"下記を含んでなる光起電装置。-電磁放射線に曝された場合に、光起電効果を確実にすることができる半導体材料;-前記の電磁放射線に対して透明で、光起電効果を確実にする反射防止層、該反射防止層は、分散した状態で、5ミクロ未満、好ましくは2ミクロン未満の大きさを備えた物体を含んでおり、該物体は、前記の電磁放射線に対して透明であり、そして異なる屈折率を有している、2つの異なる基材からなる少なくとも2つの領域、すなわち:-第1の屈折率nCを有するコア、および-該コアを取り囲む層であって、外皮と称される層、該コアの屈折率nCとは異なる、第2の屈折率nEを有しており、該コアの大きさの、該コア/外皮集合体の大きさに対する比は、1:1.5~1:5の範囲に含まれる、を含んでいる。請求項1記載の光起電装置であって、-光起電効果を確実にすることができる半導体材料;-前記半導体材料の保護層;ならびに-該半導体材料と該保護膜の間の、前記電磁放射線に対して透明で、光起電効果を確実にする反射防止内層、該反射防止内層は、分散した状態で、5ミクロン未満、好ましくは2ミクロン未満の物体を含み、該物体は、前記電磁放射線に対して透明で、そして異なる屈折率を有する2つの異なる基材からなる少なくとも2つの領域、すなわち:-第1の屈折率nCを有するコア、および-該コアを取り囲む層、外皮と言うべきものであり、該コアの屈折率nCとは異なる、第2の屈折率nEを有しており、該コアの大きさの、該コア/外皮集合体の大きさに対する比は、1:1.5~1:5である、を含んでいる、を含んでなる光起電装置。レンズを備えたソーラー集光装置を含む、請求項1記載の光起電装置であって、前記反射防止層が、該レンズの一方の面または両方の面上に、該レンズの対応する表面と、直接もしくは間接に接触して装着されている、光起電装置。前記反射防止内層内に分散した状態で存在する前記物体が、1ミクロン未満、好ましくは500nm未満の大きさを有する、請求項1~3のいずれか1項記載の光起電装置。前記保護層が、ガラスシートまたはポリマーシート、好ましくはPETもしくはETFEを基にしたポリマーシートである、請求項4と共に請求項2または請求項2記載の光起電装置。前記保護層が、ポリマー副層、例えばEVAマトリックス上に堆積され、かつ前記反射防止内層が、前記半導体材料およびポリマー副層の間にある、請求項2および5または請求項2ならびに請求項4のいずれか1項記載の光起電装置。前記反射防止内層が、10nm~1ミクロンの範囲の厚さを有する、請求項1~6のいずれか1項記載の光起電装置。前記反射防止層が、50nm~500nmの範囲の厚さを有する、請求項1~6のいずれか1項記載の光起電装置。前記保護層が、反射防止コーティングを更に与えられている、請求項2および5、または請求項2ならびに請求項4のいずれか1項記載の光起電装置。請求項9記載の光起電装置であって、前記保護層上に堆積された前記反射防止コーティングが、分散状態で、5ミクロン未満の大きさの物体を含む、透明な、単層または多層コーティングであり、該物体が、前記電磁輻射線に対して透明であり、かつ異なる屈折率を有する、2つの異なる基材からなる少なくとも2つの領域、すなわち:-第1の屈折率N’Cを有するコア;および、-該コアの屈折率N’Cとは異なる第2の屈折率n’Eを有する、該コアを取り囲み、外皮と称される層、該コアの大きさと、該コア/外皮集合体の大きさの比率は、1:1.5~1:5の範囲である、を含む、光起電装置。前記装置が、光起電モジュールである、請求項1~10のいずれか1項記載の光起電装置。電磁放射線に対して透明である材料の、光起電装置用の反射部防止層を形成するための、使用であって、該層は、電磁放射線に対して透明であり、光起電効果を確実にし、該材料は、分散状態で、5ミクロン未満、好ましくは2ミクロン未満、の大きさの物体を含み、該物体は、前記電磁放射線に対して透明であり、かつ異なる屈折率を有する、2つの異なる基材からなる少なくとも2つの領域、すなわち:-第1の屈折率NCを有するコア;および、-該コアの屈折率NCとは異なる第2の屈折率nEを有する、該コアを取り囲み、外皮と称される層、該コアの大きさと、該コア/外皮集合体の大きさの比率は、1:1.5~1:5の範囲である、を含む、使用。本発明の目的は、反射防止効果を確実にするために、現在推奨されている解決策で遭遇する欠点を可能な限り取り除くことによって、光起電装置の変換の向上を可能にする方法であって、そして少なくとも効率がよく、そして好ましくは今日提案されている解決策よりもより実行可能であり、そして特に、広範囲の波長に亘って良好な光起電変換効率を有する光起電装置に到達することを可能にする方法、を提供することである。この目的のために、本発明は、光起電装置に、現在推奨されている多層堆積とは異なって、容易に、そして単一の工程で堆積することができる、異なった屈折率を備えた領域を有する分散した物体に基づく、非常に特殊な反射防止層を適用することを提案する。従って、本発明の目的は、下記を含む光起電装置である:-電磁放射線に曝された場合に、光起電効果を確実にすることができる半導体材料これは場合によっては半導体材料の組み合わせであってもよい;-光起電効果を確実にする、前記の電磁放射線に対して透明な反射防止層、この反射防止層は、分散した状態で、5ミクロ未満、好ましくは2ミクロン未満の大きさを備えた物体を含んでおり、この物体は、前記の電磁放射線に対して透明であり、そして異なる屈折率を有している、2つの異なる基材からなる少なくとも2つの領域を含んでいる、すなわち:-第1の屈折率nCを有するコア、および-このコアを取り囲む層、外皮と言うべきものであり、コアの屈折率nCとは異なる、第2の屈折率nEを有しており、コアの大きさの、コア/外皮集合体の大きさに対する比は、1:1.5~1:5の範囲に含まれる、を含んでいる。この反射防止層は、特に本発明では、電磁放射線の経路、すなわち、外側の媒質と半導体材料との間、に配置される。また、本発明の目的は、一般的に、分散した状態で、5ミクロン未満、好ましくは2ミクロン未満の大きさを備えた物体を含む、電磁放射線に対して透明な材料の使用であり、この物体は、光起電装置のために反射防止層この層は、光起電効果を確実にするためにその電磁放射線に対して透明であるを形成するために、前記の電磁放射線に対して透明で、そして異なる屈折率を有する少なくとも2つの異なる基材からなる少なくとも2つの領域、すなわち、-第1の屈折率nCを有するコア、および-このコアを取り囲む層、外皮と言うべきものであり、コアの屈折率nCとは異なる、第2の屈折率nEを有しており、コアの大きさの、コア/外皮集合体の大きさに対する比は、1:1.5~1:5の範囲に含まれる、を含んでいる。1つの態様では、本発明の目的は、-光起電効果を確実にすることができる半導体材料これは半導体材料の組み合わせでもよい;-前記半導体材料の保護層典型的には、ガラスシートまたはポリマーシート、例えばPETもしくはETEE系で、この保護層は、特にはポリマー副層、例えばEVAマトリックス、上に堆積されていることができる;ならびに-この半導体材料とこの保護膜の間のそのような副層が存在する場合には、一般的には、半導体材料とEVA型のポリマー副層の間の、前記の電磁放射線に対して透明で、光起電効果を確実にする反射防止内層、この反射防止内層は、分散した状態で、5ミクロン未満、好ましくは2ミクロン未満、更により好ましくは1ミクロン未満、もしくは特には500nm未満の物体を含み、この物体は、前記の電磁放射線に対して透明で、そして異なる屈折率を有する2つの異なる基材からなる少なくとも2つの領域、すなわち:-第1の屈折率nCを有するコア、および-このコアを取り囲む層これ以降、外皮と表される、コアの屈折率nCとは異なる、第2の屈折率nEを有しており、コアの大きさの、コア/外皮集合体の大きさに対する比は、1:1.5~1:5に含まれる、を含んでいる、を含む光起電装置である。本発明によるこれらの光起電装置は、特定の積層構造を有しており、それは、典型的には、半導体材料更に、これは1つもしくは幾つかの半導体層として存在するの上に堆積した多層構造を含んでおり、この半導体材料上に堆積されたこの多層構造は、典型的には、この半導体材料から外側に向かって、下記の順番で、下記の層:-所望により、反射防止効果を与えることを意図された1つまたは幾つかの層、例えば上記の種類のSiN層、-本発明による少なくとも1つの反射防止内層所望により、幾つかの連続したこの種類の層、例えば2~3層、分散した状態で、5ミクロン未満の大きさを備え、異なる屈折率を有する基材を基にしたコア/外皮構造を備えた物品を含んでいる、-所望によりそしてほとんどの場合、ポリマー層例えば、本発明による反射防止層を含む幾つかの光起電セルを、光起電モジュールの形態で、一緒に結合するために用いられるEVA型のマトリックス;-少なくとも1つの保護層典型的には、ガラス板またはプラスチック材料シート、を含んでいる。より一般的には、本発明による装置中に存在する反射防止層は、半導体材料に直接に接触するか、または半導体材料上に介在するように堆積されている1つもしくは幾つかの他の層上に堆積されている。従って、特定の態様によれば、半導体材料は、ドープされているかまたはドープされていないケイ素のいずれかであり、その上に、窒化ケイ素層が、そして次いで本発明による反射防止内層が堆積されており、この、半導体/SiN/反射防止内層集合体それ自体が、保護層、典型的にはガラス板一般的には、反射防止内層と保護層の間にEVA型のポリマー層を備えているによって被覆されている。本発明の範囲内で用いられる反射防止層は、その合成方法を変更する必要がなく反射防止内層の堆積は、光起電装置の合成における通常の層の堆積の間に、単純に挿入される、そして追加的な反射防止層の組み込みに関係する費用が、その装置の効率の改善によって、広く補償されるという意味においてそれは、電力の生産費用の低減によって包括的に表される、許容できる過剰費用で、本発明の光起電装置に用いることができるという利点を有している。本発明による反射防止層は、本明細書の最後に与えた例において説明するように、特に、第1世代の光起電装置に用いることができる。あるいは、それらは、次世代の装置特に、第2および第3世代の装置に、用いることができる。本発明によって用いられる反射防止内層は、可能な態様によれば、この装置内に存在する他の反射防止層例えば、SiN層に加えて適用することができ、あるいは他の態様によれば、異なる屈折率を有する基材を基にしたコア/外皮構造を備えた5ミクロン未満の大きさを備えた物体を含まない反射防止層を排除して、単一の反射防止層として適用することができる。本発明によって堆積された反射防止内層は、典型的には半導体上に堆積されており、半導体の上には、電気回路接点が、スクリーン印刷により、予め堆積されている。好ましくは、本発明の反射防止層を堆積する前に、これらの電気回路は、可逆的に保護される。この可逆的な保護は、典型的には、電気回路上に、少なくともこの装置の電気的接点で、剥離可能な接着材を堆積することによって達成され、この剥離可能な接着剤は、次いで、反射防止層を堆積した後に、電気的接点を再度利用可能にするために、容易に取り除くことができる。特定の態様によれば、本発明による装置中に存在する保護層は、更に、それ自体が、反射防止コーティングを与えられることができ特に、これがガラスもしくはプラスチックシートである場合には、それは更に、半導体材料に与えられる入射光の量を増加させることによって、この装置の光起電変換を向上させる。特定の態様によれば、この保護層上に堆積された反射防止コーティングは、有利には、反射防止内層と同じ性質であることができ、すなわち、これは、有利には、透明な単層もしくは多層のコーティングであり、分散した状態で、5ミクロン未満、好ましくは2ミックロン未満、更により好ましくは1ミクロン未満、または特には500nm未満の大きさを備えた物体を含んでおり、この物体は、前記の電磁放射線に対して透明で、そして異なる屈折率有する2つの異なる基材からなる少なくも2つの領域、すなわち:-第1の屈折率n’Cを有するコア、および-このコアを取り囲む層これ以降、外皮と表される、コアの屈折率n’Cとは異なる、第2の屈折率n’Eを有しており、コアの大きさの、コア/外皮集合体の大きさに対する比は、1:1.5~1:5の範囲に含まれる、を含んでいる。また、本発明は、レンズを装備した太陽光集光装置を含む、またはからなる光起電装置への応用を見出したものである。本発明による反射防止層を、まさに記載した本態様に従って、すなわち、反射防止内層として、その上に適用することができる。また、特定の態様では、この性質の反射防止層を、これらのレンズの1方の面もしくは両方の面に、これらのレンズの対応する表面に、直接にもしくは間接的に接触して、適用することができる。また、反射防止内層と、これらのレンズの1方もしくは両方の面に適用された1つもしくは2つの反射防止層とを組み合わせることもできる。下記の議論を容易にするために、反射防止内層の名称は、特に断りのない限り、本発明の全ての態様において、等しく用いられる。本発明によって半導体材料上に堆積された反射防止内層、およびそれが含む物体は、少なくとも本装置に光起電効果を可能にする電磁波に対して透明である。それらは、典型的には視覚的に透明すなわち、可視光の全てまたは一部に対して透明である。あるいは、それらは、光学的にのみ透明、すなわち、特定の不可視輻射線に対しのみ透明、であることができる。本発明においては、コーティング、物体、材料または基材は、所定の波長λの電磁放射線に対して、それらが、その電磁放射線の流束を通過させる、好ましくは、その電磁放射線のこの流束を吸収することなく、またはこの流束の少数部分を吸収するだけで通過させる場合には、透明であるといえる。波長λで透明であるといえる材料または基材は、好ましくはこの波長において可能な限り小さいモル吸収係数を有しており、このモル吸収係数またモル吸光係数とも称されるは、当該波長において、好ましくは200Lmol-1cm-1以下、そしてより好ましくは100Lmol-1cm-1以下である。本発明による装置の反射防止内層中および所望により保護層上に堆積されたコーティング中に分散した状態で存在している物体のコアおよび外皮は、特に、反射防止効果が求められる電磁放射線に対して透明である基材からなっている。本明細書で言及されているこれらの分散された物体のコアおよび外皮を形成する基材の屈折率、すなわち、それぞれコアの第1の屈折率nCおよびコアを取り囲む層の第2の屈折率nEは、反射防止効果が求められる電磁放射線の波長または複数の波長における基材の屈折率を表している。本発明による装置の反射防止内層は、通常は単層であり、単一のおよび唯一の層の堆積でもたらされる。典型的にはこの反射防止内層は、10nm~1ミクロン、より好ましくは50nm~500nmの範囲の厚さを有している。通常は、この内層は、その反射防止機能を確実にする条件下で適用され、この機能は、この単独の層によって、またはこの層を含む複数の層の組み合わせによって、確実にすることができると考えられる。本発明による装置の反射防止内層は、1ミクロン未満、800nm未満、そして更により好ましくは500nm未満の厚さを有していることが特に、いずれかの吸収に寄生的な現象を制限するためにはしばしば好ましく、この厚さは、有利には、10~600nmの範囲、特に50~500nmの範囲、例えば100nm~400nmの範囲である。この主題においては、本発明による堆積されたコーティング中に存在する物体の大きさは、反射防止効果が求められる輻射線の波長が大きいので、ますます大きいことが好ましいことに注意しなければならない典型的には、与えられた波長λの電磁放射線については、物体のコアは、λ/4超の大きさを有しており、そして、このコア上に堆積された厚さもまた、λ/4超であることが好ましい。本発明による装置の反射防止内層内部に分散された物体は、好ましくは2ミクロン未満の大きさを有する、等方性の、または異方性の物体であり、このような大きさは、好ましくは2nm~1ミクロンの範囲である。特には、それらが明確に異なる屈折率を有するコアおよび外皮を有するように、これらの分散した物体は、好ましくは、3nm以上、そしてより好ましくは5nm以上の大きさを有しているこれらの大きさは、有利には、10nm以上;または更に20nm以上、例えば50nm以上である。典型的には、本発明の装置の反射防止内層内部に分散されたこれらの物体は、10nm~800nmの範囲、例えば20~600nmの範囲の大きさを有している。透明なコーティングの求められる厚さは小さいので、これらの大きさは、ますます小さいように選択される透明のコーティングの厚さは、通常は、それが含有する分散された物体の大きさ以上である。従って、反射防止内層が、400nm未満、例えば300nm未満、より好ましくは200nm以下、または更には100nm以下、例えば50nm以下の大きさを有する分散した物体を含むか否かが、重要であることが通常は判明するであろう。本発明の装置の反射防止内層内部に分散された物体は、通常は、第2の屈折率nEを有する外皮によって取り囲まれた、第1の屈折率nCを有する前記の種類のコアによって形成されている。あるいは、しかしながら、この分散した物体は、このコア-外皮集合体の周りに、少なくとも1つの更なるコーティング層を含むことができる。必要であれば、この更なるコーティング層のそれぞれは、反射防止効果が求められる電磁放射線に対して透明な材料によって形成され、そして好ましくは、この更なるコーティング層のそれぞれは、それが接触している層の屈折率とは異なる屈折率を有している。本発明の装置の反射防止内層内部に分散した状態で存在する物体では、コアを取り囲む外皮は、有機および/または無機質の基材、ならびに所望によるコーティング層によって形成されている。ほとんどの場合は、この内層内部に分散した状態で存在する物体のコアもまた、それ自体が無機および/または有機の基材によって形成されている。他のより好ましい態様によれば、このコアは空であってもよい特定の態様によれば、分散された物体は、中空粒子の種類であり、そしてコアの屈折率nCは、従って実質的に1に等しい。本発明の装置の反射防止内層内部に分散された物体では、コアを取り囲む外皮の平均厚さは、コアの平均厚さと同じ水準の大きさを有しており、そしてコアの大きさの、第2の屈折率nEを有する外皮によって取り囲まれた第1の屈折率nCを有するコアによって形成された、コア/外皮集合体の大きさに対する比率は、1;1.5~1:5の範囲に含まれ、この比率は、有利には1:2.5の水準である。本明細書においては、コアの大きさの、コア/外皮集合体の大きさに対する比率の表現は、等方性型の粒子の場合には、コアの代表寸法の、コア/外皮集合体の代表寸法に対する比率、あるいは、異方性粒子の範囲内では、コアの代表寸法と、コア/外皮集合体の代表寸法の比率を表している。従って、等方性粒子の範囲内では、この比率は、コアの平均直径の、コア/外皮集合体の平均直径に対する比率として規定することができる。典型的には、本発明の装置の反射防止内層中に存在する分散された物体は、例えば、等方性のモルフォロジーを備えたコアとして出現例えば、実質的に球形のすることができ、そしてそれを取り囲む、第2の屈折率nEを有する層を備えた、2nm~1ミクロンの範囲、例えば5nm~800nmの範囲、特には10nm~500nmの範囲である平均寸法dCEを有し、有利には1:1.5~1:5の範囲、例えば1:1.8~1:4の範囲、そして典型的には1:2.5の水準のdC/dCE比を備えた、等方性モルフォロジーのコア/外皮集合体例えば実質的に球形のを形成している。本明細書において言及される分散された状態の物体の大きさは、光散乱によって、特に動的な光の散乱によって、例えばMalvern型Zetasizerの装置によって測定される大きさを表している。典型的には、光散乱によって測定した大きさは、分散した状態の物体で測定される。これを行うには、必要であれば、大きさの測定が求められる物体は、好適な溶媒例えば、水、エタノール、水/エタノール混合物、テトラヒドロフランまたはジメチルスルホキシド中に、典型的には0.1mg/mL~20mg/mLの範囲の濃度で、分散していることができる。物体を分散された状態で含んだ、分析される試料は、レーザーの入射光中に置き、そして散乱を90°の角度で測定される。この光散乱法によって測定された大きさは、高い解像度を有しており、典型的には、この測定は、±0.4nm以内の精度で行なわれる。光回折で行われるこれらの測定は、電子顕微鏡を用いた測定法によって確認され、電子顕微鏡は、更に、より全体的な大きさが光散乱によって測定される物体の、構成要素の部分特に、コアおよび外皮の大きさに到達することを可能にする。分散した状態の物体、およびそれらの構成要素の部分の大きさに到達するために、特に好適な分析法は、SEM走査型電子顕微鏡およびTEM透過型電子顕微鏡型の電子顕微鏡法であり、その原理は、ASTM標準、Digitallibrary、第72章、JGSheehan中に記載されている。本発明の範囲内では、本発明者らは、意外にも、前記の種類の、すなわち、屈折率nCおよびnEを有するコアおよびコーティング層を有する、ミクロンもしくはサブミクロンの物体を含む内層は、この層が導入される光起電装置内部に、この単一の層を堆積することによって、有効な反射防止効果が与えられそして得られることを示した。この反射防止効果は、単離した光起電セルと、互いに電気的に接続され、そしてポリマーマトリックス内部に埋め込まれるか、またはポリマーによって被覆された、いくつかの光起電セルを含む光起電モジュールの形態の光起電モジュール、の両方で観察することができる。場合によって、用いられる反射防止コーティングの正確な性質を適合させることは、当業者の能力の範囲内である。特定の理論によって拘束されることは意図しないが、本発明の範囲内で、本発明者らによって行われた仕事に照らして、この反射防止効果は、少なくとも部分的には、分散された物体のそれぞれが、通例の多層より巨視的な堆積で観察される効果と同様の効果を局所的に確実にすることを可能にさせる多層のタイプの構造を、その局所的な水準で有する、一種のナノドメインのように挙動し、それらの局所的な効果の付加が、この材料に、特に興味深い全体的な反射防止性を与えるという事実によって説明されると提案することが可能であると思われる。本発明者らによって行われた実験から、この局所的多層構造を、堆積されたコーティング内部に有する物体の分散体は、多層の堆積で観察された効果に比較して改善はされていないにしても、同様の反射防止効果を確実にすることが明らかになる。通常は、本発明によって堆積された反射防止層は、この特定の構造および、特には漸次の局所的な多層構造に影響を与える可能性がある熱処理に付さないことが好ましい。この目的では、本発明によって堆積された反射防止内層は、250°Cを超える温度に付さないこと、そして好ましくはそれらの温度は、好ましくは200°Cを超えない、好ましくは180°Cを超えない値に維持されることが好ましい。特定のまれな場合には、本発明による反射防止層の熱処理は、前記の種類の局所的な多層構造型の構造の維持に影響を与えることのないように考えることができる。この場合には、この反射防止層の堆積の前よりも、この反射防止層の表面上に電気回路接点の堆積を行なうことを、特に考えることができる。他の場合には、本発明による反射防止層の熱処理は、通常は禁止されるべきであるが、もしもそれが適用されたならば、初期の反射防止層とは異なる構造ではあるが、興味深い性質、特には反射防止性を有する可能性がある、ナノ構造の、またはナノ多孔質の層を得ることをもたらす。この範囲内では、本発明による反射防止層は、ナノ構造またはナノ多孔質層の前駆体層として用いることができる。この転換は、例えば、金属回路が、スクリーン印刷によって、本発明による反射防止層の上に堆積された場合に観察され、これは、通常は、少なくとも600°Cの温度での熱処理を含んでいる。更に、本発明によって調製された反射防止層は、更に、従来技術で知られている多層堆積の透明性と少なくとも同様の透明性を有することが見出された。多くの場合には、この透明性は、より優れてさえいる実際に、それらは単層として単一の堆積だけが必要である限りにおいて、本発明による反射防止堆積は、輻射線吸収現象がより起こると思われるより厚い多層コーティングよりも、より透明であることを証明することができる。複雑な技術を適用する必要なく得られる、これらの透明性は、本発明の反射防止堆積を、多層コーティングの選択に対する他の解決策とさせ、それが、UVから赤外までの範囲の電磁波の高い透過率を有する透明材料へ、容易に到達することへの可能性を与える。更に、求める促進効果を得るために単一の層の堆積だけが必要とされる限りにおいて、本発明の範囲内で適用される、反射防止効果を与えるための方法は、多層の堆積を伴う方法よりも、より費用が少なく、そして適用するための時間が短く、それが更にまた、本発明の他の利点である。単層は、求める反射防止効果を得るための、本発明の装置の反射防止内層として十分であるが、特定の態様によれば、半導体材料と保護層との間に、幾つかの連続した反射防止内層例えば、少なくとも2層、または更には少なくとも3層を堆積することが可能であり、これらの反射防止内層は、分散された状態で、前記のコア-外皮構造を有する物体を含んでいる。この種類の多層堆積は、特には、特に顕著な反射防止性を与えるために用いることができる。反射防止層によって与えられる反射防止効果は、コアと、コアを取り囲むコーティング層外皮との屈折率nCおよびnEが異なるので、通常は、なおさら顕著であることが証明される。この範囲内では、反射防止効果が求められる電磁放射線の波長およびほとんどの場合には複数の波長において、コアと、コアを取り囲むコーティング層の屈折率の間の差異nC-nEが、0.01よりも大きな絶対値である場合には、有利であることが通常は判り、この差は、より有利には少なくとも0.1、そして更により有利には少なくとも0.2である。0.3またはそれ以上の差異は、ほとんどの場合は、より興味深い結果をもたらす。本発明による装置中の分散された物体の担体の役割を演ずる透明内層は、10ミクロン未満、より好ましくは5ミクロン未満、そして更により有利には1ミクロン未満、もしくは更に500nm未満、例えば10~400nmの範囲、特に20~200nm範囲の厚さで堆積することができる、いずれか種類の層であることができる。これは、例えばワニスまたはポリマー質層であることができる。特に興味深い態様によれば、本発明の装置内に存在する反射防止内層は、ゾル/ゲルコーティングである。ゾル/ゲルコーティングは、既知の種類のコーティングであり、これは、無機物のアルコキシド、例えばケイ素、チタン、ジルコニウムまたは亜鉛のアルコキシド、の加水分解によって得られ、それは、無機種の重合と同様の反応をもたらし、第1の段階で、無機の酸化物粒子例えば、シリカ、TiO2、またはZrOのゾルの形成をもたらし、そして次いで媒質の漸次のゲル化をもたらし、最後に、無機種の全体の架橋が、ガラスと類似の硬質の構造の形態で得られる結果となる。いわゆるゾル/ゲル堆積は、基材の上に、この種類の反応媒体の層を、ゲル化しないか、または部分的にゲル化したゾルの状態で、堆積し、そして次いでこのゲル化を、この層の硬化が得られるまで、続けることによって行われる。この堆積は、いずれかの好適な慣用の方法によって、特には、ProcessEngineeringAnalysisinSemiconductorDeviceFabrication、SMiddlemannおよびAHochberg、McgrawHillCollege、p313、または更には欧州特許出願公開第1712296号明細書によって、よく知られている技術である、いわゆる浸漬法浸漬コーティングによって、または遠心堆積スピンコーティングによって行われる。他の好適な堆積法は、特には噴霧法噴霧と称される、特に、SonoTekによって販売されている装置の型式の超音波振動を掛けられたノズルによって噴霧すること超音波噴霧と称されるによる堆積を含んでいる。前記のゾル/ゲル法による、本発明による反射防止内層の作製は、有利には、ゲル化の最後に、熱処理工程乾燥を含んでおり、それが、堆積されたゾル/ゲル層の硬化の最適化を可能にし、そして、その結果として、最後に得られるコーティングに、良好な粘着を与えることができる。この熱処理は、熱風または赤外線の両方で行うことができる。この処理は、好ましくは、反射防止コーティングが形成された、与えられた半導体を、20~200°Cの範囲、より好ましくは50~150°Cの範囲のオーブン中に置くことによって行われる。興味深い態様によれば、この熱処理は、基材上にコーティングするゾル/ゲルの堆積温度典型的には10~25°Cの範囲から、熱処理温度典型的には少なくとも50°Cに、温度を徐々に挙げることによって、典型的には、プラス0.5°C/分~5°C/分の範囲の昇温速度で、行われる。本発明の装置の反射防止内層が、前記のゾル/ゲル法によって堆積された透明コーティングである場合には、用いられる無機性のアルコキシドとしては、有利には、テトラアルコキシシラン、好ましくはテトラメトキシシラン式Si4のテトラエトキシシランもしくはTEOSがある。より好ましくは、用いられるこの無機性のアルコキシドは、テトラメトキシシランTMOSである。あるいは、用いられる無機性アルコキシドは、チタンアルコキシド例えば、チタネートイソプロポキシドまたはさもなければ亜鉛アルコキシド例えば、亜鉛イソプロポキシドであることができる。興味深いことが広く証明されている特定の態様によれば、本発明による装置の反射防止内層中に分散された物体の担体の役割を演ずる透明コーティングは、当初に、i少なくとも1種の無機性のアルコキシド、好ましくは前記の種類のもの;およびii少なくとも1種のUV-架橋性のモノマーもしくは熱処理典型的には遊離ラジカル源の存在でのの効果の基に架橋性である、を含む混合物から得られる、特定のゾル/ゲル型のコーティングであることができる。この場合には、このコーティングの合成が、更に以下の2重の硬化水準を含む限り、通常は、特に高い結合力を有する反射防止内層が得られる。-第1の硬化は、ゾル/ゲル法による無機性のアルコキシドの加水分解および縮合によって得られる;そして、-それと共におよび/または更に、付加的な硬化が、典型的には、架橋されるモノマーの正確な性質に応じて、UV輻射線および/または加熱の効果の下での、架橋性モノマーの架橋によってもたらされる。本発明の方法の特定の選択肢によって用いることができる架橋性モノマーは、UV輻射線の下でまたは熱的に架橋することができる機能を有する非重合モノマー種であることができる。あるいは、それらは、マクロモノマー種、例えばUV輻射線の下でまたは熱的に架橋することができる機能を有するオリゴマーまたはポリマーであることができる。この態様で用いられる、UV輻射線の下でまたは熱的経路によって架橋可能なモノマーは、メタクリレート、アクリレート、エポキシ、またはビニルエーテル基を有する典型的な化合物である。あるいは、縮合によって架橋をもたらすために、接触した場合に、互いに反応する付加的な官能性を有する両方の型のモノマーの混合物を用いることが可能であるこの選択肢の範囲では、例えば、以下の反応性官能基の対を用いることが可能である:エポキシ/アミン;アクリレート/アミン;イソシアネート/アルコール;チオール/エン;またはエポキシ/イソシアネート。通常は、本発明による装置の反射防止内層中に用いられる透明コーティングが、ゾル/ゲル型である場合には、このゾル/ゲルコーティングは、特には、SolGelSciencesSolGelThePhysicsandChemistryofSolGelProcessing、CJeffreyBrinkerおよびGeorgeWScherer、AcademicPressまたは、theJournalofColloidsandInterfaceScience、Vol274、Issue2、p355361中に記載されている種類の、少なくとも1種の界面活性剤の存在下に合成されることが好ましい。この種類の界面活性剤の使用は、アルコキシドの加水分解によって得られるゾル中の粒子の大きさを制限することを可能にし、そして従って、最後に、得られたコーティング層の厚さを制御することを可能にする。この範囲に良く適合する界面活性剤としては、特には、ポリオキシエチレン界面活性剤特には、ポリオキシエチレンエステル、例えばTWEEN85が挙げられる。ゾル/ゲル法で用いられる無機性のアルコキシドの加水分解で得られ、ゾル中に形成される粒子の大きさを制御することができる他の方法は、4つの加水分解性基を有するアルコキシドおよび、最大で3つの加水分解性基例えば、2もしくは更にはただ1つを有するアルコキシドを含むアルコキシド混合物を用いることからなっている。この範囲では、ゾル/ゲルコーティングは、典型的には、無機性アルコキシドとして、以下のものを含むアルコキシド混合物を用いることによって合成することができる:-4つの加水分解性基を有する少なくとも1種のシラン例えば、テトラメトキシシランTMOS、またはテトラエトキシシランTEOS;および-4つ未満の加水分解性基を有する少なくとも1種のシラン、このシランは、好ましくは、式RnSiX4-nに適合し、式中、-nは、1、2または3の整数;-それぞれの基Rは、同じでも異なっていてもよく、非加水分解性の有機の、所望による官能基を表し、そして、-Xは、加水分解性基典型的には、ハロゲン化アルコキシ基、例えば、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、γ-プロピルトリメトキシシラン、γ-プロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピル-トリメトキシシラン、γ-アミノプロピル-トリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピル-トリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピル-トリエトキシシラン、γ-メタアクリロイルプロピル-トリメトキシシラン、γ-メタアクリロイルプロピル-トリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピル-トリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピル-トリエトキシシラン、ジ-メトキシシラン、ジ-エトキシシラン、ポリジメチルシロキサンα-ω-ジシラノール、またはポリジエチルシロキサンα-ω-ジシラノール基;またはハロゲン基、例えば-ClもしくはBrである。この態様によれば、例えば、単一の加水分解性基を有するシラン、またはそのような一官能性シランの前駆体化合物、例えば、加水分解反応の結果として一官能性シランを生成する化合物、例えば1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザンHMDSまたは、更にはクロロシラン、例えばトリメチルクロロシランを用いることが可能である。他方で、本発明による装置の反射防止内層を作るために、ゾル/ゲル法が適用された場合には、このコーティングを合成するための媒質は、水、所望により1種もしくは数種の水混和性溶媒例えば、エタノールと組み合わせた水を含んでいる。更に、水は、好ましくは、ゾル/ゲル配合中に存在する加水分解性シラン官能基の半分に等しい量で存在する。本発明による装置の反射防止内層中に分散された物体のための担体の役割を演ずる透明コーティングの性質に関わらず、この層が含む分散した物体は、有利には、これ以降に規定される3つの選択肢の内の1つの選択的な特徴を有している。本発明の第1の選択肢によれば、本発明による装置の反射防止内層内部に存在する物体のコアは、有機性である。本発明の第1の選択肢の範囲内では、コアは、例えば、下記のものを含む、またはから形成されている。-少なくとも1つの直鎖もしくは有利には分岐炭化水素ポリマー、その連鎖は、所望によりヘテロ原子を有している;または、-低分子量、典型的には250g/モル未満、を有する少なくとも1つの成分または複数の成分の混合物、例えば溶媒もしくは油状成分。上記で規定した第1の選択肢の範囲内では、有機性コアを取り囲む層外皮は、典型的にはポリマー層であり、これは、典型的には、エマルジョン、分散液、ミニエマルジョン、または自発的spontaneousエマルジョン重合法によって有機性コアの周りに形成することができる。これらの技術およびそれらの適用方法は、当業者には知られている。それらに関連したより詳細は、例えば、SoftMatter、Vol2、p940949または、ChemPhysChem、Vol6、p209215を参照することができる。本発明のこの第1の選択肢によって得たコア/外皮構造を備えた物体は、典型的には、ポリマーシェルを含むカプセル大抵は、しかしながら必須ではないが、回転楕円体状のカプセルであり、外皮を形成し、好ましくは前記の種類例えば、外皮のポリマーとは異なるポリマーまたは非ポリマー有機化合物の有機性コア材料を閉じ込める。それらの正確な構造には関わらず、これらの物体は、典型的には、50nm~2ミクロンの範囲の大きさを備え、これらの大きさは、好ましくは、1ミクロン未満、そしてより有利には800nm未満、または更に500nm未満である。本発明の第1の選択肢によるコア/外皮を備えた物体は、例えば、ヘキサデカンコアを取り囲むポリウレタンまたはポリアミドの外皮を含むカプセルであることができる。本発明の第1の選択肢によるコア/外皮構造を備えた他の興味深い物体は、コアポリマーとして、および外皮ポリマーとして、同じ種類の2種類のポリマー例えば、2種類のメタクリレートを含んでおり、これらのポリマーの一方は、他方のポリマーが有していない特定の基例えば、フッ素基、-Fを有している。この場合には、コア/外皮構造は、典型的には、最初は、コアポリマー例えば、特定の基を有していないの形成をもたらすモノマーを含むだけの重合媒質で開始して、そして次いで、外皮ポリマー例えば、特定の基を有するの形成をもたらすモノマーを、重合媒質に追加して、対応するモノマーの重合を行うことによって得られる。この第1の態様によって用いることができるコア/外皮構造を備えた物体は、例えば、Macromolecules、Vol30、p123129中に記載されているブチルアクリレートおよびトリフルオロエチルメチルメタクリレート共重合体の種類であることができる。本発明の第1の選択肢によって用いることができるコア/外皮構造を備えた他の物体は、与えられた溶媒に親和性を有する第1のブロックであって、その溶媒へのより弱い親和性を有し、そして好ましくは親和性がない第2のブロックに結合した第1のブロックを含む2つのブロック構造を備えた逐次ポリマーの自己組織体である。これらのポリマーが溶媒内に導入された場合には、それらは、コア/外皮型の物体の形態に自己組織化する溶媒に強い親和性を有するブロックは、内部コアを取り囲む外側層を形成し、内部コアでは、溶媒へのより弱い親和性を有するブロックが集まる。溶媒媒質中でこの種類の自己会合をもたらす配列化sequenced共重合体の例は、特に、Langmuir、Vol22、p45344540、oxideblockNNdiethylaminoethylmethacrylateblock、または、AdvFunctMater、Vol16、p15061514、blocktype、に記載されている。これらの文書中に記載されたこれらの配列化ポリマーは、一方の配列化されたポリマーを基にしたコアおよび他方の配列化されたポリマーを基にした外皮を含む物体を形成するために、溶媒媒質中にそれらが配置された時に、集合する。本発明の第2の選択肢によれば、本発明による装置の反射防止内層内に存在する物体のコアは、無機性である。本発明のこの第2の選択肢の範囲内では、コアは、例えば、以下の材料の1つもしくは幾つかを含む、またはで形成されていることができる。-無機性の酸化物、特にシリカまたは金属酸化物、-金属硫化物、-金属窒化物、-金属ハロゲン化物、-金属。より好ましくは、第2の選択肢による物体の無機性のコアは、シリカ、金属酸化物、金属硫化物および/または金属、更により好ましくはシリカ、金属酸化物特に、TiO2またはアルミナまたは金属例えば、金、銀からなっている。この第2の選択肢の範囲内では、第1の態様によれば、無機性のコアを取り囲む層外皮は、ポリマー層であり、このポリマー外皮は、更には2つの大きな到達経路によって調製することができる、すなわち;1~にグラフト化型と称すべき方法この第1の方法によれば、既存の無機性コア典型的には無機性のコロイド状粒子から開始し、そして既存のポリマー連鎖もしくは既存のグラフトが、これらの無機性のコアの表面上に不動化される。これを行うためには、望ましく不動化されるこのポリマー連鎖またはグラフトは、通常は、無機性のコアの表面と、またはコアの表面に存在する基と、共役もしくは静電気結合を生成させることができる化学官能基を有している。例えば、JAmChemSoc、Vol120、p12696中に記載されている方法によって、例えば、金のコロイド状粒子から開始して、そしてそれらにチオール末端を有するポリマー連鎖をグラフトすることができ、そこでは、α-メトキシ-ω-メルカプト-ポリエチレングリコール基が、金の粒子上にグラフトされている。2~からグラフト化型と称すべき方法この第2の方法によれば、ポリマー連鎖は、有機基を有する官能化されたコア粒子から成長する。この範囲内で広く用いられる方法は、表面を、重合を開始する基で変性された無機コア好ましくはコロイド状粒子から重合を開始することからなっている。有利には、無機性のコアの表面上に導入された官能基は、制御されたATRP型のラジカル重合反応を可能にする制御剤である。例えば、チオ基で官能化された金の粒子を用いることが可能である。臭素化重合開始剤を、配位子交換法によってグラフト化することができ、そして重合は、モノマー、例えばメタアクリルモノマーメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、エチルアクリレートなどの存在下で、例えば、AngewChemIntEd40、p4016、または更には、MacromolChemPhys、p19411946中に記載されている方法によって、開始することができる。この第2の項目の方法によって得られる物体ポリN-イソプロピルアクリルアミドで被覆された金のコアは、特に、基材の表面上で、赤外範囲で、本発明による反射防止効果を与えるのによく適応される。また、ATRPによるポリマー外皮の合成は、例えば、MaterialsLetters、Vol62、Issue89、、または、CompositesScienceandTechnology、Vol66、Issue9、July2006中に記載されている種類の方法によって、無機性酸化物の無機性コア、特には、シリカもしくはチタン酸化物特に、コロイド状粒子の形態のの無機性コア上に用いることができる。また、有利には-OHおよび/または-SH官能基を有する、予め形成された無機性の物体例えば、チオ官能基化された金粒子の表面上にポリマー連鎖を、有利には、-OHおよび/または-SH官能基を有する、予め形成された無機性の物体を、以下の材料と接触させて、重縮合反応例えば、ジチオールとジエステルの間のによって、グラフトすることも可能である。-以下の反応性基を含むモノマー:iα-β不飽和カルボニル基C=C-C=O例えば、アクリル、メタクリルもしくはアクリルアミド基および/またはα-β不飽和チオカルボニル基C=C-C=Sをすくむ少なくとも1つの基;ならびに/あるいはii環状エーテル、環状チオエーテルおよびアジリジン環から選ばれた、3~5員好ましくは3もしくは4員を含む少なくとも1つのヘテロ環、このヘテロ環状基は、好ましくは、少なくとも1つのエポキシ、チオエポキシまたはアジリジン基、そしてより好ましくは少なくとも1つのエポキシまたはチオエポキシ基である;ならびに/あるいは、iiiイソシアネート-N=C=Oまたはチオイソシアネート-N=C=S基および式>C=CZ-の三価の基ここで、Zは電子吸引基例えば、4-ニトロフェニル、シアノ、もしくは-C=N-基、から選択される少なくとも1つの基、そして-少なくとも1つの共役グアニジン官能基、好ましくは下記の式Iに適合する共役ビスグアニジン基、を有する触媒C:式中、それぞれの基R1~R7は、独立して下記の他の基を表している:-水素原子;または、-シアノ基-CN;または、-直鎖もしくは分岐の、飽和もしくは不飽和の炭化水素鎖、所望により全体が、もしくは部分的に環化しており、所望により置換され、そして所望により1つもしくは幾つかのヘテロ原子例えば、O、S、N、PまたはSiで中断されており、および/またはヘテロ原子を有する基、例えばカルボキシ、アミドもしくはカルバメート基例えば、二価の基、-CO-、-OC-、-O-C-O-、>N-C-、-C-N<、>N-C-O-、-O-C-N<、-C=N-、-N=C-を備えており、この連鎖は典型的には以下の基である:-直鎖もしくは分岐いずれかのアルキル、アルケニルまたはアルキニル、有利には、1~12個の炭素原子、例えば1~6個の炭素原子を含んでおり、このアルキル、アルケニルもしくはアルキニル基は、所望により、例えばアルコキシ基で置換されている、-シクロアルキル基、有利には6~18個の炭素原子を含み、所望により、例えば少なくとも1つのアルキルもしくはアルコキシ基で置換されている、-アリール基、有利には6~18個の炭素原子を含み、所望により、例えば少なくとも1つのアルキルもしくはアルコキシ基で置換されている、-所望による芳香族ヘテロ環、S、OもしくはNから選択された1つもしくは幾つかの原子を含んでいる、-アルキルアリールまたはアリールアルキル基、有利には8~18個の炭素原子を含み、このアリール部分は、所望により、特にはアルキルもしくはアルコキシ基で置換されている、-エステル、アミドまたはカルバメート基、あるいは、-ポリマー連鎖、所望により他のグアニジン基を有している必要により、好ましくは共役グアニジン基を備えている用いられる触媒は、下記の式に適合する:また、金属酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金族ハロゲン化物または金属に基づく無機性のコアは、エマルジョンもしくは分散合成、特にはエマルジョンもしくは分散ラジカル合成法によっての、いずれかの慣用の方法によって、ポリマー外皮で被覆カプセル化されていることができる。より一般的には、エマルジョン中で、特には、いずれかの他の好適なカプセル化方法によって、例えばSoftMatter、Vol2、p940949中に記載された方法により、メタセシスをとおした重合によって、外皮を生成することもまた可能である。無機性のコアに適用する第2の選択肢の他の興味深い態様によれば、無機性のコアを取り囲む層外皮は、そのコア中に存在するものとは異なる無機材料からなり、この外皮を形成するこの材料は、それゆえ典型的には酸化物または硫化物を含んでいる。この場合には、このコアは、金属酸化物、金属硫化物または金属からなることが好ましい。金属酸化物型のコアおよび外皮を有する商品が、例えばIbuTech独国によって販売されており、これは、例えばZnO/SiO2組成物を提案しており、その全体的な大きさは40nmであり、NA403の参照番号である。本発明によって用いることができる粒子の例としては、JournalofNanoparticleResearch、8、p10831087に発表された記事中で、シリカの保護層で被覆されたNH4AuCl4ミセルの形成を含む逆エマルジョン法によって得られているような、そのミセル内での金塩の還元によって得られた、金のコアおよびシリカの外皮を備えた粒子に言及することができる。本発明の第3のより特定の選択肢によれば、本発明による装置の反射防止内層内に存在する物体のコアは、中空の空洞であり、典型的には空気で満たされており、実質的に1に等しい屈折率を有しており、この空洞は、有利には、1ミクロン未満、そして好ましくは20nm超、例えば50~500nmの範囲の大きさを有している。この第3の選択肢によれば、コアを取り囲む層外皮は、典型的には無機性材料で形成されている。大抵の場合には、透明コーティング内に存在する物体は、典型的には中空の無機性の粒子、例えば中空シリカまたは無機性酸化物粒子であり、中空球と称され、例えば、特に、MaterialsChemistryandPhysics、Vol111、Issue1、、またはMaterialsLetters、Vol62、Issue24、中に記載された方法に従って、マイクロエマルジョンまたはテクスチャー化剤texturationagentsテンプレートと称されるの回りへのコロイド状粒子の沈殿によって得られる。本発明による光起電装置は、半導体装置コアを含み、その上に反射防止内層が堆積されており半導体に直接に接触しているか、またはしていない、次いで、保護層、例えばガラス板もしくはポリマーシート、例えばPETもしくはETFEシート反射防止内層と直接に接触しているか、またはしていないが堆積されている、単離の光起電セルであることができる。これらの光起電セルは、第一世代の、またはさもなければ次世代のものであることができる。より有利には、本発明による装置は、半導体コアを含み、その上に反射防止内層が堆積されており半導体に直接接触して、またはせずに、のいずれかで、通常は近接されており、互いに電気的に接続されており、そしてポリマーマトリックス、例えばEVAエチレン-ビニルアセテート共重合体マトリックスでコーティングされている、いくつかの光起電セルの組み合わせを含む光起電モジュールであることができ、この光起電セルの組み合わせは、保護層、例えばガラス板でコーティングされている。このポリマーマトリックス中のコーティングされた光起電セルは、例えば2枚のガラス板の間か2枚ガラス法、またはガラス板およびポリマーの薄層テドラー、マイラーとアルミニウムからなる集合体の間に配置されている単一ガラス法ことができる。本発明の異なる態様および利点が、以下の例によって更に明らかになるが、そこでは、反射防止層でコーティングされた4つの光起電セルを基にした光起電モジュールの光起電装置が作られ、反射防止層は、分散された物体として、ハイブリッドシリカ-ポリエステル粒子を含んでおり、それは、200nmのポリマー外皮で被覆された、80nmの直径を有するシリカコアを有しており、このハイブリッド粒子は、これ以降、ハイブリッドHR1材料と称される。例1ハイブリッドHR1材料の合成激しく撹拌しながら、15nmの大きさのシリカ粒子SigmaAldrich20質量を含む水性分散液を形成した。撹拌を続けながら、それによって40°Cに達したこの分散液中に、シランテトラメトキシシランTMOSを、塩基性触媒アンモニアの存在下で、反応媒質中に存在するシリカの質量を基準として50質量の量で導入し、そして次いで、エタノール中に溶解した0.6モル当量TMOSの導入した量を基準としてのジヒドロキシル化前駆体を導入したシリカコアへの、ポリマー層の接着性の向上を意図した。用いたこのジヒドロキシル化前駆体は、ジブチルスズジラウレートの存在下で、50°Cで、イソシアナトプロピルトリエトキシシランおよびジエタノールアミンの当モル混合物を作ることによって調製した。トリメチロールプロパンTMPおよびジメチルスクシネートDMSを、TMOSを基準として、それぞれ8モル当量の量で、次いでこの反応媒質に加えた。この媒質は、発達するdevelopするように数分間残し、そして次いで存在する溶媒水とエタノールを真空で、95°Cで蒸発させた。それによって、実質的に80nmに等しい大きさのシリカ粒子を得た。下記の式に適合する、ビスグアニジン触媒を、次いで、40°Cおよび高真空-1バールで、この媒質中に導入した。この触媒の導入は、この反応媒質中に存在するTMPとDMSの重縮合を引き起こし、それによって、シリカ粒子の回りに、ポリマー外皮ポリエステル型のが生成された。それによって得られたコア/外皮型の構造を、次いでそれを分散可能にする水中またはモノマー中にために変性した。この目的のために、得られた粒子に、メチルメタクリレートを、TMPを基準として1.2モル当量の量で加えることによって40°Cで、そして-1バールの真空で、メタクリレート官能基での、得られた物体の表面の官能化を行なった。これらの異なる処理の最後に、200nmのポリマー外皮で被覆された、80nmの直径を備えたシリカコアを有する、ハイブリッドシリカ-ポリエスエル粒子を含む粉末の形態で、ハイブリッド材料HR1が得られた。<光起電セルの合成>光起電セルのそれぞれを、以下のように調製した。<SiN層の堆積および金属被覆>125nm×125nmの大きさおよび200ミクロンの厚さを備えた、単結晶シリコンスライスウエハを、単結晶で切断し、カリ浴potashbath中に80°Cで浸漬し表面欠陥を抑制するために、そして次いで蒸留水浴中で洗浄した。ケイ素のドーピングは、このウエハを、POCl3および酸素の存在で、850°Cにしたオーブン中に置くことによる、リンの拡散によって成し遂げた。この処理に続いて、このスライスを、フッ化水素酸の浴中に浸漬した。次いで、直接PECVD法によって、40kHzの周波数で、450°Cで、NH3およびSiH4の存在下で、SiN層を、それによって調製したウエハ上に堆積し、それによって80nmの厚さで、そして2.05の屈折率を有するSiN層が形成された。表面の金属被覆を、スクリーン印刷によって、SiN層上にフロント接点、そしてSiNで被覆されていないシリコン面上にリア接点、金属線を形成することによって成し遂げた。これらの金属線は、銀ペーストの堆積によって、そして次いでこれを850°Cの温度に上げることによって形成された。<本発明による、ハイブリッド材料HR1を含む反射防止層の堆積>本発明による反射防止層を、次いで、以下の手順を適用することによって、ゾル/ゲル法によってSiN層上に堆積した。フラスコ中で、室温25°Cにおいて、0.340gの蒸留水、6.053gのエタノール、および310331の名称でSigmaAldrichから市販されている塩酸3730mgを混合し、そして次いでTMOS218472の名称でSigmaAldrichから市販されている99の純度のテトラメチルオルソシリケート1.446gと、MPTSAB117674の名称でABCRから市販されている97の純度の3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの混合物を加えた。このフラスコにフタをし、そしてこの混合物を室温25°Cで、そして撹拌しながら、4時間反応させた。次いで、0.038gの蒸留水と0.673gの無水アルコールの混合物中に溶解させた、0.152gの前記のハイブリッドシリカ-ポリエステル材料HR1を、反応媒質へと加えた。それによって得た媒質を、撹拌しながら、室温25°Cで1時間放置し、そして次いで室温に20時間保持した。この組成物の、SiNで被覆されたシリコンセル上への堆積は、浸漬-引揚法浸漬コーティングによって達成された。これを行うために、SiNで被覆されたシリコンセルを、前もってエタノールで洗浄し、そしてその電線を剥離性の接着剤F/LB接着剤、ATPAdhesiveSystemsで保護した。反射防止層の堆積は、セルをこの組成物に完全に浸漬することによって、そして次いで、この組成物から、2mm/秒の線形速度で、これを徐々に引揚げることによって行われ、それによって連続した、均一なそして透明なコーティングが、前もって堆積されたSiN層の表面上に得られた。それによって作られた堆積を与えられたセルを、次いで120°Cで、オーブン中に2時間放置した。このようにして、350nmの水準の厚さを有するコーティング層の堆積が、セルの表面上に得られた。<光起電モジュールの合成>上記の条件で作った4つの実質的に同一の光起電セルを、光起電モジュールの合成に用いた。これを行うために、電気接点を被覆する剥離性接着剤の除去の後に、セルを、アルミニウムシート上に並べてひな菊の花輪のように堆積させ、そして互いに電気的に接続した。EVAシートWhenzhouLongwanPlasticAdditivesCoLtdから市販されている、0.5mmの厚さを有するシートを、そのように形成した装置上に堆積し、そして次いでガラス板をこの集合体上に堆積した。それによって形成された集合体の多層構造体を、変形可能な膜によって、2つの部分、すなわちi基平面として、加熱抵抗器を含む下部、およびii上部室中に分離された、空洞を含むラミネータの内部で積層した。これを行うために、アルミニウムシート上に堆積された4つのセルによって形成され、そしてEVAシートおよびガラスシートで被覆された集合体を、100°Cの温度にした加熱抵抗器上の、そして大気圧の下部室中に導入し、集合体を導入したら、上部室中に負圧0.1mmHgを発生させた。次いで、下部室を5分間減圧し0.1mmHg、変形可能な膜は、ガラスシート上に平板化し、そして結果として100°Cにしたポリマーシートを平たくした。ラミネータの下部室を大気圧に戻した後に、作ったモジュールをラミネータから取り出し、そしてオーブン中で15分間、156°Cにして、その架橋を達成させた。比較の目的で、対照のモジュールを、ハイブリッド材料HR1を基にした本発明による反射防止層が堆積されていないという唯一の違い以外は、上記のモジュールと、正確に同じ条件の下で作った。本発明によるモジュールは、対照のモジュールを比べて、明らかに向上した性質を有している。例2:光起電セルの表面の金属被覆の前の、反射防止コーティングの適用光起電セルを、例1の記載による同じ方法で調製した。125mm×125mmの大きさと、200ミクロンの厚さを有する単結晶シリコンスライスウエハを、単結晶で切り出し、80°Cのカリ浴potashbath中に表面欠陥を抑制するために、浸漬し、そして次いで、蒸留水の浴中で洗浄した。リンの拡散によるシリコンのドーピングが、次いでこのウエハを、POCl3および酸素の存在下で、850°Cにしたオーブン中に置くことによって達成した。この処理に続いて、このウエハを、フッ化水素酸の浴中に浸漬した。次いで、それによって調製されたウエハ上に、SiN層を、直接PECVD法によって、40kHzの周波数で、450°Cで、NH3およびSiH4の存在下で、堆積し、それによって、80nmの厚さを備え、そして2.05の屈折率を有するSiN層を形成した。本発明による反射防止層を、次いで、以下の手順によるゾル-ゲル法によって、SiN層上に堆積した。室温のフラスコ中に、70gのエタノールを、酸化ケイ素SiO2のコロイド状溶液10gと混合した。この溶液は、AlfaAesarから市販されている、20nm径のSiO2粒子を40質量含む水性分散液である。次いで、例1中に記載されたように、72.857gのエタノールと17.143gのゾル-ゲルワニスの混合物を、加えた。この混合物を、室温25°Cで、3時間、撹拌した。次いで、90gのブタノールを、反応媒質に加え、そして全体を1時間撹拌した。SiNで被覆されたシリコンセル上のこの組成物の堆積は、浸漬-引揚法浸漬コーティングによって得られた。これを行うために、SiNで被覆されたシリコンセルを、前もってエタノールで洗浄し、そしてその裏面を、剥離性接着剤F/LB接着剤、ATPAdhesiveSystemsで保護した。反射防止層の堆積は、セルをこの組成物中に完全に浸漬し、そして次いで、この組成物から、セルを2mm/秒の線形速度で徐々に引揚げることにより行い、それによって、連続した、均一な、そして透明なコーティングを、前もって堆積されたSiN層の表面上に堆積した。それによって得られた堆積物を与えられたセルを、次いで、120°Cのオーブン中に1時間放置した。それによって、150nmの水準の厚さ有するコーティング層の堆積が、セルの表面上に得られた。次いで、表面の金属被覆を、金属線をSiN層上にフロント接点、およびSiNで被覆されていないシリコン表面上にリア接点、スクリーン印刷することによって形成することによって行った。これらの金属線は、銀ペーストで堆積することによって、そして次いで後者の温度を850°Cに上げることによって形成させた。光起電モジュールの合成は、例1中に記載したように仕上げられ、そして本発明によるこのモジュールは、対照モジュールに比べて向上した電気的性質を有していた。例3:本発明の反射防止層はまた、光起電モジュールの表面に堆積されたガラスシート上にも堆積することができる。例2中に記載したゾル-ゲルワニスとエタノール溶媒との混合物例2中に記載した10gのワニスに、16gのエタノールを加えたを、1.4mm/秒の速度での浸漬コーティングによって堆積した。次いで、本発明の反射防止層は、120°Cで2時間乾燥した。それによってワニス掛けしたガラスシートを、次いで、例1の記載に従って作った光起電モジュール上に堆積した。このモジュールは、対照モジュールに比べて、明らかに向上した性質を有していた。例4:可撓性光起電モジュール上の反射防止層本発明の反射防止層を、可撓性のソーラーモジュール上に用いた。可撓性のPETポリエチレンテレフタレートフィルム上に、ポリシロキサン型の硬質ワニスを、浸漬コーティングによって、2.5mm/秒で堆積し、このフィルムの一方の面を保護した。この硬質ワニスは、Mexmerrangeの名称で、Gaematechから提供されている。この硬質ワニスは、120°Cのオーブン中で1時間、強制対流下に乾燥させた。例3中に記載した、本発明の反射防止層エタノールで希釈した例1のゾル-ゲルワニスを、次いで、浸漬コーティングによって、1.8mm/秒の速度で堆積し、そして120°Cで1時間乾燥した。このワニス掛けしたPETフィルムを、次いで慣用の可撓性ソーラーモジュール上に堆積し、反射防止層集合体でワニス掛けされた表面を、モジュールに対して置いた。このモジュールと処理されたPETフィルムとの間の接触は、イソプロパノールの薄い層で得られ、これは、乾燥することによって、処理されたPETと光起電モジュールの間の接触を可能とさせた。比較の目的で、対照モジュールを、PETフィルムが、反射防止層ゾル-ゲルでワニス掛けされていないという唯一の違い以外は、上記のモジュールと同じ条件の下に作った。本発明による可撓性モジュールは、対照モジュールに比べて、向上した電気的性質を有していた。例5:太陽集光装置CPVのレンズ上の反射防止層光起電集光装置CPVの組み立てを行った。これらの装置は以下の2つの部分からなっている。-第1は、ソーダ-カルシウムガラスの平凸レンズであり、これは500倍の集光係数を確実にする。-第2の部分は、このレンズの焦平面に配置された、Spectrolabから提供される、三重接合集合体からなっている。かくして、レンズを、例2中に記載したゾル-ゲルワニスを適用することによって、反射防止処理した。このレンズは、下記の順序に従って、浸漬コーティングによって、その両面を処理した。1洗浄:-アルファサウンド発生機を備えた酸および洗剤浴中に浸漬すること、-水道水、およびそれに続く脱イオン水の、2つの連続した浴中で洗浄すること、-パルス状の熱空気で、浴中で、3分間乾燥すること。2浸漬コーティングによるワニス掛け:このレンズを、例2中に記載したゾル-ゲルワニスを含む浴中に浸漬し、そして20°Cの浴温に維持し、そして次いで、2mm/秒の一定の速度で引揚げた。室温で5分間後に、レンズを120°Cで、1時間焼成した。対照のCPVモジュールを、次いで処理していないレンズから作り、そして試験CPVモジュールを、処理したレンズから作った。これらのモジュールの両方を、次いでよく日の照る天気に屋外に置き、そして直接の太陽光の条件下で照射した。両方のモジュールの電気および光学性能を測定した。結果を、以下の表中に記録した。"