絶縁層に溝を形成する工程と、前記溝を埋設しない膜厚に導体膜を成膜する工程と、前記導体膜を全面にエッチバックして、前記溝の両側壁にサイドウォール状の配線を形成する工程、とを備えた配線形成工程を含む半導体集積回路装置の製造方法。前記絶縁層は、第1の絶縁膜上に該第1の絶縁膜とエッチング特性の異なる第2の絶縁膜の積層であり、前記溝を形成する工程は、前記第2の絶縁膜に溝パターンを転写する工程と、該パターン化された第2の絶縁膜をマスクとして前記第1の絶縁膜をエッチングする工程を含む請求項1に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記第2の絶縁膜に溝パターンを転写する工程は、前記第2の絶縁膜をフォトリソグラフィー技術を用いて第1のパターンに加工した後、該第1のパターンを縮小して第2のパターンに加工する工程を含む請求項2に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記導体膜のエッチバック後、前記溝の少なくとも一方の終端部の導体膜を除去する工程を含む請求項1乃至3の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記導体膜を成膜する工程は、全面にバリア膜を成膜した後、金属膜を成膜する工程である請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記配線の形成工程の後、前記溝間に残存する絶縁層の少なくとも一部を除去して第1エアギャップを形成する工程をさらに含む請求項1乃至5の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。絶縁層をフィン状絶縁層に加工する工程と、前記フィン状絶縁層を覆って所定の膜厚で導体膜を成膜する工程と、前記導体膜を全面にエッチバックして、前記フィン状絶縁層の両側壁にサイドウォール状の配線を形成する工程、とを備えた配線形成工程を含む半導体集積回路装置の製造方法。前記フィン状絶縁層は複数形成され、前記導体膜を成膜する工程は、隣接する前記フィン状絶縁層間の間隙を埋設しない膜厚に形成する工程である請求項7に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記絶縁層は、第1の絶縁膜上に該第1の絶縁膜とエッチング特性の異なる第2の絶縁膜の積層であり、前記フィン状絶縁層を形成する工程は、前記第2の絶縁膜にフィン状絶縁層パターンを転写する工程と、該パターン化された第2の絶縁膜をマスクとして前記第1の絶縁膜をエッチングする工程を含む請求項7又は8に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記第2の絶縁膜にフィン状絶縁層パターンを転写する工程は、前記第2の絶縁膜をフォトリソグラフィー技術を用いて第1のパターンに加工した後、該第1のパターンを縮小して第2のパターンに加工する工程を含む請求項9に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記導体膜のエッチバック後、前記フィン状絶縁層の少なくとも一方の終端部の導体膜を除去する工程を含む請求項7乃至10の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記導体膜を成膜する工程は、全面にバリア膜を成膜した後、金属膜を成膜する工程である請求項7乃至11の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記配線の形成工程の後、前記フィン状絶縁層の少なくとも一部を除去してエアギャップを形成する工程をさらに含む請求項7乃至12の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記配線の形成工程の後、配線を覆う第3の絶縁層を形成する工程を有し、該第3の絶縁層を形成する際に、前記第3の絶縁層の埋め込まれる配線間に第2エアギャップとなるボイドを有するように形成する請求項1乃至13の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。前記配線の形成工程の後、配線を覆う第3の絶縁層を形成する工程と、該第3の絶縁層中に、隣接する2本の配線の少なくとも対向する側面の一部をそれぞれ露出するコンタクトホールを形成する工程と、該コンタクトホールに導体を充填してコンタクトプラグを形成する工程とを有し、1つのコンタクトプラグに接続された2本の配線を電源線とする請求項1乃至14の何れか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。絶縁層内に形成された配線を有する半導体集積回路装置であって、該配線はバリア膜と金属膜との積層からなり、前記バリア膜は前記金属膜の下面と前記絶縁層に接する一側面にのみ形成されてなる半導体集積回路装置。前記配線は、配線幅がフォトリソグラフィー技術による加工限界以下の幅であり、配線高さが前記配線幅に対して所定の配線抵抗を満足する断面積となる高さである請求項16に記載の半導体集積回路装置。前記配線は、2本の配線の両終端部において繋がったリング状の配線を含む請求項16又は17に記載の半導体集積回路装置。前記配線は複数配設され、隣接する2本の配線を組み合わせて電源線を構成し、該電源線を構成する2本の配線の対向する側面に接続するコンタクトプラグを有する請求項16乃至18の何れか1項に記載の半導体集積回路装置。前記配線は複数配設され、配線間にエアギャップを有する請求項16乃至19の何れか1項に記載の半導体集積回路装置。ここで、半導体集積回路の微細化、高集積化に伴って配線幅や配線間隔も微細化され、高抵抗化が懸念される。配線幅を広げることなく高抵抗化を回避するためには、配線の高さを高く厚さを厚くして断面積を大きくすることが有効である。しかしながら、特許文献1に記載のエッチング法では、アスペクト比の大きい配線は加工が困難であり、加工限界の制限を受けることになる。また、ダマシン法による配線形成方法は、ある程度配線幅に余裕のある上層の配線には適しているが、配線幅が微細化され形成する溝のアスペクト比が大きくなってくると、埋設不良などの問題を引き起こす。本発明の一実施形態によれば、絶縁層に溝を形成する工程と、前記溝を埋設しない膜厚に導体膜を成膜する工程と、前記導体膜を全面にエッチバックして、前記溝の両側壁にサイドウォール状の配線を形成する工程、とを備えた配線形成工程を含む半導体集積回路装置の製造方法が提供される。また、本発明の別の実施形態によれば、絶縁層をフィン状絶縁層に加工する工程と、前記フィン状絶縁層を覆って所定の膜厚で導体膜を成膜する工程と、前記導体膜を全面にエッチバックして、前記フィン状絶縁層の両側壁にそれぞれサイドウォール状に配線を形成する工程、とを備えた配線形成工程を含む半導体集積回路装置の製造方法が提供される。さらに、本発明のもう一つの実施形態によれば、絶縁層内に形成された配線を有する半導体集積回路装置であって、該配線はバリア膜と金属膜との積層からなり、前記バリア膜は前記金属膜の下面と前記絶縁層に接する一側面にのみ形成されてなる半導体集積回路装置が提供される。本発明の一実施形態によれば、絶縁層に形成した溝またはフィン状絶縁層の両側壁にサイドウォール状に導体膜を残すことで、配線高さを溝深さ若しくはフィン状絶縁層の高さにより制御でき、配線幅は導体膜の堆積量により制御できることから、加工限界の制約を受けずに高アスペクトな配線を自己整合的に形成することができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明では、支柱となる絶縁層の側壁にサイドウォール状に配線を形成することを基本とする。支柱となる絶縁層は、その加工方法により溝を形成する場合と、凸状フィン状に加工する方法に大別される。図1は、本発明の一実施形態に係る配線形成工程を説明する概略工程断面図である。まず、図1aに示すように、絶縁層1に溝1Tを形成する。次に図1bに示すように、溝1Tを埋設しない膜厚に導体膜2を形成する。最後に、導体膜2をエッチバックする。エッチバックすることで、絶縁層1上及び溝1Tの底面の導体膜2が除去され、溝1Tの両側壁にサイドウォール状の配線3が形成される。図2は、本発明の別の実施形態に係る配線形成工程を説明する概略工程断面図である。まず、図2aに示すように絶縁層1を加工して絶縁層フィン1Fを形成する。次に図2bに示すように、絶縁層フィン1Fを覆って全面に導体膜2を所定の膜厚に形成する。最後に、導体膜2をエッチバックする。エッチバックすることで、絶縁層フィン1F上及び絶縁層1上の導体膜2が除去され、絶縁層フィン1Fの両側壁にサイドウォール状の配線3が形成される。絶縁層フィン1Fを複数配置することで、絶縁層フィン1F間には溝1Tが形成されることになる。配線間隔を縮小するためには、絶縁層フィン1F及び/又は溝1Tを狭ピッチに複数形成して上記方法によりサイドウォール状の配線を形成する。本発明における配線幅は、導体膜の堆積量堆積膜厚に依存しており、従来法で形成される配線幅から、さらには従来法では形成が困難なフォトリソグラフィー技術による加工限界以下の幅の配線幅まで、広く適用することができる。配線幅の縮小に伴い、配線抵抗が問題となってくるが、本発明による方法では、絶縁層に形成する溝の深さ又は絶縁層フィンの高さを制御することによって、配線幅の縮小に伴う配線抵抗の上昇に対応するすることできる。つまり、配線高さは配線幅に対して所定の配線抵抗を満足する断面積となる高さとする。絶縁層1の加工パターンとして、溝の終端部長手方向の端部に絶縁層1が残存する有端の溝1Taを形成する場合図3aと、絶縁層1を複数の絶縁層フィン1Fに加工し、絶縁層フィンの端部で溝が終端し、開放状態となる無端の溝1Tbの場合図3bとが挙げられる。さらにこれら有端の溝1Taと無端の溝1Tbを組み合わせた形態も可能である図3c。さらに図3cには溝の終端部の一方に絶縁層1が残存し、他方が開放状態となる方端の溝1Tcの場合も示している。いずれの場合にもエッチバック後も溝内又は絶縁層フィンの両終端部では導体膜2が繋がってリング状となっている。溝又は絶縁層フィンの両側壁に形成された導体膜を分離して2つの配線に分けるために、さらに、溝の両終端部絶縁層フィンの両終端部の導体膜を除去する必要がある。たとえば、図3bに示すような絶縁層フィン1Fの両終端部で繋がった導体膜2を除去するには、図4aに示すように、絶縁層フィン1Fの両終端部を除いてレジスト4などにより保護し、露出する導体膜2をウエットエッチングやドライエッチングなどにより除去図4bする方法が挙げられる。なお、後述する実施形態例3のように2本の配線を1組として電源線などに利用する場合には、両終端部の少なくとも一方は繋がったままでの使用も可能な場合がある。なお、溝1T若しくは絶縁層フィン1Fの側壁は図示したような垂直形状に限定されず、溝1T若しくは隣接する絶縁層フィン1F間が底部から上部に向かって広くなるテーパ形状となっていても本発明を適用することができる。その場合に、形成された配線の絶縁層に接する側の側面とエッチバックにより分離された側面の仰角が異なる場合もあり、いずれも本発明の範疇に含まれる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。第1の実施形態例図5は、本発明の第1の実施形態例に係る配線形成方法を説明する工程断面図である。なお、配線の形成される第1層間絶縁膜の下層には、半導体基板上に形成された半導体素子、半導体素子を覆う層間絶縁膜、配線と半導体素子を接続するコンタクトプラグなどが形成されるが、ここでは、配線の形成される第1層間絶縁膜の下層の詳細は図示していない。第1層間絶縁膜の下層について、ここでは基板11と称する。まず、基板11上に第1の絶縁膜12として酸化シリコン膜をプラズマCVD法などの公知の方法で形成する。第1の絶縁膜12上にはハードマスクとなる第1の絶縁膜12とはエッチング特性の異なる第2の絶縁膜13として窒化シリコン膜をプラズマCVD法などの公知の方法で形成する。さらに、第2の絶縁膜13上にフォトレジスト膜14を成膜し、所望の溝パターンを形成する様にパターニングする図5a。続いて、図5bに示すように、フォトレジスト膜14をマスクに第2の絶縁膜13をエッチングして第1のパターンを有する第1マスクパターン13Pを形成する。残存するフォトレジスト膜14を除去した後、リン酸を用いたウエットエッチングによりマスクパターン13Pを縮小シュリンクする図5c。このようにシュリンクすることでマスクパターン13Pを解像度限界以下の幅に縮小することできる。シュリンクした第2のパターンに成形された第2の絶縁膜13を第2マスクパターン13P’とする。次に、第2マスクパターン13P’をマスクとして、第1の絶縁膜12をエッチングして、溝15を形成する図5d。なお、基板11の表面にはエッチングストッパとなる窒化シリコン膜を全面に形成しておくことが好ましい。続いて、溝15内を含む全面にバリア膜16としてTi膜、TiN膜又はこれらの積層膜をスパッタ法若しくはCVD法にて成膜し、さらに、残存する溝15を埋設しない膜厚で金属膜17としてタングステンWやアルミニウムAlを成膜する図5e。次に、図5fに示すように、バリア膜16と金属膜17を全面にエッチバックし、第2の絶縁膜13第2マスクパターン13P’を露出させる。溝15の底部では、基板11上のバリア膜16と金属膜17が同様に除去され、溝15の両側壁にサイドウォール状の配線18が形成される。このように形成した配線18はバリア膜16が金属膜17の下面と第1層間絶縁膜12に接する一側面にのみ形成された状態となる。たとえば、従来のダマシン法で同じ幅の配線を形成した場合には、溝の両側面にバリア膜が形成され、金属膜の割合が少なくなるが、本発明による方法ではバリア膜の形成されない側面を有することで金属膜の割合がその分増加し、より低抵抗になる。また、従来の配線形成方法は加工限界の制約によりアスペクト比の大きい導体配線を形成することは困難であったが、本発明では、加工限界の制約を受けずにアスペクト比の大きい導体配線を形成することができる。すなわち、導体膜の高さは支柱となる第1の絶縁膜2の高さによって決まる一方、配線幅は導体膜の堆積膜厚によって決まるため、加工限界の制約を受けずにアスペクト比の大きい導体配線を形成ことができる。また、配線間隔も本実施例に示したようなマスクとなる第2の絶縁膜13をダブルパターニング技術を適用してシュリンクすることで、加工限界以下の間隔に形成することが可能となる。エッチバック後、図4に示したように溝あるいは絶縁層フィンの終端部で繋がっている配線18金属膜17及びバリア膜16を選択的に除去することで、各溝絶縁層フィンの両側壁にそれぞれ分離された配線とすることができる。このように形成された配線間及び配線上に絶縁膜第3の絶縁膜を形成することで、さらに上層の構造を形成することができる。第2の実施形態例次に、本発明の第2の実施形態例について説明する。配線高さが高く、配線間隔が狭くなってくると配線間のカップリング容量が問題となる場合がある。カップリング容量を低減するには、配線間の誘電率を低減することが有効であり、配線間絶縁材料として低誘電率材料などを使用することが考えられる。しかしながら、エッチング特性などさまざまな要因をクリアしなければならないなどの問題がある。そこで、低誘電率材料を使用する代わりに、エアギャップを設ける方法がある。エアギャップとは文字通り、配線間に空隙真空もしくは所定のガス空気を設けて究極の低誘電率化を実現する技術である。上記第1の実施形態例において、図5fの工程の後、図4bに示したように絶縁層フィン1Fの端部の導体膜の除去まで実施した後、フッ酸を用いたウエットエッチングにより第1の絶縁膜12である酸化シリコン膜を除去する。これにより、図6aに示すように、配線間に一つおきに第1エアギャップ21を形成することができる。なお、上記したように溝15形成時にエッチングストッパとなる窒化シリコン膜を基板11の表面に形成しておくことで、酸化シリコン膜のウエットエッチング液の下層への侵入を阻止することができる。また、第2の絶縁膜13第2マスクパターン13P’が第1の絶縁膜12の除去後にも残存することで、配線18の倒壊を抑制することができる。続いて、溝間の分離された配線間に第3の絶縁膜22を形成する際にカバレジ性の悪いHDPHighDensityPlasmaCVD法による成膜を行うと、溝間の分離された配線間にも第2エアギャップ23となるボイドが形成される図6b。以上のように、配線間にエアギャップを設けることで、カップリング容量の低減を図ることが可能となる。なお、エアギャップはカップリング容量が問題となる配線間隔の狭い領域配線密集領域に形成すれば良く、配線形成領域の全てに形成する必要はない。部分的にエアギャップを設ける場合、第2の絶縁膜13に開口部を形成して、この開口部を介して第1の絶縁膜12を除去することができる。第3の実施形態例次に、第3の実施形態例について説明する。配線には、信号を伝達する信号線と半導体装置に必要な電力を供給する電源線とがある。電源線では、信号線よりも多くの電気が流れることから信号線よりも低抵抗な配線が必要となる。通常は、電流方向に対する断面積を大きくする、つまり太い配線とするが、本発明の方法は微細配線を形成する方法であることから、一つの配線では電源線として適さない場合がある。そこで、本実施形態例では隣接する2つの配線を一組として使用することで、電源線としても適用可能である。図7では溝内で対向する2つの配線18A及び18Bを電源線31とし、電源線31に対してコンタクトプラグ32を形成した状態を示している。同図aは上面図、同図bはaのA-A断面を示す。配線幅をシュリンクして配線上面でコンタクトを接続するとコンタクト抵抗が増加することが問題となるが、本実施形態例では、コンタクトホールを配線18A及び18B間に形成し、2つの配線18A及び18Bの対向する側面でコンタクトプラグ32が接触するようにすることで、コンタクト抵抗を低減することができる。このように、隣接する2つの配線を一組として配線抵抗を低減すると同時に、コンタクト抵抗の低減も可能となる。なお、コンタクト形成部位は図7に示すような溝間に対向する配線間に形成する場合以外に、絶縁層フィンを貫通するコンタクトを設け、絶縁層フィンの両側壁で対向する配線間に形成しても良い。さらに、第1の実施形態例で説明した配線の終端部で繋がっている配線を分離せずにそのまま電源線として利用する場合には、その終端部にコンタクトを形成しても良い。配線終端部の内側にコンタクトを形成すれば、3面でコンタクトプラグと配線とが接触することになり、よりコンタクト抵抗の低減を図ることができる。また、配線終端部の内側と外側に跨って形成することでもコンタクト抵抗の低減を図ることができる。1本の配線にコンタクトプラグを形成する場合にも、一方の側壁又は両方の側壁に跨ってコンタクトプラグを接続するようにすれば、同様にコンタクト抵抗の低減が図れる。さらに、図3cの右辺に示したように、複数の配線を囲む配線をリング状のまま使用して電源線として使用することも可能である。以上の説明では、配線を直線状に形成する例を示しているが、配線は直線状に限定されず、湾曲ないしは屈曲した配線を形成することも可能である。たとえば、DRAMのビット配線では容量コンタクトを避けて屈曲した配線を形成することがあるが、本発明に係る配線はこのような屈曲した配線へも適用することができる。また、溝幅あるいは絶縁層フィン幅に依存する配線間の間隔は一定である必要はなく、図8に示すように、配線密集領域から周辺部に向かって配線間隔が広がるように、溝幅、絶縁層フィン幅若しくは両方の幅を広げてもよい。図8において、電源線41として対向する2本の配線を使用し、その周囲に信号線42を配置した例を示している。なお、黒丸はコンタクト部を示す。