"気相成長装置内で基板上に、III-V族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも1回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。前記気相成長装置内のガスエッチングを、前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に2回以上行うことを特徴とする請求項1に記載の気相成長方法。前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、前記気相成長装置内のガスエッチングを行う方法として、前記III-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程と、該エピタキシャル成長工程よりも処理時間の短い、前記気相成長装置内のガスエッチング工程と、を交互に繰り返すことを特徴とする請求項2に記載の気相成長方法。前記気相成長装置内のガスエッチングを、HClガスを用いて行うことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の気相成長方法。前記III-V族化合物半導体層をGaP層とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の気相成長方法。n型GaAs基板上にAlxGa1-xyIn1-yPただし、0≦x≦1,0≦y≦1からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層を順次積層することによって発光層を形成する工程と、該発光層上に第一の電流拡散層であるp型GaP層を積層する工程と、前記n型GaAs基板をエッチングにより除去する工程と、前記発光層の、前記n型GaAs基板が除去された側の表面に第二の電流拡散層であるn型GaP層を積層する工程と、を有する発光素子用基板の製造方法であって、前記n型GaP層の積層工程において、請求項5に記載の気相成長方法によって、前記発光層の、前記n型GaAs基板が除去された側の表面にn型GaP層を積層することを特徴とする発光素子用基板の製造方法。しかしながら、前記発光層の、前記GaAs基板が除去された側の表面へのGaPの成長速度がバラツキ、その結果GaP層の厚さがバッチ間で大きくバラツキ、これがその後製造される発光素子等の不良の原因となり、歩留まりを落とす大きな原因となることが問題となっていた。このGaPの成長速度のバラツキは、HVPE成長装置内の基板以外の部材、例えばサセプタ上に図3bに示すような原料ガスによるGaPの析出が生じると、その程度によりGaP層の成長が阻害されるために生じるものである。また、GaPのサセプタ上の析出数と、基板上のGaP層の成長速度との間には図2に示すような相関があり、GaPの析出数が多いと基板上のGaP層の成長速度が遅くなり、逆に析出数が少ないと基板上のGaP層の成長速度が速くなることが分かっているが、このGaPの析出数を制御する方法は従来知られていなかった。本発明はこのような従来方法の問題点に鑑みてなされたものであり、HVPE成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるGaPの析出数を抑制することができるハイドライド気相成長方法及び、第二の電流拡散層であるn型GaP層の膜厚をバッチ間において均一化することができる発光素子用基板の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明では、気相成長装置内で基板上に、III-V族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも1回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法を提供する。このようにすれば、気相成長装置内のサセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出物の大きさが小さい段階において、該析出物をガスエッチングにより除去できるため、常にこの析出物によるエピタキシャル成長への影響を抑制した状態で前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長を行うことができる。さらにこれによって、バッチ間における各III-V族化合物半導体層の成長速度を均一なものとし、その結果バッチ間における各III-V族化合物半導体層の厚さのバラツキを確実に低減することができる。またこのとき、前記気相成長装置内のガスエッチングを、前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に2回以上行うことが好ましい。このようにすれば、より確実に前記気相成長装置内のサセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出物を除去することができ、これによってバッチ間における前記III-V族化合物半導体層の成長速度をより均一なものとし、バッチ間における前記III-V族化合物半導体層の厚さのバラツキをより確実に低減することができる。またこのとき、前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、前記気相成長装置内のガスエッチングを行う方法として、前記III-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程と、該エピタキシャル成長工程よりも処理時間の短い、前記気相成長装置内のガスエッチング工程と、を交互に繰り返すことができる。このようにすれば、より効率的に前記気相成長装置内のサセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出物を除去しながら前記III-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させることができるため好ましい。またこのとき、前記気相成長装置内のガスエッチングを、HClガスを用いて行うことが好ましい。このようにすれば、一般的なハイドライド気相成長法において原料ガスとして用いられるHClガスをエッチングガスとして用いるため、前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長と気相成長装置内のガスエッチングをより効率的に行うことができる。またこのとき、前記III-V族化合物半導体層をGaP層とすることができる。このように、本発明のハイドライド気相成長方法における前記III-V族化合物半導体層としては、GaP層が好適である。また、本発明では、n型GaAs基板上にAlxGa1-xyIn1-yPただし、0≦x≦1,0≦y≦1からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層を順次積層することによって発光層を形成する工程と、該発光層上に第一の電流拡散層であるp型GaP層を積層する工程と、前記n型GaAs基板をエッチングにより除去する工程と、前記発光層の、前記n型GaAs基板が除去された側の表面に第二の電流拡散層であるn型GaP層を積層する工程と、を有する発光素子用基板の製造方法であって、前記n型GaP層の積層工程において、上記の気相成長方法によって、前記発光層の、前記n型GaAs基板が除去された側の表面にn型GaP層を積層することを特徴とする発光素子用基板の製造方法を提供する。このような発光素子用基板の製造方法におけるn型GaP層の積層工程において、n型GaAs基板のGaAsに格子整合された発光層上に、GaAsと格子定数の異なるGaPからなるn型GaP層を積層する場合であっても、本発明の気相成長方法を用いることにより、バッチ間における前記n型GaP層の成長速度を均一にすることができ、これによってバッチ間における前記n型GaP層の厚さのバラツキを確実に低減し、歩留まりを落とすことなく高品質な発光素子用基板を製造することができる。以上説明したように、本発明は、気相成長装置内のサセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出物の、エピタキシャル成長への影響を確実に抑制した状態で前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長を行うことができる。さらにこれによって、バッチ間における各III-V族化合物半導体層の成長速度を均一なものとし、これによってバッチ間における各III-V族化合物半導体層の厚さのバラツキを確実に低減することができる。また、発光素子用基板の製造方法におけるn型GaP層の積層工程において、n型GaAs基板のGaAsに格子整合された発光層上に、GaAsと格子定数の異なるGaPからなるn型GaP層を積層する場合であっても、本発明の気相成長方法を用いることにより、バッチ間における前記n型GaP層の成長速度を均一にすることができ、これによってバッチ間における前記n型GaP層の厚さのバラツキを確実に低減し、歩留まりを落とすことなく高品質な発光素子用基板を製造することができる。前述したように、特許文献1等に記載されている方法によって製造された発光素子において、発光層から基板側へ放出される光を取り出すために、GaAs基板を湿式エッチングにより除去して、前記発光層の、前記GaAs基板が除去された側の表面に、光に対して透明なGaP電流拡散層を成長する方法が従来知られている。しかしながら、このような方法においては、n型GaAs基板の材料であるGaAsに格子整合した発光層上に、GaAsとは格子定数の異なるGaPからなるn型GaP層を成長させなければならない。このため、このような条件下におけるGaP層の成長は困難であり、気相成長装置内のサセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出のような外乱要因に影響され易い。そしてこれによって、GaP層の成長速度すなわちGaP層の厚さにバラツキが生じ、その後製造される発光素子の不良の原因となり、歩留まりを落とす大きな原因となることが問題となっていた。このような問題点に鑑みて、本発明者らが鋭意検討した結果、基板上にIII-V族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させている途中に、少なくとも1回該エピタキシャル成長を中断して気相成長装置内のガスエッチングを行うことにより、サセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出を抑制し、GaP層の厚さのバラツキを低減できることを見出し、本発明を完成させた。以下に本発明の気相成長方法の実施形態を図面に基づき詳細に説明するが、本発明はこれのみに限定されるものではない。まず、本発明の気相成長方法を適応することができる気相成長装置について、図1を参照しながら簡単に説明する。尚、図1にはバレル型の気相成長装置を示しているが、その他水平型や縦型等の気相成長装置であっても、本発明の気相成長方法を適応させることが可能である。気相成長装置1は、チャンバー2の内部に、III族金属化合物を生成するIII族金属化合物生成管3を具備する。このIII族金属化合物生成管3は内部に、III族金属を搭載したリザーバ4を有するものである。また、III族金属化合物生成管3は第一のヒーター5によって加熱される。複数のIII族金属元素を含むIII-V族化合物半導体層を形成する場合にはそれらの金属の混合物の比率を調整してリザーバ4に搭載すればよい。気相成長装置1は、さらに、V族元素を導入するV族元素導入管不図示と、基板Wを載置する回転自在のサセプタ6と、各種ガスを排出するガス排出管不図示と、基板Wを加熱する第二のヒーター7等を具備する。このような構造を有する気相成長装置1を用いて、以下のようにIII-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長を行う。まず、基板Wを準備して気相成長装置1内のサセプタ6上に載置する。この基板Wとしては、特には限定されないが、例えばGaAsやGaN等のIII-V族化合物半導体基板とすることができる。その後、基板W上にハイドライド気相成長法によってIII-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。このIII-V族化合物半導体層としては特には限定されないが、例えばGaP層とすることができる。上記ハイドライド気相成長法によるIII-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長方法としては、例えばIII-V族化合物半導体層をGaP層とする場合、HVPE装置1内にてIII族元素である金属GaをIII族金属化合物生成管3内のリザーバ4に搭載し、第一のヒーター5によって所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ga上に塩化水素を導入することにより、下記1式の反応によりGaClを生成させ、キャリアガスであるH2ガスとともに基板W上に供給する。Ga液体HCl気体→GaCl気体1/2H2気体1エピタキシャル成長温度は例えば640°C以上860°C以下に設定する。また、V族元素であるPは、PH3ホスフィンをキャリアガスであるH2とともに基板上に供給する。そして下記2の反応によりGaPを生成させ、基板上に積層させる。GaCl気体PH3気体→GaP固体HCl気体H2気体2このようにして基板W上にIII-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させる場合に、原料ガスの全てが基板W上のエピタキシャル成長に供給されるわけではなく、サセプタ6上等にも堆積が生じる。そこで本発明では、エピタキシャル成長の途中で、少なくとも1回、好ましくは2回以上、より好ましくは5回以上該エピタキシャル成長を中断して気相成長装置1内のガスエッチングを行う。ここで、本発明者らが鋭意研究した結果、気相成長装置内のサセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出物の数及び大きさは、エピタキシャル成長の後半部において共に著しく増加することを見出した。すなわち、ガスエッチングを行うタイミングとしては、特には限定されないが、気相成長装置1内のサセプタ6等の部材に生じた析出物の数が比較的少なく、大きさの比較的小さい段階であるエピタキシャル成長の前半部において行うことが好ましい。またガスエッチングを2回以上行う場合、一度ガスエッチングを行った後に再び生じた析出物の数が比較的少なく、大きさの比較的小さい段階で次のガスエッチングを行うことが好ましい。このようにすれば、より効果的に原料ガスの析出物によるエピタキシャル成長への影響を抑制することができる。また、III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、気相成長装置1内のガスエッチングを行う方法としては、まずエピタキシャル成長工程として、例えば図1aに示したようなガス供給条件で原料ガス及びキャリアガスを気相成長装置1内に供給し、上記の方法でIII-V族化合物半導体層を一定時間例えば1時間エピタキシャル成長させる。次にガスエッチング工程として、ガス供給条件を例えば図1bに示したような条件に切り替えて、エピタキシャル成長工程よりも短い処理時間例えば3分で気相成長装置1内のガスエッチングを行う。そしてこれらエピタキシャル成長工程とガスエッチング工程を交互に繰り返すこととすれば、より効率的に気相成長装置1内のサセプタ6等の部材に生じる原料ガスの析出物を除去しながら前記III-V族化合物半導体層をエピタキシャル成長させることができるため好ましい。また、前記気相成長装置1内のガスエッチングに用いるエッチングガスとして、HClガスを用いれば、一般的なハイドライド気相成長法においては、原料ガスとしてHClガスを用いるため、前記III-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長と気相成長装置1内のガスエッチングをより効率的に行うことができるため好ましい。特に前述のようにエピタキシャル成長工程とガスエッチング工程を繰り返す方法を用いる場合には、エピタキシャル成長工程からガスエッチング工程へとガス供給条件を切り替える際に、図1bのようにHClガスをIII族金属化合物生成管3のリザーバ4に搭載された金属Gaに接触させないように流せば良いため、非常に簡便であり効率的である。ここで、以下に本発明の発光素子用基板の製造方法の実施形態を、図4に示したフロー図に基づき詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず工程1に示すように、成長用基板としてn型GaAs基板110を準備し、洗浄した後、MOVPEリアクターに入れ、前記n型GaAs基板110上にn型GaAsバッファ層120を0.1~1.0μmエピタキシャル成長させる。次に工程2に示すように前記n型GaAsバッファ層120上に、発光層130として各々AlxGa1-xyIn1-yPただし、0≦x≦1,0≦y≦1からなる、厚さ0.8~4.0μmのn型クラッド層131、厚さ0.4~2.0μmの活性層132及び厚さ0.8~4.0μmのp型クラッド層133を、この順序にてエピタキシャル成長させる。尚、上記各層のエピタキシャル成長は、公知のMOVPE法により行なわれる。Al、Ga、In、Pの各成分源となる原料ガスとしては、これらに限定されるわけではないが、例えば以下のようなものを使用できる。Al源ガス:トリメチルアルミニウムTMAl、トリエチルアルミニウムTEAlなど。Ga源ガス:トリメチルガリウムTMGa、トリエチルガリウムTEGaなど。In源ガス:トリメチルインジウムTMIn、トリエチルインジウムTEInなど。P源ガス:トリメチルリンTMP、トリエチルリンTEP、ホスフィンPH3など。また、ドーパントガスとしては、以下のようなものを使用できる。p型ドーパントMg源:ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgなど。Zn源:ジメチル亜鉛DMZn、ジエチル亜鉛DEZnなど。n型ドーパントSi源:モノシランなどのシリコン水素化物など。次に工程3に進み、p型クラッド層133上に厚さ0.05~2.0μmのGaP接続層140をMOVPE法により成長させ、更にその上に、第一の電流拡散層である厚さ5μm~200μmのp型GaP層150を、HVPE法でエピタキシャル成長する。このHVPE法による第一電流拡散層のエピタキシャル成長においても、途中でガスエッチングを行う本発明の気相成長方法を適用することができる。次に、工程4に示すようにエッチング等によりn型GaAs基板110及びn型GaAsバッファ層120を除去する。そして工程5に示すように、n型GaAs基板除去によって露出したn型クラッド層131上に、第二の電流拡散層であるn型GaP層160をHVPE法でエピタキシャル成長させ、発光素子用基板100を製造する。ここで、工程5において、本発明の気相成長法を用いることによって、n型GaP層160のエピタキシャル成長途中に、少なくとも1回、好ましく2回以上、より好ましくは5回以上エピタキシャル成長を中断して気相成長装置内のガスエッチングを行いながらn型GaP層160をエピタキシャル成長させる。これにより、n型GaAs基板110のGaAsによって格子整合された発光層130のn型クラッド層131上に、GaAsと格子定数の異なるGaPからなるn型GaP層160を積層しても、前記気相成長装置内のガスエッチングによってサセプタ等の部材に生じる原料ガスの析出物が除去されているため、このような析出物による影響を受けにくい。これによって、バッチ間における前記n型GaP層の成長速度を均一にすることができ、従ってバッチ間における前記n型GaP層の厚さのバラツキを確実に低減し、歩留まりを落とすことなく高品質な発光素子用基板を製造することができる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例厚さ200μmのn型GaAs単結晶基板を用意し、該基板上にそれぞれn型GaAsバッファ層を0.5μmエピタキシャル成長させ、該n型GaAsバッファ層上に、発光層としてAl0.85Ga0.150.45In0.55Pにからなるn型クラッド層1.0μm、Al0.1Ga0.90.45In0.55Pからなる活性層0.6μm、Al0.85Ga0.150.45In0.55Pからなるp型クラッド層1.0μmをMOVPE法によってこの順序で積層した。そして該p型クラッド層上に、第一の電流拡散層であるp型GaP層を成長させた。このp型GaP層は、発光層側にMOVPE法により厚さ2.0μmのp型GaP接続層を形成した後に、HVPE法により厚さ100μmで形成した。次に前記n型GaAs単結晶基板を湿式エッチングにより除去して、前記発光層の、前記n型GaAs単結晶基板が除去された側の表面に、第二の電流拡散層であるn型GaP層を次の条件でハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させ、発光素子用基板を製造した。<条件>図1aに示したようなガス流量で、1時間エピタキシャル成長を行った後、図1bに示したようなガス条件に切り替えてHClガスによって3分間気相成長装置内のガスエッチングを行い、このサイクルを5回繰り返して、厚さ150μmを目標として前記n型GaP層のエピタキシャル成長を行った。このような発光素子用基板の製造を5回5バッチ行った。本実施例の1バッチの枚数は10枚とした。各バッチにおいて製造した10枚の発光素子用基板におけるn型GaP層の厚さの平均値を計測した結果、以下のようになった。1回目:153μm2回目:151μm3回目:154μm4回目:151μm5回目:152μmこのとき、図3aに示したように、n型GaP層のエピタキシャル成長を開始してから4時間経過した後であっても、各バッチにおいてサセプタ上に析出したGaPの数はいずれも数個であり、大きさは比較的小さいものであった。また、各バッチにおいて製造した発光素子用基板におけるn型GaP層の厚さの平均値の最大値と最小値との差Rは、R=3μmであり、バッチ間におけるn型GaP層の厚さのバラツキが後述する比較例に比べて劇的に良くなっていることが分かる。比較例発光層の、n型GaAs単結晶基板が除去された側の表面に、第二の電流拡散層であるn型GaP層をエピタキシャル成長させる際に、該エピタキシャル成長途中で気相成長装置内のガスエッチングを行わなかったこと以外は実施例と同様にして発光素子用基板の製造を5回5バッチ行った。各バッチの仕込枚数は10枚とした。このとき、n型GaP層の厚さは150μmを目標とし、5時間通してエピタキシャル成長を行った。各バッチにおいて製造した発光素子用基板におけるn型GaP層の厚さの平均値を計測した結果、以下のようになった。1回目:146μm2回目:149μm3回目:168μm4回目:141μm5回目:158μmこのとき、図3bに示したように、n型GaP層のエピタキシャル成長を開始してから3時間後には各バッチにおいてサセプタ上に析出したGaPの数はいずれも数百個あり、大きさは図3bに示したように比較的大きいものばかりであった。また、各バッチにおいて製造した発光素子用基板におけるn型GaP層の厚さの平均値の最大値と最小値との差Rは、R=27μmであり、バッチ間におけるn型GaP層の厚さのバラツキが非常に大きいことが分かる。以上のことから、気相成長装置内で基板上にIII-V族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる際に、エピタキシャル成長途中に、少なくとも1回該エピタキシャル成長を中断して気相成長装置内のガスエッチングを行うことにより、気相成長装置内のサセプタ等の部材における析出物によるエピタキシャル成長への影響を抑制した状態でIII-V族化合物半導体層のエピタキシャル成長を行うことができることがわかる。またこれによって、バッチ間における各III-V族化合物半導体層の成長速度を均一なものとし、これによってバッチ間における各III-V族化合物半導体層の厚さのバラツキを確実に低減できることがわかる。なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。上述の実施の形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様の効果を奏するものはいかなるものであっても、本発明の技術的範囲に包含されることは無論である。"