関連したpコンタクトを有するp型材料層と、関連したnコンタクトを有するn型材料層と、前記p型層と前記n型層との間の活性領域と、前記p型材料層および前記n型材料層のうちの少なくとも1つの中に形成された閉じ込め構造であって、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造と、前記p型材料層および前記n型材料層のうちの1つと関連した粗面とを備えることを特徴とする発光ダイオードLED。前記閉じ込め構造は、前記p型材料層および前記n型材料層のうちの少なくとも1つのイオン注入領域を備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記閉じ込め構造は、前記p型材料層および前記n型材料層のうちの少なくとも1つの酸化領域を備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記閉じ込め構造は、前記p型材料層および前記n型材料層のうちの少なくとも1つの中の電流阻止領域を備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記p型材料層は、前記活性領域と隣接接触し、前記電流閉じ込め構造は、前記p型材料層の中にあることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記n型材料層は、前記活性領域と隣接接触し、前記電流閉じ込め構造は、前記n型材料層の中にあることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記n型材料層に隣接して電導性基板をさらに備え、前記nコンタクトは、前記基板と隣接接触していることを特徴とする請求項1に記載のLED。関連した第1のコンタクトおよび光が放射される第1の表面を有する第1の材料層と、関連した第2のコンタクトを有する第2の材料層と、前記第1の層と前記第2の層との間の活性領域と、前記第1の層および前記第2の層のうちの1つと一体化され、前記第1のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んでいる閉じ込め構造であって、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積における光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造とを備えることを特徴とする発光ダイオードLED。前記閉じ込め構造は、前記第1の層および第2の層のうちの1つの一部を備え、前記一部は、イオン注入されていることを特徴とする請求項8に記載のLED。前記閉じ込め構造は、前記第1の層および第2の層のうちの1つの一部を備え、前記一部は、酸化されていることを特徴とする請求項8に記載のLED。前記閉じ込め構造は、前記第1の層および第2の層のうちの1つの一部を備え、前記一部は、イオン注入されていることを特徴とする請求項8に記載のLED。前記閉じ込め構造は、第1の層および第2の層のうちの1つの一部を備え、前記一部は、半絶縁性材料を注入されていることを特徴とする請求項8に記載のLED。前記第1の層および第2の層の材料はGaNを含み、前記半絶縁性材料は、AlおよびGaのうちの1つを含むことを特徴とする請求項12に記載のLED。前記第1の表面は、少なくとも部分的に粗面処理されていることを特徴とする請求項8に記載のLED。前記第1の表面に隣接して、少なくとも部分的に粗面処理された透明電導性材料の層をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載のLED。前記透明材料は、ZnO、In2O3および酸化インジウム錫ITOのうちの1つを含むことを特徴とする請求項15に記載のLED。前記第2のコンタクトは、反射性材料から形成されていることを特徴とする請求項8に記載のLED。前記閉じ込め構造の前記面積は、前記第1のコンタクトの面積と実質的に同じであることを特徴とする請求項8に記載のLED。関連した第1のコンタクトおよび光が放射される第1の表面を有する第1の材料層と、第2の材料層と、前記第1の層と前記第2の層との間の活性領域と、前記第2の材料層に隣接し、関連した基板コンタクトを有する電導性基板と、前記第1の層、前記第2の層および前記基板のうちの1つの中にあり、前記第1のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んだ少なくとも1つの閉じ込め構造であって、前記活性領域の方に向かって流れる電流を、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積から遠ざけるように方向付ける閉じ込め構造とを備えることを特徴とする発光ダイオードLED。前記第1の材料層はp型材料を含み、前記第2の材料層はn型材料を含み、前記少なくとも1つの電流閉じ込め構造は前記p型材料の中にあることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記第1の材料層はp型材料を含み、前記第2の材料層はn型材料を含み、前記少なくとも1つの電流閉じ込め構造は前記n型材料の中にあることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記第1の材料層はp型材料を含み、前記第2の材料層はn型材料を含み、前記少なくとも1つの電流閉じ込め構造は前記基板の中にあることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記第1の材料層はn型材料を含み、前記第2の材料層はp型材料を含み、前記少なくとも1つの電流閉じ込め構造は前記n型材料の中にあることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記第1の材料層はn型材料を含み、前記第2の材料層はp型材料を含み、前記少なくとも1つの電流閉じ込め構造は前記p型材料の中にあることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記第1の材料層はn型材料を含み、前記第2の材料層はp型材料を含み、前記少なくとも1つの電流閉じ込め構造は前記基板の中にあることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記第1の表面の少なくとも一部が粗面処理されていることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記第1の表面に隣接して、少なくとも部分的に粗面処理された透明電導性材料の層をさらに備えることを特徴とする請求項19に記載のLED。関連した第1のコンタクトおよび光が放射される第1の表面を有する第1の材料層と、関連した第2のコンタクトを有する第2の材料層と、前記第1の層と前記第2の層との間の活性領域と、前記第2のコンタクトと関連した閉じ込め構造であって、前記活性領域の方に向かって流れる電流を、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積から遠ざけるように方向付ける閉じ込め構造とを備えることを特徴とする発光ダイオードLED。前記閉じ込め構造は、絶縁性非電導性材料を備えることを特徴とする請求項28に記載のLED。前記絶縁性非電導性材料は、SiO2、AlNおよびSiNのうちの1つを含むことを特徴とする請求項29に記載のLED。前記閉じ込め構造は、前記第1のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んでいることを特徴とする請求項28に記載のLED。前記第2のコンタクトは、反射性材料から形成されていることを特徴とする請求項28に記載のLED。前記第1の表面の少なくとも一部が粗面処理されていることを特徴とする請求項28に記載のLED。前記第1の表面に隣接して、少なくとも部分的に粗面処理された透明電導性材料の層をさらに備えることを特徴とする請求項28に記載のLED。前記透明材料は、ZnO、In2O3および酸化インジウム錫ITOのうちの1つを含むことを特徴とする請求項34に記載のLED。TIRを減少させ全体的な光抽出を改善するために様々な方法が開発されており、比較的一般的な方法の1つは、表面テクスチャリングである。表面テクスチャリングは、脱出円錐を見出す多数の機会を光子に与える多様な表面を実現することによって、光の脱出確率を高める。脱出円錐を見出さない光は、TIRを経験し続け、脱出円錐を見出すまで様々な角度でテクスチャ面texturedsurfaceから反射する。表面テクスチャリングの利点はいくつかの論文で述べられている。[非特許文献1、2、3、および4を参照されたい。]。CreeInc.に譲渡された特許文献4は、第1および第2の広がり層spreadinglayerの間に形成された、電気的に相互接続された微小LEDのアレイを備えるLED構造を開示している。これらのスプレッダspreaderの両端間にバイアスが加えられたとき、微小LEDは光を放射する。微小LEDの各々からの光は、ほんの短い距離を進んだ後で表面に達し、それによってTIRが減少される。また、CreeInc.に譲渡された特許文献5は、アレイ状に形成された内部および外部光学要素を使うことによってLEDの光抽出を向上させる構造を開示している。光学要素は、半球および角錐などの多くの異なる形を有し、LEDの様々な層の表面または層の中に位置付けされることがある。これらの要素は、光が屈折または散乱する表面を実現する。簡単に一般的に言えば、本発明は、光抽出向上の特徴を有するLEDを対象とする。本発明の一態様では、LEDは、関連したpコンタクトを有するp型材料層と、関連したnコンタクトを有するn型材料層と、前記p型層と前記n型層との間の活性領域とを備える。さらに、LEDは、前記p型材料層と前記n型材料層のうちの少なくとも1つの中に形成された閉じ込め構造を備える。前記閉じ込め構造は、前記閉じ込め構造の面積と一致する活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる。また、LEDは、前記p型材料層および前記n型材料層のうちの1つと関連した粗面を備える。本発明の他の態様では、LEDは、関連した第1のコンタクトおよび光が放射される第1の表面を有する第1の材料層と、関連した第2のコンタクトを有する第2の材料層と、前記第1の層と前記第2の層との間の活性領域とを備える。LEDは、さらに、前記第1の層および前記第2の層のうちの1つと一体化された閉じ込め構造を備える。前記閉じ込め構造は、前記第1のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んでおり、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積における光の放射を実質的に妨げる。本発明のさらに他の態様では、LEDは、関連した第1のコンタクトおよび光が放射される第1の表面を有する第1の材料層と、第2の材料層と、前記第1の層と前記第2の層との間の活性領域と、前記第2の材料層に隣接し、関連した基板コンタクトを有する電導性基板とを備える。LEDは、さらに、前記第1の層、前記第2の層および前記基板のうちの1つの中にある少なくとも1つの閉じ込め構造を備える。前記閉じ込め構造は、前記第1のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んでおり、さらに、前記活性領域の方に向かって流れる電流を、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積から遠ざけるように方向付ける。本発明のさらに他の態様では、LEDは、関連した第1のコンタクトおよび光が放射される第1の表面を有する第1の材料層と、関連した第2のコンタクトを有する第2の材料層と、前記第1の層と前記第2の層との間の活性領域とを備える。LEDは、さらに、前記第2のコンタクトと関連した閉じ込め構造を備える。前記閉じ込め構造は、前記活性領域の方に向かって流れる電流を、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積から遠ざけるように方向付ける。本発明のこれら及び他の態様および利点は、以下の詳細な説明および本発明の特徴を例示する添付図面から明らかになるだろう。本発明は、基礎baseLED構造のp型材料層およびn型材料層のうちの少なくとも1つの中に形成された閉じ込め構造によって、発光ダイオードLEDの光抽出の改善を実現する。閉じ込め構造は、LEDの上面の主放射面上のコンタクトとほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造および上面コンタクトの面積と一致する活性領域の面積からの光の放射を実質的に防げる。したがって、そうでなければ上面コンタクトの下で放射し吸収される可能性がある光が、活性層の他の領域と、コンタクトの吸収効果が相当に減少した放射面emittingsideとにリダイレクトされる。好ましい実施形態では、電流閉じ込め構造は、イオン注入を使用して基礎LED構造の中に形成される。電流閉じ込め構造は、選択的酸化を使用してLED基礎構造に形成してもよい。電流閉じ込め構造は、エピタキシャル再成長を用いてLED構造の一部として形成してもよい。さらに、LEDは、吸収性コンタクトのまわりに粗面roughedsurfaceを備えてもよい。粗面は、基礎LED構造の層の表面積のすべて又は一部に含まれてもよく、または、基礎LED構造に付けられた追加の材料層の表面積のすべて又は一部に含まれてもよい。例えば、十分に厚いn型材料層を有し、n型側が上であるLED構造では、n型層を粗面処理することが好ましいことがある。比較的薄いp型材料層を有し、p型側が上である基礎LED構造では、透明材料の層をp型層に追加し、その透明材料層を粗面処理することが好ましいことがある。透明材料の層を、n型側が上であるLED構造のn型層に追加してもよい。いずれの場合にも、粗面と、電流を粗面の方に方向付けて吸収性コンタクトから遠ざける電流閉じ込め構造との組合せは、さらなる光抽出の向上を実現する。そうでなければ内部全反射でLED内に捕獲される可能性のある光が脱出し、光放射に寄与することができるようにする多様な表面を実現することによって、粗面は光抽出を改善する。ここで図面、特に図1および2を参照すると、本発明に従ったLED10の一実施形態が示されている。LED10は、光が放射される第1の表面14を有する第1の材料層12と、第2の材料層16と、第1の層と第2の層との間にサンドイッチ状に挟まれた活性材料の層18とを備える。第1の層12、第2の層16、および活性層18が、支持構造36の上に位置付けられた基礎LED構造を形成している。基礎LED構造は、III族窒化物ベースの材料系等の異なる半導体材料系から作製してもよい。III族窒化物は、窒素と、周期律表のIII族の元素、通常はアルミニウムAl、ガリウムGa、およびインジウムIn、との間で形成される半導体化合物を意味する。この用語は、また、AlGaNやAlInGaNのような三元化合物や三次tertiary化合物も意味する。好ましい実施形態では、活性材料の層18は、第1の層12および第2の層16と隣接接触しadjacentcontact、第1および第2の層を形成する材料はGaNであり、第1の層と第2の層のいずれかがp型材料であり他方の層がn型材料である。この実施形態では、活性層を形成する材料はInGaNである。代替実施形態では、第1および第2の層の材料は、AlGaN、AlGaAs、またはAlGaInPであることがある。LED構成に応じて、支持構造36は基板またはサブマウントとすることができる。p型側が上であるLED構成では、支持構造36は基板である可能性があり、適切な基板は4Hポリタイプの炭化珪素であるが、3C、6Hおよび15Rポリタイプを含む他の炭化珪素ポリタイプを使用することもできる。炭化珪素は、サファイアよりもIII族窒化物に遥かに近い結晶格子整合を有し、その結果、より高い品質のIII族窒化物膜をもたらす。炭化珪素は、非常に高い熱伝導率を有するので、炭化珪素上のIII族窒化物デバイスの全出力パワーは、サファイア上に形成された一部のデバイスの場合にそうであるように基板の熱放散によって制限されない。また、炭化珪素基板を利用できることで、商業デバイスを可能にするデバイス分離および寄生キャパシタンス減少の能力が与えられる。SiC基板は、ノースカロライナ州ダラムのCreeInc.から入手可能であり、この基板を製造する方法は、特許文献1、2、および3や科学文献に明らかにされている。n型側が上であるLED構成では、支持構造36はサブマウントである可能性がある。第1のコンタクト22は第1の層12と関連し、第2のコンタクト24は第2の層16と関連している。コンタクト22、24のそれぞれの層12、16との関連は、直接的である場合があり、間接的である場合もある。第1のコンタクトが第1の層12と直接に接触し、かつ第2のコンタクト24が第2の層16と直接に接触している直接的な関連が、図1に示されている。第2のコンタクト24では、基板36が非電導性材料で形成されたとき、この関連が存在する。間接的な関連は図2に示され、第1のコンタクト22に関してはLEDが透明電導性材料の層25を備える場合に、また第2のコンタクト24に関しては支持構造36が電導性材料から形成された基板である場合に、間接的な関連が存在する可能性がある。直接的接触および間接的接触の両方で光抽出を向上させるために、第2のコンタクトは、銀Ag、アルミニウムAlまたはロジウムRh等の反射性材料から形成してもよい。電流閉じ込め構造20は、LEDと一体であり、図2に示されるように第1の層12、第2の層16、または基板36のうちの少なくとも1つの中等のLED内の異なる位置に形成することができる。いくつかの実施形態では、2以上の電流閉じ込め構造が使用されることがあり、一実施形態では、電流閉じ込め構造20は、活性材料18の一部が閉じ込め構造20の間にあるように第1の層12および第2の層16の両方に形成されることがある。いくつかの実施形態では、閉じ込め構造20は、イオン注入または酸化等の当技術分野で知られたプロセスによって結晶構造または分子特性が変化させられた材料の層の領域であることがある。他の実施形態では、閉じ込め構造20は、第1または第2の層12、16の材料に対して反対にドープされた材料から形成された電流阻止層であってもよい。この電流阻止材料層は、既知のプロセスであるエピタキシャル再成長によって第1および第2の層の1つまたは複数に組み込まれてもよい。電流閉じ込め構造20は、第1のコンタクトの中心または軸26が閉じ込め構造の中心または軸28とほぼ一列に並ぶように、第1のコンタクト22に対して位置付けされる。閉じ込め構造20の断面積の大きさは、本質的に第1のコンタクト22の大きさを反映している。電流閉じ込め構造20の厚さは、層の全厚さの0.1から80までの範囲にあってもよい。例えば、厚さ1ミクロンのn型材料層では、電流閉じ込め構造20は、厚さ0.001から0.8ミクロンであってもよい。電流閉じ込め構造20は、活性領域18の方に向かって流れている電流30を、第1のコンタクト22と実質的に一致し一列に並んだ活性領域の部分32から遠ざけるように方向付ける。この電流の再方向付けは、第1のコンタクト22と一列に並んだ活性領域の部分32における電流電荷、すなわち正孔および電子の再結合を実質的に妨げ、したがって、この領域を本質的に不活性にする。光34は、活性材料18から放射され、LED構造を通って伝播する。光は活性材料18からすべての方向に放射するが、図示を容易にするために、図中の光はLEDの上面すなわち主放射面の方に向かう上向き方向だけが示されている。図1において、上面は、上部材料層12の表面14である。図2では、上面は、粗面処理された材料の層25である。図3を参照すると、p型材料の第1の層40およびn型材料の第2の層42を有するp型側が上であるLEDを備える、本発明による図1の概略的なLEDの一実施形態が示されている。好ましい実施形態では、材料はGaNである。以下でさらに説明されるように、LED製造プロセス中に、電流閉じ込め構造44はn型材料層42内に組み込まれる。構造44は、n型材料内に不純物を添加することによって形成される。不純物の添加は、イオン注入によって行ってもよい。例えば、n型GaN材料の場合には、Alイオン又はGaイオンのいずれかを注入してもよい。pコンタクト46とnコンタクト48との間にバイアスを加えると、p型材料の正孔移動の形の電流がp型材料を通って、活性領域の方へ更に活性領域の中へ流れる。同様に、n型材料の電子移動の形の電流がn型材料42を通って、活性領域50の方へ更に活性領域50の中へ流れる。閉じ込め構造44の不純物のために、n型材料42中を流れる電流は、電流閉じ込め構造から遠ざかり、電流閉じ込め構造と実質的に一致し一列に並んだ活性領域の不活性部分54のまわりの部分52において活性領域50に入る。活性領域のこの部分は、活性領域の活性部分52と呼ばれる。また、p型材料40中を流れる電流も、電流閉じ込め構造44から遠ざかって、n型材料からの電流が入った活性領域の部分に流れ込む。p型材料電流のこの動きは、n型材料内に電流閉じ込め構造44が存在することと、活性領域50の活性部分52に存在するn型電流電子にp型電流正孔が引き付けられることの両方の組合せの結果である。電流閉じ込め構造44は、n型層42の深さに沿ったいくつかの位置のいずれかに位置付けることができる。これは、n型層42の成長プロセスを中断し、不純物を不完全なn型層に注入し、次に、成長プロセスを再開してn型層の残りを完成することによって行わうことができる。成長プロセスは、金属酸化物化学気相成長MOCVD、ハイブリッド気相エピタキシHVPE、または分子線エピタキシMBEを含む様々な既知のプロセスのいずれかとすることができる。例示的な閉じ込め構造形成プロセスは、n層に、180KeVのアルミニウムイオンを1013、1014、および1015cm2のドーズで注入することを含む。好ましい実施形態では、n型電流が電流閉じ込め構造を完全に回って、さらに再び不活性領域54の方に流れるのを効果的に防ぐために、さらに、電流閉じ込め構造44が活性領域50の反対側のp型層の電流に及ぼす効果を高めるために、電流閉じ込め構造44は活性領域50の近くに位置付けられる。図4を参照すると、電流閉じ込め構造44がp型層40中に位置していることを除いて図3を参照して説明したものと本質的に同一であるp型側が上であるLEDを備える、本発明による図2の概略的なLED10の別の実施形態が示されている。また、基板58は電導性であり、したがってnコンタクト48とn型層42との間の間接的関連を可能にしている。透明電導性材料の層56がp型層40の上に備えられ、この電導性材料層の一部がpコンタクト46とp型層との間にサンドイッチ状に挟まれている。この材料層は、ZnO、In2O3、および酸化インジウム錫ITOから形成さしてもよい。図4に示される電導性材料層の上面のすべては粗面処理されているが、pコンタクト46で覆われていない電導性材料層56の少なくとも一部が粗面処理される。透明電導性材料56の層と、電流閉じ込め構造44によって実現された吸収性コンタクト46から離れた局部的な光発生との組合せは、LEDの光抽出効果を高める。図5を参照すると、n型材料の第1の層60およびp型材料の第2の層62を有するn型側が上であるフリップチップLEDを備える、図1の概略的なLED10の別の実施形態が示されている。追加の処理ステップとして、LEDの上の主放射面を露出させるために、一般に第1のn型層60に隣接している基板が除去される。好ましい実施形態では、LED材料はGaNである。LED製造プロセス中に、層60、62、64およびpコンタクト下部構造substructureをサブマウント78の上に裏返しにする前に、電流閉じ込め構造64がp型材料層62に組み込まれる。成長中にイオン注入によりp型材料に不純物を添加することによって、閉じ込め構造64が形成される。例えば、p型GaN材料の場合、Alイオン又はGaイオンのいずれかを打ち込むことができる。n型層の上面66は、光抽出粗面を形成するために、粗面処理される。この粗面は、光電気化学PECエッチング等の当技術分野で知られたいくつかの方法のいずれかを使用して、エッチングにより実現してもよい。この構成において粗面は、p型側が上であるLEDの場合にp層の相対的な薄さのために一般に必要とされるような透明電導性材料の別個の追加層を介してではなく、直接n型層に加えられる。nコンタクト68とpコンタクト70との間にバイアスを加えると、電流はp型材料を通って活性領域72の方に流れ、さらに活性領域72の中に流れ込む。同様に、電流はn型材料60を通って活性領域72の方に流れ、さらに活性領域72の中に流れ込む。p型材料62を流れる電流は、電流閉じ込め構造64から遠ざかり、不活性部分76のまわりの活性部分74の活性領域72に入る。n型材料60を流れる電流もまた、電流閉じ込め構造64から遠ざかって、活性領域の活性部分74の中に流れ込む。図3の実施形態のように、電流閉じ込め構造64は、p型層の成長プロセスを中断し、不完全なp型層に不純物を注入し、次に、成長プロセスを再開してこの層を完成することによって、p型層62の深さに沿って様々な位置に位置付けてもよい。好ましい実施形態では、p型電流が電流閉じ込め構造を完全に回って、さらに再び活性領域76の方へ流れるのを効果的に防ぐために、さらに、電流閉じ込め構造が活性領域72の反対側のn型層の電流に及ぼす効果を高めるために、電流閉じ込め構造64は活性領域72の近くに位置付けられる。図6を参照すると、別の実施形態において、図1の概略的なLEDは、電流閉じ込め構造64がn型層60に位置付けられていることを除いて、図5を参照して説明したものと本質的に同一のn型側が上であるLEDである。ここで図7を参照すると、光の大部分が放射される第1の表面104を有する第1の材料層102、第2の材料層106、および第1の層と第2の層との間にサンドイッチ状に挟まれた活性材料の層108を備えるLED100が示されている。好ましい実施形態では、活性材料の層108は、第1の層102および第2の層106と隣接接触しており、第1および第2の層を形成する材料はGaNであり、活性層を形成する材料はInGaNである。代替実施形態では、第1および第2の層の材料は、AlGaN、AlGaAsまたはAlGaInPとすることができる。第1のコンタクト110は第1の層102と関連し、第2のコンタクト112は第2の層106と関連する。電流閉じ込め構造114は第2のコンタクトの層112に備えられ、さらに、第1のコンタクトの中心または軸116が閉じ込め構造の中心または軸118とほぼ一列に並ぶように、第1のコンタクト110に対して位置付けられている。第2のコンタクトの層112および閉じ込め構造114は、コンタクト材料の層を堆積し、コンタクト材料の層の一部をエッチング除去し、そしてその一部を閉じ込め構造の材料に取り替えることによって形成される。閉じ込め構造114は、SiO2、AlN、およびSiNなどの絶縁性、非電導性材料から形成され、第1のコンタクト110の大きさと本質的に同じ断面積の大きさを有している。電流閉じ込め構造114は、活性領域108の方に向かって流れている電流120を、第1のコンタクト110と実質的に一致しかつ一列に並べられた活性領域の部分122から遠ざかるように方向付ける。この電流の再方向付けは、第1のコンタクト110と一列に並んだ活性領域の部分122における電流電荷、すなわち正孔および電子の再結合を実質的に妨げ、したがって、この領域を本質的に不活性にする。図3から6を参照して説明した実施形態のように、図7の概略的なLEDは、第1の層102がn型層またはp型層のいずれかであり、第2の層106が第1の層の型と反対の型の層であるように形成される。LED100はまた、第1の層102の粗面処理された上面か、粗面処理された上面を有する追加の透明電導材料層かのいずれかの態様の粗面処理を含む。当業者によって理解されることであろうが、図1~7の実施形態で説明したような本発明の概念は、他のLED構成に組み込むことができる。例えば、図1~7のLEDは縦方向に、すなわちLEDの対向する側にコンタクトを有しているが、本発明は横方向に配列されたコンタクト、すなわち共振空洞LED等のLEDの同一側にコンタクトを有するLEDに適用してもよい。本発明の特定の形態を図示して説明してきたが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく様々な修正を行うことができることは、上記から明らかであろう。したがって、添付の特許請求の範囲以外によっては、本発明は限定されない意図である。