光の進行方向において重なるように積層された第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子において生成された第1の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第1のDCDCコンバータと、前記第2の光電変換素子において生成された第2の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第2のDCDCコンバータと、を少なくとも有し、前記第1の光電変換素子の光電変換効率は、第1照度を有する環境下において、前記第2の光電変換素子の光電変換効率よりも高く、前記第2の光電変換素子の光電変換効率は、前記第1照度よりも高い第2照度を有する環境下において、前記第1の光電変換素子の光電変換効率よりも高く、前記第1の電力の一部は、前記第1のDCDCコンバータの駆動電力及び前記第2のDCDCコンバータの駆動電力として用いられる光電変換装置。光の進行方向において重なるように積層された第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子において生成された第1の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第1のDCDCコンバータと、前記第2の光電変換素子において生成された第2の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第2のDCDCコンバータと、を少なくとも有し、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子は、光電変換層と、前記光電変換層から光起電力を取り出すための一対の電極と、をそれぞれ有し、前記第1の光電変換素子が有する前記光電変換層は、非晶質シリコンを含む第1の光吸収層を有し、前記第2の光電変換素子が有する前記光電変換層は、単結晶シリコンを含む第2の光吸収層を有し、前記第1の電力の一部は、前記第1のDCDCコンバータの駆動電力及び前記第2のDCDCコンバータの駆動電力として用いられる光電変換装置。第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子を透過した光が入射するように、前記第1の光電変換素子に積層された第2の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子において生成された第1の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第1のDCDCコンバータと、前記第2の光電変換素子において生成された第2の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第2のDCDCコンバータと、を少なくとも有し、前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子は、光電変換層と、前記光電変換層から光起電力を取り出すための一対の電極と、をそれぞれ有し、前記第1の光電変換素子が有する前記光電変換層は、非晶質シリコンを含む第1の光吸収層を有し、前記第2の光電変換素子が有する前記光電変換層は、単結晶シリコンを含む第2の光吸収層を有し、前記第1の電力の一部は、前記第1のDCDCコンバータの駆動電力及び前記第2のDCDCコンバータの駆動電力として用いられる光電変換装置。光の進行方向において重なるように積層された第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子において生成された第1の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第1のDCDCコンバータと、前記第2の光電変換素子において生成された第2の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第2のDCDCコンバータと、を少なくとも有し、前記第1のDCDCコンバータ及び前記第2のDCDCコンバータは、制御回路と、前記制御回路から出力される信号に従ってスイッチングを行うスイッチング素子と、前記スイッチング素子のスイッチングに従って前記電圧を調整する電圧変換部と、をそれぞれ有し、前記第1の光電変換素子の光電変換効率は、第1照度を有する環境下において、前記第2の光電変換素子の光電変換効率よりも高く、前記第2の光電変換素子の光電変換効率は、前記第1照度よりも高い第2照度を有する環境下において、前記第1の光電変換素子の光電変換効率よりも高く、前記第1の電力の一部は、前記第1のDCDCコンバータが有する前記制御回路、及び前記第2のDCDCコンバータが有する前記制御回路に送られる光電変換装置。請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、前記第1照度は、100ルクス以上1000ルクス以下である光電変換装置。請求項1乃至請求項5のいずれか1項において、前記第2照度は、10000ルクス以上150000ルクス以下である光電変換装置。請求項1乃至請求項6のいずれか1項において、前記第1照度は、蛍光灯を用いることで得られる光電変換装置。請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、前記第2照度は、太陽光を用いることで得られる光電変換装置。特許文献1に記載されているように、多端子構造の光電変換装置では、電力を取り出す端子の数に合わせて、DCDCコンバータを複数設けることが多い。この場合、各光電変換素子から出力された電力は、個々のDCDCコンバータに送られる。各DCDCコンバータは、電力が送られてくると、その電圧の調整を行った後、負荷に出力する。ところで、シリコンの場合、単結晶の光電変換層を有する光電変換素子以下、単結晶光電変換素子と呼ぶは、太陽光のような高光量の光が得られる環境下では、非晶質の光電変換層を有する光電変換素子以下、非晶質光電変換素子と呼ぶに比べ、その光電変換効率が飛躍的に高い。しかし、光の波長にもよるが、室内光のような低光量の光しか得られない環境下では、単結晶光電変換素子は、その光電変換効率が著しく低下するため、非晶質光電変換素子よりも低い電力しか生成できない。なお、DCDCコンバータの駆動に必要な駆動電力は、光電変換素子からDCDCコンバータに入力される電力で賄われている。すなわち、多端子構造の光電変換装置に単結晶光電変換素子を用いている場合、当該単結晶光電変換素子において生成された電力を用いて、単結晶光電変換素子の後段に接続されたDCDCコンバータが駆動を行う。よって、低光量の光しか得られない環境下において、上記多端子構造の光電変換装置を用いる場合、単結晶光電変換素子において生成される電力が低すぎて、その後段のDCDCコンバータが正常に動作しないという事態が起こりうる。DCDCコンバータの一つが正常に動作しないと、光電変換装置全体の動作が不安定になり、光電変換装置の信頼性が確保できない。上述の課題に鑑み、本発明は、高照度において高い光電変換効率を得ることができ、なおかつ、広い照度範囲において動作の信頼性を確保できる、多端子構造の光電変換装置の提供を、目的の一とする。本発明者らは、非晶質光電変換素子の光電変換効率が、太陽光のような高光量の光が得られる高照度の環境下だと、単結晶光電変換素子に比べて劣ってしまうが、室内光のような低光量の光しか得られない低照度の環境下だと、単結晶光電変換素子より高くなることに着目した。非晶質光電変換素子と単結晶光電変換素子の光電変換効率は、室内光の波長によって異なるが、蛍光灯や白熱電球などの一般的な人工光源から得られる波長400nm以上800nm以下の室内光の場合、概ね上述したような傾向が得られる。よって、本発明者らは、非晶質光電変換素子は、低照度の環境下でも、非晶質光電変換素子用のDCDCコンバータの駆動電力のみならず、単結晶光電変換素子用のDCDCコンバータの駆動電力をも賄うだけの電力を、生成することが可能であると考えた。そこで、本発明の一態様に係る光電変換装置では、電圧電流特性が互いに異なる少なくとも2つの光電変換素子を用いる。そして、一方の光電変換素子は、非晶質光電変換素子のように、室内光が得られる環境下において、他方の光電変換素子よりも光電変換効率が高いものとする。また、他方の光電変換素子は、単結晶光電変換素子のように、太陽光が得られる環境下において、一方の光電変換素子よりも光電変換効率が高いものとする。さらに、上記少なくとも2つの光電変換素子において生成された電力は、上記少なくとも2つの光電変換素子に対応する少なくとも2つのDCDCコンバータにおいて、それぞれその電圧が調整される。そして、上記一方の光電変換素子において生成された電力の一部を、上記少なくとも2つのDCDCコンバータの駆動電力として用いる。本発明の一態様では、上記構成により、室内光が得られる低照度の環境下であっても、複数のDCDCコンバータの駆動電力を確保することができる。なおかつ、太陽光が得られる高照度の環境下では、高い光電変換効率を確保することができる。具体的に、本発明の一態様に係る光電変換装置は、光の進行方向において重なるように積層された第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子を少なくとも有する。さらに、上記光電変換装置は、第1の光電変換素子において生成された第1の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第1のDCDCコンバータと、第2の光電変換素子において生成された第2の電力が送られてくると、その電圧を調整して出力する第2のDCDCコンバータとを少なくとも有する。また、第1の光電変換素子の光電変換効率は、第1照度を有する環境下で、第2の光電変換素子の光電変換効率よりも高く、第2の光電変換素子の光電変換効率は、第1照度よりも高い第2照度を有する環境下で、第1の光電変換素子の光電変換効率よりも高い。そして、第1の電力の一部は、第1のDCDCコンバータの駆動電力、及び第2のDCDCコンバータの駆動電力として用いられる。本発明の一態様は、上記構成により、高照度の環境下において高い光電変換効率を得ることができ、なおかつ、広い照度範囲において動作の信頼性を確保できる、多端子構造の光電変換装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本発明の一態様に係る光電変換装置は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換素子と、前記光電変換素子からの電力を入力電力とするDCDCコンバータとを少なくとも有する。さらに、本発明の一態様に係る光電変換装置は、上記構成に加えて、DCDCコンバータからの出力電力により充電を行う二次電池、キャパシタなどの蓄電部を有していても良い。また、単数または複数の光電変換装置セルを、光電変換装置の外部に電力を取り出すための端子に接続したものが光電変換モジュールまたは光電変換パネルに相当する。光電変換モジュールまたは光電変換パネルは、さらに、湿気、汚れ、紫外線、物理的な応力などからセルを保護するために、樹脂、強化ガラス、金属枠等の保護材で補強したものであってもよい。また、所望の電力が得られるように、複数の光電変換モジュールまたは光電変換パネルを直列または並列に接続したものが、光電変換アレイに相当する。本発明の光電変換装置は、光電変換モジュール、光電変換アレイも、その範疇に含める。実施の形態1図1に、本発明の一態様に係る光電変換装置の構成を、一例として示す。図1に示す光電変換装置は、第1の光電変換素子101aと、第2の光電変換素子101bと、第1のDCDCコンバータ102aと、第2のDCDCコンバータ102bとを有する。第1の光電変換素子101aは、照射された光エネルギーから電力を生成し、第1のDCDCコンバータ102aに与える。第1のDCDCコンバータ102aは、第1の光電変換素子101aから入力電力が与えられると、その電圧を調整した後、出力電力として出力する。同様に、第2の光電変換素子101bは、照射された光エネルギーから電力を生成し、第2のDCDCコンバータ102bに与える。第2のDCDCコンバータ102bは、第2の光電変換素子101bから入力電力が与えられると、その電圧を調整した後、出力電力として出力する。そして、第1の光電変換素子101aと第2の光電変換素子101bは、光の進行方向において重なるように積層されている。また、第1の光電変換素子101aと第2の光電変換素子101bは、第1の光電変換素子101aを透過した光が第2の光電変換素子101bに入射するように、積層されている。なお、本明細書において光電変換素子は、光照射により光起電力を得る少なくとも1つの光電変換層と、上記光電変換層から上記光起電力を取り出すための一対の電極導電膜とを有している。また、光電変換層は、pn接合、pin接合などを代表例とする半導体接合を単数有する半導体層であっても良いし、光を吸収する有機色素を用いて光起電力を得る色素増感タイプであっても良い。また、一の光電変換素子が、直列に接続された複数の光電変換層を有していても良い。複数の光電変換層を直列に接続する場合、全ての光電変換層の順方向バイアスが揃うようにする。複数の各光電変換層は、異なる電圧電流特性を有していても良いし、ほぼ同じ電圧電流特性を有していても良い。直列に接続された複数の光電変換層を用いることで、光電変換素子は高い起電力を得ることができる。ただし、直列に接続された複数の光電変換層を用いて一の光電変換素子を形成する場合、短絡電流の最も小さい光電変換層により全ての光電変換層に流れる電流が決まる。よって、複数の光電変換層がほぼ同じ電圧電流特性を有している方が、最大の出力電力が得られる最大出力点で複数の各光電変換層を動作させ、より高い起電力を得ることができるので、望ましい。また、光の進行方向において重なる複数の光電変換素子は、その少なくとも2つが、互いに異なる波長領域の光を吸収することが望ましい。異なる波長の光を吸収する複数の光電変換素子を重ねることで、紫外線から赤外線まで幅広い波長の光を含んでいる太陽光を、より高い変換効率で無駄なく電気エネルギーに変換することができる。そして、本発明の一態様では、複数の光電変換素子のうち、一の光電変換素子が他の一の光電変換素子に比べて、室内光が得られる環境下において光電変換効率が高く、高い照度の環境下において光電変換効率が低い。具体的に、図1に示す光電変換装置では、低い照度の環境下において、第1の光電変換素子101aの方が、第2の光電変換素子101bよりも、その光電変換効率が高い。逆に、高い照度の環境下において、第2の光電変換素子101bの方が、第1の光電変換素子101aよりも、その光電変換効率が高い。なお、室内光とは、人工光源によって得られる光を意味する。人工光源は、熱エネルギー、化学エネルギー、電気エネルギーなどを利用して、人工的に光を得る光源を意味する。具体的には、ガス灯などの燃焼光源と、白熱電球と、蛍光灯などの放電ランプと、LED、有機EL、無機ELなどのエレクトロルミネッセンス素子とが、人工光源の一例として挙げられる。また、室内光が得られる環境下では、照度が100ルクス以上1000ルクス以下であり、太陽光が得られる環境下では、照度が10000ルクス以上150000ルクス以下程度となる。第1の光電変換素子101aと第2の光電変換素子101bの組み合わせの一例として、例えば、非晶質シリコンを光電変換層に用いた非晶質光電変換素子を、第1の光電変換素子101aとし、単結晶シリコンを光電変換層に用いた単結晶光電変換素子を、第2の光電変換素子101bとすると良い。或いは、非晶質光電変換素子を、第1の光電変換素子101aとし、微結晶シリコンを光電変換層に用いた微結晶光電変換素子を、第2の光電変換素子101bとすると良い。なお、第1の光電変換素子101aと第2の光電変換素子101bの組み合わせは、上記構成に限定されない。本発明の一態様に係る光電変換装置では、上述したように、一の光電変換素子が他の一の光電変換素子に比べて、低い照度の環境下において光電変換効率が高く、高い照度の環境下において光電変換効率が低いという条件を満たしていれば良い。そして、照度による光電変換効率の違いは、例えば、光電変換層を構成する半導体の材料、結晶性などによってもたらされるので、上記条件を満たすように各光電変換素子の構成を決めればよい。特に、光電変換層のうち、実際に光が吸収される光吸収層の結晶性は、光電変換素子の電圧電流特性に影響を与える。例えば、光吸収層が非晶質シリコンで構成されている光電変換素子と、光吸収層が単結晶シリコンで構成されている光電変換素子とでは、光の波長にもよるが、室内光が得られる低照度の環境下において、前者の方が後者に比べて光電変換効率が高い。また、太陽光が得られる高照度の環境下において、後者の方が前者に比べて光電変換効率が高い。次いで、非晶質シリコンを光電変換層に用いた第1の光電変換素子と、単結晶シリコンを光電変換層に用いた第2の光電変換素子の、電圧電流特性の測定結果について述べる。まず、測定に用いた第1の光電変換素子は、厚さ1.1mmのソーダガラスの基板上に、膜厚150nmの酸化珪素膜、及び、表面に凹凸を有する膜厚約600nmの酸化スズを用いた導電膜が順に積層された旭硝子社製の基板商品名:Asahi-Uを用いた。さらに、第1の光電変換素子は、上記基板上に、p層、i層、n層、及び膜厚50nmとなるように形成したインジウム錫酸化物ITOを含む導電膜が、順に積層された構造とした。そして、第1の光電変換素子への光の照射は、ITOを用いた導電膜側から行った。第1の光電変換素子に用いられる、p層、i層、n層の具体的な作製方法について述べる。p層は、モノシランと、メチルシランと、水素と、ジボランの濃度が0.1molとなるまで水素で希釈したガスとを、それぞれ4sccm、0.7sccm、590sccm、18sccmの流量とし、反応圧力200Pa、基板温度200°C、高周波60MHzとして、膜厚10nmの微結晶シリコンとなるようにプラズマCVD法で形成した。また、i層は、モノシランと、水素とを、それぞれ25sccm、25sccmの流量とし、反応圧力40Pa、基板温度280°C、高周波60MHzとして、膜厚400nmの非晶質シリコンとなるようにプラズマCVD法で形成した。n層は、モノシランと、水素と、ホスフィンの濃度が0.5molとなるまで水素で希釈したガスとを、それぞれ5sccm、950sccm、40sccmの流量とし、反応圧力133Pa、基板温度280°C、高周波13.56MHzとして、膜厚10nmの微結晶シリコンとなるようにプラズマCVD法で形成した。一方、測定に用いた第2の光電変換素子は、アルミニウムシリコンAl-Siを用いて膜厚300nmとなるように形成した導電膜、p層、110の面方位を有する厚さ700μmのp型の単結晶シリコン基板、i層、n層、及びインジウム錫酸化物ITOを用いて膜厚70nmとなるように形成した導電膜が、順に積層された構造とした。そして、第2の光電変換素子への光の照射は、ITOを用いた導電膜側から行った。第2の光電変換素子に用いられる、p層、i層、n層の具体的な作製方法について述べる。p層は、モノシランと、水素と、ジボランとを、それぞれ8sccm、1000sccm、30sccmの流量とし、反応圧力200Pa、基板温度200°C、高周波60MHzとして、膜厚20nmの微結晶シリコンとなるようにプラズマCVD法で形成した。また、i層は、モノシランと、水素とを、それぞれ25sccm、25sccmの流量とし、反応圧力40Pa、基板温度280°C、高周波60MHzとして、膜厚20nmの非晶質シリコンとなるようにプラズマCVD法で形成した。n層は、モノシランと、水素と、ホスフィンの濃度が0.5molとなるまで水素で希釈したガスとを、それぞれ5sccm、950sccm、40sccmの流量とし、反応圧力133Pa、基板温度280°C、高周波13.56MHzとして、膜厚20nmの微結晶シリコンとなるようにプラズマCVD法で形成した。なお、第1の光電変換素子における光吸収層は、非晶質シリコンを用いたi層内に主に形成される。第2の光電変換素子における光吸収層は、p型の単結晶シリコン基板内に主に形成される。また、第1の光電変換素子の受光面の面積は1cm2であり、第2の光電変換素子の受光面の面積は95cm2であった。そして、電圧電流特性の測定に用いた光照射は、2条件で行った。第1の条件は、太陽光下における環境を再現した条件であり、ソーラーシミュレータにより発生させた基準太陽光を用い、太陽光スペクトルはAM1.5、照射強度は100mW/cm21sunとした。また、第2の条件は、室内光下における環境を再現した条件であり、照度500ルクスの電球色の蛍光灯を用い、照射強度は0.085mW/cm2とした。図2に、太陽光下を想定した第1の条件を用いた場合の、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の電圧電流密度特性の測定結果を示す。図2において、実線201は、第1の光電変換素子の電圧電流密度特性の測定結果に相当し、実線202は、第2の光電変換素子の電圧電流密度特性の測定結果に相当する。図2の実線201に示すように、第1の光電変換素子は、短絡電流密度が15.18mA/cm2、開放電圧が0.868V、フィルファクターが0.591となった。よって、その光電変換効率は7.79であることがわかった。また、図2の実線202に示すように、第2の光電変換素子は、短絡電流密度が38.45mA/cm2、開放電圧が0.5734V、フィルファクターが0.7919となった。よって、その光電変換効率は17.46であることがわかった。従って、太陽光下を想定した第1の条件を用いた場合、光吸収層が主に単結晶シリコンで構成される第2の光電変換素子の方が、光吸収層が主に非晶質シリコンで構成される第1の光電変換素子よりも、高い光電変換効率が得られた。図3に、室内光下を想定した第2の条件を用いた場合の、第1の光電変換素子と第2の光電変換素子の電圧電流密度特性の測定結果を示す。図3において、実線203は、第1の光電変換素子の電圧電流密度特性の測定結果に相当し、実線204は、第2の光電変換素子の電圧電流密度特性の測定結果に相当する。図3の実線203に示すように、第1の光電変換素子は、短絡電流密度が0.046mA/cm2、開放電圧が0.639V、フィルファクターが0.748となった。よって、その光電変換効率は25.69であることがわかった。また、図3の実線204に示すように、第2の光電変換素子は、短絡電流密度が0.059mA/cm2、開放電圧が0.243V、フィルファクターが0.448となった。よって、その光電変換効率は7.56であることがわかった。従って、室内光下を想定した第2の条件を用いた場合、光吸収層が主に非晶質シリコンで構成される第1の光電変換素子の方が、光吸収層が主に単結晶シリコンで構成される第2の光電変換素子よりも、高い光電変換効率が得られた。なお、第1の光電変換素子101aと第2の光電変換素子101bが有する光電変換層には、シリコンやゲルマニウム等の半導体を用いることができるが、本発明の一態様はこの構成に限定されない。例えば、第1の光電変換素子101a、第2の光電変換素子101bとして、Cu、In、Ga、Al、Se、Sなどを光電変換層に用いた、CIS系、CIGS系またはカルコパイライト系と呼ばれる光電変換素子を用いていても良い。或いは、光電変換層にCd化合物を用いたCdTe-CdS系の光電変換素子を、第1の光電変換素子101a、第2の光電変換素子101bとして用いていても良い。色素増感光電変換素子、有機半導体光電変換素子のように、光電変換層に有機系材料を用いた有機系光電変換素子を、第1の光電変換素子101aと第2の光電変換素子101bとして用いていても良い。また、短い波長領域の光は、長い波長領域の光よりも高いエネルギーを有している。よって、複数の光電変換素子のうち、短い波長領域の光を利用して光電変換を行う光電変換素子を、光が入射する側により近くなるように配置することで、光電変換装置内において生じる短い波長領域の光の損失を抑えることができ、光電変換効率をより高めることができる。例えば、非晶質光電変換素子は、短い波長領域0.4μm~0.6μmにおける光電変換効率が高く、単結晶光電変換素子は、長い波長領域0.4μm~0.9μmにおいて光電変換効率が高い。よって、非晶質光電変換素子を光が入射する側に近い第1の光電変換素子101aとし、単結晶光電変換素子を光が入射する側から遠い第2の光電変換素子101bとすることで、光電変換装置全体の光電変換効率を高めることができるので、望ましい。さらに、本発明の一態様に係る光電変換装置は、複数の各DCDCコンバータが、スイッチング素子と、電圧変換部と、制御回路とを有する。具体的に、図1に示す光電変換装置の場合、第1のDCDCコンバータ102aが、第1のスイッチング素子103aと、第1の電圧変換部104aと、第1の制御回路105aとを有する。また、第2のDCDCコンバータ102bが、第2のスイッチング素子103bと、第2の電圧変換部104bと、第2の制御回路105bとを有する。以下、第1のDCDCコンバータ102aの構成と動作について、図1を参照して説明する。第1のDCDCコンバータ102aでは、第1の光電変換素子101aから第1のDCDCコンバータ102aの入力端子INa1と入力端子INa2に入力電力が与えられると、第1のスイッチング素子103aが、入力端子INa1に与えられる電圧入力電圧の、第1の電圧変換部104aへの供給を制御する。具体的には、第1のスイッチング素子103aがオンのときに第1の電圧変換部104aに入力端子INa1からハイレベルの入力電圧が供給され、オフのときにその供給が停止する。また、入力端子INa2にはローレベルの入力電圧、具体的にはグラウンドなどの固定電圧が与えられる。よって、第1のスイッチング素子103aのスイッチングに従って、ハイレベルの入力電圧と固定電圧が交互に出現するパルス状の電圧波形を有する信号が、第1の電圧変換部104aに供給される。第1の電圧変換部104aは、コイル、コンデンサ、ダイオードのいずれか一つまたは複数を有している。第1の電圧変換部104aは、パルス状の信号が供給されると、上記信号の電圧を平滑化或いは保持することで、所定の出力電圧を有する出力電力を生成する。第1の制御回路105aは、パルス状の電圧波形を有する制御信号を生成し、第1のスイッチング素子103aのゲート電極に与える。第1のスイッチング素子103aは、ゲート電極とソース端子間の電圧Vgsによって、その動作が制御される。よって、制御信号の電圧がそのゲート電極に与えられた場合、ゲート電極とソース端子間の電圧Vgsが、制御信号の有するパルス状の電圧波形に従って変化するため、第1のスイッチング素子103aはオンとオフを繰り返してスイッチングを行う。上記スイッチングにおける、オンとオフの時間の比率であるデューティ比は、制御信号の電圧に従って定まる。なお、上述したように、第1のスイッチング素子103aは、入力電圧の第1の電圧変換部104aへの供給を制御している。よって、上記スイッチングのデューティ比が変化すると、第1の電圧変換部104aに供給されるパルス状の電圧波形を有する信号のデューティ比も連動して変化し、結果、第1の電圧変換部104aから出力される出力電圧の値が変化する。具体的に、第1の電圧変換部104aに供給される信号は入力電圧と固定電圧が交互に出現するパルス状の電圧波形を有している。そして、上記信号において、入力電圧を有するパルスの出現する期間の割合が大きいほど、出力電圧と固定電圧の差は大きくなる。逆に、上記信号において、入力電圧を有するパルスの出現する期間の割合が小さいほど、出力電圧と固定電圧の差は小さくなる。すなわち、第1の電圧変換部104aの出力電圧は、第1のスイッチング素子103aにおけるスイッチングのデューティ比に見合った大きさとなる。同様に、第2のDCDCコンバータ102bの構成と動作について説明する。第2のDCDCコンバータ102bでは、第1のDCDCコンバータ102aと同様に、第2の光電変換素子101bから第2のDCDCコンバータ102bの入力端子INb1と入力端子INb2に入力電力が与えられると、第2のスイッチング素子103bが、入力端子INb1に与えられる電圧入力電圧の、第2の電圧変換部104bへの供給を制御する。そして、第2のスイッチング素子103bがオンのときに第2の電圧変換部104bに入力端子INb1からハイレベルの入力電圧が供給され、オフのときにその供給が停止する。また、入力端子INb2にはローレベルの入力電圧、具体的にはグラウンドなどの固定電圧が与えられる。よって、第2のスイッチング素子103bのスイッチングに従って、ハイレベルの入力電圧と固定電圧が交互に出現するパルス状の電圧波形を有する信号が、第2の電圧変換部104bに供給される。第2の電圧変換部104bは、第1の電圧変換部104aと同様の構成を有しており、パルス状の信号が供給されると、上記信号の電圧を平滑化或いは保持することで、所定の出力電圧を有する出力電力を生成する。そして、第2の制御回路105bは、第1の制御回路105aと同様に、パルス状の電圧波形を有する制御信号を生成し、第2のスイッチング素子103bのゲート電極に与える。第2のスイッチング素子103bは、第1のスイッチング素子103aと同様に、上記制御信号に従ってオンとオフを繰り返してスイッチングを行う。よって、第2の電圧変換部104bに供給される信号は、入力電圧と固定電圧が交互に出現するパルス状の電圧波形を有している。そして、上記信号において、入力電圧を有するパルスの出現する期間の割合が大きいほど、第2の電圧変換部104bの出力電圧と固定電圧の差は大きくなる。逆に、上記信号において、入力電圧を有するパルスの出現する期間の割合が小さいほど、第2の電圧変換部104bの出力電圧と固定電圧の差は小さくなる。すなわち、第2の電圧変換部104bの出力電圧は、第2のスイッチング素子103bにおけるスイッチングのデューティ比に見合った大きさとなる。なお、図1では、第1のスイッチング素子103aを、入力端子INa1と第1の電圧変換部104aの間に設けており、第2のスイッチング素子103bを、入力端子INb1と第2の電圧変換部104bの間に設けているが、本発明の一態様に係る光電変換装置は、この構成に限定されない。第1のDCDCコンバータ102aにおいて第1のスイッチング素子103aを設ける位置については、第1のDCDCコンバータ102aの回路構成により異なる。また、第2のDCDCコンバータ102bにおいて第2のスイッチング素子103bを設ける位置については、第2のDCDCコンバータ102bの回路構成により異なる。そして、本発明の一態様では、第1のDCDCコンバータ102aに与えられる入力電力の一部が、第1の制御回路105a及び第2の制御回路105bに与えられる。第1の制御回路105a及び第2の制御回路105bは、上記入力電力の一部を駆動電力として用い、動作を行う。第1の光電変換素子101aは、室内光が得られる低照度の環境下であっても、第1のDCDCコンバータ102aと第2のDCDCコンバータ102bの駆動電力を賄う程度の電力を生成することができる。よって、上記構成により、室内光が得られる低照度の環境下であっても、第1のDCDCコンバータ102aと第2のDCDCコンバータ102bの駆動が可能となるため、広い照度範囲において光電変換装置の動作の信頼性を確保できる。また、第2の光電変換素子101bは、太陽光が得られる高照度の環境下において、第1の光電変換素子101aよりも高い電力を生成することができる。よって、光電変換装置の光電変換効率を高めることができる。図4に、第1の制御回路105aの構成を一例として示す。なお、第2の制御回路105bは、第1の制御回路105aと同様の構成を有している。よって、第2の制御回路105bの構成については、以下の第1の制御回路105aの構成についての説明を参照することができる。図4に示す第1の制御回路105aは、抵抗120、抵抗121、誤差増幅器122、位相補償回路123、コンパレータ124、三角波発振器125、バッファ126を有している。第1の光電変換素子101aから出力される電力の一部は、第1の制御回路105a及び第2の制御回路105bが有する、動作に電力を要する回路、具体的には、誤差増幅器122、位相補償回路123、コンパレータ124、三角波発振器125、バッファ126などに供給される。第1の制御回路105aにおいて、抵抗120と抵抗121は直列に接続されており、抵抗120の一方の端子には、第1のDCDCコンバータ102aの出力端子OUTa1からの出力電圧が与えられている。また、抵抗121の一方の端子には、グラウンドなどの固定の電圧が与えられている。そして、抵抗120の他方の端子と、抵抗121の他方の端子とが接続されているノードが、誤差増幅器122の反転入力端子-に接続されている。よって、出力電圧は、抵抗120と抵抗121によって抵抗分割され、誤差増幅器122の反転入力端子-に与えられる。誤差増幅器122の非反転入力端子には参照電圧Vrefが与えられている。誤差増幅器122は、反転入力端子-に与えられた電圧と、参照電圧Vrefとを比較し、その誤差を増幅させた電圧を有する信号を、誤差増幅器122の出力端子から出力する。誤差増幅器122から出力された信号の電圧は、位相補償回路123に与えられる。位相補償回路123は、誤差増幅器122から出力された信号の電圧の位相を調整してから出力する。なお、第1の制御回路105aは必ずしも位相補償回路123を有していなくとも良い。ただし、位相補償回路123による電圧の位相の調整により、誤差増幅器122またはコンパレータ124などのアンプの出力電圧が発振するのを防ぎ、第1のDCDCコンバータ102aの動作を安定化させることができる。位相補償回路123から出力された信号の電圧は、コンパレータ124の非反転入力端子に与えられる。また、コンパレータ124の反転入力端子-には、三角波発振器125から出力される三角波、或いはノコギリ波の電圧波形を有する信号が与えられる。よって、コンパレータ124からは、周期が一定であり、なおかつパルス幅が非反転入力端子に与えられる電圧の大きさに従って変化する、矩形波の電圧波形を有する制御信号が出力される。コンパレータ124から出力された制御信号は、バッファ126を介して第1の制御回路105aから出力される。そして、第1の制御回路105aから出力された制御信号は、第1のスイッチング素子103aに入力される。なお、図4では、パルス幅制御PWM:PulseWidthModulationcontrolの制御信号を生成する場合の、第1の制御回路105aの構成を例示している。しかし、本発明の一態様に係る光電変換装置では、第1のDCDCコンバータ102aと第2のDCDCコンバータ102bが、パルス周波数制御PFM:PulseFrequencyModulationcontrolの制御信号を用いて動作していても良い。なお、図1に示す光電変換装置は、第1の光電変換素子101a及び第1の光電変換素子101a用の第1のDCDCコンバータ102aと、第2の光電変換素子101b及び第2の光電変換素子101b用の第2のDCDCコンバータ102bとを有する場合を例示している。しかし、本発明の一態様では、光電変換素子とDCDCコンバータの組み合わせが2つの場合に限定されない。例えば、光電変換素子とDCDCコンバータの組み合わせが、3つ以上光電変換装置に用いられていても良い。また、図1に示す光電変換装置は、第1のDCDCコンバータ102aの出力端子と第2のDCDCコンバータ102bの出力端子とが並列に接続されている。すなわち、出力端子OUTa1と、出力端子OUTb1とが接続されており、出力端子OUTa1及び出力端子OUTb1の電圧が、出力電圧として、光電変換装置の出力端子OUT1に与えられる。また、出力端子OUTa2と、出力端子OUTb2とが接続されており、出力端子OUTa2及び出力端子OUTb2の電圧が、出力電圧として、光電変換装置の出力端子OUT2に与えられる。図1に示す光電変換装置のように、複数のDCDCコンバータの出力端子が並列に接続されている場合、出力端子OUTa1と出力端子OUTb1が必ず同電位となるので、光電変換装置の出力電圧の値が変動しにくく、安定した出力電圧を得ることができる。なお、本発明の一態様に係る光電変換装置は、複数のDCDCコンバータの出力端子が直列に接続されていても良い。図8に、第1のDCDCコンバータ102aの出力端子と第2のDCDCコンバータ102bの出力端子とが並列に接続されている場合の、光電変換装置の構成を示す。図8に示す光電変換装置は、第1のDCDCコンバータ102aの出力端子OUTa1及び出力端子OUTa2と第2のDCDCコンバータ102bの出力端子OUTb1及び出力端子OUTb2の接続構成のみが、図1に示す光電変換装置と異なっている。具体的に、図8に示す光電変換装置では、出力端子OUTa2と、出力端子OUTb1とが接続されており、出力端子OUTa1の電圧が、出力電圧として光電変換装置の出力端子OUT1に与えられる。また、出力端子OUTb2の電圧が、出力電圧として、光電変換装置の出力端子OUT2に与えられる。図8に示す光電変換装置のように、複数のDCDCコンバータの出力端子が直列に接続されている場合、複数の各DCDCコンバータの出力電圧を加算した電圧が、光電変換装置の出力電圧として得られる。すなわち、出力端子OUT1と出力端子OUT2の間の電圧が、出力端子OUTa1と出力端子OUTa2の間の電圧に、出力端子OUTb1と出力端子OUTb2の間の電圧を加算した値に相当する。なお、複数のDCDCコンバータが有する出力端子の接続構成は、図1と図8に示した構成に限定されず、実施者が自由に設計することが可能である。次いで、第1の電圧変換部104aと、第2の電圧変換部104bの具体的な構成について説明する。図5Aに、第1のDCDCコンバータ102aの具体的な構成を一例として示す。なお、第2のDCDCコンバータ102bは、第1のDCDCコンバータ102aと同様の構成を有している。よって、第2のDCDCコンバータ102bの構成については、以下の第1のDCDCコンバータ102aの構成についての説明を参照することができる。また、本明細書において接続とは電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。また、回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極としても機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。また、トランジスタが有するソース端子とドレイン端子は、トランジスタの極性及び各電極に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソース端子と呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレイン端子と呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレイン端子と呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソース端子と呼ばれる。以下、ソース端子とドレイン端子のいずれか一方を第1端子、他方を第2端子とし、第1のDCDCコンバータ102aの構成について説明する。また、トランジスタのソース端子とは、活性層の一部であるソース領域、或いは活性層に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレイン端子とは、活性層の一部であるドレイン領域、或いは活性層に接続されたドレイン電極を意味する。図5Aに示す第1のDCDCコンバータ102aは、入力電圧に対して小さい出力電圧が得られる降圧型である。図5Aに示す第1のDCDCコンバータ102aは、スイッチング素子として機能するトランジスタ106aと、第1の電圧変換部104aと、第1の制御回路105aとを有している。また、図5Aに示す第1のDCDCコンバータ102aは、入力電圧の与えられる入力端子INa1と、固定電圧の与えられる入力端子INa2と、出力端子OUTa1と、出力端子OUTa2とを有している。そして、図5Aに示す第1の電圧変換部104aは、ダイオード110、コイル111、コンデンサ112を有している。トランジスタ106aは、入力端子INa1とダイオード110が有する陰極の間の接続を制御している。具体的に、トランジスタ106aは、その第1端子が入力端子INa1に接続されており、その第2端子がダイオード110の陰極に接続されている。コイル111が有する一対の端子は、一方がダイオード110の陰極に接続され、他方が第1のDCDCコンバータ102aの出力端子OUTa1に接続されている。入力端子INa2は、ダイオード110の陽極と出力端子OUTa2に接続されている。そして、コンデンサ112が有する一対の電極は、一方が出力端子OUTa1に接続され、他方が出力端子OUTa2に接続されている。図5Aに示す第1のDCDCコンバータ102aでは、トランジスタ106aがオンになると、入力端子INa1と出力端子OUTa1との間に電位差が生じるので、コイル111に電流が流れる。コイル111は、上記電流が流れることで磁化すると共に、自己誘導により電流の流れとは逆向きの起電力が生じる。そのため、出力端子OUTa1には、入力端子INa1に与えられる入力電圧を降圧することで得られる電圧が与えられる。すなわち、コンデンサ112が有する一対の電極間には、入力端子INa2から与えられる固定電圧と、入力電圧を降圧することで得られる電圧との差分に相当する電圧が、与えられる。次いで、トランジスタ106aがオフになると、入力端子INa1と出力端子OUTa1の間に形成されていた電流の経路が遮断される。コイル111では、上記電流の変化を妨げる方向、すなわち、トランジスタ106aがオンのときに生じた起電力とは逆の方向の起電力が生じる。そのため、コイル111を流れる電流は、上記起電力によって生じた電圧により、維持される。すなわち、トランジスタ106aがオフのときには、入力端子INa2または出力端子OUTa2と、出力端子OUTa1の間に、コイル111とダイオード110を介した電流の経路が形成される。よって、コンデンサ112が有する一対の電極間に与えられている電圧は、ある程度保持される。なお、コンデンサ112に保持されている電圧は、出力端子OUTa1から出力される出力電圧に相当する。上記動作において、トランジスタ106aがオンである期間の比率が高いほど、コンデンサ112に保持される電圧は固定電圧と入力電圧の差分に近くなる。よって、入力電圧により近い大きさの出力電圧が得られるように、降圧することができる。逆に、トランジスタ106aがオフである期間の比率が高いほど、コンデンサ112に保持される電圧は固定電圧との差分が小さくなる。よって、固定電圧により近い大きさの出力電圧が得られるように、降圧することができる。また、第1の電圧変換部104aと、第2の電圧変換部104bの別の具体的な構成について説明する。図5Bに、第1のDCDCコンバータ102aの具体的な構成を一例として示す。図5Bに示す第1のDCDCコンバータ102aは、入力電圧に対して大きい出力電圧が得られる昇圧型である。図5Bに示す第1のDCDCコンバータ102aは、スイッチング素子として機能するトランジスタ106aと、第1の電圧変換部104aと、第1の制御回路105aとを有している。また、図5Bに示す第1のDCDCコンバータ102aは、入力電圧の与えられる入力端子INa1と、固定電圧の与えられる入力端子INa2と、出力端子OUTa1と、出力端子OUTa2とを有している。そして、図5Bに示す第1の電圧変換部104aは、ダイオード110、コイル111、コンデンサ112を有している。コイル111が有する一対の端子は、一方が入力端子INa1に接続され、他方がダイオード110の陽極に接続されている。トランジスタ106aは、上記コイル111とダイオード110の間のノードと、入力端子INa2または出力端子OUTa2との間の接続を制御している。具体的に、トランジスタ106aは、その第1端子がコイル111とダイオード110間のノードに接続されており、その第2端子が入力端子INa2または出力端子OUTa2に接続されている。また、ダイオード110の陰極は出力端子OUTa1に接続されている。コンデンサ112が有する一対の電極は、一方が出力端子OUTa1に接続され、他方が出力端子OUTa2に接続されている。図5Bに示す第1のDCDCコンバータ102aでは、トランジスタ106aがオンになると、入力端子INa1と入力端子INa2の間に生じる電位差により、コイル111に電流が流れる。コイル111は、上記電流が流れることで磁化する。なお、コイル111は、自己誘導により電流の流れとは逆向きの起電力が生じるため、上記電流は徐々に上昇する。次いで、トランジスタ106aがオフになると、入力端子INa1と入力端子INa2の間に形成されていた電流の経路が遮断される。コイル111では、上記電流の変化を妨げる方向、すなわち、トランジスタ106aがオンのときに生じた起電力とは逆の方向の起電力が生じる。そのため、コイル111が有する一対の端子間には、トランジスタ106aがオンのときにコイル111に流れていた電流の高さに準じた大きさの電圧が生じる。そして、コイル111を流れる電流は、端子間に生じた電圧によって維持される。すなわち、トランジスタ106aがオフのときには、入力端子INa1と出力端子OUTa1の間に、コイル111とダイオード110を介した電流の経路が形成される。このとき、出力端子OUTa1には、入力端子INa1に与えられている入力電圧に、コイル111の端子間に生じた電圧が加算された電圧が与えられ、この電圧が出力電圧として第1のDCDCコンバータ102aから出力される。上記出力端子OUTa1の電圧と、固定電圧との差分に相当する電圧は、コンデンサ112の電極間において保持される。上記動作において、トランジスタ106aがオンである期間の比率が高いと、トランジスタ106aがオフになる直前においてコイル111に流れる電流が高くなる。そのため、トランジスタ106aがオフになったときにコイル111の端子間に生じる電圧が大きくなるので、出力電圧と入力電圧の差が大きくなるように昇圧することができる。逆に、トランジスタ106aがオフである期間の比率が高いほど、トランジスタ106aがオフになる直前においてコイル111に流れる電流は低くなる。そのため、トランジスタ106aがオフになったときにコイル111の端子間に生じる電圧が小さくなるので、出力電圧と入力電圧の差が小さくなるように昇圧することができる。次いで、図6Aに、パルス幅制御を用いた場合の、第1のスイッチング素子103aまたは第2のスイッチング素子103bとして機能するトランジスタの、ゲート電圧Vgsの時間変化を一例として示す。図6Aでは、ゲート電圧Vgsはパルス状の電圧波形を有しており、なおかつ、そのパルス幅Tonを時間の経過に伴い大きくしている場合を示している。パルス幅制御の場合、パルスの出現するタイミングの時間間隔Tpが一定に保たれており、パルス幅Tonが可変となる。図6Bに、図6Aに示したゲート電圧Vgsに従ってトランジスタをスイッチングさせたときに、得られる出力電圧Voutの時間変化を示す。図6Bに示すように、パルス幅Tonを大きくするに伴い、大きい出力電圧Voutが得られる。また、図7Aに、パルス周波数制御を用いた場合の、トランジスタのゲート電圧Vgsの時間変化を一例として示す。図7Aでは、ゲート電圧Vgsにパルス状の電圧が印加されており、なおかつ、そのパルスの出現するタイミングの時間間隔Tpを時間の経過に伴い小さくしている場合を示している。パルス周波数制御の場合、パルス幅Tonが一定に保たれており、パルスの出現するタイミングの時間間隔Tpが可変となる。図7Bに、図7Aに示したゲート電圧Vgsに従ってトランジスタをスイッチングさせたときに、得られる出力電圧Voutの時間変化を示す。図7Bに示すように、パルスの出現するタイミングの時間間隔Tpを時間の経過に従って小さくするに伴い、大きい出力電圧Voutが得られる。なお、本発明の一態様では、パルス幅制御とパルス周波数制御とを組み合わせて、トランジスタのスイッチングによる出力電圧の調整を行っても良い。例えば、出力電圧が小さい場合は、パルス周波数制御を用いた方がトランジスタのスイッチングの周波数を低く抑えることができ、トランジスタのスイッチングによる電力損失を小さく抑えることができる。逆に、出力電圧が大きい場合は、パルス幅制御を用いた方がトランジスタのスイッチングの周波数を低く抑えることができ、トランジスタのスイッチングによる電力損失を小さく抑えることができる。よって、出力電圧の大きさに合わせて、パルス幅制御とパルス周波数制御を切り替えることで、電力変換効率の向上を図ることができる。なお、図5A及び図5Bでは、スイッチング素子を一のトランジスタで構成する場合を例示しているが、本発明はこの構成に限定されない。本発明の一態様では、複数のトランジスタで一のスイッチング素子を構成していても良い。一のスイッチング素子を複数のトランジスタで構成している場合、上記複数のトランジスタは並列に接続されていても良いし、直列に接続されていても良いし、直列と並列が組み合わされて接続されていても良い。なお、本明細書において、トランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第1のトランジスタの第1端子と第2端子のいずれか一方のみが、第2のトランジスタの第1端子と第2端子のいずれか一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第1のトランジスタの第1端子が第2のトランジスタの第1端子に接続され、第1のトランジスタの第2端子が第2のトランジスタの第2端子に接続されている状態を意味する。実施の形態2本発明の一態様にかかる光電変換装置は、少なくとも二つの光電変換素子を有する。図10に、光の進行方向において重なる第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子の断面構造を一例として示す。本実施の形態では、図10を用いて、本発明の一態様に係る光電変換装置の構成について説明する。図10Aは、第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子が、薄膜の半導体層を用いて形成された光電変換層を有している場合を例示している。具体的に、図10Aに示す光電変換装置は、基板501と、基板501に支持されている第1の光電変換素子502と、基板503と、基板503に支持されている第2の光電変換素子504と、第1の光電変換素子502及び第2の光電変換素子504を固着させる接着層505とを有する。また、図10Aに示す第1の光電変換素子502は、光電変換層506と、光電変換層506を間に挟む導電膜507及び導電膜508とを有する。導電膜507と導電膜508とでは、導電膜507の方が基板501に近いものとする。また、第2の光電変換素子504は、光電変換層509と、光電変換層509を間に挟む導電膜510及び導電膜511とを有する。導電膜510と導電膜511とでは、導電膜510の方が基板503に近いものとする。なお、図10Aでは、第1の光電変換素子502と第2の光電変換素子504が、それぞれ単数の光電変換層を有している場合を例示しているが、第1の光電変換素子502と第2の光電変換素子504は、積層された複数の光電変換層を有していても良い。そして、図10Aでは、光電変換層506がp層512と、i層513と、n層514とを有する。p層512、i層513、n層514が、導電膜507側から順に積層されることで、pin接合が形成されている。また、図10Aでは、光電変換層509がn層515と、i層516と、p層517とを有する。n層515、i層516、p層517が導電膜510側から順に積層されることで、pin接合が形成されている。なおp層は、p型の導電性を有する半導体層のことであり、i層は、i型の導電性を有する半導体層のことであり、n層は、n型の導電性を有する半導体層のことを意味する。また、図10Aでは、光電変換層506及び光電変換層509がpin接合を有する場合を例示しているが、光電変換層506及び光電変換層509はpn接合を有していても良い。そして、第1の光電変換素子502が有する光電変換層506と、第2の光電変換素子504が有する光電変換層509とは、矢印で示す光の進行方向において重なるように、順に配置されている。すなわち、図10Aに示す光電変換装置は、光電変換層506と、光電変換層509のみに着目すると、光が入射する基板501側から順に、p層512、i層513、n層514、p層517、i層516、n層515が積層された構造を有している。なお、図10Aでは、光を基板501側から入射させているが、逆に基板503側から光を入射させても良い。ただし、この場合、p層512をn層514よりも、光の入射する側に近くなるよう配置することが望ましい。また、p層517をn層515よりも、光の入射する側に近くなるよう配置することが望ましい。なぜならば、ホールのキャリアとしての寿命は、電子のキャリアとしての寿命の約半分と短い。pin接合を有する光電変換層に光が照射されると、i層内において多量の電子とホールが形成され、電子はn層側へ、ホールはp層側へ移動し、起電力を得ることができる。光の照射をp層側から行うと、電子とホールの形成が、i層内のn層よりもp層に近い側において多く行われる。そのため、寿命が短いホールがp層へ移動する距離を、短くすることができ、その結果、高い起電力を得ることができる。また、光電変換層506が有するp層512、i層513、n層514と、光電変換層509が有するp層517、i層516、n層515は、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体などの結晶性を有する半導体を用いていても良いし、非晶質半導体を用いていても良い。また、光電変換層506が有するp層512、i層513、n層514と、光電変換層509が有するp層517、i層516、n層515は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、炭化シリコンなどを用いることができる。ただし、本発明の一態様では、第1の光電変換素子502の方が、第2の光電変換素子504に比べて、低い照度の環境下において光電変換効率が高く、第2の光電変換素子504の方が、第1の光電変換素子502に比べて、高い照度の環境下において光電変換効率が高いという条件を満たすようにする。照度による光電変換効率の違いは、例えば、光電変換層を構成する半導体の材料、結晶性などによってもたらされるので、上記条件を満たすように光電変換層506と光電変換層509の構成を決めればよい。また、光が入射する側の層は、光の吸収係数の小さい材料を用いることが望ましい。例えば、炭化シリコンはシリコン単体に比べて光の吸収係数が小さい。よって、p層またはn層のうち、光の入射側により近い層に炭化シリコンを用いることで、i層に届く光の入射光量を高くすることができ、結果、光電変換素子の起電力を高めることができる。図10Aでは、光電変換層506が有するp層512、i層513、n層514を非晶質シリコンで形成し、光電変換層509が有するp層517、i層516、n層515を微結晶シリコンで形成する。なお、微結晶半導体とは、非晶質と結晶質単結晶、多結晶を含むの中間的な構造の半導体である。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体である。例示的には、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは20nm以上50nm以下である半導体を含む層である。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンのラマンスペクトルは、単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側にシフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、またはネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。このような微結晶半導体は格子歪みを有し、該格子歪みにより光学特性が、単結晶シリコンの間接遷移型から直接遷移型に変化する。少なくとも10の格子歪みがあれば、光学特性が直接遷移型に変化する。なお、歪みが局部的に存在することにより、直接遷移と間接遷移の混在した光学特性を呈することもできる。また、短波長の光は、長波長の光よりも高いエネルギーを有している。よって、図10Aに示した光電変換装置において、第1の光電変換素子502の光電変換層506を非晶質シリコンで形成し、第2の光電変換素子504の光電変換層509を微結晶シリコンで形成した場合、第1の光電変換素子502の方が第2の光電変換素子504よりも、短い波長領域の光を利用して光電変換を行うことになる。よって、第1の光電変換素子502を、光が入射する側により近くなるように配置することで、光電変換装置内において生じる短い波長領域の光の損失を抑えることができ、光電変換効率をより高めることができる。なお、i層に用いる半導体は、例えば、p型若しくはn型を付与する不純物元素が1×1020atoms/cm3以下の濃度であり、酸素及び窒素が9×1019atoms/cm3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上とする。i層には、硼素が1ppm~1000ppm添加されていてもよい。i層は、価電子制御を目的とした不純物元素を意図的に添加しないと、弱いn型の電気伝導性を示すことがある。この現象は、i層を非晶質半導体で形成する場合において、顕著に現れる。よって、pin接合を有する光電変換層を形成する場合には、p型を付与する不純物元素を成膜と同時に、或いは成膜後に、i層に添加すると良い。p型を付与する不純物元素としては、代表的には硼素であり、B2H6、BF3などの不純物気体を1ppm~1000ppmの割合で半導体材料ガスに混入させると良い。そして硼素の濃度を、例えば1×1014atoms/cm3~6×1016atoms/cm3とすると良い。或いは、p層を形成した後にi層を形成することで、p層中に含まれているp型を付与する不純物元素を、i層中に拡散させることができる。上記構成により、意図的にp型を付与する不純物元素をi層に添加しなくても、i層の価電子制御を行うことができる。基板501、基板503は、少なくとも一方が透光性を有する基板であればよい。図10Aでは、基板501側から光が入射する場合を例示しているので、少なくとも基板501が透光性を有するものとする。具体的に、基板501、基板503は、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガラス、セラミックガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、アルミノシリケート酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板、石英基板などを用いることができる。また、絶縁膜がその表面に形成されたステンレスなどの金属基板は、透光性が低いので、基板503として用いることができる。セラミック基板は、透光性が高い基板と低い基板とがあり、透光性が高いセラミック基板は基板501と基板503の両方に用いることができ、透光性が低いセラミック基板は基板503に用いることができる。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。なお、基板501、基板503の光入射面には、反射防止膜が設けられていても良い。例えば、酸化チタン又は、銅、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛から選択される少なくとも一種の金属元素が添加された酸化チタン膜を、反射防止膜として用いることができる。また、基板501側から光電変換装置に光が入射すると仮定するならば、第1の光電変換素子502が有する導電膜507及び導電膜508と、第2の光電変換素子504が有する導電膜511には、透光性を有する導電材料、具体的には酸化珪素を含む酸化インジウムスズITSO、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛GZOなどを用いることができる。そして、第2の光電変換素子504が有する導電膜510には、光を反射しやすい導電材料、具体的にはアルミニウム、銀、チタン、タンタルなどを用いる。或いは、導電膜510に上述したような透光性を有する導電材料を用いていても良いが、この場合、第2の光電変換素子504を透過した光が反射する反射膜を、基板503の第2の光電変換素子504とは反対側の面上に形成することが望ましい。反射膜には、アルミニウム、銀、チタン、タンタルなどの光を反射しやすい材料を用いることが望ましい。光を反射しやすい導電材料を用いて導電膜510を形成する場合、光電変換層509と接する側の表面に凹凸を形成すると、導電膜510の表面において光が乱反射するため、光電変換層509において光の吸収率を高め、光電変換効率を高めることができる。同様に、反射膜を形成する場合、導電膜510のうち、反射膜の光が入射する側の面に凹凸を形成することで、光電変換効率を高めることができる。なお、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウムなどの酸化物金属に代えて、導電性高分子材料導電性ポリマーともいうを用いることができる。導電性高分子材料としては、π電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン及び又はその誘導体、ポリピロール及び又はその誘導体、ポリチオフェン及び又はその誘導体、アリニン、ピロール及びチオフェンの2種以上からなる共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。また、接着層505は透光性を有しており、第1の光電変換素子502と第2の光電変換素子504の間において光を透過させることができる材料を用いる。例えば、接着層505として、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。或いは、接着層505として、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また、接着層505として、上記熱可塑性樹脂及び上記熱硬化性樹脂の複数を用いてもよい。上記有機樹脂を用いることで、熱処理により第1の光電変換素子502と第2の光電変換素子504を固着することが可能である。なお、第1の光電変換素子502と第2の光電変換素子504は、直列に接続された複数の光電変換素子でそれぞれ構成されていても良い。図10Bに、第1の光電変換素子が、直列に接続された複数の光電変換素子で構成されている場合を例示する。なおかつ、図10Bでは、第1の光電変換素子が薄膜の半導体層を用いて形成された光電変換層を有しており、第2の光電変換素子が、単結晶の半導体基板を用いて形成されている場合を例示している。具体的に、図10Bに示す光電変換装置は、基板521と、基板521に支持されている第1の光電変換素子522と、p型の単結晶半導体基板523と、p型の単結晶半導体基板523を用いて形成されている第2の光電変換素子524と、第1の光電変換素子522及び第2の光電変換素子524を固着させる接着層525とを有する。また、図10Bに示す第1の光電変換素子522は、複数の光電変換層526と、各光電変換層526を間に挟む複数の導電膜527及び導電膜528とを有する。導電膜527と導電膜528とでは、導電膜527の方が基板521に近いものとする。導電膜527と導電膜528により、基板521に並置された複数の光電変換層526が、直列に接続される。すなわち、第1の光電変換素子522は、光電変換層526と、導電膜527及び導電膜528とで構成される光電変換素子が、複数直列に接続された構成を有する。また、第2の光電変換素子524は、光電変換層529と、光電変換層529を間に挟む導電膜530及び導電膜531とを有する。なお、図10Bでは、第2の光電変換素子524が単数の光電変換層を有している場合を例示しているが、第2の光電変換素子524は積層された複数の光電変換層を有していても良い。そして、図10Bでは、複数の光電変換層526がp層532と、i層533と、n層534とをそれぞれ有する。p層532、i層533、n層534が、導電膜527側から順に積層されることで、pin接合が形成されている。また、図10Bでは、光電変換層529がp層535と、p型の単結晶半導体基板523と、n層537とを有する。p層535、p型の単結晶半導体基板523、n層537が導電膜530側から順に積層されることで、pn接合が形成されている。また、図10Bでは、光電変換層526がpin接合を有し、光電変換層529がpn接合を有する場合を例示しているが、光電変換層526がpn接合を有する、或いは光電変換層529がpin接合を有していても良い。そして、図10Aと同様に、第1の光電変換素子522が有する光電変換層526と、第2の光電変換素子524が有する光電変換層529とは、矢印で示す光の進行方向において重なるように、順に配置されている。また、光電変換層526が有するp層532、i層533、n層534は、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体などの結晶性を有する半導体を用いていても良いし、非晶質半導体を用いていても良い。また、光電変換層526が有するp層532、i層533、n層534と、光電変換層529が有するn層537、p型の単結晶半導体基板523、p層535は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、炭化シリコンなどを用いることができる。ただし、本発明の一態様では、第1の光電変換素子522の方が、第2の光電変換素子524に比べて、低い照度の環境下において光電変換効率が高く、第2の光電変換素子524の方が、第1の光電変換素子522に比べて、高い照度の環境下において光電変換効率が高いという条件を満たすようにする。照度による光電変換効率の違いは、例えば、光電変換層を構成する半導体の材料、結晶性などによってもたらされるので、上記条件を満たすように光電変換層526と光電変換層529の構成を決めればよい。図10Bでは、光電変換層526が有するp層532、i層533、n層534を非晶質シリコンで形成する。光電変換層529が有するn層537、p層535を、単結晶シリコンで形成する。また、短波長の光は、長波長の光よりも高いエネルギーを有している。よって、図10Bに示した光電変換装置において、第1の光電変換素子522の光電変換層526を非晶質シリコンで形成し、第2の光電変換素子524の光電変換層529を単結晶シリコンで形成した場合、第1の光電変換素子522の方が第2の光電変換素子524よりも、短い波長領域の光を利用して光電変換を行うことになる。よって、第1の光電変換素子522を、光が入射する側により近くなるように配置することで、光電変換装置内において生じる短い波長領域の光の損失を抑えることができ、光電変換効率をより高めることができる。基板521は、透光性を有する基板であればよく、図10Aの基板501と同様の基板を用いることができる。また、基板521側から光電変換装置に光が入射すると仮定するならば、第1の光電変換素子522が有する導電膜527及び導電膜528と、第2の光電変換素子524が有する導電膜531には、上述したような透光性を有する導電材料を用いることができる。そして、第2の光電変換素子524が有する導電膜530には、上述したような、光を反射しやすい導電材料を用いることができる。或いは、導電膜530に上述したような透光性を有する導電材料を用いていても良いが、この場合、第2の光電変換素子524を透過した光が反射する反射膜を、導電膜530のp層535とは反対側の面上に形成することが望ましい。反射膜には、アルミニウム、銀、チタン、タンタルなどの光を反射しやすい材料を用いることが望ましい。光を反射しやすい導電材料を用いて導電膜530を形成する場合、光電変換層529と接する側の導電膜530の面に凹凸を形成すると、当該面において光が乱反射するため、光電変換層529において光の吸収率を高め、光電変換効率を高めることができる。同様に、反射膜を形成する場合、導電膜530のうち、反射膜の光が入射する側の面に凹凸を形成することで、光電変換効率を高めることができる。また、接着層525は透光性を有しており、第1の光電変換素子522と第2の光電変換素子524の間において光を透過させることができる材料を用いる。接着層525として、接着層505と同様の材料を用いることができる。本実施の形態は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、図5に示したDCDCコンバータとは、電圧変換部の構成が異なる、DCDCコンバータの一形態について説明する。なお、本実施の形態では、第1のDCDCコンバータ102aが有する第1の電圧変換部104aの構成について説明する。第2のDCDCコンバータ102bは、第1のDCDCコンバータ102aと同様の構成を有しているので、第2のDCDCコンバータ102bの構成については、以下の第1のDCDCコンバータ102aの構成についての説明を参照することができる。図9Aに、フライバック式の第1のDCDCコンバータ102aの具体的な構成を一例として示す。図9Aに示す第1のDCDCコンバータ102aは、スイッチング素子として機能するトランジスタ106aと、第1の電圧変換部104aと、第1の制御回路105aとを有している。そして、図9Aに示す第1のDCDCコンバータ102aは、第1の電圧変換部104aがダイオード110、コンデンサ112、トランス113を有する。また、図9Aに示す第1のDCDCコンバータ102aは、入力電圧の与えられる入力端子INa1と、固定電圧の与えられる入力端子INa2と、出力端子OUTa1と、出力端子OUTa2とを有している。トランス113は、その中心に共通のコアが設けられた、一次コイルと二次コイルを有している。トランジスタ106aは、入力端子INa2と、トランス113の一次コイルが有する一方の端子との、間の接続を制御している。具体的に、トランジスタ106aは、その第1端子が入力端子INa2に接続されており、その第2端子が、トランス113の一次コイルが有する一方の端子に接続されている。また、トランス113の一次コイルが有する他方の端子は、入力端子INa1に接続されている。また、トランス113が有する二次コイルは、一対の端子のいずれか一方がダイオード110の陽極に接続されており、他方の端子が出力端子OUTa2に接続されている。ダイオード110の陰極は、出力端子OUTa1に接続されている。コンデンサ112が有する一対の電極は、一方が出力端子OUTa1に接続されており、他方が出力端子OUTa2に接続されている。また、図9Bに、フォワード式の第1のDCDCコンバータ102aの構成を一例として示す。図9Bに示す第1のDCDCコンバータ102aは、スイッチング素子として機能するトランジスタ106aと、第1の電圧変換部104aと、第1の制御回路105aとを有している。そして、図9Bに示す第1のDCDCコンバータ102aは、第1の電圧変換部104aがダイオード110、ダイオード114、コイル111、コンデンサ112、トランス115を有する。また、図9Bに示す第1のDCDCコンバータ102aは、入力電圧の与えられる入力端子INa1と、固定電圧の与えられる入力端子INa2と、出力端子OUTa1と、出力端子OUTa2とを有している。トランス115は、図9Aに示したトランス113と同様に、その中心に共通のコアが設けられた、一次コイルと二次コイルを有している。ただし、トランス113は、一次コイルと二次コイルの巻き始めの位置が逆側に配置されているのに対し、トランス115は、一次コイルと二次コイルの巻き始めの位置が同じ側に配置されている。トランジスタ106aは、入力端子INa2と、トランス115の一次コイルが有する一方の端子との、間の接続を制御している。具体的に、トランジスタ106aは、その第1端子が入力端子INa2に接続されており、その第2端子が、トランス115の一次コイルが有する一方の端子に接続されている。また、トランス115の一次コイルが有する他方の端子は、入力端子INa1に接続されている。また、トランス115が有する二次コイルは、一対の端子のいずれか一方がダイオード110の陽極に接続されており、他方の端子が出力端子OUTa2に接続されている。ダイオード110の陰極は、ダイオード114の陰極及びコイル111の一方の端子に接続されている。ダイオード114の陽極は、出力端子OUTa2に接続されている。コイル111の他方の端子は、出力端子OUTa1に接続されている。コンデンサ112が有する一対の電極は、一方が出力端子OUTa1に接続されており、他方が出力端子OUTa2に接続されている。なお、本実施の形態では、フライバック式の第1のDCDCコンバータ102aと、フォワード式の第1のDCDCコンバータ102aの構成について示したが、本発明の一態様に係る第1のDCDCコンバータ102aと第2のDCDCコンバータ102bは、これらに限定されない。本発明の一態様に係る光電変換装置は、スイッチング素子のスイッチングのデューティ比により出力電圧の大きさを調整することができる、スイッチング方式のDCDCコンバータを用いていれば良い。本実施の形態は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、交流電圧の出力を行う、本発明の一態様に係る光電変換装置の一例について説明する。図11に示す光電変換装置は、図1に示した光電変換装置と同じく、第1の光電変換素子101aと、第2の光電変換素子101bと、第1のDCDCコンバータ102aと、第2のDCDCコンバータ102bとを有する。さらに、図11に示す光電変換装置は、図1に示した光電変換装置とは異なり、第1のスイッチ151aと、第1のコンデンサ152aと、第2のスイッチ151bと、第2のコンデンサ152bと、パルス幅変調回路153と、インバータ154と、バンドパスフィルタ155とを有している。また、図11に示す光電変換装置は、図1に示した光電変換装置と同じく、第1のDCDCコンバータ102aが、第1のスイッチング素子103aと、第1の電圧変換部104aと、第1の制御回路105aとを有する。また、第2のDCDCコンバータ102bが、第2のスイッチング素子103bと、第2の電圧変換部104bと、第2の制御回路105bとを有する。そして、図11に示す光電変換装置は、図1に示した光電変換装置と同じく、第1のDCDCコンバータ102aの出力端子と第2のDCDCコンバータ102bの出力端子とが並列に接続されている。すなわち、出力端子OUTa1と、出力端子OUTb1とが接続されており、出力端子OUTa1及び出力端子OUTb1の電圧が後段の回路に与えられる。また、出力端子OUTa2と、出力端子OUTb2とが接続されており、出力端子OUTa2及び出力端子OUTb2の電圧が後段の回路に与えられる。また、図11に示す光電変換装置は、図1に示した光電変換装置と同じく、第1のDCDCコンバータ102aに与えられる入力電力の一部が、第1の制御回路105a及び第2の制御回路105bに与えられる。第1の制御回路105a及び第2の制御回路105bは、上記入力電力の一部を駆動電力として用い、動作を行う。具体的に、図11に示す光電変換装置では、第1の光電変換素子101aに光が照射されると電力が生じる。上記電力は、第1のコンデンサ152aにおいてその電圧が平滑化された後、第1のスイッチ151aを介して、第1のDCDCコンバータ102aに入力される。なお、第1のコンデンサ152aを設けることで、第1のスイッチ151aのオンオフによって生じるパルス状の電流が、第1の光電変換素子101aに流れ込むのを防ぐことができる。そして、第1のDCDCコンバータ102aに入力された電力は、第1のDCDCコンバータ102aにおいてその電圧の大きさが調整されてから、出力される。同様に、図11に示す光電変換装置では、第2の光電変換素子101bに光が照射されると電力が生じる。上記電力は、第2のコンデンサ152bにおいてその電圧が平滑化された後、第2のスイッチ151bを介して、第2のDCDCコンバータ102bに入力される。なお、第2のコンデンサ152bを設けることで、第2のスイッチ151bのオンオフによって生じるパルス状の電流が、第2の光電変換素子101bに流れ込むのを防ぐことができる。そして、第2のDCDCコンバータ102bに入力された電力は、第2のDCDCコンバータ102bにおいてその電圧の大きさが調整されてから、出力される。第1のDCDCコンバータ102aと第2のDCDCコンバータ102bから出力された電圧は、直流電圧である。インバータ154は、第1のDCDCコンバータ102aと第2のDCDCコンバータ102bから出力された直流電圧を交流電圧に変換し、出力する。図11では、インバータ154が4つのトランジスタ156~トランジスタ159と、4つのダイオード160~ダイオード163とで構成されている例を示している。具体的に、トランジスタ156は、その第1端子が出力端子OUTa1及び出力端子OUTb1に接続されており、その第2端子がトランジスタ157の第1端子に接続されている。トランジスタ157の第2端子は、出力端子OUTa2及び出力端子OUTb2に接続されている。トランジスタ158は、その第1端子が出力端子OUTa1及び出力端子OUTb1に接続されており、その第2端子がトランジスタ159の第1端子に接続されている。トランジスタ159の第2端子は、出力端子OUTa2及び出力端子OUTb2に接続されている。ダイオード160~ダイオード163は、トランジスタ156~トランジスタ159と、それぞれ並列に接続されている。具体的には、トランジスタ156~トランジスタ159の第1端子にダイオード160~ダイオード163の陰極がそれぞれ接続され、トランジスタ156~トランジスタ159の第2端子にダイオード160~ダイオード163の陽極がそれぞれ接続されている。また、パルス幅変調回路153には、第1のDCDCコンバータ102aと第2のDCDCコンバータ102bから出力された直流電圧が与えられている。パルス幅変調回路153は、上記電圧が与えられることで動作し、トランジスタ156~トランジスタ159のスイッチングを制御する信号を生成する。パルス幅変調回路153からの上記信号に従ってトランジスタ156~トランジスタ159がスイッチングを行うことで、インバータ154が有する、トランジスタ156の第2端子とトランジスタ157の第1端子が接続されているノードと、トランジスタ158の第2端子とトランジスタ159の第1端子が接続されているノードとから、PWM波形を有する交流電圧が出力される。そして、バンドパスフィルタ155を用いて、インバータ154から出力された交流の電圧の高周波成分を除去することで、正弦波を有する交流電圧を得ることができる。本実施の形態は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。本発明の一態様に係る光電変換装置は、広い照度範囲において動作の信頼性が高い。よって、本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、電子機器が使用可能である場所の制限が緩和されるため、利便性が高まる。特に携帯用の電子機器の場合、本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、使用可能である場所の制限が緩和されると、利便性が飛躍的に高まる。また、本発明の一態様に係る光電変換装置は、高い光電変換効率を得ることができる。よって、本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、電子機器の動作に要する電力を確保しやすくなるため、動作の信頼性を高めることができる。特に電力の供給を常時受けることが困難な携帯用の電子機器の場合、本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、連続使用時間が長くなるといったメリットが得られる。本発明の一態様に係る光電変換装置は、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置代表的にはDVD:DigitalVersatileDisc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機ATM、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図12に示す。図12Aは携帯型ゲーム機であり、筐体7031、筐体7032、表示部7033、表示部7034、マイクロホン7035、スピーカー7036、操作キー7037、スタイラス7038等を有する。本発明の一態様に係る光電変換装置は、携帯型ゲーム機の駆動を制御するための集積回路に用いることができる。携帯型ゲーム機の駆動を制御するための集積回路に本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、利便性が高く、動作の信頼性が高い携帯型ゲーム機を提供することができる。また、本発明の一態様に係る光電変換装置を携帯型ゲーム機に用いることで、携帯型ゲーム機の連続使用時間を長くすることができる。なお、図12Aに示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部7033と表示部7034とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。図12Bは携帯電話であり、筐体7041、表示部7042、音声入力部7043、音声出力部7044、操作キー7045、受光部7046等を有する。受光部7046において受信した光を電気信号に変換することで、外部の画像を取り込むことができる。本発明の一態様に係る光電変換装置は、携帯電話の駆動を制御するための集積回路に用いることができる。携帯電話の駆動を制御するための集積回路に本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、利便性が高く、動作の信頼性が高い携帯電話を提供することができる。また、本発明の一態様に係る光電変換装置を携帯電話に用いることで、携帯電話の連続使用時間を長くすることができる。図12Cは携帯情報端末であり、筐体7051、表示部7052、操作キー7053等を有する。図12Cに示す携帯情報端末は、モデムが筐体7051に内蔵されていても良い。本発明の一態様に係る光電変換装置は、携帯情報端末の駆動を制御するための集積回路に用いることができる。携帯情報端末の駆動を制御するための集積回路に本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、利便性が高く、動作の信頼性が高い携帯情報端末を提供することができる。また、本発明の一態様に係る光電変換装置を携帯情報端末に用いることで、携帯情報端末の連続使用時間を長くすることができる。図12Dは照明装置であり、筐体7081、光源7082等を有する。光源7082には、発光素子が設けられている。本発明の一態様に係る光電変換装置は、照明装置の駆動を制御するための集積回路に用いることができる。照明装置の駆動を制御するための集積回路に本発明の一態様に係る光電変換装置を用いることで、利便性が高く、動作の信頼性が高い照明装置を提供することができる。また、本発明の一態様に係る光電変換装置を照明装置に用いることで、照明装置の連続使用時間を長くすることができる。本実施例は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。