エンハンスメントモード電界効果デバイスであって、III族窒化物半導体層で構成される第1の活性層と、第1の活性層上のIII族窒化物バリア層で構成される第2の活性層とを含み、第2の活性層は第1の活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有し、第1の活性層と第2の活性層との間の界面において、またはその界面付近において二次元電子ガスが存在し、前記エンハンスメントモード電界効果デバイスはさらに、第2の活性層上にわたって配置された1つ以上の被覆層を含み、1つ以上の被覆層のうち少なくともいくつかの被覆層の材料組成は、第2の活性層の材料組成とは異なり、二次元電子ガスは1つ以上の被覆層がない状態では存在せず、前記エンハンスメントモード電界効果デバイスはさらに、1つ以上の被覆層を通って延在し、第2の活性層のIII族窒化物バリア層と直接接触しているゲート電極と、III族窒化物コンタクト層と直接接触しているソース電極およびドレイン電極とを含む、エンハンスメントモード電界効果デバイス。ソースコンタクトおよびドレインコンタクトのためのIII族窒化物コンタクト層は、第2の活性層のIII族窒化物バリア層である、請求項1に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第2の活性層のIII族窒化物バリア層が、AlN、AlInGaNおよびAlInNからなる群から選択される、請求項1に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第2の活性層のIII族窒化物バリア層の厚さが5nm未満である、請求項3に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。1つ以上の被覆層が、第2の活性層のIII族窒化物バリア層のバンドギャップよりも狭いバンドギャップを有する半導体オーミックコンタクト層を含む、請求項1に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。半導体オーミックコンタクト層がIII族窒化物を含む、請求項5に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。半導体窒化物オーミックコンタクト層はさらに、GaN、InGaN、InN、AlGaInNまたはAlInNを含む、請求項6に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第1および第2の活性層が1つ以上のバッファ層上にわたって配置される、請求項1に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。1つ以上のバッファ層が核形成層および基板上にわたって配置される、請求項8に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第1の活性層がバッファ層である、請求項8に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。バッファ層がGaNまたはAlGaNを含む、請求項8に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。バッファ層がウルツ鉱結晶構造を有する、請求項8に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。バッファ層が立方晶系結晶構造を有する、請求項8に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第1の活性層が、バッファ層と同じ化学量論で、但し異なるレベルのドーパントで構成される、請求項8に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第1の活性層が、バッファ層のバンドギャップよりも狭いバンドギャップを有する窒化物チャネル層である、請求項8に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。チャネル層がInGaNまたはGaNを含む、請求項15に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。1つ以上の被覆層がパッシベーション層を含む、請求項1に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。半導体窒化物オーミックコンタクト層がパッシベーション層の下に延在する、請求項17に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。1つ以上の被覆層が、第2の活性層のIII族窒化物バリア層上に直接配置された第2のIII族窒化物バリア層をさらに含む、請求項5に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第2のIII族窒化物バリア層がオーミックコンタクト層の下に延在する、請求項19に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。半導体オーミックコンタクト層がGaN、InGaN、InN、AlGaInNまたはAlInNを含み、オーミックコンタクト層がAlInNである場合、第2のIII族窒化物バリア層が、オーミックコンタクト層よりもAl割合が高いAlInNを含む、請求項19に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。第2のIII族窒化物バリア層がバッファに格子整合される、請求項19に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。1つ以上の被覆層が、半導体窒化物オーミックコンタクト層と第2のIII族窒化物バリア層との間に配置された傾斜半導体層をさらに含む、請求項19に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。被覆層のうち少なくとも1つが意図的にドープされる、請求項21に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。ソースおよびドレインコンタクト層が、被覆層の下ではなくソース電極およびドレイン電極の下に配置される、請求項1に記載のエンハンスメントモード電界効果デバイス。エンハンスメントモード電界効果デバイスを製造する方法であって、ヘテロ接合を形成する第1の活性層および第2の活性層を設けるステップを含み、第1の活性層はIII族半導体層で構成され、第2の活性層は第1の活性層上に配置されたIII族窒化物バリアで構成され、第2の活性層は第1の活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有し、前記方法はさらに、ソースオーミックコンタクトおよびドレインオーミックコンタクトならびにゲートコンタクトのそれぞれのために第2の活性層への開口部をパッシベーション層に設けるステップと、第2の活性層と直接接触するソース電極およびドレイン電極を設けるステップと、ゲートコンタクトを形成するステップとを含み、前記ゲートコンタクトは、前記ゲートコンタクトが第2の活性層と直接接触するようにゲートコンタクト用の開口部を通って延在するよう形成される、方法。第2の活性層のIII族窒化物バリア層が、AlN、AlInGaN、AlGaNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層がバッファ層またはチャネル層を含み、第1の活性層および第2の活性層の各々が、エピタキシャル成長工程によって成長させられる、請求項26に記載の方法。ソース、ドレインおよびゲートを含むデバイス区域を分離するステップをさらに含む、請求項26に記載の方法。被覆層からバッファに向かうメサエッチングによって、少なくとも第1の活性層と第2の活性層との界面よりも深く分離が実現される、請求項26に記載の方法。エンハンスメントモード電界効果デバイスを製造する方法であって、ヘテロ接合を形成する第1の活性層および第2の活性層を設けるステップを含み、第1の活性層がIII族半導体層で構成され、第2の活性層が第1の活性層上に配置されたIII族窒化物バリアで構成され、第2の活性層が第1の活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有し、前記方法はさらに、第2の活性層と直接接触するソース電極およびドレイン電極を設けるステップと、ゲートコンタクトを形成するステップとを含み、前記ゲートコンタクトは、前記ゲートコンタクトが第2の活性層と直接接触するようにゲート開口部を通って延在するよう形成され、前記方法はさらに、次にパッシベーション層を堆積させるステップを含む、方法。第2の活性層のIII族窒化物バリア層が、AlN、AlInGaN、AlGaNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層がバッファ層またはチャネル層を含み、第1の活性層および第2の活性層の各々が、エピタキシャル成長工程によって成長させられる、請求項30に記載の方法。ソース、ドレインおよびゲートを含むデバイス区域を分離するステップをさらに含む、請求項30に記載の方法。被覆層からバッファに向かうメサエッチングによって、少なくとも第1の活性層と第2の活性層との界面よりも深く分離が実現される、請求項30に記載の方法。エンハンスメントモード電界効果デバイスを製造する方法であって、ヘテロ接合を形成する第1の活性層および第2の活性層を設けるステップを含み、第1の活性層がIII族半導体層で構成され、第2の活性層が第1の活性層上に配置されたIII族窒化物バリア層で構成され、第2の活性層が第1の活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有し、前記方法はさらに、ゲートコンタクト区域を規定するよう第2の活性層上に保護層を堆積させるステップと、次に、第2の活性層上にわたって1つ以上の層を成長させるステップとを含み、1つ以上の層が半導体窒化物オーミックコンタクト層を含み、前記方法はさらに、半導体窒化物オーミックコンタクト層と直接接触するソース電極およびドレイン電極を設けるステップと、次に、保護層を除去して、ゲートコンタクト区域を規定し、第2の活性層のIII族窒化物バリア層と直接接触するゲートコンタクトを形成するステップとを含む、方法。第2の活性層のIII族窒化物バリア層が、AlN、AlInGaN、AlGaNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層がバッファ層またはチャネル層を含み、半導体窒化物オーミックコンタクト層が、GaN、InGaN、InN、AlGaInNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層、第2の活性層、第2の半導体III族窒化物バリア層および半導体窒化物オーミックコンタクト層の各々が、エピタキシャル成長工程によって成長させられる、請求項34に記載の方法。ソース、ドレインおよびゲートを含むデバイス区域を分離するステップをさらに含む、請求項34に記載の方法。被覆層からバッファに向かうメサエッチングによって、少なくとも第1の活性層と第2の活性層との界面よりも深く分離が実現される、請求項34に記載の方法。パッシベーションステップをさらに含む、請求項34に記載の方法。エンハンスメントモード電界効果デバイスを製造する方法であって、ヘテロ接合を形成する第1の活性層および第2の活性層を設けるステップを含み、第1の活性層がIII族半導体層で構成され、第2の活性層が第1の活性層上に配置されたIII族窒化物バリアで構成され、第2の活性層が第1の活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有し、前記方法はさらに、第2の活性層上にわたって1つ以上の層を成長させるステップを含み、1つ以上の層が半導体窒化物オーミックコンタクト層を含み、前記方法はさらに、半導体窒化物オーミックコンタクト層と直接接触するソース電極およびドレイン電極を設けるステップと、第2の活性層上にわたる1つ以上の層を通じて選択的にエッチングして、ゲートコンタクト用の開口部を形成するステップとを含み、開口部の底部は、実質的に第2の活性層のIII族窒化物バリア層の上面にあり、前記方法はさらに、ゲートコンタクトを形成するステップを含み、前記ゲートコンタクトは、前記ゲートコンタクトが第2の活性層のIII族窒化物バリア層と直接接触するように開口部を通って延在するよう形成される、方法。第2の活性層のIII族窒化物バリア層が、AlN、AlInGaN、AlGaNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層がバッファ層またはチャネル層を含み、半導体窒化物オーミックコンタクト層が、GaN、InGaN、InN、AlGaInNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層、第2の活性層、第2の半導体III族窒化物バリア層および半導体窒化物オーミックコンタクト層の各々が、エピタキシャル成長工程によって成長させられる、請求項39に記載の方法。ソース、ドレインおよびゲートを含むデバイス区域を分離するステップをさらに含む、請求項39に記載の方法。被覆層からバッファに向かうメサエッチングによって、少なくとも第1の活性層と第2の活性層との界面よりも深く分離が実現される、請求項39に記載の方法。パッシベーションステップをさらに含む、請求項39に記載の方法。エンハンスメントモード電界効果デバイスを製造する方法であって、ヘテロ接合を形成する第1の活性層および第2の活性層を設けるステップを含み、第1の活性層がIII族半導体層で構成され、第2の活性層が、第1の活性層上に配置されたIII族窒化物バリアで構成され、第2の活性層が第1の活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有し、前記方法はさらに、第2の活性層上にわたって1つ以上の半導体窒化物層を成長させるステップを含み、前記1つ以上の層が半導体窒化物オーミックコンタクト層を含み、前記方法はさらに、半導体窒化物オーミックコンタクト層と直接接触するソース電極およびドレイン電極を設けるステップと、ソース電極とドレイン電極との間にあってソース電極およびドレイン電極によって覆われていない区域において被覆層開口部を規定するよう半導体窒化物層の部分を選択的に除去するステップと、被覆層開口部において1つ以上の被覆層を成長させるステップと、被覆層を通じて選択的にエッチングして、ゲートコンタクト用のゲートコンタクト開口部を形成するステップとを含み、ゲートコンタクト開口部の底部が、実質的に第2の活性層のIII族窒化物バリア層の上面にあり、前記方法はさらに、ゲートコンタクトを形成するステップを含み、前記ゲートコンタクトは、前記ゲートコンタクトが第2の活性層のIII族窒化物バリア層と直接接触するようにゲートコンタクト開口部を通って延在するよう形成される、方法。第2の活性層の第1のIII族窒化物バリア層が、AlN、AlInGaN、AlGaNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層がバッファ層またはチャネル層を含み、半導体窒化物オーミックコンタクト層が、GaN、InGaN、InN、AlGaInNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層、第2の活性層、第2の半導体III族窒化物バリア層および半導体窒化物オーミックコンタクト層の各々が、エピタキシャル成長工程によって成長させられる、請求項44に記載の方法。ソース、ドレインおよびゲートを含むデバイス区域を分離するステップをさらに含む、請求項44に記載の方法。被覆層からバッファに向かうメサエッチングによって、少なくとも第1の活性層と第2の活性層との界面よりも深く分離が実現される、請求項44に記載の方法。パッシベーションステップをさらに含む、請求項44に記載の方法。被覆層開口部が、第2の活性層の第1のIII族窒化物バリアを露出させる、請求項44に記載の方法。被覆層開口部が、第2のIII族窒化物バリアのうち少なくとも一部を露出させる、請求項44に記載の方法。1つ以上の被覆層がパッシベーション層だけを含む、請求項44に記載の方法。エンハンスメントモード電界効果デバイスを製造する方法であって、ヘテロ接合を形成する第1の活性層を設けるステップを含み、第1の活性層がIII族半導体層で構成され、前記方法はさらに、半導体窒化物オーミックコンタクト層を成長させるステップと、半導体オーミックコンタクト層と直接接触するソース電極およびドレイン電極を設けるステップと、ソース電極とドレイン電極との間にあってソース電極およびドレイン電極によって覆われていない区域においてバリア開口部を規定するよう、半導体オーミックコンタクト層の部分を選択的に除去するステップと、バリア開口部において第2の活性層を成長させるステップと、同じバリア開口部において第2の活性層上にわたって配置される1つ以上の被覆層をさらに成長させるステップと、被覆層を通じて選択的にエッチングして、ゲートコンタクトのためのゲートコンタクト開口部を形成するステップとを含み、ゲートコンタクト開口部の底部が実質的に第2の活性層のIII族窒化物バリア層の上面にあり、前記方法はさらに、ゲートコンタクトを形成するステップを含み、前記ゲートコンタクトは、前記ゲートコンタクトが第2の活性層のIII族窒化物バリア層と直接接触するようにゲートコンタクト開口部を通って延在するよう形成される、方法。第2の活性層の第1のIII族窒化物バリア層が、AlN、AlInGaN、AlGaNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層がバッファ層またはチャネル層を含み、半導体窒化物オーミックコンタクト層が、GaN、InGaN、InN、AlGaInNおよびAlInNからなる群から選択される材料を含み、第1の活性層、第2の活性層、第2の半導体III族窒化物バリア層および半導体窒化物オーミックコンタクト層の各々が、エピタキシャル成長工程によって成長させられる、請求項52に記載の方法。ソース、ドレインおよびゲートを含むデバイス区域を分離するステップをさらに含む、請求項52に記載の方法。被覆層からバッファに向かうメサエッチングによって、少なくとも第1の活性層と第2の活性層との界面よりも深く分離が実現される、請求項52に記載の方法。パッシベーションステップをさらに含む、請求項52に記載の方法。被覆層開口部が第2の活性層の第1のIII族窒化物バリアを露出させる、請求項52に記載の方法。被覆層開口部が第2のIII族窒化物バリアのうち少なくとも一部を露出させる、請求項52に記載の方法。1つ以上の被覆層がパッシベーション層だけを含む、請求項52に記載の方法。概要III族窒化物エンハンスメントモード電界効果デバイスについての構造を説明する。III族窒化物エンハンスメントモード電界効果デバイスにおいては、二次元電子ガスが、III族窒化物バリア層およびIII族窒化物半導体層を含む1対の活性層の間の界面において、またはこの界面付近において存在する。バリア層は、隣接しその下にある半導体層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有し、付加的な材料がこのバリア層上にわたって配置されない場合には二次元電子ガスが空乏化されるほど十分に薄い。二次元電子ガスは、バリア層上にわたって1つ以上の指定された層を設けることによって発生させることができる。ゲートコンタクトはバリア層と直接接触している。ソースおよびドレインのためのそれぞれのオーミックコンタクトは、たとえば、バリア層と直接接触しているか、またはバリア層上にわたって配置された半導体窒化物層と直接接触している。さまざまなエンハンスメントモード電界効果デバイスについての製造工程を記載する。他の特徴および利点が、以下の詳細な説明、添付の図面および添付の特許請求の範囲から明らかになるだろう。図面の詳細な説明図1~図12は、III族窒化物エンハンスメントモード電界効果デバイスについての構造およびフロー工程の例を示す。III族窒化物エンハンスメントモード電界効果デバイスにおいては、III族窒化物バリア層と、隣接しその下にあるIII族窒化物半導体層との間のヘテロ接合において、またはこのヘテロ接合付近において二次元電子ガスが形成される。この文脈においては、III族窒化物は、たとえば、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNおよびInAlGaNを含むInAlGaN系からの窒化物である。以下により詳細に記載する構造においては、第2の活性層としての役割を果たすバリア層は、第1の活性層としての役割を果たす隣接する下層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する。バリア層は、バリア層上にわたって付加的な材料が配置されない場合には二次元電子ガスが空乏化されるほど十分に薄い。エンハンスメントモード電界効果デバイスのソース用電極とドレイン用電極との間に配置されるゲートコンタクトは、バリア層と直接接触しており、特定のしきい値を上回る正電圧がゲートに印加されるとゲート下において二次元電子ガスを選択的に回復させる。ソース電極およびドレイン電極のためのそれぞれのオーミックコンタクトは、バリア層と直接接触するか、または、バリア層上にわたって配置されたIII族窒化物半導体層と直接接触している。このような構造により動作特性を向上させることができる。バリア層上にわたって1つ以上の層を設けることにより、ソースとドレインとの間に二次元電子ガスが生じる。特定の構造に応じて、第2の活性層上にわたるすなわち、バリア層上にわたる最上層を用いても、オーミックコンタクトを改善させることができる。好ましくは、バリア層上にわたる最上層は、歪みを減らすように第1の活性層に格子整合される。好ましくは、バリア層は比較的薄く、たとえば5ナノメートルnm未満のオーダである。このようにして、最上層を成長させる前に当該構造が非常に高い抵抗Rshたとえば、少なくとも4000Ω/を有することが可能となり、二次元電子ガスが大幅に空乏化される。二次元電子ガスの導電性は、バリア層上にわたって最上層を追加することによって著しく向上させることができる。導電性の向上は、表面空乏化の低減、もしくは、最上層から付加的な電荷が生成されることによる二次元電子ガスシート電荷密度の増加、またはこれらの要因の組合せに起因し得る。ゲートがバリア層と直接接触しているので、ゲートコンタクトの真下にある領域が大幅に空乏化され、0のゲートバイアス未満では導電性が低くなるだろう。したがって、0のゲートバイアスでノーマリオフ動作を達成するのに、バリア層に深い凹みを設ける必要はない。最上層すなわち、バリア層上にわたる層の化学量論は、ゲートコンタクト用の開口部の形成中にこれらの層の選択的なエッチングを可能にするよう選択することができる。このようにして、バリア層は、当該バリア層に凹みをほとんどまたは全く設けなくても、エッチング停止層として機能し得る。図1は、AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Aの一例を示しており、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36がAlNバリア層28に直接設けられている。この例においては、核形成層24がSiCまたは他の基板22の上にわたって設けられる。AlNバリア層28は、核形成層24の上にある半絶縁性のGaNバッファ層26上に設けられる。AlN層28は第2の活性層としての役割を果たすものであり、下にあるGaNバッファ層26よりも広いバンドギャップを有する。このGaNバッファ層26は、この例においては第1の活性層としての役割を果たす。AlNバリア層28と下にある半絶縁性のGaNバッファ層26との間の界面において、またはその界面付近において二次元電子ガス38が生じるように、パッシベーション層30がバリア層28上にわたって設けられる。ゲート32はバリア層28と直接接触している。ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36もバリア層28と直接接触している。ゲートコンタクトの形成後にパッシベーション層30を堆積させてゲートを保護することができる。図2は、図1のデバイスを製造するための例示的なフロー工程を示す。まず、基板22たとえば、SiCまたはサファイアを設けブロック102、核形成層24たとえば、AlNまたはAlGaNを基板上に成長させるブロック104。次いで、窒化物バッファ層26たとえば、GaNまたはAlGaNを核形成層24の上に成長させるブロック106。場合によっては、次にバッファ層26上にチャネル層27を成長させて、二次元ガスの導電性を向上させるブロック108。任意のチャネル層27は、たとえば、InGaNまたはGaNであってもよい。バリア層28は、隣接する下層すなわち、存在する場合にはチャネル層27、またはチャネル層が存在しない場合にはバッファ層26よりも広いバンドギャップを有していなければならない。バッファ層26および、含まれている場合にはチャネル層27の成長後、第1のバリア層28を成長させるブロック110。層24、26、27、28は、たとえば、有機金属気相成長法MOVPE:metalorganicvaporphasedepositionまたは分子線蒸着MBE:molecularbeamdepositionなどの公知のエピタキシャル成長技術を用いて成長させることができる。他の技術を用いることもできる。エピタキシャル成長後、少なくとも層26および、含まれている場合にはチャネル層27と層28との界面の下にまでエッチングすることによってデバイス区域を分離することができるブロック112。次いで、オーミックコンタクト34および36を設けるブロック114。ゲートコンタクト32の形成ブロック116が完了した後、パッシベーション層30を堆積させるブロック118。パッシベーション層30の堆積およびパラメータは、二次元ガス38が活性層同士の界面において、またはこの界面付近において位置するように選択される。ゲートが浮遊しているかまたは接地されている場合、ソースとドレインとの間には電流は流れないだろう。しかしながら、特定のしきい値を上回る正電圧をゲートに印加することにより、ゲートコンタクトの下方に二次元電子ガスを発生させると、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるだろう。図3は、AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Bの例を示しており、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36がAlNバリア層28上のIII族窒化物半導体層42上に直接設けられている。図1の例と同様に、核形成層24がSiCまたは他の基板22上にわたって設けられる。二次元電子ガスのための量子井戸構造は、半絶縁性のGaNバッファ層26上にAlNバリア層28を含んでおり、このため、AlNバリア層28と下にある半絶縁性のGaNバッファ層26との間の界面において、またはその界面付近において二次元電子ガス38が発生する。III族窒化物半導体層42たとえばGaN、InGaNまたはInNがバリア層28上に設けられ、パッシベーション層30がIII族窒化物半導体層42上にわたって設けられる。ゲートコンタクト32は半導体窒化物層42を通って延在し、バリア層28と直接接触している。ソースコンタクト34およびドレインコンタクト36はIII族窒化物半導体層42と直接接触している。ゲートコンタクトの形成後にパッシベーション層30を堆積させてゲートを保護することができる。図2と同様のプロセスフローを用いて、図3の構造を製造することができる。しかしながら、この場合、バリア層28を成長させた後、たとえば公知のエピタキシャル成長技術を用いて、III族窒化物半導体層42を成長させる。図4は、AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Cの別の例を示しており、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36がIII族窒化物半導体層42に直接設けられている。しかしながら、図3の構造とは対照的に、III族窒化物半導体層42は、実質的にソース電極34およびドレイン電極36の下にしか存在せず、ゲート32の下には延在していない。図5は、AlInN/AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Dの例を示しており、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36がAlInN層44に直接設けられている。図1の例と同様に、核形成層24がSiCまたは他の基板22の上にわたって設けられる。二次元電子ガスのための量子井戸構造は、半絶縁性のGaNバッファ層26上にAlNバリア層28およびAlInNバリア層44を含む。第2のバリア層44は、この例においてはAlxIn1-xN0.17<x<0.18であり、第1のバリア層28上にある。この第2のバリア層44が有するバンドギャップは、半絶縁性のGaNバッファ層26のバンドギャップよりも広いが、第1のバリア層28のバンドギャップよりも狭い。この例におけるxの値は、AlxIn1-xNバリアが六角形ウルツ鉱Wurtzite構造のGaNバッファに整合された格子に近くなるように選択される。立方体などの他の結晶構造を有するバッファに対して格子不整合なAlxIn1-xNバリアを用いることもできる。第1のバリア層28と下にある半絶縁性のGaNバッファ層26との間の界面において、またはその界面付近において二次元電子ガス38が生じる。パッシベーション層30が第2のバリア層44上にわたって設けられる。ゲートコンタクト32は第2のバリア層44を通って延在し、第1のバリア層28と直接接触している。ソースコンタクト34およびドレインコンタクト36は第2のバリア層44と直接接触している。ゲートコンタクトの形成後にパッシベーション層30を堆積させてゲートを保護することができる。図2と同様のプロセスフローを用いて図5の構造を製造することができる。しかしながら、この場合、第1のバリア層28を成長させた後、たとえば公知のエピタキシャル成長技術を用いて第2のAlInN層44を成長させる。図6は、分離されたAlInN/AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Eの例を示しており、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36が、第2のバリア層44上に配置されたIII族窒化物半導体層たとえばGaN、InN、InGaN、AlInGaN46に直接設けられている。図6においては、ゲートコンタクト32は、III族窒化物層46および第2のバリア層44を通って延在し、第1のバリア層28と直接接触している。ゲートコンタクトの形成後にパッシベーション層30を堆積させることができる。図7および8は、図6の構造を製造するためのさまざまなプロセスフローを示す。図7は、たとえば、エッチダウンプロセスを示す。図7のブロック202、204、206、208および210は、それぞれ、図2における対応するブロック102、104、106、108および110と同様である。ブロック212においては、たとえば、公知のエピタキシャル成長技術を用いて、第2のバリア層44およびIII族窒化物半導体層たとえば、GaN、InGaNまたはInN46を、順次、成長させる。エピタキシャル成長の後、少なくとも層26および、含まれている場合にはチャネル層27と層28との界面の下にまでエッチングすることによってデバイス区域を分離することができるブロック214。次いで、オーミックコンタクト34および36を設けるブロック216。最上層46および44を選択的にエッチングすることにより、ゲート形成のために第1のバリア層28を露出させブロック218、次いで、ゲートコンタクトを作成しブロック220、続いて、パッシベーション層30を堆積させるブロック222。図8は、図6の構造を製造するための形成プロセスを示す。ブロック302、304、306、308および310は、それぞれ、図7における対応するブロック202、204、206、208および210と同様である。ブロック312においては、ゲート区域は、後に最上層を再成長させるのには適していない保護層48たとえば、ウェットエッチング可能な誘電体でパターニングされる。次いで、最上層すなわち、第2のバリア層44および半導体層46を再成長させブロック314、次に、デバイス区域を分離しブロック316、さらに、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36を設けるブロック318。ゲート区域上にわたる保護層48を除去した後、バリア層28上にゲートコンタクトを形成するブロック320。図7のフロー工程が、ゲートコンタクト32のための開口部を形成するよう最上層44および46をエッチングする工程を含んでいるのに対して、図8のフロー工程はこのようなエッチング工程を含んでいない。代わりに、図8のフロー工程においては、保護層48をゲート区域上にわたって堆積させた後に最上層44および46を形成するので、保護層48を除去したときにはゲートコンタクトのための開口部が既に存在している。ゲートコンタクトの形成後、パッシベーション層30を堆積させることができるブロック322。図9は、AlInN/AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Fの例を示しており、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36がInN層52に直接設けられている。HEMT20Fはまた、InN層52と第2のAlInNバリア層44との間に配置された傾斜InGaN層50を含む。図9においては、ゲートコンタクト32は層52、50、44を通って延在し、第1のバリア層28と直接接触している。ゲートコンタクトの形成後にパッシベーション層30を堆積させてゲートを保護することができる。図7または図8と同様のプロセスフローを用いて図9の構造を製造することができる。たとえば、公知のエピタキシャル成長技術を用いて、傾斜InGaN層50およびInN層52を成長させることができる。図10は、AlInN/AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Gの別の例を示す。図6の構造と同様に、ソース用のオーミックコンタクト34およびドレイン用のオーミックコンタクト36は、第2のAlInNバリア層44上にわたって堆積しているIII族窒化物半導体層たとえば、GaN、InN、InGaN、AlInGaN42に直接設けられる。しかしながら、図4と同様に、層42は実質的にソース電極34およびドレイン電極36の下にしか存在せず、ゲート32の下方には延在しない。また、第2のAlInNバリア層44をパッシベーション層30と第1のバリア層28との間に配置して、二次元電子ガス38を改善させる。ここでも、ゲートコンタクト32は第1のバリア層28と直接接触している。層42を図9における層50および52と置換えても図10と同様の構造を設けることができる。図11は、AlInN/AlNバリアのエンハンスメントモードHEMT20Hの別の例を示す。この構造と図10の構造との違いは、層42が第1のバリア層28の上に直接堆積していることである。図12は、図11の構造を製造するためのプロセスフローを示す。図12のブロック402、404、406、408、410、412、414および416は、それぞれ、図7における対応するブロック202、204、206、208、210、212、214および216と同様である。ブロック416においてオーミックコンタクトを設けた後、ソースとドレインとの間の区域からオーミックコンタクト層42を除去しブロック418、オーミックコンタクト層42の除去された区域に第2のAlInNバリア層44を堆積させるブロック420。次いで、第2のバリア層44を選択的にエッチングして、第1のバリア層28に対するゲートコンタクト用の開口部を形成しブロック422、パッシベーション層30を堆積させるブロック424。上述の例における第1のバリア層28はAlNであるが、他の広いバンドギャップ窒化物層たとえば、AlInGaNまたはAlInNを用いることもできる。上述のとおり、第1のバリア層28のバンドギャップは、隣接する下層たとえば、存在する場合にはチャネル層27、またはチャネル層が存在しない場合にはバッファ層26のバンドギャップよりも広くなければならない。オーミックコンタクトが第1のバリア層28に直接設けられていない場合には、第1のバリア層28のバンドギャップも、オーミックコンタクト層42のバンドギャップよりも広くなければならない。上述のように、オーミックコンタクト層42のための材料の例には、GaN、InN、InGaN、AlInGaNが含まれる。また上述のとおり、たとえば、有機金属気相成長法MOVPEまたは分子線蒸着MBEなどの公知のエピタキシャル成長技術を用いてさまざまな層を設けることができる。他の技術も同様に用いることができる。いくつかの実現例においては、第1のIII族窒化物バリア層上にわたって他の層が存在してもよい。さまざまなIII族窒化物層およびパッシベーション層に加えて、他のこのような層は、たとえば誘電体層たとえば、SiN、HfOおよびITO、さらには半金属たとえば、NiMnSbまたは他の材料たとえば、ZrNの層を含み得る。他の層が存在するかどうかについては、デバイスの所望の電子特性および他の特性に応じて決まるだろう。上述のプロセスはウェハレベルで実行することができる。添付の特許請求の範囲内の実現例が他にもある。