"複数の電極を備える複数の半導体チップを半導体ウェーハに形成する工程と、プローブ検査により前記半導体チップの良否判定を行う工程と、前記プローブ検査により不良と判定された前記半導体チップの所定の前記電極の表面に絶縁性の酸化膜を形成する工程と、前記半導体ウェーハに対して一括バーンインテストを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記酸化膜が形成される電極が電源用電極であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記酸化膜の形成をレーザー照射することにより行うことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記酸化膜の膜厚をレーザー出力で調整することを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。前記レーザーのスポット直径が前記電極の1辺の長さより小さいことを特徴とする請求項3または請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。1つの前記電極に対するレーザー照射を前記電極の中心部およびその周辺部への複数のレーザー照射により行うことを特徴とする請求項3~請求項5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記電極が電極パッド上に形成される半田バンプであることを特徴とする請求項1~請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。電極パッドと前記電極パッド上に形成される半田バンプとを複数備える複数の半導体チップを半導体ウェーハに形成する工程と、プローブ検査により前記半導体チップの良否判定を行う工程と、前記プローブ検査により不良と判定された前記半導体チップの所定の前記半田バンプを除去する工程と、前記半導体ウェーハに対して一括バーンインテストを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記除去される電極が電源用電極であることを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。前記電極パッドが検査針接続領域と半田バンプ接続領域とからなり、前記半田バンプを前記半田バンプ接続領域に形成し、前記プローブ検査を前記検査針接続領域にプローブすることにより行うことを特徴とする請求項7~請求項9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。半導体ウェーハと、前記半導体ウェーハ上に形成される良品および不良品の半導体チップと、前記半導体チップに形成される電極と、前記電極のうちの不良品の前記半導体チップに形成された所定の電極上に形成される絶縁性の酸化膜とを有することを特徴とする半導体装置。前記所定の電極が電源用電極であることを特徴とする請求項11記載の半導体装置。前記電極が電極パッド上に形成される半田バンプであることを特徴とする請求項11または請求項12のいずれかに記載の半導体装置。前記電極パッドに、検査針接続領域と、半田バンプ接続領域とを備え、前記半田バンプが前記半田バンプ接続領域に形成されることを特徴とする請求項13記載の半導体装置。図8または、図9に示した塗布方式は、粘性が10~100CPSの絶縁樹脂により平らで、厚みが1μm以下の薄い電気絶縁する塗布電極に対応が可能であるが、半田バンプの様な、厚みが100μm程度のドーム形状のものの場合には、絶縁樹脂が半田バンプの表面から流れてしまい、十分に電極パッド3を絶縁できないという問題点があった。また、半田バンプの表面から流れない程の高粘度の絶縁樹脂を用いた場合には、塗布ノズルが詰まるなどの課題が発生するため、塗布ノズルの穴径を、50μm以上にしなければならず、樹脂6の塗布量が100ピコリットル以上となり、微小な電極パッド3への塗布が困難となるという問題点があった。本発明は、上記問題に鑑み、容易に、電極の形状に関わらず、電極を選択的に絶縁することを目的とする。上記目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方法は、複数の電極を備える複数の半導体チップを半導体ウェーハに形成する工程と、プローブ検査により前記半導体チップの良否判定を行う工程と、前記プローブ検査により不良と判定された前記半導体チップの所定の前記電極の表面に絶縁性の酸化膜を形成する工程と、前記半導体ウェーハに対して一括バーンインテストを行う工程とを有することを特徴とする。また、前記酸化膜が形成される電極が電源用電極であることが好ましい。また、前記酸化膜の形成をレーザー照射することが好ましい。また、前記酸化膜の膜厚をレーザー出力で調整することもできる。また、前記レーザーのスポット直径が前記電極の1辺の長さより小さくてもよい。また、1つの前記電極に対するレーザー照射を前記電極の中心部およびその周辺部への複数のレーザー照射により行ってもよい。また、電極パッドと前記電極パッド上に形成される半田バンプとを複数備える複数の半導体チップを半導体ウェーハに形成する工程と、プローブ検査により前記半導体チップの良否判定を行う工程と、前記プローブ検査により不良と判定された前記半導体チップの所定の前記半田バンプを除去する工程と、前記半導体ウェーハに対して一括バーンインテストを行う工程とを有することを特徴とする。また、前記除去される電極が電源用電極であることが好ましい。また、前記電極パッドが検査針接続領域と半田バンプ接続領域とからなり、前記半田バンプを前記半田バンプ接続領域に形成し、前記プローブ検査を前記検査針接続領域にプローブすることにより行うことが好ましい。さらに、本発明の半導体装置は、半導体ウェーハと、前記半導体ウェーハ上に形成される良品および不良品の半導体チップと、前記半導体チップに形成される電極と、前記電極のうちの不良品の前記半導体チップに形成された所定の電極上に形成される絶縁性の酸化膜とを有することを特徴とする。また、前記所定の電極が電源用電極であることが好ましい。また、前記電極が電極パッド上に形成される半田バンプであることが好ましい。また、前記電極パッドに、検査針接続領域と、半田バンプ接続領域とを備え、前記半田バンプが前記半田バンプ接続領域に形成されることが好ましい。以上のように、容易に、電極の形状に関わらず、電極を選択的に絶縁することができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。本発明にかかる半導体装置の製造装置は、複数の半導体チップを形成した半導体ウェーハ上の特定の電極にレーザー照射による熱処理するための機構を有するものであるため、始めに処理対象の半導体ウェーハについて、図2~図4を用いて説明する。図2は半導体ウェーハの構成を示す図、図3は半導体チップの構成を例示する図、図4は電極パッドがグリッド状に配置された半導体チップの構成を例示する図である。図2に示すように、半導体ウェーハ1には、複数の半導体チップ2が形成されている。図3aに示すように、各々の半導体チップ2は、電極パッド3が回路部4を囲むように半導体チップ2の周縁部に形成されていてもよい。また、図3bに示すように、半導体チップ2は、半導体チップ2の周縁部だけでなく内部の回路部4周囲領域にも電極パッド3が形成されていてもよい。また、図4に示すように、電極パッド3は、半導体チップ2全体にグリッド状に配置されていても良い。ここで、電極パッド3上には、電源供給用の半田バンプ3aや信号用の半田バンプ3bからなる半田バンプが設けられていてもよい。通常、半田バンプの断面形状は、ドーム形状である。今後、電極パッド3や半田バンプからなる電極構造は、さらなる狭ピッチ化、狭小化が予想されることから、ウェーハバーンインテストにおいて、特に位置精度よく、絶縁処理することが要求される。以下、電極として形成された半田バンプの絶縁処理について説明する。実施の形態1まず、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法であるパッド電極に絶縁膜を形成するための装置について、図1を用いて説明する。図1は実施の形態1に係る半導体装置の製造方法に用いるレーザー照射装置の構成を示す概念図である。このレーザー照射機構は、半導体ウェーハ上の複数の半導体チップの内、不良の半導体チップのパッド電極に絶縁酸化膜を形成するためのものである。図1に示すように、半導体ウェーハ1を設置するためのウェーハステージ12と、ウェーハステージ12をX方向、Y方向に移動させるXY移動ステージ13と、ウェーハステージ12上の半導体ウェーハ1の対象電極に電気絶縁処理をするためのレーザー照射ユニット15と、レーザー照射ユニット15の照射動作を制御するレーザーコントローラー15aと、半導体ウェーハ1上の対象電極パッドおよびその塗布位置を上方から認識するための位置認識カメラ16および認識カメラコントローラー16aと、半導体ウェーハ1上の対象電極パッドを処理位置に配置するようにXY移動ステージ13の動作を制御するウェーハステージコントローラー13aと、レーザーコントローラー15a、認識カメラコントローラー16aとウェーハステージコントローラー13aを統合的に制御する統合コントローラー21とを有している。レーザー照射ユニット15は、絶縁対象電極の上方近傍に照射部が配置されており、統合コントローラー21によって、レーザー照射タイミングが制御されるようになっている。図1に示すレーザー照射装置を用いて、図2~図4に例示される半導体チップ2の電極パッド3を絶縁処理する際に、まず、半導体ウェーハ1上の対象電極パッド3が位置認識カメラ16により確認されつつ、レーザー照射ユニット15の直下に位置決めされ、その後に、統合コントローラー21から発せられる照射信号によって、レーザーが対象半導体チップ2内の任意の電極パッド3に照射される。実施の形態1では、事前のプローブ検査で不良品と判定された半導体チップ2の電源供給用の電極パッド3を選択してレーザーを照射することにより、選択された電極パッド3の表面に絶縁性の酸化膜を形成することが特徴である。以後、このステップが対象となる不良チップ数だけ繰り返される。次に、図5を用いて、実施の形態1における酸化膜形成工程について説明する。図5は実施の形態1における酸化膜形成工程を説明する図である。図5に示すように、事前のプローブ検査で不良品と判定された半導体チップ2の電源供給用の電極パッド3である半田バンプ3aにレーザーを照射することにより、半田バンプ3aの表面が熱せられ、酸素と結合することで、半田バンプ3aの表面を覆う絶縁層の酸化膜7が形成される。このようにレーザー照射することにより、実施の形態1の半導体装置たる半導体ウェーハ1は、プローブ検査で良品あるいは不良品と判定された複数の半導体チップ2が形成され、不良品と判定された半導体チップ2の少なくとも電源供給用の電極パッド3または電源供給用の電極パッド3上に形成された半田バンプ3aの表面に絶縁性の酸化膜7が形成されることを特徴とする。以上のように、実施の形態1における半導体装置および半導体装置の製造方法によると、レーザー照射により所望の電極の表面に酸化膜7を形成することにより、容易に、電極の形状に関わらず、電極を選択的に絶縁することができ、良品半導体チップの特性不良やプローブカードの熱損を防止できる。また、レーザー熱源を絶縁箇所に接触させないので、荷重がかからず、電極にストレスが発生しない。また、塗布ノズルを被塗布箇所に接触させる塗布方式に比べて、上下機構及び上下動作が必要でない分、塗布の高速化、リードタイムの短縮も図ることができる。また、インクジェット方式と比較しても液の吐出時間を考慮すると高速化することができる。また、微小スポットのレーザー照射することが可能であるので、電極の表面を局所的に酸化させることができ、絶縁状態が安定し、多数の電極であってもそれぞれを確実に熱処理できる。また、レーザーは照射スポット直径が60μm以下とすることが好ましい。コンシューマ向けLSI等の電極の1辺の大きさが一般的に60μm程度と想定されており、所望のエリアで絶縁することができるためである。将来的には小径化が進むと考えられるため、電極サイズに対しレーザーのスポット直径を小さくすることにより、より確実に絶縁性の酸化膜7を形成することができる。また、最適な絶縁膜厚を確保するために、レーザー出力を制御してもよい。絶縁膜の膜厚が10μm以上にならないようにすることで、良品素子に同時に接続される他のバンプ電極の接続の支障になることはない。また、最適な絶縁膜厚および絶縁膜の形成領域を確保するために、レーザースポットを電極あるいは半田バンプ3aより小さくし、レーザー照射を複数回に分けて行い、半田バンプ3aの中心部に1回から複数回、半田バンプ3aの周辺部や境界部に1回から複数回、レーザー照射してもよい。また、レーザーの出力を上昇させることで、電極自体を焼失させ、絶縁することができる。また、上記説明ではレーザー照射により電極や半田バンプ3aに酸化膜7を形成したが、選択的に酸化剤を塗付する等、他の方法により酸化膜7を形成してもよい。なお、上記説明では、不良半導体チップの電源供給用の電極のみに酸化膜7を形成したが、バーンインの形態等により、信号用の電極等他の電極を絶縁する場合にも適応できる。実施の形態2次に、実施の形態2における半導体装置および半導体装置の製造方法について、図2~4,図6を用いて説明する。図6は実施の形態2における半導体装置の製造方法を説明する図である。図6に示すように、実施の形態2に係る半導体装置の製造方法は、プローブ検査の後、バーンインを実施する前に、プローブ検査で不良品と判定された半導体チップの少なくとも電源供給用の半田バンプ3aを除去することを特徴とする。つまり、半田バンプ3aにバンプを除去する部品を接触させることで、半田バンプ3a自体を破壊し、機械的に半田バンプ3aを除去することにより電極を絶縁することもできる。これは、半田バンプに接続されるプローブ端子が、半田バンプの高さよりも短い場合、機械的に除去した部分が、プローブ端子よりも深く除去することにより、破断面に接触されず電気絶縁が可能となる。例えば、半田バンプ高さが100μmで、プローブ端子が、半田バンプの上面より、50μmまで、深く接続する場合、半田バンプを50μm以上除去することで、電気絶縁される。機械的に除去する方法のメリットは、その使用条件が、除去部品の高さなどの単純な設定のみとなることであり、絶縁樹脂を用いた場合の、粘性をコントロールするための温度制御や、塗布量をコントロールする設定などの複雑な条件設定無しで運用が可能なところである。また、半田バンプ3aが形成されていない場合は、電極パッド3を除去することもできる。このように半田バンプ3aを除去することにより、実施の形態2の半導体装置たる半導体ウェーハ1は、プローブ検査で良品あるいは不良品と判定された複数の半導体チップ2が形成され、不良品と判定された半導体チップ2の少なくとも電源供給用の電極パッド3上に形成された半田バンプ3aが除去されることを特徴とする。以上のように、実施の形態2における半導体装置および半導体装置の製造方法によると、所望の電極の電極パッド3または半田バンプ3aを除去することにより、容易に、電極の形状に関わらず、電極を選択的に絶縁することができ、良品半導体チップの特性不良やプローブカードの熱損を防止できる。実施の形態3次に、実施の形態3における半導体装置および半導体装置の製造方法について、図1~4,図7を用いて説明する。図7は実施の形態3に係る半導体装置の電極パッドの構成を示す図である。図7に示すように、実施の形態1または実施の形態2に係る半導体装置において、電極パッド3を、検査針接続領域19と、バンプ接続領域18に分けても良い。検査針接続領域19は、検査装置との間に介在させるプローブカードに設けられた検査針プローブ針を接続させる領域である。図中の20は検査針の検査針跡を示す。バンプ接続領域18は、半田バンプ3aを接続させる領域である。このように電極パッド3を、検査針接続領域19と、バンプ接続領域18に区分しておき、それぞれの領域でそれぞれの検査を実施することもできる。電極パッド3を検査針接続領域19とバンプ接続領域18とに分割した半導体チップ2が形成された半導体ウェーハ1に対し、まず、プローブカードを用いてプローブ検査を行う。その後、実施の形態1に示すようにプローブ検査で不良と判断された半導体チップ2の電極パッド3上に形成された半田バンプ3aまたは電極パッド3を絶縁するべく、半田バンプ3a上または電極パッド3上に絶縁酸化膜を形成する。または、実施の形態2に示すように半田バンプ3aまたは電極パッドを除去する。その状態で一括ウェーハバーンインを実施しても、不良品の半導体チップ2への導通が確実に遮断されるため、良品の特性不良やプローブカードの熱損が防止される。ここで、バンプ接続領域18の他に検査針接続領域19を形成することで、不良品の半導体チップ2を検査針によって再検査する場合は、直接に電極パッド3の検査針接続領域19に検査針を接続させて検査することができる。これに対し、樹脂を単に吐出する従来法によっては、電極パッド3の全体に樹脂が広がって被膜が形成されることになる。そのため、検査針によって再検査する場合には検査針を被膜に貫通させる必要があり、結果として検査針自体を損傷させてしまったり、被膜の剥れ、それによるダストの発生を招いたり、良品の半導体チップ2に悪影響を与えたりしてしまう。実施の形態3に係る半導体装置では、再検査する必要があるときに、検査針が絶縁膜に当たることがなく、検査針の損傷を防ぐことができるとともに、従来の樹脂被膜絶縁のような被膜剥離や、それによるダストが発生せず、良品素子への悪影響を防止できる。"