第1の層に間隙を隔てて配される複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つと電子素子とを電気的に接続する第1接続部材と、前記間隙の少なくとも一部と、前記第1接続部材と前記第1導体との接続点の少なくとも一部と、を包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第1導体と対向し設けられた複数の第2導体と、第2の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第2の領域に延在している第3導体と、前記第2の層に前記第1の層を介して対向している第3の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第3の領域に延在している第4導体と、を備えることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板であって、前記第1接続部材は複数であり、かつ前記第1接続部材の少なくとも一部が異なる前記第1導体と接続し、前記第1の領域は、異なる前記第1導体に存在する前記接続点のそれぞれを包含していることを特徴とする配線基板。請求項1または2に記載の配線基板であって、前記第2導体に接続している第2接続部材を備え、前記第2接続部材は、さらに前記第1導体に接続している、または前記第3導体もしくは前記第4導体の少なくとも一方と接続していることを特徴とする配線基板。請求項3に記載の配線基板であって、前記第2導体は、前記第1の層と前記第2の層との中間層、または前記第1の層と前記第3の層との中間層のうち少なくとも一方に配列されることを特徴とする配線基板。請求項4に記載の配線基板であって、前記第2接続部材は、前記第3導体と前記第4導体とに接続しており、かつ前記第1導体に設けられた開口を通過しており、前記第2導体は、前記第1導体に対向し、対向している前記第1導体に設けられた前記開口を通過している前記第2接続部材と電気的に接続され、前記第2導体が形成された層の数が、前記第1層の数と等しいことを特徴とする配線基板。請求項4または5に記載の配線基板であって、前記第3導体または前記第4導体は、前記第2導体と対向する領域が無孔であることを特徴とする配線基板。請求項3に記載の配線基板であって、前記第2導体は、前記第2の層を介して前記第1の層と対向する位置、または前記第3の層を介して前記第1の層と対向する位置の少なくとも一方に配列されることを特徴とする配線基板。請求項7に記載の配線基板であって、前記第2接続部材は、前記第1導体に接続しており、かつ前記第3導体または前記第4導体に設けられた開口を通過しており、前記第2導体は、前記第3導体または前記第4導体に対向し、対向している前記第3導体または前記第4導体に設けられた前記開口を通過している前記第2接続部材と電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。請求項1または2に記載の配線基板であって、前記第2導体は、前記第2の層または前記第3の層の少なくとも一方に配列されることを特徴とする配線基板。請求項9に記載の配線基板であって、前記第2導体は、前記第3導体または前記第4導体が有する開口の中に形成される島状の導体であり、かつ当該第2導体は、前記第3導体または前記第4導体とインダクタによって接続されていることを特徴とする配線基板。請求項9に記載の配線基板であって、前記第2導体は、前記第3導体または前記第4導体が有する開口の中に位置し、一端は前記開口の淵に電気的に接続され、他端は当該開口の淵と非接続のオープン端である伝送線路であり、かつ前記第2導体は、前記第1導体上の無孔の領域と対向することを特徴とする配線基板。請求項9乃至11いずれかに記載の配線基板であって、前記第1の層は複数の層であり、前記第2導体は、さらに複数の前記第1の層の少なくとも一つに形成されていることを特徴とする配線基板。請求項1乃至12いずれかに記載の配線基板であって、前記第1導体は電源プレーンであり、前記第3導体と前記第4導体とはグランドプレーンであり、複数の前記第1導体のうち、一の第1導体と他の第1導体とが異なる電位を与えられることを特徴とする配線基板。請求項1乃至13いずれかに記載の配線基板であって、前記第2導体が配列された層に、さらに信号線が配列されていることを特徴とする配線基板。請求項1乃至14いずれかに記載の配線基板であって、前記第2の層と前記第3の層との中間層に、前記電子素子が実装されている実装領域を備えることを特徴とする配線基板。請求項1乃至15いずれかに記載の配線基板であって、表面層に位置し、前記電子素子が実装されている実装領域と、前記表面層に設置され、前記実装領域を覆っているメタルキャップとを備えることを特徴とする配線基板。請求項1乃至16いずれかに記載の配線基板であって、前記第1導体と前記第2導体と前記第3導体と前記第4導体とは、電磁バンドギャップ構造の少なくとも一部を構成し、かつ前記電磁バンドギャップ構造は、前記電子素子が発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことを特徴とする配線基板。第1の層に間隙を隔てて配される複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つに電気的に接続される電子素子と、前記間隙の少なくとも一部と、前記第1導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第1導体と対向し設けられた複数の第2導体と、第2の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第2の領域に延在している第3導体と、前記第2の層に前記第1の層を介して対向している第3の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第3の領域に延在している第4導体と、を備えることを特徴とする電子装置。電子素子で発生したノイズが、第1の層に間隙を隔てて配される複数の第1導体のいずれかと、第2の層に延在している第3導体との中間、または前記複数の第1導体のいずれかと、前記第2の層に前記第1の層を介して対向している第3の層に延在している第4導体との中間の少なくとも一方を伝播し、前記間隙から他方に放射されたとき、前記第3導体と前記第4導体とによって、放射された前記ノイズを遮蔽し、さらに、前記間隙の少なくとも一部と、前記第1導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第1導体と対向し設けられた複数の第2導体のいずれかと、前記第3導体または前記第4導体とが対向する空間で、当該ノイズを遮蔽することを特徴とするノイズ遮蔽方法。多層基板を備える電子装置において、導体層に間隙を隔てて複数の導体が形成される場合、導体に電子素子を接続すると、導体を伝播したノイズが間隙から放射され、導体層とは異なる層または多層基板の外部にノイズが漏洩する。従って、導体層に対してEBG構造を構成しても、十分なノイズ対策を得ることができなかった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板、電子装置およびノイズ遮蔽方法を提供することにある。本発明によれば、第1の層に間隙を隔てて配される複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つと電子素子とを電気的に接続する第1接続部材と、前記間隙の少なくとも一部と、前記第1接続部材と前記第1導体との接続点の少なくとも一部と、を包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第1導体と対向し設けられた複数の第2導体と、第2の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第2の領域に延在している第3導体と、前記第2の層に前記第1の層を介して対向している第3の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第3の領域に延在している第4導体と、を備えることを特徴とする配線基板が提供される。また、本発明によれば、第1の層に間隙を隔てて配される複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つに電気的に接続される電子素子と、前記間隙の少なくとも一部と、前記第1導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第1導体と対向し設けられた複数の第2導体と、第2の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第2の領域に延在している第3導体と、前記第2の層に前記第1の層を介して対向している第3の層に位置し、前記第1の領域および前記第2導体と対向する領域を包含する第3の領域に延在している第4導体と、を備えることを特徴とする電子装置が提供される。そして、本発明によれば、電子素子で発生したノイズが、第1の層に間隙を隔てて配される複数の第1導体のいずれかと、第2の層に延在している第3導体との中間、または前記複数の第1導体のいずれかと、前記第2の層に前記第1の層を介して対向している第3の層に延在している第4導体との中間の少なくとも一方を伝播し、前記間隙から他方に放射されたとき、前記第3導体と前記第4導体とによって、放射された前記ノイズを遮蔽し、さらに、前記間隙の少なくとも一部と、前記第1導体上の前記電子素子との接続点の少なくとも一部と、を包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列され、前記第1導体と対向し設けられた複数の第2導体のいずれかと、前記第3導体または前記第4導体とが対向する空間で、当該ノイズを遮蔽することを特徴とするノイズ遮蔽方法が提供される。本発明によれば、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板、電子装置およびノイズ遮蔽方法が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係る配線基板100の上面図と断面図である。より詳細には、図1Aは配線基板100の上面図であり、図1Bは図1Aで示す断面線における配線基板100の断面図である。配線基板100は、互いに対向するA層110、B層120、C層130、D層140、E層150、F層160およびG層170を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板100は、上述の7つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には誘電体層が位置してもよい。また、配線基板100は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の7つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。なお、図1において、電子素子181は破線で示される。これは、電子素子181が未実装であることを意味している。すなわち、配線基板100の表面には、電子素子181を実装する予定領域が定められており、電子素子181と電源プレーン141を接続する接続部材182と、電子素子181と電源プレーン142を接続する接続部材183と、電子素子181と電源プレーン143を接続する接続部材184と、を備える。さらに、配線基板100は、電子素子181とグラウンドプレーン111を接続する接続部材185と、電子素子181とグラウンドプレーン171を接続する接続部材186と、を備える。そして、配線基板100は、電子素子181と信号線131とを接続する接続部材187と、電子素子181と信号線188とを接続する接続部材188と、を備える。ここで、電子素子181はLSI等の素子を想定している。配線基板100に実装される電子素子181の数は単一であっても、複数であってもよい。また、図1Aにおいて、導体エレメント121、161は最上層より下層に位置するので破線で示し、双方の位置が平面視で重なっているので、一つの四角形で導体エレメント121と導体エレメント161とを表すものとする。なお、導体エレメント121と導体エレメント161とは、必ずしも平面視で重なる位置に配列されなくてもよく、平面視で不一致な位置に配列されてもよい。また、導体エレメント121または導体エレメント161の形状は四角形に限らず、三角形や六角形等であってもよい。本実施形態の配線基板100において、電子素子181を実装する予定領域は、間隙147の一部と重なる領域に位置している。これは、電源プレーン141、142、143の各々から単一の電子素子181に電源供給することを想定した場合、電源プレーン141、142、143の各々への接続が比較的容易となるためである。しかし、電子素子181は、必ずしも間隙147と平面視で重なる領域に設ける必要はない。図2は、配線基板100のD層140を示す図である。D層140第1の層には、電源プレーン141、142、143複数の第1導体が間隙147を隔てて配される。間隙147は絶縁体が充填されているので、電源プレーン141、142、143は、互いに絶縁され、各々に異なる電位を与えることが可能となっている。ただし、必ずしも全て異なる電位を与える必要はなく、互いに等しい電位が与えられてもよい。電源プレーン141は接続部材182と接続する接続点、電源プレーン142は接続部材183と接続する接続点、電源プレーン143は接続部材184と接続する接続点を有する。なお、本実施形態においては、図示する全ての電源プレーン141、142、143のそれぞれに、接続部材182、183、184との接続点を設けているが、必ずしも全てに設ける必要はない。すなわち、電源プレーン141、142、143の少なくとも一つに接続部材182、183、184との接続点を設ければよい。また、接続部材186はグラウンドプレーン171と接続するので、電源プレーン141に設けられた開口を通過し、電源プレーン141と絶縁されている。図3は、配線基板100のB層120とF層160を示す図である。D層140とA層110との中間層であるB層120には、複数の導体エレメント121第2導体が、間隙147の少なくとも一部と、接続部材182、183、184と電源プレーン141、142、143との接続点とを包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列され、電源プレーン141または142、143と対向し設けられている。また、D層140とG層170との中間層であるF層160には、複数の導体エレメント161第2導体が、上記第1の領域を囲うように繰り返し配列され、電源プレーン141または142、143と対向し設けられている。より詳細には、上記第1の領域は、異なる電源プレーン141、142、143に存在する接続点のそれぞれを包含している。ここで、導体エレメント121、131は相互に間隔を隔てて配列される島状の導体である。なお、B層120における導体エレメント121が配列されていない領域、またはF層160における導体エレメント161が配列されていない領域は、絶縁体となっており、接続部材182、183、184、186等と絶縁されている。ここで、上述した繰り返し配列されるとは、少なくとも三つ以上の導体エレメント121、161が間隔を隔てて連続的に配列されることを意味している。また、導体エレメント121、161が第1の領域を囲うように繰り返し配列されると説明したが、導体エレメント121、161は相互に間隔を隔てているので、厳密に第1の領域の平面方向の全部を囲っているわけではない。導体エレメント121同士の間隔において、また導体エレメント161同士の間隔において、十分に抑制対象の周波数帯域のノイズが抑制できる程度に、当該間隔が定められればよい。また、導体エレメント121、161は、第1の領域の一部の方向についてノイズ伝播を抑制する必要がない場合については、当該方向に配列されなくてもよい。導体エレメント121は、それぞれ電源プレーン141、142、143のいずれかに接続部材122によって接続されており、導体エレメント161は、それぞれ電源プレーン141、142、143のいずれかに接続部材162によって接続されている。なお、図1において、接続部材122と接続部材162とが、平面視で一致するように図示されているが、必ずしも一致する必要はない。また、ここでは接続部材122、162は、電源プレーン141、142、143のいずれかに接続している形態を説明するが、接続部材122、162が、グラウンドプレーン111、171の一方もしくは両方と接続する形態も存在する。このような形態については後述する。なお、導体エレメント121、161は、必ずしも電源プレーン141、142、143に接続される必要はなく、グラウンドプレーン111、171に接続されてもよいし、いずれに接続されなくてもよい。ただし、当然のことながら、電源プレーン141、142、143に接続される導体エレメント121、161は、グラウンドプレーン111、171に接続されてはならない。図4は、配線基板100のA層110とG層170を示す図である。グラウンドプレーン111第3導体は、シート状の導体であって、D層140より上位層であるA層110第2の層に位置し、第1の領域に対向する領域と導体エレメント121と対向する領域とを包含する第2の領域に延在している。また、グラウンドプレーン171第4導体は、シート状の導体であって、D層140より下位層であるG層170第3の層に位置し、第1の領域に対向する領域と導体エレメント161と対向する領域とを包含する第3の領域に延在している。ここで、グラウンドプレーン111が延在している第2の領域と、グラウンドプレーン171が延在している第3の領域とは平面視で不一致であるように図示しているが、一致してもよい。なお、グラウンドプレーン111またはグラウンドプレーン171は、接地等によって基準電位が与えられる。また、接続部材182、183、184は電源プレーン141、142、143と接続するので、グラウンドプレーン111に設けられた開口を通過し、グラウンドプレーン111と絶縁されている。さらに、A層110においてグラウンドプレーン111が形成されていない領域、またはG層170においてグラウンドプレーン171が形成されていない領域は、絶縁体であってもよいし、導体であってもよいし、それらが混合していてもよい。図5は、配線基板100のC層130とE層150を示す図である。C層130とE層150とは、いわゆる配線層であって、それぞれ信号線131、信号線151が配列される。信号線131と信号線151の配列パターンは図示したパターンに限らず、接続部材122、162、182、183、184、185、186に電気的に接続しない範囲で配列されてよい。例えば、他の層の信号線に接続される信号線131、151が配列されてもよいし、電子素子181に接続される信号線131、151が配列されてもよい。なお、本実施形態において信号線131が配置されるC層130は、B層120とD層140の間に位置しているが、これに限らずA層110~G層170の間のいずれに位置しても構わない。また、本実施形態において信号線151が配置されるE層150は、D層140とF層160の間に位置しているが、これに限らずA層110~G層170の間のいずれに位置しても構わない。配線基板100は、グラウンドプレーン111および電源プレーン141または142、143からなる第1の平行平板と、グラウンドプレーン171および電源プレーン141または142、143からなる第2の平行平板の2つのノイズ伝播経路を考えることができる。上記のように構成することによって、導体エレメント121は、対向する電源プレーン141、142、143と、対向するグラウンドプレーン111と、接続部材122と共にEBG構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたEBG構造によって、前記第1の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。また、導体エレメント161は、対向する電源プレーン141、142、143と、対向するグラウンドプレーン171と、接続部材162と共にEBG構造の単位セルを構成する。当該単位セルが周期的に配列されたEBG構造によって、前記第2の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。なお、上記のEBG構造の各々は、電子素子181によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板100によって構成されるEBG構造の単位セルは、接続部材122または接続部材162を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板100は、グラウンドプレーン111と電源プレーン141または142、143との中間層またはグラウンドプレーン171と電源プレーン141または142、143との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板100に適用可能な種々のEBG構造の単位セルについては、後述する。ここで、単位セルとはEBG構造を構成する最小単位のことであって、配線基板100は、繰り返し配列させた単位セルを備えることによって、前記第1の領域から外側に伝播するノイズを効果的に抑制し、第1の領域にノイズを閉じ込めることができる。なお、導体エレメント121と電源プレーン141、142、143の間隔、導体エレメント121とグラウンドプレーン111の間隔、接続部材122、162の太さ、導体エレメント121の相互間隔および導体エレメント161の相互間隔などを調節することにより、抑制対象となる周波数帯域を所望の値に定めることができる。また、繰り返し配列される単位セル、特に導体エレメント121、161や接続部材122、162の相互間隔は、それぞれ周期的であることが望ましい。なぜならば、単位セルが周期的に配置された場合は、EBG構造中を伝播する電磁波が周期性に起因するBragg反射を起こすため、より広帯域なノイズ伝播抑制効果が得られるからである。ただし、導体エレメント121の相互間隔と、導体エレメント161の相互間隔が必ずしも一致しなくてもよい。同様に、接続部材122の相互間隔と、接続部材162の相互間隔が必ずしも一致しなくてもよい。また当然、単位セルは周期的に配置される必要はなく、前記第1の領域を取り囲むように繰り返し配置されていれば、本発明の効果を得ることができる。図1~図5で図示した導体エレメント121、161や接続部材122、162の形状や位置は一例であり、EBG構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。図6~図13は、導体エレメント121、161や接続部材122、162の形状や位置について例示する図である。なお、図6~図13は、単一の導体エレメント121または単一の導体エレメント161に着目し、その周囲を拡大して図示している。図6~図13で例示する構造は、それぞれ単一または複数の単位セルを構成しており、配線基板100は、これらの単位セルのいずれか、または複数の組み合わせを備えるものとする。図6Aは、導体エレメント121、161の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121、161は四角形であって、接続部材122、162に接続されている。図6B~Hは、図6Aで図示した導体エレメント121、161の周囲における配線基板100の断面図である。そのうち、図6B~Eは、接続部材122と接続部材162とが異なる部材で構成される例である。図6Bでは、接続部材122、162が電源プレーン141、142、143に接続されており、図1~図5を用いて説明した構成と同等である。図6Cでは、接続部材122がグラウンドプレーン111、接続部材162がグラウンドプレーン171に接続されている。図6Dでは、接続部材122が電源プレーン141、142、143、接続部材162がグラウンドプレーン171に接続されている。図6Eでは、導体エレメント121が形成されるB層120は、A層110第2の層を介してD層140第1の層と対向している。また、導体エレメント161が形成されるF層160は、G層170第3の層を介してD層140第1の層と対向している。そして、接続部材122、162は電源プレーン141、142、143に接続し、かつグラウンドプレーン111、171に設けられた開口を通過している。導体エレメント121、161とは、グラウンドプレーン111、171に対向し、当該開口を通過した接続部材122、162と電気的に接続している。ここで説明したグラウンドプレーン111、117に設けられている開口は、その中を接続部材122、162が通過し、また当該開口に対向するように導体エレメント121、161が配されている。従って、当該開口からのノイズ漏洩を、実質的に防ぐことができる。上述した図6B~Eの構造は、いわゆるマッシュルーム型のEBG構造である。詳細には、接続部材122、162はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図6BおよびEにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、171との間でキャパシタンスを形成する。また図6Cにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。また図6Dにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。マッシュルーム型EBG構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図6F~Hでは、接続部材122と接続部材162とが同一の貫通ビアである例である。図6Fでは、上記貫通ビアが電源プレーン141、142、143に接続され、グラウンドプレーン111、171の開口を通過している。図6Gでは、上記貫通ビアがグラウンドプレーン111、171に接続され、電源プレーン141、142、143の開口を通過している。図6Hでは、導体エレメント121が形成されるB層120は、A層110第2の層を介してD層140第1の層と対向している。また、導体エレメント161が形成されるF層160は、G層170第3の層を介してD層140第1の層と対向している。そして、上記貫通ビア接続部材122、162は電源プレーン141、142、143に接続し、かつグラウンドプレーン111、171に設けられた開口を通過している。導体エレメント121、161とは、グラウンドプレーン111、171に対向し、当該開口を通過した上記貫通ビアと電気的に接続している。上述した図6F~Hの構造は、マッシュルーム型EBG構造を変形させた例である。詳細には、接続部材122、162はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図6FおよびHにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、171との間でキャパシタンスを形成する。また図6Gにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。図6F~Hの構造も、マッシュルーム型EBG構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図6F~Hで示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて前記第1、第2の平行平板にEBG構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。図7Aは、導体エレメント121、161の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121、161は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は接続部材122、161に接続され、他端はオープン端となっている。図7B~Hは、図7Aで図示した導体エレメント121、161の周囲における配線基板100の断面図である。そのうち、図7B~Eは、接続部材122と接続部材162とが異なる部材で構成される例である。図7Bでは、接続部材122、162が電源プレーン141、142、143に接続されている。図7Cでは、接続部材122がグラウンドプレーン111、接続部材162がグラウンドプレーン171に接続されている。図7Dでは、接続部材122が電源プレーン141、142、143、接続部材162がグラウンドプレーン171に接続されている。図7Eでは、導体エレメント121が形成されるB層120は、A層110第2の層を介してD層140第1の層と対向している。また、導体エレメント161が形成されるF層160は、G層170第3の層を介してD層140第1の層と対向している。そして、接続部材122、162は電源プレーン141、142、143に接続し、かつグラウンドプレーン111、171に設けられた開口を通過している。導体エレメント121、161とは、グラウンドプレーン111、171に対向し、当該開口を通過した接続部材122、162と電気的に接続している。図7B~Eに示した構造は、導体エレメント121、161を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のEBG構造である。詳細には、接続部材122、162はインダクタンスを形成している。一方、図7BおよびEにおいては導体エレメント121、161が、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、171と電気的に結合することでグラウンドプレーン111、171をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図7Cにおいては導体エレメント121、161が、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143と電気的に結合することで電源プレーン141または142、143をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図7Dにおいては導体エレメント121、161が、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、電源プレーン141または142、143と電気的に結合することで、それぞれグラウンドプレーン111、電源プレーン141または142、143をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。オープンスタブ型EBG構造は、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント121、161と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図7F~Hでは、接続部材122と接続部材162とが同一の貫通ビアである例である。図7Fでは、上記貫通ビアが電源プレーン141、142、143に接続され、グラウンドプレーン111、171の開口を通過している。図7Gでは、上記貫通ビアがグラウンドプレーン111、171に接続され、電源プレーン141、142、143の開口を通過している。図7Hでは、導体エレメント121が形成されるB層120は、A層110第2の層を介してD層140第1の層と対向している。また、導体エレメント161が形成されるF層160は、G層170第3の層を介してD層140第1の層と対向している。そして、上記貫通ビア接続部材122、162は電源プレーン141、142、143に接続し、かつグラウンドプレーン111、171に設けられた開口を通過している。導体エレメント121、161とは、グラウンドプレーン111、171に対向し、当該開口を通過した上記貫通ビアと電気的に接続している。図7F~Hに示した構造は、導体エレメント121、161を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のEBG構造の変形例である。詳細には、接続部材122、162はインダクタンスを形成している。一方、図7FおよびHにおいては導体エレメント121、161が、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、171と電気的に結合することでグラウンドプレーン111、171をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、図7Gにおいては導体エレメント121、161が、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143と電気的に結合することで電源プレーン141または142、143をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。図7F~Hに示した構造も、オープンスタブ型EBG構造と同様に、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント121、161と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図7F~Hで示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて前記第1、第2の平行平板にEBG構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。なお、図7では前記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図8Aは、導体エレメント121、161の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121、161は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵に接続され、他端は接続部材122、162に接続される螺旋状のインダクタが形成されている。図8B~Fは、図8Aで図示した導体エレメント121、161の周囲における配線基板100の断面図である。そのうち、図8B~Dは、接続部材122と接続部材162とが異なる部材で構成される例である。図8Bでは、接続部材122、162が電源プレーン141、142、143に接続されている。図8Cでは、接続部材122がグラウンドプレーン111、接続部材162がグラウンドプレーン171に接続されている。図8Dでは、接続部材122が電源プレーン141、142、143、接続部材162がグラウンドプレーン171に接続されている。図8Eでは、導体エレメント121が形成されるB層120は、A層110第2の層を介してD層140第1の層と対向している。また、導体エレメント161が形成されるF層160は、G層170第3の層を介してD層140第1の層と対向している。そして、接続部材122、162は電源プレーン141、142、143に接続し、かつグラウンドプレーン111、171に設けられた開口を通過している。導体エレメント121、161とは、グラウンドプレーン111、171に対向し、当該開口を通過した接続部材122、162と電気的に接続している。上述した図8B~Eの構造は、マッシュルーム型EBG構造を基本として、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のEBG構造である。詳細には、図8BおよびEにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、171との間でキャパシタンスを形成する。また図8Cにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。また図8Dにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材122、162はマッシュルームの軸部分に相当し、導体エレメント121、161に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。インダクタンス増加型EBG構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図8F~Hでは、接続部材122と接続部材162とが同一の貫通ビアである例である。図8Fでは、上記貫通ビアが電源プレーン141、142、143に接続され、グラウンドプレーン111、171の開口を通過している。図8Gでは、上記貫通ビアがグラウンドプレーン111、171に接続され、電源プレーン141、142、143の開口を通過している。図8Hでは、導体エレメント121が形成されるB層120は、A層110第2の層を介してD層140第1の層と対向している。また、導体エレメント161が形成されるF層160は、G層170第3の層を介してD層140第1の層と対向している。そして、上記貫通ビア接続部材122、162は電源プレーン141、142、143に接続し、かつグラウンドプレーン111、171に設けられた開口を通過している。導体エレメント121、161とは、グラウンドプレーン111、171に対向し、当該開口を通過した上記貫通ビアと電気的に接続している。上述した図8F~Hの構造は、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のEBG構造の変形例である。詳細には、接続部材122、162はマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。一方、図8FおよびHにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するグラウンドプレーン111、171との間でキャパシタンスを形成する。また図8Gにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。図8F~Hの構造も、マッシュルーム型EBG構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図8F~Hで示した構成を採用することにより、貫通ビアを用いて前記第1、第2の平行平板にEBG構造を製造することが可能となる。通常、非貫通ビアは層ごとにビアを加工してから積層するのに対して、貫通ビアは、全ての層を積層した後、ドリルで貫通スルーホールを形成し、スルーホール内面をめっきすることによって製造されるため、非貫通ビアを用いる場合と比べて、製造コストを低減することができる。なお、図8では前記インダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図6B~D、図7B~D、図8B~Dに示す例を用いる場合、グラウンドプレーン111、171は、接続部材122、162が通過する開口を設ける必要がない。このとき、グラウンドプレーン111、171において、導体エレメント121、161と対向する領域を無孔とすると、当該領域からノイズが漏洩しない。ここで、導体エレメント121、161と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔開口が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。また、図6E、F、H、図7E、F、H、図8E、F、Hに示す例を用いる場合、グラウンドプレーン111、171は、接続部材122、162が通過する開口を有する。しかし、当該開口が、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径であれば、抑制対象のノイズが漏洩しない。図9Aは、導体エレメント121、161の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121、161は四角形であって、接続部材122、162に接続されている。また、図9Bは、グラウンドプレーン111、171において、導体エレメント121、161と対向する領域の上面図である。ここで図示する領域は開口を有し、当該開口の中に、一端は当該開口の淵に接続され、他端は接続部材122、162に接続される螺旋状のインダクタが形成される。図9C、Dは、図9Aで図示した導体エレメント121、161の周囲における配線基板100の断面図である。そのうち、図9Cは、接続部材122と接続部材162とが異なる部材で構成されている。そして、接続部材122がグラウンドプレーン111の開口に形成されるインダクタ、接続部材162がグラウンドプレーン171の開口に形成されるインダクタに接続されている。上述した図9Cの構造は、マッシュルーム型EBG構造を基本として、グラウンドプレーン111、171にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のEBG構造である。詳細には、図9Cにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材122、162はマッシュルームの軸部分に相当し、グラウンドプレーン111、171に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。インダクタンス増加型EBG構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図9Dでは、接続部材122と接続部材162とが同一の貫通ビアであって、電源プレーン141、142、143の開口を通過している。そして、上記貫通ビアがグラウンドプレーン111の開口に形成されるインダクタと、グラウンドプレーン171の開口に形成されるインダクタと、に接続されている。上述した図9Dの構造は、マッシュルーム型EBG構造を基本として、グラウンドプレーン111、171にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のEBG構造の変形例である。詳細には、図9Dにおいては導体エレメント121、161がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材122、162はマッシュルームの軸部分に相当し、グラウンドプレーン111、171に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。インダクタンス増加型EBG構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図9では前記インダクタの形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。続いて説明する図10~図12は、導体エレメント121、161が、グラウンドプレーン111が位置するA層110第2の層またはグラウンドプレーン171が位置するG層170第3の層に配列される例である。すなわち、導体エレメント121、161とグラウンドプレーン111、171とが同一の層に形成されるので、配線基板100は上述した例より薄くすることができる。なお、図10~図12のいずれも、接続部材122、162を必要としない構成である。また、図10~図12において、電源プレーン141、142、143より上段と下段とで対照の構成として図示するが、必ずしも対照である必要はなく、A層110とG層170の一方の層に、導体エレメント121または導体エレメント161が配列される構成であってもよい。図10Aは、グラウンドプレーン111、171の中に形成された導体エレメント121、161の一例の上面図である。グラウンドプレーン111、171は開口を有している。そして、導体エレメント121、161は、当該開口の中に形成される島状の導体と、当該島状の導体とグラウンドプレーン111、171とを接続するインダクタと、から構成される。なお、図10Aにおいて、当該インダクタは、当該島状の導体を螺旋状に囲うように図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図10Bは、図10Aで図示した断面線における導体エレメント121、161の周囲の断面図である。グラウンドプレーン111、171の中に形成された導体エレメント121、161が、電源プレーン141、142、143と対向している。上述した図10の構造は、マッシュルーム型EBG構造の変形例であり、マッシュルームのヘッド部分と軸部分が、グラウンドプレーン111、117の開口に設けられることによって、EBG構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材122、162を不要としている。詳細には、導体エレメント121、161を構成する前記島状の導体がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143との間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント121、161を構成する前記インダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。図10の構造は、マッシュルーム型EBG構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体が配置された層を、キャパシタンスを形成する対向する電源プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記島状の導体が配置された層を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図11Aは、グラウンドプレーン111、171の中に形成された導体エレメント121、161の一例の上面図である。グラウンドプレーン111、171は開口を有している。そして、導体エレメント121、161は当該開口の中に形成され、一端は開口の淵に接続され、他端は開口の淵に非接続であるオープン端である伝送線路である。なお、図11Aにおいて、当該伝送線路の形状は螺旋状として図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該伝送線路は、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図11Bは、図11Aで図示した断面線における導体エレメント121、161の周囲の断面図である。グラウンドプレーン111、171の中に形成された導体エレメント121、161が、電源プレーン141、142、143と対向している。上述の図11の構造は、オープンスタブ型のEBG構造の変形例であり、オープンスタブとして機能する伝送線路がグラウンドプレーン111、171の開口に設けられることによってEBG構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材122、162を不要としている。詳細には、導体エレメント121、161が、それぞれ対向する電源プレーン141または142、143と電気的に結合することで電源プレーン141または142、143をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。オープンスタブ型EBG構造は、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント121、161を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント121、161と対向する電源プレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと電源プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント121、161を対向する電源プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図12Aは、グラウンドプレーン111、171の中に形成された導体エレメント121、161の一例の上面図である。導体エレメント121、161は、グラウンドプレーン111、171の一部に形成される複数の島状の導体であって、隣接している島状の導体同士が電気的に接続されている。図12Bは、図12Aで図示した断面線における導体エレメント121、161の周囲の断面図である。グラウンドプレーン111、171の中に形成された導体エレメント121、161が、電源プレーン141、142、143と対向している。上述の図12の構造は、隣接する前記島状の導体間が電気的に結合することによりキャパシタンスを形成し、それら島状の導体を接続している接続部がインダクタンスを形成することでEBG構造として機能する。図12に示すEBG構造は、前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる並列共振回路の共振周波数がバンドギャップ帯域の中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体間の間隔を小さくして、キャパシタンスを大きくする、または前記接続部の長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。図13Aは、導体エレメント121の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、電源プレーン141または142、143と電気的に結合することで電源プレーン141または142、143をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、前記導体エレメント121の一端は接続部材122と電気的に接続され、他端はオープン端となっている。図13Bは、図13Aで図示した断面線における導体エレメント121の周囲の断面図である。図13Bでは、接続部材122が貫通ビアとして形成されており、上記貫通ビアが導体エレメント121とグラウンドプレーン111、171に接続され、電源プレーン141、142、143の開口を通過している。図13A、Bに示す構成において、導体エレメント121は、グラウンドプレーン111と電源プレーン141、142、143と、接続部材122と共にオープンスタブ型EBG構造を構成し、前記第1の平行平板を伝播するノイズを抑制する。同時に、導体エレメント121は、グラウンドプレーン171と電源プレーン141、142、143と、接続部材122と共にオープンスタブ型EBG構造を構成し、前記第2の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。すなわち、導体エレメント121が形成されたB層120の数が、電源プレーン141、142、143が形成されたD層140の数と等しいにも関わらず、第1、第2の平行平板に対してEBG構造を構成することができる。従って、図7Gに示す構成と比べて導体エレメント161が不要となるため、F層160における配線の引き回し自由度が向上する。また、F層160に配線を形成する必要がない場合はF層160を削減することが可能になるため配線基板100を薄くすることができる。なお、図13Bでは導体エレメントをB層120に配置した場合を例に示したが、B層120ではなく、F層160に配置するような構成も当然考えることができる。この場合も全く同様に第1、第2の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。図13A、Bに示す構造においても、他のオープンスタブ型EBG構造と全く同様に、前記導体エレメント121を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント121と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント121、161を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図13では前記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図13Cは、導体エレメント121の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント121は四角形であって、接続部材122と電気的に接続されている。図13Dは、図13Cで図示した断面線における導体エレメント121の周囲の断面図である。図13Dでは、接続部材122が貫通ビアとして形成されており、上記貫通ビアがグラウンドプレーン111、171に接続され、電源プレーン141または142、143の開口を通過している。図13C、Dで示す構造において、導体エレメント121は、グラウンドプレーン111と電源プレーン141、142、143と、接続部材122と共にマッシュルーム型EBG構造を構成し、前記第1の平行平板を伝播するノイズを抑制する。同時に、導体エレメント121は、グラウンドプレーン171と電源プレーン141、142、143と、接続部材122と共にマッシュルーム型EBG構造を構成する。すなわち、導体エレメント121が形成されたB層120の数が、電源プレーン141、142、143が形成されたD層140の数と等しいにも関わらず、第1、第2の平行平板に対してEBG構造を構成することができる。従って、図6Gに示す構成と比べて導体エレメント161が不要となるため、F層160における配線の引き回し自由度が向上する。また、F層160に配線を形成する必要がない場合はF層160を削減することが可能になるため配線基板100を薄くすることができる。なお、図13Dでは導体エレメントをB層120に配置した場合を例に示したが、B層120ではなく、F層160に配置するような構成も当然考えることができる。この場合も全く同様に第1、第2の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。ここで、第1の実施形態の効果について説明する。本実施形態に実装予定の電子素子181のように、一般的に電子素子は複数の電源電圧を必要とする。このため、配線基板100の電源プレーン141、142、143は、間隙147によって分割されており、異なる電位を持った各々の領域が電子素子181に接続されることで複数の電源電圧を供給する構成となっている。このような構成においては、間隙147から放射されるノイズを遮蔽しなくては、十分なノイズ対策効果を得ることができない。そこで、本実施形態では、上記のようにグラウンドプレーン111、171および繰り返し配列された単位セルからなるEBG構造によって間隙147を取り囲んでいる。これにより、電子素子181で発生したノイズが、電源プレーン141、142、143のいずれかと、グラウンドプレーン111との中間、または電源プレーン141、142、143のいずれかと、グラウンドプレーン171との中間の少なくとも一方を伝播し、間隙147から他方に放射されたとき、グラウンドプレーン111またはグラウンドプレーン171によって、放射されたノイズを遮蔽することができる。さらに、繰り返し配列されている複数の導体エレメント121のいずれかと、グラウンドプレーン111またはグラウンドプレーン171とが対向する空間で、当該ノイズを遮蔽することができる。より詳細には、電子素子181で発生したノイズは、接続部材182、183、184を介して、グラウンドプレーン111と電源プレーン141または142、143からなる第1の平行平板と、グラウンドプレーン171と電源プレーン141または142、143からなる第2の平行平板のうち少なくとも一方を伝播し、ノイズの一部は電源プレーンの間隙147から他方の平行平板に放射される。本実施の形態では、グラウンドプレーン111、171および、繰り返し配列された単位セルからなるEBG構造が、電源プレーンの間隙147を取り囲み、外部への伝播を遮蔽するように構成されているため、間隙147から放射されたノイズが配線基板100の外部に漏洩することを防ぐことができる。また、本実施形態で構成されるEBG構造のバンドギャップ帯域に、電子素子181から発生するノイズの周波数を含めることによって、より高いノイズ抑制効果を得ることができる。第2の実施形態図14は、本発明の第2の実施形態に係る配線基板200の上面図と断面図である。より詳細には、図14Aは配線基板200の上面図であり、図14Bは図14Aで示す断面線における配線基板200の断面図である。配線基板200は、互いに対向するA層210、B層220、C層230、D層240、E層250、F層260およびG層270を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板200は、上述の7つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には誘電体層が位置してもよい。また、配線基板200は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の7つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。配線基板200の表面には電子素子281が実装されており、電子素子281と電源プレーン231を接続する接続部材282と、電子素子281と電源プレーン232を接続する接続部材283と、電子素子281と電源プレーン251を接続する接続部材284と、電子素子281と電源プレーン252を接続する接続部材285と、を備える。さらに、配線基板200は、電子素子281とグラウンドプレーン211を接続する接続部材286と、電子素子281とグラウンドプレーン271を接続する接続部材287と、を備える。そして、配線基板200は、電子素子281と信号線263とを接続する接続部材288を備える。なお、本実施形態において、電子素子281は全ての電源プレーン231、232、251、252に接続されているが、少なくとも一つに接続されていればよい。また、図14Aにおいて、導体エレメント221、241、261は最上層より下層に位置するので破線で示し、双方の位置が平面視で重なっているので、一つの四角形で導体エレメント221と導体エレメント241と導体エレメント261とを表すものとする。図15は、配線基板200のC層230とE層250とを示す図である。C層230第1の層には、電源プレーン231、232複数の第1導体が間隙233を隔てて配される。D層240第1の層には、電源プレーン251、252複数の第1導体が間隙253を隔てて配される。なお、間隙233と間隙253とは絶縁体が充填されているので、電源プレーン231、232、251、252は、互いに絶縁され、各々に異なる電位を与えることが可能な構成となっている。電源プレーン231は接続部材282に、電源プレーン232は接続部材283に、電源プレーン251は接続部材284に、電源プレーン252は接続部材285に、それぞれ接続され、電子素子281と電気的に接続されている。また、接続部材284、285、287は電源プレーン231、232に設けられた開口を通過し、電源プレーン231、232と絶縁されている。そして、接続部材287は電源プレーン252に設けられた開口を通過し、電源プレーン252と絶縁されている。図16は、配線基板200のB層220とD層240とF層260を示す図である。B層220には、複数の導体エレメント221第2導体が、間隙233、253の少なくとも一部と、電源プレーン231、232、251、252上の電源素子281との接続点接続部材282、283、284、285との接続点とを包含する第1の領域を囲うように繰り返し配列される。また、B層220には、さらに信号線223が配列されている。D層240には、複数の導体エレメント241第2導体が上記第1の領域を囲うように繰り返し配列される。また、D層240には、さらに信号線243が配列されている。F層260には、複数の導体エレメント261第2導体が上記第1の領域を囲うように繰り返し配列される。また、F層260には、さらに信号線263が配列されている。なお、信号線223、243、263の配列パターンは図示したパターンに限らず、導体エレメント221、241、261に接触しない範囲で配列されてよい。なお、導体エレメント221、241、261は、いずれ電源プレーン231、232または電源プレーン251、252と対向し設けられている。導体エレメント221はB層220に島状に形成される導体であって、それぞれ電源プレーン231、232のいずれかに接続部材222によって接続されている。また、導体エレメント241はD層240に島状に形成される導体であって、それぞれ電源プレーン231、232のいずれかに接続部材242によって接続されている。さらに、導体エレメント261はF層260に島状に形成される導体であって、それぞれグラウンドプレーン271に接続部材262によって接続されている。なお、本実施形態においては、導体エレメント221、241、261を二列で配列する事例を記載したが、第1の実施形態のように単一の列であってもよいし、三列以上であってもよいし、上記第1の領域内の全域に導体エレメント221、241、261が配列されてもよい。図17は、配線基板200のA層210とG層270を示す図である。グラウンドプレーン211第3導体は、シート状の導体であって、C層230より上位層であるA層210第2の層に位置し、第1の領域に対向する領域と導体エレメント221と対向する領域とを包含する第2の領域に延在している。また、グラウンドプレーン271第4導体は、シート状の導体であって、E層250より下位層であるG層270第3の層に位置し、第1の領域に対向する領域と導体エレメント241と対向する領域とを包含する第3の領域に延在している。なお、グラウンドプレーン211またはグラウンドプレーン271は、接地等によって基準電位が与えられる。また、接続部材282、283、284、285、287はグラウンドプレーン211に設けられた開口を通過し、グラウンドプレーン211と絶縁されている。配線基板200は、グラウンドプレーン211および電源プレーン231または232からなる第1の平行平板と、電源プレーン231または232および電源プレーン251または252からなる第2の平行平板と、電源プレーン251または252およびグラウンドプレーン271からなる第3の平行平板の3つのノイズ伝播経路を考えることができる。上記のように構成することによって、導体エレメント221は、対向する電源プレーン231または232と、対向するグラウンドプレーン211と接続部材222と共にEBG構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたEBG構造によって、前記第1の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。また、導体エレメント241は、対向する電源プレーン231または232と、電源プレーン251または252と、接続部材242と共にEBG構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたEBG構造によって、前記第2の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。さらに、導体エレメント261は、対向する電源プレーン251または252と、対向するグラウンドプレーン271と、接続部材262と共にEBG構造の単位セルを構成する。当該単位セルが繰り返し配列されたEBG構造によって、前記第3の平行平板を伝播するノイズを抑制することができる。そして、上記のEBG構造の各々は、電子素子281によって発生するノイズの周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。また、本実施形態の配線基板200によって構成されるEBG構造の単位セルは、接続部材222または接続部材262を含む構造であるが、必ずしもこれに限らない。すなわち、配線基板200は、グラウンドプレーン211と電源プレーン231または232との中間層またはグラウンドプレーン271と電源プレーン251または252との中間層に必ずしも接続部材を形成しなくてもよい。配線基板200に適用可能な種々のEBG構造の単位セルについては、後述する。なお、A層210~G層270の各層の間隔、接続部材222、242、262の太さ、導体エレメント221の相互間隔、導体エレメント241の相互間隔および導体エレメント261の相互間隔などを調節することにより、抑制対象となる周波数帯域を所望の値に定めることができる。また、上述したように、繰り返し配列される導体エレメント221、241、261の相互間隔は、EBG構成の特性を定めるパラメータであり、それぞれ一定であることが望ましい。ただし、導体エレメント221の相互間隔と、導体エレメント241の相互間隔と、導体エレメント261の相互間隔とが必ずしも一致しなくてもよい。図14~図17で図示した導体エレメント221、241、261や接続部材222、252の形状や位置は一例であり、EBG構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。ただし、その形態の多くは、図6~図13で示した例の一部を組み合わせることによって、構成可能である。以下、図18~図21に示す例は、既に述べた変形例の組み合わせでは構成できない例について説明する。図18~図21は、導体エレメント221、241、261や接続部材222、242、262の形状や位置について例示する図である。なお、図18~図21は、単一の導体エレメント221、241、261に着目し、その周囲を拡大して図示している。図18~図21で例示する構造は、それぞれ単一または複数の単位セルを構成しており、配線基板200は、これらの単位セルのいずれか、または複数の組み合わせを備えるものとする。図18Aは、導体エレメント221、241、261の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント221、241、261は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は接続部材222、242、262に接続され、他端はオープン端であることを示している。図18Aでは前記伝送線路の形状が螺旋状の場合を図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図18B~Dは、図18Aで図示した断面線における導体エレメント221、241、261の周囲の断面図である。なお、図18B~Dのいずれにおいても、接続部材222と接続部材262とが同一の貫通ビアの一部として形成される。そして、上記貫通ビアがグラウンドプレーン211、271に接続され、電源プレーン231、232、251、252の開口を通過している。図18B~Dに示す構成では、前記貫通ビアが通過するために電源プレーン231または232と電源プレーン251または252に設けられた開口ごとに一つの導体エレメントが配置されており、各々の導体エレメントは、対向する電源プレーンと電気的に結合することで対向する電源プレーンをリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。また、前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。上述のように構成することによって、導体エレメント221、241、261が形成された層の数が、電源プレーン231、232、251、252が形成された層の数と等しく、図14の構成に比べて導体エレメントの数を減らしつつ前記第1、第2、第3の平行平板に対してオープンスタブ型のEBG構造を構成することができる。これにより、図14に示す構成と比べて導体エレメントの実装面積を減らすことができるため、配線の引き回し自由度が向上する。また、配線を形成する必要がない場合は、導体エレメントを配置していた層を削減することが可能になるため配線基板200を薄くすることができる。図18に示す構造においても、他のオープンスタブ型EBG構造と全く同様に、前記導体エレメント221、241または261を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント221、241または261と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント221、241または261を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。詳細には、図18Bは、配線基板200において導体エレメント261が形成されるF層260を省いても、A層210とG層270との間でEBG構造を構成する事例である。このとき、導体エレメント221はA層210よりC層230に近接しており、導体エレメント241はC層230よりE層250に近接している。図18Cは、配線基板200において導体エレメント241が形成されるD層240を省いても、A層210とG層270との間でEBG構造を構成する事例である。このとき、導体エレメント221はA層210よりC層230に近接しており、導体エレメント261はG層270よりE層250に近接している。図18Dは、図18Bで示す事例におけるB層220の位置を、C層230とD層240との中間層としている。このとき、導体エレメント221はD層240よりC層230に近接しており、導体エレメント241はB層220よりE層250に近接している。なお、図18A~Dを用いて、オープンスタブ型EBG構造を構成する例について説明したが、異なる形状の導体エレメント261を採用すれば、別の形態のEBG構造も採りうる。すなわち、図6Aと同様の形状の導体エレメント261を用いれば、マッシュルーム型EBG構造の変形例となり、図8Aと同様の形状の導体エレメント261を用いれば、インダクタンス増加型EBG構造の変形例となる。このような変形例の場合も、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図19Aは、グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252の中に形成された導体エレメント221、241、261の一例の上面図である。グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252は開口を有している。そして、導体エレメント221、241、261は、当該開口の中に形成される島状の導体と、当該島状の導体とグラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252とを接続するインダクタと、から構成される。なお、図19Aにおいて、当該インダクタは、当該島状の導体を螺旋状に囲うように図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図19Bは、図19Aで図示した断面線における導体エレメント221、241、261の周囲の断面図である。グラウンドプレーン211の中に導体エレメント221が形成され、電源プレーン251、252の中に導体エレメント241が形成されグラウンドプレーン271の中に導体エレメント261が形成されている。そして、グラウンドプレーン211導体エレメント221と、電源プレーン231、232と、電源プレーン251、252導体エレメント241と、グラウンドプレーン271と、が対向している。上述した図19の構造は、マッシュルーム型EBG構造を基本としており、マッシュルームのヘッド部分と軸部分が、グラウンドプレーン211、271、電源プレーン251の開口に設けられることによって、EBG構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材222、262を不要としている。詳細には、導体エレメント221、241、261を構成する前記島状の導体がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向するプレーンとの間でキャパシタンスを形成する。また、導体エレメント221、241、261を構成する前記インダクタがマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。図19の構造は、マッシュルーム型EBG構造と同様に、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体が配置された層を、キャパシタンスを形成する対向するプレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、前記島状の導体が配置された層を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図19Aに図示した導体エレメント221、241、261は、無孔の導体と対向することによって、EBG構造を構成することができる。従って、導体エレメント221は電源プレーン231上の無孔の領域と対向し、導体エレメント241は電源プレーン231上の無孔の領域と対向し、導体エレメント261は電源プレーン251上の無孔の領域と対向することが望ましい。このとき、導体エレメント241の位置と導体エレメント261の位置とは、平面視で不一致となる。また、導体エレメント221、241、261と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔開口が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。そして、図19で示す構成においても、導体エレメント221、241、261と信号線223、243、263とを同一層に形成することは可能であるが、これは、信号線223、243、263と、グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251とが接触しないことが前提となる。図20Aは、グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252の中に形成された導体エレメント221、241、261の一例の上面図である。グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252は開口を有している。そして、導体エレメント221、241、261は、当該開口の中に形成され、一端は開口の淵に接続され、他端は開口の淵に非接続であるオープン端である伝送線路である。なお、図20Aにおいて、当該伝送線路の形状は螺旋状として図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該伝送線路は、直線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図20Bは、図20Aで図示した導体エレメント221、241、261の周囲における配線基板200の断面図である。グラウンドプレーン211の中に導体エレメント221が形成され、電源プレーン251、252の中に導体エレメント241が形成されグラウンドプレーン271の中に導体エレメント261が形成されている。そして、グラウンドプレーン211導体エレメント221と、電源プレーン231、232と、電源プレーン251、252導体エレメント241と、グラウンドプレーン271導体エレメント261と、が対向している。上述の図20の構造は、オープンスタブ型のEBG構造を基本としており、オープンスタブとして機能する伝送線路がグラウンドプレーン211、271、電源プレーン251の開口に設けられることによってEBG構造を構成するために必要な層数を削減し、接続部材222、262を不要としている。詳細には、導体エレメント221、241、261が、それぞれ対向するプレーンと電気的に結合することでマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。図20に示す構造においても、他のオープンスタブ型EBG構造と全く同様に、前記導体エレメント221、241、261を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント221、241、261と対向するプレーンは近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント221、241、261を対向するプレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。なお、図20Aに図示した導体エレメント221、241、261は、無孔の導体と対向することによって、EBG構造を構成することができる。従って、導体エレメント221は電源プレーン231上の無孔の領域と対向し、導体エレメント241は電源プレーン231上の無孔の領域と対向し、導体エレメント261は電源プレーン251上の無孔の領域と対向することが望ましい。このとき、導体エレメント241の位置と導体エレメント261の位置とは、平面視で不一致となる。なお、導体エレメント221、241、261と対向する領域に、抑制対象の周波数帯域のノイズ波長より十分に小さい直径の孔開口が空いている場合でも、無孔と見なしてよい。また、図20で示す構成においても、導体エレメント221、241、261と信号線223、243、263とを同一層に形成することは可能であるが、これは、信号線223、243、263と、グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251とが接触しないことが前提となる。図21Aは、グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252の中に形成された導体エレメント221、241、261の一例の上面図である。導体エレメント221、241、261は、グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252の一部に形成される複数の島状の導体であって、隣接している島状の導体同士が電気的に接続されている。図21Bは、図21Aで図示した断面線における導体エレメント221、241、261の周囲の断面図である。グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252の中に形成された導体エレメント221、241、261が、各々と対向している。上述の図21の構造は、隣接する前記島状の導体間が電気的に結合することによりキャパシタンスを形成し、それら島状の導体を接続している接続部がインダクタンスを形成することでEBG構造として機能する。図21に示すEBG構造は、前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる並列共振回路の共振周波数がバンドギャップ帯域の中心周波数を与える。したがって、前記島状の導体間の間隔を小さくして、キャパシタンスを大きくする、または前記接続部の長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。なお、図21で示す構成においても、導体エレメント221、241、261と信号線223、243、263とを同一層に形成することは可能であるが、これは、信号線223、243、263と、グラウンドプレーン211、271または電源プレーン251、252とが接触しないことが前提となる。図19~図21では、電源プレーン231、232、251、252が形成される複数の層C層230、E層250のうち単一の層E層250に導体エレメント241が形成される事例を図示したが、二つの層C層230、E層250に導体エレメントが形成されてもよい。また、電源プレーンが形成される層が三つ以上である場合、三つ以上の層に導体エレメントが形成されてもよい。ここで、第2の実施形態の効果について説明する。本実施形態においては、電源プレーン231、232、251、252が形成される層の数が複数である配線基板200について説明した。そして、上述の構成によって、配線基板200は、第1の実施形態の配線基板100と同様に、また、A層210~F層260を伝播するノイズの漏洩を防ぐことができる。また、信号線223、243、263が、導体エレメント221、241、261と同一の層に配列されているので、より省スペースな配線を実現することができる。第3の実施形態図22は、第3の実施形態に係る配線基板300の上面図と断面図である。より詳細には、図22Aは配線基板300の上面図であり、図22Bは図22Aで示す断面線における配線基板300の断面図である。配線基板300は、互いに対向するA層310、B層320、C層330、D層340、E層350、F層360、G層370、H層380を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板300は、上述の8つの層以外の層を備えても構わない。また、配線基板300は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の8つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。配線基板300には、複数の貫通ビア382が繰り返し配列されている。なお、貫通ビア382は、配線基板300の最上面から最下面まで貫通するスルーホールの内面に導体が形成されることによって構成されている。A層310~G層370については、第1の実施形態で説明した事例のうち、貫通ビアを接続部材とし、当該貫通ビアがグラウンドプレーン111、171に接続する事例、具体的には図6G、図7G、図8F、図9D、図13B等で説明した構成のいずれかを適用した配線基板100におけるA層110~G層170と同様である。ただし、本実施形態において信号線が配置されるC層330は、グラウンドプレーンが位置するA層310と導体エレメントが位置するB層320の間に位置している。また、信号線が配置されるE層350は、導体エレメントが位置するF層360とグラウンドプレーンが位置するG層370の間に位置している。H層380は、グラウンドプレーン311上に積層された誘導体層であって、配線基板300の表面に露出している。また、H層380は、電子素子381が実装されている実装領域と、電子素子381を囲うように繰り返し配列される導体エレメント383とを備える。導体エレメント383は、それぞれ貫通ビア382のいずれかと接続し、配線基板300の表面に露出している。導体エレメント383の形状は一例、EBG構造を構成可能な範囲で多様な形態を採りうる。図23~図27は、導体エレメント383の形状を例示する図である。図23Aは、導体エレメント383の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント383は四角形であって、貫通ビア382に接続されている。図23Bは、図23Aで図示した断面線における導体エレメント383の周囲の断面図である。導体エレメント383は、グラウンドプレーン311に対向している。図24で説明する導体エレメント383は、上段に形成される導体エレメント384と、導体エレメント384より下段に形成される導体エレメント385とから成る。図24Aは、導体エレメント384の上面図である。ここで図示する導体エレメント384は四角形であって、貫通ビア382と非接続である。図24Bは、導体エレメント385の上面図である。ここで図示する導体エレメント385は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は貫通ビア382に接続され、他端はオープン端である。図24Cは、図24A、Bで図示した断面線における導体エレメント383導体エレメント384と導体エレメント385の周囲の断面図である。導体エレメント384と導体エレメント385とグラウンドプレーン311とは対向している。図25で説明する導体エレメント383は、導体エレメント384と、導体エレメント385とから成る。図25Aは、導体エレメント384の上面図である。ここで図示する導体エレメント384は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は貫通ビア382に接続され、他端はオープン端である。図25Bは、導体エレメント385の上面図である。ここで図示する導体エレメント385は四角形であって、貫通ビア382と非接続である。図25Cは、図25A、Bで図示した断面線における導体エレメント383導体エレメント384と導体エレメント385の周囲の断面図である。導体エレメント384と導体エレメント385とグラウンドプレーン311とは対向している。図26で説明する導体エレメント383は、導体エレメント384と、導体エレメント385とから成る。図26Aは、導体エレメント384の上面図である。ここで図示する導体エレメント384は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端は貫通ビア382に接続され、他端は導体エレメント385と接続部材386によって接続されている。図26Bは、導体エレメント385の上面図である。ここで図示する導体エレメント385は四角形であって、導体エレメント384と接続され、貫通ビア382とは導体エレメント384を介して接続されている。すなわち、直接貫通ビア382と導体エレメント385とは接続されていない。図26Cは、図26A、Bで図示した断面線における導体エレメント383導体エレメント384と導体エレメント385の周囲の断面図である。導体エレメント384と導体エレメント385とグラウンドプレーン311とは対向している。図27Aは、導体エレメント383の一例の上面図である。ここで図示する導体エレメント383は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵に接続され、他端は貫通ビア382に接続されるインダクタが形成されている。このインダクタの形状は螺旋状で図示しているが、その形状はこれに限らなくてもよい。例えば、当該インダクタは、折れ線状であってもよいし、ミアンダ状であってもよい。図27Bは、図27Aで図示した断面線における導体エレメント383の周囲の断面図である。導体エレメント383は、グラウンドプレーン311に対向している。なお、導体エレメント383は、図23~図27に示した形状以外にも、上述した特許文献2の図4に図示するような形状も採りうる。ここで第3の実施形態の効果について説明する。電子素子381からH層380を伝播する表面波の伝播を、導体エレメント383が配列されている領域で抑制することができる。また、第1の実施形態と同様に、A層310~G層370を伝播するノイズの漏洩を防ぐことができる。本第の実施形態では第1、第2の実施形態においてEBG構造を内層に構成するために設けた貫通ビアを利用することで表層にもEBG構造を構成することができる。このため、H層380の貫通ビア領域の面積を無駄にすることなく有効に利用することができる。なお、表面波とは導体プレーン上に誘電体が積層されている場合に、その構造自体が導波路として機能することによって伝播する電磁波のことをいう。また、ここでは配線基板100の貫通ビアを利用して表層にEBG構造を構成する場合について示したが、当然第2の実施形態で示した配線基板200において、貫通ビアを利用することでも全く同様に表層にEBG構造を構成することができる。第4の実施形態図28は、第4の実施形態に係る配線基板400の上面図と断面図である。より詳細には、図28Aは配線基板400の上面図であり、図28Bは図28Aで示す断面線における配線基板400の断面図である。配線基板400は、互いに対向するA層410、B層420、C層430、D層440、E層450、F層460、G層470、H層480を少なくとも備える多層基板である。なお、配線基板400は、上述の8つの層以外の層を備えても構わない。また、配線基板400は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の8つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。配線基板400には、複数の貫通ビア482が繰り返し配列されている。なお、貫通ビア482は、配線基板400の最上面から最下面まで貫通するスルーホールの内面に導体が形成されることによって構成されている。A層410~G層470については、第1の実施形態で説明した事例のうち、貫通ビアを接続部材とし、当該貫通ビアがグラウンドプレーン111、171に接続する事例、具体的には図6G、図7G、図8F、図9D、図13B等で説明した構成のいずれかを適用した配線基板100におけるA層110~G層170と同様である。ただし、本実施形態において信号線が配置されるC層430は、グラウンドプレーンが位置するA層410と導体エレメントが位置するB層420の間に位置している。また、信号線が配置されるE層450は、導体エレメントが位置するF層460とグラウンドプレーンが位置するG層470の間に位置している。H層480は、グラウンドプレーン411上に積層された誘導体層であって、配線基板400の表面に露出している。また、H層480は、電子素子481が実装されている実装領域と、電子素子481を囲うメタルキャップパッド483とを備える。メタルキャップパッド483は、貫通ビア482に接続されている。また、メタルキャップパッド483にはメタルキャップ484が接続され、電子素子481を覆っている。本実施形態において、配線基板400は、最上部の表面層であるH層480に位置し、電子素子481が実装されている実装領域と、H層480に設置され、電子素子481を覆っているメタルキャップ484とを備えることを説明した。しかし、配線基板400は、最下部の表面層に上記実装領域を備え、メタルキャップ484を設置してもよい。なお、ここで電子素子481を覆うとは、電子素子481を基準として全方位を覆うことが望ましい。しかし、メタルキャップ484には、抑制対象となる周波数帯域のノイズの波長より十分に短い直径の孔が単一または複数設けられてもよい。ここで、第4の実施形態の効果について説明する。本実施形態の配線基板400は、メタルキャップ484を備えるので、電子素子481から発生し空中を伝播するノイズを遮蔽することができる。また、メタルキャップパッド483が貫通ビア482に接続されているので、H層480を伝播するノイズ表面波を遮蔽することもできる。そして、第1の実施形態と同様に、A層410~G層470を伝播するノイズの漏洩を防ぐことができる。さらに、貫通ビア482によって占有されるH層400上の領域に、メタルキャップパッド483を設けて、メタルキャップ484を搭載するので、省スペース化を図ることもできる。なお、ここでは配線基板100の貫通ビアを利用して表層にEBG構造を構成する場合について示したが、当然第2の実施形態で示した配線基板200において、貫通ビアを利用することでも全く同様に表層にメタルキャップを構成することができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、第2~第4の実施形態では、配線基板の表面に電子素子が実装されていた。しかし、本発明の配線基板は、グラウンドプレーン第3導体と第4導体が形成される層第2の層と第3の層の中間層に、電子素子が実装されている実装領域を備えてもよい。ただし、この場合、配線基板は、ビルドアッププロセスで製造されるため、接続部材は非貫通のレーザビアであることが望ましい。また、上記の実施形態のいずれにおいても、電源プレーン第1導体は、物理的に完全に分離しているように図示しているが、これに限らない。すなわち、本発明の配線基板は、一の電源プレーンと他の電源プレーンとを物理的に接続する接続部等を備えてもよい。ただし、上記接続部は、絶縁体である必要がある。なお、当然ながら、上述した実施の形態および変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。この出願は、2010年3月8日に出願された日本特許出願特願2010-051079号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。