IGBT素子のスイッチングゲートドライバであって、IGBT素子のゲート電流を制御するための抵抗部、及び前記IGBT素子のコレクタ-エミッタ間の電圧に応じて、前記抵抗部の可変抵抗を制御するための制御信号を前記抵抗部に出力する電圧検針部を含むことを特徴とするスイッチングゲートドライバ。前記抵抗部は、可変抵抗を備える可変抵抗部、及び固定抵抗を備える固定抵抗部を含むことを特徴とする請求項1に記載のスイッチングゲートドライバ。前記可変抵抗部は、複数のスイッチと、前記複数のスイッチに対応する抵抗とを備えており、前記複数のスイッチを開放または短絡することにより可変にする抵抗値を提供することを特徴とする請求項2に記載のスイッチングゲートドライバ。前記固定抵抗部は、互いに並列に連結された第1の抵抗及び第2の抵抗を含み、前記可変抵抗部は、前記第1の抵抗と並列連結された第1のスイッチ及び前記第1のスイッチと直列連結された第3の抵抗、また、前記第2の抵抗と並列連結された第2のスイッチ及び前記第2のスイッチと直列連結された第4の抵抗を含むことを特徴とする請求項2に記載のスイッチングゲートドライバ。前記電圧検針部は、前記IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧をモニターし、前記コレクタ-エミッタ電圧が前記基準電圧値よりも小さい場合、前記第1のスイッチを短絡して、前記IGBT素子のゲート入力電流を増加させることを特徴とする請求項4に記載のスイッチングゲートドライバ。前記電圧検針部は、前記IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧をモニタリングし、前記コレクタ-エミッタ電圧が前記基準電圧値より大きい場合、前記第2のスイッチを開放して、前記IGBT素子のゲート入力電流を減少させることを特徴とする請求項4に記載のスイッチングゲートドライバ。前記IGBT素子のゲート信号を提供するトーテムポール回路をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のスイッチングゲートドライバ。本発明は、上述した問題点を解決するためのものであって、IGBT素子のゲート端に備えられる抵抗を可変抵抗としたスイッチングゲートドライブを提供する。本発明は、IGBT素子のスイッチングゲートドライバであって、IGBT素子のゲート電流を制御するための抵抗部、及び、前記IGBT素子のコレクタ-エミッタ間の電圧に応じて、前記抵抗部の可変抵抗を制御するための制御信号を前記抵抗部に出力する電圧検針部を含むスイッチングゲートドライバを提供する。また、前記抵抗部は、前記可変抵抗を備える可変抵抗部、及び、固定抵抗値を有する固定抵抗部を含む。また、前記可変抵抗部は、前記制御信号を入力され、可変抵抗の値を変更することができる。前記可変抵抗部は、複数のスイッチと、前記複数のスイッチに対応する抵抗とを備えており、前記複数のスイッチを開放オープンまたは短絡クローズすることにより可変にする抵抗値を提供する。前記固定抵抗部は、互いに並列に連結された第1の抵抗及び第2の抵抗を含み、前記可変抵抗部は、前記第1の抵抗と並列連結された第1のスイッチ及び前記第1のスイッチと直列連結された第3の抵抗、また、前記第2の抵抗と並列連結された第2のスイッチ及び前記第2のスイッチと直列連結された第4の抵抗を含む。前記電圧検針部は、基準電圧を設定する。前記電圧検針部は、前記IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧をモニタリングし、前記コレクタ-エミッタ電圧が前記基準電圧値より小さい場合、前記第1のスイッチを短絡して、前記IGBT素子のゲート入力電流を増加させる。前記電圧検針部は、前記IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧をモニタリングし、前記コレクタ-エミッタ電圧が前記基準電圧値より大きい場合、前記第2のスイッチを開放して、前記IGBT素子のゲート入力電流を減少させる。また、前記スイッチングゲートドライバは、ゲートドライバから信号を入力され、前記IGBT素子のゲート信号を提供するトーテムポール回路をさらに含む。本発明によるゲートドライバは、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧Vceに応じてゲート抵抗を可変にして、IGBT素子のターンオフ時発生するIGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧のスパイク電圧を抑制するため、固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブよりスイッチング時間を短くして、スイッチング損失を低減することができる。また、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧のIGBTスパイク電圧を抑制して、IGBTの電圧の定格容量を減らす。また、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBTスパイク電圧を抑制して、IGBTのスパイク電圧抑制のためのスナバ回路の設計を容易にする。さらに、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBT素子のターンオフ時のスイッチング損失を低減して、IGBT素子の放熱設計を容易にする。以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が、本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施例について添付図面を参照しながら説明する。図6は、インバータシステムにおけるIGBTゲートドライバの構成図である。図7は、IGBT素子とMOSFET素子の動作特性を示す波形図である。図8は、本発明の実施例によるスイッチングゲートドライバのブロック図である。図9は、図8に示されたスイッチングゲートドライバの回路図である。図10は、電圧検針部に備えられた電圧検出回路の一実施例を示す回路図である。図11は、図9に示された各信号の動作状態を示す波形図である。図12及び図13は、図9に示されたスイッチングゲートドライバの動作を示す波形図である。図6及び図7は、インバータシステムにおいて、IGBT素子のゲートドライブのスイッチング特性を示す。図6及び図7に示されているように、IGBT素子T1を通じて負荷電流ILが流れているとき、IGBT素子T1がオフされると、IGBT素子T2の逆方向ダイオードD2を通じて負荷電流ILが流れるようになる。この時、負荷電流の変化速度di/dtとインバータの負荷電流ILの経路上の寄生インダクタンスによって、IGBT素子T1のコレクタ-エミッタの両端にIGBT素子のスパイクSpike電圧が発生する。IGBT素子T2の逆方向ダイオードD2を通じて負荷電流ILが流れているとき、IGBT素子T1がターンオンされると、IGBT素子T1を通じて負荷電流ILが流れるようになり、ダイオードの逆回復特性によってIGBT素子T2の逆方向ダイオードD2で還流ダイオードの逆回復電流が流れるようになる。素子D2の還流ダイオードの逆回復電流は、IGBT素子T1を通じて流れる負荷電流ILに重畳して現れる。本発明は、IGBT素子のターンオンまたはターンオフ動作時のIGBT素子のコレクタ-エミッタの電圧に応じてゲート抵抗RGを可変にすることにより、適切なIGBT素子のターンオン及びターンオフ時間を確保しながら、IGBT素子のスイッチング時に発生するIGBTのスパイク電圧及び還流ダイオードの逆回復電流を減少させるゲートドライブに関するものである。本発明は、インバータだけでなく、IGBT素子、MOSFET素子をはじめとする電力スイッチング素子が用いられる分野への適用が可能である。本発明は、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧Vceに応じてゲート抵抗を可変にして、IGBT素子ターンオフ時に発生するIGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBT素子のスパイク電圧を抑制し、IGBT素子ターンオン時に発生する環流ダイオードの逆回復電流を抑えることができる。また、同一のIGBTコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBT素子のスパイク電圧と還流ダイオードの逆回復電流を抑制する固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブよりスイッチング時間が短く、スイッチング損失を低減することができる。また、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBT素子のスパイク電圧と還流ダイオードの逆回復電流を抑制するため、IGBTの電圧及び電流の定格容量を減少することができ、IGBT素子の動作の切り替え時のスパイク電圧を抑制するためのスナバ回路の設計が容易である。また、IGBT素子のターンオンターンオフスイッチング切り替え時間が、同一のIGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBT素子のスパイク電圧と還流ダイオードの逆回復電流を抑制する固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブよりも減少し、スイッチング損失が少ない。図8に示されているように、本実施例によるゲートドライバは、トーテムポール回路20、IGBT駆動電源部30、電圧検針部40、及び抵抗部50を含む。トーテムポール回路20は、ゲートドライバ駆動チップ10から提供されるIGBT駆動信号を受けて可変抵抗部50に提供する。IGBT駆動電源30は、予定されたIGBT駆動電圧を提供し、IGBT検針電圧Vceの制限レベルを設定する。電圧検針部40は、IGBT素子60から提供されるIGBT検針電圧Vceを受けて、IGBTゲート抵抗可変信号を提供する。抵抗部50は、固定抵抗値を有する固定抵抗部52と、可変抵抗値を提供するための可変抵抗部51とを含む。図9は、図8に示された各ブロックを実際の回路で具現した場合であって、便宜のため同一の図面符号をつけた。ここでは、可変抵抗部51は、2つの抵抗と2つのスイッチとを備えており、電圧検針部40で提供される抵抗可変信号に応答して、備えられているスイッチをターンオンまたはターンオフさせる。ここで、電圧検針部40は、抵抗Rと、ダイオードDと、電圧検出回路41とを含み、多様に構成することができる。本実施例によるゲートドライバの動作は、IGBT素子のターンオン動作とターンオフ動作とに区分できる。図7は、IGBT素子のスイッチング時に発生するIGBTゲート電圧Vge、IGBTコレクタ電流IC及びIGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceの動作波形である。IGBT素子のターンオンの動作は、ゲート電圧によって、阻止状態0~t1区間、ドレーン電流の上昇区間t1~t2区間、ターンオン区間t2~t3区間、抵抗特性領域t3~t4区間に分けられ、IGBTコレクタ-エミッタ電圧の切り替えは、ターンオン区間で発生する。IGBT素子のターンオフ動作は、IGBT素子のターンオンの動作の逆の順序で行われる。本発明のゲートドライバの主な動作は、上記ターンオン区間で発生するIGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceの切り替えで発生する。IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧Vceは、図9の検針用ダイオードDと検針用抵抗Rとを介して入力電圧vce1となって電圧検針部40に入力される。このとき、検針用ダイオードDにより電圧検針部40に入力される入力電圧vce1の大きさは、IGBT駆動電源VGの大きさに制限され、IGBTコレクタ-エミッタ電圧VceをVGの大きさまで制限された電圧である入力電圧vce1を電圧検出回路41では継続的に入力される。図10は、電圧検針部に備えられた電圧検出回路の一実施例を示す回路図である。電圧検出回路41はレベル検出器で構成することができる。電圧検出回路41は、入力電圧Vce1を入力信号として入力され、制御信号RC1、RC2を出力信号OUTに提供する。電圧検出回路41は、IGBTのコレクタ-エミッタ電圧Vceが一定の電圧レベル以上または以下に変化する時に制御信号RC1、RC2を提供する役割を果たす。電圧検出回路41は、トランジスタ、演算増幅器、比較器などの様々な回路で具現することができる。ここでは、電圧検出回路41は、前述したように、検針用ダイオードDと検針用抵抗Rとを介して入ってきた電圧が、設定されたレベル以上または以下に変化するとき、ハイまたはローレベルの制御信号RC1、RC2を発生する。図11は、図10に示された各信号の動作状態を示す波形図である。図11は、IGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceと電圧検針部40に備えられている電圧検出回路41の入力信号Vce1の波形及び制御信号RC1、RC2の波形を示している。続いて、IGBT素子のターンオン動作時の電圧検針部40は、IGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceが電圧検針部40内に設定されている、予定された切り替え基準電圧以下になるとき、抵抗部50の可変抵抗部51に備えられた抵抗R1、R2が動作するようにスイッチSW1、SW2を連結して、IGBT素子のゲート充電電流を増加させる。IGBTゲート充電電流が増加すると、IGBTの電流の切り替え速度が増加するようになり、環流ダイオードの逆回復電流を抑制するために設計された制御信号RC1、RC2を調節して、電流の切り替えを速くする。IGBTゲート抵抗可変によるIGBTゲート充電電流の増加は、IGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceの切り替え中に発生するため、IGBTのスイッチング時のIGBT電流とIGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceの積によって算定されるIGBTのスイッチング損失は、同一の還流ダイオードの逆回復電流を抑制する固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブよりも減少する。したがって、IGBT素子のターンオン時、還流ダイオードの逆回復電流を抑制するため、IGBTの電流の定格容量を低減することができる。IGBT電流の切替速度は、同一の還流ダイオードの逆回復電流を抑制する固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブより速いため、デッドタイムDeadTimeを小さく設計することができる。図12に示されているように、IGBT素子のターンオフ動作時、電圧検針部40は、IGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceが電圧検針部40内に設定された切り替え基準電圧以上になるとき、抵抗部50の可変抵抗部51のスイッチSW1、SW2を開放オープンさせ、IGBT素子のゲート放電電流を減少させる。IGBT素子のゲート放電電流が減少すると、IGBT電流の切替速度が減少し、よって、IGBTターンオフ時、IGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceに現れるIGBTのスパイク電圧は減少するようになる。可変抵抗部51によるIGBT放電電流の減少は、IGBTコレクタ-エミッタ電圧の切り替え中に発生するため、IGBTのスイッチング時、IGBT電流とIGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceの積によって算定されるIGBT素子のスイッチング損失は、同一のIGBTコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBTスパイク電圧を抑制する固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブよりも減少する。したがって、IGBT素子のターンオフ時、IGBTコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBTスパイク電圧を抑制するため、IGBTの電圧の定格容量を減少することができる。また、IGBTの電流の切替速度は、同一のIGBTコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBTスパイク電圧を抑制する固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブよりも速いため、デッドタイムを小さく設計することができる。本実施例によるゲートドライバは、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧Vceに応じてゲート抵抗RGを可変にして、IGBT素子のターンオフ時発生するIGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧Vceのスパイク電圧を抑制して、同一のIGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBTスパイク電圧を抑制する固定されたゲート抵抗RGで設計されたゲートドライブよりもスイッチング時間を短くして、スイッチング損失を低減する。また、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBTスパイク電圧を抑制し、IGBTの電圧の定格容量を減らす。また、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBTスパイク電圧を抑制し、IGBTのスパイク電圧抑制のためのスナバ回路の設計を容易にする。さらに、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧VceのIGBT素子のターンオフ時のスイッチング損失を低減して、IGBT素子の放熱設計を容易にする。また、還流ダイオードの逆回復電流を抑制し、IGBTの電流の定格容量を減らす。また、IGBT素子のターンオン時のスイッチング損失を低減して、IGBT素子の放熱設計を容易にする。IGBT素子が高電圧をドライブする場合、IGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceを制限された電圧範囲内で検出する。その上、変圧器やアイソレーション増幅器IsolationAmplifierなどのような高価部品を用いることなく、ダイオードを用いて相対的に低コストで実現することができる。また、スイッチの切り替え時間を短くするため、IGBT素子のデッドタイムDeadTimeを減らすことができる。IGBT素子が高電圧をドライブする場合にも、電圧検針部にダイオードを用いてIGBTコレクタ-エミッタ電圧VceをIGBT素子駆動電源VGの電圧範囲内で検針するため、回路設計が容易である。また、本発明は、次のように多様に適用することができる。例えば、本発明で用いられたIGBTの電圧検針ポイントをIGBT素子のコレクタ-エミッタからIGBT素子のゲート-エミッタに変えて適用することができる。このように構成しても、上述の実施例と同様の効果を奏することができ、電圧検針範囲をIGBTの阻止状態、ドレーン電流の上昇区間、ターンオン区間、抵抗特性領域に拡大することができる。また、IGBT素子のコレクタ-エミッタ電圧Vceの電圧を分圧して、IGBT駆動電源VGの電圧以内にVce検出部に入力を受けて、Vce検出回路内のゲート抵抗RGの切り替えレベルをIGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceの全電圧範囲に拡大することができる。また、コレクタ-エミッタ電圧Vceの検出回路内のゲート抵抗RGの切り替え動作回路を微分器で構成すると、IGBTコレクタ-エミッタ電圧Vceの傾きに応じて、ゲート抵抗RGの切り替え動作を具現することができる。以上では、代表的な実施例により本発明について詳細に説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、上述した実施例に対して本発明の範囲から外れない範囲内で様々な変形が可能であることを理解することができる。したがって、本発明の権利範囲は説明した実施例に限定されず、後述する特許請求の範囲ばかりでなく、この特許請求の範囲と均等なものによって定めなければならない。