基板と、前記基板にマウントされた半導体チップと、前記半導体チップに電気的に接続された電極と、前記電極に半田付けされる、一方の端部である第1端子部と、もう一方の端部である第2端子部とを有する電極端子と、前記基板、前記半導体チップ、前記電極、前記第1端子部、および前記第2端子部、を覆うケースとを有し、前記電極端子の一部は、前記ケースの外部に露出し、前記第1端子部と、前記第2端子部とは、前記ケースの内部で前記ケースの中央に向かって対向するように折り返され、近接して前記電極に半田付けされることを特徴とする半導体装置。前記第1端子部と、前記第2端子部は、前記電極との半田付け面への折り曲げ部が背中合わせに形成され、それぞれの先端が外向きであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1端子部の前記折り曲げ部と、前記第2端子部の前記折り曲げ部との間に、間隙があることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記電極端子が、前記第1端子部と前記第2端子部を複数組有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。平板状に形成された平板部と、前記平板部の両端が略垂直に折り曲げられてから中央に向かって対向するように折り返された、第1端子部と、第2端子部とを有し、前記第1端子部と、前記第2端子部は、電極との半田付け面への折り曲げ部が背中合わせに形成され、それぞれの先端が外向きであることを特徴とする電極端子。前記第1端子部の前記折り曲げ部と、前記第2端子部の前記折り曲げ部との間に、間隙があることを特徴とする請求項5に記載の電極端子。前記電極端子が、前記第1端子部と前記第2端子部を複数組有することを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。本発明が解決しようとする課題は、電極端子との半田接合部の熱応力に対する信頼性を向上させることのできる半導体装置および電極端子を提供することにある。実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板にマウントされた半導体チップと、前記半導体チップに電気的に接続された電極と、前記電極に半田付けされる、一方の端部である第1端子部と、もう一方の端部である第2端子部とを有する電極端子と、前記基板、前記半導体チップ、前記電極、前記第1端子部、および前記第2端子部、を覆うケースとを有する。この半導体装置は、前記電極端子の一部は、前記ケースの外部に露出し、前記第1端子部と、前記第2端子部とは、前記ケースの内部で前記ケースの中央に向かって対向するように折り返され、近接して前記電極に半田付けされる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図中、同一または相当部分には同一の符号を付して、その説明は繰り返さない。実施形態図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成の例を示す模式的な断面図である。本実施形態の半導体装置は、IGBTなどのパワーデバイスの半導体チップを搭載するパワーモジュールである。本実施形態の半導体装置は、放熱基板である金属ベース101と、下面に設けられた下部電極103が半田102により金属ベース101に接続される基板104と、基板104の上面に設けられた上部電極105と、半田106により上部電極105に接続された半導体チップ21Aおよび21Bと、ボンディングワイヤ22により半導体チップ21Aおよび21Bに電気的に接続された電極23と、を有する。基板104は、金属ベース101に接着材で接着されたケース200で覆われている。通常、パワーモジュールでは、電極23に接続するための電極端子1がケース200の上面部に配置され、ケース200の内部へと降ろされる。IGBTの場合、電極端子1が、コレクタ電極端子やエミッタ電極端子として用いられる。本実施形態では、電極端子1は、平板状に形成された平板部10がケース200の外部に露出し、その両端が略垂直に折り曲げられて、端子11第1端子部、端子12第2端子部として、ケース200の内部へ降ろされている。なお、電極端子1の平板部10直下のケース200内には、ナット300が格納されている。ケース200の内部へ降ろされた端子11、12は、ケース200の内部でケース200の中央に向かって折り返され、半田24により、近接した状態で電極23に半田付けされる。図2は、端子11、12の半田接合部を拡大した図である。端子11、12は、電極23への半田付け面への折り曲げ部11A、11Bが背中合わせに形成され、それぞれの先端11B、12Bが外向きである。また、端子11の折り曲げ部11Aと、端子12の折り曲げ部12Aとの間には、間隙dが設けられる。間隙dとしては、長くても1mm程度のわずかな距離が設定される。この間隙dを設定することにより、端子11の折り曲げ部11Aと端子12の折り曲げ部12Aの間に半田24が吸い上げられ、折り曲げ部11A、12A周囲の半田厚が増大する。これに対する比較例として、図3に、電極23へ1本の電極端子1000が半田付けされたときの様子を示す。この場合、電極端子1000の折り曲げ部1000Aの周囲の半田24の厚みが少ない。図4は、周囲の温度が高温となったときの本実施形態の変形の様子を示す図である。例えば、金属ベース101の材質をCu銅、基板104がALN窒化アルミニウムからなるセラミック基板であるとすると、Cuの熱膨張係数17×10-6/Kと、セラミック基板の熱膨張係数4.6×10-6/Kの差により、図4に示すように、金属ベース101が外側に膨らむように変形する。このような変形が生じると、端子11、12は、電極端子1がケース200上に固定されているため、上下に引き伸ばされる。その結果、端子11、12が接合されている電極23の半田接合部には、大きな引っ張り応力図中矢印表示が発生する。このような引っ張り応力が発生した場合、図3に示した比較例の場合、図5に示すように、電極端子1000の折り曲げ部1000Aの周囲の半田24に、引っ張りストレスが掛かる。そのため、TFT試験などにより、引っ張り応力が繰り返し印加されると、折り曲げ部1000Aの周囲の半田24に、図5に示すような半田クラックが生じる。これに対して、本実施形態では、図6に示すように、端子11、12の折り曲げ部11A、11Bの周囲の半田24に厚みがあるため、半田接合部に引っ張り応力が加わっても、折り曲げ部11A、11Bの周囲に半田クラックが生じ難い。図7に、図3に示した比較例と本実施形態のTFTの試験データの例を示す。ここでは、TFT条件を25°C-115°CΔTc=90°Cとし、TFTサイクル数に対する累計の不良発生数を示す。不良は、半田クラックによる電気的特性不良である。半田接合部の電極端子が1本である比較例の場合、TFTサイクル数が30kで不良が発生している。それに対して、近接して配置された2本の端子11、12で電極23へ半田付けされる本実施形態の場合、TFTサイクル数が60kまで、不良の発生が見られない。このように、本実施形態は、比較例に比べて、熱により発生する応力に対する信頼性が格段に向上している。また、本実施形態では、電極23への接続を2本の端子11、12で行うため、1本の電極端子で接続する場合に比べて、電極23への配線抵抗が半減し、電気的特性を向上させることもできる。次に、上述の端子を複数組有する電極端子の例を示す。パワーモジュールの中には、同種の半導体チップを複数搭載するものもある。そのような場合、複数のチップが共有する電極が複数組設けられ、その複数組の電極に1本の電極端子を接続することがある。図8は、基板104上に、4つの半導体チップ21A~21Dが搭載されている例である。図8は、その模式的平面図である。上部電極105Aに接続された半導体チップ21Aおよび21Bは、ボンディングワイヤ22による接続により、電極23-1Aおよび23-2Aを共有している。同様に、上部電極105Bに接続された半導体チップ21Cおよび21Dは、電極23-1Bおよび23-2Bを共有している。ここで、電極23-1Aと電極23-1Bを1本の電極端子に接続し、電極23-2Aと電極23-2Bを別の1本の電極端子に接続するものとする。そのような接続に用いる電極端子の例を図9に示す。図9は、その斜視図である。図9aに示す電極端子51は、電極23-1Aと電極23-1Bに接続される電極端子の例である。電極端子51は、平板状に形成された平板部510と、平板部510の両端が略垂直に折り曲げられてから中央に向かって対向するように折り返され、電極との半田付け面への折り曲げ部が背中合わせに形成され、それぞれの先端が外向きである、端子511-1と端子512-1、および端子511-2と端子512-2、を有する。端子511-1と端子512-1は、電極23-1Aに半田接続され、端子511-2と端子512-2は、電極23-1Bに半田接続される。このとき、端子511-1の折り曲げ部と端子512-1の折り曲げ部との間、および端子511-1の折り曲げ部と端子512-1の折り曲げ部との間には、それぞれ、わずかな間隙が設けられる。図9bに示す電極端子61は、電極23-2Aと電極23-2Bに接続される電極端子の例である。電極端子61は、平板状に形成された平板部610と、平板部610の両端が略垂直に折り曲げられてから中央に向かって対向するように折り返され、電極との半田付け面への折り曲げ部が背中合わせに形成され、それぞれの先端が外向きである、端子611-1と端子612-1、および端子611-2と端子612-2、を有する。端子611-1と端子612-1は、電極23-2Aに半田接続され、端子611-2と端子612-2は、電極23-2Bに半田接続される。このとき、端子611-1の折り曲げ部と端子612-1の折り曲げ部との間、および端子611-1の折り曲げ部と端子612-1の折り曲げ部との間には、それぞれ、わずかな間隙が設けられる。図9に示すように、複数の電極に半田接続される部分をそれぞれ端子とすることにより、それぞれの電極の半田接合部の熱応力に対する信頼性を向上させることができる。以上説明した実施形態の半導体装置および電極端子によれば、電極端子の半田接合部の熱応力に対する信頼性を向上させることができる。また、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。