"量子ドットを含有する少なくとも1層以上の発光層が、電極間に介装された発光素子であって、前記発光層のうちの少なくとも1層の発光層は、前記量子ドットの表面に界面活性剤が存在する発光領域と、前記量子ドットの表面に界面活性剤が存在しない非発光領域とを有していることを特徴とする発光素子。前記非発光領域は、熱処理されてなることを特徴とする請求項1記載の発光素子。前記発光層の表面に第2発光層が形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の発光素子。前記第2発光層は、電子輸送層であることを特徴とする請求項3記載の発光素子。前記発光領域及び前記第2発光層は、それぞれ異なる波長の光を発することを特徴とする請求項3又は請求項4記載の発光素子。前記発光層が、平均粒径の異なる2種類以上の量子ドット層の積層体で形成されると共に、前記各発光層は、前記非発光領域の少なくとも一部と前記発光領域の少なくとも一部とが互いに重なり合うように積層されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の発光素子。前記発光層の各発光領域は、それぞれ異なる波長の光を発することを特徴とする請求項6記載の発光素子。電子輸送層が、前記発光層の表面に形成されていることを特徴とする請求項6又は請求項7記載の発光素子。一方の電極と前記発光層との間に正孔輸送層が介装されていることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の発光素子。前記量子ドットは、コアーシェル構造を有していることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の発光素子。量子ドットを含有する少なくとも1層以上の発光層が、電極間に介装された発光素子の製造方法であって、界面活性剤が表面に配位した少なくとも1種類以上の量子ドットを作製する量子ドット作製工程と、前記量子ドット作製工程で作製された各量子ドットを使用して少なくとも1層以上の量子ドット層を形成する量子ドット層形成工程と、前記量子ドット層のうちの少なくとも1層の量子ドット層の特定領域を熱処理して該特定領域の界面活性剤を除去し、発光領域と非発光領域とを有する発光層を作製する界面活性剤除去工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。前記発光層の表面に第2発光層を形成することを特徴とする請求項11記載の発光素子の製造方法。前記第2発光層は、電子輸送層であることを特徴とする請求項12記載の発光素子の製造方法。前記量子ドット作製工程では、平均粒径の異なる2種類以上の量子ドットを作製すると共に、これらの量子ドットを使用し、前記非発光領域の少なくとも一部と前記発光領域の少なくとも一部とが互いに重なり合うように前記量子ドット層形成工程と前記界面活性剤除去工程とを複数回実行し、発光波長の異なる2層以上の発光層を形成することを特徴とする請求項11記載の発光素子の製造方法。前記発光層のうち、最上層の発光層の表面に電子輸送層を形成することを特徴とする請求項14記載の発光素子の製造方法。請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の発光素子が、アレイ状に多数配列されていることを特徴とする表示装置。しかしながら、特許文献1では、発光層をフォトリソグラフィー法でパターニングしているため、正孔注入層104上の不要なフォトレジスト105を溶解除去させる際、該フォトレジスト105を完全に除去できず、正孔注入層104上に残渣が存在するおそれがある。そして、フォトレジスト105の残渣が正孔注入層104に存在すると、発光特性の低下を招くおそれがある。また、特許文献1では、フォトレジストを使用してパターニングを行っているため、正孔注入層104には一連のフォトリソグラフィープロセスに曝されても、これに耐えうるだけの耐薬品性を有する材料を選択する必要があり、材料選択に制限があるという問題点があった。また、特許文献2では、発光特性とは無関係な濡れ性変化層114が発光層117と第1の電極層112との間に介在されており、EL素子の抵抗が高くなり、このため駆動電圧が高くなるという問題点があった。しかも、特許文献2では、紫外線の照射部分と非照射部分との境界で液体との接触角が大きく変化するため、斯かる部分での膜厚変化が大きくなり、このため発光特性に斑が生じるおそれがあった。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、煩雑な工程を要することなく発光領域のパターニングを容易に行うことができ、かつ低コストで良好な発光特性を高効率で得ることができる発光素子、及び発光素子の製造方法、並びにこの発光素子を使用した表示装置を提供することを目的とする。ナノメートルレベルの超微粒子である量子ドットは、量子ドット同士が互いに凝集するのを回避するために界面活性剤が周囲に配位されている。この界面活性剤は量子ドットの表面欠陥を不活性化し、電圧印加によりキャリア正孔、電子を量子ドット内に効果的に閉じ込めることができ、これにより正孔と電子とが量子ドット内で再結合し、高効率で励起子発光させることが可能である。一方、量子ドット表面の界面活性剤を除去すると、表面欠陥が不活性化されず、励起子は表面欠陥にトラップされて励起エネルギーは熱放射失活し、非発光状態となる。そしてこの界面活性剤は沸点程度の温度で熱処理を行うことにより容易に除去することができる。したがって、量子ドット層の特定領域を熱処理することにより発光領域と非発光領域とを形成することができ、これにより特許文献1のようなフォトリソグラフィー法を使用したり、特許文献2のような濡れ性変化層を設けなくても良好な発光特性を有する発光素子を容易かつ効率良く得ることができる。本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る発光素子は、量子ドットを含有する少なくとも1層以上の発光層が、電極間に介装された発光素子であって、前記発光層のうちの少なくとも1層の発光層は、前記量子ドットの表面に界面活性剤が存在する発光領域と、前記量子ドットの表面に界面活性剤が存在しない非発光領域とを有していることを特徴としている。また、本発明の発光素子は、前記非発光領域が、熱処理されてなるのが好ましい。また、発光機能を有する電子輸送層を発光層の表面に第2発光層として形成すると、非発光領域の量子ドットからは表面欠陥を経由したリーク電流が増加して第2発光層に電荷が集中し、第2発光層が発光する。したがって、発光層と第2発光層の双方から異なる波長の光を出力することが可能となる。すなわち、本発明の発光素子は、前記発光層の表面に第2発光層が形成されているのが好ましい。また、本発明の発光素子は、前記第2発光層が、電子輸送層であるのが好ましい。さらに、本発明の発光素子は、前記発光領域及び前記第2発光層は、それぞれ異なる波長の光を発するのが好ましい。また、発光層を異なる粒径の量子ドット層の積層体で形成し、かつ各発光層の発光領域から発光するように積層することにより、量子サイズ効果によって各発光層からは異なる波長の光を出力することが可能となる。すなわち、本発明の発光素子は、前記発光層が、平均粒径の異なる2種類以上の量子ドット層の積層体で形成されると共に、前記各発光層は、前記非発光領域の少なくとも一部と前記発光領域の少なくとも一部とが互いに重なり合うように積層されているのが好ましい。さらに、本発明の発光素子は、前記発光層の各発光領域は、それぞれ異なる波長の光を発するのが好ましい。また、本発明の発光素子は、電子輸送層が、前記発光層の表面に形成されているのが好ましい。さらに、本発明の発光素子は、一方の電極と前記発光層との間に正孔輸送層が介装されているのが好ましい。また、本発明の発光素子は、前記量子ドットが、コアーシェル構造を有するのが好ましい。また、本発明に係る発光素子の製造方法は、量子ドットを含有する少なくとも1層以上の発光層が、電極間に介装された発光素子の製造方法であって、界面活性剤が表面に配位した少なくとも1種類以上の量子ドットを作製する量子ドット作製工程と、前記量子ドット作製工程で作製された各量子ドットを使用して少なくとも1層以上の量子ドット層を形成する量子ドット層形成工程と、前記量子ドット層のうちの少なくとも1層の量子ドット層の特定領域を熱処理して該特定領域の界面活性剤を除去し、発光領域と非発光領域とを有する発光層を作製する界面活性剤除去工程とを含むことを特徴としている。さらに、本発明の発光素子の製造方法は、前記発光層の表面に第2発光層を形成するのが好ましい。また、本発明の発光素子の製造方法は、前記第2発光層が、電子輸送層であるのが好ましい。また、本発明の発光素子の製造方法は、前記量子ドット作製工程では、平均粒径の異なる2種類以上の量子ドットを作製すると共に、これらの量子ドットを使用し、前記非発光領域の少なくとも一部と前記発光領域の少なくとも一部とが互いに重なり合うように前記量子ドット層形成工程と前記界面活性剤除去工程とを複数回実行し、発光波長の異なる2層以上の発光層を形成するのが好ましい。また、本発明の発光素子の製造方法は、前記発光層のうち、最上層の発光層の表面に電子輸送層を形成するのが好ましい。また、本発明に係る表示装置は、上述した発光素子が、アレイ状に多数配列されていることを特徴している。本発明の発光素子及び発光素子の製造方法によれば、発光層に含有される量子ドットの表面に界面活性剤が存在するか否かのみで、発光非発光を画定する発光領域をパターニングすることができる。すなわち、煩雑なフォトリソグラフィー法等を使用することなく発光領域のパターニングを行うことができるので、発光素子内にフォトレジストの残渣が存在することもなく、また材料選択時に耐薬品性を考慮する必要もなく、低コストかつ高効率で良好な発光特性を有する発光素子を得ることが可能となる。また、発光層の膜厚も成膜過程で容易に制御できるので、膜厚を均一乃至略均一に形成することが可能となり、発光特性に斑が生じることもない。しかも、特許文献2のように素子が高抵抗化することもなく、低電圧での印加で駆動がさせることが可能となる。また、前記発光層の表面に第2発光層が形成されることにより、発光層の非発光領域に対応する部分は第2発光層で発光させることが可能となる。すなわち、発光層の非発光領域における量子ドットからは、表面欠陥を経由したリーク電流が増加するため、第2発光層に電荷が集中し、これにより第2発光層が発光し、1つの発光素子から異なる波長の光を発光させることが可能となる。しかも第2発光層が、電子輸送層を兼ねるので、素子構造の簡素化が可能となる。また、前記発光層が、平均粒径の異なる2種類以上の量子ドット層の積層体で形成されると共に、前記各発光層は、前記非発光領域の少なくとも一部と前記発光領域の少なくとも一部とが互いに重なり合うように積層されることにより、量子サイズ効果により同一材料の量子ドットから異なる色の光を各発光領域から発光させることが可能となり、低コストかつ高効率で良好な発光特性を有する発光素子を得ることが可能となる。また、本発明の表示装置によれば、上述した発光素子が、アレイ状に多数配列されているので、フルカラーディスプレイ等の表示装置を低コストで得ることができる。このように本発明によれば、発光層に含有される量子ドットの表面に界面活性剤が存在するか否かのみで発光層の発光非発光を制御することができ、小型高性能の表示装置を低コストかつ高効率で得ることが可能となる。次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。図1は、本発明に係る発光素子の一実施の形態第1の実施の形態を模式的に示す断面図である。すなわち、この発光素子は、透明基板1の表面に陽極2が形成され、さらに該陽極2の表面には正孔輸送層3が形成されている。また、正孔輸送層3の表面には量子ドットからなる発光層4が形成されている。そして、発光層4は、第1の所定波長例えば、622nmの光を発する発光領域4aと光を発しない非発光領域4bとを有している。発光層4の表面には、発光領域4aから発する光とは異なる第2の所定波長例えば、525nmの光を発する第2発光層5が形成され、さらに該第2発光層5の表面には陰極6第1の陰極6a、第2の陰極6bが形成されている。すなわち、第1の陰極6aは発光領域4aの上面に形成されると共に、第2の陰極6bは非発光領域4bの上面に形成され、図1に示すように第1の素子部8a及び第2の素子部8bに区分されている。尚、本実施の形態では、前記第2発光層5は電子輸送層を兼ねている。図2は、発光層4に含有される量子ドットを模式的に示す断面図である。すなわち、この量子ドット9は、コア部10と該コア部10を保護するシェル部11とからなるコアーシェル構造を有し、シェル部11の表面には界面活性剤12が配位されている。そして、この界面活性剤12により量子ドット9同士が凝集するのを回避している。発光領域4aに含有される量子ドット9は、表面に界面活性剤12が配位されて存在し、非発光領域4bに含有される量子ドット9は、界面活性剤12が除去されて存在している。すなわち、発光領域4aでは、量子ドット9、すなわちシェル部11の表面に界面活性剤12が配位して存在していることから、量子ドット9の表面欠陥が不活性化されている。しかも量子ドット9に使用される界面活性剤12は、通常キャリア輸送性が低いため、陽極2と陰極6間での電圧印加により、電子と正孔が吸引されて量子ドット9の内部に効果的に閉じ込められ、量子ドット9内で再結合し、高効率で励起子発光する。一方、非発光領域4bでは、量子ドット9、すなわちシェル部11の表面に界面活性剤12が存在せず、量子ドット9の表面欠陥は不活性化していないため、キャリアは表面欠陥にトラップされ、励起子はエネルギーを失って無放射失活し、非発光状態となる。しかも、この場合、表面欠陥を経由した量子ドット9からのリーク電流が増加し、第2発光層5に電荷が集中することから、非発光領域4bの上面に位置する第2発光層5が励起子発光する。この界面活性剤12は、沸点程度の熱処理によって容易に除去できることから、量子ドット層の特定領域に熱処理を施すのみで、発光領域4aと非発光領域4bとを有する発光層4を形成することができる。ここで、量子ドット9のコア部10を形成するコア材料としては、光電変換作用を奏する半導体材料であれば特に限定されるものではなく、ZnSe、ZnTe、InP、InSe、CdSe、CdS、PbSe等を使用することができ、また、シェル部11を構成するシェル材料としては、例えばZnS、GaN、AlP等を使用することができる。また、界面活性剤12としては、レーザ照射等の熱処理によって容易に除去できるものであれば、特に限定されるものではなく、ヘキサデシルアミン以下、HDAという。やオクチルアミン等の長鎖アミン、トリオクチルホスフィンオキサイド、ピリジン等を使用することができる。尚、透明基板1としては、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス等の無機材料や、ポリカーボネート、ポリアクリレート等の透明樹脂を使用することができる。陽極2としては、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい透明性の導電性材料を使用するのが好ましく、例えば酸化インジウムスズ以下、ITOという。、酸化亜鉛ー酸化インジウム等の酸化亜鉛系材料を使用することができる。陰極6としては、電子が注入し易いように仕事関数の小さい導電性材料を使用するのが好ましく、例えばAl、Caを使用することができる。また、正孔輸送層3を形成する正孔輸送性材料としては、例えば酸化ニッケル、酸化モリブデン等の無機酸化物、ビスN-1-ナフチル-N-フェニル-ベンジジン等のアリールアミン誘導体、コポリ[3,3’-ヒドロキシ-テトラフェニルベンジジン/ジエチレングリコール]カーボネート、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジンTPD、4,4,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミン等のトリフェニルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、4,4-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニル等のカルバゾール誘導体、1,4-ビス2,2-ジフェニルビニルベンゼン等のジスチリルアリーレン誘導体、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-co-4,4 ́-N-4-sec-ブチルフェニルジフェニルアミン]等のフルオレン誘導体、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-co-9,9’-スピロ-ビフルオレン-2,7-ジイル]等のスピロ化合物を使用することができる。また、電子輸送層5を形成する電子輸送性材料としては、例えば、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウム以下、Alq3という。、ビス2-メチル-8-キノリラート-4-フェニルフェノラートアルミニウム等のアルミニウム錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール等のオキサジアゾール類、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン等のフェナントロリン類を使用することができる。このように構成された発光素子では、陰極6第1の陰極6a及び第2の陰極6bと陽極2との間に電圧が印加されると、陰極6には電子が注入され、陽極2には正孔が注入される。そして陰極6に注入された電子は電子輸送層5を経て発光層4の量子ドット9内に入り込み、陽極2に注入された正孔は正孔輸送層3を経て発光層4の量子ドット9内に入り込む。そして、第1の素子部8aでは、発光層4に含有される量子ドット9の表面に界面活性剤12が配位されて存在しているので、発光層4は、上述したように発光領域4aを形成し、高効率で励起子発光する。すなわち、第1の素子部8aでは、発光層4の発光領域4aからの励起光が、矢印Aに示すように、正孔輸送層3、陽極2及びガラス基板1を透過し、所定の発光色例えば、赤色光を出力する。一方、第2の素子部8bでは、発光層4に含有される量子ドット9の表面に界面活性剤12は存在しないので、発光層4は、上述したように非発光領域4bを形成する。そして、表面欠陥を経由した量子ドット9からのリーク電流が増加して第2発光層5に電荷が集中し、非発光領域4bの上面に位置する第2発光層5が励起子発光する。すなわち、第2の素子部8bでは、第2発光層5からの励起光が、矢印Bに示すように、非発光領域4b、正孔輸送層3、陽極2及びガラス基板1を透過し、所定の発光色例えば、緑色光を出力する。次に、上記発光素子の製造方法を詳述する。まず、量子ドット分散溶液を作製する。ここで、量子ドット9を構成する超微粒子には、上述したように種々の材料を使用することができるが、下記の実施の形態では、コア部10にCdSe、シェル部11にZnSを使用した場合を例に説明する。例えば、酢酸カドミウム、オレイン酸及びオクタデセンを容器中で混合し、窒素雰囲気中、撹拌して溶解させ、これによりカドミウム前駆体溶液を調製する。さらに、窒素雰囲気中、セレン及びオクタデセンを混合し、これによりセレン前駆体溶液を調製する。次いで、カドミウム前駆体溶液を所定温度例えば、300°Cに加熱し、この加熱溶液中にセレン前駆体溶液を注入する。すると、高温により活性度の高い前駆体同士が反応し、カドミウムとセレンが結合して核を形成し、その後周囲の未反応成分と反応して結晶成長が起り、これによりCdSe量子ドットが作製される。尚、CdSe量子ドットの粒径は、反応時間を調整することにより制御することができる。次に、酸化亜鉛をオレイン酸に溶解させた酸化亜鉛溶液、及びイオウをオレイン酸に溶解させたイオウ溶液を用意する。次いで、所定温度例えば、150°Cに調整されたCdSe量子ドット溶液に酸化亜鉛溶液及びイオウ溶液を交互に微量ずつ滴下し、加熱冷却し、洗浄して溶液中の過剰有機成分を除去する。そしてこの後、分散溶媒、例えばクロロホルム中に分散させ、これによりCdSe/ZnS分散溶液を作製する。そして、HDA等の界面活性剤12を上記CdSe/ZnS分散溶液に添加し、CdSe/ZnSからなる量子ドット9の表面を界面活性剤12で被覆し、量子ドット分散溶液を作製する。そして、この量子ドット分散溶液を使用し、図3及び図4に示すような方法で発光素子を作製する。まず、図3aに示すように、スパッタ法等により透明基板1上に膜厚100nm~150nmのITO膜等の陽極2を形成する。次いで真空蒸着法等を使用し、陽極2上に膜厚10~50nmの正孔輸送層3を形成する。そして、スピンコート法等を使用し、上述した量子ドット分散溶液を正孔輸送層3上に塗布し、乾燥させ、図3bに示すように、膜厚2~50nmの量子ドット層13を形成する。次に、量子ドット層13の特定領域13aを、矢印Cに示すように、レーザ照射等で熱処理を施し、特定領域13aの界面活性剤12を除去する。ここで、熱処理温度は、使用する界面活性剤12の沸点程度の温度が好ましく、例えば界面活性剤12としてHDA沸点:330°Cを使用した場合は300~350°C、オクチルアミン沸点:176°Cを使用した場合は160~180°Cに設定される。このように界面活性剤を適宜選択することにより、正孔輸送層3の材料選択の幅を拡げることが可能となる。例えば、界面活性剤12としてHDAを選択した場合は、300~350°Cの熱処理温度に耐えうる正孔輸送性材料、例えばMoO3を使用する必要があるが、160~180°C程度の熱処理温度で除去可能なオクチルアミンを使用した場合は、耐熱性に劣る有機化合物を正孔輸送性材料に使用することが可能となる。このようにして図4cに示すように、発光領域4aと非発光領域4bとを有する発光層4を作製することができる。次いで、図4dに示すように、Alq3等の電子輸送性材料を使用し、真空蒸着法で発光層4の表面に膜厚50nm~70nmの電子輸送層兼用の第2発光層5を形成する。その後、Al、Ca等を使用し、真空蒸着法で膜厚100nm~300nmの陰極6第1及び第2の陰極6a、6bを形成し、これにより発光素子が作製される。このように本第1の実施の形態では、発光層4に含有される量子ドット9の表面に界面活性剤12が存在するか否かのみで、発光非発光を画定する発光領域4aをパターニングすることができる。すなわち、煩雑なフォトリソグラフィー法を使用することなく発光領域4aのパターニングを行うことができるので、発光素子内にフォトレジストの残渣が存在することもなく、また材料選択時に耐薬品性を考慮する必要もなく、低コストかつ高効率で良好な発光特性を有する発光素子を得ることが可能となる。また、発光層4の膜厚も成膜過程で容易に制御できるので、膜厚を均一乃至略均一に形成することが可能となり、発光特性に斑が生じることもない。しかも、特許文献2のように素子が高抵抗化することもなく、低電圧での印加で駆動がさせることが可能となる。また、発光層4の表面に第2発光層5が形成されているので、発光層4の非発光領域4bに対応する部分は第2発光層5で発光させることが可能となる。すなわち、発光層4の非発光領域4bにおける量子ドットからは、表面欠陥を経由したリーク電流が増加するため、第2発光層5に電荷が集中し、これにより第2発光層5が発光し、1つの発光素子から異なる波長の光を発光させることが可能となる。しかも第2発光層5が、電子輸送層を兼ねるので、素子構造の簡素化が可能となる。尚、本第1の実施の形態では、第2発光層5上に陰極6を形成しているが、必要に応じ電子の注入を容易にすべく、第2発光層5と陰極6の間にLiF等からなる電子注入層を介在させてもよい。図5は、本発明に係る発光素子の第2の実施の形態を模式的に示す断面図であって、この第2の実施の形態では、発光層が三層構造とされ、第1~第3の素子部14a~14cを有している。すなわち、本第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様、透明基板1上に陽極2が形成され、さらに該陽極2の表面に正孔輸送層3が形成されている。そして、正孔輸送層3の表面には三層構造からなる発光層第1~第3の発光層15~17が形成されている。第1の発光層15は、例えば、波長490nmの青色光を発する発光領域15aと、光を発しない非発光領域15bとを有している。第2の発光層16は、例えば、波長540nmの緑色光を発する発光領域16aと、光を発しない非発光領域16bとを有している。また、第3の発光層17は、例えば、波長620nmの赤色光を発する発光領域のみで形成されている。そして各発光層15~17は、非発光領域の少なくとも一部と発光領域の少なくとも一部とが互いに重なり合うように形成されている。すなわち、第1の発光層15の非発光領域15bの一部と第2の発光層16の発光領域16aの一部とが互いに重なり合い、第2の発光層16の非発光領域16bと第3の発光層17の発光領域の一部とが互いに重なり合うように、前記第1~第3の発光層15~17が形成されている。そして、第3の発光層17の表面には電子輸送層18が形成され、さらに電子輸送層18の表面には陰極19第1~第3の陰極19a~19cが形成されている。本第2の実施の形態では、第1の実施の形態と同様、陰極19第1~第3の陰極19a~19cと陽極2との間に電圧が印加されると、陰極19には電子が注入され、陽極2には正孔が注入される。そして陰極19に注入された電子は電子輸送層18を経て第1~第3の発光層15~17の量子ドット9内に入り込み、陽極2に注入された正孔は正孔輸送層3を経て第1~第3の発光層15~17の量子ドット9内に入り込む。そして、第1の素子部14aでは、第1の発光層15に含有される量子ドット9の表面に界面活性剤12が配位されており、第1の発光層15は発光領域15aを形成している。すなわち、発光領域15aでは、量子ドット9表面に界面活性剤12が配位されているため、電子と正孔は量子ドット9の内部に効率良く閉じ込められ、量子ドット9内で再結合し、高効率で励起子発光する。そしてその結果、第1の素子部14aでは、第1の発光層15の発光領域15aからの励起光が、矢印Dに示すように、正孔輸送層3、陽極2及び透明基板1を透過し、例えば波長490nmに対応する発光色、すなわち青色光を出力する。また、第2の素子部14bでは、第1の発光層15に含有される量子ドット9の表面には界面活性剤12が配位されておらず、励起子は熱放射失活し、非発光領域15bを形成している。一方、第1の発光層15の上層の第2の発光層16に含有される量子ドット9の表面には界面活性剤12が配位されており、発光領域16aを形成している。すなわち、発光領域16aでは、量子ドット9表面に界面活性剤12が配位されているため、電子と正孔は量子ドット9の内部に効率良く閉じ込められ、量子ドット9内で再結合し、高効率で励起子発光する。そしてその結果、第2の素子部14bでは、第2の発光層16の発光領域16aからの励起光が、矢印Eに示すように、第1の発光層15の非発光領域15a、正孔輸送層3、陽極2及び透明基板1を透過し、例えば波長540nmに対応する発光色、すなわち緑色光を出力する。また、第3の素子部14cでは、第1及び第2の発光層15、16は、いずれも量子ドット9の表面に界面活性剤12が配位されておらず、励起子は熱放射失活し、非発光領域15b、16bを形成している。一方、第3の発光層17は、熱処理されておらず、全域が発光領域を形成し、励起子発光する。したがって、第3の素子部14cでは、矢印Fに示すように、第3の発光層17からの励起光が、第1及び第2の発光層15、16の各非発光領域15a、16a、正孔輸送層3、陽極2及び透明基板1を透過し、例えば波長620nmに対応する発光色、すなわち赤色光を出力する。次に、上記発光素子の製造方法を説明する。まず、第1の実施の形態と同様の方法手順で、粒径の異なる3種類の量子ドット分散溶液を作製する。すなわち、粒径が10nm以下の超微粒になると、粒子が小さくなるに伴い、量子サイズ効果により、材料中の電子の状態が変わり、より短い波長の光を発するようになる。したがって、種々の粒径の超微粒子を使用することにより、同一材料を使用した発光層から種々の発光色を得ることが可能となる。そこで、本第2の実施の形態では、平均粒径の異なる3種類の量子ドット分散溶液を作製する。例えば、コアーシェル構造を有するCdSeZnS量子ドットを使用する場合は、発光波長490nmの青色光を発するコア粒径平均粒径3.2nmの第1のCdSeZnS分散溶液、発光波長540nmの緑色光を発するコア粒径平均粒径3.7nmの第2のCdSeZnS分散溶液、発光波長620nmの赤色光を発するコア粒径平均粒径5.6nmの第3のCdSeZnS分散溶液を、反応時間を調整することによりそれぞれ作製し、これらにHDA等の界面活性剤を添加し、これにより第1~第3の量子ドット分散溶液を作製する。そして、スピンコート法等を使用し、正孔輸送層3の表面に第1の量子ドット分散溶液を塗布し、乾燥させて第1の量子ドット層を形成し、その後第1の量子ドット層の特定領域に熱処理を施し、発光領域15aと非発光領域15bとを有する第1の発光層15を作製する。次いで、再びスピンコート法等を使用し、第1の発光層15の表面に第2の量子ドット分散溶液を塗布し、乾燥させて第2の量子ドット層を形成する。そして、第1の発光層15の非発光領域15bの一部と重なるように特定領域を設定し、該特定領域に熱処理を施し、これにより発光領域16aと非発光領域16bとを有する第2の発光層16を作製する。次いで、再びスピンコート法等を使用し、第2の発光層16の表面に第3の量子ドット分散溶液を塗布し、乾燥させ、第3の発光層を形成する。その後は第1の実施の形態と略同様の方法手順により、真空蒸着法で発光層4の表面に膜厚50nm~70nmのAlq3等の電子輸送層18を形成する。そして、Ca、Al等を使用し、真空蒸着法で膜厚100nm~300nmの陰極19第1~第3の陰極19a~19cを形成し、これにより発光素子が作製される。このように本第2の実施の形態でも、第1~第3の発光層15~17に含有される量子ドット9の表面に界面活性剤が存在するか否かのみで、発光非発光を画定する発光領域のパターニングを行うことができ、第1の実施の形態と同様の効果を奏することができる。しかも、本第2の実施の形態では、量子サイズ効果により同一材料の量子ドットから異なる色の光を発光させることが可能となり、低コストかつ高効率で良好な発光特性を有する発光素子を得ることが可能となる。そして、本第2の実施の形態では、第1の発光層15からは、例えば青色光を出力することができ、第2の発光層16からは、例えば緑色光を出力することができ、第3の発光層17からは、例えば赤色光を出力することができるので、斯かる発光素子をアレイ状に多数配列することにより、小型かつ低コストでフルカラー表示が可能な表示装置を実現することが可能となる。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものでない。例えば、界面活性剤の除去方法についても、限定されるものではなく、レーザ照射の他、電子ビーム照射、熱転写法等を使用し、量子ドット層に対し1枚の透明基板上で選択的に局所的な熱処理を施すことにより同一の透明基板上での発光パターンのパターニングを行うことができる。また、レーザ照射を行う場合についても、レーザの種類は限定されるものではなく、発振波長808nmのダイオードレーザ、発振波長308nmのエキシマレーザ、発振波長532nmの固体レーザ等、任意の発振波長を有するレーザ装置を使用することができる。また、上記各実施の形態では、2色以上を発光させているが、発光層を1層として単一色で発光させるようにパターニングするのも好ましい態様であり、これにより単一色での文字パターンを表示させることが可能となる。また、上記実施の形態では、陽極2上に正孔輸送層3を設けているが、要求される性能に影響を与えない場合は、正孔輸送層3は省略することが可能である。また、上記第1の実施の形態では、電子輸送層が発光機能を有する必要があることから、電子輸送層を発光性材料で形成しているが、第2の実施の形態のように発光機能を要求されない場合は、発光性を有さない電子輸送性材料で電子輸送層を形成することができる。また、上記実施の形態では、量子ドット9が、コア部10と1層のシェル部10からなるコアーシェル構造を有しているが、シェル部10が2層構造のコアーシェルーシェル構造や、シェル部のない量子ドットにも同様に適用できる。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。上述した図1の構成を有する発光素子を作製し、発光スペクトルを測定した。すなわち、スパッタ法でガラス基板上にITO膜を成膜して陽極を作製し、洗浄した。次いで、真空蒸着法で陽極上に膜厚10nmのMoO3を成膜し、これにより正孔輸送層を作製した。次に、量子ドット分散溶液として、エヴィデントテクノロジー社製Evidot600を用意した。次いで、量子ドット分散溶液を正孔輸送層の表面に塗布し、ホットプレート上で乾燥させ、分散溶液を揮発させた。ここで、塗布処理はスピンコート法を使用し、スピンコートの回転数を3000rpm、処理時間を60秒とした。また、乾燥処理は、乾燥温度を100°C、乾燥時間を15分とした。尚、成膜された量子ドット層の膜厚は5~20nmであった。次いで、乾燥処理後、特定領域にレーザ照射を行って熱処理を施し、該特定領域の界面活性剤を除去し、発光領域と非発光領域とを有する発光層を作製した。尚、レーザ照射は、発振波長808nmのダイオードレーザーを使用し、熱処理温度が300°C程度となるように、照射エネルギーを80mJ/cm2に設定して1分間行った。次に、真空蒸着法を使用して膜厚50nmのAlq3膜を成膜し、電子輸送層兼用の第2発光層を作製した。次いで、真空蒸着法を使用して膜厚0.5nmのLiFを成膜し、電子注入層を作製し、その後、真空蒸着法を使用して膜厚100nmのAlを成膜し、陰極を作製した。そして最後にガラスキャップとUV硬化樹脂を使用して素子を封止した。そして、これにより、発光層の発光領域で発光する第1の素子部と第2発光層で発光する第2の素子部とを有する本発明試料を得た。次に、本発明試料について、ソースメーターを使用し、陽極と陰極との間に電圧を印加し、マルチチャンネル検出器で発光スペクトルを測定した。図6は第1の素子部における発光スペクトルであり、横軸が波長nm、縦軸が発光強度auを示している。この図6から明らかなように、第1の素子部からはピーク波長が622nm、半値全幅ΔHが43nmの赤色光が得られた。図7は第2の素子部の発光スペクトルであり、横軸が波長nm、縦軸が発光強度auを示している。この図7から明らかなように、第2の素子部からはピーク波長が525nm、半値全幅ΔHが90nmの緑色光が得られた。以上より本発明試料は、発光スペクトルが鋭く発光特性が良好であり、第1の素子部と第2の素子部とで異なる所望の発光色が得られることが確認された。"