電子部品を一方主面に載置して用いる矩形平板状の電子部品焼成用セッターであって、前記矩形平板状の表裏面を貫通する複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の開口率を、前記矩形平板状の矩形の中央部から周縁部に向かって段階的に低くすることを特徴とする電子部品焼成用セッター。前記貫通孔のすべての底面形状とその大きさを同一とし、前記矩形平板状の矩形の中心を中心とする円の内側の領域とその外側の領域とで、前記貫通孔を配置する周期を異ならせたことを特徴とする請求項1に記載の電子部品焼成用セッター。前記貫通孔の底面の大きさを異ならせたことを特徴とする請求項2に記載の電子部品焼成用セッター。図6は、バッチ炉図示せずなどにおいて、セラミックシート圧着体を多段積み焼成するときの工程の断面図である。図6に示すように、セラミックシート圧着体96を電子部品焼成用セッター90に載置し、スペーサー94を挟んで、多段に積み上げたものをバッチ炉に投入して焼成を行う。前記セラミックシート圧着体96を多段積み焼成する場合、前記セラミックシート圧着体96とその上段の電子部品焼成用セッター90との間隔が狭くなるため、雰囲気ガスの通気が円滑に行われない。このために、従来の電子部品焼成用セッター90を用いた場合、セラミックシート圧着体96の面内中央部と周縁部で、雰囲気ガス並びに温度のばらつきが生じ、バインダー除去が均一に進まない。このために、セラミックシート圧着体96の焼結は均一に進まず、得られるセラミック焼結体では、反りや割れが多く発生していた。本発明は、かかる実情に鑑み、被焼成物であるセラミックシート圧着体内のバインダー除去状態のばらつきを抑え、セラミックシート圧着体の焼結が均一に進み、焼成後のセラミック焼結体の反り、割れが低減できる電子部品焼成用セッターを提供しようとするものである。本発明による電子部品焼成用セッターは、電子部品を一方主面に載置して用いる矩形平板状の電子部品焼成用セッターであって、前記矩形平板状の表裏面を貫通する複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の開口率を、前記矩形平板状の矩形の中央部から周縁部に向かって段階的に低くしたことを特徴とする。ここで、貫通孔の開口率とは、単位面積当たりの貫通孔の底面積の和の比率をいう。上記構成によれば、電子部品をバッチ炉などで多段積み焼成を行う工程において、被焼成物である電子部品のバインダー除去状態のばらつきを抑え、電子部品の反り、割れを低減することが可能となる。本発明による電子部品焼成用セッターは、好ましくは、前記貫通孔のすべての底面形状とその大きさを同一とし、前記矩形平板状の矩形の中心を中心とする円の内側の領域とその外側の領域とで、前記貫通孔を配置する周期を異ならせる。上記構成によれば、被焼成物である電子部品の雰囲気ガスや面内温度分布の調節において、その焼結が均一に進む条件を、効率よく見出すことができる。本発明による電子部品焼成用セッターは、好ましくは、前記貫通孔の底面の大きさを異ならせる。上記構成によれば、被焼成物である電子部品の雰囲気ガスや面内温度分布の調節において、その焼結が、より均一に進む条件を見出すことができる。本発明によれば、電子部品焼成後の焼結体の反りや割れを低減することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施形態の電子部品焼成用セッター10の平面図である。本実施形態の電子部品焼成用セッター10は、図1に示すように、アルミナ等からなる矩形平板状のもので、その表裏面を貫通する多数の貫通孔11が形成されている。そして、その貫通孔11は、電子部品焼成用セッター10の、周辺部に比べ、中央部で、より密に配置されている。電子部品焼成用セッター10は、厚み2mm、1辺Wが150mmの矩形平板状をしている。前記貫通孔11は、すべて、直径R1が1.0mmの円孔で形成され、電子部品焼成用セッターの矩形の中心Sから半径Rが60mm以内の領域では、貫通孔11は周期中心間距離S1が2mm、それ以外の領域では、周期S2が4mmで配置されている。また、電子部品焼成用セッターの周縁から距離L1が10mmの領域は、その強度を保つために貫通孔は設けていない。また、電子部品焼成用セッター10の表面には、電子部品の焼結時に、被焼成物と電子部品焼成用セッター10とが反応して融着することを防ぐために、ジルコニアなど反応性の低い材料をコーテイングしてもよい。なお、貫通孔の形成方法は、特に限定するものではなく、通常のドリルやレーザーなどを利用して作製することができる。次に、電子部品焼成用セッターを用いて、電子部品を多段積みにして焼成する工程について説明する。図2は、多段積み焼成の工程において、被焼成物を電子部品焼成用セッターに載置したものを積み上げた概略の状態を示す断面図である。セラミックグリーンシートを積層圧着したセラミックシート圧着体21を矩形平板状の電子部品焼成用セッター10に載せ、高さhが10mmのスペーサー22を挟んで積み上げ、焼成炉図示せずにて焼成する。このとき、バインダー除去を促進するために、雰囲気ガスを炉壁側から被焼成物であるセラミックシート圧着体21に向けて供給する。このように雰囲気ガスを供給して焼成する際、セラミックシート圧着体21とその上段の電子部品焼成用セッター10との空隙における雰囲気ガスの不均一や温度ばらつきがあると、セラミックシート圧着体21のバインダー除去が均一に進まないなどの影響が出る。具体的には、従来の貫通孔の直径及びピッチが一定に形成された電子部品焼成用セッターを用いた場合、セラミックシート圧着体21の周縁部からバインダー除去が進みやすく中央部に近いほど遅れる傾向となる。また、被焼成物が電子部品焼成用セッターに接触している面側と、接触していない面側とでも、バインダー除去状態に差が生じる。バインダー除去が均一に進まないと、セラミックシート圧着体の焼結も均一に進まず、焼成後のセラミック焼結体は、反りや割れが発生しやすくなる。これらの不具合を改善するために貫通孔を設けた電子部品焼成用セッターが各種考案されている。そこで、本実施形態では、貫通孔を設けた矩形の電子部品焼成用セッターにおいて、その角部付近と中央部とで、貫通孔の開口率を変えることにより、被焼成物の面内領域並びに被焼成物と電子部品焼成用セッターの接触面側と非接触面側、これらの雰囲気ガスの不均一や温度ばらつきを抑制する。その結果、バインダー除去状態のばらつきを抑え、電子部品の焼結が均一に進み、反り、割れなどの不具合を低減することを目的としている。図3は、本実施形態の電子部品焼成用セッターと従来の電子部品焼成用セッターをそれぞれ用いて、セラミックシート圧着体を焼成し、その反りを比較したものである。図3aが本実施形態の電子部品焼成用セッターを用いて作製したセラミック焼結体の反りを測定したグラフで、図3bが従来の電子部品焼成用セッターを用いたものである。各電子部品焼成用セッターの寸法条件は、図3aは、前記した電子部品焼成用セッター10の通りのものを用い、図3bは、すべての貫通孔の直径が1.0mmで、周期は全面にわたって2mmとし、厚みなどほかの条件はセッター10と同じとした。図3a、bに示す通り、従来の電子部品焼成用セッターを用いたものでは、矩形状の4つの角部が大きく反り上がる形となっているのに対し、本実施形態の電子部品焼成用セッターを用いたものでは、それが抑えられている。セラミック焼結体の基板面内の最も高い点と最も低い点の高低差を定量比較してみると、次の通りであった。図3aでは、最高点は基準点Sのところで0mm、最低点A1が-0.25mmで、高低差は0.25mm、図3bでは、最高点B2が0.12mm、最低点A2が-0.33mmで、高低差は0.45mmであった。上記より、電子部品焼成用セッターの貫通孔の開口率を、矩形の中央部から周縁部に向かって段階的に低くすることで、セラミック焼結体の反りを抑える効果が得られることが分かる。図4は、本実施形態の変形例である電子部品焼成用セッター40の平面図である。電子部品焼成用セッター40は、図4に示すように、前記した電子部品焼成用セッター10と同じように、貫通孔44が、その周辺部に比べ、中央部で、より密に配置されている。電子部品焼成用セッター40は、厚み2mm、1辺Wが150mmの矩形をしている。電子部品焼成用セッター40の中心Sから半径Rが60mm以内の領域では、直径R3が2mmの貫通孔43は周期S3が3mmで配置され、それ以外の領域では、直径R4が1mmの貫通孔44は周期S4が4mmで配置されている。また、図1のものと同様に、電子部品焼成用セッターの周縁から距離L1が10mmの領域は電子部品焼成用セッターの強度を保つために貫通孔は設けていない。上記構成の電子部品焼成用セッター40を用いて、セラミック基板を焼成した場合でも、前記電子部品焼成用セッター10のときと同様に、その反りを抑える効果が得られた。上記実施形態に示した貫通孔の開口率の調節のしかたとして、電子部品焼成用セッターの矩形の中心を中心とする円の内側と外側の領域に分けて行ったが、前記した円ではなく、多角形状で領域を分けてもよいし、被焼成物の雰囲気ガスの流れを考慮して、前記形状の中心と電子部品焼成用セッターの矩形の中心をずらしてもよい。また、前記貫通孔の底面形状も円形に限定するものではない。また、被焼成物であるセラミックシート圧着体の上に、本発明の電子部品焼成用セッターと同様の貫通孔を有する平坦なアルミナ板を載置して焼成を行うことで、セラミック焼結体の反りや割れを、より低減させることも可能である。