"主面に素子搭載領域を備える1または複数の第1のリードフレームと、主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される1または複数の第2のリードフレームと、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームの内の少なくとも一方に設けられる前記主面から前記主面に対する裏面までを貫通する1または複数の貫通孔と、前記第1のリードフレームおよび前記第2のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を開口して形成される樹脂部と、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームの前記主面に対する側面の少なくとも一部および前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとの間隙ならびに前記貫通孔内に少なくとも設けられる保持樹脂とを有し、前記樹脂部が前記貫通孔の少なくとも一部を覆い、前記樹脂部と前記保持樹脂が同一材料からなることを特徴とする半導体装置用パッケージ。前記保持樹脂が前記側面の少なくとも一部および前記間隙ならびに前記貫通孔内のみに設けられることを特徴とする請求項1記載の半導体装置用パッケージ。前記貫通孔の周囲に第1の段差を設けてリードフレーム厚が薄い部分を設けることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記側面の少なくとも一部および前記間隙の周囲に第2の段差を設けてリードフレーム厚が薄い部分を設けることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記第1の段差あるいは前記第2の段差が断続的に形成される複数の段差からなることを特徴とする請求項3または請求項4のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記第1の段差あるいは前記第2の段差が連続的に形成される1つの段差からなることを特徴とする請求項3または請求項4のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記樹脂部の開口内で前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとの間隙から露出する前記保持樹脂の表面に凹凸が形成されることを特徴とする請求項1~請求項6のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。前記凹凸を複数の突起で形成することを特徴とする請求項7記載の半導体装置用パッケージ。前記凹凸を複数の凹みで形成することを特徴とする請求項7記載の半導体装置用パッケージ。前記凹凸を1または複数の溝で形成することを特徴とする請求項7記載の半導体装置用パッケージ。前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いることを特徴とする請求項1~請求項10のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。リードフレームの主面から前記主面に対する裏面までを貫通する1または複数の貫通孔を前記リードフレームに形成するリードフレーム加工工程と、前記リードフレームを金型内に載置する金型工程と、前記金型内に樹脂を注入する樹脂注入工程とを有し、少なくとも前記貫通孔を介して前記リードフレームの主面上に前記樹脂を流入させることを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。前記リードフレーム加工工程にて、前記貫通孔の周囲の前記リードフレームにリードフレーム厚が薄くなる段差をさらに設けることを特徴とする請求項12記載の半導体装置用パッケージの製造方法。前記段差をコイニングにより形成することを特徴とする請求項13記載の半導体装置用パッケージの製造方法。請求項1~請求項10のいずれかに記載の半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記樹脂部の開口部の内部を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。請求項11記載の半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、前記光半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記リフレクタの開口部の内部を封止する透光性樹脂とを有し、光半導体装置であることを特徴とする半導体装置。しかしながら、従来のようにリードフレーム21,22間の裏面側から樹脂を注入して樹脂部23を形成すると、注入された樹脂がリードフレーム21,22の側面を大きく回りこんだ上、リードフレーム21,22の上面まで流通する必要があるため、流通経路が長くなり、かつ限定され、樹脂の未充填部分が発生し、半導体装置用パッケージの外観不良が発生するという問題点があった。さらに、半導体装置用パッケージは依然として小型化、薄型化が望まれており、それに併せて樹脂部23も小さくなり、樹脂の流通経路が細くなるので、この問題はより一層顕著になってきている。本発明は、上記問題点を解決するものであり、樹脂の未充填や外観不良を抑制することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用パッケージは、主面に素子搭載領域を備える1または複数の第1のリードフレームと、主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される1または複数の第2のリードフレームと、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームの内の少なくとも一方に設けられる前記主面から前記主面に対する裏面までを貫通する1または複数の貫通孔と、前記第1のリードフレームおよび前記第2のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を開口して形成される樹脂部と、前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームの前記主面に対する側面の少なくとも一部および前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとの間隙ならびに前記貫通孔内に少なくとも設けられる保持樹脂とを有し、前記樹脂部が前記貫通孔の少なくとも一部を覆い、前記樹脂部と前記保持樹脂が同一材料からなることを特徴とする。また、前記保持樹脂が前記側面の少なくとも一部および前記間隙ならびに前記貫通孔内のみに設けられることが好ましい。また、前記貫通孔の周囲に第1の段差を設けてリードフレーム厚が薄い部分を設けることが好ましい。また、前記側面の少なくとも一部および前記間隙の周囲に第2の段差を設けてリードフレーム厚が薄い部分を設けることが好ましい。また、前記第1の段差あるいは前記第2の段差が断続的に形成される複数の段差からなる構成でも良い。また、前記第1の段差あるいは前記第2の段差が連続的に形成される1つの段差からなることが好ましい。また、前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いても良い。さらに、本発明の半導体装置用パッケージの製造方法は、リードフレームの主面から前記主面に対する裏面までを貫通する1または複数の貫通孔を前記リードフレームに形成するリードフレーム加工工程と、前記リードフレームを金型内に載置する金型工程と、前記金型内に樹脂を注入する樹脂注入工程とを有し、少なくとも前記貫通孔を介して前記リードフレームの主面上に前記樹脂を流入させることを特徴とする。また、前記リードフレーム加工工程にて、前記貫通孔の周囲の前記リードフレームにリードフレーム厚が薄くなる段差をさらに設けることが好ましい。また、前記段差をコイニングにより形成しても良い。さらに、本発明の半導体装置は、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記樹脂部の開口部の内部を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。また、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、前記光半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電材と、前記リフレクタの開口部の内部を封止する透光性樹脂とを有し、光半導体装置であることを特徴とする。以上により、樹脂の未充填や外観不良を抑制することができる。複数のリードフレームの少なくとも1つに、1または複数の貫通孔を設けることにより、リードフレームを保持しながら半導体素子の搭載領域を形成する樹脂を注入する際に、リードフレームの裏面から貫通孔を樹脂流通経路として樹脂注入することができるため、樹脂の流通経路が短縮され、樹脂の未充填や外観不良を抑制することができる。実施の形態1まず、図1,図2を用いて実施の形態1における半導体装置用パッケージの構成を説明する。図1は実施の形態1における半導体装置用パッケージの構成を示す図であり、図1aは上面図、図1bは図1aにおけるX-X’断面図、図1cは裏面図である。図2は本発明の半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図である。図1において、1はインナーリードに半導体素子の搭載領域4を備えるリードフレーム、2はインナーリードに半導体装置との接続領域5を備えるリードフレーム、3はリードフレーム1およびリードフレーム2を保持すると共に搭載領域4と接続領域5を囲んで保護する樹脂部、6はリードフレーム1に設けられる貫通孔である。本発明の半導体装置用パッケージは、リードフレーム1,2をその側面および間隙の樹脂と樹脂部3とで保持し、樹脂部3により搭載領域4と接続領域5とを開口する構成であり、リードフレーム1またはリードフレーム2あるいはその両方の樹脂部3形成領域に1または複数の貫通孔6を設けることを特徴とする。このように、リードフレーム1に貫通孔6を設けることにより、金型を用いた樹脂部3の形成の際に、樹脂がリードフレーム1,2の側面を回りこむだけでなく、貫通孔6を樹脂流通経路として樹脂がリードフレーム1,2の上面に流れ込むため、樹脂の流通経路が短縮され、樹脂の未充填が発生することを抑制することができる。また、貫通孔6にも確実に樹脂が充填できるので、貫通孔6内の樹脂によりリードフレーム1を強固に保持することができる。図1では、リードフレーム2を1本備える2端子の半導体装置用パッケージを示しているが、リードフレーム2を複数備える構成であってもかまわない。また、貫通孔6をリードフレーム2に設けても、リードフレーム1とリードフレーム2の両方に設けても良く、貫通孔6の数も任意である。貫通孔6をリードフレーム2側にも設けた場合には、リードフレーム2の保持力も向上すると共に、樹脂部3への樹脂充填効率もより向上させることができる。次に、図2を用いて本発明の光半導体装置用パッケージの製造方法を説明する。まず、図2aに示すように、樹脂部3が形成される領域に1または複数の貫通孔6が設けられたリードフレーム1,2を形成する。次に、図2bに示すように、樹脂部3を形成するための金型7内にリードフレーム1,2を載置する。この状態で、金型7の樹脂注入口8から樹脂を注入する。注入された樹脂は、金型7内の空間およびリードフレームに形成された貫通孔6も経由して樹脂部3の形成領域に充填される。このように、リードフレームに設けた貫通孔6を介して樹脂を充填するためA方向から見た概略図である図2c、金型7内の空間におけるリードフレーム1,2の側面を経由してリードフレーム1,2上面に樹脂を充填する場合に比べて、樹脂の流入経路を短縮することができ、樹脂の未充填を抑制して、精度良く樹脂部3を形成することができる。最後に、図2dに示すように、樹脂を硬化させた後、金型7を外すことにより、リードフレーム1,2上に樹脂部3を設け、少なくともリードフレーム1,2の貫通孔6内、側面および間隙の樹脂と樹脂部3とでリードフレーム1,2を保持する半導体装置用パッケージが完成する。以上の説明では、リードフレーム1,2の素子搭載面に対する裏面にも樹脂を設けていたが、リードフレーム1,2を十分保持することができれば、半導体装置用パッケージの薄型化のために、リードフレーム1,2の裏面には樹脂を設けない構成とすることもできる。この場合、図2bに示す金型7に代わり、図2eに示すような金型9を用いることにより、裏面に樹脂を設けない半導体装置用パッケージを形成することができる。実施の形態2次に、図3を用いて実施の形態2における半導体装置用パッケージの構成を説明する。図3は実施の形態2における半導体装置用パッケージの構成を示す図であり、段差の構成例を示す図である。実施の形態2における半導体装置用パッケージは、実施の形態1における半導体装置用パッケージの貫通孔6に、さらに段差10を設けることを特徴とする。段差10を設けることにより、樹脂の注入流路を確保できると共に、段差10によるアンカー効果やリードフレーム1,2と樹脂との接触面積の向上により、樹脂によるリードフレーム1,2の保持力を向上させることができる。以下、図面を用いて説明する。図3aに示すように、貫通孔6の周囲のリードフレーム1に段差10を設け、貫通孔6の周囲にリードフレーム1の厚みの薄い部分を形成する。このように、貫通孔6の周囲のリードフレーム1に段差10を設けることにより、樹脂流路を確保しながら、リードフレーム1の段差10が樹脂に食い込む形態となり、段差10のアンカー効果により樹脂部3によるリードフレーム1の保持効果を向上させることができる。また、図3bに示すように、貫通孔6の周囲のみでなく、リードフレーム1とリードフレーム2が対向する部分に段差11を設けても良い。このように、リードフレーム1とリードフレーム2が対向する部分にも段差11を設けることにより、段差10と段差11のアンカー効果により、樹脂によるリードフレーム1,2の保持効果をさらに向上させることができる。また、段差10,段差11は、図3cに示すように、貫通孔6の周囲やリードフレーム1とリードフレーム2が対向する部分に断続的に複数形成することにより樹脂によるリードフレーム1,2の保持効果を向上させることができる。さらに、図3dに示すように、段差10,段差11を連続的に形成することにより、保持効果を向上させながら、樹脂の流通経路をさらに拡大することができる。また、以上のように、段差10または段差11を設けることによりリードフレーム1,2の保持効果が向上し、リードフレーム1,2の裏面に樹脂部3を設ける必要性が低減されるので、リードフレーム1,2の裏面に樹脂を設けない構成として、半導体装置用パッケージの薄型化を図ることが容易となる。また、図1では貫通孔6を樹脂部3の形成領域内に設けていたが、図3eに示すように、樹脂部3の形成領域をはみ出して形成しても良い。貫通孔6の孔の面積を大きくすることにより、リードフレーム1と樹脂との接触面積が拡大し、より大きな保持力を期待することができるようになる。さらに、図3fに示すように、リードフレーム1,2の周囲の内、少なくとも樹脂部3が形成される領域に連続的に段差12を設けても良い。このように、段差12を設けることにより、樹脂部3によるリードフレーム1,2の保持効果をさらに向上させることができる。そのため、よりリードフレーム1,2の裏面の樹脂の必要性が低減され、容易に半導体装置用パッケージの薄型化を図ることが可能となる。また、リードフレーム1,2の周囲にも段差12を設けることにより、リードフレーム1,2の周囲を流通する樹脂の経路を拡大することができ、貫通孔6、リードフレーム1,2の間、リードフレーム1,2の周囲について樹脂の流動性を向上させることができる。ここで、これらの段差10,11,12の形成は、コイニングによって形成しても良いし、エッチングによって形成しても良く、形成方法は任意である。また、半導体装置用パッケージの製造工程は、実施の形態1の図2を用いた説明と同様である。上記実施の形態1および実施の形態2の半導体装置用パッケージにおいて、リードフレーム1,2の上面の樹脂部3をリフレクタとすることにより、光半導体装置用パッケージとすることもできる。この場合、リフレクタの材料となる樹脂を光の反射率の高い樹脂を用いるか、リフレクタの素子搭載面側の表面を光の反射率の高い材料でコーティングすることが、発光効率の向上のために好ましい。また、リフレクタの素子搭載面側の表面に素子搭載面側に向かう傾斜を設けることが、発光効率の向上のために好ましい。実施の形態3次に、図4を用いて実施の形態3における半導体装置用パッケージの構成を説明する。図4は実施の形態3の半導体装置用パッケージにおけるリードフレーム間の樹脂の構成を示す図であり、図4aは凹凸として突起を設ける場合を例示する要部斜視図、図4bは凹凸として凹みを設ける場合を例示する要部斜視図、図4cは凹凸として溝を設ける場合を例示する要部斜視図である。実施の形態3における半導体装置用パッケージは、実施の形態1あるいは実施の形態2における半導体装置用パッケージの樹脂部3のリードフレーム1,2間から露出する表面に凹凸を形成することを特徴とする。図4に示すように、樹脂部3はリードフレーム1表面の搭載領域4およびリードフレーム2表面の接続領域5を囲み、リードフレーム1,2間や貫通孔内にも形成され、リードフレーム1とリードフレーム2との間において、搭載領域4および接続領域5が形成される面から露出している。このような、樹脂部3の少なくともリードフレーム1とリードフレーム2との間から露出している領域の表面に凹凸を形成する。あらかじめ樹脂部3の露出表面に凹凸を形成しておくことにより、樹脂の未充填や外観不良を抑制しながら、半導体装置用パッケージに半導体装置を搭載し、樹脂部3で囲まれた領域に封止樹脂を封止する場合に、樹脂部3と封止樹脂との接触面積が増加し、樹脂部3と封止樹脂との密着性が向上するため、封止樹脂のはがれを防止し、確実に封止樹脂を封止することができる。凹凸の具体的な形状は、例えば、複数の突起31を形成する形状図4a、複数の凹み32を形成する形状図4b、1または複数の溝33を、リードフレーム1の側面のリードフレーム2と対向する面と平行な方向、直行する方向、あるいはそれらを組み合わせた方向等、任意の方向に形成する形状図4c、あるいはこれらの突起31、凹み32、溝33を組み合わせた形状とすることができる。突起31あるいは凹み32の形状は任意であり、球面、角柱、角錐等とすることができ、また、これらを組み合わせても良い。突起31あるいは凹み32の大きさは任意であり、様々な大きさの突起31あるいは凹み32を複数設けても良いし、大きさを統一しても良い。また、突起31あるいは凹み32を規則的に整列させても良いし、不規則に配置しても良い。また、溝33の長さ、幅、深さ等のサイズも任意である。また、貫通孔6が樹脂部3の開口内で露出する場合図3e参照、樹脂部3から露出する貫通孔6図3e参照内の樹脂部3表面にも同様の凹凸を設けることもできる。これにより、さらに封止された封止樹脂と樹脂部3との密着性を向上させることができる。さらに、図4では、実施の形態1の半導体装置用パッケージの露出する樹脂部3に凹凸を設ける場合を例に図示しているが、段差11が形成されたリードフレーム1,2間から露出する樹脂部3にも図4a~図4cに例示されるような凹凸を設けることもできる。上記のような凹凸を形成する際には、図2の金型7あるは金型9に、凹凸を形成するための形状を形成しておくことにより、樹脂部3および貫通孔6の内部等のリードフレーム1,2を保持する樹脂の形成と同時に凹凸を形成することができる。また、樹脂部3の形成後に、切削やエッチング等の加工により凹凸を形成しても良い。実施の形態4次に、図5を用いて実施の形態1~実施の形態3における半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を説明する。図5は実施の形態4における半導体装置の構成を示す図であり、図5aは上面図、図5bは図5aのX-X’断面図である。実施の形態4における半導体装置は、図5に示すように、実施の形態1~実施の形態3における半導体装置用パッケージの搭載領域4上に導電性接着剤等で半導体素子13を固着し、半導体素子13と接続領域5とをワイヤ14等の導電性材料で電気的に接続し、半導体素子13とワイヤ14とを封止するように、樹脂部3とリードフレーム1,2とで囲まれた領域に封止樹脂15を形成することにより形成される。図1ではリードフレーム1,2の裏面に樹脂を設ける構成を例示していたが、図5に示すように、リードフレーム1,2の裏面に樹脂を設けないことにより、半導体素子13の動作時に発生する熱を素早く放出することができる。また、半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。ここで、上述の光半導体装置用パッケージを用い、半導体素子13として光半導体素子を搭載し、封止樹脂15として透光性樹脂を用いることにより、光半導体装置を形成することもできる。"