"液晶を狭持する一対のガラス基板のうちカラーフィルタを備える側のガラス基板をタッチパネルセンサーの支持基板としても使用する形式のタッチパネルセンサー付液晶表示装置において、共用するガラス基板のカラーフィルタから見て裏面側に静電容量方式のタッチパネルセンサーが直接一体的に形成されていることを特徴とするタッチパネルセンサー付液晶表示装置。前記タッチパネルセンサーの容量検出用電極が120°C以下の低温で形成された金属酸化物からなることを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルセンサー付液晶表示装置。前記金属酸化物がIn2O3とZnOの混合比が重量で90:10から80:20の範囲のIZO金属酸化物であることを特徴とする請求項2に記載のタッチパネルセンサー付液晶表示装置。前記IZO金属酸化物のシート抵抗が300Ω/□以下で、透過率が80以上であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のタッチパネルセンサー付液晶表示装置。少なくとも、カラー液晶表示装置を製造する工程と、前記液晶表装置を構成する2枚のガラス基板をウエットエッチングにより薄くする工程と、カラーフィルタを裏面に備えるガラス基板の表面に静電容量型タッチパネルセンサーを形成する工程と、をこの順で有するタッチパネルセンサー付液晶表示装置の製造方法であって、前記タッチパネルセンサーの形成工程は、スパッタ法でIn2O3とZnOの混合比が重量で90:10から80:20の範囲のスッパタ用ターゲットをスパッタしてIZO金属酸化物を成膜する工程と、IZO金属酸化物を120°C以下の温度でアニールする工程と、IZO金属酸化物をパターニング処理する工程と、を有することを特長とするタッチパネルセンサー付液晶表示装置の製造方法。そこで、本発明は、液晶を狭持する一対のガラス基板のうちカラーフィルタを備える側のガラス基板をタッチパネルセンサーの支持基板として使用する形式のタッチパネルセンサー付液晶表示装置であって、液晶表示装置部分を、容量検出用電極材料をアニールすることが必要なために200°C以上の高温に曝露せずとも、容量検出用電極について所定の抵抗特性や光学特性が得られる電極材料を見出すことを直接の目的とし、該電極材料を使用した極めて薄いタッチパネルセンサー付液晶表示装置を提供することを課題とした。上記課題を達成するための請求項1記載の発明は、液晶を狭持する一対のガラス基板のうちカラーフィルタを備える側のガラス基板をタッチパネルセンサーの支持基板としても使用する形式のタッチパネルセンサー付液晶表示装置において、共用するガラス基板のカラーフィルタから見て裏面側に静電容量方式のタッチパネルセンサーが直接一体的に形成されていることを特徴とするタッチパネルセンサー付液晶表示装置としたものである。請求項2に記載の発明は、前記タッチパネルセンサーの容量検出用電極が120°C以下の低温で形成された金属酸化物からなることを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルセンサー付液晶表示装置としたものである。請求項3に記載の発明は、前記金属酸化物がIn2O3とZnOの混合比が重量で90:10から80:20の範囲のIZO金属酸化物であることを特徴とする請求項2に記載のタッチパネルセンサー付液晶表示装置としたものである。請求項4に記載の発明は、前記IZO金属酸化物のシート抵抗が300Ω/□以下で、透過率が80以上であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のタッチパネルセンサー付液晶表示装置としたものである。請求項5に記載の発明は、少なくとも、カラー液晶表示装置を製造する工程と、前記液晶表装置を構成する2枚のガラス基板をウエットエッチングにより薄くする工程と、カラーフィルタを裏面に備えるガラス基板の表面に静電容量型タッチパネルセンサーを形成する工程と、をこの順で有するタッチパネルセンサー付液晶表示装置の製造方法であって、前記タッチパネルセンサーの形成工程は、スパッタ法でIn2O3とZnOの混合比が重量で90:10から80:20の範囲のスッパタ用ターゲットをスパッタしてIZO金属酸化物を成膜する工程と、IZO金属酸化物を120°C以下の温度でアニールする工程と、IZO金属酸化物をパターニング処理する工程と、を有することを特長とするタッチパネルセンサー付液晶表示装置の製造方法としたものである。本発明になるタッチパネルセンサー付液晶表示装置は、ガラス基板の枚数が少なく光学的ロスが低減される結果、視覚特性が良好で薄くて軽いという特徴を有する。特に、液晶パネルの表裏からフッ化水素酸でウエットエッチングが可能となるので薄いタッチパネルセンサー付液晶表示装置が提供できる。また、容量検出用電極材料であるIZOインジウム亜鉛酸化物のスパッタ成膜は、ITOインジウム錫酸化物に比べると120°C以下の低温で堆積できるので、液晶表示装置自体に与えるダメージが低減され、特にシール材の接着力を劣化させることがない。また,IZOはスパッタ装置内でのノジュール発生が少なくメンテンスフリーで実施できる結果、タッチパネルセンサー部の製造コストを下げられるという効果を奏する。以下、タッチパネルセンサー付液晶表示装置の製造工程に即して本発明を説明する。タッチパネルセンサー10をその基板裏面に形成するカラーフィルタ基板は、40cm×50cmで厚さ0.5mmのガラス基板1を使用して、定法のフォトリソグラフィー法を適用して製造した図4参照。着色した感光性樹脂をガラス基板1上にスリットコーティングした後、露光現像処理等所定の手順を踏んで着色パターンを形成する工程を繰り返す方法である。カラーフィルタ5が形成されたガラス基板1に対してTFT基板2を位置合わせの上、エポキシ系接着剤をシール材6として貼り合わせて液晶パネル化した後、ネマチック液晶4を減圧封入し、図4の下側に示すカラー液晶表示装置7を得た。エポキシ系のシール材6は、120°C以上に昇温すると融解変質して接着力が低下したり変形するので、この後のタッチパネルセンサー工程では液晶表示装置7を高温中に曝露するのは好ましくない。昇温できる温度はシール材6の許容上限温度に依存して決める必要がある。次に、カラーフィルタ5が形成されたガラス基板1の裏面側表面に、スクリーン印刷により黒色インキを用いて枠状加飾部程度であった。一方、ITOの表面抵抗は、アニール温度が230°Cなら150Ω/□とIZOより低抵抗であるが、アニールしないと1050Ω/□とIZOの4倍程度になり高抵抗であった。また230°Cアニールではシール材が溶解する現象が見られた。尚、ITOは、アニール温度100°Cで表面抵抗400Ω/□、透過率は89λ=550nm程度であった。したがって、IZOは、容量検出用電極としてアニール処理を格段行わずとも250Ω/□程度の表面抵抗を有しており十分実用的であった。透過率については、IZOはIn2O3成分が多いほど高透過率であり,ITOの下限程度かそれに近い値であった。以上から総合的に判断して、IZOの、ITOのような高温アニールが不要であるというメリットは、表面抵抗値と透過率が若干ITOを下回るデメリットを凌ぐものであった。"