"測定対象に接続される電気配線と、前記電気配線の近傍に配置され該電気配線に流れる電流により発生する磁界の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子を用いる電流センサにおいて、抵抗値が一定比率で増加する直線部分と抵抗値が飽和する飽和部分とからなる磁気抵抗特性を有し、それぞれが前記電気配線から異なる距離で離間して配置される複数の磁気抵抗素子と、前記複数の磁気抵抗素子それぞれにセンス電流を流すセンス電流部と、前記磁気抵抗素子におけるセンス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、前記電流配線に流れる電流がある規定値に到達したとして出力する検知手段と、を備え、前記検知手段は、前記電流配線に流れる電流について前記複数の磁気抵抗素子ごとに異なる規定値への到達を検知することを特徴とする電流センサ。前記検知手段は、前記電流配線に流れる電流について前記複数の磁気抵抗素子ごとに異なる電流レンジの規定値への到達を検知することを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記磁気抵抗特性として、前記直線部分と飽和部分との間に該直線部分とは抵抗値が増加する比率の異なる第2の直線部分がある場合には、前記直線部分から前記第2の直線部分に移行する点を前記抵抗値の飽和点とすることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記複数の磁気抵抗素子は、1本の前記電気配線に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電気センサ。前記電気配線は、前記複数の磁気抵抗素子ごとに、前記磁気抵抗素子の近傍に配置される検知用電気配線と、検知対象とならないように前記磁気抵抗素子から離れて配置されるパス用電気配線と、前記検知用電気配線、パス用電気配線のいずれかに切替えて接続可能な切替スイッチと、からなることを特徴とする請求項4に記載の電流センサ。前記複数の磁気抵抗素子は、前記測定対象に対して並列に結線された複数の前記電気配線に1対1に対応して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記磁気抵抗素子は、巨大磁気抵抗素子、トンネル磁気抵抗素子または異方性磁気抵抗素子であることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記磁気抵抗素子は、前記電気配線で形成される平面ループ内に配置されることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記磁気抵抗素子は、基板上に所定の薄膜が積層されてなり、前記電気配線が前記薄膜の積層方向に沿ってループ状に配置されることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。前記電気配線は、前記磁気抵抗素子を挟むように配置した2つのループからなるヘルムホルツコイル構造を有していることを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。本発明は、以上の従来技術における課題に鑑みてなされたものであり、簡便な構成で電気配線に流れる電流を広いダイナミックレンジ電流レンジで検知する電流センサを提供することを目的とする。前記課題を解決するために提供する本発明は、以下の通りである。なお、カッコ内に本発明を実施するための形態において対応する部位及び符号等を示す。1測定対象測定対象Aに接続される電気配線と、前記電気配線の近傍に配置され該電気配線に流れる電流により発生する磁界の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子磁気抵抗素子11を用いる電流センサにおいて、抵抗値が一定比率で増加する直線部分と抵抗値が飽和する飽和部分とからなる磁気抵抗特性図4,図5を有し、それぞれが前記電気配線電気配線wa,wb1,wc1、wa,wb,wc、wra,wrb,wrcから異なる距離距離d1,d2,d3で離間して配置される複数の磁気抵抗素子磁気抵抗素子11a,11b,11cと、前記複数の磁気抵抗素子それぞれにセンス電流を流すセンス電流部センス電流部12と、前記磁気抵抗素子におけるセンス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、前記電流配線に流れる電流がある規定値に到達したとして出力する検知手段検知手段13と、を備え、前記検知手段は、前記電流配線に流れる電流について前記複数の磁気抵抗素子ごとに異なる規定値への到達を検知することを特徴とする電流センサ電流センサ10,20,30、図2,図6~図9。2前記検知手段は、前記電流配線に流れる電流について前記複数の磁気抵抗素子ごとに異なる電流レンジの規定値への到達を検知することを特徴とする前記1に記載の電流センサ。3前記磁気抵抗特性として、前記直線部分と飽和部分との間に該直線部分とは抵抗値が増加する比率の異なる第2の直線部分がある場合には、前記直線部分から前記第2の直線部分に移行する点を前記抵抗値の飽和点とすることを特徴とする前記1に記載の電流センサ図5。4前記複数の磁気抵抗素子は、1本の前記電気配線に沿って配置されていることを特徴とする前記1に記載の電気センサ図2,図7。5前記電気配線は、前記複数の磁気抵抗素子ごとに、前記磁気抵抗素子の近傍に配置される検知用電気配線電気配線wa,wb1,wc1、wra,wrb,wrcと、検知対象とならないように前記磁気抵抗素子から離れて配置されるパス用電気配線電気配線ws,wb2,wc2と、前記検知用電気配線、パス用電気配線のいずれかに切替えて接続可能な切替スイッチ切替スイッチ部14a,14b,14cと、からなることを特徴とする前記4に記載の電流センサ図2,図7。6前記複数の磁気抵抗素子は、前記測定対象に対して並列に結線された複数の前記電気配線電気配線wa,wb,wcに1対1に対応して配置されていることを特徴とする前記1に記載の電流センサ図6。7前記磁気抵抗素子は、巨大磁気抵抗素子GMR素子、トンネル磁気抵抗素子TMR素子または異方性磁気抵抗素子AMR素子であることを特徴とする前記1に記載の電流センサ図3。8前記磁気抵抗素子は、前記電気配線電気配線wra,wrb,wrcで形成される平面ループ内に配置されることを特徴とする前記1に記載の電流センサ図7。9前記磁気抵抗素子は、基板上に所定の薄膜シード層2、磁化固定層3、トンネル障壁層4、フリー層5、キャップ層6が積層されてなり、前記電気配線電気配線wrが前記薄膜の積層方向に沿ってループ状に配置されることを特徴とする前記1に記載の電流センサ図8。10前記電気配線は、前記磁気抵抗素子を挟むように配置した2つのループ電気配線wr1,wr2からなるヘルムホルツコイル構造を有していることを特徴とする前記1に記載の電流センサ図9。本発明の電流センサによれば、簡便な構成で電気配線に流れる電流について任意の規定値に到達したことを検知することができ、とくに広い電流レンジを区分して検知することが可能となる。以下に、本発明に係る電流センサの構成について説明する。第1実施形態図2は、本発明に係る電流センサの第1の実施形態における構成を示す概略図である。図2に示すように、電流センサ10は、測定対象Aに接続される電気配線wa、wb1,wb2,wc1,wc2と、前記電気配線wa,wb1,wc1の近傍に配置され該電気配線wa,wb1,wc1に流れる電流により発生する磁界の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子11a,11b,11cと、前記複数の磁気抵抗素子11a,11b,11cそれぞれにセンス電流を流すセンス電流部12と、前記複数の磁気抵抗素子11a,11b,11cそれぞれと接続しその検知結果を出力する検知手段13と、電気配線wa、wb1,wb2,wc1,wc2の接続を切替える切替スイッチ部14a,14b,14cと、検知手段13の出力を受けて切替スイッチ部14a,14b,14cを制御する検知制御部15と、を備える。なお、図2では、センス電流部12と磁気抵抗素子11b,11cとの接続、検知手段13と磁気抵抗素子11b,11cとの接続は省略している。ここで、測定対象Aは、電源から電力が供給されて種々の動作や処理を行う電子電機機器のユニットあるいは部品であり、その内部の異常や劣化などにより負荷が増大して流れる電流が増加する場合があるものである。また、図2では、測定対象Aは、通常は電気配線wsに接続されており、電流検知を行う場合に切替スイッチ部14aにより電流センサ10に接続されるようになっている。磁気抵抗素子11a,11b,11c磁気抵抗素子11と総称する。は、高い抵抗変化率をもつ電流検知用素子であり、例えば巨大磁気抵抗素子GMR素子、トンネル磁気抵抗素子TMR素子、異方性磁気抵抗素子AMR素子のいずれかである。図3にその構成例を示す。図3に示す磁気抵抗素子11は、基板1、シード層2、磁化固定層3、トンネル障壁層4、フリー層5、キャップ層6からなるTMR層構成を有している。基板1としては、例えばSiやSi上熱酸化基板を用いる。また、超高真空スパッタ装置やイオンビームスパッタ装置、EB蒸着装置などを用いて、Taなどのシード層2、FeMn,PtMn,IrMn,NiMn,PdPtMn,CrPtMn,CoMnなどやそれらの合金などからなる磁化固定層3を構成する。このとき、その厚みは各設計値によって、3nm~400nm程度か、それ以上に設定されるが、10nm~100nmが好適である。トンネル障壁層4は、例えばAl-OやMgOで構成され、その厚みは0.5nm~6nmの間で設計されるが、1nm~4nmが好適である。特に、MgOで構成すると、比較的厚い膜厚であっても優れた磁気抵抗変化率特性が得られるので、抵抗値を大きくとりたい場合には厚みを厚くすることで実現可能となるメリットを有する。なお、図示はしないが、MgO層をトンネル障壁層4とする場合には、例えばCoFeSiBなどのアモルファス膜をアズデポ析出ままで作製後、アニール時に結晶化することも好ましい。これにより、MgOの再配列を促し、結晶性を高めることで磁気抵抗変化率を著しく向上されることが可能となり、さらに検知性能の向上を図ることができる。フリー層5は、例えばNiFe,CoFe,CoNiFe,CoZrNb等の軟磁気特性を有するもので構成することにより、センサ特性を発揮することができる。また、キャップ層6としてTaなどを成膜する。磁気抵抗素子11は、所望の形状にフォトリソ、EB露光等を用いた微細加工により形状を作製し、上下に電極を配して完成させる。なお、本実施形態では、センス電流を一定電圧源センス電流部12より発生させて、センス電流値自身の変化をもって、出力としているが、一定電流源として磁気抵抗素子11の発生電圧をもって、出力とすることも可能である。さらに、本発明における磁気抵抗素子11は、図3に示すTMR層構成に限られるものではなく、GMR層構成でもよい。すなわち、図3において、トンネル障壁層4に代えて、非磁性金属層とし、それ以外の層構成は同様のものとする。このとき、非磁性金属層は、例えばCu,Agなどが適する。また、図3において、磁化固定層3の上部にシンセティックフェリ層を設ける構成とすることも好ましい。ところで通常、磁気センシングを用いて、電流センサとする場合、直接磁界等を測定する場合など磁気センサの感度が小さなため、ホール素子も含んで比較的大きな素子をする必要があった。これに対して、本発明の電流センサでは、近年格段に特性が向上したTMR素子やGMR素子などの磁気抵抗素子を用いるものとしている。すなわち、TMR素子では、磁界の検知に関して、フリー層5の磁界に対する変化を基準とする磁化固定層3との磁化の相対角によってトンネル電流の流れ方が異なることで磁気抵抗変化としている。したがって、GMR素子、AMR素子においても磁界の変化に追随して変化するフリー層か、AMR素子においては通常は検知層一層でフリー層そのものであるため、微弱な磁界の検知においてはフリー層の特徴をうまく利用することで、磁気抵抗素子特性の向上を図ることができる。以下、必要に応じてTMR層構成の磁気抵抗素子11を例に取り、説明する。ここで、電気配線に電流を流すと、その電気配線の周りには磁界が発生するが、このとき、電気配線の近傍に磁気抵抗素子11を配置すると、マイナーループを描く磁気ヒステリシスをもつことから、その磁界の影響を受けてフリー層5が磁化し、結果として所定の抵抗値を示す。また、電流の増加に伴い磁界の強度が増加すると、フリー層5において、マイナーループに沿って磁化が増大するがあるところから磁化が飽和する特徴をもつ。これは、フリー層5とするパーマロイNiFe、スーパーマロイ、CoFe、CoZrNb、CoFeB、CoFeSiB、FeAlSi等の各材料に応じてそれぞれ特徴あるマイナーループをとりながらも磁化飽和に達するものである。このとき、磁気抵抗素子11においてはフリー層5の磁化状態に応じて、磁気抵抗変化も得られることとなることから、磁気飽和時にはそれ以上抵抗値は変化しないという特徴を有することとなる。図4に、磁気抵抗素子11の磁気抵抗特性を示す。図4において、電気配線に流す電流を増加させると磁界強度が増加するが、電気配線近傍に配置された磁気抵抗素子11は、その磁界強度の増加に応じて抵抗値が一定比率で増加する直線部分と抵抗値が飽和する飽和部分とからなる磁気抵抗特性を有する。ここで、磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する臨界部分を抵抗値の飽和点と称する。この飽和点は磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する部分の勾配が急激に変化する部分屈曲点でもあることからその検知が容易である。また、飽和点は磁性体の物性や反強磁性体と磁性体との界面で発生する交換相互作用によって一義的に決まる量であるので、非常に精度のよい臨界点となる。さらに、通常の磁気抵抗素子11の作製プロセスでも、その飽和点が再現性よく得られる。このような磁気抵抗特性を有する磁気抵抗素子11を電気配線に対して一定の距離dだけ離間させて配置した場合、磁気抵抗素子11に流すセンス電流の変化から前記抵抗値の飽和点に到達したことを検知することが可能である。またこのとき、磁気抵抗素子11の抵抗値の飽和点の磁界強度、及び磁気抵抗素子11-電気配線の距離dが既知であると、電気配線に流れる電流がある電流値となったこと到達電流値を検知することができる。図2に示す電流センサ10では、検知手段13が磁気抵抗素子11a,11b,11cそれぞれにおけるセンス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、対応する電流配線電気配線wa,wb1,wc1に流れる電流がある規定値に到達したとして出力する。また、磁気抵抗素子11と磁界の発生源電気配線との距離dが大きくなるほど、同一の磁界発生源同一電流で考えた場合、磁気抵抗素子11により検知される到達電流値は大きくなる。図2に示す電流センサ10では、複数の磁気抵抗素子11a,11b,11cは、1本の電気配線電気配線wa,wb1,wc1が繋がっている場合に沿って配置されており、磁気抵抗素子11aと電気配線waとの距離d1、磁気抵抗素子11bと電気配線wb1との距離d2、磁気抵抗素子11cと電気配線wc1との距離d3をこの順番で大きくなるように異なる距離としている。これにより、検知手段13は、電流配線wa,wb1,wc1に流れる電流について複数の磁気抵抗素子11a,11b,11cごとに異なる規定値への到達を検知することが可能となる。特に、距離d1,d2,d3を調整すれば、検知手段13は、電流配線wa,wb1,wc1に流れる電流について複数の磁気抵抗素子11a,11b,11cごとに異なる電流レンジの規定値への到達を検知することができる。例えば、電流配線wa,wb1,wc1に流れる電流について、磁気抵抗素子11aにより10mAの到達が検知され、磁気抵抗素子11bにより100mAの到達が検知され、磁気抵抗素子11cにより1000mAの到達が検知される。また、図2に示す電流センサ10では、前記電気配線は、複数の磁気抵抗素子11a,11b,11cごとに、前記磁気抵抗素子の近傍に配置される検知用電気配線と、検知対象とならないように前記磁気抵抗素子から離れて配置されるパス用電気配線と、前記検知用電気配線、パス用電気配線のいずれかに切替えて接続可能な切替スイッチ部と、から構成されている。例えば、磁気抵抗素子11aに対応して、磁気抵抗素子11aの近傍に配置される検知用電気配線waと、検知対象とならないように磁気抵抗素子11aから離れて配置されるパス用電気配線電気配線wsと、検知用電気配線wa、パス用電気配線wsのいずれかに切替えて接続可能な切替スイッチ部14aと、から構成されている。また、磁気抵抗素子11bに対応して、磁気抵抗素子11bの近傍に配置される検知用電気配線wb1と、検知対象とならないように磁気抵抗素子11bから離れて配置されるパス用電気配線wb2と、検知用電気配線wb1、パス用電気配線wb2のいずれかに切替えて接続可能な切替スイッチ部14bと、から構成されている。また、磁気抵抗素子11cに対応して、磁気抵抗素子11cの近傍に配置される検知用電気配線wc1と、検知対象とならないように磁気抵抗素子11cから離れて配置されるパス用電気配線wc2と、検知用電気配線wc1、パス用電気配線wc2のいずれかに切替えて接続可能な切替スイッチ部14cと、から構成されている。このような構成の電流センサ10では、次の手順で電気配線の電流検知が行われる。S11検知制御部15の制御により、切替スイッチ部14aは電気配線waに接続し、切替スイッチ部14b,14cはそれぞれ電気配線wb2,wc2に接続する。また、センス電流部12から磁気抵抗素子11a,11b,11cそれぞれに一定のセンス電流が流される。S12検知手段13は、磁気抵抗素子11aにおいて、センス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、対応する電流配線waに流れる電流が第1規定値例えば10mAに到達したとして検知制御部15に出力する。S13検知制御部15は、電気配線に流れる電流が第1規定値に到達したことを報知ししなくてもよい、切替スイッチ部14bが電気配線wb2に接続するように制御する。S14検知手段13は、磁気抵抗素子11bにおいて、センス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、対応する電流配線wb1に流れる電流が第2規定値例えば100mAに到達したとして検知制御部15に出力する。S15検知制御部15は、電気配線に流れる電流が第2規定値に到達したことを報知ししなくてもよい、切替スイッチ部14cが電気配線wc2に接続するように制御する。S16検知手段13は、磁気抵抗素子11cにおいて、センス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、対応する電流配線wc1に流れる電流が第3規定値例えば1000mAに到達したとして検知制御部15に出力する。S17検知制御部15は、電気配線に流れる電流が第3規定値に到達したことを報知する。以上のように、本発明の電流センサ10によれば、簡便な構成で電気配線に流れる電流について任意の規定値に到達したことを検知することができ、とくに広い電流レンジを区分して検知することが可能となる。なお、本発明では、電気配線に流される電流は直流DCに限らず、交流ACであっても測定可能である。また、磁気抵抗素子11はその構成によっては、磁気抵抗特性として、前記直線部分と飽和部分との間、あるいは飽和部分の代わりに、該直線部分とは抵抗値が増加する比率の異なる第2の直線部分がある場合がある。この第2の直線部分は、図5に示すように、緩やかに増大が続き準飽和的な変化をする。この場合には、図5に示すように前記直線部分から前記第2の直線部分に移行する点飽和点に近い漸近点を前記抵抗値の飽和点とする。このとき、この飽和点の設定により必要な精度が得られることを確認しておくことが好ましい。第2実施形態図6は、本発明に係る電流センサの第2の実施形態における構成を示す概略図である。本発明の電流センサ20は、第1の実施形態と比べて、電気配線及び切替スイッチ部の構成が異なる。すなわち、電気配線は、測定対象Aに対して並列に結線された複数ここでは3本の電気配線wa,wb,wcからなり、測定対象Aからの電流は電気配線wa,wb,wcに均等に分配される。また、電気配線wa,wb,wcが測定対象Aに対して接続可能な切替スイッチ部24と、検知手段13の出力を受けて切替スイッチ部24を制御する検知制御部25が設けられている。なお、電流センサ20のそれ以外の構成は第1の実施形態と同じであり、図6において第1の実施形態と同じものは同じ符号を付している。また、複数の磁気抵抗素子11a,11b,11cは、電気配線wa,wb,wcに1対1に対応して、それぞれ所定の距離d1,d2,d3だけ離間して配置されている。このような構成の電流センサ20では、次の手順で電気配線の電流検知が行われる。S21検知制御部25の制御により、切替スイッチ部24は測定対象Aに対して電気配線wa,wb,wcに接続する。また、センス電流部12から磁気抵抗素子11a,11b,11cそれぞれに一定のセンス電流が流される。S22検知手段13は、磁気抵抗素子11aにおいて、センス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、対応する電流配線waに流れる電流が第1規定値例えば10mAに到達したとして検知制御部25に出力する。S23検知制御部25は、電気配線に流れる電流が所定の規定値第1規定値×3に到達したことを報知するしなくてもよい。S24検知手段13は、磁気抵抗素子11bにおいて、センス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、対応する電流配線wbに流れる電流が第2規定値例えば100mAに到達したとして検知制御部25に出力する。S25検知制御部25は、電気配線に流れる電流が所定の規定値第2規定値×3に到達したことを報知するしなくてもよい。S26検知手段13は、磁気抵抗素子11cにおいて、センス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、対応する電流配線wcに流れる電流が第3規定値例えば1000mAに到達したとして検知制御部25に出力する。S27検知制御部25は、電気配線に流れる電流が警報値第3規定値×3に到達したことを報知する。以上のように、本発明の電流センサ20によれば、簡便な構成で電気配線に流れる電流について任意の規定値に到達したことを検知することができ、とくに広い電流レンジを区分して検知することが可能となる。なお、電気配線wa,wb,wcへの電流の分流のさせ方は前述のように均等でもよいし、配線部材の設計により比率が既知であるような所定の比率での分流でもよい。最終的に各電流値を総計することで全電流値レベルが検知可能となる。第3実施形態図7は、本発明に係る電流センサの第3の実施形態における構成を示す概略図である。本発明の電流センサ30は、第1の実施形態と比べて、電気配線の構成が異なる。すなわち、磁気抵抗素子11a,11b,11cそれぞれに対応して、磁気抵抗素子11から所定の距離だけ離間した状態で該磁気抵抗素子11の周りを周回するように一平面上をループ状の配線される電気配線wra,wrb,wrcが設けられている。詳しくは、磁気抵抗素子11aから所定の距離d1だけ離間した状態で該磁気抵抗素子11aの周りを周回するように一平面上をループ状の配線される電気配線wraが設けられ、磁気抵抗素子11bから所定の距離d2だけ離間した状態で該磁気抵抗素子11bの周りを周回するように一平面上をループ状の配線される電気配線wrbが設けられ、磁気抵抗素子11cから所定の距離d3だけ離間した状態で該磁気抵抗素子11cの周りを周回するように一平面上をループ状の配線される電気配線wrcが設けられている。これにより、磁気抵抗素子11a,11b,11cは、それぞれ電気配線wra,wrb,wrcで形成される平面ループ内に配置されるようになる。なお、電流センサ30のそれ以外の構成は第1の実施形態と同じであり、図7において第1の実施形態と同じものは同じ符号を付している。なお、センス電流部12、検知手段13、検知制御部15は省略しているが、第1の実施形態と同じである。また、電流センサ30における電気配線の電流検知の手順は、第1の実施形態電流センサ10と同じであり、本発明の電流センサ30によれば、簡便な構成で電気配線に流れる電流について任意の規定値に到達したことを検知することができ、とくに広い電流レンジを区分して検知することが可能となる。特に、電気配線wra,wrb,wrcを平面ループ状に配線したので、電流による発生磁界のベクトル方向は基板面=膜面に垂直となり、磁気抵抗素子11の反磁界の影響の考慮した設計や発生する強度の精度が上がり発生磁界強度と分布の誤差を低減でき、より正確な測定を可能とすることが可能となる。第4実施形態図8は、本発明に係る電流センサの第4の実施形態における要部構成を示す概略図である。本実施形態の電流センサの基本構成は、第1の実施形態と同じであるが、図8に示すように、磁気抵抗素子11は、基板1上に所定の薄膜シード層2、磁化固定層3、トンネル障壁層4、フリー層5、キャップ層6が積層されてなり、電気配線wrが前記薄膜の積層方向図中上下方向に沿ってループ状に配置されることを特徴とするものである。この構成によれば、電流による発生磁界のベクトル方向は基板面=膜面に平行となり、磁気抵抗素子11の反磁界の影響の考慮した設計や発生する強度の精度が上がり、より正確な測定を可能となる。また、磁気抵抗素子11及び電気配線wrの作製を半導体LSI工程の中に取り込むことが可能であり、LSI等の多層配線中では磁気抵抗素子11平面に対して垂直に配置した構成がとれることから、より近接した立体ループ構造が、比較的低面積で実現可能であり、電流センサの小型化と高感度化が実現可能である。第5実施形態図9は、本発明に係る電流センサの第5の実施形態における要部構成を示す概略図である。本実施形態の電流センサの基本構成は、第1の実施形態と同じであるが、図9に示すように、電気配線wr1,wr2は、磁気抵抗素子11を挟むように配置した2つのループからなるヘルムホルツコイル構造を有していることを特徴とするものである。この構成によれば、第4の実施形態と同様に、電流による発生磁界のベクトル方向は基板面=膜面に平行となり、磁気抵抗素子11の反磁界の影響の考慮した設計や発生する磁界強度の精度の均一性が上がり、特に、磁気抵抗素子11を挟むように配置した2つのループからなるヘルムホルツコイル構造の電気配線wr1,wr2とすることから、より正確な電流検知が可能となる。なお、これまで本発明を図面に示した実施形態をもって説明してきたが、本発明は図面に示した実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。例えば、前述した実施形態では、センス電流を一定電圧源より発生させて、センス電流値自身の変化をもって、出力としているが、一定電流源として磁気抵抗素子部の発生電圧をもって、出力とすることも可能である。"