平面方向に延在した矩形状の板状部材および前記板状部材の長手方向の両側に沿って配置された側壁部材を備え、前記側壁部材間に前記板状部材の上方に位置するように長手方向に沿って設けられた開口部を有する筐体と、前記板状部材に設けられた、前記開口部に向かって光を発する半導体発光モジュールとを備え、前記板状部材と前記側壁部材とが接続されている個所において、前記板状部材および前記側壁部材の両方にかけて長手方向に沿った凹部が設けられていることを特徴とする照明器具。請求項1に記載の照明器具であって、前記側壁部材の一端には、前記筐体の内方に向かって突出した支持部が設けられており、前記支持部に矩形状の光透過性カバーがさらに設けられていることを特徴とする照明器具。請求項2に記載の照明器具であって、前記筐体内には、前記半導体発光モジュールの発する光を反射するリフレクターがさらに設けられており、前記リフレクターは、前記筐体の内側にひっかかるように、前記半導体発光モジュールと間を空けて配置されていることを特徴とする照明器具。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の照明器具であって、前記カバーは、縦断面視して外側面が平面状であることを特徴とする照明器具。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の照明器具であって、前記凹部の内壁面は、曲面であることを特徴とする照明器具。本発明は、半導体発光モジュールを保護するカバーが高温になるのを抑制することが可能な照明器具を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る照明器具は、平面方向に延在した矩形状の板状部材および前記板状部材の長手方向の両側に沿って配置された側壁部材を備え、前記側壁部材間に前記板状部材の上方に位置するように長手方向に沿って設けられた開口部を有する筐体と、前記板状部材に設けられた、前記開口部に向かって光を発する半導体発光モジュールとを備え、前記板状部材と前記側壁部材とが接続されている個所において、前記板状部材および前記側壁部材の両方にかけて長手方向に沿った凹部が設けられていることを特徴とする。本発明によれば、半導体発光モジュールを保護するカバーが高温になるのを抑制することが可能な照明器具を提供することができる。以下に、添付図面を参照して、本発明に係る照明器具の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。図1は、本発明の実施形態に係る照明器具の概観斜視図であって、筐体の開口部からリフレクターおよび半導体発光モジュールの一部が見えている状態を示している。図2は、図1に示す照明器具の分解斜視図であって、光透過性カバー、リフレクター、半導体発光モジュールおよび筐体を示している。図3は、図2に示す照明器具におけるリフレクターを拡大した概観斜視図であって、リフレクターの一端を示している。図4は、図2に示す照明器具における半導体発光モジュールを拡大した概観斜視図であって、半導体発光モジュールの一端を示している。図5は、図2に示す照明器具における筐体を拡大した概観斜視図であって、筐体の一端を示している。図6は、図1のX-X’線に沿った照明器具の断面図である。図7は、1つの半導体発光モジュールの内部を示した断面斜視図である。図8は、図7のY-Y’線に沿った半導体発光モジュールの断面図である。<照明器具の構成>照明器具1は、天井または壁等の室内に直接取り付けるか、あるいは、屋外にて使用するものである。そして、照明器具1から発せられる光は、室内または屋外を照らすことができる。照明器具1は、開口部Hを有する筐体2と、開口部Hに向かって光を発する半導体発光モジュール3と、半導体発光モジュール3が発する光を反射して開口部Hに向かって光を進行させるリフレクター4とを含んでいる。筐体2は、平面方向に延在した矩形状の板状部材2aと、縦断面視して板状部材2aの短手方向における両端部に設けられた側壁部材2bとを備えている。リフレクター4は、半導体発光モジュール3が発する光を反射するものであって、例えばアルミ二ウム、銅またはステンレス等から構成されている。また、リフレクター4は、金型によって成型されたポリカーボネート樹脂から成るリフレクター4の内壁面に、アルミニウムを蒸着することによって構成されてもよい。リフレクター4は、各発光素子3aを取り囲む態様で配置されている。なお、リフレクター4の熱伝導率は、例えば10W/mK以上500W/mK以下で設定されている。リフレクター4は、筐体2の内側にひっかけるように設けられ、半導体発光モジュール3と間を空けて配置されている。図6に示すように、側壁部材2bの一端には、平面方向であって筐体2の内側に向かって延在した支持部2bxが設けられており、支持部2bxから下方に向かって延在した凸部2byが設けられている。また、リフレクター4は、リフレクター4の出射口の縁から、実装基板3bに向かって折れ曲がって形成されている。そして、リフレクター4の端部4bは、実装基板3bに向かって折れ曲がった先にあり、その端部4bが凸部2byに引っ掛けられる。リフレクター4は、凸部2byにひっかけて設けられることで、筐体2が熱によって変形したとしても、リフレクター4は凸部2byに対して固着されていないので、筐体2から加わる熱応力を緩和することができる。その結果、リフレクター4は、半導体発光モジュール3に対して、リフレクター4が位置ずれしたり、歪んだり、反ったりするのを抑制することができ、半導体発光モジュール3が発する光を効果的に反射して、指向性が優れた状態で外部に取り出すことができる。リフレクター4は、半導体発光モジュール3と間を空けて設けられることによって、発光素子3aが発する熱が直接的に半導体発光モジュール3を介して伝達されない。その結果、リフレクター4は、半導体発光モジュール3に対して熱によって位置がずれたり、歪んだり、反ったりすることが抑制されて、半導体発光モジュール3が発する光を効果的に反射して指向性が優れた状態で外部に取り出すことができる。リフレクター4は、図5に示すように、筐体2内に実装したときに、半導体発光モジュール3の光源としての発光素子3aに対応する開口孔4aが複数設けられている。リフレクター4は、発光素子3aからリフレクター4の出射口に向かうにつれて広がって形成されている。リフレクター4は、いわゆるパラボラ形状の円筒体である。リフレクター4で囲まれる領域が、リフレクター4の出射口に向かうにつれて大きくなることで、リフレクター4によって発光素子3aの発する光を遮りにくくすることができ、発光素子3aの発する光の照射面積を広くすることができる。つまり、開口孔4aは、図6に示すように、開口孔4aで囲まれる横断面の領域は、下部から上部に向かって広がるように形成されている。そして、開口孔4aの下方に位置する発光素子3aが発する光を、開口孔4aを通して、開口孔4aの内壁面にて反射させて、上方に向かって指向性よく取り出すことができる。なお、開口孔4aの板状部材2aの上面に沿った平面方向に対する傾斜角度は、例えば30度以上85度以下に設定されている。光透過性カバー5は、筐体2内を覆うものであって、半導体発光モジュール3を保護するものである。光透過性カバー5は、半導体発光モジュール3から発せられる光が透過する材料からなり、例えば樹脂またはガラス等の光透過性材料から構成されている。そして、半導体発光モジュール3の発する光が、光透過性カバー5を通過して外部に取り出される。なお、光透過性カバー5は、矩形状の板体であって、平面視して長手方向の長さが、例えば48mm以上1998mm以下であって、平面視して短手方向の長さが、例えば9mm以上49mm以下に設定されている。また、光透過性カバー5は、縦断面視したときの上下方向の長さが、例えば0.5mm以上3mm以下に設定されている。光透過性カバー5は、筐体2の開口縁に設けられる。光透過性カバー5は、筐体2内の支持部2bxの一方から他方にかけて設けられている。光透過性カバー5は、筐体2の長手方向に沿って筐体2の側面からスライドさせて、支持部2bxにひっかけることができる。そして、筐体2の側壁部材2b、側面カバー6および光透過性カバー5によって、筐体2内の半導体発光モジュール3を外部から保護することができる。また、光透過性カバー5は、筐体2の支持部2bxにて挟持して保持されることで、光透過性カバー5が落下するのを防止することができる。次に、半導体発光モジュール3について説明する。半導体発光モジュール3は、半導体発光素子からなる複数の発光素子3aと、複数の発光素子3aを実装するための実装基板3bとを備えている。複数の発光素子3aは、筐体2内に直線状に配置されており、各発光素子3aの直上にリフレクター4の開口孔4aが位置するように位置合わせされている。実装基板3bは、矩形状であって、その長手方向寸法が筐体2の開口部Hと略同じ長さを有した長尺の板体である。実装基板3bは、例えば樹脂からなるプリント配線基板等の樹脂基板、あるいはガラス基板、あるいはアルミ基板等の金属板が用いられる。なお、実装基板3bには、筐体2に固定するための螺子孔図示せずが設けられている。そして、実装基板3bと筐体2とを螺子を介して固定することができる。なお、実装基板3bの上面には、複数の発光素子3aが等間隔に実装されている。次に、発光素子3aについて説明する。発光素子3aは、チップ実装基板31と、チップ実装基板31上に設けられる光半導体素子32と、光半導体素子32を取り囲む枠体33と、枠体33で囲まれる領域に設けられる封止樹脂34と、枠体33によって支持され、接着樹脂35を介して枠体33に接続される波長変換部材36とを備えている。発光素子3aは、例えば発光ダイオードであって、光半導体素子32内のpn接合中の電子と正孔とが再結合することによって、光半導体素子32が光を放出する。チップ実装基板31には、実装基板3b上に設けられる。実装基板3bとチップ実装基板31とは、例えば半田または導電性接着剤を介して電気的に導通されるように接合される。チップ実装基板31は、例えばアルミナ、ムライトまたはガラスセラミック等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、チップ実装基板31は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。チップ実装基板31の表面が拡散面である場合は、光半導体素子32から発せられる光が、チップ実装基板31の表面に照射されて拡散反射される。そして、光半導体素子32が発する光を拡散反射によって多方向に放射し、光半導体素子32から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。ここで、チップ実装基板31には、配線導体が設けられており、配線導体を介して実装基板3bに電気的に接続されている。配線導体は、例えばタングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えばタングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、チップ実装基板31に所定パターンで印刷することにより得られる。光半導体素子32は、チップ実装基板31上に実装される。具体的には、光半導体素子32は、チップ実装基板31上に形成される配線導体上に、例えば半田または導電性接着剤等の接着材料、あるいはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。光半導体素子32は、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。なお、光半導体素子32の厚みは、例えば30μm以上1000μm以下である。光半導体素子32は、第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層とから構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えばIII族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII-V族半導体、あるいは窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下である。発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下である。第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された光半導体素子32では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発することができる。チップ実装基板31上には、光半導体素子32を取り囲むように枠状の枠体33が設けられている。枠体33は、チップ実装基板31上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体33は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の多孔質材料からなる。枠体33は、多孔質材料からなり、枠体33の表面は微細な孔が多数形成される。枠体33は、光半導体素子32と間を空けて、光半導体素子32の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体33は、傾斜する内壁面が下端から上端に行く従って外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体33の内壁面が、光半導体素子32から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体33の内壁面が拡散面である場合には、光半導体素子32から発せられる光が、枠体33の内壁面にて拡散反射する。そして、光半導体素子32から発せられる光は、特定箇所に集中されず、上方に向かって光を進行させることができる。また、枠体33の傾斜する内壁面は、例えばタングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、光半導体素子32の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体33の内壁面の傾斜角度は、チップ実装基板31の上面に対して例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。枠体33で囲まれる領域には、封止樹脂34が充填されている。封止樹脂34は、光半導体素子32を封止するとともに、光半導体素子32から発せられる光が透過する機能を備えている。封止樹脂34は、枠体33の内方に光半導体素子32を収容した状態で、枠体33で囲まれる領域であって、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂を用いることができる。波長変換部材36は、枠体33に支持されるとともに、光半導体素子32と間を空けて対向するように設けられる。また、波長変換部材36は、光半導体素子32を封止する封止樹脂34と空隙を介して枠体33に設けられる。波長変換部材36は、接着樹脂35を介して枠体33に接合されている。接着樹脂35は、波長変換部材36の下面の端部から波長変換部材36の側面、さらに波長変換部材36の上面の端部にかけて被着している。接着樹脂35は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、接着樹脂35は、例えばポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。接着樹脂35の材料は、枠体33の熱膨張率と波長変換部材36の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択される。接着樹脂35の材料としてこのような材料を選択することで、枠体33と波長変換部材36とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ止めることができる。接着樹脂35が、波長変換部材36の下面の端部にまで被着することで、接着樹脂35が被着する面積を大きくし、枠体33と波長変換部材36とを強固に接続することができる。その結果、枠体33と波長変換部材36の接続強度を向上させることができ、波長変換部材36の撓みが抑制される。そして、光半導体素子32と波長変換部材36との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。波長変換部材36は、光半導体素子32から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部材36には、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等から成り、その樹脂中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部材36中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部材36の厚みは、例えば0.5以上3mm以下に設定されている。また、波長変換部材36の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部材36の厚みは、例えば0.5mm以上3mm以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、波長変換部材36の厚みの誤差が0.1mm以下のものを含む。波長変換部材36の厚みを一定にすることにより、波長変換部材36にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材36における輝度むらを抑制することができる。次に、筐体2について説明する。筐体2は、半導体発光モジュール3を保持する機能と、半導体発光モジュール3の発する熱を外部に放散させる機能を有している。側壁部材2bは、例えばアルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチックまたは樹脂等から構成され、平面視して直方体形状であって、開口部Hを有している。そして、開口部H内に、複数の半導体発光モジュール3を実装することができる。なお、筐体2は、平面視して長手方向の長さが、例えば50mm以上2000mm以下であって、平面視して短手方向の長さが、例えば10mm以上50mm以下に設定されている。また、筐体2は、縦断面視したときの上下方向の長さが、例えば10mm以上50mm以下に設定されている。筐体2は、半導体発光モジュール3の発する熱を効率よく外部に放散することによって、半導体発光モジュール3の傾斜角度が変化するのを低減することができ、それによって外部に取り出される光の指向性を良好に維持することができる。筐体2の熱伝導率は、例えば、10W/mK以上500W/mK以下で設定されている。なお、筐体2内には、半導体発光モジュール3が、板状部材2aに螺子またはボルト等の固定部材を介して固定する。側壁部材2bは、縦断面視して外側面が平面状に形成されている。側壁部材2bの外側面が平面状であることで、外部の平坦面に側壁部材2bを接続するときに、両者の接触面積を大きくすることでき、両者を接続しやすくするとともに、外部の平坦面との接続部を介して半導体発光モジュール3からの熱を効率よく放熱することができる。側壁部材2bのそれぞれの一端には内方に向かって突出した支持部2bxが設けられている。そして、対向する一対の支持部2bxの一方から他方にわたって矩形状の光透過性カバー5が設けられる。さらに、支持部2bxの内壁面には、リフレクター4を嵌める溝Lが設けられている。溝Lが設けられることで、リフレクター4を脱着可能なように接続することができる。その結果、支持部2bxに対してリフレクター4を簡単に取り外すことができ、照明器具の組み立て容易性を向上させることができる。さらに、溝Lは、半導体発光モジュールから側壁部材2bを介してリフレクター4に伝達される熱を低減することができるとともに、溝Lの内周面から筐体2の内部に放散することができ、半導体発光モジュールの温度上昇を抑制することができる。筐体2は、図3に示すように、板状部材2aの両端部に側壁部材2bが接続されている。そして、板状部材2aと側壁部材2bとが接続される個所に、板状部材2aの長手方向に沿って凹部Pが設けられている。凹部Pは、板状部材2aの長手方向に沿って板状部材2aの一端から他端にかけて設けられている。なお、凹部Pは、板状部材2aの長手方向に沿った方向に貫通しており、内壁面が曲面に形成されている。板状部材2aは、半導体発光モジュール3が実装されるため、半導体発光モジュール3が光を発するときに、光の一部が熱となって、半導体発光モジュール3が高温になることがある。そして、半導体発光モジュール3の熱が板状部材2aに伝わり、板状部材2aから一対の側壁部材2bに熱が伝わろうとする。側壁部材2bの一端には、支持部2bxが設けられており、支持部2bxに光透過性カバー5が支持されているため、光透過性カバー5に半導体発光モジュール3が発する熱の多くが伝わると、光透過性カバー5が熱変形したり、光透過性カバー5の透明度が悪化したりして、光透過性カバー5が破壊される虞がある。そこで、板状部材2aと側壁部材2bとが接続される個所に、板状部材2aの長手方向に沿って凹部Pを設けることで、板状部材2aから側壁部材2bに伝わる熱量を低減することができ、側壁部材2bから支持部2bxを介して光透過性カバー5に伝わる熱量を抑えることができる。その結果、側壁部材2bおよび光透過性カバー5が高温になるのを抑制することができ、側壁部材2bまたは光透過性カバー5が破壊される虞を少なくすることができる。また、筐体2を側面視したときに、筐体2の側面部分が貫通して内部が露出している。そこで、筐体2の側面部分を覆うように、側面カバー6が設けられる。側面カバー6には、螺子孔6aが設けられている。また、螺子孔6aは、側面視して筐体2の凹部Pと重なる位置に設けられている。そして、側面カバー6は、螺子6bを螺子孔6aおよび凹部Pの端部に通して、筐体2に接続することができる。なお、螺子孔6aの大きさは、凹部Pの大きさと一致するように形成されている。筐体2に対して側面カバー6を接続するのに、筐体2に設けられた凹部Pを用いることができ、筐体2に別の螺子孔を設ける必要がなく、螺子孔6aとして凹部Pを兼用することができる。その結果、筐体2に新たな螺子孔加工を必要とせず、筐体2の製造工程を単純化することができる。照明器具1に用いられる半導体発光モジュール3は、特に、配向分布においてサイドローブの光の強度が小さく配向分布の中央部に集中するため、指向性が優れている。そのため、半導体発光モジュール3を用いた照明を店舗内に使用した場合は、店舗内では照明が光っていることを認識することができるが、店舗外から店舗内を見たときは、発光ダイオードの光は店舗内から店舗外に漏れ出にくいため、店舗が暗く見えてしまう。そのため、半導体発光モジュール3に用いる発光素子3aを多く用いることで、照明器具1の発する輝度を向上させることができるが、多くの発光素子3aを用いた場合は、熱が半導体発光モジュール3から多く発生することになる。そこで、筐体2に凹部Pを設けることで、半導体発光モジュール3の発する熱が筐体2の側壁部材2bまたは光透過性カバー5に伝わりにくくすることができ、筐体2の側壁部材2bまたは光透過性カバー5が高温になるのを抑制することができる。本実施形態によれば、筐体2内に半導体発光モジュール3が発する熱が伝わりにくいように、筐体2の板状部材2aと筐体2の側壁部材2bとが接続される個所に、板状部材2aの長手方向に沿って凹部Pを設けることで、筐体2の側壁部材2bまたは光透過性カバー5が高温になるのを抑制することができ、半導体発光モジュール3が発する光の指向性を良好に維持することができるとともに、照明器具1を天井面などに取り付ける際に加えられる、螺子止めなどによる筐体2への応力を凹部Pで緩和することができ、外的な応力による半導体発光モジュール3、リフレクター4または光透過性カバー5の割れや歪み、反りなどの損傷や変形を抑制することができる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。<照明器具の製造方法>ここで、図1に示す照明器具の製造方法を説明する。まず、発光素子3aを準備する。チップ実装基板31および枠体33が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。チップ実装基板31は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形され、枠体33は、型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前のチップ実装基板31および枠体33が取り出される。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出したチップ実装基板31となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体33は、所望の温度で焼結されることによって形成される。次に、チップ実装基板31上の配線パターンに光半導体素子32を半田を介して電気的に実装した後、光半導体素子32を取り囲むように枠体33を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体33で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、このシリコーン樹脂を硬化させることで、封止樹脂34を形成する。次に、波長変換部材36を準備する。波長変換部材36は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて、作製することができる。例えば、波長変換部材36は、未硬化の波長変換部材36を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることができる。そして、準備した波長変換部材36を枠体33上に、例えば樹脂からなる接着樹脂35を介して接着することで、発光素子3aを作製することができる。さらに、実装基板3bを準備する。実装基板3bは、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、実装基板3bに発光素子3aを半田を介して電気的に実装することで、半導体発光モジュール3を作製することができる。次に、筐体2およびリフレクター4を準備する。筐体2およびリフレクター4は、例えば、押出成形法によって一体に成形されている。しかしながら、必ずしも一体成形で形成する必要はなく、各部材を別個に製造して、これらを螺子等の締結手段で締結してもよく、また、各部材を接着剤で接着して一体化させてもよい。なお、リフレクター4には、例えばアルミニウム材料を用いて蒸着を行うことで、リフレクター4の表面を光が反射しやすい反射面にすることができる。そして、半導体発光モジュール3を筐体2内に収容し、リフレクター4を筐体2の凸部2byに引っ掛けてはめることで固定する。そして、筐体2に光透過性カバー5を取り付けることで、照明器具1を作製することができる。