蛍光体層を備えた陽極を陽極基板に形成するアノード工程と、電子を放出する陰極を陰極基板に設けるカソード工程と、前記アノード工程後の陽極基板または前記カソード工程後の陰極基板に非蒸発ゲッターを形成するゲッター工程と、前記アノード工程と前記カソード工程と前記ゲッター工程の後、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止して容器を形成する封止工程と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置の製造方法において、前記封止工程は、不活性ガス雰囲気中で加熱し、前記非蒸発ゲッターを活性化しつつ、前記陽極基板と前記陰極基板の対面する外縁を封止材料で封止することを特徴とする蛍光表示装置の製造方法。請求項1に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内面に凹部を形成し、前記凹部内に制御用のICを配置する工程を備え、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内部を前記陽極及び前記陰極が設けられた第1の部分と前記凹部及び前記ICが設けられた第2の部分に区画する仕切壁を設ける工程を備え、前記ゲッター工程は、前記第1の部分と前記第2の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを設ける工程を備えることを特徴とする蛍光表示装置の製造方法。請求項1または請求項2に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記封止工程をおこなう不活性ガス雰囲気はN2雰囲気であることを特徴する蛍光表示装置の製造方法。請求項1または請求項2に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記ゲッター工程で設ける非蒸発ゲッターはZrVであることを特徴とする蛍光表示装置の製造方法。蛍光体層を備えた陽極が形成された陽極基板と、電子を放出する陰極が設けられた陰極基板と、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止した容器と、前記容器の内面に形成された凹部と、前記凹部内に配置された制御用ICと、前記容器の内部を前記陽極及び陰極が設けられた第1の部分と前記凹部及び前記ICが設けられた第2の部分に区画する仕切壁と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置において、前記第1の部分と前記第2の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを備えたことを特徴とする蛍光表示装置。請求項5に記載の蛍光表示装置において、前記非蒸発ゲッターはZrVであることを特徴とする蛍光表示装置。冷陰極にカーボンナノチューブを使用した蛍光表示装置は、容器の厚みであるパネルギャップによって、冷陰極と陽極の距離が変化し、絶縁特性や発光効率、電界に対するエミッション特性が変化し輝度に大きく影響する。そのためパネルギャップが表示装置全体で均一になることでより均一な輝度を得ることができる。蛍光表示装置の製造工程の一つである封止工程では、図8に示したように封止材料45を介して陰極基板43と陽極基板44を向かい合わせて配置して、クリップなどの固定手段40で固定する。加熱によって封止材料45が溶融すると陰極基板43と陽極基板44が封止される。真空雰囲気中で封止工程を実施すると、容器42には固定手段40による圧力のみがかかり、容器42にかかる圧力は固定手段40が接する部分とそうでない部分とで不均一となる。そのためパネルギャップが不均一になるという問題があった。また、図7に示した蛍光表示装置1のように、第1の部分50’部分と、第2の部分60’を備えている場合、封止工程で加熱されると第1の部分50’は、非蒸発ゲッター6が活性化して気体分子を吸着して真空化する。そのため、容器2には圧力がかかり圧縮される。第2の部分60も容器2とともに圧縮されるが、ガスがあるため内部の圧力が上昇してしまう。その結果、仕切壁30に第2の部分60から内部のガスによる圧力がかかり仕切壁30が変形して、第2の部分60’に近い第1の部分50’のパネルギャップが高くなり、容器2内のパネルギャップが不均一になるという問題があった。本発明は、以上説明した従来技術における問題点を解決するためになされたものであり、蛍光体層を有する陽極と電子を放出する陰極を収納する容器を備えた蛍光表示装置において、容器の厚みであるパネルギャップを均一化するための蛍光表示装置の製造方法およびパネルギャップを均一化した蛍光表示装置に関するものである。請求項1に記載された蛍光表示装置の製造方法は、蛍光体層を備えた陽極を陽極基板に形成するアノード工程と、電子を放出する陰極を陰極基板に設けるカソード工程と、前記アノード工程後の陽極基板または前記カソード工程後の陰極基板に非蒸発ゲッターを形成するゲッター工程と、前記アノード工程と前記カソード工程と前記ゲッター工程の後、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止して容器を形成する封止工程と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置の製造方法において、前記封止工程は、不活性ガス雰囲気中で加熱し、前記非蒸発ゲッターを活性化しつつ、前記陽極基板と前記陰極基板の対面する外縁を封止材料で封止することを特徴とする。請求項2に記載された蛍光表示装置の製造方法は、請求項1に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内面に凹部を形成し、前記凹部内に制御用のICを配置する工程を備え、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内部を前記陽極及び前記陰極が設けられた第1の部分と前記凹部及び前記ICが設けられた第2の部分に区画する仕切壁を設ける工程を備え、前記ゲッター工程は、前記第1の部分と前記第2の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを設ける工程を備えることを特徴とする。請求項3に記載された蛍光表示装置の製造方法は、請求項1または請求項2に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記封止工程をおこなう不活性ガス雰囲気はN2雰囲気であることを特徴する。請求項4に記載された蛍光表示装置の製造方法は、請求項1または請求項2に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記ゲッター工程で設ける非蒸発ゲッターはZrVであることを特徴とする。請求項5に記載された蛍光表示装置は、蛍光体層を備えた陽極が形成された陽極基板と、電子を放出する陰極が設けられた陰極基板と、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止した容器と、前記容器の内面に形成された凹部と、前記凹部内に配置された制御用ICと、前記容器の内部を前記陽極及び陰極が設けられた第1の部分と前記凹部及び前記ICが設けられた第2の部分に区画する仕切壁と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置において、前記第1の部分と前記第2の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを備えたことを特徴とする。請求項6に記載された蛍光表示装置は、請求項5に記載の蛍光表示装置において、前記非蒸発ゲッターはZrVであることを特徴とする。本発明は不活性ガス雰囲気中で封止工程を行うことで封止時に容器の全面に大気圧と同じ圧力がかかる。容器の内面は非蒸発ゲッターにより真空となり、容器内外の圧力差によって、均一な圧力で圧縮されて封止されることからパネルギャップが均一になる。また、本発明は第1の部分と第2の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを設けたことから容器内部の圧力が、第1の部分と第2の部分で封止工程時にほぼ均一となり、パネルギャップが均一となる。本発明は不活性ガスであるN2の雰囲気中で封止を行うことで、蛍光表示装置の寿命や輝度に影響を与えることがなく封止工程を実施することができる。本発明は非蒸発ゲッターとして、ZrVを用いることで、薄型パネル構造の蛍光表示装置の容器内部にも非蒸発ゲッターを設置できる第1実施形態第1実施形態の蛍光表示装置について図1から図3を参照して説明する。図1及び図2に示す蛍光表示装置1はカーボンナノチューブを利用した電子放出素子を有した薄型パネル構造の蛍光表示装置カーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイである。薄型パネルである容器2は透光性の矩形のガラス板である陰極基板3と、陰極基板3と略同形状であるが一対の辺がやや長い陽極基板4からなる。陰極基板3と陽極基板4は、陽極基板4の一部が突出するように、他の外縁を揃えて互いに平行に配置されている。両基板の間隔は両基板の間にビーズ等をスペーサー8として固着することにより設定されている。ビーズの外径は、目的のパネルギャップを得るために例えば20μmから100μm程度のものが使用される。そして、陰極基板3の外縁に沿って、両基板の間はフリットガラス等の封止材料5によって周状に封止されている。陽極基板4の内面には陽極12が形成されている。陽極12は、陽極基板4の内面に形成された陽極導体13と、陽極導体13の表面に形成された蛍光体層14からなる。本実施形態の陽極12は、図1の上下方向乃至図2の紙面垂直方向に沿って設けられた帯状であり、図1及び図2の左右方向に所定間隔をおいて複数本が並んで設けられている。陰極基板3の内面には、前記陽極12と対面するように陰極9が形成されている。陰極9は、陰極基板3の内面に形成された陰極導体10と、陰極導体10の表面に設けられたカーボンナノチューブを含む電子放出層11からなる。本実施形態の陰極9は、陽極12と直交する方向に沿って設けられた帯状であり、所定間隔をおいて複数本が並んで設けられている。従って、多数本が設けられた帯状の陽極12と、これと交差して多数本が設けられた帯状の陰極9がマトリクスを構成しており、両電極の交点が画素として発光するようになっている。表示部7は、容器2内で陽極12と陰極9がマトリクスを形成している部分である。なお、図示はしないが、陽極12と陰極9は、容器2外にそれぞれ端子電極配線で導出されている。また、陽極12が設けられていない陽極基板4の表面の隅、または陰極9が設けられていない陰極基板3の隅に、ZrV等の非蒸発ゲッター6が細長い矩形状のパターンで被着形成されている。非蒸発ゲッター6にはZrVのほかに、Ta、Ti、Zr、Th、V、Al、Fe、Ni、W、Mo、Co、Nb、Hfの単体、それら金属の組合せ、それらの金属の化合物、またはそれらの金属の水酸化物を使用することもできる。以上説明した第1実施形態の蛍光表示装置1において、その製造方法を説明する。蛍光体層14を備えた陽極12を陽極基板4に形成する工程であるアノード工程では、ガラス製の陽極基板4にAl薄膜やITO薄膜等の導電性薄膜によって陽極導体13が形成される。陽極導体13の上に蛍光体層を形成する。そして、封止材料5を形成する。電子を放出する陰極9を陰極基板3に形成するカソード工程では、ガラス等からなる陰極基板3にITO薄膜等からなる陰極導体10を形成する。そして、カーボンナノチューブ等からなる電子放出素子の電子放出層11を形成する。次にスペーサーの形成と固着を行う。非蒸発ゲッター6を形成するゲッター工程では、ZrV等の非蒸発ゲッター材料のペーストを陰極基板の陰極9を形成していない部分、または陽極基板4の陽極12を形成していない部分に細長い矩形状に印刷して乾燥し、ペーストの溶媒成分を乾燥させて蒸発させる。このときの乾燥は、非蒸発ゲッター6が活性化しない温度200°C程度で行うため、非蒸発ゲッター6に影響を与えずにペーストの溶媒成分のみを除去できる。なお、本実施形態ではスペーサーの形成工程を説明していないが、スペーサーはアノード工程で形成してもカソード工程で形成してもよい。次に、容器2内の真空度とパネルギャップに関係する封止工程について説明する。封止工程はアノード工程とカソード工程とゲッター工程後の陽極基板4と陰極基板3を対面させ、その対面する外縁部を封止材料5で封止する。封止工程では封止材料5が十分に溶解する高温度に達する封着炉内で行う。封着炉内のピークの温度は、400°Cから550°C程度が望ましい。このとき、封着炉内の雰囲気はN2をはじめとしたAr、CO2などのカーボンナノチューブが損傷等の影響を受けない不活性ガス雰囲気にする。封止工程において、封着炉内がピーク温度に達すると封止材料5が溶けて、容器2が密閉される。また、非蒸発ゲッター6がZrVの場合は、加熱によって320°C以上になると活性化し、O2やH2O等のガスと化学反応を起こし、これらのガスを効果的に吸着する。密閉された容器2内で非蒸発ゲッター6によるガス吸着が進行すると容器2内は1×10-3Paから1×10-2Pa程度の真空雰囲気となる。そして、容器2の外部である封着炉内の不活性ガス雰囲気による気圧101300Pa程度と真空となった容器内の圧力差によって、容器は圧縮され、薄型パネル構造の容器2が完成する。このとき、容器2全体に大気圧による圧力がかかるため、固定手段の固定位置に係わらずパネルギャップは均一な値となる。図3aは封着時の条件を除いて、同一条件で作成した蛍光表示装置の各箇所のパネルギャップを測定した結果を示したグラフである。スペーサーは、平均粒径が28μmのものを使用している。また、パネルギャップの測定点は図3bに示すとおりである。図3a中のAは不活性ガスであるN2雰囲気中で封止を実施した蛍光表示装置の結果を示したもの、図3a中のBは真空雰囲気中で封止を実施した蛍光表示装置の結果を示したものである。図3aから、封止工程をN2雰囲気中で実施したほうが容器全体でギャップが均一になり、さらに、容器の同一の点におけるギャップが狭くなっていることが確認できる。また、Aの平均ギャップは29.6μmであり、Bの平均ギャップが32.0μmであることからも、Aの蛍光表示装置の方が、パネルギャップがスペーサーの平均粒径に近くなっており、容器が十分に圧縮されていることがわかる。第2実施形態第2実施形態の蛍光表示装置を図4から図6を参照して説明する。この第2実施形態の蛍光表示装置1’はカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイであり、第1実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付して説明を省略し、第1実施形態と異なる部分のみについて説明する。容器2’の内部には、容器2’の内部空間を2つの部分に分けて、それぞれが気密となるように区画する仕切壁30が設けられている。仕切壁30は、容器2’の封止に使用されているフリットガラス等の封止材料5と同一の材料で構成される。仕切壁30は、アノード工程またはカソード工程で形成され、その後、封止工程で容器2’内を気密に区画する。仕切壁30によって仕切られた容器2’の内部空間のうち、第1の部分50には陽極12と陰極9及び表示部7がある。この第1の部分50には、陽極12が設けられていない陽極基板4’の表面の隅または陰極9が設けられていない陰極基板3’の隅に、ZrV等の非蒸発ゲッター6が細長い矩形状のパターンで被着形成されている。非蒸発ゲッター6にはZrVのほかに、Ta、Ti、Zr、Th、V、Al、Fe、Ni、W、Mo、Co、Nb、Hfの単体、それら金属の組合せ、それらの金属の化合物、またはそれらの金属の水酸化物を使用することもできる。仕切壁30によって区画された容器2’の内部空間のうち、第2の部分60には陰極基板3’の内面にザグリ加工により略直方体状の凹部20が形成されている。また、凹部20と対面する陽極基板4’の内面には、ダイボンドペーストによって制御素子としてのIC21が取り付けられている。ダイボンドペーストを含めたIC21の高さは、陽極基板4’と陰極基板3’の間隔よりも高いが、陰極基板3’の内面に凹部20が形成されているので、IC21およびICのボンディングワイヤー24は陰極基板3’に干渉接触することなく容器2内に収納されている。また、容器2’の内部空間の一部である第2の部分60には、陽極基板4’と陰極基板3’の間にAg等の導電材料で構成した接続電極22が設けられている。接続電極22は、陽極基板4’上に設けられた接続配線23と陰極導体10とを導通させている。さらに接続配線23とIC21はボンディングワイヤー24によって接続され、さらにIC21は、陽極基板4’上に設けられて封止材料5を気密に貫通している端子電極配線25に、他のボンディングワイヤー24によって接続されている。なお、図示はしないが陽極基板4’上の陽極12は、陰極9と同様にICを介して容器の外に端子電極配線15で導出されている。さらに第2の部分60にもIC21を設けていない部分に、ZrV等の非蒸発ゲッター26が被着形成されている。非蒸発ゲッター26にはZrVのほかに、Ta、Ti、Zr、Th、V、Al、Fe、Ni、W、Mo、Co、Nb、Hfの単体、それら金属の組合せ、それらの金属の化合物、またはそれらの金属の水酸化物を使用することもできる。以上説明した実施2形態の蛍光表示装置1’の製造方法において、容器2’内の真空度とパネルギャップに関係する封止工程について第1実施形態と異なる部分について説明する。封止工程では、封着炉内が400°Cから550°C程度の高温に達すると、封止材料5及び仕切壁30が溶融して容器が密閉される。また、非蒸発ゲッター6、26がZrVの場合は、加熱によって320°C以上になると活性化し、O2やH2O等のガスと化学反応を起こし、ガスを効果的に吸着する。このとき、封着炉内の雰囲気はN2をはじめとしたAr、CO2などのカーボンナノチューブが損傷等の影響を受けない不活性ガス雰囲気にする。容器2’内は、仕切壁30によって区画されているものの、第1の部分50と第2の部分60の内部圧力は、1×10-3Paから1×10-2Pa程度となり、封止工程における容器2’の圧縮が均一に起こり、パネルギャップは均一化する。図6aは第1の部分と第2の部分を備える蛍光表示装置の各箇所のパネルギャップを測定した結果を示したグラフである。パネルギャップの測定点は図6bに示すとおりである。図6aのaは、第2の部分に非蒸発ゲッターを設けた蛍光表示装置の結果を示したもの、図6aのbは、第2の部分に非蒸発ゲッターを設けなかった蛍光表示装置の結果を示したものである。図6aから、第2の部分に非蒸発ゲッターを設けたほうが容器全体のパネルギャップのばらつきは小さくなり、特に第2の部分に近い図6b中の2と3では、第2の部分の影響が少なくなり、パネルギャップが狭まる効果がより顕著に確認できる。なお、以上説明した第2実施形態ではIC21を陽極基板4’に設け、凹部20を陰極基板3’に設けていたが、IC21を陰極基板3’に設け、凹部20を陽極基板4’に設ける構成としてもよい。また、第2実施形態では接続電極22を第2の部分60に設けているが、第1の部分50に接続電極22を設け、第2の部分60の主要な構成要素を凹部20、IC21、ボンディングワイヤー24等だけとしてもよい。さらに、本発明はカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイや、スピント型の電子放出素子を備えた薄型パネル構造の蛍光表示装置において特に有効であるが、陰極にフィラメントを用いたタイプの蛍光表示装置に適用しても効果が得られることはいうまでもない。