上基板、下基板、複数の画素ユニット及び複数の薄膜トランジスタを有する液晶モジュールと、可視光光源及び赤外線光源を有するバックライトモジュールと、駆動及び検出モジュールと、前記いずれかの基板に設置される前記各画素ユニットに配置し、前記赤外線光源から放射され、前記液晶モジュールを通過し、ユーザの指に反射して戻った赤外線を検出し、検出信号を出力することにより、指の接触位置を検出するために用いられる複数の光センサと、を備えることを特徴とする液晶表示装置。前記複数の光センサは、前記液晶モジュールの下基板の内表面上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記複数の光センサは、前記液晶モジュールの上基板の内表面上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記各薄膜トランジスタは、前記各画素ユニットの角部に配置され、前記各光センサは、前記画素ユニットの前記薄膜トランジスタが配置されていない他の角部に配置されることを特徴とする請求項2又は3に記載の液晶表示装置。前記バックライトモジュール中の可視光光源及び赤外線光源は、冷陰極管CCFLであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記バックライトモジュール中の可視光光源は、白色発光ダイオードであり、赤外線光源は、赤外線発光ダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記赤外線光源が放射する赤外線の波長は、650nm~1100nmを含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記各光センサは、波長が650nm~1100nmの光線を検出可能なダイオードから構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記各光センサは、薄膜トランジスタから構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記薄膜トランジスタは、ゲート極及びソース極に順バイアスが印加されることにより、光検出操作を行うことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。本発明の目的は、各画素ユニット上にそれぞれ配置される複数の光センサを含み、光センサが、光源から放射され、液晶モジュールを通過し、ユーザの指に反射して戻った赤外線を検出し、検出信号を出力することにより、指の接触位置を検出する液晶表示装置を提供することにある。本発明の液晶表示装置は、液晶モジュール、バックライトモジュール、駆動及び検出モジュール及び複数の光センサを含む。液晶モジュールは、上基板、下基板、複数の画素ユニット及び複数の薄膜トランジスタを含む。バックライトモジュールは、可視光光源及び赤外線光源を含む。各光センサは、基板上の各画素ユニットにそれぞれ配置される。光センサが、赤外線光源から放射され、液晶モジュールを通過し、ユーザの指に反射して戻った赤外線を検出し、検出信号を出力することにより、指の接触位置を検出する。本発明の光学式タッチパネル付き液晶表示装置は、半導体集積回路の製造方法を利用することにより、液晶モジュール上に光センサ素子を一体に形成するものである。また、バックライト光源が放射する赤外線を位置検出用光源とする。これにより、パネルの体積及び重量を低減させることができる。また、製造工程の難度及び製造コストを低減させることができる上、光学式タッチパネルの性能を高めることができる。本発明の液晶表示装置の各実施態様を図面、グラフを参照して説明する。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。本発明の第1実施形態による液晶表示装置は、液晶モジュール110、バックライトモジュール120及び駆動及び検出モジュール130を含む。液晶モジュール110は、上偏光板111、上ガラス基板112、液晶113、下ガラス基板114、下偏光板115、カラーフィルタ116、光センサ117、ブラックマトリクス119、薄膜トランジスタ118、データライン131、ゲートライン132、検出ライン133などを含む。なお、本発明の請求項でいう画素ユニットとは、上記実施例での液晶113だけではなく、それを含めた付随する構成全体である画素ユニット、またはその他の画素に関するデバイスをも意味する。光センサ117は、下ガラス基板114の内表面上に液晶113の下面に接して配置される。バックライトモジュール120は、光源図示せず、導光板121及び拡散シート122を含む。駆動及び検出モジュール130は、データドライバ、ゲートドライバ、光センサドライバ、光検出器など何れも図示せずを含む。図2は、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の等価回路を示す回路図である。本発明の液晶表示装置の等価回路は、3つの薄膜トランジスタ118、1つの光センサ117、データライン131、ゲートライン132、検出ライン133などを含む。光センサ117は、画素ユニットの左下角平面図上に配置される。図3は、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の一部部材を示す平面図であり、光センサ117とブラックマトリクス119との間の相対位置を示す。第2実施形態図4は、本発明の第2実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。本発明の第2実施形態による液晶表示装置は、等価回路、一部部材などを含む。本発明の第2実施形態による液晶表示装置は、光センサ217が画素ユニットの左上角平面図上に配置される図5及び図6を参照点が第1実施形態と異なり、他の構成は第1実施態様と同じであるので説明は省略する。第3実施形態図7は、本発明の第3実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。本発明の第3実施形態による液晶表示装置は、光センサ317が上ガラス基板112の内表面上に配置される点が第1実施形態及び第2実施形態と異なり、他の構成は第1実施態様と同じあるので説明は省略する。光センサ317は、画素領域の左下角又は左上角平面図上に配置される。本発明の液晶表示装置においては、バックライトモジュールが放射する赤外線が液晶モジュール偏光板を通過した後、ユーザの指に反射して戻り、各画素ユニット上に配置された光センサによって検出される。ここで、光センサの材料は、シリコン又はアモルファスシリコンであるため、シリコン及びアモルファスシリコンの光吸収スペクトル、ヒトの皮膚の光反射スペクトル及び偏光板の光透過率を理解する必要がある。図8は、シリコン及びアモルファスシリコンの各波長300nm~1100nmの光線に対する吸収率を示す曲線図である。図8から分かるように、シリコン及びアモルファスシリコンは、波長が長いほど、吸収率が少ない。シリコン及びアモルファスシリコンは、約800nmの光線に対し、何れも、約40の吸収率を有する。800nm未満の光線に対しては、アモルファスシリコンの吸収率は、シリコンより高い。光線の波長が800nmを超える場合、アモルファスシリコンの吸収率は、急激に0になる。即ち、アモルファスシリコンは、800nmを超える1100nm未満光線を完全に通過させる。また、多結晶シリコンは、800nmを超える1100nm未満光線に対し、40以下の吸収率しか有さない。図9は、ヒトの皮膚の各種波長300nm~1100nmの光線に対する反射率を示す曲線図である。図9から分かるように、ヒトの皮膚は、約700nmの光線に対して最大の反射率を有する90を超える。約800nmの光線に対しては、約65の反射率を有する。約900nmの光線に対しては、約40の反射率を有する。約1000nmの光線に対しては、約15の反射率を有する。図10は、3種類の偏光板650nm、700nm及び800nmの各種波長300nm~1100nmの光線に対する透過率を示す曲線図である。図10から分かるように、650nm、700nm及び800nmの偏光板は、それぞれ、650nm未満、700nm未満及び800nm未満の光線しか遮蔽できない。また、650nm、700nm及び800nmを超える光線に対しては、それぞれ、約85の透過率を有する。即ち、偏光板は、短波長の光線を有効に遮蔽することができるが、長波長の光線に対しては、約15しか遮蔽できない。シリコン及びアモルファスシリコンの光吸収スペクトルと、ヒトの皮膚の光反射スペクトルと、偏光板の光透過率とを総合することにより、本発明の液晶表示装置に適用される赤外線の波長範囲を理解することができる。図11及び図12は、図8、図9及び図10に示す効果を総合したものである。図11から、各種波長300nm~1100nmの光線が偏光板を通過し、ヒトの皮膚に反射した後、アモルファスシリコンに吸収される効率が分かる。図11から分かるように、650nmの偏光板の反応範囲は、650nm~820nmの間であり、最大効率約30は、750nmの光線部分に発生する。700nmの偏光板の反応範囲は、700nm~820nmの間であり、最大効率約8は、800nmの光線部分に発生する。800nmの偏光板の場合、各種波長の光線に対する吸収効率は0である。また、図12から、各種波長300nm~1100nmの光線が偏光板を通過し、ヒトの皮膚に反射した後、シリコンに吸収される効率が分かる。図12から分かるように、650nmの偏光板の反応範囲は、650nm~1100nmの間であり、最大効率約25は、750nmの光線部分に発生する。700nmの偏光板の反応範囲は、700nm~1100nmの間であり、最大効率約12は、850nmの光線部分に発生する。800nmの偏光板の場合、800nm~1100nmの光線に対する吸収効率は0ではない。また、最大効率約7は、900nmの光線部分に発生する。図13は、各種波長300nm~1100nmの光線がオン/オフ状態の薄膜トランジスタ液晶表示装置TFT-LCDを透過する強度を示す図である。TFT-LCDのバックライト光源は、冷陰極管CCFLである。図13の下方の曲線は、TFT-LCDをオフにしたときの各種波長の透過強度を示す図である。図13の下方の図から分かるように、可視光波長約400nm~700nmは、偏光板に完全に遮蔽されるが、赤外線部分約800nm~900nmは、透過することができる。図13の上方の曲線は、TFT-LCDをオンにしたときの各種波長の透過強度を示す図である。図13の上方の図から分かるように、可視光及び赤外線約800nm~900nmは何れも透過することができる。2つの透過曲線の比較から、バックライトモジュールから放射される赤外線約800nm~900nmは、TFT-LCDがオンの状態でも、オフの状態でも、TFT-LCDを透過することが分かる。本発明の光学式タッチパネル付き液晶表示装置は、この効果を利用して製造される。図1及び図7を参照する。ユーザの手が本発明の液晶表示装置に接触したとき、指の下方に位置する光センサが指の皮膚から反射した光線650nm~1100nmを受信して反応する。また、液晶表示装置の他の光センサは、指の皮膚から反射した光線を受信しないため、反応しない。次に、読取回路がこれらの光センサの反応を検出することにより、指の接触位置が検出され、液晶表示装置のタッチ操作が行われる。本発明の光学式タッチパネル付き液晶表示装置のバックライトモジュール内の光源は、冷陰極管CCFLである。CCFLからの光線は、可視光線及び赤外線を含む。従って、可視光は、液晶表示装置のバックライトとして用いることができ、赤外線は、タッチ検出に用いることができる。本発明の光学式タッチパネル付き液晶表示装置のバックライトモジュール内の光源は、白色発光ダイオードLED及び赤外線発光ダイオードLEDでもよい。白色LEDの光線は、液晶表示装置のバックライトとして用いることができ、赤外線LEDの光線は、タッチ検出に用いることができる。本発明の光学式タッチパネル付き液晶表示装置内の光センサは、P-Nダイオード又はTFTからなる。P-Nダイオードを光センサとする場合、P-Nダイオードには、予め、逆バイアスを印加する必要がある。逆バイアスが印加されたP-Nダイオードに指の皮膚から反射された赤外線が照射されたとき、逆電流が発生する。この逆電流を読み取ることにより、指の接触位置を検出することができる。TFTを光センサとして用いる場合、TFTは、順方向バイアスダイオードとして使用される。上述した説明から分かるように、本発明の液晶表示装置は、液晶モジュール、バックライトモジュール、駆動及び検出モジュールなどを含む。また、複数の光センサが下ガラス基板の内表面又は上ガラス基板の内表面に配置される。バックライト光源から透過率の高い長波長650nm~1100nmの光線が放射され、光センサがユーザの指の皮膚に反射して戻った光線を検出することによって指の接触位置を検出する。また、光センサが液晶モジュール内部に配置されている上、バックライト光源以外の赤外線光源を増設する必要がないため、液晶表示装置の体積及び重量を低減させることができる上、液晶表示装置の製造コストを低減させることができる。上述の複数の実施形態は、本発明を詳細に説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。また、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって画定されるが、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、各種の変更及び修飾を行うことができる。