LED発光素子と表面が銀めっきされた反射部とを有するLED照明ユニットであって、該反射部が、銅又は銅合金を基材として、NiP合金めっき皮膜及び銀めっき皮膜が順次形成されたものである、LED照明ユニット。NiP合金めっき皮膜が、電気めっき法又は無電解めっき法によって形成されたものである請求項1に記載のLED照明ユニット。銀めっき皮膜が、光沢銀めっき皮膜又は無光沢銀めっき皮膜である、請求項1又は2に記載のLED照明ユニット。本発明は、上記した従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、銅又は銅合金を基材として、表面に銀めっき皮膜が形成された反射部を有するLED照明ユニットにおいて、経時的な反射率の低下を有効に抑制できる方法を提供することである。本発明者は、上記した目的達成すべく鋭意研究を重ねてきた。その結果、銅又は銅合金からなる基材の表面に銀めっき皮膜が形成された反射部において、銀めっき皮膜の下地としてNiP合金めっき皮膜を形成することによって、下地に含まれる銅原子の拡散が抑制されて、高い反射率を長期間維持することが可能となることを見出し、ここに本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、下記のLED照明ユニットを提供するものである。項1.LED発光素子と表面が銀めっきされた反射部とを有するLED照明ユニットであって、該反射部が、銅又は銅合金を基材として、NiP合金めっき皮膜及び銀めっき皮膜が順次形成されたものである、LED照明ユニット。項2.NiP合金めっき皮膜が、電気めっき法又は無電解めっき法によって形成されたものである上記項1に記載のLED照明ユニット。項3.銀めっき皮膜が、光沢銀めっき皮膜又は無光沢銀めっき皮膜である、上記項1又は2に記載のLED照明ユニット。本発明のLED照明ユニットは、LED発光素子と表面が銀めっきされた反射部とを有するパッケージ化されたLED照明ユニットにおいて、銅又は銅合金を基材として、その表面に銀めっき皮膜が形成された反射部を有するものである。反射部において、基材とする銅及び銅合金の種類については特に限定はなく、銅合金としては、銅含有率が60重量程度以上の銅合金を用いることが好ましく、例えば、銅亜鉛合金、銅スズ合金、銅ニッケル合金、銅アルミ合金などを用いることができる。反射部の表面に形成する銀めっき皮膜の種類についても特に限定はなく、電気めっき法、無電解めっき法など任意の方法で形成することができる。例えば、電気めっき法で形成する場合には、必要に応じて、シアン化銀めっき浴などを用いてストライクめっきを行った後、公知の銀めっき浴を用いて銀めっき皮膜を形成すればよい。また、銀めっき皮膜は光沢銀めっき皮膜、無光沢銀めっき皮膜のいずれであってもよい。銀めっき皮膜の厚さについても特に限定はないが、通常は、01~10μm程度とすればよい。本発明では、反射部における銀めっき皮膜の下地、即ち、銅又は銅合金からなる基材と銀めっき皮膜との間にNiP合金めっき皮膜を形成することが必要である。NiP合金めっき皮膜を形成することによって、基材の銅又は銅合金から銅原子が銀皮膜に拡散することを抑制して、長期間良好な反射率を維持することができる。NiP合金めっき皮膜のリン含有量については特に限定的ではないが、通常、1~13重量程度のものが好ましく、3~10重量程度のものがより好ましい。NiP合金めっき皮膜の形成方法についても特に限定はなく、電気NiP合金めっき浴、無電解NiP合金めっき浴などの公知の各種のNiP合金めっき浴を用いて、常法に従って、基材とする銅又は銅合金上にNiP合金めっき皮膜を形成すればよい。電気NiP合金めっき浴の組成及びめっき条件の一例としては下記の通りである。1めっき浴組成硫酸ニッケル200~400gL、塩化ニッケル30~60gL、ホウ酸30~50gL、亜リン酸1~10gL2めっき条件pH10~45、浴温40~60°C、電流密度1~3Adm2以上の条件で電気NiP合金めっきを行うことによって、リン含有率2~10重量程度の範囲のNiP合金めっき皮膜を形成することができる。また、無電解NiP合金めっき浴としては、次亜リン酸塩を還元剤として含む公知の無電解NiP合金めっき浴を用いることができる。これらの内で、特に、電気NiP合金めっき浴を用いることによって、効率良くNiP合金めっき皮膜を形成することができる。NiP合金めっき皮膜の厚さについては特に限定的ではないが、通常1~10μm程度とすることが好ましい。上記した方法で基材上にNiP合金めっき皮膜、及び銀めっき皮膜を形成してなる反射部は、LED発光素子を用いるパッケージ化された公知の構造のLED照明ユニットにおける反射部として使用できる。この様なLED照明ユニットの一例の概略図を図1に示す。このLED照明ユニットでは、セラミックス、ガラス等の基板上に電極を介してLED発光素子が配置されており、LED発光素子の周辺に発光した光を有効に活用するために反射部が設けられている。本発明によれば、LED発光素子と表面が銀めっきされた反射部とを有するパッケージ化されたLED照明ユニットにおいて、反射部における銅原子の熱拡散が抑制されて反射率の低下が少なく、高い反射率を長期間維持することができる。以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。実施例1圧延銅板大きさ50×50mm、厚さ03mmを被めっき物として、下記表1に示す工程で電気めっき法により、NiP合金めっきを行い、引き続き、銀めっきを行った。使用したNiP合金めっき浴の組成を表2に示し、銀めっき浴の組成を表3及び表4に示す。NiP合金めっきとしては、厚さ1μm、2μm、及び3μmの三種類のめっき皮膜を形成し、銀めっきとしては、光沢浴又は無光沢浴を用いて、光沢銀めっき皮膜又は無光沢銀めっき皮膜を形成した。形成されたNiP合金めっき皮膜は、リン含有率が7wtであった。尚、比較として、NiP合金めっきに代えて、スルファミン酸ニッケルめっき浴スルファミン酸ニッケル320gL、臭化ニッケル30gL、ホウ酸10gL、浴中Ni濃度662gLを用いて、浴温50°C、陰極電流密度30Adm2の条件で厚さ1μm、2μm又は3μmのニッケルめっき皮膜を形成し、その他は実施例1と同様の方法で、光沢銀めっき皮膜又は無光沢銀めっき皮膜を形成した。上記した方法で銀めっき皮膜を形成した各試料について、波長450nmの光の反射率を測定した後、空気中、150°Cで1000時間の熱処理を行い、その後波長450nmの光の反射率を測定した。結果を下記表5に示す。以上の結果から明らかなように、銀めっき皮膜の下地としてNiPめっき皮膜を形成した場合には、スルファミン酸ニッケル浴からニッケルめっき皮膜を形成した場合と比較して、熱処理後の反射率の低下が大きく抑制されていることが明らかである。従って、銀めっき皮膜を形成した反射部を有するLED照明ユニットにおいて、銅又は銅合金上に、NiPめっき皮膜を形成し、その後銀めっき皮膜を形成することによって、基材からの銅原子の熱拡散が抑制されて、高い反射率を長時間維持できることが判る。