"燃料ガスと接触して前記燃料ガスを反応させる燃料側電極と、前記燃料側電極に設けられた固体電解質からなる電解質膜と、前記酸素を含むガスを反応させる空気側電極であって前記電解質膜を前記燃料側電極と空気側電極とで挟むように前記電解質膜に設けられた空気側電極と、からなる固体酸化物形燃料電池の発電部と、前記燃料側電極又は前記空気側電極に電気的に接続されるように設けられたN型半導体からなるインターコネクタと、前記インターコネクタの表面に形成された導電膜と、を備えた固体酸化物形燃料電池。請求項1に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記インターコネクタは、前記N型半導体としての、化学式A1-x,Bx1-zTi1-y,DyO3ただし、A:アルカリ土類元素から選択される少なくとも1種類の元素、B:Sc,Y,及びランタノイド元素から選択される少なくとも1種類の元素、D:第4周期、第5周期、第6周期の遷移金属、及びAl,Si,Zn,Ga,Ge,Sn,Sb,Pb,Biから選択される少なくとも1種類の元素、xの範囲:0~0.5、yの範囲:0~0.5、zの範囲:-0.05~0.05で表わされるチタン酸化物からなる、固体酸化物形燃料電池。請求項2に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記インターコネクタは、前記N型半導体としてのストロンチウムチタネートSrTiO3からなる、固体酸化物形燃料電池。請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記インターコネクタは前記燃料側電極に設けられていて、前記導電膜はP型半導体からなる、固体酸化物形燃料電池。請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記導電膜の気孔率は25以下である、固体酸化物形燃料電池。請求項5に記載の固体酸化物形燃料電池において、前記インターコネクタの膜の厚さに対する前記導電膜の厚さの割合は0.05~2.5である、固体酸化物形燃料電池。構成図1は、本発明の実施形態に係るSOFCのセル100の構成を示す。SOFC100は、燃料側電極110と、燃料側電極110の上面に積層された電解質膜120と、電解質膜120の上面に積層された空気側電極130を備える。これらの3層からなる平板状の積層体は、SOFC100の発電部を構成している。また、SOFC100では、燃料側電極110の下面にインターコネクタ140が電気的に接続されるように設けられている接合されている。インターコネクタ140の下面にはP型半導体からなる導電膜P型半導体膜150が形成されている。SOFC100を上方からみた形状は、例えば、1辺が1~30cmの正方形、長辺が5~30cmで短辺が3~15cmの長方形、又は直径が1~30cmの円形である。SOFC100全体の厚さは、0.1~3mmである。なお、インターコネクタ140は、燃料側電極110の下面の全面に設けられていてもよいし、一部のみに設けられていてもよい。また、P型半導体膜150は、インターコネクタ140の下面の全面に設けられていてもよいし、一部のみに設けられていてもよい。また、空気側電極130の上面にインターコネクタが設けられていてもよい。燃料側電極110アノード電極は、酸化ニッケルNiO及び/又はニッケルNi電子伝導性を有する物質とイットリア安定化ジルコニアYSZ酸化性イオン酸素イオン伝導性を有する物質とから構成される多孔質の薄板状の焼成体である。燃料側電極110の厚さは0.1~3mmである。SOFC100の各構成部材の厚さのうち燃料側電極110の厚さが最も大きく、燃料側電極110は、SOFC100の支持体支持基板、最も剛性が高い部材として機能している。なお、燃料側電極110アノード電極は、酸化ニッケルNiO及び/又はニッケルNiとイットリアY2O3とから構成されていてもよい。また、燃料側電極110は、燃料極集電層インターコネクタ側と燃料極活性層電解質膜側との2層によって構成されていてもよい。この場合、燃料極集電層は、電子伝導性を有する物質Ni等を含んで構成される。燃料極活性層は、電子伝導性を有する物質Ni等と酸化性イオン酸素イオン伝導性を有する物質YSZ等とを含んで構成される。燃料極活性層における気孔部分を除いた全体積に対する酸化性イオン伝導性を有する物質の体積割合は、燃料極集電層における気孔部分を除いた全体積に対する酸化性イオン伝導性を有する物質の体積割合よりも大きい。電解質膜120は、YSZから構成される緻密な薄板状の焼成体である。電解質膜120の厚さは3~30μmである。空気側電極130カソード電極は、ランタンストロンチウムコバルトフェライトLSCFLa0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3からなる多孔質の薄板状の焼成体である。空気側電極130の厚さは5~50μmである。空気側電極130は、LSCFからなる第1層電解質膜側とランタンストロンチウムマンガナイトLSMLa0.8Sr0.2MnO3又はランタンストロンチウムコバルタイトLSCLa0.8Sr0.2CoO3からなる第2層第1層の上面に積層された層との2層によって構成されてもよい。なお、SOFC作製時又は作動中のSOFC100内において電解質膜120内のYSZと空気側電極130内のストロンチウムとが反応して電解質膜120と空気側電極130との間の電気抵抗が増大する現象の発生を抑制するために、電解質膜120と空気側電極130との間に反応防止層が介装されてもよい。反応防止層は、セリアからなる緻密な薄板状の焼成体であることが好ましい。セリアとしては、具体的には、GDCガドリニウムドープセリア、SDCサマリウムドープセリア等が挙げられる。インターコネクタ140は、N型半導体からなる緻密な薄板状の導電性接続部材である。インターコネクタ140の厚さは1~100μmである。N型半導体としては、例えば、化学式が下記1式で表されるチタン酸化物が採用される。下記1式において、Aは、アルカリ土類元素から選択される少なくとも1種類の元素である。Bは、Sc,Y,及びランタノイド元素から選択される少なくとも1種類の元素である。Dは、第4周期、第5周期、第6周期の遷移金属、及びAl,Si,Zn,Ga,Ge,Sn,Sb,Pb,Biから選択される少なくとも1種類の元素である。xの範囲は、0~0.5であり、yの範囲は、0~0.5であり、zの範囲は、-0.05~0.05である。δは0を含む微小値である。チタン酸化物としては、例えば、AとしてストロンチウムSrが使用されたストロンチウムチタネートSrTiO3が採用され得る。A1-x,Bx1-zTi1-y,DyO3-δ...1P型半導体膜150は、P型半導体からなる薄板状の導電膜である。P型半導体膜150の厚さは1~100μmである。後述するように、P型半導体膜150の気孔率は25以下であることが好ましい。P型半導体としては、例えば、空気側電極130と同じ材料であるLSCF、LSC、LSM等が採用される。図1に示すように、P型半導体膜150の下面には、例えば、集電膜160が形成され得る。この集電膜160の下面には、例えば、他のSOFC100の空気側電極130が接続される。これにより、隣接する2つのSOFC100が電気的に直列に接続される。集電膜160の材料としては、例えば、空気側電極130と同じ材料であるLSCF、LSC、LSM等が採用される。空気側電極へのガス空気の拡散性を考慮して、集電膜160の気孔率は、通常、25より大きく且つ50以下とされる。このSOFC100に対して、燃料側電極110に燃料ガス水素ガス等を供給するとともに空気側電極130に酸素を含むガス空気等を供給することにより、下記2、3式に示す化学反応が発生する。これにより、燃料側電極110と空気側電極130との間に電位差が発生する。この電位差は、電解質膜120の酸素伝導度に基づく。1/2O22e-→O2-於:空気側電極130...2H2O2-→H2O2e-於:燃料側電極110...3この電位差に起因して、SOFC100において、図1に矢印で示すように、電流は、P型半導体膜150→インターコネクタN型半導体140→燃料側電極110→電解質膜120→空気側電極130の方向に流れる電子は、空気側電極130→電解質膜120→燃料側電極110→インターコネクタN型半導体140→P型半導体膜150の方向に流れる。そして、インターコネクタN型半導体140及び、空気側電極130に設けられた図示しないインターコネクタを介して、前記電位差に基づく電力がSOFC100の外部に取り出される。製造方法次に、図1に示したSOFC100の製造方法の一例について説明する。燃料側電極110は、以下のように製造された。即ち、NiO粉末とYSZ粉末とが混合され、この混合物にバインダーとしてポリビニルアルコールPVAが添加されてスラリーが作製された。このスラリーがスプレードライヤーで乾燥造粒され、燃料側電極用の粉末が得られた。この粉末が金型プレス成形法により成形され、その後、電気炉酸素含有雰囲気中で空気中にて1400°Cで3時間焼成されて、燃料側電極110が製造された。電解質膜120は、以下のように燃料側電極110の上面に形成された。即ち、YSZ粉末に水とバインダーが加えられ、この混合物がボールミルで24時間混合されてスラリーが作製された。このスラリーが、燃料側電極110の上面に塗布乾燥され、電気炉酸素含有雰囲気中で空気中にて1400°Cで2時間共焼結されて、燃料側電極110の上面に電解質膜120が形成された。なお、燃料側電極110の上面に後に電解質膜120となる膜を形成するに際し、テープ積層法、印刷法等が用いられてもよい。空気側電極130は、以下のように電解質膜120の上面に形成された。即ち、LSCF粉末に水とバインダーが加えられ、この混合物がボールミルで24時間混合されてスラリーが作製された。このスラリーが、電解質膜120の上面に塗布乾燥され、電気炉酸素含有雰囲気中で空気中にて1000°Cで1時間焼成されて、電解質膜120の上面に空気側電極130が形成された。インターコネクタ140は、以下のように燃料側電極110の下面に形成された。即ち、ストロンチウムチタネート粉末を用いてプラズマ溶射法にて、燃料側電極110の下面にインターコネクタ用の膜が形成された。このインターコネクタ用の膜を1000°Cで2時間アニールすることにより、燃料側電極110の下面にインターコネクタ140が形成された。なお、インターコネクタ用の膜の形成方法としては、エアロゾルデポジション法などが挙げられる。また、上述した燃料側電極110の前駆体焼成前と電解質膜120の前駆体焼成前との積層体焼成前を形成した後、この積層体の燃料側電極側に、印刷法、テープ積層法、スラリーディップ法等を用いてインターコネクタ用の膜を更に形成積層し、この3層からなる積層体を共焼成することにより、インターコネクタ140を形成することも可能である。P型半導体膜150は、以下のようにインターコネクタ140の下面に形成された。即ち、LSCF粉末に水とバインダーが加えられ、この混合物がボールミルで24時間混合されてスラリーが作製された。そのスラリーを利用して、インターコネクタ140の下面にスプレー法等によって膜が形成された。このP型半導体の膜を1000°Cで2時間焼成することにより、インターコネクタ140の下面にP型半導体膜150が形成される。P型半導体の膜の形成方法としては、印刷法、テープ積層法、スラリーディップ法も適用可能である。以上により、SOFC100を構成する部材の積層が完了する。ここで、燃料側電極110は導電性を有する必要がある。従って、焼成後の燃料側電極110焼成体に対して、800°Cの高温下にて還元ガスを供給する熱処理還元処理が行われる。この還元処理により、NiOがNiへと還元されて、燃料側電極110は導電性を獲得する。以上、図1に示したSOFC100の製造方法の一例について説明した。以下、材料がP型半導体であるかN型半導体であるかの判別手法について付言する。この判別は、ゼーベック係数に基づいてなされ得る。一般に、ゼーベック係数が正であるものがP型半導体であり、負であるものがN型半導体であると判定され得る。具体的には、例えば、以下のように判定がなされる。先ず、材料の粉末を一軸プレスを用いて成形し、その成形体を1400°C×2時間で焼成し、焼結体を得る。得られた焼結体から、φ3.0mm、L=10mmの試験片を作製し、ULVAC理工のZME-3シリーズの評価装置を用いてゼーベック係数の測定を行う。この測定は、例えば、不活性ガスの雰囲気下、750°Cで行われる。この測定の結果、ゼーベック係数が正となったものがP型半導体、負となったものがN型半導体と判定され得る。上述のインターコネクタ140ではゼーベック係数が負となり、上述のP型半導体膜150ではゼーベック係数が正となる。SOFC100の特徴、及び作用効果SOFC100では、P型半導体膜150とインターコネクタN型半導体140との接合部において、所謂PN接合が実現されている。PN接合では、電流は、P型半導体→N型半導体の方向には流れるが、N型半導体→P型半導体の方向には流れ難い性質を有する。即ち、SOFC100では、電流は、P型半導体膜150→インターコネクタN型半導体140の方向には流れるが、インターコネクタN型半導体140→P型半導体膜150の方向へは流れ難い。以上より、SOFC100の作動中では、上記PN接合の性質によって、電流は、P型半導体膜150→インターコネクタN型半導体140→燃料側電極110→電解質膜120→空気側電極130の方向に流れ得る図1を参照。一方、SOFC100の外部の何らかの要因によって、SOFC100において逆方向の電流空気側電極130→電解質膜120→燃料側電極110→インターコネクタN型半導体140→P型半導体膜150の方向の電流が流れようとする傾向が発生したとしても逆方向の電流が流れる原因については、発明の概要の欄を参照、上述のPN接合の性質によって、この逆方向の電流が流れる現象の発生が抑制され得る。従って、SOFC100では、この逆方向の電流がSOFC100内を流れることに起因するSOFC100の内部の破損等の発生が抑制され得る。また、インターコネクタ140を構成するN型半導体特に、上述したチタン酸化物等には、六価クロムが含まれない。従って、SOFC100は、特許文献1に記載されたSOFCインターコネクタの材料として六価クロムが含まれるランタンクロマイトLaCrO3が使用されるに比して、環境を維持する観点において優れているといえる。加えて、ストロンチウムチタネートSrTiO3等のチタン酸化物の表面が空気等の酸素分圧が高いガスに曝されると、チタン酸化物の電気抵抗が大きくなる導電性が低くなるこの原因については、発明の概要の欄を参照。従って、SOFC100のインターコネクタ140が空気等に曝される状況下において、インターコネクタ140の表面特に、図1において下面の表面に何らかの酸素バリア膜が設けられていないと、インターコネクタ140の電気抵抗が増大することに起因してSOFC100全体として導電性が低くなる。これに対し、SOFC100では、インターコネクタ140の下面の表面に酸素バリア層として機能し得るP型半導体膜150が形成されている。従って、SOFC100のインターコネクタ140が空気等に曝される状況下においても、インターコネクタ140の電気抵抗が増大する現象の発生が抑制され得る。この結果、SOFC100全体としての導電性の低下が抑制され得る。以下、酸素バリア層として機能するP型半導体膜の気孔率と、P型半導体膜によるインターコネクタの電気抵抗増大の抑制効果との関係について調査した試験について付言する。この実験では、緻密なストロンチウムチタネート膜の一方側の表面にP型半導体膜が形成された複数の試験膜であってそれぞれのP型半導体膜の気孔率が異なる複数の試験膜が準備された。試験膜の一方側の表面即ち、P型半導体が露出している表面が空気に曝され、試験膜の他方側の表面即ち、ストロンチウムチタネートが露出している表面が30°Cの加湿水素に曝された状態で、800°Cに維持された各試験膜の電気抵抗がそれぞれ測定された。P型半導体膜の気孔率は、以下のように測定された。先ず、P型半導体膜の気孔内に樹脂が進入するようにそのP型半導体膜に対して所謂樹脂埋め処理がなされた。その樹脂埋め処理されたP型半導体膜の表面に対して機械研磨がなされた。機械研磨された表面の微構造を走査型電子顕微鏡を用いて観察して得られた画像に対して画像処理を行うことによって、気孔の部分樹脂が進入している部分と気孔でない部分樹脂が進入していない部分の面積がそれぞれ算出された。その比率がP型半導体膜の気孔率とされた。この実験の結果を表1に示す。表1では、電気抵抗として、P型半導体膜の気孔率が2である試験膜の電気抵抗に対する各試験膜の電気抵抗の割合無次元が示されている。表1から理解できるように、P型半導体膜の気孔率が小さいほど試験品の電気抵抗が小さくなる。これは、P型半導体膜の気孔率が小さいほど、P型半導体膜の酸素バリア層としての機能が強く発揮されて、P型半導体膜によるインターコネクタの電気抵抗増大の抑制効果が大きくなることを意味する。表1によれば、P型半導体膜の気孔率が25より大きい場合に比して25以下の場合では、試験品の電気抵抗が十分に小さいということができる。更には、P型半導体膜の気孔率が15以下の場合では、試験品の電気抵抗がより一層小さいということができる。以上より、P型半導体膜によるインターコネクタの電気抵抗増大の抑制効果の観点からは、P型半導体膜の気孔率は25以下であることが好ましく、更には、15以下であるとより好ましい。従来では、一般に、インターコネクタ膜の表面に形成される導電膜として、図1に示す集電膜160のようにガスの拡散性を考慮して気孔率が25よりも大きい多孔質の膜が使用されてきた。これに対し、SOFC100では、インターコネクタ膜の電気抵抗増大の抑制を優先して、インターコネクタ膜の表面に形成される導電膜として気孔率が25以下の比較的緻密な膜が使用され得る。この点で、SOFC100は従来のものとは全く異なる。以下、インターコネクタの膜厚T1に対するP型半導体の膜厚T2の割合T2/T1と、P型半導体膜の焼成時におけるインターコネクタ膜とP型半導体膜との界面でのクラック発生の有無との関係について調査した試験について付言する。この実験では、燃料側電極、電解質膜、及びインターコネクタ膜ストロンチウムチタネート膜が共焼成されて得られた積層体焼成体におけるインターコネクタ膜の表面にP型半導体膜が焼成により形成された複数の試験品であってT1とT2の組み合わせが異なる複数の試験品が作製された。T1とT2の各組み合わせにつき、5つのサンプルが作製された。表2に示すように、各サンプルでは、インターコネクタ膜ストロンチウムチタネート膜の膜厚が20~100μmとされ、インターコネクタ膜の気孔率は5以下とされた。P型半導体膜の膜厚は5~100μmとされ、P型半導体膜の気孔率は25又は15に調整された。P型半導体としてはLSCFが使用された。P型半導体膜の気孔率及び膜厚は、原料の合成法固相法、液相法クエン酸法、共沈法、原料の平均粒径0.2~1.0μm、原料の比表面積1~25m2/g、及びP型半導体膜の焼成温度900~1200°Cを調整することによって調整された。各サンプルについて、インターコネクタ膜とP型半導体膜との界面でのクラック発生の有無が判定された。クラック発生の有無の判定は、目視、或いは、走査型電子顕微鏡により得られる画像を視ることによってなされた。この実験の結果を表2に示す。表2から理解できるように、T2/T1が2.5より大きいと、クラックが発生する。一方、T2/T1が0.05~2.5では、クラックが発生しない。以上、インターコネクタ膜とP型半導体膜との界面でのクラック発生の抑制の観点からは、T2/T1が0.05~2.5であることが好ましい。なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の範囲内において種々の変形例を採用することができる。例えば、上記実施形態では、インターコネクタN型半導体140の表面に導電膜としてのP型半導体膜150が形成されているが、インターコネクタN型半導体140の表面に導電膜としてのN型半導体膜が形成されていてもよい。この場合、上述したPN接合の性質による、逆方向電流の発生の抑制効果が作用しない。また、導電膜として、貴金属Au,Ag等からなる膜が使用されていてもよい。また、上記実施形態では、インターコネクタN型半導体140が燃料側電極110に設けられているが、インターコネクタN型半導体140が空気側電極130に設けられていてもよい。また、上記実施形態では、燃料側電極110内に燃料ガスの流路が形成されていないが、燃料側電極内に燃料ガスの流路が形成されていてもよい。加えて、SOFC100を構成する積層体は、単独で存在しているが図1を参照、この積層体が、或る装置全体の一部分として存在していてもよい。"