気密封止が必要な光学部品1と、前記光学部品1を保持する金属製ホルダ2と、前記金属製ホルダ2に接合された吸熱面3aから吸熱し前記吸熱面3aと反対側に位置する放熱面3bから放熱するサーモモジュール3と、前記光学部品1及び前記金属製ホルダ2及び前記サーモモジュール3を気密に封止し且つフラックスレスSn91-Zn9半田5で前記サーモモジュール3の放熱面3bが接合された内面領域4bを有する気密封止パッケージ4と、前記気密封止パッケージ4内の空間に充填された酸素フリーの不活性ガス7とを具備したことを特徴とする気密封止光学デバイス100。請求項1に記載の気密封止光学デバイス100において、前記金属製ホルダ2と前記サーモモジュール3の吸熱面3aとを、前記フラックスレスSn91-Zn9半田5よりも融点の低いフラックスレス半田6で接合したことを特徴とする気密封止光学デバイス100。光学部品と、その光学部品を保持する金属製ホルダと、その金属製ホルダに接合された吸熱面から吸熱しその吸熱面と反対側に位置する放熱面から放熱するサーモモジュールと、光学部品及び金属製ホルダ及びサーモモジュールを気密に封止し且つフラックスレスSn91-Zn9半田でサーモモジュールの放熱面が接合された内面領域を有する気密封止パッケージと、その気密封止パッケージ内の空間に充填された微量の酸素を含有する不活性ガスとを具備した光学デバイスにおいて、長期試験の結果、フラックスレスSn91-Zn9半田が酸化し、品質低下を起こす場合があることが判った。他方、光学部品及び金属製ホルダ及びサーモモジュールを気密に封止しないで、長期試験を行った結果、フラックスレスSn91-Zn9半田の酸化を生じないことが判った。しかし、光学部品が、例えば導波路型波長変換素子のように気密封止が必要な光学部品の場合、気密に封止しない訳にいかず、フラックスレスSn91-Zn9半田の酸化が問題となっていた。そこで、本発明の目的は、気密封止パッケージ内のフラックスレスSn91-Zn9半田の酸化を抑制することが出来る気密封止光学デバイスを提供することにある。第1の観点では、本発明は、気密封止が必要な光学部品1と、前記光学部品1を保持する金属製ホルダ2と、前記金属製ホルダ2に接合された吸熱面3aから吸熱し前記吸熱面3aと反対側に位置する放熱面3bから放熱するサーモモジュール3と、前記光学部品1及び前記金属製ホルダ2及び前記サーモモジュール3を気密に封止し且つフラックスレスSn91-Zn9半田5で前記サーモモジュール3の放熱面3bが接合された内面領域4bを有する気密封止パッケージ4と、前記気密封止パッケージ4内の空間に充填された酸素フリーの不活性ガス7とを具備したことを特徴とする気密封止光学デバイス100を提供する。上記第1の観点による気密封止光学デバイスでは、長期試験の結果、光学部品及び金属製ホルダ及びサーモモジュールを気密に封止した状態で、フラックスレスSn91-Zn9半田の酸化を生じないことが判った。そして、光学部品及び金属製ホルダ及びサーモモジュールを気密に封止するため、光学部品などを埃や湿気などから守ることが出来た。第2の観点では、本発明は、前記第1の観点による気密封止光学デバイスにおいて、前記金属製ホルダ2と前記サーモモジュール3の吸熱面3aとを、前記フラックスレスSn91-Zn9半田5よりも融点の低いフラックスレス半田6で接合したことを特徴とする気密封止光学デバイス100を提供する。上記第2の観点による気密封止光学デバイス100では、サーモモジュール3の放熱面3bを気密封止パッケージ4の内面領域4bに半田付けした後、サーモモジュール3の吸熱面3aに金属製ホルダ2を半田付けする際、先に半田付けしたフラックスレスSn91-Zn9半田5が溶けてしまうことを回避できる。本発明の気密封止光学デバイスによれば、長期試験の結果、気密に封止した状態で、フラックスレスSn91-Zn9半田の酸化を生じないことが判った。そして、光学部品及び金属製ホルダ及びサーモモジュールを気密に封止するため、光学部品などを埃や湿気などから守ることが出来た。以下、図に示す実施例により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。-実施例1-図1は、実施例1に係る気密封止光学デバイス100を示す一部破断側面図である。この気密封止光学デバイス100は、気密封止が必要な導波路型波長変換素子1と、波長変換素子1を保持する金属製ホルダ2と、金属製ホルダ2に接合された吸熱面3aから吸熱し吸熱面3aと反対側に位置する放熱面3bから放熱するサーモモジュール3と、波長変換素子1及び金属製ホルダ2及びサーモモジュール3を気密に封止する気密封止パッケージ4と、サーモモジュール3の放熱面3bを気密封止パッケージ4の内面領域4bに接合するフラックスレスSn91-Zn9半田5と、サーモモジュール3の吸熱面3aに金属製ホルダ2を接合するフラックスレスSn42-Bi58半田6と、気密封止パッケージ4内の空間に充填された酸素フリーの不活性ガス7とを具備している。導波路型波長変換素子1は、例えば周期的分極反転構造を形成したタンタル酸リチウム結晶である。金属製ホルダ2は、例えばコバール製である。サーモモジュール3の外面は例えばアルミナ製であり、吸熱面3aと放熱面3bには金メッキが施されている。気密封止パッケージ4は、例えばコバール製であり、環境温度の変化による部品の結露などを防止するため窒素雰囲気中でシーム溶接あるいはOリングあるいは半田付けなどの手法を用いて気密封止されている。リーク量は、例えば1010Pam3/s以下である。フラックスレスSn91-Zn9半田5の融点は198°Cであり、サーモモジュール3の内部の半田より低融点であるため、フラックスレスSn91-Zn9半田5で半田付けする際、サーモモジュール3の内部の半田が溶けてしまうことを回避できる。フラックスレスSn42-Bi58半田6の融点は139°Cであり、フラックスレスSn91-Zn9半田5より低融点であるため、サーモモジュール3の放熱面3bを気密封止パッケージ4の内面領域4bにフラックスレスSn91-Zn9半田5で半田付けした後、サーモモジュール3の吸熱面3aに金属製ホルダ2をフラックスレスSn42-Bi58半田6で半田付けする際、先に半田付けしたフラックスレスSn91-Zn9半田5が溶けてしまうことを回避できる。フラックスレスSn91-Zn9半田5およびフラックスレスSn42-Bi58半田6を用いるため、フラックス成分の飛散による部品の汚染を防止できる。酸素フリーの不活性ガス7は、例えば酸素含有濃度が0.05volppm以下のヘリウムガスである。ヘリウムガスは、トレーサガスとして、高精度なファインリーク測定とグロスリーク測定による気密性の確認に適している。実施例1に係る気密封止光学デバイス100によれば、気密に封止した状態でも、フラックスレスSn91-Zn9半田5の酸化を生じない。そして、導波路型波長変換素子1及び金属製ホルダ2及びサーモモジュール3を気密に封止するため、導波路型波長変換素子1などを埃や湿気などから守ることが出来る。