第1の電子部品の主面に設けられた第1の電極の側面を、該第1の電極の高さよりも高いバリア層で覆う工程と、第2の電子部品の主面に設けられた第2の電極に前記バリア層の先端が当接した状態で、前記第1の電極と前記第2の電極とを熱圧着する工程と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法。前記バリア層の横に第1の樹脂を塗布する工程と、前記第2の電極の横に第2の樹脂を塗布する工程とを更に有し、前記第1の電極と前記第2の電極とを熱圧着する工程において、前記第1の電子部品と前記第2の電子部品との間の隙間を前記第1の樹脂と前記第2の樹脂で充填することを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。前記第1の樹脂と前記第2の樹脂の各々として熱硬化性の樹脂を使用し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを熱圧着する工程において、前記第1の樹脂と前記第2の樹脂の各々の熱硬化温度よりも高い温度に前記第1の電極と前記第2の電極を加熱することを特徴とする請求項2に記載の電子装置の製造方法。前記第1の電極の前記側面を前記バリア層で覆う工程は、前記第1の電極の上面と前記側面に前記バリア層を形成する工程と、前記第1の電極の前記上面から前記バリア層を除去し、該上面を露出させる工程と、露出した前記上面をエッチングすることにより、前記第1の電極の高さを前記バリア層の高さよりも低くする工程とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。第1の電極が設けられた第1の電子部品と、前記第1の電極の側面を覆い、かつ、高さが前記第1の電極の高さよりも高いバリア層と、第2の電極を備えた第2の電子部品とを有し、前記第1の電極と前記第2の電極の各々が、前記バリア層の先端により前記第2の電極の上面が塑性変形された状態で接合したことを特徴とする電子装置。前記塑性変形による前記上面の高さの変形量が、第1の電極と前記バリア層との段差以上であることを特徴とする請求項5に記載の電子装置。電子装置とその製造方法において、電極同士の接続信頼性を向上させることを目的とする。以下の開示の一観点によれば、第1の電子部品の主面に設けられた第1の電極の側面を、該第1の電極の高さよりも高いバリア層で覆う工程と、第2の電子部品の主面に設けられた第2の電極に前記バリア層の先端が当接した状態で、前記第1の電極と前記第2の電極とを熱圧着する工程とを有する電子装置の製造方法が提供される。また、その開示の別の観点によれば、第1の電極が設けられた第1の電子部品と、前記第1の電極の側面を覆い、かつ、高さが前記第1の電極の高さよりも高いバリア層と、第2の電極を備えた第2の電子部品とを有し、前記第1の電極と前記第2の電極の各々が、前記バリア層の先端により前記第2の電極の上面が塑性変形された状態で接合した電子装置が提供される。以下の開示によれば、第1の電極よりもバリア層を高くするため、熱圧着時にバリア層の先端により第2の電極が塑性変形し、第1の電極と第2の電極との接合界面が盛り上がり、その接合界面の中央付近で第1の電極と第2の電極とが良好に接続される。本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。前述のように、電極同士を熱圧着により接合する方法は電子装置の微細化に有利である。図1a~cは、熱圧着により電極同士を接合する方法について説明するための断面図である。熱圧着にあたっては、まず、図1aに示すように、半導体素子1に形成された第1の電極2と、配線基板4に形成された第2の電極3との位置合わせをする。これら第1の電極2と第2の電極3は、銅を材料とする銅バンプである。次いで、図1bに示すように、第1の電極2と第2の電極3の各々に熱を印加しながら、不図示のフリップチップボンダから半導体チップ1に押圧力を印加して、第2の電極3の上面に第1の電極2を押し当てる。押し当てた直後においては、図示のように第1の電極2と第2の電極3の各々の上面は平坦な状態となっている。第1の電極2と第2の電極3の各々において銅の固相拡散を促すべくこの状態をしばらく維持すると、図1cに示すように、フリップチップボンダからの押圧力によって第1の電極2と第2の電極3の各々が塑性変形する。その塑性変形の方向は、第1の電極2と第2の電極3の部位によって異なった方向となる。例えば、第1の電極2の端部2aは、高さ方向の押圧力が集中することが原因で第2の電極3に強く押圧されるため、基板横方向への動きが拘束されて、実質的には高さ方向にしか塑性変形できない。一方、第2の電極3にはそのような拘束力が働かないため、矢印で示すように基板横方向にも塑性変形が進行し、第2の電極3の中央から外側に向かって銅が流れ出してしまう。このような銅の流れ出しによって、第2の電極3の中央付近においては第1の電極2との接合に要する銅が不足し、これらの電極同士の接合強度が弱まることになる。図2は、第1の電極2と第2の電極3との接合界面の電子顕微鏡像を基にして描いた図である。なお、図中の点線は、結晶粒界を示している。図2に示されるように、第1の電極2の端部2a付近においては、前述したような強い押圧力が加わるため、第1の電極2と第2の電極3との界面に固相接合が形成され、各電極は良好に接合されている。しかし、第1の電極2の中央付近では、前述のような銅の流れ出しによって第1の電極2と第2の電極3との間に隙間Sが生じており、両者は接合されていない。このように、単に第1の電極2を第2の電極3に押圧しただけでは、これらの界面の接合強度が場所によって不均一となり、半導体素子1と配線基板4との接続信頼性が低下してしまう。以下、本実施形態について説明する。第1実施形態本実施形態では、以下のようにして対向する二つの電極の接続信頼性を向上させる。図3~図4は、本実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。まず、図3aに示すように、第1の電子部品11として主面11aに複数の第1の電極パッド12が設けられた半導体素子を用意する。なお、第1の電極パッド12の材料は特に限定されないが、本実施形態では銅膜をパターニングすることにより第1の電極パッド12を形成する。そして、第1の電極パッド12の各々の上に電解めっきにより銅を成長させることにより第1の電極13として銅バンプを形成する。なお、その電解めっきに際しては不図示のめっきレジストによって第1の電極13以外の主面11aがマスクされ、電解めっきが終了後にそのめっきレジストが除去される。また、第1の電極13の大きさは特に限定されないが、本実施形態では第1の電極13の平面形状を一辺が約10μmの正方形とし、第1の電極13の高さを約8~10μmとする。次に、図3bに示すように、第1の電極13の上面13a及び側面13b上と、主面11aとに、後述のように銅の流れ出しを阻止するバリア層15として絶縁性の熱硬化性樹脂を1μm~2μmの厚さに塗布し、その熱硬化性樹脂を熱硬化させる。本工程で使用し得る熱硬化性樹脂としては、シリカフィラーを含有するエポキシ系の樹脂がある。このようにシリカフィラー等の無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂は、熱硬化によってその圧縮応力が銅のそれよりも高くなる。特に、熱硬化性樹脂におけるシリカフィラーの含有率を重量比で50以上、より好ましくは60以上とすることで、バリア層15の圧縮応力を銅のそれよりも確実に高めることができる。なお、銅よりも圧縮応力が高い材料としては窒化シリコンSiNや酸化シリコンSiO2等の絶縁性材料もあり、バリア層15として窒化シリコン層や酸化シリコン層等の絶縁層を形成してもよい。これらの絶縁層は、CVD法、スパッタ法、及びゾルゲル法のいずれかにより形成され得る。次いで、図3cに示すように、ダイヤモンド製の切削バイト17を利用してバリア層15を切削することにより複数の第1の電極13の各々の上面13aを露出させる。なお、研磨法やCMP法により本工程を行ってもよいが、これらの方法と比較して切削法は露出した上面13aの平坦性を高めやすいという点において優れている。続いて、図4aに示すように、アルゴンイオンを用いるイオンミリングによって第1の電極13の上面13aをエッチングする。そのイオンミリングにおいては、銅を材料とする第1の電極13のエッチングレートがバリア層15のエッチングレートよりも速くなるため、主面11aから測った第1の電極13の高さH1がバリア層15の高さH2よりも低くなる。これらの高さの差ΔH=H2-H1は特に限定されないが、本実施形態ではその差ΔHを1μm~2μm程度とする。なお、イオンミリングに代えて第1の電極13を選択的にウエットエッチングすることにより第1の電極13の高さを低くしてもよい。そのようにバリア層15を残しながら第1の電極13中の銅を選択的にエッチングし得るエッチング液としては、例えば、硫酸水素カリウムを主成分とする水溶液がある。以上により、第1の電子部品11として供される半導体素子に対する処理を終える。なお、その第1の電子部品11の主面11aにはバリア層15が残存するが、本実施形態ではバリア層の材料として絶縁性材料を使用するため、主面11aに形成された複数の第1の電極13同士がバリア層15によって電気的に接続されることはない。次に、図4bに示すように、第1の電子部品11との接続の対象となる第2の電子部品21として樹脂基材22を備えた配線基板を用意する。その第2の電子部品21の主面21aには複数の第2の電極パッド23が設けられており、各々の第2の電極パッド23の上には銅を材料とする第2の電極24が形成される。なお、第2の電極パッド23の材料は特に限定されないが、本実施形態では銅膜をパターニングすることにより第2の電極パッド23を形成する。そして、不図示のフリップチップボンダに第1の電子部品11をセットし、第1の電極13と第2の電極24との位置合わせを行う。その位置合わせを容易にするため、平面視したときの第2の電極24の大きさは第1の電極13のそれよりも大きくするのが好ましく、本実施形態では第2の電極24の平面形状を一辺が約15μmの正方形とする。これについては後述の各実施形態でも同様である。これ以降は、第1の電極13と第2の電極24とを熱圧着する工程に移る。なお、その熱圧着の前又はその最中に、第1の電極13と第2の電極24の各々の表面を還元性雰囲気に曝すことにより、これらの表面の自然酸化膜を除去して第1の電極13と第2の電極24との熱圧着が自然酸化膜で阻害されるのを防止してもよい。そのような還元性雰囲気としては、例えば、蟻酸雰囲気がある。図5a~cは、第1の電極13と第2の電極24の熱圧着時の拡大断面図である。まず、図5aに示すように、前述のフリップチップボンダからの熱によって第1の電極13と第2の電極24の各々を200°C~300°C程度の温度に加熱しながら、第2の電子部品21に向けて第1の電子部品11を押圧する。このとき第1の電子部品11の全体に加える荷重は、例えば10kg~20kgとする。本実施形態では、前述のように第1の電極13とバリア層15とに高低差があるため、高さが高いバリア層15がまず第2の電極24に当接し、その先端15aが変形する。更に押圧を続けると、図5bに示すように、バリア層15の先端15aが第2の電極24の上面24aに食い込むようになると共に、第1の電極13と第2の電極24の各々の上面13a、24a同士が当接する。そして、この状態を所定時間維持すると、図5cに示すように、互いに当接した第1の電極13と第2の電極24が塑性変形すると共に、銅の固相拡散によって第1の電極13と第2の電極24の各々が接合界面Cを介して互いに接合する。ここで、本実施形態では、バリア層15の先端15aが第2の電極24に食い込んでいるため接合界面Cが盛り上がった形状となり、第1の電極13と第2の電極24がそれらの中央付近で十分な強度で押圧される。しかも、第2の電極24に食い込んだバリア層15の先端15aにより、第2の電極24中の銅が基板横方向に塑性変形しようとするのが当該先端15aによって阻止される。そのため、基板横方向に塑性変形する銅が原因で接合界面Cの中央付近において銅が不足するのが防止され、第1の電極13と第2の電極24の接合界面Cの全域において均一な接合強度が得られるようになる。特に、本実施形態では、シリカフィラーを含有するエポキシ樹脂のように圧縮応力が銅よりも高い材料でバリア層15を形成する。そのため、バリア層15の先端15aが過剰に潰れるのを防止しながら、銅を材料とする第2の電極14に先端15aを容易に食い込ませて、基板横方向への銅の流れ出しの防止と接合界面Cの盛り上げとを実現することができる。なお、前述の塑性変形が原因の第2の電極14の上面の高さの変形量ΔZ2は、第1の電極13とバリア層15の先端15aとの段差ΔZ1以上となる。図6は、本工程を終了後の第1の電子部品11と第2の電子部品13の断面図である。以上により、第1の電子部品11と第2の電子部品13とを接続してなる電子装置25の基本構造が完成する。上記した本実施形態によれば、図5cに示したように、第2の電極24の銅が基板横方向に流れ出るのをバリア層15によって阻止するので、銅の不足が原因で第1の電極13と第2の電極24との接合強度が低下するのを防止できる。なお、上記では第1の電極13と第2の電極24の材料として銅を使用したが、銅に代えて金を電極材料として使用してもよい。更に、銀、インジウム、及び錫のいずれか単体、又はこれらの合金を第1の電極13と第2の電極24の材料として使用してもよい。これらのいずれの材料を使用する場合でも、接合界面Cで固相拡散を生じさせる目的で、第1の電極13と第2の電極24の各々を同じ材料で形成するのが好ましい。これについては後述の各実施形態でも同様である。第2実施形態前述の第1実施形態では、図3cの工程において第1の電極13の上面13aを露出させた後、図4aの工程においてイオンミリングで第1の電極13の高さH1を低下させた。本実施形態では、第1の電極13の露出と高さの低下とを一工程で済ますことができる方法について説明する。図7a~cは、本実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。なお、これらの図において第1実施形態で説明したのと同じ要素には第1実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。この電子装置を製造するには、まず、第1実施形態で説明した図3a~bの工程を行うことにより、図7aに示すように、第1の電極13の上面13aと側面13bとがバリア層15で覆われた状態とする。次に、図7bに示すように、CMP法によりバリア層15を研磨することにより、第1の電極13の上面13aからバリア層15を除去する。そのCMPで使用するスラリとして、本実施形態では、第1の電極13のエッチングレートがバリア層15のエッチングレートよりも速くなるスラリを使用する。第1の電極13の材料が銅であり、バリア層15の材料がシリカフィラーを含有するエポキシ樹脂の場合、そのようなスラリとしては二酸化珪素粒と過酸化アンモニウムを含むスラリがある。そのスラリのうち、二酸化珪素粒は研磨剤として機能し、過酸化アンモニウムは銅に対する酸化剤として機能する。このようなスラリを使用すると、第1の電極13の方がバリア層15よりも速く研磨されるため、第1の電極13の高さH1がバリア層15の高さH2よりも自動的に低くなる。その結果、第1実施形態のように第1の電極13の高さを低くするために行われるイオンミリング図4a参照が不要となり、工程の簡略化が図られる。この後は、第1実施形態で説明した図5a~図5cの工程を行うことにより、図7cに示す電子装置25の基本構造を完成させる。以上説明した本実施形態によれば、図7bに示したように、CMPのスラリによるエッチングレートの違いを利用することにより、第1の電極13の上面13aの露出と高さH1の低下とを一工程で済ますことができる。これにより、電子装置25の製造工程を簡略化してその製造コストを低減することができる。第3実施形態第1実施形態と第2実施形態では、複数の第1の電極13同士がバリア層15によって電気的に接続されるのを防止するため、バリア層15の材料として絶縁性材料を使用した。これに対し、本実施形態では、バリア層15の材料として金属等の導電性材料を使用することが可能な電子装置の製造方法について説明する。図8~図10は、本実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。なお、これらの図において第1実施形態で説明したのと同じ要素には第1実施形態で説明したのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。まず、図8aに示すように、第1の電子部品11として用意した半導体素子の上面11aにフォトレジストを塗布し、それを露光、現像してマスク層27を形成する。そのマスク層27は、第1の電極パッド12の各々が露出する複数の開口27aを備える。次いで、図8bに示すように、マスク層27の上面と開口27aの内面に、スパッタ法でバリア層15としてニッケル膜を約1μm~2μm程度の厚さに形成する。バリア層15の材料としては、アルゴンのイオンミリングにおけるエッチングレートが銅のそれよりも遅い材料を使用するのが好ましい。そのような材料としては、上記の二ニッケルの他、チタンもある。更に、バリア層15の成膜方法もスパッタ法に限定されず、蒸着法によりバリア層15を形成してもよい。次に、図8cに示すように、バリア層15を給電層にしながら電解めっきにより開口27aを銅膜で埋め込み、各開口27a内に銅を材料とする第1の電極13を形成する。続いて、図9aに示すように、切削バイト17を利用してマスク層27上の不要な銅膜とバリア層15とを切削することにより、その銅膜とバリア層15とをマスク層27の上面27bから除去する。次に、図9bに示すように、酸素プラズマを用いるアッシングでマスク層27を除去する。なお、薬液を用いたウェットプロセスによってマスク層27を除去してもよい。そして、図9cに示すように、アルゴンイオンを用いるイオンミリングによって第1の電極13の上面13aをエッチングする。本実施形態においてバリア層15の材料として使用するニッケルやチタンは、第1の電極13の材料である銅よりもエッチングレートが遅いため、本工程では第1の電極13が優先的にエッチングされてその高さH1がバリア層15の高さH2よりも低くなる。これらの高さの差ΔH=H2-H1は、第1実施形態と同様に1μm~2μm程度である。この後は、第1実施形態で説明した図5a~図5cの工程を行うことにより、図10に示す電子装置30の基本構造を完成させる。以上説明した本実施形態によれば、図9aの工程でマスク層27の上面27aからバリア層15を除去する。そのため、バリア層15として導電性のある金属層を形成しても、複数の第1の電極13の同士がバリア層15によって電気的に接続されることがなく、第1実施形態よりもバリア層15の材料の選択の幅を増やすことができる。第4実施形態本実施形態では、各電子部品の間に封止樹脂を備えた電子装置の製造方法について説明する。図11~図12は、本実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。なお、これらの図において、第1実施形態で説明したのと同じ要素には第1実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。最初に、図11aに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、第1実施形態で説明した図3a~bの工程を行うことにより、第1の電子部品11として供される半導体素子の上側全面にバリア層15が形成された状態とする。次いで、バリア層15の上に第1の樹脂31として熱硬化性の樹脂を塗布し、その第1の樹脂31によって隣接する第1の電極13の間の隙間を埋めた後、第1の樹脂31を80°C~200°C程度の温度に加熱して半硬化の状態とする。第1の樹脂31の材料は特に限定されないが、本実施形態ではエポキシ樹脂やベンゾシクロブテン等の熱硬化性樹脂を第1の樹脂31として使用する。次に、図11bに示すように、切削バイト17を利用して第1の樹脂31とバリア層15の各々を切削することにより第1の電極13の上面13aを露出させると共に、第1の電極13の横のみに第1の樹脂31を残す。その切削の際、第1の樹脂31は半硬化の状態となっているため、切削バイト17で第1の樹脂31を容易に切削できると共に、切削後の第1の樹脂31が流動して第1の電極13の上面13aを覆うのを防止できる。次いで、図11cに示すように、アルゴンイオンを用いるイオンミリングによって第1の電極13をエッチングする。第1実施形態で説明したように、そのイオンミリングにおける第1の電極13のエッチングレートはバリア層15のそれよりも速い。よって、このようにイオンミリングを行うことで、第1の電子部品11の主面11aから測った第1の電極13の高さH1がバリア層15の高さH2よりも低くなる。これらの高さの差ΔH=H2-H1は、第1実施形態と同様に、1μm~2μm程度とされる。なお、そのイオンミリングでは第1の樹脂31の上面もエッチングされてその高さが若干低下する。以上により、第1の電子部品11として供される半導体素子に対する処理を終える。次に、図12aに示すように、第1の電子部品11との接続の対象となる第2の電子部品21として樹脂基材22を備えた配線基板を用意する。第1実施形態で説明したように、第2の電子部品21の主面21aには複数の第2の電極パッド23が設けられており、各々の第2の電極パッド23の上には銅を材料とする第2の電極24が形成される。次に、図12bに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、第2の電子部品21の上側全面に第2の樹脂32としてエポキシ樹脂やベンゾシクロブテン等の熱硬化性樹脂を塗布し、第2の樹脂32により隣接する第2の電極24の間の隙間を埋める。そして、第2の樹脂32を80°C~200°C程度の温度に加熱して半硬化の状態とした後、切削バイト17を利用して第2の樹脂32を切削することにより第2の電極24の上面24aを露出させると共に、第2の電極24の横のみに第2の樹脂32を残す。本工程では、予め第2の樹脂32を半硬化の状態としたため、切削バイト17で第2の樹脂32を容易に切削できると共に、切削後の第2の樹脂32が流動して第2の電極24の上面24aを覆うのを防止できる。次いで、図12cに示すように、前述の第1の電子部品11を再び用意する。そして、不図示のフリップチップボンダに第1の電子部品11をセットし、第1の電極13と第2の電極24との位置合わせを行う。これ以降は、第1の電極13と第2の電極24とを熱圧着する工程に移る。図13a、bは、第1の電極13と第2の電極24の熱圧着時の拡大断面図である。まず、図13aに示すように、前述のフリップチップボンダからの熱によって第1の電極13と第2の電極24の各々を200°C~300°C程度の温度に加熱しながら、第2の電子部品21に向けて第1の電子部品11を押圧する。このとき第1の電子部品11の全体に加える荷重は、例えば10kg~20kgとする。そして、その押圧を更に続けることで、図13bに示すように、第1の電極13と第2の電極24の各々を接合界面Cを介して互いに接合する。このとき、バリア層15の先端15aが第2の電極24の上面に食い込むことで、第1実施形態で説明したのと同じ理由により、接合界面Cの全域において均一な接合強度が得られるようになる。更に、本実施形態では、このように第1の電極13と第2の電極24とが接合するのと同時に、第1の樹脂31と第2の樹脂32の各々によって第1の電子部品11と第2の電子部品21との間の隙間を充填することができる。また、第1の電極13と第2の電極24の加熱温度200°C~300°Cは、第1の樹脂31と第2の樹脂32の各々の熱硬化温度150°C~250°Cよりも高いため、本工程では第1の樹脂31と第2の樹脂32も熱硬化させることができる。これにより、第1の樹脂31と第2の樹脂32を熱硬化させる工程を別途行わなくても、第1の電極13と第2の電極24との熱圧着と同時に第1の電子部品11と第2の電子部品21の接続強度を補強することができ、工程の簡略化が図られる。しかも、第2の電極24に食い込んだバリア層15の先端15aが、接合界面Cに第1の樹脂31と第2の樹脂32が侵入するのを防止するように機能するため、接合界面Cにこれらの樹脂が介在する危険性が低減される。特に、半硬化の第1の樹脂31や第2の樹脂32は、熱硬化温度に達する前にその流動性が一旦高まるという性質があるので、先端15aによりその流れを阻止する実益がある。この結果、第1の樹脂31と第2の樹脂32が接合界面Cに介在することで生じる接合不良を防止でき、第1の電極13と第2の電極24の接続信頼性を維持することができる。図14は、本工程を終了後の第1の電子部品11と第2の電子部品21の断面図である。以上により、第1の電子部品11と第2の電子部品21とを接続してなる電子装置39の基本構造が完成する。上記した本実施形態では、第1の電子部品11と第2の電子部品13との間の狭い隙間に第1の樹脂31と第2の樹脂32とを充填することができ、第1の電子部品11と第2の電子部品13との接続強度を補強できる。更に、図13bに示したように、第1の樹脂31と第2の樹脂32が接合界面Cに流入するのをバリア層15の先端15aによって阻止できるので、接合界面Cに樹脂が介在する危険性を低減して、第1の電極13と第2の電極24の接続信頼性を維持できる。なお、本実施形態は上記に限定されない。例えば、上記では図14のように第1の電子部品11側にバリア層15を形成したが、図15のように第2の電子部品21側にバリア層15を形成するようにしてもよい。これについては前述の第1~第3実施形態でも同様である。第5実施形態前述の第1~第4実施形態では、第1の電子部品11として半導体素子を使用し、第2の電子部品21として樹脂基材22を備えた配線基板を使用した。本実施形態では、第1の電子部品11と第2の電子部品21の様々な例について説明する。第1例図16は、第1例に係る電子装置50の断面図である。なお、図16において、第1~第4実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。この電子装置50は、配線基板49と、その上に積層された第1~第3の電子部品41~43とを有する。第1~第3の電子部品41~43は、いずれもシリコン基板にトランジスタ等の素子を集積形成してなる半導体素子である。このうち、第1の電子部品41と第2の電子部品42は、各々の第1の電極13と第2の電極24を接続してなり、その接続には第3実施形態で説明した熱圧着が用いられ、前述の第1の樹脂31と第2の樹脂32によってその接続強度が補強される。また、第2の電子部品42と第3の電子部品43との接続態様もこれと同じである。なお、第2の電子部品42と第3の電子部品43には、各々の表面側と裏面側とを電気的に接続するための貫通導体44が設けられる。その貫通導体44の材料としては、第1の電極13と第2の電極24と同様に銅を使用し得る。一方、第3の電子部品43は、配線基板49と対向する第1の電極パッド47を有しており、その第1の電極パッド47には第1のはんだバンプ48が接合される。配線基板49は樹脂を材料とするものであって、第3の電子部品43と対向する主面には第2の電極パッド51が設けられ、その第2の電極パッド51に前述の第1のはんだバンプ48が接合される。なお、配線基板49と第3の電子部品43との間にはアンダーフィル樹脂54が充填されており、これにより配線基板49と第3の電子部品43との接続強度が補強される。そして、配線基板49の他方の主面には第3の電極パッド52が設けられており、当該第3の電極パッド51には外部接続端子として機能する第2のはんだバンプ53が接合される。このような電子装置50によれば、第1~第4実施形態と同様に、バリア層15によって第1の電極13と第2の電極24との接合強度が高められる。更に、第1~第3の電子部品41~43を高さ方向に積層することにより、サーバやパーソナルコンピュータにおける実装密度の向上にも資することができる。第2例図17は、第2例に係る電子装置60の断面図である。なお、図17において、第1~第4実施形態や第1例で説明したのと同じ要素にはこれらにおけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。この電子装置60は、第1例で説明した配線基板49の上に、第1~第3の電子部品71~73を備える。第1の電子部品71と第2の電子部品72は、いずれもシリコン基板にトランジスタ等の素子を集積形成してなる半導体素子である。また、第3の電子部品73は、シリコンを材料とするインターポーザであって、前述の第1の電子部品71や第2の電子部品72の各々の電極ピッチを配線基板49のそれに整合させる配線基板として機能する。そして、第1の電子部品71と第3の電子部品73は、各々の第1の電極13と第2の電極24を接続してなり、その接続には第3実施形態で説明した熱圧着が用いられ、前述の第1の樹脂31と第2の樹脂32によってその接続強度が補強される。なお、第2の電子部品72と第3の電子部品73との接続態様もこれと同じである。一方、第3の電子部品73は、その表面側と裏面側とを電気的に接続するための貫通導体77を有する。更に、第3の電子部品73において、配線基板49と対向する主面には第1の電極パッド81が設けられており、その第1の電極パッド81に第1のはんだバンプ48が接合される。そして、その第1のはんだバンプ48は、第1例と同様に、配線基板49の第2の電極パッド51に接合される。本実施形態に係る電子装置60によれば、前述の第1例と同様にバリア層15によって第1の電極13と第2の電極24との接合強度を高めることができる。そして、シリコンインターポーザとして供される第3の電子部品73の上に二つの電子部品71、72を実装することにより、電子装置60の高性能化を実現することもできる。以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1第1の電子部品の主面に設けられた第1の電極の側面を、該第1の電極の高さよりも高いバリア層で覆う工程と、第2の電子部品の主面に設けられた第2の電極に前記バリア層の先端が当接した状態で、前記第1の電極と前記第2の電極とを熱圧着する工程と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法。付記2前記バリア層の横に第1の樹脂を塗布する工程と、前記第2の電極の横に第2の樹脂を塗布する工程とを更に有し、前記第1の電極と前記第2の電極とを熱圧着する工程において、前記第1の電子部品と前記第2の電子部品との間の隙間を前記第1の樹脂と前記第2の樹脂で充填することを特徴とする付記1に記載の電子装置の製造方法。付記3前記第1の樹脂と前記第2の樹脂の各々として熱硬化性の樹脂を使用し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを熱圧着する工程において、前記第1の樹脂と前記第2の樹脂の各々の熱硬化温度よりも高い温度に前記第1の電極と前記第2の電極を加熱することを特徴とする付記2に記載の電子装置の製造方法。付記4前記第1の電極の前記側面を前記バリア層で覆う工程は、前記第1の電極の上面と前記側面に前記バリア層を形成する工程と、前記第1の電極の前記上面から前記バリア層を除去し、該上面を露出させる工程と、露出した前記上面をエッチングすることにより、前記第1の電極の高さを前記バリア層の高さよりも低くする工程とを有することを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の電子装置の製造方法。付記5前記第1の電極の前記側面を前記バリア層で覆う工程は、前記第1の電極の上面と前記側面に前記バリア層を形成する工程と、前記第1の電極のエッチングレートが前記バリア層のエッチングレートよりも速くなるスラリを用いてCMP法で前記バリア層を研磨することにより、前記第1の電極の前記上面から前記バリア層を除去する工程とを有することを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の電子装置の製造方法。付記6前記第1の電極の前記側面を前記バリア層で覆う工程は、前記第1の電子部品の前記主面に、開口を備えたマスク層を形成する工程と、前記マスク層の上面と前記開口の内面に前記バリア層として金属層を形成する工程と、前記バリア層を給電層にする電解めっきにより、前記開口内の前記金属層上に前記第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極を形成した後、前記マスク層の前記上面から前記バリア層を除去する工程と、前記上面から前記バリア層を除去した後、前記第1の電極の前記上面をエッチングすることにより、前記第1の電極の高さを前記バリア層の高さよりも低くする工程とを有することを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の電子装置の製造方法。付記7第1の電極が設けられた第1の電子部品と、前記第1の電極の側面を覆い、かつ、高さが前記第1の電極の高さよりも高いバリア層と、第2の電極を備えた第2の電子部品とを有し、前記第1の電極と前記第2の電極の各々が、前記バリア層の先端により前記第2の電極の上面が塑性変形された状態で接合したことを特徴とする電子装置。付記8前記第1の電子部品と前記第2の電子部品の一方は、樹脂基材を備えた配線基板であり、他方は半導体素子であることを特徴とする付記7に記載の電子装置。付記9前記第1の電子部品と前記第2の電子部品の一方は、シリコンを材料とするインターポーザであり、他方は半導体素子であることを特徴とする付記7に記載の電子装置。付記10前記第1の電子部品と前記第2の電子部品はいずれも半導体素子であることを特徴とする付記7に記載の電子装置。