"透明基板の少なくとも1表面に透明導電膜を形成し、前記透明基板の両端に電圧印加用の金属電極を配した面状ヒータにおいて、透明導電膜が形成された透明導電膜の形成面内に、前記透明導電膜が形成されていない非形成部が複数形成されていることを特徴とする面状ヒータ。透明基板が石英ガラスであることを特徴とする請求項1に記載の面状ヒータ。透明導電膜に形成された非形成部の形状が円形で、かつ直径が0.1mmから1mmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の面状ヒータ。透明導電膜に形成された、互いに隣接する非形成部の中心の間隔が、等間隔に配列されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の面状ヒータ。透明導電膜が半導体であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の面状ヒータ。透明導電膜が酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛の少なくとも何れか一つを主成分とする半導体であることを特徴とする請求項5に記載の面状ヒータ。ところで、特許文献1に記載されたヒータにあっては、前記したように透明導電膜の膜厚の厚い領域と薄い領域に分けることにより、表面の温度分布を均質化が図られている。しかしながら、前記したように透明導電膜の膜厚が厚い領域と薄い領域を形成するために、少なくとも二つの膜を形成する工程が必要となり、製造工程が煩雑となり、コストが嵩むという技術的課題があった。本発明は、前述のような技術的課題を解決するためになされたものであり、透明導電膜の形成面内に、透明導電膜が形成されていない非形成部を設け、この非形成部によって透明導電膜形成面の抵抗を部分的に変化させ、面内の温度分布を制御する面状ヒータを提供することを目的とするものである。上記目的を達成するするためになされた本発明にかかる面状ヒータは、透明基板の少なくとも1表面に透明導電膜を形成し、前記透明基板の両端に電圧印加用の金属電極を配した面状ヒータにおいて、透明導電膜が形成された透明導電膜の形成面内に、前記透明導電膜が形成されていない非形成部が複数形成されていることを特徴としている。このように、透明導電膜が形成された透明導電膜の形成面内に、前記透明導電膜が形成されていない非形成部を複数形成することにより、透明導電膜の見かけ抵抗を上昇させ、電流の流れと発生するジュール熱とを制御する。これにより、面状ヒータの面内温度分布を制御することができる。尚、前記非形成部は、微小形状であって多数形成することにより、透明導電膜が形成された形成面内全体の温度分布面内温度分布の均質化を図ることができる。ここで、前記透明基板が石英ガラスであることが望ましい。このように透明基板が石英ガラスであることが、耐薬品性や耐候性、耐熱性の観点からより好ましい。また、透明導電膜に形成された非形成部の形状が円形で、かつ直径が0.1mmから1mmであることが望ましい。このように非形成部の形状が円形である場合には、配置の仕方の自由度が大きいため好ましい。また、非形成部の直径が0.1mm未満の場合には、パターニングすることが困難であり、直径が1mmを超える場合には大きな温度むらが発生するため、非形成部の直径は0.1mmから1mmであることが望ましい。また、透明導電膜に形成された、互いに隣接する非形成部の中心の間隔が、等間隔に配列されていることが望ましい。このように非形成部が等間隔に形成されているため、透明導電膜が形成された形成面内全体の温度分布をより均質化することができる。更に、透明導電膜が半導体であることが望ましく、また透明導電膜が酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛の何れか一つを主成分とする半導体であることが望ましい。本発明によれば、透明導電膜を一つの膜とし、この透明導電膜の形成面内に、透明導電膜が形成されていない非形成部を設け、この非形成部によって透明導電膜形成面の抵抗を部分的に変化させ、面内の温度分布を制御する面状ヒータを得ることができる。本発明にかかる面状ヒータの一実施形態について図1、図2に基づいて説明する。図1に示すように、本発明にかかる面状ヒータ1にあっては、従来のヒータと同様に、透明基板2の表面に透明電導膜3を形成し、両端に電圧印加用の金属電極4が配置されている。また、透明導電膜2の抵抗を部分的に制御するために、透明導電膜が形成されない非形成部3aが配置されている。本発明の面状ヒータ1は、前記非形成部3aを複数配置した点に特徴があり、詳しくは、透明電導膜3に周期的な微小形状の非形成部3aを多数成形することで透明電導膜の見かけ抵抗を上昇させ、電流の流れと発生するジュール熱とを制御することで面内温度分布を制御した点に特徴がある。ここで、透明基板2としては、ガラスや合成樹脂が用いられるが、石英ガラスが耐薬品性、耐候性、耐熱性の観点からより好適である。また、金属電極4は、Alの蒸着膜や、Agペーストの焼付け、金属体の物理的圧着等で形成することができる。前記金属電極4は、前記したいずれの方法に限定されるものではないが、透明導電膜3との接触抵抗が十分に小さく、異常発熱の原因とならないように注意して形成する必要がある。また、透明導電膜3は、透過すべき光のエネルギーよりも大きなバンドギャップを持つ半導体であることが必要であり、特に可視光を透過するために3eV以上のバンドギャップを持った半導体であることが必要である。好適には、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛の何れか一つを主成分とする半導体であることが望ましく、より好適にはITO膜が望ましい。これらの半導体膜には導電性を向上するために様々な添加物が添加される場合があるが、特にそれらが問題とはならず、使用することができる。また、前記微小形状の非形成部3aは、前記透明導電膜3の見かけ抵抗を変化させるための方法として用いられ、単位面積当たりの膜の形成面積を低下させることで見かけの抵抗率を上げるものである。即ち、電流の流れる方向に対して垂直方向の膜の断面を見た場合、非形成部3aには前記透明導電膜3が存在しないため、結果として前記透明導電膜3の断面積は小さくなり、抵抗は増加する。前記非形成部3aの形状は、配置の仕方の自由度の大きい円形が好ましい。非形成部3aの形状が円形の場合には中心間距離を等間隔にすることにより、外形の距離も等間隔にすることができる。これに対して、四角形状や三角形状の場合には、中心重心から外形までの距離が一定ではないため、配置に特別な配慮が必要となり、制限が生じる。そのため、配置の仕方の自由度の大きい円形が好ましい。また、前記非形成部3aの大きさは、前記透明導電膜3と非形成部3aの間に、大きな温度むらが生じない程度に小さい方が好ましく、一方、パターンが細かくなればなるほど不良の発生確率が高くなるため、パターニング形成のしやすさを考慮すると大きい方が好ましい。実際には、前記非形成部3aとしては、直径1mm~0.1mmの円形が好適に用いることができる。前記透明導電膜3の抵抗の制御は、前記非形成部3aの単位面積当たりに占める割合で行う。具体的には、図2aに示すように、非形成部3aの大きさ直径を変化させる方法と、図2bに示すように、隣接する非形成部3aの中心の間隔中心間距離Lを変化させる中心間距離LからL1に変更する方法とがあるが、非形成部3aの大きさ直径の好適範囲を考慮しつつ、両者を使い分けて制御することが望ましい。また、非形成部3aの単位面積当たりに占める割合を容易に計算するために、図2bに示すように、隣接する円形の非形成部3a中心の間隔が等間隔中心間距離L1に配列されていることが好ましい。前記非形成部3aの形成方法は、スパッタリング蒸着、ウェットエッチング、ドライエッチング、光リソグラフィなどの一般的な半導体製造技術を用いて作製する方法や、スクリーン印刷やインクジェットプリントなどの印刷技術を用いて作製する方法が使用できる。半導体製造技術を利用した非形成部3aの形成方法の場合は、例えば導電性透明膜を形成後に感光性レジストを塗布し、写真現像技術によってパターニングしたのち、ウエットエッチング或いはドライエッチングによってレジストの無い部分の膜を除去し、非形成部3aの形成する。また、印刷技術を利用した非形成部3aの形成方法の場合、例えばスクリーン印刷法では、導電性透明膜を形成後にレジスト用のスクリーン印刷インクを印刷し、硬化後にエッチング液中に浸漬して露出している膜を除去し、非形成部3aの形成する場合と、塗布後の熱処理で導電性透明膜となるスクリーン印刷インクによって直接パターン通りに印刷して、非形成部3aの形成する場合がある。インクジェットプリントでも、レジストを印刷してエッチングによって除去加工し、非形成部3aの形成する場合と、直接、膜部分を印刷し、非形成部3aの形成する場合がある。ただし、前記非形成部3a透明導電膜3の所望の特性や形状が確保できるのであれば、その製造方法は、特に限定されるものでない。以上説明したように、本発明の面状ヒータによれば、より透明性を維持しながら、ヒータ面内透明導電膜の形成面内の温度分布を任意に制御することができる。また、数値計算をすることで面内温度分布を任意に設計することも可能となる。更に非形成部のパターンニングを一度の工程で行うことができるため、安価に製造することができる。尚、上記実施形態の非形成部3aは、透明導電膜3が完全に除去されていることを前提としている。しかしながら、非形成部3aにおいて透明導電膜3が完全に除去されず、透明導電膜3が一部残存した、不完全な除去状態の非形成部3aであっても良い。このように、透明導電膜3が一部残存した、不完全な除去状態の非形成部3aであっても、工程的には同じであり、コスト的にも安価であり、見かけ抵抗の制御効果も同様に得られるため、本発明の非形成部3aに含まれるものである。実施例1縦100mm、幅75mm、厚さ0.5mmの石英ガラス基板、ITO膜を500nmの厚さにスパッタリング装置で堆積させ、両端に縦0.5mm、幅75mm、厚さ0.5mmのAgペーストを焼き付けて面状ヒータを作成した。この際、図3に示すように、そのヒータの中心部の縦80mm、幅35mmの範囲に、φ0.4mmの円径の非形成部を、中心間距離L1図2参照が0.71mmの間隔で配置した領域3A左側1/3の領域と、φ0.5mmの円径の非形成部を中心間距離L1図2参照が0.71mmの間隔で配置した領域3B中央1/3の領域と、φ0.6mmの円径の非形成部を、中心間距離L1図2参照が0.71mmの間隔で配置した領域3C右側1/3の領域の3つの部分に分けて形成した。それぞれの非形成部の単位面積当たりに占める割合は、領域3Aが25、領域3Bが39、領域3Cが57である。このヒータに、電圧6.3V、電流0.248Aで、通電した際の温度分布をサーモビューアで測定した結果を図4に示す。尚、図4の左側の目盛りは温度°Cを示している。図4からわかるように、各領域A、B,Cの上下の部分透明導電膜の見かけ抵抗が低く、電流の流れやすい部分の温度が高くなった。特に領域Cの上下が最も温度が高くなった。実施例2縦100mm、幅75mm、厚さ0.5mmの石英ガラス基板、ITO膜を500nmの厚さにスパッタリング装置で堆積させ、両端に縦0.5mm、幅75mm、厚さ0.01mmのAgペーストを焼き付けて面状ヒータを作成した。この際、図5に示すように、そして両端の電圧印加用のAg電極より10mmの部分に、φ0.3mmの円形の非形成部を、中心間距離L1図2参照が0.71mmの間隔で配置し、非形成部の単位面積当たりに占める割合を14とした領域3Dを形成した。このヒータに、電圧3.0V、電流0.256Aで、通電した際の温度分布をサーモビューアで測定した結果を図6に示す。尚、図6の左側の目盛りは温度°Cを示している。その結果、非形成部が配置された領域3Dの部分で抵抗が高くなり、その部分のジュール熱が上昇し、発熱して温度が高くなった。比較例縦100mm、幅75mm、厚さ0.5mmの石英ガラス基板に、ITO膜を500nmの厚さにスパッタリング装置で堆積させ、両端に縦0.5mm、幅75mm、厚さ0.01mmのAgペーストを焼き付けて面状ヒータを作成した。このヒータに、電圧3.0V、電流0.233Aで、通電した際の温度分布をサーモビューアで測定した結果を図7に示す。尚、図7の左側の目盛りは温度°Cを示している。その結果、このヒータの外周部から熱が逃げ、中心部の温度が高い分布となった。"