"第1の素子と第2の素子との電気的接続を提供する方法であって、aボンディングツールを用いて、長方形の断面を有するリボン材料における第1の部分を第1の素子に超音波ボンディングするステップと、bステップaの後、前記第1の部分と連続する前記リボン材料の長手部を第2の素子に延ばすステップと、c前記ボンディングツールを用いて、前記リボン材料の第2の部分を前記第2の素子にボンディングし、それにより、前記第1の素子と前記第2の素子との電気的接続を提供するステップと、を備える方法。前記長方形の断面を有するリボン材料は、厚さに対する幅の比が7~13の範囲内となるよう提供される、請求項1に記載の方法。ステップaは、基板により支持される半導体ダイに前記リボン材料の第1の部分を超音波ボンディングすることを含む、請求項1に記載の方法。前記基板は、リードフレームであり、ステップcは、前記リードフレームのリードに前記リボン材料の第2の部分をボンディングすることを含む、請求項3に記載の方法。前記第1及び第2の素子は、それぞれ半導体ダイを有する、請求項1に記載の方法。前記リボン材料の長手部を延ばすことは、ステップaの後に前記リボン材料の長手部を送り込むことを含む、請求項1に記載の方法。前記リボン材料の長手部を送り込むことは、リボンガイドにより前記リボン材料の長手部を案内することを含む、請求項6に記載の方法。dステップcの後、前記リボン材料を切るステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。ステップbは、前記リボン材料の長手部を円弧状に沿うように延ばすことを含む、請求項1に記載の方法。ステップaは、前記リボン材料の第1の部分が第1の接合部、第2の接合部、及び第3の接合部を有するよう、前記リボン材料の第1の部分を前記第1の素子に超音波ボンディングすることを含む、請求項1に記載の方法。ステップaは、前記第1の接合部と前記第2の接合部との間で前記リボン材料の第1のループを形成するとともに、前記第2の接合部と前記第3の接合部との間で前記リボン材料の第2のループを形成することを含む、請求項10に記載の方法。ステップaは、前記リボン材料の第1の部分が第1の接合部、第2の接合部、及び第3の接合部を有するよう、前記リボン材料の第1の部分を前記第1の素子に超音波ボンディングすることを含み、前記第1の接合部は、前記第2及び第3の接合部の位置と比較して、前記第2の素子に最も近く、前記第2の接合部は、前記第1の接合部と前記第3の接合部との間に位置しており、前記リボン材料が延びる方向に沿って測定すると、1前記第2の接合部の中心線から前記第1の接合部の中心線の間隔は、2前記第3の接合部の中心線から前記第2の接合部の中心線の間隔よりも小さい、請求項1に記載の方法。第1の素子と第2の素子との電気的接続であって、長方形の断面を有するリボン材料の第1の部分であって、第1の素子に超音波ボンディングされる前記第1の部分と、前記第1の部分に連続する前記リボン材料の長手部分であって、前記第1の素子から間隔をあけて配置された第2の素子に延びる前記リボン材料の長手部分と、前記第2の素子にボンディングされる、前記リボン材料の第2の部分と、を含む、電気的接続。前記第1の素子は、半導体ダイを有し、前記第2の素子は、前記半導体ダイを支持する基板を有する、請求項13に記載の電気的接続。前記第1及び第2の素子は、それぞれ半導体ダイを有する、請求項13に記載の電気的接続。前記長方形の断面を有するリボン材料は、厚さに対する幅の比が7~13の範囲内である、請求項13に記載の電気的接続。前記第2の素子に延びる前記リボン材料の長手部は、円弧状に沿っている、請求項13に記載の電気的接続。前記超音波ボンディングされる第1の部分は、複数のステッチ接合を含む、請求項13に記載の電気的接続。前記超音波ボンディングされる第1の部分は、約2~6のステッチ接合を含む、請求項13に記載の電気的接続。前記第1の素子に超音波ボンディングされる前記リボン材料の第1の部分は、第1の接合部、第2の接合部、及び第3の接合部を有する、請求項13に記載の電気的接続。前記第1の素子に超音波ボンディングされる前記リボン材料の第1の部分は、前記第1の接合部と前記第2の接合部との間において第1の高さを有する第1のループ、及び前記第2の接合部と前記第3の接合部との間において第2の高さを有する第2のループを含む、請求項20に記載の電気的接続。前記第1の素子に超音波ボンディングされる前記リボン材料の第1の部分は、第1の接合部、第2の接合部、及び第3の接合部を有し、前記第1の接合部は、前記第2及び第3の接合部の位置と比較して、前記第2の素子に最も近く、前記第2の接合部は、前記第1の接合部と前記第3の接合部との間に位置しており、前記リボン材料が延びる方向に沿って測定すると、1前記第2の接合部の中心線から前記第1の接合部の中心線の間隔は、2前記第3の接合部の中心線から前記第2の接合部の中心線の間隔よりも小さい、請求項13に記載の電気的接続。本発明の一態様によれば、可撓性のある導電性リボンが、パワーアプリケーションおよびMOSFET用などのパッケージ内においてダイと外部リードとを電気的に接続するために使用される。ダイへの接続は、一実施形態では超音波ボンディングにより行われる。リードのボンディングはまた、超音波ボンディングによって行うことができる。他の実施形態では、超音波併用熱圧着ボンディングを用いる場合がある。リボンは、長方形の断面であり、アルミニウムまたは銅などの単一の層であるか、あるいは比較的厚い銅の導電層の下に薄いアルミニウムボンディング層があるなどの多数の層にすることができる。他の実施形態では多数の平行なリボンがボンディングされるが、いくつかの実施形態では、単一のリボンが使用される。さらには、各リボンは、1つまたは複数のループを伴って導電性のあるダイ面上に1つまたは複数のステッチまたは接合部を備え得る。本発明によって、ワイヤの場合と同様のボンディングプロセス、すなわち超音波ボンディングプロセスを用い、接続が占める全体積を制限または減少さえさせながら電流経路用の断面積および接触面積を広げ、接続を作り出す加工ステップおよび時間を減少させることができる。本発明のリボンの使用によって、ワイヤ間のギャップを埋められるので、主ループの断面を最大限にすることができる。たとえリボンの断面が大きくても、厚さは、なお、ワイヤと比較して薄くすることができ、それによって、超音波プロセスによるボンディングは、それほど困難にはならない。したがって、ボンディングは、より容易になり、ループ高さを低くすることができ、その結果、配線の高さが低くなり、かつ比較的小さいパッケージのためにパッケージ高さを低くすることができ、ループを形成しやすくなって、その結果、ループが短くステッチが多くなる。ステッチを多数にすることによって、1ステッチあたりの接合領域を狭くすることができ、それによって、ボンディング中に高荷重および超音波所要電力を生じかける高重量のボンドヘッドの必要性が少なくなる。したがって、より高いスループットが得られる。ステッチを多数用いることによって、ステッチ間の間隔が狭くなり、広がり抵抗が低減し、それによって、電流を流す能力が高くなり得る。他の実施形態では、リボンは、ダイおよびリード端子の接点の方向付けによって、異なる角度でボンディングし切り離すことができる。これによって、リボンの接触領域を最適に使用することができ、リボン幅を最大限にし、最適なやり方で、円形のワイヤボンディング用に設計された既存のパッケージ例えばTO-220内に大きなリボンを配置することができる。本発明は、以下の図面とともに以下に行う詳細な説明に関してさらに十分に理解されるだろう。異なる図面において同じまたは類似の番号を使用していることは、同じまたは類似の素子を示している。本発明の一態様によれば、1本または複数の可撓性のある導電性リボンを用いて、リードフレームに半導体ダイを電気的に接続する。図3A及び図3Bは、本発明の一実施形態に係る、可撓性のある導電性リボン404によりリードフレーム402に連結された半導体ダイ400の側面図および平面図を示す。ダイ400は、アルミニウムのような金属で被覆された部分406を含み、ダイ400の下にある素子への接続を提供する。ダイ400は、一実施形態では、パワーMOSFETなどのパワー半導体デバイスの一部分である。リードフレーム402は、例えば半田またはエポキシによってダイ400が固定される支持部分407と、外部デバイスへの電気的接続を可能にする端子408とを含んでいる。エンクロージャ、カバーまたはパッケージが、ダイを外部素子から保護する。いくつかの実施形態では、半導体パッケージは、TO-220あるいはSO-8パッケージである。リボン404が、長方形の断面を持ち得、銅などの他の導電性金属も適切であるが、アルミニウムである。一実施形態では、リボン404の機械的性質は、ワイヤの機械的性質に似ている。例えば、60mil×8milのアルミニウムリボンが、約2000gの引張り強さを持ち得る。リボン404の幅は、20milから100milまたはそれ以上の厚さにすることができる。一実施形態では、幅は120milである。一般に、多数のワイヤの代わりに、幅がより広いリボンを使用可能である。例えば、5本の20milのワイヤの代わりに、単一の120milのリボンを使用可能である。リボン404の厚さは、2milから10milまたはそれ以上の厚さにすることができる。一実施形態では、厚さは、12milである。厚さを2milにするには、基板内へ切り込まずにリボンの切り離しをできるように正確な切り離し制御が必要である。改良した装置およびプロセスで厚さを薄くすることができることに留意する。リボン404のいくつかの典型的なサイズは、20mil×2mil、20mil×4mil、30mil×3mil、40mil×4mil、50mil×5mil、60mil×8mil、80mil×6mil、80mil×8mil、80mil×10milおよび100mil×10milである。アスペクト比幅/厚さは、一実施形態では、7と13との間であり、典型的な比は約10である。約10のアスペクト比が、ボンディング能力薄いほどよいと傾斜感度厚いほどよいとの間によい妥協点を提供することが分かった。システム要件およびプロセス技術などの要因によって異なる他のリボンサイズも適切な場合があることを、当業者は理解するだろう。当業者に知られているように、リボン404は、超音波ボンディングプロセスによって金属被覆部分406にボンディングされ、例えば、ワイヤボンディング装置内のデュアルモード超音波ジェネレータというタイトルでありスミスジュニア氏に同様に譲渡された米国特許第4,824,005号明細書と、大型ワイヤボンダーヘッドというタイトルでありリングラー氏へ譲渡された米国特許第6,439,448号明細書とに開示されており、それらの両方は、参照によって全体が組み込まれる。超音波ボンディングは、環境によりやさしく、より清浄であり、それほど高価ではなく、半田付けよりも制御が容易である。しかしながら、超音波ボンディングは、ワイヤまたはリボンの厚さが増すと困難になる。ワイヤの場合には、直径の小さいワイヤを使用可能であるが、同じ断面を得るためには多数のワイヤが必要であり、それによって、生産性が低くなりかつコストが高くなってしまう。リボン404を比較的薄く例えば2から10milにすることによって、超音波ボンディングが可能であり、それと同時に、幅を広く例えば20から100milにすることによって、ボンディング面積を広げることができる。リボン404を薄くすることはまた、可撓性を提供し、その結果、金属被覆部分406の所与の領域内において、接合部またはステッチの数を増加させることができるとともに、接合部同士の間のリボンの長さを短くすることができる。これは、以下により詳細に説明するように、有利となり得る。図3Bを参照すると、実際の接合部はより狭い場合があるが、リボン404は、一実施形態では、領域412に沿って金属被覆部分406に超音波ボンディングされる。超音波ボンディングは、通常のプロセスにより、例えば約60kHzの周波数で行われる。しかしながら、現在の超音波ボンディングプロセスの変形も適切である。例えば、超音波ボンディングは、60kHzより高い周波数、例えば約80kHzで行うことができ、これによって、結果として生じる接合の再現性が高くなり、ボンドツールによる振幅が小さくて済む。他の実施形態では、リボン404は、金属被覆部分406に超音波併用熱圧着ボンディングされる。基板を加熱し加熱した基板上にボンディングすることに関する複雑さおよびコストが増すことに対して、超音波所要電力が減ることおよびプロセスの許容範囲が広がることなど、超音波併用熱圧着ボンディングを用いる際にはトレードオフがある。図3Bを再度参照すると、領域412は、一実施形態では、幅が概ねリボン404と同じであり、厚さがリボン404の約2倍である。他の実施形態では、領域412の長さは、リボン404の厚さの2倍より短いが、リボン404の厚さより長い。いくつかの実施形態では、超音波ボンディングによる実際の接合部は、リボン404の断面領域の面積と少なくとも同じくらいの広さである。より広いより長い接合領域412用のボンドツールによって、超音波ボンディングの最適なパラメータを下回る場合であっても、十分な長さすなわち少なくともリボンの厚さと同じくらいの長さをボンディングすることができる。さらには、実際の接合面積は、ワイヤボンディング用の接合面積と同じ広さであり、したがって、ワイヤボンディングと同程度の荷重接合および電力超音波を超音波ボンディング用リボン404に用いることができる。典型的には、実際の接合面積が少なくともほぼリボンの断面積のサイズである場合、十分な電流の流れが得られる。一般に、性能および処理能力は、リボン404の幅が広くなると高くなる。しかしながら、幅は、超音波ボンディングプロセス、接合の信頼性、およびパッケージのタイプなどの種々の要因により制限される。例えば、リボンの幅とアスペクト比とは、ボンドツールに対する接合面の傾斜により異なり制限される。リボンと基板との間に熱膨張の不一致によって生じる応力およびひずみは、接合面積が大きくなることに伴って増加し、最大の長さ寸法が増すことに伴って接合部の疲労破壊寿命を徐々に制限する。重要な長さ寸法は、長方形の接合領域の対角線の長さである。この制限の厳格さは、パッケージのタイプおよび応用例のタイプにより異なる。それは、プラスチック成形された個別パッケージにおいてはそれほど厳格ではないが、電子モジュールにおいてはより顕著であるこの電子モジュールは、一般に、酸化および腐食から保護するためだけにシリコンゲルで満たされている。しかしながら、最大寸法が、大きなワイヤの接合面積の最大寸法と、例えば±50以内で、同程度である限り、最大寸法がなお同様のサイズであることから、この制限は、円形のワイヤボンディング用のものと同程度であると思われる。図4Aは、多数の接合部またはステッチ500を用いて、リボン404を金属被覆部分406へ接続した本発明の別の実施形態を示す側面図である。ステッチ500は、一実施形態では、超音波ボンディングを用いて形成される。多数のステッチが、金属被覆部分406に沿って広がり抵抗を減少させる。図4から分かるように、ステッチ500同士の間の間隔が狭い程、電気抵抗の高いメタライゼーション内において電流が流れるべき距離が短くなって、その結果、リードフレーム402の端子408への広がり抵抗が減少しかつ電流の流れが増加することになる。単一のステッチを用いてもよいが、一実施形態では、ステッチの数は2と6との間である。ステッチ500同士の間隔は、リボン404のサイズ、リボンボンディングプロセス、およびその結果作り出されるデバイスの要件などの種々の要因により異なる。例えば、リボンを薄くすることによって、ある程度可撓性が増すことから、それらの間隔を狭くすることができる。一実施形態では、80mil×8milのリボン用のステッチのステッチの中心と中心との間の間隔が、およそ125mmと2mmとの間であり、40mil×4milのリボンについては、その間隔は、06mmまで狭くすることができる。図4Bは、多数のステッチの、ダイ上における配置を例示する、実施形態の側面図である。リボン404は、幅が広い概ね金属被覆部分406の幅である単一のリボン、または多数の平行なリボンの1本である。間隔x0、x1、x2、x3およびx4は、ここに示した通りであり、ここで、x0x1x2x3x4=d金属被覆部分406の長さである。他の数にすることもできるが、4つのステッチ500-1から500-4のみを示していることに留意する。さらに、間隔x0からx4は、実施形態が異なれば間隔も異なるので、一定の割合で拡大して示してはいない。一実施形態では、ダイの両端部の、ステッチの中心からダイの縁までの間隔x0およびx4は、内側のステッチの中心から中心までの間隔のおよそ半分の間隔である。すなわち、x1=x2=x3=2x0=2x4である。最初の概算により、このように配置することによって、金属被覆部分406上における任意のポイントと、最も近い接合部またはステッチ500との間の最大の間隔が最小になる。この近似はまた、ステッチ500同士の間における各小さなループの抵抗が、ステッチ500-1と端子408との間の主ループの抵抗よりもずっと少ないと仮定している。ステッチの数が増加すると、すなわちステッチの配置密度が高くなると、近似精度が高くなる。ステッチの中では、ステッチ500-1における抵抗が、最も低く、その結果、ステッチ500-1において、電流の流れおよび電流密度が最も高くなる。したがって、ピーク電流によって制限される応用例においては、接合部またはステッチにおける電流密度が高くなり過ぎることによって、例えばダイのメタライゼーションが溶解しダイが損傷するという形で、第1のステッチに、損傷が発生する場合がある。したがって、各ステッチが同じ抵抗または電流の流れに遭遇するように、ステッチ500を配置することが望ましい。したがって、別の実施形態によれば、ステッチ500は、ステッチが端子408から遠くなるにつれて、ステッチ同士の間隔が広がるように配置される。一実施形態では、x0<x1/2<x2/2<x3/2<x4である。その間隔はまた、リボン404が金属被覆部分406にボンディングされるプロセスによって制限される場合がある。例えば、ボンディングプロセス中に、以下にさらに詳細に述べるように、リボン404が、ボンドツールにより接合領域へ送り込まれ、そこで、超音波ボンディングによって、リボン404が、金属被覆部分406へ固定される。その後、追加のリボン404が、ボンドツールによって送り込まれてループを形成し、次の接合領域へ送り込まれる。第1のボンディングの後に、リボンが、送り込まれる方向から後戻りしてループを形成する場合、次の接合部またはステッチまでの間隔を短くすることができる。しかしながら、リボンを後戻りさせてループにすることによって、応力が、新しい接合部にかかり、接合部を損傷または破壊する恐れがある。送り込む時と同じ方向に前方にリボンをループにすることは、応力を大いに低減させるが、短いループの形成をより不安定にする。一実施形態では、リボンは、金属被覆部分406から約90度の角度に向けられ、これによって、接合部における過度の応力の程度が制限され、それと同時に、接合部同士の間の間隔を短くすることもできる。しかしながら、当業者によって理解されるように、ボンディング装置、リボン、およびデバイス要件などの種々の要因によって異なる種々の角度でリボンを前または後に送り出すことが、最も望ましい。リボンループの高さHを最小限にすることに利点がさらにある。高さを低くすることによって、パッケージの外形が小さくなり、また抵抗が低くなり電流の流れが多くなる。しかしながら、間隔が制限される場合と同様、高さは、リボンの厚さとボンディングプロセスとによって制限される。半導体パッケージまたはモジュールの典型的寸法の範囲内においてループの高さに上限はないが、目的のループの高さが低いほど、その制御、すなわち再現性を高くすることは難しくなり、最小のループ高さは、リボンの厚さにより異なってくるリボンを曲げることに関して剛性に影響があるため。一実施形態では、ループの高さは、8milの厚さのリボン用にはダイの表面からリボンの上面まで100mmである。しかしながら、デバイスの要件によっては、ループの高さは、他の高さにすることができる。すなわち、ループの高さを再現しまたは十分に制御するためには060mmの高さにし、あるいは充填材料例えば、パワーモジュール中のシリコンゲル、または個別パワーデバイス内のプラスチックモールドに、リボンの下にボイドまたは泡が形成されないように適切に充填されるのに十分な空間をなお与えるためには、8mil厚さのリボン用に040mmの高さにするなど、他の高さにすることができる。デバイスおよび/またはプロセスの制限以外の要因がまた、金属被覆部分406上のステッチの数および間隔を決定し得る。たとえ、ステッチ同士の間隔が短い程、抵抗が減少し電流が増加したとしても、ステッチまたはループの数が多いほど、スループットが減少する。高電流であることが重要でない応用例については、電流の流れが減少することを犠牲にして、スループットを高めることの方がより望ましい場合がある。そのような状況においては、ステッチまたは接合部の数を減らして形成する。したがって、ステッチの数およびステッチ同士の間隔は、デバイス要件によって変わり得る。図5A、図5Bおよび図5Cは、本発明の別の実施形態の平面図を示し、これらの図では、端子408に金属被覆部分406を接続するために、多数のリボン404を使用している。図5Aは、60mil×8milであり3つのステッチまたは接合部を有する4本のリボン404を示し、図5Bは、80mil×8milであり4つのステッチを有する4本のリボンを示し、図5Cは、80mil×8milであり5つのステッチを有する4本のリボンを示す。接合部への電流が集められる領域が縮小されるので、多数のリボンで、より多くの電流を流すことができまたは抵抗を低くすることができる。一般に、リボンの数が増加すると、抵抗が減少し、電流の流れは増加する。しかしながら、数が増加すると、個々のリボンに要する幅は、少なくなり得る。デバイスが大きな温度変化を受ける場合は、幅の狭いリボンが望ましい。これは、接合部が小さいほど、熱膨張率CTEの影響により受ける応力が低減して、その結果、接合の信頼性が高くなるからである。したがって、比較的幅の広いリボンを少数有することと、比較的幅の狭いリボンを多数有することとの間に、トレードオフが存在する。上述のように、典型的なアスペクト比は、約10である。アスペクト比が低くなることによって、さらにワイヤ以上の利点を得られる。しかしながら、アスペクト比が低く例えば3以下になると、リボンは、ワイヤのような外観になり性質を持つようになって、それにより、リボンにより提供される利点がうち消される。一般に、円形のワイヤと同様に、リボンとその下にあるシリコンのCTEは、不一致である。例えば、銅のリボンが、アルミニウムより抵抗が低く融点が高いので、望ましい場合がある。しかしながら、メタライゼーションが、銅より軟質なアルミニウムである場合、アルミニウム層への銅リボンのボンディングによって、接合部がアルミニウム層を貫通し、その下にあるシリコンに損傷を与えることになりかねないこれは、円形のワイヤでは、圧力が高くなるために、さらにひどくなる。したがって、一実施形態では、銅めっきまたは金属プレートが、メタライゼーション層上に配置される。金属プレートは、応力/ひずみバッファとして機能するように、シリコンのCTEと、リボン材料、例えば銅のCTEとの間のCTEを有する材料にすべきである。一実施形態では、材料は、ニッケルをめっきしたモリブデンである。これによって、広がり抵抗を低減させる必要がなくなり、その結果、抵抗が主にリボン内に存在することになる。1つのステッチを有する幅の広い銅リボンによって、信頼性のあるボンディングのための広いボンディング接触面積が得られ、それと同時に電流の流れに低い抵抗が得られる。さらに、接合面銅により近いCTEを有する材料を使用することによって、接合強度への温度の影響が少なくなる。図6は、薄い第1の導電層602とその上に重なる第2の導電層606とから形成された、金属被覆リボン600の一実施形態の断面図を示す。第1の層602は、それがボンディングされることになる、下のメタライゼーション層604と同じ材料からなる。第1の層602あるいは接合層の特性には、接合性が高いこと下にある構造体が損傷を受けずかつ超音波プロセスで容易にボンディング可能となるような軟質さを有することと、耐食性があることと、導電率が、電流が容易にこの層を通って第2の層606へ到達可能な高さであること、および熱膨張率が比較的低いまたはシリコンに近いこととがある。一般に、後の2つの特性は、最初の2つに比べてあまり重要ではない。一実施形態では、およそ2milの厚さを有する第1の層602にアルミニウムを使用する。したがって、メタライゼーションがアルミニウムである場合2つの同様の材料がともにボンディングされて、その結果、強度および信頼性のより高い接合となる。さらに、能動回路の上にあるアルミニウムメタライゼーション層へ銅を直接ボンディングすることは現在不可能であるので、アルミニウムボンドパッドが、一般に、能動回路が下にない領域に移動される。これによって、アルミニウムの下の能動素子に損傷を与える危険なしに、アルミニウムメタライゼーションへの薄い例えば2milの銅線のボンディングを行うことが可能になる。しかしながら、ボンドパッドを移動するには、通常、シリコンダイを大きくする必要がある。シリコンダイのサイズは、なお半導体デバイスの主なコスト要因である。したがって、高い歩留まりで能動回路上において銅をボンディングし得ることは、非常に望ましく、それは、メタライゼーション層と銅リボンとの間にアルミニウム層を有する金属被覆リボンを用いて達成可能である。熱伝導率および導電率が高く抵抗が低く、より厚い第2の層606が、第1の層602の上にある。第2の層606はまた、高い伝導率の他にも、耐食性および低熱膨張率を有するべきである。時に上述のものほど重要ではない、追加の特性が、硬度を制限することであって、それは、ループ形成能力を高くし過ぎないためと、層とボンドツールとをうまく接合できるようにするためとである。一実施形態では、第2の層606は、およそ6から8milの厚さを有する銅である。第2の層606は、異なる厚さにしてもよく、その厚さは、いくつかの実施形態では、第1の層602の厚さにより異なり、アスペクト比が7と13との間一般には10になるような厚さである。断面を大きくすれば厚くすれば、ボンディング用の超音波所要電力を高くする必要があり、したがって、ボンディングツールと銅部分との間に必要な連結を行うための荷重を大きくする必要がある。銅は、低電気抵抗であり、かつ/または強くまたは剛性があるとともに耐食性のあるループを提供する。第2の層606に適切となり得る他の材料には、はるかにコストが高い金、および銀-ニッケル合金がある。2milのアルミニウムボンディング層が、現在のプロセスに適切であることが分かった。アルミニウムが、超音波ボンディングに望ましく、その理由は、室温で多くの材料と結合可能であること、容易にボンディング可能であること、および超音波ボンディングにより生じ得る損傷から、下にある能動素子を保護することである。その軟質さによって、高い歩留まりで敏感な構造体へのボンディングが可能となる。その導電率および熱伝導率は高いが、それらは、銅のような他のいくつかの材料と比べてなお低い。しかしながら、銅は、比較的導電率および熱伝導率が高いが、比較的硬くボンディングは困難である。したがって、銅とアルミニウムメタライゼーションとの間に薄いアルミニウム層を有するリボン600を形成することによって、銅とアルミニウムの両方の利点を得られる。他の実施形態では、第1の層602を、下にあるメタライゼーションと同様だが厳密には同一ではない金属または接合材料にすることができ、これは、同一の金属を用いる程度までではないが、なお利点をもたらす。別の実施形態では、銅を使用する。他の実施形態では、能動素子の下にあるメタライゼーションが、銅のようなより硬質の材料からなる場合などに、アルミニウムより硬質のボンディング層を用いることができる。電力接続の別の設計の態様は、それらの信頼性である。特にパワーモジュールでは、主にシリコンとアルミニウムとの間のCTEの差が大きいことにより生じる接合界面における熱の不一致が、制限要因である。理論上は、これは、主なリボン材料またはより厚い第2の層606のCTEがシリコンのCTEに近い場合、上述の金属被覆リボン600で急激に変化させることができる。例えば、銅のCTEすなわち、~17×106K1が、アルミニウムのCTEすなわち、~24×106K1よりもシリコンのCTEすなわち、~3×106K1に近く、その結果、その差が、~21×106K1と比較して~14×106K1になるようにすれば、信頼性が向上する。計算は、約2倍の改善がされることを示している。一例として、これによって、工業用のパワーモジュールにおいて信頼性が約2倍改善される可能性を得られ、長く待ち望まれていた末の改善が行われる可能性を得られる。図7は、金属被覆リボン700の別の実施形態を示し、この実施形態では、第3の材料層702が、第2の層606の上にある。図6の実施形態の場合と同様に、第1の層602は、例えば超音波ボンディングに伝導性のある接合材料であり、第2の層606は、伝導性及び可撓性のような種々の観点で選択された、伝導性材料である。ボンドツールとリボン700との間の連結が、必要な荷重をかなりの程度決定する別の重要な要件であるので、第3の層またはボンディング層702を含むことが好ましい場合があり、この第3の層は、底部の第1の層602と必ずしも同一ではない。第3の層702が、リボンとボンドツールとの間の最適化された連結を支持する。第3の層702または連結層の特性は、中間の硬度を有し、耐食性があり、高導電率および低熱膨張率を有するように選択され、一般に、初めの2つの特性は、後の2つの特性よりもずっと重要である。しかしながら、これは、異なる応用例では変化し得る。一実施形態では、アルミニウムが、第3の層702に使用される。他の材料には、それぞれ欠点はあるが、銅、金および銀がある。例えば、銅は硬質であり、金および銀はより高価である。第3の層702の厚さは、一実施形態では、約05milと2milとの間であり、一般には1milの厚さである。第1の層602および第2の層606は、図6の実施形態に関して上述したものと類似している。金属被覆構成で、円形ワイヤの代わりにリボンを使用する1つの利点が、アルミニウムがより効果的に利用されるということである。例えば、銅芯および、銅を囲むアルミニウムシリンダを有する円形のワイヤを使用すると、メタライゼーションに対してワイヤをボンディングし平坦化する時に、アルミニウムの底部分だけがボンディングに使用される。したがって、アルミニウムの上部および側部は、接合部を作り出すためには使用されない。しかしながら、リボンを使用すると、アルミニウムは、超音波ボンディングプロセス中に十分に用いられる。したがって、ワイヤの全断面の割合としてより多くの銅を使用可能であり、その結果、電流を流す能力が高くなる。リボンの金属被覆層の厚さは、例えば2層または片面が金属被覆されたリボン用にワイヤ用の厚さよりも薄い厚さを選択可能であり、その理由は、変形をはるかに少なく観察または調査によれば、1mil未満、一般には約05milにする必要があるからである。図8は、本発明において使用するボンドツールの一部分脚部の一実施形態を示す。ここに示すように、ボンドツールの脚部は、十字形の溝の構造体を用い、ダイヤモンドパターンを形成している。溝の深さは、リボンの厚さにより異なる。一実施形態では、深さは、8milの厚さのリボン用には、およそ10milと15milとの間である。このパターンタイプは、ボンドプロセス中におけるツールとリボンとの間の接合面を増加させる。溝の縁はまた、ボンドプロセスの開始時におけるツールとリボンとの間の即時ロックを改善し、ツールとリボンとの間のずれを低減し、ツールの動作を、リボンからリボンと基板との間の界面へ伝える。このダイヤモンドパターンが、リボンボンディングの傾斜感度を若干低減させることも予想される。接合面は、ボンドツールに十分垂直になるようにすべきである。そうしなければ、リボン上へのツールの負荷が、不均一となり、ボンディングが、よって実際に過剰なボンディングが、リボンの一方の側にのみ起こる。ダイヤモンドパターンは、十分垂直でないことによってツールが基板により近い側において生じる変形を制限する。しかしながら、ツールがなおリボンのその側において材料内へさらに容易に沈み込むので、ツールは、他方の側においてもある程度沈み込みやすくなり、少なくともいくらかのエネルギーを移動させる。したがって、この種のパターンは、ツールとリボンとの間の接触面積を増加させるかまたは最大限にし、リボンの末端への損傷を最小限にする。10のアスペクト比を有するリボンを使用することにより、1°までの傾斜角度に対して許容可能な接合の質を得られることもまた分かった。多くのパッケージでは、線900に沿って、図9Aに示すように、端子408と金属被覆部分406とが、整列させられる。本明細書において使用する、整列させることとは、端子408の接合領域の大部分が、金属被覆部分406の接合領域の側部の1つに垂直に突出した領域内にあることを意味する。これらのタイプのパッケージ例えばSO-8パッケージでは、リボン404が、線900に沿って送り込まれボンディングされ、線900に垂直に切り離される。ここで、リボン404の最大幅は、金属被覆部分406および端子408の2つの幅より狭く制限される。しかしながら、他のタイプのパッケージは、図9Bに示すように、相互にオフセットされた端子408および金属被覆部分406を具え得る。通常の超音波ボンディング装置およびプロセスを使用した場合、図9Bに示すように、リボン404が、ボンディングされ、リボンの長さに垂直に切り離される。これによって、端子408および金属被覆部分406上の領域が最適に利用されないので、リボンの接合面積および幅、ならびにステッチまたは接合部の数が減少する可能性がある。図9Cは、本発明の一実施形態を示し、この実施形態では、リボン404が、端子408および金属被覆部分406の所期の接合領域に平行に切り離されボンディングされている。この構成を用いると、接合領域はさらに十分に使用されて、より多くの接合部とともにより幅の広いリボンを使用することができる。通常の超音波ボンディング装置は、ボンドツールが回転するように変更可能である。これによって、異なる角度でリボンをボンディングし切り離すことができる。ダイおよび端子の接合領域と平行に切り離しボンディングすることによって、リボン幅、接合領域、および/またはステッチの数を増加させ得ることが好ましい。平行以外の向きもまた、固定ツールによるボンディング以上の利点をさらに提供可能であることに留意する。角度ボンディングは、既存の超音波ボンディング装置を変更をすることにより行うことができる。例えば、それは、タイトルが超音波ワイヤボンダワイヤ形成およびカッターシステムであり、一般に譲渡されている米国特許第4,976,392号明細書に記載されており、それは、参照によって全体が組み込まれる。角度ボンディングは、ボンドツールに対してリボンガイドおよびカッターを回転させることにより、またはボンドツールのみを回転させることにより行うことができるしかしながら、次の切り離しは、ボンドツールと平行ではない。角度ボンディングを行う1つの方法は、トランスデューサーとワイヤガイドに対してツールのボンド脚部を回転させることによる。このように、ツールの方向付け、したがってセットアップが行われ、それは、アプリケーション特有のものであるが、さらに手間を要することを意味しない。当然ながら、振動特性は異なり、それにより角度が変化するが、これは調節可能である。さらに、接合部に平行な切り離しが必要な場合は、カッターを回転させる。一般に、唯一の角度だけが必要な場合図9Cを参照、殆どの個別パワーアプリケーションではこのようなセットアップで十分である。パワーモジュールアプリケーションでは、異なる角度でさらに多くの接続が存在する場合があり、柔軟に解決する必要がある。これによって、ボンド脚部と、リボンガイドおよびカッターとの間の相対的な角度を調節可能となり、それによって柔軟性が支持され、それは、このような応用における他の接続技術と比較して、超音波ボンディングの主な長所である。図10は、本発明の別の実施形態を示し、この実施形態では、図5の多数のステッチ500を有するリボン404が、ゲートフィンガー1000を有する、MOSFETダイなどのデバイスとともに使用されている。ステッチ500は、ゲートフィンガー1000同士の間にボンディングされている。これによって、フィンガー1000の上に追加の絶縁層を形成する必要がなくなる。パワーエレクトロニクス主に、DC-DCコンバータ適用のための個別パワーMOSFETにおいても、より高いスイッチング周波数に向かう1つの傾向がある。より高い例えば>1MHzの周波数動作によって、DC-DCコンバータ適用における効率が改善され、受動素子例えば、インダクタおよびコンデンサをより小さくしておくことができる。MOSFETのスイッチング動作を改良するために、ゲートフィンガーをソースメタライゼーションの領域内へ設計するゲートと、ソース内の種々のポイントとの間の間隔を狭くして、スイッチング遅延を減少させるため。これらのゲートフィンガーは、ソースメタライゼーションを遮る。例えば、米国特許第6,040,626号明細書は、いかに、ある電気絶縁材料でこれらのフィンガーを覆う必要があるか、そして、その結果、ソースメタライゼーションに取り付けられたクリップによって、ゲートフィンガーとソースメタライゼーションとの間に短絡が生じなくなることを説明している。ゲートフィンガーの構成が、リボンのステッチが間に配置可能な構成である場合、リボンによって、上述の電気的絶縁をこうして行う必要がなくなる。より高い周波数適用においてリボンを使用することによって、円形ワイヤと比較して、リボンの表皮効果が制限されるという利点を得られる。例えば、1MHzの表皮厚さは、アルミニウムで31mil、銅では25milである。電流の殆どが、表皮厚さと等しい厚さの導体の表面の下の層を流れるので、断面が小さくなると、電圧損失が多くなり、ジュール熱が高くなる。数字で表した例については、20milのワイヤでは、31milの厚さの外側リングのみが、かなりの量の電流を流す。その断面は、ワイヤの全断面のまたはおよそ90314~29である。それに対して、80mil×8milのリボンについては、31milの厚さの外側リングの断面短い側は無視するは、リボンの全断面の2×80mil×31mil496mil2または496640~775である。リボンは、他の応用例では使用されてきたが、多数の理由のために、高パワーアプリケーションおよびMOSFETなどの半導体ダイおよびパッケージについて使用されることはなかった。例えば、マイクロ波およびオプトエレクトロニクスなどの高周波適用では、高周波能力を向上させるためにリボンを使用する。断面を長方形にすることによって、表皮効果が減り、ループを適切な低い形状にすることによって、配線のインダクタンスが低くなり、形状は、ストリップラインの形状にさらによく似ており、その結果、配線の端部において反射損が少なくなる。高周波適用には、表面積を大きく表皮効果が減少する、一定の形状のループにしたインダクタンスの変動が少ないリボンが望ましい。これによって、広がり抵抗が問題にならないので、単一の接合部を有する単一のリボンに行き着く。さらに、これらの高周波適用において使用されるリボンでは、一般に、リボン材料として金が使用され、基板を加熱して接合部が処理され、すなわち、それは、超音波併用熱圧着プロセスであり、純粋なすなわち加熱をしない超音波プロセスではない。本発明のリボンボンディングの利用は、多数の利点をもたらす。生産性またはスループットの改善範囲は、その応用により異なる。例えば、中間消費電力パッケージ例えばTO-220パッケージでは、ダイ上に2つのステッチを有する3本の平行な20milアルミニウム線が、各々、等しい電気的性能のために、ダイ上に3つのステッチを有する1本の80mil×10milのアルミニウムリボンと交換される。ここに述べた接合領域のサイズについての設計基準で、このようなリボンの処理時間が単一の20milワイヤの処理時間に匹敵するので、生産性は、約2.5倍向上した。低消費電力パッケージ例えばSO-12パッケージでは、ダイ上に単一のステッチを有する4本の5milのアルミニウム線が、ダイ上に単一のステッチを有する1本の30mil×3milのアルミニウムリボンと交換される。そのようなリボンの処理時間が単一の5milのワイヤの処理時間に匹敵するので、生産性は、約4倍向上した。本発明は、有利になり得る他の特徴を提供する。例えば、リボンボンディングは、基板平面における剛性を高め、それによって、その方向への振動が生じにくくなる。これは、自動アプリケーションにおいては利点となり得、ここで、パワーモジュールを充填するために使用されるシリコンゲルは、振動の下でワイヤにかなりの力をかける。他の利点は、多数のワイヤを、単一のリボンまたはより少ない数のリボンと交換することに起因し得る。例えば、接合の質を測定するために、ボンディング後にワイヤをプルテストすることが、一般的である。ダイ上のワイヤの数が増加すると、ダイ上の全てのワイヤをプルテストする時間が長くなり、かつ/または必要なプルテスト装置の数が多くなる。したがって、ワイヤの代わりに単一のリボンまたはより少ない数のリボンを使用する場合、時間および/またはコストを低減させることができる。さらに、ダイ上の全接合部またはステッチの数を減少させることによって、ダイ上において接合部に欠陥または損傷が生じる可能性が低くなるので、歩留まりの損失を減少させることができる。圧力が低いことによって、アルミニウムリボンがダイの金属被覆領域にそれほど深くは入り込まず、その深さは、直径および硬度により異なるが1ミクロンを超える同等の硬度の円形ワイヤと比較して、概ね1ミクロン未満であることもまた分かった。これによってもまた、下にある回路への損傷の危険が低減し、歩留まりの損失を減少させることができ、したがって、製造コストが低くなる。円形ワイヤの形状と比べて、長方形のリボンの形状が提供する別の改良の可能性としては、図11に示すように、接合部またはステッチ上にいくつかのリボンを相互に積み重ね可能である。3本のリボン404をステッチ500上に積み重ねて示している。続けて積み重ねられた各リボンを、その下にあり対応する接合部またはステッチ500に、例えば超音波でボンディングする。これによって、ワイヤと同等の高さをなお維持しながら、配線の断面をさらに広げることができる。例えば、パワーモジュールアプリケーションにおいて3本までの80mil×8milのリボンをこのように積み重ねることができる。効率がより高いパワー半導体へ向かうに従って、電流特性は一定のままかまたは高くなってさえいるが、ダイサイズは小さくなっている。これには、より大きな断面の配線が必要である。幅を広げることができない場合、および/またはアスペクト比を特定の値に維持しなければならない場合、積み重ねることによってなお、配線の断面が増加し得る。本切り離しシステムの場合、最後のステッチ500-3は、積み重ね不可能であり、その理由は、本システムでは、刃が動いている間にツールの下に支持物が必要であり、したがって本方法のための個別パワーパッケージ内に十分な空間がなくなるからである。しかしながら、切り離し機構を適切に設計することでこの制限を克服することができる。本発明のこの態様では、リボンに多数のステッチを重ねる必要がないこと、ならびに上述のように、単一のステッチをボンディングしてリボンを積み重ねることがまた利点を提供することに留意する。本発明の上述の実施形態は、単に例示が目的であり限定することを意味していない。したがって、より広い態様において本発明を逸脱せずに、種々の変更および変形が可能であることが、当業者には明らかだろう。例えば、パッケージへの半導体ダイのボンディングは、上に説明している。しかしながら、電子モジュール内の2つの素子同士の間をリボンボンディングすることができ、それらの一方、または両方が半導体ダイであるか、あるいはそのどちらもが半導体ダイではない。さらに、ボンディングは、主に超音波ボンディングについて説明し、超音波併用熱圧着ボンディングはあまり説明していない。しかしながら、熱圧着など、ここに述べた可撓性のあるリボンを伴う利用に適した他のボンディングプロセスもまた用いることができる。ダイ-リボンとリード-リボンとに同じタイプのボンディングを行い、あるいはダイ-リボンとリード-リボンとに異なるタイプのボンディングを行うことができる。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲内であるこのようなあらゆる変更および変形を含む。"