"はんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において、前記接続端子の表面が、AgSn合金により形成された保護層により被覆されていることを特徴とする電子部品。前記AgSn合金がAg3Snであることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。前記保護層中のAg含有量が10wt以上、95wt以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品。電子部品と、前記電子部品が搭載される回路基板と、前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合するはんだとを有し、前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が、AgSn合金により形成された保護層により被覆されていることを特徴とする電子機器。前記はんだが、AgとSnとの合金であることを特徴とする請求項4に記載の電子機器。接続端子とはんだとの接合部に流れる電流密度が高くてもエレクトロマイグレーションが発生しにくい電子部品及び電子機器を提供することを目的とする。開示の技術の一観点によれば、はんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において、前記接続端子の表面が、AgSn合金により形成された保護層により被覆されている電子部品が提供される。開示の技術の他の一観点によれば、電子部品と、前記電子部品が搭載される回路基板と、前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合するはんだとを有し、前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が、AgSn合金により形成された保護層により被覆されている電子機器が提供される。上記一観点に係る電子部品及び電子機器によれば、電流密度が高くてもエレクトロマイグレーションの発生を抑制できる以下、実施形態について説明する前に、実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。前述したように、近年、半導体装置等の電子部品の接続端子は微細化される傾向にあり、接続端子に流れる電流の密度電流密度は増加する傾向にある。ところが、接続端子に流れる電流の密度が約104A/cm2又はそれ以上になると、接続端子とはんだとの接続部でエレクトロマイグレーションが発生して接続端子間の抵抗値が高くなり、極端な場合は断線が発生する。図1a,bは、Cuにより形成された接続端子間をはんだバンプにより接合し、150°Cの環境下で接続端子間に6×103A/cm2の電流密度で電流を流したときのCu分布の経時変化を調べた結果を示す図である。ここでは上側の接続端子から下側の接続端子に直流電流を流している。なお、Cu分布の取得には、電子線マイクロアナライザEPMA:ElectronProbeMicroAnalyserを用いている。図1a,bから、時間の経過とともに接続端子中のCu原子が下低電位側から上高電位側に移動していることがわかる。Cu原子が移動した後は原子空孔となり、原子空孔が多数発生すると、エレクトロマイグレーションとして認識できるようになる。図2a,bは、接続端子の表面にNiをめっきし、上記と同様の条件でNiの分布の経時変化を調べた結果を示す図である。この図2a,bから、時間の経過とともにNi原子が下から上に移動していることがわかる。従って、Niめっきではエレクトロマイグレーションを防止することができない。エレクトロマイグレーションを抑制するために、接続端子数を増やして接続端子1個当たりの電流密度を小さくすることが考えられる。しかし、その場合は接続端子の配置スペースが拡大し、半導体装置のサイズが大きくなってしまう。以上から、接続端子とはんだとの接合部に流れる電流密度が高くてもエレクトロマイグレーションが発生しにくい電子部品及び電子機器を提供することを目的とする。実施形態図3aは実施形態に係る電子部品の一例を表した図、図3bは同じくその接続端子部分を拡大して表した図である。また、図4は電子部品の接続端子と回路基板の接続端子との接続部を表した図である。本実施形態に係る電子部品10は、所定の電子回路が形成された半導体チップ11aと、半導体チップ11aを封止するパッケージ封止樹脂11bとを有する。また、半導体チップ11aの下面側には多数の接続端子12が設けられている。それらの接続端子12はCuにより形成されており、表面にはAgSn銀-スズ合金により形成された保護層13が設けられている。なお、保護層13を形成するAgSn合金として、化学的に安定なAg3Snを用いることが好ましい。保護層13の厚さは3μm~100μmとすることが好ましい。保護層13の厚さが3μm未満の場合は、ピンホールが存在する可能性があり、Cu電極を完全に被覆することが難しくなって、Cuのエレクトロマイグレーションを十分に防止することができない。また、保護層13の厚さが100μmを超えると、電気伝導度の低が低くなって電子回路に悪影響を与えるおそれがある。一方、回路基板20は、所定のパターンで形成された配線図示せずと、接続端子22とを有する図4参照。回路基板20の接続端子22もCuにより形成されており、その表面にはAgSn合金により形成された保護層23が設けられている。そして、電子部品10の接続端子12と回路基板20の接続端子22とは、はんだ25により接合されている。はんだ25は、例えばSn-3.5wtAg合金よりなる。本実施形態では、上述したようにAgSn合金により形成された保護層13,23により接続端子12,22の表面を被覆しているため、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。以下、その理由を説明する。エレクトロマイグレーションは拡散係数に関係し、拡散係数が大きい元素ほどエレクトロマイグレーションが発生しやすいということができる。160°CにおけるSn中のCuの拡散係数は2.4×1011m2/sであり、Sn中のNiの拡散係数は5.4×1013m2/sである。これに対し、Sn中のAgの拡散係数は9.0×1015m2/sであり、Cuに比べて4桁、Niに比べて2桁小さい。つまり、Sn中のAgは、高密度の電流でも移動しにくく、CuやNiに比べてエレクトロマイグレーションの原因となる原子空孔が発生しにくい。また、Ag中におけるSnとAgの拡散係数は同程度であり、且つ160°C以下の温度域においてSnはAgに固溶するため、仮に接続端子間を流れる電流によりAgが移動して原子空孔が生じても、Snにより空孔が埋められる。このため、エレクトロマイグレーションがより一層発生しにくい。上述したように、本実施形態では接続端子12,22の表面をAgSn合金により形成された保護層13,23で覆っている。このため、接続端子12,22間に流れる電流の密度が高くても、接続端子12,22中のCu原子や保護層13,23中のAg原子の移動が抑制され、エレクトロマイグレーションが発生しにくい。これにより、エレクトロマイグレーションに起因する抵抗値の増加や断線等の不具合が回避され、電子部品10と回路基板20との間の接合部の信頼性が大幅に向上するという効果を奏する。なお、図1,図2からわかるように、エレクトロマイグレーションによる原子の移動は低電位側カソードから高電位側アノードに向かって生じる。このため、低電位側の接続端子のみに保護層を設け、高電位側の接続端子には保護層を設けなくてもよい。また、接続端子12,22間を接続するはんだ25は、前述したSn-3.5wtAg合金に限定されるものではなく、例えばSn-0.7wtCu合金又はSn-3wtAg-0.5wtCu合金など、種々の合金はんだを使用することができる。但し、接続端子12,22間を接続するはんだ25は、2.0wt~4.0wtのAgを含有したSnAg合金により形成することが好ましい。はんだとして上記のSnAg合金を使用すると、保護層13,23中のAgSn合金がはんだ中に拡散することを抑制する効果が大きく、エレクトロマイグレーションによる接続端子12,22間の断線をより確実に抑制できる。実験1以下、上述の方法により電子部品と回路基板とをはんだ接続し、エレクトロマイグレーションによる断線が発生するまでの時間を調べた結果について説明する。ガラスエポキシ基板の上に、幅が100μm、高さが100μmの一対の銅パターンを、それらの端面が相互に対向するように形成した。そして、それらの銅パターンの端面にそれぞれAgを3μmの厚さにめっきし、更にその上にSnを0.5μmの厚さにめっきした。その後、ガラスエポキシ基板を250°Cの温度に加熱してAgとSnとを相互に拡散させて、Ag3Snを主成分とする保護層を形成した。そして、それらの保護層間をSn-3.5wtAg合金はんだで接合して、実施例の試料とした。図5aは、実施例の試料を模式的に示した図であり、符号31は銅パターン、符号32は保護層Ag3Sn、符号33ははんだSn-3.5wtAgを示している。一方、比較例1として、図5bに示すように、保護層32がない以外は実施例と同様の試料を作成した。また、比較例2として、図5cに示すように、保護層32の替わりに厚さが13μm~16μmのNiめっき層34を形成した以外は実施例と同様の試料を作成した。なお、はんだ接合部の形状を一定にするため、レジスト膜を形成して銅パターン31の端面以外の部分にはんだが付着することを防止した。また、実施例及び比較例1,2の試料はそれぞれ複数個ずつ作成した。次に、抵抗変化にともなうジュール発熱による温度変化を緩和するために、これらの実施例及び比較例1,2の試料を、160°Cの温度に保ったオイルバス中に浸漬した。そして、定電流装置により実施例及び比較例1,2の試料に、はんだと銅パターンとの接合界面における電流密度が2.5×104A/cm2となる条件で直流電流を流し、エレクトロマイグレーションによる断線が発生するまでの時間を測定した。図6は、横軸に断線が発生するまでの時間破断寿命をとり、縦軸に分布関数Fをとって、実施例及び比較例1,2の試料の断線が発生するまでの時間を調べた結果を示す図である。この図6からわかるように、実施例の試料の破断寿命は、比較例1の試料の破断寿命に比べて約3倍長く、比較例2の試料の破断寿命に比べて約6倍長かった。この実験結果により、本実施形態の有効性が確認された。なお、上述の実験では銅パターンの端面にAgとSnとを順次めっきし、その後熱処理してAgSn合金としているが、銅パターンの端面にAgSn合金を直接めっきをした場合においても、同様の結果が得られた。実験2以下、保護層中のAg含有量とエレクトロマイグレーションによる断線が発生するまでの時間との関係を調べた実験結果について説明する。銅パターンの端面を被覆する保護層中のAg含有量を種々変えて、前述の実験1の実施例と同様の試料図5a参照を作製した。そして、実験1の実施例と同様に、それらの試料に2.5×104A/cm2の電流密度で直流電流を流し、断線が発生するまでの時間を測定した。図7は、横軸にAgSn合金中のAg含有量をとり、縦軸に断線が発生するまでの時間破断寿命をとって、両者の関係を調べた結果を示す図である。この図7からわかるように、Ag含有量が5wt未満の場合、及びAg含有量が95wtを超える場合は、いずれも破断寿命が500時間以下になる。この実験結果から、保護層中のAgの含有量は、10wt~95wtとすることが好ましいことがわかる。なお、上述の実施形態では電子部品が半導体装置LSI及び回路基板の場合について説明したが、開示した技術を半導体装置以外の電子部品、例えばチップ型抵抗素子及びコンデンサ素子等に適用してもよいことは勿論である。また、上述の実施形態では半導体装置と回路基板との接合について説明したが、半導体装置同士をはんだ接合する場合にも適用することができる。以上の諸実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1はんだ接合により他の電子部品に接続される接続端子を有する電子部品において、前記接続端子の表面が、AgSn合金により形成された保護層により被覆されていることを特徴とする電子部品。付記2前記AgSn合金がAg3Snであることを特徴とする付記1に記載の電子部品。付記3前記保護層中のAg含有量が10wt以上、95wt以下であることを特徴とする付記1又は2に記載の電子部品。付記4電子部品と、前記電子部品が搭載される回路基板と、前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間を接合するはんだとを有し、前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子の少なくとも一方の表面が、AgSn合金により形成された保護層により被覆されていることを特徴とする電子機器。付記5前記はんだが、AgとSnとの合金であることを特徴とする付記4に記載の電子機器。付記6前記AgSn合金がAg3Snであることを特徴とする付記4又は5に記載の電子機器。付記7前記電子部品の接続端子と前記回路基板の接続端子との間に流れる電流の密度が104A/cm2以上であることを特徴とする付記4乃至6のいずれか1項に記載の電子機器。付記8前記保護層が、前記電子部品の接続端子及び前記回路基板の接続端子のうち低電位側の端子のみに設けられていることを特徴とする付記4乃至7に記載の電子機器。"