"マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する洗浄工程を有すると共に、前記洗浄工程を行う前の基板を保管しておく純水槽内、または前記純水槽の純水循環経路に、紫外線を照射する手段を有する、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記紫外線を照射する手段は、水銀ランプであることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記純水槽の純水循環経路に、フィルタ手段を有することを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記洗浄工程を行う前の基板を保管しておく純水槽と、前記洗浄工程を行う洗浄槽との間に、純水処理と、超音波またはメガソニック処理とを組み合わせた処理を行う工程を設けることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。前記研磨液のpHが、9.6~11.0であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。請求項1~6のいずれか1項に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法で製造したマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。請求項7に記載のマスクブランクスの製造方法で製造したマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。請求項8に記載の転写マスクの製造方法で製造した転写マスクを用いて、半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかし、これらの対策を施しても、高さが数nm、大きさが1μm~20μm程度の巨大なシミ状の凸状欠陥上述した凸状の突起と区別するため凸状欠陥と称するの発生を抑制できない場合があった。近年、研削工程、第1および第2研磨工程粗研磨、精密研磨を行った後、コロイダルシリカ砥粒とNaOH基板をエッチングする効果を有するを含有する研磨液を用いた超精密研磨工程第3研磨工程を行った後に、さらに研磨レ一トの低い第3研磨工程の約1/10程度、コロイダルシリカ砥粒とTMAHテトラメチルアンモニア、基板をエッチングする効果が小さいを含有する研磨液を用いた最終研磨工程第4研磨工程を行った高精度のガラス基板が製造され始めている。特に、この最終研磨工程で、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥巨大なシミ状の凸欠陥が発生しており、問題となっていた。また、前記超精密研磨工程第3研磨工程が最終研磨工程である場合においても、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥巨大なシミ状の凸欠陥が発生しており、問題となっていた。本発明は、コロイダルシリカを用いた研磨砥粒による精密研磨を行っても、基板表面に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥が発生しないか又は発生率の低いマスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及び本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥に起因する位相欠陥のないマスクブランクスの製造方法を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、基板表面に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥があることに起因するパターン欠陥のない転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを第二の目的とする。さらに、基板表面に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板、及び本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥による位相欠陥のないマスクブランクス及び転写マスクを提供することを第三の目的とする。本願発明者は、上記最終研磨工程上記第4研磨工程、または上記第3研磨工程が最終研磨工程の場合もあるで、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥が発生している現象およびその原因を克明に調べた。その結果、以下のことを解明した。1上記特許文献1と同様に、研磨液中の不純物が原因であることが疑われる。たいていの異物等は研磨により除去されると考えられるため、原因究明は容易でない。2つぎに、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥巨大なシミ状の凸欠陥は、砥粒としてセリウム用いる第1および第2研磨工程粗研磨、精密研磨及びそれらの洗浄工程を経た段階でのガラス基板では発生していないことを確認した。第1および第2研磨工程粗研磨、精密研磨及びそれらの洗浄工程と、第3および第4研磨工程及びそれらの洗浄工程との違いは、i砥粒としてセリウム用いるかコロイダルシリカを用いるか、ii取り代、iiiアルカリ洗浄非常に弱いエッチング作用ありかフッ酸弱いエッチング作用あり洗浄か、である。3本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥は、SEM走査型電子顕微鏡で観察したところ、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥巨大なシミ状の凸欠陥で、円形楕円タイプ図21参照と不定形タイプ図22参照の2種類に分類されることを解明した。4つぎに、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥巨大なシミ状の凸欠陥を分析したところ、TEM-EDX分析透過型電子顕微鏡に付属するエネルギー分散型X線分光装置では、界面及び特異元素は確認できないことから石英の段差であることを解明した。AMF原子間力顕微鏡で分析したところ、高さは4nm程度であった。ここで、EDXエネルギー分散型X線分光法は、電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法である。多くの場合、SEM走査型電子顕微鏡またはTEM透過型電子顕微鏡に付属している。また、EDS:EnergyDispersiveXraySpectroscopyとも呼ばれる。5つぎに、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥巨大なシミ状の凸欠陥における不定形タイプの凸欠陥を1つずつSEM観察で詳しく調べたところ、大腸菌、球菌、棹菌などを連想させる多様な形状のシミが多数確認されたことから、バクテリア、原生生物などの微生物が不定形シミの原因と推定した。6砥粒としてコロイダルシリカを用いる第3および第4研磨工程超精密研磨工程、最終超精密研磨工程では、主表面が研磨された後のマスクブランク用基板は、フッ酸浸漬による洗浄エッチング作用を伴う洗浄が行われるが、処理待ちの基板は純水槽に浸漬した状態で、一時待機状態におかれる。この第3研磨工程超精密研磨工程および第4研磨工程最終超精密研磨工程で、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥シミ状の凸欠陥が発生することがわかった。詳しくは、第3研磨工程超精密研磨工程または第4研磨工程最終超精密研磨工程が終了したガラス基板5~10枚をカセットに入れ、バンドシャワーをかけ、研磨工程に付随する純水槽に保管する。その後、カセットに入れたガラス基板を、基板搬送用の水槽ため水のコンテナで搬送し、洗浄装置におけるローダー水槽フッ酸洗浄前の保管水槽にセットする。洗浄装置においては、ローダー水槽から、純水オバーフロー1分メガソニック、フッ酸ケイフッ酸メガソニック1分、フッ酸ケイフッ酸メガソニック1分、純水スクラブ洗浄、純水オバーフローメガソニック、スピンすすぎ、スピン乾燥で処理する。以上の工程で本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥シミ状の凸欠陥が発生することがわかった。基板搬送用の水槽ため水のコンテナ、洗浄装置におけるローダー水槽、等の純水DIW採取し、生菌培養キットで培養したところ多数のバクテリアが確認され、SEM観察2万倍した結果、大腸菌を確認した。つぎに、基板搬送用のため水コンテナ、洗浄装置におけるローダー水槽、等の生菌数と、シミ状の凸欠陥発生との因果関係について、加速試験にて、検証した。加速試験は、多数のバクテリアが確認された、基板搬送用の水槽ため水のコンテナおよび洗浄装置におけるローダー水槽にそれぞれ保管浸漬されたガラス基板5~10枚をカセットを、それぞれ、フッ酸濃度0.2wtに600秒浸漬して実施した。その結果、基板搬送用のため水コンテナ、フッ酸処理前のローダー水槽、等に生菌が多く含まれる場合に、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥シミ状の凸欠陥が発生することがわかった。7上記のことから、以下のことがわかった。洗浄装置におけるローダー水槽内の純水は、循環ろ過されているが、純水製造装置からの配管距離が長いこと、ローダー水槽内の純水を循環ろ過するための配管内は殺菌洗浄されていなかったこと、また、研磨が終了したガラス基板には作業者の皮膚接触と環境からのバクテリア持ち込み、などが原因で、バクテリアが発生増加していた。このため、ローダー水槽内のバクテリアが、基板表面に付着して繁殖してしまう場合があることを解明した。そして、バクテリアが付着した基板が保管水槽から取り出され、フッ酸槽に浸漬された場合、基板主表面のフッ酸洗浄エッチングにおいて、バクテリアがマスクとなってしまい、基板主表面に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥シミ状の凸欠陥が発生することを解明した。基板搬送用のため水コンテナにおいて、バクテリアが基板表面に付着して繁殖してしまう場合についても同様である。8本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥シミ状の凸欠陥は、砥粒としてセリウム用いる第1および第2研磨工程粗研磨、精密研磨及びそれらの洗浄工程アルカリ洗浄を含むを経たガラス基板では発生しない。この理由は以下のように考えられる。1バクテリアは酸性でガラス基板表面につきやすく基板表面はSi-OHで、COO-等のマイナス電荷とNH3等のプラス電荷により等電位となったバクテリアとの間で反発作用は弱まるため。2中性アルカリ性ではガラス基板表面につきにくい基板表面はSi-O-で、COO-等を有するバクテリアとの間でマイナス電荷同士の反発作用があるため。3バクテリアタンパク質はフッ酸で侵されないため。9最終研磨工程が、第3研磨工程およびフッ酸処理の場合と、第4研磨工程およびフッ酸処理の場合とで比較した。その結果、第3研磨工程およびフッ酸処理の場合、第4研磨工程およびフッ酸処理の場合と比べ、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥の発生率に目立った相違はないことがわかった。なお、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥シミ状の凸欠陥は、第3研磨工程およびフッ酸処理において発生しても、第4研磨工程である程度除去できるので、第3研磨工程超精密研磨工程に続いて第4研磨工程最終超精密研磨工程が実施される場合においては、第4研磨工程後およびフッ酸処理に対して、本発明に係る対策を実施することが好ましい。第3研磨工程超精密研磨工程が、最終磨工程である場合においては、第3研磨工程後およびフッ酸処理に対して、本発明に係る対策を実施することが好ましい。10本発明者は、以下の対策では不都合があることを解明した。1バクテリア等の発生を抑制するため、塩素、殺菌剤などを使用する対策は、それらが付着した基板をフッ酸等で洗浄したときに化学反応を起こす恐れがあるため不可である。2最終研磨工程後のフッ酸処理なくすと本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥は発生しないが、しかしコロイダルシリカを除去できなくなる。本発明は、以下の構成を有する。構成1マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する洗浄工程を有すると共に、前記洗浄工程を行う前の基板を保管しておく純水槽内、または前記純水槽の純水循環経路に、紫外線を照射する手段を有する、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成2前記紫外線を照射する手段は、水銀ランプであることを特徴とする構成1に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成3前記純水槽の純水循環経路に、フィルタ手段を有することを特徴とする構成1または2に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成4前記洗浄工程を行う前の基板を保管しておく純水槽と、前記洗浄工程を行う洗浄槽との間に、純水処理と、超音波またはメガソニック処理とを組み合わせた処理を行う工程を設けることを特徴とする構成1~3のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成5前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含むことを特徴とする構成1~4のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成6前記研磨液のpHが、9.6~11.0であることを特徴とする構成1~5のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。構成7構成1~6のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法で製造したマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。構成8構成7に記載のマスクブランクスの製造方法で製造したマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。構成9構成8に記載の転写マスクの製造方法で製造した転写マスクを用いて、半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明によれば、コロイダルシリカを用いた研磨砥粒による精密研磨を行っても、基板表面に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥が発生しないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法を提供することができる。また、基板表面に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板を使用してマスクブランクスを作製することにより、位相欠陥のないマスクブランクス及びその製造方法を提供することができる。位相欠陥のないマスクブランクスを使用して転写マスクを作製することによりパターン欠陥のない転写マスクを製造することができる。さらに、パターン欠陥のない転写マスクを使用してリソグラフィー技術により半導体基板上に微細パターンを形成するので、パターン欠陥のない半導体装置を製造することができる。特に、本発明は、高さ数nmレベルの凸状欠陥でも位相欠陥を生じてしまうような位相シフトマスク用のガラス基板の製造に有効である。また、高さ数十mnレベノレの凸状欠陥でもその上に多層反射膜が形成されたときにEUV露光光に対する反射率が低下してしまうような反射型マスクブランク用の基板の製造にも有効である。[実施例]以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。以下の例では、マスクブランクス用ガラス基板として、位相シフトマスクブランクス用ガラス基板以下、単にガラス基板と称するを例に説明する。尚、本実施例における研磨の工程は、両面研磨装置を用いて行なう。図3は両面研磨装置の概略構成例を示す図である。図3に示した例は、遊星歯車方式の両面研磨装置である。この遊星歯車方式の両面研磨装置1は、太陽歯車2と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車3と、太陽歯車2及び内歯歯車3に噛み合い、太陽歯車2や内歯歯車3の回転に応じて公転及び自転するキャリア4と、このキャリア4に保持された被研磨加工物5ガラス基板を研磨パッド6が貼着された挟持可能な上定盤7及び下定盤8と、上定盤7と下定盤8との間に研磨液を供給する研磨液供給部9とを備えている。研磨加工時には、キャリア4に保持された被研磨加工物5を上定盤7及び下定盤8に挟持するとともに、上下定盤の研磨パッド6と被研磨加工物5との間に研磨液を供給しながら太陽歯車2や内歯歯車3の回転に応じて、キャリア4が公転及び自転しながら、被研磨加工物5の上下両面を同時に研磨加工する。両面研磨装置1には、太陽歯車3、内歯歯車4、上定盤7、下定盤8、これらの回転数と回転時間、及び荷重シーケンス研磨時間と荷重を設定し、制御する動作制御部10図示せずが接続されており、予め設定した太陽歯車3、内歯歯車4、上定盤7、下定盤8の回転数と回転時間、及び加工荷重にしたがって、被研磨加工物5を研磨加工するようになっている。実施例1~2、比較例1~4マスクブランクス用ガラス基板の製造1粗研磨工程合成石英ガラス基板152.4mm×152.4mmの端面を面取加工、及び両面ラッピング装置によって研削加工を終えたガラス基板を、両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で粗研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の粗研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。研磨液:酸化セリウム平均粒径2~3μm水研磨パッド:硬質ポリシャウレタンパッド粗研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬超音波印加し、洗浄を行った。2精密研磨工程両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で精密研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。研磨液:酸化セリウム平均粒径1μm水研磨パッド:軟質ポリシャスウェードタイプ精密研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を洗浄槽に浸漬超音波印加し、洗浄を行った。3超精密研磨工程1第3ポリシング両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で超精密研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の超精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は位相シフトマスクブランクスに使用するガラス基板として必要な表面粗さ所望の表面粗さ:二乗平均平方根粗さRqで0.2nm以下となるように適宜調整して行った。研磨液:アルカリ性pH10.2;コロイダルシリカ平均粒径30~200nm水研磨パッド:超軟質ポリシャスウェードタイプ;バフ処理発泡樹脂/不織布基材の構成のもの使用超精密研磨工程1を実施後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、ケイフッ酸0.2wtを含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬超音波印加し、洗浄を行った。4最終研磨工程超精密研磨工程2、第4ポリシング両面研磨装置に10枚セットし、以下の研磨条件で超精密研磨工程を行った。10枚セットを10回行い合計100枚のガラス基板の超精密研磨工程を行った。尚、加工荷重、研磨時間は位相シフトマスクブランクスに使用するガラス基板として必要な表面粗さ所望の表面粗さ:二乗平均平方根粗さRqで02nm以下となるように適宜調整して行った。研磨液:アルカリ性pH10;コロイダルシリカ平均粒径80nm水水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH:Tetramethylammoniumhydroxide添加研磨パッド:超軟質ポリシャスウェードタイプ;バフ処理発泡樹脂/フェルト基材の構成で、発泡樹脂は100樹脂モジュラスで、20~30MPa軟質のものを使用加工荷重:30g/cm2研磨時間:20分基板回転数:6rpm研磨定盤回転数:12rpm最終研磨工程超精密研磨工程2終了後、研磨が終了したガラス基板5~10枚をカセットに入れ、バンドシャワーをかけ、研磨工程に付随する純水槽に保管した。その後、カセットに入れたガラス基板を、基板搬送用の水槽ため水のコンテナで搬送し、洗浄装置におけるローダー水槽にセットした。洗浄装置においては、ローダー水槽から、純水オバーフローメガソニック1分、フッ酸ケイフッ酸メガソニック1分、フッ酸ケイフッ酸メガソニック1分、純水スクラブ洗浄、純水オバーフローメガソニック、スピンすすぎ、スピン乾燥で処理した。図1に示すように、洗浄装置におけるローダー水槽10には、純水製造装置図示せずから配管15を介して新純水が供給される。ローダー水槽10においては、オーバーフローさせた純水は、純水循環経路11に設けたポンプ12によって、純水循環経路11を通って、ローダー水槽10に供給される。純水循環経路11には、紫外線照射手段13として、水銀ランプが設けられている。水銀ランプを設ける箇所の配管は透明とし、純水循環経路中を流れる純水に紫外線を照射する。純水循環経路11には、フィルタ14として、捕捉粒径0.2μmのフィルタが設けられている。洗浄装置においては、ローダー水槽10、純水オバーフロー槽20、フッ酸ケイフッ酸処理槽30、フッ酸ケイフッ酸処理槽31、に順次浸漬され、処理される。純水オバーフロー槽20、フッ酸ケイフッ酸処理槽30、フッ酸ケイフッ酸処理槽31は、それぞれ、メガソニック処理が付加されている。純水としては、DIWDeionizedwaterを使用した。比較例1では、基板搬送用の水槽ため水のコンテナは、生菌数2500CFU/ml、全有機炭素量1.3mg/l、0.3μm以下のパーティクル数546496count/mlであった。比較例1では、上記基板搬送用の水槽ため水のコンテナに浸漬されている基板を取り出し、直接純水オバーフロー槽20は介在させないで、前記フッ酸ケイフッ酸処理槽30、31で洗浄を行った。その結果、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥は、極めて多数具体的には200個/cm2検出された。比較例2では、基板搬送用の水槽ため水のコンテナは、生菌数2500CFU/ml、全有機炭素量1.3mg/l、0.3μm以下のパーティクル数546496count/mlであった。比較例2では、上記基板搬送用の水槽ため水のコンテナに浸漬されている基板を取り出し、純水オバーフロー槽20メガソニック有り、フッ酸ケイフッ酸処理槽30メガソニック有り、フッ酸ケイフッ酸処理槽31メガソニック有りで洗浄を行った。その結果、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥は、150個/cm2であった。比較例3では、ローダー水槽10は、生菌数1500CFU/ml、全有機炭素量1.1mg/l、0.3μm以下のパーティクル数74018count/mlであった。比較例3では、上記ローダー水槽10に浸漬されている基板を取り出し、直接純水オバーフロー槽20は介在させないで、前記フッ酸ケイフッ酸処理槽30、31で洗浄を行った。その結果、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥は、極めて多数具体的には150個/cm2検出された。比較例4では、ローダー水槽10は、生菌数1500CFU/ml、全有機炭素量1.1mg/l、0.3μm以下のパーティクル数74018count/mlであった。比較例4では、上記ローダー水槽10に浸漬されている基板を取り出し、純水オバーフロー槽20メガソニック有り、フッ酸ケイフッ酸処理槽30メガソニック有り、フッ酸ケイフッ酸処理槽31メガソニック有りで洗浄を行った。その結果、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥は、100個/cm2であった。実施例1では、基板搬送用の水槽ため水のコンテナは、純水製造装置から供給される新しい純水を使用し、生菌数は検出されずCFU/ml、全有機炭素量検出下限値以下、0.3μm以下のパーティクル数500count/mlであった。また、ローダー水槽10は、生菌数は検出されずCFU/ml、全有機炭素量0.1mg/l、0.3μm以下のパーティクル数12359~13603count/mlであった。実施例1では、上記ローダー水槽10に浸漬されている基板を取り出し、純水オバーフロー槽20メガソニック有り、フッ酸ケイフッ酸処理槽30メガソニック有り、フッ酸ケイフッ酸処理槽31メガソニック有りで洗浄を行った。その結果、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥は、発生なしゼロであった。実施例2では、基板搬送用の水槽ため水のコンテナは、生菌数は検出されずCFU/ml、全有機炭素量検出下限値以下、0.3μm以下のパーティクル数500count/mlであった。また、ローダー水槽10は、生菌数は検出されずCFU/ml、全有機炭素量0.1mg/l、0.3μm以下のパーティクル数12359~13603count/mlであった。実施例1では、上記ローダー水槽10に浸漬されている基板を取り出し、直接純水オバーフロー槽20は介在させないで、前記フッ酸ケイフッ酸処理槽30、31で洗浄を行った。その結果、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥は、ゼロ発生なしであった。なお、上述の実施例及び比較例で確認された本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥を分析したところ、TEM-EDX分析透過型電子顕微鏡に付属するエネルギー分散型X線分光装置では、界面及び特異元素は確認できないことから石英主成分がSi、Oを含むものの段差であることを解明した。AMF原子間力顕微鏡で分析したところ、高さは4μm程度であった。実施例3上述の実施例1において、超精密研磨工程1、2で使用する研磨液を以下のようにした以外は実施例1と同様にしてマスクブランクス用ガラス基板を作製した。研磨液:高純度コロイダルシリカ平均粒径30~100nm水高純度コロイダルシリカ:有機ケイ素を加水分解することで生成したコロイダルシリカであって、金属不純物が除去された高純度アルコキシシランを原料にゾルゲル法により合成したもの。純度が99.99999。コロイダルシリカ砥粒に含まれるアルカリ金属Na,Kの含有量が0.1ppm以下。超精密研磨工程1実施後、及び、超精密研磨工程2実施後に、それぞれ、得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて特許文献1記載の高さ数nm程度約2~7nm、大きさが数十nm~2μmの凸状の突起を調べたところ、いずれの場合においても、このような表面欠陥は全く確認できず、高さ数nm程度の凸状の突起の発生率は0100枚中0枚であった。マスクブランクスの製造また、上述の実施例1~3にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造した本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥実施例1、2、さらには特許文献1記載の高さ数nm程度の凸状欠陥実施例3、のないマスクブランクス用ガラス基板、並びに、上述の比較例1~4の製造方法によって製造した本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥のあるガラス基板の一主表面上に、モリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜をスパッタリング法により形成した。こうして作製したモリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜の欠陥検査を行ったところ、実施例1~3にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造したマスクブランクス用ガラス基板を用いた位相シフトマスクブランクスには本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが5μm~20μm程度の凸状欠陥実施例1、2、さらには特許文献1記載の凸状の表面欠陥実施例3は認められなかった。これに対し、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥が確認されたマスクブランクス用ガラス基板比較例1~4を使って作製した位相シフトマスクブランクスにおいては、ハーフトーン膜表面に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状の表面欠陥が確認された。さらに、欠陥検査後の実施例1~3および比較例1~4にかかるマスクブランクス用ガラス基板におけるハーフトーン膜の上に、酸窒化炭化クロム、窒化クロム、酸窒化炭化クロムの3層積層構造の遮光膜をスパッタリング法により形成し、位相シフトマスクブランクスを作製した。位相シフトマスクの製造上述の本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥実施例1、2、さらには特許文献1記載の凸状欠陥実施例3が認められなかった位相シフトマスクブランクス、及び本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥が確認された位相シフトマスクブランクス比較例1~4上にレジスト膜を形成し、さらに、レジスト膜をパターニングしてレジストパターンとした。次に、このレジストパターンをマスクにして、遮光膜をドライエッチングによりパターニングした。次に、パターンが形成された遮光膜をマスクにして、ハーフトーン膜をドライエッチングによりパターニングした。さらに、遮光帯用のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして、遮光膜をドライエッチングして遮光帯を形成した。以上の工程により、ガラス基板上にハーフトーン膜パターンと遮光帯が形成された位相シフトマスクを作製した。こうして作製した位相シフトマスクについて、表面欠陥を確認したところ、本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状欠陥実施例1、2、さらには特許文献1記載の凸状の表面欠陥実施例3のないガラス基板を使って作製した位相シフトマスクには、位相欠陥は確認されなかったが、比較例1~4のガラス基板を使って作製した位相シフトマスクに、ガラス基板表面とハーフトーン膜パターンの境界に本発明に係る上記高さ数nm程度、大きさが1μm~20μm程度の凸状の表面欠陥が確認され位相欠陥となった。半導体装置の製造また、これら位相欠陥が確認された位相シフトマスク比較例1~4を使って露光機により半導体基板上にリソグラフィー技術により微細パターンを形成したところ、位相シフトマスクの位相欠陥要因のパターン欠陥が確認されたが、位相欠陥が確認されなかった位相シフトマスク実施例1~3を使って半導体基板上に微細パターンを形成した場合は、パターン欠陥はなかった。EUV反射型マスクブランクスおよびマスクの製造上述の実施例1~3、比較例1~4にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法によって製造したガラス基板上に、Mo膜2.8nmとSi膜4.2nmの積層膜を40周期にわたり形成し、最後にSi膜を4nm形成して多層反射膜を形成した。次に、キャップ層としてRuNb膜を2.5nm形成した。さらに、RuNb膜上にTaBN膜からなる吸収体膜を形成してEUV反射型マスクブランクスを作製した。さらに、TaBN膜上にレジスト膜を形成し、パターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクにしてTaBN膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去してEUV反射型マスクを作製した。半導体装置の製造上述と同様にしてEUV反射型マスクブランクスの表面欠陥、EUV反射型マスクの位相欠陥、EUV反射型マスクを使ってリソグラフィー技術により作製した半導体基板上に形成された微細パターンのパターン欠陥について調べたところ、実施例1~3のガラス基板を使った場合、上述の欠陥はなかったが、比較例1~4のガラス基板を使った場合、EUV反射型マスクブランクス、EUV反射型マスク、半導体装置に上述の欠陥が確認された。尚、上述の実施例では、遊星歯車方式の両面研磨装置を使って研磨加工を行った例を示したが、これに限らず、他の方式の両面研磨装置や片面ずつ研磨を行う片面研磨装置を使い、コロイダルシリカ砥粒を用いた研磨液により精密研磨しても上述と同様の効果が得られる。また、上述の実施例では、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨工程超精密研磨工程の前に、酸化セリウム砥粒を含む研磨液による粗研磨工程、精密研磨工程を行なった例をあげたが、これに限定されるものではない。コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液による研磨工程を行なう前のガラス基板が十分に平坦で平滑であれば、酸化セリウム砥粒による粗研磨工程及び/又は精密研磨工程を行なわなくてもよい。また、粗研磨工程、精密研磨工程を行なう場合であっても、酸化セリウム以外に、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の研磨砥粒を使用してもかまわない。本発明は、近年における超LSIデバイスの高密度化、高精度化にも対応できるように基板表面に高さ数nm程度の凸状欠陥のないマスクブランクス用ガラス基板及びその製造方法、並びに該基板を用いたマスクブランクス、及びその製造方法、並びに、転写マスク及びその製造方法、及び半導体装置の製造方法を得る際等に利用できる。1両面研磨装置2太陽歯車3内歯歯車4キャリア5被研磨加工物ガラス基板6研磨パッド7上定盤8下定盤9研磨液供給部10ローダー水槽11純水循環経路12ポンプ13紫外線照射手段14フィルタ15配管20純水オバーフロー槽30フッ酸ケイフッ酸処理槽31フッ酸ケイフッ酸処理槽"