"絶縁検査の対象となるN4以上の整数本の導体パターンが形成されたM2以上の整数個の同種の基板におけるM×N本の当該導体パターンに接触可能な検査ヘッドと、一対の測定対象導体グループ間の絶縁抵抗を測定する測定部と、前記M×N本の導体パターンのうちの任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該M×N本の導体パターンのうちの当該一方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンを除く他の任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続可能に構成された接続切替部と、前記接続切替部を制御することにより、前記任意の導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ前記他の任意の導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして前記測定部に接続させる接続処理、および前記測定部を制御して前記絶縁抵抗を測定させると共に当該測定された絶縁抵抗に基づいて前記任意の導体パターンと前記他の任意の導体パターンとの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する処理部とを備えた絶縁検査装置であって、前記処理部は、log2N以上であってlog2Nに最も近い回数Laの前記検査処理の実行で1個の前記基板の前記N本の導体パターンを検査可能に第1回目から第La回目の当該検査処理毎の当該N本の導体パターンの第1グループおよび第2グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の当該検査処理毎に、前記M個の基板における当該検査処理の前記第1グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該M個の基板における当該検査処理の前記第2グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、前記M個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第1処理を実行する絶縁検査装置。前記処理部は、前記第1処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンの存在を検出したときに、前記M個の基板に対して1個ずつ、前記グループ分け情報に基づいて、各回目の前記検査処理毎に、当該1個の基板における当該検査処理の前記第1グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該1個の基板における当該検査処理の前記第2グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、当該1個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第2処理を実行する請求項1記載の絶縁検査装置。絶縁検査の対象となるN4以上の整数本の導体パターンが形成されたM2以上の整数個の同種の基板についての前記導体パターンの絶縁状態を検査する絶縁検査方法であって、log2N以上であってlog2Nに最も近い回数Laの前記検査処理の実行で1個の前記基板の前記N本の導体パターンを検査可能に第1回目から第La回目の当該検査処理毎の当該N本の導体パターンの第1グループおよび第2グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の前記検査処理毎に、前記M個の基板における当該検査処理の前記第1グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該M個の基板における当該検査処理の前記第2グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択し、前記一方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターンおよび前記他方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターン間の絶縁抵抗を測定し、前記各回目の前記検査処理毎に測定された前記絶縁抵抗に基づいて、前記M個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する絶縁検査方法。しかしながら、近年では、多面取り基板について、面付けされた基板の絶縁状態がすべて良好であるとの検査結果を、上記した絶縁検査装置および絶縁検査方法よりもさらに短時間に取得したいという要請があり、この要請に沿う絶縁検査装置および絶縁検査方法が望まれている。本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、導体パターンが形成された同種の基板に対する絶縁検査に要する時間を短縮し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法を提供することを主目的とする。上記目的を達成すべく請求項1記載の絶縁検査装置は、絶縁検査の対象となるN4以上の整数本の導体パターンが形成されたM2以上の整数個の同種の基板におけるM×N本の当該導体パターンに接触可能な検査ヘッドと、一対の測定対象導体グループ間の絶縁抵抗を測定する測定部と、前記M×N本の導体パターンのうちの任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該M×N本の導体パターンのうちの当該一方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンを除く他の任意の導体パターンを前記一対の測定対象導体グループのうちの他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続可能に構成された接続切替部と、前記接続切替部を制御することにより、前記任意の導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ前記他の任意の導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして前記測定部に接続させる接続処理、および前記測定部を制御して前記絶縁抵抗を測定させると共に当該測定された絶縁抵抗に基づいて前記任意の導体パターンと前記他の任意の導体パターンとの間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する処理部とを備えた絶縁検査装置であって、前記処理部は、log2N以上であってlog2Nに最も近い回数Laの前記検査処理の実行で1個の前記基板の前記N本の導体パターンを検査可能に第1回目から第La回目の当該検査処理毎の当該N本の導体パターンの第1グループおよび第2グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の当該検査処理毎に、前記M個の基板における当該検査処理の前記第1グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該M個の基板における当該検査処理の前記第2グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、前記M個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第1処理を実行する。また、請求項2記載の絶縁検査装置は、請求項1記載の絶縁検査装置において、前記処理部は、前記第1処理において前記絶縁状態が不良の前記導体パターンの存在を検出したときに、前記M個の基板に対して1個ずつ、前記グループ分け情報に基づいて、各回目の前記検査処理毎に、当該1個の基板における当該検査処理の前記第1グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとし、かつ当該1個の基板における当該検査処理の前記第2グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択して前記測定部に接続する前記接続処理を実行して、当該1個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する第2処理を実行する。また、請求項3記載の絶縁検査方法は、絶縁検査の対象となるN4以上の整数本の導体パターンが形成されたM2以上の整数個の同種の基板についての前記導体パターンの絶縁状態を検査する絶縁検査方法であって、log2N以上であってlog2Nに最も近い回数Laの前記検査処理の実行で1個の前記基板の前記N本の導体パターンを検査可能に第1回目から第La回目の当該検査処理毎の当該N本の導体パターンの第1グループおよび第2グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の前記検査処理毎に、前記M個の基板における当該検査処理の前記第1グループに含まれる前記各導体パターンを前記一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、当該M個の基板における当該検査処理の前記第2グループに含まれる前記各導体パターンを前記他方の測定対象導体グループとして選択し、前記一方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターンおよび前記他方の測定対象導体グループとして選択された前記導体パターン間の絶縁抵抗を測定し、前記各回目の前記検査処理毎に測定された前記絶縁抵抗に基づいて、前記M個の基板についての前記導体パターン間の絶縁状態を検査する。請求項1記載の絶縁検査装置および請求項3記載の絶縁検査方法によれば、1個の基板のN本の導体パターンにいわゆるマルチプル方法を適用して得られた検査処理の回数と同じ回数でM個の基板の導体パターンについての絶縁状態を検査することができる。このため、この絶縁検査装置および絶縁検査方法によれば、例えば、M個の基板の各導体パターン全体に対してマルチプル方法を適用して得られる検査処理の回数よりも少ない回数に検査処理の回数を低減することができる。また、請求項2記載の絶縁検査装置によれば、検査対象としているM個の基板のいずれかに絶縁状態が不良の導体パターンが含まれているときには、処理部が、第2処理を実行して、絶縁状態が不良の導体パターンを含む基板を検出することにより、絶縁状態が不良の基板を確実に探し出せると共にその絶縁状態が不良の基板に対する補修作業を効率よく実施することが可能となる。以下、絶縁検査装置および絶縁検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。最初に、絶縁検査装置1の構成について、図面を参照して説明する。図1に示す絶縁検査装置1は、回路基板以下、基板ともいう2に形成された絶縁検査の対象である導体パターンPについての絶縁状態を検査する絶縁検査装置であって、検査ヘッド3、移動機構4、接続切替部スキャナ部5、測定部6、処理部7、記憶部8および表示部9を備えている。基板2は、例えば、図2に示すように、K個後述するM個の整数倍。本例では一例として、100個の子基板CPが行方向一例として10行および列方向一例として10列に格子状に規則正しく並べて面付けされたいわゆる、マトリックス状に面付けされた多面取り基板に形成されている。各子基板CPは、図3に示すように、同じN本の導体パターンP本例では一例として、10本の導体パターンP1,P2,,P10が同一の配置で形成されて同種の基板同じ基板として構成されている。各子基板CPは、各々の導体パターンPについての絶縁状態が基板2の状態で検査された後に、例えばカッターで切断されて分離される。なお、以下において各子基板CPを区別するときには、配置されている行と列の各数を用いて、CP行,列と表記するものとする。検査ヘッド3は、図1に示すように、基板2における導体パターンPの形成面2aに対向して配設されると共に、基板2のこの形成面2aとの対向面3aに複数のプローブPLが配設されている。本例では一例として、検査ヘッド3は、基板2を平面視した状態において、図2において破線で示すように、M個Mは2以上の整数。本例では一例として2行5列分の10個の子基板CPを覆う外形に形成されると共に、M個の子基板CPに形成されている各導体パターンP本例では、M×N=100本の導体パターンPと電気的に同時に接触し得る数M×N個のプローブPLが対向面3aに配設されている。また、すべてのプローブPLは、不図示の配線によって接続切替部5に一対一で接続されている。移動機構4は、処理部7によって制御されて、検査ヘッド3を基板2と平行な状態で、基板2の行方向および列方向に移動させると共に、基板2に対して接離させる。本例では一例として、検査ヘッド3がM個10個の子基板CPの各導体パターンPと同時に接触する構成のため、移動機構4は、検査ヘッド3を基板2の列方向に沿って5列単位で移動させると共に、行方向に沿って2行単位で移動させる。接続切替部5は、複数の切換スイッチおよびスイッチ制御回路いずれも図示せずで構成されて、上記したように、すべてのプローブPLと一対一で接続されると共に、一対の配線4a,4bを介して測定部6と接続されている。また、接続切替部5は、処理部7によって制御されて、スイッチ制御回路が各切換スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、検査ヘッド3のプローブPLと接触させられるM×N本の導体パターンPのうちの任意の導体パターンPを選択して配線4aに接続する測定部6に対して一対の測定対象導体グループのうちの一方の測定対象導体グループとして接続すると共に、M×N本の導体パターンPのうちの一対の測定対象導体グループを除く他の任意の導体パターンPを選択して配線4bに接続する測定部6に対して一対の測定対象導体グループのうちの他方の測定対象導体グループとして接続する。測定部6は、例えば抵抗測定が可能なデジタルマルチメータを備えて構成されて、配線4aを介して接続される一方の測定対象導体グループと、配線4bを介して接続される他方の測定対象導体グループとの間一対の測定対象導体グループ間の絶縁抵抗の抵抗値絶縁抵抗値Rxを測定して、測定された絶縁抵抗値Rxを示す抵抗データD1を処理部7に出力する。具体的には、測定部6は、一対の配線4a,4b間に試験用電圧V1電圧値が既知の直流定電圧を一例として配線4bに対して配線4aが高電圧となるように出力し、このときに配線4a,4b間に流れる電流直流電流I1と試験用電圧V1とに基づいて絶縁抵抗値Rxを測定する。本例では、測定部6は、処理部7によって制御されて作動して、絶縁抵抗値Rxの測定と抵抗データD1の出力とを実行する。本例では、接続切替部5により、配線4aには、M×N本の導体パターンPのうちから選択された任意の導体パターンPが一方の測定対象導体グループとして接続され、また配線4bには、M×N本の導体パターンPのうちの残りの導体パターンP配線4aに一方の測定対象導体グループとして接続されている導体パターンPを除いた残りの導体パターンPのうちから選択された他の任意の導体パターンPが他方の測定対象導体グループとして接続される。このため、測定部6は、一方の測定対象導体グループとして選択された任意の導体パターンPと、他方の測定対象導体グループとして選択された他の任意の導体パターンPとの間の絶縁抵抗値Rxを測定する。処理部7は、例えばCPUで構成されて、基板2に対する絶縁検査処理を実行する。具体的には、処理部7は、この絶縁検査処理において、M個本例では10個の子基板CPに形成されている導体パターンPについての絶縁状態を並列的に同時に検査する第1処理同時検査処理と、このM個の子基板CPに対して1個ずつ、この1個の子基板CPに形成されている導体パターンPについての絶縁状態を検査する第2処理個別検査処理とを実行する。また、処理部7は、上記したように、移動機構4、接続切替部5および測定部6に対する動作制御を実行する。記憶部8は、処理部7の動作プログラムを記憶する。また、記憶部8には、マルチプル方法を1個の子基板CPに適用して、回数Laの検査処理の実行でこの子基板CPのN本の導体パターンPの絶縁状態を検査するための各回目の検査処理毎のN本の導体パターンPについてのグループ分け情報Dgが予め記憶されている。また、記憶部8には、絶縁検査処理において使用される基準抵抗値Rref絶縁状態が良好と判別し得る一対の測定対象導体間の絶縁抵抗:一対の測定対象導体グループ間の絶縁抵抗でもある。が記憶されている。表示部9は、一例として液晶ディスプレイで構成されて、処理部7が実行した絶縁検査処理での判別結果を表示する。次に、絶縁検査装置1の動作と共に絶縁検査方法について、図面を参照して説明する。なお、本例では一例として、上記したように基板2の各子基板CPには、独立したN=10本の導体パターンPが形成されている。このため、1個の子基板CPにマルチプル方法を適用したときに、この子基板CPに形成されているN本すべての導体パターンPの相互間の絶縁状態を検査するために必要となる検査処理の回数検査回数Laは、数値log2N=log210≒3.32以上であって、この数値に最も近い整数、つまり数値4となる。したがって、第1回目から第4回目の検査処理毎のN本の導体パターンPの第1グループ一方の測定対象導体グループとして配線4aを介して測定部6に接続される導体パターンPのグループおよび第2グループ他方の測定対象導体グループとして配線4bを介して測定部6に接続される導体パターンPのグループへのグループ分けがマルチプル方法に基づいて行われて、グループ分け情報Dgとして記憶部8に記憶されているものとする。一例として、図4に示すように、第1回目の検査処理のグループ分け情報Dgとして、導体パターンP1,P3,P5,P7,P9を第1グループ高電圧側の配線4aに接続されるグループのため、記号Hを付して表記されているとし、残りの導体パターンP2,P4,P6,P8,P10を第2グループ低電圧側の配線4bに接続されるグループのため、記号Lを付して表記されているとしてグループ分けする情報が記憶されている。また、第2回目の検査処理のグループ分け情報Dgとして、導体パターンP1,P2,P5,P6,P9,P10を第1グループとし、残りの導体パターンP3,P4,P7,P8を第2グループとしてグループ分けする情報が記憶されている。また、第3回目の検査処理のグループ分け情報Dgとして、導体パターンP1,P2,P3,P4,P9,P10を第1グループとし、残りの導体パターンP5,P6,P7,P8を第2グループとしてグループ分けする情報が記憶されている。また、第4回目の検査処理のグループ分け情報Dgとして、導体パターンP1~P8を第1グループとし、残りの導体パターンP9,P10を第2グループとしてグループ分けする情報が記憶されている。なお、上記した4つの各グループ分けによる検査処理は、何回目に実行しなければならないとの制限はない。このため、例えば、上記した第1回目の検査処理のグループ分け情報Dgの内容と、第2回目の検査処理のグループ分け情報Dgの内容とを入れ替える等、任意の順序で各回目の検査処理に4つのグループ分け情報Dgを適用することができる。絶縁検査装置1では、処理部7が基板2に対する検査を開始したときには、処理部7は、まず、移動機構4に対する制御を実行して検査ヘッド3を図2において破線で示される最初の検査位置に移動させることにより、検査ヘッド3に配設された各プローブPLを1番目に検査対象となるM個10個の子基板CPCP1,1~CP1,5およびCP2,1~CP2,5における各導体パターンPP1~P10に接触させる。次いで、処理部7は、このM個の子基板CPに対して絶縁検査処理を実行する。この絶縁検査処理では、処理部7は、まず、第1処理を実行する。この第1処理では、処理部7は、接続切替部5を制御することにより、各回目の検査処理毎に、M個の子基板CPにおける検査処理の第1グループに含まれる各導体パターンPを一方の測定対象導体グループとし、かつM個の子基板CPにおける検査処理の第2グループに含まれる各導体パターンPを他方の測定対象導体グループとして選択して測定部6に接続する接続処理と、測定部6を制御して一方の測定対象導体グループとしての第1グループを構成する導体パターンPと他方の測定対象導体グループとしての第2グループを構成する導体パターンPとの間の絶縁抵抗値Rxを測定させると共に、この絶縁抵抗値Rxおよび基準抵抗値Rrefに基づいて、第1グループを構成する導体パターンPと第2グループを構成する導体パターンPとの間の絶縁状態を検査する検査処理とを実行する。具体的には、処理部7は、第1回目の検査処理では、接続処理において、まず、記憶部8から第1回目のグループ分け情報Dg図4参照を読み出す。次いで、処理部7は、接続切替部5を制御することにより、読み出したグループ分け情報Dgで示される第1グループに含まれる導体パターンP1,P3,P5,P7,P9に対応するM個の各子基板CPにおける導体パターンPつまり、導体パターンP1,P3,P5,P7,P9を一方の測定対象導体グループとし、かつ読み出したグループ分け情報Dgで示される第2グループに含まれる導体パターンP2,P4,P6,P8,P10に対応するM個の各子基板CPにおける導体パターンPつまり、導体パターンP2,P4,P6,P8,P10を他方の測定対象導体グループとして図5,6に示すように選択して、測定部6に接続する。これにより、接続処理が完了する。この接続処理の完了時点においては、M個の子基板CPCP1,1~CP1,5、CP2,1~CP2,5の各導体パターンPのうちの第1グループに含まれる導体パターンP1,P3,P5,P7,P9は共に共通の配線4aを介して一方の測定対象導体グループとして測定部6に接続された状態となる。また、M個の子基板CPCP1,1~CP1,5、CP2,1~CP2,5の各導体パターンPのうちの第2グループに含まれる残りの導体パターンP2,P4,P6,P8,P10は共に共通の配線4bを介して他方の測定対象導体グループとして測定部6に接続された状態となる。次いで、処理部7は、検査処理を実行する。この検査処理では、処理部7は、まず、測定部6を制御することにより、配線4aを介して接続されている一方の測定対象導体グループに含まれる導体パターンPM個の子基板CPの各導体パターンPのうちの第1グループに含まれる導体パターンP1,P3,P5,P7,P9と、配線4bを介して接続されている他方の測定対象導体グループに含まれる導体パターンPM個の子基板CPの各導体パターンPのうちの第2グループに含まれる導体パターンP2,P4,P6,P8,P10第1グループに含まれる導体パターンP以外のすべての導体パターンPとの間の絶縁抵抗値Rxを測定する。この絶縁抵抗値Rxの測定に際して、測定部6は、共通の配線4bに接続されることで同電位となるM個の子基板CPの第2グループに含まれる導体パターンP2,P4,P6,P8,P10に対して、試験用電圧V1だけ高電圧となる電圧を、共通の配線4aに接続されることで同電位となるM個の子基板CPの各導体パターンPのうちの第1グループに含まれる導体パターンP1,P3,P5,P7,P9に印加する。次いで、処理部7は、測定部6によって測定された絶縁抵抗値Rxと、記憶部8から読み出した基準抵抗値Rrefとを比較して、絶縁抵抗値Rxが基準抵抗値Rref以上のときには、M個の子基板CPの第1グループに含まれるすべての導体パターンP1,P3,P5,P7,P9と、このM個の子基板CPの第2グループに含まれるすべての導体パターンP2,P4,P6,P8,P10との間の絶縁状態が良好であると判別する。また、処理部7は、この第1回目の検査処理の判別結果を検査対象としているM個10個の子基板CPの識別情報例えば、行番号および列番号の双方が最も小さい番号の子基板CPの番号CP1,1に対応させて記憶部8に記憶させる。これにより、この1番目の検査対象であるM個の子基板CPCP1,1~CP1,5およびCP2,1~CP2,5に対する第1回目の検査処理が完了する。処理部7は、その後に実行する第2回目、第3回目および第4回目の検査処理毎に、検査処理の実行に先立って接続処理を実行し、この接続処理において、記憶部8から読み出した各回目の検査処理に対応するグループ分け情報Dg図4参照に基づいて、接続切替部5を制御することにより、測定部6に一方の測定対象導体グループとして接続される第1グループに含まれる導体パターンPと、他方の測定対象導体グループとして接続される第2グループに含まれる導体パターンPとを図5,6に示すように変更しつつ、第1グループに含まれる導体パターンPと第2グループに含まれる導体パターンPとの間の絶縁抵抗値Rxを測定する。また、処理部7は、第2回目、第3回目および第4回目の検査処理毎に、算出した絶縁抵抗値Rxと基準抵抗値Rrefとを比較することにより、M個の子基板CPの第1グループに含まれる導体パターンPと、このM個の子基板CPの第2グループに含まれる導体パターンPとの間の絶縁状態を判別し、その判別結果を検査対象としているM個の子基板CPの識別情報に対応させて記憶部8に記憶させる。このようにして、この絶縁検査装置1では、1個の子基板CPに形成されているN本の導体パターンPにマルチプル方法を適用して得られた各回目の検査処理毎のグループ分け情報Dgを、検査ヘッド3に配設されているプローブPLが接触し得るすべての子基板CPM個の子基板CPの各導体パターンPに対して同時に適用して、各子基板CPにおける第1グループに含まれる導体パターンPと第2グループに含まれる導体パターンPとの間の絶縁状態を同時に検査する第1処理を実行する。このため、この絶縁検査装置1では、1個の子基板CPのN本の導体パターンPにマルチプル方法を適用して得られた検査処理の回数La=4と同じ回数LaでM個の子基板CPの導体パターンPについての絶縁検査処理が実行可能となっている。したがって、例えば、M個の子基板CPの各導体パターンP全体に対してマルチプル方法を適用して得られる検査処理の回数本例では、log2M×N=log2100≒6.64であるから、7回よりも少ない4回に検査処理の回数Laが低減されている。続いて、処理部7は、検査対象としている1番目のM個の子基板CPの各導体パターンPについての第1処理での判別結果を記憶部8から読み出して、1回目から4回目のすべての検査処理での判別結果が良好であるときには、この判別結果をM個の子基板CPの識別情報と共に表示部9に表示させて、このM個の子基板CPCP1,1~CP1,5およびCP2,1~CP2,5についての絶縁検査処理を終了させる。その後、処理部7は、移動機構4を制御して検査ヘッド3を移動させながら、検査対象とするM個の子基板CPを順次変更しつつ、上記した1番目のM個の子基板CPを検査対象としたときと同様の絶縁検査処理を実行する。一例として、処理部7は、2番目にM個の子基板CPCP3,1~CP3,5およびCP4,1~CP4,5を検査対象として、、5番目にM個の子基板CPCP9,1~CP9,5およびCP10,1~CP10,5を検査対象として、6番目にM個の子基板CPCP9,6~CP9,10およびCP10,6~CP10,10を検査対象として、7番目にM個の子基板CPCP7,6~CP7,10およびCP8,6~CP8,10を検査対象として、、10番目最後にM個の子基板CPCP1,6~CP1,10およびCP2,6~CP2,10を検査対象として第1処理を含む絶縁検査処理を実行する。各M個の子基板CPに対する絶縁検査処理において実行される検査処理の回数Laは第1処理を採用したことによって4回で済むため、この絶縁検査装置1では、基板2に面付けされたすべての子基板CP本例では100個のN本本例では10本の導体パターンPの絶縁状態がすべて良好なときには、基板2のすべての子基板CPに対する検査処理の回数を40回に抑えることが可能となっている。つまり、M個の子基板CPの各導体パターンP全体に対してマルチプル方法を適用する構成での基板2に対する検査処理の総実行回数7×10=70回よりも少ない回数に検査処理の実行回数が低減され、絶縁検査に要する時間が短縮されている。一方、M個の子基板CPに対するいずれかの絶縁検査処理において、記憶部8から読み出した検査対象としているM個の子基板CPの各導体パターンPについての第1処理での判別結果の一部に不良箇所が存在することつまり、絶縁状態が不良の導体パターンPが存在することを検出したときには、処理部7は、第1処理に続いて、現在の検査対象であるM個の子基板CPのそれぞれに対して第2処理個別検査処理を絶縁検査処理の一部として実行し、この第2処理の完了後に、新たなM個の子基板CPに対する新たな絶縁検査処理を実行する。この第2処理では、処理部7は、接続切替部5を制御することにより、M個の子基板CPに対して1個ずつ、記憶部8から読み出した各回目の検査処理に対応するグループ分け情報Dg図4参照に基づいて、1個の子基板CPにおける検査処理の第1グループに含まれる各導体パターンPを一方の測定対象導体グループとし、かつ1個の子基板CPにおける検査処理の第2グループに含まれる各導体パターンPを他方の測定対象導体グループとして選択して測定部6に接続する接続処理を実行しつつ、1個の子基板CPについての導体パターンP間の絶縁状態を検査する各検査処理を実行する。一例として、1番目に検査対象としたM個10個の子基板CPCP1,1~CP1,5、CP2,1~CP2,5のいずれかに絶縁状態が不良な導体パターンPが存在していたときには、処理部7は、図4に示される各回目の検査処理毎のグループ分け情報Dgに基づく導体パターンPのグループ分けを、例えば、子基板CP1,1、子基板CP1,2、、子基板CP1,5、子基板CP2,1,子基板CP2,5の順に1個ずつ適用して、1個の子基板CP単位で、接続処理および検査処理を実行する。この場合、処理部7は、1個の子基板CPに対して検査処理を4回実行することにより、絶縁状態の良否を判別する。具体的には、処理部7は、子基板CP1,1に対する絶縁検査に際しては、第1回目の検査処理では、接続処理において、記憶部8から読み出した第1回目のグループ分け情報Dg図4参照に基づいて、子基板CP1,1における第1回目の検査処理の第1グループに含まれる導体パターンP1,P3,P5,P7,P9を一方の測定対象導体グループとし、かつ子基板CP1,1における第1回目の検査処理の第2グループに含まれる導体パターンP2,P4,P6,P8,P10を他方の測定対象導体グループとして選択して、測定部6に接続する。また、第2回目、第3回目および第4回目の検査処理においても、接続処理において、各回目のグループ分け情報Dg図4参照に基づいて、子基板CP1,1における各回目の検査処理の第1グループに含まれる導体パターンPを一方の測定対象導体グループとし、かつ子基板CP1,1における各回目の検査処理の第2グループに含まれる導体パターンPを他方の測定対象導体グループとして選択して、測定部6に接続する。このようにして、処理部7は、第1処理に続いて、この第2処理を実行することにより、M個10個の子基板CPのうちのいずれの子基板CPに絶縁状態が不良な導体パターンPが存在しているかを判別し、その判別結果をこの子基板CPの識別情報例えば、子基板CPの番号行,列と共に、検査対象としているM個10個の子基板CPの識別情報に対応させて記憶部8に記憶させ、かつ、表示部9に表示させる。この場合、処理部7は、このようにN本の導体パターンPが形成されているM個の子基板CPに対して検査処理をLa×M回、本例では40回=4×10実行することにより、絶縁状態が不良な導体パターンPが存在している子基板CPを判別する。このように、この絶縁検査装置1および絶縁検査方法では、N本の導体パターンPが形成されたM個の同種の子基板CPについての導体パターンPの絶縁状態を検査する際に、log2N以上であってlog2Nに最も近い回数Laの検査処理の実行で1個の子基板CPのN本の導体パターンPを検査可能に第1回目から第La回目の検査処理毎のN本の導体パターンPの第1グループおよび第2グループへのグループ分けを示すグループ分け情報に基づいて、各回目の検査処理毎に、M個の子基板CPにおける検査処理の第1グループに含まれる各導体パターンPを一方の測定対象導体グループとして選択すると共に、M個の子基板CPにおける検査処理の第2グループに含まれる各導体パターンPを他方の測定対象導体グループとして選択し、一方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンPおよび他方の測定対象導体グループとして選択された導体パターンP間の絶縁抵抗値Rxを測定し、各回目の検査処理毎に測定された絶縁抵抗値Rxに基づいて、M個の子基板CPについての導体パターンP間の絶縁状態を検査する。したがって、この絶縁検査装置1および絶縁検査方法によれば、1個の子基板CPのN本の導体パターンPにマルチプル方法を適用して得られた検査処理の回数Laと同じ回数LaでM個の子基板CPの導体パターンPについての絶縁状態を検査することができる。このため、この絶縁検査装置1および絶縁検査方法によれば、例えば、M個の子基板CPの各導体パターンP全体に対してマルチプル方法を適用して得られる検査処理の回数よりも少ない回数に検査処理の回数を低減することができる。また、この絶縁検査装置1によれば、検査対象としているM個の子基板CPのいずれかに絶縁状態が不良の導体パターンPが含まれているときには、処理部7が、第2処理個別検査処理を実行して、絶縁状態が不良の導体パターンPを含む子基板CPを検出することにより、絶縁状態が不良の子基板CPを確実に探し出せると共にその絶縁状態が不良の子基板CPに対する補修作業を効率よく実施することができる。なお、上記の絶縁検査装置1では、M個の子基板CPに対する第1処理において、不良箇所の存在が検出されたときには、不良箇所を含む子基板CPを特定するための第2処理を実行する構成を採用しているが、基板2全体としての良否を判別するだけでよい場合には、第1処理のみで絶縁検査処理を構成し、第2処理を実行しない構成を採用することもできる。さらに、第2処理において不良箇所の存在が初めて検出されたときに、基板2に未検査の子基板CPが存在している状態であっても、基板2に対する絶縁検査処理を終了させる構成を採用することもできる。"