前後方向に沿って順に積み重ねる、中心イオン化源室孔を有するイオン化源室と、イオンゲートと、中心移動管チャンバを有するドリフト領域ユニットと、抑制グリッドと、ファラデーディスクとを備え、前記ドリフト領域ユニットは、第1の絶縁体と、第1の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定された第1の金属電極片を含むことを特徴とするイオン移動管。前記第1の絶縁体は、第1の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第1の電子素子収容孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。前記第1の絶縁体は、第1の金属電極片の径方向外側に位置している第1の配線穴が更に形成されていることを特徴とする請求項2に記載のイオン移動管。前記イオン化源室は、第2の絶縁体と、第2の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第2の金属電極片とを含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。前記第2の絶縁体は、第2の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第2の電子素子収容孔が形成されていることを特徴とする請求項4に記載のイオン移動管。前記第2の絶縁体は、第2の金属電極片の径方向外側に位置している第2の配線穴が更に形成されていることを特徴とする請求項5に記載のイオン移動管。イオン化源室は、第2の絶縁体と第2の金属電極片を貫通している第2の電気ビアホールが形成されていることを特徴とする請求項6に記載のイオン移動管。前記イオンゲートは、第3の絶縁体と、第3の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定された第3の金属電極片とを含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。前記第3の絶縁体は、第3の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第3の電子素子収容孔が形成されていることを特徴とする請求項8に記載のイオン移動管。前記第3の絶縁体は、第3の金属電極片の径方向外側に位置している第3の配線穴が形成されていることを特徴とする請求項9に記載のイオン移動管。前記抑制グリッドは、第4の絶縁体と、第4の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片とを含み、第4の裏面金属電極片は、リング状に形成されることを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。前記第4の絶縁体には、第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第4の電子素子収容孔が形成されていることを特徴とする請求項11に記載のイオン移動管。前記第4の絶縁体には、第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片の径方向外側に位置している第4の配線穴が形成されていることを特徴とする請求項12に記載のイオン移動管。前記抑制グリッドは、第4の絶縁体を貫通し、第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片を接続するための第4の電気ビアホールが形成されていることを特徴とする請求項13に記載のイオン移動管。前記ファラデーディスクは、第5の絶縁体と、第5の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第5の金属電極片とを含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。前記第5の絶縁体は、第5の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第5の電子素子収容孔が形成されていることを特徴とする請求項15に記載のイオン移動管。前記ファラデーディスクは、第5の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、第5の金属電極片の径方向外側にそれぞれに嵌められ、且つ互いに接続するリング状金属電極片を更に含み、前記第5の電子素子収容孔はリング状金属電極片の径方向外側に位置していることを特徴とする請求項16に記載のイオン移動管。前記第5の絶縁体は、リング状金属電極片の径方向外側に位置している第5の配線穴が更に形成されていることを特徴とする請求項17に記載のイオン移動管。前記第5の絶縁体は、リング状金属電極片内側と第5の金属電極片外側とに位置している通風孔が形成されていることを特徴とする請求項18に記載のイオン移動管。前記ファラデーディスクは、リング状金属電極片を接続するための第5の電気ビアホールが形成されていることを特徴とする請求項19に記載のイオン移動管。ファラデーディスクの後方に順に積み重ねたファラデーディスク後蓋環とファラデーディスク後蓋板とを更に備え、前記ファラデーディスク後蓋板は、第6の絶縁体と、第6の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第6の金属電極片を含み、前記ファラデーディスク後蓋環は、第7の中心孔を有する第7の絶縁体と、第7の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定された第7のリング状金属電極片を含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。前記第6の絶縁体には、第6の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第6の配線穴が形成され、且つ前記第7の絶縁体には、第7のリング状金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第7の配線穴が形成されていることを特徴とする請求項21に記載のイオン移動管。前記ファラデーディスク後蓋板は、第6の絶縁体と第6の金属電極片とをそれぞれに貫通している第6の電気ビアホールが形成されていることを特徴とする請求項22に記載のイオン移動管。前記ファラデーディスク後蓋板は、裏面にガスノズルが取り付けられていることを特徴とする請求項23に記載のイオン移動管。前記イオン化源室と、イオンゲートと、ドリフト領域ユニットと、抑制グリッドと、ファラデーディスクと、ファラデーディスク後蓋板との何れかには、取付孔が形成されており、それらが取付孔を挿通するボルトにより積み重ねられていることを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。第1の絶縁体はセラミックス製であり、且つ前記第1の金属電極片が、それぞれ腐食、電気めっき、沈積又はスプレーコートにより第1の絶縁体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のイオン移動管。本発明は、従来技術に存在している技術課題の1つを少なくとも解決することを主旨としている。そのため、本発明の1つの目的は、構造が簡単で、製造及び取り外しが便利なイオン移動管を提供することにある。本発明によるイオン移動管は、前後方向に沿って順に積み重ねる、中心イオン化源室孔を有するイオン化源室と、イオンゲートと、中心移動管チャンバを有するドリフト領域ユニットと、抑制グリッドと、ファラデーディスクとを含み、前記ドリフト領域ユニットは、第1の絶縁体と第1の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定された第1の金属電極片を含む。本発明の実施例の移動管によれば、ドリフト領域ユニットは、一体の第1の絶縁体と第1の金属電極片とで構成されるため、構造が簡単であり、取り外し及び取り付けも便利である。また、本願の実施例によるイオン移動管は、更に、以下の付加的技術特徴を有している。前記第1の絶縁体は、第1の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第1の電子素子収容孔が形成されている。第1の絶縁体は、第1の金属電極片の径方向外側に位置している第1の配線穴が更に形成されている。前記イオン化源室は、第2の絶縁体と、第2の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第2の金属電極片を含む。前記第2の絶縁体は、第2の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第2の電子素子収容孔が形成されている。第2の絶縁体は、第2の金属電極片の径方向外側に位置している第2の配線穴が更に形成されている。イオン化源室は、第2の絶縁体と第2の金属電極片を貫通している第2の電気ビアホールが形成されている。前記イオンゲートは、第3の絶縁体と、第3の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定された第3の金属電極片を含む。前記第3の絶縁体は、第3の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第3の電子素子収容孔が形成されている。前記第3の絶縁体は、第3の金属電極片の径方向外側に位置している第3の配線穴が形成されている。前記抑制グリッドは、第4の絶縁体と、第4の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片を備え、第4の裏面金属電極片は、リング状に形成される。前記第4の絶縁体には、第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第4の電子素子収容孔が形成されている。前記第4の絶縁体には、第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片の径方向外側に位置している第4の配線穴が形成されている。前記抑制グリッドは、第4の絶縁体を貫通し、第4の正面金属電極片及び第4の裏面金属電極片を接続するための第4の電気ビアホールが形成されている。前記ファラデーディスクは、第5の絶縁体と、第5の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第5の金属電極片を備える。前記第5の絶縁体は、第5の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第5の電子素子収容孔が形成されている。前記ファラデーディスクは、第5の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、第5の金属電極片の径方向外側にそれぞれに嵌められ、且つ互いに接続するリング状金属電極片を更に備え、前記第5の電子素子収容孔はリング状金属電極片の径方向外側に位置している。第5の絶縁体には、リング状金属電極片の径方向外側に位置している第5の配線穴が形成されている。前記第5の絶縁体は、リング状金属電極片内側と第5の金属電極片外側に位置している通風孔が形成されている。前記ファラデーディスクは、リング状金属電極片を接続するための第5の電気ビアホールが形成されている。本発明の実施例のイオン移動管によれば、ファラデーディスクの後方に順に積み重ねたファラデーディスク後蓋環とファラデーディスク後蓋板とを更に備え、前記ファラデーディスク後蓋板は、第6の絶縁体と、第6の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第6の金属電極片を含み、前記ファラデーディスク後蓋環は、第7の中心孔を有する第7の絶縁体と、第7の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定された第7のリング状金属電極片を備える。前記第6の絶縁体には、第6の金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第6の配線穴が形成されており、且つ前記第7の絶縁体には、第7のリング状金属電極片の径方向外側にそれぞれに位置している第7の配線穴が形成されている。前記ファラデーディスク後蓋板は、第6の絶縁体と第6の金属電極片をそれぞれに貫通している第6の電気ビアホールが形成されている。前記ファラデーディスク後蓋板は、裏面にガスノズルが取り付けられている。前記イオン化源室と、イオンゲートと、ドリフト領域ユニットと、抑制グリッドと、ファラデーディスクと、ファラデーディスク後蓋板との何れかには、取付孔が形成されており、それらが取付孔を挿通するボルトにより積み重ねられている。第1の絶縁体はセラミックス製であり、且つ前記第1の金属電極片が、それぞれ腐食、電気めっき、沈積やスプレーコートにより第1の絶縁体に形成されている。本発明の付加的方面及び利点は、以下の記載において部分的に与えているが、一部は、下記の記載によって顕著となったり、本発明の実践から分かることができる。以下は、本発明の実施例を詳細に説明するが、前記実施例の例は図面に示しており、同一又は類似の図面標記は、始終、同一又は類似の素子或いは同一又は類似の機能を有する素子を示す。以下、図面を参照して記載した実施例は例示的のものであり、本発明を解釈するのみに限られ、本発明に対する限定と理解され得ない。本発明の記載において、正、裏、左、右、径方向、軸方向、前、後などの用語が示した方位や位置関係は、図面による方位や位置関係であり、本発明について特定の方位で構成し操作することを意味していなく、発明を記載し易くさせるように表現されるのである。そのため、本発明に対する制限と理解することができない。以下は図面を参照して本発明実施例に係るイオン移動管を詳しく説明する。図1に示すように、本発明の一つの実施例に係るイオン移動管は、イオン化源室1と、イオンゲート2と、ドリフト領域ユニット3と、抑制グリッド4及びファラデーディスク5を含む。本発明の幾つかの実施例において、イオン移動管は、更にファラデーディスク後蓋板6を含む。図1に示すように、イオン化源室1、イオンゲート2、ドリフト領域ユニット3、抑制グリッド4、ファラデーディスク5、ファラデーディスク後蓋環7及びファラデーディスク後蓋板6は、前後方向図1における左右方向に沿って順に積み重ねられる。図1に示した例において、イオン化源室1、イオンゲート2、ドリフト領域ユニット3、抑制グリッド4、ファラデーディスク5及びファラデーディスク後蓋板6のそれぞれの左上隅と右下隅に、取付孔がそれぞれに形成されている。ボルト8を取付孔に挿通することにより、それらの構成部材を前後方向に順に取り付ける。以下は、図面を参照して、本発明の実施例によるイオン移動管の各組成部分を説明する。図8乃至図11に示すように、ドリフト領域ユニット3は、中心移動管チャンバ314を有するとともに、第1の絶縁体31及び第1の絶縁体31の正面図10における左側表面と裏面図10における右側表面にそれぞれに同心状に固定された第1の金属電極片32を含む。第1の金属電極片32は、中心移動管チャンバ314に対応している第1の金属電極片中心孔321を有する。第1の金属電極片32は電子素子8により接続することができ、換言すれば、第1の金属電極片32は抵抗により接続されている。例えば、電子素子8は、それぞれに、正面と裏面の第1の金属電極片32から引き出したリード線322により正面と裏面の第1の金属電極片32を接続する。本発明の幾つかの実施例において、第1の絶縁体31はセラミックスであるため、耐高温及び耐高圧という特性を有する。第1の金属電極片32は腐食、電気めっき、沈積やスプレーコートにより第1の絶縁体に形成されることができる。これによって、絶縁体31と、正面及び裏面の第1の金属曲電極片32とは、一つの一体のユニットを構成している。勿論、本発明は、これに限られず、例えば、第1の絶縁体31は一般的な回路板と同様な材料で作製されることも可能であり、第1の金属電極片32は、回路板に回路を印刷するように第1の絶縁体31上に形成することも可能である。図8乃至図10に示している実施例において、第1の絶縁体31と第1の金属電極片32は、略正方形であるが、本発明においてこれに限られない。本発明の実施例によれば、ドリフト領域ユニットは、一体の第1の絶縁体31と第1の金属電極片32とで構成されるため、ドリフト領域ユニットは、直接直列してなることができる。なお、ユニット同士の金属部分が互いに接触すればよい。このように、着脱が簡単となり、コストも低減した。図1及び図11に示すように、移動管のドリフト領域は複数のドリフト領域ユニット3で構成されてもよく、換言すれば、ドリフト領域は、正面と裏面に第1の金属電極片31がそれぞれに固定された複数の積み重ねた第1の絶縁体31で構成される。ドリフト領域ユニット3の具体的な数は具体的な応用に応じて選択でき、移動管のドリフト領域の長さを便利に調整することができる。本発明の幾つかの実施例において、図8と図9に示すように、第1の絶縁体31は第1の金属電極片32の径方向外側に位置している第1の電子素子収容孔313がそれぞれに形成されており、図8と図9に示す例において、第1の電子素子収容孔313は第1の絶縁体31の右上隅に形成される。第1の電子素子収容孔313は、隣り合うドリフト領域ユニット3上に溶接された電子素子を収容する。図11に示すように、一つのドリフト領域ユニット3上の第1の電子素子収容孔313は、その上における電子素子8の位置と対向しており、そのため、一つのドリフト領域ユニット3上の第1の電子素子収容孔313は、隣り合うドリフト領域ユニット3上の第1の電子素子収容孔313とは位置が対向している。したがって、複数のドリフト領域ユニット3を積み重ねた場合、一つのドリフト領域ユニット3上の電子素子は、隣り合う一つのドリフト領域ユニット3上の第1の電子素子収容孔313内に収納されている。これにより、第1の金属電極片32から線を引き出して、それを外部の電子素子と接続する必要がなくなり、ドリフト領域ユニット3上のリード線を低減し、構造を簡略化し、それに便利に製造及び実装することを実現でき、外観性が優れると共に、電子素子の接続の信頼性も向上した。図8と図9に示すように、本発明の更なる実施例において、第1の絶縁体31は、更に、第1の金属電極片32の径方向外側に位置している第1の配線穴312が形成されており、第1の配線穴312はケーブルの挿通用のものであり、これにより、移動管のケーブルは移動管の外方に露出する必要がなくなり、接続の信頼性が確保され、外観性が優れると共に、接続も便利である。図8と図9に示した例において、第1の配線穴312は第1の絶縁体31の周辺に形成されている。第1の絶縁体31の左上隅と右下隅にボルト8が挿通するための取付孔311がそれぞれ形成されることにより、ドリフト領域ユニット3を移動管の他の部材と順に積み重ねて移動管を構成する。以下は、図2~4を参照して本発明の実施例による移動管のイオン化源室1を説明する。イオン化源室1は、イオン化源室中心孔を有し、イオン化源室1は第2の絶縁体11と、第2の絶縁体11の正面図4における左側表面と裏面図4における右側表面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第2の金属電極片12を更に備える。絶縁体11は、第2の絶縁体中心孔114を有し、相応的に、第2の金属電極片12は第2の金属電極片中心孔121を有する。図2及び3に示すように、第2の絶縁体11の左上隅と右下隅には、取付孔113がそれぞれに設けられており、ボルト8が前記の取付孔113を挿通してイオン化源室3と移動管の他の部材とを積み重ねる。ドリフト領域ユニット3と類似して、第2の絶縁体11もセラミックスであってよく、第2の金属電極片12は腐食、電気めっき、沈積やスプレーコートにより第2の絶縁体12に形成されることができる。また、第2の絶縁体11は一般的な回路板と同様の材料で作製されてもよく、第1の金属電極片12は、回路板に回路を印刷するように第2の絶縁体11上に形成されている。図2及び図3に示すように、第2の絶縁体11は、第2の金属電極片12の径方向外側にそれぞれに位置している第2の電子素子収納孔112が形成されており、具体的に、第2の電子素子収納孔112は第2の絶縁体11の右上隅に形成され、電子素子を収容する。図2及び図3に示している例において、第2の絶縁体11と第2の金属電極片12とは、略正方形であるが、本発明においてこれに限られない。図2及び3に示すように、本発明のある実施例において、第2の絶縁体11は、第2の金属電極片12の径方向外側に位置している第2の配線穴111が更に形成されており、第2の配線穴111は第1の配線穴312と類似するケーブルの挿通用のものであり、それに、移動管が取り付けられた後、第2の配線穴111と第1の配線穴312とを揃える。図2と図3に示した例において、イオン化源室1は、第2の絶縁体11と第2の金属電極片12を貫通する第2の電気ビアホール122が形成されており、第2の電気ビアホール122により、第2の絶縁体11の正面と裏面の第2の金属電極片12を接続する。なお、第2の絶縁体11の正面と裏面の第2の金属電極片12は、第2の電気ビアホール122により接続されるのに限られず、例えば、第2の絶縁体11と第2の金属電極片12の中心孔内に金属を設けて両側の第2の金属電極片12を接続してもよい。以下は、図5~7を参照して本発明の実施例による移動管のイオンゲート2を説明する。図5~7に示すように、イオンゲート2は、第3の絶縁体21と、第3の絶縁体21の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定された第3の金属電極片22を含む。第3の絶縁体21は、例えばセラミックスであってもよく、第3の金属電極片22は上記の適宜な方式により第3の絶縁体21の正面と裏面に固定されることができる。第3の絶縁体21は、第3の金属電極片22の径方向外側にそれぞれに位置している第3の電子素子収容孔213が形成されており、例えば、図6において、第3の電子素子収納孔213は第3の絶縁体21の右上隅に形成され、第3の電子素子収納孔213は電子素子を収容する。電子素子は、例えば、第3の絶縁体21の正面と裏面の第3の金属電極片22からそれぞれに引き出したリード線223により、正面と裏面の第3の金属電極片22と接続することで、正面と裏面の二つの第3の金属電極片22を接続する。第3の絶縁体21の左上隅と右下隅に、ボルト8が挿通するための取付孔211がそれぞれに形成されている。類似のように、第3の絶縁体21は、第3の金属電極片22の径方向外側に位置している、ケーブルが挿通するための第3の配線穴212が形成されている。第3の絶縁体21の正面と裏面上の第3の金属電極片22はイオン通過孔221が形成されており、相応的に、第3の絶縁体21はイオン通過孔221と揃える、イオンが通過するイオン通過孔が形成されており、これは従来技術と類似しているため、詳述しない。以下は、図13及び14を参照して本発明の実施例による移動管の抑制グリッド4を説明する。抑制グリッド4は、第4の絶縁体41と、第4の絶縁体41の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第4の正面金属電極片42及び第4の裏面金属電極片43を含み、第4の裏面金属電極片43がリング状である。第1~第3の絶縁体と類似して、第4の絶縁体41には、第4の正面金属電極片42及び第4の裏面金属電極片43の径方向外側にそれぞれに位置している、電子素子を収容するための第4の電子素子収容孔413が形成されている。更なる実施例において、第4の絶縁体41には、第4の正面金属電極片42及び第4の裏面金属電極片43の径方向外側に位置している、ケーブルが挿通するための第4の配線穴412が形成されている。また、第4の絶縁体41は、ボルト8が挿通するための取付孔411が更に形成されている。図13及び図14に示すように、第4の絶縁体41には、第4の絶縁体41を貫通し、第4の正面金属電極片42及び第4の裏面金属電極片43を接続するための第4の電気ビアホール421が形成されている。相応的に、第4の絶縁体41は対応しているビアホール414を形成することができる。第4の電気ビアホール421は、第4の正面金属電極片42と第4の裏面金属電極片43を接続するためのものであるが、本発明において、これに限られない。イオンゲート2に類似して、第4の正面金属電極片42はイオン通過孔422が形成されており、対応して、第4の絶縁体4はイオンが通過する通過孔415が形成されており、これは従来技術と類似しているため、詳述しない。図13及び14に示すように、第4の正面金属電極片42は略円形であり、イオン通過孔422が中心部位に形成されている。第4の裏面金属電極片43はリング状であり、イオン通過孔422と通過孔415は第4の裏面金属電極片43の中心孔内に形成されている。第4の絶縁体41はセラミックスであってもよく、第4の正面金属電極片42及び第4の裏面金属電極片43は上記の適宜な方式により第4の絶縁体41に形成し、固定されることができる。以下は、図15及び16を参照して本発明の実施例による移動管のファラデーディスク5を説明する。図15及び16に示すように、ファラデーディスク5は、第5の絶縁体51と、第5の絶縁体51の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第5の金属電極片53を含む。第5の絶縁体51は、第5の金属電極片53の径方向外側にそれぞれに位置している、電子素子を収容するための第5の電子素子収容孔513が形成されている。また、第5の絶縁体51はボルト8が挿通するための取付孔511が更に形成されている。ファラデーディスク5は、第5の絶縁体51の正面と裏面に同心状にそれぞれ固定されて、第5の金属電極片53の径方向外側にそれぞれ嵌められ、且つ互いに接続するリング状金属電極片52を更に備え、第5の電子素子収容孔513はリング状金属電極片52の径方向外側に位置している。リング状金属電極片52の径方向外側において、第5の絶縁体51に、ケーブルが挿通するための第5の配線穴512が形成されている。ファラデーディスク5は、更に、リング状金属電極片52を接続するための第5の電気ホール521が形成されている。第5の金属電極片53は中心孔531により接続することができ、対応して第5の絶縁体51に中心孔515が形成されている。図15及び16に示すように、第5の絶縁体51に、第5の金属電極片53とリング状金属電極片52との間に空気を移動管内に導入する第1の通風孔514が形成されている。第5の絶縁体51はセラミックスであってもよく、第5の金属電極片53及びリング状金属電極片52は、上記の適宜な方式により第5の絶縁体51に形成し、固定されることができる。以下は、図17及び18を参照して本発明の実施例による移動管のファラデーディスク後蓋環7とファラデーディスク後蓋板6を説明する。ファラデーディスク後蓋板6は、第6の絶縁体61と、第6の絶縁体61の正面と裏面にそれぞれに同心状に固定され、且つ互いに接続する第6の金属電極片62を備える。第6の絶縁体61には、ボルト8が挿通するための取付孔611が形成されている。第6の絶縁体には、第6の金属電極片62の径方向外側に位置している、ケーブルが挿通するための第6の配線穴612がそれぞれに形成されている。ファラデーディスク後蓋板6は、第6の絶縁体61と第6の金属電極片62をそれぞれに貫通している第6の電気ビアホール621が形成され第6の絶縁体61上の対応した電気ビアホールは613である。これにより、第6の絶縁体61両側の第2の金属電極片62を接続する。図17及び18に示すように、第6の絶縁体61の中心部位には、ファラデーディスク5の第5の金属電極片53に接触するためのスプリング9が取り付けられてもよい。第6の絶縁体61の裏面において、通風孔により移動管内部に通風するためのガスノズルが取り付けられている。第6の絶縁体61もセラミックスであってもよく、第6の金属電極片62は上記の適宜な方式により形成し、第6の絶縁体61の正面及び裏面に固定されることができる。図1及び図19に示すように、ファラデーディスク後蓋環7はファラデーディスク後蓋板6とファラデーディスク5との間に設けられ、スプリング9にストローク空間を提供し、良好なコンタクトを確保する。具体的に、ファラデーディスク後蓋環7は、第7の中心孔714を有する第7の絶縁体71と、第7の絶縁体の正面と裏面にそれぞれに設けた第7のリング状金属電極片72を備える。第7の絶縁体71において、ボルト8が挿通するために、第7のリング状金属電極片72の径方向外側にそれを貫通する取付孔711が形成されている。例えば、取付孔711は第7の絶縁体71の左上隅と右下隅に形成される。第7の絶縁体71において、ケーブルが挿通するために、第7のリング状金属電極片72の径方向外側に位置している第7の配線穴712が更に形成されている。本発明の実施例によるイオン移動管は、ボルト8により、イオン化源室1、イオンゲート2、ドリフト領域ユニット3、抑制グリッド4、ファラデーディスク5及びファラデーディスク後蓋板6を順に積み重ねることができる。それに、上記各部材のいずれかも絶縁体と絶縁体と金属電極片で構成する一体のユニットであり、電子素子は対応した電子素子収納孔内に収容されることができ、外部リード線及び外部接続電子素子を必要とせず、ケーブルは配線穴により移動管を挿通することが可能となる。したがって、本発明の移動管は、製造が簡単となり、組立て及び取り外しも便利で、外観性が優れると共に、信頼性も、検出精度をも向上した。既に本発明の実施例を示し、説明したが、本発明の原理及び主旨を逸脱しない限り、これらの実施例について、いろいろな変化、修正、置換及び変形を行うことができ、本発明の範囲は、請求項及びその同等物によって限定されると当業者であれば理解し得る。