"金属リードフレームと、それに搭載された光半導体素子を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層において、その絶縁樹脂層形成材料が、下記のA~D成分を含有し、かつC白色顔料とD無機質充填剤の混合割合C/Dが、重量比で、C/D=0.26~3.0の範囲に設定された樹脂組成物からなることを特徴とする光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。Aエポキシ樹脂。B酸無水物系硬化剤。C白色顔料。D無機質充填剤。上記C成分である白色顔料が、酸化チタンである請求項1記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。上記酸化チタンの結晶構造がルチル型である請求項2記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。上記C成分である白色顔料およびD成分である無機質充填剤の合計含有量が、樹脂組成物全体の10~90重量の範囲に設定されている請求項1~3のいずれか一項に記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物。絶縁樹脂層と、その絶縁樹脂層に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレームと、その金属リードフレーム上に光半導体素子を備えた光半導体発光装置であって、上記絶縁樹脂層が、請求項1~4のいずれか一項に記載の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を用いて形成されてなることを特徴とする光半導体発光装置。しかしながら、上記脂環式エポキシ樹脂を用いた樹脂組成物では、反射材の高充填化が難しく、バリ等の成形性に劣るということから、未だ充分な特性が得られず、先に述べたように、上記絶縁樹脂層3としては、上記熱可塑性樹脂を用いて形成することが一般に行なわれている。ところが、上記絶縁樹脂層3形成材料として熱可塑性樹脂を用いる場合、つぎのような問題が生じる。すなわち、最近では、鉛フリー化の影響から、上記光半導体発光装置のような表面実装型パッケージにおいては耐熱性が要求されることとなる。したがって、高温での半田実装温度での熱変形や、光半導体素子2の輝度向上に伴う素子の高パワー化においてさらなる長期での耐熱性の要求に対して、高温での変色等が発生し、それに伴い、光の反射効率の低下や光半導体素子2の上方を封止する際に用いられる封止樹脂材料との密着性の低下が問題となっている。このような点から、熱可塑性樹脂が有する長期高温耐熱性の問題や、セラミック材料が有する量産性等の上記問題を解決するための技術が強く要望されている。本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、長期の高温耐熱性に優れ、良好な光反射性を付与することのできる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる、量産性およびコスト等に優れた光半導体発光装置の提供をその目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、金属リードフレームと、それに搭載された光半導体素子を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層において、その絶縁樹脂層形成材料が、下記のA~D成分を含有し、かつC白色顔料とD無機質充填剤の混合割合C/Dが、重量比で、C/D=0.26~3.0の範囲に設定された樹脂組成物からなる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を第1の要旨とする。Aエポキシ樹脂。B酸無水物系硬化剤。C白色顔料。D無機質充填剤。また、本発明は、絶縁樹脂層と、その絶縁樹脂層に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレームと、その金属リードフレーム上に光半導体素子を備えた光半導体発光装置であって、上記絶縁樹脂層が、上記第1の要旨である光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を用いて形成されてなる光半導体発光装置を第2の要旨とする。すなわち、本発明者らは、熱による変色の発生が抑制され、長期の高温耐熱性に優れた光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物を得るべく鋭意検討を重ねた。その結果、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の使用に加えて、白色顔料と無機質充填剤を併用するとともに、両者の混合重量比を特定の範囲に設定すると、両者がそれぞれ備える各特性が効果的に得られることとなり、その相乗効果によって長期での高い耐熱変色性を維持することが可能となり、さらにエポキシ樹脂の使用により例えばトランスファー成形による成形金型での封止が可能となって、量産性の点からも有利となることから、所期の目的が達成されることを見出し本発明に到達した。このように、本発明は、金属リードフレームと、それに搭載された光半導体素子を収納する、凹部を備えた光半導体収納用実装パッケージ用の絶縁樹脂層において、その絶縁樹脂層形成材料が、前記エポキシ樹脂A成分と、酸無水物系硬化剤B成分と、白色顔料C成分と、無機質充填剤D成分を含有し、かつ上記白色顔料と上記無機質充填剤の混合割合C/Dが、重量比で、C/D=0.26~3.0の範囲に設定された樹脂組成物からなるものである。このため、半田耐熱性および長期の高温耐熱性に優れ、しかも耐光劣化性においても優れた性能を発揮するとともに、良好な光反射性を実現するものである。したがって、上記樹脂組成物を用いて上記絶縁樹脂層を形成してなる光半導体発光装置では、良好な光の指向性が付与されることから安定した発光が得られ、その機能を充分に発揮することができる。そして、上記白色顔料C成分として、酸化チタンを用いると、良好な分散性,化学安定性等を有することから、優れた白色度、光反射性が得られる。さらに、上記酸化チタンとして結晶構造がルチル型のものを用いると、長期高温耐熱性に一層優れたものが得られるようになる。また、上記白色顔料C成分および無機質充填剤D成分の合計含有量が、樹脂組成物全体の10~90重量の範囲であると、線膨張係数の低減が図られるとともに、良好な流動性の確保が実現する。本発明の光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物以下樹脂組成物ともいうは、先に述べたように、図1に示す光半導体発光装置の、絶縁樹脂層3形成材料として用いられるものであって、エポキシ樹脂A成分と、酸無水物系硬化剤B成分と、白色顔料C成分と、無機質充填剤D成分とを用いて得られるものであり、通常、液状、あるいは粉末状、もしくはその粉末を打錠したタブレット状にして封止材料に供される。上記エポキシ樹脂A成分としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントイン型エポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、水添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いることができる。これらエポキシ樹脂の中でも、透明性、耐変色性および上記ポリオルガノシロキサンとの溶融混合性に優れるという点から、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートを単独でもしくは併せて用いることが好ましい。上記エポキシ樹脂A成分としては、常温で固形であっても液状であってもよいが、通常、使用するエポキシ樹脂の平均エポキシ当量が90~1000のものが好ましく、また、固形の場合には、軟化点が160°C以下のものが好ましい。すなわち、エポキシ当量が小さすぎると、樹脂組成物硬化体が脆くなる場合がある。また、エポキシ当量が大きすぎると、樹脂組成物硬化体のガラス転移温度Tgが低くなる傾向がみられるからである。上記酸無水物系硬化剤B成分としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いることができる。これら酸無水物系硬化剤の中でも、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸を用いることが好ましい。さらに、酸無水物系硬化剤B成分としては、その分子量が、140~200程度のものが好ましく、また、無色ないし淡黄色の酸無水物系硬化剤が好ましい。上記エポキシ樹脂A成分と酸無水物系硬化剤B成分との配合割合は、エポキシ樹脂A成分中のエポキシ基1当量に対して、酸無水物系硬化剤B成分中におけるエポキシ基と反応可能な活性基酸無水基または水酸基が0.5~1.5当量となるよう設定することが好ましく、より好ましくは0.7~1.2当量である。すなわち、活性基が少なすぎると、樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、その硬化体のガラス転移温度Tgが低くなる傾向がみられ、活性基が多すぎると耐湿性が低下する傾向がみられるからである。また、上記酸無水物系硬化剤B成分以外に、その目的および用途に応じて、上記酸無水物系硬化剤以外の他のエポキシ樹脂の硬化剤、例えば、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、上記酸無水物系硬化剤をアルコールで部分エステル化したもの、または、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボン酸類の硬化剤を、単独で、もしくは上記酸無水物系硬化剤およびフェノール系硬化剤と併せて用いてもよい。例えば、カルボン酸類の硬化剤を併用した場合には、硬化速度を速めることができ、生産性を向上させることができる。なお、これら硬化剤を用いる場合においても、その配合割合は、上記酸無水物系硬化剤を用いた場合の配合割合当量比に準じればよい。上記A成分およびB成分とともに用いられる白色顔料C成分としては、例えば、無機系の白色顔料である、酸化チタン、酸化亜鉛、鉛白、カオリン、炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。なかでも、優れた白色度、光反射性が大きく隠蔽力と着色力、高度な分散性、優れた耐候性、極めて優れた化学安定性等の特性を備えた酸化チタンを用いることが好ましい。特に、長期高温に曝された場合における波長450nm付近での高い光反射率の維持という観点から、結晶構造がルチル型の酸化チタンの単独系、あるいは結晶構造がアナタース型のものとの混合系であってもルチル型を高い混合比率にて用いることが好ましい。なお、上記混合系の場合は、アナタース型が不純物程度の混入である、すなわち、実質的にはルチル型の単独系にすることが好ましい。さらにそのなかでも、流動性および遮光性という観点から、平均粒径が0.05~1.0μmのものを用いることが好ましい。特に好ましくは、光反射性という点から、0.08~0.5μmである。なお、上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。上記白色顔料C成分の含有量は、樹脂組成物全体の4~89重量の範囲に設定することが好ましく、着色性および反射性の観点から、樹脂組成物全体の10~65重量の範囲に設定することがより好ましく、特に好ましくは樹脂組成物の10~60重量である。すなわち、C成分の含有量が少なすぎると、白色度そのものの低下により反射率が低下する傾向がみられ、C成分の含有量が多すぎると、絶縁樹脂層表面の平滑性が得られ難いことにより反射率が低下する傾向がみられるからである。上記A~C成分とともに用いられる無機質充填剤D成分としては、例えば、石英ガラス粉末、タルク、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末等があげられる。なかでも、線膨張係数の低減等の観点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、特に高充填性および高流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。そのなかでも、平均粒径5~60μmの範囲、特に好ましくは平均粒径15~45μmの範囲のものを用いることが好ましい。上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。上記無機質充填剤D成分の含有量は、上記白色顔料C成分と無機質充填剤との合計含有量が、樹脂組成物全体の5~90重量となるよう設定することが好ましく、より好ましくは線膨張係数の低減および流動性の確保という観点から、10~90重量に設定することである。さらに、上記白色顔料C成分と無機質充填剤D成分との混合割合C成分/D成分は、重量比で、C成分/D成分=0.26~3.0の範囲に設定する必要がある。特に好ましくは、分散性の点から、C成分/D成分=0.5~2.0の範囲に設定することである。すなわち、上記混合割合が上記範囲を外れ、C成分/D成分の値が小さすぎると、長期高温耐熱性が低下し、逆にC成分/D成分の値が大きすぎると、流動特性の低下等トランスファー成形が困難となり、最終的に硬化物の平滑性が劣る等、反射率にも影響するからである。本発明の樹脂組成物には、上記A~D成分以外に、必要に応じて、硬化促進剤、酸化防止剤、変性剤、脱泡剤、レベリング剤、離型剤等の各種添加剤を適宜配合することができる。上記硬化促進剤としては、例えば、1,8-ジアザ-ビシクロ5.4.0ウンデセン-7、トリエチレンジアミン、トリ-2,4,6-ジメチルアミノメチルフェノール等の3級アミン類、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、メチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェート、テトラ-n-ブチルホスホニウム-o,o-ジエチルホスホロンジチオエート等のリン化合物、4級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。これら硬化促進剤の中では、3級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。その中でも、着色度が少なく、透明で強靱な硬化体を得るためには、リン化合物を用いることが特に好ましい。上記硬化促進剤の含有量は、上記エポキシ樹脂A成分に対して0.01~8.0重量に設定することが好ましく、より好ましくは0.1~3.0重量である。すなわち、硬化促進剤の含有量が少なすぎると、充分な硬化促進効果を得られない場合があり、また硬化促進剤の含有量が多すぎると、得られる硬化体に変色がみられる傾向があるからである。上記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン系化合物等の酸化防止剤があげられる。上記変性剤としては、例えば、グリコール類、シリコーン類、アルコール類等の従来から公知の変性剤があげられる。また、上記脱泡剤としては、例えば、シリコーン系等の従来公知の脱泡剤があげられる。本発明の樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記A~D成分および必要に応じて配合される各種添加剤を適宜配合した後、これを混練機を用いて混練して溶融混合し、ついで、これを室温まで冷却して粉砕することにより微粉末状の樹脂組成物を製造することができる。そして、上記得られた樹脂組成物の硬化体としては、その光反射率が、波長430~1300nmにおいて80以上であることが好ましく、より好ましくは90以上、特に好ましくは94以上である。なお、上限は反射率100である。上記光反射率は、例えば、つぎのようにして測定される。すなわち、厚み1mmの樹脂組成物の硬化体を、所定の硬化条件、例えば、150°C×4分間の成形後、150°C×3時間のキュアにて作製し、室温25±10°Cにて上記範囲内の波長での上記硬化体の反射率を分光光度計例えば、日本分光社製の分光光度計V-670を用いることにより測定することができる。本発明の樹脂組成物を用いてなる光半導体発光装置は、つぎのようにして製造される。すなわち、光半導体素子を搭載した金属リードフレームを準備し、これをトランスファー成形機の金型内に設置して上記樹脂組成物を用いてトランスファー成形により絶縁樹脂層を形成する。このようにして図1に示すように、絶縁樹脂層3と、その絶縁樹脂層3に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレーム1と、その金属リードフレーム1上に搭載された光半導体素子2を備えたユニットである光半導体発光装置が作製される。そして、一般に、上記金属リードフレーム1上に搭載された光半導体素子2の上方の絶縁樹脂層3にて囲まれた凹部空間には、さらに透明樹脂が充填され、樹脂封止される。上記透明樹脂としては、従来から使用されている、例えば、透明エポキシ樹脂等が用いられる。このようにして光半導体発光装置が得られる。つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。まず、樹脂組成物の作製に先立って下記に示す各成分を準備した。エポキシ樹脂1,3,5-トリスグリシジルイソシアヌル酸エポキシ当量:100g/eq、融点:100°C酸無水物メチルヘキサヒドロキシ無水フタル酸酸当量:168g/eq酸化チタンc1ルチル型、平均粒径0.21μm酸化チタンc2アナタース型、平均粒径0.18μmシリカ粉末球状溶融シリカ、平均粒径23μm酸化防止剤9,10-ジヒドロ-9-オキサ-10-ホスファフェナントレン-10-オキサイド硬化促進剤テトラ-n-ブチルホスホニウム-o,o-ジエチルホスホロンジチオエート実施例1~6、参考例1,2、比較例1,2後記の表1に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ビーカー中で溶融混合を行い、熟成した後、室温まで冷却して粉砕することにより目的とする微粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って反射率初期、長時間での高温放置後の測定を行った。その結果を後記の表1に併せて示す。反射率上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み1mmの試験片を所定の硬化条件条件:150°C×4分間の成形150°C×3時間キュアにて作製し、この試験片硬化体を用いて、初期および150°Cで168時間放置後の全反射率をそれぞれ測定した。なお、測定装置として日本分光社製の分光光度計V-670を使用して、波長450nmの光反射率を室温25°Cにて測定した。上記結果から、実施例品は、初期および長時間での高温放置後の反射率に関していずれも高い数値が得られており、長期高温耐熱性に優れていることがわかる。これに対して、酸化チタンとシリカ粉末の混合重量比が特定範囲内であるが、ルチル型の酸化チタンc1ではなくアナタース型の酸化チタンc2を用いた参考例1,2品は、初期の反射率は90以上であったが、長時間での高温放置後の反射率に関しては実施例品と比べて低い結果となった。また、ルチル型の酸化チタンc1を用いているが、この酸化チタンc1とシリカ粉末の混合重量比が特定範囲を外れた比較例1,2品は、初期および長時間での高温放置後のいずれの反射率も低く、長期高温耐熱性を含む耐熱性に劣るものであった。つぎに、上記実施例品である微粉末状のエポキシ樹脂組成物を用いて、図1に示す構成の光半導体発光装置を製造した。すなわち、42アロイAgメッキ製のリードフレーム1上に光半導体素子大きさ:0.3mm×0.3mm2が搭載され、金属リードフレーム1上に形成された電極回路と光半導体素子2とをボンディングワイヤー4にて電気的に接続したものを準備した。ついで、これをトランスファー成形機に投入し、トランスファー成形を行なうことにより、図1に示す、絶縁樹脂層3と、その絶縁樹脂層3に形成された凹部と、その凹部内に設けられた金属リードフレーム1と、その金属リードフレーム1上に搭載された光半導体素子2を備えたユニットとなる光半導体発光装置を製造した成形条件:150°C×4分間の成形150°C×3時間キュア。得られた光半導体発光装置は問題の無い良好なものが得られた。"