基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するとともに、当該分離溝の片側にある第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する処理工程とを具備する薄膜太陽電池の製造方法。基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程とを具備する薄膜太陽電池の製造方法。基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の片側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程とを具備する薄膜太陽電池の製造方法。基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程とを具備する薄膜太陽電池の製造方法。基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程と、前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程とを具備する薄膜太陽電池の製造方法。請求項2記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接するためのレーザ光を照射する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段とを具備するレーザ加工機。請求項3記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の片側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接するためのレーザ光を照射する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段を具備するレーザ加工機。請求項4記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段とを具備する薄膜太陽電池製造装置。請求項5記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段と、前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段とを具備する薄膜太陽電池製造装置。本発明は、製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らせる、及び/または、発電効率の向上を見込めるような、新たな薄膜太陽電池の製造プロセスを提供しようとするものである。本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するとともに、当該分離溝の片側にある第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する処理工程とを具備する。本発明によれば、レーザ加工工程と処理工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、処理工程で必要となるレーザ加工機を集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。より具体的には、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程とを実施する。この場合、第二のレーザ加工工程及び第三のレーザ加工工程が、上記の処理工程に相当する。当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と第三のレーザ加工工程とを、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。さらには、発電層を分割する分離溝と、第二の電極膜を分割する分離溝とを一括に形成できることから、セルとセルとの境界領域に所在する分離溝の本数が一本少なくなり、薄膜太陽電池製品における非発電領域を狭めることが容易になる。当該製造方法を実施するためのレーザ加工機としては、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の両側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接するためのレーザ光を照射する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜との溶接部分を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段とを具備するものが考えられる。このような加工機であれば、第二のレーザ加工工程及び第三のレーザ加工工程の両方を実行することが可能である。あるいは、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成しつつ当該分離溝の片側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程とを実施してもよい。この場合、第二のレーザ加工工程が、上記の処理工程に相当する。当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程を、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。さらには、発電層を分割する分離溝と、第二の電極膜を分割する分離溝とを一括に形成できることから、セルとセルとの境界領域に所在する分離溝の本数が一本少なくなり、薄膜太陽電池製品における非発電領域を狭めることが容易になる。あるいは、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程とを実施してもよい。この場合、第二のレーザ加工工程及び短絡処理工程が、上記の処理工程に相当する。当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程を、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。さらには、発電層を分割する分離溝と、第二の電極膜を分割する分離溝とを一括に形成できることから、セルとセルとの境界領域に所在する分離溝の本数が一本少なくなり、薄膜太陽電池製品における非発電領域を狭めることが容易になる。当該製造方法を実施するための薄膜太陽電池製造装置としては、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段とを具備するものが考えられる。このような製造装置であれば、第二のレーザ加工工程及び短絡処理工程の両方を実行することが可能である。あるいは、基板上の第一の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第一のレーザ加工工程と、分離溝を形成した第一の電極膜に発電層及び第二の電極膜を重ねて製膜する製膜工程と、発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程と、前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程とを実施してもよい。この場合、第二のレーザ加工工程、短絡処理工程及び第三のレーザ加工工程が、上記の処理工程に相当する。当該製造方法によれば、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層の製膜及び第二の電極膜の製膜の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と第三のレーザ加工工程とを、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。当該製造方法を実施するための薄膜太陽電池製造装置としては、第一の電極膜に重ねて製膜された発電層及び第二の電極膜を切削した凹溝を形成する第二のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝に第一の電極膜と第二の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段と、前記凹溝における、前記分離溝とは反対側の側縁部に、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成する第三のレーザ加工工程用のレーザ光照射手段とを具備するものが考えられる。このような製造装置であれば、第二のレーザ加工工程、短絡処理工程及び第三のレーザ加工工程をまとめて実行することが可能である。本発明によれば、薄膜太陽電池の製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことができ、及び/または、薄膜太陽電池製品の発電効率の向上を見込める。本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。以下に述べる各実施形態は、主としてシリコン系薄膜太陽電池の製造を念頭に置いている。但し、CIGS系や有機薄膜系等の太陽電池の製造に本発明を適用することを妨げるものではない。<第一実施形態>図1及び図2に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。a透明導電膜の製膜b透明導電膜の分離溝形成cシリコン膜の製膜d裏面電極膜の製膜eシリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成fシリコン膜及び裏面電極膜の分離溝の一方側の側縁部の除去図1に示すように、製膜工程aでは、第一の電極膜たる透明導電膜1特に、TCO膜を、CVD法等により透明基板0上に蒸着する。但し、今日では、太陽電池等の製造用に予め透明導電膜1が製膜されたガラス基板が市販されている。そのような基板を入手できる場合、aの工程は省略することができる。第一のレーザ加工工程bでは、レーザ光41を照射して、透明導電膜1をセル単位に分割する複数本の分離溝11を切削形成する。レーザ光41は、例えば波長1064nmの近赤外レーザとする。このレーザ光41は、透明基板0側から、透明基板0を透過させて照射する。製膜工程cでは、発電層たるシリコン膜2非晶質半導体膜、非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との重層等を、CVD法等により透明導電膜1上に蒸着する。このとき、シリコン膜2の構成材料が、先に透明導電膜1に形成した分離溝11内に入り込む。図2に示すように、製膜工程dでは、第二の電極膜たる裏面電極膜特に、メタル膜3を、スパッタリング法等によりシリコン膜2上に蒸着する。第二のレーザ加工工程eでは、レーザ光42を照射して、シリコン膜2をセル単位に分割する複数本の分離溝21を切削形成する。各分離溝21は、aで形成した各分離溝11にできるだけ近接させる。レーザ光42は、例えば波長532nmの第二高調波可視光緑色レーザとする。このレーザ光42は、透明基板0側から、透明基板0及び透明導電膜1を透過させて照射する。波長532nmのレーザ光42は、透明導電膜1には殆ど吸収されず、専らシリコン層2に吸収される。レーザ光42のエネルギを吸収したシリコン膜2は、その上に重なっている裏面電極膜3もろとも吹き飛ぶ。よって、裏面電極膜3とシリコン膜2とをともに貫く深底の分離溝21が、一括に形成されることとなる。尤も、レーザ光を裏面電極膜3側から照射して、裏面電極膜3及び発電層2に分離溝21を切削形成しても構わない。さらに、eでは、分離溝21の両側縁部において、透明導電膜1と裏面電極膜3とを電気的に短絡するよう溶接する。そのために、波長532nmのレーザ光42に照射位置または、レーザ光軸を重ね合わせるようにして、例えば波長1064nmのレーザ光43を、波長532nmのレーザ光42と同時に、または波長532nmのレーザ光42の照射後に照射する。このレーザ光43は、図2に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。しかして、第三のレーザ加工工程fでは、eで形成した各分離溝21の一方側図1及び図2中右側、分離溝11からより遠い側の側縁部において、透明導電膜1と裏面電極膜3との溶接部分31を電気的に絶縁するよう除去する。そのために、各分離溝21の一方側の側縁部に、例えば波長532nmのレーザ光44を照射して、透明導電膜1の層に垂れ下がり溶着している裏面電極膜3の成分31を切削除去する。このレーザ光44は、図2に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。以上の工程aないしfを経て、図2下段中矢印で表しているように、eで形成した分離溝21の他方側図1及び図2中左側、分離溝11により近い側の側縁部に残存する溶接部分31を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、aで形成した分離溝11から、eで形成した分離溝21の一方側の側縁部までの範囲となる。本実施形態の製造方法に含まれる工程e及びfは、一基のレーザ加工機によって実施することが可能である。第二のレーザ加工工程e及び第三のレーザ加工工程fを実施するためのレーザ加工機は、シリコン膜2及び裏面電極膜3に分離溝21を形成するレーザ光42、43を照射するレーザ光照射手段と、シリコン膜2及び裏面電極膜3に形成した分離溝21の一方側の側縁部の溶接部分31を除去するレーザ光44を照射するレーザ光照射手段とを具備する。前者のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nm及び波長532nm第二高調波のパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に製膜された積層膜1、2、3に向けて出射させる加工ノズル52とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。既に述べた通り、波長532nmのレーザ光42は裏面電極膜3及びシリコン膜2を貫く分離溝21を切削形成するものであり、波長1064nmのレーザ光43はその分離溝21の両側縁部において裏面電極膜3と透明導電膜1とを溶接し電気的に短絡させるものである。波長532nmのレーザ光42と波長1064nmのレーザ光43とは、図2に示しているように同一の加工ノズル52から出射させてもよく、別個の加工ノズルから出射させてもよい波長1064nmのレーザ光43を裏面電極膜3側から照射する場合には、波長532nmのレーザ光42を出射させる加工ノズルと、波長1064nmのレーザ光43を出射させる加工ノズルとを、基板0を挟むように上下に対向配置する。また、光学系及び加工ノズル52は、工程bを実施する透明導電膜1にレーザ光41を照射するための光学系及び加工ノズル51と共通化しても構わない。さすれば、工程bとe及びfとを一基のレーザ加工機によって実施することも可能となる。後者のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長532nmのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に製膜された積層膜1、2、3に向けて出射させる加工ノズル53とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル53は、前者のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル52と共通化しても構わない。加工ノズル52、53は、基板0に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜1、2、3に形成する分離溝11、21が延伸するY軸方向に往復走行でき、かつY軸方向とは直交するX軸方向光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝11、21が並ぶ方向にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル52、53を支持させる。分離溝11、21によって多数のセルを区画する都合上、加工ノズル52、53はX軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板0に対して加工ノズル52、53をX軸方向及び/またはY軸方向に移動させるのに替えて、基板0自体を加工ノズル52、53に対してX軸方向及び/またはY軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法は、基板0上の第一の電極膜1をセル単位に分割する分離溝11を形成するレーザ加工工程bと、分離溝11を形成した第一の電極膜1に発電層2及び第二の電極膜3を重ねて製膜する製膜工程c、dと、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝21を形成するとともに当該分離溝21の片側にある第一の電極膜1と第二の電極膜3とを電気的に短絡する処理工程e、fとを具備する。即ち、本実施形態によれば、基板0上の第一の電極膜1をセル単位に分割する分離溝11を形成する第一のレーザ加工工程bと、分離溝11を形成した第一の電極膜1に発電層2及び第二の電極膜3を重ねて製膜する製膜工程c、dと、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝21を形成しつつ当該分離溝21の両側縁部において第一の電極膜1と第二の電極膜3とを電気的に短絡するよう溶接する第二のレーザ加工工程eと、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝21の一方側の側縁部において第一の電極膜1と第二の電極膜3との溶接部分31を電気的に絶縁するよう除去する第三のレーザ加工工程fとを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層2の蒸着及び第二の電極膜3の蒸着の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と第三のレーザ加工工程とを、一基のレーザ加工機に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板0が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。加えて、セルとセルとの境界領域に形成する分離溝11、21の本数が、従来の三本から二本に減少する。これにより、薄膜太陽電池製品における非発電領域を縮小、即ち有効発電領域を拡大して、発電効率を一層向上させることも可能となる。なお、上記第一実施形態の変形例として、第二のレーザ加工工程eにおいて、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝21を形成しつつ当該分離溝21の片側縁部のみ、第一の電極膜1と第二の電極膜3とを電気的に短絡するよう溶接するように処理すれば、第三のレーザ加工工程f、及び第三のレーザ加工工程f用のレーザ光照射手段は不要となる。また、第二のレーザ加工工程eにおける、分離溝21の切削形成と、分離溝の両側縁部または片側縁部の電気的短絡のための溶接とは、同時ないし同時期に行われることもあれば、時間差をおいて行われることもある。<第二実施形態>図3ないし図4に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。a透明導電膜の製膜b透明導電膜の分離溝形成cシリコン膜の製膜d裏面電極膜の製膜e’シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成f’分離溝の片側の側縁部における透明導電膜と裏面電極膜との間の短絡製膜工程a、第一のレーザ加工工程b、製膜工程c、dについては、図1に示し、第一実施形態の説明にて述べた通りである。図3に示すように、第二のレーザ加工工程e’では、レーザ光45を照射して、シリコン膜2をセル単位に分割する複数本の分離溝21を切削形成する。各分離溝21は、aで形成した各分離溝11にできるだけ近接させる。レーザ光45は、例えば波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光45は、透明基板0側から、透明基板0及び透明導電膜1を透過させて照射する。波長532nmのレーザ光45は、透明導電膜1には殆ど吸収されず、専らシリコン層2に吸収される。レーザ光45のエネルギを吸収したシリコン膜2は、その上に重なっている裏面電極膜3もろとも吹き飛ぶ。よって、裏面電極膜3とシリコン膜2とをともに貫く深底の分離溝21が、一括に形成されることとなる。尤も、レーザ光を裏面電極膜3側から照射して、裏面電極膜3及び発電層2に分離溝21を切削形成しても構わない。第一実施形態と異なり、本実施形態における第二のレーザ加工工程e’では、分離溝21の両側縁部において、透明導電膜1と裏面電極膜3とを電気的に短絡するように溶接はしない。替わりに行う短絡処理工程f’では、e’で形成した各分離溝21の一方側図3及び図4中左側、分離溝11により近い側の側縁部において、導電体特に、銀6を塗布する。導電体6は、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と、bで形成した分離溝11の他方側図3及び図4中右側、分離溝21により近い側の側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡するためのものである。導電体6の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズルヘッド等71を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜3側から液体またはペースト状の導電体6を分離溝21内に向けて吐出する。吐出された導電体6は、一部が分離溝21内に入り込み、分離溝21の底部に露出している透明導電膜1に接触するとともに、残りが分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3の上を覆う。なお、この導電体6は、分離溝21の他方側図3及び図4中右側、分離溝11からより遠い側の側縁部にある裏面電極膜3に接触させてはならない。その後、塗布した導電体6を硬化させる。図3に示すように、本実施形態では、導電体6にレーザ光46を照射することで、この導電体6を焼成または、焼結することとしている。レーザ光46は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光46は、図3に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、あるいは、裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。尤も、第一の電極膜1がTCO膜である場合に、波長1064nmのレーザ46を透明基板0側から透過させて照射することは、このレーザ光46のエネルギがTCO膜1に吸収されてしまうために困難であると言える。以上の工程aないしf’を経て、図4中矢印で表しているように、f’で分離溝21の一方側の側縁部に塗布し焼成した導電体6部分を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、aで形成した分離溝11から、e’で形成した分離溝21の他方側の側縁部までの範囲となる。本実施形態の製造方法に含まれる工程e’及びf’は、一基の製造装置によって実施することが可能である。第二のレーザ加工工程e’及び短絡処理工程f’を実施するための製造装置は、シリコン膜2及び裏面電極膜3に分離溝21を形成するレーザ光45を照射するレーザ光照射手段と、形成した分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と透明導電膜1に形成した分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡する導電体6を塗布する導電体6の塗布手段と、塗布した導電体6を焼成するレーザ光46を照射するレーザ光照射手段とを具備する。分離溝21形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長532nmのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に製膜された積層膜1、2、3に向けて出射させる加工ノズル54とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。既に述べた通り、波長532nmのレーザ光45は裏面電極膜3及びシリコン膜2を貫く分離溝21を切削形成するものである。光学系及び加工ノズル54は、工程bを実施する透明導電膜1に波長1064nmのレーザ光41を照射するための光学系及び加工ノズル51と共通化しても構わない。さすれば、工程bとe’及びf’とを一基の製造装置によって実施することも可能となる。導電体6の塗布手段は、裏面電極膜3側から導電体6を分離溝21内に向けて吐出する、ディスペンサまたはインクジェットノズル等71を有してなる。導電体6焼成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたはCW連続波レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザまたはCWレーザを基板0の被加工面に塗布された導電体6に向けて出射させる加工ノズル55とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル55は、分離溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル54と共通化しても構わない。加工ノズル54、55、ディスペンサまたはインクジェットノズル等71はそれぞれ、基板0に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜1、2、3に形成する分離溝11、21が延伸するY軸方向に往復走行でき、かつY軸方向とは直交するX軸方向光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝11、21が並ぶ方向にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル54、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等71を支持させる。分離溝11、21によって多数のセルを区画する都合上、これら加工ノズル54、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等71はX軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板0に対して加工ノズル54、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等71をX軸方向及び/またはY軸方向に移動させるのに替えて、基板0自体を加工ノズル54、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等71に対してX軸方向及び/またはY軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法は、基板0上の第一の電極膜1をセル単位に分割する分離溝11を形成するレーザ加工工程bと、分離溝11を形成した第一の電極膜1に発電層2及び第二の電極膜3を重ねて製膜する製膜工程c、dと、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝21を形成するとともに当該分離溝21の片側にある第一の電極膜1と第二の電極膜3とを電気的に短絡する処理工程e’、f’とを具備する。即ち、本実施形態によれば、基板0上の第一の電極膜1をセル単位に分割する分離溝11を形成する第一のレーザ加工工程bと、分離溝11を形成した第一の電極膜1に発電層2及び第二の電極膜3を重ねて製膜する製膜工程c、dと、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝21を形成する第二のレーザ加工工程e’と、第二のレーザ加工工程にて形成した分離溝21の一方側の側縁部において第一の電極膜1と第二の電極膜3とを電気的に短絡する導電体6を塗布する短絡処理工程f’とを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層2の蒸着及び第二の電極膜3の蒸着の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程と短絡処理工程とを、一基の製造装置に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板0が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。加えて、セルとセルとの境界領域に形成する分離溝11、21の本数が、従来の三本から二本に減少する。これにより、薄膜太陽電池製品における非発電領域を縮小、即ち有効発電領域を拡大して、発電効率を一層向上させることも可能となる。<第三実施形態>図5ないし図6に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。a透明導電膜の製膜b透明導電膜の分離溝形成cシリコン膜の製膜d裏面電極膜の製膜e’’シリコン膜及び裏面電極膜の凹溝形成f’’凹溝を介した透明導電膜と裏面電極膜との間の短絡gシリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成製膜工程a、第一のレーザ加工工程b、製膜工程c、dについては、図1に示し、第一実施形態の説明にて述べた通りである。図5に示すように、第二のレーザ加工工程e’’では、レーザ光47を照射して、シリコン膜2及び裏面電極膜3に後述する導電体6を貫入せしめるための凹溝22を切削形成する。各凹溝22は、aで形成した各分離溝11にできるだけ近接させる。レーザ光47は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光47は、図5に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、あるいは、裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。特に、第一の電極膜1がTCO膜であり、波長1064nmのレーザ47を透明基板0側から透過させて照射する場合、レーザ光47はTCO膜1に吸収される。レーザ光47のエネルギを吸収したTCO膜1は、その上に重なっているシリコン膜2及び裏面電極膜3もろとも吹き飛ぶ。よって、図5及び図6中右方にしているように、裏面電極膜3、シリコン膜2及び透明導電膜1の全てを貫く深底の凹溝22が、一括に形成されることとなる。短絡処理工程f’’では、e’’で形成した各凹溝22内に導電体6を塗布する。導電体6は、後のレーザ加工工程gにて形成する分離溝21の一方側図5及び図6中左側、分離溝11により近い側の側縁部に位置する裏面電極膜3と、aで形成した分離溝11の他方側図5及び図6中右側、分離溝21により近い側の側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡するためのものである。導電体6の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズルヘッド等72を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜3側から液体またはペースト状の導電体6を凹溝22内に向けて吐出する。吐出された導電体6は、一部が凹溝22内に入り込み、凹溝22の底部に露出している透明導電膜1に接触するとともに、残りが凹溝22の少なくとも一方側図5及び図6中左側、分離溝11により近い側の側縁部に位置する裏面電極膜3の上を覆う。その後、塗布した導電体6を硬化させる。第二実施形態における工程f’と同じく、導電体6にレーザ光48を照射することで、この導電体6を焼成または、焼結することができる。レーザ光48は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光48は、図5に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、あるいは、裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。しかして、第三のレーザ加工工程gでは、レーザ光49を照射して、シリコン膜2をセル単位に分割する複数本の分離溝21を切削形成する。各分離溝21は、aで形成した各分離溝11及びe’’で形成した各凹溝22にできるだけ近接させる。レーザ光49は、例えば波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光49は、透明基板0側から、透明基板0及び透明導電膜1を透過させて照射する。波長532nmのレーザ光49は、透明導電膜1には殆ど吸収されず、専らシリコン層2に吸収される。レーザ光49のエネルギを吸収したシリコン膜2は、その上に重なっている裏面電極膜3もろとも吹き飛ぶ。よって、裏面電極膜3とシリコン膜2とをともに貫く深底の分離溝21が、一括に形成されることとなる。以上の工程aないしgを経て、図6下段中矢印で表しているように、f’’で凹溝22内に塗布し焼成した導電体6部分を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、aで形成した分離溝11から、gで形成した分離溝21の他方側図5及び図6中右側、分離溝11からより遠い側の側縁部までの範囲となる。本実施形態の製造方法に含まれる工程e’’ないしgは、一基の製造装置によって実施することが可能である。第二のレーザ加工工程e’’、短絡処理工程f’’及び第三のレーザ加工工程gを実施するための製造装置は、シリコン膜2及び裏面電極膜3に凹溝22を形成するレーザ光47を照射するレーザ光照射手段と、形成した凹溝22の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と透明導電膜1に形成した分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡する導電体6を塗布する導電体6の塗布手段と、塗布した導電体6を焼成するレーザ光48を照射するレーザ光照射手段と、シリコン膜2及び裏面電極膜3に分離溝21を形成するレーザ光49を照射するレーザ光照射手段とを具備する。凹溝22形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長532nmのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に製膜された積層膜1、2、3に向けて出射させる加工ノズル56とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。既に述べた通り、波長532nmのレーザ光47は裏面電極膜3及びシリコン膜2を貫く凹溝22を切削形成するものである。光学系及び加工ノズル56は、工程bを実施する透明導電膜1に波長1064nmのレーザ光41を照射するための光学系及び加工ノズル51と共通化しても構わない。さすれば、工程bとe’’、f’’及びgとを一基の製造装置によって実施することも可能となる。導電体6の塗布手段は、裏面電極膜3側から導電体6を凹溝22内に向けて吐出する、ディスペンサまたはインクジェットノズル等72を有してなる。導電体6焼成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたはCWレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザまたはCWレーザを基板0の被加工面に塗布された導電体6に向けて出射させる加工ノズル57とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル57は、凹溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル56と共通化しても構わない。分離溝21形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長532nmのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に製膜された積層膜1、2、3に向けて出射させる加工ノズル58とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。波長532nmのレーザ光49は裏面電極膜3及びシリコン膜2を貫く分離溝21を切削形成するものである。光学系及び加工ノズル58は、凹溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル56と共通化してもよく、及び/または、焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル57と共通化しても構わない。加工ノズル56、57、58、ディスペンサまたはインクジェットノズル等72はそれぞれ、基板0に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜1、2、3に形成する分離溝11、21が延伸するY軸方向に往復走行でき、かつY軸方向とは直交するX軸方向光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝11、21が並ぶ方向にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル56、57、58及びディスペンサまたはインクジェットノズル等72を支持させる。分離溝11、21によって多数のセルを区画する都合上、これら加工ノズル56、57、58及びディスペンサまたはインクジェットノズル等72はX軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板0に対して加工ノズル56、57、58及びディスペンサまたはインクジェットノズル等72をX軸方向及び/またはY軸方向に移動させるのに替えて、基板0自体を加工ノズル56、57、58及びディスペンサまたはインクジェットノズル等72に対してX軸方向及び/またはY軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。本実施形態における薄膜太陽電池の製造方法は、基板0上の第一の電極膜1をセル単位に分割する分離溝11を形成するレーザ加工工程bと、分離溝11を形成した第一の電極膜1に発電層2及び第二の電極膜3を重ねて製膜する製膜工程c、dと、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝21を形成するとともに当該分離溝21の片側にある第一の電極膜1と第二の電極膜3とを電気的に短絡する処理工程e’’、f’’、gとを具備する。即ち、本実施形態によれば、基板上0の第一の電極膜1をセル単位に分割する分離溝11を形成する第一のレーザ加工工程bと、分離溝11を形成した第一の電極膜1に発電層2及び第二の電極膜3を重ねて製膜する製膜工程c、dと、発電層2及び第二の電極膜3を切削した凹溝22を形成する第二のレーザ加工工程e’’と、第二のレーザ加工工程にて形成した凹溝22に第一の電極膜1と第二の電極膜3とを電気的に短絡する導電体6を塗布する短絡処理工程f’’と、前記凹溝22における、前記分離溝11とは反対側の側縁部に、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝21を形成する第三のレーザ加工工程gとを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一のレーザ加工工程と第二のレーザ加工工程との間に、発電層2の蒸着及び第二の電極膜3の蒸着の両工程をまとめて配置することができる。そして、第二のレーザ加工工程、短絡処理工程及び第三のレーザ加工工程を、一基の製造装置に集約することができる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板0が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。第二実施形態と比較すると、セルとセルとの境界領域に形成する溝11、21、22の本数は三本であり、一本増える。だが、第二実施形態の短絡処理工程e’では導電体6を分離溝21の他方側の側縁部にある裏面電極膜3に接触させないよう塗布位置を精密に制御しなくてはならないのに対して、本実施形態の短絡処理工程e’’ではそのような微細な制御が不要であるという利点がある。なお、本発明は以上に詳述した各実施形態に限られるものではない。上記実施形態では、シリコン系薄膜太陽電池の製造を念頭に置いていたが、本発明に係る製造方法をCIGS系薄膜太陽電池等の製造に適用することも当然に可能である。CIGS系太陽電池を製造する場合、第一の電極膜1がMo等の裏面電極膜、発電層2がCIGS、CIGSS、CIS、CZTS等の半導体膜、第二の電極膜3がTCO等の透明導電膜となる。この場合、発電層2だけを切削するP2加工や、第二の電極膜3だけを切削するP3加工が容易ではないが、発電層2及び第二の電極膜3を一挙に切削することが許される本発明の採用により、当該太陽電池の量産化に資する。有機薄膜太陽電池を製造する場合には、発電層2が導電性ポリマー、フラーレンその他の有機薄膜半導体等となる。換言すれば、第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜はそれぞれ、一意には特定されない。シリコン系太陽電池の例及びCIGS系太陽電池の例から明らかなように、第一の電極膜1と第二の電極膜3とのうち何れが透明導電膜であり何れが裏面電極膜であるかも、限定されないことは言うまでもない。第一のレーザ加工工程、第二のレーザ加工工程、第三のレーザ加工工程、焼成または、焼結工程の各々で用いるレーザ光の波長もまた、上記実施形態のそれには限定されない。パルスレーザであるか連続波レーザであるかも問われない。また、第一の電極膜と発電層の間や、発電層と第二の電極膜との間に、別途中間層を敷設することもあり得る。導電体6の材質によっては、これをレーザ焼成以外の方法で乾燥、固化または定着させることもあり得る。導電体6の焼成処理は必須の構成要素ではない。その他各部の具体的構成は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。