第1のビア導体で充填された第1のビアホールを有する第1の絶縁層の上に第2のビア導体で充填された第2のビアホールを有する第2の絶縁層が積層されており、前記第1のビアホールと第2のビアホールとを水平方向にずらして配置するとともに前記第1のビア導体と第2のビア導体とを前記第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に配置されたランド導体により接続して成る配線基板であって、前記第1の絶縁層の下面に前記第2のビアホールと対向する第1のダミーのランド導体が配設されていることを特徴とする配線基板。前記第1のダミーのランド導体が前記第1のビア導体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。前記第2の絶縁層の上面に前記第1のビアホールと対向する第2のダミーのランド導体が配設されていることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。前記第2のダミーのランド導体が前記第2のビア導体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項3記載の配線基板。本発明は、高密度な微細配線基板において、配線基板に加わる熱変動の影響により絶縁層を構成する樹脂の膨張や収縮によって生じる応力によって、ランド導体にクラックが生じることを抑制することができる配線基板を提供することを課題とする。第1のビア導体で充填された第1のビアホールを有する第1の絶縁層の上に第2のビア導体で充填された第2のビアホールを有する第2の絶縁層が積層されており、第1のビアホールと第2のビアホールとを水平方向にずらして配置するとともに第1のビア導体と第2のビア導体とを第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に配置されたランド導体により接続して成る配線基板であって、第1の絶縁層の下面に第2のビアホールと対向する第1のダミーのランド導体が配設されていることを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、第2のビアホールの下に位置する第1の絶縁層の下面に、第2のビアホールと対向する第1のダミーのランド導体が配設されていることから、第2のビアホールの下部に存在する第1の絶縁層の厚みが第1のダミーのランドの厚みの分だけ薄いものとなる。したがって、配線基板に加わる熱変動により第2のビアホールの下の第1の絶縁層が膨張や収縮する変動量を厚みが薄くなった分だけ低減できる。このため、ランド導体の第1のビアホール近傍に集中する応力を小さくできる。これにより、熱変動が配線基板に加わっても微細化されたランド導体に発生するクラックを抑制することができる配線基板を提供できる。次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図1を基にして詳細に説明する。本例の配線基板20は、絶縁基板1と、絶縁基板1の上面に形成された配線導体2との上側に、4層の絶縁層3a~3dが順次積層されているとともに、各絶縁層3a~3dの上面には配線導体層4が配設されている。配線導体層4のうち、最上層の配線導体層4は、その一部が半導体素子接続パッド9を形成している。この半導体素子接続パッド9には、半導体素子の電極が電気的に接続される。さらに、最上層の絶縁層3d上面には半導体素子接続パッド9を露出させる開口部5aを有するソルダーレジスト層5が形成されている。絶縁基板1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、0.05~0.8mm程度の厚みである。また絶縁基板1上面の配線導体2は、例えば銅箔や銅めっきにより形成されており、5~30μm程度の厚みである。各絶縁層3a~3dは、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなり、10~50μm程度の厚みである。各絶縁層3a~3dの上面から下面にかけては、直径が30~100μm程度のビアホール6a~6dが複数形成されている。ビアホール6a~6dは、各絶縁層3a~3dに例えばレーザ加工を施すことにより複数形成されている。なお、各絶縁層3a~3dの熱膨張係数は60~110ppm/°C程度である。各絶縁層3a~3d上に被着された配線導体層4は、例えば銅めっきからなり、厚みが10~20μm程度である。また各ビアホール6a~6d内にはビア導体7a~7dが充填されている。ビア導体7a~7dは、配線導体層4と同じ銅めっきから成り、各絶縁層3a~3d上の配線導体層4と一体的に形成されている。そして、これらのビア導体7a~7dおよび配線導体層4を介して絶縁基板1上の配線導体2と最上層の絶縁層3d上の半導体素子接続パッド9とが電気的に接続されている。なお、銅めっきから成る配線導体層4および各ビア導体7a~7dの熱膨張係数は17ppm/°C程度である。ここで、配線導体2と半導体素子接続パッド9とを接続するためのビアホール6a~6dは、下層側の2つのビアホール6aと6bとが互いに積み重ねられた下層側のスタックドビア6Aと、上層側のビアホール6cと6dとが互いに積み重ねられた上層側のスタックドビア6Bとに分けられている。そして、絶縁層3bと3cとの間で下層側のスタックドビア6Aの上から上層側のスタックドビア6Bの下に延びる配線導体層4から成るランド導体8により下層側のスタックドビア6Aのビア導体7bと上層側のスタックドビア6Bのビア導体7cとが接続されている。ランド導体8の幅は45~120μm程度であり、ビア導体7bと一体的に形成されている。さらに、上層側のスタックドビア6Bの下に位置する絶縁層3aと3bとの間には、上層側のスタックドビア6Bと対向する位置に、ビア導体7aと一体的に形成された配線導体層4から成るダミーのランド導体10が配設されている。ダミーのランド導体10は、幅が45~120μm程度であり、ランド導体8と重なる位置に配置されている。この構造により上層側のスタックドビア6Bの下部に存在する絶縁層3bの体積がダミーのランド導体10の厚みの分だけ薄いものとなる。したがって、熱変動により上層側のスタックドビア6Bの下の絶縁層3bが膨張や収縮する変動量を低減できる。このため、ランド導体8の下層側のスタックドビア6A近傍に集中する応力を小さくできる。これにより、熱変動が配線基板20に加わっても微細化されたランド導体8に発生するクラックを抑制することができる配線基板20を提供できる。また、ダミーのランド導体10をビア導体7aと一体的に形成することによって、両者が電気的に接続されることになり、その結果、ダミーのランド導体10が配線導体2と半導体素子接続パッド9との間の接続経路に電気的な悪影響を及ぼすことを低減することができる。なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態の一例では、ダミーのランド導体10は最下層のビア導体7aと一体的に形成されているが、図2に示すように、ビア導体7aから独立した状態に形成してもよい。また、例えば上述の実施の形態の一例では、ダミーのランド導体10は、絶縁層3aと3bとの間にのみ形成されていたが、これに加えて、図3に示すように、上層側のスタックドビア6Bに対向するように、絶縁基板1と絶縁層3aとの間に配線導体2の一部により形成してもよく、さらには、下層側のスタックドビア6Aに対向するように、絶縁層3cや3dの上面に配線導体4により形成してもよい。