"レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装することにより光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させるようにしたレーザモジュールの製造方法であって、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と,半田層の設計上の基準厚と,平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠くことによって前記マウント面を形成した後、前記マウント面から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子の上面高さが平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さと一致する高さまで光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させ、更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させてマウント面と光半導体素子の間で前記半田層を圧壊して光半導体素子を平面光波回路基板に実装することを特徴としたレーザモジュールの製造方法。アプローチ開始位置に光半導体素子を保持した状態で、光半導体素子の上面高さと平面光波回路基板の導波路形成面側の表面の高さを求め、光半導体素子の上面高さから平面光波回路基板の導波路形成面側の表面の高さを減じ、更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値から光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値を減じた値を加算して光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させるべき距離を求め、前記求められた距離だけ光半導体素子を前記マウント面に向けて連続的に接近させるようにしたことを特徴とする請求項1記載のレーザモジュールの製造方法。アプローチ開始位置に光半導体素子を保持した状態で、前記マウント面に向かう光半導体素子の接近移動を開始させ、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面の高さと光半導体素子の上面高さとが一致したことを検知した後、更に、その位置から、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値から光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値を減じた値に相当する距離だけ前記マウント面に向けて光半導体素子を接近移動させるようにしたことを特徴とする請求項1記載のレーザモジュールの製造方法。レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装したレーザモジュールであって、前記マウント面が、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と,半田層の設計上の基準厚と,平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠いて形成されると共に、前記マウント面上には、光半導体素子が、圧壊された状態で設計上の基準厚と同等の厚みを有する半田層を介して、光半導体素子の上面高さが、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さよりも、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ低くなるようにしてジャンクションアップの状態で実装されていることを特徴としたレーザモジュール。本発明の目的は、レーザの発振を安定化させてSMSR特性を向上させ、しかも、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで的確に合致させることのできレーザモジュールの製造方法およびレーザモジュールを提供することにある。本発明のレーザモジュールの製造方法は、レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装することにより光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させるようにしたレーザモジュールの製造方法であって、前記目的を達成するため、特に、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と,半田層の設計上の基準厚と,平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠くことによって前記マウント面を形成した後、前記マウント面から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子の上面高さが平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さと一致する高さまで光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させ、更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ光半導体素子を前記マウント面に向けて接近させてマウント面と光半導体素子の間で前記半田層を圧壊して光半導体素子を平面光波回路基板に実装することを特徴とした構成を有する。また、本発明のレーザモジュールは、レーザモジュールの一部を構成する平面光波回路基板の一部を平面光波回路基板における導波路形成面側の表面から其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板上に形成したマウント面にレーザモジュールの他部を構成する光半導体素子を半田層を介して実装したレーザモジュールであって、前記と同様の目的を達成するため、特に、前記マウント面が、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と,半田層の設計上の基準厚と,平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠いて形成されると共に、前記マウント面上には、光半導体素子が、圧壊された状態で設計上の基準厚と同等の厚みを有する半田層を介して、光半導体素子の上面高さが、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さよりも、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ低くなるようにしてジャンクションアップの状態で実装されていることを特徴とした構成を有する。本発明のレーザモジュールの製造方法およびレーザモジュールは、導波路を形成された平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から光半導体素子の設計上の基準厚と,半田層の設計上の基準厚と,平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分とを加算した深さに亘って平面光波回路基板を切り欠くことによってマウント面を形成し、マウント面から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子の上面高さが平面光波回路基板の導波路形成面側の表面高さと一致する高さまで光半導体素子をマウント面に向けて接近させ、更に、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る設計上の距離の基準値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る設計上の距離の基準値の差分だけ光半導体素子をマウント面に向けて接近させてマウント面と光半導体素子の間で半田層を圧壊して光半導体素子を平面光波回路基板に実装するようにしたので、切り欠きによって形成されたマウント面の深さや光半導体素子の厚みにバラツキがあった場合でも、平面光波回路基板の導波路形成面側の表面から平面光波回路基板の導波路の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値と光半導体素子の上面から光半導体素子の活性層の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値と光半導体素子をハンドリングする実装装置の位置決め精度の公差の絶対値の積算値の範囲内で、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを導波路形成面の法線方向の向きで的確に合致させることができる。しかも、光半導体素子を平面光波回路基板に実装した状態で、光半導体素子の活性層が平面光波回路基板のマウント面から光半導体素子の厚み相当分だけ離間することになるので、光半導体素子の活性層に半田の応力が直接的に働くといった不都合が解消され、レーザの発振を安定化させてSMSR特性を向上させることができる。次に、本発明を実施するための形態について図面を参照して具体的に説明する。図1は本発明のレーザモジュールの製造方法を適用して製造された一実施形態のレーザモジュール1の構成について簡略化して示した平面図、図2は同実施形態のレーザモジュール1の構成について簡略化して示した側断面図、また、図3は同実施形態のレーザモジュール1の構成について簡略化して示した斜視図である。この実施形態におけるレーザモジュール1は、導波路2を形成された平面光波回路基板PLCPlanarLightwaveCircuit3と、活性層4を備えた光半導体素子レーザチップ5によって構成される。平面光波回路基板3の一部には、図2に示されるように、平面光波回路基板3における導波路形成面側の表面3aから其の法線方向、つまり、図2中の上から下に向かう方向に向けて平坦な切り欠きが設けられ、光半導体素子5を実装するためのマウント面6とされている。そして、このマウント面6上に、光半導体素子5が、半田層7を介してジャンクションアップの状態で実装されている。平面光波回路基板3における導波路形成面側の表面3aを基準とする切り欠きの深さZは、図2に示されるように、光半導体素子5の設計上の基準厚Xと,半田層7の設計上の基準厚Yと,平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-B但し、A>Bとを加算した深さとされている。従って、仮に、その光半導体素子5が設計上の公差の範囲内で最も厚い厚みを有する光半導体素子5の上面を、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-Bに相当する距離だけ導波路形成面側の表面3aよりも低くなるようにした状態で平面光波回路基板3のマウント面6に半田層7を介して実装したとしても、マウント面6と光半導体素子5の間で圧壊された半田層7の厚みが設計上の基準厚Yに対して僅かに薄くなるだけであって、半田層7には、光半導体素子5をマウント面6に固着するに十分な厚みが保証される。また、これとは逆に、光半導体素子5が設計上の公差の範囲内で最も薄い厚みを有する光半導体素子5であったとしても、マウント面6と光半導体素子5の間で圧壊される半田層7の厚みが設計上の基準厚Yに対して僅かに厚くなり、その圧壊量が僅かに減少するだけであり、この圧壊量の減少が、光半導体素子5をマウント面6に固着する際の支障となることはない。何れの場合も、圧壊された半田層7の厚みは、設計上の基準厚Yに対して僅かに増減するのみであり、その厚みは実質的に設計上の基準厚Yと同等である。なお、図1および図2中の太い矢印は光半導体素子5の活性層4から照射されるレーザ光の進行方向を示したものである。また、図1に示される基準面メタルマーク8,8は平面光波回路基板3の導波路2に対して光半導体素子5の活性層4を水平方向に位置決めする際に利用されるマークであるが、水平面内での位置決めに関しては既に特許文献1,特許文献2等でも公知であるので、ここでは特に説明しない。次に、図4ないし図6を参照して、この実施形態におけるレーザモジュールの製造方法について具体的に説明する。但し、平面光波回路基板3の導波路2や光半導体素子5の活性層4は平面光波回路基板3や光半導体素子5の製造段階で既に形成されている。ここでは、図2に示すように、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値をAとし、また、光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値をBと規定している。但し、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る距離Aには、平面光波回路基板3のロット等によって或る程度のバラツキがある。ここでは、図2に示すように、その誤差を許容する上限公差をa、また、下限公差を-aと規定している。同様に、光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る距離の上限公差をb、また、下限公差を-bと規定している。つまり、正常に製造された全ての平面光波回路基板3において、その表面3aから導波路2の中心に至る距離の実際の値はA±aの範囲内にあり、また、正常に製造された全ての光半導体素子5において、その上面から活性層4の中心に至る距離の実際の値はB±bの範囲内にある。なお、a,bは共に正の値である。既に述べた通り、平面光波回路基板3における導波路形成面側の表面3aを基準とする切り欠きの深さZは、光半導体素子5の設計上の基準厚Xと,半田層7の設計上の基準厚Yと,平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-Bとを加算した距離であり、この切欠は公知のエッチング処理等を利用して平面光波回路基板3上に形成される。次いで、図4に示されるように、光半導体素子5を平面光波回路基板3に実装する際に使用する実装装置のテーブル10上に平面光波回路基板3を載置し、平面光波回路基板3のマウント面6上に公知のディスペンサ等で半田を塗布して溶融させることによって半田層7を形成し、真空引き等の吸着手段を備えて光半導体素子5をハンドリングする実装装置のアーム9を作動させて、マウント面6から上方に離間したアプローチ開始位置でアーム9の下面側に設けられた半導体保持面9aに光半導体素子5をジャンクションアップの状態、つまり、活性層4を上方に位置させた状態で保持させる。光半導体素子5を平面光波回路基板3に実装する際に使用する実装装置については既に様々なものが公知である。この実施形態で採用した実装装置は数値制御装置図示せずで駆動制御される実装装置であり、特に、テーブル10の上面を機械原点とするアーム9の現在位置すなわち光半導体素子5を保持するアーム9の半導体保持面9aの高さを逐次更新して記憶するZ軸現在位置記憶レジスタや、機械原点となるテーブル10の上面から平面光波回路基板3における導波路形成面側の表面3aまでの垂直離間距離を測定するためのレーザ測距装置図示せずを備える。次いで、数値制御装置は、マウント面6から上方に離間したアプローチ開始位置で光半導体素子5をアーム9の半導体保持面9aに保持させたまま、図4に示されるように、アーム9を停止させた状態でZ軸現在位置記憶レジスタの現在値R1すなわちテーブル10の上面を基準とする光半導体素子5の上面高さR1を読み込むと共に、レーザ測距装置を作動させてテーブル10の上面を基準とする平面光波回路基板3の表面3aの高さL1を測定し、まず、光半導体素子5の上面高さR1と平面光波回路基板3の上面高さL1の差分R1-L1を求める。仮に、差分R1-L1をアーム9の下降動作のためのインクリメンタルな移動指令Sとして図4の状態からアーム9の駆動制御を開始するとすれば、この移動指令R1-L1によってアーム9は図4に示されるアプローチ開始位置から図5に示されるような位置、つまり、光半導体素子5の上面の高さを平面光波回路基板3の表面3aの高さに一致させる位置にまで下降することになる。しかし、実際には、光半導体素子5の上面の高さが平面光波回路基板3の表面3aの高さと一致した状態では、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値がAである一方、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aと同じ高さにある光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値がBであることから、光半導体素子5の活性層4の中心位置は、図5に示される通り、理論上、平面光波回路基板3の導波路2の中心位置よりも差分A-Bだけ上方に位置することになる。従って、光半導体素子5の活性層4の中心を平面光波回路基板3の導波路2の中心に対して高さ方向の向き、つまり、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aの法線方向の向きに沿って一致させるためにアーム9に必要とされる下降移動のためのインクリメンタルな移動量の値は、この差分A-Bを考慮して、実際には、図4に示されるようなアプローチ開始位置を基点として、R1-L1A-Bとなる。従って、数値制御装置は、実際には、マウント面6から上方に離間したアプローチ開始位置で光半導体素子5をアーム9に保持させ、アーム9を停止させた図4の時点において、Z軸現在位置記憶レジスタの現在値R1を読み込むと共に、レーザ測距装置を作動させてテーブル10の上面を基準とする平面光波回路基板3の表面3aの高さL1を測定し、更に、数値制御装置のメモリにパラメータとして予め記憶させておいた平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aの値と光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの値、あるいは、これらの値A,Bに代えてメモリに記憶させておいた差分の値A-Bに基いて、光半導体素子5の活性層4の中心を平面光波回路基板3の導波路2の中心に一致させるために必要とされるアーム9の下降移動のためのインクリメンタルな移動指令Sの値、つまり、R1-L1A-Bの値を求め、このS=R1-L1A-Bの値をアーム9の下降動作のためのインクリメンタルな移動指令Sとして、図4に示したアプローチ開始位置からアーム9の下降動作を開始させ、アーム9の半導体保持面9aに保持した光半導体素子5を平面光波回路基板3のマウント面6に接近させていく。そして、S=R1-L1A-Bの移動指令のうち、R1-L1の移動距離に相当する移動指令が実行されると、図5を参照して既に説明したように、光半導体素子5の上面の高さが平面光波回路基板3の表面3aの高さと一致する位置にまで光半導体素子5がマウント面6に接近する。更に、移動指令Sの残り分であるA-Bの移動距離に相当する移動指令が実行されると、光半導体素子5の上面の高さが平面光波回路基板3の表面3aの高さと一致した図5の状態から、更に、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-Bに相当する距離だけアーム9に下降方向の送りが掛けられ、アーム9の半導体保持面9aに保持された光半導体素子5の下降に伴ってマウント面6と光半導体素子5の間で半田層7が圧壊され、最終的に、図6および図2に示される通り、導波路形成面側の表面3aよりも光半導体素子5の上面が差分A-Bに相当する距離だけ低くなった状態で、平面光波回路基板3のマウント面6上に半田層7を介して光半導体素子5が実装される。但し、実際には、平面光波回路基板3の表面3aから導波路2の中心に至る距離の実際の値は基準値Aに対して±aの範囲で製造上の誤差が許容され、また、光半導体素子5の上面から活性層4の中心に至る距離の実際の値も基準値Bに対して±bの範囲で製造上の誤差が許容されているので、数値制御上の演算に利用されるA,Bの値は必ずしも平面光波回路基板3の表面3aから導波路2の中心に至る実際の距離や光半導体素子5の上面から活性層4の中心に至る実際の距離とは一致しない。また、差分A-Bは設計上の基準値A,Bに基いた値であるから其れ自体に誤差の概念はないが、実装装置におけるアーム9の現在位置検出精度およびレーザ測距装置の測定精度には一定の誤差があるので、Z軸現在位置記憶レジスタの現在値R1やレーザ測距装置が検出する平面光波回路基板3の上面高さL1の値は必ずしも真の値ではない。更に、移動指令Sに基いてアーム9に上下方向の送りを掛ける際に使用される実装装置の動力源や動力伝達系にもバックラッシや摩擦抵抗および慣性等に起因したアンダートラベルやオーバートラベル等の誤差が生じるので、S=R1-L1A-Bの移動指令が数値制御装置によって適切に実行されたからといって、必ずしも、アーム9がS=R1-L1A-Bの距離だけ下降するといった保証はない。ここでは、アーム9の現在位置検出精度の誤差とレーザ測距装置の測定誤差とアーム9を駆動する際の誤差を合わせて、目標位置を基準としたアーム9の位置決め精度が±cの公差内で保障されているものとする。なお、cは正の値である。従って、前述したS=R1-L1A-Bの移動指令に基いて送られたアーム9の下降量は、実際には、R1の真の値-L1の真の値A-B±c式1の範囲内となる。但し、式1における第3項の±cは、既に述べた通り、R1の検出誤差とL1の測定誤差とアーム9のアンダートラベルやオーバートラベルによる位置決めの誤差を組み合わせた公差であるから、式1の第1項におけるR1の真の値やL1の真の値は誤差を含んでいない。一方、平面光波回路基板3の表面3aから導波路2の中心に至る距離の実際の値が保障されているのはA±aの範囲であり、また、光半導体素子5の上面から活性層4の中心に至る距離の実際の値が保障されているのはB±bの範囲であるから、式1における基準値Aと実際の値A±aとの間に最大で±aの誤差が生じ、同様に、式1における基準値Bと実際の値B±bとの間にも最大で±bの誤差が生じる可能性がある。従って、アーム9の位置決め精度の最大誤差±cと、基準値Aと実際の値A±aとの間の最大誤差±aと、基準値Bと実際の値B±bとの間の最大誤差±bを全て勘案すると、光半導体素子5の活性層4の中心と平面光波回路基板3の導波路2の中心との間に生じる上下方向の誤差、つまり、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aの法線方向の向きに沿って発生する誤差は、最大でも、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る距離の設計上の公差の絶対値bと光半導体素子5をハンドリングする実装装置におけるアーム9の位置決め精度の公差の絶対値cの積算値、つまり、±abcの範囲内で完全に保証されることになる。要するに、光半導体素子5の活性層4の中心と平面光波回路基板3の導波路2の中心との間に生じる上下方向の誤差が最大となるのは、平面光波回路基板3の表面3aから導波路2の中心に至る距離の実際の値がAa、かつ、光半導体素子5の上面から活性層4の中心に至る距離の実際の値がB-bであって、しかも、アーム9の現在位置検出精度の誤差とレーザ測距装置の測定精度の誤差とアーム9を駆動する際の誤差の組み合わせが最大となってアーム9の下降動作にcのオーバートラベルが発生してabcの誤差が発生した場合と、これとは逆に、平面光波回路基板3の表面3aから導波路2の中心に至る距離の実際の値がA-a、かつ、光半導体素子5の上面から活性層4の中心に至る距離の実際の値がBbであって、しかも、アーム9の現在位置検出精度の誤差とレーザ測距装置の測定精度の誤差とアーム9を駆動する際の誤差の組み合わせが最大となってアーム9の下降動作に-cのアンダートラベルが発生して-abcの誤差が発生した場合のみである。aは平面光波回路基板3の製造精度によって特定される値、また、bは光半導体素子5の製造精度によって特定される値、そして、cは実装装置の性能によって特定される値であるから、光半導体素子5の活性層4と平面光波回路基板3の導波路2の間に生じる上下方向の位置ずれの量は、理論的にも、±abcの範囲内で抑制するのが限度である。この実施形態にあっては、特に、平面光波回路基板3における導波路形成面側の表面3aと光半導体素子5の上面を基準とし、平面光波回路基板3の製造や光半導体素子5の製造において精度が出やすい箇所、つまり、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bとに基いて、アプローチ開始位置からのアーム9の下降量つまり光半導体素子5の下降量を算出するようにしているので、平面光波回路基板3の全体的な厚みのバラツキや光半導体素子5の全体的な厚みのバラツキが活性層4と導波路2の上下方向の位置決め精度に影響を与えるといった不都合が解消される。これにより、マウント面6を活性層4の高さ調整のための基準面としてジャンクションアップの状態で光半導体素子5を実装することによって活性層4と導波路2の上下方向の高さを一致させるようにした公知の実装方法、つまり、平面光波回路基板3の全体的な厚みや光半導体素子5の全体的な厚み、および、マウント面6を形成する切り欠きの深さのバラツキが精度に影響を与える公知の実装方法に比べ、高い精度の実装作業を行うことができるようになる。光半導体素子5の全体的な厚みにバラツキがあった場合には、その結果として光半導体素子5の下面とマウント面6との間の垂直離間距離に微妙な変動が生じることになるが、両者間には半田層7が介在し、既に述べた通り、この半田層7が圧壊することによって離間距離の変動を吸収するので、光半導体素子5をマウント面6に適切に固着することが可能である。しかも、光半導体素子5の活性層4が平面光波回路基板3のマウント面6から光半導体素子5の厚み相当分だけ離間しているので、光半導体素子5の活性層4に半田層7の応力が直接的に働くといった不都合も解消され、レーザのSMSR特性を向上させることができる。半田層7としてはAuSn,AuSi,AuSb,BiSn,SnPb等を利用することが可能である。以上、一実施形態として、平面光波回路基板3のマウント面6から上方に離間したアプローチ開始位置でアーム9の半導体保持面9aに光半導体素子5を保持した状態でテーブル10の上面を基準とする光半導体素子5の上面高さR1をZ軸現在位置記憶レジスタから求めると共にレーザ測距装置でテーブル10の上面を基準とする平面光波回路基板3の表面3aの高さL1を測定し、上面高さR1と上面高さL1の差分R1-L1と数値制御装置のメモリにパラメータとして予め記憶させておいた基準値Aおよび基準値Bの値に基いてアーム9の下降移動のために必要とされるインクリメンタルな移動指令Sの値を求め、数値制御装置から実装装置への移動指令の出力によってアーム9を最終目標位置、つまり、アプローチ開始位置を基準としてR1-L1A-Bの距離だけ下方の位置に連続的に下降させるようにした実施形態について述べたが、レーザ測距装置に代えて接触式のセンサを利用し、この接触式のセンサで平面光波回路基板3の表面3aの高さと半導体保持面9aの高さ、すなわち、光半導体素子5の上面高さとが一致したことを検知し、その位置から更に半導体保持面9aをA-Bの距離だけ下方に移動させる構成としてもよい。例えば、図4に示される構成をモデファイし、半導体保持面9aとアーム9の下面との間に圧電素子等を配置して微小送り用のアクチュエータとすると共に、サーボモータやボールナットスクリュー等からなる昇降機構によってアーム9を上下動させて微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子とアーム9を一体に上下移動可能な構成とし、更に、平面光波回路基板3における表面3aの上方に位置するアーム9の下面に、アーム9の下面からの突出量が、微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を完全に縮退させた際の半導体保持面9aの突出量と同等となる突出量を有する接触式のセンサを設けるようにする。このような構成を適用した場合には、まず、図4のように、マウント面6から上方に離間したアプローチ開始位置でアーム9の半導体保持面9aに光半導体素子5を保持した状態で微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を完全に縮退させてアーム9の下面からの半導体保持面9aの突出量とアーム9の下面からの接触式センサの突出量とを一致させ、数値制御装置のパルス分配処理によってサーボモータを低トルク低速度で駆動して、目標位置を指定せずにアーム9を低速で下降させ、接触式のセンサが平面光波回路基板3における表面3aを接触検知した時点で直ちにサーボモータを停止させて、アーム9の現在位置を保持する。この時点ではアーム9の下面を基準とする接触式センサの突出量と半導体保持面9aの突出量が同じであるから、前述のようにしてサーボモータの駆動が停止された時点で、半導体保持面9aの高さ、すなわち、光半導体素子5の上面の高さが平面光波回路基板3の表面3aの高さと一致し、平面光波回路基板3の表面3aの高さと光半導体素子5の上面高さとの相対関係が図5と全く同様の状態となる。次いで、数値制御装置のメモリにパラメータとして予め記憶させておいた基準値Aおよび基準値Bの値に基いてアーム9の下降移動距離A-Bを求め、微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を駆動制御して、完全な縮退状態からA-Bの距離だけ下方に向けて突出させ、アーム9の現在位置を維持したまま半導体保持面9aのみを下方に移動させる。この場合も結果は前記と同様であり、最終的に、図6および図2に示される通り、導波路形成面側の表面3aよりも光半導体素子5の上面が差分A-Bに相当する距離だけ低くなった状態で、平面光波回路基板3のマウント面6上に半田層7を介して光半導体素子5が実装されることになる。更には、接触式のセンサを省略し、微小送り用のアクチュエータとして機能する圧電素子を完全に縮退させた状態の半導体保持面9aの突出量と同等の突出量を有するストッパを平面光波回路基板3の表面3aの上方に位置するアーム9の下面に固設するといったことも可能である。この場合は、数値制御装置の側でサーボモータの電流ループを監視してサーボモータの駆動電流の上昇を検知し、駆動電流の上昇つまり反動トルクの作用をストッパと平面光波回路基板3の表面3aとの当接として認識して、サーボモータの駆動を停止させることになる。以上に開示した実施形態の一部または全部は、以下の付記に示す記載によって適切に表現され得るが、発明を実施するための形態や発明の技術思想は、これらのものに制限されるものではない。付記1レーザモジュール1の一部を構成する平面光波回路基板3の一部を平面光波回路基板3における導波路形成面側の表面3aから其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板3上に形成したマウント面6にレーザモジュール1の他部を構成する光半導体素子5を半田層7を介して実装することにより光半導体素子5の活性層4の高さと平面光波回路基板3の導波路2の高さを導波路形成面の法線方向の向きで合致させるようにしたレーザモジュール1の製造方法であって、導波路2を形成された平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから光半導体素子5の設計上の基準厚Xと,半田層7の設計上の基準厚Yと,平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-Bとを加算した深さに亘って平面光波回路基板3を切り欠くことによって前記マウント面6を形成した後、前記マウント面6から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子5をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子5の上面高さが平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aの高さと一致する高さまで光半導体素子5を前記マウント面6に向けて接近させ、更に、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-Bだけ光半導体素子5を前記マウント面6に向けて接近させてマウント面6と光半導体素子5の間で前記半田層7を圧壊して光半導体素子5を平面光波回路基板3に実装することを特徴としたレーザモジュール1の製造方法。付記2アプローチ開始位置に光半導体素子5を保持した状態で、光半導体素子5の上面高さR1と平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aの高さL1を求め、光半導体素子5の上面高さR1から平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aの高さL1を減じ、更に、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aから光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bを減じた値を加算して光半導体素子5を前記マウント面6に向けて接近させるべき距離R1-L1A-Bを求め、前記求められた距離R1-L1A-Bだけ光半導体素5を前記マウント面6に向けて連続的に接近させるようにしたことを特徴とする付記1記載のレーザモジュール1の製造方法。付記3アプローチ開始位置に光半導体素子5を保持した状態で、前記マウント面6に向かう光半導体素子5の接近移動を開始させ、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aの高さと光半導体素子5の上面高さとが一致したことを検知した後、更に、その位置から、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aから光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bを減じた値A-Bに相当する距離だけ前記マウント面6に向けて光半導体素子5を接近移動させるようにしたことを特徴とする付記1記載のレーザモジュール1の製造方法。付記4レーザモジュール1の一部を構成する平面光波回路基板3の一部を平面光波回路基板3における導波路形成面側の表面3aから其の法線方向に向けて切り欠いて平面光波回路基板3上に形成したマウント面6にレーザモジュール1の他部を構成する光半導体素子5を半田層7を介して実装したレーザモジュール1であって、前記マウント面6が、導波路2を形成された平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから光半導体素子5の設計上の基準厚Xと,半田層7の設計上の基準厚Yと,平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-Bとを加算した深さに亘って平面光波回路基板3を切り欠いて形成されると共に、前記マウント面6上には、光半導体素子5が、圧壊された状態で設計上の基準厚Yと同等の厚みを有する半田層7を介して、光半導体素子5の上面高さが、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aの高さよりも、平面光波回路基板3の導波路形成面側の表面3aから平面光波回路基板3の導波路2の中心に至る設計上の距離の基準値Aと光半導体素子5の上面から光半導体素子5の活性層4の中心に至る設計上の距離の基準値Bの差分A-Bだけ低くなるようにしてジャンクションアップの状態で実装されていることを特徴としたレーザモジュール1。"