基板上に光透過性の陰極、有機発光層、金属材料からなる陽極を少なくともこの順に積層形成してなる有機EL素子であって、前記陽極の形成後に90°C以上140°C以下で熱処理を行ってなることを特徴とする有機EL素子。前記熱処理を、電圧無印加状態で行ってなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。前記熱処理を、前記有機発光層を主に構成する有機材料のガラス転移温度Tg10°C以下で行ってなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。前記陰極側から電子輸送層、前記有機発光層、正孔輸送層、正孔注入層をこの順に積層形成してなり、前記有機発光層を主に構成する前記有機材料のガラス転移温度Tgは、前記電子輸送層、前記正孔輸送層、前記正孔注入層を主に構成する各有機材料のガラス転移温度Tgよりも低いことを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子。前記陰極は、透明導電膜と金属薄膜を積層形成してなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。前記電子輸送層は、電子輸送性材料とリチウム錯体との混合層からなることを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。前記電子輸送性材料は、電子移動度が10-5cm2/Vs以上であることを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子。前記陰極と前記電子輸送層との間に、電子注入層が形成されてなることを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。基板上に光透過性の陰極、有機発光層、金属材料からなる陽極を少なくともこの順に積層形成してなる有機EL素子の製造方法であって、前記陽極の形成後に90°C以上140°C以下で熱処理を行うことを特徴とする有機EL素子の製造方法。前記熱処理を、電圧無印加状態で行うことを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子の製造方法。前記熱処理を、前記有機発光層を主に構成する有機材料のガラス転移温度Tg10°C以下で行うことを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子の製造方法。前記陰極側から電子輸送層、前記有機発光層、正孔輸送層、正孔注入層をこの順に積層形成し、前記有機発光層を主に構成する前記有機材料のガラス転移温度Tgは、前記電子輸送層、前記正孔輸送層、前記正孔注入層を主に構成する各有機材料のガラス転移温度Tgよりも低いことを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。前記陰極として、透明導電膜と金属薄膜を積層形成することを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子の製造方法。前記電子輸送層として、電子輸送性材料とリチウム錯体との混合層を形成することを特徴とする請求項12に記載の有機EL素子の製造方法。前記電子輸送性材料は、電子移動度が10-5cm2/Vs以上であることを特徴とする請求項14に記載の有機EL素子の製造方法。前記陰極と前記電子輸送層との間に、電子注入層を形成することを特徴とする請求項12に記載の有機EL素子の製造方法。有機EL素子は自発光素子であるため、長時間の通電により劣化が生じ、表示器においては焼き付きの原因となる。したがって、特にテレビなどの大画面表示器では通電劣化の抑制が必要不可欠な課題である。これに対し、通電劣化を抑制する方法として、有機EL素子形成後に高温で熱処理を行う方法が知られている例えば特許文献3参照。しかし、特許文献3に開示される方法は、基板上に陽極を形成する順積層型の有機EL素子に関するものであり、有機EL素子はその構成や材料等によって最適な条件が異なる点でなお改善の余地があった。そこで本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、逆積層型の有機EL素子に関し、寿命を改善し信頼性を向上させることが可能な有機EL素子及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、前記課題を解決するために、基板上に光透過性の陰極、有機発光層、金属材料からなる陽極を少なくともこの順に積層形成してなる有機EL素子であって、前記陽極の形成後に90°C以上140°C以下で熱処理を行ってなることを特徴とする。本発明は、前記課題を解決するために、基板上に光透過性の陰極、有機発光層、金属材料からなる陽極を少なくともこの順に積層形成してなる有機EL素子の製造方法であって、前記陽極の形成後に90°C以上140°C以下で熱処理を行うことを特徴とする。本発明は、寿命を改善し信頼性を向上させることが可能な有機EL素子を提供することが可能となるものである。以下、添付図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態を示す図である。本実施形態である有機EL素子は、支持基板1と、陰極となる第一電極2と、電子注入層3と、有機層4と、陽極となる第二電極5と、を有するものである。なお、有機EL素子は、吸湿剤が塗布される封止基板を支持基板1上に配設して封止されるものであるが、図1ではこの封止基板を省略している。支持基板1は、例えば透光性のガラス材料からなる矩形状の基板である。支持基板1上には、第一電極2、電子注入層3、有機層4及び第二電極5が順に積層形成される。第一電極2は、電子を注入する陰極となるものであり、支持基板1上にITO等の透明導電材料をスパッタリング法あるいは蒸着法等の手段によって膜厚50~200nm程度の層状に形成してなる透明導電膜2aと、透明導電膜2a上にAl等の低抵抗の金属材料を光透過可能なように蒸着法等の手段によって0.5~1.0nmの膜厚で薄膜状に形成してなる金属薄膜2bと、を積層形成してなる。なお、第一電極2は、フォトエッチング等の手段によって所定の形状にパターニングされる。また、透明導電膜2aは、表面がUV/O3処理やプラズマ処理等の表面処理を施されてなる。電子注入層3は、電子を第一電極2から取り込む機能を有し、例えばフッ化リチウムLiFやリチウムキノリンLiqを真空蒸着法等の手段によって薄膜状に形成してなる。有機層4は、少なくとも有機発光層を含む多層からなり、第一電極2上に形成されるものである。本実施形態においては、第一電極2側から順に電子輸送層4a、第一発光層有機発光層4b、第二発光層有機発光層4c、正孔輸送層4d、正孔注入層4eが順に積層形成されてなる。電子輸送層4aは、電子を第一発光層4bへ伝達する機能を有し、電子移動度μeが10-5cm2/Vs以上μe≧10-5cm2/Vsであるトリアジン系化合物等からなる電子輸送性材料と例えばLiq等のリチウム錯体とを共蒸着等の手段によって混合し、膜厚15~40nm程度の層状に形成した混合層である。なお、前記電子輸送性材料とリチウム錯体とは例えばwt比率が1:1で混合されるものであるが、この比率を変更することでキャリアバランスを変化させることも可能である。電子輸送層4aは、ガラス転移温度Tgが130°C以上であり、エネルギーギャップは3.1eV程度である。第一発光層4bは、ホスト材料に少なくとも発光性の第一ドーパントを蒸着法等の手段によってドープし、膜厚15~60nm程度の層状に形成してなる。前記ホスト材料は、正孔及び電子の輸送が可能であり、正孔及び電子が輸送されて再結合することで発光を示す機能を有し3.3eV程度のエネルギーギャップを持つ。前記第一ドーパントは、電子と正孔との再結合に反応して発光する機能を有し、所定の発光色として例えば青色発光を示す蛍光ドーパントからなる。また、第一発光層4bは、さらに正孔輸送性ドーパントをドープするものであってもよい。前記正孔輸送性ドーパントは、第二電極5から第一発光層4bへの正孔の注入効率を向上させる機能を有し、第一発光層4b中の濃度が50wt以下で、ガラス転移温度Tgが130°C以上の材料である。第二発光層4cは、ホスト材料に少なくとも発光性の第二ドーパントを蒸着法等の手段によってドープし、膜厚15~60nm程度の層状に形成してなる。前記ホスト材料は、正孔及び電子の輸送が可能であり、正孔及び電子が輸送されて再結合することで発光を示す機能を有し3.3eV程度のエネルギーギャップを持つ。前記第二ドーパントは、電子と正孔との再結合に反応して発光する機能を有し、所定の発光色として例えばアンバー色発光を示す蛍光ドーパントからなる。また、第二発光層4cは、さらに正孔輸送性ドーパントをドープするものであってもよい。前記正孔輸送性ドーパントは、第二電極5から第二発光層4cへの正孔の注入効率を向上させる機能を有し、第二発光層4c中の濃度が50wt以下で、ガラス転移温度Tgが130°C以上の材料である。正孔輸送層4dは、正孔を正孔注入層4eから第二発光層4cへ伝達する機能を有し、HOMOが5.2Vより大きい、あるいは10-4cm2/Vs以上の正孔移動度をもつ正孔輸送性材料を膜厚8~30nm程度の層状に形成している。なお、前記正孔輸送性材料は、ガラス転移温度Tgが130°C以上の材料である。正孔注入層4eは、第二電極5から正孔注入する機能を有し、HOMOが5.2eV程度のアミン系化合物等の正孔輸送性材料を蒸着法等の手段によって膜厚5~40nm程度の層状に形成してなる。なお、前記正孔輸送性材料は、ガラス転移温度が130°C以上の材料である。第二電極5は、正孔を注入する陽極となるものであり、正孔注入層4e上に例えば酸化モリブデンMoO3等の金属酸化膜とAlとを膜厚50~200nm程度の積層状に形成してなるものである。以上の各部によって有機EL素子が構成されている。かかる有機EL素子の製造方法は、支持基板1上に第一電極2、電子注入層3、有機層4、第二電極5をこの順に積層形成して有機EL素子を形成し、前記封止基板を支持基板1上に配設して有機EL素子を封止した後に、電圧無印加状態にて90°C以上140°C以下の温度で所定時間の熱処理を行うものである。また、熱処理の温度は、有機層4を構成する有機材料のうち最もガラス転移温度Tgが低い有機材料、一般的には第一、第二発光層4b、4cを主に構成する前記ホスト材料のガラス転移温度Tgより10°C高い温度以下ガラス転移温度Tg10°C以下であることが望ましい。有機材料が結晶化することで十分な発光機能を得ることができなくなることを抑制するためである。熱処理の具体的方法としては、例えば封止された有機EL素子を大気中でオーブンまたはホットプレート等の加熱装置によって上記の温度条件範囲に加熱することで行う。本願発明者らは、鋭意検討した結果、トリアジン系化合物のように電子輸送能力の高い電子輸送性材料を電子輸送層4aに適用した逆積層型の有機EL素子においては、第二電極5形成後、すなわち有機EL素子形成後に電圧無印加状態にて90°C以上140°C以下の温度で熱処理を行うことで、十分に素子を安定化させて長寿命化の顕著な効果を得ることができることを見いだし、本発明に達した。特に、電子移動度μeが10-5cm2/Vs以上である電子輸送性材料を電子輸送層4aに適用した逆積層型の有機EL素子において上記条件の熱処理を行わない場合に対して著しく寿命を改善することができ、信頼性の高い有機EL素子を得ることができる。以下、さらに本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。まず、支持基板1上に透明導電膜2aとしてITOを膜厚80nmで形成し、その上に金属薄膜2bとしてAlを膜厚1nmで形成して陰極となる第一電極2を形成した。次に、大気暴露することなく、第一電極2上に電子注入層3としてLiFを膜厚1nmで形成した。次に、電子注入層3上に、電子輸送層4aとしてトリアジン誘導体からなる電子輸送性材料ET1とLiqとを、ET1:Liq=1:1のwt比率で混合して膜厚10nmで形成した。電子輸送性材料ET1は、Ipイオン化ポテンシャル=6.0eV、EaLUMOエネルギー、すなわち電子親和力=3.0eV、μe電子移動度=4×10-4cm2/Vs、ガラス転移温度Tg=136°Cである。次に、電子輸送層4a上に、ホスト材料EM1と青色発光を示す蛍光ドーパントBD1からなる前記第一ドーパントと正孔輸送性材料HT1からなる前記正孔輸送性ドーパントを、EM1:BD1:HT1=21:1.2:9のwt比率で含有させて第一発光層4bを膜厚40nmで形成した。ホスト材料EM1は、Ip=5.9eV、Ea=2.9eV、μe=3×10-3cm2/Vs、μh正孔移動度=2×10-3cm2/Vs、ガラス転移温度Tg=130°Cである。蛍光ドーパントBD1は、Egエネルギーギャップ=2.7eV、Ip=5.6eV、ガラス転移温度Tg=200°Cである。正孔輸送性材料HT1は、ガラス転移温度Tg=132°C、Ip=5.4eV、μh=4×10-4cm2/Vsである。次に、第一発光層4b上に、ホスト材料EM1とアンバー色発光を示す蛍光ドーパントAD1からなる前記第一ドーパントと正孔輸送性材料HT1からなる前記正孔輸送性ドーパントを、EM1:AD1:HT1=6:0.3:4のwt比率で含有させて第二発光層4cを膜厚15nmで形成した。蛍光ドーパントAD1は、Eg=2.0eV、Ip=5.2eV、ガラス転移温度Tg=156°Cである。次に、第二発光層4c上に、正孔輸送性材料HT1からなる正孔輸送層4dを膜厚10nmで形成した。次に、正孔輸送層4d上に、正孔輸送性材料HT1と異なる正孔輸送性材料HIからなる正孔注入層4eを膜厚20nmで形成した。正孔輸送性材料HIは、ガラス転移温度Tg=148°C、Ip=5.2eV、μh=4×10-4cm2/Vsである。次に、正孔注入層4e上にMoO3を膜厚5nmで形成し、さらにAlを膜厚100nmで形成して陽極となる第二電極5を形成した。その後吸湿剤が塗布された封止基板を支持基板1上に配設して封止し、さらに、封止した有機EL素子を電圧無印加状態で、110°Cのオーブンに1時間設置する熱処理を施し実施例1となる有機EL素子を作製した。実施例1は白色発光を示し、30°Cの温度環境下で初期輝度Lp=3000cd/m2となる一定電流値でDC駆動により連続通電した。かかるDC駆動時の95寿命発光輝度が初期輝度Lpから初期輝度Lpに対して95の輝度に低下するまでの時間L95は900時間を越えた。上表1及び図2は、実施例1の素子について温度を変えて熱処理を施した場合の熱処理温度と初期輝度Lp=3000cd/m2でのDC駆動時の95寿命L95とを示すものである。かかる測定結果が示すように、実施例1は、熱処理の温度を90°C以上とすることで熱処理を施さない場合及び90°C未満で熱処理を施す場合と比較して顕著な寿命改善効果が見られ、130°Cで最も高い効果が得られた。また、有機層4を構成する有機材料のうち最もガラス転移温度Tgが低いホスト材料EM1のガラス転移温度Tg10°C130°C10°C=140°Cより高い150°Cで熱処理を施した場合は、発光輝度が極端に低下し、初期輝度Lpを得ることができなかった。したがって、電子輸送能力の高い電子輸送性材料ET1を電子輸送層4aに適用する逆積層型の有機EL素子においては、少なくとも90°C以上140°C以下さらに望ましくは130°C以下の温度で熱処理を施すことによって寿命を大幅に改善することができ、信頼性の高い素子を得ることが可能であることがわかる。なお、本願発明者らの実験によれば、実施例1に逆バイアス電圧を印加した状態で熱処理を施した場合は電圧無印状態で熱処理を施した場合よりも寿命改善効果が劣るため、熱処理は電圧無印加状態で行うことが望ましい。実施例2として、電子輸送層4aにおける電子輸送性材料ET1とLiqとwt比率をET1:Liq=7:3としたほかは、実施例1と同様に有機EL素子を作製し、温度を変えて熱処理を行いそれぞれ95寿命L95の測定を行った。上表2及び図2は、実施例2の素子について温度を変えて熱処理を施した場合の熱処理温度と初期輝度Lp=3000cd/m2でのDC駆動時の95寿命L95とを示すものである。かかる測定結果が示すように、実施例2は実施例1と同様、熱処理の温度を90°C以上とすることで熱処理を施さない場合と比較して顕著な寿命改善効果が見られ、110°Cで最も高い効果が得られた。また、有機層4を構成する有機材料のうち最もガラス転移温度Tgが低いホスト材料EM1のガラス転移温度Tg10°C130°C10°C=140°Cより高い150°Cで熱処理を施した場合は、発光輝度が極端に低下し、初期輝度Lpを得ることができなかった。したがって、電子輸送能力の高い電子輸送性材料ET1を電子輸送層4aに適用する逆積層型の有機EL素子においては、少なくとも90°C以上140°C以下の温度で熱処理を施すことによって寿命を大幅に改善することができ、信頼性の高い素子を得ることが可能であることがわかる。実施例3として、電子注入層3であるLiF層を形成しなかったほかは、実施例1と同様に有機EL素子を作製し、温度を変えて熱処理を行いそれぞれ95寿命L95の測定を行った。上表3及び図3は、実施例3の素子について温度を変えて熱処理を施した場合の熱処理温度と初期輝度Lp=3000cd/m2でのDC駆動時の95寿命L95とを示すものである。かかる測定結果が示すように、実施例3は実施例1及び2と同様、熱処理の温度を90°C以上とすることで熱処理を施さない場合及び90°C未満の温度で熱処理を施した場合と比較して顕著な寿命改善効果が見られ、110°C及び130°Cで最も高い効果が得られた。また、有機層4を構成する有機材料のうち最もガラス転移温度Tgが低いホスト材料EM1のガラス転移温度Tg10°C130°C10°C=140°Cより高い150°Cで熱処理を施した場合は、発光輝度が極端に低下し、初期輝度Lpを得ることができなかった。したがって、電子輸送能力の高い電子輸送性材料ET1を電子輸送層4aに適用する逆積層型の有機EL素子においては、電子注入層3を有しない構成においても少なくとも90°C以上140°C以下さらに望ましくは130°C以下の温度で熱処理を施すことによって寿命を大幅に改善することができ、信頼性の高い素子を得ることが可能であることがわかる。なお、本実施形態は、正孔輸送層4d及び正孔注入層4eがそれぞれ順次積層されるものであったが、本発明の有機EL素子は、単一の正孔注入輸送層が形成されるものであってもよい。また、本発明は、電子輸送層4aが複数層形成される構成であっても適用可能である。また、有機発光層は、単層あるいは3層以上の層であってもよい。