サブマウント基板上に形成された互いに離隔した複数の電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルを有する発光素子の製造方法であって、前記複数の発光セルの上面に設けられた基板をレーザーまたは研削工程で取り除くことによりそれぞれ分離させることを特徴とする複数の発光セルを有する発光素子の製造方法。複数の発光セルを有する発光素子の製造方法であって、基板上にバッファ層、第1の半導体層、活性層、第2の半導体層を順次に積層し、前記第2の半導体層、前記活性層、前記第1の半導体層及び前記バッファ層をエッチングして複数の発光セルを電気的に分離して作成し、所定のエッチング工程により前記第2の半導体層及び前記活性層の一部を除去し、前記第1の半導体層の一部を露出し、前記第2の半導体層上に第1の金属層を形成し、前記第1の金属層上に第2の金属バンプを形成し、前記第1の半導体層上に第1の金属バンプを形成し、サブマウント基板上に形成された互いに離隔した複数の電極層と前記第2の半導体層及び前記第1の半導体層とを電気的に接続して前記複数の発光セルを直列に接続し、前記基板をレーザーまたは研削工程により取り除き、前記複数の発光セルの上面をそれぞれ分離させることを特徴とする複数の発光セルを有する発光素子の製造方法。本発明の目的は、家庭用交流電源に直接接続して駆動可能な発光素子を提供することにある。また、本発明の他の目的は、発光素子の熱的負担を減らし、発光効率も向上させることができる発光素子を提供することにある。またさらに、本発明の他の目的は、発光素子を搭載することにより、交流電源に直接接続して駆動可能なパッケージを提供することにある。またさらに、本発明の他の目的は、サブマウントまたはリードフレームに搭載する工程が複雑になることを防止することができる発光素子を提供することにある。上記の目的を達成するため、本発明の一形態に係る複数の発光セルを有する発光素子の製造方法は、サブマウント基板上に形成された互いに離隔した複数の電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルを有する発光素子の製造方法であって、前記複数の発光セルの上面に設けられた基板をレーザーまたは研削工程で取り除くことによりそれぞれ分離させることを特徴とする。上記の目的を達成するため、本発明の一形態に係る発光素子は、基板と、基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、を含み、前記複数の発光セルのそれぞれは、第2の半導体層及び前記第2の半導体層の一部を取り除いて露出した第1の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され、1つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層を接続し、前記発光素子は交流電源により駆動されることを特徴とする。上記の目的を達成するため、本発明は、複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージを提供する。本発明の一形態に係る発光素子は、基板上に形成され、それぞれN型半導体層と該N型半導体層の一部の領域上に位置するP型半導体層とを有する複数の発光セルを備える。複数の発光セルは、サブマウント基板に接合される。これにより、複数の発光セルで発生した熱を、サブマウント基板から放出することができ、発光素子の熱的負担を減らすことができる。本発明のいくつかの実施形態において、サブマウント基板は、互いに離隔した複数の電極層を有してもよい。複数の発光セルは、電極層と接合される。この時、電極層のそれぞれは、複数の発光セルのうち、隣接した二つの発光セルのN型半導体層とP型半導体層を互いに電気的に接続する。これにより、電極層が、複数の発光セルを直列接続し、直列発光セルアレイを形成する。このような直列発光セルアレイを少なくとも二つ形成し、これらを互いに逆並列reverseparallelで連結することにより、交流電源に直接接続して駆動することができる発光素子を提供する。従来のフリップチップ構造の発光素子20は、一つの発光ダイオードが形成された発光チップを意味する。しかしながら、本発明の発光素子は、一つの基板上に複数の発光ダイオードを有する。したがって、発光セルとは、一つの基板上に形成された複数の発光ダイオードのそれぞれを意味する。また、直列発光セルアレイとは、複数の発光セルが直列で連結された構造を意味する。一つの基板上において、二つの直列発光セルアレイが、互いに反対方向に流れる電流によりそれぞれ駆動するように連結されてもよく、これにより、交流/直流変換器等を用いることなく、発光素子を交流電源に直接接続し、一般の照明用として用いることができる。一方、発光素子は、それぞれのN型半導体層上に形成されるN型金属バンプ及びそれぞれのP型半導体層上に形成されるP型金属バンプをさらに備えてもよい。複数の発光セルは、N型及びP型金属バンプを介して電極層に接合される。これにより、複数の発光セルは、金属バンプを介して電極層に電気的に接続されるばかりでなく、金属バンプからサブマウント基板に熱を容易に放出することができる。サブマウント基板は、複数の凹部及び凸部を有し、N型半導体層は、凸部に接合され、P型半導体層は、凹部に接合されてもよい。凹部及び凸部は、それぞれP領域及びN領域と定義されてもよく、この時、電極層のそれぞれは、P領域とN領域にわたって形成され、隣接したP領域とN領域を接続する。本発明の実施形態において、サブマウント基板は、その一方のエッジに形成されるP型ボンディングパッドと、他方のエッジに形成されるN型ボンディングパッドとを有する。一方、複数の発光セルのうち、基板の一方のエッジに位置した発光セルのP型半導体層は、P型ボンディングパッドと電気的に接続され、他方のエッジに位置した発光セルのN型半導体層は、N型ボンディングパッドと電気的に接続される。P型半導体層とP型ボンディングパッドは、P型金属バンプを介して電気的に接続され、N型半導体層とN型ボンディングパッドは、N型金属バンプを介して電気的に接続されてもよい。接続電極が基板の一方のエッジに位置した発光セルと、他方のエッジに位置した発光セルとの間において、隣接した発光セルのN型半導体層とP型半導体層をそれぞれ電気的に接続し、基板上に直列発光セルアレイを形成してもよい。一方、複数の発光セルのそれぞれは、基板上に形成されるバッファ層を備えてもよい。N型半導体層は、バッファ層上に形成され、活性層は、N型半導体層の一部の上に形成されてもよい。さらに、P型半導体層は、活性層上に形成されてもよい。これに加えて、第1の金属層は、P型半導体層上に形成され、第2の金属層は、第1の金属層上に形成されてもよい。第1の金属層は、透明電極であってもよく、第2の金属層は、反射膜であってもよい。本発明の他の実施形態に係る発光素子は、基板上に形成される複数の発光セルを備える。複数の発光セルは、それぞれN型半導体層とN型半導体層の一部の領域上に位置するP型半導体層を有する。一方で、N型金属バンプが、複数の発光セルの内の一つの発光セルのN型半導体層上に形成され、P型金属バンプが、複数の発光セルの内の他の1つの発光セルのP型半導体層上に形成される。発光素子は、N型金属バンプ及びP型金属バンプを介して、リードフレームまたはサブマウント基板上に搭載される。本発明のいくつかの実施形態において、上記1つの発光セルに形成されるN型金属バンプに加えて、他のN型金属バンプが、複数の発光セルのうち、上記一つの発光セル以外の発光セルのN型半導体層上に形成され、上記他の1つの発光セルに形成されるP型金属バンプに加えて、他のP型金属バンプが、複数の発光セルのうち、上記他の1つの発光セル以外の発光セルのP型半導体層上に形成されてもよい。サブマウント基板等に電極層を形成し、N型及びP型金属バンプを、電極層を介して電気的に接続し、直列発光セルアレイを形成してもよい。これとは異なり、複数の接続電極が、隣接した発光セルのN型半導体層とP型半導体層をそれぞれ電気的に接続し、基板上に直列発光セルアレイを形成してもよい。この際、上記1つの発光セル及び他の一つの発光セルが、直列発光セルアレイの両端部に位置する。これに加えて、上記1つの発光セルのN型半導体層上に形成されたN型金属バンプの上部面と、上記他の一つの発光セルのP型半導体層上に形成されたP型金属バンプの上部面は、接続電極の上部面の高さと比べて、少なくとも同一平面上に位置してもよい。すなわち、接続電極の上部面は、N型及びP型金属バンプの上部面の下方、または同一の高さに位置する。接続電極の上部面が、金属バンプの上部面の下方に位置する場合、接続電極とサブマウント基板またはリードフレームとの間の電気的短絡を防止することができる。また、接続電極の上部面が、ボンディングパッドの上部面と同一の高さに位置する場合、接続電極の上部面が、サブマウント基板またはリードフレームに直接接触して、熱放散を改善することができる。また、本発明のさらに他の実施形態は、複数の発光セルを搭載するためのサブマウント基板を提供する。サブマウント基板は、複数のN領域及びP領域が定義された基板を備える。複数の電極層が、基板上に互いに離隔して位置する。電極層は、それぞれ隣接したN領域とP領域を接続する。この際、複数の電極層の下部に誘電体膜が位置してもよい。一方、基板は、凹部及び凸部を有してもよく、凸部がN領域と定義され、前記凹部が前記P領域と定義されてもよい。本発明のさらに他の実施形態は、複数の発光セルを有する発光素子を搭載したパッケージを提供する。パッケージは、金属リードを有するリードフレームを備える。リードフレーム上に発光素子が位置する。発光素子は、基板上に形成される複数の発光セルを備える。複数の発光セルは、それぞれN型半導体層と、N型半導体層の一部の領域上に位置するP型半導体層とを有する。複数の接続電極が、それぞれ隣接した発光セルのN型半導体層とP型半導体層を電気的に接続し、基板上に直列発光セルアレイを形成する。これに加えて、直列発光セルアレイの両端部に金属バンプが位置する。金属バンプは、金属リードと電気的に接続される。これにより、複数の発光セルを有しながらも、直列発光セルアレイの両端部に位置する金属バンプを、金属リードに接続することにより、簡単に接合することができ、従来のフリップチップ構造の発光素子を搭載する工程と比べて、発光素子を搭載する工程が複雑となることを防止することができる。これに加えて、リードフレームと発光素子との間に、サブマウント基板を介在させてもよい。サブマウント基板は、その上部面に、金属バンプに対応するボンディングパッドを有する。ボンディングパッドは、それぞれ金属リードと電気的に接続される。ボンディングパッドは、それぞれボンディングワイヤを介して金属リードと電気的に接続されてもよく、または、サブマウント基板に形成された回路を介して直接金属リードに電気的に接続されてもよい。一方、発光素子の接続電極は、サブマウント基板の上部面に接触してもよい。この際、発光素子で発生した熱が、サブマウント基板から放出されて、熱放散を改善することができる。これとは異なり、接続電極は、サブマウント基板の上部面と離隔されてもよい。これにより、接続電極と金属リードとの間の電気的短絡を防止することができる。本発明によると、複数の発光セルを直列連結した直列発光セルアレイを採用することにより、交流電源に直接接続して駆動可能な発光素子を提供する。また、複数の発光セルがフリップチップ構造で直列連結された発光素子を具現し、発光セルで発生する熱を容易に放出することができるので、発光素子の熱的負担を減らし、発光効率も向上させることができる。また、複数の発光セルを有する発光素子を搭載することにより、交流電源に直接接続して駆動可能なパッケージを提供することができる。また、複数の発光セルを採用しながらも、接続電極を用いて複数の発光セルを直列連結することにより、サブマウント基板またはリードフレームに搭載する工程を単純化させることができる。次に、本発明に係る複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージを実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。以下に示される実施形態は、当業者に、本発明の思想を充分伝達するために、例として提供されるものである。したがって、本発明は、後述する実施形態に限定されず、他の形態も具体化され得る。また、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、便宜のために、誇張して表現されることもある。明細書の全体にわたって、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。図2は、本発明の一実施形態に係る複数の発光セルを有する発光素子の動作原理を説明するための回路図である。図2を参照すると、発光セル31a、31b、31cが直列接続され、第1の直列アレイ31を形成し、他の発光セル33a、33b、33cが直列接続され、第2の直列アレイ33を形成する。第1及び第2の直列アレイ31、33の両端部は、それぞれ交流電源35および接地に接続される。第1及び第2の直列アレイは、交流電源35と接地との間に並列で連結される。すなわち、第1及び第2の直列アレイの両端部は、互いに電気的に接続される。一方、第1及び第2の直列アレイ31、33は、互いに反対方向に流れる電流により発光セルが駆動するように配置される。すなわち、図に示すように、第1直列アレイ31に含まれた発光セルのアノード及びカソードと、第2直列アレイ33に含まれた発光セルのアノード及びカソードとは、互いに反対方向に配置される。したがって、交流電源35が正の位相である場合、第1の直列アレイ31に含まれた発光セルがターンオンされ発光し、第2の直列アレイ33に含まれた発光セルがターンオフされる。これに対して、交流電源35が負の位相である場合、第1の直列アレイ31に含まれた発光セルがターンオフされ、第2の直列アレイ33に含まれた発光セルがターンオンされる。結果として、第1及び第2の直列アレイ31、33が、交流電源によりターンオンおよびターンオフを交互に繰り返すことにより、第1及び第2の直列アレイを含む発光素子は、連続的に光を放射する。たとえば、一つの発光ダイオードで構成された発光チップを、図2の回路のように連結し、交流電源を用いて駆動させることができるが、発光チップが占有する空間が増加する。しかし、本発明の発光素子は、一つのチップに交流電源を接続して駆動させることができるので、発光素子が占有する空間が増加しない。一方、図2の回路は、第1及び第2の直列アレイの両端部が交流電源35及び接地にそれぞれ連結されるように構成しているが、両端部が交流電源の両端子に連結されるように構成してもよい。また、第1及び第2の直列アレイは、それぞれ三つの発光セルで構成されているが、これは、説明のための例示であり、発光セルの数は、必要に応じてさらに増加してもよい。また、直列アレイの数もさらに増加されてもよい。一方、交流電源と直列アレイとの間にブリッジ整流器を配置し、交流電源により駆動される発光素子を提供することができる。この際、ブリッジ整流器は、発光セルを用いて形成されてもよい。ブリッジ整流器を採用することにより、一つの直列アレイのみでも、交流電源により駆動することができる発光素子を提供することができる。図3及び図4は、本発明の一実施形態に係るフリップチップ型発光素子の発光セルブロック1000を示す断面図であり、図5は、本発明の一実施形態に係るフリップチップ型のサブマウント基板2000を示す断面図である。図3及び図4を参照すると、発光セルブロック1000は、サファイア基板110上に複数の発光セルがアレイされている。各発光セルは、基板110上に形成されたバッファ層120と、バッファ層120上に形成されたN型半導体層130と、N型反動体層130の一部の上に形成された活性層140と、活性層140上に形成されたP型半導体層150とを有する。また、第1の金属層160が、P型半導体層150上に形成される。それと同時に、第1の金属層160上にバンプ用として形成されたP型金属バンプ170と、N型半導体層130上にバンプ用として形成されたN型金属バンプ180とが位置する。また、第1の金属層160の上部とN型半導体層130上に、反射率の10~100を有する第2の金属層図示せずが形成されてもよい。さらに、P型半導体層150上に電流の供給を円滑にするための付加的なオーミック金属層が形成されてもよい。基板110は、Al2O3、SiC、ZnO、Si、GaAs、GaP、LiAl2O3、BN、AlNまたはGaN基板であってもよい。基板110は、その上に形成すべき半導体層の格子定数を考えて選択される。例えば、基板110上にGaN系列の半導体層が形成される場合、基板110は、サファイア基板110またはSiC基板が選ばれてもよい。本実施形態では、上述した基板110上にN型半導体層130の形成の際に緩衝の役割をするバッファ層120を形成する。しかし、これに限定されず、バッファ層120を形成しなくてもよい。N型半導体層130としては、N型不純物が注入された窒化ガリウムGaN膜を用いてもよいが、これに限定されず、多様な半導体物質層を用いてもよい。本実施形態では、N型AlxGa1-xN0≦x≦1膜を含むN型半導体層130を形成する。また、P型半導体層150としては、P型不純物が注入された窒化ガリウム膜を用いてもよい。本実施形態では、P型AlxGa1-xN0≦x≦1膜を含むP型半導体層150が形成される。一方、半導体層としてInGaN膜を用いてもよい。また、N型半導体層130及びP型半導体層150は、多層膜に形成してもよい。上記においてN型の不純物としてはSiを用い、P型の不純物としては、InGaAlPを用いる場合は、Znを用い、窒化物系であるときは、Mgを用いる。また、活性層140としては、N型AlxGa1-xN0≦x≦1膜上に量子井戸層と障壁層とが繰り返して形成された多層膜を用いる。障壁層と量子井戸層は、二元化合物であるGaN、InN、AlN等、三元化合物であるInxGa1-xN0≦x≦1、AlxGa1-xN0≦x≦1等、および、四元化合物であるAlxInyGa1-x-yN0≦xy≦1を用いることができる。もちろん、二元~四元化合物にN型またはP型の不純物を注入させてもよい。第1の金属層160としては、透明電極膜を用いることが好ましい。本実施形態ではITOを用いる。第2の金属層としては、電気伝導性を有する反射膜を用いる。N型及びP型金属バンプ170、180としては、Pb、Sn、Au、Ge、Cu、Bi、Cd、Zn、Ag、NiおよびTiの内の少なくともいずれか一つを用いる。以下、上述した構造を有する発光セルブロック1000の製造方法を簡単に説明する。基板110上に、バッファ層120、N型半導体層130、活性層140、P型半導体層150を順次に形成する。これらの物質層は、有機金属化学気相成長法MOCVD;MetalOrganicChemicalVaporDeposition、分子線エピタキシーMBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxy等を含む多様な蒸着及び成長方法により形成される。P型半導体層150、活性層140、N型半導体層130、及びバッファ層120の一部を除去して発光セルを分離する。このために、P型半導体層150上に所定のマスクパターン図示せずを形成した後、マスクパターンにより露出した領域のP型半導体層150、活性層140、N型半導体層130およびバッファ層120をエッチングして多数の発光セルを電気的に分離する。以降、所定のエッチング工程により、P型半導体層150及び活性層140の一部を除去し、N型半導体層130の一部を露出させる。例えば、P型半導体層150上にP型半導体層150の一部の領域を露出させるエッチングマスクパターンを形成した後、ドライまたはウェットエッチング工程を実施し、露出した領域のP型半導体層150および活性層140を除去し、N型半導体層130を露出させる。この際、N型半導体層130の上部の一部も一緒に除去してもよい。その後、P型半導体層150上に第1の金属層160を形成する。第1の金属層160は、リフトオフ工程を用いて形成してもよい。すなわち、全体構造上に感光膜を塗布した後、所定のマスクを用いたリソグラフィーおよび現像工程を実施し、P型半導体層150を露出させる第1の感光膜パターン図示せずを形成する。次に、全体構造上に第1の金属層160を形成した後、第1の感光膜パターンを除去する。結果として、P型半導体層150の上部を除いた領域の第1の金属層160が除去され、P型半導体層150に形成された第1の金属層160が残る。第1の金属層160上にP型金属バンプ170を形成し、N型半導体層130上にN型金属バンプ180を形成する。このために、全体構造上に感光膜を塗布した後、所定のマスクを用いたリソグラフィーおよび現像工程を実施し、第1の金属層160の一部と、N型半導体層130の一部を露出させた第2の感光膜パターン図示せずを形成する。以降、全体構造上に金属膜を蒸着した後、第2の感光膜パターンにより露出した第1の金属層160の上部に形成された金属膜と、N型半導体層130の上部に形成された金属膜を除いた残りの領域の金属膜及び第2の感光膜パターンを除去する。その結果、第1の金属層160上には、P型金属バンプ170が形成され、N型半導体層130上には、N型金属バンプ180が形成される。本発明によるフリップチップ構造の発光素子用発光セルブロックの製造工程は、上述した方法に限定されず、多様な変形と多様な物質膜がさらに加えられてもよい。すなわち、P型半導体層上に第1の金属層を形成した後、発光セルの分離のためのエッチングを実施してもよい。また、N型半導体層を露出させた後、発光セルの分離のために露出したN型半導体層の一部と、その下部のバッファ層を除去してもよい。また、第1の金属層の上部に金属反射膜の第2の金属層をさらに形成してもよい。図5は、本発明の一実施形態に係るフリップチップ構造の発光素子用サブマウント基板2000を説明するための断面図である。図5を参照すると、サブマウント基板2000は、複数のN領域BとP領域Aが定義された基板200と、基板200の表面に形成された誘電体膜210と、隣接したN領域BとP領域Aをそれぞれ一つに連結する複数の電極層230を含む。また、一方のエッジに位置したP領域Aまで延長されたP型ボンディングパッド240と、他方のエッジに位置したN領域Bまで延長されたN型ボンディングパッド250をさらに有する。N領域Bは、発光セルブロック1000のうち、N型金属バンプ180が接続される領域を称し、P領域Aは、発光セルブロック1000のうち、P型金属バンプ170が接続される領域を称する。この時、基板200としては、熱伝導性を有する多様な物質を用いてもよく、例えば、SiC、Si、Ge、SiGe、AlN、金属等を用いてもよい。誘電体膜210は、基板200が導電性である場合、電極層230及びボンディングパッド240、250と、基板200を電気的に絶縁させる。誘電体膜210は、多層に形成してもよい。誘電体膜は、例えば、SiO2、MgO、およびSiNの内の少なくともいずれか一つの物質で形成されてもよい。電極層230、N型ボンディングパッド250、およびP型ボンディングパッド240は、電気伝導性に優れた金属で形成される。以下、サブマウント基板2000の製造方法を説明する。基板200に凸部及び凹部を形成してN領域BおよびP領域Aを定義する。N領域BとP領域Aは、接合される発光セルのN型金属バンプ180とP型金属バンプ170の大きさに応じて、その幅と高さおよび形状が極めて多様に変化され得る。本実施形態では、基板200の凸部がN領域Bとなり、基板200の凹部がP領域Aとなる。このような形状の基板200は、別途の鋳型を用いて製造してもよく、所定のエッチング工程を用いて製造してもよい。すなわち、基板200上にP領域Aを露出させるマスクを形成した後、露出した基板200をエッチングしてリセスされたP領域Aを形成する。以降、マスクを除去すると、リセスされたP領域Aと相対的に突出したN領域Bが形成される。また、機械的加工によりリセスされたP領域Aを形成してもよい。以降、全体構造上に、すなわち、凹部および凸部を有する基板200上に誘電体膜210を形成する。この際、基板200として導電性物質を用いない場合は、誘電体膜210を形成しなくてもよい。本実施形態では、熱伝導率の向上のために、電気伝導性に優れた物質である金属性物質を用いる。したがって、誘電体膜210を形成して、十分な絶縁体の役割を行うようにする。次に、誘電体膜210上に隣接した一対のN領域BとP領域Aとを接続する電極層230を形成する。スクリン印刷方法で電極層230を形成するか、または、所定のマスクパターンを用いた蒸着工程により電極層230を形成してもよい。その後、上述した発光セルブロック1000とサブマウント基板2000を接合して発光素子が製造される。図6は、サブマウント基板2000上に、発光セルブロック1000が搭載された発光素子を示す断面図である。図6を参照すると、発光セルブロック1000のP型及びN型金属バンプ170、180が、サブマウント基板2000のN領域B及びP領域Aに接合されるが、図に示すように、隣接した二つの発光セルのN型金属バンプ180とP型金属バンプ170が、サブマウント基板2000の電極層230により接続される。発光セルブロック1000内の一方のエッジに位置したP型金属バンプ170は、サブマウント基板2000のP型ボンディングパッド240に接続され、他方のエッジに位置したN型金属バンプ180は、サブマウント基板2000のN型ボンディングパッド250に接合される。この時、金属バンプ170、180と電極層230及びボンディングパッド240、250は、多様な接合方法により接合されてもよく、例えば、共融温度を用いた共融法により接合されてもよい。その結果、複数の発光セルが、サブマウント基板2000上に接合され、直列連結された発光セルアレイが形成される。この時、直列接続される発光セルの個数は、使用しようとする電源および発光セルの使用電力に応じて多様に変化され得る。好ましくは、10~1000個の発光セルが形成された発光セルブロック1000を、サブマウント基板2000に接合させ、発光セルがサブマウント基板2000により直列接続された発光素子を形成することができる。より好ましくは、15~50個の発光セルが形成された発光セルブロック1000を、サブマウント基板2000と接合させ、これらの発光セルがサブマウント基板2000により直列接続された発光素子を形成することができる。例えば、220V交流駆動では、一定の駆動電流にて3.3Vの単位発光セルの66又は67個をサブマウント基板2000に接合したフリップチップ構造の発光素子を製造することができる。また、110V交流駆動では、一定の駆動電流にて3.3Vの単位発光セルの33又は34個をサブマウント基板2000に直列接合したフリップチップ構造の発光素子を作製することができる。本発明の接合は、上述した説明に限定されず、多様な実施の形態が可能である。例えば、図7に示すように、複数の発光セルが、図6の基板110により連結された発光セルブロック1000の形態ではなく、個々の発光セル100a、100b、100cがサブマウント基板2000上に互いに離隔して位置してもよい。この際、隣接した発光セル100a~100cのN型金属バンプ170とP型金属バンプ180がサブマウント基板2000に形成された電極層230により電気的に接続される。図7の発光セル100a、100b、100cは、図6の発光セルブロック1000において、複数の発光セルから基板110を分離することにより製造される。基板110は、レーザまたは研削工程を用いて、発光セルから分離させてもよい。また、図8に示すように、複数のN領域BとP領域Aが定義された平らな基板200上に、隣接した一対のN領域BとP領域Aをそれぞれ接続する電極層230を形成し、サブマウント基板2000を形成した後、発光セルのブロックをサブマウント基板2000に実装して発光素子を形成することができる。すなわち、所定のパターン、例えば、凹部および凸部が形成されていない基板200上に互いに離隔した電極層230を形成した後、発光セルブロックの隣接した発光セルのN型金属バンプ180とP型金属バンプ170が電気的に接続されるようにする。この際、N型金属バンプ180とP型金属バンプ170は、図に示すように、同一平面上で電極層230と接合される。一方、発光セルにP型及びN型金属バンプ170、180が形成される代わりに、サブマウント基板2000上のN領域B及びP領域Aに金属バンプ170、180が形成されてもよい。この際、金属バンプ170、180と接合されるために、N型及びP型半導体層130、150上に所定の金属電極図示せずがさらに形成されてもよい。本発明の実施形態において、基板110上に形成された発光セルが、電極層230により、少なくとも二つの直列発光セルアレイを接続することができる。少なくとも二つの直列発光セルアレイは、互いに逆並列で連結され、家庭用交流電源で駆動することができる。これとは異なり、発光素子の内部に別途のブリッジ回路を構成してもよい。ブリッジ回路は、発光セル及び電極層を用いて構成してもよい。上述した実施形態は、サブマウント基板2000の電極層が、複数の発光セルを電気的に接続して直列発光セルアレイを形成する。しかし、複数の発光セルを、サブマウント基板2000の電極層に整列させなければならないので、本実施形態は、複数の発光セルをサブマウント基板2000上に接合するのが複雑となることがあり得る。以下では、本発明の他の実施形態に係る複数の発光セルを、サブマウント基板またはリードフレーム上に接合することが複雑となるのを防止可能な発光素子について説明する。図9は、本発明の他の実施形態に係る発光素子50を示す断面図である。図9を参照すると、発光素子50は、基板51及び基板51上に形成された複数の発光セルを有する。基板51は、その上に形成すべき半導体層の格子定数を考えて選択される。例えば、基板51上にGaN系列の半導体層が形成される場合、基板51は、サファイア基板であってもよい。発光セルそれぞれは、N型半導体層55、活性層57、及びP型半導体層59を有する。活性層57は、N型半導体層55の一部の上に位置し、P型半導体層59は、活性層57上に位置する。これにより、N型半導体層の一部は、活性層57及びP型半導体層59により上部面が覆われ、残りの一部は露出する。それと同時に、P型半導体層59上に金属層61が位置してもよく、N型半導体層55の残りの一部上に、他の金属層63が位置してもよい。金属層61、63は、P型及びN型半導体層とオーミックコンタクトを形成して、接合抵抗を低める。この際、他の金属層63は、金属層61に含まれる金属物質と同一の物質であってもよいが、これに限定されるのものではない。さらに、付加的なオーミックコンタクトを形成するための金属層が不要な場合、金属層63は省略してもよい。一方、N型半導体層55と基板51との間にバッファ層53を介在させてもよい。バッファ層53は、基板51とN型半導体層55の格子定数の違いによるによるストレスを緩和するために用いられる。バッファ層としては、GaN系列の半導体層が用いてもよい。N型半導体層55は、N型不純物が注入されたGaN系列、例えば、N型AlxGa1-xN0≦x≦1膜であってもよいが、これに限定されず、多様な半導体層に形成されてもよい。また、P型半導体層59は、P型不純物が注入されたGaN系列、例えば、P型AlxGa1-xN0≦x≦1膜であってもよいが、これに限定されず、多様な半導体層に形成されてもよい。N型及びP型半導体層は、InxGa1-xN0≦x≦1膜であってもよく、多層膜に形成されてもよい。一方、N型不純物としてはSiを用いてもよく、P型不純物としてはマグネシウムMgを用いてもよい。半導体層がGaN系列ではなく、GaP系列である場合、P型不純物としてはZnを用いてもよい。活性層57は、一般に量子井戸層と障壁層が繰り返して形成された多層膜構造を有する。量子井戸層と障壁層は、AlxInyGa1-x-yN0≦x、y≦1、0≦xy≦1化合物を用いて形成してもよく、N型及びP型の不純物を注入してもよい。これに加えて、金属層61は、積層された第1の金属層及び第2の金属層を有してもよい。第1の金属層及び第2の金属層は、それぞれ透明電極層及び反射層であってもよい。反射層は、活性層から放射され透明電極を透過した光を再び基板51の方向に反射させ、光効率を増加させる。透明電極層は、インジウムスズ酸化物ITOであってもよく、反射層は、反射率10~100である金属層であってもよい。発光セルは、基板51上にバッファ層、N型半導体層、活性層およびP型半導体層を順次に形成した後、リソグラフィー及びエッチング工程を用いてエッチングすることにより形成することができる。この際、物質層は、有機金属化学気相成長法MOCVD、分子線エピタキシーMBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxy等の多様な蒸着及び成長法を用いて形成することができる。リソグラフィー及びエッチング工程を行う前に、P型半導体層上に金属層をさらに形成してもよい。リソグラフィー及びエッチング工程を用いて発光セルを分離した後、他の金属層63を形成してもよい。他の金属層は、分離された発光セル上に金属層を蒸着した後、リソグラフィー及びエッチング工程を用いて金属層をパターニングして形成してもよい。一方、隣接した発光セルのN型半導体層とP型半導体層を、接続電極65がそれぞれ電気的に接続する。接続電極65により、発光セルが直列に接続され、直列発光セルアレイが形成される。図2を参照して説明したように、基板51上に少なくとも二つの直列発光セルアレイが形成されてもよい。少なくとも二つの直列発光セルアレイは、互いに反対方向に流れる電流により駆動するように配置される。N型及びP型半導体層55、59上に金属層61、63が形成された場合、接続電極65は、P型半導体層上の金属層61とN型半導体層上の金属層63を接続する。接続電極65は、エアブリッジ又はステップカバーの形態で金属層を接続することができる。接続電極65は、金属蒸着技術、電気メッキ技術、または無電解メッキ技術を用いて形成することができる。一方、直列発光セルアレイの両端部に金属バンプ67a、67bが位置する。金属バンプ67a、67bは、後で、サブマウント基板又はリードフレーム上に発光素子50を搭載させるとき、バンピングbumpingの役割をする金属バンプである。金属バンプ67aの厚さは、0.01~100nmであってもよく、金属バンプ67a、67bの上部面は、接続電極65の上部面よりも高く位置する。一方、直列発光セルアレイの両端部の全部に金属バンプが形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、一つの直列アレイの両端部に金属バンプが形成され、他のアレイの両端部は、金属バンプにそれぞれ電気的に接続させてもよい。本発明の一実施形態に係る発光素子50は、交流電源に直接接続させて動作させることができる。また、発光素子50は、発光セルが接続電極65により接続されており、金属バンプ67a、67bをサブマウント基板又はリードフレームに接合することにより駆動されることができる。したがって、複数の発光セルを有しながらも、発光素子50を搭載する工程が複雑となることを防止することができる。図10は、本発明のさらに他の実施形態に係る発光素子70を示す断面図である。図10を参照すると、発光素子70は、図9を参照して説明した発光素子50と同一の構成要素を含む。以下では、本実施形態の発光素子70が、発光素子50と異なる部分について説明する。本実施形態に係る発光素子70は、金属バンプ67a、67bの上部面と同一の高さに位置する接続電極75を有する。したがって、金属バンプ67a、67bを、接続電極75と同一の工程を用いて形成することができる。また、接続電極も、サブマウント基板又はリードフレームの上部に接触するので、図9の発光素子50と比べて熱放出を改善することができる。図11~図13は、本発明の他の実施形態に係る発光素子70を搭載したパッケージを示す断面図である。図11は、リードフレーム上に発光素子70を搭載したパッケージを示す断面図であり、図12及び図13は、サブマウント基板上に発光素子70を搭載したパッケージを示す断面図である。図11を参照すると、パッケージ3000は、金属リード101a、101bを有するリードフレームを有する。リードフレームは、金属リードをインサート成形insert-moldedしたパッケージ本体103を含むことができる。さらに、リードフレームは、印刷回路基板であってもよい。発光素子70は、リードフレーム上に搭載され、金属リード101a、101bに電気的に接続される。この時、発光素子70の金属バンプ67a、67bが、それぞれ金属リード101a、101bと接合される。その結果、発光素子70の直列発光セルアレイは、金属リード101a、101bと電気的に接続される。一方、接続電極75は、金属リードとは離隔されたリードフレームの上部面に物理的に接触する。したがって、発光素子70で発生した熱を、接続電極75からリードフレームに容易に放散することができる。モールド部材105が、発光素子70の上部を覆う。モールド部材は、蛍光体及び/又は拡散剤を含んでもよい。蛍光体は、発光素子70から放射した光の一部を、それよりも長波長の光に変換することができる。したがって、紫外線又は青色光を放射する発光素子70を用いて白色光が得られる。その一方、蛍光体は、モールド部材105と発光素子70との間に介在させることもできる。モールド部材105は、放射される光の方向角を調節するためのレンズ形状を有してもよい。一方、パッケージ3000は、パッケージ本体103の下部にヒートシンク107をさらに有することもできる。ヒートシンク107は、発光素子70から伝達された熱を外部に放散させることを促進する。本実施形態によると、複数の発光セルを有する発光素子70を搭載することにより、交流電源を直接接続して駆動させることができるパッケージ3000を提供する。また、接続電極75がリードフレームの上部面に物理的に接触され、発光素子70で発生した熱の放散が改善され得る。一方、発光素子70の代わりに、図9の発光素子50を搭載してもよい。この際、発光素子50の接続電極65は、金属バンプ67a、67bに比べて高さが低いので、リードフレームの上部面と物理的に接触しない。それゆえ、接続電極65と金属リード101a、101bとが短絡することを容易に防止することができる。図12を参照すると、本実施形態に係るパッケージ4000には、図11を参照して説明したパッケージ3000にサブマウント基板201及びボンディングワイヤ203a、203bが追加される。サブマウント基板201は、発光素子70とリードフレームの上部面との間に介在される。サブマウント基板201は、基板と、基板上に形成されたボンディングパッド201a、201bを有する。ボンディングパッドは、発光素子70の金属バンプ67a、67bに対応する。発光素子の金属バンプは、サブマウント基板のボンディングパッドにそれぞれ接合される。サブマウント基板の基板は、熱伝導性のある物質で形成することが好ましい。基板としては、SiC、Si、ゲルマニウムGe、シリコンゲルマニウムSiGe、窒化アルミニウムAlN及び金属基板等が用いられ得る。それと同時に、基板の上部面に誘電体層が形成されてもよい。誘電体層は、ボンディングパッド201a、201b及び接続電極75と基板を絶縁させる。一方、基板が絶縁物質である場合、誘電体層は省略してもよい。ボンディングパッド201a、201bと金属リード101a、101bは、ボンディングワイヤにより電気的に接続される。図11を参照して説明したように、発光素子70の代わりに、図9の発光素子50が搭載されてもよい。図13を参照すると、本実施形態によるパッケージ5000は、図12を参照して説明したように、発光素子70とリードフレームとの間に介在されるサブマウント基板301を有する。但し、サブマウント基板301は、図12のサブマウント基板201とは異なり、基板を貫通するボンディングパッド301a、301bを有する。したがって、ボンディングパッドが金属リード101a、101bにそれぞれ直接接合されるので、図12のボンディングワイヤを省略することができる。サブマウント基板301は、上述したものに限定されず、多様な変形が可能である。例えば、ボンディングパッド301a、301bは、基板を貫通する代わりに、基板の側面を通じて基板下部に延長されてもよい。また、発光素子70の代わりに、図9の発光素子50が搭載されてもよい。