凹部を有するパッケージと、前記凹部内に載置された発光素子と、前記凹部内において部分的に露出した第1導電部材及び第2導電部材と、前記第1導電部材の上面を被覆する保護膜と、前記凹部内に充填された充填部材と、を備える発光素子であって、前記第1導電部材は、第1基材を有すると共に、上側から見て前記第1基材上に第1反射膜が設けられた第1領域と前記第1基材上に前記第1反射膜が設けられていない第2領域とを有し、前記発光素子は、前記第1反射膜と第1ワイヤで接続されていることを特徴とする発光装置。前記第1導電部材を上側から見たときに、前記第2領域は、前記第1ワイヤの接続部と、前記第1ワイヤの接続部に最も近い前記第1導電部材の周縁上の1点と、を結ぶ直線上に少なくとも設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記第1導電部材を上側から見たときに、前記第2領域は、前記第1導電部材の周縁に沿って設けられることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。前記発光素子は、前記第2導電部材上に載置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光装置。前記発光装置は、前記第2導電部材の上面を被覆する保護膜を備え、前記第2導電部材は、第2基材を有すると共に、上側から見て前記第2基材上に第2反射膜が設けられた第3領域と前記第2基材上に前記第2反射膜が設けられていない第4領域とを有し、前記発光素子は、前記第2反射膜と第2ワイヤで接続されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。前記第2導電部材を上側から見たときに、前記第4領域は、前記第2ワイヤの接続部と、前記第2ワイヤの接続部に最も近い前記第2導電部材の周縁上の1点と、を結ぶ直線上に少なくとも設けられていることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。前記第2導電部材を上側から見たときに、前記第4領域は、前記第2導電部材の周縁に沿って設けられることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。前記第1反射膜は、銀を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の発光装置。前記第2反射膜は、銀を含むことを特徴とする請求項4から8のいずれかに記載の発光装置。前記保護膜は、原子層堆積法により形成されたことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の発光装置。しかしながら、従来の方法では、反射膜により一旦出力を向上させることができるものの、使用時等において、光出力が低下するという問題があった。つまり、反射膜が劣化して暗色に変色することで、暗色部において発光素子からの光の一部が吸収され光出力が低下する場合があった。本発明は、反射膜の劣化を抑制することで高い光出力を維持することを目的とする。一形態に係る発光装置は、凹部を有するパッケージと、凹部内に載置された発光素子と、凹部内において部分的に露出した第1導電部材及び第2導電部材と、第1導電部材の上面を被覆する保護膜と、凹部内に充填された充填部材と、を備える。第1導電部材は、第1基材を有すると共に、上側から見て第1基材上に第1反射膜が設けられた第1領域と第1基材上に第1反射膜が設けられていない第2領域とを有する。さらに、発光素子は、第1反射膜と第1ワイヤで接続されている。本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。<第1実施形態>図1に、本実施形態に係る発光装置100の概略断面図を示す図2のX-Xにおける断面図である。また、図2は発光装置100を上側から見た図である。各図に示すように、発光装置100は、凹部を有するパッケージ3と、凹部内に載置された発光素子1と、凹部の底面において部分的に露出した第1導電部材2-1及び第2導電部材2-2と、第1導電部材2-1の上面を被覆する保護膜5と、凹部内に充填された充填部材6と、を備える。第1導電部材2-1は、第1基材2-1bを有すると共に、上側から見て第1基材上に第1反射膜2-1aが設けられた第1領域Aと第1基材上に第1反射膜が設けられていない第2領域Bとを有する。さらに、発光素子1は、第1反射膜2-1aと第1ワイヤ4-1で接続されている。第1反射膜2-1aは硫化等により劣化して暗色に変色する傾向にあるが、反射膜の無い第2領域Bを形成することで第1反射膜2-1aの劣化の進行を抑制できる。これにより、光出力の低下を抑制することができる。また、第1反射膜2-1aの劣化が第1ワイヤ4-1まで進行すると、最悪の場合、第1ワイヤ4-1が断線し不灯になる場合もあるが、係る問題の発生も抑制することができる。以下、詳細に説明する。まず、発光装置100では、保護膜5により第1導電部材2-1が被覆されているので、理論的には、劣化を誘発する元素に反射膜2-1aが晒される恐れはない。しかし実際には、発光素子1の発光等により発光装置100全体に熱がかかり、主として第1導電部材2-1の周縁上側から見たときのパッケージ3と第1導電部材2-1との境目において、保護膜5に亀裂が入ることがある。通常、パッケージ3と第1導電部材2-1とは異なる材料で構成されており、両者は異なる熱膨張係数を有するからである。このため、第1導電部材2-1の周縁及びその近傍では第1反射膜2-1aが劣化しやすい。さらに、時間の経過に伴い、第1反射膜2-1aの劣化が第1導電部材2-1の外側から内側へ進行する場合がある。そこで、発光装置100では、第1導電部材2-1上に第1反射膜2-1aの無い第2領域Bを設けてある。これにより、亀裂近傍から生じる第1反射膜2-1aの劣化が第1ワイヤ4-1の接続部位まで進行するのを、反射膜の無い第2領域Bで阻止することができる。以下に、発光装置100の主な構成要素を説明する。本明細書では、説明の便宜上、発光装置100の表面側図1の上方を上側とし、それと反対の側図1の下方を下側とする。発光素子1発光素子1としては、例えば窒化物半導体からなる青色発光が可能なLED発光ダイオードを用いることができる。LEDの場合、p電極正電極及びn電極負電極の両方が半導体部の一方の側に設けられたタイプと、半導体部を介するように半導体部の一方の側にp電極が設けられ他方の側にn電極が設けられたタイプがある。図1~図4は前者の場合を図示したものであり、発光素子1は、第1ワイヤを介して第1導電部材2-1に接続され、第2ワイヤを介して第2導電部材2-2に接続される。一方、後者のタイプの場合、発光素子1は、第1ワイヤを介して第1導電部材2-1に接続され、ハンダ等の導電接着部材を介して第2導電部材2-2に接続されることになる。導電部材2発光装置100は、第1導電部材2-1と第2導電部材2-2とを少なくとも有する。以下では、第1導電部材2-1と第2導電部材2-2とを合わせて単に導電部材2という。第1導電部材2-1及び第2導電部材2-2に使用する材料、構成、大きさ等は同様に構成することもできるし異にすることもできる。発光装置100では、パッケージ3の凹部の底面に、第1導電部材2-1と第2導電部材2-2とが互いに対向するように設けられている図1及び図2参照。第1導電部材2-1は、第1基材2-1bを有すると共に、上側から見て第1基材上に第1反射膜2-1aが設けられた第1領域Aと第1基材上に第1反射膜が設けられていない第2領域Bとを有する。第1基材2-1bとしては、例えば銅、銅合金、鉄又は鉄合金を板状に加工したものを用いることができる。詳細に図示していないが、第1基材2-1bは、単一の層から構成されていても良いし、例えば板状の金属の上に反射膜と異なる1以上の導電膜が積層された複数の層から構成されていても良い。第1反射膜2-1aとしては、発光素子1からの光より詳細には、発光素子1の発光スペクトルのうちピークの波長に対して第1基材2-1bよりも反射率の高い部材を用いることができる。第1反射膜2-1aの材料としては例えば、銀、アルミニウムを用いることができ、特に銀を含む材料とすることが好ましい。銀を含む材料は、反射率は高いものの劣化しやすい材料である。しかし、第2領域Bにより第1反射膜2-1aの劣化を抑制できるので、銀の高い反射率を最大限に活かすことができる。第2領域Bは、第1導電部材2-1を上側から見たときに、第1ワイヤ4-1の接続部と、第1ワイヤの接続部に最も近い第1導電部材の周縁上の1点と、を結ぶ直線上に少なくとも設けることができる。つまり、第1ワイヤの接続部と第1導電部材の周縁上の1点を最短距離で結ぶ直線上に第1反射膜2-1aの無い第2領域Bを形成することができる。これにより、第1反射膜2-1aの劣化が第1ワイヤの接続部位まで短時間で進行するのを抑制することができるので、より信頼性の高い発光装置とすることができる。発光装置100では、図2において第1ワイヤ4-1の接続部と左側真横に位置する第1導電部材の周縁上の1点とが最短距離にあるので、両者を結ぶ直線を横切るようして第2領域Bが直線状に設けられている。図1及び図2に示すように、第2導電部材2-2より正確には第2反射膜2-2a上には、発光素子1を載置することができる。第1導電部材2-1ではなく第2導電部材2-2に発光素子1を載置するようにすれば、第1導電部材2-1には第1ワイヤを接続するだけでよい。したがって、発光装置100を上側から見たときに、第1導電部材の面積は第2導電部材よりも小さくなるのが一般的である。そうすると、第1導電部材2-1の周縁から第1ワイヤの接続部までの距離が短くなるのでどうしても第1反射膜2-1aの劣化の影響を受けやすい。しかし、第1導電部材2-1に第2領域Bを設けていれば、第1反射膜2-1aの劣化が第1ワイヤの接続まで進行することを抑制できるので、より信頼性を向上させることができる。第2領域Bは、例えば、反射膜成型後の金型等での切り込み、反射膜形成前のマスキングによる部分メッキ、又は反射膜形成後のマスキングによるエッチング処理により形成することができる。なお、図1では、金型での切り込みにより第2領域Bを形成しているため、反射膜だけでなく基材の一部も除去された構成となっているが、他の製法により基材の一部を除去しないようにすることもできる図3も同様。パッケージ3図1および図4に示す発光装置100におけるパッケージ3は、基部3a及び側壁3bよりなる。パッケージ3では、基部3aから側壁3bが突出することにより凹部が形成されており、凹部内には導電部材2が部分的に露出されている。通常、パッケージ3は、導電部材2と一体に形成される。パッケージ3の材料としては、耐光性、耐熱性に優れた電気絶縁性のものが用いられ、例えばポリフタルアミドなどの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ガラスエポキシ、セラミックスを用いることができる。保護膜5保護膜5は、反射膜2-1aの劣化を抑制するためのものであり、通常は、凹部の底面に露出した第1導電部材2-1、第2導電部材2-2及びその間に介在するパッケージ3の一部を連続的に被覆する。保護膜5は、例えば原子層堆積法以下、単にALDAtomicLayerDepositionともいうにより形成することができる。ALDにより、スパッタ又は蒸着等と比較して、良質な保護力に優れる保護膜5を形成することができる。ただし、ALDにより形成した保護膜5は、他の方法で形成した場合よりも膜質が良いため、導電部材2の内側では反射膜の劣化が生じにくいものの、導電部材2とパッケージ3との境目及びその近傍から反射膜の劣化が目立ちやすい。導電部材2とパッケージ3との熱膨張係数の差により、導電部材2の周縁近傍において保護膜に亀裂が入るためと考えられる。しかし、第1導電部材2-1に第2領域Bを設けていれば、反射膜の劣化の進行することを抑制できるので、より信頼性を向上させることができる。保護膜5を形成する際、マスク等を施さなければ、ワイヤ4やパッケージ3等の全面に保護膜が形成されることになる。この場合であっても、例えば、ブラスト処理によりパッケージ3の側面及び裏面の保護膜を除去することができる。なお、図1及び図3においては、実際はワイヤ4の表面、側壁3b内部及び側壁上部にも保護膜5が形成されているが図示していない。充填部材6パッケージ3の凹部には充填部材6が充填される。充填部材6は、発光素子1を封止するためのものであり、発光素子1からの光を外部に透過するものであればその材料は限定されない。充填部材6の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。さらに、充填部材6には、発光素子1からの光により発光する蛍光部材を含有させることもできる。蛍光部材としては公知のものを用いることができ、発光素子1が青色発光する場合は、黄色に発光するYAG系蛍光体、TAG系蛍光体、ストロンチウムシリケート系蛍光体等とすることで、発光装置全体として白色光を得ることができる。<第2実施形態>図3及び図4に、本実施形態に係る発光装置200を示す。図3は発光装置200の概略断面図図4のX-Xにおける断面図であるであり、図4は発光装置200を上側から見た図である。発光装置200は、次に説明する事項が発光装置100と異なるが、他は発光装置100と同様である。発光装置200では、第1導電部材2-1において第2領域Bが広範囲に設けられている。つまり、発光装置200では、第1導電部材を上側から見たときに、第2領域Bが第1導電部材2-1の周縁に沿って設けられている。ここでいう周縁とは、上側から見てパッケージ3と第1導電部材2-1との境目のことである。これにより、第1導電部材2-1においてあらゆる方向からの第1反射膜2-1aの劣化を抑制することができる。さらに、第1ワイヤの接続部を取り囲むように第2領域Bを形成し且つ第2領域Bを第1ワイヤ4-1の接続部位からできるだけ離すことでつまり、第2領域Bを第1導電部材2-1の周縁又はその近傍に設けることで、第1反射膜2-1aが劣化する領域を少なくすることができる。これにより、第1ワイヤ4-1の断線予防だけでなく、光出力の低下を効果的に抑制することができる。さらに、発光装置200では、第2導電部材2-2に第3領域Cと第4領域Dが設けられている。つまり、第2導電部材2-2は、第2基材2-2bを有すると共に、上側から見て第2基材上に第2反射膜2-2aが設けられた第3領域Cと第2基材上に第2反射膜が設けられていない第4領域Dとを有する。第2導電部材2-2に第4領域Dを形成することで第2反射膜2-2aの劣化の進行を抑制することができるため、光出力の低下をさらに抑制することができる。発光素子1は、第2ワイヤ4-2で第2反射膜2-2aと接続されている。この場合、上側から見たときに、第4領域Dは、第2導電部材2-2を第2ワイヤ4-2の接続部と、第2ワイヤの接続部に最も近い第2導電部材の周縁上の1点と、を結ぶ直線上に少なくとも設けることができる。発光装置200では、図4において第2ワイヤ4-2の接続部とから左側真横に位置する第2導電部材の周縁上の1点とが最短距離にあるので、両者を結ぶ直線を横切るようして第4領域Dが設けられている。ここでは、第2導電部材2-2を上側から見たときに、第4領域Dが第2導電部材2-2の周縁に沿って設けられている。これにより、発光装置200における第1導電部材2-1と同様の効果を得ることができる。