"反射型回折格子と、発熱体によって昇温する素子を有し、前記反射型回折格子の一部のみが前記発熱体によって昇温する素子と向き合っていることを特徴とする赤外光源。前記反射型回折格子が平面状反射型回折格子で構成され、前記発熱体によって昇温する素子の少なくとも一部が平面であることを特徴とする請求項1に記載の赤外光源。前記反射型回折格子の基板面と、前記発熱体によって昇温する素子の一部である平面が、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の赤外光源。前記反射型回折格子のピッチは、出射される赤外線の主たる波長と一致していることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の赤外光源。前記発熱体によって昇温する素子の、前記反射型回折格子と向かい合う面以外には、自身が発する赤外線を反射する反射膜や反射構造が設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載の赤外光源。これまで報告されている赤外光源例えば特許文献1、非特許文献2では、出射される赤外線の特定波長は格子の周期、開口部寸法、深さ等により決定される。開口部寸法は狭く、深さは深くなるため加工が難しく、また寸法誤差が製作プロセス中に不可避的に生じて累積することでピーク波長が変化するため、各寸法の精度が求められ、設計通りの特性を得るのが困難である。また、格子自体も開口部の寸法が小さく深い溝であり、この上に金などを被覆性良く成膜するための製作上の許容幅が狭く、製造コストがかかる可能性が高い。狙い通りのピーク波長が得られたとしても、これまで研究報告されている特性のQ値は1.7-5.3程度と低い。ピーク幅は約1000~1500nmと広い例えば非特許文献1、非特許文献2。ここで、ガス分子が持つ赤外線の吸収特性と組み合わせるNDIRのような応用を考えると、ガス分子の吸収ピーク幅は、約100~250nmと、より狭いので、ピーク幅から外れた光は、赤外線吸収特性を利用したガス検出においてノイズ光となる。特性として不十分であり、ノイズ光の除去には追加のフィルタ等が必要となる。非特許文献3に光学バンドパスフィルタと黒体放射による光源を組み合わせる方法が記載されている。黒体光源によってブロードな赤外線を一度出射してから、その一部をバンドパスフィルタによって利用する方法では、カットされる波長の光エネルギーは捨てられるためエネルギー効率が低い。また、部品点数が多くなる問題がある。また、波長が数μm以上となる中赤外線の発光ダイオードもあるが、対応する半導体バンドギャップが狭く、熱揺らぎの影響が大きい。現状では入力電力に対して102~103程度の効率しかなく効率が悪い問題がある。また、特許文献2は、波長選択性の赤外線放射を、電子機器の放熱に利用するものである。ガス分子の吸収特性と組み合わせるNDIRのような応用ではなく、上述した特定波長の赤外線を出すためのエネルギー効率やピーク幅の問題点に関して何ら知見を与えるものではない。本発明は、このような問題に鑑み、近接露光を利用したフォトマスクのパターニング、凹凸を形成するエッチング、反射膜の膜厚コントロール、など広い許容幅で製作できる回折格子を利用して、低コスト化に有利であるとともに、特定波長を選択して出射することができるエネルギー利用効率の高い赤外光源を提供する。上記課題を解決するためになされた請求項1に記載の発明は、反射型回折格子と、発熱体によって昇温する素子を有し、前記反射型回折格子の一部のみが前記発熱体によって昇温する素子と向き合っていることを特徴とする赤外光源である。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記反射型回折格子が平面状反射型回折格子で構成され、前記発熱体によって昇温する素子の少なくとも一部が平面であることを特徴とするものである。請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記反射型回折格子の基板面と、前記発熱体によって昇温する素子の一部である平面が、互いに平行に配置されていることを特徴とするものである。請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の発明において、前記反射型回折格子のピッチは、出射される赤外線の主たる波長と一致していることを特徴とするものである。請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載の発明において、前記発熱体によって昇温する素子の、前記反射型回折格子と向かい合う面以外には、自身が発する赤外線を反射する反射膜や反射構造が設けられていることを特徴とするものである。以上説明したように請求項1に記載の発明によれば、反射型回折格子と、発熱体によって昇温する素子を有し、反射型回折格子の一部のみが発熱体によって昇温する素子と向き合っている。そのため、ランダムな波長と出射角で発熱体から放射した赤外線が、回折格子で反射回折しても、そのほとんどは発熱体に再入射し、エネルギーが閉じ込められる。光源からの出射が許される主たる赤外線は、前述した反射型回折格子に入射し、回折によって表面プラズモンと結合したのち、伝播によって発熱体から離れた位置まで横ずれし、逆過程により回折格子から出射するものである。結合が許される赤外光は図2で示したように回折格子にほぼ垂直で入射し、波長が回折格子のピッチとほぼ等しい条件を満たす赤外光のみである。このようにして赤外線のうち特定の波長を選択でき、特定の波長が選択された赤外線を、発熱体と向かい合うことなく露出させた反射型回折格子の一部から外部へ出射することができる。請求項2に記載の発明によれば、反射型回折格子が平面状反射型回折格子で構成され、発熱体によって昇温する素子の少なくとも一部が平面であるので、光源からの出射が許される主たる赤外線は、前述した反射型回折格子に入射し、回折によって表面プラズモンと結合したのち、伝播によって発熱体から離れた位置まで横ずれし、逆過程により回折格子から出射するものである。請求項3に記載の発明よれば、反射型回折格子の基板面と、発熱体によって昇温する素子の一部である平面部が、互いに平行に配置されているので、光源からの出射が許される主たる赤外線は、回折格子に入射し、回折によって表面プラズモンと結合したのち、伝播によって発熱体から離れた位置まで横ずれし、逆過程により回折格子から出射するものである。請求項4に記載の発明によれば、反射型回折格子のピッチは、出射される赤外線の主たる波長と一致している。これは発熱体から放射され、回折格子に入射する赤外光がほぼ垂直入射で、波長が回折格子のピッチにほぼ等しい波長の条件でのみ表面プラズモンと結合するため、出射光の主たる波長はピッチにほぼ等しい波長となる。すなわちピッチが波長にそのまま対応するため、ピッチのみを調整することで選択波長を設定することができる。請求項5に記載の発明によれば、発熱体によって昇温する素子の、反射型回折格子と向かい合う面以外には、自身が発する赤外線を反射する反射膜や反射構造が設けられているので、反射型回折格子や発熱体から漏れ出る赤外線を反射して、内部に赤外線を閉じ込めることができ、不必要な放射が抑えられるため、発熱体を低い電力で昇温できる。次に、本発明の一実施形態を図4ないし図7を参照して説明する。本発明の一実施形態にかかる赤外光源1は、図4や図5に示すように、回折格子部2と、発熱体としてのヒータ部5と、スペーサ10と、を備えている。回折格子部2は、回折格子本体3と、反射膜4と、を備えている。回折格子本体3は、シリコン平面基板から製作され、その一方の平面には、図6や図7に示すように、所定のピッチで回折格子3aが形成されている。この回折格子3aは、シリコン基板にレジストを塗布しマスク露光によって回折格子のパターンを形成してエッチング加工により所定のピッチに溝部を形成し、その凹凸の表面に反射膜4本実施形態では金Auの薄膜を蒸着により成膜している。このようにすることで、回折格子3aが平面状反射型回折格子として形成される。回折格子3aに入射した赤外線11の一部のみが表面プラズモン12を励起したのち、格子表面沿いに伝播する。他の波長は単純に反射や、回折した後に異なる方向に伝搬する。回折格子3a上の各点からヒータ部5を見た立体角が大きいために、ほとんどの赤外線はヒータ部5に再入射する。なお、回折格子3aのピッチ周期は、赤外光源1から出射する赤外線のうち選択したい特定の波長主たる波長と同じ程度の値に設定されている。なお、本実施形態では、回折格子3aの表面には反射膜4として金で成膜したが、金は赤外領域の反射率の良さに加えて比較的高い温度大気中で350°C程度まで安定していることなどから好適である。ただし、金以外でも赤外線を効率よく反射する金属であれば良く、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAlなどを用いてもよい。また、回折格子本体3の材料には特別な制限がある訳ではなく、シリコン以外にガラスやポリイミドなどを用いてもよい。また、回折格子本体3の材料そのものが赤外線を効率よく反射する金属である場合には、反射膜4は省略できる。更に、出射する波長によっては、金属以外の材料も利用できる。実施例のヒータ部5は、シリコン基板6、7と、ニクロム線8と、反射面としての反射膜9と、を備えている。平板状に形成されたシリコン基板6、7は、蛇行するように折り曲げられた発熱体としてのニクロム線8を挟んでいる。そして、ニクロム線8に電流を流すことでシリコン基板6、7が加熱され発熱体によって昇温する素子として機能する。なお、ヒータ部5は、この構成に限らず赤外線を放射する発熱体であれば良いため、セラミックヒータやSiCヒータ、またはシリコン基板に直接通電する方法など発熱体と発熱体によって昇温する素子が一体になったものを用いてもよい。形状については、少なくとも一部が反射型回折格子と向き合えば良い。反射膜9は、シリコン基板7のニクロム線と相対する面とは反対側裏側の面や、回折格子本体3の格子面回折格子3aが形成されている面とは反対側裏側の面に抵抗加熱蒸着などにより金の薄膜で形成されている。この反射膜9も金に限らず、赤外線を効率良く反射する材料であれば良く、銀、銅、アルミニウムなどを用いてもよい。なお、回折格子本体3の回折格子3aとは反対側裏側の面に形成される反射膜9は無くてもよい。また、反射膜9は、膜形状に限らず赤外線を反射するような他の構造反射構造としても良い。スペーサ10は、一対が例えばアルミニウムで細長い板状に形成されている。スペーサ10は、回折格子部2とヒータ部5とに挟まれて、回折格子部2とヒータ部5の間にスペーサ10の厚み分の間隔を空ける。なお、スペーサ10は、ヒータ部5の温度実施例では300°C程度に耐えうる材料であればよく、シリコン、ステンレス、ポリイミドなどでもよい。また、間隔を空けた固定が別の方法で可能であれば、無くても良い。回折格子部2とヒータ部5とは、上述したように、回折格子3aとヒータ部5のシリコン基板6とが向かい合うようにスペーサ10を挟んで固定されている。即ち、回折格子部2の基板面とヒータ部5の向き合う面が互いに平行に配置されている。このとき、回折格子部2の一部のみがヒータ部5と向き合っており、図7の断面図に示したように回折格子3aの一部は外部に露出する。したがって、ヒータ部5から放射された赤外線11は回折格子3aによって表面プラズモン12を励起し、格子表面を伝播した後、回折格子部2の一方の端部の露出部分から赤外線11が外部に出射される。このような構成の赤外光源1は、まず、回折格子本体3に回折格子3aを形成し、次に回折格子3a表面への反射膜4を成膜し、次に、ヒータ部5の裏面および回折格子本体3の裏面への反射膜9を成膜する。次に、回折格子本体3とヒータ部5によりスペーサ10を挟むようにしてワイヤー図示していないで固定して組み立てる。なお、ヒータ部5は反射膜9を成膜しない状態でヒータアセンブリとして予め組み立てられている。発明者らは、上述した構成の赤外光源1について効果を確認した。図8および図9により説明する。図8および図9に示した実施例では、ヒータ部5の大きさを縦20mm、横20mmとし、回折格子のピッチは1.67μm、溝部の深さは0.25μm、回折格子部2とヒータ部5との間隔スペーサ10の厚みを0.5mm、ヒータ部5に対して回折格子部2を一部外部に露出したオフセット量を2mmとした。図8は、赤外光源1の出射スペクトルを示したグラフである。aはTM偏光、bはTE偏光を示している。図8の黒丸が一部外部に露出した回折格子部2からの出射、白丸が回折格子のない部位からの黒体放射のスペクトルである。図8によれば、一部外部に露出した回折格子部2からほぼ垂直方向に出射される赤外線は、回折格子3aのピッチに略等しい波長が選択的に出射されている。本発明は、背景技術に記載した回折格子による入射光と表面プラズモンとの結合および表面プラズモンの伝搬を利用している。ここで表面プラズモンとの結合が許される条件は図2に示した数値計算より垂直入射に近い入射角で、回折格子のピッチ近傍の波長を持つ入射光のみが結合を許される。したがって所望のピーク波長がある場合にはその値とほぼ同じピッチを持つ回折格子を製作すれば良いことになる。例えば、回折格子をフォトリソグラフィによって製作する際に、フォトレジストのパターニングにおいて、露光量が最適値から外れると、線幅が太くなったり細くなったりする。しかし、回折格子となるライン-アンド-スペースのピッチは正確に転写される。そのため、露光量の最適値からの誤差は、ピーク幅等に影響は生じるかもしれないが、ピーク波長は正しく得ることが可能である。図9は、赤外光源のヒータ入力電力に対するヒータ温度との関係を示したグラフである。図9は、菱形が回折格子部2とヒータ部5に反射膜4、9を形成したもの実施例aで、丸形が反射膜4、9は形成しているが、回折格子3aの代わりに平面の反射膜としたもの比較例1b、三角形が反射膜4、9が無く、かつ回折格子3aも形成されていないもの比較例2cである。図9によれば、ヒータ部5を290°Cまで昇温するのに必要な電力は、実施例が3.8W、比較例1が3.1W、比較例2が6.2Wであった。したがって、実施例では、反射膜4、9により不必要な放射が抑えられるため、低いヒータ電力で昇温できることが明らかとなった。なお、比較例2は実施例よりも低いヒータ電力で昇温できるが、回折格子3aが無いため、表面プラズモンを励起することは無く、所望のピーク波長を持つ赤外線を得ることができない。本実施形態によれば、片側の平面に回折格子3aが設けられた回折格子本体3と、ヒータ部5を有し、回折格子3aの一部のみが平面状のヒータ部5と平行に向き合っている。回折格子3a上の各点からヒータ部5を見た立体角が大きいために、ほとんどの赤外線はヒータ部5に再入射する。そのため、ランダムな波長と出射角で放射した赤外線が、回折格子3aで反射回折しても、そのほとんどはヒータ部5に再入射する。光源からの出射が許される主たる赤外線は、回折格子3aに入射し、回折によって特定の波長を持つ赤外光が表面プラズモンを励起した後、ヒータ部5から離れた位置まで表面を伝搬して横ずれし、回折格子3aから出射するものである。このようにして赤外線のうち特定の波長を選択でき、この特定の波長が選択された赤外線をヒータ部5と相対せずに露出させた回折格子本体3の一部から外部へ出射することができる。上述したように、本発明の赤外光源では、回折格子を利用し、特定波長の赤外線と表面プラズモンとの結合、及び表面プラズモンの伝播を利用している。これまで、黒体放射を制御して特定波長を得る光源研究は、発熱体そのものの内部に赤外線を閉じ込める反射膜と、その反射膜に波長以下の構造を製作することに注力されてきた。波長以下の構造によって、特定波長を持つ赤外線だけを透過する波長選択構造が実現できる。ニアフィールド領域を利用した原理である。光源の構成は、発熱体、反射膜、波長選択構造からなる複数の機能が単一部品に機能集積されている。部品数を少なくする方針でもある。この方針で進んだ研究が多いことが過去の文献からも判断できる。本発明では回折格子と発熱体は分離されたものである。発熱体から放射され、回折格子に入射する赤外光で表面プラズモンを励起し、回折格子の表面に沿った方向に伝搬したのち、再び出射することで黒体放射を制御する。お互いを近接させ、さらにその他の面を反射膜で包み込む構成にすることで発熱体からの黒体放射の制御ができることを見出した。また、熱源から、自由空間に出射が許される場所まで、回折格子表面上の距離を取ることで、波長選択性を得ている。本発明の赤外光源発熱体、反射型回折格子、反射膜からなるが内部に持つ光学系では、発熱体を平面反射ミラーと反射型回折格子によって挟み込み、内部に赤外線を閉じ込める。回折格子は発熱体に近接しているため、ランダムな波長と出射角で放射した赤外線が、回折格子で反射回折しても、そのほとんどは、閉じ込めることができる。光源からの出射が許される主たる赤外線は、発熱体から放射された赤外光が回折格子へ入射し、その回折光が表面プラズモンを励起し、発熱体から離れた位置まで伝播して横ずれするものである。すなわち光閉じ込め構造から抜け出て出射する。これが成立する条件として発熱体から放射され、回折格子に入射した赤外光が、表面プラズモンと結合する条件を満たす必要があり、これは赤外光の入射角がほぼ垂直入射であること、主たる波長が回折格子のピッチとほぼ一致することが必要となる。すなわち特定波長の赤外線のみが出射される機能を得ることができる。また、本発明ではFWHM半値幅:出力波長のピークの広がりを示す指針が広いところでもTM偏光で0.13μm,TE偏光で0.23μm程度とピークが鋭く、狙った波長を効率良く出射することができる。なお、上述した実施形態では、回折格子3aの表面に設けられる反射膜4と、ヒータ部5や回折格子本体3に設けられる反射膜9の金属は同じ材料であったが、異なる材料や複数の膜の組み合わせとしても良い。また、本発明は、発熱体から特定の波長の赤外線を放射する赤外光源において、前記発熱体と向かい合う面に回折格子が設けられている回折格子部を備え、前記回折格子の表面には、前記発熱体が発する赤外線を反射する反射膜4が形成され、かつ前記回折格子の一部のみが前記発熱体と、所定の間隔を空けて向かい合い配置することができる。また、前記反射型回折格子は平面状反射型回折格子で構成され、前記発熱体によって昇温する素子の少なくとも一部が平面であることを特徴とする。これにより、平面同士を向かい合わせて配置することが容易となる。また、前記反射型回折格子の基板面と、前記発熱体によって昇温する素子の一部である平面が、互いに平行に配置されていることを特徴とする。これにより、赤外線が2つの平面に垂直に入射出射を繰り返すことが容易となる。また、前記回折格子のピッチは、赤外光源から選択的に出射される赤外線の主たる波長と同じ値に設定されている。これは発熱体から放射され、回折格子に入射する赤外光がほぼ垂直入射で、波長が回折格子のピッチにほぼ等しい波長の条件でのみ表面プラズモンと結合するため、出射光の主たる波長はピッチにほぼ等しい波長となる。すなわちピッチが波長にそのまま対応するため、ピッチのみを調整することで選択波長を設定することができる。また、前記発熱体には、回折格子と向かい合う面以外の面に自身が発する赤外線を反射する反射膜もしくは反射構造が設けられているので、内部に赤外線を閉じ込めることができ、発熱体の裏側等からの不必要な放射が抑えられるため、発熱体を低い電力で昇温できる。また、上述した実施形態は本発明の代表的な形態を示したに過ぎず、本発明は、実施の形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。"