絶縁体下地層と、前記絶縁体下地層上に配置された非磁性体からなる非磁性細線と、前記非磁性細線の第1領域上に配置され、障壁層と強磁性層と電極部とが順次積層された柱状構造の第1の素子部と、前記非磁性細線の前記第1領域とは異なる第2領域上に配置され、障壁層と強磁性層と電極部とが順次積層された柱状構造の第2の素子部とを有し、前記非磁性細線の一端と前記第1の素子部は電流供給回路の一部をなし、前記非磁性細線の他端と前記第2の素子部は電圧測定回路の一部をなしており、前記非磁性細線は、体心立方格子あるいは面心立方格子の結晶構造をとり、絶縁体下地層と前記非磁性細線と前記障壁層はすべて同一の面方位をとった結晶質であり、前記電圧測定回路の電圧変化をもって、外部磁場の変化を検出する機能を有することを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部は、前記第2の素子部より検出される前記外部磁場の磁場発生源から遠くに配置されることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記絶縁体下地層は、001方向の面方位を持つことを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記絶縁体下地層を構成する材料は、MgOからなることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記障壁層は、岩塩構造、フルホイスラ構造、スピネル構造のいずれかをとっていることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記障壁層を構成する材料は、MgO、MgZnO、Fe2VAl、MgAl2O4、Geの少なくとも一種類からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記非磁性細線を構成する材料は、V、Ag、Mg、Pd、Rhのいずれかからなることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記強磁性層を構成する材料が、Fe、Ni、NiFe、CoFe、CoFeBの少なくとも一種類からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部における強磁性層の体積が、前記第2の素子部における強磁性層の体積より大きいことを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、2枚の並行する上部及び下部強磁性体磁気シールド層と、前記下部磁気シールド層上に順次積層された第一のバッファ層、第二のバッファ層、絶縁体下地層と、前記絶縁体下地層上に配置された非磁性体からなる非磁性細線と、前記非磁性細線上の第1の領域に配置され、障壁層、強磁性層、電極部が順次積層された柱状構造の第1の素子部と、前記非磁性細線の前記第1の領域とは異なる第2の領域に配置され、障壁層、強磁性層、電極部が順次積層された柱状構造の第2の素子部を有し、非磁性細線は体心立方格子あるいは面心立方格子の構造をとり、前記絶縁体下地層と前記非磁性細線と前記障壁層はすべて同一の面方位をとった結晶質であり、前記第1の素子部の電極部は前記上部磁気シールド層と結線されており、第2の素子部の電極部は前記上部磁気シールド層と絶縁がなされており、前記非磁性細線の一端から前記第1の素子部を介して前記上部磁気シールド層までの部位は電流供給回路の一部をなしており、前記非磁性細線の他端と前記第2の素子部は電圧測定回路の一部をなしており、前記電圧測定回路の電圧変化をもって、外部磁場の変化を検出する機能を有することを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第一のバッファ層、前記第二のバッファ層はアモルファス形状をとり、一層もしくは多層からなる層構造を取ることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項11記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第一のバッファ層を構成する材料が、SiO2、Al2O3の少なくとも一種類から成ることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項11記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第二のバッファ層を構成する材料が、Ta、SiO2、Al2O3の少なくとも一種類から成る事を特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部における強磁性層の体積が、前記第2の素子部における強磁性層の体積より大きいことを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部が前記第2の素子部より検出される前記外部磁場の磁場発生源から遠くに配置されることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記絶縁体下地層が001方向の面方位を持つことを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記絶縁体下地層を構成する材料は、MgOからなることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記障壁層は、岩塩構造、フルホイスラ構造、スピネル構造のいずれかをとっていることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記障壁層を構成する材料は、MgO、MgZnO、Fe2VAl、MgAl2O4、Geの少なくとも一種類からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記非磁性細線を構成する材料は、V、Ag、Mg、Pd、Rhのいずれかからなることを特徴とする磁気再生ヘッド。請求項10記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記強磁性層を構成する材料は、Fe、Ni、NiFe、CoFe、CoFeBの少なくとも一種類からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。2枚の並行する上部及び下部強磁性体磁気シールド層と、前記下部磁気シールド層上に順次積層されたバッファ層、絶縁体下地層と、前記絶縁体下地層上に配置された非磁性体からなる非磁性細線と、前記非磁性細線上の第1の領域に配置され、障壁層、強磁性層、反強磁性層、電極部が順次積層された柱状構造の第1の素子部と、前記非磁性細線上の第1の領域とは異なる第2の領域に配置され、障壁層、強磁性層、電極部が順次積層された柱状構造の第2の素子部を有し、前記非磁性細線は体心立方格子あるいは面心立方格子の構造をとり、前記絶縁体下地層と前記非磁性細線と前記障壁層はすべて同一の面方位をとった結晶質であり、前記第1の素子部の電極部は上部磁気シールド層と結線されており、前記第2の素子部の電極部は上部磁気シールド層と絶縁がなされており、前記非磁性細線一端から前記第1の素子部を介して上部磁気シールド層までの部位は電流供給回路の一部をなし、前記非磁性細線の他端と前記第2の素子部は電圧測定回路の一部をなしており、前記電圧測定回路の電圧変化をもって、外部磁場の変化を検出する機能を有することを特徴とする磁気再生ヘッド。前述の磁性体と非磁性体の間にMgOを挿入した場合においても、スピン蓄積型磁気センサの出力は実用上さらなる改善が望まれる。これは、上記式から分かるように、スピン拡散に係わる非磁性細線の結晶性、コヒーレントトンネルに係わる絶縁体障壁層の結晶性が十分確保されていない為である。本発明は、従来よりも出力の大きな磁気再生ヘッドを提供することを目的とする。上記目的を達成するための一実施形態として、絶縁体下地層と、前記絶縁体下地層上に配置された非磁性体からなる非磁性細線と、前記非磁性細線の第1領域上に配置され、障壁層と強磁性層と電極部とが順次積層された柱状構造の第1の素子部と、前記非磁性細線の前記第1領域とは異なる第2領域上に配置され、障壁層と強磁性層と電極部とが順次積層された柱状構造の第2の素子部とを有し、前記非磁性細線の一端と前記第1の素子部は電流供給回路の一部をなし、前記非磁性細線の他端と前記第2の素子部は電圧測定回路の一部をなしており、前記非磁性細線は、体心立方格子あるいは面心立方格子の結晶構造をとり、絶縁体下地層と前記非磁性細線と前記障壁層はすべて同一の面方位をとった結晶質であり、前記電圧測定回路の電圧変化をもって、外部磁場の変化を検出する機能を有することを特徴とする磁気再生ヘッドとする。絶縁体下地層、前記非磁性細線および前記障壁層をすべて同一の面方位の結晶質とすることにより、スピン拡散長を長くし、スピン注入効率を高くすることで、出力電圧ΔVの大きな磁気再生ヘッドを提供することができる。以下、実施例により図面を用いて詳細に説明する。第1の実施例について図1及び図6A~図6Jを用いて説明する。図1に、実施例1に係る磁気再生ヘッドにおけるスピン蓄積素子磁気抵抗素子の断面模式図を示す。また図6A~図6Jに実施例1係る磁気再生ヘッドにおけるスピン蓄積素子作製の製造工程を示す。熱酸化膜が形成されたSi基板101の上にバッファ層102、絶縁体下地層103、非磁性層104、障壁層105、強磁性層106、上部電極層の順で薄膜を積層して成膜し多層膜1000を形成した図6A。上部電極層はTa/Ru等の構成からなる金属電極層である。バッファ層102は例えばTaを用いた。絶縁体下地層103はMgO膜厚:3nmを用い、その構造は岩塩構造であり、結晶方位は100を向いている。非磁性層104はAgなどの非磁性金属を用いた。障壁層105はMgO膜厚:0.9nm~1.2nmを用いた。強磁性層106はCo20Fe60B20を用いた。多層膜1000はArガスを用いたRFスパッタリング法を用いて熱酸化Si基板101の上に形成した。室温成膜において、バッファ層102のTaは熱酸化Si基板上でアモルファス形状に成膜される。アモルファス状のTaの上に絶縁体下地層103のMgOを成膜した場合、MgOは100という結晶方位有して成長する。MgO100上に非磁性層104のAgを成膜した場合、またそのAg上に障壁層105のMgOを成膜した場合、それぞれの結晶方位は100方向となる。非磁性層104は体心立方格子構造あるいは面心立方格子構造をなる。強磁性層106のCo20Fe60B20は障壁層105のMgO100上に成膜した場合、アモルファス状に成膜され、加熱処理を施すことで結晶化し、その方位は100になる。多層膜1000を形成後、レジストを塗装し電子ビームEBリソグラフィーを行ってレジストを形成する。その後、イオンビームエッチングを用いて多層膜1000を絶縁体下地層103の直上まで削り、レジストに被覆されている部分が残って、0.2μm×1μmの細線1002に加工した図6B。その後、レジストを塗装し電子ビームEBリソグラフィーを行ってレジスト1003を形成する図6B。イオンビームエッチングを用いて、非磁性層104の直上まで削り、レジスト1003に被覆されている部分が残ってピラー1005を形成した図6C。その後、全面に絶縁体層1004を成膜し、インビームエッチングによって、絶縁体層1004をそれぞれのピラーの直上だけが削られて最上部に上部電極を備えたピラーが露になるように加工した図6D。その後、電極層1007を成膜し、その上にレジストを塗装し電子ビームEBリソグラフィーを行ってレジスト1006を形成する図6E。レジスト1006に被覆された部分を残して電極層1007を削りとり配線1009を成形する図6F。その後、レジスト1008を形成し、絶縁体層1004を加工して細線1002の非磁性層104が露わになるように削る図6G。その上に電極材料を成膜してレジスト1008を取り除くと配線1010が成形される図6H。その後、金属電極層1012を成膜し、レジスト1011をリソグラフィーによって成形し図6I、金属電極層1012をレジストに被覆された部分を残して削りとり、電極1013、1014、1015、1016を成形した図6J。加工によって別れた二つの強磁性層をそれぞれ106aと106bとする。ピラー1005は障壁層105と強磁性層106と上部電極層からなる。電極107a、107b、108a、108bはそれぞれ配線1009と電極1014、配線1010と電極1013、配線1009と電極1015、配線1010と電極1016からなり、Cr/Au積層構造にて形成した。素子を作成後、300°Cで加熱処理を行った。次にスピン蓄積素子の動作について図1を用いて説明する。スピン蓄積素子の電極107aから電極107bに向かって電流を流し、電極108aと108bの間の電圧を信号として検出する。HDDの磁気記録媒体111からの漏洩磁場の向きに応じて強磁性層106bの磁化の向きが変化する。スピン蓄積素子の電極107aから107bに電流を流した状態で、漏洩磁場の向きが変化したとき、電極108aと108bの間の電圧は変化する。強磁性層106aと106bの磁化の向きが並行であるとき低電圧が測定され、磁化の向きが反平行の時、高電圧が測定される。本実施例において、絶縁体下地層非磁性層絶縁体障壁層強磁性層のすべての層の格子定数の不整合を3以下とすることができた。こうすることによって、非磁性層の平坦性と結晶性を良くすることができるのでスピン拡散長を長くすることができ、絶縁体障壁層の結晶性を良くすることができるので、強磁性層から絶縁体層を介して非磁性層にスピン注入する際のスピン注入効率を高めることができる。本実施例による素子を評価した結果、従来の構造と比べて出力信号が2倍程向上した。これにより、Tbit/inch2級の記録密度に対応した再生ヘッドを実現することができる。実施例1では、非磁性層にAgを用いたが、V、Mg、Pd、Rhを用いてもMgO上にエピタキシャルに成長するため同様の効果が得られる。特に格子定数の不整合が3以下であるAg、V、Mgを用いることが望ましい。また障壁層としては、MgO、MgZnO、Fe2VAl、MgAl2O4、Geの少なくとも1種を用いることができ、絶縁体下地層及び非磁性細線の構造により、岩塩構造、フルホイスラ構造、スピネル構造のいずれかをとる。強磁性層に、CoFe、Fe、Ni、NiFe、CoFeBの少なくとも1種を用いても良い。以上、本実施例によれば、絶縁体下地層と非磁性導体層と障壁層をすべて同一の面方位の結晶質にすると共に、非磁性細線は体心立方格子あるいは面心立方格子の構造とすることにより、出力の大きな磁気再生ヘッドを提供することができる。第2の実施例について、図2、図3及び図7A~図7Lを用いて説明する。なお、実施例1に記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。スピン蓄積の原理に基づいて作製した再生ヘッドの構成例を図2、図3に示す。図2はその断面図であり、図3は構成例の模式図である。また図7Aから図7Lはその製造工程である。図2の素子断面に見られる多層構造の膜は、SiO2基板やガラス基板などの通常用いられる基板上、酸化マグネシウム基板、GaAs基板、AlTiC基板、SiC基板、Al2O3基板等を含むまた、HDDヘッドとなるチップの製造工程うちの一工程としてHDD部品にRFスパッタリング法、分子線エピタキシー法等の膜形成装置を用いて高真空中において成膜した。成膜の際は、上記基板上に直接成膜するか、適当な下地層などを形成したものに成膜した。素子作成する基板上に、下部磁気シールド及び電極を備える膜201を形成し、この膜を電子線リソグラフィーによって描画した。この膜を、イオンミリング装置を用いてミリング処理しパターンを形成した。この細線表面をクリーニング後に、第一のバッファ層202、第二のバッファ層203、絶縁体下地層204、非磁性体層205、障壁層206、強磁性体層207、保護膜という順で形成した。なお、符号208は第1の電極、符号209は第2の電極、符号210は上部磁気シールド層、符号211は磁気記録媒体である。この順に、SiO2/Ta/MgO/Ag/MgO/Co20Fe60B20/Ta/Ruという構成で、ここでは多層膜2001と呼ぶ。絶縁体層第一のバッファ層202はアモルファス形状であれば良く例えば、SiO2、Al2O3の少なくとも1種を用いることができる。金属層第二のバッファ層203はアモルファス絶縁体層上にアモルファス形状を形成する材料であればよくここではTaを用いたが、Ta、SiO2、Al2O3の少なくとも一種類であればよい。保護膜はTa/Ruの層構造によって形成した。この多層膜2001の上にレジストを塗装し、電子線リソグラフィーによって細線構造に描画して、レジスト2004を形成した図7A。イオンミリング装置によって、絶縁体下地層204までミリング処理し、レジスト2004に被覆された部分は図7Bの細線2002の様な細線パターンを形成する。この際SIMSによって絶縁体下地層204を構成する元素を感知した際にエッチングを停止するという手法を用いた。細線2002を形成後、大気暴露せずに真空中で絶縁保護膜2003を形成した。図2、3の空白部分は基本的に絶縁保護膜2003によって埋められている。レジスト2004をリフトオフした後、レジストを全面に塗装し、電子線リソグラフィーによってレジスト2005をピラーとなるパターンを2つの形状に成形する図7C。その後、イオンミリング装置によって非磁性細線層の直上までミリング処理をし、レジスト2005に被覆された部分がピラー2006を形成した図7D。この二つのピラーをそれぞれピラーA、ピラーBと名付けると、ピラーAは磁気記憶媒体に近接し、かつ非磁性細線の端部に位置する。またピラーBはピラーAから一定の間隔離れて非磁性細線上に配置される。この配置において、スピン蓄積の原理における強磁性自由層をピラーAが有し、強磁性固定層をピラーBが有することになるので保磁力差をつける為に、ピラーBの方が大きく描画されている。これにより、ピラーAにおける強磁性自由層の体積よりもピラーBにおける強磁性固定層の体積を大きくする。その後、真空中で、絶縁体保護膜を成膜して、絶縁保護膜2003を再度成形した。こうして第2の障壁層206b、第2の強磁性自由層207b、電極層からなるピラーAと、第1の障壁層206a、第1の強磁性固定層207a、電極層からなるピラーBが形成される。レジスト2005をリフトオフした後、真空中で表面をミリング処理によって洗浄したその状態が図7Eである。電極層2007を成膜し、レジストを塗装後、第1の電極部308と第2の電極部309の形状をしたパターンをリソグラフィーフォトリソグラフィー、I線ステッパ、電子線リソグラフィー等によって描画して、レジスト2008を形成する。その状態が図7Fである。その後、イオンミリング装置によって、ミリング処理を施し、電極層は電極部2009の様に成形され、第1の電極部308の一部と第2の電極部309を形成した。この際、第一の電極部308は第2の電極部309と同一の膜厚となっている。第1の電極部309は信号を引き出す為の引出線の形状になっている。第1の電極部308の一部と第2の電極部309を電気的に遮断するために絶縁膜を全面に形成する。その状態が図7Gである。その後リフトオフしてレジストを剥離したその状態が図7Hである。続いて全面にレジストを塗装後、第1の電極部308の形状にレジスト残るパターンをリソグラフィーフォトリソグラフィー、I線ステッパ、電子線リソグラフィー等によって描画して、レジスト2010を成形した。絶縁膜2011を全面に形成し、第二の電極部309を絶縁膜で覆った。その状態が図7Iである。その後リフトオフして第一の電極部308上のレジスト2010を剥離した。イオンミリング装置によって第1の電極部308の一部分の上を洗浄し、全面に電極層2013を成膜した。その際、絶縁保護膜2003にある窪みは電極層で穴埋めされ、電極部2012が形成される。リソグラフィー法によって第一の電極部308の形状に描画してレジスト2014を成形した。その状態が図7Jである。イオンミリング装置によってミリング処理を施し成形すること、電極部2009と電極部2012から成る部分だけが、絶縁保護膜2003から出ている状態になる図7K。その後、上部シールド層2015を成膜した。リソグラフィーとミリング処理によって上部磁気シールド310が形成される図3。第一の電極部308は電極部2009と電極部2012から成る部分の事となる。電極部2009と2012に使用した材料はCr/Auを採用した。その後300°Cでの加熱処理を施した。磁気記録媒体からの漏洩磁場の検出方法について説明する。図3に示すように磁気記憶媒体311とスピン蓄積型の再生素子が配置されたとき、垂直磁気記録方式の磁気記憶媒体から生じる漏洩磁場の方向は、強磁性自由層307bの磁化方向に対して平行か反平行となる。磁気記録媒体311と反対側の非磁性細線部305の端点と上部磁気シールド310との間にピラーBを介して形成される回路に電流を流すと、磁気記録媒体311の漏洩磁場と強磁性自由層307bの磁化の向きとの相対角に応じて、下部磁気シールドと電極309の間の電圧変化が生じる。その電圧変化を信号として処理することで磁気記録媒体に書きこまれている情報を読み出す。なお、符号301は下部磁気シールド層、符号302は第1のバッファ層、符号303は第2のバッファ層、符号304は絶縁体下地層、符号306aは第1の障壁層、306bは第2の障壁層、307aは第1の強磁性層強磁性固定層である。本実施例において、絶縁体下地層非磁性層絶縁体障壁層強磁性層のすべての層の格子定数の不整合を3以下とすることができた。こうすることによって、非磁性層の平坦性と結晶性を良くすることができるのでスピン拡散長を長くすることができ、絶縁体障壁層の結晶性を良くすることができるので、強磁性層から絶縁体層を介して非磁性層にスピン注入する際のスピン注入効率を高めることができる。本実施例による素子を評価した結果、従来の構造と比べて出力信号が2倍程向上した。これにより、Tbit/inch2級の記録密度に対応した再生ヘッドを実現することができる。実施例2では、非磁性層104にAgを用いたがV、Mg、Pd、Rhを用いてもMgO上にエピタキシャルに成長するため同様の効果が得られる。特に格子定数の不整合が3以下であるAg、V、Mgを用いることが望ましい。また障壁層としては、MgO、MgZnO、Fe2VAl、MgAl2O4、Geを用いることができ、絶縁体下地層の構造により、岩塩構造、フルホイスラ構造、スピネル構造のいずれかをとる。強磁性層に、CoFe、Fe、Ni、NiFe、CoFeBの少なくとも1種を用いても良い。以上、本実施例によれば、実施例1と同様の効果が得られる。また、バッファ層を絶縁体からなる第1のバッファ層と金属からなる第2のバッファ層で構成したことにより、より結晶の面方位の均一性を向上することができる。第3の実施例について、図3、図4を用いて説明する。なお、実施例1又は2に記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。強磁性固定層と強磁性自由層の磁化方向の相対角を大きくする方法には保磁力差を用いる方法以外に、反強磁性体による強磁性層のピン止め効果を用いる方法がある。その機構を取り入れた再生ヘッドの構成例を図4、図5に示す。図4はその断面図であり、図5は構成例の模式図である。図4の素子断面に見られる多層構造の膜は、SiO2基板やガラス基板などの通常用いられる基板酸化マグネシウム基板、GaAs基板、AlTiC基板、SiC基板、Al2O3基板等を含む上にRFスパッタリング法、分子線エピタキシー法等の膜形成装置を用いて高真空中において成膜した。成膜の際は、上記基板上に直接成膜するか、適当な下地層などを形成したものに成膜した。素子作成する基板上に、下部磁気シールド及び電極を備える膜401を形成し、この膜を電子線リソグラフィーによって描画した。この膜を、イオンミリング装置を用いてミリング処理しパターンを形成し、絶縁膜で保護した。この細線表面をクリーニング後に、第1のバッファ層402、第2のバッファ層403、絶縁体下地層404、非磁性体層405、障壁層406406a、406b、強磁性体層407407a、407b、反強磁性層408、電極層409、410という順で形成した。その順にSiO2/Ta/MgO/Ag/MgO/Co20Fe60B20/MnIr/Ta/Ruという構成で成膜した。絶縁体層第1バッファ層402はアモルファス形状であれば良く例えばAl2O3でも良い。金属層第2バッファ層403はアモルファス絶縁体層上にアモルファス形状を形成する金属であればよくここではTaを用いた。電極層409、410はTa/Ruの層構造によって形成した。この多層膜にレジストを塗装し、電子線リソグラフィーによって細線構造に描画した。イオンミリング装置によって、絶縁体下地層404の直上までミリング処理しレジストに被覆された細線パターンに形成する。この際SIMSによって絶縁体下地層404を構成する元素を感知した際にエッチングを停止するという手法を用いた。細線を形成後、大気暴露せずに真空中で絶縁膜保護膜を形成した。図4、5の空白部分は基本的に絶縁膜保護膜によって埋められている。レジストをリフトオフした後、電子線リソグラフィーによってピラーとなるパターンを2つ描画する。この二つのピラーをそれぞれピラーA、ピラーBと名付けると、ピラーAは磁気記憶媒体に近接し、かつ非磁性細線の端部に位置する。またピラーBはピラーAから一定の間隔離れて非磁性細線上に配置される。この配置において、スピン蓄積の原理における強磁性自由層をピラーAが有し、強磁性固定層をピラーBが有することになるので保磁力差をつける為に、ピラーBの方が大きく描画されている。これにより、ピラーAにおける強磁性自由層の体積よりもピラーBにおける強磁性固定層の体積を大きくする。このピラーをイオンミリング装置によって非磁性細線層の直上までミリング処理をし、レジストに被覆された部分が残ってピラー形状に形成した。その後、真空中で、絶縁体保護膜を形成した。こうして第2の障壁層406b、506b、第2の強磁性自由層407b、507b、電極層からなるピラーAと、第1の障壁層406a、506a、第1の強磁性固定層407a、507a、反強磁性層408、508、電極層からなるピラーBが形成される。なお、符号411は上部磁気シールド層、符号413は磁気記録媒体である。次にピラーAの反強磁性層を取り除きそれぞれのピラーに電極層を形成する工程を説明する。レジストをリフトオフした後、真空中で表面をミリング処理によって洗浄し、電極層を成膜する。電極層の上にレジストを塗装後、ピラーAと同一の形状にレジストが剥離されるパターンをリソグラフィーフォトリソグラフィー、I線ステッパ、電子線リソグラフィー等によって描画する。その後、イオンミリング装置によって、ミリング処理を施し、ピラーAの電極層、反強磁性層を取り除き、真空中で電極層をピラーAに成膜した。ピラー表面を洗浄後、第2の電極部509と第1の電極部510の形状をしたパターンをリソグラフィーフォトリソグラフィー、I線ステッパ、電子線リソグラフィー等によって描画する。その後、イオンミリング装置によって、ミリング処理を施し電極部509と510を形成した。電極部509は信号を引き出す為の引出線を形成する。レジストをリフトオフした後、第2の電極部509と第1の電極部510を電気的に遮断するために絶縁膜を全面に形成する。レジストを塗装後、第2の電極部509の形状にレジストが剥離するパターンをリソグラフィーフォトリソグラフィー、I線ステッパ、電子線リソグラフィー等によって描画した。イオンミリング装置によって第2の電極部509の形状に絶縁膜を取り除き、その後、電極層と上部磁気シールド層を成膜した。リソグラフィー法によって上部磁気シールド511の形状に描画し、イオンミリング装置によってミリング処理を施し上部磁気シールド511が形成された。なお、符号501は下部磁気シールド層、符号502は第1のバッファ層、符号503は第2のバッファ層、符号504は絶縁体下地層である。磁気記録媒体からの漏洩磁場の検出方法について説明する。磁気記録媒体512と反対側の非磁性細線部505の端点と上部磁気シールド511との間にピラーBを介して形成される回路に電流を流すと、磁気記録媒体512の漏洩磁場と強磁性自由層507bの磁化の向きとの相対角に応じて、下部磁気シールドと電極509の間の電圧変化が生じる。その電圧変化を信号として処理することで磁気記録媒体に書きこまれている情報を読み出す。本実施例において、絶縁体下地層非磁性層絶縁体障壁層強磁性層のすべての層の格子定数の不整合を3以下とすることができた。こうすることによって、非磁性層の平坦性と結晶性を良くすることができるのでスピン拡散長を長くすることができ、絶縁体障壁層の結晶性を良くすることができるので、強磁性層から絶縁体層を介して非磁性層にスピン注入する際のスピン注入効率を高めることができる。本実施例による素子を評価した結果、従来の構造と比べて出力信号が2倍程向上した。これにより、Tbit/inch2級の記録密度に対応した再生ヘッドを実現することができる。実施例3では、非磁性層にAgを用いたが、V、Mg、Pd、Rhを用いてもMgO上にエピタキシャルに成長するため同様の効果が得られる。特に格子定数の不整合が3以下であるAg、V、Mgを用いることが望ましい。また障壁層としては、MgO、MgZnO、Fe2VAl、MgAl2O4、Geを用いることができ、絶縁体下地層の構造により、岩塩構造、フルホイスラ構造、スピネル構造のいずれかをとる。強磁性層に、CoFe、Fe、Ni、NiFe、CoFeBの少なくとも1種を用いても良い。以上、本実施例によれば、実施例2と同様の効果が得られる。また、強磁性固定層の上部に反強磁性層を配置することにより、平行、反平行時の抵抗変化を大きくできる。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。