"A下記一般式1で表される3級アミン化合物の1種又は2種以上、B下記一般式2で表される酸発生剤の1種又は2種以上、C酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、D有機溶剤を必須成分として含有することを特徴とする化学増幅レジスト材料。式中、R1は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。R2は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。kは1又は2、mは0~5の整数である。式中、R4は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表すか、あるいは、Cベース樹脂の主鎖を表す。R5は、水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R6は、Arであるか、又は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。あるいは、R6同士が結合して両末端で結合する硫黄原子と共に炭素数5~8の環を形成してもよい。Arはヘテロ原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基である。更に、E含フッ素高分子化合物を含有する請求項1記載の化学増幅レジスト材料。E成分の含フッ素高分子化合物として、フッ素原子を15質量以上有し、アルカリ現像液の作用により一部分解して親水性が増大する高分子化合物を含有することを特徴とする請求項1記載の化学増幅レジスト材料。E成分の含フッ素高分子化合物として、下記一般式3で表される繰り返し単位を、全繰り返し単位の5質量以上有する高分子化合物を含有することを特徴とする請求項2又は3記載の化学増幅レジスト材料。式中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。Rfは、それぞれ独立に、炭素数1~20のフルオロアルキル基を表す。Aは炭素数1~30のpq1価の有機基を表す。p、qは、それぞれ独立に0~5の整数を表し、pq>0である。B成分の酸発生剤として、下記一般式2aで表される酸発生剤の1種又は2種以上を含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の化学増幅レジスト材料。式中、R4aは、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表す。R5は、水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R8は、水素原子、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。A成分が、下記一般式1aで表される3級アミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の化学増幅レジスト材料。式中、R1は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。R2は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。mは0~5の整数である。更に、F界面活性剤を含有する請求項1乃至6いずれか1項記載の化学増幅レジスト材料。1請求項1乃至7のいずれか1項記載の化学増幅レジスト材料を基板上に塗布する工程と、2次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、3加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーに代表される遠紫外線、EUV極紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細加工のためのリソグラフィーにおいて、微細パターンにおける高解像性と保存安定性を両立し、更には保護膜なしの液浸露光法にも好適な化学増幅レジスト材料、これを用いたパターン形成方法を提供することを課題とする。本発明は、上記目的を解決するため、A下記一般式1で表される3級アミン化合物の1種又は2種以上、B下記一般式2で表される酸発生剤の1種又は2種以上、C酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、D有機溶剤を必須成分として含有することを特徴とする化学増幅レジスト材料を提供する請求項1。式中、R1は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。R2は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。kは1又は2、mは0~5の整数である。式中、R4は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表すか、あるいは、Cベース樹脂の主鎖を表す。R5は、水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R6は、Arであるか、又は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。あるいは、R6同士が結合して両末端で結合する硫黄原子と共に炭素数5~8の環を形成してもよい。Arはヘテロ原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基である。更に、本発明は、E含フッ素高分子化合物を含有し、E成分の含フッ素高分子化合物として、フッ素原子を15質量以上有し、アルカリ現像液の作用により一部分解して親水性が増大する高分子化合物を含有することを特徴とする上記化学増幅レジスト材料を提供する請求項2、3。更に、本発明は、E成分の含フッ素高分子化合物として、下記一般式3で表される繰り返し単位を、全繰り返し単位の5質量以上有する高分子化合物を含有することを特徴とする上記化学増幅レジスト材料を提供する請求項4。式中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。Rfは、それぞれ独立に、炭素数1~20のフルオロアルキル基を表す。Aは炭素数1~30のpq1価の有機基を表す。p、qは、それぞれ独立に0~5の整数を表し、pq>0である。更に、本発明は、B成分の酸発生剤として、下記一般式2aで表される酸発生剤の1種又は2種以上を含有することを特徴とする上記化学増幅レジスト材料を提供する請求項5。式中、R4aは、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表す。R5は、水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R8は、水素原子、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。更に、本発明は、A成分が、下記一般式1aで表される3級アミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とする上記化学増幅レジスト材料を提供する請求項6。式中、R1は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。R2は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。mは0~5の整数である。更に、本発明は、F界面活性剤を含有する上記化学増幅レジスト材料を提供する請求項7。本発明の上記化学増幅レジスト材料は、微細パターンの解像性に優れ、かつ保存安定性が良好であり、フォトリソグラフィーによる微細加工に好適に用いられる。更に、本発明は、1上記の化学増幅レジスト材料を基板上に塗布する工程と、2次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、3加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する請求項8。本発明のポジ型化学増幅レジスト材料を用いた上記パターン形成方法により、形状良好な微細パターンを形成することができるものであり、フォトリソグラフィーによる微細加工に好適である。本発明の化学増幅レジスト材料は、高い解像性と良好な保存安定性を与えるものであり、電子線、遠紫外線、極紫外線などを用いた微細加工に有用である。KrFレジスト、ArFレジスト、EUVレジスト、EBレジスト、X線レジストとして有用性が高く、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。また、通常の露光法の他、液浸露光、特に保護膜を用いない液浸露光にも好適である。以下、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明者らは、化学増幅レジスト材料への配合により、保存安定性に悪影響を与えずに、解像性を向上させる化合物について鋭意検討を重ねた。その結果、前記一般式1又は1aで表される3級アミン化合物と前記一般式2又は2aで表される酸発生剤を組み合わせて配合することにより、高い解像性と良好な保存安定性を与える化学増幅レジスト材料が得られることを見出し、本発明を完成させたものである。ここで、本発明の化学増幅レジスト材料にクエンチャーとして1種又は2種以上配合される3級アミン化合物は、下記一般式1又は1aで表されるアニリン化合物である。式中、R1は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。R2は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。kは1又は2、mは0~5の整数である。式中、R1は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。R2は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R3は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。mは0~5の整数である。一般式1、1a中、R1は、炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基、又は炭素数6~20の置換もしくは非置換のアリール基又はアラルキル基を表し、ヘテロ原子を含んでもよい。含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子が挙げられ、酸素原子が好ましい。アルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよいが、炭素数1~20であることが、良好なパターン形状を得る上でより好ましい。R1として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、トリフルオロエチル基、2-メトキシエトキシメチル基、アセトキシメチル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、メトキシフェニル基、メチルチオフェニル基、アセトアミドフェニル基を例示できるが、これらに限定されない。一般式1、1a中、R2は、炭素数1~10のアルキル基を表す。R2として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基を例示できるが、これらに限定されない。R2としては、メチル基、エチル基がより好ましい。一般式1、1a中、R3は、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基を表す。R3として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、t-ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、デシルオキシ基を例示できるが、これらに限定されない。R3としては、メチル基、エチル基、t-ブチル基、メトキシ基がより好ましい。一般式1中、kは1又は2である。k=1のとき、レジスト材料の各種性能のバランスに優れ、好ましい。一般式1、1a中、mは0~5の整数である。m=0又は1が好ましく、m=0がより好ましい。一般式1、1aで表される3級アミン化合物として、より具体的には下記の化合物を例示できるが、これらに限定されない。本発明でクエンチャーとして使用される、一般式1、1aで表される3級アミン化合物において、アミン母核はアニリン構造であるが、アニリン類は一般的に共役酸の解離定数pKaが7以下の弱塩基であり、通常のアミン化合物に比べて塩基性が低い。また、3級アミンであるため、高反応性の1級又は2級アミンに比べて非常に求核反応性が低い。更に、側鎖2位のアシルオキシ基R1COO-の電子吸引性により、塩基性求核反応性がより低下しており、アミンの塩基性求核反応性による他のレジスト成分の分解反応を非常に起こし難く、保存安定性への悪影響が高度に抑制されたアミン化合物となっている。また、側鎖2位のアシルオキシ基R1COO-中のカルボニル基は酸発生剤からの発生酸との速度論的親和性が高く、周囲に存在する発生酸を速やかに捕捉して近傍のアミン中心に受け渡すことにより、酸拡散速度を効果的に抑制し、高解像性に寄与するものと考えることができる。一般式1、1a中のR1、R2、R3、k、mの可能な選択肢の中から適切なものを選ぶことにより、本発明で使用される3級アミン化合物の拡散速度、酸拡散抑制能、揮発性、極性、親水性、塩基性、求核反応性などの特性を、用いるレジストベース樹脂、酸発生剤、露光方法などに応じて調節することができ、ひいてはパターン形状などのレジスト材料の性能を最適に調整することができるものである。本発明で使用される、一般式1、1aで表される3級アミン化合物は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合せて用いてもよい。また、必要に応じて、他の既知のクエンチャーと組み合わせて用いることも可能である。その場合の、他の既知のクエンチャーとしては、特に限定されないが、例えば、特開2008-111103号公報の段落[0146]~[0163]に記載の塩基性化合物含窒素有機化合物を組み合わせて使用できる。本発明のレジスト材料における、一般式1、1aで表される3級アミン化合物の配合量は、C成分のベース樹脂100質量部に対して0.01~20質量部、特に0.1~10質量部が好適である。配合量が0.01質量部より少ないと配合効果がなく、20質量部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。上記のように、本発明において使用される、前記一般式1、1aで表される3級アミン化合物は、クエンチャーとして良好な特性を有するものである。しかしながら、前記一般式1、1aで表される3級アミン化合物を、一般的な酸発生剤と組み合わせて用いた場合は、パターン形状に劣るなど解像性が不十分となることがあった。この原因については、前記一般式1、1aで表される3級アミン化合物は、上述の通り塩基性が低いため、発生酸を完全に捕捉することが比較的困難であると説明できる。例えば、酸発生剤からの発生酸が、旧来から使用されている、p-トルエンスルホン酸やカンファースルホン等の非超強酸であったり、あるいは、トリフルオロメタンスルホン酸やノナフルオロブタンスルホン酸等のように揮発性の場合などは、この傾向が特に顕著になるものと考えられる。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、組み合わせる酸発生剤として、前記一般式2、2aで表される酸発生剤を選択することにより、微細パターンでの高解像性と保存安定性の両立に成功したものである。ここで、本発明の化学増幅レジスト材料に1種又は2種以上配合される酸発生剤は、下記一般式2又は2aで表される光酸発生剤である。式中、R4は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表すか、あるいは、Cベース樹脂の主鎖を表す。R5は、水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R6は、Arであるか、又は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。あるいは、R6同士が結合して両末端で結合する硫黄原子と共に炭素数5~8の環を形成してもよい。Arはヘテロ原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基である。式中、R4aは、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表す。R5は、水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R8は、水素原子、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。一般式2中、R4は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表すか、あるいは、Cベース樹脂の主鎖を表す。一般式2a中、R4aは、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基を表す。R4、R4aに含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。R4、R4aの炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよいが、炭素数6~30であることが、微細パターン形成において高解像性を得る上ではより好ましい。R4、R4aがアリール基である場合は、形成されるレジストパターンの側壁の滑らかさに劣ることがあり、好ましくない。R4、R4aとして具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、3-シクロヘキセニル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、1-アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メチルチオメチル基、アセトアミドメチル基、トリフルオロエチル基、2-メトキシエトキシメチル基、アセトキシメチル基、2-カルボキシ-1-シクロヘキシル基、2-オキソプロピル基、4-オキソ-1-アダマンチル基、3-オキソシクロヘキシル基を例示できるが、これらに限定されない。R4が、Cベース樹脂の主鎖を表す場合は、R4がビニル基、又は、イソプロペニル基である単量体を、ベース樹脂製造の際に共重合させて、酸発生剤をベース樹脂に組み込むことが好ましい。一般式2、2a中、R5は、水素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R5がトリフルオロメチル基である場合、一般式2で示される酸発生剤の溶剤溶解性が優れ、より好ましい。一般式2中、Arはヘテロ原子を含んでもよい置換もしくは非置換の炭素数6~20のアリール基である。含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子が好ましく、酸素原子、フッ素原子がより好ましい。R6として具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ビフェニリル基、メトキシフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基、t-ブチルフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、t-ブトキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリフルオロフェニルメチル基、アセトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、メチルナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、メトキシナフチル基、ブトキシナフチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシナフチル基、2-メトキシエトキシナフチル基を例示できるが、これらに限定されない。一般式2中、R6は、上述のArであるか、又は、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。あるいは、R6同士が結合して両末端で結合する硫黄原子と共に炭素数5~8の環を形成してもよい。含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子が好ましく、酸素原子、フッ素原子がより好ましい。R6のアルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよい。R6のヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、テトラヒドロフルフリル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、メチルチオエチル基を例示できるが、これらに限定されない。R6同士が結合して両末端で結合する硫黄原子と共に炭素数5~8の環を形成する場合に、形成される環構造として具体的には、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、チオピラン、ジベンゾチイン、チアン、チエピン、チエパン、チオシン、チオカン、オキサチイン、フェノキサチイン、チアントレン、ジチアンを例示できるが、これらに限定されない。一般式2a中、R8は、水素原子、又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~20のアルキル基又はアルケニル基である。含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子が好ましく、酸素原子、フッ素原子がより好ましい。R8のアルキル基又はアルケニル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよい。R8として具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、テトラヒドロフルフリル基、2-メトキシエチル基、2-エトキシエチル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、メチルチオエチル基、メトキシエチル基、2-2-メトキシエトキシエチル基を例示できるが、これらに限定されない。一般式2、2aで表される酸発生剤として、より具体的には下記の化合物を例示できるが、これらに限定されない。下記式中、Phはフェニル基、Acはアセチル基を表し、以下同様である。一般式2で表される酸発生剤において、R4がCベース樹脂の主鎖を表す場合、一般式2に対応する繰り返し単位が後述するレジストベース樹脂中に含有される。この場合、酸発生剤からの発生酸がポリマーに結合しているため、酸拡散を高度に抑制可能であり、特に、パターンピッチ80nm以下の微細パターン形成を目指す際には好ましい。この場合の繰り返し単位として、より具体的には下記の繰り返し単位を例示できるが、これらに限定されない。一般式2に対応する繰り返し単位がレジストベース樹脂中に含有される場合の、一般式2に対応する繰り返し単位の含有率は、ベース樹脂中全繰り返し単位に対して、0.2~20モルとすることが好ましく、0.5~15モルとすることがより好ましい。含有率が低すぎると、導入効果が得られない場合があり、含有率が高すぎると、ベース樹脂の溶剤溶解性が低下し、塗布欠陥が増加する場合がある。本発明の化学増幅レジスト材料に配合される、一般式2、2aで表される酸発生剤において、アニオン部スルホナート基のα位はジフルオロメチレン基である。このため、これら酸発生剤からの発生酸はトリフルオロメタンスルホン酸等と同様の超強酸であり、露光部におけるレジストベース樹脂の分解反応を十分進行させることが可能となり、高い溶解コントラストを与える。加えて、アニオン部のアシルオキシ基の存在により極性分子量を増し、発生酸の揮発性拡散速度を制御し、ひいては、微細パターンの解像性向上に寄与するものである。一般式2aで表される酸発生剤は、高い透過率と十分な酸発生効率を有するため、裾引きの少ない矩形なレジストパターンが得られる場合があり、好ましい。一般式2、2a中のR4、R4a、R5、R6、R8、Arの可能な選択肢の中から適切なものを選ぶことにより、本発明で使用される酸発生剤の透過率、酸発生効率、溶剤溶解性、極性、親水性、膜内分布、安定性、また、発生酸の酸性度、拡散速度、揮発性、ベース樹脂との親和性などの特性を、用いるレジストベース樹脂、露光方法などに応じて調節することができ、ひいては解像性能などのレジスト材料の性能を最適に調整することができるものである。本発明で使用される、一般式2、2aで表される酸発生剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合せて用いてもよい。また、露光波長における透過率が低い酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。更に、必要に応じて、他の既知の酸発生剤と組み合わせて用いることも可能である。その場合の、他の既知の酸発生剤としては、特に限定されないが、具体的には、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載されている化合物を例示できる。なお、酸発生剤を2種以上混合して用い、一方の酸発生剤がいわゆる弱酸を発生するオニウム塩である場合、酸拡散制御の機能を持たせることもできる。即ち、強酸例えばフッ素置換されたスルホン酸を発生する光酸発生剤と弱酸例えばフッ素置換されていないスルホン酸もしくはカルボン酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、高エネルギー線照射により光酸発生剤から生じた強酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると塩交換により弱酸を放出し強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。ここで強酸を発生する酸発生剤がオニウム塩である場合には上記のように高エネルギー線照射により生じた強酸が弱酸に交換することはできるが、高エネルギー線照射により生じた弱酸は未反応の強酸を発生するオニウム塩と衝突して塩交換を行うことはできない。これらはオニウムカチオンがより強酸のアニオンとイオン対を形成し易いという現象に起因する。本発明のレジスト材料における、式2又は2aで示される酸発生剤の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲であればいずれでもよいが、レジスト材料中のCベース樹脂100質量部に対し0.1~80質量部、好ましくは1~40質量部である。酸発生剤の割合が多すぎる場合には、解像性の劣化や、現像/レジスト膜剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。上記のように、本発明において使用される、前記一般式2、2aで表される化合物は、レジスト材料用の酸発生剤として良好な特性を有するものである。しかしながら、前記一般式2、2aで表される酸発生剤を、一般的なクエンチャーと組み合わせて用いた場合は、解像性が不十分であったり、保存安定性に劣ったりする場合があった。特に前記一般式2aで表される酸発生剤は、分子内に存在するテトラヒドロチオフェン環がアミン化合物等による求核攻撃を受け易いため、保存安定性が問題となり易い。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、組み合わせるクエンチャーとして、前記一般式1、1aで表されるクエンチャーを選択することにより、微細パターンでの高解像性と保存安定性の両立に成功したものである。エキシマレーザー光を光源とした最先端のフォトリソグラフィーにおいて、露光時にレンズとレジスト膜の間を水で満たす液浸露光法の実用化が始まっている。水液浸露光法においては、液浸水のレジスト膜中への浸透に由来する欠陥発生及び液浸水へのレジスト成分の溶出Leachingによるレンズ汚染の防止が不可欠であり、従来はレジスト上に別途レジスト保護膜を積層したのちに液浸露光を行うプロセスが一般的であった。しかし、別途レジスト保護膜を積層するコストの削減などのために、最近新たに、特殊な高分子化合物以下、液浸露光用添加剤と呼ぶをレジスト材料に配合する手法の開発が進んでいる。液浸露光用添加剤は、レジスト材料に配合された場合に、スピンコート後のレジスト表面に配向することによって、保護膜形成と同様のバリヤー効果を発揮し、水液浸露光時のレジスト膜への水のしみ込みやレジスト膜からのリーチングを低減させる機能を有するものである。液浸露光用添加剤には、表面配向性に加え、液浸露光後のレジスト膜上の水残りを防止するために膜表面での高い撥水性と滑水性が求められる。このために、本発明のレジスト材料においては、任意成分として液浸露光用添加剤であるE成分の含フッ素高分子化合物を配合してもよい。この場合の、含フッ素高分子化合物は、フッ素原子を15質量以上、より好ましくは25質量以上含有する高分子化合物とすることが、上述の表面配向性、撥水性、滑水性を満たす上で望ましい。一方で、一般に液浸露光用添加剤を配合した場合、その効果によりレジスト膜表面の親水性が低下することにより、レジスト現像工程において、未露光部へのレジスト成分の付着によると考えられるBlob欠陥と呼ばれる現像欠陥が発生し易くなる。Blob欠陥の抑制とバリヤー効果の確保を両立するためには、E成分の含フッ素高分子化合物を、フッ素原子を15質量以上有し、かつ、アルカリ現像液の作用により一部分解して親水性が増大する高分子化合物とすることが好ましい。このような高分子化合物を液浸露光用添加剤として用いることにより、レジスト成膜時には液浸露光用添加剤がレジスト膜表面に配向して、高い撥水性と滑水性を与え、水液浸露光時の問題発生を抑制する。現像工程では、アルカリ現像液の作用により、表面に配向した液浸露光用添加剤が一部分解して親水性を増すことにより、Blob欠陥をも抑制可能となる。中でも、本発明のレジスト材料に任意成分として配合されるE成分の含フッ素高分子化合物を、下記一般式3で表される繰り返し単位を、全繰り返し単位の5質量以上有する高分子化合物とすることがより好ましい。式中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。Rfは、それぞれ独立に、炭素数1~20のフルオロアルキル基を表す。Aは炭素数1~30のpq1価の有機基を表す。p、qは、それぞれ独立に0~5の整数を表し、pq>0である。一般式3中、R7は、水素原子又はメチル基である。一般式3中、Rfは、それぞれ独立に、炭素数1~20のフルオロアルキル基を表す。ここで、フルオロアルキル基とは、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基である。Rfのフルオロアルキル基は直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよい。Rfとして具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、ジフルオロエチル基、トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、トリフルオロプロピル基、テトラフルオロプロピル基、ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロプロピル基、トリフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、ペンタフルオロブチル基、ヘキサフルオロブチル基、ヘプタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、ヘプタフルオロペンチル基、オクタフルオロペンチル基、ノナフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、ノナフルオロヘキシル基、デカフルオロヘキシル基、ドデカフルオロヘキシル基、パーフルオロヘキシル基、ヘプタデカフルオロデシル基、オクタデカフルオロデシル基、パーフルオロシクロヘキシル基、トリフルオロt-ブチル基、ヘキサフルオロt-ブチル基、ノナフルオロt-ブチル基、パーフルオロアダマンチル基、パーフルオロイコサニル基を例示できるが、これらに限定されない。一般式3中、p、qは、それぞれ独立に0~5、特に0~3の整数を表し、pq>0、即ち、pとqが同時に0となることはない。なお、pqは1~5、特に1~3であることが好ましい。一般式3中、Aは炭素数1~30のpq1価の有機基を表す。Aは、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、酸素原子、ハロゲン原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでもよい。含まれるヘテロ原子としては、酸素原子が特に好ましく、エーテル基、エステル基、アセタール基などの酸素官能基を有してもよい。即ち、Aは、直鎖状、分岐状又は環状の、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30の1価の有機基からpq個の水素原子を取り除いてなるpq1価の有機基である。この場合に、元となる炭素数1~30の1価の有機基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、トリフルオロエチル基、2-メトキシエトキシメチル基、アセトキシメチル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、メトキシフェニル基、メチルチオフェニル基、アセトアミドフェニル基、7-オキサノルボルニル基、アセトキシメチル基、アセトキシエチル基、アセトキシプロピル基、アセトキシブチル基、メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、メトキシカルボニルプロピル基、メトキシカルボニルブチル基、メトキシカルボニルシクロヘキシル基、メトキシカルボニルアダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。一般式3で表される繰り返し単位として、より具体的には下記の繰り返し単位を例示できるが、これらに限定されない。下記式中、R7は水素原子又はメチル基を表す。一般式3で表される繰り返し単位は、フッ素原子を含んでおり、これを有する高分子化合物の表面配向性、撥水性の向上に寄与する。また、一般式3で表される繰り返し単位は、-COORf、又は、-OCORfで表される高撥水性のエステル構造を有するが、これらのエステル構造はRf中のフッ素原子による電子吸引効果の影響によりカルボニル炭素の電子密度が低下しているため、通常のエステルに比べて、大幅にアルカリ加水分解を受け易くなっている。更に、これらのエステル構造は、主鎖から離れた場所に位置するため、立体的障害の大きい主鎖直結のエステルに比べて、アルカリ加水分解を受け易くなっている。このため、下記に模式的に示すように、レジスト膜をアルカリ現像液で処理する際に、加水分解され、高親水性のカルボキシル基-CO2H又は水酸基-OHを生成し、撥水性単位3から親水性単位3aへと変化する。これにより、前述のBlob欠陥の抑制に寄与するものと考えられる。式中、R7、Rf、A、p、qは、前記と同様である。一般式3で表される繰り返し単位中のR7、Rf、A、p、qの可能な選択肢の中から適切なものを選ぶことにより、これを含む含フッ素高分子化合物の表面配向性、撥水性、加水分解性などの特性を、必要に応じて調節することができ、ひいてはこれを含むレジスト材料の撥水性、滑水性、現像後の表面状態などの特性を最適に調整することにより、液浸欠陥低減に寄与するものである。一般式3で表される繰り返し単位は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合せて用いてもよい。本発明のレジスト材料において、E成分の含フッ素高分子化合物中の全繰り返し単位に占める一般式3で表される繰り返し単位の割合は5モル以上とすることが好ましく、20モル以上とすることがより好ましい。割合が少なすぎると、導入効果が得られない場合がある。上述のように、本発明において任意成分として配合される、前記一般式3で表される繰り返し単位を有する含フッ素高分子化合物は、液浸欠陥を低減する上で有用である。しかしながら、本含フッ素高分子化合物は、一般的なクエンチャー及び酸発生剤と組み合わせて用いた際に、保存安定性に劣ったり、解像性が不十分であったりする場合があった。保存安定性の問題については、前記一般式3で表される繰り返し単位中の高反応性のエステルカルボニル炭素が、クエンチャー自身による求核攻撃、あるいはクエンチャーを塩基触媒とした求核攻撃を受けることにより、レジスト保存中に分解を起こすものと考えられる。この改善のために、反応性、塩基性の非常に低いクエンチャーを用いれば、保存安定性は向上するが、一方で解像性が十分ではなかった。そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、クエンチャーとして、前記一般式1、1aで表される3級アミン化合物を、酸発生剤として、前記一般式2、2aで表される光酸発生剤を、組み合せて配合することにより、液浸欠陥性能、保存安定性、高解像性を高いレベルで共存させることに成功したものである。本発明において任意成分として配合される含フッ素高分子化合物は、前記一般式3で表される繰り返し単位に加えて、下記一般式4で表される繰り返し単位を1種又は2種以上含む場合、本発明のレジスト材料の液浸欠陥性能が特に優れ、より好ましい。式中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。R9は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又はWと結合して環を形成する単結合を表す。Wは炭素数1~30のy1価の有機基を表し、あるいは、R9と結合して環を形成してもよい。yは1~5、好ましくは1~3の整数を表す。一般式4中、R7は、水素原子又はメチル基を表す。R9は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、Wと結合して環を形成する単結合を表す。yは1~5、好ましくは1~3の整数を表す。Wは、炭素数1~30のy1価の有機基を表す。Wは直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、酸素原子、ハロゲン原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を含んでもよい。含まれるヘテロ原子としては、フッ素原子、酸素原子が特に好ましく、エーテル基、エステル基、アセタール基、水酸基などの酸素官能基を有してもよい。即ち、Wは直鎖状、分岐状又は環状の、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~30の1価の有機基からy個の水素原子を取り除いてなるy1価の有機基である。この場合に、元となる炭素数1~30の1価の有機基としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基、イコサニル基、アリル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、トリフルオロエチル基、2-メトキシエトキシメチル基、アセトキシメチル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、メトキシフェニル基、メチルチオフェニル基、アセトアミドフェニル基、7-オキサノルボルニル基、アセトキシメチル基、アセトキシエチル基、アセトキシプロピル基、アセトキシブチル基、メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、メトキシカルボニルプロピル基、メトキシカルボニルブチル基、メトキシカルボニルシクロヘキシル基、メトキシカルボニルアダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。あるいはWはR9と結合して環を形成してもよい。一般式4で表される繰り返し単位として、より具体的には下記の繰り返し単位を例示できるが、これらに限定されない。下記式中、R7は水素原子又はメチル基を表す。一般式4で表される繰り返し単位は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合せて用いてもよい。本発明のレジスト材料において、含フッ素高分子化合物中の全繰り返し単位に占める一般式4で表される繰り返し単位の割合は10モル以上95モル未満とすることが好ましく、20モル以上80モル以下とすることがより好ましい。少なすぎると導入効果が得られない場合があり、逆に多すぎると欠陥性能に劣る場合がある。本発明において任意成分として配合される含フッ素高分子化合物は、前記一般式3、4で表される繰り返し単位に加え、必要に応じて他の公知の繰り返し単位を1種又は2種以上含んでもよい。この場合、追加してもよい繰り返し単位については、特開2010-250105号公報の段落[0028]~[0065]を参照することができる。E成分の含フッ素高分子化合物を合成する場合、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル等のラジカル重合開始剤を用いるラジカル重合、アルキルリチウム等を用いるイオン重合アニオン重合等の一般的重合手法を用いることが可能であり、これらの重合はその常法に従って実施することができる。このうち、E成分の含フッ素高分子化合物の合成はラジカル重合により製造を行うことが好ましい。この場合、重合条件は開始剤の種類と添加量、温度、圧力、濃度、溶剤、添加物等によって支配される。ラジカル重合開始剤としては特に限定されるものではないが、例として2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2,4,4-トリメチルペンタン、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル等のアゾ系化合物、tert-ブチルパーオキシピバレート、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、tert-ブチルパーオキシラウレート等の過酸化物系化合物、過硫酸カリウムのような水溶性重合開始剤、更には過硫酸カリウムや過酸化水素等の過酸化物と亜硫酸ナトリウムのような還元剤の組み合わせからなるレドックス系開始剤等が例示される。重合開始剤の使用量は種類や重合条件等に応じて適宜変更可能であるが、通常は重合させるべき単量体全量に対して0.001~10モル、特に0.01~6モルが採用される。E成分の含フッ素高分子化合物を合成する場合、分子量の調整のためにドデシルメルカプタンや2-メルカプトエタノールのような公知の連鎖移動剤を併用してもよい。その場合、これらの連鎖移動剤の添加量は重合させる単量体の総モル数に対して0.01~10モルであることが好ましい。E成分の含フッ素高分子化合物を合成する場合、一般式3、4で表される繰り返し単位及びその他の繰り返し単位に対応する重合性モノマーを混合し、上述の開始剤や連鎖移動剤を添加して重合を行う。重合を行う際には、必要に応じて溶剤を用いてもよい。重合溶剤としては重合反応を阻害しないものが好ましく、代表的なものとしては、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、γ-ブチロラクトン等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の脂肪族又は芳香族炭化水素類、イソプロピルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤が使用できる。これらの溶剤は単独で用いても、2種類以上を混合して用いてもよい。重合溶剤の使用量は、目標となる重合度分子量、開始剤の添加量、重合温度等の重合条件に応じて適宜変更可能であり、通常は重合させる単量体の濃度が0.1~95質量、特に5~90質量になるように溶剤を添加する。重合反応の反応温度は、重合開始剤の種類あるいは溶剤の沸点により適宜変更されるが、通常は20~200°Cが好ましく、特に50~140°Cが好ましい。かかる重合反応に用いる反応容器は特に限定されない。このようにして得られた重合体の溶液又は分散液から、媒質である有機溶剤又は水を除去する方法としては、公知の方法のいずれも利用できるが、例を挙げれば再沈澱濾過又は減圧下での加熱留出等の方法がある。E成分の含フッ素高分子化合物の場合、重量平均分子量Mwが小さすぎるとレジスト材料とのミキシングや水への溶解が起こり易くなる。また、重量平均分子量が大きすぎるとスピンコート後の成膜性に問題が生じたり、現像欠陥が増加したりすることがある。その観点から、溶剤としてテトラヒドロフランを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量において1,000~500,000が好ましく、より好ましくは2,000~30,000である。本発明のレジスト材料は、下記の組成の化学増幅レジスト材料である。A前記一般式1で表される3級アミン化合物の1種又は2種以上、B前記一般式2で表される酸発生剤の1種又は2種以上、C酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、D有機溶剤を必須成分として、E含フッ素高分子化合物、F界面活性剤を任意成分として、含有する。このうち、A、B、Eについては、前述の通りである。本発明で使用されるCベースポリマーベース樹脂は、KrFエキシマレーザー用レジスト材料としては、ポリヒドロキシスチレンPHS、及びスチレン誘導体、メタアクリル酸エステル、その他の重合性オレフィン化合物などの共重合体、ArFエキシマレーザー用レジスト材料としては、メタアクリル酸エステル系ポリマー、シクロオレフィンと無水マレイン酸との交互共重合系ポリマー及び更にこの交互共重合系ポリマーにビニルエーテル類又はメタアクリル酸エステルを共重合した共重合系ポリマー、ポリノルボルネン系ポリマー、シクロオレフィン開環メタセシス重合系、F2レーザー用として上記KrF、ArF用ポリマーのフッ素置換体のほか、フッ素化ジエンを用いた閉環重合系ポリマーなど、2層レジスト用としては上記ポリマーの珪素置換体及びポリシルセスキオキサンポリマーなどが挙げられるが、これらの重合系ポリマーに限定されることはない。ベースポリマーは単独であるいは2種以上を混合して用いることができる。ポジ型レジスト材料の場合、フェノールあるいはカルボキシル基あるいはフッ素化アルキルアルコールの水酸基を酸不安定基で置換することによって、未露光部の溶解速度を下げる場合が一般的である。ベースポリマーの酸不安定基は、種々選定されるが、特に下記一般式C1、C2で示される炭素数2~30のアセタール基、炭素数4~30の3級アルキル基等であることが好ましい。上記式C1、C2においてR11、R12は水素原子又は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R13、R14、R15、R16は炭素数1~20、特に1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。またR11とR12、R11とR13、R12とR13、R14とR15、R14とR16、R15とR16はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に炭素数3~20、特に3~12の非芳香環を形成してもよい。式C1で示されるアセタール基として具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、イソプロポキメチル基、t-ブトキシメチル基、ネオペンチルオキシメチル基、1-メチルシクロヘキシルメトキシメチル基、2-アダマンチルオキシメチル基、1-アダマンチルメトキシメチル基、フェンキルオキシメチル基、2-メチル-2-ノルボルニルメトキシメチル基、1-メトキシエチル基、1-メトキシプロピル基、1-メトキシブチル基、1-エトキシエチル基、1-エトキシプロピル基、1-エトキシブチル基、1-プロポキシエチル基、1-プロポキシプロピル基、1-プロポキシブチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、2-メトキシイソプロピル基、2-エトキシイソプロピル基、1-フェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-フェノキシプロピル基、1-ベンジルオキシプロピル基、1-アダマンチルオキシエチル基、1-アダマンチルオキシプロピル基、2-テトラヒドロフリル基、2-テトラヒドロ-2H-ピラニル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシエチル基、1-2-シクロヘキサンカルボニルオキシエトキシプロピル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]エチル基、1-[2-1-アダマンチルカルボニルオキシエトキシ]プロピル基を例示できるが、これらに限定されない。式C2で示される3級アルキル基として具体的には、t-ブチル基、t-ペンチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、1-メチル-1-7-オキサナルボルナン-2-イルエチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-2-テトラヒドロフリルシクロペンチル基、1-7-オキサナルボルナン-2-イルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-シクロペンチルシクロヘキシル基、1-シクロヘキシルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボニル基、2-エチル-2-ノルボニル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル基、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-3-オキソ-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、5-ヒドロキシ-2-メチル-2-アダマンチル基、5-ヒドロキシ-2-エチル-2-アダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。また、ベース樹脂の水酸基の一部が下記一般式C3aあるいはC3bで表される酸不安定基によって分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。上記式中、R17、R18は水素原子又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R17とR18は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはR17、R18は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R19は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、bは0又は1~10の整数である。Aは、a1価の炭素数1~50の鎖状もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又は水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。aは1~7の整数である。一般式C3a、C3bに示される架橋型アセタールとして、具体的には下記C3-1~C3-8が挙げられるが、これらに限定されない。ベースポリマーの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによる測定法溶出溶剤はテトラヒドロフランでポリスチレン換算2,000~100,000とすることが好ましく、2,000に満たないと成膜性、解像性に劣る場合があり、100,000を超えると解像性に劣るかあるいはパターン形成時に異物が発生する場合がある。本発明のポジ型化学増幅レジスト材料をArFエキシマレーザー用レジスト材料として用いる場合に、特に好適に用いられるベース樹脂としては、特開2008-111103号公報の段落[0072]~[0121]に記載されている樹脂を挙げることができる。具体的には、下記一般式R1及び/又は下記一般式R2から選ばれる高分子化合物を挙げることができる。上記式中、R001は、水素原子、メチル基又は-CH2CO2R003を示す。R002は、水素原子、メチル基又は-CO2R003を示す。R003は、炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。R004は、水素原子、炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシシクロペンチル、カルボキシシクロヘキシル、カルボキシノルボルニル、カルボキシアダマンチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシシクロペンチル、ヒドロキシシクロヘキシル、ヒドロキシノルボルニル、ヒドロキシアダマンチル、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル、ジヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシル等が例示できる。R005~R008の少なくとも1個は炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する1価の炭化水素基としては、具体的にはカルボキシ、カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシブチル、2-カルボキシエトキシカルボニル、4-カルボキシブトキシカルボニル、2-ヒドロキシエトキシカルボニル、4-ヒドロキシブトキシカルボニル、カルボキシシクロペンチルオキシカルボニル、カルボキシシクロヘキシルオキシカルボニル、カルボキシノルボルニルオキシカルボニル、カルボキシアダマンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロペンチルオキシカルボニル、ヒドロキシシクロヘキシルオキシカルボニル、ヒドロキシノルボルニルオキシカルボニル、ヒドロキシアダマンチルオキシカルボニル、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシルオキシカルボニル、ジヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルシクロヘキシルオキシカルボニル等が例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R005~R008は互いに結合して環を形成していてもよく、その場合にはR005~R008の少なくとも1個は炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。炭素数1~15の含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する2価の炭化水素基としては、具体的には上記含フッ素置換基及び/又はカルボキシル基、水酸基を含有する1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、具体的にはR003で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。R009は、炭素数3~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、具体的には2-オキソオキソラン-3-イル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル等を例示できる。R010~R013の少なくとも1個は炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数2~15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基としては、具体的には2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4,4-ジメチル-2-オキソオキソラン-3-イルオキシカルボニル、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イルオキシカルボニル、2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメチルオキシカルボニル、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イルオキシカルボニル等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。R010~R013は互いに結合して環を形成していてもよく、その場合にはR010~R013の少なくとも1個は炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。炭素数1~15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基としては、具体的には1-オキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサプロパン-1,3-ジイル、1-オキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル、1,3-ジオキソ-2-オキサブタン-1,4-ジイル等の他、上記-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。炭素数1~15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基としては、具体的にはR003で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。R014は、炭素数7~15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示し、具体的にはノルボルニル、ビシクロ[3.3.1]ノニル、トリシクロ[5.2.1.026]デシル、アダマンチル、エチルアダマンチル、ブチルアダマンチル、ノルボルニルメチル、アダマンチルメチル等を例示できる。R015は、酸不安定基を示し、具体例については後述する。Xは、-CH2又は酸素原子を示す。kは、0又は1である。R016は、水素原子又はメチル基を示す。R017は、炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R1において、a1’、a2’、a3’、b1’、b2’、b3’、c1’、c2’、c3’、d1’、d2’、d3’、e’は0以上1未満の数であり、a1’a2’a3’b1’b2’b3’c1’c2’c3’d1’d2’d3’e’=1を満足する。R2において、f’、g’、h’、i’、j’は0以上1未満の数であり、f’g’h’i’j’=1を満足する。x’、y’、z’は0~3の整数であり、1≦x’y’z’≦5、1≦y’z’≦3を満足する。R015の酸不安定基としては、種々用いることができるが、具体的には下記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の3級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。上記式中、破線は結合手を示す。また、式L1において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。式L2において、RL04は炭素数4~20、好ましくは炭素数4~15の3級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式L1で示される基を示し、3級アルキル基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示でき、オキソアルキル基としては、具体的には3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。yは0~6の整数である。式L3において、RL05は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。mは0又は1、nは0,1,2,3のいずれかであり、2mn=2又は3を満足する数である。式L4において、RL06は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の1価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16は互いに結合して環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15の2価の炭化水素基を示し、具体的には上記1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。前記一般式R1及び/又は下記一般式R2から選ばれる高分子化合物は、前述の通り、更に前記一般式2に対応する酸発生剤単位を繰り返し単位として含んでもよい。本発明で使用されるD成分の有機溶剤としては、他のレジスト成分が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、4-メチル-2-ペンタノン、メチルアミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、n-プロパノール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、アニソール、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-t-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中のベース樹脂、酸発生剤の溶解性に優れるプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、目標膜厚などに応じて設定すべきものであるが、おおむねベース樹脂100質量部に対して200~15,000質量部、特に400~8,000質量部が好適である。更に、本発明のレジスト材料には、任意成分として、塗布性を向上させるために慣用されるF成分の界面活性剤を添加することができる。上記界面活性剤としては、特に限定されず、広範な公知物質を使用可能であるが、例えば、特開2009-269953号公報の段落[0142]~[0149]を参照することができる。本発明においては、界面活性剤Fの中で、FC-4430住友スリーエム株製、サーフロンS-381、サーフィノールE1004、KH-20、KH-30いずれもAGCセイミケミカル株製、及びオキセタン開環重合物が特に好適である。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。本発明の化学増幅レジスト材料中の界面活性剤Fの添加量は、レジスト材料中のベース樹脂100質量部に対し2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。本発明のレジスト材料には、必要に応じて、この他に既知の溶解制御剤、アセチレンアルコール類、酸性化合物、色素、熱架橋剤、安定剤などを加えてもよい。このうち、溶解制御剤としては特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]、アセチレンアルコール類としては段落[0179]~[0182]に記載されている材料を用いることができる。本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成するには、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜、Cr、CrO、CrON、MoSi等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、0.1~10分間、好ましくは80~140°C、0.5~5分間プリベークする。次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、紫外線、遠紫外線、極端紫外線、エキシマレーザー、電子線、X線、γ線、シンクロトロン放射線等から選ばれる光源、好ましくは300nm以下の露光波長で露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。露光法について、本発明のレジスト材料を用いたパターニングにおいては、通常の露光の他、投影レンズとレジスト膜の間を水などの液体で満たす液浸露光ImmersionLithographyも好適である。液浸露光の場合は、必要に応じて露光前にレジスト上に更にトップコートを塗布した後に露光を行うことTopCoatProcessも可能である。次いで、ホットプレート上で60~150°C、0.1~5分間、好ましくは80~140°C、0.5~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。また必要に応じて現像後の更なる加熱処理thermalflow、あるいは化学シュリンク剤処理chemicalshrinkによるパターンサイズの調整も可能である。また、本発明のレジスト材料は、ダブルパターニングプロセス用のポジ型レジストとして使用してもよい。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも120~260nmの遠紫外線又はエキシマレーザー、極端紫外線、X線及び電子線による微細パターニングに最適である。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。[実施例、比較例]本発明の化学増幅レジスト材料を調製し、次いで本発明のパターン形成方法を実施し、その解像性、保存安定性、欠陥性能につき評価を行った。下記実施例及び比較例にて使用したベース樹脂、酸発生剤、クエンチャー、液浸保護膜用ポリマー、含フッ素高分子化合物の構造式を以下に示す。なお、下記例でMw、Mnはテトラヒドロフランを溶離液としたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定したポリスチレン換算の値である。[レジスト材料調製、露光評価A][実施例1-1]各レジスト成分を以下に示す組成で混合した後、孔径0.1μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、本発明のレジスト材料を調製した。Aクエンチャー:Q-12.0質量部B酸発生剤:PAG114.3質量部Cベース樹脂:Polymer1100質量部D有機溶剤:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート2,750質量部シクロヘキサノン306質量部F界面活性剤:住友スリーエム株製FC-44300.01質量部[実施例1-2~1-4、比較例1-1~1-4]実施例1-1より成分A又はBを変更し、下表に示した組成で混合した後、孔径0.1μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、各レジスト材料を調製した。成分C、D、Fについては実施例1-1と同一種、同一量を配合した。[液浸保護膜材料の調製]下表に示した組成で各成分を混合した後、孔径0.1μmのテフロン登録商標フィルターを用いて濾過し、液浸保護膜材料TC-1を調製した。評価例実施例2-1~2-4及び比較評価例比較例2-1~2-4[解像性の評価]ArF液浸露光保護膜使用[実施例2-1~2-4、比較例2-1~2-4]シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜100nm膜厚基板上にレジスト溶液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて120°Cで60秒間ベークし、90nm膜厚のレジスト膜を作製した。次いで、フォトレジスト膜上に液浸保護膜材料TC-1を塗布し、90°Cで60秒間ベークして膜厚50nmの保護膜を形成した。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C、NA=1.30、クロスポール照明ブレード角70度、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて液浸露光し、100°Cで60秒間ベークPEBを施した後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液を用いて60秒間現像を行い、1:1のラインアンドスペースパターンを形成した。作製したパターン付きウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡で観察し、50nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量最適露光量において分離解像している1:1のラインアンドスペースパターンの最小寸法を限界解像性マスク上寸法、1nm刻み、寸法が小さいほど良好とした。また、断面SEMにより、50nmの1:1のラインアンドスペースパターンのパターン形状を観察した。結果を下表に示す。上記の結果より、本発明のレジスト材料の高解像性が確認された。一方で、B成分の酸発生剤として、ArFレジスト用の一般的な酸発生剤を用いた比較例2-1、及び、A成分のクエンチャーとして、一般的なアニリン化合物を配合した比較例2-2,2-3においては解像性が劣ることも確認された。評価例実施例3-1~3-4及び比較評価例比較例3-1[保存安定性の評価][実施例3-1~3-4、比較例3-1]上記の評価の結果、解像性良好であったレジスト材料につき、25°Cで3ヶ月保存後に解像性能の再評価を行った。評価方法は上記と同様である。結果を下表に示す。上記の結果より、本発明のレジスト材料は3ヶ月保存後も解像性に変化なく、保存安定性良好であることが確認された。一方、A成分のクエンチャーとして、一般的な3級アミン化合物を配合した比較例3-1においては、経時で解像性が劣化することが確認された。この原因としては、レジスト保存中に、クエンチャーの関与により、酸発生剤の分解が進行したものと考えられる。[レジスト材料調製、露光評価B][実施例4-1]各レジスト成分を以下に示す組成で混合した後、0.02μmサイズの高密度ポリエチレンフィルターで精密濾過し、本発明のレジスト材料を調製した。Aクエンチャー:Q-32.6質量部B酸発生剤:PAG114.3質量部Cベース樹脂:Polymer1100質量部D有機溶剤:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート2,750質量部シクロヘキサノン306質量部E含フッ素高分子化合物:Polymer38.8質量部F界面活性剤:住友スリーエム株製FC-44300.01質量部[実施例4-2~4-4、比較例4-1~4-4]実施例4-1より成分A、B又はEを変更し、下表に示した組成で混合した後、0.02μmサイズの高密度ポリエチレンフィルターで精密濾過し、各レジスト材料を調製した。成分C、D、Fについては実施例4-1と同一種、同一量を配合した。評価例実施例5-1~5-4及び比較評価例比較例5-1~5-4[解像性の評価]ArF液浸露光保護膜不使用[実施例5-1~5-4、比較例5-1~5-4]シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜100nm膜厚基板上にレジスト溶液をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて120°Cで60秒間ベークし、90nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C、NA=1.30、クロスポール照明ブレード角70度、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて液浸露光し、100°Cで60秒間ベークPEBを施した後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液を用いて60秒間現像を行い、1:1のラインアンドスペースパターンを形成した。作製したパターン付きウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡で観察し、50nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量最適露光量において分離解像している1:1のラインアンドスペースパターンの最小寸法を限界解像性マスク上寸法、1nm刻み、寸法が小さいほど良好とした。[液浸欠陥性能の評価]ArF液浸露光保護膜不使用[実施例5-1~5-4、比較例5-1~5-4]各レジスト材料につき、別途上記と同様にパターンつきウエハーを作製した。各ウエハーでのパターン上の水残り欠陥数を、欠陥検査装置及びSEM走査型電子顕微鏡により調べた。水残り欠陥WM;WaterMarkとは、パターンが湾曲した欠陥であり、湾曲した部分がライン数本に渡って円形に広がる特徴を有する。水残り欠陥は液浸水由来の残余水滴が引き起こす欠陥と考えられており、レジスト膜表面の撥水性が不足した場合に発生し易い傾向がある。また、各レジスト材料につき、8インチのシリコン基板上に反射防止膜ARC-29A日産化学工業株製を成膜後膜厚は87nm、その上にレジスト溶液を塗布し、120°Cで60秒間ベークして膜厚100nmのレジスト膜を作製した。次いで、ArFスキャナーS307E株ニコン製、NA0.85で、ウエハー全面に20mm角の面積の露光部と未露光部が交互に配置チェッカーフラッグ配置されるようオープンフレーム露光をした。その後、100°Cで60秒間ベークPEBを施した後、2.38質量のTMAH水溶液で60秒間現像を行った。チェッカーフラッグの未露光部分の欠陥個数を欠陥検査装置WinWin-50-1200株東京精密製を用いてピクセルサイズ0.125μmで計測した。未露光部のレジスト表面に発生した欠陥はシミ状欠陥であり、前述のブロブBlob欠陥に分類される。得られた解像性、欠陥性能の評価結果を下表に示す。上記の結果より、本発明のレジスト材料の高解像性及び良好な液浸欠陥性能が確認された。一方で、A成分のクエンチャーとして、一般的なアニリン化合物を配合した比較例5-4においては解像性が劣り、F含フッ素高分子化合物として、前記一般式3で表される繰り返し単位を有さないポリマーを配合した比較例5-1においては、シミ状欠陥を抑制できないことが確認された。評価例実施例6-1~6-4及び比較評価例比較例6-1,6-2[保存安定性の評価][実施例6-1~6-4、比較例6-1,6-2]上記の評価の結果、解像性、液浸欠陥ともに良好であったレジスト材料につき、25°Cで1ヶ月保存後に、解像性、水残り欠陥の再評価を行った。評価方法は上記と同様である。結果を下表に示す。上記の結果より、本発明のレジスト材料は1ヶ月保存後も解像性、欠陥性能に変化なく、保存安定性良好であることが確認された。一方、A成分のクエンチャーとして、一般的な3級アミン化合物を配合した、比較例6-1,6-2においては、経時で水残り欠陥が増加することが確認された。この原因は、レジスト保存中に、クエンチャーの関与により、E成分の含フッ素高分子化合物の分解が進行し、レジスト膜表面の撥水性が低下したためと考えられる。上記の露光評価A及びBの結果より、本発明のレジスト材料が、高解像性を与えると共に、優れた液浸欠陥性能を達成可能であり、かつ保存安定性も良好であることから、微細加工のためのフォトリソグラフィーに好適であることが確認された。"