"可変方向に磁化を有し得る自由層と、固定された方向に磁化を有する固定層と、前記自由層と固定層との間に形成されたトンネル絶縁膜と、を含み、前記固定層は強磁性体膜及び非晶質金属膜を含む、磁気トンネル接合素子。前記非晶質金属膜の結晶化温度は前記強磁性体膜より高い、請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記非晶質金属膜の結晶化温度は前記強磁性体膜及び前記トンネル絶縁膜より高い、請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記非晶質金属膜は磁性体である、請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記固定層は前記強磁性体膜の間に前記非晶質金属膜が形成されている積層構造である、請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。前記非晶質金属膜はFeZrを含む、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の磁気トンネル接合素子。前記磁気トンネル接合素子は前記固定層の下部に反強磁性体層をさらに含む、請求項1に記載の磁気トンネル接合素子。下部層と、前記下部層上に形成され、予め設定された非晶質又はナノクリスタル物質層と、前記非晶質又はナノクリスタル物質層上に形成された垂直磁気異方性物質層と、を含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子。前記非晶質物質及びナノクリスタル物質は前記垂直磁気異方性物質より結晶化温度が高い物質であることを特徴とする、請求項8に記載の磁気トンネル接合素子。前記非晶質物質は非晶質金属であることを特徴とする、請求項9に記載の磁気トンネル接合素子。前記非晶質金属はFeZrであることを特徴とする、請求項10に記載の磁気トンネル接合素子。前記FeZrの組成比は前記垂直異方性物質層での目的とする垂直異方性の大きさに従って予め設定されることを特徴とする、請求項11に記載の磁気トンネル接合素子。前記FeZr層の厚さは前記垂直異方性物質層での目的とする垂直異方性の大きさに従って予め設定されることを特徴とする、請求項11に記載の磁気トンネル接合素子。前記FeZr層の厚さは0.6nmから2.0nmであることを特徴とする、請求項13に記載の磁気トンネル接合素子。前記垂直磁気異方性物質はCoFeBであることを特徴とする、請求項8に記載の磁気トンネル接合素子。前記CoFeB層の厚さは0.7nmから1.6nmであることを特徴とする、請求項15に記載の磁気トンネル接合素子。前記下部層は垂直磁気異方性物質層であることを特徴とする、請求項11に記載の磁気トンネル接合素子。前記下部層は反強磁性物質層を含むことを特徴とする、請求項11に記載の磁気トンネル接合素子。本発明は前述したような問題点を解決するために熱処理工程の時に、発生し得るトンネル絶縁膜の不均一性を改善して磁気トンネル接合素子の特性を改善することを目的とする。また、本発明は構造が単純であり、結晶の大きさや構造に拘らなく、磁気的結合が可能でありながらも厚さが薄いバッファ層bufferlayerを有する磁気素子を提供することを目的とする。前述したような目的を達成するために、本発明の1実施形態による磁気トンネル接合素子は、可変方向に磁化を有し得る自由層、固定された方向に磁化を有する固定層、及び前記自由層と固定層との間に形成されたトンネル絶縁膜と、を含み、固定層は強磁性体膜及び非晶質金属膜を含む。また、本発明の第2実施形態による磁気トンネル接合素子は非晶質又はナノクリスタル物質層、及び非晶質又はナノクリスタル物質層上に形成された垂直磁気異方性物質層を含む。非晶質又はナノクリスタル物質層は予め設定された非晶質物質又はナノクリスタル物質層として下部層の上に形成され、垂直磁気異方性物質層は非晶質又はクリスタル物質層上に形成される。このように、基板又は基板上に形成された様々な層の構造を有する下部層の上に垂直磁気異方性物質を形成するためのバッファとして、非晶質物質又はナノクリスタル物質を採用することによって、構造が単純でありながらも結晶の大きさや構造に拘らないバッファを具現することができる。ここで、バッファは垂直異方性物質の直ちに下部に置かれる層反対に積む場合には上部層を意味する。この時、非晶質バッファ物質は垂直磁気異方性物質より結晶化温度が高いことが望ましい。このように、非晶質バッファ物質の結晶化温度が垂直磁気異方性物質の結晶化温度より高い場合、垂直磁気異方性物質は結晶化され、垂直異方性を現しても隣接するバッファ層は結晶化が進行されなかったまま、非晶質状態を維持して非晶質バッファ役割を遂行する。また、非晶質物質は非晶質金属であり、特にFeZrであり得る。このように非晶質物質を非晶質金属として採用する場合、バッファを通じて垂直磁気異方性物質層に電気伝導が容易になる。下部層は垂直磁気異方性物質層であり得る。このような構成によって、非晶質金属層下部及び上部垂直磁気異方性物質層の間のテクスチャーtexture伝達は遮断しながらも磁気的には結合が可能になる。また、下部層は反強磁性物質層を包含することができる。このような構成によって、上層の垂直磁気異方性物質層を固定層として使用するスピンバルブ構造が可能になる。本発明の第1実施形態に従って磁気トンネル接合素子を製造する場合、熱処理工程の時、発生し得るトンネル絶縁膜の不均一性を改善することができ、固定層の下部に形成され得る反強磁性体粒子の拡散を防ぐので、磁気抵抗の均一性を改善することができる。これによって、磁気トンネル接合素子の特性を大きく改善することができる。また、本発明の第2実施形態によれば、薄い非晶質バッファ層amorphousbufferlayerにFeZr単層を挿入した結果、熱処理の以後にMgO層に隣接するCoFeB層で垂直磁気異方性が現れることを確認することができる。また、バッファ層Bufferlayerの厚さが薄いので、積層の後の蝕刻工程で厚いバッファ層bufferlayerの使用による長い蝕刻工程で発生し得る試料の損傷damageを防止することができる。また、結晶化温度が高い単層物質をバッファ層morphologybufferlayerとして使う場合、一般的に垂直磁気異方性にために高温熱処理過程でバッファ層bufferlayerの結晶化による熱処理温度の制限を克服できる。また、バッファ層bufferlayerが非晶質状態であるので、格子常数が異なる垂直磁気異方性物質であっても結晶の大きさに関係なく、バッファ層bufferlayerとして使用することができる。従って、下部電極のテクスチャーtextureに関係なく、望む垂直磁気異方性を具現することができる。また、強い垂直磁気異方性を有する固定層Pinnedlayerの上に垂直磁気異方性を有するCoFeB層layerの具現が可能である。また、本発明の構造は多層薄膜を形成する順序が反対である場合にも同様に適用される。以下では、本発明の最も望ましい実施形態が説明される。図面において、厚さと間隔は説明を簡単にするために表現され、実際の物理的な厚さに比べて誇張されて図示され得る。本発明を説明することにおいて、本発明の要旨と関係ない公知の構成は省略され得る。各図面の構成要素に参照番号を付加することにおいて、同一の構成要素に限ってはたとえ他の図面の上に表示されてもできるだけ同一の番号を有するようにしていることに留意しなければならない。図1は一般的な磁気トンネル接合素子の構造に対する概略図である。一般的に、2つの強磁性層の中で一層は磁化方向が固定される。これを固定層pinnedlayer:PLと称し、残る1つは外部磁場或いは貫通する電流によって磁化方向が変わる自由層freelayer:FLと称する。ここで、矢印は磁化方向を示す。示したように、固定層PLは磁化方向が固定されているが、自由層FLは可変方向に磁化が可能である。一般的に、固定層PLはPtMn、IrMn等のような反強磁性層antiferromagneticlayer:AFM等と共に使用されて自由層FLに比べて磁化方向が変わることが難くなる。反強磁性層AFMは固定層PLの磁化反転に必要である磁場の領域を自由層FLと完全に分離することによって、実際使用範囲に該当される外部磁場領域では固定層PLの磁化反転が生じなく、自由層FLのみが磁化反転できるようになる。結局、2つの強磁性層は相対的に平行な磁化方向又は反平行な磁化方向の2つの状態のみが可能であるように磁気トンネル接合素子の層間構造を設計する。結果的に最適のTMR値を得ることができるのみならず、信号の安定性を高くすることができるようになる。図2は本発明の第1実施形態によって提案された磁気トンネル接合素子の構造を説明するための図面である。説明を簡単にするために、強磁性体層及び反磁性層を中心に図示した。先に説明したように、磁気トンネル接合素子は基本的に強磁性体-絶縁膜-強磁性体の構造を有し、動作の説明を簡易にするために2つの強磁性体の中で1つは磁化を固定させ、その他の1つは磁化が可変可能するように形成する。便宜上、前者を固定層とし、後者を自由層とし、2つの強磁性体の磁化方向が平行であるか、或いは反平行であるかに従って、トンネルリング電流が異なるので、これをセンシングして記憶素子としての役割を果たすようになる。ここで、強磁性体を構成する材料としては高いMR比を確保できる物質が望ましく、CoFe又はCoFeBを包含することができる。本発明の磁気トンネル接合素子は基板図示せずの上に可変方向に磁化を有し得る自由層FL、固定された方向に磁化を有する固定層PL、及び前記自由層FLと固定層PLとの間に形成されたトンネル絶縁膜を含み、前記固定層PLは磁性体膜PL_1、PL_2及び非晶質金属膜21を含む。ここで、前記非晶質金属膜21の結晶化温度は前記強磁性体膜PL_1、PL_2及びトンネル絶縁膜より高いことが望ましい。また、前記固定層PLの強磁性体膜PL_1、非晶質金属膜21、及び強磁性体膜PL_2は積層構造を包含することができる。本発明は従来のように複合反強磁性構造を有することではなく、固定層PLが強磁性体PL_1-高い結晶化温度を有する非晶質金属膜21-強磁性体PL_2を含む点で従来の技術と区別される。本発明のようにトンネル絶縁膜の下部に形成される固定層PLに非晶質金属膜21をさらに包含することによって、強磁性体PL_1と強磁性体PL_2とが熱処理工程を通じて結晶化されても、含まれた非晶質金属膜21によって一定な厚さに成長させることができる。即ち、トンネル絶縁膜下部構造物の粗さroughnessを大きく減少させることができ、これによって、トンネル絶縁膜を平坦に形成することができるので、磁気抵抗の均一性を大きく向上させることができる。一方、固定層PLの下部には固定層PLの磁化を固定するために反強磁性層AFMが形成されることは先に説明されたことと同様である。この場合、熱処理工程の中で反強磁性層AFMの物質が固定層PLへ拡散してトンネル絶縁膜を汚染し得る。前記トンネル絶縁膜が汚染される場合、磁気トンネル接合のトンネルリング電流が汚染の程度に従って異なるので、磁気抵抗の均一性uniformityが悪くなる。しかし、本発明のように固定層PLに高い結晶化温度を有する非晶質金属膜21を包含する場合には前述したような現象を防止することができる。即ち、熱処理工程が進行されても、非晶質金属膜21の結晶化温度が高いので、非晶質状態を維持し、固定層PLの間に非晶質金属膜21があるので、反強磁性層AFMの物質は非晶質金属膜21を通過することが難くなる。また、本発明のような非晶質金属膜は磁性体を包含することができる。従って、この場合には微細厚さを調節する必要がない。従来には磁性体の漂遊磁界strayfieldを遮断するために強磁性体-Ru-強磁性体の複合反強磁性構造Syntheticanti-ferromagneticstructureが使用されたことがある。この場合には挿入層であるRuの厚さを非常に微細に調節しなければならない。即ち、Ruの厚さによって、磁気結合magneticcouplingの特性が変化しながら、全体の素子の特性が変化する短所があった。従って、熱処理過程でRuの拡散によるRuの厚さ変化は素子のスイッチング特性の変化をもたらすことがあり得る。しかし、本発明は磁性体の漂遊磁界strayfield遮断が主な目的ではなく、先に説明したようにトンネル絶縁膜を平坦に形成することを目的としている。従って、本発明の固定層は強磁性体膜及び非晶質金属膜を含む。望ましくは強磁性体膜の間に非晶質金属膜が形成されている積層構造を包含することができることは先に説明されたことと同様である。従って、本発明は上述したように微細厚さを調節する必要がない。但し、必要によって非晶質金属膜の厚さを強磁性体膜PL_1、PL_2の厚さぐらい或いはそれ以上まで厚く形成が可能である。この場合、トンネル絶縁膜の平坦度が改善されると共に下部に形成された反強磁性層AFM物質の拡散を遮断させることができる効果がある。例として説明すれば、次の通りである。先に説明したように磁気トンネル接合素子の強磁性層材料にCoFe又はCoFeBが使用され得る。そして、固定層PLの磁化を固定する反強磁性層AFMの材料としてはPtMn又はIrMnが使用され得る。説明を簡単にするために、強磁性層としてCoFeBを、反強磁性層の材料としてIrMnを使う例を説明する。そして、トンネル絶縁膜はMgOが望ましいが、前述したような材料は関連技術の発展に従って、他の物質が使用されることもあり得ることに注意しなければならない。この場合、熱処理工程を通じて各々の材料は段々結晶化される。本発明のように、磁気トンネル接合素子をCoFeB-MgO-CoFeB-結晶化温度が高い非晶質金属膜21-CoFeBに形成した場合にはCoFeBが結晶化される時まで、含まれた非晶質金属膜21は結晶化されないので、Mn粒子の拡散を防ぐことができる。そうすると、前述したように結晶化温度が高い非晶質金属膜21の材料が問題になることができる。ここで、非晶質金属膜21は結晶化温度が高くしなければならなく、固定層PLに含まれる材料であるので、磁性体の性質を包含することができる。この場合、非晶質金属膜21はFeZrを包含することができる。しかし、本明細書でFeZrを提示したが、このような材料は関連技術の発展に従って、他の適合な物質も使用されることあり得ることに注意しなければならない。FeZrは即ち、CoFeBがbcc構造又はfcc構造に結晶化されても、結晶化温度が高いので、結晶化されなく、非晶質状態に存在する。また、FeZrはFeとZrの比率に従って、強磁性、常磁性、弱い強磁性の3つの磁性特徴を有することができるので、磁気トンネル接合素子の製造において、活用の幅が大きい。また、FeZrは微細厚さを調節する必要がないので、工程において、非常に有利である。図3は固定層PLにFeZrを包含した場合、効果を説明するための実験データである。実験は12.5mm×12.5mmSiOxウエハーに7つの磁気トンネル接合素子を形成した。そして、トンネル絶縁膜MgOを成長させるために外部磁場4kOeを掛け、270°Cで10分間に熱処理工程を遂行した。磁気トンネル接合素子は直流電流源を使用して4端子測定法で常温で各々のTMRを測定した。示したように、固定層PLにFeZrを包含しない場合41には7つの磁気トンネル接合素子のTMR分布が非常に広いD1。しかし、FeZrを5Å包含する場合42、FeZrを10Å包含する場合43にはTMR分布は非常に狭くなるD2。このように、FeZrを固定層PLに包含することによって、磁気抵抗の均一性は非常に向上され、これによって磁気トンネル接合素子の製造及び動作において、信頼性を確保することができる。図4は本発明の第2実施形態による磁気素子の一実施形態の概略的な断面図である。図4では、一般的に水平磁気異方性を有するCoFeB磁性体を垂直磁気異方性を有するようにするためにFeZr非晶質モルフォロージーバッファ層amorphousmorphologybufferlayerを使用して垂直磁気異方性を有することにした試料の積層構造が図示されている。ここで、モルフォロージーバッファ層というのは、上と下に隣接する薄膜層にテクスチャーtextureが波及されてテクスチャーの衝突が生じることを防止するか、或いは望まないテクスチャーの波及を遮断する層を意味する。図4で、磁気素子は非晶質物質層110、及び非晶質物質層110上に形成された垂直磁気異方性物質層120を含む。非晶質物質層110は予め設定された非晶質物質の層として下部層130上に形成され、垂直磁気異方性物質層120は非晶質物質層110上に形成される。図4でモルフォロージーバッファ層110として非晶質物質が使用されたが、非晶質物質の代わりに予め設定されたナノクリスタル物質がモルフォロージーバッファ層として使用されることもあり得、この時、ナノクリスタル物質は全体的に非晶質であるが、部分的に結晶を有する物質を意味する。この時、垂直異方性物質層120は層の形成の時に既に垂直異方性を有することもあり得るが、層の形成の以後に熱処理等の技法を通じて垂直異方性を有することが一般的である。また、垂直磁気異方性物質層120が垂直磁気異方性を有するように上部にMgO層140又はこれと類似な結晶構造層が必要である。また、図4で下部層130はシリコン基板で具現されているが、下部層130は以外にも多様な物質の基板は勿論、電極として具現され得る。このように、下部層130上に垂直磁気異方性物質を形成するためのバッファとして、非晶質物質又はナノクリスタル物質を採用することによって、構造が単純でありながらも下部層130の結晶の大きさや構造に拘らないバッファを具現することができるようになる。この時、非晶質物質及びナノクリスタル物質は垂直磁気異方性物質より結晶化温度が高いことが望ましい。このように、非晶質物質の結晶化温度が垂直磁気異方性物質の温度が高い場合、垂直磁気異方性のための高温熱処理過程でバッファ層の結晶化による熱処理温度の制限を克服することができるようになる。また、非晶質物質は非晶質金属であり得、特にFeZrであり得る。このように非晶質物質を非晶質金属に採用する場合、バッファを通じる垂直磁気異方性物質層への電気伝導が容易になる。図5は図4の構造を有する試料で400°C熱処理の後のVSMデータを示した図面である。図5で、面外のOutofplane方向で磁化反転が生じることから、垂直磁気異方性が生成されていることを確認することができる。さらにバッファ層bufferlayerとCoFeB層layerとの厚さを調節することによって、多様な垂直磁気異方性を確認することができる。また、FeZr非晶質モルフォロージーバッファ層amorphousmorphologybufferlayerを利用して垂直磁気異方性が良く形成されたことを確認することができる。図6は本発明による磁気素子の他の実施形態の概略的な断面図である。図6で確認することができるように、非晶質金属層110と基板130との間に垂直磁気異方性物質層140をさらに包含することができる。このような構成によって、非晶質金属層110、下部磁気異方性物質層140、及び上部垂直磁気異方性物質層120の間のテクスチャーtexture伝達は遮断しながらも磁気的には結合が可能になる。言い換えれば、結晶化された下部電極に関係なく上部に垂直磁気異方性を具現することができるようになる。下部及び上部電極のテクスチャーtextureの伝達は遮断しながらも磁気的には結合が可能になって垂直異方性ハード固定層hardpinninglayerの上に垂直磁気CoFeB/MgOの構造が具現することができるようになる。図7はスピンバルブ構造を含む本発明による磁気素子の一例の概略的な断面図である。図7には本発明で提示されたFeZrを使用して垂直磁気異方性を有するMgOMTJの垂直-垂直スピンバルブspinvalve構造を図示している。図7の左側図面の場合、下部層に反強磁性antiferromagnet物質160を使用し、組成に従う強磁性又は常磁性FeZr物質を使用して上部のCoFeB物質を固定層Pinnedlayerとして作動するようにし、図7の右側図面の場合、反強磁性antiferromagnet物質の代わりにL10オーダリングorderedされたハード固定層Hardpinnedlayerを使用して強磁性層Pinnedlayerとして作動するようにした。固定層pinnedlayer上部にやはり垂直磁気異方性を有するCoFeB物質を自由層freelayerとして作動するようにし、垂直pinned-垂直freelayerを形成し、垂直磁気異方性を有するスピンバルブspinvalve構造を具現することできるようにし、この構造を利用して磁気格納メモリとして駆動が可能になることができる。図8は本発明の図4の磁気素子を製造する方法を遂行するための概略的なフローチャートである。図8で、基板上に非晶質物質層を形成しS110、形成された非晶質モルフォロージーバッファ層上に垂直磁気異方性に変化される物質層を形成するS120。詳細に説明すれば、多様な物質の組合や積層構造ではない単純なバッファ層bufferlayerでありながら、薄い厚さであっても上に成長された物質が垂直異方性を有するようにし、結晶の大きさが異なってもバッファ層bufferlayerで使用可能であり、後工程過程で問題が発生しないバッファ層bufferlayerを挿入する。これに対しては、非晶質バッファ層amorphousmorphologybufferlayerとして薄いFeZr層layerを使用して熱処理工程の後、上に成長したCoFeB強磁性体ferromagnetic物質が垂直異方性を有することを確認することができる。このバッファ層は熱処理に従って非晶質磁性体CoFeBにおいて、MgOから伝播されて来る体心立方bcc構造と下から作用するテクスチャーtexture;fcc、fct、hcp等の相異構造から伝播される異なる相を遮断する。従って、その間にL10のようなテクスチャーtextureを有する物質の上で成膜が不可能であった問題点を解決することができる。さらにモルフォロージーバッファmorphologybufferの役割を果たしながらも、磁気結合が可能であるので、垂直異方性固定層Pinnedlayer/垂直異方性自由層freelayerの構造が具現することができる。また、挿入層Insertinglayerとして使用されるFeZr物質はFeとZrの造成比を調節して常磁性及び強磁性体に相変化が可能であるので、望む相を探して使用することができる。本発明の第2実施形態は次のような場合に有用に活用され得る。-多層膜で結晶化過程を通じるか、或いはナノ結晶化過程及び類似熱処理過程を通じて相を伝播しようとする場合において、1つの上の伝播を遮断するか、或いは2つ以上の相が衝突することを遮断するために単層の非晶質物質又はこれと結合した多層膜を活用する場合、-結晶化過程を利用して相の伝達をもたらし、これを通じて垂直磁気異方性を発現しようとする時、この垂直異方性が受ける歪みstrainを解消する目的として垂直磁気を具現しようとする磁性層にその層の結晶化温度より結晶化温度が高い非晶質金属層又はこれと結合した多層膜を隣接するようにしてモルフォロージーバッファ層morphologybufferlayerとして使用する場合、-結晶化された下部電極に関係なく、上部に垂直磁気異方性を具現する場合、-上部及び下部に構成された電極の結晶形の影響は遮断しながら、磁気的に結合可能にして垂直磁気異方性として適用する場合。整理すれば、一般的に既存の垂直磁気異方性のためのバッファ層bufferlayerの場合、垂直磁気異方性のために格子定数が類似であるか,或いは様々な物質を積層構造として使用して垂直磁気異方性を有し得る特別な条件を満足させなければならない。しかし、このような場合、バッファ層bufferlayerの厚さが厚くなり得、様々な物質の積層構造でなされるか、或いは結晶の大きさ等が特別な条件を満足する場合のみに垂直磁気異方性を有することができる。しかし、本発明によると、非晶質モルフォロージーバッファ層amorphousmorphologybufferlayerを使用して厚さが薄い単層のバッファ層bufferlayerで垂直磁気異方性を確認することができる。言い換えれば、非晶質amorphous物質であるので、結晶の大きさに関係なく、バッファ層bufferlayerとして使用が可能であり、結晶化温度が高いので、高温でもバッファ層bufferlayerの役割を果たすことができる非晶質バッファ層amorphousmorphologybufferlayerを使用することによって、垂直磁気異方性を具現する。さらに、本発明によると、下部及び上部電極のテクスチャーtextureの伝達は遮断しながらも磁気的には結合が可能にして垂直異方性ハード固定層hardpinninglayerの上に垂直磁気CoFeB/MgOの構造の具現が可能になる。図9は図4の構造でCoFeBの厚さにしたがう垂直磁気異方性の大きさを測定したデータを示した図面である。CoFeBの厚さを0.5nmで1.6nmまで変化させながら、測定した結果、CoFeBの厚さが0.7nmで1.6nm区間で目的とする垂直磁気異方性を確認することができた。特に、1.1nmで最も大きい垂直異方性を有することを確認することができる。図10は図4の構造でFeZrの厚さにしたがう垂直磁気異方性の大きさを測定したデータを示した図面である。図10でFeZrの厚さが0.4nmで2.0nmまで変化させながら、測定した結果、FeZrの厚さが0.6nmで2.0nm区間で目的とする垂直磁気異方性を有することを確認することができる。また、FeZrの厚さを調節することによって、CoFeBの保磁力値を変化させることができるのに、このような事実は保磁力を調節して望む範囲で使用できることを意味する。FeZr合金はFeZrの組成に従って、常磁性、強磁性のような多様な磁性特性を現す。従って、FeとZrの組成を調節することによって、垂直磁気異方性を望む大きさに調節が可能であり、磁性特性が変わっても非晶質の性質を有するので、垂直磁気異方性を有する物質として多様な活用が可能である。本発明は、一部の望ましい実施形態によって説明されたが、本発明の範囲はこれによって制限されなく、特許請求の範囲によって裏付けられる実施形態の変形や改良にも及ぼすものである。"