ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板と、前記絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子が実装される実装部と、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部と、を有する金属層と、を有し、前記金属層は、前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかの最上層であり電解めっきによって形成された銀層を含み、前記実装部及び前記ボンディング部は、前記積層板の周縁から電気的に遮断されている発光素子モジュール基板の製造方法であって、前記絶縁層の上に形成され前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかのパターンを有する下地層に接続されためっき用配線部を介して前記銀層を電解めっきにより形成し、前記めっき用配線部の少なくとも一部を除去する発光素子モジュール基板の製造方法。前記除去は、前記めっき用配線部のうちの前記周縁部側の部分を除去することを含む請求項1記載の発光素子モジュール基板の製造方法。前記除去は、前記実装部及び前記ボンディング部の前記少なくともいずれかの前記パターンと、前記めっき用配線部と、を分断することを含む請求項1または2に記載の発光素子モジュール基板の製造方法。前記除去は、前記金属層の少なくとも一部において前記下地層の側面を露出させることを含む請求項1~3のいずれか1つに記載の発光素子モジュール基板の製造方法。前記絶縁層の前記金属層が設けられない領域の少なくとも一部の上に、光反射性の絶縁層をさらに形成する請求項1~4のいずれか1つに記載の発光素子モジュール用基板の製造方法。前記銀層の形成の前に、前記絶縁層の上に形成された下地層の上に中間層を電解めっきにより形成し、前記銀層の形成は、前記中間層の上に電解めっきで前記銀層を形成することを含む請求項1~5のいずれか1つに記載の発光素子モジュール基板の製造方法。前記中間層は、実質的にリンを含まない請求項6記載の発光素子モジュール基板の製造方法。前記銀層の厚さは、1マイクロメートル以上である請求項1~7のいずれか1つに記載の発光素子モジュール基板の製造方法。本発明は、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板の製造方法を提供する。本発明の実施形態によれば、発光素子モジュール基板の製造方法が提供される。前記発光素子モジュール基板は、ベース金属板と、前記ベース金属板の上に設けられた絶縁層と、を含む積層板と、前記絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子が実装される実装部と、前記発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部と、を有する金属層と、を有する。前記金属層は、前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかの最上層であり電解めっきによって形成された銀層を含み、前記実装部及び前記ボンディング部は、前記積層板の周縁から電気的に遮断されている。前記製造方法においては、前記絶縁層の上に形成され前記実装部及び前記ボンディング部の少なくともいずれかのパターンを有する下地層に接続されためっき用配線部を介して前記銀層を電解めっきにより形成する。前記製造方法においては、さらに、前記めっき用配線部の少なくとも一部を除去する。本発明によれば、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板の製造方法が提供される。以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施の形態図1は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の構成を例示する模式図である。すなわち、図1bは、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110の構成を例示する模式的平面図である。図1aは、発光素子モジュール基板110の構成を例示する模式的断面図であり、図1bの1A1-1A2線断面図である。図1a及び図1bに表したように、発光素子モジュール基板110は、積層板10と、金属層20と、を備える。積層板10は、ベース金属板11と、ベース金属板11の上に設けられた絶縁層12と、を含む。ベース金属板11には、例えば、アルミニウム、銅及び鉄、並びに、それらの2種以上を含む合金が用いられる。すなわち、ベース金属板11には、発光素子モジュール基板110の放熱性を向上させるために熱伝導性が高い金属が用いられる。ベース金属板11の厚さは、例えば、0.5mm程度以上2mm程度以下とすることができる。ベース金属板11の厚さは、例えば、1mm程度以上1.5mm程度以下とされることが望ましい。なお、本実施形態はこれに限らず、ベース金属板11の厚さは任意である。絶縁層12には、例えば、エポキシ、フェノール、シアネート及びポリイミドなどの樹脂を用いることができる。絶縁層12には、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂を用いることもできる。また、絶縁層12には、例えば、これらの樹脂がガラスクロスに含浸されたものを用いても良い。また、絶縁層12には、例えば、これらの樹脂にフィラーが添加されたものを用いても良い。すなわち、発光素子モジュール基板110の放熱性を高くするために、絶縁層12の熱抵抗は低く設定される。絶縁層12の熱抵抗を低減するために、絶縁層12を薄くすること、及び、絶縁層12の熱伝導率を高くすること、などの手法が適用される。絶縁層12の厚みは、良好な熱伝導性を得るために、例えば、150マイクロメートルμm以下に設定される。金属層20は、絶縁層12の上に設けられる。金属層20は、発光素子が実装される実装部25と、発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部26と、を有する。ボンディング部26は、例えば、n側ボンディング部26nと、p側ボンディング部26pと、を含むことができる。なお、本具体例では、実装部25が1つ設けられ、n側ボンディング部26nが1つ設けられ、p側ボンディング部26pが1つ設けられているが、実装部25、及び、ボンディング部26例えばn側ボンディング部26n及びp側ボンディング部26pの数は任意である。また、実装部25のパターン形、並びに、ボンディング部26n側ボンディング部26n及びp側ボンディング部26pのパターン形状は任意である。また、n側ボンディング部26n及びp側ボンディング部26pは、相互に入れ替えが可能である。発光素子には、例えばLED素子などの半導体発光素子が用いられる。金属層20は、実装部25及びボンディング部26の少なくともいずれかの最上層となる銀層23を含む。本具体例では、銀層23は、実装部25及びボンディング部26の両方の最上層となっている。金属層20は、銀層23と絶縁層12との間に設けられた下地層21をさらに含む。また、金属層20は、下地層21と銀層23との間に設けられた中間層22をさらに含むことができる。すなわち、本具体例では、金属層20は、下地層21と、その上に設けられた中間層22と、その上に設けられ金属層20の最上層となる銀層23と、の積層構造を有する。下地層21は、例えば銅Cuを含むことができる。すなわち、下地層21には、Cu層を用いることができる。ただし、本実施形態はこれに限らず、下地層21に用いられる材料は任意である。中間層22は、ニッケルNi及びパラジウムPdの少なくともいずれかを含むことができる。すなわち、中間層22には、Ni層、Pd層、及び、NiとPdとを含む層のいずれかを用いることができる。ただし、本実施形態はこれに限らず、中間層22に用いられる材料は任意である。銀層23は、例えば、電解めっきによって形成される。すなわち、下地層21は、電解めっきの際の電極層として用いられる。中間層22は、バリア層として機能する。中間層22を設けることによって、例えば、長期の動作において下地層21に用いられる材料の成分例えばCuが表面の側に移動することが抑制される。なお、中間層22は必要に応じて設けられ、場合によっては省略可能である。銀層23が電解めっきによって形成される場合、中間層22には、電解めっきによって形成されたNi層を用いることができる。この場合には、中間層22の主成分はNiであり、中間層22は実質的にリンPを含まない。なお、銀層23が無電解めっきで形成され、中間層22に無電解めっきで形成されたNi層が用いられる場合には、中間層22はNiの他に、リンを含む。例えば、中間層22におけるリンの比率は8以上10以下程度Niの比率が90以上82以下程度である。これは、無電解めっきでNi層を形成する場合には、次亜リン酸の還元作用によるめっき皮膜の析出現象が用いられるためである。銀層23の厚さは、例えば1μm以上である。これにより、後述するように、銀層23は、高い反射率と、高いボンディング性と、を有することができる。すなわち、本実施形態においては、金属層20は、高い反射率と、高いボンディング性と、を有することができる。そして、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されている。具体的には、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから離間しており、実装部25及びボンディング部26と、積層板10の周縁10eと、の距離は、電気的に遮断されるために十分な距離に設定される。なお、図1aに表したように、本具体例においては、絶縁層12の上面のうち、金属層20が設けられていない部分には、ソルダーレジスト層40が設けられている。ソルダーレジスト層40には、例えば白色の材料が用いられる。これにより、後述する発光素子の発光光を、ソルダーレジスト層40で効率良く反射でき、効率が向上する。図2は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の使用状態を例示する模式図である。すなわち、これらの図は、発光素子モジュール基板110にLED素子が実装され、発光素子モジュール210が形成されている状態を例示している。すなわち、図2bは、発光素子モジュール210の構成を例示する模式的平面図である。図2aは、発光素子モジュール210の構成を例示する模式的断面図であり、図2bの2A1-2A2線断面図である。図2a及び図2bに例示したように、発光素子モジュール210は、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110と、発光素子モジュール基板110の実装部25に実装された発光素子50と、発光素子50とボンディング部26とを電気的に接続するボンディング配線51配線と、を備える。発光素子50には、例えばLED素子が用いられる。本具体例では、複数の発光素子50が用いられているが、発光素子50の数は任意である。発光素子50のそれぞれは、例えば、図示しないp側電極及びn側電極を有している。n側電極が、例えば、n側ボンディング部26n、または、他の発光素子50のp側電極に、ボンディング配線51で電気的に接続される。p側電極が、例えば、p側ボンディング部26p、または、他の発光素子50のn側電極に、ボンディング配線51で電気的に接続される。本具体例では、金属層20には、ボンディング部26に電気的に導通している電源供給部26cがさらに設けられる。電源供給部26cに、例えば、外部からのコネクタを装着し、また、電源供給部26cに、外部からの電源用配線を例えばはんだ付けなどの手法で接続することで、発光素子モジュール基板110の外部から、発光素子50に電力を供給し、発光素子50を発光させる。なお、本具体例では、発光素子モジュール基板110には、取り付け部13が設けられている。取り付け部13により、発光素子モジュール基板110が、後述する照明装置の放熱部材に、例えばネジ止めなどの手法によって取り付けられる。発光素子モジュール210は、発光素子50の少なくとも一部を覆う波長変換層60をさらに備えることができる。波長変換層60は、発光素子50から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長を有する光を放出する。波長変換層60には、例えば蛍光体層を用いることができる。発光素子50から放出された発光光の一部は、発光素子50の上面の側積層板10とは反対の側に進行し、波長変換層60を通過して波長が変換され、発光素子モジュール210の外部に取り出される。発光素子50から放出された発光光の別の一部は、発光素子50の下面の側積層板10の側に進行し、金属層20で反射し、波長変換層60に向けて進行し、波長変換層60を通過して波長が変換され、発光素子モジュール210の外部に取り出される。発光素子モジュール210においては、金属層20の最上層として銀層23が設けられているため、発光素子50から放出された発光光が、金属層20で効率良く反射され、発光効率が高い。また、金属層20の最上層として銀層23を用いているため、ボンディング部26とボンディング配線51とのボンディング性が良好である。また、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されている。このため、実装部25及びボンディング部26は、端部と電気的に十分に絶縁される。このように、発光素子モジュール基板110によれば、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板が提供できる。図3、図4及び図5は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の製造方法を例示する工程順模式図である。すなわち、図3bは、発光素子モジュール基板110の製造方法の1つの工程を例示する模式的平面図であり、図3aは、図3bの3A1-3A2線断面図である。また、図4bは、図3a及び図3bに例示した工程の後の工程を例示する模式的平面図であり、図4aは、図4bの4A1-4A2線断面図である。また、図5bは、図4a及び図4bに例示した工程の後の工程を例示する模式的平面図であり、図5aは、図5bの5A1-5A2線断面図である。本具体例は、銀層23が、電解めっきによって形成される例である。そして、これらの図においては、ソルダーレジスト層40は省略されている。図3a及び図3bに表したように、積層板10の絶縁層12の上に、所定の形状を有する下地層21を形成する。下地層21は、実装部25に対応する部分25aと、ボンディング部26に対応する部分26aと、を有する。さらに、下地層21は、実装部25に対応する部分25aに電解めっきを施すための実装部めっき用配線部27と、ボンディング部26に対応する部分26aに電解めっきを施すためのボンディング部めっき用配線部28と、をさらに有する。本具体例は、大面積の積層板を用い、その上に最終的な発光素子モジュール基板110を複数並べたパターンで金属層を形成し、その後、金属層及び積層板を分割して複数の発光素子モジュール基板110を一括して製造する例である。ただし、本実施形態は、これに限らず、発光素子モジュール基板110が1つずつ別に形成される方法を採用しても良い。そして、図4a及び図4bに表したように、下地層21の上に、中間層22を電解めっきにより形成し、さらに、中間層22の上に、銀層23を電解めっきにより形成する。これにより、金属層20の実装部25とボンディング部26とが形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層22は省略しても良く、この場合は、下地層21の上に銀層23が電解めっきにより形成される。なお、このとき、下地層21の上面及び側面を覆うように、中間層22が形成される。さらに、中間層22の上面及び側面を覆うように、銀層23が形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層22は省略しても良く、この場合は、下地層21の上面及び側面を覆うように銀層23が形成される。そして、例えば、中間層22及び銀層23は、下地層21の実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28の部分にも形成される。なお、既に説明したように、場合によっては、中間層22は省略しても良く、この場合は、下地層21の実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28の部分に銀層23が形成される。そして、図5a及び図5bに表したように、例えば、マスクを用いたエッチングにより、実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28を除去する。すなわち、実装部めっき用配線部27に対応する下地層21、中間層22及び銀層23を除去し、ボンディング部めっき用配線部28に対応する下地層21、中間層22及び銀層23を除去する。このとき、除去された実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28に接続されていた部分の金属層20の端面端部26eにおいては、下地層21及び中間層22が露出する。すなわち、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の少なくとも一部が除去されている。そして、金属層20の少なくとも一部の側面この例では、上記の端部26eにおいて、下地層21が露出する。中間層22が設けられる場合には、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21及び中間層22が露出する。そして、積層板10を所定の大きさに切断し、さらに、必要に応じて取り付け部13を形成して、発光素子モジュール基板110が作製される。このように、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、金属層20のうちの最上層となる銀層23が、電解めっきによって形成され、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28の少なくとも一部が除去されている。これにより、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。以下、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110の特性に関して説明する。すなわち、金属層20の特に銀層23の特性に関して説明する。図6は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。すなわち、同図は、銀層23の厚さt23と、反射率R23と、の関係の測定結果を例示している。横軸は、銀層23の厚さt23であり、縦軸は、波長が460ナノメートルnmのときの銀層23の反射率R23である。この例では、銀層23の下に、厚さが5μmのNiめっき層が設けられている。図6に表したように、例えば、銀層23の厚さt23が0.5μmと小さいと、反射率R23は86であり、反射率R23は低い。厚さt23が増大するに従って、反射率R23は上昇し、例えば厚さt23が1μmのときには反射率R23は89.5と高くなる。また、厚さt23が2μmのときには反射率R23は91.6とさらに高くなる。さらに厚さt23が増大し、3μm程度以上では、反射率R23は約93で一定となる。反射率R23が高いほど光取り出し効率が上昇するので、銀層23の厚さt23は厚いことが望ましい。銀層23の厚さt23は、1μm以上であることが望ましい。これにより、高い反射率R23が得られる。さらに、銀層23の厚さt23は、2μm以上であることが望ましい。これにより、より高い反射率R23が得られる。さらに、銀層23の厚さt23は、3μm以上であることが望ましい。これにより、さらに高く、安定した反射率R23が得られる。なお、銀層23の形成方法として無電解めっきを用いる方法も考えられるが、無電解めっきによる銀層23の厚さt23は1μm未満であり、例えば0.5μm程度以下である。このため、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、1μm以上の厚さを得るために、銀層23の形成においては、電解めっき法が採用される。図7は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示するグラフ図である。すなわち、同図は、銀層23の厚さt23が0.5μm及び2.0μmにおける、ボンディング特性の測定結果を例示している。縦軸は、ワイヤプル強度PSgfである。同図においては、銀層23の厚さt23が0.5μmときの初期状態i119及び180°C60分の加熱処理後の状態h119、並びに、銀層23の厚さt23が2μmときの初期状態i110及び180°C60分の熱処理後の状態h110、におけるワイヤプル強度PSが例示されている。なお、銀層23の厚さt23が0.5μmの場合は比較例に相当し、銀層23の厚さt23が2μmの場合が本実施形態の一例に相当する。なお、この場合も、銀層23の下に、厚さが5μmのNiめっき層が設けられている。図7に表したように、銀層23の厚さt23が0.5μmときの初期状態i119においては、ワイヤプル強度PSは約6.5gfであり、小さい。そして、熱処理後の状態h119においては、ワイヤプル強度PSは約3gfであり、大きく減少する。一方、銀層23の厚さt23が2μmときの初期状態i110においては、ワイヤプル強度PSは約8.2gfであり、厚さt23が0.5μmのときに比べて上昇する。そして、銀層23の厚さt23が2μmの熱処理後の状態h110においては、ワイヤプル強度PSは約8.0gfであり、初期状態i110とほぼ同程度であり、熱処理によるワイヤプル強度の低下は、比較例に比べて非常に小さい。このように、銀層23の厚さt23が0.5μmの比較例の場合には、ワイヤプル強度PSは小さく、さらに熱処理によって著しく低くなるのに対し、銀層23の厚さt23が2μmの実施形態においては、ワイヤプル強度PSは非常に大きく、そして、熱処理による低下も抑制される。このように、銀層23の厚さt23が厚いと、ワイヤプル強度PSが上昇し、ボンディング性が向上する。このため、銀層23の厚さt23は、1μm以上であることが望ましく、これにより、高いボンディング性が得られる。さらに、銀層23の厚さt23は、2μm以上であることが望ましい。これにより、より高いボンディング性が得られる。図8は、第1の実施形態に係る発光素子モジュール基板の特性を例示する図である。すなわち、図8aは、積層板10の絶縁層12の上に設けられる導電層20aと積層板10の端との距離を変えたときの耐電圧を測定した結果を例示している。図8bは、上記の測定の条件を例示する模式的断面図である。図8bに表したように、積層板10においては、ベース金属板11と、その上に積層された絶縁層12が設けられている。本測定では、ベース金属板11の厚さは1mmであり、絶縁層12の厚さは80μmである。そして、絶縁層12の上に、導電層20aが設けられる。導電層20aは、金属層20に相当する。本測定では、導電層20aには、厚さが35μmの銅層が用いられている。そして、導電層20aと、積層板10の端周縁10eと、の間の距離d20aを変えて、耐電圧BVを測定した。なお、耐電圧BVは、交流に関する耐電圧である。図8aは、耐電圧BVの測定結果を例示するグラフ図であり、横軸は、導電層20aと、積層板10の端周縁10eと、の間の距離d20aであり、縦軸は、耐電圧BVである。図8aに表したように、導電層20aと、積層板10の端周縁10eと、の間の距離d20aが増大するに従って、耐電圧BVが増大する。例えば、距離d20aが1mmのときは、耐電圧BVは約1.4キロボルトkVであり、距離d20aが2mmのときは、耐電圧BVは約2.5kVであり、距離d20aが3mmのときは、耐電圧BVは約3.2kVとなる。なお、耐電圧BVは、例えば絶縁層12の厚さにも依存する。一般に、絶縁層12の厚さが厚くなると、耐電圧BVは上昇する。しかし、一般に、絶縁層12の厚さが厚くなると、積層板10の熱伝導性が低下し、放熱性が低下する。このため、絶縁層12の厚さは、放熱性を考慮して適切な値に設定される。例えば、既に説明したように、絶縁層12には、発光素子モジュール基板110の放熱性を高くするために、樹脂にフィラーが添加されたものを用いることができる。樹脂の熱伝導率は、一般的に0.2W/mK程度であるため、絶縁層12においては、樹脂中に、例えばアルミナやBNなどの熱伝導率の高いフィラーを添加したものが用いることができる。これにより、例えば1W/mK以上6W/mK以下程度の熱伝導率を得ることができる。絶縁層12を薄くしフィラーの濃度を高く設定すると、絶縁層12の熱抵抗は下がるが、それに伴い、発光素子モジュール基板110の耐電圧が下がる傾向がある。従って、照明装置に応用される場合に求められる耐電圧性能を得るために、耐電圧性能と放熱性能とを考慮して、絶縁層12の仕様が適正に設定される。そして、上記の距離d20aは、設定された絶縁層12の厚さに適合しつつ、必要な耐電圧BVが得られるように適切に設定される。本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されている。すなわち、実装部25及びボンディング部26は、周縁10eから離間する。そして、実装部25及びボンディング部26に電気的に接続された導電層の、積層板10の周縁10eの側の端は、周縁10eから離間する。この導電層の周縁10eの側の端と、周縁10eと、の距離は、例えば、図8aに例示した距離d20aと耐電圧BVとの関係に基づいて、設定される。以上のように、本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、金属層20の銀層23は、1μm以上の厚さ望ましくは2μm以上に設定されることで、高い反射率と高いボンディング性とが得られる。そして、このような厚い銀層23は、電解めっき法によって形成することができ、この電解めっきに用いられためっき用配線部実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28の少なくとも一部が除去されることで、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の端部周縁10eから十分に電気的に遮断される。そして、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の端部周縁10eから電気的に遮断されることで、例えば1kV以上の耐電圧BVを得ることができる。本実施形態に係る発光素子モジュール基板110においては、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されていれば、金属層20のパターン形状は任意である。図9は、第1の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的平面図である。図9a~図9dに表したように、本実施形態に係る別の発光素子モジュール基板110a~110dにおいては、電解めっきに用いられためっき用配線部実装部めっき用配線部27及びボンディング部めっき用配線部28の少なくとも一部が除去されている。すなわち、図9aに例示した発光素子モジュール基板110aにおいては、めっき用配線部の周縁10eの側の部分が除去されている。そして、めっき用配線部の内側の部分が残存している。これ以外は、発光素子モジュール基板110と同様なので説明を省略する。発光素子モジュール基板110aにおいては、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部実装部めっき用配線部27の端部27e、及び、ボンディング部めっき用配線部28の端部28eは、周縁10eから十分に離間している。これにより、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。図9bに例示した発光素子モジュール基板110bにおいては、めっき用配線部の、周縁10eから遠い内側部が除去され、めっき用配線部が途中で分断されている。そして、めっき用配線部の外側周縁10eの側の部分が残存している。これ以外は、発光素子モジュール基板110と同様なので説明を省略する。発光素子モジュール基板110bにおいても、めっき用配線部が分断され、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、が電気的に遮断されることによって、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。図9cに例示した発光素子モジュール基板110cにおいては、実装部めっき用配線部27の、周縁10eから遠い内側部が除去され、めっき用配線部が途中で分断されている。また、n側ボンディング部26nに接続されているボンディング部めっき用配線部28においては、周縁10eの側の部分が除去されている。また、p側ボンディング部26pに接続されているボンディング部めっき用配線部28においては、周縁10eと内側部との間の途中の部分が除去されている。発光素子モジュール基板110cにおいても、めっき用配線部が分断され、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、が電気的に遮断されることによって、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。このように、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の除去される部分は任意である。図9dに例示した発光素子モジュール基板110dにおいては、実装部25のうち、実装部めっき用配線部27に接続されていた部分27fが除去され、実装部めっき用配線部27と実装部25とが分断されている。また、n側ボンディング部26nのうち、ボンディング部めっき用配線部28に接続されていた部分28nfが除去され、ボンディング部めっき用配線部28とn側ボンディング部26nとが分断されている。また、p側ボンディング部26pに接続されていたボンディング部めっき用配線部28が除去され、さらに、p側ボンディング部26pのうち、ボンディング部めっき用配線部28に接続されていた部分28pfが除去されている。このように、実装部25及びボンディング部26の少なくともいずれかの、めっき用配線部に接続されていた部分が除去されても良い。発光素子モジュール基板110dにおいても、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、の間が分断され、めっき用配線部と、実装部25及びボンディング部26と、が電気的に遮断されることによって、実装部25及びボンディング部26は、積層板10の周縁10eから電気的に遮断される。このように、電解めっきに用いられためっき用配線部の除去される部分は任意である。そして、実装部25及びボンディング部26の、めっき用配線部に接続されていた部分であって、除去される部分の位置及び形状は、任意である。発光素子モジュール基板110a~110dにおいても、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部25及びボンディング部26を有する発光素子モジュール基板が得られる。図10は、第1の実施形態に係る別の発光素子モジュール基板の構成を例示する模式的断面図である。すなわち、図10は、図9aの10A1-10A2線断面図である。図10に表したように、発光素子モジュール基板110aにおいては、めっき用配線部例えばボンディング部めっき用配線部28の周縁10eの側の部分が除去されており、めっき用配線部例えばボンディング部めっき用配線部28の内側部が残存している。残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部例えばボンディング部めっき用配線部28の端部28eにおいて、下地層21が露出する。本具体例では、中間層22が設けられており、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部例えばボンディング部めっき用配線部28の端部28eにおいて、下地層21及び中間層22が露出している。また、図示しないが、同様に、残存しているめっき用配線部の一部の、積層板10の周縁10eの側の端部例えば実装部めっき用配線部27の端部27eにおいて、下地層21が露出する。本具体例では、下地層21及び中間層22が露出する。このように、発光素子モジュール基板110aにおいては、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21が露出する。同様に、発光素子モジュール基板110b~110dにおいても、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21が露出する。このように、本実施形態においては、銀層23が電解めっきによって形成され、金属層20のうちの、電解めっきに用いられためっき用配線部の少なくとも一部が、電解めっきの後に除去されるため、金属層20の少なくとも一部の側面において、下地層21が露出する。なお、銀層23を無電解めっき等の手法によって形成した場合には、めっき用配線部が設けられないので、下地層21の上面及び側面は中間層22によって覆われ、中間層22の上面及び側面は銀層23によって覆われる。このため、金属層20の側面において、下地層21は露出しない。第2の実施の形態本発明の第2の実施形態は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110を用いた発光素子モジュール210である。本実施形態に係る発光素子モジュール210の構成は、既に図2に関して説明した通りである。すなわち、発光素子モジュール210は、本発明の実施形態に係るいずれかの発光素子モジュール基板例えば発光素子モジュール基板110、110a~110dの少なくともいずれかを備える。以下では、発光素子モジュール基板110が用いられる場合として説明する。発光素子モジュール210は、図2に関して説明したように、発光素子モジュール基板110の実装部25に実装された発光素子50と、発光素子50とボンディング部26とを電気的に接続するボンディング配線51と、をさらに備える。発光素子50には、例えば、窒化物系半導体を用いたLED素子などが用いられる。ボンディング配線51には、金、銀、アルミニウム及び銅のいずれか、並びに、それらの2つ以上を含む合金などが用いられる。図11は、第2の実施形態に係る発光素子モジュールの構成を例示する回路図である。図11に表したように、本実施形態に係る発光素子モジュール210においては、複数の発光素子50が、ボンディング配線51によって直列及び並列に接続されている。本具体例においては、16個の発光素子50が用いられ、4直列及び4並列の回路構成が適用されている。ただし、本実施形態は、これに限らず、発光素子50の数、及び、適用される回路構成は任意である。図2に関して説明したように、発光素子モジュール210は、発光素子50の少なくとも一部を覆う波長変換層60をさらに備えることができる。波長変換層60は、発光素子50から放出される発光光を吸収し、発光光の波長とは異なる波長を有する光を放出する。波長変換層60は、例えば塗布などの方法によって形成される。これにより、例えば、白色光が得られる。ただし、本実施形態はこれに限らず、波長変換層60は必要に応じて設けられ、省略しても良い。例えば、LED素子などを用いた照明装置バックライトなども含むにおいて白色発光を得る方法としては、例えば、青色、緑色及び赤色をそれぞれ発光する3種類の発光素子50例えばLED素子を使用する方法があり、この方法を発光素子モジュール210に適用しても良い。また、白色発光を得る方法としては、例えば、青色発光の発光素子50例えばLED素子と、黄色及び橙色発光の少なくともいずれかの蛍光体と、を組み合わせる方法があり、この方法を発光素子モジュール210に適用しても良い。また、白色発光を得る方法としては、例えば、紫外線発光の発光素子50LED素子と、例えば、青色、緑色及び赤色をそれぞれ発光する3種類の蛍光体と、を組み合わせる方法があり、この方法を発光素子モジュール210に適用しても良い。上記のように、蛍光体を用いる場合に、波長変換層60が設けられる。なお、LED素子を用いた照明において、必要な光束に応じて、例えば、発光素子モジュール基板に、複数個のLED素子が搭載される。発光素子モジュール基板に、LED素子を搭載する方法は、例えば、LED素子を含むパッケージを発光素子モジュール基板にはんだ付けなどで実装する方法、及び、LED素子のチップを発光素子モジュール基板に直接ワイヤボンディングなどによって実装する方法COB構成などがある。本実施形態に係る発光素子モジュール210においては、COB構成を採用することで、前者の手法に比べて、より高い密度でより高い輝度が実現できる。なお、発光素子モジュール210においては、発光素子モジュール基板110上に実装された複数の発光素子50LED素子の上に、蛍光体を混合した樹脂を塗布し、波長変換層60が設けられることで、例えば、所望の色温度の照明が実現できる。また、白色だけでなく、任意の色の光が得られる。LED素子においては、入力される電気エネルギーのうちの一部が光エネルギーに変化され、他の一部は熱として消費される。このため、LED素子の温度は動作中に上昇する。LED素子が高温になると、例えば、LED素子の劣化が進み寿命が短くなる。さらに、既に説明したように、LED素子は、低温時に発光効率が高く、高温時に発光効率が低下する。このため、LED素子を用いた照明装置においては、熱対策が重要であり、発光素子モジュール基板110において十分に放熱性が高いことが要求される。本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110及びそれを用いた発光素子モジュール210においては、発光素子50が実装される積層板10に、ベース金属板11を用いることで、高い放熱性を実現でき、高い発光効率と、良好な寿命が実現できる。発光素子モジュール210においては、サージ等の電圧によるLED素子の破壊の防止、及び、製品の安全性の面から、基本絶縁に関する性能が十分であることが要求される。例えば、発光素子モジュール210を用いた照明装置においては、例えば、照明装置を組み上げた後に、充電部である点灯回路と、非充電部である器具本体と、に耐電圧を印加し、この電圧に十分耐えることができるかによって基本絶縁に関する性能が評価される。なお、耐電圧の値は照明装置の入力電圧によって異なり、入力電圧が高いほど、高い耐電圧に対する基本絶縁が要求される。例えば、発光素子モジュール210を用いた照明装置においては、一般的に、1kV以上の耐電圧が求められる。本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110及び発光素子モジュール210においては、実装部25及びボンディング部26が、積層板10の周縁10eから電気的に遮断されるので、1kV以上の耐電圧が実現できる。第3の実施の形態図12は、第3の実施形態に係る照明装置の構成を例示する模式的断面図である。図12に表したように、本実施形態に係る照明装置310は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール210と、発光素子モジュール210に含まれる発光素子モジュール基板110のベース金属板11に熱的に接続された放熱部材321と、を備える。放熱部材321には、例えば、アルミダイキャストなどの金属材料が用いられる。なお、放熱部材321へのベース金属板11積層板10の取り付けには、例えば、取り付け部13を用いたネジ止めなどの方法が採用できる。ただし、本実施形態はこれに限らず、取り付けの方法は任意である。本実施形態においては、放熱部材321とベース金属板11とが熱的に接続されることで、発光素子50で発生した熱が、ベース金属板11を経由して放熱部材321に効率良く伝達され、放熱性が高い。なお、本具体例の照明装置は、電球型の照明装置であるが、照明装置の形態は任意であり、例えば、ダウンライト型及びミニクリプトン型などの形態も採用でき、また、例えば、バックライトやヘッドランプなどの照明装置にも応用できる。本実施形態に係る照明装置310は、本発明の実施形態に係る発光素子モジュール基板110を用いた発光素子モジュール210を採用することで、高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を実現でき、高効率、低消費電力、高信頼性、及び、高動作安定性を有する照明装置が実現できる。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光素子モジュール基板に含まれる積層板、ベース金属板、絶縁層、金属層、銀層、下地層、中間層、めっき用配線部及びソルダーレジスト層など、発光素子モジュールに含まれる発光素子、配線及び波長変換層など、並びに、照明装置に含まれる放熱部材などの各要素の具体的な構成の、形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の変更を加えたものであっても、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。