"実装用の基板の電子部品実装領域に絶縁性接合材を被着させておいたものを用意する工程と、ツールの表面にテープ材を吸着保持し、前記ツールを介して前記テープ材を加熱する工程と、加熱された前記テープ材を前記ツールにより耐熱性プレートに加圧する工程と、前記耐熱性プレートから離脱させた後、バンプ状の電極端子を備えた電子部品を、前記ツールとの間に加熱された前記テープ材を介在させて吸着保持する工程と、前記電子部品を前記基板の電子部品実装領域の上方に位置合わせ後、前記ツールを用いた加熱及び加圧により、前記電子部品の電極端子が前記絶縁性接合材を通して前記基板の電極端子に接続されるよう実装を行う工程と、を含むことを特徴とする電子部品の実装方法。前記テープ材を加熱する工程と、加熱された前記テープ材を前記耐熱性プレートに加圧する工程との間に、前記テープ材に、前記電子部品を吸着するための開口部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子部品の実装方法。前記テープ材として、ポリテトラフルオロエチレンのシートを使用したことを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品の実装方法。前記テープ材を加熱する時及び前記ツールを用いた加熱及び加圧を行う時の前記ツールの第1の表面設定温度は、250~300°Cの範囲内にあり、加熱された前記テープ材を前記耐熱性プレートに加圧する時の前記ツールの第2の表面設定温度は、前記第1の表面温度よりも低いことを特徴とする請求項3に記載の電子部品の実装方法。後述する予備的事項において説明するように、実装の際の加熱圧着時にNCF等のツール表面への接着防止を目的としてチップとツール間に介在させているテープ材PTFEのシートの一部が、チップの実装後にチップの裏面電極端子が形成されている面と反対側の面に転写されることがある。チップの裏面にテープ材の一部が転写されたままの状態になっていると、その後、そのチップ上に別のICチップを搭載する場合などに様々な問題が生じる。以上に鑑み、テープ材の電子部品裏面への転写を実質的に無くし、そのテープ材の転写に起因して起こり得る不都合を解消することができる電子部品の実装方法を提供することを目的とする。以下の開示の一観点によれば、実装用の基板の電子部品実装領域に絶縁性接合材を被着させておいたものを用意する工程と、ツールの表面にテープ材を吸着保持し、前記ツールを介して前記テープ材を加熱する工程と、加熱された前記テープ材を前記ツールにより耐熱性プレートに加圧する工程と、前記耐熱性プレートから離脱させた後、バンプ状の電極端子を備えた電子部品を、前記ツールとの間に加熱された前記テープ材を介在させて吸着保持する工程と、前記電子部品を前記基板の電子部品実装領域の上方に位置合わせ後、前記ツールを用いた加熱及び加圧により、前記電子部品の電極端子が前記絶縁性接合材を通して前記基板の電極端子に接続されるよう実装を行う工程と、を含むことを特徴とする電子部品の実装方法が提供される。上記の一観点に係る電子部品の実装方法によれば、予めテープ材例えば、PTFEを加熱しておき、さらにこのテープ材を耐熱性プレートに対し加圧した後、ツールとの間に加熱されたテープ材を介在させて吸着保持した電子部品を、加熱圧着により、電子部品の電極端子が絶縁性接合材を通して基板の電極端子に接続されるよう実装を行っている。このように2度にわたって加熱、加圧処理されたテープ材を介在させて電子部品の実装を行っているので、実装後に、テープ材例えば、PTFEの電子部品裏面への転写量を低減することができる。これにより、後述するように、テープ材の転写に起因して発生していた現状の問題点を解消することが可能となる。先ず、実施形態について説明する前に、その実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。上述したように、現状技術の実装方法では、基板のIC実装部チップ実装領域に予めNCFやNCP等の絶縁性接合材を被着させておいたものを用意する。そして、ツールとの間にテープ材PTFEのシートを介在させて吸着保持したICチップを、基板のチップ実装領域に位置合わせし、ツールを用いた加熱圧着によりチップの電極端子を基板上の対応する電極端子に接続している。かかる実装方法を用いて半導体チップ電子部品を基板に実装すると、実装後のチップの裏面電極端子が形成されている面と反対側の面には、加熱及び加圧時にチップの裏面に接触していたテープ材PTFEの一部が転写される。図4bはその場合のチップの裏面の状態の一例を模式的に示したものである。図4bにおいて、点線で囲まれた円形状の部分40b図示の例では4箇所は、チップ20裏面20S側を真空吸着するためにテープ材PTFE40に形成された吸着用の開口部40a図2aが位置していた部分である。この吸着用の開口部40aが位置していた部分40bの周囲に、テープ材の一部40Rが転写されている。この転写されている部分40RPTFEは、実際には白っぽく見える。このようにチップ20の裏面20Sにテープ材PTFEの一部40Rが転写されたままの状態になっていると、例えば、以下の問題がある。このIC第1のチップの裏面上に別のIC第2のチップを背中合わせにして搭載する場合この場合、第2のチップは基板上の電極端子にワイヤボンディングされる、接着剤としてダイボンドフィルム等が用いられる。しかし、第1のチップの裏面に転写されたPTFEのテープ材は離型作用があることから、この接着剤に対して接着阻害、接着力の低下をひき起こす。このため、第2のチップを搭載する前に、第1のチップの裏面に対しアルゴンガス又はは酸素ガスを用いたプラズマクリーニングを行い、第1のチップの裏面に転写されたテープ材PTFEの除去を行い、接着阻害等を回避するようにしている。しかし、テープ材PTFEの転写量によってはプラズマクリーニングでも完全に除去しきれない。クリーニングの条件をより強くすればテープ材PTFEを完全に除去することは可能であろうが、その場合に別の問題が生じる。例えば、基板表面に保護膜として形成されているレジスト層ソルダレジストの表面を荒らしすぎ、その後のモールド樹脂等の封止材との接着強度の劣化などをひき起こす。次に、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。図1及び図2は、一実施形態に係る半導体素子チップの実装方法を工程順に従って断面図の形態で示したものである。先ず、本実施形態の実装方法を実施するのに用いる実装装置の構成について説明する。図1a,b,c及び図2a,b,cの各工程図では、この実装装置を構成する部材の一部分を示している。本実施形態で使用する実装装置は、圧着装置30を備える図1a参照。この圧着装置30は、その圧着ヘッド34がステージ図示せずの上方の位置で対向するように設けられ、フレーム図示せずに設置されたヘッド駆動部32によって圧着ヘッド34が上下方向に移動し、かつ下方に加圧されるように構成されている。圧着ヘッド34の下端部には圧着ツール36が装着されている。また、圧着ヘッド34には、この圧着ツール36を加熱するヒータ図示せずが内蔵されている。圧着ツール36には、図1aにおいて点線で示すように吸着孔37が設けられており、吸引路38を介してポンプ図示せずにより真空吸引されるようになっている。圧着ツール36は、圧着ヘッド34とともにセラミック材からなり、一体的に成形されている。次に、本実施形態に係る半導体素子チップの実装方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。併せて、ツール表面設定温度のプロファイルを示す図3も参照しながら説明する。先ず、実装用の基板を用意しておく。基板の形態については特に限定されないが、少なくとも、基板上のチップ実装領域にフリップチップ接続用の電極端子が形成されていて、このチップ実装領域に絶縁性接合材が被着されていればよい。例えば、一般的なビルドアップ法を用いて作製することができる多層構造のプリント配線板を用意する図2a参照。このプリント配線板基板10のチップ実装領域MRで示す範囲の部分にフリップチップ接続用の電極端子パッド12が形成されている。このパッド12は、基板10の最外層の配線層例えば、銅Cuの配線層の所要の箇所に画定されている。このパッドCu12には、適量のはんだ13が被着されている。このはんだ13は、実装される半導体素子チップ20の電極端子21例えば、金Auバンプとの接着性を高めるためのものである。このはんだ13に代えて、パッドCu12上にニッケルNiめっき及びAuめっきをこの順に施しためっき層Ni/Auを形成してもよい。基板10のチップ実装面側には、はんだ13の部分を露出させて、保護膜としてのソルダレジスト層14が形成されている。さらに、このソルダレジスト層14上でチップ実装領域MRに、絶縁性接合材としての、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂などからなるNCF非導電性フィルム15が被着されている。このNCFの代わりに、NCP非導電性ペーストを被着させてもよい。このようにして実装用の基板10そのチップ実装領域MRにNCF15が被着されたものを用意した後、最初の工程では図1a参照、圧着ツール36の下端面に沿ってテープ材40を送る。テープ材40は、図中左側の矢印で示す方向に供給リール図示せずから送り出され、図中右側の矢印で示す方向に回収リール図示せずによって巻き取られることにより、圧着ツール36の下端面に沿って送られる。所定の位置でテープ材40の送りを停止し、このテープ材40を圧着ツール36の下端面に吸着保持する。これは、圧着ツール36に設けた吸着孔37から吸引路38を介してテープ材40を真空吸引することによって行われる。さらに、テープ材40を吸着保持した状態で、圧着ヘッド34に内蔵されたヒータにより圧着ツール36を所定の温度に加熱し、この圧着ツール36を介してテープ材40を加熱する。このときの圧着ツール36の表面の温度は、250~300°C程度に設定されている図3参照。本実施形態では、テープ材40としてPTFEのシートを使用している。しかし、必ずしもPTFEに限定されないことはもちろんである。要は、半導体素子チップの実装時に基板との間に介在される絶縁性接合材エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂などとの接合性の低い材料であれば十分である。例えば、このような材料を薄いシート状に加工したものや、当該材料を他の樹脂テープの表面にコーティングしたものなどを使用してもよい。次の工程では図1b参照、圧着ツール36の下端面に吸着保持されたテープ材40に、チップ20図2aを真空吸着するための開口部40aを形成する。この開口部40aは、圧着ツール36に設けられた吸着孔37の位置に合わせて形成される。図1bに示すように、ステージ図示せず上に配設された支持プレート45の上面に設けられた金属突起46の位置を吸着孔37の位置に合わせ、ヘッド駆動部32により圧着ヘッド34を介して圧着ツール36を下降させ、金属突起46に押し当てることにより、所望の開口部40aを形成することができる。開口部40aを形成後、ヘッド駆動部32により圧着ヘッド34を介して圧着ツール36を上昇させ、加熱されたテープ材40を保持した圧着ツール36を金属突起46から離脱させる。次の工程では図1c参照、加熱されたテープ材40を保持した圧着ツール36の下方に、ステージ図示せず上に配設された平坦な金属プレート耐熱性プレート50を位置合わせした後、ヘッド駆動部32により圧着ヘッド34を介して圧着ツール36を下降させ、加熱されたテープ材40を金属プレート50に対し加圧する。この加圧の際の荷重は、80~130gf/mmSQ平方mmである。また、このときの圧着ツール36の表面の温度は、テープ材40を介して金属プレート50に接触するため、それまで加熱されていた温度250~300°C程度よりも低くなる。ただし、図3に示す100~130°Cよりは高い温度である。本工程で行う加圧処理を、便宜上、プリボンディングと呼ぶことにする。プリボンディング後、ヘッド駆動部32により圧着ヘッド34を介して圧着ツール36を上昇させ、加熱されたテープ材40を保持した圧着ツール36を金属プレート50から離脱させる。次の工程では図2a参照、先ず、加熱されたテープ材40を介在させて圧着ツール36により半導体素子チップ20の裏面20S電極端子21が形成されている面と反対側の面を吸着保持する。これは、圧着ツール36の吸着孔37の位置に合わせたテープ材40の開口部40aから吸引路38を介して真空吸引することによって行われる。次に、加熱されたテープ材40を介在させてチップ20を吸着保持した圧着ツール36の下方に、あらかじめ用意しておいた実装用の基板10そのチップ実装領域MRにNCF15が被着されたものを位置合わせする。次の工程では図2b参照、先ず、ヘッド駆動部32により圧着ヘッド34を介して、加熱されたテープ材40を介在させてチップ20を吸着保持した圧着ツール36を下降させる。次いで、圧着ツール36によりチップ20を所定の荷重で基板10に対して押圧するとともに、圧着ヘッド34に内蔵されたヒータによりチップ20を所定の温度に加熱する。このときの荷重は、上記の場合プリボンディング時と同様に80~130gf/mmSQ平方mmである。また、このときの圧着ツール36の表面の温度は、250~300°C程度に設定されている図3参照。これにより、図2bに示すように、チップ20の電極端子21Auバンプは、溶融した絶縁性接合材NCF15を通して基板10上の対応する電極端子Cuのパッド12、はんだ13に接続される。このとき、溶融した接合材NCF15は、チップ20と基板10の隙間からはみ出し、その一部はチップ20の側面に沿って這い上がることがある。この場合、圧着ツール36の下端面とチップ20との間にはテープ材40が介在しているため、這い上がった一部の接合材NCF15はテープ材40によって阻止され、圧着ツール36に付着することがない。このようにして所定の加熱圧着時間が経過した後、図2cに示すように、ヘッド駆動部32により圧着ヘッド34を介して圧着ツール36を上昇させ、加熱されたテープ材40を保持した圧着ツール36を基板10上のチップ20から離脱させる。このとき、テープ材40の下面には、チップ20の側面に沿って這い上がって付着した一部の接合材NCF15が硬化して付着している。この後、テープ材40を回収リール側図1aにおいて右側の矢印で示す方向に送って巻き取ることにより、圧着ツール36の下端面には、新たなテープ材40未使用の部分が送られる。テープ材40は、付着した一部の接合材NCF15を除去することにより、繰り返し使用することができる。以上説明したように、本実施形態に係る半導体素子チップの実装方法によれば、予めテープ材PTFE40を加熱しておき図1a、さらにこのテープ材40を金属プレート50に対し加圧している図1c。その後、圧着ツール36との間に加熱されたテープ材40を介在させて吸着保持したチップ20を、加熱圧着により図2b、チップ20の電極端子21AuバンプがNCF15を通して基板10の対応する電極端子Cuのパッド12、はんだ13に接続されるよう実装を行っている。このように2度にわたって加熱、加圧処理されたテープ材PTFE40を介在させてチップ20の実装を行っているので、実装後に図2c、テープ材PTFE40のチップ裏面20Sへの転写量を低減し、もしくは実質的に無くすことができる。図4aはその場合のチップ20の裏面20Sの状態の一例を模式的に示したものである。点線で囲まれた円形状の部分40b図示の例では4箇所は、チップ20裏面20S側を真空吸着するためにテープ材PTFE40に形成された吸着用の開口部40a図2aが位置していた部分である。本実施形態では、図4bの比較例の場合とは違い、この吸着用の開口部40aが位置していた部分40bの周囲にテープ材PTFEは転写されていない。このように実装後のチップ20の裏面20Sにテープ材PTFE40が転写されていないことにより、現状技術において発生していた問題点を解消することができる。例えば、このチップ20の裏面20S上に別のチップを搭載する際に、そのチップ搭載前に行うプラズマクリーニングの条件を緩和することができる。つまり、基板表面などへダメージを与えることのない処理にとどめることが可能となる。また、搭載するチップ間の接着強度も低下することなく、半導体パッケージの製造が可能となる。"