原料融液から種結晶基板上に単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、下端に種結晶が保持されたシード軸と、前記原料融液を収容する坩堝と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを備えた単結晶製造装置であって、前記坩堝とシード軸との間に電圧を印加する電源回路と、前記電源回路に流れる電流値を測定する測定回路と、前記電源回路に、定電圧回路およびカットオフ回路とを備え、前記カットオフ回路は液面接触時の電流値よりも低く設定された設定値より大きい電流値が測定されたときには電流をカットすることを特徴とする、前記装置。前記設定値が、非接触時に流れる電流値よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載の装置。SiC単結晶を製造するための装置であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の装置。しかし、これら公知の技術をSiC単結晶のような高温環境での種結晶成長装置に適用すると、高温液面から蒸気が発生して至近距離では導通状態となり、検出される電圧が連続的な変化を示す傾向にあり、値自体の変動も合算されて正確な着液検出と成長面の把握が困難となる。このため、従来の技術を適用して着液の検出が遅れた場合、融液が過度に着き過ぎて軸にまで結晶成長が進み多結晶化の一因にもなり得る。従って、本発明の目的は、単結晶を成長させる際の着液検出精度を向上させ得る単結晶製造装置を提供することである。本発明は、原料融液から種結晶基板上に単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、下端に種結晶が保持されたシード軸と、前記原料融液を収容する坩堝と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを備えた単結晶製造装置であって、前記坩堝とシード軸との間に電圧を印加する電源回路と、前記電源回路に流れる電流値を測定する測定回路と、前記電源回路に、定電圧回路およびカットオフ回路とを備え、前記カットオフ回路は液面接触時の電流値よりも低く設定された設定値より大きい電流値が測定されたときには電流をカットすることを特徴とする、前記装置に関する。本発明によれば、単結晶を成長させる際の着液検出精度を向上させ得る単結晶製造装置を得ることができる。特に、本発明において、以下の実施態様を好適に挙げることができる。1前記設定値が、非接触時に流れる電流値よりも大きい、前記装置。2SiC単結晶を製造するための装置である、前記装置。本発明においては、原料融液から種結晶基板上に単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、下端に種結晶が保持されたシード軸と、前記原料融液を収容する坩堝と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを備えた単結晶製造装置であって、前記坩堝とシード軸との間に電圧を印加する電源回路と、前記電源回路に流れる電流値を測定する測定回路と、前記電源回路に、定電圧回路および液面接触時の電流値よりも低く設定された設定値より大きい電流値が測定されたときには電流をカットするカットオフ回路とを備えてなることが必要であり、これによって単結晶成長させる際の着液検出精度を向上させて多結晶の生成を抑制し得る。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳説する。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置1は、図1に示すように、溶液法により原料融液2からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶3を有する成長炉4と、下端に種結晶が保持されたシード軸5と、シード軸を昇降させる昇降機構6と、前記原料融液を収容する坩堝7と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体8とを備えていて、前記坩堝とシード軸との間に、通常シード軸をプラスとし坩堝をマイナス-として、電圧を印加する電源回路9と、前記電源回路の電流値を測定する測定回路11と、前記電源回路9に、定電圧回路9Bおよび液面接触時の電流値よりも低く設定された設定値より大きい電流値が測定されたときは電流値をカットするカットオフ回路9Cとを備えてなる。そして、測定回路11で測定された測定電流は、通常サブコントローラ12に送られて電圧差として表示され、サブコントローラの指示に基き昇降機構6は昇降速度が制御され、一方サブコントローラ12の情報はコントローラ13に送られ、コントローラの指示に基きエネルギー放出体8の一部の加熱条件が維持又は変更される。一方、従来技術のSiC単結晶成長装置10は、図2に示すように、溶液法により原料融液2からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶3を有する成長炉4と、下端に種結晶が保持されたシード軸5と、シード軸を昇降させる昇降機構6と、前記原料融液を収容する坩堝7と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体8とを備えていて、前記坩堝とシード軸との間に電圧を印加する電源回路9と、前記電源回路の電流値測定回路14と前記電源回路9に定電圧回路9Bを備えてなる。また、従来技術の他のSiC単結晶成長装置10は、図3に示すように、溶液法により原料融液2からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶3を有する成長炉4と、下端に種結晶が保持されたシード軸5と、シード軸を昇降させる昇降機構6と、前記原料融液を収容する坩堝7と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体8とを備えていて、前記坩堝とシード軸との間に電圧を印加する電源回路9と、前記電源回路の電圧測定回路15と、前記電源回路9に定電圧回路9Bを備えてなる。そして、従来技術のSiC単結晶成長装置10においても、電流値測定回路14又は電圧測定回路15で測定された値は、通常サブコントローラ12に送られて電圧差として表示され、サブコントローラの指示に基き昇降機構6は昇降速度が制御され、一方サブコントローラ12の情報はコントローラ13に送られ、コントローラの指示に基きエネルギー放出体8の一部の加熱条件が維持又は変更される。そして、従来技術の図2示すSiC単結晶成長装置における電流値測定回路によれば、図4に示すように、坩堝内の融液面と種結晶との距離Lの変動に対して測定電流Aが着液軸の位置=0に近づくにつれて上下に変動しつつ上昇している。これは、通常1800°C以上の高温に加熱される融液から出る蒸気によってわずかに導電性となるため、着液の前から坩堝→融液からの蒸気→融液→シード軸の間に若干の電流が流れるためであると考えられる。このため、従来技術によれば、電流から着液の位置を正確に把握することが困難であり成長面の位置を0.1mm以下の精度で制御することが求められるSiC単結晶のような単結晶成長装置には適していないと考えられる。この着液の前から若干の電流値が流れることによる着液の位置を正確に把握することが困難な点は電圧測定回路を用いる従来技術においても共通で、縦軸を電圧とし横軸を軸の位置として同様のグラフが得られ、電圧の変動から着液の位置を正確に把握することは困難である。本発明のSiC単結晶成長装置によれば、図5に示すように、坩堝内の融液面と種結晶との距離に対する測定回路で測定された電流から後述の実施例の欄に詳述する換算法により換算される電圧の変化値ΔVのグラフおいて、図5の線1に示すように着液点で変化値が急激に変化している。このため、本発明のSiC単結晶成長装置によれば、図6に示すように、電圧の変化値ΔVをモニターすることにより種結晶と融液とが接する位置を正確に把握し得て、単結晶の成長が種結晶の表面から徐々に始めることが可能となり、多結晶の形成を抑制し得る。本発明において、前記の電流値の設定値として、液面接触時の電流値よりも低く、好適には非接触時に流れる電流値よりも大きい値を設定することが必要である。前記の設定値を設けることにより、従来技術において避けられなかった図4におけるノイズを除くことが可能となり、且つ前記の電圧差ΔV-溶液面と種結晶の融液からの距離の関係を示すグラフにおいて、図5に示すような着液での大きな電圧差を正確に把握することが可能となり得る。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、前記定電圧回路における定電圧としては、好適には1~20Vの範囲内の電圧、例えば5Vであり得る。また、前記の測定回路において、好適には抵抗値が20~30Ωであり得る。前記定電圧として5Vを設定した場合、前記の電流値の設定値は0.17~0.25Aの範囲であり得る。そして、前記の測定回路における抵抗値を30Ωとした場合、前記の設定電流値は0.17Aであり得る。この場合、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置によれば、種結晶が融液から少しでも離れていると回路に流れる電流が小さいため、カットオフ回路のカットオフ機能が働かず電圧は5Vで、電圧差ΔV:5V-回路に流れる電流に基く電圧は0Vとして表示される。一方、種結晶が融液に接すると、流れる電流>0.17Aとなり、電流が流れすぎるので電圧を自動的に一定電圧例えば1.5Vに落すカットオフ機能が作用し、電圧の変化値ΔV3.5Vが表示される。一方、従来技術のSiC単結晶成長装置によれば、図5の線2に示すように着液点でも変化値がなだらかに変化しており、変化値ΔVをモニターしていても正確な着液位置を把握することが出来ない。このため、従来技術のSiC単結晶成長装置によれば、図7に示すように、電圧の変化値ΔVをモニターしても種結晶と融液とが接する位置を正確に把握し得ず、単結晶の成長が種結晶の表面だけでなく種結晶の周囲、場合によりシード軸にまで一度に始まる。このため、従来技術のSiC単結晶成長装置によれば、図8に示すように、多結晶の形成を抑制し得ない。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、前記種結晶は任意のSiC単結晶、例えば4H-SiC、6H-SiCや3C-SiCなどであり得る。また、本発明の前記実施態様のSiC単結晶成長装置において、坩堝は通常炭素製であって原料融液に炭素Cを溶出してSiCの炭素源となり得る。そして、この坩堝は単一の構成材からなるものであってもよいが、中坩堝および外坩堝から構成されてもよい。また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、シード軸は耐熱性が必要なことからSUS製又は炭素棒であり得て、種結晶から熱を外部に伝達するために炉外に冷却機構図示せずが設けられていてもよい。また、シード軸は昇降機構によって上下の動きをさせられる。また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体としては高周波エネルギーを放出する高周波コイルが挙げられる。また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、前記構成に加えて、前記成長炉が坩堝の少なくとも上方に空間を有し得る。そして、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いれば、少なくとも2個の高周波コイルのエネルギー出力比率、例えば電流比率を変えることにより、坩堝内の融液中の深さ方向の温度分布を狭い範囲で付与することが可能となり、融液内での対流を起こし易くなり、炭素C濃度の均一化が達成し得て、経時的なSiC単結晶成長の変化を抑制し得る。本発明の実施態様における原料融液としては、SiとCとを必須成分とする任意の融液を挙げることができる。例えば、Si含有融液として、さらにTiおよび/又はCrを含むもの、例えばSi-Ti-C融液又はNiおよびCrを含むもの、さらに前記Si、Cr、NiおよびC以外の元素であって希土類元素、遷移金属元素およびアルカリ土類金属元素のうちから選ばれるいずれか1種の元素を含むもの、例えば前記の元素がCeであるものが挙げられる。また、半導体材料用に任意のドーパントを含有し得る。前記の原料融液の温度は1800~2100°C、特に1850~2050°C程度であり得る。本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置において、着液位置を測定後の融液の温度の制御は、例えば放射温度計による融液面の温度観察および/又は炭素棒内側に設置した熱電対、例えばW-Reタングステン/レニューム熱電対を用いて温度測定を行って求められた測定温度に基づいて、前記サブコントローラによって行うことができる。本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法においては、着液の位置を正確に制御することを除いて、それ自体公知の単結晶製造装置、例えば溶液法におけるそれ自体公知の製造装置、例えば黒鉛坩堝の形状、加熱手段、雰囲気、昇温速度および冷却速度を適用することができる。例えば、雰囲気としては希ガス、例えばHe、Ne、Arなどの不活性ガスやそれらの一部をN2やメタンガスで置き換えたものが挙げられる。本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いることによって、2000°C程度の高温、例えば1800~2100°C、特に1850~2050°C程度の融液温度で、多結晶の成長を防止乃至は抑制したSiC単結晶を得ることができる。以下、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置と従来の溶液法によるSiC単結晶製造装置を用いて融液有りの条件で、坩堝内の融液面と種結晶との距離に対する測定回路で測定された電流から、以下の換算法により換算される電圧の変化値ΔVを求め、シミュレーションを行った。ΔV=ΔIxRまたはΔV=[R1/R1R2-R1’/R1’R2’]ER1:シード軸回りの抵抗ΩR2:回路の抵抗ΩR1’:種結晶が融液に着液したときのシード軸回りの抵抗ΩR2’:種結晶が融液に着液したときの回路の抵抗ΩE:定電圧5V以下の各例において、シミュレーションは以下の条件で行った。融液温度:1900°C定電圧=5Vシミュレーション1図1に示す本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いて、シミュレーションを行った。得られた坩堝内の融液面と種結晶との距離と、電圧の変化値ΔVとの関係を示すグラフを図5に示す。比較シミュレーション1図2に示す従来の溶液法によるSiC単結晶製造装置を用いて、シミュレーションを行った。得られた坩堝内の融液面と種結晶との距離と、電圧の変化値ΔVとの関係を示すグラフを図5に示す。図5の結果は、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いれば、正確な種結晶の融液への着液位置が把握し得ることを示している。