"フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Aを得、得られた溶融凝固体Aの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Bを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Bの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法。溶融凝固体Bの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体を得る一連の処理を1回又は2回以上行った後、最後に得られた溶融凝固体を破砕工程に供給することを特徴とする請求項1に記載の蛍石結晶の製造方法。溶融凝固体Aの全量を砕いて得られる溶融凝固体破砕物中のフッ化カルシウム100molに対して、又は、溶融凝固体Bの全量を砕いて得られる溶融凝固体破砕物中のフッ化カルシウム100molに対して、混合するスカベンジャーの量が1~4molであることを特徴とする請求項1又は2に記載の蛍石結晶の製造方法。フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Aを得、得られた溶融凝固体Aの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて得られる溶融凝固体B、或いは、当該溶融凝固体Bの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体を得る一連の処理を1回又は2回以上行って得られる溶融凝固体であって、γ値が70以下であることを特徴とする蛍石結晶製造中間体。請求項4記載の蛍石結晶製造中間体を砕いて溶融凝固体破砕物とし、これを溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得、該蛍石結晶を熱処理して得られる蛍石結晶。不純物や酸化物の残留を無くして蛍石結晶の透過率を高めるために従来提案されていた方法は、上述のように、結晶成長したフッ化カルシウムのうち最後に結晶化した部分に不純物等が残留するため、この部分を除去するという方法であったが、除去する分だけ収率が下がるという課題を抱えていた。そこで本発明は、結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、蛍石結晶の透過率を高めることができる、新たな蛍石結晶の製造方法を提案せんとするものである。本発明は、フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Aを得、得られた溶融凝固体Aの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Bを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Bの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法を提案する。本発明のように、フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し凝固させ、得られた溶融凝固体の全量を砕いて、再びスカベンジャーを加えて溶融し凝固させるという一連の処理を繰り返して溶融凝固工程を行うことにより、結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、蛍石結晶の透過率を高めることができることが判明した。よって、本発明によれば、光学的に優れた蛍石結晶を工業的に効率良く製造することができるから、本発明の製造方法により得られる蛍石結晶は、例えばTVカメラレンズ、顕微鏡レンズ、赤外線分析用窓材、半導体リソグラフィ装置に用いられるレンズなどのレンズ材料、特に高度な光学特性が要求されるArFフッ化アルゴンエキシマレーザー露光装置やF2フッ素エキシマレーザー露光装置など、紫外或いは真空紫外波長域のレーザーを光源に用いた露光装置等のステッパー用レンズ材料として好適に用いることができる。以下に本発明の実施形態について詳細に述べるが、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。本実施形態に係る蛍石結晶の製造方法以下、この製造方法を本製造方法というは、原料を混合し、この混合物を加熱溶融させた後、冷却して凝固させて溶融凝固体Aを得、得られた溶融凝固体Aの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーとを混合して得られる混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Bを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Bの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法である。<原料>原料としては、粉末状のフッ化カルシウム原料と、スカベンジャー、すなわち蛍石結晶内の不純物主に酸素を除去する反応材料との混合物を挙げることができる。但し、適宜他の材料を加えることは可能である。フッ化カルシウム原料としては、公知のフッ化カルシウム原料を適宜用いることができる。紫外や真空紫外域で使用される蛍石結晶を製造するには、人工的に合成された高純度なフッ化カルシウム粉末を原料として使用するのが好ましい。例えば炭酸カルシウムとフッ化水素とを反応させて合成して得られる粉末状のフッ化カルシウム原料粉を挙げることができる。また、スカベンジャーとしては、フッ化亜鉛ZnF2、フッ化鉛PbF2、フッ化ビスマスBiF3、フッ化ナトリウムNaF、フッ化リチウムLiF等を挙げることができる。フッ化カルシウム原料中のフッ化カルシウムCaF2100molに対するスカベンジャーの混合割合は、1~4molであるのが好ましい。1mol以上であれば、スカベンジャーの効果、すなわち蛍石結晶内の不純物主に酸素を除去する効果を有効に発揮することができる一方、4mol以下であれば、スカベンジャーが蛍石結晶中に残存するのを避けることができる。かかる観点から、1.2mol以上、或いは、3mol以下であるのがさらに好ましく、中でも1.5mol以上、或いは、2.5mol以下であるのがより一層好ましい。<溶融凝固工程>本工程では、原料の混合物を加熱溶融させた後、冷却して凝固させて溶融凝固体Aを得、得られた溶融凝固体Aの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量に再び新たなスカベンジャーを加えた混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Bを得るようにすればよい。より具体的には、例えば、フッ化カルシウム原料とスカベンジャーとを混合して坩堝に入れ、真空雰囲気で加熱して加熱溶融させた後、徐冷して溶融凝固体Aを得、得られた溶融凝固体Aの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする。次に、この溶融凝固体破砕物全量に再び新たなスカベンジャーを加えた混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Bを得るようにすればよい。なお、本発明で真空と言う場合、103Pa以下の雰囲気を意味するものとする。このようにスカベンジャーを新たに加えて溶融凝固を繰り返すことにより、溶融凝固体の一部を取り除かなくても、蛍石結晶製造中間体としての溶融凝固体のγ値吸収係数の200nm~800nmの積分値を顕著に低下させることができ、製品蛍石結晶の内部透過率及びレーザー耐久性を高めることができる。必要に応じて、上記溶融凝固体Bの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量に再び新たなスカベンジャーを加えた混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体を得る一連の処理を1回又は2回以上行うようにしてもよい。この際、スカベンジャーの混合量は、溶融凝固体Aの全量を砕いて得られる溶融凝固体破砕物中のフッ化カルシウム100molに対して、又は、溶融凝固体Bの全量を砕いて得られる溶融凝固体破砕物中のフッ化カルシウム100molに対して、混合するスカベンジャーの量が1~4molであるのが好ましい。1mol以上であれば、スカベンジャーの効果、すなわち蛍石結晶内の不純物主に酸素を除去する効果を効果的に発揮することができる一方、4mol以下であれば、スカベンジャーが蛍石結晶中に残存するのを避けることができる。かかる観点から、1.2mol以上、或いは、3mol以下であるのがさらに好ましく、中でも1.5mol以上、或いは、2.5mol以下であるのがより一層好ましい。破砕、加熱溶融から徐冷によるフッ化カルシウムの結晶成長を繰り返す場合においても、スカベンジャーの混合割合は上記範囲とするのが好ましい。このようにして得られる溶融凝固体、すなわち多結晶体は、蛍石結晶を製造する際の中間体蛍石結晶製造中間体であり、後述する実施例の結果からも分かるように、そのγ値吸収係数の200nm~800nmの積分値は、70以下、中でも50以下、その中でも1以上、或いは20以下とすることができ、顕著に低下させることができる。溶融凝固工程において、炉内の雰囲気は、最初真空とするのが好ましく、脱水反応が終了した時点から、炉内を真空排気系により真空雰囲気とするのが好ましい。また、溶融凝固工程における温度プロファイルは、1日程度の時間をかけて室温からフッ化カルシウムの融点1420°C以上の温度域まで昇温し、該温度域で数日間保持するのが好ましい。また、加熱溶融は、原料混合物を坩堝に入れ、溶融温度や設備などに適した加熱手段により加熱溶融すればよい。加熱溶融は、無酸素雰囲気真空雰囲気および不活性ガス雰囲気含むで行うのが好ましい。溶融凝固体を砕く手段及びその程度は、不純物が入らない道具や入っても後工程で除去できる道具、例えばプラスチック製ハンマーハンマーの一部が混入しても、その後に揮発除去できるなどを用いるか、或いは、手で、適宜大きさ、例えば数mm角~こぶし大の大きさに砕くのが好ましい。<破砕工程>溶融凝固工程で得られた溶融凝固体を砕く手段及びその程度は、上記同様である。<結晶育成工程>破砕工程で得られた溶融凝固体破砕物は、溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得ることができる。この際、必要に応じて種結晶を用いて蛍石結晶を育成すればよい。また、溶融凝固体破砕物を溶融する際、必要に応じてスカベンジャーと混合して溶融させてもよい。この際の結晶育成方法は、特に限定するものではなく、例えばBridgman-Stockbarger法BS法ともいう、CzochralskiCZ法ともいう、ゾーンメルト法、これらの改良法、その他の融液成長法等、公知の結晶育成方法を適宜採用することができる。BS法は、坩堝の中に原料を入れて融解させ、坩堝を引下げながら、坩堝底から単結晶を育成させていく方法である。結晶育成装置が比較的安価であり、大口径の単結晶を比較的に容易に育成可能であるという特徴を有している。その反面、結晶成長方位の制御が困難であり、また、結晶育成時や冷却時に無理な応力がかかるため、応力分布が結晶内に残って歪や転位が誘起され易いと言われている。他方、CZ法は、坩堝内に原料を入れて融解させ、シード種結晶を溶融液面に接触させて単結晶を回転引き上げながら育成結晶化していく方法である。CZ法は、結晶方位を特定し結晶化させることが可能であるため、目的とする結晶方位の育成が容易であると言われている。結晶育成方法の一例についてより具体的に説明すると、種結晶を坩堝の底に設置し、破砕工程で得られた溶融凝固体破砕物を坩堝に充填し、この坩堝を結晶成長装置内に設置し、真空排気系によって結晶成長装置内部の真空度が1×103~104Pa程度になるまで排気を行い、加熱装置によって坩堝を加熱し、坩堝に充填した原料を融解させる。坩堝内の原料が融解した後、坩堝を0.1mm/時間~3mm/時間程度の速度で徐々に鉛直下方に引き下げると、坩堝内で融液となった原料は種結晶付近から固化が始まり、単結晶が育成される。坩堝内の原料がすべて固化した段階で坩堝の引き下げを終了し、加熱装置により徐冷しつつ、坩堝を室温程度にまで冷却し、インゴット状の蛍石結晶を育成することができる。以上のようにして育成したインゴット状の蛍石結晶は、必要に応じて所定の大きさ、並びに、所定の方位の表面が出現するように切り出して熱処理工程に供するのが好ましい。例えば、直径200mm程度、厚さ40mm程度の円盤形状に切り出して熱処理工程に供することができる。<熱処理工程>次に、前記工程で育成された蛍石結晶を容器に入れ、この容器を熱処理炉内に設置し、熱処理炉を900°C乃至1300°Cに均熱的に加熱して、固体のまま蛍石結晶の歪を除去する。加熱温度を1140°C以上にすると構造変化などを引き起こしてしまうので好ましくはない。熱処理工程では、熱処理を経ることによって結晶の歪がなくなった状態を維持しながら蛍石結晶の温度を室温に戻すのが好ましい。熱処理における雰囲気、すなわちアニーリングケース内の雰囲気は、真空雰囲気、或いはアルゴンAr等の不活性ガス雰囲気とすればよい。中でも、アルゴン等の不活性ガス雰囲気、その中でも、アルゴンガスにフッ素系ガスを混合注入してなる雰囲気が好ましい。また、アルゴンガス等の不活性化ガスにスカベンジャー例えばPbF2の熱分解によるフッ素ガスが混合した雰囲気も好ましい一例である。熱処理工程における温度プロファイルは、特に限定するものではない。蛍石の融点は1370°C~1410°C程度であるため、蛍石結晶が溶融せず、固体の状態を維持しつつ、蛍石結晶を構成する各原子に十分なエネルギーを与えてそれぞれ適切な位置に移動させて結晶構造の乱れによる異方性を解消することができる温度まで加熱すればよく、その温度域を特に限定するものではない。目安としては、結晶構造の乱れによる異方性をより効果的に解消するためには、1000~1350°Cまで昇温するのが好ましい。昇温速度は特に限定するものではないが、蛍石結晶が熱衝撃により割れ等の破損が生じないように炉内温度を上昇させる必要があるため、例えば10°C/h~300°C/hで昇温するのが好ましい。熱処理後の冷却工程では、急冷すると結晶内部に歪が残留しやすく、また、スベリ欠陥が導入され転位等が増加することになるため、ゆっくり時間をかけて冷却するのが好ましい。その反面、あまり時間をかけると、生産性を著しく損ねてしまう。このような観点から、熱処理後の冷却工程では、例えば0.7~3.0°C/hの冷却速度で室温付近まで冷却するのが好ましい。<成形加工工程>熱処理後の蛍石結晶は、適当に切削し、必要に応じて適宜形状に加工すればよい。例えば、111面と平行な面を表面とする形状に加工すればよい。より具体的な一例としては、円盤形状を呈する蛍石結晶に切削して、111面と平行な表面を有する形状とし、さらに表面を平滑化するために表面を平面研削する方法を挙げることができる。<用途>本製造方法によって得られた蛍石結晶は、例えば色消レンズアポクロマート、TVカメラレンズ、顕微鏡レンズ、赤外線分析用窓材、半導体リソグラフィステッパー、スキャナ装置に用いられるレンズ、その他の光学レンズとして用いることができる。特に巨視的に結晶の均質性が高く、且つレーザー耐久性に優れた蛍石結晶を得ることができるから、高精度ステッパー、すなわちArFフッ化アルゴンエキシマレーザー等の紫外或いは真空紫外波長域のレーザーを光源に用いた露光装置等のステッパー用レンズ材料として好適に用いることができる。さらに、蛍石結晶は、優れたレーザー耐久性を有することから、ArFエキシマレーザー等の紫外或いは真空紫外波長域のレーザー光源の窓材、あるいは共振器鏡等の光学素子として好適に用いることができる。<語句の説明>なお、結晶育成工程及び熱処理工程での処理温度は、特にことわらない限り、炉内の雰囲気温度を示すものである。本発明において、X~YX,Yは任意の数字と記載した場合、特にことわらない限りX以上Y以下の意と共に、好ましくはXより大きい或いは好ましくはYより小さいの意も包含するものである。また、X以上Xは任意の数字と記載した場合、特にことわらない限り好ましくはXより大きいの意を包含し、Y以下Yは任意の数字と記載した場合、特にことわらない限り好ましくはYより小さいの意も包含するものである。以下、本発明に関する実施例及び比較例について説明する。但し、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではない。先ず、得られた蛍石結晶の評価方法について説明する。<吸収係数の測定方法とγ値の算出方法>ここでは、放射線源に放射性同位体である60Coから放射されるγ線1.17MeV、1.33MeVを所定の線量を照射し、その時、結晶内に誘起されるカラーセンターを分光光度計にて測定し、誘起カラーセンター吸収スペクトルを得た。レーザー耐久性とγ線誘起カラーセンター吸収強度との関係は、負の相関があることが知られている。即ち、レーザー耐久性の高い結晶においては、γ線誘起カラーセンター吸収強度が小さい。この相関関係から、蛍石結晶のレーザー耐久性を評価することができる。具体的には、溶融凝固体の両端面を平行平面となるように光学研磨を施し、光学長さ溶融凝固体の厚みを30mmとした。このような溶融凝固体を暗箱内に保持し、大気中にて、60Coからのγ線1.33MeVを、線量5.4kGy照射し、溶融凝固体にカラーセンターを誘起させた。次に、照射後速やかに、自記分光光度計U-4100、日立ハイテクノロジーズを用いて、この溶融凝固体の紫外可視波長域200nm~800nmにおける吸収スペクトルを測定した。吸収係数として、LambertBeerの法則に従い、端面の反射補正を施した透過率の自然対数をとり、長さで規格化した値cm-1を算出した。また、γ値は、得られた吸収スペクトルにおいて、波長200nmから800nmの区間において吸収係数cm-1を積分した値として算出したcm-1nm。<レーザー耐久性の評価方法>ArFエキシマレーザーを蛍石結晶に照射し、照射した前後の透過率を測定し、透過率の低下割合を指標としてレーザー耐久性を検討した。蛍石結晶に、出力30mJ/cm2のArFエキシマレーザーを20万パルス照射し、照射した前後の193.4nmでの透過率内部透過率を測定した。なお、193.4nmでの内部透過率は、真空紫外線分分光光度計で測定した。表1には、算出した透過光波長193.4nmにおける蛍石結晶の厚み1cmあたりの内部透過率について、レーザー照射前およびレーザー照射後のそれぞれの値を示した。これら蛍石結晶の厚み1cmあたりの内部透過率の算出は、以下の通りとした。厚み1cmあたりの内部透過率=exp{ln×1d×1}×100ここで、z波長193.4nmにおける透過率の測定値R波長193.4nmにおける端面の反射を考慮した場合の理論透過率d蛍石結晶の厚みcmである。比較例1原料フッ化カルシウムの粉末に、この原料フッ化カルシウム中のフッ化カルシウムを100molとした場合に1.5molに相当する量のスカベンジャーとしてのフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空状態103Pa以下とした後、6時間かけて1400°C±20°Cまで昇温し、原料を溶融させた。この温度を1日保持した後、数日かけて自然冷却し、溶融凝固体Aを炉内から取り出し、溶融凝固体Aの全量をこぶし大の大きさに手で破砕した。次に、このように破砕して得た溶融凝固体破砕物全量と、この破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に2.0molに相当する量のフッ化鉛PbF2とを混合し、この混合物を単結晶成長炉の坩堝に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて蛍石結晶を育成した。次に、室温にて、熱処理炉内を減圧して真空雰囲気とした後、炉内雰囲気を速やかにArガス雰囲気に置換した後、加熱装置にて、昇温時間36時間で、最高温度1000~1200°Cまで昇温し、その温度を24時間温度に保持した。その後、約10日かけて室温まで冷却した。このように熱処理して得られた結晶を切り出し、111面両端面に光学研磨を施して蛍石結晶を得た。実施例1比較例1と同様にして得られた溶融凝固体Aの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、これに、該溶融凝固体Aの破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に1.5molに相当する量のフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Bを得た。この溶融凝固体Bを、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。実施例2実施例1と同様にして得られた溶融凝固体Bの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、得られた溶融凝固体Bの破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に1.5molに相当する量のフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Cを得た。この溶融凝固体Cを、実施例1の溶融凝固体Bと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。考察この結果、実施例1及び2のように、溶融凝固体の全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量に再び新たなスカベンジャーを加えて再び溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体を得るという一連の処理を繰り返すことにより、溶融凝固体の一部を取り除かなくても、蛍石結晶製造中間体としての溶融凝固体のγ値カラーセンター吸収係数の波長区間200nm~800nmの積分値を顕著に低下させることができることが分かった。よって、この溶融凝固体を用いて蛍石結晶を製造することで、比較例のような従来方法で製造された蛍石結晶の場合と比較して、波長193nmにおける内部透過率及びレーザー耐久性を高めることができることが分かった。比較例2溶融凝固体Aを得るまでの工程において、原料フッ化カルシウムの粉末に、この原料フッ化カルシウム中のフッ化カルシウムを100molとした場合に2.5molに相当する量のスカベンジャーとしてのフッ化鉛PbF2を添加した以外は、比較例1と同様にして溶融凝固体Aを得、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。実施例3比較例2と同様にして得られた溶融凝固体Aの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、これに、該溶融凝固体Aの破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に2.5molに相当する量のフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Bを得た。この溶融凝固体Bを、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。実施例4実施例3と同様にして得られた溶融凝固体Bの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、得られた溶融凝固体Bの破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に2.5molに相当する量のフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Cを得た。この溶融凝固体Cを、実施例3の溶融凝固体Bと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。比較例3溶融凝固体Aを得るまでの工程において、原料フッ化カルシウムの粉末に、この原料フッ化カルシウム中のフッ化カルシウムを100molとした場合に4.0molに相当する量のスカベンジャーとしてのフッ化鉛PbF2を添加した以外は、比較例1と同様にして溶融凝固体Aを得、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。実施例5比較例3と同様にして得られた溶融凝固体Aの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、これに、該溶融凝固体Aの破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に4.0molに相当する量のフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Bを得た。この溶融凝固体Bを、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。実施例6実施例5と同様にして得られた溶融凝固体Bの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、得られた溶融凝固体Bの破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に4.0molに相当する量のフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Cを得た。この溶融凝固体Cを、実施例5の溶融凝固体Bと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。比較例4溶融凝固体Aを得るまでの工程において、原料フッ化カルシウムの粉末に、この原料フッ化カルシウム中のフッ化カルシウムを100molとした場合に5.0molに相当する量のスカベンジャーとしてのフッ化鉛PbF2を添加した以外は、比較例1と同様にして溶融凝固体Aを得、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。実施例7比較例4と同様にして得られた溶融凝固体Aの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、これに、該溶融凝固体Aの破砕物中のフッ化カルシウムを100molとした場合に5.0molに相当する量のフッ化鉛PbF2を添加し、これらを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Bを得た。この溶融凝固体Bを、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。比較例5原料フッ化カルシウムの粉末にスカベンジャーとしてのフッ化鉛PbF2を添加しない以外の点は、比較例1と同様にして蛍石結晶を得た。比較例6比較例5と同様にして得られた溶融凝固体Aの全量を、こぶし大の大きさに手で破砕し、これを入れた坩堝を炉内に入れ、炉内を真空排気して坩堝を加熱し、真空度103Pa以下、温度は1400°C±20°Cとし、これを1日以上保った後、坩堝を降下させて溶融凝固体Bを得た。この溶融凝固体Bを、比較例1の溶融凝固体Aと同様に結晶育成、熱処理及び加工して蛍石結晶を得た。考察上記比較例及び実施例とこれまで行ってきた試験結果から、フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し凝固させ、得られた溶融凝固体の全量を砕いて、再びスカベンジャーを加えて溶融し凝固させるという一連の処理を繰り返して溶融凝固工程を行うことにより、結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、蛍石結晶の透過率を高めることができ、蛍石結晶を製造する際の中間体としての溶融凝固体のγ値吸収係数の200nm~800nmの積分値を70以下、特に50以下、中でも1~20程度に低下させることができることが分かった。"