"基板の表面を洗浄する方法であって、第1の厚さを有する酸化物層を上部に有する基板をチャンバ内に配置すること、前記基板を酸化源に曝露することによって、前記酸化物層の厚さを第2の厚さまで増大させること、前記基板から前記酸化物層を除去すること、および前記酸化物層を除去した後の前記基板の上に材料層を堆積させることを含む方法。前記酸化源が、酸素、オゾンおよび水蒸気からなるグループから選択された、請求項1に記載の方法。前記酸化物層を除去する前に前記基板を第2のチャンバ内に配置することをさらに含む、請求項2に記載の方法。前記材料層がエピタキシャル層であり、前記基板が単結晶シリコンを含み、前記酸化物層が二酸化ケイ素を含む、請求項3に記載の方法。前記酸化物層を除去することが、前記基板の前記表面から汚染物質を除去することをさらに含み、前記酸化物層が、熱プロセス、ドライエッチングプロセスまたはウェットエッチングプロセスを使用して除去される、請求項4に記載の方法。前記第2の厚さが約25オングストローム以上である、請求項5に記載の方法。前記酸化物層の厚さを増大させることが、摂氏約1100度以下の基板温度で実施される、請求項1に記載の方法。前記酸化物層の厚さを増大させることが、摂氏約625度から摂氏約900度の範囲の基板温度で実施される、請求項7に記載の方法。前記酸化物層の厚さを増大させることが、摂氏約25度の基板温度で実施される、請求項7に記載の方法。基板の表面を洗浄する方法であって、酸化物層を上部に有する基板であり、前記基板と前記酸化物層の間の界面に汚染物質を有する基板を第1のチャンバ内に配置すること、前記基板を酸化源に曝露して、前記基板の上部を酸化し、前記汚染物質よりも深い深さまで前記酸化物層を広げることによって、前記酸化物層の厚さを増大させること、ならびに前記基板から前記酸化物層および前記汚染物質を除去することを含む方法。前記基板が単結晶シリコンを含み、前記酸化物層が二酸化ケイ素を含む、請求項10に記載の方法。前記酸化物層が、熱プロセス、ドライエッチングプロセスまたはウェットエッチングプロセスを使用して除去され、前記酸化源が酸素、オゾンまたは水蒸気を含む、請求項10に記載の方法。前記酸化物層を除去した後の前記基板の上にシリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層を堆積させることをさらに含む、請求項10に記載の方法。基板の表面を洗浄する方法であって、第1の厚さを有する自然酸化物層を上部に有する単結晶シリコンを含む基板を、第1のチャンバ内に配置すること、酸素、オゾンおよび水蒸気からなるグループから選択された酸化源に前記基板を曝露することによって、前記自然酸化物層の厚さを増大させること、前記基板を第2のチャンバ内に配置すること、熱プロセス中に前記基板から前記酸化物層を除去すること、ならびに前記基板の上にエピタキシャル層を形成することを含む方法。前記酸化物層を除去することが、前記基板の表面から汚染物質を除去することをさらに含む、請求項14に記載の方法。理解を容易にするため、上記の図に共通する同一の要素を示す目的には、可能な限り、同一の参照符号を使用した。特に言及しなくても、1つの実施形態で開示した要素は、他の実施形態においても有益に利用されることが企図されている。本発明の実施形態は一般に、基板の表面から汚染物質および自然酸化物を除去する方法に関する。この方法は一般に、酸化物層を上部に有する基板を酸化源に曝露することを含む。この酸化源は、酸化物層の下の基板の上部を酸化して、より厚い酸化物層を形成する。次いで、このより厚い酸化物層を除去して、基板の清浄表面を露出させる。この酸化物層の除去は一般に、酸化物層の内部および上に存在する汚染物質、特に酸化物層と基板の界面に存在する汚染物質を除去することを含む。次いで、基板の清浄表面にエピタキシャル層を形成することができる。本発明の実施形態は、米カリフォルニア州SantaClaraのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なSiCoNi商標Precleanチャンバなどの半導体洗浄チャンバ内で有利に実施することができる。他の製造業者から入手可能なチャンバを使用して、本明細書に記載した実施形態を実施することもできる。図1は、半導体処理用のクラスタツール100の平面図を示す。クラスタツール100は、半導体製造プロセスにおいてさまざまな機能を実行する複数のチャンバを備えるモジュール式のシステムである。クラスタツール100は、一対のロードロック105によってフロントエンド環境104に接続された中央移送チャンバ107を備える。フロントエンド環境104内にはファクトリインターフェースロボット108が配置されており、ファクトリインターフェースロボット108は、ロードロック105とフロントエンド環境104に取り付けられた複数のポッド103との間で基板を往復させるように構成されている。中央移送チャンバ107にはコントローラ102が結合されている。コントローラ102はコンピュータ可読媒体を含み、本明細書に記載の方法に従って基板を処理する1つまたは複数のプログラムを実行するように適合されている。所望のプロセスを実行するため、中央移送チャンバ107には複数のチャンバ101A~Dが取り付けられている。中央移送チャンバ107内に配置された中央ロボット106は、ロードロック105と複数のチャンバ101A~Dとの間でまたは複数のチャンバ101A~D間で基板を移送するように構成されている。複数のチャンバ101A~Dは、1つまたは複数の洗浄チャンバ、注入チャンバ、アニールチャンバ、エッチングチャンバまたは堆積チャンバの任意の組合せを含むことができる。例えば、チャンバ101Aおよび101Bを洗浄チャンバとし、チャンバ101Cおよび101Dを、半導体基板の上にエピタキシャル層を成長または堆積させるように適合された堆積チャンバとすることができる。一実施形態では、酸化源が結合された第1の洗浄チャンバ、ドライエッチングプロセスを実行するように適合された第2の洗浄チャンバおよびエピタキシャル堆積チャンバが、中央移送チャンバ107に結合される。図2は、洗浄チャンバの略断面図である。チャンバ201は、熱酸化プロセスもしくはプラズマベースの酸化プロセスおよび/またはプラズマ支援ドライエッチングプロセスを実行するのに特に有用である。チャンバ201は、チャンバ本体212、リッドアセンブリ214および支持アセンブリ216を含む。リッドアセンブリ214はチャンバ本体212の上端に配置されており、支持アセンブリ216は、少なくとも部分的にチャンバ本体212の内部に配置されている。チャンバ201からガスを除去するために真空システムを使用することができる。この真空システムは、チャンバ本体212内に配置された真空ポート221に結合された真空ポンプ218を含む。リッドアセンブリ214は、積み重ねられた少なくとも2つの構成部品を含み、それらの構成部品は、それらの構成部品間にプラズマ容積またはプラズマキャビティを形成するように構成されている。プラズマ容積を限定する第2の電極222の垂直方向上方に第1の電極220が配置されている。第1の電極220は高周波RF電源などの電源224に接続されており、第2の電極222は、アースまたは電源の帰線に接続されており、これによって第1の電極220と第2の電極222の間に静電容量が形成される。リッドアセンブリ214はさらに、ブロッカプレート228およびガス分配プレート230を通して基板の表面に洗浄ガスを供給する1つまたは複数のガス入口226を含む。洗浄ガスは、イオン化されたフッ素、イオン化された塩素などのエッチング剤もしくはイオン化された活性ラジカル、またはオゾンなどの酸化剤とすることができる。さらに、チャンバ201は、チャンバ201内のプロセスを制御するコントローラ202を含む。支持アセンブリ216は、処理の間に基板210をその上に支持する基板支持体232を含むことができる。基板支持体232は、チャンバ本体212の底面に形成された中央に位置する開口を貫いて延びるシャフト236によってアクチュエータ234に結合することができる。アクチュエータ234は、シャフト236の周囲からの真空漏れを防ぐベローズ図示せずによって、チャンバ本体212に対して柔軟に密封することができる。アクチュエータ234は、基板支持体232が、チャンバ本体212の内部で、処理位置とそれよりも低い移送位置との間を垂直に移動することを可能にする。移送位置は、チャンバ本体212の側壁に形成されたスリットバルブの開口よりもわずかに低い。基板支持体232は、処理する基板をその上に支持する平らなまたは実質的に平らな表面を有する。シャフト236によって基板支持体232に結合されたアクチュエータ234によって、基板支持体232は、チャンバ本体212の内部で垂直に移動することができる。動作時、処理中の基板210の温度を制御するため、基板支持体232を、リッドアセンブリ214のすぐ近くの位置まで上昇させることができる。そのため、分配プレート230から発せられた放射または分配プレート230からの対流によって、基板210を加熱することができる。図3A~3Dは、一実施形態に基づく半導体基板の略図である。図3Aは、第1の厚さT1を有する酸化物層352Aを上部に有する基板310を示す。典型的な基板には、シリコンおよびゲルマニウム、ならびにヒ化ガリウム、リン化ガリウム、窒化ガリウムなどのIII族-V族化合物が含まれる。一実施形態では、基板310が、シリコンなどの半導体基板であり、酸化物層352Aが、二酸化ケイ素などの自然酸化物層である。基板310はさらに不純物または汚染物質354Aを含むことがある。汚染物質354Aは一般に、処理装置間で基板310を移送したとき、または汚染物質を含む処理チャンバへ基板310を移送したときに基板310の表面に堆積する。しかしながら、汚染物質354Aは、他の場所および他の方式でも基板310に導入されうる。本明細書で使用されるとき、汚染物質には、基板の処理に負の影響または望ましくない影響を及ぼしうる粒子状物質、原子などの望ましくない一切の物質が含まれる。汚染物質354Aは例えば、基板310の周囲の雰囲気中に存在する、かつ処理前に基板310に望ましくなく埋め込まれた、ホウ素、窒素、フッ素または塩素原子を含むことができる。汚染物質354Aは、基板310または酸化物層352Aの表面と接触し、次いで酸化物層352A内へ拡散しまたは酸化物層352A内に埋め込まれる可能性がある。これに加えてまたはその代わりに、汚染物質354Aが基板310の表面と接触し、汚染物質354Aの周囲および/または汚染物質354Aの上に酸化物層352Aが形成されることもある。汚染物質は、酸化物層352A内、基板/酸化物層界面356A、または界面356Aよりもわずかに深い位置に位置することがあり、基板310内に部分的に埋め込まれていることもある。図3Bでは、基板310が、第2の厚さT2を有する酸化物層352Bを上部に有する。酸化物層352Aの厚さが第2の界面358Bまで下方へ延長されており、それによって厚さT2を有する酸化物層352Bが形成されている。図3Bに示した実施形態では、第1の界面356Bと第2の界面358Bの間の基板310の材料をさらに酸化するために、基板310が、酸化ガスなどの酸化源に曝露されている。基板310の上部を酸化ガスに曝露することによって、基板/酸化物層界面が、第1の界面356Bから第2の界面358Bへ延長されまたは移動しており、基板310の上部が犠牲的に酸化されている。第1の界面356Bは、基板310の上部を酸化する前の基板310と酸化物層352Aの間の界面を表す。第2の界面358Bは、酸化物層352Bとその下の酸化されていない基板表面の間の界面を表す。酸化物層352Bは、厚さが増大した酸化物層352Aと同じものであることを理解されたい。説明の都合上、酸化物層352Bを、基板310の上部が酸化されるときに形成されるものとして説明する。しかしながら、酸化物層352Bの形成は酸化物層352Aの厚さの増大と同義である。したがって、酸化物層352Bは、酸化物層352Aに追加された別個の層ではなく、酸化物層352Bは、深さまたは厚さが増大した酸化物層352Aを表す。酸化物層352Aを第2の界面358Bまで増大させまたは拡張して酸化物層352Bを形成することによって、酸化物層352Bは基板310の上面を覆い、汚染物質354Aを包含する。したがって、酸化物層352Bは、第1の界面356Bに位置する汚染物質354A、および酸化物層352Bを形成する前の基板310の上部の最初の数オングストローム以内に位置する汚染物質を含む。酸化物層352Bの厚さT2は一般に約8オングストローム以上、例えば約8オングストロームから約25オングストロームである。酸化物層352Bの厚さT2は約15オングストロームから約25オングストローム、例えば約15オングストロームであることが好ましい。一実施形態では、酸化物層352Bの厚さT2が約25オングストローム以上でありうる。図1のクラスタツールなどで複数の基板を処理するときには、決められたプロセス手順を使用して、第1の界面356Bから第2の界面358Bへの複数の基板表面の酸化を一貫して再現することができる。酸化物層352Aの厚さを増大させて厚さT2を有する酸化物層352Bを形成するのに適した酸化源は、酸素、オゾン、インシトゥもしくはエクシトゥの水蒸気、または基板310の表面に追加の汚染物質を導入しない他の酸化剤を含む。基板310の上部を犠牲的に酸化することによって酸化物層352Bを形成する目的には複数の酸化方法およびチャンバが使用可能である。例えば、熱環境中で酸素ラジカルを使用して酸化物層352Bを形成する目的には、米カリフォルニア州SantaClaraのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なAppliedRadox商標RTPチャンバを使用することができる。酸化物層352Aの厚さを第2の界面358Bまで延長する間、したがって酸化物層352Bを形成する間、基板310を摂氏約1100度以下の温度に加熱することができる。一実施形態では、基板310の温度が、摂氏約625度から摂氏約900度の間である。低温酸化プロセス、例えばデカップルドプラズマ酸化プロセスdecoupledplasmaoxidationprocessを使用することによって基板310の上部を酸化して、酸化物層352Bを形成することもできる。あるデカップルドプラズマ酸化プロセスは、イオン化されたガスまたはプラズマを使用して酸化物層352Aの厚さを増大させる。このデカップルドプラズマ酸化プロセスは、基板310を摂氏約25度に維持している間に実行することができる。低温プロセスを使用することによって基板310を酸化して、基板310の全熱収支が低くなるようにすることが好ましい。基板310を高温プロセスに長時間さらすと高熱収支、基板310が損傷し、最終デバイスの性能が低下することがある。したがって、低温プロセスが使用可能なときには低温プロセスを使用することによって全熱収支を低くすることが好ましい。図3Cでは、基板310から酸化物層352Bが除去されている。酸化物層352Bを第2の界面358Bまで拡張したため、酸化物層352Bを除去したときに、第2の界面358Bよりも上方の汚染物質も除去された。酸化物層352Aの厚さを第2の界面358Bまで延長せず、酸化物層352Bを形成しなかった場合、第1の界面356Bと第2の界面358Bの間に位置する汚染物質は、酸化物層352Aを除去した後も基板310の上に残存することになる。したがって、既存の酸化物層を厚さT1からより厚い厚さT2までさらに酸化し、次いで酸化物層を除去することによって、より多くの汚染物質を基板310の表面から除去することができる。反対に、酸化物層352Aを厚くしない場合には、酸化物層352Aの除去後に、より多くの汚染物質が基板310上に残存する可能性がある。厚さT2を有する酸化物層352Bを除去すると、犠牲となる基板310の上部に存在していた汚染物質も除去されるため、その後に、汚染物質の量が大幅に少ない基板表面357Cが残る。汚染物質が減ると、続いて堆積させる膜の品質、堆積速度および最終デバイスの全体性能が向上する。図3Dでは、続いて、基板310の基板表面357Cにエピタキシャル層360Dが堆積しており、基板表面357Cとエピタキシャル層360Dの間に界面ができている。基板表面357Cは、少数の汚染物質を有し、酸化物を実質的に含まない。基板表面357Cの汚染物質が少数であるため、基板310の上にエピタキシャル層360Dをより容易かつより均一に成長または堆積させることができる。一実施形態では、エピタキシャル層360Dが、シリコンエピタキシャル層、シリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層またはシリコン-炭素エピタキシャル層である。他の実施形態では、エピタキシャル層が、ホウ素、リンなどのドーパントを含む。図4は、半導体基板を洗浄する方法の流れ図である。操作472で、酸化物層を上部に有する基板を基板洗浄チャンバ内に配置する。一実施形態では、この洗浄チャンバが、他の処理チャンバと中央移送チャンバを共用しない独立型のチャンバである。操作474で、洗浄チャンバ内で基板を酸化源に曝露し、酸化物層の下の基板の上部を酸化することによって、酸化物層の厚さを増大させる。既存の酸化物層の直下の基板の上部を犠牲的に酸化することによって、基板の上部に位置する酸化物層の厚さを増大させる。酸化物層の厚さは、最初の基板/酸化物層界面にある汚染物質の大部分よりも深いある位置まで増大させることが好ましい。操作476で、より厚くなった酸化物層を基板の表面から除去する。この酸化物層は、操作472で使用した基板洗浄チャンバと同じ基板洗浄チャンバ内で除去してもよく、または基板を別のチャンバに移してから酸化物層を除去してもよい。一実施形態では、1つまたは複数の洗浄チャンバおよびエピタキシャル堆積チャンバを含むクラスタツールに基板を移すことができる。この酸化物層を除去すると、2番目の基板/酸化物層界面酸化物層の厚さを増大させた後の界面の深さまで、酸化物層内にある汚染物質の大部分および最初の基板/酸化物層界面酸化物層の厚さを増大させる前の界面にある一切の汚染物質が除去される。したがって、所望の量の汚染物質を除去するのに十分な深さまで基板表面の上部を犠牲的に酸化することができる。この酸化物層および汚染物質の除去は、続いて材料層を堆積させる基板表面を、酸化物層の厚さを増大させないときに比べてより清浄にする。操作478で、基板を堆積チャンバに移し、酸化物層および汚染物質が除去された基板表面にエピタキシャル層を成長させまたは形成する。図5A~5Cは、シリコン基板とシリコン基板の上に形成されたエピタキシャル層との間の界面の汚染を示すグラフである。図5Aでは、自然酸化物層を上部に有するシリコン基板を、イオン化された活性ラジカルによるエッチング以後、イオン化活性ラジカルエッチングを使用して洗浄した。続いて、基板表面に、シリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層を摂氏約700度で成長させた。ゲルマニウムの急な減少が、シリコン基板とエピタキシャル層の間の界面Aの存在を示している。界面Aにおいて、シリコン基板の上に、ゲルマニウムを約22.2パーセント含むシリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層を成長させた。2次イオン型質量分析法によって測定した1立方センチメートル当りの塩素、窒素、フッ素、炭素、酸素およびホウ素原子の濃度が示されている。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の塩素原子の濃度は1立方センチメートル当り約5×1015原子である。しかしながら、シリコン基板とエピタキシャル層の間の界面Aでは、塩素原子の濃度が1立方センチメートル当り約1×1018原子になっている。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の窒素およびフッ素の濃度は1立方センチメートル当り約6×1016原子である。界面における窒素およびフッ素の濃度は1立方センチメートル当り約1×1017原子である。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の炭素濃度は1立方センチメートル当り約2×1017原子であり、界面Aにおける炭素濃度は1立方センチメートル当り約8×1017原子である。シリコン基板内の酸素濃度は1立方センチメートル当り約5×1017原子であり、エピタキシャル層内の酸素濃度は1立方センチメートル当り約3×1017原子である。界面Aでは、酸素濃度が1立方センチメートル当り約1×1019原子である。エピタキシャル層は、1立方センチメートル当り約5×1019原子のホウ素濃度にドープされており、シリコン基板内のホウ素濃度は、ホウ素がドープされたエピタキシャル層からシリコン基板内への拡散のために次第に低下するホウ素濃度を有する。示した原子に関しては、界面Aにおける濃度ピークによって示されているように、それぞれの原子の界面濃度が、シリコン基板内の濃度またはエピタキシャル層内の濃度よりも高い。図5Bでは、自然酸化物層を上部に有するシリコン基板をイオン化活性ラジカルエッチングを使用して洗浄した。イオン化活性ラジカルエッチングの前に、米カリフォルニア州SantaClaraのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なAppliedRadox商標RTPチャンバ内で、シリコン基板の温度を摂氏約650度まで高め、シリコン基板を酸素ラジカルに曝露した。自然酸化物層の厚さを約15オングストロームに増大させた。基板を洗浄チャンバに移し、エッチングにより基板から酸化物層を除去した。次いで基板を堆積チャンバに移し、基板表面に、ホウ素がドープされたシリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層を摂氏約700度で成長させた。このシリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層はゲルマニウムを約22.0パーセント含んでいた。2次イオン型質量分析法によって測定した1立方センチメートル当りの塩素、窒素、フッ素、炭素、酸素およびホウ素原子の濃度が示されている。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の塩素およびフッ素原子の平均濃度は1立方センチメートル当り約3×1015原子である。シリコン基板とエピタキシャル層の間の界面Aでは、塩素原子の濃度が1立方センチメートル当り約6×1015原子であり、フッ素原子の濃度が1立方センチメートル当り約2×1015原子である。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の窒素濃度は1立方センチメートル当り約1×1016原子である。界面における窒素濃度は1立方センチメートル当り約2×1016原子である。界面の近くのシリコン基板内およびエピタキシャル層内の炭素濃度は1立方センチメートル当り約1×1017原子であり、この濃度は界面Aにおける炭素濃度にほぼ等しい。シリコン基板内の酸素濃度は1立方センチメートル当り約5×1017原子であり、この濃度は界面Aにおける酸素濃度にほぼ等しい。エピタキシャル層は、1立方センチメートル当り約4×1019原子のホウ素濃度にドープされており、シリコン基板内のホウ素濃度は、ホウ素がドープされたエピタキシャル層からシリコン基板内への拡散のために次第に低下するホウ素濃度を有する。図5Bを図5Aと比較すると、図5Bには、図5Aの界面Aには見られる原子濃度のピークがない。基板の上部の犠牲酸化が、界面Aにおける界面汚染の一因をなす原子をより多く除去するのに役立ったと考えられる。このように、基板の上部を酸化し、より厚くした酸化物層を除去すると、図5Bに示すように、界面汚染がより少ないより清浄な基板表面が得られる。図5Cでは、自然酸化物層を上部に有するシリコン基板をイオン化活性ラジカルエッチングを使用して洗浄した。イオン化活性ラジカルエッチングの前に、酸化チャンバ内で酸化プラズマに曝露することによって、シリコン基板の上部を室温で酸化した。基板の上部を酸化して、自然酸化物層の厚さを深さ約15オングストロームまで増大させた。基板を洗浄チャンバに移し、エッチングにより基板から酸化物層を除去した。次いで基板を堆積チャンバに移し、基板表面に、ホウ素がドープされたシリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層を摂氏約700度で成長させた。このシリコン-ゲルマニウムエピタキシャル層はゲルマニウムを約20.9パーセント含んでいた。2次イオン型質量分析法によって測定した1立方センチメートル当りの塩素、窒素、フッ素、炭素、酸素およびホウ素原子の濃度が示されている。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の塩素原子の濃度は1立方センチメートル当り約7×1015原子であり、この濃度は界面Aにおける塩素原子の濃度にほぼ等しい。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の窒素およびフッ素原子の濃度は1立方センチメートル当り約7×1016原子であり、この濃度は界面Aにおける窒素およびフッ素原子の濃度にほぼ等しい。シリコン基板内およびエピタキシャル層内の炭素濃度は1立方センチメートル当り約2×1017原子である。界面Aにおける炭素濃度は1立方センチメートル当り約3×1017原子である。シリコン基板内の酸素濃度は1立方センチメートル当り約8×1017原子である。エピタキシャル層内の酸素濃度は1立方センチメートル当り約4×1017原子である。界面Aにおける酸素濃度は1立方センチメートル当り約7×1017原子である。エピタキシャル層は、1立方センチメートル当り約5×1019原子のホウ素濃度にドープされており、シリコン基板内のホウ素濃度は、ホウ素がドープされたエピタキシャル層からシリコン基板内への拡散のために次第に低下するホウ素濃度を有する。図5Cに示すように、酸化物層を除去する前に、基板表面の既存の酸化物層をより深くまでさらに酸化することによって、界面汚染を低減させることができる。既存の酸化物層の下の基板表面の一部を犠牲的に酸化することによって、洗浄プロセスで、既存の酸化物層および酸化した基板の上面を除去することができ、したがって基板の表面からより多くの汚染物質を除去することができる。上で説明したとおり、基板/酸化物層界面には、比較的に高い濃度の汚染物質が存在することがある。酸化物層の厚さを増大させると、洗浄プロセス中に基板から除去される材料の量が増大する。酸化物層の厚さは、界面汚染を包含する十分な厚さまで増大させることが好ましく、その界面汚染は、酸化物層を基板の表面から除去するときに酸化物層と一緒に除去される。図5Bと同様に、酸化物を除去する前に基板の上部を犠牲的に酸化することにより酸化物層をさらに酸化すると、界面汚染は低減した。図5Cではこの界面汚染の低減が、界面Aにおける比較的に水平な原子濃度によって、例えば界面に濃度ピークが見られないことによって示されている。"