"基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタルTaと、パラジウムPdと、を含有し、前記吸収体層において、前記タンタルTaの含有率が10~80atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~90atであり、前記TaおよびPdの合計含有率が95~100atであることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、さらに窒素Nを含有する請求項1に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層において、前記タンタルTaの含有率が10~60atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~70atであり、前記窒素Nの含有率が20~70atであり、前記Ta、Pd、および、Nの合計含有率が95~100atである請求項2に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、さらに水素Hを含有する請求項1に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層において、前記タンタルTaの含有率が10~79.9atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~89.9atであり、前記水素Hの含有率が0.1~10atであり、前記Ta、Pd、および、Hの合計含有率が95~100atである請求項4に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、さらに窒素Nおよび水素Hを含有する請求項1に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層において、前記タンタルTaの含有率が10~59.9atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~69.9atであり、前記窒素Nの含有率が20~69.9atであり、前記水素Hの含有率が0.1~10atであり、前記Ta、Pd、N、および、Hの合計含有率が95~100atである請求項6に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層の結晶状態が、アモルファスである請求項1~7のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層の表面の表面粗さrmsが、0.5nm以下である請求項1~8のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層の膜厚が、20~50nmである請求項1~9のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されており、前記低反射層が、タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、およびハフニウムHfからなる群から選ばれる少なくとも一種と、酸素Oおよび窒素Nからなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含有する請求項1~10のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記低反射層において、前記タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、およびハフニウムHfの合計含有率が10~55atであり、前記酸素Oおよび窒素Nの合計含有率が45~90atであり、前記Ta、Pd、Si、OおよびNの合計含有率が95~100atである請求項11に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記低反射層の表面の表面粗さrmsが、0.5nm以下である請求項11または12に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記低反射層の膜厚が、5~30nmである請求項11~13のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する、前記低反射層表面の反射率が15以下である、請求項11~14のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層表面での反射光と、のコントラストが、30以上である、請求項1~15のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記保護層が、Ru、Ru化合物およびSiO2のいずれか一種で形成される、請求項16に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaおよび/またはパラジウムPdを含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成される、請求項1に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、窒素N2と、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaおよび/またはパラジウムPdを含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成される請求項2または3に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、水素H2と、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaおよび/またはパラジウムPdを含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成される請求項4または5に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、水素H2および窒素N2と、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaおよび/またはパラジウムPdを含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成される請求項6または7に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記低反射層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、酸素O2および窒素N2からなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、およびハフニウムHfからなる群から選ばれる少なくとも一種を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成される請求項11または12に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。しかしながら、特許文献1に記載されているようなTaを主成分とした吸収体層の場合、吸収体層の最小膜厚は50~60nmが限界とされている。吸収体層を薄膜化する場合に限界となる膜厚は、主成分となる金属の屈折率nと消衰係数kに大きく依存する。一般的に、反射層と吸収体層の位相差は、下記の式で表される。φ=4π1-n×d×cosθ/λここで、φ:位相差、n:吸収体層の屈折率、d:吸収体層の膜厚、θ:EUV光の入射角度、λ:EUV光の波長、である。上記位相差φが180度=πとなるとき、反射コントラストは最大となる。そのときの膜厚は下記の式で表される。d=λ/41-n×cosθすなわち、吸収体層の屈折率nが小さいほど、吸収体層の薄膜化には有利である。例えば、Taを主成分とした吸収体層の場合、その屈折率は、n≒0.945であるため、吸収体層の屈折率が、0.945未満であれば、さらに薄膜化が可能ということになる。また、消衰係数kは、k=0.020~0.080であることが2~30の反射率を得るためには好ましい。したがって、吸収体層は、屈折率が0.945未満であって、かつ、消衰係数kが0.020~0.080であることが、薄膜化にとって好ましいことになる。特許文献2においては、ハーフトーン膜として、最適とされる光学定数の範囲を記載しているが、具体的な材料の記載はない。一方、特許文献3においては、V,Cr,Mn,Fe,Co,Ag,Cd,In,Sn,Sb,ランタノイド元素,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Au,Tl,Pb,およびBiの中から選ばれた1種の元素、あるいはこれらの中の少なくともひとつの元素を含む物質からなる材料が好ましいと記載されている。しかしながら、吸収体層に求められる特性は、EUV光に対する光学特性だけではなく、表面粗さ、膜応力、該層の結晶状態、パターン検査光の波長域に対する光学特性など多岐に渡るため、1種類の金属だけで全ての特性を満足することは困難であり、いくつかの金属を組み合わせた合金にすることが重要である。特許文献3には、その具体的な材料の組み合わせに関する記載はない。本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、EUVマスクブランクとしての特性に優れ、特に、従来の吸収体層より、さらに薄膜化が期待できる光学定数を有する吸収体層を具備し、さらに吸収体層に求められる表面粗さ、膜応力、該層の結晶状態、パターン検査光の波長域に対する光学特性などの諸特性を満足することのできるEUVマスクブランクを提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、吸収体層が、タンタルTaおよびパラジウムPdを特定の量含有することにより、所望の光学定数を得られ、さらにEUVマスクブランク用の吸収体層に求められる諸特性を満足することを見出した。本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタルTaと、パラジウムPdと、を含有し、前記吸収体層における前記タンタルTaの含有率が10~80atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~90atであり、前記TaとPdの合計含有率が95~100atであることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク以下、本発明のEUVマスクブランクという。を提供する。本発明のEUVマスクブランクにおいて、前記吸収体層が、さらに窒素Nを含有することが好ましい。前記吸収体層において、前記タンタルTaの含有率が10~60atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~70atであり、前記窒素Nの含有率が20~70atであり、前記Ta、Pd、およびNの合計含有率が95~100atであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクにおいて、前記吸収体層が、さらに水素Hを含有することが好ましい。前記吸収体層において、前記タンタルTaの含有率が10~79.9atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~89.9atであり、前記水素Hの含有率が0.1~10atであり、前記Ta、Pd、およびHの合計含有率が95~100atであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクにおいて、前記吸収体層は、さらに窒素Nおよび水素Hを含有することが好ましい。前記吸収体層において、前記タンタルTaの含有率が10~59.9atであり、前記パラジウムPdの含有率が20~69.9atであり、前記窒素Nの含有率が20~69.9atであり、前記水素Hの含有率が0.1~10atであり、前記Ta、Pd、N、およびHの合計含有率が95~100atであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクにおいて、前記吸収体層の結晶状態が、アモルファスであることが好ましい。また、本発明のEUVマスクブランクにおいて、前記吸収体層の表面の表面粗さrmsが0.5nm以下であることが好ましい。なお、表面粗さrmsは、0.45nm以下であることがより好ましく、0.4nm以下であることがさらに好ましい。また、本発明のEUVマスクブランクにおいて、前記吸収体層の膜厚が、20~50nmであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクは、前記吸収体層上に、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されており、前記低反射層が、タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、およびハフニウムHfからなる群から選ばれる少なくとも一種と、酸素Oおよび窒素Nからなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含有することが好ましい。前記低反射層において、前記タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、ハフニウムHfの合計含有率が10~55atであり、前記酸素O、窒素Nの合計含有率が45~90atであり、前記Ta、Pd、Si、OおよびNの合計含有率が95~100atであることが好ましい。また、吸収体層上に低反射層が形成されている場合、前記低反射層の表面の表面粗さrmsが0.5nm以下であることが好ましい。また、吸収体層上に低反射層が形成されている場合、前記低反射層の膜厚が5~30nmであることが好ましい。吸収体層上に低反射層が形成されている場合、前記吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する、前記低反射層表面の反射率が15以下であることが好ましい。また、本発明のEUVマスクブランクは、前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層表面での反射光と、のコントラストが、30以上であることが好ましい。反射層と吸収体層との間に保護層が形成されている場合、前記保護層が、Ru、Ru化合物およびSiO2からなる群から選ばれる少なくとも一種で形成されることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクは、前記吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaと、パラジウムPdと、を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクは、前記吸収体層が窒素Nを含有する場合、該吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、窒素N2と、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaと、パラジウムPdと、を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクは、前記吸収体層が水素Hを含有する場合、該吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、水素H2と、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaと、パラジウムPdと、を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクは、前記吸収体層が水素Hおよび窒素Nを含有する場合、該吸収体層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、水素H2および窒素N2と、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTaと、パラジウムPdと、を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクにおいて、前記吸収体層上に、タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、およびハフニウムHfからなる群から選ばれる少なくとも一種と、酸素Oおよび窒素Nからなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含有する前記低反射層が形成されている場合、前記低反射層が、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、酸素O2および窒素N2からなる群から選ばれる少なくとも一種、を含む不活性ガス雰囲気中で、タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、およびハフニウムHfからなる群から選ばれる少なくとも一種を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことによりされることが好ましい。本発明のEUVマスクブランクは、従来のTaを主成分とした吸収体層より、屈折率の値を小さくし、さらに所望の消衰係数を有することにより、従来の吸収体層より薄膜化することが可能であり、Siウエハなどの基板上レジストに転写されるマスク転写パターンの形状精度や寸法精度を向上することができる。以下、図面を参照して本発明のEUVマスクブランクを説明する。図1は、本発明のEUVマスクブランクの1実施形態を示す概略断面図である。図1に示すマスクブランク1は、基板11上にEUV光を反射する反射層12と、EUV光を吸収する吸収体層14と、がこの順に形成されている。反射層12と吸収体層14との間には、吸収体層14へのパターン形成時に反射層12を保護するための保護層13が形成されている。吸収体層14上には、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層15が形成されている。但し、本発明のEUVマスクブランク1において、図1に示す構成中、基板11、反射層12および吸収体層14のみが必須であり、保護層13および低反射層15は任意の構成要素である。以下、マスクブランク1の個々の構成要素について説明する。基板11は、EUVマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板11は、20°Cにおける熱膨張係数が、0±0.05×107/°Cである低膨張性材料であることが好ましく、特に熱膨張係数が0±0.03×107/°Cであることが好ましい。また、基板11は、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板11としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばSiO2-TiO2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。基板11は、表面粗さrmsが0.15nm以下、平坦度が100nm以下である平滑な表面を有していることが、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。基板11の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形6インチ152mm角で、厚さ0.25インチ6.3mmのSiO2-TiO2系ガラスを用いた。基板11の反射層12が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および/または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが2nm以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の面方向の大きさの半値幅が60nm以下であることが好ましい。反射層12は、EUVマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層12に特に要求される特性は、高EUV光線反射率であることである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を入射角6度で反射層12表面に照射した際に、波長13.5nm付近の光線反射率の最大値が60以上であることが好ましく、65以上であることがより好ましい。また、反射層12の上に保護層13を設けた場合であっても、波長13.5nm付近の光線反射率の最大値が60以上であることが好ましく、65以上であることがより好ましい。反射層12は、高EUV光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回、積層させた多層反射膜が反射層12として用いられる。反射層12をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Siが広く使用され、低屈折率層にはMoが広く使用される。以下、本明細書において、Si層とMo層とが交互に複数回、積層された反射層を単にSi/Mo多層反射膜とも称する。。すなわち、Si/Mo多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ru/Si多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Mo化合物/Si化合物多層反射膜、Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜も用いることができる。反射層12をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるEUV光線反射率に応じて適宜選択することができる。Si/Mo反射膜を例にとると、EUV光線反射率の最大値が60以上の反射層12とするには、多層反射膜は膜厚2.3±0.1nmのMo層と、膜厚4.5±0.1nmのSi層とを繰り返し単位数が30~60になるように積層させればよい。なお、反射層12をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてSi/Mo多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてSiターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/secで厚さ4.5nmとなるようにSi膜を成膜し、次に、ターゲットとしてMoターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.30nm/secで厚さ2.3nmとなるようにMo膜を成膜することが好ましい。これを1周期として、Si膜およびMo膜を40~50周期積層させることによりSi/Mo多層反射膜が成膜される。反射層12表面が酸化されるのを防止するため、反射層12をなす多層反射膜の最上層は酸化されにくい材料の層とすること、あるいはかかる材料の層を形成することが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層12のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Si層を例示することができる。反射層12をなす多層反射膜がSi/Mo膜である場合、最上層をSi層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、11±2nmであることが好ましい。保護層13は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収体層14にパターン形成する際に、反射層12がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層12を保護することを目的として設けられる。したがって保護層13の材質としては、吸収体層14のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層14よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばAlおよび/またはその窒化物、Ruおよび/またはRu化合物RuB、RuSi、RuNb等、ならびにSiO2、Si3N4、Al2O3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、RuおよびRu化合物およびSiO2が好ましい。なお、後述するように、本発明のEUVマスクブランクは、吸収体層がPdを含有するので、エッチング耐性の理由から、RuおよびRu化合物RuB、RuSi、RuNb等が特に好ましい。かかるRu化合物としては、RuB、RuSi、RuNb、およびRuZrからなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましい。すなわち、本発明の吸収体層14のように、Pdを含む吸収体層のエッチングには、フッ素系ガスCF4、CF3Hを用いたドライエッチングプロセスが好ましく使用されるが、Ruおよび/またはRu化合物を構成材料とする保護層13は、このようなフッ素系ガスを用いたドライエッチングプロセスに対して十分なエッチング耐性を有するため、エッチングダメージが少ないため好ましい。また、保護層13中には、TaおよびCrを含まないことが、膜応力が大きくなるのを防ぐという理由で好ましい。TaおよびCrを含む場合には、保護層13中のTa、Crの含有率は、それぞれ5at以下、特に3at以下が好ましく、さらにはTaおよびCrを含まないことが好ましい。保護層13の厚さは1~60nm、特に1~10nmであることが好ましい。保護層13は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりRu膜を成膜する場合、ターゲットとしてRuターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.0×102Pa~10×101Paを使用して投入電圧30V~1500V、成膜速度0.02~1.0nm/secで厚さ2~5nmとなるように成膜することが好ましい。吸収体層14に特に要求される特性は、反射層12で反射されるEUV光と、吸収体層14で反射されるEUV光とのコントラストが高いことである。吸収体層14のみでEUV光線を吸収するのではなく、位相シフトの原理を利用することで、反射層12とのコントラストを維持するEUVマスクの場合、上述したように、吸収体層の屈折率nと消衰係数kを所望の値にする必要があり、nは0.945未満が好ましく、0.930未満がより好ましく、0.920未満がさらに好ましい。kは0.020~0.080が好ましく、0.025~0.078がより好ましく、0.030~0.075がさらに好ましい。また、位相シフトの原理を利用するためには、吸収体層14表面からのEUV反射光の反射率、具体的には、EUV光の波長領域の光線を入射角6度で吸収体層14表面に照射した際に、波長13.5nm付近の光線反射率の最大値が3~15、好ましくは4~12であるとよい。本発明のEUVマスクブランク1の吸収体層14は、タンタルTaおよびパラジウムPdを特定の量含有することで上記の特性を達成する。なお、吸収体層14上に低反射層15を形成する場合、低反射層15表面からのEUV反射光の反射率が上記の範囲を満たすことが好ましい。吸収体層14中におけるタンタルTaの含有率が、10~80at、特に10~75at、さらには10~70atであることが、吸収体層の表面粗さ、膜応力、および該層の結晶状態を後述する所望の範囲に制御でき、EUV光の波長領域に対する光学特性を前述した所望の範囲に制御できるという理由で好ましい。また、パラジウムPdの含有率は、20~90at、特に25~90at、さらには30~90atであることが、吸収体層の薄膜化に適した光学定数n<0.945、k=0.030~0.080に制御できるという理由で好ましい。なお、吸収体層14中のTaおよびPdの合計含有率は95~100atであることが好ましく、97~100atであることがより好ましく、99~100atであることがさらに好ましい。また、吸収体層14中には、Crを含まないことが、膜応力が大きくなるのを防ぐという理由で好ましい。吸収体層14中のCrの含有率は、それぞれ5at以下、特に3at以下が好ましく、さらにはCrを含まないことが好ましい。吸収体層14は、さらに窒素Nを含有してもよく、Nを含有することにより、表面粗さを良好にする効果が得られる。吸収体層14がNを含有する場合、Nの含有率は、20~70at、特に25~70atであることが吸収体層の表面を平滑にするという理由で好ましい。吸収体層14がNを含有する場合、該吸収体層14中のTaの含有率は10~60at、Pdの含有率は20~70at、特にTaの含有率は10~55at、Pdの含有率は20~65atであることがさらに好ましい。吸収体層14がNを含有する場合、該吸収体層14中のTa、Pd、および、Nの合計含有率は95~100atであることが好ましく、97~100atであることがより好ましく、99~100atであることがさらに好ましい。吸収体層14は、さらに水素Hを含有してもよく、Hを含有することにより、結晶状態をアモルファスとする効果が得られる。吸収体層14がHを含有する場合、Hの含有率は、0.1~10at、特に0.1~5atであることが吸収体層の結晶構造をアモルファスにできる、吸収体層の表面粗さを平滑にできるという理由で好ましい。吸収体層14がHを含有する場合、該吸収体層14中のTaの含有率は10~79.9at、Pdの含有率は20~89.9at、特にTaの含有率は10~74.9at、Pdの含有率は25~89.9atであることがさらに好ましい。吸収体層14がHを含有する場合、該吸収体層14中のTa、Pd、およびHの合計含有率は95~100atであることが好ましく、97~100atであることがより好ましく、99~100atであることがさらに好ましい。吸収体層14が、NおよびHを含有する場合、Nの含有率が20~69.9atであり、Hの含有率が0.1~10atであることが吸収体層の表面を平滑にするという理由で好ましく、Nの含有率が20~64.9atであり、Hの含有率が0.1~5atであることが特に好ましい。吸収体層14がNおよびHを含有する場合、該吸収体層14中のTaの含有率は10~59.9at、Pdの含有率は20~69.9at、特にTaの含有率は10~54.9at、Pdの含有率は25~69.9atであることがさらに好ましい。吸収体層14がNおよびHを含有する場合、該吸収体層14中のTa、Pd、N、およびHの合計含有率は95~100atであることが好ましく、97~100atであることがより好ましく、99~100atであることがさらに好ましい。また、吸収体層14中の酸素の含有量は、5at以下、特に3at以下であることが、吸収体層が絶縁性になるのを防ぐという理由で好ましい。さらに、保護層13中の酸素の含有量も、5at以下、特に3at以下であることが好ましい。吸収体層14は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであることが好ましい。本明細書において、結晶状態がアモルファスであるとは、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造を持つものも含む。吸収体層14が、アモルファス構造の膜、またはアモルファス構造の中に部分的に微結晶を含む微結晶構造の膜であれば、吸収体層14の表面が平滑性に優れている。以降、微結晶構造とは、アモルファス構造の中に部分的に微結晶を含む構造として説明する。なお、本発明に係る吸収体層は、タンタルTaとパラジウムPdといった金属だけを含有する膜であっても、膜の結晶状態をアモルファスとすることが可能となるため好ましい。つまり、BやSiといった膜質をアモルファスとしやすい材料を含有しなくても、吸収体層の結晶状態をアモルファスとすることが可能となる。本発明のEUVマスクブランク1では、吸収体層14がアモルファス構造の膜または微結晶構造の膜とし、吸収体層14の表面の表面粗さrmsが0.5nm以下とするのが好ましい。ここで、吸収体層14の表面の表面粗さは原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscopeを用いて測定することができる。吸収体層14の表面の表面粗さが大きいと、吸収体層14に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体層14の表面は平滑であることが要求される。吸収体層14の表面の表面粗さrmsが0.5nm以下であれば、吸収体層14の表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収体層14の表面の表面粗さrmsは0.4nm以下であることがより好ましく、0.3nm以下であることがさらに好ましい。なお、吸収体層14の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、X線回折XRD法によって確認することができる。吸収体層14の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、XRD測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。吸収体層14の膜応力は、±200MPa以内、特に、±180MPa以内であることが、Siウエハなどの基板上に形成されたレジストに転写されるマスク転写パターンの形状精度や寸法精度が悪化しないので好ましい。吸収体層14の厚さは、20~50nm、特に20~45nm、さらには20~40nmであることがSiウエハなどの基板上レジストに転写されるマスク転写パターンの形状精度や寸法精度を向上することが期待されるという理由で好ましい。上記した構成の吸収体層14は、Taおよび/またはPdを含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成することができる。ここで、Taおよび/またはPdを含有するターゲットの使用とは、2種類の金属ターゲット、すなわち、TaターゲットとPdターゲットとを別々に使用すること、Ta以外の成分を含有するTaターゲットとPd以外の成分を含有するターゲットとを別々に使用すること、および、TaとPdとを含む化合物ターゲット、例えば、Ta―Pdの合金ターゲットを使用することのいずれも含む。なお、2種類の金属ターゲットを別々に使用することは、吸収体層14の構成成分を調整するのに好都合である。なお、2種類の金属ターゲットを使用する場合は、ターゲットへの投入電力を調整することによって、吸収体層14の構成成分を調整することができる。一方、化合物ターゲットを使用する場合は、形成される吸収体層14が所望の組成となるように、ターゲット組成をあらかじめ調整することが好ましい。上記のターゲットを用いたスパッタリング法は、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKr、およびキセノンXeからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む不活性ガス雰囲気中で実施する。但し、Nを含有する吸収体層を形成する場合、He、Ar、Ne、Kr、およびXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、窒素N2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。また、Hを含有する吸収体層を形成する場合、He、Ar、Ne、Kr、およびXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、水素H2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。また、HおよびNを含有する吸収体層を形成する場合、He、Ar、Ne、Kr、およびXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、水素H2および窒素N2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。不活性ガス雰囲気がArガス雰囲気の場合を例に、吸収体層の形成条件を以下に示す。<吸収体層の形成条件>スパッタガス:Arガス圧:1.0×101Pa~50×101Pa、好ましくは1.0×101Pa~40×101Pa、より好ましくは1.0×101Pa~30×101Pa。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W。成膜速度:0.5~60nm/min、好ましくは1.0~45nm/min、より好ましくは1.5~30nm/min。なお、上記ではスパッタガスがArの場合について記載したが、スパッタガスとしてAr以外の不活性ガスあるいは複数の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの合計濃度は、上記したArガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、吸収体層が、Nを含有する場合は不活性ガスとN2の混合ガスを、Hを含有する場合は不活性ガスとH2の混合ガスを、NおよびHを含有する場合は不活性ガスとN2およびH2の混合ガスを、それぞれ、スパッタガスとして使用する。それぞれの場合において、スパッタガス中のN2濃度、H2濃度、N2およびH2の合計濃度は、3~80vol、好ましくは5~60vol、より好ましくは10~40volとなるようにする。低反射層15はマスクパターンの検査に使用する検査光において、低反射となるような膜で構成される。EUVマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常257nm程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この257nm程度の光の反射率の差、具体的には、吸収体層14がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収体層14の表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層12の表面または保護層13の表面であり、通常は保護層13の表面である。したがって、検査光の波長に対する反射層12の表面または保護層13の表面と、吸収体層14の表面と、の反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。上記した構成の吸収体層14は、EUV光線反射率が極めて低く、EUVマスクブランク1の吸収体層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収体層14の表面の反射率と、反射層12の表面または保護層13の表面の反射率と、の差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。本発明のEUVマスクブランク1では、吸収体層14上に検査光における低反射層15を形成することにより、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなり、検査時のコントラストが良好となる。具体的には、検査光の波長領域の光線を低反射層15の表面に照射した際に、該検査光の波長の最大光線反射率が15以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましく、5以下であることがさらに好ましい。低反射層15における検査光の波長の光線反射率が15以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、反射層12の表面または保護層13の表面における検査光の波長の反射光と、低反射層15の表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、30以上となる。本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。コントラスト=R2-R1/R2R1×100ここで、R2は、検査光の波長における反射層12の表面または保護層13の表面での反射率であり、R1は、検査光の波長における低反射層15の表面での反射率である。なお、上記R1およびR2は、図2に示すように、図1に示すEUVマスクブランク1の吸収体層14にパターンを形成した状態で測定する。吸収体層14の表面に低反射層15を形成されている場合には、吸収体層14および低反射層15にパターンを形成した状態で測定する。上記R2は、図2中、パターン形成によって吸収体層14および低反射層15が除去され、外部に露出した反射層12の表面または保護層13の表面で測定した値であり、R1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層15の表面で測定した値である。本発明のEUVマスクブランクが低反射層を有する場合、上記式で表されるコントラストが、45以上であることがより好ましく、60以上であることがさらに好ましく、80以上であることが特に好ましい。低反射層15は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収体層14よりも低い材料で構成され、その結晶状態はアモルファスであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1の低反射層15は、タンタルTa、パラジウムPd、珪素Si、およびハフニウムHfからなる群から選ばれる少なくとも一種と、酸素Oおよび窒素Nからなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含有することで上記の特性を達成することが可能である。このような低反射層15の好適な例としては、TaPdO層、TaPdON層、TaO層、TaON層、SiO層、SiON層、SiN層、HfO層、HfON層、TaHfO層およびTaHfON層からなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましく挙げられる。低反射層15中のTa、Pd、Si、およびHfの合計含有量は、パターン検査光の波長領域に対する光学特性を制御できるという理由から、10~55at、特に10~50atであることが好ましい。また、低反射層中におけるOおよびNの合計含有率は、パターン検査光の波長領域に対する光学特性を制御できるという理由から、45~90at、特に50~90atであることが好ましい。なお、該低反射層15中のTa、Pd、Si、Hf、OおよびNの合計含有率は95~100atであることが好ましく、97~100atであることがより好ましく、99~100atであることがさらに好ましい。低反射層15中には、Crを含まないことが、低反射層の膜応力が大きくなるのを防ぐという理由で好ましい。Crの含有率は、5at以下、特に3at以下であることが好ましく、さらにはCrを含まないことが好ましい。低反射層15は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであり、その表面は平滑性に優れている。具体的には、低反射層15の表面の表面粗さrmsは0.5nm以下である。上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化を防止するため、吸収体層14の表面は平滑であることが要求される。低反射層15は、吸収体層14上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが要求される。低反射層15の表面の表面粗さrmsが0.5nm以下であれば、低反射層15の表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層15の表面の表面粗さrmsは0.4nm以下であることがより好ましく、0.3nm以下であることがさらに好ましい。なお、表面粗さの低減という点では、低反射層15にNを含有させることが好ましい。なお、低反射層15の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、X線回折XRD法によって確認することができる。低反射層15の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、XRD測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。吸収体層14上に低反射層15を形成する場合、吸収体層14と低反射層15との合計膜厚は25~80nmであることが好ましく、25~60nmがより好ましい。また、低反射層15の膜厚が吸収体層14の膜厚よりも大きいと、吸収体層14でのEUV光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層15の膜厚は吸収体層の膜厚よりも小さいことが好ましい。このため、低反射層15の厚さは5~30nmであることが好ましく、10~20nmであることがより好ましい。上記した構成の低反射層15は、Ta、Pd、Si、およびHfからなる群から選ばれる少なくとも一種を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成することができる。ここで、ターゲットとしては、上述した金属を2種以上含有する1種類のターゲットを使用することもできるし、あるいは上述した2種類以上の金属ターゲットを別々に使用することもできるし、あるいは上述した金属を2種以上の化合物ターゲットを使用することができる。なお、2種類以上の金属ターゲットの使用は、低反射層15の構成成分を調整するのに好都合である。なお、2種類以上の金属ターゲットを使用する場合、ターゲットへの投入電力を調整することによって、低反射層15の構成成分を調整することができる。一方、化合物ターゲットを使用する場合、形成される低反射層15が所望の組成となるように、ターゲット組成をあらかじめ調整することが好ましい。上記のターゲットを用いたスパッタリング法は、吸収体層の形成を目的とするスパッタリング法と同様、不活性ガス雰囲気中で実施する。但し、低反射層15がOを含有する場合、He、Ar、Ne、Kr、およびXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、O2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。低反射層15がNを含有する場合、He、Ar、Ne、Kr、およびXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、N2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。低反射層15がOおよびNを含有する場合、He、Ar、Ne、Kr、およびXeからなる群から選ばれる少なくとも一種と、O2およびN2と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。具体的なスパッタリング法の実施条件は、使用するターゲットやスパッタリング法を実施する不活性ガス雰囲気の組成によっても異なるが、いずれの場合においても以下の条件でスパッタリング法を実施すればよい。不活性ガス雰囲気がArとO2の混合ガス雰囲気の場合を例に、低反射層の形成条件を以下に示す。<低反射層の形成条件>雰囲気圧力:1.0×101Pa~50×101Pa、好ましくは1.0×101Pa~40×101Pa、より好ましくは1.0×101Pa~30×101Pa。スパッタガス:ArとO2の混合ガスO2ガスの濃度は3~80vol、好ましくは5~60vol、より好ましくは10~40vol。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W。成膜速度:0.01~60nm/min、好ましくは0.05~45nm/min、より好ましくは0.1~30nm/min。なお、Ar以外の不活性ガスあるいは複数の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの合計濃度は、上記したArガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、不活性ガス雰囲気がN2を含有する場合はN2濃度を、不活性ガス雰囲気がN2およびO2を含有する場合はその合計濃度を、それぞれ上記した酸素濃度と同じ濃度範囲とする。なお、本発明のEUVマスクブランク1において、吸収体層14上に低反射層15を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とEUV光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてEUV光13.5nm付近を使用する場合、吸収体層14上に低反射層15を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には193nm、さらには13.5nmにシフトすることも考えられる。検査光の波長が13.5nmである場合、吸収体層14上に低反射層15を形成する必要はないと考えられる。本発明のEUVマスクブランク1は、反射層12、保護層13、吸収体層14および低反射層15以外に、EUVマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、日本特表2003-501823号公報に記載の、基板の静電チャッキングを促すために基板の裏面側に施される、高誘電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図1の基板11において、反射層12が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が100Ω/□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、日本特表2003-501823号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、TiN、モリブデン、クロム、およびTaSiからなるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば10~1000nmとすることができる。高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、CVD法、真空蒸着法、電解メッキ法等を用いて形成することができる。以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。実施例1本実施例では、図1に示すEUVマスクブランク1を作製した。成膜用の基板11として、SiO2-TiO2系のガラス基板外形6インチ152mm角、厚さが6.3mmを使用した。このガラス基板の20°Cにおける熱膨張率は、0.2×107/°C、ヤング率は67GPa、ポアソン比は0.17、比剛性は3.07×107m2/s2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さrmsが0.15nm以下の平滑な表面と100nm以下の平坦度に形成した。基板11の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ100nmのCr膜を成膜することによって、シート抵抗100Ω/□の高誘電性コーティングを施した。平板形状をした通常の静電チャックに、形成したCr膜を用いて基板11外形6インチ152mm角、厚さ6.3mmを固定して、該基板11の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてSi膜およびMo膜を交互に成膜することを40周期繰り返すことにより、合計膜厚272nm4.5nm2.3nm×40のSi/Mo多層反射膜反射層12を形成した。さらに、Si/Mo多層反射膜反射層12上に、イオンビームスパッタリング法を用いてRu膜膜厚2.5nmと成膜することにより、保護層13を形成した。Si膜、Mo膜およびRu膜の成膜条件は以下の通りである。ターゲット:Siターゲットホウ素ドープスパッタガス:Arガスガス圧0.02Pa電圧:700V成膜速度:0.077nm/sec膜厚:4.5nmターゲット:Moターゲットスパッタガス:Arガスガス圧0.02Pa電圧:700V成膜速度:0.064nm/sec膜厚:2.3nmターゲット:Ruターゲットスパッタガス:Arガスガス圧0.02Pa電圧:500V成膜速度:0.023nm/sec膜厚:2.5nm次に、保護層13上に、吸収体層14としてTaおよびPdを含み、TaよりもPdの含有率が高いTaPd膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。吸収体層14TaPd膜は以下の方法で成膜した。膜組成は、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectrometerPERKINELEMER-PHI社製、二次イオン質量分析装置SecondaryIonMassSpectrometerPHI-ATOMIKA製、ラザフォード後方散乱分光装置RutherfordBackScatteringSpectroscopy神戸製鋼社製を用いて測定する。吸収体層14の組成は、Ta:Pd=32:68である。吸収体層14の組成において、OおよびCrは検出されない。ターゲット:TaターゲットおよびPdターゲットスパッタガス:Arガスガス圧:0.3Pa投入電力:Taターゲットに対しては150W、Pdターゲットに対しては75W。成膜速度:18.9nm/min膜厚:50nm上記の手順で得られたEUVマスクブランクの吸収体層14TaPd膜に対して、下記の評価1~4を実施した。1結晶状態吸収体層14TaPd膜の結晶状態を、X線回折装置X-RayDiffractmeterRIGAKU社製で確認した。得られる回折ピークにはシャープなピークが見られないことから、吸収体層14の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。2表面粗さ吸収体層14TaPd膜の表面粗さは、原子間力顕微鏡SII製、SPI-3800を用いて、dynamicforcemodeで測定した。表面粗さの測定領域は1μm×1μmであり、カンチレバーには、SI-DF40SII製を用いる。吸収体層14の表面粗さrmsは0.28nmであった。3膜応力吸収体層14TaPd膜の膜応力は、前記の成膜条件と同条件で、4inchウエハ上に成膜して、成膜前後の基板のそり量変化を測定することにより評価した。基板のそり量は、応力測定装置KLA-Tencor社製FLX-2320を用いて測定した。吸収体層14の膜応力は188Mpaであり、EUVマスクブランクとして要求される膜応力範囲±200MPa以内であった。4EUV波長領域の光学定数吸収体層14TaPd膜のEUV波長領域の光学定数は、前記の成膜条件と同条件で、4inchウエハ上に成膜して、13.5nm領域の反射率の角度依存性を測定することにより評価した。EUV反射率とEUV光の入射角度、および光学定数は、以下の式で表される。R=|sinθ-nik2-cos2θ12/sinθnik2-cos2θ12|ここで、θはEUV光の入射角度、Rは入射角度θにおけるEUV反射率、nは吸収体層14の屈折率、kは吸収体層14の消衰係数である。各EUV入射角度における反射率測定値を、前式を用いてフィッティングすることにより、光学定数nおよびkを見積もることができる。測定した結果、吸収体層14の光学定数は、n=0.8858、k=0.0586であり、吸収体層の薄膜化に望ましい範囲であることが確認された。次に、吸収体層14上に、Ta、Pd、OおよびNを含有する低反射層15TaPdON膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板11上に反射層12、保護層13、吸収体層14、低反射層15がこの順で形成されたEUVマスクブランク1を得た。低反射層15TaPdON膜の成膜条件は以下の通りである。ターゲット:TaターゲットおよびPdターゲットスパッタガス:ArとO2とN2混合ガスAr:50vol、O2:36vol、N2:14vol、ガス圧:0.3Pa投入電力:Taターゲットに対しては50W、Pdターゲットに対しては100W。成膜速度:10.0nm/min膜厚:10nm上記の手順で得られたEUVマスクブランクの低反射層15TaPdON膜に対し下記の評価1~4を実施した。1膜組成低反射層15TaPdON膜の組成を、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectrometerPERKINELEMER-PHI社製、ラザフォード後方散乱分光装置RutherfordBackScatteringSpectroscopy神戸製鋼社製を用いて測定する。低反射層の組成比atは、Ta:Pd:O:N=21:14:55:10である。2結晶状態低反射層15TaPdON膜の結晶状態を、X線回折装置X-RayDiffractmeterRIGAKU社製で確認した。得られる回折ピークにはシャープなピークが見られないことから、低反射層15TaPdON膜の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。3表面粗さ低反射層15TaPdON膜の表面粗さは、原子間力顕微鏡SII製、SPI-3800を用いて、dynamicforcemodeで測定する。表面粗さの測定領域は1μm×1μmであり、カンチレバーには、SI-DF40SII製を用いる。低反射層の表面粗さrmsは0.30nmである。4反射特性評価コントラスト評価本実施例では、保護層13Ru膜まで形成した段階で、該保護層13表面におけるマスクパターンの検査光波長257nmの反射率を分光光度計HITACHUV-4100を用いて測定する。また、低反射層15TaPdON膜を形成した後、該低反射層表面におけるマスクパターンの検査光の反射率を測定する。その結果、保護層13層表面での波長257nmに対する反射率は、56.0である。一方、低反射層15TaPdON膜表面での波長257nmに対する反射率は、14.0であり、15以下である。これらの結果と上記した式を用いてコントラストを求めると、波長257nmにおけるコントラストは60となる。マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層13表面と低反射層15表面のコントラストは70以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたEUVマスクブランク1について、低反射層15表面にEUV光波長13.5nmを照射してEUV光の反射率を測定する。その結果、EUV光の反射率は4.0であり、位相シフト効果を得るのに十分なEUV反射率を有している。実施例2実施例2は、吸収体層14をPdよりもTaの含有率が高いTaPd膜とする以外は実施例1と同様である。吸収体層14TaPd膜の成膜条件は以下の通りである。膜組成は実施例1と同様の方法で測定する。吸収体層14の組成は、Ta:Pd=69:31である。吸収体層14の組成において、OおよびCrは検出されない。ターゲット:TaターゲットおよびPdターゲットスパッタガス:Arガスガス圧:0.3Pa投入電力:Taターゲットに対しては150W、Pdターゲットに対しては50W。成膜速度:26.3nm/min膜厚:50nm上記の手順で得られたEUVマスクブランクの吸収体層14TaPd膜に対して、実施例1と同様の方法で結晶状態を調べたところ、吸収体層14の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。また、吸収体層14の表面粗さを、実施例1と同様に調べる。吸収体層14の表面粗さrmsは0.30nmである。また、吸収体層14TaPd膜の膜応力を、実施例1と同様の方法で調べたところ、膜応力は-46.8MPaであり、EUVマスクブランクとして要求される膜応力範囲±200MPa以内であった。また、吸収体層14TaPd膜のEUV波長領域の光学定数を実施例1と同様の方法で調べたところ、n=0.9084、k=0.0543であり、吸収体層の薄膜化に望ましい範囲であることが確認された。次に、吸収体層14上に、低反射層15TaPdONを、実施例1と同様の手順で形成し、基板11上に反射層12、保護層13、吸収体層14、低反射層15がこの順で形成されたEUVブランク1を得る。低反射層15TaPdONの膜組成、結晶構造および表面粗さは実施例1と同様である。低反射層15TaPdONの反射特性は、実施例1と同様の方法で調べる。マスクパターンの検査光波長257nmの反射率は13.5であり、15以下である。波長257nmにおける保護層13層表面の反射率が56.0であることから、波長257nmにおけるコントラストは62である。マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層13表面と低反射層15表面のコントラストは60以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたEUVマスクブランク1について、低反射層15TaPdON膜表面にEUV光波長13.5nmを照射してEUV光の反射率を測定する。その結果、EUV光の反射率は4.7であり、位相シフト効果を得るのに十分なEUV反射率を有している。実施例3実施例3は、吸収体層14を、Ta、PdおよびNを含む膜TaPdN膜とする以外は実施例1と同様である。吸収体層14TaPdNの成膜条件は以下の通りである。膜組成は実施例1と同様の方法で測定する。吸収体層14の組成は、Ta:Pd:N=41:25:34である。吸収体層14の組成において、OおよびCrは検出されない。ターゲット:TaターゲットおよびPdターゲットスパッタガス:ArとN2混合ガスAr:86vol、N2:14vol、ガス圧:0.3Pa投入電力:Taターゲットに対しては150W、Pdターゲットに対しては75W。成膜速度:19.1nm/min膜厚:50nm上記の手順で得られたEUVマスクブランクの吸収体層14TaPdN膜に対して、実施例1と同様の方法で結晶状態を調べたところ、吸収体層14の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。また、吸収体層14の表面粗さを、実施例1と同様に調べる。吸収体層14の表面粗さrmsは0.30nmである。また、吸収体層14TaPdN膜の膜応力を、実施例1と同様の方法で調べたところ、膜応力は-55.8MPaであり、EUVマスクブランクとして要求される膜応力範囲±200MPa以内であった。また、吸収体層14TaPdN膜のEUV波長領域の光学定数を実施例1と同様の方法で調べたところ、n=0.8774、k=0.0453であり、吸収体層の薄膜化に望ましい範囲であることが確認された。次に、吸収体層14上に、低反射層15TaPdONを、実施例1と同様の手順で形成し、基板11上に反射層12、保護層13、吸収体層14、低反射層15がこの順で形成されたEUVブランク1を得る。低反射層15TaPdONの膜組成、結晶構造および表面粗さは実施例1と同様である。低反射層15TaPdONの反射特性は、実施例1と同様の方法で調べる。マスクパターンの検査光波長257nmの反射率は13.8であり、15以下である。波長257nmにおける保護層13層表面の反射率が56.0であることから、波長257nmにおけるコントラストは60.4である。マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層13表面と低反射層15表面のコントラストは60以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたEUVマスクブランク1について、低反射層15TaPdON膜表面にEUV光波長13.5nmを照射してEUV光の反射率を測定する。その結果、EUV光の反射率は5.6であり、位相シフト効果を得るのに十分なEUV反射率を有している。実施例4実施例4は、低反射層15をTaON膜とする以外は実施例3と同様である。吸収体層14TaPdN上に、Ta、OおよびNを含有する低反射層15TaON膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板11上に反射層12、保護層13、吸収体層14、低反射層15がこの順で形成されたEUVマスクブランク1を得る。低反射層15の成膜条件は以下の通りである。ターゲット:Taターゲットスパッタガス:ArとN2とO2の混合ガスAr:36vol、N2:14vol、O2:50vol、ガス圧:0.3Pa投入電力:450W成膜速度:0.28nm/min膜厚:10nm低反射層の組成比atは、実施例1と同様の方法で測定した結果、Ta:N:O=22.1:4.4:73.5である。低反射層15TaON膜の結晶状態は、実施例1と同様の方法で調べる。低反射層15の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造である。また、低反射層15TaON膜の表面粗さは、実施例1と同様に調べる。低反射層15の表面粗さrmsは0.28nmである。低反射層15TaONの反射特性は、実施例1と同様の方法で調べる。マスクパターンの検査光波長257nmの反射率は3.3であり、15以下である。波長257nmにおける保護層13層表面の反射率が56.0であることから、波長257nmにおけるコントラストは89.0である。マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層13表面と低反射層15表面のコントラストは70以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたEUVマスクブランク1について、低反射層15TaON膜表面にEUV光波長13.5nmを照射してEUV光の反射率を測定する。その結果、EUV光の反射率は4.8であり、位相シフト効果を得るのに十分なEUV反射率を有している。実施例5実施例5は、低反射層15をSiN膜とする以外は実施例3と同様である。吸収体層14TaPdN上に、SiおよびNを含有する低反射層15SiN膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板11上に反射層12、保護層13、吸収体層14、低反射層15がこの順で形成されたEUVマスクブランク1を得る。低反射層15の成膜条件は以下の通りである。ターゲット:Siターゲットスパッタガス:ArとN2混合ガスAr:20vol、N2:80vol、ガス圧:0.3Pa投入電力:150W成膜速度:2nm/min膜厚:12nm低反射層15の組成比atは、実施例1と同様の方法で測定した結果、Si:N=34:66である。低反射層15SiN膜の結晶状態は、実施例1と同様の方法で調べる。低反射層15の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造である。また、低反射層15SiN膜の表面粗さは、実施例1と同様に調べる。低反射層15の表面粗さrmsは0.30nmである。低反射層15SiN膜の反射特性は、実施例1と同様の方法で調べる。マスクパターンの検査光波長257nmの反射率は8.4であり、15以下である。波長257nmにおける保護層13層表面の反射率が56.0であることから、波長257nmにおけるコントラストは73.9である。マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層13表面と低反射層15表面のコントラストは70以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたEUVマスクブランク1について、低反射層15SiN膜表面にEUV光波長13.5nmを照射してEUV光の反射率を測定する。その結果、EUV光の反射率は5.1であり、位相シフト効果を得るのに十分なEUV反射率を有している。実施例6実施例6は、低反射層15をHfON膜とする以外は実施例3と同様である。吸収体層14TaPdN上に、Hf、NおよびOを含有する低反射層15HfON膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、基板11上に反射層12、保護層13、吸収体層14、低反射層15がこの順で形成されたEUVマスクブランク1を得る。低反射層15の成膜条件は以下の通りである。ターゲット:Hfターゲットスパッタガス:ArとN2とO2の混合ガスAr:45vol、N2:23vol、O2:32vol、ガス圧:0.3Pa投入電力:150W成膜速度:7.8nm/min膜厚:13nm低反射層の組成比atは、実施例1と同様の方法で測定した結果、Hf:N:O=50:15:35である。低反射層15HfON膜の結晶状態は、実施例1と同様の方法で調べる。低反射層15の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造である。また、低反射層15HfON膜の表面粗さは、実施例1と同様に調べる。低反射層15の表面粗さrmsは0.29nmである。低反射層15HfON膜の反射特性は、実施例1と同様の方法で調べる。マスクパターンの検査光波長257nmの反射率は10.9であり、15以下である。波長257nmにおける保護層13層表面の反射率が56.0であることから、波長257nmにおけるコントラストは67.4である。マスクパターンの検査光の波長に対して、保護層13表面と低反射層15表面のコントラストは60以上であり、十分なコントラストが得られる。得られたEUVマスクブランク1について、低反射層15SiN膜表面にEUV光波長13.5nmを照射してEUV光の反射率を測定する。その結果、EUV光の反射率は5.0であり、位相シフト効果を得るのに十分なEUV反射率を有している。比較例1比較例1は、吸収体層14をTaN膜とする以外は実施例1と同様である。吸収体層14TaN膜の成膜条件は以下の通りである。膜組成は実施例1と同様の方法で測定する。吸収体層14の組成は、Ta:N=55:45である。ターゲット:Taターゲットスパッタガス:ArとN2の混合ガスAr:86vol、N2:14vol、ガス圧:0.37Pa投入電力:300W成膜速度:1.1nm/min膜厚:60nm上記の手順で得られたEUVマスクブランクの吸収体層14TaN膜に対して、実施例1と同様の方法で結晶状態を調べたところ、得られる回折ピークにシャープなピークが見られることから、吸収体層が結晶質であることが確認された。また、吸収体層14の表面粗さを、実施例1と同様に調べたところ、吸収体層14の表面粗さrmsは0.35nmであった。また、吸収体層14TaN膜の膜応力を、実施例1と同様の方法で調べたところ、膜応力は-3456MPaであり、EUVマスクブランクとして要求される膜応力範囲±200MPa以内と比較して大きく、Siウエハなどの基板上レジストに転写されるマスク転写パターンの形状精度や寸法精度が悪化することが懸念される。また、吸収体層14TaN膜のEUV波長領域の光学定数を実施例1と同様の方法で調べたところ、n=0.947、k=0.0351であり、現在、一般的に用いられているTaを主成分とした吸収体層の光学定数n=0.945、k=0.351と比較して、nの値が大きいため、吸収体層14の薄膜化の効果は得られない。上記のように、吸収体層14において、TaNの場合、膜応力が大きいという点および、薄膜化の効果が得られないという点で望ましくない。比較例2比較例2は、吸収体層14をTa含有率が80at超であるTaPd膜とする以外は実施例1と同様である。吸収体層14TaPd膜の成膜条件は以下の通りである。膜組成は実施例1と同様の方法で測定する。吸収体層14の組成は、Ta:Pd=85:15である。ターゲット:TaターゲットおよびPdターゲットスパッタガス:Arガスガス圧:0.3Pa投入電力:Taターゲットに対しては150W、Pdターゲットに対しては30W。成膜速度:16.1nm/min膜厚:50nm上記の手順で得られたEUVマスクブランクの吸収体層14TaPd膜に対して、実施例1と同様の方法で結晶状態を調べたところ、吸収体層14の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。また、吸収体層14の表面粗さを、実施例1と同様に調べたところ、吸収体層14の表面粗さrmsは0.28nmであった。また、吸収体層14TaPd膜の膜応力を、実施例1と同様の方法で調べたところ、膜応力は-867.8MPaであり、EUVマスクブランクとして要求される膜応力範囲±200MPa以内と比較して大きく、Siウエハなどの基板上レジストに転写されるマスク転写パターンの形状精度や寸法精度が悪化することが懸念される。また、吸収体層14TaPd膜のEUV波長領域の光学定数を実施例1と同様の方法で調べたところ、n=0.9462、k=0.0373であり、現在、一般的に用いられているTaを主成分とした吸収体層の光学定数n=0.945、k=0.351と比較して、nおよびkの値が大きいため、吸収体層14の薄膜化の効果は得られない。上記のように、吸収体層14において、Ta含有率が80at超の場合、膜応力が大きいという点および、薄膜化の効果が得られないという点で望ましくない。比較例3比較例3は、吸収体層14を,Pd含有率が90at超であるTaPd膜とする以外は実施例1と同様である。吸収体層14TaPd膜の成膜条件は以下の通りである。膜組成は実施例1と同様の方法で測定する。吸収体層14の組成は、Ta:Pd=5:95である。ターゲット:TaターゲットおよびPdターゲットスパッタガス:Arガスガス圧:0.3Pa投入電力:Taターゲットに対しては30W、Pdターゲットに対しては200W。成膜速度:20.1nm/min膜厚:50nm上記の手順で得られたEUVマスクブランクの吸収体層14TaPd膜に対して、実施例1と同様の方法で結晶状態を調べたところ、吸収体層14の結晶状態が結晶構造であることを確認した。また、吸収体層14の表面粗さを、実施例1と同様に調べたところ、吸収体層14の表面粗さrmsは0.52nmであった。また、吸収体層14TaPd膜の膜応力を、実施例1と同様の方法で調べたところ、膜応力は-667.8MPaであり、EUVマスクブランクとして要求される膜応力範囲±200MPa以内と比較して大きく、Siウエハなどの基板上レジストに転写されるマスク転写パターンの形状精度や寸法精度が悪化することが懸念される。また、吸収体層14TaPd膜のEUV波長領域の光学定数を実施例1と同様の方法で調べたところ、n=0.8812、k=0.0401であり、吸収体層14の薄膜化の効果は期待できる。上記のように、吸収体層14において、Pd含有率が90at超の場合、結晶性のため表面粗さが悪化するという点および膜応力が大きいという点で望ましくない。"