"脂環式エポキシ化合物A下記式2で表される脂環式エポキシ化合物を除くと、下記式1[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1~8のアルキル基を示す]で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bと、下記式2で表される脂環式エポキシ化合物Cと、硬化剤D又は硬化触媒Eとを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。前記脂環式エポキシ化合物Aが、シクロヘキセンオキシド基を有する脂環式エポキシ化合物である請求項1に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。前記脂環式エポキシ化合物Aが、下記式I-1で表される化合物である請求項1又は2に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。前記脂環式エポキシ化合物Cが、有機溶媒中、脱水触媒の存在下、副生する水を留去しながら、4,4 ́-ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応を行うことにより生成させた下記式3で表されるビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンであって、該ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエン化合物の異性体の含有量が、該ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20未満であるビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンをエポキシ化することにより得られる脂環式エポキシ化合物である請求項1~3のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。さらに、硬化促進剤Fを含む請求項1~4のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。請求項1~5のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物。請求項1~5のいずれか1項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物。請求項7に記載の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止した光半導体装置。より高い耐熱性及び耐光性を有し、着色黄変しにくい封止樹脂として、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレートとε-カプロラクトンの付加物、1,2,8,9-ジエポキシリモネンなどの脂環骨格を有する液状の脂環式エポキシ樹脂の硬化物が知られている。しかし、これらの脂環式エポキシ樹脂の硬化物は各種応力に弱く、冷熱サイクル加熱と冷却を繰り返すことのような熱衝撃が加えられた場合に、クラックひび割れが生じる等の問題を有していた。一方、光半導体装置の封止樹脂を形成するための硬化性樹脂には、生産性の観点から、硬化に要する加熱時間を短縮することが求められるようになってきている。しかしながら、従来の硬化性樹脂は、硬化させるための加熱時間を短くすると、硬化反応を十分かつ均一に進行させることができず、例えば、硬化物にクラックが生じやすくなったり、該クラックに起因して光半導体装置の不点灯不灯が生じやすくなるなどの問題が発生していた。また、光半導体装置は、通常、はんだ付けにより該光半導体装置の電極を配線基板に接合するためのリフロー工程はんだリフロー工程を経る。近年、接合材としてのはんだとして、融点の高い無鉛はんだが使用されるようになってきており、リフロー工程での加熱処理がより高温例えば、ピーク温度が240~260°Cで実施されるようになってきている。このような状況下、従来の光半導体装置においては、リフロー工程での加熱処理により封止樹脂が光半導体装置のリードフレームから剥離したり、クラックを生じたりすること等により、リフロー工程後に光度が低下してしまうという問題が発生していた。このため、光半導体装置には、リフロー工程による光度低下が生じにくいこと、特に、より高い信頼性を確保する観点から、吸湿処理した後、さらに引き続きリフロー工程にて加熱処理した場合であっても、光度低下が生じにくい特性吸湿後の耐はんだリフロー性と称する場合があるが求められるようになってきている。従って、本発明の目的は、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備えた硬化物を形成し、特に、硬化のための加熱時間を短縮した場合であっても耐クラック性に優れた硬化物を形成できる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備え、短い時間で製造可能であり、生産性に優れる硬化物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、リフロー工程特に、吸湿後のリフロー工程による光度低下及び経時での光度低下が抑制された光半導体装置を短時間で製造できる、上記硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記光半導体封止用樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止することにより得られる、リフロー工程特に、吸湿後のリフロー工程による光度低下及び経時での光度低下が抑制され、なおかつ短時間で製造可能であり生産性に優れる光半導体装置を提供することにある。本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定の脂環式エポキシ化合物、及びモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物を必須成分として含み、さらに硬化剤又は硬化触媒を含む硬化性エポキシ樹脂組成物が、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備えた硬化物を形成し、特に、硬化のための加熱時間を短縮した場合であっても耐クラック性に優れた硬化物を形成でき、該硬化物にて光半導体素子を封止した光半導体装置は、経時での光度低下が生じにくく、なおかつ生産性に優れることを見出し、本発明を完成させた。なお、本明細書において耐クラック性とは、硬化物特に光半導体素子の封止樹脂にクラックが生じにくい特性をいう。すなわち、本発明は、脂環式エポキシ化合物A下記式2で表される脂環式エポキシ化合物を除くと、下記式1[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1~8のアルキル基を示す]で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bと、下記式2で表される脂環式エポキシ化合物Cと、硬化剤D又は硬化触媒Eとを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、前記脂環式エポキシ化合物Aが、シクロヘキセンオキシド基を有する脂環式エポキシ化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、前記脂環式エポキシ化合物Aが、下記式I-1で表される化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、前記脂環式エポキシ化合物Cが、有機溶媒中、脱水触媒の存在下、副生する水を留去しながら、4,4 ́-ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応を行うことにより生成させた下記式3で表されるビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンであって、該ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエン化合物の異性体の含有量が、該ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20未満であるビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンをエポキシ化することにより得られる脂環式エポキシ化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。さらに、硬化促進剤Fを含む前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物を提供する。また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる光半導体封止用樹脂組成物を提供する。また、本発明は、前記の光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止した光半導体装置を提供する。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は上記構成を有するため、該樹脂組成物を硬化させることにより、高い透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性を兼ね備えた硬化物を得ることができる。特に、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、硬化速度が速く、短い時間で硬化反応を十分かつ均一に進行させることができるため、硬化のための加熱時間を短縮した場合であっても、優れた耐クラック性を有する硬化物を形成できる。このため、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止した光半導体装置は、光度が経時で低下しにくく、優れた品質及び耐久性を有し、さらには、生産性も高い。<硬化性エポキシ樹脂組成物>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物A下記式2で表される脂環式エポキシ化合物を除くと、下記式1[式中、R1及びR2は水素原子または炭素数1~8のアルキル基を示す]で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bと、下記式2で表される脂環式エポキシ化合物Cと、硬化剤D又は硬化触媒Eとを少なくとも含む樹脂組成物である。[脂環式エポキシ化合物A]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物Aは、分子内1分子内に脂環脂肪族環構造とエポキシ基とを少なくとも有する化合物である。より具体的には、脂環式エポキシ化合物Aには、例えば、i脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基脂環エポキシ基と称する場合があるを有する化合物、及びii脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物等が含まれる。但し、脂環式エポキシ化合物Aには、上記式2で表される脂環式エポキシ化合物Cは含まれないものとする。i脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基脂環エポキシ基を有する化合物としては、公知乃至慣用のものの中から任意に選択して使用することができ、特に限定されない。中でも、上記化合物は、シクロヘキサン環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を有すること、即ち、シクロヘキセンオキシド基を有する脂環式エポキシ化合物であることが好ましい。i脂環を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基脂環エポキシ基を有する化合物としては、特に、透明性、耐熱性の点で、下記式Iで表される脂環式エポキシ化合物脂環式エポキシ樹脂が好ましい。式I中、Xは連結基1以上の原子を有する2価の基を示す。上記連結基としては、例えば、2価の炭化水素基、カルボニル基、エーテル基エーテル結合、チオエーテル基チオエーテル結合、エステル基エステル結合、カーボネート基カーボネート結合、アミド基アミド結合、及びこれらが複数個連結した基等が挙げられる。上記2価の炭化水素基としては、炭素数が1~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。炭素数が1~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、1,2-シクロペンチレン基、1,3-シクロペンチレン基、シクロペンチリデン基、1,2-シクロヘキシレン基、1,3-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基等の2価のシクロアルキレン基シクロアルキリデン基を含むなどが挙げられる。上記連結基Xとしては、中でも、酸素原子を含有する連結基が好ましく、具体的には、-CO-カルボニル基、-O-CO-O-カーボネート基、-COO-エステル基、-O-エーテル基、-CONH-アミド基、これらの基が複数個連結した基、これらの基の1又は2以上と2価の炭化水素基の1又は2以上とが連結した基などが挙げられる。2価の炭化水素基としては、例えば、上記で例示したものが挙げられる。上記式Iで表される脂環式エポキシ化合物の代表的な例としては、下記式I-1~I-8で表される化合物などが挙げられる。例えば、商品名セロキサイド2021P、セロキサイド2081ダイセル化学工業株製等の市販品を使用することもできる。なお、下記式I-1~I-8中、l、mは、1~30の整数を表す。Rは炭素数1~8のアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、s-ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が挙げられる。これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基等の炭素数1~3の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が好ましい。ii脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物としては、例えば、下記式IIで表される化合物が挙げられる。式II中、R’はp価のアルコールからp個の-OHを除した基であり、p、nは自然数を表す。p価のアルコール[R’-OHp]としては、2,2-ビスヒドロキシメチル-1-ブタノール等の多価アルコールなど炭素数1~15のアルコール等が挙げられる。pは1~6が好ましく、nは1~30が好ましい。pが2以上の場合、それぞれの内丸括弧内の基におけるnは同一であってもよく、異なっていてもよい。上記化合物としては、具体的には、2,2-ビスヒドロキシメチル-1-ブタノールの1,2-エポキシ-4-2-オキシラニルシクロヘキサン付加物、商品名EHPE3150ダイセル化学工業株製などが挙げられる。脂環式エポキシ化合物Aは単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。上記の中でも、脂環式エポキシ化合物Aとしては、上記式I-1で表される3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、商品名セロキサイド2021Pが特に好ましい。脂環式エポキシ化合物Aの使用量含有量は、特に限定されないが、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が硬化剤Dを必須成分として含む場合には、硬化性エポキシ樹脂組成物100重量に対して、10~90重量が好ましく、より好ましくは15~80重量、さらに好ましくは18~70重量である。一方、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が硬化触媒Eを必須成分として含む場合には、脂環式エポキシ化合物Aの使用量含有量は、硬化性エポキシ樹脂組成物100重量に対して、25~90重量が好ましく、より好ましくは30~85重量、さらに好ましくは35~80重量である。また、脂環式エポキシ化合物Aとモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bとの総量100重量に対する、脂環式エポキシ化合物Aの使用量含有量は、特に限定されないが、50~90重量が好ましく、より好ましくは60~90重量、さらに好ましくは70~90重量である。脂環式エポキシ化合物Aの使用量が50重量未満では、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの溶解性が十分でなく、室温に置くと析出しやすくなる場合がある。一方、脂環式エポキシ化合物Aの使用量が90重量を超えると、硬化物の耐クラック性が低下する場合がある。[モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物B]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成するモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bは、下記の一般式1で表される。上記式1中、R1及びR2は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数1~8のアルキル基を示す。炭素数1~8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の炭素数1~3の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましい。上記式1中のR1及びR2は、水素原子であることが特に好ましい。モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの代表的な例としては、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、1-アリル-3,5-ビス2-メチルエポキシプロピルイソシアヌレート、1-2-メチルプロペニル-3,5-ジグリシジルイソシアヌレート、1-2-メチルプロペニル-3,5-ビス2-メチルエポキシプロピルイソシアヌレート等が挙げられる。モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bは、上記脂環式エポキシ化合物Aに溶解する範囲で任意に混合でき、脂環式エポキシ化合物Aとモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの割合は特に限定されないが、脂環式エポキシ化合物A:モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bが50:50~90:10重量比であることが好ましい。この範囲外では、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bの溶解性が得られにくくなる。モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物Bは、アルコールや酸無水物など、エポキシ基と反応する化合物を加えてあらかじめ変性して用いても良い。[脂環式エポキシ化合物C]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物Cは、下記の一般式2で表される化合物3,4,3 ́,4 ́-ジエポキシビシクロヘキシルである。脂環式エポキシ化合物Cは、公知乃至慣用の方法により製造することが可能である。具体的には、例えば、下記式3で表されるビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンを、公知乃至慣用の方法によりエポキシ化することによって製造することができる。なお、上記ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンは、例えば、下記式4で表される4,4 ́-ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応によって製造することができる。中でも、脂環式エポキシ化合物Cは、有機溶剤中、脱水触媒の存在下、副生する水を留去しながら、4,4 ́-ジヒドロキシビシクロヘキシルの脱水反応を行うことにより生成させたビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンであって、該ビシクロヘキシル3,3 ́-ジエンの異性体の含有量が、該ビシクロヘキシル3,3 ́-ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20未満であるビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエン高純度ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンと称する場合があるを、エポキシ化することによって得られる脂環式エポキシ化合物であることが好ましい。なお、ビシクロヘキシル3,3 ́-ジエンの異性体とは、例えば、シクロヘキサン環上の不飽和結合の位置が異なる化合物を意味する。このような方法により得られた脂環式エポキシ化合物Cは、不純物としての脂環式エポキシ化合物Cの異性体例えば、シクロヘキサン環上のエポキシ基の位置が異なる異性体等の含有量が少ないため、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性に優れた硬化物、特に、硬化のための加熱時間を短くした場合でも、耐クラック性に優れた硬化物が得られる点で、好ましい。上記高純度ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンは、4,4 ́-ジヒドロキシビシクロヘキシルを、例えば、i有機溶媒中、反応条件下において液状又は反応液に溶解する脱水触媒の存在下、20Torr2.67kPaを超える圧力下で130~230°Cの温度に加熱し、副生する水を留去しながら脱水反応を行う工程、及びii工程iに続いて、反応混合液を200Torr26.7kPa以下の圧力下で50~220°Cの温度に加熱して、ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンを留出させる工程を含む方法により反応により製造でき、より詳細には、特開2008-31424号公報に開示された製造方法により製造することができる。上記高純度ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンにおける、ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンの異性体の含有量は、ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として、18.5以下がより好ましく、さらに好ましくは18以下、特に好ましくは16以下、最も好ましくは15以下である。ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエン及びその異性体のガスクロマトグラフィーによる定量分析は、例えば、下記の測定条件で行うことができる。なお、ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエン化合物とその異性体の構造は、例えば、NMR、GC-MS、GC-IR等によって確認することができる。測定装置:HP6890ヒューレットパッカード製カラム:HP-5、長さ60m、内径0.32mm液相5-ジフェニル-95-ジメチルポリシロキサンキャリアガス:窒素キャリアガス流量:2.6ml/分検出器:FID注入口温度:250°C検出器温度:250°C昇温パターンカラム:60°Cで5分保持、10°C/分で300°Cまで昇温スプリット比:100サンプル:1μl上記高純度ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンをエポキシ化して脂環式エポキシ化合物Cを得る方法エポキシ化の方法は、公知乃至慣用の方法を適用することができ、特に限定されないが、特に、安全性、経済性、収率等の観点から、有機過カルボン酸を用いる方法が好ましい。より詳細には、例えば、特開2008-31424号公報に開示された方法により、上記高純度ビシクロヘキシル-3,3 ́-ジエンのエポキシ化を実施することができる。なお、脂環式エポキシ化合物Cに含まれる、脂環式エポキシ化合物Cの異性体の含有量異性体比率についても、脂環式エポキシ化合物Cとその異性体の総和に対して、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合として20未満より好ましくは18.5以下、さらに好ましくは18以下、特に好ましくは16以下が好ましい。脂環式エポキシ化合物Cの異性体の含有量は、下記の測定条件で測定することができる。また、脂環式エポキシ化合物Cのとその異性体の構造は、例えば、NMR、GC-MS、GC-IR等によって確認することができる。測定装置:HP6890ヒューレットパッカード社製カラム:HP-5、長さ30m、膜厚0.25μm、内径0.32mm液相5-ジフェニル-95-ジメチルポリシロキサンキャリアガス:窒素キャリアガス流量:1.0ml/分検出器:FID注入口温度:250°C検出器温度:300°C昇温パターンカラム:100°Cで2分保持、5°C/分で300°Cまで昇温、300°Cで10分保持スプリット比:100サンプル:1μl脂環式エポキシ化合物:アセトン=1:40脂環式エポキシ化合物Cとしては、例えば、商品名セロキサイド8000ダイセル化学工業株製などの市販品を用いることもできる。脂環式エポキシ化合物Cの使用量含有量は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれる成分Aと成分Bの合計量100重量部に対して、0.2~90重量部が好ましく、より好ましくは0.6~80重量部、さらに好ましくは1~70重量部、特に好ましくは5~50重量部、最も好ましくは8~20重量部である。脂環式エポキシ化合物Cの使用量が0.2重量部未満であると、特に、硬化時間を短くした場合の硬化物の耐クラック性が低下する場合がある。一方、脂環式エポキシ化合物Cの使用量が90重量部を超えると、耐クラック性が低下する場合がある。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物として、上記脂環式エポキシ化合物Aと脂環式エポキシ化合物Cの両方を必須成分として含むことにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性に優れた硬化物を形成できる。また、本発明の硬化性樹脂組成物は上記構成を有することで、特に、硬化時間を短くした場合であっても十分かつ均一に硬化反応を進行させやすく、このような短時間の硬化により得られた硬化物は優れた耐クラック性を発揮できる。このため、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を用いることで、硬化物特に、光半導体装置の性能及び生産性を向上させることができる。[硬化剤D]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する硬化剤Dは、エポキシ基を有する化合物を硬化させる働きを有する。硬化剤Dとしては、エポキシ樹脂用硬化剤として公知乃至慣用の硬化剤を使用することができる。中でも、硬化剤Dとしては、25°Cで液状の酸無水物が好ましく、より具体的には、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸などが挙げられる。また、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの常温約25°Cで固体状の酸無水物についても、常温約25°Cで液状の酸無水物に溶解させて液状の混合物とすることで、硬化剤Dとして使用することができる。硬化剤Dとしては、硬化物の耐熱性、耐光性の観点で、特に、飽和単環炭化水素ジカルボン酸の無水物環にアルキル基等の置換基が結合したものも含むが好ましい。硬化剤Dは単独で、又は2種以上を組み合わせて使用できる。また、本発明においては、硬化剤Dとして、商品名リカシッドMH-700新日本理化株製、商品名HN-5500日立化成工業株製等の市販品を使用することもできる。硬化剤Dの使用量含有量は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、50~200重量部が好ましく、より好ましくは100~145重量部である。より具体的には、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物中に含有する全てのエポキシ基を有する化合物におけるエポキシ基1当量当たり、0.5~1.5当量となる割合で使用することが好ましい。硬化剤Dの使用量が50重量部を下回ると、硬化が不十分となり、硬化物の強靱性が低下する傾向がある。一方、硬化剤Dの使用量が200重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。[硬化触媒E]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上述の硬化剤Dの代わりに、硬化触媒Eを含んでいてもよい。硬化剤Dを用いた場合と同様に、硬化触媒Eを用いることにより、エポキシ基を有する化合物の硬化反応を進行させ、硬化物を形成させることができる。上記硬化触媒Eとしては、特に限定されないが、例えば、紫外線照射又は加熱処理を施すことによりカチオン種を発生して、重合を開始させることができるカチオン触媒カチオン重合開始剤を用いることができる。硬化触媒Eは単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。紫外線照射によりカチオン種を発生するカチオン触媒としては、例えば、ヘキサフルオロアンチモネート塩、ペンタフルオロヒドロキシアンチモネート塩、ヘキサフルオロホスフェート塩、ヘキサフルオロアルゼネート塩などを挙げることができる。また、上記カチオン触媒としては、例えば、商品名UVACURE1590ダイセルサイテック株製、商品名CD-1010、CD-1011、CD-1012以上、米国サートマー製、商品名イルガキュア264チバジャパン株製、商品名CIT-1682日本曹達株製等の市販品を好ましく使用することもできる。加熱処理を施すことによりカチオン種を発生するカチオン触媒としては、例えば、アリールジアゾニウム塩、アリールヨードニウム塩、アリールスルホニウム塩、アレン-イオン錯体などを挙げることができる。上記カチオン触媒としては、例えば、商品名PP-33、CP-66、CP-77以上、株ADEKA製、商品名FC-509スリーエム製、商品名UVE1014G.E.製、商品名サンエイドSI-60L、サンエイドSI-80L、サンエイドSI-100L、サンエイドSI-110L以上、三新化学工業株製、商品名CG-24-61チバジャパン株製等の市販品を好ましく使用することができる。上記カチオン触媒としては、さらに、アルミニウムやチタンなどの金属とアセト酢酸若しくはジケトン類とのキレート化合物とトリフェニルシラノール等のシラノールとの化合物、又は、アルミニウムやチタンなどの金属とアセト酢酸若しくはジケトン類とのキレート化合物とビスフェノールS等のフェノール類との化合物などを用いることもできる。硬化触媒Eの使用量含有量は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、0.01~15重量部が好ましく、より好ましくは0.01~12重量部、さらに好ましくは0.05~10重量部、特に好ましくは0.1~10重量部である。硬化触媒Eを上記範囲内で使用することにより、耐熱性、耐光性、透明性に優れた硬化物を得ることができる。[硬化促進剤F]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、硬化促進剤Fを含んでいてもよい。硬化促進剤Fは、エポキシ基を有する化合物が硬化する際に、硬化速度を促進する機能を有する化合物である。特に、硬化剤Dと併用することが多い。硬化促進剤Fとしては、公知乃至慣用の硬化促進剤を使用することができ、特に限定されないが、例えば、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7DBU、及びその塩例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、p-トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩;1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン-5DBN、及びその塩例えば、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、4級アンモニウム塩、ヨードニウム塩;ベンジルジメチルアミン、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール、N,N-ジメチルシクロヘキシルアミンなどの3級アミン;2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾールなどのイミダゾール類;リン酸エステル、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラp-トリルボレートなどのホスホニウム化合物;オクチル酸スズ、オクチル酸亜鉛などの有機金属塩;金属キレートなどが挙げられる。上記硬化促進剤Fは単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、本発明においては、硬化促進剤Fとして、商品名U-CATSA506、U-CATSA102、U-CAT5003、U-CAT410、U-CAT18X、12XD開発品いずれもサンアプロ株製、商品名TPP-K、TPP-MKいずれも北興化学工業株製、商品名PX-4ET日本化学工業株製等の市販品を使用することもできる。硬化促進剤Fの使用量含有量は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、0.05~5重量部が好ましく、より好ましくは0.1~3重量部、さらに好ましくは0.2~3重量部、特に好ましくは0.25~2.5重量部である。硬化促進剤Fの使用量が0.05重量部を下回ると、硬化促進効果が不十分となる場合がある。一方、硬化促進剤Fの使用量が5重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。[ゴム粒子]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、ゴム粒子を含んでいてもよい。上記ゴム粒子としては、例えば、粒子状NBRアクリロニトリル-ブタジエンゴム、反応性末端カルボキシル基NBRCTBN、メタルフリーNBR、粒子状SBRスチレン-ブタジエンゴム等が挙げられる。また、上記ゴム粒子は、ゴム弾性を有するコア部分と、該コア部分を被覆する少なくとも1層のシェル層とから成る多層構造コアシェル構造を有し、表面に脂環式エポキシ樹脂と反応し得る官能基としてヒドロキシル基及び/又はカルボキシル基を有し、平均粒子径が10nm~500nm、最大粒子径が50nm~1000nmであるゴム粒子であって、該ゴム粒子の屈折率と当該硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の屈折率との差が±0.02以内であるゴム粒子であってもよい。上記ゴム粒子の配合量は、必要に応じて適宜調整することができ、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量100重量部に対して、1~30重量部が好ましく、より好ましくは1~20重量部である。ゴム粒子の使用量が1重量部を下回ると、耐クラック性が低下する傾向がある。一方、ゴム粒子の使用量が30重量部を上回ると、耐熱性及び透明性が低下する傾向がある。[添加剤]本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲内で各種添加剤を使用することができる。添加剤として、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどの水酸基を有する化合物を使用すると、反応硬化反応を緩やかに進行させることができる。その他にも、粘度や透明性を損なわない範囲内で、シリコーン系やフッ素系消泡剤、レベリング剤、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、界面活性剤、シリカ、アルミナなどの無機充填剤、難燃剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、顔料、蛍光体、離型剤などの慣用の添加剤を使用することができる。<硬化物>本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた硬化物を得ることができる。硬化の際の加熱温度硬化温度としては、特に限定されないが、45~200°Cが好ましく、より好ましくは100~190°C、さらに好ましくは100~180°Cである。また、硬化の際に加熱する時間硬化時間としては、特に限定されないが、20~600分が好ましく、より好ましくは25~540分、さらに好ましくは30~480分である。硬化温度が低すぎる場合、及び/又は、硬化時間が短すぎる場合は、硬化が不十分となる場合がある。一方、硬化温度が高すぎる場合、及び/又は、硬化時間が長すぎる場合は、樹脂成分の分解が起こる場合がある。硬化条件は種々の条件に依存するが、硬化温度を高くした場合は硬化時間を短く、硬化温度を低くした場合は硬化時間を長くする等により、適宜調整することができる。特に、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、硬化時間を短縮した場合例えば、硬化条件を40~200°Cで20~60分とした場合であっても、十分かつ均一に硬化反応を進行させることができるため、生産性に優れ、コスト面でも有利である。特に、硬化時間の短縮生産性向上と硬化物の耐クラック性向上とを両立可能である点で、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は有用である。<光半導体封止用樹脂組成物>本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物からなる。本発明の光半導体封止用樹脂組成物を用いることにより、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた硬化物により光半導体素子が封止された、生産性の高い光半導体装置が得られる。<光半導体装置>本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物光半導体封止用樹脂組成物で光半導体素子を封止することにより得られる。光半導体素子の封止は、上述の方法で調製された硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の成形型内に注入し、所定の条件で加熱硬化して行う。これにより、硬化性エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止されてなる光半導体装置が得られる。封止の際の硬化温度と硬化時間としては、例えば、上記硬化物を形成する際と同様の条件を採用することができる。本発明の光半導体装置は、透明性、耐熱性、耐光性、耐クラック性、及び吸湿後の耐はんだリフロー性などの諸物性に優れた本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物光半導体封止用樹脂組成物の硬化物により光半導体素子が封止された構成を有しているため、リフロー工程特に、吸湿後のリフロー工程による光度低下及び経時での光度低下が生じにくく、耐久性に優れる。特に、本発明の光半導体装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物による光半導体素子の封止の際の硬化時間を短くした場合であっても、硬化物封止材が優れた耐クラック性を有するため、生産性にも優れる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記の光半導体素子の封止用途光半導体封止用に限定されず、例えば、接着剤、電気絶縁材、積層板、コーティング、インク、塗料、シーラント、レジスト、複合材料、透明基材、透明シート、透明フィルム、光学素子、光学レンズ、光学部材、光造形、電子ペーパー、タッチパネル、太陽電池基板、光導波路、導光板、ホログラフィックメモリなどの用途にも好ましく使用することができる。以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。製造例1硬化剤、硬化促進剤、及び添加剤の混合物以下、D剤と称するの製造硬化剤[新日本理化株製、商品名リカシッドMH-700]:100重量部、硬化促進剤[サンアプロ株製、商品名U-CAT18X]:0.5重量部、及び添加剤[和光純薬工業株製、商品名エチレングリコール]:1重量部を、自公転式攪拌装置[株シンキー製、商品名あわとり練太郎AR-250]を使用して均一に混合し、脱泡してD剤を得た。製造例2エポキシ樹脂の製造モノアリルジグリシジルイソシアヌレート[商品名MA-DGIC、四国化成工業株]、脂環式エポキシ化合物[商品名セロキサイド2021P、商品名セロキサイド8000、ともにダイセル化学工業株製]、ビスフェノールA型エポキシ樹脂[商品名YD-128、新日鐵化学株製]を、表1に示す配合処方配合割合単位:重量部に従って混合し、80°Cで1時間攪拌することでモノアリルジグリシジルイソシアヌレートを溶解させ、エポキシ樹脂エポキシ樹脂組成物を得た。実施例1~8、比較例1、2製造例2にて得たエポキシ樹脂と、製造例1にて得たD剤又は硬化触媒[商品名サンエイドSI-100L、三新化学工業株製]とを、表1に示す配合処方単位:重量部となるように、各成分を自公転式攪拌装置[株シンキー製、商品名あわとり練太郎AR-250]を使用して均一に混合し、脱泡して硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。この硬化性エポキシ樹脂組成物を、図1に示すように光半導体のリードフレームInGaN素子、3.5mm×2.8mmに注型した後、表1に示す硬化条件条件-1、条件-2、条件-3でオーブン中で加熱することにより、硬化した樹脂硬化物で光半導体素子を封止した光半導体装置を得た。なお、図1において、100はリフレクター光反射用樹脂組成物、101は金属配線、102は光半導体素子、103はボンディングワイヤ、104は透明封止樹脂硬化物を示す。以下、実施例1~7、比較例1、2においては、表1に示す条件-1110°Cで2時間、続いて150°Cで3時間の硬化条件にて得られた光半導体装置を光半導体装置Aと称し、表1に示す条件-3110°Cで0.5時間、続いて150°Cで0.5時間の硬化条件にて得られた光半導体装置を光半導体装置Bと称する。同様に、実施例8においては、表1に示す条件-2110°Cで3時間、続いて140°Cで4時間の硬化条件にて得られた光半導体装置を光半導体装置Aと称し、表1に示す条件-3の硬化条件にて得られた光半導体装置を光半導体装置Bと称する。<評価>実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置について、以下の方法で評価試験を行った。[耐熱性試験]実施例及び比較例で得られた光半導体装置Aの全光束を、全光束測定機を用いて測定した0時間の全光束とする。さらに、60°Cの恒温槽内で300時間、光半導体装置Aに40mAの電流を継続的に流した後の全光束を測定した300時間後の全光束とする。そして、次式より光度保持率を算出した。結果を表1の光度保持率の欄に示す。{光度保持率}={300時間後の全光束lm}/{0時間の全光束lm}×100[透明性試験]実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物を所定の型に注型し、表1に示す硬化条件[実施例1~7、比較例1、2においては条件-1、実施例8においては条件-2]で、オーブン中で加熱し、厚さ3mmのプレート硬化物を作製した。上記プレートの波長450nmの光の光線透過率を、分光光度計を用いて測定した。結果を表1の光線透過率の欄に示す。[耐クラック性試験]実施例及び比較例で得られた光半導体装置A各硬化性エポキシ樹脂組成物につき5個用いた及び光半導体装置B各硬化性エポキシ樹脂組成物につき5個用いたに対し、-40°Cの雰囲気下に15分曝露し、続いて、120°Cの雰囲気下に15分曝露することを1サイクルとした熱衝撃を、熱衝撃試験機を用いて400サイクル分与えた。その後、光半導体装置における硬化物封止材に生じたクラックの長さをデジタルマイクロスコープ[商品名VHX-900、株キーエンス製]で観察し、5個の光半導体装置のうち、長さ90μm以上のクラックが生じた光半導体装置の個数クラック装置数と称する場合があるを計測した。結果を表1のクラック装置数の欄に示す。[はんだ耐熱性試験]実施例及び比較例で得られた光半導体装置A各硬化性エポキシ樹脂組成物につき2個用いたの全光束を全光束測定機にて測定し、全光束初期値とした。その後、上記光半導体装置Aを30°C、70RHの条件下で168時間静置して吸湿させ、次いで、上記光半導体装置Aをリフロー炉に入れ、下記加熱条件にて加熱した。その後、上記光半導体装置Aを室温環境下に取り出して放冷した後、再度リフロー炉に入れて同条件で加熱した。即ち、当該はんだ耐熱性試験においては、光半導体装置Aに対して下記加熱条件による熱履歴を二度与えた。加熱条件光半導体装置Aの表面温度基準1予備加熱:150~190°Cで60~120秒2予備加熱後の本加熱:217°C以上で60~150秒、最高温度260°Cただし、予備加熱から本加熱に移行する際の昇温速度は、最大で3°C/秒に制御した。図2には、リフロー炉で加熱した際の光半導体装置Aの表面温度プロファイル二度の加熱の内、一方の加熱における温度プロファイルの一例を示す。その後、再び光半導体装置A加熱後の光半導体装置Aの全光束を測定し、全光束試験値とした。そして、[全光束試験値/全光束初期値×100]で表される全光束の保持率が、2個の光半導体装置Aについて共に90以上であった場合を良吸湿後の耐はんだリフロー性良好とし、2個の光半導体装置Aのいずれか一方または両方の全光束の保持率が90未満であった場合を不良吸湿後の耐はんだリフロー性不良とした。結果を表1のはんだ耐熱性試験の欄に示す。[総合判定]透明性試験において光線透過率が85以上、耐熱性試験において光度保持率が90以上、耐クラック性試験におけるクラック装置数が光半導体装置A及び光半導体装置Bのいずれについても0個であり、なおかつはんだ耐熱性試験における評価が良であったものを総合判定○優れているとした。それ以外のものを総合判定×劣っているとした。結果を表1の総合判定の欄に示す。表1に示すように、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物により製造された光半導体装置は、高い透明性と光度保持率を有し、耐クラック性に優れていた。特に、硬化時間を短縮した場合硬化時間を1時間とした場合にも、硬化物へのクラックの発生が抑制されており、生産性にも優れていた。また、吸湿後の耐はんだリフロー性にも優れていた。一方、比較例の硬化性エポキシ樹脂組成物により製造された光半導体装置は、硬化物にクラックが生じ、さらに吸湿後のリフロー工程により大きく光度が低下したり比較例1、経時で光度が大きく低下する比較例2などの不具合が生じた。なお、実施例及び比較例で使用した成分は、以下の通りである。[エポキシ樹脂]CEL2021Pセロキサイド2021P:3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル化学工業株製MA-DGIC:モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、四国化成工業株製CEL8000セロキサイド8000:3,4,3 ́,4 ́-ジエポキシビシクロヘキシル、ダイセル化学工業株製YD―128:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、新日鐵化学株製[D剤]リカシッドMH-700:4-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸/ヘキサヒドロ無水フタル酸=70/30、新日本理化株製U-CAT18X:硬化促進剤、サンアプロ株製エチレングリコール:和光純薬工業株製[硬化触媒]サンエイドSI-100L:アリールスルホニウム塩、三新化学工業株製試験機器樹脂硬化オーブンエスペック株製、GPHH-201恒温槽エスペック株製、小型高温チャンバーST-120B1全光束測定機米国オプトロニックラボラトリーズ製、マルチ分光放射測定システムOL771分光光度計株島津製作所製、分光光度計UV-2450熱衝撃試験機エスペック株製、小型冷熱衝撃装置TSE-11-Aリフロー炉日本アントム株製、UNI-5016F"