絶縁ゲート型トランジスタのゲートへの信号出力段に設けられ、対のバイポーラトランジスタがトーテムポール形態で直列に接続され、各バイポーラトランジスタのベースに前記絶縁ゲート型トランジスタの駆動信号が入力されるトーテムポール回路と、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて前記絶縁ゲート型トランジスタの保護動作をする保護回路と、を備えたゲート駆動回路であって、前記トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立して設けられて前記駆動信号を前記ベースに入力するベースラインと、前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段と、を備えることを特徴とするゲート駆動回路。前記保護回路の保護動作に伴って電位が下げられた前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートに、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインを接続して電位を下げる電位低下回路を備えることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにLレベルを出力する回路を備えることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。しかしながら、過電流、短絡発生が検出された時においては、絶縁ゲート型トランジスタ85のコレクタ-ゲート間電位が下がり、コレクタ-ゲート間のキャリアが絶縁ゲート型トランジスタ85のゲートに流入し、ゲートの電位がトーテムポール回路83のベースラインLbのベース電位すなわち、これらの素子に供給される電源電圧VDDより持ち上がる現象が発生する。このようにして絶縁ゲート型トランジスタ85のゲートの電位がトーテムポール回路83のベース電位よりも上昇すると、図6に示すように、絶縁ゲート型トランジスタ85の検出電流Siが検出しきい値Ith過電流、短絡発生と見なすしきい値を超えたタイミングで、レベルシフト回路86の出力をハイインピーダンス状態HZとし、また保護回路88から絶縁ゲート型トランジスタ85のゲートへの出力レベルをLレベル接地電位にしても、トーテムポール回路83のNPNトランジスタ81ではエミッタからベースに電荷キャリアが供給されて当該NPNトランジスタ81のベース電位が下がらず、これによりNPNトランジスタ81の出力レベルがHレベルとなって、かかる出力レベルが絶縁ゲート型トランジスタ85のゲートに入力され続けられる。これにより、保護回路88が絶縁ゲート型トランジスタ85のゲート電位を下げようとしても、当該絶縁ゲート型トランジスタ85のゲートからキャリアが抜けきるまで図6のタイミングt2、NPNトランジスタ81から電源電圧VDDが出力されることから、結果的に短絡遮断までに遅延Δtが発生する。更に、NPNトランジスタ81の出力が続くことにより、当該絶縁ゲート型トランジスタ85のゲート側へ電流が逆流してしまうおそれもある。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、過電流や短絡発生時に絶縁ゲート型トランジスタへの遮断の遅延を抑制し、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できるゲート駆動を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、絶縁ゲート型トランジスタのゲートへの信号出力段に設けられ、対のバイポーラトランジスタがトーテムポール形態で直列に接続され、各バイポーラトランジスタのベースに前記絶縁ゲート型トランジスタの駆動信号が入力されるトーテムポール回路と、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて前記絶縁ゲート型トランジスタの保護動作をする保護回路と、を備えたゲート駆動回路であって、前記トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立して設けられて前記駆動信号を前記ベースに入力するベースラインと、前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて保護動作が行われている間、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段を備えるため、保護動作に伴って上アーム側のバイポーラトランジスタが速やかに、かつ確実にオフされる。これにより、保護動作の開始に伴って絶縁ゲート型トランジスタへの信号が遅延無く確実に遮断され、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できる。これに加え、トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立してベースラインが設けられているため、保護動作開始時に上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げても、下アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインには影響が無いため、絶縁ゲート型トランジスタのハードターンオフを防止できる。また本発明は、上記ゲート駆動回路において、前記保護回路の保護動作に伴って電位が下げられた前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートに、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインを接続して電位を下げる電位低下回路を備えることを特徴とする。本発明によれば、保護動作時には、絶縁ゲート型トランジスタのゲートがトーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインに接続されるため、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位低下に伴って、ベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。また本発明は、上記ゲート駆動回路において、前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにLレベルを出力する回路を備えることを特徴とする。本発明によれば、保護回路の保護動作の開始に伴って、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにLレベルが出力されるため、保護動作の開始に伴いベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。本発明によれば、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて保護動作が行われている間、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段を備えるため、保護動作に伴って上アーム側のバイポーラトランジスタが速やかに、かつ確実にオフされる。これにより、保護動作の開始に伴って絶縁ゲート型トランジスタへの信号が遅延無く確実に遮断され、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できる。これに加え、トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立してベースラインが設けられているため、保護動作開始時に上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げても、下アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインには影響が無いため、絶縁ゲート型トランジスタのハードターンオフを防止できる。また本発明において、前記保護回路の保護動作に伴って電位が下げられた前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートに、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインを接続して電位を下げる電位低下回路を備える構成とすることで、保護動作時には、絶縁ゲート型トランジスタのゲートがトーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインに接続されるため、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位低下に伴って、ベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。また本発明において、前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにLレベルを出力する回路を備えることで、保護回路の保護動作の開始に伴って、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにLレベルが出力されるため、保護動作の開始に伴いベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。<第1実施形態>図1は、本実施形態に係るゲート駆動回路1の要部構成を示す図である。ゲート駆動回路1は、電力変換装置としてのスイッチング電源において、電力を変換調整するためにスイッチング動作するメインのスイッチング素子として用いられているパワーMOSFETやIGBT等の絶縁ゲート型トランジスタ3を駆動する回路である。ゲート駆動回路1は、絶縁ゲート型トランジスタ3のオン/オフを制御する制御信号が上位の回路から入力されると、この制御信号に基づいて、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aに駆動信号Sdを出力して当該絶縁ゲート型トランジスタ3を駆動する。ゲート駆動回路1の構成について詳細には、ゲート駆動回路1は、図1に示すように、パルス生成回路5と、レベルシフタ7と、トーテムポール回路9と、保護回路11と、電位強制低下回路13とを備えている。パルス生成回路5は、上位の回路から入力された制御信号に基づいて、絶縁ゲート型トランジスタ85のオン/オフを指示するパルス信号Spを生成し、レベルシフタ7に出力する。レベルシフタ7は、パルス信号Spの信号レベルを絶縁ゲート型トランジスタ3の駆動に用いる基準電位に応じて調整し、調整後の信号を出力信号Sout1、Sout2としてトーテムポール回路9に出力する回路である。トーテムポール回路9は、出力信号Sout1、Sout2に基づいてプッシュプル動作をすることで絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aに、出力信号Sout1、Sout2に応じた駆動信号Sdを入力する回路である。トーテムポール回路9は、絶縁ゲート型トランジスタ3の信号出力段に設けられ、2つのバイポーラトランジスタをトーテムポール形態で直列に接続した回路であり、本実施形態では、上アーム側のNPNトランジスタ15と下アーム側のPNPトランジスタ17とをトーテムポール形態で接続して構成され、これら上アーム、及び下アームの接続点18が駆動信号Sdの出力端となり、抵抗19を介して絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aに接続される。保護回路11は、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aの電位を下げて絶縁ゲート型トランジスタ3の保護動作をする回路であり、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aをアースに接続する強制接地ライン21と、この強制接地ライン21に介挿されて保護動作制御信号Shに基づいてオン/オフする常開接点としてのnチャネル形MOSFET23を備えている。絶縁ゲート型トランジスタ3の保護動作について詳細には、絶縁ゲート型トランジスタ3のエミッタ側には、エミッタに流れる電流iを検出し、電流iが所定の検知しきい値Ithを超えている場合に過電流や短絡発生を示す検出信号Skを出力する過電流短絡検出回路27が設けられている。この検出信号Skに基づいて上記保護動作制御信号Shが生成され、過電流や短絡発生の検出時に、保護動作制御信号Shに基づいてnチャネル形MOSFET23が閉じることで、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aが強制接地ライン21により抵抗25を介してアースに接続される。これにより、絶縁ゲート型トランジスタ3が強制的にターンオフされる。なお、本実施形態では、検出信号Skに基づいて保護動作制御信号Shは、ゲート駆動回路1が内蔵する回路図示せずによって生成されているが、検出信号Skに基づく保護動作制御信号Shが外部からゲート駆動回路1に入力される構成としても良い。電位強制低下回路13は、保護回路11のnチャネル形MOSFET23が閉じて保護動作が開始されるに伴って、当該保護動作が行われている間、トーテムポール回路9における上アーム側のNPNトランジスタ15のベース15Aの電位を強制的に下げる手段として機能する回路である。詳述すると、本実施形態のトーテムポール回路9にあっては、上アーム側のNPNトランジスタ15のベース15Aと下アーム側のPNPトランジスタ17のベース17Aには、それぞれ独立してベースライン29A、29Bが設けられており、各ベースライン29A、29Bを通じてレベルシフタ7からの出力信号Sout1、Sout2がNPNトランジスタ15、及びPNPトランジスタ17に入力されている。また、レベルシフタ7には、パルス信号Spに基づいて上記出力信号Sout1、Sout2を出力するレベルシフト回路31A、31Bが各ベースライン29A、29Bごとに設けられている。電位強制低下回路13は、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aに、上アーム側のNPNトランジスタ15のベース15Aに接続されたベースライン29Aを抵抗35、及び強制接地ライン21を通じて接続する回路として構成されている。すなわち、保護回路11のnチャネル形MOSFET23が開成状態非保護動作状態の間は、電位強制低下回路13は強制接地ライン21保護回路11の出力レベルと同じくハイインピーダンス状態HZとなるから、ベースライン29Aの電位レベルには影響が生じることはない。そして、保護回路11のnチャネル形MOSFET23が閉成状態となったときには保護動作が開始されたときには、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aが強制接地ライン21を通じてLレベル接地電位となることで、ベースライン29Aの電荷キャリアも電位強制低下回路13を通じて強制接地ライン21に移動して強制的に消費される。これにより、保護動作開始時には、トーテムポール回路9の上アーム側のNPNトランジスタ15のベース15Aの電位が確実にLレベルとなり、確実、かつ速やかに絶縁ゲート型トランジスタ3への信号出力が遮断される。次いでゲート駆動回路1における保護動作時の動作について詳述する。絶縁ゲート型トランジスタ3が駆動されている間は、この絶縁ゲート型トランジスタ3のエミッタの電流iに基づく検出電流Siが過電流短絡検出回路27によって検出される。過電流短絡検出回路27には、過電流や短絡発生の指標である検出しきい値Ithが予め設定されており、図2に示すように、検出電流Siが増加して検出しきい値Ithを超えると、過電流短絡検出回路27は、過電流や短絡の発生を示す検出信号Skを出力するタイミングta。この検出信号Skの出力に伴って、ゲート駆動回路1にあっては、レベルシフタ7からの出力信号Sout1、Sout2が共に停止してLレベルに維持されるとともに、保護回路11には保護動作制御信号shが入力される。保護回路11では、保護動作制御信号Shが入力されることでnチャネル形MOSFET23が閉動作し、この閉動作によって、強制接地ライン21のレベル保護回路11の出力レベルがハイインピーダンス状態HZからLレベル接地電位に遷移する。これにより、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aが強制接地ライン21を介してアースに接続され、当該ゲート端子3Aから電荷を抜いて絶縁ゲート型トランジスタ3をターンオフする保護動作が開始されることとなる。さらに、保護回路11の保護動作開始タイミングtaに伴い強制接地ライン21がLレベルに遷移すると、トーテムポール回路9の上アーム側のNPNトランジスタ15のベース15A、及びベースライン29Aが電位強制低下回路13を通じてLレベル接地電位に接続されるため、NPNトランジスタ15のベース15Aから電荷キャリアが強制的に消費される。これにより、保護動作時には、NPNトランジスタ15のベース15Aの電位が確実にLレベルに遷移して出力を停止することとなるから、図2に示すように、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aの電位も、保護動作の開始のタイミングtaで、Lレベル接地電位に確実に遷移し、駆動が速やか、かつ確実に停止される。ここで、保護動作の開始時に、トーテムポール回路9の下アーム側のPNPトランジスタ17のベースライン29Bを、NPNトランジスタ15のベースライン29Aと同様にLレベル接地電位に接続してしまうと、絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aの電荷が急激に引き抜かれてしまうことになり、いわゆるハードターンオフ状態となってしまう。本実施形態では、レベルシフタ7に、上下のアームごとにレベルシフト回路31A、31Bを設け、保護動作時には、上アーム側のNPNトランジスタ15のベースライン29Aを電位強制低下回路13によってLレベル接地電位に接続しつつ、下アーム側のPNPトランジスタ17にあっては、レベルシフト回路31Bの出力にベースライン29Bを通じて接続したままとしているので、上記のようなハードターンオフ状態が回避される。このように、本実施形態によれば、保護回路11の保護動作に伴って電位が下げられた絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aに、トーテムポール回路9の上アーム側のNPNトランジスタ15のベースライン29Aを接続して電位を下げる電位強制低下回路13を備える構成とした。これにより、絶縁ゲート型トランジスタ3の保護動作時には、絶縁ゲート型トランジスタのゲートがトーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインに接続されるため、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位低下に伴って、ベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。この結果、NPNトランジスタ15のベース15Aの電位低下が速くなり、絶縁ゲート型トランジスタ3への信号遮断までの遮断時間を短縮することができターンオフ性能の向上、絶縁ゲート型トランジスタ3を安全に保護できる。また、トーテムポール回路9の対のNPNトランジスタ15、PNPトランジスタ17のベース15A、17Aごとに独立してベースライン29A、29Bが設けられているため、保護動作開始時に上アーム側のNPNトランジスタ15のベースライン29Aの電位を下げても、下アーム側のPNPトランジスタ17のベースライン29Bの電位には影響が無いため、絶縁ゲート型トランジスタ3のハードターンオフを防止できる。<第2実施形態>上述した実施形態では、保護回路11によって絶縁ゲート型トランジスタ3のゲート端子3Aの電位をLレベルにするときに、上アーム側のNPNトランジスタ15のベースライン29Aも電位強制低下回路13を通じてLレベル接地電位に接続することで、当該NPNトランジスタ15を確実、かつ速やかにオフすることとした。これに対して本実施形態では、電位強制低下回路13等の別途の回路を設けることなく、上アーム側のNPNトランジスタ15のベースライン29Aの電位を、保護回路11の保護動作の開始に伴ってLレベルとする構成について例示する。図3は本実施形態に係るゲート駆動回路100の要部構成を示す図であり。図4は、ゲート駆動回路100による保護動作時のタイミングチャートである。なお、図3において、図1と同じ部材については、同一の符号を付して説明を省略する。図3に示すように、このゲート駆動回路100は、電位強制低下回路13を備えていない代わりに、図4に示すように、レベルシフタ7は、保護動作開始時のタイミングtaで、各レベルシフト回路31A、31Bの出力信号Sout1、Sout2を共にLレベルに遷移させる点において、第1実施形態のゲート駆動回路1と構成を大きく異にする。このように、各レベルシフト回路31A、31Bの出力信号Sout1、Sout2を共にLレベルに遷移させることで、トーテムポール回路9にあっては、上アーム側のNPNトランジスタ15のベースライン29Aも強制的にLレベルに維持され、当該NPNトランジスタ15が確実、かつ速やかにオフされる。このように、本実施形態によれば、保護回路11の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、レベルシフト回路31Aがトーテムポール回路9の上アーム側のNPNトランジスタ15のベースライン29AにLレベルを出力するため、保護動作の開始に伴いベースライン29Aの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。これにより、第1実施形態と同様に、NPNトランジスタ15のベース15Aの電位低下が速くなり、絶縁ゲート型トランジスタ3への信号遮断までの遮断時間を短縮することができターンオフ性能の向上、絶縁ゲート型トランジスタ3を安全に保護できる。なお、上述した各実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で任意に変形、及び応用が可能である。例えば、上述した実施形態では、スイッチング電源のメインスイッチング素子を駆動するゲート駆動回路について例示したが、これに限らず、トーテムポール回路を信号出力段に備え、絶縁ゲート型トランジスタを駆動する任意のゲート駆動回路に本発明を適用することができる。