"2つの面20,22と2つの縦方向端部34、36を有し、少なくとも1つの前記面には、2つの前記縦方向端部34、36の間に位置した中央部20a、22aを有して、前記中央部に半導体材料層30、32がデポジットされるカーボンリボン16であって、少なくとも1つの前記面には、前記縦方向端部34、36の1つと前記中央部20a、22aの間に少なくとも1つの縦方向溝17が形成され、半導体材料30、32がデポジットされたときに、前記溝17に充填された前記半導体材料30、32が、1つの前記縦方向端部34、36に隣接して隆起31を形成することを特徴とするカーボンリボン。前記縦方向溝は、溝の底部となる底領域171と、カーボンリボンの前記面20,22に対して傾斜する実質直線状の傾斜領域172、173でなることを特徴とする請求項1に記載のカーボンリボン。前記面20、22の少なくとも1つには、2つの前記縦方向端部34、36の間に、2つの前記縦方向溝17が形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のカーボンリボン。前記面20、22のそれぞれには、2つの前記縦方向端部34、36の間に、2つの前記縦方向溝17が形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のカーボンリボン。前記カーボンリボンの前記面20、22のそれぞれには、それぞれの縦方向端部34、36に縦方向外縁部20b、20c、22b、22cが形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のカーボンリボン。前記縦方向溝にある2つの直線状の傾斜領域172、173が、前記縦方向外縁部20b、20c、22b、22cの1つと前記中央部20a、22aのそれぞれに、曲線領域を介して接続されることを特徴とする請求項5に記載のカーボンリボン。前記縦方向溝にある2つの直線状の傾斜領域172、173が、溝の底部となる直線状の底領域171に、曲線領域を介して接続されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のカーボンリボン。溝の底部となる直線状の底領域171が、前記カーボンリボンの面20、22の1つと実質的に平行であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のカーボンリボン。断面で、前記縦方向外縁部20b、20c;22b、22cと、前記縦方向端部34、36に近い実質直線状の前記傾斜領域172の1つの間で作る角度α1が、90°<α1<180°であり、好ましくは120°<α1<160°であることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載のカーボンリボン。断面で、前記カーボンリボンの中央部20a、22aと、前記中央部20a、22aに近い実質直線状の前記傾斜領域173の1つの間で作る角度β1が、90°<β1<180°であり、好ましくは120°<β1<160°であることを特徴とする請求項5乃至9のいずれか1項に記載のカーボンリボン。前記溝の幅λ1は、1mmより小さいことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の記載のカーボンリボン。前記縦方向端部にある前記縦方向外縁部20b、20c、22b、22cの幅λ2は、少なくとも50μmであることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のカーボンリボン。前記縦方向溝の深さpは、少なくとも50μmであることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のカーボンリボン。請求項1乃至13のいずれか1項で定義されたカーボンリボンの形成方法であって、前記カーボンリボンの厚さ方向に少なくとも溝を形成するステップを有することを特徴とするカーボンリボンの形成方法。前記溝は、ローラーの回転により、又は押し出しにより形成されることを特徴とする請求項14に記載のカーボンリボンの形成方法。請求項1乃至13のいずれか1項で定義されたカーボンリボンの少なくとも1つの面上への半導体材料層のデポジット方法であって、a前記カーボンリボン16’を、溶融した半導体材料の浴12の水平な平衡表面を通し縦方向に連続的に引上げるステップを行い、前記カーボンリボンの引き上げに応じてその面に溶融した前記半導体材料を濡らしてデポジットさせることを特徴とする半導体材料層のデポジット方法。前記カーボンリボン16’を連続的に引上げる前記aステップの前に、さらに、前記カーボンリボン16’の表面に熱分解性カーボンの層をデポジットさせるステップを行うことを特徴とする請求項16記載の半導体材料層のデポジット方法。前記aステップの後に、b任意に、半導体材料30、32の層を、隆起を含めた縦方向端部を切除するステップ、さらにcカーボンリボン16’を取除くステップ、を行うことを特徴とする請求項16又は17に記載の半導体材料層のデポジット方法。本発明の目的は、従来技術の欠点を克服することであり、特に、半導体材料層を形成でき、カーボンリボンの縦方向端部が弱くならず、巻き取りと巻き戻しが容易にできるカーボンリボンを提案することにある。本発明は、2つの縦方向に沿った面と2つの縦方向端部を有し、その少なくとも1つの面には、2つの縦方向端部の間に位置した中央部を有して、中央部に半導体材料層がデポジットされるカーボンリボンを提供することであって、カーボンリボンは、さらに、その少なくとも1つ面に、縦方向端部の1つと中央部との間に少なくとも1つの縦方向溝が形成され、半導体材料がデポジットされたとき、その溝に充填された半導体材料が、カーボンリボンの面にある1つの縦方向端部に隣接して隆起を形成することを特徴としている。従って、本発明のカーボンリボンの縦方向溝は、溝が半導体材料で充填されたとき、溶融半導体材料の濡れ表面の形状を都合よく変え、これにより、端部での半導体材料層の厚さを増すようになる。この結果、半導体材料層は、その端部を含めて全表面で実質的に一定の厚さになる。特に、この縦方向溝は、底面で、カーボンリボンの面に対して傾斜する2つの実質直線状の傾斜領域の間のある底領域を形成している。特に、溝底となる底領域は、曲線状又は実質直線状である。ある実施形態では、カーボンリボンは、その少なくとも1つの面に2つの縦方向溝があり、その溝は、カーボンリボンの2つの縦方向端部の間に位置している。別の実施形態では、カーボンリボンは、それぞれの面に少なくとも1つの縦方向溝があり、それぞれの溝は、カーボンリボンの2つの縦方向端部の間に位置している。好ましい実施形態では、カーボンリボンは、それぞれの面に2つの縦方向溝があり、これらの溝は、カーボンリボンの2つの縦方向端部の間に位置している。カーボンリボンのそれぞれの面には、それぞれの縦方向端部の高さに縦方向外縁部があり、この縦方向外縁部は、好ましくは半導体材料層がデポジットされないようにする。特に、カーボンリボンがそれぞれの面に2つの縦方向溝があるとき、カーボンリボンの縦方向端部には、半導体材料がデポジットされない。ある実施形態で、断面をみると、カーボンリボンの縦方向端部の厚さおよび中央部の厚さは、縦方向溝での厚さより大きい。さらに、カーボンリボンの厚さは、縦方向端部と中央部において実質的に同じである。従って、ある面の少なくとも1つの縦方向外縁部と中央部は、同じ平面にある。この特性は、2つの平坦な連続的な表面をもつ平らなカーボンリボンから始めて、カーボンリボンの厚さに縦方向溝を作ることが可能になる。これは、本発明のカーボンリボンの断面厚さが、縦方向溝での厚さを除き、全長に亘り、特に縦方向端部と中央部で実質的に同じであることを意味している。本発明カーボンリボンの少なくとも1つの面における中央部は、織って作ることなく、実質的に平坦であるのが好ましい。本発明のカーボンリボンは、厚さe0が200μmから350μmの範囲に、好ましくは250μmであるようにする。この厚さe0は、当然、縦方向溝でのカーボンリボンの厚さe1より大きい。ある実施形態では、縦方向溝にある2つの実質直線状の傾斜領域が、曲線領域を介して、縦方向外縁部の1つと中央部のそれぞれに接続されている。別の実施形態では、縦方向溝にある2つの実質直線状の傾斜領域が、曲線領域を介して、溝の底面となる底領域に接続されている。これらの2つの実施形態は、組み合わせてもよい。溝の底面となる底領域は、実質直線状であるとき、カーボンリボンの1つの面と実質的に平行である。縦方向溝と実質直線状の傾斜領域を特徴づけるのに、以下角度を定義する、これらの角度は、縦方向溝がある縦方向端部に近い部位での半導体材料の濡れ角度を最適にし、半導体材料層の端部での厚さを大きくするのに使用される。第1の実施形態では、断面で、縦方向外縁部と、縦方向端部に近い1つの実質直線状の傾斜領域溝のあるカーボンリボンの面に対して傾斜しているとの間で作る角度α1は、90°<α1<180°であり、好ましくは120°<α1<160°である。角度α1は、半導体材料層の厚さを最適に大きくするに都合よく使用できる。この理由により、角度α1は、90°でなく、90°より大きくならなければならない。第2の実施形態では、断面で、カーボンリボンの中央部と、中央部に近い1つの実質直線状の傾斜領域溝のあるカーボンリボンの面に対して傾斜しているとの間で作る角度β1は、90°<β1<180°であり、好ましくは120°<β1<160°である。角度β1は、半導体材料が、中央部と中央部に近い実質直線状の傾斜領域の1つとの間で弱くなるのを防ぐために、90°でなく、90°より大きくならなければならない。第3の実施形態では、溝の底面となる底領域が実質直線状であるとき、断面で、縦方向端部に近い1つの実質直線状の傾斜領域溝のあるカーボンリボンの面に対して傾斜していると、溝の底を形成する実質直線状の底領域とでなす角度α2は、90°<α2<180°で、好ましくは120°<α2<160°と定義される。第4の実施形態では、溝の底面となる底領域が実質直線状であるとき、断面で、中央部に近い1つの実質直線状の傾斜領域と、溝の底面となる実質直線状の底領域とでなす角度β2は、90°<α2<180°で、好ましくは120°<α2<160°と定義される。当然、上記した4つの実施形態のうち、少なくとも2つを組み合わせることを考えることができる。特に好ましい実施形態では、α1とα2は実質的に等しい、および/又はβ1とβ2は実質的に等しい。更に、縦方向溝の幅λ1は、1mmを超えず、好ましくは少なくとも200μmである。この幅λ1は、2つの実質直線状の傾斜領域がカーボンリボンの面と同じ高さになる部位の間の距離である。縦方向端部にある縦方向外縁部の幅λ2は、少なくとも50μmである。言い換えれば、この幅は、縦方向溝と縦方向端部との間の距離である。この幅λ2は、最大で、500μm、好ましくは最大で200μmである。縦方向溝の深さpは、少なくとも50μm、好ましくは最大で70μmであるが、当然カーボンリボンの厚さに依り決められるものである。深さpは、縦方向溝の最大の深さである。言いかえれば、縦方向端部での、一方が溝の底、他方が溝に近い縦方向外縁部の間で、カーボンリボンの縦方向対称面に対して垂直距離の最大値に相当する。本発明は、また、カーボンリボンの形成方法を提供するものであり、この方法は、カーボンリボンの厚さe0に少なくとも縦方向溝を形成するステップを行うことである。平坦で連続的な2つの面をもつカーボンリボンを用い、その1つ又は両方の面の端部に縦方向溝を作るステップから始めるのが実行上容易である。例を挙げると、縦方向溝は、カーボンリボンの厚さe0に、ローラーをかけて、又はダイズ型を通して押し出すことにより形成できる。本発明の別の目的は、本発明のカーボンリボンにある2つの縦方向面の少なくとも1つの面に半導体材料層をデポジットさせる方法を提供することにあり、この方法は、次のステップを行うことに特徴がある。aカーボンリボンを、溶融半導体材料浴の水平な平衡表面を通して実質縦方向に連続的に引上げ、カーボンリボンを引上げるときにその面を半導体材料で濡らしてデポジットさせる。本発明のカーボンリボンを引上げる際の速度は、縦方向溝に充填された半導体材料の濡れ角度に影響を与える。この分野の知識のある者であれば、特に、引上げ速度が速い程、半導体材料がカーボンリボンあるいは、熱分解性カーボンと接触する時間が短くなり、濡れ角度が大きくなり、半導体材料層の端部での厚さが大きくなることを考慮して、カーボンリボンの引上げ速度により、縦方向溝の形体や角度α1の値を最適にすることができる。この方法は、カーボンリボンを連続的に引上げるaステップに先立ち、すなわち言い換えれば、カーボンリボン上に半導体材料をデポジットする前に、カーボンリボンに熱分解性カーボン層をデポジットさせるステップを行うことができる。特に、半導体材料がシリコンである場合、カーボンリボンが、熱分解性カーボン層で覆われ、その上にシリコン層がデポジットされると、これにより、シリコンとカーボンリボンの間に炭化ケイ素が生成するのを防ぐことができるので有利である。熱分解性カーボン層の厚さは、通常、1μmから5μmの範囲である。半導体材料の少なくとも1つの薄板を得るに、上記の方法は、aステップの後に、さらに次のステップを行う。b任意に、半導体材料層を、好ましくはレーザーを用いて、隆起した部分を含む縦方向端部で切除する。cカーボンリボンを取除く。カーボンリボンは、カーボンリボンと半導体材料層でなる集合体を高温に加熱することにより、燃焼して取除くことができる。本発明の方法によって、半導体材料層は、その厚さが端部で薄くならないので、縦方向端部で破れることがない。しかしながら、半導体材料層の全表面で均一な厚さとするために、上記したbステップを行うのがよい。この半導体材料層を切除するステップは、半導体材料層の縦方向端部が角度β1の個所で、好ましくはカーボンリボンと一緒に切除する。言いかえれば、このように切除される部分は、断面でλ1λ2の距離であり、半導体材料層で覆われたカーボンリボンの中央部だけが残る。カーボンリボンを除去するcステップは、カーボンリボンの一方の面に半導体材料層がデポジットされていると、1つの半導体材料層薄板が得られるが、好ましくは、半導体材料層をカーボンリボンの両面にデポジットして2つの半導体材料層薄板を得ることである。その他の特性および本発明の利点は、添付された図を参照して、本発明のカーボンリボンの制限しない実施例の記載で明らかになるであろう。分かり易くするため、同じ要素は同じ参照符合としている。同様に、本発明の理解に不可欠な要素のみを示しており、大きさは関係なく摸式的に示している。図1と2は、上に記述したが、理解し易いように、本発明と従来技術で共通のものは、同じ参照符合としている。図3は、本発明によるカーボンリボン16’の斜視図である。ここで、2つの縦方向面20と22は半導体材料層30と32で覆われている。また、カーボンリボン16’は、縦方向端部34と36が半導体材料層で覆われていない。2つの縦方向端部34と36の間に位置する面20と22のそれぞれには、本発明による2つの縦方向溝17がある。より正確には、図4は、図3のカーボンリボン16’の断面図である。カーボンリボンのそれぞれ面20、22は、2つの縦方向端部34、36の間に位置する中央部20a、22aを有し、中央部20a、22aのそれぞれは、半導体材料層30、32で覆われているが、その端部34、36は、覆われていない。それぞれの面20、22は、対応する中央部20a、22aと縦方向端部34、36の1つとの間に位置した2つの縦方向溝17がある。特に、それぞれの端部34、36は、2つの縦方向外縁部20b、22bおよび20c、22cがあり、これら外縁部は、半導体材料層で覆われていない。それぞれの面20又は22では、中央部20a又は22aと、対応する縦方向外縁部20b、20c又は22b、22cが、断面で並んでいる。通常、面20の縦方向外縁部20b、20cあるいは、面22の縦方向外縁部22b、22cと中央部20aあるいは、中央部22aは、同じ平面にある。カーボンリボン16’の溝17の部分を除く全厚さe0は、それぞれの縦方向溝17でのカーボンリボンの厚さe1より大きい。言いかえれば、縦方向端部34あるいは36の厚さe0つまり、縦方向外縁部20bと縦方向外縁部22bの間の距離、あるいは縦方向外縁部20cと縦方向外縁部22cの間の距離、およびそれぞれの面の中央部20a、22aの間の厚さe0は、それぞれの縦方向溝17でのカーボンリボンの厚さe1より大きい。図3は、半導体材料30、32が、面20、22それぞれにある溝17に充填され、これにより、カーボンリボンの縦方向端部34,36に隣接して、特に考慮している溝に近い縦方向外縁部20b、22b、20c、22c近くに隆起つまり、突出した部分31が形成されることを示す斜視図である。これは、本発明のカーボンリボンの厚さが、縦方向溝の中を除いて、縦方向端部と中央部で全長に亘って実質同じであることを意味している。カーボンリボンの形成を容易にすることに関連した理由で、断面で、カーボンリボンの1つの面20にある2つの溝17は、カーボンリボンのもう一方の面22にある2つの溝17と、カーボンリボンの幅の中にある縦軸Aに対して対称であり、カーボンリボン16’の2つの面に平行である。縦軸Aは、カーボンリボンの縦方向対称面でもある。同様に、断面で、面20、22それぞれにある一方の縦方向端部34近くの溝17は、他方の縦方向端部36に近い溝17と、カーボンリボンの中央で軸Aと垂直な中央軸A’に対して対称である。図5は、図3のカーボンリボン16’における左端部34の断面図である。図5に記述した面20の溝17の特性は、カーボンリボン16’の他の全ての溝にも当てはまる。この縦方向溝17は、溝17の底面となる実質直線状の底領域171を有している。この実質直線状の底領域171は、2つの実質直線状の傾斜領域172と173に接続され、それぞれ端部となっている実質直線状の傾斜領域172は、端部を形成する縦方向外縁部20bに直接接続し、実質直線状の傾斜領域173は、端部を形成する中央部20aに直接接続している。縦方向外縁部20bと実質直線状の傾斜領域172の間の接続領域、実質直線状の傾斜領域172と溝の底面となる実質直線状の底領域171の間の接続領域、溝の底面となる実質直線状の底領域171と実質直線状の傾斜領域173の間の接続領域、および実質直線状の傾斜領域173と中央部の間の接続領域は、等しく曲線領域図示していないにすることができる。図5では、溝の底面となる実質直線状の底領域171が、カーボンリボン16’の面20に実質的に平行になっている。縦方向外縁部20bと実質直線状の傾斜領域172縦方向外縁部20bに最も近い傾斜領域とでなす角度α1は、約135°である。中央部20aと実質直線状の傾斜領域173中央部20aに最も近い傾斜領域とでなす角度β1は、約150°である。縦方向外縁部20bに近い実質直線状の傾斜領域172と、溝の底面となる直線状の底領域171とでなす角度α2は、約135°である。中央部20bに近い実質直線状の傾斜領域173と、溝の底面となる実質直線状の底領域171とでなす角度β2は、約150°である。更に、縦方向溝の幅λ1は、約200μmである。この幅λ1は、2つの実質直線状の傾斜領域172と173の間で、軸Aと平行の最も大きい距離である。縦方向外縁部20bの幅λ2は、約100μm程度である。この幅λ2は、縦方向溝と縦方向端部との間の距離である。断面で、2つの溝17は、端部に近い対称軸Aに対して互いに向き合う箇所でカーボンリボンに残る厚さe1は、リボンが機械的に充分維持できるに充分でなければならない。機械的な強度を確保できる最小厚さe1は、好ましくは100μm以下とならないことである。例を挙げると、カーボンリボン16’の厚さe0は250μm、端部34での2つの溝17の間の厚さe1は150μmであり、従って、それぞれの溝の深さpは50μmである。更に、光電池に使用される半導体材料30、32が平面であるには、図5に断面図で示したλ1λ2の部分は、レーザー切断によって除去される。このλ1λ2の部分は、角度β1部位のカーボンリボン16’の厚さと半導体材料層30、32の厚さとの合計の厚さで切除される。従って、残るのは、半導体材料によって覆われたカーボンリボンの中央部20aと22aのみである。λ1λ2部分が半導体材料層の縦方向端部から切除されたら、カーボンリボンは焼却して除去することができる。図6は、カーボンリボンにローラーをかけて成形する本発明の方法を示す斜視図である。本発明のカーボンリボン16’は、実質的に平面で平行な2つの面をもつカーボンリボン16から成形される。カーボンリボン16は、加圧して溝17を形成するに適した2つのローラー41と42の間により成形される操作を行う方向を、矢印19で示す。このようにして形成された溝17は、ローラーの押印となる。カーボンリボン16の2つ面の一方にのみ1つあるいは2つの溝を形成する特別の適用示していないでは、一方のローラーが本発明の1つあるいは2つの溝を形成するように上述した押印できる部位を有し、他方のローラーにはその押印部位をなしにする。図7は、カーボンリボンを、ダイズ型を通して押し出し成形する本発明の方法を示す斜視図である。本発明のカーボンリボン16’は、実質的に平面で平行な2つの面をもつカーボンリボン16から成形される。カーボンリボン16は、ダイズ型から押し出し操作を行う方向を、矢印19で示す、カーボンリボンを加圧して溝17を形成する。カーボンリボン16’中の溝の数およびそれぞれの溝の形状は、図3~7に詳細に示した例に制限されるものではない。カーボンリボン16’は、本発明に従って少なくとも1つの溝、好ましくは1つの面に2つの溝、特に好ましくは、2つの面にそれぞれ2つの溝をもつことである。本発明は、カーボンリボンを引き上げて得られる半導体層が、縦方向端部で厚さが薄くなる問題に対して技術的に単純で廉価な解決策を提供するものである。これにより、カーボンリボンの表面、および半導体の表面を有効に使用することができる。"