a基材1、2、3の上に支持誘電体3を形成し、上記支持誘電体3の上に導体トラック4を形成すること、b導体トラック4をマスクとして、その幅B2が導体トラック4の幅B1と比して小さい、キャリアトラックTBを上記支持誘電体3から形成すること、および、c導体トラック4を覆い、導体トラック4間の空洞6を塞ぐ誘電性のレジスト層5を形成することを、含むことを特徴とする導体トラック配列の製造方法。工程aにおいて、導体トラック4は、サブトラクティブプロセスまたはダマシンプロセスにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。工程aにおいて、基材は、第1誘電体1と、エッチバリア2と、第2誘電体3とを有し、異方性エッチングにより露出した第2誘電体3をエッチバリア2まで除去することを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。工程aにおいて、基材は、第1誘電体1のみであり、露出した第1誘電体1は、異方性エッチングにより、規定の深さT1まで除去されることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。工程bにおいて、等方性のエッチバックは、セルフアラインにより行われ、導体トラック4の下部において、第1誘電体1または第2誘電体3を小さくすることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の製造方法。工程bにおいて、ウェットエッチングまたは等方性ドライエッチングが行われることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。工程cにおいて、絶縁層5Aが、導体トラック4、キャリアトラックTBおよび基材1、2、3の上に、レジスト層5と同時に形成されることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の製造方法。レジスト層5および絶縁層5AのためのSiH4、N2Oによる不均一なCVD堆積プロセスは、SiH4とN2Oとの比がSiH4とN2O=1:5~1:20であり、圧力は、1~10Torr133~1333Paであり、温度が350~400°Cであり、RFパワーが200~400Wであることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。レジスト層は、大気下、真空下または電気的に非導電性のガス下で形成されることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の製造方法。しかしながら、ここで、従来例にかかる形成方法は、複雑な工程であり、それ故コストがかかり、完成された導体トラック配列は、最適な機械安定性を有するのみであるという問題を有する。さらには、従来例にかかる形成方法によると、結合容量の低下は最適ではなく、隣接する導体トラックの短絡するときの磁化率がエレクトロマイグレーションの時に観測される。このことは、本発明の基本的な課題である。それ故、結合容量が低下し、さらに、機械的または電気的特性が向上した導体トラック配列およびその製造方法を提供する。本発明によれば、導体トラック配列については、下記の特徴により、導体トラック配列の製造方法については、請求項1の形成方法により目的が達成される。高い機械的安定性を有しつつも大幅に寄生結合容量やクロストークなどを低下させる付加的な空洞またはエアギャップは、導体トラックの下の側面に形成される。特に、誘電性キャリアトラックを導体トラックの下に形成することにより実現させる。ここでは、導体トラックの幅は、キャリアトラックの幅と比して大きい。本製造方法によれば、誘電性のキャリアトラックは、キャリア層から導体トラックをマスクとしてセルフアラインにより形成される。そのため、このようにして形成される導体トラック配列は、さらなるマスクを使用することなく、特に費用効果が高い。導体トラック、キャリアトラック、基板、またはキャリア層の表面であって、空洞と面する表面には絶縁層が形成されている。その結果、隣接する導体トラック間でエレクトロマイグレーションによる短絡を減少することができる。一方で、ここでは、導体トラックの露出表面を覆う絶縁層は、少なくとも、エレクトロマイグレーションプロセスによる導体トラック物質の空洞への拡散に切迫している。しかしながら、特に、このような絶縁層により、隣接する導体トラック間の短絡を防ぐことができる。この絶縁層は、レジスト層と一体化して形成されることが好ましい。レジスト層は、導体トラックを覆い、空洞を閉鎖または塞ぐ。このことは、さらに製造方法を簡易化し、コストを低減する。本製造方法では、特に不均一なCVD堆積プロセスが以下の条件により行われる。具体的には、SiH4とN2Oとの比が、SiH4:N2O=1:5~1:20であり、圧力が1~10Torr133~1333Pa温度が200~400、RFパワーが200~400Wの条件で行われる。この特殊な堆積プロセスおよび対応する特殊なパラメーターにより、上述の絶縁層として、高品質な絶縁層が、導体トラックの全露出面に形成される一方、同時に絶縁層は導体トラックの間の空洞を覆い、または上方で空洞を塞ぐように形成される。このことは、さらに、向上した電気特性を有しつつ製造コストを低下させる。基材は、正確に、空洞の一部であるアンダーカットの深さの決定に際してプロセスのよりよい制御を可能にするためエッチバリアを含むことが好ましい。しかしながら、他の案として、このようなエッチバリアを形成することなく、対応する規定のエッチ深さを設定し、予め決定したエッチング時間をモニタリングしてもよい。このようにして、導体トラック配列は、セルフアラインにより形成されることができる。そのため、さらなるリソグラフィ工程を使用することなく、費用効果が高く、よい機械的安定性を有する導体トラック配列を形成することができる。さらに、本発明の好ましい実施形態は、さらなる従属請求項において特徴付けられている。以下の説明では、図面を参照しつつ、典型的な実施形態によりさらに本発明を詳細に説明する。ここで、図1A~図1Dは、第1の実施形態に従った導体トラック配列の製造方法における主要な工程を示す簡略した断面図である。図2Aから図2Dは、第2の実施形態に従った導体トラック配列の製造方法における主要な工程を示す簡略した断面図である。図1A~図1Dは、第1の模範的な実施形態に従った導体トラック配列の製造方法における主要な工程を示す簡略した断面図を示す。ここでは、導体トラックを形成するためにいわゆるダマシンプロセスが行われている。このプロセスは、当業者によるよく知られた適切なプロセスである。そのため、以下の説明では詳細な説明を省略する。本発明は、特に第1の金属配線に対して特別な効果を示す。第1の金属配線は、たとえば、図示しないが、半導体基板に近接する最下層の導体トラックである。本発明に従うと、導体トラックの下部でその側面に従って空洞が延長されていることにより、導体トラックと下層に配置されている半導体基板との結合容量、または導体トラックと下層に配置されている導体トラックとの結合容量の低下を引き起こすことができる。図1Aに従うと、導体トラック4の導体トラックパターンは、特に好ましくは、絶縁基材中にダマシン法により形成される。より詳細には、第1の実施形態では、基材は、第1誘電体または第1誘電体層1以下、第1誘電体1と称することもある。と、その上に形成されたエッチバリア層2と、エッチバリア2の上に形成された第2誘電体または第2誘電体層3以下、第2誘電体3と称することもある。とを有することができる。原則的には、他の物質、特に、シリコンおよび/または金属を、これらの第1誘電体層1、エッチバリア2、第2誘電体層3のために用いることができる。この、層の配列積層は、好ましくは、第1金属配線と半導体基板図示せずとの間、または、対応する金属配線間に層間絶縁層として配置されていてもよい。第1誘電体1および第2誘電体3として、たとえば、SiO2が用いられ、エッチバリア2としては、Si3N4層が用いられることができる。他には、参照値として考えられているSiO2に対して低い誘電定数、たとえば、k=1~3.9であるいわゆるlow-k誘電体low-k材料を用いることができる。同様に、Si3N4と比して低い誘電定数を有する他の層をSi3N4の代わりにエッチバリアとして用いることができる。このようなlow-k誘電体を用いることで、寄生結合容量は低下する。low-k誘電体中に、たとえば、カーボンを含んでいること、またはフッ素を含んでいることは、特に有利である。この場合、たとえば、SiO2、SiCまたはSiCNは、エッチバリア2の窒化物の代わりに用いられることができる。また、当然に、物質の他の組み合わせを誘電体およびエッチバリアとして用いることができる。典型的なダマシンプロセスまたはデュアルダマシンプロセスを使用することにより、導体トラックパターンまたは導体トラック4は、それぞれ、最上層内、すなわち、第2誘電体3に形成されることになる。第2絶縁層3にトレンチを形成した後に、バリア層図示せずは、たとえば、PVD法、CVD法またはALD法により、好ましくは、トレンチの表面に最初に形成される。バリア層は、導体トラック4の導体トラック物質が、特に、半導体基板に対して拡散することを防ぐ役割を果たす。ついで、導体トラック物質の堆積を容易にするシード層図示せずが、バリア層の表面にスパッタリングにより形成されることが好ましい。最後に、事実上の導体トラック物質が、シード層またはバリア層の上に直接形成され、そして、トレンチは、完全に埋め込まれる。たとえば、CMP化学機械研磨プロセスなどにより平坦化をした後、図1Aに示す断面を得ることができる。導体トラック4の導体トラック物質として銅を用いる場合、メッキ法、特に、電解メッキ法が、トレンチ内に導体トラック物質を堆積する際に用いられる。銅を導体トラック物質として用いるとき、TaN/Taの積層がバリア層として用いられる。また一方で、代替として、タングステンWを導体トラック物質として用いることができる。この場合、トレンチの埋め込みには、CVD工程の適用が好ましく、Ti/TiNの積層がシード層として用いられる。当然に、他の物質もまた、シード層、バリア層、導体トラック物質として用いることができる。さらに、平坦化工程の後に、たとえば、CoWPやNiMoPなどのバリア層図示せずが、好ましくは、選択的に、導体トラック4の露出面にレジスト層として堆積されることができる。このバリア層は、たとえば、上面から導体トラック物質が、隣接する層、特に、半導体基材中に拡散することを防止する役割を果たす。ここで、本発明においては、ダマシンプロセスにより形成されるトレンチの深さ、または、エッチバリア2からなるトレンチ底辺からの距離が、付加的に形成されるエアギャップの高さと、寄生結合容量とを規定する。図1Bによると、第2誘電体3は、導体トラック4の相互間において、エッチバリア2の上面に到達するまで異方性エッチングにより除去される。従って、導体トラック4およびこれらのエッチバリア2の側面は、それぞれ第2誘電体3に覆われておらず、導体トラック4は、その下に残存した細長い誘電体の上に位置している。異方性エッチング、すなわち、直接的エッチングプロセスは、特に、反応性イオンエッチングRIEにより行われることができる。図1Bに示すように、初期には導体トラック4と同等の幅を有している誘電体の支持構造3第2誘電体3は、追加のリソグラフィ工程を行うことなく、導体トラック4をマスクとして用いることのみで形成することができる。図1Cによると、導体トラック4の下で、残存している支持誘電体3は、等方性エッチングプロセス、すなわち、ランダムエッチングプロセス、たとえば、湿式化学HFエッチングまたは等方性ドライエッチングプロセスなどにより縮小させられる。ここでは、導体トラック4の幅B1は、下部に形成される絶縁キャリアトラックTBの幅B2より大きくなるように行われる。幅B2は、導体トラック4の幅B1の半分以下であることが好ましい。これにより、導体トラック4の下の横方向に、容量を減らすために、十分なエアギャップを形成することができる。キャリアトラックの幅B2が約1/2B1であった場合には、後に形成される半導体チップにおける、導体トラック配列の十分な機械的耐性を得ることができる。図1Cに従うと、導体トラック4は、非常に狭い安定板、または、エッチバリア2とその下にある第1誘電体1の上に設けられた絶縁性のキャリアトラックTBの上にそれぞれ配置されている。この方法のさらなる効果は、実は従来の方法と対比を行うことにより明確になる。具体的には、これらの支持構造、もしくは、キャリアトラックTBは、さらなるマスクやリソグラフィ工程を行うことなく、単に導体トラック4をマスクとすることによりセルフアラインで形成されている。さらに、エッチングプロセスは、本質的には典型的なエッチングプロセスを使用できるため、本発明にかかる導体トラック配列は、特に簡易な方法で費用効果の高い工程を実施することができる。図1Dによると、最後の工程において、レジスト層5が形成される。レジスト層5は、完全に導体トラックを覆い、そして、導体トラック4の間に空洞6を塞ぐように形成される。このレジスト層5を形成するために、典型的な不均一性のCVD堆積プロセスが使用される。原則的には、たとえば、酸化シリコンを全領域に堆積し、そして、空洞6が塞がれる空洞6が孤立させられる。他の方法としては、選択的な堆積プロセス、たとえば、選択的にO3/TEOSなどの酸化物を堆積する方法を用いることができる。他のレジスト層5の形成方法としては、スピン工程により空洞6を浸入しないよう十分に強度のあるスピンオンガラスを形成する方法が挙げられる。このような堆積は、大気中、真空中、もしくは、電気的に絶縁性のガス中で行われる。これは、低誘電定数を有する空洞6が、好ましくは、大気、または電気的に絶縁性のガスで満たされているか、真空状態であるようにするためである。また、本発明によると、特別に不均一性を有するCVD堆積プロセスを酸化物の絶縁層5Aの形成に適用することができる。絶縁層5Aは、付加的に、導体トラック4の上、バリア層図示せずの上、キャリアトラックTBおよび下層の半導体基板の上、エッチバリア2の上にそれぞれ形成される。この絶縁層5Aは、酸化物のレジスト層5の形成方法と同じように形成されることが好ましい。その結果、さらなる製造方法の簡易化を実現することができる。薄膜の絶縁層5Aと、比較的膜厚の厚いレジスト層5とを同時に形成するために、たとえば、SiH4とN2Oとを以下の条件で堆積する。具体的には、SiH4:N2O=1:5~1:20であり、堆積温度が350°C~450°Cの温度で、圧力は、1~10Torr133~1333Paそして、RFパワーが200~400Wである。他の方法として、絶縁層5Aとレジスト層5を同時に形成する場合には、2段プロセスを適用することができる。この場合、均一性を有する、すなわち、均等な薄膜であるO3/TEOS層を、絶縁層5Aとして、全領域の上方、すなわち、空洞6の内面にもはじめに形成する。ついで、不均一な膜厚のレジスト層5を、上述した形成方法のいずれかの方法により形成する。その結果、十分に薄い保護絶縁層5Aが上記のプロセスで露出した導体トラック4の底面にも形成される。絶縁層5Aは、すでに述べたように、エレクトロマイグレーションプロセスにおいて、非常に有効な効果を有する。エレクトロマイグレーションプロセスは、特に、金属導体トラックの形成時に起こりうる問題として知られている。ここでは、電流フローにより、導体トラック物質が導体トラック内で置き換わるのである。絶縁層5Aは、このようなエレクトロマイグレーション現象の妨げとなり、このように、少なくとも、導体トラック物質のエッジや角で特に生じやすい導体トラックの移動を妨げることができる。通常観測される、初期に形成された導体トラック4から空洞6へとその領域外に拡散する導体トラック物質の拡散は、このように、少なくとも条件付きではあるが、抑制することができる。また一方で、特に、付加的な絶縁層5Aは、隣接する導体トラック間において、通常はエレクトロマイグレーションを原因として観測される短絡を抑制する。このようにして、もし、エレクトロマイグレーションにより、導体トラック物質が導体トラックから空洞6へと拡散し、局所的な蓄積を引き起こすとしても、反対に隣接する導体トラック間ではこのようなブレークスルーは見られず、隣接する導体トラック4の絶縁層5Aは、確実に望まれない短絡を抑制する。このようにして、結合容量の低下のみならず、信号遅延やクロストークの抑制、エレクトロマイグレーション特性の改善された導体トラック配列を提供する。図1Dによると、レジスト層5により形成される空洞6において、その下方領域は幅広形状である。このように幅広形状であることは、本質的にはキャリアトラックTBの空間により決定される。空洞6の中央領域の幅は、導体トラック4間のスペースにより決定される。上方領域では、空洞6は、不均一な堆積により、テーパー形状を有する。このような形状の空洞6は、特に寄生結合容量の低下に作用する。図2Aから図2Dは、第2の実施形態による導体トラック配列の製造方法の主要な工程を示す断面図である。第1の実施形態と比して、基材には、エッチバリアが形成されていない。図2Aによると、たとえば、半導体基板図示せずの上、もしくは、下層の金属配線レベルの上に、基材として第1絶縁層1のみが形成されている。そして、複数の導体トラック4は、ここでは、典型的なダマシンプロセスにより形成されている。重複した説明を避けるため、ダマシンプロセス、使用される誘電体および導体トラック4の構成については、第1の実施形態の図1Aから図1Dを参照されたい。図2Bによると、導体トラック4の側面を露出させ、かつ、第1の実施形態の図1Dのように第1絶縁層1に深さがT1の穴を形成するために、直接的エッチングまたは異方性エッチングがそれぞれここでも行われる。第1誘電体1の深さT1は、予め設定された時間のエッチングプロセスにより決定されることが好ましい。図2Cによると、導体トラック4の下方に絶縁層1を細くするための等方性エッチングは、第1の実施形態の図1Cと同様に行うことができる。この工程は、導体トラック4をマスクとしてキャリアトラックTBを形成する工程であり、本質的にはセルフアラインで形成する工程である。等方性エッチングプロセスは、第1の実施形態のように、HFフッ酸エッチングプロセスのような湿式化学エッチングプロセス、または等方性ドライエッチングプロセスにより行うことができる。このさらなるエッチング工程では、導体トラック4の下方において、曲面を有するアンダーカットエッチングが行われる。この工程で、第2深さT2を有するアンダーカットが誘電体1中に形成される。アンダーカットは、半導体基板方向における寄生結合容量を減少するための付加的な空洞もしくはエアギャップを減少させる。導体トラック4の幅B1は、少なくとも、絶縁層1における導体トラック4とのコンタクト領域において、キャリアトラックTBの幅B2と比して大きい。キャリアトラックTBは、メサ形状を有する。第1の実施形態のように、キャリアトラックTBの側壁は、対応する導体トラック4の側壁から均等に離れていることが好ましい。その結果、寄生効果を与える所定の対称構造を実現することができる。図2Dに従うと、最後に、レジスト層5は、ここでも、導体トラック4の表面の上に形成される。その結果、導体トラック4の間の空洞6が塞がれる空洞6が形成され孤立させられる。絶縁層5Aもまた導体トラック4、キャリアトラックTB、および絶縁層1の表面の上に形成されることができる。その結果、上述のエレクトロマイグレーション現象が抑制される。さらに、上述した特殊なパラメーターによる不均一なCVD堆積プロセスは、絶縁層5Aとレジスト層5の同時形成を実現する。図示しないが、第3の実施形態によると、図2Bおよび図2Cで示された異方性または等方性エッチングプロセスの代わりに、等方性エッチングプロセスのみを行うことができる。このとき、導体トラック4の側面を露出させ、導体トラック4と比して小さい幅B2を有するキャリアトラックTBを形成するため、エアギャップの形成、もしくは、導体トラック4の下に位置する絶縁層誘電体の側面をエッチングする。その結果、本製造方法はさらに簡易化されることができる。さらに、図示しないが、第4の実施形態によれば、図1および図2に示すようなダマシンプロセスの代わりに、公知であるサブトラクティブ減算的プロセスにより、たとえば、典型的なアルミニウムからなる導体トラックを形成するなどの他のプロセスを行うことができる。このプロセスでは、アルミニウムからなる導体トラック層が、好ましくは、基材エッチバリアなしの全領域に形成される。そして、フォトリソグラフィ技術によりパターン形成される。その結果、導体トラックが形成される。本発明に係る製造方法は、第1の実施形態の図1Aから図1Dもしくは第2の実施形態の図2Aから図2Dに従って実施することができる。その結果、最小の結合容量を有することになり、信号遅延が抑制された導体トラック配列を得ることができる。さらに、機械的安定性そしてエレクトロマイグレーション耐性が改善され、寿命が大幅に増加される。上述した発明では、半導体基板をキャリア基板として用いていた。しかしながら、これに限定されない。同様に、他の導電性または非導電性のキャリア物質を含んでいてもよい。