絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、抵抗体が、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有し、抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分を有し、直線状部分の終端が、第1領域内に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、抵抗体が、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有し、抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分で、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみにより形成され、湾曲部分の終端が、第1領域内に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。抵抗体が、第1領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有し、湾曲部分の終端が、中央領域と傾斜領域の境界位置に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のチップ抵抗器。チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体上面電極形成工程と、抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から電極間方向に直線状に形成された直線状部分とからなるトリミング溝で、直線状部分の終端が第1領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体上面電極形成工程と、抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成された湾曲部分のみにより形成されたトリミング溝で、トリミング溝の終端が第1領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。抵抗体上面電極形成工程において、第1領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有する抵抗体を形成し、トリミング溝の終端を中央領域と傾斜領域の境界位置に形成することを特徴とする請求項4又は5に記載のチップ抵抗器の製造方法。しかし、図10に示す円弧状のトリミング溝T12の場合でも、トリミング溝T12の終端に電流が集中するので、サージ電流により抵抗体120における該終端位置の箇所が破損するおそれがある。特に、図10に示すトリミング溝T12は、トリミング溝の始端位置から円弧状にトリミング溝が形成され、トリミング溝の方向が電極間方向になると、辺部120aに近づくように形成されるが、厚膜で形成された抵抗体は、印刷した抵抗体ペーストを焼成して形成されるので、抵抗体の辺部側にいくほど薄く形成されており、トリミング溝T12が辺部120aに近づくように形成すると、トリミング溝の終端位置は、抵抗体120における厚みの薄い箇所に形成されてしまい、サージ電流により該終端位置の箇所が破損するおそれがある。さらに、抵抗体の厚みが約10μmの場合には、サージ耐量に限界があり、抵抗体120における該終端位置の箇所が破損するおそれがある。抵抗体120におけるトリミング溝T12の終端位置の箇所が破損すると、抵抗体の抵抗値が変化してしまう。そこで、本発明は、抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値調整を行ったチップ抵抗器において、耐サージ特性を向上させることができるものを提供するとともに、そのようなチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第1には、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、抵抗体が、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有し、抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分を有し、直線状部分の終端が、第1領域内に形成されていることを特徴とする。第1の構成においては、直線状部分の終端が膜厚が15μm以上の第1領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。なお、上記第1の構成において、抵抗体が、第1領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有し、直線状部分が、中央領域と傾斜領域の境界位置に沿って形成されていることを特徴とするものとしてもよい。また、第2には、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた抵抗体と、絶縁基板に設けられた抵抗体と接続した一対の電極部とを有するチップ抵抗器であって、抵抗体が、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有し、抵抗体には、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部からトリミング溝が形成され、該トリミング溝は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分で、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみにより形成され、湾曲部分の終端が、第1領域内に形成されていることを特徴とする。第2の構成においては、湾曲部分の終端が膜厚が15μm以上の第1領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。なお、上記第2の構成において、該湾曲部分の終端が電極間方向を向いていることを特徴とするものとしてもよい。また、第3には、上記第1又は第2の構成において、抵抗体が、第1領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有し、湾曲部分の終端が、中央領域と傾斜領域の境界位置に形成されていることを特徴とする。よって、トリミング溝の終端を抵抗体の最大膜厚の領域の近傍に位置させることができるので、トリミング溝の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。なお、上記各チップ抵抗器の構成において、トリミング溝における湾曲部分の始端は、電極間方向に対して直角方向を向いているものとしてもよい。また、上記各チップ抵抗器の構成において、湾曲部分が、略円弧状又は略楕円弧状としてもよい。また、第4には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体上面電極形成工程と、抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる湾曲部分と、湾曲部分の終端から電極間方向に直線状に形成された直線状部分とからなるトリミング溝で、直線状部分の終端が第1領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、を有することを特徴とする。第4の構成のチップ抵抗器の製造方法により製造されたチップ抵抗器においては、直線状部分の終端が膜厚が15μm以上の第1領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。なお、上記第4の構成において、抵抗体上面電極形成工程において、第1領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有する抵抗体を形成し、トリミング工程において、直線状部分を中央領域と傾斜領域の境界位置に沿って形成することを特徴とするものとしてもよい。また、第5には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、略方形状で最大膜厚が18~22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の第1領域と第1領域の周囲に形成された膜厚が15μm未満の第2領域とを有する抵抗体を形成するとともに、抵抗体の両側に接続された上面電極を形成する抵抗体上面電極形成工程と、抵抗体の上面に抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体の抵抗値を調整するために抵抗体にトリミング溝を形成するトリミング工程で、抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成された辺部であるトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分でトリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成された湾曲部分のみにより形成されたトリミング溝で、トリミング溝の終端が第1領域内に形成されたトリミング溝を形成するトリミング工程と、を有することを特徴とする。第5の構成のチップ抵抗器の製造方法により製造されたチップ抵抗器においては、直線状部分の終端が膜厚が15μm以上の第1領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝全体としてトリミング溝形成辺部に近づく方向には形成されず、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、第6には、上記第4又は第5の構成において、抵抗体上面電極形成工程において、第1領域の内側の領域で膜厚が略均一の領域である中央領域と、中央領域から抵抗体における周囲の辺部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域とを有する抵抗体を形成し、トリミング溝の終端を中央領域と傾斜領域の境界位置に形成することを特徴とする。よって、トリミング溝の終端を抵抗体の最大膜厚の領域の近傍に位置させることができるので、トリミング溝の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。なお、上記の各チップ抵抗器の製造方法において、トリミング溝における湾曲部分の始端を電極間方向に対して直角方向に形成することを特徴とするものとしてもよい。また、上記各チップ抵抗器の製造方法において、湾曲部分が、略円弧状又は略楕円弧状としてもよい。また、上記の各チップ抵抗器の製造方法において、上記抵抗体上面電極形成工程において、抵抗体と上面電極の接続領域において上面電極を抵抗体の上面に積層して形成することにより、上面電極と抵抗体とを接続させ、抵抗値調整工程の後に、抵抗体における上面電極に被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割する一次分割工程と、基板素体を分割してなる短冊状基板の電極間方向の側面に側面電極を形成する側面電極形成工程で、側面電極の上側部分が、上面電極における保護膜に被覆されていない領域を被覆するように側面電極を形成する側面電極形成工程と、短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、を有することを特徴とするものとしてもよい。本発明に基づくチップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法によれば、トリミング溝の終端が膜厚が15μm以上の第1領域内に形成されているので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、湾曲部分は、抵抗体のトリミング溝形成辺部から電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従いトリミング溝形成辺部側に近づかない方向にのみ形成されているので、トリミング溝の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。本発明に基づくチップ抵抗器5は、図1~図3に示すように構成され、絶縁基板基板10と、抵抗体20と、一対の電極部30と、カバーコート一次コート70と、保護膜二次コート80と、を有している。チップ抵抗器5の大きさは、平面視において、長辺の最大長さが0.6~1.6mmで、短辺の最大長さが0.3~0.8mmであり、例えば、長辺の最大長さが1.6mmで、短辺の最大長さが0.8mmである。ここで、絶縁基板10は、含有率96程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板10は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板10は、上記チップ抵抗器5の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。なお、チップ抵抗器5はいわゆる1608タイプのサイズであり、絶縁基板10の大きさは、平面視において、例えば、長辺電極間方向の辺が1.49mm~1.51mm好適には、1.50mmで、短辺が0.78mm~0.80mm好適には、0.794mmとなっている。なお、チップ抵抗器5がいわゆる1005タイプのサイズであり、絶縁基板10の長辺が0.89mm~0.91mm好適には、0.90mmで、短辺が0.48mm~0.50mm好適には、0.49mmとしてもよい。また、絶縁基板10の大きさはこれに限定されることなく他のサイズであってもよく、また、絶縁基板10の長辺と短辺の長さは、上記の長さに限定されず他の長さであってもよい。また、抵抗体20は、図1に示すように、絶縁基板10の上面に層状に設けられ、長手方向X1-X2方向電極間方向抵抗体20における一対の上面電極32との接続位置を結ぶ方向、他においても同じ、通電方向としてもよいに帯状に形成されていて、平面視において方形状略方形状としてもよい具体的には、長方形状略長方形状としてもよいに形成されている。この抵抗体20の電極間方向の端部は絶縁基板10の端部までは形成されておらず、抵抗体20の電極間方向の端部と絶縁基板10の電極間方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。また、抵抗体20の短手方向Y1-Y2方向幅方向の端部は絶縁基板10の端部までは形成されておらず、抵抗体20の幅方向の端部と絶縁基板10の幅方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。抵抗体20の短手方向とは、電極間方向に対して直角な方向である。この抵抗体20は、厚膜具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成されている。また、抵抗体20の膜厚は、最大膜厚が18~22μm好適には、20μmであり、図4、図5に示すように、抵抗体20においては、平面視における中央領域Mが、略均一の膜厚に形成されてその上面がほぼ平坦に形成されていて、膜厚が最も大きく形成され、該中央領域Mから抵抗体20における周囲の辺部20a~20dに行くに従い膜厚が小さくなるように形成され、上面が外側に行くに従い下方となるように傾斜している。つまり、中央領域Mの周囲の領域には、傾斜領域Pが存在している。また、膜厚15μm以上の領域N第1領域は、傾斜領域Pの一部中央領域Mの周囲の領域と中央領域Mを含む領域となる。つまり、傾斜領域Pにおいて、膜厚15μm以上の領域を領域P1とし、膜厚15μm未満の領域を領域P2第2領域とした場合に、領域Nは、中央領域Mと、中央領域Mの周囲に形成された領域P1とから構成され、領域P2は、領域P1の周囲に形成される。領域Nは、長手方向には長さn1、短手方向には長さn2に形成されている。すなわち、長手方向には、図2に示すように、中央領域Mがほぼ平坦に形成され、この中央領域Mの膜厚が最大膜厚略最大膜厚としてもよいに形成され、中央領域Mの両側の領域は、両側の端部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域Pとなる。つまり、傾斜領域Pは、外側に行くに従い下方に傾斜した傾斜面となっている。この中央領域Mの長手方向X1-X2方向の長さm1は、抵抗体20の長手方向の長さの50~60の長さとなっている。また、抵抗体20は、短手方向Y1-Y2方向には、図3に示すように、中央領域Mがほぼ平坦に形成され、この中央領域Mの膜厚が最大膜厚に形成され、中央領域Mの両側の領域は、両側の端部に行くに従い膜厚が小さくなる傾斜領域Pとなる。つまり、傾斜領域Pは、外側に行くに従い下方に傾斜した傾斜面となっている。この中央領域Mの短手方向の長さm2は、抵抗体20の短手方向の長さの30~35の長さとなっている。なお、抵抗体20の最大膜厚は18μm以上に形成されているので、膜厚15μm以上の領域Nを形成することができ、また、22μm以下に形成されているので、抵抗体としての物理的強度を保つことができる。なお、図2は、図1cのA-A断面における膜厚を示す図であり、図3は、図1cのC-C断面における膜厚を示す図である。また、抵抗体20には、トリミング溝T1が形成されている。このトリミング溝T1は、抵抗体20における上面電極32に接続された辺部と隣接する辺部20a短手方向の側の辺部抵抗体における電極間方向と直角方向の側の辺部で電極間方向に形成されたトリミング溝形成辺部から形成され、円弧状部分湾曲部分略円弧状部分としてもよいT1aを有する形状に形成されている。つまり、トリミング溝T1は、抵抗体20の長手辺から形成され、トリミング溝T1の始端では短手方向Y1-Y2方向に形成され、その後、所定の径で円弧状略円弧状としてもよいに形成していく。なお、トリミング溝T1の終端が膜厚15μm以上の領域N内に形成するために、円弧状部分T1aの径半径の大きさv1このv1は、溝の幅の中心位置と円弧の中心円弧を含む円の中心間の長さであるは、抵抗体20の辺部20aから膜厚が15μmの領域までの長さw1以上の大きさとし、また、円弧状の径の大きさv1は、トリミング溝T1を形成する辺部から中央領域Mまでの長さq1と同一又は略同一とする。また、円弧状に形成されたトリミング溝T1は、トリミング溝の方向が長手方向X1-X2方向となった場合図4aの状態には、その後は、円弧状に形成せずに、長手方向に直線状にトリミング溝を形成していく図4b参照。つまり、トリミング溝T1は、円弧状に形成された円弧状部分湾曲部分T1aと、円弧状部分T1aから連設され長手方向に直線状に形成された直線状部分T1bとから形成されている。円弧状部分T1aは、辺部20aから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、円弧状部分T1aの終端で長手方向を向く場合以外は辺部20aから遠ざかる方向に形成し、よって、円弧状部分T1aは、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部20aに近づかない方向にのみ形成することになり、トリミング溝T1全体としても、辺部20aに近づく方向には形成されない。また、トリミング溝T1における円弧状部分T1aの終端と直線状部分T1bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分T1bは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されている。よって、トリミング溝T1の終端は、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝T1の終端を抵抗体20の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝T1の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。なお、図4bの例では、トリミング溝T1は、円弧状部分T1aと直線状部分T1bとを有する形状に形成されているが、円弧状部分を形成する段階で所望の抵抗値に達した場合には、円弧状部分のみにより形成される場合もある。また、図4aでは、円弧状部分T1aの終端は長手方向を向いているが、円弧状部分T1aの終端が長手方向を向く前の位置例えば、図4aのgの位置でトリミングが終了する場合もある。なお、円弧状部分T1aのみによりトリミング溝T1が形成される場合にも、円弧状部分T1aの終端が長手方向を向く前の位置となる場合も含めて、トリミング溝T1の終端は、膜厚15μm以上の領域Nにあるようにする。また、円弧状部分T1aのみによりトリミング溝T1が形成される場合には、トリミング溝T1の終端が長手方向を向く時点で所望の抵抗値となるようにするのが好ましい。つまり、トリミング溝T1の終端が長手方向を向く場合には、トリミング溝T1の終端は、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝T1の終端を抵抗体20の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝T1の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。以上のようにして、トリミング溝T1の終端先端は、図4abに示すように、抵抗体20において膜厚が15μm以上の領域N内に形成され、また、トリミング溝T1における円弧状部分T1aの終端と直線状部分T1bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置に形成されている。なお、円弧状部分T1aの終端と直線状部分T1bとを中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置付近に形成してもよい。また、上記の説明では、トリミング溝T1は、円弧状部分を有する形状であるとして説明したが、円弧状部分の代わりに楕円弧状部分略楕円弧状部分としてもよいを有する形状としてもよい。すなわち、図5に示すトリミング溝T2は、楕円弧状部分湾曲部分T2aを有する形状に形成されている。つまり、トリミング溝T2は、抵抗体20の長手辺から形成され、トリミング溝T2の始端では短手方向Y1-Y2方向に形成され、その後、所定の径で楕円弧状略楕円弧状としてもよいに形成していく。なお、トリミング溝T2の終端が膜厚15μm以上の領域N内に形成するために、楕円弧状の径つまり、短軸の大きさv2このv2は、溝の幅の中心位置と楕円弧の中心楕円弧を含む楕円の中心間の長さであるは、抵抗体20の辺部20aから膜厚が15μmの領域までの長さw1以上の大きさとし、また、楕円弧状の径の大きさv2は、トリミング溝T2を形成する辺部から中央領域Mまでの長さq1と同一又は略同一とする。また、楕円弧状に形成されたトリミング溝T2は、トリミング溝の方向が長手方向X1-X2方向となった場合図5aの状態には、その後は、楕円弧状に形成せずに、長手方向にトリミング溝を形成していく図5b参照。つまり、トリミング溝T2は、楕円弧状に形成された楕円弧状部分湾曲部分T2aと、楕円弧状部分T2aから連設され長手方向に直線状に形成された直線状部分T2bとから形成されている。楕円弧状部分T2aは、辺部20aから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、楕円弧状部分T2aの終端で長手方向を向く場合以外は辺部20aから遠ざかる方向に形成し、よって、楕円弧状部分T2aは、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部20aに近づかない方向にのみ形成することになり、トリミング溝T2全体としても、辺部20aに近づく方向には形成されない。また、トリミング溝T2における楕円弧状部分T2aの終端と直線状部分T2bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分T2bは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されている。よって、トリミング溝T2の終端は、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝T2の終端を抵抗体20の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝T2の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。なお、図5bの例では、トリミング溝T2は、楕円弧状部分T2aと直線状部分T2bとを有する形状に形成されているが、楕円弧状部分を形成する段階で所望の抵抗値に達した場合には、楕円弧状部分のみにより形成される場合もある。また、図5aでは、楕円弧状部分T2aの終端は長手方向を向いているが、楕円弧状部分T2aの終端が長手方向を向く前の位置例えば、図5aのgの位置でトリミングが終了する場合もある。なお、楕円弧状部分T2aのみによりトリミング溝T2が形成される場合にも、楕円弧状部分T2aの終端が長手方向を向く前の位置となる場合も含めて、トリミング溝T2の終端は、膜厚15μm以上の領域Nにあるようにする。また、楕円弧状部分T2aのみによりトリミング溝T2が形成される場合には、トリミング溝T2の終端が長手方向を向く時点で所望の抵抗値となるようにするのが好ましい。つまり、トリミング溝T2の終端が長手方向を向く場合には、トリミング溝T2の終端は、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝T2の終端を抵抗体20の最大膜厚の領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝T2の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。なお、上記の例では、辺部20aから長手方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲部分として、円弧状部分T1aと楕円弧状部分T2aを例にとって説明したが、円弧状や楕円弧状でなくても、辺部20aから長手方向に向けて曲線状にカーブして形成された湾曲形状であればよい。以上のようにして、トリミング溝T2の終端先端は、図5abに示すように、抵抗体20において膜厚が15μm以上の領域N内に形成され、また、トリミング溝T2における円弧状部分T2aの終端と直線状部分T2bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置に形成されている。なお、円弧状部分T2aの終端と直線状部分T2bとを中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置付近に形成してもよい。また、電極部30は、絶縁基板10における電極間方向の端部にそれぞれ設けられ、上面電極32と、下面電極40と、側面電極50と、メッキ60とを有している。上面電極32は、絶縁基板10の上面の長手方向X1-X2方向図1参照の両端部領域に層状に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極32は、絶縁基板10の上面のX1側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極32は、絶縁基板10の上面のX2側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極32の幅方向の長さ短手方向の長さは、抵抗体20の幅方向の長さ短手方向の長さよりも大きく、絶縁基板10の幅方向の長さ短手方向の長さよりも小さく形成され、上面電極32と絶縁基板10の端部には隙間が形成されているが、絶縁基板10の幅方向の長さと略同一に形成してもよい。この上面電極32は、具体的には、銀系厚膜銀系メタルグレーズ厚膜により形成されている。なお、上面電極32の幅方向の長さは、抵抗体20の幅方向の長さと同一略同一としてもよいとしてもよい。また、上面電極32の抵抗体20側の端部領域は、抵抗体20の端部領域の上面に積層して形成されている。つまり、上面電極32における外側の領域絶縁基板10の端部電極間方向の端部側の領域は、絶縁基板10の上面に形成されているが、内側の領域は、抵抗体20の上面に積層して形成されている。なお、抵抗体20の端部領域が上面電極32の端部領域の上面に積層した構成としてもよい。また、下面電極40は、図1に示すように、上記絶縁基板10の下面の長手方向の両端部領域に層状に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。この下面電極40の長さ電極間方向の長さは、上面電極32の長さより長く形成されているが、下面電極40の長さは任意としてもよい。また、下面電極40の幅方向Y1-Y2方向の長さは、絶縁基板10の幅方向の長さと略同一に形成されている。この下面電極40は、銀系厚膜銀系メタルグレーズ厚膜により形成されている。なお、この下面電極40の構成を省略して、側面電極50の下側部分により下面電極の代わりとしてもよい。また、側面電極50は、上面電極32の一部つまり、保護膜80に被覆されていない領域と、保護膜80の一部と、下面電極40の一部と、絶縁基板10の側面つまり、X1側の側面と、X2側の側面を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極50は、X1側の端部とX2側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極50は、銀系厚膜銀系メタルグレーズ厚膜又は樹脂銀系厚膜により形成され、略均一の厚膜に形成されている。また、メッキ60は、側面電極50の外側と下面電極40の露出領域の外側に側面電極50と下面電極40の露出部分とを被覆して形成されている。つまり、メッキ60は、側面電極50の外側と下面電極40の露出領域の外側に側面電極50と下面電極40の露出部分とを被覆して形成されたニッケルメッキNiメッキ62と、ニッケルメッキ62の外側にニッケルメッキ62を被覆して形成された錫メッキSnメッキ64とから構成されていて、X1側の端部領域とX2側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の電極部の表面にメッキ60が設けられていて、内側層がニッケルメッキで、外側層が錫メッキとなっている。ニッケルメッキ62と錫メッキ64とは、それぞれ略均一の厚膜に形成されている。ニッケルメッキ62と錫メッキ64は、例えば、電気メッキにより形成される。なお、メッキ60の保護膜80側の端部は、保護膜80に積層している。また、カバーコート70は、抵抗体20の上面に層状に形成され、抵抗体20へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成される。このカバーコート70は、電極間方向には、トリミング溝形成位置の領域を被覆するとともに上面電極32に接して形成し、これにより、抵抗体20は、上面電極32とカバーコート70により被覆される。また、カバーコート70の幅方向の長さは、絶縁基板10の幅方向の長さと略同一に形成する。このカバーコート70は、ガラス系材料により形成され、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。なお、抵抗体20とカバーコート70には、トリミング溝T1T2が形成されている。また、保護膜80は、カバーコート70と、上面電極32の一部を被覆するように設けられている。この保護膜80の形成位置をさらに詳しく説明すると、幅方向には、絶縁基板10の幅と略同一に形成され、さらに、電極間方向には、抵抗体20の長さと略同一に形成され、保護膜80の電極間方向の端部位置は、抵抗体20の電極間方向の端部位置と水平方向において略同一の位置となっている。この保護膜80は、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜又はエポキシ樹脂系厚膜により形成されている。以上のように、保護膜80は、主として、抵抗体20を保護するものである。上記構成のチップ抵抗器5の製造方法について図6、図7を使用して説明すると、まず、上面と下面に一次スリットS1と二次スリットS2とが形成されたアルミナ基板このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシート含有率96程度のアルミナを含有するグリーンシートを予め焼成したものである図7a参照基板素体を用意し、このアルミナ基板の裏面すなわち、底面に下面電極40を形成するS11、下面電極形成工程。つまり、下面電極用のペースト例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペーストを印刷し、乾燥焼成する。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約850°Cの銀系ペーストとする。この下面電極の形成に際しては、一枚のスクリーンで縦横に複数個印刷する。なお、アルミナ基板には、上面と下面に一次スリットと二次スリットが形成されているとしたが、上面のみに一次スリットと二次スリットが予め形成されたものでもよい。また、上面のみに一次スリットと二次スリットが形成されたアルミナ基板を用いる代わりに、下面電極の形成後にアルミナ基板の上面に一次スリットと二次スリットとをレーザースクライブにより形成してもよい。次に、上記アルミナ基板の上面に抵抗体20を形成するS12、抵抗体形成工程図7b参照。つまり、抵抗体ペースト例えば、酸化ルテニウム系ペースト具体的には、酸化ルテニウム系メタルグレーズペーストを印刷した後に乾燥焼成して抵抗体20を形成する。抵抗体20を形成する際には、抵抗体ペーストを最大膜厚が18~22μmとなるように印刷する。なお、最大膜厚を18~22μmとなるように印刷するには、スクリーン印刷におけるレジストを従来つまり、膜厚10μmの抵抗体を形成する際のレジストよりも厚くするか、あるいは、従来のレジストを用いて複数回例えば、2回印刷する方法がある。また、抵抗体20の最大膜厚を18~22μmに形成するので、傾斜領域を形成しやすいという利点がある。次に、アルミナ基板の上面に上面電極32を形成するS13、上面電極形成工程。すなわち、上面電極ペーストをその一部が抵抗体に積層するように印刷し、乾燥焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト例えば、銀系メタルグレーズペーストである。この銀系ペーストとしては、例えば、焼成温度が約850°Cの銀系ペーストとする。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については1つの印刷領域で形成する。次に、トリミングによる抵抗値調整の前にカバーコート70を形成するS14。つまり、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート70を形成する。この場合、カバーコート70は、電極間方向とは直角の方向であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成して、チップ抵抗器複数個分のカバーコートを帯状に連続して形成する。このように、帯状にカバーコートを形成することにより、チップ抵抗器5において、カバーコート70は、絶縁基板10の幅方向の端部にまで形成されることになる。次に、抵抗体20にトリミング溝を形成してトリミングを行なうことにより抵抗値を調整するS15、トリミング工程抵抗体調整工程としてもよい。つまり、レーザートリミングにより抵抗体20にトリミング溝を形成する。トリミング溝の形成に際しては、抵抗体20の長手辺から短手方向に形成を開始し、その後、円弧状又は楕円弧状に形成して、トリミング溝の方向が長手方向になった場合には、長手方向に形成していく。その際、円弧状又は楕円弧状の径は、辺部から中央領域Mまでの長さq1と略同一として形成し、トリミング溝T1T2の終端先端は、図4、図5に示すように、抵抗体20において膜厚が15μm以上の領域N内に形成される。つまり、トリミング溝T1の場合には、円弧状部分T1aの終端と直線状部分T1bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置するようにし、トリミング溝T2の場合には、楕円弧状部分T2aの終端と直線状部分T2bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置するようにする。なお、トリミング溝は、長手方向に向けて曲線状にカーブした湾曲部分を有し、さらに、直線状部分を形成する場合には、該直線状部分は長手方向に形成されるので、抵抗値の調整度合いは、トリミング溝を形成していくに従い、粗調整から徐々に微調整になっていく。トリミング溝T1T2の形成に当たっては、実際には、図1に示すように、抵抗体20の外側の絶縁基板10の上面の領域から辺部20aに向けて辺部20aに対して直角方向略直角方向としてもよいに直線状にトリミング溝Tzを形成し、抵抗体20の辺部20aに到達したら、トリミング溝Tzに連続してトリミング溝T1T2を形成する。なお、トリミング溝T1T2を形成していき所望の抵抗値になった際にトリミングを終了するが、トリミング溝の終端が、少なくとも膜厚が15μmの領域N内に位置するように、予め抵抗体の大きさ長さと幅や材質等を調整しておくようにし、好ましくは、トリミング溝の円弧状部分T1aや楕円弧状部分T2aの終端が長手方向を向いた状態となるように予め抵抗体の大きさ長さと幅や材質等を調整しておくようにする。つまり、少なくともトリミング溝を円弧状部分T1aや楕円弧状部分T2aの終端が長手方向を向いた状態となるまで形成しないと所望の抵抗値にならないように調整しておく。これにより、所望の抵抗値に達した際のトリミング溝は、円弧状部分T1aと直線状部分T1bとを有する楕円弧とする場合には、楕円弧状部分T2aと直線状部分T2bとを有する構成であるか、あるいは、円弧状部分や楕円弧状部分のみから構成される場合でも、その終端は、長手方向を向いた状態となる。このようにすることにより、少なくとも、トリミング溝の終端が膜厚が15μmの領域N内に位置し、また、トリミング溝の円弧状部分T1aや楕円弧状部分T2aの終端が長手方向を向いた状態となることにより、トリミング溝が直線状部分を有するか否かに拘わらず、トリミング溝の終端位置を中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置させることができる。なお、円弧状及び楕円弧状以外の湾曲形状のトリミング溝を形成する場合には、円弧状部分T1aや楕円弧状部分T2aの代わりに当該形状の湾曲部分を形成することになる。次に、保護膜80を形成するS16、保護膜形成工程。つまり、カバーコート70の全体と上面電極32の一部内側の領域とを覆うように保護膜を形成する。つまり、保護膜用ペーストホウ珪酸鉛ガラスペースト又はエポキシ系の樹脂ペーストを印刷し、乾燥硬化させる。この場合、保護膜は、電極間方向とは直角の方向である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成する。その後は、一次スリットに沿って一次分割して短冊状基板とするS17、一次分割工程。次に、上記短冊状基板に対して、側面電極50を形成するS18、側面電極形成工程。つまり、側面電極用ペースト銀系ペースト又は樹脂銀ペーストを短冊状基板に印刷し、乾燥硬化させる。その後、二次スリットに沿って二次分割する二次分割工程。次に、メッキ60を形成するメッキ工程。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。以上のようにして、チップ抵抗器5を形成する。上記構成のチップ抵抗器5の使用状態について説明すると、通常のチップ抵抗器と同様に、配線基板プリント基板としてもよいに実装して使用する。配線基板への実装においては、図8に示すように、チップ抵抗器5は、配線基板200上に形成されたランド202に下面電極40がランド202側としてランド202に対向するようにして、ハンダフィレット210を介して実装される。なお、チップ抵抗器5をハンダフィレット210を介して実装した状態では、錫メッキ64はハンダフィレット210と一体になるので、図8において、錫メッキ64は描かれていない。本実施例のチップ抵抗器5によれば、トリミング溝T1T2の終端先端は、抵抗体20において膜厚が15μm以上の領域N内に形成されるので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。なお、トリミング溝の終端が膜厚15μm未満の領域に形成される場合には、膜厚が十分厚くないので、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を十分防止することができない。また、湾曲部分、すなわち、円弧状部分T1aや楕円弧状部分T2aは、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部20aから遠ざかる方向に少なくとも辺部20aに近づかない方向にのみ形成され、トリミング溝T1T2全体としても、辺部20aに近づく方向には形成されないため、トリミング溝T1T2の終端をなるべく膜厚の大きい位置とすることができ、よって、トリミング溝の終端位置のサージ電流による破損を防止することができる。また、トリミング溝T1における円弧状部分T1aの終端と直線状部分T1bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分T1bは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されているので、トリミング溝T1の終端は、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝T1の終端を抵抗体20の最大膜厚つまり、膜厚18~22μmの領域の近傍に位置させることができるので、トリミング溝T1の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。同様に、トリミング溝T2における楕円弧状部分T2aの終端と直線状部分T2bとは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分T2bは、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されているので、トリミング溝T2の終端は、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近となり、トリミング溝T2の終端を抵抗体20の最大膜厚つまり、膜厚18~22μmの領域又はその近傍に位置させることができるので、トリミング溝T2の終端のサージ電流に対する耐性を高くすることができる。また、トリミング溝における湾曲部分と直線状部分とは、中央領域Mと傾斜領域Pの境界位置又は境界位置付近に位置しており、直線状部分は、該境界位置又は境界位置付近に沿って形成されているので、膜厚が厚い中央領域Mを電流経路として確保しておくことができる。また、抵抗体20の最大膜厚が18~22μmであり、特に18μm以上であることから、サージエネルギーを十分分散することができる。また、トリミング溝T1が円弧状部分T1aと該円弧状部分T1aから連設された直線状部分T1bとを有するので、L字状に形成した場合のコーナー部が形成されないので、サージ電流による破損を防止することができる。トリミング溝T2が楕円弧状部分T2aと該楕円弧状部分T2aから連設された直線状部分T2bとを有する場合にも、L字状に形成した場合のコーナー部が形成されないので、サージ電流による破損を防止することができる。