"交流磁束の分布を制御する磁束分布制御装置において、複数配列された導体から成る閉ループ線路と、前記各閉ループ線路に挿入された、誘導電流の遮断と導通を制御する、又は、誘導電流の大きさ又は位相を制御する電流制御装置と、前記各電流制御装置を制御して、前記各閉ループ線路を貫通する前記交流磁束を制御することで磁束分布を制御する分布制御装置と、を有することを特徴とする磁束分布制御装置。前記電流制御装置は、前記誘導電流の遮断と導通とを2値制御するスイッチ素子であることを特徴とする請求項1に記載の磁束分布制御装置。前記電流制御装置は、前記誘導電流の大きさ又は位相を制御する可変インピーダンス素子、又は、前記誘導電流の大きさ又は位相を制御する可変インピーダンス回路であることを特徴とする請求項1に記載の磁束分布制御装置。前記閉ループ線路は円形又は正方形であり、円形の直径又は正方形の1辺の長さは、前記交流磁束の波長の1/105以上1/103以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の磁束分布制御装置。前記閉ループ線路は円形又は正方形であり、隣接する前記閉ループ線路間の間隔は、円形の直径又は正方形の1辺の長さよりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の磁束分布制御装置。ところが、特許文献1、2においては、コイルの形状を軸方向に変化させるものであり、特許文献3においては、複数段のコイルを用いるものである。一つの面上における磁束の大きさの分布を制御するものではない。また、非特許文献1は、中心に磁束を収束させる作用を有するが、平面上において、磁束分布を変化させるものではない。そこで、本発明の目的は、簡便な構造で、交流磁束の分布を制御できる磁束分布制御装置を実現することである。第1の発明は、交流磁束の分布を制御する磁束分布制御装置において、複数配列された導体から成る閉ループ線路と、各閉ループ線路に挿入された、誘導電流の遮断と導通を制御する、又は、誘導電流の大きさ又は位相を制御する電流制御装置と、各電流制御装置を制御して、各閉ループ線路を貫通する交流磁束を制御することで磁束分布を制御する分布制御装置と、を有することを特徴とする磁束分布制御装置である。本発明において閉ループ線路は、空間中にワイヤで形成されていても良く、誘電体基板上に、導体パターンを積層させて形成しても良い。また、閉ループ線路の巻き数は1つでも、複数巻きであっても良い。各閉ループ線路の形状は同一であっても、異なっていてもい。配列は、同一面上の格子状の規則配列であっても、不規則配列であっても良い。また、各閉ループ線路は、必ずしも、同一平面上に配置されている必要はない。電流制御装置は、誘導電流の遮断と導通とを2値制御するスイッチ素子、誘導電流の大きさや位相を制御する可変インピーダンス素子、又は、可変インピーダンス回路を用いることができる。スイッチ素子としては、機械的な接点機構の他、リレー、トランジスタ、バリスタなどの電子スイッチを用いることができる。また、可変インピーダンス素子としては、ゲート電圧により抵抗値を制御できるトランジスタ、トランジスタの負荷回路にインダクタンスを挿入してトランジスタのオン抵抗をゲート電圧により可変制御することでインピーダンスを制御できる素子、印加電圧により抵抗値を制御できるバリスタなどを用いることができる。また、可変インピーダンス回路は、複数の抵抗素子又は及びインダクタンス、又は及び容量と複数のスイッチ素子とを構成要素とするラダー回路であって、スイッチ素子のオンオフにより流れる抵抗素子、インダクタンス、容量の数を制御することで、流れる電流の大きさと位相とを制御できる回路である。可変インピーダンス素子、可変インピーダンス回路を用いると、各閉ループ線路を流れる各誘導電流の大きさと位相とを制御できるので、それらの誘導電流によって生じる合成磁束の分布をより精密に制御することができる。また、上記発明において、閉ループ線路は円形又は正方形とすることができる。その場合に、円形の直径又は正方形の1辺の長さは、交流磁束の波長の1/105以上1/103以下とすることが望ましい。すなわち、閉ループ線路の全長において、誘導電流は、同一位相で励振されることが望ましい。また、上記発明において、閉ループ線路は円形又は正方形であり、隣接する閉ループ線路間の間隔は、円形の直径又は正方形の1辺の長さよりも小さいことが望ましい。この条件は、閉ループ線路を構成する面に垂直な方向において、各閉ループ線路を流れる誘導電流による合成により磁束を収束させた磁束分布を生成する場合に、有効な条件である。本発明によると、外部から交流磁束が閉ループ線路が構成する面を貫通する時に、複数配列された閉ループ線路に挿入された各電流制御装置により、各閉ループ線路に誘導される電流を、導通、遮断、又は、電流の大きさ又は位相を制御することができる。この結果、誘導電流が大きく流れる閉ループ線路は、外部磁束を反射することになり、この閉ループ線路が構成する面を貫通する外部磁束は小さくなる。一方、誘導電流が遮断された、または、誘導電流の大きさが抑制された閉ループ線路では、この閉ループ線路が構成する面を貫通する外部磁束は減少しないか、抑制された流れる誘導電に応じた多少の減少の結果、外部磁束は主に透過することになる。このようにして、閉ループ線路を流れる誘導電流の導通、遮断、又は、大きさ又は位相を制御することで、外部磁束の分布を制御することができる。以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。図1は、本発明の具体的な一実施例に係る磁束分布制御装置1の構成図である。本実施例では、閉ループ線路10は、正方形で形成している。図では、線路幅は省略されている。閉ループ線路10は銅、アルミニウムなどの導体で構成されている。閉ループ線路10は、磁束を透過する誘電体基板40の上面40a上の同一平面上に、3×3のマトリックスに配置されている。各閉ループ線路10には、それぞれ、FETから成るスイッチ素子20が挿入されている。隣接する閉ループ線路間の間隔D2は、正方形の1辺の長さD1よりも短くしている。交流磁束の周波数は、10MHzとした。よって、波長は30mである。正方形の1辺の長さは1cmとした。したがって、閉ループ線路の1辺の長さは、交流磁束の波長の1/105以上1/103以下を満たすようにしている。分布制御装置30は、マトリックス配置の各閉ループ線路10を選択するためのアドレス信号を出力する選択回路31と、AND回路32から成る。各スイッチ素子20のゲートには、各AND回路32の出力が入力している。マトリックスの行番号x座標と、列番号y座標とを選択するための選択回路31が設けられており、各xアドレス線路と、各yアドレス線路との、9個の組み合わせによる2本のx、yアドレス線路の組が、9個の各AND回路32に入力している。xアドレス信号を、x1,x2,x3、yアドレス信号をy1,y2,y3とすれば、6ビットのアドレス信号により、閉ループ線路10を選択することができる。例えば、1をHレベル信号、0をLレベル信号として、x1,x2,x3、y1,y2,y3=100100とすれば、第1行、第1列の閉ループ線路が選択される。また、アドレス信号を111100とすれば、第1列の3つの閉ループ線路が選択される。各スイッチ素子20はHレベル信号が入力されるとオン状態、Lレベル信号が入力されるとオフ状態となる。このように、選択回路31が6ビットのアドレス信号をAND回路32に出力することで、各アドレスに対応した行、列の閉ループ線路10が選択されることになる。そして、選択された閉ループ線路だけが、スイッチ素子20のオン状態により導通状態となり1順の電流の循環路を形成することになる。次に、本発明の原理について説明する。3×3のマトリックス配置された閉ループ線路10のうち、中央の一つの閉ループ線路を削除した装置を、図2.Aに示す。外部からの交流磁束Hは、各閉ループ線路10を下側から上側に向けて貫通している。磁束の向きは下側から上側に向かう方向を正としている。閉ループ線路10を貫通する磁束が増加する時に、この増加を阻止する方向に、各閉ループ線路10を誘導電流が流れる。この時の各閉ループ線路10を流れる誘導電流の向きが矢印により図示されている。すなわち、各閉ループ線路10を時計回転方向に誘導電流は流れる。中央部の閉ループ線路を除去した部分では、その部分を囲む周囲の4つの閉ループ線路10の4辺を流れる誘導電流による等価的な循環路が形成される。この循環路の誘導電流の向きは反時計回転方向である。したがって、この反時計回転方向に流れる誘導電流により、正方向に増加する磁束が生起される。換言すれば、4辺を流れる誘導電流により生じた磁束分布を合成した磁束分布が発生する。すなわち、中央部では、下側から上側に向かう磁束が増加することになる。この結果、中央部では、外部磁束の時間変動に応じた方向に収束された磁束が貫通することになる。この本発明に対して、単に、金属板の中央部に正方形の孔を設けた場合には、この孔の周囲に、外部磁束を打ち消す方向に誘導電流が流れる。したがって、この孔を貫通する収束した磁束分布は発生しない。このように、本発明は、閉ループ線路10を除去した部分では、その周囲に存在する閉ループ線路10を流れる誘導電流により磁束を再合成して、磁束を有効に透過、すなわち、磁束を収束させるものであり、単に、金属板の中央部に孔を設けた場合とは、動作原理が基本的に異なる。上記のことは、閉ループ線路10を3×3のマトリックス配置にした場合において、中央の閉ループ線路10のスイッチ素子20をオフ状態にした場合と等価であるので、この場合にも上記の原理は成立する。次に、本実施例1の磁束分布制御装置1の作用について説明する。外部から交流磁束Hが、マトリックス配置された閉ループ線路10の各面Fを、すなわち、誘電体基板40を厚さ方向に貫通すると、磁束Hの時間微分に比例した誘導起電力が、導通状態にあり1順の電流の循環路が形成された閉ループ線路10に誘起される。閉ループ線路10に誘起された誘導起電力により誘導電流が流れると、その誘導電流により発生する磁束により閉ループ線路10を貫通する磁束は減少される。一方、アドレス信号により選択されなかったスイッチ素子20は、Lレベル信号が入力しており、オフ状態にある。この結果、このオフ状態にあるスイッチ素子20を有する閉ループ線路10には、外部磁束Hの時間変化により誘起電力が発生しても、誘導電流は流れない。その結果、閉ループ線路10を貫通する外部磁束を打ち消す磁束は発生しないことになり、この閉ループ線路10の面Fを、外部磁束Hは減少されることなく収束して通過する。すなわち、周囲の閉ループ線路10を流れる誘導電流によって生じる磁束分布の合成磁束分布が発生する。結局、各閉ループ線路10を流れる誘導電流によって生じた各磁束の合成が、得られる磁束分布となる。この結果、電流の循環路を構成する閉ループ線路10の選択パターンに応じた磁束分布が得られることになる。図2.Bは、閉ループ線路10の面Fに垂直な方向z軸の断面図である。各z座標におけるz軸に垂直な面S1、S2、S3における、磁束分布を制御することができる。この場合には、面S2が焦点面となり、この面上に磁束が収束する。他の面S1、S3には、磁束は収束しない。これにより、面S2の焦点面での磁束分布を制御することができる。図3は、磁束分布制御装置1の閉ループ線路10の配列を11×11のマトリックスとした場合である。例えば、マトリックスの中心である第6行、第6列の閉ループ線路A0のスイッチ素子のみをオフ状態、他の閉ループ線路のスイッチ素子は全てオン状態とする。すると、オン状態となっている閉ループ線路では、誘導電流により、各面Fを貫通する外部磁束Hは減少することになる。一方、中央の一つの閉ループ線路A0だけは誘導電流が流れないので、外部磁束Hを減少させない。結局、各閉ループ線路を流れる各誘導電流による磁束の合成が、得られる磁束分布となる。この結果、焦点面S2において、マトリックスの中央に対応した位置において、収束した磁束分布が得られる。図4は、面S1、S2、S3上における磁束分布を示している。焦点面S2において、点状の磁束の収束が見られる。面S1、S3では、磁束の収束は見られない。図5は、閉ループ線路10を11×11のマトリックスに配置した場合において、●で示されている閉ループ線路A1のスイッチ素子をオフ状態とし、他の全ての閉ループ線路のスイッチ素子をオン状態とした場合を示している。文字のAに沿って、各閉ループ線路A1をオフ状態としている。図6は、この場合において、面S1、S2焦点面、S3上の磁束分布を示している。焦点面S2において、文字Aの形状に磁束が収束しているのが分かる。他の面S1、S3では、磁束の収束がぼけたものとなっている。本実施例は、実施例1におけるスイッチ素子20を、可変インピーダンス素子とした例である。トランジスタの負荷回路にインダクタンスを設けた素子を閉ループ線路10に挿入している。トランジスタの抵抗値をゲート電圧により変化させることで、各閉ループ線路の各インピーダンスを独立して変化させることができる。この場合には、各スイッチ素子20には、アナログ電圧が印加されるが、これにより、各閉ループ線路を流れる各誘導電流の大きさと位相とを制御することができる。この結果、各誘導電流の合成による合成磁束の分布をより精密に得ることができる。また、スイッチ素子20を、可変インピーダンス回路としても良い。複数の抵抗素子、複数のインダクタンス、複数の容量と複数のスイッチ素子とを構成要素とするラダー回路で構成しても良い。スイッチ素子のオンオフにより流れる抵抗素子、インダクタンス、容量の数を制御することで、流れる電流の大きさと位相とを制御できる。本実施例は、図7に示すように、誘電体基板40の上面40aと下面40bとに、複数の閉ループ線路C、Dを配置したものである。上面40aに配置されている閉ループ線路Cと、下面40bに配置されている閉ループ線路Dの配置形状は異なる。これにより、空間的な磁束分布を制御でき、焦点面における磁束分布をより精密に可変制御することができる。実施例4の装置は、図8に示すように、閉ループ線路Eは、マトリック配置ではなく、不規則に設けたものである。また、隣接する閉ループ線路の間隔も不規則にしている。また、図9に示すように、閉ループ線路の大きさを異なるようにして良い。中央の閉ループ線路Gを周辺の同一形状大きさの閉ループ線路A1よりも大きく構成している。隣接する閉ループ線路の間隔は同一にしている。本発明の応用例としては、次のものが考えられる。送信コイルと受信コイルとを用いて磁気共鳴による効率の良い電力伝送を行う場合において、送信コイルと受信コイルとの間に、本発明の磁束分布制御装置を介在させることで、送信コイルと受信コイル間の磁束の漏れを防止して、より効率の高い電力伝送を実現できる。また、磁束分布を制御できることから、送信コイルと受信コイルとの位置ずれがある場合にも、平面上の磁束分布を制御して、効率の良い電力伝送を実現することができる。また、本装置では、磁束を点状に収束させた磁束分布を得ることができることから、焦点位置に磁界センサを配置させることで、磁界測定の感度を向上させることができる。また、本装置では、磁束分布を制御できることから、磁場に反応するマグネットシートを焦点面に設けることで、磁束ディスプレイを実現することができる。また、本装置では、磁束分布を制御できることから、電磁調理器において特定の領域を加熱し、又は、特定の領域を加熱しないようにすることができる。"