p型埋め込み層形成予定位置のシリコン基板の主表面を露出させた状態で、シリコンよりも質量数が大きいp型不純物イオンを前記主表面に注入するp型不純物イオン注入工程と、前記シリコン基板に対して熱処理を施して前記シリコン基板にp型不純物拡散層を形成する熱処理工程と、前記シリコン基板の前記主表面にシリコンエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程と、をその順に含む半導体装置の製造方法。前記p型不純物イオンはBF2イオン、ガリウムイオン又はインジウムイオンである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記p型不純物イオン注入工程と前記熱処理工程との間に、前記p型埋め込み層形成予定位置と少なくとも一部分が重なるn型埋め込み層形成予定位置の前記シリコン基板の前記主表面を露出させた状態で、シリコンよりも質量数が大きいn型不純物イオンを前記主表面に注入するn型不純物イオン注入工程を含み、前記熱処理工程は、前記シリコン基板に前記p型不純物拡散層を形成するとともにn型不純物拡散層を形成する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記p型不純物イオン注入工程の前に、前記p型埋め込み層形成予定位置と少なくとも一部分が重なるn型埋め込み層形成予定位置の前記シリコン基板の前記主表面を露出させた状態で、シリコンよりも質量数が大きいn型不純物イオンを前記主表面に注入するn型不純物イオン注入工程を含み、前記熱処理工程は、前記シリコン基板に前記p型不純物拡散層を形成するとともにn型不純物拡散層を形成する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記n型不純物イオンはアンチモンイオン、リンイオン又はヒ素イオンである請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、従来の方法では、アニールによってイオン注入欠陥を回復したにもかかわらず、エピタキシャル成長後に積層欠陥が発生するという問題があった。この問題は例えば特許文献1で指摘されている。これは、ボロンイオン注入のようにシリコンが非晶質化しない場合には、表面の結晶性がアニールにより改復しても、射影飛程Rp近傍に欠陥が残っているためである。この残留欠陥は、シリコンエピタキシャル成長層に伸びて成長する。その結果、エピタキシャル成長層表面に結晶欠陥が現われる。したがって、イオン注入によりシリコン基板表面を非晶質化することが重要である。ボロンイオンを不純物拡散層として形成する必要がある場合、比較的質量の大きいBF2イオンを用いることが有効である。ところが比較的質量数の大きい注入種を用いたイオン注入では、バッファ酸化膜中の酸素原子が弾き出されて注入イオン種とともにシリコン基板に打ち込まれてしまうノックオン酸素の現象が起きることが一般的に知られている。シリコン基板内部に打ち込まれた酸素原子は、シリコン基板内に結晶欠陥を発生させる原因となる。BF2イオンの場合はボロンイオンよりも質量数が大きいので、ノックオン酸素が多くなり、結晶欠陥の発生が懸念される。本発明は、シリコン基板の主表面にp型不純物イオンを注入した後にその主表面にシリコンエピタキシャル成長層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、エピタキシャル成長層に結晶欠陥が発生することを防止することを目的とする。本発明にかかる半導体装置の製造方法は、p型埋め込み層形成予定位置のシリコン基板の主表面を露出させた状態で、シリコンよりも質量数が大きいp型不純物イオンを上記主表面に注入するp型不純物イオン注入工程と、上記シリコン基板に対して熱処理を施して上記シリコン基板にp型不純物拡散層を形成する熱処理工程と、上記シリコン基板の上記主表面にシリコンエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程と、をその順に含む。ここで、シリコン基板の主表面を露出させた状態とは、シリコン基板の主表面に意図的に形成された材料が存在していないことを意味し、いわゆる自然酸化膜が存在する状態を含む。自然酸化膜は、周辺雰囲気中の酸素とシリコン基板のシリコンが結合して形成されるシリコン酸化膜である。本発明の半導体装置の製造方法は、p型不純物イオン注入工程でシリコンよりも質量数が大きいp型不純物イオンをイオン注入するので、イオン注入された領域のシリコン基板を非晶質化できる。その後の熱処理工程で残留欠陥がなくなる。さらに、p型不純物イオン注入工程においてバッファ酸化膜を経ずにシリコン基板にp型不純物イオンが注入されるので、ノックオン酸素が発生せず、結晶欠陥の原因となる酸素がシリコン基板中に打ち込まれることがなくなる。これにより、エピタキシャル成長層に結晶欠陥が発生することがなくなる。図1は本発明の一実施例の工程を説明するための概略的な断面図である。以下に説明する工程a~dは図1中のa~dに対応している。aシリコン基板1は例えばボロンが添加されたP型単結晶シリコンである。シリコン基板1の比抵抗は例えば10Ωcmである。写真製版工程を経て、シリコン基板1の主表面1a上にフォトレジスト3が形成される。フォトレジスト3はp型埋め込み層形成予定位置に開口を備えている。フォトレジスト3の膜厚は200nm~2000nmで、例えば1000nmである。p型埋め込み層形成予定位置において、シリコン基板1の主表面1aに意図的に形成された材料は存在しておらず、シリコン基板1の主表面1aは露出している。なお、その位置の主表面1aに自然酸化膜は存在している。bイオン注入法により、BF2イオンがシリコン基板1に注入される。BF2イオンがシリコン基板1に打ち込まれ、BF2イオンの注入領域5が形成される。注入量は例えば1×1012~1×1016/cm2であり、ここでは1×1014/cm2である。注入エネルギーは例えば5keV~100keVで、ここでは15keVである。ここで、フォトレジスト3の膜厚が薄いとBF2イオン注入の際にBF2イオンがフォトレジスト3を突き抜けてシリコン基板1に打ち込まれてしまうことが考えられる。したがって、フォトレジスト3の膜厚は、BF2イオン注入エネルギーに対して、BF2イオンがフォトレジスト3を突き抜けてシリコン基板1に打ち込まれない程度の膜厚に設定される。cフォトレジスト3が除去される。シリコン基板1が拡散炉内に入れられて熱処理が施される。注入領域5のBF2イオンが熱拡散されて、ボロン拡散層p型不純物拡散層7が形成される。この熱処理は、ボロン拡散層7を形成すると同時に、BF2イオン注入によりシリコン基板1内に発生した結晶欠陥及び非晶質層を回復させる働きがある。この熱処理は、例えば不活性ガス中で、温度は1000°C、時間は5時間の条件で行なわれる。dシリコン基板1の主表面1aに形成された自然酸化膜がフッ酸溶液などで除去される。シリコン基板1の主表面1aにシリコンエピタキシャル成長層9が形成される。エピタキシャル成長は、例えばモノシランSiH4ガスと水素H2ガスとを用いた1000°C程度のCVD法によって行なわれる。この結果、ボロン拡散層7がシリコン基板1及びエピタキシャル成長層9からなる基板の内部に埋め込まれて、p型埋め込み層11が形成される。この実施例においては、p型埋め込み層11を形成するためのp型不純物イオンがシリコンよりも質量数が大きいBF2イオンなので、イオン注入された領域のシリコン基板1を非晶質化できる。その後の上記熱処理工程cで残留欠陥がなくなる。さらに、上記p型不純物イオン注入工程bにおいてバッファ酸化膜を経ずにシリコン基板1にBF2イオンが注入されるので、ノックオン酸素が発生せず、結晶欠陥の原因となる酸素がシリコン基板1中に打ち込まれることがない。これにより、上記エピタキシャル成長層形成工程dにおいて、エピタキシャル成長層9に結晶欠陥が発生することがなくなる。上記の実施例では、上記熱処理工程cにおいて、拡散炉内で熱処理を施しているが、熱処理工程だけでなく、例えば熱酸化工程も追加されてもよい。その場合は、例えば、1000°Cの温度条件で300nm程度の熱酸化膜が主表面1aに形成された後に、5時間の熱処理が施される。熱処理温度や酸化膜厚はこれに限らず、p型埋め込み層11の厚さや抵抗値などを考慮して任意に選択できる。また、熱酸化ではなく、CVD法により酸化膜が形成されてもよい。なお、主表面1aに酸化膜が形成された場合は、上記エピタキシャル成長層形成工程dでのエピタキシャル成長の前に、主表面1aの酸化膜が除去されることが必要である。図2は本発明の他の実施例の工程を説明するための概略的な断面図である。以下に説明する工程a~eは図2中のa~eに対応している。図2において図1と同じ部分には同じ符号が付されている。a図1aを参照して説明した上記工程aと同様に、シリコン基板1の主表面1a上にフォトレジスト3が形成される。フォトレジスト3はp型埋め込み層及びn型埋め込み層の形成予定位置に開口を備えている。p型埋め込み層及びn型埋め込み層の形成予定位置において、シリコン基板1の主表面1aに意図的に形成された材料は存在しておらず、シリコン基板1の主表面1aは露出している。なお、その位置の主表面1aに自然酸化膜は存在している。b図1bを参照して説明した上記p型不純物イオン注入工程bと同様に、BF2イオンがシリコン基板1に打ち込まれ、BF2イオンの注入領域5が形成される。cイオン注入法により、アンチモンイオンがシリコン基板1に注入される。BF2イオンの注入領域5に重なってアンチモンイオンがシリコン基板1に打ち込まれ、BF2イオン及びアンチモンイオンの注入領域13が形成される。注入量は例えば1×1012~1×1016/cm2であり、ここでは1×1014/cm2である。注入エネルギーは例えば5keV~100keVで、ここでは30keVである。dフォトレジスト3が除去される。シリコン基板1が拡散炉内に入れられて熱処理が施される。注入領域13のBF2イオン及びアンチモンイオンが熱拡散されて、ボロン拡散層7とアンチモン拡散層n型不純物拡散層15が形成される。この熱処理は、ボロン拡散層7とアンチモン拡散層15を形成すると同時に、BF2イオン注入及びアンチモンイオン注入によりシリコン基板1内に発生した結晶欠陥及び非晶質層を回復させる働きがある。この熱処理は、例えば不活性ガス中で、温度は1000°C、時間は5時間の条件で行なわれる。この際、ボロンはアンチモンよりも拡散長が大きいので、ボロン拡散層7がアンチモン拡散層15を包むような状態となる。eシリコン基板1の主表面1aに形成された自然酸化膜がフッ酸溶液などで除去される。シリコン基板1の主表面1aにシリコンエピタキシャル成長層9が形成される。エピタキシャル成長は、例えばモノシランSiH4ガスと水素H2ガスとを用いた1000°C程度のCVD法によって行なわれる。この結果、ボロン拡散層7及びアンチモン拡散層15がシリコン基板1及びエピタキシャル成長層9からなる基板の内部に埋め込まれて、p型埋め込み層11及びn型埋め込み層17が形成される。この実施例においては、図1を参照して説明した実施例と同じく、p型埋め込み層11を形成するためのp型不純物イオンがシリコンよりも質量数が大きいBF2イオンなので、イオン注入された領域のシリコン基板1を非晶質化できる。さらに、n型不純物イオン注入工程cで、BF2イオンの注入領域5にアンチモンイオンが注入されるので、シリコン基板1の非晶質化がさらに進む。その後の上記熱処理工程dで残留欠陥がなくなる。さらに、上記p型不純物イオン注入工程bにおいてバッファ酸化膜を経ずにシリコン基板1にBF2イオンが注入されるので、ノックオン酸素が発生せず、結晶欠陥の原因となる酸素がシリコン基板1中に打ち込まれることがない。これらにより、上記エピタキシャル成長層形成工程eにおいて、エピタキシャル成長層9に結晶欠陥が発生することがなくなる。この実施例では、上記熱処理工程dにおいて、拡散炉内で熱処理を施しているが、熱処理工程だけでなく、例えば熱酸化工程も追加されてもよい。その場合は、例えば、1000°Cの温度条件で300nm程度の熱酸化膜が主表面1aに形成された後に、5時間の熱処理が施される。熱処理温度や酸化膜厚はこれに限らず、p型埋め込み層11及びn型埋め込み層17の厚さや抵抗値などを考慮して任意に選択できる。また、熱酸化ではなく、CVD法により酸化膜が形成されてもよい。なお、主表面1aに酸化膜が形成された場合は、上記エピタキシャル成長層形成工程eでのエピタキシャル成長の前に、主表面1aの酸化膜が除去されることが必要である。また、この実施例では、p型不純物イオン注入工程b及びn型不純物イオン注入工程cで、同一フォトレジスト3がイオン注入マスクとして用いられているが、これらのイオン注入工程で別々のイオン注入マスクが用いられてもよい。この場合、p型不純物イオンが注入される領域とn型不純物イオンが注入される領域は、全く同じ領域であってもよいし、互いに一部分が重なる位置関係であってもよいし、一方の領域が他方の領域に囲まれる位置関係であってもよい。例えば、少なくともp型不純物イオンの注入領域に開口をもつマスク用酸化膜がシリコン基板1の主表面1aに形成されている状態でフォトレジスト3が形成される。フォトレジスト3がp型不純物イオン注入工程bでイオン注入マスクとして用いられる。p型不純物イオン注入工程bの後、フォトレジスト3が除去される。n型不純物イオン注入工程cで上記マスク用酸化膜がイオン注入マスクとして用いられる。マスク用酸化膜はアンチモンイオン注入の際にアンチモンイオンがシリコン基板1に到達しない程度の膜厚をもつ。また別の例として、p型不純物イオン注入工程bの後、フォトレジスト3が除去される。シリコン基板1の主表面1aにバッファ酸化膜が形成される。バッファ酸化膜の上に、n型不純物イオンの注入領域に開口をもつフォトレジストが形成される。n型不純物イオン注入工程cで、そのフォトレジストをイオン注入マスクとして、バッファ酸化膜を介してアンチモンイオンが注入される。ここで、n型不純物イオンの注入がバッファ酸化膜を介して行なわれても、ノックオン酸素に起因するエピタキシャル成長層の結晶欠陥は生じにくい。また、p型不純物イオン注入工程bとn型不純物イオン注入工程cの順序を入れ替えてもよい。このとき、アンチモンイオン注入の前に、シリコン基板1の主表面1aにバッファ酸化膜が形成されていても構わないが、その場合は、BF2イオン注入の前にバッファ酸化膜が除去されることが必要である。図1を参照して説明した実施例及び図2を参照して説明した実施例では、p型埋め込み層11を形成するためのp型不純物イオンとして、BF2イオンが用いられているが、本発明で用いられるp型不純物イオンはBF2イオンに限定されない。本発明で用いられるp型不純物イオンは、イオン注入によりシリコン基板の主表面を非晶質化させることができるp型不純物イオンであればよく、例えばガリウムイオンやインジウムイオンなどでもよい。図2を参照して説明した実施例では、n型埋め込み層17を形成するためのn型不純物イオンとして、アンチモンイオンが用いられているが、本発明で用いられるn型不純物イオンはアンチモンイオンに限定されない。本発明で用いられるn型不純物イオンは、イオン注入によりシリコン基板の主表面を非晶質化させることができるn型不純物イオンであればよく、例えばリンイオンやヒ素イオンなどでもよい。以上、本発明の実施例が説明されたが、本発明は、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。