酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含むブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むことを特徴とする、ブラスト処理物の濃縮方法。前記ブラスト材が、胡桃、メイゾ玉蜀黍、桃、アプリコットおよび竹からなる群より選択される植物からなる、請求項1に記載の方法。前記ブラスト処理物が、酸化インジウム系化合物含有膜の付着している物体から、植物系ブラスト材を用いたブラスト処理により、前記膜成分を剥離することによって得られたものである、請求項1または2に記載の方法。前記酸化インジウム系化合物がITOである、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。前記物体が、ITO含有膜を有する廃液晶パネル、廃プラズマディスプレイパネル、廃太陽電池または廃タッチパネルである、請求項3または4に記載の方法。従って、本発明は、大がかりな装置を使用せず、簡易な工程で、酸化インジウム系化合物を効率よく回収できる方法を提供することを課題とする。本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、一般的には、バリの除去、表面研削、梨地加工などに使用されているブラスト処理を利用して、酸化インジウム系化合物を含む膜を有する物体から、前記膜を剥離し、且つ、処理後のブラスト処理物に含まれる酸化インジウム系化合物の濃度を高めることによって、酸化インジウム系化合物を経済的に回収できる方法を検討した結果、ブラスト材研削材として植物系ブラスト材を使用し、ブラスト処理後のブラスト処理物酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材を含むを焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高めることにより、上記課題を効果的に解決できることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含むブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むことを特徴とする。上記方法によれば、大がかりな装置や複雑な工程を経ることなく、ブラスト処理物中のインジウムの濃度を相対的に高めることができる。前記植物系ブラスト材研削材の好ましい例として、胡桃、メイゾ玉蜀黍、桃、アプリコットおよび竹から選択される植物に由来するブラスト材が挙げられる。前記ブラスト処理物は、酸化インジウム系化合物を含む膜が表面に付着している物体から、植物系のブラスト材を用いたブラスト処理により、前記膜成分を剥離することによって得ることができる。本発明では、ブラスト材が植物系の粉末であるため、加工品に化学変化を起こすことなく処理することができる。前記酸化インジウム系化合物の代表的なものとして、錫をドープした酸化インジウムであるITO酸化インジウムスズが挙げられる。前記物体として、ITO含有膜を表面に有する廃液晶パネル、廃プラズマディスプレイパネル、廃太陽電池または廃タッチパネルが挙げられる。これらの廃パネルに対し、ブラスト材としてモース硬度の高いもの例えば炭化珪素グリッド[砕粒]モース硬度13を用いると、基板ガラス基板、プラスチック基板又は有機フィルム状支持体等自体が破損されてしまうことや、ブラスト材同士が衝突して細かく破砕され研削能力が低下してしまうことがある。そのため、ITO膜をうまく研削できないことや、ブラスト処理物ブラスト材と、ブラスト処理によって研削された物質の混合物中に、ITO膜以外のものが多く混じることがあるが、本発明の如く植物系のブラスト材を用いると、基板の破損やブラスト材の破損が抑制されるため、ITO純度の高いブラスト処理物を得ることができる。本発明の方法によれば、大がかりな装置や化学薬品特に強酸やアルカリ剤を使用することなく、酸化インジウム系化合物を経済的に且つ高純度で回収することが可能である。本発明において、酸化インジウム系化合物とは、インジウムInを含む酸化物を意味し、酸化インジウムだけでなく、スズをドープした酸化インジウムITO:インジウムスズ酸化物等も含む。本発明に係るブラスト処理物とは、酸化インジウム系化合物が付着した物質をブラスト処理した後に得られるものスクラップ粉を意味し、ブラスト処理により剥離された粉体状の剥離物酸化インジウム系化合物含有膜の剥離粉末と、ブラスト処理に使用した植物系ブラスト材とを含む。ブラスト処理では、一般にブラスト材研削材として、衝撃力の大きな炭化珪素モース硬度:13が使用されるが、ブラスト処理を繰り返すことにより、ブラスト材同士が衝突して細かく破砕され研削能力が低下し、それを補うためブラスト材を追加補充して作業しなければ遂行出来ない。一方、本発明の如く植物系のブラスト材を用いると、モース硬度は低いが胡桃の場合は、モース硬度3、弾力性に富み破砕が少なく、繰返し使用出来るので多量の透明導電膜付ガラス基板を処理することにより、ITOの含有量濃度を高めることが出来る。これにより、ブラスト処理物中のITO含有濃度を1重量以上にすることも可能であり、ITOを経済的に回収できる。さらに、本発明では、上記ブラスト処理物を焼成することにより、植物系ブラスト材が燃焼されるため、ブラスト処理物中のインジウム品位を高める濃縮することができる。本発明は、特に、廃液晶パネル等廃液晶パネル、廃プラズマディスプレイパネル、廃太陽電池または廃タッチパネルの基板に使用されている透明電極に含まれるような稀少金属酸化インジウム系化合物を、サンドブラスト法により剥離処理して得られた粉体ブラスト処理物を焼成し、粉体中のインジウムの濃度を相対的に高める粉末濃縮方法として使用するのに好適である。すなわち、液晶パネルの製造工程において廃棄される廃液晶パネルから、先ず基板材料以外のプラスチック材料、金属部材、有機フィルム等を除外し、その後基板を切断し、切断した基板を解体分離し、基板材料に付着している透明電極材料をブラスト処理剥離処理によって剥離し、透明導電膜インジウム酸化物が含まれるの剥離粉を含むブラスト処理物を回収して場合によっては保管しておき、これを焼成するといった簡単な方法によって、酸化インジウム系化合物が濃縮された粉末を得ることができる。上記方法を、液晶パネルを例として記述すると、パネル製造工程で発生した不良パネルや廃棄された商品の液晶パネルに対して、1パネルを割断して、アレイ側とカラーフィルター側の各ガラス基板に分離する;2両基板に含まれるITO透明導電膜をサンドブラスト装置で、ブラスト材として植物系粉末胡桃メイゾ玉蜀黍桃アプリコット竹等からなる粉末を用いて剥離する;3上記粉末ITO透明導電膜の剥離粉とブラスト材を含むを焼成し、植物系のブラスト材を燃焼することによって、粉末中のITOの比率を高めるITO含有粉末を濃縮する;方法が挙げられる。なお、上記方法では、液晶パネルを例にとって説明したが、本発明にかかるブラスト処理物は、PVD装置の冶工具類に付着した酸化In系化合物を含む薄膜を、ブラスト処理により剥離して得られた物であってもよい。本発明の植物系ブラスト材としては、胡桃メイゾ玉蜀黍桃アプリコット竹等からなる粉末を使用することができ、これらは市場で入手可能である。好ましいブラスト材として、スクリーンサイズ16~80中心粒径149~1000μmのものが挙げられる。なお、植物系ブラスト材のモース硬度は20~35の範囲であるが、特に、モース硬度30~35の植物系ブラスト材を使用することが好ましい。また、ブラスト法としては、圧縮空気によりブラスト材を投射する空気式のブラスト法が好ましい。好ましいブラスト処理の一例として、割断されたパネルの透明導電膜が付着した側を、ブラスト材として16~80の胡桃を使用し、噴射圧02~05MPaで投射して、透明導電膜ITOを剥離する方法が挙げられる。また、同じブラスト材で多量の基板を繰返し処理することにより、酸化インジウム系化合物の含有量を上げることが出来る。ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の含有量を1重量以上にすることが好ましい。本発明では、上記のようにして得られたブラスト処理物を焼成して、酸化インジウム系化合物を濃縮することを特徴とし、この際の焼成条件は、大気中又は05~5容量の酸素を含むガスとの接触下において400°C以上で焼成することが好ましく、ブラスト処理物植物系ブラスト材剥離された物の重量を基準として40以上より好ましくは50以上が消失するまで焼成を行うことが好ましい。より好ましい焼成温度は500°C以上である。焼成温度の上限は特に限定されないが、600°C~1000°Cでは、それほど濃縮率に差がないため、コストの点からは、600°C以下が適切である。本発明の一形態について図1に基づいて説明すれば以下の通りである。<S1>前処理工程廃液晶パネル等例えば液晶パネルの製造工場において廃棄される廃液晶パネル、液晶表示装置の組立工場にて廃棄され分解処理して排出される廃液晶パネル、及び市場にて廃棄された製品を解体処理して排出される廃液晶パネル等について、基板材料以外のプラスチック部材や金属部材、有機フィルム等を除外する。<S2>パネル切断工程上記前処理された基板の周辺部封止部を切断する。<S3>分離工程切断された基板を液晶パネルの場合には、カラーフィルター側及びアレイTFT側に分離する。<S4>ブラスト剥離処理工程分離された基板上に形成されている薄膜材料をブラスト処理して、基板上に形成された薄膜材料酸化インジウム系化合物を含む透明導電膜を剥離回収する。<S5>焼成ブラスト処理後に得られたブラスト処理物酸化インジウム系化合物、ブラスト材を含む粉末。他に有機物薄膜等の粉末を含んでいてもよいを焼成して、ブラスト処理物を濃縮する。<S6>検査目的の酸化インジウム系化合物例えば、ITOが設定濃度以上で含有されていることを確認する。なお、このようにして得られた酸化インジウム系化合物は、その後、特開2010-43306号公報や特開2010-222641号公報に記載された方法に基づき、珪素粉末と攪拌しながらメカノケミカル反応させて、酸化インジウム系化合物をインジウム系化合物に還元してもよい。以下の実施例により、本発明をより詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。[実施例1]割断されたパネルの透明導電膜が付着した側を、厚地鉄工株式会社製ブラストキャビネットBS2型吸引式を用いて、ブラスト材として胡桃16~80を使用し、噴射圧02~05MPacm2、ノズル径8φ、ワークディスタンス50mm、噴射角度30度~60度にて、12型の基板サイズに対して噴射時間120秒でブラスト処理した。何れの条件においても透明導電膜層を剥離出来たが、特に胡桃のサイズ36、噴射圧04MPacm2、噴射角度45度でブラスト処理を行うと、基板が薄くて脆弱なガラス基板の場合でさえ、基板が割れることなく、基板表面に付着している透明導電膜層を加工効率良く完全に剥離することが出来た。また、胡桃からなるブラスト材は、弾力性に富み破砕が少なく繰返し使用することができた。したがって、多量の透明導電膜付ガラス基板12型パネル200枚以上を処理することによりITOの含有量濃度を1重量以上に高めることが可能であった。ブラスト処理物を大気中において昇温速度10°Cminで焼成した。図2に、焼成粉末の熱重量測定TG、示差熱分析DTAの結果を示す。図2から分かるように、300°C近辺では、ブラスト処理物の重量の減少は、20であったが、その後500°Cまでは著しく減少率が増加し、400°Cでは、約40減少し、500°Cでは約50減少した。焼成後の残存物は主として炭素、灰分と推測される。図3に、焼成前の試料ブラスト処理物と1000°Cで、1時間40分焼成後に回収した試料のX線回折図XRDを示す。図3から、焼成後の試料中にITOが含まれること、およびITO濃度が上昇していることが確認され、焼成により、ブラスト材本実施例では胡桃成分の焼成燃焼により、酸化インジウム系化合物本実施例ではITO成分が濃縮されることが実証された。また、大気中において500°Cで焼成し、ブラスト処理物植物系ブラスト材剥離された物の重量を基準として、50が消失するまで焼成を行った場合、焼成時間は50分であり、ブラスト処理物中のITO濃度は、17重量焼成前から33重量焼成後まで増加した。