胴体と、前記胴体の表面に絶縁層と、前記絶縁層の上に少なくとも1つの電極層と、前記少なくとも1つの電極層の上に発光素子と、を含み、前記電極層は熱拡散層及び前記熱拡散層の上に反射層を含み、前記熱拡散層は前記反射層の厚さの少なくとも20倍の厚さで形成されていることを特徴とする、発光素子パッケージ。前記電極層は前記発光素子の領域の下にボンディング層と、前記ボンディング層と前記反射層との間に接着層と、前記熱拡散層と前記反射層との間にバリア層と、前記バリア層と前記絶縁層との間にシード層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記電極層は発光素子が配置され、少なくとも6層の金属層を有する第1領域と、前記第1領域の外側に少なくとも4層の金属層を有する第2領域と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記電極層は、前記絶縁層と前記熱拡散層との間にシード層をさらに含むことを特徴とする、請求項1または3に記載の発光素子パッケージ。前記電極層の厚さは前記絶縁層の厚さの少なくとも20倍であることを特徴とする、請求項1または2に記載の発光素子パッケージ。前記熱拡散層の厚さは10~50μmであることを特徴とする、請求項1乃至3のうち、いずれか1項に記載の発光素子パッケージ。前記電極層は前記反射層の下にボンディング層を有する複数の電極層を含み、前記熱拡散層は前記ボンディング層の厚さの少なくとも66倍の厚さで形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の発光素子パッケージ。前記熱拡散層の厚さは前記電極層の厚さの85以上で形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の発光素子パッケージ。前記電極層は前記熱拡散層と前記反射層との間にバリア層をさらに含むことを特徴とする、請求項1または3に記載の発光素子パッケージ。前記熱拡散層は銅Cuを含み、30μm±2μmの厚さで形成されていることを特徴とする、請求項6に記載の発光素子パッケージ。前記熱拡散層は、銅Cu、アルミニウムAl、金Au、及び銀Agのグループのうちの少なくとも1つを含み、前記反射層は、アルミニウム、銀、アルミニウム合金、銀合金のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1乃至3のうち、いずれか1項に記載の発光素子パッケージ。前記胴体は上部が開放されたキャビティを含み、前記キャビティにモールディング部材を含むことを特徴とする、請求項1乃至3のうち、いずれか1項に記載の発光素子パッケージ。前記胴体はシリコン系列の伝導性材質を含むことを特徴とする、請求項12に記載の発光素子パッケージ。前記胴体には前記胴体の上面から前記胴体の下面まで貫通される少なくとも1つのビア部材を含むことを特徴とする、請求項13に記載の発光素子パッケージ。前記ボンディング層の表面粗さは30nm以下であることを特徴とする、請求項12に記載の発光素子パッケージ。本発明の目的は、放熱効率が改善されたパッケージ構造を有する発光素子パッケージ及びその製造方法を提供することにある。本発明による発光素子パッケージは、胴体、上記胴体の表面に絶縁層、上記絶縁層の上に少なくとも1つの電極層、及び上記少なくとも1つの電極層の上に発光素子を含み、上記電極層は熱拡散層及び上記熱拡散層の上に反射層を含み、上記熱拡散層は上記反射層の厚さの少なくとも20倍の厚さで形成されている。本発明による発光素子パッケージは、上部が開放されたキャビティを有する胴体、上記胴体の表面に絶縁層、上記絶縁層の上に複数の電極層、及び上記キャビティの内に配置され、上記複数の電極層のうち、少なくとも1層の上に搭載された発光素子を含み、上記複数の電極層は熱拡散層及び上記熱拡散層の上に反射層を含み、上記熱拡散層は上記反射層の厚さの少なくとも20倍の厚さで形成されている。本発明による照明システムは、複数の発光素子パッケージ、上記複数の発光素子パッケージが搭載されたボード、及び上記発光素子パッケージの光出射経路に光学部材を含み、上記各発光素子パッケージは、胴体、上記胴体の表面に絶縁層、上記絶縁層の上に少なくとも1つの電極層、及び上記少なくとも1つの電極層の上に発光素子を含み、上記電極層は熱拡散層及び上記熱拡散層の上に反射層を含み、上記熱拡散層は上記反射層の厚さの少なくとも20倍の厚さで形成されている。本発明によれば、放熱効率が改善されたパッケージ構造を有する発光素子パッケージ及びその製造方法が得られる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。以下、添付した図面を参照して実施形態に対して説明すれば、次の通りである。以下、実施形態を説明するに当たって、各層の図面の一例であり、図面に記載された部材の厚さに限定するものではない。図1は本発明の第1実施形態による発光素子パッケージを示す平面図であり、図2は図1のA-A側断面図である。図1及び図2を参照すると、発光素子パッケージ100は、胴体101、絶縁層130、第1及び第2電極層110、120、及び発光素子140を含む。上記胴体101は、シリコンSi系列の材質を含むことができ、例えばシリコンウエハを有するウエハレベルパッケージwaferlevelpackage:WLPを含むことができる。上記胴体101はシリコンSiの以外の他の材料、例えば、アルミニウムAl、アルミニウムナイトライドAlN、AlOx、PSGphotosensitiveglass、サファイアAl2O3、ベリリウムオキサイドBeO、及びPCBPrintedCircuitBoard、各種樹脂などで形成され、実施形態はパッケージの製造効率及び放熱効率に優れるシリコンをその例として説明する。上記胴体101はエッチングプロセスとして、バルクエッチング方法を使用してエッチングを遂行するようになるが、上記エッチング方法は、湿式エッチングwetetching方法、乾式エッチングdryetching方法、レーザードリリングlaserdrilling方法などが用いられ、また上記の方法のうち、2つ以上の方法を共に利用することもできる。上記の乾式エッチング方法の代表的な方法には、深堀り反応性イオンエッチングdeepreactiveionetching;deepRIE方法がある。上記胴体101の上部には上記のエッチングプロセスにより所定の深さのキャビティ105が形成され、上記キャビティ105は上部が開放された形態に形成され、例えばベースチューブ形態のリセス凹部、多角形リセス、または円形リセスのうち、いずれか1形態に形成され、これに対して限定するものではない。上記キャビティ105の形成方法は、マスクにパターニングした後、湿式エッチング液、例えば、KOH溶液、TMAH、EDPのような異方性湿式エッチング溶液を使用して形成することができる。上記キャビティ105の側面103は、その底面102に対し、所定の角度に傾斜することができる。上記キャビティ105の側面103は上記キャビティ底面102に対し、ほとんど垂直となるように形成されたり、所定の曲面に形成されるが、これに対して限定するものではない。上記胴体101の側面部107は所定の角度に折り曲げられた構造または垂直な構造で形成される。上記胴体101の側面部107は、上記胴体101の上面から第1角度に傾斜した上部側面と上記胴体の下面から第2角度に傾斜した下部側面を含み、上記上部側面と下部側面は隅を形成するようになる。上記胴体101の側面部はパッケージ材料の結晶特性によって所定角度にエッチングされるか、カッティング工程により形成される。ここで、上記胴体101の側面部形状は、実施形態の技術的範囲内で多様に変更可能であり、図面に提示された特徴に限定するものではない。上記胴体101の下面と上記キャビティ105の底面との間の厚さは上記胴体101の他の領域の厚さよりは薄く形成され、好ましくは最も薄い厚さで形成され、このような厚さの差はエッチング方法によって変えることができる。上記胴体101の表面には絶縁層130が形成され、上記絶縁層130の上には電極層110、120が形成される。上記絶縁層130は、電極層110、120と上記胴体101との間を絶縁させる。上記絶縁層130は、上記電極層110、120より広い面積をカバーすることによって、上記胴体101と他の伝導性物質との接触を遮断することができる。上記絶縁層130は、例えば、シリコン熱酸化膜SiO2、SixOy等、アルミニウムオキサイドAlOx、シリコン窒化膜Si3N4、SixNy、SiOxNy等、アルミナAlN、サファイアAl2O3からなる群から少なくとも1つが選択されて形成される。上記電極層110、120は、少なくとも第1電極層110及び第2電極層120を含む。上記第1及び第2電極層110、120は多数の金属層を含み、熱伝導性、電気的特性、光反射効率のための金属性材料及び厚さにより選択される。上記第1電極層110は上記胴体101の一方の側に配置され、上記第2電極層120は上記胴体101の他方の側に配置される。上記胴体101の一方の側と他方の側とは、互いに反対側領域、または互いに対応する領域でありうる。上記第1電極層110は、上記キャビティ105の表面の一方の側、上記胴体101の上面の一方の側、第1側面部、及び底面一部まで延長できる。上記第2電極層120は、上記キャビティ105の表面の他方の側、上記胴体101の上面の他方の側、第2側面部、及び底面の一部まで延長できる。上記第1側面部は左側面領域であり、上記第2側面部は右側面領域でありうる。上記第1電極層110の端部P1は第1リード端子に使用され、上記第2電極層120の端部P2は第2リード端子に使用される。上記第1及び第2電極層110、120の形成方法は、上記絶縁層130の上にフォトレジストをコーティングし、露光、現像して選択領域を露出するようにパターニングしてマスクパターンを形成する。そして、上記第1及び第2電極層110、120は、マスクパターンが形成されない領域にスパッタリング方法、メッキ方法電解または無電解メッキ、またはE-beam蒸着方法により選択的に蒸着し、リフトオフLiftoffして形成することができ、これに対して限定するものではない。上記第1電極層110及び上記第2電極層120は分離部145により互いに分離され、上記分離部145は上記第1電極層110と上記第2電極層120との間の領域であり、上記キャビティ105から上記胴体101の上面まで延長できる。上記分離部145は溝で形成され、上記溝には絶縁物質が配置される。上記分離部145の深さは上記第1電極層110または上記第2電極層120の厚さと同一の深さで形成される。上記胴体101には少なくとも1つのドーピング領域が形成され、上記ドーピング領域はウェル領域と定義することができる。上記ドーピング領域は、上記胴体101の上面または/及び下面に不純物の注入または拡散工程により形成される。上記ドーピング領域は上記胴体101と反対の極性を含み、例えばP型半導体であることがあり、これに対して限定するものではない。ここで、上記胴体101はN型半導体でありうる。したがって、上記のドーピング領域と上記胴体101はP-N接合またはP-N-P接合、N-P接合、N-P-N接合のうち、少なくとも1つにより接合され、このような接合構造はツェナーダイオードのような保護素子や定電流素子で具現できる。上記ドーピング領域は、上記複数の電極層110、120のうち、いずれか1つと接触される。上記発光素子140は、上記第1電極層110または/及び上記第2電極層120の上に配置される。以下、説明の便宜のために、上記発光素子140は第1電極層110の上に配置された例として説明する。上記発光素子140は上記第1電極層110の上に配置され、上記キャビティ105のセンターに位置する。上記第1電極層110及び上記第2電極層120は、領域によって異なる厚さで形成される。上記第1電極層110及び上記第2電極層120の領域は。反射領域とリード領域とに分けられる。上記反射領域は、上記リード領域の反射率よりは高い反射率を有する領域でありうる。上記反射領域の内にはボンディング領域を含む。上記電極層110、120において、反射領域の厚さは上記リード領域の厚さより薄い厚さで形成され、上記電極層110、120において、ボンディング領域の厚さは上記反射領域よりは薄い厚さで形成される。上記電極層110、120において、ボンディング領域と上記リード領域は同一の金属積層構造で形成される。上記反射領域は第2領域A2、上記リード領域は第3領域A3、及び上記ボンディング領域は第1領域A1でありうる。上記第2領域A2は、上記キャビティ105の底面102、上記キャビティ105の側面103、及び上記胴体101の上面一部L1まで延長できる。上記胴体101の上面に露出された上記第2領域A2の幅D1、D2は例えば1μm以上に形成されるが、これに対して限定するものではない。接合部材125は上記発光素子140と上記第1電極層110との間に配置され、その面積は上記発光素子140の下面面積よりは広い面積で形成される。上記接合部材125は上記第1電極層110の第1領域A1の上に配置され、上記発光素子140を上記第1電極層110にボンディングさせる。上記発光素子140は、上記接合部材125にダイアタッチ方式によりボンディングされる。上記接合部材125は、ユーテクティックメタルeutecticmetalであることがあり、上記ユーテクティックメタルは、例えば、ゴールドティンAu-Sn、レッドティンPb-Sn、インジウムInのうち、少なくとも1つを含むことができ、このような物質は、例えばE-beam方法により形成される。上記発光素子140は、例えば、青色LEDチップ、緑色LEDチップ、赤色LEDチップ、黄色LEDチップなどの可視光線領域帯のLEDチップ、または紫外線UV領域帯のLEDチップからなることができ、このような発光素子140の種類や個数に対して限定するものではない。上記発光素子140は3族-5族化合物半導体層を含み、例えばInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1を含むことができる。上記化合物半導体層は、第1導電型半導体層、活性層、第2導電型半導体層の順に積層された構造でありうる。上記半導体層の下には基板が配置され、上記基板はサファイアのような絶縁基板または伝導性基板でありうる。上記基板は半導体層が成長された基板、または別途に付着された基板でありうる。他の例として、上記半導体層の下には、オーミック層、反射層、及び伝導性支持基板がさらに配置できる。上記伝導性支持基板を通じて電源が供給できる。上記発光素子140は、上記第1電極層110及び上記第2電極層120に電気的に連結される。上記発光素子140は、第1電極層110の上にボンディングされ、上記第2電極層120にワイヤ142により連結される。上記発光素子140は、第1及び第2電極層110、120にフリップ方式によりボンディングされるか、少なくとも2つのワイヤにより各々連結され、これに対して限定するものではない。上記ワイヤ142の一端は上記第2電極層110の反射層またはボンディング層でありうる。上記第1電極層110と上記第2電極層120は、少なくとも4層の金属層に積層される。上記第1電極層110の第1領域A1及び第3領域A3は、4層以上の金属層に形成され、上記第1及び第2電極層110、120の第2領域A2は5層以上の金属層に形成される。上記第2領域A2の積層構造は他の領域A1、A3の積層構造よりは多い積層構造で形成され、例えば少なくとも1層より多い層を有することができる。上記第1領域A2と上記第3領域A3は、同一の層構造または同一の厚さで形成される。上記第1電極層110と上記第2電極層120は反射層117を含み、上記反射層117は反射領域、例えば、第2領域A2に形成される。上記キャビティ105にはモールディング部材150が形成され、上記モールディング部材150はシリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材料を含む。上記モールディング部材150の表面は、凹形状、フラット形状、凸形状のうち、いずれか1つで形成される。上記モールディング部材150には少なくとも1種類の蛍光体が添加され、上記蛍光体は、レッド蛍光体、グリーン蛍光体、及び黄色蛍光体を選択的に含むことができ、その材質はYAG、TAG、シリケートSilicate、ナイトライドNitride、オキシナイトライドOxynitride系物質を選択的に含むことができる。上記キャビティ105の上にはレンズ図示せずが形成され、上記レンズは、例えば、上記モールディング部材150の上に凸または凹レンズの形状や、これらが混合した形状で形成される。上記レンズは上記モールディング部材150と別途に形成されたり、上記モールディング部材150と一体形成され、これに対して限定するものではない。上記キャビティ105の上には少なくとも1種類の蛍光体を有する蛍光フィルムが配置され、これに対して限定するものではない。上記モールディング部材150の上にはスクリーンプリンティングscreenprinting方法により希望する領域に蛍光体が含まれたシリコンジェルまたは透光性に優れるエポキシを形成することができる。発光素子パッケージの製造工程は、次の通りである。胴体101のキャビティ領域及び側面部をエッチングし、絶縁層130を形成する。上記絶縁層130の上にマスクパターンを配置した後、電極層110、120を形成する。上記第1電極層110の上に発光素子140を搭載し、第2電極層120にワイヤでボンディングする。以後、上記キャビティ105にモールディング部材150でモールディングする。このような胴体101をパッケージ単位でカッティングする。上記カッティング面は、上記第1及び第2電極層110、120が形成される側面部の以外の領域を選択的に利用することができる。上記第1電極層110及び第2電極層120の積層構造は、図3を参照する。図3を参照すると、上記第1及び第2電極層110、120は、シード層111、熱拡散層112、バリア層113、ボンディング層114、接着層116、及び反射層117を含む。上記電極層110、120の第1領域A1及び第3領域A3は、シード層111、熱拡散層112、バリア層113、及びボンディング層114の積層構造で形成される。上記電極層110、120の第2領域A2は、シード層111、熱拡散層112、バリア層113、ボンディング層114、接着層116、及び反射層117を含む。上記シード層111は上記絶縁層図2の130の上に形成され、上記熱拡散層112は上記シード層111の上に形成され、上記バリア層113は上記熱拡散層112の上に形成され、上記ボンディング層114は上記バリア層113の上に形成される。また、上記接着層116は上記ボンディング層114と上記反射層117との間に形成される。上記シード層111は絶縁層との接着性と他の金属層との接合性に優れる材質、例えば、チタニウムTi、クロムCr、及びタンタリウムTaを含み、接着層と定義することができる。上記シード層111は約900Å±200Åの厚さで形成される。上記シード層111は、一層または多層構造で形成され、例えばTi、Cr、Ta、またはこれらの合金を選択的に含むことができる。ここで、上記シード層111が多層構造の場合、その厚さはより厚く形成される。上記熱拡散層112は、上記シード層111の上に熱伝導性に優れる金属、例えば銅Cuで形成され、その厚さは10~50μmで形成され、好ましく30μm±2μm程度に形成される。上記熱拡散層112は、上記反射層117よりは上記シード層111または上記絶縁層や胴体の表面に一層近く形成される。上記熱拡散層112の厚さは上記電極層110、120の第2領域A2の厚さの85以上に厚く形成され、このような厚さは垂直方向、例えば胴体厚さ方向への熱抵抗は増加させ、水平方向、例えば胴体の厚さに垂直方向への熱拡散速度は増加される。上記熱拡散層112の材料は銅Cuの以外の他の物質Ag、Au、Al、またはカーボンナノチューブなどで形成される。ここで、上記熱拡散層112の熱伝導及び熱抵抗は、次の通り求められる。単位面積当たり熱移動量は温度勾配に比例し、熱拡散層112の厚さに反比例し、比例定数Kを導入すれば、熱拡散層112の熱伝導qxは、次の通りである。上記qxは単位時間当たり1次元伝導熱流量kcal/hr、Aは熱伝導面積m2、△xは拡散層の厚さm、kは熱伝導率w/mK、T1、T2は物体の表面と裏面温度K、である。そして、熱抵抗Rは次の通り求められる。上記熱拡散層112の厚さ△xを増加した場合、上記熱拡散層112の熱抵抗Rは比例し、熱伝導面積に反比例する。上記熱拡散層112の厚さが増加すれば、上記熱拡散層112での熱抵抗は増加し、上記熱拡散層112の熱抵抗が増加すれば、垂直方向縦方向よりは水平方向横方向への熱拡散速度が増加し、上記水平方向の熱拡散速度が増加すれば、上記熱拡散層112の有効放熱面積を増加させることができる。上記の熱拡散層112の有効放熱面積の増加は、熱伝導面積Aを増加させることができ、これはパッケージの全体熱抵抗を低下させることができる。ここで、上記熱拡散層112の厚さはμm単位であり、その放熱面積は数mm以上の単位であるので、約1000倍の差が発生し、また熱拡散層112の材料が熱伝導の良いCuのような材質であるので、上記熱拡散層112の厚さが厚くなることより、水平方向への有効放熱面積がより増えるように誘導することができる。したがって、上記熱拡散層112の厚さが厚くなれば、上記熱拡散層112を通じて水平方向に熱が速く拡散されて有効放熱面積及び熱伝導面積がより広くなる効果が得られる。上記の熱拡散層112を有するパッケージは、他のパッケージ構造と比較すると、有効放熱面積が実質的に10倍程度増加する効果がある。上記熱拡散層112の有効放熱面積を考慮して上記熱拡散層112の厚さを設定することによって、上記熱拡散層112での最大、最適の放熱効果が得られる。上記シード層111と上記拡散層112との間にサブシード層がさらに形成される。上記サブシード層はAuまたはCuで形成される。ここで、上記シード層の積層構造はCr/Auや、Cr/Cu、Ti/Au、Ta/Cu、Ta/Ti/Cuなどの構造をなすことができる。ここで、上記シード層111と上記熱拡散層112との間のサブシード層は6000Å±500Å程度に形成される。上記熱拡散層112の上にはバリア層113が形成される。上記バリア層113は高温の環境で上記熱拡散層112による上記ボンディング層114の電気的特性の減少を遮断する。上記バリア層113は、白金Pt、ニッケルNiなどを利用することができ、3000Å±500Åの厚さで形成される。上記バリア層113の上にはボンディング層114が形成され、上記ボンディング層114はメッキ層、例えば金Auで形成され、約5000±500Åの厚さで形成される。ここで、図2及び図3に示すように、上記第1領域A1のボンディング層114の上には接合部材125が形成される。上記接合部材125は、例えばユーテクティックボンディングのための層であり、上記ボンディング層114に接合され、この時の接合効率は上記ボンディング層114の表面粗さによって変えることができる。即ち、上記ボンディング層114の表面粗さが大きければ大きいほど、接合界面に空気の流入により熱伝導率が低下するので、表面粗さを低下させることによって、熱伝導率を改善させることができる。実施形態は、上記ボンディング層114の表面粗さはメッキ方式により形成される上記ボンディング層114により30nm以下に抑制させることができる。上記第1及び第3領域A1、A3の積層構造は、熱拡散層112はCu、バリア層113はNi、ボンディング層114はAuの場合、Cr/Au/Cu/Ni/Au、Cr/Cu/Cu/Ni/Au、Ti/Au/Cu/Ni/Au、Ta/Cu/Cu/Ni/Au、Ta/Ti/Cu/Cu/Ni/Auなどの積層構造で選択的に使用することができる。上記積層構造には、上記に開示された熱拡散層112の厚さを10~50μmに形成して、全体金属層の熱抵抗を低下させることができる。上記電極層110、120の第2領域A2には、上記ボンディング層114の上に接着層116及び反射層117の積層構造をさらに含む。上記接着層116は隣接した2つの金属の間の接合のために形成され、チタニウムTi、クロムCr、タンタリウムTaなどで使用することができ、900Å±100Åの厚さで形成される。このような接着層116は形成しないことがある。上記接着層116の上には反射層117が形成される。上記反射層117は光の反射のために反射度に優れる金属または合金、例えばアルミニウムAl、銀Ag、アルミニウム合金、銀合金のうちから選択的に含むことができる。上記反射層117の反射率は可視光線帯域に対し、少なくとも70以上、好ましくは90以上になることができる。上記反射層117は、図2のキャビティ105の底面及び側面に形成されるので、光反射効率を改善させることができる。上記反射層117は、1500±300Å程度に形成される。上記反射層117は、上記第2領域A2の表面に形成される。上記熱拡散層112の厚さは10~50μmの厚さで形成される。上記熱拡散層112の厚さは上記電極層110、120厚さの50以上、好ましくは85以上でありうる。上記熱拡散層112の厚さは上記反射層117厚さより数十倍、例えば20倍以上の厚さで形成される。上記熱拡散層112の厚さは上記ボンディング層114の厚さより少なくとも66倍厚く形成される。上記電極層110、120は放熱効率の改善のために、上記絶縁層図2の130の厚さより少なくとも20倍程度厚く形成される。また、上記熱拡散層112は、上記反射層117の厚さより少なくとも20倍厚く形成される。上記のような熱拡散層112の厚さによって有効放熱面積を増加させることができるので、放熱効率と共に発光素子の電気的な信頼性を改善することができる。上記熱拡散層112での水平方向の熱拡散が増加すれば、上記熱拡散層112の有効放熱面積はキャビティ105の底面及びその側面、胴体の上面まで拡張できる。上記熱拡散層112の有効放熱面積が増加すれば、上記発光素子140から発生した熱は上記熱拡散層112に沿って水平方向に速く拡散されるので、電極層110、120の全表面で効果的に放熱することができる。図1乃至図3を参照して発光素子パッケージ100の動作を見ると、次の通りである。発光素子パッケージ100から上記電極層110、120を通じて電源を供給すれば、上記発光素子140は光を放出する。上記放出された光は上記モールディング部材105を通じて外部に放出される。上記電極層110、120のうち、少なくとも一層、例えば熱伝導率が他の層に比べて相対的に高い材質の熱拡散層112を配置し、上記熱拡散層112の厚さを他の層に比べて相対的に厚く形成することによって、熱拡散効率を増加させることができる。上記電極層110、120の層のうち、いずれか1層の厚さを増加させる場合、発光素子140から発生した熱を垂直方向に伝達することより水平方向に速く拡散させることができる。上記電極層110、120の厚さを増加させる場合、上記電極層110、120自体の熱抵抗は上記電極層の厚さに比例して増加され、上記電極層110、120の熱抵抗が増加すれば、上記電極層110、120の表面での水平方向への熱拡散が所定割合で増加される。上記発光素子140から発生した熱流量は上記発光素子140を起点にして水平方向に進行する第1熱流量F1と垂直方向に進行する第2熱流量F2とに表すことができる。上記第1熱流量F1及び上記第2熱流量F2は上記電極層110、120により変わることができる。実施形態は、上記電極層110、120での水平方向への熱伝達効率を増加させることによって、上記電極層110、120での第1熱流量F1は上記第2熱流量F2より大きいことがあり、これは、電極層110、120での有効放熱面積を増加させることができる。また、上記電極層110、120の水平方向に伝えられる第1熱流量F1は上記電極層110、120から他の材質、例えば胴体101に伝えられる第2熱流量F2よりは大きくなるので、電極層110、120で放熱に寄与する有効放熱面積を増加させることができる。これによって、上記電極層110、120は水平方向への熱拡散を増加させて放熱に寄与する表面積、即ち、有効放熱面積が増加することによって、上記電極層110、120とシリコン材質の胴体101での放熱効率が改善できる。上記発光素子140で発生した熱は上記キャビティ105の内の電極層110、120から上記胴体の上面の電極層まで拡散される。即ち、上記電極層110、120の有効放熱面積は増加される。また、上記電極層110、120に伝導された熱は上記胴体101を通じて伝導されることで、上記胴体101の有効放熱面積も増加できるようになる。これによって、発光素子パッケージの放熱効率は、上記のような電極層110、120及び上記胴体101での有効放熱面積の増加によって改善されることができる。図4は、本発明の実施形態による電極層の熱抵抗を比較した図である。図4を参照すると、第1例C1は発光素子をボンディングせずに接着し、ボンディング層のラフネスは約28nm程度であり、上記熱拡散層の厚さは0.6μmの条件である。この時の熱抵抗TR:Thermalresistanceは13.2K/Wであって、チップ抵抗R1が小さいが、熱拡散層の抵抗R3が相対的に大きくなって、全体熱抵抗の改善効果が小さい。ここで、チップ抵抗はチップの活性層の以下の構造物の抵抗値となることができる。第2例C2は発光素子をボンディング例:ユーテクティックボンディングし、ボンディング層のラフネス表面粗さは約28nm程度であり、上記熱拡散層の厚さは0.6μmの条件である。この時の熱抵抗は8.5K/Wであって、第1例C1に比べて第1抵抗R1は増加するが、第2抵抗R2及び第3抵抗R3は相対的に減少して、全体熱抵抗の改善効果がある。上記第1抵抗R1はチップ抵抗であって、活性層の下の全ての層の抵抗値であり、第2抵抗R2はダイアタッチDieattach抵抗値であり、第3抵抗R3はパッケージのボンディング層から胴体及びボード基板例:MCPCBで発生した抵抗値でありうる。このような熱抵抗の改善は上記熱拡散層の厚さの増加を通じて水平方向への熱拡散を誘導して有効放熱面積を増加させることによって、パッケージ全体の熱抵抗を改善させることができる。第3例C3は発光素子をボンディング例:ユーテクティックボンディングし、ボンディング層のラフネスは約11nm程度であり、上記熱拡散層の厚さは30μmの条件である。この時の熱抵抗は6.5K/Wであって、第2例C2に比べて第1抵抗R1及び第3抵抗R3が減少して、全体熱抵抗の改善効果がある。これによって、実施形態は熱拡散層の厚さを相対的に厚く形成し、発光素子をダイアタッチ方式によりボンディングすることで、有効発光面積を増加させることができる。これによって、熱伝導面積が増加して、熱拡散層の抵抗、チップ抵抗、及びダイアタッチ抵抗を低下させることができ、全体的な電極層の熱抵抗を改善させることができるので、放熱効率をさらに高めることができる。図5は、本発明の第2実施形態による発光素子パッケージを示す図である。図5を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図5を参照すると、発光素子パッケージ100Aは、キャビティ105を有する胴体101、絶縁層130、130A、複数の電極層110、120、発光素子140、リード電極110A、120A、及びビア構造160、161を含む。上記胴体101には上面と下面に絶縁層130、130Aを形成した後、側面部は絶縁層を形成せずに胴体が露出された形態である。上記複数の電極層110、120は胴体101の上の絶縁層130の上に形成され、上記リード電極110A、120Aは上記胴体101の下の絶縁層130Aの下に形成される。上記胴体101にはビア構造160、161を含み、上記ビア構造160、161はスルーホール160の内にビア161が形成された構造であり、上記ビア161は上記胴体101と絶縁物質により絶縁された構造である。上記ビア161は、複数の電極層110、120をリード電極110A、120Aに各々連結させることによって、電源経路を提供する。第2実施形態は、上記パッケージ構造から複数の電極層110、120の内に図3のように、熱拡散層112を形成することによって、有効放熱面積と熱伝導面積を通じてパッケージの熱抵抗を低下させることができるので、垂直方向の第2熱流量F2よりは水平方向の第1熱流量F1を大きくして、パッケージでの放熱効率を改善することができる。図6は、本発明の第3実施形態による発光素子パッケージを示す図である。図6を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図6を参照すると、発光素子パッケージ100Bはフラットな上部を有する胴体101A、絶縁層130、複数の電極層110、120、発光素子140、リード電極P1、P2、及びレンズ150Aを含む。上記発光素子140の上にはモールディング部材を用いたレンズ150Aが凸に形成されて、光の指向角を調節するようになる。上記実施形態による発光素子は、絶縁基板または成長基板を通じて第2リード電極にダイボンディングされた後にパッケージングされ、指示装置、照明装置、表示装置などの光源に使用される。また、上記各実施形態は、各実施形態に限定されず、上記に開示された他の実施形態に選択的に適用され、各実施形態に限定するものではない。図7は、本発明の第4実施形態による発光素子パッケージを示す図である。図7を説明するに当たって、第1実施形態と同一の部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は省略する。図7を参照すると、発光素子パッケージ100Cは電極層110、120の表面に複数の突起118を含み、上記複数の突起118は上記発光素子140から放出された光を効果的に反射させることができる。上記電極層110、120の突起118は上記キャビティ105の内に配置され、これに対して限定するものではない。上記電極層110、120の突起118は反射効率を増加させ、上記モールディング部材150との結合力を改善させることができる。上記電極層110、120の突起118は図2に図示された層のうちのいずれか1層、例えば反射層117から突出される。他の例として、上記電極層110、120の他の層または絶縁層130の表面にラフな突起を形成して、上記電極層110、120の表面に突起118が形成されるようにすることができる。上記胴体101には複数のドーピング領域107、108が形成され、上記ドーピング領域107、108はウェル領域と定義することができる。上記ドーピング領域107、108は上記胴体101の互いに異なる領域に配置され、不純物の注入または拡散工程により形成される。上記ドーピング領域107、108は上記胴体101と反対の極性を含み、例えばP型半導体であることがあり、これに対して限定するものではない。ここで、上記胴体101はN型半導体でありうる。上記ドーピング領域107、108のうち、第1ドーピング領域107は第1電極層110に連結され、第2ドーピング領域108は第2電極層120に連結される。したがって、上記のドーピング領域107、108、上記胴体101、及び上記電極層110、120の連結構造は、P-N接合、P-N-P接合、N-P接合、N-P-N接合のうち、少なくとも1つにより接合され、このような接合構造はツェナーダイオードのような保護素子や定電流素子で具現されることができる。図8は、本発明の実施形態による発光素子例を示す図である。図8を参照すると、発光素子140は複数の化合物半導体層210、220、230を有する発光構造物235、保護層240、複数の伝導層250、支持部材260、絶縁層290、及び電極211を含む。上記発光素子140は化合物半導体、例えば3族-5族元素の化合物半導体を含むLEDLightEmittingDiodeで具現されることができ、上記LEDは、青色、緑色、または赤色のような光を放出する可視光線帯域のLEDまたはUVLEDであって、実施形態の技術的範囲の内で多様に具現できる。上記発光構造物235は、第1導電型半導体層210、活性層220、及び第2導電型半導体層230を含む。上記第1導電型半導体層210は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択される。上記第1導電型がN型半導体の場合、上記第1導電型ドーパントはSi、Ge、Sn、Se、TeのようなN型ドーパントを含む。上記第1導電型半導体層210は、単層または多層で形成され、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層210の上面は光抽出効率のためにラフネスまたは/及びパターン212のような光抽出構造や、電流拡散と光抽出のために透明電極層と絶縁層などが選択的に形成され、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層210は複数の半導体層を含み、上記複数の半導体層はドーパント濃度が異なるか、厚さが互いに異なるか、化合物の組成式が互いに異なることがある。上記第1導電型半導体層210は、超格子構造SLS:Superlatticestructuresで形成され、その材質は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、SiO2、SiOx、SiN2、SiNx、SiOxNy、または金属物質からなる群から選択される。上記超格子構造は互いに異なる少なくとも2層を交互に繰り返して少なくとも2周期を有して形成され、例えば、InGaN/GaNのような積層構造を含む。上記超格子構造の各層は数Å以上の厚さで形成される。上記第1導電型半導体層210の上には電極211が形成される。上記電極211はパッド、または上記パッドに連結された分岐構造の電極パターンを含むことがあり、これに対して限定するものではない。上記電極211は、上面にラフネスパターンが形成され、これに対して限定するものではない。上記第1導電型半導体層210の上面のうち、上記電極211が形成される面はフラットに形成され、これに対して限定するものではない。上記電極211は上記第1導電型半導体層210の上面にオーミック接触され、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合して単層または多層で形成することができる。上記電極211は第1導電型半導体層210とのオーミック接触、金属層間の接着性、反射特性、伝導性特性などを考慮して上記物質などから選択される。上記活性層220は上記第1導電型半導体層210の下に形成され、多重量子井戸構造で形成され、また量子線Quantumwire構造、量子点Quantumdot構造で形成されることもできる。上記活性層220は3族-5族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期、InGaN井戸層/AlGaN障壁層の周期、またはInGaN井戸層/InGaN障壁層の周期で形成され、これに対して限定するものではない。上記活性層220は、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する量子井戸層とInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する障壁層を含んで形成される。上記活性層220の上または/及び下には導電型クラッド層が形成されることもあり、上記導電型クラッド層は窒化物系半導体で形成されることもできる。上記障壁層のバンドギャップは上記井戸層のバンドギャップより高く、上記導電型クラッド層のバンドギャップは上記障壁層のバンドギャップより高いことがある。上記第2導電型半導体層230は上記活性層220の下に形成され、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択される。上記第2導電型がP型半導体の場合、上記第2導電型ドーパントはMg、ZnのようなP型ドーパントを含む。上記第2導電型半導体層220は単層または多層で形成され、これに対して限定するものではない。上記発光構造物235は上記第2導電型半導体層230の下に第3導電型半導体層をさらに含むことができ、上記第3導電型半導体層は上記第2導電型半導体層と反対の極性を有することができる。また、上記第1導電型半導体層210がP型半導体層であり、上記第2導電型半導体層230がN型半導体層で具現されることもできる。これによって、上記発光構造物235は、N-P接合、P-N接合、N-P-N接合、及びP-N-P接合構造のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記第2導電型半導体層230または第3導電型半導体層の下には保護層240及び複数の伝導層250が形成される。以下、説明の便宜のために発光構造物235の最下層は第2導電型半導体層230を一例として説明する。上記保護層240はチップの外側領域であるチャンネル領域に配置され、上記チャンネル領域はチップサイズの境界であるチップ周り領域となる。上記保護層240の上面の外側は外部に露出されるか、他の物質、例えば絶縁層290により覆われることができる。また、上記保護層240の上面はラフネスまたはパターンが形成され、このような保護層240及びそのラフネスまたはパターンはチャンネル領域での光抽出効率を改善させることができる。または、上記ラフネスまたはパターンは上記保護層240の上面の外側に上記保護層240と異なる物質または屈折率の異なる物質を有するラフネスまたはパターンが形成される。上記ラフネスまたはパターンは、3族-5族化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどであって、アイソレーションエッチングにより形成される第2導電型半導体を用いて形成される。上記保護層240の上面の内側は所定幅程度に上記第2導電型半導体層230の下面の外側に接触される。ここで、上記D1は数~数十μm以内であり、チップサイズによって変えることができる。上記保護層240は上記第2導電型半導体層230の下面の周りに、ループ形状、環状、またはフレーム形状などのパターンで形成される。上記保護層240は連続的なパターン形状または不連続的なパターン形状を含むことができる。上記保護層240は3族-5族化合物半導体の屈折率より低い物質、例えば、透光性酸化物、透光性窒化物、または透光性絶縁層の材質のうちから選択される。上記保護層240は、例えばITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2から選択的に形成される。上記保護層240はSiO2の場合、その屈折率は2.3程度であり、ITO屈折率は約2.1程度であり、GaN屈折率は約2.4であって、上記第2導電型半導体層230を通じて保護層240に入射された光は外部に抽出され、この場合、光抽出効率を改善させることができる。上記保護層240は上記発光構造物235の外壁が湿気に露出されても、互いにショートが発生することを防止し、高湿に強いLEDを提供することができる。上記保護層240を透光性物質で使用する場合、レーザースクライビング時に照射されるレーザーが透過されることによって、チャンネル領域でレーザーによって金属物質の破片の発生を防止するので、発光構造物235の側壁での層間短絡の問題を防止することができる。上記保護層240は、上記発光構造物235の各層210、220、230の外壁と上記第1伝導層251の間の間隔を離隔させることができる。上記保護層240は、0.02~5μmの厚さで形成され、上記厚さはチップサイズによって変更しうる。上記複数の伝導層250は第1乃至第3伝導層251、252、253を含み、上記第1伝導層251は第2導電型半導体層230にオーミック接触され、その材質はITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのような伝導性酸化物を選択的に用いて多層で形成したり、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層することができる。また、上記第1伝導層251には他の物質、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2のうちから選択された物質がさらに形成されることができ、第1伝導層251と第2導電型半導体層230との間に配置される。上記第1伝導層251は、上記第2導電型半導体層230の下面に配置されることができ、また、上記第1伝導層251は上記保護層240の下面の一部を覆う構造で形成され、例えば、上記保護層240の下面の一部に上記保護層240の幅の80以下に形成される。上記第1伝導層251の下には第2伝導層252が配置され、上記第2伝導層252は上記保護層240の下まで延長できる。上記第1伝導層251は、反射金属、または/及びシード金属を含むことができ、上記シード金属はメッキ工程のために使われる。これによって、上記第1伝導層251は、オーミック層、シード層、反射層のような層が選択的に形成され、これに対して限定するものではない。上記第2伝導層252は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらの選択的な組合により構成された物質を選択的に用いて単層または多層で形成される。上記第2伝導層252の下には第3伝導層253が形成され、上記第3伝導層253はバリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記第3伝導層253は、例えばボンディング層として機能し、その下に支持部材260が接合される。上記第3伝導層253を形成せず、上記第2伝導層252に上記支持部材260をメッキやシートなどで付着させることができる。上記支持部材260はベース基板であって、銅Cu、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅-タングステンCu-W、キャリアウエハ例:Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、GaN等などで具現されることができる。上記支持部材260は、図2の接合部材125の上にボンディングされ、上記第1電極層110と電気的に連結され、上記電極211は上記ワイヤ142により上記第2電極層120と電気的に連結される。上記支持部材260から上記第1電極層110に伝導された熱は上記胴体101の厚さ方向よりは上記胴体101の側面方向に一層速く伝導されることで、放熱効率を改善させることができる。これによって、発光素子140の信頼性を改善させることができる。上記発光構造物235の外側面は傾斜するように形成され、絶縁層290が形成される。上記絶縁層290は、下端は上記保護層240の上に部分接触されたり、完全に覆う形態に形成される。上記絶縁層290は、屈折率が上記化合物半導体の屈折率例:GaN:2.4よりは低い絶縁物質、例えば、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2などで形成される。<照明システム>実施形態による発光素子パッケージは、光源としてライトユニットに適用される。上記ライトユニットは複数の発光素子パッケージがアレイ配列された構造を含み、図9及び図10に図示された表示装置、図11に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれる。図9は、本発明の実施形態による表示装置の分解斜視図である。図9を参照すると、実施形態による表示装置1000は、導光板1041と、上記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、上記導光板1041の下に反射部材1022と、上記導光板1041の上に光学シート1051と、上記光学シート1051の上に表示パネル1061と、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011とを含むことができるが、これに限定されるものではない。上記ボトムカバー1011、反射部材1022、導光板1041、及び光学シート1051は、ライトユニット1050と定義することができる。上記導光板1041は光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1041は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール1031は上記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用する。上記発光モジュール1031は少なくとも1つを含み、上記導光板1041の一側面から直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は、ボード1033と上記に開示された実施形態による発光素子パッケージ100を含み、上記発光素子または発光素子パッケージ100は、上記ボード1033の上に所定間隔でアレイされる。即ち、上記ボード1033の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態にアレイされる。上記ボード1033は回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記ボード1033は一般PCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB:MetalcorePCB、軟性PCBFPCB:FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ100は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記ボード1033は除去できる。ここで、上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー1011の上面に接触される。そして、上記多数の発光素子パッケージ100は、上記ボード1033の上に光が放出される出射面が上記導光板1041と所定距離離隔するように搭載され、これに対して限定するものではない。上記発光素子パッケージ100は、上記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するものではない。上記導光板1041の下には上記反射部材1022が配置される。上記反射部材1022は、上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、上記ライトユニット1050の輝度を向上させることができる。上記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定するものではない。上記反射部材1022は、上記ボトムカバー1011の上面であることがあり、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は上面が開口されたボックスbox形状を有する収納部1012が備えられ、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011はトップカバーと結合され、これに対して限定するものではない。上記ボトムカバー1011は、金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または圧出成形などの工程を用いて製造される。また、上記ボトムカバー1011は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するものではない。上記表示パネル1061は、例えばLCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着され、このような偏光板の付着構造に限定するものではない。上記表示パネル1061は、光学シート1051を通過した光により情報を表示する。このような表示装置1000は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用できる。上記光学シート1051は、上記表示パネル1061と上記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。上記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平または/及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上には保護シートが配置され、これに対して限定するものではない。ここで、上記発光モジュール1031の光経路上には、光学部材として、上記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができ、これに対して限定するものではない。図10は、本発明の実施形態による表示装置を示す図である。図10を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、上記に開示された発光素子パッケージ100がアレイされたボード1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。上記ボード1120と上記発光素子パッケージ100は、発光モジュール1160と定義することができる。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1160、及び光学部材1154は、ライトユニットと定義することができる。上記ボード1120の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態にアレイされる。上記ボトムカバー1152には収納部1153を具備することができ、これに対して限定するものではない。ここで、上記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導光板は、PC材質またはPMMAPolymethylmethacrylate材質からなることができ、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは、入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。図11は、本発明の実施形態による照明装置の斜視図である。図11を参照すると、照明装置1500は、ケース1510と、上記ケース1510に設置された発光モジュール1530と、上記ケース1510に設置され、外部電源から電源が提供される連結端子1520とを含むことができる。上記ケース1510は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成される。上記発光モジュール1530は、ボード1532と、上記ボード1532に搭載される実施形態による発光素子または発光素子パッケージ100を含むことができる。上記発光素子パッケージ100は、複数個がマトリックス形態または所定間隔で離隔してアレイされる。上記ボード1532の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態にアレイされる。上記ボード1532は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記ボード1532は光を効率的に反射する材質で形成されたり、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。上記ボード1532の上には少なくとも1つの発光素子パッケージ100が搭載される。上記発光素子パッケージ100の各々は少なくとも1つのLEDLightEmittingDiodeチップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード、及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために、多様な発光素子パッケージ100の組合を有するように配置される。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置することができる。上記連結端子1520は、上記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子1520は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するものではない。例えば、上記連結端子1520は、ピンpin形態に形成されて外部電源に挿入されたり、配線により外部電源に連結されることもできる。上記のような熱抵抗及び放熱効率が改善されたパッケージは、上記図1のパッケージ100だけでなく、他の実施形態のパッケージ100A、100Bを適用することができ、このようなパッケージ及びそのモジュールは、指示装置、照明装置、表示装置などに適用される時、放熱効率による信頼性を改善させることができる。実施形態による発光素子パッケージ製造方法は、パッケージ胴体の上に絶縁層を形成するステップ、上記絶縁層の上に、シード層、熱拡散層、バリア層、及びボンディング層の順に形成するステップ、上記ボンディング層の第2領域の上に接着層及び上記接着層の上に反射層を形成するステップ、及び上記ボンディング層の第1領域の上に発光素子をボンディングし、上記第2領域のうち、上記第1領域から電気的に離隔した一部領域の反射層に発光素子を電気的に連結するステップを含み、上記熱拡散層は銅材質を含み、10~50μmの厚さを含む。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。