半導体チップと、該半導体チップをダイボンド材により固定する実装基体とを備えた半導体装置であって、前記半導体チップは、該半導体チップの側面に、前記ダイボンド材に埋設して前記ダイボンド材を引掛ける引掛部を有することを特徴とする半導体装置。前記引掛部は、前記半導体チップの前記側面における前記実装基体側の端部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記引掛部は、前記半導体チップの前記側面から外方に突出する突部であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、円盤状のダイシングブレードを回転させてウエハを切断することにより個片化した前記半導体チップを形成するダイシング工程と、前記半導体チップを前記ダイボンド材により前記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、前記ダイシング工程において、前記ウエハから前記半導体チップの個片化を行う際に、第1のブレード幅を有する第1のダイシングブレードにより前記ウエハの厚みを一部残して切り込みを行うことでダイシング溝を形成するハーフカット工程と、前記第1のブレード幅よりも幅の狭い第2のブレード幅の第2のダイシングブレードを用いて前記ダイシング溝から前記ウエハを切断するフルカット工程とを行うことで、前記引掛部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、円盤状のダイシングブレードを回転させて前記ウエハを切断することにより個片化した前記半導体チップを形成するダイシング工程と、前記半導体チップを前記ダイボンド材により前記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、前記ダイシング工程において、断面が凸状の刃先部を備えた前記ダイシングブレードを用いて前記刃先部の先端が前記ウエハの一表面から他表面まで切断するにあたり、前記刃先部の一部を前記ウエハ側に残した状態で前記ウエハをフルカットすることにより、前記一部が前記引掛部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。ところで、半導体チップの裏面に凹部を形成するためには、サンドペーパーやサンドブラストなどにより、半導体チップの元になるウエハの裏面側を凹凸加工することが考えられる。しかしながら、半導体装置は、半導体装置の製造工程において、ダイボンド材との接着強度を向上させるために、ウエハの裏面に凹凸加工をする作業が別途に必要となる。また、半導体装置は、ウエハの裏面に凹凸加工させるに伴い、削りカスが発生するため、ウエハや半導体チップの洗浄工程も必要になる。さらに、ウエハは、裏面に凹凸加工した凹凸の粗さが大きすぎる場合、ウエハの抗折強度が低下し、凹部がクラックの起点になりやすい傾向にある。そのため、半導体装置は、半導体チップの裏面に所定の粗さの凹部を形成することは手間がかかり、半導体装置の製造工程が複雑化するという問題がある。さらに、半導体装置は、ダイボンド材により、裏面に凹部を有する半導体チップを実装基体上に固定させた場合、ダイボンド材のせん断方向への応力に対する接着強度と比較して、ダイボンド材の伸張方向への応力に対する接着強度が十分でない場合がある。そのため、半導体装置は、半導体チップの実装基体側への接着強度がより高いものが求めれている現在においては、上述の半導体チップの裏面に凹部を備えた半導体チップをダイボンド材で固定させた構成だけでは十分ではなく、更なる改良が求められている。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めた半導体装置およびその製造方法を提供することにある。本発明の半導体装置は、半導体チップと、該半導体チップをダイボンド材により固定する実装基体とを備えた半導体装置であって、上記半導体チップは、該半導体チップの側面に、上記ダイボンド材に埋設して上記ダイボンド材を引掛ける引掛部を有することを特徴とする。この半導体装置において、上記引掛部は、上記半導体チップの上記側面における上記実装基体側の端部に設けられていることが好ましい。この半導体装置において、上記引掛部は、上記半導体チップの上記側面から外方に突出する突部であることが好ましい。この半導体装置の製造方法において、円盤状のダイシングブレードを回転させてウエハを切断することにより個片化した上記半導体チップを形成するダイシング工程と、上記半導体チップを上記ダイボンド材により上記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、上記ダイシング工程において、上記ウエハから上記半導体チップの個片化を行う際に、第1のブレード幅を有する第1のダイシングブレードにより上記ウエハの厚みを一部残して切り込みを行うことでダイシング溝を形成するハーフカット工程と、上記第1のブレード幅よりも幅の狭い第2のブレード幅の第2のダイシングブレードを用いて上記ダイシング溝から上記ウエハを切断するフルカット工程とを行うことで、上記引掛部を形成することが好ましい。この半導体装置の製造方法において、円盤状のダイシングブレードを回転させて上記ウエハを切断することにより個片化した上記半導体チップを形成するダイシング工程と、上記半導体チップを上記ダイボンド材により上記実装基体に固定するダイボンド工程とを備え、上記ダイシング工程において、断面が凸状の刃先部を備えた上記ダイシングブレードを用いて上記刃先部の先端が上記ウエハの一表面から他表面まで切断するにあたり、上記刃先部の一部を上記ウエハ側に残した状態で上記ウエハをフルカットすることにより、上記一部が上記引掛部を形成することが好ましい。本発明の半導体装置は、半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めることが可能となる。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップと、実装基体上のダイボンド材との接着強度をより高めた半導体装置を比較的簡単に製造することが可能となる。実施形態1本実施形態の半導体装置10を図1を用いて説明し、半導体装置10の製造方法における半導体チップ1の形成工程について、図2および図3を参照して説明する。本実施形態の半導体装置10は、半導体チップ1と、半導体チップ1をダイボンド材3により固定する実装基体2とを備えている。特に、本実施形態の半導体装置10における半導体チップ1は、半導体チップ1の側面1cに、ダイボンド材3に埋設してダイボンド材3を引掛ける引掛部1aを有している。ここで、引掛部1aは、半導体チップ1の側面1cにおける実装基体2側の端部に設けられている。より具体的には、本実施形態の半導体装置10の半導体チップ1は、図1に示すように、たとえば、直方体状に形成されている本体部1bと、半導体チップ1の側面1cにおける実装基体2側の端部で半導体チップ1の側面1cから外方に突出する突部1aaとを備えている。すなわち、本実施形態の半導体装置10の引掛部1aは、半導体チップ1の側面1cから外方に突出する突部1aaとなっている。半導体チップ1の突部1aaは、平面視において、半導体チップ1の矩形状の本体部1bから本体部1bにおける側面1cの全周にわたって矩形枠状に突出している図1bを参照。突部1aaは、半導体チップ1の厚み方向において半導体チップ1の底面側に向かうにつれ、半導体チップ1の側面1cから突出する突出量が徐々に大きくなる傾斜部1abを備えている図1cを参照。また、突部1aaは、半導体チップ1の厚み方向に所定の厚みを備えており、突部1aaにおける実装基体2側となる底面が、本体部1bの底面と同一平面となっている。半導体装置10は、半導体チップ1が実装基板2上のダイボンド材3と接着して固定されている。また、半導体チップ1は、引掛部1aたる突部1aaがダイボンド材3に埋設されてダイボンド材3を引掛けている。これにより、半導体装置10は、半導体チップ1とダイボンド材3との接触界面における接着だけでなく、ダイボンド材3に埋設された突部1aaにより半導体チップ1をダイボンド材3と機械的に固定させることもできる。本実施形態の半導体装置10は、突部1aaを備えていない半導体チップ1をダイボンド材3により固定する場合と比較して、半導体チップ1が突部1aaを備えていことにより半導体チップ1とダイボンド材3との接着強度をより高めることが可能となる。すなわち、半導体装置10は、半導体チップ1の突部1aaがダイボンド材3と機械的に固定されているため、ダイボンド材3の伸張方向への応力に対する接着強度を高めることが可能となる。以下、本実施形態の半導体装置10に用いられる各構成について詳述する。本実施形態の半導体装置10に用いられる半導体チップ1としては、たとえば、加速度センサ、赤外線センサ、レーザダイオードや発光ダイオードに用いられる半導体素子などが挙げられる。したがって、半導体チップ1は、種々の機能を備えたものが挙げられ、上述の機能を備えた素子だけに限られない。図示しないが、赤外線センサに用いられる赤外線センサ素子たる半導体チップ1は、たとえば、シリコン基板を用いたベース基板と、ベース基板の一表面側でベース基板に支持され直下にベース基板に設けられた空洞部により空間が設けられる薄膜構造部と、ベース基板と薄膜構造部とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知するサーモパイルとを有する構造とするものが挙げられる。また、発光ダイオードに用いられるLEDチップたる半導体チップ1は、たとえば、GaAs基板、GaP基板やGaN基板などの化合物半導体基板上に、CVD技術を用いてn型半導体層、発光層、p型半導体層などを成膜させた構造とすることができる。なお、半導体チップ1のn型半導体層には、蒸着技術やスパッタ技術を用いて、金属材料などにより所定の形状のn型電極を形成させている。同様に、p型半導体層には、p型電極を形成させていればよい。半導体チップ1の引掛部1aは、ダイボンド材3に埋設されて半導体チップ1と実装基体2との距離が離れる方向、すなわち、ダイボンド材3が伸張される方向への応力に対する抗力を高めることが可能なものであれば良い。したがって、半導体チップ1の引掛部1aは、半導体チップ1の側面1cにおける厚み方向の中央部、実装基体2側の端部や実装基体2側と反対側の端部に設けることができる。さらに、半導体チップ1の引掛部1aは、後述するように、半導体チップ1の側面1cから外方に突出する突部1aaだけに限られない。また、引掛部1aたる突部1aaは、半導体チップ1の側面1cの全周にわたって設けられる矩形枠状ものに限られない。半導体チップ1は、図示しないが、たとえば、平面視において、ダイボンド材3に埋設される引掛部1aを矩形状の半導体チップ1における側面1cの各辺から突出させた複数個の突部を矩形状の各辺に均等に配置することで、ダイボンド材3の基礎となる材料に埋め込み易くさせた構成とすることもできる図示していない。なお、引掛部1aは、たとえば、エッチング加工やサンドブラスト加工などにより引掛部1aの表面に凹凸を形成することにより、半導体チップ1とダイボンド材3との接着界面での接着性をより高めてもよい。また、半導体チップ1の引掛部1aとして突部1aaを備える場合、突部1aaは、半導体チップ1の一部を用いて形成させてもよいし、半導体チップ1と別途に形成させたものを半導体チップ1に設けたものでもよい。突部1aaは、本体部1b側から外方へ突出する長さや突部1aaの厚みは、ダイボンド材3の硬化前の基礎となる材料の材質や粘度、突部1aaの強度に応じて種々に調整すればよい。ここで、半導体チップ1は、たとえば、本体部1bが全て半導体材料からなるものであってもよいし、絶縁基体や導電性基体上に半導体層が形成されたものであってもよい。また、引掛部1aたる突部1aaは、半導体チップ1の厚み方向において半導体チップ1の底面側に向かうにつれ、半導体チップ1の側面1cから徐々に突出量が大きくなる傾斜部1abを備えていることにより、ダイボンド材3の基礎となる材料への埋設時に材料への気泡の混入を抑制することも可能となる。本実施形態の半導体装置10に用いられる実装基体2は、半導体チップ1をダイボンド材3により実装して固定させることができるものであればよく、種々のものを用いることができる。実装基体2は、たとえば、金属材料からなるリード電極を用いることができる。また、実装基体2は、半導体装置10の一部を構成する集積回路を備えた半導体基板を用いることもできる。また、実装基体2は、金属材料や半導体材料により構成するものだけでなく、樹脂材料やセラミック材料を用いてもよい。実装基体2は、半導体チップ1を実装できればよく、平面視が矩形状だけでなく、多角形や円形など所望に応じて種々の形状のものを用いることができる。実装基体2として金属材料を用いた場合、半導体チップ1への電気的導通を行うリード電極として利用することができる。また、半導体チップ1を実装基体2に実装して固定させるダイボンド材3としては、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの有機材料やガラスなどの無機材料を用いることができる。また、ダイボン材3として、半田を用いてもよい。ダイボンド材3は、ダイボンド実装する半導体チップ1によって種々のものが用いられる。ダイボンド材3は、たとえば、赤外線センサなどに用いられる半導体チップ1を固定する場合、実装基体2側との断熱性に優れた材料を用いることが好ましく、低融点ガラスなどを用いることができる。また、ダイボンド材3は、発光ダイオードに用いられるLEDチップたる半導体チップ1を固定する場合、半導体チップ1から放射された光をダイボンド材3を透過させて光利用効率を高めるため、透光性の樹脂材料を用いることできる。また、ダイボンド材3は、半導体チップ1と実装基体2側との電気的接続を行う場合、導電性フィラーを含有する導電性ペーストたとえば、銀ペーストやカーボンペーストなどを用いてもよい。さらに、ダイボンド材3は、半導体装置10にヒートサイクルが生ずるような場合、半導体チップ1や実装基体2との熱膨張率差が小さい方が好ましい。ダイボンド材3の材料として樹脂材料を用いた場合、ダイボンド材3は、一般に、半導体チップ1やセラミック材料などからなる実装基体2との熱膨張率差が大きくヒートサイクルに対して接着性が低下する傾向にある。そのため、ダイボンド材3は、ダイボンド材3の材料として樹脂材料を利用した場合、たとえば、SiO2などの熱膨張率が樹脂材料よりも小さなフィラーを樹脂材料中に含有させ、半導体チップ1やセラミック材料などからなる実装基体2との熱膨張率差を小さくさせてもよい。以下、本実施形態の半導体装置10の製造方法について図2および図3を用いて説明する。本実施形態の半導体装置10を製造するため、最初に、たとえば、外形が円柱状の単結晶インゴットを板状にスライスする。次に、板状のものに、製造する半導体チップ1の材料や機能に合わせイオン打ち込み技術、各種CVD法、蒸着法やスパッタ法などの成膜技術、イオン打ち込み技術、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを利用して、半導体チップ1の基礎となる複数個の機能部を備えたウエハ11を形成するウエハ形成工程を行う図示していない。なお、ウエハ11には、結晶軸がわかるようにオリエンテーションフラットOFが予め端部に形成されている。また、ウエハ11は、所望に応じて、ウエハ11の裏面のポリッシング処理を行うことにより薄膜化を行ってもよい。続いて、複数個の機能部が形成されたウエハ11は、図2に示すように、円環状のシート保持冶具であるステンレス製のフラットリング22の中央部に配置する。ウエハ11は、機能部が形成されている一表面11d側とは反対の他表面11e図3を参照側とダイシングシート24とをフラットリング22ごとダイシングシート24に貼り付ける。ダイシングシート24は、フラットリング22の外周に沿って切断される。その後、ウエハ11は、ウエハ11の機能部が形成された一表面11d側を露出するようにダイシングシート24側をフラットリング22ごと図示していないダイシング装置のダイシングステージ上に真空吸引して固定する。なお、ウエハ11の一表面11d側に機能部を形成させた例で示しているが、他表面11e側に形成させたものでもよい。また、ウエハ11は、機能部をウエハ11の一表面11dおよび他表面11eの両面に形成させてもよい。ダイシングシート24は、たとえば、塩化ビニルを主成分とするテープ基材の表面にアクリル系粘着剤を主成分とする粘着剤が塗布されたものを利用することができる。また、ダイシングシート24には、ウエハ11のダイシング後に紫外線が照射されることにより、ダイシングシート24の粘着力を低下させることができる粘着剤を使用している。次に、ダイシング工程として、ウエハ11における機能部が形成されている一表面11d側から回転させた円盤状のダイシングブレード23をウエハ11に押し当ててウエハ11を切断する。ダイシングブレード23による切断に先立って、ウエハ11上にスクライバーで予めストリートを形成させておき、ストリートに沿ってダイシングブレード23によりウエハ11を切断させてもよい。ダイシング装置は、個片化した所定の大きさの半導体チップ1が形成できるように、ダイシング装置の制御部により円盤状のダイシングブレード23の回転やダイシングステージの移動を制御する。ダイシング工程により、ウエハ11をダイシングして個片化した複数個の半導体チップ1を形成することができる。ダイシング装置は、ダイシング工程において、たとえば、厚さ数十μmのダイシングブレード23を3000~4000rpm程度に高速回転させる。また、ダイシング工程では、ダイシングブレード23の冷却並びに切削屑を除去する目的で洗浄用の純水をウエハ11側に吹き付けてもよい。すなわち、ダイシング工程は、円盤状のダイシングブレード23を回転させてウエハ11を切断することにより個片化した複数個の半導体チップ1を形成する。ここで、本実施形態の半導体装置10の製造方法では、ダイシング工程において、2種類のダイシングブレードを用いてウエハ11をダイシングしている。本実施形態の半導体装置10の製造方法では、ウエハ11から半導体チップ1aの個片化を行う際に、まず、第1のブレード幅d1を有する第1のダイシングブレード23aによりウエハ11の厚みを一部残して切り込みを行うことでダイシング溝11aを形成するハーフカット工程を行う図3aを参照。次に、第1のダイシングブレード23aの第1のブレード幅d1よりも幅の狭い第2のブレード幅d2の第2のダイシングブレード23bを用いてダイシング溝11aの内底面の中央部からウエハ11を完全に切断するフルカット工程を行う図3bを参照。これにより、半導体チップ1は、ウエハ11から個片化されると同時に、引掛部1aを備えた構成となる。ここで、半導体チップ1の引掛部1aは、第1のダイシングブレード23aの第1のブレード幅d1と、第2のダイシングブレード23bの第2のブレード幅d2との差を利用して、半導体チップ1の側面1cから突出する突部1aaとして形成される。また、突部1aaでは、断面が凸状の刃先部23aaを備えた第1のダイシングブレード23aにより、半導体チップ1の底面側に向かうにつれ、半導体チップ1の側面1cから徐々に突出量が大きくなる傾斜部1abが形成される。ウエハ11の切断後、ダイシング装置から個片化した複数個の半導体チップ1が粘着されているフラットリング22を取り出す。次に、個片化した半導体チップ1をダイシングシート24から剥離させ易いように、紫外線を照射してダイシングシート24の粘着剤の粘着力を低下させる。続いて、図示しないダイボンド装置のXYステージ上に個片化した複数個の半導体チップ1が粘着されているフラットリング22を固定する。ダイボンド装置は、円柱状のピンにより個片化された半導体チップ1と反対面側からダイシングシート24ごと半導体チップ1をピックアップさせる。また、ダイボンド装置は、ダイボンド装置の吸着コレットによりピックアップさせた半導体チップ1を吸着させる。ダイボンド装置は、半導体チップ1を吸着した吸着コレットを移動させ、ダイシングシート24から半導体チップ1を剥離させて別途に配置した実装基体2側に各半導体チップを配置させる。すなわち、ダイシングシート24に紫外線を照射して粘着力を低下させた後、チップボンダー等を用いて個片化された半導体チップ1をダイシングシート24から剥離して個々の半導体チップ1として利用する。ここで、実装基体2上には、図示していないが、ダイボンド装置の転写ピンにより、予めダイボンド材3の基礎となる硬化前の材料たとえば、熱硬化性樹脂などが転写されている。また、吸着コレットは、吸着している半導体チップ1をダイボンド材3の基礎となる材料に押し付ける。ダイボンド装置は、半導体チップ1の引掛部1aを材料の内部に埋設するように押し込むことで、実装基体2上に塗布された硬化前のダイボンド材3の基礎となる材料中に引掛部1aである突部1aaを埋設させる。続いて、半導体チップ1は、ダイボンド材3の基礎となる材料により半導体チップ1が実装された実装基体2ごと加熱処理される。半導体チップ1は、半導体チップ1の引掛部1aを材料に埋設した状態で材料を熱硬化させることにより、実装基体2側と半導体チップ1側とをダイボンド材3で接着することができる。これにより、半導体チップ1は、実装基体2に固定するダイボンド工程を行うことが可能となる。その後、半導体装置10の製造方法において、半導体チップ1の電極と実装基体2に設けられた配線とは、必要に応じて、ボンディングワイヤーたとえば、金線やアルミニウム線などなどにより電気的に接続される。なお、半導体チップ1は、ダイシングブレード23によるウエハ11の一表面から他表面へ一方向への切断だけでなく、ウエハ11の一表面および他表面の両面側から切断を行うことで、個々の半導体チップ1への個片化を行ってもよい。これにより、引掛部1aは、半導体チップ1の側面1cの任意の位置に設けることも可能となる。また、半導体チップ1は、ダイシングブレード23によるウエハ11の切断による個片化だけでなく、レーザ照射やエッチングを行うことによりウエハ11から半導体チップ1を個片化することもできる。したがって、半導体チップ1に引掛部1aを形成させる場合、レーザ照射やエッチングを利用して形成することもできる。ダイシングブレード23を用いてウエハ11から個片化した半導体チップ1を形成する方法は、レーザ照射やエッチングを行うことによりウエハ11から半導体チップ1を個片化するものと比較して、比較的簡単な構造のダイシング装置で、引掛部1aを備えた半導体チップ1を製造することが可能となる。実施形態2図4に示す本実施形態の半導体装置10は、図1に示す実施形態1の半導体装置10のように、引掛部1aを半導体チップ1の側面1cから外方に突出する突部1aaにより構成する代わりに、角錐台状の半導体チップ1の側面1cにおける実装基体2側の端部を引掛部1aとして用いた点が相違する。なお、図中において実施形態1と同じ部材に対しては、同じ番号を付して説明を省略している。以下、本実施形態の半導体装置10を、図4ないし図6を用いて説明する。本実施形態の半導体装置10は、図4に示すように、半導体チップ1と、半導体チップ1をダイボンド材3により固定する実装基体2とを備えている。また、本実施形態の半導体装置10は、角錐台状の半導体チップ1を用いており、角錐台状の半導体チップ1の側面1cにおける実装基体2側の端部をダイボンド材3に埋設してダイボンド材3に引掛ける引掛部1aとして機能させている。すなわち、半導体チップ1は、角錐台状の半導体チップ1の底面側を硬化前のダイボンド材3の基礎となる材料に埋設するように押し込み、材料を硬化させることにより、半導体チップ1をダイボンド材3に埋設して固定している。これにより、半導体装置10の半導体チップ1は、半導体チップ1とダイボンド材3との界面における接着だけでなく、ダイボンド材3に埋設された引掛部1aにより半導体チップ1を、ダイボンド材3に機械的に固定することができる。したがって、本実施形態の半導体装置10は、比較的簡単な構成で、実装基体2上のダイボンド材3に実装された半導体チップ1とダイボンド材3との接着強度をより向上させることが可能となる。ここで、半導体チップ1は、たとえば、図5に示すように断面がV字状であってテーパ面23dを備えたダイシングブレード23cを用いて、ウエハ11をダイシングすることにより角錐台状に形成することができる。ダイシング装置は、図5に示すように、ダイシングブレード23cの刃先部23caがウエハ11の一表面11dから他表面11eを越えるように押し込んでウエハ11を完全に切断するフルカットを行う。これにより、ダイシングブレード23cで個片化された半導体チップ1は、切断面となる側面1cが傾斜した傾斜面1eを備えた角錐台状とすることができる図4を参照。なお、ダイシングブレード23cは、たとえば、厚みが50μmから70μmのブレードを研磨してテーパ面23dのテーパ角を調整すればよい。言い換えれば、ダイシングブレード23cは、円盤状のダイシングブレード23cの径方向の外側に向かうほど厚みが薄くなるように傾斜したテーパ面23dを備えている。また、本実施形態の別の半導体装置10に用いられる半導体チップ1を形成するために、ダイシング装置は、図6に示すように、ウエハ11に対するダイシングブレード23cの切り込み深さを、上述した図5に示すダイシングブレード23cの切り込み深さよりも浅くしてウエハ11を完全に切断してもよい。ダイシング装置は、ウエハ11の切断とともに個片化された角錐台状の半導体チップ1の側面1cから外方に突出する突部1aaを比較的簡単に形成することもできる。言い換えれば、半導体装置10は、ダイシング工程において、断面が凸状の刃先部23caを備えたダイシングブレード23cを用いて刃先部23caの先端がウエハ11の一表面11dから他表面11eまで切断するにあたり、刃先部23caの一部をウエハ11側に残した状態でウエハ11をフルカットする。これにより、ダイシング装置は、ダイシングブレード23cの上記一部が引掛部1aたる突部1aaを形成することができる。こうして形成された半導体チップ1は、外形形状を角錐台状として半導体チップ1の側面1cにおける実装基体2側の端部を引掛部1aとして利用するものだけの半導体チップ1と比較して、半導体チップ1の側面1cから突出する突部1aaを備えることにより、半導体チップ1の側面形状を用いた引っ掛かりを持たせることで、伸張方向への接着強度をより高めることが可能となる。本実施形態の半導体装置10の製造方法では、図5や図6に示すように、いずれも引掛部1aを半導体チップ1の個片化の工程とは別途に形成する工程が必要となることもなく、半導体チップ1の個片化と同時に引掛部1aを形成することが可能となる。実施形態3本実施形態の半導体装置10は、図1に示す実施形態1の直方体状の半導体チップ1の側面1cから突出する突出部1aaの形状を、図7に示すように、フック形状とした点が相違する。なお、図中において実施形態1と同じ部材に対しては、同じ番号を付して説明を省略している。以下、本実施形態の半導体装置10を、図7を用いて説明する。本実施形態の半導体装置10は、図7に示すように、半導体チップ1と、半導体チップ1をダイボンド材3により固定する実装基体2とを備えている。半導体装置10の半導体チップ1は、半導体チップ1の側面1cにおける実装基体2側の端部に、ダイボンド材3に埋設してダイボンド材3を引掛ける引掛部1aを有している。本実施形態の半導体装置10の半導体チップ1は、たとえば、直方体状に形成されている本体部1bと、半導体チップ1の側面1cにおける実装基体2側の端部で半導体チップ1の側面1cから外方に突出する突部1aaとを備えている。本実施形態の半導体装置10における半導体チップ1の突部1aaは、断面視において、半導体チップ1の突部1aaがダイボンド材3を引き掛けるフック形状としている図7bを参照。フック形状の突部1aaは、半導体チップ1の側面1cから外方に突出してダイボンド材3を保持する保持部1baと、実装基体2とは反対側に向かって延設されダイボンド材3を係止する係止部1bbとを備えている。ここで、突部1aaの保持部1baは、平面視において、半導体チップ1の矩形状の本体部1bにおける側面1cの全周にわたって矩形枠状に突出している図7aを参照。保持部1baは、半導体チップ1における実装基体2側の底面が、本体部1bの底面と同一平面となっており、半導体チップ1の厚み方向に所定の厚みを備えている。半導体装置10は、半導体チップ1の突部1aaを、実装基体2上に塗布された硬化前のダイボンド材3の基礎となる材料に埋設するように押し込み、材料を硬化させることにより、ダイボンド材3に埋設して固定している。これにより、半導体装置10の半導体チップ1は、半導体チップ1とダイボンド材3との界面における接着だけでなく、ダイボンド材3に埋設された引掛部1aたる突部1aaにより半導体チップ1がダイボンド材3に機械的に固定することができる。したがって、本実施形態の半導体装置10は、比較的簡単な構成で、実装基体2上のダイボンド材3に固定された半導体チップ1とダイボンド材3との接着強度をより向上させることが可能となる。特に、本実施形態の半導体装置10は、半導体チップ1の突部1aaが係止部1bbを備えていることにより、半導体チップ1とダイボンド材3とを、より強固に固着させることが可能となる。なお、本実施形態の別の半導体装置10における半導体チップ1は、図示していないが、矩形状の本体部1bから突出した突部1aaの係止部1bbにおける四隅を切欠いた切欠部を有したものでもよい。半導体装置10は、ダイボンド工程において、半導体チップ1をダイボンド材3の基礎となる材料中に押圧したときに、材料が切欠部から保持部1baに這いやがり易くさせることが可能となる。そのため、本実施形態の半導体装置10は、ダイボンド工程におけるダイボンド実装時間を短縮させて、量産性を向上させることもできる。