リードフレーム上に発光ダイオードチップが搭載された構成を具備する発光ダイオードであって、第1リードフレームと、当該第1リードフレームから独立した第2リードフレームと、当該第2リードフレーム上に搭載された前記発光ダイオードチップと、前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとの間に形成された第1樹脂層と、前記第1リードフレーム、第2リードフレーム、及び前記第1樹脂層の上で、前記発光ダイオードチップを封止する第2樹脂層と、を具備し、前記発光ダイオードチップが発する光を反射させる反射層を前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームの上に具備しないことを特徴とする発光ダイオード。前記第2樹脂層の中に蛍光物質が混合されたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記第2樹脂層の上に、前記発光ダイオードが発する光を透過させる第3樹脂層が更に形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ダイオード。前記第3樹脂層の上面が凸レンズ形状とされた箇所を具備することを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードチップと前記第1リードフレームとの間を接続する配線にボンディングワイヤが用いられ、前記第2リードフレーム上における前記発光ダイオードチップが搭載される箇所以外であり、かつ前記第1リードフレームの上面における前記ボンディングワイヤが接続される箇所以外である領域が掘り下げられ、当該掘り下げられた領域上に、前記第1樹脂層が、前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとの間に形成された前記第1樹脂層と一体化されて形成されたことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の発光ダイオード。前記第1リードフレームの上面及び前記第2リードフレームの上面にめっき層が形成されたことを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の発光ダイオード。請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の発光ダイオードの製造方法であって、前記第1樹脂層を前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとの間に形成する第1樹脂層形成工程と、当該第1樹脂層形成工程の後で前記発光ダイオードチップを前記第2リードフレーム上に搭載するチップ搭載工程と、当該チップ搭載工程の後で前記第2樹脂層を形成する第2樹脂層形成工程と、を具備することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記第1樹脂層形成工程における前記第1樹脂層、及び前記第2樹脂層形成工程における前記第2樹脂層の形成を、トランスファーモールド成型又はインジェクションモールド成型によって行うことを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。しかしながら、図8の構成において用いられる絶縁性の基板291の熱伝導率は、一般的にはリードフレームや電極を構成する金属材料と比べて低い。このため、この発光ダイオードにおいては、高い放熱効率を得ることは困難であった。このように、反射層を用いずに発光ダイオードチップ周囲を樹脂材料が囲んだ構成を具備し、かつ高い放熱効率をもつ発光ダイオードを、簡易な製造方法で製造することは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の発光ダイオードは、リードフレーム上に発光ダイオードチップが搭載された構成を具備する発光ダイオードであって、第1リードフレームと、当該第1リードフレームから独立した第2リードフレームと、当該第2リードフレーム上に搭載された前記発光ダイオードチップと、前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとの間に形成された第1樹脂層と、前記第1リードフレーム、第2リードフレーム、及び前記第1樹脂層の上で、前記発光ダイオードチップを封止する第2樹脂層と、を具備し、前記発光ダイオードチップが発する光を反射させる反射層を前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームの上に具備しないことを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記第2樹脂層の中に蛍光物質が混合されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記第2樹脂層の上に、前記発光ダイオードが発する光を透過させる第3樹脂層が更に形成されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記第3樹脂層の上面が凸レンズ形状とされた箇所を具備することを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記発光ダイオードチップと前記第1リードフレームとの間を接続する配線にボンディングワイヤが用いられ、前記第2リードフレーム上における前記発光ダイオードチップが搭載される箇所以外であり、かつ前記第1リードフレームの上面における前記ボンディングワイヤが接続される箇所以外である領域が掘り下げられ、当該掘り下げられた領域上に、前記第1樹脂層が、前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとの間に形成された前記第1樹脂層と一体化されて形成されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記第1リードフレームの上面及び前記第2リードフレームの上面にめっき層が形成されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法は、前記発光ダイオードの製造方法であって、前記第1樹脂層を前記第1リードフレームと前記第2リードフレームとの間に形成する第1樹脂層形成工程と、当該第1樹脂層形成工程の後で前記発光ダイオードチップを前記第2リードフレーム上に搭載するチップ搭載工程と、当該チップ搭載工程の後で前記第2樹脂層を形成する第2樹脂層形成工程と、を具備することを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法は、前記第1樹脂層形成工程における前記第1樹脂層、及び前記第2樹脂層形成工程における前記第2樹脂層の形成を、トランスファーモールド成型又はインジェクションモールド成型によって行うことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、反射層を用いずに発光ダイオードチップ周囲を樹脂材料が囲んだ構成を具備し、かつ高い放熱効率をもつ発光ダイオードを、簡易な製造方法で製造することができる。以下、本発明の実施の形態となる発光ダイオード、及びその製造方法について説明する。この発光ダイオードにおいては、2分割されたリードフレームが用いられている。発光ダイオードチップは、このリードフレームのうちの一つの上に搭載されている。2つのリードフレームの間の空隙には第1の樹脂層が形成されている。更に、搭載された発光ダイオードチップ等を封止する形態で第2の樹脂層が形成されており、この第2の樹脂層を更に封止する形で第3の樹脂層が形成されている。ただし、ここでは、発光ダイオードチップが発した光を反射させる反射層は形成されていない。図1a~c、図2deは、この発光ダイオードの製造工程における形態を示す上面図左側、A-A方向の断面図右側である。実際には、この発光ダイオードを製造するに際しては、複数の発光ダイオードが配列した形態で製造された後で切断分離され、個々の発光ダイオードが得られる。図1、2は、この中で1個分の発光ダイオードに対応する箇所の形態を示す。一方、図3a~eは、この複数の発光ダイオードの配列全体の上面図を示す。まず、図1aに示されるリードフレーム11が、一つの発光ダイオードにおいて用いられる。このリードフレーム11は、図1aにおいて図示された範囲内では第1リードフレーム111と第2リードフレーム112に分離されている。第1リードフレーム111においては、その上下に連結部113、114がそれぞれ接続され、第2リードフレーム112においては、その上側に連結部115、116が、その下側に連結部117、118が接続されている。図3aに示されるように、図1の構造のリードフレーム11は、その上下方向に設けられたリードフレーム11と、連結部113~118によって接続される。図3aに示された例では、リードフレーム11が5×5個配列された構造が外枠部101に接合された全体リードフレーム100が構成されている。リードフレーム11全体リードフレーム100は銅、アルミニウム、鉄等の導電性、熱伝導率の高い金属で構成される。全体リードフレーム100は、この材質の金属板を板金加工することによって容易に製造することができる。また、リードフレーム11の上面側において、発光ダイオードチップのはんだ付けやボンディングワイヤの接続を容易かつ強固にするために、表面には銀めっき等のめっき層が形成されていることが好ましい。このめっき層は、発光ダイオードチップが発した光のリードフレーム11表面での反射率を高め、発光効率を高めることにも寄与する。後述するように、この発光ダイオードが面実装される際には、リードフレーム11の裏面側にはんだ付けが施されるため、裏面側にもめっき層が形成されることが好ましい。次に、図1b、図3bに示される形状で、第1樹脂層20を形成する第1樹脂層形成工程。図1に示されるように、第1樹脂層20は、第1リードフレーム111と第2リードフレーム112の間の空隙を充填するように形成される。また、第1樹脂層20は図3bにおける上下方向に連結して形成され、外枠部101に沿っても形成される。このため、図3bに示されるように、全体リードフレーム100上においては一体化されて形成される。こうした構成の第1樹脂層20は、金型を用いたトランスファーモールド成型によって形成することが可能である。この場合、下金型に全体リードフレーム100をセットし、この上に、樹脂材料がこの第1樹脂層20として示された形状となるような空洞部をもった上金型をセットし、この空洞部に材料を加圧供給した後に固化させる。第1樹脂層20の材料としては、エポキシ樹脂等、絶縁性の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、熱可塑性樹脂を用いたインジェクションモールド成型を用いることもできる。また、第1リードフレーム111と第2リードフレーム112の間から下側に光を漏らさないためには、第1樹脂層20に白色顔料を添加することが好ましい。この白色顔料としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ジルコニウム等を用いることができる。この場合でも、こうした白色顔料を粒子状にして樹脂材料と混合することにより、第1樹脂層20に用いることができる。次に、図1c、図3cに示されるように、発光ダイオードチップ30を第2リードフレーム112上に搭載するチップ搭載工程。発光ダイオードチップ30を第2リードフレーム112に搭載する際には、樹脂系接着剤やはんだを用いた接合が用いられる。ここで、接合強度や熱伝導性の観点からははんだを用いることが好ましいが、この際には、図1b、図3bの構造が、はんだが溶融する温度以上とされる。この場合に用いられるはんだとしては、金Au-錫Sn系のはんだが、接合強度や熱伝導性の観点から特に好ましい。発光ダイオードチップ30がはんだによって第2リードフレーム112に接合された後に、発光ダイオードチップ30中に形成された発光ダイオードの一方の極、他方の極は、それぞれボンディングワイヤ31によって第1リードフレーム111、第2リードフレーム112に接続される。次に、図2d、図3dに示されるように、第1樹脂層20、発光ダイオードチップ30、ボンディングワイヤ31を封止するように、第2樹脂層21を形成する第2樹脂層形成工程。第2樹脂層21の形成は、前記の第1樹脂層20と同様に、トランスファーモールドやインジェクションモールドによって行うことができる。第2樹脂層21を構成する材料としては、第1樹脂層20と同様の樹脂材料に対して蛍光材料を混合したものを用いることができる。例えば発光ダイオードチップ30が青色の光を発する場合、この蛍光材料として黄色の発光をする材料を用いれば、発光ダイオードチップ30が発した光とこの蛍光材料が発する光が混合した疑似白色の発光を得ることができる。こうした蛍光材料としては、YAGイットリウムアルミニウムガーネット系の材料を用いることができる。すなわち、第2樹脂層21を蛍光層として用いることができる。次に、図2e、図3eに示されるように、第2樹脂層21を封止するように第3樹脂層22を形成する第3樹脂層形成工程。第3樹脂層22の形成も、前記の第1樹脂層20、第2樹脂層21と同様に、トランスファーモールドやインジェクションモールドによって行うことができる。第3樹脂層22を構成する材料としては、この発光ダイオード10が発する光に対して透明であり、かつ第2樹脂層21を保護することができる材料を用いることができる。この保護とは、機械的な保護に加えて、高湿度等によって第2樹脂層21中の蛍光材料や内部の発光ダイオードチップ30が影響を受けることを抑制することも意味する。具体的には、シリコーン系やエポキシ系の樹脂材料等を第2樹脂層21の材料として用いることができる。すなわち、第3樹脂層22を、発光ダイオード10の信頼性確保のための保護層として用いることができる。上記の工程によって、全体リードフレーム100を用いて複数の発光ダイオード10が形成される。この後で、ダイシングソーを用いて個々の発光ダイオード10を分離する切断工程。図4は、この切断工程を示す上面図である。まず、図4aに示されるように、水平方向に隣接する発光ダイオード10間を、垂直方向に延伸するダイシングソーのブレード200を用いて分断する。この際に実際に切断されるのは、図3aより、実際には外枠部101のみである。このため、この切断加工を容易に行うことができる。次に、図4bに示されるように、垂直方向に隣接する発光ダイオード10間を、同様に、水平方向に延伸するブレード200を用いて切断する。この際に実際に切断されるのは、図1a、図3aより、細い連結部113~118と、外枠部101のみである。このため、この切断加工も容易に行うことができる。この結果、図4cに示されるように、個々の発光ダイオード10を分離して得ることができる。図5は、この発光ダイオード10の上面図a、そのB-B方向の断面図b、下面図cである。この発光ダイオード10を例えば基板上に搭載するに際しては、下面側に露出した第1リードフレーム111、第2リードフレーム112にはんだ付けを行うことにより、面実装をすることができる。この際、このはんだ付けによって発光ダイオードチップ30への電気的接続をとることができる。発光ダイオードチップ30は第3樹脂層22等によって保護され、発光ダイオードチップ30が発する光は、第2樹脂層21、第3樹脂層22を通ってリードフレーム11第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の上側に反射層を介せずに発せられる。この際、第2樹脂層21に蛍光材料を混合すれば、2色が混合された光を発することができる。反射層が用いられないため、この光は発散光となる。また、一般に、発光ダイオードチップの周囲に反射層を形成した構成で発光ダイオードを製造する際には、上記の第1樹脂層20等と同様に、反射層をトランスファーモールド等、金型を用いて形成する場合が多い。この場合には、反射層が形成されない箇所金型によって覆われる箇所は平坦な形状であることが好ましいため、発光ダイオードチップがリードフレーム上に存在していない状態で反射層を形成することが好ましい。このため、反射層の形成は、発光ダイオードチップを搭載する前に行われている。しかしながら、前記の通り、発光ダイオードチップを搭載する際のはんだ付けの際には、全体が高温とされる。特に、接合強度や熱伝導性の観点から好ましく用いられるAu-Sn系のはんだの場合には、接合に要する温度が300°C以上であり、高い。この高温の際に、反射層を形成する樹脂材料が変質して、変形をしたり、反射率が低下する等の問題が発生する。これに対して、上記の発光ダイオード、あるいはその製造方法によれば、反射層が用いられないために、こうした問題は発生しない。上記の製造方法においては、チップ搭載工程の際に第1樹脂層20が形成されているが、第1樹脂層20は単に第1リードフレーム111と第2リードフレーム112の間の空隙を埋めるためにのみ用いられているために、熱による変質が発生しても、大きな問題にはならない。ただし、第1樹脂層20には機械的強度が要求され、機械低強度及び耐熱性の高い樹脂材料を用いることも可能である。また、反射層が用いられない代わりに、第1樹脂層20が形成されることによって、蛍光層となる第2樹脂層21を容易に形成することができる。また、第3樹脂層22によって、第2樹脂層21蛍光層を含む構造全体を保護することができる。また、この発光ダイオード10においては、図5に示されるように、リードフレーム11第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の裏面が直接露出する。この際、発光ダイオードチップ30が発した熱は、熱伝導率の低い層を介することなく、熱伝導率の高いはんだとリードフレーム11のみを介して裏面側に伝わる。このため、この発光ダイオード10を面実装して用いる場合に、高い放熱効率を得ることができる。また、上記の製造方法によって、図5と異なる形態の発光ダイオードを製造することも可能である。図6は、この例を示す断面図である。図6aは、第2樹脂層21と第3樹脂層22とが2層構造とされた例である。この場合には、蛍光層となる第2樹脂層21の面積を広くとることができる。このため、白色発光の面積を広く取ることが可能である。図6bは、第3樹脂層22の上面の一部を凸レンズ形状とした例である。上記の発光ダイオード10においては、反射層が用いられないために、光は発散して放射されるが、この構成により、更に光の発散光率を高めることができる。図6abの構成の発光ダイオードは、第2樹脂層21、第3樹脂層22の形状を適宜設定することにより、図1~3に示された製造方法を用いて同様に製造することが可能である。図6abにおける第2樹脂層21、第3樹脂層22の形状をトランスファーモールド成型、インジェクションモールド成型等によって容易に形成することができることも明らかである。図6cの構成の発光ダイオードにおいては、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の上面が平坦とされておらず、第2リードフレーム112上における発光ダイオードチップ30が接合される箇所と、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の上面におけるボンディングワイヤ31が接続される箇所と、を残して上面が掘り下げられている。この形状は、リードフレーム11全体リードフレーム100にエッチング加工を施すことによって容易に得ることができる。この場合、第1樹脂層20は、リードフレーム11の掘り下げられた領域上に、この領域を埋め込むように形成される。また、図3bの場合と同様に、この領域における第1樹脂層20と前記の第1リードフレーム111と第2リードフレーム112の間に形成された第1樹脂層20とは一体化させることができる。この構成により、第1樹脂層20とリードフレーム11との間の接合強度をより高めることができる。あるいは、この第1樹脂層20表面で光を反射させることも可能である。また、図5の構成の発光ダイオードにおいては、前記の通り、リードフレーム11の表面には、はんだやボンディングワイヤによる接続を容易かつ強固とするために、めっき層を形成することが好ましい。しかしながら、図6cの構成の発光ダイオードにおいては、リードフレーム11における掘り下げられた箇所にはめっき層を形成することは不要となる。この場合においては、高価なAg等で構成されるめっき層の使用量を低減することが可能である。あるいは、Agめっきを行う際の弊害である表面の硫化を低減することもできる。また、図6dの構成は、第1樹脂層20と第2樹脂層21を兼用した例である。この構造の発光ダイオードを製造するに際しては、第1樹脂形成工程は行わずにチップ搭載工程以降の工程を行い、第2樹脂層21を図6dの形態とする。この形態の第2樹脂層21を同様に形成できることは明らかである。ただし、この場合には、チップ搭載工程において、第1リードフレーム111と第2リードフレーム112の間に空隙が存在しており、発光ダイオードチップ30の接合時やボンディングワイヤ31の接合時において第1リードフレーム111と第2リードフレーム112が安定していることが必要である。このため、リードフレーム11が充分厚く、高い機械的強度がある場合に、この構成は好ましい。この場合にも第2樹脂層21に蛍光材料を混合することができることは明らかである。また、第2樹脂層21の上面に凸レンズ形状の部分を設けることも可能である。また、この構造において第1リードフレーム111と第2リードフレーム112を図6cの場合と同じ形状とすることができることも明らかである。なお、上記の例においては、第2樹脂層に蛍光材料を混合したが、蛍光材料を混合せず、第2樹脂層も発光ダイオードチップの保護だけのために用いることも可能である。この場合、第2樹脂層を第3樹脂層と同様の透明材料とすることも可能である。すなわち、第2樹脂層を構成する材料は、上記のように成型ができる限りにおいて、その機能に応じて適宜設定することが可能である。また、上記の例においては、発光ダイオードチップの電極と第1リードフレーム、第2リードフレームとの間の接続をボンディングワイヤを用いて行ったが、この接続方法は任意である。例えば、特許文献2図8に記載のようにはんだ層を用いた接続を行うことも可能である。また、発光ダイオードチップの下面と上面に電極を設けた場合には、図5や図6等における左側のボンディングワイヤ31のみを使用し、右側のボンディングワイヤ31は用いない構成とすることも可能である。また、図6bのような凸レンズ形状に限らず、第3樹脂層や第2樹脂層の上面の形状は、ここから光を発することができ、かつ成型ができる限りにおいて、任意の形状とすることが可能である。この形状は、この発光ダイオードが実装して用いられる際の形態に応じて適宜設定することが可能である。いずれの場合においても、第3樹脂層や第2樹脂層が全体リードフレーム上で一体化して形成できる場合には、これらをトランスファーモールド成型あるいはインジェクションモールド成型によって形成することが可能である。