"A1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有し、かつ主鎖中にパーフルオロアルキルエーテル構造を有する直鎖状フルオロポリエーテル化合物、及びB疎水性シリカ粉末を構成成分とする液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法であって、1常圧下、50~100°Cの範囲内の温度でA成分を加熱する工程、2工程1で加熱したA成分100質量部に対してB成分20~60質量部を混練しながら添加して混練物を得る工程、3工程2で得られた混練物を、100°Cを越える温度で、加熱減圧条件下、若しくは加熱加圧条件下で混練する工程、を有する液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法。4上記の工程3で得られた混練物に、更に、A成分を追加してA成分100質量部に対してB成分が5~50質量部の混合比となるように後希釈する工程、を有する請求項1記載の液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法。A成分が下記一般式1:CH2=CH-Xa-Rf1-X’a-CH=CH21[式中、Xは、-CH2-、-CH2O-、-CH2OCH2-又は-Y-NR1-CO-ここで、Yは-CH2-又は下記式Z:で表される二価の基、R1は水素原子、置換若しくは非置換の一価炭化水素基である、X’は-CH2-、-OCH2-、-CH2OCH2-又は-CO-NR1-Y’-ここで、Y’は-CH2-又は下記式Z’:で表される二価の基であり、R1は上記の通りであるで表される二価の基であり、Rf1は二価のパーフルオロポリエーテル基であり、aは独立に0又は1である。]で表される直鎖状フルオロポリエーテル化合物である請求項1又は2に係る液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法。上記A成分の一般式中のRf1が、下記一般式i又はiiで表される二価の基である請求項3に係る液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法。式中、p及びqは独立に1~150の整数であって、かつpとqの和の平均は、2~200である。また、rは0~6の整数、tは2又は3である。式中、uは1~200の整数、vは1~50の整数、tは上記の通りである。A成分が下記一般式2:[式中、X、X’及びaは請求項3に記載の一般式1について定義の通りであり、p、q及びrは請求項4に記載の一般式iについて定義の通りである。]で表される直鎖状フルオロポリエーテル化合物である請求項4に係る液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法。B成分の疎水性シリカ粉末が無処理の微粉末シリカの表面をオルガノクロロシランで疎水化処理したものである請求項1~5のいずれか1項に係る液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法。そこで、本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、配合するシリカ粉末の保存状態に影響されず、製造ロット間の粘度変動幅が小さい液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記目的を達成するために鋭意検討した結果、A1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有し、かつ主鎖中にパーフルオロアルキルエーテル構造を有する直鎖状フルオロポリエーテル化合物、及びB疎水性シリカ粉末を構成成分とする液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法であって、1常圧下、50~100°Cの範囲内の温度でA成分を加熱する工程、2工程1で加熱したA成分100質量部に対してB成分20~60質量部を混練しながら添加して混練物を得る工程、3工程2で得られた混練物を、100°C以上の温度で、加熱減圧条件下、若しくは加熱加圧条件下で混練する工程、を有する液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法を開発するに至った。本発明の製造方法によれば、シリカ粉末の製造ロットや保存状態が異なっても、製造ロット間の粘度変動が抑制された液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドを得ることができる。更には、当該ベースコンパウンドを原料成分として配合した液状フッ素エラストマー組成物の粘度も安定化する。以下、本発明につき更に詳しく説明する。A成分本発明のA成分は、1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有し、かつ主鎖中にパーフルオロポリエーテル構造を有する直鎖状フルオロポリエーテル化合物であり、23°Cにおける粘度が、5~100,000mPas、より好ましくは200~20,000mPas、更に好ましくは1,000~15,000mPasの範囲内にあることが、本発明の製造方法で得られるベースコンパウンドを配合した組成物をシール、コーティング及びポッティング、含浸又は密着等に使用する際に、硬化においても適当な物理的特性を有しているので望ましい。当該粘度範囲内で、用途に応じて最も適切な粘度を選択することができる。この直鎖状フルオロポリエーテル化合物におけるアルケニル基としては、炭素原子数2~8のものが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等が挙げられ、中でも自由端側にCH2=CH-構造を有するアルケニル基、特にビニル基、アリル基等が好ましい。このアルケニル基は、直鎖状フルオロポリエーテル化合物の主鎖の両端部に直接結合していてもよいし、二価の連結基、例えば、-CH2-、-CH2O-又は-Y-NR-CO-[但し、Yは-CH2-又は式:で表される二価の基であり、Rは水素原子、又は置換若しくは非置換の一価炭化水素基とである。]等を介して結合していてもよい。ここで、Rで表される置換若しくは非置換の一価炭化水素基としては、炭素原子数1~12、特に1~10のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基、及びそれらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素等のハロゲン原子で置換した一価炭化水素基等が挙げられる。これらの中ではメチル基、フェニル基又はアリル基が好ましい。なお、A成分は、主鎖中にパーフルオロポリエーテル構造を有するものであるが、パーフルオロポリエーテル構造については、下記に説明する。A成分としては、下記一般式1で表される分岐を有するポリフルオロジアルケニル化合物を挙げることができる。CH2=CH-Xa-Rf1-X’a-CH=CH21[式中、Xは、-CH2-、-CH2O-、-CH2OCH2-又は-Y-NR1-CO-ここで、Yは-CH2-又は下記式Z:で表される二価の基、R1は水素原子、置換若しくは非置換の一価炭化水素基である、X’は-CH2-、-OCH2-、-CH2OCH2-又は-CO-NR1-Y’-ここで、Y’は-CH2-又は下記式Z’:で表される二価の基であり、R1は上記の通りであるで表される二価の基であり、Rf1は二価のパーフルオロポリエーテル基であり、aは独立に0又は1である。]ここで、R1の置換若しくは非置換の一価炭化水素基としては、上述で例示したものと同様のものが例示でき、それらの中でもメチル基、フェニル基又はアリル基が好ましい。また、上記一般式1のRf1は二価のパーフルオロポリエーテル基であり、下記一般式i、iiで表される二価の構造であることが好ましい。式中、p及びqは独立に1~150の整数であって、かつpとqの和の平均は、2~200である。また、rは0~6の整数、tは2又は3である。式中、uは1~200の整数、vは1~50の整数、tは上記の通りである。一般式1で表されるA成分の好ましい例として、下記一般式2で表される化合物が挙げられる。[式中、X、X’及びaは一般式1で定義の通りであり、p、q及びrは一般式iにおいて定義の通りである。]一般式2で表される直鎖状フルオロポリエーテル化合物の具体例としては、下記式で表されるものが挙げられる。式中、m及びnはそれぞれ1~150,mn=2~200を満足する整数を示す。これらの直鎖状フルオロポリエーテル化合物は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用できる。B成分本発明のB成分である疎水性シリカ粉末はとしては、例えば無処理の微粉末シリカの表面をオルガノクロロシランで疎水化処理したものが好ましい。該微粉末シリカはBET比表面積が通常50~400m2/gの範囲のものが使用され、シリコーンゴム用充填剤として公知である。BET比表面積が50~400m2/gである微粉末シリカを各種のオルガノクロロシランで表面処理したものである。処理剤のオルガノクロロシランとしては各種のものを使用できるが、中でもジメチルジクロロシランで処理したものが好ましい。該疎水性シリカ粉末の具体例としては、AerosilR972、AerosilR974、AerosilR976商品名、日本アエロジル社製等が挙げられる。製造方法本発明の液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの製造方法は、工程1、2及び3を必須の工程として含む。工程1:A成分を、常圧下で、50~100°C、好ましくは60~100°C°Cの温度で加熱する。加熱の温度が低すぎると、成分の吸着水分の脱離量が不十分かつ変動する。高すぎると、混合系の粘度が低下し、次工程工程2における成分に掛かる剪断力が弱くなり、成分による成分の湿潤が不十分となる。工程2:工程1で加熱したA成分100質量部に対してB成分20~60質量部を混練しながら添加して混練物を得る。該工程は、通常70~100°C、好ましくは80~100°C程度の温度範囲で行うことが望ましい。工程2における成分の配合量は、疎水性シリカ粉末の種類によっても異なるが、成分100質量部に対して20~60質量部、好ましくは25~50質量部の範囲である。20質量部未満では、混練時に成分に掛かる剪断力が弱くなり、成分の成分による湿潤が不十分となるため、所望の流動性が得られない場合がある。また、60質量部を超えると混練り時の発熱が激しくなり、シリカ粉末の機械での混練が難しい。工程3:工程2で得られた混練物を、100°Cを越える温度に昇温させ、かかる温度で、加熱減圧条件下、若しくは加熱加圧条件下で混練する。工程2での成分と成分の添加、工程3での混練りは、プラネタリーミキサー、ゲートミキサー及びニーダー等の混練り装置などによって、剪断応力下で混練を行うことができる。工程3は、液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンドの混練状態を均一安定化するために行うものであり、熱処理温度及び時間に関しては特に限定するものではないが、熱処理温度は105~200°C、好ましくは110~190°C、より好ましくは120~180°C、処理時間は、均一に混練りでき安定化するのに十分な時間でよく、通常1~5時間、好ましくは1~3時間である。処理時間の上限に制限はないが、必要以上に行うことは省エネルギーの観点からも意味はない。また、熱処理混合時の圧力に関しては、用いる装置によって異なるが、その装置に応じて加圧もしくは減圧下で行うことが必須である。例えば、プラネタリーミキサーやゲートミキサーでは減圧下で混練りし、その圧力はゲージ圧で-005MPa以下が好ましく、ニーダーでは加圧下で混練りし、その圧力はゲージ圧で04~06MPaであることが好ましい。これらの条件下で操作を行うのは成分が成分の表面に十分に濡れやすくするためである。なお、上記工程1から工程3までを、固練り工程フィラー高充填/高剪断応力下での混練工程と称することがあり、これによって得られるベースコンパウンドを固練り混練物又は固練りベースコンパウンドと称することがある。任意的希釈工程:なお、作業性の改善を目的として、上記操作で得られたベースコンパウンド固練り混練物又は固練りベースコンパウンドの粘度を低下させ取扱い易くするために、必要に応じて、該ベースコンパウンド固練り混練物又は固練りベースコンパウンドに、更に、A成分を追加希釈して、希釈後のベースコンパウンド中のA成分100質量部に対してB成分が5~50質量部、好ましくは5~25質量部の混合比となるように任意的に後希釈してもよい。この場合、A成分の後添加量が少なく、希釈後のベースコンパウンドにおけるA成分100質量部に対してB成分が50質量部を超える場合には、粘度の低下効果が小さく取り扱い性の改善が望めない場合があり、またA成分の添加量が多すぎて、希釈後のベースコンパウンドにおけるA成分100質量部に対してB成分が5質量部に満たない場合には、得られるゴム硬化物の機械的強度が低下する場合がある。なお、希釈後のベースコンパウンドを希釈ベースコンパウンドと称することがある。該任意的希釈工程においては、加熱は必須ではなく必要に応じて加熱することができる。加熱する場合には、上記工程3と同様の温度範囲で行うことが望ましい。また、必要に応じて減圧又は加圧することができる。圧力範囲は上記工程3と同様の範囲で行うことが望ましい。なお、工程3で得られた熱処理後のベースコンパウンド固練りベースコンパウンド及びその希釈物希釈ベースコンパウンドは、B成分の分散性を向上させるために三本ロールミル上で混練することが好ましい。本発明で得られる液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド固練りベースコンパウンド又は希釈ベースコンパウンドには、必要に応じて、結晶性シリカ粉末、石英粉末、珪藻土等を本発明の目的を損なわない範囲内で配合することもできる。例えば、A成分による後希釈工程後の段階で配合する。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例で部は質量部を示し、は質量を示す。また、粘度は23°Cにおける測定値を示すJISK7117-1準拠。粘度計として、東機産業製BS型回転粘度計ローターNo7、回転数10rpmを使用した。また、常温は23°Cを意味する。[シリカ粉末の含水率の測定]粒子表面がジメチルジクロロシランにより疎水化された、BET比表面積が110m2/gの微粉末シリカであるAerosilR972日本アエロジル社製を表1に示す温度湿度条件下で保存し、使用前に微量水分計ケット科学研究所製FM-300Aにより含水率を測定した。その結果を表1に示す。但し、乾燥温度:105°C、窒素流量:350ml/min実施例11下記式3で示されるポリマー粘度11,000mPa.s100.0部をプラネタリーミキサーに投入し、攪拌しながら70°Cになるまで加熱した。2該ミキサー内の加熱したポリマーに、AerosilR972温度10°C、湿度30で保存していたもの31.5部を70~100°Cの範囲内で投入混練を繰り返して分割添加した。3次にミキサー内容物を混練しながら装置内をゲージ圧で-0.09MPa以下まで減圧した後、その減圧下で130°C以上に昇温させた。その後、引き続いて、該減圧下において130~150°Cの範囲内で3時間混練してベースコンパウンド固練り混練物を調製した。4その後、加熱を止め、装置内を常圧に戻した後、下記式3で示されるポリマー80.0部を追加した。再度、混練しながら装置内をゲージ圧で-0.09MPa以下まで減圧し、30分間混練した。5得られた混練物を常温まで冷却した後、三本ロールミルを2回通して液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを得た。得られた希釈ベースコンパウンドの粘度を測定し、結果を表2に示す。但し、mn=95実施例2実施例1で用いたAerosilR972温度10°C、湿度30で保存していたものの代わりに、温度23°C、湿度50で保存したAerosilR972を用いた以外は実施例1と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。実施例3実施例1で用いたAerosilR972温度10°C、湿度30で保存していたものの代わりに、温度30°C、湿度80で保管したAerosilR972を用いた以外は実施例1と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。実施例41上記式3で示されるポリマー100.0部をニーダーに投入し、攪拌しながら80°Cになるまで加熱した。2該ニーダー内の加熱したポリマーにAerosilR972温度10°C、湿度30で保存していたもの45.0部を80~100°Cの範囲内で投入混練を繰り返して分割添加した。3得られた混練物を混練しながら、装置内をゲージ圧で0.45MPaまで加圧した後、ニーダー内を130°C以上に昇温させた。その後、引き続いて、上記の圧力に加圧下で130~150°Cの範囲内で3時間混練してベースコンパウンド固練り混練物を調製した。4その後、加熱を止め装置内を常圧に戻して、得られた混練物に上記式3で示されるポリマー150.0部を追加した。その後、再度混練物を混練しながら装置内をゲージ圧で0.45MPaまで加圧し、1時間混練した。得られた混練物を常温まで冷却した後、三本ロールミルを2回通して液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを得た。その粘度を測定し、結果を表2に示す。実施例5実施例4で用いたAerosilR972温度10°C、湿度30で保存していたものの代わりに、温度23°C、湿度50で保存していたAerosilR972を用いた以外は、実施例4と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。実施例6実施例4で用いたAerosilR972温度10°C、湿度30で保存していたものの代わりに、温度30°C、湿度80で保存していたAerosilR972を用いた以外は、実施例4と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。比較例1実施例1において、AerosilR972の分割添加時に外部から加熱しなかった以外は、実施例1と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。比較例2実施例2において、AerosilR972の分割添加時に外部から加熱しなかった以外は、実施例2と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。比較例3実施例3において、AerosilR972の分割添加時に外部から加熱しなかった以外は、実施例3と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。比較例4実施例4において、AerosilR972の分割添加時に外部から加熱しなかった以外は、実施例4と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。比較例5実施例5において、AerosilR972の分割添加時に外部から加熱しなかった以外は、実施例5と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。比較例6実施例6において、AerosilR972の分割添加時に外部から加熱しなかった以外は、実施例6と同様にして液状フッ素エラストマー用ベースコンパウンド希釈ベースコンパウンドを製造し、その粘度を測定した。結果を表2に示す。"