"基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整および較正されたモデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む方法。前記第1のリソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。結像モデルを使用してリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記リソグラフィシステムおよび前記結像モデルがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、テストパターンを画定するステップと、前記リソグラフィシステムを使用してテストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップであって、前記リソグラフィシステムは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、前記リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを調整するステップであって、前記調整された結像モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記リソグラフィシステムの前記第1のセットのパラメータを調節するステップとを含む方法。前記リソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。前記結像モデルが、固定パラメータをさらに備える、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記結像モデルの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。ターゲットパターンを使用してリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記リソグラフィシステムが結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、結像モデルを画定するステップと、前記リソグラフィシステムを使用して前記ターゲットパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、前記結像モデルを使用して前記ターゲットパターンの結像をシミュレートし、シミュレートした結像結果を判定するステップであって、前記結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、前記シミュレートした結像結果、および前記結像結果と前記ターゲットパターンとの差に基づいてターゲットウェーハデータを判定するステップと、前記ターゲットウェーハデータを使用して前記結像モデルを調整するステップであって、前記調整された結像モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータを調節するステップとを含む方法。前記リソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記結像モデルの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。前記リソグラフィシステムおよび前記結像モデルの前記調整可能なパラメータが、最初に公称値に設定される、請求項11に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法をコンピュータに実行させる命令のシーケンスを含むコンピュータ読取可能媒体であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、前記方法が、テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整された較正モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む、コンピュータ読取可能媒体。前記第1のリソグラフィシステムがスキャナを備える、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項16に記載のコンピュータ読取可能媒体。基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法を実行するように構成されたプロセッサを有する装置であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、前記方法が、テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像して、前記結像結果を測定するステップと、前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整および較正されたモデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む、装置。前記第1のリソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項21に記載の装置。前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項21に記載の装置。前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項21に記載の装置。前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項21に記載の装置。09したがって、本発明は、様々なリソグラフィシステムが、個々のリソグラフィシステムごとにプロセスおよびリソグラフィシステムの設定を最適化するために試行錯誤を経る必要がない既知のプロセスを使用して、所与のターゲットパターンを結像できるように、リソグラフィシステムを調整する方法に関する。10より詳細には、本発明は、それぞれが結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有する基準リソグラフィシステムを使用して、第1のリソグラフィシステムを調整するモデルベース調整方法に関する。この方法は、テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、基準リソグラフィシステムを使用してテストパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、第1のリソグラフィシステムを使用してテストパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、基準リソグラフィシステムに対応する結像結果を使用して結像モデルを較正するステップであって、較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、第1のリソグラフィシステムに対応する結像結果を使用して、較正された結像モデルを調整するステップであって、調整および較正されたモデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、第1のセットのパラメータ値と第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、第1のリソグラフィシステムのパラメータを調節するステップとを含む。11本発明は、また、結像モデルを使用してリソグラフィシステムを調整する方法に関し、リソグラフィシステムおよび結像モデルは、両方ともそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有する。この方法は、テストパターンを画定するステップと、リソグラフィシステムを使用してテストパターンを結像し、結像結果を測定するステップであって、リソグラフィシステムは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、リソグラフィシステムに対応する結像結果を使用して結像モデルを調整するステップであって、調整された結像モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、第1のセットのパラメータ値と第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、リソグラフィシステムの第1のセットのパラメータを調節するステップとを含む。12別の実施形態では、本発明は、ターゲットパターンを使用してリソグラフィシステムを調整する方法に関し、リソグラフィシステムは、結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有する。この方法は、テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、第1のリソグラフィシステムを使用してターゲットパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、結像モデルを使用してターゲットパターンの結像をシミュレートし、シミュレートした結像結果を判定するステップであって、結像モデルは、第1のセットのパラメータ値を有するステップと、シミュレートした結像結果、および結像結果とターゲットパターンとの差に基づいてターゲットウェーハデータを判定するステップと、ターゲットウェーハデータを使用して結像モデルを調整するステップであって、調整された結像モデルは、第2のセットのパラメータ値を有するステップと、第1のセットのパラメータ値と第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、リソグラフィシステムの調整可能なパラメータを調節するステップとを含む。13本発明は、従来技術の方法に対して有意の利点を提供する。最も重要なことは、本発明が、結像性能を最適化し、同じターゲットパターンを結像するために使用されるスキャナなどの様々なリソグラフィシステム間のOPEを一致させるために、体系的で費用効果が高いモデルベース調整方法を提供することである。その結果、方法は、同じモデルの様々なスキャナ間で性能を一致させること、さらに異なるモデルスキャナ間で性能を一致させることを容易に可能にする。14本発明の追加の利点は、本発明の例示的実施形態に関する以下の詳細な説明から当業者には明らかになるだろう。15本明細書中のICの製造における本発明の使用に特に言及しているが、本発明は他にも多くの可能な用途を有することを明確に理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどで使用可能である。当業者であれば、上記の別の用途の場合、本明細書でレチクル、ウェーハまたはダイという用語を使用している場合、それぞれ、マスク、基板およびターゲット部分というより一般的な用語により置き換えることができることを理解することができるだろう。16本明細書では、放射およびビームという用語は、紫外線放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの波長を有するおよびEUV極端紫外線放射で、例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅するように使用される。17本書で使用されるマスクという用語は、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応するパターン付き断面を入射放射ビームに与えるために使用可能な一般的パターニング手段を指すものと広義に解釈することができ、光弁という用語も、この状況で使用することができる。標準的なマスク透過性または反射性、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなどに加えて、他のこのようなパターニング手段の例としては、以下のものが挙げられる。プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの例は、粘弾性制御層および反射性表面を有するマトリクスアドレス可能表面である。このような装置の基本的原理は、例えば反射性表面のアドレス指定された区域は、入射光を回折光として反射し、アドレス指定されない区域は入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用すると、上記非回折光を反射ビームから除去し、回折光のみを残すことができる。この方法で、ビームは、マトリクスアドレス可能表面のアドレス指定パターンに従ってパターンが与えられる。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子手段を使用して実行することができる。このようなミラーアレイに関してもっと知りたい場合には、例えば、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許US5,296,891号およびUS5,523,193号をご覧頂きたい。プログラマブルLCDアレイ。このような構造の例が、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許US5,229,872号にある。18本発明自体は、他の目的および利点とともに、以下の詳細な説明および添付の略図を参照することによって、よりよく理解することができるだろう。29図1は、本発明のモデルベースのスキャナ調整方法を示す例示的フローチャートである。以下で詳細に説明するように、本発明の方法は、結像性能と、同じターゲットパターンの結像に使用されるスキャナなどの様々なリソグラフィシステム間のOPE一致とを同時に最適化することができる。30図1を参照すると、プロセスの第1のステップステップ10は、基準スキャナのモデルを較正するために使用されるテストパターンを画定することである。適切なテストパターンモデルキャリブレーションゲージパターンとも呼ばれるを使用することができる。使用されるテストパターンは、リソグラフィシステムの結像性能を正確に予想できる頑丈なモデルを生成できるように、結像されるフィーチャを十分に表していなければならない。このようなテストパターンは、ターゲットパターンまたは用途が決定されると、当業者が容易に生成/選択することができる。結像されるターゲットパターンを較正プロセスでテストパターンとして使用することも可能であることに留意されたい。31テストパターンが画定されると、次のステップステップ20で、調整する各スキャナ基準スキャナを含むがテストパターンを結像し、結像結果が測定される。テストパターンを結像する場合、各スキャナのパラメータPは、予め画定された公称値に設定され、これはプロセス設計中に選択される。テストパターンの結像中には、スキャナごとに各パラメータに同じ公称値を使用することが好ましい。次に、所与のスキャナの結像性能を示すウェーハデータを入手するように、結像されたウェーハそれぞれで、結果としてのフィーチャを測定する。以下の説明を容易にするために、測定されたウェーハデータWDをWD_1、WD_2...WD_nとする。ここで、WD_1は、第1のスキャナのウェーハデータ/結像結果に対応し、WD_2は、第2のスキャナのウェーハデータ/結像結果に対応し、n番目のスキャナまで以下同様となる。ウェーハデータの測定は、例えば、種々のCDの測定を実行するか、または結像されたフィーチャの輪郭全体を測定することによって実行することができ、これはSEMを使用して実行することができることに留意されたい。通常、ウェーハデータの必要な測定は、結像プロセスを表すために使用されるモデル、ならびに関連するパターン空間を画定する設計規則によって画定される。32ウェーハデータが測定されると、次のステップステップ30は、基準スキャナに関連するウェーハデータを使用してモデルを較正することである。基準スキャナに関連するモデルパラメータをMP_Rとし、これは調整可能なパラメータおよび調整不可能なパラメータを含む。周知のように、較正プロセス反復プロセスである中に、調整不可能なパラメータが固定され、調整可能なパラメータは、モデルによって生成された像すなわちシミュレーション結果が基準スキャナによって生成された実際の結像結果と一致するまで調節される。それ故、モデルパラメータMP_Rは、モデルによって生成された結像結果が、予め画定された多少の誤差基準内で、または可能な限り最高の一致で、基準スキャナに関連する実際のウェーハデータWD_Rと等しくなるように調節されるすなわち較正される。このプロセスには、例えば、ASMLが提供するTachyonFEM焦点露光モデルまたはLithoCruiser商標などのスキャナの結像性能をシミュレートするのに任意の適切なモデルを使用することができることに留意されたい。さらに、モデルを較正するために、調整されるスキャナおよび関連するウェーハデータWD_1...WD_nのいずれを使用してもよいことに留意されたい。別の代替方法として、モデルに入力するのに必要な各測定値について、各スキャナのウェーハデータWD_1...WD_nを平均し、この平均値を、モデルパラメータMP_Rの較正に使用される基準ウェーハデータとして使用することが可能である。33次のステップステップ40では、調整されるスキャナごとに、以前のステップで較正されてパラメータMP_Rを有するモデルが、所与のスキャナすなわちスキャナiに関連するウェーハデータWD_iに従って調整される。より詳細には、モデルパラメータMP_Rを開始ポイントとして使用し、MP_Rの調整不可能なパラメータは固定されたままで、MP_Rの可変または調整可能なパラメータは、所与のスキャナのモデルMP_Riが、予め画定された多少の誤差基準内で、または可能な限り最高の一致で所与のスキャナiに関連する実際のウェーハデータWD_iと同じである結像結果を生成するように調整される。このステップは標準的な較正ステップであり、結像モデルの出力が所望の像WD_iと一致するまでMP_Riの可変モデルパラメータを調節する反復プロセスである。ステップ40は、調整されるスキャナごとに実行される。34スキャナごとにモデルMP_Rが調整され、これによりn個のモデルMP_R1...MP_Rnここで、nはスキャナの数であるを生成すると、ステップ50で、初期ウェーハデータWD_1...WD_nを生成するために使用された公称パラメータ値から、基準モデルMP_Rのパラメータ値および調節されたモデルパラメータMP_Riを使用して、各スキャナが調整される。より詳細には、各スキャナのパラメータPiは、下式に従って調整される。35Pi=Pi公称値MP_R-MP_Ri36ここで、Pi公称値は、初期ウェーハデータWD_iの生成に使用される公称パラメータに対応し、MP_Rは基準スキャナについて較正されたモデルのパラメータに対応し、MP_Riはスキャナiについて較正されたモデルのパラメータに対応する。次に、この結果のパラメータPiを使用して、対応するスキャナiを調整する。37上記プロセスでは、上記式を実行する場合に、相互から類似のパラメータしか引かれないことに留意されたい。例えば、調整可能なパラメータがT1、T2...Tmであり、基準モデルのその値がT1r、T2r...Tmrであり、スキャナiではT1i、T2i...Tmiであると仮定すると、これらのパラメータの公称値Piは、T1r-T1i、T2r-T2i...Tmr-Tmiに等しいデルタによって調整される。上記作業を実行することにより、2つのスキャナが実質的に同じ方法で機能するように、モデル間の差を削減/最小化することが可能である。それ故、上記プロセスは、類似のスキャナ同じタイプおよびモデルの機械を一致させ、さらに異なるスキャナすなわち、異なるモデル及び/又は製造業者の結像性能を一致させることができる体系的プロセスを提供する。調整可能なパラメータは、通常、焦点、線量照明シグマ、ステージの傾斜などを含むが、これに限定されないことに留意されたい。固定パラメータは、例えば、レジストパラメータおよびエッチングパラメータを含むが、これに限定されない。38図2は、上記プロセスのグラフ表示を示す。図2に示すように、このプロセスは、2つの仮想スキャナMP_RとMP_Riの差を効果的に計算し、次にこの計算された差を使用して実際のスキャナを調整する。図3および図4は、調整可能なパラメータおよび調整不可能なパラメータにより張られる空間のグラフ表示である。図3は、調整可能なパラメータが調整不可能なパラメータに対して直交影響を及ぼす例を示し、図4は、調整可能なパラメータが調整不可能なパラメータに直交影響を及ぼさない例を示す。図示のように、残留誤差は全て、調整可能なパラメータにより張られる空間に対して直交している。調整可能なパラメータおよび調整不可能なパラメータからの影響が直交していない場合は、調整可能なパラメータの値を調整することにより、調整不可能なパラメータによって引き起こされる差をある程度補償することが可能である。39図5は、本発明のモデルベースのスキャナ調整プロセスに関わるコンポーネントをグラフで示すブロック図である。図示のように、コンポーネントは、調整ターゲットおよび調整されるスキャナを含む。前述から明白であるように、調整するスキャナがいつでも少なくとも1つあるが、調整するスキャナが複数あることも可能である。調整するスキャナはいつでも物理的スキャナすなわち、実際のデバイスである。しかし、以下でさらに詳細に説明するように、調整ターゲットは、実際のスキャナであっても、仮想スキャナであっても、または輪郭であってもよい。以上で詳述したように、調整量は、調整されるスキャナの仮想スキャナすなわちモデルと調整ターゲットの仮想スキャナすなわちモデルとの差である。本明細書で開示するモデルベース調整プロセスでは、モデルすなわち仮想スキャナが、調整ターゲットと調整されるスキャナとの間のリンクを提供する。40すでに説明したように、上記プロセスには少なくとも3つの異なる調整ターゲットを使用することが可能である。3つの可能性は、物理的スキャナ、仮想スキャナおよび所望のウェーハ輪郭である。3つの異なる調整ターゲットを使用する例について、以下で説明する。最初の選択肢は、物理的スキャナを調整ターゲットとして使用することである。以上で詳述した例では、物理的スキャナが使用されていた。物理的スキャナを調整ターゲットとして使用すると、スキャナ間のOPE一致が提供される。また、類似のスキャナユニット例えば、SN1...SNn間の一致が可能になる。ここで、SNは同じスキャナモデルを表す。これは、また、同じ製造業者の異なるスキャナタイプ間の一致、さらに異なる製造業者のスキャナ間の一致も可能にする。41異なるスキャナデバイス間でモデルベースのスキャナ調整を実行する場合は、図1で上述したものと同じプロセスを使用する。一例として、調整されるスキャナがスキャナAであり、調整ターゲットがスキャナRであると仮定すると、最初のステップは、ウェーハデータWD_AおよびWD_Rを生成するようにスキャナAとスキャナRの両方で、公称スキャナパラメータPを使用してテストパターンを印刷することである。これで、モデルの結果が予め画定されたある基準内でWD_Rに正確に対応するように、使用中の結像モデルがスキャナRについて較正される。次に、モデルMP_Rの調整不可能なパラメータを固定して、モデルで使用し、調整可能なパラメータは、スキャナAに関するモデルの結果ここではMP_RAと呼ぶが予め画定されたある誤差基準内でWD_Aに対応するように調節する。次に、最終ステップでは、PAと呼ばれるスキャナAのパラメータを、WD_Aの生成に使用される公称パラメータPからPMP_R-MP_RAに調整する。図6は、このプロセスのグラフ表示を提供する。42上記代替方法として、モデルの結果が予め画定されたある誤差基準内でWD_Aに正確に対応するように、スキャナAのモデルを較正し、次に調整不可能なパラメータをモデルMP_Aに固定し、これらのパラメータをモデルMP_ARに使用することも可能である。次に、スキャナRに関連するモデルMP_ARの結果が、予め画定されたある誤差基準内でWD_Rに対応するように、MP_ARの調整可能なパラメータを調節する。次に、最終ステップでは、PAと呼ばれるスキャナAのパラメータを、WD_Aの生成に使用される公称パラメータPからPMP_AR-MP_Aに調整する。さらに別の変形例では、スキャナAを調整する量を決定する場合に、2つの上記プロセスの平均を使用することも可能である。これらのプロセスは、異なる製造業者のスキャナを調整する場合にも使用することができる。43次に、仮想スキャナすなわちモデルを調整ターゲットとして使用する例を提供する。プロセスの最初のステップは、MP_Kと呼ばれる既知のモデルを入手することである。モデルMP_Kは、使用される所与のプロセスについて較正され、予め画定されたある誤差基準内である結果を生成することが好ましい。次のステップは、現スキャナCすなわち、調整されるスキャナでテストパターンを印刷し、結果としてのウェーハデータを測定し、それによってデータWD_Cを生成することである。次に、モデルMP_Kの調整不可能なパラメータを全て固定し、モデルMP_Kの調整可能なパラメータを、ここではMP_KCと呼ばれるモデルの結果が予め画定されたある誤差基準内でWD_Cに対応するように調節する。次に、最終ステップでは、スキャナCの設定を、WD_Cの初期生成に使用される現設定PCからPCMP_K-MP_KCに調整する。このプロセスは、スキャナ内のドリフト例えば、レーザドリフトの補正、さらに他のリソグラフィプロセス例えば、レジストプロセス、エッチングプロセスなどのドリフトの補正に有用なことがある。このプロセスは、所与のOPCプロセスのために所与のスキャナを最適化するためにも有用であり、OPCプロセスは、スキャナを調整する相手であるモデルに効果的に組み込まれる。上記プロセスで基準モデルとしてFEMモデルを使用することが可能であることに留意されたい。さらに、モデルは、焦点が合った状態と焦点が外れた状態の両方を考慮に入れることができる。このプロセスのグラフ表示が、図7に示されている。44すでに説明したように、ウェーハ輪郭を調整ターゲットとして使用することも可能である。このプロセスは、CDUクリティカルディメンションの均一性を最適化するように特定のデバイスマスクについてスキャナを最適化し、さらに既知のマスク誤差についてスキャナを最適化するために有用である。プロセスの最初のステップは、特定のデバイスマスクを結像/印刷し、WD_Mと呼ばれるデータを測定することである。マスクは、調整されるスキャナを使用して結像し、スキャナのパラメータは、最初に公称値PCに設定される。最適CDUを入手するターゲットまたは所望のウェーハデータをWD_Tと呼ぶことに留意されたい。次のステップでは、MP_Cと呼ばれる所与のモデルを使用して以上の例のように、任意の適切なシミュレーションモデルを使用することができる、モデルMP_Cによってターゲットパターンを処理し、シミュレーションされたウェーハデータWD_Cを生成する。次に、WD_CTと呼ばれる所望のシミュレーション結像結果を入手するのに必要なモデルMP_Cの調整は、下式によって判定される。WD_CT=WD_CWD_T-WD_M45その後、モデルMP_Cの調整不可能なパラメータを全て固定し、ここでは、MP_CTと呼ばれるモデルがWD_CTに対応するシミュレーション結像結果を生成するように、調整可能なパラメータを調整する。最終ステップでは、調整されるスキャナを、PCの公称設定からPCMP_CT-MP_Cに調整する。図8は、上記プロセスのグラフ表示を示す。46上記プロセスは、いくつかのクリティカルパターンでマスクを作成した後に、チップ全体でCDUを最適化するために有益になり得ることに留意されたい。上記プロセスでは、CDUで考慮された限られたデバイスパターンに対する過度の調整を防止するために、調整の制限が必要なことがあることも分かる。例えば、調整プロセスを固定するために、テストパターンを混合することができる。47スキャナ調整のこの第3のカテゴリも、所与のマスク誤差についてスキャナを最適化することができる。より詳細には、このプロセスは、MP_Mと呼ばれる既知のマスク誤差を有する現モデルを入手することを必要とする。所与の例では、MP_Mは、実質的に既知の量だけ変化した既知の調整不可能なパラメータマスク誤差を有するFEMであることに留意されたい。次に、マスク誤差がないモデルMP_Mを使用すると、シミュレーションされて、マスク誤差WD_Tがあるウェーハデータを入手するように、テストパターンすなわちウェーハ輪郭がシミュレーションされる。次に、モデルMP_Mの調整不可能なパラメータを全て固定し、次に、ここでは、MP_MTと呼ばれるモデルがWD_Tに対応するテストパターンに基づいてシミュレーション結像結果を生成するように、調整可能なパラメータを調節する。最終ステップでは、調整されるスキャナを、PCの公称設定からPCMP_MT-MP_Mに調整する。このプロセスによって、既知の体系的誤差があるマスクを結像するようにスキャナを調整することができる。48すでに説明したように、モデルベースのスキャナ調整は、従来技術の方法に対して多数の利点を提供する。最も重要なことは、本発明が、結像性能を最適化し、同じターゲットパターンを結像するために使用されるスキャナなどの様々なリソグラフィシステム間のOPEを一致させるために、体系的で費用効果が高い方法を提供することである。その結果、本発明は、同じモデルの様々なスキャナ間で性能を一致させること、さらに異なるモデルスキャナ間で性能を一致させることを容易に可能にする。49本発明の方法では、既知のモデルまたは既知のウェーハ輪郭すなわちターゲットパターンに合わせてスキャナを調整することもできる。これらのプロセスは、とりわけ、リソグラフィプロセスのドリフト補正、所与のOPCプロセスに対するスキャナの最適化、CPUを最適化するための特定のデバイスマスクのスキャナ最適化、および既知のマスク誤差に対するスキャナの最適化を可能にする。50さらに、モデルの分離可能性は、本発明のモデルベース調整/一致/最適化プロセスの重要な態様であることに留意されたい。すなわち、調整可能なパラメータのみを調節することによって、リソグラフィの挙動全体を正確に説明することができる。Brionの焦点露光モデルFEMは、焦点露光プロセスのウィンドウの変動全体で分離可能性を達成する。さらに、FEMは、パラメータ変化の妥当な範囲内で、NA、照明などを含むが、これに限定されない他の多くの調整可能なパラメータに関してモデルの分離可能性を達成することもできる。調整量が、モデルの分離可能性の範囲を超えるほど大きすぎる場合、調整は2段階以上で達成することができる。51必要に応じて、調整がパターンに及ぼす影響は、TachyonのLMCリソグラフィ製造可能性チェックなどのOPC検証ツールを使用して分析できることも分かる。何故なら、モデルは、モデルの変更すなわち調整がフルチップパターンに及ぼす影響を量的に分析できるからである。このチェックを実行する手順は、以下の通りである。第一に、LMCを使用し、調整前後のモデルを使用してフルチップのオンウェーハ輪郭をシミュレーションする。次に、2つの輪郭の違いを比較して、2つの違いを分析する。52調整不可能なパラメータが変化できる状態で、フルチップパターンに及ぼす残留誤差の影響を量的に分析することも可能である。残留誤差とは、調整後と調整ターゲットとの差である。それは、モデルをウェーハデータに適合させ、調整可能なパラメータと調整不可能なパラメータの両方が変化できるようにする。すなわち、ウェーハデータに基づいてフルモデルを適合させ、次にLMCを使用して、以下のモデルを使用するフルチップのオンウェーハ輪郭をシミュレーションすることによって遂行することができる。すなわち、1調整可能なパラメータしか変化することができないモデルすなわち、調整手順から生じたモデル、および2調整可能なパラメータと調整不可能なパラメータの両方が変化することができるモデルすなわち、上記追加的ステップから生じたモデルである。これを実行すると、比較して、2つの輪郭の違いを識別する。輪郭の違いは、調整後の残留誤差である。許容できないほど大きい輪郭の違いがある場合は、既存の調整可能なパラメータに基づく通常のスキャナ調整では、調整の目的を達成することができない。より多くのパラメータを調整可能にできるように、追加の措置をとるか、またはスキャナの変更が必要なことがある。53上記プロセスの代替方法も可能である。一例として、例えば、以前のモデルがない状態で2つの物理的スキャナを一致させる場合など、現在のスキャナ状態と調整ターゲットの状態の両方でウェーハデータが使用可能な場合、代替実施形態は、現在のスキャナ状態とターゲットスキャナ状態の両方を使用して、ウェーハデータに連結較正を実行する。これには、調整不可能なパラメータが較正プロセスで変化できるようにするが、現在のスキャナ状態とターゲットスキャナの状態との両方でこれを強制的に同じにし、調整可能なパラメータが両方の状態で独立して変化することができるようにする連結モデル較正プロセスを実行する必要がある。連結較正後、両方の状態の調整可能なパラメータの差は最適調整量である。54図9は、本明細書で開示したモデルベースのスキャナ調整方法を補助することができるコンピュータシステム100を示すブロック図である。コンピュータシステム100は、情報を通信するバス102または他の通信機構、およびバス102と結合して情報を処理するプロセッサ104を含む。コンピュータシステム100は、情報およびプロセッサ104が実行する命令を保存するためにバス102に結合されたランダムアクセスメモリRAMまたは他の動的記憶デバイスなどのメインメモリ106も含む。メインメモリ106は、プロセッサ104によって実行される命令の実行中に変数または他の中間情報を一時的に記憶するためにも使用することができる。コンピュータシステム100はさらに、静的情報およびプロセッサ104に対する命令を保存するためにバス102に結合された読み出し専用メモリROM108または他の静的記憶デバイスを含む。情報および命令を記憶するために、磁気ディスクまたは光ディスクなどの記憶デバイス110を設けて、バス102に結合する。55コンピュータシステム100は、情報をコンピュータの使用者に表示するために、バス102を介して陰極線管CRTまたはフラットパネルまたはタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ112に結合することができる。情報および指令選択肢をプロセッサ104に通信するために、英数字および他のキーを含む入力デバイス114をバス102に結合する。別のタイプの使用者入力デバイスは、方向の情報および指令選択肢をプロセッサ104に通信し、ディスプレイ112上のカーソルの動作を制御するマウス、トラックボール、またはカーソル方向キーなどのカーソル制御部116である。この入力デバイスは通常、第1の軸例えば、xおよび第2の軸例えば、yという2つの軸で2自由度を有し、これによって装置は面での位置を規定することができる。タッチパネル画面ディスプレイも、入力デバイスとして使用することができる。56本発明の1つの実施形態によると、例えば、シミュレーション作業などのスキャナ調整プロセスの部分は、メインメモリ106に含まれる1つまたは複数の命令の1つまたは複数のシーケンスを実行するプロセッサ104に応答して、コンピュータシステム100によって実行することができる。このような命令は、記憶デバイス110などの別のコンピュータ読取可能媒体からメインメモリ106に読み込むことができる。メインメモリ106に含まれる命令のシーケンスを実行すると、プロセッサ104が本明細書で説明したプロセスのステップを実行する。メインメモリ106に含まれる命令のシーケンスを実行するために、マルチプロセッシング配置構成の1つまたは複数のプロセッサを使用することもできる。代替実施形態では、本発明を実現するために、ソフトウェアの命令の代わりに、またはそれと組み合わせて、配線による回路を使用することができる。それ故、本発明の実施形態は、配線回路およびソフトウェアの任意の特定の組合せに限定されない。57本明細書で使用するコンピュータ読取可能媒体という用語は、実行するためにプロセッサ104に命令を提供することに関わる任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、および転送媒体などの多くの形態をとるが、これに限定されない。不揮発性媒体は、例えば、記憶デバイス110などの光または磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ106などの動的記憶デバイスを含む。転送媒体は、同軸ケーブル、銅線および光ファイバを含み、これはバス102を備える線を含む。転送媒体は、無線周波RFおよび赤外線IRデータ通信中に生成されるような音波または光波の形態をとることもできる。コンピュータ読取可能媒体の一般的な形態は、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、CD-ROM、DVD、任意の他の光媒体、パンチカード、紙テープ、穴のパターンがある任意の他の物理的媒体、RAM、PROM、およびEPROM、FLASH-EPROM、任意の他のメモリチップまたはカートリッジ、以降で説明するような搬送波、またはコンピュータが読み取ることができる任意の他の媒体を含む。58種々の形態のコンピュータ読取可能媒体が、実行するために1つまたは複数の命令の1つまたは複数のシーケンスをプロセッサ104に搬送することに関与することができる。例えば、命令は、最初に遠隔コンピュータの磁気ディスク上に記録されていることがある。遠隔コンピュータは、命令を動的記憶デバイスにロードし、モデムを使用して電話線で命令を送信することができる。コンピュータシステム100に局所的なモデムが、電話線でデータを受信し、赤外線送信器を使用してデータを赤外線信号に変換することができる。バス102に結合された赤外線検出器が、赤外線信号で搬送されたデータを受信し、そのデータをバス102に配置することができる。バス102は、データをメインメモリ106に搬送し、そこからプロセッサ104が命令を取り出して実行する。メインメモリ106が受信した命令は、任意選択でプロセッサ104が実行する前またはその後に、記憶デバイス110に記憶することができる。59コンピュータシステム100は、また、バス102に結合された通信インタフェース118を含むことが好ましい。通信インタフェース118は、ローカルネットワーク122に接続されたネットワークリンク120に双方向データ通信結合を提供する。例えば、通信インタフェース118は、対応するタイプの電話線にデータ通信接続を提供する統合サービスディジタル通信網ISDNカードまたはモデムであってもよい。別の例として、通信インタフェース118は、互換性があるLANにデータ通信接続を提供する構内通信網LANカードであってもよい。無線リンクも実現することができる。このような実施態様のいずれでも、通信インタフェース118は種々のタイプの情報を表すディジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気または光信号を送受信する。60ネットワークリンク120は、通常、1つまたは複数のネットワークを通して他のデータデバイスにデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク120は、ローカルネットワーク122を通してホストコンピュータ124へ、またはインターネットサービスプロバイダISP126によって操作されるデータ機器へと接続を提供することができる。ISP126は、現在は一般的にインターネット128と呼ばれている世界的なパケットデータ通信網を通してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク122およびインターネット128は両方とも、ディジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気または光信号を使用する。種々のネットワークを通る信号、およびネットワークリンク120上で通信インタフェース118を通る信号で、コンピュータシステム100との間でディジタルデータを搬送する信号は、情報を送る搬送波の例示的形態である。61コンピュータシステム100は、ネットワーク、ネットワークリンク120、および通信インタフェース118を通してメッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネットの例では、サーバ130がアプリケーションプログラムのために要求されたコードを、インターネット128、ISP126、ローカルネットワーク122および通信インタフェース118を通して転送することができる。本発明によると、ダウンロードされたこのようなアプリケーションの1つは、例えば、実施形態の照明最適化を提供する。受信したコードは、受信した状態でプロセッサ104が実行する、及び/又は、後に実行するために記憶デバイス110または他の不揮発性記憶デバイスに記憶することができる。この方法で、コンピュータシステム100は、搬送波の形態でアプリケーションコードを取得することができる。62図10は、本発明のプロセスを使用して調整可能な例示的リソグラフィ投影装置を概略的に示す。装置は、-放射の投影ビームPBを供給し、この特定のケースでは、放射源LAも備える放射システムEx、ILと、-マスクMA例えば、レチクルを保持するマスクホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブルマスクテーブルMTと、-基板W例えば、レジストコートシリコンウェーハを保持する基板ホルダが設けられ、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル基板テーブルWTと、-マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C例えば、1つまたは複数のダイを備えるに結像する投影システムレンズPL例えば、屈折性、反射性または反射屈折性光学システムとを備える。63本明細書で示すように、装置は透過タイプであるすなわち透過性マスクを有する。しかし、一般的にこれは、例えば反射性マスクを有する反射タイプであってもよい。代替的に、装置は、マスクを使用する代わりに、別の種類のパターニング手段を使用することができ、その例としては、プログラマブルミラーアレイまたはLCDマトリクスが挙げられる。64放射源LA例えば、水銀灯またはエキシマレーザは、放射ビームを生成する。このビームは、直接的に、または例えば、ビーム拡大器Exなどの調整手段を通り抜けた後に、照明システム照明装置ILに供給される。照明装置ILは、ビームの強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般的に、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを設定する調節手段AMを備えることができる。また、これは通常、積分器INおよび集光器COなどの種々の他のコンポーネントを備える。この方法で、マスクMAに当たるビームPBは、その断面に所望の均一性および強度分布を有する。65図10に関して、放射源LAは放射源LAが、例えば、水銀灯である場合によくあるようにリソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、リソグラフィ投影装置から離れ、これが生成する放射ビームを例えば、適切な誘導ミラーにより装置内に導いてもよいことに留意されたい。この後者のシナリオは、放射源LAが例えば、KrF、ArFまたはF2レージングに基づくエキシマレーザである場合によくある。本発明は、少なくともこれらのシナリオの両方を包含する。66ビームPBはその後、マスクテーブルMT上に保持されたマスクMAと交差する。ビームPBは、マスクMAを通り抜けた後、基板Wのターゲット部分CにビームPBを集光するレンズPLを通過する。第2の位置決め手段および干渉計測定手段IFにより、基板テーブルWTを、例えば、ビームPBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第1の位置決め手段を使用して、例えば、マスクライブラリからマスクMAを機械的に検索した後に、またはスキャン中に、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブルMT、WTの移動は、図10には明示的に図示されていないロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めにより実現される。しかし、ステップアンドスキャン式ツールとは反対にウェーハステッパの場合は、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、または固定してもよい。67図示のツールは、2つの異なるモードで使用することができる。-ステップモードでは、マスクテーブルMTは実質的に静止状態に維持され、マスク像全体が1回すなわち1回のフラッシュでターゲット部分Cに投影される。次に、ビームPBで異なるターゲット部分Cを照射できるように、基板テーブルWTをx及び/又はy方向にシフトする。-スキャンモードでは、実質的に同じシナリオが当てはまるが、所与のターゲット部分Cが1回のフラッシュで露光されない。代わりに、マスクテーブルMTは、投影ビームPBがマスク像をスキャンするように、所与の方向いわゆるスキャン方向、例えば、y方向に速度yで移動可能であり、同時に、基板テーブルWTが、同じ方向または反対方向に速度V=Mvで同時に移動し、ここでMはレンズPLの倍率である通常、M=1/4または1/5。この方法で、解像度を損なわずに比較的大きいターゲット部分Cを露光することができる。68本明細書で開示した概念は、サブ波長フィーチャを結像する任意の一般的な結像システムをシミュレーションするか、または数学的にモデル化することができ、ますます縮小するサイズの波長を生成することができる新生の結像技術で特に有用である。既に使用されている新生技術は、ArFレーザを使用して193nmの波長を生成することができ、さらにはフッ素レーザを使用して157nmの波長を生成することができるEUV極紫外線リソグラフィを含む。さらに、EUVリソグラフィは、20~5nmの範囲内の光子を生成するために、シンクロトロンを使用するか、または高エネルギー電子を材料固体またはプラズマに当てることによって、この範囲内の波長を生成することができる。大部分の材料はこの範囲内で吸収性であるので、モリブデンおよび珪素のマルチスタックを有する反射性ミラーで照明を生成することができる。マルチスタックミラーは、40層のモリブデンとシリコンの対を有し、各層の厚さは波長の1/4である。x線リソグラフィでは、さらに小さい波長を生成することができる。通常、x線波長を生成するにはシンクロトロンを使用する。大部分の材料はx線の波長で吸収性であるので、吸収材料の薄片が、フィーチャが印刷される位置ポジ型レジストまたは印刷されない位置ネガ型レジストを画定する。69本明細書で開示する概念は、シリコンウェーハなどの基板に結像するために使用することができるが、開示された概念は、例えば、シリコンウェーハ以外の基板に結像するために使用するものなど、任意のタイプのリソグラフィ結像システムで使用することができることを理解されたい。70本発明を詳細に説明し、図示してきたが、これは例証および例示としてのものにすぎず、制限するものではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ制限されることをはっきりと理解されたい。"