"受光面を有する光電変換部により生成した電荷に応じた信号を出力する複数の画素のうち、前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素を少なくとも1つ備える有効画素領域を含む画素部と、前記画素から出力された前記信号を前記受光面が遮光された光電変換部により生成した電荷に応じた信号に基づいて補正する補正部とを備えることを特徴とする撮像装置。請求項1に記載の撮像装置において、前記画素部は、黒基準信号を出力する画素を有するオプティカルブラック領域を含み、前記補正部は、前記有効画素領域の前記画素から出力された前記信号を、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された前記信号と前記オプティカルブラック領域の前記画素から出力された前記黒基準信号との差分値に基づいて補正することを特徴とする撮像装置。請求項2に記載の撮像装置において、前記オプティカルブラック領域の前記画素は、光電変換部を有しないことを特徴とする撮像装置。請求項2または3に記載の撮像装置において、前記オプティカルブラック領域は、受光面が遮光された光電変換部を有する画素を含み、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された前記信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択する選択部を有し、前記補正部は、前記有効画素領域の前記画素から出力された前記信号を、前記選択部により選択された信号と前記オプティカルブラック領域の前記画素から出力された前記黒基準信号との差分値に基づいて補正することを特徴とする撮像装置。請求項4に記載の撮像装置において、撮影条件を設定する設定部を有し、前記選択部は、前記設定部により設定された撮影条件に基づいて、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択することを特徴とする撮像装置。請求項5に記載の撮像装置において、前記設定部により設定される前記撮影条件と、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号または前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とを対応付けたテーブルを記憶する記憶部を有し、前記選択部は、前記テーブルを参照して、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択することを特徴とする撮像装置。請求項6に記載の撮像装置において、焦点距離が異なる複数の撮影用レンズが装着可能なレンズ装着部を有し、前記記憶部は、前記レンズ装着部に装着される前記撮影用レンズの焦点距離毎に定められる複数のテーブルが記憶され、前記選択部は、前記レンズ装着部に装着される撮影用レンズの焦点距離に応じて前記複数のテーブルのいずれかを参照して、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択することを特徴とする撮像装置。請求項1から7のいずれか一項に記載の撮像装置において、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号を前記有効画素領域の前記画素から出力された前記信号に基づいて補間する補間部を有することを特徴とする撮像装置。請求項1から8のいずれか一項に記載の撮像装置において、前記補正部は、前記有効画素領域の前記画素から出力された信号を前記有効画素領域の複数の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号の平均値に基づいて補正することを特徴とする撮像装置。請求項1から9のいずれか一項に記載の撮像装置において、前記有効画素領域は、複数のブロックに分割され、前記ブロック毎に前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素が配置されていることを特徴とする撮像装置。請求項10に記載の撮像装置において、前記選択部は、前記撮影条件に応じて前記複数のブロックのいずれかを選択し、当該ブロックの前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号を選択することを特徴とする撮像装置。請求項1から9のいずれか一項に記載の撮像装置において、前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素は、前記有効画素領域の中央部分に多く配置されることを特徴とする撮像装置。従来技術では、実際に画像を撮影する有効画素領域の画素ではなく、有効画素領域の周囲に配置されたオプティカルブラック領域の画素を用いて暗電流補正が行われていた。ところが、有効画素領域の周囲に配置されたPD有りOB画素の暗電流量と有効画素領域内の画素の暗電流量は、画素位置の違いや撮像素子の個体差などにより異なるため、補正過剰や補正不足になり、精度の高い暗電流補正を行うことができないという問題があった。この場合、撮像素子毎に暗電流補正値に係数を掛けて調整を行う方法も考えられるが、十分な精度を持った係数を求めるためには、製造時に撮像素子毎に数秒から数十秒の時間をかけて発生する暗電流量を実測しなければならず、コストの点で問題がある。上記課題に鑑み、本発明の目的は、精度の高い暗電流補正を行うことができる撮像装置を提供することである。本発明に係る撮像装置は、本発明に係る撮像装置は、受光面を有する光電変換部により生成した電荷に応じた信号を出力する複数の画素のうち、前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素を少なくとも1つ備える有効画素領域を含む画素部と、前記画素から出力された前記信号を前記受光面が遮光された光電変換部により生成した電荷に応じた信号に基づいて補正する補正部とを備えることを特徴とする。また、前記画素部は、黒基準信号を出力する画素を有するオプティカルブラック領域を含み、前記補正部は、前記有効画素領域の前記画素から出力された前記信号を、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された前記信号と前記オプティカルブラック領域の前記画素から出力された前記黒基準信号との差分値に基づいて補正することを特徴とする。特に、前記オプティカルブラック領域の前記画素は、光電変換部を有しないことを特徴とする。また、前記オプティカルブラック領域は、受光面が遮光された光電変換部を有する画素を含み、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された前記信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択する選択部を有し、前記補正部は、前記有効画素領域の前記画素から出力された前記信号を、前記選択部により選択された信号と前記オプティカルブラック領域の前記画素から出力された前記黒基準信号との差分値に基づいて補正することを特徴とする。さらに、撮影条件を設定する設定部を有し、前記選択部は、前記設定部により設定された撮影条件に基づいて、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択することを特徴とする。また、前記設定部により設定される前記撮影条件と、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号または前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とを対応付けたテーブルを記憶する記憶部を有し、前記選択部は、前記テーブルを参照して、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択することを特徴とする。また、焦点距離が異なる複数の撮影用レンズが装着可能なレンズ装着部を有し、前記記憶部は、前記レンズ装着部に装着される前記撮影用レンズの焦点距離毎に定められる複数のテーブルが記憶され、前記選択部は、前記レンズ装着部に装着される撮影用レンズの焦点距離に応じて前記複数のテーブルのいずれかを参照して、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号と前記オプティカルブラック領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号とのいずれか一方を選択することを特徴とする。さらに、前記有効画素領域の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号を前記有効画素領域の前記画素から出力された前記信号に基づいて補間する補間部を有することを特徴とする。特に、前記補正部は、前記有効画素領域の前記画素から出力された信号を前記有効画素領域の複数の前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号の平均値に基づいて補正することを特徴とする。また、前記有効画素領域は、複数のブロックに分割され、前記ブロック毎に前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素が配置されていることを特徴とする。さらに、前記選択部は、前記撮影条件に応じて前記複数のブロックのいずれかを選択し、当該ブロックの前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素から出力された信号を選択することを特徴とする。特に、前記受光面が遮光された光電変換部を有する画素は、前記有効画素領域の中央部分に多く配置されることを特徴とする。本発明に係る撮像装置は、有効画素領域内に遮光画素を配置して暗電流補正に使用することにより、精度の高い暗電流補正を行うことができる。以下、本発明に係る撮像装置の実施形態として電子カメラ101に適用する例について説明する。[電子カメラ101の構成例]図1は、各実施形態に共通の電子カメラ101の構成例を示すブロック図である。図1において、電子カメラ101は、光学系102と、メカニカルシャッタ103と、撮像素子104と、ADCA/D変換器105と、信号処理部106と、画像バッファ107と、制御部108と、TGタイミングジェネレータ109と、メモリ110と、表示部111と、メモリカードIFインターフェース112と、操作部113とで構成される。図1において、光学系102に入射される被写体光は、メカニカルシャッタ103が開くと撮像素子104の受光面に結像される。ここで、光学系102は、ズームレンズやフォーカスレンズなどの複数枚のレンズおよびレンズ駆動機構や絞り102aなどで構成され、制御部108からの指令に応じて、ズームレンズ位置やフォーカスレンズ位置、或いは絞り値などが制御される。撮像素子104は、例えばCMOS型固体撮像素子で構成される。例えば図2に示すように、撮像素子104は、画素部201と、走査部202と、水平出力部203とで構成される。画素部201には、受光面にフォトダイオードを有する複数の画素が二次元状に配置されている。そして、走査部202は、TG109が出力するタイミング信号に応じて、画素部201から行単位で各画素から信号を水平出力部203に読み出すためのタイミング信号と、水平出力部203に読み出された1行分の信号を1画素ずつ外部に出力するためのタイミング信号とを出力する。このようにして読み出された各画素の信号を走査部202のタイミング信号に応じて列順に1行分の信号を外部に出力する水平出力部203とで構成される。ADC105は、撮像素子104から読み出されるアナログ信号を例えば10ビット階調のデジタル信号に変換して信号処理部106に出力する。信号処理部106は、信号処理用のASICなどで構成され、暗電流補正部161と、遮光画素補間部162と、画像処理部163とで構成される。暗電流補正部161は、ADC105から入力する画像信号の暗電流を補正する処理を行う。遮光画素補間部162は、暗電流補正部161で暗電流補正を行う際に使用する遮光画素の画像信号を周辺画素の画像信号から補間する。画像処理部163は、一般的なカメラで行われているホワイトバランス処理、色補間処理、ガンマ補正処理などを行う。尚、暗電流補正部161および遮光画素補間部162については後で詳しく説明する。画像バッファ107は、ADC105が出力する画像信号を一時的に記憶する。また、画像処理を行う際の処理用バッファとしても使用される。制御部108は、例えば内部に記憶されたプログラムに従って動作するCPUで構成され、電子カメラ101全体の動作を制御する。例えば制御部108は、操作部113の撮影モード選択ダイヤル113cや感度選択ダイヤル113dおよびレリーズボタン113bの操作に応じて、電子カメラ101の撮影モードを設定する。また、露出制御部151は、撮像素子104の出力または専用の測光センサを搭載している場合は測光センサの出力から被写体の明るさを検出して露出計算を行い、撮影モードに応じて光学系102の絞り値やメカニカルシャッタ103の開閉時間シャッター速度を決定する。そして、露出制御部151は、レリーズボタン103bが押下されると、メカニカルシャッタ103を決定したシャッター速度で開閉して撮像素子104で撮像した1画面分の画像データをADC105および信号処理部106を介して画像バッファ107に取り込む。また、制御部108は、画像バッファ107に記憶された撮影画像を表示部110に表示したり、メモリカードIF112に接続されたメモリカード112aに保存する処理を行う。特に本実施形態では、制御部108は、暗電流補正用画素選択部152を有する。暗電流補正用画素選択部152は、露出制御部151から撮影秒時、絞り値、感度などの撮影条件に関する情報を取得して、信号処理部106の暗電流補正部161で使用する暗電流補正画素を選択し、暗電流補正部161に出力する。TG109は、制御部108の指令に応じて撮像素子104から信号を読み出すためのタイミング信号を出力する。また、TG109は、撮像素子104から読み出される信号に同期しながらADC105や信号処理部106が動作するためのタイミング信号を出力する。メモリ110は、例えばフラッシュメモリなどの不揮発性の半導体メモリで構成される。メモリ110には電子カメラ101の撮影モードや露出情報,フォーカス情報などのパラメータが記憶され、制御部108はこれらのパラメータを参照して電子カメラ101の各機能を制御する。特に本実施形態では、撮影秒時、絞り値、感度例えばISO感度に応じて暗電流補正に使用する画素が記載されたテーブル251がメモリ110に予め記憶されている。尚、メモリ110に記憶されているパラメータは、操作部113を介して行われるユーザー操作やメーカーの保守などで適宜更新される。表示部111は、液晶モニタなどで構成される。表示部111には、制御部108によって撮影画像や電子カメラ101の操作に必要な設定メニューの画面などが表示される。メモリカードIF112は、電子カメラ101にメモリカード112aを接続するためのインターフェースである。そして、制御部108はメモリカードIF112を介してメモリカード112aに撮影画像を保存する。操作部113は、電源ボタン103a、レリーズボタン103b、撮影モード選択ダイヤル103c、感度選択ダイヤル103d、カーソルボタン103eなどで構成される。ユーザーは、これらの操作ボタンを操作して電子カメラ101を使用する。例えば撮影モードダイヤル103cは、絞り優先撮影やシャッタ速度優先あるいはマニュアルによる絞り値やシャッタ速度の設定などを行う。或いは感度選択ダイヤル103dは、ISO感度の選択を行う。カーソルボタン103eは、表示部111に表示されるメニュー画面上に表示されるカーソルを操作する時に使用するボタンである。尚、これらの操作部113の操作情報は制御部108に出力され、制御部108は操作部113から入力する操作情報に応じて電子カメラ101全体の動作を制御する。以上が電子カメラ101の構成および基本動作である。ここで、暗電流について説明する。暗電流は、CMOS型固体撮像素子のフォトダイオードPDにおいて発生するノイズである。フォトダイオードは入射する光量に応じた電荷を蓄積する光電変換部で、明るい光が入射した時は出力が大きくなり、遮光された時は原理的に出力が零になる。ところが、遮光された状態であっても素子の熱雑音によって暗電流が発生し、撮影秒時が長い場合や温度が高い場合に暗電流の発生量が増加する。尚、撮影秒時が短い場合には暗電流の影響は目立たないが、撮影秒時が長い場合には暗電流の発生量が多くなるので目立ち易くなる。そこで、暗電流を除去するための暗電流補正が行われる。従来の暗電流補正方法は、例えば、フォトダイオードが無い画素PD無しOB領域の画素と、有効画素領域の画素と全く同じフォトダイオードを有する画素PD有りOB領域の画素との差分発生する暗電流分に相当を求め、有効画素領域の画素の信号から暗電流分を減算する。ここで、ダミー画素は、有効画素領域の画素に対して、フォトダイオード以外の回路は増幅や読み出し回路などは全く同じである。本実施形態に係る電子カメラ101では、有効画素領域内に遮光画素を設け、暗電流量が多い撮影条件の場合に、この遮光画素とPD無しOB領域の画素の出力信号の差分を求めて暗電流補正に使用する。[撮像素子104の画素部201の構成]次に、図2で説明した撮像素子104の画素部201の構成について図3を用いて詳しく説明する。図3の例では、画素部201はN行M列の画素配列で構成される。そして、1行目から4行目までは画像撮影に使用しないオプティカルブラック領域OB領域210で、5行目からN行目までは画像撮影に使用する有効画素領域211である。さらに、OB領域210は、PD無しOB領域212図3の例では1行目と2行目と、PD有りOB領域213図3の例では3行目と4行目とを有する。尚、図3ではわかり易いように、OB領域210を有効画素領域211の上部のみに配置する例を示したが、有効画素領域211の上部、下部、左部、右部などの周囲に配置される場合もある。さらに、本実施形態に係る撮像素子104の画素部201は、有効画素領域211の中に少なくとも1つの遮光画素214を有することが特徴である。図3の例では、遮光画素214は、画素Pn,m、画素Pn2,m、画素Pn,m2、画素Pn2,m2のように4つの画素を1つのグループとして、有効画素領域211の中央部分に4つのグループ16個の遮光画素214が配置されている。ここで、各画素座標はP行,列で表記する。また、特定の遮光画素を指定しない場合は遮光画素214と称する。尚、画素Pn,mと画素Pn2,mの間の画素Pn1,mは、遮光画素ではなく通常の撮影用のPD有り画素である。その他の各遮光画素についても、周囲は通常の撮影用のPD有り画素である。そして、本実施形態に係る電子カメラ101では、OB領域210のPD有りOB領域212の画素信号ではなく、有効画素領域211の遮光画素214の画素信号を用いて暗電流成分を求めて暗電流補正を行う。これにより、画素位置の違いによる補正過剰や補正不足を少なくすることができ、精度の高い暗電流補正を行うことができる。[電子カメラ101の撮影処理]次に、本実施形態に係る電子カメラ101の撮影処理について、図4のフローチャートを用いて説明する。尚、図4のフローチャートは、制御部108を構成するCPUの内部またはメモリ110に予め記憶されたプログラムに従って実行される処理である。また、図4のフローチャートを実行する前に、ユーザーは操作部113の電源ボタン113aを押下して電子カメラ101の電源を投入し、制御部108はメモリ110に予め記憶されているパラメータを読み出して電子カメラ101の初期設定を完了した状態にあるものとする。そして、ユーザーが操作部113の感度設定ダイヤル113dで撮影する際のISO感度を選択し、撮影モード選択ダイヤル113cで撮影モードを選択すると、制御部108は撮影処理を開始する。ステップS101制御部108は、操作部113のレリーズボタン113bが押下されたか否かを判別する。そして、レリーズボタン113bが押下された場合はステップS102に進み、レリーズボタン113bが押下されていない場合はステップS101で待機する。ステップS102制御部108は、露出制御部151が求めた絞り値およびシャッター速度を用いて、光学系102の絞り102aを設定し、さらにメカニカルシャッタ102を開閉して、撮像素子104で露光を行う露光処理。ステップS103制御部108は、TG109に指令して、撮像素子104から全行の読み出しを行い、画像バッファ107に一時的に記憶する。この時、図3で説明したように、OB領域210を含めて1行目からN行目までの全行の読み出しを行う読み出し処理。ステップS104信号処理部106の暗電流補正部161は、画像バッファ107に取り込まれた1画面分の画像データを用いて、有効画素領域211の遮光されていない画素撮影用画素の値から有効画素領域211内の遮光画素214の値を減算して暗電流成分を除去する暗電流補正処理。尚、複数の遮光画素214がある場合は、これらの平均値を求めて各撮影用画素から減算するようにしてもよい。ステップS105信号処理部106の遮光画素補間部162は、有効画素領域211内の遮光画素214の値を周辺画素の値から補間する遮光画素補間処理。遮光画素214は欠陥画素と同じなので、例えば図3の場合、遮光画素214の画素Pn,mの画素位置の画像信号は、画素Pn,mの周辺の遮光されていない画素の信号から補間する。周辺画素の値を重み付けするなど様々な補間方法が考えられるが、簡単な例を挙げると、画素Pn,mの左右の画素Pn,m-1と画素Pn,m1の平均値を画素Pn,mの画像信号とする。他の遮光画素214についても同様に補間処理を行って、遮光画素214位置の画像信号を得ることができる。尚、図3の例では、画素部201の全ての画素を撮影画像に用いるようにしたが、高解像度の撮像素子104の場合は、1行置きの画像信号で撮影を行うことも可能であり、遮光画素214が配置された行を撮影画像に利用しないようにすることができる。この場合は、ステップS105の補間処理は不要である。ステップS106ステップS105までの処理で暗電流補正が終了した画像データが画像バッファ107に保持されているので、画像処理部163は、この画像データに対してホワイトバランス処理やガンマ処理或いは色補間処理などを行った後、メモリカードIF112に装着されているメモリカード112aに処理後の画像データを保存する記録処理。このようにして、本実施形態に係る電子カメラ101は、有効画素領域211の周囲に配置されたOB領域210の画素ではなく、実際に画像を撮影する有効画素領域211に配置された遮光画素214を用いて暗電流補正を行うので、画素位置の違いなどによる補正過剰や補正不足が少なくなり、精度の高い暗電流補正を行うことができる。[変形例1]次に、電子カメラ101の実施形態の変形例1について説明する。先の実施形態では、暗電流補正部161は、有効画素領域211の撮影用画素の値から有効画素領域211内の遮光画素214の値を直接減算して暗電流成分を除去した。これに対して、本変形例1では、図5に示したPD無しOB領域212の画素212aの画素値黒レベルを基準にして暗電流成分を求め、有効画素領域211の撮影用画素の値から暗電流成分を除去する。尚、図5は図3に対応する図である。また、図5において、PD無しOB領域212の画素212aは、2行目の中央部分の複数の画素が含まれるものとし、これらの画素の平均値を黒レベルとする。そして、有効画素領域211内の遮光画素214の値と黒レベルとの差分を求める。この差分が暗電流成分である。さらに、求めた暗電流成分を有効画素領域211の撮影用画素の値から減算することにより暗電流補正を行う。尚、複数の遮光画素214がある場合は、これらの平均値を求めて遮光画素214の値とし、黒レベルとの差分を求める。次に、本変形例1に係る電子カメラ101の撮影処理について、図6のフローチャートを用いて説明する。尚、図6のフローチャートは、制御部108を構成するCPUの内部またはメモリ110に予め記憶されたプログラムに従って実行される処理である。また、図6のフローチャートにおいて、図4のフローチャートと同じステップ番号の処理は同じものを示す。本変形例1では、図4のステップS104の代わりにステップS151およびステップS152を実行する。ここで、レリーズボタン113bが押下されて露光処理を行った後、撮像素子104から画像バッファ107に取り込むまでの処理ステップS101からステップS103までの処理は図4のフローチャートと同じである。以下、図4のフローチャートと異なる処理についてのみ説明する。ステップS151信号処理部106の暗電流補正部161は、画像バッファ107に取り込まれた1画面分の画像データを用いて、有効画素領域211内の遮光画素214の値とOB領域210のPD無しOB領域212の画素の値との差分を求める暗電流補正処理A。尚、遮光画素214およびPD無しOB領域212の画素がそれぞれ複数画素ある場合は、これらの平均値を求める。ステップS152信号処理部106の暗電流補正部161は、有効画素領域211の遮光されていない画素撮影用画素の値からステップS151で求めた暗電流成分に相当する差分値を減算して暗電流成分を除去する暗電流補正処理B。このようにして、暗電流補正を行った後、ステップS105の遮光画素補間処理を行い、ステップS106で撮影画像をメモリカード112aに保存する記録処理。このようにして、本変形例1に係る電子カメラ101は、有効画素領域211の周囲に配置されたOB領域210のPD有りOB領域213の画素ではなく、実際に画像を撮影する有効画素領域211に配置された遮光画素214を用いて暗電流成分を求めて暗電流補正を行うので、画素位置の違いなどによる補正過剰や補正不足が少なくなり、精度の高い暗電流補正を行うことができる。[変形例2]次に、電子カメラ101の実施形態の変形例2について説明する。先の変形例1では、暗電流補正部161は、有効画素領域211の周囲に配置されたOB領域210のPD有りOB領域213の画素ではなく、実際に画像を撮影する有効画素領域211に配置された遮光画素214を用いて暗電流成分を求め、暗電流補正を行っていた。これに対して、本変形例2では、先の変形例1による暗電流成分の求め方と、従来方式による暗電流成分の求め方とを予め設定された露出条件によって選択する。これにより、変形例1の方式と従来方式の特徴を活かした精度の高い暗電流補正を行うことができる。具体的には、制御部108の暗電流補正用画素選択部152は、PD無しOB領域212の画素212aとの差分暗電流成分を求める際の対象画素をOB領域210のPD有りOB領域213の画素213aとするか、有効画素領域211の遮光画素214とするかを予め設定された露出条件によって選択する。そして、信号処理部106の暗電流補正部161は、暗電流補正用画素選択部152が選択した対象画素とPD無しOB領域212の画素212aとの差分を求めて暗電流補正を行う。ここで、予め設定された露出条件について説明する。先の変形例1の場合、OB領域210におけるPD有りOB領域213の画素と有効画素領域211の撮像用画素との暗電流が同じであれば問題はないが、OB領域210は有効画素領域211の周囲にあるので有効画素領域211の中央部分とは画素位置が離れており、画素位置の違いなどによる暗電流量にばらつきが生じることが知られている。そこで、先の変形例1では、有効画素領域211内の撮像用画素に近い位置に遮光画素214を配置し、遮光画素214の出力信号を用いて暗電流補正を行うようにした。この場合、遮光画素214は、撮影画像に対して欠陥画素と同じ影響を与えるので、できるだけ影響が少ないように例えば1画素単位で孤立して有効画素領域211に配置する必要がある。ところが、遮光画素214周辺の撮像用画素には被写体からの光が入射するので、特に光学系102の絞り値が小さく、光学系102の焦点距離が短い場合射出瞳位置が短い場合は、遮光画素214の周辺画素からの斜入射光による漏光が問題になる可能性がある。また、有効画素領域211の遮光画素214の数を多くすると撮影画像に影響を与えるため、遮光画素214の数はあまり多くできない。このため、複数の遮光画素214の平均値を用いたとしてもノイズなどによる出力値の変動の影響を受け易くなるという問題もある。そこで、本変形例2に係る電子カメラ101では、撮影秒時、絞り値、ゲインなどの露出条件に応じて有効画素領域211の遮光画素214の値を用いて暗電流成分を求めるか、OB領域210のPD有りOB領域213の画素213aの値を用いて暗電流成分を求めるかを選択する。具体的には、発生する暗電流量が少なくノイズの影響を受け易い短秒時撮影、斜入射が懸念される絞り値が大きい場合、ゲインが小さい場合などの露出条件では、従来と同様に、OB領域210のPD有りOB領域213の画素213aの値とPD無しOB領域212の画素212aの値の差分を利用して暗電流補正を行う。逆に、発生する暗電流量が多くノイズの影響を受けにくい長秒時撮影、斜入射の心配が少ない絞り値が小さい場合、ゲインが大きい場合などの露出条件では、変形例1と同様に、有効画素領域211の遮光画素214の値とPD無しOB領域212の画素212aの値の差分を利用して暗電流補正を行う。図8は、撮影秒時シャッタ速度T、絞り値F値、ISO感度に応じて、PD無しOB領域212の画素と差分を求める相手の画素画素Aまたは画素Bを選択するためのテーブル251の一例である。テーブル251において、画素AはOB領域210のPD有りOB領域213の画素を示し、画素Bは有効画素領域211の遮光画素214を示す。テーブル251の例では、シャッタ速度Tが遅く、ISO感度が大きく、さらに絞り102aのF値が小さい場合、有効画素領域211の遮光画素214を用いる。例えばISO感度が400でシャッタ速度が30秒以上の場合は、絞り102aのF値が2.8未満の場合は画素APD有りOB領域213の画素を用い、F値が2.8以上の場合は画素B有効画素領域211の遮光画素214を用いる。このように、斜入射やノイズなどの影響が懸念される露出条件の場合はOB領域210のPD有りOB領域213の画素213aの値を利用して従来と同じ暗電流補正を行い、斜入射やノイズなどの影響が心配が少ない露出条件の場合は有効画素領域211の遮光画素214の値を利用して精度の高い暗電流補正を行う。これにより、変形例1の特徴を維持すると共に、斜入射やノイズなどの影響を受けずに安定した高精度の暗電流補正を行うことができる。次に、本変形例2に係る電子カメラ101の撮影処理について、図9のフローチャートを用いて説明する。尚、図9のフローチャートは、制御部108を構成するCPUの内部またはメモリ110に予め記憶されたプログラムに従って実行される処理である。また、図9のフローチャートにおいて、図4および図6のフローチャートと同じステップ番号の処理は同じものを示す。本変形例1では、図4のステップS104の代わりにステップS161、ステップS162およびステップS163を実行する。ここで、レリーズボタン113bが押下されて露光処理を行った後、撮像素子104から画像バッファ107に取り込むまでの処理ステップS101からステップS103までの処理は図4のフローチャートと同じである。以下、図4のフローチャートと異なる処理についてのみ説明する。ステップS161制御部108の暗電流補正用画素選択部152は、露出制御部151が求めた撮影時の露出条件に応じて、PD無しOB領域212の画素212aとの差分暗電流成分を求める際の対象画素を選択する選択処理。具体的には、暗電流補正用画素選択部152は、有効画素領域211の遮光画素214またはOB領域210のPD有りOB領域213の画素213aを選択し、信号処理部106の暗電流補正部161に出力する。尚、露出制御部151は、レンズの焦点距離などの情報は光学系102から取得し、ISO感度の情報は操作部113の感度設定ダイヤル113dで設定された値から取得する。また、絞り値や撮影秒時は、撮像素子104の出力または専用の測光センサを搭載している場合は測光センサの出力から被写体の明るさを検出して露出計算を行い、撮影モード選択ダイヤル113cで選択された撮影モードスポーツ、ポートレート、夜景などに応じて決定された絞り値やシャッタ速度撮影秒時の情報を用いる。ステップS162ステップS161で選択された対象画素の値とOB領域210のPD無しOB領域212の画素の値との差分を求める暗電流補正処理A。尚、遮光画素214およびPD無しOB領域212の画素がそれぞれ複数画素ある場合は、これらの平均値を求める。ステップS163信号処理部106の暗電流補正部161は、有効画素領域211の遮光されていない画素撮影用画素の値からステップS162で求めた暗電流成分に相当する差分値を減算して暗電流成分を除去する暗電流補正処理B。暗電流補正を行った後、図4および図6のフローチャートと同様に、ステップS105の遮光画素補間処理を行い、ステップS106で撮影画像をメモリカード112aに保存する記録処理。このようにして、本変形例2に係る電子カメラ101は、露出条件に応じて、暗電流を求める際にOB領域210のPD無しOB領域212の画素と差分を求める相手の画素を選択するので、斜入射やノイズなどの影響が懸念される露出条件の場合はOB領域210のPD有りOB領域213の画素213aの値を利用して従来と同じ暗電流補正を行い、斜入射やノイズなどの影響が心配が少ない露出条件の場合は有効画素領域211の遮光画素214の値を利用して精度の高い暗電流補正を行うことができる。これにより、変形例1の特徴を維持すると共に、斜入射やノイズなどの影響を受けずに安定した高精度の暗電流補正を行うことができる。尚、上記の説明では、暗電流補正用画素選択部152が露出条件に応じて暗電流補正に使用する画素を選択するテーブル251は1種類だけを用いたが、複数のテーブルを切り替えるようにしてもよい。例えば、光学系102が一眼レフカメラのようにレンズ交換が可能な場合、暗電流補正用画素選択部152は電子カメラ101に装着されているレンズの焦点距離に関する情報を光学系102から取得して、図10に示すように、焦点距離毎に最適化されたテーブル251を選択し、暗電流補正に使用する画素を切り替えるようにしてもよい。図10の例では、テーブル251として、焦点距離が28mm、35mm、70mm、135mmおよび200mmに対するそれぞれのテーブル251a、テーブル251b、テーブル251c、テーブル251dおよびテーブル251eが設けられている。尚、短焦点レンズはなく、ズームレンズが搭載されている場合でも焦点距離に応じてテーブル251を切り替えるようにしてもよい。さらに、有効画素領域211に遮光画素214を配置することにより、遮光画素214の位置に依らず上記の各実施形態で説明した効果は得られるが、遮光画素214の配置を工夫することにより、より一層効果的に暗電流補正を行うことができる。例えば、有効画素領域211を複数の領域に分け、それぞれの領域に遮光画素214を配置する。図11aの例では、有効画素領域上211a、有効画素領域中211bおよび有効画素領域下211cの3つのブロックに分け、各ブロックに遮光画素214を配置している。そして、撮影秒時に応じてどのブロックの遮光画素214を選択するかを切り替える。例えば撮影秒時が短い場合は有効画素領域上211aの遮光画素214を選択してOB領域210のPD有りOB領域213の画素との差分を求めて暗電流補正する。撮影秒時が長い場合は有効画素領域下211cの遮光画素214を選択してOB領域210のPD有りOB領域213の画素との差分を求めて暗電流補正する。これらの間の撮影秒時の場合は、有効画素領域中211bの遮光画素214を選択してOB領域210のPD有りOB領域213の画素との差分を求めて暗電流補正する。或いは、図11bに示すように、有効画素領域211の中央部分に遮光画素214を配置してもよい。これにより、有効画素領域211内の平均的な代表値を得ることができ、ばらつきを抑えることができる。このようにして、上記の各実施形態に係る電子カメラ101は、有効画素領域211に遮光画素214を配置して、遮光画素214の値を用いて暗電流補正を行うことにより、精度の高い暗電流補正を行うことができる。以上、本発明に係る撮像装置について、各実施形態で例を挙げて説明してきたが、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく他の多様な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、本発明は明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。"