"ガラス基板の表面に凹部または貫通孔を形成するためのエッチング方法であって、ガラス基板の表面にシリコン基板を接合する工程と、前記ガラス基板上で前記シリコン基板からなるシリコンマスクを、前記シリコン基板の上に形成したレジストパターンをマスクとする前記シリコン基板のエッチング処理によって形成する工程と、前記シリコンマスクを介して前記ガラス基板を、基板バイアス電力を400W~800Wとし、CF系ガスでドライエッチングする工程と、前記シリコンマスクを前記ガラス基板から除去する工程とを有することを特徴とするガラス基板のエッチング方法。前記ガラス基板のエッチングを、磁気中性線放電エッチング装置を用いて行うことを特徴とする請求項1に記載のガラス基板のエッチング方法。前記ガラス基板は、石英、希土類をドープしたガラス系材料、低膨張結晶化ガラス、珪酸ソーダガラス、硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、白板ガラス、青板ガラスのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板のエッチング方法。前記ガラス基板と前記シリコン基板との接合を陽極接合、常温接合または樹脂接合によって行うことを特徴とする請求項1に記載のガラス基板のエッチング方法。前記シリコンマスクの形成をドライエッチングまたはウェットエッチングで行うことを特徴とする請求項1に記載のガラス基板のエッチング方法。図8に示した従来のガラス基板のエッチング方法においては、マスクにシリコン基板を用い、エッチングガスにCF系ガスを用いることで、エッチング時の対マスク選択比を高くでき、これによりガラス基板の深掘り加工を実現することが可能となる。しかしながら、図8に示したガラス基板のエッチング方法においては、マスクを構成するシリコン基板1の形状加工工程が非常に複雑であるという問題がある。また、形状加工がなされ薄厚化したシリコン基板1はハンドリング性が悪いため、このシリコン基板1をガラス基板6に接合する作業を容易に行えないという懸念もある。本発明は上述の問題に鑑みてなされ、シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに作業性の向上を図ることができるガラス基板のエッチング方法を提供することを課題とする。以上の課題を解決するに当たり、本発明のガラス基板のエッチング方法は、ガラス基板の表面にシリコン基板を接合する工程と、上記ガラス基板上で上記シリコン基板からなるシリコンマスクを、上記シリコン基板の上に形成したレジストパターンをマスクとする上記シリコン基板のエッチング処理によって形成する工程と、上記シリコンマスクを介して上記ガラス基板を、基板バイアス電力を400W~800Wとし、CF系ガスでドライエッチングする工程と、上記シリコンマスクを上記ガラス基板から除去する工程とを有する。本発明においては、マスクとなるシリコン基板を予めガラス基板の表面に接合しておき、ガラス基板でシリコン基板を支持した状態で、シリコンマスクの形状加工を行うようにしている。これにより、ガラス基板に対するシリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。本発明において、ガラス基板のエッチングはドライエッチング法で行われる。エッチングガスにCF系、CHF系を用いることによって、ガラス基板とシリコンマスクの選択性向上を図ることができる。また、SF6ガスに比べて環境負荷の低減を図ることができる。なお、エッチング装置として磁気中性線放電NLDエッチング装置を用いることにより、上記エッチングガスでのエッチングレートを、例えば1μm/min程度にまで向上させることができることが確認されている。シリコンマスクは、シリコン基板の上に形成したレジストパターンをマスクとするシリコン基板のエッチング処理によって形成することができる。シリコン基板がガラス基板の上に支持されているので、シリコンマスクの作製が容易となり、加工工数の削減と作業性の向上を図ることができる。シリコン基板のエッチングはドライエッチングでもよいし、ウェットエッチングでもよい。ガラス基板としては、石英は勿論、NdやEr等の希土類イオンをドープしたガラス系材料、Li2O-Al2O3-SiO2系等の低膨張結晶化ガラス、珪酸ソーダガラス、硼珪酸ガラス、無アルカリガラス、白板ガラス、青板ガラスが適用可能である。また、ガラス基板とシリコン基板との接合には、陽極接合、常温接合、樹脂接合などが適用可能である。陽極接合は、ガラス基板とシリコン基板とを重ね合わせ、熱と電圧を加えることにより両基板を密着固定する接合方法である。常温接合は、接合界面をイオンビームの照射等で活性化し結合手を生成することで基板間を接合する技術である。また、樹脂接合には、例えば接着性樹脂材料を用いた接合技術が含まれる。以上述べたように、本発明のガラス基板のエッチング方法によれば、ガラス基板上でシリコンマスクを作製するようにしているので、シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1A~Eは、本発明の実施形態によるガラス基板のエッチング方法を説明する要部の工程断面図である。本実施形態によるガラス基板のエッチング方法は、ガラス基板の表面にシリコン基板を接合する工程図1Aと、ガラス基板上でシリコン基板からなるシリコンマスクを形成する工程図1B,Cと、シリコンマスクを介してガラス基板をエッチングする工程図1Dと、シリコンマスクをガラス基板から除去する工程図1Eとを有する。以下、各工程の詳細について説明する。シリコン基板接合工程図1Aに示すように、まず、シリコン基板11がガラス基板12の表面に接合される。ガラス基板12は、パイレックス登録商標ガラスパイレックス登録商標は米国コーニング社の登録商標。に代表される硼珪酸ガラスが用いられている。シリコン基板11は、主面が100の方位面で切り出された単結晶基板である。本実施形態において、シリコン基板11とガラス基板12の接合には陽極接合法が採用されているが、常温接合や樹脂接合などの他の接合法を採用しても構わない。なお、シリコンとガラスは互いに同等の熱膨張係数を有しているので、特に加熱処理を伴うプロセスにおいて好適な組合せとなる。シリコン基板11は、マスクとして機能するのに十分な厚さ例えば20μm以上に形成される。当初より所定厚のシリコン基板を準備しこれをガラス基板12に接合する方法のほか、所定厚より厚めのシリコン基板をガラス基板12に接合した後、ガラス基板12をサポート材としてシリコン基板11の薄厚化処理を行い、シリコン基板を所定厚に形成する方法も適用可能である。一方、ガラス基板12の厚さは特に制限されず、仕様やプロセスに応じて適宜選択される。シリコン基板11とガラス基板12とを接合した後、この接合体の表面側および裏面側にレジスト層13,14を形成する。表面側のレジスト層13は、シリコン基板11を所定形状にパターニングするためのものである。また、裏面側のレジスト層14は、ガラス基板12に貫通孔が形成された際、このガラス基板12を支持するエッチング装置の基板ステージに内蔵されている基板冷却用のガスがガラス基板12の裏面側から漏出しないようにするためのものである。レジスト層13,14は感光性有機レジスト材が用いられる。なお、ガラス基板12に対して、貫通孔ではなく有底の凹部を形成する場合等においては、レジスト層14の形成は不要である。シリコンマスク作製工程次に、図1Bに示すように、シリコン基板11の表面に形成したレジスト層13に対して露光現像処理を施して所定形状のレジストマスク13Mを形成する工程が行われる。その後、レジストマスク13Mをエッチングマスクとするシリコン基板11のエッチング処理を施して、図1Cに示すシリコンマスク11Mを形成する。シリコン基板11のエッチング処理は、例えば、SF6ガスやHBrガスを用いたドライエッチングで行うことができる。なお、ドライエッチングに代えて、例えば、TMAHやKOH溶液を用いたウェットエッチングによって行うことも可能である。また、ガラス基板12とのエッチング選択性がとれるエッチャントを用いることで、シリコン基板11に対するエッチング処理の制御性を高めることができる。ガラス基板エッチング工程次に、図1Dに示すように、シリコンマスク11Mをエッチングマスクとするエッチング処理を施して、ガラス基板12に貫通孔15を形成する。ガラス基板12のエッチングはドライエッチングで行う。エッチングガスは、シリコンマスク11Mとの選択性がとれるエッチングガスであれば特に制限されない。すなわち、ガラス基板12に貫通孔が形成される前に、シリコンマスク11Mがエッチング除去されない程度の選択性が必要である。具体的に、本実施形態では、エッチングガスとして、C3F8ガスが用いられるが、CF4、c-C4F8等の他のCF系ガスも適用可能である。また、CHF3等のCHF系ガスも適用可能である。また、これらのCF系ガス、CHF系ガスと酸素ガスO2との混合ガスを用いてもよい。なお、ガラス基板12に貫通孔15を形成する以外に、有底の凹部孔を形成する場合には、当該凹部の形成深さが所定値に達した時点でエッチング処理を停止すればよい。最後に、ガラス基板12からシリコンマスク11Mおよびレジスト層14を除去する図1E。シリコンマスク11Mの除去は、シリコンの全面エッチバックのほか、TMAHやKOHなどのエッチング液を用いた溶解除去が適用可能である。また、レジスト層14の除去は、酸素プラズマによるアッシング処理のほか、所定の溶解液を用いた溶解除去が適用可能である。なお、作製されたガラス基板12は、その後、貫通孔15が導電めっき被着又は導体物充填などの導体化処理がなされるとともに、ガラス基板12の表面および裏面に必要な配線層が形成されることで、MEMS部品やIC部品などが実装される配線基板として構成される。以上のようにして、ガラス基板12の所定領域に対して貫通孔15が形成される。本実施形態によれば、マスクとなるシリコン基板11を予めガラス基板12の表面に接合しておき、ガラス基板12でシリコン基板11を支持した状態で、シリコンマスク11Mの作製を行うようにしている。これにより、ガラス基板12に対するシリコンマスク11Mの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。また、シリコン基板11の上に形成したレジストパターンをマスクとするシリコン基板11のエッチング処理によってシリコンマスク11Mを形成しているので、シリコンマスク11Mの作製が容易であり、作業性の向上を図ることができる。また、本実施形態によれば、ガラス基板12に貫通孔15を形成するに際して、エッチングガスにCF系あるいはCHF系のエッチングガスを用いることにより、シリコンマスク11Mとの選択性に優れ、かつ、所定のエッチングレートを維持することが可能となる。図2は、エッチングガスにC3F8ガスを用いてガラス基板パイレックス登録商標ガラスパイレックス登録商標は米国コーニング社の登録商標。をエッチングしたときの基板バイアス電力とエッチングレートとの関係を示している。エッチング装置は、図3に示す磁気中性線放電NLDエッチング装置を用いた。バイアス電力の上昇に伴って、エッチング速度が向上することがわかり、最大1μm/min程度のエッチング速度が得られる。図3はNLDエッチング装置20の概略構成図である。21は真空チャンバであり、内部にプラズマ発生部21aと基板処理部21bとを形成している。真空チャンバ21にはターボ分子ポンプTMP等の真空ポンプが接続され、真空チャンバ21の内部が所定の真空度に真空排気されている。プラズマ発生部21aを構成するベルジャ22の周囲には、第1高周波電源RF1に接続されたプラズマ発生用の高周波コイル23と、この高周波コイル23の外周側に配置された三つの磁場コイル24A,24B,24Cがそれぞれ配置されている。磁場コイル24Aと磁場コイル24Cにはそれぞれ同一方向に電流が供給され、磁場コイル24Bには他の磁場コイル24A,24Cと逆方向に電流が供給される。その結果、プラズマ発生部21aにおいて、リング状に磁気中性線25が形成され、高周波コイル23により磁気中性線25に沿って誘導電場が印加されることで、放電プラズマが形成される。一方、基板処理部21bには、被処理基板本例ではガラス基板を支持するステージ26が設置されている。このステージ26は、ブロッキングコンデンサ27を介してバイアス電源として第2高周波電源RF2に接続されている。また、ステージ26の対向電極としてプラズマ発生部21aの上部に形成される天板28には、コンデンサ29を介して第3高周波電源RF3が接続されている。エッチングガスは、天板28の近傍に設置されたガス導入部30を介してプラズマ発生部21aに導入される。エッチングガスには上述のように例えばCF系、CHF系ガスが用いられる。導入されたエッチングガスは、プラズマ発生部21aでプラズマ化し、生成されたイオンとラジカルによりステージ26上のガラス基板図示略をエッチング処理する。高周波電源RF2は、基板バイアスによりイオンをステージ26側に加速させ、ガラス基板上のラジカル生成物をスパッタ除去してエッチング性を高める。高周波電源RF3は、エッチング領域の正イオンによるチャージアップを抑制し、ガラス基板の深掘り加工を実現する。図4A,Bは、以上の構成のNLDエッチング装置20を用いてガラス基板に凹部有底孔を形成したときのSEM写真である。シリコンマスクの開口部は直径50μmの円形であり、シリコンマスクの厚さは30μmである。また、ガラス基板は硼珪酸ガラスコーニング7740商品名であり、孔の深さは80μm、底部の直径は30μmである。このときのエッチング装置の運転条件は、以下のとおりである。[エッチング条件]圧力:1Pa高周波電源RF1周波数:13.56MHz電力:2300W高周波電源RF2周波数:12.5MHz電力:500W高周波電源RF3周波数:12.5MHz電力:500W磁場コイル電流24A:30.6A24B:52A24C:30.6AエッチングガスC4F8:30sccmCHF3:20sccmO2:10sccmなお、エッチングガスにCF系ガスを用いることにより、SF6ガスに比べて、環境負荷の大幅な低減を図ることが可能となる。図5に、代表的なCF系ガスとSF6ガスの地球温暖化係数GWPを二酸化炭素CO2に対する相対値で示す。以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることはなく本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。例えば以上の実施形態では、ガラス基板12に対して貫通孔あるいは有底孔を形成する例について説明したが、これに限らず、グルーブ溝あるいはスロット状の凹部をドライエッチングでガラス基板上に形成する場合にも、本発明は適用可能である。また、以上の実施形態では、ガラス基板のドライエッチング工程にNLDエッチング装置を用いる例について説明したが、これに限らず、シリコンマスクのエッチング加工に上記NLDエッチング装置を用いることも勿論可能である。なお、エッチング装置はNLDに限らず、ICP等の他の放電形式のプラズマエッチング装置を用いてもよい。"