"第1電気接点を有するマイクロチップデバイスを用意し、第2電気接点と、前記マイクロチップデバイスの1つのパッケージ領域にカプセル封じ用材料または充填材料を供給するための通路であるアパーチャと、を備えたインターポーザーを用意し、前記アパーチャは、前記インターポーザーの表面上に凹状に形成され、前記アパーチャを構成する凹状の下部から前記インターポーザーの表面とは反対の裏面に向かう第1開口を形成し、前記アパーチャを構成する凹状の下部から前記インターポーザーの表面とは反対の裏面に向かって貫通した第2開口を、前記アパーチャへの電気絶縁材料の充填方向において前記第1開口の前側に形成し、前記インターポーザーの表面側から前記アパーチャおよび前記第1開口を通じて前記第1電気接点にアクセス可能であって、前記第2開口が前記パッケージ領域外に位置するように、前記インターポーザーを前記マイクロチップデバイスの近隣に配置し、前記第1電気接点を前記第2電気接点に電気的に接続し、前記アパーチャをトランスファー成形によって電気絶縁材料で充填し、前記アパーチャに前記電気絶縁材料を充填するとき、前記電気絶縁材料の線状の流れ方向は、前記インターポーザーの表面側と前記インターポーザーの前記マイクロチップデバイス側とでは同じであり、前記第2開口は、前記インターポーザーの表面側および前記インターポーザーの前記マイクロチップデバイス側におけるトランスファー成形を安定化させる、マイクロチップデバイスのパッケージング方法。前記第1及び第2電気接点を電気的に接続する電気接続を備え、前記電気接続は、前記マイクロチップデバイスから前記アパーチャを通って、前記インターポーザーの表面側にまでさらに延びており、前記電気接続は、トランスファー成形によって少なくとも前記アパーチャにおいて前記電気絶縁材料によりカプセル封じされる、請求項1に記載の方法。前記電気絶縁材料は、前記インターポーザーまたは前記マイクロチップデバイス、あるいはその両方の少なくとも一部をカプセル封じするために供給され、前記アパーチャは、前記マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域を有する請求項2に記載の方法。電気絶縁材料で充填される前記アパーチャには、前記マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域が存在し、前記複数のアパーチャ領域は、前記トランスファー成形中に前記電気絶縁材料の通過する通路を形成するよう直列に整列され、前記第2開口は、前記通路に沿って2個のアパーチャ領域の間に配置される請求項2に記載の方法。前記電気絶縁材料は、前記インターポーザーまたは前記マイクロチップデバイス、あるいはその両方の少なくとも一部をカプセル封じするために供給され、前記アパーチャは、前記マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域を有する請求項1に記載の方法。前記複数のアパーチャ領域は、前記トランスファー成形中に前記電気絶縁材料の通過する通路を形成するよう直列に整列され、前記第2開口は、前記通路に沿って2個の前記アパーチャ領域の間に配置される、請求項5に記載の方法。前記電気絶縁材料で充填される前記アパーチャには、前記マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域が存在し、前記複数のアパーチャ領域は、前記トランスファー成形中に前記電気絶縁材料の通過する通路を形成するよう直列に整列され、前記第2開口は、前記通路に沿って2個のアパーチャ領域の間に配置される、請求項1に記載の方法。前記アパーチャは、前記マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域を有し、前記第2開口は、前記アパーチャ領域に到達する前に前記電気絶縁材料が通過するように配置される請求項1に記載の方法。本発明の1つの目的は、大量生産での不合格品の割合を低く抑えることの可能なマイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供することにある。本発明の別の目的は、トランスファー成形の加工中及び加工後におけるインターポーザー及びマイクロチップデバイスの取扱いを容易にすることにある。本発明のさらに別の目的は、対応するインターポーザー及び実装マイクロチップデバイスを提供することにある。したがって、以下のマイクロチップデバイスのパッケージング方法を提案する。本発明1は、第1電気接点を有するマイクロチップデバイスを用意し、第2電気接点と、マイクロチップデバイスの1つのパッケージ領域にカプセル封じ用材料または充填材料を供給するための通路であるアパーチャと、を備えたインターポーザーを用意し、アパーチャは、インターポーザーの表面上に凹状に形成され、アパーチャを構成する凹状の下部からインターポーザーの表面とは反対の裏面に向かう第1開口を形成し、アパーチャを構成する凹状の下部からインターポーザーの表面とは反対の裏面に向かって貫通した第2開口を、アパーチャへの電気絶縁材料の充填方向において第1開口の前側に形成し、インターポーザーの表面側からアパーチャおよび第1開口を通じて第1電気接点にアクセス可能であって、第2開口がパッケージ領域外に位置するように、インターポーザーをマイクロチップデバイスの近隣に配置し、第1電気接点を第2電気接点に電気的に接続し、アパーチャをトランスファー成形によって電気絶縁材料で充填し、アパーチャに電気絶縁材料を充填するとき、アパーチャにおける電気絶縁材料の線状の流れ方向は、インターポーザーの表面側とインターポーザーのマイクロチップデバイス側とでは同じであり、第2開口は、インターポーザーの表面側とインターポーザーのマイクロチップデバイス側におけるトランスファー成形を安定化させる、マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。本発明2は、発明1において、第1及び第2電気接点を電気的に接続する電気接続を備え、電気接続は、マイクロチップデバイスからアパーチャを通って、インターポーザーの表面側にまでさらに延びており、電気接続は、トランスファー成形によって少なくともアパーチャにおいて電気絶縁材料によりカプセル封じされる、マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。本発明3は、発明2において、電気絶縁材料は、インターポーザーまたはマイクロチップデバイス、あるいはその両方の少なくとも一部をカプセル封じするために供給され、アパーチャは、マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域を有する、マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。本発明4は、発明2において、電気絶縁材料で充填されるアパーチャには、マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域が存在し、複数のアパーチャ領域は、トランスファー成形中に電気絶縁材料の通過する通路を形成するよう直列に整列され、第2開口は、通路に沿って2個のアパーチャ領域の間に配置される、マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。本発明5は、発明1において、電気絶縁材料は、インターポーザーまたはマイクロチップデバイス、あるいはその両方の少なくとも一部をカプセル封じするために、供給され、アパーチャは、マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域を有する、マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。本発明6は、発明5において、複数のアパーチャ領域は、トランスファー成形中に電気絶縁材料の通過する通路を形成するよう直列に整列され、第2開口は、通路に沿って2個のアパーチャ領域の間に配置される第2分離開口をさらに有する、マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。本発明7は、発明1において、電気絶縁材料で充填されるアパーチャには、マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域が存在し、複数のアパーチャ領域は、トランスファー成形中に電気絶縁材料の通過する通路を形成するよう直列に整列され、第2開口は、通路に沿って2個のアパーチャ領域の間に配置される。本発明8は、発明1において、アパーチャは、マイクロチップデバイスが設けられたパッケージ領域に対応する複数のアパーチャ領域を有し、第2開口は、アパーチャ領域に到達する前に電気絶縁材料が通過するように配置される、マイクロチップデバイスのパッケージング方法を提供する。分離開口は、インターポーザーを貫通する溝、または貫通しない溝でも構わないが、異なるアスペクトに関してトランスファー成形加工を安定化させる。まず、分離開口は、電気絶縁材料の貯蔵場所としての役割を果たす。その結果、最初の量の材料がアパーチャに注入された際に、アパーチャを充填するのに十分な材料が存在している。特に、絶縁材が凝集材料である場合には、既にアパーチャに注入されている材料が分離開口内にある材料を引き寄せることができる。このように、材料源からの流れが一時的に不十分であっても、アパーチャに十分な材料が流入する。第2に、絶縁材料が速すぎる速度で注入されたり、逆流となる方向から注入され、その結果、次の材料がアパーチャに入るまたは満たされるのを妨げる場合に、分離開口は反射シールドとして働く。最初に絶縁材料が分離開口を通過し、絶縁材料の少なくとも一部は分離開口内に一時的に貯蔵されるというのが、この効果の1つの説明である。その後、追加材料が到達すると、少なくとも一部の貯蔵材料が分離開口から逃れ、後続の材料に結合される。その結果、材料の流れは、適度な流速で十分な流束密度を持つ。その他、この一時貯蔵効果を用いて、マイクロチップデバイスの周辺のキャビティまたは空間を絶縁材料で充填することもできる。好ましい実施形態によるそのような充填用の余分なキャビティまたは空間は、インターポーザーまたはマイクロチップデバイス、あるいはその両方の外部領域、特に、インターポーザーまたはマイクロチップデバイス、あるいはその両方の外端に沿った長手領域から成る。このような構成によって、インターポーザーまたはマイクロチップデバイス、あるいはその両方の少なくとも一部をカプセル封じすることが可能になる。この場合、トランスファー成形中、絶縁材料がアパーチャに到達する前に、インターポーザーまたはマイクロチップデバイス、あるいはその両方の外面に沿って流れるよう、分離開口が寸法決め及び配置決めされるのが望ましい。分離開口の断面は、例えば、円形、スロット、正方形、長方形など、どのような形状であってもよい。さらに、分離開口は、部分的に分割されるか、または複数の分離開口で構成されるか、あるいはその両方の構成を有していても構わない。アパーチャおよび、望ましくは充填されるキャビティの隣接部分も含めた領域が絶縁材料で完全に満たされるように、分離開口または複数の開口の形状及び配置が決定されるのが望ましい。この分離開口を設けるという提案された方法の2つの主な利点は、分離開口が絶縁材料の流れを安定化させることから、トランスファー成形の実施、したがってインターポーザー及びマイクロチップデバイスの取扱いが容易になる点と、満足なトランスファー成形が得られる結果、最終的なパッケージが損傷から保護されて、容易に扱える点である。好ましい実施形態は、第1接点と、第2接点とを電気的に接続するために、少なくとも1個の導電体を備えている。この導体は、マイクロチップデバイスからアパーチャを通って、インターポーザーの外側にあたるアパーチャの外側にまで延びている。本実施形態による導体は、少なくともアパーチャの外側で、トランスファー成形によってカプセル封じされる。トランスファー成形中、インターポーザーは、絶縁材料が注入されるキャビティが形成されるように、少なくとも部分的にモールドによって包囲される。キャビティは、少なくとも1つの導体を完全にカプセル封じするのに十分な空間を与えるために、開口と、前記開口の外側に位置する空間とを備えるのが望ましい。好ましい実施形態は、電気絶縁材料で充填される複数の分離アパーチャまたは分離アパーチャ領域を備え、アパーチャまたはアパーチャ領域は、トランスファー成形中に電気絶縁材料を通過させる通路を形成するように直列に整列され、2つのアパーチャまたはアパーチャ領域の間に前記通路に沿って分離開口がさらに配置される。さらなる分離開口は、前述の説明と同様の方法で、絶縁材料の第2アパーチャへの流入を安定化させる。さらに別の好ましい実施形態によるアパーチャは、インターポーザーの外側すなわち、アパーチャがインターポーザーを通って延びる側に沿って延びる通路を少なくとも1本形成している。この通路によって、絶縁材料がアパーチャの内部に供給されるか、またはアパーチャの内部を通過することが可能になる。本実施形態による分離開口は、通路の開始位置に隣接して配置される。この配置によって、アパーチャへの流れが特に安定する。さらに別の実施形態は、各々1本の通路または複数の通路の開始位置または終端位置に隣接して配置された、複数の分離開口を備えている。通路の終端位置に隣接する分離開口もまた、アパーチャまたはキャビティが完全に充填されるのに役立っている。分離開口は貯蔵場所として働き、そこに流入した材料が、後から注入された材料を偏向させるというのが、その1つの説明である。このように、後から注入された材料の流速は、通路の終端位置で減少し、その領域での材料の蓄積が促進される。さらに、以下の工程の実行を提案してもよい。複数の第1電気接点を有するマイクロチップデバイスを提供し、外側に複数の第2電気接点と、外側から貫通して延びるアパーチャとを備え、前記アパーチャは、アパーチャの対向する両端部を接続するブリッジによって、少なくとも2つの開口に分割されるインターポーザーを提供し、外側から少なくとも最初の開口を通じて第1電気接点にアクセス可能なように、インターポーザーをマイクロチップデバイスの近隣に配置し、複数の第1電気接点及び第2電気接点の中から、対応する各々1個の接点を互いに電気的に接続する工程。ここでは、ブリッジがインターポーザーのアパーチャの領域を強化するので、インターポーザー及びマイクロチップデバイスの取扱いが容易になる。少なくともブリッジに隣接する領域では、インターポーザーの扱いに依らず、少なくとも2つの開口の寸法が安定である。特に、両方の開口を使用して第1電気接点を第2電気接点に接続する場合は、同一または同様の断面積または断面寸法を有する非分割アパーチャと比較して、安定度が著しく高くなる。また、インターポーザーの外側に位置する第2電気接点の寸法も安定に保たれる。したがって、実装マイクロチップデバイスを電子基板などの外部装置に接触させる際の障害発生率を低下させることができる。ブリッジは、第1電気接点のできるだけ近くに位置するのが望ましい。したがって、第1開口が、導電体の位置決めに使われる接続領域を定める優先実施形態では、ブリッジと、接続領域の導電体のうち最も近い導電体とは、その距離が接続領域の導電体間の平均距離の3倍、望ましくは2倍以下になるように配置されるのが望ましい。第1電気接点のコンタクトを付けた後、トランスファー成形によって、少なくとも第1開口が電気絶縁材料で充填されるのが望ましい。また、マイクロチップデバイスのパッケージング用に以下のインターポーザーを提供することがさらに提案されてもよい。実装マイクロチップデバイスと電気的に接触し、マイクロチップデバイスに電気的に接続される、インターポーザーの外側に配置された複数の電気接点と、外側からインターポーザーの内部にまで延び、少なくとも2つの開口に分割されるアパーチャとから成り、少なくとも最初の開口は、マイクロチップデバイスヘの接続を可能にするように、外側から前記インターポーザーを貫通して延びる、インターポーザー。アパーチャは、アパーチャの対向する端部を互いに接続するブリッジによって分割されるのが望ましい。トランスファー成形加工中に電気絶縁材料を通過させる通路を形成するように、直列に整列された複数のアパーチャを備えるのがさらに望ましい。2つのアパーチャの間に、通路に沿って、外側からインターポーザーの内側にまで延びる開口を配置してもよい。また、以下の実装マイクロチップデバイスを提供することがさらに提案されてもよい。複数の第1電気接点を備えたマイクロチップデバイスと、複数の第2電気接点と、外部からインターポーザーを貫通して延びるアパーチャと、外側からインターポーザーの内部にまで延びる分離開口とを備えたインターポーザーと、第1電気接点と、対応する第2電気接点とを電気的に接続する導電体とを備え、インターポーザーは、マイクロチップデバイスに付着され、少なくとも1つの導電体はアパーチャ内にまで延び、アパーチャ及び分離開口は、少なくとも部分的に電気絶縁材料で充填され、それによって、少なくとも1つの導電体はインターポーザーに固定される、実装マイクロチップデバイス。さらに、以下のマイクロチップデバイスのパッケージング方法が提案されてもよい。第1電気接点3を有するマイクロチップデバイス1を用意し、第2電気接点9と、インターポーザー7を通って外側から貫通して延びるアパーチャ11を用意し、外側からアパーチャ11を通じて第1電気接点3にアクセス可能なように、インターポーザー7をマイクロチップデバイス1の近隣に配置し、第1電気接点3を第2電気接点9に電気的に接続し、マイクロチップデバイス1の少なくとも一部をカプセル封じするためのトランスファー成形によって電気絶縁材料25でアパーチャ11を充填する、マイクロチップデバイス1のパッケージング方法。アパーチャ11はアパーチャ11を通って通路を形成するためにマイクロチップデバイスの端部を越えて広がっており、電気絶縁材料25は、少なくとも部分的にマイクロチップデバイス1をカプセル封じする、マイクロチップデバイス1のパッケージング方法。さらに、以下のマイクロチップデバイスのパッケージング用インターポーザーが提案されている。マイクロチップデバイス1をパッケージングするためのインターポーザー7であって、実装マイクロチップデバイスと電気的に接触し、マイクロチップデバイス1に電気的に接続されるインターポーザー7の外側に配置された複数の電気接点9と、外側からインターポーザー7の内部にまで延び、マイクロチップデバイス1ヘの接続を可能なアパーチャ11と、マイクロチップデバイス1を受け入れるためのパッケージ領域とを備え、パッケージング領域は、インターポーザー7上に存在するマイクロチップデバイス1の付属品の上に設けられたアパーチャ11を通った通路を形成するためにアパーチャ11を横切っており、通路は少なくとも部分的にマイクロチップデバイス1をカプセル封じするために電気絶縁材料25を通り抜けることが可能としている、パッケージング用インターポーザー7。さらに、以下の実装マイクロチップデバイスが提案されてもよい。複数の第1電気接点3を備えたマイクロチップデバイス1と、複数の第2電気接点9と、外部からインターポーザー7を貫通して延びるアパーチャ11とを備えたインターポーザー7と、第1電気接点3と、対応する第2電気接点9とを電気的に接続する導電体5とを備え、インターポーザー7は、マイクロチップデバイス1に付着され、少なくとも1つの導電体5はアパーチャ11内にまで延び、アパーチャ11は、少なくとも部分的に電気絶縁材料25で充填され、それによって、少なくとも1つの導電体5はインターポーザー7に固定される、実装マイクロチップデバイス。アパーチャ11はアパーチャ11を通って通路を形成するためにマイクロチップデバイスの端部を越えて伸びており、通路は少なくとも一部に電気絶縁材料25を充たされている、実装マイクロチップデバイス。図1に、マイクロチップデバイス1と、インターポーザー7と、カプセル封じ用樹脂25とによる配置の断面を示している。インターポーザー7は、一層の接着剤27によってマイクロチップデバイス1に固定される。マイクロチップデバイス1の幅は、マイクロチップデバイス1の縁がマイクロチップデバイス/インターポーザー配置の両側から外向きに突き出るように、インターポーザー7の幅よりも広くなっている。インターポーザー7に面するマイクロチップデバイス1の表面は、インターポーザー7に覆われない領域にチップバッド3を備えている。チップバッド3は、マイクロチップデバイス1と、インターポーザー7との間の接触及び電気接続を可能にする電気接点としての役割を果たす。インターポーザーの表面上インターポーザー7の外側10には、各々のチップバッド3に対し、少なくとも1個の電気接点図示せずが存在する。これらの接点は、図1の下方を向くインターポーザーの表面上に位置している。すなわち、チップバッド3と、インターポーザーの表面上の接点とは、同じ方向に面している。各チップバッド3は、導線5によって、これらの接点の1つに電気的に接続される。さらに、各接点は、電気接続図示せずによって、同じインターポーザー表面上の接点ボール9に電気的に接続される。これらの電気接続は、インターポーザー7の部分である。接点ボール9は、実装マイクロチップデバイス1の電気接続を可能にする電気接点である。導線5は、特にポッティング、ディスペンシング、ダイレクト印刷、トランスファー成形のいずれか、あるいはこれらの手法を組み合わせた適切な加工によって、樹脂25内にカプセル封じされる。パッケージを機械的に安定化させ、インターポーザーの側端部に隣接する表面上の接点図示せずだけでなく、チップバッド3を覆って電気的に絶縁するために、樹脂25は導線5だけでなく、マイクロチップデバイス1の端部もカプセル封じしている。図1のパッケージ設計は、ファンイン設計と呼ばれるCSPチップスケールパッケージングクラスを表している。図2の配置による設計は、ファンアウト設計と呼ばれる別のCSPクラスを表している。ファンイン設計は、導線5またはその他の適切な手段によって電気的に接続される、マイクロチップデバイス1及びインターポーザー7の表面上にある接点の配置に関して、ファンアウト設計とは異なっている。ファンイン設計では、両方の接点グループは、マイクロチップデバイス1またはインターポーザー7の側端部に隣接する表面領域上に分配される。ファンアウト設計では、断面図の中央領域に位置するインターポーザー7またはマイクロチップデバイス1の表面領域上にこれらの接点が配置される。ファンイン設計と、ファンアウト設計とを組み合わせることも可能である。図3に、マイクロチップデバイス1の側端部と背面図3では上向きの両方が樹脂25に覆われるファンアウト設計の変形を示している。したがって、マイクロチップデバイス1は、樹脂25によってカプセル封じされる。この設計によって、特に安定なパッケージが生成される。この設計と比較して、図2の設計による樹脂25は、マイクロチップデバイス1の背面を被覆しない。さらに、図2の実施形態による周辺樹脂25の側端部は、インターポーザー7の側端部に整列される。本発明は、図1から図3に関して説明された設計のみに限定されるものではない。図4に、複数のマイクロチップデバイス1を同時または並列に1回の加工でパッケージング可能であるように、複数のマイクロチップデバイス1に隣接して配置されたインターポーザー7の透視図を示している。図4の配置は、点線のパッケージ輪郭8によって示されるように、パッケージングされる少なくとも9個のマイクロチップデバイス1を備えている。この配置のプロファイルを示すために、配置の右側の一部が切り取られている。図4の配置のインターポーザー7は、単一の部品である。それによって、インターポーザーの取扱いが容易になり、複数のパッケージの量産が加速化される。ただし、複数の部品から成るインターポーザー7を代わりに使用することもできる。インターポーザー7は、複数のアパーチャ領域を備えたアパーチャ11を有し、各アパーチャ領域は、マイクロチップデバイス1の1つのパッケージ領域に対応する。各パッケージ領域には、丸コーナーを備えた長手長方形の断面を有する長手第1開口15が存在する。第1開口15は、外側図4の上側からインターポーザー7を通って、対応するマイクロチップデバイス1の表面にまで延びている。すべてのマイクロチップデバイス1及びこの特定のマイクロチップデバイス1の表面上におけるその他の領域の一例として、図4の中央パッケージにおける実装領域の左側に8個のチップパッド3が示されている。インターポーザー7は、外側上側から第1開口15を通じて、チップパッド3にアクセス可能であるように、マイクロチップデバイスの表面上に配置される。インターポーザー7をマイクロチップデバイス1の隣に配置した後、各々のチップパッド3がインターポーザーパッド6の1つに電気的に接続されるように、導線5またはその他の適切な電導手段を、チップパッド3と、対応する電子インターポーザーパッド6とに提供及び接続する。インターポーザーパッド6は、前記外側に向くインターポーザー7の表面領域の上に配置される。各々のインターポーザーパッド6は、インターポーザーの表面に設置された接点ボール9の1つに電気的に接続接続は図示せずされる。図4の実施形態によるアパーチャ11またはアパーチャ領域は、インターポーザーパッド6の位置する表面領域と、接点ボール9の位置する表面領域との高さが異なるように、段状に形成される。特に、アパーチャ11が、接点ボール9の表面領域の高さにまで充填可能なように、インターポーザーパッド6の高さは低くなっている。ただし、本発明はこの特定の実施形態のみに限定されるものではない。寧ろ、異なる表面の高さを与えるための異なったインターポーザーの段状プロファイルも可能である。また、インターポーザーパッドまたは接点が接点ボールまたはその他の種類の外部接点図1から図3の設計に示された例のようにと同じ高さの表面に配置されるインターポーザーを提供することもできる。アパーチャ領域の異なる第1開口15は、各々2つの第1開口15の間に設置されたブリッジ18によって分離されている。各ブリッジ18は、第1開口15に沿って延び、互いに対向するアパーチャ側端部13を接続するよう、アパーチャ11の片側から反対側にまで延びる2本のタイバー19を有している。各ブリッジ18の2本のタイバー19の間には、インターポーザー7の外側から、インターポーザー7を貫通して、マイクロチップデバイス1の表面の高さにまで延びる第2開口16が設けられている。代替の実施形態では、これらの第2開口の中の少なくとも1つは、インターポーザーの外側から、インターポーザーを貫通せずに、インターポーザーの内部にまで部分的に延びている。両方の実施形態による第2開口16は、アパーチャ11またはアパーチャ領域を少なくとも部分的に充填するよう流し込まれる、液体または溶融絶縁材料の流れを安定化させるための安定化手段としての役割を果たしている。したがって、第1開口15の寸法およびアパーチャ11の両側の対向する位置に配置された接点ボール9の間の距離Dが安定に保たれ、インターポーザー7の取扱いが容易になる。アパーチャ11は、アパーチャ領域にカプセル封じ用材料または充填材料を供給するための通路を形成している。図4の実施形態による通路は、長手形状を有し、一連の後続するアパーチャにより構成されている。図5及び図6に、インターポーザー及びマイクロチップデバイスの別の配置を示している。図5に、接点ボール9の配置された接触面の上面図を示している。インターポーザー7は、単一部分から成り、2つのマイクロチップデバイス1のパッケージングに用いられる。この配置は、ファンイン設計に類似しているが、結果的に生成されるマイクロチップデバイス1の2個のパッケージは、パッケージ輪郭8に沿って分離されることによって、パッケージング後に分割される。アパーチャ11は長手形状を有し、インターポーザーパッド6の位置するインターポーザー7の中央領域において、インターポーザーの側端部に沿って延びている。アパーチャ11は、両方の開端図5の上下及び図6の前後の中間に位置するタイバー19によって細分化されている。タイバー19は、図6から最も明らかなようにマイクロチップデバイス1の表面の高さから、接点ボール9の位置するインターポーザー7の外側の表面の高さにまで延びてはいない。寧ろ、タイバー19は、マイクロチップデバイス1の表面の高さから、インターポーザー7の外側表面の高さとの差の約3分の2の高さにまで延びている。これによって、絶縁材料またはその他の充填材料あるいはカプセル封じ材料が、アパーチャ11の一方の開端から供給された際に、材料がタイバー19を通過可能になる。さらに、アパーチャ11の材料の供給される開端部の領域は、図4の実施形態による第2開口16の1つのように働き、すなわちタイバー19の反対側のアパーチャ領域への材料の流れを安定化させる。図7に、4個のマイクロチップデバイス1をパッケージングするためのトランスファー成形加工の概略図を示している。図7の右側と左側において、各々2個のマイクロチップデバイス1が、トランスファー成形中に供給される材料の供給経路に一列に整列される。図7に示すように、供給材料の流れ方向は、複数の矢印で示されている。材料は、材料源22から2本の供給経路23を通じて供給されて、各々2個のマイクロチップデバイス1が一列に整列されている2つの領域の一方へと導かれる。図8に、供給経路23の終わる領域の一部の詳細を含んだ、そのような領域の部分的な断面を示している。この配置は、カプセル封じ用材料で完全に充填される複数のキャビティを含んでいる。それらのキャビティは、図4の実施形態と同様に細分化されるが、段状輪郭を有していないアパーチャ11と、図1及び図2の実施形態と同様にパッケージの長手方向側端部のカプセル封じを可能にする、各パッケージの両端の周辺キャビティ21と、供給される材料の供給方向に対して、パッケージの前方及び後方に位置する前部及び後部キャビティ24,26とである。前部及び後部キャビティ24,26は、パッケージの前部及び後部のカプセル封じを可能にする。トランスファー成形加工用に、パッケージの外部接点として接点ボール9が配置される、インターポーザー7の表面領域を最低限覆う1つまたは複数のモールド図示せずを提供することもできる。各インターポーザー7は、長手形状を有し、供給経路23の終端領域から、整列された2個のマイクロチップデバイスの第1及び第2パッケージ領域を通って延びている。インターポーザー7は、マイクロチップデバイスの各パッケージにつき各々1個の第1開口15を有している。第1開口は、インターポーザー7の外側から、インターポーザー7を貫通して、対応するマイクロチップデバイス1の表面にまで延びている。さらに、インターポーザー7は、供給方向に、最初のマイクロチップデバイスパッケージの前方と、2つのマイクロチップデバイスパッケージの間と、2番目のマイクロチップデバイスパッケージの後方とに位置する合計3つの分離開口17を有している。すべての分離開口17は、インターポーザー7の外側からインターポーザー7を貫通して延びている。分離開口17は、材料源22から供給経路23を通じて供給される材料の流れを安定化させる。さらに、インターポーザー7の取扱い及び寸法は、第1開口15の1つと、分離開口17の1つとの間に配置された、合計4本のタイバー19によっても安定化される。材料が材料源22から供給経路23を通って供給される際、材料は、第1前方キャビティ24及び第1開口15に到達する前に、供給経路23の終端に隣接して配置された分離開口17に到達する。したがって、充填材料がこの分離開口17を部分的に充填し、第1開口15が完全に充填される前に、他の充填材料が周辺キャビティ21に到達可能になる。したがって、トランスファー成形加工中にマイクロチップデバイス1及びインターポーザー7の長手方向側端部をカプセル封じするのに十分な材料が周辺キャビティ21に提供される。整列された2個のマイクロチップデバイス1の間にある分離開口17によっても同様の効果が達成される。ただし、特にこの分離開口17の長さは、第1マイクロチップデバイス1の前方及び第2マイクロチップデバイス1の後方にある分離開口17の長さよりも長いことに注意する必要がある。分離開口17の長さと、必要に応じて第1開口15の長さとを適切に変更するか、または分離開口17の長さの代わりに第1開口15の長さを適切に変更することで、充填すべき全てのキャビティ15,21,24,26の充填を制御して、満足な充填結果を達成することができる。"