"被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着源を回転させる回転手段とを備えることを特徴とする蒸着装置。上記蒸着源の回転軸が上記被成膜基板に垂直であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。上記蒸着源を複数備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の蒸着装置。上記蒸着源の個数は2~4であることを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。上記蒸着源の各々は、互いに同一の大きさであることを特徴とする請求項4または5に記載の蒸着装置。上記回転手段は、各蒸着源を同一のタイミングで回転させることを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載の蒸着装置。上記蒸着源および上記蒸着粒子供給手段を複数組備え、上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることを特徴とする請求項4~7のいずれか1項に記載の蒸着装置。上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、各蒸着源の射出口は同一方向に配列していることを特徴とする請求項4~8のいずれか1項に記載の蒸着装置。上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる移動手段を備えることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の蒸着装置。上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、上記複数の射出口の配列方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることを特徴とする請求項10に記載の蒸着装置。被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第1の射出工程と、第1の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第2の射出工程とを有していることを特徴とする蒸着方法。TFT基板上に第1電極を作製するTFT基板第1電極作製工程と、上記TFT基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第2電極を蒸着する第2電極蒸着工程と、上記有機層および第2電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第2電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、請求項12に記載の蒸着方法の上記蒸着粒子供給工程、上記第1の射出工程、上記回転工程および上記第2の射出工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。しかしながら、上述のような従来技術は、蒸着膜の膜厚分布が不均一になるという問題がある。図15は、射出口292の配列方向に沿った被成膜基板260での位置と、蒸着粒子の分布厚さとの関係を示すグラフである。このグラフでは、蒸着源291の供給側端部に対向する位置をAとし、蒸着源291の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をBとしている。蒸着源291の内部では、供給経路内および射出口内の圧力差、内部形状、コンダクタンス等の影響を受けるため、各射出口292から射出される蒸着粒子の量が異なってくる。具体的には、供給側端部に近い射出口292から順に蒸着粒子が射出されるため、供給側端部から離れるほど蒸着粒子の密度が低くなり、蒸着源291の内部で圧力差が生じる。そのため、蒸着源291の供給側端部からの距離が大きいほど、射出口292からの蒸着粒子の射出量が減少する。それに伴い、様々な射出口292から射出された蒸着粒子の合成によって構成される被成膜基板260上の蒸着膜についても、図15に示すように、基板面内の位置によって、蒸着粒子の量が異なってくる。このため、基板面内で膜厚分布の不均一が生じてしまう。特に、有機EL素子の発光特性は、蒸着される有機膜の膜厚に極めて敏感であり、有機EL表示装置の画面内での有機膜の膜厚差は、表示ムラや寿命特性の不均一に直結する。そのため、有機EL素子の発光層は、極力均一に蒸着することが望ましい。なお、射出口の開口量直径を変化させることによって、各射出口からの射出量を制御することも可能である。しかしながら、射出口の加工に高い精度が要求されるため、蒸着源の製造コストの上昇を招く。また、蒸着粒子の分布は動的に変化するため、射出口の開口量だけで各射出口からの射出量を均一にすることは難しい。また、蒸着粒子を供給するための配管294を、蒸着源291の長手方向の中間部分に接続することも考えられる。しかしながらこの場合、蒸着粒子の密度は、位置Aから位置Aと位置Bとの中間位置にかけて増加し、当該中間位置から位置Bにかけて減少するような分布となるため、不均一は解消できない。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着源を回転させる回転手段とを備えることを特徴としている。上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第1の射出工程と、第1の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第2の射出工程とを有していることを特徴としている。上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から配管を通って蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。配管は、蒸着源における射出口の列の一方端側に接続されているので、一方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。そこで、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させた後、蒸着源を回転させて射出口の配列方向を反転させ、再度、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させる。これにより、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とは、基板中央部分に関して対称となる。そのため、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とを合成した膜厚分布は、蒸着源を回転させることなく蒸着を行った場合の膜厚分布よりも均一になる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、TFT基板上に第1電極を作製するTFT基板第1電極作製工程と、上記TFT基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第2電極を蒸着する第2電極蒸着工程と、上記有機層および第2電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第2電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記蒸着粒子供給工程、上記第1の射出工程、上記回転工程および上記第2の射出工程を有することを特徴としている。上記の構成によれば、本発明の蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。以上のように、本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着源を回転させる回転手段とを備える構成である。また、発明に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第1の射出工程と、第1の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第2の射出工程とを有している。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供できるという効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。実施の形態1本発明の実施の一形態について図1~図9に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法の一例として、TFT基板側から光を取り出すボトムエミッション型でRGBフルカラー表示の有機EL表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。まず、上記有機EL表示装置の全体構成について以下に説明する。図6は、RGBフルカラー表示の有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図7は、図6に示す有機EL表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図8は、図7に示す有機EL表示装置におけるTFT基板のA-A線矢視断面図である。図6に示すように、本実施の形態で製造される有機EL表示装置1は、TFT12図8参照が設けられたTFT基板10上に、TFT12に接続された有機EL素子20、接着層30、封止基板40が、この順に設けられた構成を有している。図6に示すように、有機EL素子20は、該有機EL素子20が積層されたTFT基板10を、接着層30を用いて封止基板40と貼り合わせることで、これら一対の基板TFT基板10、封止基板40間に封入されている。上記有機EL表示装置1は、このように有機EL素子20がTFT基板10と封止基板40との間に封入されていることで、有機EL素子20への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。TFT基板10は、図8に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板11を備えている。絶縁基板11上には、図7に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線14が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。有機EL表示装置1は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機EL表示装置であり、絶縁基板11上には、これら配線14で囲まれた領域に、それぞれ、赤R、緑G、青Bの各色の有機EL素子20からなる各色のサブ画素2R2G2Bが、マトリクス状に配列されている。すなわち、これら配線14で囲まれた領域が1つのサブ画素ドットであり、サブ画素毎にR、G、Bの発光領域が画成されている。画素2すなわち、1画素は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素2R、緑色の光を透過する緑色のサブ画素2G、青色の光を透過する青色のサブ画素2Bの、3つのサブ画素2R2G2Bによって構成されている。各サブ画素2R2G2Bには、各サブ画素2R2G2Bにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層23R23G23Bによって覆われた開口部15R15G15Bがそれぞれ設けられている。これら発光層23R23G23Bは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、開口部15R15G15Bについては後述する。これらサブ画素2R2G2Bには、有機EL素子20における第1電極21に接続されたTFT12がそれぞれ設けられている。各サブ画素2R2G2Bの発光強度は、配線14およびTFT12による走査および選択により決定される。このように、有機EL表示装置1は、TFT12を用いて、有機EL素子20を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。次に、上記有機EL表示装置1におけるTFT基板10および有機EL素子20の構成について詳述する。まず、TFT基板10について説明する。TFT基板10は、図8に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板11上に、TFT12スイッチング素子、層間膜13層間絶縁膜、平坦化膜、配線14、エッジカバー15がこの順に形成された構成を有している。上記絶縁基板11上には、配線14が設けられているとともに、各サブ画素2R2G2Bに対応して、それぞれTFT12が設けられている。なお、TFTの構成は従来よく知られている。したがって、TFT12における各層の図示並びに説明は省略する。層間膜13は、各TFT12を覆うように、上記絶縁基板11上に、上記絶縁基板11の全領域に渡って積層されている。層間膜13上には、有機EL素子20における第1電極21が形成されている。また、層間膜13には、有機EL素子20における第1電極21をTFT12に電気的に接続するためのコンタクトホール13aが設けられている。これにより、TFT12は、上記コンタクトホール13aを介して、有機EL素子20に電気的に接続されている。エッジカバー15は、第1電極21のパターン端部で有機EL層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機EL素子20における第1電極21と第2電極26とが短絡することを防止するための絶縁層である。エッジカバー15は、層間膜13上に、第1電極21のパターン端部を被覆するように形成されている。エッジカバー15には、サブ画素2R2G2B毎に開口部15R15G15Bが設けられている。このエッジカバー15の開口部15R15G15Bが、各サブ画素2R2G2Bの発光領域となる。言い換えれば、各サブ画素2R2G2Bは、絶縁性を有するエッジカバー15によって仕切られている。エッジカバー15は、素子分離膜としても機能する。次に、有機EL素子20について説明する。有機EL素子20は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極21、有機EL層、第2電極26が、この順に積層されている。第1電極21は、上記有機EL層に正孔を注入供給する機能を有する層である。第1電極21は、前記したようにコンタクトホール13aを介してTFT12と接続されている。第1電極21と第2電極26との間には、図8に示すように、有機EL層として、第1電極21側から、正孔注入層兼正孔輸送層22、発光層23R23G23B、電子輸送層24、電子注入層25が、この順に形成された構成を有している。なお、上記積層順は、第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としたものであり、第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極とする場合には、有機EL層の積層順は反転する。正孔注入層は、発光層23R23G23Bへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層23R23G23Bへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層22は、第1電極21およびエッジカバー15を覆うように、上記TFT基板10における表示領域全面に一様に形成されている。なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層22を設けた場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。正孔注入層兼正孔輸送層22上には、発光層23R23G23Bが、エッジカバー15の開口部15R15G15Bを覆うように、それぞれ、サブ画素2R2G2Bに対応して形成されている。発光層23R23G23Bは、第1電極21側から注入されたホール正孔と第2電極26側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層23R23G23Bは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。電子輸送層24は、第2電極26から発光層23R23G23Bへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層25は、第2電極26から発光層23R23G23Bへの電子注入効率を高める機能を有する層である。電子輸送層24は、発光層23R23G23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22を覆うように、これら発光層23R23G23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22上に、上記TFT基板10における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層25は、電子輸送層24を覆うように、電子輸送層24上に、上記TFT基板10における表示領域全面に渡って一様に形成されている。なお、電子輸送層24と電子注入層25とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、上記有機EL表示装置1は、電子輸送層24および電子注入層25に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。第2電極26は、上記のような有機層で構成される有機EL層に電子を注入する機能を有する層である。第2電極26は、電子注入層25を覆うように、電子注入層25上に、上記TFT基板10における表示領域全面に渡って一様に形成されている。なお、発光層23R23G23B以外の有機層は有機EL層として必須の層ではなく、要求される有機EL素子20の特性に応じて適宜形成すればよい。また、有機EL層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層23R23G23Bと電子輸送層24との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層24に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。上記有機EL素子20の構成としては、例えば、下記1~8に示すような層構成を採用することができる。1第1電極/発光層/第2電極2第1電極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第2電極3第1電極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層キャリアブロッキング層/電子輸送層/第2電極4第1電極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極5第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極6第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/第2電極7第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極8第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロッキング層キャリアブロッキング層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極なお、上記したように、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは、一体化されていてもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化されていてもよい。また、有機EL素子20の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機EL素子20の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。次に、上記有機EL表示装置1の製造方法について以下に説明する。図9は、上記有機EL表示装置1の製造工程を工程順に示すフローチャートである。図9に示すように、本実施の形態にかかる有機EL表示装置1の製造方法は、例えば、TFT基板第1電極作製工程S1、正孔注入層正孔輸送層蒸着構成S2、発光層蒸着工程S3、電子輸送層蒸着工程S4、電子注入層蒸着工程S5、第2電極蒸着工程S6、封止工程S7を備えている。以下に、図9に示すフローチャートに従って、図6および図8を参照して上記した各工程について説明する。但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。また、前記したように、本実施形態に記載の積層順は、第1電極21を陽極、第2電極26を陰極としたものであり、反対に第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極とする場合には、有機EL層の積層順は反転する。同様に、第1電極21および第2電極26を構成する材料も反転する。まず、図8に示すように、公知の技術でTFT12並びに配線14等が形成されたガラス等の絶縁基板11上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板11上に層間膜13を形成する。上記絶縁基板11としては、例えば厚さが0.7~1.1mmであり、y軸方向の長さ縦長さが400~500mmであり、x軸方向の長さ横長さが300~400mmのガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。層間膜13としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、JSR株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため、図8に示すように上記有機EL表示装置1としてボトムエミッション型の有機EL表示装置を製造する場合には、上記層間膜13としては、アクリル樹脂等の透明性樹脂が、より好適に用いられる。上記層間膜13の膜厚としては、TFT12による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、約2μmとした。次に、層間膜13に、第1電極21をTFT12に電気的に接続するためのコンタクトホール13aを形成する。次に、導電膜電極膜として、例えばITOIndiumTinOxide:インジウム錫酸化物膜を、スパッタ法等により、100nmの厚さで成膜する。次いで、上記ITO膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、上記ITO膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜13上に、第1電極21をマトリクス状に形成する。なお、上記第1電極21に用いられる導電膜材料としては、例えば、ITO、IZOIndiumZincOxide:インジウム亜鉛酸化物、ガリウム添加酸化亜鉛GZO等の透明導電材料、金Au、ニッケルNi、白金Pt等の金属材料を用いることができる。また、上記導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、CVDchemicalvapordeposition、化学蒸着法、プラズマCVD法、印刷法等を用いることができる。上記第1電極21の厚さとしては特に限定されるものではないが、上記したように、例えば、100nmの厚さとすることができる。次に、層間膜13と同様にして、エッジカバー15を、例えば約1μmの膜厚でパターニング形成する。エッジカバー15の材料としては、層間膜13と同様の絶縁材料を使用することができる。以上の工程により、TFT基板10および第1電極21が作製されるS1。次に、上記のような工程を経たTFT基板10に対し、脱水のための減圧ベークおよび第1電極21の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。次いで、従来の蒸着装置を用いて、上記TFT基板10上に、正孔注入層および正孔輸送層本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層22を、上記TFT基板10における表示領域全面に蒸着するS2。具体的には、表示領域全面が開口したオープンマスクを、TFT基板10に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、TFT基板10とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域全面に均一に蒸着する。ここで表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、10~100nmである。本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層22を設けるとともに、正孔注入層兼正孔輸送層22の材料として、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニルα-NPDを使用した。また、正孔注入層兼正孔輸送層22の膜厚は30nmとした。次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層22上に、エッジカバー15の開口部15R15G15Bを覆うように、サブ画素2R2G2Bに対応して発光層23R23G23Bをそれぞれ塗り分け形成パターン形成するS3。前記したように、発光層23R23G23Bには、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。発光層23R23G23Bの材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス8-キノリノラトアルミニウム錯体、ビスベンゾキノリノラトベリリウム錯体、トリジベンゾイルメチルフェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル等が挙げられる。発光層23R23G23Bの膜厚としては、例えば、10~100nmである。本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置は、このような発光層23R23G23Bの塗り分け形成パターン形成に特に好適に使用することができる。本実施の形態にかかる蒸着方法並びに蒸着装置を用いた発光層23R23G23Bの塗り分け形成については、後で詳述する。次に、上記した正孔注入層正孔輸送層蒸着工程S2と同様の方法により、電子輸送層24を、上記正孔注入層兼正孔輸送層22および発光層23R23G23Bを覆うように、上記TFT基板10における表示領域全面に蒸着するS4。続いて、上記した正孔注入層正孔輸送層蒸着工程S2と同様の方法により、電子注入層25を、上記電子輸送層24を覆うように、上記TFT基板10における表示領域全面に蒸着するS5。電子輸送層24および電子注入層25の材料としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。前記したように電子輸送層24と電子注入層25とは、一体化されていても独立した層として形成されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、1~100nmである。また、電子輸送層24および電子注入層25の合計の膜厚は、例えば20~200nmである。本実施の形態では、電子輸送層24の材料にAlqを使用し、電子注入層25の材料には、LiFを使用した。また、電子輸送層24の膜厚は30nmとし、電子注入層25の膜厚は1nmとした。次に、上記した正孔注入層正孔輸送層蒸着工程S2と同様の方法により、第2電極26を、上記電子注入層25を覆うように、上記TFT基板10における表示領域全面に蒸着するS6。第2電極26の材料電極材料としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金MgAg等、アルミニウム合金AlLi、AlCa、AlMg等、金属カルシウム等が挙げられる。第2電極26の厚さは、例えば50~100nmである。本実施の形態では、第2電極26としてアルミニウムを50nmの膜厚で形成した。これにより、TFT基板10上に、上記した有機EL層、第1電極21、および第2電極26からなる有機EL素子20を形成した。次いで、図6に示すように、有機EL素子20が形成された上記TFT基板10と、封止基板40とを、接着層30にて貼り合わせ、有機EL素子20の封入を行った。上記封止基板40としては、例えば厚さが0.4~1.1mmのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、ガラス基板を用いた。なお、封止基板40の縦長さおよび横長さは、目的とする有機EL表示装置1のサイズにより適宜調整してもよく、TFT基板10における絶縁基板11と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機EL素子20を封止した後で、目的とする有機EL表示装置1のサイズに従って分断してもよい。なお、有機EL素子20の封止方法としては、上記した方法に限定されない。他の封止方式としては、例えば、掘り込みガラスを封止基板40として使用し、封止樹脂やフリットガラス等により枠状に封止を行う方法や、TFT基板10と封止基板40との間に樹脂を充填する方法等が挙げられる。上記有機EL表示装置1の製造方法は、上記封止方法に依存せず、あらゆる封止方法を適用することが可能である。また、上記第2電極26上には、該第2電極26を覆うように、酸素や水分が外部から有機EL素子20内に浸入することを阻止する、図示しない保護膜が設けられていてもよい。上記保護膜は、絶縁性や導電性の材料で形成される。このような材料としては、例えば、窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。また、上記保護膜の厚さは、例えば100~1000nmである。上記の工程により、有機EL表示装置1が完成される。このような有機EL表示装置1において、配線14からの信号入力によりTFT12をONオンさせると、第1電極21から有機EL層へ正孔が注入される。一方で、第2電極26から有機EL層に電子が注入され、正孔と電子とが発光層23R23G23B内で再結合する。再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。上記有機EL表示装置1においては、各サブ画素2R2G2Bの発光輝度を制御することで、所定の画像が表示される。次に、本実施の形態にかかる蒸着装置の構成について説明する。図1は、本実施の形態にかかる蒸着装置50の構成を示す側面図であり、図2は、蒸着装置50の蒸着源ユニット90の概略構成を示す斜視図である。図1に示すように、蒸着装置50は、被成膜基板60に成膜を行う装置であり、真空チャンバ内に配置される。蒸着装置50は、シャドウマスク80、蒸着源ユニット90および回転機構100を備えている。なお、被成膜基板60およびシャドウマスク80の構成は、図13に示す被成膜基板260およびシャドウマスク280とそれぞれ同一である。蒸着源ユニット90は、蒸着源91および蒸着源坩堝93蒸着粒子供給手段を備えている。蒸着源91および蒸着源坩堝93の構成は、図13に示す従来の蒸着装置250における蒸着源291および蒸着源坩堝293とそれぞれ同一である。すなわち、蒸着源91は、蒸着粒子を射出する複数の射出口92を有しており、図2に示すように、射出口92は、1列に配置されている。また、蒸着源坩堝93には、固体または液体の蒸着材料が貯留されている。蒸着材料は、蒸着源坩堝93内部で加熱されて気体の蒸着粒子となり、配管94を通って蒸着源91に供給導入される。配管94は、蒸着源91の射出口92の列の一方端側の端部供給側端部に接続されており、蒸着源91に供給された蒸着粒子は、射出口92から射出される。被成膜基板60の蒸着面と蒸着源91とは対向配置されている。目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子が付着しないように、蒸着領域のパターンに対応した開口部を有するシャドウマスク80が、被成膜基板60の蒸着面に密着固定されている。そして、射出口92から蒸着粒子を射出させながら、図示しない移動手段により、被成膜基板60およびシャドウマスク80を蒸着源91に対して相対移動走査させる。具体的には、蒸着源91が被成膜基板60に蒸着粒子を射出している時に、移動手段は、被成膜基板60およびシャドウマスク80を、射出口92の配列方向に垂直な方向図面の奥側から手前側に向かう方向、およびその逆方向に往復移動させる。これにより、被成膜基板60に所定のパターンが形成される。図13に示す従来の蒸着装置250では、蒸着源291および蒸着源坩堝293の位置が固定されていた。これに対し、本実施の形態にかかる蒸着装置50では、蒸着源91および蒸着源坩堝93を回転させる回転機構100回転手段が設けられている。回転機構100は、回転用モータ101および回転軸102を備えている。図1および図2に示すように、蒸着源91および蒸着源坩堝93はそれぞれ、凹形状の支持棒95の一端および他端に接続されている。さらに、支持棒95の中心部分が、回転用モータ101によって回転される回転軸102に接続されている。これにより、回転用モータ101が回転軸102を回転させると、蒸着源91および蒸着源坩堝93は、その回転軸が被成膜基板60に垂直となるように回転する。なお、膜厚分布の均一性に影響が無い程度に、回転軸の方向を被成膜基板60の鉛直方向からずらしてもよい。なお、回転用モータ101を真空チャンバの外部に設け、回転軸102を通して真空チャンバ内の蒸着源ユニット90を回転させてもよい。上記の構成では、被成膜基板60の走査方向に応じて、射出口92の配列方向を反転させる。具体的には、先に、図1に示すように、配管94の接続位置が図中左側に位置するように蒸着源91を配置させた状態で、配管94を介して蒸着粒子を蒸着源91に供給し蒸着粒子供給工程、被成膜基板60を図1の奥方向往路方向とするに走査させながら、射出口92から被成膜基板60に蒸着粒子を射出する第1の射出工程。往路方向の走査が終了するとすなわち、被成膜基板60が蒸着源91と対向しない位置に達すると、回転機構100が蒸着源91を180°回転させて射出口92の配列方向を反転させる回転工程。これにより、図3に示すように、配管94の接続位置は図中右側に位置するようになる。その状態で、被成膜基板60を図3の手前方向復路方向とするに走査させながら、射出口92から被成膜基板60に蒸着粒子を射出する第2の射出工程。復路方向の走査が終了すると、蒸着粒子の射出を終了させる。図4は、射出口92の配列方向に沿った被成膜基板60での位置と、蒸着粒子の分布厚さとの関係を示すグラフである。このグラフでは、図1の状態における蒸着源91の供給側端部に対向する位置をAとし、蒸着源91の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をBとしている。実線は、被成膜基板60が往路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示しており、破線は、被成膜基板60が復路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示している。また、一点鎖線は、往復走査が完了した時点での蒸着粒子の分布を示している。射出口92からの蒸着粒子の射出量は、蒸着源91の供給側端部からの距離が大きいほど減少する。そのため、被成膜基板60が往路方向に走査した場合図1の蒸着粒子の分布は、実線に示すように、位置Aから位置Bにかけて徐々に減少する。一方、被成膜基板60が復路方向に走査する場合は、図3に示すように、蒸着源91が180°回転している。これにより、被成膜基板60に射出される蒸着粒子の射出量の分布も反転する。その結果、破線に示すように、被成膜基板60が復路方向に走査する場合の膜厚分布は、位置Aと位置Bとの中間位置に関して、実線で示す膜厚分布と対称になる。被成膜基板60の往復走査が完了した時点での膜厚分布は、実線で示される膜厚分布と破線で示される膜厚分布との合計となる。そのため、一点鎖線に示すように、往路方向に走査した場合の膜厚分布、および復路方向に走査した場合の膜厚分布に比べ、均一化されたものとなる。したがって、蒸着源91を、往路方向に走査する場合と復路方向に走査する場合とで180°異なる方向に配置させることで、供給経路内および射出口内の圧力差等の影響を緩和し、蒸着領域の全面にわたって均一な膜厚分布を得ることができる。特に、蒸着装置50を有機EL素子の発光層の蒸着に適用すれば、表示ムラの少ない有機EL表示装置を製造することができる。また、図4において、実線または破線で示される蒸着粒子の分布が、被成膜基板での位置に関して直線的に単調増加あるいは単調減少している場合、それらの蒸着粒子の分布を合成すると、完全に均一な膜厚分布となり、最も効果が高くなる。なお、蒸着源91の回転は、被成膜基板60の走査方向の切り替え毎に合わせて行う必要はない。例えば、図1に示す状態で被成膜基板60を3回往復走査させた後、蒸着源91を回転させ、図3に示す状態で、被成膜基板60を3回往復走査させてもよい。また、蒸着源91の回転は、被成膜基板60が蒸着源91上を通過して蒸着粒子が被成膜基板60に到達しない位置にあるときに行われる。蒸着源91の回転中は、所望以外の空間に蒸着粒子が射出される虞があるため、バルブやシャッタで蒸着粒子の射出を停止しておくことが好ましい。また、防着板を設置することにより、回転中の蒸着粒子の飛散を防いでもよい。また、本実施の形態では、被成膜基板とシャドウマスクとが密着していたが、被成膜基板とシャドウマスクとの間に空隙を設けて蒸着を行ってもよい。さらに、本実施の形態では、被成膜基板の全面を覆うシャドウマスクを用いていたが、これに限定されない。例えば、図5に示すように、シャドウマスクとして、被成膜基板60の蒸着領域よりも面積が小さいシャドウマスク180を用いてもよい。この場合、シャドウマスク180と蒸着源91との相対的な位置を固定し、シャドウマスク180が被成膜基板に一定の空隙を有した状態で対向するように位置合わせを行う。そして、被成膜基板60をシャドウマスク180および蒸着源91に対して相対移動させて、蒸着粒子をシャドウマスク180の開口部181を介して被成膜基板60の蒸着領域に順次蒸着させる。実施の形態2本発明の実施の他の形態について、図10~図12に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態では、蒸着源ユニットを複数備える蒸着装置について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施の形態1において説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。図10は、本実施の形態にかかる蒸着装置150の構成を示す側面図である。蒸着装置150は、被成膜基板60に成膜を行う装置であり、真空チャンバ内に配置される。蒸着装置150は、シャドウマスク80、2つの蒸着源ユニット190a190bおよび2つの回転機構200a200b回転手段を備えている。蒸着源ユニット190aおよび蒸着源ユニット190bは、互いに同一の構成であり、蒸着源191および蒸着源坩堝193蒸着粒子供給手段を備えている。蒸着源191は、蒸着粒子を射出する複数の射出口192を有しており、射出口192は、1列に配置されている。図1に示す蒸着源91と比較して、蒸着源191は、射出口の個数および射出口の配列の長さが蒸着源91におけるものの半分である。また、蒸着源坩堝193は、図1に示す蒸着源坩堝93と比較して、蒸着材料の貯留量および供給速度が蒸着源坩堝93におけるものの半分である点以外は、蒸着源坩堝93と略同様の構成である。配管194は、蒸着源191の射出口192の列の一方端側の端部供給側端部に接続されており、蒸着源191に供給された蒸着粒子は、射出口192から射出される。また、回転機構200aおよび回転機構200bはそれぞれ、蒸着源ユニット190aおよび蒸着源ユニット190bを回転させるものである。回転機構200aおよび回転機構200bは、互いに同一の構成であり、回転用モータ201および回転軸202を備えている。各蒸着源ユニット190a190bにおいて、蒸着源191および蒸着源坩堝193はそれぞれ、凹形状の支持棒195の一端および他端に接続されている。さらに、支持棒195の中心部分が、回転用モータ201によって回転される回転軸202に接続されている。これにより、各回転機構200a200bの回転用モータ201が回転軸202を回転させると、蒸着源191および蒸着源坩堝193は、その回転軸が被成膜基板60に垂直となるように回転する。なお、回転用モータ201を真空チャンバの外部に設け、回転軸202を通して真空チャンバ内の蒸着源ユニット190a190bを回転させてもよい。このように、本実施の形態にかかる蒸着装置150は、蒸着源ユニットおよび回転機構をそれぞれ2つ備えた構成である。実施の形態1に係る蒸着装置50と同様に、蒸着装置150においても、被成膜基板60の走査方向に応じて、射出口192の配列方向を反転させる。具体的には、先に、図10に示すように、配管194の接続位置が各蒸着源ユニットにおいて図中左側に位置するように蒸着源191を配置させる。ここでは、蒸着源ユニット190aの蒸着源191および蒸着源ユニット190bの蒸着源191の各射出口192は同一方向に配列している。この状態で、配管194を介して蒸着粒子を蒸着源191に供給し蒸着粒子供給工程、被成膜基板60を図10の奥方向往路方向とするに走査させながら、射出口192から被成膜基板60に蒸着粒子を射出する第1の射出工程。往路方向の走査が終了するとすなわち、被成膜基板60が蒸着源191と対向しない位置に達すると、回転機構200a200bが蒸着源191を180°回転させて射出口192の配列方向を反転させる回転工程。これにより、図11に示すように、配管194の接続位置は各蒸着源ユニットにおいて図中右側に位置するようになる。その状態で、被成膜基板60を図11の手前方向復路方向とするに走査させながら、射出口192から被成膜基板60に蒸着粒子を射出する第2の射出工程。復路方向の走査が終了すると、蒸着粒子の射出を終了させる。図12は、射出口192の配列方向に沿った被成膜基板60での位置と、蒸着粒子の分布厚さとの関係を示すグラフである。このグラフでは、図10の状態における左側の蒸着源ユニット190aの蒸着源191の供給側端部に対向する位置をAとし、右側の蒸着源ユニット190bの蒸着源191の供給側端部の反対側の端部に対向する位置をBとしている。実線は、被成膜基板60が往路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示しており、破線は、被成膜基板60が復路方向に走査した場合の蒸着粒子の分布を示している。また、一点鎖線は、往復走査が完了した時点での蒸着粒子の分布を示している。実線に示すように、被成膜基板60が往路方向に走査した場合は、蒸着粒子の膜厚は、位置Aから位置Aと位置Bとの中間位置まで単調に減少し、当該中間位置で増加する。これは、上記中間位置が、図10に示す蒸着源ユニット190bの蒸着源191の供給側端部に対応するためである。また、位置Aと位置Bとの中間位置付近では、隣接する2つの蒸着源191から蒸着粒子が流入するため、蒸着粒子の分布は波状となっている。破線に示すように、被成膜基板60が復路方向に走査した場合は、蒸着粒子の膜厚は、位置Aから位置Aと位置Bとの中間位置まで単調に増加し、当該中間位置で減少する。すなわち、破線で示される分布は、実線で示される分布を上記中間位置に関して反転したものとなる。被成膜基板60の往復走査が完了した時点での膜厚分布は、実線で示される膜厚分布と破線で示される膜厚分布との合計となる。そのため、一点鎖線に示すように、往路方向に走査した場合の膜厚分布、および復路方向に走査した場合の膜厚分布に比べ、均一化されたものとなる。また、図12における一点鎖線で示される膜厚分布は、図4における一点鎖線で示される膜厚分布と比較して、より均一になっていることが分かる。すなわち、本実施の形態は、実施の形態1において、蒸着源を複数に分割した構成であるため、各蒸着源の長さがより短くなる。そのため、一つの蒸着源において膜厚分布の不均一が小さくなる。したがって、被成膜基板60が往路方向に走査した場合の膜厚分布と被成膜基板60が復路方向に走査した場合の膜厚分布とを合成した結果においても、膜厚分布の不均一が低減し、基板面内の膜厚均一性がより向上する。本実施の形態は、蒸着源を2つ設ける構成であったが、蒸着源を3つ以上設けてもよい。蒸着源の個数が多いほど、膜厚分布の均一性は向上する。但し、各蒸着源について蒸着源坩堝が必要であり、また各蒸着源からの蒸着粒子分布のバラツキが膜厚分布に影響する。さらに、蒸着源を回転させる機構の個数も増大するので、装置設計上の制約が大きくなる。したがって、蒸着源の個数は、それらの長所および短所を加味して決定されることが望ましく、例えば2~4が好ましい。また、複数の蒸着源は、各々が互いに同一の大きさである必要はない。但し、各蒸着源の大きさが異なると、蒸着粒子の分布が個々の蒸着源によって変わってくるので、被成膜基板が往路方向に走査した場合の膜厚分布と被成膜基板が復路方向に走査した場合の膜厚分布との合成した膜厚分布が充分に均一にならない虞がある。したがって、蒸着源ユニットの大きさ、特に蒸着源の大きさは同一であることが好ましい。また、各蒸着源を回転させるタイミングが異なっていてもよい。但し、蒸着源ユニットが、各蒸着源を異なるタイミングで回転させると空間的な干渉が発生する構造である場合などは、各蒸着源を同一のタイミングで回転させることが好ましい。その他、本実施の形態にかかる蒸着装置によって、実施の形態1にかかる蒸着装置と同様の効果を得ることができる。付記事項上記実施の形態では、蒸着源として、射出口が1列に配置されたライン型の蒸着源を用いていたが、射出口を複数列配置した面型の蒸着源を用いてもよい。また、蒸着源の射出面が十分に大きく、被成膜基板が比較的小さい場合は、被成膜基板を蒸着源に対して相対移動させずに蒸着を行ってもよい。また、上記実施の形態では、射出口の配列方向が被成膜基板の走査方向に垂直であったが、被成膜基板の走査方向に垂直な方向から多少ずれていてもよい。また、上記実施の形態では、射出口の形状が点状であったが、これに限定されず、例えば、射出口の配列方向に長く開口したスリット状であってもよい。また、被成膜基板とシャドウマスクとを密着させながら、被成膜基板を滑らせ蒸着するような密着型スキャン蒸着法についても、本発明は適用可能である。また、図9のS2、S4~S6のように、シャドウマスクを用いずに被成膜基板の全面に蒸着を行う場合も、本発明は適用できる。また、本発明は有機膜の蒸着だけでなく、第2電極の蒸着や封止膜の蒸着にも適用可能である。但し、有機膜の膜厚のバラツキのほうが有機EL表示装置の特性により大きく影響するため、本発明の適用効果は高い。一方、第2電極の膜厚バラツキは電気抵抗のバラツキに影響し、封止膜のバラツキは透湿度および酸素透過量のバラツキに影響する。それらのバラツキによる有機EL素子の特性への影響が軽微であるならば、蒸着装置の構造の複雑化に伴う設備コストの増加を鑑みて、本発明を有機膜の蒸着のみに適用してもよい。また、上記実施の形態では回転用モータは、蒸着源および蒸着源坩堝を含む蒸着源ユニット全体を回転させていたが、蒸着源のみを回転させてもよい。この場合、蒸着源坩堝を固定し、蒸着源と蒸着源坩堝とを接続する配管として、接続しながら回転が可能な配管を使用すればよい。また、蒸着源が複数設けられる場合、1つの回転用モータによって複数の蒸着源を回転させてもよい。<要点概要>以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着装置は、被成膜基板に成膜を行う蒸着装置であって、上記被成膜基板に蒸着粒子を射出する複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源と、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、上記蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給手段と、上記蒸着源を回転させる回転手段とを備えている。以上のように、本発明の実施の形態に係る蒸着方法は、被成膜基板に成膜を行う蒸着方法であって、複数の射出口を有し、当該射出口が1列または複数列配置された蒸着源に、上記蒸着源における上記射出口の列の一方端側に接続された配管を介して、蒸着粒子を上記蒸着源に供給する蒸着粒子供給工程と、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第1の射出工程と、第1の射出工程の後に、上記蒸着源を回転させて上記射出口の配列方向を反転させる回転工程と、上記回転工程の後に、上記射出口から上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出する第2の射出工程とを有している。上記の蒸着装置および蒸着方法によれば、蒸着粒子は蒸着粒子供給手段から配管を通って蒸着源に供給され、射出口から被成膜基板に射出される。配管は、蒸着源における射出口の列の一方端側に接続されているので、一方端側から離れるほど、射出口からの蒸着粒子の射出量は単調に減少する。そこで、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させた後、蒸着源を回転させて射出口の配列方向を反転させ、再度、射出口から被成膜基板に蒸着粒子を射出させる。これにより、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とは、基板中央部分に関して対称となる。そのため、反転前の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布と、反転後の蒸着時における蒸着粒子の膜厚分布とを合成した膜厚分布は、蒸着源を回転させることなく蒸着を行った場合の膜厚分布よりも均一になる。したがって、被成膜基板に均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着可能な蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源の回転軸が上記被成膜基板に垂直であることが好ましい。上記の構成によれば、蒸着源の射出面と被成膜基板とが平行になるので、より均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着できる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることが好ましい。上記の構成によれば、蒸着源と蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されているので、蒸着源と蒸着粒子供給手段とを接続する配管を容易に構成できる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源を複数備えることが好ましい。上記の構成によれば、蒸着源が複数設けられるので、各蒸着源の長さがより短くなる。そのため、一つの蒸着源において膜厚分布の不均一が小さくなり、膜厚分布の不均一がさらに低減する。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源の個数は2~4であることが好ましい。上記の構成によれば、蒸着装置の装置構造をあまり複雑にすることなく、より均一な膜厚で蒸着粒子を蒸着することができる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源の各々は、互いに同一の大きさであることが好ましい。上記の構成によれば、各蒸着源の蒸着粒子の分布が同一であるので、膜厚分布を充分に均一にすることができる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記回転手段は、各蒸着源を同一のタイミングで回転させることが好ましい。上記の構成によれば、各蒸着源を異なるタイミングで回転させると空間的な干渉が発生するような場合でも、問題なく各蒸着源を回転させることができる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源および上記蒸着粒子供給手段を複数組備え、上記蒸着源と上記蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されており、上記回転手段は、上記蒸着粒子供給手段を上記蒸着源とともに回転させることが好ましい。上記の構成によれば、蒸着源と蒸着粒子供給手段との相対位置が固定されているので、蒸着源と蒸着粒子供給手段とを接続する配管を容易に構成できる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、各蒸着源の射出口は同一方向に配列していることが好ましい。上記の構成によれば、配列方向と垂直方向における膜厚分布をより均一にすることができる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置は、上記被成膜基板を上記蒸着源に対して相対移動させる移動手段を備えることが好ましい。上記の構成によれば、蒸着源の射出面よりも蒸着領域が大きい被成膜基板に対して成膜を容易に行うことができる。本発明の実施の形態に係る蒸着装置では、上記蒸着源が上記被成膜基板に上記蒸着粒子を射出している時に、上記複数の射出口の配列方向は、上記被成膜基板が相対移動する方向に垂直であることが好ましい。上記の構成によれば、蒸着源と被成膜基板とのアライメントが容易になる。本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、TFT基板上に第1電極を作製するTFT基板第1電極作製工程と、上記TFT基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第2電極を蒸着する第2電極蒸着工程と、上記有機層および第2電極を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材で封止する封止工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、上記有機層蒸着工程、上記第2電極蒸着工程、および上記封止工程の少なくともいずれかの工程は、上記の蒸着方法の上記蒸着粒子供給工程、上記第1の射出工程、上記回転工程および上記第2の射出工程を有している。上記の構成によれば、本発明の実施の形態に係る蒸着方法によって、均一な膜厚で有機層などを成膜することができるので、表示ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。"