マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、前記画素が有する表示素子部と、前記画素が有するフォトセンサ部と、前記画素アレイが形成された基板と対向して設置されたバックライトと、を有し、前記フォトセンサ部は、前記バックライトが消灯している期間内に全ての画素で電荷の蓄積をすることを特徴とする表示装置。請求項1において、前記バックライトの消灯は、前記表示素子部が画像を保持する1フレーム期間内の一部の期間で行われることを特徴とする表示装置。マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、前記画素が有する表示素子部と、前記画素が有するフォトセンサ部と、を有し、前記フォトセンサ部は、前記表示素子部が黒画像を表示している期間内に全ての画素で電荷の蓄積をすることを特徴とする表示装置。請求項3において、前記黒画像の表示は、主たる画像の表示と交互に行われることを特徴とする表示装置。請求項1乃至4に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、前記画素が有する表示素子部と、前記画素が有するフォトセンサ部と、前記画素アレイが形成された基板と対向して設置されたバックライトと、を有し、前記バックライトを点灯させ、前記表示素子部で画像を表示させ、前記バックライトを消灯させ、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位をリセットし、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部へ電荷を蓄積し、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電荷を保持し、前記バックライトを点灯させ、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位に応じた信号を順次行毎に画素を選択して出力させることを特徴とする表示装置の駆動方法。請求項6において、前記バックライトの消灯から信号出力までの動作を前記表示素子が画像を保持する1フレーム期間内に行うことを特徴とする表示装置の駆動方法。マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、前記画素が有する表示素子部と、前記画素が有するフォトセンサ部と、を有し、前記表示素子部に主たる画像を表示させ、前記表示素子部に黒画像を表示させ、前記表示素子部に前記黒画像を表示させている期間中に、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位をリセットし、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部へ電荷を蓄積し、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電荷を保持し、前記フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位に応じた信号を順次行毎に画素を選択して出力させることを特徴とする表示装置の駆動方法。請求項8において、前記黒画像は、主たる画像と交互に表示されることを特徴とする表示装置の駆動方法。上記の様なフォトセンサを搭載する表示装置は、表示領域に近づいた指先やペン先などの影を認識することによりタッチパネルとして機能するが、該表示装置がバックライトを有する場合、バックライトから照射された光が指先やペン先などで反射し、その反射した光をフォトセンサが検出してしまうことがあった。外光の照度が高い場合は、指先やペン先などの影をフォトセンサに認識させることは容易であった。しかしながら、外光の照度が弱い場合は、バックライトの反射光と外光との強度の差分が十分に取れないため、フォトセンサは指先やペン先などの影を認識することができず、表示装置はタッチパネルとしての性能が十分ではない問題を有していた。従って、本明細書で開示する本発明の一態様は、上記問題を解決する表示装置または表示装置の駆動方法に関する。本明細書で開示する本発明の一態様は、バックライトの消灯中に表示領域に搭載したフォトセンサで被検出物の影を認識させる表示装置に関する。本明細書で開示する本発明の一態様は、マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、画素が有する表示素子部と、画素が有するフォトセンサ部と、画素アレイが形成された基板と対向して設置されたバックライトと、を有し、フォトセンサ部は、バックライトが消灯している期間内に全ての画素で電荷の蓄積をすることを特徴とする表示装置である。バックライトの消灯時にフォトセンサ部の電荷蓄積動作を行い、他の期間には電荷蓄積動作は行わない。従って、被検出物によるバックライトの反射光をフォトセンサが検出することはなく、外光によって生じる被検出物の影を精度良く認識させることができる。ここで、バックライトを消灯する期間は、表示素子部が画像を保持する1フレーム期間内の一部の期間である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、画素が有する表示素子部と、画素が有するフォトセンサ部と、を有し、フォトセンサ部は、表示素子部が黒画像を表示している期間内に全ての画素で電荷の蓄積をすることを特徴とする表示装置である。ここで、黒画像の表示は、主たる画像の表示と交互に行われる。なお、主たる画像とは、該表示装置の使用者が意図的に表示させる画像である。例えば、テレビ番組の画像や記録メディアに記録された画像のことを言う。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、画素が有する表示素子部と、画素が有するフォトセンサ部と、画素アレイが形成された基板と対向して設置されたバックライトと、を有し、バックライトを点灯させ、表示素子部で画像を表示させ、バックライトを消灯させ、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位をリセットする動作を行い、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部へ電荷を蓄積する動作を行い、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電荷を保持する動作を行い、バックライトを点灯させ、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位に応じた信号を順次行毎に画素を選択して出力させることを特徴とする表示装置の駆動方法である。ここで、バックライトの消灯から信号出力までの動作を表示素子が画像を保持する1フレーム期間内に行うことで、全てのフレーム期間でフォトセンサの蓄積動作を行うことができる。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、マトリクス状に設置された複数の画素を有する画素アレイと、画素が有する表示素子部と、画素が有するフォトセンサ部と、を有し、表示素子部に画像を表示させ、表示素子部に黒画像を表示させ、表示素子部に黒画像を表示させている期間中に、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位をリセットする動作を行い、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部へ電荷を蓄積する動作を行い、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電荷を保持する動作を行い、フォトセンサ部の信号電荷蓄積部の電位に応じた信号を順次行毎に画素を選択して出力させることを特徴とする表示装置の駆動方法である。ここで、表示素子部における黒画像の表示は、主たる画像の表示と交互に行われる。また、バックライトの消灯を含め、1フレーム期間またはそれ以下の期間において黒画像を表示することで、動画像の残像を低減させる効果を表示装置に付与させることもできる。本発明の一態様により、被検出物で反射したバックライトの光をフォトセンサ部が検出することが無くなり、外光によって生じる影を精度良く認識させることができる。従って、認識性能が良好なタッチパネルを提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様のバックライトを用いた透過型液晶表示装置について、図面を参照して説明する。図1にその構成の一例を示す。表示装置100は、画素アレイ101、表示素子制御回路102及びフォトセンサ制御回路103を有する。画素アレイ101は、マトリクス状に配置された複数の画素104を有する。各々の画素104には、表示素子部105、フォトセンサ部106を有する例を示してある。フォトセンサ部106は、撮像を目的とするために設けられるが、全ての画素に設ける必要はなく、目的に合わせて該フォトセンサ部を形成すればよい。図1に示す表示素子制御回路102は、表示素子部105を制御するための回路であり、ソース信号線ビデオデータ信号線などを介して表示素子部105に信号を入力する表示素子駆動回路107と、ゲート信号線走査線を介して表示素子部105に信号を入力する表示素子駆動回路108を有する。例えば、表示素子駆動回路108は、特定の行に配置された画素が有する表示素子を選択する機能を有する。また、表示素子駆動回路107は、選択された行の画素が有する表示素子に任意の電位を与える機能を有する。なお、表示素子駆動回路108によりゲート信号線に高電位を印加された表示素子では、トランジスタがオンし、表示素子駆動回路107によりソース信号線に与えられる電位が供給される。フォトセンサ制御回路103は、フォトセンサ部106を制御するための回路であり、フォトセンサ出力信号線以下、出力信号線と言う及びフォトセンサ基準信号線以下基準信号線と言う等の信号線側のフォトセンサ読み出し回路109と、リセット信号線及び行を選択するゲート信号線以下、選択信号線と言う等の走査線側のフォトセンサ駆動回路110を有する。フォトセンサ駆動回路110は、特定の行に配置された画素が有するフォトセンサ部106に対して、後述するリセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有する。また、フォトセンサ読み出し回路109は、選択された行の画素が有する該フォトセンサ部の出力信号を取り出す機能を有する。なお、フォトセンサ読み出し回路109は、アナログ信号であるフォトセンサ部の出力をOPアンプを用いてアナログ信号のまま外部に取り出す構成や、A/D変換回路を用いてデジタル信号に変換してから外部に取り出す構成を含むことができる。画素104の回路図について、図2を用いて説明する。なお、本実施の形態において説明する各トランジスタ及び各配線の名称は、便宜的に名付けたものであり、それぞれを説明する機能を有していれば名称は問わない。まず、表示素子部105について説明する。トランジスタ201は、ゲートがゲート信号線215に、ソース又はドレインの一方がソース信号線216に、ソース又はドレインの他方が保持容量202の一方の電極と液晶素子203の一方の電極に、それぞれ電気的に接続されている。保持容量202の他方の電極と液晶素子203の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子203は、一対の電極の間に液晶層を含む素子である。トランジスタ201は、保持容量202への電荷の注入もしくは排出を制御する機能を有する。例えば、ゲート信号線215に高電位が印加されると、ソース信号線216の電位を保持容量202と液晶素子203に印加する。保持容量202は、液晶素子203に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有する。画像表示は、液晶素子203に電圧を印加することで偏光方向が変化する現象を利用し、液晶素子203を透過する光の明暗階調を作ることで実現される。トランジスタ201は、非晶質シリコン、微結晶シリコン、または多結晶シリコンなどの半導体層を用いて形成することも可能であるが、酸化物半導体を用いて形成することが好ましい。酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めてオフ電流の低い特性を示し、電荷保持機能を高めることができる。次に、フォトセンサ部106について説明する。フォトダイオード204は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ207は、信号電荷蓄積部210FDの電位に応じた信号を出力する動作を行う。電荷蓄積制御トランジスタ205は、フォトダイオード204による信号電荷蓄積部210への電荷蓄積を制御する。リセットトランジスタ206は、信号電荷蓄積部210の電位の初期化を制御する。選択トランジスタ208は、読み出し時に画素の選択を制御する。信号電荷蓄積部210は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード204が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。電荷蓄積制御信号線213は、電荷蓄積制御トランジスタ205を制御する信号線である。リセット信号線214は、リセットトランジスタ206を制御する信号線である。選択信号線209は、選択トランジスタ208を制御する信号線である。出力信号線211は、増幅トランジスタ207が生成した信号の出力先となる信号線である。電源供給線230は、電源電圧を供給する信号線であり、基準信号線212は、基準電位を設定する信号線である。電荷蓄積制御トランジスタ205のゲートは、電荷蓄積制御信号線213に接続され、ソースまたはドレインの一方は、フォトダイオード204のカソードに接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部210に接続される。また、フォトダイオード204のアノードは、基準信号線212に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部210と基準信号線212の間に接続してもよい。なお、実質的な信号電荷蓄積部は、トランジスタのソース領域またはドレイン領域近傍の空乏層容量や、増幅トランジスタのゲート容量などであるが、本明細書では、信号電荷蓄積部を便宜的に回路図上の一部分として表記している。従って、配置の説明は回路図に従うものとする。増幅トランジスタ207のゲートは、信号電荷蓄積部210に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線230に接続され、ソースまたはドレインの他方は、選択トランジスタ208のソースまたはドレインの一方に接続される。リセットトランジスタ206のゲートは、リセット信号線214に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線230に接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部210に接続される。選択トランジスタ208のゲートは、選択信号線209に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線211に接続される。次に、フォトセンサ部106の各素子の構成について説明する。フォトダイオード204には、シリコン半導体でpn型やpin型の接合を形成したものを用いることができる。ここでは、i型半導体層を非晶質シリコンで形成したpin型フォトダイオードを用いる。非晶質シリコンは可視光、線の波長領域に光吸収特性を持つため、赤外線カットフィルタを設ける必要が無いなど、低コストで形成することができる。一方で、結晶性シリコンは、可視光線の波長領域に加え、赤外線の波長領域にも光吸収特性を持つため、pin型フォトダイオードのi型半導体層に結晶性シリコンを用い、赤外線透過フィルタと組み合わせれば赤外線のみを検出することができる。電荷蓄積制御トランジスタ205、リセットトランジスタ206、増幅トランジスタ207、及び選択トランジスタ208は、シリコン半導体を用いて形成することも可能であるが、酸化物半導体を用いて形成することが好ましい。酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めてオフ電流の低い特性を示す特徴を有している。特に、信号電荷蓄積部210と接続されている電荷蓄積制御トランジスタ205及びリセットトランジスタ206のリーク電流が大きいと、信号電荷蓄積部210で電荷が保持できる時間が十分でなくなるため、少なくとも該トランジスタは、酸化物半導体を用いて形成すると良い。該トランジスタに酸化物半導体を用いたトランジスタを使用することで、トランジスタを介した不要な電荷の流出を防止することができる。酸化物半導体には、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Zn、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一つ、または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。酸化物半導体を用いてトランジスタを形成することで、オフ電流を極めて低くすることができる。次に、フォトセンサ読み出し回路109に含まれるプリチャージ回路について説明する。図2において、画素1列分のプリチャージ回路300は、トランジスタ301、保持容量302、プリチャージ信号線303から構成される。ここで、トランジスタ301にはp-ch型を用いる。なお、プリチャージ回路300の後段に、OPアンプやA/D変換回路を接続することができる。プリチャージ回路300では、画素内におけるフォトセンサ部の動作に先立ち、出力信号線211の電位を基準電位に設定する。図2の構成では、プリチャージ信号線303をローレベルとし、トランジスタ301をオンすることで、出力信号線211を基準電位ここでは高電位とするに設定することができる。また、出力信号線211の電位を安定させるために、出力信号線211に保持容量302を設ける。ただし、保持容量302は、出力信号線211の寄生容量が大きい場合には設けなくても良い。なお、該基準電位は、低電位とする構成としても良い。この場合、トランジスタ301にn-ch型トランジスタを用いて、プリチャージ信号線303をハイレベルとすることで、出力信号線211を低電位に設定することができる。次に、本実施の形態における表示装置に設けられたフォトセンサの読み出し動作について、図3A、Bのタイミングチャートを用いて説明する。図3A、Bでは、電荷蓄積制御信号線213の電位513、リセット信号線214の電位514、選択信号線209の電位509、信号電荷蓄積部210の電位510、出力信号線211の電位511、プリチャージ信号線303の電位503を上から順に記している。まず、図3Aの動作モードについて説明する。時刻231において電荷蓄積制御信号線213の電位513をハイレベルとし、次に時刻232にリセット信号線214の電位514をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部210の電位510は、電源供給線230の電位に初期化され、リセット電位となる。以上がリセット動作の開始である。また、プリチャージ信号線303の電位503をローレベルとすると、出力信号線211の電位511はハイレベルにプリチャージされる。時刻233にリセット信号線214の電位514をローレベルとし、リセット動作を終了させる。このとき、信号電荷蓄積部210の電位510は保持され、フォトダイオード204に逆バイアスの電圧がかかる状態になる。この段階が蓄積動作の開始となる。そして、フォトダイオード204に光の量に応じた逆方向電流が流れ、信号電荷蓄積部210の電位510が変化する。次に、プリチャージ信号線303の電位503をハイレベルとし、出力信号線211のプリチャージを終了させる。このプリチャージ終了のタイミングは、選択トランジスタ208がオンする前であればいつでも良い。時刻234に電荷蓄積制御信号線の電位513をローレベルにすると、信号電荷蓄積部210からフォトダイオード204への電荷の移動が止まり、蓄積動作が終了する。そして、信号電荷蓄積部210の電位510は、一定値に保持される。時刻235に選択信号線の電位509をハイレベルにすると選択動作が開始され、信号電荷蓄積部の電位510に応じて出力信号線の電位511が変化する。時刻236に選択信号線209の電位509をローレベルにすると、出力信号線211の電位511が一定値となる。この段階で選択動作が終了し、読み出しが終了する。以降は、時刻231の動作に戻り、同じ動作を繰り返すことで撮像画像を生成することができる。次に、図3Bの動作モードについて説明する。時刻231において電荷蓄積制御信号線213の電位513をハイレベルとし、時刻232にリセット信号線214の電位514をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部210の電位510及びフォトダイオード204のカソードの電位は、電源供給線230の電位に初期化され、リセット電位となる。以上がリセット動作の開始である。また、プリチャージ信号線303の電位503をローレベルとすると、出力信号線211の電位511はハイレベルにプリチャージされる。時刻237において電荷蓄積制御信号線213の電位513をローレベルとし、続いて時刻238にリセット信号線214の電位514をローレベルとしてリセット動作を終了させると、逆バイアスのかかった状態のフォトダイオード204に光の量に応じた逆方向電流が流れ、フォトダイオード204のカソードの電位が変化する。時刻233に再び電荷蓄積制御信号線213の電位513をハイレベルとすると、信号電荷蓄積部210の電位510とフォトダイオード204のカソードとの電位差により電流が流れ、信号電荷蓄積部210の電位510が変化する。以降は、図3Aの動作モードと同じである。以上のリセット動作、累積動作、及び選択動作を画素マトリクスの行毎に順次繰り返して各画素からの出力を読み出すことで、表示パネルに接触又は接近した被検出物の撮像を行うことができる。なお、上記動作は、フォトダイオード204のカソードが電荷蓄積制御トランジスタ205のソースまたはドレインの一方に接続された場合の一例である。同様な出力信号を発生させる動作は、フォトダイオード204のアノードが電荷蓄積制御トランジスタ205のソースまたはドレインの一方に接続した構成の場合においても可能である。先に説明した動作は、信号電荷蓄積部210の電位510をハイレベルに初期化し、フォトダイオード204に光を照射することによって生じる逆方向電流で放電させ、増幅トランジスタ207を介して出力信号を決定するものである。一方、フォトダイオード204が逆に接続された場合は、信号電荷蓄積部210の電位510をローレベルに初期化し、フォトダイオード204に光を照射することによって生じる逆方向電流で充電させ、増幅トランジスタ207を介して出力信号を決定することができる。全画素の蓄積動作と読み出し動作の方式は、ローリングシャッタ方式とグローバルシャッタ方式の二つが知られている。本発明の一態様では、ローリングシャッタを用いることもできるが、グローバルシャッタ方式を用いることが好ましい。グローバルシャッタ方式は、全画素で略同時に蓄積動作が行えるため、特に動きの速い被写体に対して歪みの無い撮像を行うことができる。タッチパネルにおいても、被検出物は動きのあるものであり、表示領域内での正確な位置情報を取得するには、グローバルシャッタ方式を用いることが適している。ただし、本実施の形態で説明するフォトセンサを搭載した表示装置は、画素の信号を行毎に順次読み出すCMOSセンサ型の方式であるため、グローバルシャッタ方式を用いると蓄積動作が終了してから選択動作が開始されるまでの期間が画素によって異なってしまう。電荷の保持時間が長くなると、電荷の流出による信号の劣化が起こり、正常な撮像が行えなくなる場合がある。しかしながら、本発明の一態様では、電荷を蓄積する信号電荷蓄積部と接続されるトランジスタに、酸化物半導体を用いたトランジスタを使用するため、電荷の流出を極力抑えることができる。先に説明した様に、酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めて低いオフ電流を示すため、フォトダイオードに照射される光の量に関係なく不要な電荷の流出を防止することができる。従って、グローバルシャッタ方式を用いることが容易となる。さて、本発明の一態様における表示装置は、バックライトを用いた透過型液晶表示装置である。そのため、被検出物で反射したバックライトの光がフォトセンサに検出され、被検出物の影が認識されないことがある。この問題を解決するために、本発明の一態様では、バックライトを消灯して、その消灯期間にフォトセンサの蓄積動作を行う。この駆動方法により、被検出物で反射したバックライトの光をフォトセンサが検出することはなく、タッチパネルの誤認識を防止することができる。ここで、バックライトの消灯は、表示装置としての性能を低下させないように極短時間であることが好ましく、表示素子部が画像を保持する1フレーム期間内の一部の期間で行う。この極短時間でフォトセンサの蓄積動作を行うには、上述したグローバルシャッタ方式がより好ましい。なお、ローリングシャッタ方式を用いることもできるが、バックライトの消灯期間が長くならない様に撮像を高速に行う必要がある。また、このバックライトの消灯は、表示装置の表示特性を改善する効果を付与することができる。液晶表示装置は、動画表示において残像が生じる問題がある。液晶表示装置の動画特性を改善する1つの手段として、全面黒表示を1フレーム置きまたは、1フレーム期間内の一部の時間にて行う、所謂黒挿入と呼ばれる駆動技術が知られている。液晶素子は、駆動方法がホールド型であり、1フレーム期間中は同じ画像を保持している。そのため、次のフレームに切り替わる直前まで同じ画像を見続けることになり、人間の目は、残像を感じてしまうのである。この残像を解消する方法の1つが、黒画像を挿入して残像をリセットする黒挿入技術である。この黒挿入の具体的な方法の1つとして、バックライトを消灯する方法がある。従って、本発明の一態様ではタッチパネルの誤認識を防止するだけでなく、動画の表示特性を向上させることもできる。一方で、黒画像を1フレーム期間分表示させる方法を用いて、その期間中にフォトセンサの蓄積動作を行っても良い。この場合、バックライトの消灯はしなくても良い。黒画像の表示では、バックライトの光はほとんど液晶素子を透過しないため、そのフレーム期間においては、被検出物によるバックライトの反射光は生じない。従って、黒画像の表示を行っているフレーム期間中にフォトセンサの蓄積動作を行うことでタッチパネルの誤認識を防止することができる。なお、黒画像は、主たる画像と交互に表示させることで、前述した様に黒挿入の効果も得られるため、動画の表示特性を向上させることもできる。次に、バックライトの消灯動作を含めた図2のフォトセンサ部106を有する表示装置の撮像動作を図4のタイミングチャートを用いて説明する。なお、本撮像動作は、グローバルシャッタ方式であるが、ローリングシャッタ方式も可能である。まず、時刻4721またはそれ以前にバックライトを消灯する。そして、第1の電荷蓄積制御信号線の電位4701から第nの電荷蓄積制御信号線の電位4705を全て同時にハイレベルにすると、1行目からn行目までの画素の蓄積動作が開始する。時刻4722に第1の電荷蓄積制御信号線の電位4701から第nの電荷蓄積制御信号線の電位4705を全て同時にローレベルにすると、1行目からn行目までの画素の蓄積動作が完了する。そして、バックライトを点灯する。ここで、バックライトを消灯している期間4720は、少なくとも時刻4721から時刻4722までの期間を含んでいれば良く、次の読み出し動作の期間が含まれても良い。時刻4723に第1の選択信号線の電位4711をハイレベルにすると、1行目の画素の読み出し動作を開始する。時刻4724に第1の選択信号線の電位4711をローレベル、第2の選択信号線の電位4712をハイレベルにすると、1行目の画素の読み出し動作が完了し、2行目の画素の読み出し動作が開始する。時刻4725に第2の選択信号線の電位4712をローレベル、第3の選択信号線の電位4713をハイレベルにすると、2行目の画素の読み出し動作が完了し、3行目の画素の読み出し動作が開始する。時刻4726に第3の選択信号線をローレベルにすると、3行目の画素の読み出し動作が完了する。時刻4727に第n-1の選択信号線の電位4714をハイレベルにすると、n-1行目の画素の読み出し動作が開始する。時刻4728に第n-1の選択信号線の電位4714をローレベル、第nの選択信号線の電位4715をハイレベルにすると、n-1行目の画素の読み出し動作が完了し、n行目の画素の読み出し動作が開始する。時刻4729に第nの選択信号線の電位4715をローレベルにすると、n行目の画素の読み出し動作が完了する。以降、時刻4721の動作に戻り、同じ動作を繰り返すことで撮像精度が優れた表示装置を提供することができる。以上により、本発明の一態様では、グローバルシャッタ方式を用い、フォトセンサの蓄積動作時にバックライトを消灯させることで被検出物の検出精度を向上させることができる。また、このバックライトを消灯する方法を用いることでフォトセンサの蓄積動作は、連続する全てのフレームを対象とすることもでき、タッチパネルとしての認識精度を高めることができる。また、黒画像表示を行っているフレーム期間中にフォトセンサの蓄積動作を行うことでも被検出物の検出精度を向上させることができる。この場合の動作も図4の説明と同様であるが、バックライトの消灯は不要となる。また、この方法は、蓄積時間の長いローリングシャッタ方式を用いるには有効な手段でもある。更に、バックライトの消灯または黒画像表示の挿入は、所謂黒挿入効果を表示装置に付与することができ、動画表示性能を向上させることができる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、撮像装置の蓄積動作と読み出し動作の方式について説明する。なお、本発明の一態様における表示装置は、フォトセンサ部を有しており、撮像装置の機能を有する。撮像装置の蓄積動作と読み出し動作の方式は、ローリングシャッタ方式とグローバルシャッタ方式の二つが知られている。それぞれの違いについて、電荷蓄積制御信号線の電位と選択信号線の電位を用いて簡単に説明する。図5は、ローリングシャッタ方式を用いた場合のタイミングチャートである。まず、第1の電荷蓄積制御信号線の電位3001がハイレベルになり、蓄積期間311において1行目の画素の信号電荷蓄積部に光の量の応じた電荷が蓄積される。続いて、第1の電荷蓄積制御信号線の電位3001がローレベルになり、電荷保持期間312の後、第1の選択信号線の電位3501がハイレベルになる。期間313で蓄積電位に応じた電圧を読み出した後、第1の選択信号線の電位3501がローレベルになる。期間313において、第2の電荷蓄積制御信号線の電位3002がハイレベルになり、2行目の画素の信号電荷蓄積部に光の量の応じた電荷が蓄積される。続いて、第2の電荷蓄積制御信号線の電位3002がローレベルになり、電荷保持期間314の後、第2の選択信号線の電位3502がハイレベルになる。期間315で蓄積電位に応じた電圧を読み出した後、第2の選択信号線の電位3502がローレベルになる。同様にして、例えば最終行が480行であるとすると、第3の電荷蓄積制御信号線の電位3003から第480の電荷蓄積制御信号線の電位3480までと、第3の選択信号線の電位3503から第480の電荷蓄積制御信号線の電位3980までを順に制御して、全ての画素について読み出し動作が行われる。この様にして1フレームの読み出しが完了する。ローリングシャッタ方式は、行毎に画素の信号電荷蓄積部への電荷蓄積が行われるため、行毎に電荷蓄積のタイミングが異なる。つまり、ローリングシャッタ方式は、電荷の蓄積動作が全ての画素では同時に行われず、行毎に蓄積動作の時間差が生じてしまう方式である。ただし、蓄積動作から読み出し動作までの電荷保持期間は、全ての行で同じである。次に、図6のタイミングチャートを用いてグローバルシャッタ方式を説明する。上記の例と同様に最終行が480行であるとすると、1行目の第1の電荷蓄積制御信号線の電位4001から480行目の第480の電荷蓄積制御信号線の電位4480まで全て同時にハイレベルになり、期間401で全ての画素において電荷の蓄積動作が同時に行われる。電荷保持期間402の後、期間403において、第1の選択信号線の電位4501がハイレベルになり、1行目の画素が選択され、蓄積電位に応じた電圧が出力される。次に、選択信号線の電位4501がローレベルになり、電荷保持期間404の後、期間405において、第2の選択信号線の電位4502がハイレベルになり、2行目の画素が選択され、蓄積電位に応じた電圧が出力される。以降、行毎の読み出しが順次行われ、最終行では電荷保持期間406の後に第480の選択信号線4980がハイレベルになり、480行目の画素が選択され、蓄積電位に応じた電圧が出力される。この様に1フレームの読み出しが完了する。グローバルシャッタ方式は、全画素において信号電荷蓄積部への電荷蓄積のタイミングが同じである。ただし、電荷の蓄積動作から読み出し動作までの時間は行毎に異なり、最終行の読み出しまでの電荷保持期間406が最も長くなる。以上説明したように、グローバルシャッタ方式は全画素において電荷蓄積の動作に時間差が無いため、動きのある被写体に対して歪みの無い撮像を可能とする利点がある。しかしながら、電荷保持期間が長くなるため、ローリングシャッタ方式に比べて、電荷蓄積制御トランジスタやリセットトランジスタのオフ電流等によるリークの影響を受けやすい問題を有する。次に、ローリングシャッタ方式とグローバルシャッタ方式の撮像例について図7A乃至Cを用いて説明する。ここでは被写体の動きが速い場合の一例として、図7Aに示すような走行中の自動車を撮像する場合を考える。ローリングシャッタ方式を使用する場合、画素の電荷蓄積のタイミングが行毎に異なるため、画像の上下で撮像の同時性が崩れてしまい、図7Bに示すように歪んだ物体として画像が生成される。ローリングシャッタ方式は、特に高速に移動するものは歪みが大きくなるため、現実の状態を撮像することが困難である。一方、グローバルシャッタ方式を使用する場合は、画素の電荷蓄積のタイミングが全ての画素において同じになる。従って、瞬間的に画像全体を撮像することができるため、図7Cに示すように歪まない撮像が可能である。グローバルシャッタ方式は、高速に移動する被写体の撮像に優れた方式である。以上により、高速移動する被写体の撮像にはローリングシャッタ方式は適さず、グローバルシャッタ方式が適した方式であることがわかる。ただし、CMOSセンサ型のイメージセンサをグローバルシャッタ方式に変更するだけでは、従来のシリコン半導体を用いたトランジスタではオフ電流が大きいため正常な撮像は実現できなかった。これを解決するためには、信号電荷蓄積部と接続されるトランジスタにオフ電流が小さいトランジスタを用いることが好ましい。オフ電流が極めて小さいトランジスタには、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタなどがある。次に、撮像に関する科学計算結果を説明する。科学計算に用いた被写体は、図8Aに示す回転体となる3枚羽の画像である。この3枚羽は、羽の接続点を中心軸とし、回転することができる。この科学計算では、回転する3枚羽を撮像したときの1フレーム分の画像を取得することを目的とする。科学計算に用いたソフトは、C言語で作成した画像処理ソフトで、イメージセンサの各画素における電荷の蓄積動作及び読み出し動作のタイミングと、信号電荷蓄積部からのリーク量を行毎に計算し、画像化するものである。図8B、C、D、Eに科学計算結果を示す。なお、科学計算の条件は、次の4条件で行った。第1の条件は、図28の画素回路を持つVGAサイズのイメージセンサフォトセンサをローリングシャッタ方式で駆動させるものである。図28の画素回路構成は、電荷蓄積制御トランジスタ803、リセットトランジスタ804、増幅トランジスタ802、及び選択トランジスタ805は、シリコン半導体を用いたトランジスタで構成される。第2の条件は、図28の画素回路を持つVGAサイズのイメージセンサをグローバルシャッタ方式で駆動させるものである。回路の構成は、第1の条件と同じであり、シャッタの方式のみ異なる。第3の条件は、図29の画素回路を持つVGAサイズのイメージセンサをローリングシャッタ方式で駆動させるものである。図29の画素回路構成も図2に示すフォトセンサ部106の画素回路と基本的に同じであるが、電荷蓄積制御トランジスタ903、及びリセットトランジスタ904は酸化物半導体を用いたトランジスタで構成され、増幅トランジスタ902及び選択トランジスタ905はシリコン半導体を用いたトランジスタで構成される。第4の条件は、図29の画素回路を持つVGAサイズのイメージセンサをグローバルシャッタ方式で駆動させるものである。回路の構成は、第3の条件と同じであり、シャッタの方式のみ異なる。なお、図28および図29の画素回路でシリコン半導体を用いたトランジスタのサイズは、チャネル長L=3μm、チャネル幅W=5μm、ゲート絶縁膜厚d=20nmとした。また、酸化物半導体を用いたトランジスタのサイズは、チャネル長L=3[μm]、チャネル幅W=5μm、ゲート絶縁膜厚d=200nmとした。また、撮像周波数は60Hzとし、ここで用いたシリコン半導体を用いたトランジスタの電気特性は、Icut=10pA、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、Icut=0.1aAとした。本実施の形態におけるIcutとは、ゲート電圧を0V、ドレイン電圧を5Vとしたときにソース-ドレイン間に流れる電流値のことである。図8Aに示す3枚羽の回転運動の条件は、時計回りの640rpmとした。なお、回転数640rpmでは、ローリングシャッタ方式での蓄積動作時に3枚羽が1フレーム1/60sの間に約60°回転することになる。第1の条件シリコン半導体トランジスタのみ、ローリングシャッタ方式の場合、行毎に画素の信号電荷蓄積部に電荷を蓄積するタイミングが違うため、図8Bに示すように、画像に歪みが現れている。第2の条件シリコン半導体トランジスタのみ、グローバルシャッタ方式の場合、図8Cに示すように、電荷蓄積制御トランジスタ803及びリセットトランジスタ804のオフ電流による電荷リークの影響で階調の変化が見られる。下側の最終行に近いほど電荷保持時間が長くなるため、その変化は顕著になる。第3の条件電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタに酸化物半導体トランジスタ、ローリングシャッタ方式の場合、図8Dに示すように、第1の条件の場合と同じく画像が歪んでいる。第4の条件電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタに酸化物半導体トランジスタ、グローバルシャッタ方式の場合、図8Eに示すように、トランジスタのオフ電流による電荷リークがなく、図8の像と同様に階調が正しく表示される。図8B、C、D、Eに示す結果から、ローリングシャッタ方式では図9、図10のいずれの画素回路においても撮画像の歪みが起きてしまい、画像の歪みとオフ電流に強い相関はないことがわかる。つまり、画像の歪みを改善するためには、画素の信号電荷蓄積部に電荷を蓄積するタイミングが同じであるグローバルシャッタ方式に変更することが有効であることが示されている。しかしながら、グローバルシャッタ方式では、従来のシリコン半導体を用いたトランジスタで回路を構成すると、電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタのオフ電流による電荷の流出で階調が変化する問題点を持つことがわかる。一方、電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタに酸化物半導体を用いたトランジスタを使用すると、その非常に微小なオフ電流特性により電荷の流出が抑えられ、階調が正しく表示されていることがわかる。従って、酸化物半導体を用いたトランジスタを含んだ画素回路を有する撮像装置では、容易にグローバルシャッタ方式を採用することができることがわかる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一態様における表示装置のフォトセンサ部の回路の構成について説明する。本発明の一態様の表示装置においては、フォトセンサ部の回路に様々な構成を用いることができる。本実施の形態では、実施の形態1の図2に示すフォトセンサ部106の回路構成以外について説明する。なお、本実施の形態において説明する各トランジスタ及び各配線の名称は、便宜的に名付けたものであり、それぞれを説明する機能を有していれば名称は問わない。図9は、図2に示すフォトセンサ部106と同様の4トランジスタ型の画素回路構成である。画素回路は、フォトダイオード1601、増幅トランジスタ1602、電荷蓄積制御トランジスタ1603、リセットトランジスタ1604、選択トランジスタ1605で構成される。図9の回路構成は、選択トランジスタ1605を設ける位置が図2に示すフォトセンサ部106と異なっている。電荷蓄積制御トランジスタ1603のゲートは、電荷蓄積制御信号線1613に接続され、ソースまたはドレインの一方は、フォトダイオード1601のカソードに接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部1612に接続される。フォトダイオード1601のアノードは、基準信号線1631に接続される。増幅トランジスタ1602のゲートは、信号電荷蓄積部1612に接続され、ソースまたはドレインの一方は、選択トランジスタ1605のソースまたはドレインの一方に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線1620に接続される。リセットトランジスタ1604のゲートは、リセット信号線1614に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線1630に接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部1612に接続される。選択トランジスタ1605のゲートは選択信号線1615に接続され、ソースまたはドレインの他方は、電源供給線1630に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部1612と基準信号線1631の間に接続してもよい。次に、図9の画素回路の構成素子の機能について説明する。フォトダイオード1601は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ1602は、信号電荷蓄積部1612の電位に応じた信号を出力する動作を行う。電荷蓄積制御トランジスタ1603は、フォトダイオード1601による信号電荷蓄積部1612への電荷蓄積を制御する。リセットトランジスタ1604は、信号電荷蓄積部1612の電位の初期化を制御する。選択トランジスタ1605は、読み出し時に画素の選択を制御する。信号電荷蓄積部1612は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード1601が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。電荷蓄積制御信号線1613は、電荷蓄積制御トランジスタ1603を制御する信号線である。リセット信号線1614は、リセットトランジスタ1604を制御する信号線である。選択信号線1615は、選択トランジスタ1605を制御する信号線である。出力信号線1620は、増幅トランジスタ1602が生成した信号の出力先となる信号線である。電源供給線1630は、電源電圧を供給する信号線であり、基準信号線1631は、基準電位を設定する信号線である。この図9の画素回路の動作は、実施の形態1で説明した図2に示すフォトセンサ部106の画素回路の動作と同様である。次に、図10に示す3トランジスタ型の画素回路構成を説明する。画素回路は、フォトダイオード1701、増幅トランジスタ1702、電荷蓄積制御トランジスタ1703、リセットトランジスタ1704で構成される。電荷蓄積制御トランジスタ1703のゲートは、電荷蓄積制御信号線1713に接続され、ソースまたはドレインの一方は、フォトダイオード1701のカソードに接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部1712に接続される。フォトダイオード1701のアノードは基準信号線1731に接続される。増幅トランジスタ1702のゲートは、信号電荷蓄積部1712に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線1730に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線1720に接続される。リセットトランジスタ1704のゲートはリセット信号線1714に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線1730に接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部1712に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部1712と基準信号線1731の間に接続してもよい。次に、図10の画素回路の構成素子の機能について説明する。フォトダイオード1701は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ1702は、信号電荷蓄積部1712の電位に応じた信号を出力する動作を行う。電荷蓄積制御トランジスタ1703は、フォトダイオード1701による信号電荷蓄積部1712への電荷蓄積を制御する。リセットトランジスタ1704は、信号電荷蓄積部1712の電位の初期化を制御する。信号電荷蓄積部1712は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード1701が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。電荷蓄積制御信号線1713は、電荷蓄積制御トランジスタ1703を制御する信号線である。リセット信号線1714は、リセットトランジスタ1704を制御する信号線である。出力信号線1720は、増幅トランジスタ1702が生成した信号の出力先となる信号線である。電源供給線1730は、電源電圧を供給する信号線であり、基準信号線1731は、基準電位を設定する信号線である。図11に図10とは異なる3トランジスタ型の画素回路構成を示す。画素回路は、フォトダイオード3801、増幅トランジスタ3802、電荷蓄積制御トランジスタ3803、リセットトランジスタ3804で構成される。電荷蓄積制御トランジスタ3803のゲートは、電荷蓄積制御信号線3813に接続され、ソースまたはドレインの一方は、フォトダイオード3801のカソードに接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部3812に接続される。フォトダイオード3801のアノードは、基準信号線3831に接続される。増幅トランジスタ3802のゲートは、信号電荷蓄積部3812に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線3830に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線3820に接続される。リセットトランジスタ3804のゲートは、リセット信号線3814に接続され、ソースまたはドレインの一方は、リセット電源供給線3832に接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部3812に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部3812と基準信号線3831の間に接続してもよい。次に、図11の画素回路の構成素子の機能について説明する。フォトダイオード3801は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ3802は、信号電荷蓄積部3812の電位に応じた信号を出力する動作を行う。電荷蓄積制御トランジスタ3803は、フォトダイオード3801による信号電荷蓄積部3812への電荷蓄積を制御する。リセットトランジスタ3804は、信号電荷蓄積部3812の電位の初期化を制御する。信号電荷蓄積部3812は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード3801が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。電荷蓄積制御信号線3813は、電荷蓄積制御トランジスタ3803を制御する信号線である。リセット信号線3814は、リセットトランジスタ3804を制御する信号線である。出力信号線3820は、増幅トランジスタ3802が生成した信号の出力先となる信号線である。リセット電源供給線3832は、電源供給線3830とは異なった電源供給線であり、信号電荷蓄積部3812を電源供給線3830の電位とは異なる電位に初期化することができる。電源供給線3830は、電源電圧を供給する信号線であり、基準信号線3831は、基準電位を設定する信号線である。次に、図10と図11の画素回路の動作について図12A、Bに示すタイミングチャートを用いて説明する。なお、図10と図11は回路動作が基本的に同じであるため、ここでは図10の構成について説明する。図12A、Bでは簡易に説明するため、電荷蓄積制御信号線1713の電位3913、リセット信号線1714の電位3914は、二値変化する信号として与える。ただし、各電位はアナログ信号であるため、実際には状況に応じて二値に限らず種々の値を取り得る。まず、図12Aの動作モードについて説明する。時刻3930に電荷蓄積制御信号線1713の電位3913をハイレベルにする。次に時刻3931にリセット信号線1714の電位3914をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部1712の電位3912はリセットトランジスタ1704のソースまたはドレインの一方に接続された電源供給線1730の電位が供給される。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻3932にリセット信号線の電位3914をローレベルにすると、信号電荷蓄積部の電位3912は電源供給線1730と同じ電位を保持し、フォトダイオード1701に逆バイアスがかかる状態になる。この段階が蓄積動作の開始となる。そして、フォトダイオード1701に光の量に応じた逆方向電流が流れるため、光の量に応じて信号電荷蓄積部1712に蓄積される電荷量が変化する。同時に、信号電荷蓄積部1712の電位3912に応じて電源供給線1730から出力信号線1720へと電荷が供給される。この段階が読み出し動作の開始となる。時刻3933に電荷蓄積制御信号線1713の電位3913をローレベルにすると、信号電荷蓄積部1712からフォトダイオード1701への電荷の移動が止まり、信号電荷蓄積部1712に蓄積される電荷量が決定する。ここで、蓄積動作が終了する。そして、電源供給線1730から出力信号線1720への電荷供給が停止され、出力信号線の電位3920が決定する。ここで、読み出し動作が終了する。次に、図12Bの動作モードについて説明する。時刻3930に電荷蓄積制御信号線1713の電位3913をハイレベルにする。次に時刻3931にリセット信号線1714の電位3914をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部1712の電位3912及びフォトダイオード1701のカソードの電位は、リセットトランジスタ1704のソースまたはドレインの一方に接続された電源供給線1730の電位に初期化される。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻3934において電荷蓄積制御信号線1713の電位3913をローレベルとし、続いて時刻3935にリセット信号線1714の電位3914をローレベルとしてリセット動作を終了させると、逆バイアスのかかった状態のフォトダイオードに光の量に応じた逆方向電流が流れ、フォトダイオード1701のカソードの電位が変化する。時刻3932に再び電荷蓄積制御信号線1713の電位3913をハイレベルとすると、信号電荷蓄積部1712の電位3912とフォトダイオード1701のカソードとの電位差により電流が流れ、信号電荷蓄積部1712の電位3912が変化する。以降は、図12Aの動作モードと同じである。次に、図13に示す上記とは異なる3トランジスタ型の画素回路構成を説明する。画素回路は、フォトダイオード2001、増幅トランジスタ2002、電荷蓄積制御トランジスタ2003、リセットトランジスタ2004で構成される。フォトダイオード2001のアノードは、基準信号線2031に接続される。電荷蓄積制御トランジスタ2003のゲートは、電荷蓄積制御信号線2013に接続され、ソースまたはドレインの一方は、フォトダイオード2001のカソードに接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部2012に接続される。増幅トランジスタ2002のゲートは、信号電荷蓄積部2012に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線2030に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線2020に接続される。リセットトランジスタ2004のゲートは、リセット信号線2014に接続され、ソースまたはドレインの一方は、信号電荷蓄積部2012に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線2020に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部2012と基準信号線2031の間に接続してもよい。次に、図13の画素回路の構成素子の機能について説明する。フォトダイオード2001は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ2002は、信号電荷蓄積部2012の電位に応じた信号を出力する動作を行う。電荷蓄積制御トランジスタ2003は、フォトダイオード2001による信号電荷蓄積部2012への電荷蓄積を制御する。リセットトランジスタ2004は、信号電荷蓄積部2012の電位の初期化を制御する。信号電荷蓄積部2012は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード2001が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。電荷蓄積制御信号線2013は、電荷蓄積制御トランジスタ2003を制御する信号線である。リセット信号線2014は、リセットトランジスタ2004を制御する信号線である。出力信号線2020は、増幅トランジスタ2002が生成した信号の出力先となる信号線である。電源供給線2030は、電源電圧を供給する信号線であり、基準信号線2031は、基準電位を設定する信号線である。次に、図13の画素回路の動作について図14A、Bに示すタイミングチャートを用いて説明する。図14A、Bでは簡易に説明するため、電荷蓄積制御信号線2013の電位2113、リセット信号線2014の電位2114は、二値変化する信号として与える。ただし、各電位はアナログ信号であるため、実際には状況に応じて二値に限らず種々の値を取り得る。まず、図14Aの動作モードについて説明する。時刻2130に電荷蓄積制御信号線2013の電位2113をハイレベルにする。次に時刻2131にリセット信号線2014の電位2114をハイレベルにすると、リセットトランジスタ2004のソースまたはドレインの他方に接続された出力信号線2020の電位2120が信号電荷蓄積部2012へリセット電位として供給される。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻2132にリセット信号線の電位2114をローレベルにすると、信号電荷蓄積部2012の電位2112はリセット電位を保持し、フォトダイオード2001に逆バイアスがかかる状態になる。この段階が蓄積動作の開始となる。そして、フォトダイオード2001に光の量に応じた逆方向電流が流れるため、光の量に応じて信号電荷蓄積部2012に蓄積される電荷量が変化する。同時に、信号電荷蓄積部2012の電位2112に応じて電源供給線2030から出力信号線2020へと電荷が供給される。この段階が読み出し動作の開始となる。時刻2133に電荷蓄積制御信号線2013の電位2113をローレベルにすると、信号電荷蓄積部2012からフォトダイオード2001への電荷の移動が止まり、信号電荷蓄積部2012に蓄積される電荷量が決定する。ここで、蓄積動作が終了する。そして、電源供給線2030から出力信号線2020への電荷供給が停止され、出力信号線の電位2120が決定する。ここで、読み出し動作が終了する。次に、図14Bの動作モードについて説明する。時刻2130に電荷蓄積制御信号線2013の電位2113をハイレベルにする。次に時刻2131にリセット信号線2014の電位2114をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部2012の電位2112及びフォトダイオード2001のカソードの電位は、リセットトランジスタ2004のソースまたはドレインの他方に接続された出力信号線2020の電位2120に初期化される。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻2134において電荷蓄積制御信号線2013の電位2113をローレベルとし、続いて時刻2135にリセット信号線2014の電位2114をローレベルとしてリセット動作を終了させると、逆バイアスのかかった状態のフォトダイオードに光の量に応じた逆方向電流が流れ、フォトダイオード2001のカソードの電位が変化する。時刻2132に再び電荷蓄積制御信号線2013の電位2113をハイレベルとすると、信号電荷蓄積部2012の電位2112とフォトダイオード2001のカソードの電位との電位差により電流が流れ、信号電荷蓄積部2012の電位2112が変化する。以降は、図14Aの動作モードと同じである。次に、図15に示す上記とは異なる3トランジスタ型の画素回路構成を説明する。画素回路は、フォトダイオード2201、増幅トランジスタ2202、電荷蓄積制御トランジスタ2203、選択トランジスタ2205で構成される。フォトダイオード2201のアノードはリセット信号線2216に接続される。電荷蓄積制御トランジスタ2203のゲートは、電荷蓄積制御信号線2213に接続され、ソースまたはドレインの一方は、フォトダイオード2201のカソードに接続され、ソースまたはドレインの他方は、信号電荷蓄積部2212に接続される。増幅トランジスタ2202のゲートは、信号電荷蓄積部2212に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線2230に接続され、ソースまたはドレインの他方は、選択トランジスタ2205のソースまたはドレインの一方に接続される。選択トランジスタ2205のゲートは、選択信号線2215に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線2220に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部2212と基準信号線の間に接続してもよい。次に、図15の画素回路の構成素子の機能について説明する。フォトダイオード2201は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ2202は、信号電荷蓄積部2212の電位に応じた信号を出力する動作を行う。電荷蓄積制御トランジスタ2203は、フォトダイオード2201による信号電荷蓄積部2212への電荷蓄積を制御する。選択トランジスタ2205は、読み出し時に画素の選択を制御する。信号電荷蓄積部2212は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード2201が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。電荷蓄積制御信号線2213は、電荷蓄積制御トランジスタ2203を制御する信号線である。リセット信号線2216は、リセット電位を信号電荷蓄積部2212に供給する信号線である。出力信号線2220は、増幅トランジスタ2202が生成した信号の出力先となる信号線である。選択信号線2215は、選択トランジスタ2205を制御する信号線である。電源供給線2230は、電源電圧を供給する信号線である。次に、図15の画素回路の動作について図16A、Bに示すタイミングチャートを用いて説明する。図16A、Bでは簡易に説明するため、電荷蓄積制御信号線2213の電位2313、リセット信号線2216の電位2316、選択信号線2215の電位2315は、二値変化する信号として与える。ただし、各電位はアナログ信号であるため、実際には状況に応じて二値に限らず種々の値を取り得る。まず、図16Aの動作モードについて説明する。時刻2330に電荷蓄積制御信号線2213の電位2313をハイレベルにする。次に時刻2331にリセット信号線2216の電位2316をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部2212の電位2312及びフォトダイオード2201のカソードの電位は、リセット信号線2216の電位2316よりもフォトダイオード2201の順方向電圧分だけ低い電位に初期化される。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻2332にリセット信号線2216の電位2316をローレベルにすると、信号電荷蓄積部2212の電位2312はハイレベルを保持し、フォトダイオード2201に逆バイアスがかかる状態になる。この段階が蓄積動作の開始となる。そして、フォトダイオード2201に光の量に応じた逆方向電流が流れるため、光の量に応じて信号電荷蓄積部2212に蓄積される電荷量が変化する。時刻2333に電荷蓄積制御信号線2213の電位2313をローレベルにすると、信号電荷蓄積部2212からフォトダイオード2201への電荷の移動が止まり、信号電荷蓄積部2212に蓄積される電荷量が決定する。ここで、蓄積動作が終了する。時刻2334に選択信号線2215の電位2315をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部2212の電位2312に応じて電源供給線2230から出力信号線2220へと電荷が供給される。この段階が読み出し動作の開始となる。時刻2335に選択信号線2215の電位2315をローレベルにすると、電源供給線2230から出力信号線2220への電荷供給が停止され、出力信号線2220の電位2320が決定する。ここで、読み出し動作が終了する。次に、図16Bの動作モードについて説明する。時刻2330に電荷蓄積制御信号線の電位2313をハイレベルにする。次に時刻2331にリセット信号線の電位2316をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部の電位2312及びフォトダイオード2201のカソードの電位は、リセット信号線の電位2316よりもフォトダイオード2201の順方向電圧分だけ低いリセット電位に初期化される。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻2336において電荷蓄積制御信号線2213の電位2313をローレベルとし、続いて時刻2337にリセット信号線2216の電位2316をローレベルとしてリセット動作を終了させると、逆バイアスのかかった状態のフォトダイオードに光の量に応じた逆方向電流が流れ、フォトダイオード2201のカソードの電位が変化する。時刻2332に再び電荷蓄積制御信号線2213の電位2313をハイレベルとすると、信号電荷蓄積部2212の電位2312とフォトダイオード2201のカソードの電位との電位差により電流が流れ、信号電荷蓄積部2212の電位2312が変化する。以降は、図16Aの動作モードと同じである。次に図17に示す2トランジスタ型の画素回路構成の説明をする。画素回路は、フォトダイオード4401、増幅トランジスタ4402、選択トランジスタ4405で構成される。増幅トランジスタ4402のゲートは、信号電荷蓄積部4412に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線4430に接続され、ソースまたはドレインの他方は、選択トランジスタ4405のソースまたはドレインの一方に接続される。選択トランジスタ4405のゲートは、選択信号線4415に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線4420に接続される。フォトダイオード4401のカソードは、信号電荷蓄積部4412に接続され、アノードはリセット信号線4416に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部4412と基準信号線の間に接続してもよい。次に、図17の画素回路の構成素子の機能について説明する。フォトダイオード4401は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ4402は、信号電荷蓄積部4412の電位に応じた信号を出力する動作を行う。選択トランジスタ4405は、読み出し時に画素の選択を制御する。信号電荷蓄積部4412は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード4401が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。リセット信号線4416は、リセット電位を信号電荷蓄積部4412に供給する信号線である。出力信号線4420は、増幅トランジスタ4402が生成した信号の出力先となる信号線である。選択信号線4415は、選択トランジスタ4405を制御する信号線である。電源供給線4430は、電源電圧を供給する信号線である。次に図17の画素回路の動作について図18に示すタイミングチャートを用いて説明する。図18では簡易に説明するため、リセット信号線4416の電位3716、選択信号線4415の電位3715は、二値変化する信号として与える。ただし、各電位はアナログ信号であるため、実際には状況に応じて二値に限らず種々の値を取り得る。時刻3730にリセット信号線4416の電位3716をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部4412の電位3712は、リセット信号線4416の電位3716よりもフォトダイオード4401の順方向電圧分だけ低いリセット電位に初期化される。以上をリセット動作と呼ぶ。時刻3731にリセット信号線4416の電位3716をローレベルにすると、信号電荷蓄積部4412の電位3712はリセット電位を保持し、フォトダイオード4401に逆バイアスがかかる状態になる。この段階が蓄積動作の開始となる。そして、フォトダイオード4401に光の量に応じた逆方向電流が流れるため、光の量に応じて信号電荷蓄積部4412に蓄積される電荷量が変化する。時刻3732に選択信号線4415の電位3715をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部4412の電位3712に応じて電源供給線4430から出力信号線4420へと電荷が供給される。この段階が読み出し動作の開始となる。時刻3733に選択信号線4415の電位3715をローレベルにすると、信号電荷蓄積部4412からフォトダイオード4401への電荷の移動が止まり、信号電荷蓄積部4412に蓄積される電荷量が決定する。ここで、蓄積動作が終了する。そして、電源供給線4430から出力信号線4420への電荷供給が停止され、出力信号線の電位3720が決定する。ここで、読み出し動作が終了する。次に、図19に示す1トランジスタ型の画素回路構成を説明する。画素回路は、フォトダイオード2601、増幅トランジスタ2602、容量2606で構成される。増幅トランジスタ2602のゲートは、信号電荷蓄積部2612に接続され、ソースまたはドレインの一方は、電源供給線2630に接続され、ソースまたはドレインの他方は、出力信号線2620に接続される。フォトダイオード2601のカソードは、信号電荷蓄積部2612に接続され、アノードはリセット信号線2616に接続される。容量2606の一方の端子は、信号電荷蓄積部2612に接続され、他方の端子は選択信号線2615に接続される。ここで、電荷保持容量を信号電荷蓄積部2612と基準信号線の間に接続してもよい。次に、図19の画素回路の構成素子の機能について説明する。フォトダイオード2601は、画素に入射した光に応じた電流を生成する動作を行う。増幅トランジスタ2602は、信号電荷蓄積部2612の電位に応じた信号を出力する動作を行う。信号電荷蓄積部2612は、電荷保持ノードであり、フォトダイオード2601が受ける光の量に応じて変化する電荷を保持する。なお、選択信号線2615は、信号電荷蓄積部2612の電位を容量結合により制御する。リセット信号線2616は、リセット電位を信号電荷蓄積部2612に供給する信号線である。出力信号線2620は、増幅トランジスタ2602が生成した信号の出力先となる信号線である。選択信号線2615は、容量2606を制御する信号線である。電源供給線2630は、電源電圧を供給する信号線である。次に図19の画素回路の動作について図20に示すタイミングチャートを用いて説明する。図20では簡易に説明するため、リセット信号線2616の電位2716、選択信号線2615の電位2715は、二値変化する信号として与える。ただし、各電位はアナログ信号であるため、実際には状況に応じて二値に限らず種々の値を取り得る。時刻2730にリセット信号線2616の電位2716をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部2612の電位2712は、リセット信号線2616の電位2716よりもフォトダイオード2601の順方向電圧分だけ低いリセット電位に初期化される。以上をリセット動作と呼ぶ。次に、時刻2731にリセット信号線2616の電位2716をローレベルにすると、信号電荷蓄積部2612の電位2712はリセット電位を保持し、フォトダイオード2601に逆バイアスがかかる状態になる。この段階が蓄積動作の開始となる。そして、フォトダイオード2601に光の量に応じた逆方向電流が流れるため、光の量に応じて信号電荷蓄積部2612に蓄積される電荷量が変化する。時刻2732に選択信号線2615の電位2715をハイレベルにすると、信号電荷蓄積部2612の電位2712が容量結合で持ち上げられ、増幅トランジスタ2602がオンになる。そして、信号電荷蓄積部2612の電位2712に応じて電源供給線2630から出力信号線2620へと電荷が供給される。この段階が読み出し動作の開始となる。時刻2733に選択信号線2615の電位2715をローレベルにすると、信号電荷蓄積部2612の電位2712が容量結合で引き下げられ、信号電荷蓄積部2612からフォトダイオード2601への電荷の移動が止まり、信号電荷蓄積部2612に蓄積される電荷量が決定する。ここで、蓄積動作が終了する。そして、電源供給線2630から出力信号線2620への電荷供給が停止され、出力信号線2620の電位2720が決定する。ここで、読み出し動作が終了する。なお、図17及び図19の画素回路構成は、信号電荷蓄積部の電荷がフォトダイオードを介して流出するため、フォトダイオードへの光の入射を遮蔽する機構を併用することが好ましい。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本明細書に開示する表示装置の一例である液晶表示装置について説明する。図21に、液晶表示装置の断面図の一例を示す。本実施の形態における液晶表示装置では、絶縁表面を有する基板1001上に、フォトダイオード1002、トランジスタ1003a、1003b、1003c、1003d、保持容量1004、液晶素子1005が設けられている。なお、図21の液晶表示装置を縦断する一点鎖線から左側にフォトセンサ、右側に表示素子のそれぞれ一部を示しており、これらの構成は、実施の形態1で説明した図2のフォトセンサ部106の構成と同等である。ただし、リセットトランジスタに相当するトランジスタは、図示していない。トランジスタ1003a、1003b、1003c、1003dの構造には、代表例としてトップゲート型を図示してあるが、これに構造を限るものではなく、自己整合型やボトムゲート型などのその他の構造でも良い。フォトセンサに設けられたトランジスタ1003aは、電荷蓄積制御トランジスタに相当し、ソース電極またはドレイン電極の一方には配線1030が接続され、該配線はフォトダイオード1002のカソードと電気的に接続されている。また、トランジスタ1003aのソース電極またはドレイン電極の他方には配線1036が接続され、トランジスタ1003bのゲート電極と接続されている。なお、配線1030及び配線1036は、保護絶縁膜1031上ではなく、絶縁膜1033上に形成されていても良い。トランジスタ1003bは、増幅トランジスタに相当し、ソース電極またはドレイン電極の一方は、図示がされていない電源供給線と接続されている。また、トランジスタ1003bのソース電極またはドレイン電極の他方は、トランジスタ1003cのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている。トランジスタ1003cは、選択トランジスタに相当し、ソース電極またはドレイン電極の他方は、図示がされていない出力信号線と接続されている。ここで、図示がされていないリセットトランジスタに相当するトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、配線1036に接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方は、図示がされていない電源供給線と接続されている。フォトダイオード1002は、p型の導電型を付与する不純物を含むp型半導体層1041、真性半導体の特性を有するi型半導体層1042及びn型の導電型を付与する不純物を含むn型半導体層1043からなり、pin接合を積層型で形成している。代表例としては、i型半導体層1042に非晶質シリコンを用いたフォトダイオードが挙げられる。この場合、p型半導体層1041、及びn型半導体層1043にも非晶質シリコンを用いることはできるが、電気伝導度が高い微結晶シリコンを用いることが好ましい。このi型半導体層1042に非晶質シリコンを用いたフォトダイオードは、光感度が可視光線領域にあり、赤外線による誤動作を防ぐことができる。ここで、フォトダイオード1002のアノードであるp型半導体層1041は、信号配線1035と電気的に接続され、カソードであるn型半導体層1043は、上述の様にトランジスタ1003aのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続されている。なお、信号配線1035は基準信号線に相当する。なお、図示はしないが、p型半導体層1041の光入射面側には透光性を有する導電層が設けられていても良い。また、n型半導体層1043の絶縁膜1033の界面側には、導電層が設けられていても良い。例えば、配線1030が延在し、n型半導体層1043を覆う様な形であっても良い。これらの導電層を設けることで、p型半導体層1041またはn型半導体層1043の抵抗による電荷の損失を低減することができる。なお、本実施の形態では、フォトダイオード1002がpinダイオードである場合を例示しているが、フォトダイオード1002はpnダイオードであっても良い。この場合は、p型半導体層及びn型半導体層に高品質の結晶シリコンを用いることが好ましい。また、フォトダイオードの構造としては、図22に示す様な横接合型であっても良い。横接合型フォトダイオードのpin接合は、まずi型半導体層を形成し、その一部にp型を付与する不純物とn型を付与する不純物とを添加することでp型半導体層1041、i型半導体層1042及びn型半導体層1043を設けることができる。トランジスタ1003dは、液晶素子の駆動を行うために表示素子に設けられている。トランジスタ1003dのソース電極またはドレイン電極の一方は画素電極1007と電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方は、図示されていないが信号配線に接続されている。保持容量1004は、トランジスタ1003a、1003b、1003c、1003dと共に形成することが可能である。保持容量1004の容量配線及び容量電極は、該トランジスタのゲート電極及びソース電極またはドレイン電極を作製する工程において形成され、容量である絶縁膜は、ゲート絶縁膜を作製する工程において形成される。保持容量1004は、液晶素子1005と並列にトランジスタ1003dのソース電極またはドレイン電極の一方と接続されている。液晶素子1005は、画素電極1007と、液晶1008と、対向電極1009とを有する。画素電極1007は、平坦化絶縁膜1032上に形成されており、トランジスタ1003dのソース電極またはドレイン電極の一方及び、保持容量1004と電気的に接続されている。また、対向電極1009は、対向基板1013上に形成されており、画素電極1007と対向電極1009の間に、液晶1008が挟まれている。画素電極1007と、対向電極1009の間のセルギャップは、スペーサー1016を用いて制御することが出来る。図21及び図22では、フォトリソグラフィで選択的に形成された柱状のスペーサー1016を用いてセルギャップを制御しているが、球状のスペーサーを画素電極1007と対向電極1009の間に分散させることで、セルギャップを制御することも出来る。なお、図21及び図22におけるスペーサー1016の位置は一例であり、スペーサーの位置は実施者が任意に決定することができる。また、液晶1008は、基板1001と対向基板1013の間において、封止材により囲まれている。液晶1008の注入は、ディスペンサ式滴下式を用いても良いし、ディップ式汲み上げ式を用いていても良い。画素電極1007には、透光性を有する導電性材料、例えばインジウム錫酸化物ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物IZOIndiumZincOxide、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることが出来る。また、本実施の形態では、透過型の液晶素子1005を例に挙げているので、画素電極1007と同様に、対向電極1009にも上述した透光性を有する導電性材料を用いることが出来る。画素電極1007と液晶1008の間には配向膜1011が、対向電極1009と液晶1008の間には配向膜1012が、それぞれ設けられている。配向膜1011、配向膜1012はポリイミド、ポリビニルアルコールなどの有機樹脂を用いて形成することができ、その表面には、ラビングなどの、液晶分子を一定方向に配列させるための配向処理が施されている。ラビングは、配向膜に圧力をかけながら、ナイロンなどの布を巻いたローラーを回転させて、上記配向膜の表面を一定方向に擦ることで行うことが出来る。なお、酸化珪素などの無機材料を用い、配向処理を施すことなく、蒸着法で配向特性を有する配向膜1011、配向膜1012を直接形成することも可能である。また、液晶素子1005と重なるように、特定の波長領域の光を通すことができるカラーフィルタ1014が、対向基板1013上に形成されている。カラーフィルタ1014は、顔料を分散させたアクリル系樹脂などの有機樹脂を対向基板1013上に塗布した後、フォトリソグラフィを用いて選択的に形成することができる。また、顔料を分散させたポリイミド系樹脂を対向基板1013上に塗布した後、エッチングを用いて選択的に形成することもできる。或いは、インクジェットなどの液滴吐出法を用いることで、選択的にカラーフィルタ1014を形成することもできる。なお、カラーフィルタ1014を用いない構成とすることもできる。また、フォトダイオード1002と重なるように、光を遮蔽することが出来る遮蔽膜1015が対向基板1013上に形成されている。遮蔽膜1015を設けることで、対向基板1013を透過したバックライト光が、直接フォトダイオード1002に照射されることを防ぐことができる。また、画素間における液晶1008の配向の乱れに起因するディスクリネーションが視認されるのを防ぐことができる。遮蔽膜1015には、カーボンブラック、低次酸化チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。または、クロムを用いた膜で、遮蔽膜1015を形成することも可能である。また、基板1001の画素電極1007が形成されている面とは反対の面に、偏光板1017を設け、対向基板1013の対向電極1009が形成されている面とは反対の面に、偏光板1018を設ける。液晶素子は、TNTwistedNematic型の他、VAVerticalAlignment型、OCBOpticallyCompensatedBirefringence型、IPSIn-PlaneSwitching型等であっても良い。なお、本実施の形態では、画素電極1007と対向電極1009の間に液晶1008が挟まれている構造の液晶素子1005を例に挙げて説明したが、本発明の一態様に係る表示装置はこの構成に限定されない。IPS型のように、一対の電極が、共に基板1001側に形成されている液晶素子であっても良い。フォトダイオード1002で検出される外光は、矢印1025で示す向きで基板1001に侵入し、フォトダイオード1002に到達する。例えば、被検出物1021がある場合は、外光が遮られるため、フォトダイオード1002への外光の入射は遮られる。この様にフォトダイオードに入射される光とその影を検出することでタッチパネルとして機能させることができる。また、被検出物を基板1001に密着させ、被検出物を透過する外光をフォトダイオードで検出させることにより密着型のイメージセンサとして機能させることもできる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態4とは異なる表示装置の一例である液晶表示装置について説明する。以下に説明する事項以外は、実施の形態3の構成と同様とすることができる。例えば、トランジスタ、フォトダイオード、及び液晶素子などは同じ材料で構成したものを用いることができる。図23は、実施の形態4とは異なる表示装置の断面図の一例である。実施の形態4では、フォトセンサを作製した基板側から光が入射するのに対し、本実施の形態では、対向基板側、すなわち液晶層を通してフォトセンサに光が入射する構成となっている。従って、対向基板1013に形成された遮蔽膜1015のフォトダイオード1002と重なる領域には、開口が必要となる。その開口部分には図示したようにカラーフィルタ1014が形成されていても良い。R赤、G緑、B青の個別のカラーフィルタを備えたフォトセンサを画素内に複数配置することでカラーセンサとすることができ、カラーイメージセンサ機能を持たせることができる。なお、実施の形態4ではフォトダイオード1002のp型半導体層1041側から光入射が行える構造としたが、本実施の形態ではフォトダイオードを実施の形態4と同様の構造とした場合に、n型半導体層1043側からの光入射となる。p型半導体層側から光入射を行う理由の1つは、拡散長の短いホールを有効に取り出すこと、すなわちフォトダイオードから電流を多く取り出すことであるが、設計上の電流値が満足すればn型半導体層側から光入射を行っても良い。なお、フォトダイオード1002のp型半導体層1041とn型半導体層1043を入れ替えて形成することで、容易にp型半導体層側からの光入射を行うことができる。ただし、この場合は、トランジスタ1003aのゲート電極との接続がp型半導体層アノード側となるため、実施の形態4の構成とは動作方法が異なる。なお、各動作方法については、実施の形態1を参照されたい。また、図24の様にトランジスタ1003a上にフォトダイオード1002を重ねて形成する構成としても良い。もちろん、他のトランジスタに重なる構成としても良い。この場合、図示はしていないが、トランジスタ1003aのソース電極またはドレイン電極の一方とフォトダイオード1002のn型半導体層1043の接続を容易に行うことができ、p型半導体層1041側からの光入射も可能となる。また、広い面積にフォトダイオードを形成することができ、受光感度を向上させることができる。なお、図23及び図24の構成において、図示はしないが、フォトダイオード1002の光入射面側には透光性を有する導電層が設けられていても良い。また、フォトダイオード1002の光入射面とは反対側の面には導電層が設けられていても良い。これらの導電層を設けることで、p型半導体層1041またはn型半導体層1043の抵抗による電荷の損失を低減することができる。本実施の形態では、フォトダイオード1002の受光面とは反対側に遮蔽膜2015を設ける。遮蔽膜2015を設けることで、基板1001を透過して表示パネル内に入射したバックライトからの光が、直接フォトダイオード1002に照射されることを防ぐことができ、高精度の撮像を行うことができる。遮蔽膜2015には、カーボンブラック、低次酸化チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。または、クロムを用いた膜で、遮蔽膜2015を形成することも可能である。フォトダイオード1002で検出される外光は、矢印1025で示す向きで対向基板1013に侵入し、フォトダイオード1002に到達する。例えば、被検出物1021がある場合は、外光が遮られるため、フォトダイオード1002への外光の入射は遮られる。この様にフォトダイオードに入射される光の強弱を検出することでタッチパネルとして機能させることができる。また、被検出物を対向基板1013に密着させ、被検出物を透過する外光をフォトダイオードで検出させることにより密着型のイメージセンサとして機能させることもできる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態6本実施の形態では、フォトセンサを有する表示パネルを用いたライティングボード黒板、ホワイトボード等の例を示す。例えば、図25の表示パネル9696の位置にフォトセンサを有する表示パネルを設ける。表示パネル9696は、フォトセンサと表示素子とを有している。ここで、表示パネル9696の表面にはマーカー等を用いて自由に書き込みができる。なお、定着剤が含まれていないマーカー等を用いれば文字の消去が容易である。また、マーカーのインクを落としやすくするため、表示パネル9696の表面は十分な平滑性を有していると良い。例えば、表示パネル9696の表面がガラス基板等であれば平滑性は十分である。また、表示パネル9696の表面に透明な合成樹脂シート等を貼り付けても良い。合成樹脂としては例えばアクリル等を用いると好ましい。この場合、合成樹脂シートの表面を平滑にしておくと好ましい。そして、表示パネル9696は、表示素子を有しているので、特定の画像を表示するとともに表示パネル9696の表面にマーカーで記載することができる。また、表示パネル9696は、フォトセンサを有しているので、プリンター等と接続しておけばマーカーで記載した文字を読み取って印刷することも可能である。さらに、表示パネル9696は、フォトセンサと表示素子を有しているので、画像を表示させた状態で表示パネル9696表面にマーカーで文字、図形等を書き込むことにより、フォトセンサで読み取ったマーカーの軌跡を画像と合成して映し出すこともできる。なお、抵抗膜方式、静電容量方式等のセンシングを用いた場合、マーカー等での書き込みと同時にしかセンシングをすることができない。一方、フォトセンサを用いた場合、マーカー等で書き込んだ後、時間が経った場合でもいつでもセンシングが可能な点で優れている。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、パネルと光源の配置について説明する。図26は、表示パネルの構造を示す斜視図の一例である。図26に示す表示パネルは、一対の基板間に液晶素子、フォトダイオード、薄膜トランジスタなどを含む画素が形成されたパネル1801と、第1の拡散板1802と、プリズムシート1803と、第2の拡散板1804と、導光板1805と、反射板1806と、複数のバックライト光源1807と、回路基板1809とを有している。パネル1801と、第1の拡散板1802と、プリズムシート1803と、第2の拡散板1804と、導光板1805と、反射板1806は、順に積層されている。バックライト光源1807は導光板1805の端部に設けられており、導光板1805内部に拡散されたバックライト光源1807からの光は、第1の拡散板1802、プリズムシート1803及び第2の拡散板1804によって、対向基板側から均一にパネル1801に照射される。なお、本実施例では、第1の拡散板1802と第2の拡散板1804とを用いているが、拡散板の数はこれに限定されず、単数であっても3以上であっても良い。そして、拡散板は導光板1805とパネル1801の間に設けられていれば良い。よって、プリズムシート1803よりもパネル1801に近い側にのみ拡散板が設けられていても良いし、プリズムシート1803よりも導光板1805に近い側にのみ拡散板が設けられていても良い。またプリズムシート1803は、図26に示した断面が鋸歯状の形状に限定されず、導光板1805からの光をパネル1801側に集光できる形状を有していれば良い。回路基板1809には、パネル1801に入力される各種信号を生成もしくは処理する回路、パネル1801から出力される各種信号を処理する回路などが設けられている。そして図26では、回路基板1809とパネル1801が、FPC1811FlexiblePrintedCircuitを介して接続されている。なお、上記回路は、COGChipOnGlass法を用いてパネル1801に接続されていても良いし、上記回路の一部がFPC1811にCOFChipOnFilm法を用いて接続されていても良い。図26では、バックライト光源1807の駆動を制御する制御系の回路が回路基板1809に設けられており、該制御系の回路とバックライト光源1807とがFPC1810を介して接続されている例を示している。ただし、該制御系の回路はパネル1801に形成されていても良く、この場合はパネル1801とバックライト光源1807とがFPCなどにより接続されるようにする。なお、図26は、パネル1801の端にバックライト光源1807を配置するエッジライト型を例示しているが、本発明の表示パネルはバックライト光源1807がパネル1801の直下に配置される直下型であっても良い。例えば、被検出物である指1812をパネル1801の上面側から近づけると、バックライトからの光が、パネル1801を通過し、その一部が指1812において反射し、再びパネル1801に入射する。各色に対応するバックライト光源1807を順に点灯させ、色ごとに撮像データの取得を行うことで、被検出物である指1812のカラーの撮像データを得ることが出来る。また撮像データから位置を認識することができ、表示画像の情報と組み合わせてタッチパネルとして機能させることができる。本実施例は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。本発明の一態様に係る表示装置は、撮像データの取得を行うことができるという特徴を有している。よって、本発明の一態様に係る表示装置を用いた電子機器は、表示装置をその構成要素に追加することにより、より高機能化することができる。例えば、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置代表的にはDVD:DigitalVersatileDisc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る表示装置を用いることができる電子機器としては、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機ATM、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図27A乃至Dに示す。図27Aは表示装置であり、筐体5001、表示部5002、支持台5003等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部5002に用いることができる。表示部5002に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、認識性能良く撮像データの取得を行うことができ、より高機能のアプリケーションが搭載された表示装置を提供することができる。なお、表示装置には、パーソナルコンピュータ用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。図27Bは携帯情報端末であり、筐体5101、表示部5102、スイッチ5103、操作キー5104、赤外線ポート5105等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部5102に用いることができる。表示部5102に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、認識性能良く撮像データの取得を行うことができ、より高機能のアプリケーションが搭載された携帯情報端末を提供することができる。図27Cは現金自動預け入れ払い機であり、筐体5201、表示部5202、硬貨投入口5203、紙幣投入口5204、カード投入口5205、通帳投入口5206等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部5202に用いることができる。表示部5202に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、認識性能良く撮像データの取得を行うことができ、より高機能化された現金自動預け入れ払い機を提供することができる。そして、本発明の一態様に係る表示装置を用いた現金自動預け入れ払い機は、指紋、顔、手形、掌紋及び手の静脈の形状、虹彩等の、生体認証に用いられる生体情報の読み取りを、より高精度で行うことが出来る。よって、生体認証における、本人であるにもかかわらず本人ではないと誤認識してしまう本人拒否率と、他人であるにもかかわらず本人と誤認識してしまう他人受入率とを、低く抑えることができる。図27Dは携帯型ゲーム機であり、筐体5301、筐体5302、表示部5303、表示部5304、マイクロホン5305、スピーカー5306、操作キー5307、スタイラス5308等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部5303または表示部5304に用いることができる。表示部5303または表示部5304に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、認識性能良く撮像データの取得を行うことができ、より高機能のアプリケーションが搭載された携帯型ゲーム機を提供することができる。なお、図27Dに示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部5303と表示部5304とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。本実施例は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することが可能である。