"太陽光を集光するための集光レンズと発電素子を少なくとも具備し、前記発電素子は、III-V族化合物半導体からなる、n側窓層、n型エミッタ層、p型ベース層、p側窓層を積層したpn接合部を少なくとも1つ備えた発電層と、前記発電層のn側窓層側に形成されたn型コンタクト層とグリッド電極を具備しており、前記グリッド電極が、Zn層と多孔質金属層の積層構造であり、かつ前記多孔質金属層のZn層側の空孔部に、ZnO透明導電層が形成されていることを特徴とする集光型太陽電池。前記多孔質金属は、Ni,Al,Ti,Cu,Auの少なくとも1つからなる多孔質金属であることを特徴とする請求項1記載の集光型太陽電池。前記ZnO層の厚みが、1~5nmであるあることを特徴とする請求項1記載の集光型太陽電池。III-V族化合物半導体からなる、n側窓層、n型エミッタ層、p型ベース層、p側窓層を積層したpn接合部を少なくとも1つ備えた発電層のn側窓層側に形成されたn型コンタクト層上に、Zn層を形成し、前記Zn層上に多孔質金属層を形成し、前記多孔質金属層の空孔部内の前記Zn層上に、化学浴析出法以下、CBDにより、ZnO透明導電層を形成し、前記発電素子を集光レンズの裏面上に接続することを特徴とする集光型太陽電池の製造方法。前記多孔質金属は、Ni,Al,Ti,Cu,Auの少なくとも1つからなる多孔質金属であることを特徴とする請求項1記載の集光型体型太陽電池。前記ZnO層の厚みが、1~5nmであるあることを特徴とする請求項1記載の集光型太陽電池。前記CBD法によりZnO透明電極を形成する際に、60~90°Cの硝酸亜鉛水溶液とジメチルアミンボラン混合溶液を用いることを特徴とする請求項6記載の集光型太陽電池。グリッド電極に多孔質金属を用いると、発電素子との接触面積が小さくなる。この結果、グリッド電極と発電素子との間の界面抵抗以下、界面抵抗が大きくなるという課題が生じる。本発明は、前記従来の課題を解決するものであって、低い界面抵抗と高信頼性を有する集光型太陽電池を提供することを目的とする。本発明の集光型太陽電池は、太陽光を集光するための集光レンズと発電素子を具備し、前記発電素子は、III-V族化合物半導体からなる、n側窓層、n型エミッタ層、p型ベース層、p側窓層を積層したpn接合部を少なくとも1つ備えた発電層と、前記発電層のn側窓層側に形成されたn型コンタクト層とグリッド電極を具備しており、前記グリッド電極が、厚みが1~5nmのZn層と、Ni,Al,Ti,Cu,Auの少なくとも1つからなる多孔質金属層の積層構造であり、かつ前記多孔質金属層のZn層側の空孔部に、ZnO透明導電層が形成されていることを特徴とする。また本発明の集光型太陽電池の製造方法は、III-V族化合物半導体からなる、n側窓層、n型エミッタ層、p型ベース層、p側窓層を積層したpn接合部を少なくとも1つ備えた発電層のn側窓層側に形成されたn型コンタクト層上に、厚みが1~5nmのZn層をパターン形成し、前記Zn層上に多孔質金属層を形成し、前記多孔質金属層の空孔部内の前記Zn層上に、化学浴析出法以下、CBDにより、ZnO透明導電層を形成し、前記発電素子を集光レンズの裏面上に接続することを特徴とする。本発明の集光型太陽電池は、発電素子のグリッド電極が、1~5nmと極薄のZn層と多孔質金属層の積層構造であり、かつ前記多孔質金属層のZn層側の空孔部に、ZnO透明導電層が形成されている構成であるため、多孔質金属層だけでなく、1~5nmと極薄のZn層を介したZnO透明導電層も集電電極としての機能を有するため、結果的にグリッド電極と発電層との接触面積が増加することで、前記従来の多孔質金属を用いた場合に対してより低い界面抵抗となる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態本発明の実施の形態に係るレンズ一体型太陽電池について説明する。ここでは、単接合型の集光型太陽電池を例に挙げる。図1aは、実施の形態における太陽電池の断面構成図である図1aに示されるように、本実施の形態のレンズ一体型太陽電池は、集光レンズ101、発電素子102、放熱板103、絶縁層104、p側配線105、スペーサ106、n側配線107を具備する。放熱板103の表面上には、絶縁層104、p側配線105が順次積層される。さらに集光レンズ101の裏面上に発電素子102が配置される。発電素子102とn側配線107およびp側配線105は電気的に直列に接続されている。図1bは発電層の断面構成図である。図1bに示されるように、発電層112は、n型コンタクト層のn型GaAs層115、n側窓層116、n型エミッタ層117、p型ベース層118、p側窓層119、p側コンタクト層120を積層している。積層方向はZ方向である。Z方向に沿ってn側窓層116、n型エミッタ層117、p型ベース層118、p側窓層119の順で積層されたpn接合を少なくとも1つ以上具備する。図1cは、グリッド電極110の断面構成図である。図1cに示されるように、グリッド電極110は、多孔質金属層108、ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109、Zn層111を具備する。ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109は、多孔質金属層内の空孔部にZnO透明導電層を具備する。集光レンズ101に照射された光は、発電素子102のグリッド電極110、n型GaAs115、n側窓層116をこの順で透過し、n型エミッタ層117およびp型ベース層118において光電変換される。光電変換により生成されるキャリアは、n型GaAs層115、グリッド電極110とn側配線107、およびp側コンタクト層120、裏面電極113とp側配線105により電流として取り出される。本実施の形態では、グリッド電極110はZn層111、ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109、多孔質金属層108を具備している。ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109では、多孔質金属層内の空孔部にZnO透明導電層が形成されている。ZnO透明導電層は、ホウ素がドーピングされた酸化亜鉛粒子を用いて形成されている。グリッド電極110は、Zn層111とZnO透明導電層含有の多孔質金属層109とから構成され得る。多孔質金属層108の材料は、Ni,Al,Ti,Cu,Auの少なくとも1種である。Zn層111の厚みは1~5nmであり、適宜パターンを形成される。その結果、低い界面抵抗と高信頼性に優れたレンズ一体型太陽電池を実現できる。集光レンズ101の表側の面には光が照射され、n側窓層116に光が集束する。集光レンズ101は、およそ2mm~10mmの直径、1mm~5mmの厚み、およそ1.1~2.0の屈折率を有する。集光レンズ101の材料は、高い透過率を有するガラス材料や樹脂材料が好ましい。集光レンズ101の形状は、複数の集光レンズをアレイ状に並べたもの、複数の集光レンズが形成された集光レンズシートが好ましい。本実施の形態の絶縁膜114の材料は、ノンドープのInGaP、二酸化シリコン、窒化シリコンが好ましい。裏面電極113は、p側コンタクト層120との界面において、オーミック接続できる材料である。材料はTiとAuの積層膜が好ましい。n型GaAs層115は、ノンドープGaAsがキャリアを供給する層となるためのドーパントを有している。ドーパントはSiやTeが好ましい。n側窓層116は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりもバンドギャップが大きなn型半導体である。材料はn型インジウムガリウムリン以下、InGaP、n型インジウムアルミリン以下、InAlP、n型インジウムアルミガリウムリン以下、InAlGaPが好ましい。n型エミッタ層117は、p型ベース層118とpn接合を形成するIII-V族の化合物である。材料はn型のインジウムガリウムヒ素以下、InGaAs、n型GaAs、n型InGaPが好ましい。p型ベース層118は、n型エミッタ層117とpn接合を形成するIII-V族の化合物である。好ましい材料はp型InGaAs、p型GaAs、およびp型InGaPである。p側窓層119は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりもバンドギャップが大きなp型半導体である。好ましい材料はp型InGaP、p型InAlGaP、およびp型InAlPである。p側コンタクト層120は、p側窓層119との界面及びp側バス電極114との界面において、オーミック接続できる材料である。p型GaAsが好ましい。放熱板103の好ましい材料はアルミ板銅板である。絶縁層104の好ましい材料はエポキシ樹脂である。スペーサ106は、発電素子102と集光レンズ101の間隔を一定に保持できる機械的強度を有し、さらに集光レンズ101と放熱板103の接着層としての役割を併せ持っていることが好ましい。スペーサ106の好ましい材料は、ガラスまたはエポキシ樹脂である。p側配線105およびn側配線107の好ましい材料は銅またはニッケルである。以下、図2a~hを参照しながら本実施形態の太陽電池を製造する方法を説明する。まず、図2aに示されるように、ノンドープGaAs基板を用意する。GaAs基板201の表面に、犠性層202、n型GaAs層115、n側窓層116、n型エミッタ層117、p型ベース層118、p側窓層119、p側コンタクト層120を順次、分子線エピタキシー法または有機金属化学気相成長法以下、MOCVDのような一般的な半導体成長法により成長させる。犠性層202は、GaAsと近い格子定数を有する。犠性層202は、GaAsに対して選択エッチングされるための層である。犠性層202の材料例は、アルミニウムヒ素AlAsやInGaPである。次に、図2bに示されるように、第一のマスク203をp側コンタクト層120上に形成する。第一のマスク203を用いて、p側コンタクト層120、p側窓層119、p型ベース層118、n型エミッタ層117、n側窓層116、n型GaAs層115を順次エッチングする。第一のマスク203は、フォトリソグラフィにより作製する。具体的には、p側コンタクト層120上にレジストの塗布と熱硬化を行い、露光用のマスクにより必要箇所を遮光した後、一定時間露光を行い、続いて現像を行うことで必要箇所にレジスト膜を形成することができる。p側コンタクト層120、p側窓層119、p型ベース層118、n型エミッタ層117、n側窓層116、n型GaAs層115のエッチング方法は、p型ベース層118をp型GaAs、n型エミッタ層117をn型GaAsとした場合、ドライエッチングの例はBCl3とSF6の混合ガスを用いたプラズマエッチング、ウェットエッチッグの例は燐酸と過酸化水素水の混合溶液である。図2cに示されるように、第一のマスク203を除去後に第二のマスク204を形成し、絶縁層115を形成する。第一のマスク203を除去する手法の例は、剥離液に発電層112を形成した素子を一定時間含浸させる。絶縁膜114の形成方法は、絶縁物の薄膜を発電層112の側面と上面、犠性層202上に均一に形成できる方法であれば特に限定されず、手法の例は化学気相成長法である。次に、図2dに示されるように、裏面電極113を形成する。裏面電極113の形成方法は、金属層を均一に形成できる方法であれば特に限定されず、形成方法の例はスパッタ法や電子ビーム蒸着法である。図2eに示されるように、発電素子102の、裏面電極113を具備する面を支持基体205に固定する。支持基板205は、GaAs基板201と同程度の大きさであり、かつ平坦な面を持つ基板であれば特に限定されず、支持基板205の例はシリコン基板やガラス基板である。必要に応じて、支持基板205と発電素子102の間にはワックスや粘着シートが挟まれ得る。図2fに示されるように、GaAs基板201および犠性層202をエッチングにより除去する。発電層102上にグリッド電極110用のパターンを形成されたマスクを積層する。Zn層111、多孔質金属層108、ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109を順次形成する。グリッド電極110用のマスクを除去し、グリッド電極110を作製する。GaAs基板201および犠性層202の除去方法の例は、ドライエッチングやウェットエッチングである。このとき、GaAs基板201を犠性層202との選択比の高いエッチング方法で、かつ犠性層202を発電素子102との選択性が高いエッチング方法で順次除去することにより、発電素子102にダメージを与えることなく、GaAs基板201と犠性層202を除去できる。エッチング方法の例は、GaAs基板201はクエン酸と過酸化水素水の混合溶液であり、AlAsからなる犠性層202はフッ化水素酸である。グリッド電極110は、Zn層111、多孔質金属層108、ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109の順で作製する。Zn層111は、発電層112上にパターン形成されたマスクを形成後、Zn金属をスパッタ法やパルスレーザ堆積法以下、PLDで積層成膜する。次に、多孔質金属層108は、カップリング剤を用いてZn層111表面に下地処理を行い、金属ナノ粒子コロイド溶液をスピンコート法にて塗布する。乾燥後、所定温度および所定時間に調整した電気炉にて焼結させて作製する。カップリング剤はZnO透明導電層含有の多孔質金属層109とZn層111の密着性を向上させる。カップリング剤の材料は、3-メルカプトプロピルトリエトキシシランが好ましい。金属ナノ粒子コロイド溶液は、溶媒と分散剤の混合溶液中に2~5nmの直径を有する金属ナノ粒子を分散させることで作製する。焼成温度は材料により適宜選択できるが、100~300°Cが好ましい。焼成時間は、材料により適宜選択できるが、1~3時間が好ましい。ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109は、CBDにより、前記多孔質電極層の空孔に、ZnO透明導電層を形成することで作製される。前記CBDは、60°C~90°Cの硝酸亜鉛とジメチルアミンボランDMABの混合水溶液中に多孔質金属層108を形成した素子を所定時間浸漬させることである。その結果、前記ZnO透明導電層は、ホウ素がドーピングされた酸化亜鉛粒子により形成される。グリッド電極110用のマスクの除去方法は、剥離液に一定時間含浸させる。次に、図2gに示されるように、支持基板205を除去する。このようにして、発電素子102が得られる。支持基板205の除去方法は、固定方法に応じた洗浄方法を適宜選択でき、除去方法の例は、ワックスを用いる場合はアセトンとイソプロピルアルコールによる洗浄である。次に、図2hに示すように、放熱板103上に絶縁層104を形成後、p側配線105用のマスクを形成する。絶縁層104は、絶縁層が平坦に形成できる方法であれば特に限定されず、形成方法の例はエポキシ樹脂を用いる場合は塗布法である。配線部106用のマスクは、フォトリソグラフィにより作製することができる。次に、p側配線105を形成後、p側配線105用のマスクを除去する。p側配線105は、金属層を平坦に形成できる方法を適宜選択でき、形成方法の例はスパッタ蒸着法と電子ビーム蒸着法である。配線線部のマスクの除去方法は、剥離液に一定時間含浸させる。次に、集光レンズ101上にn側配線107用のマスクを形成する。n側配線107用のマスクは、フォトリソグラフィにより作製することができる。次に、n側配線107を形成後、n側配線107用のマスクを除去する。n側配線107は、金属層を平坦に形成できる方法を適宜選択でき、形成方法の例はスパッタ蒸着法と電子ビーム蒸着法である。配線線部のマスクの除去方法は、剥離液に一定時間含浸させる。集光レンズ101と発電素子102の中心が一致するように発電素子102を配置する。発電素子102は、接着剤を用いて集光レンズ101の裏側の面上に固定しうる。必要であれば、グリッド電極110とn側配線107の間に導電性ペーストを挟み得る。次に、絶縁層105上にスペーサ106を配置し、発電素子102を備えた集光レンズ101と放熱板103を貼りあわせることにより、本実施の形態の太陽電池を実現することができる。必要であれば、銀ペーストあるいは半田は裏面電極113とp側配線105の間に挟まれ得る。スペーサ106は、集光レンズ101と放熱板103の間隔が一定にできる方法を適宜選択でき、形成方法の例はエポキシ樹脂を用いる場合は塗布することである。本実施の形態において、発電素子102とグリッド電極110との接触抵抗は、伝送線路モデルTransmissionLineModel;以下、TLMを用いて測定される。以下TLMによる界面抵抗の算出法について説明する。単位長さ当りの抵抗をR、電流がコンタクトに流れ込む時のコンダクタンスをGとし、TLMモデルにより任意の点での電圧、電流を求める。得られた値を元に式1を得る。式1RT=ρL/W2RCここで、RTは2つの電極間の抵抗、ρはシート抵抗、Lは電極間の距離、Wは電極幅、RCは接触抵抗を示す。式1により接触抵抗RCを算出する。具体的には、図3に示されるようにグリッド電極110表面に接触抵抗を測定するための電極301をもつ評価用素子以下、TLM素子というを形成する。電極301にプローブ針を当てて接触抵抗を測定する。実施例実施例では、図4に示されるTLM素子401を、以下に示される方法によって作製する。まず、n型GaAs116として、Teを1×1019cm3ドープしたGaAs基板2cm四方上に、厚みを1nmとしてZn層111をPLDにより積層した。次に、多孔質金属層108の作製方法を以下に示す。下地処理剤として3-メルカプトプロピルトリエトキシシランをZn層111上にスピンコート法により塗布した。さらに、溶媒としてテルピネオールと、分散剤として2質量のデカンチオールを含む混合溶液中に、直径2~4nmを有する金ナノ粒子を18質量分散させた金属ナノ粒子コロイド溶液を滴下する。金属ナノ粒子コロイド溶液を下地処理剤上にスピンコート法により塗布した。真空乾燥を1時間行い、200°Cで2時間電気炉中にて焼結を行い、厚さ500nmを有する多孔質金属層108を作製した。ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109は、70°Cの0.1MZnNO32と0.1MDMABの混合溶液に多孔質金属層108を形成した素子を1時間浸漬させることで作製した。電極301は、多孔質金属層108上にフォトレジストにより必要箇所にマスクを形成し、電子ビーム蒸着法を用いて、厚み50nmを有するチタン膜と厚み250nmを有する金膜を順次積層した後に、レジスト膜を剥離液を用いて除去することで作製した。上記により作製したTLM素子402の界面抵抗をTLM測定法により求めた。その結果、界面抵抗は、1.5×104Ωcm2であった。比較例図5に示されるように、ZnO透明導電層含有の多孔質金属層109を形成せずにTLM素子501を作製した以外は、実施例1と同様の実験を行った。TLM測定法により得られた界面抵抗は、4.2×103Ωcm2であった。"