"第1の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成された第1電極と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成され、前記第1電極の上に位置する開口部と、前記第1の面側の面とは反対側の面であって、前記開口部とは離間した位置において円形の第1領域を有する第2の面と、を有する絶縁膜と、前記第2の面の前記第1領域を囲むように形成された第1樹脂部と、前記第2の面の前記第1領域の上に形成され、前記第2の面側の面とは反対側の面であって、前記第2の面に向かう方向に凸な曲面である第3の面を有する第2樹脂部と、前記第1電極と接続し、前記第2樹脂部の前記第3の面の上に形成された第1の部分と、前記第1の部分から前記第1電極まで延びる第2の部分と、を有する配線と、前記第1の部分の上に形成された第2電極と、を有する半導体装置。請求項1において、前記第1樹脂部は、リング状の形状である、半導体装置。請求項1において、前記第1樹脂部は、互いに離間して、前記第1領域を囲むように配置される複数の第3樹脂部から形成される、半導体装置。請求項1から3のいずれか1項において、前記第1樹脂部は前記第2樹脂部よりも弾性率が小さい、半導体装置。第1の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成された第1電極と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成され、前記第1電極の上に位置する開口部と、前記第1の面側の面とは反対側の面であって、前記開口部とは離間した位置において円形の第1領域を有する第2の面と、を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記第2の面の前記第1領域を囲むように第1樹脂部を形成する工程と、前記第2の面の前記第1領域の上に、前記第2の面側の面とは反対側の面であって、前記第2の面に向かう方向に凸な曲面である第3の面を有する第2樹脂部を形成する工程と、前記第1電極と接続し、前記第2樹脂部の前記第3の面の上に形成された第1の部分と、前記第1の部分から前記第1電極まで延びる第2の部分と、を有する配線を形成する工程と、前記第1の部分に第2電極を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。請求項5において、前記第1樹脂部をリング状の形状に形成する、半導体装置の製造方法。請求項5において、前記第1樹脂部を、互いに離間して、前記第1領域を囲むように配置される複数の第3樹脂部を形成することによって形成する、半導体装置の製造方法。請求項5から7のいずれか1項において、前記第2樹脂部を形成する工程において用いる樹脂材料の粘性は、1Pas以上である、半導体装置の製造方法。請求項5から8のいずれか1項において、前記第1樹脂部を形成する工程において用いる樹脂材料の弾性率は、前記第2樹脂部を形成する工程において用いる樹脂材料の弾性率よりも小さい、半導体装置の製造方法。本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、接続信頼性の高い半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供することができる。1本形態に係る半導体装置は、第1の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成された第1電極と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成され、前記第1電極の上に位置する開口部と、前記第1の面側の面とは反対側の面であって、前記開口部とは離間した位置において円形の第1領域を有する第2の面と、を有する絶縁膜と、前記第2の面の前記第1領域を囲むように形成された第1樹脂部と、前記第2の面の前記第1領域の上に形成され、前記第2の面側の面とは反対側の面であって、前記第2の面に向かう方向に凸な曲面である第3の面を有する第2樹脂部と、前記第1電極と接続し、前記第2樹脂部の前記第3の面の上に形成された第1の部分と、前記第1の部分から前記第1電極まで延びる第2の部分と、を有する配線と、前記第1の部分の上に形成された第2電極と、を有する。本発明によれば、第2電極は、配線を介して、第2樹脂部の第2の面に向かう方向に凸な曲面である第3の面の上方に形成される。これによれば、第3の面が平坦面である場合よりも、第2電極にかかる応力をより緩和することができる。したがって、接続信頼性が高い半導体装置を提供することができる。なお、本発明に係る記載では、~の上という文言を、例えば、特定のもの以下Aというの上に他の特定のもの以下Bというを形成する等と用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、A上に直接Bを形成するような場合と、A上に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとして、~の上という文言を用いている。同様に、~の下という文言は、A下に直接Bを形成するような場合と、A下に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとする。2本形態に係る半導体装置において、前記第1樹脂部は、リング状の形状であってもよい。3本形態に係る半導体装置において、前記第1樹脂部は、互いに離間して、前記第1領域を囲むように配置される複数の第3樹脂部から形成されていてもよい。4本形態に係る半導体装置において、前記第1樹脂部は前記第2樹脂部よりも弾性率が小さくてもよい。5本形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成された第1電極と、前記半導体基板の前記第1の面の上に形成され、前記第1電極の上に位置する開口部と、前記第1の面側の面とは反対側の面であって、前記開口部とは離間した位置において円形の第1領域を有する第2の面と、を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記第2の面の前記第1領域を囲むように第1樹脂部を形成する工程と、前記第2の面の前記第1領域の上に、前記第2の面側の面とは反対側の面であって、前記第2の面に向かう方向に凸な曲面である第3の面を有する第2樹脂部を形成する工程と、前記第1電極と接続し、前記第2樹脂部の前記第3の面の上に形成された第1の部分と、前記第1の部分から前記第1電極まで延びる第2の部分と、を有する配線を形成する工程と、前記第1の部分に第2電極を形成する工程と、を有する。本発明によれば、第2電極は、配線を介して、第2樹脂部の第2の面に向かう方向に凸な曲面である第3の面の上方に形成される。これによれば、第3の面が平坦面である場合よりも、第2電極にかかる応力をより緩和することができる。したがって、接続信頼性が高い半導体装置の製造方法を提供することができる。6本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記第1樹脂部をリング状の形状に形成してもよい。7本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記第1樹脂部を、互いに離間して、前記第1領域を囲むように配置される複数の第3樹脂部を形成することによって形成してもよい。8本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記第2樹脂部を形成する工程において用いる樹脂材料の粘度は、1Pas以上であってもよい。9本形態に係る半導体装置の製造方法において、前記第1樹脂部を形成する工程において用いる樹脂材料の弾性率は、前記第2樹脂部を形成する工程において用いる樹脂材料の弾性率よりも小さくてもよい。以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。1.半導体装置以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置について説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置100を模式的に示す平面図である。図2Aは、図1に示す半導体装置100のIIA-IIA線での断面の一部を模式的に示す断面図であり、図2Bは、図1に示す半導体装置100のIIB-IIB線での断面の一部を模式的に示す断面図である。なお、本実施形態の説明において、平面図という文言は、半導体装置100の後述される第1の面11の法線方向から半導体装置100を見た場合の平面図という意味で用いる。また、平面視という文言も、第1の面11の法線方向から半導体装置100を見た場合の平面視という意味で用いる。図1及び図2Aに示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板10を有する。半導体基板10は、図1に示すように、チップ状をなしていてもよい。すなわち、半導体基板10は半導体チップであってもよい。あるいは、半導体基板10は、複数の半導体基板10からなるウエハー状をなしていてもよい図示せず。例えば、導体基板10は、シリコン基板であってもよい。図2A及び図2Bに示すように、半導体基板10には、集積回路1が形成される。集積回路1は、半導体基板10の一方の面の表層に形成される。集積回路1の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。図1及び図2Aに示すように、半導体基板10は、第1の面11を有する。第1の面11は、図1及び図2Aに示すように、後述される第1電極14や絶縁膜16が形成される面である。図1及び図2Aに示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板10の第1の面11上に形成された第1電極14を有する。第1電極14は、半導体基板10の内部に形成された集積回路1と内部配線図示せずによって電気的に接続されていてもよい。第1電極14は、半導体基板10の内部配線の一部であってもよい。第1電極14は、集積回路1が形成される領域以外に形成されていてもよいし、集積回路1が形成される領域の上方に形成されていてもよい。図1に示すように、第1電極14は、複数形成されてもよい。第1電極14は、半導体基板10の外周辺に沿って配置されていてもよい。また、第1電極14は、半導体基板10の中央部に形成されていてもよい。第1電極14の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、第1電極14は、アルミニウムAl又は銅Cu等の金属で形成されていてもよい。第1電極14は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するチタンTi又はチタンタングステンTiWなどの金属で形成されるバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。図1~図2Bに示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、絶縁層16を有する。絶縁層16はパッシベーション膜であってもよい。第1の面11上で、絶縁層16は、第1電極14の少なくとも一部を露出させるように形成される。つまりは、絶縁層16は、第1電極14の上に位置する開口部16aを有する。また、図1~図2Bに示すように、絶縁層16は、前記第1の面側の面とは反対側の第2の面16bを有する。図1及び図2Aに示すように、第2の面16bは、開口部16aとは離間した位置において円形略円形を含むの第1領域16cを有する。第1領域16は、上方に外部端子となる第2電極60が配置される領域であって、設計上設けられる仮想領域である。平面視における第2電極60の中心位置が第1領域16cの中心と一致する。第1領域16の大きさは、特に限定されず、後述される第1樹脂部20と第2樹脂部30の形状を考慮して適宜決定される事項である。詳細は後述される。図1に示すように、第1領域16cは、形成される第2電極60の数に対応して複数設けられていてもよい。絶縁層16の材質は、電気的絶縁性を有する限り、特に限定されない。例えば、絶縁層16は、SiO2やSiN等の無機絶縁層であってもよい。あるいは、絶縁層16は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁層であってもよい。図1~図2Bに示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、第1樹脂部20を有する。第1樹脂部20は、第2の面16bの第1領域16cを囲むように形成される。第1樹脂部20は、図2Bに示すように、第2の面16b側の面とは反対側の面である上面21と、上面21から第2の面16bに至るテーパー面である側面22、23と、を有する。したがって、第1樹脂部20の断面図例えば、図2AのIIA-IIA線における断面図における形状は台形である。図2Bに示すように、側面22は外側を向く面であり、側面23は内側第1樹脂部20の中心側を向く面である。第1樹脂部20の平面視における形状は、第1領域16cを囲むように形成される限り特に限定されず、例えば、図1に示すように、平面視においてリング状円環状の形状連続して第1領域16cを囲む形状を有していてもよい。図2Bに示すように、側面23の内側第1樹脂部20の内側の領域対向する側面23に挟まれた領域が第1領域16cとなる。また、図2Bに示すように、上面21と側面23が形成する角部と、該角部と最も遠い位置において対向する角部との間の間隔幅をWとする。図2Bに示すように、後述される第2電極60ハンダボール60の最大直径をdとした場合、間隔Wが、第2電極60の直径dと同じとなるように、第1領域16c及び第1樹脂部20を形成してもよい。第1樹脂部20は、応力緩和機能を有する樹脂から形成される。第1樹脂部20は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole等で形成されていてもよい。また、第1樹脂部20は、後述される第2樹脂部30よりも弾性率が低くなるように形成されていてもよい。言い換えると、第1樹脂部20は、第2樹脂部30よりも柔らかく形成されている。すなわち、第1樹脂部20は、第2樹脂部30と較べた場合、より小さな力で弾性変形させることができる。第1樹脂部20及び第2樹脂部30を、異なる材料で形成することで、両者の弾性率に差異を設けてもよい。第2樹脂部30をポリイミド樹脂で形成した場合には、第1樹脂部20をシリコーン変性ポリイミド樹脂若しくはベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole等で形成することで両者の弾性率に差異を設けてもよい。また、第2樹脂部30をエポキシ樹脂で形成した場合には、第1樹脂部20をポリイミド樹脂で形成することで両者の弾性率に差異を設けてもよい。図1~図2Bに示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、第2樹脂部30を有する。図1に示すように、第2樹脂層30は、半導体基板10の端部を避けて中央部に形成されていてもよい。図2A及び図2Bに示すように、第2樹脂部30は、少なくとも第2の面16bの第1領域16cの上に形成される。第2樹脂部30は、第1樹脂部20の内側を充填するように形成されていてもよい。第2樹脂部30は、第2の面16b側の面とは反対側の面であって、第2の面16b半導体基板10に向かう方向に凸な曲面である第3の面30a上面を有する。第3の面30aの平面形状は、平坦面を有さない曲面であれば特に限定されない。言い換えれば、第3の面30aには、第2の面16bに向かう方向に凸な曲面の窪みが形成される。図2Aに示すように、第2樹脂部30は、第1電極14を全て覆わないように形成される。図2Aに示すように、第2樹脂部30は、第1電極14の上に位置する開口部30bを有していてもよい。また、図2Aに示すように、第2樹脂部30は、第1樹脂部20を覆うように形成されていてもよい。第2樹脂部30は、応力緩和機能を有する樹脂から形成される。第2樹脂部30は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole等で形成されていてもよい。ここで、第2樹脂部30を形成するための樹脂材料は、高い粘度の材料から選択される。例えば、第2樹脂部30の樹脂材料の絶対粘度は、1Pas以上、10Pas以下であってもよい。これによれば、第2樹脂部30の製造工程において、第3の面30aの平面形状を比較的簡便に所望の曲面とすることができる。例えば、第2樹脂部30をポリイミド樹脂で形成した場合には、例えば、分子量が10,000以上、700,000以下の樹脂材料を選択することで、絶対粘度を、例えば、1Pas以上、10Pas以下とすることができる。また、樹脂材料は、樹脂材料の粘度を調整する公知の調整剤を含んでいてもよい。図1~図2Bに示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、配線40を有する。配線40は、図1及び図2Aに示すように、第1電極14と接続する。配線40は、図2Aに示すように、第2樹脂部30の第3の面30aの上に形成された第1の部分41ランド部41と、第1の部分41から第1電極14まで延びる第2の部分42ライン部42と、を有する。第2の部分42は第2樹脂部30の上及び第1電極14の上に形成される。第1の部分41ランド部41は、第3の面30aの上に形成された配線であるため、その平面形状は第3の面30aの形状に対応する。したがって、第1の部分41ランド部41は、第2の面16bに向かう方向に凸な曲面である。第1の部分41と第2の部分42とは、一体的に形成されていてもよい。このとき、第1の部分41と第2の部分42とをあわせて、配線パターン40と称してもよい。配線40は、単層の導電層であってもよいし、複数の導電層の積層体であってもよい。例えば、図2Aに示すように、第1の配線40aと第2の配線40bとを有していてもよい。第1の配線40aは、第2樹脂層30の上に形成される層であって、配線40の下層であってもよい。また、第2の配線40bは、第1の配線40aの上に形成される層であって、配線40の上層であってもよい。配線40の材質は、導電性を有する限り特に限定されない。例えば、第1の配線40aは、銅Cu、チタンTi、チタンタングステンTiW及びクロムCrのいずれか1つを含む単層体であってもよい。又は、第1の配線40aは、銅Cu、チタンTi、チタンタングステンTiW及びクロムCrの少なくとも1つを含む積層体であってもよい。第2の配線40bの材料は、第1の配線40aの導電材料よりも高い耐腐食性を有する限り特に限定されない。例えば、第2の配線40bは、金Au、ニッケルNiのいずれか1つを含む単層体であってもよい。また、例えば、第2の配線40bは、金Au及びニッケルNiを含む積層体であってもよい。本実施の形態に係る半導体装置は、図1~図2Bに示すように、レジスト層50を有してもよい。レジスト層50は、配線40の少なくとも一部を覆っている。配線40の、第1の部分41を除いた部分をすべてレジスト層50で覆うことで、配線40の酸化、腐食を防止し、電気的な不良を防止することができる。レジスト層50は、図2A及び図2Bに示すように、配線40の第1の部分41の上方に開口部51を有する。図示はされないが、レジスト層50は、第1の部分41の周縁部を覆ってもよい。レジスト層50の材質は、絶縁性を有し、配線40の一部を封止できる限り、特に限定されない。例えば、レジスト層50は、公知の樹脂であってもよい。また、例えば、レジスト層50は、公知のソルダーレジストであってもよい。具体的には、レジスト層50は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。本実施の形態に係る半導体装置は、図1~図2Bに示すように、第2電極60を有する。第2電極60は、外部の電子部材と電気的に接続される外部端子である。第2電極60は、図1~図2Bに示すように、最大直径をdとする球状のハンダボールハンダバンプ、ソルダーボールである。第2電極60は、第1の部分41の上に形成される。第2電極60は、配線40を介して、第1電極14と電気的に接続される。第2電極60の材質は、金属例えば合金であって、溶融させて電気的な接続を図るもの例えばはんだであってもよい。第2電極60は、軟ロウ又は硬ロウのいずれかで形成されていてもよい。本実施の形態に係る半導体装置100は、以上のように構成されていてもよい。本実施形態に係る半導体装置100は、例えば、以下の特徴を有する。半導体装置100によれば、外部端子である第2電極60が、配線40を介して、第2の面16bに向かう方向に凸な曲面である第3の面30aの上に形成される。一般的に、半導体装置をマザーボード等に実装した後、半導体チップとマザーボードとの熱膨張率の違いなどが原因となって、外部端子であるバンプに対して様々な方向の応力が発生することがある。バンプが平坦な面の上に形成されている場合、バンプとランド部との界面に発生する応力は、ランド部の下方の樹脂部材では緩和されにくい。これに対し、半導体装置100によれば、半導体装置100の外部端子である第2電極60は、曲面であるランド部41第1の部分41の上に形成されるため、バンプが平坦な面の上に形成されている場合よりも、第2電極60と第1の部分41との界面に発生する応力を緩和し、低減することができる。また、半導体装置100によれば、第2電極60から半導体基板10に向かう方向第1の面11に対して垂直な方向に発生する応力を、半導体基板10第2の面16bに向かう方向に凸な曲面である第3の面30aによって緩和することができる。平坦な面である場合と比べて、曲面である第3の面30aにより緩和することにより、応力をより効果的に分散させることができる。また、半導体装置100によれば、第1樹脂部20が、第2樹脂部30よりも柔らかく形成されている場合、曲面からなる第1の部分41ランド部41の曲面の周縁部分第1樹脂部20に近い部分ほど変形しやすく、応力を吸収しやすいため、第2電極60と第1の部分41との界面に発生する応力をより緩和することができる。また、第1樹脂部20を弾性変形させた場合でも、第2樹脂部30は、第1樹脂部20よりも弾性率が高いため、第1樹脂部20が大きく変形しすぎることを防止することができる。以上から、応力に対する信頼性の高い半導体装置100を提供することができる。なお、本実施形態に係る半導体装置100の構造は、上記において説明したものに限られない。以下において、本実施形態の変形例に係る半導体装置100について、図面を参照しながら説明する。図3及び図4は、半導体装置100の変形例1及び2に係る断面図である。図5は、半導体装置100の変形例3を説明するための図であって、第1樹脂部20と第2電極60のみを模式的に示す断面図である。図6A~図6Cは、半導体装置100の変形例4を説明するための図であって、第1樹脂部20のみを模式的に示す平面図である。図7は、半導体装置100の変形例5に係る断面図である。変形例1例えば、図3に示すように、第2電極60ハンダボール60の最大直径dよりも間隔Wが大きくなるように、第1樹脂部20を配置してもよい。ここで、例えば、図3に示すように、第1領域16cの直径が第2電極60の直径dと同じとなるように第1樹脂部20を配置してもよい。また、図示はされないが、第1領域16cの直径が第2電極60の直径dよりも大きくなるように第1樹脂部20を配置してもよい。このとき、平面視において、第2電極60の周囲を第1領域16cが囲うように第1樹脂部20を配置してもよい。本変形例によれば、第3の面30aの曲面をよりなだらかにすることができる。したがって、第1の面11に対して垂直な方向における応力をより緩和することができる。変形例2また、例えば、図4に示すように、第2電極60ハンダボール60の最大直径dよりも間隔Wが小さくなるように、第1樹脂部20を配置してもよい。ここで、例えば、図4に示すように、第1樹脂部20のすべての上面21が、第2電極60の下方に位置するように第1樹脂部20を配置してもよい。また、図示はされないが、第1樹脂部20のすべて上面21、側面22、23が、平面視において第2電極60とオーバーラップするように第1樹脂部20を配置してもよい。本変形例によれば、複数の外部端子60をより省スペースで配置することができるため、半導体装置100の外部端子の接続信頼性を向上させ、かつ、外部端子の高密度化も図ることができる。変形例3また、例えば、図5に示すように、第3の面30aが、第2電極60の球面とより近似した曲面となるように、間隔Wを、第2電極60の半径dから幾何学的に決定してもよい。例えば、図5に示すように、球状の第2電極60の中心を中心点cとした場合、中心点cから第1の面11への垂線と、中心点cから第1樹脂部20の上面21と側面23との角部への直線とが形成する角度をαとする。間隔Wは、三角関数から下記の式1によって決定される。W=d/2×sinα×2式1ランド部である第1の部分41において第2電極60が構造上安定的に形成される角度αは、30°以上、60°以下であり、より好適には、角度αが、45°である。したがって、第1樹脂部20と第2電極60とが、このような位置関係となる間隔Wの範囲は、d/2α=30°の場合≦W≦√3d/2α=60°の場合である。また、より好適には、W=d/√2α=45°の場合であってもよい。したがって、第1樹脂部20の間隔Wが、d/2≦W≦√3d/2を満たすように配置してもよい。本変形例によれば、第3の面30aが、第2電極60の球面とより近似した曲面となり、角度αが30°以上、60°以下となるように第1樹脂部20を配置することができる。したがって、第2電極60をより安定的に支えることができるため、接続信頼性を向上させることができる。変形例4また、例えば、図6B及び図6Cに示すように、第1樹脂部20を、互いに離間して、第1領域16cを囲むように配置される複数の第3樹脂部20b、20cから形成してもよい。図6Aは上述された本実施形態に係る半導体装置の第1樹脂部20を模式的に説明する図である。図6Aに示すように、第1樹脂部20は、リング状の形状に形成されている。これに対し、例えば、図6Bに示すように、第1樹脂部20は、リング状の形状が二箇所で切断された形状であってもよい。このとき、第1樹脂部20は、2つの第3樹脂部20bから形成される。ここで図示はされないが、第1樹脂部20は、リング状の形状が二箇所以上の箇所で切断された形状であってもよい。また、例えば、図6Cに示すように、ポスト状円柱状または円錐状の樹脂突起である第3樹脂部20cが第1領域16cを囲むように配置されていてもよい。図示の例では、4つの第3樹脂部20cが第1領域16cの中心点において点対称に配置されている。ここで、図6Cに示すように、複数の第3樹脂部20cは第1領域16cが内接円となるように配置される。また、図示はされないが、3つの第3樹脂部20cによって第1樹脂部20が形成されていてもよいし、4つ以上の第3樹脂部20cによって第1樹脂部20が形成されていてもよい。本変形例によれば、第1領域16cの外周全てが第1樹脂部20によって囲まれていない。したがって、製造工程において、ボイドが形成されにくく、第1領域16cの上方に第2樹脂部30を形成する際、第1樹脂部20内をより確実に充填することができるため、半導体装置100の信頼性を向上させることができる。変形例5また、例えば、図7に示すように、第1樹脂部20の上面21は、第2樹脂部30によって覆われていなくてもよい。言い換えれば、第2樹脂部30は、第1樹脂部20の側面22、23のみを覆うように形成される。本変形例によれば、第2樹脂部30よりも低弾性で変形しやすい第1樹脂部20の応力緩和効果をより高めることができ、より応力を緩和することができる。なお、これらの変形例で、具体的に説明した内容以外の点については、上述した実施の形態と同じ内容を当てはめることができ、同じ効果を達成することができる。また、ここまで説明してきた内容を組み合わせて、半導体装置100を構成してもよい。なお、以上で説明した本実施形態に係る半導体装置100及び変形例1~5に係る半導体装置100は、そのパッケージサイズが半導体チップにほぼ等しくなり、CSPに分類することができる。あるいは、半導体装置100は、応力緩和機能を備えるフリップチップであるということもできる。図8には、半導体装置100が実装された回路基板1000を示す。また、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図9にはノート型パーソナルコンピューター2000を、図10には携帯電話3000を、それぞれ示す。2.半導体装置の製造方法以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する。したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は以下に限定されるものではない。図11A~図12Dは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する要部の断面図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の面11を有する半導体基板10と、半導体基板10の第1の面11の上に形成された第1電極14と、半導体基板10の第1の面11の上に形成され、第1電極14の上に位置する開口部16aと、第1の面11側の面とは反対側の面であって、開口部16aとは離間した位置において円形の第1領域16cを有する第2の面16bと、を有する絶縁膜16と、を有する構造体を用意する工程S1と、第2の面16bの第1領域16cを囲むように第1樹脂部20を形成する工程S2と、第2の面16bの第1領域16cの上に、第2の面16b側の面とは反対側の面であって、第2の面16bに向かう方向に凸な曲面である第3の面30aを有する第2樹脂部30を形成する工程S3と、第1電極14と接続し、第2樹脂部30の第3の面30aの上に形成された第1の部分41と、第1の部分41から第1電極14まで延びる第2の部42分と、を有する配線40を形成する工程S4と、第1の部分41に第2電極60を形成する工程S5と、を有する。構造体を用意する工程S1は、図11A及び図11Bに示すように、半導体基板200を用意することを含む。なお、図11Aは、半導体基板200の全体形状を示す図であり、図11Bは、半導体基板200の断面図である。半導体基板200は、図11Aに示すように半導体ウエハーであってもよい。半導体基板200は、図11Aに示すように、複数の半導体装置となる領域201を含む。また、図11Bに示すように、半導体基板200には、複数の集積回路1が形成されてなる。集積回路1は、半導体装置となる領域201毎に形成されていてもよい。半導体基板200は、図11Bに示すように、複数の電極14を有する。図12Aに示すように、領域201毎には、第1の面11を有する半導体基板10と、半導体基板10の第1の面11の上に設けられた第1電極14と、第1電極14の上に位置する開口部16aを有する絶縁層16と、を有する構造体が設けられている。なお、半導体基板10、第1電極14及び絶縁層16に係る説明は、上述されている説明を適用し、省略する。次に、図12Bに示すように、第1樹脂部20を形成するS2。なお、第1樹脂部20に係る説明は、上述されている説明を適用し、省略する。第1樹脂部20は、公知の方法によって形成される。第1樹脂部20を形成する工程は、例えば、感光性の樹脂材料をスピンコート法などの公知の成膜技術により成膜して、樹脂層29を形成する工程と、公知のフォトリソグラフィー技術によって露光処理する工程と、樹脂層29をパターニングする工程と、熱処理して硬化させる工程と、を有していてもよい。ここで、第1樹脂部20を形成する工程において用いる樹脂材料の弾性率は、第2樹脂部30を形成する工程において用いる樹脂材料の弾性率よりも小さくてもよい。次に、図12Cに示すように、第2樹脂部30を形成するS3。第2樹脂部30を形成する工程は、上述された第1樹脂部20を形成する工程と同じ工程であってもよい。第2樹脂部30を形成する工程において用いる樹脂材料の粘性は、1Pas以上である。これにより、樹脂材料をスピンコートなどにより成膜する場合に、第1領域16cの上方において曲面からなる第3の面30cを容易に形成することができる。次に、図12Dに示すように、配線40を形成するS4。なお、配線40に係る説明は、上述された説明を適用し、省略する。配線40の製造方法は特に限定されず、公知の成膜技術を用いて形成される。配線40を形成する工程S4は、例えば、スパッタ法によって、銅Cuからなる第1導電膜を形成する工程と、配線40が所望の配線パターンとなるようにレジストを形成する工程と、電界メッキ法によりメッキ成長させて、レジストから露出した第1導電層の上に金Auなどの第2導電層を形成する工程と、を含む。次に、レジストを除去し、第2導電層をマスクとしてエッチングを行い、第1導電層をパターニングする。以上によって、配線40を所望の形状にパターニングすることができる。次に、レジスト層50を形成する図2A参照。第2の絶縁層40の説明は、上述された説明を適用し、省略する。レジスト層50は、公知のいずれかの方法によって形成される。レジスト層50は、例えば、感光性の樹脂層を第2樹脂部30及び配線40の上に形成した後、公知のフォトリソグラフィー技術によって露光処理し、所望の形状にパターニングされる図示せず。次に、第1の部分41に第2電極60を形成するS5図2A参照。レジスト層50の開口部51内の第1の部分41の上に外部端子50が形成される図2A参照。外部端子50は、導電性を有する材料であれば特に限定されるものではなく、例えば半田ペーストから形成された半田バンプソルダーボールであってもよい。さらには、半導体基板200を切断する工程、検査工程等を経て、半導体装置100を製造してもよい図1、図2A及び図2B参照。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は以上のいずれかの構成をとることができる。本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、接続信頼性が高い半導体装置の製造方法を提供することができる。なお、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上記において説明したものに限られない。図13は、本実施形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。例えば、図13に示すように、第2樹脂部30を形成する工程S3は、樹脂材料を成膜する工程又はパターニングする工程の後、例えば、ドライエッチングによって、第1樹脂部20の上面21を露出させる工程を含んでいてもよい。ドライエッチングは、公知の技術を用いることができ、例えば、O2プラズマエッチングを適用することができる。これによれば、変形例5に係る半導体装置100の製造方法を提供することができる。上記のように、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。"