溶媒で炭水化物スラリーを形成させ、及び当該炭水化物をヒドロキシラジカルと反応させることを含む炭水化物の修飾のための方法であって、当該ヒドロキシラジカルはUV光を用いて水溶液中でペルオキシドの光分解により発生し、ペルオキシドに対するUV光の割合は約20~500ワットgの範囲にある、方法。前記のペルオキシドに対するUV光の割合が、約30~200ワットgの範囲にある、請求項1に記載の方法。前記の炭水化物に対するペルオキシドの割合が、約01~25wtwtの範囲にある、請求項1または2に記載の方法。前記の炭水化物スラリーが、約30~約50の固体のパーセンテージを有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。請求項1~4のいずれか一項に記載の方法により製造された修飾化炭水化物。詳細な説明ハーモンらによるDieStarke197123347-349及び1972248-11の二つの刊行物は、UV光存在下で大量の過酸化水素を酸化剤として使用したデンプンの酸化を開示している。その方法はかなり大量のペルオキシドを必要とし、カルボキシル含有量の減少とpHの上昇とともに上昇する希薄性を示す生成物をもたらす。本研究の焦点はデンプンの希薄に最小限の重点をおいての、高カルボニルデンプンの製造であった。カルボキシル基及びカルボニル基は安定性、色変化及びデンプン糊の皮膜特性に作用する修飾炭水化物の多くの性質に影響を及ぼす。異なる酸化条件は、異なるカルボキシルまたはカルボニル含量を有する同様の粘度のデンプンを生成し、それによってそれぞれが異なる性質を有する酸化された炭水化物をもたらす。大量の酸化剤を使用するこのような酸化反応は、反応中に時間とともに酸化剤が消費されるので直線的な減少を示す。本発明者は炭水化物がそれらをヒドロキシラジカル修飾に供することによって修飾され得ることを発見した。ヒドロキシルラジカル修飾は炭水化物表面上でのヒドロキシラジカルの移動を含み、次いで、それは、炭水化物と反応してそれを脱重合、及び開裂し、たんぱく質、脂質などの炭水化物中の他の成分とまた反応し、酸化デンプンと比較してより透明な糊及び輝く白いゲルを生成する修飾化デンプン生成物をもたらす。ヒドロキシラジカル修飾は異なる反応条件を必要とし、異なる機構によって進み、酸化よりもより区別しやすい生成物を製造する。例えば、ハーマンによって行われた反応は、UV光が溶液を透過することが可能なように、必ず2固体に当該溶液を希釈させることが必要である。UV光は少量提供され、デンプンに比べて非常に高い量のペルオキシドが供給される。UV光は68ワットgペルオキシドでのみ適用されるが、ペルオキシドはデンプンに対して83超の割合で適用される。この条件下では、この反応は典型的な酸化反応のようにふるまい、ペルオキシドが消費されるに従い、反応速度は減少し、デンプンに対する高い割合のペルオキシドをもってさえも非常に低く希薄であり、粘度の減少はわずか25倍であった。それに反して、ヒドロキシラジカル反応は連続的であり、その反応は触媒量のペルオキシドが存在し、UV光が十分に供給される限り続く。30~50の商業的製造固形物は激しく撹拌した溶液へのUV光の透過を可能にする連続的な反応器によって達成され得る。UV光はさらに高いレベルである20~500ワットgペルオキサイドで適用され、それはペルオキシドによるデンプンの酸化を触媒するよりはむしろヒドロキシラジカルを連続的に生成するのに十分である。ペルオキシドは、デンプンに対してわずか01~25の割合の触媒レベルで反応に加えられる。デンプンと比較してペルオキドの高いレベル、またはペルオキシドと比較してUV光の低いレベルは、連続的に再生するヒドロキシルラジカル反応よりもむしろ酸化をもたらす。その結果として、ヒドロキシルラジカル反応は1オーダー効率的であり、かなり短い時間で30倍まで粘度を低下させる。最終生成物はまた組成的に異なり、酸化反応は05以上のカルボキシルを提供し、一方ヒドロキシルラジカル修飾は非常に希薄の生成物について005~015カルボキシルをもたらす。様々な実施形態では、本開示は炭水化物の修飾するための方法を提供する。酸化、酸修飾、エーテル化及びエステル化などの様々な方法が様々な炭水化物の希薄化を達成するため用いられることが報告されているが、それぞれの方法は異なる生理化学的性質を有する生成物、及び様々な適用を提供する。それらの方法は、頻繁に、過度の量の酸化剤、酸、無機及び有機塩基、酸無水物、酸塩化物、エーテルまたは他の過酷な化学物質が必要である。さらに、それらのいくつかの方法は低い収率を与え、加水分解などの副反応をもたらす。それらのいくつかの方法は非常に高度の脱重合を伴う。ごく低量の過酷な化学物質を使用して有効に低い粘度の炭水化物を達成し、同時に広い種類の工業的適用を有する生成物をもたらす数少ない方法が知られている。本発明者は、ごく低量のペルオキシド反応及び強いUV光の組み合わせを使用することにより、ヒドロキシラジカルを発生させることができ、所望の生理化学的な性質及び幅広い適用を有する生成物を製造するための炭水化物の修飾に使用できることを発見した。本発明者は、UV光及びペルオキシド触媒を用いる連続的なヒドロキシルラジカル修飾の達成のために、ある閾値を達成されなければならないことを発見した。ペルオキシドに供給するUV光の量は、酸化剤として反応する前に、ペルオキシドのヒドロキシラジカルへの十分な開裂をもたらすためには、20ワットgペルオキシドより多い必要がある。この高いUV光の割合を許容し、ペルオキシドがヒドロキシルラジカルに変換され得るのを確実にするためには、ペルオキシドはデンプン溶液またはスラリーに01~25の触媒量で加えられる。このことはUV光が適用される限り続く連続的な反応をもたらす。この反応の効率における唯一の損失は競合する酸化反応によってもたらされ、そこではヒドロキシラジカルに変換されなかったペルオキシドはデンプンまたは他の物質と反応し、それゆえ、利用できるペルオキシド触媒を減少させる。詳細な説明において、詳細な説明で記述した具体的な実施形態、図及び特許請求の範囲は制限されることを意味しない。本明細書に提示された主題の趣旨と範囲から逸脱することなく、その他の実施形態は使用可能であり、また他の変更は行われ得る。後に続く記述において、多くの用語は広くにわたって使用される。下記の用語は全体として明細書を参照することにより十分に理解される。単位、接頭辞及び記号はそれらの許容された認められたSI形式で表示することができる。本明細書で用いる用語a及びanは、単数と明確に記述されない限りは、1またはそれ以上を意味する。それゆえ、例えば、一つの炭水化物への言及は、二つまたはそれ以上の炭水化物の混合、並びに一つの炭水化物を含む。本明細書で用いられる約は当業者により理解され、使われる文脈に依拠してある程度変動する。当業者にとって明確でない用語として使用された場合、使用される文脈を考慮すると約は特定の用語のプラスまたはマイナス10まで意味する。本明細書で用いられる用語炭水化物は、ポリヒドロキシルアルデヒド又はケトン及びそれらから派生した化合物を含むと当業者により理解される。炭水化物は少なくとも一つの基本的な単糖単位から構成される化合物を含み得る。それらは単純炭水化物と複合炭水化物に分類され得る。単純炭水化物は単糖類及び二糖類である。複合炭水化物は多糖類、または直鎖もしくは分枝鎖の単糖で構成される高分子である。本明細書で用いられる用語ヒドロキシルラジカルは、負電荷を引き起こす余分な電子を含まないを表すことを意味する。本技術の一つの実施形態では、ヒドロキシルラジカルは、例えば水中に存在する過酸化水素などのペルオキシド化合物の光分解により発生する。他の実施形態では、ヒドロキシルラジカルは、またフェントンの反応といわれる反応であって、過酸化水素は微量の減少した遷移金属触媒と反応する、反応によって発生し得る。さらにある実施形態では、ヒドロキシラジカルは、水、過酸化物または他のヒドロキシルを含む化学物質の電気化学的分解によってもまた発生し得る。ある態様では、炭水化物の修飾のための方法が提供される。ある実施形態では、当該方法は、溶媒との炭水化物スラリーを形成し、及びヒドロキシラジカルと当該炭水化物とを反応させることを含み、ヒドロキシルラジカルは当該反応器の中でUV光を用いて水溶液中でペルオキシドの光分解により発生させられ、そしてペルオキシドに対するUV光の割合は約20~500ワットgの範囲にある。最初のステップとして、炭水化物は、炭水化物スラリーを形成するための好適な溶媒と混合される。任意の好適な溶媒または溶媒、例えば水、有機溶媒またはそれらの組み合わせは、炭水化物スラリーを形成するために用いられる。例示的な有機溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール及びブタノールなどの低級アルコールを含む。ある実例となる実施形態では、溶媒は水である。本方法はごく低量のペルオキシド化合物を使用する点で、クリーンかつグリーンな方法である。事実、ペルオキシド化合物は、UV光に曝露される時に、ヒドロキシルラジカルの最初の発生のためにもっぱら使われる触媒量で用いられる。それゆえある実施形態では、ペルオキシドに対するUV光の割合は約20~500ワットgの範囲にある。ある実施形態では、ペルオキシドに対するUV光の割合は約30~200ワットgの範囲にある。ある実施形態では、ペルオキシドに対するUV光の割合は約30~80ワットgの範囲にある。従来の方法は反応の進行につれて消費される大量の酸化剤を使用する。これに対して、本方法では、ペルオキシド化合物は連続的に光分解され、消費される代わりに再発生させられる。UV光に曝露された時にヒドロキシルラジカルを発生する任意の好適なペルオキシド化合物が、本方法に用いられる。例示的な物質は、例えば過酸化水素、過酸化ナトリウムなどの無機過酸化物、例えばアルキル及びアリルヒドロペルオキシドまたはジアルキルペルオキシドなどの有機過酸化物でよい。次亜塩素酸ナトリウムのような非過酸化物酸化剤は、必要な酸素の二重結合を欠いているので、ヒドロキシルラジカルを形成せず、またそれらは異なった機構で進行する。これらの条件下で扱われるこのような酸化剤は反応において消費され、そのため、それらは連続的なヒドロキシルラジカルの機構の一部にはなりえない。ある実施形態では、ペルオキシドは、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化カルシウム及びそれらの組み合わせからなる群から選択される。実例となる実施形態では、ペルオキシドは過酸化水素である。ヒドロキシラジカルは水溶液中でのペルオキシドの光分解によって発生させることができる。ある実施形態では、UV光などのUV放射源はペルオキシドの光分解に使用される。ヒドロキシルラジカルの使用は炭水化物の修飾のために必要な反応時間及び化学物質を減らし、より効率的な反応を提供する。ペルオキシドに十分なレベルで適用されるUV光はヒドロキシラジカルを連続して再生するので、反応はペルオキシドの触媒量が利用でき、十分なUV光が適用されるかぎり進行する。様々な範囲の炭水化物は、本方法を用いて修飾することができる。好適な炭水化物に、糖、デンプン、セルロース、親水コロイド、及び様々なその他の化合物、またはそれらの誘導体を含む。他の好適な炭水化物はデキストリン、マルトデキストリン、コーンシロップ、及びその他の糖を含む。これらの炭水化物は根本的に異なる性質を有しているが、それらはすべて同じ一般的な組成を共有し、具体的には酸または酸化剤で容易に加水分解されるエーテル結合によって結合された、結合した炭水化物の環からできた重合体であり、その環はそれ自身が同様の反応によって開裂され得る。その結果として、それらの環及び重合体鎖はすべて同様の方法でヒドロキシルラジカルと反応する。セルロースは単糖であるグルコースの繰り返し単位でつくられる直鎖の重合体である。単糖は14グリコシド結合を介して結合している。ヘミセルロースは本技術において有用な親水コロイドの一例である。ヘミセルロースは米国特許5358559号明細書に記述されており、それは本明細書に参照によりその全体が組み込まれている。使用できる他の親水コロイドは、アラビアゴム、キサンタンゴム、カラヤゴム、トラガカントゴム、アルギン酸ナトリウム、カラギーナン、グアーガム、ローカストビーンガム、タラ、ペクチン、ジェラン、及びカルボキシルメチル、メチルまたはエチルセルロース、微結晶性セルロースなどのセルロース誘導体、または他の多糖類型の親水コロイドを含む。親水コロイドの組み合わせを使用してもよい。糖類は一つまたはそれ以上の単糖類ユニットを含む炭水化物化合物であり、通常多価アルコールのアルデヒドまたはケトン誘導体である。例示的な糖類は、グルコース、フルクトース、ガラクトース、アラビノース、マンノース、アセチルガラクトサミン、アセチルグルコサミンなどを含む。デンプンはいくつかの植物の根、茎または果実から製造される汎用化学製品である。それは直線的な及び分岐の多糖重合体からなる高分子量炭水化物重合体であり、それは約8~約20の水分含量を有し、より一般的には約11~約13である。コーン、小麦、大麦、タピオカ、ポテト等から生成されたデンプンのようなデンプン、本方法で用いられるモロコシ品種と同様に好適である。様々な起源のデンプンの混合も使用できる。ある実施態様では、デンプンは真珠状デンプン、粉末状デンプン、粒状、または非加熱デンプン、及び加熱、またはアルファ化デンプンを含む。高アミロース及びワキシーコーンなど、コーンの他の遺伝型由来のデンプンも本方法での使用に好適である。ある実施形態では、デンプンは天然の修飾されていないデンプン、または本方法以外の方法によって修飾されたデンプンでよい。それゆえ、ある実施形態では、本方法で使用されるデンプンは修飾化デンプンまたはすでに修飾されたデンプンでよい。本技術はまた、カルボキシルメチルの、陽イオン性の、または他の修飾された炭水化物を含む。本技術に従って用いられる修飾化デンプンは、機械的に、化学的に、または熱によって修飾することができる。非修飾化デンプンに比べて、修飾化デンプンは向上した溶解性、より優れた皮膜形成性、増加した白色性、向上したゲル強度、粘度安定性、上昇した接着力、向上した剪断耐性、上昇した凍結融解分解耐性、のような優れた物理的性質をしばしば有する。使用される修飾化デンプンまたは炭水化物は、例えば、カルボキシメチル、酢酸塩、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、リン酸塩、架橋された、オクテニルコハク酸塩、陽イオンのデンプンまたは加熱されたデンプンを含む。本技術で使用され、商工業的に入手可能な化学的に修飾されたデンプンの一例はFarmalMS6407修飾化デンプンである。この修飾化デンプンは架橋された酢酸デンプンであり、CornProductsInternationalInc、ウェストチェスター、イリノイ州、アメリカ合衆国、からPhotoCatまたはMobilCatシステムとして知られている。その他の本方法の比類のない特徴は、従来の方法と比べて大変容易に修飾の程度を制御できる点である。例えば、紫外光などの光源をとめると反応がとまるが、光源を元に戻して点けると反応は再開しうる。従来の次亜塩素酸塩または酸の修飾方法を用いると、一度とめられると反応を再開するのは難しく、時間を消費する。理論に拘束されるわけではないが、UV光はペルオキシド化合物を光分解してヒドロキシルフリーラジカルを生成すると仮定し得る。次いでそれらは酸分解反応において炭水化物と反応し、デンプン鎖を主として乱雑に開裂することができる。フリーラジカルがデンプンを開裂するにつれて、それらは好適なペルオキシド様化合物に変換され、よってそれらに再びUV光で開裂されることを可能にする。この反応は、ペルオキシド化合物が得られ、十分なUV光が供給される限り、進行し続けるだろう。すべてのペルオキシド化合物を開裂するのに不十分なUV光しか得られない場合、それは、競合する酸化反応が行われ得る。酸化が支配的な反応である場合、ペルオキシドのヒドロキシルフリーラジカルへの変換が得られなくなる。行われる主要な反応が炭水化物のヒドロキシラジカル修飾であるように、本方法で用いられるペルオキシドに対するUV光の高い割合は競合する酸化反応を最小限にする。ペルオキシドが触媒として作用する一方、UV光はそれゆえ本方法において主要な反応剤である。本方法に関連する更なる利点は、当業者にとって容易に明らかである。例えば、本方法は炭水化物を修飾するための従来の方法よりも、より低い化学物質の使用を必要とする。本方法は、例えばハロゲン化アルキルを生成する次亜塩素酸塩酸化において塩素系の酸化剤を含まない。また、本方法は潜在的に腐食性の塩素化合物を導入し得る酸を含まない。それゆえ、本方法はハロゲン化アルキルを生成せず、このことは排水処理の作業的利点であり、得られる生成物はハロゲン化アルキルまたはハロゲンを含まず、本発明の方法からの修飾炭水化物の実用性を広げる。ある様態では、本技術は、本方法を用いてつくられた修飾された炭水化物生成物を提供する。本明細書で開示された実験結果から、当業者には容易に理解できるように、最終生成物の粘度と比較して低いカルボキシル含有量を有する点で、生成物は酸化デンプンのような他の修飾炭水化物生成物と異なる。典型的な酸化デンプンは、粘度の目標まで減少させたときに、より高いレベルのカルボキシルが生成するだろう。比較の目的のために、図1は、センチポイズ変化における粘度、対商業的デンプンの流動性を示す。流動性は通常、希薄デンプンの決定因子である。例えば、紙の製造におけるサイズプレスデンプンとして使用されるデンプンは、70流動度デンプンと特徴付けられる。そのような生成物は通常、その希薄レベルにおいて04カルボキシルを有し、糊化したときに、35°C、5固体及びpH7において、約40cpsの粘度有する。それに反して、同程度の粘度または流動性を有するヒドロキシル修飾したデンプンは015未満のカルボキシ含量である。それゆえ、ある実施形態では、本技術によって得られた修飾化デンプンは約001~約05wtwtカルボキシル含量を有する。ある実施形態では、修飾化デンプンは約002~約04wtwtのカルボキシル含量を有する。実例となる実施形態では、修飾化デンプンは約005~約015wtwtのカルボキシル含量を有する。ある実施形態では、本技術を用いて得られた修飾化デンプンは約01~約200cpsの範囲の粘度を有する。この粘度はデンプンを15分、95°Cで加熱により5固体及びpH7で糊化し、その後35°Cに冷却し、好適な計器で粘度を測定することにより決定される。比較のために、修飾されていないデンプンは約500cpsの粘度を有する。最終生成物の粘度はデンプンに供給したUV光及びペルオキシドの量、反応pH、温度及び時間に依存する。ある実施形態では、本技術を用いて得られた修飾化デンプンは約5~約170cpsの範囲の粘度を有する。実例となる実施形態では、本技術を用いて得られた修飾化デンプンは約15~約140cpsの範囲の粘度を有する。粘度に代わるものとして、生成物の流動性で表され、デンプンはアルカリで糊化され、標準化されたファンネルから一定の時間に集められた量は決定される。流動性及び粘度は図1で図解され、お互いを予測するために用いられる。修飾された炭水化物は、食品、製薬、及び化粧品用途などの用途に使用され、ハロゲン化アルキル及びハロゲンは望ましくない。本方法を用いることにより得られた修飾化デンプンは、従来の方法により修飾された炭水化物よりもより広い最終用途適用を有する。また、炭水化物は、当該分野で知られている典型的な修飾方法により達成され得るよりも、本方法によって、より効率的に、かつより高いレベルまで希薄にすることができ、加熱デンプンはインサイチュで希薄になり得る。本方法により得られるスラリーは、修飾化デンプン、またはセルロースは親水コロイドなどの他の炭水化物を含むオフホワイトの修飾粉末を形成して乾燥し得る。特に炭水化物がコーンデンプンである場合、粉末は再水和し、過熱されて、透明な糊を形成する。この糊は、糊が冷え、固くなるに従って、輝く白色になり得る。本発明の本方法によりつくられた修飾炭水化物の性質は、他の方法により修飾された炭水化物を用いて経験されたものと異なる。たとえば、次亜塩素酸修飾したデンプンは、その糊は曇っていて茶色に変わる、白色粉末であり、一方、改良した糊の色は多くの工業への、及び食品への応用に重要な価値を有する。酸希薄化デンプンがオフホワイトの糊をつくる。修飾した炭水化物生成物は、機能性、または貯蔵安定性を提供する添加剤と混合し得る。添加剤は、粘度安定剤、機能性化学物質、及びまたは架橋剤を含む。本発明において有用である粘度安定剤は、界面活性剤、脂肪酸複合体、せっけん、及びステアリン酸モノグリセロールのような化学物質を含む。ホウ砂などの架橋剤、及びOmnovaSolutionsIncから入手できる、SEQUAREZ登録商標のような不溶化剤は、本発明に使用できる。他の有用な添加剤は亜硫酸水素塩、尿素、炭酸塩等を含む。修飾炭水化物は多数の用途を持ち、多数の製品に組み込まれ得る。例えば、修飾炭水化物によりつくられた糊はコラゲイティング接着剤、ペーパーサイジング、ペーパーコーティングのための粘度の減少した炭水化物を提供する。粉末状または糊の修飾炭水化物は、食品の増粘剤、及びテクスチャ、ゲル、脂肪代替品、ダスティングなどの他の食品用途において用いられる。修飾炭水化物は、ゲル、糊及びローションのための医薬及び化粧品において用いられ得る。光反応または電気化学的な変換方法により得られる、修飾炭水化物からつくられる糊の白さ、及びハロゲン化アルキル及びハロゲンの欠如は、従来の方法で修飾されたデンプンのような炭水化物より、非常に幅広い応用性をもつ修飾炭水化物生成物を提供する。さらに、失敗した場合には、修飾化デンプンは、応用において特に有用である修飾化デンプン生成物がつくる白い糊をもたらす。一方で、石膏ボード、及び焼成または菓子の応用などにおいて失敗は好まれる。下記の実施形態は、本発明をさらに例証し説明するために示され、それはいかなる点においても限定するものとして解釈するべきでない。1溶媒で炭水化物スラリーを形成させ、及び当該炭水化物をヒドロキシラジカルと反応させることを含む炭水化物の修飾のための方法であって、当該ヒドロキシラジカルはUV光を用いて水溶液中でペルオキシドの光分解により発生し、ペルオキシドに対するUV光の割合は約20~500ワットgの範囲にある、方法。2前記のペルオキシドに対するUV光の割合が約30~200ワットgの範囲にある、実施形態1の方法。3前記の溶媒が水である、実施形態1の方法。4前記のペルオキシドが、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化カルシウム、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、実施形態1の方法。5前記の炭水化物が、デンプン、親水コロイド、及びセルロースからなる群より選択される、実施形態1の方法。6前記のデンプンが修飾化デンプンである、実施形態5の方法。7前記のデンプンが加熱されている、実施形態6の方法。8前記の炭水化物に対するペルオキシドの割合が、約01~25wtwtである、実施形態1の方法。9前記の炭水化物に対するペルオキシドの割合が、約05~13wtwtである、実施形態8の方法。10前記の修飾が連続的ヒドロキシルラジカル反応器で行われる、実施形態1の方法。11前記の炭水化物スラリーが約30~約50の固体のパーセンテージを有する、実施形態1の方法。12前記のスラリーのpHが7~11に維持されている、実施形態1の方法。13前記のpHが、反応ステップの前または間の、アルカリのスラリーへの添加によって維持されている、実施形態12の方法。14前記のアルカリがアルカリ金属水酸化物である、実施形態13の方法。15前記のアルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、実施形態14の方法。16誘導化反応の追加のステップが含まれる、実施形態1の方法。17前記の誘導化反応が、陽イオン化、エステル化、エーテル化、リン酸化、カルボキシメチル化、及び架橋結合からなる群より選択される、実施形態16の方法。18ヒドロキシルラジカル反応の間に、触媒を用いる追加のステップを含む、実施形態1の方法。19前記の触媒が二酸化チタンである、実施形態18の方法。20実施形態1によって製造された修飾された炭水化物。実施例1約30固体の炭水化物、水を含む20ガロンのデンプンスラリーは、デンプンに対して186の割合のペルオキシド、及びpH11に維持するために十分な水酸化ナトリウムとともに連続的ヒドロキシルラジカル反応器を通過した。それぞれのUV光ラックは400mlの溶液につき75ワット提供し、301ワットUVg溶液中のペルオキシド、が供給された。連続的なヒドロキシルラジカル反応器によりつくられた修飾化デンプン生成物は、同じ流動的な特性を有する次亜塩素酸で酸化したデンプンと比べて、加熱すると透明な糊と輝く白色のゲルをつくり出した。修飾化デンプンでつくった糊は20固体、及び約655°Cにおいて約20~25センチポイズのブルックフィールド粘度を有した。また、50°Cにおいて30分保管したときに、糊は好ましい粘度安定性を示した。実施例2ヒドロキシラジカルによる反応によって修飾されたデンプンは、中性pH、1333°C及び背圧約340キロパスカルにおいて噴出加熱された。この糊は、表面サイズまたはコルゲーティング用途へなど、フィルムまたは紙上としてドローダウンした際に、許容される皮膜特性を有した。実施例3軽く希薄化したヒドロキシラジカル処理したデンプンは、加熱した固体の粘着性を上げ、よりべとべとする、粘質の接着剤をつくるための妨げる担体を提供する、担体デンプンとしてコルゲーティング接着剤に用いられる。修飾化デンプンは、完全にデンプンが加熱されるまで、高い剪断混合器で約378°Cにおいて十分なアルカリとともに加熱される。コルゲーティング接着剤を完成するために、追加して水、修飾されていないデンプン及びホウ砂は加えられた。ヒドロキシルラジカル処理したデンプンは接着剤中の全デンプン量の通常10~20であった。アルカリは約655°C未満に十分に下がった接着剤のゲル温度に加えられ、ホウ砂は接着剤に乾燥腐食剤の通常50~100加えた。ゲル温度は、担体として作用する修飾していないデンプンに懸濁した接着剤の非加熱のまたは第二の部分に参照する。コルゲーティング接着剤の正確な含有物及び含有物の割合は設備及び所望の取扱特性により変わる。実施例4ヒドロキシラジカル処理したデンプンは、約1378°C及び背圧約207キロパスカルにおいて噴出加熱された。加熱されたデンプンは界面活性剤と、糊の成分の重量の約05の量で混合された。この得られるペーストは冷却すると不透明な白色ゲルになり、数日の保存を経ても粘度の安定性を有した。この糊は保存料、及びローション製剤としての有効成分を含む。実施例541固体デンプン、及び水スラリーはPhotoCat反応器を循環し、15gpmの割合で区切られた反応チューブに、8の75ワットUV電球が適合していた。反応中にpH11に維持するのに十分な4NaOHとも、126ペルオキシドdbデンプンは、スラリーに加えられた。それぞれの反応チューブはスラリー400mlに対して、溶液中に306ワットgペルオキシドでさらされた。温度は水冷ジャケットにより30°Cに持続された。反応は125分間、進行を許容される、しかし、試料は20、40、60、95及び125分に採取された。0分及び125分のスラリーの酸化剤のレベルはペルオキシド計深棒により試験され、反応の進行の間の酸化剤のたいしたことのない変化が示されたことがわかった。生成物試料はオーブンで40°Cにて脱水及び乾燥された。流動性はそれぞれの試料で測定し、表1にまとめた。相当するブルックフィールド粘度は実験的な結果に基づいたそれぞれの流動性の値から見積もることができ、それは95°C、15分のデンプン糊の流動性と5固体及び35°Cにおけるブルックフィールド粘度は相互に関係がある。流動性は、技術としてしられており、実施例11で記載するCPCSMA方法によって測定された。ブルックフィールドのデータは、SSBサンプルアダプターを有するブルックフィールドRVT粘度計において、5固形にて糊化した修飾化デンプン、すなわち、5固体及びpH7の8mlのデンプン、SSBにて95°Cで糊化し、続いて測定温度35°Cに冷却した、を表す。流動性及びブルッククフィールド粘度データは、修飾化デンプンの粘度は時間とともに著しく減少することを示す。反応の125分後には、生成物のカルボキシル含量は015になった。参考のために、処理していないコーンデンプンは、ブルックフィールド条件下で、0の流動性、500cpsの粘度を有した。実施例6低pH、低ペルオキシド、及び高UV照射:38固体デンプンスラリーは15gpmの割合で、052ペルオキシドdbデンプンで、PhotoCat反応器を循環し、反応進行中にpH7に維持するのに十分な4NaOHはスラリーに加えられた。温度は水冷ジャケットを用いて30°Cに維持された。反応は30分の進行が許容された。得られたデンプン生成物は40°Cで脱水され、乾燥された。乾燥したサンプルの流動性は12であり、35°C、5糊化溶液における210cps相当のブルックフィールド粘度を有した。反応チューブのワットgペルオキシドdbの割合は801であった。実施例7高pH、低ペルオキシド、及び高UV照射:38固体デンプンスラリーは15gpmの割合でPhotoCat反応器を循環した。077ペルオキシドdbデンプンは反応進行中にpH118に維持するのに十分な4NaOHとともにで、スラリーに加えられた。温度は水冷ジャケットにより30°Cに維持された。反応は125分間進行が許容された。修飾化デンプン生成物は40°Cで脱水され、乾燥された。乾燥したサンプルの流動性は64であり、35°C、5糊化溶液における45cps相当のブルックフィールド粘度を有する。反応チューブのワットgペルオキシドdbの割合は508であった。実施例8低pH、高ペルオキシド、及びUV照射:41固体デンプンスラリーは15gpmの割合でPhotoCat反応器を循環した。126ペルオキシドdbデンプンは反応進行中にpH8に維持するのに十分な4NaOHとともにで、スラリーに加えられた。温度は水冷ジャケットにより30°Cに維持された。反応は125分間進行が許容される。修飾化デンプン生成物は40°Cで脱水され、乾燥された。乾燥した試料の流動性は25であり、35°C、5糊化ペースト溶液における240cps相当のブルックフィールド粘度を有する。修飾生成物のカルボキシル含量は005であった。反応チューブのワットgペルオキシドdbの割合は306であった。条件はpHを除いて実施例5と同じであり、pH11でつくられた生成物805流動度、15cpsよりも、得られる生成物は粘度においてより高くなった。実施例9延長した反応:38固体デンプンスラリーは15gpmの割合でPhotoCat反応器を循環した。077ペルオキシドdbデンプンは反応進行中にpH98に維持するのに十分な4NaOHとともに、スラリーに加えられた。温度は水冷ジャケットにより30°Cに維持された。反応は185分間進行が許容され、125分で追加して試料は採取された。修飾化デンプン生成物は40°Cで脱水され、乾燥された。流動性は125分の試料において70、185分の試料において75が観察された。35°C、5ペースト溶液における相当するブルックフィールド粘度はそれぞれ40及び25cpsであった。生成物のカルボキシル含量はそれぞれ009、011であった。スラリーは185分後であっても残余の酸化剤を示し続け、ペルオキシドの触媒量とUV光が存在する限り、反応は進行し続けることが実証される。反応チューブのワットgペルオキシドdbの割合は501であった。実施例10UV処理なし:41固体デンプンスラリーはUV光なしで15gpmの割合でPhotoCat反応器を循環した。122ペルオキシドdbデンプンは反応進行中にpH11に維持するのに十分な4NaOHとともに、スラリーに加えられた。温度は水冷ジャケットにより30°Cに維持された。反応は120分間進行が許容された。ペルオキシド計深棒は120分後には残余の酸化剤を示さなかった。修飾化デンプン生成物は40°Cで脱水され、乾燥された。乾燥したサンプルの流動性は2であり、35°C、5ペースト溶液における450cps相当のブルックフィールド粘度を有する。生成物のカルボキシル含量は003であった。流動性に対してカルボキシルの高い割合によって、生成物はヒドロキシルラジカル修飾よりもむしろ酸化である証拠を示した。UV光を導入しなかったので、デンプンに対してのペルオキシドの同程度のレベルは先の実施例のように適用されるとしても、ペルオキシドは、連続的なヒドロキシルラジカルを形成するよりもむしろ、酸化剤として反応した。実施例11SMAF60は分析の内部標準方法である。この方法は実例となる目的のために本明細書で説明される。水分レベル約10の乾燥デンプン5gを、300mlのトールビーカーの中の、70mの水に分散させた。30mlの3水酸化ナトリウムが加えられるあいだ、スラリーは200rpmで撹拌し、正確に3分間撹拌した。得られた糊は次に、さらに295分間25°Cで保持された。そして、糊は目盛り付の流動度ファンネルに、そして撹拌が完了してから30分時点で注がれ、目盛り付シリンダーに排出された。70秒後に回収量は記録され、任意のファンネル較正により調節され、流動性のミリリットルが決定された。実施例12ペルオキシドの割合に対して不十分なUV光。生成工程はpH11、93ペルオキシドデンプン、及びわずか64ワットgペルオキシドの30デンプンスラリーを用いてMobileCat反応器にて行われた。残存する酸化剤は、ペルオキシド試験紙により測定されるように反応を通して顕著に減少し、2時間以内で消費された。低いUV光の割合において、触媒として使われるペルオキシドが、酸化反応の競合により消費されるので、連続的なヒドロキシルラジカル反応は続かないことと試験結果は指し示している。いくつかの実施形態を例証し、記述してきたが、変更及び修飾は、下記の請求項に定義されるように、その広い様態における技術から逸脱することなく、当該分野における通常の技術に従ってその中でなされると理解すべきである。本明細書で例証的に記述された実施形態は、特に本明細書で開示されていない任意の要素または要素、限定または限定なしに適切に実行される。それゆえ、例えば、を含むこと、を含むこと、を含むことなどの用語は制限なく拡張的に読まれる。さらに、本明細書で用いられた用語及び表現は制限のない記述として使われ、示された及び記述された特徴、またはそれらの一部と任意の同等のものを除く用語及び表現の使用に意図はないが、しかし様々な修飾は請求された技術の範囲内で可能であると理解される。さらに語句から本質的に成ることはそれらの特に引用された要素及び主張する技術の基礎的及び新規の特性に著しく影響を与えないそれらの追加の要素を含むと理解されうる。語句から成ることは詳細に定められていない任意の要素を除く。本開示は本願に記載された特定の実施形態の観点から制限されない。多くの修飾及び変更は、当業者にとってあきらかであるように、その趣旨と範囲から逸脱することなくなされる。開示した範囲内の機能的に同等の方法及び組成物は、本明細書で列挙されたこれらに加えて、先の記述から当業者に明らかである。それらの修飾及び変更は添付の請求項の範囲に含まれると意図される。本開示は、添付の請求項に権利を与えられる等価物の全範囲と共に、かかる請求項の用語によってのみ制限されるべきである。本開示は、当然変わりうる特定の方法、試薬、化合物、構成及び生物学的系を制限しないことを理解される。本明細書で使われる専門用語は詳細な実施形態の記述の目的のためのみであり、限定をすることを意図しないことも理解されたい。すべての刊行物、特許出願、交付済み特許、及び明細書に言及された他の文書は本明細書で参照することにより含まれ、あたかもそれぞれの個別の刊行物、特許出願、交付済み特許、及び他の文書がその全体を参照することにより含まれると、特に、個別に意図される。参照することにより含まれる文章に含む定義は開示の中で矛盾する定義の範囲で除かれる。加えて、特徴及び態様の開示はマーカッシュ群の観点から記述される場合には、当業者は、開示はまたそれによってマーカッシュ群の任意の個々の一員または一員の小群の観点から記述されることを認識される。当業者に理解されうる通り、任意のまたはすべての目的のために、とりわけ記述を提供する観点から、本明細書で開示された全ての範囲は、任意の、及び全ての可能性のある部分的な範囲、並びにそれらの部分的な範囲の組み合わせを包む。任意の記載された範囲は、少なくとも2等分、3等分、4等分、5等分、10等分などに分割された同一の範囲を可能ならしめるものとして、十分に記載されるとして容易に理解される。非制限的な例として、本明細書で議論されたそれぞれの範囲は、下部3分の1、中部3分の1、上部3分の1などに容易に分割され得る。当業者に理解されうる通り、全ての言語のまで、少なくとも、超、未満及び同様のものは、引用された数字を含む、上記で議論したように部分的な範囲にその後に分解されうる範囲を言及する。最後に、当業者に理解されうるとおり、範囲はそれぞれの個別の数字を含む。様々な態様及び実施形態は本明細書で開示される一方、他の態様及び実施形態は当業者に理解されうる。真実の範囲及び趣旨は下記の請求項により示されるとともに、本明細書で開示された様々な様態及び実施形態は例証する目的であって、限定を意図するものではない。