"液体原料ガス供給源と,前記液体原料ガスを貯留するソースタンクと,前記ソースタンクの内部上方空間部から液体原料ガス蒸気である原料ガスをプロセスチャンバへ供給するガス流通路と,当該ガス流通路の上流側に介設され、プロセスチャンバへ供給する原料ガスの供給圧を設定値に保持する自動圧力調整器と,前記ガス流通路の下流側に介設され、プロセスチャンバへ供給する原料ガスの通路を開閉する供給ガス切換弁と,当該供給ガス切換弁の入口側と出口側の少なくとも一方に設けられ、プロセスチャンバへ供給する原料ガスの流量を調整する絞り部と,前記ソースタンクと前記ガス流通路と供給ガス切換弁及び絞り部とを設定温度に加熱する恒温加熱装置とから成り、自動圧力調整器の下流側の原料ガスの供給圧を所望の圧力に制御しつつ設定流量の原料ガスをプロセスチャンバへ供給する構成としたことを特徴とする半導体製造装置の原料ガス供給装置。液体原料ガスを四塩化チタンTiCl4とするようにした請求項1に記載の半導体製造装置の原料ガス供給装置。絞り部を供給ガス切換弁の入口側に設けるようにした請求項1に記載の半導体製造装置の原料ガス供給装置。恒温加熱装置によりソースタンクを100°C~250°Cの温度に加熱するようにした請求項1に記載の半導体製造装置の原料ガス供給装置。恒温加熱装置によりガス流通路と自動圧力調整器と絞り部及び切換弁とを100°C~250°Cの温度に加熱するようにした請求項1に記載の半導体製造装置の原料ガス供給装置。原料ガスのガス流通路と並列に、アルゴンガスを供給するガス流通路とアンモニアガスを供給するガス流通路を夫々設けるようにした請求項1に記載の半導体製造装置の原料ガス供給装置。本発明は、従前の図4及び図5ガス供給装置に於ける上述の如き問題、即ちイ.原料ガスのみを単独で、且つ高精度で流量制御しつつ安定供給することができないこと、ロ.プロセスチャンバの直近に設けたパルス駆動弁の開閉制御により原料ガスの供給流量を制御する構成としているため、高精度な流量制御が困難なこと、ハ.バッファチャンバを用いたり、熱式流量制御装置を用いるため、原料ガス供給装置の大幅な小型化や低コスト化が困難なこと等の問題を解決せんとするものであり、キャリアガスを用いることなしに原料ガスのみを単独で、しかも熱式流量制御装置や流量制御用パルス弁を用いることなしに、原料ガス通路内に設けた自動圧力調整装置による2次側ガス流通路内の原料ガス圧力の調整とオリフィスの使用により、高精度で流量制御しつつ安定して原料ガスの供給を出来るようにした原料ガス供給装置を提供するものである。請求項1の発明は、液体原料ガス供給源と,前記液体原料ガスを貯留するソースタンクと,前記ソースタンクの内部上方空間部から液体原料ガス蒸気である原料ガスをプロセスチャンバへ供給するガス流通路と,当該ガス流通路の上流側に介設され、プロセスチャンバへ供給する原料ガスの供給圧を設定値に保持する自動圧力調整器と,前記ガス流通路の下流側に介設され、プロセスチャンバへ供給する原料ガスの通路を開閉する供給ガス切換弁と,当該供給ガス切換弁の入口側と出口側の少なくとも一方に設けられ、プロセスチャンバへ供給する原料ガスの流量を調整する絞り部と,前記ソースタンクと前記ガス流通路と供給ガス切換弁及び絞り部とを設定温度に加熱する恒温加熱装置とから成り、自動圧力調整器の下流側の原料ガスの供給圧を所望の圧力に制御しつつ設定流量の原料ガスをプロセスチャンバへ供給することを発明の基本構成とするものである。請求項2の発明は請求項1の発明に於いて、液体原料ガスを四塩化チタンTiCl4としたものである。請求項3の発明は請求項1の発明に於いて、絞り部を供給ガス切換弁の入口側に設けるようにしたものである。請求項4の発明は請求項1の発明に於いて、恒温加熱装置によりソースタンクを100°C~250°Cの温度に加熱するようにしたものである。請求項5の発明は請求項1の発明に於いて、恒温加熱装置によりガス流通路と自動圧力調整器と絞り部及び切換弁とを100°C~250°Cの温度に加熱するようにしたものである。請求項6の発明は請求項1の発明に於いて、原料ガスのガス流通路と並列に、アルゴンガスを供給するガス流通路とアンモニアガスを供給するガス流通路を夫々設けるようにしたものである。本願発明に於いては、ソースタンクの温度を設定値に保持すると共に、ソースタンクの内部上方空間部から導出した液体原料ガスの蒸気である原料ガスG1のプロセスチャンバへの供給圧力を自動圧力調整装置によって制御し、自動圧力調整装置の二次側ガス流通路内の原料ガス圧を所望の設定圧に保持しつつ原料ガスG1を絞り部を介してプロセスチャンバへ供給する構成としている。その結果、キャリアガスを用いることなしに液体原料ガスG1のみを高精度で流量制御しつつ供給することができ、原料ガスG1の安定した供給が可能となると共に流量制御性が大幅に向上する。また、原料ガスG1の流通路は自動圧力調整装置と絞り部と供給ガス切換弁とから成る簡単な構成となり、半導体製造装置の原料ガス供給装置の大幅な小型化が可能となると共に、液体原料ガスの使用量の判別が容易になり、しかもオリフィスにより原料ガスの供給切換時に於ける異種ガスの逆流が有効に防止されることになる。更に、自動圧力調整装置によって原料ガスG1の供給圧を一定に保持し且つ絞り部口径を適宜に選定すると共に、ソースタンクや原料ガスG1の温度調整を行うことにより、原料ガスG1の供給流量を極めて高精度で制御することができ、所謂成膜工程の高性能化や半導体製品の大幅な品質向上が可能となる。以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の実施形態に係る原料ガス供給装置の構成系統図であり、当該原料ガス供給装置は、液体原料タンク1、液体原料流量メータ2、液体原料供給弁3、液体原料4、ソースタンク5、原料ガス出口弁7、プロセスチャンバ11へ供給する原料ガス流通路9の内部圧力を制御する自動圧力調整装置6、プロセスチャンバ11へ供給するガスGの供給流量を調整する絞り部ここでは、オリフィスを使用8、ガス流通路9、供給ガス切換弁10、ガス流通路9やソースタンク5等を加温する恒温加熱装置15等から構成されている。尚、図1に於いては、液体原料タンク1の他にアンモニアガスタンク1G2、アルゴンガスタンク1G3、その他のガスタンク1Gnが設けられており、各ガス流通路9G2、9G3、9Gnには夫々自動圧力調整器6G2、6G3、6Gn、オリフィス8G2、G3、8Gn、供給切換弁10G2、10G3、10Gnが夫々設けられており、プロセスチャンバ7へ原料ガスG1、G2、G3、Gnが夫々切換供給されて行く。図1を参照して、液体原料ガス4は液体原料タンク1から流量メータ2、液体原料供給弁3を通してソースタンク5内へ供給され、ここで恒温加熱装置15により所定温度に加熱された状態で貯留される。尚、本実施例では液体原料ガスの1つとして四塩化チタンTiCl4が用いられており、以下液体原料ガス4をTiCl4として説明をする。ソースタンク5内の液体原料ガス4は、ソースタンク5を約100°C~110°Cに加熱することにより、その加熱温度における液体原料4の飽和蒸気圧例えば100°C、269Torrの蒸気G1が生成され、ソースタンク5の内部上方空間5a内に充満する事になる。生成された液体原料4の飽和蒸気G1は原料ガス出口弁7を通して自動圧力調整器6G1へ流入し、自動圧力調整器6G1によって所定の設定圧に調整され、オリフィス8G1、原料ガス供給切換弁10G1を通してプロセスチャンバ11へ供給されて行く。前記自動圧力調整器6G1は、ソースタンク5からの原料ガスG1の出口側近傍に設けられており、ソースタンク5内からの原料ガスG1の自動圧力調整器6G1の2次側に於ける圧力を所定設定値に自動調整するためのものである。即ち、図2に示すように、自動圧力調整器6G1の流出側の原料ガスG1の圧力P1及び温度T1を検出すると共に、当該検出圧力P1及び温度T1を用いて演算制御部12において温度補正を行うことにより、現実の高温混合ガスG1の圧力に補正する演算を行い、更に、当該演算した原料ガスG1の圧力値Ptと、設定入力端子13からの設定圧力値Psとを対比して、両者の偏差Pdが零となる方向にコントロールバルブV0の開閉を制御する。尚、図2は、自動圧力調整器6G1のブロック構成を示すものであり、その演算制御部12は、温度補正回路12a、比較回路12b、入出力回路12c及び出力回路12d等から構成されている。即ち、圧力検出器P1及び温度検出器T1からの検出値はディジタル信号に変換されて温度補正回路12aへ入力され、ここで検出圧力P1が検出圧力Ptに補正されたあと、比較回路12bへ入力される。また、設定圧力の入力信号Psが端子13から入力され、入出力回路12bでディジタル値に変換されたあと、比較回路12bへ入力され、ここで前記温度補正回路12aからの温度補正をした検出圧力Ptより大きい場合には、コントロールバルブV0の駆動部へ制御信号Pdが出力される。これにより、コントロールバルブV0が閉鎖方向へ駆動され、設定圧力入力信号Psと温度補正した検出圧力Ptとの差Pd=Ps-Ptが零となるまで閉弁方向へ駆動される。また、逆に前記設定圧力入力信号Psが温度補正をした検出圧力Ptよりも小さい場合には、コントロールバルブV0の駆動部へ制御信号Pdが出力され、コントロールバルブV0が開弁方向へ駆動される。これにより両者の差Ps-Ptが零となるまで開弁方向への駆動が接続される。自動圧力調整器6G1により、その2次側のガス圧力が設定圧力に保持された原料ガスG1は、オリフィス8G1に於いて原料ガスG1の設定圧力とオリフィス8G1の口経とガス温度に応じた所定の流量でもって、供給ガス切換弁10G1を通してプロセスチャンバ11へ供給される。尚、上記説明に於いては、原料ガスG1のガス流通路9G1のラインのみを説明したが、ガス流通路9G2やガス流通路9G3等のラインもソースタンク5の部分を除けば、前記ガス流通路9G1の場合と全く同様である。また、上記説明に於いては、オリフィス8を供給ガス切換弁10の上流側に設けるようにしているが、オリフィス8を供給ガス切換弁10の下流側に設けてもよく、或いは下流側と上流側の両方に設けるようにしてもよい。更に、液体原料ガスとしては四塩化チタンを用いているが、他の液体原料例えばTEOS等であってもよいことは勿論であり、恒温加熱装置15によるソースタンク5やガス流通路9、供給ガス切換弁10の加熱温度は使用する液体原料ガスの飽和蒸気圧や原料ガスの必要流量及び圧力に応じて適宜に選定されることになる。本発明に於いては、自動圧力調整装置6によりその2次側の原料ガスの圧力及び温度が設定値に保持されると共に、オリフィス8を介してその流量を調整しているため、従前の如く流量調整のために供給ガス切換弁10の開度制御を行う必要は全く無く、単に供給ガスの切換を行うだけでよい。従って、より高精度な流量制御が行えることとなる。また、本発明に於いては、必要な原料ガスのみを直接且つ高精度な流量制御の下にプロセスチャンバ11へ供給することができ、原料ガス流通路9等の小口径化や簡素化を図ることが出来ると共に、原料ガスの濃度管理が不要となる。図3は、原料ガスをTiCl4とし、且つTiCl4ガスの流量を10sccmとした場合の自動圧力調整器6G1等を含むガス流通路9G1の圧力、温度、流量等の関係を示すものであり、ソースタンク温度=100°C、ソースタンク内部空間5aのTiCl4ガス圧力=269Torr100°C、自動圧力調整器6G1の上流側圧力P1=269Torr、自動圧力調整器6G1の下流側圧力P2=200Torr、オリフィス8G1の口径0.1mmφとすることにより、10sccmのTiCl4ガスの供給が可能なことが確認されている。尚、オリフィス8G1と供給ガス切換弁10G1との間の距離L2は10mm以下とし、また、自動圧力調整装置6G1とオリフィス8G1との間の距離は約2mとしている。尚、TiCl4ガスの流量は温度の関数となるため、自動圧力調整装置6G1の2次側制御圧P2を調節することにより、原料ガスG1の流量調整が出来る。同様の方法により、NH3ガス流通路9G2についても、NH3ガスG2=10SLMとした場合について検討をした。その結果自動圧力調整器6G2の制御圧力P2=790Torr、温度23°Cのオリフィス8G2の口径=1.0mmのとき、約流量10SLMのNH3原料ガスG2が供給可能であるオリフィス下流圧がP2に対して臨界膨張条件を満たすとき。また、Arガス流通路9G2についても、圧力調整器6G3の制御圧P2=1100Torr、温度23°C、オリフィス8G3の口径=1.0mmのとき、約流量10SLMのArガスG3が供給可能であるオリフィス下流圧がP2に対して臨界膨張条件を満たすとき。"