透光性基板の一面上に、透光性導電膜からなり表面に自乗平均面粗さが10nm~600nmの凹凸形状を有する第1電極層と、アモルファスシリコン系薄膜からなる光吸収層を有する第1光電変換ユニットと結晶質シリコン系薄膜からなる光吸収層を有する第2光電変換ユニットとが少なくとも1つずつ積層された積層光電変換ユニットと、第2電極層とをこの順で有し、前記透光性基板の他面上に、透光性を有する透明樹脂層と、前記透明樹脂層と異なる屈折率を有する透光性材料からなり前記第1電極層の表面の凹凸形状の自乗平均面粗さよりも大きな直径を有して前記透明樹脂層の内部に分散配置された球形の光散乱体と、を備えること、を特徴とする光起電力装置。前記光散乱体として、下記数式1で表されるサイズパラメータαが3以上、20以下となる直径を有する光散乱体を含むこと、を特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記光散乱体は、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタンおよび酸化シリコンからなる群より選択される少なくとも1種からなること、を特徴とする請求項1または2に記載の光起電力装置。前記光散乱体は、300nm以上900nm未満の波長の光に対して1/4波長に等しい膜厚となる1つ以上の層からなる光散乱体表面皮膜を表面に有すること、を特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の光起電力装置。前記光散乱体表面皮膜は、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化シリコンおよびパリレンからなる群より選択される少なくとも1種であって前記光散乱体と異なる材料からなること、を特徴とする請求項4に記載の光起電力装置。前記透明樹脂層の表面が、無機材料からなり前記透明樹脂層の表面と大気中の酸素との接触を遮断するコーティング層により被覆されていること、を特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の光起電力装置。前記コーティング層が、アルコキシラン化合物からなり膜厚が10μm~200μmであること、を特徴とする請求項6に記載の光起電力装置。透光性基板の一面上に、透光性導電膜からなり表面に自乗平均面粗さが10nm~600nmの凹凸形状を有する第1電極層を形成する第1工程と、前記第1電極層上に、アモルファスシリコン系薄膜からなる光吸収層を有する第1光電変換ユニットと結晶質シリコン系薄膜からなる光吸収層を有する第2光電変換ユニットとが少なくとも1つずつ積層された積層光電変換ユニットを形成する第2工程と、前記積層光電変換ユニット上に、第2電極層を形成する第3工程と、前記透光性基板の他面上に、透光性材料からなり前記第1電極層の表面の凹凸形状の自乗平均面粗さよりも大きな直径を有する球形の光散乱体が内部に分散配置され、透光性および前記光散乱体と異なる屈折率を有する透明樹脂層を形成する第4工程と、を含むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。前記光散乱体として、下記数式2で表されるサイズパラメータαが3以上、20以下となる直径を有する光散乱体を含むこと、を特徴とする請求項8に記載の光起電力装置の製造方法。前記光散乱体は、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタンおよび酸化シリコンからなる群より選択される少なくとも1種からなること、を特徴とする請求項8または9に記載の光起電力装置の製造方法。前記光散乱体の表面に、300nm以上900nm未満の波長の光に対して1/4波長に等しい膜厚となる1つ以上の層からなる光散乱体表面皮膜を形成すること、を特徴とする請求項8~10のいずれか1つに記載の光起電力装置の製造方法。前記光散乱体表面皮膜は、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化シリコンおよびパリレンからなる群より選択される少なくとも1種であって前記光散乱体と異なる材料からなること、を特徴とする請求項11に記載の光起電力装置の製造方法。前記透明樹脂層の表面を、無機材料からなり前記透明樹脂層の表面と大気中の酸素との接触を遮断するコーティング層により被覆すること、を特徴とする請求項8~12のいずれか1つに記載の光起電力装置の製造方法。前記コーティング層が、アルコキシラン化合物からなり膜厚が10μm~200μmであること、を特徴とする請求項13に記載の光起電力装置の製造方法。請求項1~7に記載の光起電力装置の少なくとも2つ以上が電気的に接続されてなること、を特徴とする光起電力モジュール。しかしながら、従来技術のように積層型薄膜太陽電池において光路長の増大および光閉じ込めを行う場合には、透明導電膜や基板自体に大きなテクスチャを形成し、これを下地として各光電変換ユニットを作製している。このため、微結晶光電変換ユニットの欠陥が増大する、という問題があった。また、従来技術のように、微結晶光電変換ユニットの欠陥を減少させるために平坦な下地を実現しようとすると、太陽の入射する基板および透明導電膜を平坦にする必要がある。そこで、透明導電膜中に光散乱体を埋め込んで光を拡散させる手法が提案されている。しかしながら、この場合は光散乱体の粒径と光の波長との関係により、特定の波長の光に対しては有効な散乱効果が得られるが、それ以外の波長の光に対しては光を半導体発電層のある前方光の入射方向だけでなく光の入射側である後方へも乱反射してしまい、太陽光を有効に利用できない、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、短波長領域から長波長までの広い波長領域の光を有効に利用可能な、光電変換効率に優れた光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュールを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる光起電力装置は、透光性基板の一面上に、透光性導電膜からなり表面に自乗平均面粗さが10nm~600nmの凹凸形状を有する第1電極層と、アモルファスシリコン系薄膜からなる光吸収層を有する第1光電変換ユニットと結晶質シリコン系薄膜からなる光吸収層を有する第2光電変換ユニットとが少なくとも1つずつ積層された積層光電変換ユニットと、第2電極層とをこの順で有し、前記透光性基板の他面上に、透光性を有する透明樹脂層と、前記透明樹脂層と異なる屈折率を有する透光性材料からなり前記第1電極層の表面の凹凸形状の自乗平均面粗さよりも大きな直径を有して前記透明樹脂層の内部に分散配置された球形の光散乱体と、を備えること、を特徴とする。本発明によれば、透明導電膜のテクスチャ形状と光散乱体とによる高い前方散乱効果によって短波長領域から長波長までの広い領域の光に対して良好な透過散乱性能を実現し、広い波長領域の光を有効に利用可能な光起電力装置が得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる光起電力装置である薄膜太陽電池の構成を模式的に示す断面図である。実施の形態1にかかる薄膜太陽電池は、光電変換層が2層積層された積層型タンデム接合型薄膜太陽電池である。実施の形態1にかかる薄膜太陽電池は、図1に示すように透光性基板1の上に、第1電極層である透明電極層2、第1光電変換ユニット7、第2光電変換ユニット8、裏面透明導電膜9、第2電極層である裏面電極層10が順次積層された構成を有する。また、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池は、図1に示すように透光性基板1の光入射側に透明樹脂層3と、該透明樹脂層3中に配置された光散乱体4と、を備える。この薄膜太陽電池においては、透明樹脂層3側から太陽光Lを入射させる。透光性基板1としては、透光性を有する絶縁基板が用いられる。このような透光性基板1には、通常は透過率の高い材質が用いられ、例えば可視から近赤外領域までの吸収が小さいガラス基板が使用される。ガラス基板としては無アルカリガラス基板を用いてもよく、また、安価な青板ガラス基板を用いてもよい。ただし、透光性基板1は必ずしもガラスである必要はなく、光を透過する絶縁性基板であれば、樹脂等の基板を用いることも可能である。透明電極層2は、光透過性を有する透明導電膜からなる。透明電極層2は、例えば酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム錫ITO:IndiumTinOxide、酸化スズSnO2、酸化インジウムIn2O3のうちの少なくとも1種を含む透明導電性酸化膜TCO:TransparentConductingOxide、またはこれらを積層した透明導電膜で構成される。また、透明電極層2は、上述したTCO膜にドーパントとしてアルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、ホウ素B、イットリウムY、シリコンSi、ジルコニウムZr、チタンTi、フッ素Fから選択した少なくとも1種類以上の元素を用いた透光性の膜によって構成されてもよい。このような透明電極層2は、スパッタリング法、電子ビーム堆積法、常圧化学気相成長CVD:ChemicalVaporDeposition法、低圧CVD法、有機金属化学気相蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition法、ゾルゲル法、印刷法、スプレー法等の種々の方法により作製することができる。また、透明電極層2は、透光性基板1と反対側の表面に凹凸形状が形成された表面テクスチャ構造を有する。このテクスチャ構造は、入射した太陽光のうち短波長領域から可視光波長の光を前方散乱させて光路長を増大させ、第1光電変換ユニット7において入射光をより効率的に吸収させ、光利用効率を高める機能を有する。前方散乱とは、図2に示すように透光性基板1から入射した光が進行方向に散乱されることをいう。図2は、透明電極層2のテクスチャ構造による入射光の前方散乱を説明するための模式図である。テクスチャ構造の凹凸形状は、第1光電変換ユニット7および第2光電変換ユニット8の膜質を低下させない程度の小さな凹凸形状とされる。このような形状としては、短波長領域から可視光領域の光の散乱に適した100nm~800nmの周期構造を有する高さ50nm~200nm程度の三角錐が並んだような形状が好ましい。凸部がこれ以上の高さを有する大きい凹凸となると、光電変換ユニットに用いられる微結晶シリコンを成長させる際に、欠陥を発生させる原因となり、光電変換特性が劣化する。このテクスチャ構造は、例えば透明電極層2の表面にドライエッチング、またはウェットエッチングなどを施すことにより形成することができる。第1光電変換ユニット7および第2光電変換ユニット8は、例えばpin接合を有し、入射する光により発電を行って光起電力を発生させる光吸収層光電変換層としての薄膜シリコン半導体層が1層以上積層されて構成されるシリコン系の半導体光電変換ユニットである。第1光電変換ユニット7は、例えば光入射側透明電極層2側から順番に第1導電型半導体層であるp型半導体層7a、真性半導体層である光吸収層7b、第2導電型半導体層であるn型半導体層7cの各半導体層を有する。また、真性半導体層である光吸収層7bは、光吸収機能光電変換機能を損なわない限り、弱いp型、n型の導電性を示すものであってもよい。第2光電変換ユニット8は、例えば光入射側第1光電変換ユニット7側から順番に第1導電型半導体層であるp型半導体層8a、真性半導体層である光吸収層8b、第2導電型半導体層であるn型半導体層8cの各半導体層を有する。また、真性半導体層である光吸収層8bは、光吸収機能光電変換機能を損なわない限り、弱いp型、n型の導電性を示すものであってもよい。ここで、シリコン系の半導体光電変換ユニットとは、シリコン系の半導体を主成分とする母材からなり、それぞれの半導体に適したアクセプタまたはドナーが添加されてp型またはn型を形成し、pin構造を構成する3つの半導体層からなるものである。これらの製法としては、CVD法が一般的である。CVD法としては、常圧CVD、減圧CVD、プラズマCVD、熱CVD、ホットワイヤーCVD、MOCVD法等が挙げられる。第1光電変換ユニット7は、主に短波長領域の光を吸収して光電変換を行うことができ、例えばバンドギャップの大きな材料であり太陽光の吸収波長領域が短く開放電圧の高いアモルファスシリコンa-Si系の材料からなることが好ましい。このような材料としては、アモルファスシリコンa-Si、アモルファス炭化シリコンa-SiC、アモルファス酸化シリコンa-SiO等が適している。第2光電変換ユニット8は、主に第1光電変換ユニット7よりも長波長領域の光を吸収して光電変換を行うことができ、例えば吸収する太陽光の吸収波長領域が長くバンドギャップの小さな材料である微結晶シリコンμc-Si系の材料からなることが好ましい。このような材料としては、微結晶シリコンμc-Si、微結晶シリコンゲルマニウムμc-SiGe、微結晶シリコン錫μc-SiSn等が適している。裏面透明導電膜9は、酸化チタンTiO2や透明電極層2と同様の何れかの材料および方法により製膜される。なお、各種エッチングによる表面凹凸形状の形成は必ずしも行う必要はない。裏面電極層10は、導電膜からなり、光反射が大きく、導電率が高い程好ましい。裏面電極層10は、可視光の反射率の高い銀Ag、アルミニウムAl、チタンTiもしくはパラジウムPdなどの金属材料、またはこれらの合金、またはこれらの窒化物、酸化物などにより形成することができる。裏面電極層10は、光電変換ユニットで吸収されなかった光を反射して再度光電変換ユニットに戻すため、光電変換効率の向上に寄与する。透明樹脂層3は、光散乱体4を固定する透光性を有する樹脂からなり、例えばエチレン酢酸ビニル等が適している。光散乱体4は、透明樹脂層3中に設置され、入射する太陽光のうち長波長領域の光を前方散乱させて光路長を増大させ、第2光電変換ユニット8において入射光をより効率的に吸収させ、光利用効率を高める機能を有する。光散乱体4の形状は、球形が好ましく、Mie散乱効果を考慮して長波長領域の光を前方散乱させるために適した直径とされ、透明電極層2のテクスチャ形状における自乗平均面粗さよりも大きな直径を有する。また、光散乱体4の材質としては、透明樹脂層3と異なる屈折率を有するものであればよく、例えば酸化亜鉛や酸化インジウム、酸化チタン、酸化シリコン等の太陽光を吸収しない透光性を有する透明な材料が利用可能である。次に、上記のように構成された実施の形態1にかかる薄膜太陽電池の製造方法について図3-1~図3-4および図4を参照して説明する。図3-1~図3-4は、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池の製造方法を模式的に説明する断面図である。図4は、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートである。まず、透光性基板1としてガラス基板を用意する。ただし、透光性基板1は必ずしもガラス基板である必要はなく、光を透過する絶縁性基板であれば、樹脂等の基板を用いることも可能である。次に、この透光性基板1上に、テクスチャ構造として微細な凹凸を含む表面凹凸形状を有する透明電極層2を公知の方法で形成する図3-1、ステップS110。例えば、透光性基板1上に酸化亜鉛ZnO膜からなる透明電極層2をスパッタリング法により形成する。透明電極層2は、プラズマCVD法等の他の方法により作製してもよい。そして、透明電極層2の表面をエッチングすることにより、透明電極層2の表面にテクスチャー構造を形成する。この時、テクスチャ構造の凹凸形状は、短波長領域から可視光領域の光の散乱に適した100nm~800nmの周期構造を有する高さ50nm~200nm程度の三角錐が並んだような形状とすることが好ましい。次に、透明電極層2上に、アモルファスシリコンa-Siからなる第1光電変換ユニット7および微結晶シリコンμc-Siからなる第2光電変換ユニット8を公知の方法で形成する図3-2、ステップS120。例えばプラズマCVD法により透明電極層2側から順に、p型半導体層7a、光吸収層7b、n型半導体層7c、p型半導体層8a、光吸収層8b、n型半導体層8cの各層を透明電極層2上に透光性絶縁基板1の主面に略平行に積層形成する。次に、第2光電変換ユニット8上に裏面透明導電膜9を公知の方法で形成する図3-3、ステップS130。例えば、第2光電変換ユニット8上に酸化錫SnO2膜からなる裏面透明導電膜9をスパッタリング法により形成する。また、成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。次に、裏面透明導電膜9上に裏面電極層10を公知の方法で形成する図3-3、ステップS130。例えば、裏面透明導電膜9上に銀Ag膜からなる裏面電極層10をスパッタリング法により形成する。また、成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。次に、透光性基板1の光入射側透明電極層2と反対側に、光散乱体4が分散配置された透明樹脂層3を形成する図3-4、ステップS140。例えば、球形の光散乱体4を分散させたエチレン酢酸ビニルを透光性基板1の光入射側透明電極層2と反対側に塗布または印刷する。光散乱体4が分散配置された透明樹脂層3を最後の工程で透光性基板1の外側に形成することで、薄膜太陽電池の作製プロセスの温度に制限がかからず、最適な薄膜太陽電池の作製条件を使用できる。また、透明樹脂層3の材質の選択の幅も広がるメリットがある。以上の処理により、図1に示す実施の形態1にかかる薄膜太陽電池が得られる。以上のような実施の形態1にかかる薄膜太陽電池においては、薄膜太陽電池に入射する太陽光Lのうち、長波長領域の光は透明樹脂層3中に設置された光散乱体4によって前方散乱されるため光路長が増大し、良好な光閉じ込め効果が得られる。これにより、長波長領域の光は第2光電変換ユニット8で効率良く吸収され、光電変換効率が向上する。また、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池においては、薄膜太陽電池に入射する太陽光Lのうち、短波長領域から可視光波長の光は透明電極層2のテクスチャ構造によって前方散乱されるため光路長が増大し、第1光電変換ユニット7で効率良く吸収されて光電変換効率が向上する。図5は、ガラス基板上に透明導電膜が形成された一般的な太陽電池用透明導電膜付基板のヘーズ率の波長依存性を示す特性図である。図5では、太陽電池用透明導電膜付基板への入射光の波長nmとヘーズ率との関係を示している。ヘーズ率とは下記の数式1で表される数値であり、この値が高いほど光が拡散する割合が高いことを示している。図5に示すとおり、ヘーズ率は入射光の波長が短波長領域から長波長領域になるに従って低下しており、ヘーズ率には波長依存性があることが分かる。太陽電池用透明導電膜付基板における光の拡散は、基板上の透明導電膜に形成されたテクスチャ形状の周期や大きさ等に影響される。太陽電池用透明導電膜付基板において長波長領域の光を効果的に散乱させるためには、テクスチャ形状は、散乱の対象とする波長と同程度の周期もしくはサイズの凹凸形状が望ましい。テクスチャ形状の凹凸サイズは原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFM測定によって求めることができ、表面の自乗平均面粗さRMSが10nm~600nm程度であることが好ましい。図2に示すように、RMSはテクスチャの深さに対応しており、600nmを超えるような深いテクスチャが存在すると、微結晶膜中の欠陥が増加する。また、テクスチャの深さが10nmより浅いと、光を効果的に散乱できない虞がある。例えば、特開2009-140930号公報では、大きな凹凸を有する下地を形成した後に、表面に小さな凹凸を有する透明電極層をこの大きな凹凸を覆うように設置することで、短波長領域から長波長領域までの光を散乱させる機能を持たせる手法が提案されている。しかし、下地に大きな凹凸形状を形成すると、その上に成長させる半導体層の膜質を低下させてしまい、開放電圧や曲線因子の低下を招く、という問題がある。このような凹凸形状に起因する半導体層への悪影響を排除するために、例えば特許文献2のように、透明電極層内に光散乱体を埋め込むことによって下地である透明電極層の表面を滑らかにしつつ、光の散乱効果を利用できる形状が提案されている。しかし、このように光散乱体のみで太陽光を散乱させようとすると、様々な波長の光に適したサイズの光散乱体を混合する必要がある。この場合は、光の散乱特性が、光の前方散乱だけでなく後方散乱を含むランダムな散乱特性となり、外部へ逃がす光が発生する、という問題がある。しかしながら、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池では、半導体層の膜質を低下させない程度の小さな凹凸からなるテクスチャ構造を有して短波長領域から可視光波長の光を優先的に前方散乱する透明電極層2を透光性基板1における太陽光の前方に設置し、且つ、長波長領域の光を優先的に前方散乱する球状の光散乱体4を透光性基板1における太陽光の入射側に設置する。これにより、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池においては、上記のような問題を生じることなく、短波長領域から長波長までの広い波長領域の光に対して高いヘーズ率を実現することができ、良好な透過散乱性能を得ることができる。光散乱体による光の散乱は、光の波長と光散乱体のサイズとの関係で振る舞いが異なることが知られている。光の波長と光散乱体のサイズに関わるパラメータとして、サイズパラメータαがあり、下記の数式2で表される。サイズパラメータαがα<<1のときはレイリー散乱、α~1のときはMie散乱、α>>1のときは幾何光学近似で光の散乱を取り扱うことができる。したがって、特許文献2のように様々なサイズの光散乱体を埋め込む場合は、サイズの小さな光散乱体によるレイリー散乱が起こり、ほぼ全方位に光を散乱してしまうため、入射側へ太陽光を戻してしまう、という問題がある。Mie散乱は、球体による光の回折現象であり、球体の直径が光の波長よりも大きくなるほど前方への散乱の割合が大きくなり、後方へ散乱しにくくなるため、入射した太陽光を効率良くトップセルおよびボトムセルへと取り込むことができる例えば、HendrikChristoffelvandeHulstLightScatteringbySmallParticlesDoverPublicationsNewYork参照。このようにMie散乱は、光と球体の回折現象であるため、本実施の形態にかかる薄膜太陽電池においてその効果を得るためには、光散乱体4の形状は球形が好ましい。そして、図5に示すように一般的な太陽電池用透明導電膜付基板のヘーズ率が10近傍およびそれ以下となる波長900nm以上の光を効果的に散乱させるために、サイズパラメータαがおよそ3以上20以下となるようにすることが好ましい。例えばエチレン酢酸ビニル媒質中であれば、900nmの波長の光を効果的に散乱させるためは、直径が1.4μm以上8.6μm以下のサイズの光散乱体4を用いることが好ましい。図6は、サイズパラメータαが1の時の光の光散乱体4における散乱強度分布の様子を示した図である。図7は、サイズパラメータαが3の時の光散乱体4における光の散乱強度分布の様子を示した図である。図6に示すように、サイズパラメータαが1の時は、光の進行方向θ=0にも入射方向θ=180にも同じような強度分布で光が散乱される。一方、図7に示すように、サイズパラメータαが3の時は、光の進行方向θ=0への散乱強度が入射方向θ=180への散乱強度よりも2桁強くなり、入射方向θ=180への戻り光の割合が大きく減少することが分かる。例えば第2光電変換ユニット8が微結晶シリコンゲルマニウムSiGeからなる場合に波長1200nmまでの光を効果的に散乱させるには、直径が1.8μm以上12μm以下のサイズの光散乱体4を用いることが好ましい。サイズパラメータαが20を超えると、前述の幾何光学近似の領域となるためそれ以上のサイズとする必要はない。図8は、波長1100nmの光に対してサイズパラメータαが3となるように設定した場合の実施の形態1にかかる太陽電池用透明導電膜付基板のヘーズ率の一例を示す特性図である。実施の形態1にかかる太陽電池用透明導電膜付基板は、図1に示した実施の形態1にかかる薄膜太陽電池の構成のうち、透光性基板1と透明電極層2と透明樹脂層3と光散乱体4とから構成される。図8に示すように、実施の形態1にかかる太陽電池用透明導電膜付基板は、短波長領域から長波長までの広い波長領域の光に対して高いヘーズ率を実現することができ、良好な透過散乱性能を得ることができる。そして、この太陽電池用透明導電膜付基板を用いて薄膜太陽電池を構成することにより、薄膜太陽電池における太陽光の利用効率を向上させて、光電変換効率を向上させることができる。したがって、実施の形態1によれば、透明電極層2のテクスチャ形状と光散乱体4とによる高い前方散乱効果によって短波長領域から長波長までの広い領域の光に対して良好な透過散乱性能を実現し、広い波長領域の光を有効に利用可能な光電変換効率に優れた薄膜太陽電池が得られる。実施の形態2.図9は、本発明の実施の形態2にかかる薄膜太陽電池の構成を模式的に示す断面図である。実施の形態2にかかる薄膜太陽電池は、実施の形態1において示した薄膜太陽電池の構成において、光散乱体4の表面に散乱体表面皮膜5が配置されている。実施の形態1にかかる薄膜太陽電池の構成においては、短波長領域~可視光領域の光は光散乱体に対するサイズパラメータαが20を超え、光散乱体4の表面での散乱反射特性は幾何光学近似が適用される。このため、角度によっては光散乱体4の表面と透明樹脂層3との界面で反射が起こり、一部の光を入射側に戻してしまう。そこで、光散乱体4の表面と透明樹脂層3との界面で反射しやすい波長400nm-500nmの短波長領域の光に対して1/4波長の膜厚となる様に光散乱体4の表面に散乱体表面皮膜5を配置することにより、その反射を抑える効果をもたせることができる。これにより、光散乱体4表面で後方に反射させてしまう光を減少させ、薄膜太陽電池の内部に取り込める光の量を増加させることができる。このとき、散乱体表面皮膜5の膜厚は、1/4×[波長]÷[皮膜の屈折率n1]とすればよい。Mie散乱は、一様媒質中の球体による回折反応であるため、長波長領域の光に対する散乱効果は散乱体表面皮膜5の影響を受けることはない。散乱体表面皮膜5は単層膜でなくてもよく、アンチリフレクションコーティングの様に、多層膜とすることでより広い波長の反射に対応させることも可能である。また、散乱体表面皮膜5の材料には、例えば酸化亜鉛や酸化インジウム、酸化チタン、酸化シリコンの中から、光散乱体4と異なる屈折率を有する材料が使用可能である。上記酸化物は、結合する酸素の組成により屈折率が変化するため、酸素雰囲気中で光散乱体4をアニールすることで表面をさらに酸化させて散乱体表面皮膜5とすることができる。また、アニール時間と温度とにより散乱体表面皮膜5の膜厚を制御できる。異種材料で散乱体表面皮膜5を形成する場合、例えば酸化シリコンにより散乱体表面皮膜5を形成するには、シリコンアルコキシド例えばテトラエトキシシランをエタノール等の溶媒によって希釈した溶液を光散乱体表面に付着させた後に、乾燥、焼結させればよい。この手法の場合は、散乱体表面皮膜5の膜厚は溶液中のシリコンアルコキシドの濃度によって制御可能である。また、パラキシリレン系ポリマーパリレン:登録商標も、屈折率1.5~1.6前後であり、且つ、波長300nm以上の光に対して透明な物質であるため、利用可能である。パリレンの成膜には、一般的に蒸着法が用いられる。パリレンの原料である二量体はおよそ150°Cの加熱により気化し、さらに高温の650°C~700°Cまで加熱することで、前駆体であるモノマー分子となる。このモノマー分子が常温の光散乱体4表面で重合反応することにより、パリレン膜が形成される。球体である光散乱体4の表面を覆うために、成膜時には光散乱体4を入れた容器を振動させる、または容器内部を撹拌することによりかき混ぜる必要がある。上述した実施の形態2にかかる薄膜太陽電池によれば、透明電極層2のテクスチャ形状と光散乱体4とによる高い前方散乱効果によって短波長領域から長波長までの広い領域の光に対して良好な透過散乱性能を実現し、広い波長領域の光を有効に利用可能な光電変換効率に優れた薄膜太陽電池が得られる。また、実施の形態2にかかる薄膜太陽電池によれば、光散乱体4の表面と透明樹脂層3との界面で反射しやすい波長400nm-500nmの短波長領域の光に対して1/4波長の膜厚となる様に光散乱体4の表面に散乱体表面皮膜5が配置される。これにより、光散乱体4の表面と透明樹脂層3との界面での反射を抑える効果が得られ、より良好な透過散乱性能を実現し、広い波長領域の光を有効に利用可能な光電変換効率に優れた薄膜太陽電池が得られる。実施の形態3.図10は、本発明の実施の形態3にかかる薄膜太陽電池の構成を模式的に示す断面図である。実施の形態3にかかる薄膜太陽電池は、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池の構成において、透明樹脂層3の表面が無機材料からなる無機コーティング層11で皮膜された構成を有する。透明樹脂層3の表面が無機コーティング層11で皮膜されることにより透明樹脂層3と大気中の酸素とが直接接触することが無くなるため、透明樹脂層3の劣化が抑制される。これにより透明樹脂層3の耐候性が増し、薄膜太陽電池の長期信頼性を向上することができる。無機コーティング層11の材料は、例えばアルコキシラン化合物RnSiOR4-n:Rはアルキル基、nは1~3の整数等が好ましい。このような材料を透明樹脂層3の表面にスプレー、刷毛、ローラ等により塗布して乾燥させることで、無機コーティング層11を形成することができる。アルコキシラン化合物の場合は、塗布後の乾燥工程は自然乾燥でも可能である。このため、アルコキシラン化合物を用いることにより、薄膜太陽電池に余分な熱負荷をかけることなく無機コーティング層11を形成することが可能である。また、アルコキシラン化合物は、透明樹脂層3等に悪影響を与えない100°C~150°C程度に加熱することで、より短い時間で乾燥させることも可能である。無機コーティング層11の膜厚は、10μm~200μm程度が好ましい。無機コーティング層11の膜厚が10μmよりも薄い場合には、透明樹脂層3の劣化抑制効果が低下する。また、無機コーティング層11の膜厚が200μmよりも厚い場合には、塗布後の乾燥時間が増加するのに対して、抑制効果はほぼ変わらない。上述した実施の形態3にかかる薄膜太陽電池によれば、透明電極層2のテクスチャ形状と光散乱体4とによる高い前方散乱効果によって短波長領域から長波長までの広い領域の光に対して良好な透過散乱性能を実現し、広い波長領域の光を有効に利用可能な光電変換効率に優れた薄膜太陽電池が得られる。また、実施の形態3にかかる薄膜太陽電池によれば、透明樹脂層3の表面が無機コーティング層11で皮膜されることで大気中の酸素から遮断されるため、大気中の酸素による透明樹脂層3の劣化を抑制することができる。これにより透明樹脂層3の耐候性が増し、長期信頼性に優れた薄膜太陽電池が得られる。なお、上記においては、実施の形態2にかかる薄膜太陽電池の構成に無機コーティング層11を追加した場合を例に説明したが、実施の形態1にかかる薄膜太陽電池の構成に無機コーティング層11を追加した場合も、上記と同様の効果が得られる。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する薄膜太陽電池セルを透光性基板1上に複数形成し、隣接する薄膜太陽電池セル同士を電気的に直列または並列に接続することにより、良好な光閉じ込め効果を有し、信頼性、光電変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、隣接する薄膜太陽電池セルの一方の透明電極層2と他方の裏面電極層10とを電気的に接続すればよい。