1応力緩和層を第1電極が形成された半導体ウェハの表面に形成する工程、2前記応力緩和層の一部を除去した開口部を形成し、前記半導体ウェハ表面の第1電極を露出させる工程、3前記第1電極と接続し、前記開口部を充填するポスト部を形成する工程、4外部電極と前記ポスト部を接続するための再配線層を前記応力緩和層の表面に形成する工程、5前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、6前記再配線保護層の一部を除去して、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、7前記第2電極表面に前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。ポスト部の形成方法が、無電解めっき法、メタルジェット法、スクリーン印刷法から選択される請求項1記載の半導体装置の製造方法。ポスト部が、めっき銅、銅合金、はんだ、銀ペーストから選択される材料で形成される請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。前述したように、従来、応力緩和層を有するウェハレベルCSPは、図1~図10に示す工程で製造される。従来の製造工程では、図4に示すように、応力緩和層20の上に再配線層13を形成するために、レジスト40を形成する。応力緩和層20の膜厚が厚く20μm以上になると、レジスト40をパターニングする際、応力緩和層20の開口部31に除去できなかったレジスト40が残存する図11。開口部31にレジスト40が残存すると、開口部31に再配線を形成できず、第1電極30と外部電極17との間で接続不良が発生する問題がある。本発明は、膜厚の厚い応力緩和層を有するウェハレベルCSPにおいて、第1電極30と外部電極17との接続不良が発生しにくい製造方法を提供することを目的とする。本発明は以下の通りである。1応力緩和層を第1電極が形成された半導体ウェハの表面に形成する工程、2前記応力緩和層の一部を除去した開口部を形成し、前記半導体ウェハ表面の第1電極を露出させる工程、3前記第1電極と接続し、前記開口部を充填するポスト部を形成する工程、4外部電極と前記ポスト部を接続するための再配線層を前記応力緩和層の表面に形成する工程、5前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、6前記再配線保護層の一部を除去して、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、7前記第2電極表面に前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。また、本発明の半導体装置の製造方法において、ポスト部は、無電解めっき法、メタルジェット法、スクリーン印刷法から選択される方法により形成されることが好ましい。更に、ポスト部は、めっき銅、銅合金、はんだ、銀ペーストから選択される材料で形成されることが好ましい。本発明では、応力緩和層の開口部にレジストが残存することが無いため、再配線の形成不良が発生しにくい。また、開口部に無電解めっきによって金属ポストを形成することによって、第1電極と外部電極との接続が良好なウェハレベルCSPの製造方法を提供することができる。以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図12~図22は、本発明による半導体装置ウェハレベルCSPの製造方法である。図22はウェハレベルCSPの部分断面図である。図12に、前工程が完了した半導体ウェハ10の部分断面図を示す。半導体ウェハ10には半導体集積回路図示せずがあらかじめ形成されている。第1電極30は、半導体集積回路を外部と電気的に接続するための電極である。この第1電極30は、半導体ウェハ10の表面に複数個形成されている。パッシベーション層11は、半導体集積回路を保護するための膜で、半導体ウェハ10の全面に形成されている。第1電極30を介して外部と電気的接続を行うために、パッシベーション層11の一部が開口されている。パッシベーション層11は、SiNなどの無機膜で成膜されるが、これに限るものではない。例えば、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールのような有機膜でもよい。また、無機膜の表面に有機膜を形成した構造であってもよい。図13に、半導体ウェハ10の表面に応力緩和層20を形成した後の構造を示す。応力緩和層20としては、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エポキシ樹脂などが望ましい。スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによって半導体ウェハ10の全面に塗布乾燥して応力緩和層20を形成する。また、応力緩和層20は、例えばメタルマスクを用いて樹脂を印刷して形成してもよい。このとき、応力緩和層20を厚くするために複数回印刷を繰り返してもよい。このようにして形成された応力緩和層20の厚さは、通常、20μm~200μmである。この応力緩和層20が、ウェハレベルCSPに加わる熱機械的応力からウェハレベルCSPを保護する。応力を緩和するためには、応力緩和層20が低弾性率であることが好ましい。よって、応力緩和層20の弾性率は、通常、0.2~3GPaである。また、応力緩和層20には、フォトリソグラフィ技術によってパターニングして、第1電極30が露出するように開口部31が設けてある。応力緩和層20の開口部形成法としては、レーザーにより第1電極30が露出する状態まで加工してもよい。図14に、応力緩和層20の開口部31にポスト部18を形成した後の構造を示す。ポスト部18は無電解めっき法、メタルジェット法、スクリーン印刷法のいずれかの方法によって形成されることが好ましい。ポスト部18の構成材料としては、無電解めっき法の場合は、めっき金属としては、銅、銅合金、はんだなどを用いることができる。メタルジェット法の場合は、はんだ、無鉛はんだ、その他の低融点合金などを用いることができる。スクリーン印刷法の場合は、はんだペースト、銀ペーストなどを用いることができる。図15に、応力緩和層20の表面にめっき用のシード層12を形成した後の構造を示す。蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによってシード層12を形成する。シード層12は、応力緩和層20と再配線層13との密着性を確保するために密着層となる下層と、再配線層13を形成するときに給電層となる上層とから構成される。密着層としては、例えば、クロム、チタン、チタン-タングステン合金などの金属が用いられ、その厚さは、通常、10~3000nm程度である。給電層としては、例えば、銅、クロム、チタン、チタン-タングステン合金などの金属が用いられ、その厚さは100~3000nm程度である。図16に、シード層12の表面にめっき用のレジスト40を形成した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によってレジスト40をパターニングする。このレジスト40の厚さを、次の工程で成長させるめっき再配線層13の厚さよりも厚くすることが好ましい。また、応力緩和層20の開口部31は、ポスト部18によって充填されているため、従来問題であった開口部31へのレジスト40残りが発生することが無い。図17に、シード層12の表面に再配線層13をめっきした後の構造を示す。めっきの方法としては、電解めっき及び無電解めっきの両方式を利用することができる。めっき金属としては銅、銅合金などが用いられる。再配線層13の厚さは、通常、1μm~10μm程度である。図18に、めっき用のレジスト40を除去した後の構造を示す。レジスト40を溶解することができるはく離液でレジスト40を除去する。図19に、再配線層13をめっきした部分以外のシード層12を除去した後の構造を示す。不要な領域のシード層12を除去するためには、エッチング液を用いる方法以外に、プラズマを用いる方法も利用できる。図20に、再配線層13の表面に再配線保護層21を形成した後の構造を示す。再配線保護層21としては、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エポキシ樹脂などが望ましい。スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによって半導体ウェハ10の全面に塗布乾燥して再配線保護層21を形成する。また、再配線保護層21は、例えばメタルマスクを用いて樹脂を印刷して形成してもよい。このようにして形成された再配線保護層21の厚さは、通常、2μm~20μmである。また、再配線保護層21には、フォトリソグラフィ技術によって、第2電極33が露出するように開口部32が設けてある。あるいは、再配線保護層21の開口部形成法としては、レーザーにより第2電極33が露出する状態まで加工してもよい。図21に、第2電極33及び再配線保護層21の表面にバリア層14を形成した後の構造を示す。蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによってバリア層14を形成する。バリア層14は、再配線層13と外部電極17との拡散を防ぐとともに、再配線層13と外部電極17との密着を強化する。バリア層14としては、例えば、チタン-銅、チタン-タングステン合金、クロム-銅などの金属が用いられる。バリア層14の厚さは、通常、0.1μm~1μm程度である。図22に、バリア層14の表面に外部電極17を形成した後の構造を示す。外部電極17の例として、はんだ、銅ポストなどが挙げられる。外部電極17は、めっき法、スクリーン印刷法、ボール配置法、メタルジェット法などによって形成することができる。最後に、図12~図22に図示した工程を経た半導体ウェハ10を切断することによって、半導体装置ウェハレベルCSPが作製される。