"浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分Aと、露光により酸を発生する酸発生剤成分Bと、A成分及びB成分を溶解する有機溶剤Cと、含窒素有機化合物Dとを含み、前記A成分は、a1酸解離性溶解抑制基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位、a2ラクトン単位を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位、並びにa4前記a1単位の酸解離性溶解抑制基、前記a2単位のラクトン単位、およびアルコール性水酸基含有多環式基のいずれとも異なる多環式基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位下記式で表される構成単位を除くを有し、かつa0a0-1ジカルボン酸の無水物含有構成単位およびa0-2フェノール性水酸基含有構成単位を有さないことを特徴とするポジ型レジスト組成物。前記A成分は、メタアクリル酸エステルから誘導される構成単位からなることを特徴とする請求項1記載のポジ型レジスト組成物。前記構成単位a4が、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基から選ばれる少なくとも1種以上の多環式基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位であることを特徴とする請求項1または2記載のポジ型レジスト組成物。前記構成単位a4が、下記のいずれかの一般式で表される構成単位であることを特徴とする請求項1または2記載のポジ型レジスト組成物。式中Rは水素原子又はメチル基である式中Rはメチル基である式中Rは水素原子又はメチル基である前記構成単位a2が、ノルボルナンラクトンエステルを含む構成単位であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のレジスト組成物。前記浸漬露光する工程において、当該レジスト組成物からなるレジスト層と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きくかつ前記レジスト層の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒で満たすレジストパターン形成方法に用いられるものであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のレジスト組成物。前記A成分における前記各構成単位a1及びa2のそれぞれの含有量が、a120~60モル、及びa220~60モルである請求項1~6のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。前記A成分が、メタクリル酸エステルから誘導される構成単位と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位を、ともに有することを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。前記空気の屈折率よりも大きくかつ前記レジスト層の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が、水である請求項6~8のいずれかに記載のレジスト組成物。上記のようにイマージョンリソグラフィーの長所は多額な設備投資を必要とする半導体素子の製造において、コスト的にも解像度等のリソグラフィー特性的にも半導体産業に多大な効果を与えることが予想される。しかしながら、上述のように露光時にレジスト層が溶媒に接触することになるため、レジスト層の変質が起こったり、また、レジストから溶媒へ悪影響を及ぼす成分が滲出することにより溶媒の屈折率を変化させイマージョンリソグラフィーの本来の長所が損なわれるなどの問題点があり、従来の通常露光プロセスと同程度に良好なレジストパターンが形成されるか、まだまだ未知な点が多い。実際、従来のある種のKrF用レジストやArF用レジスト組成物をイマージョンリソグラフィーに適用したところ、溶媒の影響を受け、感度劣化や得られるレジストパターンがT-トップ形状となるなどレジストパターンの表面の荒れプロファイル形状劣化、或いはレジストパターンが膨潤するという問題があった。本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、イマージョンリソグラフィーの長所である解像度および焦点深度の向上を損なうことなく、イマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒の悪影響を受けにくく、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れる、イマージョンリソグラフィー工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型又はネガ型レジスト組成物、及びこれらのレジスト組成物を用いるレジストパターンの形成方法を提供することを課題とする。本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下のような手段により、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明のポジ型レジスト組成物第四の発明は、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物であって、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分Aと、露光により酸を発生する酸発生剤成分Bと、A成分及びB成分を溶解する有機溶剤Cと、含窒素有機化合物Dとを含み、前記A成分は、a1酸解離性溶解抑制基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位、a2ラクトン単位を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位、並びにa4前記a1単位の酸解離性溶解抑制基、前記a2単位のラクトン単位、およびアルコール性水酸基含有多環式基のいずれとも異なる多環式基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位下記式で表される構成単位を除くを有し、かつa0a0-1ジカルボン酸の無水物含有構成単位およびa0-2フェノール性水酸基含有構成単位を有さないことを特徴とするポジ型レジスト組成物である。なお、本発明者らは、本発明をなすに当たって、浸漬露光工程を含むレジストパターン形成方法に用いるレジスト膜の適性性を評価する方法について、以下のように分析し、その分析結果に基づいて、レジスト組成物およびこの組成物を用いたレジストパターン形成方法を評価した。すなわち、浸漬露光によるレジストパターン形成性能を評価するには、i浸漬露光法による光学系の性能、ii浸漬溶媒に対するレジスト膜からの影響、iii浸漬溶媒によるレジスト膜の変質、の3点が確認できれば、必要十分であると、判断される。iの光学系の性能については、例えば、表面耐水性の写真用の感光板を水中に沈めて、その表面にパターン光を照射する場合を想定すれば明らかなように、水面と、水と感光板表面との界面とにおいて反射等の光伝搬損失がなければ、後は問題が生じないことは、原理上、疑いがない。この場合の光伝搬損失は、露光光の入射角度の適正化により容易に解決できる。したがって、露光対象であるものがレジスト膜であろうと、写真用の感光版であろうと、あるいは結像スクリーンであろうと、それらが浸漬溶媒に対して不活性であるならば、すなわち、浸漬溶媒から影響も受けず、浸漬溶媒に影響も与えないものであるならば、光学系の性能には、なんら変化は生じないと考え得る。したがって、この点については、新たに確認実験するには及ばない。iiの浸漬溶媒に対するレジスト膜からの影響は、具体的には、レジスト膜の成分が液中に溶け出し、浸漬溶媒の屈折率を変化させることである。浸漬溶媒の屈折率が変化すれば、パターン露光の光学的解像性は、変化を受けるのは、実験するまでもなく、理論から確実である。この点については、単に、レジスト膜を浸漬溶媒に浸漬した場合、ある成分が溶け出して、浸漬溶媒の組成が変化していること、もしくは屈折率が変化していることを確認できれば、十分であり、実際にパターン光を照射し、現像して解像度を確認するまでもない。これと逆に、浸漬溶媒中のレジスト膜にパターン光を照射し、現像して解像性を確認した場合には、解像性の良否は確認可能でも、浸漬溶媒の変質による解像性への影響なのか、レジスト膜の変質による解像性の影響なのか、あるいは両方なのかが、区別できなくなる。iiiの浸漬溶媒によるレジスト膜の変質によって解像性が劣化する点については、選択的露光と露光後加熱PEBの間に浸漬溶媒を、例えば、シャワーのようにレジスト膜にかけて接触させる処理を行い、その後、現像し、得られたレジストパターンの解像性を検査するという評価試験で十分である。しかも、この評価方法では、レジスト膜に浸漬溶媒を直に振りかけることになり、浸漬条件としては、より過酷となる。かかる点についても、完全浸漬状態で露光を行う試験の場合には、浸漬溶媒の変質による影響なのか、レジスト組成物の浸漬溶媒による変質が原因なのか、あるいは双方の影響により、解像性が変化したのかが判然としない。前記現象iiとiiiとは、表裏一体の現象であり、レジスト膜の浸漬溶媒によるパターン形状の悪化や感度劣化などの変質程度を確認することによって、把握できる。従って、iiiの点についてのみ検証行なえばiiの点に係る検証も含まれる。このような分析に基づき、浸漬露光プロセスに好適な新たなレジスト組成物から形成されるレジスト膜の浸漬露光適性を、選択的露光と露光後加熱PEBの間に浸漬溶媒を、例えば、シャワーのようにレジスト膜にかけて接触させる処理を行い、その後、現像し、得られたレジストパターンの解像性を検査するという評価試験により、確認した。さらに、一段と評価試験1を進展させた他の評価方法として、実際の製造工程をシミュレートした露光のパターン光をプリズムによる干渉光をもって代用させて、試料を実際浸漬状態に置き、露光させる構成の2光束干渉露光法という評価試験も行なって確認した。さらにレジスト膜と浸漬溶媒の関係について、極微量な膜厚変化を測定する方法として、水晶振動子法水晶天秤:QuartsCrystalMicrobalanceを用いた膜厚測定法による評価試験3により、確認した。また、本発明において、通常露光とは、これまで慣用的に行なわれている、露光装置のレンズとウェーハ上のレジスト層間を空気や窒素等の不活性ガスの状態で露光するものである。メタアクリル酸とは、メタクリル酸、アクリル酸の一方または両方を示す。構成単位とは、重合体を構成するモノマー単位を示す。ラクトン単位とは、単環式または多環式のラクトンから1個の水素原子を除いた基である。リソグラフィー工程は、通常、レジスト塗布、プレベーク、選択的露光、露光後加熱、及びアルカリ現像を順次施す工程を含み、場合によっては、上記アルカリ現像後ポストベーク工程を含む。本発明によれば、イマージョンリソグラフィー工程においてレジストパターンがT-トップ形状となるなどレジストパターンの表面の荒れがなく、感度劣化が小さく、膨潤の小さいレジストパターンプロファイル形状に優れる精度の高いレジストパターンを得ることができる。従って、本発明のレジスト組成物を用いると、イマージョンリソグラフィー工程を含むレジストパターンの形成を効果的に行うことができる。以下、本発明について詳細に説明する。第一のレジスト組成物本願明細書において、第一の発明は、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、該レジスト組成物を用いて形成した塗膜を露光して又は未露光のまま水に浸漬し、次いで該浸漬状態で水晶振動子法により該塗膜の膜厚の変化を測定したとき、露光後塗膜と未露光後塗膜の両方において、それらの塗膜の測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量が1.0nm以下であることを特徴とするレジスト組成物である。後述の実施例、比較例及びグラフから明らかであるが、上記した最大の膜厚増加量が1.0nm以下のレジスト組成物は、浸漬露光プロセス用レジスト組成物として、極めて好適であり、イマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒の悪影響を受けにくく、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れるという効果を有する。該最大の膜厚増加量は、好ましくは0.8nm以下、さらに好ましくは0.5nm以下であり、0に近ければ近いほどイマージョンリソグラフィーに好適であり、好ましい。より具体的に、第一の発明について、膜厚値の測定手順にしたがって説明する。該レジスト組成物を用いて形成した塗膜とは、シリコンウェーハのような基板にレジスト組成物を回転塗布法などによって、所定膜厚に塗布し、乾燥させた塗膜をいう。ここで言う乾燥とは、レジスト組成物中の溶媒を加熱して揮発させたもので、リソグラフィープロセスにおけるプレベークと同じである。所定膜厚は特に限定されるものではないが、本実施例では150nmとして評価した。次に該塗膜を露光して又は未露光のまま水に浸漬する。これは露光部又は未露光部における水の影響による膜厚の変動を観るためである。光源としては各レジストに好適な光源を用いる、例えば、KrF用レジストであれば、KrFエキシマレーザー248nmを、ArF用レジストであれば、ArFエキシマレーザー193nmを、F2用レジストであれば、F2エキシマレーザー157nm等を用いる。露光する場合の露光量としては、特に限定されるものではないが、一つの指標として、リソグラフィー法において、目視で確認できる大面積を露光、現像し、その大面積のレジスト膜が現像により消失し基板が確認できる最低の露光量を用いればよい。そして、該露光部を有する塗膜を設けた基板と、未露光部を有する塗膜を設けた基板とを、それぞれ水に浸漬し、その浸漬状態で水晶振動子法により、各塗膜の膜厚の変化をそれぞれ測定する。水晶振動子法とは、公知の水晶天秤QuartsCrystalMicrobalanceを用いた膜厚測定法である。この方法により、露光部と未露光部における水に対するレジスト膜のnmオーダーのわずかな膜厚の変化を測定できる。本発明においては、その測定装置としては、リソテックジャパン社製RDA-QZ3を用いた。後述する比較例とその結果を示したグラフ図6~8からも明らかなように、浸漬露光プロセス用レジスト組成物として不十分なレジストでは、露光後塗膜と未露光後塗膜の少なくとも一つ、すなわちそれらの塗膜のどちらか或いは両方において、測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量が1.0nmを超えている。対して、上記した塗膜の両方において、測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量が1.0nm以下となる第一の発明のレジストにおいては、最も微細なレジストパターンで45nmのパターンが形成されることが確認されている。測定開始から10秒間としたのは、実際の液浸露光プロセスで要する時間はもっと短いことから、10秒間内での挙動で判断すれば十分であるからである。逆にこれ以上長い時間で判断しても液浸プロセスからかけ離れ、意味のない数値となる。最大の膜厚増加量1.0nm以下とは、露光後塗膜又は未露光後塗膜のそれぞれの塗膜について、浸漬時間を横軸にとり、縦軸に膜厚変化量をとるとグラフが描け、そのグラフから容易に理解される。そのグラフに基づき説明すると、それぞれの塗膜のグラフにおいて、それらの塗膜の両方のグラフにおける最大の膜厚増加量を求め、それが1.0nm以下という意である。また、膜厚増加量とは、上記グラフが0を基準にしてこれより上方に位置することからわかり、逆に膜厚減少量とは、0より下方に位置することからわかる。このようなグラフから、露光後塗膜と未露光後塗膜の膜厚増加量又は減少量が小さく、時間軸に対しなるべく水平なグラフが得られる、すなわち、20秒経過後、好ましくは60秒間経過後でも露光後塗膜と未露光後塗膜の膜厚増加量又は減少量が2nm以下の範囲のものがより好ましい。特には、実施例17や18から明らかなように、ノルボルナンラクトンのメタアクリレート単位を含む3元ポリマーやγ-ブチロラクトンのメタアクリレート単位を含む4元ポリマーを用いたレジスト組成物が好ましい。第二のポジ型レジスト組成物と第三のネガ型レジスト組成物本願明細書において、第二の発明は、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、波長193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程により130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX1とし、他方、同193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程において、選択的露光と露光後加熱PEBの間に上記浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた模擬的浸漬リソグラフィー工程により同130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX2としたとき、X2/X1-1×100の絶対値が8.0以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物である。また、第三の発明は、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、波長193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程により160nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX1’とし、他方、同193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程において、選択的露光と露光後加熱PEBの間に上記浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた模擬的浸漬リソグラフィー工程により同160nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX2’としたとき、X2’/X1’-1×100の絶対値が8.0以下であることを特徴とするネガ型レジスト組成物である。上記定義した絶対値はポジ又はネガレジスト組成物共に8.0以下、好ましくは5以下、最も好ましくは3以下で、0に近いほどよい。上記課題を解決するための手段で説明したように、本発明者らは、評価試験1、評価試験2及び評価試験3の結果から、総合して、第一の発明における最大の膜厚増加量、または第二又は第三の発明における絶対値を有するレジスト組成物は、浸漬露光プロセス用レジスト組成物として、極めて好適であり、イマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒の悪影響を受けにくく、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れるという効果を有することを見出した。本第二及び第三の発明における波長193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程とは、波長193nmのArFエキシマレーザーを光源とし、これまで慣用的に行なわれている、露光装置のレンズとウェーハ上のレジスト層間を空気や窒素等の不活性ガスの状態で露光する通常露光により、シリコンウェーハなどの基板上に、通常のリソグラフィー工程、すなわち、レジスト塗布、プレベーク、選択的露光、露光後加熱、及びアルカリ現像を順次施す工程を意味する。場合によっては、上記アルカリ現像後ポストベーク工程を含んでもよいし、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けてもよい。そして、そのような通常露光のリソグラフィー工程により130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターン以下130nmLSと言うを形成したときの感度X1とは、130nmLSが形成される露光量であり、当業者において頻繁に利用されるものであり、自明である。念のため、この感度について、一応、説明すると、横軸に露光量をとり、縦軸にその露光量により形成されるレジストライン幅をとり、得られたプロットから最小二乗法によって対数近似曲線を得る。その式は、Y=aLogeX1bで与えられ、ここで、X1は露光量を、Yはレジストライン幅を、そしてaとbは定数を示す。さらに、この式を展開し、X1を表す式へ変えると、X1=ExpY-b/aとなる。この式にY=130nmを導入すれば、計算上の理想的感度X1が算出される。また、その際の条件、すなわちレジスト塗布の回転数、プレベーク温度、露光条件、露光後加熱条件、アルカリ現像条件もこれまで慣用的に行なわれている条件でよく、130nmLSが形成できる範囲で自明である。具体的には、回転数は約2000rpm程度、より具体的には1000~4000rpm程度であり、プレベーク温度は70~140°Cの範囲であり、これによって、レジスト膜厚80~250nmを形成する。露光条件は、波長193nmのArFエキシマレーザー露光装置ニコン社製又はキャノン社製等を用いて、マスクを介して露光すればよい。選択的露光におけるマスクとしては、通常のバイナリマスクを用いる。このようなマスクとしては、位相シフトマスクを用いてもよい。露光後加熱温度は90~140°Cの範囲であり、アルカリ現像条件は、2.38重量TMAH現像液により、23°Cにて、15~90秒間現像し、その後、水リンスを行う。さらに、本第二の発明における、模擬的浸漬リソグラフィー工程とは、上記説明した同193nmのArFエキシマレーザーを光源に用いた通常露光のリソグラフィー工程において、選択的露光と露光後加熱PEBの間に浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた工程を意味する。具体的には、レジスト塗布、プレベーク、選択的露光、浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程、露光後加熱、及びアルカリ現像を順次施す工程である。場合によっては、上記アルカリ現像後ポストベーク工程を含んでもよい。接触とは基板上に設けた選択的露光後のレジスト膜を浸漬露光の溶媒に浸漬させても、シャワーの様に吹きかけてもかまわない。そして、そのような模擬的浸漬リソグラフィー工程により、130nmLSのレジストパターンを形成したときの感度X2とは、上記X1と同様に130nmLSが形成される露光量であり、当業者においては通常利用されるものである。また、その際の条件レジスト塗布の回転数、プレベーク温度、露光条件、露光後加熱条件、アルカリ現像等の条件も上記X1と同様である。本第二の発明においては、X2/X1-1×100の絶対値が8.0以下であることが必要であるが、この絶対値とは、X2とX1が上記のように求まれば、自明である。本第三の発明におけるX1’、X2’についても、レジストライン幅が160nmとなるだけで、X1、X2と全く同様である。当然、X2’/X1’-1×100についても、全く同様である。絶対値8.0を超えると、浸漬露光プロセス用レジスト組成物として、不適であり、レジストパターンがT-トップ形状となったり、レジストパターンの倒れが生じたりするなどの不具合が生じる。また、波長248nmのKrFエキシマレーザーを用いて評価する場合は、次のようにその露光波長とラインアンドスペースパターンサイズを代えるだけで、同様にその絶対値は8.0以下であることにより、本第二の発明と同様な効果を有する。すなわち、KrFエキシマレーザーの場合は、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物であって、波長248nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程により150nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX1とし、他方、同248nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程において、選択的露光と露光後加熱PEBの間に上記浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた模擬的浸漬リソグラフィー工程により同150nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX2としたとき、X2/X1-1×100の絶対値が8.0以下であるとよい。その絶対値は、好ましくは5以下、最も好ましくは3以下で、0に近いほどよい。リソグラフィー工程におけるレジスト塗布、プレベーク、選択的露光、露光後加熱、及びアルカリ現像を順次施す工程は、このラインアンドスペースパターンを形成する際のレジスト膜厚は300~400nmとし、露光光をKrFとする以外は、本第二の発明と同様である。第一のレジスト組成物、第二のポジ型レジスト組成物及び第三のネガ型レジスト組成物は、特に限定されないが、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分と露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有してなる化学増幅型ものが好ましい。この化学増幅型レジストは、これまでKrF用、ArF用、F2用、電子線用、X線用等さまざまなものが提案されているが、上記絶対値の特定範囲を有する限り限定されない。該樹脂成分としては、通常、化学増幅型レジスト用のベース樹脂として用いられている、一種又は二種以上のアルカリ可溶性樹脂又はアルカリ可溶性となり得る樹脂を使用することができる。前者の場合はいわゆるネガ型、後者の場合はいわゆるポジ型のレジスト組成物である。ネガ型の場合、レジスト組成物には、酸発生剤成分と共に架橋剤が配合される。そして、レジストパターン形成時に、露光により酸発生剤成分から酸が発生すると、かかる酸が作用し、アルカリ可溶性の樹脂成分と架橋剤間で架橋が起こり、アルカリ不溶性へ変化する。前記アルカリ可溶性樹脂としては、αヒドロキシアルキルアクリル酸、又はαヒドロキシアルキルアクリル酸の低級アルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂が浸漬露光において、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。また、前記架橋剤としては、例えば、通常は、メチロール基又はアルコキシメチル基、特にはブトキシメチル基を有するグリコールウリルなどの浸漬露光の溶媒に対して難溶性のアミノ系架橋剤を用いると浸漬露光において、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。前記架橋剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し、1~50重量部の範囲が好ましい。ポジ型の場合は、該樹脂成分はいわゆる酸解離性溶解抑制基を有するアルカリ不溶性のものであり、露光により酸発生剤成分から酸が発生すると、かかる酸が前記酸解離性溶解抑制基を解離させることにより、該樹脂成分がアルカリ可溶性となる。また、該樹脂成分は、ポジ型、ネガ型のいずれの場合にも、後述する本第四の発明のポジ型レジスト組成物で詳述するa0a0-1ジカルボン酸の無水物含有構成単位およびa0-2フェノール性水酸基含有構成単位以下、a0またはa0単位という。を有さないことが好ましい。この単位を有さないことにより、本第一発明における最大の膜厚増加量が1.0nm以下とでき、また本第二発明と第三発明における絶対値を8.0以下に調製できるので好ましい。[ポジ型レジスト組成物]本第四の発明に係るポジ型レジスト組成物本発明のポジ型レジスト組成物は、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物であって、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分Aと、露光により酸を発生する酸発生剤成分Bと、A成分及びB成分を溶解する有機溶剤Cとを含み、前記A成分は、a1酸解離性溶解抑制基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有し、かつa0a0-1ジカルボン酸の無水物含有構成単位又はa0-2フェノール性水酸基含有構成単位を有さないことを特徴とするポジ型レジスト組成物である。かかるポジ型レジスト組成物にあっては、前記B成分から発生した酸が作用すると、A成分に含まれている酸解離性溶解抑制基が解離し、これによってA成分全体がアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化する。そのため、レジストパターンの形成において、基板上に塗布されたポジ型レジスト組成物に対して、マスクパターンを介して選択的に露光すると、露光部のアルカリ可溶性が増大し、アルカリ現像することができる。[樹脂成分A]本第四の発明に係るポジ型レジスト組成物において、A成分は、a0a0-1ジカルボン酸の無水物含有構成単位およびa0-2フェノール性水酸基含有構成単位以下、a0またはa0単位という。を有さないことが必要である。本明細書においてa0-1ジカルボン酸の酸無水物含有構成単位とは、-CO-O-CO-構造を有する構成単位をいう。そのようなものとしては、例えば、単環式または多環式の環状酸無水物を含有する構成単位が挙げられ、より具体的には、下記[化1]に示す単環又は多環式の無水マレイン酸から誘導される単位、および下記[化2]に示すイタコン酸から誘導される単位等が挙げられる。また、a0-2フェノール性水酸基含有構成単位とは、ベンゼン環やナフタレン環のような芳香族炭化水素環に少なくとも一つの水酸基が結合した基を含む構成単位をいう。そのようなものとしては、例えば、ヒドロキシスチレン単位、α-メチルヒドロキシスチレン単位等が挙げられる。本第四の発明にかかるポジ型レジスト組成物は、A成分がa0、すなわちa0-1及びa0-2を含有しないことにより、浸漬露光イマージョンリソグラフィープロセスにおいても、感度、プロファイル形状に優れるレジストパターンを形成することができる。このようなa0を有するレジスト組成物は浸漬露光プロセスにおいて、レジスト層の変質等の不具合が生じ、このため感度やプロファイル形状が悪化するものと考えられる。本第四の発明に係るポジ型レジスト組成物において、A成分は、上記したようにa0単位を有さず、酸解離性溶解抑制基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、a1またはa1単位という。を有する限り、特に限定されない。ArFエキシマレーザーで露光する用途に適した特性とし、解像性等の特性を向上させる点においては、メタアクリル酸エステルから誘導される構成単位を80モル以上、好ましくは90モル以上100モルが最も好ましい含むことが好ましい。また、A成分は、解像性、耐ドライエッチング性、微細なパターンの形状を満足するために、a1単位以外の複数の異なる機能を有するモノマー単位、例えば、以下の構成単位の組み合わせにより構成される。ラクトン単位を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、a2またはa2単位という。、アルコール性水酸基含有多環式基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、a3またはa3単位という。、前記a1単位の酸解離性溶解抑制基、前記a2単位のラクトン単位、および前記a3単位のアルコール性水酸基含有多環式基のいずれとも異なる多環式基を含む構成単位以下、a4またはa4単位という。a2、a3及び/またはa4は、要求される特性等によって適宜組み合わせ可能である。好ましくは、A成分が、a1及びa2を含有していることにより、イマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒に対する耐溶解性が大きくなり、解像性およびレジストパターン形状が良好となる。さらに、これら2種の構成単位がA成分の40モル以上、より好ましくは60モル以上を占めていることが好ましい。なお、a1~a4単位の内、それぞれについて、異なる単位を複数種併用してもよい。なお、A成分に含まれる、前記a1~a4単位等のメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位において、メタクリル酸エステルから誘導される構成単位と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位がともに存在することが、エッチング時の表面荒れや、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広いポジ型レジスト組成物を得る点で好ましい。ここでのエッチング時の表面荒れは、上述の溶媒の影響によるレジストパターンの表面荒れプロファイル形状の劣化や、従来の耐ドライエッチング性とは異なり、現像してレジストパターンを形成した後、エッチングしたレジストパターンにおいて、コンタクトホールパターンでは、ホールパターン周囲にひずみとなって表れ、ラインアンドスペースパターンではラインエッジラフネスとして表れるものである。ラインエッジラフネスは、現像後にレジストパターンに発生するものである。ラインエッジラフネスは、例えばホールレジストパターンではホール周囲に歪みとなって表れるし、ラインアンドスペースパターンでは側面の不均一な凹凸となって表れる。また、上述の様に、最近の最先端の分野では、90nm付近、65nm付近、45nm付近、あるいはこれら以下の解像度が要求されつつあり、イマージョンリソグラフィーでは、その様な解像度の向上が期待されている。さらには、焦点深度幅特性を広くすることも望まれている。A成分において、上述の様にメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位とアクリル酸エステルから誘導されるエステルから誘導される構成単位とが共に存在することにより、これらの特性を向上させることができる。また、この2つの構成単位をともに含むことにより、ディフェクトの低減効果も得られる。ここで、ディフェクトとは、例えばKLAテンコール社の表面欠陥観察装置商品名KLAにより、現像後のレジストパターンの真上から観察した際に検知されるスカムやレジストパターンの不具合全般のことである。この場合において、当該A成分中にメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位とアクリル酸エステルから誘導される構成単位が含まれていればその形態は特に限定されず、例えば当該A成分が、共重合体A1:メタアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位とを含む共重合体、を含むものであってもよいし、混合樹脂A2:少なくともメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位を含む重合体と、少なくともアクリル酸エステルから誘導される構成単位を含む重合体との混合樹脂、を含むものであってもよい。なお、この混合樹脂A2を構成するこれらの重合体の一方あるいは両方が、前記共重合体A1に相当するものであってもよい。また、A成分には、他の樹脂成分を配合することもできるが、前記共重合体A1と前記混合樹脂A2のいずれか一方、あるいは両方からなるものが好ましい。また、共重合体A1と、混合樹脂A2においては、それぞれ種類の異なるものを2種以上組み合わせて用いることもできる。そして、A成分中のメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位とアクリル酸エステルから誘導される構成単位は、メタアクリル酸エステルから誘導される構成単位とアクリル酸エステルから誘導される構成単位のモル数の合計に対して、メタアクリル酸エステルから誘導される構成単位を10~85モル、好ましくは20~80モル、アクリル酸エステルから誘導される構成単位を15~90モル、好ましくは20~80モルとなる様に用いると好ましい。メタアクリル酸エステルから誘導される構成単位が多すぎると表面荒れの改善効果が小さくなり、アクリル酸エステルから誘導される構成単位が多すぎると解像性の低下を招くおそれがある。ついで、上記a1~a4単位について詳細に説明する。[a1単位]a1単位は、酸解離性溶解抑制基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。a1における酸解離性溶解抑制基は、露光前はA成分全体をアルカリ不溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、露光後は前記B成分から発生した酸の作用により解離し、このA成分全体をアルカリ可溶性へ変化させるものであれば特に限定せずに用いることができる。一般的には、メタアクリル酸のカルボキシル基と、環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基、第3級アルコキシカルボニル基、又は鎖状アルコキシアルキル基などが広く知られている。a1における酸解離性抑制基として、例えば、脂肪族多環式基を含有する酸解離性溶解抑制基を好適に用いることができる。前記多環式基としては、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テロラシクロアルカンなどから1個の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。この様な多環式基は、ArFレジストにおいて、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。これらの中でもアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上好ましい。a1として好適なモノマー単位を下記[化3]~[化11]に示す。式中、Rは水素原子又はメチル基、R1は低級アルキル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基、R2及びR3はそれぞれ独立して低級アルキル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基、R4は第3級アルキル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基、R5はメチル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基、R6は低級アルキル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基である。式中、Rは水素原子又はメチル基、R7は低級アルキル基である。上記R1~R3およびR6~R7はそれぞれ、炭素数1~5の低級の直鎖又は分岐状アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tertブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。工業的にはメチル基又はエチル基が好ましい。また、R4は、tert-ブチル基やtertアミル基のような第3級アルキル基であり、tert-ブチル基である場合が工業的に好ましい。a1単位として、上記に挙げた中でも、特に一般式I、II、IIIで表される構成単位は、イマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒に対する耐溶解性に優れ、高解像性に優れるパターンが形成できるため、より好ましい。[a2単位]a2単位は、ラクトン単位を有するので、レジスト膜と基板の密着性を高めたり、現像液との親水性を高めるために有効であるし、イマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒に対する耐溶解性にも優れる。本発明におけるa2単位は、ラクトン単位を有し、A成分の他の構成単位と共重合可能なものであればよい。例えば、単環式のラクトン単位としては、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基などが挙げられる。また、多環式のラクトン単位としては、ラクトン含有ポリシクロアルカンから水素原子を1つを除いた基などが挙げられる。このときラクトン単位において、-O-CO-構造を含む環をひとつ目の環として数える。したがって、ここでは環構造が-O-CO-構造を含む環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。a2として好適なモノマー単位を下記一般式[化12]~[化14]に示す。式中Rは水素原子又はメチル基である式中Rは水素原子又はメチル基である式中Rは水素原子又はメチル基であるこれらの中でも、[化14]に示したようなα炭素にエステル結合を有するメタアクリル酸のγ-ブチロラクトンエステル、又は[化12]や[化13]のようなノルボルナンラクトンエステルが、特に工業上入手しやすく好ましい。[a3単位]a3単位は、アルコール性水酸基含有多環式基を有するメタアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。前記アルコール性水酸基含有多環式基における水酸基は極性基であるため、これを用いることによりA成分全体の現像液との親水性が高まり、露光部におけるアルカリ溶解性が向上するし、イマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒に対する耐溶解性にも優れる。従って、A成分がa3を有すると、解像性が向上するため好ましい。そして、a3における多環式基としては、前記a1の説明において例示したものと同様の脂肪族多環式基から適宜選択して用いることができる。a3におけるアルコール性水酸基含有多環式基は特に限定されないが、例えば、水酸基含有アダマンチル基などが好ましく用いられる。さらに、この水酸基含有アダマンチル基が、下記一般式IVで表されるものであると、耐ドライエッチング性を上昇させ、パターン断面形状の垂直性を高める効果を有するため、好ましい。式中、nは1~3の整数である。a3単位は、上記したようなアルコール性水酸基含有多環式基を有し、かつA成分の他の構成単位と共重合可能なものであればよい。具体的には、下記一般式Vで表される構成単位が好ましい。式中、Rは水素原子またはメチル基である。[a4単位]a4単位において、前記酸解離性溶解抑制基、前記ラクトン単位、および前記アルコール性水酸基含有多環式基のいずれとも異なる多環式基とは、A成分において、a4単位の多環式基が、a1単位の酸解離性溶解抑制基、a2単位のラクトン単位、及びa3単位のアルコール性水酸基含有多環式基のいずれとも重複しない多環式基、という意味であり、a4が、A成分を構成しているa1単位の酸解離性溶解抑制基、a2単位のラクトン単位、及びa3単位のアルコール性水酸基含有多環式基をいずれも保持していないことを意味している。a4単位における多環式基は、ひとつのA成分において、前記a1~a3単位として用いられた構成単位と重複しない様に選択されていればよく、特に限定されるものではない。例えば、a4単位における多環式基として、前記a1単位として例示したものと同様の脂肪族多環式基を用いることができ、ArFポジレジスト材料として従来から知られている多数のものが使用可能である。特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基から選ばれる少なくとも1種以上であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。a4単位としては、上記のような多環式基を有し、かつA成分の他の構成単位と共重合可能なものであればよい。a4の好ましい例を下記[化17]~[化19]に示す。式中Rは水素原子又はメチル基である式中Rはメチル基である式中Rは水素原子又はメチル基である本第四の発明のポジ型レジスト組成物において、成分の組成は、該A成分を構成する構成単位の合計に対して、a1単位が20~60モル、好ましくは30~50モルであると、解像性に優れ、好ましい。また、成分を構成する構成単位の合計に対して、a2単位が20~60モル、好ましくは30~50モルであると、解像度、密着性に優れ、好ましい。また、a3単位を用いる場合、成分を構成する構成単位の合計に対して、5~50モル、好ましくは10~40モルであると、レジストパターン形状に優れ、好ましい。a4単位を用いる場合、A成分を構成する構成単位の合計に対して、1~30モル、好ましくは5~20モルであると、孤立パターンからセミデンスパターンの解像性に優れ、好ましい。中でも、A成分における前記各構成単位a1~a4のそれぞれの含有量が、a120~60モル、a220~60モル、及びa35~50モルである3元系、又はa125~50モル、a225~50モル、a310~30モル、及びa43~25モルである4元系共重合体を用いたポジ型レジスト組成物が浸漬露光イマージョンリソグラフィープロセスにおいても、感度、プロファイル形状に優れるレジストパターンを形成することができ、好ましい。また、本発明においては、F2エキシマレーザー用レジストの樹脂成分も前記a1単位を含み、かつa0単位を有さない限り、好適に用いることができる。そのようなF2用レジスト用の樹脂成分とは、例えばアクリル酸エステル単位の側鎖にフッ素原子やフルオロアルキル基を有する基を有する単位を含む共重合体である。本第四の発明における樹脂成分Aは、a1および必要に応じてa2、a3および/またはa4の各構成単位にそれぞれ相当するモノマーを、アゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって共重合させることにより、容易に製造することかできる。また、HS-CH2-CH2-CH2-CCF32-OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、共重合体の末端に-CCF32-OH基を導入した共重合体を用いることもできる。また、本第一乃至第四の発明における樹脂成分Aの質量平均分子量ポリスチレン換算、以下同様は特に限定するものではないが、2000~30000、ネガ型の場合は、2000~20000、好ましくは、4000~15000、ポジ型の場合は、5000~30000、さらに好ましくは8000~20000とされる。この範囲よりも大きいとレジスト溶剤への溶解性が悪くなり、小さいと耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が悪くなるおそれがある。樹脂成分Aについては、第四の発明におけるポジ型レジスト組成物について、これまで詳述したが、該樹脂A成分は、第一又は第二の発明のポジ型レジスト組成物にも好適に使用できる。[酸発生剤成分B]本第一乃至第四の発明において、用いられる酸発生剤成分Bとしては、従来、化学増幅型レジストにおける酸発生剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。該酸発生剤のなかでもフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩が好ましい。好ましい酸発生剤の例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、p-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパールフオロオクタンスルホネート、4-トリフルオロメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-トリフルオロメチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリp-tert-ブチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリp-tert-ブチルフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートなどのオニウム塩などが挙げられる。これらの中でも、スルホニウム塩が好ましく、中でもその炭素数3以上のフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩が好ましい。B成分として、1種の酸発生剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。B成分の使用量は、樹脂成分又はA成分100質量部に対し、0.5~30質量部、好ましくは1~10質量部とされる。0.5質量部未満ではパターン形成が十分に行われないし、30質量部を超えると均一な溶液が得られにくく、保存安定性が低下する原因となるおそれがある。[有機溶剤C]本第一乃至第四の発明に係るレジスト組成物は、前記樹脂成分又はA成分と前記B成分と、後述する任意のD成分および/またはE成分とを、有機溶剤Cに溶解させて製造することができる。有機溶剤Cとしては、前記樹脂成分又はA成分と前記B成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種又は2種以上適宜選択して用いることができる。有機溶剤Cとして、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルピン酸メチル、ピルピン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAと、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、乳酸エチルEL、およびγ-ブチロラクトン等のヒドロキシ基やラクトンを有する極性溶剤との混合溶剤は、ポジ型レジスト組成物の保存安定性が向上するため、好ましい。PGMEAにELを混合する場合は、PGMEA:ELの質量比が6:4~4:6であると好ましい。PGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比が8:2~2:8、好ましくは8:2~5:5であると好ましい。本第一乃至第四の発明に係るレジスト組成物において、有機溶剤Cの含有量は、これらレジスト組成物の固形分濃度が3~30質量となる範囲で、レジスト膜厚に応じて適宜設定される。[その他の成分]また、本第一乃至第四の発明に係るレジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意のD成分として含窒素有機化合物を配合させることができる。この含窒素有機化合物は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良いが、第2級低級脂肪族アミンや第3級低級脂肪族アミンが好ましい。ここで、低級脂肪族アミンとは炭素数5以下のアルキルまたはアルキルアルコールのアミンを言い、この第2級や第3級アミンの例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリぺンチルアミン、トリドデシルアミン、トリオクチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールなどが挙げられるが、特にトリエタノールアミンのようなアルカノールアミンが好ましい。また、下記一般式VIで表される含窒素有機化合物も好ましく用いることができる。式中、R11、R12は、それぞれ独立して低級アルキレン基、R13は低級アルキル基を示す。R11、R12、R13は直鎖、分岐鎖、環状であってもよいが、直鎖、分岐鎖状であることが好ましい。R11、R12、R13の炭素数は、分子量調整の観点から、それぞれ1~5、好ましくは1~3である。R11、R12、R13の炭素数は同じであってもよいし、異なっていてもよい。R11、R12の構造は同じであってもよいし、異なっていてもよい。一般式VIで表される化合物としては、例えばトリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス-2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシメトキシエチルアミン等が挙げられる。中でもトリス-2-2-メトキシエトキシエチルアミンが好ましい。これらの含窒素有機化合物の中では、とくに上記一般式VIで表される化合物が好ましく、特にトリス-2-2-メトキシエトキシエチルアミンがイマージョンリソグラフィー工程において使用される溶媒に対する溶解性が小さく好ましい。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのアミンは、樹脂成分又はA成分に対して、通常0.01~2.0質量の範囲で用いられる。また、前記D成分との配合による感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意のE成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。なお、D成分とE成分は併用することもできるし、いずれか1種を用いることもできる。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ‐n‐ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。E成分は、樹脂成分又はA成分100質量部当り0.01~5.0質量部の割合で用いられる。本第一乃至第四の発明に係るレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。本第一乃至第四の発明に係るレジスト組成物の製造は、例えば、後述する各成分を通常の方法で混合、攪拌するだけでよく、必要に応じディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用い分散、混合させてもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよい。[パターン形成方法]次に、本発明にかかるレジストパターンの形成方法について説明する。まずシリコンウェーハ等の基板上に、本発明にかかるレジスト組成物をスピンナーなどで塗布した後、プレベークPAB処理を行う。なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けた2層積層体とすることもできる。また、レジスト組成物の塗布層上に有機系の反射防止膜を設けた2層積層体とすることもでき、さらにこれに下層の反射防止膜を設けた3層積層体とすることもできる。ここまでの工程は、周知の手法を用いて行うことができる。操作条件等は、使用するレジスト組成物の組成や特性に応じて適宜設定することが好ましい。次いで、上記で得られたレジスト組成物の塗膜であるレジスト層に対して、所望のマスクパターンを介して選択的に浸漬露光LiquidImmersionLithographyを行う。このとき、予めレジスト層と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒で満たすが、さらに、空気の屈折率よりも大きくかつ前記レジスト層の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒で満たした状態で露光を行うことが好ましい。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2レーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、電子線、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。本発明にかかるレジスト組成物は、KrF又はArFエキシマレーザー、特にArFエキシマレーザーに対して有効である。上記のように、本発明の形成方法においては、露光時に、レジスト層と露光装置の最下位置のレンズ間に、空気の屈折率よりも大きくかつ使用されるレジスト組成物の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒で満たすことが好ましい。空気の屈折率よりも大きくかつ使用されるレジスト組成物の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、またはフッ素系不活性液体等が挙げられる。該フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体やパーフロオロアルキル化合物のような沸点が70~180°Cであり、より好ましくは、沸点が80~160°Cのものを挙げることができる。このパーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。フッ素系不活性液体の中では、上記範囲の沸点を有するものが露光終了後に行う浸漬液の除去が簡便な方法で行えることから、好ましい。本発明のレジスト組成物は、特に水に対する悪影響を受けにくく、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れる。また、水はコスト、安全性、環境問題及び汎用性の観点からも好ましい。また、空気の屈折率よりも大きくかつ使用されるレジスト組成物の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。次いで、露光工程を終えた後、PEB露光後加熱を行い、続いて、アルカリ性水溶液からなるアルカリ現像液を用いて現像処理する。そして、好ましくは純水を用いて水リンスを行う。水リンスは、例えば、基板を回転させながら基板表面に水を滴下または噴霧して、基板上の現像液および該現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流す。そして、乾燥を行うことにより、レジスト組成物の塗膜がマスクパターンに応じた形状にパターニングされた、レジストパターンが得られる。このようにしてレジストパターンを形成することにより、微細な線幅のレジストパターン、特にピッチが小さいラインアンドスペースLSパターンを良好な解像度により製造することができる。ここで、ラインアンドスペースパターンにおけるピッチとは、パターンの線幅方向における、レジストパターン幅とスペース幅の合計の距離をいう。本第一の発明に係るレジスト組成物は、上記した最大の膜厚増加量が1.0nm以下であることにより、また本第二及び第三の発明に係るポジ型又はネガ型レジスト組成物は、X2/X1-1×100又はX2’/X1’-1×100の絶対値が8.0以下であることにより、又は本第四の発明に係るポジ型レジスト組成物は、前記構成単位a1を有し、かつa0を有さない樹脂成分Aを含有しているので、レジスト組成物が前記空気の屈折率よりも大きくかつ使用されるレジスト組成物の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒と接触しても、レジストパターンがT-トップ形状となるなどレジストパターンの表面の荒れがなく、感度劣化が小さく、又膨潤の小さい、レジストパターンプロファイル形状に優れる精度の高いレジストパターンを得ることができる。以下本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。[実施例1参考例]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物1を調製した。A成分としては、[化21]に示した3種の構成単位からなるメタクリル酸エステルアクリル酸エステルの共重合体100質量部を用いた。A成分の調製に用いた各構成単位p、q、rの比は、p=50モル、q=30モル、r=20モルとした。なお、該共重合体はジカルボン酸の無水物含有構成単位およびフェノール性水酸基含有構成単位を有さない。調製したA成分の質量平均分子量は10000であった。B成分としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート3.5質量部と、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート1.0質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒1900質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。次に、上記で得られたレジスト組成物1を用いて、レジストパターンの形成を行った。まず、有機系反射防止膜組成物AR-19商品名、Shipley社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物1を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で115°C、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚150nmのレジスト層を形成した。次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR-S302Bニコン社製、NA開口数=0.60,σ=0.75により、ArFエキシマレーザー193nmを用いて選択的に照射した。そして、模擬的浸漬露光処理として、該露光後のレジスト層を設けたシリコンウェーハを回転させながら、23°Cにて純水を5分間滴下しつづけた。次に115°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得られた130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。本実施例のレジスト組成物1においては、Eopは12.7mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のレジスト組成物1を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは12.4mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、2.4であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ12.712.4、1.02であった。また、レジストパターンはT-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。[実施例2参考例]下記のA成分、B成分、D成分およびその他の成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物2を調製した。A成分としては、[化22]に示した3種の構成単位からなるメタクリル酸エステル共重合体100質量部を用いた。A成分の調製に用いた各構成単位p、q、rの比は、p=40モル、q=40モル、r=20モルとした。なお、該共重合体はジカルボン酸の無水物含有構成単位およびフェノール性水酸基含有構成単位を有さない。調製したA成分の質量平均分子量は10000であった。B成分としては、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート2.0質量部と、トリp-tert-ブチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート0.8質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合溶媒700質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。また、その他の成分として、γ-ブチロラクトン25質量部を用いた。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物2を用いて、実施例1と同様にして、模擬的浸漬露光処理を含めたパターン形成を行なった。その際の、130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。そのEopを求めたところ、20.3mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のレジスト組成物2を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは20.1mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、1.0であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ20.320.1、1.01であった。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、表面荒れも見られず、良好なものであった。[比較例1]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物10を調製した。A成分としては、[化23]に示した構成単位からなる重合体100質量部を用いた。調製したA成分の質量平均分子量は10000であった。B成分としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート3.5質量部と、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート1.0質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物10を用いて、実施例1と同様にして、模擬的浸漬露光処理を含めたパターン形成を行なった。その際の、130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。そのEopを求めたところ、9.1mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなかったが、表面荒れが観察され、不良なものであった。一方、本比較例1のレジスト組成物10を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは8.4mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、8.3であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ9.18.4、1.08であった。また、レジストパターンはT-トップ形状ではなかったが、表面荒れが観察され、不良なものであった。実施例1および実施例2の結果より、本発明のレジスト組成物を用いて、模擬的浸漬露光処理と通常露光処理を行った場合との感度Ethを比較すると、本第二の発明における絶対値はいずれも2以下であった。すなわち、本発明のレジスト組成物は、水と接触させても感度劣化が小さく、また解像性、T-トップ形状でもなく、表面荒れもなく、レジストパターン形状にも優れ、イマージョンリソグラフィーを採用したレジストパターンの形成に適したレジスト組成物であることがわかった。一方、比較例1の結果より、ジカルボン酸の酸無水物含有構成単位を有する樹脂を用いたレジスト組成物では、模擬的浸漬露光処理と通常露光処理を行なった場合と感度を比較すると、本第二の発明における絶対値は、8.3であり、感度劣化が大きく、また表面荒れが発生し、不良なレジストパターンであり、イマージョンリソグラフィーに不適あることが判明した。[比較例2]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物11を調製した。A成分としては、ヒドロキシスチレン単位63モル、スチレン単位24モル及びtert-ブチルアクリレート単位13モルの構成単位からなる共重合体100質量部を用いた。調製したA成分の質量平均分子量は12000であった。B成分としては、ビスtert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート2.8質量部と、ジメチルモノフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート1.0質量部を用いた。C成分としては、乳酸エチル600質量部を用いた。D成分としては、トリエタノールアミン0.26質量部を用い、E成分として、フェニルホスホン酸0.28質量部を用いた。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物11を用いて、レジストパターンの形成を行った。まず、有機系反射防止膜組成物AR-3商品名、Shipley社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で220°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚62nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物11を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で110°C、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚280nmのレジスト層を形成した。次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR-S203Bニコン社製、NA開口数=0.60により、KrFエキシマレーザー248nmを用いて選択的に照射した。そして、模擬的浸漬露光処理として、該露光後のレジスト層を設けたシリコンウエーハを回転させながら、23°Cにて純水を5分間滴下しつづけた。次に110°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得られた140nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。その結果、Eopは22.0mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンはT-トップ形状となり、また表面荒れが観察された。一方、本比較例のレジスト組成物11を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは20.0mJ/cm2であった。これをX2とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、10であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ22.020.0、1.1であった。また、レジストパターンはT-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。[比較例3]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物12を調製した。A成分としては、ヒドロキシスチレン単位64モル、1-エトキシ-1-エチルオキシスチレン単位36モル構成単位からなる共重合体70質量部とヒドロキシスチレン単位67モル、テトラヒドロピラニルオキシスチレン単位33モル構成単位からなる共重合体30質量部の混合樹脂を用いた。調製したA成分の質量平均分子量はそれぞれ8000であった。B成分としては、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン4質量部、tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート1質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒600質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリイソプロパノールアミン0.52質量部を用い、E成分として、ドデカン酸0.54質量部を用いた。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物12を用いて、レジストパターンの形成を行った。まず、有機系反射防止膜組成物DUV-44商品名、ブリューワサイエンス社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で225°C、90秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚65nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物をスピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で90°C、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚280nmのレジスト層を形成した。次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR-S203Bニコン社製、NA開口数=0.60により、KrFエキシマレーザー248nmを用いて選択的に照射した。そして、模擬的浸漬露光処理として、該露光後のレジスト層を設けたシリコンウエーハを回転させながら、23°Cにて純水を5分間滴下しつづけた。次に110°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得られた140nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。その結果、Eopは26.3mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンはT-トップ形状ではないが、表面荒れが見られた。一方、本比較例のレジスト組成物12を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは16.8mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、56.5であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ26.316.8、1.57であった。また、レジストパターンはT-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。比較例2と3の結果より、ArFエキシマレーザーではなく、KrFエキシマレーザーを用いたレジストパターン形成ではあるが、フェノール性水酸基含有構成単位を有する樹脂を用いたレジスト組成物では、模擬的浸漬露光処理と通常露光と比較してEopを比較すると、本第1の発明における絶対値は10,56.5であり、感度劣化が大きく、同時にレジストパターンにT-トップ形状や表面荒れが見られ、イマージョンリソグラフィーに全く不適あることが判明した。また、従来の技術に挙げた非特許文献1で実験されているUVII-HSは、上記比較例2と3でもちいたポジ型レジスト組成物11と12のようにフェノール性水酸基を樹脂中に有する点は共通している。なお、実施例1、2と比較例1~3においては、評価試験1をおこない、水を滴下したのみの模擬的浸漬露光処理で実際の液浸露光イマージョンリソグラフィーは行っていない。しかし、この評価試験1は、シリコンウェーハを回転させながら、23°Cにて純水を5分間滴下しつづけており、浸漬状態よりもより過酷な条件としているので、この評価試験1で感度やレジストパターン形状に問題がなければ、イマージョンリソグラフィーを適用したとき、イマージョンリソグラフィーの解像性の向上、広い焦点深度幅という効果を実現できることは明らかである。[実施例3参考例、比較例4]実施例1と同様の組成のレジスト組成物1を用いて、レジスト膜厚を140nmに変えた以外は、実施例1と同様にして、基板シリコウェーハの上に上記AR-19を82nmを設け、この上にレジスト層を形成した。そして、評価試験2として、浸漬露光は、ニコン社作成の実験装置を用いて、プリズムと水と193nmの2本の光束干渉による実験二光束干渉実験を行った。同様の方法は、前記非特許文献2にも開示されており、実験室レベルで簡易にLSパターンが得られる方法として公知である。実施例3における浸漬露光においては、レジスト層とプリズム下面との間に浸漬溶媒として、水溶媒層を形成した。なお、露光量は、LSパターンが安定して得られる露光量を選択した。また、上記反射防止膜上にレジスト膜を形成してから、約1時間経過した後露光処理PCD:postcoaingdelayし、さらに露光してから少なくとも30分間経過した後露光後加熱PEDpostexposuredelay処理した。一方、比較例4においては、浸漬溶媒である水溶媒を用いず、直接プリズムとレジスト層とを接触させた以外は、実施例3と同様にして実験を行った。現像は実施例1と同様に行なった。なお、この評価試験2は水溶媒層のレジスト層に対する影響やレジストパターンの解像性、パターンプロファイルを調べるものである。よって、空気を用いた比較例4と同等の結果が得られていれば、そのレジスト層は溶媒層による影響を受けずに解像が可能であり、イマージョンリソグラフィーに用いれば、高解像性と広い焦点深度幅が実現され、さらに微細なパターンが得られる。結果を表1に示した。表1の結果から明らかな様に、実施例3においては、実施例1と同様のレジスト組成物1を用いており、この様なレジスト組成物は、ライン幅90nm、ピッチ180nmをターゲットとし、純水を用いた場合、空気を用いた比較例4とライン幅とピッチについては同等の結果が得られた。ライン幅65nm、ピッチ130nmをターゲットとした場合については、空気を媒体とした比較の実験は行わなかったが、純水を用いた場合であってもターゲットに近い値が得られ、溶媒の影響を受けずに解像可能であることが判明した。また、いずれもプロファイル形状は良好であった。さらにLERラインエッジラフネスについては、純水を用いた場合、空気を用いた比較例4より、ラフネスの小さい優れた結果が得られた。また、この二光束干渉実験においては、通常のレジストパターニング評価を行うクリーンルームより、アミン等のコンタミネーションの管理が不十分な環境となっているが、そのような環境下でさえ、約1時間のPCDと、さらに少なくとも30分のPED処理にてもこのような良好な結果が得られた。したがって、このレジスト組成物をイマージョンリソグラフィーに適用すれば、例えばライン幅50nm、ピッチ100nm程度までは十分に解像可能であることが明らかとなった。[比較例5、6]比較例1と同様の組成のレジスト組成物10を用いて、レジスト膜厚を140nmに変えた以外は、比較例1と同様にして、基板シリコウェーハの上に上記AR-19を82nmを設け、この上にレジスト層を形成した。そして、実施例3と同様に、評価試験2として、浸漬露光は、ニコン社作成の実験装置を用いて、プリズムと水と193nmの2本の光束干渉による実験を行った。本比較例における浸漬露光においては、実施例3と同様にレジスト層とプリズム下面との間に浸漬溶媒として、水溶媒層を形成した。なお、露光量は、LSパターンが安定して得られる露光量を選択した。一方、比較例6においては、浸漬溶媒である水溶媒を用いず、直接プリズムとレジスト層とを接触させた以外は、比較例5と同様にして実験を行った。現像は比較例1と同様に行なった。結果を表2に示した。これら比較例5、6及び比較例1と実施例1、2、実施例3及び比較例4の結果より、X2/X1-1×100の式からもとまるその絶対値が8.0以下であれば、液浸露光においても、良好なレジストパターンが得られ、その数値を超えると液浸露光において、全くレジストパターンが形成されないことが明らかとなった。[実施例4参考例]下記化学式式中、m:nは84:16モルで表される繰り返し単位を有する樹脂成分と、この樹脂成分に対して、10質量のテトラブトキシメチル化グリコールウリルからなる水難溶性架橋剤と、1質量のトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートからなる酸発生剤と、0.6質量の4-フェニルピリジンからなるアミン成分とを、プロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解し、固形分重量を8.1質量としたネガ型レジスト組成物を調製した。他方、基板上に有機系反射防止膜AR-19商品名、Shipley社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、前記ネガ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて塗布し、110°Cにて60秒間プレベークして乾燥させることにより、前記反射防止膜上に膜厚250nmのレジスト膜を形成した。上記基板に対して、実施例3や比較例5と同様な2光束干渉光をプリズムを介して照射することによって、パターン露光光をシミュレートした2光束干渉露光装置株式会社ニコン社製の実験装置を用い、浸漬溶媒に純水を、光源に波長193nmのArFエキシマレーザーを用いて、浸漬露光を行った。なお、用いた装置のプリズム下面は純水を介してレジスト膜と接触していた。前記露光の後、110°Cにて60秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で40秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38wtテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得た90nmラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにて観察したところ、このパターンのプロファイルにおいては表面荒れ、膨潤共に小さい良好なものであった。[実施例5参考例]実施例4において、浸漬露光ではなく、実施例1と同様な模擬的浸漬露光処理を含めたパターン形成を行なった。詳しくは、まず、有機系反射防止膜組成物AR-19商品名、Shipley社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、実施例4で用いたネガ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で110°C、60秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚300nmのレジスト層を形成した。次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR-S302Bニコン社製、NA開口数=0.60,2/3輪帯により、位相シフトマスクを解してArFエキシマレーザー193nmを用いて選択的に照射した。そして、模擬的浸漬露光処理として、該露光後のレジスト層を設けたシリコンウェーハを回転させながら、23°Cにて純水を2分間滴下しつづけた。次に110°C、60秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で30秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得られた160nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。本実施例のネガ型レジスト組成物においては、Eopは30.7mJ/cm2であった。これをX2’とする。また、レジストパターンは、表面荒れ、膨潤共に見られず、良好なものであった。一方、本実施例のネガ型レジスト組成物を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは30.1mJ/cm2であった。これをX1’とする。次いで、X2’/X1’-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、2であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ30.730.1、1.02であった。また、このパターンのプロファイルにおいては表面荒れ、膨潤共に見られない良好なものであった。実施例4と5から、ネガ型レジスト組成物においても、その絶対値は、2であり、このような8.0以下の数値を取ると、実施例4の評価試験2の結果から、浸漬露光により、良好なレジストパターンが形成できることが確認できた。実施例6参考例ターゲットの解像性60nm及び55nm実施例1のレジスト組成物1において、D成分をトリエタノールアミンから、トリス-2-2-メトキシエトキシエチルアミン0.65重量部へ変えた以外は同様なレジスト組成物1-1用いて、さらにレジスト膜厚を140nmに変えた以外は、実施例1と同様にして、基板シリコウェーハの上に上記AR-19を82nmを設け、この上にレジスト層を形成した。そして、実施例3と同様な評価試験2ニコン社作成の実験装置を用いて、プリズムと水と193nmの2本の光束干渉による実験浸漬露光を行った。実施例3における浸漬露光と同様にレジスト層とプリズム下面との間に浸漬溶媒として、水溶媒層を形成した。なお、露光量は、LSパターンが安定して得られる露光量を選択した。現像は実施例1と同様に行なった。結果を表3に示した。実施例7参考例ターゲットの解像性50nm及び45nm実施例6において、プレベーク温度を125°Cに変え、またレジスト膜厚を110nmに変えた以外は、実施例6と同様にして、82nm膜厚のAR-19を設けた基板シリコウェーハの上にこの上にレジスト層を形成した。そして、実施例6と同様な評価試験2を行ったのち、さらに実施例6と同様にしてレジストパターンを形成した。結果を表3に示した。実施例8参考例ターゲットの解像性60nm及び55nm実施例1のレジスト組成物1において、B成分をトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートとジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートの混合物から、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート5.0質量部に変えた以外は同様なレジスト組成物1―2用いて、さらにレジスト膜厚を140nmに変えた以外は、実施例6と同様にして、82nm膜厚のAR-19を設けた基板シリコウェーハの上にこの上にレジスト層を形成した。そして、実施例6と同様な評価試験2を行ったのち、さらに実施例6と同様にしてレジストパターンを形成した。結果を表3に示した。実施例9参考例ターゲットの解像性50nm及び45nm実施例8において、プレベーク温度を125°Cに変え、またレジスト膜厚を110nmに変えた以外は、実施例6と同様にして、82nm膜厚のAR-19を設けた基板シリコウェーハの上にレジスト層を形成した。そして、実施例6と同様な評価試験2を行ったのち、さらに実施例6と同様にしてレジストパターンを形成した。結果を表3に示した。表3の結果から明らかな様に、本発明のレジスト組成物をイマージョンリソグラフィーに適用して、ターゲットのライン幅45nm、ピッチ90nmまで十分に解像可能であることが明らかとなった。[実施例10]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物3を調製した。A成分としては、[化25]に示した4種の構成単位からなるメタクリル酸エステルの共重合体100質量部を用いた。A成分の調製に用いた各構成単位p、q、r及びtの比は、p=40モル、q=40モル、r=15モル、t=5モルとした。なお、該共重合体はジカルボン酸の無水物含有構成単位およびフェノール性水酸基含有構成単位を有さない。調製したA成分の質量平均分子量は10000であった。B成分としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート5.0質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒1900質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。次に、上記で得られたポジ型レジスト組成物3を用いて、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を行った。すなわち、まず、有機系反射防止膜組成物AR-19商品名、Shipley社製を用いて実施例1と同様にして、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物3を用いて、実施例1と同様なプレベークにより反射防止膜上に膜厚150nmのレジスト層を形成した。次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR-S302Bニコン社製、NA開口数=0.60,σ=0.75により、ArFエキシマレーザー193nmを用いて選択的に照射した。そして、模擬的浸漬露光処理として、該露光後のレジスト層を設けたシリコンウェーハを回転させながら、23°Cにて純水を2分間滴下しつづけた。なお、実施例1では、5分間滴下し続けたが、2分間でも5分間でも時間の依存性はないことが判明したことから、効率化のため2分間とした。次に115°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得られた130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。本実施例のレジスト組成物3においては、Eopは14.32mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のレジスト組成物3を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは14.37mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、0.3であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ14.3214.37、0.997であった。また、レジストパターンはT-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。[実施例11]実施例10のポジ型レジスト組成物3において、D成分をトリエタノールアミンからトリペンチルアミン0.46質量部へ変えた以外は、同様にして、ポジ型レジスト組成物3-1を調製した。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物3-1を用いて、実施例10と同様にして、模擬的浸漬露光処理を含めたパターン形成を行なった。その際の、130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。そのEopを求めたところ、12.79mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のポジ型レジスト組成物3-1を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは12.91mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、0.9であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ12.7912.91、0.991であった。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、表面荒れも見られず、良好なものであった。[実施例12]実施例10のポジ型レジスト組成物3において、D成分をトリエタノールアミンからトリドデシルアミン1.05質量部へ変えた以外は、同様にして、ポジ型レジスト組成物3-2を調製した。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物3-2を用いて、実施例10と同様にして、模擬的浸漬露光処理を含めたパターン形成を行なった。その際の、130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。そのEopを求めたところ、13.81mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のポジ型レジスト組成物3-2を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは13.93mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、0.86であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ13.8113.93、0.991であった。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、表面荒れも見られず、良好なものであった。[実施例13参考例]実施例1のポジ型レジスト組成物1において、B成分をトリフェニルスルホニムノナフルオロブタンスルホネートと4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートの混合物からトリp-tert-ブチルフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート6.5質量部へ変えた以外は、同様にして、ポジ型レジスト組成物1-3を調製した。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物1-3を用いて、実施例10と同様にして、模擬的浸漬露光処理を含めたパターン形成を行なった。その際の、130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。そのEopを求めたところ、22.18mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のポジ型レジスト組成物1-3を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは22.56mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、1.68であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ22.1822.56、0.983であった。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、表面荒れも見られず、良好なものであった。以上実施例10~12の結果より、4元系の共重合体を用いた場合でも、またイマ-ジョンリソグラフィプロセスに好適であることが、判明した。また、実施例1と13からは、酸発生剤を異なるものとしても、同様にイマ-ジョンリソグラフィプロセスに好適であることが、判明した。[実施例14参考例]実施例8におけるポジ型レジスト組成物1―2を用いて、シリコンウェーハ上に回転塗布し115°Cで90秒間加熱し膜厚150nmのレジスト塗膜を設けた。これを未露光塗膜という。他方、上記レジスト塗膜に対して露光装置NSR-S302Bニコン社製、NA開口数=0.60,σ=0.75により、ArFエキシマレーザー193nmを用いて目視で確認できる大面積約10mm2領域を露光した。なお露光量は6mJ/cm2であった。次に115°C、90秒間の条件でPEB処理した。これを露光塗膜という。次いで、上記未露光塗膜と露光塗膜をイオン交換した純水に浸漬し、浸漬した状態で水晶天秤QuartsCrystalMicrobalance以下QCMと言うを用いた膜厚測定器であるリソテックジャパン社製RDA-QZ3により、最大測定時間を300秒間とし両塗膜の膜厚の変化を測定した。なお、クォーツ基板の周波数変動を測定し、得られたデータは、付属の解析ソフトにて処理を行い、浸漬時間に対する膜厚値のグラフとした。本実施例におけるこのグラフをグラフ-1図1参照とする。なお、試料における、露光未露光での膜厚変動の違いを明らかにするため、各グラフは浸漬時間0秒を基準とし、そのときの膜厚値からの差分で表記し、再度グラフにプロットした。つまり、初期膜厚より薄くなれば負の値を、厚くなれば正の値を示すことになる。膜厚変動値の正の方向で示した最大値および負の方向で示した最大値を各試料ごとに求めた。正あるいは負への挙動がなかった場合は、その値を0nmとした。測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量は未露光塗膜と露光塗膜ともにで0nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜で1.16nm、露光塗膜で0.66nmであった。[実施例15参考例]ポジ型レジスト組成物1-2において、トリエタノールアミンをトリペンチルアミン0.46質量部に変えた以外は同様なポジ型レジスト組成物1-4を調製した。次いで、実施例14と同様にして未露光塗膜と露光塗膜の膜厚の変化をQCMにより測定し、同様な浸漬時間に対する膜厚値のグラフを得た。本実施例におけるこのグラフをグラフ-2図2参照とする。また、実施例14と同様にして測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量を求めたところ、未露光塗膜と露光塗膜ともにで0nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜で1.00nm、露光塗膜で0.52nmであった。[実施例16参考例]ポジ型レジスト組成物1-2において、トリエタノールアミンをトリオクチルアミン0.71質量部に変えた以外は同様なポジ型レジスト組成物1-5を調製した。次いで、実施例14と同様にして未露光塗膜と露光塗膜の膜厚の変化をQCMにより測定し、同様な浸漬時間に対する膜厚値のグラフを得た。本実施例におけるこのグラフをグラフ-3図3とする。また、実施例14と同様にして測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量を求めたところ、未露光塗膜と露光塗膜ともに0nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜で0.81nm、露光塗膜で1.75nmであった。[実施例17参考例]ポジ型レジスト組成物1-2において、トリエタノールアミンをトリオクチルアミン0.71質量部に変え、さらにA成分を[化26]に示した共重合体に変えた以外は同様なポジ型レジスト組成物4を調製した。なお、上記共重合体の重量平均分子量は10000でp、q、rは30モル、50モル、20モルである。次いで、実施例14と同様にして未露光塗膜と露光塗膜の膜厚の変化をQCMにより測定し、同様な浸漬時間に対する膜厚値のグラフを得た。本実施例におけるこのグラフをグラフ-4図4とする。また、実施例14と同様にして測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量を求めたところ、未露光塗膜は0.02nm、露光塗膜は0.13nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜で0.26nm、露光塗膜で0.15nmであった。[実施例18]実施例10で用いたポジ型レジスト組成物3において、トリエタノールアミンをトリオクチルアミン0.71質量部に変えた以外は同様なポジ型レジスト組成物3-3を調製した。次いで、実施例14と同様にして未露光塗膜と露光塗膜の膜厚の変化をQCMにより測定し、同様な浸漬時間に対する膜厚値のグラフを得た。本実施例におけるこのグラフをグラフ-5図5とする。また、実施例14と同様にして測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量を求めたところ、未露光塗膜は0.50nm、露光塗膜は0.44nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜で0.04nm、露光塗膜で0nmであった。[比較例7]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物13を調製した。A成分としては、ヒドロキシスチレン単位64モル、1-エトキシ-1-エチルオキシスチレン単位36モル構成単位からなる共重合体を用いた。調製したA成分の質量平均分子量は8000であった。B成分としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート5質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリオクチルアミン0.71質量部を用いた。次いで、ポジ型レジスト組成物13をシリコンウェーハ上に回転塗布し90°Cで90秒間加熱し膜厚150nmのレジスト塗膜を設けた。これを未露光塗膜という。他方、上記レジスト塗膜に対して露光装置NSR-S203Bニコン社製、NA開口数=0.60により、KrFエキシマレーザー248nmを用いて目視で確認できる大面積約10mm2領域を露光した。なお露光量は12mJ/cm2であった。次に110°C、90秒間の条件でPEB処理した。次いで、実施例14と同様にして未露光塗膜と露光塗膜の膜厚の変化をQCMにより測定し、同様な浸漬時間に対する膜厚値のグラフを得た。本比較例におけるこのグラフをグラフ-6図6とする。また、実施例14と同様にして測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量を求めたところ、未露光塗膜は0.nm、露光塗膜は1.55nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜で0.27nm、露光塗膜で0nmであった。[比較例8]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物14を調製した。A成分としては、ヒドロキシスチレン単位60モル、スチレン単位15モル及びtert-ブチルアクリレート単位25モル構成単位からなる共重合体を用いた。調製したA成分の質量平均分子量は12000であった。B成分としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート5質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリオクチルアミン0.71質量部を用いた。次いで、ポジ型レジスト組成物14をシリコンウェーハ上に回転塗布し115°Cで90秒間加熱し膜厚150nmのレジスト塗膜を設けた。これを未露光塗膜という。他方、上記レジスト塗膜に対して露光装置NSR-S203Bニコン社製、NA開口数=0.60により、KrFエキシマレーザー248nmを用いて目視で確認できる大面積約10mm2μm領域を露光した。なお露光量は12mJ/cm2であった。次に115°C、90秒間の条件でPEB処理した。次いで、実施例14と同様にして未露光塗膜と露光塗膜の膜厚の変化をQCMにより測定し、同様な浸漬時間に対する膜厚値のグラフを得た。本比較例におけるこのグラフをグラフ-7図7とする。また、実施例14と同様にして測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量を求めたところ、未露光塗膜は1.13nm、露光塗膜は0.22nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜と露光塗膜ともに0nmであった。[比較例9]比較例1で用いたポジ型レジスト組成物10において、トリエタノールアミンをトリオクチルアミン0.71質量部に変え、さらにB成分をトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート単独で5質量部に変えた以外は同様なポジ型レジスト組成物10-1を調製した。次いで、実施例14と同様にして未露光塗膜と露光塗膜の膜厚の変化をQCMにより測定し、同様な浸漬時間に対する膜厚値のグラフを得た。本比較例におけるこのグラフをグラフ-8図8とする。また、実施例14と同様にして測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量を求めたところ、未露光塗膜は0.61nm、露光塗膜は1.49nmであり、10秒間以内の最大の膜厚減少量は、未露光塗膜、露光塗膜ともに0nmであった。[実施例19参考例]実施例2で用いたポジ型レジスト組成物2において、B成分として、オニウム塩の混合物からトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート5.0重量部に変え、さらにγ-ブチロラクトンを除きプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの混合溶媒1900質量部質量比6:4の混合溶媒へ変えた以外は同様にしてポジ型レジスト組成物2-1を調製した。次に、上記で得られたレジスト組成物2-1を用いて、レジストパターンの形成を行った。まず、有機系反射防止膜組成物AR-19商品名、Shipley社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物2-1を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で115°C、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚200nmのレジスト層を形成した。次に、マスクパターンを介して、露光装置NSR-S302Bニコン社製、NA開口数=0.60,2/3輪帯により、ArFエキシマレーザー193nmを用いて選択的に照射した。そして、模擬的浸漬露光処理として、該露光後のレジスト層を設けたシリコンウェーハを回転させながら、23°Cにて純水を2分間滴下しつづけた。次に115°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得られた130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。本実施例のレジスト組成物2-1においては、Eopは18.77mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のレジスト組成物2-1を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは19.03mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、1.4であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ19.0318.77、1.01であった。また、レジストパターンはT-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。[実施例20~25参考例]実施例19において、A成分を表4に示す各樹脂に変えた以外は同様にしてそれぞれの実施例におけるポジ型レジスト組成物を調製した。次いで、実施例19において、プレベークとPEB温度を表4に示すように変えた以外は同様にして、模擬的浸漬露光処理を行って得られた感度X2と模擬的浸漬露光処理を行わずに得られた感度X1を求めた。そして、これらからX2/X1-1×100の式よりその絶対値を求めた。これらを表4に示す。また、レジストパターン形状は模擬的浸漬露光処理を行っても、すべての実施例において、若干の差はあるが、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、比較的良好なものであった。[実施例26参考例]下記のA成分、B成分、およびD成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物を調製した。A成分としては、[化33]に示した3種の構成単位からなるメタクリル酸エステルの共重合体であってその重合に際し、連鎖移動剤としてHS-CH2-CH2-CH2-CCF32-OHを用いることにより、共重合体の末端に-CCF32-OH基を導入した共重合体100質量部を用いた。A成分の調製に用いた各構成単位p、q、rの比は、p=40モル、q=40モル、r=20モルとした。なお、該共重合体はジカルボン酸の無水物含有構成単位およびフェノール性水酸基含有構成単位を有さない。調製したA成分の質量平均分子量は6400であった。B成分としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート3.7質量部と、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート1.0質量部を用いた。C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルとの混合溶媒900質量部との混合溶剤を用いた。D成分としては、トリス-2-2-メトキシエトキシエチルアミン0.8質量部を用いた。次に、上記で得られた該ポジ型レジスト組成物を用いて、レジストパターンの形成を行った。まず、有機系反射防止膜組成物DUV-42商品名、ブリューワサイエンス社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で185°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚65nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で125°C、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚350nmのレジスト層を形成した。次に、バイナリマスクパターンを介して、露光装置NSR-S203Bニコン社製、NA開口数=0.68,2/3輪帯により、KrFエキシマレーザー248nmを用いて選択的に照射した。そして、模擬的浸漬露光処理として、該露光後のレジスト層を設けたシリコンウェーハを回転させながら、23°Cにて純水を2分間滴下しつづけた。次に110°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。このようにして得られた150nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。本実施例のポジ型レジスト組成物においては、Eopは33.2mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のポジ型レジスト組成物を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは32.1mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、3.4であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ33.232.1、1.03であった。また、レジストパターンはT-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。また、コンタクトホールパターンの形成をマスクをハーフトーンマスクに代えた以外同様にして形成したところ、模擬的浸漬露光処理した場合も、模擬的浸漬露光処理しない場合も共に孔径160nmのホールレジストパターンが形成され、そのレジストパターンはT-トップ形状ではなく、また表面荒れも見られず、良好なものであった。[実施例27~31参考例]実施例27~31において、表5に示すような組成でそれぞれの実施例におけるポジ型レジスト組成物を調製し、表6で示す実装条件に変更したこと以外は、実施例4と同様な方法を用いて、2光束干渉光をプリズムを介して照射することによって、パターン露光光をシミュレートした2光束干渉露光装置株式会社ニコン社製の実験装置を用い、浸漬溶媒に純水を、光源に波長193nmのArFエキシマレーザーを用いて、浸漬露光を行った。その結果を表7に示した。表7の結果から明らかな様に、これらのレジスト組成物をイマージョンリソグラフィーに適用すれば、例えばライン幅55nm、ピッチ110nm程度までは十分に解像可能であることが明らかとなった。また、レジストパターン形状については、矩形性が高いものであり、LERも良好であった。実施例32参考例実施例1のレジスト組成物を用いて、有機反射防止膜を用いなかったこと以外は、実施例1と同様な方法で膜厚150nmのレジスト膜を形成した。前記レジスト膜を水に完全に浸漬させた状態で、簡易型露光装置VUVES4500リソテックジャパン株式会社製を用いて、ArFエキシマレーザー193nmでオープンフレーム露光マスクを介さないで露光した。次に、ホットプレート上で115°C、90秒の条件でPEBを施し、さらに23°Cにてアルカリ現像液で60秒間現像した。アルカリ現像液としては2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた。その際の感度は4.5mJ/cm2であり、光が当たった部分は完全に溶けきっていた。比較例10実施例32において、レジスト膜を水に浸漬させなかったこと以外は同様な方法を用いて行った。その際の感度は4.5mJ/cm2であり、光が当たった部分が完全に溶けきっていた。実施例32と比較例10の結果から、水に浸漬させて露光する場合と、通常の露光とで比べて、大きな違いは見受けられなかった。従って、実際の液浸露光装置を用いた場合でも、液浸媒体によって影響がないことが予想される。実施例33参考例下記のA成分、B成分、D成分およびその他の成分をC成分に均一に溶解し、ポジ型レジスト組成物を調製した。A成分としては、[化34]に示した3種の構成単位からなるメタクリル酸エステル共重合体100質量部を用いた。A成分の調製に用いた各構成単位p、q、rの比は、p=40モル、q=40モル、r=20モルとした。なお、該共重合体はジカルボン酸の無水物含有構成単位およびフェノール性水酸基含有構成単位を有さない。調製したA成分の質量平均分子量は8900であった。B成分としては、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート5.0質量部を用いた。D成分としては、トリエタノールアミン0.3質量部を用いた。C成分としては、乳酸エチルとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとの混合溶媒を用いて、レジスト固形分濃度が4.3質量となるように調製した。上記のようにして製造したポジ型レジスト組成物を用いて、プリベークPABを100°Cで90秒間、PEBを110°Cで90秒間に変更したこと以外は実施例1と同様にして、模擬的浸漬露光処理を含めたパターン形成を行なった。その際の、130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、またそのときの感度Eopを求めた。そのEopを求めたところ、15.3mJ/cm2であった。これをX2とする。また、レジストパターンは、表面荒れも見られず、良好なものであった。一方、本実施例のレジスト組成物を用いて、上記模擬的浸漬露光処理を行なわず、従来行われている通常露光のリソグラフィー工程、すなわち上記模擬的浸漬露光処理を行なわない以外は、同様な方法にてレジストパターンの形成を行ったところ、Eopは14.7mJ/cm2であった。これをX1とする。次いで、X2/X1-1×100の式から、その絶対値を求めたところ、4.0であった。通常露光の感度に対する模擬的浸漬露光処理の感度比を求めたところ15.314.7、1.04であった。また、レジストパターンは、T-トップ形状ではなく、表面荒れも見られず、良好なものであった。[参考例1]レジスト組成物を塗布しない石英基板を用いて、実施例14と同様にしてQCMにより測定し、グラフを得た図9。[参考例2]ポリスチレンとポリt-ブチルメタクリレートを溶媒に溶解したものを用いて実施例14と同様にしてQCMにより測定し、グラフを得た図10。膜厚値の変動が少なく、本発明の考察を裏付ける結果が得られた。以上のすべての実施例と比較例、すなわち評価試験12、及び3より総合して本発明はイマ-ジョンリソグラフィにおいて、極めて好適であることがわかる。"