プランジャの先端に設けられて半導体素子の電極部が接触してワイピングをする接触子を備えたコンタクトプローブであって、前記接触子は、前記プランジャの先端に形成された山型形状の複数の尖鋭部を有し、前記電極部を保持する前記尖鋭部のコンタクト部より先端側に、前記電極部の中心軸側へ前記プランジャの中心軸を案内するガイド部を有していることを特徴とするコンタクトプローブ。請求項1に記載のコンタクトプローブであって、前記ガイド部は、前記プランジャの中心軸に対して前記コンタクト部の傾斜角度よりも大きな傾斜角度を有していることを特徴とするコンタクトプローブ。請求項1または2に記載のコンタクトプローブであって、複数の前記尖鋭部の先端が前記接触子の水平断面形状に内接する内接円と同心円を形成し、前記内接円の直径と同じか又はそれより小さい直径を有する少なくとも1つの仮想円の円周上に配置されるとともに、垂直方向に弾性変形可能なように前記尖鋭部が渦巻状に形成されていることを特徴とするコンタクトプローブ。請求項1から3の何れか一項に記載のコンタクトプローブを備え、半導体素子の電極部と検査用基板の電極部とを、前記コンタクトプローブを介して導通させることを特徴とする半導体素子用ソケット。ところで、半導体素子の電極部は、略球状の半田ボールからなるバンプであったり、平板状のパッドであったりとその形態は様々である。特に、バンプとなる略球状の半田ボールは、その形状も真の球形とは限らず、位置精度や大きさのばらつきもある。このため、プランジャの接触子に設けられた複数のコンタクト部が半田ボールに均一に接触することは稀であり、半導体素子の電極部とプランジャのコンタクト部との接触位置にばらつきが生じ易く、設定されたワイピング量の不足や電気的接続が不安定となるおそれがある。また、半田の表面は、酸化被膜で覆われているだけでなく、異物が付着していることもあるため、活性な半田に接触子を安定的に接触させるためには、大きな圧力を付与して電極部に接触子を食い込ませなければならず、半導体素子の電極部とプランジャのコンタクト部との接触位置のばらつきにより電極部を損傷させてしまうおそれもある。本発明の目的は、半導体素子の電極部とプランジャの接触子との接触位置のばらつきを修正して均一に接触させることができるとともに、半導体素子の電極部に対する接触子の接触抵抗の増加を抑制し、電極部に安定的に接触子を接触させて半導体素子の検査を円滑かつ良好に行うことが可能なコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットを提供することにある。上記課題を解決することのできる本発明のコンタクトプローブは、プランジャの先端に設けられて半導体素子の電極部が接触してワイピングをする接触子を備えたコンタクトプローブであって、前記接触子は、前記プランジャの先端に形成された山型形状の複数の尖鋭部を有し、前記電極部を保持する前記尖鋭部のコンタクト部より先端側に、前記電極部の中心軸側へ前記プランジャの中心軸を案内するガイド部を有していることを特徴とする。本発明のコンタクトプローブにおいて、前記ガイド部は、前記プランジャの中心軸に対して前記コンタクト部の傾斜角度よりも大きな傾斜角度を有していることが好ましい。本発明のコンタクトプローブにおいて、複数の前記尖鋭部の先端が前記接触子の水平断面形状に内接する内接円と同心円を形成し、前記内接円の直径と同じか又はそれより小さい直径を有する少なくとも1つの仮想円の円周上に配置されるとともに、垂直方向に弾性変形可能なように前記尖鋭部が渦巻状に形成されていることが好ましい。本発明の半導体素子用ソケットは、半導体素子の電極部と検査用基板の電極部とを、前記コンタクトプローブを介して導通させることを特徴とする。本発明のコンタクトプローブによれば、接触子は、プランジャの先端に形成された山型形状の複数の尖鋭部を有し、電極部を保持する尖鋭部のコンタクト部より先端側に電極部の中心軸側へプランジャの中心軸を案内するガイド部を有している。これにより、電極部とワイピングするプランジャの先端部が電極部と接触したとき、半導体素子の電極部とコンタクトプローブとの当初の接触位置がずれていても、電極部に接触したガイド部によって、プランジャの中心軸が電極部の中心軸側に移動する。その後、尖鋭部が弾性変形しながら、電極部の表面上を摺動する。したがって、半導体素子の電極部とプランジャの接触子との接触位置のばらつきを修正して均一に接触させることができ、電極部の損傷を防ぐことができるとともに、電極部の設定されたワイピング量も確保することができる。また、本発明の半導体素子用ソケットによれば、半導体素子の電極部に対する接触子の接触抵抗の増加を抑制し、電極部に安定的に接触子を接触させて半導体素子の検査を円滑かつ良好に行うことができる。これにより、半導体素子の電極部と検査用基板の電極部とを、コンタクトプローブを介して確実に導通させることができ、多数回にわたる半導体素子の検査の信頼性を維持することができる。以下、本発明に係るコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットの実施形態を、図面を参照して説明する。第1実施形態図1に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ11は、導電性を有する金属材料から形成されたプランジャ12の先端に半導体素子の電極部である半田ボール71図16参照が接触してワイピングをする円柱状の接触子13を備えている。この接触子13は、そのベース部15の先端に山型形状で弾性変形可能な弾性接触片である複数本実施形態では、4個構造の尖鋭部17を有している。尖鋭部17は、半田ボール71を保持するコンタクト部18と、各コンタクト部18より先端側に、半田ボール71の中心軸C0図4参照側へ接触子13の中心軸C1を案内するガイド部19を有している。この尖鋭部17に囲まれた中心部に窪みである凹部16を有している。このガイド部19は、切削加工によって形成され、中央に凹部16を有することで、容易に加工することができる。図2に示すように、尖鋭部17のガイド部19は、接触子13の中心軸C1に対してコンタクト部18の傾斜角度θ1よりも大きな傾斜角度θ2を有している。このようにガイド部19が大きな傾斜角度θ2を有することで、半田ボール71と尖鋭部17との接触時に、半田ボール71に接触したガイド部19によって、接触子13を半田ボール71の中心軸C0方向へ移動させる。図3に示すように、尖鋭部17の先端は、接触子13の水平断面形状に内接する内接円本実施形態では、接触子13の外周円と一致すると同心円を形成し、内接円の直径Dと同じか又はそれより小さい直径dを有する少なくとも1つの仮想円Aの円周上に配置されている。また、尖鋭部17は、その先端が垂直方向に弾性変形可能なように基端部分から時計回り方向に渦巻状に延在している。また、尖鋭部17は、各基端部分から先端に向かってベース部15の上端面に対して傾斜するとともに、先細状に形成されている。接触子13の形成は、後述のように行われる。先ず、銅または鉄系等の金属の棒材の一端に、旋盤等を用いて棒材の中心に凹部16を形成し、その周辺に所定肉厚を有する円筒部を作製する。次に、円筒部の複数箇所に所定角度に傾斜した切り込みを形成、山型形状の複数の尖鋭部17が形成する。次に、尖鋭部17の所定位置をさらに切削することで、コンタクト部18およびガイド部19が形成される。その後、棒体から円筒部を切り離して、ニッケルメッキまたは金メッキ等の表面処理を行う。なお、上述の尖鋭部17とガイド部19の形成順序を逆にしても良い。図4に示すように、接触子13は、半田ボール71と尖鋭部17とが接触する時、例えば、半田ボール71の中心軸C0に対して接触子13の中心軸C1が位置ずれしている場合、尖鋭部17先端のガイド部19が半田ボール71に接触し、半田ボール71の中心軸C0方向へ移動する。移動後、尖鋭部17が弾性変形することで、コンタクト部18が半田ボール71の表面上を摺動して線接触する。接触子13を基準にして言い換えると、半田ボール71は、接触子13のガイド部19に接触し、接触子13の中心軸C1方向図中、矢印方向へ移動する。これにより、図5に示すように、位置ずれしていた半田ボール71の中心軸C0と接触子13の中心軸C1が一致する。半田ボール71が複数のコンタクト部18に均一に接触して安定的に保持される。よって、半田ボール71の想定以上のイレギュラーな損傷を防ぐことができる。また、尖鋭部17が弾性変形することで、コンタクト部18が半田ボール71の表面上を摺動して線接触するため、半田ボール71のワイピングも行うことができる。なお、符号73の斜線部分は半田ボール71が配置されているICパッケージなどの半導体素子の下面である。図6は、上記第1実施形態の変形例であり、上記実施形態のコンタクトプローブ11は、4個の尖鋭部17を有する4接点構造であったが、本変形例のコンタクトプローブ11Aは、6個の尖鋭部17を有する6接点構造である。接点数が多いことで、ガイド部19の数も多くなり、接触子13を一層確実に半田ボール71の中心軸C0へ案内することができる。なお、尖鋭部17の数は、最低2個有れば良く、好ましくは4個以上であり、接触子13の中心軸C1を中心に平面上で均等配置されていれば良い。その他の構成に関しては、上記第1実施形態と同じであるため、説明は省略する。第2実施形態図7及び図8に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ21の接触子23は、円柱状のベース部25の先端に鋸刃形状の弾性接触片である複数本実施形態では、4個構造の尖鋭部27を有している。なお、上記第1実施形態と同じ構成部分については同一又は類似符号を付けることで説明を省略する。尖鋭部27は、半田ボール71を保持するコンタクト部28と、各コンタクト部28より先端側に、半田ボール71の中心軸C0側へ接触子23の中心軸C1を案内するガイド部29を有している。このガイド部29は、尖鋭部27の頂上の中心軸C1方向へ傾斜した頂辺であり、点接触した半田ボール71の表面を摺動する図9参照。また、コンタクト部28は、尖鋭部27の頂上の角部であり、この角部で半田ボール71を保持する。尖鋭部27の肉厚は略同じであり、尖鋭部27に囲まれた窪みである凹部26を中心に切削加工によって容易に加工できる。図9に示すように、接触子23の尖鋭部27と半田ボール71が接触する時、尖鋭部27先端のガイド部29によって、接触子23を半田ボール71の中心軸C0方向へ移動させる。接触子23を基準にして言い換えると、半田ボール71は、接触子23のガイド部29に接触し、接触子23の中心軸C1方向図中、矢印方向へ移動する。これにより、位置ずれしていた半田ボール71の中心軸C0と接触子23の中心軸C1が一致することで、半田ボール71が複数箇所のコンタクト部28に均一に接触して安定的に保持される。また、尖鋭部27が弾性変形することで、コンタクト部28が半田ボール71の表面上を摺動して点接触するため、半田ボール71のワイピングも行うことができる。第3実施形態図10及び図11に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ31の接触子33は、円柱状のベース部35の先端に鋸刃形状の弾性接触片である複数本実施形態では、4個構造の尖鋭部37を有している。なお、上記第1実施形態と同じ構成部分については同一又は類似符号を付けることで説明を省略する。尖鋭部37は、半田ボール71を保持するコンタクト部38と、各コンタクト部38より先端側に、半田ボール71の中心軸C0側へ接触子33の中心軸C1を案内するガイド部39を有している。このガイド部39は、尖鋭部37の頂上から中心軸C1方向へ傾斜した略三角形の湾曲面であり、面接触した半田ボール71の表面を摺動する図12参照。また、コンタクト部38は、ガイド部39の底辺を構成する一方の鋭角部であり、この鋭角部で半田ボール71を保持する。尖鋭部37の肉厚は頂点に向うに従って先細状の薄肉となり、尖鋭部37に囲まれた窪みである凹部36を中心に切削加工によって容易に加工できる。図12に示すように、接触子33の尖鋭部37と半田ボール71が接触する時、尖鋭部37が半田ボール71に接触して弾性変形する。このとき、半田ボール71の中心軸C0に対して接触子33の中心軸C1が位置ずれしている場合、ガイド部39によって、半田ボール71の表面上を摺動して、接触子33を半田ボール71の中心軸C0方向へ移動させる。接触子33を基準にして言い換えると、半田ボール71は、接触子33のガイド部39に接触すると、ガイド部39上を摺動して接触子33の中心軸C1方向図中、矢印方向へ移動する。これにより、位置ずれしていた半田ボール71の中心軸C0と接触子33の中心軸C1が一致することで、半田ボール71が複数箇所のコンタクト部38に均一に接触して安定的に保持される。また、尖鋭部37が弾性変形することで、コンタクト部38が半田ボール71の表面上を摺動して線接触するため、半田ボール71のワイピングも行うことができる。第4実施形態図13及び図14に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ21Aの接触子23Aは、円柱状のベース部25Aの先端に鋸刃形状の弾性接触片である複数本実施形態では、4個構造の尖鋭部47を有している。この尖鋭部47は、上記第2実施形態の尖鋭部27と前記第3実施形態の尖鋭部37を組み合わせた構成を有している。なお、上記第1実施形態と同じ構成部分については同一又は類似符号を付けることで説明を省略する。尖鋭部47は、半田ボール71を保持するコンタクト部48と、各コンタクト部48より先端側に、半田ボール71の中心軸C0側へ接触子23Aの中心軸C1を案内するガイド部49を有している。このガイド部49は、尖鋭部47の頂上から中心軸C1方向へ傾斜した略四角形の湾曲面であり、面接触した半田ボール71の表面を摺動する図15参照。また、コンタクト部48は、ガイド部49上端の一方の鈍角部であり、この鈍角部で半田ボール71を保持する。尖鋭部47の肉厚は頂点に向うに従って先細状の薄肉となり、尖鋭部47に囲まれた窪みである凹部46を中心に切削加工によって容易に加工できる。図15に示すように、接触子23Aの尖鋭部47と半田ボール71が接触する時、尖鋭部47が半田ボール71に接触して弾性変形する。このとき、半田ボール71の中心軸C0に対して接触子23Aの中心軸C1が位置ずれしている場合、ガイド部49によって、半田ボール71の表面上を摺動して、接触子23Aを半田ボール71の中心軸C0方向へ移動させる。接触子23Aを基準にして言い換えると、半田ボール71は、接触子23Aのガイド部49に接触すると、ガイド部49上を摺動して接触子23Aの中心軸C1方向図中、矢印方向へ移動する。これにより、位置ずれしていた半田ボール71の中心軸C0と接触子23Aの中心軸C1が一致することで、半田ボール71が複数箇所のコンタクト部48に均一に接触して安定的に保持される。また、尖鋭部47が弾性変形することで、コンタクト部48が半田ボール71の表面上を摺動して線接触するため、半田ボール71のワイピングも行うことができる。次に、上記第1実施形態のコンタクトプローブ11を備えた半導体素子用ソケットについて説明する。図16に示すように、半導体素子用ソケット41は、プローブ収容ブロック43を有し、検査用基板42上に、位置決めピン44によって位置決めされて締結ボルト45によって固定されている。プローブ収容ブロック43は、それぞれ絶縁性を有する接触子配列基板51とソケット基板52とから構成されている。ソケット基板52には、その下面側に、配列基板収容凹部53が形成されており、この配列基板収容凹部53に接触子配列基板51が嵌め込まれ、位置決めピン54で位置決めされてビス55で締結固定されている。ソケット基板52には、複数のプローブ収容孔61が形成されており、これらのプローブ収容孔61には、下方側からコンタクトプローブ11が挿し込まれて収容されている。プローブ収容孔61は、その軸方向の中間部に段部62が形成されており、この段部62を境として、上方側がプランジャ12のフランジ部22よりも小径に形成され、下方側がプランジャ12のフランジ部22よりも僅かに大径に形成されている。これにより、下方側から挿し込まれたコンタクトプローブ11は、プランジャ12のフランジ部22が段部62に係合し、上方側への移動が規制されている。ソケット基板52に固定された接触子配列基板51には、各プローブ収容孔61に対応する複数の接触子保持孔65が形成されている。これらの接触子保持孔65には、各プローブ収容孔61に収容されたコンタクトプローブ11の下部接触子14が挿入されている。これにより、コンタクトプローブ11の下部接触子14が、接触子保持孔65によって保持されて検査用基板42の所定位置に配置されている。検査用基板42には、コンタクトプローブ11の下部接触子14の配置位置に、電極部図示省略が設けられており、それぞれのコンタクトプローブ11の下部接触子14が導通接触されている。ソケット基板52には、その上面側に、ソケット凹部67が形成されており、このソケット凹部67には、半田ボール71を有する複数の電極部72が下面側に設けられた半導体素子73が上方側から収容可能とされている。図17に示すように、上記半導体素子用ソケット41で半導体素子73を検査する場合は、ソケット基板52のソケット凹部67へ半導体素子73を収容させ、押圧体75で半導体素子73を下方へ押圧する。これにより、半導体素子73がソケット凹部67へ押し込まれ、電極部72を構成する各半田ボール71が対応するコンタクトプローブ11の上部接触子13に近接し、半田ボール71が上部接触子13に押し付けられて接触する。このように、コンタクトプローブ11の上部接触子13に半田ボール71が押し付けられると、コンタクトプローブ11には、軸方向に沿う圧縮力が付与され、プランジャ12内のコイルスプリングが圧縮される。これにより、コンタクトプローブ11の下部接触子14が検査用基板42の電極部に押し付けられる。図1から図4に示したように、コンタクトプローブ11の上部接触子13の尖鋭部17は、半田ボール71を保持する各コンタクト部18より先端側に、半田ボール71の中心軸C0側へ上部接触子13の中心軸C1を案内するガイド部19を有している。これにより、半田ボール71と尖鋭部17とが接触する時、半田ボール71の中心軸C0に対して上部接触子13の中心軸C1が位置ずれしている場合、尖鋭部17先端のガイド部19が半田ボール71に接触して弾性変形する。そして、ガイド部19は、弾性変形しながら半田ボール71の表面上を摺動して、半田ボール71の中心軸C0方向へ移動する。このように位置ずれしていた半田ボール71の中心軸C0と上部接触子13の中心軸C1が一致することで、半田ボール71が複数のコンタクト部18に均一に接触して安定的に保持される。これにより、半田ボール71の想定以上のイレギュラーな損傷を防ぐことができる。また、半田ボール71の表面または各尖鋭部17の表面が酸化被膜で覆われていたり、半田ボール71の表面または各尖鋭部25の表面に異物が付着していても、半田ボール71の表面上をガイド部19が摺動することで、酸化被膜や異物を除去することができる。これにより、半導体素子73の電極部72と検査用基板42の電極部とがコンタクトプローブ11を介して確実に導通され、半導体素子73の検査が可能となる。なお、本発明に係るコンタクトプローブ11の尖鋭部17の形状としては、上記実施形態に限定されない。例えば、尖鋭部17の個数は、複数であれば良く、4個や6個に限定されない。2つの尖鋭部17を対向位置することも可能であり、3つの尖鋭部17を周方向へ等間隔に形成しても良い。また、8つの尖鋭部17を周方向へ等間隔に形成しても良い。さらにまた、尖鋭部17の先端が垂直方向に弾性変形可能なように基端部分から逆時計回り方向に渦巻状に延在しても良い。