半導体モジュールと、前記半導体モジュールの主面上に第1の充填材を介して配された絶縁板と、前記絶縁板上に第2の充填材を介して配された冷却器と、を有し、前記絶縁板の前記半導体モジュールの前記主面と対向する面に凸部が設けられている半導体装置。前記半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子上に設けられた放熱板と、前記半導体素子及び前記放熱板の一部を封止する封止樹脂と、を有し、前記放熱板の前記絶縁板側の面は前記封止樹脂から露出して前記主面の一部を構成している請求項1記載の半導体装置。前記凸部は前記放熱板の前記絶縁板側の面と対向配置され、前記凸部の周辺部は前記封止樹脂の前記絶縁板側の面と対向配置されている請求項2記載の半導体装置。前記絶縁板の前記主面と対向する面には複数の凸部が設けられている請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体装置。前記複数の凸部は、前記絶縁板の前記主面と対向する面の中央部に設けられた第1の凸部と、前記第1の凸部の周囲に設けられた複数の第2の凸部と、を含む請求項4記載の半導体装置。前記絶縁板の前記主面と対向する面とは反対側の面に、更に凸部が設けられている請求項1乃至5の何れか一項記載の半導体装置。しかしながら、上記の半導体装置では、グリスの膜厚を薄くすることが困難であるため、放熱性が低下する問題があった。本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、放熱性を向上した半導体装置を提供することを課題とする。本半導体装置は、半導体モジュールと、前記半導体モジュールの主面上に第1の充填材を介して配された絶縁板と、前記絶縁板上に第2の充填材を介して配された冷却器と、を有し、前記絶縁板の前記半導体モジュールの前記主面と対向する面に凸部が設けられていることを要件とする。開示の技術によれば、放熱性を向上した半導体装置を提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図1を参照するに、第1の実施の形態に係る半導体装置10は、主要な構成要素として、半導体モジュール20と、冷却部30と、冷却部40とを有する。なお、搭載状態に応じて上下方向が異なるが、便宜上、冷却部40側を下方として説明を行う。従って、半導体装置10を図1のように視た場合の各構成部品の上側の面を上面、下側の面を下面という他の実施の形態についても同様。半導体モジュール20は、半導体素子21と、接合部22及び24と、放熱板23及び25と、封止樹脂26とを有する。半導体素子21の上面は接合部22を介して放熱板23に接合されている。半導体素子21の下面は接合部24を介して放熱板25に接合されている。放熱板23と放熱板25とは、半導体素子21並びに接合部22及び24を介して、概ね対向配置されている。なお、以降、半導体モジュール20の冷却部30側の面を第1主面、冷却部40側の面を第2主面と称する場合がある。半導体素子21、接合部22及び24、並びに放熱板23及び25は、封止樹脂26により封止されている。但し、放熱板23の上面及び放熱板25の下面は、封止樹脂26から露出している。又、放熱板23及び25は、半導体素子21の電流経路を兼ねているため、放熱板23及び25からは、それぞれ外部接続端子図示せずが封止樹脂26の外部に突出している。半導体素子21は、例えば、車両に搭載されるインバータ回路や昇降圧コンバータ回路の一部を構成する部品とすることができる。より詳しくは、半導体素子21は、例えば、IGBTInsulatedgatebipolartransistorやMOSFETMetaloxidesemiconductorfield‐effecttransistorのようなスイッチング素子とすることができる。接合部22及び24の材料としては、例えば、はんだや導電性接着剤等を用いることができる。放熱板23及び25の材料としては、例えば、銅Cuや銅合金、アルミニウムAl等の熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることができる。封止樹脂26の材料としては、例えば、フィラーを含有したエポキシ系絶縁樹脂等を用いることができる。半導体モジュール20は、半導体素子21の両面にそれぞれ接合部22及び24を介して放熱板23及び25を接合後、モールド成形トランスファーモールド等により封止樹脂26を形成することで作製される。モールド成形の際に、放熱板23の上面及び放熱板25の下面をそれぞれ封止樹脂26となる樹脂材料の一部が被覆してしまう。そのため、放熱板23の上面及び放熱板25の下面を露出させるために、放熱板23の上面及び放熱板25の下面を被覆する樹脂材料を切削等により除去している。この際、放熱板23の上面及び放熱板25の下面を被覆する樹脂材料と、放熱板23の上面及び放熱板25の下面のそれぞれの表面側が除去される。しかし、放熱板23及び25の材料は封止樹脂26の材料よりも柔らかいため、放熱板23の上面及び放熱板25の下面の切削量が封止樹脂26の切削量よりも多くなる。そのため、図1に示すように、半導体モジュール20の第1主面には、放熱板23の上面が封止樹脂26の上面に対して凹となる30μm程度の段差が生じる。又、半導体モジュール20の第2主面には、放熱板25の下面が封止樹脂26の下面に対して凹となる30μm程度の段差が生じる。冷却部30は、充填材31と、絶縁板32と、充填材33と、冷却器34とを有する。より詳しくは、半導体モジュール20の第1主面には充填材31を介して絶縁板32が配置され、更に充填材33を介して冷却器34が配置されている。冷却部30は、半導体素子21で発生した熱が伝達されて高温化した放熱板23を冷却する機能を有する。冷却器34は、内部に冷媒流路34xを有する部材であり、例えば、銅CuやアルミニウムAl等の熱伝導率に優れた材料から形成されている。冷媒流路34x内に、例えば、水等の冷却媒体を流通させることにより、高温化した放熱板23を冷却できる。ところで、前述のように、放熱板23は半導体素子21の電流経路を兼ねているため、放熱板23と冷却器34とは電気的に絶縁しなければならない。そこで、放熱板23と冷却器34との間には、絶縁板32が配されている。絶縁板32は、半導体素子21から冷却器34に至る放熱経路内に配置されているため、熱伝導率に優れた材料から形成されていることが好ましい。絶縁板32としては、例えば、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック板等を用いることができる。絶縁板32には、下面の周縁部を除く部分に凸部32xが形成されている。つまり、絶縁板32の半導体モジュール20の第1主面と対向する面に凸部32xが設けられている。凸部32xは放熱板23の上面と対向配置され、凸部32xの周辺部絶縁板32の下面の周縁部は封止樹脂26の上面と対向配置されている。凸部32xの厚さは、例えば、30~100μm程度とすることができる。凸部32xを含む絶縁板32全体の厚さは、例えば、400~500μm程度とすることができる。凸部32xを含む絶縁板32の下面と半導体モジュール20の第1主面との間には、充填材31が配されている。充填材31としては、例えば、シリコンオイル等の放熱グリスを用いることができる。充填材31は、例えば、シリカ等のフィラーを含有していてもよい。充填材31を配することにより、放熱板23の熱を効率的に冷却器34に伝えることができる。但し、充填材31は、銅CuやアルミニウムAl等の金属ほどは熱伝導率が高くないため、できるだけ薄くすることが好ましい。絶縁板32の上面と冷却器34の下面との間に配された充填材33についても同様である。冷却部40は、充填材41と、絶縁板42と、充填材43と、冷却器44とを有する。より詳しくは、半導体モジュール20の第2主面には充填材41を介して絶縁板42が配置され、更に充填材43を介して冷却器44が配置されている。冷却部40は、半導体素子21で発生した熱が伝達されて高温化した放熱板25を冷却する機能を有する。冷却器44は、内部に冷媒流路44xを有する部材であり、例えば、銅CuやアルミニウムAl等の熱伝導率に優れた材料から形成されている。冷媒流路44x内に、例えば、水等の冷却媒体を流通させることにより、高温化した放熱板25を冷却できる。ところで、前述のように、放熱板25は半導体素子21の電流経路を兼ねているため、放熱板25と冷却器44とは電気的に絶縁しなければならない。そこで、放熱板25と冷却器44との間には、絶縁板42が配されている。絶縁板42は、半導体素子21から冷却器44に至る放熱経路内に配置されているため、熱伝導率に優れた材料から形成されていることが好ましい。絶縁板42としては、例えば、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック板等を用いることができる。絶縁板42には、上面の周縁部を除く部分に凸部42xが形成されている。つまり、絶縁板42の半導体モジュール20の第2主面と対向する面に凸部42xが設けられている。凸部42xは放熱板25の下面と対向配置され、凸部42xの周辺部絶縁板42の上面の周縁部は封止樹脂26の下面と対向配置されている。凸部42xの厚さは、例えば、30~100μm程度とすることができる。凸部42xを含む絶縁板42全体の厚さは、例えば、400~500μm程度とすることができる。凸部42xを含む絶縁板42の上面と半導体モジュール20の第2主面との間には、充填材41が配されている。充填材41としては、例えば、シリコンオイル等の放熱グリスを用いることができる。充填材41は、例えば、シリカ等のフィラーを含有していてもよい。充填材41を配することにより、放熱板25の熱を効率的に冷却器44に伝えることができる。但し、充填材41は、銅CuやアルミニウムAl等の金属ほどは熱伝導率が高くないため、できるだけ薄くすることが好ましい。絶縁板42の下面と冷却器44の上面との間に配された充填材43についても同様である。ここで、比較例を用いて、第1の実施の形態に係る半導体装置の有する特有の効果について説明する。図2は、比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。図2を参照するに、比較例に係る半導体装置100は、冷却部30の絶縁板32が冷却部300の絶縁板320に置換され、冷却部40の絶縁板42が冷却部400の絶縁板420に置換された点が、半導体装置10図1参照と相違する。半導体装置100では、半導体装置10と同様に、半導体モジュール20の第1主面には、放熱板23の上面が封止樹脂26の上面に対して凹となる30μm程度の段差が生じる。又、半導体モジュール20の第2主面には、放熱板25の下面が封止樹脂26の下面に対して凹となる30μm程度の段差が生じる。しかし、絶縁板320及び420は、それぞれ平板状の部材であり、何れの面にも凸部は形成されていない。そのため、半導体モジュール20の第1主面及び第2主面にそれぞれ生じた段差部分に溜まる充填材を薄くすることができず、熱抵抗が上昇する。一方、第1の実施の形態に係る半導体装置10では、以下に説明する図3及び図4の製造工程からわかるように、半導体モジュール20の第1主面及び第2主面にそれぞれ生じた段差部分に、それぞれ絶縁板32の凸部32x及び絶縁板42の凸部42xが入り込むため、放熱板23の上面の充填材31及び放熱板25の下面の充填剤41の膜厚が薄くなり熱抵抗が低下して放熱性が向上する。放熱板23の上面の充填材31の膜厚及び放熱板25の下面の充填剤41の膜厚は、例えば、数μm程度とすることができる。図3及び図4は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の一部を例示する図である。まず、図3に示すように、半導体モジュール20の第1主面に充填材31を塗布して絶縁材32を配し、更に充填材33を塗布する。又、半導体モジュール20の第2主面に充填材41を塗布して絶縁材42を配し、更に充填材43を塗布する。そして、冷却器34及び44を準備する。次に、図4に示すように、冷却器34の下面を充填材33に、冷却器44の上面を充填材43に接触させて、矢印A及びB方向に圧縮加圧する。これにより、凸部32x及び42xの部分に存在する充填材31及び41の一部は、凸部32x及び42xの周辺部に排出され、凸部32x及び42xと放熱板23の上面及び放熱板25の下面にそれぞれ挟まれた部分の充填材31及び41の膜厚が薄くなり熱抵抗が低下して放熱性が向上する。このように、第1の実施の形態に係る半導体装置10では、絶縁板の放熱板に対向する側に凸部を設けたことにより、凸部が設けられていない平板状の絶縁板を有する半導体装置100と比較して、絶縁板と放熱板間の充填材の膜厚を薄くすることが可能となり、熱抵抗を低下させて放熱性を向上できる。なお、絶縁板と放熱板間の充填材の膜厚を薄くするために、放熱板を複数に分割し、互いに離間させて配置する方法も考えられるが、充填材が形成されない部分空間が生じた場合に、放熱板と冷却器との間で電流リークが発生する懸念があり、好ましくない。第1の実施の形態の変形例1第1の実施の形態の変形例1では、第1の実施の形態とは異なる絶縁板を用いる一例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図5は、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置を例示する断面図である。図5を参照するに、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置10Aは、冷却部30及び40がそれぞれ冷却部30A及び40Aに置換された点が、半導体装置10図1参照と相違する。図5を参照するに、冷却部30Aの絶縁板32Aには、下面の周縁部を除く部分に凸部32xが形成されており、上面の周縁部を除く部分に凸部32yが形成されている。絶縁板32Aの上面の周縁部及び凸部32yは、概ね冷却器34の下面と対向配置されている。凸部32yを含む絶縁板32Aの上面と冷却器34の下面との間には、充填材33が配されている。冷却部40Aの絶縁板42Aには、上面の周縁部を除く部分に凸部42xが形成されており、下面の周縁部を除く部分に凸部42yが形成されている。絶縁板42Aの下面の周縁部及び凸部42yは、概ね冷却器44の上面と対向配置されている。凸部42yを含む絶縁板42Aの下面と冷却器44の上面との間には、充填材43が配されている。絶縁板32A及び42Aとしては、例えば、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック板等を用いることができる。このように、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置では、絶縁板の上面及び下面に凸部を設けている。これにより、第1の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。すなわち、凸部32y及び42yの部分に存在する充填材33及び43の一部が、凸部32y及び42yの周辺部に排出され、凸部32y及び42yと冷却器34の下面及び冷却器44の上面にそれぞれ挟まれた部分の充填材33及び43の膜厚が薄くなる例えば、数μm程度。つまり、冷却器側の充填材も薄くして熱抵抗を低減できるため、放熱板の熱を一層冷却器に伝えやすくなり、半導体装置の放熱性を一層向上できる。なお、図1の状態でも冷却器を放熱板側に押圧することにより、充填材を薄くできるように思えるが、余剰な充填材の行き場所がなく、充填材が不要な部分に流れる虞がある。第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置では、絶縁板の冷却器側の面に凸部を設けているため、冷却器側の充填材を薄くして熱抵抗を低減できるとともに、余剰な充填材を絶縁板の凸部の周囲に溜めることができ、充填材が不要な部分に流れる虞を低減できる。第1の実施の形態の変形例2第1の実施の形態の変形例2では、第1の実施の形態とは異なる絶縁板を用いる他の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図6は、第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置を例示する断面図である。図6を参照するに、第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置10Bは、冷却部30及び40がそれぞれ冷却部30B及び40Bに置換された点が、半導体装置10図1参照と相違する。図7は、第1の実施の形態の変形例2に係る絶縁板を例示する底面図である。なお、図7では、絶縁板32Bのみを示したが、絶縁板42Bも絶縁板32Bと同様の構造である。図6及び図7を参照するに、冷却部30Bの絶縁板32Bには、下面の周縁部を除く部分に複数の凸部凸部32r及び32sが形成されている。凸部32rは絶縁板32Bの下面の略中央部に形成されており、凸部32sは凸部32rの周囲に点在するように複数個形成されている。凸部32sと凸部32rとの間、及び隣接する凸部32r間は凹部となっている。絶縁板32Bの下面の周縁部は、概ね封止樹脂26の上面と対向配置されており、凸部32r及び32sは、概ね放熱板23の上面と対向配置されている。凸部32r及び32sを含む絶縁板32Bの下面と半導体モジュール20の第1主面との間には、充填材31が配されている。冷却部40Bの絶縁板42Bには、上面の周縁部を除く部分に複数の凸部凸部42r及び42sが形成されている。凸部42rは絶縁板42Bの上面の略中央部に形成されており、凸部42sは凸部42rの周囲に点在するように複数個形成されている。凸部42sと凸部42rとの間、及び隣接する凸部42r間は凹部となっている。絶縁板42Bの上面の周縁部は、概ね封止樹脂26の下面と対向配置されており、凸部42r及び42sは、概ね放熱板25の下面と対向配置されている。凸部42r及び42sを含む絶縁板42Bの上面と半導体モジュール20の第2主面との間には、充填材41が配されている。絶縁板32B及び42Bとしては、例えば、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック板等を用いることができる。このように、第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置では、絶縁板の放熱板側の面に複数の凸部を設けている。これにより、第1の実施の形態の効果に加えて、更に以下の効果を奏する。すなわち、凸部間に多数の凹部を設けることにより、多数の凹部に充填材を溜めることが可能となり、各凸部先端の充填材を一層薄くして熱抵抗を低減できる。その結果、放熱板の熱を一層冷却器に伝えやすくなり、半導体装置の放熱性を一層向上できる。但し、放熱性を向上する観点からすると、半導体素子21と平面視において重複する位置に凸部32r及び42rを設けることが好ましい。換言すれば、半導体素子21と平面視において重複する位置には、凸部間で形成する凹部を設けないことが好ましい。なお、絶縁板の両面に複数の凸部を設けてもよい。これにより、冷却器側の充填材も薄くして熱抵抗を低減できるため、放熱板の熱を更に冷却器に伝えやすくなり、半導体装置の放熱性を更に向上できる。以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上述した実施の形態及びその変形例では、絶縁板に設けられた凸部の側面が傾斜面となっているが、凸部の側面は絶縁板の上面又は下面に対して垂直な面としてもよい。又、凸部の側面は曲面を含んでいてもよい。