基板上に複数の素子を形成し、前記複数の素子の間を埋め込むように、シリコン化合物膜を形成し、マイクロ波を照射することにより、前記シリコン化合物膜を酸化シリコン膜に改質する、ことを備える半導体装置の製造方法。前記シリコン化合物膜は、ポリシラザン膜又は有機SOG膜からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記マイクロ波は、2.45GHzから25GHzの間の周波数を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。酸素、水蒸気、窒素、又は、不活性ガスのうち少なくとも1つを含む雰囲気で、前記基板の基板温度が200°Cから400°Cの間となるように、前記マイクロ波を照射することを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。シリコン化合物溶液を前記基板に塗布し、前記シリコン化合物溶液に含まれる溶媒を揮発させることによって、前記シリコン化合物膜を形成することを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記素子は、MTJ素子又は抵抗可変素子であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。本発明は、耐熱性に乏しいMTJ素子等の素子の劣化を避けつつ、良好な半導体装置を形成することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。本発明の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に複数の素子を形成し、前記複数の素子の間を埋め込むようにシリコン化合物膜を形成し、マイクロ波を照射することにより、前記シリコン化合物膜を酸化シリコン膜に改質することを備える。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、図面は、実施形態の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置とは異なる個所もあるが、これらは以下の説明と公知の技術とを参酌して適宜、設計変更することができる。第1の実施形態本実施形態の半導体装置の製造方法を図1から図4を用いて説明する。図1から図3は、本実施形態の半導体装置の製造工程における半導体装置の断面図を示すものである。図4は、本実施形態の製造装置を模式的に示す図である。以下、MRAM100の製造方法を例に説明するが、本発明は、このような半導体装置に限定されるものではなく、他の種類の半導体装置においても用いることができ、例えば、耐熱性に乏しい抵抗可変素子を有するReRAMResistancechangeRandomAccessMemoryといったクロスポイントメモリの製造方法においても用いることができる。まず、複数のMTJ素子10が行列状に形成された基板1を準備する。図1aに示されるように、MTJ素子10は、先に説明したように、例えば、下部電極不図示と上部電極不図示との間に設けられた2つの磁性層不図示と、この2つの磁性層に挟まれた1つの非磁性層不図示とによる積層構造を有する。さらに、各MTJ素子10の下部側壁は、下部層間絶縁膜3で覆われている。この下部層間絶縁膜3は、例えばPSZポリシラザンから形成された酸化シリコン膜である。この下部層間絶縁膜3は、MTJ素子10を形成する前に形成するため、高温になるような公知の方法を用いて形成しても良く、また、以下に説明する本実施形態を用いて形成しても良い。次に、図1bに示すように、基板1の全面に、例えばPSZ溶液シリコン化合物溶液4を塗布する。このPSZの主成分は、シリコン、窒素、水素である。PSZ溶液4を塗布することにより、PSZ溶液4を段差被覆性良くMTJ素子10の間に、埋め込むことができる。次に、図2aに示すように、200°Cから300°Cの間の温度でベークして、PSZ溶液4に含まれている溶媒を揮発させ、PSZ膜シリコン化合物膜5をMTJ素子10の上とMTJ素子10の間とに形成する。なお、溶媒が分極を持つ分子構造を有する場合には、次の工程でマイクロ波を照射した際に溶媒が揮発するため、このベークを省略することもできる。この後、図2bに示すように、酸素又は水蒸気を含む雰囲気下でマイクロ波を基板1に照射して、PSZ膜5を酸化シリコン膜6に改質する。詳細には、PSZ膜5に含まれる窒素が、雰囲気中の酸素と入れ替わり、水素が脱離することで、PSZ膜5が酸化シリコン膜6へと改質する。マイクロ波の照射の際の酸素又は水蒸気を含む雰囲気の圧力は、マイクロ波を用いてもラジカルを発生させない程度の圧力であることが好ましく、例えば、大気圧又は大気圧よりも若干低い圧力である。ラジカルを発生させてしまうと、そのラジカルによりPSZ膜5の改質反応が過剰に促進され、酸化シリコン膜6中に、化学量論比よりも多く酸素を取り込んでしまうことがある。この多く取り込んだ酸素によって、酸化シリコン膜6中に電荷が生じ、その結果、酸化シリコン膜6の耐圧やリーク電流といった特性を悪化させることとなる。従って、これを避けることができるよう、ラジカルを発生させない程度の圧力が好ましい。マイクロ波を照射する際の条件は、基板1の温度をできるだけ上げることがないような条件にすることが好ましく、例えば、基板1の基板温度が例えば200~400°Cの範囲となるような条件に設定する。このようにすることにより、基板1を低温に保ち、耐熱性に乏しいMTJ素子10の劣化を避けることができる。なお、この際の基板1の基板温度は、基板1の裏面にあるパイロメータを用いて確認する。ただし、本実施形態においては、マイクロ波は、2.45GHzから25GHzの周波数を有する電磁波であることが好ましく、言い換えると、1.2cmから12.3cmの波長を有する電磁波であることが好ましい。また、本実施形態においては、マイクロ波の照射時間を30秒から30分にすることが好ましい。また、マイクロ波の照射パワーについては、以下のようにすることが好ましい。すなわち、図4に示されるように、マイクロ波を照射する際に用いられる製造装置20は、1つ又は複数の導波管21を有する例えば、図4中では、製造装置20は4つの導波管21を有する。この導波管21は、マグネトロン等のマイクロ波発振装置不図示から出力されたマイクロ波Wn図4中では、W1からW4を基板1が設置される製造装置20の内部に導くためのものである。そして、マイクロ波の照射パワー、詳細には、各導波管21から出力される各マイクロ波WnのパワーPWnを対応する各導波管21の断面積Snで割ったものの総和ΣPWn/Snが、10W/cm2~1kW/cm2となるように調整することが好ましい。例えば、図4で示される4つの導波管21を有する製造装置20を用いて説明すると、各導波管21の断面積をS1からS4とし、各導波管21から出力されるマイクロ波W1からW4のパワーをPW1からPW4とした場合、各導波管21から出力されるマイクロ波のパワーを各導波管21の断面積で割ったものPW1~4/S1~4の総和、すなわち、PW1/S1PW2/S2PW3/S3PW4/S4が、10W/cm2~1kW/cm2となるように、マイクロ波の照射パワーを調整することが好ましい。よって、上記のように定義されたマイクロ波の照射パワーは、製造装置20の有する導波管21が増えるにしたがい、増えることとなる。そして、図3に示すように、CMPChemicalMechanicalPolishing法を用いて、MTJ素子10の上面が露出するまで、酸化シリコン膜6を研磨する。このようにして、MTJ素子10の間に上部層間絶縁膜として酸化シリコン膜6を設け、MRAM100を形成する。本実施形態により形成された酸化シリコン膜6の特性、詳細には、リーク電流密度及び破壊電界強度の測定を行った。まず、シリコン基板上にPSZ膜を形成し、本実施形態と同様の方法を用いて、言い換えると、PSZ膜にマイクロ波を照射して酸化シリコン膜に改質し、さらに、その上に電極を形成した。このようにして得たキャパシタ構造に対して、水銀プローブ法により電圧を印加して電流を測定することによって、リーク電流密度及び破壊電界強度を測定した。さらに、比較例として、シリコン基板上にPSZ膜を形成し、マイクロ波を照射するかわりに、600~650°Cの酸素又は水蒸気を含む雰囲気でPSZ膜を加熱して酸化シリコン膜に改質し、その上に電極を形成した。この比較例のキャパシタ構造に対しても、上記と同様に、リーク電流密度及び破壊電界強度の測定をした。図5に結果を示す。図5の横軸は、印加電圧を各キャパシタ構造の酸化シリコン膜の厚さで割った値、すなわち電界強度単位:V/cmを示し、図5の縦軸は、リーク電流を各キャパシタの電極の面積で割った値、すなわちリーク電流密度単位:Acm2を示す。この図からわかるように、リーク電流密度、破壊電界強度ともに、本実施形態によるキャパシタ構造は、比較例のキャパシタ構造のものとほぼ同じ結果を示した。すなわち、本実施形態による、言い換えると、マイクロ波を照射することによりPSZ膜を改質して得た酸化シリコン膜は、600~650°Cの酸素又は水蒸気を含む雰囲気でPSZ膜を加熱することによって得た酸化シリコン膜と同等の、リーク電流特性及び耐圧特性を有する。また、本実施形態により形成された酸化シリコン膜6の希フッ酸溶液に対するエッチングレートを測定した。まず、シリコン基板上にPSZ膜を形成し、本実施形態と同様の方法を用いて、言い換えると、PSZ膜にマイクロ波を照射して、酸化シリコン膜を形成した。この酸化シリコン膜の膜厚をエリプソメーターであらかじめ測定した。さらに、酸化シリコン膜を所定の時間、所定の温度、所定の濃度の希フッ酸溶液に浸漬し、再度、酸化シリコン膜の膜厚をエリプソメーターで測定した。この測定結果を用いて、エッチングレートを算出した。さらに、比較例として、シリコン基板上にPSZ膜を形成し、マイクロ波を照射するかわりに、600~650°Cの酸素又は水蒸気を含む雰囲気でPSZ膜を加熱して、酸化シリコン膜を形成した。この比較例についても、上記と同様に、エッチングレートを算出した。このように算出されたエッチングレートについても、本実施形態による酸化シリコン膜は、比較例の酸化シリコン膜とほぼ同じ結果を示した。すなわち、本実施形態による、言い換えると、マイクロ波を照射することによりPSZ膜を改質して得た酸化シリコン膜は、600~650°Cの酸素又は水蒸気を含む雰囲気でPSZ膜を加熱することによって得た酸化シリコン膜と同等の、エッチングレートを有する。すなわち、本実施形態によれば、マイクロ波が5cm程度の長い波長を有することから、照射したマイクロ波がMTJ素子10の間にあるPSZ膜5の奥まで届き、効果的にPSZ膜5を酸化シリコン膜6へと改質することができる。さらに、従来のように、マイクロ波より波長の短い電磁波加熱、すなわち、紫外線、可視光、赤外線等を用いて加熱することによりPSZ膜5を改質するのではなく、マイクロ波の作用によりPSZ膜5を改質するため、基板温度が高くなることを避けることができる。従って、酸化シリコン膜6の形成の際に、耐熱性に乏しいMTJ素子10が劣化することを避けつつ、破壊耐圧が高く、リーク電流も抑えられるような酸化シリコン膜6を得ることができ、よって、良好なMRAM100の形成することができる。例えば、紫外線を照射してPSZ膜5の改質を行った場合、紫外線の波長は100nm程度と短いため、照射した紫外線がMTJ素子10の間にあるPSZ膜5の奥まで届きにくい。従って、効果的にPSZ膜5を酸化シリコン膜6へと改質することが難しい。また、紫外線はそのエネルギーが高いため、紫外線照射によるPSZ膜5の改質反応が過剰に促進され、生成される酸化シリコン膜6中に、化学量論比よりも多く酸素を取り込んでしまうことがある。このような多く取り込んだ酸素によって、酸化シリコン膜6中に電荷が生じ、その結果、耐圧やリーク電流といった酸化シリコン膜6の特性を悪化させることとなる。一方、本実施形態においては、マイクロ波を照射して、PSZ膜5中の分極した分子を回転させて、穏やかにPSZ膜5の改質反応を行う。従って、酸化シリコン膜6中に化学量論比よりも多く酸素を取り込み、電荷が生じることを避けることができ、よって、耐圧やリーク電流といった酸化シリコン膜6の特性を悪化させることを避けることができる。さらに、本実施形態においては、マイクロ波を用いることにより、紫外線を用いた場合と比べて、半導体装置100を製造する際の消費電力が少ない。また、マイクロ波は石英を透過するため、製造装置に組み込むことが容易である。第2の実施形態上部層間絶縁膜としての酸化シリコン膜6を形成するために、第1の実施形態においては、シリコン化合物材料としてPSZ膜5を用いていたが、本実施形態では、有機SOGSpinonGlassを用いる。この有機SOGの主成分は、シリコン、酸素、炭素、水素である。有機SOGを用いることにより、MTJ素子10の間に酸化シリコン膜6を形成する際に基板1に生じる応力が、PSZ膜5に比べて小さいため、基板1に欠陥が生ずることをより避けることができる。さらに有機SOGを用いることにより、有機SOGにより形成した酸化シリコン膜6中には、PSZ膜を用いて形成した場合と比べて残留する窒素が少ないため、酸化シリコン膜6中に窒素による固定電荷が発生することを抑制することができる。第2の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図は、第1の実施形態の説明で用いられた図と同様に示されるため、第2の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を、図1から図3を用いて説明する。ここでは、第1の実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。なお、以下、MRAM100の製造方法を例に説明するが、第1の実施形態と同様に、本発明は、このような半導体装置に限定されるものではなく、他の種類の半導体装置においても用いることができ、例えば、耐熱性に乏しい抵抗可変素子を有するReRAMといったクロスポイントメモリの製造方法において用いることができる。まず、第1の実施形態と同様に、図1aに示されるように、複数のMTJ素子10が行列状に形成された基板1を準備する。次に、図1bに示すように、基板1の全面に、有機SOG溶液シリコン化合物材料4を塗布する。有機SOG溶液4を塗布することにより、有機SOG溶液4を段差被覆性良くMTJ素子10の間に、埋め込むことができる。次に、図2aに示すように、200°Cから300°Cの温度でベークして、有機SOG溶液4に含まれている溶媒を揮発させ、有機SOG膜シリコン化合物膜5をMTJ素子の上とその間とに形成する。なお、溶媒が分極を持つ分子構造を有する場合には、第1の実施形態と同様に、次の工程でマイクロ波を照射した際に溶媒が揮発するため、このベークを省略することもできる。この後、図2bに示すように、窒素又はアルゴン等の不活性ガスを含む雰囲気下で、好ましくは酸素を含まない雰囲気下で、マイクロ波を基板1に照射して、有機SOG膜5を酸化シリコン膜6に改質する。詳細には、有機SOG膜5に含まれる有機官能基が脱離することにより、有機SOG膜5が酸化シリコン膜6へと改質する。マイクロ波を照射する際の条件は、第1の実施形態と同様に、基板1の温度をできるだけ上げることがないような条件にすることが好ましく、例えば、基板1の基板温度が例えば200~400°Cの範囲となるような条件に設定する。このようにすることにより、基板1を低温に保ち、耐熱性に乏しいMTJ素子10の劣化を避けることができる。なお、詳細なマイクロ波の照射条件圧力、周波数、照射時間、照射パワーについては、第1の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。そして、図3に示すように、CMP法を用いて、MTJ素子10の上面が露出するまで、酸化シリコン膜6を研磨する。このようにして、MTJ素子10の間に上部層間絶縁膜として酸化シリコン膜6を設け、MRAM100を形成する。すなわち、本実施形態によれば、マイクロ波を照射することにより、マイクロ波がMTJ素子10の間にある有機SOG膜5の奥まで届くことから、効果的に有機SOG膜5を酸化シリコン膜6へと改質することができる。さらに、従来のように、加熱することにより有機SOG膜5を改質するのではなく、マイクロ波の作用により有機SOG膜5を改質するため、基板温度が高くなることを避けることができる。従って、酸化シリコン膜6の形成の際に、耐熱性に乏しいMTJ素子10が劣化することを避けつつ、破壊耐圧が高く、リーク電流も抑えられるような酸化シリコン膜6を得ることができ、よって、良好なMRAM100の形成することができる。また、本実施形態によれば、有機SOGを用いることにより、MTJ素子10の間に酸化シリコン膜6を形成する際に基板1に生じる応力を小さくして、基板1に欠陥が生ずることを避けることができる。さらに、酸化シリコン膜6中に残留する窒素を少なくして、酸化シリコン膜6中に固定電荷が発生することを抑制することができる。そして、本実施形態においても、マイクロ波を用いることにより、紫外線を用いた場合と比べて半導体装置100を製造する際の消費電力が少ない。また、マイクロ波は石英を透過するため、製造装置に組み込むことが容易である。なお、上記の第1及び第2の実施形態においては、基板1は、必ずしもシリコン基板でなくてもよく、他の基板例えば、SOISilicononinsulator基板やSiGe基板などでも良い。また、このような種々の基板上に半導体構造等が形成されたものでも良い。本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。