互いに対向する1対の主面、互いに対向する1対の側面、および互いに対向する1対の端面を有し、前記主面の延びる方向に延びかつ前記1対の主面を結ぶ方向に積層された複数のセラミック層からなる、セラミック素体と、前記セラミック素体の内部に配置され、前記端面に露出する露出端を与える引出し部を有する、内部電極と、前記内部電極と電気的に接続されるようにして、前記端面上に配置された、外部電極と、を備え、前記外部電極は、前記引出し部の前記露出端を覆うようにして、かつ、前記側面には回り込まないようにして、前記端面上に配置された第1の導電部と、前記第1の導電部を覆うようにして、かつ、前記主面および前記側面に回り込むようにして、前記端面上に配置された第2の導電部と、を含む、積層セラミック電子部品。前記外部電極は、前記第1の導電部に対して所定の距離を隔てて隣接するようにして、前記端面上に配置された突起部をさらに備え、前記第2の導電部は、前記第1の導電部および前記突起部を覆う、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。1つの前記端面上において、1つの前記第1の導電部と、複数の前記突起部と、を有し、複数の前記突起部は、前記第1の導電部を中心として対称となる位置に配置されている、請求項2に記載の積層セラミック電子部品。前記1対の端面を結ぶ方向で見て、前記突起部の厚みは、前記第1の導電部の厚みと同じかまたはそれ以上である、請求項2または3に記載の積層セラミック電子部品。前記突起部は、前記第1の導電部と同じ材料から構成される、請求項2ないし4のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。前記セラミック素体の内部に配置され、前記端面に露出しかつ前記突起部によって覆われる露出端を有し、前記内部電極と同じ材料から構成される、ダミー電極をさらに備える、請求項5に記載の積層セラミック電子部品。前記第1の導電部を構成する材料は抵抗成分を有する、請求項1ないし6のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。前記1対の側面を結ぶ方向に沿った前記端面の寸法は、前記1対の端面を結ぶ方向に沿った前記側面の寸法よりも長い、請求項1ないし7のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。前記セラミック素体の積層方向に配列される複数の前記内部電極を備え、各前記内部電極は、前記引出し部と接続されかつ互いに対向する対向部を有し、前記引出し部の幅寸法は、前記対向部の幅寸法よりも短い、請求項1ないし8のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、積層セラミック電子部品を提供しようとすることである。この発明は、互いに対向する1対の主面、互いに対向する1対の側面、および互いに対向する1対の端面を有し、主面の延びる方向に延びかつ1対の主面を結ぶ方向に積層された複数のセラミック層からなる、セラミック素体と、セラミック素体の内部に配置され、端面に露出する露出端を与える引出し部を有する、内部電極と、内部電極と電気的に接続されるようにして、端面上に配置された、外部電極と、を備える、積層セラミック電子部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。外部電極は、第1の導電部とそれを覆う第2の導電部とを含む。第1の導電部は、内部電極の引出し部の露出端を覆うようにして、かつ、セラミック素体の側面には回り込まないようにして、セラミック素体の端面上に配置される。第2の導電部は、第1の導電部を覆いながら、セラミック素体の主面および側面に回り込むようにして、セラミック素体の端面上に配置される。この発明において、外部電極は、第1の導電部に対して所定の距離を隔てて隣接するようにして、セラミック素体の端面上に配置された突起部をさらに備え、第2の導電部は、第1の導電部および突起部を覆うように形成されることが好ましい。上記好ましい実施態様の場合、1つの端面上において、1つの第1の導電部と、複数の突起部と、を有し、複数の突起部は、第1の導電部を中心として対称となる位置に配置されていることがより好ましい。また、上記好ましい実施態様において、1対の端面を結ぶ方向で見て、突起部の厚みは、第1の導電部の厚みと同じかまたはそれ以上であることがより好ましい。また、上記好ましい実施態様において、突起部は、第1の導電部と同じ材料から構成されることがより好ましい。この場合、セラミック素体の内部に配置され、端面に露出しかつ突起部によって覆われる露出端を有し、内部電極と同じ材料から構成される、ダミー電極をさらに備えることがより好ましい。この発明において、典型的な実施態様では、第1の導電部を構成する材料は抵抗成分を有する。また、この発明は、1対の側面を結ぶ方向に沿った端面の寸法が、1対の端面を結ぶ方向に沿った側面の寸法よりも長い、積層セラミック電子部品に対して有利に適用される。また、この発明は、セラミック素体の積層方向に配列される複数の内部電極を備え、各内部電極は、引出し部と接続されかつ互いに対向する対向部を有し、引出し部の幅寸法は、対向部の幅寸法よりも短い、積層セラミック電子部品に対して有利に適用される。この発明によれば、外部電極の第1の導電部がセラミック素体の側面に回り込むことがないため、第1の導電部の形成面積を小さくすることができる。また、外部電極の第2の導電部は、セラミック素体の端面だけでなく、主面および側面にも回り込む。これらのことから、第2の導電部の回り込み部先端から第1の導電部の端縁に至る距離を比較的長くとることができ、よって、第2の導電部の回り込み部先端とセラミック素体との間から入り込んだ水分の、第1の導電部への浸入を抑制することができる。また、外部電極の第2の導電部は、上述のように、セラミック素体の端面だけでなく、主面および側面にも回り込んで形成されるため、セラミック素体に対する外部電極の固着力が向上する。この発明において、セラミック素体の端面上に、突起部が第1の導電部に隣接して配置されると、当該端面をプレートや定盤に向けて押し付けたときのセラミック素体の姿勢を安定させることができる。すなわち、突起部が配置されない場合であって、第1の導電部が端面上に部分的に形成される場合、次のような不都合を招く可能性がある。1第1の導電部形成後、セラミック素体の端面を粘着プレートなどに接着させて移し替えを行なおうとする場合、部分的に形成された第1の導電部が粘着プレートに当接すると、セラミック素体が傾いてしまう。2第2の導電部をディップ法により形成する場合、部分的に形成された第1の導電部が定盤に押しつけられると、セラミック素体が傾いてしまう。3上記1および2の場合、第2の導電部の塗布形状が悪化するおそれがある。これに対して、セラミック素体の端面上に、突起部が第1の導電部に隣接して配置されていると、突起部によりセラミック素体の姿勢が安定するため、上記のような不都合を招かない。特に、1つの端面上において、複数の突起部が、第1の導電部を中心として対称となる位置に配置されていたり、1対の端面を結ぶ方向で見て、突起部の厚みが、第1の導電部の厚みと同じかまたはそれ以上であったりすると、突起部による上記の効果がより顕著に発揮され得る。以下に、この発明を実施するための形態を説明するにあたり、積層セラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを例示する。[第1の実施形態]図1ないし図6は、この発明の第1の実施形態を説明するためのものである。第1の実施形態による積層セラミックコンデンサ1はESR制御タイプのものである。積層セラミックコンデンサ1は、セラミック素体2と、セラミック素体2の内部に配置された内部電極3および4と、セラミック素体2の外表面上に配置された外部電極5および6と、を備えている。以下、積層セラミックコンデンサ1の構造の詳細を、1セラミック素体、2内部電極、3外部電極に分けて説明し、その後、4製造方法について説明する。1セラミック素体図1ないし図5に示すように、セラミック素体2は、互いに対向する1対の主面7および8と、互いに対向する1対の側面9および10と、互いに対向する1対の端面11および12とを有する、ほぼ直方体状をなしている。セラミック素体2は、コーナー部および稜部に丸みがつけられていることが好ましい。セラミック素体2は、図2に示すように、主面7および8の方向に延びかつ1対の主面7および8を結ぶ方向に積層された複数のセラミック層13からなる積層構造を有する。セラミック層13の各厚みは0.5~10μmであることが好ましい。セラミック層13を構成するセラミック材料としては、たとえば、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3などを主成分とする誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分に、Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、希土類元素化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。セラミック素体2は、1対の側面9および10を結ぶ方向に沿った端面11および12の各寸法Wは、1対の端面11および12を結ぶ方向に沿った側面9および10の各寸法Lよりも長い、いわゆるLW逆転タイプである。このようなLW逆転タイプでは、内部電極3および4の長さを短く、かつ幅を広くすることができるため、積層セラミックコンデンサ1のESLを低くすることができる。上記寸法Wは、上記寸法Lの1.5~2.5倍とされることが好ましい。上述のようなLW逆転タイプのものでは、セラミック素体2の傾きが起こりやすくなるため、後述する突起部の存在意義が大きくなる。2内部電極内部電極は、図3Aに示した複数の第1の内部電極3および図3Bに示した複数の第2の内部電極4を備える。複数の第1の内部電極3および複数の第2の内部電極4は、セラミック素体2の積層方向に交互に配列される。第1の内部電極3は、これと隣り合う第2の内部電極4に対向する対向部14と、対向部14から第1の端面11に引出された引出し部15とを有する。引出し部15は、端面11に露出する露出端16を与える。他方、第2の内部電極4は、これと隣り合う第1の内部電極3に対向する対向部17と、対向部17から第2の端面12に引出された引出し部18とを有する。引出し部18は、端面12に露出する露出端19を与える。引出し部15および18の各々の幅寸法は、対向部14および17の各々の幅寸法よりも短いことが好ましい。これにより、露出端16および19が、それぞれ、外部電極5および6の後述する第1の導電部によって、確実に覆われやすくなり、信頼性が確保される。また、上記の寸法関係を有することにより、電流経路がより狭くすることが容易になり、これによって、コンデンサのESRを高めることが可能となる。内部電極3および4を構成する導電材料としては、たとえば、Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Auなどを用いることができる。また、内部電極3および4の各厚みは、0.3~2.0μmであることが好ましい。3外部電極外部電極5および6は、ともに、第1の導電部、突起部、第2の導電部、および第3の導電部を含む。以下、各々について説明する。3-1.第1の導電部図3ないし図5に示すように、第1の導電部20および21は、それぞれ、内部電極3および4の引出し部15および18の露出端16および19を覆うようにして、セラミック素体2の端面11および12上に配置される。第1の導電部20および21は、主面7および8には回りこむようにして帯状に形成されるが、側面9および10には回り込まないようにされる。第1の導電部20および21の各々は、1対の側面9および10を結ぶ方向に沿った寸法Wに対して、1/2W以下の幅寸法を取り得る。また、第1の導電部20および21は、1対の側面9および10を結ぶ方向に関して、それぞれ、端面11および12の中央を通るように配置され得る。特に、このような第1の導電部20および21の配置は、セラミック素体2の傾きを起こりやすくするため、後で詳述する突起部の存在意義が大きくなる。第1の導電部20および21の各厚みは、5~100μmであることが好ましい。この実施形態では、第1の導電部20および21は抵抗成分を含む。これにより、積層セラミックコンデンサ1が与える容量に対して抵抗要素が直列に入ることになり、積層セラミックコンデンサ1のESRを高くすることができる。積層セラミックコンデンサ1のESRとしては、10mΩ~1500mΩであることが好ましく、100mΩ~1000mΩであることがさらに好ましい。また、第1の導電部20および21の比抵抗は、0.001~1.0Ωcmであることが好ましく、0.005~0.1Ωcmであることがさらに好ましい。上記抵抗成分とは、一般的な外部端子電極に含まれる金属やガラスを除く比抵抗の比較的高い成分を指し、具体的には、ガラスを除く金属酸化物である。ここで、金属酸化物としては、たとえば、In-Sn複合酸化物ITO、La-Cu複合酸化物、Sr-Fe複合酸化物、Ca-Sr-Ru複合酸化物などの複合酸化物が有利に用いられる。これらの複合酸化物は、Niとの反応性が良好であるため、これらの複合酸化物を用いる場合は、前述した内部電極3および4のための導電材料としてNiまたはNi合金を用いることが好ましい。これによって、外部電極5および6、特に第1の導電部20および21と内部電極3および4との接続信頼性を高めることができる。第1の導電層20および21には、抵抗成分の他に、ガラスが添加され得る。ここで、ガラスとしては、B-Si系ガラス、B-Si-Zn系ガラス、B-Si-Zn-Ba系ガラス、B-Si-Zn-Ba-Ca-Al系ガラスなどを用いることができる。ガラスを添加する場合、抵抗成分とガラスとの体積割合は、30:70~70:30の範囲であることが好ましい。第1の導電層20および21には、さらに、Ni、Cu、Mo、Cr、Nbなどの金属が添加されていてもよく、Al2O3、TiO2、ZrO2、ZnOなどの金属酸化物が添加されていてもよい。これらの物質は、第1の導電部20および21が与える比抵抗を調整する機能を有し、かつ、緻密性を調整する機能を有する。すなわち、上記金属を添加した場合は、比抵抗が下がり、上記金属酸化物を添加した場合は、比抵抗が上がる。また、Ni、Cu、Al2O3およびTiO2は、第1の導電部20および21の緻密化を促進し、他方、Mo、Cr、Nb、ZrO2およびZnOは、第1の導電部20および21の緻密化を抑制する。なお、緻密化抑制というのは、第1の導電部20および21の過焼結によるブリスタ発生を防止するという意味合いがある。図示しないが、1つの端面について、複数の第1の導電部が形成されてもよい。3-2.突起部図3および図4に示すように、突起部22および23ならびに突起部24および25が、それぞれ、第1の導電部20および21に対して所定の距離を隔てて隣接するようにして、端面11および12上に配置される。突起22~25は、後で詳述する第2の導電部の形成時に、セラミック素体2が傾くのを防止するように作用する。突起部22~25は、主面7および8上に回り込むようにして帯状に形成されている。突起部22~25の各々は、1対の側面9および10を結ぶ方向に沿った寸法Wに対して、1/4W以下の幅寸法を取り得る。この実施形態では、一方の端面11について、2つの突起部22および23が、第1の導電部20を間に挟むようにして配置され、また、他方の端面12について、2つの突起部24および25が、第1の導電部21を間に挟むようにして配置される。これによって、セラミック素体2が傾くのを防止する効果が高められる。また、2つの突起部22および23は、第1の導電部20を中心として対称となる位置に配置される。同様に、2つの突起部24および25は、第1の導電部21を中心として対称となる位置に配置される。ここで、第1の導電部20と突起部22および23との間の各距離は互いに実質的に等しく、また、第1の導電部21と突起部24および25との間の各距離は互いに実質的に等しい。これによって、セラミック素体2が傾くのを防止する効果がより高められる。突起部22~25は、第1の導電部20および21と同じ材料で構成されることが好ましい。これにより、第1の導電部20および21の形成と同時に、突起部22~25を形成することが可能となる。なお、突起部22~25は、第1の導電部20および21とは異なる材料で構成されていても構わない。たとえば、セラミック材料とガラス成分とを混合したものなどで構成されてもよい。1対の端面11および12を結ぶ方向で見て、突起部22~25の各厚みは、5~100μmであることが好ましいが、突起部22および23の各厚みは、第1の導電部20の厚みと実質的に同じかまたはそれ以上であることが好ましく、また、突起部24および25の各厚みは、第1の導電部21の厚みと実質的に同じかまたはそれ以上であることが好ましい。このことは、セラミック素体2の傾きをより効果的に防止することに貢献する。なお、1対の側面9および10を結ぶ方向で見て、突起部22および23の各幅は、第1の導電部20の幅と実質的に同じかそれ以下であることが好ましく、同様に、突起部24および25の各幅は、第1の導電部21の幅と実質的に同じかそれ以下であることが好ましい。なお、突起部22および23の各幅が第1の導電部20の幅と実質的に同じであると、突起部22および23の各厚みと第1の導電部20の厚みとを揃えやすくなり、また、突起部24および25の各幅が第1の導電部21の幅と実質的に同じであると、突起部24および25の各厚みと第1の導電部21の厚みとを揃えやすくなる。なお、1つの端面上において、3つ以上の突起部が形成されても、単に1つの突起部が形成されてもよい。3-3.第2の導電部第2の導電部26は、第1の導電部20ならびに突起部22および23を覆うようにして、端面11上に形成され、同様に、第2の導電部27は、第1の導電部21ならびに突起部24および25を覆うようにして、端面12上に形成される。また、これら第2の導電部26および27は、主面7および8ならびに側面9および10に回り込むようにして形成されている。第2の導電部26および27は、耐湿性を向上させるように作用する。特に、第1の導電部20および21が金属酸化物やガラス成分を主成分とする場合、第1の導電部20および21はポーラスになりやすいため、第2の導電部26および27の重要性はより高くなる。後述するように、めっきにより第3の導電部を形成する場合、第2の導電部26および27は、めっき付き性を向上させるように作用する。第2の導電部26および27に含まれる導電材料としては、たとえば、Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Auなどを用いることができる。また、第2の導電部26および27には、ガラス成分が添加されていることが好ましい。ガラス成分としては、第1の導電部20および21に含まれ得るガラスと同一または主成分が同じものを用いることが好ましい。第2の導電部26および27を構成する材料と第1の導電部20および21を構成する材料ならびに突起部22~25を構成する材料とは、互いに異なることが好ましい。これによって、第1の導電部20および21と第2の導電部26および27とで、互いに異なる作用を分担させることができる。第2の導電部26および27の各厚みは、5~100μmであることが好ましい。3-4.第3の導電部図2および図3に示すように、第3の導電部28および29が、必要に応じて、それぞれ、第2の導電部26および27を覆うように、めっきにより形成される。積層セラミックコンデンサ1がはんだを用いて実装される場合には、第3の導電部28および29は、Niめっき膜およびその上のSnめっき膜からなる2層構造とされることが好ましい。積層セラミックコンデンサ1が導電性接着剤やワイヤボンディングを用いて実装される場合には、第3の導電部28および29は、Niめっき膜およびその上のAuめっき膜からなる2層構造とされることが好ましい。積層セラミックコンデンサ1が樹脂基板中に埋め込まれる場合には、第3の導電部28および29は、少なくとも最外層がCuめっき膜とされることが好ましい。第3の導電部28および29は、上述したように2層構造である必要はなく、1層であっても、3層以上であってもよい。第3の導電部28および29を構成するめっき膜の1層あたりの厚みは1~10μmであることが好ましい。第2の導電部26および27と第3の導電部28および29との各間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。4製造方法積層セラミックコンデンサ1は、たとえば、次のようにして製造される。4-1.セラミック層13となるべきセラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペースト、および外部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートならびに内部電極用および外部電極用の各導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。また、外部電極用導電性ペーストとして、第1の導電部20および21ならびに突起部22~25のための導電性ペーストと、第2の導電部26および27のための導電性ペーストと、が用意される。4-2.セラミックグリーンシート上に、たとえばスクリーン印刷などにより所定のパターンで導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。4-3.内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、マザー積層体を作製する。4-4.マザー積層体を静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。4-5.マザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミック素体を切り出す。このとき、バレル研磨などにより、生のセラミック素体のコーナー部や稜部に丸みを付けてもよい。4-6.生のセラミック素体を焼成する。これによって、図示したセラミック素体2が得られる。焼成温度は、セラミックや内部電極の材料にもよるが、900~1300°Cであることが好ましい。4-7.焼成後のセラミック素体2の両端面11および12に、第1の導電部20および21ならびに突起部22~25の各々を形成するための導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって、第1の導電層20および21ならびに突起部22~25を形成する。この場合、スリットにセラミック素体2を当接させ、スリットを介して導電性ペーストを通過させて帯状に塗布するスリット法を採用することができる。これにより、第1の導電部20と突起部22および23とを同時に、また、第1の導電部21と突起部24および25とを同時に、それぞれ形成することができる。焼き付け温度は、700~900°Cであることが好ましい。また、焼き付け時の雰囲気としては、大気またはN2などの雰囲気が使い分けられる。4-8.第1の導電部20および21上に第2の導電部26および27のための導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって、第2の導電部26および27を形成する。この場合、ペーストが敷かれた定盤にセラミック素体2を当接させ、セラミック素体2を引き上げるディップ法を採用することができる。焼き付け温度は、700~900°Cの範囲であって、上述した第1の導電部20および21ならびに突起部22~25の焼き付け温度よりも低い温度であることが好ましい。焼き付け時の雰囲気としては、大気またはN2などの雰囲気が使い分けられる。なお、上述のように、定盤にセラミック素体2を当接させるとき、第1の導電部20および21だけでなく、突起部22~25も定盤に当接するため、セラミック素体2が傾くことを防止することができる。このことについては、図6を参照して後述する。4-9.必要に応じて、第2の導電部26および27上に、めっきにより第3の導電部28および29を形成する。以上のようにして、積層セラミックコンデンサ1が完成される。次に、図6を参照して、突起部22~25がない場合の問題点について説明する。図6Aには、セラミック素体2が、ホルダ31によって保持されている状態が示されている。ホルダ31は、弾性体部32を内側に設けた剛体部33を有していて、弾性体部32をセラミック素体2に圧接させながら、剛体部33によって挟むことによって、セラミック素体2を保持している。図示したセラミック素体2には、第1の導電部20および21が形成されているが、突起部が形成されていない。図6Aに示すように、セラミック素体2をホルダ31によって保持しながら粘着プレートや定盤のような水平載置面34に当接させた後、同Bに示すように、水平載置面34上のセラミック素体2をホルダ31から解放すると、セラミック素体2には突起部がないため、その姿勢が安定せず、セラミック素体2が傾いてしまう。このようにセラミック素体2が傾いてしまうと、たとえば上記4-8の工程において、第2の導電部26および27のための導電性ペーストの塗布形状が悪化するおそれがある。これに対して、セラミック素体2に、突起部22~25が第1の導電部20および21に隣接して配置されていると、突起部22~25によりセラミック素体2の姿勢が安定するため、上記のような不都合を招かないようにすることができる。[第2の実施形態]この発明の第2の実施形態が図7に示されている。図7は、図3Bに対応する図である。図7において、図3Bに示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図7に示した積層セラミックコンデンサ1aでは、突起部22a~25aが、端面11および12上だけでなく、少なくとも側面9および10上にまで回りこむように形成されている。図示しないが、突起部22a~25aは、主面7および8上にまで回りこむように形成されてもよい。上記のような構成によれば、突起部22a~25aに水分がより浸入しやすい状況がもたらされるが、たとえ突起部22a~25aに水分が浸入しても、それらの下には、内部電極3および4の露出端16および19が存在しないので、深刻な問題となることはない。[第3の実施形態]この発明の第3の実施形態が図8に示されている。図8は、図4に対応する図である。図8において、図4に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図8に示したセラミック素体2では、第1の導電部20bならびに突起部22bおよび23bが端面11上にのみ形成されている。図8に示したセラミック素体2の背面側すなわち端面12上にある第1の導電部および突起部についても、図示しないが、端面12上にのみ形成されている。このような構成によれば、外部電極のT方向図1および図2参照の厚みを抑えることができるため、積層セラミック電子部品を低背化することができる。[第4の実施形態]この発明の第4の実施形態が図9に示されている。図9は、図4に対応する図である。図9において、図4に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図9に示したセラミック素体2では、端面11上において、突起部36が片側に1つのみ配置されている。図9に示したセラミック素体2の背面側すなわち端面12上にある第1の導電部および突起部については、図示しないが、同様の形態であっても、異なる形態とされてもよい。図9に示すような形態は、第1の導電部37が比較的広い面積で、かつ、W方向図1および図3参照に偏って配置される局面において採用され得る。[第5の実施形態]この発明の第5の実施形態が図10に示されている。図10は、図4に対応する図である。図10において、図4に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図10に示したセラミック素体2では、端面11上において、突起部38が枠状に配置され、突起部38に囲まれるように第1の導電部39が配置されている。図10に示したセラミック素体2の背面側すなわち端面12上にある第1の導電部および突起部については、図示しないが、同様の形態であっても、異なる形態とされてもよい。[第6の実施形態]この発明の第6の実施形態が図11に示されている。図11は、図4に対応する図である。図11において、図4に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図11に示したセラミック素体2では、第1の導電部40が端面11の中央に配置されながら、4つの突起部41~44が端面11の4隅付近に配置されている。図11に示したセラミック素体2の背面側すなわち端面12上にある第1の導電部および突起部については、図示しないが、同様の形態であっても、異なる形態とされてもよい。[第7の実施形態]この発明の第7の実施形態が図12に示されている。図12は、図4に対応する図である。図12において、図4に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図12に示したセラミック素体2では、第1の導電部45が端面11の中央に配置されながら、2つの突起部46および47が端面11の対角位置に配置されている。図12に示したセラミック素体2の背面側すなわち端面12上にある第1の導電部および突起部については、図示しないが、同様の形態であっても、異なる形態とされてもよい。[第8の実施形態]この発明の第8の実施形態が図13に示されている。図13は、図3に対応する図である。図13において、図3に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図13に示した積層セラミックコンデンサ1cは、図3に示した積層セラミックコンデンサ1から突起部22~25を取り除いた構造を有する。[第9の実施形態]この発明の第9の実施形態が図14に示されている。図14は、図13に対応する図である。図14において、図13に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図14に示した積層セラミックコンデンサ1dは、簡単に言えば、図3に示した積層セラミックコンデンサ1にダミー電極54および55を付加した構造を有する。ダミー電極54および55は、セラミック素体2の端面11または12に露出するようにして配置される。ダミー電極54および55は、内部電極3および4と同じ材料により構成され得る。ダミー電極54および55は、それぞれ、第1の導電部20および21と接続される。このようにして、ダミー電極54および55は、セラミック素体2に対する第1の導電部20および21の固着力を向上させ、応じて、外部電極5および6の固着力を向上させるように機能する。よって、ダミー電極54および55は、積層セラミックコンデンサ1dの電気的特性の発現に実質的には寄与しない。ダミー電極54および55は、内部電極3および4の引出し部15および18の各々と同じ幅寸法W方向に沿った寸法を有することが好ましい。また、これらのダミー電極54および55の露出端は、端面11および12において、それぞれ、内部電極3および4の露出端16および19とT方向図1および図2参照に沿って整列されることが好ましい。[第10の実施形態]この発明の第10の実施形態が図15に示されている。図15は、図3に対応する図である。図15において、図3に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図15に示した積層セラミックコンデンサ1eは、簡単に言えば、図3に示した積層セラミックコンデンサ1にダミー電極48~53を付加した構造を有する。ダミー電極48~53は、セラミック素体2の端面11または12に露出するようにして配置される。ダミー電極48~53は、内部電極3および4と同じ材料により構成され得る。ダミー電極48~53のうち、ダミー電極48および49は、それぞれ、第1の導電部20および21と接続され、ダミー電極50~53は、それぞれ、突起部22~25と接続される。このようにして、ダミー電極48~53は、セラミック素体2に対する第1の導電部20および21ならびに突起部22~25の固着力を向上させ、応じて、外部電極5および6の固着力を向上させるように機能する。よって、ダミー電極48~53は、積層セラミックコンデンサ1eの電気的特性の発現に実質的には寄与しない。第1の導電部20および21にそれぞれ接続されるダミー電極48および49は、内部電極3および4の引出し部15および18の各々と同じ幅寸法W方向に沿った寸法を有することが好ましい。また、これらのダミー電極48および49の露出端は、端面11および12において、それぞれ、内部電極3および4の露出端16および19とT方向図1および図2参照に沿って整列されることが好ましい。突起部22~25にそれぞれ接続されるダミー電極50~53の露出部についても、端面11および12おいて、T方向に沿って整列されることが好ましい。[第11の実施形態]図16ないし図18は、この発明の第11の実施形態を説明するためのものである。第11の実施形態による積層セラミックコンデンサ61は導電性接着剤対応のものである。積層セラミックコンデンサ61は、セラミック素体62と、セラミック素体62の内部に配置された内部電極63および64と、セラミック素体62の外表面上に配置された外部電極65および66と、を備えている。以下、積層セラミックコンデンサ61の構造の詳細を、1セラミック素体、2内部電極、3外部電極に分けて説明する。1セラミック素体図16ないし図18に示すように、セラミック素体62は、互いに対向する1対の主面67および68と、互いに対向する1対の側面69および70と、互いに対向する1対の端面71および72とを有する、ほぼ直方体状をなしている。セラミック素体62は、コーナー部および稜部に丸みがつけられていることが好ましい。セラミック素体62は、図17に示すように、主面67および68の方向に延びかつ1対の主面67および68を結ぶ方向に積層された複数のセラミック層73からなる積層構造を有する。セラミック層73の各厚みおよび材料については、前述した第1の実施形態の場合と同様とすることができる。セラミック素体62は、1対の側面69および70を結ぶ方向に沿った端面71および72の各寸法Wは、1対の端面71および72を結ぶ方向に沿った側面69および70の各寸法Lよりも短い。2内部電極内部電極は、図18Aに示した複数の第1の内部電極63および図18Bに示した複数の第2の内部電極64を備える。複数の第1の内部電極63および複数の第2の内部電極64は、セラミック素体62の積層方向に交互に配列される。第1の内部電極63は、これと隣り合う第2の内部電極64に対向する対向部74と、対向部74から第1の端面71に引出された引出し部75とを有する。引出し部75は、端面71に露出する露出端76を与える。他方、第2の内部電極64は、これと隣り合う第1の内部電極63に対向する対向部77と、対向部77から第2の端面72に引出された引出し部78とを有する。引出し部78は、端面72に露出する露出端79を与える。第1の実施形態の場合と同様の理由から、引出し部75および78の各々の幅寸法は、対向部74および77の各々の幅寸法よりも短いことが好ましい。内部電極63および64の材料および各厚みについては、第1の実施形態の場合と同様とすることができる。セラミック素体62の内部には、上述した内部電極63および64に加えて、内部電極63および64と同じ材料からなる内層ダミー電極80および81ならびに外層ダミー電極82および83が配置されている。内層ダミー電極80および外層ダミー電極82は、第1の端面71に露出し、内層ダミー電極81および外層ダミー電極83は、第2の端面72に露出するように形成される。内層ダミー電極80および81ならびに外層ダミー電極82および83の各々の露出端の幅寸法W方向に沿った寸法は、内部電極63および64の各々の引出し部75および78の露出端76および79の幅寸法と同じであることが好ましい。また、内部電極63の露出端76と、内層ダミー電極80の露出端と、外層ダミー電極82の露出端とは、端面71においてT方向に沿って整列していることが好ましい。同様に、内部電極64の露出端79と、内層ダミー電極81の露出端と、外層ダミー電極83の露出端とは、端面72においてT方向に沿って整列していることが好ましい。外層ダミー電極82および83は、それぞれ、端面71および72に引き出される幅狭部84および85と、幅狭部84および85に接続される幅広部86および87とを有する。外層ダミー電極82および83は、同一面内において、幅広部86および87同士が対向するように配置されている。外層ダミー電極82および83の幅広部86および87は、外部電極65および66の、主面67および68ならびに側面69および70への回り込み部の先端と、最外層の内部電極63および64との間に集中する電界を緩和するシールドの効果を有する。3外部電極外部電極65および66は、ともに、第1の導電部および第2の導電部を含む。以下、各々について説明する。3-1.第1の導電部図17および図18に示すように、第1の導電部88および89は、それぞれ、内部電極63および64の露出端76および79を覆うようにして、かつ、内層ダミー電極80および81の露出端ならびに外層ダミー電極82および83の露出端を覆うようにして、セラミック素体62の端面71および72上に配置される。第1の導電部88および89は、主面67および68にも、側面69および70にも回り込まないようにされる。第1の導電部88および89の材料としては、Cu、Niなどの卑金属を用いることができる。また、第1の導電部88および89は、ガラス成分を含み得る。また、第1の導電部88および89は、直接めっきにより形成されていてもよい。この場合、第1の導電部88および89には、ガラス成分が含まれないことが多い。3-2.第2の導電部第2の導電部90および91は、それぞれ、第1の導電部88および89を覆うようにして、端面71および72上に形成される。また、第2の導電部90および91は、主面67および68ならびに側面69および70に回り込むようにして形成されている。第2の導電部90および91の材料としては、Ag、Pd、Ag-Pd、Au、Ptなどの貴金属を用いることができる。また、第2の導電部90および91は、ガラス成分を含み得る。この実施形態による積層セラミックコンデンサ61では、第2の導電部90および91が外部電極65および66の最外層を構成する。なぜなら、この積層セラミックコンデンサ61は、導電性接着剤による実装に適用されるものであるためである。このような場合、外部電極65および66の最外層は、Snめっき膜によって形成されるのではなく、貴金属により構成されている。[第12の実施形態]この発明の第12の実施形態が図19に示されている。図19は、図18に対応する図である。図19において、図18に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図19に示した積層セラミックコンデンサ61aは、簡単に言えば、図18に示した積層セラミックコンデンサ61に突起部92~95を付加した構造を有する。また、突起部92~95にそれぞれ対応して、突起部92~95にそれぞれ接続される内層ダミー電極96~99が付加されるとともに、外層ダミー電極82aおよび83aには、引出し部100~103がさらに形成されている。内層ダミー電極96~99は、内部電極63および64と同じ材料からなる。より詳細には、突起部92には、内層ダミー電極96および引出し部100が接続され、突起部93には、内層ダミー電極97および引出し部101が接続され、突起部94には、内層ダミー電極98および引出し部102が接続され、突起部95には、内層ダミー電極99および引出し部103が接続される。図19に示した構造は、第1の導電部88および89ならびに突起部92~95を直接めっきにより形成する場合に有効である。[他の実施形態]この発明は、以上説明した積層セラミックコンデンサに限らず、他の積層セラミック電子部品にも適用することができる。たとえば、セラミック素体を圧電体セラミックで構成した場合は、圧電部品として機能する積層セラミック電子部品とすることができ、セラミック素体を半導体セラミックで構成した場合は、サーミスタとして機能する積層セラミック電子部品とすることができ、セラミック素体を磁性体セラミックで構成した場合は、インダクタとして機能する積層セラミック電子部品とすることができる。なお、インダクタの場合は、内部電極はコイル状の導体となる。