"装置基板と;ダイボンドされる面と反対側の面に第1の素子電極及び第2の素子電極を有し前記装置基板の一面にダイボンドされて列をなし、配設ピッチが05mmから40mmの範囲で配設された複数の半導体発光素子と;前記半導体発光素子の第1の素子電極とこの第1の素子電極を有した前記半導体発光素子に対し前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第2の素子電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両素子電極にわたり前記一面から遠ざかるように湾曲して設けられたボンディングワイヤと;前記複数の半導体発光素子と、各半導体発光素子同士を電気的に直列接続した前記ボンディングワイヤとからなる複数の半導体発光素子列と;蛍光体が分散して混入されていて、前記半導体発光素子、前記複数の半導体発光素子の隣接した配設ピッチ間及びボンディングワイヤをこれらが外部に露出しないように埋設したシリコーン樹脂からなる透光性の封止部材と;を具備したことを特徴とする照明装置。複数の半導体発光素子及びボンディングワイヤを包囲するとともに、前記半導体発光素子の素子電極に対する前記ボンディングワイヤの高さよりも高く設けられた枠部材を更に備え、前記封止部材は、前記枠部材の内側に充填されて前記半導体発光素子及び前記ボンディングワイヤを埋設して封止することを特徴とする請求項1に記載の照明装置。保護部材を備えていない特許文献1の照明装置は、LEDチップ及びこのチップの電極に接続されたボンディングワイヤが、外部の力及び塵芥や水分等に晒されるので、耐久性が低い。そこで、特許文献2に記載の保護部材を特許文献1の照明装置に適用すれば、この照明装置の耐久性を向上することが可能である。ところで、特許文献1のように列をなしたLEDチップ群がボンディングワイヤを介して直列接続される照明装置で、例えば一つのボンディングワイヤが断線されることがあると、このワイヤを含んで電気的に直列に接続された一群のLEDに対する通電ができなくなる。こうした課題を解決することについては、保護部材を用いた引用文献2においても開示されていない。本発明者は、鋭意研究の結果、隣接したLEDチップ同士を直接に直列接続したボンディングワイヤの断線に、LEDチップ及びボンディングワイヤを埋設する保護用の封止部材が関係する場合があることを見出した。つまり、ボンディングワイヤは、LEDチップが配設された装置基板から遠ざかるように湾曲して、その両端を、隣接したLEDチップの電極にワイヤボンディングにより接続して設けられる。このため、ボンディングワイヤの長さが長過ぎて、LEDチップに対するボンディングワイヤのボンディング高さが高くなる場合には、ワイヤボンディング後の封止において使用される封止部材の量が増えてその厚みが厚くなる。本明細書で、ボンディング高さとは、ボンディングワイヤの両端の内で先行してワイヤファーストボンディングしたボンディングワイヤの一端が接続されたLEDチップの電極の高さ位置と、ボンディングワイヤの湾曲の頂点の高さ位置との差を指している。このようにボンディングワイヤを確実に埋設する必要から封止部材の使用量が増えると、製造時、未硬化の封止部材が硬化するまでの間に、ボンディングワイヤに作用する封止部材の重さよって、ボンディングワイヤが装置基板に向けて大きく変形される可能性が高くなり、この変形に発生によりLEDチップの電極に近いボンディングワイヤの端部に応力が掛かる。これとは逆に、ボンディングワイヤの長さが短過ぎてボンディング高さが低い場合には、ボンディングワイヤが強く張られた状態になるので、封止部材の重さでボンディングワイヤが変形する恐れが減少する。しかし、この場合のワイヤボンディングでは、ボンディングワイヤがLEDチップの電極近くで急激に曲げられた状態になるので、ボンディングワイヤの端部に応力が大きく掛かる。以上のようにしてボンディングワイヤの端部に掛かった応力によって、製造時にボンディングワイヤが断線し易い。それだけではなく、照明装置の使用時にその点灯消灯に伴う封止部材の熱膨張熱収縮に伴う応力が、更にボンディングワイヤの端部に繰り返し掛かるので、このことによっても、ボンディングワイヤが断線することがある。したがって、列をなして配設されたLEDチップ群を、ボンディングワイヤを介して直列接続することで、必要な発光量を得る照明装置では、以上のようなボンディングワイヤの断線を原因とする点灯不良が生じないようにすることが要請されているが、前記各特許文献に記載のものでは、こうした要請を満たすことができない。本発明の目的は、封止部材に埋設される半導体発光素子群を直列接続して半導体発光素子列とするためのボンディングワイヤが断線すること等による半導体発光素子列の点灯不良を抑制できる照明装置を提供することにある。請求項1の発明は、装置基板と;ダイボンドされる面と反対側の面に第1の素子電極及び第2の素子電極を有し前記装置基板の一面にダイボンドされて列をなし、配設ピッチが05mmから40mmの範囲で配設された複数の半導体発光素子と;前記半導体発光素子の第1の素子電極とこの第1の素子電極を有した前記半導体発光素子に対し前記列が延びる方向に隣接した前記半導体発光素子の第2の素子電極とにワイヤボンディングにより接続されてこれら両素子電極にわたり前記一面から遠ざかるように湾曲して設けられたボンディングワイヤと;前記複数の半導体発光素子と、各半導体発光素子同士を電気的に直列接続した前記ボンディングワイヤとからなる複数の半導体発光素子列と;蛍光体が分散して混入されていて、前記半導体発光素子、前記複数の半導体発光素子の隣接した配設ピッチ間及びボンディングワイヤをこれらが外部に露出しないように埋設したシリコーン樹脂からなる透光性の封止部材と;を具備したことを特徴とする。また、請求項2の発明は、請求項1に記載の照明装置において、複数の半導体発光素子及びボンディングワイヤを包囲するとともに、前記半導体発光素子の素子電極に対する前記ボンディングワイヤの高さよりも高く設けられた枠部材を更に備え、前記封止部材は、前記枠部材の内側に充填されて前記半導体発光素子及び前記ボンディングワイヤを埋設して封止することを特徴とする。本発明で、装置基板は、合成樹脂又はガラス或いはセラミックスの絶縁板を用いることができ、この場合、一枚であっても複数枚積層してなるものでもよく、又、装置基板は絶縁板の裏面に放熱促進用の金属板を積層してなるものであってもよい。請求項1の発明で、半導体発光素子には例えばLED発光ダイオードチップを好適に用いることができる。請求項1の発明で、半導体発光素子の第1の素子電極と第2の素子電極は、同じ高さ位置にあっても異なる高さ位置にあってもよい。請求項1の発明で、ボンディングワイヤは金属細線で形成されるが、Auの細線を好適に用いることができ、その線径は20μm~30μmとすることが好ましい。請求項1の発明で、透光性の封止部材には、好適にはシリコーン樹脂を用いることができるがその他エポキシ系の透光性樹脂や透光性の低融点ガラス等も用いることが可能である。また、本発明では、列をなして配設されて列が延びる方向に隣接した半導体発光素子同士の第1の素子電極と第2の素子電極とに両端をワイヤボンディングにより直接接続して、装置基板の半導体発光素子が取付けられた一面から遠ざかるように湾曲して設けられたボンディングワイヤを有している。請求項1の発明の照明装置によれば、封止部材に埋設される半導体発光素子群を直列接続して半導体発光素子列とするためのボンディングワイヤが断線すること等による半導体発光素子列の点灯不良を抑制できる。また、請求項2の発明は、請求項1の発明において、更に、複数の半導体発光素子及びボンディングワイヤを包囲するとともに、前記半導体発光素子の素子電極に対する前記ボンディングワイヤの高さよりも高く設けられた枠部材を更に備え、前記封止部材は、前記枠部材の内側に充填されて前記半導体発光素子及び前記ボンディングワイヤを埋設して封止することを特徴としている。図1及び図2中符号1はLEDパッケージを形成する照明装置を示している。この照明装置1は、装置基板2、複数の給電端子3,4、複数の半導体発光素子例えばLEDチップ以下LEDと略称する。5、ボンディングワイヤ6,7,8a,8b、リフレクタ9、及び封止部材10を備えて形成されている。図2に示すように装置基板2には、例えば積層基板好ましくは樹脂板11の裏面に金属板12を積層してなる金属ベースド基板が用いられている。樹脂板11は良好な光の反射性能を得るために白色を呈するガラス粉末入りのエポキシ樹脂からなる。点灯された状態でのLED5の熱を外部に放出する金属板12は例えばアルミニウム又はその合金からなる。図1に示すように装置基板2は、照明装置1に必要とされる発光面積を得るために、所定形状例えば四角形状具体的には長方形状をなしている。各給電端子3,4は、金属層例えば銅の上にAu又はNiのめっき層を積層してなり、後述する半導体発光素子列をなしたLED列の一端及び他端に電気的に接続されるものであって、装置基板2の反射面となる一面2e言い換えれば樹脂板11の表面に設けられている。具体的には、図1に例示したように装置基板2の一辺2aに寄せて、この一辺2aが延びる方向に、交互に、かつ、互いに平行に各給電端子3,4が配設されている。各LED5には例えば窒化物半導体を用いてなるダブルワイヤー型のものが採用されている。これらLED5は、例えば図4Bに示すようにサファイア等からなる透光性の素子基板15の一面に半導体発光層16を積層して形成されている。半導体発光層16は例えば青色の光を発光する。更に、各LED5は、図4ABに示すように第1の素子電極17と第2の素子電極18を有しており、第2の素子電極18上には例えば半田からなるバンプ19が予め設けられている。第1の素子電極17と第2の素子電極18との内の一方は正極用であり、他方は負極用である。図1に示すように各LED5は、装置基板2の一面2eに縦横に列をなして二次元的に配設されている。各LED5の装置基板2への装着は、透光性の半導体発光層16が積層された面と平行でかつ半導体発光層16が積層されていない素子基板15の他面を、図4Bに代表して示した透光性のダイボンド材20を用いて接着することでなされている。この装着は、例えばバンプ19を有しない第1の素子電極17が装置基板2の一辺2aと平行な他辺2b側に位置されるとともに、バンプ19を有した第2の素子電極18が装置基板2の一辺2a側に位置されるように、各LED5の向きを揃えてなされている。これによって、各LED5の第1の素子電極17と第2の素子電極18とが、次に述べる縦列が延びる方向に交互に並べられるように各LED5が配設されている。装置基板2の一辺2aおよび他辺2bと直角な辺2c,2dが延びる方向に並べられた複数のLED5の列この列を、図1を基準にして便宜上縦列と称する。内でのLED5の配設ピッチAは、例えば05mm~40mmである。装置基板2の一辺2a及び他辺2bが延びる方向に並べられた複数のLED5の列この列を、図1を基準にして便宜上横列と称する。内でのLED5の配設ピッチBは、前記配設ピッチA以上である。各ボンディングワイヤ6,7は、例えばAuの線材からなり、その線径は20μm~30μmである。前記縦列をなした各LED5同士はボンディングワイヤ6で接続されている。詳しくは、ボンディングワイヤ6のファーストボンディングされた一端が、縦列が延びる方向に隣接したLED5の第1の素子電極17にボールボンディングにより接続されているとともに、ボンディングワイヤ6のセカンドボンディングされた他端が、前記縦列が延びる方向に隣接したLED5の第2の素子電極18にバンプ19を介して高周波溶接によるワイヤボンディングで接続されている。ここに、ファーストボンディングとは、セカンドボンディングよりも先行して行われるボンディングを指している。このようにボンディングワイヤ6で電気的に接続された複数のLED5の縦列と、この縦列に対して前記一辺2a及び他辺2bが延びる方向に隣接して、同じくボンディングワイヤ6で電気的に接続された複数のLED5の縦列とは、給電端子3,4と反対側の他辺2bに最も近い位置のLED5にわたって設けられたボンディングワイヤ7で電気的に接続されている。このボンディングワイヤ7の両端は、他辺2bに最も近い位置のLED5の第1の素子電極17にボンディングされている。この接続により、前記一対の縦列は、電気的に直列接続されたLED列半導体発光素子列をなしている。このようなLED列は少なくとも一列あればよいが、本実施形態では図1に示すように5列設けられている。各LED列の一端に位置されたLED5の第2の素子電極18と、これに近接して配置されている給電端子3とは、これらにわたってボンディングされたボンディングワイヤ8aにより電気的に接続されている。同様に、各LED列の他端に位置されたLED5の第2の素子電極18と、これに近接して配置されている給電端子4とは、これらにわたってボンディングされたボンディングワイヤ8bにより電気的に接続されている。ボンディングワイヤ8a,8bは、給電端子3,4にファーストボンディングされるとともに、LED5の第2の素子電極18にセカンドボンディングして設けられている。以上のボンディングにより設けられた各ボンディングワイヤ6,7,8a,8bは、図3に示したボンディングワイヤ6で代表するように装置基板2の一面2eから遠ざかるように湾曲して設けられている。そして、これらボンディングワイヤ6,7,8a,8bの内で少なくともボンディングワイヤ6,7のLED5の第1の素子電極17に対するボンディング高さh図3参照は、50μm以上150μm以下に設定されている。しかも、この条件を満たしつつ本実施形態ではボンディング高さhをLED5の厚みh1以下にしてある。リフレクタ9は、一個一個又は複数個のLED毎に対応して設けられるものではなく、装置基板2上の全てのLED5を包囲する単一の枠部材であり、例えば図1に示すように四角い枠形状をなしている。リフレクタ9は、酸化マグネシウム等からなる白色フィラーが混入された合成樹脂で成形されている。図1に示す平面視においてリフレクタ9は、その一部を形成した枠部9aを、給電端子3,4に交差させて装置基板2の一面2eに接着されている。図3に示すリフレクタ9の高さHの12の高さは、ボンディング高さhとLED5の厚みh1との合計より高く設定されている。それにより、後述する封止部材10の注入量のばらつきに拘わらず確実にボンディングワイヤ6,7,8a,8bが封止部材10に埋設されるようになっている。封止部材10は、リフレクタ9内に略満杯状態に充填されていて、このリフレクタ9に収容された全てのLED5及びボンディングワイヤ6,7,8a,8b等を封止して、これらを湿気や外気等から保護して照明装置1の寿命低下を防止している。封止部材10は、透光性材料、例えば透光性樹脂、具体的には熱硬化性のシリコーン樹脂からなる。この封止部材10は未硬化の液状状態でリフレクタ9内に所定量注入された後に加熱炉で加熱されることにより硬化されて設けられる。この封止部材10内には図示しない蛍光体が好ましくは均一に分散された状態に混入されている。蛍光体は、各LED5から放出された光の一部により励起されてLED5から放出された光の色とは異なる色の光を放射し、それによって照明装置1から出射される照明光の色を規定するために用いられている。本実施形態では、照明装置1から出射される照明光の色を白色光とするために、各LED5が放出する青色の光に対して補色の関係にある黄色の光を放射する蛍光体が使用されている。各LED列は、それに接続されている給電端子3,4を通じて給電されることにより発光する。そのため、各LED5から放出される青色の光と、その一部により封止部材10内で励起された蛍光体から放射された黄色の光とが混合されることにより生成された白色光が、照明装置1から被照明対象に向けて出射される。前記照明装置1では、LED5が取付けられた装置基板2の一面2eから遠ざかるように湾曲して設けられたボンディングワイヤ6,7の両端が、LED列の列が延びる方向に隣接したLED5同士の第1の素子電極17と第2の素子電極18とにワイヤボンディングにより接続されて、それらのボンディング高さhを50μm以上150μm以下としてある。そのため、この照明装置1では、耐久性を得るための封止部材10でボンディングワイヤ6,7が断線すること等によるLED列の点灯不良を抑制できる即ち、ボンディング高さhの上限値が150μmであることに伴い、ボンディングワイヤ6,7を十分に埋設するのに必要な封止部材10の使用量が削減されて、封止部材10の厚みを薄くできる。それにより、封止部材10でLED5等を封止する際に、装置基板2側に反ったボンディングワイヤ6,7に作用する未硬化の封止部材10の重さが軽減されるので、その重さでボンディングワイヤ6,7が装置基板2側に近付くように変形することが抑制される。このため、LED5の第1の素子電極17及び第2の素子電極18に近いボンディングワイヤ6,7の端部に掛かる応力が軽減されるので、特に、第1の素子電極17に近いボンディングワイヤ6,7の端部がボールボンディングに伴って結晶化して脆くなっている場合にも、この端部での断線を抑制できる。以上のように製造時におけるボンディングワイヤ6,7の断線を抑制できるので、この断線を原因とするLED列の点灯不良を抑制できる。更に、ボンディング高さhの下限値が50μmであることにより、ワイヤボンディングに伴って、LED5の第1の素子電極17及び第2の素子電極18に近いボンディングワイヤ6,7の端部が急激に曲げられないようにできるので、LED5の第1の素子電極17及び第2の素子電極18に近いボンディングワイヤ6,7の端部に掛かる応力が軽減される。このため、特に、第1の素子電極17に近いボンディングワイヤ6,7の端部がボールボンディングに伴って結晶化して脆くなっている場合にも、この端部が断線しないようにできる。なお、このようにボンディング高さhが50μmと小さい場合には、ボンディングワイヤ6,7の長さがボンディング高さhの上限値150μmである場合よりも短くなって、ボンディングワイヤ6,7が強く張られた状態になるので、未硬化の封止部材10の重さによってボンディングワイヤ6,7が装置基板2側に変形することが抑制される。以上のように製造時におけるボンディングワイヤ6,7の断線を抑制できるので、この断線を原因とするLED列の点灯不良を抑制できる。しかも、既述のようにボンディングワイヤ6,7の端部の応力が軽減されているので、照明装置1の点灯消灯に伴い封止部材10が熱膨張熱収縮して、それに伴う応力がボンディングワイヤ6,7の端部に繰り返し掛かるにも拘らず、それによりボンディングワイヤ6,7が断線することも抑制できる。又、前記構成の照明装置1は、以上のように設けられたボンディングワイヤ6,7で、LED列が延びる方向に隣接しているLED5同士を電気的に直接接続しているので、電気的な中継をするための中継電極としてのパッドを装置基板2上に設ける必要がない。このため、以下の不利な点がない。即ち、中継電極を設けた構成は、この電極によって装置基板2の白色をなした一面2eでの有効反射面積が減少する、という点で不利である。加えて、中継電極はその表面にAuのめっき層を有していることが多く、この場合、中継電極で反射された光が、照明装置1から投射される白色光に混じるので、照明光の色が微妙に変わる可能性がある、という点で不利である。更に、既述のように中継電極を要しないので、照明装置1の発光量をより多く確保する必要がある場合には、LED5の配設ピッチAを狭めることが可能である。ちなみに、隣接するLED5相互間に中継電極を設けて、この電極にボンディングワイヤをセカンドボンディングして接続して隣接したLED5同士を電気的に直列接続する場合、LED5の配設ピッチは100μm以上必要とする。この構成に比較して、発光量が同じである条件では、LED5の配設ピッチAを狭められる方が照明装置1を小形に構成でき、この逆に装置の大きさを同じとした条件では、LED5の配設ピッチAを狭められる照明装置1の方がLED5の実装密度が高いので、発光量が増えて器具効率を向上できる利点がある。以上のように中継電極を用いない照明装置1は、そのLED5の第2の素子電極18にボンディングワイヤ6の端部が高周波溶接によるワイヤボンディングで接続される。この接続においては、予め第2の素子電極18に付着されたバンプ19を高周波で溶かしてボンディングがなされるので、このボンディングに伴い図示しないボンディングツールによりLED5に加えられる圧力は小さい。又、LED5の第1の素子電極17に対してはボールボンディングによりボンディングワイヤ6が接続されるので、その際に図示しないボンディングツールによりLED5に対して加えられる圧力は小さい。したがって、ワイヤボンディングに伴うLED5の損傷が抑制されるに伴い、LED5の損傷を原因とするLED列の点灯不良を抑制できる"