"マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含み、研磨前の基板の濡れ性接触角は、θ/2法で測定したとき20°未満である状態で前記研磨を行う、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記研磨工程における研磨レートが20nm/min以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記研磨工程における研磨の取り代が片面で100nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記研磨液のpHが、9.6~11.0であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記研磨液は、テトラメチルアンモニアを添加したものであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記ガラス基板は、ArFエキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、F2エキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、又は、EUV反射型マスクブランクス用ガラス基板の何れかであることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。請求項1~7のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法で製造したマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。請求項8に記載のマスクブランクスの製造方法で製造したマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。請求項9に記載の転写マスクの製造方法で製造した転写マスクを用いて、半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかし、これらの対策を施しても、高さが数十nm上述した凸状の突起の約10倍、大きさが数十nm~2000nmの凸状欠陥上述した凸状の突起と区別するため凸状欠陥と称するの発生を抑制できない場合があった。近年、研削工程、第1および第2研磨工程粗研磨、精密研磨を行った後、コロイダルシリカ砥粒とNaOH基板をエッチングする効果を有するを含有する研磨液を用いた超精密研磨工程第3研磨工程を行った後に、さらに研磨レ一トの低い第3研磨工程の約1/10程度、コロイダルシリカ砥粒とTMAHテトラメチルアンモニア、基板をエッチングする効果が小さいを含有する研磨液を用いた最終研磨工程第4研磨工程を行った高精度のガラス基板が製造され始めている。特に、この最終研磨工程で、凸状欠陥の発生率が増大しており、問題となっていた。本発明は、コロイダルシリカを用いた研磨砥粒による精密研磨を行っても、基板表面に本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥が発生しないか又は発生率の低いマスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及び本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥に起因する位相欠陥のないマスクブランクスの製造方法を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、基板表面に本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥があることに起因するパターン欠陥のない転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを第二の目的とする。さらに、基板表面に本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、及び本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥による位相欠陥のないマスクブランクス及び転写マスクを提供することを第三の目的とする。本願発明者は、上記最終研磨工程第4研磨工程で、凸状欠陥の発生率が増大している現象および原因を克明に調べた。その結果、以下のことを解明した。1超精密研磨工程第3研磨工程後のガラス基板の保管期間が長いとガラス基板の表面は撥水性になる。2ガラス基板の接触角が高い原因は、例えば有機物の付着が考えられる。3基板外周で接触角が高い。この原因は、例えば、流通ケースに基板を保管するときに基板外周がケースの内子ガラス基板を保持するための部材で把持されるので有機物等が基板外周に付着するのが原因の一つではないかと考えられる。4凸状欠陥は基板外周部に多く発生する。5上記最終研磨工程第4研磨工程後に、この研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する場合に、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥は、凸状欠陥の高さが助長されて顕在化し、問題となる。6基板のぬれ性が低い接触角が高いと、研磨砥粒が流動しにくくなることで、むらになりやすく、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥の発生を増長すると考えられる。これに対し、基板のぬれ性が高い接触角が低いと、研磨砥粒が流動しやすくなることで、むらになりにくく、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥の発生を抑制すると考えられる。7最終研磨工程第4研磨工程では、基板をエッチングする効果が第3研磨工程と比べ相対的に小さい研磨液を用いており、研磨の取り代が第3研磨工程と比べ相対的に小さい研磨の取り代が片側100nmこと、が原因の1つとして考えられる。8超精密研磨工程第3研磨工程及び研磨後の洗浄を行った直後はガラス基板の接触角は低い。高さ数十nm程度の凸状欠陥目視では巨大シミに見えるのメカニズムは、以下のように考えられる。図11、2に示すように、研磨阻害因子汚染物質、撥水性の強い箇所などのある箇所で研磨が阻害される。図13に示すように研磨阻害因子箇所は縮小し、図14に示すように研磨阻害因子箇所は消滅し、ヒル丘状の突起外周部から研磨が進み、図15に示すようにヒルが残る。一方、図16、7に示すように、研磨阻害因子箇所は縮小するが、研磨阻害因子箇所は除去されず、凸状欠陥が発生する。微分干渉顕微鏡を用いて取得した高さ数十nm程度の凸状欠陥の微分干渉像を図2に示す。この高さ数十nm程度の凸状欠陥ミは、TEM-EDX分析透過型電子顕微鏡に付属するエネルギー分散型X線分光装置で分析したところ、界面及び特異元素は確認できないことから石英の段差主成分がSiとOとを含む凸状欠陥であり、その高さは数十nm程度AMF:原子間力顕微鏡で測定で、大きさは数十nm~2000nm程度SEM:走査型電子顕微鏡で測定のものであることがわかった。研磨阻害因子汚染物質、撥水性の強い箇所などの要因としては、以下の要因などが考えられる。1経時変化2研磨室内の環境、保管ケースの清浄度、水中保管容器の清浄度などの保管環境3装置の空圧系、油圧系からのオイルミストの飛散4人体からの発塵本発明者は、以下の対策が効果的であることを解明した。1最終研磨工程第4研磨工程の直前例えば300時間以内に、研磨阻害因子汚染物質、撥水性の強い箇所などを除去可能な処理を行う。例えばフッ酸処理、アルカリ処理、UVオゾン処理、スクラブ処理、超音波メガソニック処理、これらの組み合わせ処理、などで研磨阻害因子汚染物質、撥水性の強い箇所などを除去後、最終研磨工程第4研磨工程を行う。2超精密研磨工程第3研磨工程及び研磨後の洗浄を行った後すぐ例えば300時間以内に、最終研磨工程第4研磨工程を行う。3超精密研磨工程第3研磨工程及び研磨後の洗浄を行った後、研磨阻害因子汚染物質、撥水性の強い箇所などが付着し、発生しないように保管する。例えば、化学フィルターで化学物質を除去した気体空気、窒素ガスなど中で保管する。保管中に、有機物等が基板外周に付着しないように注意する。4研磨時間を長くする研磨の取り代大きくすると、凸状欠陥は小さくなる。本発明は、以下の構成を有する。構成1マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含み、研磨前の基板の濡れ性接触角は、θ/2法で測定したとき20°未満である状態で前記研磨を行う、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成2前記研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する工程を有することを特徴とする構成1に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成3前記研磨工程における研磨レートが20nm/min以下であることを特徴とする構成1又は2記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成4前記研磨工程における研磨の取り代が片面で100nm以下であることを特徴とする構成1又は2記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成5前記研磨液のpHが、9.6~11.0であることを特徴とする構成1~4のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成6前記研磨液は、水酸化テトラメチルアンモニウムを添加したものであることを特徴とする構成1~5のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成7前記ガラス基板は、ArFエキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、F2エキシマレーザー露光用位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、又は、EUV反射型マスクブランクス用ガラス基板の何れかであることを特徴とする構成1~6のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成8構成1~7のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法で製造したマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。構成9構成8に記載のマスクブランクスの製造方法で製造したマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。構成10構成9に記載の転写マスクの製造方法で製造した転写マスクを用いて、半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明によれば、コロイダルシリカを用いた研磨砥粒による精密研磨を行っても、基板表面に高さ数十nm程度の凸状欠陥が発生しないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法を提供することができる。また、基板表面に高さ数十nm程度の凸状欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板を使用してマスクブランクスを作製することにより、位相欠陥のないマスクブランクス及びその製造方法を提供することができる。位相欠陥のないマスクブランクスを使用して転写マスクを作製することによりパターン欠陥のない転写マスクをを製造することができる。さらに、パターン欠陥のない転写マスクを使用してリソグラフィー技術により半導体基板上に微細パターンを形成するので、パターン欠陥のない半導体装置を製造することができる。特に、本発明は、高さ数十nmレベルの凸状欠陥でも位相欠陥を生じてしまうような位相シフトマスク用のガラス基板の製造に有効である。また、高さ数十mnレベルの凸状欠陥でもその上に多層反射膜が形成されたときにEUV露光光に対する反射率が低下してしまうような反射型マスクブランク用の基板の製造にも有効である。[実施例]以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。以下の例では、マスクブランクス用ガラス基板として、位相シフトマスクブランクス用ガラス基板以下、単にガラス基板と称するを例に説明する。尚、本実施例における研磨の工程は、両面研磨装置を用いて行なう。図1は両面研磨装置の概略構成例を示す図である。図1に示した例は、遊星歯車方式の両面研磨装置である。この遊星歯車方式の両面研磨装置1は、太陽歯車2と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車3と、太陽歯車2及び内歯歯車3に噛み合い、太陽歯車2や内歯歯車3の回転に応じて公転及び自転するキャリア4と、このキャリア4に保持された被研磨加工物5ガラス基板を研磨パッド6が貼着された挟持可能な上定盤7及び下定盤8と、上定盤7と下定盤8との間に研磨液を供給する研磨液供給部9とを備えている。研磨加工時には、キャリア4に保持された被研磨加工物5を上定盤7及び下定盤8に挟持するとともに、上下定盤の研磨パッド6と被研磨加工物5との間に研磨液を供給しながら太陽歯車2や内歯歯車3の回転に応じて、キャリア4が公転及び自転しながら、被研磨加工物5の上下両面を同時に研磨加工する。両面研磨装置1には、太陽歯車3、内歯歯車4、上定盤7、下定盤8、これらの回転数と回転時間、及び荷重シーケンス研磨時間と荷重を設定し、制御する動作制御部10図示せずが接続されており、予め設定した太陽歯車3、内歯歯車4、上定盤7、下定盤8の回転数と回転時間、及び加工荷重にしたがって、被研磨加工物5を研磨加工するようになっている。実施例1~4、比較例1マスクブランクス用ガラス基板の製造1粗研磨工程合成石英ガラス基板の端面を面取加工、及び両面ラッピング装置によって研削加工を終えたガラス基板152.1mm×152.1mm×6.35mmを、両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で粗研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の粗研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。研磨液:酸化セリウム平均粒径2~3μm水研磨パッド:硬質ポリシャウレタンパッド研磨取り代:35μm粗研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬超音波印加し、洗浄を行った。2精密研磨工程両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で精密研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。研磨液:酸化セリウム平均粒径1μm水研磨パッド:軟質ポリシャスウェードタイプ研磨取り代:35μm精密研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬超音波印加し、洗浄を行った。3超精密研磨工程1第3ポリシング両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で超精密研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の超精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は位相シフトマスクブランクスに使用するガラス基板として必要な表面粗さ所望の表面粗さ:二乗平均平方根粗さRqで0.2nm以下となるように適宜調整して行った。研磨液:アルカリ性pH10.2;コロイダルシリカ平均粒径30~200nm水NaOH添加研磨パッド:超軟質ポリシャスウェードタイプ;バフ処理発泡樹脂/不織布基材の構成のもの使用研磨取り代:5μm超精密研磨工程1を実施後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、フッ酸とケイフッ酸0.4wtを含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬超音波印加し、洗浄を行った。超精密研磨工程1第3ポリシング及びその後の洗浄処理を実施した基板について、高さ数十nm程度の凸状欠陥がないこと確認した。4最終研磨工程超精密研磨工程2、第4ポリシング両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で超精密研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の超精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は位相シフトマスクブランクスに使用するガラス基板として必要な表面粗さ所望の表面粗さ:二乗平均平方根粗さRqで0.17nm以下となるように適宜調整して行った。研磨液:アルカリ性pH10.7;コロイダルシリカ平均粒径80nm水TMAH:水酸化テトラメチルアンモニウム添加研磨パッド:超軟質ポリシャスウェードタイプ;バフ処理発泡樹脂/不織布加工荷重:30g/cm2研磨時間:20分基板回転数:6rpm研磨定盤回転数:12rpm研磨取り代:200nm片側100nm最終研磨工程超精密研磨工程2終了後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板をフッ酸とケイフッ酸を含む洗浄液の洗浄槽に浸漬超音波印加し、洗浄を行った。比較例1では、超精密研磨工程1第3ポリシング及び洗浄工程実施後、長期約8ヶ月保管したガラス基板を、未処理のまま、最終研磨工程第4ポリシング及び洗浄工程を実施した。実施例1では、超精密研磨工程1第3ポリシング及び洗浄工程実施後、長期約8ヶ月保管したガラス基板を、最終研磨工程第4ポリシングの実施直前に、フッ酸ケイフッ酸処理を含む洗浄処理した直後100時間以内に、最終研磨工程第4ポリシング及び洗浄工程を実施した。実施例2では、超精密研磨工程1第3ポリシング及び洗浄工程実施後、長期約8ヶ月保管したガラス基板を、最終研磨工程第4ポリシングの実施直前に、純水オバーフロー1分、フッ酸ケイフッ酸1分、フッ酸ケイフッ酸1分、純水スクラブ洗浄、純水オバーフローメガソニック、スピンすすぎ、スピン乾燥処理した直後100時間以内に、最終研磨工程第4ポリシング及び洗浄工程を実施した。実施例3では、超精密研磨工程1第3ポリシング及び洗浄工程実施後、長期約8ヶ月保管したガラス基板を、最終研磨工程第4ポリシングの実施直前に、エキシマUV処理Xeエキシマランプを光源とした波長172nmを中心とした波長のXe2光を80秒、基板に照射する処理。した直後100時間以内に、最終研磨工程第4ポリシング及び洗浄工程を実施した。実施例4は、超精密研磨工程1第3ポリシング及びその後の洗浄処理を実施した基板について、直後100時間以内に、最終研磨工程第4ポリシング及び洗浄工程を実施した。以上の工程および条件に従って、マスクブランクス用ガラス基板を得た。なお、メガソニック洗浄は、超音波洗浄より高周波1MHz程度の超音波で洗浄する洗浄法である。メガソニック洗浄は、高周波な分、振動が細かくマイルドなので、超音波洗浄に比べ洗浄力は若干落ちるが、もともと汚れの少ない第3ポリシング後のガラス基板の洗浄などに向いている。メガソニック洗浄は浸漬式、枚葉スピン式のどちらの装置でも適用出来る。メガソニック洗浄と超音波洗浄を組み合わせることもできる。評価実施例1~4、比較例1で得られたマスクブランクス用ガラス基板について、最終研磨工程第4ポリシング実施前の表面状態を評価するための試料と、最終研磨工程第4ポリシング実施後に本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥の発生状況を測定するための試料を準備し、相関関係を調べた。接触角の測定は、θ/2法を用い2mlの純水を滴下し、水滴の接触角を測定した。接触角は、152mm角の基板の149mm角の一辺有効エリア外の基板外周の一辺に沿って等間隔で6点測定した。基板の表面エネルギーは、表面張力mN/mの異なる指示薬を滴下し、その指示薬の広がり具合を側面から観察して測定した。基板の表面エネルギーは、152mm角の基板の中心部分132mm角より内側の1点と、基板の外周部分132mm角より外側における基板の上部及び下部2点で測定した。本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥は、欠陥検査装置レーザーテック社製M1320で、152mm角の基板の149mm角の領域有効エリア外含むで検査した。結果を図4~8に示す。比較例1図8は、接触角:30~32°、表面エネルギー:30~38mN/mであり、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥を含む凸状欠陥の総数は極めて多数具体的には572個であった。実施例1図4は、接触角:16~19°、表面エネルギー:40~46mN/mであり、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥を含む凸状欠陥の総数は少数具体的には61個であった。なお、基板の132mm角の内側の領域においては、凸状欠陥の総数はゼロであった。実施例2図5は、接触角:測定限界~7.7°、表面エネルギー:60mN/m以上であり、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥を含む凸状欠陥の総数はゼロ発生なしであった。なお、図5中の▽は、凹状欠陥であるが、132mm角の外側の領域であり、かつ存在個数も1個だけであった。実施例3図6は、接触角:12~14°、表面エネルギー:57~59mN/mであり、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥を含む凸状欠陥の総数はごく少数具体的には4個であった。なお、基板の132mm角の内側の領域においては、凸状欠陥の総数はゼロであった。実施例4図7は、接触角:7.4~9.5°、表面エネルギー:60mN/m以上であり、本発明に係る上記高さ数十nm程度の凸状欠陥を含む凸状欠陥の総数はゼロ発生なしであった。実施例5上述の実施例3において、超精密研磨工程1、2で使用する研磨液を以下のようにした以外は実施例3と同様にしてマスクブランクス用ガラス基板を作製した。研磨液:高純度コロイダルシリカ平均粒径30~100nm水高純度コロイダルシリカ:有機ケイ素を加水分解することで生成したコロイダルシリカであって、金属不純物が除去された高純度アルコキシシランを原料にゾルゲル法により合成したもの。純度が99.99999。コロイダルシリカ砥粒に含まれるアルカリ金属Na,Kの含有量が0.1ppm以下。超精密研磨工程1実施後、及び、超精密研磨工程2実施後に、それぞれ、得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数nm程度約2~7nmの凸状の突起を調べたところ、いずれの場合においても、このような表面欠陥は全く確認できず、高さ数nm程度の凸状の突起の発生率は0100枚中0枚であった。尚、上述の実施例及び比較例で確認された高さ数十nm程度の凸状の突起をEPMAElectronProbeMicroAnalyzerで成分分析を行ったところ、主成分がSi、Oを含むものであることが確認された。また、上述の実施例1~5にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造した、少なくとも132mm角の内側の領域では高さ数十nm程度の凸状欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、並びに、上述の比較例1の製造方法によって製造した高さ数十nm程度の凸状欠陥のあるガラス基板の一主表面上に、モリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜をスパッタリング法により形成した。こうして作製したモリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜の欠陥検査を行ったところ、実施例1~5にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造したマスクブランクス用ガラス基板上のハーフトーン膜には、少なくとも132mm角の内側の領域では凸状の表面欠陥が認められなかった。これに対し、高さ数十nm程度の凸状欠陥が確認されたマスクブランクス用ガラス基板比較例1上のハーフトーン膜においては、、132mm角の内側の領域でもハーフトーン膜表面に凸状の表面欠陥が確認された。さらに、欠陥検査後の実施例1~5、比較例1に係るマスクブランク用ガラス基板におけるハーフトーン膜の上に、酸化窒化炭化クロム、窒化クロム、酸窒化炭化クロムの3層積層構造の遮光膜をスパッタリング法により形成し、位相シフトマスクブランクを作製した。上述の少なくとも132mm角の内側の領域では高さ数十nm程度の凸状欠陥が認められなかった位相シフトマスクブランクス、及び132mm角の内側の領域でも高さ数十nm程度の凸状欠陥が確認された位相シフトマスクブランクス上にレジスト膜を形成し、さらに、レジスト膜をパターニングしてレジストパターンとした。次に、このレジストパターンをマスクにして、遮光膜をドライエッチングによりパターニングした。次に、パターンが形成された遮光膜をマスクにして、ハーフトーン膜をドライエッチングによりパターニングした。さらに、遮光帯用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして、遮光膜をドライエッチングして遮光帯を形成した。以上の工程により、ガラス基板上にハーフトーン膜パターンが形成された位相シフトマスクを作製した。こうして作製した位相シフトマスクについて、表面欠陥を確認したところ、実施例1~5の少なくとも132mm角の内側の領域では高さ数十nm程度の凸状欠陥のないガラス基板を使って作製した位相シフトマスクには、位相欠陥は確認されなかったが、比較例1のガラス基板を使って作製した位相シフトマスクに、ガラス基板表面とハーフトーン膜パターンの境界に凸状の表面欠陥が確認され位相欠陥となった。また、これら位相欠陥が確認された位相シフトマスクを使って露光機により半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成したところ、位相シフトマスクの位相欠陥要因のパターン欠陥が確認されたが、位相欠陥が確認されなかった位相シフトマスクを使って半導体基板上に微細パターンを形成した場合は、パターン欠陥はなかった。上述の実施例1~5、比較例1にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造したガラス基板上に、Mo膜2.8nmとSi膜4.2nmの積層膜を40周期にわたり形成し、最後にSi膜を4nm形成して多層反射膜を形成した。次に、キャップ層として、RuNb膜を2.5nm形成した。さらに、RuNb膜上にTaBN膜からなる吸収体膜を形成してEUV反射型マスクブランクスを作製した。さらに、TaBN膜上にレジスト膜を形成し、パターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクにしてTaBN膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去してEUV反射型マスクを作製した。上述と同様にしてEUV反射型マスクブランクスの表面欠陥、EUV反射型マスクの位相欠陥、EUV反射型マスクを使ってリソグラフィー技術により作製した半導体基板上に形成された微細パターンのパターン欠陥について調べたところ、実施例1~5のガラス基板を使った場合、上述の欠陥はなかったが、比較例1のガラス基板を使った場合、EUV反射型マスクブランクス、EUV反射型マスク、半導体装置に上述の欠陥が確認された。尚、上述の実施例では、遊星歯車方式の両面研磨装置を使って研磨加工を行った例を示したが、これに限らず、他の方式の両面研磨装置や片面ずつ研磨を行う片面研磨装置を使い、コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液により精密研磨しても上述と同様の効果が得られる。また、上述の実施例では、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨工程超精密研磨工程の前に、酸化セリウム砥粒を含む研磨液による粗研磨工程、精密研磨工程を行なった例をあげたが、これに限定されるものではない。コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨工程を行なう前のガラス基板が十分に平坦で平滑であれば、酸化セリウム砥粒による粗研磨工程及び/又は精密研磨工程を行なわなくてもよい。また、粗研磨工程、精密研磨工程を行なう場合であっても、酸化セリウム以外に、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の研磨砥粒を使用してもかまわない。本発明は、近年における超LSIデバイスの高密度化、高精度化にも対応できるように基板表面に高さ数十nm程度の凸状欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法、及び半導体装置の製造方法を得る際等に利用できる。1両面研磨装置2太陽歯車3内歯歯車4キャリア5被研磨加工物ガラス基板6研磨パッド7上定盤8下定盤9研磨液供給部"