"タンタル粉末とチタン粉末とを混合して焼結したスパッタリングターゲットであって、チタンの含有量が50wt以下但し、0wtを除くであり、残部がタンタル及び不可避的不純物からなり、相対密度が90以上であることを特徴とするタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。相対密度が95以上であることを特徴とする請求項1記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素1~15wtをさらに含有し、残部がタンタル及び不可避的不純物からなることを特徴とする請求項1又は2記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。チタンの含有量が1~40wtであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。タンタル粉末とチタン粉末とを混合し、これを温度1300~1650°C、圧力150~450kgf/cm2で焼結することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。タンタル粉末とチタン粉末の純度が3N以上であることを特徴とする請求項5記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。タンタル粉末とチタン粉末の粒度が50~200μmの範囲にある粉末を用いて焼結することを特徴とする請求項5又は6記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。本発明は、タンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、積層体膜相互の物質の拡散を防止するためのバリア膜、さらに無電解銅めっきが可能な銅拡散防止用バリア膜を形成するためのタンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供しようとするものであるが、特に、このバリア膜は基板との密着性を向上させることができ、さらに焼結法によりTa-Tiターゲットの密度を向上させ、ターゲットの組成の均一性を高め、偏析を減少させることができるターゲットを提供するものである。この高密度のターゲットを用いることによりパーティクルの発生を減少させ、膜の品質、特にバリア膜としての機能を向上させようとするものである。上記の課題に鑑み、本発明は以下の発明を提供するものである。1タンタル粉末とチタン粉末とを混合して焼結したスパッタリングターゲットであって、チタンの含有量が50wt以下但し、0wtを除くであり、残部がタンタル及び不可避的不純物からなり、相対密度が90以上であることを特徴とするタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。2相対密度が95以上であることを特徴とする上記1記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。3無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素1~15wtをさらに含有し、残部がタンタル及び不可避的不純物からなることを特徴とする上記1又は2記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。4チタンの含有量が1~40wtであることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲット。5タンタル粉末とチタン粉末とを混合し、これを温度1300~1650°C、圧力150~450kgf/cm2で焼結することを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。6タンタル粉末とチタン粉末の純度が3N以上であることを特徴とする上記5記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。7タンタル粉末とチタン粉末の粒度が50~200μmの範囲にある粉末を用いて焼結することを特徴とする上記5又は6記載のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。本発明は、積層体膜相互の物質の拡散を防止するためのバリア膜、特に無電解銅めっきが可能な銅拡散防止用バリア膜を形成するためのタンタル基焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法に関するが、特に、このバリア膜は基板との密着性を向上させることができ、さらに焼結法によりTa-Tiターゲットの密度を向上させ、ターゲットの組成の均一性を高め、偏析を減少させることができるという大きな効果を有する。この高密度のターゲットを用いることによりパーティクルの発生を減少させ、膜の品質、特にバリア膜としての機能を向上させることができる。また、半導体素子への銅拡散バリア性を有する金属と銅配線部を無電解めっきで形成する際に触媒作用をする金属と前記タンタル及びチタンとの焼結体からなるスパッタリングターゲットを窒素ガス雰囲気でスパッタ成膜することにより、成膜中のバリア性材料、触媒性材料及び窒素含有量を調整して銅シード層を形成することが可能であり、無電解銅めっき性、銅拡散防止バリア性及びめっき膜の耐酸化性を備えた、銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を形成した半導体ウエハを提供することができるという効果を有する。本発明のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットは、タンタル粉末とチタン粉末とを混合して焼結したスパッタリングターゲットである。この場合のチタンの含有量が50wt以下但し、0wtを除くであり、残部がタンタル及び不可避的不純物からなり、相対密度が90以上である。相対密度は、さらに95以上を達成することができる。Tiの添加は、Taを主成分とする膜の密着性を向上させることであるが、TaにTiを添加することにより酸化シリコンなどの酸化物層との密着性が高くなるという現象を生ずる。チタンの添加量は、微量でも効果があり、密着性の効果を高めるためには、少なくとも不純物レベル以上の添加が望ましい。密着性が向上する機構は必ずしも解明されている訳ではないが、Tiは活性な金属であり、前記酸化物層の酸素と反応し、界面に密着性を向上させる物質が形成されることが原因と考えられる。一方、チタンの含有量を50wt以下とするのは、スパッタリングによりバリア膜を形成した場合、タンタルのバリア膜としての機能を維持できないからである。上記においてTiの添加は膜の密着性を向上させると述べたが、逆に過剰な添加は、むしろ膜の密着性を低下させる現象を生じる。この結果、上限値は同様に50wtである。本発明のTiを含有するTa焼結体スパッタリングターゲットの密度を向上させ、かつこのTa-Tiターゲットを用いてスパッタ成膜した場合の、Taのバリア膜としての機能及びTa-Ti膜の密着性の向上から、好ましいチタンの含有量は1~40wtであり、さらに好ましい範囲は3~20wtである。なお、チタンを含有させることは、高価なタンタルの使用を減らすことができ、コスト低減を図ることができるという、副次的効果もある。前記チタンを含有するタンタル基焼結体スパッタリングターゲットに、さらに白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素1~15wtを含有させ、残部をタンタル及び不可避的不純物とすることができる。この添加成分は、無電解めっきに対する触媒能を持つものであり、バリア膜上に無電解めっきを施す場合に極めて有効である。本願発明はこれらを包含する。本願発明のタンタル基焼結体スパッタリングターゲットの製造に際しては、タンタル粉末とチタン粉末とを混合し、これを温度1300~1650°C、圧力150~450kgf/cm2で焼結することにより製造することができる。1300°C未満では、十分な焼結強度が得られず、密度向上も期待できない。また、1650°Cを超える温度では、添加するTiの融点1670°Cに近くなり、偏析を生ずる可能性が高くなるので、1650°C以下とする。焼結時の加圧力は、150~450kgf/cm2とするのが良い。150kgf/cm2未満では、焼結密度が上がり難く、加圧力が450kgf/cm2を超える場合には、密度向上の効果が飽和し無駄になるので、上記の範囲とするのが良い。焼結する材料については、タンタル粉末とチタン粉末が高純度であること、少なくとも両粉末の純度が3N以上であることが望ましい。不純物濃度が多くなると偏析を生じやすくなり、密度の低下となるからである。さらに、タンタル粉末とチタン粉末の粒度が50~200μmの範囲にある粉末を用いて焼結することが望ましい。粉末の粒度が大き過ぎると、密度を高くすることができず、逆に、粉末の粒度が小さ過ぎると、充填時のかさ密度が低くなってしまい、焼結1回あたりの充填枚数が少なくなるため生産性が悪くなる。さらに、混合に長時間を要するため不純物の混入が多くなる。そのため、適度な粒径が望ましいと言える。さらに、本願発明は、触媒金属元素とバリア金属元素を同時に含有させることでバリア兼触媒層を一層とし、膜厚を薄くできる。バリア性を高めるためには、膜中の触媒金属成分比率を下げ、バリア金属成分比率を上げる必要があるが、スパッタ成膜の際にチャンバー内に窒素ガスを導入することにより、バリア成分の成膜速度が下がり、結果的に触媒金属成分の膜中比率を上げることができる。この現象を詳細に検討すると、スパッタリング中にバリア成分であるタンタル又はチタン金属元素は、一部が窒化され、窒化タンタル又は窒化チタンとなるが、この窒化タンタル又は窒化チタンの成膜速度が遅いために、窒化されない触媒金属元素貴金属元素は、窒化タンタル又は窒化チタンに比べて、相対的に成膜速度が速くなることが考えられる。したがって、これにより膜中の触媒金属元素貴金属元素の比率が高くなり、これが触媒金属成分の膜中比率を上げる原因となると考えられる。このことは高価な貴金属が多い触媒金属を使用したスパッタリングターゲット製造において、ターゲット中の触媒金属成分比率を大きく上げる必要がなくなるので、実用上有効である。銅拡散防止用バリア膜上に、ダマシン銅配線用シード層を形成する場合には、前記触媒能を持つ金属元素を触媒として、無電解銅めっき膜を成膜するが、このための無電解めっき方法としては、例えば重量平均分子量Mwが1,000以上100,000未満である水溶性窒素含有ポリマーを含む無電解銅めっき液を用いて成膜する方法を挙げることができる。適宜この手法を用いることができる。また、めっき前にめっきする基材の酸処理、アルカリ処理、界面活性剤処理、超音波洗浄あるいはこれらを組み合わせた処理を実施することで、基材のクリーニング、濡れ性向上を図ることができる。次に、実施例について説明するが、この実施例は、あくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様または変形を、全て包含するものである。実施例1純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末1wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を99wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は94となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、10個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度はスクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は13ミリニュートンで、良好な結果となった。スクラッチ試験の条件スクラッチ試験機:CSEM社製、Micro-Scratch-Testerスクラッチ距離:20mmスクラッチ荷重:0~10ニュートン荷重レート:10ニュートン/分スクラッチ速度:20mm/分ダイヤモンドコーン形状:先端200μmφ下記の実施例及び比較例は、すべて上記の条件で測定を実施した。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例1のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。以上の結果を、第1表に示す。実施例2純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末50wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を50wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は98となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、3個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は19ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例2のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。実施例3純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末2wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を98wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は94となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、9個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は15ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例3のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。実施例4純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末40wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を60wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は98となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、4個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は19ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例4のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。実施例5純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末5wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を95wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は95となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用しが。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、8個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は17ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例5のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。実施例6純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末15wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を85wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は97となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、6個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は18ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例6のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。比較例1純度99.9、平均粒径90μmタンタル粉末を、焼結体の原料とした。この場合、チタンの添加は行っていないので、タンタル100wtの原料であり、本願発明の条件から外れるものである。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は91となり、実施例に比べ大きく低下した。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、11個となった。このパーティクル数は、密度低下が原因で、パーティクル数の増加になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は7ミリニュートンで、密着性に劣った。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタル膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、比較例1のタンタル膜のバリア性は良好であった。この結果を、同様に表1に示す。この表1に示すように、比較例1では、密度が低下し、絶縁膜との密着性も低下しているが、例えば実施例1と比較すると、少量でもTiを添加する場合には、密度が高くなり、また絶縁膜との密着性が向上することが確認できる。比較例2純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末60wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を40wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。この場合、チタンの含有量が60wtと多く、本願発明のチタン含有量を逸脱するものである。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は98となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、5個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は20ミリニュートンで、密着性は良好であった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタル膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められ、比較例2のタンタルチタン膜のバリア性は不良であった。このように、密度が向上し、耐剥離性も向上したが、過剰なチタンの添加は、本願発明の目的とするバリア性を低下させる原因となった。この結果を、同様に表1に示す。実施例7純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末15wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を85wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1350°C、保持時間2時間、加圧力400kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は95となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、9個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は18ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例7のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。実施例8純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末15wtと純度99.9、平均粒径90μmタンタル粉末を85wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1600°C、保持時間2時間、加圧力200kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は98となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用し、その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定した。12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、4個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は18ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例8のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。比較例3純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末15wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を85wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1200°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は80となった。この例では、焼結温度が本願発明の条件よりも低い温度であるため、密度が十分に上がらないという結果となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用した。その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定し、12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、20個となり、実施例に比べて大幅に増加した。これは密度低下が原因と考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は15ミリニュートンで、良好であった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散は認められなかった。この結果を、同様に表1に示す。比較例4純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末15wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末を85wtの条件で混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力100kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして1wtTiを含有し、残部がTaからなる焼結体を得た。この場合、前記加圧力は、本願発明の条件を満たしていない。焼結体の密度は80と大きく低下した。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用し、その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定した。12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、18個となり、本願発明の実施例に比べて増加した。この原因は、密度低下が原因と考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は15ミリニュートンで、良好であった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散は認められなかった。この結果を、同様に表1に示す。実施例9純度99.9、平均粒径150μmのチタン粉末14wtと純度99.9、平均粒径90μmのタンタル粉末83wt、これに、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムの金属元素を合計3wt添加して混合し、焼結体の原料とした。次に、この原料粉末を、ホットプレス用の容器に入れ、真空雰囲気中、温度1550°C、保持時間2時間、加圧力240kgf/cm2の条件の下で、ホットプレスして焼結体を得た。焼結体の密度は95となった。この焼結体を、旋盤で直径165.1mm、厚さ6.35mmの形状となるように、切削加工してターゲットを製作した。このターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ装置でスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧0.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、3.5インチ径のSiO2絶縁膜が形成された基板上へ、目標膜厚1000Åとなるようにスパッタした。スパッタリング終了後、各SiO2絶縁膜が形成された基板上に形成されたタンタルチタン膜中のパーティクル等の個数を測定した。斯かるパーティクル等の個数の測定には、レーザー式パーティクルカウンターを使用し、その際、パーティクル個数として外径0.3μm以上のパーティクル等の個数を測定した。12枚のSiO2絶縁膜が形成された基板上のパーティクルの1枚当たりの平均個数をパーティクル数とした。この結果、パーティクル数は、9個となった。このパーティクル数は、密度向上が原因で、パーティクル数の減少になったと考えられる。スパッタリング膜の密着性次に、基板に付着した膜の密着性の評価を評価した。剥離強度は、実施例1と同様に、スクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラスウエハが露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。この結果、剥離荷重は18ミリニュートンで、良好な結果となった。バリア性の試験とその結果次に、上記スパッタリング焼結体ターゲットを用いて、SiO2絶縁膜が形成された基板上へタンタルチタン膜を作製し、その上に銅をスパッタで成膜し、400°C×30分間の真空アニール処理後のバリア性を、AESデプスプロファイル測定により確認した。この結果、銅へのシリコンの拡散が認められず、実施例9のタンタルチタン膜のバリア性が良好であることが確認できた。また、タンタルチタン膜上に無電解めっき法による銅膜の形成を試みた。まず、基板上に、タンタルチタン膜を形成するに際して、3インチRFスパッタ装置ANELVA製SPF-332HSを使用した。チャンバー内をクライオポンプで5×10-5Paとした後、ある一定比率の窒素アルゴン混合ガスを全圧0.8Paとなるまで導入し、50Wの出力でプラズマを発生させ、15分間のプレスパッタ後、本成膜を実施した。次に、無電解めっきによる銅の成膜は、以下の組成のめっき液を用いて、pH12.5、60°C×3~5分の条件で実施した。めっき時の銅膜とタンタルチタン膜の、界面の酸化状態の確認をAESデプスプロファイル測定により確認した。無電解めっき液とめっき条件硫酸銅:0.02mol/Lエチレンジアミン四酢酸塩:0.21mol/Lグリオキシル酸:0.1mol/L2,2‘-ビピリジル:20mg/LポリエチレンイミンMw10,000:200mg/LpH12.5水酸化カリウムこの結果、めっき膜界面の耐酸化性が良好であることが確認できた。この結果を、同様に表1に示す。なお、本実施例9では、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムの金属元素を合計3wt添加して混合し、焼結体の原料とする例を示したが、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した1成分以上の金属元素を、1~15wtの範囲で添加した場合も、同様の結果が得られた。"