下地基板の上にIII族窒化物層群を0001結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成した半導体素子用のエピタキシャル基板であって、Inx1Aly1Gaz1Nx1y1z1=1、z1>0なる組成の第1のIII族窒化物からなるチャネル層と、Inx2Aly2Nx2y2=1、x2>0、y2>0なる組成の第2のIII族窒化物からなる障壁層と、AlNからなり、3nm以上の厚みを有する拡散防止層と、Inx3Aly3Gaz3Nx3y3z3=1、z3>0なる組成の第3のIII族窒化物からなるキャップ層と、を備えることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1に記載のエピタキシャル基板であって、前記第2のIII族窒化物のバンドギャップが前記第1のIII族窒化物のバンドギャップよりも大きい、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1または請求項2に記載のエピタキシャル基板であって、前記第2のIII族窒化物が、Inx2Aly2Nx2y2=1、0.14≦x2≦0.24であり、前記第3のIII族窒化物がAly3Gaz3Ny3z3=1、z3>0である、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1または請求項2に記載のエピタキシャル基板であって、前記キャップ層が、Aly3Gaz3Ny3z3=1、z3>0なる組成の前記第3のIII族窒化物にアクセプタ元素をドープしたものである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項4に記載のエピタキシャル基板であって、前記アクセプタ元素がMgである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、前記第1のIII族窒化物がAly1Gaz1Ny1z1=1、z1>0である、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項6に記載のエピタキシャル基板であって、前記第1のIII族窒化物がGaNである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項7のいずれかに記載のエピタキシャル基板であって、前記チャネル層と前記障壁層との間に、Inx4Aly4Gaz4Nx4y4z4=1、y4>0なる組成を有し、前記第2のIII族窒化物よりもバンドギャップが大きい第4のIII族窒化物からなるスペーサ層をさらに備える、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項8に記載のエピタキシャル基板であって、前記第4のIII族窒化物がAlNである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板を用いて作製した、半導体素子。請求項4または請求項5に記載の半導体素子用エピタキシャル基板を用いて作製した、PN接合ダイオード素子。下地基板の上にIII族窒化物層群を0001結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成した半導体素子用のエピタキシャル基板の製造方法であって、下地基板の上に、Inx1Aly1Gaz1Nx1y1z1=1、z1>0なる組成の第1のIII族窒化物にてチャネル層を形成するチャネル層形成工程と、前記チャネル層の上に、Inx2Aly2Nx2y2=1、x2>0、y2>0なる組成の第2のIII族窒化物にて障壁層を形成する障壁層形成工程と、前記障壁層の上にAlNからなる拡散防止層を形成する拡散防止層形成工程と、前記拡散防止層の上にInx3Aly3Gaz3Nx3y3z3=1、z3>0なる組成の第3のIII族窒化物からなるキャップ層を形成するキャップ層形成工程と、を備えることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項12に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記第2のIII族窒化物のバンドギャップが前記第1のIII族窒化物のバンドギャップよりも大きい、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項12または請求項13に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記第2のIII族窒化物が、Inx2Aly2Nx2y2=1、0.14≦x2≦0.24であり、前記第3のIII族窒化物がAly3Gaz3Ny3z3=1、z3>0である、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項12または請求項13に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記キャップ層形成工程においては、Aly3Gaz3Ny3z3=1、z3>0なる組成の前記第3のIII族窒化物にアクセプタ元素をドープすることによって前記キャップ層を形成する、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項15に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記アクセプタ元素がMgである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項12ないし請求項16のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記第1のIII族窒化物がAly1Gaz1Ny1z1=1、z1>0である、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項17に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記第1のIII族窒化物がGaNである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項12ないし請求項18のいずれかに記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記チャネル層と前記障壁層との間に、Inx4Aly4Gaz4Nx4y4z4=1、y4>0なる組成を有し、前記第2のIII族窒化物よりもバンドギャップが大きい第4のIII族窒化物からなるスペーサ層をさらに備える、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。請求項19に記載のエピタキシャル基板の製造方法であって、前記第4のIII族窒化物がAlNである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法。<エピタキシャル基板の構成>図1は、本発明の実施の形態に係るエピタキシャル基板10の構成を概略的に示す断面模式図である。エピタキシャル基板10は、下地基板1と、バッファ層2と、チャネル層3と、スペーサ層4と、障壁層5と、拡散防止層6と、キャップ層7とが積層形成された構成を有する。なお、図1における各層の厚みの比率は、実際のものを反映したものではない。バッファ層2と、チャネル層3と、スペーサ層4と、障壁層5と、拡散防止層6と、キャップ層7とはいずれも、MOCVD法有機金属化学的気相成長法を用いてエピタキシャル形成される詳細は後述のが好適な一例である。以降においては、各層の形成にMOCVD法を用いる場合を対象に説明を行うが、良好な結晶性を有するように各層を形成できる手法であれば、他のエピタキシャル成長手法、例えば、MBE、HVPE、LPEなど、種々の気相成長法や液相成長法の中から適宜選択した手法を用いてもよいし、異なる成長法を組み合わせて用いる態様であってもよい。下地基板1は、その上に結晶性の良好な窒化物半導体層を形成できるものであれば、特段の制限なく用いることができる。単結晶6H-SiC基板を用いるのが好適な一例であるが、サファイア、Si、GaAs、スピネル、MgO、ZnO、フェライトなどからなる基板を用いる態様であってもよい。また、バッファ層2は、その上に形成されるチャネル層3、スペーサ層4、障壁層5、拡散防止層6、およびキャップ層7の結晶品質を良好なものとするべく、AlNにて数百nm程度の厚みに形成される層である。例えば、200nmの厚みに形成するのが好適な一例である。チャネル層3は、Inx1Aly1Gaz1Nx1y1z1=1なる組成のIII族窒化物第1のIII族窒化物にて、数μm程度の厚みに形成される層である。好ましくは、チャネル層3はAly1Gaz1Ny1z1=1、z1>0組成のIII族窒化物にて形成され、より好ましくは、GaNにて形成される。一方、障壁層5は、Inx2Aly2Nx2y2=1、x2>、y2>0なる組成を有するIII族窒化物第2のIII族窒化物にて、数nm~数十nm程度の厚みに形成される層である。好ましくは0.14≦x2≦0.24である。x2の値がこの範囲の外にある場合は、障壁層5に作用する歪みが±0.5を超えることとなり、エピタキシャル基板10の上にショットキー接合を形成する場合に、当該ショットキー接合の信頼性に及ぼす結晶歪みの影響が大きくなり始めるため好ましくない。なお、チャネル層3と障壁層5とは、前者を構成する第1のIII族窒化物のバンドギャップよりも後者を構成する第2のIII族窒化物のバンドギャップの方が大きいという組成範囲をみたして形成される。拡散防止層6は、AlNにて1nm~十数nm程度の厚みに形成される。好ましくは、3nm~10nm程度の厚みに形成される層である。拡散防止層6は、キャップ層7に存在するGaやMgなどの元素が、障壁層5へと拡散することを防止する目的で設けられてなる。拡散防止層6の作用効果の詳細については後述する。キャップ層7は、Inx3Aly3Gaz3Nx3y3z3=1、z3>0組成のIII族窒化物にて、数nm~数十nm程度の厚みに形成される。好ましくは、10nm~50nm程度の厚みに形成される。キャップ層7の具体的な組成は、エピタキシャル基板10の形成目的に応じて適宜に定められる。例えば、エピタキシャル基板10を用いてHEMT素子を構成するにあたって、電流コラプス抑制という効果を得ようとする場合であれば、キャップ層7は、GaNx3=y3=0やAly3Gaz3Nx3=0にて形成されるのが好適である。より具体的には、0≦y3≦0.2をみたすように設けられるのが好適である。あるいは、エピタキシャル基板10を用いて半導体素子を構成するにあたって、ゲート電極を設けてショットキー接合を形成するのではなく、PN接合を形成しようとする場合であれば、GaNにアクセプタ元素としてMgをドープすることによってキャップ層7を形成するのが好適である。さらに、チャネル層3と障壁層5の間にはスペーサ層4が設けられる。スペーサ層4は、Inx4Aly4Gaz4Nx4y4z4=1なる組成を有し、少なくともAlを含むy4>0をみたすIII族窒化物第4のIII族窒化物にて、0.5nm~1.5nmの範囲の厚みで形成される層である。このような層構成を有するエピタキシャル基板10においては、チャネル層3とスペーサ層4の界面により詳細には、チャネル層3の当該界面近傍に二次元電子ガスが高濃度に存在する二次元電子ガス領域3eが形成される。好ましくは、スペーサ層4と障壁層5とはそれぞれ、前者を構成する第4のIII族窒化物のバンドギャップが、後者を構成する第2のIII族窒化物のバンドギャップ以上という組成範囲をみたして形成される。係る場合、合金散乱効果が抑制され、二次元電子ガスの濃度および移動度が向上する。より好ましくは、スペーサ層4はAlNx4=0、y4=1、z4=0にて形成される。係る場合、スペーサ層4がAlとNの二元系化合物となるので、Gaを含む3元系化合物の場合よりもさらに合金散乱効果が抑制され、二次元電子ガスの濃度および移動度が向上することとなる。なお、係る組成範囲についての議論は、スペーサ層4が不純物を含有することを除外するものではない。なお、エピタキシャル基板10においてスペーサ層4を備えるのは必須の態様ではなく、チャネル層3の上に直接に障壁層5を形成する態様であってもよい。係る場合、チャネル層3と障壁層5の界面に二次元電子ガス領域3eが形成される。以上のような構成を有するエピタキシャル基板10に対し、電極パターンその他の構成要素を適宜に設けることによって、HEMT素子やダイオード素子などの種々の半導体素子を得ることができる。<HEMT素子の作製方法>次に、上述のような構成を有するエピタキシャル基板10を作製する方法を説明する。エピタキシャル基板10の作製は、公知のMOCVD炉を用いて行うことができる。具体的には、In、Al、Gaについての有機金属MO原料ガスTMI、TMA、TMGと、Mgなどのドーパント元素の原料ガスCp2Mgなどと、アンモニアガスと、水素ガスと、窒素ガスとを、リアクタ内に供給可能に構成されてなるMOCVD炉を用いる。まず、例えば0001面方位の2インチ径の6H-SiC基板などを下地基板1として用意し、該下地基板1を、MOCVD炉のリアクタ内に設けられたサセプタの上に設置する。リアクタ内を真空ガス置換した後、リアクタ内圧力を5kPa~50kPaの間の所定の値に保ちつつ、水素/窒素混合フロー状態の雰囲気を形成した上で、サセプタ加熱によって基板を昇温する。サセプタ温度がバッファ層形成温度である950°C~1250°Cの間の所定温度例えば1050°Cに達すると、Al原料ガスとNH3ガスをリアクタ内に導入し、バッファ層2としてのAlN層を形成する。AlN層が形成されると、サセプタ温度を所定のチャネル層形成温度に保ち、チャネル層3の組成に応じた有機金属原料ガスとアンモニアガスをリアクタ内に導入し、チャネル層3としてのInx1Aly1Gaz1N層ただし、x1=0、0≦y1≦0.3を形成する。ここで、チャネル層形成温度T1は、950°C以上1250°C以下の温度範囲から、チャネル層3のAlNモル分率y1の値に応じて定められる値である。なお、チャネル層3形成時のリアクタ圧力には特に限定はなく、10kPaから大気圧100kPaの範囲から適宜選ぶことができる。Inx1Aly1Gaz1N層が形成されると、次いで、サセプタ温度を保ったまま、リアクタ内を窒素ガス雰囲気に保ち、リアクタ圧力を10kPaとした後、有機金属原料ガスとアンモニアガスとをリアクタ内に導入して、スペーサ層4としてのInx4Aly4Gaz4N層を所定の厚みに形成する。Inx4Aly4Gaz4N層が形成されると、障壁層5となるInx2Aly2Nを形成するために、サセプタ温度を650°C以上800°C以下の所定の障壁層形成温度に保ち、リアクタ内圧力が1kPa~30kPaの間の所定の値に保たれるようにする。そして、アンモニアガスと、障壁層5の組成に応じた流量比の有機金属原料ガスとを、いわゆるV/III比が3000以上20000以下の間の所定の値となるようにリアクタ内に導入する。Inx4Aly4Gaz4N層が形成されると、引き続いて、サセプタ温度を所定の拡散防止層形成温度としたうえで、有機金属原料ガスの流量比を調整して、拡散防止層6となるAlN層を所定の厚みに形成する。AlN層の形成後、続いて、サセプタ温度を所定のキャップ層形成温度としたうえで、有機金属原料ガスの流量比をキャップ層7の組成に応じて調整し、キャップ層7となるInx2Aly2N層を所定の厚みに形成する。Mgなどのアクセプタ元素をドープする場合は、当該元素の原料ガスについても、適宜の流量比にて供給される。キャップ層7が形成されれば、エピタキシャル基板10が作製されたことになる。<拡散防止層の作用効果>次に、エピタキシャル基板10に拡散防止層6を設けることの作用効果について説明する。上述したように、拡散防止層6は、キャップ層7に存在するGaやMgなどの元素が、障壁層5へと拡散することを防止する目的で設けられてなる。なお、これらの元素の拡散は、キャップ層7の形成のためにエピタキシャル基板10が加熱されている間に進行する。図2ないし図5は、拡散防止層6の有無と元素分布との関係を示す図である。まず、図2および図3は、拡散防止層6の有無が異なる他は同一の条件にて作製した2種類のエピタキシャル基板10について、オージェ電子分光法により測定した、Ga元素、Al元素、およびIn元素のデプスプロファイルである。図2が拡散防止層6を備えるエピタキシャル基板10についてデプスプロファイルであり、図3が拡散防止層6を備えないエピタキシャル基板10についてのデプスプロファイルである。なお、いずれのエピタキシャル基板10も、障壁層5はIn018Al082Nにて形成されてなり、キャップ層7はGaNにて形成されてなる。また、図2と図3のいずれにおいても、Sputtertimeが0minの位置がエピタキシャル基板10の表面キャップ層7の表面に相当し、Sputtertimeの値が大きくなるほど表面から離れた位置を指し示す。図2においては、Sputtertimeが5minのところでGa濃度が急峻に減少して0に至る一方で、Al濃度が急峻に上昇し、ピークが形成されている。当該ピークは、拡散防止層6であるAlN層に相当すると解される。また、さらにSputtertimeが6minより大きい範囲では、Al濃度とIn濃度とがそれぞれ略一定となっている。しかも、拡散防止層6を設けたGaとInとが共存する領域は存在していない。これに対して、図3においては、Sputtertimeが3minを越えた辺りからGa濃度がなだらかに減少し、15minあたりでようやく0となっている。一方で、5minのあたりでAl濃度およびIn濃度が立ち上がっている。また、Al濃度のプロファイルにピークはみられない。これらの結果は、拡散防止層6を設けない場合図3にはGa元素がキャップ層7から障壁層5へと拡散するのに対して、かつ、拡散防止層6を設けた場合図2には、キャップ層7から障壁層5へのGa元素の拡散が、拡散防止層6によって好適に防止されていることを示している。一方、図4および図5は、拡散防止層6の有無が異なる他は同一の条件にて作製した2種類のエピタキシャル基板10について、SIMS2次イオン質量分析法により測定した、Mg元素およびAl元素の濃度プロファイルである。図4が拡散防止層6を備えるエピタキシャル基板10について濃度プロファイルであり、図5が拡散防止層6を備えないエピタキシャル基板10についての濃度プロファイルである。なお、いずれのエピタキシャル基板10も、障壁層5はIn018Al082Nにて形成されてなり、キャップ層7はMgがドープされたGaNにて形成されてなる。図4においては、表面深さが15nm~20nm辺りのところでMg濃度が急峻に減少している一方で、表面深さが20nm~25nm辺りのところでAl濃度が急峻に上昇し、表面深さが24nmの辺りにピークが形成されている。当該ピークは、拡散防止層6であるAlN層に相当すると解される。また、表面深さが28nmより大きい範囲では、Al濃度がそれぞれ略一定となっている。これに対して、図5においては、表面深さが2nmのあたりから25nmあたりまでMg濃度がなだらかに減少している。一方で、20nm~30nmのあたりでAl濃度が立ち上がっている。また、Al濃度のプロファイルにピークはみられない。これらの結果は、拡散防止層6を設けない場合図5にはMg元素がキャップ層7から障壁層5へと拡散するのに対して、拡散防止層6を設けた場合図4には、キャップ層7から障壁層5へのMg元素の拡散が、拡散防止層6によって好適に防止されていることを示している。すなわち、図2ないし図5に示す結果は、拡散防止層6としてAlN層を形成することが、キャップ層7からの元素の拡散を抑制するうえで有効であることを明確に示している。そして、本実施の形態のように、キャップ層7および拡散防止層6を備えたエピタキシャル基板10においては、単にキャップ層7のみを備え、拡散防止層6を備えないエピタキシャル基板に比して、優れた特性が実現される。例えば、キャップ層7を備えているにもかかわらず、これを備えないエピタキシャル基板と同程度のシート抵抗、二次元電子ガス濃度および二次元電子ガス移動度が実現される。あるいはまた、アクセプタ元素としてMgをドープしたGaNにてキャップ層7を形成し、PN接合を形成する場合であれば、当該PN接合における逆方向漏れ電流が1nA以下にまで低減される。なお、上述のように、拡散防止層6の厚みは3nm以上であるのが好適である。3nmを下回る場合でも、ある程度の拡散防止効果は得られるが、良好な電気特性を確実に確保するという観点からは、拡散防止層6は、3nm以上の厚みに形成するのが好ましい。以上、説明したように、本実施の形態によれば、障壁層の上にキャップ層を設けるのみならず、両層の間に拡散防止層としてのAlN層を設けることで、エピタキシャル基板においては、キャップ層から障壁層への元素の拡散が防止される。これにより、キャップ層を有し、かつ、特性の優れたエピタキシャル基板、さらには該エピタキシャル基板を用いた半導体素子やPN接合ダイオード素子が、実現される。実施例1本実施例では、障壁層5、拡散防止層6、およびキャップ層7の形成条件の組合せが異なる計54種のエピタキシャル基板10を作製した。具体的には、障壁層5については組成を3水準に違えた。拡散防止層6については、これを形成しない場合膜厚0nmを含め、膜厚を5水準に違えた。キャップ層7については、これを形成しない場合を含め、組成を4水準に、膜厚を2水準に違えた。得られたそれぞれのエピタキシャル基板10について、ホール効果法を用いて電気特性を評価した。スペーサ層4の形成までは、全てのエピタキシャル基板10について同じ手順で形成した。具体的には、まず、下地基板1として0001面方位の2インチ径の6H-SiC基板を複数枚用意した。厚みは300μmであった。それぞれの基板について、MOCVD炉リアクタ内に設置し、真空ガス置換した後、リアクタ内圧力を30kPaとし、水素/窒素混合フロー状態の雰囲気を形成した。次いで、サセプタ加熱によって下地基板1を昇温した。サセプタ温度が1050°Cに達すると、TMAバブリングガスとアンモニアガスをリアクタ内に導入し、バッファ層として厚さ200nmのAlN層を形成した。続いて、サセプタ温度を所定の温度とし、有機金属原料ガスとしてのTMGバブリングガスとアンモニアガスとを所定の流量比でリアクタ内に導入し、チャネル層3としてのGaN層を2μmの厚みに形成した。チャネル層3が得られると、リアクタ圧力を10kPaとし、次いでTMAバブリングガスとアンモニアガスをリアクタ内に導入し、スペーサ層4として厚さ1nmのAlN層を形成した。スペーサ層4を形成した後、続いて、障壁層5を形成した。障壁層5の組成は、In014Al086N、In018Al082N、In022Al078Nの3水準に違えた。なお、サセプタ温度は各々の試料において、770°C、745°C、720°Cとした。また、障壁層5の厚みは、いずれも20nmとした。拡散防止層6の形成対象である試料については、障壁層5の形成後、拡散防止層6としてのAlN層を1nmの厚みに形成した。なお、サセプタ温度は800°Cとした。キャップ層7の形成対象である試料については、障壁層5もしくは拡散防止層6の形成後、キャップ層7を10nmまたは50nmの厚みに形成した。キャップ層7の組成は、GaN、Al015Ga085N、Al020Ga080Nの3水準に違えた。なお、サセプタ温度は800°Cとした。それぞれの試料について、所定の層が形成された後、サセプタ温度を室温付近まで降温し、リアクタ内を大気圧に復帰させた後、作製されたエピタキシャル基板10を取り出した。以上の手順により、それぞれのエピタキシャル基板10が得られた。ホール効果法にて電気特性を評価するため、それぞれのエピタキシャル基板10の表面キャップ層7の表面に対し、Ti/Al/Ni/Auそれぞれの膜厚は25/75/15/100nmからなる多層金属膜を蒸着し、オーミック性の電極を形成した。続いて、係る電極のコンタクト特性を良好なものにするために、800°Cの窒素ガス雰囲気中にて30秒間の熱処理を施した。係る態様にて電極形成を行ったエピタキシャル基板10について、ホール効果法により、2次元電子ガス濃度2DEG濃度、2次元電子化ガス移動度2DEG移動度、およびシート抵抗を測定した。表1ないし表3に、それぞれのエピタキシャル基板10に固有の作製条件と、電気特性についての評価結果とを一覧にして示す。表1ないし表3からは、障壁層5の組成によらず、3nm以上の厚みの拡散防止層6を形成したうえで、キャップ層7を形成してなるエピタキシャル基板10サンプル番号1-4~6、10~12、16~18、22~24、28~30、34~36、40~42、46~48、52~54においては、拡散防止層6およびキャップ層7を備えないエピタキシャル基板10サンプル番号1-2、8、14、20、26、32、38、44、50と同等の電気特性が得られていることがわかる。係る結果は、拡散防止層6を3nm以上の厚みに形成することで、キャップ層を備えつつもキャップ層を備えていない場合と同等の電気特性を具備したエピタキシャル基板10が得られることを指し示している。また、拡散防止層6を備えているエピタキシャル基板10サンプル番号1-23と、これを備えていないエピタキシャル基板10サンプル番号1-20とについて、オージェ電子分光法によりGa元素、Al元素、およびIn元素のデプスプロファイルを得た。前者についての結果が図2であり、後者についての結果が図3である。上述したように、図3からは、Ga元素がキャップ層7から障壁層5へと拡散していることが確認されるのに対して、図2からは、キャップ層7から障壁層5へのGa元素の拡散が、拡散防止層6によって好適に防止されていることが確認される。これらの結果は、拡散防止層6としてAlN層を形成することが、キャップ層7からのGa元素の拡散を抑制するうえで有効であることを明確に示している。なお、拡散防止層6を1.5nmの厚みに形成したうえで、キャップ層7を形成してなるエピタキシャル基板10サンプル番号1-3、9、15、21、27、33、39、45、51においても、拡散防止層6を備えないエピタキシャル基板10に比べると、電気特性は改善されている。すなわち、限定的ではあるが、拡散防止層6による拡散防止効果は得られているものといえる。実施例2本実施例では、障壁層5、拡散防止層6、およびキャップ層7の形成条件の組合せが異なる計45種のエピタキシャル基板10を作製した。具体的には、障壁層5については組成を3水準に違えた。拡散防止層6については、これを形成しない場合膜厚0nmを含め、膜厚を5水準に違えた。キャップ層7については、アクセプタ元素としてドープするMg元素の目標濃度を3水準に違えた。そして、それぞれのエピタキシャル基板10を用いて、同心円型PNダイオード素子を作製し、逆方向バイアス時の漏れ電流逆方向漏れ電流を測定した。拡散防止層6の形成までは、実施例1と同じとした。キャップ層7は、障壁層5もしくは拡散防止層6の形成後、GaN層にアクセプタ元素としてMgをドープすることにより形成した。Mg元素の目標濃度を、1.0×1018/cm3、1.0×1019/cm3、5.0×1019/cm3の3水準に違えた。厚みは全て50nmとした。なお、サセプタ温度は950°Cとした。それぞれの試料について、キャップ層7が形成された後、サセプタ温度を室温付近まで降温し、リアクタ内を大気圧に復帰させた後、作製されたエピタキシャル基板10を取り出した。その後、キャップ層7を設けた試料については、Mgアクセプタの活性化処理として、窒素ガス雰囲気中で600°C、30分の熱処理を行った。以上の手順により、それぞれのエピタキシャル基板10が得られた。続いて、得られたエピタキシャル基板10を用いて、中央円形電極をP型電極として有し、外側ドーナツ型電極をn型電極として有する同心円型PNダイオード素子を作製した。具体的には、まず、公知のRIE反応性イオンエッチング処理により、エピタキシャル基板10の表面の外周部分においてキャップ層7および拡散防止層6を同心円状に除去するリセスエッチングを施し、障壁層5を露出させた。次いで、露出した障壁層5の表面に、Ti/Al/Ni/Auそれぞれの膜厚は25/75/15/100nmからなる多層金属電極を蒸着し、オーミック性のn型電極を形成した。さらに、係るn型電極におけるコンタクト特性を良好なものにするために、窒素ガス雰囲気中にて800°C、30秒間の熱処理を施した。次に、RIE処理にて除去されずに残ったエピタキシャル基板10の表面部分同心円の中央部分に、Ni/Auそれぞれの膜厚は20/200nmからなる多層金属電極を蒸着し、オーミック性のp型電極を形成した。なお、p型電極は、直径1mmの平面視円形形状に形成した。さらに、係るp型電極におけるコンタクト特性を良好なものにするために、窒素ガス雰囲気中にて500°C、30秒間の熱処理を施した。これにより、同心円型PNダイオード素子が得られた。係る態様にて得られたダイオード素子について、逆方向バイアス電圧を印加し、漏れ電流を測定した。表4ないし表6に、それぞれのダイオード素子に使用したエピタキシャル基板10に固有の作製条件と、漏れ電流の測定結果とを一覧にして示す。表4ないし表6からは、拡散防止層6を形成せず、キャップ層7を形成したエピタキシャル基板10サンプル番号2-1、6、11、16、21、26、31、36、41、および、1.5nmの厚みの拡散防止層6を形成したうえで、キャップ層7を形成してなるエピタキシャル基板10サンプル番号2-2、7、12、17、22、27、32、37、42においては、μAオーダーの逆方向漏れ電流が生じたのに対して、3nm以上の厚みの拡散防止層6を形成したうえで、キャップ層7を形成してなるエピタキシャル基板10サンプル番号2-3~5、8~10、13~15、18~20、23~25、28~30、33~35、38~40、42~45においては、逆方向漏れ電流が1nA以下にまで低減されていることがわかる。係る結果は、拡散防止層6を3nm以上の厚みに形成することで、逆方向漏れ電流が好適に抑制されたエピタキシャル基板10が得られることを指し示している。また、拡散防止層6を備えているエピタキシャル基板10サンプル番号2-19と、これを備えていないエピタキシャル基板10サンプル番号2-16とについて、SIMS分析によりMg元素およびAl元素の濃度プロファイルを得た。前者についての結果が図4であり、後者についての結果が図5である。上述したように、図5からは、Mg元素がキャップ層7から障壁層5へと拡散していることが確認されるのに対して、図4からは、キャップ層7から障壁層5へのMg元素の拡散が、拡散防止層6によって好適に防止されていることが確認される。これらの結果は、拡散防止層6としてAlN層を形成することが、キャップ層7からのMg元素の拡散を抑制するうえで有効であることを明確に示している。