"水酸基を有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第1の有機酸成分と、2価以上の無機酸及び当該無機酸の塩から選択される少なくとも一種である無機酸成分と、アミノ酸と、保護膜形成剤と、砥粒と、酸化剤と、水とを含み、銅研磨用研磨液全体を基準として前記無機酸成分の無機酸換算の含有量が0.15質量以上であり、前記アミノ酸の含有量が0.30質量以上であり、前記保護膜形成剤の含有量が0.10質量以上であり、前記保護膜形成剤の含有量に対する前記第1の有機酸成分の有機酸換算の含有量の比率が1.5以上である、銅研磨用研磨液。水酸基を有しない有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第2の有機酸成分を更に含む、請求項1に記載の研磨液。前記第1の有機酸成分の有機酸換算の含有量と前記第2の有機酸成分の有機酸換算の含有量との合計が、研磨液全体を基準として0.20質量以上である、請求項2に記載の研磨液。前記第2の有機酸成分が、水酸基を有さずかつカルボキシル基を2つ以上有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種であり、当該有機酸の第1酸解離定数が1.0~3.0である、請求項2又は3に記載の研磨液。前記第2の有機酸成分が、シュウ酸、マレイン酸、無水マレイン酸及びマロン酸から選択される少なくとも一種である、請求項2~4のいずれか一項に記載の研磨液。前記第1の有機酸成分の有機酸換算の含有量が、研磨液全体を基準として0.10質量以上である、請求項1~5のいずれか一項に記載の研磨液。前記第1の有機酸成分が脂肪族ヒドロキシカルボン酸である、請求項1~6のいずれか一項に記載の研磨液。前記第1の有機酸成分が、グリコール酸、リンゴ酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種である、請求項1~7のいずれか一項に記載の研磨液。pHが1.5~4.0である、請求項1~8のいずれか一項に記載の研磨液。前記無機酸成分が、硫酸及びリン酸から選択される少なくとも一種である、請求項1~9のいずれか一項に記載の研磨液。前記アミノ酸が、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、ヒスチジン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン、アスパラギン及びグルタミンから選択される少なくとも一種である、請求項1~10のいずれか一項に記載の研磨液。前記アミノ酸がグリシンである、請求項1~11のいずれか一項に記載の研磨液。前記保護膜形成剤が、キナルジン酸、アントラニル酸、サリチルアルドキシム、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物及びテトラゾール化合物から選択される少なくとも一種である、請求項1~12のいずれか一項に記載の研磨液。前記保護膜形成剤がトリアゾール化合物である、請求項1~13のいずれか一項に記載の研磨液。前記トリアゾール化合物が、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体から選択される少なくとも一種である、請求項14に記載の研磨液。前記砥粒が、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、炭化珪素、ポリスチレン、ポリアクリル及びポリ塩化ビニルから選択される少なくとも一種を含む、請求項1~15のいずれか一項に記載の研磨液。前記砥粒が、コロイダルシリカ及びコロイダルアルミナから選択される少なくとも一種を含む、請求項1~16のいずれか一項に記載の研磨液。前記砥粒の平均粒径が100nm以下である、請求項1~17のいずれか一項に記載の研磨液。前記酸化剤が、過酸化水素、過硫酸、過硫酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、ヨウ素酸塩及び臭素酸塩から選択される少なくとも一種である、請求項1~18のいずれか一項に記載の研磨液。請求項1~19のいずれか一項に記載の研磨液を用いて銅を含む金属膜を研磨し、前記金属膜の少なくとも一部を除去する工程を備える、研磨方法。しかし、これらの用途においてはLSIに比べて金属膜の膜厚が厚いため、従来のLSI用の研磨液では研磨速度が低く生産性が低下するという課題がある。特にTSVを形成する場合には、例えば膜厚4μm以上の金属膜を研磨する必要があるため、研磨速度及び研磨後の平坦性に優れた研磨が可能な研磨液が求められている。研磨後の平坦性は、埋め込み配線の周辺の領域に対する、埋め込み配線の表面の凹み具合で表される。配線表面が周辺の領域よりも凹んでいるほど平坦性が低下し、配線抵抗の悪化や、配線上に積層される上層のうねりの原因となる。平坦性を低下させる原因としては、研磨液により配線から銅が溶出する速度エッチング速度が高いことが挙げられる。そのため、エッチング速度は、平坦性を評価する指標のひとつとして扱うことができる。平坦性を向上させるためには、配線からの銅の溶出を抑制する、すなわちエッチング速度を低減する必要がある。また、銅を含む金属膜を研磨する際に発生する銅錯体の量は、比較的低速で研磨する場合よりも高速で研磨する場合の方が多い。そのため、銅を含む金属膜を高速で研磨する場合には、銅錯体がパッド上に残留してパッドの特性を低下させる現象パッドステインが問題となっている。パッドに付着した銅錯体はパッドの目詰まりの原因となり、研磨速度を低下させるなどして生産性を低下させる。本発明は、これらの実情に鑑みてなされたものであり、従来の研磨液よりも研磨速度及び研磨後の平坦性を向上させつつ、銅を含む金属膜をパッドステインの発生が抑制された状態で研磨することが可能な銅研磨用研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供することを目的とする。本発明者らは、有機酸、有機酸の塩及び有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種と、無機酸及び無機酸の塩から選択される少なくとも一種と、アミノ酸と、保護膜形成剤とを少なくとも含む研磨液において、これらの各成分の種類や含有量を制御することによって、上記課題を解決可能であることを見出した。具体的には、本発明者らは、上記有機酸及び無機酸として特定の化合物を使用した上で、上記各成分の含有量を特定の範囲とすることにより、研磨速度及び研磨後の平坦性を向上させつつ、銅を含む金属膜をパッドステインの発生が抑制された状態で研磨することが可能であることを見出した。すなわち、本発明は、水酸基を有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第1の有機酸成分と、2価以上の無機酸及び当該無機酸の塩から選択される少なくとも一種である無機酸成分と、アミノ酸と、保護膜形成剤と、砥粒と、酸化剤と、水とを含み、銅研磨用研磨液全体を基準として無機酸成分の無機酸換算の含有量が0.15質量以上であり、アミノ酸の含有量が0.30質量以上であり、保護膜形成剤の含有量が0.10質量以上であり、保護膜形成剤の含有量に対する第1の有機酸成分の有機酸換算の含有量の比率が1.5以上である、銅研磨用研磨液を提供する。本発明に係る銅研磨用研磨液では、従来の研磨液と比べて、研磨速度及び研磨後の平坦性を向上させつつ、銅を含む金属膜をパッドステインの発生が抑制された状態で研磨することができる。これにより、本発明に係る銅研磨用研磨液では、高性能配線板やTSV等の製造のように厚い金属膜の研磨が必要となる用途においても、短時間で研磨処理が可能で、充分な生産性を確保できる。また、このような銅研磨用研磨液は、溶解作用の強い第1の有機酸成分、無機酸成分及びアミノ酸を含むpH緩衝溶液であるため、被研磨物を研磨して銅が研磨液中に溶解してもpH変動が起こりにくい。そのため、研磨の進行の程度に依存せず、安定して高い研磨速度を維持することができる。ここで、無機酸成分が無機酸の塩である場合、本発明でいう無機酸成分の無機酸換算の含有量とは、無機酸の塩の含有量モルと同モル量の無機酸の質量を示す。すなわち、無機酸の塩の含有量がXモルである場合、無機酸Xモルに相当する質量を示す。また、第1の有機酸成分が有機酸の塩や有機酸の酸無水物である場合、本発明でいう第1の有機酸成分の有機酸換算の含有量とは、有機酸の塩や有機酸の酸無水物の含有量モルと同モル量の有機酸の質量を示す。すなわち、有機酸の塩や有機酸の酸無水物の含有量がXモルである場合、有機酸Xモルに相当する質量を示す。なお、特に断りのない限り、本発明でいう銅には、純銅、銅合金、銅の酸化物、銅合金の酸化物等が包含される。また、特に断りのない限り、本発明でいう銅を含む金属膜とは、純銅膜、銅合金膜、銅の酸化物膜、銅合金の酸化物膜等からなる単一膜、これらの複合膜、上記単一膜又は上記複合膜と他の金属膜との積層膜などが包含される。また、本発明者らは、水酸基を有しない有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種を、本発明に係る銅研磨用研磨液が更に含むことにより、研磨速度及び研磨後の平坦性を更に高度に両立しつつ、銅を含む金属膜をパッドステインの発生が抑制された状態で研磨することが可能であることを見出した。以下、場合により、第1の有機酸成分、無機酸成分、アミノ酸、保護膜形成剤及び第2の有機酸成分の5成分の総称を化学成分ケミカル成分という。すなわち、本発明に係る銅研磨用研磨液は、水酸基を有しない有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第2の有機酸成分を更に含んでいてもよい。第1の有機酸成分の有機酸換算の含有量と第2の有機酸成分の有機酸換算の含有量との合計は、銅研磨用研磨液全体を基準として0.20質量以上であることが好ましい。この場合、研磨速度を更に向上させることができる。なお、第2の有機酸成分が有機酸の塩や有機酸の酸無水物である場合、本発明でいう第2の有機酸成分の有機酸換算の含有量とは、有機酸の塩や有機酸の酸無水物の含有量モルと同モル量の有機酸の質量を示す。すなわち、有機酸の塩や有機酸の酸無水物の含有量がXモルである場合、有機酸Xモルに相当する質量を示す。第2の有機酸成分は、水酸基を有さずかつカルボキシル基を2つ以上有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種であり、当該有機酸の第1酸解離定数pKa1が1.0~3.0であることが好ましい。この場合、研磨速度を更に向上させることができる。なお、第1酸解離定数pKa1は、第1解離可能酸性基の酸解離定数を意味し、当該基の平衡定数Ka1の負の常用対数である。第2の有機酸成分は、シュウ酸、マレイン酸、無水マレイン酸及びマロン酸から選択される少なくとも一種であることが好ましい。この場合、研磨速度を更に向上させることができる。第1の有機酸成分の有機酸換算の含有量は、銅研磨用研磨液全体を基準として0.10質量以上であることが好ましい。この場合、研磨速度を更に向上させることができる。第1の有機酸成分は、脂肪族ヒドロキシカルボン酸であることが好ましく、グリコール酸、リンゴ酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種であることがより好ましい。この場合、研磨速度を更に向上させることができると共にパッドステインの発生を更に抑制することができる。本発明に係る銅研磨用研磨液のpHは、1.5~4.0であることが好ましい。この場合、pH緩衝溶液としての機能が向上し、安定して高い研磨速度を維持することが容易となる。無機酸成分は、硫酸及びリン酸から選択される少なくとも一種であることが好ましい。この場合、研磨速度及び平坦性を更に高度に両立することができる。アミノ酸は、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、ヒスチジン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン、アスパラギン及びグルタミンから選択される少なくとも一種であることが好ましく、グリシンであることがより好ましい。この場合、研磨後の平坦性を更に向上させつつ研磨速度を更に向上させることができる。保護膜形成剤は、キナルジン酸、アントラニル酸、サリチルアルドキシム、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物及びテトラゾール化合物から選択される少なくとも一種であることが好ましく、トリアゾール化合物であることがより好ましい。トリアゾール化合物は、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体から選択される少なくとも一種であることが好ましい。これらの場合、本発明に係る銅研磨用研磨液を研磨速度と防食性とのバランスに優れた研磨液とすることができる。砥粒は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、炭化珪素、ポリスチレン、ポリアクリル及びポリ塩化ビニルから選択される少なくとも一種を含むことが好ましい、コロイダルシリカ及びコロイダルアルミナから選択される少なくとも一種を含むことがより好ましい。この場合、研磨速度及び平坦性を更に高度に両立することが可能である。砥粒の平均粒径は、100nm以下であることが好ましい。この場合、研磨速度及び平坦性を更に高度に両立することが可能である。酸化剤は、過酸化水素、過硫酸、過硫酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、ヨウ素酸塩及び臭素酸塩から選択される少なくとも一種であることが好ましい。この場合、研磨速度を更に向上させることができる。また、本発明は、上記銅研磨用研磨液を用いて銅を含む金属膜を研磨し、金属膜の少なくとも一部を除去する工程を備える、研磨方法を提供する。本発明に係る研磨方法では、従来の研磨液よりも研磨速度及び研磨終了後の平坦性を向上させつつ、銅を含む金属膜をパッドステインの発生が抑制された状態で研磨することができる。これにより、本発明に係る研磨方法では、高性能配線板やTSV等の製造のように厚い金属膜の研磨が必要となる用途においても、短時間で研磨処理が可能で充分な生産性及び製品歩留まりを確保できる。本発明によれば、従来の研磨液よりも研磨速度及び研磨後の平坦性を向上させつつ、銅を含む金属膜をパッドステインの発生が抑制された状態で研磨することができる。これにより、本発明によれば、高性能配線板やTSV等の製造のように厚い金属膜の研磨が必要となる用途においても、短時間で研磨処理が可能で充分な生産性を確保できる銅研磨用研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供することができる。本発明によれば、従来の研磨液よりも、銅を含む金属膜に対して格段に速い研磨速度が得られ、例えば、銅に対する研磨速度が30000Å/min以上の研磨液が得られる。本実施形態に係る銅研磨用研磨液以下、場合により、単に研磨液という。は、A水酸基を有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第1の有機酸成分と、B2価以上の無機酸及び当該無機酸の塩から選択される少なくとも一種である無機酸成分と、Cアミノ酸と、D保護膜形成剤と、E砥粒と、F酸化剤と、G水とを含む。また、本実施形態に係る研磨液は、H水酸基を有しない有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第2の有機酸成分を更に含んでいてもよい。本実施形態に係る研磨液において、研磨液全体を基準としてB成分の含有量は0.15質量以上であり、C成分の含有量は0.30質量以上であり、D成分の含有量は0.10質量以上であり、D成分の含有量に対するA成分の含有量の比率は1.5以上である。D成分である保護膜形成剤は、銅表面に保護膜を形成することによる銅のエッチングの抑制効果がある一方、一般的には研磨速度を抑制してしまう場合があると共に、研磨時に不溶性の錯体を形成し、パッドステインの原因となる場合がある。これに対して本実施形態に係る研磨液では、A成分とD成分とを併用した上で、D成分の含有量に対するA成分の含有量を所定範囲とし、更に、B成分及びC成分を研磨液の含有成分として用いることで、研磨速度及び研磨後の平坦性を向上させつつ、パッドステインの発生を抑制できる。なお、本実施形態に係る研磨液によって研磨速度の向上効果が得られる理由は必ずしも明確ではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、A成分、B成分及びD成分の作用により、銅表面にD成分及び銅イオンを含む反応層が形成される。更に、C成分が銅イオンにキレート化することで、反応層がより除去しやすい状態となり、研磨が促進されるものと考えられる。このような複数の研磨プロセスは、それぞれが独立して同時並行に進むのではなく、個々の研磨プロセスが他の研磨プロセスと連関して進行すると考えられる。そのため、A成分、B成分、C成分、D成分のうちの一種の成分のみを増やしても、他の成分による研磨プロセスがボトルネック律速過程になり、全体としての研磨速度は効率的に向上しないと考えられる。一方、本実施形態に係る研磨液では、B成分、C成分及びD成分をそれぞれ特定量とした上で、A成分、B成分、C成分、D成分を用いることにより、各研磨プロセスが促進され、研磨速度を効率的に向上させることができると考えられる。また、本実施形態に係る研磨液は、A成分、B成分及びC成分をそれぞれ単独で又はこれらの中の2種を選択し使用する場合と比較して、所定の研磨速度の向上効果を得るために必要な上記成分の総含有量を低減することができるという効果を有する。更に、従来の研磨液では、研磨液へ溶解可能な含有量以上のA成分、B成分及びC成分から選択される少なくとも一種を研磨液が含有すると、研磨液の保存安定性が低下してしまうが、本実施形態に係る研磨液は、このような保存安定性の低下を抑制することができる。以下、本実施形態に係る研磨液について具体的に説明する。なお、本明細書において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。研磨液のpH研磨液のpHは、特に制限はなく、例えば1.0~13.0の範囲とすることができるが、CMPによる銅の研磨速度が更に向上する点で酸性又は中性の範囲7.0以下であることが好ましく、銅膜に腐食が生じづらくなる点で、1.5~4.0の範囲であることがより好ましい。研磨液のpHが1.5以上であると、過度なディッシングが発生する等のような、銅膜の平坦性が低下することを回避しやすくなる傾向があり、同様の観点から、研磨液のpHは2.0以上がより好ましい。研磨液のpHが4.0以下であると、CMPによる研磨速度が増加して更に実用的な研磨液となる傾向があり、同様の観点から、研磨液のpHは3.8以下がより好ましく、3.5以下が更に好ましい。本実施形態に係る研磨液は、A成分、B成分を含有し、任意にH成分を含有するpH緩衝溶液であることが好ましい。B成分である無機酸が強酸である場合、無機酸を多量に含有すると研磨液のpHが低下してしまい、pHを所定の範囲例えば1.5~4.0の範囲に調整することは困難である傾向がある。しかし、本実施形態に係る研磨液では、B成分に加えてA成分及びC成分を含有し、任意にH成分を含有しており、A成分、H成分、B成分及びC成分の含有量を調整することにより、本実施形態に係る研磨液を、容易にpHが所定の範囲例えば1.5~4.0の範囲のpH緩衝溶液とすることができる。研磨液のpHは、A成分、H成分、B成分及びC成分の含有量により適宜調整することができる。また、本実施形態に係る研磨液には、所望のpHに調整するために、酸性成分やアルカリ成分をpH調整剤として含有することができる。酸性成分としては、例えば塩酸、硝酸等の一価の無機酸などを挙げることができる。アルカリ成分としては、例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。もちろん、pH調整剤を含まずに研磨液のpHが所望の範囲である場合には、研磨液がpH調整剤を含有する必要はない。研磨液のpHは、pHメータ例えば、横河電機株式会社製の型番PH81で測定することができる。pHの測定値としては、標準緩衝液フタル酸塩pH緩衝液:pH4.0125°C、中性りん酸塩pH緩衝液:pH6.8625°Cを用いて、2点校正した後、電極を研磨液に入れて、2分以上経過し安定した後の値を採用することができる。A成分:水酸基を有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物A成分としては、研磨速度を向上可能であると共にパッドステインを抑制可能な点で、水酸基を有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第1の有機酸成分を使用する。A成分の有機酸は水酸基を有することから、水酸基を含有しない有機酸に比べて、銅膜の研磨により発生した不溶性の錯体をより水溶性の錯体に変化させることができるため、パッドステインの発生を抑制できると考えられる。なお、ここでいう水酸基とは、カルボキシル基に含まれる-OH基を含まない。A成分としては、特に制限はないが、水溶性である有機酸が好ましい。水酸基を有する有機酸としては、例えばグリコール酸、リンゴ酸、クエン酸、乳酸、酒石酸、シトラマル酸、イソクエン酸等の脂肪族ヒドロキシカルボン酸;マンデル酸、3‐ヒドロキシフェニル酢酸、3,4-ジヒドロキシフェニル酢酸、2,5-ジヒドロキシフェニル酢酸等のヒドロキシフェニル酢酸;サリチル酸、クレオチン酸、3-メトキシ-4-ヒドロキシ安息香酸、3,5-ジメトキシ-4-ヒドロキシ安息香酸等のモノヒドロキシ安息香酸;2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,5-ジヒドロキシ安息香酸、3,4-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジヒドロキシ-6-メチル安息香酸等のジヒドロキシ安息香酸;2,3,4-トリヒドロキシ安息香酸、没食子酸、2,4,6‐トリヒドロキシ安息香酸等のトリヒドロキシ安息香酸;などが挙げられる。これらの有機酸の塩としては、例えば上記有機酸のアンモニウム塩等が挙げられる。上記有機酸の酸無水物としては、例えば無水乳酸等が挙げられる。上記A成分は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらのA成分の中でも、研磨速度の向上効果及びパッドステイン抑制効果に更に優れると共に、入手しやすい点で、脂肪族ヒドロキシカルボン酸が好ましく、グリコール酸、リンゴ酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種がより好ましい。A成分の含有量有機酸換算の含有量は、研磨速度に更に優れる点で、研磨液全体を基準として0.10質量以上が好ましく、0.20質量以上がより好ましく、0.30質量以上が更に好ましく、0.40質量以上が特に好ましい。また、A成分を研磨液に一定量以上添加しても研磨速度は一定以上向上しない傾向があるため、A成分の使用量を抑制する点で、A成分の含有量は、研磨液全体を基準として5.00質量以下が好ましく、4.00質量以下がより好ましく、3.00質量以下が更に好ましく、2.00質量以下が特に好ましい。H成分:水酸基を有しない有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物本実施形態に係る研磨液は、A成分とは異なる有機酸成分としてH成分を含有してもよい。H成分としては、水酸基を有しない有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種である第2の有機酸成分を使用する。このようなH成分をA成分と併用せずに単独で用いた場合には、研磨速度が向上する場合があるものの、パッドステインの発生を抑制する効果が充分でない傾向にある。一方、本実施形態に係る研磨液では、このようなH成分をA成分と併用することで、パッドステイン抑制効果及び研磨速度の向上効果を更に高度に両立することができる。なお、ここでいう水酸基とは、カルボキシル基に含まれる-OH基を含まないものであり、H成分は、カルボキシル基を有する有機酸であってもよい。H成分としては、水酸基を有さず、かつ、カルボキシル基を2つ以上有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種が好ましい。カルボキシル基を2つ以上有する有機酸としては、その効果を発揮するために有効な量が溶解する程度の水溶性を有していることが好ましく、従来公知の物質を特に制限なく使用することができる。カルボキシル基を2つ有する有機酸としては、例えば、シュウ酸、マレイン酸、マロン酸、オキサロ酢酸等が挙げられる。カルボキシル基を3つ以上有する有機酸としては、例えば、トリメリット酸、1,2,4-ブタントリカルボン酸、1,2,3-プロパントリカルボン酸等が挙げられる。カルボキシル基を2つ以上有する有機酸の塩としては、例えば、上記有機酸のアンモニウム塩等が挙げられる。カルボキシル基を2つ有する有機酸の酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸等が挙げられる。カルボキシル基を3つ以上有する有機酸の酸無水物としては、例えば、トリメリット酸無水物等が挙げられる。これらの中でも、CMPによる研磨速度を更に向上させることができるという点で、水酸基を有さず、かつ、カルボキシル基を2つ有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物から選択される少なくとも一種が好ましく、シュウ酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マロン酸がより好ましい。なお、H成分は、水酸基を有さずかつカルボキシル基を1つ有する有機酸、当該有機酸の塩及び当該有機酸の酸無水物でもよく、このような有機酸としては、例えば酢酸等の飽和脂肪酸などが挙げられる。上記H成分は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。カルボキシル基を2つ以上有する有機酸のpKa1は、銅との相互作用を強め、更に高い研磨速度を得る点で、3.0以下が好ましく、2.7以下がより好ましく、2.6以下が更に好ましく、2.5以下が極めて好ましい。カルボキシル基を2つ以上有する有機酸のpKa1は、1.0以上であればハロゲンの含有量が少ない傾向があり環境負荷を低減することができる点で、1.0以上が好ましい。カルボキシル基を2つ以上有しかつpKa1が1.0~3.0である有機酸としては、例えばシュウ酸、マレイン酸、マロン酸、オキサロ酢酸等が挙げられる。なお、有機酸のpKa1の値については、化学便覧、基礎編II改訂5版、丸善株を参照することができる。H成分の含有量有機酸換算の含有量は、A成分の含有量との合計が所定範囲であることが好ましい。すなわち、A成分の含有量とH成分の含有量との合計は、研磨速度に更に優れる点で、研磨液全体を基準として0.20質量以上が好ましく、0.30質量以上がより好ましく、0.40質量以上が更に好ましい。また、H成分を一定量以上添加しても研磨速度は一定以上向上しない傾向があるため、H成分の使用量を抑制する点で、A成分の含有量とH成分との含有量の合計は、研磨液全体を基準として5.00質量以下が好ましく、4.00質量以下がより好ましく、3.00質量以下が更に好ましく、2.00質量以下が特に好ましい。B成分:2価以上の無機酸及び当該無機酸の塩B成分としては、公知の2価以上の無機酸及び当該無機酸の塩を特に制限なく使用することが可能であり、2価の無機酸及び当該無機酸の塩が好ましい。2価以上の無機酸としては、例えば、硫酸、亜硫酸、ホスホン酸等の2価の無機酸や、リン酸等の3価の無機酸などが挙げられる。これらの無機酸の塩としては、上記無機酸のアンモニウム塩等が挙げられる。これらのB成分の中でも、CMPによる研磨速度を更に大きくできると共に、銅膜の平坦性を更に向上できる点で、硫酸と、リン酸と、硫酸及びリン酸の混合物とから選択される少なくとも一種が好ましい。上記B成分は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、1価の無機酸は、研磨速度の向上効果が小さいが、B成分と共に併用されてもよい。B成分の含有量無機酸換算の含有量は、研磨速度に優れる点で、研磨液全体を基準として0.15質量以上であり、0.18質量以上が好ましく、0.20質量以上がより好ましい。B成分の含有量は、B成分を研磨液に一定量以上加えても研磨速度が一定以上増加しない傾向があるため、B成分の使用量を抑制する点で、研磨液全体を基準として5.00質量以下が好ましく、4.00質量以下がより好ましく、3.00質量以下が更に好ましく、2.00質量以下が特に好ましい。C成分:アミノ酸C成分は、pHを調整し、かつ銅を溶解させる目的で使用されるアミノ酸である。このようなアミノ酸としては、わずかでも水に溶解するものであれば特に制限はなく、例えば、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シスチン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、ヒスチジン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン、アスパラギン、グルタミン等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。上記C成分の中でも、研磨液のpHを例えば1.5~4.0に調整し易いという点で、第1酸解離定数pKa1が2.0~3.0のアミノ酸を使用することが好ましい。このようなアミノ酸としては、上記例示した化合物の中では、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、トリプトファン等が挙げられる。研磨速度及び平坦性の向上効果が高く、安価である点で、特にグリシンが好ましい。なお、C成分が単一のpKaを有する化合物である場合には、当該単一のpKaをpKa1という。アミノ酸のpKa1の値については、化学便覧、基礎編II改訂5版、丸善株を参照することができる。C成分の含有量は、研磨速度に優れる点で、研磨液全体を基準として0.30質量以上であり、0.35質量以上が好ましい。C成分の含有量は、C成分を研磨液に一定量以上加えても研磨速度が一定以上増加しない傾向があるため、C成分の使用量を抑制する点で、研磨液全体を基準として5.00質量以下が好ましく、4.00質量以下がより好ましく、3.00質量以下が更に好ましく、2.00質量以下が特に好ましい。D成分:保護膜形成剤D成分である保護膜形成剤とは、銅表面に対して保護膜を形成する作用を有する物質をいい、防食剤やインヒビターとも呼ばれる物質である。ただし、上述のように保護膜形成剤は、研磨進行時に除去される反応層を構成していると考えられ、必ずしも銅が研磨されるのを防ぐための保護膜を形成する必要はない。D成分としては、保護膜形成剤の添加効果を発揮するために有効な量が溶解する程度の水溶性を有していればよく、従来公知の物質を特に制限なく使用することができる。D成分としては、例えば、キナルジン酸、アントラニル酸、サリチルアルドキシム、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、テトラゾール化合物等の保護膜形成剤が挙げられ、これらの中でもトリアゾール化合物が好ましい。上記D成分は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。チアゾール化合物とは、分子内にチアゾール骨格を有する化合物をいい、具体的には例えば、2-メルカプトベンゾチアゾール等が挙げられる。トリアゾール化合物とは、分子内にトリアゾール骨格を有する化合物をいい、具体的には例えば、1,2,3-トリアゾール;1,2,4-トリアゾール;3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾール等のトリアゾール誘導体;ベンゾトリアゾール;1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、1-ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、2,3-ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、4-ヒドロキシベンゾトリアゾール、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾール、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールメチルエステル、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールブチルエステル、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールオクチルエステル、5-ヘキシルベンゾトリアゾール、[1,2,3-ベンゾトリアゾリル-1-メチル][1,2,4-トリアゾリル-1-メチル][2-エチルヘキシル]アミン、トリルトリアゾール別名:5-メチル-1H-ベンゾトリアゾール、ビス[1-ベンゾトリアゾリルメチル]ホスホン酸等のベンゾトリアゾール誘導体;ナフトトリアゾール;2-メチルナフトトリアゾール等のナフトトリアゾール誘導体などが挙げられる。これらの中でも、研磨速度と防食性とのバランスに優れるという点で、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体から選択される少なくとも一種を使用することが好ましい。イミダゾール化合物とは、分子内にイミダゾール骨格を有する化合物をいい、具体的には例えば、2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-イソプロピルイミダゾール、2-プロピルイミダゾール、2-ブチルイミダゾール、4-メチルイミダゾール、2,4-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-アミノイミダゾール等が挙げられる。ピラゾール化合物とは、分子内にピラゾール骨格を有する化合物をいい、具体的には例えば、3,5-ジメチルピラゾール、3-アミノ-5-メチルピラゾール、4-メチルピラゾール、3-アミノ-5-ヒドロキシピラゾール等が挙げられる。テトラゾール化合物とは、分子内にテトラゾール骨格を有する化合物をいい、具体的には例えば、1H-テトラゾール、5-アミノ-1H-テトラゾール、5-メチル-1H-テトラゾール、5-フェニル-1H-テトラゾール、1-2-ジアミノエチル-5-メルカプトテトラゾール等が挙げられる。D成分の含有量は、エッチング速度を低減しつつ、研磨速度を向上させることができる点で、研磨液全体を基準として0.10質量以上であり、0.11質量以上が好ましく、0.12質量以上がより好ましい。D成分の含有量は、一定以上加えてもエッチング速度が一定以上低減しない傾向があるためD成分の使用量を抑制する点で、研磨液全体を基準として2.00質量以下が好ましく、1.50質量以下がより好ましい。本発明者らは、保護膜形成成分であるD成分の含有量に対するA成分の含有量を特定の範囲とすることで、パッドステイン抑制効果及び研磨速度の向上効果を両立することに有効であることを見出した。D成分の含有量が増加する場合、D成分に由来する不溶性の錯体の発生量が増加する傾向がある。従って、D成分の含有量が増加する場合、A成分の含有量を増加させる必要がある。D成分の含有量に対するA成分の含有量の比率質量比をいい、A成分の含有量質量/D成分の含有量質量として計算されるは、パッドステイン抑制効果及び研磨速度の向上効果に優れる点、及び、D成分を研磨液に一定量以上加えてもエッチング速度が一定以上低減しない傾向があるためD成分の使用量を抑制する点で、1.5以上であり、1.7以上が好ましく、2.0以上が更に好ましく、2.5以上が特に好ましい。また、A成分を研磨液に一定量以上添加してもパッドステインの抑制効果は一定以上向上しない傾向があるためA成分の使用量を抑制する点で、上記比率は、15.0以下が好ましく、10.0以下がより好ましく、8.0以下が更に好ましい。E成分:砥粒E成分としては、特に制限はなく、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア又は炭化珪素等を含む無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル又はポリ塩化ビニル等を含む有機物砥粒を挙げることができる。これらの中でも、研磨液中での分散安定性が良く、CMPにより発生する研磨傷スクラッチの発生数が少ない点で、シリカ及びアルミナが好ましく、平均粒径の制御が容易であり、研磨特性に更に優れる点で、コロイダルシリカ、コロイダルアルミナがより好ましく、コロイダルシリカが更に好ましい。コロイダルシリカの製造方法としては、シリコンアルコキシドの加水分解又は珪酸ナトリウムのイオン交換による方法が知られている。コロイダルアルミナの製造方法としては、硝酸アルミニウムの加水分解による方法が知られている。これらのE成分は、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、研磨速度及び表面平坦性を更に高度に両立することが可能である点で、砥粒の平均粒径は100nm以下であることが好ましく、80nm以下であることがより好ましい。E成分としては、コロイダルシリカ及びコロイダルアルミナから選択される少なくとも一種を含む砥粒であり、かつ、その砥粒の平均粒径が100nm以下であることがより好ましい。砥粒の平均粒径の下限は、特に限定されるものではないが、例えば10nmである。なお、砥粒の平均粒径とは、研磨液中の平均粒径であり、研磨液をレーザ回折式粒度分布計例えば、COULTERElectronics社製の商品名COULTERN4SDで測定したときのD50の値体積分布のメジアン径、累積中央値をいう。また、一般的に、コロイダルシリカ及びコロイダルアルミナから選択される少なくとも一種を含む砥粒を用いる場合、コロイダルシリカ又はコロイダルアルミナの状態で測定した平均粒径は、他の成分と混合して研磨液とした場合の平均粒径とほぼ同じとなる。E成分の含有量は、物理的な研削作用が充分に得られ研磨速度が更に高くなる点で、研磨液全体を基準として0.10質量以上が好ましく、0.20質量以上がより好ましい。また、E成分を研磨液に一定量以上加えても研磨速度が一定以上増加しない傾向があるためE成分の使用量を抑制する点、及び、砥粒の凝集や研磨傷を抑制する点で、E成分の含有量は、研磨液全体を基準として10.0質量以下が好ましく、5.00質量以下がより好ましい。F成分:酸化剤F成分としては、銅に対する酸化作用を有する酸化剤であれば特に制限なく使用することができる。酸化剤としては、例えば、過酸化水素H2O2、過硫酸、過硫酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、ヨウ素酸塩、臭素酸塩等が挙げられる。塩としては、カリウム塩、アンモニウム塩等を挙げることができる例えば過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム。これらの中でも、研磨速度が更に優れる点で、過酸化水素、過硫酸及び過硫酸塩から選択される少なくとも一種が好ましい。これらのF成分は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。F成分の含有量は、更に良好な研磨速度が得られやすい点で、研磨液全体を基準として0.10質量以上が好ましく、0.20質量以上がより好ましい。また、F成分を過剰に含有すると、研磨速度が向上しないか又はかえって低下する場合がある。そのため、F成分の含有量の増加を抑制しつつ研磨速度を更に向上させる点で、F成分の含有量は、研磨液全体を基準として25.0質量以下が好ましく、20.0質量以下がより好ましい。G成分:水研磨液の媒体であるG成分としては、特に制限されないが、脱イオン水、イオン交換水、超純水等が好ましい。研磨液におけるG成分の含有量は、上記含有成分の含有量の残部でよく、研磨液中に含有されていれば特に限定されない。なお、研磨液は、必要に応じて水以外の溶媒、例えばエタノール、アセトン等の極性溶媒などを更に含有してもよい。研磨液は、上記成分の他に、分散剤や着色剤等のように一般にCMP研磨液に使用される材料を、研磨液の作用効果を損なわない範囲で含有してもよい。研磨方法本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係る研磨液を用いて銅を含む金属膜を研磨し、金属膜の少なくとも一部を除去する研磨工程を備えることを特徴とする。研磨工程では、例えば、被研磨膜として金属膜を表面例えば主面に有する基板の当該金属膜と研磨布との間に上記研磨液を供給しながら、基板の金属膜を研磨布の表面に押圧した状態で基板と研磨布とを相対的に動かすことにより金属膜を研磨して、金属膜の少なくとも一部を除去する。本実施形態に係る研磨液は、従来の銅研磨用研磨液と比較して、銅を含む金属膜に対する研磨速度が極めて速いという特徴を有しており、例えば、LSI等のパッケージ基板等に代表される高性能微細配線板の製造工程において厚い金属膜を研磨する用途に特に好適に使用することができる。より具体的には、研磨されるべき銅を含む金属膜の厚みが例えば4μm以上である基板を研磨する場合に特に好適に使用することができる。このような本実施形態では、CMP工程での使用に適する、研磨速度及び研磨後の平滑性の高い銅研磨用研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供することができる。また、本実施形態によれば、研磨液の、銅を含む金属膜の研磨のための使用が提供される。また、本実施形態によれば、研磨液の、厚い金属膜例えば4μm以上の金属膜の研磨のための使用が提供される。このように非常に厚い金属膜を研磨する必要がある工程として、シリコン貫通ビアTSV形成工程を挙げることができる。TSVの形成方法は様々な方法が提案されているが、具体例として、素子を形成した後にビアを形成するVIA-LASTといわれる方法がある。以下、図面を参照しながら、VIA-LAST工程において、本実施形態に係る研磨液を用いた場合の使用方法を説明する。図1は、シリコン基板1上に銅膜4を形成する第1の工程を示す模式断面図である。図1aに示すように、シリコン基板1上の所定の位置に、素子2を形成する。次に、図1bに示すように、貫通ビアとするための凹部3をプラズマエッチング等の方法により形成する。次に、スパッタリングや電解メッキ等の方法により、凹部3を埋め込むように銅を積層して銅膜4を形成し、図1cに示すような構造の基板100を得る。図2は、このように形成した基板100を研磨し、片面にバンプ5を形成する第2の工程を示す模式断面図である。図2aにおける銅膜4の表面と、パッド図示せずとの間に上記研磨液を供給しながら、図2bに示すように、素子2が露出するまで銅膜4を研磨する。より具体的には、基板100の銅膜4と、研磨定盤のパッドの表面との間に上記研磨液を供給しながら、基板100の銅膜4をパッドの表面に押圧した状態で、研磨定盤と基板100とを相対的に動かすことによって銅膜4を研磨する。パッドの代わりに、金属製又は樹脂製のブラシを使用してもよい。また、研磨液を所定の圧力で吹きつけることで研磨してもよい。研磨装置としては、例えばパッドにより研磨する場合、回転数が変更可能なモータ等に接続されていると共にパッドを貼り付けることができる研磨定盤と、研磨される基板を保持できるホルダとを有する一般的な研磨装置を使用できる。パッドとしては、特に制限はなく、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等を使用できる。研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は、基板が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨面を有する基板のパッドへの押し付け圧力研磨圧力は、1~100kPaが好ましく、CMP速度の被研磨面内の均一性及びパターンの平坦性を向上させるためには、5~50kPaがより好ましい。研磨している間、パッドには研磨液をポンプ等で連続的に供給してもよい。この供給量に制限はないが、パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の基板は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。パッドの表面状態を常に同一にしてCMPを行うために、研磨の前にパッドのコンディショニング工程を入れることが好ましい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて、少なくとも水を含む液でパッドのコンディショニングを行う。続いて本実施形態に係る研磨液を用いたCMP研磨工程を実施し、更に、基板洗浄工程を実施することが好ましい。続いて、図2cに示すように、露出した銅膜4の表面部分に、電解メッキ等の方法によりバンプ5を形成し、片面にバンプ5を有する基板200を得る。バンプ5の材質としては、銅等を挙げることができる。図3は、もう一方の面にバンプ6を形成する第3の工程を示す模式断面図である。図3aに示す状態の基板200において、シリコン基板1におけるバンプ5の形成されていない面バンプ5が形成されている面の反対面を、CMP等の方法により研磨し、銅膜4を露出させる図3b。次に、上記バンプ5の形成方法と同様の方法により、バンプ6を形成する。以上により、TSVが形成された基板300が得られる図3c。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、特に限定しない限り、とは質量を意味するものとする。研磨液の作製実施例1濃度85のリン酸6.4g、グリシン13.3g、ベンゾトリアゾール1.9g、クエン酸10.7g、及び、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ砥粒含有量2050gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させ、純水を更に加えて全量を700gとした。これに過酸化水素水試薬特級、30水溶液300gを加えて、全量1000gの研磨液1を得た。実施例2クエン酸10.7gをリンゴ酸10.7gに変更したこと以外は実施例1と同様にして研磨液2を作製した。実施例3クエン酸10.7gをグリコール酸10.7gに変更したこと以外は実施例1と同様にして研磨液3を作製した。実施例4クエン酸10.7gをクエン酸5.3g及びシュウ酸5.3gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液4を作製した。実施例5クエン酸10.7gをクエン酸5.3g及びマレイン酸5.3gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液5を作製した。実施例6クエン酸の添加量を5.3gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液6を作製した。実施例7濃度85のリン酸の添加量を3.2gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液7を作製した。実施例8濃度85のリン酸6.4g、グリシン10.7g、ベンゾトリアゾール1.9g、クエン酸10.7g、及び、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ砥粒含有量2050gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させ、純水を更に加えて全量を690gとした。これに過酸化水素水試薬特級、30水溶液300gを加えて全量990gとした後に、濃度25のアンモニア水を添加し研磨液のpHを2.4とした。その後、残分の純水を加え全量1000gの研磨液8を作製した。また、最終的な研磨液のpHが2.4であることも確認した。実施例9濃度85のリン酸6.4g、グリシン5.3g、ベンゾトリアゾール1.9g、クエン酸10.7g、及び、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ砥粒含有量2050gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させ、純水を更に加えて全量を690gとした。これに過酸化水素水試薬特級、30水溶液300gを加えて全量990gとした後に、濃度25のアンモニア水を添加し研磨液のpHを2.4とした。その後、残分の純水を加え全量1000gの研磨液9を作製した。また、最終的な研磨液のpHが2.4であることも確認した。実施例10ベンゾトリアゾールの添加量を1.3gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液10を作製した。実施例11ベンゾトリアゾールの添加量を2.7gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液11を作製した。実施例12濃度85のリン酸5.4gを濃度96の硫酸5.8gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液12を作製した。実施例13グリシン13.3gをアラニン13.3gに変更したこと以外は実施例1と同様にして研磨液13を作製した。実施例14ベンゾトリアゾール1.9gを5-メチルベンゾトリアゾールトリルトリアゾール1.3gに変更し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液14を作製した。実施例15ベンゾトリアゾールの添加量を1.3gに変更し、クエン酸の添加量を2.5gに変更し、マレイン酸8.2gを添加し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実施例1と同様にして研磨液15を作製した。比較例1濃度85のリン酸6.4g、グリシン13.3g、ベンゾトリアゾール1.9g及び、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ砥粒含有量2050gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させ、純水を更に加えて全量を700gとした。これに過酸化水素水試薬特級、30水溶液300gを加えて、全量1000gの研磨液X1を得た。比較例2濃度85のリン酸の添加量を1.65gに変更し、クエン酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X2を作製した。比較例3濃度85のリン酸の添加量を0.24gに変更し、クエン酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X3を作製した。比較例4濃度85のリン酸6.4g、グリシン2.7g、ベンゾトリアゾール1.9g、クエン酸10.7g、及び、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ砥粒含有量2050gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させ、純水を更に加えて全量を690gとした。これに過酸化水素水試薬特級、30水溶液300gを加えて全量990gとした後に、濃度25のアンモニア水を添加し研磨液のpHを2.4とした。その後、残分の純水を加え全量1000gの研磨液X4を作製した。また、最終的な研磨液のpHが2.4であることも確認した。比較例5濃度85のリン酸6.4g、ベンゾトリアゾール1.9g、クエン酸10.7g、及び、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ砥粒含有量2050gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させ、純水を更に加えて全量を690gとした。これに過酸化水素水試薬特級、30水溶液300gを加えて全量990gとした後に、濃度25のアンモニア水を添加し研磨液のpHを2.4とした。その後、残分の純水を加え全量1000gの研磨液X5を作製した。また、最終的な研磨液のpHが2.4であることも確認した。比較例6ベンゾトリアゾールを添加せず、クエン酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X6を作製した。比較例7ベンゾトリアゾールの添加量を0.3gに変更し、クエン酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X7を作製した。比較例8ベンゾトリアゾールの添加量を0.8gに変更し、クエン酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X8を作製した。比較例9ベンゾトリアゾールの添加量を3.7gに変更し、クエン酸を5.3g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X9を作製した。比較例10クエン酸を2.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X10を作製した。比較例11シュウ酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X11を作製した。比較例12マロン酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X12を作製した。比較例13マレイン酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X13を作製した。比較例14酢酸を10.7g添加して、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は比較例1と同様にして研磨液X14を作製した。研磨液のpH測定上記研磨液1~15、X1~X14のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定した。エッチング速度測定攪拌した研磨液室温25°C、攪拌600rpmへ銅膜が製膜された測定基板を浸漬し、浸漬前後の銅膜の膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。測定基板は、直径8インチ20cmφサイズのシリコン基板上に厚さ20μmの銅膜が製膜された基板グローバルネット社製を2cm×2cmに切断したチップを用いた。研磨液の液量は100mlとした。銅膜の膜厚差を浸漬時間minで除することによりエッチング速度を算出した。研磨速度測定直径8インチ20cmφサイズのシリコン基板上に厚さ20μmの銅膜が製膜された基板グローバルネット社製を用意した。この基板を使用し、上記研磨液1~15及び研磨液X1~X5、X9~14を、研磨装置の定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、CMP研磨を行った。なお、エッチング速度が非常に大きい結果が得られた研磨液X6~X8については、研磨速度測定を行なわなかった。なお、研磨条件は下記の通りである。研磨装置:CMP用研磨機アプライドマテリアルズ製、商品名:Mirraパッド:独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂商品名:IC-1010、ロームアンドハース社製研磨圧力:32kPa定盤/ヘッド回転速度:110/105rpm研磨液流量:200ml/min以下のようにして研磨速度を算出した。まず、日立国際電気エンジニアリング社製の金属膜厚測定器VR-120型商品名を用いて、銅膜表面における基板の直径方向に等間隔約2.4mm間隔に並んだ81か所のそれぞれの点でシート抵抗を測定し、CMP研磨前後のそれぞれでシート抵抗の平均値を算出した。そして、研磨前後のシート抵抗の平均値の差から換算してCMP研磨前後での銅膜の膜厚差を求め、膜厚差を研磨時間minで除することにより研磨速度を算出した。パッドステイン評価研磨速度測定後のパッドを目視にて観察し、パッドステインの有無を評価した。研磨液1~15、X1~X14の構成成分、各研磨液のpH、並びに、エッチング速度測定、研磨速度測定及びパッドステイン評価の評価結果を表1~4に示す。なお、ケミカル成分には、B成分に該当しないアンモニアは含まれないものとする。また、表1~4中のパッドステイン評価について、パッドステインが発生しない場合をAと表記し、パッドステインが発生した場合をBと表記する。表1~4に示す結果より下記のことが確認された。すなわち、実施例1~15におけるそれぞれの研磨液1~15は、良好なエッチング速度及び研磨速度が得られ、パッドステインは観察されなかった。一方、A成分を含有していない研磨液X1では、研磨速度が低下し、パッドステインが観察された。B成分の含有量を本発明の範囲外とした点で研磨液1と異なる研磨液X2,3では、研磨速度が大きく低下した。C成分の含有量を本発明の範囲外とした点で研磨液1と異なる研磨液X4及びX5では、研磨速度が低下した。D成分の含有量を本発明の範囲外とした点で研磨液1と異なる研磨液X6、X7及びX8では、エッチング速度が大きく増加した。D成分の含有量に対するA成分の含有量の比率が本発明の範囲外である研磨液X9、X10では、研磨速度が低下しかつパッドステインが観察された。H成分を含有するもののA成分を含有していない研磨液X11、X12及びX13では、研磨速度は充分に得られたもののパッドステインが観察された。H成分としてカルボキシル基を1つ有する酢酸を含有するもののA成分を含有していない研磨液X14では、研磨速度が低下し、パッドステインも観察された。また、研磨液1を基準としてA成分、B成分、C成分の含有量をそれぞれ増減させた場合B成分については研磨液7並びに研磨液X2及びX3、C成分については研磨液8及び9並びに研磨液X4及びX5、A成分については研磨液6及び研磨液X10、良好な研磨速度例えば研磨速度30000Å/min以上を達成するためには、A成分、B成分、C成分のそれぞれが一定の含有量以上でなければならないことが分かる。また、各成分とも比較的低い添加量における研磨速度の増加割合に比べて、比較的高い添加量における研磨速度の増加割合は低いことが分かる。例えば、B成分の含有量が0.14質量以下では研磨液X2及びX3、研磨速度は10000Å/min以下である。また、B成分の含有量が0.27質量では研磨液7、研磨速度は30000Å/minを超える一方、B成分の含有量を0.27質量研磨液7から0.54質量研磨液1まで増加させても、研磨速度は1000Å/minしか増加しないことが分かる。このことから、目標の研磨速度を得るためには、一定量以上のB成分が必要であるが、B成分のみを増加させても研磨速度の増加は頭打ちとなり、B成分の含有量のみを増大させることは研磨速度の向上効率が良くないといえる。このように、A成分、B成分及びC成分をそれぞれ単独又はこれらの中の2種を選択し使用してもある程度研磨速度を向上させることはできるが、各成分を一定量以上添加して、各成分をバランス良く増加させることで効率的に研磨速度を更に向上させることができることが分かる。以上の結果から、優れたエッチング速度と研磨速度を示すと共にパッドステインが観察されない研磨液を得るためには、A成分と一定量以上のB成分、C成分及びD成分とが必要であり、D成分の含有量に対するA成分の含有量の比率が一定値以上必要であることが確認された。このように銅に対する研磨速度が30000Å/minを超えるような研磨液は、特に、短時間で大量に銅を研磨する用途、例えばTSV形成用途に適している。"