半導体チップを加熱する加熱手段と、該半導体チップを吸着または把持するコレットとを備えたチップ加熱ヘッドにおいて、前記コレットは、前記半導体チップとの接触密度を粗密に分布させて、前記加熱手段から前記半導体チップへ伝達される伝熱容量に分布を持たせていることを特徴とするチップ加熱ヘッド。前記コレットは、前記半導体チップの外周部付近から中央部付近に向かって段階的に該半導体チップとの接触密度を粗にすることにより、前記加熱手段から前記半導体チップへ伝達される伝熱容量に分布を持たせていることを特徴とする請求項1に記載のチップ加熱ヘッド。前記コレットは、前記半導体チップと対向する面に、該半導体チップと接触する接触部と、該半導体チップと接触しない非接触部とを設けることにより、該半導体チップとの接触密度を粗密に分布させることを特徴とする請求項1または2に記載のチップ加熱ヘッド。前記コレットは、前記半導体チップの中央部付近に前記非接触部を設け、該半導体チップの外周部付近に前記接触部を設けていることを特徴とする請求項3に記載のチップ加熱ヘッド。半導体チップを加熱する加熱手段と該半導体チップを吸着または把持するコレットとを備えたチップ加熱ヘッドにおいて、前記コレットは、前記加熱手段の外周部から前記半導体チップのチップ中心部に向かって該半導体チップとの接触密度を段階的に粗にすることにより、該半導体チップへの伝熱容量に分布を持たせることを特徴とするチップ加熱ヘッド。半導体チップを加熱する加熱手段と該半導体チップを吸着または把持するコレットとを備えたチップ加熱ヘッドにおいて、前記コレットは、自己の内部に中空部を設けることによって前記半導体チップへの伝熱容量に分布を持たせることを特徴とするチップ加熱ヘッド。しかしながら、前記特許文献2に開示された技術ような基板温度を均一にする方法では、加熱源となるヒータ部品が基板より大きくなるため、チップを狭ピッチで基板に実装するような場合などにおいては、構造上から観点から見て、微細加工を行う半導体チップ接合装置としての適用が難しい。また、特許文献3に開示された技術は、凹部が形成された基板変形防止部を設けることにより、基板の変形を防止して該基板に対してチップを適正にマウントすることはできるが、この公報にはチップの温度分布を均一にする技術は開示されていない。すなわち、ボンディングツールにおいて、チップ外周縁のバンプ電極より内側部分に凹部を設けたとしても、チップの大きさと凹部の大きさとの対応関係が不特定であるので、チップの温度分布を均一化する技術に展開することはできない。さらに、特許文献4に開示された技術は、半導体チップを載置するステージ側の中央部に凹部を設けることにより、半導体チップと基板の熱膨張係数の差を吸収して該半導体チップを基板に安定的に搭載することができるが、加熱ヒータの熱はステージ側を経由することなく半導体チップに伝熱するため、ステージの凹部によって半導体チップの温度分布を均一にすることはできない。本発明は、上述のような事情に鑑みてなされたものであり、加熱したチップの温度低下を抑制して該チップの温度バラツキを最小限に抑えることにより、接合不良なくチップを基板に実装することができるチップ加熱ヘッドを提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明に係るチップ加熱ヘッドは、半導体チップを加熱する加熱手段と、該半導体チップを吸着または把持するコレットとを備えたチップ加熱ヘッドにおいて、前記コレットは、前記半導体チップとの接触密度を粗密に分布させて、前記加熱手段から前記半導体チップへ伝達される伝熱容量に分布を持たせていることを特徴とする。また、本発明に係るチップ加熱ヘッドは、半導体チップを加熱する加熱手段と該半導体チップを吸着または把持するコレットとを備えたチップ加熱ヘッドドにおいて、前記コレットは、前記加熱手段の外周部から前記半導体チップのチップ中心部に向かって該半導体チップとの接触密度を段階的に粗にすることにより、該半導体チップへの伝熱容量に分布を持たせることを特徴とする。また、本発明に係るチップ加熱ヘッドは、半導体チップを加熱する加熱手段と該半導体チップを吸着または把持するコレットとを備えたチップ加熱ヘッドにおいて、前記コレットは、自己の内部に中空部を設けることによって前記半導体チップへの伝熱容量に分布を持たせることを特徴とする。本発明のチップ加熱ヘッドによれば、大気との接触が大きいために温度低下が生じやすい半導体チップのチップ外周部への伝熱量を多くすることができるので、半導体チップ内における温度分布のバラツキを最小限に抑えることが可能となる。これによって、未溶融半田や残留ボイド等による半導体チップと基板との接合不良が生じることなく、半導体チップを基板へ実装することができる。その結果、基板へ半導体チップを搭載するときの歩留りを低減させることが可能となる。本発明の一実施形態に係るチップ加熱ヘッド加熱ヒータ部は、加熱によって半導体チップの接合を行う半導体チップ接合装置に用いられるチップ加熱ヘッドであって、加熱手段ヒータ本体の伝熱方向において、半導体チップのチップ中央部とチップ外周部とで接触密度が異なるように構成したことを特徴としている。好ましくは、チップ中央部とチップ外周部とで接触密度が段階的に異なるように構成する。なお、チップ加熱ヘッドは、半導体チップを加熱する熱源となる加熱手段ヒータ本体と、その加熱手段により加熱されて、半導体チップを把持するコレットとを備えて構成されている。以下、本発明に係るチップ加熱ヘッドについて、図面を参照しながら好適な実施形態の幾つかを詳細に説明する。第1実施形態図1は、本発明の一実施形態に係る半導体チップ搭載接合装置の構成を示す斜視図である。図1に示すように、チップ図示せずを搭載する基板1は基板ステージ2に把持され、基板ステージ2は、X軸ステージ3及びY軸ステージ4によってX、Y方向へ水平に駆動することができる。また、チップはチップ加熱ヒータ部チップ加熱ヘッド5に把持され、該チップ加熱ヒータ部5はZ軸ステージ6により鉛直方向に駆動することができる。図2は、図1に示すチップ加熱ヒータ部チップ加熱ヘッド5とその周辺構造の分解図である。図2に示すように、Z軸ステージ6の下部に載置されたチップ加熱ヒータ部5は、ヒータ10と、チップ7を把持するためのコレット11とを有している。該コレット11は、図示しない真空発生器に接続することによってチップ7を吸着したり、クランプ機構図示せずなどによってチップ7を把持したりすることができる。図3は、本発明の第1実施形態に係るチップ加熱ヒータ部5の詳細図であり、aは縦断面図、bはコレット11とチップ7との接触部分の図である。図3a、bに示すように、チップ加熱ヒータ部チップ加熱ヘッド5は、チップ7を加熱する熱源となるヒータ本体10と、ヒータ本体10により加熱されて、真空吸着などによってチップ7を把持するコレット11とによって構成されている。また、コレット11は、チップ7のチップ外周部のみが接触するような形状となっている。したがって、外気に触れて温度低下が発生しやすいチップ外周部への伝熱量をチップ中央部よりも大きくすることができる。これによって、チップ7の温度分布をほぼ均一にすることができる。第2実施形態図4は、本発明の第2実施形態に係るチップ加熱ヒータ部5の縦断面図である。図4に示すように、チップ加熱ヒータ部5は、チップ7を加熱する熱源となるヒータ本体10と、ヒータ本体10により加熱されて、真空吸着などによってチップ7を把持するコレット11とによって構成されている。また、コレット11は、チップ7のチップ外周部とチップ中央部へ接触するような形状となっている。例えば、図3で示した第1実施形態の場合よりチップ7が大きいサイズであってチップ中央部の温度が下がりすぎる場合には、図4に示すように、チップ7におけるチップ外周部とチップ中央部へコレット11を接触させることによって、チップ中央部への伝熱を補助することができる。これによって、チップ7が比較的大きいサイズであっても、該チップ7の温度分布をほぼ均一にすることができる。第3実施形態図5は、本発明の第3実施形態に係るチップ加熱ヒータ部5の縦断面図である。図5に示すように、チップ加熱ヒータ部5は、チップ7を加熱する熱源となるヒータ本体10と、ヒータ本体10により加熱されて、真空吸着などによってチップ7を把持するコレット11とによって構成されている。また、コレット11は、チップ7のチップ外周部への接触面を密にし、チップ中央部への接触面を粗にしている。これによって、チップ7に反りなどが生じる場合には、チップ中央部への接触面の表面粗さを粗くすることによって、チップ中央部の接触密度を小さくすることができる。したがって、チップ7に反りが発生したときでも、該チップ7の温度分布をほぼ均一にすることが可能となる。第4実施形態図6は、本発明の第4実施形態に係るチップ加熱ヒータ部の詳細図であり、aは縦断面図、bはコレットとチップとの接触部分の図である。図6に示すように、チップ加熱ヒータ部5は、チップ7を加熱する熱源となるヒータ本体10と、ヒータ本体10により加熱されて、真空吸着などによってチップ7を把持するコレット11とによって構成されている。また、コレット11は、チップ7のチップ外周部の四隅に接触するような形状となっている。これによって、図3に示した第1実施形態の場合よりチップ7が小さいサイズであって、チップ外周部の温度低下は小さいがチップ四隅の温度低下が大きい場合には、チップ7のチップ四隅のみをコレット11と接触させることにより、該チップ7の温度分布をほぼ均一にすることが可能となる。第5実施形態図7は、本発明の第5実施形態に係るチップ加熱ヒータ部5の縦断面図である。図7に示すように、チップ加熱ヒータ部5は、チップ7を加熱する熱源となるヒータ本体10と、ヒータ本体10により加熱されて、真空吸着などによってチップ7を把持するコレット11とによって構成されている。また、コレット11は、ヒータ10の中央部に非接触面を設け、該ヒータ10の外周部で接触している。これによって、コレット11とチップ7との接触面を均一にしても、コレット11とヒータ7の中央部とが非接触面となっているので、チップ7のチップ外周部の熱伝導がよくなるので、結果的に、該チップ7の温度分布をほぼ均一にすることが可能となる。第6実施形態図8は、本発明の第6実施形態に係るチップ加熱ヒータ部5の縦断面図である。図7に示すように、チップ加熱ヒータ部5は、チップ7を加熱する熱源となるヒータ本体10と、ヒータ本体10により加熱されて、真空吸着などによってチップ7を把持するコレット11とによって構成されている。また、コレット11は中央部付近のコレット内部に空洞を設けた構成となっている。これによって、コレット11とチップ7との接触面を均一にしても、コレット11の中央部付近のコレット内部に空洞が設けられているので、チップ7のチップ外周部の熱伝導がよくなるので、結果的に、該チップ7の温度分布をほぼ均一にすることが可能となる。以上説明したように、上記実施形態に係る半導体チップ接合装置に用いられるチップ加熱ヒータ部チップ加熱ヘッドよれば、チップ加熱ヒータ部5は、チップ7を把持するコレット11に接触していて、該チップ7を基板図示せずに接合するために加熱を行っている。また、このコレット11は、チップ7を把持するために該チップ7に接触している。したがって、チップ加熱ヒータ部5からの熱はコレット11を介してチップ7へ効率的に伝熱される。さらに、チップ加熱ヒータ部5からの熱をチップ7へ伝導させるための伝熱方向を決定するコレット11の形状は、チップ中央部とチップ外周部とでチップ7との接触密度が異なっている。すなわち、チップ中央部ではチップ7とコレット11との接触密度は小さく、チップ外周部ではチップ7とコレット11との接触密度は大きくなっている。その結果、チップ加熱ヒータ部5からの伝熱によって、チップ7におけるチップ外周部の方がチップ中央部より温度が高くなるように加熱される。言い換えると、大気との接触面積が大きいために温度低下が発生しやすいチップ外周部への伝熱量を多くすることができるため、チップ7内における温度分布のバラツキを最小限に抑えることが可能となる。以上、本発明に係るチップ加熱ヘッドチップ加熱ヒータ部の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、本発明の具体的に構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもそれらは本発明に含まれる。例えば、コレットは、チップの外周部付近から中央部付近からに向かって段階的にチップとの接触密度を粗にすることによって、ヒータ本体からチップへ伝達される伝熱容量に分布を持たせるように構成してもよい。また、複数のヒータによりチップを加熱することで、チップの温度バラツキを最小限に抑えるようにしてもよい。