"それぞれ異なる波長の電磁放射を例えば遠視野で混合するためのオプトエレクトロニクスデバイス1において、支持体2と、前記支持体2上に配置され、第1のスペクトル領域の電磁放射を送出する少なくとも1つの第1の半導体チップ3と、前記支持体2上に配置され、第2のスペクトル領域の電磁放射を送出する少なくとも1つの第2の半導体チップ4,4a,4bとが設けられており、前記第1のスペクトル領域と前記第2のスペクトル領域は互いに異なっており、前記第1の半導体チップ3と前記第2の半導体チップ4,4a,4bは、ただ1つのパッケージ内に配置されており、前記第1の半導体チップ3は前記第2の半導体チップ4,4a,4bから、バリア5によって光学的に分離されており、前記第1の半導体チップ3と前記第2の半導体チップ4,4a,4bは、1つの共通の対称中心Zを中心としてそれぞれ点対称に配置されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。前記支持体2上において、前記少なくとも1つの第1の半導体チップ3が内側領域113に配置されており、前記少なくとも1つの第2の半導体チップ4が外側領域114に配置されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第2の半導体チップ4,4a,4bの周囲に別のバリア8が配置されている、請求項1または2記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記バリア5および/または前記別のバリア8はリング状に形成されている、請求項1から3のいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第1の半導体チップ3は、赤色スペクトル領域で電磁放射を送出するAlGaInP半導体チップである、請求項1から4のいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記第2の半導体チップ4,4a,4bは、青色スペクトル領域で電磁放射を送出するInGaN半導体チップである、請求項1から5のいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記InGaN半導体チップ4,4a,4bから送出される電磁放射の一部分が、変換手段17によって変換され、例えば黄緑色のスペクトル領域に変換される、請求項6記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記AlGaInP半導体チップ3は、第1の注型材料7例えばシリコーンまたはエポキシ樹脂によって注封されている、請求項5記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記InGaN半導体チップ4,4a,4bは第2の注型材料9例えばシリコーンによって、平坦なカプセル化の形態で注封されており、該第2の注型材料9は変換手段17を有している、請求項6または7記載のオプトエレクトロニクスデバイス。例えばワイエルシュトラスの条件を満たすジオメトリを有する半球状の出射レンズ6が、前記第1の半導体チップ3の上に張設されている、請求項1から9のいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記InGaN半導体チップ4は、ボリューム発光素子4a例えばサファイアチップとして、および/または面発光型素子4b例えば薄膜チップとして構成されている、請求項6または7または9記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記面発光型素子4bは、高反射性の材料11中に少なくとも部分的に配置されており、例えばTiO2,ZrO2,Al2O3またはZnOで充填されたシリコーン内に配置されている、請求項11記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記バリア5および/または前記別のバリア8は高反射性であり、90よりも高い反射率を有しており、有利には95よりも高い反射率を有している、請求項1から12のいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。それぞれ異なる波長の電磁放射を例えば遠視野で混合するためのオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法において、支持体2の上に、少なくとも1つの第1の半導体チップ3を配置するステップと、支持体2の上に、少なくとも1つの第2の半導体チップ4を配置するステップとを有し、前記少なくとも1つの第1の半導体チップ3と、前記少なくとも1つの第2の半導体チップ4,4a,4bを、単一のパッケージ内で1つの共通の対称中心Zに対し点対称に配置し、光学的分離のため、前記少なくとも1つの第1の半導体チップ3と前記少なくとも1つの第2の半導体チップ4,4a,4bとの間に、バリア5を配置することを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイスの製造方法。"