絶縁膜上に設けられた、微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜が積層された積層膜に対して1000Paより高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させることを特徴とするエッチング方法。基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に微結晶シリコン膜を形成し、前記微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜に1000Paより高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に微結晶シリコン膜を形成し、前記微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜上に不純物シリコン膜を形成し、前記不純物シリコン膜上に導電膜を形成し、前記導電膜及び前記不純物シリコン膜をエッチングすることにより、前記導電膜からなるソース配線及びドレイン配線を形成するとともに前記アモルファスシリコン膜を露出させ、露出した前記アモルファスシリコン膜に1000Paより高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。本発明の一態様は、アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜とのエッチングレートの差を大きくしたエッチング方法または薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、絶縁膜上に設けられた、微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜が積層された積層膜に対して1000Paより高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させることを特徴とするエッチング方法である。上記本発明の一態様によれば、1000Paよりも高圧力でH2とArの混合ガス雰囲気中でのプラズマ処理を用いることにより、アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜のエッチングレートの差を拡大することができる。本発明の一態様は、基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に微結晶シリコン膜を形成し、前記微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜に1000Paより高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法である。本発明の一態様は、基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に微結晶シリコン膜を形成し、前記微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜上に不純物シリコン膜を形成し、前記不純物シリコン膜上に導電膜を形成し、前記導電膜及び前記不純物シリコン膜をエッチングすることにより、前記導電膜からなるソース配線及びドレイン配線を形成するとともに前記アモルファスシリコン膜を露出させ、露出した前記アモルファスシリコン膜に1000Paより高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法である。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。[実験による検証]アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜とのエッチングレートの差を大きくするには、1000Paよりも高圧力でH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことが有効であることを実験により検証した結果を以下に説明する。まず、アモルファスシリコン膜及び微結晶シリコン膜それぞれを下記のように作製した。アモルファスシリコン膜の成膜条件流量:SiH4/H2=280sccm/330sccm圧力:170PaRF電力:60W電極間隔上部電極下面と下部電極上面の間隔:24.5mm基板温度:280°C成膜レート:23nm/min.微結晶シリコン膜の成膜条件流量:SiH4/H2/Ar=10sccm/1500sccm/1500sccm圧力:280PaRF電力:50W電極間隔上部電極下面と下部電極上面の間隔:24.5mm基板温度:280°C成膜レート:1.71nm/min.平行平板型のプラズマ処理装置の真空チャンバー内で下記の条件によりアモルファスシリコン膜及び微結晶シリコン膜それぞれにプラズマ処理を行った。条件H2の流量:1500sccmArの流量:1500sccm圧力:1000Pa、2000Pa、3000Pa、4000Pa、5000Pa、10000Pa電極間隔上部電極下面と下部電極上面の間隔:7mm上部電極温度:250°C下部電極温度:290°CRF電力の周波数:13.56MHzRF電力:50W、100W、150W処理時間:600sec上記条件によるアモルファスシリコン膜のエッチングレートと微結晶シリコン膜のエッチングレートの変化を図1に示す。図1は、圧力及びRF電力とエッチングレートとの関係を示す図である。図1によれば、1000Paの処理条件では、RF電力が増加するとともにアモルファスシリコン膜のエッチングレートと微結晶シリコン膜のエッチングレートが両方とも増加した。また、2000Paの処理条件では、RF電力が増加するとともにアモルファスシリコン膜のエッチングレートは増加したが、微結晶シリコン膜のエッチングレートは低下した。このような結果から、例えば、圧力を3000Pa、RF電力を150Wとすることで、微結晶シリコン膜をほとんどエッチングすることなく、アモルファスシリコン膜のみをエッチングすることができるといえる。[科学技術計算結果による考察]次に、科学技術計算結果に基づき、アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜とのエッチングレートの差を大きくするには、1000Paよりも高圧力でH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことが有効である理由の考察について説明する。まず、高圧力にしたことによる直接的な影響として、真空チャンバー内の粒子の平均自由行程が大きく低下することが考えられる。そこで、科学技術計算により微結晶シリコン膜の成膜時の圧力を変化させたときのH2とArの平均自由行程について、下記の通りの科学技術計算を行い、そして科学技術計算を行った結果を図2に示す。平均自由行程の算出粒子を剛体と仮定したとき、粒子1の衝突半径をd1m、粒子2の衝突半径をd2mとし、衝突断面積σm2は下記式により表される。σ=πd1d22一般に、テスト粒子1が静止した粒子2と衝突しながら進むという近似が成り立つ場合例えば電子-中性粒子衝突の場合、平均自由行程λ12は下記式により表される。なお、nは、粒子2の密度である。λ12=1/nσシース電場で加速されたイオンは、中性粒子と比較して非常に速いので、イオンを粒子1、中性粒子を粒子2と考えてよい。ここで、ガスの流量比は分圧に比例するとして、微結晶シリコン膜の成膜で用いられるガスに対するイオンの平均自由行程を計算する。ここでの計算は下記の条件で行った。SiH4/H2/Arの流量sccm=1.5/750/750チャンバー内圧力Pa=500-5000チャンバー内温度=280°C553KSiH4/H2/Arの混合ガスは電離していない正電荷と仮定して算出する。なお、片方の粒子が静止しているとみなせない場合、相対速度は大きくなり単位時間内の衝突回数が増えるため、より平均自由行程が短くなる。表1は、科学技術計算に用いたパラメータである。図2は、微結晶シリコン膜の成膜時の圧力を変化させたときのH2とArの平均自由行程について科学技術計算を行った結果を示す図である。図2によれば、平均自由行程は1000Paから3000Paの間で急激に減少している。また、3000Pa以上では圧力の増加分に対し、平均自由行程の減少分は緩やかに低下する。エッチング次に、微結晶シリコン膜のエッチングについて考えると、イオン化した各種水素イオンH、H2、H3やArが微結晶シリコン膜に衝突することで格子不整合を生成しアモルファス化した部分のエッチングが早く進むと考えられる。そこで、高圧力下で生成されるイオンのエネルギー分布関数を科学技術計算により求めた。その結果を図3と図4に示す。図3は、1000Pa及び3000PaそれぞれにおけるH2のイオンエネルギー分布関数を示す図である。図3によれば、1000Paの条件では20eVまでの高いエネルギーを持ったイオンが存在し、幅広いエネルギー分布を持つことが示されている。しかし、3000Paの条件では低エネルギー側に分布が偏り、5eV以下のエネルギー分布しか持たないことがわかった。これは、前述したように高圧力下ではイオンの平均自由行程が減少し、電界により加速されたイオンがすぐに他のイオンと衝突してしまい十分な運動エネルギーを得ることができないためであると考えられる。図4は、1000Pa及び3000PaそれぞれにおけるArのイオンエネルギー分布関数を示す図である。同様に図4でも、1000Paの条件では高いエネルギーを持ったイオンが存在し、幅広いエネルギー分布を持つことが示されているが、3000Paでは5eV以下の低エネルギー側に分布が偏っていることがわかる。以上の結果から、1000Paよりも高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でのプラズマ処理では、イオンの平均自由行程が減少し、それに伴いイオンエネルギーが減少するといえる。微結晶シリコン膜のエッチングでは、イオンダメージによるアモルファス化がエッチングを促進すると考えられるため、1000Paよりも高圧力のH2とArの混合ガス雰囲気中でのプラズマ処理ではイオンダメージが減少し、微結晶シリコン膜のエッチングレートが低下すると考えられる。一方で、アモルファスシリコン膜のエッチングレートに関しては微結晶シリコン膜とは異なり、1000Paよりも高圧力であってもRF電力の増加に伴ってエッチングレートが増加している。これは、アモルファスシリコン膜のエッチングでは水素ラジカルによるエッチングが主となるため、微結晶シリコン膜のようにイオンダメージがなくとも、エッチングが進行するためであると考えられる。よって、高圧力であってもRF電力を大きくすることで水素ラジカルの生成量が増加し、アモルファスシリコン膜のエッチングレートも増加すると考えられる。[TFTの作製方法]次に、上記1000Paよりも高圧力でH2とArの混合ガス雰囲気中でのプラズマ処理を用いたTFTの作製方法について説明する。このTFTの作製方法は、微結晶シリコン膜を用いた逆スタガ型TFTの作製プロセスの一例であり、図5及び図6を参照して説明する。まず、図5Aに示すように、基板1上にゲート電極2を選択的に形成する。次に、ゲート電極2を覆う例えば窒化シリコン膜SiNX膜からなるゲート絶縁膜3を形成する。なお、SiNX膜の成膜方法の一例は下記のとおりである。流量:SiH4/NH3/N2/H2=15sccm/500sccm/180sccm/200sccm圧力:100PaRF電力:200W電極間隔上部電極下面と下部電極上面の間隔:30mm基板温度:250°C次に、ゲート絶縁膜3の表面にN2Oプラズマ処理を行う。なお、本作製方法では、N2Oプラズマ処理を用いているが、H2O中でのプラズマ処理、H2とO2の混合ガス中でのプラズマ処理、またはO2ガス中でのプラズマ処理を用いても良い。なお、N2Oプラズマ処理の一例は下記のとおりである。流量:N2O=400sccm圧力:60PaRF電力:300W電極間隔上部電極下面と下部電極上面の間隔:30mm基板1としては、ガラス基板、セラミック基板等を用いることができる。なお、基板1のサイズに限定はなく、例えばフラットパネルディスプレイの分野でよく使われる第3世代乃至第10世代のガラス基板を用いることができる。ゲート電極2は、基板1上に、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、Mo、Ti、Cr、Ta、W、Al、Cu、Nd、Sc及びNiのいずれかの金属材料により導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ法によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電膜をエッチングして形成することができる。なお、ゲート電極2と、基板1との密着性向上を目的として、上記の金属材料の窒化物膜を、基板1と、ゲート電極2との間に設けてもよい。ここでは、基板1上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストで形成されるマスクを用いて、当該導電膜をエッチングする。なお、ゲート電極2の側面は、テーパー形状とすることが好ましい。これは、後の工程で、ゲート電極2上に形成される絶縁膜、シリコン膜及び配線が、ゲート電極2の段差箇所において切断しないためである。ゲート電極2の側面をテーパー形状にするためには、レジストで形成されるマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。ゲート絶縁膜3は、例えばCVD法またはスパッタリング法等を用いて、窒化シリコン膜SiNX膜および窒化酸化シリコン膜SiNO膜を、単層でまたは積層して形成すればよい。次に、ゲート絶縁膜3の上に微結晶シリコン膜4を形成する図5A。微結晶シリコン膜4は、例えば、第1の微結晶シリコン膜と、その上に形成された第2の微結晶シリコン膜によって構成される。第1の微結晶シリコン膜の厚さは、1nm以上10nm以下であることが好ましい。第1の微結晶シリコン膜は、プラズマCVD装置の処理室内において、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。なお、プラズマCVD装置の上部電極及び下部電極の間隔は、プラズマが発生しうる間隔とすればよい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、SiH4、Si2H6等がある。第1の微結晶シリコン膜の原料ガスに、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを混合することで、第1の微結晶シリコン膜の成膜速度が高まる。また、希ガスを混合させることでプラズマ中の電離や励起が促進され、SiH4やH2ガスの分解が高まることにより成膜速度が高まることで、第1の微結晶シリコン膜に混入される不純物量が低減するため、第1の微結晶シリコン膜の結晶性を高めることができる。また、堆積速度が高まることで、膜中に取り込まれる結晶化を阻害する元素の含有量が減少するため結晶性が高まる。このため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度が高まると共に、スループットを高めることができる。第1の微結晶シリコン膜を形成する際のグロー放電プラズマの生成は、3MHzから30MHz、代表的には13.56MHz、27.12MHzのHF帯の高周波電力、または30MHzより大きく300MHz程度までのVHF帯の高周波電力、代表的には、60MHzを印加することで行われる。なお、プラズマを生成させるパワーは、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量の比に合わせて適宜選択することが好ましい。なお、第1の微結晶シリコン膜の成膜方法の一例は下記のとおりである。流量:SiH4/H2/Ar=4sccm/750sccm/750sccm圧力:532PaRF電力:150W電極間隔上部電極下面と下部電極上面の間隔:15mm基板温度:250°C第2の微結晶シリコン膜の厚さは、30nm以上100nm以下であることが好ましい。第2の微結晶シリコン膜は、プラズマCVD装置の処理室内において、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。なお、プラズマCVD装置の上部電極及び下部電極の間隔は、プラズマが発生しうる間隔とすればよい。第2の微結晶シリコン膜の原料ガスに、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを混合することで、第1の微結晶シリコン膜と同様に、第2の微結晶シリコン膜の結晶性を高めることができる。また、堆積速度が高まることで、膜中に取り込まれる結晶化を阻害する元素の含有量が減少するため結晶性が高まる。このため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度が高まると共に、スループットを高めることができる。第2の微結晶シリコン膜を形成する際の、グロー放電プラズマの生成は、第1の微結晶シリコン膜の条件を適宜用いることができる。なお、第1の微結晶シリコン膜及び第2の微結晶シリコン膜のグロー放電プラズマの生成は、同じ条件であることでスループットを向上させることができるが、異なっていてもよい。なお、第2の微結晶シリコン膜の成膜方法の一例は下記のとおりである。流量:SiH4/H2/Ar=1.8sccm/750sccm/750sccm圧力:5000PaRF電力:125W電極間隔上部電極下面と下部電極上面の間隔:7mm基板温度:250°C本実施の形態において、第2の微結晶シリコン膜は、第1の微結晶シリコン膜に比べて、下地との密着性が低く、電界効果移動度が高い膜である。第1の微結晶シリコン膜及び第2の微結晶シリコン膜は、微結晶シリコンで形成される。微結晶シリコンとは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造の半導体である。微結晶シリコンは、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは20nm以上50nm以下、さらに好ましくは25nm以上33nm以下の柱状結晶または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。このため、柱状結晶または針状結晶の界面には、粒界が形成される場合もある。微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1とアモルファスシリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含んでいる。次に、微結晶シリコン膜4上にアモルファスシリコン膜5を形成する図5A。アモルファスシリコン膜5は、結晶化が抑制された領域を含むものである。アモルファスシリコン膜5は、プラズマCVD装置の処理室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。窒素を含む気体としては、アンモニア、窒素、フッ化窒素、塩化窒素等がある。グロー放電プラズマの生成は、第1の微結晶シリコン膜と同様にすることができる。このとき、シリコンを含む堆積性気体と、水素との流量比は、第1の微結晶シリコン膜または第2の微結晶シリコン膜と同様に微結晶シリコン膜を形成する流量比を用い、さらに原料ガスに窒素を含む気体を用いる条件とすることで、第1の微結晶シリコン膜及び第2の微結晶シリコン膜の堆積条件よりも、結晶成長を抑制することができる。具体的には、アモルファスシリコン膜5の堆積においては、原料ガスに窒素を含む気体が含まれるため、結晶成長が抑制され、結晶化が抑制された領域が形成される。この結果、アモルファスシリコン膜5において、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の比較的高いシリコン膜で形成される結晶化が抑制された領域を形成することができる。ここでは、アモルファスシリコン膜5を形成する条件の代表例は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量が10~2000倍、好ましくは10~200倍である。なお、通常のアモルファスシリコン膜を形成する条件の代表例は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量は0~5倍である。また、アモルファスシリコン膜5の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、またはクリプトン等の希ガスを導入し、希ガスを混合させることでプラズマ中の電離や励起が促進され、SiH4やH2ガスの分解が高まることにより成膜速度を高めることができる。アモルファスシリコン膜5の厚さは、50~350nmとすることが好ましく、さらに好ましくは120~250nmとする。次に、アモルファスシリコン膜5上に、不純物シリコン膜6として例えばnアモルファスシリコン膜を形成する図5A。不純物シリコン膜6は、リンが添加されたアモルファスシリコン、リンが添加された微結晶シリコン等で形成する。また、リンが添加されたアモルファスシリコン及びリンが添加された微結晶シリコンの積層構造とすることもできる。なお、薄膜トランジスタとして、pチャネル型薄膜トランジスタを形成する場合は、不純物シリコン膜6は、ボロンが添加された微結晶シリコン、ボロンが添加されたアモルファスシリコン等で形成する。不純物シリコン膜6は、プラズマCVD装置の処理室内において、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と、水素と、ホスフィン水素希釈またはシラン希釈とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンを含む堆積性気体を水素で希釈して、リンが添加されたアモルファスシリコン、またはリンが添加された微結晶シリコンを形成する。なお、p型の薄膜トランジスタを作製する場合は、不純物シリコン膜6として、ホスフィンの代わりに、ジボランを用いて、グロー放電プラズマにより形成すればよい。次に、不純物シリコン膜6上にレジストで形成されるマスク図示せずを形成する。このマスクはフォトリソグラフィ工程により形成することができる。このマスクを用いて、微結晶シリコン膜4、アモルファスシリコン膜5、及び不純物シリコン膜6をエッチングする。この工程により、微結晶シリコン膜4、アモルファスシリコン膜5、及び不純物シリコン膜6を素子毎に分離し、シリコンアイランドを選択的に形成する。この後、レジストで形成されるマスクを除去する。次に、シリコンアイランド上に例えばメタルからなる導電膜を形成する。この導電膜は、CVD法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成する。次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスク12を形成する図5A。次に、図5Bに示すように、マスク12を用いて導電膜及び不純物シリコン膜6をドライエッチングして、ソース電極及びドレイン電極として機能するソース配線及びドレイン配線10と、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物シリコン膜を形成する。このときアモルファスシリコン膜5もオーバーエッチングされ、このドライエッチングの面内ばらつきが直接アモルファスシリコン膜5の膜厚のばらつきにつながる。なお、本実施形態では、マスク12を用いて導電膜及び不純物シリコン膜6をドライエッチングしているが、マスク12を用いて導電膜をウェットエッチングした後に、不純物シリコン膜6をドライエッチングしても良い。また、ソース配線及びドレイン配線10の一方は、ソース電極またはドレイン電極のみならず信号線としても機能する。ただし、これに限定されず、信号線とソース電極及びドレイン電極とは別に設けてもよい。また、ソース配線及びドレイン配線10は、アルミニウム、銅、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデン、クロム、タンタル若しくはタングステン等を積層して形成することができるが、単層でも良い。または、ヒロック防止元素が添加されたアルミニウム合金ゲート電極に用いることができるAl-Nd合金等により形成してもよい。ドナーとなる不純物元素を添加した結晶性シリコンを用いてもよい。ドナーとなる不純物元素が添加された結晶性シリコンと接する側の層を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物により形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層構造としてもよい。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層構造としてもよい。次に、図5Cに示すように、マスク12をレジスト剥離液により除去する。次に、図6Aに示すように、ソース配線及びドレイン配線10をマスクとしてアモルファスシリコン膜5に前述した1000Paよりも高圧力でH2とArの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより微結晶シリコン膜4を露出させる。つまり、1000Pa以上の処理が可能なPECVD装置を用いてH2とArの混合ガス雰囲気中でのプラズマ処理によりアモルファスシリコン膜5のエッチングを行う。このエッチングは、前述したようにアモルファスシリコン膜5に比べて微結晶シリコン膜4のエッチングレートが非常に遅いため、微結晶シリコン膜4の膜厚ばらつきの問題はなくなる。つまり、前述したようにアモルファスシリコン膜5と微結晶シリコン膜4とのエッチングレートの差を大きくすることができるため、アモルファスシリコン膜5と微結晶シリコン膜4の界面でエッチングをストップさせることが容易になり、従来技術のように、基板面内で微結晶シリコン膜4が削られ過ぎてしまうこと、またはアモルファスシリコン膜5が完全に除去されずに残存してしまうことを防止できる。これは、エッチング処理による面内ばらつきが大きいような大面積の基板、またアモルファスシリコン膜5と微結晶シリコン膜4の成膜厚さのばらつきも大きいような大面積の基板であっても実現できる。次に、ドライエッチングを行ってもよい。ドライエッチングの条件は、露出している微結晶シリコン膜4及びアモルファスシリコン膜5にダメージが入らず、且つ微結晶シリコン膜4及びアモルファスシリコン膜5に対するエッチングレートが低い条件を用いる。つまり、露出している微結晶シリコン膜4及びアモルファスシリコン膜5表面にほとんどダメージを与えず、且つ露出している微結晶シリコン膜5及びアモルファスシリコン膜5の厚さがほとんど減少しない条件を用いる。エッチングガスとしては、代表的にはCl2またはCF2等を用いる。または、N2ガス中でプラズマ処理を行う。次に、微結晶シリコン膜4及びアモルファスシリコン膜5の表面にプラズマ処理を行う。上記したように、微結晶シリコン膜4及びアモルファスシリコン膜5を形成した後に、微結晶シリコン膜4及びアモルファスシリコン膜5にダメージを与えない条件で更なるドライエッチングを行うことで、露出した微結晶シリコン膜4及びアモルファスシリコン膜5上に存在する残渣などの不純物を除去することができる。また、プラズマ処理を行うことで、ソース領域とドレイン領域との間の絶縁を確実なものにすることができ、完成する薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、電気的特性のばらつきを低減することができる。次に、図6Bに示すように、露出した微結晶シリコン膜4及びソース配線及びドレイン配線10を覆うパッシベーション膜SiNX膜11を形成する。なお、パッシベーション膜11の成膜は、上記のH2とArの混合ガス雰囲気中でのプラズマ処理から大気に曝すことなく連続的に処理することが好ましい。以上の工程によりシングルゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。また、1000Paよりも高圧力でH2とArの混合ガス雰囲気中でのプラズマ処理を用いることにより、アモルファスシリコン膜5と微結晶シリコン膜4のエッチングレートの差を拡大することができる。そして、薄膜トランジスタの作製工程のチャネルエッチングにこの効果を利用することで、生産性を低下させることなく電気的特性が良好なシングルゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。なお、本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置としてゲート電極がチャネル領域の下方のみに位置する薄膜トランジスタについて説明しているが、本発明の他の一態様に係る半導体装置としてチャネル領域の上方にバックゲートが位置するデュアルゲート型の薄膜トランジスタに適用しても良い。