"A電気泳動移動度により示される3~9の範囲のpHを有する水性媒体中に分散した際に、正に帯電している少なくとも一種の研磨粒子と、Bb1少なくとも2個の炭素原子、少なくとも一つのヒドロキシ基、及び少なくとも一つのカルボン酸基を分子に有し、該カルボン酸基に対する水酸基のモル比が1以上である脂肪族及び脂環式ヒドロキシカルボン酸;b2ラクトン基、エステル化ヒドロキシ基、エステル化カルボン酸基、及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも一つの基を有する、ヒドロキシカルボン酸b1のエステルただし、一つ以上のヒドロキシ基がb2中に存在する;更に、b3これらの混合物;から成る群から選択される成分を含有する一種以上の水溶性及び水分散性のヒドロキシ基と、並びに、Cc1直鎖及び分岐鎖のアルキレンオキシドホモポリマー及びコポリマー;c2直鎖及び分岐鎖の、脂肪族及び脂環式のポリN-ビニルアミドホモポリマー及びコポリマー;更に、c3100000ダルトン未満の重量平均分子量を有するカチオンポリマー凝集剤;から成る群から選択される少なくとも一種の水溶性及び水分散性のポリマー成分と、を含有することを特徴とする水性研磨剤組成物。研磨粒子Aが、無機粒子である請求項1に記載の水性研磨剤組成物。無機研磨粒子Aが、セリアを含有するか、又はセリアから成る請求項1又は2に記載の水性研磨剤組成物。ヒドロキシカルボン酸b1が、グリコール酸、乳酸、キナ酸、糖酸、及びこれらの混合物からなる群から選択され、エステルb2が、グリコール酸、乳酸、キナ酸、糖酸エステル、ラクトン及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項1~3の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。糖酸b1が、アルドン酸、ウロン酸、グリクロン酸、アルダル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸、及びこれらの混合物からなる群から選択され、糖酸エステルb2が、アルドン酸、ウロン酸、グリクロン酸、アルダル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸エステル、ラクトン、及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項4に記載の水性研磨剤組成物。糖酸b1が、グリセリン酸、酒石酸、トレオン酸、エリトロン酸、キシロン酸、グルクロン酸、アスコルビン酸、グルコン酸、ガラクツロン酸、イズロン酸、マンヌロン酸、グルクロン酸、グルロン酸、グリクロン酸、グルカル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸、ムラミン酸、ラクトビオン酸、及びこれらの混合物からなる群から選択され、糖酸エステルb2が、グリセリン酸、酒石酸、トレオン酸、エリトロン酸、キシロン酸、グルクロン酸、アスコルビン酸、グルコン酸、ガラクツロン酸、イズロン酸、マンヌロン酸、グルクロン酸、グルロン酸、グリクロン酸、グルカル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸、ムラミン酸、ラクトビオン酸エステル、ラクトン、グルコノ-デルタ-ラクトン、パンガミン酸、及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項5に記載の水性研磨剤組成物。水溶性又は水分散性の、直鎖又は分岐鎖のアルキレンオキシドのホモポリマー又はコポリマーc1は、エチレンオキシド及びプロピレンオキシドホモポリマー及びコポリマー、並びにこれらの混合物からなる群から選択され、直鎖又は分岐鎖の脂肪族又は脂環式ポリN-ビニルアミドホモポリマー又はコポリマーc2が、N-ビニルアセトアミド、N-ビニルピロリドン、N-ビニルバレロラクタム、N-ビニルカプロラクタム、N-ビニルスクシンイミド、及びこれらの混合物からなる群から選択される脂肪族又は脂環式N-ビニルアミドモノマーのホモポリマー及びコポリマーから成る群から選択され、カチオン性高分子凝集剤c3が、カチオン変性ポリアクリルアミド、ポリアミン、ポリエチレンイミン、ポリジアリル-N,N-ジアルキルアンモニウムハライド、及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項1~6の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。成分A、B及びCとは異なる少なくとも一種の官能性成分Dを含む請求項1~7の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。官能性成分Dが、粒子Aとは異なる有機、無機、及び有機-無機混合の研磨粒子、少なくとも2つのヒドロキシル基を有する多価アルコール、下限臨界溶液温度LCST及び上限臨界溶液温度UCSTを有する材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、錯化剤又はキレート剤、摩擦調整剤、安定化剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、金属カチオン、並びに有機溶媒から成る群から選択される請求項8に記載の水性研磨剤組成物。成分A、B及びCとは異なる少なくとも一種のpH調節剤又は緩衝剤Eを含有する請求項1~9の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。pH値が2.5~4である請求項1~10の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物。電気、機械、及び光学デバイス用の基板材料を、水性研磨剤組成物に1回以上接触させ、所望の平面度が実現されるまで研磨する方法であって、請求項1~11の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物を使用する方法。基板材料が、少なくとも一種の絶縁体酸化ケイ素材料を含むか、又は該絶縁体酸化ケイ素材料から成る少なくとも一層の層と、窒化ケイ素を含むか、又は窒化ケイ素から成る少なくとも一層の層と、を有する請求項12に記載の方法。窒化物に対する酸化物の選択度が、50を超える請求項13に記載の方法。電気デバイスが、集積回路装置、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、機械装置が高精度機械装置であり、及び光学デバイスが、フォトマスク等の光学ガラス、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザLED用のサファイア基板、半導体単結晶、及び磁気ディスク用のガラス基板である請求項12~14の何れか1項に記載の方法。集積回路装置が、50nm未満の大きさの構造を有し、大規模集積回路又は超大規模集積回路を有する集積回路を含む請求項15に記載の方法。電気、機械、及び光学デバイスを製造するために、請求項1~11の何れか1項に記載の水性研磨剤組成物を使用する方法。100000ダルトン未満の重量平均分子量を有し、電気泳動移動度により示される3~9の範囲のpHを有する水性媒体中に分散されたときに正に帯電される少なくとも一種の研磨粒子Aを含む、分散物安定化用のカチオン変性凝集剤c3の使用方法。従って、本発明の目的は、新規な水性研磨剤組成物を提供すること、特に、新規な化学機械研磨CMP組成物、特に従来の研磨剤組成物の不利益及び欠点を示さない新規なセリア系CMPスラリーを提供することである。特に、新規な水性研磨剤組成物、より詳細には新規な化学機械研磨CMP組成物、より詳細には新規なセリア系CMPスラリーは、大幅に改善された窒化物に対する酸化物の選択度を示し、良好な全体的及び局所的平面度を有する研磨ウェーハが得られる。このウェーハの良好な全体的及び局所的平面度は、ウェーハ内の不均一性WIWNU及びウェーハ間の不均一性WTWNUにより例示されるものである。従って、ウェーハは、50nm以下のサイズを有する構造のICアーキテクチャ、特にLSI大規模集積回路又はVLSI超大規模集積回路を有するICsの製造において極めて好適である。また、新規な水性研磨剤組成物、より詳細には新規な化学機械研磨CMP組成物、より詳細には新規なセリア系CMPスラリーは、集積回路デバイスの分野において非常に有用であるだけでなく、他の電気デバイスの製造の分野においても最も効率的かつ有利となるべきである。なお、他の電気デバイスとは、例えば、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、並びに高精度機械デバイス及び光学デバイス、特に光学ガラスとして、フォトマスク、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶は、固体レーザ単結晶、青色LEDレーザ用のサファイア基板、半導体単結晶、並びに磁気ディスク用のガラス基板である。更に、本発明の目的は、機械デバイス、電気デバイス及び光学デバイス用の基板材料酸化ケイ素絶縁体膜及び窒化ケイ素膜を含むを研磨するための新規な方法を提供することである。従って、新規な水性研磨剤組成物を発見した。この研磨剤組成物は、A電気泳動移動度により示される3~9の範囲のpHを有する水性媒体中に分散した際に、正に帯電している少なくとも一種の研磨粒子と、Bb1少なくとも2個の炭素原子、少なくとも一つのヒドロキシ基、及び少なくとも一つのカルボン酸基をその分子に有し、該カルボン酸基に対する水酸基のモル比が1以上である脂肪族及び脂環式ヒドロキシカルボン酸;b2ラクトン基、エステル化ヒドロキシ基、エステル化カルボン酸基、及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも一つの基を有するヒドロキシカルボン酸b1のエステルただし、一つ以上のヒドロキシ基がb2中に存在する;更に、b3これらの混合物;から成る群から選択される成分を含有する一種以上の水溶性及び水分散性のヒドロキシ基と、並びに、Cc1直鎖及び分岐鎖のアルキレンオキシドホモポリマー及びコポリマー;c2直鎖及び分岐鎖の、脂肪族及び脂環式のポリN-ビニルアミドホモポリマー及びコポリマー;更に、c3100000ダルトン未満の重量平均分子量を有するカチオンポリマー凝集剤;から成る群から選択される少なくとも一種の水溶性及び水分散性のポリマー成分と、を含有することを特徴とする。以下では、新規な水性研磨剤組成物は、本発明の組成物と記載する。本発明の新規な方法においては、電気、機械、及び光学デバイス用の基板材料を、本発明の組成物に1回以上接触させて研磨特に機械及び化学研磨し、所望の平面度が実現される。以下では、電気、機械、及び光学デバイス用の基板材料の新規な研磨方法を、本発明の方法と記載する。更に、電気、機械、及び光学デバイス製造用の本発明の組成物の使用方法、並びに粒子の水性分散物の安定化用のカチオン変性凝集剤の新規な使用方法であって、本発明において見出されたものは、以下では本発明の使用方法と記載する。本発明の目的が、本発明の組成物、本発明の方法及び本発明の使用方法によって解決できることは、驚きべきことであり、当業者にとって従来技術から容易に予測できものではない。本発明の組成物は、驚くべきことに、窒化物に対する酸化物の選択度、並びにウェーハ面内の不均一性WIWNU及びウェーハ間の不均一性WTWNUによって例示される良好な全体的平面度及び局所的平面度を有する研磨ウェーハの収率について大幅な改善を示す。したがって、本発明の組成物は、50nm以下の大きさの構造を有するICアーキテクチャ、特にLSI大規模集積回路又はVLSI超大規模集積回路を備えるICsの製造に極めて適している。また、本発明の組成物は、長期間の輸送や貯蔵において安定的であって、物流管理及びプロセス管理において極めて安定した改善性が得られた。さらに、本発明の組成物は、集積回路デバイスの分野において非常に有用であるだけでなく、他の電気デバイスの製造の分野においても最も効率的かつ有利となる。なお、他の電気デバイスとは、例えば、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、並びに高精度機械デバイス及び光学デバイス、特に光学ガラスとして、フォトマスク、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶は、固体レーザ単結晶、青色LEDレーザ用のサファイア基板、半導体単結晶、並びに磁気ディスク用のガラス基板である。最も具体的には、本発明の組成物は、本発明の使用方法に極めて良く適合する。従って、本発明の組成物は、特に、本発明の方法にもっとも有用である。本発明の方法は、電気デバイス用の基板材料の研磨、特に化学的機械研磨に最も好適に用いられる。なお、電気デバイスは、例えば、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、マイクロマシン、DNAチップ、マイクロプラント、及び磁気ヘッドであり、並びに高精度機械デバイス及び光学デバイス、特に光学ガラスとして、フォトマスク、レンズ及びプリズム、インジウムスズ酸化物ITO等の無機材料の導電性フィルム、光集積回路、光スイッチング素子、光導波管、光ファイバ及びシンチレータの端面等の光学単結晶は、固体レーザ単結晶、青色LEDレーザ用のサファイア基板、半導体単結晶、並びに磁気ディスク用のガラス基板である。しかし、最も具体的には、本発明の方法は、酸化ケイ素絶縁膜及び窒化ケイ素膜を含む半導体ウェーハの研磨に極めて適している。本発明の方法により、ウェーハ内の不均一性WIWNU及びウェーハ間の不均一性WTWNUに表されるディッシング、カッピング、又はホットスポットが無く、良好な全体的平面度及び局所的平面度並びに良好なバランスを有する研磨ウェーハの収率において大幅な改善が示される。このウェーハは、50nm以下の大きさの構造を有するICアーキテクチャ、特にLSI大規模集積回路又はVLSI超大規模集積回路を備えるICsの製造に極めて適している。本発明の組成物は、水性組成物である。これは、組成物が主溶媒及び分散剤として水、特に超純水を含有することを意味する。それにもかかわらず、本発明の組成物は、本発明の組成物は、当該組成物の水性の性質を変えない程度の少量で少なくとも1種の水混和性有機溶媒を含有してもよい。本発明の組成物は、当該組成物の全質量を基準として、好ましくは、60~99.95質量、より好ましくは70~99.9質量、さらに好ましくは90~99.9質量の水を含む。水溶性とは、関連する化合物Aが、水溶性媒体に分子レベルで分散することを意味する。水分散性とは、化合物Aが水性媒体中に微細に分散し、安定した状態の懸濁液又は乳濁液、好ましくは安定した懸濁液を形成することができることを意味する。最も好ましくは、化合物Aは水溶性である。ポリマー又はポリマーのとは、本発明の組成物の関連する成分又は構成要素が、すべて同一の構造を有していても良い12個以上の架橋モノマーの構造単位から成ることを意味する。しかしながら、構造単位は、少なくとも2つの異なる構造から選択されても良い。本発明の組成物の第一の必須成分は、少なくとも一種、好ましくは一種の研磨粒子Aである。研磨粒子Aは、3~9の範囲のpHを有する水性媒体中に分散されたときに正に帯電される。正電荷は、研磨粒子Aの電気泳動移動度μミクロン/秒V/cmにより示される。電気泳動移動度μは、MAlvern,Ltd製のゼータサイザーナノ等の装置を用いて直接的に測定することができる研磨粒子Aの平均粒径は、大きく変更することができ、したがって、当該濃度は、本発明の特定の組成物、及び方法に合わせて、有利に調整することができる。好ましくは、動的レーザ光散乱により測定される平均粒径が、1~2000nm、好ましくは1~1000nm、より好ましくは1~750nm、及び最も好ましくは1~500nmである。研磨粒子Aの粒径分布は、単峰性、二峰性、又は多峰峰性であってもよい。粒径分布は、本発明の方法において、研磨粒子Aの適切な形状及び方法の条件の再現が容易になるように単峰性であることが好ましい。また、研磨粒子の粒度分布Aは、狭くても良く、又は広くすることもできる。好ましくは、本発明の方法において、研磨粒子Aの適切な形状及び方法の条件の再現が容易になるように、小径粒子及び大径粒子を少量のみとして粒径分布を狭くすることが好ましい。研磨粒子Aは、種々の形状を有するようにすることができる。したがって、研磨粒子Aは、一種又は実質的に一種の形状を有していても良い。しかし、研磨粒子Aが異なる形状を有していても良い。特に、本発明の組成物中においては、2種類の異なる形状を有する研磨粒子Aが存在してもよい。上記形状は、突起又は凹みを有しているか或いは有していない、立方体、面取りされた立方体、8面体、20面体、瘤状、球、及び立方体であっても良い。最も好ましくは、形状は、突起又は凹みが無いか或いはごく少数の球である。この形状が好ましい理由は、通常、CMPプロセス中においてさらされる機械的負荷に対する抵抗を増加させるためである。原則として、研磨粒子が上述の適切な形状を有する限り、任意の種類の研磨粒子Aを本発明の組成物に使用することができる。従って、研磨粒子Aは、有機若しくは無機粒子、又は有機粒子と無機粒子の混合粒子であってもよい。好ましくは、研磨粒子Aは、無機粒子である。原則として、研磨粒子が上述の適切な形状を有する限り、任意の種類の研磨粒子Aを本発明の組成物に使用することができる。しかし、最も好ましくは、セリアを含むか或いは含まない無機研磨粒子Aが使用される。セリアを含有する研磨粒子Aは、他の希土類金属酸化物を少量含有していても良い。セリアを含有する研磨粒子Aは、好ましくは、少なくとも一種の他の研磨粒子を含む又は他の研磨粒子から成る複合粒子Bである。なお、この研磨粒子は、特にアルミナ、シリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物とは異なる材料である。上述の複合粒子Bは、例えば、WO2005/035688A1、US6110396、US6238469B1、US6645265B1、K.S.ChoiらによるMat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.671,2001MateriAlsResearchSociety,M5.8.1toM5.8.10,、S.-H.LeeらによるJ.Mater.Res.,Vol.17,No.10,2002,pAges2744to2749、A.JindalらによるJournaloftheElectrochemicalSociety,1505G314-G3182003、Z.LuによるJournalofMaterialsResearch,Vol.18,No.10,OctoBer2003,MaterialsResearchSociety、又はS.HedgeらによるElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G316-G3182004により知られている。最も好ましくは、複合粒子Bが、アルミナ、シリカチタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、及びこれらの混合物から成る群から選択されるコアを含むラズベリー形の被覆粒子であり、コアの径は20~100nmである。コアは、10nm未満の粒子径を有するセリア粒子により被覆される。本発明の組成物における研磨粒子Aの量は大きく変更することができ、したがって、当該平均粒径は、本発明の組成物、方法、及び使用方法の特定の要求に合わせて、有利に調整することができる。本発明の組成物は、当該組成物の全質量を基準として、好ましく、0.005~10質量、より好ましくは0.01~8質量、最も好ましくは0.01~6質量の研磨粒子Aを含む。本発明の組成物は、少なくとも一種、好ましくは一種の水溶性又は水分散性、好ましくは、水溶性の成分Bを含む。この成分Bは、第2の必須成分である。成分Bは、b1分子に、2個以上、好ましくは3個以上、より好ましくは4個以上、さらに好ましくは5個以上、及び最も好ましくは6個以上の炭素原子、1個以上、好ましくは2個以上、より好ましくは3個以上、及び最も好ましくは4個以上のヒドロキシ基、及び一種以上のカルボン酸基、を含み、カルボン酸基に対するヒドロキシ基のモル比が、1以上、好ましくは2以上、より好ましくは3以上、及び最も好ましくは4以上である脂肪族及び脂環式ヒドロキシカルボン酸;b2ラクトン基、エステル化ヒドロキシ基、エステル化カルボン酸基、及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも一つの基を有するヒドロキシカルボン酸b1エステルただし、一つ以上のヒドロキシ基、好ましくは2個以上のヒドロキシ基、最も好ましくは3個以上のヒドロキシ基が、b2中に存在する;、及びb3これらの混合物;から成る群から選択される。好ましくは、ヒドロキシカルボン酸b1は、グリコール酸、乳酸、キナ酸、糖酸、及びこれらの混合物からなる群から選択される。好ましくは、エステルb2は、グリコール酸、乳酸、キナ酸、糖酸エステル、ラクトン及びこれらの混合物からなる群から選択される。より好ましくは、糖酸b1は、アルドン酸、ウロン酸、グリクロン酸、アルダル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸、及びこれらの混合物からなる群から選択される。より好ましくは、糖酸エステルb2は、アルドン酸、ウロン酸、グリクロン酸、アルダル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸エステル、ラクトン、及びこれらの混合物からなる群から選択される。さらにより好ましくは、糖酸b1は、グリセリン酸、酒石酸、トレオン酸、エリトロン酸、キシロン酸、グルクロン酸、アスコルビン酸、グルコン酸、ガラクツロン酸、イズロン酸、マンヌロン酸、グルクロン酸、グルロン酸、グリクロン酸、グルカル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸、ムラミン酸、ラクトビオン酸、及びこれらの混合物からなる群から選択される。さらにより好ましくは、糖酸エステルb2は、グリセリン酸、酒石酸、トレオン酸、エリトロン酸、キシロン酸、グルクロン酸、アスコルビン酸、グルコン酸、ガラクツロン酸、イズロン酸、マンヌロン酸、グルクロン酸、グルロン酸、グリクロン酸、グルカル酸、ウロソン酸、ノイラミン酸、シアル酸、ムラミン酸、ラクトビオン酸エステル、ラクトン、グルコノ-デルタ-ラクトン、パンガミン酸、及びこれらの混合物からなる群から選択される。最も好ましくは、成分Bは、キナ酸、グルクロン酸、ラクトビオン酸、グルコノデルタラクトン、及びこれらの混合物からなる群から選択される。本発明の組成物における成分Bの濃度は、大きく変更することができ、したがって、当該濃度は、本発明の特定の組成物、方法、及び使用方法に合わせて、有利に調整することができる。好ましくは、本発明の組成物は、該組成物全質量を基準として、0.005~5質量、より好ましくは0.01~4、最も好ましくは0.01~3質量の成分Bを含有する。第3の必須成分として、本発明の組成物は、少なくとも一種、好ましくは2種の、水溶性又は水分散性、好ましくは水溶性ポリマーを含み、該ポリマーはポリマー成分Cからなる群から選択される。成分Cは、c1直鎖及び分岐鎖のアルキレンオキシドのホモポリマー及びコポリマー;c2直鎖及び分岐鎖の、脂肪族及び脂環式ポリN-ビニルアミドホモポリマー及びコポリマー;並びにc3100000ダルトン未満、好ましくは75000ダルトン未満、さらに好ましくは50000ダルトン未満、最も好ましくは30000ダルトン未満の重量平均分子量を有するカチオン性高分子凝集剤;からなる群から選択される。好ましくは、アルキレンオキシドのホモポリマー又はコポリマーc1は、直鎖及び分岐鎖のエチレンオキシド及びプロピレンオキシドホモポリマー及びコポリマー並びにこれらの混合物からなる群から選択される。エチレンオキシド-プロピレンオキシドのコポリマーc1は、ランダムコポリマー、交互コポリマー、又はポリエチレンオキシドブロック及びポリプロピレンオキシドブロックを含むブロックコポリマーであっても良い。エチレンオキシド-プロピレンオキシドのブロックコポリマーc1では、ポリエチレンオキシドブロックが、好ましくは10~15の親水親油バランス値HLBを有する。ポリプロピレンオキシドブロックは、好ましくは28~約32のHLB値を有していても良い。好ましくは、アルキレンオキシドホモポリマーc1は、ポリエチレングリコールPEG等のエチレンオキシドポリマーである。好ましくは、水溶性ポリマーc1は、2000~1000000ダルトン、より好ましくは、5000~500000ダルトン、及び最も好ましくは、10000~250000ダルトンの重量平均分子量を有する。水溶性ポリマーc1は、慣用及び公知の、市販の物質である。好適な水溶性ポリマーc1は、特開2001-240850の段落[0007~0014]及び請求項2に、US2007/0077865A1の1ページの1欄の段落[0008]~2ページに、US2006/0124594A1の3ページの段落[0036]及び[0037]、並びにUS2008/0124913A1の3ページの段落[0031]~[0033]及び請求項14に記載されており、又は商標名PluronicTetronic、及びBasensolとして、BASF社及びBASFSEによって販売されている。この販売については、BASF社の会社パンフレットPluronicTMTetronicTMBlockCopolymerSurfactants,1996、又はUS2006/0213780A1又はUS2006/0213780A1に記載されている。最も好ましくは、ポリエチレングリコールPEGは、ポリマーc1として使用される。好ましくは、脂肪族又は脂環式N-ビニルアミドモノマーは、直鎖又は分岐鎖の脂肪族又は脂環式ポリN-ビニルアミドホモポリマー及びコポリマーc2のビルディングブロックであり、N-ビニルアセトアミド、N-ビニルピロリドン、N-ビニルバレロラクタム、N-ビニルカプロラクタム、N-ビニルスクシンイミド、及びこれらの混合物からなる群から選択される。ポリN-ビニルアミドコポリマーc2は、N-ビニルアミド以外の公知のオレフィン系不飽和モノマーを含有していても良く、当該オレフィン系不飽和モノマーは、例えば、ビニルエステル及びエーテル、アクリル酸及びメタクリル酸エステル、アリルエステル及びエーテル、ハロゲン原子又はニトリル基で置換可能なオレフィン、及びスチレンモノマーである。なお、上記モノマー単位は、水溶性が損なわれないような量でのみ含まれている。好ましくは、水溶性ポリマーc2は、2000~1000000ダルトン、より好ましくは、5000~500000ダルトン、及び最も好ましくは、10000~250000ダルトンの重量平均分子量を有する。好ましくは、カチオン性高分子凝集剤c3は、カチオン変性ポリアクリルアミド、ポリアミン、ポリエチレンイミン、ポリジアリル-N,N-ジアルキルアンモニウムハライド、及びこれらの混合物からなる群から選択される。より好ましくは、カチオン性基は、第四級アンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウム基、及びこれらの混合物からなる群から選択される。最も好ましくは、第四級アンモニウム基が用いられる。より好ましくは、ポリジアリル-N,N-ジアルキルアンモニウムハライドc3のアルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。最も好ましくは、メチル基が用いられる。より好ましくは、ハロゲン化物が、フッ化物、塩化物、及び臭化物からなる群から選択される。最も好ましくは、塩化物が使用される。最も好ましくは、ポリジアリル-N,N-ジメチルアンモニウムクロリドポリDADMACが用いられる。本発明の組成物中のカチオン変性凝集剤c3の濃度は、大きく変更することができ、したがって、当該濃度は、本発明の特定の組成物及び方法に合わせて、有利に調整することができる。凝集剤c3は、本発明の組成物の全質量を基準として、0.0001~1質量、好ましくは0.0002~1質量、及び最も好ましくは0.0003~1質量の量で使用される。カチオン変性凝集剤c3は、慣用及び公知の市販の物質であり、例えば、商標SedipurC.の下でBASFSEにより販売されている。本発明の使用方法の一つによれば、カチオン変性凝集剤c3を、研磨粒子Aの水性分散液を安定化させるために使用することができる点が最も驚くべきことである。本発明の組成物は、成分A、B及びCとは異なる少なくとも一種の官能性成分Dを含んでいても良い。官能性成分Dは、好ましくは、通常、セリア系CMPスラリーに使用される化合物の群から選択される。このような化合物Dの例は、例えば、Y.N.PrasadらによるElectrochemicalandSolid-StateLetters,912G337-G3392006、Hyun-GooKangらによるJournalofMaterialResearch,volume22,No.3,2007の777~787ページ、S.KimらによるJournalofColloidandInterfaceScience,3192008の48~52ページ、S.V.BabuらによるElectrochemicalandSolid-StateLetters,712G327-G3302004、Jae-DongLeeらによるJournaloftheElectrochemicalSociety,1498G477-G481,2002、US5738800、US6042741、US6132637、US6218305B、US5759917、US6689692B1、US6984588B2、US6299659B1、US6626968B2、US6436835B1、US6491843B1、US6544892B2、US6627107B2、US6616514B1、US7071105B2、US2002/0034875A1、US2006/0144824A1、US2006/0207188A1、US2006/0216935A1、US2007/0077865A1、US2007/0175104A1、US2007/0191244A1、US2007/0218811A1、及びJP2005-336400Aに開示されている。また、官能性成分Dは、粒子Aとは異なる有機、無機、及び有機-無機混合の研磨粒子、少なくとも2つのヒドロキシル基を有する多価アルコール、下限臨界溶液温度LCST及び上限臨界溶液温度UCSTを有する材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤、錯化剤又はキレート剤、摩擦調整剤、安定化剤、レオロジー調整剤、界面活性剤、金属カチオン、並びに有機溶媒から成る群から選択される。好適な有機研磨粒子D及びその有効量は、例えば、US2008/0254628A1の4ページにおける段落[0054]に、又はWO2005/014753A1に記載されている。当該文献においては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン及びジシアンジアミド等のメラミン及びメラミン誘導体から成る固体粒子が開示されている。好適な無機研磨粒子D及びその有効量は、例えばWO2005/014753A1の12ページにおける1~8行目、又はUS6068787Bの第6欄41行目~第7欄65行目において開示されている。好適な機-無機混合の研磨粒子D及びその有効量は、例えば、US2008/0254628A1の4ページの段落[0054]、又はUS2009/0013609A1の3ページの段落[0047]~6ページの段落[0087]に開示されている。好適な多価アルコールDは、エチレングリコール及びプロピレングリコール等のジオール、グリセロール、ペンタエリスリトール、アルジトール、シクリトール等のトリオール、並びにグリセロール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、アルジトール及びシクリトール等のダイマー及びオリゴマーである。好適な酸化剤D及びその有効量は、例えば、EP1036836A1の8ページの段落[0074]~[0075]、又はUS6068787Bの第4欄40行目~第7欄45行目、又はUS7300601B2の第4欄18行目~34行目において開示されている。好ましく、有機及び無機過酸化物、より好ましくは無機過酸化物が使用される。特に、過酸化水素が使用されている。好適な不動態化剤D及びその有効量は、例えば、US7300601B2の第3欄59行~第4欄9行目、又はUS2008/0254628A1の段落[0058]の4~5ページに亘って記載されている。摩擦調整剤US2008/0254628A1の5ページの段落[0061]参照、又はエッチング剤若しくはエッチャント剤US2008/0254628A1の4ページの段落[0054]として指定されることのある錯化剤又はキレート剤D及びその有効量は、例えば、US7300601B2の第4欄の35行目~48行目に記載されている。アミノ酸、特にグリシン、さらには、ジシアンジアミド及びトリアジンであり、少なくとも1つ、好ましくは2つ、さらに好ましくは3つの第1級アミン基を含むものが、最も好ましく使用される。この3つの第1級アミン基を含むものは、例えば、メラミン及び水溶性グアナミン、特にメラミン、ホルモグアナミン、アセトグアナミン、及び2,4-ジアミノ-6-エチル-1,3,5-トリアジンである。好適な安定化剤D及びその有効な量は、例えば、US6068787Bの第8欄の4行目~56行目に開示されている。好適なレオロジー調整剤D及びその有効な量は、例えば、US2008/0254628A1の5ページの段落[0065]~6ページの段落[0069]に開示されている。好適な界面活性剤D及びその有効な量は、例えば、WO2005/014753A1の8ページの23行目~10ページの17行目、又はUS7300601B2の第5欄の4行目~第6欄の8行目に開示されている。好適な多価金属イオンD及びその有効な量は、例えば、EP1036836A1の8ページの段落[0076]~9ページの段落[0078]に開示されている。好適な有機溶媒D及びその有効な量は、例えば、US7361603B2の第7欄の行32行目~48行目、又はUS2008/0254628A1の5ページの段落[0059]に開示されている。下限臨界溶液温度LCST又は上限臨界溶液温度UCSTを示す好適な材料Dは、例えば、H.Mori、H.IwAyA、A.NAgAi、及びT.Endoによる論文ControlledsynthesisofthermoresponsivepolymersderivedfromL-prolineviARAFTpolymerizAtion,inChemicAlCommunicAtion,2005,4872-4874、若しくはD.SchmAljohAN,Nによる論文Thermo-AndpH-responsivepolymersAnddrugdelivery,AdvAncedDrugDeliveryReviews,volume582006,1655-1670、US2002/0198328A1、US2004/0209095A1、US2004/0217009A1、US2006/0141254A1、US2007/0029198A1、US2007/0289875A1、US2008/0249210A1、US2008/0050435A1、若しくはUS2009/0013609A1、US5057560B、US578882B、及びUS6682642B2、WO01/60926A1、WO2004/029160A1、WO2004/0521946A1、WO2006/093242A2、若しくはWO2007/012763A1、EP0583814A1、EP1197587B1、及びEP1942179A1、若しくはDE2610705に記載されている。原則として、従来においてCMPの分野で使用される任意の公知の電荷反転剤Dを用いることができる。電荷反転剤Dは、好ましくは、モノマーの、オリゴマーの及びポリマーの化合物から成る群から選択される。また、この化合物は、カルボン酸塩、スルフィン酸、硫酸塩、ホスホン酸塩、及びリン酸基からなる群から選択される少なくとも1つのアニオン性基を含む。存在する場合には、官能性成分Dの含有量を様々に変更することができる。好ましくは、Dの合計量が、対応するCMP組成物の全質量に対して10wt以下wtは質量を意味する、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは、0.5質量以下、特に好ましくは0.1質量以下、例えば0.01質量以下である。本発明の組成物は、任意に、成分A、B及びCとは物質的に異なる少なくとも一種のpH調節剤又は緩衝剤Eを含有していても良い。好適なpH調節剤又は緩衝剤E及びその有効な量は、例えば、EP1036836A1の8ページの段落[0080]、[0085]、及び[0086]、WO2005/014753A1の12ページの19行目~24行目、US2008/0254628A1の6ページの段落[0073]又はUS7300601B2の第5欄の33行目~63行目に記載されている。pH調整剤又は緩衝剤Eは、例えば、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、硝酸、及び硫酸である。存在する場合には、pH調節剤又は緩衝剤Eの含有量を様々に変更することができる。好ましくは、Eの合計量が、対応するCMP組成物の全質量に対して20質量以下、より好ましくは7質量以下、最も好ましくは2質量以下、特に0.5質量以下、例えば0.1質量以下である。好ましくは、Eの合計量は、対応する組成物の全質量に対して少なくとも0.001質量、より好ましくは少なくとも0.01質量、最も好ましくは少なくとも0.05質量、特に少なくとも0.1質量、例えば少なくとも0.5質量である。好ましくは、本発明の組成物のpHは、好ましくは上記pH調整剤Dを用いて、2.5~4に設定される。本発明の組成物の製造について詳細は示さないが、当該製造は、上述の成分A、B、及びC並びに任意にD及び/又はEを、水性媒体特に脱イオン水中で溶解又は分散させることで実行することができる。このために、撹拌槽、インライン溶解機、高剪断インペラ、超音波ミキサー、ホモジナイザーノズル又は向流ミキサー等の従来の標準的な混合方法及び混合装置を使用することができる。従って、好ましくは、得られた本発明の組成物は、固体の塊又は凝集体等の粗い粒子を除去して細かく分散された研磨粒子Aを得るために、適切なメッシュ開口のフィルターを通して濾過することができる。本発明の組成物は本発明の方法に極めて適している。本発明の方法においては、電気、機械、及び光学デバイス用、特に電気デバイス、最も好ましくは集積回路デバイス用の基板材料を、本発明の組成物に1回以上接触させて研磨特に機械及び化学研磨し、所望の平面度が実現される。本発明における方法は、low-k材料又はultrA-low-kの酸化ケイ素層材料及び窒化ケイ素層から成る絶縁層停止層又はバリア層であるを有するシリコン半導体ウェーハのCMPに対して特に有効である。好適なlow-k材料又はultra-low-k材料、及び好適な絶縁体層を製造する方法は、例えば、US2005/0176259A1の2ページの段落[0025]~[0027]、US2005/0014667A1の1ページの段落[0003]、US2005/0266683A1の1ページの段落[0003]及び2ページの段落[0024]、US2008/0280452A1の段落[0024]~[0026]、US7250391B2の第1欄の49行目~54行目、又はEP1306415A2の4ページの段落[0031]に記載されている。本発明の方法は、特にパターン化されたウェーハ基板で二酸化ケイ素を選択的に除去して窒化ケイ素とするシャロートレンチアイソレーションSTIに適している。この方法においては、エッチングされたトレンチが、停止層としての窒化ケイ素バリア膜を用いて研磨される二酸化ケイ素等の絶縁体材料で過剰充填される。好ましい実施の形態において、本発明の方法が、さらされた窒化ケイ素及びトレンチの酸化ケイ素の除去を最小限に抑えつつ、バリア膜から二酸化ケイ素を除去して終了する。従って、本発明の方法では、50を超える、より好ましくは75を超える、最も好ましくは100を超える、窒化物に対する酸化物の選択度を示す。本発明における方法の詳細は示さないが、本発明の方法は、ICsとともに半導体ウェーハを製造する際におけるCMPに従来使用されていた方法及び設備を用いて行うことができる。当技術分野で知られているように、CMP用の典型的な装置は、研磨パッドで覆われて回転するプラテンから構成される。ウェーハは、その上面側が研磨パッドに対向するようにキャリア又はチャックに取付けられる。このキャリアは、ウェーハを水平に固定する。デバイスの研磨及び保持におけるこの特定の配置は、硬質プラテン設計として知られている。キャリアは、キャリアの保持面と研磨されていないウェーハの表面との間に位置するキャリアパッドを保持することができる。このパッドは、ウェーハ用のクッションとして機能させることができる。キャリアの下方には、より大きな直径のプラテンが概ね水平に配置され、研磨されるウェーハの面に対して平行な面を呈している。平面化プロセス中に、プラテンの研磨パッドにウェーハ表面が接触する。本発明のCMPプロセスの間に、本発明の組成物は、連続流又は滴下方式で研磨パッドに塗布される。キャリアとプラテンは双方とも、該キャリアとプラテンに対して直交して延びるそれぞれのシャフトの周りを回転するようになっている。回転キャリアのシャフトは、回転プラテンに対して固定されたままであるか、又はプラテンに対して水平に振動するようになっていても良い。キャリアの回転方向は、通常、プラテンの回転方向と同一であるが、必ずしもこれに限られない。キャリアとプラテンの回転速度は、通常、異なる値に設定されるが、必ずしもこれに限られない。慣例的には、プラテンの温度は10~70°Cの間の温度に設定される。さらなる詳細は、WO2004/063301A1において、図1とともに、特に16ページの段落[0036]~18ページの段落[0040]に記載されている。本発明の方法によれば、パターン化されたlow-k材料及びultrA-low-k材料の層、特に二酸化ケイ素層を含み、極めて良好な平面度を有するICsの半導体ウェーハが得られる。従って、完成後のICに優れた平面度及び優れた電気的機能を与える銅のダマシン模様が得られる。実施例及び比較例比較例C1~C5酸化ケイ素コーティング及び窒化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハのCMP比較例の水性研磨剤組成物C1~C5、及び窒化物に対する酸化物の選択度。比較例の水性研磨剤組成物C1~C5の組成を表1に示す。表1:比較例の水性研磨剤組成物C1~C5の組成a動的レーザ光回折法により測定される平均一次粒子径:60nmCMPは、以下のプロセスパラメータを使用した。-研磨装置:AMATミラロータリータイプ:-プラテン速度:90rpm;-キャリア速度:70rpm;-IC1000/Suba400ロームアンドハース社製K-グルーブ研磨パッド;-3M社製のS60ダイヤモンドコンディショナーを使用した調節;-スラリー流量:200ml/分;-基板:2000nmのSKW社製の熱二酸化ケイ素でコーティングされたブランケットウェーハ及び500nmのMontcoSilicon社製の窒化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハ;実施例20~22;TEOS二酸化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハ;-下方への力:3.5PSI240ミリバール;-研磨時間:1分;材料除去率MRRSを、反射率計を用いて測定した。得られた結果を表2に示す。表2:二酸化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハ及び窒化シリコンコーティングされたブランケットウェーハのCMP、及び窒化物に対する酸化物の選択度aオングストローム/分表2にまとめた結果によれば、ヒドロキシカルボン酸及びラクトンを単独で含有するヒドロキシ基により、窒化物に対する酸化物の選択度を高くすることができることは明確である。ただし、これらの添加剤のみを含有する比較例の水性研磨剤組成物では、STIプロセス及び分散安定性ポットライフにおけるトレンチ酸化物のディッシングや過剰研磨に関してかなりの改善を必要とした。実施例1~4、並びに比較例C6及びC7酸化ケイ素及び窒化ケイ素のブランケットウェーハ及びパターン化ウェーハのCMP実施例1~4の水性研磨剤組成物の組成、並びに比較例の水性研磨組成C6及びC7の水性研磨剤組成物の組成を表3にまとめる。表3:実施例1~4の水性研磨剤組成物の組成、並びに比較例の水性研磨組成C6及びC7の水性研磨剤組成物の組成aレーザ光回折法により測定される平均粒径:60nm;b10000ダルトンの平均分子量を有するポリエチレングリコールPEG10K;c17000ダルトンの平均分子量を有するポリビニルピロリドンPVP17KCMPのために、以下のプロセスパラメータを使用した。-実施例1及び2、並びに比較例C6における研磨装置:AMATミラロータリー式;-実施例3及び4、並びに比較例C7における研磨装置:Strasbaugh6EGnHance;-プラテン速度:90rpm;-キャリア速度:70rpm;-ロームアンドハース社製のIC1000/Suba400K-グルーブ研磨パッド;-ロームアンドハース又は3M社製のA160ダイヤモンドコンディショナーを使用した調整;-スラリー流量:200ml/分;-基板:2000nmのSKW社製の熱二酸化ケイ素でコーティングされたブランケットウェーハ及び500nmのMontcoSilicon社製の窒化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハ;-下方への力:3PSI205ミリバール。材料除去率MRRsは、ThermaWaveOptiprobe2600によって、CMPの前後にoite測定した。窒化物フィールドにおいて酸化ケイ素が凹凸化されたウェーハSTI3-2における初期の凹凸又は段差の高さを、当該凹凸を無くすために、市販のCMPスラリーCabotSS25、1:1希釈を用いて研磨した。下方へ施される力は、5psi341.66ミリバールであった。このP1処理の目的は、窒化ケイ素の停止層の上に少量の酸化膜の厚みをとってほぼ平面化することであった。パターン化されたウェーハの測定を2か所で行った。すなわち、i残存している酸化物の測定のための活性酸化物部分と、iiトレンチの酸化物を測定するためのフィールド酸化物部分である。ブランケットウェーハを、上記条件で研磨した。得られた材料除去率MRRSを、P1処理後に窒化ケイ素の停止層の上に残存している活性酸化物を除去する時間を計算するために使用した。この時間は、エンドポイントEPと呼ばれ、エンドポイントの後に追加の研磨時間が、余剰研磨OPと呼ぶ。得られた結果を表4にまとめる。表4:実施例1~4の水性研磨剤組成物、並びに比較例のC6及びC7の水性研磨剤組成物の余剰研磨挙動aオングストローム/分bオングストローム表4を参照すれば、比較例C6及びC7と比較して、抗ディッシング剤PEG10K及びPVP17Kの添加により、活性酸化物MRR用のブランケットの態様による顕著な差は生じていないが、トレンチ酸化の消費量及びディッシングがかなり減少したことは明らかである。実施例5カチオン変性凝集剤を含むセリア系水性研磨剤組成物の安定化カチオン変性凝集剤BASFSE社製のSedipurTMCL520を種々の量で、0.5質量のセリア及び0.025質量のグルクロン酸を含む水性研磨剤組成物pHは3に添加した。平均粒径を、HoribaInstrument社製の粒子径分析装置を用いて測定した。得られた結果を表5にまとめる。表5:SedipurTMCL520を用いてセリア系水性研磨剤組成物の安定化表5により、10ppmのような少量の添加であっても、セリア粒子の凝集を制御するには十分であり、水性研磨剤組成物及びそのポットライフの安定性を高めることができることは明らかである。実施例6及び比較例C8カチオン変性凝集剤を含む水性研磨剤組成物実施例6及びカチオン変性凝集剤を含まない水性研磨剤組成物比較例8、並びに窒化物に対する酸化物の選択度。0.5質量のセリア及び0.025質量のグルクロン酸を含む水性研磨剤組成物pHは3を、比較例C8に使用した。0.5質量のセリア及び0.025質量のグルクロン酸を含む水性研磨剤組成物pHは3、及び70ppmのSedipurTMCL520を実施例6に使用した。二酸化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハ及び窒化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハを、比較例C1~C5において上述のように研磨した。得られた結果を表6にまとめる。表6:二酸化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハ及び窒化ケイ素コーティングされたブランケットウェーハのCMP、並びに窒化物に対する酸化物の選択度。aオングストローム/分表6によれば、SedipurTMCL520を添加したことにより、研磨結果に悪影響を及ぼさなかったことは明らかである。しかしながら、実施例6の水性研磨剤組成物は、比較例C8の水性研磨剤組成物よりもはるかに長いポットライフを示した。"