半導体光素子を作製する方法であって、複数の素子エリアの配列を設けるための基板の主面の上に形成された半導体層と、該半導体層の主面の上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に設けられ第1の樹脂からなるプライマ層と、回折格子のための一群の凸部を含む周期的な凹凸部を有し該プライマ層の上に設けられ第2の樹脂からなる樹脂体とを含む基板生産物の上に、第3の樹脂からなる平坦化樹脂層を塗布して、前記樹脂体の前記凹凸部を埋め込む工程と、前記凹凸部の各凸部の上端が露出するように前記平坦化樹脂層をエッチングして、前記第3の樹脂からなる樹脂マスクを形成する工程と、前記樹脂マスクを用いて前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングして、複合マスクを形成する工程と、前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングした後に、前記複合マスクを用いて前記絶縁膜をエッチングして絶縁体マスクを形成する工程と、アッシングにより、前記樹脂マスク、前記樹脂体及び前記プライマ層を除去する工程と、前記アッシングの後に、フッ素系炭素及び酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理の後に、前記絶縁体マスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記凹凸部に対応する周期構造を有する回折格子層を形成する工程と、を備え、前記凹凸部は、前記素子エリアの境界から離れており、前記凹凸部の前記凸部の各々は第1の方向に延在し、前記凹凸部の前記凸部は前記第1の方向に交差する第2の方向に配列される、半導体光素子を作製する方法。前記半導体層の前記主面は、回折格子エリアと、前記回折格子エリアを囲む分離エリアとを含み、前記凹凸部は、前記回折格子エリアに位置し、前記回折格子エリアの上における前記平坦化樹脂層の厚さは、前記分離エリアにおける前記平坦化樹脂層の厚さより大きい、請求項1に記載された半導体光素子を作製する方法。前記基板生産物は、前記素子エリアに設けられ前記凹凸部から離れて配置された第2の凹凸部を含み、前記第2の凹凸部は、回折格子のために一群の凸部を含み、前記第2の凹凸部の前記凸部の各々は前記第1の方向に延在し、前記第2の凹凸部の前記凸部は前記第2の方向に配列され、前記凹凸部及び前記第2の凹凸部は、前記第2の方向に延在する軸に沿って配置され、前記半導体層の前記主面は、第2回折格子エリアを含み、前記第2の凹凸部は、前記第2回折格子エリアの上に位置し、前記分離エリアは、前記回折格子エリア及び前記第2回折格子エリアの各々を囲み、前記平坦化樹脂層はスピン塗布される、請求項2に記載された半導体光素子を作製する方法。前記回折格子層を形成した後に、前記回折格子層の上に半導体領域を成長する工程と、前記半導体領域を成長した後に、前記回折格子層の上にマスクを形成する工程と、更に備え、前記回折格子層は、前記第2の凹凸部に対応する第2周期構造を更に含み、前記周期構造及び前記第2周期構造は、前記第2の方向に配置され、前記マスクは前記第2の方向に延在するストライプパターンを含み、前記ストライプパターンは前記周期構造及び前記第2周期構造の上に設けられる、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記基板の上に、活性層を成長する工程と、前記活性層の上に前記半導体層を成長する工程と、前記半導体層の主面の上に前記絶縁膜を成長する工程と、前記絶縁膜の上に前記プライマ層を成長する工程と、を更に備える、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記プライマ層の上に樹脂領域を形成する工程と、ナノインプリント法のためのモールドを前記樹脂領域に押しつけた後に、前記樹脂領域に硬化処理を行って前記樹脂体を形成する工程と更に備え、前記プライマ層の前記第1の樹脂はSi含有樹脂を含み、前記樹脂領域はSi含有しない樹脂からなり、前記樹脂領域は紫外線硬化剤を含む、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記プラズマ処理において、フッ素系炭素と酸素との流量比は、フッ素系炭素の流量/酸素の流量≦1である、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記フッ素系炭素はCF4を含む、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。前記絶縁膜はシリコン窒化物層を含む、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載された半導体光素子を作製する方法。回折格子を作製する方法であって、基板の主面の上に形成された半導体層と、該半導体層の主面の上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に設けられ第1の樹脂からなるプライマ層と、回折格子のために一群の凸部を含む凹凸部の二次元アレイを有し該プライマ層の上に設けられ第2の樹脂からなる樹脂体とを含む基板生産物の上に、第3の樹脂からなる平坦化樹脂層を塗布して、前記樹脂体の前記凹凸部を埋め込む工程と、前記凹凸部の各凸部の上端が露出するように前記平坦化樹脂層をエッチングして、前記第3の樹脂からなる樹脂マスクを形成する工程と、前記樹脂マスクを用いて前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングする工程と、前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングした後に、前記樹脂マスクを用いて前記絶縁膜をエッチングして絶縁体マスクを形成する工程と、アッシングにより、前記樹脂マスク、前記樹脂体及び前記プライマ層を除去する工程と、前記アッシングの後に、フッ素系炭素及び酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理の後に、前記絶縁体マスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記凹凸部に対応する周期構造を有する回折格子層を形成する工程と、を備え、前記凹凸部の前記凸部の各々は第1の方向に延在し、前記凹凸部の前記凸部は前記第1の方向に交差する第2の方向に配列される、回折格子を作製する方法。特許文献1では、まず、半導体基板上に形成された半導体層上に、絶縁層を形成し、この絶縁層上にシリコン非含有レジスト層を形成する。その後、回折格子のための周期的な凹凸を当該シリコン非含有レジスト層に形成する。次に、シリコン非含有レジスト層上に、シリコン非含有レジスト層の凹凸を埋め込んでシリコン含有レジスト層が形成される。シリコン非含有樹脂層の凸部表面が露出するまで、シリコン含有レジスト層をドライエッチングによりエッチングするエッチバック工程。次に、シリコン非含有レジスト層の凹部に埋め込まれたシリコン含有レジスト層をマスクとして、シリコン非含有樹脂層を選択的にエッチングすることにより、シリコン含有樹脂層およびシリコン非含有樹脂層からなる2層レジストパターンが形成される。このパターニングされた2層レジストをマスクとして、絶縁層をエッチングし、絶縁層を回折格子に対応する形状にパターニングする。その後、2層レジストを除去し、パターニングされた絶縁層をマスクとして半導体層をエッチングすることにより、この半導体層に回折格子を形成する。シリコン非含有レジスト層を絶縁層の表面に平坦に形成することで、化合物半導体基板の表面の凹凸の影響を緩和できる。この平坦な表面を有するシリコン非含有レジスト層上に、シリコン含有レジスト層を形成し、回折格子パターンを形成することで、化合物半導体基板の表面に凹凸がある場合でも、回折格子のパターン幅のバラツキを低減することができる。しかし、この2層レジストを用いて絶縁膜をエッチングし、その後、2層レジストを除去する工程で、レジストが完全に除去できずに、絶縁膜状に残渣として残る場合がある。この絶縁膜上に残った不要な樹脂をO2アッシングにより除去を試みたが、依然として残渣が発生してしまう。この残渣は、回折格子が、半導体光素子の半導体層に全面に形成されずに、一部のみ形成される場合に、特に顕著であることもわかってきた。このレジストの残渣は、パターニングされた絶縁層をマスクとして半導体層をエッチングするときのパターン不良の原因となる。このレジストの残渣を分析したところ、この残渣は、2層レジストを構成するシリコン含有レジスト層の一部が、O2アッシングにより完全に除去できずに絶縁膜上に残ったものであることが分かった。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、レジストの残渣による回折格子パターンの形成不良を低減可能な、半導体光素子を作製する方法、及び回折格子を作製する方法を提供することを目的とする。本発明は、半導体光素子を作製する方法に係る。この方法は、a複数の素子エリアの配列を設けるための基板の主面の上に形成された半導体層と、該半導体層の主面の上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に設けられ第1の樹脂からなるプライマ層と、回折格子のための一群の凸部を含む周期的な凹凸部を有し該プライマ層の上に設けられ第2の樹脂からなる樹脂体とを含む基板生産物上に、第3の樹脂からなる平坦化樹脂層を塗布して、前記樹脂体の前記凹凸部を埋め込む工程と、b前記凹凸部の各凸部の上端が露出するように前記平坦化樹脂層をエッチングして、前記第3の樹脂からなる樹脂マスクを形成する工程と、c前記樹脂マスクを用いて前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングして複合マスクを形成する工程と、d前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングした後に、前記複合マスクを用いて前記絶縁膜をエッチングして絶縁体マスクを形成する工程と、eアッシングにより前記樹脂マスク、前記樹脂体及び前記プライマ層を除去する工程と、f前記アッシングの後に、フッ素系炭素及び酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を施す工程と、g前記プラズマ処理の後に、前記絶縁体マスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記凹凸部に対応する周期構造を有する回折格子層を形成する工程とを備える。前記凹凸部は、前記複数の素子エリアのうちの一素子エリアの境界から離れており、前記凹凸部の前記凸部の各々は第1の方向に延在し、前記凹凸部の前記凸部は前記第1の方向に交差する第2の方向に配列される。この作製方法によれば、凹凸部の外縁が一素子エリアの境界から離れているので、凹凸部の凸部の各々が一素子エリアの境界から離れている。各凹凸部が一素子エリアの境界から離れていると共に凹凸部がある程度のサイズを有するので、平坦化樹脂層の塗布において、凹凸部を覆う平坦化樹脂層に膜厚分布が生成される。このような塗布むらを有する樹脂層から、エッチングにより樹脂マスクが形成される。この樹脂マスクを用いて、樹脂体及びプライマ層のエッチングに加えて絶縁膜をエッチングして絶縁体マスクを形成するので、所望の平坦性を持たない可能性のある下地の半導体層上に、凹凸部のパターンを転写できる。しかしながら、絶縁体マスクを形成した後に樹脂マスクを除去する際に、樹脂マスク、樹脂体及びプライマ層へのアッシングの後において、許容できない樹脂残渣が発生することがある。発明者による樹脂残渣の観察によれば、樹脂残渣は樹脂厚のむらや樹脂の多層構造に起因しているものであり、アッシングの適用では除去しきれない。この点に関する発明者の検討によれば、アッシングの後に、フッ素系炭素及び酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を行うことが好適であることが見出された。本発明は、回折格子を作製する方法に係る。この方法は、a基板の主面の上に形成された半導体層と、該半導体層の主面の上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に設けられ第1の樹脂からなるプライマ層と、回折格子のために一群の凸部を含む凹凸部のアレイを有し該プライマ層の上に設けられ第2の樹脂からなる樹脂体とを含む基板生産物上に、第3の樹脂からなる平坦化樹脂層を塗布して、前記樹脂体の前記凹凸部を埋め込む工程と、b前記凹凸部の各凸部の上端が露出するように前記平坦化樹脂層をエッチングして、前記第3の樹脂からなる樹脂マスクを形成する工程と、c前記樹脂マスクを用いて前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングする工程と、d前記樹脂体及び前記プライマ層をエッチングした後に、前記樹脂マスクを用いて前記絶縁膜をエッチングして絶縁体マスクを形成する工程と、eアッシングにより、前記樹脂マスク、前記樹脂体及び前記プライマ層を除去する工程と、f前記アッシングの後に、フッ素系炭素及び酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を施す工程と、g前記プラズマ処理の後に、前記絶縁体マスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記凹凸部に対応する周期構造を有する回折格子層を形成する工程とを備える。前記凹凸部の前記凸部の各々は第1の方向に延在し、前記凹凸部の前記凸部は前記第1の方向に交差する第2の方向に配列される。本発明に係る作製方法では、前記半導体層の前記主面は、回折格子エリアと、前記回折格子エリアを囲む分離エリアとを含み、前記凹凸部は、前記回折格子エリア上に位置し、前記回折格子エリアの上における前記平坦化樹脂層の厚さは、前記分離エリアにおける前記平坦化樹脂層の厚さより大きい。この作製方法によれば、凹凸部を設ける回折格子エリアは分離エリアに囲まれている。発明者の知見によれば、回折格子エリア上の樹脂は不可避的に分離エリアにおける樹脂より厚くなる。これ故に、上記のように厚さむらの樹脂に起因して大きなパターン依存性を示さないように樹脂エッチングの条件を設定する必要があり、また厚さむらに起因する樹脂残渣が生成されやすい。本発明に係る作製方法では、前記基板生産物は、前記素子エリアに設けられ前記凹凸部から離れて配置された第2の凹凸部を含み、前記第2の凹凸部は、回折格子のために一群の凸部を含み、前記第2の凹凸部の前記凸部の各々は前記第1の方向に延在し、前記第2の凹凸部の前記凸部は前記第2の方向に配列され、前記凹凸部及び前記第2の凹凸部は、前記第2の方向に延在する軸に沿って配置され、前記半導体層の前記主面は、別の回折格子エリアを含み、前記第2の凹凸部は、前記別の回折格子エリアの上に位置し、前記分離エリアは、前記回折格子エリア及び前記別の回折格子エリアの各々を囲み、前記平坦化樹脂層はスピン塗布される。この作製方法によれば、凹凸部及び第2の凹凸部がそれぞれ回折格子エリア及び別の回折格子エリアに配置され、且つ回折格子エリア及び別の回折格子エリアの各々を囲むので、凹凸部及び別の凹凸部が互いに離れて配置される。これ故に、凹凸部及び第2の凹凸部から作成される回折格子は、一方向に延在する分布帰還型回折格子と異なる形状を有する。これらの凹凸部を覆うように平坦化樹脂層が塗布される。基板生産物が、回折格子エリアに設けられ互いに離れた凹凸部及び第2の凹凸部を含むので、平坦化樹脂層はスピン塗布されるとき、樹脂層の厚みむらの分布は、分布帰還型の回折格子のための凹凸部上に塗布される樹脂層の厚みむらの分布と異なる。基板生産物の全体としても、その樹脂層の厚みむらの分布は、分布帰還型の回折格子の周期構造上に塗布される樹脂層の厚みむらの分布と異なる。本発明に係る作製方法は、前記回折格子層を形成した後に、前記回折格子層上に半導体領域を成長する工程と、前記半導体領域を成長した後に、前記回折格子層上にマスクを形成する工程とを更に備えることができる。前記回折格子層は、前記第2の凹凸部に対応する第2周期構造を更に含み、前記周期構造及び前記第2周期構造は、前記第2の方向に配置され、前記マスクは前記第2の方向に延在するストライプパターンを含み、前記ストライプパターンは前記周期構造及び前記第2周期構造上に設けられる。この作製方法によれば、ストライプパターンは、第2の方向に関して互いに離間して配置された周期構造及び第2周期構造の上を通過する。この周期構造配列は、複数の波長を取り扱うことに好適な素子構造を有する。本発明に係る作製方法は、前記基板上に、活性層を成長する工程と、前記活性層上に前記半導体層を成長する工程と、前記半導体層の主面の上に前記絶縁膜を成長する工程と、前記絶縁膜の上に前記プライマ層を成長する工程とを更に備えることができる。この作製方法によれば、可変レーザ素子に好適な素子構造を有する。本発明に係る作製方法は、前記プライマ層の上に樹脂領域を形成する工程と、ナノインプリント法のためのモールドを前記樹脂領域に押しつけた後に、前記樹脂領域に硬化処理を行って前記樹脂体を形成する工程と更に備えることができる。前記プライマ層の前記第1の樹脂はSi含有樹脂を含み、前記樹脂体の前記第2の樹脂はSi含有しない樹脂を含み、前記樹脂領域は紫外線硬化剤を含むことができる。この作製方法によれば、ナノインプリント法を用いて回折格子構造を作製する際に、樹脂マスクを用いて、プライマ層のSi含有樹脂、及びSi含有しない樹脂をエッチングすることを行うので、樹脂残渣が生成されやすい。本発明に係る作製方法では、前記プラズマ処理において、フッ素系炭素と酸素との流量比はフッ素系炭素の流量/酸素の流量≦1であることが好ましい。この作製方法によれば、流量比がフッ素系炭素の流量/酸素の流量≦1を満たすとき、フッ素系炭素及び酸素の混合雰囲気は、樹脂残渣の除去に有効である。本発明に係る作製方法では、前記フッ素系炭素はCF4を含むことが好ましい。この作製方法によれば、樹脂残渣の除去に有効なフッ素系炭素としてCF4を適用できる。本発明に係る作製方法では、前記絶縁膜はシリコン窒化物層を含むことができる。この作製方法によれば、フッ素系炭素のエッチャントに対してエッチング耐性を示す。以上説明したように、本発明によれば、レジストの残渣による回折格子パターンの形成不良を低減可能な、半導体光素子を作製する方法、及び回折格子を作製する方法を提供できる。添付図面を参照しながら、本発明の半導体光素子を作製する方法、及び回折格子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。最初の工程では、第1エピタキシャル基板図1のaに示されたE1を準備する。エピタキシャル基板E1を作製するために、基板10を用意する。基板10は、例えばIII-V族化合物半導体からなることができ、III-V族化合物半導体は例えばInP、GaAsN等のIII-V族化合物半導体からなることができる。この基板10上に半導体積層20を形成して、エピタキシャル基板E1を形成する。半導体積層20の成長のために、基板10上に、第1のクラッド層11、第1の光閉じ込め層12、活性層13、第2の光閉じ込め層14、及び半導体層15を順に成長する。第1のクラッド層11、第1の光閉じ込め層12、活性層13、第2の光閉じ込め層14、及び半導体層15は、この順で基板10の主面の法線方向に配列される。半導体積層20はIII-V族化合物半導体からなる。エピタキシャル基板E1の一例を示す。半導体積層20の各層の成長には、例えば、有機金属気相成長法を用いることができる。第1のクラッド層11:n型InP。第1の光閉じ込め層12:n型又はアンドープGaInAsP。活性層13:アンドープGaInAsP又はアンドープAlGaInAs。第2の光閉じ込め層14:p型又はアンドープGaInAsP。回折格子のための半導体層15:GaInAsP。活性層13は、例えば、多重量子井戸構造や単一量子井戸構造を有することができる。活性層13は、基板全面にわたって同一の材料及び構造を作製しているけれども、活性層の構造はこれに限定されない。第1の光閉じ込め層12、活性層13及び第2の光閉じ込め層14は導波路コアを構成する。半導体積層20は、第1のクラッド層11、第1の光閉じ込め層12、活性層13、第2の光閉じ込め層14、及び半導体層15を含む。半導体積層20の表面、本実施例では半導体層15の主面15aは、ばらつきに起因して完全に平坦ではなく、多少の起伏を有する。このような緩やかな起伏を有する表面15aに回折格子のための表面構造を形成する。図1のb部に示されるように、次の工程では、半導体層15の主面15aの上に絶縁膜30を成長する。絶縁膜30は、シリコン無機化合物膜を含み、例えば、シリコン窒化物層SiN、シリコン酸化物層SiO2からなることができる。絶縁膜30は、例えば、化学気相成長法CVD法を用いて形成することができる。絶縁膜30は、半導体層15の主面15aの全面を覆う。続く工程では、図2のa部に示されるように、シリコンを含有する第1の樹脂からなるプライマ層40を絶縁膜30上に形成する。プライマ層40を構成する第1の樹脂は、例えばポリアクリレート系の樹脂を含むことができる。プライマ層40は絶縁膜30を覆うように形成され、例えばスピン塗布法を用いて塗布されることができる。本実施例では、プライマ層40は絶縁膜30の全面を覆うように形成されているけれども、本発明はこれに限定されない。引き続く説明では、回折格子のための樹脂パターン形成にナノインプリント法を用いる。図2のa部に示されるように、この工程では、あるショットエリアのプライマ層40の上に、第2の樹脂からなる樹脂領域42を形成する。樹脂領域42は、例えば紫外線硬化剤を含む紫外線硬化樹脂からなることができる。樹脂領域42は、該ショットエリア上のプライマ層40上に滴下される。樹脂領域42の第2の樹脂は、例えば、シリル化生成物を主成分とする樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、及びポリエステル系樹脂の少なくともいずれかを含むことができる。また、樹脂領域42の第2の樹脂は、実質的にシリコンを含有しない材料から構成される。本実施例では、光式ナノインプリント法を適用可能なナノインプリント用のモールド44を準備する。モールド44は例えば石英からなることができる。次の工程では、図2のb部に示されるように、モールド44を樹脂42に押し付ける。より具体的には、樹脂領域42にモールド44のパターン面44aを押し付ける。パターン面44aは、形成される回折格子のための周期的な凹凸を形成するための溝配列44bを有する。溝配列44bの溝44cの各々は第1の方向に延在し、一群の溝44cは、第1の方向に交差する第2の方向に配列されている。このモールド44の押し付けにより、モールド44のパターン面44aの外側にプライマ層40に沿って余剰の樹脂がはみ出る。この工程では、樹脂領域42にモールド44を押し付けた後に、図3のa部に示されるように、樹脂領域42の硬化処理を行う。この実施例では、硬化処理のために、樹脂領域42に紫外線UVを照射する。紫外線UVの照射では、モールド44の裏面に紫外線UVを照射すると、照射された紫外線はモールド44を透過して樹脂領域42に到達する。紫外線UVの照射により樹脂領域42が硬化して、樹脂体46が形成される。樹脂体46にはモールド44のモールドパターンが転写されている。図3のb部に示されるように、硬化した樹脂体からモールド44を離して、回折格子のための周期的に配列された凹凸部46bを有する樹脂体46が形成される。凹凸部46bは、複数の凸部46aを含む。凹凸部46bの凸部46aの各々は上記の第1の方向に延在し、凹凸部46bの凸部46aは上記の第2の方向に配列される、凹凸部46bは、複数の素子エリアのうちの一素子エリアの境界から離れている。必要な場合は、次のショットエリアに対して順に上記の工程樹脂の滴下からモールド離間までの工程を繰り返すステップアンドリピート。この繰り返しにより、図4のa部に示されるように、全てのショットエリアに亘って紫外線硬化樹脂からなる樹脂体を形成して、基板生産物SP1を形成する。基板生産物SP1は、図4のb部に示されるショットエリアSGを有しており、ショットエリアSGは凹凸部46bのアレイ一次元又は二次元アレイARを含む。図4のc部は、ショットエリアSG内の凹凸部のアレイ内の1つの凹凸部46bの近傍を示す図面である。ショットエリアSGのX方向のサイズは例えば8mm程度である。ショットエリアSGのY方向のサイズは例えば14mm程度である。凹凸部46bは、上記の第1の方向に5μm程度の長さを有し、上記の第2の方向に20μm程度の長さを有する。アレイ内の凹凸部46bの間隔は、例えば第1の方向に関して150μm程度であり、第2の方向に関して480μm程度である。図4のb部に示されるように、基板生産物SP1は、二次元にアレイ状に配置された凹凸部46bを含み、凹凸部46bは、その凹凸部46bの寸法よりも大きな間隔で二次元的に配列されている。凹凸部46bのX方向のサイズは例えば1μm以上500μm以下の範囲であり、凹凸部46bのY方向のサイズは例えば1μm以上500μm以下の範囲であることができる。図4のb部に示されるように、基板生産物SP1の半導体層の主面は、凹凸部46bを搭載する回折格子エリア47aと、該回折格子エリア47aを囲む分離エリア47bとを含む。回折格子エリア47aがアレイ状に配列された基板生産物SP1では、凹凸部46bは、回折格子エリアの1つに設けられ、該回折格子エリアの隣の第2回折格子エリアには第2の凹凸部46bが設けられる。これらの回折格子エリア47aは分離エリア47bで囲まれる。一の回折格子エリア上の凹凸部46bは、第2回折格子エリア上の第2の凹凸部46bから離れており、これらの間に分離エリア47bが設けられる。隣接した2つの凹凸部46bのX方向の間隔は例えば1μm以上500μm以下の範囲であり、隣接した2つの凹凸部46bのY方向の間隔は例えば1μm以上500μm以下の範囲であることができる。回折格子のための周期的に配列された凹凸部を有する樹脂体の形成方法としては、上記の光式ナノインプリント法だけでなく、熱式ナノインプリント法を用いることもできる。熱式ナノインプリント法では、紫外線硬化剤を含む樹脂の代わりに、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂以下、熱硬化樹脂というを用いることができる。熱硬化樹脂には、例えば、ポリメチルメタアクリレートPMMAやポリウレタンPUR等を挙げることができる。また、熱式ナノインプリント法では、ショットエリアのプライマ層40の上に熱硬化樹脂を配置した後、熱硬化樹脂の温度をそのガラス転移点以上に上げて、熱硬化樹脂等を軟化させる。モールドをその熱硬化樹脂に押し付けた後に、熱硬化樹脂を軟化させた温度から、熱硬化樹脂が硬化する温度まで、熱硬化樹脂の温度を下げる。この温度低下により、熱硬化樹脂が硬化する。硬化した樹脂からモールドを離す。図5のa部に示されるように、シリコンを含有する第3の樹脂からなる平坦化樹脂層48を樹脂体46上に塗布して、樹脂体46の凹凸部46bを埋め込む。平坦化樹脂層48の材料として、例えば、有機珪素化合物シリコン含有樹脂を用いることができ、平坦化樹脂層48の第3の樹脂は、例えばエポキシ系樹脂を含むことができる。ここで、平坦化樹脂層48の表面は、基板10の表面ラフネスを反映していない。これ故に、回折格子のためのパターン構造を樹脂マスク46及びプライマ層40に正確に転写できる。既に説明したように、基板生産物SP1では、図4のb部に示されるように、凹凸部46bは、その凹凸部46bの寸法よりも大きな間隔で二次元アレイに配列されているので、図5のa部に示されるように、Y方向に関して、回折格子エリア上における平坦化樹脂層48の厚さTH1は、分離エリアにおける平坦化樹脂層48の厚さTH2より大きい。また、X方向に関して、回折格子エリア上における平坦化樹脂層48の厚さは、分離エリアにおける平坦化樹脂層48の厚さより大きい。凹凸部46bを設ける回折格子エリアは分離エリアに囲まれている。発明者の知見によれば、回折格子エリア上の樹脂は不可避的に分離エリアにおける平坦化樹脂層48より厚くなる。これ故に、上記のように厚さむらの平坦化樹脂層48及び多層樹脂層のエッチングに起因して大きなパターン依存性を示さないように樹脂エッチングの条件を設定する必要があり、また厚さむらに起因する樹脂残渣が生成されやすい。基板10がInPといった化合物半導体からなるとき、その表面は平坦でなく、0.1μm100nm程度の表面ラフネスを有することがある。このような表面ラフネスの半導体層上に半導体層を形成するとき、この半導体層も同様に表面ラフネスを有する。この表面に単一層からなるレジスト層を用いて回折格子構造を形成するとき、基板10の表面ラフネスに起因して回折格子のパターンの形状にバラツキが生じる。しかしながら、本実施形態では、樹脂体46上に平坦化樹脂層48を塗布して平坦な表面を形成する。樹脂体46及び平坦化樹脂層48からなる樹脂積層を形成し、この樹脂積層を用いて回折格子のためのパターンを最終的に半導体層に転写する。これ故に、基板10の表面ラフネスの影響が回折格子の形状に及ぶことを低減できる。図5のb部に示されるように、この工程では、凹凸部46bの各凸部46aの上端が露出するように平坦化樹脂層48をエッチングして、第3の樹脂からなる樹脂マスク50を形成する。平坦化樹脂層48のエッチングには、例えば、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスによる反応性イオンエッチングを用いることができる。このエッチングは、樹脂体46における凹凸部46b内の凸部46aの上端が露出するように行われる。樹脂マスク50が、樹脂体46及びプライマ層40上に残る。図6のa部に示されるように、樹脂マスク50を用いて樹脂体46を選択的にエッチングする。このエッチングにより、エッチングされた樹脂体54が形成される。エッチングされた樹脂体54には、凹凸部46bの回折格子パターンが、下地のラフネスの影響を低減しながら、反転して転写される。樹脂体46のエッチングには、例えば、O2ガス及びN2ガスを含むエッチングガスによる反応性イオンエッチングを用いることができる。この反応性イオンエッチングでは、エッチングガス中の酸素と、シリコン含有樹脂に含まれるシリコンとが反応してシリコン生成物が生じる。この反応性イオンエッチング中に生成されるシリコン生成物によって、シリコンを含有する第3の樹脂からなる樹脂マスク50のエッチングレートは小さくなる。一方、シリコンを含まない樹脂体46は、O2ガス及びN2ガスを含むエッチングガスによって、エッチングが進行する。したがって、このエッチングにより、構成元素としてシリコンを含む樹脂からなる樹脂マスク50を用いて、構成元素としてシリコンを含まない樹脂体46を選択的にエッチングできる。次いで、樹脂マスク50及びエッチングされた樹脂体54を用いてプライマ層40をエッチングして、エッチングされたプライマ層56を形成する。このエッチングには、例えばO2ガスによる反応性イオンエッチングを用いることができる。このエッチングでは、シリコンSi元素を含まないプライマ層40を選択的にエッチングする。エッチングされたプライマ層56上には、エッチングされた樹脂体54が残存している。これらのエッチング工程により、絶縁膜30をエッチングするための複合マスク52を形成できる。複合マスク52は、樹脂マスク50、エッチングされた樹脂体54及びエッチングされたプライマ層56を含む。続く工程では、樹脂体46及びプライマ層40をエッチングした後に、図6のb部に示されるように、樹脂マスク50複合マスク52を用いて絶縁膜30をエッチングして、絶縁膜マスク58を形成する。この絶縁膜30のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチング法等のドライエッチングによって行うことができる。絶縁膜30のエッチングは、CF4ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって行うことが好ましい。このエッチング方法は、シリコン元素を含まない紫外線硬化樹脂層54に対するエッチングレートに比べて絶縁膜30に対するエッチングレートを高くできる。このエッチングの結果、このエッチング中に樹脂マスク50がエッチングされ、エッチング中に残存しなくなってもよい。絶縁膜マスク58を形成した後、図7のa部に示されるように、アッシングにより、エッチングされたプライマ層56、エッチングされた樹脂体54、及び樹脂体マスク50を除去する。エッチングされたプライマ層56、エッチングされた樹脂体54、及び樹脂体マスク50の除去において、構成元素としてシリコンを含む樹脂材には例えばCF4ガスを含むエッチングガスを用い、構成元素としてシリコンを含まない樹脂材には例えばO2ガスを含むエッチングガスを用いることができる。アッシングの後においても、図7のa部に示されるように、残渣60が残ることがある。アッシングの後の工程において、図7のb部に示されるように、フッ素系炭素及び酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を絶縁体マスク58及び半導体層15の表面に施す。好適な実施例では、このプラズマ処理において、フッ素系炭素と酸素との流量比Rはフッ素系炭素の流量/酸素の流量≦1である。この作製方法によれば、流量比がフッ素系炭素の流量/酸素の流量≦1を満たすとき、フッ素系炭素及び酸素の混合雰囲気は、樹脂残渣の除去に有効である。また、このプラズマ処理において、フッ素系炭素はCF4を含むことが好ましい。樹脂残渣の除去に有効なフッ素系炭素としてCF4を適用できる。図8は、フッ素系炭素と酸素との流量比とSiN膜のエッチングレートとの関係を示す。発明者の実験によれば、上記の流量比R、つまりフッ素系炭素の流量/酸素の流量が1以下の範囲であるとき、絶縁膜マスクの材料であるSiNのエッチングレートは小さく、流量比Rが1より大きい流量比の範囲であるとき、絶縁膜マスクの材料であるSiNのエッチングレートは大きい。これ故に、残渣処理における絶縁膜マスクの形状変化が小さい条件、つまり、流量比Rが1以下の範囲であることが好ましい。上記の工程群中のエッチングにより、エッチングされた樹脂体54のパターン形状が絶縁膜30に転写されて、絶縁膜マスク58を形成できる。図7のb部に示されるように、絶縁膜マスク58は、凹凸部46bに対応した開口配列58bを含む。開口配列58bは、開口58aの配列を含む。開口58aの各々は第1の方向に延在し、開口58aは第2の方向に配列される。図9のa部に示されるように、プラズマ処理の後の工程では、絶縁膜マスク58を用いて半導体層15をエッチングして、回折格子層15bを形成する。半導体層15のエッチングには、例えば、CH4とH2との混合ガスによる反応性イオンエッチングを用いることができる。回折格子層15bを形成した後に工程では、図9のb部に示されるように、絶縁膜マスク58を除去する。絶縁膜マスク58の除去には、例えば、フッ酸水溶液を用いることができる。回折格子層15bは、凹凸部46bに対応する周期構造15cを有し、同様に、第2の凹凸部に対応する第2周期構造を有する。周期構造15cを形成した後に、再成長のために上記の生産物を成長炉に配置する。図10のa部に示されるように、回折格子構造15bの上にIII-V族化合物半導体層16を形成する。III-V族化合物半導体層16は、回折格子構造15bを覆う。これにより、回折格子62が形成される。III-V族化合物半導体層16は、p型III-V族化合物半導体からなることができ、例えばInP等であることができる。これにより、基板生産物が作製される。III-V族化合物半導体層16を成長した後に、図10のb部に示されるように、次の工程では、半導体メサ図11のa部における符号64を形成する。半導体メサ64は、第1のクラッド層11、第1の光閉じ込め層12、活性層13、第2の光閉じ込め層14、半導体層15、及びIII-V族化合物半導体層16をマスクを用いてエッチングして形成される。このマスクは、ある軸に沿って延在するストライプパターンを有し、その軸上において回折格子62が離散的に配列されている。図10のa部に示されるように、半導体メサ64は、第1のクラッド層11a、第1の光閉じ込め層12a、活性層13a、第2の光閉じ込め層14a、半導体層15a、及びIII-V族化合物半導体層16aを含む。半導体メサ64にはある軸に沿って延在しており、その軸上において回折格子62が離散的に配列されている。次の工程では、半導体メサ64を埋め込むように埋め込み層図11のa部における符号66を形成する。埋め込み層66は、例えば、FeがドープされたInP等の半絶縁性III-V族化合物半導体からなる。この成長の後に、図10のb部に示されるように、埋め込み層66及び半導体メサ64上に、p型半導体領域を形成する。p型半導体領域は、例えば、p型III-V族化合物半導体からなることができ、p型クラッド層19aを含むことができる。p型クラッド層19aは、例えばInP等とすることができる。p型半導体領域は、p型クラッド層19aに加えて、必要な場合には、図11のa部に示されるように、p型コンタクト層19bを含むことができる。p型コンタクト層19bは、p型III-V族化合物半導体からなることができ、このIII-V族化合物半導体は、例えばGaInAs等であることができる。p型半導体領域19は、例えば有機金属気相成長法によって成長できる。これらの工程により、エピタキシャル成長に係る工程は終了して、基板生産物SP2が得られる。この後に、基板生産物SP2上には、保護及び絶縁のための絶縁膜、電極、ヒータ電極等を形成して、半導体レーザが作製される。図12のa部は、波長可変半導体レーザを示す平面図であり、図12のb部は図12のa部のA-A線に沿ってとられた断面を示す図面である。作製される波長可変半導体レーザ100の区画は、図12のa部における破線CHIPのエリアに形成される。波長可変半導体レーザ100は、CSG-DRCSG-DR:ChirpedSampledGratingDistributedReflector領域A、およびSG-DFBSG-DFB:SampledGratingDistributedFeedback領域Bを含む。波長可変半導体レーザ100は、基板11上においてCSG-DR領域A及びSG-DFB領域Bが互いに光学的に結合された構造を有する。この実施例では、CSG-DR領域Aでは、基板11上に、第1クラッド層11c、導波路コア17、回折格子層15c、III-V族化合物半導体層16c、及びp型半導体領域19p型クラッド層および絶縁層98が順に積層され、絶縁層98上に、ヒータ91a~91d、複数の電極92およびグランド電極93が設けられている。SG-DFB領域Bは、基板10上に、第1クラッド層11、導波路コア17c、回折格子層15c、III-V族化合物半導体層16c、p型クラッド層19a、p型コンタクト層19bおよび電極94が順に設けられている。回折格子62の一例については、ピッチが約0.24μm程度であり、繰り返し数が15程度である。したがって、各回折格子62の長さは3μm程度であり、各回折格子62のブラッグ波長は1.55μm程度である。回折格子62は導波路コア17cに光学的に結合している。CSG-DR領域Aにおける導波路コア17cは、例えば、レーザ発振波長よりも短波長の吸収端を有するInGaAsP結晶からなる半導体層を含み、このInGaAsP結晶は、1.3μm程度のPL波長を有する。SG-DFB領域における導波路コア17cは、例えば、レーザ発振のターゲット波長に対して利得を有するInGaAsP結晶からなり、このInGaAsP結晶は1.55μm程度のPL波長を有する。ヒータ91a~91dは、NiCr等からなることができる。ヒータ91a~91dは、低反射膜を形成する端面からSG-DFB領域Bにかけて導波路コア17cの各回折格子62の位置に対応する位置に絶縁層98上において順に配置されている。ヒータ91a~91dは、外部の制御装置から与えられる電流の大きさに応じて導波路コア17cの各回折格子62の温度を調整する。ヒータ91a~91dの各々には、電極92が接続されており、グランド電極93は、ヒータ91a~91dに接続されている。電極92、グランド電極93、電極94は、Au等の導電性材料からなる。絶縁層98は、SiN、SiO2等の絶縁体からなる保護膜である。実施例半導体レーザの新たな回折格子形成技術としてナノインプリントリソグラフィへの期待が高まっている。この技術の特徴として、EB露光法に比べて低コスト、高スループットで位相シフト型の回折格子形成が可能となる。ナノインプリントではモールドをUV硬化樹脂を塗布した基板上に接触させて、樹脂をモールドに充填する。この後に、樹脂のUV硬化を行って、モールドのパターン形状をUV硬化樹脂に転写する。このプロセスでは、ナノインプリントで形成した樹脂パターンをマスクとして半導体領域をエッチングする。波長可変レーザ用のエピ構造を有するエピタキシャル基板におけるエッチング条件の検討を行ったところ、樹脂残渣が発生して適切に半導体をエッチングすることができないことが判明した。この樹脂残渣除去プロセスとして通常のO2ガスに替えて、エッチングガスとしてCF4/O2の混合ガスを用いることにより樹脂残渣除去が可能である。プロセスフローナノインプリントのプロセスフローの概要を説明する。まず転写したいパターンを形成したモールドをあらかじめ準備する。続いてUV硬化樹脂と基板との密着性を向上させるためにプライマ処理を施した基板上にUV硬化樹脂を塗布してモールドを押し付けて、UV硬化樹脂をモールドの溝群に充填させる。この状態のまま紫外線光を照射して、UV硬化樹脂を硬化させる。モールドを離型すると、パターン形成された樹脂体が半導体領域上に形成される。これを逐次的に繰り返すステップアンドリピート方式に従って、半導体領域の主面に亘って所望のパターンを有する樹脂体を形成できる。所望のパターンを有する樹脂体を形成した後に、基板の凹凸の影響を低減し均一なパターンを得るために反転パターンエッチングを行う。まず、Si含有の平坦化樹脂層をスピン塗布して、パターン形成された樹脂体上に形成する。次に、全体をエッチバックして、パターン形成された樹脂体の最上端の頭だしを行って、Si含有の樹脂からなる樹脂体マスクを形成する。次いで、樹脂体マスクを用いてUV硬化樹脂を選択的にエッチングして、Si含有の樹脂からなる反転パターンを有するマスクを形成する反転プロセスを行う。平坦化樹脂層はSi含有樹脂である一方で、UV硬化樹脂はSi非含有樹脂である。これ故に、O2ガスによるエッチングにより、UV硬化樹脂が削られると共に平坦化樹脂層が残るように選択比が取れる。UV硬化樹脂をエッチングした後は、引き続き、CF4ガスを用いてプライマ層と絶縁膜のエッチングを行って、半導体結晶を露出する。この後に、不要となった平坦化樹脂層、UV硬化樹脂及びプライマ層を除去して、絶縁膜マスクを形成する。絶縁膜マスクを利用してCH4/H2ガスを用いたドライエッチングにより半導体層をエッチングして、回折格子層を形成する回折格子形成。パターン依存性DFB型の半導体レーザでは、半導体レーザチップ内で回折格子の位相シフト部を除き回折格子が一方のレーザ端面から他方のレーザ端面への方向に素子エリア境界を越えて連続して延在し、この回折格子ストライプは延在方向に直交する方向に繰り返して配置されている。これ故に、半導体レーザチップ領域内の回折格子のパターン配置の違いによる依存性はほとんど無い。しかしながら、波長可変レーザでは、レーザチップ領域内に回折格子が設けられるエリアと回折格子が設けられていないエリアを含む。このため、エッチングパターン面積に依存したドライエッチングのエッチングレート差が発生する。具体的には、回折格子群の外周部分はレートが大きく、回折格子の中心部分ではエッチングレートが小さい。これは平坦化樹脂層をエッチバックする際に、UV硬化樹脂の頭だしが行われた後に、平坦化樹脂層及びUV硬化樹脂という被エッチング物の違いによるガス消費が局所的に異なることから結果的にパターン有無によりエッチングレート差が生じる。平坦化樹脂層の残渣問題パターン依存性に係る上記課題について、樹脂エッチング条件の検討を行った結果、発明者は、エッチング時間の調整を行うことによりセグメント内全ての回折格子に樹脂パターン形成が可能である条件を見出している。ところが、この樹脂マスクを用いて絶縁膜をエッチングして、絶縁膜上に残った不要な樹脂をO2アッシングにより除去を試みたが残渣が発生してしまう。発明者の検討によれば、これはSi含有の平坦化樹脂層がO2アッシングにより完全に除去できず、除去する平坦化樹脂層の体積が多い場合に樹脂残渣が生成される。回折格子の配置がDFB型回折格子と異なる本実施例では、回折格子群の中で絶縁膜エッチング後の平坦化樹脂層の厚みに分布が発生し、最も平坦化樹脂層が厚くなる回折格子群の中心部では平坦化樹脂層が残りやすく、一方でこれを回避するために回折格子群の中心部の平坦化樹脂層を薄くすると回折格子群の端部で平坦化樹脂厚が不足して、絶縁膜エッチングのマスクとなる樹脂マスク厚が不足することで、結果的に回折格子が正常にエッチングできない。以上のことから波長可変レーザの回折格子を形成する場合、絶縁膜エッチング後に不要になった樹脂マスクの除去をO2アッシングだけで行うと絶縁膜マスクの溝中の樹脂が除去しきれない。残渣除去方法平坦化樹脂層を除去するために、酸素O2にフッ化物CF4を添加した混合ガスを用いたプラズマ処理をSiN絶縁膜マスクに対して行う。このときO2に比べCF4を多く添加しすぎるとSiN絶縁膜も削れてしまう。これを避けるために、CF4の添加量をO2よりも少なくすることが好適である。例えば、O2を45sccmの流量で流し、CF4を10sccmの流量で流す。その結果、絶縁膜マスクの形状を保持しながら、樹脂残渣の除去が可能となり、回折格子形成を行うことができる。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。