"テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランを製造する装置であって、前記原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応ガスを生成する反応室を備え、該反応室の内部空間は、周方向に沿う第1の壁により半径方向に複数に区画されるとともに、前記第1の壁によって形成される空間の少なくとも一つが、周方向と交差する方向に延びる第2の壁によって複数に区画されており、前記第1の壁同士又は前記第1の壁及び第2の壁により区画される各小空間は、該小空間を区画している壁の上部又は下部に形成した連通部により、前記原料ガスを上下に折り返すことにより流れの向きを変えながら前記反応室の中心部に向けて流通させるように連通状態とされ、各小空間のうちの少なくとも一部にヒータが設置され、前記第2の壁に形成される前記連通部は、上向き流路用小空間と下向き流路用小空間とを周方向に連通していることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。前記各小空間は、当該小空間に対して前記原料ガスを流入する流入側小空間と、前記原料ガスが流出する流出側小空間とにのみ隣接して設けられることを特徴とする請求項1記載のトリクロロシラン製造装置。前記各小空間は、二つ以上前又は二つ以上後の原料ガスの流れを形成する小空間とは隣接していないことを特徴とする請求項1記載のトリクロロシラン製造装置。前記反応室及び前記小空間は、前記第1の壁及び前記第2の壁の接合部に、前記反応室の底板及び天板に接する支持部材が設けられることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置。トリクロロシランの製造装置においては、高い熱効率で反応室内をトリクロロシランの反応温度に効果的に加熱することが求められている。しかし、特許文献1,2記載の構造であると、反応室の外部に配した発熱体により反応室内を加熱するが、発熱体から半径方向外方に放射される輻射熱を有効に利用できず、熱効率が低いという不都合がある。また、特許文献3記載の構造の場合、反応容器の中央部に発熱体を設けたことにより、半径方向外方に放射される輻射熱の全体を反応室内のガスに加えることができ、特許文献1,2記載のものより高い熱効率で加熱することができる。ただし、生産量の増大のために装置を大型化して反応室の外径を大きくする場合、反応室の外周部は発熱体から遠くなるために加熱することができず、装置自体の大型化には限界がある。さらに、特許文献1から特許文献3では、各反応室が同心円状に構成されているため、反応ガスの流速が遅くなり過ぎて加熱効率が低下しないようにするために、外側の反応室は内側の反応室に比べて狭い間隔にする必要がある。しかし、処理量を増大させるために、特許文献4記載の構造のように、反応室内にもヒータを設置する場合には、外側の反応室の間にヒータを配置することは、その狭い間隔のため困難である。また、これらのトリクロロシランの製造装置においては、一般的に、高温での不純物の発生防止のため、炭化珪素のコーティングが施されたカーボン部材が反応容器やヒータに使用されるが、脆性材料であるカーボン部材の大型化が困難であることから、製造装置自体の大型化も難しいものとなっている。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にするトリクロロシラン製造装置を提供することを目的とする。本発明は、テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランを製造する装置であって、前記原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応ガスを生成する反応室を備え、該反応室の内部空間は、周方向に沿う第1の壁により半径方向に複数に区画されるとともに、前記第1の壁によって形成される空間の少なくとも一つが、周方向と交差する方向に延びる第2の壁によって複数に区画されており、前記第1の壁同士又は第1の壁及び第2の壁により区画される各小空間は、該小空間を区画している壁の上部又は下部に形成した連通部により、前記原料ガスを上下に折り返すことにより流れの向きを変えながら前記反応室の中心部に向けて流通させるように連通する連通状態とされ、各小空間のうちの少なくとも一部にヒータが設置され、前記第2の壁に形成される前記連通部は上向き流路用小空間と下向き流路用小空間とを周方向に連通していることを特徴とする。このトリクロロシラン製造装置によれば、ヒータを各小空間内に設置することにより、ヒータから放射される熱が小空間を通過する原料ガスに直接伝わるので、原料ガスを高い熱効率で加熱することができる。また、反応室の内部空間には、周方向に沿う複数の第1の壁及び周方向と交差する方向に延びる第2の壁が設けられており、これら壁が輻射熱を受けて加熱部材となり、原料ガスを加熱する面積が増えることで、効率的な加熱ができる。また、前述したように、特許文献1から特許文献3に示すトリクロロシラン製造装置においては、各反応室が同心円状に構成されているため、反応ガスの流速が遅くなり過ぎないようにするために、外側の反応室は内側の反応室に比べて狭い間隔にする必要があり、その狭い間隔のためにヒータを設置することは困難であったが、本発明のトリクロロシラン製造装置においては、各小空間は周方向の第1の壁だけでなく周方向と交差する方向に延びる第2の壁により区画されているため、各小空間を必要数のヒータを設置可能な幅及び形状に形成することができるとともに、所望のガス流速が得られるように断面積を適宜調整することができる。さらに、反応室及びその内部空間を構成する壁は、各小空間の一部を囲む面積のものを複数繋ぎ合わせることによって構成することが可能であり、これにより、カーボン部材のように大型化が困難な部材を用いても、小型の部材を組み合せることで大型の装置を構成することができる。また、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記各小空間は、当該小空間に対して前記原料ガスを流入する流入側小空間と前記原料ガスが流出する流出側小空間とにのみ隣接しているとよい。このトリクロロシラン製造装置では、段階的に加熱された原料ガスが流通する各小空間を、その流通順序で隣り合わせて配置することで、各小空間内の原料ガスが、その温度よりも著しく低い原料ガスと隣接することがなく、このため、原料ガスは、隣接する小空間から壁を介して著しく冷却されることはなく、確実かつ速やかに昇温させられる。また、各小空間の間で、反応ガスの温度が平均化されないため、それぞれの反応ガス温度に対応させて各小空間内のヒータ温度を設定することができ効率的である。さらに、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記各小空間は、二つ以上前又は二つ以上後の原料ガスの流れを形成する小空間とは隣接していないとよい。これにより、隣接する小空間内の原料ガス間の温度差が小さくなるので、より確実かつ速やかに昇温させられる。そして、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記反応室及び前記小空間は、前記第1の壁及び前記第2の壁の接合部に、前記反応室の底板及び天板に接する支持部材が設けられているとよい。反応室の上方に、反応容器に導入される原料ガスと、反応容器から導出される反応ガスとの間で熱交換させる熱交換器を設置することがあるが、その場合、反応室内の複数の支持部材により熱交換器の重量を支持して、第1の壁及び第2の壁の重量負担を軽減することができ、装置の大型化に付随して熱交換器が大型化されたり、複数設けられたりする場合でも対応が容易となる。本発明に係るトリクロロシラン製造装置によれば、ヒータを反応室内に設置したことにより、ヒータの熱を原料ガスに直接伝え、原料ガスを高い熱効率で加熱することができ、また、反応室内を小空間に区画したことにより、各小空間を所望のガス流速が得られ、かつ、ヒータも設置可能な断面積にすることができ、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができる。以下、本発明に係るトリクロロシラン製造装置の一実施形態について説明する。本実施形態のトリクロロシラン製造装置100は、テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを加熱して、転換反応によりトリクロロシランと塩化水素とを含む反応ガスを生成し、トリクロロシランを製造する装置であって、図1及び図2に示すように、原料ガスを供給される反応容器10と、この反応容器10の中に備えられて原料ガスを加熱する複数のヒータ40とを備えている。図1は、図2に示すB-B線に沿う断面図であるが、破断線Xで囲む部分Xについては、図2のC-C線に沿う断面図を示している。反応容器10は、断熱容器30を備えており、ヒータ40による熱が反応容器10から放出されることによる加熱効率の低下が防止されている。そして、反応容器10は、略筒状の壁11Aと、この壁11Aの内部空間の上端を閉じる天板13aと、下端を閉じる底板13bとを備えており、壁11A,天板13aおよび底板13bによって囲まれる空間が、トリクロロシラン製造装置100における反応室101とされる。また、反応室101の外側は、略円筒状の断熱容器30によって覆われている。反応室101の内部空間は、図1に示すように、同心状の五重の筒状に配列される第1の壁11A~11Eと、この第1の壁11A~11Eに直交する方向に延びる第2の壁12A,12Bとによって、最も外周位置の円筒状流路20a及びその内側の複数の小空間21~26に区画されている。第1の壁11A~11E及び第2の壁12A,12Bは、カーボン製とされており、表面に炭化珪素のコーティングが施されている。また、第1の壁11A~11Dは、複数の円弧状壁体11a~11dを周方向に組み合わせて構成されている。各小空間21~26を構成する第1の壁11B~11E及び第2の壁12A,12Bの上部又は下部には、隣接する小空間21~26に原料ガスを連通する連通部28が形成されている。小空間21~26は、この順番に、連通部28によって連通する状態とされている。そして、最も外側の円筒状流路20aの内側に、横断面円弧状の小空間21~25が二列同心状に配置され、最も内側にリング状の小空間26が配置されている。各小空間21~26のうち、小空間21,23,25は、図2の上向きに原料ガスが流通する上向き流路用小空間であり、小空間22,24,26は下向きに原料ガスが流通する下向き流路用小空間である。上向きとは、底板13bから天板13aに向かう方向であり、下向きとは、天板13aから底板13bに向かう方向である。これら小空間21~26は、連通部28を通じて、原料ガスを上向き流路用小空間21,23,25と、下向き流路用小空間22,24,26とを交互に順次経由させて上下に折り返すことにより、小空間毎に流れの向きを変えながら反応室101の中心部に向けて流通する構成となっている。また、第2の壁12Aによって第1の壁11B,11C間に区画される小空間21~23においては、小空間21から順に、周方向に沿って原料ガスが流通する構成とされる。また同様に、第2の壁12Bによって第1の壁11C,11D間に区画される小空間24,25においても、小空間24から小空間25に周方向に沿って原料ガスが流通する構成とされる。よって、各小空間21~25を形成する第2の壁12A,12Bには連通部28が形成されている。ただし、図1の紙面の0°及び180°上に配置される第2の壁12A,12Bには、連通部は設けられていない。即ち、第1実施形態では、同心状の筒状に配列されている第1の壁11Bと11Cとの間に形成されている円筒状の空間に、連通部が設けられていない第2の壁12Aを、第1の壁11Bと11Cとの接線に対して垂直に交差するように2つ設置し、横断面が半円弧状中心角180°の空間を2つ形成している。さらに、これらの半円弧状の空間では、連通部28が設けられている第2の壁12Aと第1の壁11B及び11Cの接線とを垂直に交差させて区画し、横断面が円弧状0°<中心角<180°の小空間21~23を形成している。また、同心状の筒状に配列されている第1の壁11Cと11Dとの間に形成されている円筒状の空間に、連通部が設けられていない第2の壁12Bを、第1の壁11Cと11Dとの接線に対して垂直に交差するように2つ設置し、横断面が半円弧状中心角180°の空間を2つ形成している。更に、これらの半円弧状の空間では連通部28が設けられている第2の壁12Bと、第1の壁11C及び11Dの接線とを垂直に交差させて区画し、横断面が円弧状0°<中心角<180°の小空間24,25を形成している。最も外周位置の円筒状流路20aは、第1の壁11Bと、第1の壁11Bの外周側に配置された第1の壁11Aとの間の円筒状空間である。小空間26は、第1の壁11Dと、第1の壁11Dの内周側に配置された第1の壁11Eとの間のリング状の空間である。円筒状流路20aから小空間26までの原料ガスの流通順序を図1示すと、円筒状流路20a→小空間21→小空間22→小空間23→小空間24→小空間25→小空間26となる。反応室101の外周部の第1の壁11A,11Bの間には、円筒状の空間円筒状流路20aが形成され、円筒状流路20aの上部には、環状流路20bが接続されている。環状流路20bと円筒状流路20aとは、これらの周方向に沿うスリット状の開口部20cによって連通している。そして、環状流路20bの上部に、原料ガス供給管14が接続されている。また、反応室101の上端を閉じる天板13aの中央を貫通するように、反応ガスを装置外に導出するガス導出口15が接続されている。第1の壁11Bの下端部は底板13bに接続されているが、その一部に小空間21に原料ガスを導入するガス導入口20dが形成されている。小空間21~26内には、第1の壁11B~11Eに沿って上下方向に延びるヒータ40が設置されている。この反応室101内で原料ガスを加熱する複数のヒータ40は、それぞれ、一対の電極に固定され、通電によって抵抗発熱する発熱体で構成されて、小空間の上端まで延びた逆U字板状に構成される。ヒータ40はカーボン製とされており、電極及びヒータ40には、その表面を覆う炭化珪素のコーティングが施されている。以上のように構成されたトリクロロシラン製造装置100において、原料ガス供給管14から反応室101に供給された原料ガスは、環状流路20bに充満した後、円筒状流路20aに導入され、ガス導入口20dを通じて反応室101内の小空間21の下部へ導入される。反応室101に導入された原料ガスは、たとえば400°C~700°Cであり、各小空間21~26を通過しながらヒータ40によって加熱される。このとき、小空間21~26内に設置されたヒータ40の熱を受けて、ヒータ40を囲う第1の壁11B~11E及び第2の壁12A,12Bが高温に加熱されるので、原料ガスは、これら第1の壁11B~11E及び第2の壁12A,12Bによっても加熱される。加熱された原料ガスの転換反応により生成された反応ガスは、たとえば800°C~1100°Cであり、ガス導出口15を通じてこのトリクロロシラン製造装置100から取り出される。以上説明したように、このトリクロロシラン製造装置100によれば、ヒータ40を各小空間内に設置することにより、ヒータ40から放射される熱が小空間21~26を通過する原料ガスに直接伝わるので、原料ガスを高い熱効率で加熱することができる。また、反応室101の内部空間には、周方向に沿う複数の第1の壁11A~11E及び周方向と交差する方向に延びる第2の壁12A,12Bが設けられており、これらが輻射熱を受けて加熱部材となり、原料ガスを加熱する面積が増えることで、効率的な加熱ができる。また、反応室101及び小空間21~26を構成する第1の壁11A~11Dは、複数の円弧状壁体11a~11dを繋ぎ合せて構成されており、本実施形態のトリクロロシラン装置100のように、脆性材料であるカーボン部材等の大型の一体形成が困難な部材を用いても、小型の部材を組み合わせることで大型の装置を構成することができる。また、本実施形態のトリクロロシラン製造装置100は、各小空間21~26は周方向の第1の壁11B~11Eだけでなく周方向と交差する方向に延びる第2の壁12A,12Bにより区画されているため、各小空間21~26を必要数のヒータ40を設置可能な幅及び形状に自由に形成することができるとともに、原料ガスの反応状態に合わせて所望のガス流速が得られるように各小空間21~26の断面積を適宜調整することができる。なお、上述の第1実施形態においては、反応室101の上方に原料ガス供給管14及びガス導出口15を設け、この原料ガス供給管14を通じて円筒状流路20aから原料ガスを反応室101内に導入し、反応室101内で生成された反応ガスを、上方のガス導出口15を通じて、トリクロロシラン製造装置100から取り出す構成としていたが、図3に示すトリクロロシラン製造装置110のように、原料ガス供給管14及びガス導出口15を反応室101の下方に設ける構成としてもよい。また、原料ガス供給管14及びガス導出口15は、反応室101の上方または下方のいずれかの方向に合わせて設置する構成に限定されるものではなく、例えば、原料ガス供給管14を反応室101の上方に設けて、ガス導出口15を下方に設ける構成とすることも可能である。図4及び図5は本発明の第2実施形態を示している。第1実施形態は、反応室101内の小空間21~26を、原料ガスが半径方向及び周方向に連通しながら、反応室101の中心部まで流通する構成とされていたが、第2実施形態は、原料ガスが常に反応室201の中心部に近づくように各小空間50~53内を流通するように構成される。第2実施形態のトリクロロシラン製造装置200の反応室201の内部空間は、図4に示すように、周方向に沿う五重の同心状に配置された第1の壁31A~31Eと、この第1の壁のうち、外側から三周目の第1の壁31Cと四周目の第1の壁31Dとの間を結んで、周方向に交差する方向に延びる第2の壁32Aとによって複数の小空間50~53に区画されている。外側から三周目の第1の壁31Cは十二角形、外側から四周目の第1の壁31Dは六角形に形成され、これらの多角形の頂点を第2の壁32Aで繋いでいる。各小空間50~53は、その横断面形状が、外側から、リング状の小空間50、菱形の小空間51、三角形の小空間52、リング状の小空間53とされている。第1の壁31A~31E及び第2の壁32Aは、第1実施形態と同様にカーボン製とされており、表面に炭化珪素のコーティングが施されている。反応室201の外周部に配置される一周目と二周目の第1の壁31A,31Bは、円弧状の壁体31a,31bを組み合わせて構成されており、三周目と四周目の第1の壁31C,31Dは、平板状の壁体31c,31dによって構成されている。リング状の小空間50及び三角形の小空間52は、図5の上向きに原料ガスが流れる上向き流路用小空間であり、菱形の小空間51及びリング状の小空間53は、下向きに原料ガスが流れる下向き流路用小空間である。また、各小空間50~53は、自身の小空間に対して、原料ガスを流入する流入側小空間と、原料ガスを流出する流出側小空間とのみ隣接するように設けられている。これらの小空間50~53は、連通部28を通じて、原料ガスを上向き流路用小空間50,52と、下向き流路用小空間51,53とを交互に順次経由させて上下に折り返すことにより、流れの向きを変えながら反応室201の中心部に向けて流通する構成となっている。図4に示す例では、原料ガスは、円筒状流路20aから小空間53までの間を円筒状流路20a→リング状の小空間50→菱形の小空間51→三角形の小空間52→リング状の小空間53の順に流れる。第2実施形態のトリクロロシラン製造装置200では、段階的に加熱された原料ガスが流通する各小空間50~53を、その流通順序で隣り合わせて配置することで、各小空間内50~53の原料ガスが、その温度よりも著しく低い原料ガスによって冷却されることがなく、反応室201のガス導出口15でのガス温度を確実に高くすることができる。また、各小空間50~53の間で、反応ガスの温度が平均化されないため、それぞれの反応ガス温度に対応させて各小空間50~53内のヒータ温度を設定することができ効率的である。その他の構成は、第1実施形態のものと同じであり、共通部分に同一符号を付して説明を省略する。図6及び図7は、本発明の他の実施形態を示しており、図6に示すトリクロロシラン製造装置300は、図1に示す装置100の第1の壁11A~11Dを構成する円弧状壁体11a~11dと、第2の壁体12A,12Bとの接合部に、支持部材41を設けたものであり、図7に示すトリクロロシラン製造装置400は、図4に示す装置200の第1の壁31A~31Dを構成する円弧状壁体31a,31b及び平板状壁体31c,31dと、第2の壁体32Aとの接合部に支持部材41を設けたものである。これら支持部材41は、反応室の天板13a及び底板13bに接しており、天板13aから受ける荷重を支持する構造とされている。したがって、天板13aの上方に、反応容器10に導入される原料ガスと、反応容器10から導出される反応ガスとを熱交換させる熱交換器を設置する場合でも、その荷重を支持部材41で受けることができる。なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上述の実施形態においては、反応室101,201の外周部に円筒状流路20aを設け、この円筒状流路20aから原料ガスを反応室101,201内に導入する構成としていたが、円筒状流路20aを設けずに、外側の小空間21,50に直接導入する構成としてもよい。また、上述の第2実施形態においては、各小空間を、原料ガスを流入する流入側小空間と、原料ガスが流出する流出側小空間とのみ隣接するように設けていたが、これに限定されるものではなく、ある小空間に対して、その流入側小空間又は流出側小空間ではないが、これら流入側小空間、流出側小空間もしくは自身の小空間と流れの順序が同じ小空間と隣接する構成も含まれる。流れの順序が同じとは、円筒状流路20aから数えた流れの順序が同じ小空間をいう。図4では、同じ流れの順序の小空間に、同じ符号を付している。要は、各小空間は、二つ以上前又は二つ以上後の原料ガスの流れを形成する小空間とは隣接していないことが重要である。すなわち、連通部28で連通している小空間、または、互いが連通することなく周方向に沿って連続している同形状の横断面を有する小空間が隣接しているとよい。詳しくは、反応室の外側リング状小空間50から反応室の中心部リング状小空間53に向けて原料ガスの流れに沿って、小空間を1番目、2番目、...n番目...と数えるときに、n番目nは自然数に位置する小空間には、n1番およびn-1番の小空間のみが隣接することが好ましい。すなわち、n番目に位置するセルにはn2番、n3番、n4番...のセル、およびn-2番、n-3番、n-4番...のセルは隣接しないように配置することが好ましい。このように、各小空間が二つ以上前又は二つ以上後の原料ガスの流れを形成する小空間と隣接していない構成とされていれば、段階的に加熱された各小空間内の原料ガスが、その温度よりも著しく低い原料ガスと隣接することがないため、原料ガスを効率的に昇温させることができる。また、第2実施形態においては、外側から三週目の第1の壁31Cは十二角形、外側から四週目の第1壁31Dは六角形に形成しているが、これらの多角形の形は特に限定されない。"