"第1の金属層内に配置された第1の超伝導電流経路と、少なくとも一部分は前記第1の金属層上に担持された第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層上に担持された第2の金属層内に配置された第2の超伝導電流経路であって、前記第2の超伝導電流経路の少なくとも一部分は前記第1の超伝導電流経路の少なくとも一部分上に重なる、第2の超伝導電流経路と、少なくとも一部分は前記第2の金属層上に担持された第2の誘電体層と、前記第2の誘電体層上に担持された第3の金属層内に配置された第3の超伝導電流経路であって、前記第3の超伝導電流経路の少なくとも一部分は前記第1の超伝導電流経路と前記第2の超伝導電流経路の両方の少なくとも一部分上に重なる、第3の超伝導電流経路と、前記第1の超伝導電流経路と前記第3の超伝導電流経路との間の第1の超伝導接続部であって、前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層の両方を通じて延在する、第1の超伝導接続部と、前記第1の超伝導電流経路と前記第3の超伝導電流経路との間の第2の超伝導接続部であって、前記第2の超伝導接続部は前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層の両方を通じて延在し、前記第2の超伝導電流経路の少なくとも一部分は前記第1の超伝導電流経路の少なくとも一部分、前記第2の超伝導電流経路の少なくとも一部分ならびに前記第1の超伝導接続部および前記第2の超伝導接続部によって形成される外部超伝導電流経路によって囲まれ、前記第2の超伝導電流経路は前記第3の超伝導電流経路であり、誘導結合を介して超伝導閉ループと通信可能に結合することが可能である、第2の超伝導接続部とを備えた超伝導集積回路。前記第2の超伝導電流経路と前記外部超伝導電流経路との間の相互インダクタンスは、前記第1の誘電体層の厚さおよび前記第2の誘電体層の厚さにほぼ直線的に比例する、請求項1に記載の超伝導集積回路。前記第1の超伝導接続部および前記第2の超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含む、請求項1に記載の超伝導集積回路。前記第2の超伝導電流経路は、入力信号線の一部分であり、前記第1の超伝導電流経路と前記第3の超伝導電流経路の両方とも、超伝導プログラマブル素子と結合する、請求項1に記載の超伝導集積回路。前記超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットである、請求項4に記載の超伝導集積回路。前記第2の超伝導電流経路は、超伝導プログラマブル素子の一部分であり、前記第1の超伝導電流経路と前記第3の超伝導電流経路の両方とも、入力信号線と結合する、請求項1に記載の超伝導集積回路。前記超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットである、請求項6に記載の超伝導集積回路。第1のxy平面において第1の金属層内に担持された第1の超伝導電流経路と、第2のxy平面において第2の金属層内に担持された第2の超伝導電流経路であって、前記第1の超伝導電流経路上に重なる、第2の超伝導電流経路と、前記第1の超伝導電流経路と前記第2の超伝導電流経路との間の第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部であって、前記第1の超伝導電流経路、前記第2の超伝導電流経路ならびに前記第1の超伝導接続部および前記第2の超伝導接続部は一緒になってxz平面において超伝導閉ループを形成し、前記xz平面は前記第1のxy平面および前記第2のxy平面に直行し、前記超伝導閉ループは前記xz平面において囲まれたエリアを画定する、第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部と、第3のxy平面において第3の金属層内に担持された第3の超伝導電流経路であって、前記第3のxy平面は前記第3の金属層が前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に位置するように前記第1のxy平面と前記第2のxy平面との間に位置し、前記第3の超伝導電流経路の長さは前記xz平面において画定される前記囲まれたエリアを通じて前記第3のxy平面に延在し、前記第3の超伝導電流経路は誘導結合を介して前記超伝導閉ループと通信可能に結合することが可能である、第3の超伝導電流経路とを備えた超伝導集積回路。前記第3の超伝導電流経路と前記超伝導閉ループとの間の相互インダクタンスは、前記超伝導閉ループの周囲から前記第3の超伝導電流経路を分離する距離にほぼ直線的に比例する、請求項8に記載の超伝導集積回路。前記第1の超伝導接続部および前記第2の超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含む、請求項8に記載の超伝導集積回路。前記第3の超伝導電流経路は、入力信号線の一部分であり、前記第1の超伝導電流経路と前記第2の超伝導電流経路の両方とも、超伝導プログラマブル素子と結合する、請求項8に記載の超伝導集積回路。前記超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットである、請求項11に記載の超伝導集積回路。前記第3の超伝導電流経路は、超伝導プログラマブル素子の一部分であり、前記第1の超伝導電流経路と前記第2の超伝導電流経路の両方とも、入力信号線と結合する、請求項8に記載の超伝導集積回路。前記超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットである、請求項13に記載の超伝導集積回路。第1の金属層内に配置された内部超伝導体を備えた第1の誘導結合要素であって、前記第1の金属層は2つの誘電体層間に位置する、第1の誘導結合要素と、その長さの少なくとも一部分に沿って前記内部超伝導体を囲む外部超伝導体を備えた第2の誘導結合要素であって、前記外部超伝導体は2つの同一平面上の超伝導体によって形成され、それぞれが第2の金属層および第3の金属層内に配置され、少なくとも2つの超伝導接続部を前記2つの同一平面上の超伝導体間に有し、前記外部超伝導体は前記2つの誘電体層によって前記内部超伝導体から空間的に分離された、第2の誘導結合要素とを備えた超伝導集積回路。前記第1の誘導結合要素と前記第2の誘導結合要素との間の相互インダクタンスは、前記2つの誘電体層のそれぞれの厚さに応じてほぼ直線的である、請求項15に記載の超伝導集積回路。前記第1の誘導結合要素は、入力信号線の一部分であり、前記第2の誘導結合要素は、超伝導プログラマブル素子と結合する、請求項15に記載の超伝導集積回路。前記超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットである、請求項17に記載の超伝導集積回路。前記第1の誘導結合要素は、超伝導プログラマブル素子の一部分であり、前記第2の誘導結合要素は、入力信号線と結合する、請求項15に記載の超伝導集積回路。前記超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットである、請求項19に記載の超伝導集積回路。前記少なくとも2つの超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含む、請求項15に記載の超伝導集積回路。2つの誘電体層間に位置する第1の金属層内に配置された第1の超伝導電流経路を備えた第1の誘導結合要素と、第2の金属層内に配置された第2の超伝導電流経路、第3の金属層内に配置された第3の超伝導電流経路、および、前記第2の誘導結合要素がその長さの少なくとも一部分に沿って前記第1の誘導結合要素を囲むように前記第2の超伝導電流経路と前記第3の超伝導電流経路との間に少なくとも2つの超伝導接続部を備えた第2の誘導結合要素と、第1の超伝導プログラマブル素子とを備えた超伝導集積回路。前記第1の誘導結合要素と前記第2の誘導結合要素との間の相互インダクタンスは、前記第1の誘導結合要素と前記第2の誘導結合要素を分離する距離にほぼ直線的に比例する、請求項22に記載の超伝導集積回路。前記少なくとも2つの超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含む、請求項22に記載の超伝導集積回路。前記第1の超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットを含む、請求項22に記載の超伝導集積回路。前記第1の誘導結合要素は、入力信号線の一部分を含み、前記第2の誘導結合要素は、前記第1の超伝導プログラマブル素子と結合する、請求項22に記載の超伝導集積回路。前記第1の誘導結合要素は、前記第1の超伝導プログラマブル素子と結合し、前記第2の誘導結合要素は、入力信号線と結合する、請求項22に記載の超伝導集積回路。2つの誘電体層間に位置する前記第1の金属層内に配置された第4の超伝導電流経路を備えた第3の誘導結合要素と、前記第2の金属層内に配置された第5の超伝導電流経路、前記第3の金属層内に配置された第6の超伝導電流経路、および、前記第4の誘導結合要素が前記第3の誘導結合要素の少なくとも一部分を囲むように前記第5の超伝導電流経路と前記第6の超伝導電流経路との間に少なくとも2つの超伝導接続部を備えた第4の誘導結合要素と、第2の超伝導プログラマブル素子とをさらに備えた、請求項22に記載の超伝導集積回路。前記第3の誘導結合要素は、入力信号線の一部分を含み、前記第4の誘導結合要素は、前記第2の超伝導プログラマブル素子と結合する、請求項28に記載の超伝導集積回路。前記第3の誘導結合要素は、前記第2の超伝導プログラマブル素子と結合し、前記第4の誘導結合要素は、入力信号線と結合する、請求項28に記載の超伝導集積回路。前記第1の誘導結合要素は、前記第3の誘導結合要素とガルバニック結合する、請求項28に記載の超伝導集積回路。前記第2の誘導結合要素は、前記第4の誘導結合要素とガルバニック結合する、請求項28に記載の超伝導集積回路。複数の導電層と絶縁層とを含み、これらの層は、導電性の少なくとも1つの第1の内部誘導結合要素と導電性の少なくとも1つの第1の外部誘導結合要素とを含み、前記第1の外部誘導結合要素は、前記導電層と絶縁層の複数の層を通じて延在し、その長さの少なくとも一部分に沿って前記第1の内部誘導結合要素を囲み、前記第1の外部誘導結合要素は、前記第1の内部誘導結合要素から電気的に絶縁され、それらの間で誘導通信ができるように十分に狭い間隔が設けられる超伝導集積回路。前記第1の内部誘導結合要素および前記第1の外部誘導結合要素の少なくとも1つは、臨界温度を下回ると超伝導性となる導電材料から形成される、請求項33に記載の超伝導集積回路。前記第1の内部誘導結合要素および前記第1の外部誘導結合要素の少なくとも1つは、超伝導プログラマブル素子と結合する、請求項33に記載の超伝導集積回路。前記第1の内部誘導結合要素と前記第1の外部誘導結合要素との間の相互インダクタンスは、前記第1の外部誘導結合要素から前記第1の内部誘導結合要素を分離する距離にほぼ直線的に比例する、請求項33に記載の超伝導集積回路。導電性の第2の外部誘導結合要素をさらに備え、前記第2の外部誘導結合要素は、前記導電層と絶縁層の複数の層を通じて延在し、その長さの少なくとも一部分に沿って前記第1の内部誘導結合要素を囲み、前記第2の外部誘導結合要素は、前記第1の内部誘導結合要素から電気的に絶縁され、それらの間で誘導通信ができるように十分に狭い間隔が設けられ、前記第2の外部誘導結合要素は、前記第1の外部誘導結合要素とガルバニック結合される、請求項33に記載の超伝導集積回路。少なくとも1つの実施形態を超伝導集積回路として要約することができ、超伝導集積回路は、第1の金属層内に配置された第1の超伝導電流経路と、少なくとも一部分は第1の金属層上に担持された第1の誘電体層と、第1の誘電体層上に担持された第2の金属層内に配置された第2の超伝導電流経路であって、第2の超伝導電流経路の少なくとも一部分は第1の超伝導電流経路の少なくとも一部分上に重なる、第2の超伝導電流経路と、少なくとも一部分は第2の金属層上に担持された第2の誘電体層と、第2の誘電体層上に担持された第3の金属層内に配置された第3の超伝導電流経路であって、第3の超伝導電流経路の少なくとも一部分は第1の超伝導電流経路と第2の超伝導電流経路の両方の少なくとも一部分上に重なる、第3の超伝導電流経路と、第1の超伝導電流経路と第3の超伝導電流経路との間の第1の超伝導接続部であって、第1の誘電体層と第2の誘電体層の両方を通じて延在する、第1の超伝導接続部と、第1の超伝導電流経路と第3の超伝導電流経路との間の第2の超伝導接続部であって、第2の超伝導接続部は第1の誘電体層と第2の誘電体層の両方を通じて延在し、第2の超伝導電流経路の少なくとも一部分は第1の超伝導電流経路の少なくとも一部分、第2の超伝導電流経路の少なくとも一部分ならびに第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部によって形成される外部超伝導電流経路によって囲まれ、第2の超伝導電流経路は信号を外部超伝導電流経路に誘導結合するよう構成された、第2の超伝導接続部とを含む。いくつかの実施形態では、第2の超伝導電流経路と外部超伝導電流経路との間の相互インダクタンスは、第1の誘電体層の厚さおよび第2の誘電体層の厚さにほぼ直線的に比例し得る。第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含み得る。いくつかの実施形態では、第2の超伝導電流経路は、入力信号線の一部分であり得、第1の超伝導電流経路と第3の超伝導電流経路の両方とも、超伝導プログラマブル素子と結合することができる。他の実施形態では、第2の超伝導電流経路は、超伝導プログラマブル素子の一部分であり得、第1の超伝導電流経路と第3の超伝導電流経路の両方とも、入力信号線と結合することができる。超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットであり得る。少なくとも1つの実施形態を超伝導集積回路として要約することができ、超伝導集積回路は、第1のxy平面において第1の金属層内に担持された第1の超伝導電流経路と、第2のxy平面において第2の金属層内に担持された第2の超伝導電流経路であって、第1の超伝導電流経路上に重なる、第2の超伝導電流経路と、第1の超伝導電流経路と第2の超伝導電流経路との間の第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部であって、第1の超伝導電流経路、第2の超伝導電流経路ならびに第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部は一緒になってxz平面において超伝導閉ループを形成し、xz平面は第1のxy平面および第2のxy平面に直行し、超伝導閉ループはxz平面において囲まれたエリアを画定する、第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部と、第3のxy平面において第3の金属層内に担持された第3の超伝導電流経路であって、第3のxy平面は第3の金属層が第1の金属層と第2の金属層との間に位置するように第1のxy平面と第2のxy平面との間に位置し、第3の超伝導電流経路の長さはxz平面において画定される囲まれたエリアを通じて第3のxy平面に延在し、第3の超伝導電流経路は信号を超伝導閉ループに誘導結合するよう構成された、第3の超伝導電流経路とを含む。例えば、第3の超伝導電流経路は、誘導結合を介して超伝導閉ループと通信可能に結合することが可能である。いくつかの実施形態では、第3の超伝導電流経路と超伝導閉ループとの間の相互インダクタンスは、超伝導閉ループの周囲から第3の超伝導電流経路を分離する距離にほぼ直線的に比例し得る。第1の超伝導接続部および第2の超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含み得る。いくつかの実施形態では、第3の超伝導電流経路は、入力信号線の一部分であり得、第1の超伝導電流経路と第2の超伝導電流経路の両方とも、超伝導プログラマブル素子と結合することができる。他の実施形態では、第3の超伝導電流経路は、超伝導プログラマブル素子の一部分であり得、第1の超伝導電流経路と第2の超伝導電流経路の両方とも、入力信号線と結合することができる。超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットであり得る。少なくとも1つの実施形態を超伝導集積回路として要約することができ、超伝導集積回路は、第1の金属層内に配置された内部超伝導体を備えた第1の誘導結合要素であって、第1の金属層は2つの誘電体層間に位置する、第1の誘導結合要素と、その長さの少なくとも一部分に沿って内部超伝導体を囲む外部超伝導体を備えた第2の誘導結合要素であって、外部超伝導体は2つの同一平面上の超伝導体によって形成され、それぞれが第2の金属層および第3の金属層内に配置され、少なくとも2つの超伝導接続部を2つの同一平面上の超伝導体間に有し、外部超伝導体は2つの誘電体層によって内部超伝導体から空間的に分離された、第2の誘導結合要素とを含む。第1の誘導結合要素と第2の誘導結合要素との間の相互インダクタンスは、2つの誘電体層のそれぞれの厚さに応じてほぼ直線的であり得る。いくつかの実施形態では、第1の誘導結合要素は、入力信号線の一部分であり得、第2の誘導結合要素は、超伝導プログラマブル素子と結合することができる。他の実施形態では、第1の誘導結合要素は、超伝導プログラマブル素子の一部分であり得、第2の誘導結合要素は、入力信号線と結合することができる。超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットであり得る。少なくとも2つの超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含み得る。少なくとも1つの実施形態を超伝導集積回路として要約することができ、超伝導集積回路は、2つの誘電体層間に位置する第1の金属層内に配置された第1の超伝導電流経路を備えた第1の誘導結合要素と、第2の金属層内に配置された第2の超伝導電流経路、第3の金属層内に配置された第3の超伝導電流経路、および、第2の誘導結合要素がその長さの少なくとも一部分に沿って第1の誘導結合要素を囲むように第2の超伝導電流経路と第3の超伝導電流経路との間に少なくとも2つの超伝導接続部を備えた第2の誘導結合要素と、第1の超伝導プログラマブル素子とを含む。第1の誘導結合要素と第2の誘導結合要素との間の相互インダクタンスは、第1の誘導結合要素と第2の誘導結合要素を分離する距離にほぼ直線的に比例し得る。少なくとも2つの超伝導接続部の各々は、少なくとも1つのそれぞれの超伝導ビアを含み得る。第1の超伝導プログラマブル素子は、超伝導量子ビットを含み得る。いくつかの実施形態では、第1の誘導結合要素は、入力信号線の一部分を含み得、第2の誘導結合要素は、第1の超伝導プログラマブル素子と結合することができる。他の実施形態では、第1の誘導結合要素は、第1の超伝導プログラマブル素子と結合することができ、第2の誘導結合要素は、入力信号線と結合することができる。いくつかの実施形態では、超伝導集積回路は、2つの誘電体層間に位置する第1の金属層内に配置された第4の超伝導電流経路を備えた第3の誘導結合要素と、第2の金属層内に配置された第5の超伝導電流経路、第3の金属層内に配置された第6の超伝導電流経路、および、第4の誘導結合要素が第3の誘導結合要素の少なくとも一部分を囲むように第5の超伝導電流経路と第6の超伝導電流経路との間に少なくとも2つの超伝導接続部を備えた第4の誘導結合要素と、第2の超伝導プログラマブル素子とを含み得る。第3の誘導結合要素は、入力信号線の一部分を含み得、第4の誘導結合要素は、第2の超伝導プログラマブル素子と結合することができる。あるいは、第3の誘導結合要素は、第2の超伝導プログラマブル素子と結合することができ、第4の誘導結合要素は、入力信号線と結合することができる。第1の誘導結合要素は、第3の誘導結合要素とガルバニック結合することができる。第2の誘導結合要素は、第4の誘導結合要素とガルバニック結合することができる。少なくとも1つの実施形態を超伝導集積回路として要約することができ、超伝導集積回路は、複数の導電層と絶縁層とを含み、これらの層は、導電性の少なくとも1つの第1の内部誘導結合要素と導電性の少なくとも1つの第1の外部誘導結合要素とを含み、第1の外部誘導結合要素は、導電層と絶縁層の複数の層を通じて延在し、その長さの少なくとも一部分に沿って第1の内部誘導結合要素を囲み、第1の外部誘導結合要素は、第1の内部誘導結合要素から電気的に絶縁され、それらの間で誘導通信ができるように十分に狭い間隔が設けられる。いくつかの実施形態では、第1の内部誘導結合要素および第1の外部誘導結合要素の少なくとも1つは、臨界温度を下回ると超伝導性となる導電材料から形成することができる。第1の内部誘導結合要素および第1の外部誘導結合要素の少なくとも1つは、超伝導プログラマブル素子と結合することができる。第1の内部誘導結合要素と第1の外部誘導結合要素との間の相互インダクタンスは、第1の外部誘導結合要素から第1の内部誘導結合要素を分離する距離にほぼ直線的に比例し得る。いくつかの実施形態では、超伝導集積回路は、導電性の第2の外部誘導結合要素を含み得、第2の外部誘導結合要素は、導電層と絶縁層の複数の層を通じて延在し、その長さの少なくとも一部分に沿って第1の内部誘導結合要素を囲み、第2の外部誘導結合要素は、第1の内部誘導結合要素から電気的に絶縁され、それらの間で誘導通信ができるように十分に狭い間隔が設けられ、第2の外部誘導結合要素は、第1の外部誘導結合要素とガルバニック結合される。以下の説明にはいくつかの特定の詳細が含まれ、これにより開示されたさまざまな実施形態を十分に理解することができる。しかし、当業者であれば、実施形態はこれらの特定の詳細の1つもしくは複数がなくともまたは他の方法、コンポーネント、材料などを用いても実施することができることが認識できよう。他の例では、量子素子、結合素子ならびにマイクロプロセッサおよび駆動回路を含む制御システムなどの量子プロセッサと関連する周知の構造体は、本システムおよび方法の実施形態の説明を不要に曖昧にすることを避けるため、詳細には示されておらず、詳細に記載されてもいない。本明細書および添付の特許請求の範囲の全体を通して、用語要素elementおよび複数の要素elementsを使用して、これらに限定されないが、量子プロセッサと関連するすべてのそのような構造、システムおよび素子ならびにこれらに関連するプログラマブルパラメータを包含する。文脈上必要でない限り、本明細書および後に記載される添付の特許請求の範囲の全体を通して、用語含む、備えるcompriseならびに含む、備えるcomprisesおよび含み、備えたcomprisingなどのその変形語は、オープンで包括的な意味、すなわち、~を含むが、これらに限定されないincluding,butnotlimitedtoの意味で解釈されるものとする。本明細書全体を通して、一実施形態oneembodimentまたは実施形態anembodimentまたは別の実施形態anotherembodimentへの言及は、その実施形態と関連して記載された特定の指示対象の特徴、構造または特性が少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体におけるさまざまな箇所での節一実施形態ではinoneembodimentまたは実施形態ではinanembodimentまたは別の実施形態anotherembodimentの出現は、必ずしもすべてが同じ実施形態を言及しているとは限らない。さらに、1つまたは複数の実施形態において、特定の特徴、構造または特性を任意の適切な様式で組み合わせることができる。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用されるように、単数形a、anおよびtheは、文脈上明らかにそうでないことを示さない限り、複数形の指示対象を含むことに留意すべきである。したがって、例えば、量子プロセッサaquantumprocessorを含む問題解決システムへの言及は、単一の量子プロセッサまたは2つ以上の量子プロセッサを含む。また、用語または、もしくはorは、文脈上明らかにそうでないことを示さない限り、一般におよび/またはand/orを含む意味で使用されることも留意すべきである。本明細書で提供される見出しは、便宜のためにのみ付されているものであり、実施形態の範囲または意味を解釈するためのものではない。本明細書に記載されるさまざまな実施形態は、超伝導集積回路の要素間の相互インダクタンスの不一致を緩和するためのシステムおよび方法を提供する。一例として、そのような不一致は、製作過程における欠陥に起因する場合がある。本システムおよび方法は、任意の集積回路に適用することができ、特に、超伝導量子プロセッサなどの超伝導プロセッサを具体化する超伝導集積回路において役に立つ。本明細書の残り全体を通して、超伝導量子コンピューティングの分野における適用例について例示を目的として記載するが、当業者であれば、本明細書の教示は量子コンピューティングにおける適用に限定されないことが理解されよう。多くの超伝導集積回路が信号転送手段として素子間で誘導結合を使用している。そのような誘導結合は、通常、電気的に絶縁された2つの誘導結合要素によって形成される磁束トランスを通じて実現される。通例では、誘導結合要素は、それらの間で相互インダクタンスを形成するよう互いに十分近くに位置する超伝導インダクタである。超伝導集積回路における信号転送手段としての誘導結合の一使用例を図1に示す。図1は、いくつかの誘導結合121~127を用いた超伝導磁束量子ビット101を備えた超伝導集積回路100の概略図である。各誘導結合121~127は、それらの間で相互インダクタンスを形成するよう互いに十分近くに位置する一対の超伝導インダクタを備えたそれぞれの磁束トランスを通じて実現される。それぞれの誘導結合121~127は、超伝導集積回路100の操作に必要な信号転送手段を提供する。例えば、誘導結合121は、入力信号線131とCJJ132との間で信号転送手段を提供する。当業者であれば、入力信号線131とCJJ132との間で実現された相互インダクタンスの強度が、例えば、2つのインダクタを分離する間隙のサイズを含むさまざまな因子に依存し得ることが理解されよう。超伝導集積回路100がこの相互インダクタンスを特定の正確な値によって特徴付けるという意図で設計される場合、回路は、その値を得るために正確な過程で製作される必要がある。製作過程における差異または不一致は相互インダクタンスの意図する値と得られた実際の値との間の望まない不一致をもたらす恐れがある。したがって、それぞれの誘導結合121~127で実現される相互インダクタンスは、少なくともある程度は、超伝導集積回路100が製作される過程に依存する。多くの適用例では、製作された回路で実現される実際の相互インダクタンスは、設計された公称値と正確に一致する必要はない。例えば、いくつかの適用例では、2つの誘導結合要素間で実現された相互インダクタンスの実際の値を特徴付け例えば、予備測定を実行することによって、それに応じて、印加された信号をスケーリングすることによって設計された公称値とのいかなる差異にも対応することが可能であり得る。しかし、いくつかの適用例では、相互インダクタンスの実際の値と設計された公称値との間のいかなる不一致の影響も緩和すること、および/または、複数の相互インダクタンスを使用する超伝導集積回路全体にわたって実現された相互インダクタンスにおけるいかなるドリフトもしくは矛盾も緩和することが有利であり得る。そのような緩和が有利となる一適用例は、同じ信号源から信号を受信するために誘導結合された複数の要素を含む超伝導集積回路である。図2は、3つの超伝導磁束量子ビット201~203を含む超伝導集積回路200の概略図であり、3つの超伝導磁束量子ビット各々は、それぞれの磁束トランス221~223を通じて同じ入力信号線210に誘導結合されたそれぞれのCJJを有する。それぞれの磁束トランス221~223は、誘導結合要素のそれぞれの対を備える。当業者であれば、量子ビット201~203の構造およびコンポーネントは図2の目的のために簡素化され、超伝導集積回路200は図示されていない追加のコンポーネントおよび素子を含み得ることが理解されよう。それぞれの量子ビット201~203が同じ入力信号線210と誘導結合されているが、各量子ビットが入力信号線210によって運ばれた任意の所与の信号から実際に受信する信号の大きさは、少なくともある程度は、各磁束トランス221~223におけるそれぞれの相互インダクタンスに依存する。例えば、磁束トランス221がM1の相互インダクタンスを実現し、磁束トランス222がM2M2はM1より大きいの相互インダクタンスを実現する場合他のすべてのものは等しい、量子ビット202は、入力信号線210によって運ばれた任意の所与の信号に対して、量子ビット201によって受信されたものより大きい信号を受信する。入力信号線210によって運ばれた任意の所与の信号に対して、量子ビット201~203すべてが実質的に同じ大きさの信号を受信することが望ましい適用例では、磁束トランス221~223におけるそれぞれの相互インダクタンスは互いに実質的に類似していることが有利である。先に記載された通り、磁束トランス磁束トランス221~223のいずれかなどのにおける相互インダクタンスは、少なくともある程度は、2つのインダクタ間の間隙のサイズに依存し得る。超伝導集積回路は多層で構成することができ、その一部は、超伝導電流経路を設ける金属層であり得、その一部は、隣接する金属層間の構造的支持および電気的絶縁を提供する誘電体層であり得る。そのような回路では、磁束トランスは、第1の金属層内に配置された第1の超伝導電流経路によって具体化された第1の誘導結合要素を第2の金属層内に配置された第2の超伝導電流経路によって具体化された第2の誘導結合要素に誘導結合することによって、実現することができ、第1の金属層および第2の金属層は誘電体層によって分離される。本明細書の残り全体を通して、この形状は並列インダクタ形状と呼ばれるが、当業者であれば、用語並列はこの文脈において漠然と使用され、2つのインダクタはわずかに並列からずれる場合があることが理解されよう。図3は、並列インダクタ形状を使用する磁束トランス301を示す多層超伝導集積回路300の断面図である。磁束トランス301は、第1の金属層内に担持された第1の超伝導電流経路311と第2の金属層内に担持された第2の超伝導電流経路312との間での誘導結合を可能にし、第1の金属層および第2の金属層は誘電体層320によって互いに分離される。超伝導電流経路311と312を分離する間隙のサイズは誘電体層320の厚さによって決定され、したがって、磁束トランス301における相互インダクタンスは、少なくともある程度は、誘電体層320の厚さに依存する。大部分の適用例では、超伝導集積回路300が特定の公称厚さの誘電体層320で設計されていることになることを踏まえ、それに応じて磁束トランス301における特定の公称相互インダクタンスが要求される。誘電体層320の設計された公称厚さと誘電体層320の実際に製作された厚さとの間のいかなる不一致も、磁束トランス301における設計された公称相互インダクタンスと磁束トランス301で実現される実際の相互インダクタンスとの間の不一致をもたらす恐れがある。先に述べた通り、そのような不一致は、通常、単一のトランスの操作において克服することができるが例えば、印加された信号をスケーリングすることによって、複数の磁束トランスが同時に実質的に類似した相互インダクタンスを実現することが望まれる状況では有害である場合がある。そのような不一致が並列インダクタ形状を使用する複数の磁束トランス間でどのように起こり得るかに関する2つの例を図4および5に示す。図4は、2つの誘導結合要素411、430が第1の誘電体層421によって分離される第1の磁束トランス401および2つの誘導結合要素430、412が第2の誘電体層422によって分離される第2の磁束トランス402を示す多層超伝導集積回路400の断面図である。この説明例では、誘電体層421および422は両方とも、磁束トランス401および402のそれぞれにおいて実質的に同じ公称相互インダクタンスを実現するため、互いに同じ公称厚さを有するよう設計された。しかし、製作過程における何らかの欠陥のため、誘電体層421は誘電体層422より厚くしたまたは、代替の観点から、誘電体層422は誘電体層421より薄くした。他のすべてのものが等しく保持された場合、両方とも同じ公称相互インダクタンスを有するよう設計されたが、磁束トランス401は磁束トランス402より小さい実際の相互インダクタンスを有することになる。さらに、磁束トランス401における誘導結合要素430は磁束トランス402における誘導結合要素430とガルバニック結合されるため、超伝導集積回路400の操作においてそれぞれの相互インダクタンス間の不一致に対応することは特に難しい。また、磁束トランス401の実際の相互インダクタンスに対応するよう設計されたあらゆる信号調整も磁束トランス402によって捉えられ、逆もまた同様である。図5は、2つの誘導結合要素511、530が誘電体層520によって分離される第1の磁束トランス501および2つの誘導結合要素512、530が同じ誘電体層520によって分離される第2の磁束トランス502を示す多層超伝導集積回路500の断面図である。この説明例では、誘電体層520は、磁束トランス501および502のそれぞれにおいて実質的に同じ公称相互インダクタンスを実現するため、実質的に均一の公称厚さを有するよう設計された。しかし、製作過程における何らかの欠陥のため、誘電体層520の実際の厚さは均一ではなく、磁束トランス501は、磁束トランス502よりも薄い誘電体層を捉える。他のすべてのものが等しく保持された場合、両方とも同じ公称相互インダクタンスを有するよう設計されたが、磁束トランス501は磁束トランス502より大きい実際の相互インダクタンスを有することになる。さらに、磁束トランス501における誘導結合要素530は磁束トランス502における誘導結合要素530とガルバニック結合されるため、超伝導集積回路500の操作においてそれぞれの実際の相互インダクタンス間の不一致に同時に対応することは特に難しい。本システムおよび方法によれば、磁束トランスにおける相互インダクタンスは、同軸様形状を実装することによって、製作における不一致に対してよりロバストにすることができる。いくつかの実施形態では、同軸磁束トランスは、超伝導集積回路の第1の金属層内に担持された内部超伝導電流経路によって形成された第1の誘導結合要素と、内部超伝導経路の長さの少なくとも一部分に沿って内部超伝導電流経路を完全に囲む外部超伝導電流経路によって形成された第2の誘導結合要素とを備え得る。図6は、本システムおよび方法の一実施形態による、同軸磁束トランス601を示す多層超伝導集積回路600の断面図である。同軸磁束トランス601は、互いに誘導結合した誘導結合要素を含むという点において図3からの磁束トランス301と同様である。磁束トランス301は、2つの誘導結合要素311および312が誘電体層320の両側に互いに並列に位置する並列インダクタ形状を使用する。逆に、磁束トランス601は、内部超伝導電流経路630が外部超伝導電流経路631によって囲まれる同軸様形状を使用する。外部超伝導電流経路631は超伝導閉ループであり、例えば、第1の金属層内に担持された第1の超伝導電流経路611と、第2の金属層内に担持された第2の超伝導電流経路612と、それらの間にある少なくとも2つの超伝導接続部641、642とによって形成することができる。図3からの磁束トランス301では、信号は、並列の超伝導電流経路311と312との間で誘導結合することができる。一方、図6からの同軸磁束トランス601では、信号は、内部超伝導電流経路630と超伝導電流経路611、612、641および642によって形成される外部超伝導電流経路631との間で誘導結合することができる。磁束トランスにおいて同軸様形状を実装することによって、実現された相互インダクタンスは、導体間の間隙のサイズの差異にそれほど敏感ではなくなる例えば、いくつかの実施形態では、対数関数的に敏感であるなどほぼ直線的に敏感である。したがって、同軸トランスは、製作における不一致に対して、図3~5に示される一般的な並列インダクタ形状よりロバストである。図示される通り、超伝導集積回路600は3つの金属層と2つの誘電体層を含むが、当業者であれば、本システムおよび方法は異なる数の層を収容するよう適合させ得ることが理解されよう。同軸磁束トランス601は、第1の金属層内に配置された第1の内部超伝導電流経路630を含み、第1の金属層は第1の誘電体層622上に担持される。内部超伝導電流経路630は第2の金属層内に担持された第2の超伝導電流経路612上に少なくとも部分的に重なるよう位置し、内部超伝導電流経路630および第2の超伝導電流経路612は第1の誘電体層622によって互いに分離される。第2の誘電体層621は、内部超伝導電流経路630が2つの誘電体層622および621間に位置するように第1の金属層の上部に配置される。第3の超伝導電流経路611は、第2の誘電体層621上に配置された第3の金属層内に担持される。第3の超伝導電流経路611は、少なくとも一部分が第1の内部超伝導電流経路630および第2の超伝導電流経路612の両方それぞれの少なくとも一部分上に重なるように位置する。少なくとも2つの超伝導接続部641および642は、第2の金属層内に担持された第2の超伝導電流経路612と第3の金属層内に担持された第3の超伝導電流経路611との間に形成される。いくつかの実施形態では、それぞれの超伝導接続部641および642は少なくとも1つの超伝導ビアからなり得る。しかし、当業者であれば、それぞれの超伝導接続部641および642は2つの誘電体層を通じて延在するため、それぞれの超伝導接続部641および642は複数の超伝導ビアを備え得ることが理解されよう。例えば、超伝導接続部641は、誘電体層622を通じて第1の金属層と第2の金属層を接続する第1の超伝導ビアと、誘電体層621を通じて第1の金属層と第3の金属層を接続する第2の超伝導ビアとを備え得る。さまざまな実施形態では、複数の超伝導ビア例えば、単一の超伝導接続部641を形成するは互いの上部に直接積層され得るか、または、代替法として互いにオフセットを設けて互い違いの階段のような構成が形成され得る。図6は、xz平面に沿って切断された超伝導集積回路600の断面図であり、それぞれの金属層ならびに誘電体層621および622はそれぞれのxy平面に位置する。例えば、超伝導電流経路611は第1のxy平面において第1の金属層内に担持され、超伝導電流経路612は第2のxy平面において第2の金属層内に担持される。超伝導電流経路611は超伝導電流経路612上に重なり、それらの間には少なくとも2つの超伝導接続部641、642が存在し、その結果、超伝導電流経路611、超伝導電流経路612ならびに第1の超伝導接続部641および第2の超伝導接続部642が一緒になってxz平面において超伝導閉ループを形成する。xz平面はxy平面に直行し、超伝導閉ループはxz平面において囲まれたエリア650を画定する。このxz平面における超伝導閉ループは、同軸磁束トランス601における第1の誘導結合要素であり、同軸ケーブルにおける外部導体に類似する。第2の誘導結合要素は、第1のxy平面と第2のxy平面との間に位置する第3のxy平面において第3の金属層内に担持された超伝導電流経路630によって提供される。同軸磁束トランス601では、超伝導電流経路630は同軸ケーブルにおける内部導体に類似する。超伝導電流経路630は、xz平面において超伝導閉ループによって画定された囲まれたエリア650を通じて第3のxy平面に延在する。こうして、同軸磁束トランス601は、超伝導電流経路630が囲まれた超伝導閉ループと信号を誘導結合するよう構成される同軸様形状を具体化する。当業者であれば、本明細書および添付の特許請求の範囲の全体を通して、用語同軸および同軸様を使用して一般に、内部導体が少なくともその長さの一部分に沿って外部導体によって囲まれる形状を説明することが理解されよう。当技術分野では、同軸ケーブルは、通常、外部導体の内側に内部導体を軸方向に位置合わせしたすなわち、同心円状に配列された状態での円形断面を使用する。しかし、本明細書で使用されるように、用語同軸および同軸様を概意で使用して、内部および外部導体が設計および/または製作公差内で互いに大体同軸上に位置合わせされるよう設計される形状を説明する。内部導体と外部導体との間における、設計された同軸配列と実際の同軸配列との間の不一致に対して、同軸トランスにおける相互インダクタンスが本来ロバストである並列インダクタトランスと比較してということは本システムおよび方法の一態様である。用語同軸および同軸様は、本システムおよび方法の実施形態を円形状に限定することを意図するものではない。例えば、図6の同軸磁束トランス601は、外部超伝導電流経路の内側で内部超伝導電流経路630が正確には中央に位置合わせされ得ないxz平面において超伝導閉ループによって画定される矩形断面を使用する。内部超伝導電流経路630は、外部超伝導電流経路631と空間的に分離されおよび、電気的に絶縁され、この同軸様形状は、設計された空間的分離と製作中に得られる実際の空間的分離との間の不一致に対して、内部超伝導電流経路630と外部超伝導電流経路631との間の相互インダクタンスをよりロバストにする。同様に、この同軸様形状は、それぞれの相互インダクタンス間での不一致に対して複数の磁束トランスをよりロバストにする。図7は、2つの同軸磁束トランス701および702を使用した例示的な超伝導集積回路700の断面図を示す。同軸磁束トランス701は、内部超伝導電流経路731によって具体化された第1の誘導結合要素と、内部超伝導電流経路731を囲む外部超伝導電流経路741によって具体化された第2の誘導結合要素とを使用する。同軸磁束トランス702は、内部超伝導電流経路732によって具体化された第1の誘導結合要素と、内部超伝導電流経路732を囲む外部超伝導電流経路742によって具体化された第2の誘導結合要素とを使用する。この例では、内部超伝導電流経路731は、内部超伝導電流経路732とガルバニック結合される超伝導集積回路700の他の場所、図7では図示せず。さらに、同軸磁束トランス701と702の両方とも、それぞれの内部超伝導導体と外部超伝導導体との間で実質的に同じ公称相互インダクタンスを実現するよう設計された。しかし、誘電体層のそれぞれの厚さ間の不一致のため、磁束トランス702の内部導体732と外部導体742との間の空間的分離は、磁束トランス701の内部導体731と外部導体741との間の空間的分離よりはるかに小さい。図4の磁束トランス401および402において使用された並列インダクタ形状の場合、空間的分離におけるそのような不一致は、磁束トランス401と402との間の実際の相互インダクタンスにおける有害な不一致へと転換する恐れがある。しかし、磁束トランス701と702の両方とも同軸様形状を使用するため、それぞれの相互インダクタンスは、それぞれの内部導体と外部導体との間の空間的分離の差異にそれほど敏感ではない例えば、いくつかの実施形態では、対数関数的に敏感であるなどほぼ直線的に敏感である。これは、空間的分離における任意の所与の差異に対して、その結果生じる磁束トランス701と702との間の相互インダクタンスにおける不一致が磁束トランス401と402との間の相互インダクタンスにおける不一致よりはるかに少ないことを意味する。例えば、図2で示される超伝導集積回路200は、磁束トランス221~223それぞれが並列インダクタ形状とは対照的に図6で示される形状などの同軸様形状を使用する場合、磁束トランス221~223における相互インダクタンス間での不一致に対してよりロバストである。図8Aは、多層を備えた同軸磁束トランス800の上面図であり、各層はそれぞれのxy平面に相当する。明確にするため、図8Aでは誘電体層を示していない。トランス800は、内部超伝導電流経路830を備えた第1の誘導結合要素を含む。トランス800は、第1の外部超伝導電流経路811と、第2の外部超伝導電流経路視認不可と、それらの間の超伝導接続部840とを備えた第2の誘導結合要素をさらに含む。示された実施形態では、第1の外部超伝導電流経路811は、第2の外部超伝導電流経路と実質的に同じサイズおよび形状であり、第1の外部超伝導電流経路811は、第2の外部超伝導電流経路上に直接重なる図8Aの上面図では、第2の外部超伝導電流経路は視認不可とする。参考のため、図8Bでは第2の外部超伝導電流経路を示す。図8Bは、同軸磁束トランス800の底面図であり、第2の外部超伝導電流経路812を示す。第2の外部超伝導電流経路812は、図8Aからの第1の外部超伝導電流経路811と実質的に同じサイズおよび形状であるが、2つの経路811および812は、異なるxy平面に位置する。明確にするため、図8Bでは誘電体層を示していない。図8Aと8Bの両方を参照すると、内部超伝導電流経路830は、第1の誘導結合要素が第2の誘導結合要素と実質的に同軸方向に位置合わせされるよう2つの外部超伝導電流経路811および812間に延在する。外部超伝導電流経路811および812間の超伝導接続部は、超伝導ビア840を通じて実現されこの図では、1つのみ付記される、それに沿って1つまたは複数の位置で内部超伝導電流経路830を完全に囲む少なくとも1つの超伝導閉ループを画定する。例えば、超伝導閉ループは線A-Aにおいて形成され、線A-Aの断面図は図6で示される同軸磁束トランス601と類似することになる。示された実施形態では、超伝導電流経路811、812および830はそれぞれ、超伝導集積回路の残りの部分図示せずにおける空間制限に対応するため、サーペンタイン形またはU形を形成する。当業者であれば、同軸磁束トランスは、直線、直角L形、鋭角または鈍角、らせんなどの任意の代替レイアウトを具体化する超伝導電流経路を使用できることが理解されよう。さらに、当業者であれば、トランス800は10個の超伝導ビア840を使用するものとして示されているが、実際には、任意の数の超伝導ビアを同様に使用できることが理解されよう。当業者であれば、それぞれの超伝導ビア840は1つまたは複数のビア例えば、複数の積層ビアまたは互い違いの階段のようなビアから形成できることが理解されよう。例えば、経路811および812の全長に沿って電流を確実に流せるようにするため、経路811および812の長さの少なくとも反対側の端部に超伝導ビア840を位置付けることが有利であり得る。また、例えば、内部超伝導電流経路830と超伝導ビア840自体との間の誘導結合を増強するため、密に充填された超伝導ビアを使用することも有利であり得る。さらに、図9Aおよび9Bで示される長いビア様トレンチを使用することが好ましい場合がある。図9Aは、2つの外部超伝導電流経路間の超伝導接続部として長いビア様トレンチ960この図では、1つのみ付記されるを使用した同軸磁束トランス900の上面図である。明確にするため、図9Aでは誘電体層を示していない。トランス900は、第1の外部超伝導電流経路911と、第2の外部超伝導電流経路視認不可とを含む。示された実施形態では、第1の外部超伝導電流経路911は、第2の外部超伝導電流経路と実質的に同じサイズおよび形状であり、第1の外部超伝導電流経路911は、第2の外部超伝導電流経路上に直接重なる図9Aの上面図では、第2の外部超伝導電流経路は視認不可とする。参考のため、図9Bでは第2の外部超伝導電流経路を示す。図9Bは、同軸磁束トランス900の底面図であり、第2の外部超伝導電流経路912を示す。第2の外部超伝導電流経路912は、図9Aからの第1の外部超伝導電流経路911と実質的に同じサイズおよび形状であるが、2つの経路911および912は、異なるxy平面に位置する。明確にするため、図9Bでは誘電体層を示していない。図9Aと9Bの両方を参照すると、各トレンチ960は、yz平面に効果的に壁を形成してより良好に内部超伝導電流経路930を囲む細長いビアと類似する。図9Aと9Bでは6個の長いビア様トレンチ960が示されているが、当業者であれば、任意の数のトレンチ960を同様に使用できることが理解されよう。例えば、トレンチ960が90度回転を含めることが可能である場合、トランス900は、2つのトレンチ960を使用するだけでよい一方を超伝導電流経路930の片側に、他方を超伝導電流経路930の反対側に位置付ける。図1~5で示される通り、並列インダクタ形状を使用した磁束トランスは、2つの誘導結合要素、すなわち、第1のインダクタと、それらの間で相互インダクタンスを実現するよう第1のインダクタの十分近くに位置する第2のインダクタとを有する。同様に、本システムおよび方法のいくつかの実施形態では、同軸磁束トランスは、2つの誘導結合要素、すなわち、内部導体と外部導体とを備えるものと見なされ得、外部導体は、2つの同一平面上の電流経路およびそれらの間の導電接続部によって、外部導体の少なくとも一部分が内部導体の少なくとも一部分を囲むように形成される。いくつかの適用例では、内部導体は信号入力構造体を具体化することができ、外部導体は信号受信器を具体化することができる。他の適用例では、外部導体は信号入力構造体を具体化することができ、内部導体は信号受信器を具体化することができる。いずれの場合も、信号入力構造体は、例えば、入力信号線を含み得、信号受信器は、例えば、プログラマブル素子と結合され得る。図10は、3つのプログラマブル素子1001~1003を含む超伝導集積回路1000の概略図であり、3つのプログラマブル素子1001~1003の各々は、同じ入力信号線1010に誘導結合されたそれぞれの信号受信器1031~1033を有する。それぞれのプログラマブル素子1001~1003に対して、入力信号線1010とそれぞれの信号受信器1031~1033との間の誘導結合は、入力信号線1010が内部導体として機能し、それぞれの信号受信器1031~1033がそれぞれの外部導体として機能した状態で、それぞれの同軸磁束トランス1021~1023を具体化する。しかし、当業者であれば、代替の実施形態では、同軸磁束トランス1021~1023のそれぞれまたは、いずれか1つは、入力信号線1010を外部導体として、そして、信号受信器1031~1033を内部導体として使用できることが理解されよう。示された実施形態では、各プログラマブル素子1001~1003は、例えば、超伝導量子プロセッサにおけるそれぞれの超伝導磁束量子ビットに相当する。本システムおよび方法のある態様は室温で実現され得、ある態様は超伝導温度で実現され得る。したがって、本明細書および添付の特許請求の範囲の全体を通して、超伝導電流経路などの物理構造について説明するために使用される場合、用語超伝導を使用して、適切な温度で超伝導体として作用することが可能な材料を示す。超伝導材料は、本システムおよび方法のすべての実施形態において必ずしも常に超伝導体として機能するわけではない。また、本明細書で提供される教示は金から形成される高周波トランスなどの非超伝導の適用例に適用され得ることも留意されたい。上記で示された実施形態の説明は、要約に記載されることも含めて、包括的であることも、開示されるものと全く同一の形態に実施形態を限定することも意図しない。特定の実施形態および実施例は例示を目的として本明細書に記載されるが、当業者に認識されるように、本開示の精神および範囲から逸脱することなくさまざまな同等の変更を行うことができる。本明細書で提供されるさまざまな実施形態の教示は、量子計算の他のシステムおよび方法に適用することができ、上記で一般的に説明された量子計算のための例示的なシステムおよび方法に限らない。上記のさまざまな実施形態を組み合わせて、さらなる実施形態を提供することができる。本明細書で言及される、および/または、出願データシートに記載される米国特許、米国特許出願公開、米国特許出願、外国特許、外国特許出願および非特許公開のすべては、これらに限定されないが、SystemsAndMethodsForSuperconductingIntegratedCircuitsという名称で2010年1月15日に出願された米国仮特許出願第61/295,561号明細書、米国特許第7,533,068号明細書、米国特許出願公開第2008-0176750号明細書、米国特許出願公開第2009-0121215号明細書およびPCT特許出願第PCT/US2009/037984号明細書公報、国際公開第2009/120638号パンフレットを含めて、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。実施形態の態様を必要に応じて変更し、さまざまな特許、出願および公開のシステム、回路および概念を使用し、さらなる実施形態を提供することができる。上記の詳細な説明を考慮すると、実施形態に対してこれらの変更および他の変更を行うことができる。一般に、下記の特許請求の範囲において、使用される用語は、本明細書および特許請求の範囲で開示される特定の実施形態に請求項を限定するものと解釈してはならず、こうした請求項が権利付与する均等物の全範囲とともに可能な実施形態すべてを含むものと解釈すべきである。したがって、請求項は本開示によって限定されない。"