露光済みのレジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で当該基板を回転させながら前記レジスト層表面と純水とを接触させるプリウエット工程と、該プリウエット工程の後、前記レジスト層と現像液とを接触させる現像工程と、を有する基板の処理方法であって、前記プリウエット工程では、前記レジスト層表面への純水の供給を開始した後、前記基板を300rpmから700rpmの回転数で回転させる第1工程と、該第1工程の後、前記基板を1000rpmから2000rpmの回転数で回転させて前記レジスト層表面の純水を振り切る第2工程と、を行うことを特徴とする基板の処理方法。前記第1工程では、前記純水の供給を開始する際、前記基板を停止させておくことを特徴とする請求項1に記載の基板の処理方法。前記第2工程では、前記レジスト層表面が乾燥する前に前記基板の回転を停止することを特徴とする請求項1または2に記載の基板の処理方法。前記基板は、石英基板またはガラス基板であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の基板の処理方法。前記基板は、電気光学物質層を保持して電気光学装置を構成する電気光学装置用基板であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の基板の処理方法。しかしながら、特許文献2に記載の条件を純水によるプリウエット工程に適用すると、比抵抗が著しく高い純水が、500rpm程度の回転数で回転するレジスト層に激しく衝突することになるため、レジスト層と水との摩擦帯電によって基板が帯電し、基板上に形成した配線やスイッチング素子が破壊されるという問題点がある。また、特許文献2に記載の乾燥条件を純水によるプリウエット工程に適用して水切りを行うと、レジスト層表面が乾燥してしまい、プリウエット工程の効果が低下するとともに、レジスト層から水滴が剥離する際の剥離帯電により基板が帯電し、基板上に形成した配線やスイッチング素子が破壊されるという問題点がある。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、レジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で基板を回転させながら、レジスト層表面に純水を供給するプリウエット工程を行った場合でも、基板の帯電を抑制することのできる基板の処理方法を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明は、露光済みのレジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で当該基板を回転させながら前記レジスト層表面と純水とを接触させるプリウエット工程と、該プリウエット工程の後、前記レジスト層と現像液とを接触させる現像工程と、を有する基板の処理方法であって、前記プリウエット工程では、前記レジスト層表面への純水の供給を開始した後、前記基板を300rpmから700rpmの回転数で回転させる第1工程と、該第1工程の後、前記基板を1000rpmから2000rpmの回転数で回転させて前記レジスト層表面の純水を振り切る第2工程と、を行うことを特徴とする。本発明では、現像工程を行う前に純水によるプリウエット工程を行うため、レジスト層の表面全体が、親水性の現像液との濡れ性が高まっている。このため、現像工程を精度よく行うことができる。ここで、純水、レジスト層および基板はいずれも絶縁性であるため、プリウエット工程では、基板が帯電しやすい。しかるに本発明では、プリウエット工程の第1工程において、レジスト層表面への純水の供給を開始した後、基板を300rpmから700rpmの回転数で回転させる。このため、純水の供給を開始する際、基板は停止しているか、300rpm未満の回転数で回転していることになる。それ故、純水の供給を開始した際、純水は、レジスト層に急激に衝突することがないので、たとえ純水の比抵抗が著しく高くても、レジスト層と水との摩擦帯電の発生を抑制することができる。また、基板を300rpmから700rpmの回転数で回転させるため、純水を基板の表面全体レジスト層の表面全体に行き渡らせることができる。それ故、レジスト層の表面全体にプリウエットを均一に行うことができる。また、プリウエット工程の第2工程においては、基板を1000rpmから2000rpmの回転数で回転させて純水を振り切るため、レジスト層の表面が完全に乾く前に第2工程を終えることができる。また、基板の回転数が1000rpmから2000rpmであれば、レジスト層から水滴が剥離する際の剥離帯電の発生を抑制することができる。それ故、基板上に形成した配線、スイッチング素子、絶縁膜等が静電破壊されるという事態を回避することができる。本発明において、前記第1工程では、前記純水の供給を開始する際、前記基板を停止させておくことが好ましい。かかる構成によれば、レジスト層と水との摩擦帯電の発生をより確実に抑制することができる。本発明において、前記第2工程では、前記レジスト層の表面が乾燥する前に前記基板の回転を停止することが好ましい。かかる構成によれば、レジスト層の表面全体において現像液との濡れ性を高めることができる。本発明は、前記基板が石英基板またはガラス基板である場合に適用すると効果的である。かかる基板は特に帯電しやすいので、本発明を適用した場合の効果が大である。本発明において、前記基板は、例えば、電気光学物質層を保持して電気光学装置を構成する電気光学装置用基板である。図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置およびその製造方法に本発明を適用した場合を中心に説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。電気光学装置の全体構成図1は、本発明を適用した液晶装置電気光学装置に用いた液晶パネルの説明図であり、図1a、bは各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図1a、bに示すように、液晶装置1は、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされた液晶パネル3を有している。素子基板10および対向基板20はいずれも、ガラス基板や石英基板からなる。液晶パネル3において、シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板10と対向基板20との間においてシール材107により囲まれた領域内に液晶層50が保持されている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、素子基板10は、X方向に延在するとともにY方向で互いに対向する2つの端部10a、10bと、Y方向に延在するとともにX方向で互いに対向する2つの端部10c、10dとを備えている。また、対向基板20は、X方向に延在するとともにY方向で互いに対向する2つの端部20a、20bと、Y方向に延在するとともにX方向で互いに対向する2つの端部20c、20dとを備えている。液晶パネル3の略中央には、画素領域1a画像表示領域が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と画素領域1aの外周縁との間には、略四角形の周辺領域1bが額縁状に設けられている。素子基板10の一方面側の基板面において、画素領域1aには、スイッチング素子図示せずや画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。また、素子基板10の一方面側において、周辺領域1bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。素子基板10は、対向基板20の端部20aから一方側Y方向に張り出した張出領域105を備えており、かかる張出領域105には、素子基板10の一方面側の端部10aに沿って複数の端子102が形成されている。ここで、張出領域105は、X方向に延在する端部が長辺であり、Y方向に延在する端部が短辺である。張出領域105では、端子102が配列されている領域に対して端部10aが位置する側とは反対側にデータ線駆動回路101が形成されている。また、素子基板10には、一方側Y方向に対して交差する方向X方向で対向する端部10c、10dに沿って走査線駆動回路104が形成されている。なお、端子102には、フレキシブル配線基板図示せずが接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には共通電極21が形成されており、共通電極21の上層には配向膜26が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。また、対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には、共通電極21の下層側に遮光層108が形成されている。本形態において、遮光層108は、画素領域1aの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層108の外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層108とシール材107とは重なっていない。なお、対向基板20において、遮光層108は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた領域と重なる部分等にも形成されることがある。このように構成した液晶パネル3において、素子基板10には、シール材107より外側において対向基板20の角部分と重なる位置に、素子基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極109が形成されている。かかる基板間導通用電極109には、導電粒子を含んだ基板間導通材109aが配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通材109aおよび基板間導通用電極109を介して、素子基板10側に電気的に接続されている。かかる構成の液晶装置1において、画素電極9aおよび共通電極21をITO膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極21をITO膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極9aをアルミニウム膜等の反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置1は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20には、カラーフィルター図示せずや保護膜が形成される。また、液晶装置1では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル3に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置1は、投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各液晶装置1の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。液晶装置1の製造方法の概要図2は、本発明を適用した液晶装置1の製造工程を示す説明図である。本形態の液晶装置1を製造するには、図1および図2に示すように、素子基板10に対してスイッチング素子や画素電極9a等の形成工程S1を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート等により配向膜16を形成する配向膜形成工程S2を行う。配向膜16がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程S2の後、配向膜16に対するラビング工程S3を行う。次に、シール材107を塗布するシール印刷工程S4を行う。かかるシール材107の塗布は、ノズルからシール材を突出しながら、ノズルと素子基板10とを相対移動させて、シール材107を矩形枠状に描画する。一方、対向基板20に対しては、共通電極21等の形成工程S11を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート等により配向膜26を形成する配向膜形成工程S12を行う。配向膜26がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程S12の後、配向膜26に対するラビング工程S13を行う。次に、シール材107によって素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる貼り合わせ工程S20を行う。貼り合わせ工程S20では、まず、重ね合わせ工程S21において、シール材107を間に挟んで素子基板10と対向基板20とを重ね合わせ、その後に、シール硬化工程S22においてシール材107を硬化させ、パネルを構成する。かかるシール硬化工程S22では、例えば、対向基板20側からUV光等を照射してシール材107を硬化させる。本形態では、図3を参照して後述するように、上記のシール硬化工程S22までを素子基板10を多数取りできる大型の基板、および対向基板20を多数取りできる大型の基板の状態で行い、大型の基板同士を貼り合わせて大型パネルを構成する。そして、大型パネルを単品サイズに切断するパネル切断工程S23を行い、その後、液晶封入工程S24を行う。液晶封入工程S24では、減圧雰囲気中でシール材107の途切れ部分に液晶を供給した後、減圧状態を解除する。その結果、シール材107の内側に液晶が注入される。かかる液晶の注入を終えた後は、シール材107の途切れ部分を封止材107aで封止する。なお、シール印刷工程S4において、図1に示すシール材107を、途切れ部分を設けずに形成した後、シール材107で囲まれた領域内に液晶を滴下し、その後、貼り合わせ工程S20において、対向基板20を重ね、シール材107で貼り合わせることもある。かかる方法の場合、貼り合わせ工程S20と液晶封入工程S24が同時に行われるので、液晶封入工程S24の後にパネル切断工程S23が行われることになる。フォトリソグラフィ工程図3は、本発明を適用した液晶装置1の製造工程において行うフォトリソグラフィ工程プリウエット工程および現像工程を示す説明図である。図4は、本発明を適用した液晶装置1の製造工程においてプリウエット工程を行う際の大型の基板の回転数を示す説明図である。なお、以下の説明では、素子基板10を多数取りできる大型の基板にフォトリソグラフィ工程を行う場合を中心に説明する。図1等を参照して説明した素子基板10を形成するには、図3aに示す大型の基板100電気光学装置用基板に対してスイッチング素子や画素電極9aを形成する。本形態において、基板100は、シリコンウエーハと同様な円盤形状を有するガラス基板や石英基板であり、点線で囲まれた領域が単品サイズの素子基板10が切り出される領域である。かかる基板100にスイッチング素子や画素電極9aを形成するには、基板100に所定の膜を形成した後、膜の表面にレジストマスクを形成し、この状態で膜をエッチングする工程を繰り返し行う。いずれの膜をパターニングする場合でも、レジストマスクを形成するには、基板100の一方面側にレジスト層110を形成した後、レジスト層110を所定のパターンに露光し、その後、プリベークを行う。次に、露光済みのレジスト層110を現像液と接触させて現像工程を行う。本形態では、現像工程の前に、図3b~gおよび図4を参照して説明するプリウエット工程を行い、レジスト層110の現像液に対する濡れ性を高める。かかるプリウエット工程を行うにあたっては、まず、図3bに示すように、スピンチャック151によって、露光済みのレジスト層110が設けられた基板100の一方面を上向きにして基板100を保持する。次に、図3cに示すように、カップ152を上昇させて、スピンチャック151の周りを囲むようにする。これまでの工程は、図4の期間T1に相当し、スピンチャック151は停止状態にある。次に、図3d、eに示す第1工程では、レジスト層110表面への純水Wの供給を開始した後、基板100を300rpmから700rpmの回転数で回転させる。より具体的には、図3dに示すように、ノズル153からレジスト層110への純水Wの吐出を開始した後、図3eに示すように、基板100を300rpmから700rpmの回転数で回転させ、純水Wをレジスト層110の全面に展開させる。かかる第1工程において、純水Wの供給開始は、図4に示す時刻T2である。この時点では、基板100は停止しており、その後の期間T3において、基板100は、300rpmから700rpmの回転数で回転する。本形態において、期間T3は2秒から4秒程度であり、基板100の回転数は、例えば500rpmである。次に、図3f、gに示す第2工程では、基板100を1000rpmから2000rpmの回転数で回転させてレジスト層110の表面の純水Wを振り切る。かかる第2工程は、図4に示す期間T4であり、第1工程から連続して行われる。本形態において、期間T4は3秒から5秒程度であり、基板100の回転数は、例えば1500rpmである。本形態では、図3gに示すように、レジスト層110の表面が適度な水分W0を有している状態で第2工程を終了する。従って、レジスト層110が乾燥する前に基板100が停止する。このようにしてプリウエット工程を行った後、レジスト層110を現像液と接触させて現像工程を行う。かかる現像工程は、図3に示す装置とは別の装置で実施してもよいが、本形態では、図3に示す装置において、プリウエット工程に連続して現像工程を行う。より具体的には、図示を省略するが、基板100を1000rpmから2000rpmの回転数例えば、1500rpmの回転数で回転させた状態で、図3に示すノズル153から、アルカリ溶液等の親水性の現像液をレジスト層110の表面に供給し、レジスト層110を現像する。かかる工程の際、基板100の回転数は高いが、現像液は比抵抗が低いので、基板100が帯電するおそれはない。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の液晶装置1の製造方法では、現像工程を行う前に純水Wによるプリウエット工程を行うため、レジスト層110の表面全体が、親水性の現像液との濡れ性が高まっている。このため、現像工程を精度よく行うことができる。ここで、純水W、レジスト層110および基板100はいずれも絶縁性であるため、プリウエット工程では、基板100が帯電しやすい。しかるに本形態では、プリウエット工程の第1工程において、レジスト層110表面への純水Wの供給を開始した後、基板100を300rpmから700rpmの回転数で回転させるため、純水Wの供給を開始する際、基板100は停止している。このため、純水Wの供給を開始した際、純水Wは、レジスト層110に急激に衝突することがないので、レジスト層110と純水Wとの摩擦帯電の発生を抑制することができる。また、基板を300rpmから700rpmの回転数で回転させるため、純水Wを基板100の表面全体レジスト層110の表面全体に行き渡らせることができる。それ故、レジスト層110の表面全体にプリウエットを均一に行うことができる。また、プリウエット工程の第2工程においては、基板100を1000rpmから2000rpmの回転数で回転させて純水Wを振り切るため、レジスト層110の表面が完全に乾く前に第2工程を終えることができる。また、基板100の回転数が1000rpmから2000rpmであれば、レジスト層110から水滴が剥離する際の剥離帯電の発生を抑制することができる。それ故、基板100上に形成した配線、スイッチング素子、絶縁膜等が静電破壊されるという事態を回避することができる。また、本形態では、第1工程では、純水Wの供給を開始する際、基板100を停止させておくため、レジスト層110と純水Wとの摩擦帯電の発生をより確実に抑制することができる。また、第2工程では、レジスト層110の表面が乾燥する前に基板100の回転を停止するため、レジスト層110の表面全体において現像液との濡れ性を高めることができる。他の実施の形態上記実施の形態では、プリウエット工程の第1工程において、レジスト層110表面への純水Wの供給を開始する際、基板100を停止させていたが、基板を300rpm未満の回転数で回転させる構成を採用してもよい。上記実施の形態では、素子基板10の形成に本発明を適用したが、対向基板20の形成に本発明を適用してもよい。[他の電気光学装置]上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例示したが、透光性を有する基板電気光学装置用基板を備えていれば、液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置FieldEmissionDisplay、DLPDigitalLightProcessing等の電気光学装置の製造方法に本発明を適用してもよい。