21とした場合に、各ヤング率E1、E21、E3が、次の条件pE3<E21<E1...pを満たすように、上記2層積層体を半導体素子及び電極に対して構成するのである。次に、中間層を接合材料104の電極側に形成する場合を説明する。Cu電極と半導体素子の表面のCuを、接合材料104と中間層A206との2層積層体を介して接合して、中間層A206のヤング率を接合材料104のヤング率と電極103のヤング率との間に設定することにより、上記接合材料103と中間層A206の2層積層体の各ヤング率が、接合材料104、中間層A206、電極103に向けて順次増大するように構成させる。そこで、この点を接合材料104の電極側に中間層を形成した2層積層体に関する本発明4に基づいて説明すると、電極に臨む中間層=中間層Aのヤング率をE24とした場合に、各ヤング率E24、E3、E4が、次の条件qE3<E24<E4...qを満たすように、上記2層積層体を半導体素子及び電極に対して構成するのである。上記接合構造体を作成する際には、中間層を接合材料の一方の面にだけ形成して2層積層体としても、バネ効果を働かせることができるが、中間層を接合材料の上下面に形成して3層積層体にすると、バネ効果の働きはより良好になる。また、中間層の材質は、AuSn化合物、AgSn化合物、CuSn化合物、Au、Agよりなる群から選定するのが好ましく、より好ましくはCuSn化合物である。さらに、中間層の厚みについて、Au/Snの構成を例にとって説明する。接合前のAu/Snの構成が接合後にAuSn化合物になる反応は、下式aで表される。Au4Sn→AuSn4...aここで、接合前のAuの厚みをLAu、Snの厚みをLSnとすると、化学量論的に両者の関係は下式bのようになる。LSn=4×LAu×ρAu×MSn/ρSn×MAu...b式b中、ρは密度、Mは原子量、添え字は各元素を夫々表す。そこで、例えば、後述の実施例1に基づいて述べると、Auを01μm成膜する場合、上記b式に各物性値を代入すると、相当する接合前のSnの厚みは06μm強となるため、接合前のSnの厚みが06μm未満であれば、接合後には、上式aの金属間化合物のみが生成し、接合前のSn成膜のうち、全てのSnが消失することがわかる。そこで、実施例1ではめっきの成膜ばらつきを考慮して、金属間化合物のみが確実に生成するように、Snの厚みは06μmよりかなり薄い03μmの成膜を狙った。従って、Auの成膜厚みは01μm以外の場合でも、適宜、上記設計思想に基づき、接合後にSnの単層を残さないように、接合前のSnの厚みを設定すればよい。接合後にSnの単層が残ると、接合部208中でSnの融点である232°Cの相が形成されてしまい、パワー半導体100の基板101に対する実装時に再溶融する恐れがあるため、接合後にSnの単層を残さないようにしている。以上が、Au/Snの構成に関する説明であるが、他のAg/Sn、Sn、Au、Agの各水準に対する厚みに関する厚みの考え方も、上記に倣えばよい。以上のように、接合構造体106の作成が完了したならば、前記図1に示す通り、当該接合構造体106を用いてパワー半導体モジュール100を作成し、これをはんだ材料109で基板101に実装して、実装構造体110を作成する図3参照。実装の際のはんだ材料109は、一般的には、Sn-3重量Ag-0.5重量Cu融点217°Cを用いるが、鉛フリーのSn系はんだであれば、これに限らず、例えば、Sn-07重量Cu融点227°C、Sn-35重量Ag-05重量Bi-60重量In融点220°C等を用いても良い。以下、本発明の接合構造体の実施例、当該接合構造体より得られたパワー半導体モジュールを基板に実装した実装構造体の製造例、当該実装構造体による歩留まりの評価試験例を順次説明する。《接合構造体の実施例》下記の実施例1~15のうち、実施例1~5は前述した通り、接合材料の上下面に中間層ABを夫々形成した例、実施例6~10は接合材料のうちの半導体素子に臨む面に中間層Bのみを形成した例、実施例11~15は接合材料のうちの電極に臨む面に中間層Aのみを形成した例である。また、従来技術に準拠して、電極表面処理層202及びBi下地層205を設けず、加熱拡散による中間層A、Bを形成しない場合を比較例1とした。尚、図4には、上記実施例1~15について、接合前の電極表面処理層202、Bi下地層205の構成と厚み、接合後の中間層A及び/又は中間層Bの組成と厚みをまとめた。1実施例1電極表面処理層202としてAu0.1μm/Sn0.3μmの2層を積層状に形成した。この場合、Bi層203から遠い側がAuであり、Bi層203に近い側がSnである。同様に、Bi下地層205としてAu0.1μm/Sn0.3μmの2層を積層状に形成した。この場合、Bi層203から遠い側がAuであり、Bi層203に近い側がSnである。次いで、320°Cに加熱して、電極表面処理層202中の拡散反応により金属間化合物を生成させて、AuSn化合物2μmよりなる中間層A206を形成した。同様に、Bi下地層205中の拡散反応により金属間化合物を生成させて、AuSn化合物2μmよりなる中間層B207を形成した。上記AuSn化合物については、EDXエネルギー分散型X線分光器により、AuSn4AuとSnが原子量比で1対4であることを確認した。2実施例2図4に示すように、電極表面処理層202としてAg0.5μm/Sn0.1μmの2層を積層状に形成し、Bi下地層205としてAg0.5μm/Sn0.1μmの2層を積層状に形成した。この場合、Bi層203から遠い側がAgであり、Bi層203に近い側がSnである。次いで、320°Cに加熱して、電極表面処理層202の拡散反応により、AgSn化合物2μmよりなる中間層A206を形成した。同様に、Bi下地層205の拡散反応により、AgSn化合物2μmよりなる中間層B207を形成した。上記AgSn化合物については、EDXエネルギー分散型X線分光器により、Ag3SnAgとSnが原子量比で3対1であることを確認した。3実施例3図4に示すように、電極表面処理層202としてSn0.5μmの単層を形成し、Bi下地層205としてSn0.5μmの単層を形成した。次いで、320°Cに加熱して、電極表面処理層202と電極103のCuとの拡散反応により、CuSn化合物2μmよりなる中間層A206を形成した。同様に、Bi下地層205とバリアメタル層204の最下層であるCuとの拡散反応により、CuSn化合物2μmよりなる中間層B207を形成した。上記CuSn化合物については、EDXエネルギー分散型X線分光器により、Cu6Sn5CuとSnが原子量比で6対5であることを確認した。4実施例4図4に示すように、電極表面処理層202としてAu2μmの単層を形成し、Bi下地層205としてAu2μmの単層を形成した。次いで、320°Cに加熱して、電極表面処理層202の拡散により、Au05μmよりなる中間層A206を形成し、同様に、Bi下地層205の拡散により、Au05μmよりなる中間層B207を形成した。ちなみに、Auは電極、或いはバリアメタル層204の最下層のCuとは金属間化合物を形成しない。5実施例5図4に示すように、電極表面処理層202としてAg2μmの単層を形成し、Bi下地層205としてAg2μmの単層を形成した。次いで、320°Cに加熱して、電極表面処理層202の拡散により、Ag05μmよりなる中間層A206を形成し、同様に、Bi下地層205の拡散により、Ag05μmよりなる中間層B207を形成した。ちなみに、Agは電極、或いはバリアメタル層204の最下層のCuとは金属間化合物を形成しない。6実施例6~10図4に示す構成と厚みで2層又は単層のBi下地層205を形成した後、320°Cに加熱して、図4に示す組成と厚みの中間層B207を形成した。中間層A206は形成しなかった。7実施例11~15図4に示す構成と厚みで2層又は単層の電極表面処理層202を形成した後、320°Cに加熱して、図4に示す組成と厚みの中間層A206を形成した。中間層B207は形成しなかった。《実装構造体の製造例》図3に示すように、上記実施例により完成させた接合構造体を使用して、ワイヤ107を用いてワイヤボンディングリボンボンディングでも良いを行い、封止を実施してパワー半導体モジュール100を形成した後、このパワー半導体モジュール100をはんだ材料で基板101に実装して、実装構造体110を形成した。上記はんだ材料109には、前述した通り、一般的なはんだ材料であるSn-3重量Ag-0.5重量Cu融点217°Cを用いた。そこで、上記実装構造体の製品歩留まりを評価した。《実装構造体による歩留まり評価試験例》低温側を-65°Cに固定し、高温側を150°C、175°C、200°Cの3段階に設定して、低温-高温間の温度サイクル試験1サイクル30分/30分を300サイクル繰り返した後、製品を超音波映像で観察して、接合構造体の接合材料のクラック、剥離の有無を目視で判定し、接合部の表面積に対してクラック、剥離が20未満に収まる製品歩留まりN数=20を算出し、下記の基準でその優劣を評価した。○:歩留まりが80以上良品であった。×:歩留まりが80未満不良品であった。《歩留まり試験の評価について》図5は歩留まり試験の結果を表す。先ず、実施例1~15では、温度サイクル試験条件の高温側が150°C、175°C、200°Cのいずれの場合も、歩留まりが80以上であり、良品○の判定であった。これに対して、比較例1では、温度サイクル試験条件の高温側が150°Cの場合には、歩留まりは95であったが、高温側が175°C、200に昇温すると、歩留まりは65、50に低下して、不良品×の判定となった。一般に、温度サイクル試験では、高温側と低温側の温度差ΔTが大きいとパワー半導体素子の熱膨張係数α≒3ppm/K、Cuの線膨張係数α≒18ppm/Kの差に基づく熱応力が大きくなり、接合構造体における接合部にその応力が加わる。比較例1従来技術を見ると、高温側が150°Cに対する耐熱応力は有するが、175°C、200°Cに対する耐熱応力は具備しないことがわかる。これに対して、本発明の実施例1~15では、いずれも良品の判定であった。そこで、実施例1を代表例として、比較例1に対する実施例の優位性の理由を考察する。先ず、接合部の各構成のヤング率を見ると、比較例1の構成は、電極103と、Ag層が拡散したBi層203接合材料と、バリアメタル層204の最下層であるCu層との3層構造なので、Cu110×109N/m2/Bi-3.5重量Ag32×109N/m2/Cu110×109N/m2となる。これに対して、実施例1の構成では、Ag層が拡散したBi層203接合材料の上下面に中間層ABが積層するので、Cu110×109N/m2/AuSn455.6×109N/m2/Bi-3.5重量Ag32×109N/m2/AuSn455.6×109N/m2/Cu110×109N/m2となっている。下式cのように、ヤング率は材料が弾性的に挙動する場合の応力とひずみの比であり、E=σ/ε...c式c中、Eはヤング率、σは応力、εは歪みを表すヤング率とひずみ量は反比例するため、一定の応力が加わった場合、ヤング率が小さい方が、ひずむことができる量が大きいことになる。従って、比較例1と実施例1の違いは、Cu層とBi-3.5重量Ag層の間に中間層のAuSn化合物AuSn4が介在するか否かということになるが、実施例1では、Bi-35重量Agの接合材料からCuに向けて、中間層があることで傾斜的にヤング率が増大することになり、バネ効果が働き応力緩和機能が発現したものと考えられる。しかしながら、比較例1では、このような傾斜的なヤング率の増大はなく、接合材料のヤング率と電極又はバリアメタル層のそれとの差異は大きいため、いわゆるバネ効果は働かず、これが比較例1に対する実施例1の優位性、つまり、高温側の温度条件により歩留まりの差が生じた理由であると推定できる。他の実施例2~15の各中間層についても同様であり、試料2、7、12の中間層Ag3Sn:ヤング率=74.5×109N/m2試料3、8、13の中間層Cu6Sn5:ヤング率=93.5×109N/m2試料4、9、14の中間層Au:ヤング率=80×109N/m2試料5、10、15の中間層Ag:ヤング率=76×109N/m2CuとBi-3.5重量Agの間に上記各種の中間層が介在することにより、バネ効果が働き、応力緩和機能が発現したものと推定できる。そこで、以下では実施例1~15の試験結果を詳細に検討する。接合材料の両面に中間層A、Bが存在する実施例1~5と、中間層Bのみの実施例6~10及び中間層Aのみの実施例11~15とを対比すると、図5の歩留まりには10~15の差があり、中間層が両方存在する実施例1~5の方が歩留まりに優位性があることが分かる。従って、中間層は半導体素子側又は電極側のみにあっても応力緩和機能は有効に発現するが、応力緩和機能をより促進するためには半導体素子側と電極側の両方に中間層を設けることが望ましいといえる。また、実施例4~5、実施例9~10、実施例14~15では、接合後の中間層の厚みは、接合前のAu、Ag層の厚みに比べて05μmと大きく減少している。これは、接合前の電極表面処理層、Bi下地層に近い部分のBi-3.5重量Ag中に拡散したためであるが、このような構成であっても、所望とするバネ効果の働きにより応力緩和機能は有効に発現することが上記歩留まり試験で裏付けられる。また、本発明は、積層体から半導体素子又は電極に向けてヤング率を傾斜的に増大させることに特徴があるが、例えば、上記実施例1の中間層BAuSn4のヤング率は556×109N/m2であり、バリアメタル層204の最下層であるCu層のヤング率110×109N/m2と、接合材料Bi-35重量Agのヤング率32×109N/m2のほぼ中央寄りの数値であるが、実施例3では、中間層BCu6Sn5のヤング率は93.5×109N/m2であり、バリアメタル層204のCu層のヤング率110×109N/m2に近い数値である。従って、中間層A、Bのヤング率は半導体素子の表面つまり、バリアメタル層の下層のCu又は電極Cuのそれに近い値でも、上記試験結果に照らしてバネ効果が働くので、中間層A、Bのヤング率は半導体素子の表面のCuのそれと、Cu電極のそれとの間にあれば、中央付近の数値に設計しなくても差し支えないといえる。