Aケイ素原子に結合したアルケニル基を、1分子中に2個以上有する、25°Cにおける粘度が005~100Pasのオルガノポリシロキサン:100質量部、Bケイ素原子に結合した水素原子を、1分子中に2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:前記A成分中のアルケニル基1個に対して、当該成分中のケイ素原子に結合した水素原子の個数が01~50個となる量、C融点が0~70°Cの、ガリウムおよび/またはガリウム合金、D平均粒径が0.1~100μmの銀粉末、C成分とD成分の合計が300~5000質量部であり、これらは質量比においてC成分/{C成分D成分}=0.1~0.9である。E銀以外の、平均粒径が01~100μmの熱伝導性充填剤:0~1000質量部、F白金系触媒:有効量、並びにG付加反応制御剤:有効量を含有する硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物。更に、H1下記一般式1:R1aR2bSi4ab1式中、R1は独立に炭素原子数6~15のアルキル基であり、R2は独立に非置換または置換の炭素原子数1~8の1価炭化水素基であり、R3は独立に炭素原子数1~6のアルキル基であり、aは1~3の整数、bは0~2の整数であり、abの和は1~3の整数である。で表されるアルコキシシラン化合物を、0~20質量部含む、請求項1記載の熱伝導性シリコーン組成物。更に、H2下記一般式2:2式中、R3は独立に炭素原子数1~6のアルキル基であり、cは5~100の整数である。で表される分子鎖の片末端がトリアルコキシシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサンを、0~100質量部含む、請求項1または2に記載の熱伝導性シリコーン組成物。請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物の製造方法であって、前記A成分と前記C成分と、場合により前記E成分と、場合により前記H1成分と、場合により前記H2成分とを、前記C成分の融点以上である温度で混練して均一な混合物を得る工程;混練を停止して、前記温度を前記C成分の融点未満にまで冷却させる工程;および前記D成分と前記B成分と前記F成分と前記G成分と、場合により他の成分とを、追加して、前記C成分の融点未満の温度で混練して均一な混合物を得る工程を含む製造方法。請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物を、80~180°Cで処理して得られた熱伝導性硬化物。請求項5に記載の熱伝導性硬化物の、発熱性電子部品と放熱部材との間に挟まれて配置される熱伝導性層としての使用。発熱性電子部品と、放熱部材と、請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物の硬化物からなる熱伝導性層とを有してなる半導体装置であって、前記発熱性電子部品と前記放熱部材とが前記熱伝導性層を介して接合されている半導体装置。請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、前記発熱性電子部品の表面に、前記組成物を塗布して、前記表面に前記組成物からなる被覆層を形成させる工程、前記被覆層に前記放熱部材を圧接して固定させる工程、および得られた構造体を80~180°Cで処理して、前記被覆層を硬化させて前記熱伝導性層とする工程を含む製造方法。上記従来技術を踏まえ、本発明の主たる目的は、熱伝導特性に優れた材料が必要にして十分な量配合され、かつ前記材料が微粒子の状態で樹脂成分からなるマトリックス中に、均一に分散した硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物を得ることにある。また、該組成物を製造する方法を提供することにある。硬化性グリース状熱伝導性シリコーン組成物を、従来の熱伝導性グリースと同様に、発熱性電子部品と放熱部材との間に挟まれるように配置し、前記部品または部材の表面の凹凸に追随して隙間を生じせしめることなく、かつ、加熱処理により架橋された硬化物からなる熱伝導性層としての使用を提供することにある。更に、本発明の目的は、発熱性電子部品と放熱部材とが前記熱伝導性層を介して接合された放熱性能に優れた半導体装置およびその製造方法を提供することにある。発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、熱伝導特性に優れた材料として、低融点のガリウムおよび/またはガリウム合金と特定の銀粉末を選択し、これを付加反応硬化型のオルガノポリシロキサン組成物に配合することにより、前記ガリウムおよび/またはガリウム合金が微粒子状態で均一に分散した組成物が得られるとの知見を得た。更に、前記組成物を加熱処理して硬化物とする工程において、液状の前記ガリウムおよび/またはガリウム合金が、銀粉末と融着することにより連結して連なった一種の経路を形成すること、また、樹脂成分の硬化により形成される架橋網状体中に、前記経路状の構造が固定保持されるとの知見を得た。そして、前記のとおりにして得られる硬化物を発熱性電子部品と放熱部材との間に挟まれるように層状に配置することにより、熱抵抗が低い熱伝導性層として使用することができ、前記熱性電子部品の稼動時に発生する熱を、前記のとおりの構造に固定保持されたガリウムおよび/またはガリウム合金と、銀粉末とで成る前記熱伝導性層を経由して、速やかに放熱部材に伝導し、放熱特性に優れた半導体製品が得られるとの知見を得て、これらの知見に基づき、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、第一に、Aケイ素原子に結合したアルケニル基を、1分子中に2個以上有する、25°Cにおける粘度が005~100Pasのオルガノポリシロキサン:100質量部、Bケイ素原子に結合した水素原子を、1分子中に2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン:前記A成分中のアルケニル基1個に対して、当該成分中のケイ素原子に結合した水素原子の個数が01~50個となる量、C融点が0~70°Cの、ガリウムおよび/またはガリウム合金、D平均粒径が0.1~100μmの銀粉末、C成分とD成分の合計が300~5000質量部であり、これらは質量比においてC成分/{C成分D成分}=0.1~0.9である。E銀以外の、平均粒径が01~100μmの熱伝導性充填剤:0~1000質量部、F白金系触媒:有効量、並びにG付加反応制御剤:有効量を含有する熱伝導性シリコーン組成物を提供する。本発明は、第二に、該組成物の製造方法を提供する。本発明は、第三に、該組成物の熱伝導性硬化物を提供する。本発明は、第四に、該熱伝導性硬化物の発熱性電子部品と放熱部材との間に挟まれて配置される熱伝導性層としての使用を提供する。本発明は、第五に、発熱性電子部品と、放熱部材と、該熱伝導性層とを有してなる半導体装置を提供する。本発明は、第六に、該半導体装置の製造方法を提供する。本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、硬化前においてはグリース状またはペースト状であるので、ICパッケージ等の発熱性電子部品上に塗工する際の作業性が良好であり、更に放熱部材を圧接させる際に、両者の表面の凹凸に追従して、両者間に隙間を生じることなく両者を密着できることから、界面熱抵抗が生じることがない。また、付加反応による樹脂成分の硬化に際する加熱処理工程において、前記ガリウムおよび/またはガリウム合金が、銀粉末と融着することにより連結して連なった一種の経路を形成し、樹脂成分の硬化により形成される3次元架橋網状体中に、前記経路状の構造が固定保持されることから、発熱性電子部品から生じる熱を速やかに放熱部材に伝導することができるため、従来の熱伝導性シートまたは熱伝導性グリースよりも、高い放熱効果を確実に発揮することができる。その連結して連なった一種の前記経路が、硬化樹脂の3次元架橋網状体中に固定保持されていることから、従来の非硬化性の熱伝導性グリースの場合に問題とされた他の部品を汚染したり、また、経時的に油状物が漏出してくることがない。従って、半導体装置の信頼性を更に向上させることができる。[硬化性グリース状熱伝導性シリコーン組成物]<Aオルガノポリシロキサン>本発明組成物のA成分は、ケイ素原子に結合したアルケニル基を、1分子中に2個以上有するオルガノポリシロキサンであり、本発明の付加反応硬化系における主剤ベースポリマーである。このオルガノポリシロキサンは常温で液状であれば、その分子構造は限定されず、例えば、直鎖状、分岐鎖状、一部分岐を有する直鎖状が挙げられるが、特に好ましくは直鎖状である。前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、1-ブテニル基、1-へキセニル基等が挙げられる。これらの中でも、汎用性が高いビニル基が好ましい。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子、また分子鎖途中のケイ素原子の何れに結合していてもよいが、得られる硬化物の柔軟性がよいものとするため、分子鎖末端のケイ素原子にのみ結合して存在することが好ましい。A成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、例えば、非置換または置換の一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、2-フェニルエチル基、2-フェニルプロピル基等のアラルキル基;クロロメチル基、333トリフルオロプロピル基、3-クロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。そして、合成面および経済性の点から、これらのうち、90以上がメチル基であることが好ましい。また、このオルガノポリシロキサンの25°Cにおける粘度は、通常、005~100Pas、特に好ましくは05~50Pasの範囲である。前記粘度が低すぎると、得られる組成物の保存安定性が悪くなり、また、高すぎると得られる組成物の伸展性が悪くなる場合がある。このようなオルガノポリシロキサンの好適な具体例としては、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ポリジメチルシロキサン、分子鎖両末端メチルジビニルシロキシ基封鎖ポリジメチルシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ封鎖ジメチルシロキサンメチルフェニルシロキサン共重合体等が挙げられる。このA成分のオルガノポリシロキサンは、1種単独でも、例えば粘度が異なる2種以上を組み合わせても使用することができる。<Bオルガノハイドロジェンポリシロキサン>本発明組成物のB成分は、ケイ素原子に結合した水素原子以下、SiHというを、1分子中に2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、上記A成分の架橋剤として作用するものである。即ち、このB成分中のSiHが、後記F成分の白金系触媒の作用により、A成分中のアルケニル基とヒドロシリル化反応により付加して、架橋結合を有する3次元網状構造を有する架橋硬化物を与える。B成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合する基としては、例えば、アルケニル基以外の非置換または置換の一価炭化水素基であり、A成分について例示したものと同様の基が挙げられる。中でも、合成面および経済性の点から、メチル基であることが好ましい。また、このオルガノハイドロジェンポリシロキサンの構造としては、直鎖状、分岐状および環状のいずれであってもよい。成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの公的な具体例としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサンメチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサンメチルハイドロジェンシロキサンメチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサンメチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサンメチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジエンシロキシ基封鎖メチルフエニルポリシロキサン等が挙げられる。また、B成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。B成分の配合量は、上記A成分中のアルケニル基1個に対して、当該成分中のケイ素原子に結合した水素原子の個数が01~50個となる量であり、好ましくは05~30個となる量である。前記個数が01個未満であると、十分な網状構造が形成されないので、硬化後に必要とされる硬さが得られず、更に、後記C、D成分を固定保持することが困難となる。逆に、50個を越えると得られる硬化物の物性の経時変化が大きくなり、保存安定性が悪化する場合がある。<Cガリウムおよび/またはガリウム合金>本発明組成物のC成分は、融点が0~70°Cの、ガリウムおよび/またはガリウム合金である。該C成分は、本発明組成物から得られる硬化物に良好な熱伝導性を付与するために配合される成分である。このC成分の融点は、上記のとおり、0~70°Cの範囲とすることが必要である。本発明組成物を調製した後に、その組成物に含まれる各成分の分散状態を保持するため、長期保存および輸送時には、約-30~-10°C、好ましくは-25~-15°Cの低温状態とする必要があるが、前記融点が0°C未満であると、前記のとおりに長期保存および輸送する際に、該C成分は融解して液化し、生じた液状微粒子同士が凝集しやすくなり、組成物の調製時の状態を保持することが比較的困難となる。また、逆に、70°Cを越えると組成物調製工程後述の工程において速やかに融解しないため、作業性に劣る結果となる。よって、前記のとおり、0~70°Cの範囲とすることが、取り扱い上必要な条件であるとともに適切な範囲である。特に、15~50°Cの範囲内のものが好ましい。金属ガリウムの融点は298°Cである。また、代表的なガリウム合金としては、例えば、ガリウム-インジウム合金;例えば、Ga-In質量比=754:246、融点=157°C、ガリウム-スズ合金、ガリウム-スズ-亜鉛合金;例えば、Ga-Sn-Zn質量比=82:12:6、融点=17°C、ガリウム-インジウム-スズ合金;例えば、Ga-In-Sn質量比=215:160:625、融点=107°C、ガリウム-インジウム-ビスマス-スズ合金;例えば、Ga-In-Bi-Sn質量比=94:473:247:186、融点=480°C等が挙げられる。このC成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。未硬化状態の本発明組成物中に存在するガリウムおよび/またはガリウム合金の液状微粒子または固体微粒子の形状は、略球状であり、不定形のものが含まれていてもよい。また、その平均粒径が、通常、01~100μm、特に5~70μmであることが好ましい。前記平均粒径が小さすぎると組成物の粘度が高くなりすぎるため、伸展性が乏しいものとなるので塗工作業性に問題があり、また、逆に大きすぎると組成物が不均一となるため発熱性電子部品等への薄膜状の塗布が困難となる。なお、前記形状および平均粒径、更に組成物中での分散状態は、上記のとおり、組成物調製後に速やかに低温下で保存されることから、発熱性電子部品等への塗工工程まで維持することができる。<D銀粉末>本発明の銀粉末は、C成分と融着することにより連結して連なった一種の経路を形成させるために有効である。この銀粉末の平均粒径は、0.1μmより小さいと凝集しやすくなり、100μmより大きいと均一な組成物を得られにくくなるので0.1~100μmであり、好ましくは0.5~70μmの範囲である。銀粉末の形状としては、特に制限はなくフレーク状や球状であっても良い。ここで銀粉末粒子の平均粒径とは体積基準の50粒子径を意味し、例えばマイクロトラック粒度分析計日機装株社製により測定することができる。また、このD成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。C成分とD成分の合計量は、上記A成分100質量部に対して、300~5000質量部であり、好ましくは500~3000質量部である。前記配合量が300質量部未満であると、得られる組成物の粘度が低すぎて、実質上、グリース状とはならず、発熱性電子部品等へ必要な厚さの熱伝導層を形成するための塗工が困難となるとともに、十分な熱伝導性を有する硬化物層を得ることができない。また、逆に、多すぎると均一な組成物とすることが困難となり、また、組成物の粘度が高すぎるものとなるため、やはり伸展性があるグリース状のものとして組成物を得ることができないという問題がある。C成分とD成分の比率は、C成分/{C成分D成分}の質量比が0.1より小さいと銀粉末が凝集し易く、所望される熱抵抗が得られないし、0.9より大きいと組成物の厚みが厚くなると所望の熱伝導層を形成しがたく、良好な熱抵抗が発現しにくくなるため0.1~0.9の範囲が好ましい。より好ましくは0.3~0.9である。<E熱伝導性充填剤>本発明組成物には、必要に応じて、前記C、D成分とともに、従来から公知の熱伝導性シートまたは熱伝導性グリースに配合されるE熱伝導性充填剤を、追加して配合することができる。このE成分としては、銀粉末以外のもので熱伝導率が良好なものであれば特に限定されず、従来から公知のものを全て使用することができ、例えば、酸化亜鉛粉末、アルミナ粉末、窒化硼素粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末、銅粉末、ダイヤモンド粉末、ニッケル粉末、亜鉛粉末、ステンレス粉末、カーボン粉末等が挙げられる。また、このE成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。E成分の平均粒径としては、通常、01~100μm、好ましくは1~20μmの範囲内とするのがよい。前記平均粒径が小さすぎると、得られる組成物の粘度が高くなりすぎるので伸展性の乏しいものとなる。ここで、平均粒径とはD成分の銀粉末について説明した通りである。また、逆に大きすぎると、均一な組成物を得ることが困難となり、分離しやすくなるためグリース状の組成物とならない。このE成分を用いる場合、その配合量は、上記A成分100質量部に対して、0~1000質量部であり、好ましくは500質量部以下とするのがよい。前記配合量が1000質量部を越えると、得られる組成物は伸展性が乏しいものとなる。E成分の配合効果を得るには50~500質量部が好ましい。<F白金系触媒>本発明組成物のF成分の白金系触媒は、上記A成分中のアルケニル基と上記B成分中のSiHとの付加反応を促進し、本発明組成物から3次元網状状態の架橋硬化物を与えるために配合される成分である。このF成分としては、通常のヒドロシリル化反応に用いられる公知のものを全て使用することができ、例えば、白金金属白金黒、塩化白金酸、白金-オレフィン錯体、白金-アルコール錯体、白金配位化合物等が挙げられる。成分Fの配合量は、本発明組成物を硬化させるに必要な有効量であればよく、特に制限されないが、例えば、白金原子としてA成分の質量に対して、通常、01~500ppm程度とするのがよい。<G付加反応制御剤>本発明組成物のG成分の付加反応制御剤は、室温における上記白金系触媒の作用にヒドロシリル化反応を抑制し、本発明組成物の可使時間シェルフライフ、ポットライフを確保して、発熱性電子部品等への塗工作業に支障をきたさないように配合される成分である。このG成分としては、通常の付加反応硬化型シリコーン組成物に用いられる公知の付加反応制御剤を全て使用することができ、例えば、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、3-ブチン-1-オール等のアセチレン化合物や、各種窒素化合物、有機りん化合物、オキシム化合物、有機クロロ化合物等が挙げられる。このG成分との配合量は、上記F成分の使用量によっても異なり、一概にいえないが、ヒドロシリル化反応の進行を抑制することができる有効量であればよく、特に制限されない。例えば、A成分100質量部に対して、通常、0001~5質量部程度とすることがよい。G成分の配合量が少なすぎれば、十分な可使時間を確保することができず、また、多すぎると本発明組成物の硬化性が低下する。なお、このG成分は、組成物中への分散性を向上させるため、必要に応じて、トルエン、キシレン、イソプロピルアルコール等の有機溶剤で希釈して使用することもできる。<H表面処理剤>本発明組成物には、組成物調製時にC成分のガリウムおよび/またはガリウム合金を疎水化処理し、前記C成分の液状粒子とA成分のオルガノポリシロキサンとの濡れ性を向上させ、前記C成分が微粒子として、前記A成分からなるマトリックス中に均一に分散させることを目的として、必要に応じH表面処理剤ウエッターを配合することができる。また、このH成分は、D成分の銀粉末、さらにはE成分の熱伝導性充填剤を用いる場合に、同様にその表面の濡れ性を向上させて、その均一分散性を良好なものとする作用をも有する。H成分としては、例えば、H1下記一般式1:R1aR2bSi4ab1式中、R1は独立に炭素原子数6~15、好ましくは8~14のアルキル基であり、R2は独立に非置換または置換の炭素原子数1~8、好ましくは1~6の1価炭化水素基であり、R3は独立に炭素原子数1~6、好ましくは1~4のアルキル基であり、aは1~3の整数、好ましくは1であり、bは0~2の整数であり、abの和は1~3の整数である。で表されるアルコキシシラン化合物が挙げられる。上記式中のR1としては、例えば、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基等が挙げられる。炭素原子数が6未満であると上記C成分およびD成分、E成分の濡れ性の向上が充分でなく、15を超えると該H1成分のオルガノシランが常温で固化するので、取り扱いが不便な上、得られた組成物の低温特性が低下する。また、上記R2としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基、アリル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基等のアリール基;2-フェニルエチル基、2-メチル-2-フェニルエチル基等のアラルキル基;333トリフロロプロピル基、2-3C10H21Si3C12H25Si3C12H25Si3C10H21Si2C10H21Si2C10H21Si2C10H21Si2C10H21Si2なお、このH1成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。また、その配合量は、A成分100質量部に対して、好ましくは0~20質量部、より好ましくは3~10質量部である。前記配合量が多すぎると、ウェッター効果が増大することがなく不経済であり、多少揮発性があるので開放系で放置しておくと本発明組成物が徐々に硬くなってしまう場合がある。上記H1成分以外のH成分として、H2下記一般式2:2式中、R3は独立に炭素原子数1~6、好ましくは1~4のアルキル基であり、cは5~100、好ましくは10~60の整数である。で表される分子鎖の片末端がトリアルコキシシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサンが挙げられる。上記式中のR3としては、上記一般式1中のR3と同じである。なお、このH2成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。また、その配合量は、A成分100質量部に対して、好ましくは0~100質量部、より好ましくは10~50質量部である。前記配合量が多すぎると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向がでてくる。H成分の表面処理剤として、上記H1成分とH2成分とを組み合わせて使用しても差し支えない。<その他の配合成分>本発明組成物には、上記各成分に加えて、本発明の目的効果を損ねない範囲で、更に他の成分を配合しても差し支えない。例えば、酸化鉄、酸化セリウム等の耐熱性向上剤;シリカ等の粘度調整剤;着色剤等を配合することができる。<組成物の粘度>本発明組成物は、後述のとおり、発熱性電子部品の表面に適用され、これに放熱部材を圧接した後、加熱処理することにより硬化して、熱伝導性層を形成する。この際、作業性を良好とするために、本発明組成物はグリース状である必要がある。例えば、本発明組成物はシリンジ内に収納され、該シリンジからCPU等の発熱性電子部品の表面に塗布されて被覆層が形成され、これに放熱部材が圧接される。従って、本発明組成物の粘度は、通常、10~1000Pas、特に50~400Pasであることが好ましい。前記粘度が低すぎると前記塗布時に液垂れが生じて、作業上問題となる場合がある。また、逆に、高すぎると、シリンジからの押し出しが困難となるため、塗布作業の効率が悪くなる場合がある。[本発明組成物の調製]本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、前記A成分と前記C成分と、場合により前記E成分と、場合により前記H1成分と、場合により前記H2成分とを、前記C成分の融点以上である温度で混練して均一な混合物を得る工程;混練を停止して、前記温度を前記C成分の融点未満にまで冷却させる工程;および前記D成分と前記B成分と前記F成分と前記G成分と、場合により他の成分とを、追加して、前記C成分の融点未満の温度で混練して均一な混合物を得る工程を含む製造方法によって得ることが出来る。前記製造方法においては、加熱手段、および必要に応じて冷却手段を備えたコンディショニングミキサー、プラネタリーミキサー等の攪拌混練機を使用する。前記工程において、原料として用意するC成分のガリウムおよび/またはガリウム合金は固体状でも液状でもよい。工程は該C成分の融点以上の温度で混練が行われるので該工程では液状化している。C成分のガリウムおよび/またはガリウム合金の液状物は、微粒子の状態でA成分からなるマトリックス中に均一に分散される。混練時の温度、前記攪拌混練機の攪拌翼の回転速度等を調節することにより、前記微粒子の平均粒径を所望のものに適宜調整することができる。前記工程における降温操作乃至冷却操作は速やかに行われることが好ましい。該工程において、A成分からなるマトリックス中に均一に分散された液状微粒子状態のC成分は、その平均粒径および前記分散状態を保持して固化する。前記工程もできるだけ短時間で終了させることが好ましい。該工程の終了時点において、C成分の固化した微粒子の前記平均粒径および分散状態に、実質上、変化が生じることはない。そして、該工程の終了後は、生成した組成物を容器内に収容し、速やかに約-30~-10°C、好ましくは-25~-15°Cの温度の冷凍庫、冷凍室等で保存するのがよい。また、その輸送等においても冷凍設備を備えた車両等を用いるのがよい。このように低温下で保管輸送することにより、例えば長期間の保存によっても、本発明組成物の組成および分散状態を安定して保持することができる。[半導体装置への適用]上記本発明組成物を用いて放熱特性に優れた半導体装置、即ち、発熱性電子部品と、放熱部材と、上記本発明組成物の硬化物からなる熱伝導性層とを有してなる半導体装置であって、前記発熱性電子部品と前記放熱部材とが前記熱伝導性層を介して接合されている半導体装置を得ることができる。前記半導体装置は、前記発熱性電子部品の表面に、前記組成物を塗布して、前記表面に前記組成物からなる被覆層を形成させる工程、前記被覆層に前記放熱部材を圧接して固定させる工程、および得られた構造体を80~180°Cで処理して、前記被覆層を硬化させて前記熱伝導性層とする工程を含む製造方法によって得ることができる。前記半導体装置およびその製造方法について、図1を参照しながら説明する。なお、図1に記載の装置は、本発明組成物の半導体装置への適用の1例を示したものにすぎず、本発明に係る半導体装置を図1に記載のものに限定するとの趣旨ではない。先ず、冷凍保存状態の本発明組成物を室温に放置して自然に解凍させてグリース状とする。次に、シリンジ等の塗工用具内にグリース状の本発明組成物を収納させる。発熱性電子部品、例えば、図1に記載のプリント配線基板3上に実装された発熱性電子部品であるCPU等のICパッケージ2の表面に、シリンジ等から本発明組成物を塗布ディスペンスして被覆層1を形成させる。その上に、放熱部材、例えば、通常、アルミニニウム製の放熱フィンを有する放熱部材4を配置し、クランプ5を用いて、放熱部材4を被覆層1を介してICパッケージ2に圧接して固定させる。この際に、ICパッケージ2と放熱部材4とに挟まれて存在する被覆層1の厚さが、通常、5~100μm、特に好ましくは10~70μmとなるように、クランプ5を調整または選択するのがよい。前記厚さが薄すぎると、前記圧接に際し、ICパッケージ2および放熱部材4への本発明組成物の追随性が不十分となり、前記両者間に隙間が生じるおそれがある。また、逆に、厚すぎると熱抵抗が大きくなるので十分な放熱効果を得ることができない。次いで、上記のとおりに構成された装置を、リフロー炉等の加熱装置内を通過させて、本発明組成物からなる被覆層1を硬化させて熱伝導性層とする。この硬化に要する温度条件は、80~180°Cであり、特に好ましくは100~150°Cである。前記温度が80°C未満であると硬化が不十分となり、逆に180°Cを越える高温では、電子部品や基材が劣化するおそれがある。更に、前記組成物を加熱処理して硬化物とする工程において、液状の前記ガリウムおよび/またはガリウム合金が、銀粉末と融着することにより連結して連なった一種の経路を形成すること、また、樹脂成分の硬化により形成される架橋網状体中に、前記経路状の構造が固定保持される。前記硬化時の温度条件に昇温する過程で、本発明組成物中のC成分のガリウムおよび/またはガリウム合金が、銀粉末と融着することにより連結して連なった一種の経路を形成する。更に、その経路は、接するICパッケージ2および放熱部材4の表面にも融着する。従って、ICパッケージ2と放熱部材4とは、前記C成分および前記D成分が連結して連なった一種の経路を介して、実質上、一体的に連続している熱伝導性に富んだものとなる。また、前記経路状の構造は、A成分およびB成分の付加反応により形成される硬化物の3次元架橋網状体中に、固定保持される。また、上記のとおりにして得られた半導体装置を稼動使用する場合、ICパッケージ等の発熱性電子部品はその表面温度が、通常、60~120°C程度の高温となる。この発熱に対し、本発明組成物の硬化物からなる熱伝導性層は、上記のとおり高い熱伝導性を示し、従来の熱伝導性シートや非硬化性または硬化性の熱伝導性グリースに比較してより放熱特性に優れるという顕著に優れた作用効果を奏するものである。そして、半導体装置の長期連続稼動使用によっても、前記熱伝導性層に含まれ前記経路を形成しているC成分のガリウムおよび/またはガリウム合金と銀粉末から成る経路は、硬化物の3次元架橋網状体中に固定保持されているため、熱伝導性層から漏出することがない。更に、この熱伝導性層はタック性を有しており、放熱部材がずれた場合であっても、また、長期使用時においても安定した柔軟性を有し、発熱性電子部品および放熱部材から剥がれたりすることがない。なお、予め本発明組成物から所望の厚さのシート状硬化物を作製し、これを従来の熱伝導性シートと同様に発熱性電子部品と放熱部材との間に介在させることによっても、同様な効果を得ることができる。その他、熱伝導性および耐熱性が必要とされる他の装置等の部品として、本発明組成物の硬化物のシート等を適宜使用することもできる。以下、実施例を掲げて本発明をさらに詳述するが、本発明はこれによって限定されるものではない。下記実施例および比較例において用いられるA~H成分を下記に示す。A成分:25°Cにおける粘度が下記のとおりである両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン;A1粘度:06PasA2粘度:30PasA3粘度:100PasA4粘度:300PasB成分:B1下記構造式で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンC成分:C1金属ガリウム融点=298°CC2Ga-In合金質量比=754:246、融点=157°CC3Ga-In-Bi-Sn合金質量比=94:473:247:186、融点=480°CC4金属インジウム融点=1562°C<比較用>D成分D-1:銀粉末平均粒径:7.3μmD-2:銀粉末平均粒径:25.2μmD-3:銀粉末平均粒径:105μm<比較用>E成分:E1:アルミナ粉末平均粒径:8.2μmE2:窒化硼素粉末平均粒径:153μmF成分:白金-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のジメチルポリシロキサン両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖されたもの、粘度:06Pas溶液白金原子含有量:1質量G成分:G11-エチニル-1-シクロヘキサノールの50質量トルエン溶液H成分:H1構造式:C10H21Si3で表されるオルガノシランH2下記構造式:で表される片末端トリメトキシシリル基封鎖ジメチルポリシロキサン[実施例1~12、比較例1~7]<組成物の調製>表1~表3に記載の組成および量の各成分を用い、次のとおりにして、組成物を調製した。内容積250ミリリットルのコンディショニングミキサー株式会社シンキー製、商品名:あわとり練太郎に、A成分、C成分、場合によりE成分および場合によりH成分を加え、70°Cに昇温し該温度を維持し、5分間混練した。次いで、混練を停止し、15°C以下になるまで冷却した。次に、B成分、D成分、F成分およびG成分を加え、前記各温度を維持し、均一になるように混練して各組成物を調製した。このようにして得られた各組成物の25°Cにおける粘度Pasを、マルコム粘度計株式会社マルコム、型式;PC-1Tを用いて測定した。測定結果を表1~表3に示す。<硬化物の調製>上記で得られた各組成物を、直径1.26mmで厚さ1mmのアルミニウムプレート以下、標準アルミプレートというの全面に塗布し、他の標準アルミプレートを重ねて、約1755kPa180kgf/cm2の圧力をかけて3層構造体を得た。次いで、電気炉内で125°Cにまで昇温し該温度を1時間保持して各組成物を硬化させ、その後室温になるまで放置して冷却し、熱抵抗測用試料を調製した。得られた各試料の厚さを測定し、標準アルミプレートの既知の厚さを差し引くことによって、硬化した各組成物の厚さを算出した。なお、上記各試料の厚さの測定に際しては、マイクロメーター株式会社ミツトヨ、型式;M820-25VAを用いた。硬化した各組成物の厚さを表1~表3に示す。<熱抵抗の測定>上記各試料を用いて、硬化した各組成物の熱抵抗mm2KWを熱抵抗測定器ホロメトリックス社製マイクロフラッシュを用いて測定した。測定結果を表1~表3に示す。<半導体装置への適用>上記各実施例1~12で得られた組成物の02gを、2cm×2cmのCPUの表面に塗布し被覆層を形成させた。該被覆層に放熱部材を重ねて、上記硬化物の調製と同様にして圧接し、硬化させて、30~70μmの厚さの熱伝導性層を介して前記CPUと放熱部材が接合されている半導体装置を得た。これらの各装置をホストコンピューター、パーソナルコンピュータ等に組み込み、稼動させたところ、CPUの発熱温度は約100°Cであったが、何れの装置の場合も長時間にわたって安定した熱伝導および放熱が可能であり、過熱蓄積によるCPUの性能低下、破損等が防止できた。よって、本発明組成物の硬化物の採用により、半導体装置の信頼性が向上することが確認できた。注SiHVi=A成分中のビニル基1個に対するB成分中のSiHの個数以下、同様注何れの場合もグリース状の均一な組成物を得ることはできなかった。また、組成物層を形成することができず、熱抵抗を測定することができなかった。