"セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に接合された複数の金属回路板と、前記セラミック基板の下面に接合されており、前記複数の金属回路板に対応して設けられている複数の放熱金属板と、前記セラミック基板の下面に接合されており、前記複数の放熱金属板に対応する複数の開口部を有している拘束金属板とを備えていることを特徴とするセラミック回路基板。前記拘束金属板が、前記セラミック基板の前記下面の端まで設けられていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック回路基板。請求項1または請求項2に記載されたセラミック回路基板と、該セラミック回路基板の前記複数の金属回路板に実装された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。しかしながら、図6に示す例において、厚みの厚い第1の金属板15の下面に第2のセラミック基板19と第2の金属板20を形成することで、回路基板の厚みが厚くなると共に構造が複雑になり、コストも上昇するという問題があった。本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、大きな電流を流すために金属回路板を厚くしたり、動作温度が高くなったりしても、薄型でありながら、金属回路板の接合されているセラミック基板にクラックが生じる可能性の低減された、高い温度サイクル信頼性をもつセラミック回路基板および電子装置を提供することにある。本発明の一つの態様によるセラミック回路基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に接合された複数の金属回路板と、前記セラミック基板の下面に接合されており、前記複数の金属回路板に対応して設けられている複数の放熱金属板と、前記セラミック基板の下面に接合されており、前記複数の放熱金属板に対応する複数の開口部を有している拘束金属板とを備えていることを特徴とするものである。本発明の他の態様による電子装置は、上記構成のセラミック回路基板と、該セラミック回路基板の前記複数の金属回路板に実装された電子部品とを備えていることを特徴とするものである。本発明の一つの態様によるセラミック回路基板は、セラミック基板の上面に接合された複数の金属回路板と、セラミック基板の下面に接合されており複数の金属回路板に対応して設けられている複数の放熱金属板と、セラミック基板の下面に接合されており複数の放熱金属板に対応する複数の開口部を有している拘束金属板とを備えている。本発明の一つの態様によるセラミック回路基板がこのような構成を備えていることによって、金属回路板によってセラミック基板の上面に加えられる応力が複数の金属回路板に対応して設けられた複数の放熱金属板によって緩和されるとともに、さらに、複数の放熱金属板によってセラミック基板の下面に加えられる応力が複数の放熱金属板に対応する複数の開口部を有する拘束金属板によって緩和されて、本発明の一つの態様によるセラミック回路基板は、セラミック基板にクラックが生じる可能性に関して低減されており温度サイクル信頼性に関して向上されている。本発明の他の態様による電子装置は、上記構成のセラミック回路基板と、セラミック回路基板の複数の金属回路板に実装された電子部品とを備えていることによって、温度サイクル信頼性に関して向上されている。以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。第1の実施形態図1に示されているように、本発明の第1の実施形態におけるセラミック回路基板は、セラミック基板1と、セラミック基板1の上面に接合された複数の金属回路板2と、セラミック基板1の下面に接合されており複数の金属回路板2に対応して設けられている複数の放熱金属板5と、セラミック基板1の下面に接合されており複数の放熱金属板5に対応する複数の開口部を有している拘束金属板3とを備えている。このような構成としたことから、セラミック基板1の表面のうち金属回路板2の外周部に対応する部分には金属回路板2の中央部に対応する部分の方向へ引っ張り応力が働くのに対し、下面の放熱金属板5によってセラミック基板1の上面の応力が緩和されることで、セラミック基板1上面のクラックが発生し難くなる。そして、セラミック基板1表面のうち放熱金属板5の外周部に対応する部分には内側に引っ張り応力が働くのに対し、下面の拘束金属板3は開口部が縮まるようにセラミック基板1に内側への圧縮応力を加え応力を緩和することで、セラミック基板1にクラックが生じる可能性の低減された温度サイクル信頼性の高いセラミック回路基板となる。また、本実施形態のセラミック回路基板は、複数の放熱金属板5の周囲に設けられた拘束金属板3を有していることによって、放熱性に関して向上されている。なお、複数の放熱金属板5が複数の金属回路板2に対応して設けられているとは、平面透視において複数の放熱金属板5が複数の金属回路板2に重なるように設けられていることを意味している。複数の放熱金属板5は、平面透視において複数の金属回路板2よりも大きい寸法を有している。複数の金属回路板2は、平面透視において複数の放熱金属板5の配置領域内に設けられている。複数の放熱金属板5の縁アウトラインは、平面透視において複数の金属回路板2の縁アウトラインよりも外側に位置している。図1a、bおよびcに平面図、断面図および下面図で示す例では、セラミック回路基板は、セラミック基板1の上面には外部回路と接続するための6つの金属回路板2と電子部品6を搭載するための1つの金属回路板3がろう材4で接合されている。セラミック基板1の下面には、電子部品6で発生した熱を外部回路基板や冷却体へ伝導するための複数の放熱金属板5が複数の金属回路板2に対応してろう材4で接合され、それらの放熱金属板5よりも少し大きい寸法の開口部を有しており開口部内に放熱金属板5が配置される拘束金属板3がろう材4で接合されている。セラミック基板1は、絶縁性のセラミック材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス,ムライト質セラミックス,炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックスまたは窒化ケイ素質セラミックス等のセラミックスからなる。これらの中では熱伝導性放熱性の点からは炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点からは窒化ケイ素質セラミックスや炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。また、セラミック基板1が窒化ケイ素質セラミックスのように強度の高いセラミックスであると、より厚みの厚い金属回路板2および放熱金属板5を使用してもセラミック基板1にクラックが入り難くなるので、より大電流を流すことができるセラミック回路基板となるので好ましい。セラミック基板1の厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよいが、セラミック回路基板の大きさや用いる材料の熱伝導率や強度に応じて選択すればよく、01mm~1mm程度である。セラミック基板1は、例えば窒化ケイ素質セラミックスから成る場合であれば、窒化ケイ素,酸化アルミニウム,酸化マグネシウム,酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー,可塑剤,溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシートセラミック生シートを形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒化雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600~2000°Cの温度で焼成することによって製作される。金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5は、銅またはアルミニウム等の金属から成り、例えば銅のインゴット塊に圧延加工法や打ち抜き加工法等の機械的加工やエッチング等の化学的加工のような従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば厚さが005~1mmの平板状で、所定パターンに形成される。このとき、金属回路板2および拘束金属板3は、予め所定パターン形状に形成したものを用いてもよいし、後述するように、セラミック基板1と同程度の大きさおよび形状の金属板をセラミック基板1に接合した後にエッチングで所定パターン形状に加工してもよい。金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5が銅から成る場合は、無酸素銅で形成するのが好ましい。無酸素銅で形成すると、セラミック基板1と金属回路板2、拘束金属板3または放熱金属板5との接合を行なう際に、銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく、ろう材4との濡れ性が良好となるので、接合が強固となる。上記各部材をろう材4で接続するには、各部材の接合面の少なくとも一方にスクリーン印刷等でろう材ペーストを例えば30~50μmの厚さで所定パターンに印刷塗布するとともに、所定の構造となるように挟んで載置した後、金属板に5~10kPaの荷重をかけながら真空中または水素ガス雰囲気や水素窒素ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気中で780°C~900°C、10~120分間加熱し、ろう材ペーストの有機溶剤や溶媒分散剤を気体に変えて発散させるとともにろう材2を溶融させることによって行なわれる。金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5が銅から成る場合は、ろう材ペーストは、銀および銅粉末,銀-銅合金粉末,またはこれらの混合粉末から成る銀ろう材例えば、銀:72質量-銅:28質量粉末に対してチタン,ハフニウム,ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を銀ろう材に対して2~5質量添加混合し、適当なバインダーと有機溶剤溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5がアルミニウムから成る場合は、銀ろう材に換えてアルミニウムろう材例えば、アルミニウム:88質量-シリコン:12質量を用いればよい。この場合も同様にしてろう材ペーストを作製して、同様にして接合すればよい。アルミニウムろう材4を使用した場合には、銅より低温の約600°Cで接合することができる。活性金属を含まない、通常のろう材ペーストで金属回路板2または拘束金属板3、あるいは放熱金属板5をセラミック基板1に接合するには、セラミック基板1上にメタライズ層を形成しておき、メタライズ層と金属回路板2または拘束金属板3、あるいは放熱金属板5との間にろう材ペーストを配置すればよい。セラミック基板1上のメタライズ層は、セラミック基板1を作製する際に、セラミックグリーンシート上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布しておき、焼成することによって形成しておくか、セラミック基板1を作製した後に、セラミック基板1上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布して焼き付けることによって形成すればよい。メタライズペーストは、タングステンW,モリブデンMo,マンガンMnまたはこれらの混合粉末から成る金属粉末と、適当なバインダーと有機溶剤溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。また、金属回路板2は、セラミック基板1に接合した後に、その表面にニッケルから成る、良導電性で、かつ耐蝕性およびろう材との濡れ性が良好な金属をめっき法により被着させておくと、金属回路板2に半導体素子等の電子部品6を半田を介して強固に接着させることができるとともに、金属回路板2と外部電気回路との電気的接続を良好なものとすることができる。この場合は、内部に燐を8~15質量含有させてニッケル-燐のアモルファス合金としておくと、ニッケルから成るめっき層の表面酸化を良好に防止してろう材との濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。ニッケルに対する燐の含有量が8質量未満となると、あるいは15質量を超えると、ニッケル-燐のアモルファス合金を形成するのが困難となってめっき層に半田を強固に接着させることが困難となりやすい。このニッケルから成るめっき層は、その厚みが15μm未満の場合には、表層金属回路板3の表面を完全に被覆することができず、表層金属回路板3の酸化腐蝕を有効に防止することができなくなる傾向がある。また、10μmを超えると、特にセラミック基板の厚さが300μm未満の薄いものになった場合には、めっき層の内部に内在する内在応力が大きくなってセラミック基板に反りや割れ等が発生しやすくなってしまう。また、放熱金属板5にも同様のニッケル金属層を形成しておくと、外部回路基板や冷却体への接合が良好になるのでよい。セラミック基板1の上面および下面に金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5をあらかじめ所定パターンに形成して接合する場合は、以下のようにすればよい。まず、セラミック基板1を準備する。また、金属板をプレス加工や、エッチング加工等を用い、金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5を所定パターン形状に加工する。次にセラミック基板1と金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5が相対する接合部の少なくとも一方に、接合後にろう材4となる活性金属入りのろう材ペーストを所定形状にスクリーン印刷等で塗布する。各部材を所定の位置に配置し、位置がずれないように治具等を用いて荷重をかけながら真空中でろう材4が溶融する温度まで昇温し各部材を接合することで、セラミック回路基板となる。セラミック基板1の上面および下面に、セラミック基板1と同程度の大きさおよび形状の金属板をセラミック基板1に接合した後に、金属板をエッチングで金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5の所定パターン形状に加工する場合は、例えば以下のようにする。セラミック基板1の上に接合された金属板の表面にエッチングレジストインクをスクリーン印刷法等の技術を採用して所定パターン形状に印刷塗布してレジスト膜を形成した後、例えば金属板が銅板である場合であれば、塩化第2鉄,塩化第2銅溶液等のエッチング液に浸漬したり、エッチング液を吹き付けたりして金属回路板2、拘束金属板3および放熱金属板5の所定パターン以外の部分を除去し、レジスト膜を除去すればよい。放熱金属板5は、対応する金属回路板2の相似形状を有しており、金属回路板2よりも一回り大きい寸法を有している。放熱金属板5が金属回路板2よりも一回り大きい寸法を有していることによって、金属回路板2によるセラミック基板1における応力を低減させやすい。図2に要部拡大図で示すように、セラミック基板1の厚みをtとした場合に、上面の金属回路板2に対しての下面の放熱金属板5のはみ出し寸法pはt以上であることが好ましい。はみ出し寸法pがtmm以上あると、熱はほぼ45度の角度で伝わるため、放熱金属板5と拘束金属板3の間に隙間があったとしても、放熱性が低下しにくいからである。また、放熱金属板5と拘束金属板3の間の距離dは03~2mmであることが好ましい。距離dが03mm未満であると、絶縁性が低下しやすい傾向がある。また、距離dが2mmより大きいと放熱金属板5の外周部が接合されているセラミック基板1表面に加わる引っ張り応力を緩和する効果が小さくなると共に、無駄に基板が大きくなることになる。また、本実施例のセラミック回路基板は、図3に要部拡大図で示すように、拘束金属板3が、セラミック基板1の下面の端まで設けられていることから、拘束金属板3の外周端部でセラミック基板1に引っ張り応力が加わる部分がなないので、拘束金属板3の外周部においてもセラミック基板1にクラックが生じる可能性が低減されるために、より温度サイクル信頼性の高いセラミック回路基板となる。拘束金属板3が、セラミック基板1の下面の端まで設けられている場合には、拘束金属板3の外周部でセラミック基板1にクラックが生じる可能性が低減されるため、拘束金属板3は放熱金属板3よりヤング率の大きな材料を用いた場合には、放熱金属板5の外周端部付近のセラミック基板1へ加わる引っ張り応力より拘束金属板3の開口部付近のセラミック基板1へ加わる圧縮応力が大きくなることで、金属回路板2の外周部のセラミック基板1に加わる応力をより緩和できるようになりセラミック基板1にクラックが生じる可能性が低減されるので回路基板の温度サイクル信頼性が高くなり好ましい。この時に、放熱金属板5も拘束金属板3と同じくヤング率の大きな材料を用いた場合には、より効果的に金属回路板2の外周部のセラミック基板1に加わる応力を緩和することができセラミック基板1にクラックが生じる可能性が低減されるのでより回路基板の温度サイクル信頼性が高くなり好ましい。なお、本実施例のセラミック回路基板は、図4a、b、cに平面図、断面図および裏面図で示すように、例えば、金属回路板2間を電気的に接続するように抵抗やコンデンサーのような第2の電子部品8を配置する場合に拘束金属板3は2つ以上の金属回路板2を含む開口部を有した構造であってもかまわない。なお、金属回路板2同士を第2の電子部品8を介して電気的に接続する部分には金属回路板2間には部分的に拘束金属板3を形成しない構造とすると、拘束金属板3を形成しても、金属回路板2の設計の自由度が狭まらないので好ましい。上記のような本実施形態の回路基板に電子部品6を搭載し、電気的に接続することで本実施形態の電子装置となる。本実施形態の電子装置によれば、上記各構成の本実施形態のセラミック回路基板と、セラミック回路基板の複数の金属回路板1に実装された電子部品6とを備えていることから、より温度サイクル信頼性の高い電子装置となる。電子部品6としては、トランジスタ,CPUCentralProcessingUnit用のLSILargeScaleIntegratedcircuit,IGBTInsulatedGateBipolarTransistorやMOS-FETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor等の半導体素子が挙げられる。電子部品6は、半田やAu-Si合金等の金属接合材あるいは導電性樹脂で固定されて回路基板に搭載され、ボンディングワイヤ7により電気的に接続される。なお、拘束金属板3において開口部から縁にかけて溝が形成されていると、拘束金属板3をセラミック基板1に接合する際の接合部材における空気抜きに関して改善される。第2の実施形態図5a~cを参照して、本発明の第2の実施形態における電子装置について説明する。第2の実施形態の電子装置において第2の実施形態の電子装置と異なる構成は、セラミック回路基板がセラミック基板の上面に設けられた上面拘束金属板9をさらに備えていることである。その他の構成は、第1の実施形態における電子装置と同様である。上面拘束金属板9は、複数の金属回路板2に対応する複数の開口部を有しており、複数の開口部のそれぞれは、金属回路板2よりも少し大きい寸法を有している。本実施形態のセラミック回路基板は、複数の金属回路板2に対応する複数の開口部を有している上面拘束金属板9をさらに備えていることによって、金属回路板2によってセラミック基板に加わる応力を拘束金属板9によって緩和することができ、セラミック基板1にクラックが生じる可能性に関して低減されており温度サイクル信頼性に関して向上されている。また、本実施形態のセラミック回路基板は、上面拘束金属板9をさらに備えていることによって、セラミック基板の上面において金属部材が接合されている面積とセラミック基板の下面において金属部材が接合されている面積との差が低減されており、上下面方向における反りに関して低減されている。本実施形態における電子装置は、上記構成のセラミック回路基板を備えていることによって、温度サイクル信頼性に関して向上されているとともに、上下面方向における反りに関して低減されている。"