"研磨パッドによる単結晶シリコンウエハの表面の研磨に使用され、コロイダルシリカ、キレート剤並びに水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、及び無水ピペラジンから選ばれる少なくとも一種のアルカリ化合物を含有する研磨用組成物であって、前記コロイダルシリカは、BET法に基づいて算出された平均一次粒子径をDSAで表し、レーザー光回折法に基づいて測定された平均二次粒子径をDN4で表したとき、DSA及びDN4の間に、DSA≦DN4の関係が成立し、かつ、DN4が30nm以下である研磨用組成物。DN4が28nm以下である請求項1に記載の研磨用組成物。DSAが20nm以下である請求項1又は2に記載の研磨用組成物。前記キレート剤は、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン四酢酸、プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、エチレンジアミン四エチレンホスホン酸、エチレンジアミン四メチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五エチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五メチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六エチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六メチレンホスホン酸、及びプロパンジアミン四エチレンホスホン酸プロパンジアミン四メチレンホスホン酸、並びにそれらの酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。前記キレート剤は、0.01~3質量含有する請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の研磨用組成物。前記コロイダルシリカは、該コロイダルシリカの含有量を20質量とした水分散液中における金属不純物の含有量が300ppm以下である請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の研磨用組成物。請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用い、研磨パッドによる単結晶シリコンウエハの表面を研磨する工程を含んでなる研磨工程時における研磨パッドの目詰まり低減方法。請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の研磨用組成物を調製する工程、研磨パッドを単結晶シリコンウエハの表面に接触させ、接触部分に前記研磨用組成物を供給する工程、単結晶シリコンウエハ表面と研磨パッドとを相対的に摺動させることにより単結晶シリコンウエハを研磨する工程を含んでなる研磨工程時における研磨パッドの目詰まり低減方法。前記研磨工程において単結晶シリコンウエハがバッチ毎に繰り返し研磨される請求項8に記載の研磨工程時における研磨パッドの目詰まり低減方法。ところが、基板の研磨では、研磨パッドを使用して繰り返し研磨が行われると、研磨パッドが目詰まりして単位時間当たりの研磨量研磨速度が低下する。従って、製造効率を向上させるに足る実用的な研磨速度を維持するには、研磨パッドの目詰まりを低減する必要があった。本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研磨パッドの目詰まりに起因する研磨速度の著しい低下を抑制可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨パッドの目詰まり低減方法を提供することにある。上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、研磨パッドによる単結晶シリコンウエハの表面の研磨に使用され、コロイダルシリカ、キレート剤並びに水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、及び無水ピペラジンから選ばれる少なくとも一種のアルカリ化合物を含有する研磨用組成物であって、前記コロイダルシリカは、BET法に基づいて算出された平均一次粒子径をDSAで表し、レーザー光回折法に基づいて測定された平均二次粒子径をDN4で表したとき、DSA及びDN4の間に、DSA≦DN4の関係が成立し、かつ、DN4が30nm以下であることを要旨とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、DN4が28nm以下であることを要旨とする。請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明において、DSAが20nm以下であることを要旨とする。請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発明において、前記キレート剤は、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン四酢酸、プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、エチレンジアミン四エチレンホスホン酸、エチレンジアミン四メチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五エチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五メチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六エチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六メチレンホスホン酸、及びプロパンジアミン四エチレンホスホン酸プロパンジアミン四メチレンホスホン酸、並びにそれらの酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを要旨とする。請求項5に記載の発明は、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の発明において、前記キレート剤は、0.01~3質量含有することを要旨とする。請求項6に記載の発明は、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発明において、前記コロイダルシリカは、該コロイダルシリカの含有量を20質量とした水分散液中における金属不純物の含有量が300ppm以下であることを要旨とする。請求項7に記載の研磨工程時における研磨パッドの目詰まり低減方法は、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用い、研磨パッドによる単結晶シリコンウエハの表面を研磨する工程を含んでなることを要旨とする。請求項8に記載の研磨工程時における研磨パッドの目詰まり低減方法は、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の研磨用組成物を調製する工程、研磨パッドを単結晶シリコンウエハの表面に接触させ、接触部分に前記研磨用組成物を供給する工程、単結晶シリコンウエハ表面と研磨パッドとを相対的に摺動させることにより単結晶シリコンウエハを研磨する工程を含んでなることを要旨とする。請求項9に記載の研磨工程時における研磨パッドの目詰まり低減方法は、請求項8に記載の発明において、前記研磨工程において単結晶シリコンウエハがバッチ毎に繰り返し研磨されることを要旨とする。本発明によれば、研磨パッドの目詰まりに起因する研磨速度の著しい低下を抑制可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨パッドの目詰まり低減方法を提供することができる。以下、本発明を半導体デバイスの基板として使用されるシリコンウエハの研磨用組成物に具体化した一実施形態について説明する。シリコンウエハは、単結晶シリコンから形成されており、シリコン単結晶インゴットからシリコンウエハを切断する工程、表面にラッピング、エッチング等を施す工程、表面を鏡面状態に研磨する工程を経て製造される。研磨パッド及び研磨用組成物は、シリコンウエハの表面を研磨する工程で使用される。研磨パッドは、不織布、発泡体、スウェード等の多孔質体からなる。その研磨パッドをウエハ表面に接触させ、接触部分に研磨用組成物を供給しつつ、ウエハ表面と研磨パッドとを相対的に摺動させることにより、シリコンウエハが研磨される。研磨を繰り返し行うことで研磨用組成物中の粒子や、研磨パッドの屑、ウエハの削りかす等が研磨パッドを目詰まりさせた場合、研磨速度が著しく低下し、ドレッシング、パッド交換等の煩雑な作業が必要となるため、製造効率が低下してしまう。そこで、本実施形態では、研磨パッドの目詰まりを低減し、研磨の繰り返しによる研磨速度の低下を抑制することができるように、研磨用組成物が調製されている。研磨用組成物は、必須成分としてコロイダルシリカを含有している。なお、コロイダルシリカはスラリー状物質であり、分散媒を含有している。この分散媒としては、液体であればアルコール等の有機溶媒、水、界面活性剤等、特に限らず使用できるが、コロイダルシリカ中に不純物をできるだけ含ませないという観点から、フィルターにより不純物を濾過したイオン交換水、蒸留水等の水が好ましい。コロイダルシリカは、機械的研磨作用によってシリコンウエハを研磨する役割を担う。このコロイダルシリカの粒子径は、平均一次粒子径及び平均二次粒子径で示される。平均一次粒子径は、気体吸着による粉体の比表面積測定法BET法で測定される比表面積と、粒子密度とから算出され、DSAで表す。平均二次粒子径は、レーザー光回折法により測定され、DN4で表す。つまり、DSAは一次粒子の粒子径の平均値であり、DN4は二次粒子の粒子径の平均値である。ここで、一次粒子とはコロイダルシリカ中の二酸化ケイ素固形分のうち分散した状態の粒子単一粒子を示し、二次粒子とはその一次粒子が凝集した状態の粒子凝集粒子を示している。一次粒子が凝集して二次粒子が形成されるため、DSA及びDN4の間には、DSA≦DN4の関係が成立することが必須である。また、一次粒子の過剰な凝集を抑制するという観点から、DSA及びDN4の間には、DN4≦3×DSAの関係が成立することが好ましい。DN4は、研磨パッドの目詰まり低減を十分に達成するという観点から、30nm以下であることが必須であり、25nm以下が好ましく、20nm以下がより好ましい。また、DSAは、研磨パッドの目詰まり低減を十分に達成するという観点から、20nm以下が好ましく、15nm以下がより好ましく、10nm以下が最も好ましい。一方、実用的な研磨速度を得るという観点から、DN4は5nm以上が好ましく、DSAは3nm以上が好ましい。尚、実用的な研磨速度とは製造効率に支障のない時間でシリコンウエハの研磨を完了できる研磨速度をいう。研磨用組成物中におけるコロイダルシリカの二酸化ケイ素SiO2固形分の含有量は、研磨パッドの目詰まり低減を十分に達成するという観点から、50質量以下が好ましく、30質量以下がより好ましく、20質量以下が最も好ましい。一方、実用的な研磨速度を得るという観点から、コロイダルシリカのSiO2固形分の含有量は、0.1質量以上が好ましく、1質量以上がより好ましく、10質量以上が最も好ましい。尚、コロイダルシリカは、鉄、ニッケル、銅、カルシウム、クロム、亜鉛、若しくはそれらの水酸化物、酸化物等の金属不純物を含む場合があり、この金属不純物はウエハ表面に付着し、その後の熱処理でウエハ中に拡散して電気特性に影響を与える虞がある。シリコンウエハの電気特性への影響を抑制するという観点から、コロイダルシリカの含有量を20質量とした分散液水中における金属不純物の含有量は、300ppm以下が好ましく、100ppm以下がより好ましく、0.3ppm以下が最も好ましい。シリコンウエハを研磨する研磨用組成物の場合、コロイダルシリカの他、アルカリ化合物及びキレート剤のうち少なくとも一方を含有してもよい。なお、研磨用組成物にコロイダルシリカ以外の添加剤を含有させる場合、前記分散媒を添加剤の溶媒として作用させることも可能である。アルカリ化合物は、腐食やエッチングによる化学的研磨作用によって前記機械的研磨を補助し、研磨を促進する研磨促進剤として作用する。アルカリ化合物としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等の無機アルカリ化合物、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、1-2-アミノエチルピペラジン、N-メチルピペラジン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、N-β-アミノエチルエタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等のアミンが挙げられる。これらアルカリ化合物は単独又は二種以上の組み合わせで研磨用組成物中に含有される。また、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、1-2-アミノエチルピペラジン又はN-メチルピペラジンは、強い化学的研磨作用で研磨速度を高めるという観点から好ましい。尚、アルカリ化合物の中には前記金属不純物とキレート結合するが、その結合力の弱さに起因してシリコンウエハを化学的研磨する際に金属不純物を解放してしまうことで、却ってシリコンウエハを汚染してしまう虞のあるものが存在する。このため、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア又は水酸化テトラメチルアンモニウムは、前記金属不純物と錯イオンを形成せず、シリコンウエハの汚染を抑制するという観点からより好ましい。研磨用組成物中におけるアルカリ化合物の含有量は、研磨用組成物のゲル化を抑制する、或いはアルカリ化合物のエッチング力によるシリコンウエハの面荒れ等を抑制するという観点から、10質量以下が好ましく、8質量以下がより好ましく、5質量以下が最も好ましい。一方、研磨の促進作用を維持するという観点から、アルカリ化合物の含有量は0.05質量以上が好ましく、0.1質量以上がより好ましく、0.5質量以上が最も好ましい。キレート剤は、前記金属不純物と錯イオンを形成してこれを捕捉し、シリコンウエハの汚染を抑制する。キレート剤は、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン四酢酸、プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、エチレンジアミン四エチレンホスホン酸、エチレンジアミン四メチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五エチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五メチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六エチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六メチレンホスホン酸、プロパンジアミン四エチレンホスホン酸プロパンジアミン四メチレンホスホン酸等の酸、並びにそれらの酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩及びリチウム塩等の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種である。研磨用組成物中におけるキレート剤の含有量は、研磨用組成物のゲル化を抑制するという観点から、6質量以下が好ましく、3質量以下がより好ましく、1質量以下が最も好ましい。一方、金属不純物の捕捉作用を維持するという観点から、キレート剤の含有量は、0.001質量以上が好ましく、0.005質量以上がより好ましく、0.01質量以上が最も好ましい。前記の実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。DSA及びDN4の間には、DSA≦DN4≦3×DSAの関係が成立するため、一次粒子径を小さく、且つ二次粒子径も小さく抑えた砥粒を得ることができ、研磨パッドの目詰まり低減を十分に達成することが可能となる。従って、研磨を繰り返し行う際に、研磨パッドの目詰まりに起因した研磨速度の著しい低下を確実に抑制することができる。なお、前記実施形態を次のように変更して構成することもできる。研磨用組成物に、アルカリ化合物及びキレート剤以外の添加剤を加えてもよい。添加剤としては、防腐剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、コロイダルシリカの粒子表面が負に帯電していることから、アニオン系界面活性剤はコロイダルシリカの分散剤としての機能を発揮し、さらなる研磨パッドの目詰まり抑制効果を期待することができる。研磨用組成物を希釈して用いてもよい。希釈倍率は、実用的な研磨速度を得るという観点から、研磨用組成物中のコロイダルシリカのSiO2固形分の濃度が0.1~50質量のとき、50倍以下が好ましく、40倍以下がより好ましく、25倍以下が最も好ましい。次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。表1に示すコロイダルシリカ、アルカリ化合物及びキレート剤をイオン交換水に混合して実施例1~16,参考例15及び比較例1~7の研磨用組成物を調製し、これらを希釈倍率が20倍となるようにイオン交換水で希釈して得られた研磨液を用い、下記の研磨条件で研磨を行った。そして、以下に示す研磨速度及び速度低下率の評価結果を表1に示す。<研磨条件>研磨装置:片面研磨機SPM-15;不二越機械工業社製、セラミックプレート4枚、被研磨物:6インチのシリコンウエハp-型、結晶方位<100>、シリコンウエハの抵抗率0.1Ωcm以上100Ωcm未満、被研磨物の研磨状況:セラミックプレート1枚につき4枚のシリコンウエハをワックスで固定した状況下で同一のシリコンウエハの研磨を繰り返し行う、荷重:31.5kPa、定盤の回転数:60min160rpm、セラミックプレートの回転数:120min1120rpm、研磨パッド:Suba800Rodel社製を終始ドレッシングすることなく使用、研磨用組成物の使用状況:供給速度を毎分0.008m38Lとして循環使用、研磨時間:1バッチ当たり15分、組成物の保持温度:40°C。<研磨速度>ウエハ中心部の厚みを研磨前及び研磨後に測定し、研磨前後の厚みの差を研磨時間15分で除して研磨速度を算出した。尚、研磨速度は各バッチ毎に算出しており、表1には5,10,15バッチ目に算出した研磨速度を示した。<速度維持率>シリコンウエハの5バッチ目の研磨速度に対する10バッチ目の研磨速度の百分率10バッチ目の研磨速度/5バッチ目の研磨速度×100と、5バッチ目の研磨速度に対する15バッチ目の研磨速度の百分率15バッチ目の研磨速度/5バッチ目の研磨速度×100とを算出し、速度維持率を求めた。なお、上記表1のDSA欄に示した平均一次粒子径の値はFlowSorbII2300micromeritics製で測定した比表面積を用いて算出した。DN4欄に示した平均二次粒子径の値はN4PlusSubmicronParticleSizerBeckmanCoulter,Inc.製で測定した。第1アルカリ化合物及び第2アルカリ化合物欄に示したKOHは水酸化カリウム、TMAHは水酸化テトラメチルアンモニウム、PIZは無水ピペラジンの略称である。キレート剤欄に示したTTHAはトリエチレンテトラミン六酢酸、EDPTOはエチレンジアミンテトラキスメチレンスルホン酸、DTPAはジエチレントリアミン五酢酸の略称である。研磨速度の評価欄に示したAは研磨速度が1.0μm/分以上、Bは1.0μm/分未満で0.9μm/分以上、Cは0.9μm/分未満で0.8μm/分以上、Dは0.8μm/分未満で0.7μm/分以上、Eは0.7μm/分未満で0.6μm/分以上を表す。速度維持率の評価欄に示したAは速度維持率が90以上、Bは90未満で80以上、Cは80未満で70以上、Dは70未満で60以上を表す。なお、研磨速度の評価欄及び速度維持率の評価欄で×は10バッチ目又は15バッチ目に達する前に研磨速度が極端に低下したため、研磨速度についてはそれ以降の研磨を行わなかったことを表し、速度維持率については評価不能であったことを表す。上記表1に示すように、実施例1~8については、比較例1~5に比べ、研磨速度及び速度維持率共に非常に優れた評価となった。この結果から、実施例1~8の研磨用組成物は研磨パッドを目詰まりさせにくく、研磨の繰り返しによる研磨速度の低下を抑制可能であることは明らかである。また、実施例8及び比較例2の速度維持率から、DN4を30nm以下とすることで研磨の繰り返しによる研磨速度の低下が抑制され、実施例8及び比較例1の速度維持率から、DSAを20nm以下とすることで研磨速度の低下がさらに抑制される結果となった。実施例9については、コロイダルシリカの添加量を低減したことで15バッチ目の研磨速度が低下する結果となった。実施例10,11については、比較例6に比べ、研磨速度及び速度維持率共に非常に優れた評価となった。実施例12,13については、比較例7に比べ、研磨速度及び速度維持率共に優れた評価となった。実施例3,10及び実施例5,11については、アルカリ化合物として水酸化カリウムを使用することで速度維持率が向上する結果となった。実施例3,14~16,参考例15については、アルカリ化合物の添加量の変化又はキレート剤添加の有無が研磨速度及び速度維持率にさほど影響を与えない結果となった。また、実施例3,8及び比較例3について、研磨回数と研磨速度との関係を図1のグラフに示す。図1に示すように、比較例3は0.60μm/min以上の研磨速度を維持できる研磨回数が最も少なく、実施例8は比較例3に比べ0.60μm/min以上の研磨速度を維持できる研磨回数が多く、実施例3は実施例8に比べ0.60μm/min以上の研磨速度を維持できる研磨回数がさらに多いことが分かる。この結果からDN4が小さなものほど目詰まりしにくく、研磨を繰り返し行っても研磨速度の著しい低下を抑制可能であることは明らかである。さらに、前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。1DN4が5nm以上である前記研磨用組成物。これにより、基板に対する実用的な研磨速度を得ることができる。2DSAが3nm以上である前記研磨用組成物。これにより、基板に対する、より実用的な研磨速度を得ることができる。"