"A酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、B活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、C下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つ含有する含フッ素化合物、およびxアルカリ可溶性基、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、z酸の作用により分解する基、F溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。含フッ素化合物Cが、フッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有するアルカリ可溶性化合物であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。含フッ素化合物Cがアルコール性水酸基を有し、該アルコール性水酸基のアルコール部分がフッ素化アルコールであることを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型レジスト組成物。含フッ素化合物Cが下記一般式F3で表される構造を有することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。一般式F3中、R62~R63は各々独立してフロロアルキル基を表す。R62とR63は互いに連結して環を形成してもよい。R64は、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yがラクトン構造を有することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。含フッ素化合物Cが以下のC-1~C-13のいずれかであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。C-1フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、および、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、を含有する樹脂。C-2フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。C-3フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-4フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、および、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。C-5フロロアルキル基を有する繰り返し単位aアルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Zを含有する樹脂。C-6フロロアルキル基を有する繰り返し単位aアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yとを含有する繰り返し単位Y、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-7フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-8アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aXを含有する樹脂。C-9アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位bY、を含有する樹脂。C-10アルカリ可溶性基xおよび炭素数1~4のフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、ならびに、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。C-11アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、ならびに、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-12フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、ならびに、アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、を含有する樹脂。C-13フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、ならびに、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aY、を含有する樹脂。含フッ素化合物Cの分子量が1000~100000であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。含フッ素化合物Cの添加量が0.1~5質量であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。製膜した際の水の膜に対する後退接触角が65°以上であることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。製膜した際の水の膜に対する後退接触角が70°以上であることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。樹脂Aが、水酸基またはシアノ基で置換された多環環状炭化水素基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。樹脂Aが、ラクトン環を有するメタアクリレート繰り返し単位、水酸基及びシアノ基の少なくともいずれかを有する有機基を有するメタアクリレート繰り返し単位、ならびに、酸分解性基を有するメタアクリレート繰り返し単位、の少なくとも3成分を含有する共重合体であることを特徴とする請求項1~11のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。樹脂Aが、フッ素原子を有さないことを特徴とする請求項1~12のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物Bが、活性光線の照射によりフロロアルキル鎖を有する酸、または、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸、を発生する化合物であることを特徴とする請求項1~13のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物Bが、カチオン部にフッ素置換されていないアルキル残基またはフッ素置換されていないシクロアルキル残基を有するトリフェニルスルホニウム塩化合物であることを特徴とする請求項1~14のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。F溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする請求項1~15のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。さらにフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1~16のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。ポジ型レジスト組成物中の全固形分濃度が、1.0~6.0質量であること特徴とする請求項1~17のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。請求項1~18のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。露光が1nm~200nmの波長の光にて露光されることを特徴とする、請求項19に記載のパターン形成方法。露光が、液浸液を介して行う液浸露光であることを特徴とする、請求項19または20に記載のパターン形成方法。下記式で表される構造を有する樹脂C1。式CI~CIII中、Xは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、またはアルキル基を表す。Rfは、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を有する基である。Yは、アルキレン基、脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。Vは、ラクトン環を有する基を表す。Rcは各々独立に、無置換の炭化水素基を表す。但し、Rcは、ヘテロ原子は含まない。m、n、pはそれぞれ下記の関係を満たす数を表す。mnp=100、0<m<100、0<n<100、0≦p<100。下記式で表される構造を有する樹脂C2。式CI、CIV、CIII中、Xは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、またはアルキル基を表す。Rfは、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を有する基である。Yは、アルキレン基、脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。Rp1は、酸の作用により分解する基を表す。Rcは各々独立に、無置換の炭化水素基を表す。但し、Rcは、ヘテロ原子は含まない。m、n、pはそれぞれ下記の関係を満たす数を表す。mnp=100、0<m<100、0<n<100、0≦p<100。本発明の目的は、パターンプロファイルやパターン倒れが改善され、スカムの発生が抑制されたポジ型レジスト組成物を提供することである。また、液浸液の後退接触角が良好で液浸露光にも好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。本発明は、下記構成のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、これにより本発明の上記目的が達成される。<1>A酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、B活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、C下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つ含有する含フッ素化合物、および、xアルカリ可溶性基、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、z酸の作用により分解する基F溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。<2>含フッ素化合物Cが、C’フッ素原子を有する炭素数1~4のアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有するアルカリ可溶性化合物であることを特徴とする上記<1>に記載のポジ型レジスト組成物。<3>含フッ素化合物Cがアルコール性水酸基を有し、該アルコール性水酸基のアルコール部分がフッ素化アルコールであることを特徴とする上記<1>または<2>に記載のポジ型レジスト組成物。<4>含フッ素化合物Cが下記一般式F3で表される構造を有することを特徴とする上記<1>~<3>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。一般式F3中、R62~R63は各々独立してフロロアルキル基を表す。R62とR63は互いに連結して環を形成してもよい。R64は、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。<5>アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yがラクトン構造を有することを特徴とする上記<1>~<4>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<6>化合物Cが以下のC-1~C-13のいずれかであることを特徴とする上記<1>~<5>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。C-1フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、および、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、を含有する樹脂。C-2フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。C-3フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-4フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、および、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。C-5フロロアルキル基を有する繰り返し単位aアルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Zを含有する樹脂。C-6フロロアルキル基を有する繰り返し単位aアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yとを含有する繰り返し単位Y、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-7フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、および酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-8アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aXを含有する樹脂。C-9アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位bY、を含有する樹脂。C-10アルカリ可溶性基xおよび炭素数1~4のフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、ならびに、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。C-11アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、ならびに、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。C-12フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、ならびに、アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、を含有する樹脂。C-13フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、ならびに、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aY、を含有する樹脂。<7>含フッ素化合物Cの分子量が1000~100000であることを特徴とする上記<1>~<6>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<8>含フッ素化合物Cの添加量が0.1~5質量であることを特徴とする上記<1>~<7>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<9>製膜した際の水の膜に対する後退接触角が65°以上であることを特徴とする上記<1>~<8>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<10>製膜した際の水の膜に対する後退接触角が70°以上であることを特徴とする上記<1>~<9>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<11>樹脂Aが、水酸基またはシアノ基で置換された多環環状炭化水素基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記<1>~<10>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<12>樹脂Aが、ラクトン環を有するメタアクリレート繰り返し単位、水酸基及びシアノ基の少なくともいずれかを有する有機基を有するメタアクリレート繰り返し単位、ならびに、酸分解性基を有するメタアクリレート繰り返し単位、の少なくとも3成分を含有する共重合体であることを特徴とする上記<1>~<11>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<13>樹脂Aが、フッ素原子を有さないことを特徴とする上記<1>~<12>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<14>活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物Bが、活性光線の照射により炭素数2~4のフロロアルキル鎖を有する酸、または、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸、を発生する化合物であることを特徴とする上記<1>~<13>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<15>活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物Bが、カチオン部にフッ素置換されていないアルキル残基またはフッ素置換されていないシクロアルキル残基を有するトリフェニルスルホニウム塩化合物であることを特徴とする上記<1>~<14>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<16>F溶剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることを特徴とする上記<1>~<15>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<17>さらにフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする上記<1>~<16>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<18>ポジ型レジスト組成物中の全固形分濃度が、1.0~6.0質量であること特徴とする上記<1>~<17>のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。<19>上記<1>~<18>のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。<20>露光が1nm~200nmの波長の光にて露光されることを特徴とする、上記<19>に記載のパターン形成方法。<21>露光が、液浸液を介して行う液浸露光であることを特徴とする、上記<19>または<20>に記載のパターン形成方法。<22>下記式で表される構造を有する樹脂C1。式CI~CIII中、Xは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、またはアルキル基を表す。Rfは、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を有する基である。Yは、アルキレン基、脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。Vは、ラクトン環を有する基を表す。Rcは各々独立に、無置換の炭化水素基を表す。但し、Rcは、ヘテロ原子は含まない。m、n、pはそれぞれ下記の関係を満たす数を表す。mnp=100、0<m<100、0<n<100、0≦p<100。<23>下記式で表される構造を有する樹脂C2。式CI、CIV、CIII中、Xは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、またはアルキル基を表す。Rfは、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を有する基である。Yは、アルキレン基、脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。Rp1は、酸の作用により分解する基を表す。Rcは各々独立に、無置換の炭化水素基を表す。但し、Rcは、ヘテロ原子は含まない。m、n、pはそれぞれ下記の関係を満たす数を表す。mnp=100、0<m<100、0<n<100、0≦p<100。本発明により、パターンプロファイル、パターン倒れ、スカム性能が良好で、液浸液の後退接触角も優れた液浸露光にも好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供できる。以下、本発明について詳細に説明する。尚、本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。A酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂本発明のレジスト組成物に用いられる樹脂は、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂酸分解性樹脂であり、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する樹脂である以下、樹脂Aとも呼ぶ。樹脂Aは、好ましくは、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する脂環炭化水素系酸分解性樹脂である。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基を有する基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボン酸基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基が挙げられる。酸で分解し得る基酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aとしては、下記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式II-ABで示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を含有する樹脂であることが好ましい。一般式pI~pV中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。R12~R16は、各々独立に、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R12~R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかはシクロアルキル基を表す。R17~R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R17~R21のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。R22~R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表し、但し、R22~R25のうち少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。式II-AB中、R11’及びR12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Z’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。また、上記一般式II-ABは、下記一般式II-AB1又は一般式II-AB2であることが更に好ましい。式II-AB1II-AB2中、R13’~R16’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、-COOH、-COOR5、酸の作用により分解する基、-C=O-X-A’-R17’、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。ここで、R5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、-NH-、-NHSO2-又は-NHSO2NH-を表す。A’は単結合又は2価の連結基を表す。また、Rl3’~R16’のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。R17’は、-COOH、-COOR5、-CN、水酸基、アルコキシ基、-CO-NH-R6、-CO-NH-SO2-R6又はラクトン構造を有する基を表す。R6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。一般式pI~pVにおいて、R12~R25におけるアルキル基としては、1~4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R11~R25におけるシクロアルキル基或いはZと炭素原子が形成するシクロアルキル基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6~30個が好ましく、特に炭素数7~25個が好ましい。これらのシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。好ましいシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基を挙げることができる。これらのアルキル基、シクロアルキル基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。上記樹脂における一般式pI~pVで示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。一般式pI~pVで示される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式pAで示される繰り返し単位が好ましい。一般式pA中、Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1~4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは単結合である。Rp1は、上記式pI~pVのいずれかの基を表す。一般式pAで表される繰り返し単位は、最も好ましくは、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート、ジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位である。以下、一般式pAで示される繰り返し単位の具体例を示す。上記R11’、R12’におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。上記R11’、R12’におけるアルキル基としては、炭素数1~10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が挙げられる。上記Z’の脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。形成される脂環式炭化水素の骨格としては、一般式pI~pVに於けるR11~R25の脂環式炭化水素基と同様のものが挙げられる。上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式II-AB1あるいはII-AB2中のR13’~R16’を挙げることができる。本発明に係る樹脂Aにおいては、酸の作用により分解する基は、前記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式II-ABで表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位に含有することができる。上記一般式II-AB1あるいは一般式II-AB2におけるR13’~R16’の各種置換基は、上記一般式II-ABにおける脂環式構造を形成するための原子団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換基ともなり得る。上記一般式II-AB1あるいは一般式II-AB2で表される繰り返し単位として、下記具体例が挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定されない。本発明の樹脂Aは、ラクトン環を有する基を有することが好ましい。ラクトン環を有する基としては、ラクトン環を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造を有する基であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。また、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14であり、ラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在するRb2は同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、上記一般式II-AB1あるいはII-AB2中のR13’~R16’のうち少なくとも1つが一般式LC1-1~LC1-16で表される基を有するもの例えば-COOR5のR5が一般式LC1-1~LC1-16で表される基を表す、又は下記一般式AIで表される繰り返し単位等を挙げることができる。一般式AI中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は水素原子、メチル基が好ましい。Abは、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。好ましくは単結合、-Ab1-CO2-で表される連結基である。Ab1は直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、一般式LC1-1~LC1-16のうちのいずれかで示される基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位は通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。本発明の樹脂Aは、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を含有していることが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基としては水酸基、シアノ基が好ましい。より好ましくは、樹脂Aは、水酸基またはシアノ基で置換された多環環状炭化水素基を有する繰り返し単位を含有する。極性基で置換された脂環炭化水素構造の好ましい例として一般式VIIa,VIIbで表される構造があげられる。一般式VIIa中、R2c~R4cは、各々独立に水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cのうち少なくとも1つは水酸基、シアノ基を表す。好ましくはR2c~R4cのうち1つまたは2つが水酸基で残りが水素原子であり、更に好ましくはR2c~R4cのうち2つが水酸基で残りが水素原子である。一般式VIIaまはたVIIbで表される基は、好ましくはジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ましくはジヒドロキシ体である。一般式VIIaまたはVIIbで表される基を有する繰り返し単位としては、上記一般式II-AB1又はII-AB2中のR13’~R16’のうち少なくとも1つが上記一般式VIIaまたはVIIbで表される基を有するもの例えば-COOR5のR5が一般式VIIaまたはVIIbで表される基を表す、又は下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位等を挙げることができる。一般式AIIa~AIId中、R1cは各々独立して水素原子、メチル基、トリフロロメチル基またはヒドロキメチル基を表す。R2c~R4cは、各々独立に水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cのうち少なくとも1つは水酸基またはシアノ基を表す。好ましくはR2c~R4cのうち1つまたは2つが水酸基で残りが水素原子であり、更に好ましくはR2c~R4cのうち2つが水酸基で残りが水素原子である。一般式AIIa~AIIdで表される構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。本発明の樹脂Aは、下記一般式VIIIで表される繰り返し単位を含有してもよい。上記一般式VIIIに於いて、Z2は、-O-又は-NR41-を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は-OSO2-R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子好ましくはフッ素原子等で置換されていてもよい。上記一般式VIIIで表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。本発明の樹脂Aは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。これを含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接カルボキシル基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にカルボキシル基が結合している繰り返し単位のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。最も好ましくはアクリル酸、メタクリル酸である。本発明の樹脂Aは、更に一般式F1で表される基を1~3個有する繰り返し単位を有していてもよい。これによりラインエッジラフネス性能が向上する。一般式F1中、R50~R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50~R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基フロロアルキル基を表す。Rxは水素原子または有機基好ましくは酸分解性保護基、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基を表す。R50~R55のアルキル基は、フッ素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換されていてもよく、好ましくは炭素数1~3のアルキル基、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基を挙げることができる。R50~R55は、すべてフッ素原子であることが好ましい。Rxが表わす有機基としては、酸分解性保護基、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、アルコキシメチル基、1-アルコキシエチル基が好ましい。一般式F1を有する繰り返し単位として好ましくは下記一般式F2で表される繰り返し単位である。式中、Rxは水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rxのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Faは単結合、直鎖または分岐のアルキレン基を表し、好ましくは単結合を表す。Fbは単環または多環の環状炭化水素基を表す。Fcは単結合、直鎖または分岐のアルキレン基好ましくは単結合、メチレン基を表す。F1は一般式F1で表される基を表す。p1は1~3を表す。Fbにおける環状炭化水素基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基が好ましい。一般式F1の構造を有する繰り返し単位の具体例を示す。本発明の樹脂Aは、更に脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば1-アダマンチルメタアクリレート、トリシクロデカニルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレートなどが挙げられる。樹脂Aは、相溶性の観点から、フッ素原子を有さないことが好ましい。本発明の樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、樹脂Aに要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の樹脂Aの好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。1上記一般式pI~pVで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有するもの側鎖型。好ましくはpI~pVの構造を有するメタアクリレート繰り返し単位を含有するもの。2一般式II-ABで表される繰り返し単位を含有するもの主鎖型但し、2においては例えば、更に以下のものが挙げられる。3一般式II-ABで表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体及びメタアクリレート構造を有するものハイブリッド型樹脂A中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10~60モルが好ましく、より好ましくは20~50モル、更に好ましくは25~40モルである。樹脂A中、一般式pI~pVで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中25~70モルが好ましく、より好ましくは35~65モル、更に好ましくは40~60モルである。樹脂A中、一般式II-ABで表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10~70モルが好ましく、より好ましくは15~65モル、更に好ましくは25~60モルである。また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般的に、上記一般式pI~pVで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上記一般式II-ABで表される繰り返し単位の合計に対して99モル以下が好ましく、より好ましくは90モル以下、さらに好ましくは80モル以下である。本発明の組成物がArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。樹脂Aは、ラクトン環を有するメタアクリレート、水酸基及びシアノ基の少なくともいずれかを有する有機基を有するメタアクリレート、及び酸分解性基を有するメタアクリレートの3成分の共重合体であることであることが好ましい。本発明に用いる樹脂Aとしてより好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート、繰り返し単位のすべてがアクリレート、メタクリレート/アクリレート混合のいずれのものでも用いることができるが、アクリレート繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。より好ましくは一般式pI~pVで表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位25~50、上記ラクトン構造を含有する繰り返し単位25~50、上記極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位5~30含有する3元共重合ポリマー、または更にカルボキシル基、あるいは一般式F1で表される構造を含有する繰り返し単位を5~20含む4元共重合ポリマーである。本発明で用いられる重合体もしくは共重合体は、重量平均分子量1500~100000の範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは2000~70000の範囲、特に好ましくは3000~50000の範囲である。本発明に用いる樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは50~100°Cである。本発明において、樹脂Aの感光性組成物中の添加量としては、全固形分に対し50~99.7質量、好ましくは70~99.5質量である。また、上記本発明における樹脂以外に、必要により他の樹脂を使用することもできる。本発明の組成物において、他の樹脂の好ましい使用範囲は、本発明における樹脂A100質量部あたり、70質量部以下、特に好ましくは50質量部以下の割合で混合できる。B活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物本発明の感光性組成物は活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B成分あるいは化合物Bとも呼ぶを含有する。そのような光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができる。さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。B成分は、活性光線の照射によりフロロアルキル鎖好ましくは炭素数2~4を有する酸、または、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸、を発生する化合物であることが好ましい。また、B成分は、カチオン部にフッ素置換されていないアルキル残基好ましくは炭素数1~15またはフッ素置換されていないシクロアルキル残基好ましくは炭素数3~15を有するトリフェニルスルホニウム塩化合物であることが好ましい。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に有機基を表す。X-は、非求核性アニオンを表し、好ましくはスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、ビスアルキルスルホニルアミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン、BF4-、PF6-、SbF6-などが挙げられ、好ましくは炭素原子を含有する有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては下式に示す有機アニオンが挙げられる。式中、Rc1は有機基を表す。Rc1における有機基として炭素数1-30のものが上げられ好ましくは置換していてもよいアルキル基、アリール基、またはこれらの複数が、単結合、-O-、-CO2-、-S-、-SO3-、-SO2NRd1-などの連結基で連結された基を挙げることができる。Rd1は水素原子、アルキル基を表す。Rc3、Rc4、Rc5は有機基を表す。Rc3、Rc4、Rc5の有機基として好ましくはRb1における好ましい有機基と同じものを挙げることができ、最も好ましくは炭素数1-4のパーフロロアルキル基である。Rc3とRc4が結合して環を形成していてもよい。Rc3とRc4が結合して形成される基としてはアルキレン基、アリーレン基が挙げられる。好ましくは炭素数2~4のパーフロロアルキレン基である。Rc1、Rc3~Rc5の有機基として最も好ましくは1位がフッ素原子またはフロロアアルキル基で置換されたアルキル基、フッ素原子またはフロロアルキル基で置換されたフェニル基である。フッ素原子またはフロロアルキル基を有することにより、光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。また、Rc3とRc4が結合して環を形成することにより光照射によって発生した酸の酸性度が上がり、感度が向上する。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。R201、R202及びR203としての有機基の具体例としては、後述する化合物Z1-1、Z1-2、Z1-3における対応する基を挙げることができる。尚、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくともひとつが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物Z1-1、Z1-2、及びZ1-3を挙げることができる。化合物Z1-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基、などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1~15の直鎖、分岐又は環状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状アルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、最も好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物Z1-2について説明する。化合物Z1-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖、分岐、環状2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、最も好ましくは直鎖、分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10の環状アルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R201~R203としての2-オキソアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。R201~R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。化合物Z1-3とは、以下の一般式Z1-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。R6c及びR7cは、水素原子又はアルキル基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5cとしてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基、炭素数3~8個の環状アルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~8の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。好ましくはR1c~R5cのうちいずれかが直鎖、分岐、環状アルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。Rx及びRyとしてのアルキル基は、R1c~R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることができる。2-オキソアルキル基は、R1c~R5cとしてのアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。Rx、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、置換基を有しててもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207としてのアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10の環状アルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。X-は、非求核性アニオンを表し、一般式Iに於けるX-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内で好ましい化合物として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物を挙げることができる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R206は、アルキル基又は換若しくは未置換のアリール基を表す。R207及びR208は各々独立にアルキル基又はアリール基、電子吸引性基を表す。R207として好ましくはアリール基である。R208として好ましくは電子吸引性基であり、より好ましくはシアノ基、フロロアルキル基である。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。2種以上を組み合わせて使用する際には、水素原子を除く全原子数が2以上異なる2種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。酸発生剤の組成物中の含量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。C含フッ素化合物本発明のポジ型レジスト組成物は、下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つ含有する含フッ素化合物を含有する。xアルカリ可溶性基、yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、z酸の作用により分解する基xアルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基を有する基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、ビスアルキルカルボニルメチレン基が挙げられる。含フッ素化合物Cが樹脂の場合、アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましい。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示す。yアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基としては、例えば、ラクトン構造を有する基、酸無水物、酸イミド基などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。含フッ素化合物Cが樹脂の場合、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する繰り返し単位としては、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位のように、連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ現像液中での溶解度が増大する基が結合している繰り返し単位、あるいはアルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましい。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1~40molが好ましく、より好ましくは3~30mol、更に好ましくは5~15molである。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを有する繰り返し単位の具体例としては、樹脂Aで挙げたラクトン構造、及び一般式VIIIで表される構造と同様のものを挙げることができる。z酸の作用により分解する基としては、樹脂Aで挙げた酸分解性基と同様のものを挙げることができる。含フッ素化合物Cが樹脂である場合、z酸の作用により分解する基を含有する繰り返し単位は、樹脂Aで挙げた酸分解性基を含有する繰り返し単位と同様のものがあげられる。含フッ素化合物Cが樹脂の場合、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、ポリマー中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。含フッ素化合物cにおいて、フッ素原子は、上記x~zの各基に含まれていても、その他の部位に含まれていてもよい。含フッ素化合物cが樹脂である場合、フッ素原子は樹脂の主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよく、好ましくは側鎖に含まれる。また、上記x~zの各基を含む繰り返し単位に含まれていても、その他の繰り返し単位に含まれていてもよい。含フッ素化合物Cは、フッ素原子を有するアルキル基フロロアルキル基好ましくは炭素数1~4、フッ素原子を有するシクロアルキル基、または、フッ素原子を有するアリール基を含有する化合物であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つのフッ素原子が置換した直鎖又は分岐アルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つのフッ素原子が置換した単環または多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基に少なくとも1つのフッ素原子が置換したものがあげられ、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、および、フッ素原子を有するアリール基は、好ましくは下記一般式F1~F3で表される構造を有する。一般式F1~F3中、R50~R64は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50~R55、R57~R61およびR62~R64の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基即ちフロロアルキル基、好ましくは炭素数1~4を表す。R50~R55およびR57~R61は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62~R63は、炭素数1~4のフロロアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。R62とR63は互いに連結して環を形成してもよい。一般式F1で表される構造としては、例えば、-CF2OH、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHであることが好ましい。一般式F2で表される構造としては、p-フルオロベンゼン、ペンタフルオロベンゼン、3,5-ジトリフルオロメチルベンゼン等が挙げられる。一般式F3で表される構造としては、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられ、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基であることが好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基であることが更に好ましい。化合物Cは、下記C-1~C-13のいずれかの樹脂であることが好ましい。より好ましくは、C-1~C-4、C-8~C-13のいずれかの樹脂である。C-1フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、および、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位aおよび繰り返し単位Xのみからなる共重合樹脂である。C-2フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位aおよび繰り返し単位Yのみからなる共重合樹脂である。C-3フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位aおよび繰り返し単位Zのみからなる共重合樹脂である。C-4フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、および、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位a、繰り返し単位X、および繰り返し単位Yのみからなる共重合樹脂である。C-5フロロアルキル基を有する繰り返し単位aアルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Zを含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位a、繰り返し単位X、および繰り返し単位Zのみからなる共重合樹脂である。C-6フロロアルキル基を有する繰り返し単位aアルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yとを含有する繰り返し単位Y、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位a、繰り返し単位Y、および繰り返し単位Zのみからなる共重合樹脂である。C-7フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、アルカリ可溶性基xを含有する繰り返し単位X、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、および、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位a、繰り返し単位X、繰り返し単位Y、および繰り返し単位Zのみからなる共重合樹脂である。C-8アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aXを含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位aXのみからなる樹脂ホモポリマーである。C-9アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位bY、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位bYのみからなる樹脂ホモポリマーである。C-10アルカリ可溶性基xおよび炭素数1~4のフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、ならびに、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yを含有する繰り返し単位Y、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位aX、および繰り返し単位Yのみからなる共重合樹脂である。C-11アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、ならびに、酸の作用により分解する基zを含有する繰り返し単位Z、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位aX、および繰り返し単位Zのみからなる共重合樹脂である。C-12フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、ならびに、アルカリ可溶性基xおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aX、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位a、および繰り返し単位aXのみからなる共重合樹脂である。C-13フロロアルキル基を有する繰り返し単位a、ならびに、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基yおよびフロロアルキル基をともに含有する繰り返し単位aY、を含有する樹脂。より好ましくは繰り返し単位a、および繰り返し単位aYのみからなる共重合樹脂である。ここで、フロロアルキル基を有する繰り返し単位aは、アルカリ可溶性基を含まないことが好ましい。樹脂C-1、C-2およびC-4において、繰り返し単位aの導入量はモルで40~99であることが好ましく、60~80であることがより好ましい。樹脂C-10において、繰り返し単位aXの導入量はモルで40~99であることが好ましく、60~90であることがより好ましい。フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例としては後述するC1~C8で表される繰り返し単位が挙げられる。aXの具体例としては後述する繰り返し単位C1およびC2が挙げられる。特に、繰り返し単位aの具体例としては、例えば、後述するC4~C7で表される繰り返し単位が挙げられ、具体的には、以下のものが挙げられる。繰り返し単位aXとしては例えば後述する繰り返し単位C1およびC2が挙げられ、具体的には以下のものが挙げられる。繰り返し単位aYとしては例えば後述する繰り返し単位C3が挙げられる。本発明のフッ素化合物Cは、後述するC1~C8で表される繰り返し単位以外に、成膜性、塗布性、相溶性、後退接触角を制御する目的で様々な繰り返し構造単位を含有することができる。このような繰り返し単位として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、スチレン類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個以上有する化合物等を挙げることができる。好ましくは、炭素数6~20の分岐状アルキル基または炭素数6~20のシクロアルキル基を有するアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、またはメタクリルアミド類、あるいは、炭素数1~10のアルキル基を有してもよいスチレンである。その他にも上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。含フッ素化合物Cとしては、具体的には、下記一般式C1~C8のいずれかで示される繰り返し単位を含有する樹脂があげられる。一般式C1~C8中、Rfは、フロロアルキル基好ましくは炭素数1~4を有する基を表す。Pは直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基を表し、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Xは各々独立に水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表す。アルキル基は直鎖でも分岐でもよく、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。Qは各々独立に単結合、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する2価の基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。但し、式C1においてnが2または3のときは、これら2価の基にさらに-CRf2-OHで表される基が1つまたは2つ置換されている基を表す。Qとしては好ましくは単結合、-Q1-CO2-で表される連結基である。Q1は直鎖、分岐アルキレン基あるいは単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。nは各々独立に1~3の自然数を表す。X11は、酸素原子または-NR13-で表される基を示す。R13は、水素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数20以下を表す。R11は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、またはアルキル基を示す。アルキル基は直鎖でも分岐でもよく、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。R12およびR21~R23は、各々独立に少なくとも1つ以上のフッ素原子を有する有機基を示す。P2は、脂環基を表す。R20は、有機基を表す。R4~R7は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基、または炭素数1~4個の、直鎖もしくは分岐のフッ素化アルキル基を表す。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5もしくはR6とR7は環を形成していてもよい。以下に含フッ素化合物が高分子量樹脂である場合のフッ素原子を有する繰り返し単位の好ましい具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。以下に含フッ素化合物が高分子量樹脂である場合の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。含フッ素化合物Cがアルカリ可溶性化合物である場合、アルカリ可溶性基酸基の量は、アルカリ可溶性化合物Cの酸価として、0.1~10ミリ当量/gが好ましく、0.1~3ミリ当量/gがより好ましい。0.1~2ミリ当量/gが更に好ましい。酸価は、化合物を中和するのに要する水酸化カリウムの量mgの測定によるものである。含フッ素化合物Cは、フッ素原子を5~80質量含むことが好ましく、10~80質量含むことがより好ましい。さらに好ましくは、20~60質量である。含フッ素化合物Cは、低分子化合物でも高分子化合物例えば樹脂でもよいが、レジストから液浸液へ低分子量成分が溶出してレンズを汚染することを考慮すると、高分子化合物であることが好ましい。分子量は好ましくは1000~100,000で、より好ましくは1000~50,000、さらに好ましくは1500~15,000である。含フッ素化合物Cが樹脂の場合には、残存モノマー量が0~10質量であることが好ましく、0~5質量がさらに好ましく、0~1がより好ましい。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは1~5が好ましく、更に好ましくは1~3、より好ましくは1~1.5の範囲のものが使用される。ポジ型レジスト組成物中の含フッ素化合物Cの添加量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~30質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量、さらに好ましくは0.1~5質量である。含フッ素化合物Cは単独でも、複数を混合しても良い。含フッ素化合物Cは、各種市販品を利用したり、常法により合成できる。例えば、樹脂である場合、前述の酸分解性樹脂Aの合成におけるようなラジカル重合等と一般的な精製などで得ることができる。含フッ素化合物Cは、酸解離性基含有樹脂A同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、高分子量体である場合には、残留単量体やオリゴマー成分が既定値以下、例えばHPLCで0.1質量等であることが好ましく、それによりレジストとしての感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに改善することができるだけでなく、液中異物や感度等の経時変化のないレジストが得られる。含フッ素化合物Cは、下記の樹脂C1またはC2であることも好ましい。樹脂C1は、下記式で表される構造を有する。式CI~CIII中、Xは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、またはアルキル基を表す。アルキル基は、直鎖でも分岐でもよく、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。Rfは、フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つのフッ素原子が置換した直鎖又は分岐アルキル基を有する基を表す。好ましくは、上述した一般式F2またはF3で表される基である。Yは、アルキレン基、脂環炭化水素構造単環または多環を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。好ましくは単結合である。Vは、ラクトン環を有する基を表す。好ましくは上記樹脂Aにおける一般式LC1-1~LC1-16のうちのいずれかで示される基を表す。Rcは各々独立に、無置換の炭化水素基を表す。但し、Rcは、酸素原子やハロゲンなどのヘテロ原子は含まない。Rcは具体的には、分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、分岐状のアルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を表す。好ましくは炭素数4~20であり、より好ましくは炭素数7~15であり、直鎖、分岐、環状のいずれでもよく、好ましくは分岐、環状である。m、n、pはそれぞれ下記の関係を満たす数を表す。mnp=100、0<m<100、0<n<100、0≦p<100。好ましくは、m:20~80、n:20~60、p:0~50、更に好ましくは、m:20~80、n:20~40、p:10~50である。樹脂C2は、下記式で表される構造を有する。式CI、CIV、CIII中、X、Rf、Y、Rcは上記CI~CIIIにおけるものと同様である。Rp1は、酸の作用により分解する基を表す。m、n、pはそれぞれ下記の関係を満たす数を表す。mnp=100、0<m<100、0<n<100、0≦p<100。好ましくは、m:10~90、n:10~90、p:0~50、更に好ましくは、m:20~80、n:20~80、p:10~50である。一般式CIで表される繰り返し単位の好ましい具体例を以下にあげるが、これに限定されるものではない。一般式CIIで表される繰り返し単位としては、具体的には、上記樹脂Aにおけるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位と同様のものがあげられる。一般式CIIIで表される繰り返し単位の好ましい具体例を以下にあげるが、これに限定されるものではない。一般式CIVにおいて、酸の作用により分解する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CH2OR39等を挙げることができる。R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R36~R39のアルキル基は、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。R36~R39のアリール基は、炭素数6~10のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。R36~R39のアラルキル基は、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。一般式CIVで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これに限定されるものではない。樹脂C1およびC2は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加する。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは50~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、例えば、炭化水素ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化脂肪族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素など、ニトロ化合物ニトロメタン、ニトロエタンなど、ニトリルアセトニトリル、ベンゾニトリルなど、エーテルジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタンなどの鎖状エーテル;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル、ケトンアセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなど、エステル酢酸エチル、酢酸ブチルなど、カーボネートジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど、アルコールメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなど、カルボン酸酢酸など、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなどまたは水を含む溶媒が好ましい。このような少なくとも炭化水素を含む溶媒において、アルコール特に、メタノールなどと他の溶媒例えば、酢酸エチルなどのエステル、テトラヒドロフランなどのエーテル類等との比率は、例えば前者/後者体積比;25°C=10/90~99/1、好ましくは前者/後者体積比;25°C=30/70~98/2、さらに好ましくは前者/後者体積比;25°C=50/50~97/3程度である。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、さらに好ましくは300~1000質量部である。ポリマー溶液を沈殿又は再沈殿溶媒貧溶媒中に供給する際のノズルの口径は、好ましくは4mmφ以下例えば0.2~4mmφである。また、ポリマー溶液の貧溶媒中への供給速度滴下速度は、線速度として、例えば0.1~10m/秒、好ましくは0.3~5m/秒程度である。沈殿又は再沈殿操作は攪拌下で行うのが好ましい。攪拌に用いる攪拌翼として、例えば、デスクタービン、ファンタービンパドルを含む、湾曲羽根タービン、矢羽根タービン、ファウドラー型、ブルマージン型、角度付き羽根ファンタービン、プロペラ、多段型、アンカー型又は馬蹄型、ゲート型、二重リボン、スクリューなどを使用できる。攪拌は、ポリマー溶液の供給終了後も、さらに10分以上、特に20分以上行うのが好ましい。攪拌時間が少ない場合には、ポリマー粒子中のモノマー含有量を充分低減できない場合が生じる。また、攪拌翼の代わりにラインミキサーを用いてポリマー溶液と貧溶媒とを混合攪拌することもできる。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿した粒子状ポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。尚、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。樹脂溶液Aの調製に際し使用する溶媒は、重合反応に際しモノマーを溶解させる溶媒と同様の溶媒を使用することができ、重合反応に際し使用した溶媒と同一であっても異なっていてもよい。D酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物以下、溶解阻止化合物ともいう本発明のポジ型レジスト組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物以下、溶解阻止剤ともいうを含有してもよい。溶解阻止剤としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE,2724,3551996に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、前記A成分の樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。本発明における溶解阻止剤の分子量は、3000以下であり、好ましくは300~3000、更に好ましくは500~2500である。溶解阻止剤の添加量は、ポジ型レジスト組成物の全固形分に対し、好ましくは1~30質量であり、より好ましくは2~20質量である。以下に溶解阻止剤の具体例を示すが、これらに限定されない。E塩基性化合物本発明のポジ型レジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、E塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式A~E中、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数1~20個のアルキル基、炭素数3~20個のシクロアルキル基又は炭素数6~20個のアリール基を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。上記アルキル基は無置換であっても置換基を有するものであってもよく、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、または炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。これら一般式A~E中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。塩基性化合物としては、例えば、置換または無置換の第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、アミド誘導体、イミド誘導体、シアノ基を有する含窒素化合物等が挙げられる。これらのなかで、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類が好ましい。有していてもよい好ましい置換基は、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、ラクトン基である。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。塩基性化合物の使用量は、ポジ型レジスト組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。E界面活性剤本発明のポジ型レジスト組成物は、更にE界面活性剤を含有することが好ましく、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物が上記E界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、特開2002-277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204D、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218、222D株ネオス製等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれるもしくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリオキシアルキレン基としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基などが挙げられ、また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体やポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートなどを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体などを挙げることができる。また、本発明では、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ-ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。E界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.01~10質量、より好ましくは0.1~5質量である。F溶剤前記各成分を溶解させてポジ型レジスト組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、炭素数4~10の環状ラクトン、炭素数4~10の、環を含有しても良いモノケトン化合物、アルキレンカーボネート、酢酸アルコキシアルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。炭素数4~10の環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが好ましく挙げられる。炭素数4~10の、環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン、3-メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。酢酸アルコキシアルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが好ましく挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130°C以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50重量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。Gアルカリ可溶性樹脂本発明のポジ型レジスト組成物は、更に、酸分解性基を含有していない、G水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有することができ、これにより感度が向上する。本発明においては、分子量1000~20000程度のノボラック樹脂類、分子量3000~50000程度のポリヒドロキシスチレン誘導体をこのようなアルカリ可溶性樹脂として用いることができるが、これらは250nm以下の光に対して吸収が大きいため、一部水素添加して用いるか、又は全樹脂量の30重量以下の量で使用することが好ましい。また、カルボキシル基をアルカリ可溶性基として含有する樹脂も用いることができる。カルボキシル基を含有する樹脂中にはドライエッチング耐性向上のために単環、又は多環の脂環炭化水素基を有していることが好ましい。具体的には酸分解性を示さない脂環式炭化水素構造を有するメタクリル酸エステルとメタアクリル酸の共重合体あるいは末端にカルボキシル基を有する脂環炭化水素基のメタアクリル酸エステルの樹脂などを挙げることができる。Hカルボン酸オニウム塩本発明におけるポジ型レジスト組成物は、Hカルボン酸オニウム塩を含有しても良い。カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、Hカルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。更に、本発明のHカルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素-炭素2重結合を含有しないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数1~30の直鎖、分岐、単環または多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2-ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。これらのHカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。Hカルボン酸オニウム塩の組成物中の含量は、組成物の全固形分に対し、0.1~20質量が適当であり、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。その他の添加剤本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。レジスト組成物の物性本発明のポジ型レジスト組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。ポジ型レジスト組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。ポジ型レジスト組成物中の全固形分濃度は、一般的には1~10質量、より好ましくは1~8質量、さらに好ましくは1.0~7.0質量である。パターン形成方法本発明のポジ型レジスト組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターは0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。例えば、ポジ型レジスト組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、感光性膜を形成する。当該感光性膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、電子ビーム等であり、更に好ましくは1nm~200nmの波長の光、特にArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV13nm、電子ビームが好ましい。現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理または、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。活性光線又は放射線の照射時にレジスト膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。また、液浸露光を行なう際に液浸媒体と感光性膜が直接触れ合わないようにするために感光性膜の上にさらにオーバーコート層を設けても良い。これにより感光性膜から液浸媒体への組成物の溶出が抑えられ、現像欠陥が低減する。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光光に対して透明であり、かつレジスト上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、さらに屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MΩcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明のポジ型レジスト組成物によるレジスト膜と液浸液との間には、レジスト膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適正、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、レジストと混合せず、さらにレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、レジストへの浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程がレジストの現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性が好ましいが、レジストとの非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー波長:193nmにおいて、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートがレジストと混合せず、さらに液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコート溶剤はレジスト溶媒難溶かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。さらに、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。本発明のレジスト組成物は、レジスト膜とした際に水のレジスト膜に対する後退接触角が65°以上であることが好ましい。ここで、後退接触角は常温常圧下におけるものである。後退接触角は、レジスト膜を傾けて液滴が落下し始めるときの後退の接触角である。一般に後退接触角は転落角とほぼ相関し、後退接触角が高く、転落角が小さい膜ほど水はじきがよいことを示す。以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。実施例1~44及び比較例1、2合成例樹脂1の合成窒素気流下シクロヘキサノン8.6gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した。これに2-アダマンチルイソプロピルメタクリレート9.8g、ジヒドロキシアダマンチルメタクリレート4.4g、ノルボルナンラクトンメタクリレート8.9g、重合開始剤V-601和光純薬製をモノマーに対し8molをシクロヘキサノン79gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン800m/酢酸エチル200mlの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると樹脂1が19g得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で9800、分散度Mw/Mnは1.9であった。樹脂2~30は樹脂1と同様の方法で合成した。樹脂31は、特開2005-156726の実施例1と同様の方法で合成した。実施例で用いた酸分解性樹脂Aの構造と組成、分子量等を以下に示す。組成は樹脂構造式番号および組成比構造式における左から順を示す。合成例1樹脂C-1C-2の合成2-トリフルオロメチルメタクリル酸3,5-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシプロパン-2-イルシクロヘキシルを0.06モル、5-ノルボルネン-2-メチル-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン-2-オールを0.04モル調製した。この混合物を窒素雰囲気下、80°Cにて攪拌しているところに、和光純薬工業株製重合開始剤V-59を1.5mol加え、そのまま3時間攪拌した。その後、3時間ごとに重合開始剤V-59を1.5mol加えながら12時間攪拌した。反応終了後、反応液C-1をTHF20mLに溶解させ、室温まで冷却した。ヘキサン800mLに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂C-1を回収した。1HNMRから求めたポリマー組成比は60/40構造式左から順であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8800、分散度は1.5であった。モノマーを変更し、仕込み組成を70/30構造式左から順にした以外は同様にして、樹脂C-2を合成した。樹脂C-2の1HNMRから求めたポリマー組成比は68/32であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は11000、分散度は1.7であった。合成例2樹脂C-3の合成ジ-μ-クロロビス[η-アリルパラジウムII]0.262gとヘキサフルオロアンチモン酸銀0.488gをクロロベンゼン44mLに溶解し、室温で攪拌する。20分後、反応混合物をろ過し、ろ液を5-ノルボルネン-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン-2-オール20g、水0.2mL、クロロベンゼン170mLからなる混合液に加える。それをさらに室温で20時間攪拌した後、メタノール1200mLに加え、析出した樹脂をろ別する。次に樹脂をクロロベンゼン150mLに溶解し、そこにメタノール30mLと水素化ホウ素ナトリウム3.2gを加え、室温で3時間攪拌し、さらに室温で24時間放置する。析出したPd0の粒子をろ別し、ろ液をメタノール800mLに注ぐ。析出した樹脂をろ別することにより、目的とする樹脂C-3を得た。GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8000、分散度は1.4であった。合成例3樹脂C-4~C-6の合成1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-4-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシプロパン-2-イルシクロヘキシルプロパン-2-イルメタクリレート20gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し70mLに溶解した。この溶液に和光純薬工業株製重合開始剤V-601を3mol加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて80°Cに加熱したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間攪拌し、反応液C-4を得た。反応終了後、反応液C-4を室温まで冷却し、4.5倍量のヘキサンに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂C-4を回収した。GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8500、分散度は1.4であった。合成例3と同様の方法を用いて、仕込み組成80/20構造式左から順にて、樹脂C-5を合成した。晶析には溶媒としてメタノールを使用した。1HNMRから求めたポリマー組成比は80/20であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は13000、分散度は2.1であった。合成例3と同様の方法を用いて、仕込み組成70/30構造式左から順にて、樹脂C-6を合成した。晶析には溶媒としてメタノールを使用した。1HNMRから求めたポリマー組成比は70/30であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は18000、分散度は2.3であった。合成例1と同様の方法を用いて、仕込み組成50/50構造式左から順にて、樹脂C-7を合成した。晶析には溶媒としてメタノールを使用した。1HNMRから求めたポリマー組成比は50/50であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は5200、分散度は1.9であった。合成例3と同様の方法を用いて、仕込み組成50/50構造式左から順にて、樹脂C-8を合成した。晶析には溶媒としてメタノールを使用した。1HNMRから求めたポリマー組成比は50/50であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は10200、分散度は2.2であった。合成例3と同様の方法を用いて、仕込み組成60/40構造式左から順にて、樹脂C-9を合成した。晶析には溶媒としてヘキサンを使用した。1HNMRから求めたポリマー組成比は60/40であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は7200、分散度は2.2であった。合成例1と同様の方法を用いて、仕込み組成30/30/40構造式左から順にて、樹脂C-10を合成した。晶析には溶媒としてメタノールを使用した。1HNMRから求めたポリマー組成比は32/32/36であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は5600、分散度は2.0であった。合成例4樹脂C-11の合成メタクリル酸3,5-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシプロパン-2-イルシクロヘキシル50gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し200mLに溶解した。この混合物を窒素雰囲気下、80°Cにて攪拌しているところに、和光純薬工業株製重合開始剤V-601を5mol加え、そのまま5時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、5倍量のヘキサンに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂C-11を回収した。GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は9300、分散度は1.4であった。樹脂C-12は、仕込み組成比を50/50にし、重合開始剤を5モルに変更した以外は、合成例3と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は50/50であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8800、分散度は1.8であった。樹脂C-13は、仕込み組成比を40/30/30にした以外は、樹脂C-12の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は39/30/31であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は6500、分散度は1.8であった。樹脂C-14は、仕込み組成比を80/20にした以外は、樹脂C-12の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は78/22であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8700、分散度は1.8であった。樹脂C-15は、仕込み組成比を80/20にした以外は、樹脂C-12の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は80/20であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8800、分散度は1.8であった。樹脂C-16は、仕込み組成比を40/60にした以外は、樹脂C-12の合成法と同様の方法を用いて合成した。晶析には溶媒としてメタノールを使用した。1HNMRから求めたポリマー組成比は40/60であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は11000、分散度は1.9であった。樹脂C-17は、仕込み組成比を30/70にした以外は、樹脂C-16の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は28/72であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は10500、分散度は1.9であった。樹脂C-18は、樹脂C-13の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は42/20/38であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は7500、分散度は2.2であった。樹脂C-19は、仕込み組成比を40/30/30にした以外は、樹脂C-16の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は40/33/27であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は7500、分散度は2.2であった。樹脂C-20は、樹脂C-19の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は40/30/30であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8200、分散度は2.2であった。樹脂C-21は、仕込み組成比を70/30にした以外は、樹脂C-12の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は65/35であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は5600、分散度は2.0であった。樹脂C-22は、仕込み組成比を50/50にした以外は、合成例3と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は50/50であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は6200、分散度は2.0であった。樹脂C-23は、仕込み組成比を30/50/20にした以外は、樹脂C-12の合成法と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は29/50/21であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は8800、分散度は2.0であった。樹脂C-24は、仕込み組成比を20/40/20/20にした以外は、合成例3と同様の方法を用いて合成した。1HNMRから求めたポリマー組成比は19/42/20/19であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は12000、分散度は2.2であった。樹脂C-1~C-24の構造を以下に示す。<レジスト調製>下記表2に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度7質量の溶液を調製し、これを0.1μmのポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト溶液を調整した。調製したポジ型レジスト組成物を下記の方法で評価し、結果を下記表に示した。尚、表における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。画像性能試験露光条件1シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、130°Cで、60秒間ベークを行い、250nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、σo/σi=0.85/0.55を用いてパターン露光した。その後120°Cで、90秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。露光条件2本条件は、純水を用いた液浸露光法によりレジストパターンを形成するものである。シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、130°Cで、60秒間ベークを行い、250nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザー液浸スキャナーNA0.75を用い、パターン露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後120°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。プロファイル得られたパターンのプロファイルを、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-4800にて観察して、評価した。パターン倒れ評価法130nmのラインアンドスペース1:1のマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、ラインアンドスペース1:1の密集パターン及びラインアンドスペース1:10の孤立パターンについて、最適露光量で露光した際にもっとも微細なマスクサイズにおいてパターンが倒れずに解像する線幅を限界パターン倒れ線幅とした。値が小さいほど、より微細なパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れが発生しにくいことを示す。水追随性評価8inchシリコンウエハー上に調製したレジスト組成物を塗布し、115°C、60秒ベークを行い150nmのレジスト膜を形成した。次に、得られたレジスト塗布済ウェハーの中心部に蒸留水15mlをピペットで垂らした。その蒸留水パドル上へ凧糸付きの10cm角石英板を乗せてウェハーと石英板のすき間全面を蒸留水で満たす状態にした。図2はこの時のレジスト塗布済みウェハー、蒸留水、石英基板の横から見た配置を模式的に示したものである。次に図2に示すように、ウェハーを固定した状態で石英板に付いた凧糸を速度1cm/秒で回転するモーターの回転部に巻きつけ、0.5秒間モーターのスイッチを入れて石英板を移動させた。石英板移動後、石英板の下に残った蒸留水の量を後述のような基準で判断し、水追従性の指標とした。図3a~dは石英板移動後、石英板を上から観察した様々なパターンを模式的に示したものであり、斜線部は石英板の下に残った蒸留水の領域を、空白部は石英板の移動に水が追従できず空気が入ってしまった領域である。aに示すように、石英板移動後も基板全面に水が残っているものを○、bに示すように空気の入る面積が全基板面積に対して1割程度に留まるものを△、cに示すように空気の入る面積が全基板面積に対して2割以上のものを×とした。スカムの発生シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、78nmの反射防止膜を形成した。その上に固形分濃度5.5に調製したポジ型レジスト溶液を塗布し、115°Cで、60秒間ベークを行い、160nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーをArFエキシマレーザースキャナーASLM社製PAS5500/1100、NA0.75、σo/σi=0.85/0.55を用いてパターン露光した。その後120°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥し、パターンを形成させた。線幅0.15ミクロンのレジストパターンにおける現像残さスカムの残り具合で評価し、残さが観察されなかったものを○、かなり観察されたものを×、その中間を△として評価した。後退接触角の測定シリコンウエハー上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、115°Cで、60秒間ベークを行い、200nmのレジスト膜を形成した。動的接触角計協和界面科学社製の拡張縮小法により、水滴の後退接触角を測定した。初期液滴サイズ7μLを6μL/秒の速度にて8秒間吸引し、吸引中の動的接触角が安定した値を後退接触角とした。表2における記号は次の通りである。酸発生剤は先に例示したものに対応する。N-1:N,N-ジブチルアニリンN-2:N,N-ジヘキシルアニリンN-3:2,6-ジイソプロピルアニリンN-4:トリ-n-オクチルアミンN-5:N,N-ジヒドロキシエチルアニリンN-6:2,4,5-トリフェニルイミダゾールN-7:トリスメトキシエトキシエチルアミンN-8:2-フェニルベンゾイミダゾールW-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系W-4:トロイゾルS-366トロイケミカル株製W-5:PF656OMNOVA社製、フッ素系W-6:PF6320OMNOVA社製、フッ素系SL-1:シクロヘキサノンSL-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートSL-3:乳酸エチルSL-4:プロピレングリコールモノメチルエーテルSL-5:γ-ブチロラクトンSL-6:プロピレンカーボネート実施例45~51および比較例3、41下層レジスト層の形成6インチシリコンウエハにFHi-028DDレジスト富士フィルムオーリン社製i線用レジストを東京エレクトロン社製スピンコーターMark8を用い塗布し、90°C、90秒間ベークし、膜厚0.55μmの均一膜を得た。これを更に200°C、3分間加熱し、膜厚0.40μmの下層レジスト層を形成させた。2上層レジスト層の形成下記表3に示す成分を溶剤に溶解させ、固形分濃度11質量の溶液を調製し、口径0.1μmのメンブレンフィルターで精密ろ過して上層レジスト組成物を調製した。下層レジスト層の上に上層レジスト組成物を下層と同様に塗布し、130°C、90秒間加熱して、膜厚0.20μmの上層レジスト層を形成させた。表3に於ける樹脂SI-1~SI-5は、下記のとおりである。3レジスト評価こうして得られたウエハに、ISI社製ArFエキシマステッパー9300に解像力マスクを装填して露光量を変化させながら露光した。次いで、120°C、90秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液2.38質量で60秒間現像し、蒸留水でリンスし、乾燥して上層パターンを得た。得られたパターンについて、実施例1と同様に評価した。評価結果を表3に示す。これらの結果より、本発明のレジスト組成物は通常露光、液浸露光そして多層式レジストのいずれにおいてもプロファイル、パターン倒れ性、スカム、後退接触角ならびに水追随性の諸性能が優れていることがわかる。"