"金属材料からなるベースと、前記ベース上に形成された絶縁層とを有し、前記絶縁層は、発光素子の非搭載領域に形成されたエポキシ系樹脂からなる第1の絶縁層と、前記発光素子の搭載領域に形成された光拡散性粒子を分散させて含有したシリコーン系樹脂からなる第2の絶縁層とを有し、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とは、枠状のダム材により画定されている素子搭載基板。前記第1の絶縁層上に、外部接続用の電極が形成されている請求項1に記載の素子搭載基板。前記光拡散性粒子は、酸化チタンである請求項1又は2に記載の素子搭載基板。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の素子搭載基板の前記第2の絶縁層上に前記発光素子が搭載された発光装置。前記枠状のダム材の枠内に前記発光素子を封止する封止部を形成した請求項4に記載の発光装置。しかしながら、特許文献1に示す発光装置においては、LED素子から様々な方向に発せられる各光の混合が不十分となり、このため色むら及び照度むらが発生していた。また、近年における安全性を確保する観点から、素子搭載基板のベースに対するLED素子の絶縁耐圧を高める必要があった。従って、本発明の目的は、色むら及び照度むらの発生を抑制することができるとともに、発光素子の絶縁耐圧を高めることができる素子搭載基板及びこれを備えた発光装置を提供することにある。本発明の一態様は、上記目的を達成するために、1~5の素子搭載基板及びこれを備えた発光装置を提供する。1金属材料からなるベースと、前記ベース上に形成された絶縁層とを有し、前記絶縁層は、発光素子の非搭載領域に形成されたエポキシ系樹脂からなる第1の絶縁層と、前記発光素子の搭載領域に形成された光拡散性粒子を分散させて含有したシリコーン系樹脂からなる第2の絶縁層とを有し、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とは、枠状のダム材により画定されている素子搭載基板。2上記1に記載の素子搭載基板において、前記第1の絶縁層上に、外部接続用の電極が形成されている。3上記1又は2に記載の素子搭載基板において、前記光拡散性粒子は、酸化チタンである。4上記1乃至3のいずれかに記載の素子搭載基板の前記第2の絶縁層上に前記発光素子が搭載された発光装置。5上記4に記載の発光装置において、前記枠状のダム材の枠内に前記発光素子を封止する封止部を形成した。本発明によれば、色むら及び照度むらの発生を抑制することができるとともに、素子搭載基板のベースに対する発光素子の絶縁耐圧を高めることができる。実施の形態以下、本発明の第1の実施の形態に係る素子搭載基板及びこれを備えた発光装置につき、図面を参照して詳細に説明する。発光装置の全体構成図1及び図2は発光装置を示す。図1及び図2に示すように、発光装置1は、素子搭載基板2と、素子搭載基板2に搭載されたフェースアップ実装型のLED素子3と、LED素子3を封止する封止部4と、封止部4及び素子搭載基板2と共にパッケージPを形成するダム部5とから大略構成されている。素子搭載基板2の構成図3は素子搭載基板を示す、図3に示すように、素子搭載基板2は、ベース20,絶縁層21及び一対の導電部22,23回路パターンを有し、全体が平面矩形状の板部材によって形成されている。素子搭載基板2の厚さは約1.0mm程度の寸法に設定されている。素子搭載基板2の形成は、例えばベース20の表面素子搭載側面20aに絶縁層21の第1の絶縁層210,第2の絶縁層211共に後述を順次積層し、次に第1の絶縁層210及び第2の絶縁層211に跨って一対の導電部22,23を形成した後、一対の導電部22,23にそれぞれ外部接続用の電極6,7を形成することにより行われる。ベース20は、素子搭載基板2の一方側に配置され、全体が例えばアルミニウムAl等の金属材料によって形成されている。これにより、LED素子3から発せられる光がベース20の素子搭載側面20aで反射される。また、LED素子3から発せられる熱が裏面20bから放散される。絶縁層21は、LED素子3を搭載せず外部接続用の電極6,7を形成する領域に設けられた第1の絶縁層210、及びLED素子3を搭載して封止部4を形成する領域に設けられた第2の絶縁層211を有する。第1の絶縁層210と第2の絶縁層211との境界は枠状のダム部5により画定されている。そして、絶縁層21は、ベース20と一対の導電部22,23との間に介在して配置され、ベース20の素子搭載側面20aを被覆するように構成されている。第1の絶縁層210は、ベース20の素子搭載側面20aに傾斜する本実施の形態では直交する2方向に開口する貫通孔210aを有し、全体の材料がエポキシ系樹脂によって形成されている。これにより、第1の絶縁層210の材料がエポキシ樹脂である場合、例えばシリコーン樹脂である場合と比べてコストの低廉化を図ることができる。第1の絶縁層210の層厚は例えば120μm程度の寸法に設定されている。第2の絶縁層211は、その素子搭載側面211aが第1の絶縁層210の素子搭載側面210bと略同一面上に配置され、全体の材料が光拡散性粒子を分散させて含有したシリコーン系樹脂によって形成されている。これにより、LED素子3から発せられる光が第2の絶縁層211内に入射すると、その内部においてベース20で反射される前に、またベース20で反射された後にそれぞれ様々な方向に拡散反射され、こられ拡散反射された光が混合される。また、第2の絶縁層211の材料がシリコーン樹脂である場合には、例えばエポキシ樹脂である場合と比べてLED素子3で発生した光,熱による第2の絶縁層211の変色が抑制され、素子搭載基板2の長寿命化を図ることができる。そして、第2の絶縁層211は、第1の絶縁層210の貫通孔210a内を充填し、LED素子3を搭載する素子搭載層として機能するように構成されている。第2の絶縁層211の光拡散性は、例えば酸化チタンTiO2,タルク又はガラス繊維等の光拡散材を母材シリコーン樹脂に分散させて有する。本実施の形態ではTiO2の光拡散材が用いられる。第2の絶縁層211に含有される光拡散性粒子としては、酸化チタンTiO2,酸化亜鉛ZnO,酸化ジルコニウムZrO2,酸化アルミニウムAl2O3,硫酸バリウムBaSO4,窒化ホウ素BNから選ばれる一種以上の無機系白色顔料が挙げられる。この中でも、化学的に安定なTiO2を選択することが好ましい。第2の絶縁層211の層厚は第1の絶縁層210の層厚と略同一の寸法に設定されている。一対の導電部22,23一対の導電部22,23は、素子搭載基板2の面方向に互いに並列して配置され、かつ第1の絶縁層210の素子搭載側面210b及び第2の絶縁層211の素子搭載側面211aに跨って積層され、全体が例えばタングステンW,モリブデンMo等の高融点金属によって形成されている。なお、一対の導電部22,23の表面には、ニッケルNi,アルミニウムAl,白金Pt,チタンTi,金Au,銀Ag,銅Cuなどの材料による単数又は複数の金属層が必要に応じて形成される。また、本実施の形態では、絶縁層21上に一対の導電部22,23が積層されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、3つ以上の導電部を絶縁層上に積層してもよい。一方の導電部22は、LED素子3のn側電極31図4に示すに接続する表面パターンによって形成されている。一方の導電部22には、LED素子3図1に示すに対して電源電圧を供給するための電極6が形成されている。電極6の材料としては、例えばAu,Ag又はAl等の金属材料が用いられる。他方の導電部23は、LED素子3のp側パッド電極30a図4に示すに接続する表面パターンによって形成されている。他方の導電部23には、LED素子3に対して電源電圧を供給するための電極7が形成されている。電極7の材料としては、電極6と同様に例えばAu,Ag又はAl等の金属材料が用いられる。LED素子3の構成図4はLED素子を示す。図4に示すように、LED素子3は、p側電極30及びn側電極31を有し、素子搭載基板2における第2の絶縁層211の素子搭載側面211a図1に示すの略中央部に平面縦横方向に複数個例えば15個:縦方向に5個ずつ、横方向に3個ずつ搭載され、かつn側電極31が一方の導電部22に、またp側電極30p側パッド電極30aが他方の導電部23にそれぞれワイヤ32図1に示すによって接続されている。複数個のLED素子3のうち横方向3個のLED素子が直列に、また縦方向5列のLED素子が並列にそれぞれ導電部22,23に対して電気的に接続されている。LED素子3としては例えば平面略矩形状の青色LED素子が用いられる。そして、LED素子3は、サファイアAl2O3からなる基板33の表面にIII族窒化物系半導体を例えば700°Cの温度でエピタキシャル成長させることにより、バッファ層34,n型半導体層35,発光層としてのMQWMultipleQuantumWell:重量子井戸層36及びp型半導体層37が順次形成され、発光面38からピーク発光波長が例えば430nm~490nmである青色光を発するように構成されている。p側電極30は、p側パッド電極30aを有し、p型半導体層37の表面に設けられている。n側電極31は、p型半導体層37からMQW層36及びn型半導体層35にわたってその一部にエッチング処理を施すことにより露出した部位n型半導体層35の表面に設けられている。p側電極30の材料としては例えばITOIndiumTinOxide等の酸化物からなる透明導電性材が、またp側パッド電極30a及びn側電極31の材料としては例えばNi/Au,Al等の金属がそれぞれ用いられる。封止部4の構成封止部4は、図1a及びbに示すように、ダム部5内に収容され、全体がシリコーン系樹脂によって形成されている。そして、封止部4は、素子搭載基板2上におけるダム部5内でLED素子3及びワイヤ32を封止するように構成されている。封止部4の材料としては、シリコーン系樹脂の他に、エポキシ系樹脂,フッ素系樹脂を用いてもよい。封止部4には、LED素子3から発せられる青色光を受けて励起されることにより黄色光を発する蛍光体を含有してもよい。この場合、LED素子3から発せられる青色光とこの青色光で蛍光体が励起されて発する黄色光との混合により白色光が得られる。ダム部5の構成ダム部5は、パッケージPの一部を構成し、第1の絶縁層210における貫通孔210aの素子側開口周縁に一対の導電部22,23を介して接着され、全体が光取出方向に開口する光拡散粒子を分散させて含有したエポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂からなる円環部材によって形成されている。なお、光拡散性粒子としては、酸化チタンTiO2,酸化亜鉛ZnO,酸化ジルコニウムZrO2,酸化アルミニウムAl2O3,硫酸バリウムBaSO4,窒化ホウ素BNから選ばれる一種以上の無機系白色顔料が挙げられる。この中でも、化学的に安定なTiO2を選択することが好ましい。ダム部5の形状は、円形枠状の他に、矩形枠状,六角形枠状等の多角形枠状に形成してもよい。そして、ダム部5は、LED素子3から発せられる光を略円形状の発光パターンで外部に出射するように構成されている。発光装置1の製造方法次に、本実施の形態に示す発光装置1の製造方法につき、図5a~dを参照して説明する。図5a~dは発光装置の製造手順を示す。本実施の形態に示す発光装置の製造方法は、LED素子の搭載,ダム部の形成,ワイヤボンディング及びLED素子の封止の各工程が順次実施されるため、これら各工程を順次説明する。LED素子の搭載図5aに示すように、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性接着剤図示せずを用い、第2の絶縁層211の素子搭載側面211aに複数個本実施の形態では縦方向に5個×横方向に3個=合計15個のLED素子3を接着する。この際、LED素子3の接着は、その光取出側をp側パッド電極30a及びn側電極31共に図4に示すが指向するようにして行われる。これにより、素子集合搭載基板6には複数個のLED素子3が搭載される。ダム部の形成図5bに示すように、未硬化樹脂を枠状にディスペンス塗布した後、硬化させることにより形成する。なお、ダム部の形成の工程は、LED素子の搭載の工程を実施する前に実施してもよい。ワイヤボンディング図5cに示すように、例えば銀粉含有の導電性接着剤を用い、複数個のLED素子3を導電部22,23にワイヤ32によって接続する。この場合、横方向に搭載された3個のLED素子3のうち一方側のLED素子3はn側電極31が一方の導電部22に、他方側のLED素子3はp側パッド電極30aが他方の導電部23にそれぞれワイヤ32によって接続される。また、中央部のLED素子3は一方側のLED素子3のp側パッド電極30aに、他方側のLED素3子のn側電極31にそれぞれワイヤ32によって接続される。LED素子の封止図5dに示すように、ディスペンス塗布により封止部4となるシリコーン系の未硬化樹脂をダム部5内に滴下して充填した後、硬化させる。これにより、素子搭載基板2上における複数個のLED素子3がワイヤ32と共に封止部4によってダム部5内で封止される。発光装置1の動作次に、本実施の形態に示す発光装置1の動作につき、図1を用いて説明する。発光装置1の電極6,7に駆動電源図示せずを接続して所定の駆動電圧を印加すると、電極6,7から導電部22,23を介して全てのLED素子3に駆動電流が流れ、これら各LED素子3が光を発して発光装置1の光取出方向ダム部5外に出射する。この場合、LED素子3から発せられる光は、封止部4を透過して出射される光1、第2の絶縁層211の素子搭載側で拡散反射した後に封止部4を透過して出射される光2、第2の絶縁層211の内部で拡散反射した後に封止部4に進んでその内部を透過して出射される光3、及びベース20の素子搭載側面20aで反射した後に第2の絶縁層211の内部で拡散反射してから封止部4に進んでその内部を透過して出射される光4等となる。従って、本実施の形態においては、1~4の光等が混合され、LED素子3から様々な方向に発せられる各光の混合が十分なものとなる。実施の形態の効果以上説明した実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。1LED素子3から様々な方向に発せられる各光の混合が十分なものとなるため、色むら及び照度むらの発生を抑制することができる。2LED素子3が金属製のベース20に第2の絶縁層211を介して搭載されているため、ベース20に対するLED素子3の絶縁耐圧を高めることができる。3LED素子3の非搭載領域に対応する第1の絶縁層210をエポキシ系樹脂により形成し、LED素子3の搭載領域に対応する第2の絶縁層211をシリコーン系樹脂により形成したので、LED素子3で発生した熱,光による絶縁層21の劣化を防止しつつ、安価に絶縁層を形成することができる。以上、本発明の素子搭載基板及びこれを備えた発光装置を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。"