ピストンリングの少なくとも内側面を少なくとも部分的に被覆するための方法であって、ピストンリングは好ましくは鋳鉄または鋼鉄から作られており、PVD層および/またはDLC層が、PA-CVD処理、グロー放電処理、および/またはHIPIMS処理のうちの少なくとも1つを用いて付与されることを特徴とする方法。前記被覆は、0.1μm~10μmの全厚で付与されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記PVD層は、クロム、チタン、アルミニウム、および/またはタングステンの窒化物および/または炭化物を含み、それら窒化物および/または炭化物は交互にまたは同時に蒸着されることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。前記PVD層は、800~4000HV0.1の硬度とされることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記DLC層は、層の厚さが1.0μm以下のクロムおよび/またはチタンの接着層と、Meがタングステン、チタン、および/またはクロムであるa-C:H:Meの種類、あるいは、Xがシリコン、ゲルマニウム、フッ素、ボロン、酸素、および/または窒素であるa-C:H:Xの種類で層の厚さが0.1μm~5μmの少なくとも1つの金属含有中間層と、a-C:Hの種類で層の厚さが0.1μm~5μmの無金属の最上層との少なくとも1つ、好ましくはすべての層を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記金属含有中間層は、例えばWC、CrC、SiC、GeC、および/またはTiCなどのナノ結晶金属または金属炭化物の蒸着物を含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。前記DLC層は、2000~5000HV0.002の硬度とされることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。内側面に少なくとも部分的に形成され、PA-CVD、グロー放電、および/またはHIPIMSを用いて好ましくは付与された少なくとも1つのPVD層および/またはDLC層を有する皮膜を有することを特徴とするピストンリング。本発明の根本的な目的は、ピストンリングを被覆する方法、および被覆されたピストンリングを提供することであり、それらの方法およびピストンリングによって、2つの部分に分かれた油かきリングうちの少なくとも1つの構成部品の摩擦および/摩耗作用が改善される。上記の目的の一つは、請求項1に記載の方法によって達成される。結果として、PVD層および/またはDLC層が、好ましくは鋳鉄または鋼鉄から作られたピストンリングに、PA-CVDプラズマアシスト化学蒸着処理、グロー放電処理、または、例えばHIPIMSなどの高電離処理のうちの少なくとも1つを用いて付与される。上記の処理について、予期されない新規の手法で、ピストンリングの内側面の皮膜を、高品質に、かつ、処理技術の意味において実現可能な方法で形成できることが分かった。したがって、ピストンリングの内側面に、圧縮コイルばねまたはコイルばねに対する効果的な摩耗対策を施すことが初めてできる。ピストンリングは、内側にコイルばねを収めるための溝を有し得ることに触れておくべきだろう。本文脈においては、少なくとも内側での被覆とは、ピストンリングが、筒状の内側面で、および、好ましくは少なくともそういった領域、例えば、コイルばねと接触する、コイルばねの溝の領域で被覆されることを意味するとして理解される。しかしながら、側面および/または滑走面などのさらに別の面にも、本明細書で記載される被覆が施されてもよい。上記の層は、摩擦係数が非常に低いことが分かった。その結果、コイルばねの摩耗が少ないことも、期待される追加の有利性である。最後に、上記の層は、比較すると非常に化学的な耐性があり、そのため、蒸着が防止され、オイルリングシステム全体としての可動性におけるさらなる改善が、有利に達成される。DLC層は、無水素の層の形態、具体的には、a-Cまたはta-Cの形態とすることができる。例えば、a-C:Hまたはta-C:Hの形態といった、水素含有であるが無金属の層もまたあり得る。好ましいさらなる発展が、追加の請求項に記載されている。成される要求を有利に満たす層の厚さについては、0.5μm~10μmの範囲が見出された。PVD層については、層が、クロム、チタン、アルミニウム、およびタングステンの金属のうちの少なくとも1つの窒化物および/または炭化物から形成されていた初期の試験において、特に優れた結果が見出された。窒化物および炭化物の蒸着は、交互にまたは同時に行われてもよい。特に優れた結果が、800~4000HV0.1の硬度とされたPVD層について見出された。非晶質炭素またはDLC層については、先ず、以下の層のうちの少なくとも1つを有する構造が好ましいとされており、その構造は、ピストンリングの基材に面する、層の厚さが1.0μm以下のクロムおよび/またはチタンの接着層を有する。次に、金属または半導体含有の中間層が続き、その層は、つまりは、金属としてタングステン、チタン、および/もしくはクロムを含むa-C:H:Me、あるいは、Xが、半導体としてのシリコンおよび/もしくはゲルマニウムである、ならびに/または、フッ素、ボロン、酸素、および窒素のうちの1つまたは複数の構成物質である、a-C:H:Xである。この中間層の厚さは、0.1μm~5μmであるのが好ましい。上記の構造は、a-C:Hの種類で層の厚さが好ましくは0.1μm~5μmの無金属の最上層によって完全なものとなる。特に優れた特性は、例えばWC、CrC、SiC、GeC、またはTiCなどのナノ結晶金属または金属炭化物の蒸着物を含む金属含有DLC中間層について見出された。DLC層については、有利な特性は、2000~5000HV0.002の硬さにおいて見出された。上記の処理に加えて、スパッタリング処理や、特にはホロー陰極グロー放電処理がまたDLC層に対して用いられてもよい。上記の目的はさらに、請求項8に記載のピストンリングによって達成される。ピストンリングの好ましい実施形態は、上記の好ましい方法の特徴を適用することによって得られる。本明細書に記載された、少なくとも内側面が被覆されるピストンリングには、同日に提出された、具体的にはピストンリングである摺動要素および摺動要素を被覆する方法の名称の出願において、出願人によって記載された被覆の実施形態を適用することも可能であることにさらに触れておくべきだろう。さらに、具体的には内側面に被覆される、本明細書に記載されたピストンリングは、有利には、同日に提出された、内燃エンジンにおけるピストンの油かきリング用の圧縮コイルばねおよび圧縮コイルばねを被覆する方法の名称の出願において記載された圧縮コイルばねと、本明細書に記載された実施形態のうちの1つにおいて組み合わせることができる。