"基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層が、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、前記吸収体層の側から、珪素Siおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第1層、ならびに、タンタルTa、酸素Oおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第2層が、この順に積層された積層構造であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第2層におけるTaの含有率が30~80atであり、OおよびNの合計含有率が20~70atであり、OとNの組成比が9:1~1:9であることを特徴とする請求項1に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nおよび酸素Oを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層が、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、前記吸収体層の側から、珪素Siおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第1層、ならびに、タンタルTaおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第2層が、この順に積層された積層構造であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第2層におけるTaの含有率が30~80atであり、Nの含有率が20~70atであることを特徴とする請求項4に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とする請求項4または5に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第1層におけるSiの含有率が5~80atであり、Nの含有率が15~90atであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第2層表面の表面粗さrmsが、0.5nm以下であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第1層および前記第2層の結晶構造がアモルファスであることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第1層および前記第2層の合計膜厚が3.5~23nmであることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記第1層の膜厚が3~18nmであり、前記第2層の膜厚が0.5~5nmであり、前記第1層と前記第2層との膜厚の差第1層の膜厚-第2層の膜厚が2nm以上であることを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、タンタルTaを主成分とする吸収体層であることを特徴とする請求項1~11のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層が、タンタルTaを主成分とし、ハフニウムHf、珪素Si、ジルコニウムZr、ゲルマニウムGe、硼素B、窒素Nおよび水素Hからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を含むことを特徴とする請求項1~12のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層は、酸素Oの含有率が25at未満であることを特徴とする請求項1~13のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記吸収体層および前記低反射層の膜厚の合計が、40~200nmであることを特徴とする請求項1~14のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、該保護層が、Ru、Ru化合物、SiO2およびCrNのいずれか1種で形成されることを特徴とする請求項1~15のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。前記マスクパターンの検査光の波長190~260nmに対する前記低反射層表面の反射率が15以下であることを特徴とする請求項1~16のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。基板上に、EUV光を反射する反射層、EUV光を吸収する吸収体層、ならびに、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層の第1層および第2層をこの順に形成することによりEUVマスクブランクを製造する方法であって、前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nおよび酸素Oを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。基板上に、EUV光を反射する反射層、EUV光を吸収する吸収体層、ならびに、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層の第1層および第2層をこの順に形成することによりEUVマスクブランクを製造する方法であって、前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。請求項1~17のいずれかに記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの吸収体層および低反射層にパターニングを施したEUVリソグラフィ用反射型マスク。請求項20に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法。本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、EUVマスクブランクとしての特性に優れ、特にパターン検査光の波長域の反射率が低く、塩素系ガスを用いたエッチングプロセスにおいて、十分なエッチング速度を有し、かつ、レジストとの密着性が良好であることにより、幅が100nm程度もしくはそれ以下の微細なレジストパターンの形成に際して、レジストパターンが消失したり、レジストパターンが倒れてレジストパターンの欠陥となる等の問題を解消することができる低反射層を備えたEUVマスクブランクを提供することを目的とする。また、かかるEUVマスクブランクの製造方法、当該ブランクスをパターニングして得られたEUVリソグラフィ用反射型マスク、および当該反射型マスクを用いた半導体集積回路の製造方法を提供することも目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、低反射層をSiおよびNを含有する膜SiN膜と、TaおよびNを含有する膜TaN膜、もしくは、Ta、O、およびNを含有する膜TaON膜と、が積層された積層構造とすることにより、マスクパターンの検査光の全波長域190~260nmに対して低反射層特性を有し、塩素系ガスを用いたエッチングプロセスに対してエッチング速度の向上が可能であり、かつレジストとの密着性も十分であるため、幅が100nm程度もしくはそれ以下の微細なレジストパターンの形成に際して、レジストパターンが消失したり、レジストパターンが倒れてレジストパターンの欠陥となる等の問題を解消することができることを見出した。本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層が、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、前記吸収体層の側から、珪素Siおよび窒素Nを合計含有率で95原子以下、原子をatと表記する。以上含有する第1層、ならびに、タンタルTa、酸素Oおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第2層がこの順に積層された積層構造であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク以下、本発明のEUVマスクブランク1ともいう。を提供する。また、本発明は、基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層が、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、前記吸収体層の側から、珪素Siおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第1層、ならびに、タンタルTaおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第2層がこの順に積層された積層構造であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク以下、本発明のEUVマスクブランク2ともいう。を提供する。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記第1層におけるSiの含有率が5~80atであり、Nの含有率が15~90atであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1において、前記第2層におけるTaの含有率が30~80atであり、OおよびNの合計含有率が20~70atであり、OとNの組成比が9:1~1:9であることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク2において、前記第2層におけるTaの含有率が30~80atであり、Nの含有率が20~70atであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記第2層表面の表面粗さrmsが、0.5nm以下であることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記第1層および前記第2層の結晶構造が、アモルファスであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記第1層および前記第2層の合計膜厚が3.5~23nmであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記第1層の膜厚が3~18nmであり、前記第2層の膜厚が0.5~5nmであり、前記第1層と前記第2層との膜厚の差第1層の膜厚-第2層の膜厚が2nm以上であることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記吸収体層が、タンタルTaを主成分とする吸収体層であることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記吸収体層が、タンタルTaを主成分とし、ハフニウムHf、珪素Si、ジルコニウムZr、ゲルマニウムGe、硼素B、窒素Nおよび水素Hからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を含んでもよい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記吸収体層は、酸素Oの含有率が25at未満であることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記吸収体層および前記低反射層の膜厚の合計が、40~200nmであることが好ましい。また、本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記反射層と前記吸収体層との間に、前記吸収体層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されている場合、該保護層が、Ru、Ru化合物、SiO2およびCrNのいずれか1種で形成されることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1,2において、前記マスクパターンの検査光の波長190~260nmに対する前記低反射層表面の反射率が15以下であることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1において、前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nおよび酸素Oを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク2において、前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることが好ましい。また、本発明は、基板上に、EUV光を反射する反射層、EUV光を吸収する吸収体層、ならびに、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層の第1層および第2層をこの順に形成することによりEUVマスクブランクを製造する方法であって、前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nおよび酸素Oを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするEUVマスクブランクの製造方法を提供する。また、本発明は、基板上に、EUV光を反射する反射層、EUV光を吸収する吸収体層、ならびに、マスクパターンの検査光波長190~260nmに対する低反射層の第1層および第2層をこの順に形成することによりEUVマスクブランクを製造する方法であって、前記第1層が、窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でSiターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、もしくは、不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、形成され、前記第2層が窒素Nを含む不活性ガス雰囲気中でTaターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより形成されることを特徴とするEUVマスクブランクの製造方法を提供する。また、本発明は、上記した本発明のEUVマスクブランク1,2の吸収体層および低反射層にパターニングを施したEUVリソグラフィ用反射型マスク以下、本発明のEUVマスクという。を提供する。また、本発明は、上記したEUVマスクを用いて、被露光体に露光を行うことにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法を提供する。本明細書において、~とは、特段の定めがない限り、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。本発明のEUVマスクブランクは、塩素系ガスを用いたエッチングプロセスにおいても、従来の低反射層と比較して十分速いエッチング速度が得られる。そのため、塩素系ガスのみで、低反射層および吸収体層のエッチングが可能であり、エッチングプロセスおよびエッチング装置の簡易化が期待されるとともに、エッチングプロセスにおける汚染の低減も期待される。さらに、本発明では、低反射層のエッチング速度が従来の低反射層に比較して速いため、レジストを現状より薄くすることが可能であり、結果として、より微細なパターニング加工も可能になると期待される。また、本発明のEUVマスクブランクは、低反射層がレジストとの密着性が良好であるため、幅が100nm程度もしくはそれ以下の微細なレジストパターンの形成に際して、レジストパターンが消失したり、レジストパターンが倒れてレジストパターンの欠陥となる等の問題を解消することができる。また、本発明のEUVマスクブランクの製造方法によれば、前記したように各種性能の優れたEUVマスクブランクを容易に得ることができる。以下、図面を参照して本発明のEUVマスクブランクを説明する。図1は、本発明のEUVマスクブランクの1実施形態を示す概略断面図である。図1に示すマスクブランク1は、基板11上にEUV光を反射する反射層12と、EUV光を吸収する吸収体層14とがこの順に形成されている。反射層12と吸収体層14との間には、吸収体層14へのパターン形成時に反射層12を保護するための保護層13が形成されている。吸収体層14上には、マスクパターンの検査光に対する低反射層15が形成されている。ここで、低反射層15は、吸収体層14の側から、第1層16、および、第2層17がこの順に積層された積層構造をなしている。なお、本発明のEUVマスクブランク1において、図1に示す構成中、基板11、反射層12、吸収体層14、ならびに、第1層16および第2層17の積層構造からなる低反射層15のみが必須であり、保護層13は任意の構成要素である。以下、EUVマスクブランク1の個々の構成要素について説明する。基板11は、EUVマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板11は、低熱膨張係数を有することが好ましい。具体的には、基板11の20°Cにおける熱膨張係数が0±0.05×107/°Cであることが好ましく、特に好ましくは0±0.03×107/°Cである。また、基板11は、平滑性、平坦度、およびEUVマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板11としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばSiO2-TiO2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。基板11は、表面粗さrmsが0.15nm以下の平滑な表面と、100nm以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。基板11の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形約6インチ152mm角で、厚さ約0.25インチ6.3mmのSiO2-TiO2系ガラスを用いた。基板11の反射層12が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および/または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが2nm以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が60nm以下であることが好ましい。反射層12は、EUVマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層12に特に要求される特性は、高EUV光線反射率であることである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を入射角6度で反射層12表面に照射した際に、波長13.5nm付近の光線反射率の最大値が60以上であることが好ましく、65以上であることがより好ましい。また、反射層12の上に保護層13や低反射層15を設けた場合であっても、波長13.5nm付近の光線反射率の最大値が60以上であることが好ましく、65以上であることがより好ましい。反射層12としては、高EUV光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層12をなす多層反射膜において、低屈折率層には、Moが広く使用され、高屈折率層にはSiが広く使用される。すなわち、Mo/Si多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ru/Si多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Mo化合物/Si化合物多層反射膜、Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜も用いることができる。反射層12をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるEUV光線反射率に応じて適宜選択することができる。Mo/Si多層反射膜を例にとると、EUV光線反射率の最大値が60以上の反射層12とするには、多層反射膜は膜厚2.3±0.1nmのMo層と、膜厚4.5±0.1nmのSi層とを繰り返し単位数が30~60になるように積層させればよい。このようなMo層とSi層とを繰り返した多層反射膜において、その最上層はSi層となるようにするのが好ましい。なお、反射層12をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてMo/Si多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてSiターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.3nm/secで厚さ4.5nmとなるようにSi膜を成膜し、次に、ターゲットとしてMoターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1.3×102Pa~2.7×102Paを使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜速度0.03~0.3nm/secで厚さ2.3nmとなるようにMo膜を成膜することが好ましい。これを1周期として、Si膜およびMo膜を40~50周期積層させることによりMo/Si多層反射膜が成膜される。反射層12の表面が酸化されるのを防止するため、反射層12をなす多層反射膜の最上層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層12のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Si層を例示することができる。反射層12をなす多層反射膜がMo/Si膜である場合、最上層をSi層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、9~13nmであることが好ましい。保護層13は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収体層14にパターン形成する際に、反射層12がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層12を保護することを目的として設けられる。したがって、保護層13の材質としては、吸収体層14のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層14よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばCr、Al、Ta及びこれらの窒化物;Ru及びRu化合物RuB、RuSi等;SiO2、Si3N4、Al2O3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ru及びRu化合物RuB、RuSi等、CrNおよびSiO2が好ましく、Ru及びRu化合物RuB、RuSi等が特に好ましい。保護層13の厚さは1~60nmであることが好ましい。保護層13は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりRu膜を成膜する場合、ターゲットとしてRuターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスガス圧1×102Pa~10×101Paを使用して投入電力30~1500V、成膜速度0.02~1nm/secで厚さ2~5nmとなるように成膜することが好ましい。吸収体層14に特に要求される特性は、EUV光線反射率が極めて低いことである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を吸収体層14表面に照射した際に、波長13.5nm付近の最大光線反射率が5以下、特に3以下、さらには1以下であることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1においては、EUV光の波長領域の光線を低反射層15表面に照射した際にも、波長13.5nm付近の最大光線反射率が5以下、特に3以下、さらには1以下であることが好ましい。上記の特性を達成するため、吸収体層14は、EUV光の吸収係数が高い材料で構成される。EUV光の吸収係数が高い材料としては、タンタルTaを主成分とする材料を用いることが好ましい。本明細書において、タンタルTaを主成分とする材料と言った場合、当該材料中Taを40at以上、好ましくは50at以上、より好ましくは55at以上含有する材料を意味する。吸収体層14に用いるTaを主成分とする材料は、Ta以外に、ハフニウムHf、珪素Si、ジルコニウムZr、ゲルマニウムGe、硼素Bおよび窒素Nからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含んでも良い。Ta以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、TaN、TaHf、TaHfN、TaBSi、TaBSiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrNなどが挙げられる。ただし、吸収体層14中には、酸素Oを含まないことが好ましい。具体的には、吸収体層14中のOの含有率が25at未満であることが好ましい。吸収体層14にパターン形成する際には、通常はドライエッチングプロセスが用いられ、エッチングガスとしては、塩素系ガスあるいはフッ素系ガスが通常に用いられる。エッチングプロセスにより反射層がダメージを受けるのを防止する目的で、反射層上に保護層としてRuまたはRu化合物を含む膜が形成されている場合、保護層のダメージが少ないことから、エッチングガスとして主に塩素系ガスが使われる。しかしながら、塩素系ガスを用いてドライエッチングプロセスを実施する場合に、吸収体層14が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジストダメージが大きくなり好ましくない。吸収体層14中の酸素の含有率は、15at以下であることが好ましく、10at以下であることがより好ましく、5at以下であることがさらに好ましく、不可避不純物以外に酸素を実質的に含有しないことが特に好ましい。吸収体層14は、吸収体層14と低反射層15との合計膜厚が40~200nmとなるように膜厚を設定することが好ましく、両者の合計膜厚が50~200nmとなるように膜厚を設定することがより好ましい。両者の合計膜厚が50~150nmとなるように膜厚を設定することがさらに好ましく、特に50~100nmとなるように膜厚を設定することが好ましい。上記した構成の吸収体層14は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。例えば、吸収体層14として、マグネトロンスパッタリング法を用いてTaHf膜を形成する場合、以下の条件で実施すればよい。スパッタリングターゲット:TaHf化合物ターゲットTa=30~70at、Hf=70~30at。スパッタガス:Arガス等の不活性ガスガス圧1×101Pa~50×101Pa、好ましくは1×101Pa~40×101Pa、より好ましくは1×101Pa~30×101Pa。成膜前真空度:1×104Pa以下、好ましくは1×105Pa以下、より好ましくは106Pa以下。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W成膜速度:2~60nm/min、好ましくは3.5~45nm/min、より好ましくは5~30nm/min。また、吸収体層14として、マグネトロンスパッタリング法を用いてTaN層を形成する場合、以下の条件で実施すればよい。スパッタリングターゲット:Taターゲット。スパッタガス:Arガス等の不活性ガスで希釈したN2ガスガス圧1×101Pa~50×101Pa、好ましくは1×101Pa~40×101Pa、より好ましくは1×101Pa~30×101Pa。成膜前真空度:1×104Pa以下、好ましくは1×105Pa以下、より好ましくは106Pa以下。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W。成膜速度:2~60nm/min、好ましくは3.5~45nm/min、より好ましくは5~30nm/min。低反射層15は、マスクパターンの検査に使用する検査光の波長に対して、低反射特性を示す膜で構成される。EUVマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として現在は257nm程度の光を使用した検査機が使用されている。しかしながら、パターン幅が小さくなるに従い、検査光に使用される波長も短くなり、今後190~199nmの波長が使われることが予測される。したがって、検査光は、波長が190~260nmの光が要求される。つまり、このような波長の検査光に対する反射率の差、具体的には、吸収体層14がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収体層14表面と、の反射率の差、すなわち、これらの面での反射光のコントラストによって検査される。ここで、前者は反射層12表面である。但し、反射層12上に保護層13が形成されている場合、保護層13表面である。したがって、検査光の波長に対する反射層12表面または保護層13表面と、吸収体層14表面と、の反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。上記した構成の吸収体層14は、EUV光線反射率が極めて低く、EUVマスクブランク1の吸収体層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長に対する吸収体層14表面の反射率と保護層13表面の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスクパターンの検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。本発明のEUVマスクブランク1では、吸収体層14上にマスクパターンの検査光に対する低反射層15を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。なお、本発明のEUVマスクブランク1の場合、反射光のコントラストは検査光の波長に対する、反射層12表面と、低反射層15表面と、の反射率の差である。但し、反射層12上に保護層13が形成されている場合、保護層13表面と、低反射層15表面と、の反射率の差である。本発明のEUVマスクブランク1では、吸収体層14上に低反射層15を形成することにより、マスクパターンの検査光の全波長域190~260nmに対して光線反射率が極めて低くなる。具体的には、マスクパターンの検査光の波長域190~260nmの光線を低反射層15表面に照射した際に、該検査光の全波長域190~260nmに対して、低反射層15表面の光線反射率最大光線反射率が15以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましく、5以下であることがさらに好ましい。マスクパターンの検査光の全波長域190~260nmに対して低反射層15表面の光線反射率が15以下であれば、マスクパターンの検査光の波長を問わず、検査時のコントラストが良好である。低反射層15は、上記の特性を達成するため、マスクパターンの検査光の波長域に対する屈折率が吸収体層14よりも高い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。これに加えて、低反射層15は、塩素系ガスを用いたエッチングプロセスにおいて、十分なエッチング速度を有することが好ましい。本発明のEUVマスクブランクは、低反射層15に対する上述した要求を満足させるため、吸収体層14の側から、第1層16、および、第2層17がこの順に積層された積層構造の低反射層15とし、低反射層15の第1層16を従来のマスクブランクの低反射層のような酸化物、酸窒化物といった酸素を含む組成ではなく、SiおよびNを合計含有率で95at以上、さらには98at以上含有する組成とする。このことにより、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くし、検査時に良好なコントラストを得ることができる。また、低反射層15の第1層16を、酸素を含まない組成とすることで、積層構造の低反射層15が塩素系ガスを用いたエッチングプロセスに対して十分なエッチング速度を有する。以下、本明細書において、上記したSiおよびNを合計含有率で95at以上含有する第1層のことを、第1層SiN層、または単にSiN層とも表記する。なお、積層構造の低反射層15が塩素系ガスを用いたエッチングプロセスに対して十分なエッチング速度を有することを示す指標としては、反射層但し、通常は反射層上に保護層が形成されているので保護層とのエッチング選択比を用いることができる。反射層または保護層とのエッチング選択比は、吸収体層が反射層または保護層との関係において、十分なエッチング速度を有することを示す指標として用いられるものである。これを積層構造の低反射層に適用することにより、積層構造の低反射層が十分なエッチング速度を有していることを判断することができる。本明細書において、エッチング選択比は、下記式を用いて計算できる。エッチング選択比=低反射層または吸収体層のエッチング速度/反射層または保護層のエッチング速度吸収体層の場合、上記式で得られるエッチング選択比が10以上であることが好ましく、11以上であることがさらに好ましく、12以上であることがさらに好ましいとされている。したがって、低反射層の場合に上記式で得られるエッチング選択比が上記範囲であれば、低反射層が塩素系ガスを用いたエッチングプロセスに対して十分なエッチング速度を有していることになる。積層構造の低反射層15の第1層16は、Siの含有率が5~80atであることが好ましく、Nの含有率が15~90atであることが好ましい。Siの含有率が5at未満であると、第1層16の導電性が低下し、積層構造の低反射層15に電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。Siの含有率が80at超であると、積層構造の低反射層15において、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができず、低反射層15表面での光線反射率が15以下とならない可能性がある。また、Nの含有率が15atより低い場合、積層構造の低反射層15において、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができず、低反射層15表面での光線反射率が15以下とならない可能性がある。Nの含有率が90atより高い場合、低反射層15の耐酸性が低下し、第1層16の絶縁性が増し、積層構造の低反射層15に電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。積層構造の低反射層15の第1層16は、Siの含有率が10~80atであることがより好ましく、20~80atであることがさらに好ましく、30~70atであることが特に好ましい。また、Nの含有率が15~85atであることがより好ましく、15~75atであることがさらに好ましく、25~65atであることが特に好ましい。上述した点から明らかなように、積層構造の低反射層15の第1層16中には、酸素Oを含まないことが好ましい。具体的には、第1層16中の酸素Oの含有率が5at未満であることが好ましい。吸収体層14について上述したように、吸収体層14およびその上にある低反射層15にパターン形成する目的で塩素系ガスを用いてドライエッチングプロセスを実施する場合に、積層構造の低反射層15の第1層16が酸素を含有していると、エッチング速度が低下し、レジストダメージが大きくなり好ましくない。積層構造の低反射層15の第1層16中の酸素の含有率は、4at以下であることがより好ましく、3at以下であることがさらに好ましく、不可避不純物以外に酸素を実質的に含有しないことが特に好ましい。上述したように、積層構造の低反射層15の第1層16として用いる、SiおよびNを合計含有率で95at以上含有する層は、EUVマスクブランクの低反射層として優れた特性を有している。しかし、層を構成する元素として、Siを含有するため、マスクパターン形成時に塗布されるレジストとの密着性が十分ではなく、第1層16のみで低反射層15を形成すると、幅が100nm程度もしくはそれ以下の微細なレジストパターンの形成に際して、レジストパターンが消失したり、レジストパターンが倒れてレジストパターンの欠陥となる等の問題が生じる可能性がある。本発明のEUVマスクブランクでは、第1層16上に、マスクパターン形成時に塗布されるレジストとの密着性に優れた第2層17を積層させた積層構造の低反射層15とする。このことにより、上記の問題、すなわち、幅が100nm程度もしくはそれ以下の微細なレジストパターンの形成に際して、レジストパターンが消失したり、レジストパターンが倒れてすなわち、所定のパターンに形成されたレジスト層のエッジ部分が崩れて、レジストパターンの欠陥となる等の問題を解消する。上記の目的で形成する第2層17は、マスクパターン形成時に塗布されるレジストとの密着性に優れることに加えて、積層構造の低反射層15の一部をなすことから、マスクパターンの検査光の波長域に対する屈折率が吸収体層14よりも高い材料で構成されることが好ましい。また、第2層17の結晶状態がアモルファスであることが好ましい。本発明のEUVマスクブランク1では、積層構造の低反射層15の第2層17がタンタルTa、酸素Oおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有することによっても上記の特性を達成する。以下、本明細書において、上記したタンタルTa、酸素Oおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第2層のことを、第2層TaON層、また単にTaON層とも表記する。積層構造の低反射層15の第2層TaON層17は、これらの元素を以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。積層構造の低反射層15の第2層TaON層17は、Taの含有率が30~80atであり、OおよびNの合計含有率が20~70atであり、OおよびNの組成比が9:1~1:9であることが好ましい。OおよびNの含有率が20atより低い場合、積層構造の低反射層15において、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができず、低反射層15表面での光線反射率が15以下とならない可能性がある。また、第2層TaON層17の結晶状態がアモルファスとならず、積層構造の低反射層15の表面をなす第2層TaON層17の表面粗さrmsが0.5nm以下とならないおそれがある。一方、OおよびNの含有率が70atより高い場合、第2層TaON層17の絶縁性が増し、積層構造の低反射層15に電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。積層構造の低反射層15の第2層TaON層17は、Taの含有率が35~75atであることがより好ましく、40~70atであることがさらに好ましい。OおよびNの合計含有率が25~65atであることがより好ましく、30~60atであることがさらに好ましい。また、OおよびNの組成比が8:2~2:8であることがより好ましく、7:3~3:7であることがさらに好ましい。上述したように、吸収体層14と積層構造の低反射層15との合計膜厚が40~200nmであることが好ましく、50~200nmであることがより好ましく、50~150nmであることがさらに好ましく、50~100nmであることが特に好ましい。但し、積層構造の低反射層15の膜厚が吸収体層14の膜厚よりも大きいと、吸収体層14でのEUV光吸収特性が低下するおそれがあるので、積層構造の低反射層15の膜厚は吸収体層の膜厚よりも小さいことが好ましい。このため、積層構造の低反射層15の膜厚、すなわち、第1層16および第2層17の合計膜厚は3.5~23nmであることが好ましく、8~17nmであることがより好ましい。本発明のEUVマスクブランクでは、積層構造の低反射層15をなす第1層16および第2層17は、それらの膜厚が以下に述べる範囲を満たすことが好ましい。積層構造の低反射層15において、第1層16の膜厚が3~18nmであり、第2層17の膜厚が0.5~5nmであり、第1層16の膜厚が第2層17の膜厚より厚く、第1層と第2層との膜厚の差第1層の膜厚-第2層の膜厚が2nm以上であることが好ましい。第1層16の膜厚が3nm未満だと、積層構造の低反射層15において、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができず、低反射層15表面での光線反射率が15以下とならない可能性がある。一方、第1層16の膜厚が18nm超の場合も、積層構造の低反射層15において、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができず、低反射層15表面での光線反射率が15以下とならない可能性がある。第2層17の膜厚が0.5nm未満だと、第2層が連続膜とならず、レジストとの密着性のムラが生じるおそれがある。一方、第2層17の膜厚が5nm超だと、積層構造の低反射層15において、マスクパターンの検査光の波長域に対する光線反射率を十分低くすることができず、低反射層15表面での光線反射率が15以下とならない可能性がある。第1層と第2層との膜厚の差が2nm未満の場合、積層構造の低反射層15に占める第1層の割合が小さくなるため、塩素系ガスを用いたエッチングプロセスを実施した際に、積層構造の低反射層15のエッチング速度が低下する。積層構造の低反射層15において、第1層16の膜厚が8~17nmであることがより好ましく、9~14nmであることがさらに好ましい。第2層17の膜厚が0.5~4nmであることがより好ましく、0.5~3nmであることがさらに好ましい。第1層と第2層との膜厚の差が4nm以上であることがより好ましく、6nm以上であることがさらに好ましい。上述した点から明らかなように、積層構造の低反射層15において、第2層17の膜厚は第1層16の膜厚に比べて小さく、低反射層15に要求される機能のうち、マスクパターンの検査光の波長域190~260nmに対して光線反射率が低いことは第1層16によって達成することができる。また、低反射層15に要求される機能のうち、塩素系ガスを用いたエッチングプロセスにおいて十分なエッチング速度を有することは、第1層16が上述した組成であり、かつ、第2層の膜厚が十分に薄いことによって達成される。このため、積層構造の低反射層15の第2層17は、吸収体層14に用いられる材料のうち、マスクパターン形成時に塗布されるレジストとの密着性に優れたものでも形成することもできる。このような観点で、本発明のEUVマスクブランク2においては、選択される積層構造の低反射層15の第2層17としては、タンタルTaおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する層が挙げられる。以下、本明細書において、上記したタンタルTaおよび窒素Nを合計含有率で95at以上含有する第2層のことを、第2層TaN層、また単にTaN層とも記載する。積層構造の低反射層15の第2層TaN層17は、これらの元素を以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。積層構造の低反射層15の第2層TaN層17は、Taの含有率が30~80atであり、Nの含有率が20~70atであることが好ましい。Nの含有率が20atより低い場合、第2層TaN層17の結晶状態がアモルファスとならず、積層構造の低反射層15の表面をなす第2層TaN層17の表面粗さrmsが0.5nm以下とならないおそれがある。Nの含有率が70atより高い場合、第2層TaN層17の絶縁性が増し、積層構造の低反射層15に電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。積層構造の低反射層15の第2層TaN層17は、Taの含有率が35~75atであることがより好ましく、40~70atであることがさらに好ましい。Nの含有率が25~65atであることがより好ましく、30~60atであることがさらに好ましい。本発明のEUVマスクブランク2において、積層構造の低反射層15の第2層がTaN層の場合も、第1層16の膜厚、第2層17の膜厚、および、第1層16および第2層17の膜厚比が上記した条件を満たすことが好ましい。また、積層構造の低反射層15の膜厚、および、吸収体層14と積層構造の低反射層15との合計膜厚が上記した条件を満たすことが好ましい。積層構造の低反射層15をなす各層、すなわち、第1層16および第2層17TaON層、またはTaN層は、成膜時に使用するターゲットからのBを0.1~5at含有してもよい。積層構造の低反射層15をなす各層、すなわち、第1層16および第2層17TaON層、またはTaN層は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであることが好ましい。なお、本明細書において、結晶状態がアモルファスであると言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。積層構造の低反射層15をなす各層、すなわち、第1層16および第2層17TaON層、またはTaN層がアモルファス構造の膜または微結晶構造の膜であることが好ましい。かかる構造とすることにより、平滑な低反射層15表面、すなわち、第2層17表面の表面粗さrmsが0.5nm以下とすることが容易となる。ここで、第2層17表面の表面粗さrmsは原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscopeを用いて測定することができる。積層構造の低反射層15の表面をなす第2層17表面の表面粗さが大きいと、低反射層15に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、積層構造の低反射層15表面をなす第2層17表面は平滑であることが要求される。なお、表面粗さrmsが、0.5nm以下とは、二乗平均平方根表面粗さが、0.5nm以下であることを意味する。積層構造の低反射層15の表面をなす第2層17表面の表面粗さrmsが0.5nm以下であれば、低反射層15表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。第2層17表面の表面粗さrmsは0.4nm以下であることがより好ましく、0.3nm以下であることがさらに好ましい。なお、積層構造の低反射層15をなす各層、すなわち、第1層16および第2層17TaON層、またはTaN層の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、X線回折XRD法によって確認することができる。第1層16および第2層17TaON層、またはTaN層の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、XRD測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。積層構造の低反射層15をなす各層、すなわち、第1層16および第2層17TaON層、TaN層は、以下の手順で形成することができる。上記した構成の第1層16、すなわち、SiおよびNを合計含有率で95at以上含有する層は、SiターゲットもしくはSiNターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。上記した構成の第1層16は、アルゴンAr等の不活性ガスで希釈した窒素N2ガス雰囲気中でSiターゲットを放電させることによって形成することができる。または、アルゴンAr等の不活性ガス雰囲気中でSiNターゲットを放電させることによって形成することができる。ここで、SiターゲットおよびSiNターゲットは、Bを0.1~10at含有してもよい。上記した方法のうち、Siターゲットを用いる方法で吸収体層14上に、積層構造の低反射層15の第1層16を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。第1層16SiN膜の成膜条件スパッタガス:ArとN2の混合ガスArガス濃度は、3~80vol、好ましくは5~70vol、より好ましくは10~60vol。N2ガス濃度は、3~80vol、好ましくは5~70vol、より好ましくは10~60vol。ガス圧は、好ましくは1×102Pa~40×101Pa、より好ましくは1×101Pa~30×101Pa。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W。成膜速度:0.1~60nm/min、好ましくは0.5~45nm/min、より好ましくは1~30nm/min。なお、Ar以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したArガス濃度と同じ濃度範囲にするのが好ましい。また、SiNターゲットを用いる場合、スパッタガスとしてAr等の不活性ガス濃度100volのガスを使用し、上記のガス圧、投入電力および成膜速度で実施すればよい。上記した構成の第2層TaON層17、すなわち、Ta、OおよびNを合計含有率で95at以上含有する層は、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKrおよびキセノンXeのうち少なくとも1種を含む不活性ガスで希釈した酸素O2ならびに窒素N2雰囲気中で、Taターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。または、後述する手順でTaN層を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成されたTaN層を酸化することで第2層TaON層としてもよい。上記した方法で第1層16上に第2層TaON層17を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。第2層TaON層17の成膜条件スパッタガス:ArとO2とN2の混合ガスO2ガス濃度は、5~80vol、好ましくは6~70vol、より好ましくは10~30vol。N2ガス濃度は、5~75vol、好ましくは6~35vol、より好ましくは10~30vol。Arガス濃度は、5~90vol、好ましくは10~88vol、より好ましくは20~80vol。ガス圧は、1.0×101Pa~50×101Pa、好ましくは1.0×101Pa~40×101Pa、より好ましくは1.0×101Pa~30×101Pa。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W。成膜速度:0.01~60nm/min、好ましくは0.05~45nm/min、より好ましくは0.1~30nm/min。なお、アルゴン以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したArガス濃度と同じ濃度範囲にするのが好ましい。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したArガス濃度と同じ濃度範囲にするのが好ましい。上記した構成の第2層TaN層17、すなわち、TaおよびNを合計含有率で95at以上含有する層は、ヘリウムHe、アルゴンAr、ネオンNe、クリプトンKrおよびキセノンXeのうち少なくとも1種を含む不活性ガスで希釈した窒素N2雰囲気中で、Taターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。上記した方法で第1層16上に第2層TaN層17を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。第2層TaN層17の成膜条件スパッタガス:ArとN2の混合ガスArガス濃度は、3~80vol、好ましくは5~70vol、より好ましくは10~60vol。N2ガス濃度は、3~80vol、好ましくは5~70vol、より好ましくは10~60vol。ガス圧は、好ましくは1×102Pa~40×101Pa、より好ましくは1×101Pa~30×101Pa。投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好ましくは80~500W。成膜速度:0.01~60nm/min、好ましくは0.05~45nm/min、より好ましくは0.1~30nm/min。なお、アルゴン以外の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの濃度が上記したArガス濃度と同じ濃度範囲にするのが好ましい。また、複数種類の不活性ガスを使用する場合、不活性ガスの合計濃度を上記したArガス濃度と同じ濃度範囲にするのが好ましい。ここで、第2層TaON層、またはTaN層の形成に用いるTaターゲットは、Bを0.1~10at含有してもよい。本発明のEUVマスクブランク1は、反射層12、保護層13、吸収体層14、ならびに、積層構造の低反射層15をなす第1層16および第2層17以外に、EUVマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表2003-501823号公報に記載されているもののように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される高誘電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図1の基板11において、反射層12が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が100Ω/□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表2003-501823号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、TiN、モリブデン、クロム、TaSiからなるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば10~1000nmとすることができる。高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、CVD法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。本発明のEUVマスクブランクの吸収体層を少なくともパターニングすることで、EUVマスクを製造することが可能となる。吸収体層のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収体層上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収体層をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収体層の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収体層のエッチング方法も特に限定されず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたはウエットエッチングが採用できる。吸収体層をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより、EUVマスクが得られる。本発明に係るEUVマスクを用いた半導体集積回路の製造方法について説明する。本発明は、EUV光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に上記EUVマスクを設置する。そして、EUV光を光源から反射鏡を介してEUVマスクに照射し、EUV光をEUVマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。以下、実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1本実施例では、図1に示すEUVマスクブランクを作製した。成膜用の基板11として、SiO2-TiO2系のガラス基板外形約6インチ角縦×横:約152mm×約152mm、厚さが約6.3mmを使用した。このガラス基板の熱膨張率は0.2×107/°C、ヤング率は67GPa、ポアソン比は0.17、比剛性は3.07×107m2/s2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さrmsが0.15nm以下の平滑な表面と、100nm以下の平坦度に形成した。上記基板11の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ100nmのCr膜を成膜することによって、シート抵抗100Ω/□の高誘電性コーティングを施した。平板形状をした通常の静電チャックに、形成したCr膜を用いて上記基板11を固定して、該基板11の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてSi膜およびMo膜を交互に成膜することを40周期繰り返すことにより、合計膜厚272nm[4.5nmSi膜の膜厚2.3nmMo膜の膜厚×40周期]のMo/Si多層反射膜反射層12を形成した。さらに、Mo/Si多層反射膜反射層12上に、イオンビームスパッタリング法を用いてRu膜膜厚2.5nmを成膜することにより、保護層13を形成した。Si膜、Mo膜およびRu膜の成膜条件は以下の通りである。Si膜の成膜条件ターゲット:Siターゲットホウ素ドープスパッタガス:Arガスガス圧0.02Pa電圧:700V成膜速度:0.077nm/sec膜厚:4.5nmMo膜の成膜条件ターゲット:Moターゲットスパッタガス:Arガスガス圧0.02Pa電圧:700V成膜速度:0.064nm/sec膜厚:2.3nmRu膜の成膜条件ターゲット:Ruターゲットスパッタガス:Arガスガス圧0.02Pa電圧:500V成膜速度:0.023nm/sec膜厚:2.5nm次に、保護層13上に、吸収体層14としてチッ化タンタルTaN膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。吸収体層14TaN膜は以下の方法で成膜した。吸収体層14TaN膜の成膜条件ターゲット:Taターゲットスパッタガス:ArとKrとH2およびN2の混合ガスAr:41.6vol、Kr:42.9vol、H2:1.3vol、N2:14.3vol、ガス圧:0.3Pa投入電力:740W成膜速度:7.0nm/min膜厚:51nm成膜前真空度:4×106Pa.このようにして得られたTaN膜の酸素O含有率は0.1atであった。次に、吸収体層14上に、SiおよびNを含有する、積層構造の低反射層15の第1層16SiN膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。第1層16SiN膜の成膜条件は以下の通りである。第1層16SiN膜の成膜条件ターゲット:Siターゲットスパッタガス:ArとN2混合ガスAr:43vol、N2:57vol、ガス圧:0.2Pa投入電力:450W成膜速度:1.05nm/min膜厚:11nm。このようにして得られたSiN膜のSiの含有率は34at、Nの含有率は66atであった。次に、第1層16上に、Ta、OおよびNを含有する、低反射層15の第2層17TaON膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて形成し、基板11上に反射層12、保護層13、吸収体層14、ならびに、積層構造の低反射層15の第1層16および第2層17がこの順で形成されたEUVマスクブランクを得た。第2層17TaON膜の成膜条件は以下の通りである。第2層17TaON膜の成膜条件ターゲット:Taターゲットスパッタガス:ArとO2およびN2の混合ガスAr:49.4vol、O2:36.8vol、N2:13.8vol、ガス圧:0.3Pa投入電力:450W成膜速度:0.15nm/min膜厚:1nm。このようにして得られたTaON膜のTaの含有率は50at、Oの含有率は15at、Nの含有率は35atであった。上記の手順で得られたEUVマスクブランクの193nmにおける反射率を測定して表1の結果を得た。上記の手順で得られたEUVマスクブランクに信越化学工業株式会社製の電子線描画レジストを130nmの膜厚となるように塗布し、次いで電子線描画装置を用いて描画を行い、水酸化テトラメチルアンモニウムTHAH2.38溶液を用いて現像することで、表2にあげる所望の露光線幅にてレジスト孤立ラインのパターン形成をおこなった。レジスト孤立ラインの形状を走査電子顕微鏡を用いて観察し、その結果を表2に示した。線幅60から250nmのラインが形成されていることが確認された。上記の手順によりレジスト孤立ラインパターンが形成されたEUVマスクブランクを、リアクティブイオンエッチングRIE装置を用いて、Cl2系ガスまたはCF4系ガスにて表3に示す所望の時間、ドライエッチングを行い、吸収体層14、ならびに、積層構造の低反射層15をなす第1層16および第2層17のパターニングを行った。なお、実施例1では、同一の条件で2つのEUVマスクブランクを作成し、一方のEUVマスクブランクはCF4系ガスによりエッチングした後、Cl2系ガスによりエッチングする2段エッチングを実施し、他方のEUVマスクブランクはCl2系ガスによる1段エッチングを実施した。これらのエッチングのエッチング時間は、表3の通りである。なお、後者のCl2系ガスによるエッチングのエッチング時間は、表3において括弧を用いて記載した。エッチングの条件は下記の通りである。Cl2系ガスによるエッチング条件バイアスRF:50Wトリガー圧力:5Paエッチング圧力:2Paエッチングガス:Cl2/Arガス流量Cl2/Ar:20/80sccmCF4系ガスによるエッチング条件バイアスRF:50Wトリガー圧力:4Paエッチング圧力:1Paエッチングガス:CF4ガス流量Cl4:99sccmドライエッチング後に残存するレジストをレジスト剥離液を用いて除去し、吸収体層14、ならびに、積層構造の低反射層15をなす第1層16および第2層17からなる孤立ラインパターンを得た。上記の手順により形成された吸収体層14、ならびに、積層構造の低反射層15をなす第1層16および第2層17からなる孤立ラインパターンの線幅を走査型電子顕微鏡を用いて観察、計測した結果を表4に示した。実施例2本実施例では、第2層17を膜厚3nmのTaON膜とし、エッチング時間を表3の通りに変更した以外は実施例1と同様に成膜および評価をおこなった。その結果、表1,2,4の結果を得た。実施例3本実施例では、第2層17を吸収体層14と同じ条件で成膜される膜厚1nmのTaN膜とし、エッチング時間を表3の通りに変更した以外は実施例1と同様に成膜および評価をおこなった。その結果、表1,2,4の結果を得た。このようにして得られたTaN膜のTaの含有率は57at、Nの含有率は43atであった。比較例1本比較例は、第2層17を形成せず、エッチング時間を表3の通りに変更した以外は実施例1と同様に成膜および評価をおこなった。その結果、表1,2,4の結果を得た。比較例2本比較例は、第2層17を形成せず、第1層16を実施例1の第2層17であるTaONを成膜したときと同じ条件で成膜される膜厚10nmのTaON膜とし、エッチング時間を表3の通りに変更した以外は実施例1と同様に成膜および評価をおこなった。その結果、表1,2,4の結果を得た。なお、本例については、TaON膜の膜厚が異なる複数のサンプルを作成して193nmにおける反射率を測定した。上記表1における吸収体層、低反射層の欄に示される数値は、各層の厚さを示す。表中の符号は以下を表わす。A:パターン倒れ、消失なしB:一部パターン倒れ、消失ありC:パターン消失比較例2は最も一般的な構成のEUVマスクブランクであるが、膜厚を任意に変更しても193nmにおける15以下、好ましくは10以下、より好ましくは5以下の反射率を得ることはできない。比較例1は低反射膜としてSiNを採用した構成のEUVマスクブランクであり、表1に示される通り、193nmにおける低反射率を実現できるが、表2、表4の結果のとおり、幅が100nm程度もしくはそれ以下の微細なレジストパターンの形成に際して、レジストの密着性不足によるレジストパターンの消失や倒れが発生し不具合となる。実施例1、実施例2、実施例3では、193nmにおける反射率が好ましい5以下であり、かつ幅が100nm程度若しくはそれ以下の微細なレジストパターンの形成に際して、レジストの密着性不足によるレジストパターンの消失や倒れが起こることがなく、微細なパターニングが可能である。また、実施例1、実施例2、実施例3では、それぞれ前記第2層表面の表面粗さrmsが、28.8nm、27.6nm、29.6nmの平滑な表面であった。"