"平坦上面と、前記平坦上面と平行に形成されリーディング側テーパ面によってエアベアリング面に接続された平坦底面とを有する主磁極層を備え、前記主磁極層は、a前記リーディング側テーパ面の終端エッジをなすリーディングエッジと、前記リーディングエッジから磁極先端厚さに相当する距離を隔てた位置においてクロストラック方向にトラック幅を有するトレーリングエッジとを含むように前記エアベアリング面に沿って形成された磁極先端面と、前記主磁極層の前記平坦上面の一部として形成され、前記トレーリングエッジから、前記エアベアリング面を基点としてネックハイト相当距離を隔てた位置において前記エアベアリング面と平行に延在する第1の平面へと延びる上面と、底面と、前記上面に沿って前記クロストラック方向にトラック幅相当距離を隔てた2つの位置においてそれぞれ前記上面と前記底面とを接続する一対の側面とを有する磁極先端部と、b前記磁極先端部の両側に前記平坦上面と平行にそれぞれ形成されると共に、前記エアベアリング面から第1の距離だけ離れた位置において前記磁極先端部の各側面から前記クロストラック方向へと第2の距離だけ延びるフロントエッジをそれぞれ有する一対の主磁極表面と、c前記磁極先端部の各側面から前記クロストラック方向に前記第2の距離を隔てた位置において、前記フロントエッジを基点として前記エアベアリング面と垂直な方向にそれぞれ延びると共に、前記第1の平面よりも前記エアベアリング面と反対側に位置し前記第1の平面と平行に延在する第2の平面においてそれぞれ終端する一対の第1の主磁極側面longsideと、d前記第1の平面と前記第2の平面との間において前記主磁極表面と前記平坦上面とをそれぞれ接続する一対の第2の主磁極側面sideofthemainpoleとを含み、前記磁極先端部の前記底面は、前記リーディング側テーパ面に沿って前記エアベアリング面と前記主磁極表面の前記フロントエッジに対応する位置との間に形成された第1の領域と、前記一対の主磁極表面によって挟まれた領域においてこの一対の主磁極表面と接しつつ共面をなすと共に、前記フロントエッジに対応する位置から前記第1の平面へと延びる第2の領域とを含む垂直磁気記録ヘッド。さらに、前記磁極先端部の前記上面と隣接するスピントルク発振器と、前記スピントルク発振器よりも前記磁極先端部の前記上面とは反対側に形成されたトレーリングシールドとを備えた請求項1に記載の垂直磁気記録ヘッド。さらに、前記トレーリングシールドに接続され、前記磁極先端部の両側に形成されたサイドシールド構造を備えた請求項2に記載の垂直磁気記録ヘッド。前記リーディング側テーパ面が、前記エアベアリング面に対して、20度から60度のテーパ角を有する請求項1に記載の垂直磁気記録ヘッド。前記平坦上面と前記主磁極表面との間の前記第1の平面に沿った距離が、前記磁極先端厚さ以上である、請求項1に記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第2の主磁極側面は、これに隣接する前記磁極先端部の前記側面に対して、90度よりも大きく180度未満の角度をなす請求項1に記載の垂直磁気記録ヘッド。前記ネックハイト相当距離が40nmから100nmであり、前記磁極先端厚さが40nmから100nmである請求項1に記載の垂直磁気記録ヘッド。トレーリング側テーパ面によってエアベアリング面に接続された平坦上面と、前記平坦上面と平行に形成されリーディング側テーパ面によって前記エアベアリング面に接続された平坦底面とを有する主磁極層を備え、前記主磁極層は、a前記リーディング側テーパ面の終端エッジをなすリーディングエッジと、前記トレーリング側テーパ面の終端エッジをなし前記リーディングエッジから磁極先端厚さに相当する距離を隔てた位置においてクロストラック方向にトラック幅を有するトレーリングエッジとを含むように前記エアベアリング面に沿って形成された磁極先端面と、前記主磁極層の前記トレーリング側テーパ面の一部として形成され、前記トレーリングエッジから、前記エアベアリング面を基点としてネックハイト相当距離を隔てた位置において前記エアベアリング面と平行に延在する第1の平面へと延びる上面と、底面と、前記上面に沿って前記クロストラック方向にトラック幅相当距離を隔てた2つの位置においてそれぞれ前記上面と前記底面とを接続する一対の側面とを有する磁極先端部と、b前記磁極先端部の両側に前記平坦上面と平行にそれぞれ形成されると共に、前記エアベアリング面から第1の距離だけ離れた位置において前記磁極先端部の各側面から前記クロストラック方向へと第2の距離だけ延びるフロントエッジをそれぞれ有する一対の主磁極表面と、c前記磁極先端部の各側面から前記クロストラック方向に前記第2の距離を隔てた位置において、前記フロントエッジを基点として前記エアベアリング面と垂直な方向にそれぞれ延びると共に、前記第1の平面よりも前記エアベアリング面と反対側に位置し前記第1の平面と平行に延在する第2の平面においてそれぞれ終端する一対の第1の主磁極側面longsideと、d前記第1の平面と前記第2の平面との間において前記主磁極表面と前記平坦上面とをそれぞれ接続する一対の第2の主磁極側面sideofthemainpoleとを含み、前記磁極先端部の前記底面は、前記リーディング側テーパ面に沿って前記エアベアリング面と前記主磁極表面の前記フロントエッジに対応する位置との間に形成された第1の領域と、前記一対の主磁極表面によって挟まれた領域においてこの一対の主磁極表面と接しつつ共面をなすと共に、前記フロントエッジに対応する位置から前記第1の平面へと延びる第2の領域とを含む垂直磁気記録ヘッド。さらに、前記磁極先端部の前記上面と隣接するスピントルク発振器と、前記スピントルク発振器よりも前記磁極先端部の前記上面とは反対側に形成されたトレーリングシールドと、を備えた請求項8に記載の垂直磁気記録の記録ヘッド。さらに、前記トレーリングシールドに接続され、前記磁極先端部の両側に形成されたサイドシールド構造を備えた請求項9に記載の垂直磁気記録の記録ヘッド。前記リーディング側テーパ面が、前記エアベアリング面に対して、20度から60度のテーパ角を有する請求項8に記載の垂直磁気記録の記録ヘッド。前記トレーリング側テーパ面が、前記エアベアリング面に対して、10度から45度のテーパ角を有する請求項8に記載の垂直磁気記録の記録ヘッド。前記トレーリング側テーパ面と前記リーディング側テーパ面との間の前記第1の平面に沿った距離が、前記磁極先端厚さ以上である、請求項8に記載の垂直磁気記録の記録ヘッド。前記ネックハイト相当距離が40nmから100nmであり、前記磁極先端厚さが40nmから100nmである請求項8に記載の垂直磁気記録の記録ヘッド。エアベアリング面に位置するトリミングされた磁極先端面と、前記磁極先端面のトレーリングエッジに接続された平坦上面と、リーディング側テーパ面によって前記磁極先端面のリーディングエッジに接続された平坦底面とを有する主磁極層を備えた垂直磁気記録ヘッドの製造方法であって、a基体の上に、第1の絶縁層と、上面を有するエッチングストップ層と、上面を有する第2の絶縁層とを順次成膜し、前記第1および第2の絶縁層に、前記上面と直交する第1の平面に沿った前側面を形成する工程と、b前記第2の絶縁層に、前記第2の絶縁層の上面と前記エッチングストップ層の前記上面とを接続するテーパ面を、前記エッチングストップ層の前記上面との連結部が前記第2の絶縁層の前記上面との連結部よりも前記第1の平面から遠くに位置するように形成する工程と、c前記第1および第2の絶縁層ならびに前記エッチングストップ層の各上面における露出部分と前記第2の絶縁層の前記テーパ面の上に、前記第2の絶縁層の前記上面の上方に前側領域を有する前記主磁極層を成膜し、この主磁極層に前記平坦上面を形成する工程と、d前記主磁極層の前記平坦上面から、前記第1の平面と平行なフロントエッジを有すると共に前記第2の絶縁層の前記テーパ面と交わる主磁極表面にまで達するミリング深さでイオンミリング処理を行うことにより、前記主磁極層のうち、前記前側領域の一部と前記テーパ面の上方領域の一部とをトリミングする工程と、eラッピング処理を行うことにより、前記主磁極層の前記前側領域を除去することにより、前記エアベアリング面に沿った前記磁極先端面と、前記平坦上面の一部である上面と、この上面と底面とを接続する一対の側面とを有する磁極先端部を形成する工程とを含み、前記底面が、前記リーディング側テーパ面の一部である前記テーパ面に沿って前記エアベアリング面と前記主磁極表面の前記フロントエッジとの間に形成された第1の領域と、前記主磁極表面と共面をなしつつ前記テーパ面から前記第1の平面へと延びる第2の領域とを含むようにする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記リーディング側テーパ面が、前記エアベアリング面に対して、20度から60度のテーパ角を有する請求項15に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極先端部の前記上面を、前記エアベアリング面と前記第1の平面との間において40nmから100nmのネックハイト相当距離にわたって延びるように形成する請求項15に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記ミリング深さを、前記リーディングエッジと前記トレーリングエッジとの間の前記エアベアリング面に沿った距離である磁極先端厚さ以上にする請求項15に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。さらに、前記イオンミリング処理を行う前に、平坦化した前記主磁極層の上に、スピントルク発振器の積層構造を成膜する工程を含み、前記イオンミリング処理により前記スピントルク発振器と前記磁極先端部とを同時にトリミングすることにより、前記スピントルク発振器のクロストラック方向における幅を前記磁極先端面のトラック幅と等しくする請求項15に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。エアベアリング面に位置するトリミングされた磁極先端面と、トレーリング側テーパ面によって前記磁極先端面のトレーリングエッジに接続された平坦上面と、リーディング側テーパ面によって前記磁極先端面のリーディングエッジに接続された平坦底面とを有する主磁極層を備えた垂直磁気記録ヘッドの製造方法であって、a基体の上に、第1の絶縁層と、上面を有するエッチングストップ層と、上面を有する第2の絶縁層とを順次成膜し、前記第1および第2の絶縁層に、前記上面と直交する第1の平面に沿った前側面を形成する工程と、b前記第2の絶縁層に、前記第2の絶縁層の上面と前記エッチングストップ層の前記上面とを接続するテーパ面を、前記エッチングストップ層の前記上面との連結部が前記第2の絶縁層の前記上面との連結部よりも前記第1の平面から遠くに位置するように形成する工程と、c前記第1および第2の絶縁層ならびに前記エッチングストップ層の各上面における露出部分と前記テーパ面の上に、前記第2の絶縁層の前記上面の上方に前側領域を有する前記主磁極層を成膜し、この主磁極層に前記平坦上面を形成する工程と、d第1のイオンミリング処理を行うことにより、前記主磁極層の前記平坦上面の一部と、前記エアベアリング面の前記トレーリングエッジとの間に、トレーリング側テーパ面を形成する工程と、e前記主磁極層の前記トレーリング側テーパ面から、前記第1の平面と平行なフロントエッジを有すると共に前記第2の絶縁層の前記テーパ面と交わる主磁極表面にまで達するミリング深さで第2のイオンミリング処理を行うことにより、前記主磁極層のうち、前記前側領域の一部と前記テーパ面の上方領域の一部とをトリミングする工程と、fラッピング処理を行うことにより、前記主磁極層の前記前側領域を除去することにより、前記エアベアリング面に沿った前記磁極先端面と、前記トレーリング側テーパ面の一部である上面と、この上面と底面とを接続する一対の側面とを有する磁極先端部を形成する工程とを含み、前記磁極先端部の前記底面が、前記リーディング側テーパ面の一部である前記テーパ面に沿って前記エアベアリング面と前記主磁極表面の前記フロントエッジとの間に形成された第1の領域と、前記主磁極表面と共面をなしつつ前記テーパ面から前記第1の平面へと延びる第2の領域とを含むようにする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記リーディング側テーパ面が、前記エアベアリング面に対して、20度から60度のテーパ角を有する請求項20に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記トレーリング側テーパ面が、前記エアベアリング面に対して、10度から45度のテーパ角を有する請求項20に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極先端部の前記上面を、前記エアベアリング面と前記第1の平面との間において40nmから100nmのネックハイト相当距離にわたって延びるように形成する請求項20に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記ミリング深さを、前記リーディングエッジと前記トレーリングエッジとの間の前記エアベアリング面に沿った距離である磁極先端厚さ以上にする請求項20に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。さらに、前記第1のイオンミリング処理を行ったのち前記第2の前記イオンミリング処理を行う前に、前記主磁極層の前記トレーリング側テーパ面の上に、スピントルク発振器の積層構造を成膜する工程を含み、前記第2のイオンミリング処理により前記スピントルク発振器の積層構造と前記磁極先端部とを同時にトリミングすることにより、前記スピントルク発振器のクロストラック方向における幅を前記磁極先端面のトラック幅と等しくする請求項20に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。しかしながら、MAMR用途において、50nmに迫るトラック幅を有する狭い主磁極と、その上部に設けられて同様の幅を有するスピントルク発振器とを作製することが可能な従来技術の方法は見当たらない。加えて、サイドトラック消去を最小限に抑えつつ、エアベアリング面において大きな磁界を得ることが可能な幅の狭い主磁極/STO構造が求められている。本発明の目的は、高い記録磁界を生成可能な狭小幅の垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、高い記録磁界を生成可能でありながら、サイドトラック消去を最小限化し得る垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、高い記録磁界を生成可能でありながら隣接トラックに対するフリンジ磁界を抑制することができる、マイクロ波アシスト磁気記録MAMRが可能な垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。上記の目的は、以下のような構成の本発明の垂直磁気記録ヘッドにより達成される。本発明の第1の観点に係る垂直磁気記録ヘッドは、磁極先端部のトレーリングエッジにおいてエアベアリング面と直交する平坦上面と、この平坦上面と平行に形成された平坦底面と、磁極先端部のリーディングエッジから平坦底面へと延びるリーディング側テーパ面とを有する主磁極層を備える。主磁極層は、磁極先端部のほかに、一対の主磁極表面と、一対の第1の主磁極側面と、一対の第2の主磁極側面とを備える。磁極先端部は、エアベアリング面に沿って形成されたトレーリングエッジおよびリーディングエッジを含む磁極先端面と、上面と、底面と、一対の側面とを有する。磁極先端面におけるトレーリングエッジの幅はトラック幅を画定し、トレーリングエッジとリーディングエッジとの間の第1の距離が磁極先端厚さを規定する。磁極先端部の上面は主磁極層の上面と同一平面上に位置し、エアベアリング面上のトレーリングエッジを含む。磁極先端部の一対の側面は、エアベアリング面からこれと直交する方向にネックハイト相当距離だけ後方に延び、エアベアリング面と平行な第1の平面の位置で終端する。磁極先端部の底面は、エアベアリング面に隣接して主磁極のリーディング側テーパ面の一部をなす第1の領域と、磁極先端部の上面と平行に形成され、第1の領域と第1の平面とを接続する第2の領域とを有する。一対の主磁極表面は、磁極幅トリミングのためのイオンミリング処理を行うことにより、磁極先端部の両側に、磁極先端部の底面における第2の領域と共面となる同一平面上にあるように形成される。この主磁極表面は、リーディング側テーパ面と底面の第2の領域との接続部から第1の主磁極側面長側面longsideまでクロストラック方向に第2の距離だけ延びるフロントエッジを有する。第1の主磁極側面は、フロントエッジからこれと直交するように後方に延び、第2の平面で終端する。この第2の平面は、第1の平面と平行であり、第1の平面よりもエアベアリング面とは反対側に位置する。主磁極における一対の第2の主磁極側面は、主磁極層の平坦上面と主磁極表面との間に形成される。この第2の主磁極側面は、例えば、第1の平面において90度よりも大きい角度で交わるように形成される。この場合、一対の第2の主磁極側面同士の距離は、磁極先端部が終端する位置にある第1の平面に沿った距離よりも、第2の主磁極側面が終端する位置にある第2の平面に沿った距離の方が大きくなる。第2の主磁極側面の高さ寸法、すなわち、主磁極層の平坦上面と主磁極表面との間の第1の平面に沿った距離は、磁極幅トリミングのためのイオンミリング処理におけるミリング深さより決まるが、この寸法は、磁極先端面におけるトレーリングエッジとリーディングエッジとの間の第1の距離磁極先端厚さ以上にするのが好ましい。本発明の第1の観点に係る垂直磁気記録ヘッドは、さらに、磁極先端部の上面側トレーリング側に隣接しトレーリングエッジとほぼ同じクロストラック幅を有するスピントルク発振器を備えてもよい。この垂直磁気記録ヘッドはまた、エアベアリング面からスピントルク発振器の上面に沿って延び、主磁極の上面の相当部分を占めるトレーリングシールドを含んでもよく、さらに、磁極先端部の各側面の近傍に位置するサイドシールドを設け、これにより隣接トラックに対するフリンジ磁界を抑制するようにしてもよい。サイドシールドは、例えば、トレーリングシールドに接続してもよい。本発明の第2の観点に係る垂直磁気記録ヘッドは、上記第1の観点に係る垂直磁気記録ヘッドの主磁極層を変形して、磁極先端部のトレーリングエッジから主磁極層の上面へと延びるトレーリング側テーパ面を含むようにしたものである。このトレーリング側テーパ面は、例えば、以下の3つの部分を有するように構成可能である。第1の部分は、磁極先端部の上面であり、エアベアリング面から第1の平面へと延びている。第2の部分は第1の平面から第2の平面へと延び、第3の部分は第2の部分と主磁極層の平坦上面とを接続している。マイクロ波アシスト磁気記録MAMR方式の垂直磁気記録ヘッドの場合には、トレーリング側テーパ面の第1の部分に沿ってスピントルク発振器を形成してもよい。また、このスピントルク発振器の上面、およびトレーリング側テーパ面の相当部分に沿ってトレーリングシールドを設け、このトレーリングシールドの、主磁極層に対向する面が、トレーリング側テーパ面に倣うようにすることが好ましい。さらに、磁極先端部の各側面の近傍に位置するサイドシールドを備えるようにしてもよい。本発明の第1の観点に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、以下の工程を含む。まず、基体の上に、第1の絶縁層と、エッチングストップ層と、第2の絶縁層とを順次成膜する。これらの第1および第2の絶縁層は、例えばアルミナより構成され、のちの工程において形成されるエアベアリング面とほぼ平行な共通の前側面を共有する。次に、第2の絶縁層に対して、例えば反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtch処理を用いたパターニングを行うことにより、上記前側面とは反対側にテーパ面を形成する。このテーパ面が形成される結果、エッチングストップ層と隣り合う領域にある第2の絶縁層の底面は、第2の絶縁層の上面よりも長く後方に延びるものとなる。次に、第2の絶縁層およびエッチングストップ層の露出部分の上に主磁極層を成膜し、その表面を平坦化したのち、第1のイオンビームミリング処理を行うことにより、第1および第2の絶縁層と主磁極層とからなる積層構造の前側面におけるクロストラック方向に沿って磁極先端部のトラック幅を画定する。イオンミリング処理は、前側面から十分な距離の後方位置まで行い、第2の絶縁層のテーパ面に沿った主磁極層の一部をもトリミングする。このときのイオンミリング深さは、エアベアリング面における磁極先端厚さ以上とするのが好ましい。次に、ラッピング処理を行い、第1および第2の絶縁層と主磁極層とからなる積層構造のうち、上記前側面に隣接する領域の積層構造部分を除去することにより、エアベアリング面を画定する。本発明の第2の観点に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、第1の観点に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法と同様の工程を含む。ただし、主磁極層を成膜した後、トラック幅を画定するミリング処理を行う前に、第1のイオンビームミリング処理が挿入される点で異なっている。第1のイオンビームミリング処理はトレーリング側テーパ面を形成するためのものであり、第2のイオンビームミリング処理はトラック幅を画定するためのものである。第2のイオンビームミリング処理におけるミリング深さは、エアベアリング面における磁極先端厚さ以上とするのが好ましい。本発明では、主磁極層の磁極先端部をミリング法を用いてトリミングすることによりトラック幅の画定が可能である。また、主磁極層が、リーディング側テーパ面、またはリーディング側テーパ面およびトレーリング側テーパ面の両方を有するように構成したことにより、磁極先端部がエアベアリング面において細くなるように構成可能である。本発明では、エアベアリング面における磁極先端部のトリミング幅を約50nmとすると共に、磁極先端部の後端部のミリング深さがエアベアリング面における磁極先端厚さ以上となるようにすることも可能である。これにより、サイドトラック消去を最小限化しつつ、約15000[Oe]=1.5×107/4π[A/m]という高い記録磁界Heffを実現することも可能である。本発明では、上記に加えてサイドシールドを設けることにより、隣接トラックに対するフリンジ磁界を抑制することも可能である。さらに、磁極先端部のトレーリング側にスピントルク発振器を設けることにより、マイクロ波アシスト磁気記録MAMRを行うことも可能である。本発明によれば、平坦上面と、この平坦上面と平行に形成された平坦底面と、磁極先端部のリーディングエッジから平坦底面へと延びるリーディング側テーパ面とを有する主磁極層を備えると共に、主磁極層が、磁極先端部のほかに、磁極先端部の両側にミリングにより形成される一対の主磁極表面と、一対の第1の主磁極側面と、一対の第2の主磁極側面とを備えるようにしたので、高い記録磁界を生成可能な狭小幅の垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を得ることができる。以下に挙げる各実施の形態は、ディスクドライブの磁気記憶媒体とともに用いられて、サイドトラック消去を最小としつつ狭トラック幅と高い記録ヘッド磁界とを実現する垂直磁気記録ヘッドに関するものである。その重要な特徴は、主磁極層が、少なくともリーディング側テーパ面と、磁極先端部に対して限定的に行われるイオンミリング工程により画定されるトラック幅とを有し、しかも磁極先端部のミリング深さがエアベアリング面における磁極先端厚さ以上になっている点にある。以下の各実施の形態では、例えば、マイクロ波アシスト磁気記録MAMRの用途を想定し、磁極先端部とトレーリングシールドとの間にスピントルク発振器STOを設けるようにしている。ただし、当業者であれば、本明細書で説明されるトリミングされた磁極先端部を有する主磁極構造は、広く、任意タイプのPMR記録ヘッドに用いることができ、高い記録ヘッド磁界をもたらしつつ約50nm以下の狭トラック幅を可能とする上で特に有益であることを理解することができるであろう。以下に述べる各実施の形態のPMR記録ヘッドは、トレーリングシールドに接続されたサイドシールドを有してもよい。なお、以下においては、リーディング側テーパ面、またはリーディング側テーパ面およびトレーリング側テーパ面の両方を有するとともに、イオンミリング法を用いて画定されるトラック幅を有する主磁極構造の形成方法についても併せて説明する。図2aは、本発明の第1の実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドの要部における斜視構造を表すものである。この垂直磁気記録ヘッドは、トリミングされた磁極先端面11pを有する主磁極層11を備えている。図2bは、主磁極層11を、磁極先端面11pと直交し主磁極層11の後方へと延びる面図示せずに沿った断面構造を表すものである。図3は主磁極層11の上面視構造を示す。なお、図2aおよび図3では、図面を簡略化し主磁極構造の重要な点を明確化すべく、絶縁層を含む周囲の層や上部のスピントルク発振器18およびトレーリングシールド14の図示を省略している。主磁極層11は、トレーリングエッジ11bにおいて磁極先端面11pに対して垂直に形成された平坦上面11tと、この平坦上面11tと平行に配置された底面11vとを有する。底面11vは、リーディング側テーパ面11nによって、磁極先端面11pのリーディングエッジ11aに接続されている。リーディング側テーパ面11nは、磁極先端面11pおよびエアベアリング面15-15図2bと平行な仮想平面20-20に沿った位置において底面11vと交わっている。なお、図2aでは、面20-20に沿った1つの交点12が図示されている。磁極先端面11pの厚さ方向サイズは、リーディングエッジ11aとトレーリングエッジ11bとの間の距離に等しく、約40nmから100nmである。主磁極層11の重要な特徴として磁極先端部が挙げられる。この磁極先端部は、磁極先端面11pからエアベアリング面15-15と直交する方向に延び、第1の仮想平面21-21に沿った位置において終端している。第1の平面21-21は、磁極先端面11pと平行であり、磁極先端部の両側に沿ったエッジ16bを含む。磁極先端部の両側に沿って、磁極先端面11pと第1の平面21-21とをつなぐ一対の側面11sが設けられている。この側面11sはまた、磁極先端領域の上面11tと、テーパ状の第1の領域11dを有する底面とを結んでいる。すなわち、磁極先端部の底面は、リーディング側テーパ面11nに沿ってリーディングエッジ11aから主磁極表面11c後述のエッジ13まで延びる第1の領域11dと、この第1の領域11dの後方につながる第2の領域11gとを有する。なお、エッジ13は、第1の領域11dが主磁極表面11cのフロントエッジ11f後述と交わるエッジである。後述するように、主磁極表面11cは、トラック幅トレーリングエッジ11bの幅を画定するイオンミリング処理の際に磁極先端部の両側に形成される一対の平坦面である。磁極先端部の底面における第2の領域11gは、一対の側面11sと一対の主磁極表面11cとがそれぞれ交わる一対のエッジライン間に形成される、上面11tと平行な平坦面である。すなわち、磁極先端部の底面における第2の領域11gは、主磁極表面11cと共面をなす同一平面内に位置するとともに、一対の側面11sの間、およびエッジ13の位置と、第1の平面21-21に沿った磁極先端部の後端部との間の位置に形成されている。なお、この点については、図3を参照して後述する。本実施の形態のPMR記録ヘッドは、例えば、MAMRの用途に用いられるものである。この場合には、図2bに示したように、主磁極層11の上面11tに接するとともにエアベアリング面15-15から所定距離だけ後方に延びるスピントルク発振器18が設けられ、さらに、このスピントルク発振器18よりも主磁極層11とは反対側にトレーリングシールド14とが設けられる。スピントルク発振器18は、例えば磁極先端部と同様に、エアベアリング面15-15からネックハイトNH:NeckHeightと同じ距離ネックハイト相当距離だけ後方に延び、第1の平面21-21に沿ったエッジ16bにおいて終端している。トレーリングシールド14は、スピントルク発振器18のトレーリング側において主磁極層11に対向するように形成された表面14sを有する。ここで、スピントルク発振器18のトレーリング側とは、主磁極層11の上面11tと向かい合う側として定義される。重要な特徴として、約15000[Oe]=1.5×107/4πA/mという十分に高いヘッド磁界を発生させるために、リーディング側テーパ面11nとエアベアリング面15-15との間のテーパ角βが20度~60度、好ましくは30度~60度の角度を有することが挙げられる。図8は、図2bに示した主磁極層11におけるテーパ角βと媒体における記録磁界Heffとの関係、およびテーパ角βと磁界生成層FGL:FieldGenerationLayerにおけるギャップ磁界Hgapとの関係を示す図である。なお、ギャップ磁界は、ボトム型STO構造図示せずを有するスピントルク発振器18について求めた。このボトム型STO構造は、磁極先端部のトレーリングエッジ11b側、すなわちトレーリング側上面11tに、下層から上層に向かって、シード層、スピン注入層SIL:SpinInjectionLayer、スペーサ層および磁界生成層を順次形成したものである。記録磁界Heffは、以下の式1により表される有効ヘッド磁界として定義される。これは、エアベアリング面から媒体方向に17.5nmだけ離れた位置で算出されたものである。ギャップ磁界Hgapは、磁極先端部の上面11tからスピントルク発振器18の中心位置上面11tとトレーリングシールド14との中点までの距離を25nmとした場合について算出されたものである。Heff=Hin23Hy2332...1ここで、HinおよびHyは、それぞれ、媒体に対するヘッド磁界の面内成分および垂直成分である。テーパ角βが0度の場合、その記録磁界は7000[Oe]=7×106/4πA/mを下回る。これは、垂直磁気記録媒体に対して書き込みを行うには弱すぎるものである。リーディングエッジ側にテーパを形成してリーディング側テーパ面11nを設けたことにより、記録磁界図8の曲線50は、テーパ角βが増すにつれて増加し、テーパ角βの角度が40度である場合には、15000[Oe]=1.5×107/4πA/mに達した。これは、現在の垂直磁気記録媒体の常温での異方性磁界に相当するものである。したがって、第1の実施の形態に係る主磁極層11は、約50nm以下の狭いトラック幅を有しつつ、十分かつ大きな記録磁界とギャップ磁界図8の曲線51とをもたらすことが可能となっている。図2bの断面図には、磁極先端面11pをトリミングするイオンミリング工程によって生じたミリング深さが示されている。本実施の形態において、エッジ16bは、第1の平面21に沿って形成されるとともに、エアベアリング面15からの距離と同じ距離だけスピントルク発振器18の後端面から離れている。なお、スピントルク発振器18の後端面は、エアベアリング面15とは反対側に形成される面である。ミリング深さは、主磁極表面11c図2aと同一平面内にある破線16a第2の領域11gと上面11tとの間の距離として定義される。なお、エアベアリング面15-15におけるリーディングエッジ11aとトレーリングエッジ11bとの間の距離である磁極先端面11pの厚さ磁極先端厚さは、ミリング深さよりも小さくなっている。すなわち、本実施の形態では、磁極先端部の底面における、主磁極表面11cと共面をなす第2の領域11gと上面11tとの間のエッジ16bに沿った距離は、磁極先端厚さよりも大きくなっている。なお、この磁極先端厚さは、例えば40nm~100nm程度とされる。なお、図示しない他の実施の形態として、ラッピング法を用いて、破線16aとリーディング側テーパ面11nとの交点位置にエアベアリング面15を形成するようにした場合には、ミリング深さが磁極先端厚さとほぼ等しくなる。側面11sに接する主磁極表面11cは、エアベアリング面15から距離mだけ離間してエアベアリング面15-15と平行にクロストラック方向に形成されたフロントエッジ11fを有する図3。距離mは、テーパ角βに応じて変化するものである。主磁極表面11cは、フロントエッジ11fと第1の平面21-21との間の側面11sと、第1の平面21-21と第2の平面22-22との間の側面第2の主磁極側面11rとによって画定されている。フロントエッジ11fは、側面11sからy軸方向に沿ってすなわち、エアベアリング面15-15に平行に距離vだけ延び、トラック幅を規定するイオンミリング処理の際に磁極先端幅から除去される全除去幅の半分に相当する。主磁極表面11cは、y軸エアベアリング面15に対して垂直と平行にフロントエッジ11fから第2の平面22-22へと延びて交点17で終端する長側面第1の主磁極側面11eを有する。側面11sと側面11rとのなす角度αは、90度よりも大きく180度未満であることが好ましい。一対の側面11sと、磁極先端面11pと、第1の平面21-21とにより画定される磁極先端部は、エアベアリング面15から距離h1の位置まで延びている。この距離h1が事実上のネックハイトNH相当距離である。第1の平面21-21と第2の平面22-22との間の距離h2は0~70nm程度である。したがって、主磁極表面11cの長側面11eの長さは、h1h2-mと等しくなっている。なお、ネックハイトNHは、例えば約40nm~100nmの範囲とするのが好ましく、例えば約70nm程度に設定される。また、スピントルク発振器18図2bの奥行きサイズエアベアリング面15から後端部までの距離以上であることが好ましい。図4は本発明の第2の実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドの要部を表すものであり、主磁極層11およびその周辺構造をエアベアリング面15ー15図2b、図3から見た図である。本実施の形態は、図4に示すように、図2bに示したPMRヘッド構造にサイドシールド28を追加したものである。それ以外については、第2の実施の形態は、第1の実施の形態に係る主磁極層11の特徴をすべて保っている。当業者により理解されるように、サイドシールドを追加することは、フリンジ磁界を抑制し、これによりサイドトラック消去を最低限に抑える上で有益である。一対のサイドシールド28は、それぞれ、z軸方向ダウントラック方向に沿ってトレーリングシールド14から基体8第2の絶縁層にまで完全に延びるサイドシールド完全サイドシールド構造であることが好ましい。この場合、リーディングエッジ11aは、各サイドシールド28と基体8との界面とほぼ同じ平面上に位置する。本実施の形態では、磁極先端部の側面11sが、リーディングエッジ11aに対して90度の角度δを有して形成されている場合が示されているが図4、周知のスキュー効果を補正するために、角度δを、例えば90度から100度図示せずとしてもよい。その場合には、x軸方向に沿ったトレーリングエッジ11bの長さトラック幅は、リーディングエッジ11aの長さよりも大きくなる。ただし、角度δが90度である実施の形態の場合であっても、リーディング側テーパ面11nのテーパ角βが増加するにつれて、サイドトラック消去の発生は適切に制御される。スピントルク発振器18は、磁極先端面11pと自己整合的に形成されていることが好ましい。サイドギャップ29は、絶縁材料を用いて構成され、側面11sおよびスピントルク発振器18を、サイドシールド28から分離している。なお、本実施の形態では、サイドシールド28が完全サイドシールド構造を有しているが、部分サイドシールド図示せず構造を有するようにしてもよい。部分サイドシールド構造の場合、サイドシールド28は、トレーリングシールド14と接するものの、磁極先端部の側面11sの全長にわたって延びているわけではない。ただし、フリンジ磁界を制御する上では、完全サイドシールド構造が好ましい。図10は、主磁極層11のフリンジ磁界を抑制する上でのサイドシールド構造の有効性を示している。曲線55は、第1の実施の形態の主磁極層11により生じた記録磁界のクロストラック方向のプロファイルを表している。曲線54は、本発明の第2の実施の形態として説明した完全サイドシールド構造を設けた場合におけるフリンジ磁界が減少する様子を示している。曲線54は、磁極先端部から約0.08μm以上離れたクロストラック方向の各位置において、記録磁界が大幅に減少することを示している。図5aは、本発明の第3の実施の形態の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層31の斜視構造を表すものであり、図5bは、主磁極層31を、エアベアリング面35-35と直交する面に沿って見たときの断面図である。図6は、主磁極層31の上面図である。なお、図5aおよび図6では、トレーリングシールド34とスピントルク発振器38とを含む上部層は図示を省略している。図5aに示すように、主磁極層31は、平坦な上面31uを有している。この上面31uは、トリミングされた磁極先端面31pが位置するエアベアリング面35に至るまで延びているわけではなく、トレーリング側テーパ面31tによって、磁極先端面31pのトレーリングエッジ31bに接続されている。トレーリング側テーパ面31tは、第1の部分31t1、第2の部分31t2、および第3の部分31t3を含んでいる。主磁極層31はまた、上面31uと平行に配置されるとともにリーディング側テーパ面31nによってリーディングエッジ31aに接続された底面31vを有している。すなわち、主磁極層31はリーディング側テーパとトレーリング側テーパの両方を有する。リーディング側テーパ面31nと底面31vとは、磁極先端面31pに平行な平面40-40に沿った位置で交わっている。交点32は、リーディング側テーパ面31nと交わる平面40-40において図5aの斜視図から見ることが可能な唯一の部分である。トレーリング側テーパは、リーディングテーパ部と同様に、記録磁界Heffとギャップ磁界Hgapとをさらに向上させるものであり、記録磁界Heffはトレーリング側テーパ面31tのテーパ角β図5bが増すにつれて増加する。この第3の実施の形態は、第1の実施の形態の主磁極層11における、磁極先端面11pが位置するエアベアリング面15ー15に至るまで延びる平坦上面11tに代えてトレーリング側テーパ面31tを用いた変形例であるといえる。本実施の形態の重要な特徴として、磁極先端部が挙げられる。この磁極先端部は、磁極先端面31pから、エアベアリング面35と直交する方向に延びるとともに、第1の平面41-41図6に沿った位置において終了している。第1の平面41-41は、磁極先端面31pと平行であり、磁極先端面31pの両側に沿ったエッジ36bを含んでいる。磁極先端面31pと第1の平面41-41との間には、これらの面間を結ぶ2つの側面31sが設けられている。この側面31sはまた、磁極先端部の上面と、底面の一部をなすテーパ状の第1の領域31dとを結んでいる。この第1の領域31dは、リーディング側テーパ面31nに沿ってリーディングエッジ31aからエッジ33まで延び、このエッジ33において主磁極表面31cのフロントエッジ31f後述と交わっている。後述するように、主磁極表面31cは、トラック幅トレーリングエッジ31bの幅を画定するイオンミリング処理の際に磁極先端部の両側に形成される平坦面である。磁極先端部の底面はまた、第2の領域31gを含んでいる。この第2の領域31gは、主磁極表面31cと共面をなす平坦面であり、側面31sと主磁極表面31cとが交差する位置の一対のエッジラインの間に形成される。すなわち、この第2の領域31gは、一対の側面31sの間であって、エッジ33と、第1の平面41-41に沿った磁極先端部の後端部との間に形成されている。なお、この点については図6を参照して後述する。本実施の形態のPMR記録ヘッドは、例えば、MAMRの用途に用いられるものである。この場合には、主磁極層31の上面31tに接しつつエアベアリング面35-35から所定距離だけ後方に延びるスピントルク発振器STO38と、トレーリングシールド34とが設けられる。このスピントルク発振器38は、エアベアリング面35-35から、例えば、ネックハイトと同じ距離だけ延び、エッジ36bにおいて終端するように配置されるが、エアベアリング面35-35からネックハイトNHに満たない距離だけ延びるようにしてもよい。トレーリングシールド34は、主磁極層31に対向するとともに、スピントルク発振器38のトレーリング側に形成された表面34sを有する。ここで、スピントルク発振器38のトレーリング側とは、主磁極層31の上面31tと向かい合う側として定義される。本実施の形態の重要な特徴として、十分に高いヘッド磁界を発生させるために、リーディング側テーパ面31nと、エアベアリング面35-35との間のテーパ角βが、20度から60度、好ましくは30度よりも大きい角度を有することが挙げられる。リーディングテーパ角βが0度の場合、その記録磁界は7000[Oe]=7×106/4πA/mを下回る。これは、垂直磁気記録媒体に対して書き込みを行うには弱すぎるものである。一方、リーディング側テーパ面31nとトレーリング側テーパ面31tとを設けた場合、記録磁界は、リーディングテーパ角βおよびトレーリングテーパ角σが増すにつれて増加する。記録磁界は、リーディングテーパ角βの角度が20度から60度、トレーリングテーパ角σの角度が10度から45度である場合に、現在の垂直磁気記録媒体の常温における異方性磁界15000[Oe]=1.5×107/4πA/mに達する。したがって、主磁極層31は、約50nm以下の狭いトラック幅を有しつつ、十分かつ大きな記録磁界Heffとギャップ磁界Hgapとをもたらすことが可能となっている。トレーリングテーパ角σは、10度から45度であることが好ましく、このトレーリングテーパ角σが増すに伴い、より大きな記録磁界Heffが得られる。図5bには、磁極先端面31pをトリミングするイオンミリング工程によって生じたミリング深さが示されている。このイオンミリングは、下側の破線36a、左側の破線36b、上側の破線36c、および右側のエアベアリング面35-35により囲まれた矩形部において行われる。エッジ36b1図5aは、トレーリング側テーパ面31tと、破線36aとの間に形成された2本の破線36bのうちの一方である。エッジ36b1および破線36aは、エアベアリング面35-35からネックハイトNHの距離本実施の形態では、エアベアリング面35-35からスピントルク発振器38の後端部までの距離と同じだけ離れて形成されている。ミリング深さは、トレーリング側テーパ面31tと破線36aとの間のエッジ36bに沿った距離として定義される。なお、破線36aは、主磁極表面31c図5aと同一平面上に位置し、エアベアリング面35-35における磁極先端面31pの厚さは、ミリング深さ未満である。図示しない他の実施の形態として、ラッピング法を用いて、エアベアリング面35-35を破線36aとリーディング側テーパ面31nとの交点の位置に形成する場合、ミリング深さは、エアベアリング面35における磁極先端面31pの厚さとほぼ等しくなる。側面31sに隣接する主磁極表面31cは、エアベアリング面35から距離mだけ離間した位置にエアベアリング面35-35と平行に形成されたフロントエッジ31fを有する。距離mは、リーディングテーパ角σに応じて変化するものである。主磁極表面31cは、フロントエッジ31fと第1の平面41-41との間の側面31sと、第1の平面41-41と第2の平面42-42との間の側面第2の主磁極側面31rとによって部分的に画定されている。フロントエッジ31fは、側面31sからy軸方向に沿ってすなわち、エアベアリング面35-35と平行に距離vだけ延びている。この距離vは、トラック幅を規定するイオンミリング処理の際に磁極先端幅から除去される全除去幅の半分に相当する。主磁極表面31cは、y軸エアベアリング面35に対して垂直と平行にフロントエッジ31fから第2の平面42-42へと延びて交点37で終端する長側面第1の主磁極側面31eを有する。側面31sと側面31rとのなす角度αは、90度よりも大きく180度未満であることが好ましい。一対の側面31sと、磁極先端面31pと、第1の平面41-41とにより画定される磁極先端部は、エアベアリング面35から距離h1ネックハイトNH=約40nmないし100nmの位置まで延びている。第1の平面41-41と第2の平面42-42との距離h2は0から70nmである。したがって、主磁極表面31cの長側面31eの長さは、h1h2-mと等しくなっている。図6に示したように、トレーリング側テーパ面31tの第1の部分31t1は、エアベアリング面35-35と第1の平面41-41との間に位置し、第2の部分31t2は、第1の平面41-41と第2の平面42-42との間に形成されている。第3の部分31t3は、第2の部分31t2と上面31u図5aとを接続している。図7は、本発明の第4の実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドの要部を表すものであり、主磁極層31およびその周辺構造をエアベアリング面35-35図5b、図6から見た図である。本実施の形態は、図7に示すように、図5bに示したPMRヘッド構造にサイドシールド43を追加したものである。それ以外については、第4の実施の形態は、第3の実施の形態に係る主磁極層31の特徴をすべて保っている。前述したように、サイドシールドを追加することは、フリンジ磁界を抑制し、これによりサイドトラック消去を最低限に抑える上で有益である。一対のサイドシールド43は、それぞれ、z軸方向ダウントラック方向に沿ってトレーリングシールド34から基体48第2の絶縁層にまで完全に延びるサイドシールド完全サイドシールド構造であることが好ましい。この場合、リーディングエッジ31aは、各サイドシールド43と基体48との界面とほぼ同一平面上に位置する。本実施の形態では、磁極先端の側面31sが、リーディングエッジ31aに対してほぼ垂直に形成されている場合が示されているが図6、x軸クロストラック方向におけるトレーリングエッジ31bの長さがリーディングエッジ31aの長さよりも大きくなるように、側面31sの角度を90度から100度の範囲において傾斜させることにより書き込み処理の際のスキュー効果の克服に寄与するようにしてもよい。ただし、側面31s垂直サイドウォールを有する実施の形態の場合であっても、リーディングテーパを有することに起因して、サイドトラック消去の発生は適切に制御される。スピントルク発振器38は、磁極先端面31pに対して自己整合的に形成されていることが好ましい。サイドギャップ39は、絶縁材料を用いて構成され、側面31sおよびスピントルク発振器38を、サイドシールド43から分離している。なお、本実施の形態では、サイドシールド43が完全サイドシールド構造を有しているが、部分サイドシールド図示せずを有するようにしてもよい。部分サイドシールド構造の場合、サイドシールド43は、トレーリングシールド34と接するものの、磁極先端部の側面31sの全長にわたって延びているわけではいない。ただし、フリンジ磁界を制御する上では、完全サイドシールド構造が好ましい。図9は、第1および第3の実施の形態の主磁極層31における、書き込み電流の関数としての記録磁界Heffを示すプロット図である。トレーリング側テーパ面31tとリーディング側テーパ面31nとを備える主磁極層31は、同一の書き込み電流において、第1の実施の形態曲線52に係る主磁極層11よりも飛躍的に大きな記録磁界Heff曲線53を生成し得ることが容易に理解されるであろう。なお、ここでは、リーディングテーパ角σが40度の場合についてプロットした。また、曲線53は、トレーリングテーパ角σを30度とした場合のプロットである。図11は、第3の実施の形態に係る主磁極層31にサイドシールドを追加することによりフリンジ磁界の抑制効果が増加することを示している。曲線57は、サイドシールドを設けていない場合第3の実施の形態の主磁極層31におけるクロストラック方向のプロファイルを表し、曲線56は、サイドシールドを有する場合第4の実施の形態の主磁極層31におけるクロストラック方向のプロファイルを表している。曲線56は、磁極先端から約0.08μm以上離れたクロストラック方向の各位置において、記録磁界が大幅に減少することを示している。次に、上記各実施の形態の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の製造方法について説明する。主磁極層は、少なくともリーディング側テーパ面を有すると共にミリング深さがエアベアリング面における磁極先端厚さ以上となるようにトリミングされた磁極幅を有するものである。図12~図14は、上記第1のおよび第2の実施の形態に係る主磁極層11を形成するための各工程を示す図である。まず、図12に示すように、基体図示せずの上に、化学気相成長法CVD:ChemicalVaporDepositionや物理気相成長法PVD:PhysicalVaporDeposition等の方法を用いて、例えばアルミナ等よりなる第1の絶縁層6を成膜する。次に、この第1の絶縁層6の上に、周知の方法を用いて、例えばルテニウムRuよりなるエッチングストップ層7と、アルミナまたは他の絶縁材料よりなる第2の絶縁層8とを順次成膜する。第1の絶縁層6および第2の絶縁層8は、共通の前側部を有する。この共通の前側部は、のちの工程においてエアベアリング面が形成されることとなる位置に近接する平面19-19に沿って形成される。上面8sの上に、図示しないフォトレジストをコーティングしたのち、このフォトレジストを、標準的なリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、フォトレジストパターンを形成する。次に、このフォトレジストパターンを、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtch処理を用いて、第2の絶縁層8に角度をもたせるようにして転写することにより、上述したテーパ角βを有するリーディング側テーパ面11nを形成する。この段階ではエアベアリング面が形成されていないため、テーパ角βを、面70-70に対する角度として図示している。この平面70-70は、平面19-19と平行に延び、上面8sにおいてリーディング側テーパ面11nの上縁部と交わる面である。エッチングストップ層7は、上述した反応性イオンエッチング処理が第1の絶縁層6に達するまで行われることを阻止する。すなわち、反応性イオンエッチング処理はエッチングストップ層7において終了する。リーディング側テーパ面11nは、第2の絶縁層8の底面とエッチングストップ層7との界面が平面19-19から距離fの位置にまで延びるように傾斜している。この距離fは、平面19-19と平面70-70との間の距離上面8sの長さよりも大きくなっている。また、エッチングストップ層7の上面7sの所定領域は露出している。図13は、図12に続く工程を示す、平面19-19と直交する面から見た断面図である。上述した反応性イオンエッチング工程の際に使用したフォトレジストパターンを除去したのち、上面7sおよび上面8sの上に、第2のフォトレジストパターン図示せずを形成する。これらの上面7sおよび上面8sは、のちの工程において主磁極層が成膜されることとなる場所を画定する開口部を有している。次に、このフォトレジストパターンの開口部の内部における上面7s、リーディング側テーパ面11nおよび第2の絶縁層8の上面8sの上に、例えば電気メッキ法を用いて、CoFeまたはその合金などの磁性層よりなる主磁極層11を成膜する。但し、主磁極層11を成膜する前に、上面7s、リーディング側テーパ面11nおよび第2の絶縁層8の上面8sの上にシード層を成膜してもよい。次に、化学機械研磨CMP:ChemicalMechanicalPolish処理を行い、上面7sと平行である平坦上面11tを形成したのち、図示しない第2のフォトレジストパターンを除去する。主磁極層11は、上面8sの上部に平面19-19に沿って前部11kを有している。次に、イオンビームミリング処理を用いて、主磁極層11のうち、前部11kの一部とリーディング側テーパ面11nの上部の一部とをトリミングする。その際、例えば、上面11tの上に、フォトレジストパターン図示せずを形成することにより、イオンミリングによる除去対象ではない主磁極層11の領域を保護するようにする。このフォトレジストパターンは、イオンミリング処理の完了後に除去される。ミリング深さt1は、上面11tと破線16aとの間のダウントラックz軸方向における破線16bの長さに相当する。上述したように、破線16aは、主磁極表面11c図示せずと同一平面上に位置するとともに、リーディング側テーパ面11nと交わっている。したがって、主磁極層11をトリミングするために用いられるイオンミリング処理は、破線16a、破線16b、上面11tおよび面19-19によって囲まれた矩形部の内部で行われる。図14は、ラッピング処理を行うことによりエアベアリング面15-15を画定した後の主磁極層11を示す図である。主磁極層11の前部11kを除去し、リーディング側テーパ面11nと上面11tとを接続する磁極先端面11pを形成する。ここで、重要な点として、エアベアリング面15ー15における磁極先端面11pの厚さt3がミリング深さt1以下であることが挙げられる。上述したように、エアベアリング面15-15が、破線16aとリーディング側テーパ面11nとの交差部と重なるようにした場合には、条件t1=t3が満たされる。次に、例えば、1つ以上の絶縁層図示せずを成膜することにより、主磁極層11に隣接するサイドギャップとライトギャップとを形成する。次に、当業者に周知の方法を用いて、例えば、トレーリングシールド、またはトレーリングシールドとサイドシールドとを有するシールド構造図示せずを成膜する。例えば、マイクロ波アシスト磁気記録MAMRに用いられる垂直磁気記録ヘッドを製作する場合には、平坦上面11tを形成する化学機械研磨CMP処理を行ったのち、破線16bと面19-19との間の上面11tの上に、周知の一連の工程を用いて、スピントルク発振器図示せずを形成し、続いて、イオンミリング処理の際にスピントルク発振器と主磁極層11とを同時にトリミングすることにより、いわゆる自己整合構造を有するスピントルク発振器を形成する。次に、ラッピング処理を行うことにより、主磁極層11の前部11kの上部におけるスピントルク発振器の前部分を除去する。これにより、スピントルク発振器は、トレーリングエッジ11bの上方のエアベアリング面15-15に前側部図示せずを有するようになる。次に、リーディング側テーパ面31nとトレーリング側テーパ面31tの両方を有する主磁極層31第3および第4の実施の形態を形成するための製造プロセスについて、図15~図18を参照して説明する。図15に示すように、まず、基体図示せずの上に、第1の絶縁層46と、エッチングストップ層47と、第2の絶縁層48とを順次成膜する。第1の絶縁層46および第2の絶縁層48は、例えばアルミナまたは他の絶縁材料からなり、共通の前側部を有する。この共通の前側部は、のちの工程においてエアベアリング面が形成されることとなる位置に近接する面49-49に沿って形成されるものである。次に、上記第1の実施の形態図12と同様にして、フォトレジストパターニング処理および反応性イオンエッチング処理を行うことにより、第2の絶縁層48の上に、リーディング側テーパ面31nを形成する。リーディング側テーパ面31nは、地点60において、エッチングストップ層47の上面47sと交わる。この地点60は、リーディング側テーパ面31nと第2の絶縁層48の上面48sとが交わる地点61よりも面49-49から遠く離れて位置している。その結果、第2の絶縁層48に対してリーディング側テーパ面31nを画定するフォトレジストパターニングおよび反応性イオンエッチングの処理工程を経たのち、エッチングストップ層47の上面47sのうちの所定部分が露出する。次に、エッチングストップ層47の上面47sと、リーディング側テーパ面31nと、第2の絶縁層48の上面48sの上に、例えば電気メッキ法を用いて、CoFeまたはその合金などの磁性層よりなる主磁極層31を成膜する。なお、主磁極層31を成膜する前に、上面47s、上面48sおよびリーディング側テーパ面31nの上にシード層を成膜してもよい。次に、化学機械研磨処理を行い、上面47sと平行な平坦上面31uを形成する。主磁極層31は、上面8sの上方に、面19-19に沿った前部31kを有する。図16に示すように、第1のイオンミリング工程を行う。この第1のイオンミリング工程では、上面31uに向けて所定角度をもってイオンを導くことにより、面49-49から上面31uへと延びるトレーリング側テーパ面31tを形成する。なお、この場合、上面31uの上に、フォトレジストマスク層図示せずを形成することにより、第1のイオンミリング工程の際に主磁極層領域が除去されないように保護する。上面31uとトレーリング側テーパ面31tとの交点63は、面49-49から距離kだけ離れた位置に対応する。また、リーディング側テーパ面31nと底面31vとの交点32は、面49-49から距離gだけ離れた位置に対応する。本実施の形態では、面40-40は、面49-49と平行であるとともに、交点32と交点63との両方を含んでいる。ただし、距離kを距離gよりも大きく、または小さくしてもよい。トレーリング側テーパ面31tと面49-49との間のトレーリングテーパ角σは、10度から45度である。リーディングテーパ角βは、リーディング側テーパ面31nと面71-71との間の角度として示される。面71-71は、面49-49と平行であり、リーディング側テーパ面31nと上面48sとの交差部と交わっている。なお、トレーリング側テーパ面31tは、面71-71に対してもトレーリングテーパ角σをなしている。図17に示すように、第2のイオンビームミリング処理により、主磁極層31のうち、前部31kの一部と、リーディング側テーパ面31nの上部の一部とをトリミングする。ミリング深さt2は、面49-49と直交する破線36aとトレーリング側テーパ面31tとの間のダウントラックz軸方向における破線36bの長さに相当する。すなわち、破線36bは、面49-49と平行な方向に主磁極層31がトリミングされる距離を表している。破線36cは、第2のイオンミリング処理の上限境界を示している。したがって、主磁極層31をトリミングするためのイオンミリングは、破線36a,36b,36cと面49-49とにより囲まれた矩形部の内部で行われる。なお、各イオンミリング処理のプロセスフローは、トリミング対象としての主磁極層領域を露出させるとともにトリミングの対象ではない主磁極層の部分を保護するフォトレジストパターニング工程と、隣接する絶縁層の一部を除去するイオンミリング工程と、フォトレジストパターンマスクの除去工程とを含む一連の工程に続いて行われる。例えば、マイクロ波アシスト磁気記録MAMRに用いられる垂直磁気記録ヘッドを製作する場合には、第1のイオンミリング処理を経た後のトレーリング側テーパ面31tの上に、スピントルク発振器図示せずを形成すると共に、第2のイオンミリング処理の際に、スピントルク発振器と主磁極層31とを同時にトリミングする。これにより、自己整合構造を有するスピントルク発振器が形成され、スピントルク発振器の幅が、トラック幅トレーリングエッジ36bの幅とほぼ等しくなる。さらに、ラッピング処理を行い、主磁極層31の前部31kの上方におけるスピントルク発振器の前部分を除去する。これにより、スピントルク発振器は、トレーリングエッジ31bの上方のエアベアリング面35-35に前側部を有するようになる。図18に示すように、ラッピング処理を行い、前部31kを除去することにより、エアベアリング面35-35が画定され、リーディング側テーパ面31nとトレーリング側テーパ面31tとを接続する磁極先端面31pが形成される。ここで、重要な点として、エアベアリング面35における磁極先端面31pの厚さt4がミリング深さt2以下であることが挙げられる。他の実施の形態として、エアベアリング面35-35が、破線36aとリーディング側テーパ面31nとの交差部と交わるようにした場合には、t2=t4となる。続いて、例えば、1つ以上の絶縁層図示せずを成膜することにより、主磁極層31に隣接するサイドギャップとライトギャップとを形成する。次に、周知の方法を用いて、例えば、トレーリングシールド、またはトレーリングシールドとサイドシールドとを有するシールド構造図示せずを成膜する。そして、当業者に周知の方法を用いて、例えば、サイドシールド構造の上に、追加的な絶縁層を形成し、PMR記録ヘッドを完成させる。上記の各実施の形態において説明したPMRヘッドは、50nm以下という狭いトラック幅を、自己整合構造を有するスピントルク発振器とともに作製することができるにもかかわらず、15000Oe以上の大きなヘッド磁界を依然として得ることができるという点において、従来技術に対して有利である。サイドトラック消去は、リーディング側テーパ面により抑制される。さらに、性能を向上させるために、リーディング側テーパ面と、磁極先端部におけるトレーリング側テーパ面とを組み合わせて設けるようにしてもよく、さらに、サイドシールドを設けることもできる。本実施の形態のPMRヘッドは、既存の装置やプロセスを利用して製造することができることから、追加的な製造コストを抑えることができる。本発明を好適な実施の形態を参照して具体的に示し説明したが、当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形式的な変更および詳細な変更をなし得ることを理解することができる。"