Agを含有した第1の含イオウ金属化合物、Znを含有した第2の含イオウ金属化合物、及びSnを含有した第3の含イオウ金属化合物を脂肪族アミン中で加熱処理し、化合物半導体を作製する化合物半導体超微粒子の製造方法であって、前記第1及び第2の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比となるように秤量する一方、前記第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の3倍以上となるように秤量し、前記第1~第3の含イオウ金属化合物を前記脂肪族アミンに添加することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。前記第3の含イオウ金属化合物は、前記化合物半導体の化学量論組成比の6倍以下となるように秤量することを特徴とする請求項1記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。前記化合物半導体は、化学式Ag2ZnSnS4で表されることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。前記加熱処理を280°C以上の温度で行なうことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。前記第1~第3の含イオウ金属化合物は、Ag、Zn、及びSnの各金属元素をそれぞれ含有したジアルキルジチオカルバミン酸化合物であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。前記ジアルキルジチオカルバミン酸化合物に含有されるアルキル基は、エチル基であることを特徴とする請求項5記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。前記脂肪族アミンは、オレイルアミンであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の化合物半導体超微粒子の製造方法。しかしながら、特許文献1では、Ag、Zn、及びSnの配合比率が化学量論組成比となるように金属源のジエチルジチオカルバミン酸塩を秤量し、オレイルアミン中に反応させてAZTSを合成しようとしているが、AZTS以外にZnS等の異相が同時に生成され、このため高純度のAZTS超微粒子を得ることができないという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、異相を含まない高純度のAZTS超微粒子を得ることができる化合物半導体超微粒子の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、Ag、Zn、Snの各金属元素を含有した含イオウ金属化合物を使用し、溶媒としてオレイルアミン等の脂肪族アミンを使用して鋭意研究を行ったところ、Snを含有した含イオウ金属化合物のみを化学量論組成比に対し3倍以上となるように秤量し、脂肪族アミン中で加熱して反応させたところ、ZnS等の異相が生成されることもなく、高純度の化合物半導体超微粒子を得ることができるという知見を得た。本発明はこのような知見に基づきなされたものであり、本発明に係る化合物半導体超微粒子の製造方法は、Agを含有した第1の含イオウ金属化合物、Znを含有した第2の含イオウ金属化合物、及びSnを含有した第3の含イオウ金属化合物を脂肪族アミン中で加熱処理し、化合物半導体を作製する化合物半導体超微粒子の製造方法であって、前記第1及び第2の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比となるように秤量する一方、前記第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の3倍以上となるように秤量し、前記第1~第3の含イオウ金属化合物を前記脂肪族アミンに添加することを特徴としている。また、本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、前記第3の含イオウ金属化合物は、前記化合物半導体の化学量論組成比の6倍以下となるように秤量するのが好ましい。また、本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、前記化合物半導体は、化学式Ag2ZnSnS4で表されるのが好ましい。また、本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、前記加熱処理を280°C以上の温度で行なうのが好ましい。また、本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、前記第1~第3の含イオウ金属化合物は、Ag、Zn、及びSnの各金属元素をそれぞれ含有したジアルキルジチオカルバミン酸化合物であるのが好ましい。さらに、本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、前記ジアルキルジチオカルバミン酸化合物に含有されるアルキル基は、エチル基であるのが好ましい。また、本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、前記脂肪族アミンは、オレイルアミンであるのが好ましい。本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法によれば、Agを含有した第1の含イオウ金属化合物、Znを含有した第2の含イオウ金属化合物、及びSnを含有した第3の含イオウ金属化合物を脂肪族アミン中で加熱処理し、化合物半導体AZTSを作製する化合物半導体超微粒子の製造方法であって、前記第1及び第2の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比となるように秤量する一方、前記第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の3倍以上となるように秤量し、前記第1~第3の含イオウ金属化合物を前記脂肪族アミンに添加するので、ZnS等の異相が生成されることもなく、高純度のAZTS超微粒子を得ることができる。また、前記第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の6倍以下となるように秤量することにより、高純度のAZTS超微粒子を高収率で安定かつ確実に得ることができる。また、前記加熱処理を280°C以上の温度で行なうことにより、異相が形成されることもなく、高純度のAZTS超微粒子を得ることが可能となる。また、前記ジアルキルジチオカルバミン酸塩に含有されるアルキル基は、エチル基である場合は、材料を安価で入手できるので、低コストで上述したAZTS超微粒子を製造することができる。次に、本発明の実施の形態を詳説する。本発明の一実施の形態としての半導体化合物超微粒子の製造方法は、Ag、Zn、及びSnの各金属元素をそれぞれ含有した第1~第3の含イオウ金属化合物を脂肪族アミン中で加熱処理し、AZTSからなる化合物半導体を作製する際に、第1及び第2の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比で秤量する一方、第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の3倍以上となるように秤量し、これら第1~第3の含イオウ金属化合物を脂肪族アミンに添加している。そしてこれによりZnS等の異相が形成されることもなく、高純度のAZTS超微粒子を得ることができる。すなわち、AZTSの金属源となるAg、Zn、Snの化学量論組成比はAg:Zn:Sn=2:1:1であり、化学量論組成比となるように、これらの金属を含有した含イオウ金属化合物を秤量し、これら秤量物を脂肪酸アミン中で加熱した場合、ZnとSnとは等モルずつ結晶粒子内に固溶する必要があるが、Snは結晶粒子内に固溶され難く、このためSnを電荷補償するZnも結晶粒子に固溶され難くなる。そしてその結果、結晶粒子内に固溶されなかったZnがSと化合し、ZnSが異相として生成すると考えられる。そこで、本実施の形態では、Snを含有した第3の含イオウ金属化合物のみを化学量論組成比に対し3倍以上となるように過剰に添加することによって、Snが結晶粒子内に固溶し易くし、その結果Znの結晶粒子内への固溶も容易にし、これによりZnS等の異相の形成を阻止し、高純度のAZTSの生成を可能としている。尚、第3の含イオウ金属化合物の化学量論組成比に対する上限は特に限定されるものではないが、所望の高収率を確保する観点からは6倍以下が好ましい。また、含イオウ金属化合物としては、上記各金属元素及びSを含有していれば特に限定されるものではなく、例えば、炭素数4~20のアルキル基を含有したジアルキルジチオカルバミン酸化合物を使用することができ、特にアルキル基がエチル基で構成されたジアルキルジチオカルバミン酸化合物は、安価で入手が容易であることから、好んで使用される。次に、上記化合物半導体の製造方法を詳述する。まず、Ag、Zn、Snの各金属元素を含有した第1~第3の含イオウ金属化合物を用意し、モル比でAg:Zn:Sn=2:1:3~6となるように、これら第1~第3の含イオウ金属化合物を秤量する。上記秤量した第1~第3の含イオウ金属化合物を脂肪族アミン中で混合し、減圧脱気した後、窒素置換し、その後、所定の加熱温度で1~180分程度、加熱処理し、合成物を得る。尚、脂肪族アミンとしては、特に限定されるものではないが、オレイルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等の高沸点の1級アミンを使用するのが好ましく、これらの中ではオレイルアミンが特に好んで使用される。また、加熱温度は特に限定されるものではないが、280°C以上が好ましい。すなわち、第3の含イオウ金属化合物を化学量論組成比に対し3倍以上添加することにより、異相としてのZnSの生成は回避できるが、加熱処理温度が280°C未満になると、AZTSとは成分組成の異なる他の複合金属硫化物例えば、Ag8SnS6等が生成されるおそれがある。次いで、この合成物を室温になるまで放置して冷却し、その後、遠心分離処理を行い、上澄み液と沈殿物に分離する。そして、上澄み液をろ過し、メタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリル等のAZTSに対して不溶性溶液又は難溶性溶液をろ液に加えて沈殿物を生成させ、遠心分離処理を行って沈殿物を分離回収する。その後、回収した沈殿物にクロロホルム、トルエン、ヘキサン、n-ブタノール等の有機溶媒を添加して溶解させ、これによりZnS等の異相を含まない高純度のAZTS超微粒子分散溶液が作製される。このように本化合物半導体の製造方法によれば、Ag、Zn、及びSnの各金属元素をそれぞれ含有した第1~第3の含イオウ金属化合物をオレイルアミン等の脂肪族アミン中で加熱処理し、化学式Ag2ZnSnS4で表される化合物半導体AZTSを作製する化合物半導体超微粒子の製造方法であって、前記第1及び第2の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比で秤量する一方、前記第3の含イオウ金属化合物を前記化合物半導体の化学量論組成比の3~6倍となるように秤量し、これら第1~第3の含イオウ金属化合物前記脂肪族アミンに添加するので、ZnS等の異相が生成されることもなく、高純度のAZTS超微粒子を高収率で得ることができる。また、前記加熱処理を280°C以上の温度で行なうことにより、異相が生成されることもなく、高純度のAZTS超微粒子を安定かつ確実に得ることが可能となる。また、前記ジアルキルジチオカルバミン酸塩に含有されるアルキル基は、エチル基である場合は、材料を安価で入手できるので、低コストで上述したAZTS超微粒子を製造することができる。このように本実施の形態では、ZnS等の異相が生成されることもなく高純度のAZTSを安価に製造することができ、該AZTSはn型半導体として機能することから、類似の結晶構造を有しp型半導体として機能するCZTSと組み合わせることにより、環境負荷を招くこともなく安価にpn接合を実現でき、太陽電池等の光電変換デバイスに好適なAZTS薄膜材料を得ることができる。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態は、本発明の一実施の形態であり、要旨を変更しない限り変更可能であるのはいうまでもない。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。試料の作製第1の含イオウ金属化合物としてのジエチルジチオカルバミン酸銀IIAg2を0.10mmol、第2の含イオウ金属化合物としてのジエチルジチオカルバミン酸亜鉛Zn2を0.05mmolを秤量し、さらに第3の含イオウ金属化合物としてのジエチルジチオカルバミン酸スズSn4を0.05mmol、0.075mmol、0.15mmol、0.30mmolをそれぞれ秤量した。そして、上記秤量した各ジエチルジチオカルバミン酸化合物をオレイルアミン3.0cm3中で混合し、減圧脱気した後、窒素置換し、その後、300°Cの温度で10分間加熱処理し、試料番号1~4の合成物を得た。次いで、これらの合成物を、室温になるまで放置して冷却し、その後、遠心分離処理を行い、上澄み液と沈殿物に分離した。そして、上澄み液をろ過し、そのろ液にメタノールを加えて沈殿を生成させ、遠心分離処理を行って沈殿物を分離回収した。その後、回収した沈殿物にクロロホルムを添加して溶解させ、試料番号1~4の各試料を作製した。試料の評価試料番号1~4の各試料を透過型電子顕微鏡TEM日立ハイテクノロジーズ社製H7650で観察した。図1~図4は、各試料のTEM像を示している。また、表1は、試料番号1~4の各試料の金属源の含有モル量及び対化学量論組成比を示している。試料番号1は、Sn源が化学量論組成比で含有されているため、図1に示すように棒状の異相が生じている。試料番号2も、Sn源が化学量論組成比の1.5倍と3倍以下であるため、図2に示すように棒状の異相が生じている。これに対し試料番号3、4は、Sn源が化学量論組成比の3~6倍であるため、棒状の異相が生成されていないことが分かった。次に、試料番号1~4の各試料について、X線回折装置リガク社製RINT-2000を使用してX線回折スペクトルを測定し、試料を同定した。図5は、試料番号1~4のX線回折スペクトルをAZTS及びZnSのX線回折パターンと共に示している。図中、横軸が回折角2θ°、縦軸はX線強度a.u.である。この図5から明らかなように、試料番号1、2のX線回折スペクトルはAZTSのピーク以外にZnSのX線回折パターンのピークにもピークが表れており、したがってAZTS中にZnSの異相が混在していることが分かる。これに対し試料番号3、4のX線回折スペクトルのピーク位置は、AZTSの回折パターンと良く一致しており、試料番号1~4はAZTSであることが確認された。尚、加熱時間を1分~180分に設定して反応させた場合も、単相のAZTS超微粒子が得られることが確認された。Ag、Zn、Snをそれぞれ含有したジエチルジチオカルバミン酸化合物を、実施例1の試料番号3と同様のモル量で秤量し、オレイルアミン3.0cm3中で混合し、280°C試料番号11、350°C試料番号12とした以外は、実施例1と同様の方法手順で試料番号11~12の各試料を作製した。次に、試料番号11~12の各試料について、実施例1と同様の方法手順でX線回折スペクトルを測定し、試料を同定した。図6は、試料番号11~12のX線回折スペクトルをAZTS及びZnSのX線回折パターンと共に示している。図中、横軸が回折角2θ°、縦軸はX線強度a.u.である。尚、参考のために試料番号3のX線スペクトルを再掲している。この図6から明らかなように、試料番号11、12は、試料番号3と同様、X線回折スペクトルのピークがAZTSのX線回折パターンのピークと略一致しており、したがってAZTS超微粒子が合成されていることが分かった。すなわち、加熱温度が280°C~350°Cの範囲で、異相を生成することもなく高純度のAZTS超微粒子が得られることが確認された。