第1導電型の半導体基板と、第2導電型のエミッタ層と、前記半導体基板と前記エミッタ層との間に位置する第1導電型の導電層と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極と、を少なくとも有する太陽電池であって、前記導電層は、前記半導体基板よりも抵抗率が低く、前記半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜であることを特徴とする太陽電池。前記導電層のドーパント濃度が、1×1017~1×1020/cm3である請求項1記載の太陽電池。前記導電層の厚みが、0.01~2μmである請求項1または請求項2記載の太陽電池。前記第1導電型および前記第2導電型が、それぞれn型およびp型であり、前記エミッタ層のドーパントがホウ素Bであり、前記導電層のドーパントがリンPである請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池。第1導電型の半導体基板の受光面に、当該半導体基板よりも抵抗率が低く、当該半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜である第1導電型の導電層を形成する工程と、前記導電層および導電層が被覆していない前記半導体基板の受光面にエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極を形成する工程と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極を形成する工程と、を少なくとも含む太陽電池の製造方法であって、前記エミッタ層は、エピタキシャル成長により形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。第1導電型の半導体基板の受光面に、当該半導体基板よりも抵抗率が低く、当該半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜である第1導電型の導電層を形成する工程と、前記導電層および導電層が被覆していない前記半導体基板の受光面にエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極を形成する工程と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極を形成する工程と、を少なくとも含む太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の受光面に、ホウ素化合物およびリン化合物を同時に気層拡散させて、前記導電層および前記エミッタ層を同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。第1導電型の半導体基板の受光面に、当該半導体基板よりも抵抗率が低く、当該半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜である第1導電型の導電層を形成する工程と、前記導電層および導電層が被覆していない前記半導体基板の受光面にエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極を形成する工程と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極を形成する工程と、を少なくとも含む太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の受光面に、ホウ素化合物を含む材料およびリン化合物を含む材料を塗布し、当該ホウ素化合物および当該リン化合物を同時に熱拡散させて、前記導電層および前記エミッタ層を同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。しかしながら、セル化工程に生産性の非常に悪いイオンインプラ法を用いることや、pn接合しない領域にマスク処理をする工程が必要であることにより、セル化工程が高コストとなってしまい現実的でない。さらには、電流バイパス用のpn接合領域は点在しているため、セルをバイパスダイオードとしてみなした場合の飽和抵抗は、バイパスダイオードを内蔵しないセルと比べて必然的に大きくなる。従って、ひとたびこのバイパスダイオードが動作しても、このバイパスダイオードでの電力消費が発生してしまい、場合によっては、この消費電力により発熱や発火が生じる恐れもある。また、pn接合領域がツエナーダイオードとして電流のバイパスを安定的に確保するためには、pn接合領域のp領域にある程度の断面積が必要となる。そのため、pn接合領域を点在させた場合には、この安定性を確保するためにある程度の膜厚がp領域に必要となるところ、本発明者は、このp領域の膜厚により入射光が吸収されてしまい、基板まで到達する入射光の強度が弱くなってしまうことを見出した。すなわち、p領域に照射された入射光は、基板まで到達した光しか電力に変換されないため、結果としてバイパスダイオードを内蔵させると、セルそのものの発電効率を低下させてしまう。本発明は、太陽電池モジュールにおける入射光強度の偏りによる発電量の低下といった問題点を、より安価かつ簡便に解決しようとするものであり、入射光強度が偏った場合に生じる発電効率の低下を、最大限抑制することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明者は、セル内に電流のバイパス機能を内蔵させても、入射光強度を低下させることなく効率的に電力へ変換することが可能であり、セルそのものの発電効率が低下しない太陽電池について、鋭意検討を行った。電流をバイパスさせる手段としてツエナーダイオードを採用し、断面積が与える電流バイパスの安定性と、膜厚が与える入射光強度への影響に着目した。その結果、基板と同じ導電型であり、かつ基板よりも抵抗率が低い薄膜状の導電層が、基板の受光面の大部分を被覆するように、基板とエミッタ層との間に位置する構成をとれば、導電層が薄膜状であることにより入射光強度を低下させることがなく、かつ導電層が基板の受光面の大部分を被覆することにより、薄膜状であっても安定して電流をバイパスできる断面積を確保できることを見出し、本発明を想到するに至った。すなわち、本発明は、第1導電型の半導体基板と、第2導電型のエミッタ層と、前記半導体基板と前記エミッタ層との間に位置する第1導電型の導電層と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極と、を少なくとも有する太陽電池であって、前記導電層は、前記半導体基板よりも抵抗率が低く、前記半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜であることを特徴とする太陽電池、である。また、本発明は、第1導電型の半導体基板の受光面に、当該半導体基板よりも抵抗率が低く、当該半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜である第1導電型の導電層を形成する工程と、前記導電層および導電層が被覆していない前記半導体基板の受光面にエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極を形成する工程と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極を形成する工程と、を少なくとも含む太陽電池の製造方法であって、前記エミッタ層は、エピタキシャル成長により形成することを特徴とする太陽電池の製造方法、である。本発明は、第1導電型の半導体基板の受光面に、当該半導体基板よりも抵抗率が低く、当該半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜である第1導電型の導電層を形成する工程と、前記導電層および導電層が被覆していない前記半導体基板の受光面にエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極を形成する工程と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極を形成する工程と、を少なくとも含む太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の受光面に、ホウ素化合物およびリン化合物を同時に気層拡散させて、前記導電層および前記エミッタ層を同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法、である。本発明は、第1導電型の半導体基板の受光面に、当該半導体基板よりも抵抗率が低く、当該半導体基板の受光面の80以上を被覆し、入射光を透過する薄膜である第1導電型の導電層を形成する工程と、前記導電層および導電層が被覆していない前記半導体基板の受光面にエミッタ層を形成する工程と、前記エミッタ層と電気的に接続する受光面フィンガー電極を形成する工程と、前記半導体基板と電気的に接続する裏面フィンガー電極を形成する工程と、を少なくとも含む太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の受光面に、ホウ素化合物を含む材料およびリン化合物を含む材料を塗布し、当該ホウ素化合物および当該リン化合物を同時に熱拡散させて、前記導電層および前記エミッタ層を同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法、である。本発明の太陽電池によれば、入射光強度が偏った場合に生じる発電効率の低下を、大幅に抑制することができる。また、本発明の太陽電池の製造方法によれば、太陽電池の発電性能を損なうことのない電流バイパス機能を、個々のセルに簡便に内蔵することが可能となる。以下、本発明について説明する。本発明にかかる太陽電池は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の受光面側に設けられた第2導電型のエミッタ層との間に、第1導電型の導電層を有する。第1導電型はP型又はN型を意味し、第2導電型は第1導電型と反対導電型のN型又はP型を意味する。例えば、第1導電型がn型の場合は、第2導電型はP型となる。そして、本発明は、前記導電層の抵抗率が半導体基板の抵抗率よりも低く、かつ、前記導電層が半導体基板の受光面の80以上を被覆する入射光を透過する薄膜であることを特徴とする。抵抗率が低いことにより、入射光強度が低下した際に、エミッタ層と導電層の接合が電流をバイパスするツエナーダイオードとしての機能を発揮することができる。また、半導体基板の受光面の80以上を被覆することにより、薄膜であっても安定して電流をバイパスできる断面積を確保できる。さらに、入射光を透過する薄膜であれば、入射光強度が低下することがなく、太陽電池の発電性能が損なわれることがない。前記導電層のドーパント濃度は、1×1017/cm3~1×1020/cm3であることが好ましい。濃度が1×1017/cm3より低いと、ツエナーダイオードとしたときの動作電圧が高くなりすぎるからであり、また、1×1020/cm3より高いと、基板の結晶格子の歪が大きくなり、光電変換効率が低下してしまうからである。上記範囲内のドーパント濃度であれば、動作電圧や光電変換効率の問題が生じることがない。前記導電層の厚みは、0.01μm~2μmであることが好ましい。0.01μmより薄いと、十分に断面積を確保することができず、電流をバイパスするツエナーダイオードとしての安定性が損なわれるからである。また、2μmより厚いと、導電層による入射光の吸収量が大きくなりすぎて、発電性能を損なうおそれがあるからである。電流をバイパスする機能と発電性能を考慮すると、導電層の厚みが0.1μm~1μmであることが、より好ましい。前記第1導電型および前記第2導電型が、それぞれn型およびp型であり、前記エミッタ層のドーパントがホウ素Bであり、前記導電層のドーパントがリンPであることが好ましい。それは、他のドーパントに比べ安価であること、環境汚染への影響度が小さい、等の理由からである。図1は、上記で説明した本発明の太陽電池セル100の概観を示すものである。受光面の集電電極として、受光面フィンガー電極101と呼ばれる数百μm~数十μm幅の電極を多数有し、また、太陽電池セルを連結するための集電電極として受光面バスバー電極102を数本有する。図2は、本発明の一例の太陽電池セル100の断面構造を示すものであり、図1のAAで示す部分の断面構造である。受光面のエミッタ層p層103とn型基板104の間に、基板の略全面に渡って薄膜状の導電層n層105を有する。裏面の電界層n層106や裏面のパッシベーション膜107は必ずしも必要ではないが、高い光電変換効率を得るためには備えている方が好ましい。図3は、本発明の太陽電池セルを直列に接続して加工した太陽電池モジュール300の概観を示すものである。太陽電池セル100は、太陽電池モジュール内でタイル状に敷き詰められた構造をなし、基板の受光面に光が照射された場合にのみ発電する。太陽電池セル内に電流のバイパス機能を内蔵させていることから、従来の太陽電池モジュール図7とは異なり、外付けのバイパスダイオードを備える必要はない。図4は、太陽電池セルを直列接続した太陽電池モジュール300の断面模式図である。外付けのバイパスダイオードを備える必要はなく、各太陽電池セルの受光面バスバー電極102と裏面バスバー電極304とを、リボン線301で接続して、直列回路を形成すればよい。なお、基板の導電型がn型の場合は、受光面バスバー電極が正電極、裏面バスバー電極が負電極であり、基板の導電型がp型の場合はこの逆となる。次に、本発明にかかる太陽電池の製造方法について説明する。半導体基板は、例えばCZ法やFZ法といった方法によって作製された単結晶シリコン基板や、多結晶シリコン基板を用いることができる。そして、導電層は、例えば、オキシ塩化リンを用いた気相拡散法により形成する方法や、五塩化リン、オキシ塩化リンPOCl3、ホスフィンPH3等のリン化合物を拡散源とする塗布剤を半導体基板表面に刷毛で塗ったり、インクジェット、スクリーン印刷したり、スピン塗布したりしてから熱処理する方法を用いることができる。導電層は、受光面側だけでなく、半導体基板の裏面側にあってもよい。裏面側の導電層は裏面電界層BSFとして働き、光電変換効率を上昇させる効果をもたらすことができる。本発明の製造方法は、導電層を形成後、表面にできたガラスをふっ酸などで除去した導電層表面にエミッタ層をエピタキシャル成長により形成することを特徴とする。具体的なエピタキシャル成長方法としては、導電層形成後の半導体基板を真空チャンバーに入れ900°C~1200°Cに加熱し、SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4等のいずれかとH2を反応ガスとし、B2H6、BCl3、BBr3等をドーパントガスとして反応させ、厚さ0.1μm~1μm程度のエミッタ層を形成する方法が挙げられる。シート抵抗としては25Ω~300Ω程度が好ましい。また、本発明の製造方法としては、半導体基板の受光面に、ホウ素化合物およびリン化合物を同時に気相拡散させて、導電層およびエミッタ層を同時に形成することができる。ホウ素化合物としては、三塩化ホウ素、ボラン類BH3、B2H6、BHCl2、BOEt3およびBOMe3等を用いることができる。具体的には、テクスチャ形成および洗浄済みの半導体基板を、900°C~1100°C程度の熱処理炉に入れ、キャリアガスとしてN2、Ar等を用いて、三塩化ホウ素、ボラン類BH3、B2H6、BHCl2、BOEt3、BOMe3等のホウ素化合物と、五塩化リン、オキシ塩化リンPOCl3、ホスフィンPH3等のリン化合物を、混合して炉内に導入し、5分~60分程度加熱条件下で気層拡散させる方法である。リン化合物はホウ素化合物より拡散係数が大きいため、半導体基板のより深くまで浸透するので、導電層は半導体基板とエミッタ層との間に形成されることとなる。リン化合物とホウ素化合物の拡散係数の違いに着目し、キャリアガス量や、拡散源の温度などを制御して、さらにリン化合物に対してホウ素化合物の導入量を多くすることで、表面近傍にエミッタ層、この直下に導電層を一度に形成することができる。また、片面のみにエミッタ層を形成するために、半導体基板の裏面同士を2枚重ね合わせた状態で拡散したり、拡散前に半導体基板の裏面にSiO2膜やSiNx膜などを拡散マスクとして形成して、裏面にPN接合ができないような工夫を施しておいてもよい。また、本発明の製造方法としては、半導体基板の受光面に、ホウ素化合物を含む材料およびリン化合物を含む材料を塗布し、ホウ素化合物およびリン化合物を同時に熱拡散させて、導電層およびエミッタ層を同時に形成することができる。具体的には、テクスチャ形成および洗浄済みの半導体基板に、ホウ素化合物とリン化合物を含む塗布剤を刷毛で塗ったり、インクジェット、スクリーン印刷したり、スピン塗布したりする等の方法で塗布した後、塗布基板を900°C~1100°Cで5分~60分間熱処理して、導電層およびエミッタ層を形成する方法である。前記気層拡散法の場合と同様に、リン化合物とホウ素化合物の拡散係数の違いにより、導電層は半導体基板とエミッタ層との間に形成されることとなる。ホウ素化合物塗布剤とリン化合物塗布剤の塗布順序は、どちらが先でもよく、多層塗布としてもかまわないし、予めこれら塗布剤を混合しておいてから塗布してもよい。この方法は、気相拡散法とは異なり、半導体基板の片面のみ選択的に拡散層を形成することができる。図5に示すフロー図を用いて、本発明にかかる太陽電池の製造方法の一例を以下に述べる。ただし、本発明はこの方法で作製された太陽電池に限られるものではない。高純度シリコン基板にP、AsあるいはSbのようなV族元素をドープし、比抵抗0.1Ωcm~5Ωcmとしたアズカット単結晶{100}n型シリコン基板表面のスライスダメージを、濃度5~60の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ、もしくは、ふっ酸と硝酸の混酸などを用いてエッチングする。引き続き、基板表面にテクスチャと呼ばれる微小な凹凸形成を行う。テクスチャは太陽電池の反射率を低下させるための有効な方法である。テクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどのアルカリ溶液濃度1~10、温度60°C~100°C中に10分から30分程度浸漬することで作製される。上記溶液中に、所定量の2-プロパノールを溶解させ、反応を促進させることが多い。テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、ふっ酸等、もしくはこれらの混合液の酸性水溶液中で洗浄する。経済的及び効率的見地から、塩酸中での洗浄が好ましい。清浄度を向上するため、塩酸溶液中に、0.5~5の過酸化水素を混合させ、60°C~90°Cに加温して洗浄してもよい。このようにして準備した基板104図5aに対し、導電層105およびエミッタ層103を形成する図5b、c。なお、導電層およびエミッタ層の形成方法は、上記したとおりである。導電層はまた、ゲッタリング層としても機能するし、光電変換効率の向上にも寄与する。すなわち、上記拡散工程などの熱処理工程で生じるライフタイム低下を緩和する役割も果たす。導電層は、受光面側だけでなく、半導体基板の裏面側にも裏面電解層106として形成することができる図5b。裏面側の導電層は裏面電界層BSFとして働き、光電変換効率を上昇させる効果をもたらすことができる。導電層とエミッタ層を形成後、受光面の反射防止膜108の形成を行う図5d。製膜にはプラズマCVD装置などを用いSiNx膜を約100nm製膜する。反応ガスとして、モノシランSiH4およびアンモニアNH3を混合して用いることが多いが、NH3の代わりに窒素を用いることも可能であり、また、プロセス圧力の調整、反応ガスの希釈、さらには、基板に多結晶シリコンを用いた場合には基板のバルクパッシベーション効果を促進するため、反応ガスに水素を混合することもある。CVDの反応ガスの励起方法としては、前述のプラズマによるもののほか、熱CVDや光CVDなどを用いてもよい。また、反射防止膜の形成と同様の条件で、裏面にもSiNx膜を形成し、裏面パッシベーション膜107としてもよい図5d。次いで、裏面フィンガー電極109および受光面フィンガー電極101を形成する図5e。形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、印刷法などがある。経済的観点から、インクジェットやスクリーン印刷などの印刷法を用いるのが好ましい。基板裏面ならびに受光面に、Agなどの金属微粒子を有機溶媒中に分散させた導電性ペーストを電極パターン状に印刷し乾燥する。受光面電極は図1に示すような櫛歯型をとることが多い。裏面電極は基板全面を覆ってもよいし、受光面と同じ櫛歯型としてもよいし、格子状など様々な形態が可能である。これらの印刷の後、600°C~900°C程度の熱処理により、Agの焼結ならびに、SiNx膜に銀粉末を貫通ファイアースルーさせ電極とシリコンを導通させる。なお、裏面電極および受光面電極の焼成は別々に行ってもよいし、一度に行うことも可能である。以下、本発明を実施例及び比較例に基づき説明するが、本発明は実施例及び比較例に限定されるものではない。本発明の有効性を確認するため、導電層を形成後にエミッタ層をエピタキシャル成長により形成する方法実施例1と、オキシ塩化リンPOCl3と三臭化ホウ素BBr3の混合ガスを気層拡散して導電層とエミッタ層を同時に形成する方法実施例2により、太陽電池セル作製を行い、該セルを直列接続し、太陽電池モジュールとして性能評価を行った。比較例として、三臭化ホウ素BBr3ガスのみで気層拡散を行い、導電層を形成せずにエミッタ層のみを形成する方法により作製した太陽電池セル比較例1も、直列接続して太陽電池モジュールとして性能評価した。100×100mm2、厚さ250μm、比抵抗1Ωcmの、リンドープ{100}n型アズカットシリコン基板60枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2-プロパノール水溶液中に浸漬しテクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。続いて、以下の方法で導電層およびエミッタ層の形成を行った。実施例1上記基板20枚に対し、オキシ塩化リンガス雰囲気下、870°Cで40分間熱処理して気層拡散により導電層のみの形成を行った。導電層のドーパント濃度は1×1018/cm3で、導電層の厚みは1μmであり、シート抵抗は約31Ωとなった。裏面へのまわりこみ防止措置はとらなかったため、裏面にも厚み1μmの導電層が形成された。気層拡散後、ふっ酸にてガラスを除去し、洗浄、乾燥させた。次に、これらの基板を真空チャンバーに入れ、基板温度を1000°Cまで加熱し、SiH2Cl2、H2およびB2H6の混合ガス雰囲気中で20分間処理し、エピタキシャル成長により受光面にのみエミッタ層を形成した。シート抵抗は約34Ωとなった。実施例2テクスチャ形成済みの上記基板20枚に対し、三臭化ホウ素およびオキシ塩化リン混合ガス雰囲気下、980°Cで40分間熱処理して気層拡散を行い、導電層とエミッタ層を同時に形成した。裏面への三臭化ホウ素およびオキシ塩化リンのまわりこみを防止するため、基板の裏面を背中合わせで2枚重ねた状態で熱処理を行った。三臭化ホウ素のキャリアガス流量は毎分200ml、オキシ塩化リンのキャリアガス流量を毎分25mlとした。導電層のドーパント濃度は1×1018/cm3で、導電層の厚みは1μmであり、受光面のシート抵抗は約38Ωとなった。拡散後、ふっ酸にてガラスを除去し、洗浄、乾燥させた。比較例1テクスチャ形成済みの上記基板20枚に対し、三臭化ホウ素ガス雰囲気下、980°Cで40分間熱処理して気層拡散を行い、エミッタ層を形成した。裏面への三臭化ホウ素のまわりこみを防止するため、実施例2と同様に基板の裏面を背中合わせで2枚重ねた状態で、熱処理を行った。三臭化ホウ素のキャリアガス流量は毎分200mlとした。受光面のシート抵抗は約32Ωとなった。拡散後、ふっ酸にてガラスを除去し、洗浄、乾燥させた。以上の処理の後、プラズマCVD装置を用いてSiNx膜を受光面反射防止膜として全試料に対し形成した。SiNx膜の屈折率は約2.1、膜厚は95nmとした。裏面のパッシベーション膜として、同様の条件で裏面にもSiNx膜を形成した。次に、全試料に対し、裏面ならびに受光面に櫛歯状のパターンでAgペーストをスクリーン印刷し、乾燥した。Agペーストは、数nm~数十nmのAg微粒子を有機溶媒中に分散させたものである。この後、750°C空気雰囲気中で10秒程度熱処理し、Agを焼結させて裏面フィンガー電極および受光面フィンガー電極を形成し、太陽電池を完成させた。山下電装社製ソーラーシミュレータを用いてAM1.5スペクトル、照射強度100mW/cm2、25°Cの条件下で、作製されたセル各20枚の太陽電池特性を測定した。得られた結果の平均値を表1に示す。実施例1、2は共に、比較例1と同等の最大出力を示し、発電特性は十分であった。この結果から、実施例1、2におけるエミッタ層と半導体基板との間に設けた導電層は、入射光を阻害せず、発電特性に影響を与えないことを確認した。次に、電流をバイパスする効果を確認するため、実施例1、2および比較例1の各セル毎に、セル10枚を直列に接続した。具体的には、受光面バスバー電極と隣接するセルの裏面バスバー電極とを、リボン線にてはんだ付けし、10枚直列のストリングを形成した。屋外の太陽光下で3つのストリングを同一ステージ上に並べ、それぞれの太陽電池特性を計測した。標準セルを用いて入射光強度を同時に計測したところ、約120mW/cm2であった。このとき、セル10枚分の最大出力は、実施例1、2および比較例1の各ストリングとも22~23Wと、ほぼ同一の出力を示し、妥当な結果を得た。次に、各ストリングのセル1枚に、受光面を完全に覆うように暗幕をかぶせ、擬似的に陰をつくって1枚のセルのみに太陽光が入射しないようにし、太陽電池特性を計測した。結果を表2に示す。実施例1ならびに実施例2は、セル10枚分の最大出力22~23Wの、約90の出力量に相当する約20Wの最大出力を示した。この結果から、陰となって太陽光が入射されなかったセルは、他のセルにとって負荷となることなく電流を完全にバイパスしたことは明らかであり、太陽光が入射された9枚のセルの最大出力を、ストリングそのものの出力とすることが、可能となった。一方で、比較例1は、陰となったセルが他のセルの負荷となってしまい、ストリング全体として全く発電せず、測定そのものができなかった。