"基板を処理する基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において基板を保持する基板保持部と、前記基板の主面に純水を結露させて前記主面上に液膜を形成する液膜形成部と、前記液膜を冷却して凍結させる凍結部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記液膜形成部が、前記基板を冷却する基板冷却部であることを特徴とする基板処理装置。請求項2に記載の基板処理装置であって、前記基板冷却部が、前記凍結部でもあることを特徴とする基板処理装置。請求項2または3に記載の基板処理装置であって、前記基板冷却部が、前記基板の他方の主面に向けて冷却ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。請求項2または3に記載の基板処理装置であって、前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転する基板回転機構をさらに備え、前記基板回転機構により前記基板を回転させつつ、前記基板冷却部から前記基板の前記主面の中央部、または、他方の主面の中央部に向けて冷却ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。請求項2または3に記載の基板処理装置であって、前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転する基板回転機構をさらに備え、前記基板冷却部が、前記基板に冷却ガスを供給する冷却ガスノズルと、前記冷却ガスノズルを前記基板の中央部と外縁部との間にて相対的に往復移動するノズル移動機構と、を備え、前記基板回転機構により前記基板を回転させつつ、前記ノズル移動機構により往復移動する前記冷却ガスノズルから、前記基板の前記主面または他方の主面に向けて冷却ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。請求項6に記載の基板処理装置であって、前記基板冷却部から前記基板に供給される冷却ガスの温度を制御する冷却ガス温度制御部をさらに備え、前記基板の前記外縁部に前記冷却ガスノズルから供給される冷却ガスの温度が、前記基板の前記中央部に前記冷却ガスノズルから供給される冷却ガスの温度よりも低いことを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記チャンバ内の湿度を制御する湿度制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。基板を処理する基板処理方法であって、aチャンバ内において基板の主面に純水を結露させて前記主面上に液膜を形成する工程と、b前記液膜を冷却して凍結させる工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。ところで、特許文献1および特許文献2のような基板表面のパーティクル等を除去する装置では、基板の表面に液膜を形成するために、脱イオン水等の液体を吐出して基板の表面に供給する機構が必要となる。また、基板を回転して基板上で液体を移動させつつ液膜が形成されるため、液膜の厚さをある程度以上薄くしようとすると、基板の表面上において、液膜が存在する領域と液膜が存在しない領域とが混在することになってしまう。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板に向けて液体を吐出する構造を省略して基板処理装置を小型化することを目的としている。また、基板上に薄い液膜を容易に形成することも目的としている。請求項1に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において基板を保持する基板保持部と、前記基板の主面に純水を結露させて前記主面上に液膜を形成する液膜形成部と、前記液膜を冷却して凍結させる凍結部とを備える。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記液膜形成部が、前記基板を冷却する基板冷却部である。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理装置であって、前記基板冷却部が、前記凍結部でもある。請求項4に記載の発明は、請求項2または3に記載の基板処理装置であって、前記基板冷却部が、前記基板の他方の主面に向けて冷却ガスを供給する。請求項5に記載の発明は、請求項2または3に記載の基板処理装置であって、前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転する基板回転機構をさらに備え、前記基板回転機構により前記基板を回転させつつ、前記基板冷却部から前記基板の前記主面の中央部、または、他方の主面の中央部に向けて冷却ガスを供給する。請求項6に記載の発明は、請求項2または3に記載の基板処理装置であって、前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転する基板回転機構をさらに備え、前記基板冷却部が、前記基板に冷却ガスを供給する冷却ガスノズルと、前記冷却ガスノズルを前記基板の中央部と外縁部との間にて相対的に往復移動するノズル移動機構とを備え、前記基板回転機構により前記基板を回転させつつ、前記ノズル移動機構により往復移動する前記冷却ガスノズルから、前記基板の前記主面または他方の主面に向けて冷却ガスを供給する。請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理装置であって、前記基板冷却部から前記基板に供給される冷却ガスの温度を制御する冷却ガス温度制御部をさらに備え、前記基板の前記外縁部に前記冷却ガスノズルから供給される冷却ガスの温度が、前記基板の前記中央部に前記冷却ガスノズルから供給される冷却ガスの温度よりも低い。請求項8に記載の発明は、請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記チャンバ内の湿度を制御する湿度制御部をさらに備える。請求項9に記載の発明は、請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備える。請求項10に記載の発明は、基板を処理する基板処理方法であって、aチャンバ内において基板の主面に純水を結露させて前記主面上に液膜を形成する工程と、b前記液膜を冷却して凍結させる工程とを備える。本発明では、基板に向けて液体を吐出する構造を省略して基板処理装置を小型化することができる。また、基板上に薄い液膜を容易に形成することもできる。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置1の構成を示す図である。図1に示すように、基板処理装置1は、半導体基板9以下、単に基板9という。を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1では、基板9上に凍結膜を形成し、当該凍結膜を除去することにより、基板9上からパーティクル等を除去する凍結洗浄処理が行われる。基板処理装置1は、基板保持部2と、カップ部21と、処理ガス供給部3と、冷媒供給部4と、基板回転機構5と、加熱液供給部6と、チャンバ7と、湿度計71と、制御部8とを備える。制御部8は、チャンバ7内の湿度を制御する湿度制御部81と、後述する冷却ガスの温度を制御する冷却ガス温度制御部82とを備える。制御部8は、処理ガス供給部3、冷媒供給部4、基板回転機構5および加熱液供給部6等の構成を制御する。基板保持部2は、チャンバ7内において基板9の一方の主面91以下、上面91という。を上側に向けた状態で基板9を保持する。基板保持部2は、略円板状の保持部本体22と、保持部本体22上に設けられる複数の支持部23とを備える。複数の支持部23は、基板9の他方の主面である下面92を支持する。基板9の下面92と保持部本体22との間には間隙が設けられる。基板9の上面91には、回路パターン等が形成されている。カップ部21は、チャンバ7内において基板9および基板保持部2の周囲を囲む。基板回転機構5は、基板9の中心を通るとともに基板9の上面91に垂直な回転軸を中心として、基板9を基板保持部2と共に水平面内にて回転する。処理ガス供給部3は、チャンバ7の内部空間に常温の清浄なガスを供給する。処理ガス供給部3は、基板処理装置1の外部に設けられたドライガス供給源図示省略とチャンバ7とを接続するガス配管31と、ドライガス供給源からの清浄かつ無加湿のドライガスの流量を調整する流量調整部32と、ドライガスに水蒸気を添加する加湿部33とを備える。以下の説明では、処理ガス供給部3からチャンバ7内に供給されるガスを処理ガスという。ドライガスとしては、エアや窒素N2ガス等が利用される。処理ガスは、チャンバ7上部の供給口34から供給されてチャンバ7の底部へと向かい、チャンバ7の底部近傍から外部へと排出される。基板処理装置1では、湿度計71によりチャンバ7内の湿度が測定され、制御部8の湿度制御部81に出力される。湿度制御部81は、湿度計71により測定された湿度が所定の目標湿度になるように、処理ガス供給部3の加湿部33を制御する。冷媒供給部4は、基板9の上面91に向けて冷媒である冷却ガスを供給する。冷却ガスは、純水の凝固点0°Cよりも低い温度まで冷却されたガスである。冷媒供給部4は、冷却ガスを吐出する冷却ガスノズル41と、冷却ガスノズル41を回転軸421を中心として水平に回動するノズル移動機構42とを備える。ノズル移動機構42は、回転軸421から水平方向に延びるとともに冷却ガスノズル41が取り付けられるアーム422を備える。冷却ガスとしては、冷却された窒素ガスが用いられる。冷媒供給部4から供給される冷却ガスの温度は、冷却ガス温度制御部82により制御され、本実施の形態では、-100°C~-5°Cの範囲で制御される。加熱液供給部6は、基板9の上面91の中央部に、加熱された液体である加熱液を供給する。加熱液としては、常温よりも高い温度まで加熱された純水好ましくは、脱イオン水が用いられる。加熱液の温度は、好ましくは50°C~90°Cであり、本実施の形態では、約80°Cである。図2は、基板処理装置1における基板9の処理の流れを示す図である。基板処理装置1では、まず、基板9がチャンバ7内に搬入されて基板保持部2により保持される。チャンバ7の搬入口が閉鎖されると、制御部8の湿度制御部81により処理ガス供給部3が制御され、チャンバ7内の湿度が所定の第1湿度となるまで、加湿部33による水蒸気の添加が行われていないドライガスが、処理ガスとしてチャンバ7内に供給される。続いて、加湿部33によりドライガスに水蒸気が添加され、チャンバ7内の湿度が、第1湿度よりも高い所定の第2湿度となるステップS11。基板処理装置1では、処理ガス供給部3が湿度制御部81により制御されることにより、チャンバ7内の湿度が第2湿度に維持されるように処理ガスの供給が継続される。次に、制御部8の制御により、基板回転機構5による基板9の回転が開始されるステップS12。基板9の回転数は、例えば、10rpm~500rpmであり、本実施の形態では50rpmである。その後、基板処理装置1の外部に設けられた冷却ガス供給源から冷媒供給部4の冷却ガスノズル41へと冷却ガスが供給され、冷却ガスノズル41から回転中の基板9の上面91の中央部に向けて供給される。冷却ガスは、基板9の回転により上面91の全面に亘って拡がり、基板9全体が冷却される。これにより、チャンバ7内の処理ガス中の水分純水が基板9の上面91に結露し、上面91全体を覆う純水の薄い液膜が形成されるステップS13。換言すれば、冷媒供給部4は、基板9を冷却する基板冷却部であり、基板9の上面91上に全面に亘る純水の液膜を形成する液膜形成部である。なお、基板9の下面92にも結露は生じる。液膜の形成が終了すると、制御部8の制御により、冷媒供給部4のノズル移動機構42による冷却ガスノズル41の回動が開始され、基板9の中央部と外縁部との間で冷却ガスノズル41が往復移動を繰り返す。これにより、基板9の上面91全体に冷却ガスが供給され、上面91上の液膜が冷却されて凍結するステップS14。以下、凍結した液膜を凍結膜とも呼ぶ。基板処理装置1では、冷媒供給部4は、基板9の上面91上の液膜を冷却して凍結させる凍結部としても機能する。このように、基板処理装置1では、液膜を凍結させる際に、基板回転機構5により基板9を回転させつつ、ノズル移動機構42により往復移動する冷却ガスノズル41から、基板9の上面91に冷却ガスが供給される。これにより、基板9の径方向のいずれの位置においても、上面91が冷却ガスノズル41と対向することとなり、基板9の上面91おける冷却の均一性を向上することができる。基板9上では、基板9とパーティクル等との間に浸入した純水が凍結凝固して体積が増加することにより、パーティクル等が基板9から微小距離だけ浮き上がる。その結果、パーティクル等と基板9との間の付着力が低減され、パーティクル等が基板9から脱離する。また、純水が凍結する際に、基板9の上面91に平行な方向に体積が増加することによっても、基板9に付着しているパーティクル等が基板9から剥離する。冷媒供給部4では、基板9の中央部と外縁部との間にて往復移動する冷却ガスノズル41から供給される冷却ガスの温度が、冷却ガスノズル41の位置に基づいて制御される。具体的には、冷却ガス温度制御部82により冷媒供給部4が制御されることにより、基板9の外縁部に対向する位置において冷却ガスノズル41から吐出される冷却ガスの温度が、基板9の中央部に対向する位置において冷却ガスノズル41から吐出される冷却ガスの温度よりも低くなる。換言すれば、冷却ガスノズル41から基板9の外縁部に供給される冷却ガスの温度が、基板9の中央部に供給される冷却ガスの温度よりも低くなる。基板処理装置1では、基板9の周囲において下方に向かって流れる常温の処理ガスにより、基板9の外縁部の温度は、基板9の中央部の温度よりも常温に近づきやすい。そこで、上述のように、冷却ガスノズル41から供給される冷却ガスの温度を、基板9の外縁部において中央部よりも低くすることにより、基板9の上面91における冷却の均一性をさらに向上することができる。凍結膜の形成が終了すると、冷媒供給部4からの冷却ガスの供給が停止され、冷却ガスノズル41が基板9の上方から外側に移動する。続いて、基板回転機構5による基板9の回転数が増加し、凍結膜の形成時よりも大きい回転数に変更される。基板9の回転数は、例えば、1500rpm~2500rpmであり、本実施の形態では2000rpmである。続いて、制御部8により加熱液供給部6が制御され、加熱液供給部6から基板9の上面91に向けて加熱液が供給される。加熱液は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって上面91の全面に亘って拡がる。これにより、上面91上の凍結膜が急速に解凍されすなわち、液化され、加熱液と共に基板9のエッジから外側へと飛散するステップS15。基板9の上面91に付着していたパーティクル等は、基板9上から飛散する液体と共に基板9上から除去される。基板9上から外側へと飛散した液体は、カップ部21により受けられて回収される。基板処理装置1では、加熱液供給部6は、基板9上の凍結膜に解凍用液体である加熱液を供給して凍結膜を除去する凍結膜除去部の役割を果たす。凍結膜の除去が終了すると、図示省略のリンス液供給部から基板9の上面91上にリンス液例えば、常温の脱イオン水が供給され、基板9のリンス処理が行われるステップS16。リンス処理中の基板9の回転数は、好ましくは、300rpm~1000rpmであり、本実施の形態では、800rpmである。その後、基板9の回転数を1500rpm~3000rpm本実施の形態では、2000rpmに変更し、基板9の回転により、基板9上のリンス液を除去する乾燥処理が行われるステップS17。基板9の乾燥処理が終了すると、基板回転機構5による基板9の回転が停止するステップS18。以上に説明したように、基板処理装置1では、基板9の上面91に純水を結露させることにより液膜が形成される。これにより、液膜形成用の液体を基板9の上面91に向けて吐出して供給する構造を省略することができる。その結果、基板処理装置1を小型化することができる。また、基板の回転により液体を基板の中央部から外縁部へと拡げることにより液膜を形成する場合に比べ、基板9の上面91全体に薄い液膜を容易に形成することができる。このように、液膜を薄くすることにより、液膜の凍結に要する時間を短くすることができる。さらに、冷媒供給部4からの冷却ガスの温度を高くしても迅速に液膜を凍結することができる。このため、冷却ガス供給源から冷却ガスノズル41へと冷却ガスを供給する配管等の断熱設備を簡素化することができる。その結果、冷媒供給部4による液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。基板処理装置1では、冷媒供給部4により基板9を冷却することにより、基板9の上面91に純水を結露させて液膜が形成される。これにより、基板9の上面91上に常温よりも低い温度の液膜が形成されるため、液膜の凍結に要する時間をより短くすることができる。また、液膜の凍結に要する冷却コストをさらに抑制することもできる。上述のように、冷媒供給部4は、基板9の上面91上に液膜を形成する液膜形成部と、当該液膜を冷却して凍結させる凍結部との双方の役割を果たす。これにより、基板処理装置1の構造を簡素化することができる。また、基板9の上面91上に液膜を形成する際に、湿度制御部81によりチャンバ7内の湿度が所定の第2湿度に維持される。これにより、基板9上における結露速度すなわち、単位時間当たりに液化する純水の量を一定に維持し、所望の厚さの液膜を容易に形成することができる。基板処理装置1では、加熱液供給部6により加熱液を供給して基板9から凍結膜を除去することにより、基板9に付着しているパーティクル等を凍結膜と共に効率良く除去することができる。また、凍結膜を形成する純水を加熱液として利用することにより、凍結膜の解凍時に基板9から飛散する液体を回収して再利用することができる。基板処理装置1では、ステップS14において、基板9の中央部の上方に配置され、当該中央部に対して相対的に固定された冷却ガスノズル41から、基板9の上面91の中央部に向けて冷却ガスの供給が行われ、基板9の回転により冷却ガスが基板9の中央部から外縁部へと拡がることにより凍結膜が形成されてもよい。また、ステップS13において、回転中の基板9の中央部と外縁部との間にて冷却ガスノズル41を往復移動させつつ、冷却ガスノズル41から基板9の上面91に冷却ガスが供給されてもよい。これにより、液膜の形成時においても、基板9の上面91おける冷却の均一性を向上することができる。なお、ステップS13,S14では、ノズル移動機構42による冷却ガスノズル41の移動は、基板9に対して相対的に行われていればよく、例えば、冷却ガスノズル41が固定された状態で、基板9が基板保持部2と共に移動してもよい。この場合も、基板9の上面91における冷却の均一性が向上される。次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図3は、第2の実施の形態に係る基板処理装置1aの構成を示す図である。基板処理装置1aでは、冷媒供給部4が基板9の下方に配置され、冷媒供給部4の冷却ガスノズル41aから、基板9の下面92の中央部に向けて、冷媒である冷却ガスが供給される。その他の構成は、図1に示す基板処理装置1と同様であり、以下の説明では、対応する構成に同符号を付す。基板処理装置1aにおける基板9の処理の流れは、図2に示す基板処理装置1における処理の流れと同様であるため、以下、図2を参照して説明する。基板処理装置1aでは、まず、基板処理装置1と同様に、基板9がチャンバ7内に搬入されて基板保持部2により保持され、処理ガス供給部3により処理ガスが供給されてチャンバ7内の湿度が第1湿度とされる。続いて、制御部8の湿度制御部81により、湿度計71からの出力に基づいて処理ガス供給部3が制御されることにより、チャンバ7内の湿度が、第1湿度よりも高い所定の第2湿度とされ、第2湿度が維持されるステップS11。また、基板回転機構5による基板9の回転が開始されるステップS12。基板9の回転数は、例えば、10rpm~500rpmであり、本実施の形態では50rpmである。次に、回転中の基板9の下面92の中央部に向けて、基板冷却部である冷媒供給部4から冷却ガスが供給される。冷却ガスは、基板9の回転により下面92の全面に亘って拡がり、基板9全体が冷却される。これにより、チャンバ7内の処理ガス中の水分純水が基板9の上面91に結露し、上面91上に純水の薄い液膜が形成されるステップS13。なお、基板9の下面92にも結露は生じる。液膜の形成が終了した後も、冷媒供給部4からの冷却ガスの供給が継続される。冷却ガスは、基板9の回転により基板9の下面92の全面に亘って供給され、上面91上の液膜が冷却されて凍結することにより凍結膜となるステップS14。凍結膜の形成が終了すると、冷媒供給部4からの冷却ガスの供給が停止され、基板回転機構5による基板9の回転数が増加し、凍結膜の形成時よりも大きい回転数に変更される。基板9の回転数は、例えば、1500rpm~2500rpmであり、本実施の形態では2000rpmである。続いて、加熱液供給部6から基板9の上面91に向けて加熱液が供給され、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって上面91の全面に亘って拡がる。これにより、上面91上の凍結膜が急速に解凍されすなわち、液化され、加熱液と共に基板9のエッジから外側へと飛散するステップS15。基板9の上面91に付着していたパーティクル等は、基板9上から飛散する液体と共に基板9上から除去される。基板9上から外側へと飛散した液体は、カップ部21により受けられて回収される。凍結膜の除去が終了すると、基板9の上面91上にリンス液例えば、常温の脱イオン水が供給され、基板9のリンス処理が行われるステップS16。その後、基板9の回転数を大きくし、基板9の回転により、基板9上のリンス液を除去する乾燥処理が行われるステップS17。基板9の乾燥処理が終了すると、基板9の回転が停止するステップS18。以上に説明したように、基板処理装置1aでは、図1に示す基板処理装置1と同様に、基板9の上面91に純水を結露させることにより液膜が形成される。これにより、液膜形成用の液体を基板9の上面91に向けて吐出して供給する構造を省略することができ、基板処理装置1aを小型化することができる。また、基板9上に薄い液膜を容易に形成することができるため、液膜の凍結に要する時間を短くすることができる。さらに、冷媒供給部4からの冷却ガスの温度を高くしても迅速に液膜を凍結することができる。このため、冷却ガス供給源から冷却ガスノズル41aへと冷却ガスを供給する配管等の断熱設備を簡素化することができ、冷媒供給部4による液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。基板処理装置1aでは、冷媒供給部4により基板9を冷却することにより、基板9の上面91に純水を結露させて常温よりも低い温度の液膜を形成することができるため、液膜の凍結に要する時間をより短くすることができ、液膜の凍結に要する冷却コストをさらに抑制することもできる。また、冷媒供給部4が、基板9の上面91上に液膜を形成する液膜形成部と、当該液膜を冷却して凍結させる凍結部との双方の役割を果たすことにより、基板処理装置1aの構造を簡素化することができる。基板処理装置1aでは、ステップS13,S14において、冷媒供給部4の冷却ガスノズル41aを移動することなく液膜形成および凍結膜形成が行われる。このため、冷却ガスノズル41aを移動する機構を省略することができ、基板処理装置1aの構造を簡素化することができる。一方、基板処理装置1aでは、冷却ガスノズル41aを基板9の中央部と外縁部との間にて往復移動させるノズル移動機構が設けられることにより、ステップS13,S14において、基板9の上面91における冷却の均一性が向上されてもよい。なお、冷却ガスノズル41aは、ノズル移動機構により基板9に対して相対的に移動すればよく、例えば、冷却ガスノズル41aが固定された状態で、基板9が基板保持部2と共に移動してもよい。この場合も、基板9の上面91における冷却の均一性が向上される。以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。第2の実施の形態に係る基板処理装置1aでは、冷媒供給部4の冷却ガスノズル41aに代えて、液状の冷媒すなわち、冷却液を基板9の下面92に向けて吐出する冷却液ノズルが設けられてもよい。この場合、冷媒供給部4から供給される冷却液の温度は、純水の凝固点である0°Cよりも低温である。好ましくは、冷却液ノズルからの冷却液は、基板9の下面92と基板保持部2との間に充填されて保持される。これにより、基板9が効率的に冷却される。上記実施の形態に係る基板処理装置では、冷媒供給部4が、基板9の上面91上に液膜を形成する液膜形成部と、当該液膜を冷却して凍結させる凍結部との双方の役割を果たしているが、液膜形成部と凍結部とは個別に設けられてもよい。例えば、基板処理装置1の冷却ガスノズル41と基板処理装置1aの冷却ガスノズル41aとの双方が基板処理装置に設けられ、液膜形成部である冷却ガスノズル41aにより基板9の下面92に冷却ガスが供給されて基板9の上面91に液膜が形成され、凍結部である冷却ガスノズル41により基板9の上面91に冷却ガスが供給されて液膜が凍結されてもよい。基板処理装置では、ステップS13,S14における基板9の冷却は、必ずしも冷媒の供給によるものには限定されず、基板保持部2の保持部本体22に冷却機構が設けられ、基板9の下面92に近接する保持部本体22により基板9が冷却されてもよい。あるいは、基板保持部2が基板9の下面92に接触することにより、基板9が冷却されてもよい。この場合、基板保持部2が基板冷却部の役割を果たす。基板処理装置では、基板9上における液膜の形成は、必ずしも基板9の冷却によるものである必要はない。例えば、制御部8の湿度制御部81により処理ガス供給部3が制御され、水蒸気が過飽和状態である処理ガスすなわち、水蒸気の分圧が飽和水蒸気圧よりも高い状態である処理ガスがチャンバ7内に供給され、常温の基板9上にて水蒸気が液化することにより、基板9の上面91上に液膜が形成されてもよい。この場合、過飽和状態の処理ガスを供給する処理ガス供給部3が液膜形成部として機能する。上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。"