真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記真空チャンバ内に設けられた基板電極と、前記基板電極に高周波バイアス電力を印加する高周波バイアス電源とを有し、前記基板電極上に装着した基板をエッチングするエッチング装置であって、前記基板電極に対向して設置される浮遊電極と、前記浮遊電極に高周波電力を印加する高周波電源と、前記浮遊電極の前記基板電極に対向した側に設置され、スパッタされることで前記基板上にエッチング保護膜を形成する固体材料と、基板エッチング工程とエッチング保護膜形成工程とエッチング保護膜除去工程とを繰り返し行う制御手段と、を有し、前記プラズマ発生手段は、プラズマ発生のための高周波アンテナを前記真空チャンバ外に備え、前記制御手段は、前記基板エッチング工程と前記エッチング保護膜形成工程と前記エッチング保護膜除去工程の間、希ガスを前記真空チャンバに導入し、前記基板エッチング工程と前記エッチング保護膜形成工程と前記エッチング保護膜除去工程の間、前記高周波アンテナに高周波電力を継続的に印加してプラズマを発生させ、前記基板をエッチングする前記基板エッチング工程においては、エッチングガスを前記真空チャンバに導入し、前記高周波アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、前記基板に前記エッチング保護膜を形成する前記エッチング保護膜形成工程においては、スパッタガスを前記真空チャンバに導入しながら、前記高周波アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、前記固体材料をスパッタするために前記浮遊電極に高周波電力を印加し、また前記基板と平行な面上に堆積した前記エッチング保護膜を除去する前記エッチング保護膜除去工程においては、希ガスを前記真空チャンバに導入し、前記高周波アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、前記基板電極に前記高周波バイアス電力を印加することを特徴とするエッチング装置。前記真空チャンバ内に磁気中性線を形成する磁場発生手段を有し、前記高周波アンテナは、前記磁気中性線にプラズマを発生させるように高周波を印加することを特徴とする請求項1に記載のエッチング装置。さらに、エッチングガスを導入するエッチングガス導入手段を有し、前記制御装置は、前記浮遊電極への高周波電力の印加、前記基板電極への高周波バイアス電力の印加及び前記真空チャンバ内へのエッチングガスの導入を予定のシーケンスで制御することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエッチング装置。前記制御装置は、前記固体材料がスパッタされていない時に真空チャンバ内へエッチングガスを導入するように動作することを特徴とする請求項3に記載のエッチング装置。前記制御装置は、前記固体材料がスパッタされていない時もしくは前記基板電極に高周波バイアス電力が印加されていない時に真空チャンバ内へエッチングガスを導入するように動作することを特徴とする請求項3に記載のエッチング装置。前記高周波電源がスイッチもしくは可変コンデンサを介して前記浮遊電極に接続され、さらに前記高周波電源は前記プラズマ発生手段に接続されて前記プラズマ発生に併用され、前記制御装置は、前記固体材料のスパッタ時に前記浮遊電極への高周波電力の印加を行なうように前記スイッチもしくは前記可変コンデンサを制御することを特徴とする請求項1~請求項5に記載のエッチング装置。前記エッチング保護膜を形成する前記固体材料が、フッ素樹脂材、珪素材、炭素材、炭化珪素材、酸化珪素材及び窒化珪素材のいずれかの材料であることを特徴とする請求項1~請求項6に記載のエッチング装置。前記固体材料が珪素材であり、前記エッチング保護膜形成工程においては、エッチングガス及び酸素を連続して導入することを特徴とする請求項1~請求項6に記載のエッチング装置。真空チャンバ内に設置された基板を、プラズマを発生させてエッチングする方法であって、前記真空チャンバ内にエッチングガスを導入して前記基板をエッチングする基板エッチング工程と、固体材料が設置された浮遊電極に高周波電力を印加し、前記基板に対向して設置された前記固体材料をスパッタして、前記基板上にエッチング保護膜を形成するエッチング保護膜形成工程と、前記基板が設置されている基板電極に高周波バイアス電力を印加して、前記エッチング保護膜の一部をエッチングするエッチング保護膜除去工程と、を繰り替えして実施し、前記基板エッチング工程と前記エッチング保護膜形成工程と前記エッチング保護膜除去工程の間、希ガスが前記真空チャンバに導入され、前記基板エッチング工程と前記エッチング保護膜形成工程と前記エッチング保護膜除去工程の間、前記真空チャンバ内には前記高周波アンテナから供給される高周波電力により継続的にプラズマが発生される、ことを特徴するエッチング方法。前記真空チャンバ内に磁場発生手段により磁気中性線が形成され、前記高周波アンテナにより前記磁気中性線に沿ってプラズマが発生することを特徴とする請求項9に記載のエッチング方法。前記エッチング保護膜除去工程では、希ガスとエッチングガスを混合して用いることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載のエッチング方法。前記基板エッチング工程もしくは前記基板エッチング工程及び前記エッチング保護膜除去工程では、希ガスにエッチングガスを添加して混合ガスとして用いることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載のエッチング方法。前記希ガスとして、Ar、Xe、Kr、N2のいずれかを用いることを特徴とする請求項9~請求項12のいずれか1項に記載のエッチング方法。前記エッチングガスとして、SF6、NF3、F2、SiF4、XeF2のいずれかを用いることを特徴とする請求項9~請求項13のいずれか1項に記載のエッチング方法。前記固体材料としてフッ素樹脂材、珪素材、炭素材又は炭化珪素材が用いられることを特徴とする請求項9~請求項14のいずれか1項に記載のエッチング方法。前記固体材料が珪素材であり、前記エッチング保護膜形成工程においては、エッチングガス及び酸素を連続して導入することを特徴とする請求項9に記載のエッチング方法。前記基板がシリコンである請求項9~請求項16のいずれか1項に記載のエッチング方法。前記基板が石英である請求項9~請求項16のいずれか1項に記載のエッチング方法。しかし、特許文献1に記載されたような従来技術の方法においては、エッチング工程及び重合工程において異なるガス混合物が反復して用いられるため、エッチング工程及び重合工程の時間比がガス混合物の速度に依存し、遂次変化するため一様性に影響を及ぼす。また二つの異なるガス混合物の入れ替え用の電磁弁が必要であるためかかる方法を実施するための装置が複雑となる。さらに重合工程中に導入されるガス混合物によるパーティクルの生成の問題もある。また、特許文献2に記載されたような従来技術の方法では、基板に印加されるバイアス電圧をエッチング工程及び重合工程で変える必要があり、制御系の構成が複雑となり、装置のコストが高くなるという問題がある。また重合工程中に導入されるガス混合物によるパーティクルの生成の問題がある。さらに、重合膜作成のために高エネルギーのRF印加が必要であるため、エネルギーコストも高くなる。さらに、パッシベートガス等を使用してエッチング保護膜を形成する方法では、導入されるパッシベートガスの数から十数しか成膜に寄与しない。成膜に寄与しないパッシベートガスは真空チャンバ内から排気される。パッシベ-トガスは、大気温暖化係数が高く環境保全面で著しいマイナス要因であるため、排気されたパッシベ-トガスを回収および処理することが必要となる。しかし、パッシベ-トガスの処理は甚大なコストが掛かる、従って、パッシベ-トガスを使用しない方法が好ましい。また、異方性形状を得る方法として、HBrを用いた高バイアスエッチング法も知られているが、しかしこの方法ではマスクとの選択比が大きく取れないことや、微細パターンには向いているが、超小型電機システムMEMSや超小型電子装置の製造に用いられ広いパターンには向いていないなどの問題からシリコンを深くエッチングすることができない。本発明は、従来技術に伴う上記のような問題点を解決して、マスク選択比を大きくでき、異方性に優れ、深くエッチングすることのできるエッチング方法及び装置を提供することを目的としている。上記の目的を達成するために、本発明の第1の発明によれば、真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記真空チャンバ内に設けられた基板電極と、前記基板電極に高周波バイアス電力を印加する高周波バイアス電源とを有し、前記基板電極上に装着した基板をエッチングするエッチング装置であって、前記基板電極に対向して設置される浮遊電極と、前記浮遊電極に高周波電力を印加する高周波電源と、前記浮遊電極の前記基板電極に対向した側に設置され、スパッタされることで前記基板上にエッチング保護膜を形成する固体材料と、基板エッチング工程とエッチング保護膜形成工程とエッチング保護膜除去工程とを繰り返し行う制御手段と、を有し、前記プラズマ発生手段は、プラズマ発生のための高周波アンテナを前記真空チャンバ外に備え、前記制御手段は、前記基板エッチング工程と前記エッチング保護膜形成工程と前記エッチング保護膜除去工程の間、希ガスを前記真空チャンバに導入し、前記基板エッチング工程と前記エッチング保護膜形成工程と前記エッチング保護膜除去工程の間、前記高周波アンテナに高周波電力を継続的に印加してプラズマを発生させ、前記基板をエッチングする前記基板エッチング工程においては、エッチングガスを前記真空チャンバに導入し、前記高周波アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、前記基板に前記エッチング保護膜を形成する前記エッチング保護膜形成工程においては、スパッタガスを前記真空チャンバに導入しながら、前記高周波アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、前記固体材料をスパッタするために前記浮遊電極に高周波電力を印加し、また前記基板と平行な面上に堆積した前記エッチング保護膜を除去する前記エッチング保護膜除去工程においては、希ガスを前記真空チャンバに導入し、前記高周波アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、前記基板電極に前記高周波バイアス電力を印加することを特徴としている。また、本発明によるエッチング装置の一実施形態では、真空チャンバ内に磁気中性線を形成する磁場発生手段が設けられ、高周波アンテナは、磁気中性線にプラズマを発生させるように高周波を印加するように構成され得る。また、本発明によるエッチング装置では、エッチングガスを導入するエッチングガス導入手段が設けられ、制御装置は、浮遊電極への高周波電力の印加、基板電極への高周波バイアス電力の印加及び真空チャンバ内へのエッチングガスの導入を予定のシーケンスで制御するように構成され得る。制御装置は、固体材料がスパッタされていない時に真空チャンバ内へエッチングガスを導入するように動作し得る。制御装置は、固体材料がスパッタされていない時もしくは基板電極に高周波バイアス電力が印加されていない時に真空チャンバ内へエッチングガスを導入するように動作し得る。本発明によるエッチング装置の一実施形態では、高周波電源は、スイッチもしくは可変コンデンサを介して浮遊電極に接続され、さらに高周波電源は、プラズマ発生手段に接続されて前記プラズマ発生に併用され、また制御装置は、固体材料のスパッタ時に浮遊電極へ高周波電力を印加するようにスイッチもしくは可変コンデンサを制御し得る。エッチング保護膜を形成する固体材料は、フッ素樹脂材、珪素材、炭素材、炭化珪素材、酸化珪素材及び窒化珪素材のいずれかの材料であることができる。また、固体材料は珪素材であることができ、その場合、エッチング保護膜形成工程において、エッチングガス及び酸素は連続して真空チャンバに導入される。また、本発明の第2の発明によれば、真空チャンバ内に設置された基板を、プラズマを発生させてエッチングする方法であって、真空チャンバ内にエッチングガスを導入して基板をエッチングする基板エッチング工程と、固体材料が設置された浮遊電極に高周波電力を印加し、基板に対向して設置された固体材料をスパッタして、基板上にエッチング保護膜を形成するエッチング保護膜形成工程と、基板が設置されている基板電極に高周波バイアス電力を印加して、エッチング保護膜の一部をエッチングするエッチング保護膜除去工程と、を繰り替えして実施し、基板エッチング工程とエッチング保護膜形成工程とエッチング保護膜除去工程の間、希ガスが前記真空チャンバに導入され、基板エッチング工程とエッチング保護膜形成工程とエッチング保護膜除去工程の間、真空チャンバ内には高周波アンテナから供給される高周波電力により継続的にプラズマが発生される、ことを特徴としている。本発明の第2の発明によるエッチング方法では、真空チャンバ内に磁場発生手段により磁気中性線が形成され、高周波アンテナにより磁気中性線に沿ってプラズマが発生するようにされ得る。エッチング保護膜除去工程では、希ガスとエッチングガスを混合して用いられ得る。基板エッチング工程もしくは基板エッチング工程及びエッチング保護膜除去工程では、希ガスにエッチングガスを添加して混合ガスとして用いられ得る。希ガスとして、Ar、Xe、Kr、N2のいずれかを用いることができる。エッチングガスとして、SF6、NF3、F2、SiF4、XeF2のいずれかを用いることができる。固体材料としてフッ素樹脂材、珪素材、炭素材又は炭化珪素材が用いられ得る。また固体材料として珪素材を用いた場合、エッチング保護膜形成工程において、エッチングガス及び酸素は連続して導入される。基板はシリコンであり得る。代りに基板は石英であってもよい。本発明によるエッチング装置においては、前述のように構成したことにより、ガス切換え用の電磁弁を使用する必要がなく、また切換えバルブの数を低減でき、重合段階で必要なCF系ガスはエッチング段階では邪魔となるためガスの入れ換えに伴う大型の真空ポンプを設ける必要がなくなり、装置全体を簡素化及び小型化でき、装置のコストを低減することが可能となる。また、重合段階でCF系ガスを導入する方式に比較してパーティクルの生成がはるかに少なく、装置のメンテナンスが容易となると共に装置を安定して作動できようになる。また本発明によるエッチング方法においては、前述のように構成したことにより、処理段階の数が少なくなり、マスク選択比を大きく取れ、その結果、異方性に優れ、深くエッチングすることが可能となる。また、重合段階でCF系ガスを導入する方式に比較してパーティクルの生成がはるかに少なく、歩留まりよく基板を処理することができるようになる。以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態によるNLD磁気中性線放電方式のシリコンのエッチング装置を概略的に示す。図示エッチング装置において、1は真空チャンバで、上部のプラズマ発生部1aと基板処理部1bとを備えている。基板処理部1bには排気口1cが設けられ、適当な排気系に接続される。プラズマ発生部1aは円筒形の誘電体側壁2を備え、誘電体側壁2の外側には、真空チャンバ1内に磁気中性線を形成するための磁場発生手段を構成している三つの磁場コイル3、4、5が設けられ、これらの磁場コイルは真空チャンバ1の上部のプラズマ発生部1a内に磁気中性線を形成する。真空チャンバ1の下部には、基板電極6が絶縁体部材を介して設けられ、この基板電極6はブロッキングコンデンサ7を介してRFバイアスを印加する高周波電源8に接続され、基板電極6上にはエッチング処理すべきシリコン基板9が取付けられる。三つの磁場コイル3、4、5と誘電体側壁2の外側との間にはプラズマ発生用の三つの高周波コイル10が配置され、これらの高周波コイル10は高周波電源11に接続され、三つの磁場コイル3、4、5によって真空チャンバ1の上部のプラズマ発生部1a内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するようにしている。なお、本発明においてNLD磁気中性線放電方式は、プラズマの径や大きさの制御が可能であるため、通常の方式より精密なエッチングやスパッタの制御が可能となり好ましいが、プラズマを発生させることが可能であればNLD磁気中性線放電方式に限定されない。真空チャンバ1の上部のプラズマ発生部1aの天板12は絶縁体図示していないを介して誘電体側壁2の上端部に密封固着され、そして天板12は電位的に浮遊状態に維持されて浮遊電極として構成されている。またこの天板12は固体材料13としてフッ素樹脂材、珪素材、炭素材、炭化珪素材、酸化珪素または窒化珪素のうちの任意の材料を用いて構成され、ターゲット材として機能するようにしている。そして浮遊電極12には高周波アンテナコイル10のプラズマ発生用高周波電源11から高周波アンテナコイル10へ至る給電路の位置から分岐して、浮遊電極12に高周波電力を間欠的に印加させる制御手段を成す可変コンデンサ14を介して高周波電力が印加され、浮遊電極12に自己バイアスを発生するように構成されている。可変コンデンサ14の代わりにスイッチを用いることもできる。なお、高周波電源11は、浮遊電極12用と高周波アンテナコイル10用に個別に設置に設置することもできる。また、真空チャンバ1の上部のプラズマ発生部1aには、真空チャンバ1内へ主ガスすなわち希ガス及びエッチングガスを導入するガス導入部15が設けられ、このガス導入部15はガス混合部16に接続され、このガス混合部16には希ガス供給通路17を介して希ガス供給源図示していない、並びにエッチングガス供給通路18及びエッチングガスの供給及び流量を制御するエッチングガス供給及び流量制御装置19を介してエッチングガス供給源図示していないが接続される。希ガス供給源は希ガスとしてAr、Xe、Kr、N2の少なくとも何れかを供給する。エッチングガス供給源はエッチングガスとしてSF6、NF3、F2、SiF4、XeF2の少なくとも何れかを供給する。図2は、図1の装置と共に用いられる制御装置の構成と接続関係を示すブロック線図である。図2において21は図1の装置の各部の動作を制御する制御装置である。制御装置21は、演算部22、記憶部23、クロック/タイマー24、入力部25、及び表示部26を備えている。さらに、制御装置21は、エッチングガス流量制御装置19、可変コンデンサ14、高周波電源11、及び高周波バイアス電源8に接続されている。演算部22は、記憶部23に記憶されているシーケンスと入力部25から入力される設定値を使用して、各部分の制御信号を作成し、クロック/タイマー24を参照して出力する。制御装置21において、使用者は、入力部25から固体材料13のスパッタ時間、基板9のエッチング時間、基板電極6へのバイアス印加時間、スパッタ時の浮遊電極12への印加電力量、基板電極へのバイアス印加電力量、エッチングガスの導入量を設定することができる。表示部26は、入力値や制御状態を表示する。このように構成した図示エッチング装置の動作について一例として図3に示すスパッタモジュレーションシーケンスに基き説明する。図3は、基板エッチング工程、エッチング保護膜形成工程、エッチング保護膜除去工程を1サイクルとして、3サイクルのタイミングを示している。図3において、信号Aはトリガー信号であり、信号Bはエッチングガス供給及び流量制御装置19の制御タイミングを示す信号であり、信号Cは可変コンデンサ14の制御タイミングを示す信号であり、信号Dは高周波電源11の制御タイミングを示す信号であり、また信号Eは高周波バイアス電源8の制御タイミングを示す信号である。まず、1サイクルにおいては、t1で示される基板エッチング工程において、エッチングガス供給及び流量制御装置19を作動させてエッチングガスを導入する。ガス混合部16において、希ガス供給通路17からのArガスにSF6のエッチングガスを混合し、この混合ガスが真空チャンバ一内へ導入される。浮遊電極12及び基板電極6へは高周波電力を供給しないよう可変コンデンサ14及び高周波バイアス電源8はOFFの状態にあり、高周波電源11からアンテナ10にプラズマ発生用の電力が供給され基板9のエッチング処理が行われる。次に、t2で示されるエッチング保護膜形成工程において、エッチングガス供給及び流量制御装置19を止めて、SF6のエッチングガスが止められ、Arガスだけが真空チャンバ一内に導入される。可変コンデンサ14をONとし、高周波電源11の出力を上げることで、天板すなわち浮遊電極12に高周波電力が印加される。この状態で浮遊電極12の内側のターゲット材がスパッタされ、シリコン基板9上にエッチング保護膜としてのフッ素樹脂膜が堆積される。次に、t3で示されるエッチング保護膜除去工程において、浮遊電極12への高周波電力の印加は止められ、基板電極6に高周波電力が印加される。この状態で、シリコン基板9における堆積で得られたパターン側壁のフッ素樹脂膜を残して、シリコン基板9の表面と平行な面堆積したフッ素樹脂膜が除去される。このとき、エッチングガス供給及び流量制御装置19をONしてエッチングガスを導入してもよく、また、導入しなくてもよい。次に、2サイクル目においては再び基板エッチング工程に戻って、エッチングガス供給及び流量制御装置19を作動させて、ガス混合部16において、希ガス供給通路17からのArガスにSF6のエッチングガスを混合し、この混合ガスを真空チャンバ一内へ導入し、浮遊電極12及び基板電極6への高周波電力はオフ状態にして、エッチング処理が行われる。その後、エッチング保護膜形成工程、エッチング保護膜除去工程、基板エッチング工程が繰り返され、所望のエッチング深さまでエッチング処理が施される。なお、シリコン基板9上にフッ素樹脂膜を堆積した後、堆積で得られたパターン側壁のフッ素樹脂膜を残して、シリコン基板9の表面と平行な面に堆積したフッ素樹脂膜を除去するため基板電極6に高周波バイアスを掛けると同時にエッチングガスが主ガスに混合されて真空チャンバ1に導入され、そのままエッチング処理段階へ移行するように設定することもできる。また、全処理工程を通して主ガスにエッチングガスを混合して流すようにすることもできる。以下、図3に示すスパッタモジュレーションシーケンスに基いた実施例について図4を参照して説明する。基板9の表面には、SiO2によるマスク30が形成され、基板9をエッチングするパターンに合わせてマスク30が部分的に除去されている。まず、図4のaに示す基板エッチング工程において、エッチングガス供給及び流量制御装置19を作動させて、ガス混合部16において、希ガス供給通路17からのArガス50sccmにSF6のエッチングガス50sccmを混合し、この混合ガスを真空チャンバ一1内へ導入し、浮遊電極12及び基板電極6への高周波電力はオフ状態にして、エッチング処理を7秒間行なった。これによりマスク30の除去された部分の基板9が所定の深さだけエッチングされる。次に、図4のbに示すエッチング保護膜形成工程において、エッチングガス供給及び流量制御装置19を止め、SF6のエッチングガスを止めて、Arガスだけを50sccm真空チャンバ一内に導入し、天板すなわち浮遊電極12に高周波電力を印加し、この状態で浮遊電極12の内側のターゲット材をスパッタし、シリコン基板9上、およびマスク30上の全面にエッチング保護膜31としてフッ素樹脂膜を90秒間堆積させた。エッチング保護膜31は、シリコン基板9の表面と平行な面上に堆積した膜31-1、31-3、及びパターン側壁の垂直な面上に堆積した膜31-2を含んでいる。次に、図4のcに示すエッチング保護膜除去工程において、浮遊電極12への高周波電力の印加を止め、基板電極6に高周波電力200Wを12秒間印加し、この状態で、シリコン基板9に堆積して得たパターン側壁のエッチング保護膜31-2を残して、シリコン基板9の表面と平行な面上に堆積したフッ素樹脂膜311、313を除去した。次に図4のdに示す基板エッチング工程において、再び、希ガス供給通路17からのArガス50sccmにSF6のエッチングガス50sccmを混合し、この混合ガスを真空チャンバ一1内へ導入し、浮遊電極12及び基板電極6への高周波電力はオフ状態にした状態で、エッチング処理を7秒間行なった。これにより、前回の基板エッチング工程でエッチングされた穴の底部がエッチングされる。穴の垂直な面のエッチング保護膜31-2は除去されないので、垂直方向に異方性エッチングが可能である。その後図4のb~d示す処理を30回繰り返した。こうして得られたエッチング形状を図5に示す。以下、好ましい処理条件を例示する。エッチング処理においては、Pa/Pb=2000/0W、Ar/SF6=50/500sccm、真空チャンバ内圧力=50mTorrである。ポリマー堆積処理においては、Pa/Pb=1000/0W、Ar=50sccm、真空チャンバ内圧力=20mTorr天板=200pFである。ポリマー除去処理においては、Pa/Pb=2000/25W、Ar/SF6=50/500sccm、真空チャンバ内圧力=50mTorrである。図6には、図1の装置で得られるポリマーの成膜速度と高周波アンテナコイル10に印加される高周波電力との関係を示し、図6のグラフにおいて横軸は波長の逆数cm-1であり、縦軸は吸収率任意単位を表している。図7には、ポリマーの成膜速度が使用するガスの種類によりどのように変わるかを示し、横軸はガスの種類であり、縦軸はポリマーの成膜速度を表している。図7のグラフから認められるように、ポリマーの成膜速度はArガスのみを導入した場合に比較してArとSF6との混合ガスを導入した場合にはほぼ半分に低下し、Arガスを止め、SF6ガスのみの場合には実質的にゼロとなった。このことから、フッ素樹脂膜を基板上に堆積する場合にエッチングガスは止めることにより、高い成膜速度が得られる。図示実施形態では、天板12の内壁材料としてフッ素樹脂材、珪素材、炭素材、炭化珪素材、酸化珪素材又は窒化珪素材のうちのいずれかを用いているが、代わりにこれら各材料の化合物か複合物或いはこれら材料の化合物か複合物を用いて構成することもできる。なお、固体材料としてシリコン珪素材を使用する場合は、固体材料をスパッタするエッチング保護膜形成工程において、エッチングガスと酸素ガスを連続して導入する場合がある。シリコンの固体材料がスパッタされ、気層中でシリコンとエッチングガス/酸素ガスが反応してシリコン化合物硫化物酸化物硫化酸化物等を形成する。このシリコン化合物基板9上に堆積することにより、エッチング保護膜を形成することができる。ところで図示実施例ではNLDエッチング装置として実施した例について説明してきたが、当然ICPエッチング装置として実施することもできる。さらに、本発明のエッチング装置はパッシベートガスを使用せず、フロロカーボンガスなどの大気温暖化係数の高いガスの使用量および排出量が少ない。このため、環境負荷が小さく、排ガス処理のコストも抑制することができる。さらに、SF6をF2で代替することもできる。さらに、シリコン基板だけでなく、石英SiO2、珪ホウ酸ガラス、パイレックス登録商標、ソーダガラスのエッチングも可能である。具体的には、浮遊電極に高周波電力を印加して所定の固体材料CxFxをスパッタしながら、基板電極に高周波電力を印加することで、CxFxにより石英SiO2、珪ホウ酸ガラス、パイレックス登録商標、ソーダガラスをエッチングすることができる。