"曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている硬度の高い半導体ウエハーを、前記スクライブラインに沿ってダイシングする半導体ウエハーのダイシング方法であって、前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工された半導体ウエハーを準備する半導体ウエハー準備工程と、前記角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うダイシング工程と、をこの順序で含むことを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項1に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記角部は、前記周縁部が平滑な傾斜面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項1に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記角部は、前記周縁部の断面形状がL字形状となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項1に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記角部は、前記周縁部の端面が垂直面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法請求項1~4のいずれかに記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部の全周に渡って形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項1~4のいずれかに記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみに形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項1~4のいずれかに記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちの前記各スクライブラインに対応する領域のみに形成されていることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項1~7のいずれかに記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記半導体ウエハーは、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項8に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、炭化珪素半導体ウエハーであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項8に記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、窒化ガリウム半導体ウエハーであることを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。請求項1~10のいずれかに記載の半導体ウエハーのダイシング方法において、前記ダイシング工程は、前記ダイシングブレードを上方から垂直方向に下降させて前記半導体ウエハーの前記角部に切り込みを入れる動作を行いながら、前記半導体ウエハーを水平方向に移動させるようにしてダイシングを行うことを特徴とする半導体ウエハーのダイシング方法。曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている硬度の高い半導体ウエハーであって、前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工されていることを特徴とする半導体ウエハー。図8に示すような半導体ウエハーのダイシング方法は、高硬度の半導体ウエハー以下、炭化珪素を半導体材料として用いた炭化珪素半導体ウエハーを例にとって説明する。をダイシングする場合においては、炭化珪素半導体ウエハーをそのままダイシングブレード920でダイシングしようとすると、ダイシングブレード920が曲面状の面取り部910に当接したときに、ダイシングブレード920が面取り部上で左右方向に滑ってしまい、ダイシングブレード920が炭化珪素半導体ウエハーに容易には食い込んで行かなくなる。その結果、炭化珪素半導体ウエハーの破片が飛び散って、飛び散った破片によりダイシングブレードが破損するといった不具合が生じる場合もある。これに対処するために、例えば、特許文献1に記載された半導体ウエハーのダイシング方法、すなわち、ダイシングテープを半導体ウエハーの両面に貼付した状態でダイシングを行うという方法を採用し、ダイシングテープを曲面状の面取り部に貼付することが考えられる。しかしながら、たとえ、ダイシングテープを曲面状の面取り部に貼付したとしても、ダイシングブレード920が、ダイシングテープを添付した面取り部910に当接したときに、面取り部が曲面状である限り、ダイシングテープ上でダイシングブレード920が左右方向に滑ってしまう可能性が高い。このため、ダイシングブレード920が炭化珪素半導体ウエハーに容易には食い込まず、結果として、炭化珪素ウエハーの破片が飛び散って、飛び散った破片によりダイシングブレードが破損してしまうといった不具合が生じるおそれがある。このように、硬度の半導体ウエハーの周縁部が曲面状の面取り部となるように加工してあると円滑なダイシングが行えないという課題がある。そこで、本発明は、硬度の高い半導体ウエハーを円滑にダイシング可能とする半導体ウエハーのダイシング方法および半導体ウエハーを提供することを目的とする。[1]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法は、曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている硬度の高い半導体ウエハーを、前記スクライブラインに沿ってダイシングする半導体ウエハーのダイシング方法であって、前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工された半導体ウエハーを準備する半導体ウエハー準備工程と、前記角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とする。[2]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記周縁部が平滑な傾斜面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることが好ましい。[3]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記周縁部の断面形状がL字形状となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることもまた好ましい。[4]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記周縁部の端面が垂直面となるように前記面取り部を加工することによって形成されたものであることもまた好ましい。[5]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部の全周に渡って形成されていることが好ましい。[6]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみの周縁部のみに形成されていることもまた好ましい。[7]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記角部は、前記半導体ウエハーにおける周縁部のうちの前記各スクライブラインに対応する領域のみに形成されていることもまた好ましい。[8]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記半導体ウエハーは、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーであることが好ましい。[9]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、炭化珪素半導体ウエハーであることが好ましい。[10]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記ワイドバンドギャップ半導体ウエハーは、窒化ガリウム半導体ウエハーであることもまた好ましい。[11]本発明の半導体ウエハーのダイシング方法においては、前記ダイシング工程は、前記ダイシングブレードを上方から垂直方向に下降させて前記半導体ウエハーの前記角部に切り込みを入れる動作を行いながら、前記半導体ウエハーを水平方向に移動させるようにしてダイシングを行う工程を含むことが好ましい。[12]本発明の半導体ウエハーは、曲面状の面取り部を周縁部に有するとともに複数の半導体チップがスクライブラインによって区分されている硬度の高い半導体材料を用いた半導体ウエハーであって、前記周縁部のうちの少なくともダイシングブレードが当接する部分に角部が形成されるように前記面取り部が加工されていることを特徴とする。本発明の半導体ウエハーのダイシング方法によれば、曲面状の面取り部に角部が形成されるように周縁部を加工しておくことにより、ダイシング開始時においては、ダイシングブレードがまずは角部に当接すなわち点接触して当該角部をダイシング開始位置としてダイシングを開始する。これにより、曲面状の面取り部上でダイシングを開始する場合のように、ダイシングブレードが曲面状の面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレードが半導体ウエハーに食い込みやすくなるため、硬度の高い半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。また、本発明の半導体ウエハーによれば、曲面で構成される面取り部に角部が形成されているため、ダイシング開始時においては、ダイシングブレード300がまずは角部に当接すなわち点接触して当該角部をダイシング開始位置としてダイシングを開始するようになる。このため、本発明の半導体ウエハーは、硬度の高い半導体ウエハーであっても、ダイシングを行う際に、ダイシングブレードが面取り部の表面上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレードが半導体ウエハーに食い込みやすくなるため、円滑なダイシングが可能となる。以下、本発明の実施形態について説明する。なお、下記に示す実施形態においては、硬度の高い半導体ウエハーとして、炭化珪素半導体ウエハーを例にとって説明する。[実施形態1]図1は、実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aを説明するために示す図である。図1aは炭化珪素半導体ウエハー100Aを表面側からみた場合の平面図であり、図1bは図1aにおけるa-a線矢視拡大断面図である。実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aは、図1aに示すように、表面111にはx軸方向に複数本6本とする。のスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6が設けられているとともにy軸方向にも複数本6本とする。のスクライブラインLy1,Ly2,,Ly6が設けられている。また、実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aは、図1a及び図1bに示すように、周縁部における上端側に全周に渡って平滑な傾斜面120が形成されている。図1aにおいて灰色で示す領域は傾斜面120を示している。なお、傾斜面120は、炭化珪素半導体ウエハー100Aの周縁部にもともと設けられている面取り部図8参照。を加工することによって形成されるものである。実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aの周縁部をこのように加工することによって、傾斜面120の上部側と下部側とにそれぞれ角部上部側の角部C1及び下部側の角部C2という。が形成される図1b参照。。なお、図1aにおいては、x軸方向に沿ったスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6及びy軸方向に沿ったスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6のうちのスクライブラインLx3,Lx4,Lx5及びスクライブラインLy3,Ly4,Ly5を示す符号Lx3,Lx4,Ly5及びLy3,Lx4,Ly5が省略されている。これは、図3、図5及び図7においても同様である。図2は、実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。なお、炭化珪素半導体ウエハー100Aのダイシングは、一般的な半導体ウエハーのダイシングと同様に、まずは、ダイシングを行う前段階の工程として、炭化珪素半導体ウエハー100Aの裏面112にダイシングテープ200を貼付し、ダイシングテープ200を貼付した炭化珪素半導体ウエハー100Aを、図示しない円環状フレームに取り付けて、円環状フレームに取り付けられた炭化珪素半導体ウエハー100Aを、図示しないダイシング装置のステージに真空吸着させるといった操作を行う。なお、図2においては、円環状フレーム及びダイシング装置などの図示は省略し、ダイシングテープ200を添付した炭化珪素半導体ウエハー100Aとダイシングブレード300との関係のみを示している。このようなダイシングを行う前段階の工程が終了したら、炭化珪素半導体ウエハー100Aを水平方向図2における矢印b方向移動させることによって、ダイシングブレード300によりダイシングを行う。このとき、炭化珪素半導体ウエハー100Aの周縁部には、傾斜面120における上部側の角部C1及び下部側の角部C2が形成されているため、ダイシングブレード300は、まずは、炭化珪素半導体ウエハー100Aの角部図2の例においては下部側の角部C2に当接すなわち点接触し、当該角部C2をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。これにより、実施形態1に係る半導体ウエハーのダイシング方法によれば、曲面で構成される面取り部上でダイシングを開始する場合図8参照。のように、ダイシングブレード300が面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレード300が炭化珪素半導体ウエハー100Aに食い込み易くなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。[実施形態2]図3は、実施形態2に係る炭化珪素半導体ウエハー100Bを説明するために示す図である。図3aは炭化珪素半導体ウエハー100Aを表面側からみた場合の平面図であり、図3bは図3aにおけるa-a線矢視拡大断面図である。実施形態2に係る炭化珪素半導体ウエハー100Bも、実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aと同様に、表面111にはx軸方向に複数本6本とする。のスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6が設けられているとともにy軸方向にも複数本6本とする。のスクライブラインLy1,Ly2,,Ly6が設けられている。また、実施形態2に係る炭化珪素半導体ウエハー100Bは、図3a及び図3bに示すように、周縁部の断面形状がL字形状となるような切り欠き部130が形成されている。図3aにおいて灰色で示す領域は切り欠き部130を示している。この切り欠き部130は、炭化珪素半導体ウエハー100Bの周縁部に設けられている面取り部図8参照。を加工することによって形成されるものである。炭化珪素半導体ウエハー100Bをこのように加工することによって、L字形状の切り欠き部130の垂直方向側端部と水平方向側端部とにそれぞれ角部垂直方向側端部の角部C1及び水平方向側端部の角部C2という。が形成される図3b参照。。図4は、実施形態2に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。なお、実施形態2に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法においても、ダイシングを行う前段階の工程として、実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法と同様の工程を行う。なお、図4においても、円環状フレーム及びダイシング装置などの図示は省略し、ダイシングテープ200を添付した炭化珪素半導体ウエハー100Bとダイシングブレード300との関係のみを示している。そして、ダイシングを行う前段階の工程が終了したら、炭化珪素半導体ウエハー100Bを水平方向図4における矢印b方向移動させることによって、ダイシングブレード300によりダイシングを行う。このとき、炭化珪素半導体ウエハー100Bの周縁部にはL字形状の切り欠き部130における垂直方向側端部の角部C1及び水平方向側端部の角部C2が形成されているため、ダイシングブレード300は、まずは、炭化珪素半導体ウエハー100Bの角部図2の例においては水平方向側端部の角部C2に当接すなわち点接触し、当該角部C2をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。これにより、実施形態2に係る半導体ウエハーのダイシング方法によれば、曲面で構成される面取り部上でダイシングを開始する場合図8参照。のように、ダイシングブレード300が面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレード300が炭化珪素半導体ウエハー100Bに食い込み易くなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。[実施形態3]図5は、実施形態3に係る炭化珪素半導体ウエハー100Cを説明するために示す図である。図5aは炭化珪素半導体ウエハー100Aを表面側からみた場合の平面図であり、図5bは図5aにおけるa-a線矢視拡大断面図である。実施形態3に係る炭化珪素半導体ウエハー100Cも実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aと同様に、表面111にはx軸方向に複数本6本とする。のスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6が設けられているとともにy軸方向にも複数本6本とする。のスクライブラインLy1,Ly2,,Ly6が設けられている。また、実施形態3に係る炭化珪素半導体ウエハー100Cは、図5a及び図5bに示すように、周縁部には垂直面140が形成されている。この垂直面140は、炭化珪素半導体ウエハー100Aの周縁部に設けられている面取り部図8参照。を加工することによって形成されるものである。なお、垂直面140と炭化珪素半導体ウエハー100Cの表面111とのなす角度及び垂直面140と炭化珪素半導体ウエハー100Cの裏面112とのなす角度は、実施形態3に係る炭化珪素半導体ウエハー100Cにおいては、それぞれ直角としている。炭化珪素半導体ウエハーをこのように加工することによって、炭化珪素半導体ウエハーにおける上端面側には全周に渡って直角の角部C1上部側の角部C1という。が形成されるとともに下端面側にも直角の角部C2下部側の角部C2という。が形成される図5b参照。。図6は、実施形態3に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法を説明するために示す要部拡大断面図である。なお、実施形態3に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法においても、ダイシングを行う前段階の工程として、実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハーのダイシング方法と同様の工程を行う。なお、図6においても、円環状フレーム及びダイシング装置などの図示は省略し、ダイシングテープ200を添付した炭化珪素半導体ウエハー100Cとダイシングブレード300との関係のみを示している。そして、ダイシングを行う前段階の工程が終了したら、炭化珪素半導体ウエハー100Cを水平方向図6における矢印b方向移動させることによって、ダイシングブレード300によりダイシングを行う。このとき、炭化珪素半導体ウエハー100Cの周縁部には直角の角部上部側の角部C1及び下部側の角部C2が形成されているため、ダイシングブレード300は、まずは、炭化珪素半導体ウエハー100Cの上部側の角部C1に当接すなわち点接触し、当該角部C1をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。このように、ダイシング開始時においては、ダイシングブレード300がまずは上部側の角部C1に当接すなわち点接触して当該角部をダイシング開始位置としてダイシングを行うことにより、曲面で構成される面取り部上でダイシングを開始する場合図8参照。のように、ダイシングブレード300が面取り部上で左右方向に滑ることなく、ダイシングブレード300が炭化珪素半導体ウエハー100Cに食い込みやすくなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。[実施形態4]上記各実施形態においては、炭化珪素半導体ウエハー100A,100B,100Cにおける周縁部の全周に渡って角部を形成するようにしたが、必ずしも全周に渡って角部を形成する必要はなく、例えば、炭化珪素半導体ウエハー100A,100B,100Cにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部のみに形成するようにしてもよく、また、各スクライブラインに対応する領域のみに設けるようにしてもよい。なお、各スクライブラインに対応する領域に設ける場合、ダイシング開始側の周縁部内のスクライブラインに対応する領域のみに設けるようにしてもよい。図7は、実施形態4に係る炭化珪素半導体ウエハー100Dを説明するために示す図である。図7aは炭化珪素半導体ウエハー100Dにおける周縁部のうちのダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみに角部を設けるようにした場合を示す図であり、図7bはダイシング開始側の周縁部内に存在するスクライブラインに対応する領域のみに角部を設けるようにした場合を示す図である。なお、角部は、上記実施形態1に係る炭化珪素半導体ウエハー100Aと同様に、炭化珪素半導体ウエハー100Dの周縁部を傾斜面120とすることによって形成されるものとする。また、この場合、ダイシングを行う際の炭化珪素半導体ウエハー100Dの移動方向は上記した各実施形態と同様に、図示の左方向矢印b方向であるとする。すなわち、炭化珪素半導体ウエハー100Dを矢印b方向に移動させたときに、ダイシングブレード300図7においては図示せず。によりダイシングされるものとする。実施形態4に係る炭化珪素半導体ウエハー100Dにおいて、ダイシング開始側の周縁部に対応する領域のみに角部を形成する場合は、図7aに示すように、炭化珪素半導体ウエハー100Dの周縁部における全周のうちのPs~Peまでの周縁部領域Aという。を傾斜面とするように加工する。なお、図7aにおいて灰色で示す領域は傾斜面となるよう加工した領域Aであることを示している。このように、領域Aのみに角部を設けることにより、例えば、最初にx軸方向に沿ったスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6をダイシングし、続いて、y軸方向に沿ったスクライブラインLy1,Ly2,,Ly6をダイシングするといった順序でダイシングを行う場合においては、まずは、炭化珪素半導体ウエハー100Dを、領域A側からx軸方向の各スクライブラインLx1,Lx2,,Lx6を順次ダイシングし、x軸方向のすべてのスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6をダイシングし終わったら、炭化珪素半導体ウエハー100Dを、反時計方向に90度回転させて、領域A側からy軸方向に沿った各スクライブラインLy1,Ly2,,Ly6を順次ダイシングする。この場合、領域Aに対応する周縁部には角部上部側に角部C1及び下部側の角部C2が形成されているため、実施形態1において説明したように、ダイシングブレード300図7においては図示せず。が炭化珪素半導体ウエハー100Dに食い込みやすくなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。一方、実施形態4に係る炭化珪素半導体ウエハー100Dにおいて、ダイシング開始側の周縁部領域A内に存在するスクライブラインに対応する領域のみに角部を設ける場合は、図7bに示すように、x軸方向のスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6に対応する領域Ax1,Ax2,,Ax6を傾斜面120とするように加工するとともに、y軸方向のスクライブラインLy1,Ly2,,Ly6に対応する領域Ay1,Ay2,,Ay6を傾斜面120とするように加工する。なお、図7bにおいて灰色で示す領域は、傾斜面120とするよう加工した領域であることを示している。このように、x軸方向のスクライブラインLx1,Lx2,,Lx6に対応する領域Ax1,Ax2,,Ax6及びy軸方向のスクライブラインLy1,Ly2,,Ly6に対応する領域Ay1,Ay2,,Ay6にそれぞれ傾斜面120を形成することにより、領域Ax1,Ax2,,Ax6及び領域Ay1,Ay2,,Ay6には、実施形態1において示したと同様の角部上部側の角部C1及び下部側の角部C2がそれぞれ形成される。これにより、炭化珪素半導体ウエハー100Dを矢印b方向に移動させることによってダイシングを行う場合、実施形態1において説明したように、ダイシングブレード300は、領域Ax1,Ax2,,Ax6及び領域Ay1,Ay2,,Ay6における上部側の角部C2に当接すなわち点接触し、当該角部C2をダイシング開始位置としてダイシングを開始することとなる。このため、ダイシングブレード300は、炭化珪素半導体ウエハー100Dに食い込みやすくなり、硬度の高い炭化珪素半導体ウエハーを円滑にダイシングすることができる。なお、図7bにおいて、傾斜面であることを示す符号120、当該傾斜面120の上部側の角部及び下部側の角部であることを示す符号C1,C2は、図面の簡単化のため、領域Ax1及びAy1のみに付されているが、他の領域Ax2,Ax3,,Ax6及びAy2,Ay3,,Ay6においても同様の傾斜面120及び当該傾斜面120における上部側の角部C1、下部側の角部C2が形成されている。また、図7bにおいて、x軸方向のスクライブラインLx5,Lx6に対応する領域Ax5,Ax6及びy軸方向のスクライブラインLy1,Ly2に対応する領域Ay1,Ay2は、それぞれが近接しているため、これらをまとめて1つの領域として、当該領域全体を傾斜面120としてもよい。また、領域Aダイシング開始側の周縁部及び各スクライブラインに対応する領域Ax1,Ax2,,Ax6及び領域Ay1,Ay2,,Ay6は、炭化珪素半導体ウエハーの周縁部を傾斜面とする場合を例示したが、傾斜面ではなく、実施形態2で説明したようなL字形状の切り欠き部130であってもよく、また、実施形態3で説明したような垂直面140であってもよいなお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。1上記各実施形態においては、ダイシングを行う際は、炭化珪素半導体ウエハー炭化珪素半導体ウエハー100Aとする。を水平方向に移動させることによってダイシングブレード300によりダイシングを行うというように、ダイシングブレード300に対して炭化珪素半導体ウエハーを水平方向に移動させることによってダイシングを行うものであったが、ダイシングの動作はこれに限られるものではない。例えば、ダイシングブレード300を上下方向垂直軸に沿った方向に移動可能とする機構を設け、ダイシングを行う際は、まずは、ダイシングブレード300を上方から垂直方向に下降させて炭化珪素半導体ウエハー100Aの角部に切り込みを入れる動作を行いながら、炭化珪素半導体ウエハー100Aを水平方向に移動させるようにしてダイシングを行うようにしてもよい。このようなダイシングの動作は、他の炭化珪素半導体ウエハー100B,100C,100Dにおいても同様に実施可能である。2上記各実施形態においては、硬度の高い半導体ウエハーとして、炭化珪素半導体ウエハーを例にとって説明したが、炭化珪素半導体ウエハーに限られるものではなく、本発明は、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーに広く適用可能である。なお、ワイドバンドギャップ半導体ウエハーとしては、上記実施形態で説明した炭化珪素半導体ウエハーだけではなく、窒化ガリウム半導体ウエハーなども含まれる。3半導体ウエハーにおいて形成する角部は、上記実施形態で説明した形状に限られるものではなく種々の変形実施が可能である。"