"第1の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第1の方向と直交する第2の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドにおいて、前記第1及び第2の方向に沿って切断された矩形状の切断部と、前記切断部に嵌め込まれた微小グリッドと、を備えたことを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に隙間が生じており、該隙間に放射線吸収材が充填されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収材は、Sn-Pb、Sn-Pb-Bi、Sn-Pn-Bi-Cdのうちのいずれか1つの低融点金属、またはAgペーストであることを特徴とする請求項2に記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収材は、Au、Ag、Ptのうちのいずれか1つまたは複数のX線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であることを特徴とする請求項2に記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収部及び放射線透過部と前記微小グリッドとを支持する支持基板を備えることを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッド。第1の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第1の方向と直交する第2の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドから欠陥部を検出する第1工程と、前記欠陥部を内包するように前記第1及び第2の方向に沿った矩形状の切断領域を設定する第2工程と、前記切断領域を切断して切断部を形成する第3工程と、前記切断部より小さい微小グリッドを用意し、該微小グリッドを切断部の隣接する2辺に当接させて位置決めを行なう第4工程と、前記微小グリッドを固定する第5工程と、を有することを特徴とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第5工程は、前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に生じた隙間に、放射線吸収材を充填することによりなされることを特徴とする請求項6に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記放射線吸収材は、Sn-Pb、Sn-Pb-Bi、Sn-Pn-Bi-Cdのうちのいずれか1つの低融点金属、またはAgペーストであることを特徴とする請求項7に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記放射線吸収材は、Au、Ag、Ptのうちのいずれか1つまたは複数のX線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であることを特徴とする請求項7に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。放射線源から放射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1のグリッドと、前記第1の周期パターン像を部分的に遮蔽して第2の周期パターン像を生成する第2のグリッドとを有する放射線画像撮影システムであって、前記第1及び第2のグリッドの少なくとも一方に、請求項1から5いずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする放射線画像撮影システム。放射線画像撮影用グリッドに欠陥部が生じた場合に、これを破棄することは、生産性を低下させ、高コスト化の原因となるため、可能な限り欠陥部を修復して使用することが望まれている。しかしながら、特許文献3に記載された欠陥修復方法は、グリッドが予め複数の小単位に区分されていることを前提としており、この小単位毎に欠陥修復を行なうものであるため、この欠陥修復方法を放射線画像撮影用グリッドの欠陥修復に適用したとしても、欠陥部の形状、大きさや位置に適切に対応した欠陥修復を行なうことができないといった問題がある。本発明の目的は、欠陥部を効率よく修復することを可能とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法、及び放射線画像撮影用グリッド、並びに、放射線画像撮影システムを提供することにある。本発明の放射線画像撮影用グリッドは、第1の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第1の方向と直交する第2の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドにおいて、前記第1及び第2の方向に沿って切断された矩形状の切断部と、前記切断部に嵌め込まれた微小グリッドと、を備えたことを特徴とする。なお、前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に隙間が生じており、該隙間に放射線吸収材が充填されていることが好ましい。前記放射線吸収材は、Sn-Pb、Sn-Pb-Bi、Sn-Pn-Bi-Cdのうちのいずれか1つの低融点金属、またはAgペーストであることが好ましい。また、前記放射線吸収材は、Au、Ag、Ptのうちのいずれか1つまたは複数のX線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であってもよい。また、前記放射線吸収部及び放射線透過部と前記微小グリッドとを支持する支持基板を備えることが好ましい。本発明の放射線画像撮影用グリッドの製造方法は、第1の方向に延伸した放射線吸収部及び放射線透過部が前記第1の方向と直交する第2の方向に交互に配設されてなる放射線画像撮影用グリッドから欠陥部を検出する第1工程と、前記欠陥部を内包するように前記第1及び第2の方向に沿った矩形状の切断領域を設定する第2工程と、前記切断領域を切断して切断部を形成する第3工程と、前記切断部より小さい微小グリッドを用意し、該微小グリッドを切断部の隣接する2辺に当接させて位置決めを行なう第4工程と、前記微小グリッドを固定する第5工程と、を有することを特徴とする。前記第5工程は、前記切断部の周囲と前記微小グリッドとの間に生じた隙間に、放射線吸収材を充填することによりなされることが好ましい。前記放射線吸収材は、Sn-Pb、Sn-Pb-Bi、Sn-Pn-Bi-Cdのうちのいずれか1つの低融点金属、またはAgペーストであることが好ましい。また、前記放射線吸収材は、Au、Ag、Ptのうちのいずれか1つまたは複数のX線吸収性ナノ粒子を分散させたインクまたは接着剤であってもよい。本発明の放射線画像撮影システムは、放射線源から放射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1のグリッドと、前記第1の周期パターン像を部分的に遮蔽して第2の周期パターン像を生成する第2のグリッドとを有する放射線画像撮影システムであって、前記第1及び第2のグリッドの少なくとも一方に、上記いずれかの放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする。本発明によれば、欠陥部を内包するように矩形状の切断領域を設定し、切断領域を切断して切断部を形成し、切断部より小さい微小グリッドを用意し、微小グリッドを切断部の隣接する2辺に当接させて位置決めを行なって微小グリッドを固定するので、欠陥部を効率よく修復することができる。また、放射線画像撮影用グリッドを位置決めする際に、微小グリッドを位置決め用のマーカとして用いることができる。図1において、X線画像撮影システム10は、X線源11、第1のグリッド13、第2のグリッド14、及びX線画像検出器15を備えている。X線源11は、例えば、回転陽極型のX線管と、X線の照射野を制限するコリメータとを有し、被検体Hに向けてX線を放射する。第1のグリッド13及び第2のグリッド14は、X線を吸収する吸収型グリッドであり、X線照射方向であるz方向においてX線源11に対向配置されている。X線源11と第1のグリッド13との間には、被検体Hが配置可能な間隔が設けられている。X線画像検出器15は、例えば、半導体回路を用いたフラットパネル検出器FPD:FlatPanelDetectorであり、第2のグリッド14の背後に配置されている。第1のグリッド13は、z方向に直交する面内の一方向であるy方向に延伸された複数のX線吸収部13a及びX線透過部13bを備えている。X線吸収部13a及びX線透過部13bは、z方向及びy方向に直交するx方向に沿って交互に配列されている。第2のグリッド14は、第1のグリッド13と同様にy方向に延伸され、かつx方向に沿って交互に配列された複数のX線吸収部14a及びX線透過部14bを備えている。以下、第2のグリッド14を例にして、グリッドの構成を説明する。なお、第1のグリッド13は、X線吸収部13aのx方向の幅及びピッチと、z方向の厚さ等が異なる以外は第2のグリッド14とほぼ同様の構成である。そのため、第1のグリッド13についての詳しい説明は省略する。図2は、第2のグリッド14をX線源11の側から見た平面図である。図3は、図2のA-A断面を表している。第2のグリッド14は、X線吸収部14a及びX線透過部14bにより構成されたグリッド層20と、グリッド層20を支持する支持基板21とを備える。X線吸収部14aは、金Auや白金Pt等のX線吸収性を有する金属により形成されている。X線透過部14bは、X線透過性を有するシリコンや樹脂材等により形成されている。第2のグリッド14には、グリッド層20がx方向及びy方向に沿って切断されてなる矩形状の切断部30が形成されている。この切断部30は、グリッド層20に生じた欠陥部を除去するために形成されたものである。切断部30のy方向に沿った2辺は、X線透過部14bに位置している。切断部30には、切断部30よりやや小さい面積を有する矩形状の微小グリッド31が嵌め込まれている。微小グリッド31は、切断部30の隣接する2辺に当接されており、非当接側の隙間には、X線吸収材32が充填されている。X線吸収材32は、Sn-Pb等のX線吸収性を有する低融点金属である。X線吸収材32は、微小グリッド31をグリッド層20に接着する機能も有している。切断部30の周囲と微小グリッド31との間に隙間が生じたままでは、該隙間でX線が散乱し、画像を劣化させてしまう恐れがある。X線吸収材32は、該隙間での散乱X線の発生を防止する役目を果たしている。微小グリッド31は、グリッド層20と同様に、一方向に延伸するとともに、該一方向と直交する方向に交互に配置されたX線吸収部31a及びX線透過部31bにより構成されている。X線吸収部31aは、金や白金等のX線吸収性を有する金属により形成されている。X線透過部31bは、X線透過性を有するシリコンや樹脂材等により形成されている。X線吸収部31a及びX線透過部31bは、微小グリッド31が切断部30に嵌め込まれた状態において、x方向に関する幅及び位置がグリッド層20のX線吸収部14a及びX線透過部14bとそれぞれ一致するように形成されている。X線吸収部14aのx方向への幅W2及び配列ピッチP2は、X線源11と第1のグリッド13との間の距離、第1のグリッド13と第2のグリッド14との間の距離、及び第1のグリッド13のX線吸収部13aのピッチ等に応じて決定される。例えば、幅W2は、およそ2~20μmであり、ピッチP2はその倍の4~40μm程度である。X線吸収部14aのz方向の厚みT2は、X線源11から放射されるコーンビーム状のX線のケラレを考慮して、例えば100μm程度とされている。本実施形態では、例えば、幅W2が2.5μm、ピッチP2が5μm、厚みT2が100μmとされている。次に、X線画像撮影システム10の作用について説明する。X線源11から放射されたX線は、被検体Hを通過することにより位相が変化する。このX線が第1のグリッド13を通過することにより、被検体Hの屈折率と透過光路長とから決定される被検体Hの透過位相情報を反映した第1の周期パターン像が形成される。第1の周期パターン像は、第2のグリッド14により部分的に遮蔽されることにより強度変調され、第2の周期パターン像となる。本実施形態では縞走査法に従い、第1のグリッド13に対し第2のグリッド14を、X線焦点を中心としてグリッド面に沿ったx方向にグリッドピッチを等分割例えば、5分割した走査ピッチで並進移動させながら、並進移動を行なうたびにX線源11から被検体HにX線を照射してX線画像検出器15により第2の周期パターン像を撮影する。そして、X線画像検出器15の各画素の強度変調信号並進移動に対する画素値の強度変化を表す波形信号の位相ズレ量を算出することにより位相微分像を取得する。位相微分像は、被検体で屈折したX線の角度分布に対応する。この位相微分像を上記の縞走査方向に沿って積分することにより、被検体Hの位相コントラスト画像が得られる。次に、図4~図6を参照しながら、第2のグリッド14の製造方法について説明する。なお、第1のグリッド13は、第2のグリッド14と同様に製造されるので、第1のグリッド13の製造方法に関する説明は省略する。図4Aにおいて、支持基板21の上にシリコン基板40が接合される。支持基板21は、アルミニウムやクロム等の導電性材料により形成されている。支持基板21は、シリコン基板40との熱膨張係数差が小さいものが好ましく、コバール、インバー等により形成されたものでもよい。支持基板21とシリコン基板40との接合には、熱と圧力をかけながら行う拡散接合や、高真空中で表面を活性化させて接合する常温接合等が用いられる。図4Bにおいて、シリコン基板40の上面に、レジスト層41が形成される。レジスト層41は、例えば、液状レジストをスピンコート等の塗布方法によってシリコン基板40に塗布する工程と、塗布された液状レジストから有機溶剤を蒸発させるプリベーク等の工程とにより形成される。図4Cにおいて、ピッチP2を有する縞模様の露光マスク42を介して、紫外線等の光がレジスト層41に照射される。そして、図4Dにおいて、現像処理によってレジスト層41の露光部分が除去される。これにより、シリコン基板40には、y方向に延伸されかつx方向に沿って配列された複数のラインパターンを有する縞模様のエッチングマスク43が形成される。なお、本実施形態では、レジスト層41は、ポジ型レジストであるが、ネガ型レジストを用いてもよい。図4Eにおいて、エッチングマスク43を介したドライエッチングにより、シリコン基板40に、y方向に延伸されかつx方向に配列された複数の溝44が形成される。このドライエッチングには、アスペクト比の高い溝44の形成が可能な深堀用ドライエッチングとして、ボッシュプロセスと呼ばれる方法が用いられる。なお、ボッシュプロセス以外に、クライオプロセスによるドライエッチングを用いてもよい。図4Fにおいて、支持基板21をシーズ層として電解メッキを行なうことにより、溝44内に金Au等のX線吸収材45が埋め込まれる。この電解メッキでは、支持基板21とシリコン基板40とによる構成された接合基板が、メッキ液中に浸漬され、この接合基板と対向させた位置にもう一方の電極陽極が配置される。そして、支持基板21と他方の電極との間に電流が流されることにより、メッキ溶液中の金属イオンがパターン加工した基板に析出され、溝44内にX線吸収材45が埋め込まれる。図4Gにおいて、アッシング等により、シリコン基板40上からエッチングマスク43が除去される。X線吸収材45がX線吸収部14aを構成し、シリコン基板40がX線透過部14bを構成する。以上の工程により、第2のグリッド14が完成するが、エッチングや電界メッキ時の不良やゴミの付着等により、第2のグリッド14に格子欠陥が発生する恐れがある。次に、第2のグリッド14に生じた欠陥部の修復方法について説明する。まず、上記製造工程の後、概観検査装置図示せずにより第2のグリッド14が撮影され、撮影で得られた画像が画像処理されることにより、図5Aに示すような欠陥部50が特定される。欠陥部50は、例えば、シリコン基板40のエッチング不良により生じた空洞に、電界メッキ時にX線吸収材45が充填されることにより生じたX線吸収性の欠陥である。図5Bにおいて、欠陥部50を内包するように、x方向及びy方向に沿った辺からなる矩形状の切断領域51が設定される。この切断領域51のy方向に沿う2辺は、X線透過部14b上に設定されている。なお、複数の欠陥部50が存在する場合には、各欠陥部50について切断領域51が設定される。そして、図5Cに示すように、切断領域51の外形に沿って、レーザ等でグリッド層20が切断され、前述の切断部30が形成される。図6Aにおいて、前述の微小グリッド31が用意され、微小グリッド31の隣接する2辺が、切断部30の2辺に当接するように位置決めが行なわれる。このとき、切断部30の周囲と微小グリッド31との間には、隙間52が生じる。この隙間52に、Sn-Pb等のX線吸収材32が溶融状態とされて充填される。X線吸収材32が凝固することにより、微小グリッド31がグリッド層20に接着される。以上の工程により、欠陥部50が修復された第2のグリッド14が完成する。切断領域51は、単一の形状及び大きさであってもよいが、欠陥部50の形状及び大きさに応じて設定されるものであってもよい。ただし、切断領域51の形状及び大きさが自由に可変であると、第2のグリッド14に形成された切断領域51の形状及び大きさに応じて、微小グリッド31をその都度作成しなければならないため、手間が掛かる。このため、切断領域51の形状及び大きさを複数種に限定することが好ましい。この場合、複数種の切断領域51の各形状及び大きさに合わせて、微小グリッド31を予め複数種用意しておき、第2のグリッド14に切断領域51が設定された際に、それに対応する形状及び大きさの微小グリッド31を選択すればよい。なお、欠陥修復方法として、欠陥部50をその個々の形状に沿って切断するとともに、その形状に応じて小グリッドを作成し、形成した小グリッドを欠陥部50の切断領域に接合することにより欠陥修復を行う方法を用いると、切断領域及び小グリッドの作成に手間が掛かり過ぎるため非効率である。これに対して、本実施形態では、欠陥部50を含むように矩形状の切断領域51を設定して切断部30を形成し、この切断部30に応じた微小グリッド31を選択して欠陥部50を修復しているので、効率良く迅速に修復を行うことができる。第2のグリッド14の微小グリッド31は、X線画像撮影システム10を構成する際に、第2のグリッド14を位置合わせするためのマーカとして用いることができる。具体的には、第2のグリッド14中の微小グリッド31の位置を予め記憶しておき、第2のグリッド14の位置合わせ時に、図7に示すように、第2のグリッド14の外側に配置したルーラ60を用いて微小グリッド31の位置を計測することにより、第2のグリッド14の位置ズレ量を検出する。微小グリッド31の位置計測は、例えば、可視光カメラで第2のグリッド14及びルーラ60を撮影し、ルーラ60に対するX線吸収材32の位置を検出することにより微小グリッド31の位置を特定する。第1のグリッド13についても同様であるため説明は省略する。なお、上記実施形態では、切断領域51のy方向に沿う2辺をX線透過部14b上に設定しているが、X線透過部14b上に限られず、X線吸収部14a上に設定してもよい。さらに、該2辺のうち一方をX線透過部14b上に設定し、他方をX線吸収部14a上に設定してもよい。また、上記実施形態では、X線吸収材32として、Sn-Pbを例示しているが、これに代えて、Sn-Pb-Bi、Sn-Pn-Bi-Cdなどの低融点金属や、Agペーストなどを用いてもよい。また、X線吸収材32として、Au、Ag、Ptのうちのいずれか1つまたは複数のX線吸収性のナノ粒子を分散させたインクや接着剤などを用いることも可能である。また、上記各実施形態では、第1及び第2のグリッド13,14を例に本発明を説明したが、本発明は、国際公開WO2006/131235号公報等に記されているように、X線源11の射出側に線源グリッドマルチスリットを設けた場合において、その線源グリッドに適用することも可能である。また、上記各実施形態は、第1及び第2のグリッド13,14を、そのX線透過部を通過したX線を幾何光学的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、X線透過部でX線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる構成特許第4445397号公報等に記載の構成としてもよい。ただし、この場合には、第1及び第2のグリッド13,14の間の距離をタルボ距離に設定する必要がある。また、この場合には、第1のグリッド13は、吸収型グリッドに代えて位相型グリッドとすることが可能である。第1のグリッド13は、タルボ干渉効果により生じる自己像を、第2のグリッド14の位置に形成する。また、上記各実施形態では、第1及び第2のグリッド13,14の相対位置を変化させて複数回の撮影を行うことにより位相コントラスト画像を生成する例を示しているが、第1及び第2のグリッド13,14を固定したまま1回の撮影のみで位相コントラスト画像を生成することも可能である。例えば、国際公開WO2010/050483号公報に記載のX線画像撮影システムでは、第1及び第2のグリッドにより生成されたモアレ縞をX線画像検出器により検出し、この検出されたモアレ縞の強度分布をフーリエ変換することによって空間周波数スペクトルを取得し、この空間周波数スペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより微分位相像を得ている。このようなX線画像撮影システムにも、本発明のグリッドは好適である。さらに、上記各実施形態では、被検体HをX線源と第1のグリッド13との間に配置しているが、被検体Hを第1のグリッド13と第2のグリッド14との間に配置してもよい。この場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。以上説明した実施形態は、医療診断用の放射線画像撮影システムのほか、工業用や、非破壊検査等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、本発明は、X線撮影において散乱線を除去する散乱線除去用グリッドにも適用可能である。さらに、本発明は、放射線として、X線以外にガンマ線等を用いることも可能である。"