"ポンプ光により励起される原子が混入されている膜が内壁に形成されると共に、前記原子からなる原子群が含まれたセルを複数有するセルアレイと、前記セルアレイの各セルに対してポンプ光を照射して前記各セルにおける前記原子を励起させ、前記各セルを透過したプローブ光を検出して前記各セルにおける磁場を検出する磁場検出手段と、入力される制御信号に従って、前記原子を前記膜から光誘起脱離させる光を前記各セルに対して照射する照射手段と、前記各セルに対して一定の磁場を印加し、前記各セルに対して照射する前記光の光量を変化させた前記制御信号を前記照射手段に入力して前記磁場検出手段で検出される前記各セルの磁場の検出値が予め定められた目標値となるときの前記光量を前記セル毎に特定する第1の処理と、前記第1の処理に代えて、前記第1の処理で特定した前記セル毎の前記光量を示す前記制御信号を前記照射手段に入力し、測定対象から発せられる磁場を前記磁場検出手段で検出した結果を出力する第2の処理とを行う制御手段とを備えることを特徴とする磁場計測装置。前記制御手段は、前記第1の処理において前記磁場検出手段で検出される前記各セルの検出値に基づいて前記目標値を求めることを特徴とする請求項1に記載の磁場計測装置。前記各セルに対する前記光の光量を示す光量情報を記憶する記憶手段を備え、前記制御手段は、前記第1の処理で特定した前記各セルの前記光量を前記光量情報として前記記憶手段に記憶し、前記第2の処理において、前記記憶手段に記憶された前記各セルに対する前記光量情報に基づく前記制御信号を前記照射手段に入力することを特徴とする請求項1又は2に記載の磁場計測装置。前記制御手段は、前記第2の処理において、前記セル毎の前記光量を示す前記制御信号を前記照射手段に入力し、予め定められた時間の経過後に前記磁場検出手段で検出された結果を出力することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の磁場計測装置。ところで、セルの磁場感度は光ポンピングされている原子が多いほど高くなるため、セル内の原子密度を上げることでセルの磁場感度を高めることができる。アルカリ金属原子のスピン偏極を維持させるために、パラフィン等の化合物がコーティングされた膜が内壁に形成されたセルが存在するが、このようなセルは、製造過程、経時劣化、環境温度、コーティング膜の性能、不純物等のばらつきによって磁場感度に個体差が生じる。このようなセルを複数並べて生体の広範囲な部分を測定する場合、各セル内の原子密度が均一でなければ磁場感度にばらつきが生じ、生体からの磁場の強度を正確に測定することができない。本発明は、複数のセルを並べて磁場を計測する磁場計測装置において、セル内の原子密度を制御して磁場の測定精度を向上させる技術を提供する。本発明に係る磁場計測装置は、ポンプ光により励起される原子が混入されている膜が内壁に形成されると共に、前記原子からなる原子群が含まれたセルを複数有するセルアレイと、前記セルアレイの各セルに対してポンプ光を照射して前記各セルにおける前記原子を励起させ、前記各セルを透過したプローブ光を検出して前記各セルにおける磁場を検出する磁場検出手段と、入力される制御信号に従って、前記原子を前記膜から光誘起脱離させる光を前記各セルに対して照射する照射手段と、前記各セルに対して一定の磁場を印加し、前記各セルに対して照射する前記光の光量を変化させた前記制御信号を前記照射手段に入力して前記磁場検出手段で検出される前記各セルの磁場の検出値が予め定められた目標値となるときの前記光量を前記セル毎に特定する第1の処理と、前記第1の処理に代えて、前記第1の処理で特定した前記セル毎の前記光量を示す前記制御信号を前記照射手段に入力し、測定対象から発せられる磁場を前記磁場検出手段で検出した結果を出力する第2の処理とを行う制御手段とを備えることを特徴とする。この構成によれば、各セルの磁場感度が均一になるように各セルの原子密度が制御されるため、磁場の測定精度を向上させることができる。また、本発明に係る磁場計測装置は、上記磁場計測装置において、前記制御手段は、前記第1の処理において前記磁場検出手段で検出される前記各セルの検出値に基づいて前記目標値を求めることとしてもよい。この構成によれば、第1の処理における各セルの磁場の検出結果に基づいて各セルの原子密度を制御することができる。また、本発明に係る磁場計測装置は、上記磁場計測装置において、前記各セルに対する前記光の光量を示す光量情報を記憶する記憶手段を備え、前記制御手段は、前記第1の処理で特定した前記各セルの前記光量を前記光量情報として前記記憶手段に記憶し、前記第2の処理において、前記記憶手段に記憶された前記各セルに対する前記光量情報に基づく前記制御信号を前記照射手段に入力することとしてもよい。この構成によれば、第1の処理で特定した各セルに対する光量が記憶されるので第1の処理を毎回行う必要がなく、第2の処理を迅速に行うことができる。また、本発明に係る磁場計測装置は、上記磁場計測装置における前記制御手段は、前記第2の処理において、前記セル毎の前記光量を示す前記制御信号を前記照射手段に入力し、予め定められた時間の経過後に前記磁場検出手段で検出された結果を出力することとしてもよい。この構成によれば、各セルの磁場感度が均一になるように各セルの原子密度が制御された状態で、測定対象からの磁場を検出する処理に移行することができる。<実施形態>構成図1は、本発明に係る実施形態の磁場計測装置の構成を表すブロック図である。磁場計測装置1は、セルアレイ10、誘起光照射ユニット20、磁場検出ユニット30、及び制御部40を備えている。セルアレイ10は、複数のセル10a,10b,10c,10dを一列に並べて構成されている。各セルは、光を透過するガラス等の素材で形成され、セル内部に所定の原子からなる原子群が含まれた立方体形状の各々独立した物体である。この所定の原子は、円偏光によって励起状態となりスピン偏極する原子であり、例えば、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK、ルビジウムRb、セシウムCs及びフランシウムFr等のアルカリ金属である。本実施形態における各セルには、このようなアルカリ金属の原子のスピン偏極を維持させるために、パラフィン等の化合物がコーティングされた膜が内壁に形成されており、この膜中にも同じアルカリ金属の原子が混入されている。なお、各セル内には、アルカリ金属の原子の他に、ヘリウムHe、窒素Nなどのバッファーガスが含まれていてもよい。アルカリ金属の原子は、磁気を検出する際に気体の状態であればよく、常時気体の状態でなくてもよい。また、本実施形態では、セルアレイ10のセルは一列に4つ並べられている例であるが、セルの数は複数であればよく、複数列であってもよい。また、セルの形状は、立方体形状の例を用いるが、セルの形状はこの形状に限らない。磁場検出ユニット30は、各セル10a,10b,10c,10dにおける磁場を検出する磁場検出部30a,30b,30c,30dを有する。また、誘起光照射ユニット20は、各セル10a,10b,10c,10dに対応する誘起光照射部20a,20b,20c,20dを有する。ここで、各セルにおける磁場を検出するための磁場検出部と誘起光照射部を図2を用いて説明する。なお、図2では、セル10aとセル10bに対応する磁場検出部30a及び30bと誘起光照射部20a及び20bの構成例のみを記載し、セル10c及びセル10dについての記載は省略するが、これらのセルについてもセル10a及びセル10bと同様に構成されている。また、セル10a及びセル10bに対応する磁場検出部と誘起光照射部は同じ構成であるため、以下、セル10aについて説明を行う。磁場検出ユニット30は、図2に示すセル10a及び10bの左右に設けられた光学部材301、302、303を有する。この光学部材は、例えば、直角二等辺三角形の三角柱形状を有する全反射プリズム等であり、直角を形成する面以下、反射面と言うP1及びP2に入射した光を略90°の方向に反射させる。磁場検出部30aは、磁場検出手段の一例であり、セル10a内の原子を同一方向にスピン偏極させるためのポンプ光を照射する第1照射部310aと、セル10aにおける磁場を検出するためのプローブ光を照射する第2照射部320aと、セル10aを透過したプローブ光を検出する検出部330aとを有する。第1照射部310aは、無偏光のレーザー光をコリメートレンズ、偏光板、四分の一波長板等の光学部材図示略により円偏光成分を有するポンプ光に変換して出力する光源を有し、セル10aの底面方向図2に示すz軸方向からポンプ光を照射する。ポンプ光がセル10aに入射すると、セル10a内のアルカリ金属原子はポンプ光によって同一方向にスピン偏極する。誘起光照射部20aは、照射手段の一例であり、セル10aと対応して設けられ、セル10aの膜からアルカリ金属の原子を光誘起脱離させるため誘起光の光源を有する。誘起光照射部20aは、制御部40によって入力された制御信号に従って、セル10aの底面方向図2に示すz軸方向から誘起光を照射する。本実施形態では、誘起光として紫外光のレーザーを照射する例を説明するが、光誘起脱離現象を生じさせる光であれば、例えばLEDLightEmittingDiodeから出力される光でもよい。なお、誘起光は、ポンプ光及びプローブ光の波長と異なる波長が好ましく、セルの膜の変質や剥離等を生じさせる波長や強度でないことが好ましい。第2照射部320aは、無偏光のレーザー光をコリメートレンズ、偏光板、半波長板等の光学部材図示略により直線偏光成分を有するプローブ光に変換して出力する光源を有する。第2照射部320aは、光学部材301の反射面P1に向けてプローブ光を照射する。光学部材301の反射面P1で反射されたプローブ光は、第1照射部310aによって照射されるポンプ光と略直交するように、図2に示すセル10aの左側面方向図2のx軸方向から入射する。セル10aに入射したプローブ光は、アルカリ金属原子が磁場の影響で歳差運動を行った回転力に応じて偏光面が回転されてセル10aを透過する。なお、本実施形態では、ポンプ光とプローブ光とが略直交するようにポンプ光とプローブ光とが照射される例であるが、ポンプ光とプローブ光とが交差していれば直交に限らない。検出部330aは、各セルを透過したプローブ光を偏光ビームスプリッター等によってP偏光成分とS偏光分成分とに分離し、分離した光をフォトディテクタで受光する。検出部330aは、フォトディテクタから出力されたP偏光成分とS偏光成分の光量に応じた電気信号を解析してプローブ光の偏光面の回転角度を求め、回転角度に応じた磁場の強度を検出する。この例では、図2に示すy軸方向の磁場の強度が検出される。図1に戻り、構成の説明を続ける。制御部40は、制御手段の一例であり、CPUCentralProcessingUnitとROMReadOnlyMemory及びRAMRandomAccessMemoryのメモリとを有する。CPUは、ROMに予め記憶されている制御プログラムを実行することにより、第1の処理としてキャリブレーション処理と、第2の処理として検体から発する磁場を検出する磁場検出処理とを行う。制御部40は、キャリブレーション処理として、各セルに対して設けられた図示しないコイルを用い、セルアレイ10に対して図2のy軸方向に一定の磁場を印加すると共に、磁場検出ユニット30を制御して各セル10a,10b,10c,10dにおける磁場を検出する。制御部40は、各セルにおける磁場の検出結果が印加した磁場に相当する値となるように、予め定められた光量の誘起光を各セルに対して照射する制御信号を誘起光照射ユニット20に一定時間入力する。そして、一定時間の経過時に検出された各セルの磁場の検出値に基づいて、制御部40は、全てのセルに共通する磁場の検出目標値を特定し、各セルの磁場の検出値が検出目標値となるように各セルに対する誘起光の光量を調整する。本実施形態では、一定の光量の誘起光を照射したときの全てのセルの検出値の中で最も検出値が低いセル、即ち、磁場の検出感度が最も低いセルの検出値を検出目標値として特定する。制御部40は、キャリブレーション処理の後、磁場検出処理として、磁場検出ユニット30を制御して、検体から発する磁場を検出し、検出結果を出力する処理を行う。動作例次に、この磁場計測装置1の動作例について説明する。磁場計測装置1の制御部40は、磁場計測処理を行う前にキャリブレーション処理を開始する。制御部40は、各第1照射部310a,310b,310c,310dの各々から円偏光成分を有するポンプ光をセルアレイ10の各セル10a,10b,10c,10dに対して照射すると共に、各セルに照射されたポンプ光と略直交するように、直線偏光成分を有するプローブ光を各第2照射部320a,320b,320c,320dから照射する。そして、制御部40は、ポンプ光とプローブ光とに直交する方向の一定の磁場を図示しないコイルを用いて印加する。各セル内の原子は、ポンプ光により励起されて同一方向にスピン偏極され、印加された磁場に応じて磁気モーメントの方向を変化させて歳差運動を行う。各第2照射部から照射されたプローブ光は、各セルの間に配置された光学部材の反射面P1に入射する。各光学部材の反射面P1に入射したプローブ光は90°の角度で反射され、当該光学部材に隣接するセルに入射する。各セルに入射したプローブ光は、当該セル内の原子が受けている磁場の大きさに応じて偏光面を回転させ当該セルを透過する。各セルを透過したプローブ光は、当該セルに隣接する光学部材の反射面P2に入射して90°の角度で反射され、当該セルに対応する検出部で受光される。各検出部330a,330b,330c,330dは、プローブ光の光量に応じた電気信号を解析してプローブ光の偏光面の回転角を求め、対応するセルにおける磁場を検出して制御部40に検出結果を出力する。制御部40は、各セルについて検出された検出値が印加した磁場に相当する値となるように、誘起光の光量として、各誘起光照射部における最大強度を示す制御信号を各誘起光照射部20a,20b,20c,20dに対して入力する。各誘起光照射部は、入力された制御信号に応じた誘起光を各セルに対して照射する。各セルに形成された膜中のアルカリ金属原子は、誘起光が照射されると膜中から光誘起脱離し、当該セルに照射されているポンプ光によって励起されてスピン偏極され、印加されている磁場に応じて歳差運動を行う。この光誘起脱離現象によって、当該セル内の原子密度は誘起光を照射する前と比べて高くなり、磁場の検出感度が高くなる。制御部40は、各誘起光照射部から誘起光を照射した時間を計測し、誘起光の照射開始時から予め定められた一定時間が経過したときの各検出部から検出された各セルの検出値に基づいて、全てのセルに共通する磁場の検出目標値目標値を特定する。例えば、各セル10a,10b,10c,10dに対して誘起光を照射したときの各セルにおける磁場の検出値が図3aに示す波形で表わされる場合において、誘起光の照射開始から一定時間が経過した時点をt1とする。この例では、t1における各セルの検出値のうち、磁場の検出値が最も小さいセル10bの検出値Sが検出目標値として特定される。つまり、最大強度の誘起光を照射しても全てのセルの中で磁場の検出感度が最も低いセルの最大検出値が目標値として特定される。制御部40は、各セルの磁場の検出値が特定した検出目標値となるように誘起光の強度を変化させた制御信号を各誘起光照射部に入力して誘起光の光量を変化させる。各誘起光照射部は、入力された制御信号に応じた強度の誘起光を対応するセルに照射し、制御部40は、セル毎に誘起光の強度を変化させたときの各検出部で検出される検出値が検出目標値となったときの強度をセル毎に特定する。そして、制御部40は、特定した強度で各誘起光照射部から誘起光を照射し続け、磁場検出処理を開始する。具体的には、図3aの例の場合、制御部40は、各セルにおける磁場の検出値が検出目標値Sとなるように、t1時点から各セルに対する照射光の強度を変化させ、図3bに示すように、各検出部で検出される検出値と検出目標値との差分がΔsの範囲内となった時点t2以降は、各セルに対する磁場の印加を停止する。この例では、t1時点においてセル10bの磁場の検出感度が最も低いため、セル10a、10c、10dに対しては、検出目標値Sに近づくように誘起光の強度を小さくして誘起光照射部20aから誘起光を照射し続けると共に、セル10bに対しては、最大強度で誘起光を照射し続けることで、各セルの原子密度が調整されて磁場の検出感度が均一化される。そして、制御部40は、検出目標値との差分がΔsの範囲内の検出値が得られたときの誘起光の強度を維持した状態で、検体からの磁場を検出する磁場検出処理を開始する。磁場検出処理は、検出対象となる磁場が検体からの磁場である点を除き、上記キャリブレーション処理における各磁場検出部の処理と同様であり、制御部40は、各磁場検出部の各検出部で検出されたセル毎の検出結果を外部装置等に出力する。上記実施形態の例では、検体からの磁場を検出する前に、各セルに対して一定光量の誘起光を照射したときの各セルにおける磁場の検出感度の中で最も検出感度が低いセルの検出値に合わせるように、各セルに対する誘起光の光量を調整することができるので、検体からの磁場の測定時には、各セルの検出感度が均一となり、磁場の測定精度を向上させることができる。<変形例>本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、以下のように変形させて実施してもよい。また、以下の変形例を組み合わせてもよい。1上述した実施形態では、各セルに対して一定光量の誘起光を照射したときの印加した磁場に対する各セルの検出値の中で最も検出値が低いセル、つまり、一定光量の誘起光を照射したときの磁場の検出感度が最も低いセルの最大検出値を検出目標値として特定する例を説明したが、例えば、最も磁場の検出感度が低いセルの最大検出値より低い値を検出目標値としてもよい。2上述した実施形態では、一定光量の誘起光を各セルに照射したときの各セルにおける磁場の検出値から検出目標値を特定し、各セルの検出値が検出目標値となるように各セルに対する誘起光の光量を調整して各セルの検出感度を均一化する例であったが、以下のようにして各セルの検出感度を均一にしてもよい。例えば、制御部40は、キャリブレーション処理において、一定の磁場を印加したときの各セルにおける磁場を実施形態と同様に検出し、各セルの検出値と目標値例えば、印加した磁場に相当する値との差に応じた誘起光の光量を求め、求めた光量の誘起光を各誘起光照射部から照射する。そして、制御部40は、各セルに対して誘起光を照射したときの各磁場検出部で検出される各検出値と目標値との差分が所定値以下となるまで、各セルに対する誘起光の光量を調整するようにしてもよい。なお、検出値と目標値との差に応じた光量は、例えば実験結果等に基づいて目標値との差と光量との関係を予め定義した数式を用いて求めるようにしてもよいし、目標値との差と光量とを対応づけたテーブルをROMに予め記憶させておき、検出値と目標値との差に応じた光量を当該テーブルから選択するようにしてもよい。3上述した実施形態では、セル毎に、ポンプ光及びプローブ光の光源を設ける例を説明したが、分岐カプラー等を用いて、各々1つの光源からのポンプ光及びプローブ光を各セルに分配して照射するようにしてもよい。また、例えば、各セルにつき、図4aに示すように当該セルの底面方向から誘起光を照射し、図4bに示すようにポンプ光とプローブ光とを兼ねた一つの光源を有する第3照射部を設け、第3照射部から照射した光によって当該セル内の原子をポンピングさせ、当該セルを透過した光を検出するように構成してもよい。4上述した実施形態では、各セルに対して誘起光をポンプ光と平行に照射する例を説明したが、誘起光の照射方向は、各セルに対応する検出部におけるプローブ光の検出に影響を与えなければポンプ光と平行でなくてもよい。また、実施形態では、セル毎に誘起光照射部を設ける例を説明したが、以下のように構成してもよい。例えば、磁場計測装置1において、複数のセルに対応する誘起光照射部を一つ設けると共に、当該誘起光照射部を対応する各セルの位置に移動させるための駆動手段を設ける。制御部40は、誘起光照射部を対応する各セルの位置に一定の時間毎に移動させるように駆動手段を制御すると共に、各セルの位置で誘起光を照射するように誘起光照射部へ制御信号を入力し、各セルに対して誘起光を一定時間照射するよう構成してもよい。5上述した実施形態では、誘起光の強度を変化させて誘起光の光量を調整する例を説明したが、各セルに誘起光が照射される面積、即ち、誘起光のビーム径を変化させて誘起光の光量を調整してもよい。また、誘起光の強度とビーム径とを変化させて誘起光の光量を調整するようにしてもよい。この場合には、制御部40は、各誘起光照射部に対し、誘起光の強度とビーム径とを各々示す制御信号を入力し、各誘起光照射部は、入力された誘起光の強度を示す制御信号とビーム径を示す制御信号とに従って誘起光を照射する。6上述した実施形態では、キャリブレーション処理の後、磁場検出処理を自動開始する例を説明したが、例えば、磁場計測装置1において、キャリブレーション処理と磁場検出処理とを切り換える操作手段を設け、ユーザー操作に応じてキャリブレーション処理と磁場検出処理とを選択的に行うようにしてもよい。この場合には、セル毎の光量を示す光量情報を記憶する記憶手段を磁場計測装置1に設けるように構成する。制御部40は、キャリブレーション処理において検出目標値の検出値が得られたときの各セルに対する誘起光の光量を光量情報として記憶手段に記憶する。そして、制御部40は、ユーザー操作によって磁場検出処理に切り換えられたときに、記憶手段に記憶されているセル毎の光量情報に基づく制御信号を各誘起光照射部に入力して各セルに誘起光を照射し、予め定められた所定時間が経過した後に磁場検出処理を行うようにしてもよい。要は、キャリブレーション処理と磁場検出処理とが排他的に行われるように構成されていればよい。"