"基板と、前記基板上に形成された、高屈折率層と低屈折率層の周期構造から構成された下部多層膜反射鏡および上部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に形成された第1導電型コンタクト層および第2導電型コンタクト層と、前記第1導電型コンタクト層と前記第2導電型コンタクト層との間に形成された活性層と、前記第2導電型コンタクト層と前記活性層との間に形成された、電流注入部と選択酸化熱処理によって電流注入部の外周に形成された電流狭窄部とを有する電流狭窄層と、前記電流狭窄層を挟むように形成され、前記第2導電型コンタクト層側に配置された第1組成傾斜層および前記活性層側に配置された第2組成傾斜層と、前記第1導電型コンタクト層上に形成された第1導電型側電極と、前記第2導電型コンタクト層上に形成された第2導電型側電極と、を備え、前記第1組成傾斜層および前記第2組成傾斜層は、積層方向において前記電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、前記第2導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、前記第2組成傾斜層のキャリア濃度が、前記電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上であることを特徴とする面発光レーザ。前記第1組成傾斜層から前記第2導電型コンタクト層までのバンドギャップエネルギーおよび前記第2組成傾斜層から前記第1導電型コンタクト層までバンドギャップエネルギーの少なくとも一方は、前記電流狭窄層から遠ざかるにつれて連続的に減少していることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。前記第1組成傾斜層から前記第2導電型コンタクト層までのバンドギャップエネルギーおよび前記第2組成傾斜層から前記第1導電型コンタクト層までのバンドギャップエネルギーの少なくとも一方は、前記電流狭窄層から遠ざかるにつれて段階的に減少していることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。前記基板はGaAsからなり、前記電流狭窄層はAl1-xGaxAs0≦x<1からなる電流注入部と選択酸化熱処理によって形成されたAl1-xGax2O3からなり、前記第1組成傾斜層および第2組成傾斜層は、積層方向において前記電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのAl組成が単調減少し、隣接する層のAl組成に近づくAl1-yGayAsx<y≦1から構成されることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記第2組成傾斜層は、キャリア濃度が4×1018cm-3以上2×1020cm-3以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記第2組成傾斜層は、キャリア濃度が8×1018cm-3以上2×1019cm-3以下であることを特徴とする請求項5に記載の面発光レーザ。前記第2組成傾斜層は、厚さが3nm以上40nm以下であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記第1組成傾斜層と前記第2導電型コンタクト層との間に形成された第2導電型高導電率層を備えることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記第2導電型高導電率層は、キャリア濃度が3×1019cm-3以上1×1021cm-3以下であることを特徴とする請求項8に記載の面発光レーザ。前記第2導電型高導電率層の層厚を抵抗率で除算した値が、7×10-4/Ω以上であることを特徴とする請求項8または9に記載の面発光レーザ。前記電流狭窄層の電流注入部の直径が4μm~15μmであることを特徴とする請求項1~10のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記積層方向における前記活性層の中心から前記電流狭窄層の中心までの距離は、レーザ発振波長をλとし、前記活性層から前記電流狭窄層までの平均屈折率をnとすると、λ/4n~7λ/4nの範囲にあることを特徴とする請求項1~11のいずれか一つに記載の面発光レーザ。前記積層方向における前記活性層の中心から前記電流狭窄層の中心までの距離は、レーザ発振波長をλとし、前記活性層から前記電流狭窄層までの平均屈折率をnとすると、3λ/4n~5λ/4nの範囲にあることを特徴とする請求項1~11のいずれか一つに記載の面発光レーザ。閾値電流と略等しい電流値が変調電流の下限となるような最低バイアス電流以上のバイアス電流において、変調電圧の周波数が10GHzであり、かつ、変調時の前記バイアス電流を中心とする変調電圧を±0.2V以下とした場合に、4dB以上の消光比のレーザ信号光を出力することを特徴とする面発光レーザ。閾値電流と略等しい電流値が変調電流の下限となるような最低バイアス電流以上のバイアス電流において、変調電圧の周波数が10GHzであり、かつ、変調時の前記バイアス電流を中心とする変調電圧を±0.1V以下とした場合に、4dB以上の消光比のレーザ信号光を出力することを特徴とする請求項14に記載の面発光レーザ。前記バイアス電流は2mA以下であることを特徴とする請求項14または15に記載の面発光レーザ。請求項1~16のいずれか一つに記載の面発光レーザと、前記面発光レーザに対して、バイアス電圧を中心として正負方向にほぼ同一の振幅を有する変調電圧を印加する制御器とを備えたことを特徴とする光源。請求項1~16のいずれか一つに記載の面発光レーザを備えることを特徴とする光モジュール。ここで、従来構造の面発光レーザは、閾値電流以上のバイアス電流を流した場合に、電流値および環境温度に応じて素子抵抗が変化するため、この素子に信号としての変調電圧を印加する場合には、印加する変調電圧を大きくするか、若しくはバイアス電流を増加しなければならず、消費電力が増加してしまうという問題があった。これに対して、本出願人は、先に出願した特願2010-81291にて、低消費電力化が可能な面発光レーザの構成を提案している。図13は、従来例1~3、および先の出願に係る面発光レーザの駆動電流-微分抵抗特性の一例を示す図である。なお、矢印Ar1~Ar4は、それぞれ従来例1~3、先の出願に係る面発光レーザに対して印加する電流の範囲を示している。図13に示すように、従来例1、3に係る面発光レーザは、電流が増加するにつれて微分抵抗が低電流側で広い範囲に渡って傾斜して変動するI-Rd特性を有している。また、従来例2に係る面発光レーザは、電流の変化に対する微分抵抗の変動は少ないが、環境温度が変化した場合の微分抵抗の変動が大きいI-Rd特性を有している。これに対して、先の出願に係る面発光レーザは、電流値が低い範囲まで、電流および環境温度のいずれの変化に対しても、微分抵抗の変動が少ないI-Rd特性を有している。このように、先の出願に係る面発光レーザは、微分抵抗の変動が少ないので、バイアス電圧を中心として正負方向にほぼ同一の振幅Vmを有する変調電圧を印加した場合にも、正方向の振幅Vmに対応する変調電流Imと、負方向の振幅-Vmに対応する変調電流Im-とが、5mA程度の低いバイアス電流Ibに関しても対称になる。その結果、出力するレーザ信号光の光強度も、バイアス電流に対応する光強度を中心として正負方向に対して対称な振幅を有するものとなる。したがって、所定の消光比の光信号を得る為の平均変調電流の増加が防止されるので、低消費電力化できる。ここで、面発光レーザをよりいっそう低消費電力化するためには、バイアス電流をより低い値、たとえば2mA以下であり、かつ閾値電流に近い値にすることが好ましい。しかしながら、図13に示すように、先の出願に係る面発光レーザも、バイアス電流が1mA以下の場合、たとえば、当該面発光レーザの閾値電流である約0.3mA近傍において微分抵抗が増加している。このため、さらなる低消費電力化のためには、電流が1mA以下の閾値電流近傍の場合でも、微分抵抗の変動が抑制された面発光レーザが要求される。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、よりいっそうの低消費電力化が可能な面発光レーザ、光源、および光モジュールを提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る面発光レーザは、基板と、前記基板上に形成された、高屈折率層と低屈折率層の周期構造から構成された下部多層膜反射鏡および上部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に形成された第1導電型コンタクト層および第2導電型コンタクト層と、前記第1導電型コンタクト層と前記第2導電型コンタクト層との間に形成された活性層と、前記第2導電型コンタクト層と前記活性層との間に形成された、電流注入部と選択酸化熱処理によって電流注入部の外周に形成された電流狭窄部とを有する電流狭窄層と、前記電流狭窄層を挟むように形成され、前記第2導電型コンタクト層側に配置された第1組成傾斜層および前記活性層側に配置された第2組成傾斜層と、前記第1導電型コンタクト層上に形成された第1導電型側電極と、前記第2導電型コンタクト層上に形成された第2導電型側電極と、を備え、前記第1組成傾斜層および前記第2組成傾斜層は、積層方向において前記電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、前記第2導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、前記第2組成傾斜層のキャリア濃度が、前記電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上である。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第1組成傾斜層から前記第2導電型コンタクト層までのバンドギャップエネルギーおよび前記第2組成傾斜層から前記第1導電型コンタクト層までバンドギャップエネルギーの少なくとも一方は、前記電流狭窄層から遠ざかるにつれて連続的に減少している。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第1組成傾斜層から前記第2導電型コンタクト層までのバンドギャップエネルギーおよび前記第2組成傾斜層から前記第1導電型コンタクト層までのバンドギャップエネルギーの少なくとも一方は、前記電流狭窄層から遠ざかるにつれて段階的に減少している。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記基板はGaAsからなり、前記電流狭窄層はAl1-xGaxAs0≦x<1からなる電流注入部と選択酸化熱処理によって形成されたAl1-xGax2O3からなり、前記第1組成傾斜層および第2組成傾斜層は、積層方向において前記電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのAl組成が単調減少するAl1-yGayAsx<y≦1から構成される。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第2組成傾斜層は、キャリア濃度が4×1018cm-3以上2×1020cm-3以下である。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第2組成傾斜層は、キャリア濃度が8×1018cm-3以上2×1019cm-3以下である。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第2組成傾斜層は、厚さが3nm以上40nm以下である。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第1組成傾斜層と前記第2導電型コンタクト層との間に形成された第2導電型高導電率層を備える。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第2導電型高導電率層は、キャリア濃度が3×1019cm-3以上1×1021cm-3以下である。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記第2導電型高導電率層の層厚を抵抗率で除算した値が、7×10-4/Ω以上である。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記電流狭窄層の電流注入部の直径が4μm~15μmである。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記積層方向における前記活性層の中心から前記電流狭窄層の中心までの距離は、レーザ発振波長をλとし、前記活性層から前記電流狭窄層までの平均屈折率をnとすると、λ/4n~7λ/4nの範囲にある。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記積層方向における前記活性層の中心から前記電流狭窄層の中心までの距離は、レーザ発振波長をλとし、前記活性層から前記電流狭窄層までの平均屈折率をnとすると、3λ/4n~5λ/4nの範囲にある。また、本発明に係る面発光レーザは、閾値電流と略等しい電流値が変調電流の下限となるような最低バイアス電流以上のバイアス電流において、変調電圧の周波数が10GHzであり、かつ、変調時の前記バイアス電流を中心とする変調電圧を±0.2V以下とした場合に、4dB以上の消光比のレーザ信号光を出力する。また、本発明に係る面発光レーザは、閾値電流と略等しい電流値が変調電流の下限となるような最低バイアス電流以上のバイアス電流において、変調電圧の周波数が10GHzであり、かつ、変調時の前記バイアス電流を中心とする変調電圧を±0.1V以下とした場合に、4dB以上の消光比のレーザ信号光を出力する。また、本発明に係る面発光レーザは、上記発明において、前記バイアス電流は2mA以下である。また、本発明に係る光源は、上記発明のいずれか一つに記載の面発光レーザと、前記面発光レーザに対して、バイアス電圧を中心として正負方向にほぼ同一の振幅を有する変調電圧を印加する制御器とを備えたことを特徴とする。また、本発明に係る光モジュールは、上記発明のいずれか一つに記載の面発光レーザを備えることを特徴とする。本発明によれば、よりいっそうの面発光レーザの低消費電力化が可能であるという効果を奏する。以下に、図面を参照して本発明に係る面発光レーザ、光源、および光モジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面において、同一または対応する要素には、適宜同一符号を付している。実施の形態1図1は、本実施の形態1に係る光源100の構成を模式的に示した図である。図1に示すように、この光源100は、面発光レーザ101と、面発光レーザ101を制御する制御器102とを備える。また、図2は図1に示す面発光レーザ101のA-A線要部断面図である。図1、2に示すように、この面発光レーザ101は、面方位001のn型GaAs基板1上に積層された下部多層膜反射鏡として機能するアンドープの下部DBRミラー2、n型コンタクト層3、n側電極4、n型クラッド層5、活性層6、p型クラッド層7、、第2組成傾斜層である下部組成傾斜層8、電流狭窄層9、第1組成傾斜層である上部組成傾斜層10、p型スペーサ層11、p型高導電率層12、p型スペーサ層13、p型コンタクト層14、p側電極15、上部多層膜反射鏡として機能する上部DBRミラー16、n側引出電極17、およびp側引出電極18を備える。p型コンタクト層14およびn型コンタクト層3は、下部DBRミラー2と上部DBRミラー16との間に形成されている。活性層6は、p型コンタクト層14とn型コンタクト層3との間に形成されている。電流狭窄層9は、p型コンタクト層14と活性層6との間に形成されている。上部組成傾斜層10および下部組成傾斜層8は、電流狭窄層9を挟むように形成されており、上部組成傾斜層10はp型コンタクト層14側に配置され、下部組成傾斜層8は活性層6側に配置されている。p型高導電率層12は、p型コンタクト層14と電流狭窄層9との間に形成されている。p側電極15はp型コンタクト層14上に形成され、n側電極4はn型コンタクト層3上に形成されている。また、n型クラッド層5からp型コンタクト層14までの積層構造は、エッチング処理等によって柱状に成形されたメサポストMとして形成されている。メサポスト径はたとえば直径30μmである。また、n型コンタクト層3はメサポストMの外周側に延設している。また、下部DBRミラー2と上部DBRミラー16とは光共振器を形成している。以下、各構成要素について説明する。下部DBRミラー2は、n型GaAs基板1上に積層されたアンドープGaAsバッファ層不図示上に形成される。下部DBRミラー2は、低屈折率層として機能するAl0.9Ga0.1As半導体層と、高屈折折率層として機能するGaAs半導体層とを1ペアとする複合半導体層がたとえば40.5ペア積層された半導体多層膜ミラーとして形成されている。下部DBRミラー2の複合半導体層を構成する各層の厚さは、λ/4nλ:発振波長、n:屈折率とされている。n型コンタクト層3は、n型GaAsを材料として形成される。n型クラッド層5は、n型GaAsを材料として形成される。p型クラッド層7は、p型AlGaAsを材料として形成されるたとえば、Al0.3Ga0.7Asが望ましい。。n型クラッド層5とp型クラッド層7とは活性層6を挟むように形成されており、分離閉じ込めSeparateConfinementHeterostructure、SCH構造を形成している。また、p型スペーサ層11は、p型AlGaAsを材料として形成される。p型高導電率層12は、p型AlGaAsを材料として形成される。p型スペーサ層13は、p型AlGaAsを材料として形成される。そして、p型コンタクト層14は、p型GaAsを材料として形成される。また、n型クラッド層5、p型クラッド層7、p型スペーサ層11、13には、キャリア濃度がたとえば1×1018cm-3程度となるようにp型またはn型ドーパントが添加されており、確実にp型またはn型の導電型とされている。また、n型コンタクト層3、p型コンタクト層14のキャリア濃度はたとえばそれぞれ2×1018cm-3、3×1019cm-3程度である。また、p型高導電率層12のキャリア濃度は3×1019cm-3であり、p型スペーサ層11、13よりも高導電率とされている。このp型高導電率層12は、p側電極15から注入される電流の紙面横方向における経路となり、より効率的に活性層6に電流を注入するように機能している。なお、p型高導電率層12のキャリア濃度は、高導電率、低抵抗の点からは3×1019cm-3以上が好ましく、製造上の容易さからは1×1021cm-3以下が好ましい。また、キャリア濃度が3×1019cm-3の場合、AlGaAsであるp型高導電率層12の抵抗率は4×10-3Ωcmであるから、p型高導電率層12の層厚が30nmであるとすると、層厚を抵抗率で除算した値は7×10-4/Ω以上である。また、p型高導電率層は2層以上設けてもよい。電流狭窄層9は、電流注入部としての開口部9aと電流狭窄部としての選択酸化層9bとから構成されている。開口部9aはAl1-xGaxAs0≦x<0.2からなり、選択酸化層9bはAl1-xGax2O3からなる。なお、xはたとえば0.02である。この電流狭窄層9は、たとえば厚さ30nmであり、Al1-xGaxAsからなるAl含有層を選択酸化熱処理することによって形成される。すなわち、選択酸化層9bは、このAl含有層が外周部から積層面に沿って所定範囲だけ酸化されることで開口部9aの外周に輪帯状に形成されている。選択酸化層9bは、絶縁性を有し、p側電極15から注入される電流を狭窄して開口部9a内に集中させることで、開口部9a直下における活性層6内の電流密度を高めている。なお、開口部9aの開口径はたとえば6μmであるが、4μm~15μmが好ましく、5μm~10μmがさらに好ましい。また、電流狭窄層9は、積層方向における、活性層6の中心から電流狭窄層9の中心までの距離がλ/4n~7λ/4n、好ましくは3λ/4n~5λ/4nの範囲になるように形成されている。ここで、nは、活性層6から電流狭窄層8までの等価屈折率とする。選択酸化層9bの応力により活性層6に転位が入りやすいので、信頼性の向上のためには、活性層6の中心から電流狭窄層9の中心までの距離は3λ/4n以上が望ましく、変調効率の低下を防ぐためには、5λ/4n以下が望ましい。また、その他の層の厚さは、活性層6の位置に光共振器内の光の定在波の腹が形成され、電流狭窄層9およびp型高導電率層12の位置に定在波の節が形成されるように調整されている。下部組成傾斜層8および上部組成傾斜層10は、AlGaAsを材料として形成されており、積層方向において電流狭窄層9に近づくにつれてそのAl組成が段階的または連続的に増加し、電流狭窄層9のAl組成に近づくように構成されている。また、下部組成傾斜層8、電流狭窄層9の少なくとも開口部9a、および上部組成傾斜層10には、それぞれキャリア濃度が2×1019cm-3となるようにp型ドーパントが添加されている。活性層6は、3層の井戸層6aと2層の障壁層6bとが交互に積層した多重量子井戸構造MQW:MultipleQuantumWellを有する。なお、井戸層6aはたとえばGa0.75In0.25As等のGaInAs系の半導体材料からなる。障壁層6bはたとえばGaAsからなる。この活性層6は、p側電極13から注入されて電流狭窄層9によって狭窄された電流により、850nmより長い波長の光を含む自然放出光を発するようにその半導体材料の組成および膜厚が設定されている。上部DBRミラー16は、低屈折率層として機能するSiO2層と、高屈折折率層として機能するSiN層とを1ペアとする複合誘電体層がたとえば9ペア積層された誘電体多層膜ミラーとして形成されており、下部DBRミラー2と同様に各層の厚さがλ/4nとされている。なお、上部DBRミラー16の直径は、p型コンタクト層14の直径よりも小さいため、p型コンタクト層14は上部DBRミラー16の外周側に延設している。p側電極15は、p型コンタクト層14の上記延設した部分の表面に、上部DBRミラー16を取り囲むようにリング状に形成されている。すなわち、p側電極15は、上部DBRミラー16を介さずにp型コンタクト層14上に直接形成されている。一方、n側電極4は、メサポストMの外周側に延設したn型コンタクト層3の延設部分の表面に形成され、メサポストMの周囲を取り囲むようにC字状に形成されている。すなわち、n側電極4は、下部DBRミラー2を介さずにn型コンタクト層3上に直接形成されている。また、n側引出電極17およびp側引出電極18は、それぞれn側電極4およびp側電極15に接続している。また、制御器102は、n側引出電極17およびp側引出電極18を介してp側電極15およびn側電極4に電気的に接続している。この制御器102は、p側電極15とn側電極4との間に所定のバイアス電圧と、このバイアス電圧を中心として正負方向にほぼ同一の振幅を有する信号としての変調電圧とを印加するように構成されており、たとえばレーザ駆動用の公知のICドライバーにより実現される。変調電圧の変調周波数はたとえば10GHz以上である。p型スペーサ層11からp型スペーサ層13までは、Al1-yGayAsx<y≦1からなる。ただし、上述したように、n型コンタクト層3およびn型クラッド層5はGaAsからなるので、y=1である。また、p型クラッド層7からn型コンタクト層3までは、Al1-zGazAsx<z≦1からなる。ただし、p型クラッド層7においてはz≠1であり、Alを必ず含んでいる。また、上述したように、p型コンタクト層14はGaAsからなるので、z=1である。p型スペーサ層11からp型スペーサ層13までがy=1、即ちGaAsからなる場合、上部組成傾斜層10は、積層方向において電流狭窄層9からp型スペーサ層11まで、そのAl組成が段階的または連続的に単調減少し、GaAsに近づくように構成されている。一方、p型スペーサ層11からp型スペーサ層13までがy≠1、即ちAl1-yGayAsからなる場合は、図2の線C1で示すように、上部組成傾斜層10は、積層方向において電流狭窄層9からp型スペーサ層11まで、そのAl組成が段階的または連続的に単調減少し、p型スペーサ層11のAl組成に近づくように構成されている。p型スペーサ層11からp型スペーサ層13の半導体層の積層方向におけるAl組成は、上部組成傾斜層10からp型コンタクト層14に向かって段階的または連続的に単調減少している。下部組成傾斜層8は、電流狭窄層8からp型クラッド層7までそのAl組成が段階的または連続的に減少し、p型クラッド層7のAl組成に近づくように構成されている。このようなAl組成の減少によって、電流狭窄層8からp型コンタクト層14に向かって、バンドギャップエネルギーがなだらかに連続的に減少している。電流狭窄層8からn型コンタクト層3に向かっては、活性層6の量子井戸若しくは量子箱を飛び越してバンドギャップエネルギーが段階的に減少している。Al組成またはバンドギャップエネルギーが減少しているとは、Al組成またはバンドギャップエネルギーが途中で増加に転じないことを意味している。したがって、Al組成またはバンドギャップエネルギーの減少は連続的でも段階的でもよい。ここで,飛び越してとは、たとえば量子井戸若しくは量子箱との界面で変化減少の不連続点が生じ、界面を跨いで仮想の線を引くと連続的な変化減少を示すのである。即ち、下部組成傾斜層8および上部組成傾斜層10は、AlGaAsを材料として形成され、積層方向において電流狭窄層9から反対側の隣接する層に近づくにつれてそのAl組成およびバンドギャップエネルギーが段階的または連続的に単調減少し、隣接する層のAl組成およびバンドギャップエネルギーに近づくように構成されている。つぎに、上記各半導体層のAl組成について説明する。各半導体層のAl組成は、電流狭窄層9からp型コンタクト層14に向かって単調減少している。また、電流狭窄層9からn型コンタクト層3に向かっても、Al組成は単調減少している。なお、Al組成が単調減少しているとは、Al組成が途中で増加に転じないことを意味している。つぎに、この光源100の動作について説明する。はじめに、制御器102が、p側電極15とn側電極4との間にバイアス電圧および変調電圧を印加し電流を注入する。p側のキャリアホールについては、主に図2の経路Pが示すように、p側電極15からp型コンタクト層14、p型スペーサ層13を通過し、高導電率のp型高導電率層12においては層内を紙面横方向に流れ、その後p型スペーサ層11、上部組成傾斜層10を通過し、電流狭窄層9の開口部9a内に集中して密度が高められた状態で、下部組成傾斜層8を介して活性層6に注入される。一方、n側のキャリア電子については、n側電極4からn型コンタクト層3、n型クラッド層5を通過して、活性層6に注入される。キャリアが注入された活性層6は、自然放出光を発生する。発生した自然放出光は、活性層6の光増幅作用と光共振器の作用とによって、850nm以上の波長、たとえば1000nm帯の波長においてレーザ発振する。その結果、この面発光レーザ101は、上部DBRミラー16上から変調信号を含むレーザ信号光を出力する。上述したように、p側電極15は、上部DBRミラー16を介さずにp型コンタクト層14上に直接形成されており、n側電極4も、下部DBRミラー2を介さずにn型コンタクト層3上に直接形成されている。その結果、p側電極15およびn側電極4と、活性層6との間に存在する異種材料間の界面であるヘテロ界面の数が少なくなっている。また、Al組成は、電流狭窄層9からp型コンタクト層14に向かって単調減少し、かつ電流狭窄層9からn型コンタクト層3に向かっても単調減少しているため、ヘテロ界面におけるバンドオフセットも単調に変化している。ここで、たとえば室温において、従来のような上部DBRミラー上にp側電極が形成された構成の面発光レーザに電流を流す場合を考える。電流はホールとしてp側電極から注入されるが、ホールの一部は上部DBRミラー内に存在する多数のヘテロ界面においてトラップされるため、面発光レーザの微分抵抗が高くなる。なお、ヘテロ界面のバリアエネルギーをφBとすると、微分抵抗率は、1/exp-φB/kTに比例する。ただし、kはボルツマン定数であり、Tは絶対温度であり、φBは60meV程度である。一般的に、面発光レーザは注入する電流を増加させるにつれて温度上昇する。その結果、ホールは熱エネルギーを得るので、ヘテロ界面でトラップされるホールの割合が減少する。そのため、上述した式が示すように微分抵抗率も減少する。すなわち、従来の面発光レーザは、駆動電流の増加に応じて微分抵抗が減少するI-Rd特性となる。たとえば、非特許文献1に開示される面発光レーザの場合、p側電極から活性層との間に存在するヘテロ界面の数は、上部DBRミラー内だけでも35ペアの場合で70~210程度と多くなっている。一方、本実施の形態1に係る面発光レーザ101は、上述したように、p側電極15と活性層6との間に存在するヘテロ界面の数が従来よりも大幅に少ない。さらに、ヘテロ界面におけるバンドオフセットも単調に変化しているため、キャリアの経路においてエネルギーレベルに凹凸が無く単調に変化する。その結果、ヘテロ界面においてトラップされるホールの割合は、室温においてもきわめて少なくなるため、素子が温度上昇しても、微分抵抗はあまり変動しなくなる。また、n側電極4から注入されるキャリアである電子についても、n側電極4から活性層6に注入される電子が通過するヘテロ界面が少なく、またバンドオフセットも単調に変化するため、微分抵抗の変動はさらに少なくなる。なお、p側電極15と活性層6との間に存在するヘテロ界面の数は、30以下が好ましい。さらに、この面発光レーザ101においては、図2の経路Pが示すように、p側電極15から電流狭窄層9の開口部9aまでキャリアを注入する際に、低抵抗のp型高導電率層12を経由するようにしているとともに、開口部9aにより電流が狭窄された後は、キャリアは、Alを必ず含んでいるAlGaAsからなるp型クラッド層7を介して活性層6に注入される。AlGaAsは、キャリアの移動度を低下させる元素であるAlを組成として含むので、GaAsよりもキャリアの移動度が小さい。そのため、電流が横方向に広がりにくい。その結果、素子の温度が変化したとしても、電流経路が変動せずに安定しているので、微分抵抗の変動はさらに少なくなる。ちなみに、活性層6の中心から電流狭窄層9の中心までの距離が3λ/4n以上の距離とすると、活性層6の信頼性が向上し好ましいが、このように電流狭窄層9と活性層6との距離を離隔させても、上述したようにp型クラッド層7はAlを必ず含んでいるAlGaAsからなるので、電流が横方向に広がりにくい。また、p型高導電率層12内におけるホールの移動度μは、その半導体材料にかかわらず、400300/T2.3に比例する。したがって、素子の温度が上昇すると移動度は低下して微分抵抗が増加する。この微分抵抗の増加が、上述したヘテロ界面におけるキャリアトラップによる微分抵抗の減少を打ち消すように作用するため、微分抵抗の変動はさらに少なくなる。本実施の形態1に係る面発光レーザ101は、以上のような複合的な作用によって、閾値電流以上の電流において、微分抵抗の変動がきわめて少ないものとなる。また、レーザ発振波長が850nm帯以上、特に1000nm帯以上の面発光レーザの場合、活性層のバンドギャップが小さく、バイアス電圧を一層低くし、より好ましい低消費電力駆動が可能である。また、本実施の形態1に係る面発光レーザ101は、さらに、下部組成傾斜層8のp型のキャリア濃度が2×1019cm-3である。このように、下部組成傾斜層8のp型のキャリア濃度が電流狭窄層9のキャリア濃度と同じまたはそれよりも高いことによって、電流が1mA以下の場合でも、微分抵抗の増加が抑制されたものとなる。以下、シミュレーション計算結果を用いて具体的に説明する。まず、図1に示す面発光レーザ101において、開口部9aの開口径を所定の値に設定して、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度を変えた場合の、上部組成傾斜層10から電流狭窄層9を通って下部組成傾斜層8に流れる電流の電流密度と電流狭窄に供する層9付近の微分抵抗Rdとの関係を説明する。なお、電流狭窄層9付近の微分抵抗Rdとは、上部組成傾斜層10から電流狭窄層9を通って下部組成傾斜層8までの領域の微分抵抗を意味するものとする。また、上部組成傾斜層10、電流狭窄層9、下部組成傾斜層8の厚さは、それぞれ10nm、30nm、15nmとする。下部組成傾斜層8の厚さは好ましくは、3nm~40nmである。図3は、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度を変えた場合の、電流密度と電流狭窄層9付近の微分抵抗との関係を示す図である。なお、図3の凡例中の数値は、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度/電流狭窄層9のp型キャリア濃度を示している。また、上部組成傾斜層10のp型キャリア濃度はいずれの場合も2×1019cm-3である。また、電流密度が2.6×103A/cm2の場合が電流値1mAに対応する。図3に示すように、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が3×1017cm-3のときは、電流密度が小さい領域で微分抵抗Rdが急激に上昇している。従来の面発光レーザは、バイアス電流5mAで使用されており、酸化に供する層付近の抵抗成分は問題とならなかったので、吸収損失の増加を懸念して、下部組成傾斜層は、1017cm-3のオーダーの低p型キャリア濃度が使われていた。しかしながら、本実施の形態1では、1mA程度の低バイアス電流2.6×103A/cm2で使用する場合を想定して、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度を増加させることにより微分抵抗Rdの上昇を抑制し、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が2×1019cm-3の場合には、微分抵抗Rdが電流密度に依存せずほぼ一定の値となるようにする。また、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が2×1019cm-3の場合は、電流狭窄層9のp型キャリア濃度が1×1018cm-3であっても1×1019cm-3であっても微分抵抗Rdはほんど同じである。このように、微分抵抗Rdの特性は下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度に大きく依存する。このように、本発明者らが鋭意検討した結果により、面発光レーザのI-Rd特性における低電流側での微分抵抗の上昇は、電流狭窄層に対して活性層側に配置された下部組成傾斜層のp型キャリア濃度を増加させることによって抑制できることが、はじめて確認された。つぎに、図4は、図3において、電流値が1mA、すなわち電流密度が2.6×103A/cm2の場合の、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度と電流狭窄層9付近の微分抵抗との関係を示す図である。なお、上部組成傾斜層10のp型キャリア濃度は2×1019cm-3であり、電流狭窄層9のp型キャリア濃度は1×1018cm-3である。下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度は電流狭窄層9のp型キャリア濃度で規格化したものである。図4に示すように、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が電流狭窄層9のp型キャリア濃度以上すなわち規格化した値で1以上であれば、微分抵抗Rdは小さくなる。さらに、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が4×1018cm-3以上すなわち規格化した値で4以上であれば、微分抵抗Rdを10Ω以下とすることができる。さらに、8×1018cm-3以上すなわち規格化した値で8以上であれば、微分抵抗Rdを2Ω程度ときわめて低くできるのでさらに好ましい。なお、図4、5に示した微分抵抗Rdは、電流狭窄層9の開口部9aの開口径が好ましい範囲である4μm~15μmであれば、その絶対値は変化するものの、電流密度またはキャリア密度に対してほぼ同様の曲線形状となる。以上のように、本実施の形態1に係る面発光レーザ101は、下部組成傾斜層8のp型のキャリア濃度が4×1018cm-3以上の2×1019cm-3であることによって、電流が1mA以下の場合でも、微分抵抗の増加が10Ω以下の2Ωに抑制されたものとなる。その結果、本実施の形態1に係る面発光レーザ101は、バイアス電流が2mA以下である低バイアス駆動の場合に、±0.2V、さらに好ましくは±0.1Vの変調電圧で変調した場合にも、出力するレーザ信号光の消光比が4dB以上となり、10ギガビットイーサーネットの規格に適合する信号光源として利用できるものとなる。特に、面発光レーザ101の微分抵抗Rdが閾値電流たとえば、約0.2mAと等しいか略等しい電流値においてもI-Rd特性における微分抵抗が上昇しないことが好ましい。この場合は、閾値電流と略等しい電流値が変調電流の下限となるような最低バイアス電流以上のバイアス電流を設定した場合に、±0.2V、さらに好ましくは±0.1Vの変調電圧で、出力するレーザ信号光の消光比が4dB以上となる。これによって、面発光レーザ101は、10ギガビットイーサーネットの規格に適合し、かつきわめて低消費電力の信号光源として利用できるものとなる。つぎに、図1に示す面発光レーザ101において、開口部9aの開口径を所定の値に設定して、下部組成傾斜層8および上部組成傾斜層10の厚さを変えた場合の、上部組成傾斜層10から電流狭窄層9を通って下部組成傾斜層8に流れる電流の電流密度と電流狭窄層9付近の微分抵抗Rdとの関係を説明する。なお、上部組成傾斜層10、電流狭窄層9、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度を、それぞれ2×1019cm-3、1×1018cm-3、3×1017cm-3とする。また、上部組成傾斜層10、電流狭窄層9、下部組成傾斜層8の基準となる厚さを、それぞれ10nm、30nm、15nmとする。図5は、下部組成傾斜層8および上部組成傾斜層10の厚さを変えた場合の、電流密度と電流狭窄層9付近の微分抵抗との関係を示す図である。なお、図5の凡例において、たとえば×3は、下部組成傾斜層8および上部組成傾斜層10の厚さを上記の基準となる厚さの3倍にしたことを意味する。また、電流密度が2.6×103A/cm2の場合が電流値1mAに対応する。図5に示すように、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が3×1017cm-3と低い場合には、下部組成傾斜層8および上部組成傾斜層10の厚さを基準となる厚さの0.3倍から10倍まで変化させても、電流密度が2.6×103A/cm2の場合の微分抵抗Rdを20Ω以下にはできない。すなわち、本実施の形態1の場合のように、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度を4×1018cm-3以上とする図4参照ことが、微分抵抗Rdの低減のために効果的である。つぎに、下部組成傾斜層8の厚さを変えた場合の、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度と面発光レーザ101の出力効率との関係、およびキャリア濃度と面発光レーザ101の閾値電流との関係を説明する。なお、出力効率とは、面発光レーザ101が出力するレーザ光の強度を電流値で除算したものである。また、上部組成傾斜層10、電流狭窄層9の厚さを、それぞれ10nm、30nmとする。また、上部組成傾斜層10、電流狭窄層9のp型キャリア濃度を、それぞれ2×1019cm-3、1×1018cm-3とする。図6-1は、下部組成傾斜層8の厚さを変えた場合の、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度と面発光レーザ101の出力効率との関係を示す図である。なお、電流値は2mAとしている。図6-1において、p型キャリア濃度が最も低いデータ点におけるp型キャリア濃度は3×1017cm-3である。図6-1に示すように、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が高くなるにつれて下部組成傾斜層8によるレーザ光の光吸収が大きくなるため出力効率Seは低下する。また、下部組成傾斜層8が厚くなるにつれて出力効率Seの低下が顕著になる。つぎに、下部組成傾斜層8の最適p型ドーピング濃度p型キャリア濃度である1×1019cm-3にて、下部組成傾斜層8の厚さを変化させて出力効率Seを計算した。結果を図6-2に示す。出力効率Seの低下を20以下に抑制するには、たとえば下部組成傾斜層8の厚さは40nm以下にすることが好ましい。ここで出力効率Seの低下を20以下に抑制しなければいけないのは、変調時の光変調振幅OMAが確保出来なくなるからである。また、図7は、下部組成傾斜層8の厚さを変えた場合の、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度と面発光レーザ101の閾値電流との関係を示す図である。図7において、p型キャリア濃度が最も低いデータ点におけるp型キャリア濃度は3×1017cm-3である。図7に示すように、下部組成傾斜層8の厚さが40nmの場合は下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が高くなるにつれて閾値電流Ithは急激に増加する。ここで、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が3×1017cm-3である場合の出力効率Seおよび閾値電流Ithを基準値とすると、基準値からの出力効率Seの低下量および閾値電流Ithの増加量は20以内であることが望ましい。図6-1、7より、下部組成傾斜層8の厚さが3.2nmおよび10nmの場合は、下部組成傾斜層8のp型キャリア濃度が2×1020cm-3以下、厚さが40nmの場合はp型キャリア濃度が2×1019cm-3以下であれば、この望ましい出力効率Seおよび閾値電流Ithたとえば約0.2mAを実現することができる。このように、本実施の形態1に係る光源100は、低消費電力化が可能なので、特に10GHz以上の高速の変調電圧を印加して、10Gbp以上の高速伝送を実現するための光源として適するものとなる。また、上述したように、本実施の形態1に係る面発光レーザ101は、素子の温度上昇に伴う微分抵抗の変動がきわめて少ないものとなる。したがって、この面発光レーザ101は、環境温度が変化しても微分抵抗の変動がきわめて少ないため、変調時の光出力の環境温度依存性が小さい。さらに、井戸層6aが、利得曲線の温度変化が小さいGaInAs系の半導体材料からなるため、閾値電流および閾値電圧が小さい事に加え、I-L特性の環境温度依存性が小さい。したがって、本実施の形態1に係る光源100は、ペルチェ素子等の温度調整手段が冷却能力の低いものでよいか、あるいは不要なので、一層簡易かつ低消費電力、さらには低コストのものとなる。また、駆動回路もシンプルになり、CMOSでも駆動可能とすることができる。製造方法つぎに、本実施の形態1に係る光源100の製造方法の一例について説明する。まず、MBE、ガスソースMBE、CBE、MOCVD等の公知の成長方法を用いて、表面にアンドープGaAsバッファ層を積層したn型GaAs基板1上に、下部DBRミラー2、n型コンタクト層3、n型クラッド層5、活性層6、p型クラッド層7、下部組成傾斜層8、電流狭窄層9を形成するためのAl1-xGaxAsからなるAl含有層、上部組成傾斜層10、p型スペーサ層11、p型高導電率層12、p型スペーサ層13、p型コンタクト層14を順次積層する。つぎに、リフトオフ法を用いて、p型コンタクト層14上にp側電極15を形成する。つぎに、p側電極15をSiN膜で覆い、酸性エッチング液等を用いてn型クラッド層5に到る深さまでエッチングして円柱状のメサポストMを形成する。つぎに、水蒸気雰囲気中において熱処理を行って、Al含有層をメサポストMの外周側から選択酸化し、電流狭窄層9を形成する。このように、電流狭窄層9は選択酸化熱処理によって簡易かつ高精度に所望の形状に形成できる。つぎに、メサポストMの外周側のn型コンタクト層3の表面にn側電極4を形成し、さらにn側引出電極17およびp側引出電極18を形成する。つぎに、上部DBRミラー16を形成した後に、n型GaAs基板1の裏面を研磨して所望の厚さとし、素子分離を行って、面発光レーザ101が完成する。そして、この面発光レーザ101と、レーザ駆動用の公知のICドライバーを備える制御器102とを接続し、光源100が完成する。なお、上記実施の形態1では、p型クラッド層7、p型スペーサ層11、13、p型高導電率層12等を構成するAlGaAsが、アロイである例を示したが、AlGaAsからなる層はデジタルアロイから構成されても良い。デジタルアロイは、1層あたりの膜厚が2.5nm以下の薄膜層から構成され、トンネル効果によりミニバンドを形成する。例えば、膜厚1.5nmのGaAs層と膜厚1nmのAlAs層とのペアを10ペア繰り返し形成することにより、平均Al組成が40で厚さが25nmのAlGaAs層と見なす事が可能である。この平均組成を有するAlGaAs層が、上述した組成傾斜になっていれば良い。なお、膜厚2.5nm以下の高Al組成たとえば80のAlGaAs層が1層のみ有る場合では、トンネル効果により、このAlGaAs層を介してキャリアが注入可能であるので、このAlGaAs層は抵抗上昇にほぼ寄与しない。この場合は、このAlGaAs層は無視して考える事ができる。また、ここで示した構造に限らず、酸化狭窄構造にプロトンや酸素等でイオン注入を施し、寄生容量を低減する構造にも、本発明は適用可能である。また、本発明の実施の形態に係る面発光レーザは、10Gbps~40Gbpsにおいても直接変調が可能であり、低消費電力特性と高速応答性を兼ね備えた面発光レーザを実現可能である。例えば、本発明により、緩和振動周波数frの注入電流効率MCEFとして10GHz/mA0.5が得られ、低抵抗な為に活性層の発熱が少なく、バイアス電流10mA程度まではfrが飽和しないので、frは30GHzまで到達する事が可能である。小信号変調による周波数帯域f-3dBは,fr×1.55まで可能なので、最大46GHzまで変調が可能である。実施の形態2本発明の実施の形態に係る面発光レーザは、光導波路と組み合わせて様々な光モジュールを構成することができる。図8は、本実施の形態2に係る2つの光送受信モジュール400A、400Bが、2本の光導波路410A、410Bを介して接続している送受信システムを示す模式な平面図である。図8において、光送受信モジュール400Aは、保持部材401Aと、保持部材401A上に設けられた各要素、すなわち、光ファイバ等の光導波路410A、410Bを載置してこれらの位置決めを行うためのスペーサ406A、光導波路410Aを介して光信号を送信する本発明の面発光レーザ402A、光導波路410Bを介して送信されてきた光信号を受信し電気信号に変換する受光素子403A、面発光レーザ402Aの発光状態を制御する駆動回路404A、および受光素子403Aが変換した電気信号を増幅する増幅回路405Aとで構成されている。面発光レーザ402Aは外部の制御部図示しないからの制御信号によって駆動回路404Aを介して発光制御される。また、受光素子403Aが変換した電気信号は増幅回路405Aを介して制御部へ送信される。なお、煩雑さを避けるために、駆動回路404Aと面発光レーザ402Aおよび増幅回路405Aと受光素子403Aのワイヤボンディングは記載を省略している。なお、光送受信モジュール400Bは、光送受信モジュール400Aと同様の構成を有するが、光送受信モジュール400Aとは送信に係る構成と受信に係る構成とが入れ替わっている。すなわち、光送受信モジュール400Bは、保持部材401Bと、保持部材401B上に設けられた各要素、すなわち、光導波路410A、410Bの位置決めを行うためのスペーサ406B、光導波路410Bを介して光信号を送信する本発明の面発光レーザ402B、光導波路410Aを介して送信されてきた光信号を受信し電気信号に変換する受光素子403B、面発光レーザ402Bの発光状態を制御する駆動回路404B、および受光素子403Bが変換した電気信号を増幅する増幅回路405Bとで構成されている。面発光レーザ402Bは外部の制御部図示しないからの制御信号によって駆動回路404Bを介して発光制御される。また、受光素子403Bが変換した電気信号は増幅回路405Bを介して制御部へ送信される。この光送受信モジュール400A、400Bは、簡易な制御によって高品質の光信号を出力できる本発明の面発光レーザ402A、402Bを使用しているため、構成が簡易であり、かつ低消費電力、低コストのものとなる。つぎに、図8に示す光送受信モジュール400A、400Bにおける面発光レーザ402A、402Bと光導波路410A、410Bとの光結合部分について具体的に説明する。なお、以下では、光送受信モジュール400Aの面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分の説明を行うが、これらの光結合部分は光送受信モジュール400Bの面発光レーザ402Bと光導波路410Bとの光結合部分に対しても適用できるものである。はじめに、図9は、図8に示す光送受信モジュール400Aにおける面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分の第1の例を示す側面図である。図9に示すように、光導波路410Aの端面はその光軸に対して略45度傾斜するように加工されており、かつ端面には光結合手段としての反射膜411Aが形成され、鏡面加工されている。また、面発光レーザ402Aと反射膜411Aとの相対位置はスペーサ406Aによって位置決めされており、面発光レーザ402Aが反射膜411Aの下方に位置するように調整されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は反射膜411Aによって反射されて光導波路410Aに結合し、光導波路410A内を伝播する。図10は、面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分の第2の例を示す側面図である。図10に示す例では、光結合手段として、面発光レーザ402A上であって光導波路410Aの端面側方に、面発光レーザ402Aに対向する入射面420aと光導波路410Aの端面に対向する出射面420bとを有し、内部に反射面421の設けられたミラーアセンブリ420が設置されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は、ミラーアセンブリ420に入射面420aから入射し、反射面421によって反射され、出射面420bから出射されて光導波路410Aの端面で結合し、光導波路410A内を伝播する。なお、ミラーアセンブリ420の入射面420aおよび/または出射面420bに、コリメートや集光を行なうためのマイクロレンズアレイを設けてもよい。また、図11は、面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分の第3の例を示す一部断面側面図である。図11に示す例では、スペーサ406Aに載置されたコネクタハウジング430内に光ファイバである光導波路410Aが保持され、さらに光結合手段として、光ファイバ心線431が、なめらかに屈曲して一方の端面が光導波路410Aに接続するとともに他方の端面が面発光レーザ402Aに対向するように保持されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は、光ファイバ心線431の端面から入射して光ファイバ心線431を伝播し、その後光導波路410A内に結合されて伝播する。また、図12は、面発光レーザ402Aと光導波路410Aとの光結合部分の第4の例を示す側面図である。図12に示す例では、スペーサ406Aに載置された光導波路410Aには、光軸に対して略45度傾斜する傾斜内面を有する楔形の溝412Aが形成されている。また、この傾斜内面には反射膜411Aが形成され、鏡面加工されている。そして、溝412Aと反射膜411Aとが光結合手段を構成している。また、面発光レーザ402Aは、この溝412A上の位置において、光導波路410Aに直接取り付けられている。なお、この面発光レーザ402Aは、その基板側すなわち下方へ光信号L6を出射するように構成されている。そして、面発光レーザ402Aから出射した光信号L6は、溝412Aの傾斜内面に形成された反射膜411Aによって反射されて光導波路410Aに結合し、光導波路410A内を伝播する。なお、上記実施の形態においては、n型コンタクト層3、n型クラッド層5、p型コンタクト層14はAlを含まないGaAsからなるものである。また、p型スペーサ層11、13、p型高導電率層12は、AlGaAsからなるものである。しかしながら、Al組成が電流狭窄層9からp型コンタクト層14に向かって単調減少し、かつ電流狭窄層9からn型コンタクト層3に向かって単調減少するという条件を満たせば、これらの各層の組成は実施の形態のものに限定されず、たとえばn型コンタクト層3をAlGaAsからなるものとしてもよい。また、Al組成が単調減少するという条件を満たせば、実施の形態で示した半導体層以外の半導体層を備えていてもよい。また、上記実施の形態においては、基板上と活性層との間にn型半導体層が形成され、活性層の上側にp型半導体層が形成されているが、基板上と活性層との間にp型半導体層を形成し、活性層の上側にn型半導体層を形成してもよい。また、上記実施の形態においては、上部DBRミラーは全体が誘電体多層膜からなるが、少なくともその一部が誘電体多層膜であり、その他の部分が半導体多層膜である構成としてもよい。また、面発光レーザを構成する半導体材料は、AlGaAs系、GaInAs系に限らず、レーザ発振波長に応じてInP系等の他の半導体材料を使用することができる。本発明は、GaAs基板で実施例を示したが、InP基板でも良い。その際、酸化に供する層は、AlGaInAs若しくはAlInAsとする。酸化層からp型コンタクト層間と、酸化層からn型コンタクト層間はAlGaInAsで構成し、コンタクト層に向かうに連れてAl組成が単調減少になるように構成する。また、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。上記各実施形態の各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。"