ゲート電極と、前記ゲート電極と上下方向に離隔され、水平方向に互いに離隔されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極と前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成された活性層と、を備え、前記活性層は、少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜から形成された薄膜トランジスタ。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜におけるドープ元素は、3族または4族元素である請求項1に記載の薄膜トランジスタ。前記ドープ元素は、ガリウム、インジウム及び錫元素の少なくとも一種である請求項2に記載の薄膜トランジスタ。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、IGZO薄膜及びITZO薄膜の少なくともいずれかが少なくとも2以上積層されて形成された請求項3に記載の薄膜トランジスタ。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、ALD工程により形成された第1の層と、擬似ALD、サイクリックCVD及びCVD工程の少なくともいずれかにより形成された前記第1の層以外の残りの層と、を備える請求項4に記載の薄膜トランジスタ。前記ALD工程では、原料ソースと反応ソースを交差して供給して薄膜を形成し、サイクリックCVD及びCVD工程では、原料ソースと反応ソースを同時に供給して薄膜を形成する請求項5に記載の薄膜トランジスタ。前記第1の層の層厚よりも前記第1の層以外の残りの層の層厚がさらに厚い請求項5に記載の薄膜トランジスタ。前記第1の層は、前記ゲート電極側に形成される請求項5に記載の薄膜トランジスタ。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、組成比が異なる請求項8に記載の薄膜トランジスタ。前記第1の層は、残りの層に比べて移動度及び伝導度が高い請求項9に記載の薄膜トランジスタ。前記第1の層は、前記残りの層に比べて前記ドープ元素の含有量が多い請求項10に記載の薄膜トランジスタ。前記ソース電極及びドレイン電極の間の前記活性層の上に形成された保護膜をさらに備える請求項1または11に記載の薄膜トランジスタ。前記保護膜は、単一層または少なくとも二重層に形成された請求項12に記載の薄膜トランジスタ。前記保護膜は、少なくとも一部がプラズマを用いない化学蒸着方式により形成された請求項13に記載の薄膜トランジスタ。前記保護膜は、前記活性層の上に前記プラズマを用いない前記化学蒸着方式により形成された第1の保護膜と、前記第1の保護膜の上にプラズマを用いた前記化学蒸着方式により形成された第2の保護膜と、を備える請求項14に記載の薄膜トランジスタ。基板が提供されるステップと、前記基板の上にゲート電極を形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜の上に活性層を形成するステップと、前記活性層の上にソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、を含み、前記活性層は、ドープされた酸化亜鉛薄膜から形成され、前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、化学的蒸着工程により少なくとも二重構造に形成される薄膜トランジスタの製造方法。前記活性層の上に保護膜を形成した後、前記ソース電極及びドレイン電極の間に残留するようにパターニングするステップをさらに含む請求項16に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記酸化亜鉛薄膜には、ガリウム、インジウム及び錫元素の少なくともいずれかをドープする請求項16または17に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、IGZO薄膜及びITZO薄膜の少なくともいずれかを少なくとも2以上積層して形成する請求項18に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、ALD工程により形成された第1の層と、擬似ALD工程、サイクリックCVD工程及びCVD工程の少なくともいずれかにより形成された前記第1の層以外の残りの層と、を備える請求項19に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層をCVD工程により形成する請求項20に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層をサイクリックCVD工程により形成する請求項20に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層を擬似ALD工程により形成し、第3の層をCVD工程により形成する請求項20に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層をサイクリックCVD工程により形成し、第3の層をCVD工程により形成する請求項20に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、蒸着ソースの流入量を調節して組成比を異ならせる請求項20に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記第1の層は、残りの層に比べてドープ元素の含有量が多い請求項21に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記第1の層は、残りの層に比べて移動度及び伝導度が高い請求項22に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記保護膜は、単一層または少なくとも二重層に形成する請求項17に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記保護膜は、前記活性層と接する第1の層をプラズマを用いない化学蒸着方式により形成し、残りの第2の層はプラズマを用いた化学蒸着方式により形成する請求項28に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記保護膜は、前記第1の層をシリコンソース及び第1の反応ソースを用いて形成し、前記第2の層をシリコンソース及び第2の反応ソースを用いて形成する請求項29に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記シリコンソースはTEOS及びSiH4を含み、前記第1の反応ソースはO3を含み、前記第2のソースはO2、N2O及びNH3を含む請求項30に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記保護膜の第1の層は、TEOS及びO3を用いて形成する請求項31に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記保護膜の第2の層は、TEOSまたはSiH4及びO2、N2OまたはNH3を用いて形成する請求項32に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記保護膜の形成前及び形成後の少なくともいずれかの時点でアニーリング工程を行うステップをさらに含む請求項17に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記ゲート絶縁膜の形成、前記活性層の形成、前記保護膜の形成及び前記アニーリングは、インサイチュにて行う請求項34に記載の薄膜トランジスタの製造方法。本発明の目的は、活性層として用いられるIGZO薄膜の膜質を向上させて安定性を向上させることのできる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することである。本発明の他の目的は、蒸着工程が行われてもIGZO薄膜の組成が変化しないことから、信頼性を向上させることのできる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することである。本発明のさらに他の目的は、IGZO薄膜を多層構造に形成することができ、各層の組成比を異ならせることのできる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することである。本発明のさらに他の目的は、活性層として用いられるIGZO薄膜を原子層蒸着などの化学的蒸着方式により形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することである。本発明の実施形態による薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極と上下方向に離隔され、水平方向に互いに離隔されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極と前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成された活性層と、を備え、前記活性層は、少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜から形成される。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜におけるドープ元素は、3族または4族元素であり、前記ドープ元素は、ガリウム、インジウム及び錫元素の少なくとも一種である。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、IGZO薄膜及びITZO薄膜の少なくともいずれかが少なくとも2以上積層されて形成される。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層がALD工程により形成され、前記第1の層以外の残りの層が擬似ALD、サイクリックCVD及びCVD工程の少なくともいずれかにより形成される。前記ALD工程では、原料ソースと反応ソースを交差して供給して薄膜を形成し、サイクリックCVD及びCVD工程では、原料ソースと反応ソースを同時に供給して薄膜を形成する。前記第1の層の層厚よりも前記第1の層以外の残りの層の層厚がさらに厚い。前記第1の層は、前記ゲート電極側に形成される。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、組成比が異なる。前記第1の層は、残りの層に比べて移動度及び伝導度が高く、前記第1の層は、前記残りの層に比べて前記ドープ元素の含有量が多い。前記薄膜トランジスタは、前記ソース電極及びドレイン電極の間の前記活性層の上に形成された保護膜をさらに備える。前記保護膜は、単一層または少なくとも二重層に形成され、前記保護膜は、少なくとも一部がプラズマを用いない化学蒸着方式により形成される。前記保護膜は、前記活性層の上に前記プラズマを用いない前記化学蒸着方式により形成された第1の保護膜と、前記第1の保護膜の上にプラズマを用いた前記化学蒸着方式により形成された第2の保護膜と、を備える。本発明の実施形態による薄膜トランジスタの製造方法は、基板が提供されるステップと、前記基板の上にゲート電極を形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜の上に活性層を形成するステップと、前記活性層の上にソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、を含み、前記活性層は、ドープされた酸化亜鉛薄膜から形成され、前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、化学的蒸着工程により少なくとも二重構造に形成される。前記薄膜トランジスタの製造方法は、前記活性層の上に保護膜を形成した後、前記ソース電極及びドレイン電極の間に残留するようにパターニングするステップをさらに含む。前記酸化亜鉛薄膜には、ガリウム、インジウム及び錫元素の少なくともいずれかをドープする。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、IGZO薄膜及びITZO薄膜の少なくともいずれかを少なくとも2以上積層して形成する。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、前記第1の層以外の残りの層を擬似ALD工程、サイクリックCVD工程及びCVD工程の少なくともいずれかにより形成する。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層をCVD工程により形成する。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層をサイクリックCVD工程により形成する。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層を擬似ALD工程により形成し、第3の層をCVD工程により形成する。前記ドープされた酸化亜鉛薄膜は、第1の層をALD工程により形成し、第2の層をサイクリックCVD工程により形成し、第3の層をCVD工程により形成する。前記少なくとも2以上のドープされた酸化亜鉛薄膜は、蒸着ソースの流入量を調節して組成比を異ならせる。前記第1の層は、残りの層に比べてドープ元素の含有量が多く、前記第1の層は、残りの層に比べて移動度及び伝導度が高い。前記保護膜は、単一層または少なくとも二重層に形成する。前記保護膜は、前記活性層と接する第1の層をプラズマを用いない化学蒸着方式により形成し、残りの第2の層はプラズマを用いた化学蒸着方式により形成する。前記保護膜は、前記第1の層をシリコンソース及び第1の反応ソースを用いて形成し、前記第2の層をシリコンソース及び第2の反応ソースを用いて形成する。前記シリコンソースはTEOS及びSiH4を含み、前記第1の反応ソースはO3を含み、前記第2のソースはO2、N2O及びNH3を含む。前記保護膜の第1の層は、TEOS及びO3を用いて形成する。前記保護膜の第2の層は、TEOSまたはSiH4及びO2、N2OまたはNH3を用いて形成する。前記薄膜トランジスタの製造方法は、前記保護膜の形成前及び形成後の少なくともいずれかの時点でアニーリング工程を行うステップをさらに含む。前記ゲート絶縁膜の形成、前記活性層の形成、前記保護膜の形成及び前記アニーリングは、インサイチュにて行う。本発明の実施形態は、原子層蒸着AtomiclayerDeposition;ALD工程をはじめとする互いに異なる化学的蒸着工程を用いて少なくとも二重構造のIGZO薄膜を形成し、これを薄膜トランジスタの活性層として用いる。すなわち、IGZO薄膜の一部の膜厚をALD工程により形成し、残りの膜厚を化学気相蒸着ChemicalVaporDeposition;CVD工程、擬似ALD工程またはサイクリックCVD工程の少なくともいずれかを用いて形成する。なお、複数のIGZO薄膜の組成を異ならせることもできる。本発明によれば、活性層として用いられるIGZO薄膜を化学的蒸着工程により形成することにより、蒸着工程が進むにつれて薄膜の特性が変化して信頼性を低下させるといった従来のスパッターリングによるIGZO薄膜の問題点を解消することができる。すなわち、ソースの流入量を一定に維持することができて蒸着工程が行われても薄膜の組成が変化せず、これにより、信頼性の低下が防がれる。また、ゲート絶縁膜と隣り合う活性層は、膜質及び界面特性に優れたALD工程を用いたIGZO薄膜から形成し、これをフロントチャネルとして用いることができて、薄膜トランジスタの動作速度を向上させることができる。さらに、複数のIGZO薄膜の組成を異ならせてフロントチャネル及びバックチャネルとして用いることができる。すなわち、第1のIGZO薄膜のインジウム及びガリウムの組成を第2のIGZO薄膜のインジウム及びガリウムの組成よりも高くして第1のIGZO薄膜の移動度及び伝導度を第2のIGZO薄膜の伝導度よりも高くすることにより、第1のIGZO薄膜をフロントチャネルとして用い、第2のIGZO薄膜をバックチャネルとして用いることができる。これらに加えて、少なくとも二層構造のIGZO薄膜をALD工程をはじめとする異なる工程により形成することにより、生産性を向上させることができ、動作信頼性を保証することができる。すなわち、ALD工程のみを用いると、工程速度が遅くて生産性が低下され、CVD工程のみを用いると、膜質が緻密ではないため正常的に動作できないが、ALD工程及びCVD工程を併用することにより、生産性の向上及び動作信頼性の保証を両立させることができる。一方、IGZO薄膜の上に保護膜を形成して活性層のエッチング損傷及び酸素浸透による膜質の低下を防ぐことができ、保護膜の少なくとも一部をCVD方式により形成することにより活性層の損傷を防ぐことができる。すなわち、活性層に接する保護膜の少なくとも一部をCVDまたはALD方式により形成することにより、活性層のプラズマによる損傷を防ぎ、残りの保護膜をPECVD方式により形成することにより、保護膜の膜質及び蒸着率を向上させることができる。以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態を詳述する。しかしながら、本発明は、後述する実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる種々の形態で実現される。単に、これらの実施形態は、本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範囲によってのみ定義されるものである。図中、複数の層および領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示す。明細書全般に亘って類似する部分に対しては同じ図面符号を付する。なお、層、膜、領域などの部分が他の部分の上部にまたは上にあるとしたとき、これは、各部分が他の部分の直ぐ上部にまたは直上にある場合だけではなく、これらの間に他の部分がある場合も含む。図1は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタの断面図であり、ボトムゲート型薄膜トランジスタの断面図である。図1を参照すると、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタは、基板100の上に形成されたゲート電極110と、ゲート電極110の上に形成されたゲート絶縁膜120と、ゲート絶縁膜120の上に形成され、ZnO薄膜に3族または4族元素をドープした少なくとも二重構造の活性層130と、活性層130の上に互いに離隔されて形成されたソース電極140a及びドレイン電極140bと、を備える。基板100としては、透明基板が使用可能であるが、例えば、シリコン基板、ガラス基板またはフレキシブルディスプレイを実現する場合にはプラスチック基板PE、PES、PET、PENなどが使用可能である。また、基板100としては、反射型基板が使用可能であるが、例えば、金属基板が使用可能である。金属基板は、ステインレス鋼、チタンTi、モリブデンMoまたはこれらの合金から形成可能である。一方、基板100として金属基板を用いる場合に、金属基板の上部に絶縁膜を形成することが好ましい。これは、金属基板とゲート電極110の短絡を防ぎ、金属基板からの金属原子の拡散を防ぐためである。このような絶縁膜は、シリコンオキサイドSiO2、シリコンナイトライドSiN、アルミナAl2O3またはこれらの化合物のうちの少なくとも一種を含む物質を用いて形成することができる。さらに、チタンナイトライドTiN、チタンアルミナイトライドTiAlN、シリコンカーバイドSiCまたはこれらの化合物のうちの少なくとも一種を含む無機物質を用いて絶縁膜の下部に拡散防止膜を形成することができる。ゲート電極110は、導電物質を用いて形成可能であるが、例えば、アルミニウムAl、ネオジムNd、銀Ag、クロムCr、チタンTi、タンタルTa、モリブデンMo及び銅Cuのうちの少なくともいずれかの金属またはこれらを含む合金から形成可能である。また、ゲート電極110は、単一層だけではなく、複数の金属層の多重層に形成してもよい。すなわち、物理化学的特性に優れたクロムCr、チタンTi、タンタルTa、モリブデンMoなどの金属層と、比抵抗の低いアルミニウムAl系、銀Ag系または銅Cu系の金属層と、を備える二重層に形成してもよい。ゲート絶縁膜120は、少なくともゲート電極110の上部に形成される。すなわち、ゲート絶縁膜120は、ゲート電極110の上部及び側部を含めて基板100の上に形成可能である。ゲート絶縁膜120は、金属物質との密着性及び絶縁耐圧に優れたシリコンオキサイドSiO2、シリコンナイトライドSiN、アルミナAl2O3、ジルコニアZrO2を含む無機絶縁膜のうちの一つまたはそれ以上の絶縁物質を用いて形成可能である。活性層130は、ゲート絶縁膜120の上に形成され、少なくとも一部がゲート電極110と重なり合うように形成される。活性層130は、ZnO薄膜の膜質を改善するために、ZnO薄膜に3族または4族元素、例えば、インジウムIn、ガリウムGa、錫Sn元素の少なくとも一つをドープすることにより非晶質ZnO薄膜を誘導して、薄膜トランジスタの安定性を改善することができる。例えば、活性層130は、ZnO薄膜にインジウム及びガリウムをドープしたIGZO薄膜から形成可能であり、ZnO薄膜にインジウム及びチンTinをドープしたインジウムチンジンクオキサイドITZO薄膜から形成可能である。以下の本実施形態においては、IGZO薄膜を例にとって説明する。また、本発明は、IGZO薄膜を用いた活性層130の一部の層厚をALD工程により形成し、残りの層厚をCVD、サイクリックCVDなどの化学的蒸着方式により形成する。例えば、活性層130は、少なくとも二重構造に形成可能であるが、ゲート絶縁膜120と隣り合う第1のIGZO薄膜132はALD工程により形成し、第1のIGZO薄膜134の上にCVD工程またはサイクリックCVD工程により第2のIGZO薄膜134を形成することができる。ここで、ALD工程は、原料ソースの供給及びパージ、酸化ソースの供給及びパージを繰り返して行い、CVD工程は、原料ソース及び酸化ソースを同時に供給して行う。原料ソースの場合に、原料を供給する原料ガスで工程が行われ、酸化ソースの場合に、原料ガスと反応して所望の薄膜を形成しうる反応ガスで工程が行われる。また、サイクリックCVD工程は、原料ソースの供給及び中止を繰り返し、且つ、酸化ソースは供給し続けて行う。すなわち、サイクリックCVD工程では、原料ソースの供給及び中止を繰り返し、且つ、酸化ソースは供給し続ける工程が1周期中に連続して行われていて、1周期が終わった後に酸化ソースの供給を数秒間中止する。サイクリックCVD工程とALD工程との相違点は、ALD工程では原料ソースまたは酸化ソースの供給が中止した後にパージが行われるのに対し、サイクリックCVD工程では別途のパージが工程中に行われることなく、数回のサイクルが繰り返し行われる。このため、CVD工程を用いると、工程速度を向上させることができ、サイクリックCVD工程を用いると、原料ソースと酸化ソースが基板に同時に蒸着され、後続して供給される酸化ソースが原料ソースと反応するため膜質が緻密になる。一方、第1及び第2のIGZO薄膜132、134は、インジウムソース、ガリウムソース、ジンクソース及び酸化ソースを用いて形成することができる。例えば、インジウムソースとしては、トリメチルインジウムInCH33TMIn、ジエチルアミノプロピルジメチルインジウムDADIなどが使用可能であり、ガリウムソースとしては、トリメチルガリウムGaCH33TMGaなどが使用可能であり、ジンクソースとしては、ジエチルジンクZnC2H52DEZ、ジメチルジンクZnCH32DMZなどが使用可能である。また、酸化ソースとしては、酸素の含まれている物質、例えば、酸素O2、オゾンO3、水蒸気H2O、N2O、CO2などのうちの少なくともいずれかが使用可能である。活性層130は、ゲート絶縁膜120と隣り合う第1のIGZO薄膜132をALD工程により形成し、フロントチャネルとして用いることができる。これは、ALD工程により形成された第1のIGZO薄膜132は膜質及び界面特性に優れているためチャネルの形成に重要なフロントチャネルとして用いることができる。すなわち、ゲート電極110に電圧が印加されれば、ゲート絶縁膜120の上部の活性層130の一部に-電荷が蓄積してフロントチャネルを形成し、フロントチャネルを介して電流が円滑に流れるように移動度が良好になる。このため、フロントチャネル領域は移動度の高い物質から形成することが好ましいが、ALD工程により形成された第1のIGZO薄膜132は膜質及び界面特性に優れているため移動度が良好になる。ところが、ALD工程を用いる場合に工程速度が遅くて生産性が低下されるため、第1のIGZO薄膜132上の第2のIGZO薄膜134は、CVD工程またはサイクリックCVD工程により形成する。CVD工程またはサイクリックCVD工程を用いると、高速蒸着が可能になるため生産性を向上させることができる。一方、ALD工程の酸化ソースとしては酸素を含む物質が使用可能であるが、TMGaは酸素O2との反応性に劣っているためオゾンO3を用いることが好ましく、酸素O2を用いる場合にはプラズマ状態に励起して用いることができる。酸素だけではなく、N2O、CO2もプラズマ状態に励起して用いることができる。また、CVD工程またはサイクリックCVD工程の酸化ソースとしては、酸素、オゾン、水蒸気及び酸素の混合物、水蒸気及びオゾンの混合物、酸素プラズマなどを用いることができるが、水蒸気及び酸素の混合物、水蒸気及びオゾンの混合物を用いることが最も好ましい。一方、第2のIGZO薄膜134は、第1のIGZO薄膜132と組成比を異ならせてバックチャネルとして用いることができる。すなわち、ゲート電極110に-電圧が印加されれば、-電荷はソース電極140a及びドレイン電極140bの下部の活性層130の一部に蓄積される。このため、バックチャネルは電荷の移動を防ぐ組成、すなわち、伝導性がフロントチャネルとして働く第1のIGZO薄膜132よりも低いように第2のIGZO薄膜134を形成する。このために、インジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースの少なくともいずれかの流入量を第1のIGZO薄膜132と異ならせて流入することができ、酸化ソースの流入量もまた調節して流入することができる。例えば、第2のIGZO薄膜134のインジウム及びガリウムの組成を第1のIGZO薄膜132よりも少なくすることができる。このようにすれば、第1のIGZO薄膜132と第2のIGZO薄膜134の特性、例えば、移動度、電気伝導度などを調節することができる。このような第1のIGZO薄膜132は、5~50Åの膜厚に形成することができ、第2のIGZO薄膜134は、200~300Åの膜厚に形成することができる。ソース電極140a及びドレイン電極140bは活性層130の上部に形成され、ゲート電極110と一部重なり合ってゲート電極110を挟んで互いに離隔されて形成される。ソース電極140a及びドレイン電極140bは、導電性物質を用いて、同じ物質を用いた同じ工程によって形成することができるが、例えば、アルミニウムAl、ネオジムNd、銀Ag、クロムCr、チタンTi、タンタルTa及びモリブデンMoのうちの少なくともいずれかの金属またはこれらを含む合金から形成することができる。すなわち、ゲート電極110と同じ物質から形成することができるが、他の物質から形成することもできる。なお、ソース電極140a及びドレイン電極140bは、単一層だけではなく、複数の金属層の多重層に形成することもできる。図2及び図3は、本発明の一実施形態によるIGZO薄膜を活性層として用いる薄膜トランジスタの特性を示すグラフであり、図2は、ゲート電圧によるドレイン-ソース電流IDSのグラフであり、図3は、図2のY軸のドレイン-ソース電流IDSを指数で表示したものである。同図に示すように、ゲート電圧が0V以上に印加されれば、ドレインとソースとの間にトンネリングが発生し、これにより、ドレイン-ソース電流が流れて線形的な特性を示す。また、ゲート電圧が所定の電圧、例えば、10V以上になると、ドレイン-ソース電流が飽和される。このような特性グラフは、他の薄膜トランジスタ、例えば、スパッターリングによりIGZO薄膜を形成した薄膜トランジスタの特性グラフとほとんど同様である。このため、化学的蒸着方式によりIGZO薄膜を形成し、これを活性層として用いる本発明による薄膜トランジスタは、薄膜トランジスタとして正常に動作することが分かる。上述したように、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタは、活性層130を金属酸化物半導体、特に、IGZO薄膜から形成し、ALD工程とCVD工程またはサイクリックCVD工程により第1及び第2のIGZO薄膜132、134の積層構造に形成することができる。このとき、第1及び第2のIGZO薄膜132、134の組成をソースの流入量などで調節することができて組成の異なる多層構造の薄膜を形成することができる。また、第1のIGZO薄膜132を膜質に優れたALD工程により形成してフロントチャネルとして用いることができて移動度が良好であり、電気伝導度に優れた高速素子を実現することができ、第2のIGZO薄膜134を高速蒸着可能なCVD工程またはサイクリックCVD工程により形成することにより、ALD工程の欠点である生産性の低下を補完することができる。すなわち、IGZO薄膜を工程速度の遅いALD工程だけで形成する場合に生産性が低下され、工程速度の速いCVD工程だけで形成する場合にIGZO薄膜の膜質が低下されて素子動作の信頼性を保証することができないが、ALD工程とCVD工程またはサイクリックCVD工程を併用することにより、これらの問題を解消することができる。図4は、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタの断面図であり、IGZO薄膜を用いる活性層を蒸着方法の異なる3つの層で形成した場合の断面図である。図4を参照すると、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタは、基板100の上に形成されたゲート電極110と、ゲート電極110の上に形成されたゲート絶縁膜120と、ゲート絶縁膜120の上に3つの層で形成された活性層130と、活性層130の上に互いに離隔されて形成されたソース電極140a及びドレイン電極140bと、を備える。活性層130は、第1のIGZO薄膜132と、第2のIGZO薄膜134及び第3のIGZO薄膜136を積層して形成する。例えば、第1のIGZO薄膜132はALD工程により形成し、第2のIGZO薄膜134は擬似ALD工程により形成し、第3のIGZO薄膜136はCVD工程により形成することができる。また、第1のIGZO薄膜132はALD工程により形成し、第2のIGZO薄膜134はサイクリックCVD工程により形成し、第3のIGZO薄膜136はCVD工程により形成することができる。すなわち、第1及び第3のIGZO薄膜132、136はそれぞれALD工程及びCVD工程により形成し、第2のIGZO薄膜134は擬似ALD工程またはサイクリックCVD工程により形成することができる。ここで、擬似ALD工程では、原料ソースの流入及び酸化ソースの流入を繰り返して所定の膜厚の薄膜を形成する。すなわち、ALD工程では、原料ソースの流入及びパージ、酸化ソースの流入及びパージを繰り返して薄膜を形成するのに対し、擬似ALD工程では、パージを行うことなく、原料ソースの流入及び酸化ソースの流入のみを繰り返して薄膜を形成する。また、擬似ALD工程では、酸化ソースとしてALD工程の酸化ソースを用いることができる。すなわち、酸化ソースとしては酸素を含む物質を用いることができるが、オゾンO3を用いることが好ましく、酸素O2、N2O、CO2はプラズマ状態に励起して用いることができる。このように3層構造に活性層130を形成し、擬似ALD工程またはサイクリックCVD工程により第2のIGZO薄膜134を形成することにより、ALD工程により形成された第1のIGZO薄膜132とほとんど同じ膜質を有しながらもALDよりも高速蒸着可能であるため、ALD及びCVD工程により形成された二重のIGZO薄膜に比べてより一層膜質の向上した活性層130を形成することができる。一方、第1のIGZO薄膜132は10~50Åの膜厚に形成し、第2のIGZO薄膜134は50~100Åの膜厚に形成し、第3のIGZO薄膜136は150~250Åの膜厚に形成することができる。一方、IGZO薄膜から形成された活性層130は、その上部にソース電極140a及びドレイン電極140bが形成されるときに大気中に露出されて酸素などが浸透して酸素欠陥が発生し、これにより生成される過剰キャリアによってオフカレントが上昇したりしきい値電圧が変化したりするという問題がある。このため、本発明は、図5に示すように、活性層130への酸素の浸透を防ぐために、活性層130の上に保護膜150を形成する。図5を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による薄膜トランジスタは、基板100の上に形成されたゲート電極110と、ゲート電極110の上に形成されたゲート絶縁膜120と、ゲート絶縁膜120の上に少なくとも二重構造に形成された活性層130と、活性層130の上に互いに離隔されて形成されたソース電極140a及びドレイン電極140bと、ソース電極140aとドレイン電極140bとの間の活性層130の上に形成された保護膜150と、を備える。保護膜150は、活性層130を形成した後にソース電極140a及びドレイン電極140bを形成するためのエッチング工程中にエッチング停止膜として働いて活性層130が露出されて損傷されることを防ぐために形成する。また、保護膜150は、ソース電極140a及びドレイン電極140bの製造が終わった後に活性層130が大気中に露出されることを防ぐことができる。すなわち、第1及び第2のIGZO薄膜132、134を備える活性層130は、大気中に露出されれば酸素などが浸透して特性が低下する虞があるが、保護膜150が形成されてこれを防ぐことができる。保護膜150は、酸素の浸透を防ぎ、エッチング工程に際して活性層130とはエッチング選択比が異なる物質から形成することができるが、例えば、シリコンオキサイドSiO2、シリコンナイトライドSiN、シリコンオキシナイトライドSiONなどの絶縁物質を用いて単一層または多層に形成することができる。なお、保護膜150は、少なくとも一部はCVD方式を用いて形成することができる。すなわち、プラズマを用いて保護膜150を形成する場合に活性層130がプラズマによって損傷されるため、保護膜140は、少なくとも活性層130に接する領域はCVD方式により形成する。また、保護膜150は多層に形成可能であるが、例えば、図6に示すように、第1及び第2の保護膜150a及び150bの二重層に形成することができる。このとき、第1及び第2の保護膜150a及び150bはそれぞれ異なる蒸着方式により形成することができる。すなわち、第1の保護膜150aはCVD工程により形成し、第2の保護膜150bはPECVD工程により形成することができる。すなわち、プラズマを用いて保護膜150を形成すると、保護膜150の膜質を向上させることができるが、プラズマによって活性層130が損傷される虞があるため、第1の保護膜150aはCVD工程により形成し、第2の保護膜150bはPECVD工程により形成する。また、第1の保護膜150aはALD方式により形成することもできる。一方、保護膜150を多層に形成する場合に、第1の保護膜150aと第2の保護膜150bはソースガス及び反応ガスを異ならせて形成することもできる。例えば、保護膜150をシリコンオキサイドから形成することができるが、TEOSをソースとして用い、第1の保護膜150aはO3を反応ガスとして用い、第2の保護膜150bはO2、N2OまたはNH3を反応ガスとして用いることができる。また、第1の保護膜150aはTEOSをソースとして用い、第2の保護膜150bはSiH4をソースとして用いることができる。それだけではなく、第1及び第2の保護膜150a及び150bは膜質の異なる物質から形成することができるが、第1の保護膜150aはシリコンオキサイドから形成し、第2の保護膜150bはシリコンナイトライドから形成することもできる。さらに、多層構造の保護膜150は蒸着温度を異ならせて形成することもできる。例えば、第1及び第2の保護膜150a及び150bはある温度範囲で形成することができるが、同じ温度で形成してもよく、異なる温度で形成してもよい。図7から図11は、様々な方式によりIGZO薄膜を形成し、これを薄膜トランジスタの活性層として用いた場合における動作特性を比較するためのグラフである。図7は、ALD工程だけでIGZO薄膜を形成した場合の特性グラフであり、移動度が19.2であり、しきい値電圧が4.26Vであり、スロップスイングが0.524である。ここで、スロップスイングは0に近いほど垂直に近く、これは、電荷の移動速度が速いことを意味する。また、図8は、サイクリックCVD工程だけでIGZO薄膜を形成した場合の特性グラフであり、移動度が0.9であり、しきい値電圧が5.54Vであり、スロップスイングが1.8である。ところが、この場合、移動度が0.9とかなり低いため、素子動作がほとんど不可能である。また、図9は、CVD工程だけでIGZO薄膜を形成した場合の特性グラフであり、CVD工程だけでIGZO薄膜を形成した場合には素子が動作しないため特性が測定されない。一方、図10は、本発明の一実施形態に従い、ALD工程により第1のIGZO薄膜を形成した後、サイクリックCVD工程により第2のIGZO薄膜を形成した場合の特性グラフであり、移動度が13.1であり、しきい値電圧が7.01Vであり、スロップスイングが1.31である。このようにALD工程とサイクリックCVD工程を併用する場合に、特性グラフがALD工程の特性グラフに倣っており、移動度が良好であるため、高速にて動作可能になる。また、図11は、本発明の他の実施形態に従い、ALD工程により第1のIGZO薄膜を形成し、サイクリックCVD工程により第2のIGZO薄膜を形成した後、CVD工程により第3のIGZO薄膜を形成した場合の特性グラフであり、移動度が12.1であり、しきい値電圧が7.01であり、スロップスイングが1.31である。この場合の特性グラフがALD工程の特性グラフに倣っており、移動度が良好であるため、高速にて動作可能である。すなわち、ALD工程によりIGZO薄膜を形成すれば、特性が良好であるものの、蒸着速度が遅くて生産性が低下され、サイクリックCVD工程またはCVD工程によりIGZO薄膜を形成すれば、蒸着速度は速いものの、特性が低下される。しかしながら、ALD工程により第1のIGZO薄膜を形成した後、サイクリックCVD工程により第2のIGZO薄膜を形成したり、第2のIGZO薄膜の上部にCVD工程により第3のIGZO薄膜を形成したりする場合に、ALD工程の特性である優れた膜質を有し、しかも、蒸着速度を向上させることができる。このため、生産性を向上させ、動作特性を維持することができる。図12は、本発明による薄膜トランジスタを製造するための工程装置の概略図であり、複数の蒸着チャンバを備えるクラスターの概略図である。また、図13は、本発明による薄膜トランジスタの活性層を形成するための蒸着装置の概略図であり、ALD工程と擬似CVD工程またはサイクリックCVD工程を同時に行うか、あるいは、CVD工程をさらに行って複数層のIGZO薄膜をインサイチュにて形成するために用いられる蒸着装置である。さらに、図14は、本発明による薄膜トランジスタの保護膜を形成するための蒸着装置の概略図であり、CVD工程とPECVD工程を同時に行う蒸着装置である。一方、図15から図17は、それぞれALD工程、擬似ALD工程及びサイクリックCVD工程の工程サイクルの概念図である。本発明において用いられる工程装置は、図12に示すように、少なくとも一つのロードロックチャンバ210と、トランスファチャンバ220と、複数の蒸着チャンバ230、240、250と、アニーリングチャンバ260と、を備える。ここで、第1の蒸着チャンバ230は、ゲート絶縁膜を蒸着するためのチャンバであってもよく、第2の蒸着チャンバ240は、少なくとも1層のIGZO薄膜からなる活性層を形成するためのチャンバであってもよく、第3の蒸着チャンバ250は、少なくとも1層の保護膜を形成するためのチャンバであってもよい。また、アニーリングチャンバ260は、保護膜の形成前、保護膜の形成後または保護膜の形成前及び形成後に基板を少なくとも1回アニーリングするためのチャンバである。このため、工程装置の真空状態を維持しながらゲート絶縁膜の蒸着、活性層の蒸着、保護膜の蒸着及びアニーリングをインサイチュにて行うことができる。また、本発明による薄膜トランジスタの複数のIGZO薄膜を備える活性層を形成するための蒸着装置は、図13に示すように、所定の反応空間が設けられた反応チャンバ300と、反応チャンバ300の内部下側に設けられたサセプタ310と、反応チャンバ300の内部上側にサセプタ310と対応するように設けられたガス分配板320と、インジウムソースを供給するための第1のソース供給部330と、ガリウムソースを供給するための第2のソース供給部340と、ジンクソースを供給するための第3のソース供給部350と、酸化ソースを供給するための第4のソース供給部360と、を備える。また、図示はしないが、前記蒸着装置は、不活性ガスなどのパージガスを供給するパージガス供給部をさらに備える。ここで、第1、第2及び第3のソース供給部330、340、350は、ソース物質を貯溜するソース貯溜部332、342、352と、ソース物質を気化させてソースガスを生成するバブラー334、344、354と、気化されたソース物質を反応チャンバ300に供給する供給管336、346、356と、を備えていてもよい。また、酸化ソースを供給するための第4のソース供給部360は、酸化ソースを貯溜するソース貯溜部362と、酸化ソースを反応チャンバ300に供給する供給管366と、を備える。酸化ソースとしてH2Oなどを用いる場合に、バブラーをさらに備えていてもよい。また、図示はしないが、供給管336、346、356、366には、ソースの供給または供給量を制御する弁などの制御手段図示せずが設けられていてもよい。なお、反応チャンバ300の内部の圧力調節または真空維持のための真空ライン392及び真空ポンプ394をさらに備えていてもよい。一方、サセプタ310には、ヒータ図示せず及び冷却手段図示せずが内蔵されて基板100を所望の工程温度に維持することができる。ここで、基板100の上には、ゲート電極、ゲート絶縁膜などが形成されていてもよく、サセプタ310の上に少なくとも1枚以上の基板100が置かれていてもよい。前記蒸着装置を用いてALD工程によりIGZO薄膜を形成するためには、図15に示すように、第1、第2及び第3のソース供給部330、340、350を介してそれぞれインジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースを反応チャンバ300内に同時に供給して基板100の上に原料ソースを吸着する。また、原料ソースの供給を中止し、不活性ガスなどのパージガスを供給して未吸着原料ガスをパージする。次いで、第4のソース供給部360を介して酸化ソースを反応チャンバ300内に供給して基板100の上に吸着された原料ソースと酸化ソースを反応させて原子層のIGZO薄膜を形成する。そして、酸化ソースの供給を中止し、不活性ガスなどのパージガスを反応チャンバ300内に供給して未反応ガスをパージする。このような原料ソースの供給及びパージ、反応ソースの供給及びパージのサイクルを複数回繰り返し行って所定の膜厚のIGZO薄膜を形成する。また、前記蒸着装置を用いて擬似ALD工程によりIGZO薄膜を形成するためには、図16に示すように、第1、第2及び第3のソース供給部330、340、350を介してそれぞれインジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースを反応チャンバ300内に同時に供給して基板100の上に原料ソースを吸着する。次いで、第4のソース供給部360を介して酸化ソースを反応チャンバ300内に供給して、基板100の上に吸着された原料ソースと酸化ソースを反応させて原子層のIGZO薄膜を形成する。これらの原料ソースの供給及び酸化ソースの供給のサイクルを複数回繰り返し行って所定の膜厚のIGZO薄膜を形成する。そして、前記蒸着装置を用いてサイクリックCVD工程によりIGZO薄膜を形成するためには、図17に示すように、第1乃至第3のソース供給部330、340、350を介してインジウムソース、ガリウムソース、ジンクソースを反応チャンバ300に流入するとともに、第4のソース供給部360を介して酸化ソースを供給する。次いで、第1乃至第3のソース供給部330、340、350を介した原料ソースの供給を中止し、再供給するときにも第4のソース供給部360を介した酸化ソースの供給を維持する。すなわち、第1乃至第3のソース供給部330、340、350を介した原料ソースの供給及び中止を繰り返し行い、第4のソース供給部360を介した酸化ソースの供給を行い続ける。このようにすれば、基板100の上にこれらの反応によるIGZO薄膜が形成される。サイクリックCVD工程を用いると、原料ソースと酸化ソースが基板に同時に蒸着され、後続して供給される酸化ソースが原料ソースと反応するため、膜質が緻密になる。このような酸化ソースの供給を行い続けながら、原料ソースの供給及び中止を複数回繰り返し行って所定の膜厚のIGZO薄膜を形成する。さらに、前記蒸着装置を用いてCVD工程によりIGZO薄膜を形成するためには、第1乃至第3のソース供給部330、340、350を介してインジウムソース、ガリウムソース、ジンクソースを反応チャンバ300に流入すると同時に、第4のソース供給部360を介して酸化ソースを供給する。一方、本発明によるIGZO薄膜を、異なる蒸着方法により少なくとも二重構造に形成するために、前記蒸着装置に加えて、様々な蒸着装置を用いることができる。例えば、複数の基板100をサセプタ310の上に載置し、回転可能な複数のインジェクターを備える回転型噴射装置を用いてALD工程、CVD工程及び擬似ALD工程により少なくとも二重構造のIGZO薄膜を同じ反応チャンバ内においてインサイチュにて形成することができる。もちろん、少なくとも二重構造のIGZO薄膜を他の反応チャンバ内においてインサイチュにて形成することもできる。さらに、本発明による薄膜トランジスタの保護膜を形成するための蒸着装置は、図14に示すように、所定の反応空間が設けられた反応チャンバ400と、反応チャンバ400の内部下側に設けられて基板100が載置されるサセプタ410と、反応チャンバ400の内部上側にサセプタ410と対応するように設けられたガス分配管420と、ガス分配管420を介してシリコンソースを供給するための第1の供給部430と、第1の反応ソースを供給するための第2の供給部440と、第2の反応ソースを供給するための第3の供給部450と、クリーニングガスまたはパージガスを供給するための第4の供給部460と、を備える。また、前記蒸着装置は、クリーニングガスを反応チャンバ400の外部において活性化させるための遠隔プラズマ発生部470と、ガス分配管420と連結されて工程ガスを活性化させるためのプラズマ発生部480と、を備える。このため、ガス分配管420は導電性物質から製作され、プラズマ発生部480は、RF電源482と整合器484を備えていてもよい。また、第1乃至第4の供給部430~460のそれぞれは、ソース貯溜部432、442、452、462とソース供給ライン434、444、454、464を備え、図示はしないが、ソースの流量を調節するための流量計を備えていてもよい。そして、保護膜蒸着装置は、反応チャンバ400内部の真空維持のための真空ライン492及び真空ポンプ494をさらに備えていてもよい。一方、第1の供給部430にはTEOS、SiH4などのシリコンソースが貯溜されていてもよく、第2の供給部440にはO2、O3などの酸化ソースが貯溜されていてもよく、第3の供給部450にはN2O、NH3などの窒素含有ソースが貯溜されていてもよい。なお、第4の供給部460にはNF3などのクリーニングガスまたはArなどのパージガスが貯溜されていてもよい。前記蒸着装置を用いて単一層または多層の保護膜を形成することができる。例えば、RF電源を印加することなく、TEOSとO3を用いてシリコンオキサイドをCVD方式により形成することにより、単一層の保護膜を形成することができる。また、RF電源を印加することなく、TEOSとO3を用いて第1のシリコンオキサイドをCVD方式により形成した後、RF電源を印加し、TEOSとO2を用いて第2のシリコンオキサイドをPECVD方式により形成することができる。そして、RF電源を印加することなく、TEOSとO3を用いてシリコンオキサイドをCVD方式により形成した後、TEOSまたはSiH4とN2OまたはNH3を用いてシリコンオキシナイトライドをPECVD方式により形成することができる。すなわち、たとえ保護膜は単一層または多層に形成しても、活性層130と接する部分はCVD方式によりシリコンオキサイドから形成し、それ以外の残りの部分はPECVD方式によりシリコンオキサイド、シリコンナイトライドまたはシリコンオキシナイトライドから形成することができる。図18乃至図21は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するために順次に示す断面図である。図18を参照すると、基板100上の所定の領域にゲート電極110を形成した後、ゲート電極110を含む全体の上部にゲート絶縁膜120を形成する。ゲート電極110を形成するために、例えば、CVDを用いて基板100の上に第1の導電層を形成した後、所定のマスクを用いた写真及びエッチング工程により第1の導電層をパターニングする。ここで、第1の導電層は、金属、金属合金、金属酸化物、透明導電膜またはこれらの化合物のうちのいずれかにより形成することができる。また、第1の導電層は、導電特性と抵抗特性を考慮して、複数の層に形成してもよい。なお、ゲート絶縁膜120は、ゲート電極110を含む全体の上部に形成してもよく、酸化物及び/または窒化物を含む無機絶縁物質または有機絶縁物質を用いて形成してもよい。図19を参照すると、基板100を、例えば、図13の蒸着装置内に搬入した後、基板100の温度が約300°C以下、例えば、100~300°Cの温度に保たれるようにサセプタ310の温度を調節する。次いで、ゲート絶縁膜120を含む全体の上部に第1のIGZO薄膜132を形成する。第1のIGZO薄膜132は、図15に示す工程サイクルのALD工程により形成する。すなわち、インジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースを同時に反応チャンバ300内に供給して基板100の上に吸着した後、パージガスを用いて未吸着原料ガスをパージし、酸化ソースを反応チャンバ内に供給して基板100上において反応させて原子層のIGZO薄膜を形成した後、パージガスを用いて未反応ガスをパージする。ここで、インジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースは、ジンクソースを基準として、例えば、3~10:1~5:1の割合にて供給することができるが、例えば、150~200sccm、50~100sccm、20~50sccmの量で供給することができる。これらのサイクルを繰り返し行って複数の単一原子層が積層された第1のIGZO薄膜132を形成する。ここで、ALD工程の酸化ソースとしては、酸素を含む物質を用いることができるが、オゾンO3を用いることが好ましく、酸素O2、N2O、CO2をプラズマ状態に励起して用いることができる。また、第1のIGZO薄膜132の上にCVD工程またはサイクリックCVD工程により第2のIGZO薄膜134を形成する。サイクリックCVD工程のために、図17に示すように、インジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースの同時流入及び中止を繰り返し行い、酸化ソースを供給し続ける。ここで、インジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースは、ジンクソースを基準として、例えば、3~10:1~5:1の割合にて供給することができるが、例えば、150~200sccm、50~100sccm、20~50sccmの量で供給することができる。また、サイクリックCVD工程の酸化ソースとしては、酸素、オゾン、水蒸気及び酸素の混合物、水蒸気及びオゾンの混合物、酸素プラズマなどを用いることができるが、水蒸気及び酸素の混合物、水蒸気及びオゾンの混合物を用いることが最も好ましい。一方、第2のIGZO薄膜134は、第1のIGZO薄膜132と組成比を異ならせて形成することができるが、インジウムソース、ガリウムソース及びジンクソースの少なくともいずれかの流入量を第1のIGZO薄膜132よりも多量または少量に調節して流入することができ、酸化ソースの流入量もまた調節して流入することができる。このようにすれば、第1のIGZO薄膜132に比べて第2のIGZO薄膜134の特性、例えば、移動度、電気伝導度などを調節することができる。一方、第1のIGZO薄膜132は5~50Åの膜厚に形成することができ、第2のIGZO薄膜134は200~300Åの膜厚に形成することができる。図20を参照すると、第1及び第2のIGZO薄膜132、134の上に、図14に示す蒸着装置を用いて保護膜150を形成する。保護膜150は、以降に、ソース電極及びドレイン電極を形成するためのエッチング工程においてエッチング停止膜として働いて第1及び第2のIGZO薄膜132、134が露出されて損傷されることを防ぐために形成する。また、保護膜150は、以降に、ソース電極及びドレイン電極の製造が終わった後に、第1及び第2のIGZO薄膜132、134が大気中に露出されることを防ぐことができる。すなわち、第1及び第2のIGZO薄膜132、134は、大気中に露出されれば酸素などが浸透して特性が低下される虞があるが、エッチング停止膜150が形成されているためこれを防ぐことができる。保護膜150は、酸素の浸透を防ぎ、第1及び第2のIGZO薄膜132、134とはエッチング選択比が異なる物質から形成することができるが、例えば、シリコンオキサイド、シリコンナイトライドなどの絶縁膜を用いることができる。次いで、保護膜150の所定の領域をエッチングしてパターニングするが、保護膜150は、以降に、ソース電極及びドレイン電極が離隔される領域に残留するようにパターニングする。このとき、保護膜150がこれらと一部重なり合うようにパターニングすることもできる。図21を参照すると、第1及び第2のIGZO薄膜132、134をゲート電極110を覆うようにパターニングして活性層130を形成する。次いで、活性層130の上部に第2の導電層を形成した後、所定のマスクを用いた写真及びエッチング工程によりパターニングしてソース電極140a及びドレイン電極140bを形成する。ソース電極140a及びドレイン電極140bは、ゲート電極110の上部と一部重なり合い、ゲート電極110の上部において互いに離隔されるように形成される。このとき、エッチング工程は、エッチング停止膜150が露出されるように行う。ここで、第2の導電層は、金属、金属合金、金属酸化物、透明導電膜またはこれらの化合物のうちのいずれかを用いてCVD工程により形成することができる。また、第2の導電層は、導電特性と抵抗特性を考慮して、複数の層に形成することもできる。一方、ソース電極140aとドレイン電極140bとの間に保護膜150が形成されているため、第1及び第2のIGZO薄膜132、134が大気中に露出されることを防ぐことができ、これにより、第1及び第2のIGZO薄膜132、134の特性低下を防ぐことができる。さらに、活性層130を、蒸着方法の異なる3つの層を積層して形成することができるが、第1のIGZO薄膜は、図15に示す工程サイクルのALD工程により形成し、第2のIGZO薄膜は、図16及び図17に示す工程サイクルの擬似ALD工程またはサイクリックCVD工程により形成し、第3のIGZO薄膜はCVD工程により形成して3層構造のIGZO薄膜を形成することもできる。この場合にも、例えば、前記図13に示す蒸着装置を用いることができる。一方、保護膜150は少なくとも二重構造に形成することができ、保護膜150の形成前及び形成後に少なくとも1回のアニーリング工程を行うこともできるが、以下、このような実施形態を図22と、図23乃至図26を用いて説明する。図22は、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための工程流れ図であり、図23乃至図26は、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタの製造方法の一例を説明するために順次に示す断面図である。以下、前記説明と重複する内容についての説明は省略する。図22及び図23を参照すると、基板100上の所定の領域にゲート電極110を形成した後ステップS110、ゲート電極110を含む全体の上部にゲート絶縁膜120を形成するステップS120。図22及び図24を参照すると、基板100の上に第1及び第2のIGZO薄膜132、134を形成するステップS130。図22及び図25を参照すると、第1及び第2のIGZO薄膜132、134の上に保護膜150を形成するステップS150。ところが、保護膜150の形成前にアニーリング工程を行ってもよいステップS140。アニーリング工程は、第1及び第2のIGZO薄膜132、134の形成後にオフカレントを確保するために行う。ここで、アニーリング工程は真空状態で行い、雰囲気ガスとしては、O2またはO3を用いることができる。すなわち、アニーリング工程は、大気圧760Torrよりも低い圧力で行うことができ、より好ましくは、0.1Torr~10Torrで行うことができる。このとき、工程温度は200~450°Cに維持し、工程時間は、所要の素子特性に応じて、1分間から30分間までの範囲内で種々に調節することができる。一方、保護膜150は、単一層または多層に形成し、少なくとも一部をCVD方式により形成する。例えば、保護膜150は、図示のごとく、第1及び第2の保護膜150a、150bを備える二重層に形成し、第1の保護膜150aは、TEOS及びO3を用いてCVD方式により形成し、第2の保護膜150bは、TEOS及びO2を用いてPECVD方式により形成する。次いで、保護膜150の所定の領域をエッチングしてパターニングするが、保護膜150は、次いで、ソース電極及びドレイン電極が離隔される領域に残留するようにパターニングする。すなわち、保護膜150をソース電極及びドレイン電極と一部重なり合うようにパターニングする。このとき、保護膜150をパターニングする前にアニーリング工程を行ってもよいステップS160。保護膜150の蒸着後にオフカレントが変化することがあるが、これを保護するためにアニーリング工程を行うことができる。ここで、アニーリング工程は真空状態で行い、雰囲気ガスとしては、O2またはO3を用いることができる。すなわち、アニーリング工程は、大気圧760Torrよりも低い圧力で行うことができ、より好ましくは、0.1Torr~10Torrで行うことができる。このとき、工程温度は、200~450°Cに維持し、工程時間は、所要の素子特性に応じて、1分間から30分間までの範囲内で種々に調節することができる。すなわち、アニーリング工程は、保護膜150の形成前及び形成後に少なくとも1回行うことができる。図22及び図26を参照すると、第1及び第2のIGZO薄膜132、134をゲート電極110を覆うようにパターニングして活性層130を形成する。次いで、活性層130の上部に第2の導電層を形成した後、所定のマスクを用いた写真及びエッチング工程によりパターニングしてソース電極140a及びドレイン電極140bを形成するステップS170。ソース電極140a及びドレイン電極140bは、ゲート電極110の上部と一部重なり合い、ゲート電極110の上部において互いに離隔されるように形成される。エッチング工程は、保護膜150が露出されるように行う。このとき、ソース電極140aとドレイン電極140bとの間に保護膜150が形成されているため、第1及び第2のIGZO薄膜132、134が大気中に露出されることを防ぐことができ、これにより、第1及び第2のIGZO薄膜132、134の特性低下を防ぐことができる。前記実施形態において、ゲート電極110用の第1の導電層と、ゲート絶縁膜120と、ソース/ドレイン電極140a及び140b用の第2の導電層はCVD法により形成してもよく、物理的蒸着法PVDにより形成してもよい。すなわち、スパッターリング、真空蒸着法またはイオンプレーティング法により薄膜を形成することができる。このとき、スパッターリングにより前記膜を形成する場合に、所定のマスクを用いる写真及びエッチング工程を用いることなく、スパッターリングマスクすなわち、シャドウマスクを用いたスパッターリング工程により前記構造物を形成することができる。なお、CVD工程またはPVD工程に加えて、微粒子の分散されたコロイド溶液や前駆体を含むゾル-ゲル液相を用いた様々なコート法、例えば、スピンコート、ディップコート、ナノインプリントなどのインプリント、スタンピング、プリント、トランスファプリントなどによりコートすることもできる。なお、原子層蒸着及びパルスレーザー蒸着PLD法により形成してもよい。一方、本発明においては、IGZO薄膜だけではなく、インジウムチンジンクオキサイドITZO薄膜を用いることもできる。すなわち、ITZO薄膜を、ALD工程及びサイクリックCVD工程を用いて少なくとも2層以上の多層に形成することができる。例えば、第1のITZO薄膜はALD工程により形成し、第2のITZO薄膜はCVD工程またはサイクリックCVD工程により形成することができる。また、第1のITZO薄膜はALD工程により形成し、第2のITZO薄膜は擬似ALD工程またはサイクリックCVD工程により形成し、第3のITZO薄膜はCVD工程により形成することができる。このようにしてITZO薄膜を形成するために、図12のクラスター装置及び図13の蒸着装置を用いることができ、図13の蒸着装置は、ガリウムソースを供給する第2のソース供給部340がガリウムソースの代わりにチンソースを供給する。また、本発明は、IGZO薄膜とITZO薄膜を積層して形成することもできるが、このときにも、ALD工程とサイクリックCVD工程を用いる。例えば、ALD工程によりIGZO薄膜を形成した後、CVD工程またはサイクリックCVD工程によりITZO薄膜を形成することができる。また、ALD工程により第1のIGZO薄膜を形成した後、擬似ALD工程またはサイクリックCVD工程により第2のIGZO薄膜を形成し、CVD工程によりITZO薄膜を形成することができる。それだけではなく、ALD工程によりITZO薄膜を形成した後、CVD工程またはサイクリックCVD工程によりIGZO薄膜を形成することができる。すなわち、IGZO薄膜及びITZO薄膜を、積層順番とは無関係に、ALD工程とCVD工程、擬似ALD工程またはサイクリックCVD工程により積層形成し、最下層はALD工程を用いて形成することができる。このようにIGZO薄膜及びITZO薄膜を同時に用いる場合に、図13の蒸着装置を用いることができるが、この場合、チンソースを供給する別途の第5のソース供給部がさらに必要になる。上述した本発明の実施形態による薄膜トランジスタは、液晶表示装置、有機エレクトロルミネセンス表示装置などの表示装置において画素を駆動する駆動回路として利用可能である。すなわち、複数のピクセルがマトリックス状に配置される表示パネルにおける各ピクセル内に薄膜トランジスタが形成され、薄膜トランジスタを介してピクセルが選択されて選択されたピクセルに画像表示のためのデータが送信される。一方、本発明の技術的思想について前記実施形態により具体的に記述されたが、前記実施形態はその説明のためのものであり、その制限のためのものではないということを理解すべきである。なお、本発明の技術分野における当業者であれば、本発明の技術思想の範囲内において種々の実施形態が採用可能であるということを理解すべきである。