加工面及び該加工面から延びる深さを有する基板上に製造される発光電子デバイスのレーザ利用シンギュレーションのための方法であって、選択可能なパラメータを有するピコ秒レーザを備えたレーザ加工システムを用意し、前記深さの約50を超える深さを有する改質領域であって、前記基板の前記加工面を実質的に含み、該領域の深さの約5未満の幅を有する改質領域を形成するように、前記ピコ秒レーザから光パルスを形成するように前記レーザパラメータを選択し、機械的応力を前記基板にかけて前記基板をクレービングすることにより前記基板を個片化して、前記基板を前記直線状の改質領域と少なくとも部分的に連携して形成される側壁を有する前記発光電子デバイスにする方法。前記レーザパラメータは、波長、パルス持続時間、パルスエネルギー、パルス繰り返し率、焦点スポットサイズ、焦点スポットオフセット、及び焦点スポット速度のうちの少なくとも1つを含む、請求項1の方法。前記波長は、約600nm以下である、請求項2の方法。前記パルス持続時間は、約100ps以下である、請求項2の方法。前記パルスエネルギーは、約1.0マイクロジュール以上である、請求項2の方法。前記パルス繰り返し率は、約75Hzから約600kHzの範囲である、請求項2の方法。前記焦点スポットサイズは、約1ミクロン未満から約5ミクロンの範囲である、請求項2の方法。前記焦点スポットオフセットは、前記基板の表面に対して-50ミクロンから50ミクロンの範囲にある、請求項2の方法。前記焦点スポット速度は、前記基板の表面に対して約25から約450mm/sの範囲にある、請求項2の方法。加工面及び該加工面から延びる深さを有する基板上に製造される発光電子デバイスのレーザ利用シンギュレーションのためのレーザスクライビングシステムであって、少なくとも1つの選択可能なパラメータを有する光パルスを生成するように構成されたピコ秒レーザと、前記光パルスを制御可能に前記基板に伝搬するレーザ光学系と、前記パルスに対して前記基板を制御可能に移動させる運動制御ステージと、前記深さの50の深さを有する改質領域であって、前記基板の前記加工面を実質的に含み、該領域の深さの約5未満の幅を有する改質領域を形成することが可能な前記パラメータを用いて、前記パルスを出射するように前記ピコ秒レーザを方向付け、前記パルスを前記基板に伝搬するように前記レーザ光学系を方向付け、前記パルスに対して前記基板を移動させるように前記運動ステージを方向付けるコントローラと、を備えたレーザスクライビングシステム。前記レーザパラメータは、波長、パルス持続時間、パルスエネルギー、パルス繰り返し率、焦点スポットサイズ、焦点スポットオフセット、及び焦点スポット速度のうちの少なくとも1つを含む、請求項10のシステム。前記波長は、約600nm以下である、請求項11のシステム。前記パルス持続時間は、約100ps以下である、請求項11のシステム。前記パルスエネルギーは、約1.0マイクロジュール以上である、請求項11のシステム。前記パルス繰り返し率は、約75Hzから約600kHzの範囲である、請求項11のシステム。前記焦点スポットサイズは、約1ミクロン未満から約5ミクロンの範囲である、請求項11のシステム。前記焦点スポットオフセットは、前記基板の表面に対して-50ミクロンから50ミクロンの範囲にある、請求項11のシステム。前記焦点スポット速度は、前記基板の表面に対して約25から約450mm/sの範囲にある、請求項11のシステム。加工面及び該加工面から延びる深さを有する基板から、選択可能なパラメータを有するレーザを備えたレーザスクライビングシステムを用いて個片化され、側壁を有する改良発光電子デバイスであって、前記改良は、前記レーザパラメータを制御することによって前記側壁をテクスチャー処理し、前記レーザで前記基板の表面から前記基板の内部に延びる改質領域を生成してより高い光出力を得て、これにより前記発光電子デバイスを改良することを含む改良発光電子デバイス。さらに、前記改質領域が、前記深さの50の深さを有し、前記基板の前記加工面を実質的に含み、該領域の深さの約5未満の幅を有する、請求項1の方法。個片化される発光素子の表面をテクスチャー処理する方法であって、選択可能なパラメータであって、所望のテクスチャーを生じる改質領域を前記表面に生成するために選択されたパラメータを有するレーザパルスを照射する、方法。前記レーザパラメータは、波長、パルス持続時間、パルスエネルギー、パルス繰り返し率、焦点スポットサイズ、焦点スポットオフセット、及び焦点スポット速度のうちの少なくとも1つを含む、請求項20に記載の方法前記波長は、約600nm以下である、請求項21の方法。前記パルス持続時間は、約100ps以下である、請求項21の方法。前記パルスエネルギーは、約1.0マイクロジュール以上である、請求項21の方法。前記パルス繰り返し率は、約75Hzから約600kHzの範囲である、請求項21の方法。前記焦点スポットサイズは、約1ミクロン未満から約5ミクロンの範囲である、請求項21の方法。前記焦点スポットオフセットは、前記基板の表面に対して-50ミクロンから50ミクロンの範囲にある、請求項21の方法。前記焦点スポット速度は、前記基板の表面に対して約25から約450mm/sの範囲にある、請求項21の方法。