熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体であって、環状の円板形状を有するガラス基板1Gと、前記ガラス基板の2つの主表面のうち少なくとも一方の主表面に設けられ、記録領域として周方向cに分離される複数のセクターsを有する環状のトラックTが半径方向rに複数規定される磁気記録層20と、を備え、前記磁気記録層20が形成された前記ガラス基板1Gの前記主表面には、前記ガラス基板1Gの中心と同心に、前記ガラス基板1Gよりも熱伝導率が大きい複数の環状の第1熱伝導領域101が設けられ、前記第1熱伝導領域101は、複数の前記トラックTを跨ぐように設けられ、前記第1熱伝導領域101の前記主表面からの深さHよりも、前記第1熱伝導領域101の半径方向の幅Wの方が大きく設けられる、磁気記録媒体。前記第1熱伝導領域101の前記主表面からの深さHは、5nm以上20nm未満である、請求項1に記載の磁気記録媒体。前記第1熱伝導領域101の前記ガラス基板1Gの単位面積当たりに配置される面積は、前記ガラス基板1Gの内周側に向かうほど大きく設けられる、請求項1に記載の磁気記録媒体。前記第1熱伝導領域101に交差するように前記ガラス基板1Gの半径方向rに延び、前記ガラス基板1Gよりも熱伝導率が大きい第2熱伝導領域102をさらに含む、請求項1に記載の磁気記録媒体。前記第2熱伝導領域102の前記主表面からの深さHは、5nm以上20nm未満である、請求項4に記載の磁気記録媒体。前記第2熱伝導領域102の前記ガラス基板1Gの単位面積当たりに配置される面積は、前記ガラス基板1Gの内周側に向かうほど大きく設けられる、請求項4に記載の磁気記録媒体。昨今、上記のような情報記録媒体においては、その情報記録量の増大に伴って記録密度を超高密度状態とすることが求められている。記録手段としては磁性方式が採用されているため、記録密度を高密度化すると記録の保持力が弱くなり、所謂熱揺らぎとして知られるように、記録中に発生する熱の影響により記録が消失してしまうという問題があった。また、熱アシスト用の磁気ディスクの情報記録時に磁気記録膜における記録予定箇所を加熱すると、当該記録予定箇所とともにその周囲も有意に昇温する。一方、熱アシスト用の磁気ディスクにおいては、高記録密度化の観点からは磁気記録膜の保磁力は高い方が好ましく、磁気記録膜の保磁力が高いほど、情報記録時に際し、磁気記録膜に対する加熱の程度を強くする必要がある。しかしながら、従来の熱アシスト用の磁気ディスクでは、情報記録時に、加熱の程度が強すぎて、磁気記録膜における所定温度以上の昇温範囲が広すぎると、磁気記録されたセクターの隣のセクターや、内外周側に位置するトラックのセクター以下、隣接セクターにまで熱が広がり、隣接セクターの磁気記録状態に影響を与えるおそれがあるクロスライト現象。このクロスライト現象を改善するために、特許文献1では、各トラックの間に熱伝導領域を設けて熱の広がりを抑制する構造が開示されている。しかし、各トラックの間に熱伝導領域を設けた場合には、熱伝導領域の表面粗さが、ガラス基板の表面に比べて粗くなるため、熱伝導領域の表面粗さが磁気記録膜の表面粗さに影響を与える。その結果、磁気記録ヘッドを用いた記録情報の読出し時に磁気記録ヘッドがガラス基板に衝突し、リードエラーを発生させることが考えられる。本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、クロスライト現象の抑制を図るとともに、リードエラーの発生率を低下させることを可能とする磁気記録媒体を提供することにある。この発明に基づいた磁気記録媒体は、熱アシスト記録方式に用いられる磁気記録媒体であって、環状の円板形状を有するガラス基板と、上記ガラス基板の2つの主表面のうち少なくとも一方の主表面に設けられ、記録領域として周方向に分離される複数のセクターを有する環状のトラックが半径方向に複数規定される磁気記録層とを備え、上記磁気記録層が形成された上記ガラス基板の上記主表面には、上記ガラス基板の中心と同心に、上記ガラス基板よりも熱伝導率が大きい複数の環状の第1熱伝導領域が設けられ、上記第1熱伝導領域は、複数の上記トラックを跨ぐように設けられ、上記第1熱伝導領域の上記主表面からの深さよりも、上記第1熱伝導領域の半径方向の幅の方が大きく設けられる。他の形態では、上記第1熱伝導領域の上記主表面からの深さは、5nm以上20nm未満である。他の形態では、上記第1熱伝導領域の上記ガラス基板の単位面積当たりに配置される面積は、上記ガラス基板の内周側に向かうほど大きく設けられる。他の形態では、上記第1熱伝導領域に交差するように上記ガラス基板の半径方向に延び、上記ガラス基板よりも熱伝導率が大きい第2熱伝導領域をさらに含む。他の形態では、上記第2熱伝導領域の上記主表面からの深さは、5nm以上20nm未満である。他の形態では、上記第2熱伝導領域の上記ガラス基板の単位面積当たりに配置される面積は、上記ガラス基板の内周側に向かうほど大きく設けられる。この発明に基づいた磁気記録媒体によれば、クロスライト現象の抑制を図るとともに、リードエラーの発生率を低下させることを可能とする磁気記録媒体を提供することが可能となる。本発明に基づいた磁気記録媒体およびその製造方法について、以下、図を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。また、各実施の形態における構成を適宜組み合わせて用いることは当初から予定されていることである。熱アシスト磁気記録装置2の概略構成まず、図1から図6を参照して、熱アシスト磁気記録装置2の概略構成の一例について説明する。なお、図1は、熱アシスト磁気記録装置2の概略構成を示す平面図、図2は、熱アシスト磁気記録装置2の概略構成を示す側面図、図3は、磁気ディスク1に用いられるガラス基板1Gを示す斜視図、図4は、磁気ディスク1を示す斜視図、図5は、他の磁気ディスク1Aの部分拡大断面図、図6は、磁気ディスクの製造工程を示すフロー図である。図1に示すように、熱アシスト磁気記録装置2は、矢印DR1方向に回転駆動される磁気記録媒体である熱アシスト磁気記録用の磁気ディスク1に対して、磁気記録ヘッド2Dが対向配置されている。磁気記録ヘッド2Dは、サスペンション2Cの先端部に搭載されている。サスペンション2Cは、支軸2Aを支点として矢印DR2方向トラッキング方向に回動可能に設けられている。支軸2Aには、トラッキング用アクチュエーター2Bが取り付けられている。図2に示すように、磁気ディスク1を挟んで、磁気記録ヘッド2Dが対向する側には、レーザー光LBが照射される。磁気ディスク1上の記録する部分をレーザー光LBで瞬間的に加熱し、磁気記録ヘッド2Dで磁気ディスク1にデータを記録する。磁気ディスク1に形成された磁性層の磁気粒子は、その温度が上昇すると保持力が低くなる。レーザー光LBで磁性層を加熱することで、常温では高い保持力を有する磁性層でも、通常の磁気記録ヘッド2Dでの記録が可能となり、超高密度記録の実現を可能とする。なお、ここでは磁気記録ヘッド2Dの位置とレーザー光LBの照射位置とは磁気ディスクに対して対向する構成としているが、ヘッドの構成と位置制御を簡略化するためにはそれらを磁気ディスク1に対して同一の側に配置構成してもよい。とくに磁気ディスク1の両面を記録面として使用する際には同一の側に配置構成することとなる。磁気ディスク1の構成次に、図3および図4を参照して、磁気ディスク1の構成について説明する。なお、図3は、磁気ディスク1に用いられるガラス基板1Gを示す斜視図、図4は、磁気ディスク1を示す斜視図である。図3に示すように、磁気ディスク1に用いられるガラス基板1Gは、中心に孔11が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板1Gは、外周端面12、内周端面13、表主表面14、および裏主表面15を有している。ガラス基板1Gの大きさの一例としては、外径約64mm、内径約20mm、厚さ約0.8mmである。ガラス基板1Gの後述する磁性層23が形成される主表面には、ガラス基板1Gの中心と同心に、複数の環状の熱伝導領域が設けられている。熱伝導領域の詳細構造は後述する。図4に示すように、磁気ディスク1は、上記したガラス基板1Gの表主表面14上に磁性層23が形成されている。図示では、表主表面14上にのみ磁性層23が形成されているが、裏主表面15上に磁性層23を設けることも可能である図11参照。磁性層23の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約0.3μm~1.2μm程度、スパッタリング法での膜厚は0.04μm~0.08μm程度、無電解めっき法での膜厚は0.05μm~0.1μm程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。磁性層23に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、FePt系の材料が用いられるようになってきている。また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁性層23の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテルPFPEをフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Niなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層としてもよい。磁性層23の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Cr層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素SiO2層を形成してもよい。磁気ディスク1A図5に、他の磁気ディスク1Aの構成の一例を示す。図5は、他の磁気ディスク1Aの部分拡大断面図である。この磁気ディスク1Aは、ガラス基板1Gの上に複数層を有する磁気記録層20が形成されている。磁気記録層20は、ガラス基板1Gの表主表面14上に直接形成されるAlN等からなるシード凹凸制御層21、シード凹凸制御層21の上に形成される厚さ約60nmの下地層22、下地層22の上に形成される厚さ約30nmの磁性層23、磁性層23の上に形成される厚さ約10nmの保護層24、および、保護層24の上に形成される厚さ約0.8nmの潤滑層25を含んでいる。なお、上記磁気ディスク1Aの構成はあくまでも一例であり、磁気ディスク1Aに要求される性能に応じて、ガラス基板1Gの大きさ、磁気記録層20の構成は適宜変更される。ガラス基板1Gの製造工程次に、図6のフローチャートを用いて、本実施の形態に係るガラス基板を含む磁気ディスク1Aの製造方法を説明する。まず、ステップ10以下、S10と略す。ステップ20以降も同様。のガラス溶融工程において、基板を構成するガラス素材を溶融する。次に、S20のプレス成形工程において、溶融ガラスを下型上に流し込み、上型によってプレス成形する。S30の粗研磨工程において、プレス成形されたガラス基板の表面が研磨加工され、ガラス基板の平坦度などが予備調整される。さらに、S40の精密研磨工程において、ガラス基板に研磨加工が再度施され、平坦度などが微調整される。なお、熱伝導領域の製造工程については後述する。次に、S50の洗浄工程において、ガラス基板は洗浄される。以上の工程により、ハードディスク用基板に適用可能なガラス基板が得られる。さらに、S60の成膜工程において、上記のガラス基板上に、記録層となる膜が形成される。最後に、S70の後熱処理工程において、結晶磁界異方性向上のための加熱処理を施す。加熱温度は、約600°Cである。以上により、ハードディスク磁気ディスクが完成する。第1熱伝導領域101次に、図7から図9を参照して、本実施の形態における磁気ディスク1Aに設けられる第1熱伝導領域101について詳細に説明する。なお、図7は、第1熱伝導領域101の配置を示す磁気ディスク1Aの平面模式図、図8は、図7中のVIII線矢視の部分拡大断面図、図9は、磁気ディスク1AのトラックTとセクターSとを模式的に示す平面図である。図7および図8を参照して、ガラス基板1Gの磁気記録層20が形成される主表面には、ガラス基板1Gの中心と同心に、ガラス基板1Gの熱伝導率よりも大きい複数の環状の第1熱伝導領域101が設けられている。この第1熱伝導領域101の各々は、磁気記録層20に磁気記録される領域であるトラックTを跨ぐように設けられている。図8の磁気記録層20に示す破線は、トラックTをイメージして記載したものであり、実際のトラックTの幅、トラックピッチとは一致していない。本実施の形態においては、隣接する第1熱伝導領域101の半径方向rの間隔Pは、約0.25μm~約0.5μm程度、第1熱伝導領域101の半径方向rの幅Wは、約0.1μm~約0.2μm程度、ガラス基板1Gの主表面14からの深さHは、約0.005μm5nm以上~約0.02μm20nm未満程度である。また、深さHよりも幅Wの方が大きくなるように設けられている。ここで、図9を参照して、磁気ディスク1Aの記録密度が、たとえば1000Gbit/平方インチの場合、1つのセクターSの周方向cの幅SWは、約100nm程度、トラックTの半径方向rの幅TWは、約10nm程度、トラックピッチTPは、約150nm程度となる。その結果、第1熱伝導領域101の半径方向rの幅Wが、約0.15μmである場合には、1つの第1熱伝導領域101は、約15本程度のトラックTに跨って設けられていることになる。第1熱伝導領域101には、ガラス基板1Gよりも熱伝導率が大きい材料として、Ag、Ag合金たとえば、AgSi、Al、Al合金、Au、Cuなど、高熱伝導材料を用いることが好ましい。ガラス基板1Gの熱伝導率は、約0.6W/mkであるのに対して、上述した高熱伝導材料の熱伝導率は、約200W/mk~約400W/mk程度である。また、磁気ディスク1Aの情報記録においては、記録が実行されるトラックTが内周側に位置するほど、単位時間あたりに供給される熱エネルギーが大きい。その為、第1熱伝導領域101のガラス基板1Gの単位面積当たりに配置される面積は、ガラス基板1Gの内周側に向かうほど大きくした方が好ましい。たとえば、複数の第1熱伝導領域101の半径方向rの幅Wがすべて同じ場合には、内周側ほど半径方向rの第1熱伝導領域101のピッチを細かく0.1μm~0.3μmすることが好ましい。また、複数の第1熱伝導領域101の半径方向rの幅Wが異なる場合には、内周側ほど半径方向rの第1熱伝導領域101の幅Wを大きくすることが好ましい。第1熱伝導領域101の製造方法次に、図10から図13を参照して、第1熱伝導領域101の製造方法について説明する。なお、図10から図13は、磁気ディスクに設けられる熱伝導領域の製造工程を示す第1から第4断面図である。図10を参照して、ガラス基板1Gの表主表面14上に所定の開口パターンが形成されたレジストマスク201を形成する。次に、図11に示すように、レジストマスク201を用いて、ガラス基板1Gに対してエッチング処理を施し、複数条の溝101gを形成する。次に、図12を参照して、溝101gに対応して開口を有するレジストマスク201の上方から、各溝に対して所定の高熱伝導材料をスパッタリング法を用いて堆積させる。高熱伝導材料としては、上述したAg、Ag合金たとえば、AgSi、Al、Al合金、Au、Cuなどが用いられる。これにより、溝101g内に第1熱伝導領域101が形成される。その後、レジストマスク201をガラス基板1Gの上から除去する。ここで、ガラス基板1Gの内周側の熱伝導部ほど高い熱伝導率を設定する場合には、例えば、相互に熱伝導率の異なる材料よりなる複数のターゲットを用いて行なうスパッタリング法により、溝101gごとに各材料の堆積速度を異ならしめつつ、溝101gごとに異なる組成比で高熱伝導材料を堆積させる。次に、図13を参照して、ガラス基板1Gの表主表面14の上に、磁気記録層20を形成する。磁気記録層20としては、図5を用いて説明した、シード凹凸制御層、下地層、磁性層、保護層、および潤滑層等が、スパッタリング法により成膜される。以上により、磁気ディスク1Aが完成する。以上、本実施の形態における磁気ディスク1Aによれば、ガラス基板1Gの磁気記録層20が形成される主表面には、ガラス基板1Gの中心と同心に、複数の環状の第1熱伝導領域101が設けられている。この第1熱伝導領域101の各々は、磁気記録層20に磁気記録される領域であるトラックTを跨ぐように設けられている。これにより、レーザー光を用いたセクターへの情報記録時の加熱においても、第1熱伝導領域101において放熱が促進されるため、隣接セクターの磁気記録状態に影響を与えるクロスライト現象の発生を抑制することができる。また、第1熱伝導領域101の製造時においては、第1熱伝導領域101深さHよりも幅Wの方が大きくなるように形成し、また、深さHも、約15nm程度と比較的浅く形成している。これにより、第1熱伝導領域101の深さが20nm~100nmに比べて、スパッタリング法を用いた第1熱伝導領域101の表面の粗さを低減させることが可能となる。その結果、第1熱伝導領域101の表面粗さが磁気記録膜20の表面粗さに影響を与えることを抑制することが可能となる。スパッタリング法を用いて成膜した場合、成膜粒子を成長させながら膜を積層させるため、膜厚さが厚くなればなるほど成膜粒子の径が大きくなる。その結果、積層された膜の表面粗さは、最終的に成膜された粒子の径の大きさに依存するからである。その結果、第1熱伝導領域101を設けることによる磁気記録層20の表面粗さへの悪影響を抑制させ、磁気記録ヘッドを用いた記録情報の読出し時に磁気記録ヘッドが磁気ディスク1Aに衝突し、リードエラーを発生させることを抑制することが可能となる。なお、上記実施の形態では、第1熱伝導領域101として、ガラス基板1Gの中心と同心に、複数の環状の第1熱伝導領域101を設けた場合について説明しているが、図14および図15に示すように、第1熱伝導領域101に交差するように半径方向rに延びる第2熱伝導領域102を設けることも可能である。第2熱伝導領域102の深さおよび幅周方向cは、第1熱伝導領域101と同様である。また、図14では、第2熱伝導領域102を90度ピッチで4本設ける場合について示しているが、設ける本数は適宜選択されるものである。また、内周側ほど熱の拡散効果を大きくしたほうが好ましいことから、ガラス基板1Gの内周側に向かうほど、ガラス基板1Gの単位面積当たりに配置される第2熱伝導領域102の面積を大きくした方が好ましいといえる。たとえば、ガラス基板1Gの内周側に向かうほど、第2熱伝導領域102の半径方向の幅が大きくなるように設けることが好ましい。また、第2熱伝導領域102の周方向cの幅も、第1熱伝導領域101と同様に、約0.1μm~約0.2μm程度に設けられることから、1つのセクターSの幅SWが、約0.05μm~約0.1μm程度であることから、1つの第2熱伝導領域102は、1~2のセクターSに跨って設けられていることになる。なお、上記実施の形態において、ガラス基板1Gの表主表面14側に磁気記録層を設ける場合について説明したが、図16に示すように、ガラス基板1Gの裏主表面15側にも磁気記録層を設けることが可能であり、この場合には裏主表面15側にも熱伝導領域が設けられる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。