"放電容器にキセノンを含む放電媒質が封入され、主放電のための一対の陰極電極E1と陽極電極E2が対向配置された放電ランプLdを点灯するための放電ランプ点灯装置Exであって、前記放電ランプ点灯装置Exは、始動時に高電圧を発生させて前記放電ランプLdの放電容器内に絶縁破壊を発生させるためのスタータUsと、前記放電ランプLdに放電電流を供給するための給電回路Uxとを有し、前記給電回路Uxは、少なくとも定常点灯状態において前記放電ランプLdに流す電流の大きさを変調信号Smに従って変調するための出力電流変調回路Umを有し、前記出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さを1ミリ秒あたり2.6A以下に制御することを特徴とする放電ランプ点灯装置。前記出力電流変調回路Umは、ランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さをランプ電圧のアンダーシュートが生じない速さに制限することを特徴とする請求項1に記載の放電ランプ点灯装置。前記出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さを1ミリ秒あたり3.0A以下に制御することを特徴とする請求項1または2に記載の放電ランプ点灯装置。前記出力電流変調回路Umは、ランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さをランプ電圧のオーバーシュートが生じない速さに制限することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の放電ランプ点灯装置。放電ランプにより発生された光束Ox1を動的色フィルタOfにより色順次光束Ox2に変換し前記色順次光束Ox2を利用して画像を投影表示するプロジェクタであって、前記放電ランプLdを始動し点灯するための放電ランプ点灯装置が請求項1から4のいずれかに記載の放電ランプ点灯装置Exであることを特徴とするプロジェクタ。本発明が解決しようとする課題は、キセノン放電ランプ、特に陰極電極の温度が低くなるように設計されたキセノン放電ランプを点灯する際にも、前記したように、光源輝度変調のために強めの出力電流変調を加えた点灯を継続すると、次に出力電流変調を弱くしたときに発生し易い、放電不安定を回避することを達成した放電ランプ点灯装置およびプロジェクタを提供することにある。前記した放電不安定が生じる原因を調査するため、実際に放電不安定が生じていたランプを破壊して電極を取り出し、走査電子顕微鏡を用いて詳細の観察を行ったところ、その放電ランプLdの陰極電極E1の先端において、放電時のアークスポットが存在していた痕跡の内部または周辺部に、複数の微小突起が生じていることが判明した。なお、この微小突起の典型的な大きさは、直径が20~60μm、高さが20~50μmで、肉眼では視認困難なものであった。一般に放電現象は、必ずしも陰極と陽極の最短経路に沿って発生する訳では無いが、特にアーク放電時における陰極に関して言えば、熱電子放出に足る温度に達している限り、微小突起部のような、陽極に近い箇所からの放電が優勢になり易い。しかし、いまの場合、アークスポットにおいて微小突起が複数あるため、それぞれの微小突起の間で優勢な放電を引き寄せる作用の競合が発生し、放電不安定が発生すると考えられる。したがって、前記放電不安定を回避するためには、前記したように、光源輝度変調のために強めの出力電流変調を加えた点灯を継続した場合においても、前記した陰極電極E1の先端における放電時のアークスポットの内部または周辺部に複数の微小突起が生じることを防止できればよいことが判る。本発明の発明者らは、ある基準レベルのランプ電流に対して矩形的パルス電流を周期的に重畳する点灯状態を継続する際の、重畳するパルス部における、ランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さ、すなわち電流上昇速度、およびランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さ、すなわち電流下降速度が設定した値となる出力電流変調波形が生成されるようにして、重畳するパルス部の電流値が小さい値前記基準レベルの約5の点灯、および大きい値前記基準レベルの約28の点灯、さらにパルス電流を重畳しない点灯の3種類の点灯を短期間毎に繰り返す稼動モードを基本に、重畳するパルス部の電流値が大きい値で所定期間継続する稼動モードと所定時間だけ消灯する稼動モードを一定期間毎に挿入する試験稼動を、1~2日間に亘って継続する模擬実働試験を、重畳するパルス部の電流上昇速度および電流下降速度の種々の値に対して実施した。なお、前記したランプ電流の基準レベルとして、定格の80~90に設定し、また、重畳するパルス部の電流値が大きい値の場合については、そのときの平均電流が定格平均電流の100になるよう、重畳パルスのデューティ比を設定した。その結果、陰極電極の断面積1平方ミリメートルあたりの電流上昇速度を、1ミリ秒あたり3.9Aとした条件のもとで、陰極電極の断面積1平方ミリメートルあたりの電流下降速度を振って、それが、1ミリ秒あたり3.9Aのものでは放電不安定が生じ、また明らかに有害と思われる複数の微小突起が形成され、1ミリ秒あたり2.6Aのものでは放電不安定は生じないが、多少の複数の微小突起が形成され、さらに1ミリ秒あたり1.6Aのものでは、放電不安定は生じず、また有害と思われる複数の微小突起は形成されないことが判明した。なお、重畳するパルス部の電流下降速度を制限することにより複数の微小突起の形成が抑制される理由は定かではないが、アークスポットの面積は、概ね放電電流に比例すると考えて良く、そのため、重畳するパルス部の電流下降速度が大き過ぎると、アークスポットの面積が一定のまま、全体として電流密度が下がるため、パルスが重畳されない、電流が低い水準の期間においてアークスポット内の電流密度の不均一が生じて、温度分布のムラが発生するため、次に、パルス電流が重畳されたときに、温度が高かった箇所に選択的に電流が流れて陰極材料であるタングステンが局所的に溶融し、表面張力によって盛り上がって微小突起が形成されるが、前記したように、温度分布のムラがあるため、複数の微小突起が生成されることが考えられる。これとは反対に、重畳するパルス部の電流下降速度が小さいと、電流下降の進行に伴ってアークスポットの面積が徐々に収縮し、パルスが重畳されない、電流が低い水準の期間に達するとその期間での電流の大きさに見合ったアークスポットの面積が自動的に実現されるため、アークスポット内の電流密度の不均一が生じず、温度分布のムラが発生し難いため、次に、パルス電流が重畳されたときにも、選択的に電流が流れて陰極材料であるタングステンが局所的に溶融する箇所が出来難く、したがって微小突起が形成される作用が抑制されると推測される。このように考えると、点灯中の陰極電極の温度が低くなるように設計されたキセノン放電ランプにおいて重畳するパルス部の電流下降速度が大き過ぎると、複数の微小突起の形成による放電不安定が生ずる理由も説明できる。すなわち、前記したように、重畳するパルス部の電流下降速度が大き過ぎると、パルスが重畳されない、電流が低い水準の期間においてアークスポット内の電流密度の不均一が生じるが、それと同時に、陰極電極先端部から急速に熱が逃げて行くため、温度分布のムラが発生し易く、よって複数の微小突起が生成され易くなると理解できる。また、前記した、電流下降速度を振った模擬実働試験の結果において、放電不安定が生じなかった条件では、ランプ電圧の波形において、アンダーシュートが生じないことが判明している。図11は、出力電流変調を行っているときの、前記放電ランプLdの電圧および電流の波形を、例えばオシロスコープを用いて観測したときの様子を模式的に示すもので、aはランプ電圧VLの波形、bはランプ電流ILの波形であり、前記した基準レベルのランプ電流に、前記した小さい値のパルス電流を周期的に重畳している状態にあるとき、時刻t1以降において、重畳するパルス電流を、前記した大きい値に変更した場合の様子を描いてある。図11に示したように、ランプ電圧VLの波形には、重畳するパルス部におけるランプ電流の大きさが増加するときにはオーバーシュートPovが、また重畳するパルス部におけるランプ電流の大きさが減少するときにはアンダーシュートPunが生じ得る。ただし、これらのオーバーシュートPovやアンダーシュートPunは、前記時刻t1からの時間の経過とともに減少して行く。前記したように、放電不安定が生じなかった条件では、前記時刻t1の直後においても、ランプ電圧VLのアンダーシュートPunが生じないため、これを、ランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さが適正であることの証として理解することができる。逆に、この速さが不適正であると、このようなランプ電圧VLのアンダーシュートPunが生じる理由は定かではないが、重畳するパルス部の電流下降速度が大き過ぎると、電流が下降する過程、および電流が下降し切ったときに、その時点での熱電子放出可能なアークスポットの面積が、電流全体の大きさに見合う面積よりも過剰になって、プラズマの導電率が一時的に異常に大きくなり、その結果、ランプ電圧VLのアンダーシュートPunが生じるものと推測している。一方、前記した模擬実働試験の他の結果として、陰極電極の断面積1平方ミリメートルあたりの電流下降速度を、1ミリ秒あたり2.6Aとした条件のもとで、陰極電極の断面積1平方ミリメートルあたりの電流上昇速度を振って、それが、1ミリ秒あたり3.0Aのものでは、放電不安定は生じず、また有害と思われる複数の微小突起は形成されないことが判明した。このように、重畳するパルス部の電流上昇速度を制限することにより複数の微小突起の形成が抑制される理由についても定かではないが、重畳するパルス部の電流上昇速度が小さいと、前記した、パルス電流が重畳されたときに、温度が高かった箇所に選択的に電流が流れて陰極材料であるタングステンが局所的に溶融し、表面張力によって盛り上がって微小突起が形成される作用が弱められることが推測される。また、前記した、電流上昇速度を振った模擬実働試験の結果において、放電不安定と複数の微小突起が生じなかった条件では、前記時刻t1の直後においても、図11に示したような、ランプ電圧VLのオーバーシュートPovが生じないことが判明しており、これを、ランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さが適正であることの証として理解することができる。逆に、この速さが不適正であると、このようなランプ電圧VLのオーバーシュートPovが生じる理由は定かではないが、重畳するパルス部の電流上昇速度が大き過ぎると、電流が上昇する過程、および電流が上昇し切ったときに、その時点での熱電子放出可能なアークスポットの面積が、電流全体の大きさに見合う面積よりも不足するため、電圧の高いグロー放電を、部分的にでも発生させることによって電流を補わざるを得なくなり、その結果、ランプ電圧VLのオーバーシュートPovが生じるものと推測している。なお、前記した、陰極電極の温度が低くなるように設計されたキセノン放電ランプの実現に関しては、陰極電極の冷却構造を含めてランプを設計すればよい。具体的には、図12に記載のキセノン放電ランプにおいては、例えば陰極電極E1の長さを長くする、あるいは、太さを増した放熱部01を設けたり、また、図13に記載のキセノン放電ランプにおいては、例えば導電サポータ61,62,63の寸法を調節するなどにより、最適温度が実現されるように構造設計することができる。因みに、前記した特開2007-280822号公報に記載されている、陰極電極E1の先端部に形成される異形部について、同公報では、全体的な先細り形状から逸脱して出張る部分やコブ状の突起、あるいは先端での複数分枝への分裂と説明されているが、これは、本発明で言及している前記微小突起とは異なり、巨視的に視認可能なものであって、前記した放電不安定の原因とはならない。したがって、対象とする放電ランプLdの特徴にも配慮した上で、光源輝度変調のために強めの出力電流変調を加えた点灯を継続すると、次に出力電流変調を弱くしたときに発生し易い、放電不安定を回避することのできる放電ランプ点灯装置Exを構成する戦略とは、以下のようになる。すなわち、放電容器にキセノンを含む放電媒質が封入され、主放電のための一対の陰極電極E1と陽極電極E2が対向配置された放電ランプLdであって、かつ定格平均電流より低い水準のランプ電流に対して、周期的に矩形的パルス電流重畳を行う点灯状態を継続すると、陰極電極E1の先端における、放電時のアークスポット部の内部または周辺部に、複数の微小突起が生じる放電ランプLdを点灯するための放電ランプ点灯装置Exであって、前記放電ランプ点灯装置Exは、始動時に高電圧を発生させて前記放電ランプLdの放電容器内に絶縁破壊を発生させるためのスタータUsと、前記放電ランプLdに放電電流を供給するための給電回路Uxとを有し、前記給電回路Uxは、少なくとも定常点灯状態において前記放電ランプLdに流す電流の大きさを変調信号Smに従って変調するための出力電流変調回路Umを有し、前記出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さを1ミリ秒あたり2.6A以下に制御するように構成する。以上に基づき、本発明においては、次のようにして課題を解決する。本発明における第1の発明の放電ランプ点灯装置は、放電容器にキセノンを含む放電媒質が封入され、主放電のための一対の陰極電極E1と陽極電極E2が対向配置された放電ランプLdを点灯するための放電ランプ点灯装置Exであって、前記放電ランプ点灯装置Exは、始動時に高電圧を発生させて前記放電ランプLdの放電容器内に絶縁破壊を発生させるためのスタータUsと、前記放電ランプLdに放電電流を供給するための給電回路Uxとを有し、前記給電回路Uxは、少なくとも定常点灯状態において前記放電ランプLdに流す電流の大きさを変調信号Smに従って変調するための出力電流変調回路Umを有し、前記出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さを1ミリ秒あたり2.6A以下に制御することを特徴とするものである。本発明における第2の発明の放電ランプ点灯装置は、前記出力電流変調回路Umは、ランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さをランプ電圧のアンダーシュートが生じない速さに制限することを特徴とするものである。本発明における第3の発明の放電ランプ点灯装置は、前記出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さを1ミリ秒あたり3.0A以下に制御することを特徴とするものである。本発明における第4の発明の放電ランプ点灯装置は、前記出力電流変調回路Umは、ランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さをランプ電圧のオーバーシュートが生じない速さに制限することを特徴とするものである。本発明における第5の発明のプロジェクタは、放電ランプにより発生された光束Ox1を動的色フィルタOfにより色順次光束Ox2に変換し前記色順次光束Ox2を利用して画像を投影表示するプロジェクタであって、前記放電ランプLdを始動し点灯するための放電ランプ点灯装置が請求項1から4に記載の放電ランプ点灯装置Exであることを特徴とするものである。陰極電極の温度が低くなるように設計されたキセノン放電ランプを点灯する際にも、ランプ電流の変化の速さが緩やかになるため、陰極電極E1の先端における放電時のアークスポットの内部または周辺部に複数の微小突起が生じることを防止できるため、光源輝度変調のために強めの出力電流変調を加えた点灯を継続すると、次に出力電流変調を弱くしたときに発生し易い、放電不安定を回避することを達成した放電ランプ点灯装置およびプロジェクタを提供することができる。先ず、本発明の放電ランプ点灯装置を簡略化して示すブロック図である図1を用いて、本発明を実施するための形態について説明する。図1において、放電ランプLdの始動時に絶縁破壊を発生させるためのスタータUsが、前記放電ランプLdに直列に接続され、これらに対し、放電電流を供給するための給電回路Uxが接続されている。なお、前記スタータUsは、30kV程度の高電圧を発生する必要があるために放射ノイズを発生し易く、そのため、ノードT31,T32よりランプ側の部分を、他の部分とは分離して放電ランプ点灯装置Exを構成することが望ましい場合がある。前記放電ランプLdに流れる電流を検出するために設けたランプ電流検出手段Ixからのランプ電流検出信号Siは、この信号を後段の回路に必要な信号強度と整合するよう変換するために設けた、バッファや増幅器などのランプ電流検出信号変換回路Aiによってランプ電流相関信号Sjに変換される。一方、前記放電ランプLdに流す電流の目標値大きさを示すランプ電流目標信号Stは、出力電流変調回路Umにおいて生成される。前記ランプ電流相関信号Sjと前記ランプ電流目標信号Stとは、これら両者の差異が小さくなるように、前記給電回路Uxをフィードバック制御するための給電能力制御回路Udに入力される。前記給電能力制御回路Udは、例えばデューティサイクル比変調されたゲート駆動信号Sgを生成し、前記給電回路Uxに対して入力する。前記出力電流変調回路Umには、変調信号Smが入力され、これに従って前記ランプ電流目標信号Stに変調を加える。ここで、前記変調信号Smは2値の論理信号であって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの真偽によって、前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加える加えないの別を指定するようなものや、あるいは、前記変調信号Smはアナログ信号であって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの大きさに連続的に相関させた量だけ前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加えるようなものでもよい。さらには、前記変調信号Smは複数本の信号線からなる多ビットのディジタル数値データであって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの数値データ値の大きさに相関させた量だけ前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加えるようなものでもよい。そして、前記出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さが1ミリ秒あたり2.6A以下になるよう、前記ランプ電流目標信号Stの変化速さを限定して出力する。これを実現するためには、最も簡単には、前記出力電流変調回路Umの応答速度を調整して遅くする構成とすればよく、そうした場合は、前記変調信号Smの変化速さによらず、前記ランプ電流目標信号Stの変化速さが限定して出力される。実際、前記した、変調信号Smは2値の論理信号であって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの真偽によって、前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加える加えないの別を指定するものの場合は、このような構成が必要になる。ただし、前記したランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さは、前記給電回路Uxの応答速度や前記給電能力制御回路Udの応答速度の影響をも受けるため、前記出力電流変調回路Umの応答速度を調整する際は、実験的に決定するのがよい。一方、前記した、変調信号Smはアナログ信号であって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの大きさに連続的に相関させた量だけ前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加えるものや、前記した、変調信号Smは複数本の信号線からなる多ビットのディジタル数値データであって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの数値データ値の大きさに相関させた量だけ前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加えるものの場合は、同様に前記出力電流変調回路Umの応答速度を調整して遅くするものとしてもよいし、あるいは、前記変調信号Smそれ自体が、変化速度が限定された信号として生成され、前記出力電流変調回路Umに入力されることにより、前記出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さが1ミリ秒あたり2.6A以下になるよう、またはランプ電圧VLにアンダーシュートPunが生じないよう、あるいはさらに、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さが1ミリ秒あたり3.0A以下になるよう、またはランプ電圧VLにオーバーシュートPovが生じないよう、前記ランプ電流目標信号Stの変化速さを限定して出力するものとしてもよい。以上のように構成したことにより、図1の放電ランプ点灯装置は、陰極電極の温度が低くなるように設計されたキセノン放電ランプを点灯する際にも、ランプ電流の変化の速さが緩やかになるため、陰極電極E1の先端における放電時のアークスポットの内部または周辺部に複数の微小突起が生じることを防止できるため、、光源輝度変調のために強めの出力電流変調を加えた点灯を継続すると、次に出力電流変調を弱くしたときに発生し易い、放電不安定を回避することを達成した放電ランプ点灯装置を提供することができる。次に、本発明の放電ランプ点灯装置を簡略化して示すブロック図である図2を用いて、本発明を実施するための形態について説明する。先に、図1に基づいて説明した放電ランプ点灯装置は、ランプ電流の定電流制御を基本とするもの、および定電流制御を基本として出力電流変調を加えるものであった。これをランプ電力の定電力制御を基本とするものとすることもできる。図2に記載の放電ランプ点灯装置においては、ランプ電圧VLを検出しランプ電圧検出信号Svを生成するためのランプ電圧検出手段Vxを設け、ランプ電流目標信号生成回路Upは、前記ランプ電圧検出信号Svを受けて、所定のランプ電力目標値を実現するためのランプ電流目標信号Stを生成する。ここで、前記ランプ電流目標信号生成回路Upは、例えば所定のランプ電力目標値を前記ランプ電圧検出信号Svの値で除算することによりランプ電流目標信号Stを生成する。このための回路構成としては、例えば、前記ランプ電流目標信号生成回路Upはマイクロプロセッサを用いて構成され、前記ランプ電圧検出信号SvをAD変換して値によって、前記した除算演算を実行し、DA変換によってランプ電流目標信号Stを生成するように構成すればよい。一方、変調信号Smが入力される出力電流変調回路Umは、前記放電ランプLdに流れる電流を検出するために設けたランプ電流検出手段Ixからのランプ電流検出信号Siを変換するためのランプ電流検出信号変換回路Aiに対して作用するように構成し、前記ランプ電流検出信号変換回路Aiは、前記ランプ電流検出信号Siを、前記変調信号Smに従って変調されたランプ電流相関信号Sjに変換するように構成することが好適である。前記ランプ電流目標信号生成回路Upには、前記変調信号Smは入力されておらず、また、キセノン放電ランプの場合、ランプ電流ILが変化しても、ランプ電圧VLの変化は僅少であるため、前記ランプ電流目標信号生成回路Upは、前記変調信号Smの状態と無関係に、所定のランプ電力目標値を実現するためのランプ電流目標信号Stを生成する動作を継続する。しかし、給電能力制御回路Udには、前記変調信号Smに従って変調されたランプ電流相関信号Sjが入力されるため、結果的に、給電回路Uxは、前記変調信号Smに従う変調の影響を受けてフィードバック制御される。ただし、ランプ電流ILが変化したときのランプ電圧VLの僅少な変化による電力制御の擾乱を嫌う場合は、ランプ電圧VLの取得タイミングを、特定の変調状態にある場合に限定するとよい。ここでいう特定の変調状態とは、前記変調信号Smが2値の論理信号である場合は、例えば、それが真のである状態、あるいは前記変調信号Smがアナログ信号である場合や、多ビットのディジタル数値データである場合は、例えば、その値が規定の範囲内にある状態などを指す。このような特定の変調状態が生じる頻度が低く、ランプ電圧取得の頻度が過ぎて、正常に電力制御できないことが心配されるかも知れないが、アーク放電に移行後の安定点灯時ランプ電圧は、もし出力電流変調を加えなければ、電極消耗に起因した寿命進行に伴う、極めてゆっくりした変化しかしないため、ランプ電圧取得の頻度が低くても問題は無い。図3は、本発明のプロジェクタの一つの形態を簡略化して示すブロック図である。本発明の放電ランプ点灯装置Exによって始動点灯される放電ランプLdから発せられた光束Ox1は、必要に応じて設けられる、凹面鏡や集光レンズ等を含むコンデンサ光学系Ocを通過した光束Ox1’を経て、回転カラーホイールなどの動的色フィルタOfにより色順次光束Ox2に変換される。前記色順次光束Ox2は、DMDやLCD、LCOS反射型の液晶表示パネルなどを用いた空間変調素子Oiによって色順次の画像光束Ox3に変調され、投影レンズOpによって、プロジェクタと一体の、あるいはプロジェクタの外部に設けられたスクリーンOsに投影画像が形成される。プロジェクタの画像処理部Oxは、ロータリエンコーダなどの動的色フィルタOfが発現している色情報に対応するセンサからの信号Socに基づいて、前記変調切換タイミング信号Soを生成し、変調信号生成部Omは、これに基づいて変調信号Smを生成して放電ランプ点灯装置Exに送信し、出力電流変調による光源輝度変調が加えられるように構成される。前記放電ランプLdは本発明の放電ランプ点灯装置Exによって点灯されるため、陰極電極の温度が低くなるように設計されたキセノン放電ランプを点灯する際にも、光源輝度変調のために強めの出力電流変調を加えた点灯を継続すると、次に出力電流変調を弱くしたときに発生し易い、放電不安定を回避することを達成したプロジェクタを提供することが可能となる。以下において、発明を実施するための形態について、より具体的な構成を示した図面を用いて説明する。先ず、図4、図5、図6、図7、図8に記載の回路から構成される放電ランプ点灯装置について説明する。図4は、給電回路Uxの構成の一例について、簡略化して示す図である。給電回路Uxは、商用電源を整流し高調波電流低減用アクティブフィルタを含む、所謂PFC等を用いて構成されたDC電源Mxより電圧の供給を受けて動作し、放電ランプLdへの給電量調整を行う。本図の給電回路Uxは、一例として、フルブリッジ方式のインバータにより、トランスTyの1次側巻線Pyを駆動する方式のコンバータを描いてあるが、他の方式の回路、例えばフォワードコンバータや降圧チョッパなどによって構成することもでき、コンバータの方式は、本発明の本質とは無関係である。インバータは、FET等のスイッチ素子Q1,Q2,Q3,Q4を用いたフルブリッジ回路により構成してある。それぞれのスイッチ素子Q1,Q2,Q3,Q4は、それぞれのゲート駆動回路G1,G2,G3,G4により駆動され、前記ゲート駆動回路G1,G2,G3,G4は、一方の対角要素の前記スイッチ素子Q1と前記スイッチ素子Q3がオン状態の位相においては、他方の対角要素の前記スイッチ素子Q2と前記スイッチ素子Q4はオフ状態に維持され、逆に他方の対角要素の前記スイッチ素子Q2と前記スイッチ素子Q4がオン状態の位相においては、一方の対角要素の前記スイッチ素子Q1と前記スイッチ素子Q3はオフ状態に維持されるよう、ゲート駆動信号Sgを受けてインバータ制御回路Ufにより生成されるインバータ制御信号Sf1,Sf2により制御される。前記した2つの位相の切換えを行うときは、前記スイッチ素子Q1,Q2,Q3,Q4の全てがオフ状態になる、デッドタイムと呼ばれる期間が挿入される。フルブリッジインバータ動作の1周期の時間長さに対する、デッドタイムを除いた時間長さの比、すなわちデューティサイクル比が大きくなるほど、前記トランスTyの1次側から2次側への電力伝達が増加する。なお、前記スイッチ素子Q1,Q2,Q3,Q4が例えばMOSFETである場合は、ソース端子からドレイン端子に向かって順方向となる寄生ダイオードが素子自体に内蔵されている図示を省略が、バイポーラトランジスタのような、前記寄生ダイオードが存在しない素子の場合は、前記した位相の切換え時、またはデッドタイムの期間において、インバータUiの後段に存在しているインダクタンス成分に起因する誘導電流が流れようとすることにより、逆電圧の発生により素子が破損される恐れがあるため、前記寄生ダイオードに相当するダイオードを、逆並列に接続することが望ましい。前記トランスTyの主2次側巻線Sy1の出力は、ダイオードブリッジDy1により整流され、平滑コンデンサCy1とチョークコイルLyによって低リプル化されて、ノードT21,T22を介して、放電ランプLdのアーク放電電流を供給する。一方、前記トランスTyの補助2次側巻線Sy2は、前記主2次側巻線Sy1よりも巻数を大きく設定することにより、始動前の放電ランプLdに無負荷解放電圧を印加するための、比較的高い電圧を出力し、ダイオードブリッジDy2および抵抗Ry2を介して前記平滑コンデンサCy1に電荷を充電する。スタータUsが動作して、放電ランプLdが始動し、アーク放電電流が流れ始めると、前記抵抗Ry2が存在することにより前記補助2次側巻線Sy2は有意な電流を流せないため、次に始動するまで休止する。なお、図1においては、ランプ電流検出信号Siを生成するためのランプ電流検出手段Ixは、給電回路Uxの外に設けるように図示してあったが、放電ランプLdのアーク放電への移行時のランプ電圧の急激な低下時に、前記平滑コンデンサCy1からの放電により供給される大きな突入電流が流れる経路に前記ランプ電流検出手段Ixを設置すると、前記ランプ電流検出信号Siにそれが現れ、その後段の給電能力制御回路Udがそれに反応してランプ電流を抑制するようにフィードバック動作を行い、突入電流が終了したときに放電の立消えを誘発する可能性があるため、実際的な回路においては、図4に示したもののように、突入電流が流れる経路に前記ランプ電流検出手段Ixを設置しないものの方が望ましい。因みに、前記チョークコイルLyは、放電の立消えが発生もしくは発生し始めて、ランプ電流が停止もしくは低下したときに、その誘導作用によって高い電圧を発生し、立ち消えを防止する機能を有している。前記インバータ制御回路Ufの構成の一例について、図5に簡略化して示す。給電能力制御回路Udから送られるゲート駆動信号Sgは、DフリップフロップFe1のクロック信号入力端子に入力され、その出力信号Se1、およびその論理反転の出力信号Se2は、前記ゲート駆動信号Sgの立ち下がりの度に反転する。前記出力信号Se1,Se2は、それぞれ前記ゲート駆動信号Sgとともに論理積ゲートGe1,Ge2に入力され、前記ゲート駆動信号Sgのデューティサイクル比に応じて前記フルブリッジインバータを駆動するための前記インバータ制御信号Sf1,Sf2を生成する。図6は、給電能力制御回路Udの構成の一例について、簡略化して示す図である。ランプ電流目標信号Stは、コンバータ駆動目標信号Sd2として、抵抗Rd2と抵抗Rd3で分圧されて、演算増幅器Adeの反転入力端子に入力される。一方、ランプ電流相関信号Sjは、前記演算増幅器Adeの非反転入力端子に入力される。そして、前記演算増幅器Adeの出力信号Sd1は、積分コンデンサCd1とスピードアップ抵抗Rd6を介して反転入力端子にフィードバックされているため、前記演算増幅器Adeは、前記コンバータ駆動目標信号Sd2の抵抗Rd2と抵抗Rd3による分圧電圧に対する、前記ランプ電流相関信号Sjの電圧の差を積分する、誤差積分回路としてはたらく。時定数を決めるための抵抗Rd0とコンデンサCd0が接続された発振器Oscは、図9のaに示すような鋸歯状波信号Sd0を発生し、この鋸歯状波信号Sd0と、前記誤差積分回路の出力信号Sd1とは、比較器Cmgで比較される。ただし比較に際しては、前記誤差積分回路の出力信号Sd1に対してオフセット電圧Vd4を加えた信号Sd8と前記鋸歯状波信号Sd0とが比較される。前記鋸歯状波信号Sd0の電圧が前記信号Sd8の電圧よりも高い期間においてハイレベルとなる前記ゲート駆動信号Sgが生成され、前記給電能力制御回路Udから出力される。前記したように、前記信号Sd8は誤差積分回路の出力信号Sd1にオフセットを加えたものであるため、前記誤差積分回路の出力信号Sd1が仮に零であったとしても、前記ゲート駆動信号Sgのデューティサイクル比は、100より小さいある最大値、すなわち最大デューティサイクル比以下になるように構成されている。図9のaおよびbには、前記誤差積分回路の出力信号Sd1、およびこれに対してオフセットを加えた信号Sd8、前記鋸歯状波信号Sd0と前記ゲート駆動信号Sgの関係が示されている。前記給電能力制御回路Udから出力された前記ゲート駆動信号Sgが、前記インバータ制御回路Ufに入力されることにより、結果として、前記ランプ電流相関信号Sjが、前記フルブリッジインバータの動作にフィードバックされたフィードバック制御系が完成する。図7は、出力電流変調回路Umの構成の一例について、簡略化して示す図である。適当な電圧を有する電圧源Vmの出力は、抵抗Rsを介して演算増幅器A00の反転入力端子に接続される。前記演算増幅器A00の出力であるランプ電流目標信号Stは、抵抗Rf0およびこれと並列のコンデンサCf0を介して前記反転入力端子にフィードバックされているため、前記演算増幅器A00は、前記抵抗Rsの抵抗値に依存して前記電圧源Vmの電圧に比例した成分を有する前記ランプ電流目標信号Stを生成する。この図においては、変調信号Smは、3ビットの変調データM0,M1,M2からなる場合を示している。前記変調データM0,M1,M2のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御されるスイッチ素子Z0a,Z1a,Z2aに対し、スイッチ素子Z0b,Z1b,Z2bのベースにはインバータI0,I1,I2が挿入されているため、スイッチ素子Z0aとスイッチ素子Z0bとは一方がオン状態であれば他方はオフ状態に、スイッチ素子Z1aとスイッチ素子Z1bとは一方がオン状態であれば他方はオフ状態に、スイッチ素子Z2aとスイッチ素子Z2bとは一方がオン状態であれば他方はオフ状態に、それぞれなる。抵抗R01,R02,R03,R04,R05,R06からなるラダー抵抗ネットワークRA0の、抵抗R02、抵抗R04、抵抗R06には、それぞれ前記スイッチ素子Z0a,Z0b、スイッチ素子Z1a,Z1b、スイッチ素子Z2a,Z2bが接続され、前記スイッチ素子Z0a,Z1a,Z2aを流れた電流は、前記演算増幅器A00の反転入力端子に接続されているため、DA変換回路の理論が教えるところにより、前記変調データM0,M1,M2のディジタル値に依存して、前記電圧源Vmの電圧に比例した成分を有する前記ランプ電流目標信号Stを生成する。ただし、抵抗R01,R02,R04,R06の抵抗値は全て等しく、この抵抗値に対して抵抗R03,R05の抵抗値を半分にする。なおここでは、一例として3ビットの場合を示したが、必要に応じてビット数を増減して同様に構成することができる。当然ながら、ここで述べた回路については、DA変換用のICを用いて構成することができる。以上の構成により、前記ランプ電流目標信号Stは、前記した前記抵抗Rsの抵抗値に依存した基本値に対して、前記変調データM0,M1,M2のディジタル値に依存する値が重畳されたものとして生成される。ただし、前記変調データM0が最下位ビット、前記変調データM2が最上位ビットとなる。変調の深さ、すなわち、最大変調時の前記ランプ電流目標信号Stの値に対して、最大変調時と最小変調時との前記ランプ電流目標信号Stの値の差について、その比をとったものは、前記抵抗Rsの抵抗値によって設定することができる。また、最大変調時の前記ランプ電流目標信号Stの値は、前記電圧源Vmの出力電圧によって設定することができる。そして、図7の出力電流変調回路Umの応答速度については、前記変調データM0,M1,M2のディジタル値が増加することにより前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さが1ミリ秒あたり2.6A以下になるよう、またはランプ電圧VLにアンダーシュートPunが生じないよう、あるいはさらに、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さが1ミリ秒あたり3.0A以下になるよう、またはランプ電圧VLにオーバーシュートPovが生じないよう、前記ランプ電流目標信号Stの変化速さを限定して出力することができるように、前記コンデンサCf0の静電容量の値を設定すればよく、この静電容量を大きくするほど、変化の速さは遅くなる。前記ランプ電流目標信号Stの変化速さを限定して出力することを実現するためには、前記出力電流変調回路Umの応答速度を遅くする以外にも、前記した、変調信号Smそれ自体が、変化速度が限定された信号として生成され、前記出力電流変調回路Umに入力されるようにすることが可能である。前記変調信号Smが多ビットのディジタル数値データであるから、前記変調データM0,M1,M2を増加させるときは、ある値から他の値まで直接に増加させるのではなく、例えば、適当な時間間隔ごとに1LSBづつ増加させるようする方法によってもよい。ここでは、多ビットのディジタル数値データである前記変調信号Smが、パラレルの前記変調データM0,M1,M2として前記出力電流変調回路Umに入力される場合を記載したが、これがシリアル通信によって入力されるようにしてもよい。さらに、例えば、汎用の非同期シリアル通信インターフェイスUARTなどを介したコマンドとして、例えば、ASCIIなどの文字コード化で表現された数値情報によって前記変調信号Smが入力されるように構成することもできる。図8は、出力電流変調回路Umの構成の一例について、簡略化して示す図である。本図においては、変調信号Smはアナログ信号であって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの大きさに連続的に相関させた量だけ前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加えるものである。前記変調信号Smは、必要に応じて設けられるインピーダンス整合用の抵抗R10と、必要に応じて設けられる演算増幅器A10による非反転バッファにより受信される。前記演算増幅器A10を通過した前記変調信号Smは、ダイオードD11と抵抗R11との直列子と、前記ダイオードD11とは逆向きのダイオードD12と抵抗R12との直列子とが並列接続された回路を介してコンデンサC10に流れ込む。このように構成したことにより、前記コンデンサC10に現れる電圧は、前記変調信号Smが、その上昇速度と下降速度とを、前記抵抗R11と前記抵抗R12とによって独立に規定されて変換された信号として観測される。この信号は、必要に応じて設けられる演算増幅器A11による非反転バッファを通じ、抵抗Rtを介して演算増幅器A13の反転入力端子に接続される。また、前記変調信号Smがゼロの場合にもオフセット的に存在する、前記ランプ電流目標信号Stの最小値を与えるために設ける、適当な電圧を有する電圧源Vm’の出力は、抵抗Rs’を介して前記演算増幅器A13の反転入力端子に接続される。このような構成によって、前記電圧源Vm’の電圧と前記コンデンサC10の電圧との和が演算され、前記演算増幅器A13の出力信号として、ランプ電流目標信号Stが生成される。ただし、前記電圧源Vm’の電圧と前記コンデンサC10の電圧との和の演算に際しては、前記抵抗Rtと前記抵抗Rs’の値により、重みを設定することができる。また、フィードバック用の抵抗Rf1の値により、前記演算増幅器A13による反転増幅器のゲインを設定することができる。以上述べたように構成したことにより、図8の前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの上昇速度と下降速度とを、独立に制限した信号として前記ランプ電流目標信号Stを生成することができる。よって、この出力電流変調回路Umは、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが減少するときの変化の速さが1ミリ秒あたり2.6A以下になるよう、またはランプ電圧VLにアンダーシュートPunが生じないよう、あるいはさらに、前記陰極電極E1の断面積1平方ミリメートルあたりのランプ電流の大きさが増加するときの変化の速さが1ミリ秒あたり3.0A以下になるよう、またはランプ電圧VLにオーバーシュートPovが生じないよう、前記ランプ電流目標信号Stの変化速さを限定して出力することができる。なお、前記した、変調信号Smは2値の論理信号であって、前記出力電流変調回路Umは、前記変調信号Smの真偽によって、前記ランプ電流目標信号Stを高める変調を加える加えないの別を指定するものの場合には、図8の前記出力電流変調回路Umにおいて、前記演算増幅器A10をコンパレータに置き換えると良い。以上述べたように、図4、図5、図6、図7、図8に記載の回路から構成された放電ランプ点灯装置は、陰極電極の温度が低くなるように設計されたキセノン放電ランプを点灯する際にも、ランプ電流の変化の速さが緩やかになるため、陰極電極E1の先端における放電時のアークスポットの内部または周辺部に複数の微小突起が生じることを防止できるため、、光源輝度変調のために強めの出力電流変調を加えた点灯を継続すると、次に出力電流変調を弱くしたときに発生し易い、放電不安定を回避することを達成した放電ランプ点灯装置を提供することができる。先に、ランプ電力の定電力制御を基本として、ランプ電流の大きさを変調信号Smに従って変調する機能を有する放電ランプ点灯装置に好適なとして、図2に関連して、前記出力電流変調回路Umが前記ランプ電流検出信号変換回路Aiに対して作用するように構成することを述べたが、図10は、このための具体的な前記出力電流変調回路Umと前記ランプ電流検出信号変換回路Aiの構成の一例を簡略化して示す図である。この図のランプ電流検出信号変換回路は、演算増幅器Aaiによる非反転増幅回路を基本として、前記ランプ電流検出信号Siが、前記演算増幅器Aaiにより増幅され、その出力信号としてランプ電流相関信号Sjが生成される。前記演算増幅器Aaiの出力は、抵抗Rfcと、抵抗Racやこれに並列接続されてグランドに接続されている抵抗との合成抵抗と、により分圧されて前記演算増幅器Aaiの反転入力端子に接続されるため、この非反転増幅回路のゲインは、この分圧比により規定される。抵抗Racに並列接続されている抵抗Ra0,Ra1,Ra2とグランドとの間には、トランジスタによるスイッチ素子Z0,Z1,Z2がそれぞれ挿入されているため、スイッチ素子Z0,Z1,Z2それぞれのオンまたはオフにより、それぞれの抵抗Ra0,Ra1,Ra2が接続状態または非接続状態を切換えられるため、この非反転増幅回路のゲインを可変することができる。スイッチ素子Z0,Z1,Z2は、それぞれのベース端子がそれぞれベース抵抗Rm0,Rm1,Rm2を介して変調データM0,M1,M2に接続されているため、スイッチ素子Z0,Z1,Z2は、前記変調データM0,M1,M2のそれぞれのビットの真と偽に対応してオン状態とオフ状態が制御され、結果として、前記変調データM0,M1,M2のそれぞれのビットの真と偽の組み合せによってこの非反転増幅回路のゲインを可変することができる。ここで、抵抗Ra0,Ra1,Ra2の抵抗値の関係として、抵抗Ra0を抵抗Ra1の2倍、抵抗Ra1を抵抗Ra2の2倍に設定することにより、変調データM0を最下位ビット、変調データM2を最上位ビットとした3ビットの2進数データとしてこの非反転増幅回路のゲインを可変することができる。ただし、非反転増幅回路のゲインと2進数データとは直線関係には無い。なおここでは、一例として3ビットの場合を示したが、必要に応じてビット数を増減して同様に構成することができる。当然ながら、ランプ電力の定電力制御を基本として、ランプ電流の大きさを変調信号Smに従って変調する機能を有する放電ランプ点灯装置は、ここで述べた、図10に記載の回路を用いた図2に記載の構成とする以外にも、他の構成によってそれを実現することができる。例えば、図7に記載の回路を用いた図1に記載の構成を基本としてこれを実現することもできる。具体的には、前記したように、所定のランプ電力目標値を、前記ランプ電圧検出手段Vxからの前記ランプ電圧検出信号Svの値で除算することにより得たランプ電流目標値をDA変換し、これを、図7に記載の前記電圧源Vmの電圧として出力するよう、前記電圧源Vmを構成すればよい。本明細書においては、主としてプロジェクタにおける用途について説明してきたが、本発明の放電ランプ点灯装置は、キセノン放電ランプを点灯するための放電ランプ点灯装置であれば、どのような用途に対しても適用可能であり、良好に効果を発揮する。本明細書に記載の回路構成は、本発明の光源装置の動作や機能、作用を説明することを目的として、必要最低限のものを記載したものである。したがって、説明した回路構成や動作の詳細事項、例えば、信号の極性であるとか、具体的な回路素子の選択や追加、省略、或いは素子の入手の便や経済的理由に基づく変更などの創意工夫は、実際の装置の設計時に遂行されることを前提としている。とりわけ過電圧や過電流、過熱などの破損要因から給電装置のFET等のスイッチ素子などの回路素子を保護するための機構、または、給電装置の回路素子の動作に伴って発生する放射ノイズや伝導ノイズの発生を低減したり、発生したノイズを外部に出さないための機構、例えば、スナバ回路やバリスタ、クランプダイオード、パルスバイパルス方式を含む電流制限回路、コモンモードまたはノーマルモードのノイズフィルタチョークコイル、ノイズフィルタコンデンサなどは、必要に応じて、実施例に記載の回路構成の各部に追加されることを前提としている。本発明になる放電ランプ点灯装置の構成は、本明細書に記載の回路方式のものに限定されるものではなく、また、記載の波形やタイミング図に限定されるものではない。また、本明細書で挙げた、例えば図5や図6のような、ディジタル、またはディジタルおよびアナログの信号処理回路によって組まれる制御回路の構成については、例えば、アナログで入力される信号は、入力段でAD変換してディジタル信号に変換し、マイクロプロセッサ内のディジタル演算によって生成されたディジタルデータに基づき、また必要があればDA変換によりアナログ信号に変換して出力するなどして、所期の機能を発揮するものとして実現してもよく、このような処理機能を1個のICに集積した、一般にDSPと呼ばれる専用のICを使用して実現することは、本発明の制御回路の構成方法として、とりわけ好適である。"