表面を有する炭化珪素基板を準備する工程と、前記炭化珪素基板の前記表面上に直接、第1の材料から作られた被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜上に、第2の材料から作られたマスク層を形成する工程とを備え、前記第2の材料に比して前記第1の材料は炭化珪素との密着性が高く、さらに前記マスク層に第1の開口部を形成する工程と、前記マスク層の前記第1の開口部を通りかつ前記被覆膜を透過するイオンビームにより、前記炭化珪素基板中に第1の導電型を付与するための第1の不純物イオンを注入する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第1の不純物イオンを注入する工程は、前記炭化珪素基板を加熱する工程を含む、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第1の不純物イオンを注入する工程は、厚さ方向における前記第1の不純物イオンの濃度プロファイルが前記炭化珪素基板の前記表面において平坦となる条件で行われる、請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記被覆膜を形成する工程の後かつ前記第1の不純物イオンを注入する工程の前に、前記被覆膜上に、前記第1の材料に比して前記イオンビームに対する阻止能が高い材料から作られた第1の阻止膜を形成する工程をさらに備える、請求項1~3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第1の阻止膜を形成する工程は、前記第1の開口部を形成する工程の後に行われる、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第1の阻止膜を形成する工程は、前記マスク層を形成する工程の前に行われ、前記第1の阻止膜を形成する工程の後かつ前記マスク層を形成する工程の前に、前記第2の材料と異なる材料から作られたエッチングストップ層を形成する工程をさらに備える、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第1の開口部を形成する工程において、第1の底面および第1の側壁を有する前記第1の開口部が前記マスク層に形成され、前記第1の不純物イオンを注入する工程の後に、前記第1の底面および前記第1の側壁上にスペーサ層を形成することによって、前記マスク層および前記スペーサ層を有するマスク部を形成する工程と、前記第1の開口部内の前記スペーサ層を異方的にエッチングすることによって、前記第1の底面上の前記スペーサ層を除去しかつ前記第1の側壁上の前記スペーサ層を残存させることで、前記マスク部に、第2の底面および第2の側壁を有する第2の開口部を形成する工程と、前記第2の開口部を通るイオンビームにより、前記炭化珪素基板中に前記第1の導電型と異なる第2の導電型を付与するための第2の不純物イオンを注入する工程とをさらに備える、請求項1~6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第2の開口部を形成する工程の後かつ前記第2の不純物イオンを注入する工程の前に、前記第2の開口部の第2の底面上に第2の阻止膜を形成する工程をさらに備える、請求項7に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第2の材料は酸化珪素である、請求項1~8のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記第1の材料は、チタン、ポリシリコンおよび窒化珪素のいずれかである、請求項1~9のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。上記公報に記載の方法では、SiO2から作られたマスクがSiC基板から剥離しやすいという問題があった。特に、SiC基板が加熱されると剥離が生じやすく、よってマスクが設けられたSiC基板を十分に加熱することができなかった。このことは炭化珪素半導体装置の製造方法における制約となる。たとえばイオン注入の際にSiC基板を加熱することができず、この場合、イオン注入に起因した結晶欠陥がSiC基板中に生じやすくなる。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、イオン注入の深さを調整するための膜を介して炭化珪素基板中に不純物イオンを注入することができ、かつ、炭化珪素基板上での剥離の発生を抑えることができる、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することである。本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、次の工程を有する。表面を有する炭化珪素基板が準備される。炭化珪素基板の表面上に直接、第1の材料から作られた被覆膜が形成される。被覆膜上に、第2の材料から作られたマスク層が形成される。第2の材料に比して第1の材料は炭化珪素との密着性が高い。マスク層に第1の開口部が形成される。マスク層の第1の開口部を通りかつ被覆膜を透過するイオンビームにより、炭化珪素基板中に第1の導電型を付与するための第1の不純物イオンが注入される。本発明によれば、第1の不純物イオンを炭化珪素基板中へ供給するイオンビームは、炭化珪素基板に達する前に被覆膜を透過する。これにより、比較的浅い位置でその進行が阻止されたイオンは被覆膜中に注入され、比較的深い位置でその進行が阻止されたイオンは炭化珪素基板中に注入される。よって注入プロファイルのうち浅い位置は、炭化珪素基板が占める位置ではなく、被覆膜が占める位置である。このため、注入プロファイルのうち浅い位置を除いた部分を炭化珪素基板の不純物濃度プロファイルとすることができる。また本発明によれば、炭化珪素基板上に直接形成されるのは、マスク層ではなく被覆膜である。よって炭化珪素基板上に直接形成される材料を、マスク層の材料である第2の材料ではなく、被覆膜の材料であり、かつ第2の材料よりも炭化珪素との密着性が高い第1の材料とすることができる。これにより、炭化珪素基板上における剥離の発生を抑制することができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1の不純物イオンを注入する工程で炭化珪素基板が加熱されてもよい。炭化珪素基板上に形成された被覆膜は炭化珪素との密着性が高いので、炭化珪素基板が加熱されても剥離しにくい。またこの炭化珪素基板の加熱によって、イオン注入時に生じる結晶欠陥の発生を抑制することができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1の不純物イオンを注入する工程は、厚さ方向における第1の不純物イオンの注入プロファイルが炭化珪素基板の表面において平坦となる条件で行われてもよい。これにより、炭化珪素基板の表面からその近傍にかけて第1の不純物イオンの濃度プロファイルを平坦にすることができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、被覆膜を形成する工程の後かつ第1の不純物イオンを注入する工程の前に、被覆膜上に、第1の材料に比してイオンビームに対する阻止能が高い材料から作られた第1の阻止膜が形成されてもよい。これにより炭化珪素基板の第1の不純物イオンの濃度プロファイルを、イオン注入の注入プロファイルのうち、濃度が急峻に増大する浅い位置をより広い範囲で除いた部分とすることができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1の阻止膜を形成する工程は、第1の開口部を形成する工程の後に行われてもよい。これにより、第1の開口部の形成のための加工にともなって第1の阻止膜までが部分的に除去されてしまうことがない。よってイオン注入時の第1の阻止膜の膜厚を安定化することができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1の阻止膜を形成する工程は、マスク層を形成する工程の前に行われてもよい。第1の阻止膜を形成する工程の後かつマスク層を形成する工程の前に、第2の材料と異なる材料から作られたエッチングストップ層が形成されてもよい。これにより、マスク層に第1の開口部を形成するためのエッチングを停止させるために、エッチングストップ層を用いることができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1の開口部を形成する工程において、第1の底面および第1の側壁を有する第1の開口部がマスク層に形成される。第1の不純物イオンを注入する工程の後に、第1の底面および第1の側壁上にスペーサ層を形成することによって、マスク層およびスペーサ層を有するマスク部が形成されてもよい。第1の開口部内のスペーサ層を異方的にエッチングすることによって、第1の底面上のスペーサ層を除去しかつ第1の側壁上のスペーサ層を残存させることで、マスク部に、第2の底面および第2の側壁を有する第2の開口部が形成されてもよい。第2の開口部を通るイオンビームにより、炭化珪素基板中に第1の導電型と異なる第2の導電型を付与するための第2の不純物イオンが注入されてもよい。これにより第1の不純物イオンが注入される領域に対して第2の不純物が注入される領域を自己整合的に形成することができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、第2の開口部を形成する工程の後かつ第2の不純物イオンを注入する工程の前に、第2の開口部の第2の底面上に第2の阻止膜が形成されてもよい。これにより炭化珪素基板の第2の不純物イオンの濃度プロファイルを、イオン注入の注入プロファイルのうち、濃度が急峻に増大する浅い位置をより広い範囲で除いた部分とすることができる。上記の炭化珪素半導体装置の製造方法において、第2の材料は酸化珪素であってもよい。第1の材料は、チタン、ポリシリコンおよび窒化珪素のいずれかであってもよい。以上の説明から明らかなように、本発明によれば、イオン注入の深さを調整するための膜を介して炭化珪素基板中に不純物イオンを注入することができ、かつ、炭化珪素基板上での剥離の発生を抑えることができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1図1に示すように、本実施の形態の炭化珪素半導体装置は、MOSFET100であり、具体的には、縦型DiMOSFETDoubleImplantedMOSFETである。MOSFET100は、エピタキシャル基板90、酸化膜126、ソース電極111、上部ソース電極127、ゲート電極110、およびドレイン電極112を有する。エピタキシャル基板90は、単結晶基板80、バッファ層121、耐圧保持層122、p領域123、n領域124、およびp領域125を有する。MOSFET100の平面形状図1の上方向から見た形状は、たとえば、2mm以上の長さの辺からなる長方形または正方形である。単結晶基板80およびバッファ層121はn型の導電型を有する。単結晶基板80は、好ましくは炭化珪素から作られている。バッファ層121におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1017cm3である。またバッファ層121の厚さは、たとえば0.5μmである。耐圧保持層122は、バッファ層121上に形成されており、また導電型がn型の炭化珪素からなる。たとえば、耐圧保持層122の厚さは10μmであり、そのn型の導電性不純物の濃度は5×1015cm3である。エピタキシャル基板90の表面SOには、導電型がp型である複数のp領域123が互いに間隔を隔てて形成されている。また表面SOには、各p領域123の内部に位置するようにn領域124が形成されている。またp領域125は、表面SOからp領域123へn領域124を貫くように形成されている。表面SO上においてp領域123は、n領域124および耐圧保持層122の間に挟まれ、かつ酸化膜126を介してゲート電極110に覆われたチャネル領域を有する。チャネル領域はチャネル長CLを有する。表面SOにおいて複数のp領域123の間から露出する耐圧保持層122上には酸化膜126が形成されている。具体的には、酸化膜126は、一方のp領域123におけるn領域124上から、p領域123、2つのp領域123の間において露出する耐圧保持層122、他方のp領域123および当該他方のp領域123におけるn領域124上にまで延在するように形成されている。酸化膜126上にはゲート電極110が形成されている。よって酸化膜126のうちその上部にゲート電極110が形成された部分はゲート絶縁膜としての機能を有する。また、n領域124およびp領域125上にはソース電極111が形成されている。ソース電極111上には上部ソース電極127が形成されている。次にMOSFET100の製造方法について説明する。図2に示すように、表面SOを有するエピタキシャル基板90炭化珪素基板が準備される。具体的には、単結晶基板80の主面上にバッファ層121が形成され、バッファ層121上に耐圧保持層122が形成される。バッファ層121は、導電型がn型の炭化珪素からなり、その厚さは、たとえば0.5μmとされる。またバッファ層121における導電型不純物の濃度は、たとえば5×1017cm3とされる。耐圧保持層122の厚さは、たとえば10μmとされる。また耐圧保持層122におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1015cm3とされる。図3に示すように、エピタキシャル基板90の表面SO上に直接、被覆膜50が形成される。被覆膜50の材料第1の材料は、後述するマスク層31図4の材料第2の材料に比して、炭化珪素との密着性が高いものが選択される。ある材料と炭化珪素との密着性の程度は、たとえば、炭化珪素基板上にこの材料からなる膜を形成し、この膜と炭化珪素基板との間の密着性の程度で判断することができる。この密着性の試験は、この膜が形成された炭化珪素基板を熱処理してから行うことが好ましい。熱処理の温度は、マスク層31および被覆膜50が設けられたエピタキシャル基板90が置かれる最高温度に対応して定められることが好ましく、たとえば、イオン注入時の加熱温度である500°Cで膜が剥がれるか否かによって密着性の可否判断が行われる。好ましくは被覆膜50の材料第1の材料は、チタン、ポリシリコン、または窒化珪素のいずれかである。これらの材料は、酸化珪素に比して炭化珪素に対する密着性が高い。たとえばチタンが用いられる場合、その厚さは、たとえば80~300nmである。またその形成方法としてはスパッタリング法を用いることができる。エピタキシャル基板90への金属汚染をできるだけ避ける必要がある場合は、被覆膜50の材料は非金属であることが好ましく、たとえば、ポリシリコンまたは窒化珪素が用いられ得る。図4に示すように、被覆膜50上にマスク層31が形成される。好ましくはマスク層31の材料第2の材料は酸化珪素である。マスク層31の形成方法は、たとえばp-CVDplasma-ChemicalVaporDeposition法である。マスク層31の厚さは、たとえば0.1~2.5μmである。図5に示すように、マスク層31上にフォトレジストパターン40が形成される。この形成はフォトリソグラフィ法によって行われ得る。図6に示すように、フォトレジストパターン40をマスクとした異方性エッチングE1により、マスク層31がパターニングされる。異方性エッチングは、たとえば、主にCHF3およびCF4を含むプロセスガスを用いたRIEReactiveIonEtchingにより行い得る。その後、残留したフォトレジストパターン40が除去される。図7に示すように、上記エッチングによってマスク層31に、側壁S1第1の側壁およびそれに囲まれた底面第1の底面を有する開口部P1第1の開口部が形成される。図8に示すように、マスク層31の開口部P1を通りかつ被覆膜50を透過するイオンビームJ1により、エピタキシャル基板90中にp型第1の導電型を付与するための第1の不純物イオンが注入される。第1の不純物イオンは、たとえばアルミニウムAlイオンまたはボロンBイオンである。このイオン注入によって、エピタキシャル基板90中に表面SOから所定深さまで、p型を有するp領域123が形成される。このイオン注入は、いわゆる多段注入によって行われてもよい。すなわち注入エネルギーの異なる複数回のイオン注入が行われてもよい。図20は多段注入の例を示しており、この例においては注入エネルギーが異なる4回の注入図中破線に示す各注入によって注入プロファイルPFが形成される。注入プロファイルPFの最も浅い部分横軸の原点からその近傍にかけての部分においては、不純物濃度の急激な増大が見られ、この部分の位置は被覆膜50が占める。中程度の深さにおいては、多段注入の結果として、注入プロファイルPFのうち平坦な領域FLが形成される。ここで濃度プロファイルが平坦であるということは、深さ方向における0.05μm以上の範囲内において不純物濃度の変動が±50以内であることとして定義され得る。この例における不純物注入は、エピタキシャル基板90の表面SOから平坦な濃度プロファイルが形成されるようなプロセス条件を有するものである。言い換えれば、イオン注入は、注入プロファイルPFが表面SOにおいて平坦となる条件で行われる。好ましくは、イオン注入が行われる際、エピタキシャル基板が加熱される。エピタキシャル基板90への結晶欠陥の発生を十分に抑制するためには、加熱温度は400°C以上であることが好ましい。また加熱機構を有するイオン注入装置の構成を極端に複雑なものとしないためには、加熱温度は600°C以下であることが好ましい。具体的には、加熱温度は500°C程度である。図9に示すように、その後、マスク層31が設けられた被覆膜50上への成膜によって、開口部P1の側壁S1および底面上にスペーサ層32が形成される。言い換えると、マスク層31およびスペーサ層32を有するマスク部30が形成される。スペーサ層32は開口部P1内において側壁S1および被覆膜50を覆う。好ましくはスペーサ層32は酸化珪素から作られる。好ましくは、スペーサ層32が成膜される際にエピタキシャル基板90が加熱される。この加熱の温度は、たとえば300~400°C程度である。図10に示すように、開口部P1内のスペーサ層32が異方性エッチングE2によりエッチングされる。これにより、開口部P1の底面上のスペーサ層32が除去され、かつ側壁S1上のスペーサ層32が残存させられる。異方性エッチングE2は、異方性エッチングE1図6と同様の方法によって行い得る。図11に示すように、上記工程によってマスク部30に、側壁S2第2の側壁およびそれに囲まれた底面第2の底面を有する開口部P2第2の開口部が形成される。図12に示すように、開口部P2を通るイオンビームJ2により、エピタキシャル基板90中にn型第1の導電型と異なる第2の導電型を付与するための第2の不純物イオンが注入される。第2の不純物イオンは、たとえばリンPイオンである。このイオン注入によって、エピタキシャル基板90中に表面SOから所定深さまで、n領域124が形成される。好ましくは、イオンビームJ1によるイオン注入図8の際と同様に、エピタキシャル基板90が加熱される。さらに図13に示すように、その後、マスク部30および被覆膜50が除去される。この除去は、たとえばウェットエッチングによって行うことができる。図14に示すように、表面SO上に、被覆膜50aが形成される。被覆膜50aの形成は、上述した被覆膜50と同様に形成され得る。次に被覆膜50a上にマスク層31aが形成される。マスク層31aは、上述したマスク層31と同様に形成され得る。図15に示すように、マスク層31aに開口部が形成される。この開口部を通るイオンビームJ3により、エピタキシャル基板90中にp型第1の導電型を付与するための第3の不純物イオンが注入される。第3の不純物イオンは、たとえばアルミニウムAlイオンである。好ましくは、イオンビームJ1によるイオン注入図8の際と同様に、エピタキシャル基板90が加熱される。図16に示すように、上記のイオン注入によってエピタキシャル基板90中にp領域125が形成される。図17に示すように、その後、マスク層31aおよび被覆膜50aが除去される。また活性化アニール処理が行われる。たとえば、アルゴン雰囲気中、加熱温度1700°Cで30分間のアニールが行われる。図18に示すように、エピタキシャル基板90上に、ゲート絶縁膜としての機能を有することになる酸化膜126が形成される。具体的には、耐圧保持層122と、p領域123と、n領域124との上を覆うように、酸化膜126が形成される。この形成はドライ酸化熱酸化により行われてもよい。ドライ酸化の条件は、たとえば、加熱温度が1200°Cであり、また加熱時間が30分である。その後、窒化アニール工程が行われる。具体的には、一酸化窒素NO雰囲気中でのアニール処理が行われる。この処理の条件は、たとえば加熱温度が1100°Cであり、加熱時間が120分である。この結果、耐圧保持層122、p領域123、およびn領域124の各々と、酸化膜126との界面近傍に、窒素原子が導入される。なおこの一酸化窒素を用いたアニール工程の後、さらに不活性ガスであるアルゴンArガスを用いたアニール処理が行われてもよい。この処理の条件は、たとえば、加熱温度が1100°Cであり、加熱時間が60分である。図19に示すように、ソース電極111が、以下のように形成される。酸化膜126上に、フォトリソグラフィ法を用いて、パターンを有するレジスト膜が形成される。このレジスト膜をマスクとして用いて、酸化膜126のうちn領域124およびp領域125上に位置する部分がエッチングにより除去される。これにより酸化膜126に開口部が形成される。次に、この開口部においてn領域124およびp領域125と接触するように導体膜が形成される。次にレジスト膜を除去することにより、上記導体膜のうちレジスト膜上に位置していた部分の除去リフトオフが行われる。この導体膜は、金属膜であってもよく、たとえばニッケルNiからなる。このリフトオフの結果、ソース電極111が形成される。なお、ここでアロイ化のための熱処理が行なわれることが好ましい。たとえば、不活性ガスであるアルゴンArガスの雰囲気中、加熱温度950°Cで2分の熱処理が行なわれる。再び図1を参照して、ソース電極111上に上部ソース電極127が形成される。また、酸化膜126上にゲート電極110が形成される。また、単結晶基板80の裏面図中、下面上にドレイン電極112が形成される。以上によりMOSFET100図1が得られる。本実施の形態によれば、イオンビームJ1図8は、エピタキシャル基板90に達する前に被覆膜50を透過する。つまりイオン注入の対象物は被覆膜50およびエピタキシャル基板90を含み、比較的浅い位置でその進行が阻止されたイオンが被覆膜50中に注入され、比較的深い位置でその進行が阻止されたイオンがエピタキシャル基板90中に注入される。よって、イオン注入の対象物に形成される注入プロファイルPF図20のうち浅い位置は、エピタキシャル基板90が占める位置ではなく、被覆膜50が占める位置となる。これにより、注入プロファイルのうち浅い位置を除いた部分をエピタキシャル基板90の不純物濃度プロファイルとすることができる。また本実施の形態によれば、エピタキシャル基板90上に直接形成される材料をマスク層31の材料ではなく被覆膜50の材料とすることができる。そしてこの被覆膜50の材料は、マスク層31の材料よりも炭化珪素との密着性が高い材料とすることができる。これにより、エピタキシャル基板90上における剥離の発生を抑制することができる。またイオン注入時に、炭化珪素基板としてのエピタキシャル基板90が加熱される。エピタキシャル基板90上に形成された被覆膜50は炭化珪素との密着性が高いので、炭化珪素から作られたエピタキシャル基板90が加熱されても剥離しにくい。よってエピタキシャル基板90上における剥離の発生を抑制することができる。そしてこのエピタキシャル基板90の加熱によって、イオン注入時に生じる結晶欠陥の発生を抑制することができる。またイオンビームJ1図8によるイオン注入は、注入プロファイルPF図20がエピタキシャル基板90の表面SOからその近傍にかけて平坦な領域FLとなる条件で行われる。これにより、エピタキシャル基板90の表面SOからその近傍にかけての濃度プロファイルを平坦にすることができる。また異方性エッチングE1図6によりマスク層31がパターニングされる際に、マスク層31と異なる材料から作られた被覆膜50をエッチングストッパとして用いることができる。また開口部P1を通るイオンビームJ1によるイオン注入の後、開口部P1の側壁S1上にスペーサ層32を形成することによって、イオンビームJ2によるイオン注入のためのマスク部30図12が形成される。これによりイオンビームJ1により形成される領域に対して、イオンビームJ2によるイオン注入により形成される領域を自己整合的に形成することができる。またスペーサ層32が成膜される際にエピタキシャル基板90が加熱される場合であっても、エピタキシャル基板90上に形成された被覆膜50は、炭化珪素との密着性が高いので剥離しにくい。よってエピタキシャル基板90上における剥離の発生を抑制することができる。実施の形態2図21に示すように、本実施の形態においては、被覆膜50が形成された後、かつイオンビームJ1によるイオン注入の前に、被覆膜50上に、被覆膜50の材料に比してイオンビームに対する阻止能が高い材料から作られた阻止膜61a第1の阻止膜が形成される。特に本実施の形態においては、阻止膜61aの形成は、開口部P1が形成された後に行われる。阻止膜61aの材料は、マスク層31の材料と同じであってもよく、たとえば酸化珪素である。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、イオンビームJ1図21は、被覆膜50だけでなく阻止膜61aも透過した後に、エピタキシャル基板90に到達する。これにより、注入プロファイルPF図20のうち浅い位置横軸の原点に近い位置が、より広い範囲で、エピタキシャル基板90以外の部分によって占められる。よってエピタキシャル基板90の表面SOからその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、注入プロファイルPFのうち浅い位置の部分がより広い範囲で除かれた部分とすることができる。より具体的には、エピタキシャル基板90の表面からその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、よりいっそう平坦なものとすることができる。また阻止膜61aは開口部P1が形成された後に形成される。これにより、開口部P1の形成のための加工にともなって阻止膜61aまでが部分的に除去されてしまうことがない。よってイオン注入時の阻止膜61aの膜厚を安定化することができる。実施の形態3図22に示すように、本実施の形態においては、阻止膜61b第1の阻止膜は、マスク層31が形成される前に形成される。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態2の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、イオンビームJ1図22は、被覆膜50だけでなく阻止膜61bも透過した後に、エピタキシャル基板90に到達する。これにより、注入プロファイルPF図20のうち浅い位置横軸の原点に近い位置が、より広い範囲で、エピタキシャル基板90以外の部分によって占められる。よってエピタキシャル基板90の表面SOからその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、注入プロファイルPFのうち浅い位置の部分がより広い範囲で除かれた部分とすることができる。より具体的には、エピタキシャル基板90の表面からその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、よりいっそう平坦なものとすることができる。実施の形態4図23に示すように、本実施の形態においては、マスク層31のパターニングのためのエッチングが厚さ方向に途中で停止されることによって、開口部P1の底面上に阻止膜61c第1の阻止膜が形成される。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態2の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、イオンビームJ1図23は、被覆膜50だけでなく阻止膜61cも透過した後に、エピタキシャル基板90に到達する。これにより、注入プロファイルPF図20のうち浅い位置横軸の原点に近い位置が、より広い範囲で、エピタキシャル基板90以外の部分によって占められる。よってエピタキシャル基板90の表面SOからその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、注入プロファイルPFのうち浅い位置の部分がより広い範囲で除かれた部分とすることができる。より具体的には、エピタキシャル基板90の表面からその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、よりいっそう平坦なものとすることができる。実施の形態5図24に示すように、本実施の形態においては、阻止膜61bが形成された後かつマスク層31が形成される前に、マスク層31の材料と異なる材料から作られたエッチングストップ層70が形成される。これにより、マスク層31に開口部P1を形成するためのエッチングを停止させるためにエッチングストップ層70を用いることができる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態3の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、阻止膜61bの材料に関わらず、マスク層31のエッチングの際にエッチングストップ層70を用いることでマスク層31を精度よくパターニングすることができる。よって阻止膜61bの材料がマスク層31の材料と同じであってもよい。実施の形態6図25に示すように、本実施の形態においては、開口部P2が形成された後かつイオンビームJ2によるイオン注入が行われる前に、開口部P2の底面上に阻止膜62第2の阻止膜が形成される。具体的には、開口部P2が形成された後に、酸化珪素が堆積されることで阻止膜62が形成され得る。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、イオンビームJ2図25は、被覆膜50だけでなく阻止膜62も透過した後に、エピタキシャル基板90に到達する。これにより、注入プロファイルのうち浅い位置が、より広い範囲で、エピタキシャル基板90以外の部分によって占められる。よってエピタキシャル基板90の表面SOからその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、注入プロファイルのうち浅い位置の部分がより広い範囲で除かれた部分とすることができる。より具体的には、エピタキシャル基板90の表面からその近傍にかけて形成される濃度プロファイルを、よりいっそう平坦なものとすることができる。また阻止膜62は開口部P2が形成された後に形成される。言い換えれば、開口部P2が形成される際には、阻止膜62は未だ形成されていない。よって開口部P2が形成される際に阻止膜62の存在が問題となることがない。なお上記各実施の形態においては、エピタキシャル基板90の表面SOから平坦な濃度プロファイルが形成される場合図20について説明したが、表面SOから形成される濃度プロファイルは、平坦なものに限定されるわけではなく、半導体装置の設計に応じた、所望のプロファイルであってよい。また上記各実施の形態において、p型とn型とが入れ替えられてもよい。また上記各実施の形態においては炭化珪素基板としてエピタキシャル基板90が用いられるが、代わりに、炭化珪素単結晶基板が用いられてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。