基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板であって、前記ソース電極と前記データ配線はともに、銀または銀合金で形成されており、少なくとも、前記ゲート電極または前記画素電極の何れか一方は、銀または銀合金以外で形成されており、前記データ配線における、前記ゲート絶縁層によって被覆されていない部分は、前記ゲート電極と前記画素電極の何れか一方であって、銀または銀合金以外で形成されている方と同じ材質の被覆層によって被覆されていることを特徴とするトップゲート型アクティブマトリックス基板。基材上に、直接また間接的に、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線のそれぞれを順次形成するトップゲート型アクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記ソース電極と前記データ配線は、銀または銀合金により同時に形成し、一方で、前記ゲート電極は、銀または銀合金以外で形成するとともに、当該ゲート電極を形成するのと同時に、前記データ配線における前記ゲート絶縁層によって被覆されていない部分を、当該ゲート電極と同じ材質で被覆することを特徴とするトップゲート型アクティブマトリックスの製造方法。基材上に、直接また間接的に、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線のそれぞれを順次形成するトップゲート型アクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記ソース電極と前記データ配線は、銀または銀合金により同時に形成し、一方で、前記画素電極は、銀または銀合金以外で形成するとともに、当該画素電極を形成するのと同時に、前記データ配線における前記ゲート絶縁層によって被覆されていない部分を、当該画素電極と同じ材質で被覆することを特徴とするトップゲート型アクティブマトリックスの製造方法。本発明はこのような状況においてなされたものであり、データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供するとともに、当該トップゲート型アクティブマトリックス基板を簡便かつ安価に製造することができる方法を提供するを主たる課題とする。本発明者らは、マイグレーション現象ついて鋭意検討し、この原因が水分、より具体的には、目視可能な水滴のみならず大気中の気化状態の水分、いわゆる湿気もがマイグレーションを引き起こしていることを解明し本発明を完成させた。つまり、上記課題を解決するための第1の発明は、基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板であって、前記ソース電極と前記データ配線はともに、銀または銀合金で形成されており、少なくとも、前記ゲート電極または前記画素電極の何れか一方は、銀または銀合金以外で形成されており、前記データ配線における、前記ゲート絶縁層によって被覆されていない部分は、前記ゲート電極と前記画素電極の何れか一方であって、銀または銀合金以外で形成されている方と同じ材質の被覆層によって被覆されていることを特徴とする。また、上記課題を解決するための第2の発明は、基材上に、直接また間接的に、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線のそれぞれを順次形成するトップゲート型アクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記ソース電極と前記データ配線は、銀または銀合金により同時に形成し、一方で、前記ゲート電極は、銀または銀合金以外で形成するとともに、当該ゲート電極を形成するのと同時に、前記データ配線における前記ゲート絶縁層によって被覆されていない部分を、当該ゲート電極と同じ材質で被覆することを特徴とする。さらに、上記課題を解決するための第3の発明は、基材上に、直接また間接的に、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線のそれぞれを順次形成するトップゲート型アクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記ソース電極と前記データ配線は、銀または銀合金により同時に形成し、一方で、前記画素電極は、銀または銀合金以外で形成するとともに、当該画素電極を形成するのと同時に、前記データ配線における前記ゲート絶縁層によって被覆されていない部分を、当該画素電極と同じ材質で被覆することを特徴とする。本発明によれば、データ配線が、マイグレーション現象が生じやすい銀また銀合金によって形成されているにもかかわらず、当該データ配線においてマイグレーション現象が生じやすい部分、つまりゲート絶縁層によって被覆されていない部分が、銀または銀合金以外で形成された、ゲート電極または画素電極の何れか一方と同じ材質で形成された被覆層によって被覆されているので、マイグレーション現象の発生を防止することができる。また、本発明は、被覆層がゲート電極または画素電極と同一材料にて形成されているので、これらを同一工程にて形成可能であるため、従来の、被覆層がないアクティブマトリックス基板と比べて工程が煩雑となることもなく、また従来と同じ装置にて製造することも可能である。以下、トップゲート型アクティブマトリックス基板の実施形態およびその製造方法の実施形態について図面を用いて説明する。図1は、トップゲート型アクティブマトリックス基板の概略断面図である。図2は、図1に示すトップゲート型アクティブマトリックス基板を構成する各電極などの位置関係を説明するための正面からの説明図である。図示するように、トップゲート型アクティブマトリックス10は、基材11上に、ソース電極12、ドレイン電極13、半導体層14、ゲート絶縁層15、ゲート電極16、層間絶縁層17、画素電極18、および前記ソース電極12と接続したデータ配線19とを有する。そして、前記ソース電極12と前記データ配線19はともに、銀または銀合金で形成されている。一方で、ゲート電極16は、前記ソース電極および前記データ配線19とは異なり、銀又は銀合金以外の材質で形成されている。そして、特に図2に示すように、前記データ配線19における、前記ゲート絶縁層15によって被覆されていない部分Aは、前記ゲート電極16と同じ材質により形成された被覆層20によって被覆されている。このようなトップゲート型アクティブマトリックス10によれば、データ配線19においていわゆるむき出しとなっている部分Aが、ゲート電極と同じ材質により形成された被覆層20によって被覆されているので、当該部分Aにおけるマイグレーション現象の発生を防止しることができる。また、このようなトップゲート型アクティブマトリックス10によれば、マイグレーション現象の発生を防止するためにソース電極12とデータ配線19の材質を異ならせるといった煩わしさはなく、双方に対して銀または銀合金を採用可能となる。以下に、トップゲート型アクティブマトリックス10を構成ごとに説明する。<基材>基材11は、トップゲート型アクティブマトリックス10の全体を支持する機能を果たすものであればいかなるものであってもよく、従来から用いられている基材を適宜選択して用いることができる。具体的には、トップゲート型アクティブマトリックス10を用いて製造されるデバイスの種類や用途等に応じて選択すればよく、たとえば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などのプラスチックシート等を挙げることができる。また、これら樹脂の以外であっても、例えばガラス基板を用いてもよい。<ソース電極ドレイン電極データ配線>ソース電極12は、データ配線19と接続されており、かつ銀または銀合金により形成されている。また、通常の場合、ソース電極12とドレイン電極13とは同じ材質により形成されることが多く、従ってドレイン電極13にあっても銀または銀合金により形成されることとなる。一方で、ソース電極12と接続しているデータ配線19にあっても銀または銀合金により形成されている。ただし、当該データ配線19は、ソース電極12およびドレイン電極13と全く同じ材質で形成されていてもよく、銀または銀合金ではあるが、ソース電極12およびドレイン電極13とは異なる材料で形成されていてもよい。つまり、たとえばソース電極12、ドレイン電極13、およびデータ配線19がすべて銀により形成されていてもよく、ソース電極12およびドレイン電極13は銀で形成されており、データ配線19は銀合金により形成されていてもよい。ここで、合金とは、単一の金属元素からなる純金属に対して、複数の金属元素からなるものを指す。したがって、銀合金とは、構成金属元素に銀を含むものであり、さらには、当該合金を構成する複数の金属元素の中で銀がもっとも多く含有されている合金のことを指す。上記基板11上にソース電極12、ドレイン電極13およびデータ配線19を形成する方法としては、所望のパターン状にこれらを形成できる方法であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、上記基板11上にパターン状のソース電極12、ドレイン電極13およデータ配線19を直接形成する方法第1の方法と、上記基板11の全面に導電性薄膜層を形成した後、当該導電性薄膜層をパターン状にエッチングすることにより、ソース電極12、ドレイン電極13およびデータ配線19を形成する方法第2の方法とを挙げることができる。上記のいずれの方法であっても好適に用いることができるが、なかでも上記第2の方法を用いることが好ましい。このような方法を用いることにより、より高精細なパターンを形成することができるからである。上記第2の方法において、上記導電性薄膜層をパターン状にエッチングする方法としては、上記導電性薄膜層を所望のパターンにエッチングできる方法であれば特に限定されるものではない。このようなエッチング方法としては、例えば、レジスト材料を用いたリソグラフィー法やレーザーアブレーション法等を挙げることができる。これらのいずれの方法であっても好適に用いることができるが、なかでも上記レジスト材料を用いたリソグラフィー法が最も好適に用いられる。上記リソグラフィー法によれば高精細なパターン状のソース電極12やドレイン電極13を容易に製造することができるからである。また、このような方法によれば連続プロセスとして実施することも可能になるからである。上記レジスト材料としては、例えば、フォトレジスト、スクリーンレジスト、EBレジスト等を用いることができる。また、上記第2の方法において基板上に導電性薄膜層を形成する方法としては、厚みが均一な導電性薄膜層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、真空蒸着法等の一般的に金属薄膜を形成する方法として公知の方法を用いることができる。<半導体層>半導体層14は、従来からトップゲート型アクティブマトリックスにおいて用いられている種々の半導体層14を用途等に応じて適宜選択して使用することができ、特に限定されることはない。<ゲート絶縁層>ゲート絶縁層15についても特に限定されることはなく、前記半導体層14と同様、用途等に応じて適宜選択して用いることができる。このゲート絶縁層15に覆われていない、つまりゲート絶縁層15からむき出しとなったデータ配線19に被覆層20が形成されることになる。また、ゲート絶縁層15の製造方法としては、上記半導体層14上に所望の絶縁性を備えるゲート絶縁層15を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。このような方法としては、ゲート絶縁層を構成する絶縁性樹脂材料を溶媒に溶解したゲート絶縁層形成用塗工液を塗工する方法と第1の方法、ゲート絶縁層を構成する絶縁性樹脂材料を溶融させたゲート絶縁層形成用組成物を上記半導体層14上に塗工する方法と第2の方法、ゲート絶縁層を構成する絶縁性樹脂材料のモノマー化合物を溶媒に溶解したゲート絶縁層形成用層形成用塗工液を上記半導体層14上に塗工することにより、上記半導体層14上にゲート絶縁層形成用層を形成した後、上記ゲート絶縁層形成用層中に含有される上記モノマー化合物を重合する方法と第3の方法、を挙げることができる。いずれの方法であっても好適に用いることができるが、なかでも第1の方法を用いることが好ましい。<ゲート電極>ゲート電極16につていも特に限定されることはなく、前記半導体層14やゲート絶縁層16と同様、用途等に応じて適宜選択して用いることができる。また、ゲート電極16の製造方法にあっても特に限定されることはなく、たとえば、前記ソース電極12、ドレイン電極13およびデータ配線19と同様の製造方法を採用してもよい。ここで、ゲート電極16を形成するための材質は、後述する被覆層20を形成するための材質ともなる。そして、被覆層20は、ゲート絶縁層15からむき出しとなっている部分のデータ配線19のマイグレーション現象の発生を防止する役目を有していることから、当該役目を考慮して材質を選択することが好ましい。つまり、銀または銀合金以外の種々の材質中でも、金、白金、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンおよびこれらの合金、もしくは積層膜、さらにはこれらの酸化物などを好適に用いることができる。<層間絶縁層>層間絶縁層17については、特に限定されることはなく、前記半導体層14やゲート絶縁層16と同様、用途等に応じて適宜選択して用いることができる。<画素電極>画素電極18は、特に限定されることはなく、前記半導体層14やゲート絶縁層16と同様、用途等に応じて適宜選択して用いることができる。また、画素電極18の製造方法にあっても特に限定されることはなく、たとえば、前記ソース電極12、ドレイン電極13およびデータ配線19と同様の製造方法を採用してもよい。ここで、画素電極18を形成するための材質は、後述する被覆層20を形成するための材質となる場合もなる後述の他の実施形態参照。そして、被覆層20は、ゲート絶縁層15からむき出しとなっている部分のデータ配線19のマイグレーション現象の発生を防止する役目を有していることから、当該役目を考慮して材質を選択することが好ましい。つまり、銀または銀合金以外の種々の材質中でも、金、白金、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンおよびこれらの合金、もしくは積層膜、さらにはこれらの酸化物などを好適に用いることができる。なお、前述したゲート電極16により被覆層20を形成する場合には、画素電極18の材質については前記以外を採用してもよい。<被覆層>被覆層20は、前記データ配線19の、前記ゲート絶縁層によって被覆されていない部分A、つまりゲート絶縁層15からむき出しとなった部分に形成されるものであり、前記ゲート電極16と同じ材質によって形成されている。これにより、液状の水分や空気中の気化している水分などがデータ配線19に付着することを防止でき、その結果マイグレーション現象を防止することができる。<他の実施形態>図3は、図1とは異なる態様のトップゲート型アクティブマトリックス基板の概略断面図である。図4は、図3に示すトップゲート型アクティブマトリックス基板を構成する各電極などの位置関係を説明するための正面からの説明図である。図3および図4に示すトップゲート型アクティブマトリックス10は、ゲート電極16ではなく、画素電極18と被覆層20との材質が同じである点において、図1および図2を用いて説明したトップゲート型アクティブマトリックスと相違する。したがって、この態様のいトップゲート型アクティブマトリックス10においては、ゲート電極16は銀または銀合金で形成されていてもよく、その一方で、画素電極18にあっては、銀または銀合金以外の材質で形成されていることが必要となる。その他の構成や条件については、図1および図2を用いて説明したトップゲート型アクティブマトリックスと同じなので、ここでの説明は省略する。<トップゲート型アクティブマトリックス基板の製造方法>トップゲート型アクティブマトリックス基板の製造方法としては、基材11上に、直接また間接的に、ソース電極12、ドレイン電極13、半導体層14、ゲート絶縁層15、ゲート電極16、層間絶縁層17、画素電極19、および前記ソース電極と接続したデータ配線19のそれぞれを順次形成にあたり、1前記ソース電極12と前記データ配線19は、銀または銀合金により同時に形成する点、および2前記ゲート電極16は、銀または銀合金以外で形成するとともに、当該ゲート電極16を形成するのと同時に、前記データ配線19における前記ゲート絶縁層15によって被覆されていない部分Aを、当該ゲート電極16と同じ材質で被覆して被覆層20を形成する点、に特徴を有している。したがって、上記1および2以外については特に限定することはなく、従来公知の製造方法を適宜採用することができる。<トップゲート型アクティブマトリックス基板の他の製造方法>上記で説明した製造方法とは異なり、上記で説明した2の特徴に代えて、2’前記画素電極18は、銀または銀合金以外で形成するとともに、当該画素電極18を形成するのと同時に、前記データ配線19における前記ゲート絶縁層15によって被覆されていない部分Aを、当該画素電極18と同じ材質で被覆して被覆層20を形成する点、を特徴としてもよい。実施例1以下の手順により本発明の実施例1のトップゲート型アクティブマトリックス基板を作成した。なお、作成したトップゲート型アクティブマトリックス基板の構造は図1および図2と同様である。二酸化ケイ素からなるガラス厚さ;0.7mm上にアクリルポリマー溶液をスピンコート法により塗布した。次いで120°Cのホットプレート上にて2分間のプリベークを行った。次いで150°Cのオーブン中にて30分間のポストベークを行った。ポストベーク直後のアクリルポリマーの膜厚は1μmであった。次いで上記アクリルポリマー膜が形成された基材上に銀40nmをスパッタ法にて成膜した。この銀膜上にポジ型のフォトレジストAZエレクトロニックマテリアルズ社製、AZ-5206をスピンコートで成膜し、フォトマスクを介して露光装置清和光学製マスクアライナーで露光をし、次いで水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度2.38での現像でフォトレジストをパターニングした。この基材をエッチャント関東化学製混酸SEA-5へ投入することで、エッチングをした。続いて銀上に残ったフォトレジストを剥離し、銀からなるソース電極及びドレイン電極及びデータ配線を形成した。有機半導体であるポリチオフェンをトリクロロベンゼンに0.2wtの濃度で溶解させた溶液をソース電極及びドレイン電極近傍にインクジェット塗布富士フィルム製Dimatixし、150°Cのホットプレート上に10分置くことで乾燥させた。顕微鏡観察からポリチオフェンからなる有機半導体層厚さ;40nmが図1に示す位置に形成されていることを確認した。次に、ポリチオフェンをパターニングした側の基材上に光硬化型のアクリルポリマー溶液をスピンコートした。次いで120°Cのホットプレート上にて2分間プリベークを行った。次いで露光、現像を行い150°Cのオーブン中にてポストベークを行った。ポストベーク後のゲート絶縁層の膜厚は1μmであった。次いで上記基材上にチタン10nm、アルミニウム100nm、チタン10nmの順にスパッタ法にて成膜した。この金属積層膜上にポジ型のフォトレジストAZエレクトロニックマテリアルズ社製、AZ-5206をスピンコートで成膜し、フォトマスクを介して露光装置清和光学製マスクアライナーで露光をし、次いで水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度2.38での現像でフォトレジストをパターニングした。この基板をエッチャント関東化学製KSMF-201へ投入することで、エッチングをした。続いて金属積層膜上に残ったフォトレジストを剥離し、チタン/アルミニウム/チタンからなるゲート電極および被覆層を形成した。作製したアクティブマトリックス基板に対し、マイグレーション耐性試験1を行った。具体的には、隣接するデータ配線間データ配線の間隔は50μmに50Vの電圧を印加し、印加開始直後の電流値を測定するとともに、500時間経過後の電流値も測定した。なお、試験環境は、温度40°C、湿度90であった。当該マイグレーション耐性試験1を行ったところ、電圧印加開始直後の電流値は10pAであり、500時間経過後の電流値は12pAであった。このように、測定された電流値に大きな変化はなく、従って十分なマイグレーション耐性があると判断できる。作製したアクティブマトリックス基板に対し、マイグレーション耐性試験2を行った。具体的には、データ配線とドレイン電極との間に50Vの電圧を印加し、印加開始直後の電流値を測定するとともに、500時間経過後の電流値も測定した。なお、試験環境は、温度40°C、湿度90であった。また、ソース電極とドレイン電極との距離は5μmであった。当該マイグレーション耐性試験2を行ったところ、電圧印加開始直後の電流値は25pAであり、500時間経過後の電流値は20pAであった。このように、測定された電流値に大きな変化はなく、従って十分なマイグレーション耐性があると判断できる。比較例1上記実施例1における被覆層を形成しない点以外は、すべて同様の手順によりトップゲート型アクティブマトリックス基板を作製した。この比較例1にかかるトップゲート型アクティブマトリックス基板に対し、前記のマイグレーション耐性試験1を行ったところ、電圧印加開始直後の電流値は10pAであったが、15分経過後の電流値は1μAを超える電流値が観測された。この結果から、マイグレーション耐性がないと判断できる。