キャリア供給層、及び前記キャリア供給層とヘテロ接合を形成するキャリア走行層を積層した窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に配置された絶縁膜と、前記窒化物半導体層上に配置された、複数の歯部分を有する櫛型形状のソース電極と、前記窒化物半導体層上に前記ソース電極と交差指状に配置された、複数の歯部分を有する櫛型形状のドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極間で前記窒化物半導体層上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極と電気的に接続され、前記ゲート電極と前記ドレイン電極間で前記絶縁膜上に配置されたゲートフィールドプレートと、前記ソース電極と電気的に接続され、前記絶縁膜を介して前記窒化物半導体層と対向するように前記ゲートフィールドプレートと前記ドレイン電極間の上方に配置されたソースフィールドプレートとを備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極間の距離、前記ゲートフィールドプレートのドレイン側端部と前記ゲート電極のドレイン側端部間の距離、及び前記ソースフィールドプレートのドレイン側端部と前記ゲートフィールドプレートのドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、前記ソース電極と前記ドレイン電極の前記歯部分の直線領域よりも前記ソース電極と前記ドレイン電極の前記歯部分の先端領域において長いことを特徴とする窒化物半導体装置。前記ソース電極と前記ドレイン電極の先端の形状が半円形状であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体装置。前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一部が、前記キャリア供給層に設けられた開口部に埋め込まれて前記キャリア走行層に接していることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置。前記ドレイン電極と前記ゲート電極間で前記絶縁膜上に配置された保護電極と、前記保護電極と電気的に接続され、前記保護電極と前記ドレイン電極間で前記絶縁膜上に配置されたZフィールドプレートとを更に備え、前記ゲート電極と前記保護電極間の距離、及び前記Zフィールドプレートのドレイン側端部と前記保護電極のドレイン側端部間の距離のいずれもが、前記直線領域よりも前記先端領域において長いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。前記ソース電極と前記ゲート電極間の距離が、前記直線領域よりも前記先端領域において長いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の窒化物半導体装置。二次元キャリアガス層をチャネルとするHEMTでは、トランジスタ構造の違いから、特許文献1に記載されたように拡散領域の形状を変化させることよって耐圧を向上させることができない。本発明は、櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、且つ各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、イキャリア供給層、及びキャリア供給層とヘテロ接合を形成するキャリア走行層を積層した窒化物半導体層と、ロ窒化物半導体層上に配置された絶縁膜と、ハ窒化物半導体層上に配置された、複数の歯部分を有する櫛型形状のソース電極と、ニ窒化物半導体層上にソース電極と交差指状に配置された、複数の歯部分を有する櫛型形状のドレイン電極と、ホソース電極とドレイン電極間で窒化物半導体層上に配置されたゲート電極と、ヘゲート電極と電気的に接続され、ゲート電極とドレイン電極間で絶縁膜上に配置されたゲートフィールドプレートと、トソース電極と電気的に接続され、絶縁膜を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレートとドレイン電極間の上方に配置されたソースフィールドプレートとを備え、ゲート電極とドレイン電極間の距離、ゲートフィールドプレートのドレイン側端部とゲート電極のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレートのドレイン側端部とゲートフィールドプレートのドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極とドレイン電極の歯部分の直線領域よりもソース電極とドレイン電極の歯部分の先端領域において長い窒化物半導体装置が提供される。本発明によれば、櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、且つ各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供できる。次に、図面を参照して、本発明の第1乃至第3の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各部の長さの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。又、以下に示す第1乃至第3の実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係る窒化物半導体装置1は、図1に示すように、互いに紙面に向かって上下方向にそれぞれ延伸する複数の歯部分を有する櫛型形状をなすソース電極3及びドレイン電極4と、ソース電極3とドレイン電極4間に配置されたゲート電極5を備える。ソース電極3とドレイン電極4の櫛の歯部分は交差指状に配置されている。つまり、ソース電極3の歯部分の間のそれぞれに、ドレイン電極の各歯部分が配置されている。このためゲート電極5は、紙面に向かって左右方向に重なるように多重に折り返されて配置されている。以下において、ソース電極3とドレイン電極4の歯部分が直線的に平行して延伸する領域を直線領域という。そして、ソース電極3とドレイン電極4の歯部分の先端部の、外縁が曲線である領域を先端領域という。図1のA-A方向、B-B方向、及びC-C方向に沿った切断面を図2に示す。A-A方向は、ソース電極3とドレイン電極4の直線領域における、ソース電極3とドレイン電極4の歯部分が延伸する方向に垂直な方向である。B-B方向は、ソース電極3の先端領域以下において、ソース先端領域という。における、ソース電極3の歯部分が延伸する方向に平行な方向である。C-C方向は、ドレイン電極4の先端領域以下において、ドレイン先端領域という。における、ドレイン電極4の歯部分が延伸する方向に平行な方向である。A-A方向、B-B方向、及びC-C方向に沿った各切断面は、基本的な構造は略同一であり、詳細を後述するように、各切断面に現れる領域間で距離が異なる箇所がある。図2に示すように、窒化物半導体装置1は、キャリア供給層22、及びキャリア供給層22とヘテロ接合を形成するキャリア走行層21を積層した窒化物半導体層2と、窒化物半導体層2上に配置された絶縁膜7とを備え、窒化物半導体層2上にソース電極3、ドレイン電極4及びゲート電極5が配置されたHEMTである。絶縁膜7はソース電極3及びドレイン電極4を覆って配置され、絶縁膜7に形成された開口部を埋め込むようにしてゲート電極5が配置されている。ゲート電極5と絶縁膜7上に層間絶縁膜8が配置され、層間絶縁膜8に形成された開口部をそれぞれ介して、ソース電極配線31がソース電極3と接続され、ドレイン電極配線41がドレイン電極4と接続されている。また、窒化物半導体装置1は、ゲート電極5と電気的に接続するゲートフィールドプレート50、及びソース電極3と電気的に接続するソースフィールドプレート30を更に備える。ゲート電極5とドレイン電極4間に配置されたゲートフィールドプレート50とソースフィールドプレート30により、ゲート電極5のドレイン側端部の空乏層の曲率が制御されて、ゲート電極5のドレイン電極側の端部以下において、ドレイン側端部という。に集中するバイアス電界の集中が緩和される。図2に示すように、ゲートフィールドプレート50はゲート電極5の上端部と連接して、ゲート電極5とドレイン電極4間で絶縁膜7上に配置されている。ソースフィールドプレート30は、ソース電極配線31を介してソース電極3と電気的に接続し、ゲートフィールドプレート50とドレイン電極4との間で絶縁膜7及び層間絶縁膜8を介して窒化物半導体層2と対向するように、層間絶縁膜8上に配置されている。図2に示した例では、ソース電極配線31のドレイン電極側に延伸した領域が、ソースフィールドプレート30として機能する。なお、図1では、ゲートフィールドプレート50及びソースフィールドプレート30の図示を省略している。図2に示すように、基板10上にバッファ層11が配置され、バッファ層11上に窒化物半導体層2が配置されている。窒化物半導体装置1の具体的な構造例については後述する。ソース先端領域の拡大図を図3aに、ドレイン先端領域の拡大図を図3bに、それぞれ示す。図3a、図3bにおいては、上層を透過して、ソース電極3、ドレイン電極4、ゲート電極5、ゲートフィールドプレート50、ソースフィールドプレート30を図示している。例えば、ソース電極配線31を透過してゲート電極5やゲートフィールドプレート50を図示している。ソース電極3、ドレイン電極4及びソースフィールドプレート30の先端の形状は半円形である。また、ソース先端領域においては、ドレイン電極4の歯部分の間における柄部分の外縁が、ソース電極3の先端に沿って半円形に窪んでいる。同様に、ドレイン先端領域においては、ソース電極3の歯部分の間における柄部分の外縁が、ドレイン電極4の先端に沿って半円形に窪んでいる。このため、ソース電極3とドレイン電極4間に配置されるゲート電極5は、先端領域では円弧形状である。同様に、ゲートフィールドプレート50及びソースフィールドプレート30も、先端領域では円弧形状である。図3a、図3bに示すように、距離LGSa、LGSb、LGScは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲート電極5のソース側端部とソース電極3のゲート電極側端部との間の距離以下において、G_S間距離という。LGSである。距離LGDa、LGDb、LGDcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲート電極5のドレイン側端部とドレイン電極4のゲート電極側端部との間の距離以下において、G_D間距離という。LGDである。距離LGFPa、LGFPb、LGFPcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲート電極5のドレイン側端部とゲートフィールドプレート50のドレイン側端部間の距離以下において、G_GF間距離という。LGFPである。G_GF間距離LGFPはゲートフィールドプレート50の長さに相当する。距離LSFPa、LSFPb、LSFPcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲートフィールドプレート50のドレイン側端部とソースフィールドプレート30のドレイン側端部間の距離以下において、GF_SF間距離という。LSFPである。GF_SF間距離LSFPはソースフィールドプレート30の長さに相当する。図3a、図3bに示したように、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるG_S間距離LGSb、LGScは、直線領域におけるG_S間距離LGSaよりも長い。同様に、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるG_D間距離LGDb、LGDcは、直線領域におけるG_D間距離LGDaよりも長い。また、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるG_GF間距離LGFPb、LGFPcは、直線領域におけるG_GF間距離LGFPaよりも長い。更に、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるGF_SF間距離LSFPb、LSFPcは、直線領域におけるGF_SF間距離LSFPaよりも長い。A-A方向に沿った切断面である直線領域の切断面、B-B方向及びC-C方向に沿った切断面である先端領域の切断面のそれぞれにおける、各距離の例を図4に示す。なお、図4に示した先端領域におけるG_S間距離LGS、G_D間距離LGD、G_GF間距離LGFP、及びGF_SF間距離LSFPの各値は、ソース電極3とドレイン電極4の先端部の頂点における距離である。図4には、先端領域におけるG_S間距離LGSb、LGSc、G_D間距離LGDb、LGDc、G_GF間距離LGFPb、LGFPc、GF_SF間距離LSFPb、LSFPcのそれぞれが、直線領域におけるG_S間距離LGSa、G_D間距離LGDa、G_GF間距離LGFPa、GF_SF間距離LSFPaの1.5倍である場合を例示的に示したが、各距離の差は1.5倍に限定されるものではない。即ち、先端領域における上記の各距離が、直線領域における距離よりもそれぞれ長ければよい。また、上記の各距離に加え、先端領域のゲート長を直線領域のゲート長よりも長くすることが好ましい。一般的に、櫛形形状の電極構造を採用した場合、電極の直線部分よりも先端部に電界が集中する。このため、半導体装置が破壊されやすい。しかし、本発明の第1の実施形態に係る窒化物半導体装置1は、ゲート電極5とドレイン電極4間の距離G_D間距離LGDが、直線領域よりもソース先端領域及びドレイン先端領域において長い構造を有する。このため、各櫛形電極の先端部における電界集中が緩和される。したがって、窒化物半導体装置1によれば、櫛型形状のソース電極3とドレイン電極4が交差指状に配置された電極構造を有し、且つ各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供できる。これにより、窒化物半導体装置1の耐圧が向上する。また、窒化物半導体装置1では、直線領域よりもソース先端領域及びドレイン先端領域において、ゲートフィールドプレート50及びソースフィールドプレート30のドレイン側端部がドレイン電極4方向に延びている。これにより、先端領域における電界は、直線領域よりも緩和され、電解集中が起こりにくくなる。以下に、窒化物半導体装置1の具体的な構造例について説明する。図2示した基板10には、シリコンSi基板、シリコンカーバイトSiC基板、GaN基板等の半導体基板や、サファイア基板、セラミック基板等の絶縁体基板を採用可能である。例えば、基板10に大口径化が容易なシリコン基板を採用することにより、窒化物半導体装置1の製造コストを低減できる。バッファ層11は、有機金属気相成長MOCVD法等のエピタキシャル成長法で形成できる。図2では、バッファ層11を1つの層として図示しているが、バッファ層11を複数の層で形成してもよい。例えば、バッファ層11を窒化アルミニウムAlNからなる第1のサブレイヤー第1の副層とGaNからなる第2のサブレイヤー第2の副層とを交互に積層した多層構造バッファとしてもよい。なお、バッファ層11はHEMTの動作に直接には関係しないため、バッファ層11を省いてもよい。また、基板10とバッファ層11とを組み合わせた構造を基板とみなすこともできる。バッファ層11の構造、配置は、基板10の材料等に応じて決定される。窒化物半導体層2は、第1の窒化物半導体層からなるキャリア供給層22、及び第1の窒化物半導体層と異なるバンドギャップエネルギーを有する第2の窒化物半導体層からなるキャリア走行層21を有する。バッファ層11上に配置されたキャリア走行層21は、例えば不純物が添加されていないノンドープGaNを、有機金属気相成長MOCVD法等によりエピタキシャル成長させて形成する。ここでノンドープとは、不純物が意図的に添加されていないことを意味する。キャリア走行層21上に配置されたキャリア供給層22は、キャリア走行層21よりもバンドギャップが大きく、且つキャリア走行層21より格子定数の小さい窒化物半導体からなる。キャリア供給層22としてノンドープのAlxGa1xNが採用可能である。キャリア供給層22は、MOCVD法等によるエピタキシャル成長によってキャリア走行層21上に形成される。キャリア供給層22とキャリア走行層21は格子定数が異なるため、格子歪みによるピエゾ分極が生じる。このピエゾ分極とキャリア供給層22の結晶が有する自発分極により、ヘテロ接合付近のキャリア走行層21に高密度のキャリアが生じ、電流通路チャネルとしての二次元キャリアガス層23が形成される。ソース電極3及びドレイン電極4は、窒化物半導体層2と低抵抗接触オーミック接触可能な金属により形成される。例えばアルミニウムAl、チタンTiなどがソース電極3及びドレイン電極4に採用可能である。或いはTiとAlの積層体として、ソース電極3及びドレイン電極4は形成される。ゲート電極5及びゲートフィールドプレート50には、例えばニッケル金NiAuなどが採用可能である。ソース電極配線31、ドレイン電極配線41には、例えばAlや金Au、銅Cuなどが採用可能である。<変形例>図5に、本発明の第1の実施形態の変形例に係る窒化物半導体装置1を示す。図5に示した窒化物半導体装置1では、ソース電極3及びドレイン電極4が窒化物半導体層2に形成した開口部に埋め込まれている。ソース電極3及びドレイン電極4の下端は二次元キャリアガス層23の位置よりも深く、ソース電極3及びドレイン電極4はキャリア走行層21とオーミック接続している。図5に示すような掘り込みオーミック構造のソース電極3及びドレイン電極4では、AlGaN膜などの電流が流れにくい窒化物半導体膜をキャリア供給層22に使用する場合に、キャリア供給層22と接するソース電極3及びドレイン電極4の側面に電界が集中する。しかし、ゲート電極5とドレイン電極4間のG_D間距離LGDを、電界が集中しやすいソース先端領域及びドレイン先端領域において直線領域よりも長くすることにより、電界集中による窒化物半導体装置1の破壊を防止できる。第2の実施形態本発明の第2の実施形態に係る窒化物半導体装置1は、図6に示すように、ドレイン電極4とゲート電極5間に配置された保護電極6を更に備えることが、図2と異なる。その他の構成については、図2に示す窒化物半導体装置1と同様の構成である。保護電極6は例えばゲート電極5と同様の構造であり、絶縁膜7に形成された開口部を埋め込むようにして保護電極6は配置されている。保護電極6の下端は窒化物半導体層2の上面に接し、上端の外縁部は絶縁膜7上に配置されている。保護電極6の絶縁膜7上に配置された外縁部のドレイン側は、フィールドプレートとして機能する以下において、Zフィールドプレート60という。。保護電極6は、例えばソース電極3又はゲート電極5と電気的に接続される。なお、図6に示した窒化物半導体装置1では、ソース電極配線31のZフィールドプレート60のドレイン側端部よりもドレイン電極4側に延伸した部分が、ソースフィールドプレート30である。図6に示した窒化物半導体装置1のソース先端領域の拡大図を図7aに、ドレイン先端領域の拡大図を図7bにそれぞれ示す。図7a、図7bに示すように、距離LGZa、LGZb、LGZcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲート電極5のドレイン側端部と保護電極6のゲート電極側端部との間の距離以下において、G_Z間距離という。LGZである。距離LZFPa、LZFPb、LZFPcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、保護電極6のドレイン側端部とZフィールドプレート60のドレイン側端部間の距離以下において、Z_ZF間距離という。LZFPである。Z_ZF間距離LZFPはZフィールドプレート60の長さに相当する。また、距離LSFPa、LSFPb、LSFPcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、Zフィールドプレート60のドレイン側端部とソースフィールドプレート30のドレイン側端部間の距離以下において、ZF_SF間距離という。である。ZF_SF間距離LSFPはソースフィールドプレート30の長さに相当する。その他の距離に関しては、図3a、図3bと同様である。即ち、距離LGSa、LGSb、LGScは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲート電極5のソース側端部とソース電極3のゲート電極側端部との間のG_S間距離LGSである。距離LGDa、LGDb、LGDcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲート電極5のドレイン側端部とドレイン電極4のゲート電極側端部との間の距離G_D間距離LGDである。距離LGFPa、LGFPb、LGFPcは、直線領域、ソース先端領域、ドレイン先端領域のそれぞれにおける、ゲート電極5のドレイン側端部とゲートフィールドプレート50のドレイン側端部間のG_GF間距離LGFPであり、ゲートフィールドプレート50の長さに相当する。図7a及び図7bに示すように、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるゲート電極5と保護電極6間のG_Z間距離LGZb、LGZcは、直線領域におけるG_Z間距離LGZaよりも長い。また、ソース先端領域及びドレイン先端領域における保護電極6のドレイン側端部とZフィールドプレート60のドレイン側端部間のZ_ZF間距離LZFPb、LZFPcは、直線領域におけるZ_ZF間距離LZFPaよりも長い。更に、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるZフィールドプレート60のドレイン側端部とソースフィールドプレート30のドレイン側端部間のZF_SF間距離LSFPb、LSFPcは、直線領域におけるZF_SF間距離LSFPaよりも長い。更に、図3a、図3bに示した窒化物半導体装置1と同様に、図7a、図7bに示した窒化物半導体装置1では、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるG_S間距離LGSb、LGScは、直線領域におけるG_S間距離LGSaよりも長い。また、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるG_D間距離LGDb、LGDcは、直線領域におけるG_D間距離LGDaよりも長く、ソース先端領域及びドレイン先端領域におけるG_GF間距離LGFPb、LGFPcは、直線領域におけるG_GF間距離LGFPaよりも長い。図7a、図7bに示した各距離の例を図8に示す。図8には、先端領域におけるG_S間距離LGSb、LGSc、G_D間距離LGDb、LGDc、G_GF間距離LGFPb、LGFPc、ZF_SF間距離LSFPb、LSFPc、G_Z間距離LGZb、LGZc、Z_ZF間距離LZFPb、LZFPcのそれぞれが、直線領域におけるG_S間距離LGSa、G_D間距離LGDa、G_GF間距離LGFPa、ZF_SF間距離LSFPa、G_Z間距離LGZa、Z_ZF間距離LZFPaの1.5倍である場合を例示的に示した。しかし、各距離の差は1.5倍に限定されるものではない。即ち、先端領域における上記の各距離が、直線領域における距離よりもそれぞれ長ければよい。第2の実施形態に係る窒化物半導体装置1では、ゲート電極5とドレイン電極4間の距離G_D間距離LGDが、直線領域よりもソース先端領域及びドレイン先端領域において長い構造を有する。このため、各櫛形電極の先端部における電界集中を緩和できる。第2の実施形態に係る窒化物半導体装置1によれば、保護電極6がゲート電極5とドレイン電極4の間に配置されることにより、ゲート電極5のドレイン側端部における電界集中が更に緩和される。また、第2の実施形態に係る窒化物半導体装置1では、直線領域よりもソース先端領域及びドレイン先端領域において、ゲートフィールドプレート50、ソースフィールドプレート30及びZフィールドプレート60のドレイン側端部がドレイン電極4方向に延びている。更に、ゲート電極5と保護電極6間の距離G_Z間距離LGZが、直線領域よりもソース先端領域及びドレイン先端領域において長い構造を有する。これにより、先端領域における電界は、直線領域における電界よりも緩和され、先端領域における電界集中が起こりにくくなる。図6に示した窒化物半導体装置1では、保護電極6によってゲート電極5のドレイン側端部に集中するバイアス電界の集中が緩和されると共に、Zフィールドプレート60によって保護電極6のドレイン側端部の空乏層の曲率が制御されて、保護電極6のドレイン側端部に集中するバイアス電界の集中が緩和される。なお、保護電極6は、ソース電極3の電位がドレイン電極4の電位よりも高い場合にダイオードとして機能し、ソース電極3からドレイン電極4に電流が流されるように構成することもできる。例えば、保護電極6と窒化物半導体層2との間にショットキー接合が形成される。また、保護電極6をソース電極3と電気的に接続することにより、窒化物半導体装置1のミラー容量を低減できる。これは、等価的にみて、保護電極6をゲート電極とするFETとゲート電極5をゲート電極とするFETとをカスコード接続した構造となるためである。つまり、保護電極6がゲート電極5とドレイン電極4間に配置されていることにより、ゲート電極5とドレイン電極4間の容量が低減される。これにより、窒化物半導体装置1の高周波動作が可能になる。他は、第1の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。第3の実施形態第1及び第2の実施形態に係る窒化物半導体装置1では、ソース電極3の歯部分と柄部分と同一配線レベルに配置されており、ドレイン先端領域においてソース電極3の柄部分がドレイン電極4の歯部分と同一配線レベルに隣接して配置されている。第3の実施形態に係る窒化物半導体装置1では、ソース電極3の歯部分と柄部分とが異なる配線レベルに配置されている。具体的には、図8に示す窒化物半導体装置1のように、破線で示したソース電極3の柄部分、及び歯部分と柄部分との接続部分が、ソース電極3の歯部分やドレイン電極4と異なる配線レベルに配置される。ソース電極3の柄部分は、例えばソースフィールドプレート30と同様に層間絶縁膜8上に配置される。ソース電極3の柄部分がドレイン電極4の先端と近接しないため、ソース電極3の柄部分の外縁を半円形に窪ませる必要はない。ソース電極3の歯部分とドレイン電極4の歯部分とは、同一配線レベルで交差指状に配置されている。なお、先端領域におけるドレイン電極4の先端の位置とソース電極3の先端の位置とが、歯部分が延伸する方向と垂直な方向に沿って直線上に配置されていることが好ましい。ゲート電極5とソース電極3間の容量の低減や、ドレイン電極付近での電流集中の抑制効果を奏する。なお、図6に示した窒化物半導体装置1と同様に、ドレイン電極4とゲート電極5間に保護電極6を配置してもよい。第3の実施形態に係る窒化物半導体装置1によれば、先端領域における電界集中が抑制されると共に、ゲート電極5とソース電極3間の容量を低減することができる。他は、第1及び第2の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。その他の実施形態上記のように、本発明は第1乃至第3の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、保護電極6をソース電極3又はゲート電極5以外の、一定値に固定された電圧を供給する固定電極に接続してもよい。つまり、保護電極6を交流的にGNDにみえる一定電位に設定することにより、ゲート電極5のドレイン側端部におけるバイアス電界の集中を緩和する効果が得られる。保護電極6をGNDに接続してもよい。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。