光電変換層を含む半導体層と、光入射面側の前記半導体層上に形成され、発電された電流を収集するためのフィンガー電極とを含む複数の光起電力素子と、前記フィンガー電極に電気的に接続され、隣接する前記光起電力素子を電気的に接続するためのタブ電極とを備え、前記フィンガー電極は、前記タブ電極が配置される領域を横切らないように、前記タブ電極が配置される領域において分断された領域を有する、光起電力モジュール。前記タブ電極は、前記フィンガー電極が分断されている領域において、絶縁性の接着材を介して前記光入射面上に接着されていることを特徴とする、請求項1に記載の光起電力モジュール。前記フィンガー電極は、前記タブ電極と交差する方向に所定の間隔を隔てて複数形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の光起電力モジュール。前記フィンガー電極は、2本の前記タブ電極によって3つに分割されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1つに記載の光起電力モジュール。前記タブ電極の幅は、前記フィンガー電極が分割されている幅より狭いことを特徴とする、請求項4に記載の光起電力モジュール。前記タブ電極は、前記半導体層上に前記接着剤を介して接着されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1つに記載の光起電力モジュール。前記光起電力素子は、前記半導体層上に形成された透光性導電膜をさらに備え、前記タブ電極は、前記透光性導電膜上に前記接着剤を介して接着されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1つに記載の光起電力モジュール。前記タブ電極は、半田材を介して、前記フィンガー電極と電気的に接続されている、請求項1~7のうちいずれか1つに記載の光起電力モジュール。しかしながら、上記した導電性ペーストによりフィンガー電極およびバスバー電極を形成するとともに、バスバー電極上に箔状の金属からなるタブ電極を形成した従来の光起電力モジュールでは、タブ電極を介してバスバー電極に過度な引張り応力が加わった場合などには、バスバー電極が光起電力素子の表面から剥離しやすいという恐れがある。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、タブ電極の剥離を抑制することが可能な光起電力モジュールを提供することである。本発明に係る光起電力モジュールは、光電変換層を含む半導体層と、光入射面側の半導体層上に形成され、発電された電流を収集するためのフィンガー電極とを含む複数の光起電力素子と、フィンガー電極に電気的に接続され、隣接する光起電力素子を電気的に接続するためのタブ電極とを備え、フィンガー電極は、タブ電極が配置される領域を横切らないように、タブ電極が配置される領域において分断された領域を有する。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態による光起電力モジュールの構造を示した断面図であり、図2は、図1に示した第1実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子にタブ電極が接続された状態を示した平面図である。図3~図5は、それぞれ、図2の100-100線、200-200線および300-300線に沿った断面図である。図6は、図1に示した第1実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子のフィンガー電極の形状を示した平面図であり、図7は、図1に示した第1実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子からタブ電極を取り外した状態を示した平面図である。まず、図1~図7を参照して、第1実施形態による光起電力モジュールの構造について説明する。第1実施形態による光起電力モジュールは、図1に示すように、複数の光起電力素子1を含むとともに、その複数の光起電力素子1がタブ電極2を介して電気的に接続された構造を有する。複数の光起電力素子1を電気的に接続するタブ電極2は、図1および図2に示すように、後述する集電極としてのフィンガー電極1819と電気的に接続するように、かつ、X方向フィンガー電極1819の延びる方向と直交するY方向に延びるように配置されている。このタブ電極2は、約200μm~約400μmの厚みと、約1mm~約2mmの幅とを有する銅箔からなる。また、図1に示すように、複数の光起電力素子1は、EVAEthyleneVinylAcetateからなる充填材3により覆われている。また、充填材3の上面上には、ガラスからなる表面保護材4が設けられているとともに、充填材3の下面上には、PVFPolyVinylFluorideからなる裏面保護材5が設けられている。また、第1実施形態の光起電力素子1では、図3~図5に示すように、約180μm~約300μmの厚みを有するn型単結晶シリコン基板11の上面上に、約5nm~約20nmの厚みを有する実質的に真性のi型非晶質シリコン層12および約5nm~約20nmの厚みを有するp型非晶質シリコン層13が順次形成されている。なお、n型単結晶シリコン基板11は、本発明の光電変換層および半導体層の一例であり、i型非晶質シリコン層12およびp型非晶質シリコン層13は、本発明の半導体層の一例である。また、p型非晶質シリコン層13上には、約30nm~約150nmの厚みを有する透光性導電膜としてのITOIndiumTinOxide膜14が形成されている。そして、第1実施形態では、ITO膜14のn型単結晶シリコン基板11とは反対側の表面が、表面側の光入射面1aとなる。また、n型単結晶シリコン基板11の下面上には、i型非晶質シリコン層15、n型非晶質シリコン層16およびITO膜17が順次形成されている。このi型非晶質シリコン層15、n型非晶質シリコン層16およびITO膜17の厚みは、それぞれ、約5nm~約20nm、約5nm~約20nmおよび約30nm~約150nmである。なお、i型非晶質シリコン層15およびn型非晶質シリコン層16は、本発明の半導体層の一例である。また、第1実施形態では、ITO膜17のn型単結晶シリコン基板11とは反対側の表面が、裏面側の光入射面1bとなる。この第1実施形態の光起電力素子1では、平面的に見て、n型単結晶シリコン基板11の上面および下面上に形成された半導体各層12、13、15および16の形成領域が、発電領域となる。すなわち、p型非晶質シリコン層13上に形成されたITO膜14の表面により構成される光入射面1aと、n型非晶質シリコン層16上に形成されたITO膜17の表面により構成される光入射面1bとは、光起電力素子1の発電領域に対応する領域に配置されている。また、図4および図5に示すように、表面側の光入射面1aITO膜14のn型単結晶シリコン基板11とは反対側の表面上の所定領域には、約10μm~約50μmの厚みを有するとともに、銀Agの微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂などからなる導電性ペーストによって形成された導電性材料からなるフィンガー電極18が形成されている。このフィンガー電極18は、発電された電流を収集する機能を有する。また、図6に示すように、フィンガー電極18は、X方向に延びるように、かつ、X方向と直交するY方向タブ電極2の延びる方向に互いに約2mmの間隔を隔てて複数形成されている。また、各々のフィンガー電極18は、約100μmのY方向の幅を有する。なお、図4および図5に示すように、裏面側の光入射面1bITO膜17のn型単結晶シリコン基板11とは反対側の表面上の所定領域にも、表面側のフィンガー電極18と同様の形状を有するとともに、表面側のフィンガー電極18とたとえば同様の材料からなるフィンガー電極19が複数形成されている。また、第1実施形態の光起電力素子1の集電極は、上記したフィンガー電極18および19のみによって構成されている。すなわち、第1実施形態の光起電力素子1には、フィンガー電極18および19で収集された電流を集合させるためのバスバー電極が設けられていない。ここで、第1実施形態による光起電力モジュールでは、図3および図5に示すように、タブ電極2は、光起電力素子1の表面側の発電領域に対応する領域において、アクリル系の熱硬化型樹脂からなる絶縁性の接着層6を介して、光入射面1aに直接接着されている。そして、第1実施形態では、図7に示すように、光入射面1aとタブ電極2とを接着する絶縁性の接着層6は、光起電力素子1の発電領域に対応する領域で、かつ、フィンガー電極18が形成されていない領域に設けられている。具体的には、第1実施形態では、絶縁性の接着層6は、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接するフィンガー電極18間に位置する領域の各々に設けられている。また、第1実施形態では、図5および図7に示すように、タブ電極2が配置される領域において、複数のフィンガー電極18の各々の上面上に、Sn-Ag-Cuからなる半田層7が設けられている。この半田層7によって、タブ電極2とフィンガー電極18とが電気的に接続されている。なお、図3~図5に示すように、光起電力素子1の裏面側におけるタブ電極2の接続方法は、上記した光起電力素子1の表面側におけるタブ電極2の接続方法と同様である。すなわち、タブ電極2は、光起電力素子1の裏面側の発電領域に対応する領域において、絶縁性の接着層6を介して、光入射面1bに直接接着されている。また、タブ電極2は、半田層7を介して、フィンガー電極19と電気的に接続されている。第1実施形態では、上記のように、光起電力素子1の表面側の発電領域に対応する領域において、タブ電極2を、絶縁性の接着層6を介して光入射面1aに直接接着することによって、光入射面1aとタブ電極2との間の接着強度を、絶縁性の接着層6を用いずに光入射面1a上に導電性ペーストから形成されてなるバスバー電極を介してタブ電極2を接合する従来の場合における光入射面1aとタブ電極2との間の接着強度よりも大きくすることができるので、タブ電極2が光入射面1aから剥離するのを抑制することができる。この結果、導電性ペーストから形成されてなるフィンガー電極集電極18を含む場合にも、タブ電極2の剥離を抑制することができる。また、第1実施形態では、上記のように、タブ電極2をバスバー電極を介さずに光入射面1aに接着することによって、バスバー電極を省略することができるので、電極構造を簡略化することができる。また、第1実施形態では、上記のように、光起電力素子1の表面側の発電領域に対応する領域において、タブ電極2を、絶縁性の接着層6を介して光入射面1aに接着することによって、タブ電極2を導電性の接着層を介して光入射面1aに接着する場合と異なり、接着層6を介してタブ電極2へ暗電流が流れるのを抑制することができる。これにより、光起電力モジュールの特性の低下を抑制することができる。また、第1実施形態では、上記のように、絶縁性の接着層6を、タブ電極2が配置される領域で、かつ、フィンガー電極18が形成されていない領域に設けることによって、タブ電極2とフィンガー電極18との電気的な接続を妨げることなく、タブ電極2が配置される領域において、光入射面1aとタブ電極2とを絶縁性の接着層6を介して接着することができる。この場合、絶縁性の接着層6を、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接するフィンガー電極18間に位置する領域の各々に設けることによって、タブ電極2が配置される領域において、光入射面1aとタブ電極2との接着領域を増加させることができる。また、第1実施形態では、上記のように、半田層7を介して、タブ電極2とフィンガー電極18とを電気的に接続することによって、容易に、半田層7により、タブ電極2とフィンガー電極18とを電気的に接続することができる。また、第1実施形態では、上記のように、光起電力素子1の裏面側におけるタブ電極2の接続を、光起電力素子1の表面側におけるタブ電極2の接続と同様に行うことによって、光起電力素子1の裏面側においても、タブ電極2の剥離を抑制することができる。次に、図1~図7を参照して、第1実施形態による光起電力モジュールの製造プロセスについて説明する。まず、図3~図5に示すように、プラズマCVDChemicalVaporDeposition法を用いて、約180μm~約300μmの厚みを有するn型単結晶シリコン基板11上に、約5nm~約20nmの厚みを有するi型非晶質シリコン層12および約5nm~約20nmの厚みを有するp型非晶質シリコン層13を順次形成する。この後、プラズマCVD法を用いて、n型単結晶シリコン基板11の下面上に、約5nm~約20nmの厚みを有するi型非晶質シリコン層15および約5nm~約20nmの厚みを有するn型非晶質シリコン層16を順次形成する。次に、スパッタリング法を用いて、p型非晶質シリコン層13上に、約30nm~約150nmの厚みを有するITO膜14を形成した後、n型非晶質シリコン層16の下面上にも、約30nm~約150nmの厚みを有するITO膜17を形成する。次に、図4および図5に示すように、スクリーン印刷法を用いて、ITO膜14上の所定領域に、Agの微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂などからなる導電性ペーストを塗布する。この後、導電性ペーストを硬化させることによって、ITO膜14上の所定領域に、約10μm~約50μmの厚みを有する導電性材料からなる表面側のフィンガー電極18を形成する。この際、図6に示すように、表面側のフィンガー電極18を、X方向に延びるように、かつ、X方向と直交するY方向に互いに約2mmの間隔を隔てて複数形成する。この後、上記した表面側のフィンガー電極18の形成プロセスと同様の形成プロセスを用いて、ITO膜17の下面上の所定領域にも、表面側のフィンガー電極18と同様の形状を有する裏面側のフィンガー電極19を複数形成する。これにより、第1実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子1が形成される。次に、図7に示すように、スクリーン印刷法を用いて、表面側のタブ電極2が配置される領域で、かつ、ITO膜14上のY方向に隣接するフィンガー電極18間に位置する領域の各々に、アクリル系の熱硬化型樹脂からなる、後に接着層6となる絶縁性の樹脂ペーストからなる接着剤を塗布する。また、スクリーン印刷法を用いて、表面側のタブ電極2が配置される領域において、複数のフィンガー電極18の各々の上面上に、Sn-Ag-Cuからなるとともに、後に半田層7となる半田ペーストを塗布する。この後、上記した樹脂ペーストおよび半田ペーストが塗布された領域に、約200μm~約400μmの厚みと、約1mm~約2mmの幅とを有する銅箔からなるタブ電極2を押付ける。この状態で、熱風加熱法を用いて、約150°C~約200°Cの温度条件下で、約10分~約60分の熱処理を行うことによって、樹脂ペーストを硬化させる。これにより、樹脂ペーストが接着層6となるとともに、その接着層6を介して、ITO膜14の表面光入射面1aとタブ電極2とが接着される。この後、熱風加熱法を用いて、約230°C~約260°Cの温度条件下で熱処理を行うことによって、半田ペーストを硬化させる。これにより、半田ペーストが半田層7となるとともに、その半田層7を介して、タブ電極2とフィンガー電極18とが電気的に接続される。このようにして、図2に示すように、光起電力素子1の表面側に、タブ電極2を接続する。なお、光起電力素子1の裏面側においても、上記した表面側のタブ電極2の接続プロセスと同様の接続プロセスを用いて、タブ電極2を接続する。すなわち、タブ電極2を、絶縁性の接着層6を介して、光入射面1bに接着するとともに、半田層7を介して、フィンガー電極19と電気的に接続する。最後に、図1に示すように、ガラスからなる表面保護材4の上に、後に充填材3となるEVAシート、タブ電極2により接続した複数の光起電力素子1、後に充填材3となるEVAシート、および、PVFからなる裏面保護材5を順次積層する。この後、加熱しながら真空ラミネート処理を行うことによって、第1実施形態による光起電力モジュールが形成される。図8は、第1実施形態の第1変形例による光起電力モジュールを構成する光起電力素子のフィンガー電極の形状を示した平面図であり、図9は、第1実施形態の第1変形例による光起電力モジュールを構成する光起電力素子からタブ電極を取り外した状態を示した平面図である。図8および図9を参照して、この第1実施形態の第1変形例の光起電力素子21では、上記第1実施形態と同様、表面側の光入射面1a上の所定領域に、フィンガー電極28aのみによって構成された集電極が形成されている。この集電極としてのフィンガー電極28aは、X方向に延びるように、かつ、X方向と直交するY方向タブ電極2の延びる方向に所定の間隔を隔てて複数形成されている。また、各々のフィンガー電極28aは、約10μm~約50μmの厚みと、約100μmのY方向の幅とを有するとともに、Agの微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂などからなる導電性ペーストによって形成された導電性材料からなる。ここで、第1実施形態の第1変形例では、図8に示すように、複数のフィンガー電極28aは、3本のフィンガー電極28aをそれぞれ含む複数の組28に分けられている。そして、同一の組28に含まれる3本のフィンガー電極28aは、タブ電極2が配置される領域における隣接するフィンガー電極28a間のY方向の距離L1が、タブ電極2が配置されない領域における隣接するフィンガー電極28a間のY方向の距離L2よりも小さくなるように形成されている。なお、図示しないが、第1実施形態の第1変形例では、裏面側の光入射面上の所定領域にも、表面側のフィンガー電極28aと同様の形状を有するとともに、表面側のフィンガー電極28aと同様の材料からなるフィンガー電極が複数形成されている。また、第1実施形態の第1変形例による光起電力モジュールでは、図9に示すように、タブ電極2は、光起電力素子21の表面側の発電領域に対応する領域において、アクリル系の熱硬化型樹脂からなる絶縁性の接着層26を介して、光入射面1aに直接接着されている。そして、第1実施形態の第1変形例では、光入射面1aとタブ電極2とを接着する絶縁性の接着層26は、光起電力素子21の発電領域に対応する領域で、かつ、フィンガー電極28aが形成されていない領域に設けられている。具体的には、第1実施形態の第1変形例では、絶縁性の接着層26は、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接する3本のフィンガー電極28aを含む組28間に位置する領域の各々に設けられている。また、第1実施形態の第1変形例では、タブ電極2が配置される領域において、複数のフィンガー電極28aの各々の上面上に、Sn-Ag-Cuからなる半田層27が設けられている。この半田層27によって、タブ電極2とフィンガー電極28aとが電気的に接続されている。なお、光起電力素子21の裏面側におけるタブ電極2の接続方法は、上記した光起電力素子21の表面側におけるタブ電極2の接続方法と同様である。第1実施形態の第1変形例では、上記のように、同一の組28に含まれる3本のフィンガー電極28aを、タブ電極2が配置される領域における隣接するフィンガー電極28a間のY方向の距離L1が、タブ電極2が配置されない領域における隣接するフィンガー電極28a間のY方向の距離L2よりも小さくなるように形成するとともに、絶縁性の接着層26を、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接する組28間に位置する領域の各々に設けることによって、タブ電極2が配置される領域において、隣接するフィンガー電極28a間のY方向の距離が大きくなるので、その分、隣接するフィンガー電極28a間に配置される接着層26の塗布領域の面積を大きくすることができる。これにより、光入射面1aに対する絶縁性の接着層26の塗布を容易に行うことができる。なお、第1実施形態の第1変形例のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。図10は、第1実施形態の第2変形例による光起電力モジュールを構成する光起電力素子のフィンガー電極の形状を示した平面図であり、図11は、第1実施形態の第2変形例による光起電力モジュールを構成する光起電力素子からタブ電極を取り外した状態を示した平面図である。図10および図11を参照して、この第1実施形態の第2変形例の光起電力素子31では、上記第1実施形態と同様、表面側の光入射面1a上の所定領域に、フィンガー電極38aのみによって構成された集電極が形成されている。この集電極としてのフィンガー電極38aは、X方向に延びるように、かつ、X方向と直交するY方向タブ電極2の延びる方向に所定の間隔を隔てて複数形成されている。また、各々のフィンガー電極38aは、約10μm~約50μmの厚みと、約100μmのY方向の幅とを有するとともに、Agの微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂などからなる導電性ペーストによって形成された導電性材料からなる。ここで、第1実施形態の第2変形例では、図10に示すように、複数のフィンガー電極38aは、3本のフィンガー電極38aをそれぞれ含む複数の組38に分けられている。そして、同一の組38に含まれる3本のフィンガー電極38aは、タブ電極2が配置される領域において、3本のフィンガー電極38aの内の1本のフィンガー電極38aに集合されている。この第1実施形態の第2変形例では、タブ電極2が配置される領域に位置する集合されたフィンガー電極38aのY方向の幅W1は、タブ電極2が配置されない領域に位置する各々のフィンガー電極38aのY方向の幅W2約100μmと実質的に同じである。なお、図示しないが、第1実施形態の第2変形例では、裏面側の光入射面上の所定領域にも、表面側のフィンガー電極38aと同様の形状を有するとともに、表面側のフィンガー電極38aとたとえば同様の材料からなるフィンガー電極が複数形成されている。また、第1実施形態の第2変形例による光起電力モジュールでは、図11に示すように、タブ電極2は、光起電力素子31の表面側の発電領域に対応する領域において、アクリル系の熱硬化型樹脂からなる絶縁性の接着層36を介して、光入射面1aに直接接着されている。そして、第1実施形態の第2変形例では、光入射面1aとタブ電極2とを接着する絶縁性の接着層36は、光起電力素子31の発電領域に対応する領域で、かつ、フィンガー電極38aが形成されていない領域に設けられている。具体的には、第1実施形態の第2変形例では、絶縁性の接着層36は、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接する3本のフィンガー電極38aを含む組38間に位置する領域の各々に設けられている。また、第1実施形態の第2変形例では、タブ電極2が配置される領域において、複数のフィンガー電極38aの上面上に、Sn-Ag-Cuからなる半田層37が設けられている。この半田層37によって、タブ電極2とフィンガー電極38aとが電気的に接続されている。なお、光起電力素子31の裏面側におけるタブ電極2の接続方法は、上記した光起電力素子31の表面側におけるタブ電極2の接続方法と同様である。第1実施形態の第2変形例では、上記のように、同一の組38に含まれる3本のフィンガー電極38aを、タブ電極2が配置される領域において、3本のフィンガー電極38aの内の1本のフィンガー電極38aに集合させるとともに、絶縁性の接着層36を、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接する組38間に位置する領域の各々に設けることによって、タブ電極2が配置される領域において、フィンガー電極38aが形成されていない領域の面積を大きくすることができるので、光入射面1aとタブ電極2との接着領域の面積を大きくすることができる。これにより、光入射面1aとタブ電極2との間の接着強度を大きくすることができる。なお、第1実施形態の第2変形例のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。図12は、第1実施形態の第3変形例による光起電力モジュールを構成する光起電力素子のフィンガー電極の形状を示した平面図であり、図13は、第1実施形態の第3変形例による光起電力モジュールを構成する光起電力素子からタブ電極を取り外した状態を示した平面図である。図12および図13を参照して、この第1実施形態の第3変形例の光起電力素子41では、上記第1実施形態と同様、表面側の光入射面1a上の所定領域に、フィンガー電極48aのみによって構成された集電極が形成されている。この集電極としてのフィンガー電極48aは、X方向に延びるように、かつ、X方向と直交するY方向タブ電極2の延びる方向に所定の間隔を隔てて複数形成されている。また、各々のフィンガー電極48aは、約10μm~約50μmの厚みと、約100μmのY方向の幅とを有するとともに、Agの微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂などからなる導電性ペーストによって形成された導電性材料からなる。ここで、第1実施形態の第3変形例では、図12に示すように、複数のフィンガー電極48aは、3本のフィンガー電極48aをそれぞれ含む複数の組48に分けられている。そして、同一の組48に含まれる3本のフィンガー電極48aは、タブ電極2が配置される領域において、3本のフィンガー電極48aの内の1本のフィンガー電極48aに集合されている。この第1実施形態の第3変形例では、タブ電極2が配置される領域に位置する集合されたフィンガー電極48aのY方向の幅W11約300μm~約1mmは、タブ電極2が配置されない領域に位置する各々のフィンガー電極48aのY方向の幅W12約100μmよりも大きい。なお、図示しないが、第1実施形態の第3変形例では、裏面側の光入射面上の所定領域にも、表面側のフィンガー電極48aと同様の形状を有するとともに、表面側のフィンガー電極48aと同様の材料からなるフィンガー電極が複数形成されている。また、第1実施形態の第3変形例による光起電力モジュールでは、図13に示すように、タブ電極2は、光起電力素子41の表面側の発電領域に対応する領域において、アクリル系の熱硬化型樹脂からなる絶縁性の接着層46を介して、光入射面1aに直接接着されている。そして、第1実施形態の第3変形例では、光入射面1aとタブ電極2とを接着する絶縁性の接着層46は、光起電力素子41の発電領域に対応する領域で、かつ、フィンガー電極48aが形成されていない領域に設けられている。具体的には、第1実施形態の第3変形例では、絶縁性の接着層46は、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接する3本のフィンガー電極48aを含む組48間に位置する領域の各々に設けられている。また、第1実施形態の第3変形例では、タブ電極2が配置される領域において、大きいY方向の幅W11図12参照を有するフィンガー電極48aの上面上に、Sn-Ag-Cuからなる半田層47が設けられている。この半田層47によって、タブ電極2とフィンガー電極48aとが電気的に接続されている。なお、光起電力素子41の裏面側におけるタブ電極2の接続方法は、上記した光起電力素子41の表面側におけるタブ電極2の接続方法と同様である。第1実施形態の第3変形例では、上記のように、同一の組48に含まれる3本のフィンガー電極48aを、タブ電極2が配置される領域において、3本のフィンガー電極48aの内の1本のフィンガー電極48aに集合させるとともに、絶縁性の接着層46を、タブ電極2が配置される領域で、かつ、Y方向に隣接する組48間に位置する領域の各々に設けることによって、上記第1実施形態の第2変形例と同様、光入射面1aとタブ電極2との接着領域の面積を大きくすることができるので、光入射面1aとタブ電極2との間の接着強度を大きくすることができる。また、第1実施形態の第3変形例では、上記のように、タブ電極2が配置される領域に位置する集合されたフィンガー電極48aのY方向の幅W11を、タブ電極2が配置されない領域に位置する各々のフィンガー電極48aのY方向の幅W12よりも大きくすることによって、タブ電極2が配置される領域において、タブ電極2とフィンガー電極48aとの接触面積を大きくすることができるので、タブ電極2とフィンガー電極48aとの間の接触抵抗を小さくすることができる。なお、第1実施形態の第3変形例のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。第2実施形態図14は、本発明の第2実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子にタブ電極が接続された状態を示した平面図である。図15~図17は、それぞれ、図14の400-400線、500-500線および600-600線に沿った断面図である。図18は、図14に示した第2実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子のフィンガー電極の形状を示した平面図であり、図19は、図14に示した第2実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子からタブ電極を取り外した状態を示した平面図である。図14~図19を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、フィンガー電極を、タブ電極が配置される領域において分断する場合について説明する。この第2実施形態による光起電力モジュールでは、図14に示すように、複数の光起電力素子51を電気的に接続するタブ電極52は、後述する集電極としてのフィンガー電極5859と電気的に接続するように、かつ、X方向フィンガー電極5859の延びる方向と直交するY方向に延びるように配置されている。このタブ電極52は、約200μm~約400μmの厚みと、約1mm~約2mmの幅とを有する銅箔からなる。また、第2実施形態の光起電力素子51では、図15~図17に示すように、上記第1実施形態の光起電力素子1と同様、n型単結晶シリコン基板11上に、i型非晶質シリコン層12、p型非晶質シリコン層13およびITO膜14が順次形成されている。また、n型単結晶シリコン基板11の下面上に、i型非晶質シリコン層15、n型非晶質シリコン層16およびITO膜17が順次形成されている。また、第2実施形態では、上記第1実施形態と同様、ITO膜14のn型単結晶シリコン基板11とは反対側の表面が、表面側の光入射面1aとなるとともに、ITO膜17のn型単結晶シリコン基板11とは反対側の表面が、裏面側の光入射面1bとなる。また、光入射面1aおよび1bは、発電領域に対応する領域に配置されている。また、図16に示すように、表面側の光入射面1a上の所定領域には、約10μm~約50μmの厚みを有するとともに、Agの微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂などからなる導電性ペーストによって形成された導電性材料からなるフィンガー電極58が形成されている。また、図18に示すように、フィンガー電極58は、X方向に延びるように、かつ、X方向と直交するY方向タブ電極52の延びる方向に互いに約2mmの間隔を隔てて複数形成されている。また、各々のフィンガー電極58は、約100μmのY方向の幅を有する。ここで、第2実施形態の光起電力素子51では、フィンガー電極58は、タブ電極52が配置される領域を横切らないように、タブ電極52が配置される領域において分断されている。すなわち、第2実施形態では、X方向に延びる各々のフィンガー電極58は、3つに分割されている。なお、図16に示すように、裏面側の光入射面1b上の所定領域にも、表面側のフィンガー電極58と同様の形状を有するとともに、表面側のフィンガー電極58と同様の材料からなるフィンガー電極59が複数形成されている。また、第2実施形態の光起電力素子51の集電極は、上記したフィンガー電極58および59のみによって構成されている。すなわち、第2実施形態の光起電力素子51には、フィンガー電極58および59で収集された電流を集合させるためのバスバー電極が設けられていない。また、第2実施形態による光起電力モジュールでは、図15~図17に示すように、タブ電極52は、光起電力素子51の表面側の発電領域に対応する領域において、アクリル系の熱硬化型樹脂からなる絶縁性の接着層56を介して、光入射面1aに直接接着されている。そして、第2実施形態では、図19に示すように、光入射面1aとタブ電極52とを接着する絶縁性の接着層56は、光起電力素子51の発電領域に対応する領域で、かつ、フィンガー電極58が形成されていない領域に設けられている。具体的には、第2実施形態では、絶縁性の接着層56は、タブ電極52が配置される領域で、かつ、Y方向タブ電極52の延びる方向に沿って連続して延びるように設けられている。また、第2実施形態では、図16および図19に示すように、光入射面1a上のタブ電極52が配置される領域のX方向の両側に、Sn-Ag-Cuからなる半田層57が設けられている。この半田層57によって、タブ電極52および絶縁性の接着層56のX方向側の側面部分において、タブ電極52の側面の一部とフィンガー電極58の分断された端部とが電気的に接続されている。なお、図15~図17に示すように、光起電力素子51の裏面側におけるタブ電極52の接続方法は、上記した光起電力素子51の表面側におけるタブ電極52の接続方法と同様である。すなわち、タブ電極52は、光起電力素子51の裏面側の発電領域に対応する領域において、絶縁性の接着層56を介して、光入射面1bに直接接着されている。また、タブ電極52は、半田層57を介して、フィンガー電極59と電気的に接続されている。なお、第2実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。第2実施形態では、上記のように、光起電力素子51の表面側の発電領域に対応する領域において、タブ電極52を、絶縁性の接着層56を介して光入射面1aに直接接着することによって、光入射面1aとタブ電極52との間の接着強度を、光入射面1a上に導電性ペーストから形成されてなるバスバー電極を介してタブ電極52を接合する場合における光入射面1aとタブ電極52との間の接着強度よりも大きくすることができるので、タブ電極52が光入射面1aから剥離するのを抑制することができる。この結果、導電性ペーストから形成されてなるフィンガー電極集電極58を含む場合にも、タブ電極52の剥離を抑制することができる。また、第2実施形態では、上記のように、フィンガー電極58を、タブ電極52が配置される領域において分断することによって、タブ電極52が配置される領域には、フィンガー電極58が形成されないので、絶縁性の接着層56を、Y方向に沿って連続して延びるように設けることができる。これにより、光入射面1aとタブ電極52との接着領域の面積をより大きくすることができるので、光入射面1aとタブ電極52との間の接着強度をより大きくすることができる。この場合、タブ電極52および絶縁性の接着層56のX方向側の側面部分において、タブ電極52の側面とフィンガー電極58の分断された端部とを半田層57を介して電気的に接続することによって、フィンガー電極58をタブ電極52が配置される領域において分断したとしても、容易に、半田層57を介して、タブ電極52とフィンガー電極58とを電気的に接続することができる。また、第2実施形態では、上記のように、光起電力素子51の裏面側におけるタブ電極52の接続を、光起電力素子51の表面側におけるタブ電極52の接続と同様に行うことによって、光起電力素子51の裏面側においても、タブ電極52の剥離や発電領域の減少を抑制することができる。なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。次に、図14~図19を参照して、第2実施形態による光起電力モジュールの製造プロセスについて説明する。まず、図15~図17に示すように、上記第1実施形態と同様の製造プロセスを用いて、ITO膜14および17までを形成する。次に、図16に示すように、スクリーン印刷法を用いて、ITO膜14上の所定領域に、Agの微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂などからなる導電性ペーストを塗布する。この後、導電性ペーストを硬化させることによって、ITO膜14上の所定領域に、約10μm~約50μmの厚みを有する導電性材料からなる表面側のフィンガー電極58を形成する。この際、図18に示すように、表面側のフィンガー電極58を、X方向に延びるように、かつ、タブ電極52が配置される領域を横切らないように形成する。さらに、表面側のフィンガー電極58を、X方向と直交するY方向に互いに約2mmの間隔を隔てて複数形成する。この後、上記した表面側のフィンガー電極58の形成プロセスと同様の形成プロセスを用いて、ITO膜17の下面上の所定領域にも、表面側のフィンガー電極58と同様の形状を有する裏面側のフィンガー電極59を複数形成する。これにより、第2実施形態による光起電力モジュールを構成する光起電力素子51が形成される。次に、図19に示すように、スクリーン印刷法を用いて、表面側のタブ電極52が配置される領域において、ITO膜14上に、Y方向に沿って連続して延びるように、アクリル系の熱硬化型樹脂からなるとともに、後に接着層56となる絶縁性の樹脂ペーストを塗布する。また、スクリーン印刷法を用いて、表面側のITO膜14上のタブ電極52が配置される領域のX方向の両側に、各フィンガー電極58のタブ電極52が配置される領域側の端部と接触するように、Sn-Ag-Cuからなるとともに、後に半田層57となる半田ペーストを塗布する。この後、上記した樹脂ペーストが塗布された領域に、約200μm~約400μmの厚みと、約1mm~約2mmの幅とを有する銅箔からなるタブ電極52を押付ける。この状態で、熱風加熱法を用いて、約150°C~約200°Cの温度条件下で、約10分~約60分の熱処理を行うことによって、樹脂ペーストを硬化させる。これにより、樹脂ペーストが接着層56となるとともに、その接着層56を介して、ITO膜14の表面光入射面1aとタブ電極52とが接着される。この後、熱風加熱法を用いて、約230°C~約260°Cの温度条件下で熱処理を行うことによって、半田ペーストを硬化させる。これにより、半田ペーストが半田層57となるとともに、その半田層57を介して、タブ電極52とフィンガー電極58とが電気的に接続される。このようにして、図14に示すように、光起電力素子51の表面側に、タブ電極52を接続する。なお、光起電力素子51の裏面側においても、上記した表面側のタブ電極52の接続プロセスと同様の接続プロセスを用いて、タブ電極52を接続する。すなわち、タブ電極52を、絶縁性の接着層56を介して、光入射面1bに接着するとともに、半田層57を介して、フィンガー電極59と電気的に接続する。なお、第2実施形態のこの後の光起電力モジュールの製造プロセスは、上記第1実施形態のタブ電極2を接続した後の製造プロセスと同様である。なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。たとえば、上記第1および第2実施形態では、タブ電極を接着するための接着剤として、アクリル系の熱硬化型樹脂からなる絶縁性の樹脂ペーストを用いたが、本発明はこれに限らず、アクリル系以外の熱硬化型樹脂からなる絶縁性の樹脂ペーストを用いてもよい。アクリル系以外の熱硬化型樹脂としては、たとえば、シリコン系やエポキシ系の熱硬化型樹脂がある。また、UV硬化型樹脂やUV熱硬化型樹脂などからなる絶縁性の樹脂ペーストを用いてもよい。なお、UV硬化型樹脂やUV熱硬化型樹脂からなる絶縁性の樹脂ペーストを硬化させる際には、以下のUV照射条件下で行うのが好ましい。すなわち、好ましいUV照射条件は、UV照射強度:約100mW/cm2~約600mW/cm2、UV照射時間:約1分~約5分である。また、UV熱硬化型樹脂からなる絶縁性の樹脂ペーストを硬化させる際には、UV照射を行わずに、約100°C~約180°Cの温度条件下で、約10分~約90分の熱処理を行ってもよい。また、上記第1および第2実施形態では、スクリーン印刷法を用いて、樹脂ペーストおよび半田ペーストをITO膜の表面上に塗布したが、本発明はこれに限らず、微小微細な領域に形成することが可能であれば、スクリーン印刷法以外の形成法を用いて、樹脂ペーストおよび半田ペーストをITO膜の表面上に形成してもよい。たとえば、ディスペンサを用いて、樹脂ペーストおよび半田ペーストをITO膜の表面上に塗布してもよい。また、上記第1および第2実施形態では、熱風加熱法を用いて、樹脂ペーストおよび半田ペーストを硬化させたが、本発明はこれに限らず、熱風加熱法以外の加熱法を用いて、樹脂ペーストおよび半田ペーストを硬化させてもよい。熱風加熱法以外の加熱法としては、たとえば、リフロー加熱法、ビーム照射加熱法およびレーザ照射加熱法などがある。また、上記第1および第2実施形態では、銅箔からなるタブ電極を用いたが、本発明はこれに限らず、銅以外の材料からなる箔状のタブ電極を用いてもよいし、ワイヤ状のタブ電極を用いてもよい。また、予め半田がコーティングされた箔状ワイヤ状のタブ電極を用いてもよい。また、上記第1および第2実施形態では、半導体層上にITO膜を形成することにより、ITO膜の表面を光入射面としたが、本発明はこれに限らず、半導体層上にITO膜を形成しない素子に適用してもよい。また、ITO膜に変えて他の透明導電膜を用いてもよい。また、上記第1および第2実施形態では、光起電力モジュールを構成する光起電力素子として、n型単結晶シリコン基板とp型非晶質シリコン層との間、および、n型単結晶シリコン基板とn型非晶質シリコン層との間に、それぞれ、i型非晶質シリコン層を形成した構造を有する光起電力素子を用いたが、本発明はこれに限らず、単結晶型、アモルファス型および微結晶型などのその他種々のタイプの光起電力素子を用いた光起電力モジュールにも適用可能である。また、上記第1および第2実施形態では、半導体層上のITO膜の表面上に、絶縁性の接着層を介してタブ電極を接着したが、本発明はこれに限らず、半導体層上にITO膜を形成せずに、半導体層の表面上に絶縁性の接着層を介してタブ電極を接着してもよい。また、半導体層の表面の一部が露出するように半導体層上にITO膜を形成し、半導体層の露出した表面上に絶縁性の接着層を介してタブ電極を接着してもよい。このように構成すれば、ITO膜の表面上に絶縁性の接着層を介してタブ電極を接着する場合に比べて、素子とタブ電極との接着強度を高めることができる。また、上記第1および第2実施形態では、樹脂ペーストおよび半田ペーストを、互いに異なる熱処理プロセスを用いて硬化させたが、本発明はこれに限らず、樹脂ペーストおよび半田ペーストを、同一の熱処理プロセスを用いて硬化させてもよい。また、上記第1実施形態では、半田層を介して、タブ電極とフィンガー電極とを電気的に接続したが、本発明はこれに限らず、半田層を介さずに、フィンガー電極にタブ電極を接触させることによって、タブ電極とフィンガー電極とを電気的に接続してもよい。