"基板と、前記基板上に形成された複数の電極パッドと、各電極パッドに対応して開設された貫通孔を有し、電極パッドの周縁部および前記基板を覆うように形成された保護膜と、を備え、前記貫通孔の内壁は、当該貫通孔の外側に向って傾いた斜面に形成されており、前記電極パッドの、前記貫通孔を介して前記保護膜から露出された露出面および前記貫通孔の前記斜面の中程にかけて金属層が形成されていて、当該金属層にバンプが接合されていることを特徴とする半導体装置。前記斜面の前記電極パッドに対する傾斜角が当該電極パッドから遠ざかるほど大きくなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記保護膜は、前記基板側から第1層、第2層の順に積層された2層構造を有し、第2層に対応する前記斜面部分の前記電極パッドに対する傾斜角が、第1層に対応する同傾斜角よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1層の貫通孔部分の径よりも第2層の貫通孔部分の径の方が大きく、前記斜面が階段状に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記金属層の周縁が前記第1層の厚み方向中程に在ることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記金属層の周縁が、前記第1層の上面に在ることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記複数の電極パッドは、マトリックス状に配列されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記斜面の前記電極パッドに対する傾斜角は、前記電極パッドから前記斜面の中程までは前記電極パッドから遠ざかるほど大きくなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記斜面の前記電極パッドに対する傾斜角は、前記斜面の中程から前記保護膜の表面部までは前記電極パッドから遠ざかるほど小さくなることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。実装基板に、請求項2に記載の半導体装置が実装された半導体装置ユニット。この際、正常なバンプは、図12aに示すように、金属層206の周縁から立ち上がった形で形成されてなるものであるが、場合によっては、図12bに示すように、バンプが金属層206からはみ出し、横方向基板の面に沿う方向に膨らんだ形の不良となる。このような不良バンプが存在すると、CSPを他の実装基板等に実装する場合、隣接するバンプ同士が接触してしまうといった不具合が生じる。特に、CSPが組み込まれる携帯電話やデジタルビデオカメラなどの携帯用電子機器の近年の小型化に対応して、CSPの一層の小型化が進められている関係上、バンプの配置間隔もより狭小化される現状にあって、特に、上述したような問題が顕著になっている。ここで、バンプが金属層からはみ出さないようにするために、バンプバンプ材料を小さくすることが考えられるが、そうすると、そのようにして作製したCSPを他の実装基板に実装バンプを介して接合する際に、十分な接合力が得られなかったり、また十分な電気伝導性が得られなかったりする。なお、上記した問題は、CSPに限らず、BGABallGridArrayその他の基板片面に複数個のバンプが設けられた半導体装置一般に生じるものである。本発明の目的は、上記した課題に鑑み、金属層からバンプが大きくはみ出すことを可能な限り防止できる構成を備えた半導体装置を提供することにある。また、そのような半導体装置を有する半導体装置ユニットを提供することにある。上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の電極パッドと、各電極パッドに対応して開設された貫通孔を有し、電極パッドの周縁部および前記基板を覆うように形成された保護膜とを備え、前記貫通孔の内壁は、当該貫通孔の外側に向って傾いた斜面に形成されており、前記電極パッドの、前記貫通孔を介して前記保護膜から露出された露出面および前記貫通孔の前記斜面の中程にかけて金属層が形成されていて、当該金属層にバンプが接合されていることを特徴とする。また、前記斜面の前記電極パッドに対する傾斜角が当該電極パッドから遠ざかるほど大きくなっていることを特徴とする。あるいは、前記保護膜は、前記基板側から第1層、第2層の順に積層された2層構造を有し、第2層に対応する前記斜面部分の前記電極パッドに対する傾斜角が、第1層に対応する同傾斜角よりも大きいことを特徴とする。この場合に、前記第1層の貫通孔部分の径よりも第2層の貫通孔部分の径の方が大きく、前記斜面が階段状に形成されていることを特徴とする。また、前記金属層の周縁が前記第1層の厚み方向中程に在ることを特徴とする。また、前記金属層に周縁が、前記第1層の上面に在ることを特徴とする。さらに、前記複数の電極パッドは、マトリックス状に配列されていることを特徴とする。また、前記斜面の前記電極パッドに対する傾斜角は、前記電極パッドから前記斜面の中程までは前記電極パッドから遠ざかるほど大きくなることを特徴とする。この場合に、前記斜面の前記電極パッドに対する傾斜角は、前記斜面の中程から前記保護膜の表面部までは前記電極パッドから遠ざかるほど小さくなることを特徴とする。上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置ユニットは、実装基板に、上記した半導体装置が実装されていることを特徴とする。上記の構成からなる半導体装置によれば、保護膜の貫通孔の内壁が斜面に形成されており、バンプが接合される金属層が前記斜面の中程にかけて形成されているため、例えば、バンプ材料を金属層に搭載しリフローによって当該バンプ材料を金属層に接合する際に、バンプ材料が溶融して金属層をはみ出そうとしても保護膜の前記斜面で食い止められるため、形成されたバンプが金属層を大きくはみだしたものとなる事態を可能な限り防止することができる。以下、本発明に係る半導体装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、全ての図において、各構成部材間の縮尺は統一していない。<第1実施形態>図1aは第1実施形態に係る半導体装置10の斜視図であり、図1bは同平面図である。半導体装置10はCSPタイプの半導体パッケージである。半導体装置10は、トランジスタその他の半導体素子不図示複数をその内部に備えたシリコンSi基板12以下、単に基板12と言う。を有する。基板12のサイズは、例えば、8×8mmである。基板12の一方の主面上には、保護膜14が形成されている。保護膜14は、例えば、窒化ケイ素Si3N4からなる。保護膜14には、後述する貫通孔16A~16Pが例えば、4行4列のマトリックス状に開設されていて、貫通孔16A~16Pの各々からは、バンプ18A~18Pが突出している。よって、複数個本例では、16個のバンプもマトリックス行列状に配列されている。バンプ18A~18Pの配置間隔は、例えば、160μmである。なお、貫通孔16A~16P、およびバンプ18A~18Pはいずれも同様の構成なので、区別する必要のない場合は、アルファベットの符号を省略して数字のみの符号を付して表すこととする貫通孔16、バンプ18。図2に、図1bにおけるAA線断面図を示す。図2に示すように、基板12の主表面には、不図示の層間絶縁膜を介して、電極パッド20が形成されている。電極パッド20は、例えば、アルミニウムAlからなる。なお、前記層間絶縁膜不図示は、基板12の片側主表面全面に形成されている。保護膜14は、電極パッド20に対応して開設された貫通孔16を有し、電極パッド20の周縁部および基板12を覆うように形成されている。貫通孔16の内壁22は、貫通孔16の外側に向って傾いた斜面22に形成されている。斜面22の電極パッド20に対する傾斜角αについては後述する。電極パッド20の保護膜14からの露出面および当該露出面から斜面22の中程にかけて、アンダーバリアメタルUBM層としての金属層24が形成されている。金属層24は、例えば、ニッケルNiからなる。金属層24には、バンプ18が接合されている。バンプ18は、例えば、Sn-Ag系鉛フリー半田材からなる。なお、Sn-Ag系鉛フリー半田材に限らず、Sn-Cu系、Sn-Cu-Ni系等でも構わない。ここで、金属層24とバンプ18の2相が、保護膜14の斜面22上で接する構造となるように形成すると、バンプ形状のバラツキが低減されるため望ましいが、これに限定するものではない。上記の構成を有する半導体装置10の製造方法について、図3、図4を参照しながら説明する。ダイシング前のウェハー1012工程Aの片面に保護膜14図1となる窒化ケイ素膜1014を形成する。窒化ケイ素膜1014は、CMPChemicalandMechanicalPolishingを用いて平坦化される工程B。窒化ケイ素膜1014における貫通孔16開設予定領域が露出し、それ以外の領域を覆うようにマスク材2002で覆う工程C。そして、熱リン酸H3PO4などの薬液を用いたウェットエッチング法により、窒化ケイ素膜1014の一部をエッチングして、貫通孔16を形成する工程D。このとき、エッチングは等方的に進行するため、サイドエッチング効果により貫通孔16の内壁22は、貫通孔16の外側に向って傾いた斜面22に形成される。斜面22の電極パッド20に対する傾斜角αの大きさは、例えば、開口径の異なる複数のマスク材を順次適用すること等によって調整することができる。続いて、マスク材2002を除去した後、金属層24図2の形成予定領域を露出させ、それ以外を覆うマスク材2004を新たに形成した後、スパッタリングまたは蒸着により金属層24を形成する工程E。マスク材2004を除去した後、貫通孔16に印刷によって粘着性フラックス2006を充填し、金属層24の上に球形をしたバンプ材料1018を搭載する工程G。バンプ材料は、Sn-Ag系鉛フリー半田材からなる。また、バンプ材料1018の径は、007[mm]~0125[mm]程度の大きさである。なお、Sn-Ag系鉛フリー半田材に限らず、Sn-Cu系、Sn-Cu-Ni系等でも構わない。次に、リフローによって、バンプ材料1018を半溶融状態にすることにより、バンプ材料1018は、その下部において自重により金属層24表面沿って徐々に平坦化が進行する。すなわち、バンプ材料1018は、最初は金属層24と点接触に近い状態であったものが、面接触になりその接触面が徐々に拡がっていく。このとき、保護膜14の斜面22に金属層24の周縁部が形成されているため、前記拡がりは傾斜した当該周縁部で食い止められ、バンプ18が金属層24からはみ出して形成されるのを可能な限り防止することができる。また、万が一金属層24からはみ出して拡がったとしても、金属層24に続く保護膜14も傾斜しているため斜面22ここで、最終的にバンプ材料1018の拡がりが食い止められる。結果として、バンプ材料1018は、保護膜14の斜面22を超えて拡がることはなく、貫通孔16内にその接触面が留まることとなる。よって、金属層206の周縁部が平坦水平で、これに続く保護膜204も平坦水平な従来のように図12、バンプ材料の拡がりを防止する手段を有しないものと比較して、バンプの度を越した偏平化が防止できる。これにより、半導体装置10を他の実装基板等に実装する場合、隣接するバンプ同士が接触してしまうといった不具合を可能な限り防止することができる。斜面22の電極パッド20に対する傾斜角αは、90度未満であれば構わないが、好ましくは、15度以上75度以下の範囲である。また、より好ましくは30度以上60以下の範囲である。<第2実施形態>図5に、第2実施形態に係る半導体装置のバンプを含む位置で切断した一部断面図を示す。図5aは、第2実施形態の第1実施例に係る半導体装置26を、図5bは第2実施例に係る半導体装置28を、図5cは第3実施例に係る半導体装置30をそれぞれ示している。第1~第3実施例は、貫通孔34の内壁36が斜面に形成された保護膜32の下層にさらに保護膜38が形成されている点で共通する。また、保護膜38は、保護膜32と同様、電極パッド20に対応する位置には貫通孔が開設されていて、保護膜38は、電極パッド20の周縁部を覆っている。このように、さらに保護膜38を設けることにより、電極パッド20の周縁部および基板12の保護の強化が図られる。半導体装置26図5a、半導体装置28図5bは、保護膜38の貫通孔よりも保護膜32の貫通孔34の径が小さいため、保護膜38の開口縁を含む全体が保護膜32に埋没している例であり、その反対に、半導体装置30図5cは、保護膜38の貫通孔よりも保護膜32の貫通孔34の径が大きいため、保護膜38の開口周縁部が保護膜32から露出している例である。いずれにしても、保護膜32の貫通孔34の内壁36は、実施の形態1と同様、斜面に形成されているため、バンプ18の金属層24,40からのはみ出しを可能な限り防止するといった効果が得られる。なお、金属層24は、実施の形態1と同様、スパッタリングまたは蒸着により形成したものである。金属層40は、めっきによって形成されたものである。<第3実施形態>図6に、第3実施形態に係る半導体装置のバンプを含む位置で切断した一部断面図を示す。図6aは、第3実施形態の第1実施例に係る半導体装置42を、図6bは第2実施例に係る半導体装置44を、図6cは第3実施例に係る半導体装置48を、図6dは第4実施例に係る半導体装置47をそれぞれ示している。第3実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置42,44,46は、第2実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置26,28,30とは、それぞれ保護膜の構成が異なる以外は基本的に同じである。また、第3実施形態の第4実施例に係る半導体装置47は、第2実施形態の第1実施例に係る半導体装置26と、保護膜の構成が異なる以外は基本的に同じである。よって、図6において図5と同様の構成部分には同じ符号を付してその説明については省略し、異なる部分を中心に説明する。半導体装置26,28,30図5における保護膜32に開設された貫通孔34の内壁36は、略テーパー面状斜度が略一定であったのに対し、第3実施形態では、貫通孔50の内壁の傾斜角が、基板12からの距離によって変化するような曲面形状に形成されている。具体的には、第3実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置42,44,46の保護膜48に開設された貫通孔50の内壁52は、基板12電極パッド20から遠ざかる程、その傾斜角が大きくなる斜度が急になるような曲面形状に形成されている。このような構成によると、バンプ材料1018図4が金属層24,40からはみ出した場合であっても、金属層24,40の周縁部よりも大きな傾斜角度を有する内壁52部分で、バンプ材料1018図4の拡がりがより効果的に食い止められる。なお、保護膜48は、ポリイミドからなり、貫通孔側壁を一旦略テーパー面状に形成した後、当該側壁部分をアッシングすることによって、上記のような曲面形状に形成することができる。また、第3実施形態の第4実施例に係る半導体装置47では、図6dに示すように、保護膜48に開設された貫通孔50の内壁52は、基板12から遠ざかる程、その傾斜角が大きくなる斜度が急になるように曲面形状に形成され、金属層24の端部から離れた保護膜48表面付近では、当該傾斜角が小さくなる斜度が緩やかになるよう形成されている。すなわち、斜面22の電極パッド20に対する傾斜角は、電極パッド20から斜面22の中程までは、電極パッド20から遠ざかるほど大きくなっており、斜面52の電極パッド20に対する傾斜角は、斜面20の中程から保護膜38の表面部までは電極パッド20から遠ざかるほど小さくなるように構成されている。このような構成とすると、上述のように金属層24の周縁部よりも大きな傾斜角度を有する内壁52部分で、バンプ材料1018の拡がりをより効果的に食い止めつつも、保護膜48表面付近では、内壁52の傾斜角が小さくなるので、開口が広がる形となり、バンプ材料1018図4の搭載時により搭載しやすくなるという効果を発揮する。なお、第4実施例において、金属層24を第2実施例の金属層40に代えて半導体装置を構成することとしても構わない。<第4実施形態>図7に、第4実施形態に係る半導体装置のバンプを含む位置で切断した一部断面図を示す。図7aは、第4実施形態の第1実施例に係る半導体装置54を、図7bは第2実施例に係る半導体装置56を、図7cは第3実施例に係る半導体装置58をそれぞれ示している。第1~第3実施形態では、貫通孔の内壁が傾斜面に形成されている保護膜が1層構造であるのに対し、第4実施形態では、当該保護膜を2層構造にした点が異なる。第4実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置54,56,58は、第2実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置26,28,30とは、保護膜の構成が異なる以外は基本的に同じである。よって、図7において図5と同様の構成部分には同じ符号を付してその説明については省略し、異なる部分を中心に説明する。半導体装置54,56,58の保護膜60は、基板12側から第1層62、第2層64の2層構造を有している。保護膜60に開設された貫通孔66の内壁は、第1層62部分と第2層64部分とでその傾斜角を異にしており、第1層62部分よりも第2層64部分の傾斜角の方が大きく傾斜が急になっている。このような構成とすることにより、第3実施形態と同様の効果が得られる。ここで、このような2層構造の保護膜60を有する半導体装置の製造方法について、半導体装置58図7cを例にとり説明する。基板12のバンプ形成予定面側の上にアルミニウム等からなる電極パッド20を形成し、基板12のバンプ形成予定面及び電極パッド20を覆うようにSi3N4等からなる保護膜38を形成する。続いて、保護膜38を選択的に除去して電極パッド20の一部中央部を露出する。次に、スピンナを用いて、電極パッド20及び保護膜38の上に、第1層62として例えばポリイミドを均一に塗布する。さらにその上層にエッチング耐性のより小さい、すなわちエッチング速度のより大きいポリイミドを第2層64として形成する。なお、こうしたエッチング速度の異なるポリイミドは、例えばポリイミド各層の熱硬化時における昇温速度に差異を持たせることで準備できることが知られている特開平1312084。第2層64の上に所定の形状のフォトレジストパターンを被着させエッチング液中に浸漬することで、フォトレジストパターンから露出したポリイミド各層のエッチングが開始され、エッチング速度の差異から図7cに例示するような加工断面の傾斜に差が生じた第1層62と第2層64を得ることができる。なお、ポリイミドの加工方法においては、レーザーアブレーションなど、他の方法を複合して用いても良い。次に、厚さが1×10-3mm~7×10-3mm程度の金属層24を、例えば以下のように形成する。電極パッド20の表面をソフトエッチングして酸化膜を除去した後、ジンケート処理液に浸漬して亜鉛粒子を析出させ、続いて、無電解ニッケルNiめっき液に浸漬して電極パッド20の上に厚さが5×10-3mm程度のNi膜を形成する。さらに、無電解金Auめっき液に浸漬して、Ni膜の上に厚さが5×10-5mm程度のフラッシュAuめっきを形成してもよい。次に、金属層24の上にバンプ18を形成する。バンプ18は、ボールマウント法、めっき法又はディスペンス法等の方法により形成できる。例えば、ボールマウント法を用いる場合、金属層24に対応する位置に開口部を有する厚さが0.02mm~0.04mm程度の金属板からなる印刷マスクを準備する。基板12のバンプ形成予定面以外の全体を印刷マスクによって覆った後、ゴム製又は金属製のスキージを用いて、金属層24の表面バンプ形成予定面にフラックスを印刷する。次に、金属層24と対応する位置に開口部を有する搭載マスクを用いて、フラックスが印刷された金属層24の上にバンプ材料を設ける。次に、バンプ材料が設けられた基板12を熱処理して、バンプ材料を溶融することによりバンプ材料を金属層24と接合する。上記プロセスにおいて、金属層24の上に印刷したフラックスは、バンプ材料の保持及び再溶解リフロー時における酸化膜の除去といった2つの機能を主に有する。このため、フラックスは、ロジン系又は水溶性フラックス等を用いることができ、特にハロゲンフリータイプのロジン系フラックスを用いることが好ましい。バンプ材料は、錫、銀及び銅等のはんだ材料からなるはんだボール等が好ましいが、他の組成の材料を用いてもよい。バンプ材料の大きさは、径が0.07mm~0.125mm程度であることが好ましい。なお、本例とは異なり、バンプ材料が球形でない場合には、長手方向の幅と短手方向の幅との平均値が0.07mm~0.125mm程度であることが好ましい。<第5実施形態>図8に、第5実施形態に係る半導体装置のバンプを含む位置で切断した一部断面図を示す。図8aは、第5実施形態の第1実施例に係る半導体装置68を、図8bは第2実施例に係る半導体装置70を、図8cは第3実施例に係る半導体装置72をそれぞれ示している。第5実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置68,70,72は、第4実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置54,56,58図7とは、保護膜を構成する第2層の構成が異なる以外は基本的に同じである。よって、図8において図7と同様の構成部分には同じ符号を付してその説明については省略し、異なる部分を中心に説明する。第5実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置68,70,72では、保護膜74を構成する第2層76に開設された貫通孔の径を、実施の形態4よりも大きくしている。換言すると、第2層76に開設された貫通孔の周縁部を径方向外側に後退させており、保護膜74の貫通孔78の内壁が、第1層62と第2層76との間で段差が生じた階段状に形成されている。このような構造にした場合、バンプはみ出し低減防止効果を確保しながらも、規定のバンプ形状とはみ出し許容限度の幅をより自由度高く設定できる。こうしたことは、バンプ体積のバラツキが予想される場合などに、特に有効である。なお、内壁が階段状をした貫通孔78を有する保護膜74は、第1層62と第2層76のエッチング工程を別工程とすることにより形成することができる。<第6実施形態>図9に、第6実施形態に係る半導体装置のバンプを含む位置で切断した一部断面図を示す。図9aは、第6実施形態の第1実施例に係る半導体装置80を、図9bは第2実施例に係る半導体装置82を、図9cは第3実施例に係る半導体装置84をそれぞれ示している。第6実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置80,82,84は、第5実施形態の第1~第3実施例に係る半導体装置68,70,72図8とは、主として、金属層の形成領域が異なる以外は基本的に同じである。よって、図9において図8と同様の構成部分には同じ符号を付してその説明については省略し、異なる部分を中心に説明する。第5実施形態では、金属層24の周縁が保護膜74の第1層62に開設された貫通孔の内壁の中程に位置していたが図8、第6実施形態の金属層86は、その周縁が第1層62と第2層76との段差部、すなわち、第1層62の上面にまで延設されていて、当該周縁が第2層76に開設された貫通孔の内壁に接触している。このような形状にすることで、金属層24領域からバンプ18が食み出すことを低減防止する効果をより高めることができ、規定のバンプ形状に対する変形度合いを最小限にすることができる。<第7実施形態>図10は、第3実施形態図6で用いるバンプ18の形状の変形例を示している。図10a、図10b、図10cに符号88で指し示すのは、リフロー後のバンプの形状である。なお、バンプ形状以外の構成は、第3実施形態の第1~第3実施例42,44,46と同様の構成である。よって、図10において図6と同様の構成部分については、同じ符号を付し、その説明については省略する。第7実施形態では、バンプ88の形状を円柱状のものペレットとしている。すなわち、バンプ材料を搭載後、リフローにより溶融することで、バンプ88のような円柱状に形成する。図10a~cに例示するように、バンプ材料の最大外径が金属層24,40の外径よりも小さい関係を満たすようなバンプ形状88を採用することで、バンプはみ出しの低減防止効果が向上する。つまり、バンプ材料の横断面外径、すなわち金属層24,40の外径に対し、バンプ材料88の最大外径が大きいほど、金属層24,40からバンプが食み出すリスクが高まるが、このように、バンプ材料88の最大外径≦金属層外径という関係を満たすバンプ形状を採用すれば、バンプはみ出しの低減防止の効果をより高めることができる。<第8実施形態>図11は、半導体装置28図5bが実装基板90に実装されてなる半導体装置ユニット92の一部断面図である。図11は、バンプ18の存する位置で切断した図である。有機樹脂基板からなる実装基板90に、半導体装置28が実装されている。半導体装置28の基板12と実装基板90との間には、アンダーフィル樹脂94が充填されており、当該樹脂層により半導体装置28基板12と実装基板90との熱膨張率の違いによる膨張差が吸収される。このような構造は、多ピン化に有利で高速伝送性にも優れるエリア接続を基軸としたFC-BGAやFC-PoPの分野で特に要求される。"