"基体の表面に施された第1の銀層と、半導体素子の表面に施された第2の銀層とが接合された半導体装置であって、前記基体と前記第1の銀層との間に第1の下地層が配置され、前記半導体素子と前記第2の銀層との間に第2の下地層が配置され、前記第1の下地層および前記第2の下地層が、それぞれ独立して、チタン、白金、金およびルテニウムからなる群から選択される金属から形成され、前記第1の銀層と前記第2の銀層との界面に、少なくとも1つの銀の異常成長粒が存在することを特徴とする半導体装置。前記第1の下地層と前記基体との間に、第1のバリア層が配置されている請求項1に記載の半導体装置。前記第1のバリア層が、白金、ルテニウム、パラジウム、金、タングステン、モリブデンまたはそれらの酸化物から形成される請求項2に記載の半導体装置。前記第1の下地層が、前記第1のバリア層としての機能も有する請求項2または3に記載の半導体装置。前記第1のバリア層と前記基体との間に、密着層が配置されている請求項2~4のいずれかに記載の半導体装置。前記第2の下地層と前記半導体素子との間に、第2のバリア層が配置されている請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。前記第2のバリア層が、白金、ルテニウム、パラジウム、金、タングステン、モリブデンまたはそれらの酸化物から形成される請求項6に記載の半導体装置。前記第2の下地層が、前記第2のバリア層としての機能も有する請求項6または7に記載の半導体装置。前記第2のバリア層と前記半導体素子との間に、密着層が配置されている請求項6~8のいずれかに記載の半導体装置。前記半導体素子は、半導体発光素子であることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の半導体装置。本発明は、銀層と銀層とを用いて半導体素子と基体とが接合された半導体装置であって、半導体素子と基体との接合強度のさらなる向上を目的とする。本発明は、基体の表面に施された第1の銀層と、半導体素子の表面に施された第2の銀層とが接合された半導体装置であって、前記基体と前記第1の銀層との間に第1の下地層が配置され、前記半導体素子と前記第2の銀層との間に第2の下地層が配置され、前記第1の下地層および前記第2の下地層が、それぞれ独立して、チタン、白金、金およびルテニウムからなる群から選択される金属から形成され、前記第1の銀層と前記第2の銀層との界面に、少なくとも1つの銀の異常成長粒が存在することを特徴とする。本発明の半導体装置は、半導体素子と基体との接合強度が高いという利点がある。本発明者らは、基体の表面に施された第1の銀層と、半導体素子の表面に施された第2の銀層とを接合する際、前記基体と前記第1の銀層との間に第1の下地層が配置され、前記半導体素子と前記第2の銀層との間に第2の下地層が配置され、これらの第1の下地層と第2の下地層とが特定の金属から形成されている場合、得られた基体と半導体素子との接合の強度が向上していることを見出した。また、そのような半導体装置においては、前記第1の銀層と前記第2の銀層との界面に、少なくとも1つの銀の異常成長粒が存在することをも見出した。これらの知見に基づき、本発明者らは、銀層と銀層とを用いて半導体素子と基体とが接合された半導体装置であって、半導体素子と基体との接合強度がさらに向上した半導体装置を完成した。このような本発明の半導体装置においては、ダイシェア強度は例えば3MPa以上、好ましくは20MPa以上である。また半導体装置の信頼性を確保しかつ半導体装置の初期特性の低下を少なくするため、ダイシェア強度は120MPa以上がより好ましい。ダイシェア強度は、例えば室温で、半導体装置に対して、基体から半導体素子を剥す方向にそれぞれせん断力をかけ、剥離したときの強度を測定して、測定することができる。さらに、本発明者らは、このような半導体装置は、耐熱性も向上していることを見出した。本発明の半導体装置において、第1の銀層と第2の銀層との界面に、少なくとも1つの銀の異常成長粒が存在する。この銀の異常成長粒は、X線結晶解析における200面のピーク強度が著しく強い粒である。銀成長には、組織全体が平均的に成長していく通常粒成長と、少数の特定の粒が周囲の結晶粒を食って爆発的に大きくなる異常粒成長がある。両者は、焼鈍時間の増加にともなる粒径分布の変化により、区別される。下記aが通常粒成長であり、bが異常粒成長である。本発明の半導体装置においては、前記第1の下地層と前記基体との間に、第1のバリア層が配置されているのが好ましい。このような第1のバリア層が配置されていると、第1の銀層から基体へ銀が拡散するのを防止することができ、その結果、第1の銀層と基体との剥離を防止することができ、好ましい。この第1のバリア層は、白金、ルテニウム、パラジウム、金、タングステン、モリブデンまたはそれらの酸化物から形成されるのが好ましい。この第1の下地層は、第1のバリア層としての機能も有することが好ましい。1つの層が2つの機能を有することができれば、半導体装置の厚みが厚くなるのを抑制することができるためである。また、前記第1のバリア層と前記基体との間に、第1の密着層が配置されているのが好ましい。このような第1の密着層は、前記第1のバリア層と前記基体との密着性を高めるためである。本発明の半導体装置においては、第2の下地層と前記半導体素子との間に、第2のバリア層が配置されているのが好ましい。このような第2のバリア層が配置されていると、第2の銀層から半導体素子へボイドが拡散するのを防止することができ、その結果、第2の銀層と半導体素子との剥離を防止することができ、好ましい。この第2のバリア層は、白金、ルテニウム、パラジウム、金、タングステン、モリブデンまたはそれらの酸化物から形成されるのが好ましい。この第2の下地層は、第2のバリア層としての機能も有することが好ましい。1つの層が2つの機能を有することができれば、半導体装置の厚みが厚くなるのを抑制することができるためである。また、前記第2のバリア層と前記半導体素子との間に、第2の密着層が配置されているのが好ましい。このような第2の密着層は、前記第2のバリア層と前記半導体素子との密着性を高めるためである。本発明の半導体装置においては、前記半導体素子は、半導体発光素子であるのが好ましい。また、本発明の半導体装置は、例えば、基体の表面に施された第1の銀層と、半導体素子の表面に施された第2の銀層とが接合された半導体装置の製造方法により製造することができる。このような製造方法は、前記第1の銀層と、前記第2の銀層とが接触するように配置する工程と、半導体素子及び基体に150°C~900°Cの温度を加え、半導体素子と基体とを接合する工程とを有する。この製造方法においては、前記基体と前記第1の銀層との間に第1の下地層が配置され、前記半導体素子と前記第2の銀層との間に第2の下地層が配置され、前記第1の下地層および前記第2の下地層が、それぞれ独立して、チタン、白金、金およびルテニウムからなる群から選択される金属から形成され、前記第1の銀層と前記第2の銀層との界面に、少なくとも1つの銀の異常成長粒が存在することを特徴とする。前記下地層以下、言及が無い限り第1の下地層と第2の下地層の両方に関するは、前記のようにチタン、白金、金およびルテニウムからなる群から選択される金属から形成される。この下地層は、チタンおよび白金からなる群から選択される金属から形成されるのが好ましく、チタンからなる群から選択される金属から形成されるのがより好ましい。下地層を配置すると、X線結晶回折における銀層の200面のピーク強度が強くなり、かつ111面のピーク強度が低くなる。さらに、下地層を配置した際のX線結晶回折における銀層の200面のピーク強度/111面のピーク強度は、チタン>白金>金の順で高く、この順番は、銀層との接合強度の高さとも一致していた。従って、下地層を配置した際のX線結晶回折における銀層の200面のピーク強度/111面のピーク強度が高いほうが、銀層との接合強度がより高くなる。前記下地層と基体、もしくは半導体素子との密着力が乏しい場合、これを改善するために前記下地層と基体、もしくは下地層と半導体素子との間に密着層を設けることが好ましい。この密着層はチタン、ニッケル、アルミニウム、タンタルからなる群から選択される金属から形成されるのが好ましく、チタンおよびニッケルからなる群から選択される金属から形成されるのがより好ましく、チタンからなる群から選択される金属から形成されるのがさらに好ましい。前記密着層の厚みは例えば、0.005~5μm、好ましくは0.01~2μm、より好ましくは0.03~0.1μmである。この密着層の厚みが0.005~5μmであれば、基体もしくは半導体素子と、下地層との接合強度が高くなるためである。前記下地層の厚みは例えば、0.005~5μm、好ましくは0.01~2μm、より好ましくは0.03~0.5μmである。この下地層の厚みが0.005~5μmであれば、第1の銀層と第2の銀層との接合強度が高くなるためである。第1の下地層と第2の下地層の厚みは、同一であっても異なっていてもよい。第1の下地層の厚みは、例えば、0.005~5μm、好ましくは0.01~2μm、より好ましくは0.03~0.5μmである。第1の下地層の厚みが0.005~5μmであると、第1の銀層と第2の銀層との接合強度が高いためである。第2の下地層の厚みは、例えば、0.005~5μm、好ましくは0.01~2μm、より好ましくは0.03~0.5μmである。第2の下地層の厚みが0.005~5μmであると、第1の銀層と第2の銀層との接合強度が高いためである。前記下地層は、例えば、蒸着、スパッタ、メッキ等により形成することができ、前記銀層を蒸着により形成する場合、前記下地層は蒸着により形成するのが好ましい。前記下地層が蒸着により形成されると、前記銀層との接合強度が高くなり、その結果、基体と半導体素子との接合強度が高くなるためである。前記銀層をスパッタにより形成する場合、前記下地層はスパッタにより形成するのが好ましい。前記下地層は、スパッタにより形成されると、前記銀層との接合強度が高くなり、その結果、基体と半導体素子との接合強度が高くなるためである。前記銀層をめっきにより形成する場合は、いずれの手法で下地層を形成してもよい。前記第1の銀層と前記第2の銀層の厚みは、同一であっても異なっていてもよい。第1の銀層の厚みは、例えば、0.5μm~10μm、好ましくは0.1μm~5μm、より好ましくは2μm~5μmである。第1の銀層の厚みが0.5μm~10μmであると、前記第1の銀層と前記第2の銀層の接合強度が高くなり、その結果、基体と半導体素子との接合強度が高くなるためである。第2の銀層の厚みは、例えば、0.5μm~10μm、好ましくは0.1μm~5μm、より好ましくは2μm~5μmである。第2の銀層の厚みが0.5μm~10μmであると、前記第1の銀層と前記第2の銀層の接合強度が高くなり、その結果、基体と半導体素子との接合強度が高くなるためである。前記銀層は、例えば、蒸着、スパッタ、メッキ等により形成することができ、スパッタにより形成するのが好ましい。前記銀層は、スパッタにより形成されると、基体および/または半導体素子との接合強度が高くなり、その結果、基体と半導体素子との接合強度が高くなるためである。前記第1の銀層と前記第2の銀層がスパッタにより形成される場合、成膜速度は、同一であっても異なっていてもよい。第1の銀層の成膜速度は、例えば20~400Å/秒、好ましくは50~400Å/秒、より好ましくは300~400Å/秒である。第1の銀層の成膜速度が20~400Å/秒であると、前記第1の銀層と前記第2の銀層の接合強度が高くなり、その結果、基体と半導体素子との接合強度が高くなるためである。第2の銀層の成膜速度は、例えば20~400Å/秒、好ましくは50~400Å/秒、より好ましくは300~400Å/秒である。第2の銀層の成膜速度が20~400Å/秒であると、前記第1の銀層と前記第2の銀層の接合強度が高くなり、その結果、基体と半導体素子との接合強度が高くなるためである。前記半導体装置の製造方法においては、前記第1の下地層と前記基体との間に、第1のバリア層が配置されているのが好ましい。この第1のバリア層は、白金、ルテニウム、パラジウム、金、タングステン、モリブデンまたはそれらの酸化物から形成されるのが好ましい。このバリア層が配置されると、第1の銀層からボイドが拡散することを抑制でき、その結果、第1の銀層と基体との接合強度が高くなるためである。前記半導体装置の製造方法においては、第2の下地層と前記半導体素子との間に、第2のバリア層が配置されているのが好ましい。この第2のバリア層は、白金、ルテニウム、パラジウム、金、タングステン、モリブデンまたはそれらの酸化物から形成されるのが好ましい。このバリア層が配置されると、第2の銀層からボイドが拡散することを抑制でき、その結果、第2の銀層と半導体素子との接合強度が高くなるためである。前記半導体装置の製造方法においては、前記接合する工程は、大気中または酸素雰囲気中で行われるのが好ましい。このような雰囲気中で接合することにより、銀同士の接合点が増加し、第1の銀層と第2の銀層との接合強度の向上が期待できるからである。前記半導体装置の製造方法は、前記第1の銀層と前記第2の銀層との間に有機溶剤若しくは水を塗布する工程をさらに有するのが好ましい。塗布する際には、基体上へ有機溶剤若しくは水を塗布し、更にその上へ半導体素子をマウントしてもよい。これにより有機溶剤若しくは水の表面張力により続く接合工程までの半導体素子のマウント位置精度の維持が可能となる。この場合、有機溶剤としては、沸点が100°C~300°Cであるのが好ましい。沸点が100°C以上であれば、有機溶剤は容易に蒸発せず、半導体素子のマウント位置精度の維持をし易くすることができるからである。また、後に続く接合工程を経ても有機溶剤が残留すると接合不良原因となるため、有機溶剤の沸点は加熱温度より低いことが好ましく、熱分解することなく速やかに揮発させるため300°C以下であるのが好ましい。前記有機溶剤としては、または、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルおよびトリエチレングリコールからなる群から選択される1以上が挙げられる。前記半導体装置およびその製造方法においては、前記半導体素子は、透光性無機基板上に半導体層が形成されており、前記透光性無機基板は前記半導体層が形成されている側と反対側の側に第1の銀が施されており、前記第1の銀と接合される緩衝部材が設けられており、前記緩衝部材の表面に前記銀若しくは酸化銀が施されているものを使用することができる。前記半導体装置およびその製造方法においては、半導体素子としては、半導体発光素子を用いてもよい。銀は金属中で最も可視光線の反射率に優れており、半導体素子表面へ銀コーティングを施すことは高効率な反射鏡を半導体素子に備えることにもなり半導体発光素子に最も適した形態となる。また基体表面へ銀コーティングを施すことにより半導体装置全体を反射鏡構造とすることが可能であり、更に高効率に光を取り出すことができる。半導体発光素子に用いられうる透光性無機基板は、光吸収が極めて低いため、高い発光効率を持つ半導体発光素子を作製するために利用できる。半導体発光素子としては、例えば、透光性無機基板の上面に半導体層である発光層が形成されており、その発光層を上面となるよう配置し反対側の裏面となる透光性無機基板へ銀若しくは酸化銀を施したものが用いられる。このような半導体発光素子により、発光層から放射された光を高効率に反射させ、光出力の大きな半導体装置を得ることができる。この製造方法によれば、たとえば発光ダイオード、レーザダイオード等の半導体発光素子を用いる半導体装置へ高い発光効率を付与することができる。また、この製造方法によれば、樹脂等の接合材料を介さないため低い電気抵抗や熱抵抗が得られるため信頼性を向上させることができる。また、この製造方法によれば、樹脂接合と変わらぬ温度領域で接合が可能であるため、半導体装置に使用されるプラスチック部材の熱劣化を回避することができる。この製造方法によれば、接合部材に樹脂を使用しないため半導体装置の寿命を改善することができる。さらに、この製造方法によれば、工程が簡易で貴金属の使用量が極端に少ないため、安価に半導体装置を製造することができる。基体はリードフレーム、又は、金属配線を備えた有機あるいは無機基板などを用いることができ、リードフレームの表面、金属配線の表面が銀でコーティングされていてもよい。半導体素子の接合面の表面は、基体と同様に銀コーティングされており、導電部位、絶縁部位を問わない。この製造方法においては、基体及び半導体素子に150°C~900°Cの温度を加え接合点を増加させ、且つ銀を相互拡散させることにより接合を強固なものとし接合させることができる。金属拡散は温度の関数となるため高温であるほど速やかに接合強度を向上させることができるが、半導体装置に使用されるプラスチック部材の酸化劣化若しくは溶融等を避けるため汎用される熱可塑性樹脂の融点上限である350°C付近を上限とすることが望ましい。但し、基体に耐熱性を有するセラミックス基板等を用いる場合は、400°C付近まで温度を加えることができる。下限温度については実用的な時間範囲で強固な接合得るためには200°C以上であるのが好ましい。従って、半導体素子及び基体に200°C~350°Cの温度を加え、半導体素子と基体とを接合させることができるが、200°C~250°Cの温度を加えることが好ましい。また、加熱時間は、例えば0.5~4時間、好ましくは1~2時間である。この接合工程は、一段階である必要はなく、徐々に温度を上げていったり上下動を繰り返したりする多段階とすることもできる。ダイシェア強度は接合時の加熱温度と加熱時間に依存しており、温度が高く時間が長いほど強度は向上するが、製造コストならびに半導体装置に使用されるプラスチック部材の酸化劣化を考慮すると温度が低く時間が短いほど有利である。従って、加熱温度を150°C~350°C、好ましくは150°C~300°C、より好ましくは200°C~250°Cとし、加熱時間を任意に設定することによりダイシェア強度を調整することが可能である。実用的にはワイヤーボンド時の超音波衝撃や半導体装置の熱衝撃試験に耐える必要があり13MPaは最低でも必要であり、上限は350°C加熱による接合時にダイシェア強度が飽和する140MPaであることが好ましい。<半導体装置>第1の実施の形態に係る半導体装置第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を、図面を用いて説明する。図1は第1の実施の形態に係る半導体発光素子の実装状態を示す概略断面図である。半導体素子として、発光ダイオードを用いた半導体発光素子を元に説明するが、半導体発光素子以外のトランジスタ、IC、LSIなどにも本発明を適用することができる。半導体装置は、基体500の表面に施された銀層530と、半導体発光素子100の表面に施された銀層140とが直接接合されている。直接とは、本明細書中において、銀層530と銀層140との間に樹脂接着剤を含まないことを意味する。半導体発光素子100は、透光性無機基板110と、光を放射する半導体層120と、半導体層120に設けられた電極130と、半導体層120が形成されている側と反対側に施された反射層160と、反射層160の表面に施された下地層150と、下地層の表面に施された銀層140とを有する。半導体層120は、透光性無機基板110上にn型半導体層121、n型半導体層121の上にp型半導体層122を積層して有している。電極130は、n型半導体層121にはn型電極131を設け、p型半導体層122にはp型電極132を設けている。半導体発光素子100は、同一面側にn型電極131とp型電極132とを有するフリップチップ構造を採っている。半導体発光素子100の表面に施された銀層140は、1層だけでなく2層以上であってもよい。また、半導体発光素子100の表面に施された銀層140の膜厚は、例えば0.5μm~10μm程度である。反射層160は、半導体層120の光を効率よく反射させるために設けることが好ましい。反射層160は、例えば銀層であり、例えば光を85以上、好ましくは90以上反射できる厚さ、例えば0.05μm以上であればよく、任意に調整できる。なお、反射層160は、第1の実施の形態において、配置されなくともよい。基体500は基板510の表面に下地層520を施している。下地層520の表面に、銀層530が施されている。基板510は導電性でも絶縁性でもよい。基板510に用いられる導電性部材として、銅や鉄などのリードフレームが挙げられる。また、基板510の表面に施された銀層530の膜厚は、例えば0.5μm~10μm程度である。一方、基板510に用いられる絶縁性部材として、ガラスエポキシ基板、ポリフタルアミドや液晶ポリマーなどの樹脂部材、セラミックス部材などが挙げられる。基板510にこれらの絶縁性部材を用いた場合、ガラスエポキシ基板上に所定の回路配線を行い、その回路配線に銀層530が施される。基体500の形状は平板形状、カップ形状など種々の形態を採ることができる。半導体発光素子100の実装のし易さから、基体500の形状として平板形状のものを用いることが好ましい。また、半導体発光素子100からの光取り出し効率の向上を図るため、基体500はカップ形状を採ることもできる。基体500をカップ形状とした場合、基体500の外部に導電性の配線の一部を端子として露出させることもできる。基体500上には同じ機能を有する半導体発光素子や、異なる機能を有する半導体素子をマウントすることもできる。また基体500上には抵抗素子、コンデンサーといった電子素子もマウントすることができる。半導体発光素子100に設けられた電極130は、所定の電気的接続とるため金ワイヤー等で配線が施される。また半導体発光素子100からの光を吸収し異なる波長へ変換する蛍光体やフィラー、光拡散部材等を含む封止部材で半導体発光素子100を覆い、半導体装置とすることができる。半導体装置の製造方法基体500の上に半導体発光素子100を実装する際、基体500の表面に施された銀層530の上に、半導体発光素子100の表面に施された銀層140が接触するように配置する。基体500の表面に施された銀層530と、半導体発光素子100の表面に施された銀層140との間には半田や樹脂などが存在していない。基体500には基板510に所定の回路配線が施されており、その回路配線の最表面に銀層530が施されている。半導体発光素子100の位置決めのため、半導体発光素子100の外形と同形状の回路配線を形成したり、半導体発光素子100の外形よりわずかに小さい略同形状の回路配線を形成したり、略四角の頂点が半導体発光素子100の四隅まで延びる回路配線を形成したり、種々の形状を成すこともできる。半導体発光素子100及び基体500に150°C~900°Cの温度を加え、半導体発光素子100と基体500とを接合する。半導体発光素子100及び基体500に加える温度は強固に接合できる200°C以上が好ましい。また半導体発光素子100が破壊されない温度であれば特に温度は構わないが、銀の融点以下の温度である900°C以下であればよく、400°C以下が好ましい。また半導体発光素子100やパッケージが耐えうる温度として350°C以下が特に好ましい。接合する工程は、大気中若しくは酸素雰囲気中で行うこともできる。接合に要する時間も長時間である方が好ましいが、特に限定されず、30分~4時間程度あればよい。半導体発光素子100を基体500に実装した後、ワイヤー接続を行い、封止部材で被覆して半導体装置とすることができる。第2の実施の形態に係る半導体装置第2の実施の形態に係る半導体装置の一例を、図面を用いて説明する。図2は第2の実施の形態に係る半導体発光素子の実装状態を示す概略断面図である。第1の実施の形態に係る半導体装置と、基体を除いて、ほぼ同一の構成を採るため、一部説明を省略することもある。半導体装置は、基体600の表面に施された銀層640と、半導体発光素子200の表面に施された銀層240とが直接接合されている。半導体発光素子200は、透光性無機基板210と、光を放射する半導体層220と、半導体層220に設けられた電極230と、半導体層220が形成されている側と反対側に施されたバリア層260と、バリア層260の表面に施された下地層250と、下地層の表面に施された銀層240とを有する。半導体層220は、透光性無機基板210上にn型半導体層221、n型半導体層221の上にp型半導体層222を積層して有している。電極230は、n型半導体層221にはn型電極231を設け、p型半導体層222にはp型電極232を設けている。半導体発光素子200は、同一面側にn型電極231とp型電極232とを有するフリップチップ構造を採っている。半導体発光素子200の表面に施された銀層240は、1層だけでなく2層以上であってもよい。また、半導体発光素子200の表面に施された銀層240の膜厚は、例えば0.5μm~10μm程度である。基体600は基板610の表面にバリア層620を施している。バリア層620の表面に、下地層630が施されている。下地層630の表面に、銀層640が施されている。基板610は導電性でも絶縁性でもよい。基板610に用いられる導電性部材として、銅や鉄などのリードフレームが挙げられる。また、基板610の表面に施された銀層640の膜厚は、例えば0.5μm~10μm程度である。なお、この第2の実施形態において、半導体素子側と基体の両側にバリア層が備えられているが、半導体素子側にバリア層260を備え、基体側にはバリア層620を備えなくてもよく、または、半導体素子側にバリア層260を備えず、基体側にバリア層620を備えてもよい。第3の実施の形態に係る半導体装置第3の実施の形態に係る半導体装置の一例を、図面を用いて説明する。図3は第3の実施の形態に係る半導体発光素子の実装状態を示す概略断面図である。第1の実施の形態に係る半導体装置と、基体を除いて、ほぼ同一の構成を採るため、一部説明を省略することもある。半導体装置は、基体700の表面に施された銀層750と、半導体発光素子300の表面に施された銀層340とが直接接合されている。半導体発光素子300は、透光性無機基板310と、光を放射する半導体層320と、半導体層320に設けられた電極330と、半導体層320が形成されている側と反対側に施された密着層370と、密着層370の表面に施されたバリア層360と、バリア層360の表面に施された下地層350と、下地層350の表面に施された銀層340とを有する。半導体層320は、透光性無機基板310上にn型半導体層321、n型半導体層321の上にp型半導体層322を積層して有している。電極330は、n型半導体層321にはn型電極331を設け、p型半導体層322にはp型電極332を設けている。半導体発光素子300は、同一面側にn型電極331とp型電極332とを有するフリップチップ構造を採っている。半導体発光素子300の表面に施された銀層340は、1層だけでなく2層以上であってもよい。また、半導体発光素子300の表面に施された銀層340の膜厚は、例えば0.5μm~10μm程度である。基体700は基板710の表面に密着層720が施されている。密着層720の表面にバリア層730が施されている。バリア層730の表面に下地層740が施されている。下地層740の表面に銀層750が施されている。基板710は導電性でも絶縁性でもよい。基板710に用いられる導電性部材として、銅や鉄などのリードフレームが挙げられる。なお、下地層が、白金またはルテニウムから形成される場合、そのような下地層は、バリア層を兼ねることができる。密着層は、下地層と基体、またはバリア層と基体との接合強度を向上させるために設けることが好ましい。例えば、下地層やバリア層が、白金、金またはルテニウムから形成される場合、下地層と基体、またはバリア層と基体との間に密着層が配置されるのが好ましい。密着層は、チタンから形成されるのが好ましい。また、基板710の表面に施された銀層740の膜厚は、例えば0.5μm~10μm程度である。なお、この第3の実施形態において、半導体素子側と基体の両側にバリア層と密着層とが備えられているが、半導体素子側にバリア層360と密着層370を備え、基体側にはバリア層730と密着層720を備えなくてもよく、または、半導体素子側にバリア層360と密着層370を備えず、基体側にバリア層730と密着層720を備えてもよい。さらに、半導体素子側にバリア層360を備え、基体側にはバリア層730と密着層720とを備える形態、または、半導体素子側にバリア層360と密着層370を備え、基体側にバリア層730を備える形態も、この形態の変形として含んでもよい。半導体素子半導体素子として、発光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子の他、トランジスタやIC、LSI、ツェナーダイオード、コンデンサー、受光素子なども用いることができる。半導体発光素子は、例えば、無機基板上に半導体層を積層したものである。無機基板としては、透光性を有するものが好ましい。透光性無機基板としてはサファイア、GaP、GaN、ITO、ZnO、無機ガラス、セラミックスなどから形成された基板を用いることができ、半導体層としては、GaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いることができる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としても良い。屋外などの使用を考慮する場合、高輝度な半導体発光素子を形成可能な半導体層として窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウムアルミニウム砒素系の半導体層やアルミニウムインジュウムガリウム燐系の半導体層を用いることが好ましいが、用途によって種々利用することもできる。半導体層に窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、透光性無機基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnOやGaN等の材料を用いることができる。結晶性の良い窒化ガリウムを量産性良く形成させるためには透光性無機基板にサファイアを用いることが好ましい。半導体発光素子をフェイスダウンで用いる場合、透光性無機基板は透光性が高いことを要する。電極は光を遮らない材質が好ましいが、光を遮る材質も使用することができる。同一面側にn型電極とp型電極とを有する半導体発光素子の場合、p型電極が半導体層の広範囲を占めるように施されていることが好ましい。透光性のp型電極は、膜厚が150μm以下の薄膜で形成されていてもよい。また、p型電極は金属以外のITO、ZnOから形成されてもよい。ここで透光性のp型電極の代わりに、メッシュ状電極などの複数の光取り出し用開口部を備えた電極形態としてもよい。電極の形状は、直線状以外に、曲線状、ひげ状、櫛状、格子状、枝状、鉤状、網目状等でもよい。p型電極の総面積に比例して遮光効果が増大するので、遮光効果が発光増強効果を上回らないように延長導電部の線幅および長さを設計することが好ましい。p型電極はAu、Au―Sn等の金属や、金属以外のITO、ZnOから形成されてもよい。また透光性のp型電極の代わりに、メッシュ状電極などの複数の光取り出し用開口部を備えた電極形態としてもよい。半導体発光素子のサイズは任意に決めてよい。基体基体は、基板の表面に銀層を施している。基板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタンまたはこれらの混合物を含むセラミック基板、Cu、Fe、Ni、Cr、Al、Ag、Au、Tiまたはこれらの合金を含む金属基板、リードフレーム、ガラスエポキシ基板、BTレジン基板、ガラス基板、樹脂基板、紙等を用いることができる。リードフレームとしては、例えば、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はそれらの合金より形成される金属フレ-ムが挙げられ、銅、鉄又はそれらの合金より形成される金属フレームが好ましい。リードフレームとしては、放熱性が必要な半導体装置では銅合金、半導体素子との接合信頼性が必要な半導体装置では鉄合金であるのがより好ましい。配線基板又はリードフレームは、その表面が銀、酸化銀、銀合金、銀合金の酸化物、Pt、Pt合金、Sn、Sn合金、金、金合金、Cu、Cu合金、Rh、Rh合金等により被覆されていてもよく、半導体素子がマウントされる部位の最表面が銀層で被覆されている。これらの被覆は、メッキ、蒸着、スパッタ、印刷、塗布等により行うことができる。基体として、樹脂を用いたパッケージも使用することができる。パッケージとしてはリードが一体成型されているものの他、パッケージを成型した後にメッキなどにより回路配線を設けたものであってよい。パッケージは、カップ形状や平板形状など種々の形態を採ることができる。パッケージを構成する樹脂としては、耐光性、耐熱性に優れた電気絶縁性のものが好適に用いられ、例えばポリフタルアミドなどの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ガラスエポキシ、セラミックスなどを用いることができる。また、半導体発光素子からの光を効率よく反射させるためにこれらの樹脂に酸化チタンなどの白色顔料などを混合させることができる。パッケージの成形法としては、リードを予め金型内に設置して行うインサート成形、射出成形、押出成形、トランスファ成型などを用いることができる。有機溶剤有機溶剤は、常温領域で半導体素子を固定でき、加熱接合後に残渣が残れなければ何でもよい。有機溶剤の沸点は100°C~300°Cであることが好ましく、接合時の加熱温度に合わせ種々選択することができる。たとえば炭素原子2~10個20個を有するアルキル基と水酸基1~3個とを有する低級アルコールから高級アルコール例えばnブタノール、iブタノール、secブタノール、tブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、2-メチルブタノール、n-ヘキサノール、1-メチルペンタノール、2-メチルペンタノール、3-メチルペンタノール、4-メチルペンタノール、1-エチルブタノール、2-エチルブタノール、1,1-ジメチルブタノール、2,2-ジメチルブタノール、3,3-ジメチルブタノール、および1-エチル-1-メチルプロパノールなどの低級アルコールから、ノナノール、デカノールなどの高級アルコール;2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコール;炭素原子8~20個を有する炭化水素溶媒や脂肪族溶媒例えば、nヘプタン、nオクタン、nノナン、nデカン、nテトラデカンなど;カルボキシル基、アルコキシル基、を有する溶媒例えば、酢酸イソペンチル、酢酸2-エチルヘキシル、プロピオン酸エチルなど;芳香族溶媒例えば、トルエン、キシレン、アニソール、フェノール、アニリン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼンなど;ジメチルスルホキシドDMSO、N,N-ジメチルホルムアミドDMFなどの中より少なくとも一つを含むことができる。封止部材基体に実装された半導体素子を外力、埃などから保護するため、半導体装置には封止部材を用いてもよい。封止部材により、半導体発光素子からの光を効率よく外部に透過させることもできる。封止部材に使用される樹脂は、例えば、エポキシ系、フェノール系、アクリル系、ポリイミド系、シリコーン系、ウレタン系、熱可塑性系等が挙げられる。中でもシリコーン系が耐熱耐光性に優れ長寿命な半導体装置を作製できるため好ましい。気密カバー又は非気密カバーとしては無機ガラス、ポリアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリノルボルネン樹脂等により形成されたカバーが挙げられる。中でも無機ガラスが耐熱耐光性に優れ長寿命な半導体装置を作製できるため好ましい。その他封止部材は、蛍光物質及びフィラー及び光拡散部材などを含有してもよい。蛍光物質としては、半導体発光素子からの光を吸収し、この光とは異なる波長の蛍光を発するものであればよく、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体または酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体、又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び無機錯体等から選ばれる少なくとも1以上であることが好ましい。蛍光物質としては、Y,Gd3Al,Ga5O12:Ce、Ca,Sr,Ba2SiO4:Eu、Ca,Sr2Si5N8:Eu、CaAlSiN3:Euなどがより好ましい。フィラーとしては、アルミナ、シリカ、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、チタン酸カリウム、マイカ、ケイ酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ガラスフレークならびに繊維を用いることができる。また応力緩和のために、フィラーとして、シリコーンゴム粒子、シリコーンエラストマー粒子を用いることができる。光線透過率はフィラー粒径の影響が大きく平均粒径5μm以上が好ましいが、ナノ粒子も使用することができる。これにより封止部材の透光性や光分散性を大幅に向上させることができる。光拡散部材としては、アルミナ、シリカ、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、チタン酸カリウム、マイカ、ケイ酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ガラスフレークならびに繊維を用いることができる。また光拡散部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾグアナニン樹脂、メラミン樹脂の熱硬化性樹脂の粒子を用いることができる。光拡散性能はフィラー粒径の影響が大きく0.1μm~5μmの範囲が好ましい。これにより少量の光拡散部材で光拡散が可能となる。また蛍光物質及びフィラー、光拡散部材は半導体素子の表面上へ印刷、ポッティング、電着、スタンピングによりコーティングすることもできる。その上面へ封止部材を被覆することができる。これにより封止部材がレンズ形状を有する場合に光学設計が容易となり高品位な半導体装置を得ることができる。<実施例>以下、実施例を用いて本発明に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。実施例1~15に係る半導体装置は、第1の実施の形態に係る半導体装置と重複するため、説明を省略する部分もある。半導体発光素子100として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板110と、透光性無機基板110の上面に積層されたInGaNの半導体層120と、透光性無機基板110の下面にみ0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層150と、チタン層150の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層140とを用いた。基体500として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板510と、ガラス基板510の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層520と、チタン層520の上面にスパッタレート312.4Å分にて厚み1μmでスパッタにより形成された銀層530とを用いた。基体500の銀層530上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子100の銀層140が直接接触するように載置した。半導体発光素子100を載置後、基体500を、大気雰囲気中、約220°Cで約1時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子100を基体500に直接接合することができた。半導体発光素子100として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板110と、透光性無機基板110の上面に積層されたInGaNの半導体層120と、透光性無機基板110の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層150と、チタン層150の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層140とを用いた。基体500として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板510と、ガラス基板510の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層520と、チタン層520の上面にスパッタレート114.4Å/分にて厚み1μmでスパッタにより形成された銀層530とを用いた。基体500の銀層530上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子100の銀層140が直接接触するように載置した。半導体発光素子100を載置後、基体500を、大気雰囲気中、約220°Cで約1時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子100を基体500に直接接合することができた。半導体発光素子100として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板110と、透光性無機基板110の上面に積層されたInGaNの半導体層120と、透光性無機基板110の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層150と、チタン層150の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層140とを用いた。基体500として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板510と、ガラス基板510の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層520と、チタン層520の上面にスパッタレート52.8Å分にて厚み1μmでスパッタにより形成された銀層530とを用いた。基体500の銀層530上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子100の銀層140が直接接触するように載置した。半導体発光素子100を載置後、基体500を、大気雰囲気中、約220°Cで約1時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子100を基体500に直接接合することができた。半導体発光素子100として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板110と、透光性無機基板110の上面に積層されたInGaNの半導体層120と、透光性無機基板120の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層150と、チタン層150の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層140とを用いた。基体500として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板510と、ガラス基板510の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層520と、チタン層520の上面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層530とを用いた。基体500の銀層530上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子100の銀層140が直接接触するように載置した。半導体発光素子100を載置後、基体500を、大気雰囲気中、約220°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子100を基体500に直接接合することができた。半導体発光素子300として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板310と、透光性無機基板310の上面に積層されたInGaNの半導体層320と、透光性無機基板320の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層350と、チタン層350の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層340とを用いた。基体700として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板710と、ガラス基板710の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層密着層720と、チタン層720の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された白金層バリア兼下地層740と、白金層740の上面にスパッタレート296.1Å分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層750とを用いた。基体700の銀層750上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子300の銀層340が直接接触するように載置した。半導体発光素子300を載置後、基体700を、大気雰囲気中、約220°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子300を基体700に直接接合することができた。半導体発光素子300として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板310と、透光性無機基板310の上面に積層されたInGaNの半導体層320と、透光性無機基板310の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層350と、チタン層350の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層340とを用いた。基体700として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板710と、ガラス基板710の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層密着層720と、チタン層720の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された白金層730と、白金層730の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された金層下地層740と、金層740の上面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層750とを用いた。基体700の銀層750上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子300の銀層340が直接接触するように載置した。半導体発光素子300を載置後、基体700を、大気雰囲気中、約220°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子300を基体700に直接接合することができた。半導体発光素子100として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板110と、透光性無機基板110の上面に積層されたInGaNの半導体層120と、透光性無機基板120の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層150と、チタン層150の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層140とを用いた。基体500として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板510と、ガラス基板510の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層520と、チタン層520の上面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み5μmでスパッタにより形成された銀層530とを用いた。基体500の銀層530上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子100の銀層530が直接接触するように載置した。半導体発光素子100を載置後、基体500を、大気雰囲気中、約200°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子100を基体500に直接接合することができた。半導体発光素子100として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板110と、透光性無機基板110の上面に積層されたInGaNの半導体層120と、透光性無機基板120の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層150と、チタン層150の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層140とを用いた。基体500として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板510と、ガラス基板510の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層520と、チタン層520の上面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層530とを用いた。基体500の銀層530上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子100の銀層140が直接接触するように載置した。半導体発光素子100を載置後、基体500を、大気雰囲気中、約200°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子100を基体500に直接接合することができた。半導体発光素子100として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板110と、透光性無機基板110の上面に積層されたInGaNの半導体層120と、透光性無機基板120の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層150と、チタン層150の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層140と、を用いる。基体500として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板510と、ガラス基板510の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層520と、チタン層520の上面にスパッタレート296.1Å分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層530とを用いた。基体500の銀層530上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子100の銀層140が直接接触するように載置した。半導体発光素子100を載置後、基体500を、大気雰囲気中、約240°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子100を基体500に直接接合することができた。半導体発光素子300として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板310と、透光性無機基板310の上面に積層されたInGaNの半導体層320と、透光性無機基板310の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層350と、チタン層350の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層340とを用いた。基体700として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板710と、ガラス基板710の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層密着層720と、チタン層720の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された白金層バリア兼下地層740と、白金層740の上面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層750とを用いた。基体700の銀層750上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子300の銀層340が直接接触するように載置した。半導体発光素子300を載置後、基体700を、大気雰囲気中、約240°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子300を基体700に直接接合することができた。半導体発光素子300として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板310と、透光性無機基板310の上面に積層されたInGaNの半導体層320と、透光性無機基板310の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層350と、チタン層350の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層340とを用いた。基体700として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板710と、ガラス基板710の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層密着層720と、チタン層720の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成されたルテニウム層バリア兼下地層740と、ルテニウム層740の上面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層750とを用いた。基体700の銀層750上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子300の銀層340が直接接触するように載置した。半導体発光素子300を載置後、基体700を、大気雰囲気中、約240°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子300を基体700に直接接合することができた。半導体発光素子300として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板310と、透光性無機基板310の上面に積層されたInGaNの半導体層320と、透光性無機基板310の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層350と、チタン層350の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層340とを用いた。基体700として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板710と、ガラス基板710の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層密着層720と、チタン層720の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された白金層バリア層730と、白金層730の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された金層下地層740と、金層740の上面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層750とを用いた。基体700の銀層750上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子300の銀層340が直接接触するように載置した。半導体発光素子300を載置後、基体700を、大気雰囲気中、約200°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子200を基体700に直接接合することができた。半導体発光素子300として、600μm×600μm×厚さ120μmのサファイアを用いた透光性無機基板310と、透光性無機基板310の上面に積層されたInGaNの半導体層320と、透光性無機基板310の下面に厚み0.03μmでスパッタにより形成されたチタン層下地層350と、チタン層350の下面にスパッタレート296.1Å/分にて厚み2μmでスパッタにより形成された銀層340とを用いた。基体700として、25mm×10mm×厚み1mmのガラス基板710と、ガラス基板710の上面に厚み0.1μmでスパッタにより形成されたチタン層密着層720と、チタン層720の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された白金層バリア層730と、白金層730の上面に厚み0.2μmでスパッタにより形成された金層下地層740と、金層740の上面に厚み2μmで電解めっきにより形成された銀層750とを用いた。基体700の銀層750上に有機溶剤2―エチル-1,3―ヘキサンジオールを塗布し、その上に半導体発光素子300の銀層340が直接接触するように載置した。半導体発光素子300を載置後、基体700を、大気雰囲気中、約200°Cで約2時間加熱し接合を行った。これにより半導体発光素子200を基体700に直接接合することができた。<測定結果>実施例1乃至8、12および13に係る半導体装置について、ダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度は、室温で基体500または700から半導体発光素子100または300を剥す方向にそれぞれせん断力をかけ、剥離したときの強度を測定した。また、実施例1乃至8、12および13に係る基体500または700の銀層530または750についてXRDを用いて結晶方位の解析をそれぞれ行った。表1にダイシェア強度MPaの測定結果とXRD解析による各結晶方位のピーク強度、もしくはピーク強度比を示す。また実施例9乃至11に係る半導体装置について、大気雰囲気中、300°C~440°Cで約2時間加熱し、加熱前後のダイシェア強度維持率を測定した。表2にダイシェア強度維持率の測定結果を示す。また、実施例4、5および6において得られた半導体発光素子における銀層のX線結晶回折図を図4に示す。図4中、aは実施例4、bは実施例5、cは実施例6において得られた半導体発光素子における銀層のX線結晶回折図である。実施例10において得られた半導体発光素子の実装状態の断面SEM反射電子像を図5に示す。前記表1に示すように、第1の銀層の厚みが厚くなるほど、接合強度が向上することが確認できた実施例7および8。また、表1に示すように、銀層のスパッタ速度が速いほど、接合強度が向上することが確認できた実施例1、2および3。また、表1に示すように、銀層の200面のピーク強度/111面のピーク強度が高いほど、接合強度が高いことが確認できた。また、前記表1に示すように、第1の下地層としてチタンを用いる場合、接合強度が最も強く、白金を用いる場合、次に接合強度が強く、金を用いる場合、その次に接合強度が強いことが確認できた。また、前記表1に示すように、第1の銀層をスパッタにより形成した場合実施例12、めっきにより形成した場合実施例13よりも接合強度がさらに向上することが確認できた。前記表2に示すように、バリア層が配置された半導体装置実施例10および11のほうが、配置されていない半導体装置実施例9よりも、耐熱性が向上することが確認できた。図4に示すように、第1の下地層としてチタンを用いる場合、200ピーク強度が最も強く、白金を用いる場合、次に200ピーク強度が強く、金を用いる場合、その次に200ピーク強度が強いことが確認できた。また、第1の下地層としてチタンを用いる場合、200ピーク強度/111ピーク強度が最も強く、白金を用いる場合、次に200ピーク強度/111ピーク強度が強く、金を用いる場合、その次に200ピーク強度/111ピーク強度が強いことが確認できた。図5に示すように、本発明の半導体装置は、第1の銀層と第2の銀層との界面に、少なくとも1つの銀の異常成長粒が存在することが確認できた。"