"熱界面材料中のグラファイトナノファイバを整列させて前記熱界面材料の性能を高めるための方法であって、前記グラファイトナノファイバを、磁性触媒シードの周囲で所定配置を取るグラファイト粒子から作成することと、前記グラファイトナノファイバを熱界面材料中に分散させることと、前記熱界面材料中の前記グラファイトナノファイバを整列させるのに十分な強度の磁界を印加することとを含む、方法。前記磁性触媒シードは、金属である、請求項1に記載の方法。前記熱界面材料をシート型にキャストすることと、前記熱界面材料を所望のフットプリントに切断することとを含む、請求項1に記載の方法。前記グラファイト粒子は、前記グラファイトナノファイバ内で前記触媒シードの周囲で矢筈状配置を取る、請求項1に記載の方法。前記グラファイトナノファイバは、グラファイトファイバの伝導軸に沿って整列する、請求項1に記載の方法。前記グラファイトナノファイバは、前記熱界面材料の嵌合面に対して垂直に整列する、請求項5に記載の方法。相変化基材中の前記グラファイトナノファイバは、前記相変化基材の量を基準として4乃至10重量パーセントの範囲内にある、請求項1に記載の方法。相変化基材中の前記グラファイトナノファイバは、約5重量パーセントである、請求項1に記載の方法。前記グラファイトナノファイバを作成することが、磁性触媒金属シードを整列させるのに十分な強度の第1の磁界を印加することと、前記磁性触媒金属シードの周囲に配置された炭素粒子から前記グラファイトナノファイバを作成することとを含む、前記いずれかの請求項に記載の方法。熱界面材料中のグラファイトナノファイバを整列させて前記熱界面材料の性能を高めるためのシステムであって、前記グラファイトナノファイバを、磁性触媒シードの周囲で所定配置を取るグラファイト粒子から作成するための手段と、前記グラファイトナノファイバを前記熱界面材料中に分散させるための手段と、前記熱界面材料中の前記グラファイトナノファイバを整列するのに十分な強度の磁界を印加するための手段とを備える、システム。前記磁性触媒シードは、金属である、請求項10に記載のシステム。前記熱界面材料をシート型にキャストするための手段と、前記熱界面材料を所望のフットプリントに切断するための手段とを備える、請求項10に記載のシステム。前記グラファイト粒子は、前記グラファイトナノファイバ内で前記触媒シードの周囲で矢筈状配置を取る、請求項10に記載のシステム。前記グラファイトナノファイバは、グラファイトファイバの伝導軸に沿って整列する、請求項10に記載のシステム。前記グラファイトナノファイバは、前記熱界面材料の嵌合面に対して垂直に整列する、請求項10に記載のシステム。相変化基材中の前記グラファイトナノファイバは、前記相変化基材の量を基準として4乃至10重量パーセントの範囲内にある、請求項10に記載のシステム。相変化基材中の前記グラファイトナノファイバは、約5重量パーセントである、請求項10に記載のシステム。第1の表面と前記第1の表面の反対側の第2の表面との間の厚みを有する熱界面材料であって、複数のカーボンナノファイバCNFを含み、前記CNFの大部分は前記第1の表面の面に直交して配向する、熱界面材料。熱界面材料であって、前記熱界面材料の第1の表面と前記熱界面材料の第2の表面との間の厚みを有し、複数のカーボンナノファイバCNFをさらに含み、前記CNFの大部分は前記第1の表面の面に直交して配向する、熱界面材料と、第3の表面を有する第1の物体と、第4の表面を有する第2の物体とを備え、前記熱界面材料は、前記第3の表面と前記第4の表面との間に挟まれる、装置。前記CNFの大部分は、前記熱界面材料中の前記CNFを整列させるのに十分な強度の磁界によって、前記第1の表面に直交して配向する、請求項19に記載の装置。前記CNFは、磁性触媒シードを含む、請求項20に記載の装置。相変化基材中の前記CNFは、前記相変化基材の量を基準として4乃至10重量パーセントの範囲内にある、請求項20の記載の装置。相変化基材中の前記CNFは、約5重量パーセントである、請求項20に記載の装置。本発明は、グラファイトナノファイバを整列させて熱界面材料の性能を高めるための方法及びシステムを提供する。例示的な実施形態は、グラファイトナノファイバを整列させて熱界面材料の性能を高めるための方法を含む。本発明の例示的な実施形態は、熱界面材料中のグラファイトナノファイバを整列させて熱界面材料の性能を高めるための方法及びシステムを提供する。この方法は、矢筈状配置herringboneconfigurationのグラファイトナノファイバを調製することと、矢筈状配置のグラファイトナノファイバを熱界面材料中に分散させることとを含む。この方法は、熱界面材料中のグラファイトナノファイバを整列させるのに十分な強度の磁界を印加することをさらに含む。別の例示的な実施形態は、グラファイトナノファイバを整列させて熱界面材料の性能を高めるためのシステムを含む。構成の観点から簡単に説明すると、特にシステムの1つの実施形態は、以下のように実装される。システムは、矢筈状配置で構成されたグラファイトナノファイバと、矢筈状配置のグラファイトナノファイバを熱界面材料中に分散させるための手段とを含む。システムは、熱界面材料中のグラファイトナノファイバを整列させるのに十分な強度の磁界を印加するための手段をさらに含む。本発明のこれら及び他の態様、特徴及び利点は、図面及び本明細書における詳細な説明を参照して理解され、添付の特許請求の範囲で詳細に示される種々の要素及び組合せによって実現される。上記の全般的な説明、及び、以下の図面の簡単な説明及び発明の詳細な説明は、両方とも、本発明の好ましい実施形態の例示及び説明であり、特許請求される発明を限定するものではないことを理解されたい。ここで、本発明の実施形態を、例示のみの目的で、添付の図面を参照しながら説明する。本発明は、本開示の一部分を構成する添付の図面と関連して解釈される以下の発明の詳細な説明を参照することで、より容易に理解することができる。本発明は、本明細書に示され、及び又は説明される、特定の装置、方法、条件又はパラメータに限定されるものではないこと、及び、本明細書において用いられる用語は、特定の実施形態を単なる例として説明する目的で用いられるものであり、特許請求される発明を限定することを意図するものではないことを理解されたい。本発明の1つ又は複数の例示的な実施形態を以下、詳細に説明する。開示される実施形態は、その数多くの改変及びバリエーションが当業者には明白であることから、単に例証的なものであることが意図される。特定の種類のカーボンナノファイバを熱界面材料の中に混和することでそのような材料に熱伝導性を付与することができることは、十分に確立されている。カーボンナノファイバCNFは、種々の周知技術によって、熱界面材料中に分散させることができる。これらの技術には、後で成形して熱伝導性物品を形成することができる混合物を形成するための、溶融、混錬及び分散ミキサが含まれるが、これらに限定されるものではない。ナノファイバは、100ナノメートルのオーダーの直径を有する繊維と定義される。それらは、界面重合及び静電紡糸によって生成することができる。カーボンナノファイバは、触媒コアの周囲での触媒的合成によって生成されるグラファイト化された繊維である。グラファイト小板13がその周囲に形成される触媒コアは、例示的な目的で、金属シード又は触媒金属シード12と呼ばれ、触媒金属シード12は、鉄、コバルト、又はニッケルのような磁性を有する材料である。磁気的に整列可能なグラファイトナノファイバを形成するために適切なその他の非金属材料は、本発明の範囲内である。金属コアグラファイトナノファイバ11は、触媒金属シード12の周囲で多くの形状で成長することができる。菱形状の触媒金属シード12を有する金属コアグラファイトナノファイバ11の実施形態の1つの例が、図1、図2及び図7-図9に示される。物理的な視点で見ると、金属コアグラファイトナノファイバは、長さが5ミクロンから100ミクロンまで様々であり、直径は5nmから100nmまでの間である。金属コアグラファイトナノファイバ11は、繊維の長軸に対して種々の配向で配列されるグラファイト小板13を含み、様々なコンホメーションを生じさせる。1つの実施形態において、金属コア上へのグラファイトナノファイバの堆積に先立って、金属触媒に磁界が印加される。磁界の印加に伴い、シードの磁極は磁界に沿って整列し、その後、堆積の後で印加される磁界中で回転するにつれて、付着したグラファイトナノファイバを同伴して運ぶことになる。菱形状の触媒金属シード12を用いると、グラファイト小板13の大部分は、外部磁界が規定する通りに繊維の軸に沿って整列することになり、その結果、触媒金属シード12はその磁極を外部磁界に垂直又は平行に整列させることができる。シード粒子は、堆積した金属コアグラファイトナノファイバ11が山形シェブロンを形成するような、長菱形に限られない。グラファイト小板13は、無数の形状のうちのどのような形状を呈することもできる。触媒金属シード12が矩形の板である場合には、グラファイト小板13は、板として堆積する。触媒金属シード12が円筒形である場合には、グラファイト小板13は、円筒形の板として堆積する。触媒金属シード12が小さな棒である場合には、グラファイト小板13は、矩形の棒の長軸に沿った矩形の中実体solidとして堆積する。グラファイト小板13は、触媒金属シード12の表面の幾何学形状を呈する。グラファイトナノファイバは、その顕著な熱伝導性のため、電子工学の分野においてかなり注目されてきた。そのうえ、グラファイトナノファイバの熱伝導性は異方性である。異方性とは、方向に依存する特性であり、全方向での均一性を意味する等方性の反対である。したがって、本発明は、グラファイトナノファイバを伝導軸に沿って効果的に整列させることによってグラファイトナノファイバの異方性の性質の利点を生かし、それにより、比較的低い添加量レベルで例外的な熱伝導性を有する熱界面材料を生成する。熱界面材料は、マイクロプロセッサとヒートシンクとの間のような熱伝達面間の間隙を埋めて、熱伝達効率を高めるために用いられる。これらの間隙は、通常は、非常に伝導性に乏しい導体である空気で満たされている。熱界面材料は、多くの形態を取ることができる。最も一般的なのは白色のペースト即ち熱伝導グリースであり、典型的には、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、又は窒化ホウ素が充填されたシリコーンオイルである。別のタイプの熱界面材料は、相変化材料である。相変化材料は、室温では固体であるが、動作温度において液化してグリースのように挙動する。相変化材料は、高い融解熱を有する物質であり、特定の温度で融解及び凝固するときに、大量のエネルギーを貯蔵及び放出することが可能である。材料が固体から液体に及びその逆に変化するときに熱が吸収又は放出されるので、相変化材料は潜熱貯蔵ユニットに分類される。相変化材料の潜熱貯蔵は、固体-固体、固体-液体、固体-気体及び液体-気体の相変化を通じて達成することができる。しかし、相変化材料に用いられる唯一の相変化は、固体-液体変化である。液体-気体相変化は、気相状態にあるときの材料を格納するのに必要となる大きな容積又は高い圧力のため、蓄熱としての使用には実用的でない。ただし、液体-気体遷移は、固体-液体遷移よりも高い転移熱を有する。固体-固体相変化は、典型的には非常に遅く、どちらかと言えば低い転移熱を有する。最初は、固体-液体相変化材料は、顕熱貯蔵材料と同様に挙動し、その温度は、吸熱するにつれて上昇する。しかし、従来の顕熱貯蔵とは異なり、相変化材料は、相変化する温度即ち、融解温度に達したときに、ほとんど一定の温度で大量の熱を吸収する。相変化材料は、全ての材料が液相に変換されるまで、有意な温度上昇を伴わずに吸熱し続ける。液体材料周囲の環境温度が下がったときには、相変化材料は、蓄えた潜熱を放出しながら凝固する。-5°Cから190°Cまでの必要とされる任意の温度範囲において、多数の相変化材料が利用可能である。人間が快適な20°Cから30°Cまでの範囲内では、いくつかの変化材料は非常に効果的である。それらは、水、石材、又は岩などの従来の蓄熱材よりも単位体積当たり5倍から14倍の熱を蓄えることができる。金属コアグラファイトナノファイバ11がそれ以上処理されることなく熱界面材料10の中に配合されると、金属コアグラファイトナノファイバ11は、図3に示されるように、熱界面材料の長軸に対してランダムに分布する。金属コアグラファイトナノファイバ11は、嵌合面に対して様々な配向で置かれる。その結果として、熱伝導性の異方性の性質の完全な利点を実現することはできない。選択された触媒金属シード12図1及び図2が磁性体例えば、Ni又はCoである場合には、金属コアグラファイトナノファイバ11を、適切な母材中に分散させ、次いで磁界中で整列させて、図4に示されるように、伝導軸を所望の方向に配向させることができる。伝導軸に関する金属コアグラファイトナノファイバ11の整列は、熱界面材料10の熱伝導性を大幅に改善する。例えば、典型的なパラフィン系相変化材料の熱伝導性は、約5重量のランダムに分散したグラファイトナノファイバを混和することよって20倍高めることができる。その後の、グラファイトナノファイバを整列させる操作の結果、相変化熱界面材料10中で軸方向に整列した金属コアグラファイトナノファイバ11が得られる。グラファイトナノファイバを有する典型的なパラフィン系相変化材料の熱伝導性は、金属コアグラファイトナノファイバ11を軸方向に整列させることにより、約5重量のグラファイトナノファイバを用いて、300倍高めることができる。図5は、2つの物体21及び23間で磁界によってそれぞれ整列した金属コアグラファイトナノファイバ11を有する熱界面材料10の例を示すブロック図である。1つの実施形態において、物体21は典型的には集積回路であり、物体23はプリント回路基板である。しかし、他の代替的な実施形態においては、熱界面材料10は、ベイパーチャンバと蓋付きダイとの間、冷却板と集積回路/蓋付きダイとの間、又は冷却板と発熱電子部品例えば、可変変圧器モジュールとの間に配置することができる。さらに他の代替的な実施形態においては、熱界面材料10は、任意の発熱部品と任意の放熱構造体との間に配置することができる。図6は、グラファイトナノファイバ整列システム100において金属コアグラファイトナノファイバを整列させる方法の例を示す流れ図である。ステップ102において、グラファイトナノファイバ整列システム100は、文献公知の方法に従って、矢筈状配置の金属コアグラファイトナノファイバ11を調製する。ステップ103において、相変化基材が融解される。1つの実施形態において、相変化基材は、相変化材料の融解温度より10-20°C高い温度で融解される。1つの実施形態において、相変化基材は、パラフィンをベースとする材料である。別の実施形態において、相変化基材は、これらに限定されないが、パラフィンCnH2n2、脂肪酸CH3CH22nCOOH、金属塩水和物MnH2O、及び共晶塩の水溶液であることが多いとすることができる。さらに別の実施形態において、グラファイトナノファイバは、最終的には硬化してパッドになる熱界面材料として用いられる、シリコーンをベースとするゲル又はペーストの中に分散させることができる。したがって、同じ方法を用いて、シリコーン樹脂中のグラファイトナノファイバを整列させ、次いでシリコーンを硬化させ、パッドを所望のフットプリントに切断することができる。ステップ104において、金属コアグラファイトナノファイバ11は、十分に確立された方法を用いて、融解物中に分散させることができる。1つの実施形態においては、高速分散ミキサを用いることができる。本発明の相変化基材中の金属コアグラファイトナノファイバの量は、典型的には、相変化基材の量を基準として4乃至10重量パーセントの範囲内、好ましくは~5重量パーセントである。金属コアグラファイトナノファイバ11は、典型的には、相変化基材の容積全体にわたって本質的に均一に分散される。ステップ105において、相変化材料は、シート型にキャストされる。相変化材料及びキャストの温度は、ステップ103において得られた融解温度におおよそ維持される。ステップ106において、金属コアグラファイトナノファイバを整列させるために、十分な強度の磁界が、金属コアグラファイトナノファイバ11を含む相変化材料に印加される。1つの実施形態において、金属コアグラファイトナノファイバ11の長軸は、嵌合面に対して垂直な配向で整列する。別の実施形態において、金属コアグラファイトナノファイバ11は、グラファイトファイバの伝導軸に沿って整列する。さらに別の実施形態において、磁界は通常、500-100,000ガウス又は0.05-10テスラの範囲内である。ステップ107において、型は、ほぼ室温まで冷却される。型が、相変化材料の中の整列した金属コアグラファイトナノファイバ11と共にほぼ室温まで冷えたら、熱界面材料を型から取り出す。1つの実施形態において、室温は、通常60乃至80°F、又は11.5乃至26.5°Cの範囲内である。ステップ108において、パッドは、所望のフットプリントに切断される。適切な大きさの幾何学的形状長さX及び幅Y厚のパッドが、ステップ108において、当業者に知られた従来の技術を用いて、材料のスラブから切り出される。幾何学的形状は、熱界面材料が嵌め合わされる集積回路のフットプリントによって決まる。図7は、ランダムに分散した触媒金属シード12を示すブロック図である。触媒金属シード12は長菱形に限られないので、触媒金属シード12は、小さい棒を含む無数の形状のうちのどのような形状を呈することもできる。触媒金属シードが矩形の板である場合には、グラファイト小板は板として堆積し、シード粒子が円筒形である場合には、グラファイト小板は円筒形の板として堆積する。グラファイト小板は、触媒表面の幾何学形状を呈する。図8は、整列した金属コアグラファイトナノファイバ11を作り出すために用いられる予め整列した触媒金属シード12の例を示すブロック図である。外部磁界を印加することで、グラファイト小板13の堆積に先立って触媒金属シード12に磁界が印加されることにより、触媒金属シード12の磁極を予め整列させることができる。図9は、予め整列させた触媒金属シード12上に堆積して、整列した金属コアグラファイトナノファイバ11を作り出す、グラファイト小板13の例を示すブロック図である。1つの実施形態において、触媒金属シード12は、磁界によって整列して伝導軸を所望の方向に配向させる。触媒金属シード12の磁極は、磁界図示せずによって整列して伝導軸を所望の方向に配向させ、その後、触媒金属シード12が、堆積の後で印加される磁界中で回転するにつれて、付着した金属コアグラファイトナノファイバ11を同伴して運ぶことになる。図10は、熱界面材料10の中に分散される金属コアグラファイトナノファイバ11を作り出す触媒金属シード12の磁極を予め整列させる、本発明の予備整列システム200の動作の例を示す流れ図である。これは、グラファイト小板13の堆積に先立って、触媒金属シード12に磁界を印加することによって達成することができる。この方式において、触媒金属シード12の磁極は、所望の向きに整列し、その後、堆積の後で印加される磁界中で回転するにつれて、付着した金属コアグラファイトナノファイバ11を触媒金属シード12に同伴して運ぶことになる。ステップ201において、触媒金属シード12が堆積チャンバ中で堆積される。代替的な実施形態において、触媒金属シード12は、小さな棒として描かれる。シード粒子は、いずれかの粒子形状に限定されない。シード粒子は、無数の形状のうちのどのような形状を呈することもでき、小さい棒として形成されることもできる。シード粒子が矩形の板である場合には、グラファイト小板13は、板として堆積し、シード粒子が円筒形である場合には、グラファイト小板13は、円筒形の板として堆積する。グラファイト小板は、触媒金属シード12の表面の幾何学的形状を呈する。次にステップ202において、触媒金属シード12内のドメインを外部磁界に沿って整列させるのに十分な強度の磁界が印加される。外部磁界を印加することで、金属コア上へのグラファイト小板13の堆積に先立って触媒金属シード12に磁界が印加されることにより、触媒金属シード12の磁極を予め整列させることができる。ステップ203において、チャンバに反応性ガス混合物が仕込まれる。触媒金属シード12触媒、炭化水素水素反応物混合物の比、及び反応条件の適切な選択により、析出するグラファイト結晶の形態学的特性、結晶化度、及び繊維軸に対する配向を調整することが可能である。1つの実施形態において、触媒的合成は、炭素含有ガスとして用いられてきたエチレン-水素混合物、メタン-水素混合物、CO-CO2-H2混合物、CO、CH4、アセチレン及びベンゼンを含むがそれらに限定されない、炭素含有ガスを使用する。他の実施形態において、およそ67CO、16CO2、11N2、1.2H2、0.2O2、及び0.2H2Oの組成のLinz-Donawitz転炉ガスLDGを利用することができる。他のガスの組合せは、当該分野で公知であり、それらもまた利用することができる。ステップ204において、触媒金属シード12上でガス混合物が熱分解して、金属コアグラファイトナノファイバ11が生成される。ステップ205において、相変化基材が融解される。1つの実施形態において、相変化基材は、相変化材料の融解温度より10-20°C高い温度で融解される。1つの実施形態において、相変化基材は、パラフィンをベースとする材料である。他の実施形態において、相変化基材は、これらに限定されないが、パラフィンCnH2n2、脂肪酸CH3CH22nCOOH、金属塩水和物MnH2O、及び共晶塩の水溶液であることが多いとすることができる。さらに別の実施形態において、金属コアグラファイトナノファイバ11は、最終的には硬化してパッドになる熱界面材料として用いられる、シリコーンをベースとするゲル又はペーストの中に分散させることができる。ステップ206において、金属コアグラファイトナノファイバ11は、十分に確立された方法を用いて、融解物中に分散させることができる。1つの実施形態においては、高速分散ミキサを用いることができる。本発明の相変化基材中の金属コアグラファイトナノファイバの量は、典型的には、相変化基材の量を基準として4乃至10重量パーセントの範囲内、好ましくは~5重量パーセントである。金属コアグラファイトナノファイバ11は、典型的には、相変化基材の容積全体にわたって本質的に均一に分散される。ステップ207において、金属コアグラファイトナノファイバ11をその長軸に沿って再整列させるために、十分な強度の磁界が、金属コアグラファイトナノファイバ11を含む相変化材料に印加される。1つの実施形態において、金属コアグラファイトナノファイバ11の長軸は、嵌合面に対して垂直な配向で整列する。別の実施形態において、金属コアグラファイトナノファイバ11は、グラファイトファイバの伝導軸に沿って整列する。さらに別の実施形態において、磁界は通常、500-100,000ガウス又は0.05-10テスラの範囲内である。ステップ208において、金属コアグラファイトナノファイバ11を有する相変化材料は、ほぼ室温まで冷却される。金属コアグラファイトナノファイバ11を有する相変化材料がほぼ室温まで冷えると、相変化材料は、好ましい方向に整列した金属コアグラファイトナノファイバ11で満たされていることになる。1つの実施形態において、室温は、通常60乃至80°F、又は11.5乃至26.5°Cの範囲内である。ステップ209において、整列した金属コアグラファイトナノファイバ11を有する相変化材料は、所望のフットプリントに切断される。適切な大きさの幾何学的形状長さX及び幅Y厚のパッドが、当業者に知られた従来の技術を用いて、材料のスラブから切り出される。本発明の上述の実施形態は、本発明の原理の明確な理解のために述べられた実装の単なる可能な例に過ぎない。本発明の精神及び原理から実質的に逸脱することなく、本発明の上述の実施形態に対して多くのバリエーション及び改変を施すことができる。そのような全ての修正及びバリエーションは、ここで本開示及び本発明の範囲内に含まれること、及び以下の特許請求の範囲により保護されることが、意図される。"