"光電変換素子と薄膜トランジスタとをマトリクス状に配置した画素領域を有するアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板と、前記TFTアレイ基板上に配置した放射線を光に変換する変換層と、前記変換層を覆う導電性カバーを備えた画像検出器であって、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有する複数本のゲート線、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、前記半導体層に接続するソース電極およびドレイン電極を備えており、前記光電変換素子は、前記薄膜トランジスタの上部に設けられた第一のパッシベーション膜に開口された第一のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続しており、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第一のパッシベーション膜と前記第二のパッシベーション膜とに開口された第二のコンタクトホールを介して前記ソースと接続するデータ線と、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第二のパッシベーション膜に開口された第三のコンタクトホールを介して前記光変換素子と接続するバイアス線とを備え、前記TFTアレイ基板は、前記ゲート電極に外部から駆動信号を入力するゲート端子と、前記光電変換素子にて検出される電荷を前記データ線を介して外部に読み出すデータ端子と、外部より前記バイアス線を介して前記光電変換素子に印加電圧を入力するバイアス端子とを備えており、前記導電性カバーは、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線が前記画素領域から前記各端子へ延在する領域の上層の接着領域にて接着され、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線と前記接着領域との間には少なくとも2層の無機絶縁膜が形成されていることを特徴とする画像検出器。光電変換素子と薄膜トランジスタとをマトリクス状に配置した画素領域を有するアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板と、前記TFTアレイ基板上に配置した放射線を光に変換する変換層と、前記変換層を覆う導電性カバーを備えた画像検出器であって、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有する複数本のゲート線、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、前記半導体層に接続するソース電極およびドレイン電極を備えており、前記光電変換素子は、前記薄膜トランジスタの上部に設けられた第一のパッシベーション膜に開口された第一のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続しており、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第一のパッシベーション膜と前記第二のパッシベーション膜とに開口された第二のコンタクトホールを介して前記ソースと接続するデータ線と、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第二のパッシベーション膜に開口された第三のコンタクトホールを介して前記光変換素子と接続するバイアス線とを備え、前記TFTアレイ基板は、前記ゲート電極に外部から駆動信号を入力するゲート端子と、前記光電変換素子にて検出される電荷を前記データ線を介して外部に読み出すデータ端子と、外部より前記バイアス線を介して前記光電変換素子に印加電圧を入力するバイアス端子とを備えており、さらに、少なくとも前記第二のパッシベーション膜に開口する第四のコンタクトホールを介して前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線と接続する端子引き出し線を備え、前記端子引き出し線は、前記データ端子あるいは/かつ前記バイアス端子と接続しており、前記導電性カバーは、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線が前記画素領域から前記各端子へ延在する領域の上層の接着領域にて接着され、前記接着領域の下方において、前記端子引き出し線が形成されていることを特徴とする画像検出器。前記第四のコンタクトホールは、前記接着領域よりも前記画素領域の方の側に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の画像検出器。前記データ配線あるいは/かつ前記バイアス配線と前記端子引き出し線とは、前記第一のパッシベーション膜と前記第二のパッシベーション膜とに開口するコンタクトホールを介して接続することを特徴とする請求項2または3に記載の画像検出器。光電変換素子と薄膜トランジスタとをマトリクス状に配置した画素領域を有するアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板と、前記TFTアレイ基板上に配置した放射線を光に変換する変換層と、前記変換層を覆う導電性カバーを備えた画像検出器であって、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有する複数本のゲート配線、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、前記半導体層に接続するソース電極およびドレイン電極を備えており、前記光電変換素子は、前記薄膜トランジスタの上部に設けられた第一のパッシベーション膜に開口された第一のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続しており、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第一のパッシベーション膜と前記第二のパッシベーション膜とに開口された第二のコンタクトホールを介して前記ソースと接続するデータ線と、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第二のパッシベーション膜に開口された第三のコンタクトホールを介して前記光変換素子と接続するバイアス線とを備え、前記TFTアレイ基板は、前記ゲート電極に外部から駆動信号を入力するゲート端子と、前記光電変換素子にて検出される電荷を前記データ線を介して外部に読み出すデータ端子と、外部より前記バイアス線を介して前記光電変換素子に印加電圧を入力するバイアス端子とを備えており、前記導電性カバーは、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線が前記画素領域から前記各端子へ延在する領域の上層の接着領域にて接着され、前記接着領域の下方において、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線の隣接配線間に、光電変換素子を形成する材料からなる台座を設けたことを特徴とする画像検出器。前記導電性カバーの接着領域の下方において、第一のパッシベーション膜あるいは/かつ第二のパッシベーション膜が除去されて凹部を形成し、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線が前記凹部内に形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の画像検出器。ここで、特許文献1で示されるアレイ基板の構造について概要を説明すると、基板上にいわゆるボトムゲート型の薄膜トランジスタを形成後、上層の絶縁膜を介してフォトダイオードを形成し、さらに上層の絶縁膜を介して、データ線とバイアス線とを形成している。これでデバイスとしてはほとんど完成しているが、通常は保護層としてさらにSiN膜やSiO2膜などの無機絶縁膜や樹脂等からなる有機絶縁膜により全面を被覆する。その後、端子部の形成や、CsI等の成膜によるシンチレータの形成を行う。ここで、薄膜トランジスタがボトムゲート型である場合、ゲート線は最下層に形成されることになる。そのため、アレイ基板の周辺部においては、ゲート線の上層に複数の絶縁層が形成されていることになるため、導電カバーを押圧してもゲート線との短絡は生じにくい。一方、バイアス線やデータ線の場合、それらを覆う無機絶縁層は一般に単層であるため、導電カバーの押圧により比較的容易に短絡不良が生じる。かかる配線上の絶縁層として無機絶縁膜と有機樹脂絶縁膜との積層を用いる形態が知られているが、有機樹脂絶縁膜は軟らかく、導電カバーの押圧に対する耐久性は非常に弱いため、単層の無機絶縁層しか無い場合と同じ問題を引き起こす。この問題を解決するためだけに絶縁層の厚みを厚くするのは、製造コストの増大や生産性の低下を招いてしまう。また、応力やアレイ基板の反りの問題も生じうる。また、無機絶縁膜が単層である限りは、異物により無機絶縁膜に発生した膜欠損を介して導電カバーと短絡するという歩留低下を招いてしまう。いずれにせよ、かかる不具合が1ケ所のみで発生した場合、導電カバーは当該配線と隣接する配線との間を容量結合することになり、表示不良を引き起こす。さらに、複数個所で生じた場合は導電カバーを介して配線どうしが短絡することとなり、表示不良の程度はさらに悪化するという問題がある。本特許はこれらの問題を解決するためのものである。本発明の画像検出器は、光電変換素子と薄膜トランジスタとをマトリクス状に配置した画素領域を有するアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板と、前記TFTアレイ基板上に配置した放射線を光に変換する変換層と、前記変換層を覆う導電性カバーを備えた画像検出器であって、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有する複数本のゲート線、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、前記半導体層に接続するソース電極およびドレイン電極を備えており、前記光電変換素子は、前記薄膜トランジスタの上部に設けられた第一のパッシベーション膜に開口された第一のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続しており、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第一のパッシベーション膜と前記第二のパッシベーション膜とに開口された第二のコンタクトホールを介して前記ソースと接続するデータ線と、前記光電変換素子の上部に設けられた第二のパッシベーション膜上に形成され、前記第二のパッシベーション膜に開口された第三のコンタクトホールを介して前記光変換素子と接続するバイアス線とを備え、前記TFTアレイ基板は、前記ゲート電極に外部から駆動信号を入力するゲート端子と、前記光電変換素子にて検出される電荷を前記データ線を介して外部に読み出すデータ端子と、外部より前記バイアス線を介して前記光電変換素子に印加電圧を入力するバイアス端子とを備えており、前記導電性カバーは、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線が前記画素領域から前記各端子へ延在する領域の上層の接着領域にて接着され、前記データ線あるいは/かつ前記バイアス線と前記接着領域との間には少なくとも2層の無機絶縁膜が形成されていることを特徴とする画像検出器である。アレイ基板周辺部において絶縁膜の下層に配置する配線と、蛍光体の劣化を抑制するための導電カバーとが短絡するという不具合を抑制できる。実施の形態1.以下に本発明の好ましい実施の形態を説明する。図1に、本特許の実施形態1にかかる画像検出器のアレイ基板の平面図を示す。アレイ基板には画素51が複数並べられた画素領域である画素部50と、その周囲に端子58や導電性カバーを接着する領域図示せずや、端子58と画素部50とにまたがる配線等を含む周辺部53と、がある。画素部50には複数のゲート線2に加えて、ゲート線2と交差するように複数のデータ線16が形成されている。画素51はゲート線2とデータ線16との交差で区画される領域により規定され、スイッチング素子である薄膜トランジスタ52と、それに接続するフォトダイオード等の光電変換素子100とを備えている。各画素の光電変換素子100において、薄膜トランジスタ52と接続する側との反対側にバイアス線17が接続されている。バイアス線17は、データ線16に沿った各画素における光電変換素子100を連結するようにして、データ線16と平行に延びている。バイアス線17、データ線16、ゲート線2は画素部50から周辺部53に延び、端子につながっている。各端子は図示しないが、ゲート線2に外部から駆動信号を入力するゲート端子と、光電変換素子100にて検出される電荷をデータ線16を介して外部に読み出すデータ端子と、外部よりバイアス線17を介して光電変換素子100に印加電圧を入力するバイアス端子とがある。図2に、本特許の実施形態1にかかる画像検出器のアレイ基板の画素部の平面図を示す。図3に、図2のA-A部の断面図を示す。図2と図3から、本特許の実施形態1にかかる画像検出器のアレイ基板の画素部の構造について説明する。ガラス基板等の絶縁基板1上に、アルミAlなどの低抵抗金属材料を主成分とする金属によって、ゲート電極3が形成されている。ゲート電極3を覆うように、ゲート絶縁膜4が形成されている。ゲート電極3上にゲート絶縁膜4を介して、半導体膜5が島状に設けられている。導電性不純物がドーピングされた半導体膜6を介して半導体膜5と接続するようにソース電極7とドレイン電極8が設けられている。ソース電極7とドレイン電極8と半導体膜5とを覆うように第一のパッシベーション膜である層間絶縁膜9が形成されて、層間絶縁膜9に開口された第一のコンタクトホールCH1を介してドレイン電極8と接続する下部電極10が形成されている。下部電極10上には光電変換素子であるフォトダイオード100が積層されており、フォトダイオード100は下からリンP等のn型不純物がドープされたアモルファスシリコン膜11、イントリンシックのアモルファスシリコン膜12、ボロンB等のp型不純物がドープされたアモルファスシリコン膜13という積層からなる。フォトダイオード100上に透明電極14が形成されており、透明電極14はフォトダイオード100と透明電極14とを覆うように形成された第二のパッシベーション膜である層間絶縁膜15に開口した第三のコンタクトホールCH3を介して層間絶縁膜15上に形成されたバイアス線17と接続する。バイアス線17と同じ層に、データ線16と遮光膜18とが形成されており、データ線16は層間絶縁膜9と層間絶縁膜15に開口される第二のコンタクトホールCH2を介して、ソース電極7と接続されている。バイアス線17と同じ層で形成された遮光膜18は薄膜トランジスタ52上に位置し表面からの光が半導体膜5に入射するのを防いでいる。バイアス線17、データ線16、遮光膜18を覆うように形成された第三のパッシベーション膜である層間絶縁膜21の積層膜の上層に平坦化膜22が形成されている。アレイ基板の最上層である平坦化膜22上には放射線を光に変換する変換層101が形成されている。変換層101は、たとえばCsI等を含む蛍光板でありX線を蛍光に変換する機能を有している。また、パッシベーション膜としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜等が用いられ、平坦化膜としてはポリイミドやアクリル等の有機樹脂を用いてもよい。次に、図4に、本特許の実施形態1にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の平面図を示す。図5に、図4のB-B部の断面図を示す。アレイ基板の周辺部53は外部配線領域54、端子形成領域55等より構成されている。外部配線領域54において、外部データ線56及び外部バイアス線57はガラス基板等の絶縁基板1上に形成された層間絶縁膜15の上層にデータ線16およびバイアス線17と同層の材料から形成されている。これ以降は特に断りの無い限り、外部データ線56とは、データ線16もしくはデータ線16と電気的に接続する配線のうちアレイ基板の画素部50外の部位を指す称呼とする。したがって、外部データ線56はデータ線16もしくはデータ線16と電気的に接続する配線の一部である。これは外部バイアス線57についても同様である。外部データ線及び外部バイアス線の上層には層間絶縁膜21が積層で形成されており層間絶縁膜21上には平坦化膜22が形成されている。積層の層間絶縁膜21は例えば、SiN膜を2回に分けて成膜してもよく、さらにはSiN膜とSiO2膜の積層でもよい。導電性カバー23は外部配線領域において平坦化膜22上に接着剤25を用いて固定されている。ここでは、導電性カバー23が接着する箇所を接着領域24と呼ぶ。端子形成領域55では、ガラス基板等の絶縁基板1上にゲート絶縁膜4が形成されており、その上に端子引き出し線20が形成されている。なお、端子引き出し線20は、外部データ線56においてデータ線16と電気的に接続する配線に相当する。外部バイアス線も同様である。端子引き出し線20を覆うように層間絶縁膜9、層間絶縁膜15が形成されている。端子引き出し線20の画素側端部では層間絶縁膜9、層間絶縁膜15に開口する第四のコンタクトホールCH4を介して外部データ線または外部バイアス線と電気的に接続されている。一方、端子開口部では層間絶縁膜9、層間絶縁膜15に第五のコンタクトホールCH5を介して端子パッド19に電気的に接続されている。なお、図5において端子パッド19は層間絶縁膜21及び平坦化膜22の開口の内側に形成されているが、端子パッド19は層間絶縁膜21及び平坦化膜22の一部を覆う形で形成してもよい。また、端子引き出し線20をゲート絶縁膜4上の配線にて形成したが、絶縁基板1上や層間絶縁膜9上の配線を用いて形成してもよく、さらにはコンタクトホールCH4の変換を行わないでデータ線16及びバイアス線17と同層の配線材料で形成してもよい。本実施の形態1においては、導電性カバーが接する接着領域において、データ線あるいは/かつバイアス線の上層に少なくとも2層の無機絶縁膜が形成されているため、片方の無機絶縁膜に膜欠損が発生した場合でも導電性カバーの押圧によってもそれらの配線との短絡が生じにくいという効果を奏する。実施の形態2.図6に本特許の実施形態2にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の平面図を示す。図7に、図6のC-C部の断面図を示す。実施の形態1と異なる点は、導電性カバー接着領域24よりも画素領域の側の外部配線領域54において外部データ線56及び外部バイアス線57はコンタクトホールCH4を介してデータ線16及びバイアス線17と同層の配線材料から端子引き出し線20に変換されていることである。また、実施の形態1における外部データ線とはデータ線16を画素部50から延在させたものであるのに対し、本実施の形態2においては後述するが主に端子引き出し線20が相当する点も異なる。外部バイアス線も同様である。端子引き出し線20はガラス基板等の絶縁基板1上に形成された、ゲート絶縁膜4上のソース電極7又はドレイン電極8と同層の配線材料にて形成されている。導電性カバー23の接着領域24の下方において金属配線として最上層に配置されているデータ線16及びバイアス線17と同層で形成された外部配線の代わりにそれよりも下層に配置されるソース電極7と同層で形成された端子引き出し線20を用いることで、導電性カバー23の押圧による導電性カバー23とデータ線16等との電気的な短絡がさらに生じにくいという効果を奏する。また、実施例1では層間絶縁膜21を積層にして層間絶縁膜21の膜欠損の影響を低減したが本実施の形態においては層間絶縁膜21だけでなく層間絶縁膜15及び層間絶縁膜9をも間に挟むことにより必ずしも層間絶縁膜21を積層にしなくても各絶縁膜に膜欠損が発生した場合の影響を低減できる。さらに、図6や図7において接着領域24の下方には端子引き出し線20以外にデータ線やバイアス線が存在しないため、導電性カバー23との短絡の可能性を大きく低減できるが、接着領域24の下方にデータ線やバイアス線が一部あっても、少なくとも端子引き出し線20の形成箇所での短絡の可能性は減らすことができる。実施の形態3.図8に、本特許の実施形態3にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の断面図を示す。実施の形態2と異なる点は、外部配線において端子引き出し線20はゲート線と同層の配線材料で形成されていることである。端子引き出し線20はガラス基板等の絶縁基板1上に形成されゲート線2と同層の配線材料にて形成されている。外部配線領域54においては、端子引き出し線20を覆うように、ゲート絶縁膜4、層間絶縁膜9、層間絶縁膜15が形成されている。層間絶縁膜15上にはデータ線16及びバイアス線17と同層で形成された外部データ線56または外部バイアス線57が形成されている。これらと端子引き出し線20とは、ゲート絶縁膜4と層間絶縁膜9と層間絶縁膜15とに開口したコンタクトホールCH4によって接続されている。これ以外は、実施の形態2と同様である。図8ではコンタクトホールCH4をゲート絶縁膜4と層間絶縁膜9と層間絶縁膜15とに一括して開口しているが、ゲート絶縁膜4と層間絶縁膜9とを開口するコンタクトホールと層間絶縁膜15を開口するコンタクトホールとを別々に設けてもよく、また両コンタクトホールの位置をずらせてその間の電気的導通を維持する導電膜として下部電極10と同じ材料からなる導電パターンを設けてもよい。データ線15とゲート線2との間で直接に接続できない事情、たとえば接続抵抗が高い場合に下部電極10と同じ材料を介することにより改善する場合には有効である。本実施の形態3において、導電性カバーの接着領域24では外部配線はゲート絶縁膜4によっても覆われるため、実施の形態2の構造よりも覆われる絶縁層の数が多い。そのため、導電性カバーの押圧による短絡がより生じにくいという効果を奏する。また、ソース電極と同層の金属より低抵抗の配線材料をゲート線に用いた場合、コンタクトホールから端子までの配線抵抗の増加を抑えることができ、信号遅延を改善できる。実施の形態4.本実施の形態4においては、外部データ線56外部バイアス線57の間に、フォトセンサーを構成するアモルファスシリコン層のパターンを配置する。図9に、本特許の実施形態4にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の平面図を示す。図10に、図9のD-D部の断面図を示す。以下、図9と図10を用いて、本特許の実施形態4にかかる画像検出器について説明する。画素部50から延びてきたデータ線16が端子パッド19につながっている。ここで、図10より外部データ線56は、絶縁基板1上に成膜された層間絶縁膜15上に形成されている。一方、図9より外部データ線56と隣接する外部データ線56との間には、Si台座26が形成されている。図10よりSi台座26は、層間絶縁膜9上に形成されている。このSi台座26は画素部50におけるフォトセンサー100及び下部電極10と同じレイヤー上で、同時にパターニング形成されたものである。そして、Si台座26の上には層間絶縁膜15と層間絶縁膜21上の平坦化膜22を介して、導電性カバー23の接着領域24が位置している。なお、導電性カバー23は接着剤25を介して平坦化膜22上に固定されている。ここで、導電性カバー23を固定する際に圧力をかけたとすると、導電性カバーが外部データ線56または外部バイアス線57に当たって短絡する前に、硬いSi台座26上の層間膜に当たることとなる。したがって、導電性カバー23と外部データ線56または外部バイアス線57との短絡は抑制されることとなる。なお、図9,10においてSi台座26は隣接する配線毎に配置したが、配置間隔は導電性カバーが外部データ線56または外部バイアス線57と接触しない範囲内で設定すればよい。ここで、本実施の形態における各膜の厚みを概算しておく。バイアス線17データ線16の厚みは約1.0μm、Si台座26の厚みは約1.5μmとなるので約0.5μm程度だけSi台座26の方が高くなる。実施の形態は適宜組み合わせても良い。データ線とバイアス線とで異なる実施の形態を適用しても良い。たとえば、実施の形態1と実施の形態4、実施の形態2と実施の形態4、実施の形態3と実施の形態4とを組み合わせても良い。また、導電性カバー23下の接着剤25と平坦化膜22との相性で所望の密着力が得られない場合は導電性カバー接着領域24の平坦化膜22を除去し、無機絶縁膜との接着という形態を適用しても良い。実施の形態5.本実施の形態5においては、外部データ線56または外部バイアス線57の下層にある層間絶縁膜15を除去することを特徴とする。図11に、本特許の実施形態5にかかる画像検出器のアレイ基板の周辺部の平面図を示す。図12に、図11のE-E部の断面図を示す。以下、図11と図12を用いて、本特許の実施形態5にかかる画像検出器について説明する。図12において、層間絶縁膜15には凹部27が形成されている。図11において、この凹部27は導電性カバー23がアレイ基板に当接する接着領域24の下方となるように形成される。外部データ線56または外部バイアス線57はその凹部27内に形成されている。ここで、外部データ線56または外部バイアス線57の上面の高さは、凹部27以外の層間絶縁膜15の高さよりも低くなるように形成されている。ここで、導電性カバー23を固定する際に圧力をかけたとすると、導電性カバー23が外部データ線56または外部バイアス線57に当たって短絡する前に、凹部27以外の層間絶縁膜15に当たることとなる。したがって、導電性カバー23と外部データ線56または外部バイアス線57との短絡は抑制されることとなる。なお、図12では、凹部27を形成するために層間絶縁膜15を除去しているが、層間絶縁膜15の下層の層間絶縁膜9も除去しても良い。さらに下層のゲート絶縁膜4も除去しても良い。これにより、外部データ線56または外部バイアス線57の上面の高さと、凹部27以外の層間絶縁膜15の高さとの差が広がるため、外部データ線56または外部バイアス線57の厚みを大きくできる効果や、短絡をより低減できるという効果を奏する。また、図12では凹部27の側面は基板表面と垂直に表示されているが、緩やかなテーパーとなるように凹部27を形成しても良い。すなわち、基板表面から離れるに従って、凹部27の開口面積が増大するようなテーパー形状に加工してもよい。また、実施の形態1~4と適宜、組み合わせても良い。次に実施の形態5の別の形態について、図11のE-E部における断面図である図13を用いて説明する。図13において、凹部27内に形成された外部データ線56または外部バイアス線57の下層に導電体層28を設けている。この導電体層28は、下部電極10と同じレイヤーの膜からなるものであり、層間絶縁膜9上に形成されている。本実施の形態においては、外部データ線56または外部バイアス線57の下層に導電体層28を設けたため、凹部27を形成するために層間絶縁膜15を除去する際、層間絶縁膜9やゲート絶縁膜4までも除去することを防止することができる。すなわち、外部データ線56または外部バイアス線57の下層に導電体層28はエッチングストッパとしての役割を果たす。なお、図13に示す形態においても、実施の形態1~4と適宜、組み合わせても良い。また、本発明における実施の形態1~5については特に断りの無い限り、データ線とバイアス線の両方に適用した方がそれだけ発明の効果を奏するが、データ線とバイアス線とのいずれかに適用しても発明の効果は奏する。言い換えれば、データ線あるいは/かつバイアス線に適用することが可能である。"