基体と、前記基体上に設けられた配線基板と、前記配線基板上に実装された複数の半導体発光装置と、前記配線基板上に設けられた、複数の前記半導体発光装置のそれぞれを取り囲む複数の導光孔を有するリフレクターと、前記リフレクター上に設けられた、複数の前記半導体発光装置を覆うとともに前記リフレクターの端部上にまで延在された透光性基板と、前記基体の側面から前記透光性基板の側面を取り囲むとともに前記透光性基板の外周に沿って前記透光性基板の端部を前記リフレクターの端部とで挟持したカバーとを備えたことを特徴とする照明装置。請求項1に記載の照明装置であって、前記透光性基板は、側面が前記カバーと間を空けて設けられていることを特徴とする照明装置。請求項1または請求項2に記載の照明装置であって、前記カバーは、前記透光性基板に当接する面に凹部が設けられていることを特徴とする照明装置。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の照明装置であって、前記リフレクターは、側面が前記カバーと間を空けて設けられていることを特徴とする照明装置。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の照明装置であって、前記基体の下部に、放熱部材がさらに設けられていることを特徴とする照明装置。本発明は、半導体発光装置を覆う透光性基板が熱変形するのを抑制し、半導体発光装置の発する光を継続して所望する方向に取り出せるようにする照明装置を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る照明装置は、基体と、前記基体上に設けられた配線基板と、前記配線基板上に実装された複数の半導体発光装置と、前記配線基板上に設けられた、複数の前記半導体発光装置のそれぞれを取り囲む複数の導光孔を有するリフレクターと、前記リフレクター上に設けられた、複数の前記半導体発光装置を覆うとともに前記リフレクターの端部上にまで延在された透光性基板と、前記基体の側面から前記透光性基板の側面を取り囲むとともに前記透光性基板の外周に沿って前記透光性基板の端部を前記リフレクターの端部とで挟持したカバーとを備えている。本発明によれば、半導体発光装置を覆う透光性基板が熱変形するのを抑制し、半導体発光装置の発する光を継続して所望する方向に取り出せる照明装置を提供することができる。以下に、添付図面を参照して、本発明に係る照明装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。<照明装置の構成>照明装置1は、天井または壁等の室内に直接取り付けるか、あるいは、屋外にて使用するものである。そして、照明装置1から発せられる光は、室内または屋外を照らすことができる。照明装置1は、基体2と、基体2上に設けられた配線基板3と、配線基板3上に実装された複数の半導体発光装置4と、配線基板3上に設けられた、複数の半導体発光装置4のそれぞれを取り囲む複数の導光孔5hを有するリフレクター5と、リフレクター5上に設けられた、複数の半導体発光装置4を覆うとともにリフレクター5の端部上にまで延在された透光性基板6と、基体2の側面から透光性基板6の側面を取り囲むとともに透光性基板6の外周に沿って透光性基板6の端部をリフレクター5の端部とで挟持したカバー7とを備えている。基体2は、配線基板3を実装するものであって、外部に接続することができる。基体2は、例えばアルミニウム、銅またはステンレス等の金属、あるいはプラスチックまたは樹脂等から構成されている。また、基体2は、例えば円板状であって、下面に放熱部材8が設けられる。また、基体2の上面に配線基板3が設けられる。基体2は、平面視して円形状であって、その外径が例えば50mm以上200mm以下に設定されている。また、基体2は、上下方向の長さが、例えば1mm以上10mm以下に設定されている。なお、基体2の熱伝導率は、例えば10W/mK以上500W/mK以下に設定されている。放熱部材8は、基体2から伝わる熱を外部に放熱するものである。基体2は、半導体発光装置4の発光時に発する熱が伝わり、温度が高くなりやすい。そこで、基体2の下面に放熱部材8を設けて、基体2に伝わった熱を外部に向かって放熱することで、基体2の温度が高温になるのを抑制することができ、基体2が熱変形するのを低減することができるとともに、半導体発光装置4の温度上昇を抑制することができる。なお、放熱部材8は、例えば、アルミニウム、銅またはモリブデン等の金属材料からなる。放熱部材8は、基体2に対して、例えば螺子またはボルト等の固定部材あるいは半田もしくはろう材等の接合材を介して固定されるか、または一体的に形成される。配線基板3は、基体2上に設けられる。配線基板3は、平面視して円形状であって、その主面上には複数の半導体発光装置4が実装される。配線基板3は、絶縁性の基板であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料からなる。なお、配線基板3は、直径が例えば48mm以上198mm以下に設定されている。配線基板3の上下方向の長さは、例えば0.2mm以上2mm以下に設定されている。配線基板3には、配線基板3の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。この配線導体は、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。また、この配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを配線基板3となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、それら複数のセラミックグリーンシートを積層して一体焼成することによって得られる。なお、配線基板3の内外に露出する配線導体の表面には、酸化防止のためにニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。このような配線基板3としては、例えば樹脂からなるプリント配線基板、あるいはフレキシブル配線基板等の樹脂基板、あるいはガラス基板、あるいはアルミ基板等の金属板を用いることができる。なお、配線基板3には、基体2に固定するための螺子孔図示せずが設けられている。そして、この螺子孔を用いて配線基板3と基体2とを螺子等を介して固定することができる。半導体発光装置4は、配線基板3上に実装される。複数の半導体発光装置4は、配線基板3の中心に対して放射状に配置されている。半導体発光装置4は、配線基板3の中心に配置されていないことにより、複数の半導体発光装置4からの熱が配線基板3の中心に集中することが抑制され、配線基板3の中心に配置された半導体発光装置4の発光効率が熱によって低下したり、発光スペクトルが変化することによって光の色が変化したりすることが抑制される。半導体発光装置4のそれぞれは、チップ実装基板41と、チップ実装基板41上に設けられた発光素子42と、発光素子42を取り囲む枠体43と、枠体43で囲まれる領域に設けられた封止部材44と、枠体43によって支持された、接着部材45を介して枠体43に接続される波長変換部材46とを備えている。発光素子42は、例えば発光ダイオードであって、発光素子42内のpn接合中の電子と正孔とが再結合することによって光が放出される。チップ実装基板41は、配線基板3上に設けられる。配線基板3とチップ実装基板41とは、例えば半田または導電性接着剤を介して電気的に導通するように接合される。チップ実装基板41は、例えばアルミナ、ムライトまたはガラスセラミックス等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうちから複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、チップ実装基板41には、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることもできる。チップ実装基板41の表面が拡散面である場合は、発光素子42から発せられる光が、チップ実装基板41の表面に照射されて拡散反射される。そして、発光素子42が発する光を拡散反射によって多方向に放射して、発光素子42から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。ここで、チップ実装基板41には、配線導体が設けられており、配線導体を介して配線基板3に電気的に接続されている。この配線導体は、例えばタングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。また、この配線導体は、例えばタングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、チップ実装基板41に所定パターンで印刷することによって形成される。発光素子42は、チップ実装基板41上に実装される。発光素子42は、チップ実装基板41上に形成される配線導体上に、例えば半田または導電性接着剤等の接着材料、あるいはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。発光素子42は、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。なお、発光素子42の厚みは、例えば30μm以上1000μm以下である。発光素子42は、第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層とから構成されている。これら第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えばIII族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII-V族半導体、あるいは窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下である。発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下である。第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子42では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発することができる。チップ実装基板41上には、発光素子42を取り囲むように枠状の枠体43が設けられている。枠体43は、チップ実装基板41上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体43は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の多孔質材料からなる。枠体43は、多孔質材料からなり、それによって枠体43の表面には微細な孔が多数形成される。枠体43は、発光素子42と間を空けて、発光素子42の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体43は、傾斜する内壁面が下端から上端に行くに従って外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体43の内壁面が、発光素子42から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体43の内壁面が拡散面である場合には、発光素子42から発せられる光が、枠体43の内壁面にて拡散反射する。そして、発光素子42から発せられる光は、特定箇所に集中されず、上方に向かって進行することができる。また、枠体43の傾斜する内壁面は、例えばタングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、発光素子42の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体43の内壁面の傾斜角度は、チップ実装基板41の上面に対して、例えば55°以上70°以下の角度に設定されている。枠体43で囲まれる領域には、封止部材44が充填されている。封止部材44は、発光素子42を封止するとともに、発光素子42から発せられる光が透過する機能を備えている。封止部材44は、枠体43の内方に発光素子42を収容した状態で、枠体43で囲まれる領域であって、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂や透光性の絶縁ガラスを用いることができる。波長変換部材46は、枠体43に支持されるとともに、発光素子42と間を空けて対向するように設けられる。また、波長変換部材46は、発光素子42を封止する封止部材44と空隙を介して枠体43に設けられる。波長変換部材46は、接着部材45を介して枠体43に接合されている。接着部材45は、波長変換部材46の下面の端部から波長変換部材46の側面、さらに波長変換部材46の上面の端部にかけて被着している。接着部材45には、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、接着部材45には、例えばポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることもできる。接着部材45の材料は、枠体43の熱膨張率と波長変換部材46の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択するとよい。接着部材45の材料としてこのような材料を選択することで、枠体43と波長変換部材46とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ留めることができる。接着部材45が波長変換部材46の下面の端部にまで被着していることで、接着部材45が被着する面積を大きくして、枠体43と波長変換部材46とを強固に接続することができる。その結果、枠体43と波長変換部材46との接続強度を向上させることができ、波長変換部材46の撓みが抑制される。そして、発光素子42と波長変換部材46との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。波長変換部材46は、発光素子42から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部材46は、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性樹脂、あるいは透光性ガラスから成り、その透光性樹脂中もしくは透光性ガラス中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部材46中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部材46の厚みは、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されている。また、波長変換部材46の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部材46の厚みは、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、波長変換部材46の厚みの誤差が0.1mm以下のものを含む。波長変換部材46の厚みを一定にすることにより、波長変換部材46にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材46における輝度むらを抑制することができる。次に、半導体発光装置4上に設けられるリフレクター5について説明する。リフレクター5は、配線基板3上に設けられ、配線基板3上の複数の半導体発光装置4と重なる領域に導光孔5hが形成されている。リフレクター5は、半導体発光装置4が発する光を反射するものであって、例えばアルミ二ウム、銅またはステンレス等の金属材料、あるいは酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料から構成されている。なお、リフレクター5は、金型によって成型されたポリカーボネート樹脂から成るリフレクター5の内壁面にアルミニウムを蒸着することによって構成されてもよい。リフレクター5は、環状の部材に上下方向に貫通する複数の導光孔5hがリフレクター5の中心から放射状に設けられているものである。なお、リフレクター5の中心には、導光孔5hが設けられておらず、中心凹部5cが設けられているとともに、中心凹部5cの底部に位置するリフレクター5の下面が配線基板3に当接している。このようにリフレクター5に中心凹部5cが設けられていることで、外部からの熱によって最も集中するリフレクター5中心部への応力を緩和でき、リフレクター5の割れや破損を抑制することができるという作用効果を奏する。なお、リフレクター5の中心凹部5cの底部に凸部を設けて、配線基板3と直接接する領域を少なくしてもよい。中心凹部5cの底部に位置するリフレクター5の下面に、配線基板3に当接する凸部が形成されることにより、カバー7で透光性基板6を固定する際に透光性基板6からリフレクター5に作用する力によって生じる、リフレクター5の配線基板3側への撓みや反りを抑制することができ、照明装置1は半導体発光装置4からの光を所望する方向に反射させることができる。リフレクター5は、複数の導光孔5hのそれぞれが、複数の半導体発光装置4のそれぞれに対応して配置されている。各半導体発光装置4から発せられた光は、その上方に位置するリフレクターの導光孔5hを通って、透光性基板6を介して外部に取り出される。リフレクター5は、半導体発光装置4を取り囲む導光孔5hの内周面が、半導体発光装置4の側面を取り囲む内壁面と、半導体発光装置4の発する光を下方から上方に向かって反射させる傾斜面とからなる。内壁面は、配線基板3の上面に対して垂直となるように形成されており、傾斜面は配線基板3の上面に対して、例えば30°以上80°以下の角度で傾斜して形成されている。なお、リフレクター5は、リフレクター5の上下方向の長さが例えば5mm以上50mm以下に設定されており、内壁面の個所の上下方向の長さが例えば0.5mm以上4mm以下であって、傾斜面の個所の上下方向の長さが例えば1mm以上49.5mm以下に設定されている。また、リフレクター5の内周面の直径は、例えば3mm以上30mm以下に設定されている。また、リフレクター5の熱伝導率は、例えば10W/mK以上500W/mK以下で設定されている。リフレクター5の導光孔5hの傾斜面は、半導体発光装置4から導光孔5hの出射口に向かうにつれて広がるように形成されている。導光孔5hの傾斜面で囲まれる領域が導光孔5hの出射口に向かうにつれて大きくなることで、リフレクター5によって半導体発光装置4の発する光を遮りにくくすることができ、半導体発光装置4の発する光の照射面積を広くすることができる。つまり、導光孔5hは、導光孔5hの傾斜面で囲まれる横断面の領域が下部から上部に向かって広がるように形成されている。それによって、導光孔5hの下方に位置する半導体発光装置4が発する光を、導光孔5hの内壁面を通して光を集め、導光孔5hの内壁面にて反射させて、上方に向かって広がって指向性よく取り出すことができる。透光性基板6は、円板状であって、リフレクター5上に設けられている。この透光性基板6は、半導体発光装置4を保護するものである。この透光性基板6は、リフレクター5の導光孔5hが存在しない複数の個所において支持されている。そして、透光性基板6は、全ての導光孔5hをふさぐように設けられている。また、透光性基板6の下面の端部は、リフレクター5の上面の端部に対して重なり合うように当接している。透光性基板6は、半導体発光装置4から発せられる光が透過する材料からなり、例えば樹脂またはガラス等の光透過性材料から構成されている。そして、半導体発光装置4の発する光が、透光性基板6を通過して外部に取り出される。なお、透光性基板6は、直径が例えば50mm以上200mm以下に設定されている。透光性基板6の上下方向の長さは、例えば0.5mm以上5mm以下に設定されている。カバー7は、基体2の側面から透光性基板6の側面を取り囲むように設けられている。カバー7は、透光性基板6の外周に沿って透光性基板6の端部をリフレクター5の端部とで挟持して、基体2に固定されている。カバー7は、透光性基板6を位置決めするとともに、配線基板3、半導体発光装置4およびリフレクター5を外部から保護するものである。カバー7は、円筒状の本体71と、本体71の上部に設けられた板部72とから構成されており、例えばアルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチックまたは樹脂等からなる。円筒状の本体71は、内径が例えば50mm以上200mm以下であって、外径が例えば51mm以上205mm以下に設定されている。また、本体71は、上下方向の長さは、例えば20mm以上100mm以下に設定されている。そして、本体71の内周面の一部には、上下方向に切欠いた溝71aが形成されている。溝71aが設けられている本体71の外周面は、外方に向かって盛り上がって形成されている。本体71は、溝71aが設けられていることで、本体71が熱変形するのを溝71aにて応力緩和して、本体71が破壊されるのを抑制することができる。なお、溝71aは、本体71の内壁面に3箇所設けられており、それぞれが等距離となるように設定されている。また、溝71aは、基体2の外周部に形成された螺子孔を介して、カバー7と基体2とを螺子止め固定する際の螺子71bが挿入される溝部として利用することができる。さらに、溝71aが設けられている本体71の外周面は、外方に向かって盛り上がって形成されていることにより、カバー7と基体2とを螺子止めによって固定する際の螺子止めの力によって生じるカバー7の変形を抑制することができる。また、カバー7は、本体71が基体2に対して螺子71bを介して螺子止めされることで、基体2と接続される。螺子止めは、螺子71bを下方から上方に向かって、基体2の外周部に形成された螺子孔および本体71の溝71aに挿入固定するように差し入れて、カバー7と基体2とを固定する。なお、カバー7は、螺子71bを用いずに、基体2に対して半田やろう材等を用いて接合してもよい。板部72は、本体71の外周面よりも外方に向かって張り出した外張出部721と、本体71の内周面よりも内方に向かって張り出した内張出部722とから構成されている。そして、外張出部721は、カバー7に伝わった熱を外部に向かって効率よく放熱するものであって、内張出部722は、透光性基板6に当接するものである。外張出部721は、本体71の外壁よりも外方に向かって延びた平面方向の長さが、例えば10mm以上100mm以下に設定されている。また、内張出部722は、本体71の内壁よりも内方に向かって延びた平面方向の長さが、例えば5mm以上50mm以下に設定されている。カバー7は、透光性基板6と当接する面に凹部7cが設けられている。カバー7は、凹部7cを設けることで、カバー7と透光性基板6との接触面積を小さくすることができ、カバー7から透光性基板6に伝わる熱を少なくし、透光性基板6が熱変形するのを抑制することができるとともに、熱エネルギーによる透過率の劣化を抑制することができる。なお、凹部7cは、内張出部722の下面の一部に設けられている。カバー7は、本体71の内壁面が、透光性基板6の側面と間を空けて設けられている。カバー7の内周面と透光性基板6の側面との間に隙間を設けることで、仮に透光性基板6が熱膨張を起こしたとしても、カバー7の内壁面から応力を受けて透光性基板6が破壊されるのを抑制することができる。さらに、半導体発光装置4の発光時に発する熱は、配線基板3から基体2およびカバー7を介して透光性基板6に伝わり難くなり、熱エネルギーによる透過率の劣化が抑制される。その結果、透光性基板6によって保護されている配線基板3、半導体発光装置4およびリフレクター5が外部に露出して、大気に曝されることで、これらの部材が劣化するのを抑制することができ、信頼性を良好に維持した照明装置1を提供することができるとともに、照明装置1の光出力を長期間にわたって維持することができる。カバー7は、本体71の内壁面が、リフレクター5の側面に対して間を空けて設けられている。よって、半導体発光装置4の発光時に発する熱は、配線基板3から基体2およびカバー7を介してリフレクター5に伝わり難くなる。また、半導体発光装置4の発光時に発する熱が配線基板3を介してリフレクター5に伝わり、リフレクター5が熱膨張を起こそうとするが、リフレクター5の側面と本体71の内壁面との間に隙間を設け、リフレクター5が本体71の内壁面から応力を受けて、リフレクター5が変形するのを抑制することができるとともに、熱エネルギーが付加されることによる反射率の劣化を抑制することができる。その結果、リフレクター5が反射する光の方向を出力を所望する方向に維持することができ、外部に取り出される光の指向性を良好に維持することができる。本実施形態によれば、透光性基板6をリフレクター5とカバー7とで挟持して位置決めすることで、透光性基板6がリフレクター5またはカバー7に固定された状態でないため、リフレクター5またはカバー7から熱が伝わりにくく、半導体発光装置4から間接的に透光性基板6に伝わる熱によって、透光性基板6が熱変形するのを抑制することができるとともに、熱エネルギーが付加されることによる透過率の劣化を抑制することができる。また、仮に透光性基板6が熱変形しても、透光性基板6に加わる外部応力を低減することができ、透光性基板6が破壊されにくくすることができるので、半導体発光装置4が発する光を継続して所望する方向に取り出せるようにする照明装置1を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。<照明装置の製造方法>ここで、図1に示す照明装置の製造方法を説明する。まず、複数の半導体発光装置4を準備する。チップ実装基板41および枠体43が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。チップ実装基板41は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形され、枠体43は、型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前のチップ実装基板41および枠体43が取り出される。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出したチップ実装基板41となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体43は、所望の温度で焼結されることによって形成される。次に、チップ実装基板41上の配線パターンに発光素子42を半田を介して電気的に実装した後、発光素子42を取り囲むように枠体43を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体43で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、このシリコーン樹脂を硬化させることで、封止部材44を形成する。次に、波長変換部材46を準備する。波長変換部材46は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて作製することができる。また、例えば波長変換部材46は、未硬化の波長変換部材46を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることができる。そして、準備した波長変換部材46を枠体43上に、例えば樹脂からなる接着部材45を介して接着することで、半導体発光装置4を作製することができる。さらに、円形の配線基板3を準備する。配線基板3には、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、配線基板3に複数の半導体発光装置4を半田を介して電気的に実装することができる。次に、基体2、放熱部材8、リフレクター5および透光性基板6を準備する。基体2および放熱部材8は、アルミニウムからなり、例えば、金型成形によって所望の形状に一体的に形成される。リフレクター5は、例えば、ポリカーボネートからなり、押出成形法によって所望の形状に成形されている。また、リフレクター5には、例えばアルミニウム材料を用いて導光孔5hの内周面に蒸着を行うことで、リフレクター5の表面を光が反射しやすい反射面にすることができる。透光性基板6は、例えば、透光性基板6の型枠に透光性の樹脂材料、例えばアクリル樹脂を充填し、固化させることで作製することができる。そして、半導体発光装置4を実装した配線基板3を基体2に実装し、その配線基板3上にリフレクター5を設ける。さらに、リフレクター5上に透光性基板6を位置決めし、カバー7を用いて透光性基板6をリフレクター5とで挟持して、カバー7を基体2に対して螺子止めすることで、照明装置1を作製することができる。