"複数形成された表示電極と対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層が設けられ、電界により上記液晶分子の配向を制御する垂直配向方式の液晶表示装置であって、前記表示電極は前記表示電極の一辺から他の辺に向かう方向に延在するスリットにより複数の部分に区画され、前記区画された部分のうちの端に位置する端部分の面積は、他の部分の面積より小さく、前記対向電極は、前記表示電極の分割された部分に対応して、前記スリットの方向と略平行な部分を有する形状の開口部である配向制御窓を有し、前記分割された表示電極の端部分の縁であって、かつ画素の端である辺は、前記配向制御窓の一つに重畳し、前記スリットと当該スリットに隣接する前記配向制御窓との間の領域において、液晶分子は前記スリットが延在する方向に概ね垂直な方向に傾斜するよう制御され、前記表示電極の前記スリットと、前記配向制御窓の縁との表示平面上への正射影どうしの間隔が、25μm~30μmである、液晶表示装置。請求項1に記載された液晶表示装置であって、前記対向電極は、直線部分と、直線部分の端部から屈曲して延在する部分とからなる配向制御窓を有する、液晶表示装置。請求項2に記載された液晶表示装置であって、前記配向制御窓の先端は、前記対向電極における、前記表示電極の前記区画された部分の頂点に対向する位置まで延在している、液晶表示装置。請求項1から3に記載された液晶表示装置であって、前記配向制御窓の幅が7μmである、液晶表示装置請求項1から4に記載された液晶表示装置であって、液晶の誘電率が約-3.8である、液晶表示装置。前述の配向制御窓の形状や、表示電極に対する配置などは、開口率、応答速度などを考慮した上で、決定する必要がある。本発明は、配向制御窓と表示電極の配置を適正化することを目的とする。前述の目的を達成するために、本発明にかかる液晶表示装置は、複数形成された表示電極と対向電極との間に垂直配向された液晶分子を有する液晶層を設け、電界により上記液晶分子の配向を制御する垂直配向方式とし、表示電極を前記表示電極の一辺から他の辺に向かう方向に延在するスリットにより複数の部分に区画し、前記区画された部分のうちの端に位置する端部分の面積を、他の部分の面積より小さくし、対向電極には、前記表示電極の分割された部分に対応して、スリットの方向と略平行な部分を有する形状の開口部である配向制御窓を設け、分割された表示電極の端部分の縁であって、かつ画素の端である辺を、配向制御窓の一つに重畳するようにし、スリットと当該スリットに隣接する配向制御窓との間の領域において、液晶分子をスリットが延在する方向に概ね垂直な方向に傾斜するよう制御し、表示電極の前記スリットと、配向制御窓の縁との表示平面上への正射影どうしの間隔を、25μm~30μmとしている。また、対向電極には、直線部分と、直線部分の端部から屈曲して延在する部分とからなる配向制御窓を設けている。そして、配向制御窓の先端を、前記対向電極における、前記表示電極の前記区画された部分の頂点に対向する位置まで延在させている。さらに、配向制御窓の幅を7μm、液晶の誘電率を約-3.8としている。本発明によれば、液晶分子の向きの制御可能な領域が大きく、すなわち画素のコントラストが大きく、応答速度の速い液晶表示装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態以下実施形態というを、図面に従って説明する。図1および図2は、本実施形態の液晶表示装置の一部の構造、特に1画素分を詳細に示す図である。図1は、液晶表示装置を構成する一対の基板のうち、TFTの形成された第1基板側の概略平面図であり、図2は図1のA-A線に沿った位置における液晶表示装置の断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板10の上に、Cr,Ta,Moなどの金属からなるゲート電極11が形成され、これを覆ってSiNx、SiO2の一方または双方などからなるゲート絶縁膜12が形成されている。ゲート絶縁膜12の上には、ゲート電極11をまたぐようにパターニングされた多結晶シリコンp-Si層13が形成されており、この上にゲート電極11と同様の形状にパターニングされたSiO2などの注入ストッパ14を利用して、P,Asなどの不純物を低濃度に含有したN-低濃度LD:Lightlydoped領域LD、その外側に同じ不純物を高濃度に含有したNソース領域Sおよびドレイン領域Dが形成されている。注入ストッパ14の直下は、実質的に不純物が含有されない真性層であり、チャンネル領域CHとなっている。これらの領域を有するp-Si層13を覆って、SiNxなどからなる層間絶縁膜15が形成されている。層間絶縁膜15の上には、Al,Moなどからなるソース電極16およびドレイン電極17が形成され、各層間絶縁膜15に開けられたコンタクトホールを介して、ソース領域Sおよびドレイン領域Dに接続されている。以上のような構成により得られるTFTの全面を覆うように、SOGSPINONGLASS、BPSGBOROPHOSPHOSILICATEGLASS、アクリル樹脂などの平坦化絶縁膜18が形成されている。この平坦化絶縁膜18上にはITOindiumtinoxideなどの透明導電膜からなる液晶駆動用の表示電極19が形成され、平坦化絶縁膜18に開けられたコンタクトホールを介してソース電極16に接続されている。以上の構成を全て覆うように、ポリイミドなどの高分子膜からなる垂直配向膜20が形成されている。なお、本実施形態において、垂直配向膜20はラビングレスタイプの膜を採用している。一方、液晶層を挟んで基板10に対向する位置には、基板10と対をなす、ガラスなどからなる第2ガラス基板30が配置され、このガラス基板30上には、ITOにより表示部全面に形成された共通電極31が設けられている。共通電極31上には、第1基板10側の配向膜20と同じくポリイミドなどの配向膜33が形成されている。共通電極31には、この電極の厚さを貫通するスリットとして、配向制御窓50が形成されている。図1に破線で示すように、配向制御窓50の平面形状は、直線状のスリットである直線部分51の両端に、V字状のスリットであるV字状部分52を結合した形となっている。直線状のスリットの両端が、それぞれ二股に分かれ、分かれた部分がV字形状を形成していると言い換えてもよい。配向制御窓の直線部分51は、長方形の表示電極19の長辺42と略平行に、また短辺43方向のほぼ中央に配置されている。V字状部分52の先端は、共通電極31の、表示電極19の長方形の頂点に対向する位置にまで延びている。図2に示すように、配向制御窓50の直下においては、対向電極が存在しないので液晶分子41を傾斜させるほどの電界が発生せず、液晶分子41は、初期配向状態を維持し、電極19,31に対し、ほぼ垂直方向に配向する。一方、配向制御窓50の縁においては、図2に破線で示すような向き、すなわち配向制御窓50の両側の共通電極から電極が存在しない部分配向制御窓50の直下部分に、互いに近づくように、その後表示電極に向けて平行になる向きに電界が形成される。ここで、本実施形態において、液晶分子41は負の誘電異方性を備えているから、電界が発生すると配向制御窓50の近傍の液晶分子41は、その長軸が電界に直交するように、つまり、図2に示すように配向制御窓50近傍の液晶分子がハの字状に位置するように配向制御される。また、表示電極19の縁においても同様に、表示電極19の間隙部分に向けて斜めに電界が形成されるので、図2において逆ハの字状に配向制御される。そして、液晶の連続性によって、共通電極31や表示電極19の縁付近の液晶分子41の傾斜が内部の液晶まで伝達される。よって、液晶分子41の制御された配向方向は、画素内で配向制御窓50を境として図1の矢印で示すように複数の方向ここでは4方向となる。本表示装置の表示平面またはこれに平行な平面、すなわち表示電極19または共通電極31が配置されている平面に平行な平面上の、表示電極19と配向制御窓50の正射影について考える。表示電極19の射影の長辺42と、配向制御窓直線部分51の射影の縁との間隔dは、液晶の応答速度に影響する。液晶分子41は、電界がかけられたとき、電界の強さに応じて長軸が電界に直交するように平面の法線方向から傾くが、傾く方角は、電界強度によって決定されるものではない。そして、本実施形態において、その傾く方角は、前述した配向制御窓50の縁および表示電極19の縁付近に発生する斜めの電界による液晶分子41の傾斜方角により決定される。すなわち、前記の縁付近の液晶分子41が、斜めの電界によって所定方角に傾斜すると、この傾斜が電極の内側部分に伝播でんぱする。したがって、この伝播距離が短い方が、液晶の応答速度が速いと考えられる。つまり、液晶分子41が倒れたとき、その長軸を結んでいった線の長さが短い方が好ましい。図3は、間隔dと、応答速度の関係を示している。破線で示すグラフは、表示電極19と共通電極31との間隙、すなわちセルギャップが3.3~3.4μmの場合であり、実線で示すグラフは、セルギャップが3.5~3.6μmの場合である。一般的傾向として、液晶の応答速度は、液晶表示装置のセルギャップが小さいほど速くなる特性を有し、図3においてもセルギャップ3.5~3.6μmにおける液晶の応答速度よりも、3.3~3.4μmにおける液晶の応答速度が速い。しかし、図3から明らかなように、本実施形態の垂直配向型液晶表示装置においては、このような一般的傾向だけでなく、いずれのセルギャップにおいても、間隙dが短くなると応答速度が速まる傾向を示し、さらに、その傾向は間隔dが30μm以下では弱まり、25μmより短くしても応答速度の改善はほとんど望めないことが分かる。なお、図3の特性は、液晶としてネガタイプフッ素系液晶を用い、その特性は、粘度:150mPasec、光学異方性:Δn=0.091、誘電異方性:Δε=-3.8、NI点液晶が液体に変化する温度:82°Cである。もちろん、本実施形態において採用可能な液晶として、上記特性を備えた液晶だけに限られるものではないが、少なくとも同程度の特性又は同種類の傾向を示す液晶において、図3に示すような窓と表示電極辺との間隙dと、液晶応答速度との関係が成り立つ。セルギャップが3.5~3.6μmの場合では、間隔dが30μm以下の領域では、応答速度の短縮が鈍く、25μm以下ではほとんど変化しないことが分かる。また、セルギャップが3.3~3.4μmの場合では、間隔dが30μm以下で、応答速度の短縮効果が鈍り、25μm以下での効果はわずかであることが分かる。一方、液晶分子の向きを制御可能な領域、すなわち表示電極19から配向制御窓50を除いた部分の面積は実質的な画素表示面積にほぼ等しいため、この面積は大きい方が好ましく、よって、この面からは間隔dは長い方が好ましい。したがって、間隔dは、応答速度の短縮効果が期待できない範囲において、なるべく長くすることがよいことが理解される。そこで、本実施形態においては、間隔dを25μm~30μmとした。ここで、配向制御窓50の幅は7μm程度とすることが好適である。上述のように配向制御窓50は共通電極31が図1の点線のようなパターンに開口されて形成されたもので、窓直下では液晶にほとんど電界がかからないから、窓領域は非表示領域となるため、窓50の幅を7μmより狭めると画素表示面積が増加するが、配向分割機能を十分に発揮することができなくなる。反対に、7μmより大きくしても、配向分割機能はほとんど変化しない一方で画素表示面積が減少してしまう為である。図4には、配向制御窓の形状が異なる場合の例が示されている。表示電極119は略長方形であり、この長方形の長辺にほぼ平行に、かつ短辺のほぼ中心に略長方形のスリットとして幅が略7μmの配向制御窓150が位置している。この配向制御窓150の縁と、表示電極119の長辺の間隔dが、25μm~30μmになっている。また、長方形の表示電極の短辺に平行に配向制御窓を設けることも可能である。この場合は、短辺どうしの間隔を25μm~30μmとする。図5には、配向制御窓と表示電極の配置の他の例が示されている。表示電極219は、長方形に切り込みを入れたようなスリット260により、3つの部分に区画され、この区画された部分ごとに配向制御窓250が設けられている。一つの配向制御窓250の形状は、図1に示される配向制御窓50と同様に、一つの直線部分の両端が二股に分かれた形状をしている。そして、表示電極219の縁、すなわち表示電極の外形の一辺242およびスリット260の縁と、配向制御窓250の直線部分の縁の間隔dが、25μm~30μmとなっている。また、窓250の幅は7μm程度のスリット260の幅も7μm程度である。このスリット260は、表示電極219に形成されたものであるが、窓250と同様な配向分割機能を有しており、スリット260を境に液晶の傾く方角を約180°に制御している。このように1画素の表示電極にスリットを設け、1画素当たり配向制御窓を複数設けることにより、より幅Wpの広い画素にも対応可能となる。間隔dを25μm~30μm、スリットの幅Wsを7μmとすれば、図5のように1画素の表示電極を3つに分割した場合、185μm~215μmの画素の幅Wpに対応することができる。また、図1または図4に示すように、1画素の表示電極を分割しない場合、57μm~67μmの画素幅Wpに対応することができる。さらに、1画素の表示電極を二つに分割することによって、Wp121μm~141μmに対応することができる。このように画素幅Wpの大きな画素についても、本発明によれば、画素内で配向方向を確実に分割でき、高速応答が可能で、かつ開口率を向上することができ、画素サイズの大きな例えば大型LCDなどに適用することで、優れた表示品質の大型LCDを実現できる。また、以上の中間となる値の幅Wpを有する画素に対しては、図6および図7に示すような電極の構成を採ることができる。図6は1画素の表示電極319と、共通電極331に設けられた配向制御窓350a,350bを示す平面図、図7は表示電極319と共通電極331に直交する面の断面図である。表示電極319は、配向制御窓350a,350bに略平行な、スリット360により二つの部分319a,319bに分割されている。部分319bの幅Wp2は部分319aの幅Wp1の略半分であり、面積も同様にほぼ半分となっている。共通電極の、部分319aの幅Wp1方向の中央付近に対応する位置に配向制御窓350aが設けられている。配向制御窓350aの縁と、表示電極の部分319aの配向制御窓に略平行な2辺との距離dは、前述の例と同様25μm~30μmとなっている。また、表示電極のもう一方の部分319bに対して、配向制御窓350bは、表示電極319の外形、すなわち画素の外形となる辺342と対向する位置に設けられている。そして、配向制御窓350bの縁とスリット360の縁との間隔dも25μm~30μmとなっている。図7の断面図に破線で示すように電界が形成され、また図示するように、配向制御窓350aとスリット360で分けられた3つの部分それぞれにおいて液晶分子41の配向方向がそろう。このような構成において、間隔dを25μm~30μm、スリットおよび配向制御窓の幅を7μmとすれば、画素幅Wpを93μm~108μmとすることができ、より多様な画素幅に対応することができるようになる。このような構成を採ってもなお実現できない画素幅例えば68μm~92μmについては、やや開口率を低下させるが、スリット、配向制御窓の幅wを拡大して対応することができる。"