入力電圧端末と、前記入力電圧端末に接続されるレーザーダイオードと、前記レーザーダイオードの陰極に接続される誘導器と、第1半導体スイッチと第1抵抗とを有する、前記誘導器に接続された第1伝導経路であって、第1半導体スイッチが前記第1伝導経路を開閉可能にするために用いられる第1伝導経路と、第2半導体スイッチと第2抵抗とを有する、前記誘導器に接続された第2伝導経路であって、第2半導体スイッチが前記第2伝導経路を開閉可能にするために用いられる第2伝導経路と、前記第1半導体スイッチと前記第2半導体スイッチに接続されるPWM制御装置、とからなるレーザーダイオード駆動回路。本発明の目的はレーザーダイオード用駆動回路が提供されて上述の問題が解決されることにある。本発明のもう1つの目的は上昇時に電流切替え速度を加速させると同時に電力消費を低減するプラス電圧パルスまたはマイナス電圧パルスの付加にある。前述の点に関して、本発明により、半導体スイッチが第1伝導経路の開閉が可能なように利用されるレーザーダイオードと半導体スイッチを有する第1誘導経路。第1電圧を第1伝導経路に供給するために第1伝導経路に連結され、電力変換器、第1誘導器ならびに第1エネルギー貯蔵装置を有すると同時に、該電力変換器により第1電圧が第1エネルギー貯蔵装置に供給される第1供給伝導経路。第1伝導経路に連結されるとともに、電圧パルス供給器、第2誘導器ならびに第2エネルギー貯蔵装置を有し、該電圧パルス供給器は第1エネルギー貯蔵装置に連結される第2供給伝導経路。半導体スイッチならびに電圧パルス供給器に連結されるPWMパルス振幅調整制御装置、を含むレーザーダイオード駆動回路が開示される。さらに、本発明では第1電圧の第1コンデンサーおよび電力変換器経由のレーザーダイオードへの供給が含まれるレーザーダイオード駆動方法も開示される。制御信号の半導体スイッチと電圧パルス発生器への伝達にPWM制御装置が利用される。制御信号に応じて第2コンデンサーに第2電圧が供給される。前述の本発明の特徴とメリットは添付図面を利用して詳細説明を通じて十分に理解されよう。本発明は本発明の好ましい実施例とその添付図についてさらに詳細に説明されよう。しかしながら、本発明の好ましい実施例は図解目的のためだけにあることが認識されなくてはならない。ここで言及される好ましい実施例のほかに、本発明はこれらの明確に説明されるもの以外のその他の幅広い実施例でも実施可能であるとともに、本発明の範囲はこれらに明示的に限定されることはなく、付録の請求項に規定される通りである。本発明はレーザーダイオードLD駆動回路に関する。上昇時では、駆動電圧以外に、過剰プラス電圧パルスまたはマイナス電圧パルスが本発明の駆動回路に付加され、電流の迅速切替えのためにLDが駆動される。安定状態では。過剰電圧パルスは供給されず、過剰駆動電圧から電力消費が低減される。本発明の駆動回路により低圧、高周波数、高電流および高出力500mWを越えるの様々な特徴を有するLDまたはLED光発光ダイオードに加えられる電力変換器の電力変換効率が改善可能である。電流切替えの上昇時には過剰電圧は導入されず、別の低インピーダンス伝導経路が本発明の駆動回路によって提供されると同時に、これにより誘導器に、より高い電圧が持たされて電流上昇速度が増加する。駆動電流が所望のレベルに達すると、低インピーダンス伝導経路が開かれて電流が通常のレベルに維持される。これにより電流の上昇速度の加速目的が達成可能である。図1は本発明による好ましい実施例のLD向け駆動回路10の説明図である。駆動回路10にはMOSFETスイッチQ1を有する第1伝導回路12ならびにMOSFETスイッチQ2を有する第2伝導回路14が含まれる。第1伝導経路12のインピーダンスは第2伝導経路14のものよりも大きい。低インピーダンスの伝導経路14が供給される場合、上昇時の高電圧は電流上昇率を増加させる誘導器Lによって得られうる。入力電圧端末Vinは入力誘導器に接続される。並列されたLinが図1に示される。入力コンデンサーCinは入力誘導器の端部とLDの陽極に接続される。入力インピーダンスCinの他端はアースされる。誘導器Lの1端は該LDの陰極に接続されると同時に、他端は第1伝導経路12と第2伝導経路14との間に接続される。LDを通る電流は第1伝導経路12および第2伝導経路14に提供される電流の合計に等しい。すなわち、iIQ1IQ2第1伝導経路12には抵抗器R1およびMOSFETスイッチQ1が含まれ、第2伝導経路14には抵抗器R2およびMOSFETスイッチQ2が含まれる。抵抗器R1の抵抗は抵抗器R2のものより大きい。スイッチQ1およびQ2のゲートにより、それぞれ外部PWMパルス振幅調整制御装置16から伝達される制御信号が受信され、スイッチQ1とQ2の周波数およびデューティサイクルdutycircleが処理される。図2Aから図2Cを参照すると、これらは図1に示される駆動回路10の作動を示す経時シーケンス図を示す。t0T1周期である時、PWM制御装置16はそれぞれ制御信号をスイッチQ1およびQ2のゲートに伝達し、これらのスイッチをオンにするので、LDを流れる電流は、となる。tT1T2周期である時、スイッチQ2はオフであると同時にスイッチQ1はまだオンである。電流は第1伝導経路12を通るだけであるので、この時に次の方程式が得られる。tが3を越える場合には該方程式は次のように単純化される。tがT2周期以上の時は、Q1およびQ2両スイッチともオフであるので、第1伝導経路12と第2伝導経路は開いている。前述の点について、t0T1周期のとき、インピーダンスが小さいほうの第2伝導経路14は、電流の上昇速度を加速させるため電流上昇時に電流速度が上昇しうる。本発明では、LD電流の上昇時間は先行技術の時間よりも20~30少ない。図3は本発明のもう1つの好ましい実施例による駆動回路30の説明図である。図3および図4を参照すると、駆動回路30にはが第1供給電動経路31と第2供給電動経路33が含まれる。第1供給伝導経路31と第2供給伝導経路33はそれぞれLDから形成される第1伝導経路35、抵抗器類、誘導器類、ならびに半導体スイッチに連結される。DC対DC変換器32は誘導器L1に接続されとともに、振幅Vdc1のDC電圧を第1伝導経路35に供給する。コンデンサーC1はDC対DC変換器32によって充電される。電流は、ダイオードD2が前方に伝導する場合にはダイオードD2、寄生コンデンサーLpr1ならびにLDを流れる。従って、コンデンサーの電圧C1はダイオードD2の前方電圧VFD2とノードA電圧VAにほぼ等しい。PWM制御装置34はMOSFETスイッチQ1および電圧パルス発生器36のゲートに接続される。PWM制御装置は鮮制御信号をMOSFETスイッチQ1と電圧パルス発生器36に伝達する。MOSFETスイッチQ1はPWM制御装置34からの制御信号に応じてオンオフ機能を果たす。電圧パルス発生器36は誘導器L2の1端に接続される。もう1つの誘導器L2はコンデンサーC3および抵抗器RCS2に接続される。電圧パルス発生器36はPWM制御装置34からの制御信号に応じて電圧パルスをコンデンサーC3に供給する。コンデンサーC3は制御信号のオフデューティoffdutyのときに電圧パルス発生器36によって電圧VDC2で充電される。電圧パルス発生器36は制御信号のデューティサイクルのときに電圧のコンデンサーC3および誘導器L2への供給は停止される。MOSFETスイッチQ1はPWM制御装置34からの制御信号に応じてスイッチ周波数と作動周期を調節する。コンデンサーC3からの電流IOUTは抵抗器RCS2、RCS1、寄生誘導器Lpr1、Lpr2、Lpr3、LDおよびMOSFETスイッチQ1から地盤に流れる。コンデンサーC2は充電される。電流IOUTの勾配は寄生誘導器とコンデンサーの電圧降下に応じて決まる。最大電流IOUTの方程式は次式で得られる。但し、RQ1ONはスイッチQ1のオン時抵抗である。コンデンサーC3は電圧VCが電圧VDC1-VFD2より小さくなった後、コンデンサーC1が放電するまで放電する。こうして、最大電流I’OUTは次式となる。コンデンサーC2は抵抗器R2、RCS1、およびダイオードD2の経路を通じてスイッチQ1がオフになるまで放電する。前述の点について、電圧パルス発生器36は電圧パルスを提供してコンデンサーC3を再度充電してから駆動回路30が前述の動作を繰り返す。図4からは、スイッチQ1がオンである時に本発明の駆動回路により電力損失PLOSSが削減できることが理解可能である。本発明のもう1つの好ましい実施例によるLD用の駆動回路40が図5に示されるように図解されている。駆動回路40の構造は駆動回路30のものと同様であるので、同一の詳細は示されていない。駆動回路40では電流切替え速度の加速化用のマイナスパルスを発生させる電圧パルス発生器36に代わってマイナス電圧パルス発生器42が利用される。さらに、オンとなっているダイオードD2の電力損失はダイオードD2が省かれるので低減され、さらには電流切替えの遅れも改善される。本発明はまた高電力のレーザーダイオードまたはLEDの駆動方法も公開する。最初に、DC対DC変換器が第1電圧VDC1を第1コンデンサーとレーザーダイオード負荷に供給する。制御信号は電圧パルス発生器とLD負荷に連結される半導体スイッチを制御する外部PWM制御装置によって伝達される。電圧パルス発生器は、信号受信後の制御信号に応じて第2コンデンサーに第2電圧VDC2を供給する。制御信号がオフデューティである場合、電圧は電圧パルス発生器を通じて第2コンデンサーに供給される。信号受信後、制御信号がデューティサイクルである場合に半導体スイッチがオンとなる。第2コンデンサーから供給される電流は、抵抗器、誘導器、LD、半導体からなる伝導経路を通じて流れることによって、半導体スイッチがオンとなる時にLDを駆動させる。LDの駆動電流IOUTが図4に示される第1電流A1と第2電流A2間である場合に、第2電流VDC2が第2コンデンサーによって供給されてLDを駆動させる。出力電圧VOUTはLDの駆動電流IOUTが第2電流A2に到達している場合にVDC1レベルの第1電圧を維持すると同時に、第2コンデンサーは第2電圧VDC2が第1コンデンサーから供給される第1電圧VDC1未満となるまで放電される。半導体スイッチが急速にオンとなる場合、逆の電動力VLが寄生コンデンサーから生ずる。この問題を解決するため、上昇時には、過剰第2電圧VDC2が追加されて、電流切替え速度の加速度化の目的を達成するためLDを駆動させる。これにより電力変換器の電力変換効率が改善可能となると同時に、電力消費の低減が可能となる。上昇時には、プラス電圧パルスまたはマイナス電圧パルスが本発明の駆動回路に追加されて、電流切替速度が加速化すると同時に電力消費が低減される。本発明の駆動回路はレーザーダイオードまたは高電力のLEDに応用可能である。これにより大電流の切替え200Ausマイクロセコンドと高電力変換効率の達成が可能となる。本発明の好ましい実施例がこれまで説明されてきたが、当該技術の専門家によって本発明は説明された好ましい実施例に限定されてはならないものと理解されよう。むしろ、次の諸請求項によって定義されるように本発明の精神と範囲内で様々な変更と修正が可能である。