照射によって医療デバイスを滅菌する方法であって、医療デバイスの公称線量レベルへの曝露に基づいて、前記医療デバイスの第1の線量マップ及び第2の線量マップを取得するステップであって、前記第1の線量マップを取得するために前記医療デバイスを放射線源に対して第1の向きで配置するサブステップと、前記第2の線量マップを取得するために前記医療デバイスを放射線源に対して第2の向きで配置するサブステップと、を含む、当該医療デバイスの第1の線量マップ及び第2の線量マップを取得するステップと、前記第1の線量マップ及び前記第2の線量マップのそれぞれによって説明される線量レベルの分布に基づいて、前記第1の線量レベル及び前記第2の線量レベルを選択するステップと、前記医療デバイスを滅菌するステップであって、前記医療デバイスを前記第1の向きで配置するサブステップと、次いで前記医療デバイスを前記第1の線量レベルに曝露するサブステップと、前記医療デバイスを前記第2の向きで配置するサブステップと、次いで前記医療デバイスを前記第2の線量レベルに曝露するサブステップと、を含む、当該医療デバイスを滅菌するステップと、を備え、前記医療デバイス上の位置で受ける総放射線量は、前記第1の線量及び前記第2の線量への曝露後に前記位置で受ける放射線の総計であり、前記第1の線量レベル及び前記第2の線量レベルは、前記第1の位置と前記第2の位置との総放射線量の差異が最小限化されるように選択される、当該方法。それぞれのパスの線量レベルが、製品に対する線量分布を最小限化するように最適化される、請求項1に記載の方法。前記医療デバイスが、生体吸収性ポリマーステント、又は、ポリマーコーティング内に含まれる治療薬、を含むカテーテルである、請求項2に記載の方法。前記第1の向きの高線量域内の材料の第1の密度が、前記第2の向きの高線量域内の材料の第2の密度より高いとき、前記第1の線量レベルが前記第2の線量レベルに対して低減される、請求項2に記載の方法。e-ビーム放射線が使用される、請求項1に記載の方法。前記医療デバイスが、薬剤溶出生体吸収性ポリマーを含むカテーテルである、請求項1に記載の方法。前記医療デバイスを滅菌するステップでは、所望される線量レベルに基づいて、あらかじめ定められた速度でコンベヤに沿って前記医療デバイスを移動させ、前記第1の線量レベルが前記第1のパス中に照射され、前記医療デバイスが向きを変えられ、次いで前記第2の線量レベルが前記第2のパス中に照射される、請求項1に記載の方法。照射によって医療デバイスを滅菌するためのシステムであって、放射線源と、医療デバイスごとに所望される放射線の線量レベルと関連させて、前記放射線源の前で複数の医療デバイスを移動させるためのコンベヤシステムと、前記医療デバイスがそれぞれ、前記放射線源の前の前記コンベヤ上で第1及び第2の向きに向けられるときに、使用される第1の線量レベル及び第2の線量レベルを選択する手段であって、前記第1の線量レベル及び前記第2の線量レベルは互いに異なる、当該選択する手段と、複数の医療デバイスを滅菌する手段であって、前記医療デバイスを前記第1の向きで前記コンベヤ上に配置するステップと、次いで前記医療デバイスを前記第1の線量レベルに曝露するステップと、次いで前記医療デバイスを前記第2の向きで前記コンベヤ上に配置するステップと、次いで前記医療デバイスを前記第2の線量レベルに曝露するステップと、を実行する、当該複数の医療デバイスを滅菌する手段と、を備え、前記医療デバイスのそれぞれの位置で受ける総放射線量は、前記第1の線量及び前記第2の線量への曝露後に前記位置で受ける放射線の総計であり、前記第1の線量レベル及び前記第2の線量レベルは、前記第1の位置と前記第2の位置との総放射線量の差異が最小限化されるように選択される、当該システム。前記複数の医療デバイスを滅菌する手段は、前記医療デバイスを放射線源に対して第3の向きで配置するサブステップと、第3の線量マップを取得するために前記医療デバイスを第3の線量レベルに曝露するサブステップと、をさらに実行する、請求項8に記載のシステム。前記第1の線量レベルが前記第2の線量レベルの2/3である、請求項8に記載のシステム。e-ビーム放射線が使用される、請求項8に記載のシステム。前記医療デバイスが、薬剤溶出生体吸収性ポリマーを含むカテーテルである、請求項8に記載のシステム。照射によって医療デバイスを滅菌するための方法であって、医療デバイスの公称線量レベルへの曝露に基づいて、前記医療デバイスの第1の線量マップ、第2の線量マップ及び第3の線量マップを取得するステップであって、前記第1の線量マップを取得するために前記医療デバイスを放射線源に対して第1の向きで配置するサブステップと、前記第2の線量マップを取得するために前記医療デバイスを放射線源に対して第2の向きで配置するサブステップと、前記第3の線量マップを取得するために前記医療デバイスを放射線源に対して第3の向きで配置するサブステップと、を含む、当該取得するステップと、前記医療デバイスを滅菌するステップであって、前記医療デバイスを前記第1の向きで配置するサブステップと、次いで前記医療デバイスを第1の線量レベルに曝露するサブステップと、前記医療デバイスを前記第2の向きで配置するサブステップと、次いで前記医療デバイスを第2の線量レベルに曝露するサブステップと、前記医療デバイスを前記第3の向きで配置するサブステップと、次いで前記医療デバイスを第3の線量レベルに曝露するサブステップと、を含む、当該滅菌するステップと、を備え、前記第1の向き、前記第2の向き及び前記第3の向きは、前記医療デバイスの第1の位置における総放射線量と第2の位置における総放射線量との差異が最小限化されるように選択される、当該方法。前記第1の線量マップ、前記第2の線量マップ及び前記第3の線量マップのそれぞれによって説明される線量レベルの分布に基づいて、第1の線量レベル、第2の線量レベル及び第3の線量レベルを選択するステップ、をさらに備える、請求項13に記載の方法。前記第1、第2及び第3の線量レベルが同一である、請求項13に記載の方法。照射によって医療デバイスを滅菌するための方法であって、デバイスが放射線源に対してN個の異なる方向に向けられるとき、医療デバイスの公称線量レベルへの曝露に基づいて、前記医療デバイスのN個の線量マップを取得するステップと、前記医療デバイスを滅菌するステップであって、前記医療デバイスを前記N個の異なる方向に配置するサブステップと、前記医療デバイスを前記N個の方向でN個の線量レベルに曝露するサブステップと、を含む当該滅菌するステップと、を備え、前記N個の線量レベルと前記N個の方向の両方又は一方は、前記N個の線量レベルが照射された後、線量の分布を最小限化するように選択される、当該方法。Nが10未満である、請求項16に記載の方法。Nが2、3、4又は6である、請求項17に記載の方法。Nが2より大きい、請求項16に記載の方法。前記線量レベルが前記N個の向きそれぞれで同一である、請求項16に記載の方法。前記N個の向きの1つ又は複数での線量レベルが、各向きの高線量域内の材料の密度に関連して調整される、請求項16に記載の方法。前記線量マップを構成するすべての線量計の線量分散が、前記N個の線量レベルと前記N個の方向の両方又は一方を選択することによって、最小限化される、請求項16に記載の方法。前記線量マップから第1の線量計位置に対応する前記医療デバイス上で予想される最大線量と、前記線量マップから第2の線量計位置に対応する前記医療デバイス上で予想される最小線量との差異が、前記N個の線量レベルと前記N個の方向の両方又は一方を選択することによって、最小限化される、請求項16に記載の方法。0028図1は、2つの密度を有する材料について、放射線曝露と放射線ビームの透過深度との関係を示す深度線量分布曲線である。曲線は、電子が2つの異なる密度、すなわち、より高い密度D1及びより低い密度D2を通って進む、材料の深度に対する線量を示す。図示するように、いずれの場合も、線量は最初に上昇し、次いで低下する。例えばD1のように材料の密度が高いほど、より急激に増加し、深度に対する線量レベルはより急激に減少する。例えば、密度D1を有することを特徴とするデバイスが40kGyで照射される場合、ピーク線量は44kGyであり、その後、例えば25kGyまで、最終的には、材料をさらに透過する0kGyまで低下する。より高い密度を有する材料の前面付近での急激な増加は、少なくとも一部には、入射電子と前面付近のより高密度の材料との衝突頻度の増加によって説明することができる。これにより、線量はピーク44kGyに達するまで急激に増加し、次いで、より深い深度を通って透過する電子の数が急激に減少するにつれて低下する。材料がより低い密度、すなわちD2であるとき、材料との最初の衝突がより少ないため、より多くの電子がより深く材料へと透過するように、よりゆっくりとピークに達し、線量の分布がより均一になる。0029本開示によると、線量レベルを放射線源に合わせて医療デバイスの向きで調整することによって、医療デバイスが受ける放射線線量の分散を低減する方法が提供される。本発明による方法は、以下のステップを含むことができる。最初に、デバイスは、質量の分布、すなわちデバイスの密度を説明する密度プロファイルによって特徴付けられる。密度プロファイルは、例えば、2、3又はそれ以上など、放射線源の前のパスの数、及びそれぞれのパスでの放射線源に対するデバイスの向きを示す。次いで、それぞれのパスの個々の線量マップが形成される。次いで、線量マップを取得した後、それぞれのパスの線量レベルが導き出される。線量レベルは、放射線源の前のすべてのパスの後、医療デバイスの異なる位置で受ける放射線レベルの総量の差異、すなわち分散を最小限化するように選択される。いくつかの実施形態では、密度プロファイルを決定するステップ又は線量レベルを決定するステップは必要ではなく、又は容易に明らかとなる。0030図1に関して説明したように、デバイスに対する放射線線量の分散は、材料の質量がより大きい、すなわち、より高密度の部分に、より過剰になると予想される。したがって、材料が最も高密度である部分に、線量レベルの最大の分散が起きると予想される。より低密度の材料は、より均一の線量を受ける。したがって、低密度領域での線量レベルの差異についての懸念はより少なくなる。本発明者らは、デバイスを線量の分散を低減するように放射線に曝露する最良の方法を決定するとき、デバイスのより高密度な構成部品の分布を最も良く説明し、放射線源に対するデバイスの向きを最も良く示しもする多角形としてデバイスの形状を特徴付けることが、デバイスに対する線量レベルの分散を低減するためにしばしば有用であることを発見した。この形状は、先のパラグラフで述べた密度プロファイルと同じである。0031デバイスの密度プロファイルを図2に示す。密度プロファイルは全体的に多角形であり、それぞれの辺は、質量分布を説明するために、物体を放射線源に向けるべき方向を示す。比較的単純又は均一な密度を有する物体では、密度プロファイルは長方形であり、180度ずつの向きの2つのパスが、デバイスに対する線量の分散を適切に低減することが最もよくおこりやすいことを示している。より一般的な例では、密度プロファイルは、デバイスの放射線源の前のパスの数及びこれらのパスのそれぞれでのデバイスの向きとして理解し、又は表すことができる。0032密度プロファイルの概念は、カテーテル製品の例を使用して説明することができる。このタイプの医療デバイスには、ポリマーバルーン、バルーンに取り付けられる生体吸収性ステント、及び遠位側及び近位側シャフト部分を含む複合材料デリバリーカテーテル部分を含む。これらの構成部品はすべて、密封された袋の中にパッケージされている。カテーテルの最も密度の高い部分は一般に、放射線源に面するとき別の上端には何も部品が置かれないと仮定すると、遠位端バルーン及びステントが配置される部分及びカテーテルシャフトの近位端である。平らに置かれるとき、デバイスの密度分布は、2辺の、長方形の形状又は密度プロファイルを有すると特徴付けることができる。0033さらに示すように、図3は、物理的寸法は円盤状であるが、デバイス内により密度の高い構成部品を有する構成のために、放射線滅菌のための密度プロファイルは3辺の多角形である物体の密度分布を示す。したがって、寸法は円形であるが、放射線へのより均一な曝露を容易にするための密度プロファイルは、3辺の物体、すなわち三角形である。したがって、3辺のそれぞれが放射線源の前の3つのパスを画成し、正三角形の場合は、放射線源の前のパスがそれぞれ、デバイスを120度ずつ増加した向きに向ける。0034密度プロファイルが選択されると、次のステップは、デバイスの放射線源の前のそれぞれのパスにデバイスを線量マッピングすることである。最初に、デバイスが公称レベルの放射線に曝露されるときに受ける放射線線量を測定するために、線量計をデバイス上の位置に置く。入射ビームの放射線のレベルを測定するために、モニタリング線量計をデバイスの上流に配置する。線量マップは、デバイスが放射線に曝露されるときに受ける放射線の、モニタリング線量計レベルに対する相対的なレベルを示す。線量マップは、放射線源に対するデバイスのそれぞれの向きについて作製される。したがって、2辺の密度プロファイルでは例えば、上記のカテーテルの例2つの線量マップが作製される。第1の線量マップではデバイスの前面が放射線源に向いており、第2の線量マップではデバイスが180度反転している。図3の3辺の密度プロファイルでは、3つの線量マップが作製され、それぞれの線量マップは、放射線源に対するデバイスのそれぞれの向きで線量計が置かれる位置で受ける放射線の分布を示す。0035線量計は、例えば、高密度の構成部品及び低密度の構成部品の後側など、線量レベルの分散を最も良く実現することができる位置に配置するべきである。線量計はまた、最大線量レベルを超えないようにするために正確な情報を利用できるように、より放射線感受性の高い材料、例えば、生体吸収性ポリマーの後側に置くべきである。線量マップを作製した後、1つの線量マップと別の線量マップを比較すると、密度プロファイルが不適切に作製されていることを示すことがある。このような場合、放射線源の前のデバイスの、異なる向き又はより多くの向き/パスを選択することができる。さらに、どの密度プロファイルが放射線滅菌のためにデバイスを最も良く特徴付けるかが明らかでない場合、線量マッピングの反復プロセス、次いで線量計によって検出される線量レベルの分布の比較を交互に使用して、放射線滅菌のためのデバイスの最良の向きを選択することができる。0036プロセスの次のステップは、いくつかの実施形態では任意であるが、すべてのパスの後の分散が最小限化されるように、放射線源の前のそれぞれのパスに照射する線量レベルを決定することである。対照的に、放射線滅菌の既存の方法では、例えば米国特許第6806476号のように、放射線源の前の2つのパスが使用されるとき、同じ線量を使用する。しかし、既存の方法を使用する線量レベルの分散は大きすぎるため、より狭い線量範囲を必要とする医療デバイスの照射には、これらのシステムは適切でない。放射線感受性材料を含む医療デバイスの滅菌のために、より多くの作業範囲を利用できるように、この分散を低減する必要がある。0037パスの数及びそれぞれのパスでのデバイスの向きを選択するために密度プロファイルを作製し、それぞれの向きの線量マップを比較することによって、線量レベルの最も小さい分散を生成するそれぞれのパスの線量レベルを決定するための情報が得られる。このデータはそれぞれのパスの線量マップから利用可能であり、3つのすべてのパスの後、すべての場所で線量の分散を最小限化する線量レベルを求めることができる。当業者であれば、このようにして生じる分散の問題の解決を見つけるために利用可能な、最小限化の数多くの数学的方法があることを理解するであろう。したがって、ここではそれらを詳細に説明する必要はない。0038例示のために、2辺及び3辺の密度プロファイルによって特徴付けられるデバイスの例を使用する。図3及び図4の第1の例では、e-ビームの線量レベルがビームに対するデバイスの特定の向きに応じて選択されるとき、それぞれのパスに同じ線量を使用する場合と比較して、全体的な分散が低減されることが示されている。図5及び図6は、デバイスのより適切な密度プロファイルを選択することによって、分散の低減をどのように達成することができるかを示す。この例では、デバイスが、2つではなく、3つの方向で照射されるとき、分散が大幅に低減される。0039図3のA~C及び図4のA~Cは、放射線源の前を2回通るカテーテル2辺の密度プロファイルの線量深度分布を示す。放射線ビームの方向は図3A及び図4Aに示されており、それに続く図3B及び図3C、図4B及び図4Cでも同様である。位置x1、x2、x3、及びx4は、例えばカテーテルの遠位端など、材料の質量の深さ方向の座標を示し、例えば、図3Aに示された位置x1は、第1のパス後の線量レベルが25KGyであることに対応する。図はまた、図1に関して先に説明したように、低線量域及び高線量域も識別する。第1のパスでは、位置x1は高線量域にあり、第2のパスではx4は高線量域にある。0040図3のA~Cは、両方のパスでデバイスの構成部品又はデバイスが25KGyの線量で照射されるとき、深さx1、x2、x3、及びx4で受ける線量レベルを示す。図4のA~Cは、同じデバイスであるが第1のパスでは30KGy線量、第2のパスでは20KGy線量で照射されるとき、x1、x2、x3、及びx4で受ける線量レベルを示す第1の向きの高線量域内の材料の第1の密度は、第2の向きの高線量域内の材料の第2の密度より高いため、第1の線量レベルは第2の線量レベルに対して低減されている。第2のパスでは、x1、x2、x3及びx4の位置から推測することができるように、デバイスは180度反転される。図3A及び図4Aは、第1のパス後の線量レベルを示す。デバイスが180度反転されるときに受ける線量レベルは、図3B及び図4Bに示されている。図3C及び図4Cは、それぞれのパスのそれぞれの位置の線量レベルを加算することによって得られる、両方のパス後のそれぞれの位置x1、x2、x3、及びx4における合計された線量レベルを示す。本発明によって可能になる線量レベルの分散の低減は、図3Cの最終的な線量レベルと図4Cの最終的な線量レベルを比較すると分かる。0041放射線損傷が起きる前の図3及び図4のカテーテルの線量限度が40KGyであり、SAL10-6のための最小線量レベルが25KGyであると仮定する。図3Cのx1~x4の線量レベルを比較することによって分かるように、同じ線量レベル25KGyが照射されるときの線量レベルの分散は10KGyである。SAL10-6のための最小線量レベル25KGyが1つの位置で達成され、最大線量の35KGyが他の位置で達成される。したがって、すべての位置でデバイスのバイオバーデンを適切に低減するために、操作者は、5KGyの動作範囲でしか作業することができない40-35=5KGy。これは狭い動作範囲であり、先に説明したように、滅菌プロセスが複雑になる。おそらく、より重要なことは、利用可能な動作範囲の上限が5KGyしかない場合、この動作範囲内でのビームパラメータの制御が困難であるため、又は、ある位置で受ける実際の線量が線量マップから予想され、又は示唆されるものより高いためのいずれかによって、デバイスが損傷する危険性がより高くなることである。0042図4Cは、比較として、より好ましい4KGyの線量分散を示しx3とx4を比較、最小線量レベルが30KGy、及び最大線量が34KGyであることを示す。本発明の方法を使用すると、動作範囲の下限は5KGy、動作範囲の上限は6KGyである。動作範囲が広いほど、40KGyの上限を超えることなく、SALを達成するようにビームを制御することがより簡単になる。動作範囲がより広いことよって、操作者が、図3のA~Cの場合より、ビーム線量レベルと上限とのより大きい間隔を得ることができ、操作者はデバイスが受ける実際の線量レベルの不確実性をより多く考慮に入れることができる。0043図5のA~C及び図6のA~Bは、図2の円盤状の形状のデバイスの線量深度分布を示す。先に説明したように、放射線滅菌では、円盤形は、より密度の高い構成部品がこのように配置されているとき、以下の説明からより詳しく理解されるように、3辺の物体として最も良く示される。図5のA~Cは、同じ線量レベルで2つのパス後の線量レベルを示す。デバイスは、当技術分野では一般的であるが、より密度の高い構成部品がデバイス内にある配置にかかわらず、第1のパス後に180度反転される。上記のように、ビーム方向が示され、深さ方向の座標y1、y2、y3...y6における線量レベルが示されている。25KGy線量がそれぞれのパスに照射される。図5Aを参照すると、y1は第1のパスの高線量域にある。第2のパスでは、y3、y4及びy5はそれぞれ高線量域にあるデバイスはパス間で180度反転される。図6のA~Bは、同じデバイスであるがそれぞれ120度ずつ離れた3つの異なる向きで、それぞれのパスで同じ線量レベル17KGyで、放射線に曝露されるときの線量レベルを示す。3辺の密度プロファイルに合わせて、3つのパスが形成される。ビーム方向は、図示するように、図6Aの三角形の各辺に対して垂直である。この例では、それぞれの向きに同じ線量レベルを照射することができる。3辺の密度プロファイルを有する、又は3辺の密度プロファイルに最も近い医療デバイスでは、後でより詳細に説明するが、線量レベルの分散を最小限化するために、それぞれのパスで線量レベルを異なるものにすることができる。0044放射線損傷が起きる前の図5及び図6の円盤形の線量限度が50KGyであり、SAL10-6のための最小線量レベルが25KGyであると仮定する。図5Cのy1~y5の線量レベルを比較することによって分かるように、同じ線量レベル25KGyが照射されるときの線量レベルの分散は20KGyであり、最小線量レベルが30KGy、及び最大線量が50KGyであり、それが限度である。したがって、すべての位置でSAL10-6を得るために、操作者は、やはり5KGyの動作範囲でしか作業することができない。図6Bは、比較として、はるかに好ましい0KGyのみの線量分散を示し、線量レベルはすべての位置で37KGyである。したがって、本発明の方法を使用すると、この例ではデバイスの密度プロファイルに基づいて向きを選択する場合、既存の技術を使用する5KGyの場合と比較して、25KGyの動作範囲が利用可能になる。0045上記で説明した例では、それぞれの向きに同じ線量レベルが照射される。より一般的な場合では、図2の円盤形の場合のように分散を低減するという目的に対してそれほど好ましい密度分布を得ることは不可能であろう。構成部品はより離れているので、密度プロファイルは多角形によって分布を大まかに概算することしかできない。このような場合、分散を低減するために、例えば、4、5、6、又はそれ以上など、パスの数を増加することができる。さらに、それぞれのパスは、放射線源の前のすべてのパスが形成された後の分散の総量を最小限化するように選択された、独自の特有の線量レベルを有することができるが、上記の例が示すように、いくつかのデバイスでは、向きを適切に選択すると、それぞれのパスで線量レベルを調整する必要がなくなることが企図されており、これは望ましいことである。0046最小限化は、線量マップで選択されたすべての位置、又は最大及び最小になる位置に対する分散に基づいて、行うことができる。したがって、第1の線量計の位置第1のデバイスの位置付近のデバイスの線量レベルを予測すると第2の線量計の位置第2のデバイスの位置付近のデバイスの線量レベルを予測するとの差異を最小限化するように、それぞれのパスの線量レベルとパスの数の両方又は一方を選択することができる。又は、それぞれのパスの線量レベルとパスの数の両方又は一方は、例えば、デバイス上の2つの位置だけでなく、線量マップを構成するすべての線量計にわたる、又はすべての線量計に対する線量分散を最小限化し、すなわち、デバイス全体に対する分散を最小限化するように、選択することができる。00474つのパスを適用するデバイスでは、デバイスに対する分布を決定するために、4つの向きに、例えば90度回転で、4つの線量マップが作製され、次いで、4つのパスがすべて完了した後のデバイスに対する総分散量を最小限化するように、それぞれのパスの線量レベルが計算される。同様に、6つのパスでは、デバイスに対する分布を決定するために、6つの向きのそれぞれに、例えば60度回転で、6つの線量マップが作製され、次いで、6つのパスがすべて完了した後のデバイスに対する総分散量を最小限化するように、それぞれのパスの線量レベルが計算される。0048より一般的な場合について、線量マップにおけるm個の線量計位置のパスの数をnとすると、線量レベルを求める数学的問題に対する解は、m次方程式を使用して求められる未知数nの1つになり、例えば、m次式はそれぞれ、少なくとも最初は、m個の線量計位置のそれぞれにおける線量レベルの合計として、未知数n線量レベルのそれぞれについて表すことができる。結果として得られる式例えば、線量計位置の総線量の差異は、一般に、線量レベルを求める式の過剰決定された組となる放射線源の前のパスより線量計位置のほうが多いことがあるので、求めようとする未知数より多くの式が存在する。これはもちろん、それぞれの式が他の式に対して線形独立であることを示している。特に、式が線形従属である場合、デバイスの密度プロファイルは、洞察が得られ、線形従属性は放射線源の前のより少ないパスで十分であることを示唆している。理解されるように、分散問題の最小限化について上記で提案したような数式及び解は、当技術分野では周知である。0049以上、本発明の特定の実施形態を図示し説明したが、本開示を読めば、本発明のより広い解釈において、本発明から逸脱することなく、変更及び修正を行うことができることを当業者であれば理解するであろう。