不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程と、前記硬銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程と、を含み、前記被覆工程の熱量によって、前記硬銅線を軟銅線に変質させる絶縁電線の製造方法。不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程と、前記硬銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程と、被覆した前記樹脂に架橋処理を施す架橋工程と、を含み、前記架橋工程の熱量によって、前記硬銅線を軟銅線に変質させる絶縁電線の製造方法。不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程と、前記硬銅線を複数本用意し、これらを撚り合わせることで撚り線を作製する撚線作製工程と、前記撚り線に予熱処理を施して前記硬銅線を軟銅線に変質させる予熱工程と、前記軟銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程と、を含む絶縁電線の製造方法。前記添加元素が、2massppm以上12massppm以下の硫黄と、2massppmを超えて30massppm以下の酸素と、4massppm以上55massppm以下のチタンと、を含む請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の絶縁電線の製造方法。SCR連続鋳造圧延により、1100°C以上1320°C以下の溶銅温度で溶湯として希薄銅合金材料を作製し、前記希薄銅合金材料を熱間圧延して希薄銅合金線を作製する工程を含む請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の絶縁電線の製造方法。前記希薄銅合金線を作製する工程が、熱間圧延加工における圧延ロールの温度が880°C以下550°C以上で行われる請求項5に記載の絶縁電線の製造方法。請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の絶縁電線の製造方法により作製された絶縁電線にシースを被覆するシース被覆工程を含むケーブルの製造方法。従来の導体の製造方法は、軟銅線を得るために焼鈍処理が必要であり、この焼鈍処理により、導体の硬さが決定する。また、従来の導体の製造方法は、複数の導体から撚り線を作製する撚り線工程、及び焼鈍工程の後の搬出工程においても、導体の硬化が進み、作製されたケーブルの導体が所望の硬さよりも硬化が進んだ導体となる問題があった。従って、本発明の目的は、生産性が高く、軟化温度に優れており、また、ケーブル完成時において加工硬化が少ない可とう性の優れた絶縁電線の製造方法及びケーブルの製造方法を提供することにある。本発明は、上記目的を達成するため、不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程と、硬銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程と、を含み、被覆工程の熱量によって、硬銅線を軟銅線に変質させる絶縁電線の製造方法を提供する。本発明は、上記目的を達成するため、不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程と、硬銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程と、被覆した樹脂に架橋処理を施す架橋工程と、を含み、架橋工程の熱量によって、硬銅線を軟銅線に変質させる絶縁電線の製造方法を提供する。本発明は、上記目的を達成するため、不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程と、硬銅線を複数本用意し、これらを撚り合わせることで撚り線を作製する撚線作製工程と、撚り線に予熱処理を施して硬銅線を軟銅線に変質させる予熱工程と、軟銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程と、を含む絶縁電線の製造方法を提供する。また、上記の絶縁電線の製造方法は、添加元素が、2massppm以上12massppm以下の硫黄と、2massppmを超え30massppm以下の酸素と、4massppm以上55massppm以下のチタンと、を含むことが好ましい。また、上記の絶縁電線の製造方法は、SCR連続鋳造圧延により、1100°C以上1320°C以下の溶銅温度で溶湯として希薄銅合金材料を作製し、希薄銅合金材料を熱間圧延して希薄銅合金線を作製する工程を含むことが好ましい。また、上記の絶縁電線の製造方法は、希薄銅合金線を作製する工程が、熱間圧延加工における圧延ロールの温度が880°C以下550°C以上で行われることが好ましい。また、上記の絶縁電線の製造方法のいずれか1つにより作製された絶縁電線にシースを被覆するシース被覆工程を含むケーブルの製造方法。本発明に係る絶縁電線の製造方法及びケーブルの製造方法によれば、生産性が高く、軟化温度に優れており、また、ケーブル完成時において加工硬化が少ない可とう性の優れた絶縁電線の製造方法及びケーブルの製造方法を提供することができる。[実施の形態]絶縁電線の構成本実施の形態に係る絶縁電線は、例えば、自動車等に用いられるパワーモジュールの小型化、及び/又はパワーモジュールに供給される電流の電流密度の増大の観点から、アルミニウムAlよりも熱伝導率の高い材料である銅Cuから構成する。例えば、本実施の形態に係る絶縁電線の導体は、導電率98IACS万国標準軟銅InternationalAnneldCopperStandard以上、抵抗率1.7241×108Ωmを100とした場合の導電率、好ましくは100IACS以上、より好ましくは102IACS以上を満足する軟質型銅材としての軟質希薄銅合金材料を用いて構成される。また、本実施の形態に係る絶縁電線の導体は、SCRSouthwireContinuousRod連続鋳造設備を用い、表面の傷が少なく、製造範囲が広く、安定生産が可能である。ワイヤロッドに対する加工度90例えば、φ8mmからφ2.6mmのワイヤへの加工での軟化温度が148°C以下の材料を用いて構成される。また、本実施の形態に係る絶縁電線の導体は、2massppm以上12massppm以下の硫黄Sと、2massppmを超え30massppm以下の酸素Oと、4massppm以上55massppm以下のチタンTiとを含む。更に、硫黄S及びチタンTiは、TiO、TiO2、TiS、若しくはTi-O-S結合を有する化合物又はTiO、TiO2、TiS、若しくはTi-O-S結合を有する化合物の凝集物として絶縁電線の導体に含まれ、残部のTi及びSは、固溶体として絶縁電線の導体に含まれる。2massppmを超え30massppm以下の酸素を含有していることから、この実施の形態では、いわゆる低酸素銅LOCを対象としている。また、TiO、TiO2、TiS、Ti-O-Sの形の化合物又は凝集物は絶縁電線の導体を構成する結晶粒の内部に分布しており、TiOは、200nm以下のサイズを有し、TiO2は、1000nm以下のサイズを有し、TiSは、200nm以下のサイズを有し、Ti-O-Sの形の化合物又は凝集物は、300nm以下のサイズを有する。更に、本実施の形態に係る絶縁電線の導体は、500nm以下の粒子を90以上含む。ここにサイズとは化合物のサイズであり、化合物の形状の直径と短径のうちの長径のサイズを意味する。また、粒子とは、前記TiO、TiO2、TiS、Ti-O-Sのことを示す。また、90とは、全体の粒子数に対しての該当粒子数の割合を示すものである。絶縁電線の導体の製造方法本実施の形態に係る絶縁電線の製造方法は以下のとおりである。まず、絶縁電線の導体の製造方法について説明する。この導体の原料としてのチタンTiを含む軟質希薄銅合金材料を準備する原料準備工程。次に、この軟質希薄銅合金材料を1100°C以上1320°C以下の溶銅温度で溶湯にする溶湯製造工程。次に、溶湯からワイヤロッドを作製するワイヤロッド作製工程。続いて、ワイヤロッドに880°C以下550°C以上の温度で、圧延ロールを用いた熱間圧延加工を施す熱間圧延工程。更に、熱間圧延工程を経たワイヤロッドに伸線加工を施す伸線加工工程。これにより、本実施の形態に係る絶縁電線の導体が製造される。また、絶縁電線の導体の製造には、2massppm以上12massppm以下の硫黄Sと、2massppmを超え30massppm以下の酸素Oと、4massppm以上55massppm以下のチタンTiとを含む軟質希薄銅合金材料を用いる。具体的に、φ2.6mmのサイズで130°C以上148°C以下の軟化温度を有する軟質希薄銅合金材料を用いる。以下、本実施の形態に係る絶縁電線の導体の実現において、本発明者が検討した内容を説明する。まず、純度が6Nつまり、99.9999の高純度銅は、加工度90における軟化温度は130°Cである。したがって、本発明者は、安定生産することができる130°C以上148°C以下の軟化温度で軟質材の導電率が98IACS以上、好ましくは100IACS以上、より好ましくは102IACS以上である軟質銅を安定して製造することができる軟質希薄銅合金材料と、この軟質希薄銅合金材料の製造方法について検討した。ここで、酸素濃度が1~2massppmである高純度銅4Nを準備して、実験室に設置した小型連続鋳造機小型連鋳機を用い、この銅Cuを銅Cuの溶湯にした。そして、この溶湯にチタンTiを数massppm添加した。続いて、チタンTiを添加した溶湯からφ8mmのワイヤロッドを製造した。次に、φ8mmのワイヤロッドをφ2.6mmに加工したつまり、加工度が90である。このφ2.6mmのワイヤロッドの軟化温度は160°C~168°Cであり、この温度より低い軟化温度にはならなかった。また、このφ2.6mmのワイヤロッドの導電率は、101.7IACS程度であった。つまり、ワイヤロッドに含まれる酸素濃度を低下させ、チタンTiを溶湯に添加してもワイヤロッドの軟化温度を低下させることができないと共に、Cu6Nの導電率102.8IACSよりも導電率が低いという知見を本発明者は得た。軟化温度を低下させることができず、導電率が6Nの高純度銅Cuより低くなった原因は、溶湯の製造中に不可避的不純物としての数massppm以上の硫黄Sが含まれることに起因すると推測された。すなわち、溶湯に含まれている硫黄SとチタンTiとの間でTiS等の硫化物が十分に形成されないことに起因して、ワイヤロッドの軟化温度が低下しないものと推測された。そこで、本発明者は、絶縁電線の導体の軟化温度の低下と、絶縁電線の導体の導電率の向上とを実現すべく、以下の二つの方策を検討した。そして、以下の二つの方策を絶縁電線の導体の製造に併せ用いることで、本実施の形態に係る絶縁電線を得た。図1は、TiS粒子のSEMScanningElectronMicroscope像であり、図2は、図1の分析結果を示す。また、図3は、TiO2粒子のSEM像であり、図4は、図3の分析結果を示す。更に、図5は、Ti-O-S粒子のSEM像であり、図6は、図5の分析結果を示す。なお、SEM像において図の中心付近に各粒子が示されている。図1~図6は、表1の実施例1の上から三段目に示す酸素濃度、硫黄濃度、Ti濃度をもつφ8mmの銅線ワイヤロッドの横断面をSEM観察及びEDX分析にて評価したものである。観察条件は、加速電圧15KeV、エミッション電流10μAとした。まず、第1の方策は、酸素濃度が2massppmを超える量の銅Cuに、チタンTiを添加した状態で、銅Cuの溶湯を作製することである。この溶湯中においては、TiSとチタンTiの酸化物例えば、TiO2とTi-O-S粒子とが形成されると考えられる。これは、図1のSEM像と図2の分析結果、図3のSEM像と図4の分析結果からの考察である。なお、図2、図4、及び図6において、白金Pt及びパラジウムPdはSEM観察する際に観察対象物に蒸着する金属元素である。次に、第2の方策は、銅Cu中に転位を導入することにより硫黄Sの析出を容易にすることを目的として、熱間圧延工程における温度を通常の銅の製造条件における温度つまり、950°C~600°Cより低い温度880°C~550°Cに設定することである。このような温度設定により、転位上への硫黄Sの析出、又はチタンTiの酸化物例えば、TiO2を核として硫黄Sを析出させることができる。一例として、図5及び図6のように、溶銅と共にTi-O-S粒子等が形成される。以上の第1の方策及び第2の方策により、銅Cuに含まれる硫黄Sが晶出すると共に析出するので、所望の軟化温度と所望の導電率とを有する銅ワイヤロッドを冷間伸線加工後に得ることができる。また、本実施の形態に係る絶縁電線の導体は、SCR連続鋳造設備を用いて製造する。ここで、SCR連続鋳造設備を用いる場合における製造条件の制限として、以下の3つの条件を設けた。1組成について導電率が98IACS以上の軟質銅材を得る場合、不可避的不純物を含む純銅ベース素材として、3~12massppmの硫黄Sと、2を超え30massppm以下の酸素Oと、4~55massppmのチタンTiとを含む軟質希薄銅合金材料を用い、この軟質希薄銅合金材料からワイヤロッド荒引き線を製造する。ここで、導電率が100IACS以上の軟質銅材を得る場合には、不可避的不純物を含む純銅ベース素材として、2~12massppmの硫黄Sと、2を超え30massppm以下の酸素Oと、4~37massppmのチタンTiとを含む軟質希薄銅合金材料を用いる。また、導電率が102IACS以上の軟質銅材を得る場合には、不可避的不純物を含む純銅ベース素材として、3~12massppmの硫黄Sと、2を超え30massppm以下の酸素Oと、4~25massppmのチタンTiとを含む軟質希薄銅合金材料を用いる。通常、純銅の工業的製造において、電気銅を製造する際に硫黄Sが銅Cuの中に取り込まれるので、硫黄Sを3massppm以下にすることは困難である。汎用電気銅の硫黄濃度の上限は、12massppmである。酸素濃度が低い場合、絶縁電線の導体の軟化温度が低下しにくいので、酸素濃度は2massppmを超える量に制御する。また、酸素濃度が高い場合、熱間圧延工程で絶縁電線の導体の表面に傷が生じやすくなるので、30massppm以下に制御する。2分散している物質について絶縁電線の導体内に分散している分散粒子のサイズは小さいことが好ましく、また、絶縁電線の導体内に分散粒子が多く分散していることが好ましい。その理由は、分散粒子は、硫黄Sの析出サイトとしての機能を有するからであり、析出サイトとしてはサイズが小さく、数が多いことが要求されるからである。絶縁電線の導体に含まれる硫黄S及びチタンTiは、TiO、TiO2、TiS、若しくはTi-O-S結合を有する化合物又はTiO、TiO2、TiS、若しくはTi-O-S結合を有する化合物の凝集物として含まれ、残部のTi及びSが固溶体として含まれる。絶縁電線の導体の原料である軟質希薄銅合金材料としては、TiOが200nm以下のサイズを有し、TiO2が1000nm以下のサイズを有し、TiSが200nm以下のサイズを有し、Ti-O-Sの形の化合物が300nm以下のサイズを有しており、これらが結晶粒内に分布している軟質希薄銅合金材料を用いる。なお、鋳造時の溶銅の保持時間及び冷却条件に応じて結晶粒内に形成される粒子サイズが変動するので、鋳造条件も適切に設定することを要する。3鋳造条件についてSCR連続鋳造圧延により、鋳塊ロッドの加工度が9030mm~99.85mmでワイヤロッドを作製する。一例として、加工度99.3でφ8mmのワイヤロッドを製造する条件を採用する。以下、鋳造条件a~cについて説明する。[鋳造条件a]溶解炉内での溶銅温度は1100°C以上1320°C以下に制御する。溶銅の温度が高いとブローホールが多くなり、傷が発生すると共に粒子サイズが大きくなる傾向にあるので1320°C以下に制御する。また、1100°C以上に制御する理由は、銅Cuが固まりやすく、製造が安定しないことが理由であるものの、溶銅温度は可能な限り低い温度が望ましい。[鋳造条件b]熱間圧延加工の温度は、最初の圧延ロールにおける温度を880°C以下に制御すると共に、最終圧延ロールでの温度を550°C以上に制御する。通常の純銅の製造条件と異なり、溶銅中での硫黄Sの晶出及び熱間圧延中における硫黄Sの析出の駆動力である固溶限をより小さくすることを目的として、溶銅温度及び熱間圧延加工の温度を鋳造条件a及び鋳造条件bにおいて説明した条件に設定することが好ましい。また、通常の熱間圧延加工における温度は、最初の圧延ロールにおいて950°C以下、最終圧延ロールにおいて600°C以上であるが、固溶限をより小さくすることを目的として、本実施の形態では、最初の圧延ロールにおいて880°C以下、最終圧延ロールにおいて550°C以上に設定する。なお、最終圧延ロールにおける温度を550°C以上に設定する理由は、550°C未満の温度ではワイヤロッドの傷が多くなり、製造される絶縁電線を製品として扱うことができないからである。熱間圧延加工における温度は、最初の圧延ロールにおいて880°C以下の温度、最終圧延ロールにおいて550°C以上の温度に制御すると共に、可能な限り低い温度であることが好ましい。このような温度設定にすることで、絶縁電線の導体の軟化温度φ8~φ2.6mmに加工した後の軟化温度を、6Nの高純度銅Cuの軟化温度つまり、130°Cに近づけることができる。[鋳造条件c]無酸素銅の導電率は101.7IACS程度であり、6Nの高純度銅Cuの導電率は102.8IACSである。本実施の形態においては、例えば、直径φ8mmサイズのワイヤロッドの導電率が98IACS以上、好ましくは100IACS以上、より好ましくは102IACS以上である。また、本実施の形態においては、冷間伸線加工後の線材例えば、φ2.6mmのワイヤロッドの軟化温度が130°C以上148°Cである軟質希薄銅合金を製造し、この軟質希薄銅合金を絶縁電線の導体の製造に用いる。工業的に用いるためには、電気銅から製造した工業的に利用される純度の軟質銅線の導電率として、98IACS以上の導電率が要求される。また、軟化温度は工業的価値から判断して148°C以下である。6Nの銅Cuの軟化温度は127°C~130°Cであるので、得られたデータから軟化温度の上限値を130°Cに設定する。このわずかな違いは、6Nの銅Cuには含まれていない不可避的不純物の存在に起因する。銅Cuは、シャフト炉で溶解された後、還元状態で樋に流すことが好ましい。すなわち、還元ガス例えば、CO雰囲気下において、希薄合金の硫黄濃度、チタン濃度、及び酸素濃度を制御しつつ鋳造すると共に、材料に圧延加工を施すことにより、ワイヤロッドを安定的に製造することが好ましい。なお、銅酸化物が混入すること、及び/又は粒子サイズが所定サイズより大きいことは、製造される絶縁電線の品質を低下させる。なお、純銅に添加される添加元素は、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種を含んでもよい。添加元素として、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti及びCrからなる群から選択されたものを選んだ理由は、これらの元素は他の元素と結合しやすい活性元素であり、Sと結合しやすいためSをトラップすることができ、銅母材マトリクスを高純度化することができるためである。添加元素は1種類以上含まれていてもよい。また、合金の性質に悪影響を及ぼすことのないその他の元素および不純物を合金に含有させることもできる。また、以下に説明する好適な実施の形態においては、酸素含有量が2を超え30massppm以下が良好であることを説明しているが、添加元素の添加量およびSの含有量によっては、合金の性質を備える範囲において、2を超え400massppmを含むことができる。ここで、絶縁電線の導体にチタンTiを添加元素として添加した理由は次のとおりである。すなわち、aチタンTiは溶融銅の中で硫黄Sと結合することにより化合物になりやすく、bジルコニウムZr等の他の添加金属に比べて加工が容易で扱いやすく、cニオブNbなどに比べて安価であり、d酸化物を核として析出しやすいからである。以上より、溶融半田めっき材線、板、箔、エナメル線、軟質純銅、高導電率銅、やわらかい銅線として用いることができ、焼鈍時のエネルギーを低減でき、生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた実用的な軟質希薄銅合金材料を、本実施の形態に係る絶縁電線の導体の原料として得ることができる。なお、軟質希薄銅合金材料の表面にめっき層を形成することもできる。めっき層は、例えば、錫Sn、ニッケルNi、銀Agを主成分とする材料、又はPbフリーめっきを用いることができる。更に、軟質希薄銅合金材料の形状は特に限定されず、断面丸形状、棒状、又は平角導体上にすることができる。また、本実施の形態では、SCR連続鋳造圧延法によりワイヤロッドを作製すると共に、熱間圧延にて軟質材を作製したが、双ロール式連続鋳造圧延法またはプロペルチ式連続鋳造圧延法を採用することもできる。実施の形態の効果本実施の形態に係る絶縁電線は、生産性が高く、軟化温度に優れており、また、ケーブル完成時において加工硬化が少ない可とう性の優れたものである。また、本実施の形態に係る絶縁電線は、導体の焼鈍工程を省略することができるため、焼鈍工程において消費する電力等のエネルギー費用、焼鈍工程の設備費用、設備メンテナンス費用、焼鈍工程にかかる時間及び人件費等を削減することができる。以下に、上記の製造方法によって作製された絶縁電線の導体の実施例について説明する。表1は実験条件と結果とを示す。まず、実験材として、表1に示した酸素濃度、硫黄濃度、チタン濃度を有するφ8mmの銅線ワイヤロッド、加工度99.3を作製した。φ8mmの銅線は、SCR連続鋳造圧延により、熱間圧延加工を施したものである。Tiは、シャフト炉で溶解された銅溶湯を還元ガス雰囲気で樋に流し、樋に流した銅溶湯を同じ還元ガス雰囲気の鋳造ポットに導き、この鋳造ポットにて、Tiを添加した後、これをノズルを通して鋳造輪と無端ベルトとの間に形成される鋳型にて鋳塊ロッドを作成した。この鋳塊ロッドを熱間圧延加工してφ8mmの銅線を作成したものである。次に、各実験材に冷間伸線加工を施した。これにより、φ2.6mmサイズの銅線を作製した。そして、φ2.6mmサイズの銅線の半軟化温度と導電率とを測定すると共に、φ8mmの銅線における分散粒子サイズを評価した。酸素濃度は、酸素分析器レコLeco登録商標酸素分析器で測定した。硫黄、チタンの各濃度はICP発光分光分析で分析した。φ2.6mmサイズにおける半軟化温度の測定は、400°C以下で各温度1時間の保持後、水中急冷し、引張試験を実施し、その結果から求めた。室温での引張試験の結果と400°Cで1時間のオイルバス熱処理した軟質銅線の引張試験の結果を用いて求め、この2つの引張試験の引張強さを足して2で割った値を示す強度に対応する温度を半軟化温度と定義して求めた。上述のとおり、絶縁電線の導体内に分散している分散粒子のサイズは小さいことが好ましく、また、絶縁電線の導体内に分散粒子が多く分散していることが好ましい。したがって、直径500nm以下の分散粒子が90以上である場合を合格とした。表1において比較例1は、実験室でアルゴンAr雰囲気において直径φ8mmの銅線を試作した結果であり、チタンTiを0~18massppm添加した。チタンTiを添加していない銅線の半軟化温度が215°Cであったのに対し、13massppmのチタンTiを添加した銅線の軟化温度は160°Cまで低下した実験した中では最小温度である。。表1に示すとおり、Ti濃度が15massppm、18massppmに増加するにつれ、半軟化温度も上昇しており、要求されている軟化温度である148°C以下を実現することはできなかった。また、工業的に要求されている導電率は98IACS以上であったものの、総合評価は不合格以下、不合格を×と表すであった。そこで、比較例2として、SCR連続鋳造圧延法を用い、酸素濃度を7~8massppmに調整したφ8mm銅線ワイヤロッドを試作した。比較例2においては、SCR連続鋳造圧延法で試作した中でTi濃度が最小つまり、0massppm、2massppmの銅線であり、導電率は102IACS以上であったものの、半軟化温度が164°C、157°Cであり、要求されている148°C以下ではなかったことから、総合評価は×であった。実施例1においては、酸素濃度と硫黄濃度とが略一致つまり、酸素濃度:7~8massppm、硫黄濃度:5massppmすると共に、Ti濃度が4~55massppmの範囲内で異なる銅線を試作した。Ti濃度が4~55massppmの範囲では、軟化温度が148°C以下であり、導電率も98IACS以上102IACS以上であり、分散粒子サイズは500nm以下の粒子が90以上であり良好であった。また、ワイヤロッドの表面もきれいつまり、表面が滑らかであり、いずれも製品性能を満たしていたので、総合評価は合格以下、合格を○と表すであった。ここで、導電率100IACS以上を満たす銅線は、Ti濃度が4~37massppmの場合であり、102IACS以上を満たす銅線は、Ti濃度が4~25massppmの場合であった。Ti濃度が13massppmの場合に導電率は最大値である102.4IACSを示し、この濃度の周辺では、導電率はわずかに低い値であった。これは、Ti濃度が13massppmの場合に、銅Cuの中の硫黄分を化合物として捕捉することで、高純度銅6Nに近い導電率を示すためである。よって、酸素濃度を高くし、チタンTiを添加することで、半軟化温度と導電率との双方を満足させることができる。比較例3においては、Ti濃度を60massppmにした銅線を試作した。比較例3に係る銅線は、導電率は要求を満たすものの、半軟化温度は148°C以上であり、製品性能を満たしていなかった。更に、ワイヤロッドの表面の傷も多く、製品として採用することは困難であった。よって、チタンTiの添加量は60massppm未満が好ましいことが示された。実施例2に係る銅線おいては、硫黄濃度を5massppmに設定すると共に、Ti濃度を13~10massppmの範囲で制御して、酸素濃度を変更することにより酸素濃度の影響を検討した。酸素濃度に関しては、2massppmを超え30massppm以下まで、大きく濃度が異なる銅線をそれぞれ作製した。ただし、酸素濃度が2massppm未満の銅線は生産が困難で安定的に製造できないので、総合評価は△としたなお、△は○と×との中間の評価である。。また、酸素濃度を30massppmにしても半軟化温度及び導電率の双方とも、要求を満たした。比較例4においては、酸素濃度が40massppmの場合に、ワイヤロッドの表面の傷が多く、製品として採用することができない状態であった。よって、酸素濃度を2を超え30massppm以下の範囲にすることで、半軟化温度、導電率102IACS以上、分散粒子サイズのいずれの特性も満足させることができ、また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、製品性能を満足させることができることが示された。実施例3は、酸素濃度とTi濃度とを互いに近づけた濃度に設定すると共に、硫黄濃度を4~20massppmの範囲内で変更した銅線である。実施例3においては、硫黄濃度が2massppmより小さい銅線については、原料の制約上、実現できなかった。しかしながら、Ti濃度と硫黄濃度とをそれぞれ制御することで、半軟化温度及び導電率の双方とも、要求を満たすことができた。比較例5においては、硫黄濃度が18massppmであり、Ti濃度が13massppmである場合には、半軟化温度が162°Cと高く、要求される特性を満足しなかった。また、特に、ワイヤロッドの表面品質が悪く、製品化は困難であった。以上より、硫黄濃度が2~12massppmの範囲の場合には、半軟化温度、導電率102IACS以上、分散粒子サイズのいずれの特性も満足させることができ、また、ワイヤロッドの表面もきれいであり、製品性能を満足させることができることが示された。比較例6は、6NのCuを用いた銅線である。比較例6に係る銅線においては、半軟化温度が127°C~130°Cであり、導電率が102.8IACSであり、分散粒子サイズも500μm以下の粒子は全く認められなかった。表2には、製造条件としての溶融銅の温度と圧延温度とを示す。比較例7においては、溶銅温度が1330°C~1350°Cで、かつ、圧延温度が950~600°Cでφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例7に係るワイヤロッドは、半軟化温度及び導電率は要求を満たすものの、分散粒子サイズに関しては1000nm程度の粒子が存在しており、500nm以上の粒子も10を超えて存在していた。よって、実施例7に係るワイヤロッドは不適と判定した。実施例4においては、溶銅温度を1200°C~1320°Cの温度範囲で制御すると共に、圧延温度を880°C~550°Cの温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。実施例4に係るワイヤロッドは、ワイヤロッド表面の品質、分散粒子サイズが良好であり、総合評価は○であった。比較例8においては、溶銅温度を1100°Cに制御すると共に、圧延温度を880°C~550°Cの温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例8に係るワイヤロッドは、溶銅温度が低いことからワイヤロッドの表面の傷が多く製品としては適さなかった。これは、溶銅温度が低いことから、圧延時に傷が発生しやすいことに起因するからである。比較例9においては、溶銅温度を1300°Cに制御すると共に、圧延温度を950°C~600°Cの温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例9に係るワイヤロッドは、熱間圧延工程における温度が高いことからワイヤロッドの表面の品質は良好であるものの、分散粒子サイズには大きいサイズが含まれ、総合評価は×になった。比較例10においては、溶銅温度を1350°Cに制御すると共に、圧延温度を880°C~550°Cの温度範囲に制御してφ8mmのワイヤロッドを作製した。比較例10に係るワイヤロッドは、溶銅温度が高いことに起因して分散粒子サイズに大きなサイズが含まれ、総合評価は×になった。ケーブル1の構成図7は、実施例5に係るケーブルの概略図である。本実施例に係るケーブル1は、例えば、図7に示すように、導体2、及び複数の導体2から形成された撚り線を覆う絶縁体3を有する絶縁電線4と、絶縁電線4を被覆するシース5と、を備えて概略構成されている。なお、以下に示す実施例5~実施例7に係るケーブル1は、図7に示す構造を有するものとし、その符号は本実施例の符号を用いるものとする。ケーブル1の製造方法本実施例に係るケーブル1の製造方法は、まず、不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程。次に、硬銅線の外周に樹脂を被覆し、この被覆の際の熱量により、硬銅線を軟銅線に変質させる被覆工程。これにより、本実施例に係るケーブル1の絶縁電線4を作製する。具体的には、まず、表1の実施例1の上から3番目の素材を用いてワイヤロッド例えばφ8を作製する。次に、このワイヤロッドに伸線加工を施して最終線径例えばφ3.55にした後、例えば、7本撚りされた撚り線を作成し、所定のサイズに仕上げる。次に、撚り線を樹脂で被覆し、絶縁体3を形成する被覆工程。この被覆工程は、例えば、ポリエチレンを押出被覆することにより行われる。この押出被覆時において、導体2には、押出樹脂温度180°C~200°Cの熱が加わる。上記の実施の形態及び実施例1~実施例4に示したように、導体2として半軟化温度が低い素材を用いているため、この押出被覆時の樹脂の加熱温度により導体2に熱が伝わり、導体2が軟化する。この押出被覆時の樹脂の加熱温度により、導体2が軟化するため、伸線材に対して焼鈍工程を施す必要がなくなる。次に、シース5例えばビニールシース、ポリエチレンシース、耐燃性ポリエチレンシースを押出被覆することでケーブル絶縁ケーブル1を作製する。なお、本実施例のケーブルの製造方法は、撚り線単芯の絶縁ケーブルに限定されるものではなく、複数の絶縁電線を撚り合わせて、さらにシースを押出することで作製される絶縁ケーブルであってもよい。ケーブル1の製造方法本実施例に係るケーブル1の製造方法は、まず、不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程。次に、硬銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程。次に、被覆した樹脂に架橋処理を施し、この架橋処理時の熱量によって、硬銅線を軟銅線に変質させる架橋工程。これにより、本実施例に係るケーブル1の絶縁電線4を作製する。具体的には、撚り線の製造工程までは、上記の実施例5と同様である。次に、この撚り線に樹脂例えば、シラングラフトされたポリエチレンを押出被覆した後、被覆した樹脂を架橋させるため、ヒーター熱源にて熱例えば、130°C~150°Cを絶縁電線4に与える。上記の実施の形態及び実施例1~実施例4に示したように、導体2として半軟化温度が低い素材を用いているため、この架橋工程における熱処理により導体2が軟化する。この架橋工程における熱処理により導体2が軟化するため、伸線材に対して焼鈍工程を施す必要がなくなる。次に、導体2により撚り線を作製し、撚り線に樹脂を押出被覆することで絶縁電線4を作製する。次に、絶縁電線4にシース5を押出被覆することでケーブル1を作製する。効果上記の実施例5および実施例6によれば、伸線加工後の焼鈍工程を省略することができる。これにより、電気代費用が削減できる。また、同時に、被覆工程または架橋工程において、導体2に熱を与えることで導体2が軟化することにより、加工硬化の影響が小さいケーブル1を作製することができる。本実施例は、被覆工程によって導体を軟化させるのではなく、被覆工程の前に導体2に予熱130°C~150°Cを与える点で、上記の実施例5および実施例6と異なっている。ケーブル1の製造方法本実施例に係るケーブル1の製造方法は、まず、不可避的不純物を含む銅と、2massppmを超える量の酸素と、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn、Ti、Crの少なくとも一種の添加元素と、を含む希薄銅合金線を、最終線径となるように伸線加工を施して硬銅線を作製する硬銅線作製工程。次に、硬銅線を複数本用意し、これらを撚り合わせることで撚り線を作製する撚線作製工程。次に、撚り線に予熱処理を施して硬銅線を軟銅線に変質させる予熱工程。次に、軟銅線の外周に樹脂を被覆する被覆工程。これにより、本実施例に係るケーブル1の絶縁電線4を作製する。具体的には、撚り線の製造工程までは、上記の実施例5と同様である。次に、この撚り線に予熱を与えるため、ヒーター熱源にて熱例えば、130°C~150°Cを絶縁電線4に与える。上記の実施の形態及び実施例1~実施例4に示したように、導体2として半軟化温度が低い素材を用いているため、この予熱工程における熱処理により導体2が軟化する。この予熱工程における熱処理により導体2が軟化するため、伸線材に対して焼鈍工程を施す必要がなくなる。次に、導体2により撚り線を作製し、撚り線に樹脂を押出被覆することで絶縁電線4を作製する。次に、絶縁電線4にシース5を押出被覆することでケーブル1を作製する。効果本実施の形態に係るケーブル1の製造方法によれば、被覆工程の前に行われる導体2に対する予熱処理により、導体2を軟化することができるため、焼鈍工程のための大型アニール装置が必要ない。従って、低コスト設備で導体2に熱を与えることが可能であり、また、与えた予熱により導体2が軟化するので、加工硬化の影響の小さいケーブルを作製することができる。以上、本発明の実施の形態及びその実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。