"半導体材料を照射するための装置であって、-一次レーザービームを生成するレーザーと、-光学系と、-前記一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含む装置において、前記個々の開口部の形状および/またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および/またはサイズに対応し、前記光学系は前記共通領域を照射するために前記二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする装置。請求項1に記載の装置において、前記開口部の形状とサイズは前記二次レーザービームのスポット形状とスポットサイズが前記照射対象領域の形状とサイズと整合するようにされる、ことを特徴とする装置。請求項1または2に記載の装置において、前記光学系はそれぞれが前記複数の開口部の1つに対応するマイクロレンズアレイML2と球面レンズとを含む、ことを特徴とする装置。請求項3に記載の装置において、前記光学系はそれぞれが前記複数の開口部の1つに対応する第2のマイクロレンズアレイML1をさらに含む、ことを特徴とする装置。請求項1乃至4の何れか1項に記載の装置において、前記レーザーは出力ミラーを含み、前記複数の開口部は前記出力ミラーの内面に配置される、ことを特徴とする装置。請求項5に記載の装置において、前記複数の開口部は、低透過率領域で囲まれた複数の高透過率領域を有する部分的に反射性の被覆を含む、ことを特徴とする装置。請求項1乃至6の何れか1項に記載の装置において、前記複数の開口部はM×Nの開口部アレイである、ことを特徴とする装置。請求項1乃至7の何れか1項に記載の装置において、前記開口部の少なくとも1つはあるパターンを示す、ことを特徴とする装置。請求項1乃至8の何れか1項に記載の装置において、前記レーザーは0,5~10J/cm2のエネルギー密度を有する投射レーザービームを生成するようにされたエキシマレーザーである、ことを特徴とする装置。請求項1乃至9の何れか1項に記載の装置において、前記照射対象領域は少なくとも1つの全ダイに対応する、ことを特徴とする装置。請求項1乃至10の何れか1項に記載の装置において、XYZ方向において前記二次ビームスポットを前記照射対象領域に位置合わせする手段をさらに含む、ことを特徴とする装置。請求項1乃至11の何れか1項に記載の装置の半導体デバイス製造における使用。当業者らは、以下の実施形態が本発明による単なる例示であり、本発明の意図した範囲を制限しない、ということを理解するだろう。他の実施形態も考えられうる。本発明の第1の実施形態によると、半導体材料を照射するための装置が提供される。本装置は、-一次レーザービームを生成するレーザーと、-光学系と、-一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および/またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および/またはサイズに対応し、光学系は、前記共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合していることを特徴とする。形状および/またはサイズが照射対象半導体材料層の共通領域の形状および/またはサイズに対応する複数の開口部を含む成形手段により複数の二次レーザービームに成形される一次レーザービームを使用することにより、そして前記共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している光学系を使用することにより、本装置は、パターンまたはダイ全体を完全に照射するためにそれを跨ぐまたは走査することなく半導体材料層を処理する能力を提供し、これにより処理速度の増加と生産コストの低下をもたらすことができる。別の利点は、このような装置の処理性能はワンショットで全パターンまたはダイを照射することができるのでレーザーエネルギー密度の変動にそれほど左右されないことであると考えられる。また、二次ビームを重ね合わせるための光学系を使用することにより、照射対象領域上に入射するエネルギー密度の均一性を改善することができる。その結果、ドーパント活性化速度または深さおよび表面品質に関するダイ均一性の向上が達成される。本発明による装置のさらに別の利点は、開口部のサイズおよび/または形状が照射対象領域に対応するので、連続的レーザースポットがもはや必要とされないことであると考えられ、これにより重なりの減少、およびその結果としてドーパント活性化速度または深さおよび表面品質に関する均一性の向上がもたらされる。さらに、当業者らが認識するように、本発明による装置は、従来システムに比較して、ビームスポットの形状および/またはサイズを照射対象領域に整合させるのに必要な光学素子の数を著しく制限し、これにより装置のコストおよびサイズが低減する。複数の開口部マスクとも呼ばれるは複数の開口部が作製された固体板であってもよいし、あるいは任意の形式好ましくはアレイの形式でフレームに搭載される開口部のアッセンブリであってもよい。要するに、1つのこのような開口部はこのとき、一次レーザービームの一部が通過し二次ビームスポットの形状とサイズを画定する穴または裂け目である。複数の開口部の数は、少なくとも2から最大M×Nまでであってよい。ここでMとNは、2から最大30まで、5から最大20まで、優先的には10であってよい。あるいは、複数の開口部は、低透過率領域により囲まれた複数の高透過率領域を有する部分的に反射性の被覆を含むミラーまたはレンズすなわち開口部であってよい。さらに、高透過率領域の透過率を調整することにより、照射対象領域上の照射強度を変えることができる。本発明による一実施形態では、半導体材料を照射するための装置が提供され、複数の開口部のそれぞれの形状とサイズは、二次レーザービームのスポット形状とスポットサイズが照射対象領域の形状とサイズと整合するようになっている。本発明による装置は、複数の開口部を異なる形状またはサイズの別の複数の開口部で置換する手段を含んでもよい。開口部の形状とサイズを変更することにより、二次ビームスポットのサイズと形状を、選択された領域のサイズと形状にほぼ正確に整合させることができる。このような置換手段は、複数のマスクを格納することができかつ格納されたマスクの任意のものを一次レーザービーム経路内に正確にかつ自動的に位置決めするアッセンブリを含んでもよい。本発明の好ましい実施形態では、照射対象領域は少なくとも1つの全ダイに対応してもよい。全ダイは1つのレーザーパルスにより処理されてもよい。また、ダイは、そのすべてが全ダイをカバーする複数のレーザーパルスを受信することができてもよい。さらに、照射対象領域は複数のダイに対応してもよい。1つまたは複数の全ダイを照射することは、ダイ全体にわたる照射エネルギー分布の均一性の向上と重なり影響の低減とに著しく貢献し、処理の均一性が向上することになる。本発明による一実施形態では、そして図1に示すように、光学系はマイクロレンズアレイML2と球面レンズFLとを含んでもよい。一次レーザービームは、複数の開口部により二次レーザービームに成形され、二次レーザービームはその後マイクロレンズアレイML2と球面レンズにより重ね合わせられる。球面レンズは照射対象領域上の像の倍率を規定する。好ましくは、複数の開口部Mのそれぞれは、ML2の1つのマイクロレンズにほぼ正確に対応してもよく、各マイクロレンズは対応する開口部の像IMを無限平面内に形成する。1つのマイクロレンズアレイと球面レンズだけが必要とされるので、光学素子の数は従来システムに比較してはるかに少ない。本発明による一実施形態では、そして図2に示すように、光学系は第2のマイクロレンズアレイML1をさらに含んでもよい。したがって、この場合、光学系は2つのマイクロレンズアレイML1とML2と球面レンズFLを含む。一次レーザービームは、ML1と連携して複数の開口部により二次レーザービームに成形され、二次レーザービームはその後ML2と球面レンズFLにより重ね合わせられる。好ましくは、複数の開口部MのそれぞれはML1の1つのマイクロレンズにほぼ正確に対応してもよく、各マイクロレンズは対応する開口部の像を無限平面に形成する。図3に示すように、後者の実施形態は、ML1に対しML2を可動にすること所謂ミニズームにより照射対象領域に像サイズの微整合と微調整を実現することができるという追加の利点を有する。図4に、このようにして実現することができる倍率の範囲の例を示す。本発明による装置の光学系は、実際にはビームホモジナイザbeamhomogenizerとして機能する。複数の開口部を光学系の前列に設けることにより、レーザービームは成形され、次に均質化される。これは、マスクがウェーハ近くに配置される場合のシャドウマスク手法に比較して、像の鮮鋭度に関し大きな利点を提供する。さらに、非常に近い位置は半導体材料基板の汚染の危険性をはらむ場合もある。あるいは、そして図5に示すように、複数の開口部MはレーザーLの出力ミラーの内面に位置してもよい。この場合、複数の開口部は、出力ミラーの内面のできるだけ近くに搭載される開口部のアッセンブリであってもよい。より簡単でかつ好ましい構築方法は、出力ミラーの内面上の低透過率領域により囲まれた複数の高透過率領域すなわち開口部を有する出力ミラーの内面上に部分的に反射性の被覆を設けることである。後者は、成形がレーザー内で起こるのでエネルギーロスの無い一次レーザービームを成形する手段を提供する。本発明による好ましい実施形態では、複数の開口部はM×Nの開口部アレイであってよい。このM×N開口部アレイは、ビームホモジナイザの1つまたは複数のM×Nマイクロレンズアレイに対応することが好ましい。図6に示すように、開口部自体がパターンを示してもよい。すべての個別開口部の形状および/またはサイズが照射対象半導体材料層の共通領域の形状および/またはサイズに対応するということ以外に、これらの開口部の少なくとも1つが低透過率領域と高透過率領域のパターンを示してもよい。このような開口部の高透過率領域は二次開口部のパターンにより形成されてもよい。いくつかアプリケーションにおいて必要とされるように、このようなパターンの低透過率領域と高透過率領域を示す開口部を適用することにより、1回の照射パルスで、異なる照射要件例えば、異なる活性ドーパント率に対して異なる熱予算のサブ領域を有する領域を処理する能力を可能にする制御された非均一照射が可能となる場合もある。このような制御された非均一照射はまた、前の処理工程により生成された非均一性を補償するために使用されてもよい。レーザーは、その波長、エネルギーおよびパルス持続時間が処理に適合された任意のレーザーであってよい。好ましくは、レーザーはエキシマ層、より好適には塩化キセノンエキシマレーザーであってよい。レーザーの波長は、600nm未満の範囲、これらの波長におけるシリコンの高エネルギー吸収のため190nm~480nmの範囲、好ましくは308nmであってよい。レーザーエネルギーは5ジュール~25ジュールの範囲にあってもよい。これらのエネルギーを達成するために、レーザー放電体積は、通常10cm相互電極間隔×7~10cm放電幅×100~200cm放電長に最適化される。パルス持続時間は、ドーパントの拡散を低減するための高速加熱と欠陥の形成を低減するための比較的遅い冷却との間の最適条件に対応し、100ns~1000nsの範囲、好ましくは100ns~300nsであってよい。本発明の一実施形態では、レーザーは0,5~10J/cm2のエネルギー密度を有する投射レーザービームを生成するのに適合していてもよい。好ましい実施形態では、レーザーは、0,5~10J/cm2のエネルギー密度を有する通常1~10cm2の投射ビームスポットを有する60cm2より大きな、あるいは80cm2好ましくは100cm2より大きな大面積出力ビームを生成するのに適合しているエキシマレーザーであってよい。本発明による装置はさらに、XYZ方向において二次ビームスポットを複数の領域に位置合わせする手段を含んでもよい。カメラを使用し、そのサイズを測定し、倍率を調整することにより半導体材料層上にビームスポットを視覚化することによりさらなる調整が行なわれてもよい。本発明による装置はさらにパターン認識システムを含んでもよい。このようなパターン認識システムは、半導体材料を保持するためのステージに機械的にリンクされ材料層表面の上に配置されたカメラを含んでもよい。特定の実施形態では、カメラからの像は、半導体材料上にエッチングされたいくつかの通常3つの位置合わせマークを見つけるように処理されてもよい。位置合わせマークは、座標系内の半導体材料の正確な位置を装置に与える。半導体材料層は、半導体アプリケーションに好適な任意の材料、例えば、限定するものではないが非ドープシリコン、ドープシリコン、注入シリコン、結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコンゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、および窒化ガリウム、炭化ケイ素等のIII-V化合物半導体であってよい。本発明による装置は、限定するものではないがCMOS画像センサ、3Dメモリ、CMOSロジックデバイス、および光電池等の半導体材料またはデバイスを作製するために使用されてもよい。"