"厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在する枠状のフレーム部と、フレーム部の内側に配置された可動ブロックとを備え、前記可動ブロックは、前記カバー基板に接合されたアンカー部に第1ばね部を介して揺動自在に支持された可動部と、前記可動部の厚み方向の一面側に接合され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成するアーマチュアと、前記可動部に第2ばね部を介して支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを備えたMEMSリレーの製造方法であって、前記フレーム部、前記アーマチュアおよび前記フレーム部と前記アーマチュアとを連結した連結部を具備する磁性体ユニットを複数備えた第1ウェハと、複数の前記可動ブロックの元となる1枚の第2ウェハおよび複数の前記カバー基板の元となる1枚の第3ウェハとを前記アーマチュアの溶解温度よりも低い接合温度においてウェハレベルで接合した後、前記連結部を除去することで前記フレーム部と前記アーマチュアとを分離するようにすることを特徴とするMEMSリレーの製造方法。前記第1ウェハと前記第2ウェハおよび前記第3ウェハとの接合にあたっては、互いの対向面に形成された金属層同士を接合することを特徴とする請求項1記載のMEMSリレーの製造方法。前記第1ウェハと前記第2ウェハおよび前記第3ウェハとの接合にあたっては、低融点ガラスにより接合することを特徴とする請求項1記載のMEMSリレーの製造方法。前記第1ウェハと前記第2ウェハおよび前記第3ウェハとの接合にあたっては、樹脂により接合することを特徴とする請求項1記載のMEMSリレーの製造方法。上述のマイクロリレーでは、接合補助部材225と磁性体224との溶着に伴う残留応力に起因して磁性体保持部223aに反りが生じることがある。このため、上述のマイクロリレーでは、可動接点227がボディに設けられている固定接点から離れているときの可動接点227と固定接点との距離や、可動接点227が固定接点に接触しているときの接触圧などが、ばらついて、動作特性や寿命がばらついてしまう懸念がある。また、上述のマイクロリレーの製造にあたっては、アーマチュアブロック202の個片に対して接合補助部材225と磁性体224とを磁性体保持部223aの厚み方向の両側から配置して、その後で接合補助部材225の一部を熱によって溶融させる必要がある。このため、上述のマイクロリレーの製造方法では、量産性が低く、そのうえ、アーマチュアブロック202の個片ごとに磁性体224の位置がばらついて可動部の反りがばらついてしまう懸念がある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、アーマチュアが重ねて配置される可動部の反りを抑制することが可能で、且つ、量産性の向上を図ることが可能なMEMSリレーの製造方法を提供することにある。本発明のMEMSリレーの製造方法は、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在する枠状のフレーム部と、フレーム部の内側に配置された可動ブロックとを備え、前記可動ブロックは、前記カバー基板に接合されたアンカー部に第1ばね部を介して揺動自在に支持された可動部と、前記可動部の厚み方向の一面側に接合され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成するアーマチュアと、前記可動部に第2ばね部を介して支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを備えたMEMSリレーの製造方法であって、前記フレーム部、前記アーマチュアおよび前記フレーム部と前記アーマチュアとを連結した連結部を具備する磁性体ユニットを複数備えた第1ウェハと、複数の前記可動ブロックの元となる1枚の第2ウェハおよび複数の前記カバー基板の元となる1枚の第3ウェハとを前記アーマチュアの溶解温度よりも低い接合温度においてウェハレベルで接合した後、前記連結部を除去することで前記フレーム部と前記アーマチュアとを分離するようにすることを特徴とする。このMEMSリレーの製造方法において、前記第1ウェハと前記第2ウェハおよび前記第3ウェハとの接合にあたっては、互いの対向面に形成された金属層同士を接合することが好ましい。このMEMSリレーの製造方法において、前記第1ウェハと前記第2ウェハおよび前記第3ウェハとの接合にあたっては、低融点ガラスにより接合することが好ましい。このMEMSリレーの製造方法において、前記第1ウェハと前記第2ウェハおよび前記第3ウェハとの接合にあたっては、前記第1ウェハと前記第2ウェハおよび前記第3ウェハとを樹脂により接合することが好ましい。本発明のMEMSリレーの製造方法においては、アーマチュアが重ねて配置される可動部の反りを抑制することが可能となり、且つ、量産性の向上を図ることが可能となる。以下、図1~図5に基づいて本実施形態におけるMEMSリレーについて説明してから、その製造方法について説明する。MEMSリレーは、ベース基板1と、ベース基板1の一表面側に対向配置されたカバー基板3と、カバー基板3に収納された電磁石装置4と、ベース基板1とカバー基板3との間に介在する枠状のフレーム部5と、フレーム部5の内側に配置された可動ブロック2とを備えている。このMEMSリレーは、可動ブロック2に設けられた磁性体板からなるアーマチュア6を電磁石装置4によって動かすことにより、ベース基板1の上記一表面側に設けられた固定接点14と可動ブロック2に設けられた可動接点27とが接離する電磁駆動式のリレーである。なお、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1およびカバー基板3の外形サイズを、フレーム部5の外形サイズと同じ外形サイズに設定してある。以下、MEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる第1の基板10を用いて形成されている。第1の基板10は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板を用いてもよい。第1の基板10として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。上述のベース基板1は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において第1の基板10の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線13,13が形成されている。ここで、各一対の信号線13,13は、ベース基板1の上記一表面側において第1の基板10の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板1は、各信号線13それぞれの一端部に、上述の固定接点14が設けられ、各信号線13それぞれの他端部が、第1の基板10の厚み方向に貫設された貫通孔配線図示せずと電気的に接続されている。また、信号線13は、金属層例えば、Au層により構成されている。信号線13の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用してもよい。固定接点14の材料としては、例えば、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点14は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点14は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点14の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用してもよい。また、ベース基板1は、上記一表面側において第1の基板10の周部の全周に亘って金属層19が形成されている。ここで、ベース基板1は、上記一表面側において第1の基板10の長手方向の両端部で、信号線13を囲み且つ信号線と離間するように形成されている。カバー基板3は、図6aに示すように第1シリコン層30aと第2シリコン層シリコン基板30bとの間に絶縁層SiO2層30cが介在したSOISiliconOnInsulator基板からなる第2の基板30を用いて形成されている。各シリコン層は高抵抗率のシリコン層であることが好ましい。例えば、MEMSリレーの伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、各シリコン層は、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。なお、第2の基板30は、SOI基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板を用いてもよい。上述のカバー基板3は、可動ブロック2側の一表面の中央部に、可動ブロック2の揺動範囲を確保するための第1凹所35が形成され、他表面の中央部に、上述の電磁石装置4を収納するための第2凹所36が形成されている。ここで、カバー基板3は、上述のSOI基板からなる第2の基板30における第1シリコン層30a側に第1シリコン層30aの厚さ寸法よりも深さ寸法が小さな第1凹所35を形成し、第2シリコン層30b側に第2シリコン層30bの厚さ寸法と絶縁層30cの厚さ寸法とを合わせ寸法と略同じ深さ寸法の第2凹所36を形成してある。要するに、カバー基板3は、第2凹所36が、電磁石装置4を収納する収納部37となり、第1凹所35の内底面と第2凹所36の内底面との間の部位が、カバー基板3の上記一表面側と上記他表面側とを仕切る平板状の壁部38となる。したがって、本実施形態におけるMEMSリレーは、ベース基板1とカバー基板3とフレーム部5とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となる。なお、壁部38の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。カバー基板3の第1凹所35、第2凹所36は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成すればよい。電磁石装置4は、U字状のヨーク40と、ヨーク40に巻回された2つのコイル42,42とを備えている。ヨーク40は、両コイル42,42が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部40aと、コイル巻回部40aの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部40aの厚み方向に延設された側片40b,40bとを有している。そして、ヨーク40は、コイル42,42への励磁電流に応じて一対の側片40b,40bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク40は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片40b,40bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの間でコイル巻回部40aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石41を備えている。しかして、電磁石装置4は、永久磁石41とヨーク40の側片40b,40bとによって、コイル巻回部40aの長手方向への各コイル42,42の移動が規制される。上述の電磁石装置4は、2つのコイル42,42に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、当該電磁力によって、矩形板状のアーマチュア6の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。永久磁石41は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク40のコイル巻回部40aに当接し、他方の磁極面がヨーク40の両側片40b,40bの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が壁部38に当接する形で収納部37に収納されている。しかして、MEMSリレーは、電磁石装置4における永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40bの各先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置4とアーマチュア6との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置4は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板図示せずを備えている。このプリント基板は、絶縁性基材の一表面における長手方向の両端部の各々に導体パターンが形成されており、各導体パターンの各々に外部接続用電極部とコイル接続部とが形成されている。ここにおいて、コイル接続部には、2つのコイル42,42の直列回路あるいは並列回路の端末が接続される。コイル42,42は、外部接続用電極部間に電源を接続してコイル42,42へ励磁電流を流したときにヨーク40の両側片40b,40bの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されていればよい。可動ブロック2は、高抵抗率のシリコン基板からなる第3の基板20を用いて形成されている。MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。上述の可動ブロック2は、カバー基板3に接合されたアンカー部21に第1ばね部支持ばね部22を介して揺動自在に支持された可動部23と、可動部23の厚み方向の一面側に接合され電磁石装置4とともに磁気回路を構成するアーマチュア6と、可動部23に第2ばね部26を介して支持されアーマチュア6の揺動に伴って固定接点14に接離する可動接点27が設けられた接点保持部28とを備えている。可動ブロック2は、可動部23の厚みを、フレーム部5の厚みよりも薄く設定してある。MEMSリレーは、フレーム部5が、矩形枠状に形成され、可動部23が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア6は、可動部23よりもやや小さな矩形板状に形成されている。可動ブロック2は、マイクロマシニング技術を利用して形成してある。つまり、可動ブロック2は、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などのMEMS製造技術マイクロマシニング技術を利用して形成してある。ただし、アーマチュア6とフレーム部5とは、磁性体基板50を用いて形成されている。磁性体基板50の材料としては、鉄-コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、磁性体材料であればよく、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどを採用してもよい。第1ばね部22は、可動部23の短手方向の両側縁側の各々において可動部23の長手方向に離間した2箇所に形成されている。各第1ばね部22は、一端部が可動部23に連結され他端部がアンカー部21に連結されている。各第1ばね部22は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、可動ブロック2は、可動部23が揺動する際に各第1ばね部22の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第1ばね部22が破損するのを抑制することが可能となる。また、可動ブロック2は、可動部23の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。また、可動部23の同一の側縁側にある2つの第1ばね部22は、同一の側縁から延設されている第1突片23aの両側に位置している。可動ブロック2は、可動部23の各第1突片23aにおけるベース基板1との対向面に、支点突起23c図5b参照が突設されている。この支点突起23cは、可動部23が当該可動部23に一体化されているアーマチュア6とともに揺動回動する際の支点として機能する。要するに、可動ブロック2は、可動部23の短手方向において離間して配置された2つの支点突起23cがベース基板1の上記一表面に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。また、可動ブロック2は、可動部23の長手方向の両側に接点保持部28,28が配置されている。各接点保持部28は、一対の第2ばね部接圧ばね部26,26を介して可動部23に支持されている。各接点保持部28には、ベース基板1の厚み方向において対向する一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられている。可動接点27は、固定接点14と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、可動接点27は、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。可動接点27は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、Ti膜とAu膜との積層膜でもよい。また、可動接点27の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用してもよい。各接点保持部28の厚さ寸法は、フレーム部5の厚さ寸法よりも小さく且つ可動部23の厚さ寸法よりも大きな値に設定してある。また、接点保持部28の厚み方向において重なる接点保持部28と可動接点27とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部28は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部23の長手方向に一致するように配置されている。各第2ばね部26は、一端部が可動部23の長手方向に沿った側縁に連結され、他端部が接点保持部28の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一端部と上記他端部との間の中間部の一部を、可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各第2ばね部26の長さは、同じとしてある。しかして、MEMSリレーでは、各第2ばね部26の長さを適当な長さとして各第2ばね部26のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。可動ブロック2は、4つのアンカー部21が、カバー基板3と接合されている。そして、可動ブロック2は、各可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に対向し当該一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。ここで、説明を簡単にするために、図2において右側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、第1固定接点14a,14aに対応する可動接点27を第1可動接点27a、図2において左側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、第2固定接点14b,14bに対応する可動接点27を第2可動接点27bと称することもある。可動ブロック2は、アーマチュア6の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。ここで、MEMSリレーの動作について説明する。上述のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電が行われると、ヨーク40の磁化の向きに応じて、アーマチュア6の長手方向の一端部が、ヨーク40の一方の側片40bに吸引される。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア6の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア6の他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア6の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア6の上記一端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。また、上述のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア6の長手方向の上記他端部がヨーク40の他方の側片40bに吸引され、アーマチュア6の上記他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア6の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア6の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア6の上記他端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。なお、上述のMEMSリレーは、アーマチュア6を動かす電磁石装置4として、永久磁石41を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレーを構成している。ただし、MEMSリレーは、電磁石装置4として永久磁石41を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。次に、本実施形態のMEMSリレーの製造方法について図6および図7に基づいて説明する。本実施形態のMEMSリレーの製造にあたっては、複数のカバー基板3の基礎となるSOIウェハ300図6a参照を用意する。なお、SOIウェハ300は、上述のSOI基板からなる第2の基板30を所定サイズのウェハにしたものであり、第2の基板30と大きさが異なるだけで、第2の基板30と同じ積層構造を有している。すなわち、SOIウェハ300は、第1シリコン層30aと第2シリコン層シリコン基板30bとの間に絶縁層埋込酸化膜30cが介在している。上述のSOIウェハ300を用意した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して、SOIウェハ300の一表面側に第1凹所35を形成する第1凹所形成工程を行うことによって、図6bに示す構造を得る。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して、SOIウェハ300の上記他表面側に第2凹所36を形成する第2凹所形成工程を行うことによって、図6cに示す構造を得る。その後、例えば蒸着法などにより、SOIウェハ300の上記一表面側に後述の磁性体ウェハ500図8a参照との接合用の金属層以下、第1の金属層ともいう39を形成する金属層形成工程以下、第1の金属層形成工程ともいうを行うことによって、図6dに示す構造を得る。この金属層形成工程を行うことによって、SOIウェハ300に複数のカバー基板3が形成される。なお、金属層39の材料としては、例えば、Au、Al、Cuなどを採用すればよい。また、上述のSOIウェハ300の用意とは別に、複数の可動ブロック2の元となるシリコンウェハ200図7a参照を用意する。なお、シリコンウェハ200は、上述のシリコン基板からなる第3の基板20を所定サイズのウェハにしたものであり、第3の基板20と大きさが異なるだけである。上述のシリコンウェハ200を用意した後、シリコンウェハ200の一表面側に磁性体ウェハ500図8a参照との接合用の金属層以下、第2の金属層ともいう25a,25bを形成する金属層形成工程以下、第2の金属層形成工程ともいうを行うことによって、図7bに示す構造を得る。なお、第2の金属層25a,25bは、例えば蒸着法などにより形成すればよい。また、第2の金属層25a,25bの材料としては、例えば、Au、Al、Cuなどを採用すればよい。第2の金属層形成工程では、第2の金属層25aを、シリコンウェハ200において磁性体ウェハ500のアーマチュア6を重ねる領域に形成し、且つ、第2の金属層25bを、シリコンウェハ200において磁性体ウェハ500のフレーム部5を重ねる領域に形成する。第2の金属層形成工程の後、図8bに示すようにフレーム部5、アーマチュア6およびフレーム部5とアーマチュア6とを連結した連結部7を具備する磁性体ユニットを複数備えた磁性体ウェハ500と、1枚のシリコンウェハ200とをウェハレベルで接合する第1の接合工程を行うことによって、図7cに示す構造を得る。第1の接合工程では、接合温度を、磁性体ウェハ500の溶解温度よりも低い温度に設定する。第1の接合工程よりも前に、磁性体ウェハ500には、第2の金属層25a,25bの各々に対応する領域に接合用の金属層以下、第3の金属層ともいうを形成する第3の金属層形成工程を行うことが好ましい。なお、磁性体ウェハ500は、上述の磁性体基板50を所定サイズのウェハにしたものであり、磁性体基板50と大きさが異なるだけである。また、本実施形態では、磁性体ウェハ500が、第1ウェハを構成し、シリコンウェハ200が、第2ウェハを構成している。第1の接合工程の後、磁性体ウェハ500のシリコンウェハ200側とは反対側の表面に金属層以下、第4の金属層ともいう55a,55bを形成する金属層形成工程以下、第4の金属層形成工程ともいうを行うことによって、図7dに示す構造を得る。なお、第4の金属層55a,55bは、例えば蒸着法などにより形成すればよい。また、第4の金属層55a,55bの材料としては、例えば、Au、Al、Cuなどを採用すればよい。第4の金属層形成工程では、第4の金属層55aをアーマチュア6に重なる領域に形成し、且つ、第4の金属層55bをフレーム部5に重なる領域に形成する。第4の金属層形成工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して、シリコンウェハ200を加工することで可動部23、第1ばね部22、第2ばね部23、接点保持部28などを形成する加工工程を行う。その後、例えば蒸着法などにより、シリコンウェハ200の他表面側に可動接点27を形成する可動接点形成工程を行うことによって、図7eに示す構造を得る。この可動接点形成工程を行うことにより、可動ブロック2が形成される。上述の図6dおよび図7eそれぞれの構造を得た後、磁性体ウェハ500と複数のカバー基板3の元となるSOIウェハ300とをウェハレベルで接合することにより、フレーム部5とカバー基板3との接合、アンカー部21とカバー基板3との接合を行う第2の接合工程を行うことによって、図7fに示す構造を得る。第2の接合工程では、磁性体ウェハ500とSOIウェハ300との互いの対向面に形成された金属層39,25b同士を接合する。第2の接合工程では、接合温度を、磁性体ウェハ500の溶解温度よりも低い温度に設定する。この第2の接合工程では、例えば、アーマチュア6の磁性体材料が鉄-コバルト合金であり、金属層39,25bの材料がAuの場合、接合温度を350°C程度として、金属層39,25b同士を熱圧着すればよい。また、本実施形態では、SOIウェハ300が、第3ウェハを構成している。第2の接合工程の後、連結部7を例えばエッチングなどにより除去することでフレーム部5とアーマチュア6とを分離する分離工程を行う。分離工程の後、複数のベース基板1の元となる1枚の第4ウェハ図示せずと磁性体ウェハ500とを、ベース基板1とカバー基板3とフレーム部5とで囲まれる気密空間の所望の雰囲気中で接合する第3の接合工程を行う。第3の接合工程では、接合温度を、アーマチュア6の溶解温度よりも低い温度に設定する。第3の接合工程の後、カバー基板3の収納部36に電磁石装置4を収納する収納工程を行う。なお、収納工程では、カバー基板3の収納部36に電磁石装置4を挿入した後、電磁石装置4をカバー基板3に対して接着用の樹脂例えば、シリコーン樹脂などで固着する。ここで、カバー基板3の収納部36に電磁石装置4を挿入する際には、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が壁部38に当接する位置まで挿入する。収納工程の後、ダイシング工程などにより個々のMEMSリレーのサイズに分割する分割工程を行うことによって、個々のMEMSリレーを得る。なお、分割工程と収納工程との順序は逆でもよい。以上説明した本実施形態のMEMSリレーの製造方法では、フレーム部5、アーマチュア6およびフレーム部5とアーマチュア6とを連結した連結部7を具備する磁性体ユニットを複数備えた磁性体ウェハ500と、複数の可動ブロック2の元となるシリコンウェハ200および複数のカバー基板3の元となるSOIウェハ300とをアーマチュア6の溶解温度よりも低い接合温度においてウェハレベルで接合した後、連結部7を除去することでフレーム部5とアーマチュア6とを分離するようにしている。しかして、本実施形態のMEMSリレーの製造方法では、アーマチュア6が重ねて配置される可動部23の反りを抑制することが可能となり、且つ、量産性の向上を図ることが可能となる。これにより、本実施形態のMEMSリレーの製造方法では、製造歩留まりが向上するとともに量産性が向上し、MEMSリレーの低コスト化を図ることが可能となる。なお、上述の製造方法により製造されるMEMSリレーでは、可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れている状態での絶縁距離ギャップ長や、可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触している状態での接触圧などが、ばらつくのを抑制することが可能となり、動作特性や寿命がばらつくのを抑制することが可能となる。また、上述のMEMSリレーの製造方法において、磁性体ウェハ500とシリコンウェハ200およびSOIウェハ300との接合にあたっては、磁性体ウェハ500とシリコンウェハ200との互いの対向面に形成された第3の金属層と第2の金属層25a,25bとを接合し、磁性体ウェハ500とSOIウェハ300との互いの対向面に形成された第4の金属層25bと第1の金属層39とを接合するので、例えば、350°C以下で接合することが可能となる。なお、各接合工程では、表面活性化接合法を採用してもよい。表面活性化接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、所定温度下で適宜の荷重を印加して、直接接合する。これにより、接合温度を、例えば、室温とすることも可能となるが、接合強度の向上を図る観点からは、80~150°C程度に加熱することが好ましい。磁性体ウェハ500とSOIウェハ300およびシリコンウェハ200との接合にあたっては、低融点ガラスにより接合してもよい。この場合は、例えば、600°C以下で接合することが可能となる。磁性体ウェハ500とSOIウェハ300およびシリコンウェハ200との接合にあたっては、樹脂により接合してもよい。この場合は、例えば、200°C以下で接合することが可能となる。なお、第3の接合工程については、第1の接合工程、第2の接合工程と同様の接合方法を採用してもよいし、異なる接合方法を採用してもよい。上述のMEMSリレーでは、カバー基板3に電磁石装置4を収納する収納部37を形成してあるので、従来例のようにボディに電磁石装置を収納する収納部を設ける場合に比べて、電磁石装置4と信号線13,13との距離を長くすることができるから、電磁石装置4が発生する磁束の影響で伝送損失が生じるのを抑制することが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーによれば、ボディに電磁石装置を収納する場合に比べて、ベース基板1の厚さ寸法を小さくすることが可能となり、貫通孔配線の長さを短くすることが可能となるから、高周波特性を向上させることが可能となる。ところで、上述のMEMSリレーでは、2つの可動接点27と、各可動接点27の各々に対して対応する一対の固定接点14,14が設けられているが、対応する可動接点27と固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよい。また、可動接点27と対応する固定接点14との組も2組に限らず、1組でもよい。また、MEMSリレーは、ベース基板1に電磁石装置4を収納する収納部が形成されたものでもよい。このようなMEMSリレーの製造方法では、カバー基板3の元となるSOIウェハ300に対して行っていた上述の第1凹所形成工程、第2凹所形成工程、収納工程などを、ベース基板1の元となる第4ウェハに対して行うことになる。"