複数のブロックから構成され、前記ブロックが複数のページから構成される書き換え可能なフラッシュメモリと、所定数の前記ページからなる書き込みデータ領域と、前記書き込みデータ領域に続く1の前記ページからなる管理フラグ領域と、から構成される領域を1つの管理単位とし、第一の前記管理単位の管理フラグ領域に書き込み開始フラグを書き込んだ後、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込み、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込んだ後、第一の前記管理単位の管理フラグ領域の書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換える書き込み動作を行い、第一の前記管理単位への書き込み動作完了後、第一の前記管理単位に続く第二の管理単位への書き込み動作を開始する制御部とからなるフラッシュメモリ制御装置。前記制御部は、前記書き込み動作を行ったブロックにおいて、書き込み動作を行っていない前記ページが前記管理単位よりも少なくなった後、前記書き込み動作を行ったブロックのデータおよびフラグを消去することを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ制御装置。前記フラッシュメモリにおいて、前記書き込み動作を行っていないページのビットは全て1であることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ制御装置。複数のブロックから構成され、前記ブロックが複数のページから構成される書き換え可能なフラッシュメモリにおけるフラッシュメモリ制御方法において、所定数の前記ページからなる書き込みデータ領域と、前記書き込みデータ領域に続く1の前記ページからなる管理フラグ領域と、から構成される領域を1つの管理単位とし、第一の前記管理単位の管理フラグ領域に書き込み開始フラグを書き込んだ後、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込み、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込んだ後、第一の前記管理単位の管理フラグ領域の書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換える書き込み動作を行い、第一の前記管理単位への書き込み動作完了後、第一の前記管理単位に続く第二の管理単位への書き込み動作を開始するステップからなるフラッシュメモリ制御方法。しかしながら、NANDメモリへのデータ書き込みの途中で、電源の供給が突然遮断される等によりデータの書き込みに失敗した場合、NANDメモリから所望のデータを読み出せない不具合が生じ得る。例えば、NANDメモリへのデータの書き込みを2ページ単位で行うはずが、2ページ目のデータ書き込みに失敗すると、NANDメモリからデータを読み出す際、前回書き込んだ2ページ目のデータと今回書き込んだ1ページ目のデータを、今回書き込んだ2ページのデータとして、誤ってデータを読み出す不具合が生じ得る。上記不具合を解決する方法として、データを書き込む度に、データを書き込んだブロックのデータを消去することも考えられるが、NANDメモリの使用効率が低下することに加え、該ブロックの消去回数が増加することにより、NANDメモリに不良ブロックが発生し、NANDメモリの製品寿命が縮まるという課題を有する。NANDメモリでの不良ブロックの発生を軽減する方法として、NANDメモリの複数のブロックのうち、全ブロック数より少ない任意の数のブロックをリフレッシュし、所定のタイミングの度に、前回とは異なるブロックをリフレッシュする方法が開示されている例えば、特許文献1が、依然、上述した課題を解決するには至らない。本発明は、フラッシュメモリ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法に関し、特に、フラッシュメモリを効率的に使用しながらデータ読み出し時の不具合の発生を軽減するとともに、フラッシュメモリに書き込んだデータの消去回数を軽減することでフラッシュメモリの製品寿命を延ばすことが可能なフラッシュメモリ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法を提供することを目的とする。上記従来の課題を解決するために、本発明のフラッシュメモリ制御装置は、複数のブロックから構成され、前記ブロックが複数のページから構成される書き換え可能なフラッシュメモリと、所定数の前記ページからなる書き込みデータ領域と、前記書き込みデータ領域に続く1の前記ページからなる管理フラグ領域と、から構成される領域を1つの管理単位とし、第一の前記管理単位の管理フラグ領域に書き込み開始フラグを書き込んだ後、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込み、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込んだ後、第一の前記管理単位の管理フラグ領域の書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換える書き込み動作を行い、第一の前記管理単位への書き込み動作完了後、第一の前記管理単位に続く第二の管理単位への書き込み動作を開始する制御部とからなる。また、本発明のフラッシュメモリ制御方法は、複数のブロックから構成され、前記ブロックが複数のページから構成される書き換え可能なフラッシュメモリにおけるフラッシュメモリ制御方法において、所定数の前記ページからなる書き込みデータ領域と、前記書き込みデータ領域に続く1の前記ページからなる管理フラグ領域と、から構成される領域を1つの管理単位とし、第一の前記管理単位の管理フラグ領域に書き込み開始フラグを書き込んだ後、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込み、第一の前記管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込んだ後、第一の前記管理単位の管理フラグ領域の書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換える書き込み動作を行い、第一の前記管理単位への書き込み動作完了後、第一の前記管理単位に続く第二の管理単位への書き込み動作を開始するステップからなる。本発明のフラッシュ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法によれば、ある1のブロックにおいて、所定数のページを1つの管理単位とし、1つの管理単位において、所定の書き込みデータ領域と管理フラグ領域を設け、管理フラグ領域に書き込まれた管理フラグにより、書き込みデータ領域に書き込まれるまたは書き込まれたデータの状態を管理するので、フラッシュメモリを効率的に使用しながら書き込みデータ領域に書き込んだデータを読み出す時の不具合の発生を軽減することが可能となる。本発明のフラッシュメモリ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法によれば、ある1のブロックにおいて、所定数のページを1つの管理単位とし、1つの管理単位において、所定の書き込みデータ領域と管理フラグ領域を設け、管理フラグ領域に書き込まれた管理フラグにより、書き込みデータ領域に書き込まれるまたは書き込まれたデータの状態を管理するので、フラッシュメモリを効率的に使用しながら書き込みデータ領域に書き込んだデータを読み出す時の不具合の発生を軽減することが可能となる。以下、本発明を実施するための一実施の形態について、図面を参照しながら説明する。<フラッシュメモリ制御装置100の構成と機能>図1は、本発明の実施例1に係るフラッシュメモリ制御装置の構成を示すブロック図である。フラッシュメモリ制御装置100は、制御部11およびフラッシュメモリ12からなる。制御部11は、フラッシュメモリ制御装置100を制御する。例えば、制御部11は、フラッシュメモリ12に対し、各種データおよびフラグの書き込み、読み出しおよび消去を行う。フラッシュメモリ12は、書き換え可能な不揮発性のメモリであり、ここでは、NAND型のフラッシュメモリを指す。フラッシュメモリ12において、制御部11からの制御により、各種データフラグの書き込み、読み出しおよび消去が行われる。図2は、本発明の実施例1に係るフラッシュメモリの構成を示す図である。フラッシュメモリ12は、ブロック1~mmは任意の整数から構成され、各ブロックは、ページ1~nnは任意の整数から構成される。フラッシュメモリ12は、ページ1から所定数のページを1つの管理単位として、制御部11により制御される。具体的には、1つの管理単位において、1ページ目からαページ目αは0以上の整数を書き込みデータ領域として、該書き込みデータ領域には、データが書き込まれる。一方、同管理単位において、書き込みデータ領域に続くページからβページ目βは0以上の整数を管理フラグ領域として、該管理フラグ領域には、書き込みデータ領域に書き込まれるまたは書き込まれたデータの状態を管理するための管理フラグが書き込まれる。図2は、一例として、3ページを1つの管理単位とし、1つの管理単位において、1ページ目および2ページ目を書き込みデータ領域とし、該書き込みデータ領域に続く3ページ目を管理フラグ領域としている。管理フラグ領域に書き込まれる管理フラグは、以下の3種類から構成される。つまり、第一の管理単位において、1書き込みデータ領域にデータの書き込みが開始されることを示す書き込み開始フラグ、2書き込みデータ領域へのデータの書き込みが完了したことを示す書き込み完了フラグ、3第一の管理単位の書き込みデータ領域への書き込みが完了し、第一の管理単位に続く第二の管理単位の書き込みデータ領域への書き込みが完了した際、第一の管理単位の書き込みデータ領域は使用済みであることを示す使用済みフラグの3種類である。なお、図2において、フラッシュメモリ12は、ページ1から3ページを1つの管理単位として、制御部11により制御されるとしたが、これに限定されない。例えば、フラッシュメモリ12は、ページnから3ページを1つの管理単位として、制御部11により制御されてもよい。また、図2において、1つの管理単位において、書き込みデータ領域に続く3ページ目を管理フラグ領域として、制御部11により制御されるとしたが、これに限定されない。例えば、1つの管理単位において、1ページ目及び3ページ目を書き込みデータ領域とし、2ページ目を管理フラグ領域として、制御部11により制御されてもよい。ただし、制御部11によるフラッシュメモリ12の制御をより簡易にするためには、図2に示すとおり、1つの管理単位において、書き込みデータ領域に続く3ページ目を管理フラグ領域とすることが望ましい。<制御部によるフラッシュメモリの制御の流れを示すフロー>次に、制御部11によるフラッシュメモリ12の制御の流れを、図3および図4を用いて説明する。図3は、本発明の実施例1に係るフラッシュメモリ制御装置の制御部がフラッシュメモリのデータを制御する一例を示す図である。図3において、フラッシュメモリ12は、1ブロックが64ページからなり、1ページの記憶容量が4byte32bitである例を示している。また、本実施例において、制御部11は、フラッシュメモリ12の、ページ1から3ページを1つの管理単位とし、1つの管理単位において、1ページ目および2ページ目を書き込みデータ領域とし、該書き込みデータ領域に続く3ページ目を管理フラグ領域として、フラッシュメモリ12を制御する。図4は、本発明の実施例1に係るフラッシュメモリ制御装置の制御部によるフラッシュメモリの制御の流れを示すフローチャートである。フラッシュメモリ12は、図3aに示す状態、つまり、フラッシュメモリ12にはデータが一切書き込まれていない状態であるとして、話を進める。なお、制御部11は、フラッシュメモリ12のデータが書き込まれていないページの全てのビットに1を立てるようにフラッシュメモリ12を制御する。まず始めに、制御部11は、フラッシュメモリ12のある1のブロックの中のページに書き込み完了フラグが存在するか否かを確認し、存在する場合には最新の書き込み完了フラグを探すステップS41。その際、制御部11は、ページ1から昇順に書き込み完了フラグを探す場合は、最後の書き込み完了フラグを最新の書き込み完了フラグとし、一方、ページ64から降順に書き込み完了フラグを探す場合は、最初の書き込み完了フラグを最新の書き込み完了フラグとすればよい。ここでは、フラッシュメモリ12のある1のブロックのいずれのページにもデータが書き込まれていないので書き込み完了フラグは存在せずステップS41でNo、次に、制御部11は、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも多いか否かを確認するステップS42。ここでは、フラッシュメモリ12のある1のブロックのいずれのページにもデータが書き込まれていないので、書き込み動作を行っていないページは64ページであり、管理単位である3ページよりも多いのでステップS42でYes、制御部11は、管理フラグ領域への書き込み開始フラグの書き込みを行うステップS43。ここでは、ページ3に書き込み開始フラグとして、PANAASCII文字コードを書き込む図3b。ここで、書き込み開始フラグはPANA以外も適用可能であり、制御部11が書き込み開始フラグとして認識できる所定の値であればよい。次に、制御部11は、書き込みデータ領域へのデータの書き込みを行うステップS44。ここでは、制御部11は、ページ1およびページ2にデータを書き込む図3c。次に、制御部11は、書き込みデータ領域へのデータの書き込みが完了すると、管理フラグ領域に書き込んだ書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換えるステップS45。ここでは、ページ3の書き込み開始フラグPANAを、書き込み完了フラグPA0000PAはASCII文字コード、0000は16進数表記に書き換える図3d。ここで、書き込み完了フラグはPA0000以外も適用可能であり、制御部11が書き込み完了フラグとして認識できる所定の値であればよいが、ビットを0→1に制御する際にはブロック全体を消去する必要があるNANDメモリの性質上、PANAからビットを1→0に制御する値である必要がある。なお、ステップS42において、制御部11は、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも多い場合ステップS42でNo、フラッシュメモリ12への書き込み動作を終了する。上記により、制御部11によるフラッシュメモリ12のある1のブロックの1の管理単位への書き込む動作が完了する。続いて、制御部11は、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも多いか否かを確認するステップS46。ここでは、フラッシュメモリ12のある1のブロックの内、ページ1からページ3にデータおよびフラグが書き込まれており、書き込み動作がなされていないページは61ページであり、管理単位である3ページよりも多いのでステップS46でYes、制御部11は、書き込み動作が完了した管理単位に続く次の管理単位の管理フラグ領域への書き込み開始フラグの書き込みを行うステップS47。ここでは、ページ6に先ほど同様に書き込み開始フラグとして、PANAを書き込む図3e。次に、制御部11は、書き込み動作が完了した管理単位に続く次の管理単位の書き込みデータ領域へのデータの書き込みを行うステップS48。ここでは、制御部11は、ページ4およびページ5にデータを書き込む図3f。次に、制御部11は、書き込み動作が完了した管理単位に続く次の管理単位の書き込みデータ領域へのデータの書き込みが完了すると、管理フラグ領域に書き込んだ書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換えるステップS49。ここでは、ページ6の書き込み開始フラグPANAを、先ほど同様に書き込み完了フラグPA0000PAはASCII文字コード、0000は16進数表記に書き換える図3g。次に、制御部11は、前回の管理単位、つまり、ステップS43からステップS45で行った書き込み動作における、管理フラグ領域の書き込み完了フラグを使用済みフラグに書き換えるステップS50。ここでは、制御部11は、ページ3に書き込んだ書き込み完了フラグPA0000を使用済みフラグ00000000に書き換える図3h。ここで、使用済みフラグは00000000以外にも適用可能であり、制御部11が使用済みフラグとして認識できる所定の値であればよいが、ビットを0→1に制御する際にはブロック全体を消去する必要があるNANDメモリの性質上、PANA0000からビットを1→0に制御する値である必要がある。続いて、制御部11は、再度、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも多いか否かを確認するステップS46。ここで、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも少なくなるとステップS46でNo、制御部11は、任意のタイミングで、ある1のブロックに書き込まれたデータを消去しステップS51、フラッシュメモリ12の制御への書き込み動作を終了する。以上、本発明のフラッシュ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法によれば、ある1のブロックにおいて、所定数のページを1つの管理単位とし、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも少なくなるまで該ある1のブロックで書き込み動作を行うので、フラッシュメモリを効率的に使用することが可能となる。また、本発明のフラッシュ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法によれば、ある1のブロックにおいて、所定数のページを1つの管理単位とし、1つの管理単位において、所定の書き込みデータ領域と管理フラグ領域を設け、管理フラグ領域に書き込まれた管理フラグにより、書き込みデータ領域に書き込まれるまたは書き込まれたデータの状態を管理するので、書き込みデータ領域に書き込んだデータを読み出す時の不具合の発生を軽減することが可能となる。また、本発明のフラッシュ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法によれば、ある1のブロックにおいて、所定数のページを1つの管理単位とし、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも少なくなるまで該ある1のブロックで書き込み動作を行い、書き込み動作を行っていないページが管理単位よりも少なくなった後、任意のタイミングで、該1のブロックに書き込まれたデータおよびフラグを消去するので、フラッシュメモリに書き込んだデータの消去回数を軽減することにより、フラッシュメモリの製品寿命を延ばすことが可能となる。また、本発明のフラッシュ制御装置およびフラッシュメモリ制御方法によれば、ある1のブロックにおいて、所定数のページを1つの管理単位とし、1つの管理単位において、所定の書き込みデータ領域と管理フラグ領域を設け、管理フラグ領域に書き込む管理フラグを書き換える際、管理フラグのビットを1→0に制御する値に管理フラグを設定しているので、管理フラグを書き換える度にブロックに書き込まれたデータおよびフラグを消去する必要がなく、フラッシュメモリに書き込んだデータの消去回数を軽減することにより、フラッシュメモリの製品寿命を延ばすことが可能となる。