屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を有する位相板であり、前記一軸配向メソポーラス薄膜の表面に、可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体が形成され、前記一軸配向メソポーラス薄膜中におけるメソ細孔の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行であることを特徴とする位相板。前記一軸配向メソポーラス薄膜を形成する材料が、シリカ、チタニア、酸化スズ、またはそれらの少なくとも1種以上の複合物のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の位相板。前記一軸配向メソポーラス薄膜の膜厚が100nm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の位相板。前記格子構造体を形成する材料が、無機酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の位相板。前記格子構造を形成する材料が、チタニアであることを特徴とする請求項1または4に記載の位相板。屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を含む位相板の製造方法であり、基材上に界面活性剤を含む一軸配向メソ構造体薄膜を形成する工程と、前記一軸配向メソ構造体薄膜から界面活性剤を除去して、メソ細孔を含む一軸配向メソポーラス薄膜を得る工程と、前記一軸配向メソポーラス薄膜の表面に可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体を、前記メソ細孔の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行になる様に形成する工程とを有することを特徴とする位相板の製造方法。屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を含む位相板の製造方法であり、基材上に界面活性剤を含む一軸配向メソ構造体薄膜を形成する工程と、前記一軸配向メソ構造体薄膜の表面に、可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体を、前記一軸配向メソ構造体薄膜の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行になる様に形成する工程と、前記一軸配向メソ構造体薄膜から界面活性剤を除去して、メソ細孔を含む一軸配向メソポーラス薄膜を得る工程とを有することを特徴とする位相板の製造方法。従来の位相板においては、周期的格子構造を用いて1/4波長板や1/2波長板を形成する場合、回折や散乱の影響を少なくするためには、適用する波長に対して格子のピッチを十分に小さく、また十分な位相差を得るためには格子の高さを高くする必要がある。その結果、格子構造体中の個々の凸部の断面におけるアスペクト比凸部の高さ/凸部の幅が大きくなり、格子構造体の作製が困難になると同時に、外力に対する機械的強度が低下する課題があった。本発明は、このような背景技術に鑑みてなされたものであり、格子構造体の高さが低く、格子構造体の凸部の断面におけるアスペクト比が低い位相板及びその製造方法を提供するものである。上記の課題を解決する本発明の位相板は、屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を有する位相板であり、前記一軸配向メソポーラス薄膜の表面に、可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体が形成され、前記一軸配向メソポーラス薄膜中におけるメソ細孔の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行であることを特徴とする。また、上記の課題を解決する本発明の位相板の製造方法は、屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を含む位相板の製造方法であり、基材上に界面活性剤を含む一軸配向メソ構造体薄膜を形成する工程と、前記一軸配向メソ構造体薄膜から界面活性剤を除去して、メソ細孔を含む一軸配向メソポーラス薄膜を得る工程と、前記一軸配向メソポーラス薄膜の表面に可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体を、前記メソ細孔の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行になる様に形成する工程とを有することを特徴とする。また、上記の課題を解決する本発明の位相板の製造方法は、屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を含む位相板の製造方法であり、基材上に界面活性剤を含む一軸配向メソ構造体薄膜を形成する工程と、前記一軸配向メソ構造体薄膜の表面に、可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体を、前記一軸配向メソ構造体薄膜の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行になる様に形成する工程と、前記一軸配向メソ構造体薄膜から界面活性剤を除去して、メソ細孔を含む一軸配向メソポーラス薄膜を得る工程とを有することを特徴とする。本発明によれば、格子構造体の高さが低く、格子構造体の凸部の断面におけるアスペクト比が低い位相板及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明に係る位相板は、屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を有する位相板と、格子構造体とを有する位相板である。そして、一軸配向メソポーラス薄膜の表面に、可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体が形成され、一軸配向メソポーラス薄膜中におけるメソ細孔の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行であることを特徴とする。本発明の位相板は、無機酸化物からなり、十分な位相差を有する。また、本発明の位相板は、格子構造中の凸部の断面におけるアスペクト比が、周期的格子構造のみからなり同等の位相差を有するように設計された位相板と比較して低く抑えられ、機械的強度に優れた特徴を有する。本発明の位相板の製造方法は2つの方法がある。本発明の第1の位相板の製造方法は、下記の1から3の工程を有することを特徴とする。1屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を含む位相板の製造方法であり、基材上に界面活性剤を含む一軸配向メソ構造体薄膜を形成する工程。2前記一軸配向メソ構造体薄膜から界面活性剤を除去して、メソ細孔を含む一軸配向メソポーラス薄膜を得る工程。3前記一軸配向メソポーラス薄膜の表面に可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体を、前記メソ細孔の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行になる様に形成する工程。本発明の第2の位相板の製造方法は、下記の1から3の工程を有することを特徴とする。1屈折率異方性を有する一軸配向メソポーラス薄膜を含む位相板の製造方法であり、基材上に界面活性剤を含む一軸配向メソ構造体薄膜を形成する工程。2前記一軸配向メソ構造体薄膜の表面に、可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体を、前記一軸配向メソ構造体薄膜の配向方向と、前記格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行になる様に形成する工程。3前記一軸配向メソ構造体薄膜から界面活性剤を除去して、メソ細孔を含む一軸配向メソポーラス薄膜を得る工程。以下、図1を用いて、本発明における位相板の構成の概略およびその製造方法を説明する。図1は本発明における位相板の一実施様態を示す概略図である。図中、1は一軸配向メソポーラス薄膜メソポーラス薄膜とも記す。、2はメソポーラス薄膜の壁部、3はメソポーラス薄膜のメソ細孔、4は格子構造体を示す。5は格子構造体中の凸部、6はメソポーラス薄膜におけるメソ細孔の配向方向、7は格子構造体における凸部の配向方向、8は基材、9はメソポーラス薄膜1と格子構造体4から構成される位相板を示す。基材8は、表面に一軸配向メソポーラス薄膜1を形成する工程に対して十分な耐熱性耐薬品性を持った材料で、かつ位相板として使用する波長に対して十分な透過性を有する材料であれば、材料に特に制限は無い。例えば石英や硼珪酸ガラスなどを含む各種ガラス材料から用途と性能コストに応じて選ぶことができる。基材8は単一組成のものに限らず、あらかじめ基材8の表面に別の部材が形成されていても良い。基材8上に、一軸配向メソポーラス薄膜1が形成されている。ここでいう一軸配向メソポーラス薄膜とは、細孔径が2乃至50nmのメソ細孔を多数含んだ多孔質材料からなり、特に筒状のメソ細孔3が面内で配向方向6に平行に配向した薄膜を指す。一軸配向メソポーラス薄膜中におけるメソ細孔の配向方向6とは、メソ細孔3の軸方向を表す。このような一軸配向メソポーラス薄膜の例としては、特許第3587373号公報に記載されている一軸配向メソポーラスシリカ薄膜などが挙げられる。メソポーラス薄膜1を形成する材料としては、メソ細孔3の一軸配向性を有し、かつ位相板として使用する波長に対して十分な透過性を有する材料であれば、特に制限は無い。一軸配向メソポーラス薄膜を形成する材料が、シリカ、チタニア、酸化スズ、またはそれらの少なくとも1種以上の複合物のいずれかであることが好ましい。具体的には、メソポーラスシリカ、メソポーラスチタニア、メソポーラス酸化スズ、及びこれらの複合体などが用いられる。一軸配向メソポーラス薄膜の作製方法に特に制限は無く、既存の手法を用いることができる。以下、メソポーラス薄膜1としてメソポーラスシリカを用いる場合を例として、例えばラビングを用いた手法を説明する。十分に洗浄された基材8の表面に、例えば下記の化学式1で表されるポリイミドからなる高分子膜を形成する。この高分子膜上にメソ細孔を一軸方向に配向させるための表面処理として、高分子膜表面に対してラビング処理を行う。ラビング処理は、布を巻きつけたローラーを用いて、回転するローラーを前記高分子膜表面に接触させて行う。これによりポリイミド配向膜が得られる。ポリイミド配向膜上に、反応溶液を用いてメソ構造体薄膜を形成する。反応溶液の例として、界面活性剤水溶液に塩酸などの酸を混合し、SiO2の等電点であるpH=2以下に調整したものに、テトラエトキシシランのようなケイ素のアルコキシドを混合したものが用いられる。界面活性剤は、4級アルキルアンモニウムのようなカチオン系界面活性剤、アルキルアミンやポリエチレンオキシドを親水基として含む界面活性剤のような非イオン性界面活性剤等の中から適宜選択される。使用する界面活性剤の長さは、目的のメソ構造の細孔径に応じて決められる。また、界面活性剤ミセルの径を大きくするために、メシチレンのような添加物を加えても良い。メソ構造体薄膜の形成方法は特に制限は無く、例えば耐圧性を有する反応容器を用いて、反応溶液中に基材を保持することにより、ポリイミド配向膜上にメソ構造体薄膜を形成することができる。また、ポリイミド配向膜上に、前記反応溶液をディップコートやスピンコートなどにより展開し、メソ構造体薄膜を形成することもできる。これらの方法は、特許第3587373号公報に記載されている。この時、所望の膜厚や膜質を達成する目的で、各種アルコールなどを添加してもよい。メソ構造体薄膜を適切な条件で乾燥後、テンプレートである界面活性剤を除去することで、図1に示すような、筒状のメソ細孔3が配向方向6に沿って配向した、メソポーラス薄膜1が得られる。なお、テンプレートである界面活性剤の除去時に、ポリイミド配向膜も除去されていることが望ましい。前記一軸配向メソポーラス薄膜の膜厚が、100nm以上5μm以下であることが望ましい。膜厚が100nm未満の場合、メソポーラス薄膜でのレターデーション量が過少となる。一方膜厚が5μmより大きい場合は、メソポーラス薄膜中においてメソ細孔の一軸配向制御が十分に達成されない。本発明の位相板9は、上記で得られた一軸配向メソポーラス薄膜の表面に、可視光の波長よりも短い周期を有する格子構造体4が形成された構造からなる。格子構造体4は、多数の凸部5がほぼ一定の周期で、一定の配向方向7に実質的に平行に並んだ周期的格子構造からなる。凸部5は、断面が四角形の板状の凸部が好ましい。凸部の配向方向7とは、板状の凸部5の長手方向を表す。格子構造体を構成する材料は、位相板として使用する波長に対して十分な透過性を有するものであれば特に制限は無く、シリカ、チタニア、酸化スズ、ジルコニア、アルミナなどの各種無機酸化物などを用いることができる。それらの中でチタニアが好ましい。前記格子構造体の膜厚が、100nm以上1μm以下であることが望ましい。膜厚が100nm未満の場合格子構造体において十分なレターデーション量が得られない。一方膜厚が1μmより大きい場合は、格子構造体中の個々の凸部の断面におけるアスペクト比が大きくなりすぎるため、外力に対する機械的強度が十分に達成されない。次に、格子構造体4中における凸部5の構造について、図2を用いて説明する。図2は、図1に示す本発明の位相板を、格子構造体の配向方向7と垂直な方向に切断した場合の断面図を示す。図2中、aは凸部の幅、bは凸部と凸部の間のギャップ幅、Hgratは凸部の高さ、Hmesoはメソポーラス薄膜の厚さ、n1は凸部の屈折率、n2はギャップ部の屈折率、tはabの長さで、凸部の周期を示す。なお、一般的な位相板を想定した場合、ギャップ部は実質的には空気であるため、以下の説明中での計算ではn2は1として扱う。非特許文献1に示されるように、格子構造体4が可視光の波長よりも短い周期を有する時、格子構造体4は可視光の波長を有する入射光の各偏光成分に対して、異なる有効屈折率を有する媒質として取り扱うことができる。入射光について、格子と平行な方向の偏光をTE、格子と直交する方向の偏光をTMとする時、各偏光成分に対する格子構造体4の有効屈折率nTE及びnTMは、n1、n2、a、bを用いて以下の式1および2で表されることが知られている。上記の有効屈折率nTE及びnTMは、a:bの比率によらずnTE>nTMである。格子構造体4において、凸部5の幅a及び凸部間ギャップbは、後述する本発明における位相板としての機能を考慮した上で適切に設定する。格子構造体4の形成方法に特に制限は無く、例えばフォトリソグラフィーもしくは電子線描画によるパターニングとドライエッチングからなるプロセスなど、既存の手法を用いることができる。以下、格子構造体4に注目した場合の、位相板としての機能に関して説明する。一般に、波長λnmの入射光に対して、直交する二つの偏光成分間での位相差Δφは以下の式3で表わされる。ここでRはレターデーションを表わし、格子構造体4におけるレターデーションRgratは以下の式4で示される。Δngratは、格子構造体4における偏光TE及びTM間での屈折率差で、以下の式5で示される。格子構造体4において、十分な位相差Δφを得るためにRgratを大きくする場合、式4に示すΔngrat及び、又はHgratを大きくすればよい。Δngratをできる限り大きくする場合、格子構造体4において凸部を形成する材料の屈折率n1に応じて、式5により導出されるΔngratが最大となるように、式12においてa:bを設計すればよい。このとき、凸部5の周期を示すabは、可視光の波長よりも小さく、好ましくは位相板として使用する波長の1/2以下、より好ましくは波長の1/5以下であることが望ましい。それにより、格子構造体における入射光の散乱回折の発生を抑制することができる。具体的には、格子構造体4を形成する材料として屈折率が2.3のチタニアを用いて、入射光として波長600nmの光を想定した場合、abは300nm以下であることが望ましい。また式1、2、5より計算した結果、a:bの比率がほぼ1:1の時にΔngratが最大となる。そのため、ab=300nmとして設計した場合、凸部5の格子幅a=150nm、格子部間ギャップb=150nmとして、格子構造体4を形成すればよい。格子構造体4においてΔngratの値の増大には限度があるため、Rgratを大きくするためには格子構造体中の凸部5の高さHgratを大きくする必要がある。しかしHgratを大きくするにつれて、個々の凸部の断面におけるアスペクト比Hgrat/aも大きくなる。その結果、格子構造の均一な形成が困難になるだけでなく、外力に対する機械的強度の観点からは脆くなる。よって、製造プロセス、製造コスト、製品の許容誤差、位相板の使用環境などの各種条件を考慮しつつ、Hgratはできる限り小さくすることが望ましい。一方、先述のメソポーラスシリカ層1に関しても、膜厚方向の周期構造に関して、各層を単一の格子構造体が積層した構造をモデルとして近似することにより、レターデーションRmesoを算出できる。具体的には、式1から式5を用いて近似的に一軸配向メソポーラスシリカ層におけるレターデーションRmesoを算出することができる。既報の一軸配向メソポーラスシリカ薄膜構造をもとにメソポーラスシリカ層1における偏光TE及びTM間での屈折率差Δnmesoを近似計算すると、約0.03が得られる。この時、メソ細孔の配向方向と平行な方向の偏光をTE、直交する方向の偏光をTMとしている。本発明の位相板は、メソポーラス薄膜1の上層に、先述の格子構造体4を設けた構造からなる。このとき最も重要なのは、一軸配向メソポーラス薄膜中におけるメソ細孔の配向方向と、格子構造体中における凸部の配向方向が平行または略平行であることである。これにより、入射光に対して、格子構造体4により生じるレターデーションRgratとメソポーラス薄膜1により生じるレターデーションRmesoの和として、位相板全体としての機能を設計することができる。その結果、格子構造体4単独で設計した場合の位相板構造と比較して、格子構造体4において必要とされる高さHgratが減少し、凸部5の断面におけるアスペクト比を低下させることができる。以下、メソ細孔の配向方向6と、格子構造体の方向7が平行または略平行であるように、メソポーラス薄膜1の上に格子構造体4を形成する方法について説明する。まず、基材8上に形成したメソポーラス薄膜1におけるメソ細孔の配向方向6を検出する。例えばメソポーラス薄膜1における配向制御手法として、ラビングにより形成された高分子薄膜上に反応液を展開する手法の場合、メソ細孔の配向方向6は、ラビング方向と平行か、もしくは垂直になることが報告されている。この時、ラビング方向と平行か垂直かは、材料条件や成膜条件に依存する。あらかじめ別の実験などにより、メソポーラス薄膜の配向方向がラビング方向と平行か垂直かの条件を把握する。その上で、さらに例えばX線回折装置を用いた面内配向方向の検出手法を組み合わせることで、より厳密にメソ細孔の配向方向6を決定することができる。このようにしてメソ細孔の配向方向6を決定した上で、格子構造体4の形成を行う。格子構造体4の形成方法に特に制限は無く、例えばフォトリソグラフィーとエッチングからなるプロセスなど、既存の手法を用いることができる。まず、メソポーラス薄膜1上に格子構造体4を構成する材料からなる薄膜をHgratよりも大きい膜厚で形成する。格子構造体4を形成する上で必要な屈折率n1を達成でき、かつHgrat以上の膜厚を達成できれば、成膜方法に特に制限は無く、スパッタ法や蒸着法などの一般的な成膜方法を用いることができる。次に、格子構造体4を構成する材料の薄膜上にレジスト層を形成後、フォトマスクの格子状パターンの方向が、先の手法で求めたメソ細孔の配向方向6と平行または略平行になるようにフォトマスクを配置した上で、露光処理を行う。その後エッチング処理を施し、格子構造体4を構成する薄膜を凹凸状に加工し、周期的格子構造状にパターニングする。最後にレジスト層を除去することにより周期的格子構造からなる格子構造体4が得られる。一軸配向メソポーラス薄膜中におけるメソ細孔の配向方向6と、前記格子構造体中における凸部の配向方向7が平行または略平行になる様に配置された、周期的格子構造からなる格子構造体4が得られる。具体的には、図4において、凸部の配向方向7と、メソ細孔の配向方向6の法線10との間の傾き角θが、平行の場合には90度であり、略平行の場合には90度-20度から90度20度の範囲の角度であるのが好ましい。本発明の位相板9では、位相板9全体として所望のレターデーションが得られる限り、格子構造体4における凸部間のギャップ部の底面が、メソポーラス薄膜1の表面と必ずしも一致している必要は無い。具体的には図3aに示すように格子構造体を形成する際に行うエッチング処理が、格子構造体の最下部まで到達していなくても良い。図3aに示す構造は、メソポーラス薄膜1を格子構造体4が実質的に封止しているため、メソポーラス薄膜1への水分吸着などを抑制することができる。または図3bに示す構造のようにエッチング処理がメソポーラス薄膜1まで到達していても良い。一方、格子構造体4における凸部間のギャップ部の底面とメソポーラス薄膜1の表面を厳密に一致させる目的で、メソポーラス薄膜1と格子構造体4の間にエッチングストップ層が存在しても良い。格子構造体4の形成は、必ずしも中空のメソポーラス薄膜上に行う必要は無く、メソ細孔中に界面活性剤を保持したメソ構造体薄膜上に形成しても良い。たとえば格子構造体4の形成プロセスにおいて、下地層が中空のメソポーラス薄膜だとメソ細孔中に異物質が混入して位相板としての機能が低下する恐れがある場合がある。この時は、下地層は界面活性剤をメソ細孔内に保持したメソ構造体膜の上に格子構造体4を形成し、最後にメソ構造体中の界面活性剤を焼成などにより除去しても良い。実施例1表面に溶媒洗浄及びUVオゾン洗浄を施した石英基板上に、前述の化学式1に示したポリイミドからなる高分子膜を形成した。この高分子膜にラビング処理を行い、ポリイミド配向膜を得た。テトラエトキシシラン、界面活性剤、2-プロパノール、塩酸、水を混合して作成したゾル反応液を、ディップコート法により上記ポリイミド配向膜上に塗布し、一軸配向メソ構造体薄膜を得た。界面活性剤にはBrij56商品名、Aldrich社製を用いた。混合比モル比は、テトラエトキシシラン:1.0、界面活性剤:0.080、2-プロパノール:17、塩酸:0.0040、水:5.0とした。反応時間は3時間とした。その後、マッフル炉を用いて400°Cで4時間焼成して界面活性剤とポリイミド配向膜を焼成除去し、一軸配向メソポーラスシリカ薄膜を得た。このメソポーラスシリカ薄膜は、X線回折装置による測定の結果、構造周期を示すd値が6nmで、筒状のメソ細孔がラビング方向と垂直方向に一軸配向していた。また膜厚は800nmで、波長600nmに対するレターデーションは25nmであった。次に、一軸配向メソポーラスシリカ層上にチタニア層をスパッタ法により270nmの膜厚で形成した。この時、チタニア層の波長600nmにおける屈折率をエリプソメトリーにより評価した結果、2.3であった。その後、チタニア層の上にレジスト層を形成した上で、上記メソ細孔の配向方向と格子状パターンの凸部の配向方向が平行になるように、フォトマスクを設置し、格子状パターンをフォトリソグラフィーにより形成した。レジストが格子状にパターニングされたチタニア層表面に対して、フッ素を含むエッチングガスを用いてICP-RIE処理を施すことにより、チタニアからなる格子構造体を形成した。このチタニア格子構造体は、凸部の幅が150nm、凸部間ギャップが150nm、凸部の高さが260nmであった。一軸配向メソポーラスシリカ層とチタニア格子構造体の複合体からなるこの位相板は全体としてレターデーションは150nmとなり、波長600nmの入射光に対して1/4波長板として機能する。また、凸部の断面におけるアスペクト比は約1.7であった。実施例2実施例1と同様の手法により、一軸配向メソ構造体膜を得た。界面活性剤を含む一軸配向メソ構造体薄膜上にチタニア層及びレジスト層を実施例1と同様に形成した。その後、上記メソ構造配向方向と格子状パターンが平行になるように、フォトマスクを設置し、格子状パターンをフォトリソグラフィーにより形成した。レジストにより格子状にパターニングされたチタニア層表面に対して、フッ素を含むエッチングガスを用いてICP-RIE処理を施すことにより、チタニアからなる格子構造体を形成した。このチタニア格子構造体は、凸部の幅が150nm、凸部間ギャップが150nm、凸部の高さが260nmであった。その後、マッフル炉を用いて400°Cで4時間焼成して、メソ構造体薄膜中のテンプレートとポリイミド配向膜を焼成除去し、一軸配向メソポーラスシリカ層を得た。一軸配向メソポーラスシリカ層とチタニア格子構造体の複合体からなるこの位相板は全体としてレターデーションは150nmとなり、波長600nmの入射光に対して1/4波長板として機能する。また、凸部の断面におけるアスペクト比は約1.7であった。実施例3実施例1と同様の手法により、ポリイミド配向膜を得た。チタン酸テトライソプロピル、界面活性剤、1-ブタノール、塩酸、水を混合して作成したゾル反応液をディップコート法により上記ポリイミド配向膜上に塗布し、一軸配向メソ構造体膜を得た。界面活性剤にはBrij56商品名、Aldrich社製を用いた。混合比モル比は、チタン酸テトライソプロピル:1.0、界面活性剤:0.15、1-ブタノール:29、塩酸:1.5、水:5.5とし、反応時間は3時間とした。テトラエトキシシランの蒸気処理により一軸配向メソ構造体の壁部を補強した後、マッフル炉を用いて400°Cで4時間焼成して界面活性剤とポリイミド配向膜を焼成除去し、一軸配向メソポーラスチタニア薄膜を得た。このメソポーラスチタニア薄膜は、X線回折装置による測定の結果、構造周期を示すd値が4nmで、筒状のメソ細孔がラビング方向と垂直方向に一軸配向していた。また膜厚は800nmで、波長600nmに対するレターデーションは80nmであった。次に、一軸配向メソポーラスチタニア層上にチタニア層をスパッタ法により160nmの膜厚で形成した。この時、チタニア層の波長600nmにおける屈折率をエリプソメトリーにより評価した結果、2.3であった。その後、チタニア層の上にレジスト層を形成した上で、上記メソ細孔配向方向と格子状パターンの凸部の配向方向が平行になるように、フォトマスクを設置し、格子状パターンをフォトリソグラフィーにより形成した。レジストが格子状にパターニングされたチタニア層表面に対して、フッ素を含むエッチングガスを用いてICP-RIE処理を施すことにより、チタニアからなる格子構造体を形成した。このチタニア格子構造体は、凸部の幅が150nm、凸部間ギャップが150nm、凸部の高さが150nmであった。一軸配向メソポーラスチタニア層とチタニア格子構造体の複合体からなるこの位相板は全体としてレターデーションは150nmとなり、波長600nmの入射光に対して1/4波長板として機能する。また、凸部の断面におけるアスペクト比は約1であった。実施例4実施例1と同様の手法により、ポリイミド配向膜を得た。塩化スズ、界面活性剤、エタノール、水を混合して作成したゾル反応液をディップコート法により上記ポリイミド配向膜上に塗布し、一軸配向メソ構造体膜を得た。界面活性剤にはBrij76商品名、Aldrich社製を用いた。混合比モル比は、塩化スズ:3.6、界面活性剤:1.0、エタノール:127、水:20とし、反応時間は30分とした。テトラエトキシシランの蒸気処理により一軸配向メソ構造体の壁部を補強した後、マッフル炉を用いて400°Cで4時間焼成して界面活性剤とポリイミド配向膜を焼成除去し、一軸配向メソポーラス酸化スズ薄膜を得た。このメソポーラス酸化スズ薄膜は、X線回折装置による測定の結果、構造周期を示すd値が4nmで、筒状のメソ細孔がラビング方向と垂直方向に一軸配向していた。また膜厚は800nmで、波長600nmに対するレターデーションは60nmであった。次に、一軸配向メソポーラス酸化スズ層上にチタニア層をスパッタ法により200nmの膜厚で形成した。この時、チタニア層の波長600nmにおける屈折率をエリプソメトリーにより評価した結果、1.7であった。その後、チタニア層の上にレジスト層を形成した上で、上記メソ細孔配向方向と格子状パターンの凸部の配向方向が平行になるように、フォトマスクを設置し、格子状パターンをフォトリソグラフィーにより形成した。レジストが格子状にパターニングされたチタニア層表面に対して、フッ素を含むエッチングガスを用いてICP-RIE処理を施すことにより、チタニアからなる格子構造体を形成した。このチタニア格子構造体は、凸部の幅が150nm、凸部間ギャップが150nm、凸部の高さが190nmであった。一軸配向メソポーラス酸化スズ層とチタニア格子構造体の複合体からなるこの位相板は全体としてレターデーションは150nmとなり、波長600nmの入射光に対して1/4波長板として機能する。また、凸部の断面におけるアスペクト比は約1.3であった。比較例1石英基板上に、実施例1に示すチタニア格子構造体のみからなる屈折率異方性構造を設計した。格子構造体における凸部の幅が150nm、凸部間ギャップが150nmである。この実施例1と同様の凸部形状の条件において、同様に波長600nmの入射光に対して1/4波長板として機能するためには、凸部の高さは315nmが必要となる。この時、凸部の断面におけるアスペクト比は約2.1となる。比較例2実施例1と同様の手法により、一軸配向メソポーラスシリカ薄膜を得た。その後、一軸配向メソポーラスシリカ層上にチタニア層及びレジスト層を実施例1と同様に形成した。その後、上記メソ細孔配向方向と格子状パターンの凸部の配向方向が直交するように、フォトマスクを設置し、格子状パターンをフォトリソグラフィーにより形成した。レジストにより格子状にパターニングされたチタニア層表面に対して、フッ素を含むエッチングガスを用いてICP-RIE処理を施すことにより、チタニアからなる格子構造体を形成した。このチタニア格子構造体は、凸部の幅が150nm、凸部間ギャップが150nm、凸部の高さが260nmであった。この位相板は、一軸配向メソポーラスシリカ層とチタニア格子構造体の複合体からなる。この位相板は、チタニア格子構造体の方向をTEとした場合、位相板全体としてのレターデーションは75nmとなり、波長500nmの入射光に対して1/4波長板として機能するために十分なレターデーションが得られなかった。これは、一軸配向メソポーラス薄膜におけるメソ細孔の配向方向と、格子構造体の方向が直交していることから、お互いの屈折率異方性を相殺することによる。