"半導体レーザ素子と、サブマウント部材を介して上記半導体レーザ素子を上面に搭載する搭載部を有する第1リードとを備え、上記半導体レーザ素子から主ビームが出射される方向を前方向とし、この前方向に対して垂直で、且つ、上記搭載部の上面に平行な方向を横方向とした場合、上記搭載部の横方向側の端面には、横方向に向かって突出し、且つ、タイバーの一部からなる突起部と、上記半導体レーザ素子の横方向に沿った位置を決めるために前記突起部を挟んで配置された横方向基準面とが形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。上記第1リードは、上記搭載部に沿って延びるリード部をさらに有し、上記第1リードのリード部に沿って延びる第2リードと、上記第1リードおよび上記第2リードを一体に保持する絶縁性材料からなる保持部とをさらに備え、上記搭載部の上記半導体レーザ素子と反対側の下面が、上記突起部の上記半導体レーザ素子と反対側の下面と同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。上記搭載部の下面が、上記保持部から露出し、上記半導体レーザ素子から上記搭載部に向かう方向を下方向とした場合、上記保持部の下方向側の下面は、上記搭載部の下面と同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。上記搭載部の上面に垂直な方向を上下方向とした場合、上記搭載部の下面は、上記半導体レーザ素子の上下方向に沿った位置を決めるための上下方向基準面であることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ装置。上記半導体レーザ装置の下方向側の下面は、上記保持部の下面と上記搭載部の下面とからなり、上記保持部の下面は、上記搭載部の下面よりも前記前方向の反対側の後ろ方向側に位置することを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ装置。上記半導体レーザ素子から上記搭載部に向かう方向を下方向とした場合、上記第1リードの搭載部の上面、上記第1リードのリード部の下方向側の下面、および、上記第2リードの下方向側の下面は、同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。上記第1リードの上記搭載部の厚みと、上記第1リードの上記リード部の厚みと、上記第2リードの厚みとが等しいことを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。上記保持部は、上記半導体レーザ素子を囲む枠部を有し、上記枠部には、上記半導体レーザ素子から出射された主ビームを通すための通過部が形成され、上記枠部の上記半導体レーザ素子側に、上記半導体レーザ素子に対向するように上記搭載部の上面に対して傾斜する面を有するテーパー部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。上記テーパー部は、上記半導体レーザ素子よりも、上記半導体レーザ素子から主ビームが出射される方向とは逆側に形成されていることを特徴とする請求項8記載の半導体レーザ装置。上記第2リードの一端は、上記枠部の内側に露出しており、上記サブマウント部材の上面と、上記第2リードの一端とがワイヤで接続されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体レーザ装置。上記搭載部の上記半導体レーザ素子より、上記半導体レーザ素子からビームが出射される方向とは逆側の後ろ領域が、上記第1リードのリード部の幅よりも広い幅を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。上記半導体レーザ素子の上面と、上記搭載部の後ろ領域とがワイヤで接続されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザ装置。上記第1リードおよび上記第2リードは、上記保持部を貫通しており、上記搭載部の上面に垂直な方向を上下方向とした場合、上記第1リードに関して上記保持部を貫通している部分は、上記横方向から見て斜め方向に屈曲している部分を有し、上記第2リードに関して上記保持部を貫通している部分は、上記上下方向から見て斜め方向に屈曲していることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。上記搭載部のうち上記保持部と接触している領域で上記保持部に覆われるように切り起こし部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。上記搭載部には、上記前方向に突出する、凸部が形成され、上記凸部の先端が、上記半導体レーザ素子よりも上記前方向側に形成され、上記半導体レーザ素子の前後方向の位置を決めるための前後方向基準面を形成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。上記半導体レーザ素子は、発振波長が異なるまたは同一の複数のレーザ光が照射可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。半導体レーザ素子を、サブマウント部材を介して上面に搭載するための搭載部と、上記搭載部に連なって延びるリード部とを有する第1リードと、上記第1リードのリード部に沿って延びる第2リードと、上記搭載部の側面から、突出したタイバーとを備えるフレームを、金属からなる板材を打ち抜いて形成する打ち抜き工程と、上記打ち抜き工程で得られたフレームの第1リード及び第2リードを折り曲げて抜け止め部を形成する折り曲げ工程と、上記板材に比して半田濡れ性の良い金属でメッキを施すメッキ工程と、折り曲げられた上記フレームに、金型を用いた樹脂形成によって保持部を設ける樹脂形成工程と、上記搭載部に上記サブマウント部材を介して半導体レーザ素子を搭載するダイボンディング工程と、上記半導体レーザ素子から上記搭載部へ、及び、上記サブマウント部材から上記第2リードへワイヤが配線されるワイヤボンディング工程と、上記タイバーを切断するタイバーカット工程とを含み、上記半導体レーザ素子から主ビームが出射される方向を前方向とし、この前方向に対して垂直で、且つ、上記搭載部の表面に平行な方向を横方向とした場合、上記タイバーの根元には、上記半導体レーザ素子の横方向に沿った位置を決めるために前記タイバーを挟んで配置された横方向基準面が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。上記打ち抜き工程の打ち抜きは、上記半導体レーザ素子を搭載しない側の面から行うことを特徴とする請求項17記載の半導体レーザ装置の製造方法。上記折り曲げ工程は、上記フレームの一部を切り起こすことによって切り起こし部を形成する切り起こし部形成工程を含み、上記樹脂形成工程は、上記切り起こし部を樹脂で覆うように上記保持部を形成することを特徴とする請求項17に記載の半導体レーザ装置の製造方法。上記打ち抜き工程は、上記前方向に突出する、凸部が形成され、上記凸部の先端が、上記半導体レーザ素子よりも上記前方向側に形成され、上記半導体レーザ素子の前後方向の位置を決めるための前後方向基準面を形成していることを特徴とする請求項17に記載の半導体レーザ装置の製造方法。しかし、従来のフレームタイプの半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子の高出力化を行った場合、放熱特性を改善するために、半導体レーザ装置の放熱面積を広げる必要があり、半導体レーザ装置の小型化は難しいという問題を有している。そこで、本発明の課題は、半導体レーザ素子の高出力化を行っても、小型化することができると共に、小型化しても、半導体レーザ素子の出力ダウンを回避できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。本発明の半導体レーザ装置は、上記課題を解決するために、半導体レーザ素子と、サブマウント部材を介して上記半導体レーザ素子を上面に搭載する搭載部を有する第1リードとを備え、上記半導体レーザ素子から主ビームが出射される方向を前方向とし、この前方向に対して垂直で、且つ、上記搭載部の上面に平行な方向を横方向とした場合、上記搭載部の横方向側の端面には、横方向に向かって突出し、且つ、タイバーの一部からなる突起部と、上記半導体レーザ素子の横方向に沿った位置を決めるために前記突起部を挟んで配置された横方向基準面とが形成されていることを特徴としている。上記構成によれば、タイバーの一部からなる突起部は、それぞれ両隣に形成された横方向基準面によって挟まれているので、製造時において、フレームとの連結部であるタイバーを切断するときに、切断時の曲げ応力による搭載部の曲げ変形を防ぐことができる。したがって、上記搭載部の表面の平坦性を確保することができ、切断時に搭載部の曲げ変形が生じた場合と比較して、搭載部の表面とサブマウント部材との接触面積を大きくとれるので、半導体レーザ素子の熱を、サブマウント部材を介して搭載部に効率良く放出できる。すなわち、上記半導体レーザ素子の放熱性を向上できる。さらに、上記構成によれば、上記突起部は上記半導体レーザ素子からビームが出射される方向に対して垂直に突出しているので、上記ビームが上記突起部に妨げられることがない。その結果、上記半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の高出力化を行っても、小型化することができ、また、小型化しても、半導体レーザ素子の出力ダウンを回避できる。本発明の半導体レーザ装置では、上記第1リードは、上記搭載部に沿って延びるリード部をさらに有し、上記第1リードのリード部に沿って延びる第2リードと、上記第1リードおよび上記第2リードを一体に保持する絶縁性材料からなる保持部とをさらに備え、上記搭載部の上記半導体レーザ素子と反対側の下面が、上記突起部の上記半導体レーザ素子と反対側の下面と同一平面上に形成されていることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、光ピックアップ装置のハウジングに上記突起部の裏面を接触させると、上記半導体レーザ素子の動作時に、上記突起部は放熱のために働くので、小型化を行ったとしても、良好な放熱性が得られる。また、上記突起状の部分の下面と搭載部の下面とは同一平面に含まれるので、上記突起部の下面と搭載部の下面との両方を光ピックアップ装置のハウジングの一面に接触させて、放熱性を向上できる。本発明の半導体レーザ装置では、上記搭載部の下面が、上記保持部から露出し、上記半導体レーザ素子から上記搭載部に向かう方向を下方向とした場合、上記保持部の下方向側の下面は、上記搭載部の下面と同一平面上に形成されていることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、光ピックアップ装置のハウジングに保持部の下面を接触させると、保持部の下面と上記搭載部の下面とは同一平面に含まれるので、上記搭載部の下面もハウジングに接触させることができる。したがって、上記半導体レーザ素子の動作時に、保持部の下面と搭載部の下面とが放熱のために働くので、小型化を行ったとしても、良好な放熱性が得られる。すなわち、上記半導体レーザ素子が発生した熱が搭載部および保持部を通してハウジングに放熱されるので、小型化を行ったとしても、放熱面積が広くなり、放熱性が良くなる。本発明の半導体レーザ装置では、上記搭載部の上面に垂直な方向を上下方向とした場合、上記搭載部の下面は、上記半導体レーザ素子の上下方向に沿った位置を決めるための上下方向基準面であることが好ましい。本発明の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ装置の下方向側の下面は、上記保持部の下面と上記搭載部の下面とからなり、上記保持部の下面は、上記搭載部の下面よりも前記前方向の反対側の後ろ方向側に位置することが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、光ピックアップ装置のハウジングに半導体レーザ装置の下面を接触させる場合、上記保持部および上記第一リードのみによって、半導体レーザ装置の下面が形成されているので、ハウジングに上記搭載部の下面を接触させるための構造が複雑になるのを防ぐことができる。また、上記保持部の熱伝導率が第1リードの熱伝導率よりも悪い場合、上記搭載部の裏面よりも後側に保持部の下面が位置するので、熱がこもる保持部の下面を半導体レーザ素子から離すことができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子から上記搭載部に向かう方向を下方向とした場合、上記第1リードの搭載部の上面、上記第1リードのリード部の下方向側の下面、および、上記第2リードの下方向側の下面は、同一平面上に形成されていることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置において、上記第1リードの搭載部の上面、第1リードのリード部の下面、および、第2リードの下面は、同一平面に含まれるので、第1リードおよび第2リードの加工が複雑にならず、その加工のバラツキを抑えることができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記第1リードの上記搭載部の厚みと、上記第1リードの上記リード部の厚みと、上記第2リードの厚みとが等しいことが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置における、上記第1リードの搭載部、第1リードのリード部、および、第2リードのそれぞれの厚みは、同じである。すなわち、製造段階において、一枚の板材から第1リードおよび第2リードを形成することができる。したがって、上記第1リードおよび第2リードを形成するための加工が複雑にならず、その加工のバラツキを抑えることができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記保持部は、上記半導体レーザ素子を囲む枠部を有し、上記枠部には、上記半導体レーザ素子から出射された主ビームを通すための通過部が形成され、上記枠部の上記半導体レーザ素子側に、上記半導体レーザ素子に対向するように上記搭載部の上面に対して傾斜する面を有するテーパー部が形成されていることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置は、上記枠部の上記半導体レーザ素子側に、上記半導体レーザ素子に対向するように上記搭載部の上面に対して傾斜する面を有するテーパー部が形成されているので、小型化しても、保持部の枠部の内側に位置する第1リードおよび第2リードの表面に、ワイヤを接続しやすくなっている。本発明の半導体レーザ装置では、上記テーパー部は、上記半導体レーザ素子よりも、上記半導体レーザ素子から主ビームが出射される方向とは逆側に形成されていることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置は、上記テーパー部が半導体レーザ素子よりも上記半導体レーザ素子からビームが出射される方向とは逆側に位置するので、小型化しても、保持部の枠部の内側に位置する第2リードの表面にワイヤを接続する際に発生する、半導体レーザ素子への接触による割れ、欠けを低減することができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記第2リードの一端は、上記枠部の内側に露出しており、上記サブマウント部材の上面と、上記第2リードの一端とがワイヤで接続されていることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置は、上記サブマウント部材の上面と、第2リードの一端とを、ワイヤで接続しているので、第2リードを半導体レーザ素子に電気的に接続することができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記搭載部の上記半導体レーザ素子より、上記半導体レーザ素子からビームが出射される方向とは逆側の後ろ領域が、上記第1リードのリード部の幅よりも広い幅を有していることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置は、上記搭載部の後側の一領域が、第1リードのリード部に連なる部分であって、第1リードのリード部の幅よりも広い幅を有しているので、小型化しても、搭載部の後側の一領域と半導体レーザ素子の上面とをワイヤで容易に接続することができる。上記半導体レーザ素子の上面と、上記搭載部の後ろ領域とがワイヤで接続されていることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ素子の上面と上記搭載部の後ろ領域とが、ワイヤで接続され、第1リードを半導体レーザ素子に電気的に接続することができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記第1リードおよび上記第2リードは、上記保持部を貫通しており、上記搭載部の上面に垂直な方向を上下方向とした場合、上記第1リードに関して上記保持部を貫通している部分は、上記横方向から見て斜め方向に屈曲している部分を有し、上記第2リードに関して上記保持部を貫通している部分は、上記上下方向から見て斜め方向に屈曲していることが好ましい。上記構成によれば、上記第1リードに関して保持部を貫通している部分は、上記横方向から見て斜め方向に屈曲している部分を有するので、保持部に対する第1リードの抜け止め効果が得られる。また、上記第2リードに関して保持部を貫通している部分は、上記上下方向から見て斜め方向に屈曲している部分を有しているので、保持部に対する第2リードの抜け止め効果が得られる。すなわち、上記半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、第1リードおよび第2リードを半田付けする場合、保持部の材料が半田の熱によって軟化したとしても、上記横方向から見て斜め方向に屈曲している部分、および、第2リードの上記上下方向から見て斜め方向に屈曲している部分のお蔭で、第1リードおよび第2リードが保持部に対して移動するのを防ぐことができる。したがって、上記第1リードおよび第2リードを半田付けする場合、半田付けを安定して行うことができ、生産性に優れる。本発明の半導体レーザ装置では、上記搭載部のうち上記保持部と接触している領域で上記保持部に覆われるように切り起こし部が形成されていることが好ましい。上記構成によれば、上記切り起こし部が保持部の材料で埋められているので、搭載部と保持部の接触面積が広く、保持部から搭載部が剥がれるのを防ぐことができる。また、上記切り起こし部を保持部の材料で埋め、半導体レーザ装置の下面をフラットにすることができる。このようにすれば、上記半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、上記第1リードの搭載部の下面等を光ピックアップ装置のハウジングに密接させることができる。したがって、上記半導体レーザ装置の放熱特性が低下するのを防ぐことができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記搭載部には、上記前方向に突出する、凸部が形成され、上記凸部の先端が、上記半導体レーザ素子よりも上記前方向側に形成され、上記半導体レーザ素子の前後方向の位置を決めるための前後方向基準面を形成していることが好ましい。上記構成によれば、半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、光ピックアップ装置のハウジングに搭載部の上記凸部の先端を接触させても、上記凸部の先端が半導体レーザ素子よりも上記半導体レーザ素子からビームが出射される側に位置するので、半導体素子の損傷を防ぐことができる。また、上記光ピックアップ装置のハウジングに搭載部の凸部に接触させるだけで、半導体レーザ素子の発光点の位置決めを容易に行うことができる。本発明の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子は、発振波長が異なるまたは同一の複数のレーザ光が照射可能に構成されていることが好ましい。上記構成によれば、上記半導体レーザ素子として、例えば、赤色/赤外モノリシック2波長1チップ半導体レーザ素子を用いることにより、光ピックアップ装置に実装する部品数を削減すると同時に、光ピックアップ装置の小型化が容易となる。本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、上記課題を解決するために、半導体レーザ素子を、サブマウント部材を介して上面に搭載するための搭載部と、上記搭載部に連なって延びるリード部とを有する第1リードと、上記第1リードのリード部に沿って延びる第2リードと、上記搭載部の側面から、突出した上記タイバーとを備えるフレームを、金属からなる板材を打ち抜いて形成する打ち抜き工程と、上記打ち抜き工程で得られたフレームの第1リード及び第2リードを折り曲げて抜け止め部を形成する折り曲げ工程と、上記板材に比して半田濡れ性の良い金属でメッキを施すメッキ工程と、上記折り曲げられたフレームに、金型を用いた樹脂形成によって保持部を設ける樹脂形成工程と、上記搭載部に上記サブマウント部材を介して半導体レーザ素子を搭載するダイボンディング工程と、上記半導体レーザ素子から上記搭載部へ、及び、上記サブマウント部材から上記第2リードへワイヤが配線されるワイヤボンディング工程と、上記タイバーを切断するタイバーカット工程を含み、上記半導体レーザ素子から主ビームが出射される方向を前方向とし、この前方向に対して垂直で、且つ、上記搭載部の表面に平行な方向を横方向とした場合、上記タイバーの根元には、上記半導体レーザ素子の横方向に沿った位置を決めるために前記タイバーを挟んで配置された横方向基準面が形成されていることを特徴としている。上記構成によれば、タイバーの一部からなる突起部は、それぞれ両隣に形成された同一平面上の搭載部の側面によって挟まれているので、タイバーカット工程において、応力によるフレーム変形を防ぐことができる。本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、上記打ち抜き工程の打ち抜きは、上記半導体レーザ素子を搭載しない側の面から行うことが好ましい。上記構成によれば、打ち抜きによって生じるバリが搭載面側に出るので、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ等、他の装置に搭載したとき、メイン裏面を他の装置の搭載面と密着させることができるので、放熱性がよくなる。本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、上記折り曲げ工程は、上記フレームの一部を切り起こすことによって切り起こし部を形成する切り起こし部形成工程を含み、上記樹脂形成工程は、上記切り起こし部を樹脂で覆うように上記保持部を形成することが好ましい。本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、上記打ち抜き工程は、上記前方向に突出する、凸部が形成され、上記凸部の先端が、上記半導体レーザ素子よりも上記前方向側に形成され、上記半導体レーザ素子の前後方向の位置を決めるための前後方向基準面を形成していることが好ましい。本発明は、半導体レーザ素子の高出力化を行っても、小型化することができると共に、小型化しても、半導体レーザ素子の出力ダウンを回避できるの効果を奏する。実施の形態1半導体レーザ装置以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。まず、発明を実施するための形態では、図1および図2における紙面上に、上側へ向かう方向を前方向、下側へ向かう方向を後方向、縦方向を前後方向、左右側へ向かう方向を横方向、右側へ向かう方向を右方向、左側へ向かう方向を左方向、紙面に垂直に手前方向を上方向、奥方向を下方向、紙面に垂直な方向を垂直方向と定義する。図1は、本発明の実施形態1に係る半導体レーザ装置を上方から見たときの平面図を示している。また、図2は、図1から第1リード1および第2リード21、22以外の部材を除去した状態の平面図を示している。なお、図2では、第1リード1の切り起こし部1h、1iを切り起こす前、すなわち、平面上の上方向に起こす前の状態を示している。さらに、図3は、上記半導体レーザ装置を右方向から見た側面図である。また、図4は、上記半導体レーザ装置を下方向から見た下面図である。図5は、上記半導体レーザ装置を、前方向右斜め上から見た場合の斜視図である。図1および図5に示すように、上記フレームタイプの半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子5を搭載する板状の搭載部1aを有する第1リード1と、信号入出力用の複数の第2リード21、22と、上記第1リード1および上記第2リード21、22を一体に保持する保持部3とを備えている。図2に示すように、第1リード1は、板状の搭載部1aと、搭載部1aから後方向に向かって延びる一対のリード部1bとを備えている。搭載部1aは、搭載部1aに連なって左方向に突出した左側突起6aと、右方向に突出した右側突起6bと、板状の搭載部1aの端面として、前方向左側に形成された前方向左側側面1d、前方向左側側面1dと左側突起6aを挟んで後方向に形成された後方向左側側面7aと、前方向右側に形成された前方向右側側面1gと、前方向右側側面1gと右側突起6bを挟んで後方向に形成された後方向右側側面7bとを備えている。図1に示すように、搭載部1aの上方向の上面には、直方体の概略形状でかつ板状であるサブマウント部材4を介して半導体レーザ素子5が搭載されている。半導体レーザ素子5は、半導体レーザ素子5から出射されるレーザ光の光軸方向が前方向であって、前方向に細長い直方体の概略外形を有している。図3および図4に示すように、左側突起6aおよび右側突起6bの下方向側の下面は、搭載部1aの裏面であるメイン裏面1cに連なり、滑らかに接続し、メイン裏面1cと同一平面状に形成されている。一方、メイン裏面1cが保持部裏面3aから露出すると共に、メイン裏面1cが半導体レーザ素子5の垂直方向に沿った位置を決定する基準面となっている。つまり、上記半導体レーザ素子5の垂直方向の位置決めは、上記メイン裏面1cを基準に行われる。また、搭載部1aの端面である、前方向左側側面1d、前方向右側側面1g、後方向左側側面7aおよび後方向右側側面7bは、半導体レーザ素子5の横方向に沿った位置を決定する基準面となっている。つまり、半導体レーザ素子5の横方向の位置決めは側面1d又は7aの一領域を基準に行われる。すなわち、上記横方向に沿った位置を決定する基準面である前方向左側側面1d、前方向右側側面1g、後方向左側側面7aおよび後方向右側側面7bは、半導体レーザ素子5の横方向の側面に対して平行な面であり、かつ、平坦な面である。また、第1リード1の搭載部1aにおいて、前方向に、凸形状部1fを有する。この凸形状部1fの前面は、保持部3および半導体レーザ素子5より前側に位置している。この凸形状部1fの前面は、半導体レーザ素子5の前後方向に沿った位置を決定する基準面である。つまり、半導体レーザ素子5の前後方向の位置決めは凸形状部1fの前面を基準に行われる。なお、上記凸形状部1fは凸部の一例である。また、保持部裏面3aは、垂直方向を決める基準面である搭載部1aの下方向側の下面であるメイン裏面1cと同一平面に形成される。この同一平面は、保持部裏面3aおよび搭載部1aの裏面であるメイン裏面1cのみを含む。すなわち、上記半導体レーザ装置の下面は、保持部裏面3aと、第1リード1の垂直方向基準面メイン裏面1cとのみによって形成されている。また、上記保持部3の裏面3aの一部は半導体レーザ素子5の後側に位置する。左側突起6aおよび右側突起6bは、左方向および右方向に向かって突出しており、半導体レーザ素子5の横方向に沿った位置を決める基準面、すなわち、上記前方向左側側面1d、上記前方向右側側面1g、上記後方向左側側面7a、上記後方向右側側面7bから飛び出している。また、左側突起6aおよび右側突起6bは、半導体レーザ素子5の横方向に沿った位置を決める基準面に隣接するように、つまり、第1リード1の搭載部1aの端面である前方向左側側面1d、前方向右側側面1g、後方向左側側面7a、後方向右側側面7bにそれぞれ隣接するように形成されている。また、搭載部1aの端面である前方向左側側面1d、前方向右側側面1g、後方向左側側面7a、後方向右側側面7bにそれぞれ隣接して形成されている左側突起部6aおよび右側突起部6bは、左側突起部6aおよび右側突起部6bの前後方向に形成された半導体レーザ素子5の横方向に沿った位置を決定する基準面に挟まれている。すなわち、左側突起部6aは、半導体レーザ素子5の横方向に沿った位置を決定する基準面である前方向左側側面1dと後方向左側側面7aとに挟まれており、右側突起部6bは、前方向右側側面1gと後方向右側側面7bとに挟まれている。また、搭載部1aの上方向側の上面と、リード部1bの下方向側の下面と、第2リード21、22の下方面側の下面とは、同一平面上に形成されていることが好ましい。また、搭載部1a、リード部1bおよび第2リード21、22の垂直方向の厚みは、互いに同じ厚みとなっていることが好ましい。本実施形態では、搭載部1a、リード部1bおよび第2リード21、22の垂直方向の厚みは全て0.3mmに設定されている。保持部3は、搭載部1aの上方向側の上面に形成された枠部3bを有している。枠部3bの内側半導体レーザ素子5が形成されている側側面は、半導体レーザ素子5の横方向の両側面および後方向の側面に接触しないように対向するように形成されている。すなわち、枠部3bは、半導体レーザ素子5を取り囲むように形成されている。枠部3bの横方向の内側側面は、平面であって、半導体レーザ素子5の横方向の両側面および後方向の側面に平行に形成されていることが好ましい。また、上記枠部3bの内側前方向には通過部8が形成され、半導体レーザ素子5から出射されるビームが通過部8を通過する。図6は、図1のV-V’線から見た断面図である。図1および図5に示すように、保持部3の枠部3bの内側に、テーパー部3cが形成されている。このテーパー部3cは半導体レーザ素子5の後方向側面よりも、さらに後方向側に形成されている。また、図1および図2に示すように、上記第2リード21、22は、第1リード1のリード部1bに沿って細長く延びている。また、上記第2リード21、22の内端部前方向の端部21a、22aは、保持部3で覆われずに露出している。また、Au金線からなるワイヤ11が、サブマウント部材4の上方向側の上面から第2リード21、22の内端部21a、22aへ配線されている。Au金線からなるワイヤ13が、半導体レーザ素子5の上面から搭載部1aにおける後方向の領域である搭載部後方領域1eへ配線されている。第1リード1のリード部1bおよび第2リード21、22は、保持部3を貫通している。そして、リード部1bが保持部3を貫通している部分は、図6に示すように、右方向から見て斜め方向に屈曲している部分を含む。また、第2リード21、22が保持部3を貫通している部分は、図2に示すように、上方向から見て斜め横方向に屈曲している部分内端部21a22aを含む。また、図2に示すように、半導体レーザ素子5から横方向に向かうそれぞれの位置に、第1リード1の切り起こし部1h、1iが設けられている。切り起こし部1h、1iは、搭載部1aのうち半導体レーザチップ5が搭載されている領域以外の領域を上方向に切り起こして形成されたものである。つまり、切り起こし部1h、1iは、搭載部1aの表面から上方向側に向かって延びている。切り起こし部1h、1iは、搭載部1aの上面に垂直に形成されていなくても良い。また、切り起こし部1h,1iの形成に伴って搭載部1aにできる空間は、上記保持部3の材料で埋められている。すなわち、切り起こし部1h、1iは保持部3の材料で覆われており、保持部3の裏面3aは、搭載部1aの裏面1cと同一の平面に形成されている。また、第1リード1のリード部1bおよび第2リード21、22は、芯材に、上記芯材に比して半田濡れ性の良い金属をメッキしていることが好ましい。本実施形態では、上記芯材がCu銅で形成されており、上記メッキされた金属の最表面がAg銀となっている。なお、最表面の金属としては、これらに限られるものではなく半田の濡れ性を向上させられるSn錫、Niニッケル、Zn亜鉛などであっても良い。保持部3は、本実施形態では、絶縁性樹脂材料、例えばエポキシ樹脂により形成されている。また、保持部3の色は黒色である。黒色であることによって、上記半導体レーザ装置の動作時に、情報記録媒体などのレーザ光照射対象物からの反射光が、保持部3に入射したとしても、上記反射光は保持部3に吸収されて反射されない。この結果、半導体レーザ装置を用いる装置において、レーザ光照射対象物からの反射光がノイズの原因になるのを防止できる。さらに、保持部3は、金型を用いた樹脂成形によって容易に形成される。上記絶縁性樹脂材料の代わりにセラミックを用いても良い。保持部3の材料がセラミックであれば、さらに放熱性を向上させることができる。半導体レーザ素子5は、発振波長が異なるまたは同一の複数のレーザ光が照射可能な構成としてもよい。本実施形態では、660nm帯赤色高出力半導体レーザ素子と780nm赤外高出力半導体レーザ素子とをモノリシック化した2波長1チップ高出力半導体レーザ素子を半導体レーザ素子5として用いている。図7および図8に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置において、搭載部1aの側面に形成されている左側突起部6aおよび右側突起部6bは、フレーム50と第1リード1とを連結していたタイバー52の一部である。上記半導体レーザ装置の製造時において、図7および図8に示すフレーム50から第1リード1を切り出すために、そのフレーム50と第1リード1とを連結するタイバー52を切断して、左側突起部6aおよび右側突起部6bを形成しても、タイバーの両側に横方向を決定する基準面左側突起部6aには前方向左側側面1dおよび後方向左側側面7a、右側突起部6bには前方向右側側面1gおよび後方向右側側面7bが接して形成されているので、切断時の曲げ応力による第1リード1の搭載部1aの曲げ変形を防ぐことができる。したがって、上記搭載部1aの上方向側の上面の平坦性を確保することができる。このため、切断時に搭載部1aの曲げ変形が生じた場合と比較して、搭載部1aの上面とサブマウント部材4との接触面積を大きくとれるので、半導体レーザ素子5の熱をサブマウント部材4を介して搭載部1aに効率良く放出できる。すなわち、半導体レーザ素子5の放熱性を向上できる。その結果、上記半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子5の高出力化を行っても、曲げ変形が生じない搭載部1aと、サブマウント部4との接触面積を増大させ、放熱性を向上させて小型化することでき、また、小型化しても、半導体レーザ素子5の出力ダウンを回避できる。また、第1リード1の搭載部1aに半導体レーザ素子5が搭載されており、第1リード1の搭載部1aの下面であるメイン裏面1cが保持部3から露出すると共に、メイン裏面1cが半導体レーザ素子5の垂直方向に沿った位置を決定する基準面となり、保持部裏面3aが、半導体レーザ素子5の垂直方向に沿った位置を決定する方向基準面であるメイン裏面1cと同一平面上に形成される。その結果、上記半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で光ピックアップ装置のハウジングに、第1リード1の搭載部1aの下面であるメイン裏面1cおよび保持部裏面3aを接触させれば、半導体レーザ素子5の動作時に放熱のために働く。つまり、上記半導体レーザ素子5が発生した熱が、上記第1リード1の搭載部1aのメイン裏面1cおよび保持部3の保持部裏面3aを通してハウジングに放熱される。したがって、上記半導体レーザ装置の小型化を行ったとしても、放熱面積が広くなり、放熱性が良くなる。実施の形態2半導体レーザ装置の製造方法以下、上記半導体レーザ装置の製造方法の一実施形態に関して説明する。図7は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザ装置の製造方法におけるフレーム50の平面図である。また、図8は図7に示す枠Zで囲まれた領域を拡大した本発明の実施の形態2に係る半導体レーザ装置の製造方法におけるフレーム50の平面図である。iまず、図7および図8に示すように、金属からなる板材を打ち抜いて、フレーム50を得る打ち抜き工程。上記板材の金属はCu銅であることが好ましい。このとき、打ち抜きは第1リード1の搭載部1aの裏面であるメイン裏面1c側から行うことが好ましい。その結果、打ち抜きによって生じるバリが搭載面1a側に出るので、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ等、他の装置に搭載したとき、メイン裏面1cを他の装置の搭載面と密着させることができるので、放熱性がよくなる。このフレーム50では、第1リード1および第2リード21、22の組が、横方向に延びる2本のバー51に沿って2列で複数並んでいる。2本のバー51は、連結バー53で互いに連結されている。また、隣り合う第1リード1の搭載部1a同士はタイバー52を介して互いに連結されている。ii次に、上記打ち抜かれたフレーム50は部分的に折り曲げられる折り曲げ工程。折り曲げの態様については後述する。iii次に、上記打ち抜かれたフレーム50に、最表面が上記板材に比して半田濡れ性の良い金属となる金属メッキを施すメッキ工程。これにより、完成後に各アウターリード部分を半田付けする時、半田濡れ性を向上させることができる。Ag銀やAu金などが好ましい。なお、最表面の金属としては、これらに限られるものではなく半田の濡れ性を向上させられるSn錫、Niニッケル、Zn亜鉛などであっても良い。iv次に、折り曲げられたフレーム50に、金型を用いた樹脂成形によって上記保持部3が設けられる樹脂成形工程。v次に、上記第1リード1の搭載部1a上に上記サブマウント部材4を介して上記半導体レーザ素子5が搭載されるダイボンディング工程。vi次に、半導体レーザ素子5から搭載部後方領域1eへAu金線からなるワイヤ13が配線され、サブマウント部材4から第2リード21、22の内端部21a,22aへAu金線からなるワイヤ11が配線されるワイヤボンディング工程。vii次に、リード部1bおよび第2リード21、22とバー51との接続部と、タイバー52とを切断して、個々の半導体レーザ装置を得るタイバーカット工程。このとき、第1リード1のリード部1bおよび第2リード21、22の一部アウターリード部分を、個々の半導体レーザ装置の保持部3から突出した状態に残す。さらに、上記タイバー52のうち、搭載部1a側の一部が、個々の半導体レーザ装置の保持部3から突出した状態で残るようにし、上記タイバー52の切断を行う。このようにして、半導体レーザ装置が容易に製造される。第1リード1のリード部1bには折り曲げ工程によって屈曲された抜け止め部が設けられ、同様に、第2リード21、22にも折り曲げ工程によって屈曲された抜け止め部が設けられている。第2リード21、22の抜け止め部は、第1リード1のリード部1bと異なる方向と異なる角度で折り曲げられている。また、第1リード1および第2リード21、22は、保持部3を貫通していて、第1リード1の保持部3を貫通している部分は、右方向から見て、斜め方向に屈曲しており、上記第2リード21、22の保持部3を貫通している部分は、上方向から見て、斜め方向に屈曲している。したがって、上記半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で第2リード21、22を半田付けする時、保持部3の材料が半田の熱によって軟化したとしても、抜け止め部によって、第2リード21、22が保持部3に対して抜けてしまうことがない。したがって、半田付けが安定して行われ、生産性に優れる。また、第1リード1の搭載部1aのうち半導体レーザ素子5が搭載される領域以外の領域、本実施形態では半導体レーザ素子5の横方向それぞれの位置に、切り起こし部1h、1iが設けられている。上記ivの樹脂成形工程後には、保持部3の材料が搭載部1aの表面側から切り起こし部1h、1i近傍の空間を埋めている。したがって、切り起こし部1h、1iが保持部3によって挟まれている。したがって、上記搭載部1aと保持部3との接合強度を高めて、搭載部1aから保持部3が剥がれるのを防ぐことができる。なお、保持部3の材料が、切り起こし部1h、1iを覆うように埋めるよう形成し、半導体レーザ装置の裏面をフラットに形成する。そのようにすれば、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置に実装する段階で、第1リード1の搭載部裏面1cおよび左側突起部6a、右側突起部6bは光ピックアップ装置のハウジングに密接できる。したがって、放熱特性が損なわれることはない。折り曲げ工程の代わりに、搭載部1aを形成するフレームとリード1bを形成するフレームの2枚のフレームを溶接によって接続することによっても上述した半導体レーザ装置と同様な装置を製造することができる。"