"交互に連続する、圧電セラミック層2および内部電極5,6を備える圧電スタック1と、該圧電スタック1の外側に設けられたパッシベーション7と、を有する圧電多層構成素子において、前記パッシベーション7の材料が圧電セラミックであり、前記圧電スタック1の前記セラミック層2の材料とは異なることを特徴とする圧電多層構成素子。請求項1に記載の圧電多層構成素子において、前記パッシベーション7のセラミックが、前記圧電スタック1の前記セラミック層2よりも小さい抗電界を備える圧電多層構成素子。請求項1に記載の圧電多層構成素子において、前記パッシベーション7が全体にわたって分極されている圧電多層構成素子。請求項1から3までのいずれか一項に記載の圧電多層構成素子において、前記パッシベーション7のセラミックが、分極を付与されることにより、前記圧電スタック1の前記セラミック層2の材料よりも強く伸長される圧電構成素子。請求項1から4までのいずれか一項に記載の圧電多層構成素子において、前記パッシベーション7が、連続する前記セラミック層2および前記内部電極5,6によって規定される圧電スタック1の縦方向11に、前記パッシベーション7と前記圧電スタック1との堅固な結合に基づいて保持される圧縮応力を備え、圧電スタックが伸長された場合に縦方向に前記パッシベーション7に加えられる引っ張り応力が少なくとも部分的に補正される圧電多層構成素子。請求項1から5までのいずれか一項に記載の圧電多層構成素子において、前記パッシベーション7が、前記圧電スタック1の前記セラミック層2の個々のセラミック層の厚さの1.5倍よりも大きい厚さを備える圧電多層構成素子。圧電多層構成素子を作製する方法において、交互に連続する圧電セラミック層2および内部電極5,6を備える圧電スタック1を、該圧電スタック1の前記セラミック層2の材料とは異なる圧電セラミックを備えるパッシベーション7とともに準備し、前記圧電スタック1の前記圧電セラミック層2と共に前記パッシベーション7を分極する方法。請求項7に記載の方法において、前記パッシベーション7のセラミックに、前記圧電スタック1の前記セラミック層2の材料よりも小さい抗電界を付与し、前記圧電スタック1の前記セラミック層2と共に前記パッシベーション7を分極するに際し、前記パッシベーション7を前記圧電スタック1の前記セラミック層2と一体的にて分極する方法。請求項7または8に記載の方法において、分極を付与する場合に前記パッシベーション7のセラミックが前記圧電スタック1よりも強度に伸長されるように前記パッシベーション7のセラミックを選択し、前記パッシベーション7と前記圧電スタック1とを堅固に結合し、前記圧電スタック1の前記セラミック層1と共に前記パッシベーション7を分極するに際し、交互に連続する前記圧電セラミック層2と前記内部電極5,6とによって規定される前記圧電スタック1の縦方向に、前記パッシベーション7に所定の圧縮応力を付与する方法。請求項7から9までのいずれか一項に記載の方法において、前記圧電スタック1の前記セラミック層2の個々のセラミック層の厚さの1.5倍よりも大きい厚さで前記パッシベーション7を作製する方法。本発明の課題は、効果的に、亀裂形成を防止するとともに外的影響に対して圧電多層構成素子を保護する可能性を提案することである。この課題は、請求項1に記載の特徴を備える圧電多層構成素子、もしくは請求項7に記載の特徴を備える圧電多層構成素子を作製する方法によって解決される。他の構成が従属請求項に記載されている。圧電多層構成素子は、交互に連続する圧電セラミック層と内部電極とを備える圧電スタックならびに外面にパッシベーションを備える。パッシベーションの材料は圧電セラミックであり、圧電スタックのセラミック層の材料とは異なる。構成素子の実施例では、パッシベーションのセラミックは、圧電スタックのセラミック層よりも小さい抗電界を備える。抗電界は、強誘電体の分極を除去するために必要な電界強度である。抗電界が強い程、それだけ良好に強誘電体は分極を保持し、この分極によりもたらされる圧電特性を保持する。低い抗電界を備える材料は、高い抗電界を備える材料よりも容易に分極され得る。内部電極の縁部から発せられる漂遊電界は、内部電極との間隔の増大に伴い著しく減少する。抗電界がより小さい材料をパッシベーションのために使用した場合、パッシベーションは内部電極からの間隔が大きくても比較的弱い漂遊電界によって分極することができる。これにより、パッシベーションが比較的厚い場合にも一貫した分極が達成され、パッシベーションは、構成素子の作動時に圧電スタックとほぼ同じ強さで伸長される。このような材料からなるパッシベーションは、したがって、圧電スタックの個々のセラミック層よりも実質的に厚くすることができる。より厚いパッシベーションは、厚さに応じてより良好な保護を提供する。さらに、より厚いパッシベーションは、より容易に作製することができる。他の実施例では、パッシベーションのセラミックは、分極によってより強く伸長され、残留分極に基づいて、同じ分極条件、特に均一に分極する電界強度の条件下に、圧電スタックのセラミック層の材料よりも強い伸長度が保持されるように形成される。パッシベーションは、圧電スタックと堅固に結合されており、圧電スタックよりも強くは伸長されないので、共に分極された場合には、構成素子の縦方向に作用する圧縮応力がパッシベーションに形成される。したがって、パッシベーションに生じた引っ張り応力は、圧電スタックが構成素子の作動時に縦方向に伸長した場合、この圧縮応力の分だけ低減されている。これにより、パッシベーションの機械的損傷を防止することができる。これらの実施例では、したがって、パッシベーションは、連続する圧電スタックのセラミック層および内部電極により規定される縦方向に、パッシベーションと圧電スタックとの堅固な結合に基づいて保持される圧縮応力を備え、圧電スタックが伸長された場合に縦方向にパッシベーションに加えられる引っ張り応力は少なくとも部分的に補正される。他の実施例では、パッシベーションは、圧電スタックのセラミック層の個々のセラミック層の厚さの1.5倍よりも大きい厚さを備える。圧電多層構成素子を作製する方法では、交互に連続する圧電セラミック層および内部電極を備える圧電スタックに、圧電スタックのセラミック層の材料とは異なる圧電セラミックを備えるパッシベーションが設けられる。パッシベーションは、圧電スタックのセラミック層と共に分極される。この方法の態様では、セラミックのパッシベーションのために、圧電スタックのセラミック層の材料よりも小さい抗電界を備えるセラミックが使用される。パッシベーションが圧電スタックのセラミック層と共に分極された場合、パッシベーションは全体にわたって一つの分極が付与される。この方法の他の態様では、パッシベーションのセラミックは、分極が付与される場合に圧電スタックよりも強く伸長されるように選択される。パッシベーションは圧電スタックと堅固に結合されており、したがってパッシベーションが圧電スタックのセラミック層と共に分極された場合、パッシベーションは、交互に連続するセラミック層と内部電極とによって規定される圧電スタックの縦方向に所定の圧縮応力を付与される。この方法の他の構成では、パッシベーションは、圧電スタックのセラミック層の個々のセラミック層の厚さの1.5倍よりも大きい厚さで作製される。次に圧電多層構成素子および作製方法の実施例を添付の図面に基づき詳細に説明する。図1は、圧電セラミック層2から構成された圧電スタック1を備える圧電多層構成素子を示す。圧電スタック1内で相互に連続する2つのセラミック層2の間には、それぞれ1つの内部電極5,6が配置されており、圧電スタック1は、交互に連続するセラミック層1および内部電極5,6を含む。内部電極5,6は、順番に2つの外部電極3,4のそれぞれ一方に接続されている。図1に示す実施例では、第1外部電極3が圧電スタック1の外側に位置し、第2外部電極4が圧電スタック1の向かい合った外側に位置する。代わりに別の構成も可能である。特に、外部電極3,4は、例えば圧電スタック1のそれぞれの辺の周囲に設けられていてもよい。さらに、他の外部電極を設けてもよい。図1に示す配置は、交互に連続するセラミック層2および内部電極5,6によって規定される縦方向11に作動時に伸長される圧電アクチュエータでは特に好ましい。このような構成素子を作製する場合、圧電スタック2のセラミック層2は分極される。これにより、セラミック層2に残留分極が付与され、分極方向は1つのセラミック層2から次のセラミック層2へそれぞれ反転される。所定の厚さ8を備えるパッシベーション7が圧電スタックの外面の少なくとも一部を覆っており、図1に示す実施例では、外部電極3,4によって覆われていない圧電スタック1の外面全体を覆っている。パッシベーション7の材料として適宜な圧電セラミックを使用した場合、パッシベーション7の厚さ8は圧電スタック1の個々のセラミック層2よりも大きくてもよく、特に個々のセラミック層2の厚さの1.5倍より大きくてもよい。図2は、図1の構成素子の横断面の一部を示し、外部電極3,4の平坦な広がりに対して同一平面上で見た図である。図2には、圧電スタック1のセラミック層2の間に配置された5つの内部電極5,6が示されている。外部電極3,4は、図平面の前後で断面した平面に対して間隔をおいて位置する。図2は、圧電スタック1の外面に配置された、厚さ8を備えるパッシベーション7を通る横断面の一部も示す。圧電スタック1の分極時および構成素子の作動時に生成された電界9が、垂直に配向された平行した矢印によって示されている。パッシベーション7の横断面内の湾曲した矢印は横方向の漂遊電磁界を示す。圧電スタック1のセラミック層2と同じセラミック材料がパッシベーション7のために使用された場合、パッシベーション7の効果的な残留分極は、例えば、破線部までしか到達することができない。それに対して、明らかにより低い抗電界を備える圧電セラミックがパッシベーションのために使用された場合、パッシベーション7における圧電スタック1から最も離間した領域にも一貫して分極が得られる。したがって残留分極に基づいて、パッシベーション7にも厚さ8全体にわたって、圧電スタック1の縦方向11に所定の伸長が生じる。パッシベーション7の内部に生じ得る機械的応力は、このようにして抑えることができ、または、より高い抗電界を備えるセラミックを使用した場合よりも少なくとも明らかに小さくなる。別の利点は、パッシベーション7の材料が、圧電スタック1のセラミック層2およびパッシベーション7を一緒に分極した後に生じる残留分極がパッシベーション7に十分に大きい圧縮応力を生成するように選択された場合に達成される。このような圧縮応力は、分極後にパッシベーション7の材料に生じた残留分極に起因する伸長が、同じ電界強度による分極後にセラミック2の材料に生じる伸長よりも大きくなるように、材料が選択されている場合に生成される。パッシベーション7は圧電スタック1に堅固に結合されているので、異なる材料特性により異なっているはずであるにもかかわらず、圧電スタック1およびパッシベーション7の実際の伸長は一致する。圧電スタック1によって強制されたパッシベーション7の少なすぎる伸長は、構成素子の縦方向11に作用するパッシベーション7に生じた圧縮応力の原因となる。横方向の漂遊電磁界のみによって分極されたパッシベーション7、およびセラミック層2の分極の強度が異なることにより、圧電スタック1がパッシベーション7よりも強く伸長される場合、これにより生ぜしめられる引っ張り応力は、パッシベーション7の初期の圧縮応力によって少なくとも部分的に補正される。このようにして、パッシベーション7に生じた機械的応力は、構成素子の機械的耐荷重の限界未満に保持することができる。圧電多層構成素子の別の利点は、機械的なストロークへの電圧の変換のためにはさほど重要ではない特徴、すなわち、構成素子の機能を損なうことなしに変更することのできる特性を考慮して、パッシベーション7のセラミック材料を最適化できることである。したがって、このようにして圧電セラミックによって形成されたパッシベーションは、機械的負荷に対する構成素子の堅牢性を高めるために効果的な働きをする。このようなパッシベーションは、設計、材料、内部電極の構成、外部電極の構成、またはその他の形式の外部接触部、および圧電スタックの特性とは無関係に、種々異なるタイプの圧電多層構成素子、特に多層圧電アクチュエータにおいて、構成素子の堅牢性および抵抗性を改善するために使用することができる。"