"一般式1または2で表される構造を有する電子供与性有機材料を含むことを特徴とする光起電力素子用材料。上記一般式1または一般式2中、R1およびR2は同じでも異なっていてもよく、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。R3~R12は同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、またはハロゲンを表す。Aは同じでも異なっていてもよく、炭素、窒素、またはケイ素を表す。Aが窒素の場合、上記R5およびR11は存在しない。X、YおよびZは単結合または2価の連結基を表す。nは2以上1,000以下の範囲を表す。一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料を含む請求項1記載の光起電力素子用材料。さらに電子受容性有機材料を含む請求項1または2に記載の光起電力素子用材料。前記電子受容性有機材料がフラーレン化合物である請求項3記載の光起電力素子用材料。前記フラーレン化合物がC70誘導体である請求項4記載の光起電力素子用材料。少なくとも正極と負極を有する光起電力素子であって、負極と正極の間に請求項1~5のいずれか記載の光起電力素子用材料を含む光起電力素子。しかしながら、上述の電子供与性基としてチオフェン骨格やオリゴチオフェン骨格、電子吸引性基としてベンゾチアジアゾール骨格やキノキサリン骨格を用いた狭バンドギャップ電子供与性有機材料特許文献1~2、非特許文献3では主鎖のチオフェン骨格のねじれのために十分なキャリア移動度が保てないと考えた。キャリア移動度を高めるためにチオフェン骨格を架橋して平面性を高めた狭バンドギャップ電子供与性有機材料非特許文献4、6では、平面性を高めたことによると考えられるが、有機溶媒に対する溶解性およびフラーレン誘導体等の電子受容性材料との相溶性が低下し、キャリア移動度と両立させることが困難であったため、十分な光電変換効率が得られていなかった。キノキサリン上にアルキル基を配置し、有機溶媒に対する溶解性を高めた狭バンドギャップ電子供与性有機材料非特許文献5では、アルキル基によると考えられるが、キャリアの移動が阻害されてしまい、光電変換効率は向上していない。すなわち、従来の電子供与性有機材料を用いた光起電力素子では、高いキャリア移動度と、有機溶媒に対する溶解性およびフラーレン誘導体等の電子受容性材料との相溶性を両立させることが困難であり、いずれも光電変換効率が低かった。本発明は光電変換効率の高い光起電力素子を提供することを目的とし、高いキャリア移動度と、有機溶媒に対する溶解性およびフラーレン誘導体等の電子受容性材料との相溶性を両立させた電子供与性有機材料を提供する。本発明は、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料を含む光起電力素子用材料、および、これを用いた光起電力素子である。上記一般式1または一般式2中、R1およびR2は同じでも異なっていてもよく、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。このキノキサリン上に配置された隣接するアリール基またはヘテロアリール基によって、主鎖構造の平面性を保持しつつ電子供与性材料の平面性を部分的に崩すことが可能となり、高いキャリア移動度を保ったまま、有機溶媒に対する溶解性と電子受容性材料との相溶性を両立させることができる。R3~R12は同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、またはハロゲンを表す。Aは同じでも異なっていてもよく、炭素、窒素、またはケイ素を表す。Aが窒素の場合、上記R7およびR11は存在しない。X、YおよびZは単結合または2価の連結基を表す。nは2以上1,000以下の範囲を表す。非特許文献5記載の電子供与性有機材料は、キノキサリン上にアルキル側鎖を配置して溶解性を向上させたものであるが、本発明の電子供与性有機材料は、キノキサリン上に、アルキル基ではなく、アリールまたはヘテロアリール基を配置することによって、側鎖の平面性を崩したものであり、高いキャリア移動度を保ったまま、有機溶媒に対する溶解性およびフラーレン誘導体等の電子受容性材料との相溶性を両立させることが可能となり、光電変換効率を向上させた光起電力素子を提供することができる。本発明の光起電力素子用材料は、一般式1または一般式2で表される電子供与性有機材料を含む。上記一般式1および一般式2中、R1およびR2は同じでも異なっていてもよく、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。前述のとおり、このキノキサリン上に配置された隣接するアリール基またはヘテロアリール基によって、主鎖構造の平面性を保持しつつ電子供与性材料の平面性を部分的に崩すことが可能となり、高いキャリア移動度を保ったまま、有機溶媒に対する溶解性と電子受容性材料との相溶性を両立させることができる。これらキノキサリン上のアリール基またはヘテロアリール基は、例えばオルト位同士の単結合など平面性を保つもの以外ならば、架橋されている構造をとっていてもかまわない。ここでアリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、アントリル基、ターフェニル基、ピレニル基、フルオレニル基、ペリレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。置換される場合の置換基の例としては、下記アルキル基や下記アルコキシ基、下記ヘテロアリール基、ハロゲンが挙げられる。電子供与性有機材料のキャリア移動度を保ちつつ、側鎖構造の平面性を崩すことによって、有機溶媒対する溶解性およびフラーレン誘導体等の電子受容性材料との相溶性を両立させるためには、R1およびR2が共にフェニル基であることが好ましい。また、ヘテロアリール基とは、例えば、チエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、キノリニル基、イソキノリル基、キノキサリル基、アクリジニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾフラン基、ジベンゾフラン基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾジチオフェン基、シロール基、ベンゾシロール基、ジベンゾシロール基などの炭素以外の原子を有する複素芳香族環基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。置換される場合の置換基の例としては、下記アルキル基、上記アリール基、ハロゲンが挙げられる。ヘテロアリール基の炭素数は、キャリア移動度を保つために2以上8以下が好ましい。上記一般式1および一般式2中、Aは同じでも異なっていてもよく、炭素、ケイ素または窒素を表す。合成の容易性の観点から炭素が好ましく用いられる。上記一般式1および一般式2中、R3~R12はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アルコキシ基、上記アリール基、上記ヘテロアリール基、ハロゲンの中から選ばれる。ただし、Aが窒素の場合、R7およびR11は存在しない。ここでアルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基のような飽和脂肪族炭化水素基であり、直鎖状であっても分岐状であっても環状であってもよく、無置換でも置換されていてもかまわない。置換される場合の置換基の例としては、下記アルコキシ基、上記アリール基、上記ヘテロアリール基、ハロゲンが挙げられる。アルキル基の炭素数は、有機材料の溶解性をあげてスピンコートなどのウエットプロセスに適用する場合には4以上であることが好ましく、有機材料の十分なキャリア移動度を保つためには12以下であることが好ましい。また、アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。置換される場合の置換基の例としては、上記アリール基や上記ヘテロアリール基、ハロゲンが挙げられる。アルコキシ基の好ましい炭素数の範囲は、上述のアルキル基の場合と同じである。また、ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のいずれかである。上記一般式1および一般式2中、X、YおよびZは単結合または同じでも異なっていてもよい2価の連結基を表す。電子供与性有機材料の電子共役系を伸ばしてキャリア移動度を高めるためには、単結合またはアリーレン基やヘテロアリーレン基が好ましい。主鎖構造平面性を保ち、キャリア移動度を保つためには単結合またはチオフェン基が好ましく用いられる。上記一般式1および一般式2中、nは重合度を示し、2以上1,000以下の範囲を表す。nを2以上とすることにより、前述のバルクヘテロ接合の薄膜において有効なキャリアパスを形成させることができるために、光電変換効率を高めることができる。また、優れたキャリアパスを形成させるためにはnは5以上であることが好ましく、合成上の容易さから100未満であることが好ましい。重合度は重量平均分子量から求めることができる。重量平均分子量は、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いて測定し、ポリスチレンの標準試料に換算して求めることができる。一般式1はキノキサリンユニット1つに対して、架橋されたチオフェンユニットが1つであり、一般式2でキノキサリンユニット1つに対して、架橋されたチオフェンユニットが2つであり、一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料がより好ましい。上記の一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料として、具体的には下記のような構造が挙げられる。ただし、nは2以上1,000以下の範囲を示す。なお、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料は、例えば、前記非特許文献4に記載されている方法に類似した手法や、前記非特許文献5に記載されている方法に類似した手法により合成することができる。本発明の光起電力素子用材料は、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料のみからなるものでもよいし、他の電子供与性有機材料を含んでもよい。他の電子供与性有機材料としては、例えば、ポリチオフェン系重合体、ベンゾチアジアゾール-チオフェン系誘導体、ベンゾチアジアゾール-チオフェン系共重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリ-p-フェニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体、ポリピロール系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリアセチレン系重合体、ポリチエニレンビニレン系重合体などの共役系重合体や、H2フタロシアニンH2Pc、銅フタロシアニンCuPc、亜鉛フタロシアニンZnPc等のフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ3-メチルフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンTPD、N,N’-ジナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンNPD等のトリアリールアミン誘導体、4,4’-ジカルバゾール-9-イルビフェニルCBP等のカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体ターチオフェン、クウォーターチオフェン、セキシチオフェン、オクチチオフェンなど等の低分子有機化合物が挙げられる。一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料はp型半導体特性を示す材料であり、本発明の光起電力素子用材料は、より高い光電変換効率を得るために電子受容性有機材料n型有機半導体と組み合わせることが好ましい。本発明で用いる電子受容性有機材料とは、n型半導体特性を示す有機材料であり、例えば、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドNTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドPTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンズイミダゾールPTCBI、N,N-ジオクチル-3,4,9,10-ナフチルテトラカルボキシジイミドPTCDI-C8H、2-4-ビフェニリル-5-4-t-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、2,5-ジ1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾールBND等のオキサゾール誘導体、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94を始めとする無置換のものと、[6,6]-フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステル[6,6]-PCBM、[5,6]-フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステル[5,6]-PCBM、[6,6]-フェニルC61ブチリックアシッドヘキシルエステル[6,6]-PCBH、[6,6]-フェニルC61ブチリックアシッドドデシルエステル[6,6]-PCBD、フェニルC71ブチリックアシッドメチルエステルPC70BM、フェニルC85ブチリックアシッドメチルエステルPC84BMなど、カーボンナノチューブCNT、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体CN-PPVなどが挙げられる。中でも、フラーレン化合物は電荷分離速度と電子移動速度が速いため、好ましく用いられる。フラーレン化合物の中でも、C70誘導体上記PC70BMなどは光吸収特性に優れ、より高い光電変換効率を得られるために、より好ましい。本発明の光起電力素子用材料において、電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の含有比率重量分率は特に限定されないが、電子供与性有機材料:電子受容性有機材料の重量分率が、1:99~99:1の範囲であることが好ましく、より好ましくは10:90~90:10の範囲であり、さらに好ましくは20:80~60:40の範囲である。電子供与性有機材料と電子受容性有機材料は混合して用いても積層して用いてもよい。混合方法としては特に限定されるものではないが、所望の比率で溶媒に添加した後、加熱、撹拌、超音波照射などの方法を1種または複数種組み合わせて溶媒中に溶解させる方法が挙げられる。なお、後述するように、光起電力素子用材料が一層の有機半導体層を形成する場合は、上述の含有比率はその一層に含まれる電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の含有比率となり、有機半導体層が二層以上の積層構造である場合は、有機半導体層全体における電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の含有比率を意味する。光電変換効率をより向上させるためには、キャリアのトラップとなるような不純物は極力除去することが好ましい。本発明では、前述の一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料や、電子受容性有機材料の不純物を除去する方法は特に限定されないが、カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、昇華法、再沈殿法、ソクスレー抽出法、GPCによる分子量分画法、濾過法、イオン交換法、キレート法等を用いることができる。一般的に低分子有機材料の精製にはカラムクロマトグラフィー法、再結晶法、昇華法が好ましく用いられる。他方、高分子量体の精製には、低分子量成分を除去する場合には再沈殿法やソクスレー抽出法、GPCによる分子量分画法が好ましく用いられ、金属成分を除去する場合には再沈殿法やキレート法、イオン交換法が好ましく用いられる。これらの方法のうち、複数を組み合わせてもよい。次に、本発明の光起電力素子について説明する。本発明の光起電力素子は、少なくとも正極と負極を有し、これらの間に本発明の光起電力素子用材料を含む。図1は本発明の光起電力素子の一例を示す模式図である。図1において符号1は基板、符号2は正極、符号3は本発明の光起電力素子用材料を含む有機半導体層、符号4は負極である。有機半導体層3は本発明の光起電力素子用材料を含む。すなわち、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料を含む。光起電力素子が電子供与性有機材料と電子受容性材料を含む場合、これらの材料は混合されていても積層されていても良いが、混合されていることが好ましい。すなわち、電子供与性有機材料と電子受容性有機材料とを混合することにより光電変換に寄与する接合面を増加させるバルクヘテロ接合型光起電力素子が好ましい。混合されている場合は、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料と電子受容性有機材料が分子レベルで相溶しているか、相分離しているが、ナノメートルのサイズで相分離していることが好ましい。この相分離構造のドメインサイズは特に限定されるものではないが、通常1nm以上50nm以下である。また、電子供与性有機材料と電子受容性有機材料が積層されている場合は、p型半導体特性を示す電子供与性有機材料を有する層が正極側、n型半導体特性を示す電子受容性有機材料を有する層が負極側であることが好ましい。有機半導体層3が積層されている場合の光起電力素子の一例を図2に示す。符号5は一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料を有する層、符号6は電子受容性有機材料を有する層である。有機半導体層は5nm~500nmの厚さが好ましく、より好ましくは30nm~300nmである。積層されている場合は、本発明の電子供与性有機材料を有する層は上記厚さのうち1nm~400nmの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは15nm~150nmである。また、有機半導体層3には一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料、および電子受容性有機材料以外の電子供与性有機材料p型有機半導体を含んでいてもよい。ここで用いる電子供与性有機材料p型有機半導体としては、先に電子供与性有機材料の他の化合物として例示したものが挙げられる。本発明の光起電力素子においては、正極2もしくは負極4のいずれかに光透過性を有することが好ましい。電極の光透過性は、有機半導体層3に入射光が到達して起電力が発生する程度であれば、特に限定されるものではない。ここで、本発明における光透過性は、[透過光強度W/m2/入射光強度W/m2]×100で求められる値である。電極の厚さは光透過性と導電性とを有する範囲であればよく、電極素材によって異なるが20nm~300nmが好ましい。なお、もう一方の電極は導電性があれば必ずしも光透過性は必要ではなく、厚さも特に限定されない。電極材料としては、一方の電極には仕事関数の大きな導電性素材、もう一方の電極には仕事関数の小さな導電性素材を使用することが好ましい。仕事関数の大きな導電性素材を用いた電極は正極となる。この仕事関数の大きな導電性素材としては金、白金、クロム、ニッケルなどの金属のほか、透明性を有するインジウム、スズ、モリブデンなどの金属酸化物、複合金属酸化物インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZOなどが好ましく用いられる。ここで、正極2に用いられる導電性素材は、有機半導体層3とオーミック接合するものであることが好ましい。さらに、後述する正孔輸送層を用いた場合においては、正極2に用いられる導電性素材は正孔輸送層とオーミック接合するものであることが好ましい。仕事関数の小さな導電性素材を用いた電極は負極となるが、この仕事関数の小さな導電性素材としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、具体的にはリチウム、マグネシウム、カルシウムなどが使用される。また、錫や銀、アルミニウムも好ましく用いられる。さらに、上記の金属からなる合金や上記の金属の積層体からなる電極も好ましく用いられる。また、負極4と電子輸送層の界面にフッ化リチウムやフッ化セシウムなどの金属フッ化物を導入することで、取り出し電流を向上させることも可能である。ここで、負極4に用いられる導電性素材は、有機半導体層3とオーミック接合するものであることが好ましい。基板1は、光電変換材料の種類や用途に応じて、電極材料や有機半導体層が積層できる基板、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、エポキシ樹脂やフッ素系樹脂等の有機材料から任意の方法によって作製されたフィルムや板が使用可能である。また基板側から光を入射して用いる場合は、上記に示した各基板に80程度の光透過性を持たせておくことが好ましい。本発明では、正極2と有機半導体層3の間に正孔輸送層を設けてもよい。正孔輸送層を形成する材料としては、ポリチオフェン系重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体などの導電性高分子や、フタロシアニン誘導体H2Pc、CuPc、ZnPcなど、ポルフィリン誘導体などのp型半導体特性を示す低分子有機化合物が好ましく用いられる。特に、ポリチオフェン系重合体であるポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTやPEDOTにポリスチレンスルホネートPSSが添加されたものが好ましく用いられる。正孔輸送層は5nmから600nmの厚さが好ましく、より好ましくは30nmから200nmである。また、光電変換効率をより向上させるために、正孔輸送層をフルオラス化合物分子内にフッ素原子を一個以上有する有機化合物により処理することが好ましい。フルオラス化合物としては、例えばベンゾトリフルオリド、ヘキサフルオロベンゼン、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール、ペルフルオロトルエン、ペルフルオロデカリン、ペルフルオロヘキサン、1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロ-1-デカノールF-デカノールなどが挙げられる。より好ましくはベンゾトリフルオリド、ペルフルオロヘキサン、F-デカノールが用いられる。処理方法としては、正孔輸送層を形成する材料に上述のフルオラス化合物をあらかじめ混合してから正孔輸送層を形成させる方法や、正孔輸送層を形成してから上述のフルオラス化合物を接触させる方法スピンコート、ディップコート、ブレードコート、蒸着、蒸気処理法などが挙げられる。また、本発明の光起電力素子は、有機半導体層3と負極4の間に電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を形成する材料として、特に限定されるものではないが、上述の電子受容性有機材料NTCDA、PTCDA、PTCDI-C8H、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物、CNT、CN-PPVなどのようにn型半導体特性を示す有機材料が好ましく用いられる。電子輸送層は5nm~600nmの厚さが好ましく、より好ましくは30nm~200nmである。また、本発明の光起電力素子は、1つ以上の中間電極を介して2層以上の有機半導体層を積層タンデム化して直列接合を形成してもよい。例えば、基板/正極/第1の有機半導体層/中間電極/第2の有機半導体層/負極という積層構成を挙げることができる。このように積層することにより、開放電圧を向上させることができる。なお、正極と第1の有機半導体層の間、および、中間電極と第2の有機半導体層の間に上述の正孔輸送層を設けてもよく、第1の有機半導体層と中間電極の間、および、第2の有機半導体層と負極の間に上述の正孔輸送層を設けてもよい。このような積層構成の場合、有機半導体層の少なくとも1層が本発明の光起電力素子用材料を含み、他の層には、短絡電流を低下させないために、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料とはバンドギャップの異なる電子供与性有機材料を含むことが好ましい。このような電子供与性有機材料としては、例えば上述のポリチオフェン系重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリ-p-フェニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体、ポリピロール系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリアセチレン系重合体、ポリチエニレンビニレン系重合体、ベンゾチアジアゾール系重合体例えば、PCPDTBTpoly[2,6-4,4-bis-2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b’]dithiophene-alt-4,7-2,1,3-benzothiadiazole]や、PSBTBTpoly[4,4-bis-2-ethylhexyldithieno[3,2-b:2’,3’-d]silole-2,6-diyl-alt-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl]などの共役系重合体や、H2フタロシアニンH2Pc、銅フタロシアニンCuPc、亜鉛フタロシアニンZnPc等のフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ3-メチルフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンTPD、N,N’-ジナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンNPD等のトリアリールアミン誘導体、4,4’-ジカルバゾール-9-イルビフェニルCBP等のカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体ターチオフェン、クウォーターチオフェン、セキシチオフェン、オクチチオフェンなど等の低分子有機化合物が挙げられる。また、ここで用いられる中間電極用の素材としては高い導電性を有するものが好ましく、例えば上述の金、白金、クロム、ニッケル、リチウム、マグネシウム、カルシウム、錫、銀、アルミニウムなどの金属や、透明性を有するインジウム、スズ、モリブデンなどの金属酸化物、複合金属酸化物インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZOなど、上記の金属からなる合金や上記の金属の積層体、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTやPEDOTにポリスチレンスルホネートPSSが添加されたもの、などが挙げられる。中間電極は光透過性を有することが好ましいが、光透過性が低い金属のような素材でも膜厚を薄くすることで充分な光透過性を確保できる場合が多い。次に、本発明の光起電力素子の製造方法について例を挙げて説明する。基板上にITOなどの透明電極この場合正極に相当をスパッタリング法などにより形成する。次に、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料、および必要により電子受容性有機材料を含む光電変換素子用材料を溶媒に溶解させて溶液を作り、透明電極上に塗布し有機半導体層を形成する。このとき用いられる溶媒は有機溶媒が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール、トルエン、キシレン、o-クロロフェノール、アセトン、酢酸エチル、エチレングリコール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、クロロナフタレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。これらを2種以上用いてもよい。また、上述のフルオラス化合物を含有することで光電変換効率をより向上させることができる。常温常圧で液体であるフルオラス化合物フルオラス溶媒が好ましく、より好ましくは上述のベンゾトリフルオリド、ペルフルオロヘキサン、F-デカノールが用いられる。フルオラス化合物の含有量は全溶媒量に対して0.01~20体積が好ましく、より好ましくは0.1~2体積である。また、フルオラス溶媒の含有量は全溶媒中0.01~30重量が好ましく、より好ましくは0.1~4重量である。一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料および電子受容性有機材料を混合して有機半導体層を形成する場合は、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料と電子受容性有機材料を所望の比率で溶媒に添加し、加熱、撹拌、超音波照射などの方法を用いて溶解させ溶液を作り、透明電極上に塗布する。この場合、2種以上の溶媒を混合して用いることで光起電力素子の光電変換効率を向上させることもできる。これは、電子供与性有機材料と電子受容性有機材料がナノレベルで相分離を起こし、電子と正孔の通り道となるキャリアパスが形成されるためと推測される。組み合わせる溶媒は、用いる電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の種類によって最適な組み合わせの種類を選択することができる。一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料を用いる場合、組み合わせる好ましい溶媒として上述の中でもクロロホルムとクロロベンゼンが挙げられる。この場合、各溶媒の混合体積比率は、クロロホルム:クロロベンゼン=5:95~95:5の範囲であることが好ましく、さらに好ましくはクロロホルム:クロロベンゼン=10:90~90:10の範囲である。また、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料および電子受容性有機材料を積層して有機半導体層を形成する場合は、例えば電子供与性有機材料の溶液を塗布して電子供与性有機材料を有する層を形成した後に、電子受容性有機材料の溶液を塗布して層を形成する。ここで、電子供与性有機材料および電子受容性有機材料は、分子量が1000以下程度の低分子量体である場合には、蒸着法を用いて層を形成することも可能である。有機半導体層の形成には、スピンコート塗布、ブレードコート塗布、スリットダイコート塗布、スクリーン印刷塗布、バーコーター塗布、鋳型塗布、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法、スプレー法、真空蒸着法など何れの方法を用いてもよく、膜厚制御や配向制御など、得ようとする有機半導体層特性に応じて形成方法を選択すればよい。例えばスピンコート塗布を行う場合には、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料、および電子受容性有機材料が1~20g/lの濃度一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料と電子受容性有機材料と溶媒を含む溶液の体積に対する、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の重量であることが好ましく、この濃度にすることで厚さ5~200nmの均質な有機半導体層を容易に得ることができる。形成した有機半導体層に対して、溶媒を除去するために、減圧下または不活性雰囲気下窒素やアルゴン雰囲気下などでアニーリング処理を行ってもよい。アニーリング処理の好ましい温度は40°C~300°C、より好ましくは50°C~200°Cである。また、アニーリング処理を行うことで、積層した層が界面で互いに浸透して接触する実行面積が増加し、短絡電流を増大させることができる。このアニーリング処理は、負極の形成後に行ってもよい。次に、有機半導体層上にAlなどの金属電極この場合負極に相当を真空蒸着法やスパッタ法により形成する。金属電極は、電子輸送層に低分子有機材料を用いて真空蒸着した場合は、引き続き、真空を保持したまま続けて形成することが好ましい。正極と有機半導体層の間に正孔輸送層を設ける場合には、所望のp型有機半導体材料PEDOTなどを正極上にスピンコート法、バーコーティング法、ブレードによるキャスト法等で塗布した後、真空恒温槽やホットプレートなどを用いて溶媒を除去し、正孔輸送層を形成する。フタロシアニン誘導体やポルフィリン誘導体などの低分子有機材料を使用する場合には、真空蒸着機を用いた真空蒸着法を適用することも可能である。有機半導体層と負極の間に電子輸送層を設ける場合には、所望のn型有機半導体材料フラーレン誘導体などn型無機半導体材料酸化チタンゲルなどを有機半導体層上にスピンコート法、バーコーティング法、ブレードによるキャスト法、スプレー法等で塗布した後、真空恒温槽やホットプレートなどを用いて溶媒を除去し、電子輸送層を形成する。フェナントロリン誘導体やC60などの低分子有機材料を使用する場合には、真空蒸着機を用いた真空蒸着法を適用することも可能である。本発明の光起電力素子は、光電変換機能、光整流機能などを利用した種々の光電変換デバイスへの応用が可能である。例えば光電池太陽電池など、電子素子光センサ、光スイッチ、フォトトランジスタなど、光記録材光メモリなどなどに有用である。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。また実施例等で用いた化合物のうち、略語を使用しているものについて、以下に示す。ITO:インジウム錫酸化物PEDOT:ポリエチレンジオキシチオフェンPSS:ポリスチレンスルホネートPC70BM:フェニルC71ブチリックアシッドメチルエステルEg:バンドギャップHOMO:最高被占分子軌道Isc:短絡電流密度Voc:開放電圧FF:フィルファクターη:光電変換効率なお、1H-NMR測定にはFT-NMR装置株日本電子製JEOLJNM-EX270を用いた。また、平均分子量数平均分子量、重量平均分子量はGPC装置クロロホルムを送液したTOSOH社製、高速GPC装置HLC-8220GPCを用い、絶対検量線法によって算出した。重合度nは以下の式で算出した。重合度n=[重量平均分子量/繰り返しユニットの分子量]また、光吸収端波長は、ガラス上に約60nmの厚さに形成した薄膜について、日立製作所株製のU-3010型分光光度計を用いて測定した薄膜の紫外可視吸収スペクトル測定波長範囲:300~900nmから得た。バンドギャップEgは下式により、光吸収端波長から算出した。なお、薄膜はクロロホルムを溶媒に用いてスピンコート法により形成した。EgeV=1240/薄膜の光吸収端波長nmまた、最高被占分子軌道HOMO準位は、ITOガラス上に約60nmの厚さに形成した薄膜について、表面分析装置大気中紫外線光電子分光装置AC-1型、理研機器株製を用いて測定した。なお、薄膜はクロロホルムを溶媒に用いてスピンコート法により形成した。合成例1化合物A-1を式1に示す方法で合成した。合成例1記載中の化合物1-dはマクロモレキュルズMacromolecules2007年、40巻、1981-1986頁に記載されている方法を参考にして合成した。化合物1-aアルドリッチ社製20.0g68mmolをエタノール750mlにけん濁させ、メカニカルスターラーを用いて撹拌しているところに、テトラヒドロホウ酸ナトリウム37.8g1molを5回にわけ、1時間かけて0°Cで加えた。反応溶混合物を0°Cで5時間撹拌した後、室温で12時間放置した。エタノールをおよそ250mlになるまで減圧留去した後、水100mlを0°Cでゆっくり加えた。クロロホルム200mlを加えた後、水層および有機層に不溶の固体をろ別した。水層をクロロホルム100mlで3回抽出した後、集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。クロロホルムを減圧留去し、化合物1-bを薄橙色固体10.2g、収率56として得た。化合物1-bはこれ以上精製することなく、以下の反応に用いた。上記化合物1-b4.0g15mmolおよびベンジル東京化成工業株製3.16g15mmolのクロロホルム溶液120mlに濃硫酸1滴を室温で加え、反応溶液を5時間還流した。反応溶液を室温まで冷やした後、5炭酸ナトリウム水溶液50mlを加え、有機層を水100ml、ついで飽和食塩水100mlで洗浄した。溶媒を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧留去した。粗成生成物をメタノールで洗浄し、化合物1-cを薄黄色固体5.2g、収率79として得た。化合物1-cの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:7.91s,2H,7.65m,4H,7.38m,6Hppm。上記化合物1-c150mg0.34mmolおよび化合物1-d248mg0.34mmolをトルエン和光純薬工業株製10mlおよびジメチルホルムアミド和光純薬工業株製2mlに溶解させたところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、110°Cで12時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製10mgを加え、110°Cにて1時間撹拌した。次いで、2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製40mgを加え、110°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、水、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱させ、化合物A-1110mgを得た。重量平均分子量は7,600、数平均分子量は9,900、重合度nは14.5であった。また、光吸収端波長は797nm、バンドギャップEgは1.56eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-5.01eVであった。合成例2化合物A-2を式2に示す方法で合成した。上記化合物1-c4.4g10.0mmolおよび2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製11.2g30mmolのトルエン溶液80mlを窒素でバブリングした後、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製350mgを加え、8時間還流した。反応終了後、溶媒を減圧留去した。残渣にエタノール200mlを加え、室温で30分間撹拌した。沈殿物をろ取した後に、エタノール、ついでヘキサンで固体を洗浄した。得られた粗生成物をクロロホルムより再結晶し、化合物2-aを黄色固体3.0g、収率34として得た。化合物2-aの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:8.15s,2H,7.88d,J=4.1Hz,2H,7.76-7.73m,4H,7.52d,J=4.9Hz,2H,7.40-7.36m,6H,7.20-7.17m,2Hppm。上記化合物2-a2.0g4.47mmolのクロロホルム溶液100mlにN-ブロモスクシンイミド東京化成工業株製1.75g9.85mmolを加え、1時間室温で撹拌した。反応終了後、5チオ硫酸ナトリウム水溶液50mlを加え、10分間撹拌した。有機層を水100ml、次いで飽和食塩水で1回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。粗生成物をシリカゲルカラム溶離液:クロロホルムに通した後、固体をアセトン再結晶し、化合物2-bを橙色固体1.16g、収率43として得た。化合物2-bの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:8.07s,2H,7.71-7.68m,4H,7.57d,J=4.1Hz,2H,7.44-7.37m,6H,7.12d,J=4.1Hz,2Hppm。上記化合物2-b121mg0.20mmolおよび化合物1-d146mg0.20mmolをトルエン和光純薬工業株製10mlおよびジメチルホルムアミド和光純薬工業株製2mlに溶解させたところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、110°Cで12時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製10mgを加え、110°Cにて1時間撹拌した。次いで、2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製40mgを加え、110°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、水、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱させ、化合物A-2145mgを得た。重量平均分子量は8,200、数平均分子量は10,300、重合度nは12.2であった。また、光吸収端波長は754nm、バンドギャップEgは1.64eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-5.00eVであった。合成例3化合物A-3を式3に示す方法で合成した。合成例3記載中の化合物3-aはマクロモレキュルズMacromolecules2007年、40巻、1981-1986頁に記載されている方法を参考にして合成した。化合物3-a2.4g6.0mmolの乾燥テトラヒドロフラン溶液40mlを-78°Cに冷却し、n-ブチルリチウムヘキサン溶液濃度1.6M、東京化成工業株製6.0ml9.6mmolを滴下した。反応溶液をそのまま-78°Cに保ち、30分間撹拌した。ついで2-イソプロポキシ-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン東京化成工業株製2.2g12mmolを-78°Cで加え、室温で2時間撹拌した。撹拌終了後、ジエチルエーテル50mlを加え、水で3回、飽和食塩水で1回洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:クロロホルム:ヘキサン=2:3で精製することで、化合物3-bを無色オイル2.0g、収率63として得た。上記化合物3-b2.0g3.8mmol、化合物1-c440mg1.0mmolおよびK3PO4和光純薬工業株製1.2g6.0molにジメチルホルムアミド20mlを加え、撹拌しながら[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムアルドリッチ社製200mg0.25molを室温で加え、90°Cで5時間加熱撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、ジエチルエーテル50mlおよび水50mlを加え、有機層を水で数回洗浄した。溶媒を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:クロロホルム:ヘキサン=1:2で精製することで化合物3-cを黒色固体490mg、収率45として得た。化合物3-cの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:8.08s,2H、7.84s,2H、7.75m,4H、7.41m,6H、7.15d,J=4.9Hz,2H、6.95d,J=4.9Hz,2H、1.95m,8H、1.02-0.95m,60Hppm。上記化合物3-c490mg0.45mmolをクロロホルム20mlに溶解させ、0°Cで撹拌しながらN-ブロモスクシンイミド和光純薬工業株製176mg0.99mmolを加え、0°Cで4時間撹拌した。撹拌終了後、5Na2SO3水溶液20mlおよびジエチルエーテル60mlを加え、有機層を水で数回、飽和食塩水で1回洗浄した。溶媒を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。残渣をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥させることで化合物3-dを黒色固体470mg、収率84として得た。化合物3-dの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:8.10s,2H、7.77s,2H、7.73-7.54m,4H、7.44-7.42m,6H、6.98s,2H、2.0-1.8m,8H、1.02-0.59m,60Hppm。化合物1-aアルドリッチ社製3.0g10.2mmol、ビスピナコレートジボロン和光純薬工業株製6.2g25mmol、酢酸カリウムナカライテスク株製2.0gおよび1,4-ジオキサン和光純薬工業株製40mlに[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムアルドリッチ社製500mgを加え100°Cで6時間撹拌した。反応混合物にトルエン100mlを加え、不溶物をろ別した。溶媒を減圧留去した後、ヘキサンより再結晶することで化合物3-fを薄黄固体1.5g、収率39として得た。上記化合物3-d124mg0.05mmolおよび上記化合物3-f38mg0.05mmolをトルエン10mlに溶解させたところに、濃度1M炭酸カリウム水溶液2ml、Alquat336アルドリッチ社製1滴およびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、100°Cで8時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製30mgを加え、100°Cにて1時間撹拌した。次いで、フェニルボロン酸東京化成工業株製50mgを加え、100°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、水、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させた後に、セライトナカライテスク株製を通し、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱殿させ、化合物A-378mgを得た。重量平均分子量は14,000、数平均分子量は24,000、重合度nは19.7であった。また、光吸収端波長は799nm、バンドギャップEgは1.55eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-5.10eVであった。合成例4化合物A-4を式4に示す方法で合成した。上記化合物1-b2.0g7.52mmolをエタノール60mlに溶解させ、撹拌しているところにフェナントレンー9,10-ジオン東京化成工業株製1.57g7.52mmolおよび酢酸1mlを加え、反応溶液を2時間還流した。反応混合物を室温まで冷却後、析出した固体をろ取し、エタノールで数回洗浄することで化合物4-bを黄色固体3.1g、収率94として得た。化合物4-bの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:9.48d,J=8.6H,2H、8.58d,J=8.6H,2H、8.04s,2H、7.88-7.77m,4Hppm。上記化合物4-b1.25g2.85mmol、ビスピナコレートジボロン和光純薬工業株製5.4g21mmol、酢酸カリウムナカライテスク株製2.1g21mmolおよび1,4-ジオキサン和光純薬工業株製100mlに[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムアルドリッチ社製300mgを加え90°Cで6時間撹拌した。反応混合物にクロロホルム100mlを加え、不溶物をろ別した。溶媒を減圧留去した後、アセトンより再結晶することで化合物4-cを薄黄固体1.2g、収率32として得た。化合物4-cの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:9.47d,J=7.8H,2H、8.56d,J=7.8H,2H、8.18s,2H、7.76m,4H、1.57s,24Hppm。上記化合物4-c43mg0.08mmolおよび化合物3-d100mg0.08mmolをトルエン5mlに溶解させたところに、濃度1M炭酸カリウム水溶液1ml、Alquat336アルドリッチ社製1滴およびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製9mgを加え、窒素雰囲気下、100°Cで8時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製30mgを加え、100°Cにて1時間撹拌した。次いで、フェニルボロン酸東京化成工業株製50mgを加え、100°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、水、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱殿させ、化合物A-475mgを得た。重量平均分子量は7,800、数平均分子量は13,000、重合度nは9.2であった。また、光吸収端波長は860nm、バンドギャップEgは1.44eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-4.95eVであった。合成例5化合物A-5を式5に示す方法で合成した。臭化銅I東京化成工業株製1.8g12.5mmolにテトラヒドロフラン和光純薬工業株製10mlを加え、撹拌しているところに臭化リチウム東京化成工業株製2.2g25mmolのテトラヒドロフラン溶液10mlを加え、室温で30分間撹拌した。次いで1-ナフチルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液アルドリッチ社製、濃度0.25M50ml12.5molを0°Cで加え10分間撹拌した後、オキサリルクロリド東京化成工業株製714mg5.6mmolを0°Cで加え、室温で6時間撹拌した。撹拌後、水20mlおよび酢酸エチル50mlを加え、有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液50ml、水50ml、飽和食塩水50mlで洗浄した。溶媒を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:クロロホルム:ヘキサン=1:1で精製することで化合物5-bを白色固体900mg、収率36として得た。化合物5-bの1H-NMRおよび13C-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:9.36d,J=8.0Hz,2H、8.12d,J=8.0Hz,2H、8.02d,J=8.0Hz,2H、7.95d,J=8.0Hz,2H、7.56t,J=8.0Hz,2H、7.64t,J=8.0Hz,2H、7.48t,J=8.0Hz,2Hppm。13C-NMR67.5MHz,CDCl3:196.72,135.67,134.95,134.00,131.05,129.29,128.83,128.60,126.98,125.94,124.38ppm。上記化合物1-b684mg1.9mmolおよび上記化合物5-b900mg1.9mmolに酢酸50mlを加え、反応溶液を12時間還流した。反応溶液を室温まで冷やした後、メタノール100mlに注ぎ、沈殿物をろ取した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:クロロホルム:ヘキサン=1:1で精製することで化合物5-cを薄黄色固体490mg、収率48として得た。化合物5-cの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:8.06d,J=8.0Hz,2H、8.03s,2H、7.76d,J=8.0Hz,2H、7.71d,J=8.0Hz,2H、7.42t,J=8.0Hz,2H、7.34t,J=8.0Hz,2H、7.25d,J=8.0Hz,2H、7.15t,J=8.0Hz,2Hppm。上記化合物5-c108mg0.2mmolおよび化合物1-d146mg0.2mmolをトルエン和光純薬工業株製10mlおよびジメチルホルムアミド和光純薬工業株製2mlに溶解させたところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、110°Cで10時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製5mgを加え、110°Cにて1時間撹拌した。次いで、2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製20mgを加え、110°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱させ、化合物A-554mgを得た。重量平均分子量は6,900、数平均分子量は9,500、重合度nは12.2であった。また、光吸収端波長は780nm、バンドギャップEgは1.59eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-4.99eVであった。合成例6化合物A-6を式6に示す方法で合成した。合成例6記載中の化合物6-cジャーナルオブザアメリカンケミカルソサエティJournaloftheAmericanChemicalSociety2006年、128巻、10992-10993頁に記載されている方法を参考にして合成した。2-ブロモビフェニル東京化成工業株製17.5g75mmolの乾燥テトラヒドロフラン溶液和光純薬工業株製200mlに、n-ブチルリチウムヘキサン溶液濃度1.6M、東京化成工業株製47ml75mmolを-78°Cで滴下した。反応溶液をそのまま-78°Cに保ち、1時間撹拌した。反応溶液にジベンゾスベレノン東京化成工業株製10.4g50mmolのテトラヒドロフラン溶液100mlをー78°Cで滴下した後、-78°Cで30分間、室温で5時間撹拌した。撹拌後、反応溶液に5炭酸水素ナトリウム水溶液100mlを加え、クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧留去した。次に生成物を酢酸80mlに溶解させ、1時間還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、析出した固体をろ取し、水、ヘキサンで洗浄した。得られた固体を減圧乾燥し、化合物6-bを白色固体15.4g、収率90として得た。化合物6-bの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:7.95d,J=8.1Hz,2H、7.71d,J=8.1Hz,2H、7.38-7.32m,2H、7.22-7.13m,4H、6.95-6.85m,4H、6.92s,2Hppm。上記化合物6-b2.4g6.9mmolのクロロベンゼン和光純薬工業株製溶液50mlにbenzeneseleninicanhydrideアルドリッチ社製3.5g9.7mmolを加え6時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却後、ヘキサン400mlに注ぎ、析出した固体をろ取した。得られた固体をクロロホルムーエタノールで再結晶することにより、化合物6-cを白色固体1.06g、収率40として得た。化合物6-cの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:7.82d,J=7.6Hz,4H、7.42-7.16m,8H、7.03d,J=7.6Hz,2H、6.58d,J=7.6Hz,2Hppm。上記化合物6-c1.06g2.87mmolおよび化合物1-b758mg2.85mmolのクロロホルム溶液30mlにパラトルエンスルホン酸和光純薬工業株製10mgを加え、12時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:クロロホルムで精製することにより化合物6-dを白色固体1.36g、収率79として得た。化合物6-dの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:8.52d,J=7.6Hz,2H、8.02s,2H、7.74d,J=7.6Hz,2H、7.46t,J=7.6Hz,2H、7.34t,7.6Hz,2H、7.23-7.18m,4H,7.07t,J=7.6Hz,2H、6.76d,J=7.6Hz,2Hppm。上記化合物6-d120mg0.2mmolおよび化合物1-d146mg0.2mmolをトルエン和光純薬工業株製10mlおよびジメチルホルムアミド和光純薬工業株製2mlに溶解させたところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、110°Cで10時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製5mgを加え、110°Cにて1時間撹拌した。次いで、2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製20mgを加え、110°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱させ、化合物A-645mgを得た。重量平均分子量は6,900、数平均分子量は10,500、重合度nは12.5であった。また、光吸収端波長は815nm、バンドギャップEgは1.52eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-5.08eVであった。合成例7化合物B-1を式7に示す方法で合成した。上記化合物1-b1.1g4.1mmolおよびジアセチル東京化成工業株製350mg4.1mmolのクロロホルム溶液40mlにメタンスルホン酸4滴を室温で加え、反応溶液を5時間還流した。反応溶液を室温まで冷やした後、5炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ジクロロメタンで精製することで化合物7-bを白色固体790mg、収率61として得た。上記化合物7-b600mg1.9mmolおよび2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製2.0g6.0mmolのトルエン溶液60mlを窒素でバブリングした後、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製200mgを加え、8時間還流した。反応終了後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ジクロロメタンにより精製することで化合物7-cを黄色固体400mg、収率65として得た。上記化合物7-c765mg4.30mmol、和光純薬工業株製を加え、3時間室温で撹拌した。反応終了後、有機層を水100ml、次いで飽和食塩水で1回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:クロロホルムで精製することで化合物7-dを橙色固体345mg、収率66として得た。化合物7-dの1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR270MHz,CDCl3:7.99s,2H,7.53d,J=4.1Hz,2H,7.11d,J=4.1Hz、2.83s,6Hppm。上記化合物7-d120mg0.25mmolおよび化合物1-d182mg0.25mmolをトルエン和光純薬工業株製10mlおよびジメチルホルムアミド和光純薬工業株製2mlに溶解させたところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、110°Cで12時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製10mgを加え、110°Cにて1時間撹拌した。次いで、2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製40mgを加え、110°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、水、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱させ、化合物B-1122mgを得た。重量平均分子量は6,900、数平均分子量は8,400、重合度nは11.7であった。また、光吸収端波長は710nm、バンドギャップEgは1.75eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-4.95eVであった。合成例8化合物B-2を式8に示す方法で合成した。合成例8記載中の化合物8-aは上記非特許文献4に記載されている方法を参考にして合成した。上記化合物8-a72mg0.25mmolおよび化合物1-d182mg0.25mmolをトルエン和光純薬工業株製10mlおよびジメチルホルムアミド和光純薬工業株製2mlに溶解させたところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、110°Cで12時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製10mgを加え、110°Cにて1時間撹拌した。次いで、2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製40mgを加え、110°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、水、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱させ、化合物B-293mgを得た。重量平均分子量は8,500、数平均分子量は12,900、重合度nは24.3であった。また、光吸収端波長は810nm、バンドギャップEgは1.53eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-4.99eVであった。合成例9化合物B-3を式9に示す方法で合成した。合成例9記載中の化合物9-aは上記非特許文献4に記載されている方法を参考にして合成した。上記化合物9-a128mg0.25mmolおよび化合物1-d182mg0.25mmolをトルエン和光純薬工業株製10mlおよびジメチルホルムアミド和光純薬工業株製2mlに溶解させたところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム触媒東京化成工業株製5mgを加え、窒素雰囲気下、110°Cで12時間撹拌した。次いで、ブロモベンゼン東京化成工業株製10mgを加え、110°Cにて1時間撹拌した。次いで、2-tributylstannylthiopheneアルドリッチ社製40mgを加え、110°Cにてさらに1時間撹拌した。撹拌終了後、反応混合物を室温まで冷却し、メタノール100mlに注いだ。析出した固体をろ取し、メタノール、水、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をアセトン80ml中で1時間還流し、濾過することでアセトン可溶物を除去した。次に、粗生成物をクロロホルム80mlに溶解させ、セライトナカライテスク株製を通して濾過した後、溶媒を減圧留去した。得られた固体を再びクロロホルムに溶解させ、シリカゲルカラム溶離液:クロロホルムを通した後に濃縮し、メタノールに再沈澱させ、化合物B-3102mgを得た。重量平均分子量は9,800、数平均分子量は13,500、重合度nは17.9であった。また、光吸収端波長は805nm、バンドギャップEgは1.54eV、最高被占分子軌道HOMO準位は-5.01eVであった。実施例1上記A-11mgとPC70BM4mg、Solenne社製をクロロベンゼン0.25mlの入ったサンプル瓶の中に加え、超音波洗浄機株井内盛栄堂製US-2商品名、出力120W中で30分間超音波照射することにより溶液Aを得た。スパッタリング法により正極となるITO透明導電層を120nm堆積させたガラス基板を38mm×46mmに切断した後、ITOをフォトリソグラフィー法により38mm×13mmの長方形状にパターニングした。得られた基板をアルカリ洗浄液フルウチ化学株製、セミコクリーンEL56商品名で10分間超音波洗浄した後、超純水で洗浄した。この基板を30分間UV/オゾン処理した後に、基板上に正孔輸送層となるPEDOT:PSS水溶液PEDOT0.8重量、PPS0.5重量をスピンコート法により60nmの厚さに成膜した。ホットプレートにより200°Cで5分間加熱乾燥した後、上記の溶液AをPEDOT:PSS層上に滴下し、スピンコート法により膜厚100nmの有機半導体層を形成した。その後、有機半導体層が形成された基板と陰極用マスクを真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が1×10-3Pa以下になるまで再び排気し、抵抗加熱法によって、負極となるアルミニウム層を80nmの厚さに蒸着した。以上のように、ストライプ状のITO層とアルミニウム層が交差する部分の面積が5mm×5mmである光起電力素子を作製した。このようにして作製された光起電力素子の正極と負極をヒューレットパッカード社製ピコアンメーター/ボルテージソース4140Bに接続して、大気中でITO層側から擬似太陽光山下電装株式会社製簡易型ソーラシミュレータYSS-E40、スペクトル形状:AM1.5、強度:100mW/cm2を照射し、印加電圧を-1Vから2Vまで変化させたときの電流値を測定した。この時の短絡電流密度印加電圧が0Vのときの電流密度の値は5.71mA/cm2、開放電圧電流密度が0になるときの印加電圧の値は0.59V、フィルファクターFFは0.47であり、これらの値から算出した光電変換効率は1.57であった。なお、フィルファクターと光電変換効率は次式により算出した。フィルファクター=IVmaxmAV/cm2/短絡電流密度mA/cm2×開放電圧Vここで、IVmaxは、印加電圧が0Vから開放電圧値の間で電流密度と印加電圧の積が最大となる点における電流密度と印加電圧の積の値である。光電変換効率=短絡電流密度mA/cm2×開放電圧V×フィルファクター/擬似太陽光強度100mW/cm2×100以下の実施例と比較例におけるフィルファクターと光電変換効率も全て上式により算出した。実施例2A-1の代わりに上記A-2を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は9.12mA/cm2、開放電圧は0.61V、フィルファクターFFは0.50であり、これらの値から算出した光電変換効率は2.78であった。実施例3A-1の代わりに上記A-3を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は7.72mA/cm2、開放電圧は0.64V、フィルファクターFFは0.42であり、これらの値から算出した光電変換効率は2.08であった。実施例4A-1の代わりに上記A-4を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は8.36mA/cm2、開放電圧は0.58V、フィルファクターFFは0.49であり、これらの値から算出した光電変換効率は2.37であった。実施例5A-1の代わりに上記A-5を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は7.61mA/cm2、開放電圧は0.60V、フィルファクターFFは0.56であり、これらの値から算出した光電変換効率は2.56であった。実施例6A-1の代わりに上記A-6を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は7.25mA/cm2、開放電圧は0.62V、フィルファクターFFは0.48であり、これらの値から算出した光電変換効率は2.16であった。比較例1A-1の代わりに上記B-1を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は4.34mA/cm2、開放電圧は0.61V、フィルファクターFFは0.54であり、これらの値から算出した光電変換効率は1.43であった。比較例2A-1の代わりに上記B-2を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は4.81mA/cm2、開放電圧は0.60V、フィルファクターFFは0.41であり、これらの値から算出した光電変換効率は1.18であった。比較例3A-1の代わりに上記B-3を用いた他は実施例1と全く同様にして光起電力素子を作製し、電流-電圧特性を測定した。この時の短絡電流密度は3.20mA/cm2、開放電圧は0.62V、フィルファクターFFは0.49であり、これらの値から算出した光電変換効率は0.97であった。表1から明らかなように、一般式1または一般式2で表される構造を有する電子供与性有機材料を用いて作製した光起電力素子実施例1~6は、同様の条件で作製した他の光起電力素子比較例1~3に比べ高い光電変換効率を示した。"