被処理基板上のパターニングされたフロロカーボン層をマスクとして、前記被処理基板のエッチングを行う、エッチング方法。前記被処理基板と前記フロロカーボン層との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層が介在している、請求項1に記載のエッチング方法。前記フロロカーボン層の上に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層が形成されている、請求項1に記載のエッチング方法。被処理基板の処理を行う基板処理方法であって、被処理基板上にフロロカーボン層CFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成された前記フロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、前記フロロカーボン層のエッチングを行ってフロロカーボン層のパターニングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、パターニングされた前記フロロカーボン層をマスクとして、前記被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む、基板処理方法。前記フロロカーボン層と前記レジスト層との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層を形成する工程を含む、請求項4に記載の基板処理方法。前記フロロカーボン層と前記被処理基板との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層を形成する工程を含む、請求項4に記載の基板処理方法。前記パターニング工程は、液浸露光工程を含む、請求項4に記載の基板処理方法。前記液浸露光工程における光源は、ArFエキシマレーザを含む、請求項7に記載の基板処理方法。被処理基板の処理を行う基板処理方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、前記ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、前記フロロカーボン層形成工程の後に、形成された前記フロロカーボン層および前記フロロカーボン層の間に露出する前記ハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、前記シリコン含有膜形成工程の後に、前記フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、前記フロロカーボン層の上側および前記ハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程と、前記シリコン含有膜エッチング工程の後に、前記側壁間に位置する前記フロロカーボン層を除去するようにエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、前記フロロカーボン層エッチング工程の後に、残った前記シリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行うハードマスク層エッチング工程と、前記ハードマスク層エッチング工程の後に、残ったハードマスク層をマスクとして、前記被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む、基板処理方法。前記シリコン含有膜は、SiO2膜を含む、請求項9に記載の基板処理方法。前記ハードマスク層は、SiN膜を含む、請求項9に記載の基板処理方法。前記フロロカーボン層形成工程は、プラズマCVDにより行われる、請求項4に記載の基板処理方法。前記フロロカーボン層形成工程は、C5F8ガスを用いて形成される、請求項4に記載の基板処理方法。前記エッチングは、プラズマエッチングにより行われる、請求項4に記載の基板処理方法。前記エッチングは、マイクロ波プラズマをプラズマ源とし、ラジアルラインスロットアンテナRadialLineSlotAntennaにより生成されたプラズマを用いて行われる、請求項4に記載の基板処理方法。被処理基板のエッチングを行う際のパターンを形成するパターン形成方法であって、被処理基板上にフロロカーボン層CFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成された前記フロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、前記フロロカーボン層のエッチングを行い、被処理基板のエッチングを行う際のフロロカーボン層のパターンを形成するパターン形成工程とを含む、パターン形成方法。被処理基板のエッチングを行う際のパターンを形成するパターン形成方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、前記ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、前記フロロカーボン層形成工程の後に、形成された前記フロロカーボン層および前記フロロカーボン層の間に露出する前記ハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、前記シリコン含有膜形成工程の後に、前記フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、前記フロロカーボン層の上側および前記ハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程と、前記シリコン含有膜エッチング工程の後に、前記側壁間に位置する前記フロロカーボン層を除去するようにエッチングを行い、被処理基板のエッチングを行う際のフロロカーボン層のパターンを形成するパターン形成工程とを含む、パターン形成方法。被処理基板にエッチングを行って製造される半導体素子の製造方法であって、被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成された前記フロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、前記フロロカーボン層のエッチングを行ってフロロカーボン層のパターニングを行うフロロカーボン層フロロカーボン層エッチング工程と、パターニングされた前記フロロカーボン層をマスクとして、前記被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む、半導体素子の製造方法。被処理基板にエッチングを行って製造される半導体素子の製造方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、前記ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、前記フロロカーボン層形成工程の後に、形成された前記フロロカーボン層および前記フロロカーボン層の間に露出する前記ハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、前記シリコン含有膜形成工程の後に、前記フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、前記フロロカーボン層の上側および前記ハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程と、前記シリコン含有膜エッチング工程の後に、前記側壁間に位置する前記フロロカーボン層を除去するようにエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、前記フロロカーボン層エッチング工程の後に、残った前記シリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行うハードマスク層エッチング工程と、前記ハードマスク層エッチング工程の後に、残ったハードマスク層をマスクとして、前記被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む、半導体素子の製造方法。被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成し、形成された前記フロロカーボン層の上に、レジスト層を形成し、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とし、パターニングされたレジスト層をマスクとして、前記フロロカーボン層のエッチングを行って前記フロロカーボン層のパターニングを行い、パターニングされた前記フロロカーボン層をマスクとして、前記被処理基板のエッチングを行って製造される、半導体素子。被処理基板上に、ハードマスク層を形成し、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成し、形成された前記フロロカーボン層および前記フロロカーボン層の間に露出する前記ハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成し、前記フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、前記フロロカーボン層の上側および前記ハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行い、前記側壁間に位置する前記フロロカーボン層を除去するようにエッチングを行い、残った前記シリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行い、残ったハードマスク層をマスクとして、前記被処理基板のエッチングを行って製造される、半導体素子。被処理基板上のパターニングされたマスクを用いて前記被処理基板のエッチングを行うエッチング方法であって、前記マスクは、193nm付近の波長に対し90以上の吸収率を備える、エッチング方法。シリコン基板等の被処理基板に対して、45nm以下の微細なエッチングをするにあたり、ハードマスク層、有機膜層光学的分散層、反射防止膜層ARC層の3層を形成してエッチングを行う場合がある。このような構成によれば、フォトレジストを露光する際に必要となる反射防止性能を確保することができるので、エッチングにおけるLWRLineWidthRoughness等の改善を図ることができる。しかし、エッチング工程において、このような3層構造のマスクを形成することは、製造工程の増加や再現性の低下等に繋がることとなる。すなわち、製造コストダウンや処理の信頼性の向上の観点からすると、上記したエッチング工程時における3層の形成は、必ずしも好ましくない。この発明の目的は、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができるエッチング方法を提供することである。この発明の他の目的は、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる基板処理方法を提供することである。この発明のさらに他の目的は、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができるパターン形成方法を提供することである。この発明のさらに他の目的は、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に製造することができる半導体素子の製造方法を提供することである。この発明のさらに他の目的は、信頼性が高く、安価に製造される半導体素子を提供することである。この発明に係るエッチング方法は、被処理基板上のパターニングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う。このように構成することにより、フロロカーボン層の1層のみで反射防止膜、およびハードマスクとしての機能を備えることとなる。そうすると、マスク形成工程時において、フロロカーボン層の形成のみでよいため、工程数の減少および再現性の向上を図ることができる。したがって、このようなエッチング方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。被処理基板とフロロカーボン層との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層が介在してもよい。また、フロロカーボン層の上に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層が形成されていてもよい。また、この発明に係る基板処理方法は、被処理基板の処理を行う基板処理方法であって、被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行ってフロロカーボン層のパターニングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、パターニングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。このように構成することにより、フロロカーボン層の1層のみで反射防止膜、およびハードマスクとしての機能を備えることとなる。そうすると、マスク形成工程時において、フロロカーボン層の形成のみでよいため、工程数の減少および再現性の向上を図ることができる。したがって、このような基板処理方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。フロロカーボン層とレジスト層との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層を形成する工程を含んでよい。また、フロロカーボン層と被処理基板との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層を形成する工程を含むようにしてもよい。パターニング工程は、液浸露光工程を含んでよい。一実施形態として、露光用の光源は、ArFエキシマレーザを含むように構成してもよい。この発明の他の局面においては、基板処理方法は、被処理基板の処理を行う基板処理方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボン層CFx:xは任意の数を形成するフロロカーボン層形成工程と、フロロカーボン層形成工程の後に、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、シリコン含有膜形成工程の後に、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程エッチバック工程と、シリコン含有膜エッチング工程の後に、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、フロロカーボン層エッチング工程の後に、残ったシリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行うハードマスク層エッチング工程と、ハードマスク層エッチング工程の後に、残ったハードマスク層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。シリコン含有膜は、SiO2膜を含んでよい。また、ハードマスク層は、SiN膜を含んでよい。ここで、上記したフロロカーボン層形成工程は、プラズマCVDにより行われるようにしてもよい。また、フロロカーボン層形成工程は、マイクロ波プラズマをプラズマ源とし、ラジアルラインスロットアンテナRadialLineSlotAntennaにより生成されたプラズマを用いて行われるようにしてもよい。なお、上記したフロロカーボン層形成工程は、C5F8ガスを用いて形成されるように構成してもよい。なお、エッチングは、プラズマエッチングにより行われ、さらに好ましくは、エッチング工程は、マイクロ波プラズマをプラズマ源とし、ラジアルラインスロットアンテナにより生成されたプラズマを用いて行われてもよい。この発明のさらに他の局面において、パターン形成方法は、被処理基板のエッチングを行う際のパターンを形成するパターン形成方法であって、被処理基板上にフロロカーボン層CFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行い、被処理基板のエッチングを行う際のフロロカーボン層のパターンを形成するパターン形成工程とを含む。この発明のさらに他の局面において、パターン形成方法は、被処理基板のエッチングを行う際のパターンを形成するパターン形成方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、フロロカーボン層形成工程の後に、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、シリコン含有膜形成工程の後に、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程と、シリコン含有膜エッチング工程の後に、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行い、被処理基板のエッチングを行う際のフロロカーボン層のパターンを形成するパターン形成工程とを含む。この発明のさらに他の局面において、半導体素子の製造方法は、被処理基板にエッチングを行って製造される半導体素子の製造方法であって、被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行ってフロロカーボン層のパターニングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、パターニングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。この発明のさらに他の局面において、半導体素子の製造方法は、被処理基板にエッチングを行って製造される半導体素子の製造方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、フロロカーボン層形成工程の後に、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、シリコン含有膜形成工程の後に、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程エッチバック工程と、シリコン含有膜エッチング工程の後に、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、フロロカーボン層エッチング工程の後に、残ったシリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行うハードマスク層エッチング工程と、ハードマスク層エッチング工程の後に、残ったハードマスク層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。この発明のさらに他の局面において、半導体素子は、被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成し、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成し、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とし、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行ってフロロカーボン層のパターニングを行い、パターニングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行って製造される。この発明のさらに他の局面において、半導体素子は、被処理基板上に、ハードマスク層を形成し、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成し、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成し、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行い、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行い、残ったシリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行い、残ったハードマスク層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行って製造される。また、この発明のさらに他の局面において、エッチング方法は、被処理基板上のパターニングされたマスクを用いて被処理基板のエッチングを行うエッチング方法であって、マスクは、193nm付近の波長に対し90以上の吸収率を備える。このようなエッチング方法および基板処理方法によると、フロロカーボン層の1層のみで反射防止膜、およびハードマスクとしての機能を備えることとなる。そうすると、マスク形成工程時において、フロロカーボン層の形成のみでよいため、工程数の減少および再現性の向上を図ることができる。したがって、このようなエッチング方法および基板処理方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。また、この発明に係るパターン形成方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。また、この発明に係る半導体素子の製造方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に製造することができる。また、この発明に係る半導体素子は、信頼性が高く、安価に製造される。以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。まず、この発明の一実施形態に係るエッチング方法および基板処理方法に用いられるプラズマ処理装置の構成および動作について説明する。図1は、この発明の一実施形態に係るエッチング方法および基板処理方法に用いられるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す概略断面図である。図2は、図1に示すプラズマ処理装置に備えられるスロットアンテナ板を、板厚方向から見た図である。図1および図2を参照して、プラズマ処理装置11は、マイクロ波をプラズマ源とするマイクロ波プラズマ処理装置である。このプラズマ処理装置11は、プラズマエッチング処理およびプラズマCVD処理を行うことができる。プラズマ処理装置11は、その内部で被処理基板Wにプラズマ処理を行う処理空間を有する処理容器12と、処理容器12内にプラズマ処理用のガス等を供給するガス供給部13と、処理容器12内に設けられ、その上に被処理基板Wを支持する支持台14と、処理容器12の外部に設けられ、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器15と、マイクロ波発生器15により発生させたマイクロ波を処理容器12内に導入する導波管16および同軸導波管17と、同軸導波管17の下方端部に連結されており、同軸導波管17によって導入されたマイクロ波を径方向に伝播する誘電体板18と、誘電体板18の下方側に配置されており、誘電体板18によって伝播されたマイクロ波を放射するスロット長孔19を複数有するスロットアンテナ板20と、スロットアンテナ板20の下方側に配置されており、スロット19から放射されたマイクロ波を径方向に伝播すると共に処理容器12内に透過させる誘電体窓21と、プラズマ処理装置11全体を制御する制御部図示せずとを備える。制御部は、ガス供給部13におけるガス流量、処理容器12内の圧力等、被処理基板Wをプラズマ処理するためのプロセス条件を制御する。なお、理解の容易の観点から、図1において、スロット19の開口形状を概略的に示している。処理容器12は、支持台14の下方側に位置する底部22と、底部22の外周から上方向に延びる側壁23と、側壁23の上方側に載置するようにして配置され、その上に誘電体窓21を載置可能な環状部材24とを含む。側壁23は、円筒状である。処理容器12の底部22には、排気用の排気孔25が設けられている。処理容器12の上部側は開口しており、処理容器12の上部側に配置される誘電体窓21、および誘電体窓21と処理容器12、具体的には、処理容器12を構成する環状部材24との間に介在するシール部材としてのOリング26によって、処理容器12は密封可能に構成されている。支持台14には、RFradiofrequencyバイアス用の高周波電源27がマッチングユニット28を介して支持台14内の電極に電気的に接続されている。この高周波電源27は、被処理基板Wに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、13.56MHzの高周波を所定のパワーで出力する。マッチングユニット28は、高周波電源27側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器12といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容しており、この整合器の中に自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。また、図示はしないが、支持台14は、被処理基板Wを支持する支持機構や温度調節を行う温度調節機構を備えていてもよい。ガス供給部13は、被処理基板Wの中央に向かってガスを供給するガス供給口31を有するセンターガス供給部32と、円環状の中空状部材33から構成されており、径方向内側に向かってガスを供給するガス供給口34を有するアウターガス供給部35とを含む。センターガス供給部32およびアウターガス供給部35はそれぞれ、処理容器12外から処理容器12内にプラズマ処理用のガス等を供給する。ガス供給口31、34から供給されるガスのそれぞれの流れ方向については、図1中の矢印F1およびF2で図示している。なお、センターガス供給部32およびアウターガス供給部35から供給されるガスの流量比等については、任意に選択が可能であり、例えば、センターガス供給部32からのガスの供給を全く無しにして、アウターガス供給部35からのみ処理容器12内にガスを供給するということも、可能である。マイクロ波整合器36を有するマイクロ波発生器15は、中心導体37および外周導体38から構成される同軸導波管17およびモード変換器39を介して、マイクロ波を導入する導波管16の上流側に接続されている。同軸導波管17を構成し、いずれも円筒状である中心導体37および外周導体38は、径方向の中心を一致させ、中心導体37の外径面と、外周導体38の内径面との間隔を開けるようにして、図1中の紙面上下方向に延びるようにして配置される。例えば、マイクロ波発生器15で発生させたTEモードのマイクロ波は、導波管16を通り、モード変換器39によりTEMモードへ変換され、同軸導波管17を伝播する。マイクロ波発生器15において発生させるマイクロ波の周波数としては、例えば、2.45GHzが選択される。スロットアンテナ板20は、薄板状であって、円板状である。スロットアンテナ板20の板厚方向の両面は、それぞれ平らである。スロットアンテナ板20には、板厚方向に貫通するスロット19が複数設けられている。スロット19は、一方方向に長い第一のスロット41と、第一のスロット41と直交する方向に長い第二のスロット42とが、隣り合って一対となるように形成されている。具体的には、隣り合う2つのスロット41、42が一対となって、間隔を開けて直交するように配置されて構成されている。すなわち、スロットアンテナ板20は、一方向に延びる第一のスロット41およびその一方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロット42から構成されるスロット対43を有する構成である。なお、スロット対43の一例については、図2中の点線で示す領域で図示している。設けられたスロット対43は、内周側に配置される内周側スロット対群44と、外周側に配置される外周側スロット対群45とに大別される。内周側スロット対群44において、7対のスロット対43はそれぞれ、周方向に等間隔に配置されている。外周側スロット対群45において、28対のスロット対43はそれぞれ、周方向に等間隔に配置されている。スロットアンテナ板20の径方向の中央にも、貫通孔46が設けられている。スロットアンテナ板20は、径方向の中心47を中心とした回転対称性を有する。誘電体窓21は、略円板状であって、所定の板厚を有する。誘電体窓21は、誘電体で構成されており、誘電体窓21の具体的な材質としては、石英やアルミナ等が挙げられる。誘電体窓21は、図1における下側を環状部材24の上に載せるようにしてプラズマ処理装置11に気密に取り付けられ、備えられる。誘電体窓21のうち、プラズマ処理装置11に備えられた際にプラズマを生成する側となる下面48の径方向外側領域には、環状に連なり、誘電体窓21の板厚方向内方側、ここでは、図1における紙面上方向に向かってテーパ状に凹む誘電体窓凹部49が設けられている。この誘電体窓凹部49により、誘電体窓21の径方向外側領域において、誘電体窓21の厚みを連続的に変化させる領域を形成して、プラズマを生成する種々のプロセス条件に適した誘電体窓21の厚みを有する共振領域を形成することができる。そうすると、種々のプロセス条件に応じて、誘電体窓21の下部領域におけるプラズマの高い安定性を確保することができる。マイクロ波発生器15により発生させたマイクロ波は、同軸導波管17を通って、誘電体板18に伝播され、スロットアンテナ板20に設けられた複数のスロット19から誘電体窓21に放射される。誘電体窓21を透過したマイクロ波は、誘電体窓21の直下に電界を生じさせ、処理容器12内にプラズマを生成させる。誘電体窓21の直下で生成されたプラズマは、誘電体窓21から離れる方向、すなわち、支持台14に向かう方向に拡散していく。そして、支持台14に載置された被処理基板Wを含むプラズマ拡散領域で、被処理基板Wに対するプラズマエッチング処理等のプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置11において処理に供されるマイクロ波プラズマは、上記した構成のスロットアンテナ板20および誘電体窓21を含むラジアルラインスロットアンテナRadialLineSlotAntennaにより生成される。このようなプラズマ処理装置11によれば、比較的低い電子温度および比較的高い電子密度でプラズマ処理を行うことができるので、処理時における被処理基板Wに対するプラズマダメージを抑制し、高速な処理を行うことができる。ここで、シリコン基板等の被処理基板に対して、45nm以下の微細なエッチングをするにあたり、ハードマスク層、有機膜層光学的分散層、反射防止膜層ARCAntiReflectiveCoating層の3層を形成してエッチングを行う方法がある。ここで、3層を形成して被処理基板のエッチングを行う方法について、簡単に説明する。図3は、この場合における基板処理方法の代表的な工程を示すフローチャートである。図4は、3層が形成されたシリコン基板の概略断面図である。図3および図4を参照して、まず、被処理基板としてのシリコン基板51上に、ハードマスク層52を形成する図3A。ハードマスク層52は、例えば、SiN膜から構成される。次に、形成されたハードマスク層52の上に、有機膜層53を比較的厚めに形成する。具体的には、その材質にもよるが、十分な反射防止性能を確保するために、200nm程度の厚みの有機膜層53を形成する図3B。次に、形成した有機膜層53の上に、反射防止膜ARC層54を数十nm程度形成する図3C。反射防止膜層54は、例えば、シリコンSiを含む膜、具体的には、Si-ARCと呼ばれる膜から構成される。形成する反射防止膜層54の厚みについても、その材質によるが、おおよそ40nm程度である。ここまでの工程が、3層マスクの形成工程である。なお、有機膜層53および反射防止膜層54が、フォトレジストをパターニングする際、露光光の反射を抑制する膜となる。反射を防止するためには、上記の程度の比較的厚い膜が必要である。次に、反射防止膜層54の上にレジスト層55を形成する図3D。その後、光源図示せずを用いて所定の形状となるように露光現像を行って、レジスト層55のパターニングを行う図3E。レジスト層55のパターニングまでを行った状態が、図4に示す状態である。その後、パターニングを行ったレジスト層55をマスクとして、反射防止膜層54のエッチングを行う図3F。図5は、反射防止膜層54のエッチングが終了した状態の概略断面図である。反射防止膜層54のエッチングが終了した後、有機膜層53のエッチングを行う図3G。有機膜層53のエッチング時においては、レジスト層55についてもエッチングされ、除去される。図6は、有機膜層53のエッチングが終了した状態の概略断面図である。その後、残った有機膜層53をマスクとして、ハードマスク層52のエッチングを行う図3H。図7は、ハードマスク層52のエッチングが終了した状態の概略断面図である。次に、有機膜層53を除去し、残ったハードマスク層52をマスクとして、シリコン基板51のエッチングを行う。このようにして、シリコン基板51のエッチングを行う。図8は、有機膜層53を除去した状態の概略断面図である。このような3層マスクを用いたエッチング方法は、以下の点において不利である。まず、有機膜層については、上記した通り、比較的厚く形成する必要がある。図9は、有機膜層上に約30nm程度のSi-ARCを積層した時の有機膜の膜厚と、193nmの波長の光を照射した場合の光の反射率との関係を示すグラフである。縦軸は、光の反射率比率を示し、横軸は、有機膜の膜厚nmを示す。図9を参照して、有機膜層が100nm程度までは、有機膜層が薄くなるに従い、光の反射率は高いものとなる。したがって、露光時の光の反射を十分に小さくするには、少なくとも有機膜層を100nm以上とする必要がある。このような厚い膜の形成は、スループット向上の観点からも不利である。すなわち、単純に有機膜層を薄くして、膜厚に起因するスループットの向上を図ることは困難である。また、形成した3つの層に対し、それぞれエッチングを行う必要があるが、それぞれの層に対してエッチングにおける選択性を持たせる必要がある。また、このような異なる材料を用いての層の形成は、エッチングプロセスの再現性の低下に繋がると共に、ステップ数の増大を招く。また、このような異なる層を同じプラズマ処理装置を用いてエッチングするのは困難であり、必然的にプラズマ処理装置の数の増加に繋がることとなって、製造コストのアップに繋がってしまうことも考えられる。そこで、上記したプラズマ処理装置11を用いて、フロロカーボン層を形成してエッチングを行う方法について説明する。図10は、図1に示すプラズマ処理装置11を用いてフロロカーボン層を形成し、被処理基板Wのエッチングを行う際の代表的な処理の工程を示すフローチャートである。また、図11は、フロロカーボン層等が形成されたシリコン基板の概略断面図である。図10および図11を参照して、まず、被処理基板となるシリコン基板56上に、フロロカーボン層57を形成する図10A。この場合、上記したプラズマ処理装置11を用いて、プラズマCVD処理により、シリコン基板56上にフロロカーボン層57を形成する。この場合、例えば、プラズマ励起用としてArガス等の希ガスを用い、フロロカーボン層を形成する成膜ガスとして、フロロカーボンガス、例えば、C5F8ガスを用いる。すなわち、これらのようなガスを含む混合ガスを、上記したプラズマ処理装置11に備えられるガス供給部13から供給し、プラズマCVD処理を行う。次に、フロロカーボン層57の上に、塗布現像装置によりレジスト層58を形成する図10B。その後、レジスト層58に対して露光現像を行って、所定の形状にパターニングを行う図10C。この場合、液浸露光により行ってもよい。この場合のレジスト層58の下層に位置するフロロカーボン層57は、反射防止膜層としての機能を有する。レジスト層55のパターニングまで行った状態が、図11に示す状態である。次に、所定の形状にパターニングしたレジスト層58をマスクとして、フロロカーボン層57のエッチングを行う図10D。エッチング条件の一例を示す。マイクロ波パワー2500W、バイアスパワー周波数13.56MHzを150W300mmウェハ、単位面積当たり0.21W/cm2として、エッチングガスをアルゴンArガス、臭化水素HBrガス、酸素O2ガスを、Ar/HBr/O2=1000sccm/500sccm/20sccmとして、処理容器内の圧力を20mTorr2.66Pa、被処理基板の支持台の温度を20°Cとしてエッチングを行う。エッチングガスとして、HBrの代わりに、Cl2やCHF3、CH2F2、CH3Fを用いても、条件を調整することでエッチングを行うことができる。図12は、フロロカーボン層57のエッチングが終了した状態の概略断面図である。そして、マスクとしてのレジスト層58を除去する図10E。図13は、レジスト層58を除去した状態の概略断面図である。その後、残ったフロロカーボン層57をマスクとして、シリコン基板51のエッチングを行う図10F。この場合、フロロカーボン層57は、ハードマスク層として機能する。このようにして、シリコン基板51のエッチングを行う。すなわち、この発明の一実施形態に係る基板処理方法は、被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、エッチングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。また、この発明の一実施形態に係るエッチング方法は、被処理基板上のパターニングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う。このようなエッチング方法および基板処理方法によると、フロロカーボン層の1層のみで反射防止膜、およびハードマスクとしての機能を備えることとなる。そうすると、マスク形成工程時において、フロロカーボン層の形成のみでよいため、工程数の減少および再現性の向上を図ることができる。したがって、このようなエッチング方法および基板処理方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。また、この発明の一実施形態に係るパターン形成方法は、被処理基板のエッチングを行う際のパターンを形成するパターン形成方法であって、被処理基板上にフロロカーボン層CFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行い、被処理基板のエッチングを行う際のフロロカーボン層のパターンを形成するパターン形成工程とを含む。このようなパターン形成方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。また、この発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被処理基板にエッチングを行って製造される半導体素子の製造方法であって、被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とするパターニング工程と、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、エッチングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。このような半導体素子の製造方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に製造することができる。また、この発明の一実施形態に係る半導体素子は、被処理基板上にフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成し、形成されたフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成し、形成されたレジスト層をパターニングして所定の形状とし、パターニングされたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行い、エッチングされたフロロカーボン層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行って製造される。このような半導体素子は、信頼性が高く、安価に製造される。ここで、フロロカーボン層のハードマスクとしての機能について簡単に説明すると、以下の通りである。すなわち、フロロカーボン層は、緻密であり、Si-ARC膜や有機膜よりも比較的硬い膜である。したがって、ハードマスクとして十分な機能を有する。また、このような比較的硬いフロロカーボン層を用いると、エッチングにおける選択比の向上を図ることもできる。また、フロロカーボン層は、耐熱性も良好である。したがって、熱収縮等の影響を小さくすることができ、高精度のエッチングを行うことができる。フロロカーボン層の反射防止膜としての機能について簡単に説明すると、以下の通りである。図14は、フロロカーボン層において、光の波長と反射率、吸収率、透過率の比率との関係を示すグラフである。なお、参考までに、SiCN膜の場合も示す。図15は、SiCN膜において、光の波長と反射率等の比率との関係を示すグラフである。図16は、光ArFの波長193nm付近のフロロカーボン層における光の波長と反射率等の比率との関係を示すグラフである。図17は、光ArFの波長193nm付近のSiCN膜における光の波長と反射率等の比率との関係を示すグラフである。図14~図17において、縦軸は、反射率、吸収率、透過率の比率を示し、横軸は、光の波長nmを示す。図14~図17を参照して、フロロカーボン層の場合、193nm付近における反射率は、非常に低く、0に近い値である。また、193nmにおける吸収率は、0.9、すなわち、90を越えるものであり、ほとんど反射せず、光を吸収していることが分かる。すなわち、フロロカーボン層は、反射防止効果を備えていることが把握できる。この発明の一実施形態にかかるエッチング方法は、被処理基板上のパターニングされたマスクを用いて被処理基板のエッチングを行うエッチング方法であって、マスクは、193nm付近の波長に対し90以上の吸収率を備える。なお、SiCN膜の場合、193nm付近における反射率は、0.2を少し下回る程度である。また、193nm付近における吸収率は、0.8程度である。さらに、反射率については、193nmの近辺の波長における反射率も重要であるが、フロロカーボン層の場合は、192nm、194nmといった波長における反射率等も、193nmにおける反射率等とほぼ同等である。信頼性の向上に関して具体的に言えば、微細なエッチング工程において、LWRLineWidthRoughnessを向上させたエッチングを行うことができる。LWRについて説明すると、図11~図13を再び参照して、レジスト層58のパターニングにおいては、点59a、59bで示す部分は、紙面表裏方向に真直ぐに延びる境界線として形成され、点59a、59bで示す部分によって表される境界線の間隔は、紙面表裏方向において一定の幅となることが理想的である。この境界線を基にエッチングにより形成される点60a、60bで示す部分で形成される境界線についても、紙面表裏方向に真直ぐに延び、その間隔が紙面表裏方向において一定の幅となることが理想的である。しかし、エッチング回数が増加したり、エッチング対象としての膜が厚くなるにつれ、境界線が湾曲したり、紙面表裏方向の各位置における幅が大きく異なることとなり、このLWR特性は劣ることとなる。しかし、上記したフロロカーボン層を形成してエッチングする方法によれば、1層のみの形成に加え、その厚みを薄くすることができる観点から、エッチング後のこのLWRが良好になる。また、このようなフロロカーボン層を形成する基板処理方法においては、もちろん一般的な露光についても適用できるが、液浸露光に適用すると、有利である。この場合の液浸露光について簡単に説明すると、以下の通りである。例えば、パターニングを施す前のレジスト層58と、レジスト層58の上側であって、レジスト層58に近接した位置に設けられ、露光する光源図示せずとの間に、超純水を介在させる。そして、光源を用いて露光を行って、レジスト層のパターニングを行う。このような液浸露光を行えば、通常の露光を行うよりも、微細なレジストパターンを形成することができる。この場合、フロロカーボン層は、疎水性を有するため、上記した液浸露光に際し、非常に有利である。すなわち、液浸露光時において超純水を介在させる際に、膜中に超純水が浸み込んでいきマスク形状が変形するというおそれが小さく、良好なパターンを形成することができる。なお、上記したフロロカーボン層に加え、密着性やエッチング形状の観点から、フロロカーボン層の上下の層にSiCN膜を形成し、フロロカーボン層とSiCN膜とを積層構造にしてもよい。また、SiCN膜と同等の吸収率等を示すSiCO膜やアモルファスカーボンα-C膜を、その上下の層に形成し、積層構造にしてもよい。具体的には、フロロカーボン層とレジスト層との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層を形成する工程を含むようにしてもよいし、フロロカーボン層と被処理基板との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層を形成する工程を含むようにしてもよい。すなわち、被処理基板とフロロカーボン層との間に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層が介在しているようにしてもよいし、フロロカーボン層の上に、SiCN層、SiCO層およびアモルファスカーボン層のうちの少なくともいずれか一つの層を形成してもよい。もちろん、フロロカーボン層の上下にこのような膜を形成し、積層構造としてもよい。このようなSiCN膜、SiCO膜、およびアモルファスカーボン膜は、例えば、エッチングにおけるストッパ膜として用いることができる。このようなSiCN膜、SiCO膜、およびアモルファスカーボン膜については、膜の密着性を向上させるために、成膜前に薬液処理やプラズマ処理等の表面処理を行ってもよい。レジストを形成する前に、疎水性のフロロカーボン層等の表面と形成させるレジストとの密着性を向上させるため、N2プラズマにより処理したり、薬液により処理することもできる。次に、このような膜、すなわちフロロカーボン層を、ダブルパターニングの芯材に適用した場合について説明する。図18は、この場合の処理の流れを示すフローチャートである。また、図19は、フロロカーボン層等が形成されたシリコン基板の概略断面図である。図18および図19を参照して、まず、被処理基板となるシリコン基板61に、ハードマスク層62を形成する図18A。そして、形成されたハードマスク層62の上に、フロロカーボン層63を形成する図18B。そして、形成したフロロカーボン層63に対して、エッチングを行い、所定の形状にパターニングを行う図18C。パターニングを行ったフロロカーボン層63およびフロロカーボン層63間に露出するハードマスク層62を覆うように、シリコン含有膜層としてのSiO2スペーサー層64を形成する図18D。その後、フロロカーボン層63の側壁65側に位置するSiO2スペーサー層64を残し、フロロカーボン層63の上側に形成されたSiO2スペーサー層64およびハードマスク層62の上側に形成されたSiO2スペーサー層64を除去するように、SiO2層のエッチングを行う図18E。図20は、SiO2層のエッチングが終了した状態の概略断面図である。その後、残ったSiO2層の間に位置するフロロカーボン層63を除去するように、エッチングを行う図18F。そうすると、エッチング後に残ったフロロカーボン層63の側壁65側に形成されたSiO2スペーサー層64だけがハードマスク層62の上に残ることとなる。図21は、フロロカーボン層のエッチングが終了した状態の概略断面図である。この残ったSiO2スペーサー層64をマスクとして、ハードマスク層62のエッチングを行う図18G。図22は、SiO2スペーサー層64をマスクとして、ハードマスク層62のエッチングが終了した状態の概略断面図である。そして、残ったハードマスク層62をマスクとして、シリコン基板61のエッチングを行う図18H。すなわち、この発明の他の実施形態に係る基板処理方法は、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、フロロカーボン層形成工程の後に、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、シリコン含有膜形成工程の後に、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程と、シリコン含有膜エッチング工程の後に、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、フロロカーボン層エッチング工程の後に、残ったシリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行うハードマスク層エッチング工程と、ハードマスク層エッチング工程の後に、残ったハードマスク層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。SiO2膜は、高温で形成すれば、硬く、緻密なものとなるので、高い選択比を維持し、設計形状通りにエッチングすることが可能となる。ここで、フロロカーボン膜を用いれば、400°C程度の耐熱性があるため、比較的高温でSiO2膜を形成することができる。このような比較的高温でのSiO2膜の形成に関する技術については、国際特許公開公報WO2009/139485に開示されている。また、フロロカーボン膜は、熱収縮の値も小さいので、芯材としてのフロロカーボンをエッチングする際にも、応力によってフロロカーボン層の側壁側パターンスペーサーが芯材側に引っ張られ、倒れることも抑制される。よって、その後のエッチング処理も正確に行うことができる。ダブルパターニングの芯材として、フロロカーボン層の代わりに、例えば、レジスト等の有機膜を用いた場合、一般的に耐熱性が低い。そうすると、後に形成するSiO2膜についても低温で形成する必要がある。そうすると、残ったSiO2スペーサーが、ハードマスク層のエッチング時に倒れたり、エッチング時における選択比が小さくなったり、設計通りにエッチングを行うことができなくなるおそれがある。また、この発明の一実施形態に係るパターン形成方法は、被処理基板のエッチングを行う際のパターンを形成するパターン形成方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、フロロカーボン層形成工程の後に、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、シリコン含有膜形成工程の後に、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程と、シリコン含有膜エッチング工程の後に、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行い、被処理基板のエッチングを行う際のフロロカーボン層のパターンを形成するパターン形成工程とを含む。このようなパターン形成方法によると、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。また、この発明の他の実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被処理基板にエッチングを行って製造される半導体素子の製造方法であって、被処理基板上に、ハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、ハードマスク層形成工程の後に、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成するフロロカーボン層形成工程と、フロロカーボン層形成工程の後に、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成するシリコン含有膜形成工程と、シリコン含有膜形成工程の後に、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行うシリコン含有膜エッチング工程と、シリコン含有膜エッチング工程の後に、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行うフロロカーボン層エッチング工程と、フロロカーボン層エッチング工程の後に、残ったシリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行うハードマスク層エッチング工程と、ハードマスク層エッチング工程の後に、残ったハードマスク層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行う被処理基板エッチング工程とを含む。このような半導体素子の製造方法によると、エッチング処理の信頼性を向上することができると共に、安価に製造することができる。また、この発明の他の実施形態に係る半導体素子は、被処理基板上に、ハードマスク層を形成し、形成したハードマスク層の上に、所定の形状にパターニングされたフロロカーボンCFx:xは任意の数層を形成し、形成されたフロロカーボン層およびフロロカーボン層の間に露出するハードマスク層を覆うように、シリコンを含有する膜を形成し、フロロカーボン層の側壁側に位置するシリコン含有膜を残し、フロロカーボン層の上側およびハードマスク層の上側に位置するシリコン含有膜を除去するようにエッチングを行い、側壁間に位置するフロロカーボン層を除去するようにエッチングを行い、残ったシリコン含有膜をマスクとしてハードマスク層のエッチングを行い、残ったハードマスク層をマスクとして、被処理基板のエッチングを行って製造される。このような半導体素子は、信頼性が高く、安価に製造される。なお、上記の実施の形態において、ハードマスク層は、SiN膜としたが、これに限らず、他の膜であってもよい。なお、上記の実施の形態としては、被処理基板をシリコン基板とすることとしたが、これに限らず、例えば、被処理基板、すなわち、処理の対象物を層間膜とすることにしてもよい。また、上記の実施の形態において、フロロカーボン層の形成においては、プラズマCVDPEPlasmaEnhanced-CVDにより形成することとしたが、これに限らず、他のCVD法を用いてフロロカーボン層を形成することとしてもよい。なお、上記の実施の形態においては、C5F8ガスを用いてプラズマCVD処理を行うこととしたが、これに限らず、CF4、C2F6、C4F8等、CyFzy、zは、それぞれ任意の数で表されるフロロカーボン系ガスを適用することにしてもよい。また、ここで、前述のようにプラズマエッチングにおけるエッチングガスとしては、O酸素、Br臭素、Cl塩素、Fフッ素、N窒素のいずれかの元素を含むエッチングガスと、プラズマ生成用のAr等の希ガスとを混合したものを用いることができる。また、上記の実施の形態においては、スロットアンテナ板を用いたラジアルラインスロットアンテナによるマイクロ波によりプラズマ処理を行うこととしたが、これに限らず、くし型のアンテナ部を有するマイクロ波プラズマ処理装置やスロットからマイクロ波を放射し表面波プラズマ生成するマイクロ波プラズマ処理装置を用いてもよい。さらに、マイクロ波を用いたプラズマ処理に限らず、例えば、平行平板型プラズマ、ICPInductively-CoupledPlasma、ECRElectronCyclotronResonanceプラズマ等、他のプラズマを用いることもできる。以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示した実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。