"電子源と、前記電子源から放出される一次電子線を偏向するための偏向器と、前記偏向器によって偏向された前記一次電子線を収束するための収束レンズと、前記収束レンズによって収束された前記一次電子線の試料への照射に起因して放出される信号電子を検出する電子検出器と、前記電子検出器よりも前記試料側に配置され前記信号電子のエネルギーを弁別する減速電界型エネルギーフィルタと、を備えた走査電子顕微鏡において、前記減速電界型エネルギーフィルタは、前記信号電子のエネルギー弁別用の導体薄膜を有することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、更に、前記試料に照射される前記一次電子線を減速するための減速手段を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記導体薄膜は、少なくともC,グラフェン,Al,Au,Cu,Wのいずれかを有し、厚みが0.3nm以上50nm以下の範囲であることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記導体薄膜は絶縁体と導体との多層膜であり、厚みが0.3nm以上50nm以下の範囲であることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記導体薄膜は穴を多数有しており、多数の前記穴は前記試料から放出された前記信号電子が通過するものであることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、多数の前記穴は10μm以下の直径を有することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記導体薄膜は開口部を少なくとも一つ有しており、前記開口部は前記一次電子線が通過するものであることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記開口部は1±0.5mmの直径を有することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項7に記載の走査電子顕微鏡において、前記開口部の内部には前記一次電子線が通過するシールドパイプが配置され、前記シールドパイプは接地されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、更に、前記導体薄膜に印加する設定電圧を入力するためのユーザインターフェースを備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記導体薄膜に第一の設定電圧を印加した状態で得られる第一の走査像と、前記導体薄膜に第二の設定電圧を印加した状態で得られる第二の走査像との差分画像を形成する画像処理回路を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、更に、前記導体薄膜よりも前記試料側に第2の電子検出器を備え、前記第2の電子検出器は、前記試料より放出された前記信号電子が前記導体薄膜へ衝突することに起因して放出される電子を検出するものであることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、更に、前記導体薄膜の表面に付着する汚染物を除去するためのオゾンもしくは活性酸素のガス供給システムを備え、前記ガス供給システムは前記電子検出器と前記試料との間に配置されることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記減速電界型エネルギーフィルタは、前記導体薄膜を挟んで設けられた第1と第2の導体グリッドとを有し、前記第1と第2の導体グリッドは接地されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記導体薄膜は導体グリッドの試料側端部に配置されていることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項11に記載の走査電子顕微鏡を用いた測長方法であって、前記導体薄膜に第一の電圧を印加し、前記信号電子が前記第一の電圧でエネルギー弁別された電子に基づいて第一の画像を得る工程と、前記導体薄膜に第二の電圧を印加し、前記信号電子が前記第二の電圧でエネルギー弁別された電子に基づいて第二の画像を得る工程と、前記第一の画像と前記第二の画像の差分画像を形成する工程と、前記差分画像より前記試料のパターン寸法を計測する工程とを含み、前記差分画像が前記試料のオージェ電子によって形成されることを特徴とする測長方法。SEMにおいて検出される信号電子は二次電子、反射電子、オージェ電子に分類される。3次元デバイスの寸法計測、局所元素分析を行う上で、前記信号電子の弁別が有効であると期待される。なぜならば、反射電子はエネルギーが高いため、3次元デバイスの底から脱出でき、底部の観察に有用であると期待される。また、オージェ電子はそのエネルギーが元素固有であり、発生も試料ごく表面に限られるため、オージェ電子の検出により局所元素分析が可能になる。一方、二次電子は走査電子顕微鏡において一般的に画像形成に用いられる電子であり、試料表面から発生するため、試料の形状を反映した情報が得られる。信号電子を弁別するエネルギーフィルタとして、従来、金属グリッド等に電圧を印加し、印加電圧以上のエネルギーを持つ電子のみを通過させる減速電界型と、電磁場によって電子を偏向し電子軌道の違いにより弁別する偏向型の二種類が良く用いられる。また、電子のエネルギーによって物質への侵入長が異なることを利用した薄膜透過型のエネルギーフィルタも考案されている。偏向型のエネルギーフィルタでは減速電界型よりも良いエネルギー分解能が得られるが、装置が大規模になることに加え、ごく一部のエネルギー範囲のみを検出するバンドパスのため信号強度が弱いという課題がある。薄膜透過型は透過できる信号電子のエネルギーが薄膜の厚さで決まるため、任意のエネルギー弁別ができないという課題がある。信号強度が弱い場合は、画像のS/Nが悪く、画像を積算する必要があるため、高スループットを必要とするSEM式測長装置には適さない。また、SEM式測長装置では計測する試料によって、検出する二次電子や反射電子を変える必要があるので、任意のエネルギー弁別ができないエネルギーフィルタも同様にSEM式測長装置には適さない。減速電界型エネルギーフィルタは、閾値以上のエネルギーを持つ電子を全て透過させるため、信号強度の点で偏向型よりも優れており、閾値をユーザが自由に決定できる点では薄膜透過型よりも優れる。その一方で、エネルギー分解能では偏向型に劣るという課題がある。以下では、従来の減速電界型エネルギーフィルタの原理と課題について、図2を用いて説明する。減速電界型エネルギーフィルタは、図2に示すように導体グリッド201とグリッドに接続されたエネルギーフィルタ電源126で構成される。エネルギーフィルタ電源126により導体グリッド201に負電圧VFを印加すると、等電位線202に示すような電位障壁が形成される。一次電子がウェハ試料113に照射されるとウェハ113から二次電子や反射電子、オージェ電子を含む信号電子139が出射される。その後、エネルギーフィルタに入射した信号電子139の内、電位障壁を超えるエネルギーをもつ電子のみがエネルギーフィルタを通過し、検出される。現在、SEM式測長装置ではリターディング電源121によりウェハ113に数kVの負電圧Vrを印加し、ウェハ直前で一次電子138を減速させるリターディング法が良く採用されている。リターディング法では、ウェハ113から出射した信号電子139はウェハ113に印加された数kVの負電圧Vrによって加速されるという特徴を持つ。そのため、リターディング法と減速電界型エネルギーフィルタを併用すると、信号電子139は数keVのエネルギーを持ってエネルギーフィルタ108に入射することになる。この場合、信号電子139をエネルギー弁別するためにはエネルギーフィルタ電源126に-数kVの電圧を印加する必要がある。一方、減速電界型エネルギーフィルタでは、導体グリッド201に印加した電圧VFよりもグリッド中央部の電位が低くなる。この電圧降下量が大きいほどエネルギーフィルタのエネルギー分解能は低下することに加え、この電圧降下量はVFに比例する。すなわち、グリッド中央部における電圧降下のため、減速電界型エネルギーフィルタではVFが大きくなるに従い、エネルギー分解能も劣化する。このため、リターディング法と高エネルギー分解能の両立はこれまで困難とされてきた。本発明の目的は、リターディング光学系を有する場合であっても高いエネルギー分解能が得られる減速電界型エネルギーフィルタを備えた走査電子顕微鏡及びそれを用いた測長方法を提供することにある。上記目的を達成するための一実施形態として、電子源と、前記電子源から放出される一次電子線を偏向するための偏向器と、前記偏向器によって偏向された前記一次電子線を収束するための収束レンズと、前記収束レンズによって収束された前記一次電子線の試料への照射に起因して放出される信号電子を検出する電子検出器と、前記電子検出器よりも前記試料側に配置され前記信号電子のエネルギーを弁別する減速電界型エネルギーフィルタと、を備えた走査電子顕微鏡において、前記減速電界型エネルギーフィルタは、前記信号電子のエネルギー弁別用の導体薄膜を有することを特徴とする走査電子顕微鏡とする。また、上記走査電子顕微鏡において、更に前記導体薄膜に第一の設定電圧を印加した状態で得られる第一の走査像と、前記導体薄膜に第二の設定電圧を印加した状態で得られる第二の走査像との差分画像を形成する画像処理回路を備えた走査電子顕微鏡を用いた測長方法であって、前記導体薄膜に第一の電圧を印加し、前記信号電子が前記第一の電圧でエネルギー弁別された電子に基づいて第一の画像を得る工程と、前記導体薄膜に第二の電圧を印加し、前記信号電子が前記第二の電圧でエネルギー弁別された電子に基づいて第二の画像を得る工程と、前記第一の画像と前記第二の画像の差分画像を形成する工程と、前記差分画像より前記試料のパターン寸法を計測する工程とを含み、前記差分画像が前記試料のオージェ電子によって形成されることを特徴とする測長方法とする。減速電界型エネルギーフィルタに導体薄膜を用いることにより、リターディング光学系を有する場合であっても高いエネルギー分解能が得られる減速電界型エネルギーフィルタを備えた走査電子顕微鏡及びそれを用いた測長方法を提供することが可能となる。以下に、本発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態では、従来の減速電界型エネルギーフィルタのグリッドに、厚さが100Å以上500Å以下10nm以上50nm以下の導体薄膜を張り付け、グリッドに負電圧を印加することで信号電子のエネルギー弁別を行うことを特徴とする。本実施の形態により、リターディング法を用いたSEMにおいて、従来の減速電界型エネルギーフィルタよりも優れたエネルギー分解能を得ることができる。導体薄膜を用いることで、従来の減速電界型エネルギーフィルタよりも良いエネルギー分解能を得ることができる理由について以下に述べる。まず、従来の減速電界型エネルギーフィルタでは、導体グリッド201に印加した電圧VF<0よりもグリッド中央部の電位が低くなる図2。この電位降下の影響により、-VFより低いエネルギーを持つ電子であってもエネルギーフィルタを通過することができ、このためエネルギー分解能が低下する。詳細は後で説明するが、本実施の形態では電圧を印加する導体グリッド302に導体薄膜304を張り付ける図3。導体グリッド302に導体薄膜304を張り付け、エネルギーフィルタ電源126より電圧VF<0を印加した場合、等電位線202は図3に示すように導体薄膜304と略平行に形成される。特に、導電薄膜304を導体グリッド302の信号電子入射側に張り付けることにより、等電位線202は信号電子入射側において導体薄膜304に対し、より平行に形成される。この場合、従来の減速電界型エネルギーフィルタ図2で生じたグリッド中央部における電位降下が無くなり、印加電圧VFのほぼ均一な電位障壁が形成される。次に、図3に示すエネルギーフィルタと従来のエネルギーフィルタの信号透過率特性の違いについて説明する。ここで、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタと、従来のエネルギーフィルタの両者に、V0>0のエネルギーを持つ電子が、導体グリッド201、301、302、303のピッチよりも十分に広い範囲に照射した場合を考える。この時、フィルタを通過する電子数が導体グリッド201、302に印加する電圧VFに対してどのように変化するのかを図4に示す。一般に、図4に示すカーブはSカーブと呼ばれる。従来のエネルギーフィルタは、前述の電位降下の影響により、-V0より高い電圧を印加した状態でも一定数の電子が透過し図4中破線、これによってエネルギー分解能が低下する。一方、導体薄膜304を導体グリッド302に張り付けると電位降下が無視できるほど小さくなるため、Sカーブは階段関数に近い振舞いを示し図4中実線、エネルギー分解能が従来のエネルギーフィルタよりも大きく向上する。ここで、エネルギー分解能はSカーブの立ち上がりの幅で定義し、幅が狭いほどエネルギー分解能は良いとする。次に、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを用いて試料観察を行う場合の利点について説明する。減速電界型エネルギーフィルタは、グリッドに印加した電圧によって形成される電位障壁を通過できるエネルギーを持つ電子を全て通過させる特性を有する、言わばハイパスフィルタである。一次電子が試料へV0のエネルギーを持って入射した場合、試料から放出される信号電子数のエネルギー依存性は一般に図5で表される。信号電子の内、0~50eVのエネルギーを持つものは二次電子501、50eV以上のエネルギーを持つものは反射電子502と呼ばれる。また、オージェ電子503は原子の内殻電子の励起に起因して放出される電子であり、そのエネルギーは原子固有である。一般に、二次電子501のみで走査像を形成すると、試料表面の形状を反映した画像が得られ、反射電子502のみで走査像を形成すると、試料内部や元素番号の違いを反映した画像が得られる。ここで、図5のスペクトルで表される信号電子を、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタと従来のものでフィルタリングした場合を比較する。導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタに電圧VF<0を印加した場合、-VF以上のエネルギーを持つ電子のみエネルギーフィルタを通過することができる図5上斜線部。一方、従来のエネルギーフィルタはエネルギー分解能が本発明よりも劣るため、-VF以下のエネルギーを持つ電子もエネルギーフィルタを通過してしまう図5下斜線部。この場合、目的のエネルギー以外の電子も検出される。導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタは、フィルタに印加した電圧以上のエネルギーを持つ電子のみ検出することを可能にする。この効果は、例えば、反射電子の中でもV0近傍のエネルギーを持つものを検出する、または、二次電子の中でも~10eV以上のエネルギーを持つものを検出する場合に有効である。次に、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを用いて試料の電位差を計測する際の効果について説明する。以下、図6に示すように導体602の試料上に絶縁体601パターンがある場合、導体602と絶縁体601の電位差を計測する方法について説明する。ここで、導体602は一次電子138を試料直前で減速させるための電位Vr<0を印加するためのリターディング電源121に接続されている。一次電子138が絶縁体601に照射されると絶縁体601は帯電し、帯電の正負は二次電子量/一次電子量で定義される二次電子発生効率で決まる。二次電子発生効率が1.0より小さければ絶縁体601は負に帯電し、1.0より大きければ正に帯電する。二次電子発生効率は一次電子138の入射時のエネルギーによって決まり、半導体デバイスで一般に使用される絶縁物の二次電子発生効率が1.0を超えるのは500eVから1000eVである。以下は、絶縁体601が正に帯電した場合について説明する。まず、導体602から放出された二次電子604はリターディング電圧Vrによって加速され、エネルギーフィルタへ入射するときは-Vrのエネルギーを持っているため、図7中の符号701で示す分布になる。なお、図7は導体パターン及び絶縁体パターンから出射される信号電子が有するエネルギー分布の一例を示す図である。一方、正にΔVだけ帯電した絶縁体601から放出された二次電子603がエネルギーフィルタへ入射するときは、-Vr-ΔVのエネルギーを持っているため、図7中の符号702で示すように、二次電子数のエネルギー分布はΔVだけシフトする。図7に示した導体と絶縁体について、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタによりSカーブを取得すると図8上のようになる。導体部はグリッドにVrから透過電子数が低下し始めるが、絶縁体部はΔV分だけSカーブがシフトする。このため、グリッドにVr近傍の電圧を印加した場合は、フィルタを透過し検出される電子の大部分は導体から放出された二次電子604となり、導体602のみが明るい画像が得られる。一方、図7に示した導体と絶縁体について、従来の減速電界型エネルギーフィルタによりSカーブを取得すると図8下のようになる。従来のエネルギーフィルタでもSカーブはΔV分だけシフトするが、エネルギー分解能が悪いために、Sカーブの変化はなだらかである。その結果、グリッドにVr近傍の電圧を印加した場合、導体から放出された二次電子604だけではなく、絶縁体から放出された二次電子603の多くもエネルギーフィルタを通過してしまい、導体602と絶縁体601で画像の明るさにあまり差がつかない。このため、従来のエネルギーフィルタでは、導体602と絶縁体601の画像明るさに大きな差をつけるためには、ΔVを大きくする、つまり、絶縁体601の帯電量を大きくする必要があった。しかしながら、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを用いることにより、従来と比較して僅かな電位の違いでも、導体と絶縁体の画像明るさに差をつける方法を提供できる。次に、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを用いて、任意のエネルギー範囲の信号電子により走査像を形成する方法について説明する。減速電界型エネルギーフィルタは、ある閾値以上のエネルギーを持つ電子を全て通過させるハイパスフィルタであるが、フィルタのグリッドに異なる二種類の設定電圧を印加して得られた2枚の画像の差分画像を形成すると、任意のエネルギー範囲の信号電子が作る画像を形成することができる。電子源において加速電圧V0で加速された一次電子が、リターディング電源に接続された試料に照射された場合、試料から放出された信号電子はリターディング電圧Vrで加速され、エネルギーフィルタに侵入する際の信号電子の個数とエネルギーの関係は図9に示す分布で表される。導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを用い、試料の同一箇所において、フィルタのグリッドに第一設定電圧VF1を印加した後、走査像1を取得し、次に、第二の設定電圧VF2<VF1を印加した後、走査像2を取得する。走査像1と2の差分画像は、図9上の斜線部で示すように-VF1から-VF2までのエネルギー範囲の信号電子が作る画像である。一方、従来のフィルタを用い前述の方法で差分画像を得ると、図9下の斜線部で示すエネルギー範囲の信号電子が作る画像になり、VF1およびVF2の設定とは異なるエネルギー領域の電子が混入してしまう。このため、例えば、オージェ電子のみを検出することはできない。導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタは従来のフィルタと比較してエネルギー分解能が良いため、例えば、オージェ電子のみから画像を形成することが可能になる。オージェ電子のエネルギーは元素に固有であるため、オージェ電子より走査像を形成することで、任意の元素の微小領域の空間分布を可視化することができる。以下、実施例により詳細に説明する。第1の実施例について、図1、図10、図18を用いて説明する。なお、発明を実施するための形態に記載され、本実施例に未記載の事項は本実施例に適用することができる。図1は本実施例に係る導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを備えた走査電子顕微鏡SEM式測長装置の概略全体構成図である。以下は、本実施例のSEM式測長装置の基本的な構成について説明する。SEM式測長装置は大きく分けて、SEM筐体103、試料室117、SEMシステム制御部136、真空排気システム部112、画像形成部129、測長システム制御部137で構成される。SEM筐体103および試料室117は、図中に示していないが、ロータリーポンプ、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ等の真空排気装置とそれらを制御する機構を備えた真空排気システム部112により、走査像を得るために十分な真空度が維持される様、排気される。また、真空排気システム部112は真空排気装置とSEM筐体103および試料室117とをつなぐバルブA141、バルブB142の開閉を制御する。SEM筐体および試料室SEM筐体103は、試料に対して一次電子138を照射する照射系と検出系からなり、電子源102、コンデンサレンズ104、絞り105、反射板128、検出器127、E×B偏向器107、エネルギーフィルタ108、偏向器109、110、ブースタ電極125、対物レンズ111、トラップ板電極123で構成される。本実施例では、後述する導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタ108がE×B偏向器107直下にあり、信号電子139を減速させるためにエネルギーフィルタ電源126から導体薄膜に負極性の電圧が印加され、エネルギーフィルタとして機能する。電子源102から放出された一次電子138は、コンデンサレンズ104によって収束され、ウェハ試料113に入射する一次電子138の電流を制御するための絞り105を通過し、反射板128の穴およびエネルギーフィルタ108のシールドパイプ詳細は後述を通過し、偏向器109、110で偏向されたのち、対物レンズ111によって細く絞られ試料へ入射する。一次電子138がウェハ113に照射されることに起因して発生する信号電子1392次電子、反射電子、オージェ電子は、リターディング電源121によってウェハホルダ114に印加された負電圧、トラップ板電極123およびブースタ電極125の電位差によって加速され、対物レンズ収束レンズ111によって収束され、偏向器109、110で偏向されたのち、エネルギーフィルタ108を通過し反射板128に衝突する。反射板128に衝突した信号電子139に起因して反射板128より発生する電子140三次電子は、E×B偏向器107によって検出器127へと引き込まれる。本実施例では反射板128より発生する電子140三次電子を検出する構成について説明するが、反射板128位置に信号電子139を直接検出できる検出器、例えば半導体検出器やマイクロチャンネルプレート、を設置しても本発明の効果を得ることができる。ブースタ電極125にブースタ電源124より正電圧を印加することで、信号電子139は反射板128側に引き上げられる効果を得られる。また、ブースタ電極125の電位がウェハ113上に漏れることを防ぐとともに、帯電するウェハ113の帯電を均一化する目的で、トラップ板電極123にはリターディング電圧と同電圧をトラップ板電源122より印加する。試料室117はステージ116、絶縁材115、ウェハ113を載せるウェハホルダ114で構成され、ウェハホルダ114と接地されたステージ116とは、絶縁材115で電気的に絶縁されている。また、ウェハホルダ114には、リターディング電源121で、外部から電圧が印加できるようになっている。さらに、ウェハ113とウェハホルダ114は接触しており、ウェハ113とウェハホルダ114は同電位である。本実施例では、半導体ウェハを観察する場合について説明するが、他の試料について負極性の電圧をリターディング電源121より印加して観察することができる。また、ステージ116はSEM筐体103の中心軸に対する垂直方向の面内に駆動可能である。つまり、SEM筐体103の中心軸をz軸とすれば、ステージ116はx,y面内に移動可能である。ウェハホルダ114はステージ116に対して絶縁材115を介して固定されており、ステージ116を駆動することによりウェハホルダ114を動かすことができる。ステージ116の移動は、ステージ制御部118内のステージコントローラ119、ステージ駆動部120で制御される。SEMシステム制御部SEMシステム制御部136は、電子源102から出射する一次電子138の加速電圧を制御する電子銃電源101、コンデンサレンズ104、E×B偏向器107、偏向器109、110、対物レンズ収束レンズ111を制御する電子光学系制御電源106、ブースタ電極125の電圧を制御するブースタ電源124、トラップ板電極123の電圧を制御するトラップ板電源122、ウェハホルダ114の電圧を制御するリターディング電源121、エネルギーフィルタ108の導体薄膜に印加する電圧を制御するエネルギーフィルタ電源126、真空排気システム部112、画像形成部129、画像表示部135と接続されており、信号を送ることで上記の装置を制御する。電子光学系制御電源電子光学系制御電源106により、コンデンサレンズ104を構成するコイルに流れる電流を制御することで、絞り105を通過する一次電子138の電流を制御する。さらに、電子光学系制御電源106により、E×B偏向器107を構成するコイルの電流、および電極の電圧を制御することで、一次電子138はE×B偏向器107において偏向させること無く、三次電子140を検出器127に引き込むことができる。さらに、電子光学系制御電源106により、偏向器109、110を構成するコイルに流れる電流を制御することで、一次電子138をウェハ113上で走査する。一次電子138をウェハ113上で焦点を結ぶように、電子光学系制御電源106により対物レンズ111を構成するコイルに流れる電流を制御し、この制御は電子銃電源101、ブースタ電源124、トラップ板電源122、リターディング電源121が変化した際、常に一次電子138がウェハ113上で絞られるように行う。ウェハ113に入射する一次電子138のエネルギーは、電子銃電源101で設定した加速電圧とリターディング電源121によりウェハホルダ114に印加した電圧リターディング電圧の差で決まり、リターディング電圧を変えることでウェハ113に入射する一次電子138のエネルギーを変えることができる。検出器及び画像形成部走査像を形成するためには、一次電子138がウェハ113上を走査するように偏向器109、110で一次電子138を偏向し、検出器127で取り込まれた三次電子140の信号を、信号増幅器130で増幅した後、ADコンバータ部131でデジタル信号に変換し、画像処理部132へ信号を送る。画像処理部132では走査信号と同期した3次電子信号のマップとして走査像を形成する。形成された走査像は画像メモリ部133に保存される。ここで、形成された走査像の最大階調値と最小階調値が、画像の1画素に割り当てられた階調値の最低値から最高値の範囲内に収まるように、信号増幅器130の増幅率及びオフセットは自動で調整される。また、この増幅率およびオフセットはユーザが設定することも可能である。検出器127は正極性の高電圧にフローティングされている。差分処理部134は、画像メモリ部133に保存された任意の二枚の走査像の差分画像を形成する機能を有する。後で説明するが、この差分処理部134は任意のエネルギー範囲の信号電子による画像を形成する際に使用される。画像メモリ部133に保存された走査像および差分処理部134で形成された差分画像は随時、SEMシステム制御部136を介して、画像表示部135でユーザが確認できる。測長システム制御部本実施例に示したSEM式測長装置では、常に最適な測長が行なわれるよう、測長システム制御部137が、測長するウェハ113のパターンおよびプロセスの情報、観察条件、測長領域、測長に用いるアルゴリズム等を記憶し、かつSEMシステム制御部136と接続されており、SEMシステム制御部136を介して装置全体を管理及び制御する。これにより、SEM式測長装置では、オペレータの有無に関わらずウェハ113の測長を行い、測長結果をモニタできる仕組みになっている。導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタの構造次に、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタ108の構造について図10、図18を用いて詳細に説明する。図10は本実施例に係る走査電子顕微鏡で用いる導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタの概略構成断面図であり、図18はその斜視図である。本実施例においてSEM式測長装置に搭載するエネルギーフィルタ108は導体グリッド301、302、303で構成される。導体グリッド301、302、303のピッチは導体薄膜が破れず、弛まずに張り付けられる程度であり、例えば~1mmである。以下、導体グリッド302のみ導体薄膜304を張り付けた場合について説明するが、導体グリッド302に加えて導体グリッド301、303の両方、もしくは一方に導体薄膜304と同様の導体薄膜を張り付けることができる。導体グリッド302は真空を維持できるフィードスルー図示せずを介して、負極性の電圧を印加できるエネルギーフィルタ電源126に接続されている。また、放電を避けるため、導体グリッド302は、導体グリッド301、303間およびシールドパイプ1001間と~1mm以上離れている。導体グリッド302には厚さ100Å以上500Å以下10nm以上50nm以下の導体薄膜304が張り付けられている。導体薄膜304は導電性を有しており、導電性材料として、例えばAl,Au,Cu,W,C,ステンレスなどの導体、或いはSiNなどの絶縁体薄膜に前述の導体を蒸着したものを用いることができる。これらは単体で用いても良いし、組み合わせることもできる。また、Al,Au,Cu,W,C,ステンレスなどの導体に代わる導体として、グラフェンを用いることも可能である。この場合、導体薄膜304の厚さは3Å以上30Å以下0.3nm以上3nm以下となり、導体薄膜304の厚さを薄くすることで、透過すべきエネルギーを持った二次電子が薄膜に散乱されて検出されにくくなる現象を低減することが可能となる。さらに、薄膜の透過率が向上することで、SEM画像のSN比が向上する効果も得られる。導体薄膜304は信号電子139が通るための数μm程度の開口を有していることが好ましい。例えば、導体薄膜304の例として、透過電子顕微鏡において試料の保持台として市販されているマイクログリッドが挙げられる。導体薄膜304に~μm程度の開口がある場合でも、導体グリッド302に形成される電位障壁の均一性は十分保たれる。本実施例では開口率80、エネルギーフィルタの寸法として10cmφのものを用いた。但し、これに限定されるものではない。開口率は、等電界が導体薄膜に平行に形成される範囲で出来るだけ高い方が望ましい。図には示していいないが、導体薄膜304の導体グリッド302への張り付け方法の例を説明する。コロジオンなどの有機膜を導体グリッド302へ張り付け、前述の有機膜に、Al,Au,Cu,W,ステンレスなどの導体を100Å以上500Å以下の厚みで蒸着した後、加熱し有機膜を焼き飛ばすことで前記導体薄膜を得る。また、Cを主成分とする導体薄膜は、前記の有機膜単体を加熱することで作製する。また、導体として、グラフェンを用いる場合は、Cu,Niなどの金属基板上に作製したグラフェンをポリメチルメタクリレートPMMAなどのレジストに転写した後、グラフェンを転写したPMMAを導体グリッド302に貼り付け、レジスト剥離剤によりPMMAのみ除去することで導体薄膜304を得ることができる。導体薄膜304を張り付けた導体グリッド302にはエネルギーフィルタ電源126より負電圧を印加でき、印加された電圧により電位障壁が形成され、電位障壁よりも高いエネルギーを持つ信号電子139のみがエネルギーフィルタ108を通過できる。本実施例では、導体グリッド302に~kVの負電圧を印加するため、導体グリッド302および導体薄膜304のみで減速電界型エネルギーフィルタを構成した場合、一次電子線はエネルギーフィルタを通過する際に大きく偏向される。導体グリッド302上下に配置された導体グリッド301、303を接地し、かつ一次電子138が通るシールドパイプ1001を導体グリッド301、303で連結することにより、一次電子138の軌道上はほぼ0Vになり、一次電子138はエネルギーフィルタに電圧を印加してもほとんど影響を受けずにエネルギーフィルタ108を通過することが可能になる。一次電子138が通るシールドパイプ1001を接地することで、導体グリッド302に電圧を印加しても、一次電子138のビーム径に影響が無く空間分解能が悪化せず、一次電子138のウェハ113上での位置ずれおよびフォーカスのボケが小さくなるという効果が得られる。また、シールドパイプの直径は1mm程度である1±0.5mm。導体グリッド302に導体薄膜304を張り付け、かつ接地したシールドパイプ1001を組み合わせることで、高いエネルギー分解能を得ることができ、かつエネルギーフィルタ電源126より印加する電圧を変化させても位置ずれやフォーカスボケの補正を行う必要が無く、空間分解能も悪化しないため、微小な構造を観察しながら最適な印加電圧を探索することができる。前述のシールドパイプ1001は導体グリッド301、303の両方と連結されていたが、導体グリッド301、303のどちらか一方にだけ連結することもできる。以上説明したように、本実施例によれば、導電薄膜を減速電界型エネルギーフィルタに用いることにより、小型で信号量が多い減速電界型フィルタのエネルギー分解能を大きく向上させ、リターディング光学系を有する場合であっても高いエネルギー分解能が得られる減速電界型エネルギーフィルタを備えた走査電子顕微鏡を提供することができる。また、減速電界型フィルタにシールドパイプを備えることにより、一次電子線の位置ずれやフォーカスボケ補正が不要となり、また空間分解の劣化を抑制することができる。第2の実施例について、図11~図15を用いて説明する。なお、実施例1に記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。実施例1と同一の符号は同一の構成要素を示す。本実施例では、実施例1で説明した導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを搭載したSEM式測長装置における自動測長の方法について説明する。自動測長は、オペレータによるレシピ作成の工程とレシピを用いた自動測長の工程に分かれている。以下、それぞれの工程について説明する。なお、本実施例のレシピ作成は、図1に示すSEM式測長装置上で実行されており、かつレシピ作成の工程ないし自動測長の工程の各々は、全体が測長システム制御部137により統御されている。また、図1には図示されていないが、本実施例で使用されるSEM式測長装置においては、測長システム制御部137または画像表示部135には、外部サーバが接続されており、レシピ情報など、データサイズが大きな情報は外部サーバに格納されている。更にまた、測長システム制御部137または画像表示部135には、サーバとの接続可否に応じて通信機能がそなえられている。ここで、通信機能とは、例えば通信処理を制御するためのソフトウェアやソフトウェアを実行するためのコンピュータ、あるいは通信回線に接続するための端子などを意味するが、以下の説明では、通信処理ソフトウェアにより実現される機能を通信機能と称する場合もある。レシピ作成の工程図11を用いてレシピの作成手順を示す。試料の基本情報の入力ステップS1100試料の測長を行おうとするオペレータは、まず、測長する試料の情報を入力する。装置オペレータは、例えば、画像表示部135に示される入力画面を見ながら、情報を入力する。ここで、試料が例えば半導体ウェハの場合は、ウェハの品種、製造工程の名称が前述の情報に相当し、オペレータが入力したこれらの情報は複数存在するレシピを分類し管理するために用いられる。光学条件の選定ステップS1101測長を行う際に用いる光学条件を選定する。光学条件のパラメータは、試料に入射するプローブ電流、撮像時の視野、入射エネルギー、試料上に形成される電界強度であり、SEM画像の取得で、フレーム加算等の複数回の画像取得でSEMの画質が劣化測長時の弊害となる明るさムラ等の異常コントラストが発生しないよう決められる。この作業は、オペレータが光学条件を任意に選んでも良いし、装置出荷時に製造元が推奨条件を決め、それを用いても良い。アライメント用のテンプレート登録ステップS1102半導体ウェハ等のパターンが形成された試料では、試料を動かすステージ116の座標と試料上に形成されたパターンの座標との位置関係を正確に計測する必要がある。本実施例では、この位置関係を計測する工程をアライメント工程とする。ここでは、光学画像上及びSEM画像上で認識可能な試料上のパターンの画像を、テンプレートとして外部サーバに登録する。測長システム制御部137に外部記憶装置を接続してテンプレートを登録しても良い。このテンプレートには、光学画像とSEM画像の2種類を登録することができ、光学画像のテンプレートは第1のアライメント工程、SEM画像のテンプレートは第2のアライメント工程に用いられる。通常、精度の低い第1のアライメント工程を経てから高精度な第2のアライメント工程を行う手順となる。登録作業は、例えば、画像表示部135上に表示される光学画像とSEM画像とを、装置オペレータが選択することにより実行される。アライメント位置の登録ステップS1103ステージ116の座標と試料上に形成されたパターンの座標との位置関係を正確に補正するためには最低2つの場所でアライメント工程を行う必要がある。ここではアライメントを行う場所の登録を行う。登録は、例えば、画像表示部135に表示されるSEM画像上での適当な位置を、装置オペレータが選択することにより実行される。アライメントの実行ステップS1104ここでは、テンプレートと上記で登録した場所で撮像した光学画像及びSEM画像の画像比較からステージ116の座標と試料のパターンの座標の位置関係を計測する。測定位置検索用のテンプレート登録ステップS1105次に、測長するパターンの近傍に測定する場所を探すための位置検索用テンプレートを登録する。測定位置検索用のテンプレートは、アライメント用のテンプレートと同様、外部サーバに記憶されるが、測長システム制御部137に外部記憶装置を接続してテンプレートを登録しても良い。登録作業自体は、アライメント用のテンプレートの登録時と同様に行う。テンプレートとして登録する情報は、低倍のSEM画像とステージ座標である。測定する箇所を探す処理は、登録したステージ座標に移動した後、低倍のSEM画像を撮像し、登録した画像とパターンマッチングを行うことで位置を決定する。測長点のテンプレートを登録S1106前記の測定位置検索用のテンプレートを登録後、測長する箇所のテンプレートを外部サーバに登録する。ここで、テンプレートとして登録される画像はパターンの寸法を測定するときの、SEMの撮像倍率とほぼ同じ倍率の画像を登録する。登録時に実行する作業は、アライメント用のテンプレート及び測定位置検索用のテンプレートの登録作業と同じである。エネルギーフィルタ要否の判定ステップS1107測長する試料にエネルギーフィルタの使用が必要な場合は、以下の手順でエネルギーフィルタの設定を行う。エネルギーフィルタの使用が不要の場合、図11に示されるステップS1109の画像取得処理測長の実施に飛ぶ。エネルギーフィルタ使用の要不要は、オペレータが判断し、自由に設定することも可能だが、先に記述した試料の基本情報から、装置が自動的にエネルギーフィルタ使用の要不要を判断しても良い。装置が自動的に判断する方法には2種類ある。1つは、過去に作成されたレシピを参照し、エネルギーフィルタ使用の要否を装置が判断する方式である。レシピは外部サーバに格納されるが、サーバとは別の外部記憶装置を測長システム制御部137に接続しても良い。あるいは、測長システム制御部137あるいは他の装置要素にメモリなどの記憶手段を設け、レシピを格納してもよい。測長システム制御部137は、装置オペレータが入力した試料の基本情報に従ってレシピを外部サーバないしは外部記憶装置から呼び出して参照する。もう1つは、SEM式測長装置の出荷時、装置の製造元がエネルギーフィルタ使用の要否の対応表を装置に記憶させ、その対応表を元に装置がエネルギーフィルタ使用の要否を判断する方式である。例えば、試料が半導体ウェハの場合は、ウェハ表面の構造および材料が工程の名称に反映されるので、その名称ごとに製造元が推奨するエネルギーフィルタ使用条件の対応表を作成し、装置に記憶させる。本方式を実際に装置に実装する場合には、例えば、測長システム制御部137に外部記憶装置を接続して対応表を記憶させる。測長システム制御部137は、装置オペレータが入力した製造工程の名称を参照キーとして上記対応表を参照し、当該製造工程により製造された試料にエネルギーフィルタの使用が必要か不要かを判断する。本方式を採用した装置の場合、新たな製造工程が開発される毎に対応表を更新する必要がある。このため、外部記憶装置として可搬性の記録媒体を用い、当該可搬性記録媒体に対応表を格納する。これにより、対応表の更新時に記録媒体を交換するだけで対応表が更新できるため、更新作業が容易となる。あるいは、新たな対応表を外部サーバに格納し、対応表の更新時にからサーバからダウンロードできるように測長システム全体を構成すると、対応表の更新作業が更に容易となる。なおここで測長システムとは、SEM式測長装置と外部サーバ及び通信回線により構成されるシステムの意味であり、測長に関係する範囲内で、他のシステム要素も含む。エネルギーフィルタの設定ステップS1108エネルギーフィルタの使用条件の設定方法について図12に示すGUI1201と、図13に示すフローチャートを用いて説明する。エネルギーフィルタを使用する場合、図12に示すGUI1201が新たに画像表示部135に表示されるS1301。まず、測長対象となる試料の種類は、プルダウン機能で装置に記憶されている情報を選択できるボタンA1202を押し、選択肢の中から選択するS1302。測長システム制御部137は、装置オペレータが入力した試料の種類に従って、信号電子数二次電子、反射電子、オージェ電子のエネルギー依存性のスペクトルを外部サーバないしは外部記憶装置から呼び出し、GUI1201上に表示するS1303。典型的な試料に対する信号電子数のエネルギー依存性のスペクトルは、製造元が外部サーバないしは外部記憶装置に記録するが、記録されていない試料については、後でユーザが追加することができる。前記スペクトルは、ユーザが数値データとして直接、外部サーバないしは外部記憶装置に登録することもできるが、図1に示すSEM式測長装置で測定することもできる。ここで、前記スペクトルをSEM式測長装置で測定する方法について説明する。試料から発生した信号電子から測定したSカーブは、信号電子数のエネルギー依存性のスペクトルとエネルギーフィルタ108が持つ透過関数が畳み込まれたものである。ここで、Sカーブはエネルギーフィルタ108に印加する電圧を変えながら試料を観測することで得られる。また、エネルギーフィルタ108が持つ透過関数は、例えば、ウェハ試料113に電子源102で一次電子138を加速する電圧と同電圧を印加し、一次電子138をウェハ113直上ではね返してエネルギーフィルタ108に入射する条件で、検出器127に到達する電子数のエネルギーフィルタ108に印加する電圧に対する変化を測定することで決定できる。この透過関数は、ユーザが測定することもできるが、製造元が外部サーバないしは外部記憶装置にあらかじめ記録しておいても良い。Sカーブと透過関数が得られると、両者を逆畳み込みすることで、目的とする信号電子数のエネルギー依存性のスペクトルが得られる。この計算および処理は測長システム制御部137で実行でき、結果は、測長システム制御部137に接続された外部サーバないしは外部記憶装置に記憶される。走査像を形成する信号電子のエネルギー範囲をGUI1201上の検出下限エネルギー入力部1203と検出上限エネルギー入力部1204に入力するとS1304、検出されるエネルギー範囲がGUI1201のスペクトル上に斜線部で表示されるS1305。本実施例では、信号電子のエネルギー範囲をGUI1201上で入力する方式について説明するが、ユーザがスライドバー等によりエネルギー範囲を入力しても同様の結果を得ることができる。ここで、検出下限エネルギーE1の入力範囲は0≦E1<VinVin:一次電子のウェハへの入射エネルギー、検出上限エネルギーE2の入力範囲はE1<E2≦Vinである。ステップS1306においてE2=Vinの場合は、エネルギーフィルタの第一の設定電圧VF1をVr-E1に設定しVr:実施例1のリターディング電圧、エネルギーフィルタの第二の設定電圧VF2は0に設定するS1307。ステップS1306においてE2≠Vinの場合は、エネルギーフィルタの第一の設定電圧VF1をVr-E1に、第二の設定電圧VF2をVr-E2に設定するS1308。詳しくは画像取得処理のステップS1309で述べるが、E1からE2のエネルギー範囲GUI1201のスペクトル上の斜線部の信号電子による画像は随時、GUI1201上の走査像表示部1205に表示される。表示される画像の撮像方式および積算枚数はそれぞれ、プルダウン機能で装置に記憶されている情報を選択できるボタンB1206、ボタンC1207を押し、選択肢の中から選択する。本実施例に示すGUI1201およびその制御処理機能をSEM式測長装置に適用することにより、ユーザは検出する信号電子のエネルギー範囲を変える動作に同期して、設定されたエネルギー範囲の信号電子が形成する画像をGUI1201上で観察することができる。これにより、ユーザは最適なエネルギー範囲の決定を短時間で行うことができる。以上のエネルギーフィルタ設定の後、図11中の画像取得処理へ進む。画像取得処理のステップS1109画像取得処理で行う処理の詳細についてフローチャート図14を用いて説明する。本フローチャートは、図11のステップS1107~ステップS1109に対応する。まず、エネルギーフィルタの要否ステップS1401において、エネルギーフィルタを使用しない場合は、光学条件の選定で決めた条件で走査像を取得し、測長の実施ステップS1409へと進む。エネルギーフィルタの要否ステップS1401において、エネルギーフィルタを使用する場合、まず、エネルギーフィルタのグリッドに第一の設定電圧VF1を印加しS1402、その時の走査像1を取得するS1403。ステップS1404においてVF2の設定値が0の場合、走査像1を用いて図14中測長の実施を行う。ステップS1404においてVF2の設定値が0ではない場合、走査像1を画像メモリ部に保存しS1405、エネルギーフィルタのグリッドに第二の設定電圧VF2を印加しS1406、走査像2を取得するS1407。差分画像処理部において、走査像1と走査像2の差分画像を形成しS1408、図14中の測長の実施以降では形成された差分画像を用いる。画像取得処理のステップS1109で得られた画像に対して、測長点の測長を実施し、結果を装置が記憶する。ここで記憶される情報は、測長した寸法だけでも良いが、SEM画像も添付して記憶させても良い。レシピファイルの保存ステップS1110適切に測長が行なわれている場合は、レシピのファイルの保存を行うステップS1110。適切に測長ができない場合は、光学条件の選定まで戻り、上記と同じ作業を繰り返す。自動測長の工程次に図15を用いてレシピを用いた自動測長の手順を示す。レシピファイルの読み出しステップS1501本ステップの開始に当たって、まず、オペレータは測長する試料の基本情報を入力する。装置は入力された基本情報を元に、外部サーバより適切なレシピを読み出し、自動測長を開始する。基本情報の入力以降の処理は、測長SEMがレシピを元に自動的に実行するため、オペレータの手を煩わせることはない。アライメントステップS1502レシピに記録されているアライメント点の情報を元にアライメントを行い、ステージ座標と試料のパターンの座標との位置関係を補正する。測定位置への移動ステップステップS1503次に、測定位置検索用テンプレートとして記録される座標とSEMの低倍画像を元に測長する場所を探す。測長箇所の位置座標が判明すると、SEMシステム制御部136はステージ制御部118を介して、試料上の測長箇所が一次電子線138の照射領域に位置するようにステージ116を移動する。エネルギーフィルタ要否の判定ステップS1504~エネルギーフィルタの設定ステップS1505レシピに記録されているエネルギーフィルタ使用の要否の情報を読み出し、エネルギーフィルタの使用が必要な場合は、レシピに記録されたエネルギーフィルタの条件に設定しS1505、画像取得処理のステップS1506に移動する。エネルギーフィルタの使用が不要の場合は、エネルギーフィルタの設定は行わずに画像取得処理のステップS1506に移動する。画像取得処理のステップS1506レシピに記録された条件で、画像の取得および差分処理を行う。得られた画像は測長のステップで使用する。測長のステップS1507画像取得処理のステップで得られた画像に対して測長を実施する。結果は前記の測長の実施と同様、測長した寸法のみ記憶しても良いが、画像を添付して保存しても良い。また、結果は画像表示部135に表示することにより確認することができるS1508。測定が終了したら、ステージ116は試料を次の測長点へ移動させ、上記と同じ手順で測長を実施する。以上説明したステップを、SEM式測長装置にソフトウェア実装ないしハードウェア実装することにより、エネルギーフィルタの使用を伴った測長が実現可能となる。特に、エネルギーフィルタ使用の要否判断をレシピとして格納しておくことにより、必要のないエネルギーフィルタの動作を測長プロセス全体から省くことが可能となる。これは、測長のスループットを向上する上で効果があり、特に、半導体デバイス製造の量産ラインに測長SEMを設ける場合には、効果が大きい。上記のソフトウェア実装としては、例えば、エネルギーフィルタ制御用のソフトウェアを、測長システム制御部137内にメモリその他の外部記憶装置を設けて格納する。ハードウェア実装としては、図11、図15に示すようなステップを実行させるための専用チップを測長システム制御部内に組み込んでおけば良い。実施例1に係るSEM式測長装置を用い、本実施例の測長方法により導体上の絶縁体ラインパターンの寸法を計測した結果、導体パターンと絶縁体パターンの境界が鮮明に区別され、高精度の寸法計測ができた。以上説明したように、本実施例によれば、リターディング光学系を有する場合であっても、導体薄膜を有する減速電界型エネルギーフィルタを備えた走査電子顕微鏡を用いることにより、高精度のパターン寸法計測が可能な測長方法を提供することができる。第3の実施例について、図16を用いて説明する。なお、実施例1や2に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図16は、本実施例に係るSEM式測長装置の概略要部構成図である。実施例1に示すSEM式測長装置図1では、エネルギーフィルタ108の導体薄膜304に信号電子が絶えず衝突するため、長時間使用すると炭素を主成分とする汚染物以下、コンタミが導体薄膜304に付着する。コンタミとして付着した炭素は絶縁性を有する。絶縁性のコンタミが付着すると、コンタミの帯電によりエネルギーフィルタ108の導体薄膜304に形成される電位障壁の均一性が悪化するため、エネルギー分解能が劣化する。従って、実施例1に示すSEM式測長装置図1に搭載している導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタ108について、その性能を維持しつつ使用するためには、導体薄膜304に付着したコンタミを除去するか、導体薄膜304の交換を行う必要がある。コンタミが付着した導体薄膜を交換する場合は、SEM筐体103を分解する必要があるため作業者にとって大きな負担となる。そこで、本実施例では、実施例1に示すSEM式測長装置図1について、エネルギーフィルタ108部の導体薄膜304に付着するコンタミを自動で除去し、メンテナンスフリーで装置を使用する方法を提供する。本実施例は、実施例1に示すSEM式測長装置図1へ、図16に示すガス供給部1601を追加するだけで実現可能である。導体薄膜に付着したコンタミとしての炭素を除去する方法について図16を用いて説明する。以下で述べるコンタミの除去方法は、装置の使用時間がある一定時間例えば、1000時間を超えると自動で行われる様、測長システム制御部137に設定されている。ユーザが手動でコンタミ除去の実施を選択することもできる。始めに、SEM筐体103および試料室117と真空排気部112をつなぐバルブA141およびバルブB142を閉じる。次に、ガス供給部1601よりオゾンガスを導入する。オゾンとコンタミの主成分である炭素はCO3→COO2の通りに反応し、導体薄膜304表面より離脱する。上記の反応が十分進んだら、オゾンガスの導入を止め、SEM筐体103および試料室117と真空排気部112をつなぐバルブA141、バルブB142を開き、導体薄膜304より離脱したガスを排気すると共にSEM筐体103および試料室117を真空に戻す。なお、導体薄膜としてCおよびグラフェンを用いる場合には、コンタミとしての絶縁性炭素のみが除去された時点で上記反応を停止するように処理時間を調整することは言うまでもない。また、本実施例では、コンタミ除去に用いるガスとしてオゾンを用いる例について説明したが、オゾンガスの代わりにコンタミ除去機能を持つ他のガス、例えば活性酸素を用いことができる。本実施例で説明したコンタミ除去方法により、メンテナンスフリーなエネルギーフィルタを搭載したSEM式測長装置を実現できる。実施例3に係るSEM式測長装置を用い、実施例2の測長方法により導体上の絶縁体ラインパターンの寸法を計測した結果、導体パターンと絶縁体パターンの境界が鮮明に区別され、高精度の寸法計測ができた。以上説明したとおり、本実施例によれば実施例1や2と同様の効果が得られる。また、導体薄膜に付着するコンタミ除去を行なうことにより、メンテナンスフリーの走査電子顕微鏡及びそれを用いた測長方法を提供することができる。第4の実施例について、図17を用いて説明する。なお、実施例1~3のいずれかに記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施にも適用することができる。本実施例では、導体薄膜を用いた減速電界型エネルギーフィルタを適用したSEM式測長装置において、特に前記エネルギーフィルタの上下に信号電子の検出器を搭載したSEM式測長装置の構成例について説明する。図17に本実施例に係る走査電子顕微鏡SEM式測長装置の概略全体構成図を示す。本実施例で説明するSEM式測長装置では、検出器B1709をエネルギーフィルタ108の下方に設けたことにより、エネルギーフィルタ108に衝突した信号電子139が生成する三次電子B1704を検出することが可能である。前述の三次電子は、図1に示すSEM式測長装置では検出されずに失われていたものであり、主にフィルタに衝突した信号電子の内の二次電子が生成する。従って、本実施例で説明するSEM式測長装置では負電圧を印加したエネルギーフィルタを通過した信号電子、例えば反射電子と、フィルタに衝突した二次電子の両方を同時に検出し、画像化することができる。SEM式測長装置は大きく分けて、SEM筐体103、試料室117、SEMシステム制御部136、真空排気システム部112、画像形成部129、測長システム制御部137で構成される。ここで、試料室117、SEMシステム制御部136、真空排気システム部112、測長システム制御部137の構成及び機能は、図1に示した構成及び機能と同じであるため、説明は省略する。SEM筐体および試料室SEM筐体103は、試料に対して一次電子138を照射する照射系と検出系からなり、電子源102、コンデンサレンズ104、絞り105、反射板128、検出器A1705、検出器B1709、E×B偏向器A1701、E×B偏向器B1702、エネルギーフィルタ108、偏向器109、110、ブースタ電極125、対物レンズ111、トラップ板電極123で構成される。電子源102から放出された一次電子138は、コンデンサレンズ104によって収束され、ウェハ113に入射する一次電子138の電流を制御するための絞り105を通過し、反射板128の穴およびエネルギーフィルタ108のシールドパイプを通過し、偏向器109、110で偏向されたのち、対物レンズ111によって細く絞られ試料へ入射する。本実施例のSEM式測長装置では、エネルギーフィルタ108より反射板側にE×B偏向器A1701および検出器A1705を設置し、エネルギーフィルタ108より対物レンズ111側にE×B偏向器B1702および検出器B1709を設置する。一次電子138がウェハ113に照射されることに起因して発生する信号電子1392次電子、反射電子、オージェ電子は、リターディング電源121によってウェハホルダ114に印加された負電圧、トラップ板電極123およびブースタ電極125の電位差によって加速され、対物レンズ111によって収束され、偏向器109、110で偏向されたのち、エネルギーフィルタ108を通過し反射板128に衝突する。反射板128に衝突した信号電子139に起因して反射板128より発生する電子三次電子A1703は、E×B偏向器A1701によって検出器A1705へと引き込まれる。エネルギーフィルタ108に衝突した信号電子139に起因してエネルギーフィルタ108より発生する電子三次電子B1704はE×B偏向器B1702によって検出器B1709へと引き込まれる。ブースタ電極125にブースタ電源124より正電圧を印加することで、信号電子139は反射板128側に引き上げられる効果を得られる。また、ブースタ電極125の電位がウェハ試料113上に漏れることを防ぐとともに、帯電するウェハ113の帯電を均一化する目的で、トラップ板電極123にはリターディング電圧と同電圧をトラップ板電源122より印加する。電子光学系制御電源電子光学系制御電源106により、コンデンサレンズ104を構成するコイルに流れる電流を制御することで、絞り105を通過する一次電子138の電流を制御する。さらに、電子光学系制御電源106により、E×B偏向器A1701、E×B偏向器B1702を構成するコイルの電流、および電極の電圧を制御する事で、一次電子138はE×B偏向器A1701、E×B偏向器B1702において偏向されること無く、三次電子A1703、三次電子B1704を検出器A1705、検出器B1709に引き込むことができる。さらに、電子光学系制御電源106により、偏向器109、110を構成するコイルに流れる電流を制御する事で、一次電子138をウェハ113上で走査する。一次電子138をウェハ113上で焦点を結ぶように、電子光学系制御電源106により対物レンズ111を構成するコイルに流れる電流を制御し、この制御は電子銃電源101、ブースタ電源124、トラップ板電源122、リターディング電源121が変化した際、常に一次電子138がウェハ113上で絞られるように行う。ウェハ113に入射する一次電子138のエネルギーは、電子銃電源101で設定した加速電圧とリターディング電源121によりウェハホルダ114に印加した電圧リターディング電圧の差で決まり、リターディング電圧を変えることでウェハ113に入射する一次電子138のエネルギーを変えることができる。検出器及び画像形成部検出器A1705で検出される信号電子による走査像を形成するためには、一次電子138がウェハ113上を走査するように偏向器109、110で一次電子138を偏向し、検出器A1705で取り込まれた三次電子A1703の信号を、信号増幅器A1706で増幅した後、ADコンバータ部A1707でデジタル信号に変換し、画像処理部A1708へ信号を送る。画像処理部A1708では走査信号と同期した3次電子信号のマップとして走査像を形成する。形成された走査像は画像メモリ部133に保存される。同様に、検出器B1709で検出される信号電子による走査像を形成するためには、一次電子138がウェハ113上を走査するように偏向器109、110で一次電子138を偏向し、検出器B1709で取り込まれた三次電子B1704の信号を、信号増幅器B1710で増幅した後、ADコンバータ部B1711でデジタル信号に変換し、画像処理部B1712へ信号を送る。画像処理部B1712では走査信号と同期した3次電子信号のマップとして走査像を形成する。形成された走査像は画像メモリ部133に保存される。ここで、検出器A1705および検出器B1709は正極性の高電圧にフローティングされている。差分合成処理部1713は、画像メモリ部133に保存された任意の二枚の走査像の差分画像および合成画像を形成する機能を有する。差分合成処理部1713では、実施例2で説明したように、エネルギーフィルタ108に第一の設定電圧VF1<0を印加した場合に検出器A1705~画像処理部A1708で得られる走査像A1と、第二の設定電圧VF2<0を印加した場合に検出器A1705~画像処理部A1708で得られる走査像A2の差分画像を作ることができ、この差分画像は-VF1から-VF2までのエネルギーを持つ信号電子によって形成される。加えて、差分合成処理部1713では、検出器A1705~画像処理部A1708で得られる走査像Aと、検出器B1709~画像処理部B1712で得られる走査像Bの合成画像を作ることができる。これは、エネルギーフィルタ108に電圧を印加しない際に有効となる。なぜなら、エネルギーフィルタ108に電圧を印加していない場合でも、一定の割合の信号電子は導体メッシュグリッド301、302、303および導体薄膜304に衝突するため、反射板128まで到達できる電子は、エネルギーフィルタ108を搭載しない場合と比較して少ないためである。結果、エネルギーフィルタ108を搭載するが電圧を印加せずにSEM式測長装置を使用する際、画像のS/Nが悪化し、測長再現性の悪化や、スループットの低下を招く。本実施例で示すように、E×B偏向器B1702と検出器B1709により、エネルギーフィルタ108に衝突して生成される三次電子B1704を検出することで、エネルギーフィルタ108に電圧を印加せずにSEM式測長装置を使用する際にも、エネルギーフィルタ108を搭載しないSEM式測長装置と同等のS/Nを維持できる。画像メモリ部133に保存された走査像および差分合成処理部1713で形成された差分画像および合成画像は随時、SEMシステム制御部136を介して、画像表示部135でユーザが確認できる。本実施例に係るSEM式測長装置を用い、実施例2の測長方法により導体上の絶縁体ラインパターンの寸法を計測した結果、導体パターンと絶縁体パターンの境界が鮮明に区別され、高精度の寸法計測ができた。以上説明したとおり、本実施例によれば実施例1や2と同様の効果が得られる。また、エネルギーフィルタの上下に信号電子の検出器を搭載することにより、エネルギーフィルタに電圧を印加せずにSEM式測長装置を使用する際にも、エネルギーフィルタを搭載しないSEM式測長装置と同等のS/Nを維持することができる。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。"