"少なくとも、シリカ原料および炭素材料、シリカ原料および炭化珪素、並びにシリコン原料から選ばれるいずれか1のシリコン製造用原料を加熱炉内で加熱することによりシリコンを製造する方法であって、該シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で治具を用いて操作する工程を含み、該治具が、曲げ強度が100MPa以上でありかつ融点がシリコンの融点以上である非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の該シリコン製造用原料または該加熱生成物に触れる箇所が、該非金属材料部分で構成されていることを特徴とする、シリコンの製造方法。前記シリコン製造用原料または前記加熱生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されていることを特徴とする、請求項1に記載のシリコンの製造方法。前記非金属材料が、炭素繊維強化炭素材料若しくはシリコン含浸炭素繊維強化炭素材料またはこれらの複合材料であることを特徴とする、請求項1または2に記載のシリコンの製造方法。前記治具が、金属製の心棒を備えており、該金属製の心棒の表面が前記非金属材料で覆われていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。前記シリコン製造用原料における鉄の含有量が0.1質量以下であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。前記シリカ原料における鉄の含有量が0.1質量以下であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。前記治具が、前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具であることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。前記治具が、加熱により生成したシリコン融液を、加熱炉内から抜き出す際に、該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具である、請求項1~6のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。前記治具が、前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具、並びに加熱により生成したシリコン融液を加熱炉内から抜き出す際に該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具であることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。曲げ強度が100MPa以上であり、融点がシリコンの融点以上である非金属材料部分を含む治具。少なくとも、シリカ原料および炭素材料、シリカ原料および炭化珪素、並びにシリコン原料から選ばれるいずれか1をシリコン製造用原料とし、加熱によりシリコンを製造する際に、該シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で操作するための治具であり、少なくとも1000°C以上の該シリコン製造用原料または該加熱生成物に触れる箇所が、該非金属材料部分で構成されている、請求項10に記載の治具。前記シリコン製造用原料または前記加熱生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている、請求項10または11に記載の治具。前記非金属材料が、炭素繊維強化炭素材料若しくはシリコン含浸炭素繊維強化炭素材料またはこれらの複合材料である、請求項10~12のいずれか一項に記載の治具。金属製の心棒を備えており、該金属製の心棒の表面が前記非金属材料で覆われている、請求項10~13のいずれか一項に記載の治具。前記シリコン製造用原料における鉄の含有量が0.1質量以下である請求項10~14のいずれか一項に記載の治具。前記シリカ原料における鉄の含有量が0.1質量以下である、請求項10~15のいずれか一項に記載の治具。前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具である、請求項10~16のいずれか一項に記載の治具。加熱炉内で生成したシリコン融液を、加熱炉内から抜き出す際に、該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具である、請求項10~17のいずれか一項に記載の治具。前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具、並びに、加熱により生成したシリコン融液を加熱炉内から抜き出す際に該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具である、請求項10~18のいずれか一項に記載の治具。前記加熱炉が、シリコン製造用原料を収納するための炉体を備えたシリコン製造用のアーク炉であって、前記炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部が、リン含有量が0.01質量100wtppm以下である耐火物で構成されていることを特徴とする、請求項1~9のいずれか1項に記載のシリコンの製造方法。前記炉体の内壁のうち、溶融したシリコン製造用原料または製造されたシリコン融液が接触し得る内壁箇所が、前記耐火物で構成されていることを特徴とする、請求項20に記載のシリコンの製造方法。前記炉体の内壁のうち、加熱により温度が1100°C以上になる内壁箇所が、前記耐火物で構成されている、請求項20または21に記載のシリコンの製造方法。前記炉体の内壁全体が、前記耐火物で構成されていることを特徴とする請求項20~22のいずれか1項に記載のシリコンの製造方法。前記耐火物の熱伝導率が、0.5W/mK以上である、請求項20~23のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。前記耐火物がアルミナを50質量以上含む、請求項20~24のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。前記シリコン製造用原料の、ホウ素およびリンの含有量が、いずれも0.001質量以下であることを特徴とする、請求項20~25のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。上記特許文献5、6には、ポーキング棒またはタッピング棒を構成する材料について記載されていないが、従来は、一般的に鉄製のポーキング棒またはタッピング棒が使用されていた。しかしながら、鉄製のポーキング棒を用いた場合、上記シリコン製造用原料表面近傍の殻の形成場所は1000°C~1600°Cの高温となっているため、磨耗及び溶損によりポーキング棒の先端が消耗したり、ポーキング棒の材料成分である鉄などがシリコン製造用原料を汚染して、生成物のシリコンに混入するといった問題があった。また、鉄製のタッピング棒を用いた場合、該タッピング棒の先端部が炉内の高温にさらされることによって、またはシリコン融液と接触することによって、タッピング棒が溶損しその成分である鉄等がシリコンに混入することが問題になっていた。このようにポーキング棒およびタッピング棒といった治具が、製造されるシリコンを汚染したのでは、高純度のシリコン製造用原料を用いることにより高純度のシリコンが製造するという試みが無意味なものとなってしまう。そこで、本発明は、シリコン製造用原料または加熱生成物への汚染を防ぎ、製造されるシリコンの純度を向上することができ、かつ、ポーキングおよびタッピング作業等のアーク炉内での操作をするための十分な強度を備えた、治具を用いたシリコンの製造方法を提供することを課題とする。また、本発明者らが検討したところ、高純度のシリコン製造用原料、中でも、リン濃度が低いシリコン製造用原料を用いてシリコンを製造したとしても、上記の一般のアーク炉を用いた場合、製造したシリコン中のリン濃度がシリコン製造用原料の持込量から計算されるよりも高くなるという問題が起こっていることがわかった。そこで、本発明は、製造したシリコン中のリン濃度を低減することができるアーク炉を用いるシリコンの製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、上記問題の原因について鋭意研究し、以下の点を見出すに至った。1加熱によりシリコンを製造する際に使用する、ポーキング棒またはタッピング棒などの治具において、少なくとも、高温のシリカ等のシリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方に触れる箇所を非金属材料により形成する必要があること。2さらには、該治具における、少なくとも、シリカ等のシリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方に触れる箇所を非金属材料により形成することが好ましいこと。高温のシリコン製造用原料および加熱生成物だけでなく、例えば、室温付近のシリコン製造用原料および加熱生成物に触れる箇所についても非金属材料により形成することで、シリコン製造用原料等と治具とのこすれにより金属製の治具が摩耗して、製造されたシリコンに摩耗屑が混入するという問題が防止できる。3該非金属材料部分は、所定の強度を備え、かつ、その融点がシリコンの融点以上であること。4このような性能を備えた非金属材料として、炭素繊維強化炭素材料以下、C/Cという場合がある。若しくはシリコン含浸炭素繊維強化炭素材料以下、C/C/Siという場合がある。またはこれらの複合材料を用いることができること。5シリコン製造用原料であるシリカ、および/または、炭素材料として、高純度のものを用いてシリコンを炭素還元により製造する場合、上記治具を用いることにより、シリコンの汚染を防止でき、高純度のシリコンを得ることができること。6シリコン製造の際におけるリン混入源として、アーク炉における炉体の内壁から製造されたシリコンにリンが混入していること。7前記リンの混入は、炉体の内壁のうち、炉体の上部を覆う部材の内壁に含まれるリンが関与していること。炉体の上部を覆う部材の内壁から製造されたシリコンへリンが混入するという現象は、該内壁からリン成分が放出され、気相を介して行われると考えられる。8炉体の内壁のうち、シリコン製造用原料の溶融物または製造されたシリコン融液が接触している内壁箇所からもリンが混入し得ること。9炉体の内壁からのリン成分の放出は、炉体の内壁が所定温度以上となった際に、顕著となること。10炉体の内壁の少なくとも所定箇所を、リン含有量が十分低い耐火物で構成することにより、炉体の内壁から製造されたシリコンへリンが混入することを抑制できることを見出した。以上の認識を元に、本発明者らは、以下の発明を完成させた。すなわち、本発明の要旨は以下である。1.少なくとも、シリカ原料および炭素材料、シリカ原料および炭化珪素、並びにシリコン原料から選ばれるいずれか1のシリコン製造用原料を加熱炉内で加熱することによりシリコンを製造する方法であって、該シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で治具を用いて操作する工程を含み、該治具が、曲げ強度が100MPa以上でありかつ融点がシリコンの融点以上である非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の該シリコン製造用原料または該加熱生成物に触れる箇所が、該非金属材料部分で構成されていることを特徴とする、シリコンの製造方法。2.前記シリコン製造用原料または前記加熱生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されていることを特徴とする、前項1に記載のシリコンの製造方法。3.前記非金属材料が、炭素繊維強化炭素材料若しくはシリコン含浸炭素繊維強化炭素材料またはこれらの複合材料であることを特徴とする、前項1または2に記載のシリコンの製造方法。4.前記治具が、金属製の心棒を備えており、該金属製の心棒の表面が前記非金属材料で覆われていることを特徴とする、前項1~3のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。5.前記シリコン製造用原料における鉄の含有量が0.1質量以下であることを特徴とする、前項1~4のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。6.前記シリカ原料における鉄の含有量が0.1質量以下であることを特徴とする、前項1~5のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。7.前記治具が、前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具であることを特徴とする、前項1~6のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。8.前記治具が、加熱により生成したシリコン融液を、加熱炉内から抜き出す際に、該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具である、前項1~6のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。9.前記治具が、前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具、並びに加熱により生成したシリコン融液を加熱炉内から抜き出す際に該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具であることを特徴とする、前項1~6のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。10.曲げ強度が100MPa以上であり、融点がシリコンの融点以上である非金属材料部分を含む治具。11.少なくとも、シリカ原料および炭素材料、シリカ原料および炭化珪素、並びにシリコン原料から選ばれるいずれか1をシリコン製造用原料とし、加熱によりシリコンを製造する際に、該シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で操作するための治具であり、少なくとも1000°C以上の該シリコン製造用原料または該加熱生成物に触れる箇所が、該非金属材料部分で構成されている、前項10に記載の治具。12.前記シリコン製造用原料または前記加熱生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている、前項10または11に記載の治具。13.前記非金属材料が、炭素繊維強化炭素材料若しくはシリコン含浸炭素繊維強化炭素材料またはこれらの複合材料である、前項10~12のいずれか一項に記載の治具。14.金属製の心棒を備えており、該金属製の心棒の表面が前記非金属材料で覆われている、前項10~13のいずれか一項に記載の治具。15.前記シリコン製造用原料における鉄の含有量が0.1質量以下である前項10~14のいずれか一項に記載の治具。16.前記シリカ原料における鉄の含有量が0.1質量以下である、前項10~15のいずれか一項に記載の治具。17.前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具である、前項10~16のいずれか一項に記載の治具。18.加熱炉内で生成したシリコン融液を、加熱炉内から抜き出す際に、該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具である、前項10~17のいずれか一項に記載の治具。19.前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具、並びに、加熱により生成したシリコン融液を加熱炉内から抜き出す際に該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具である、前項10~18のいずれか一項に記載の治具。20.前記加熱炉が、シリコン製造用原料を収納するための炉体を備えたシリコン製造用のアーク炉であって、前記炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部が、リン含有量が0.01質量100wtppm以下である耐火物で構成されていることを特徴とする、前項1~9のいずれか1項に記載のシリコンの製造方法。21.前記炉体の内壁のうち、溶融したシリコン製造用原料または製造されたシリコン融液が接触し得る内壁箇所が、前記耐火物で構成されていることを特徴とする、前項20に記載のシリコンの製造方法。22.前記炉体の内壁のうち、加熱により温度が1100°C以上になる内壁箇所が、前記耐火物で構成されている、前項20または21に記載のシリコンの製造方法。23.前記炉体の内壁全体が、前記耐火物で構成されていることを特徴とする前項20~22のいずれか1項に記載のシリコンの製造方法。24.前記耐火物の熱伝導率が、0.5W/mK以上である、前項20~23のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。25.前記耐火物がアルミナを50質量以上含む、前項20~24のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。26.前記シリコン製造用原料の、ホウ素およびリンの含有量が、いずれも0.001質量以下であることを特徴とする、前項20~25のいずれか一項に記載のシリコンの製造方法。本発明のシリコンの製造方法によれば、加熱炉内で操作するための治具100A、100Bとして、所定の強度および融点を有する非金属材料部分12a、12bを備える治具を用いる。このことにより、該治具100A、100Bを用いて、シリコン製造用原料550または加熱生成物を炉内で操作したとしても、シリコン製造用原料または加熱生成物の汚染を抑制し、製造されるシリコンの汚染を抑制できる。また、本発明のシリコンの製造方法によれば、シリコン製造用原料を加熱する加熱炉として用いるアーク炉の炉体内壁の所定箇所の少なくとも一部を、リン含有量が十分低い耐火物で構成することにより、製造されたシリコンへのリンの混入を防ぎ、リン含量が低減されたシリコンを製造することができる。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。また、以下、本発明のシリコンの製造方法を、図面を用いて詳細に説明するが、この説明は本発明の実施形態の一例であり、本発明はその要旨を超えない限り、以下の内容に限定されるものではない。本発明のシリコンの製造方法は、少なくとも、シリカ原料および炭素材料、シリカ原料および炭化珪素、並びにシリコン原料から選ばれるいずれか1のシリコン製造用原料550を加熱炉内で加熱することによりシリコンを製造する方法であって、該シリコン製造用原料550および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で治具100A、100Bを用いて操作する工程を含む。なお、本発明におけるシリコンの製造には、シリコン原料からシリコンを精製することも含む。図1に、炉における、タッピング作業およびポーキング作業の一実施形態の説明図を示す。アーク炉500は、加熱によりシリコンを製造するための炉であれば特に限定されない。炉における加熱方法としては、アーク加熱、誘導加熱、抵抗加熱、プラズマ加熱および電子ビーム加熱等が挙げられる。中でも、アーク部分の温度が2000~3000°Cに達するアーク炉を用いて本発明の方法を採用するのが、本発明に用いる治具100A、100Bの耐熱性能を発揮する上から、好ましい。図1には、炉の一実施形態としてアーク炉500を示した。アーク炉500は、シリコンを製造するための原料シリコン製造用原料550および製造されたシリコン融液560を収納するための炉体514、シリコン製造用原料550を加熱するための電極518並びに炉蓋516を備えている。炉体514の内部の側面および炉底には、黒鉛の内張り520が形成されている。また、炉下部の側壁には出湯口512が形成されている。アーク炉500においては、電極518の先端から炉底に向けてアークが放出され、該アークが放出している箇所が、最も高温となっており、約2000~3000°Cとなっている。よって、この電極518先端に近いシリコン製造用原料は、溶融状態となっている。また、炉底には製造されたシリコン融液560が溜まっている。治具本発明の治具は、曲げ強度が100MPa以上でありかつ融点がシリコンの融点以上である非金属材料部分を含む治具である。本発明の製造方法においては、該治具を用いてシリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で操作する。なお、曲げ強度は、炭素繊維強化炭素材料は、JISK7074、黒鉛はJISR7222、金属は、JISZ2204、それ以外の材料はJISR1601により測定する。非金属材料部分の曲げ強度が、少なくとも100MPa以上であることにより、ポーキング作業およびタッピング作業といった操作を行う際に、治具100A、100Bの強度が不足し、折れる、曲がる等の問題は生じない。なお、該強度は、好ましくは120MPa以上、より好ましくは140MPa以上である。治具100A、100Bは、その全体を非金属材料により構成してもよいが、該非金属材料が高価であることから、少なくとも1000°C以上のシリコン製造用原料または加熱生成物に触れる箇所は非金属材料部分12a、12bで構成する必要がある。また、治具100A、100Bにおいて、好ましくは800°C以上のシリコン製造用原料または加熱生成物に触れる箇所、より好ましくは600°C以上のシリコン製造用原料または加熱生成物に触れる箇所は、非金属材料部分12a、12bで構成することが好ましい。金属製の治具の場合、溶融以外にも酸化腐食が問題となる。金属の酸化が起こり易いのは600°C以上である。よって、この温度以上のシリコン製造用原料等と触れる箇所を非金属材料により構成することがより好ましい。また、シリコン製造用原料または加熱生成物の温度に関係なく、治具100A、100Bにおいて、少なくともシリコン製造用原料または加熱生成物に触れる箇所は、非金属材料部分12a、12bで構成されていることが好ましい。高温のシリコン製造用原料または加熱生成物だけでなく、例えば、室温付近のシリコン製造用原料および加熱生成物に触れる箇所についても非金属材料により形成することで、シリコン製造用原料等と治具とのこすれにより治具が摩耗して、摩耗屑が製造されたシリコンに混入するという問題が防止できる。非金属材料部分12a、12bの融点または昇華温度は、少なくともシリコンの融点1410°C以上であることが好ましい。また、アーク炉内ではシリコンの融点以上の温度となる箇所もあるため、非金属材料部分12a、12bの融点昇華温度は、好ましくは1500°C以上、より好ましくは1600°C以上、さらに好ましくは2000°C以上、特に好ましくは2500°C以上、最も好ましくは2800°C以上である。非金属材料は、炭素繊維強化炭素材料C/C若しくはシリコン含浸炭素繊維強化炭素材料C/C/Siまたはこれらの複合材料であることが好ましい。炭素繊維強化炭素材料C/Cは、炭素繊維を編んでその間に炭素ピッチをしみ込ませ、これを焼成することにより形成したシートを積み上げて、ブロックとすることにより形成される。該ブロックを、所定の形状に切り出して、治具100A、100Bにおける非金属材料部分12a、12bが形成される。シリコン含浸炭素繊維強化炭素材料C/C/Siは、焼成し形成した上記シートにさらにシリコンをしみ込ませる他は、上記と同様にして形成される。シリコンをしみ込ませることにより、材料の硬度が増し、使用時に消耗しにくくなる。また、シリコンは酸化防止にも役に立つ。炭素繊維強化炭素材料C/Cとシリコン含浸炭素繊維強化炭素材料C/C/Siとの複合材料とは、炭素材料形成時にこれらを複合したものであってもよいし、一層目をC/Cで構成し、二層目をC/C/Siで構成するなど、多層構成としてもよい。治具100A、100Bは、金属製の心棒を備え、該金属製の心棒の表面を非金属材料が覆っている構成であってもよい。このような構成とすることで、治具100A、100Bの強度を心棒で補うことができるとともに、高価な非金属材料の使用量を少なくすることができる。なお、金属材料としては、例えば、炭素鋼、ステンレス鋼および耐熱鋼例えば、コバルト合金、ニッケル合金およびチタン合金などなどが挙げられる。また、この場合、シリコン製造用原料に挿入する側は、心棒が非金属材料により覆われている必要があるが、人力または機械的手段によって保持される他方の側は、心棒が露出していてもよい。上記構成の治具100A、100Bは、金属製の心棒の周りに、上記したブロックにする前の非金属材料のシートを巻きつけることによって形成することができる。また、ブロックから切り出した所定形状の非金属材料部材に穴を開けて、該穴に金属製の心棒を挿入しても構わない。ポーキング棒本発明の製造方法に用いる治具は、前記シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を含む固形物を破砕するために使用される治具100Aであることが好ましい。この治具は、一般に、ポーキング棒と呼ばれる。ポーキング棒として、前記非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の前記シリコン製造用原料または加熱反応生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている治具を用いることにより、ポーキング作業の際の不純物の混入を防止できる。ポーキング棒は、加熱によりシリコンを製造する際に、例えば、反応により生成した一酸化炭素が低温部に蓄積するなどして、炉内のシリコン製造用原料表面の近傍に強固な殻が形成された場合に、この殻を突き崩すために使用される。ポーキング棒を用いたポーキング作業について、図1を用いて説明する。図1のアーク炉500において、上部の炉蓋516に複数空いた窓不図示等を通して、ポーキング棒を備えた治具100Aを炉内に挿入し、人力あるいは機械力によって、これを上下させることで、シリコン製造用原料表面の近傍に形成された殻を突き崩す。ポーキング作業は、シリコン製造用原料面の降下が停滞した時に行うようにしてもよいし、定期的に行ってもよい。図2Aに、ポーキング棒を備えた治具100Aの一実施形態を示す。該治具100Aは、図示左側のポーキング棒10aおよび図示右側の取っ手治具20aが結合されて構成されている。取っ手治具20aは、ジョイント部材22aと取っ手部材24aとが組み合わさって構成されている。前記治具100Aは、図示左側のポーキング棒10a側が、シリコン製造用原料に挿入され、図示右側の取っ手治具20a側が、機械手段または人により保持され、治具100Aが操作される。ポーキング棒10a側は、図1に示したようにシリコン製造用原料に挿入され、表面近傍付近の強固な殻を崩すために使用されるのであるが、以下において説明するように、該ポーキング棒10aの所定の部分が非金属材料部分12aで構成されている。図2Aに示した治具100Aは、ポーキング棒10aの図示右側に取っ手治具20aを備えているが、該取っ手治具20aは必須ではなく、治具100A全体をポーキング棒10aにより形成してもよい。その場合は、ポーキング棒の片方の端部側非金属材料部分12a側がシリコン製造用原料に挿入され、他方の端部側が、機械的手段あるいは人により保持されることになる。取っ手治具20aの材料は、特に限定されないが、強度の点から金属材料により形成することが好ましい。金属材料としては、例えば、炭素鋼、ステンレス鋼および耐熱鋼例えば、コバルト合金、ニッケル合金およびチタン合金などなどが挙げられる。タッピング棒本発明の製造方法に用いる治具は、炉内で生成したシリコン融液を、炉内から抜き出す際に、該シリコン融液を通過させる流路を開くために使用される治具100Bであることが好ましい。この治具は、一般に、タッピング棒と呼ばれる。タッピング棒として、前記非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の前記シリコン製造用原料または加熱生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている治具を用いることにより、タッピング作業の際の不純物の混入を防止できる。タッピング棒は、炉底部に蓄積したシリコン融液を、溶融状態のまま炉下部の側壁より取り出す作業タッピング作業に使用される。タッピング棒を用いたタッピング作業について図1を用いて説明する。タッピング作業では、タッピング棒を備えた治具100Bを、炉下部の側壁に設けた出湯口512から、水平方向に炉内中心部に向けて挿入し、湯止めに使用した栓一般には、ピッチを主成分とした粘土状のものを壊す。その後、湯道を閉塞しているシリコン製造用原料または加熱生成物が固化したものを突き破って、湯道を作り、炉底中心付近に溜まったシリコン融液560を炉外に導引し、該シリコン融液560を、例えば、樋320を介して、黒鉛容器340で受ける。図示した形態では、タッピング棒を備えた治具100Bの図示右側がドリル120に取り付けられている。このように、タッピング棒を備えた治具100Bをドリル120により回転させながら炉内に挿入させてもよい。図2Bに、タッピング棒を備えた治具100Bの一実施形態を示した。該治具100Bは、図示左側のタッピング棒10bおよび図示右側の取っ手治具20bが結合されて構成されている。取っ手治具20bは、ジョイント部材22bと取っ手部材24bとが組み合わさって構成されている。該治具100Bは、図示左側のタッピング棒10b側が、シリコン製造用原料に挿入され、図示右側の取っ手治具20b側は、機械手段あるいは人により保持され、タッピング棒を備えた治具100Bが操作される。タッピング棒10b側は、図1に示したように、炉下部の出湯口512から、炉の中心部にあるシリコン融液560に向けて挿入され、湯道を作ることによって、シリコン融液560が炉外に導引されるが、以下において説明するように、該タッピング棒10bの所定の部分は非金属材料部分12bで構成されている。図2Bに示した治具100Bは、タッピング棒10bの図示右側に取っ手治具20bを備えているが、該取っ手治具20bは必須ではなく、治具100B全体をタッピング棒10bにより形成してもよい。その場合は、タッピング棒10bの片方の端部側非金属材料部分12b側が炉内に挿入され、他方の端部側は、機械的手段あるいは人により保持されることになる。取っ手治具20bの材料は、特に限定されないが、強度の点から金属材料により形成することが好ましい。金属材料は、上記ポーキング材を備えた治具100Aにおける取っ手治具20aの場合と同様である。治具100Bの取っ手治具20b側を保持する機械的手段、または、全体をタッピング棒10bで形成する場合においては、タッピング棒10bの他方の端部を保持する機械的手段としては、例えば、図1に示したドリル120が挙げられる。加熱によりシリコンを製造するとは、シリカ原料の炭素還元、シリカ原料の炭化珪素による還元、シリコン原料の加熱によるシリコン製造、を含む概念である。加熱方法としては、アーク加熱、誘導加熱、抵抗加熱、プラズマ加熱、電子ビーム加熱等が挙げられる。中でも、アーク部分の温度が2000~3000°Cに達するアーク炉を用いた方法に、前記治具100A、100Bを採用するのが、前記治具100A、100Bの耐熱性能を発揮する上から、好ましい。なお、本発明の製造方法に用いる全ての治具が前記非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の該シリコン製造用原料または該加熱生成物に触れる箇所が、該非金属材料部分で構成されていることが好ましい。本発明の製造方法に用いる治具としては、ポーキング棒、タッピング棒に加えて、例えば、シリコン融液を流す樋、シリコン融液の保持容器、およびシリコン製造用原料または加熱生成物を加熱保持する際の蓋が挙げられる。シリコンを製造するための原料シリコン製造用原料とは、シリカ原料および炭素材料等をいう。また、加熱生成物は、溶融したシリコン製造用原料、反応中間体、製造したシリコン融液等をいう。シリカ原料は溶融するが、炭素材料は溶融しないので、溶融したシリコン製造用原料には、溶融したシリカ原料中に固体の炭素材料が分散しているような状態も含む。シリコン製造用原料シリコンを製造するためのシリコン製造用原料550としては、1シリカ原料および炭素材料、2シリカ原料および炭化珪素、並びに3シリコン原料のいずれか1を含む原料を用いることができる。1と2とを混合して使用してもよいし、また、3の系に、炭素材料を加えて使用してもよい。シリコン製造用原料は、不純物が少ない高純度のものであることが好ましい。一般的にシリカ原料に含まれる不純物としては、シリコン製造用原料の種類により異なるが、例えば、鉄、アルミニウム、カルシウムおよびチタン等が挙げられる。本発明の製造方法において用いられるシリコン製造用原料は、鉄、アルミニウム、カルシウムおよびチタン以下、主要金属不純物というの含有量が何れも低い方が好ましい。前記非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の前記シリコン製造用原料または加熱反応生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている治具を、高純度のシリコン製造用原料を用いた炭素還元による高純度シリコンの製造において使用することより、その効果を特に発揮し、高純度のシリコンを製造することができる。シリコン製造用原料における鉄の含有量は0.1質量1000質量ppm以下であることが好ましく、0.01質量以下であることがより好ましく、0.001質量以下であることがさらに好ましい。シリカ原料本発明の製造方法に用いるシリカ原料としては、SiO2を主成分とするものであればいずれでも使用可能である。シリカ原料として、例えば、石英粉ケイ砂および石英塊等の粉状体が挙げられる。シリカ原料は、不純物が少ない高純度のものであることが好ましい。一般的にシリカ原料に含まれる不純物としては、シリカ原料の種類により異なるが、例えば、鉄、アルミニウム、カルシウムおよびチタン等が挙げられる。本発明の製造方法において用いられるシリカ原料は、主要金属不純物の含有量が何れも低い方が好ましい。前記非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の前記シリコン製造用原料または加熱反応生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている治具を、高純度のシリコン製造用原料を用いた炭素還元による高純度シリコンの製造において使用することより、その効果を特に発揮し、高純度のシリコンを製造することができる。シリカ原料における鉄の含有量は0.1質量1000質量ppm以下であることが好ましく、0.01質量以下であることがより好ましく、0.001質量以下であることがさらに好ましい。また、好ましくは、鉄、アルミニウム、カルシウムおよびチタンの合計の含有量が0.1質量以下であり、より好ましくは0.01質量以下であり、更に好ましくは0.002質量以下である。シリカ原料における主要金属不純物の含有量が多いと、還元により得られる粗シリコンの純度が低くなり、精製工程での不純物除去における負荷が大となり、また、高純度のシリコンの収率が劣ることとなる。本発明のシリコンの製造方法は、このような高純度のシリコン製造用原料を用いた高純度のシリコンの製造方法において、前記非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の前記シリコン製造用原料または加熱反応生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている治具を用いることにより、不純物の混入を防いで、シリコンの純度を保つことができる。シリカ原料における主要金属不純物の含有量は少ないほど好ましく、特に限定されないが、入手の困難性、コストの点等から、下限は通常、0.0001質量程度であり、好ましくは0.0002質量以上である。シリカ原料中のボロン及びリンの含有量は特に限定されるものではないが、通常各々10質量ppm以下であることが好ましく、より好ましくは5質量ppm以下、さらに好ましくは1質量ppm以下、特に好ましくは0.5質量ppm以下、最も好ましくは0.1質量ppm以下である。シリカ原料中のボロン及びリンの含有量が高いと、還元により得られる粗シリコンの純度が低くなり、精製工程での不純物除去における負荷が大となり、また、高純度のシリコンの収率が劣ることとなる。また、シリカ原料中のボロンおよびリンの含有量が低いシリカ原料を用いることは、高純度な原料を用いて、高純度なシリコンを製造する方法において、治具による汚染を防ぐという本発明の趣旨に合致する。ボロン及びリンの含有量は、少ないほど好ましく、下限は特に限定されるものではない。炭素材料本発明の製造方法において用いる炭素材料は、高純度のものを用いるのが好ましく、灰分が1.0質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.6質量以下、さらに好ましくは0.1質量以下、最も好ましくは灰分が0.04質量以下である。灰分の下限は特に限定されるものではなく、少ないほどよいが、入手の困難性、コストの点等から、通常0.0001質量1質量ppm以上、好ましくは0.001質量以上である。ここで、灰分の測定は、JISM8812により行うことができる。また、炭素材料の主要金属不純物の含有量は、何れも低い方が好ましい。炭素材料における鉄の含有量は0.1質量1000質量ppm以下であることが好ましく、0.01質量以下であることがより好ましく、0.001質量以下であることがさらに好ましい。また、好ましくは、鉄、アルミニウム、カルシウムおよびチタンの合計の含有量が0.1質量以下であり、より好ましくは0.01質量以下であり、更に好ましくは0.002質量以下である。炭素材料における主要金属不純物の含有量が多いと、還元により得られる粗シリコンの純度が低くなり、精製工程での不純物除去における負荷が大となり、また、高純度のシリコンの収率が劣ることとなる。炭素材料における主要金属不純物の含有量は少ないほど好ましく、特に限定されないが、入手の困難性、コストの点等から、下限は通常、0.0001質量程度であり、好ましくは0.0002質量以上である。炭素材料中の、ボロン及びリンの含有量は特に限定されるものではないが、通常、各々50質量ppm以下であることが好ましく、より好ましくは10質量ppm以下、さらに好ましくは5質量ppm以下、特に好ましくは1質量ppm以下、最も好ましくは0.5質量ppm以下である。炭素材料中の、主要金属不純物並びにボロン及びリンの含有量をこのような範囲の炭素材料を用いることで、より高純度なシリコンを製造することができる。また、高純度な原料を用いて、高純度なシリコンを製造する方法において、治具による汚染を防ぐという本発明の趣旨に合致する。炭素材料の具体例としては、コークス、天然黒鉛、人造黒鉛、キッシュ黒鉛、並びにアセチレンブラックおよびケッチェンブラックなどカーボンブラック類などが挙げられる。炭化珪素炭化珪素についても、高純度のものを用いるのが好ましく、主要金属不純物、ボロンおよびリンの含有量については、上記シリカ原料の場合と同様である。シリコン原料シリコン原料としては、例えば、単結晶シリコン製造プロセスで発生する規格外のシリコンシリコンスクラップ、および単結晶または多結晶シリコンインゴットの切断、研削または研摩で発生するシリコン屑等がある。シリコン原料は、もともと高純度なシリコンが主体となっており、主要金属不純物、ボロンおよびリンの含有量については、上記シリカ原料の場合と同様である。上記したシリコン製造用原料は、炉の上部から所定の比率で投入され、原料550として炉内に充填されている。例えば、シリコン製造用原料550として、シリカ原料と炭素材料とを用いて、シリコン製造用のアーク炉500において、炭素還元反応する場合における、シリカ原料と炭素材料との比については、特に限定されるものではなく、従来炭素還元反応によってシリコンを製造する場合に適用されてきたものと同様としてよい。例えば、シリカ原料/炭素材料の仕込比率質量比は、通常0.3以上であることが好ましく、より好ましくは0.33以上であり、通常0.5以下であることが好ましく、より好ましくは0.4以下、さらに好ましくは0.36以下の範囲である。アーク炉内の炭素還元反応によって、シリカ原料および炭素材料からなる原料550の一部はシリコン融液560となって炉底に溜まり、例えば、アーク炉の下部側面に設けられた出湯口512から液状にて取り出される。そして、シリコンが取り出されることによりシリコン製造用原料550は徐々に減少し、一方で、炉上部から新たに原料が投入される。加熱生成物加熱生成物とは、原料が溶融して混合された状態のもの、反応中間体、または、製造されるシリコン融液560のことをいう。シリコン製造用アーク炉本発明のシリコン製造用アーク炉の構造について、図3を用いて説明する。図3に、アーク炉の断面構造を概念的に示す。アーク炉100は、シリコン製造用原料および製造されたシリコンを収納するための炉体10、シリコン製造用原料を加熱するための電極40、該電極に電力を供給するための電源不図示、および、電源および電極の間に変圧器不図示などを備えて構成される。炉体10は、筐体12、並びに、該筐体12に内張りされた耐火層22、23、24、25、26および27を備えている。製造されたシリコン融液は、炉体10の底部炉底に溜まるが、該溜まったシリコン融液を取り出すための出湯口92が、炉体10には形成されている。また、製造したシリコンが放出してしまうのを防いだり、または、炉体10からの熱の放出を防いだりするために、炉体10は、さらに炉蓋15を備えていてもよい。炉蓋15は、炉体10と同様に、筐体12と、筐体に内張りされた耐火層28、29を備えている。炉蓋15は、原料投入管不図示、煙突不図示を備えていてもよく、また、電極を炉内に挿入するための貫通孔を備えていてもよい。以下、本発明では、炉蓋15を備えている場合は、炉体10と言えば、炉蓋15を含むものする。よって、炉体10の内壁という場合は、炉蓋15の内壁も含む。炉内10に投入されたシリコン製造用原料50は、図示の形態のように、炉体10の底部から、おおむね炉体10の図示上下方向中央付近まで堆積した状態となっているが、製造条件によっては、炉蓋15付近まで、または、炉体10からはみ出す程度まで、投入される場合もある。炉体10からはみ出す程度までシリコン製造用原料が投入された場合は、天蓋状の炉蓋15が設置される。アーク炉100においては、電極40の先端部のアークが出ている箇所が、最も高温となっており、約2000~3000°Cとなっている。よって、この電極40先端に近いシリコン製造用原料52は溶融状態となっている。また、炉底には、製造されたシリコン融液が溜まっている。耐火層炉体10は、筐体12に耐火層22、23、24、25、26、27、28および29が内張りされて形成されており、通常、複数の耐火層が積層されて貼り付けられている。本発明における炉体の内壁とは、該耐火層の最も内側、つまり、原料が収納されている側の耐火層23、25、27、29のことをいう。最も内側の耐火層の厚さは、好ましくは10mm以上500mm以下、より好ましくは30mm以上~300mm以下である。よって、炉体の内壁とは、好ましくは炉体の内表面原料収納側の表面から炉外方向へ10mm~500mmまでの箇所、より好ましくは30mm以上~300mmまでの箇所をいう。耐火層は、酸化物、炭素材料、炭化珪素および窒化珪素等の単体または複数以上の混合物若しくは複合物である耐火物から形成されている。酸化物としては、例えば、シリカ、アルミナ、マグネシアおよびカルシア等を主体とする耐火物が挙げられる。また、例えば、珪石レンガ、ろう石レンガ、粘土シャモットレンガ、ムライト質レンガ、ハイアルミナ質レンガ、ジルコンレンガおよびドロマイトレンガ等が挙げられる。また、例えば、炭素材料を主体とする炭素質レンガ、黒鉛、炭素繊維強化炭素複合材、シリコンを含浸した炭素繊維強化炭素材料、炭化珪素を主体とする炭化珪素質レンガ、シリコンを含浸した炭化珪素質レンガ、窒化珪素を主体とする窒化珪素質レンガおよび酸化物と炭素材料とを混合したマグネシア-カーボン質レンガ等が挙げられる。耐火物としては、使用温度に適合した耐火度を有するものが選択される。耐火度が高い観点からすると、黒鉛、ハイアルミナ質レンガ、マグネシアカーボン質レンガおよびカルシアレンガが好ましい。また、耐火物は、アルミナ質を50質量以上含むことが好ましく、コストと高耐火度の両面からすると、90質量以上のアルミナを含有するハイアルミナ質レンガがより好ましい。生成したシリコン融液と接触する部分、すなわち図3の炉底の耐火層24、25の原料収納側には、カーボンの内張り32を形成することが必要である。カーボンの内張り32の厚さは少なくとも30mm以上が好ましい。カーボンは、自焼成カーボン焼成前のカーボンで、通常はバインダーと骨材であるコークスを混合したもの、焼成カーボンでもよい。焼成カーボンには、黒鉛化したものとそうでないものがある。なお、炉底における該カーボンの内張り32は、アーク放電の電気を流す役割をも担っている。また、側面の耐火層23、27の内側に内張りを形成してもよい。該側面の内張りとしては、溶融シリコンによる侵食およびシリコンへの不純物汚染を防止する点で、黒鉛、炭素繊維強化炭素複合材、シリコンを含浸した炭素繊維強化炭素材料、炭化珪素質レンガまたはシリコンを含浸した炭化珪素質レンガにより形成することが好ましい。側面の内張りの厚さは少なくとも30mm以上が好ましい。耐火物の熱伝導率は、0.5W/mK以上であることが好ましく、1.0W/mK以上であることがより好ましく、1.5W/mK以上であることがさらに好ましい。同じ素材の耐火物で比較すると、熱伝導率の高い耐火物ほど気孔率が少なく緻密であり、熱間強度曲げ強度、耐衝撃性、溶融物に対する耐溶損性が高くなる。背景技術において記載したように、太陽電池等に容易に適用できる高純度なシリコンを製造することが求められているが、リン濃度が低い原料を用いてシリコンを製造したとしても、従来は、製造されたシリコンのリン濃度が原料の持ち込み量から計算されるよりも高くなるという問題があった。これは、炉体10の耐火層から、シリコン製造用原料あるいは製造されたシリコン融液にリンの移行が起こっているためであると考えられる。よって、本発明のアーク炉100では、このリンの移行を防止する措置を採っている。本発明の製造方法に用いるアーク炉は、炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部が、リン含有量が0.01質量100wtppm以下である耐火物以下、リン濃度が低減された耐火物ともいうで構成されていることが好ましい。ここで、炉体の上部とは、シリコン製造用原料の鉛直方向上部の蓋をいう。前記炉体の上部を覆う部材の内壁からリンが放出されて気相を介してシリコン製造用原料または製造されたシリコン融液が汚染される。炉体の内壁のうち、シリコン製造用原料固体原料、溶融したシリコン製造用原料の両方が接触している箇所をリン含有量が低減された耐火物で構成したとしても、シリコン製造用原料が接触していない内壁から気相を介してリンがシリコン製造用原料または製造されたシリコン融液を汚染することがある。よって、前記炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部を前記耐火物で構成することにより、この汚染をより低減することができる。前記炉体の上部を覆う部材の内壁の好ましくは少なくとも50以上、より好ましくは少なくとも80以上、さらに好ましくは100を、リン濃度が低減された耐火物により形成することが好ましい。前記リン濃度が低減された耐火物は、リン濃度が0.01質量以下であり、好ましくは0.006質量以下、より好ましくは0.004質量以下、さらに好ましくは0.002質量以下、最も好ましくは0.001質量以下の耐火物をいう。また、本発明の製造方法に用いるアーク炉は、溶融したシリコン製造用原料52、または、製造されたシリコン融液と触れる部分の内壁を、リン濃度が低減された耐火物により構成することが好ましい。このようにして、気相を介したリンの汚染をも防止するとともに、実際に溶融原料あるいはシリコン融液と接触する内壁をリン濃度が低減された耐火物で構成することにより、実際の接触に伴うリンの移行が防止し、製造されるシリコンのリン濃度をより低減させることができる。また、本発明の製造方法に用いるアーク炉100は、炉体10の内壁のうち、シリコン製造用原料50が接触し得る部分について、リン濃度が低減された耐火物により形成することが好ましい。図3に示すように、溶融したシリコン製造用原料52が触れている内壁部分に比べて、固体を含んだシリコン製造用原料50は、炉体の内壁のより広い箇所と接触している。この広い箇所をリン濃度が低減された耐火物により形成することで、リンの移行をより効果的に防止することができる。前記炉体の上部を覆う部材の内壁が、リンを放出し、気相を介してシリコン製造用原料50または製造されたシリコン融液を汚染することを上記したが、このリンの放出は、炉体の内壁、つまり、内壁を構成する耐火物が所定温度以上に加熱された際に、顕著に起こる。そのため、製造されたシリコン融液がリンにより汚染された製造例において、炉蓋15の耐火層29としてリン濃度が低減されていない耐火物を内壁として用いていたので、その耐火物の温度を測定した結果、1100°Cであることが分かった。よって、炉体内壁を構成する耐火物は、加熱により温度が少なくとも1100°C以上となれば、リンを放出することを見出した。この点から、本発明の製造方法に用いるアーク炉100においては、炉体10の内壁のうち、温度が加熱により温度が1100°C以上となる内壁箇所は、リン濃度が低減された耐火物により形成されることが好ましい。また、前記炉体10の内壁のうち、加熱により温度が1100°C以上になる内壁箇所が、リン含有量が0.01質量以下である耐火物で構成されていることが好ましい。炉体の内壁を構成する耐火物は、ある温度以上となるとリンを放出するが、少なくとも1100°C以上となると、該耐火物はリンを放出する。よって、炉体内壁のうち、該温度以上の箇所をリン含有量が低減された耐火物で構成することが好ましい。前記炉体10の内壁全体は、リン濃度が低減された耐火物で構成することが好ましい。炉体の内壁全体を該耐火物で構成することにより、長時間通電した場合にも製造されるシリコンに混入するリン濃度を極めて低く保つことができる。また、前記耐火物はアルミナを50質量以上含むことが好ましい。耐火度の点から、このような耐火物が好ましい。また、コストと耐火度の両面からすると、耐火物はアルミナを90質量以上含むことがより好ましい。なお、前記炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部を、リン含有量が0.01質量100wtppm以下である耐火物で構成する場合、シリコン製造用原料の、ホウ素およびリンの含有量は、いずれも0.001質量10ppm以下であることが好ましい。また、このようなホウ素、リンの含有量が低い原料を用いることは、高純度のシリコンを製造するという本発明の趣旨からより好ましい。リン含有量が低減された原料を用いて、本発明の製造方法を適用することにより、リンによる汚染が防がれ、リン含量の低減された高純度シリコンを製造することができる。前記炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部を、リン含有量が0.01質量100wtppm以下である耐火物で構成した場合、本発明の製造方法により製造されるシリコンのリン含量は、好ましくは10ppm以下、より好ましくは5ppm以下、さらに好ましくは0.5ppm以下、特に好ましくは0.1ppm以下である。なお、ホウ素は混入した場合、除去しづらい元素であるので、あらかじめホウ素含量が低減されたシリコン製造用原料を用いることが好ましい。なお、現在製造されている工業用シリコンのリン含有量は、25~30ppmであり、本発明の方法によって製造されるシリコンのリン含有量が、これに比べて非常に低いことが分かる。本発明にかかるシリコンの製造方法について説明する前に、まず、シリカ原料および炭素材料をシリコン製造用原料として炭素還元反応を行った場合における、アーク炉内に生じる化学反応について説明する。図4は、アーク炉内における、二酸化ケイ素の炭素還元反応を説明するための図であり、一本の電極先端部分について注目した図である。図4において、内張、耐火層等のアーク炉の詳細については省略して示している。図4に示すように、アーク炉の内部では、シリカ原料および炭素材料等を含むシリコン製造用原料550の内部に電極518の先端が挿入されている。すなわち、図示した本発明の一実施形態のシリコンの製造方法においては、いわゆるサブマージドアーク方式が採用されている。また、アーク炉500の運転中は、原料550の電極518先端付近に、SiOやCOが混在している層555が存在し、さらに、層555の下方には、炉内の炭素還元反応の結果として得られたSiがシリコン融液560を形成して溜まっている。アーク炉500内では、図4にAで示される付近に上部低温領域、図4にBで示される付近に下部高温領域が存在し、それぞれの領域において優先的に異なる反応が生じているものと考えられる。すなわち、上部低温領域Aでは、下記反応式1または2で表される反応が優先的に生じているものと考えられる。SiOg2C→SiCCOg12SiOg→SiSiO22このうち、特に反応式1にかかる反応が最も優先的に起こっているものと考えられ、上部低温領域Aにおいては、SiCが多く生じている。一方で、下部高温領域Bにおいては、下記反応式3~5で表される反応が優先的に生じているものと考えられる。SiO2C→SiOgCOg3SiOgSiC→2SiCOg4SiO2SiC→SiSiOgCOg5このうち、特に反応式4にかかる反応が最も優先的に起こっているものと考えられ、例えば、上部低温領域Aにて生成した炭化ケイ素と気体の酸化ケイ素との反応により、シリコンが生成する。上記反応式をまとめると、シリカ原料の炭素還元反応において、下記反応式6にかかる反応によってシリコンが生成する。SiO22C→Si2COg6以下、シリコンの製造装置の具体例について説明し、当該製造装置を用いたシリコンの製造方法の具体例について説明する。<シリコンの製造装置700>図5は、シリコンの製造装置700を説明するための概略図である。図5に示すように、シリコンの製造装置700は、内部に電極518を備えるアーク炉500、アーク炉500の電極に流れる電流を安定化させる電力調整装置720、及び、電極518と電力調整装置720の間に設けられた変圧器740を備えている。アーク炉500の炉内には、シリカ原料及び炭素材料がシリコン製造用原料550として充填されており、ここに電極518の先端が埋没されている。電極518、電力調整装置720及び変圧器740は電気的に接続されている。図5において、その他配線等については省略して示している。アーク炉500アーク炉500は、炉内径を700mm以上7000mm以下とすることが好ましい。アーク炉500の内部には電極518が少なくとも一つ備えられており、当該電極518の先端は、原料550に埋没され、いわゆるサブマージドアーク方式とされている。変圧器740本発明にかかる製造装置700には、変圧器740が設けられている。変圧器740は、電力調整装置720とアーク炉500との間に接続されて炉用変圧器として機能する。変圧器740は従来の変圧器を特に限定されることなく用いることができるが、許容電流が大きいものを用いることが好ましい。具体的には、許容電流が1100A100kW操業炉~105,000A20,000kW操業炉のものを用いることが好ましい。特に、変圧器740の容量がアーク炉500の運転出力の1.5倍以上である変圧器740により変圧されることが好ましい。すなわち、運転出力をPkWとすると、変圧器容量は1.5PkVA以上が好ましく、より好ましくは2PkVA以上であり、さらに好ましくは3PkVA以上である。これにより、変圧器740にある程度の大電流が流れた場合であっても変圧器740が停止することなく、また、製造装置700全体を停止させることなく連続的に運転することができる。変圧器740と電力調整装置720及び電極518との接続方法については、製造装置700において、適切に変圧可能な形態であれば特に限定されるものではない。例えば、オープンアーク炉で用いられるものと同様の形態とすることができる。本発明にかかる製造装置700には、上記構成のほか、コンデンサ、バランサ、配電盤および電源変圧器等が備えられ、アーク炉500への通電が可能とされている。その他の形態については、特に限定されるものではなく、従来と同様の形態が適用できる。<シリコンの製造方法の具体例>以下、上記製造装置700を用いたシリコンの製造方法の具体例について説明する。図6に、該具体例の各工程を示すように、該具体的なシリコンの製造方法は、炉内セットアップ工程S1、通電工程S2および出湯工程S3にかかる各工程を有し、炉の運転停止後に炉内のはつり作業等を行う。工程S1工程S1は、アーク炉500の電極518を取り付け、炉内に原料を投入して原料550を充填し、シリコンを製造可能な状態へと炉内をセットアップする工程である。原料550におけるシリカ原料及び炭素材料の比率については、上述の通り、適切にシリコンが製造可能な比率とされていればよい。また、電極518の電極先端は原料550に埋没されて、いわゆるサブマージドアーク方式とされる。工程S2工程S2は、炉内セットアップが完了した後、アーク炉500を通電して、炉内をアーク放電により加熱する工程である。ここで、アーク放電により加熱された炉内温度は限定されず、アーク放電による成り行きでよい。このとき、アーク炉500に流れる電流量は、アーク炉500の外部に備えられた電力調整装置720により調整されて安定化される。これにより、原料550内部の反応が進行し、炉内に蓄積した炭化ケイ素と電極518とが接触して、短絡が生じ得るような状況となっても、電極518やその他装置に生じる電流の激しい振れ以下、電流ハンチングという。が抑制され、製造装置700を停止させることなく、連続して運転することができる。一方、工程S2においては、アーク炉500の炉床電力密度PDW/cm2が90W/cm2以上でアーク炉が運転される。これにより、高純度なシリコンを効率的に製造でき、且つ、炉内の炭化ケイ素の生成を抑制して製造装置700を停止させることなく連続して運転できる。また、工程S2において、炉内の温度の上昇と共に、シリカ原料および炭素材料が消費されて、原料面が下がった分、原料を追加投入していくが、さらに炉の温度が上昇し、原料表面に殻が形成されるようになると、原料が消費されても原料面が自然に下がらなくなる。その場合は、上記ポーキング棒を備えた治具100Aを用いて原料表面の殻を突き崩してから、原料を追加するポーキング作業を行う必要がある。該ポーキング作業は、原料面の低下が自然に起こらなくなった際を見計らって行ってもよいし、所定の間隔、好ましくは5時間間隔、より好ましくは3時間間隔、さらに好ましくは1時間間隔で行われる。前記ポーキング作業を本発明のポーキング棒を備えた治具100Aを用いて行うことにより、シリコンを製造するための原料の汚染が防止されて、高純度のシリコンを得ることにつながる。工程S3アーク炉500内で炭素還元により生成したシリコンは、液状にて徐々に炉底に溜まる。工程S3は、このような液状のシリコンシリコン融液560を、炉底部側面に設けられた出湯口512から流出させて取り出す工程タッピング作業である。シリコンが出湯口512から取り出されることで、炉内の原料550は徐々に減少する。本発明においては、上記したように、当該原料550の減少に合わせて、新たにシリカ原料及び炭素材料が炉上部より投入され、連続的に炭素還元反応が行われる。上記タッピング作業を、本発明のタッピング棒を備えた治具100Bを用いて行うことにより、シリコン融液560の汚染を防ぎ、高純度のシリコンを得ることができる。このように、工程S1~S3を経て、シリカ原料から、炭素還元反応によってシリコンが取り出される。シリコンの製造を停止する場合は、その後、炉内のはつり作業等が行われる。上記したシリコンの製造方法は、高純度なシリコン製造用原料を用いた炭素還元反応による、高純度なシリコンの製造方法であり、高純度原料を用いることによる短絡等の問題が解消され、連続的にシリコンを製造することができる方法である。前記方法において、シリコン製造用原料または加熱生成物を加熱炉内で操作する際に、前記非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の前記シリコン製造用原料または加熱反応生成物に触れる箇所が、前記非金属材料部分で構成されている治具100A、100Bを使用することにより、原料および製造されるシリコン融液が汚染されるのを防ぐことができ、高純度のシリコンを製造することができる。また、前記方法において炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部が、リン含有量が0.01質量100wtppm以下である耐火物で構成されているアーク炉100を使用することにより、製造されるシリコンがリンにより汚染されるのを防ぎ、リン濃度が低減された、より高純度のシリコンを製造することができる。実施例1-1図1に示すようなシリコンの製造装置において、炉内に表1に示すシリカ原料と炭素材料とを入れ仕込み比質量比:0.33炭素材料/シリカ原料、3本の100mm径電極電極a~cを設置し、アーク放電を行なった。なお、炉体の内壁に用いる耐火物および電極は、後述する実施例2-3と同じものを用いた。炉内温度の上昇とともにシリカ原料と炭素材料とが消費され始め、原料面が自然に下がった分、原料を追加投入した。しかし、さらに炉の温度が上昇し原料表面に殻が形成されるようになると、原料消費に伴って原料面が自然に下がらなくなった。それ以降は、表3の実施例1-1の欄に示す炭素繊維強化炭素材料C/Cのポーキング棒を用いて原料表面の殻を突き崩して、原料を追加する工程を1時間に1回の頻度で繰り返し、ポーキングを開始してから約20時間運転を継続し、タッピング作業を行った。タッピングは、出湯口を表3の実施例1-1の欄に示す炭素繊維強化炭素材料C/Cのタッピング棒をタッピングドリルの先に取り付け、40rpmで回転させながら栓部を突き破り、タッピング棒先端をシリコン融液が溜まっている炉内まで挿入し、引き抜いた。シリコン融液を、樋を介して炉外の黒鉛容器に導引し、15Kgのシリコンを得た。使用したポーキング棒およびタッピング棒を形成する材料の不純物濃度、曲げ強度、融点を表2に示す。また、ポーキング棒およびタッピング棒の材料、ポーキング作業およびタッピング作業の可否、得られたシリコンの分析結果を表3に示す。なお、炉内の原料上部の温度は1000~1500°C実測値であり、これより、ポーキング棒が触れる原料の温度は1200~1700°Cと推定される。また、タッピング棒が触れるシリコン融液は1500~1700°Cと推定される。実施例1-2実施例1-1と同様の条件でシリコンの製造装置を運転し、ポーキング棒にC/Cおよびタッピング棒にシリコン含浸炭素繊維強化炭素材C/C/Si表3の実施例1-2の欄に示す材質を用いて実施した。なお、炉体の内壁に用いる耐火物および電極は、後述する実施例2-2と同じものを用いた。その結果、15kgのシリコンを得た。実施例1-3実施例1-1と同様の条件でシリコンの製造装置を運転し、ポーキング棒およびタッピング棒にC/C/Siを用いて実施し表3の実施例1-3の欄に示す材質、15kgのシリコンを得た。なお、炉体の内壁に用いる耐火物および電極は、後述する実施例2-2と同じものを用いた。実施例1-4実施例1-1と同様の条件でシリコンの製造装置を運転し、ポーキング棒にC/C、そしてタッピング棒に鉄棒SS400表3の実施例1-4の欄に示す材質を用いて実施した。なお、炉体の内壁に用いる耐火物および電極は、後述する実施例2-2と同じものを用いた。比較例1-1実施例1-1と同様の条件でシリコンの製造装置を運転し、ポーキング棒およびタッピング棒に鉄棒SS400表3の比較例1-1の欄に示す材質を用いて実施した。なお、炉体の内壁に用いる耐火物および電極は、後述する実施例2-2と同じものを用いた。その結果、15kgのシリコンを得た。しかしながら、ポーキング及びタッピング棒は先端が溶損し、得られたシリコンは実施例に比較しFe、AlおよびP等の不純物が多い結果となった。比較例1-2実施例1-1と同様の条件でシリコンの製造装置を運転し、ポーキング棒およびタッピング棒に黒鉛表3の比較例1-3の欄に示す材質を用いて実施した。しかしながら、黒鉛のポーキング棒は頻繁に折れ、原料面の殻が固くなると、突き崩すことができなくなった。また、黒鉛のタッピング棒は炉内に挿入時に折れて、タッピング作業ができなかった。表3に示すように、実施例1-1~1-4は、比較例1-1と比較して、得られたシリコンにおけるB、P、FeおよびMgの含有量が低かった。この結果から、シリコン製造用原料および加熱生成物の少なくとも一方を加熱炉内で操作するための治具として、曲げ強度が100MPa以上でありかつ融点がシリコンの融点以上である非金属材料部分を備えており、少なくとも1000°C以上の該シリコン製造用原料または該加熱生成物に触れる箇所が、該非金属材料部分で構成されている治具を用いる本発明の製造方法によれば、製造されるシリコンの汚染を抑制できることがわかった。実施例2-1図3に示す構造のアーク炉において、側面の耐火層として、内側から、耐火層2耐火物C、耐火層3耐火物D、耐火層4耐火物Fの4層の耐火層を設置した。また、炉底の耐火層として、内側から、耐火層5耐火物C、耐火層6耐火物Eの2層の耐火層を設置した。また、炉蓋の耐火層としては、耐火層7耐火物Aを設置した。なお、側面および炉底の最内側には黒鉛内張を設置した。該アーク炉を用いて、シリコンの製造を行った。電極としては、黒鉛電極Pを0.4質量ppm含有を用いた。炉底のカーボン内張としては、厚さ120mmの黒鉛内張りを形成した。側面の黒鉛内張りとしては、厚さ30mmの短冊状の黒鉛板を並べて設置した。このため、側面の黒鉛内張りには隙間があり、また、側面の黒鉛内張りは運転中に酸化摩耗して穴があくことがあり、リンの汚染防止の効果はほとんどないと考えられる。なお、シリコン製造用原料としては、シリカ原料、および、炭素材料を使用した。これら原料の純度を表4に示す。なお、原料の仕込み比質量比は、0.33炭素材料/シリカ原料とした。表5に、使用した耐火物の種類、そのリン濃度、および、側面の内張の有無を示す。表6に、使用した各耐火物の成分、リン濃度、熱伝導率を示す。実施例2-2実施例2-2では、実施例2-1における黒鉛電極Pを0.4質量ppm含有を純化黒鉛電極Pの含有量は0.1質量ppm未満に変更した他は、実施例2-1と同様にして、アーク炉を構成し、シリコンの製造を行った。実施例2-3実施例2-3では、実施例2-1における炉壁の耐火層2を耐火物CPを600質量ppm含有から耐火物APを10質量ppm含有に変更し、炉底の耐火層5を耐火物CPを600質量ppm含有から耐火物BPを50質量ppm含有に変更した他は、実施例2-1と同様にして、アーク炉を構成し、シリコンの製造を行った。比較例2―1比較例2-1では、実施例2-1における側面の耐火層として、耐火層2の内側に耐火層1耐火物Bを設置し、炉蓋の耐火層7を耐火物APを10質量ppm含有から耐火物DPを530質量ppm含有に変更した他は、実施例2-1と同様にして、アーク炉を構成し、シリコンの製造を行った。表7に示すように、炉体の内壁のうち、前記炉体の上部を覆う部材の内壁の少なくとも一部を、リン含有量が0.01質量100wtppm以下である耐火物で構成することにより、得られるシリコンへのリンの混入を防ぎ、高純度のシリコンを製造することができることがわかった。また、実施例2-3に示すように、炉体の内壁全体を該耐火物で構成することにより、加熱の通電時間を長期間とした場合にも、得られるシリコンに混入するリン濃度を極めて低く保つことができることが分かった。以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ、好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う、治具およびシリコンの製造方法もまた本発明の技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。本発明を特定の態様を参照して詳細に説明したが、本発明の精神と範囲を離れることなく様々な変更および修正が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお、本出願は、2010年3月11日付けで出願された日本特許出願特願2010-054697および2010年3月11日付けで出願された日本特許出願特願2010-054727に基づいており、その全体が引用により援用される。また、ここに引用されるすべての参照は全体として取り込まれる。"