周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられており、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記透過型ターゲットから反射した電子が前記電子通過路の内壁面に入射することにより生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置。少なくとも、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の一部に、前記透過型ターゲットに接続された導電層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の透過型X線発生装置。前記導電層の厚さが前記透過型ターゲットの厚さより薄いことを特徴とする請求項2に記載の透過型X線発生装置。前記導電層が、前記透過型ターゲットに比して質量の軽い元素で構成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の透過型X線発生装置。前記導電層が、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の一部に設けられており、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域のその他の部分が前記ターゲット支持基板の露出面であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置。少なくとも電子通過路の内壁面を構成する電子通過路形成部材の材質が前記透過型ターゲットと同じ材質であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の透過型X線発生装置と、前記透過型X線発生装置から放出されて被検体を透過したX線を検出するX線検出器と、を備えることを特徴とするX線撮影装置。ところで、特許文献1に記載の技術では、上記構成により電子をチャンネル表面で弾性散乱させターゲットに入射させている。しかしながら、この技術は、適切な濃度の電子ビームを透過型ターゲットに供給すること、及びできるだけ小さな焦点を得ることを目的としており、透過型ターゲットで反射した電子を有効利用するものではない。また、特許文献1には、透過型ターゲットで反射した電子の入射により発生するX線についての記載もない。特許文献2に記載の技術は、ターゲットのチャージアップ防止に関するものに過ぎず、特許文献1に記載の技術と同様に、透過型ターゲットで反射した電子を有効利用するものではない。また、特許文献2も、透過型ターゲットで反射した電子の入射により発生するX線についてすら記載していない。そこで、本発明は、透過型ターゲットで反射した電子を有効利用することによりX線発生効率を向上させることができる透過型X線発生装置及びそれを用いたX線撮影装置の提供を目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられており、前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記透過型ターゲットから反射した電子が前記電子通過路の内壁面に入射することにより生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置を提供するものである。本発明によれば、透過型ターゲットで発生するX線に加えて、透過型ターゲットで発生した反射電子により発生するX線も、効率良く取り出す構成をとる。これにより、X線発生効率を向上させることが可能となる。以下、図面を参照して、本発明の透過型X線発生装置について好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。但し、下記実施形態に記載されている構成部材の材質、寸法、形状、相対配置等は、特に記載がない限り、本発明の範囲を限定する趣旨のものではない。第1の実施形態図1a~cを用いて第1の実施形態の透過型X線発生装置の構成について説明する。図1aは本実施形態の透過型X線発生装置の構成例を示す断面図、図1bは図1aのアノードを拡大して表した断面図、図1cは図1aのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。透過型X線発生装置18は、X線取り出し窓17を有する外囲器16内に、X線放出源1、駆動電源15が配置され、外囲器16内の余空間を絶縁油14で満たして構成されている。X線放出源1は、電子放出源3、アノード10、ゲッタ12、真空容器6からなる。電子放出源3は、電流導入端子4、電子放出部2からなる。電子放出源3の電子放出機構としては、真空容器6の外部から電子放出量を制御可能な電子放出源であれば良く、熱陰極型電子放出源、冷陰極型電子放出源等を適宜適用することが可能である。電子放出源3は、真空容器6を貫通するように配置した電流導入端子4を介して、電子放出量及び電子放出のオンオフ状態を制御可能なように、真空容器6の外部に配置した駆動電源15に電気的に接続される。電子放出部2から放出された電子は、不図示の引き出しグリッド、不図示の加速電極により、10keV~200keV程度のエネルギーを有する電子線5となり、電子放出部2に対向させて配置した透過型ターゲット9cに、入射可能となっている。引き出しグリッド、加速電極は、熱陰極の電子銃管に内蔵することも可能である。また、電子線の照射スポット位置及び電子線の非点収差の調整の為の補正電極を電子放出源3に付加した上で、外部に配置した不図示の補正回路と接続することも可能である。アノード10は、X線透過窓を兼ねるターゲット支持基板9aと、導電層9bと、透過型ターゲット9cと、電子通過路形成部材7と、で構成される。ターゲット支持基板9aは、X線の透過性が高く、熱伝導が良く、真空封止に耐える必要がある。例えば、ダイヤモンド、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化アルミ、窒化アルミ、グラファイト、ベリリウム等を用いることができる。より好ましくは、X線の透過率がアルミニウムよりも小さく熱伝導率がタングステンよりも大きい、ダイヤモンド、窒化アルミ、窒化ケイ素が望ましい。また、絶縁性を有する材料を用いても良い。ターゲット支持基板9aの厚さは、上記の機能を満足すれば良く、材料によって異なるが、0.3mm以上2mm以下が好ましい。特に、ダイヤモンドは、他の材料に比べて、熱伝導性が極めて大きく、X線の透過性も高く、真空を保持しやすいため、より優れている。しかし、これらの材料は、温度が上昇するにつれて、熱伝導率の低下が大きいため、ターゲット支持基板9aは、できるだけ温度上昇を抑制しておく必要がある。導電層9bは、電子線5が透過型ターゲット9cに照射され、電子によるターゲット部9のチャージアップを防ぐ目的で設けられるため、導電性を有するものであれば良く、多くの金属材料又は炭化物、酸化物等を用いることができる。ターゲット支持基板9aへの導電層9bの一体化は、スパッタ、蒸着等によって得ることができる。ターゲット支持基板9aがグラファイトやベリリウムのような導電体、又は絶縁体に添加物によって導電性を付与できる材料であれば、導電層9bはなくても良い。しかし、通常、市販されているダイヤモンドのような絶縁体では、導電性がないため、導電層9bを設ける必要がある。また、導電層9bを設けると、導電層9bを介して透過型ターゲット9cに電圧を供給することもできる。導電層9bがターゲット部9のチャージアップを防ぐことのみを目的とするのであれば、導電性を有していれば、材料の種類や厚さに何ら制限はない。しかし、本発明では、導電層9bには、電子通過路形成部材7により形成された電子通過路8の内壁面で発生するX線を外部に取り出すための機能を持たせることを目的としているため、材料の種類や厚さについても影響を受ける。電子通過路8の内壁面におけるX線の発生と、その取り出し方法、及び導電層9bの材料や種類についての詳細は後述する。透過型ターゲット9cは、通常、原子番号26以上の金属材料を用いることができる。より好適には、熱伝導率が大きく融点が高いものほど良い。具体的には、タングステン、モリブデン、クロム、銅、コバルト、鉄、ロジウム、レニウム等の金属材料、又はこれらの合金材料を好適に用いることができる。透過型ターゲット9cの厚さは、加速電圧によって透過型ターゲット9cへの電子線の浸入深さ即ちX線の発生領域が異なるため、最適な値は異なるが、1μm~15μmである。導電層9bへの透過型ターゲット9cの一体化は、スパッタ、蒸着等によって得ることができる。導電層9bを用いない場合のターゲット支持基板9aへの透過型ターゲット9cの一体化も、スパッタ、蒸着等によって得ることができる。また、この場合の別の方法としては、別途、圧延や研磨により所定の厚さの透過型ターゲット9cの薄膜を作製し、ターゲット支持基板9aに高温、高圧下で、拡散接合することにより得ることができる。電子通過路形成部材7は、両端が開口した電子通過路8を有し、電子通過路8の一端電子放出源3側の端部の開口部から電子が入射し、電子通過路8の他端側電子放出源3と反対側に設けられた透過型ターゲット9cに電子が照射されてX線が発生する。電子通過路8は、透過型ターゲット9cよりも電子放出源3側では、電子線5を透過型ターゲット9cの電子線照射領域X線発生領域に導くための通過路になっている。電子通過路形成部材7としてX線を遮蔽できる材料を用いると、透過型ターゲット9cから電子放出源3側後方へ向かって放射されるX線は大部分が電子通過路8の内壁電子通過路8の周囲を囲む電子通過路形成部材7で遮蔽される。電子通過路8は、透過型ターゲット9cよりもX線取り出し窓17側にも設けることができる。この場合、電子通過路8は、透過型ターゲット9cよりもX線取り出し窓17側ではX線を外部に放出するための通過路になる。電子通過路形成部材7としてX線を遮蔽できる材料を用いると、透過型ターゲット9cからX線取り出し窓17側前方へ向かって放射されるX線のうち不要なX線は、電子通過路8の内壁で遮蔽される。電子通過路8は、電子放出源3側から見たときの形状が円形でも良いし、四角形や楕円形等適宜、選択することができる。また、電子通過路形成部材7は、詳細は後述するが、透過型ターゲット9cに衝突した電子が反射した後、電子通過路8の内壁面に衝突し、X線を発生させる機能も有している。更に、電子通過路形成部材7は、絶縁油14と接しているため、透過型ターゲット9cで発生した熱を絶縁油14に伝達しX線放出源1の外部へ逃がす機能も有している。電子通過路形成部材7に用いることができる材質は、30kV~150kVで発生するX線を遮蔽できるものが好ましい。例えば、タングステン、タンタルの他、モリブデン、ジルコニウム、ニオブ等、又はこれらの合金を用いることができる。電子通過路形成部材7としては、電子の衝突によりX線が発生する材料を用いても良いし、電子の衝突によりX線が発生しない材料を用い、かつ電子通過路8の内壁面の少なくとも一部に電子の衝突によりX線が発生する材料を配置しても良い。また、電子通過路形成部材7としては透過型ターゲット9cと同じ材料を用いるのが好ましい。少なくとも電子通過路8の内壁面を構成する電子通過路形成部材7の材質を、透過型ターゲット9cと同じ材質とするのが好ましい。電子放出部2から放出された電子が直接透過型ターゲット9cに衝突して発生するX線と、透過型ターゲット9cで反射した電子が電子通過路8の内壁面に衝突して発生するX線とが同じ特性を有するからである。電子通過路形成部材7とターゲット部9の接合は、ろう付け等により行うことができる。ろう付けによる接合は、真空容器6の内部を真空状態に保持することが重要である。ろう付けのろう材としては、電子通過路形成部材7の材料や、耐熱温度等により適宜、選択することができる。真空容器6はガラスやセラミックス等で構成することができ、真空容器6の内部は、真空排気減圧された内部空間13となっている。内部空間13は、電子の平均自由行程として、電子放出源3とX線を放出する透過型ターゲット9cの間の距離を、少なくとも電子が飛翔可能なだけの真空度であれば良く、1×104Pa以下の真空度が適用可能である。使用する電子放出源や、動作する温度等を考慮して適宜選択することが可能であり、冷陰極型電子放出源等の場合は、1×106Pa以下の真空度とするのがより好ましい。真空度の維持の為に、ゲッタ12を内部空間13に配置するか、もしくは内部空間13に連通している不図示の補助スペースに設置することも可能である。以下、図1bを用いて、アノード10の構成を詳細に説明する。アノード10は、ターゲット部9と、電子通過路形成部材7とからなり、本実施形態におけるターゲット部9は、図1bのように、ターゲット支持基板上に導電層9bを設け、導電層9b上の中央領域に透過型ターゲット9cを設けた構成をとる。図1bcにおいて、d1は透過型ターゲット9cの径、d2は電子通過路8の内径である。ターゲット部9と電子通過路形成部材7は不図示のろう材によりろう付けされ、真空容器6の内部が真空維持されている。図1bではターゲット支持基板9a導電層9bが電子通過路形成部材7にろう付けされている。図1cにおける破線より外側の領域の導電層9bは、ターゲット部9と電子通過路形成部材7を一体化すると、電子通過路形成部材7によって覆われる。図1bにおいて、電子放出源3から発生した電子線5aは、電子通過路形成部材7により形成された電子通過路8を介して透過型ターゲット9cに衝突し、透過型ターゲット9cからX線11aが発生する。X線11aの一部は透過型ターゲット9cの自己吸収により減衰し、更にX線透過窓を兼ねるターゲット支持基板9aによっても減衰するが、これらの減衰の程度は少なく、実質上、許容される。透過型ターゲット9cの径d1は、電子線5aの断面の径にほぼ等しいことが望ましい。多少の違いがあった場合、効果は限定されるが、本質的には変わらない。一方、透過型ターゲット9cに衝突した電子線5aのうち、一部の電子は反射され、反射電子5bとなって電子通過路8の内壁面に衝突し、そこでX線11b以下、副X線ということもある。を発生する。反射電子5bは、透過型ターゲット9cの材質、表面状態等により異なるが、多い時には、透過型ターゲット9cに衝突した電子の約50にも達する。また、反射電子5bが電子通過路8の内壁面に衝突する時の加速電圧は、電子放出源3から発生した電子線5aの加速電圧よりも低くなっている。この程度は、透過型ターゲット9cの材料や、表面状態、反射される方向等によっても異なる。このため、X線11bのエネルギーはX線11aのエネルギーに比べて小さくなる。X線11bは、反射電子5bが衝突した電子通過路8の内壁面から全ての方向に放射されるが、電子通過路形成部材7としてX線を遮蔽できる材料を用いると、後方へ向かって放射されるX線11bは大部分が電子通過路8の内壁で遮蔽される。前方へ向かって放射されるX線11bは、透過型ターゲット9cを透過して、放射されるため、X線11aと同様に撮影に利用することが可能である。電子通過路8の内壁面が副X線発生面となる好ましい範囲について説明する。電子通過路形成部材7の開口の大きさ電子通過路8の直径2Rと電子通過路8の距離Z副X線発生面のターゲット9cからの形成距離の好ましい範囲について述べる。距離Zの好ましい範囲は、ターゲット9cで発生した反射電子の周辺部への到達密度分布を考慮して設定することができる。この到達密度分布によれば、ターゲット9cで反射した反射電子の到達点は、ターゲット9cからの距離Zが2R以下の電子通過路内の周辺部表面に多く存在し、全体の80程度が存在する。また、距離Zが4R以下では全体の95程度が存在する。さらに、距離Zが20Rになると、反射電子の到達密度は、ほぼゼロに集束する。従って、電子通過路形成部材7の開口の大きさを2Rとした時に、距離Zが少なくとも2R以下、好ましくは4R以下の領域には副X線発生面が形成されていることが望ましい。よって、電子通過路形成部材7の開口の大きさ2Rと電子通過路の距離Zは2R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。さらに、好ましくは、4R≦Z≦20Rの関係を満たすことが望ましい。本実施形態では、距離Zは電子通過路形成部材7の内壁の長さに等しい。一方、電子通過路形成部材7の開口の大きさは、少なくとも電子線5がこの開口の中に入る大きさが必要である。その大きさは、電子放出源3の種類や集束電極の種類により電子線5の集束状態が異なるため一意的には決まらないが、開口の形状が円形の場合は、その直径は、0.5mm~5.0mmであることが好ましい。また、電子通過路8の距離Zは、X線の遮蔽効果を得るためには1mm以上は必要であることから、1mm~25mmが好適である。X線11bがターゲット部9を透過するとき、導電層9b、ターゲット支持基板9aの2層を透過するものと、透過型ターゲット9c、導電層9b、ターゲット支持基板9aの3層を透過するものがある。透過型ターゲット9cは、電子線5aを衝突させてX線を効率良く発生させる材料や厚さでなければならないので、使用条件に応じて最適化されていなければならない。一方、導電層9bは、電子線5aが衝突してX線を発生させることがほとんどないため、本来の機能である導電性と、X線透過性を考慮すれば良い。但し、前述のようにX線11bのエネルギーがX線11aのエネルギーに比べて小さいため、導電層9bが透過型ターゲット9cと同じ材質、同じ厚さであると、X線の吸収が大きくなり、充分にX線11bを取り出すことができない。X線透過性のみを考慮すると、導電層9bはないものが最も良いが、前述のチャージアップ防止を考慮すると、できるだけ薄い導電層9bが必要となる。導電層9bに用いるX線透過性の良い材料としては、軽元素が望ましく、例えばアルミ、チタン、窒化ケイ素、シリコン、グラファイト等を用いることができる。透過型ターゲット9cに比して質量の軽いこれらの元素を用いた場合の導電層9bの厚さは、導電性がとれれば良く、材料によって異なるが、おおむね0.1nm以上1μm以下あれば良い。導電層9bの材料は透過型ターゲット9cの材料と同じでも良い。導電層9bの材料が透過型ターゲット9cの材料と同じ場合、導電層9bの厚さは、X線を透過させるために実質的に支障のない薄さであれば良い。透過型ターゲット9cとして通常用いられる原子番号26以上の金属材料であっても、その厚さが薄ければ、X線の透過率が高いため、導電層9bとして用いることができる。例えばタングステンを用いた場合には、0.1nm以上0.2μm程度以下であれば、X線を僅かに遮る程度であり、軽元素の場合と同様に用いることができる。また、図1bでは、ターゲット支持基板9a上に導電層9b、導電層9b上に透過型ターゲット9cを設けているが、この順でなくても良い。導電層9b上に透過型ターゲット9cを設けたターゲット部9の場合には、透過型ターゲット9cで覆われた領域における導電層9bの厚さを0.1nm以上0.1μm以下とするのが好ましい。この範囲の厚さにすることでX線放射時の良好な線形性と出力安定性を確保できるからである。尚、導電層9bの厚さは、透過型ターゲット9cで覆われた領域以外では上記範囲でなくても良い。また、導電層9bと透過型ターゲット9cが同じ材料の場合には、透過型ターゲット9cで覆われた領域における導電層9bの厚さは上記範囲でなくても良い。透過型ターゲット9c上に導電層9bを設けたターゲット部9の場合には、透過型ターゲット9cを覆う領域の導電層9bの厚さを0.1nm以上0.1μm以下とするのが好ましい。この範囲の厚さにすることで電子が導電層9bに直接衝突することにより発生するX線量が許容範囲以下になるからである。尚、導電層9bの厚さは、透過型ターゲット9cを覆う領域以外では電子が導電層9bに直接衝突しないため上記範囲でなくても良い。また、導電層9bと透過型ターゲット9cが同じ材料の場合には、透過型ターゲット9cを覆う領域の導電層9bの厚さは上記範囲でなくても良い。このように、本実施形態によれば、電子通過路8の内壁面で副X線を発生させることができ、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域を、導電層9bで覆っている。このため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。このため、透過型ターゲット9cで発生するX線に加えて、透過型ターゲット9cで発生した反射電子5bにより発生する副X線も、効率良く取り出すことができる。これにより、X線発生効率を向上させることが可能となる。第2の実施形態図2abを用いて第2の実施形態について説明する。図2aは本実施形態の透過型X線発生装置におけるターゲット部の断面図、図2bは図2aのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、ターゲット部9が第1の実施形態と異なること以外は、第1の実施形態と同じ部材を用い、同じ構成としている。本実施形態におけるターゲット部9は、図2aのように、ターゲット支持基板9a上の中央領域に透過型ターゲット9cを設け、ターゲット支持基板9a上の中央領域以外の領域に導電層9bを設けた構成である。透過型ターゲット9cは導電層9bに接続されている。ターゲット支持基板9a、導電層9b、透過型ターゲット9cの各材料は第1の実施形態と同様に選択することができる。このように、本実施形態によれば、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域を、第1の実施形態と同様に、導電層9bで覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、第1の実施形態と同様の効果を奏する。第3の実施形態図2cdを用いて第3の実施形態について説明する。図2cは本実施形態の透過型X線発生装置におけるターゲット部の断面図、図2dは図2cのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、ターゲット部9が第1の実施形態と異なること以外は、第1の実施形態と同じ部材を用い、同じ構成としている。本実施形態におけるターゲット部9は、図2cのように、ターゲット支持基板9a上の中央領域に透過型ターゲット9cを設け、ターゲット支持基板9a上の中央領域以外の領域及び透過型ターゲット9c上に導電層9bを設けた構成である。透過型ターゲット9cは導電層9bで覆われている。ターゲット支持基板9a、導電層9b、透過型ターゲット9cの各材料は第1の実施形態と同様に選択することができる。このように、本実施形態によれば、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域を、第1の実施形態と同様に、導電層9bで覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、第1の実施形態と同様の効果を奏する。第4の実施形態図3abを用いて第4の実施形態について説明する。図3aは本実施形態の透過型X線発生装置におけるターゲット部の断面図、図3bは図3aのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、ターゲット部9が第1の実施形態と異なること以外は、第1の実施形態と同じ部材を用い、同じ構成としている。本実施形態におけるターゲット部9は、図3aのように、ターゲット支持基板9a上の中央領域に透過型ターゲット9cを設け、ターゲット支持基板9a上の中央領域以外の領域の一部に中央領域から周縁に延びる導電層9bを設けた構成である。透過型ターゲット9cは導電層9bに接続されている。透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9a上の周縁領域において、導電層9bはこの周縁領域の一部に設けられており、この周縁領域のその他の部分はターゲット支持基板9aの露出面になっている。ターゲット支持基板9a、導電層9b、透過型ターゲット9cの各材料は第1の実施形態と同様に選択することができる。このように、本実施形態によれば、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域の一部を、導電層9bで覆っているため、第1~第3の実施形態よりもこの周縁領域において副X線の透過性が良好になる。よって、第1~第3の実施形態よりもX線発生効率を向上させることができる。第5の実施形態図3cdを用いて第5の実施形態について説明する。図3cは本実施形態の透過型X線発生装置におけるターゲット部の断面図、図3dは図3cのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、ターゲット部9が第1の実施形態と異なること以外は、第1の実施形態と同じ部材を用い、同じ構成としている。本実施形態におけるターゲット部9は、図3cのように、ターゲット支持基板9a上の中央領域に透過型ターゲット9cを設け、導電層9bは設けない構成である。この場合には、ターゲット支持基板9aがわずかに導電性を有することが望ましい。導電性が十分でない場合には、チャージアップしないように、使用条件等を制限することが望ましい。ターゲット支持基板9a、透過型ターゲット9cの各材料は第1の実施形態と同様に選択することができる。このように、本実施形態によれば、ターゲット支持基板9aの中央領域に透過型ターゲット9cを設け、導電層9bは設けていないため、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域において副X線の透過性がより良好になる。よって、第1~第4の実施形態よりもX線発生効率を向上させることができる。第6の実施形態図4abを用いて第6の実施形態について説明する。図4aは本実施形態の透過型X線発生装置におけるターゲット部の断面図、図4bは図4aのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、ターゲット部9が第1の実施形態と異なること以外は、第1の実施形態と同じ部材を用い、同じ構成としている。本実施形態におけるターゲット部9は、図4aのように、ターゲット支持基板9a上の中央領域に導電層9bを設け、ターゲット支持基板9a上の中央領域以外の領域の一部にも中央領域から周縁に延びる導電層9bを設けている。また、ターゲット支持基板9a上の中央領域に位置する導電層9b上に透過型ターゲット9cを設けている。透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9a上の周縁領域において、導電層9bはこの周縁領域の一部に設けられており、この周縁領域のその他の部分はターゲット支持基板9aの露出面になっている。ターゲット支持基板9a、導電層9b、透過型ターゲット9cの各材料は第1の実施形態と同様に選択することができる。このように、本実施形態によれば、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域の一部を、導電層9bで覆っているため、第1~第3の実施形態よりもこの周縁領域において副X線の透過性が良好になる。よって、第1~第3の実施形態よりもX線発生効率を向上させることができる。第7の実施形態図4cdを用いて第7の実施形態について説明する。図4cは本実施形態の透過型X線発生装置におけるターゲット部の断面図、図4dは図4cのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、ターゲット部9が第1の実施形態と異なること以外は、第1の実施形態と同じ部材を用い、同じ構成としている。本実施形態におけるターゲット部9は、図4cのように、ターゲット支持基板9a上の中央領域に透過型ターゲット9cを設け、ターゲット支持基板9a上の中央領域以外の領域及び透過型ターゲット9c上の周縁領域に導電層9bを設けた構成である。ターゲット支持基板9a、導電層9b、透過型ターゲット9cの各材料は第1の実施形態と同様に選択することができる。このように、本実施形態によれば、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域を、第1の実施形態と同様に、導電層9bで覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、第1の実施形態と同様の効果を奏する。第8の実施形態図4efを用いて第8の実施形態について説明する。図4eは本実施形態の透過型X線発生装置におけるターゲット部の断面図、図4fは図4eのターゲット部を透過型ターゲット側から見たときの平面図である。本実施形態の透過型X線発生装置は、ターゲット部9が第1の実施形態と異なること以外は、第1の実施形態と同じ部材を用い、同じ構成としている。本実施形態におけるターゲット部9は、図4eのように、ターゲット支持基板9a上の中央領域以外の領域に導電層9bを設け、ターゲット支持基板9a上の中央領域及びその周縁の導電層9b上に透過型ターゲット9cを設けた構成である。導電層9bの一部は透過型ターゲット9cで覆われている。ターゲット支持基板9a、導電層9b、透過型ターゲット9cの各材料は第1の実施形態と同様に選択することができる。このように、本実施形態によれば、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域を、第1の実施形態と同様に、導電層9bで覆っているため、この周縁領域では中央領域に比して副X線の透過性が良好になる。よって、第1の実施形態と同様の効果を奏する。第9の実施形態本発明の第9の実施形態は、図5に示すように、透過型X線発生装置を用いたX線撮影装置である。本実施形態のX線撮影装置は、透過型X線発生装置18、X線検出器19、信号処理部20、装置制御部21及び表示部22を備えている。X線検出器19は信号処理部20を介して装置制御部21に接続され、装置制御部21は表示部22及び駆動電源15に接続されている。透過型X線発生装置18としては、第1~第8の実施形態の透過型X線発生装置が好適に用いられる。透過型X線発生装置18における処理は装置制御部21によって統括制御される。例えば、装置制御部21は透過型X線発生装置18とX線検出器19によるX線撮影を制御する。透過型X線発生装置18から放出されたX線は、被検体23を介してX線検出器19で検出され、被検体23のX線透過画像が撮影される。撮影されたX線透過画像は表示部22に表示される。また例えば、装置制御部21は透過型X線発生装置18の駆動を制御し、駆動電源15を介してX線放出源1に印加される電圧信号を制御する。本実施形態のX線撮影装置によれば、第1~第8の実施形態と同様に、X線発生効率を向上させることができる。以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて詳細に説明する。[実施例1]本実施例の透過型X線発生装置は、図1bのターゲット部9を有する透過型X線発生装置である。まず、ターゲット支持基板9aとして厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面電子を入射させる側の面の全面に、導電層9bとしてチタンを0.1μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるチタンを成膜した中央領域に、透過型ターゲット9cとして直径1mmのタングステン層を5μm成膜し、図1bのターゲット部9を作製した。続いて、電子通過路形成部材7としてタングステンを用い、電子通過路形成部材7に直径1.5mmの電子通過路8を形成した。その後、電子通過路形成部材7にターゲット支持基板9a導電層9bをろう付けして図1bのアノード10を作製した。このアノード10を用いて図1aの透過型X線発生装置を作製した。[実施例2]本実施例の透過型X線発生装置は、図2aのターゲット部9を有する透過型X線発生装置である。まず、ターゲット支持基板9aとして厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット9cとして直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域以外の全面に、導電層9bとしてチタンを0.1μm成膜し、図2aのターゲット部9を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノード10を作製し、このアノード10を用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例3]本実施例の透過型X線発生装置は、図2cのターゲット部9を有する透過型X線発生装置である。まず、ターゲット支持基板9aとして厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット9cとして直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域を含む全面に、導電層9bとしてチタンを0.1μm成膜し、図2cのターゲット部9を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノード10を作製し、このアノード10を用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例4]本実施例の透過型X線発生装置は、図2cのターゲット部9を有する透過型X線発生装置である。導電層9bとしてタングステンを用いた点が実施例3と異なる。まず、ターゲット支持基板9aとして厚さ1mm、直径5mm単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット9cとして直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域を含む全面に、導電層9bとしてタングステンを0.1μm成膜し、図2cのターゲット部9を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノード10を作製し、このアノード10を用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例5]本実施例の透過型X線発生装置は、図3aのターゲット部9を有する透過型X線発生装置である。まず、ターゲット支持基板9aとして厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット9cとして直径1mmのタングステン層を5μm成膜した。次に、ダイヤモンド基板の表面におけるタングステン層を成膜した領域以外に、タングステン層に接して、チタンを幅0.3mm、厚さ0.1μmでダイヤモンド基板の表面の周縁まで成膜し、図3aのターゲット部9を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノード10を作製し、このアノード10を用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[実施例6]本実施例の透過型X線発生装置は、図3cのターゲット部9を有する透過型X線発生装置である。まず、ターゲット支持基板9aとして厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の中央領域に、透過型ターゲット9cとして直径1mmのタングステン層を5μm成膜し、図3cのターゲット部を作製した。導電層9bは設けなかった。その後、実施例1と同様にしてアノード10を作製し、このアノード10を用いて実施例1と同様にして透過型X線発生装置を作製した。[比較例]比較例として、ターゲット支持基板9aの表面の全面に透過型ターゲット9cを設けたターゲット部9を有する透過型X線発生装置を作製した。まず、ターゲット支持基板9aとして厚さ1mm、直径5mmの単結晶ダイヤモンド基板を用い、ダイヤモンド基板の表面の全面に、透過型ターゲット9cとしてタングステン層を5μm成膜し、比較例のターゲット部9を作製した。その後、実施例1と同様にしてアノード10を作製し、このアノード10を用いて実施例1と同様にして本比較例の透過型X線発生装置を作製した。<試験方法>上記実施例と比較例で作製した透過型X線発生装置のX線放出源1から得られるX線量を比較するために、電離箱方式のX線測定器により測定した。X線放出源1への印加電圧を60kVと100kV、電流を1mA、作動時間を0.1秒に設定してX線放出源1を作動した。X線量の測定は、ターゲット部9の位置から1m離れた位置にX線測定器を設置して実施した。<測定結果及び評価>上記実施例と比較例において、上記試験方法に基づいてX線放出源1から得られるX線量を測定した結果を表1に示す。表1では、実施例1~6における60kV、100kVでのX線量を、比較例における60kV、100kVでのX線量をそれぞれ100としたときの値で示している。60kVの場合の実施例1~6のX線量は114~118、100kVの場合の実施例1~6のX線量は108~110であり、いずれの実施例でも比較例よりも多くのX線量を得ることができた。印加電圧60kVの場合の方が100kVの場合よりも多くのX線量を得ることができたのは、X線のエネルギーが低いために、電子線が直接照射される領域以外の成膜をなくし又は薄くすることによって、吸収されるX線が少ないためと考えられる。