SiCを主成分とする気孔率30~50の多孔質セラミックスによって、セル形成部と該セル形成部の周囲を覆う外皮部とを形成してなるハニカム体と、SiC及びSiを含有し、上記外皮部の表面に対に設けられた少なくとも一対以上の導電セラミックス層と、SiC及びSiを含有し、上記導電セラミックス層に対面する位置において上記外皮部自体に形成された中間層とを備え、該中間層の厚みをt、上記外皮部の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有することを特徴とするハニカム構造体。請求項1に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層及び上記中間層は、上記SiC及びSi以外にも、Cを含有していることを特徴とするハニカム構造体。請求項2に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層及び上記中間層は、SiCを70~94質量、Siを5~20質量、Cを1~10質量含有することを特徴とするハニカム構造体。請求項1~3のいずれか一項に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層の厚みは、0.5~2mmであることを特徴とするハニカム構造体。請求項1~4のいずれか一項に記載のハニカム構造体において、上記外皮部の厚みは、0.1~1mmであることを特徴とするハニカム構造体。請求項1~5のいずれか一項に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層と上記中間層とを接合して一対の電極を形成してなるとともに、該一対の電極自体の電気抵抗値は、該一対の電極間の電気抵抗値の10以下であることを特徴とするハニカム構造体。請求項1~6のいずれか一項に記載のハニカム構造体を製造する方法において、上記ハニカム体の上記外皮部の表面に、SiCとCとを含有してなるペースト状の接着剤を介して、SiC、Si及びCを含有する固形状又はペースト状の複合材を配置又は塗布する第1工程と、該接着剤及び該複合材を加熱焼成する第2工程とを有し、上記第1工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとの比率Si/Cを調整することにより、上記第2工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとを上記外皮部へ浸透させて、上記中間層の厚みtと上記外皮部の厚みTとの関係を0.5≦t/T≦1に調整して、上記導電セラミックス層と上記中間層とを形成することを特徴とするハニカム構造体の製造方法。しかしながら、電気加熱式触媒コンバータにおいては、ハニカム体を、触媒活性を発現する温度になるまで迅速かつ均一に昇温する必要がある。そのため、一対の電極には、耐熱性及び耐酸化性が要求されるのみならず、使用時にハニカム構造体の抵抗値が変動し難い等の性質としての電気的接合信頼性、及び使用時に電極の剥離、破損等を生じ難い性質としての機械的接合信頼性が要求される。かかる要求を満たすためには、上記特許文献1、2に開示された技術では不十分であり、更なる工夫が必要とされる。本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされてものであり、通電を行って繰り返し使用する際の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性を確保することができるハニカム構造体及びその製造方法を提供しようとするものである。第1の発明は、SiCを主成分とする気孔率30~50の多孔質セラミックスによって、セル形成部と該セル形成部の周囲を覆う外皮部とを形成してなるハニカム体と、SiC及びSiを含有し、上記外皮部の表面に対に設けられた少なくとも一対以上の導電セラミックス層と、SiC及びSiを含有し、上記導電セラミックス層に対面する位置において上記外皮部自体に形成された中間層とを備え、該中間層の厚みをt、上記外皮部の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有することを特徴とするハニカム構造体にある請求項1。第2の発明は、上記ハニカム体の上記外皮部の表面に、SiCとCとを含有してなるペースト状の接着剤を介して、SiC、Si及びCを含有する固形状又はペースト状の複合材を配置又は塗布する第1工程と、該接着剤及び該複合材を加熱焼成する第2工程とを有し、上記第1工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとの比率Si/Cを調整することにより、上記第2工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとを上記外皮部へ浸透させて、上記中間層の厚みtと上記外皮部の厚みTとの関係を0.5≦t/T≦1に調整して、上記導電セラミックス層と上記中間層とを形成することを特徴とするハニカム構造体の製造方法にある請求項8。第1の発明のハニカム構造体は、ハニカム体の外皮部の表面に、SiC炭化珪素及びSi珪素を含有する複合材からなる一対の導電セラミックス層を設け、導電セラミックス層に対面する位置において、ハニカム体の外皮部自体によってSiC炭化珪素及びSi珪素を含有する中間層を設けてなる。そして、本発明のハニカム構造体は、中間層の厚みをt、外皮部の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有している。中間層の厚みtが外皮部の厚みTの半分以上であることにより、一対の導電セラミックス層及び中間層を一対の電極として、一対の電極間に通電を行って繰り返し使用する際に、一対の電極の抵抗値が変動し難くすることができ、かつ、一対の導電セラミックス層に剥離、破損等が生じ難くすることができる。また、中間層の厚みtを外皮部の厚みT以下とすることにより、中間層がセル形成部にまで形成されてしまうことを防止し、セル形成部の電気抵抗値が下がって、ハニカム構造体の昇温性の悪化を防止することができる。また、ハニカム体の気孔率が30未満の場合には、ハニカム体の質量が増大し、通電加熱を行う際に多量の電力及び時間を要することになる。一方、ハニカム体の気孔率が50超過の場合には、ハニカム体の強度が低下し、ハニカム体2が破損しやすくなる。以上、第1の発明のハニカム構造体によれば、通電を行って繰り返し使用する際の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性を確保することができる。第2の発明のハニカム構造体の製造方法においては、第1工程において、複合材におけるSiと接着剤におけるCとの比率Si/Cを調整して、ハニカム体の外皮部の表面に、接着剤を介して複合材を配置又は塗布する。次いで、第2工程において、この接着剤及び複合材を加熱焼成する。このとき、複合材におけるSiと接着剤におけるCとを外皮部へ浸透させて、中間層の厚みtと外皮部の厚みTとの関係を0.5≦t/T≦1に調整して、導電セラミックス層と中間層とを形成する。以上、第2の発明のハニカム構造体の製造方法によれば、通電を行って繰り返し使用する際の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性を確保できるハニカム構造体を容易に製造することができる。上述した第1、第2の発明のハニカム構造体及びその製造方法における好ましい実施の形態につき説明する。本発明において、上記中間層の厚みは、導電セラミックス層及び中間層の形成部分においてハニカム体を切断し、この切断を行った断面を観察することによって測定することができる。より具体的には、導電セラミックス層及び中間層を形成した範囲を、SEM走査型電子顕微鏡、デジタルマイクロスコープ等を用いて、等間隔に10点を計測し、計測した中間層の厚みの平均値を中間層の厚みとした。また、導電セラミックス層は、Alアルミニウムの含有量が0.1質量以下であることが好ましい。SiC及びSiが良好な導電性を発揮するためには、導電セラミックス層は、不純物を添加して半導体化させることが一般的である。導電セラミックス層におけるAlの含有量が多い場合には、中間層を形成する熱処理温度1410~1800°Cにおいて、SiCを主成分として構成されるハニカム体にAlが分散してしまう。この場合には、Alの分散が、所望の抵抗値に調整されているハニカム体の抵抗値を変動させるため好ましくない。従って、導電セラミックス層におけるAlの含有量は、半導体化に必要な少量とすることが好ましく、0.1質量以下であることが好ましい。このAlの含有量は、0.01~0.1質量とすることができる。導電セラミックス層及び中間層を構成するSiCにおいては、4H型と3C型との少なくとも一方の結晶系が30以上存在することが好ましい。SiCには結晶多形が存在し、結晶系によって電子移動度が異なる。SiCの中でも比較的低温で生成される4H型、3C型は、主として高温で生成される6H型に比べて電子移動度が大きく、導電性が良い。低温型SiCは1410~2200°Cで生成される。これより、導電セラミックス層及び中間層を形成する際の熱処理温度接合処理温度は、1410~1800°Cとすることが好ましい。これにより、ハニカム体の外皮部における中間層に新たに生成するSiCを、より確実に低温型とすることができる。また、上記導電セラミックス層及び上記中間層は、上記SiC及びSi以外にも、Cを含有していることが好ましい請求項2。この場合には、導電セラミックス層及び中間層から構成する電極の抵抗値を低減し、その導電性を向上させることができる。また、上記導電セラミックス層及び上記中間層は、SiCを70~94質量、Siを5~20質量、Cを1~10質量含有することが好ましい請求項3。この場合には、導電セラミックス層及び中間層において、骨材として強度に寄与するSiC、溶融拡散し接合に寄与するSi、導電材として抵抗値に寄与するCの含有量が適切であり、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性に優れたハニカム構造体を容易に形成することができる。また、導電セラミックス層の組成は、JISR6124に示される化学分析法を用いて測定することができる。また、上記導電セラミックス層の厚みは、0.5~2mmであることが好ましい請求項4。この場合には、導電セラミックス層の厚みが適切であり、ハニカム構造体を製造する際に、適切な厚みの中間層を容易に形成することができる。導電セラミックス層が0.5mm未満の場合には、ハニカム体の外皮部の凹凸による影響が大きく、電極を安定して形成することが困難である。一方、導電セラミックス層の厚みが2mm超過の場合には、電極自体の質量が大きくなり、ハニカム体を所望の温度まで通電加熱するための投入電力量が増加してしまう。この場合には、投入電力量が同じときには、通電加熱を行う時間が長くなってしまう。さらにこの場合には、ハニカム構造体を排気管に封入して車両に搭載する際に、ハニカム構造体の円筒形状が歪み、封入時もしくは使用環境下においてハニカム体が破損するおそれがある。また、上記外皮部の厚みは、0.1~1mmであることが好ましい請求項5。この場合には、外皮部の厚みが適切であり、外皮部に対して適切な厚みの割合の中間層を容易に形成することができる。外皮部の厚みを0.1mm未満とすることは製造上困難である。外皮部の厚みを1mm超過とすると、形成される中間層の厚みのばらつきが大きくなり、所望する中間層の厚みが得られないおそれがある。また、上記導電セラミックス層と上記中間層とを接合して一対の電極を形成してなるとともに、該一対の電極自体の電気抵抗値は、該一対の電極間の電気抵抗値の10以下であることが好ましい請求項6。この場合には、導電セラミックス層及び中間層による電極の電気抵抗値を低く維持することができ、電極において発熱により電力が消費されてしまうことを抑制することができる。以下に、本発明のハニカム構造体及びその製造方法に係る実施例につき、図面を参照して説明する。本例のハニカム構造体1は、図1に示すごとく、基材としてのハニカム体2に対して一対の電極11としての導電セラミックス層4及び中間層3を形成してなる。ハニカム体2は、SiC炭化珪素を主成分不可避的不純物を含むことがある。とする気孔率30~50の多孔質セラミックスによって、セル形成部21とセル形成部21の周囲を覆う外皮部22とを形成してなる。導電セラミックス層4は、SiC炭化珪素、Si珪素及びC炭素を含有し、外皮部22の表面に一対に設けられている。中間層3は、SiC炭化珪素、Si珪素及びC炭素を含有し、導電セラミックス層4に対面する位置において外皮部22自体に形成されている。ハニカム構造体1は、中間層3の厚みをt、外皮部22の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有している。以下に、本例のハニカム構造体1及びその製造方法につき、図1~図9を参照して詳説する。図1、図2に示すごとく、本例のハニカム体2は、円柱形状に形成されており、セル形成部格子部21の隔壁211に対して、円柱形状の軸方向に開口するセル孔212を形成し、円柱形状の外周を外皮部22によって覆って形成されている。図2に示すごとく、本例のハニカム構造体1は、導電セラミックス層4と中間層3とによる一対の電極11に対して電力を供給し、ハニカム体2を触媒活性を発現する温度に加熱して、排ガスの浄化を行う電気加熱式触媒コンバータEHCとして用いる。一対の導電セラミックス層4には、SiC-Siの複合材から構成した端子部42がそれぞれ形成してある。そして、一対の端子部42に電源6を接続して、ハニカム構造体1に対して通電を行う。一対の導電セラミックス層4及び中間層3は、図2に示すごとく、円柱形状のハニカム体2の外皮部22の表面に互いに対向する周方向部位に一対に設けることができる。なお、導電セラミックス層4は、対に設けてあればよく、少なくとも一対以上設けてあれば、複数対にして設けることもできる。また、対に設けられた導電セラミックス層4は、互いに対向して配置される場合、一部対向して配置される場合、対向して配置されない場合を含み、導電セラミックス層4と中間層3とにより形成される対の電極11に対して電力を供給する作用をなせば何れの配置構造をとることもできる。ただし、この中でも、特に、導電セラミックス層4と中間層3とによる一対の電極11を互いに対向するように配置することが好ましい。図4~図7に示すごとく、本例の中間層3は、ハニカム体2の外皮部22を構成する多孔質セラミックスにおける隙間複数の微細孔102を、Si、C等によって閉塞することによって形成されている。中間層3は、導電セラミックス層4及びこれをハニカム体2の外皮部22に接着する接着剤5から、Si珪素及びC炭素をハニカム体2の外皮部22に浸透させて、外皮部22においてSiCの形成反応を行った部分によって形成されている。本例の導電セラミックス層4及び中間層3は、導電セラミックス層4となるSiC-Siの複合材41とハニカム体2の外皮部22とを接合する接着剤5に含まれるC炭素が浸透して、SiC、Si及びCを含有する層として形成される。また、外皮部22における中間層3の気孔率pは、Si及びCが浸透したことにより、外皮部22における基材層Si、C等が浸透していない部分221の気孔率Pに対し、p≦1/2Pの関係にあることが好ましい。図4~図7には、導電セラミックス層4、中間層3及び外皮部22の断面における各成分の配置状態を模式的に示す図である。図4、図6は、ハニカム体2の外皮部22の表面に対して接着剤5を介して導電セラミックス層4を構成するSiC-Siの複合材41を配置した状態を示す。図6において、外皮部22には、多数のSiCの粒子101が結合する隙間として多数の微細孔102が形成されている。一方、SiC-Siの複合材41には、多数のSiCの粒子101の間にSi遊離珪素103が存在する状態にある。また、接着剤5にはC遊離炭素104が含有されている。図5、図7は、ハニカム体2の外皮部22の表面に接着剤5を介してSiC-Siの複合材41を配置したものを、所定の温度で加熱焼成して、ハニカム体2の外皮部22の表面に導電セラミックス層4を形成すると共に外皮部22の表面側に中間層3を形成した状態を示す。図7において、ハニカム体2の外皮部22の表面側においては、SiCの粒子101の間の隙間多数の微細孔102に、SiC-Siの複合材41におけるSi遊離珪素103及び接着剤5におけるC遊離炭素104が溶融拡散して浸透して、中間層3を形成している。また、中間層3におけるSiCの粒子101の間の隙間多数の微細孔102には、浸透したSi遊離珪素103の一部とC遊離炭素104の一部とが化学反応して、新たにSiC炭化珪素の生成物105が形成されている。一方、導電セラミックス層4における中間層3側の表面部分においても、SiC-Siの複合材41が元々含有するSi遊離珪素103の一部と接着剤5から浸透したC遊離炭素104の一部とが化学反応して、新たにSiC炭化珪素の生成物105が形成されている。そして、導電セラミックス層4と外皮部22の中間層3とは、一体化されている。導電セラミックス層4と中間層3とは、いずれもSiC、Si、Cを含有する層として形成されている。また、導電セラミックス層4を形成するために、ペースト状のSiC-Siの複合材41を用いる場合には、この複合材41に対してC炭素を含有させておくことができる。図8には、本例の導電セラミックス層4、及び外皮部22の中間層3の断面を電子顕微鏡SEMによって観察した反射電子像を示す。図8aは、導電セラミックス層4の断面を200倍の倍率で拡大して示し、図8bは、外皮部22の中間層3を含む接合部の断面を50倍の倍率で拡大して示し、図8cは、図8bの一部E破線によって四角に囲んで示す。を200倍の倍率で拡大して示す。同図においては、気孔を符号αによって示す。図8aにおいて、Siは白色で確認することができ、SiC粒子を繋ぐようにSiC粒子周辺に存在している。そして、導電セラミックス層4は、Siの存在により、SiCに比べて低い電気抵抗値を示し、導電性を有することができる。また、図8b、Cからわかるように、中間層3は、導電セラミックス層4から溶融拡散したSiが、外皮部22における表層部の気孔αを閉塞するように浸透することによって形成されている。そして、中間層3は、ハニカム体2と導電セラミックス層4との接合を行っている。中間層3には、新たに生成したSiC、未反応のSi写真白色部、Cが含有される。図8bにおいては、接着剤5を起源とする部分熱処理前に接着剤5があった部分を符号50によって示す。この接着剤5を起源とする部分50は、熱処理後には、導電セラミックス層4の一部となっている。また、図8には記載されていないが、基材層221には、SiCの粒子の間の気孔隙間αが形成されている。そして、基材層221は、導電セラミックス層4及び中間層3に比べて9倍以上高い電気抵抗値を示し、弱い導電性を有している。本例の導電セラミックス層4は、SiCを70~94質量、Siを5~20質量、Cを1~10質量含有するものであり、その厚みは、0.5~2mmの範囲内で略均一な厚みに設定されている。また、本例のハニカム体2の外皮部22の厚みは、0.1~1mmの範囲内で略均一な厚みに設定されている。本例の中間層3は、SiCを70~94質量、Siを5~20質量、Cを1~10質量含有するものであり、その厚みは、ハニカム体2の外皮の厚みに対して0.5~1倍であり、0.05~1mmの範囲内で略均一な厚みに設定されている。本例の導電セラミックス層4及び中間層3を構成するSiCにおいては、4H型と3C型との少なくとも一方の結晶系が30以上存在する。より具体的には、本例の導電セラミックス層4は、6H型の結晶系を49.0、4H型の結晶系を22.3、3C型の結晶系を28.7含有している。この結晶系の種類は、X線回折装置株リガク;RNT-2000型にて測定したX線回折図から結晶多形の割合を計算して求めることができる。図9には、一対の導電セラミックス層4に電源6を接続し、ハニカム構造体1をジュール熱によって加熱する際の電気回路モデルを示す。電気回路モデルの中心部には、基材としてのハニカム体2の抵抗セル形成部21及び外皮部22における基材層221の抵抗r1があり、ハニカム体2の抵抗r1の外側には、中間層3の抵抗r2、r2’があり、中間層3の抵抗r2、r2’の外側には、導電セラミックス層4の抵抗r3、r3’がある。ハニカム構造体1の電気回路モデルは、各抵抗r1、r2、r2’、r3、r3’が直列に接続された関係にある。中間層3の抵抗r2及び導電セラミックス層4の抵抗r3は、一方の電極11の抵抗R1を構成し、R1=r2r3である。中間層3の抵抗r2’及び導電セラミックス層4の抵抗r3’は、他方の電極11の抵抗R1’を構成し、R1’=r2’r3’である。そして、一対の電極11の電気抵抗値R1R1’は、一対の電極11間ハニカム構造体1全体の電気抵抗値Rの10以下である。本例のハニカム構造体1は、次のようにして製造することができる。まず、成形工程として、SiCの材料から、複数のセル212を形成してなるセル形成部21と、セル形成部21の周囲を覆う外皮部22とからなるハニカム体2を成形する。また、導電セラミックス層4となるSiC-Siの複合材41の焼成体又はシートを成形する。次いで、複合材配置塗布工程第1工程として、ハニカム体2の外皮部22の表面に、SiCとCとを含有してなるペースト状の接着剤5を塗布する。次いで、ハニカム体2の外皮部22の表面であって接着剤5を塗布した表面に、SiC、Si及びCを含有する固形状又はペースト状の複合材41を配置又は塗布する図4参照。また、複合材仮接合工程においては、複合材41におけるSiと接着剤5におけるCとの比率Si/Cを適切に調整する。このSi/Cは、2.6~3.3とした。次いで、加熱焼成工程第2工程において、ハニカム体2の外皮部22の表面に接着剤5を介して複合材41を配置又は塗布してなる中間体を、所定の熱処理温度約1600°Cに加熱する。このとき、複合材41に含まれるSiが溶融し、接着剤5におけるCがSiと共にハニカム体2の外皮部22及び複合材41へと拡散浸透する。ここで、中間体を加熱焼成する温度は、Siの融点よりも高い温度とすることができ、例えば、1410~1800°Cとすることが好ましい。また、加熱焼成時の雰囲気は、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気とするか、真空雰囲気とする。こうして、中間体の焼成を行ったときには、ハニカム体2の外皮部22に中間層3を形成すると共に、導電セラミックス層4を形成して、ハニカム構造体1を製造することができる。また、中間層3の厚みtと外皮部22の厚みTとの関係を0.5≦t/T≦1に調整して、導電セラミックス層4と中間層3とを形成する。ハニカム構造体1の導電セラミックス層4及び中間層3は、SiCを生成する反応に使われるCと、未反応のまま残留するCとが存在することによって、電気抵抗を低減し、導電性を向上させることができる。導電セラミックス層4及び中間層3において、未反応のCの量を調整する方法として、接着剤5におけるカーボンの粒子径を調整する方法がある。そして、カーボンの粒子径を大きくしたときには、粒子の表面部においてはSiCを生成する一方、粒子の内部においてはCを残留させることができる。一方、カーボンの粒子径を小さくしたときには、粒子の略全体をSiCの生成に供することができる。そのため、接着剤5におけるカーボンの粒子径を大小混在させることにより、SiCの生成に供されずに残留させるCの量を調整することができる。本例の接着剤5におけるカーボンは、粒子径が20μm未満のCを主原料とし、この主原料に、粒子径が20~50μmであるCを3~30質量含有させたものとしている。また、カーボンの粒子径は、ハニカム体2の外皮部22における気孔内粒子間の隙間に浸透させるために、ハニカム体2の外皮部22における気孔の穴径よりも小さくすることが好ましい。本例のハニカム構造体1は、上記のごとく、中間層3の厚みをt、外皮部22の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有している。中間層3の厚みtが外皮部22の厚みTの半分以上であることにより、一対の導電セラミックス層4及び中間層3を一対の電極11として、一対の電極11間に通電を行って繰り返し使用する際に、一対の電極11の抵抗値が変動し難くすることができ、かつ、一対の導電セラミックス層4に剥離、破損等が生じ難くすることができる。また、中間層3の厚みtを外皮部22の厚みT以下とすることにより、中間層3がセル形成部21にまで形成されてしまうことを防止し、セル形成部21の電気抵抗値が下がって、ハニカム構造体1の昇温性の悪化を防止することができる。それ故、本例のハニカム構造体1によれば、通電を行って繰り返し使用する際の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性を確保することができる。また、複合材41におけるSiと接着剤5におけるCとの比率Si/Cを、2.6~3.3に適切に調整したことにより、0.5≦t/T≦1の関係を有する適切な厚みtの中間層3を容易に形成することができる。確認試験1本確認試験においては、外皮部22の厚みTに対して、外皮部22自体の表面部に形成する中間層3の厚みtを変化させて、所定温度に繰り返し加熱した後の電気抵抗値電気的接合信頼性、及び剥離又は亀裂の有無機械的接合信頼性について測定した。本確認試験においては、導電セラミックス層4は、SiCを約83、Siを約15、Cを約2含有する層として形成した。また、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性の測定は、ハニカム構造体1の試料をエンジン排気管に設置し、ハニカム体2の中心部が900°Cになるまで約100秒間加熱し、次いで、この加熱後の状態に約200秒間保持し、次いで、ハニカム体2の中心部が200°Cになるまで約300秒間冷却する冷熱サイクル1サイクル/600秒を500サイクル繰り返した後に実施した。なお、外皮部22の厚み及び中間層3の厚みは、ハニカム構造体1を電極11の形成部分において切断し、この切断を行った断面において、走査型電子顕微鏡を用いて等間隔に10点計測した厚みの平均値として求めた。試験に用いるハニカム構造体1の試料X1~X25におけるハニカム体2は、SiCを主成分95以上含有とし、直径93mmであり、長さが20mmであり、外皮部22の厚みが0.3mmであるものとした。ハニカム構造体1の試料X1~X25においては、アルゴンガスの雰囲気において1600°Cに加熱し、ハニカム体2に、導電セラミックス層4及び中間層3による電極11を形成した。また、電極11は、ハニカム体2の断面中心の回りの周方向両端の間の角度θが78°になるように形成した図1参照。ここで、外皮部22の厚みを0.1mm未満とすると、ハニカム体2の強度が著しく低下するため、外皮部22の厚みは0.1mm以上とした。一方、外皮部22の厚みを1mm超過とすると、ハニカム体2の熱容量が増加し、昇温性が悪化するため、外皮部22の厚みは1mm以下とした。ハニカム構造体1の試料X1~X25においては、ハニカム体2の気孔率を変化させ、中間層3の厚みtと外皮部22の厚みTの比率t/Tについて評価した。ハニカム構造体1の試料X1~X25としては、接着材5におけるCの含有量、導電セラミックス層4におけるSiの含有量、及び熱処理時間を調整し、中間層3の厚みtの異なるものを複数準備した。ハニカム構造体1におけるハニカム体2の気孔率は、水銀圧入式のポロシメータ株島津製作所:オートポアを用いた水銀圧入法により測定した測定範囲:0.5~10000psia。電気的接合信頼性の評価については、加熱冷却サイクルを行う前と行った後の試料の電気抵抗値を測定し、加熱冷却サイクルを行う前と行った後との電気抵抗値の変化率増加率が5以下である場合を○、100以上である場合を×、両者の中間である場合を△とした。一方、機械的接合信頼性の評価については、加熱冷却サイクルを行う前と行った後の試料における導電セラミックス層4の剥離又は亀裂の有無を観察し、導電セラミックス層4の剥離又は亀裂が認められなかった場合を○、導電セラミックス層4が略完全に剥離又は亀裂していた場合を×、どれだけか剥離又は亀裂を生じていた場合を△とした。表1に、ハニカム体2の気孔率と、ハニカム体2の外皮部22の厚みTに対する中間層3の厚みtの比率t/Tとを変化させたときのハニカム構造体1の試料X1~X25の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性について評価を行った結果を示す。同表において、厚みの比率t/Tが0.13、0.2試料X1、X2の場合は、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性のいずれもが×となった。この場合、導電セラミックス層4と外皮部22との接合厚み接合深さが不充分であり、加熱冷却サイクルにおいて導電セラミックス層4の剥離が生じ、ハニカム構造体1の電気抵抗値は測定不能となった。厚みの比率t/Tが0.25、0.38試料X3、X4の場合は、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性のいずれもが△又は×となった。この場合、加熱冷却サイクルにおいて導電セラミックス層4の一部に亀裂が生じ、これに伴う接合面積の低下によりハニカム構造体1の電気抵抗値が増大した。これらに対し、厚みの比率t/Tが0.5、0.65、0.82、1.0試料X5~X8の場合は、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性のいずれもが○となり、加熱冷却サイクルにおいて導電セラミックス層4に剥離又は亀裂が生じず、ハニカム構造体1の電気抵抗値も低い値に維持することができた。一方、厚みの比率t/Tが1.2、1.5試料X9、X10の場合は、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性のいずれもが○である。しかし、この場合は、ハニカム体2のセル形成部21内にまで中間層3が形成された場合であり、ハニカム体2のセル形成部21が導電性を有することになり、セル形成部21が有効に昇温されず、ハニカム構造体1の触媒活性を低下させてしまうため好ましくない。また、気孔率が29.8、50.4、58.9である試料X11~X25についても、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性の評価を行った。この場合も、厚みの比率t/Tが小さいときには、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性のいずれもが×となった。この場合、導電セラミックス層4と外皮部22との接合厚み接合深さが不充分であった理由による。また、ハニカム体2の気孔率が50.4、58.9である場合、ハニカム体2の強度が低下してしまう。この場合、厚みの比率t/Tが0.5~1の範囲内にあったとしても、使用に適さない。一方、ハニカム体2の気孔率が29.8である場合、ハニカム体2の質量が増大してしまい、通電加熱を行う際に多量の電力及び時間を要する。この場合、厚みの比率t/Tが0.5~1の範囲内にあったとしても、使用に適さない。以上、試料X5~X8の結果より、外皮部22の厚みTに対する中間層3の厚みtの比率t/Tは、1/20.5~1の範囲内であることが、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性の確保について好適であることがわかった。また、ハニカム体2の気孔率は、30~50とすることが好ましい確認試験2本確認試験においては、導電セラミックス層4と中間層3とからなる電極11の組成を異ならせ、所定温度に繰り返し加熱した後の電気抵抗値電気的接合信頼性、及び剥離又は亀裂の有無機械的接合信頼性について測定した。本確認試験においては、導電セラミックス層4及び中間層3を、SiCとSiとを含有する2成分系の層と、SiCとSiとCとを含有する3成分系の層とから形成した。この2成分系及び3成分系の電極11を用いたハニカム構造体1の試料Y1~Y11を表2に示す。同表において、SiC、Si、Cの前の数字は、組成全体における成分の割合質量を示す。なお、導電セラミックス層4及び中間層3の組成は、JISR6124に示される化学分析法を用いて測定した。本確認試験においては、ハニカム構造体1の試料Y1~Y11における一対の導電セラミックス層4に電極11を接続して、この試料Y1~Y11に1Aの電流を流しながら、所望のポイントの電位差をデジタルボルトメーターで測定する。この測定は、ハニカム体2の中間層3の抵抗r2及び導電セラミックス層4の抵抗r3を含む一方の電極11の抵抗R1と、ハニカム体2の中間層3の抵抗r2’及び導電セラミックス層4の抵抗r3’を含む他方の電極11の抵抗R1’と、ハニカム体2の抵抗セル形成部21及び外皮部22における基材層221の抵抗r1とを区別して行う。また、ハニカム構造体1全体の抵抗Rは、R=r1R1R1’から求める。デジタルボルトメーターで測定する部位は、具体的には電極11を形成するハニカム体2の外皮部22の隔壁211側とした図1において符号Mで示す。。そして、ハニカム構造体1全体の抵抗Rに対する一対の電極11の抵抗R1R1’の割合百分率を、R1R1’/R×100の式から求めた。こうして、電気的接合信頼性の評価として、2成分系及び3成分系の電極11を用いたハニカム構造体1の試料Y1~Y11について、ハニカム構造体1全体の抵抗Rに対する一対の電極11の抵抗R1R1’の割合を求め、電極11の抵抗の割合が、3以下である場合は○、10以上である場合は×、これらの間にある場合は△とした。また、機械的接合信頼性の評価として、上記確認試験1と同様の加熱冷却サイクルを繰り返した後、導電セラミックス層4に剥離又は亀裂が生じなかったものを○、導電セラミックス層4の一部に剥離又は亀裂が生じたものを△とした。また、導電セラミックス層4とハニカム体2とを接合することができなかったものを×とした。これらの各評価を表2に示す。電極11の抵抗値は10以下に抑えることが好ましい。電極11の抵抗値が10を超える場合、ハニカム構造体1を用いたハニカムヒータを数十秒で触媒活性温度まで加熱させる電力量を投入した際に、電極11が大きく発熱することになる。そして、電極11の破損及び電極11へ電力を供給する電気回路側の破損が生じるおそれがある。また、電極11の抵抗値は3以下に抑えることが好ましい。同表において、2成分系の電極11について、Siが2質量試料Y1、5質量試料Y2の場合には、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性がいずれも×となった。この場合、導電セラミックス層4の接合に必要なSiの量が不充分であり、ハニカム体2の外皮との接合ができず、電気抵抗値は測定不能となった。また、2成分系の電極11について、Siが10質量試料Y3、20質量試料Y4、30質量試料Y5の場合には、電気的接合信頼性がいずれも△となり、機械的接合信頼性が○又は△となった。この場合、導電セラミックス層4の接合はできるものの、一対の電極11の抵抗を充分に低くすることができなかった。また、Siが30質量の場合は、ハニカム体2の外皮へ溶融拡散するSiの量が多いため、導電セラミックス層4の強度が低下し、導電セラミックス層4に亀裂が生じた。3成分系の電極11について、Siが5質量及びCが0.5質量試料Y6の場合には、機械的接合信頼性が○となったものの、電気的接合信頼性が△となった。この場合、Cの量が少なくて、一対の電極11の抵抗を充分に低くすることができなかった。また、3成分系の電極11について、Siが5質量及びCが1質量試料Y7、Siが5質量及びCが5質量試料Y8、Siが5質量及びCが10質量試料Y9の場合には、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性がいずれも○となった。この場合、未反応のC中間層3におけるSiCの形成反応に使用されないCが導電セラミックス層4及び中間層3に残留し、Cによる良好な導電性が発揮されるため、一対の電極11の抵抗を低く抑えることができた。また、適切なSiの量により、一対の電極11の強度を高く維持することができた。また、3成分系の電極11について、Siが5質量及びCが15質量試料Y10の場合には、電気的接合信頼性が○となったものの、機械的接合信頼性が△となった。この場合、導電セラミックス層4及び中間層3におけるCの量が多くてこれらの層が脆くなり、これらの層に亀裂や剥離が生じた。また、3成分系の電極11について、Siが20質量及びCが10質量試料Y11の場合には、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性がいずれも○となった。この場合、Siを30質量含有する2成分系の試料X15に比べて、Siの量が減った分、Cの量が増加したことにより、一対の電極11の抵抗を低く抑え、一対の電極11の強度を高く維持できるためであると考える。以上、試料Y7~Y9、Y11の結果より、導電セラミックス層4及び中間層3の組成は、SiCを70~94質量含有すると共に、Siを5~20質量含有し、Cを1~10質量含有することが最も好適であることがわかった。なお、導電セラミックス層4及び中間層3において、SiCの含有量が70質量未満の場合には、Si及びCの含有量が多くなって、機械的強度の維持が困難になる。一方、SiCの含有量が94質量超過の場合には、Si及びCの含有量が少なくて、ハニカム体2の外皮における中間層3と導電セラミックス層4とを接合することが困難である。Siが5質量未満の場合には、ハニカム体2の外皮部22に対してSiが充分に浸透することができず、ハニカム体2の外皮における中間層3と導電セラミックス層4とを接合することが困難である。一方、Siが20質量超過の場合には、ハニカム体2の外皮へ浸透するSiの量が多くて、導電セラミックス層4の強度が低下してしまうおそれがある。Cが1質量未満の場合には、一対の電極11の電気抵抗値を充分に低くすることができないおそれがある。一方、Cが10質量超過の場合には、一対の電極11の強度が低下してしまうおそれがある。確認試験3本確認試験においては、外皮部22の厚みTが異なるハニカム体2の試料Z1~Z6に対して導電セラミックス層4を形成する際に、導電セラミックス層4と同時に形成される中間層3の厚みtのばらつきの大きさを確認した。中間層3は、厚みtが0.5T~Tの範囲内になるように形成した。また、形成する中間層3の厚みtに生じるばらつきを評価するために、外皮部22の厚みTが同じである10個のサンプルに対して、同じ製造条件で導電セラミックス層4及び中間層3を形成した、そして、試料Z1~Z6それぞれの10個ずつのサンプルについて、中間層3の厚みtを測定し、その測定値の標準偏差Dを求めた。評価は、外皮部22の厚みTに対する中間層3の厚みtのばらつきを見るために、D/Tによって行った。D/Tが大きいと、外皮層22の厚みTに対して、形成される中間層3のばらつきが大きいことを意味する。中間層3の厚みtを0.5T~Tの範囲内にするには、中間層3の厚みtのばらつきが小さい方が好ましく、具体的には、D/Tは0.2以下となることが好ましい。本確認試験における評価は、D/Tが0.2以下であるものを○とし、D/Tが0.2を超えるものを×とした。表3に、外皮部22の厚みTに対する、中間層3の厚みtのばらつきDの比率D/Tを測定した結果を示す。この評価結果より、外皮部22の厚みTが1.0mmよりも大きい場合、D/Tが0.2を超えることになり、所望する厚みtの中間層3が得られないおそれがある。また、厚みTが0.1mm未満である外皮部22を製造することは困難である。従って、外皮部22の厚みは、0.1~1mmの範囲内にすることが好ましい。確認試験4本確認試験においては、複合材41におけるSiと接着剤5におけるCとの比率Si/Cを変化させた試料W1~W7について、形成される中間層3の厚みtを確認した。本確認試験においても、ハニカム構造体1は確認試験1と同様に製造し、製造したハニカム体2の気孔率は42であった。ハニカム構造体1の試料W1~W7について、導電セラミックス層4は、SiCを83質量、Siを15質量、Cを2質量含有するものとした。また、ハニカム体2の外皮部22の厚みTを0.3mmとし、Si/Cを適宜変更したときに形成された中間層3の厚みtを確認した。また、ハニカム体2と導電セラミックス層4との接合を行うときの熱処理条件は、アルゴン雰囲気で1600°Cとし、反応を確実に完了させるために同じ熱処理温度で5時間保持した。そして、本確認試験の評価においては、形成された中間層3の厚みtが0.15~0.3mmとなって、中間層3の形成が認められたものを○とし、それ以外を×とした。表4に、Si/Cと、形成された中間層3の厚みtとの関係について評価した結果を示す。同表において、Si/Cが1.8、2.3である場合試料W1、W2については、中間層3が十分形成されず、評価が×となった。この場合、接着剤5におけるCの含有量が多く、ハニカム体2の外皮部22の表層部及び接着剤5内でSiCの生成反応が終了してしまい、接合信頼性が高い中間層3を得ることができなかった。一方、Si/Cが3.6、4.0である場合試料W6、W7については、形成された中間層3の厚みが0.3mmを超えて大きくなり、評価が×となった。この場合、複合材41における余剰のSiがSiCに変化することなく溶融拡散を繰り返し、ハニカム体2の外皮部22を大きく超えて、セル形成部格子部21の隔壁211まで拡散するため好ましくない。これらに対し、Si/Cが2.6、2.9、3.3である場合試料W3~W5については、ハニカム体2の外皮部22へのSi及びCの浸透、及び外皮部22におけるSiCの生成反応が良好に生じ、所望の中間層3を形成することができた。この結果より、Si/Cは、2.6~3.3の範囲内に調整するのが最適であることがわかった。ハニカム体2の外皮部22の厚みTに対する、複合材41におけるSi及び接着剤5におけるCの適正量については、ハニカム体2の外皮部22の厚みT、ハニカム体2の気孔率等を考慮して調整することができる。ハニカム体2の外皮部22の厚みTに対して、中間層3の厚みtが0.5≦t/T≦1の関係を満たすように、Si及びCの量を調整することができる。また、Si/Cの比率を調整することによって、導電セラミックス層4を形成する際の熱処理時間加熱時間に影響されることなく、所望の厚みtの中間層3を形成することができる。熱処理を行う際の温度は、低温型のSiCが形成される1410~1800°Cの温度範囲内とすることが好ましく、SiCの生成反応を確実に行うためには、上記温度範囲内において少なくとも30分以上保持することが好ましい。