"基体保持手段の基体保持面の一部の領域に向けてイオンを照射することにより前記基体保持面に保持され回転している複数の基体のうち前記領域に移動してきた特定の基体群のみに前記イオンを照射し、その後前記イオンの照射を中止した状態で、前記基体保持面の全域に向けて撥油膜の成膜材料を供給することにより前記基体のすべてに前記成膜材料を供給し、前記基体の表面に撥油膜を堆積させることを特徴とする成膜方法。請求項1記載の成膜方法において、1枚あたりの基体に対し、成膜材料の供給時間をT1、イオンの照射時間をT2としたとき、T2≦1/2×T1となるようにイオンを照射することを特徴とする成膜方法。請求項1又は2記載の成膜方法において、基体保持手段の基体保持面に対し、成膜材料の供給領域をA1、イオンの照射領域をA2としたとき、A2≦1/2×A1となるようにイオンを照射することを特徴とする成膜方法。請求項1~3の何れか一項記載の成膜方法において、照射領域が前記基体の移動方向に沿って縦長状の閉曲線で囲まれる領域となるようにイオンを照射することを特徴とする成膜方法。請求項1~4の何れか一項記載の成膜方法において、加速電圧が50~1500Vのイオンを用いることを特徴とする成膜方法。請求項1~5の何れか一項記載の成膜方法において、照射イオン電流が50~1500mAのイオンを用いることを特徴とする成膜方法。請求項1~6の何れか一項記載の成膜方法において、少なくとも酸素を含むイオンを用いることを特徴とする成膜方法。複数の基体を保持するための基体保持面を持つ基体保持手段が真空容器内に回転可能に配設された、撥油膜を成膜するための成膜装置において、前記基体保持面の一部の領域に向けてイオンが照射可能となるような構成、配置及び/又は向きで前記真空容器内に設置されたイオン照射手段と、前記基体保持面の全域に向けて成膜材料が供給可能となるような配置及び向きで前記真空容器内に設置された成膜手段とを有し、前記成膜手段の作動開始前に前記イオン照射手段の作動を停止させることを特徴とする成膜装置。請求項8記載の成膜装置において、前記イオン照射手段は、前記基体保持面の全領域の半分以下に対してイオンが照射可能となる配置で、前記真空容器内に配設されていることを特徴とする成膜装置。上述した従来手法によれば、実用に耐えうる耐摩耗性を備えた撥油膜を基板上に成膜することができるが特許文献1の段落0029、近年、撥油膜に対する耐摩耗性のさらなる向上が望まれている。本発明の一側面によれば、実用に耐えうることは勿論、耐摩耗性能がより高められた撥油膜を効率よく成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。本発明によれば、基体保持手段の基体保持面の一部の領域例えばA2に向けてイオンを照射することにより基体保持面に保持され回転している複数の基体のうち前記領域A2に移動してきた特定の基体群のみにイオンを照射しイオン部分照射、その後イオンの照射を中止した状態で、基体保持面の全域例えばA1に向けて撥油膜の成膜材料を供給することにより基体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに成膜材料を供給し、基体の表面に撥油膜を堆積させることを特徴とする成膜方法が提供される。本発明において、1枚あたりの基体に対し、成膜材料の供給時間をT1、イオンの照射時間をT2としたとき、T2≦1/2×T1となるようにイオンを照射することができる。こうしたイオンの部分照射は、例えば、基体保持手段の回転速度及びイオンの照射領域例えばA2の少なくとも何れかを適切に調整することにより実現することができる。本発明において、基体保持手段の基体保持面に対し、成膜材料の供給領域をA1、イオンの照射領域をA2としたとき、A2≦1/2×A1となるようにイオンを照射することができる。この場合、より好ましくは、照射領域が前記基体の移動方向に沿って縦長状の閉曲線で囲まれる領域となるようにイオンを照射する。本発明において、加速電圧が50~1500Vのイオンを用いることができ、及び/又は、照射イオン電流が50~1500mAのイオンを用いることができる。本発明において、少なくとも酸素を含むイオンを用いることができる。本発明によれば、複数の基体を保持するための基体保持面を持つ基体保持手段が真空容器内に回転可能に配設された、撥油膜を成膜するための成膜装置において、前記基体保持面の一部の領域例えばA2に向けてイオンが照射可能となるような構成、配置及び/又は向きで真空容器内に設置されたイオン照射手段と、前記基体保持面の全域に向けて成膜材料が供給可能となるような配置及び向きで真空容器内に設置された成膜手段とを有し、前記成膜手段の作動開始前に前記イオン照射手段の作動を停止させることを特徴とする成膜装置が提供される。本発明において、イオン照射手段は、前記基体保持面の全域の半分以下に対してイオンが照射可能となる配置で真空容器内に配設することができる。本発明において、基体保持手段を回転させる回転手段をさらに有し、イオン照射手段は、基体保持手段の回転する軸線に対してイオン照射手段からイオンが照射される軸線が、6°以上70°以下の角度を有するように真空容器の内部に配設することができる。本発明において、イオン照射手段は、真空容器の側面側に配設することができ、またイオン照射手段は、成膜の際に基体保持面に保持される基体からイオン照射手段までの距離が平均自由行程以下になるように配設することができる。本発明において、イオン照射手段は、少なくとも取り付け角度が調整可能な支持手段を介して真空容器の側面に取り付けることもできる。本発明において、基体保持手段は、平板状又はドーム状、或いは角錐状をなしており、その一方の面から他方の面まで貫通する貫通孔が形成され、成膜の際に基体保持面に保持される基体は、貫通孔を塞ぐように基体保持手段に保持することができる。本発明において、基体及び基体保持手段を加熱するための加熱手段をさらに備えることもできる。本発明によると、基体保持手段の基体保持面に保持され回転している複数の基体表面に撥油膜を堆積させる前成膜開始前に、基体保持手段の基体保持面の一部の領域に向けてイオンを照射することにより基体保持面に保持され回転している複数の基体のうち前記領域に移動してきた特定の基体群のみにイオンを照射するイオン部分照射。本発明によれば、成膜開始前に、基体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに向けてイオンを照射するイオン全面照射を採用する従来手法と比較して、基体とその上に堆積する薄膜との間での結合力が高まり、その結果、従前手法と比較して薄膜の耐摩耗性がより一層高められることを見出した。本発明の手法を講じた場合になぜ薄膜の耐摩耗性がさらに向上するのかの理由は明らかではない。思うに、イオン照射を回転している基体保持手段の一部領域のみに向けて行うことで、各基体に対してイオンが照射されていない時間が確保される。このイオンが照射されていない間に、イオンエッチングによりエネルギー的に不安定な状態となった基体表面原子が安定な状態に戻る、或いは安定な表面原子位置に再配置することとなり、その結果、基体凹凸表面に形成される薄膜原子、分子と、基体表面原子との結合力が向上して、耐摩耗性がより高められるのではないかと推測している。以下、上記発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1に示すように、本実施形態の成膜装置1は、縦置き円筒状の真空容器10を含む。真空容器10は、公知の成膜装置で通常用いられるような概ね円筒の形状を有するステンレス製の容器であり、接地電位とされている。真空容器10には、排気口不図示。本実施形態では図1に向かって右側が設けられており、この排気口を介して真空ポンプ不図示が接続されている。真空ポンプを作動させることで、真空容器10の内部が所定圧力例えば10-4~3×10-2Pa程度に排気されるようになっている。真空容器10には、内部にガスを導入するためのガス導入管不図示が形成されている。真空容器10には、扉不図示。本実施形態では図1に向かって左側を介して、ロードロック室不図示が接続されていてもよい。真空容器10の内部の上方には、基板ホルダ12が保持されている。基板ホルダ12基体保持手段は、垂直軸回りに回転可能に保持されるドーム状に形成されたステンレス製の部材であり、モータ不図示。回転手段の出力軸不図示。回転手段に連結されている。基板ホルダ12の下面基体保持面には、成膜の際に、複数の基板14が支持される。なお、本実施形態の基板ホルダ12の中心には、開口が設けられており、ここに水晶モニタ50が配設されている。水晶モニタ50は、その表面に蒸着物質成膜材料の蒸発物が付着することによる共振周波数の変化から、基板14表面に形成される物理膜厚を膜厚検出部51で検出する。膜厚の検出結果は、コントローラ52に送られる。真空容器10の内部の上方には、基板ホルダ12を上方から包み込むように電気ヒータ53加熱手段が配設されている。基板ホルダ12の温度は、熱電対などの温度センサ54で検出され、その結果はコントローラ52に送られる。コントローラ52は、膜厚検出部51からの出力に基づいて、後述する蒸着源34のシャッタ34a及びイオン源38のシャッタ38aの開閉状態を制御し、基板14へ形成される薄膜の膜厚を適切に制御する。また、コントローラ52は、温度センサ54からの出力に基づいて、電気ヒータ53を制御し、基板14の温度を適切に管理する。なお、コントローラ52は、後述のイオン源38及び蒸発源34の作動開始や作動停止についても管理する。真空容器10の内部の下方には、蒸着源34が配設されている。蒸発源34成膜手段は、本実施形態では抵抗加熱方式直接加熱方式や間接加熱方式などの蒸発源である。蒸発源34は、成膜材料を載せるためのくぼみを上部に備えた坩堝ボート34bと、坩堝34bから基板14に向かう成膜材料を遮断する位置に開閉可能に設けられたシャッタ34aとを備える。シャッタ34aは、コントローラ52からの指令により適宜開閉制御される。直接加熱方式は、金属製のボートに電極を取り付けて電流を流し、直接、金属製のボートを加熱してボート自体を抵抗加熱器とし、この中に入れた成膜材料を加熱する。間接加熱方式は、ボートが直接の熱源ではなく、ボートとは別に設けられた加熱装置、例えば遷移金属などのレアメタルなどからなる蒸着フィラメントに電流を流すことにより加熱する方式である。坩堝34bに成膜材料を載せた状態で、ボート自体あるいはボートとは別に設けられた加熱装置により、成膜材料を加熱し、この状態でシャッタ34aを開くと、坩堝34bから蒸発する成膜材料は基板14に向けて真空容器10の内部を移動し、個々の基板14の表面に付着する。なお、蒸発源34は、抵抗加熱方式に限らず、電子ビーム加熱方式の蒸発源であってもよい。蒸発源34が電子ビーム加熱方式である場合、その蒸発源34は、上記同様、坩堝34b及びシャッタ34aのほか、成膜材料に電子ビームe-を照射し、これを蒸発させる電子銃及び電子銃電源ともに不図示をさらに備えるようにすればよい。本実施形態において、蒸発源34は成膜材料を、モータからの出力を受けて垂直軸回りに回転している基板ホルダ12に保持されるすべての基板14に対して連続して付着させることが可能となるような配置と向きで設置されている。本実施形態において、真空容器10の内部の側面側にはイオン源38が配設されている。ただし本発明において、イオン源38の取り付け位置は真空容器10の内部側面に限定されず、本実施形態のイオン源38イオン照射手段は、上記蒸発源34の作動開始前にイオンビームionbeamを基板14に向けて放出する目的でのみ使用されるイオン照射装置である。イオン源38は、反応ガス例えばO2や希ガス例えばArのプラズマから、正に帯電したイオンO2,Arを引き出し、加速電圧により加速して基板14に向けて射出し、成膜開始前の基板14表面に対してイオンクリーニング処理をするためのものである。イオン源38の上方には、イオン源38から基板14に向かうイオンビームを遮断する位置に開閉操作可能に設けられたシャッタ38aが備えられている。シャッタ38aは、コントローラ52から指令により適宜開閉制御される。本実施形態のイオン源38は、イオンビームを、モータからの出力を受けて垂直軸回りに回転している基板ホルダ12に保持されるすべての基板14に対し、その一部に部分的に照射することが可能となるような構成例えば電極の曲率、配置及び/又は向きで配置されている。具体的には、例えば図2に示すように、回転途中の基板ホルダ12の一部、即ちすべての基板14の一部図2の波線で囲まれる領域A2に移動してきた特定の基板14群に、イオンビームを部分的に照射することができるように、イオン源38が配置されている。なお、このようにイオンビームを照射できるようであれば、イオン源38の取り付け位置は真空容器10の内部側面に限定されない。すなわち、イオンビームの照射領域A2が、蒸着源34による成膜材料の供給領域図2の二点波線で囲まれる領域A1より小さくなるように、イオン源38が配置されるA2<A1。本実施形態では、特に、A2≦1/2×A1となるようにイオン源38が配置されていることが好ましい。イオン源38をこのように配置することで、イオン源38から照射されるイオンビームは、回転中の基板ホルダ12に保持されるすべての基板14の一部に、具体的には領域A2に移動してきた特定の基板14群のみに、部分的に照射される。なお本実施形態のイオン部分照射を所定時間、継続することで、最終的には、基板ホルダ12に保持され回転している複数の基板14のすべてにイオンビームを照射することが可能となる。なお、図2の態様のほかに、例えば図3の一点波線で囲まれる領域A2’で、イオンビームを部分照射することが可能となるように、イオン源38を配置してもよい。ただし、図3の態様では、基板ホルダ12の回転軸図中、×を参照近傍に保持される特定の基板14と、基板ホルダ12の外周近傍に保持される別の基板14との間で、イオンビームの相対的な照射時間が異なることがある。この場合、基板ホルダ12に保持されるすべての基板14の特性が均一化されないこともある。従って、本実施形態では、図2に示すように、基板14の移動方向に沿って縦長状の閉曲線例えば略楕円で囲まれる領域に、イオンビームを照射することができるようイオン源38を配置することが望ましい。図1に戻り、本実施形態では、シャッタ38aの上方には、イオン源38から引き出されるイオンの指向性を調整するための調整壁38b,38bを設けてもよい。これを設けることで、上述したイオン源38の配置如何を問わずに、イオンビームを基板ホルダ12の所定領域例えば図2の領域A2や、図3の領域A2’などに照射させることができる。本実施形態のイオン源38は、真空容器10の側面に、支持装置としてのアタッチメント44を介して取り付けられている。イオン源38を真空容器10の側面側に取り付けることで、これが蒸着源34と同様に、真空容器10の内部下方に配置される場合と比較して、イオン源38から照射されるイオンビームが短い飛行距離で基板14に到達する。その結果、基板14に衝突する際のイオンの運動エネルギーの低下を抑えることができる。また、高い運動エネルギーを保った状態のイオンビームを斜め方向から基板14表面に衝突させることで、基板14表面に対するイオンクリーニング効果をより大きく発現させることができ、基板表面の不純物原子が効果的に除去される結果、基板14表面の原子と撥油分子の結合が促進され、その上に成膜される撥油膜の耐摩耗性能が向上すると考えられる。本実施形態のイオン源38は、蒸着源34の配置位置よりも、イオン源38の本体長さ分以上、基板14に近い位置に配置されている。また、イオン源38の取り付けが容易となるように、真空容器10の側面の一部が傾斜して形成されているが、イオン源38を取り付ける位置は任意である。なお、イオン源38の取り付け位置は、真空容器10の側面に限定されず、蒸着源34と同様に、真空容器10の内部下方であってもよい。いずれにしても、基板ホルダ12に保持される基板14の一部にイオンビームを照射可能となるような位置に取り付けられる。アタッチメント44支持手段は、イオン源38の支持装置であって真空容器10の側面に取り付けられている。アタッチメント44は、真空容器10側に固定されるブラケット不図示と、イオン源38側をブラケットに対して傾斜可能に支持するピン不図示と、イオン源38の傾きを所定位置で固定するネジからなる制動部材不図示とを備える。そのため、イオン源38の取り付け角度を任意に調節することができる。また、真空容器10側にブラケットを配設し、これを位置調整可能なベースプレート不図示に固定することにより、取り付け角度のみならず、高さ方向、半径方向の位置を調整可能に構成されている。なお、高さ方向、半径方向の位置調整は、ベースプレートを上下方向及び半径方向に移動させることで行う。イオン源38の取り付け高さh及び半径方向の位置の変更により、イオン源38と基板14とを適切な距離に調整することができ、取り付け角度の変更により、基板14に衝突するイオンビームの入射角度や位置を調整することができる。イオン源38の高さ方向、半径方向の位置、及び取り付け角度の調整により、イオンビームのロスを最小限に抑え、イオン源38の照射領域例えば図2のA2、図3のA2’に対してイオン電流密度が均一な分布となるように調整する。イオン源38の取り付け角度θは、イオンビームを照射する軸線と、基板ホルダ12の回転軸線とのなす角度のことである。この角度が大きすぎても、小さすぎても、イオンビーム照射による基板クリーニング効果が減少し、撥油膜の耐摩耗性向上の効果が減少、或いは無くなるおそれがある。本実施形態においては、取り付け角度θは6~70°の角度範囲であるときにイオンの部分照射の後、後述するように成膜材料を全面供給して成膜される撥油膜の耐摩耗性をより一層向上させる効果を得ることができる。また、イオン源38からのイオンビームが基板14に到達可能な範囲であれば、基板14表面に斜め方向からイオンビームを入射させる方法は、基板14とイオン源38との距離に依存しない。なお、上記の取り付け角度θは、基板ホルダ12や真空容器10の大きさ若しくは成膜材料によって適宜変更可能なことはもちろんである。取り付け高さhは、イオン源38と基板14との距離が適切になるように設定される。取り付け高さhが高すぎると、取り付け角度θが大きくなりすぎ、一方、取り付け高さhが低すぎると基板14とイオン源38との距離が長くなるとともに取り付け角度θが小さくなりすぎる。よって、取り付け高さhは、適切な取り付け角度θを得ることができる位置である必要がある。イオン源38と基板14との距離は、平均自由行程1と同等若しくはそれ以下であることが望ましい。例えば、平均自由行程1=500mmであれば、イオン源38と基板14との距離も500mm以下にすることが望ましい。イオン源38と基板14との距離を平均自由行程1以下とすることで、イオン源38から放出されたイオンの半数以上を無衝突状態で基板14に衝突させることができる。高いエネルギーを有したままイオンビームを基板14に照射することができるため、その後に成膜材料が全面供給され成膜される撥油膜の耐摩耗性向上の効果が大きい。ここで、イオン源38と基板14の距離とは、イオン源38の中心とイオン源38の中心から基板ホルダ12の成膜面側の中心までの距離をいう。同様に、蒸着源34と基板14の距離とは、蒸着源34の中心と蒸着源34の中心から基板ホルダ12の成膜面側の中心までの距離をいう。また、イオン源38の本体長さとはイオン源38イオン銃の電極からイオンプラズマ放電室の底部までの距離である。イオン源38の取り付け位置は、真空容器10の側面側の位置には限定されず、アタッチメント44によって真空容器10の側面の壁面から離間した位置でもよい。アタッチメント44は半径方向にもイオン源38の位置を調整することができるため容易にこのような配置にすることができる。この場合、より近い位置から、基板14に対してイオンビームを照射することができるため、より低いエネルギー消費電力でもイオン部分照射の効果が得られる。なお、イオン源38を底部に設置してもよい。この場合、底部に台座を設置して台座の上にイオン源38を取り付ければよい。また、イオン源38を真空容器10の側面に取り付けることにより、蒸着源34と基板の間に配置される膜厚補正板不図示によって、イオンビームが妨げられることがなくなるため、イオンのロスが減少するので好ましい。本実施形態に係る成膜装置1によれば、イオンビームを部分照射可能な配置で、イオン源38が配置されている。具体的には、イオン源38によるイオンビームの照射領域A2が、蒸着源34による成膜材料の供給領域A1よりも小さくなるA2<A1ようにイオン源38を配置してある。こうした構成の成膜装置1を用いれば、基板ホルダ12の基体保持面の一部の領域に向けてイオンビームを照射することができ、その結果、基板ホルダ12に保持されて回転する複数の基板14のうち前記領域に移動してきた特定の基板14群のみにイオンビームを照射することができるイオン部分照射。その結果、イオンビームの照射領域A2を、成膜材料の供給領域A1と同様に、基板ホルダ12の全面すなわち、すべての基板14に対して照射とするように構成した従来の成膜装置を用いた場合と比較して、イオン照射を回転している基板ホルダ12の一部領域のみに向けて行うことで、各基板14に対してイオンが照射されていない時間が確保される。このイオンが照射されていない間に、イオンエッチングによりエネルギー的に不安定な状態となった基板14の表面原子が安定な状態に戻る、或いは安定な表面原子位置に再配置することとなり、その結果、基板14の凹凸表面に形成される薄膜原子、分子と、基板14の表面原子との結合力が向上して、撥油膜の耐摩耗性がより高められる。特に、A2がA1の半分以下となるA2≦1/2×A1ように基板ホルダ12の回転速度及びイオンの照射領域の一方又は双方を調整することで、こうした効果をより一層顕著に発揮させることができる。次に、成膜装置1を用いた成膜方法の一例を説明する。本実施形態において、蒸発源34のボートに充填する撥油性膜の形成原料としての成膜材料の形態は、特に限定されず、例えば、a多孔質セラミックに疎水性反応性有機化合物を含浸させたものや、b金属繊維又は細線の塊に疎水性反応性有機化合物を含浸させたものを用いることができる。これらは、多量の疎水性反応性有機化合物を素早く吸収し、蒸発させることができる。多孔質セラミックは、ハンドリング性の観点からペレット状で用いることが好ましい。金属繊維又は細線としては、例えば鉄、白金、銀、銅などが挙げられる。金属繊維又は細線は、十分な量の疎水性反応性有機化合物を保持できるように絡みあった形状のもの、例えば織布状や不織布状のものを用いることが好ましい。金属繊維又は細線の塊の空孔率は、疎水性反応性有機化合物をどの程度保持するかに応じて決定することができる。成膜材料として、金属繊維又は細線の塊を用いる場合、これを一端が開放した容器内に保持することが好ましい。容器内に保持した金属繊維又は細線の塊もペレットと同視することができる。容器の形状は特に限定されないが、クヌーセン型、末広ノズル型、直筒型、末広筒型、ボート型、フィラメント型等が挙げられ、成膜装置1の仕様によって適宜選択することができる。容器の少なくとも一端は開放されており、開放端から疎水性反応性有機化合物が蒸発するようになっている。容器の材質としては、銅、タングステン、タンタル、モリブデン、ニッケル等の金属、アルミナ等のセラミック、カーボン等が使用可能であり、蒸着装置や疎水性反応性有機化合物によって適宜選択する。多孔質セラミックペレット、及び容器に保持した金属繊維又は細線の塊からなるペレットのいずれも、サイズは限定されない。多孔質セラミック又は金属繊維又は細線の塊に疎水性反応性有機化合物を含浸させる場合、まず疎水性反応性有機化合物の有機溶媒溶液を作製し、浸漬法、滴下法、スプレー法等により溶液を多孔質セラミック又は金属繊維又は細線に含浸させた後、有機溶媒を揮発させる。疎水性反応性有機化合物は反応性基加水分解性基を有するので、不活性有機溶媒を使用するのが好ましい。不活性有機溶媒としては、フッ素変性脂肪族炭化水素系溶剤パーフルオロヘプタン、パーフルオロオクタン等、フッ素変性芳香族炭化水素系溶剤m-キシレンヘキサフロライド、ベンゾトリフロライド等、フッ素変性エーテル系溶剤メチルパーフルオロブチルエーテル、パーフルオロ2-ブチルテトラヒドロフラン等、フッ素変性アルキルアミン系溶剤パーフルオロトリブチルアミン、パーフルオロトリペンチルアミン等、炭化水素系溶剤トルエン、キシレン等、ケトン系溶剤アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等等が挙げられる。これらの有機溶媒は単独でも2種以上を混合しても良い。疎水性反応性有機化合物溶液の濃度は限定的ではなく、疎水性反応性有機化合物を含浸する担体の形態に応じて、適宜設定することができる。なお本実施形態において、成膜材料の加熱は、抵抗加熱方式に限定されず、ハロゲンランプ、シーズヒータ、電子ビーム、プラズマ電子ビーム、誘導加熱等を用いることもできる。1まず、基板ホルダ12の下面に、複数の基板14をその成膜面が下向きになる状態でセットする。基板ホルダ12にセットする基板14基体は、形状が例えば板状やレンズ状などに加工されたガラスやプラスチックや金属で構成することができる。なお、基板14は、固定前あるいは固定後に、湿式洗浄しておくことが好ましい。2次に、基板ホルダ12を真空容器10の内部にセットした後、真空容器10内を例えば10-4~10-2Pa程度にまで排気する。真空度が10-4Paより低いと、真空排気に時間を要し過ぎて生産性を低下させるおそれがある。一方、真空度が10-2Paより高いと、成膜が不十分となることがあり、膜の特性が劣化するおそれがある。3次に、電気ヒータ53に通電して発熱させ、基板ホルダ12を例えば5~60rpm、好ましくは10~40rpmで回転させる。この回転により複数の基板14の温度と成膜条件を均一化させる。コントローラ52は、基板14の温度が、例えば常温~120°C、好ましくは50~90°Cになったことを温度センサ54の出力により判定すると、成膜工程に入る。基板温度が常温未満では成膜される薄膜の密度が低く、十分な膜耐久性が得られない傾向がある。基板温度が120°Cを超えると基板14としてプラスチック基板を用いている場合に、その基板14の劣化や変形が起きる可能性がある。なお、無加熱成膜が好適な材料を用いる場合には常温で成膜することもある。本実施形態では、成膜工程に入る前に、イオン銃38をアイドル運転状態としておく。また、蒸発源34も、シャッタ34aの開動作によって直ちに成膜材料を拡散放出できるように準備しておく。4次に、コントローラ52は、イオン銃38の照射電力パワーをアイドル状態から所定の照射電力に増大させ、シャッタ38aを開き、回転途中の個々の基板14の表面にイオンビームを照射する。すなわち、個々の基板14の成膜面に対し、イオン銃38から引き出される導入ガスここでは酸素のイオンビームを照射する工程が行われる。本実施形態では、撥油膜の成膜に先立ち、基板ホルダ12に保持され、基板ホルダ12の自転に伴って公転している複数の基板14のすべてに対して、その一部に対してのみ連続してイオン部分照射を行うことを特徴とする。イオンビームの部分照射の条件は、以下の通りである。イオン銃38へ導入するガス種としては、少なくともアルゴン又は酸素を含んでいればよく、アルゴンと酸素との混合ガスであってもよいが、好ましくはアルゴンと酸素との混合ガスである。上記ガス種の導入量混合ガスである場合には合計導入量は、例えば1sccm以上、好ましくは5sccm以上、より好ましくは20sccm以上であり、かつ例えば100sccm以下、好ましくは70sccm以下、より好ましくは50sccm以下である。sccmとは、standardcc/mの略で、0°C、101.3kPa1気圧におけるものを示す。イオンの加速電圧Vは、例えば50~1500V、好ましくは500~1300V、より好ましくは700~1200Vである。イオンの照射電流Iは、例えば50~1500mA、好ましくは200~1300mA、より好ましくは400~1200mAである。基板ホルダ12の基体保持面に向けたイオン照射の時間T1は、例えば1~800秒、好ましくは10~100秒程度とする。基板ホルダ12に向けたイオン照射領域A2を蒸着源34による成膜材料の供給領域A1の半分に設定した場合におけるイオン照射を、基板ホルダ12の基体保持面に対して例えば600秒間行った場合、基体保持面にセットされている1枚あたりの基板14に対し、照射時間の半分つまりT2=300秒しかイオンが照射されないことになる。本実施形態では、上述したようにイオン源38がイオンビームを部分照射可能な配置で配置されているA2<A1。特に、A2≦1/2×A1となるようにイオン源38を配置することで、T2≦1/2×T1となるようにイオンビームを照射することが好ましい。なお、A2≦1/2×A1となるようにイオン源38を配置するとともに、基板ホルダ12の回転速度を変動させることで、T2≦1/2×T1となるようにイオンビームを照射することもできる。T2≦1/2×T1となるようにイオンビームを照射することで、基板14の表面に堆積される薄膜の膜質の改善が効果的に図られる。ここでの膜質の改善とは、同じ撥油剤を用いても蒸着後の撥油膜の耐摩耗性能が向上することである。5次に、コントローラ52は、イオン銃38の照射電力をアイドル状態に戻し、シャッタ38aを閉じるとともに、シャッタ34aを開き、撥油性膜の形成原料としての成膜材料の抵抗加熱方式による真空蒸着を行う成膜処理。すなわち、斜め照射によるイオンビームの部分照射後の基板14の成膜面に対し、蒸発源34から成膜材料を例えば3~20分の間、飛散させ、成膜処理を行う。その結果、個々の基板14表面には撥油膜が、所定厚み例えば1~50nmで形成される。コントローラ52は、基板14上に形成される薄膜の膜厚を水晶モニタ50により監視し続け、所定の膜厚になると蒸着を停止する。これにより、複数の基板14の表面に撥油膜を所定膜厚で成膜することができ、撥油膜基材を得ることができる。本実施形態に係る成膜装置1を用いた成膜方法によれば、基板ホルダ12の基体保持面の一部の領域に向けてイオンビームが照射され、その結果、基板ホルダ12に保持され回転している複数の基板14のうち前記領域に移動してきた特定の基板14群のみにイオンビームが照射されるイオン部分照射。その結果、イオンビームの照射領域A2が、蒸着源34による成膜材料の供給領域A1よりも小さくなるA2<A1ようにイオンビームが部分照射される。このように、成膜開始前に、イオン源38によるイオンビーム部分照射を行うことで、成膜開始前にイオンビームの照射を全面照射する従来技術と比較して、イオン照射を回転している基板ホルダ12の一部領域のみに向けて行うことで、各基板14に対してイオンが照射されていない時間が確保される。このイオンが照射されていない間に、イオンエッチングによりエネルギー的に不安定な状態となった基板14の表面原子が安定な状態に戻る、或いは安定な表面原子位置に再配置することとなり、その結果、基板14の凹凸表面に形成される薄膜原子、分子と、基板14の表面原子との結合力が向上して、撥油膜の耐摩耗性がより高められる。特に、T2がT1の半分以下となるT2≦1/2T1ように基板ホルダ12の回転速度及びイオンの照射領域の一方又は双方を調整することで、こうした効果をより一層顕著に発揮させることができる。本実施形態の成膜方法により得られる撥油膜基材の撥油膜は、実用に耐えうることは勿論、その耐摩耗性能がより高められている。具体的には、撥油膜は、1kg/cm2の荷重によるスチールウール0000を、1000回好ましくは2000回を超えて往復させても油性ペンによるインクを拭き取れるように、その耐摩耗性がより高められている。従って、本実施形態により得られる撥油膜基材は、撥油性が要求される用途、例えば、各種ディスプレイ例えばプラズマディスプレイパネルPDP、ブラウン管CRT、液晶ディスプレイLCD、エレクトロルミネッセンスディスプレイELDなど;ショーケース;時計や計器のカバーガラス;銀行ATMや切符の券売機などのタッチパネル式電子機器のタッチ面;上記各種ディスプレイを持つ携帯電話やパソコンなどの各種電子機器;などに、好適に用いることができる。なお、撥油膜の成膜手順は上記手順に限定されない。例えば、真空容器10の内部下方に、蒸着源34以外の蒸着源例えば電子ビーム加熱方式などを配設し、イオンビーム斜め照射による基板14表面のクリーニングに続き、別途配設した蒸着源図示省略により基板ホルダ12に保持されたすべての基板14のクリーニング面上にSiO2やAl2O3などの無機膜を数nm程度で成膜した後、蒸着源34を作動させて該無機膜上に撥油膜を成膜してもよい。この態様によっても、基板ホルダの全面に向けたイオンビーム照射により一度にすべての基板表面をクリーニングする従来手法と比較して、得られる撥油膜の耐摩耗性がより高められる。次に、上記発明の実施形態をより具体化した実施例を挙げ、発明をさらに詳細に説明する。《実験例1》本例では、図1に示す成膜装置1を準備し、下記条件で成膜して撥油性基材サンプルを得た。なお、本例のイオンビームの照射領域A2を基板ホルダ12に対する位置関係で示した様子を図4に示す。基板としてBK7屈折率n=1.52を用い、基板ホルダの回転速度RSを30rpmとした。イオン照射については、照射開始時の基板温度を100°Cとし、イオン源の条件を以下とした。本例において、1枚あたりの基板に対するイオンビームの照射時間T2は180秒であった。導入ガス種及び導入量:O2を50sccm。イオン加速電圧:1000V。照射イオン電流:500mA。基板ホルダに向けたイオンビームの照射時間:300秒。撥油膜の成膜については、成膜開始時の基板温度を100°Cとし、成膜条件を以下とした。成膜材料:キャノンオプトロン社製の撥油剤商品名:OF-SR、成分名:含フッ素有機珪素化合物。成膜時間T1:500秒。《耐摩耗性の評価》得られた撥油性基材サンプルの撥油膜の表面に、1cm2のスチールウール0000を載せ、1kg/cm2の荷重をかけた状態で、50mmの直線上を1往復1秒の速さで擦傷試験を行った。この擦傷試験の往復100回毎に、試験面撥油膜面に、油性マジックペン有機溶媒型マーカー、商品名:マッキー極細、セブラ社製で線を描き、油性マジックペンの有機溶媒型インクを乾燥布で拭き取れるか否かを評価した。その結果、有機溶媒型インクを拭き取ることができた最大擦傷往復回数は、2200であった。《水接触角の評価》得られた撥油性基材サンプルの撥油膜の表面に、1cm2のスチールウール0000を載せ、1kg/cm2の荷重をかけた状態で、50mmの直線上を1往復1秒の速さで5000回、擦傷を行った後、JIS-R3257のぬれ性試験に準拠した方法で、撥油膜上の水に対する接触角を測定した。具体的には、試験台に撥油性基材サンプルを載置し、擦傷後の撥油膜側に蒸留水を滴下し、静置した状態で水滴の接触角を光学的に測定することにより行った。その結果、105度であった。《実験例2》基板ホルダの基板セット面に対する、蒸着源による成膜材料の供給領域と、イオン源によるイオンビームの照射領域がともに同一である、従来の成膜装置図示省略を準備した。この成膜装置を用いて、実験例1と同一条件で成膜して撥油性基材サンプルを得た。なお、本例のイオンビームの照射領域A1を基板ホルダ12に対する位置関係で示した様子を図5に示す。なお、本例における、1枚あたりの基板に対するイオンビームの照射時間T2は基板ホルダに向けたイオンビームの照射時間:300秒と同一であった。得られた撥油性基材サンプルの撥油膜に対する最大擦傷往復回数は1100であり、実験例1のサンプルと比較して耐摩耗性に劣っていることが確認できた。ただし、最大擦傷往復回数:1100であっても、十分に耐摩耗性があり、十分に実用に耐えうるものと判断される。また撥油性基材サンプルの撥油膜表面における擦傷後の、水に対する接触角を同様に測定したところ40度であり、実験例1のサンプルと比較して擦傷後の水に対する接触角が低下しており、耐摩耗性の劣化が確認できた。"