"複数のフォトダイオードが行列状に配置された半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された配線層を備え、列方向に隣接した少なくとも4つのフォトダイオードを含んで1つの単位セルが構成され、前記半導体基板には単位セル毎に、前記少なくとも4つのフォトダイオードの各々に対応し、ドレインがフローティングディフュージョンとして機能する少なくとも4つの転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位をリセットするためのリセットトランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位に応じた電圧信号を出力する増幅トランジスタが形成されており、前記配線層は、2層構造であり、前記2層のうち下側の層は、列方向に隣接したフォトダイオードの間を行方向に延伸して形成された複数の配線を含み、前記複数の配線には、前記フローティングディフュージョンの電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線が存在することを特徴とする固体撮像装置。前記フローティングディフュージョン制御配線は、前記増幅トランジスタのゲートの上方を通過しており、前記フローティングディフュージョン制御配線における、前記増幅トランジスタのゲートの上方に当たる第1部分の列方向の幅は、列方向に隣接する前記フォトダイオードの間の領域の上方に当たる第2部分の列方向の幅よりも広いことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。前記フローティングディフュージョン制御配線の前記第1部分における、行方向の両側面がそれぞれ、当該側面に対向している配線側に突出していることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。前記増幅トランジスタのゲート電極の上面と前記フローティングディフュージョン制御配線の下面の間の距離は、50nm以上250nm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の固体撮像装置。前記増幅トランジスタのゲート電極と前記フローティングディフュージョン制御配線が平面視で重なり合う部分において、前記増幅トランジスタの行方向の幅は0.3~0.65μmであることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の固体撮像装置。前記フローティングディフュージョン制御配線における、前記第1部分の列方向の幅は0.05~0.5μmであることを特徴とする請求項2~5のいずれかに記載の固体撮像装置。前記2層のうち上側の層は、行方向に隣接するフォトダイオードの間を列方向に延伸して形成された複数の配線を含み、前記複数の配線には、前記増幅トランジスタのソースに接続された信号出力線が存在し、列方向に隣接した4つのフォトダイオードを含んで1つの単位セルが構成され、各単位セル内の2つの転送トランジスタで一つのドレインが共有され、各ドレインを接続するための導電性材料が列方向に延伸して形成されており、前記信号出力線は、前記導電性材料の上方に位置することを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の固体撮像装置。前記下側の層の複数の配線には、前記増幅トランジスタのドレインに接続された第1の電源線が含まれ、前記上側の層の複数の配線には、前記第1の電源線に接続された第2の電源線が含まれることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。ところで近年、固体撮像装置の微細化が求められているが、これを実現するには個々の単位セルのセルサイズを縮小する必要がある。セルサイズを縮小するためにはフォトダイオードのサイズを縮小せざるを得ないが、フォトダイオードの縮小幅を最小限に抑えるべく、所謂多画素例えば4画素一セル構造が採用されている。また、固体撮像装置の微細化を実現するためには、トランジスタのサイズを縮小することはもちろん、配線を細かくする必要もある。そうすると、トランジスタの耐圧および配線容量の低下を招く。上述したように、フローティングディフュージョンは電源電圧にリセットされるが、トランジスタの耐圧および配線容量の低下により、電源電圧が低下してしまう。このため、フローティングディフュージョンの容量が小さくなり、ダイナミックレンジを十分に確保できなくなるという問題が発生する。この問題を解消するために、上述した特許文献1の固体撮像装置の駆動タイミングを適用することが考えられる。しかしながら、駆動制御を利用した方法では、カップリング効果が得られる期間が限られてしまい、十分にダイナミックレンジを確保することができない。具体的には、カップリング効果が得られる期間は、リセット信号RSTがローレベルとなり、リセットトランジスタ136をオフすることによりフローティングディフュージョン38がフローティング状態となっている期間で、かつ、増幅トランジスタの出力により垂直信号線53の電位が上昇している期間に限られる。このため、ダイナミックレンジの向上をより一層図るべく、さらなる改良が望まれている。そこで、本発明は、ダイナミックレンジを向上させた固体撮像装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様である固体撮像装置は、複数のフォトダイオードが行列状に配置された半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された配線層を備え、列方向に隣接した少なくとも4つのフォトダイオードを含んで1つの単位セルが構成され、前記半導体基板には単位セル毎に、前記少なくとも4つのフォトダイオードの各々に対応し、ドレインがフローティングディフュージョンとして機能する少なくとも4つの転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位をリセットするためのリセットトランジスタと、前記フローティングディフュージョンの電位に応じた電圧信号を出力する増幅トランジスタが形成されており、前記配線層は、2層構造であり、前記2層のうち下側の層は、列方向に隣接したフォトダイオードの間を行方向に延伸して形成された複数の配線を含み、前記複数の配線には、前記フローティングディフュージョンの電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線が存在することを特徴とする。本発明の一態様に係る固体撮像装置では、前記フローティングディフュージョンの電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線が別途設けられているので、当該配線容量とのカップリングにより、フローティングディフュージョンの電位を高くすることができる。これにより、より多くの信号電荷をフローティングディフュージョンに溜めることができるので、その結果、ダイナミックレンジを広げることができる。また、フローティングディフュージョンの電位が高くなることで、フォトダイオードからフローティングディフュージョンへ信号電荷を転送し易くなるので、残像を抑制することができる。<実施の形態1>-固体撮像装置の全体構成-図1は、実施の形態1に係る固体撮像装置10の概略構成図である。固体撮像装置10は、MOS型の固体撮像装置であり、図1に示すように、撮像領域11を備える。撮像領域11の周辺の領域には、周辺回路として、列アンプ群12、ノイズキャンセル回路群13、マルチプレクサ14、負荷回路群15、水平走査回路16、出力アンプ17、垂直走査回路18、電圧発生回路19およびタイミング制御部20が配されている。撮像領域11には行列状に配列された複数の単位セル1が含まれている。また撮像領域11の各列に対応して列アンプ2、ノイズキャンセル回路3、スイッチ素子4および負荷回路負荷トランジスタ5が配設されている。撮像領域11に含まれる単位セル1は、垂直走査回路18の動作により、行単位でリセット、電荷蓄積、読み出しが行われる。行単位で読み出された画素信号は各列の列アンプ2により増幅され、ノイズキャンセル回路3によりアンプのオフセットばらつきがキャンセルされて保持される。ノイズキャンセル回路群13に保持された1行分の単位セル信号は、水平走査回路16の動作により、マルチプレクサ14および出力アンプ17を経由して順次出力される。電圧発生回路19は、固体撮像装置10内の各回路に必要な各種電圧を発生させる。例えば、各種電圧として電源電圧VDD電位やFD制御電圧等が該当する。FD制御電圧は、後述するフローティングディフュージョン制御配線に印加される電圧である。タイミング制御部20は、固体撮像装置10内の各回路を同期させて駆動する。-単位セルの構成およびその周辺の構成-図2は、一単位セルの構成およびその周辺の構成を示す模式回路図である。図2に示すように、単位セルは、4つのフォトダイオード132a、132b、132c、132dと、当該4つのフォトダイオードの各々に対応した4つの転送トランジスタ134a、134b、134c、134dと、一つのリセットトランジスタ136と、1つの増幅トランジスタ142を有する。すなわち、固体撮像装置10は、4つのフォトダイオード132a、132b、132c、132dがリセットトランジスタ136および増幅トランジスタ142を共有する4画素一セル構造である。各フォトダイオード132a、132b、132c、132dの一端アノード側は、接地されており、他端カソード側は、対応する転送トランジスタのソースに接続されている。各転送トランジスタ134a、134b、134c、134dのドレインは、フローティングディフュージョン138を経て、リセットトランジスタ136のソースおよび増幅トランジスタ142のゲートに接続されている。リセットトランジスタのドレインは、電源線157RSに接続され、ゲートは、リセット配線156に接続されている。増幅トランジスタ142のドレインは、電源線157SFに接続され、ソースは、画素線151を通じて垂直信号線153に接続されている。なお、以降の説明では、電源線157RSと電源線157SFを合わせてドレイン配線157と記す場合もある。垂直信号線153は、負荷トランジスタ5のドレインに接続され、負荷トランジスタ5のソースは接地されている。ゲートは、X軸方向に延設される負荷ゲート配線159に接続されており、信号読み出し時には、予め決められた定電流を流し続ける。また、上述した各配線とは別に、別途、フローティングディフュージョン138の電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線211が設けられている。フローティングディフュージョン制御配線211には、電圧発生回路19で生成されたFD制御電圧が印加され、フローティングディフュージョン制御配線211容量との容量結合により、フローティングディフュージョン138が昇圧される。つまり、配線容量を考慮してFD制御電圧を適宜設定することで、フローティングディフュージョン138の電位を制御することができる。FD制御電圧は、例えばローレベルを0V、ハイレベルをVDDレベルとする。このように、フローティングディフュージョン138には、フローティングディフュージョン制御配線211との間で寄生容量C201が形成される。加えて、フローティングディフュージョン138には、リセットトランジスタ136のゲートとの間で寄生容量C101が形成される他、垂直信号線153との間で寄生容量C102が形成される。各フォトダイオード132a、132b、132c、132dは、入射された光の強度に応じて、信号電荷を生成する光電変換機能を有する。各転送トランジスタ134a、134b、134c、134dは、ゲートへの転送制御信号に従って、対応するフォトダイオードから信号電荷をフローティングディフュージョン138に転送する。フローティングディフュージョン138は、各転送トランジスタ134a、134b、134c、134dを通じて転送される信号電荷を蓄積する。リセットトランジスタ136は、ゲートへのリセット制御信号に従って、フローティングディフュージョン138に蓄積された信号電荷を排出する。増幅トランジスタ142は、フローティングディフュージョン138に転送された信号電荷に応じた電圧信号を垂直信号線153に出力する。-タイミングチャート-続いて、固体撮像装置10の動作の概略について説明する。図3は、固体撮像装置10の動作を示すタイミングチャートであり、フォトダイオード132aで生成された信号電荷を読み出す場合を例示している。他のフォトダイオード132b、132c、132dで生成された信号電荷を読み出す場合も同様のタイミングチャートになる。図3では、上段から順に、ドレイン配線157に印加されるドレイン駆動パルスVDDCELL、リセット配線156に印加されるリセット信号RST、転送トランジスタ134aに印加される転送ゲートパルスTRANS1、負荷トランジスタ5に印加される負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELL、フローティングディフュージョン制御配線211に印加される駆動パルスFDUP2、フローティングディフュージョンFD138、および垂直信号線SIG153の電位変動が示されている。固体撮像装置10では、ドレイン駆動パルスVDDCELL、リセット信号RST、転送ゲートパルスTRANS1、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELL、駆動パルスFDUP2を制御することにより、フローティングディフュージョン138の電位を変化させる。また、フローティングディフュージョン138の電位変化に応じて垂直信号線153の電圧も変化する。まず、ドレイン駆動パルスVDDCELLハイレベルをドレイン配線157に印加してドレイン配線157をVDD電位ハイレベルの状態にする。また、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELLハイレベルを負荷ゲート配線159に印加して負荷ゲート配線159をハイレベルの状態にする。ここで、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELLのハイレベルは、負荷として機能させるための電位であり、具体的にはVDD電位ではなく、VDD電位とGNDとの間の電位である。この段階では、駆動パルスFDUP2はローレベルにする。次に、フローティングディフュージョン制御配線211がローレベルの状態で、リセット信号RSTハイレベルをリセットトランジスタ136に印加してリセット配線156を立ち上げるt1。これにより、リセットトランジスタ136がオン状態になり、フローティングディフュージョン138はVDD電位ハイレベルになるt1~t2。この後、リセット信号RSTを立ち下げるt2。そうすると、フローティングディフュージョン138がリセットトランジスタ136のゲートとの容量結合図2のC101により電圧降下する。垂直信号線153の電圧は、フローティングディフュージョン138の電圧に追随する。つまり、VDD電位になった後、電圧降下する。続いて、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELLを立ち下げるt3c。これにより、負荷トランジスタ5がオフ状態になるので、垂直信号線153はフローティング状態になる。次に、駆動パルスFDUP2をハイレベルに立ち上げるt3b。そうすると、フローティングディフュージョン138のリセット電位FDリセット電位は、配線容量C201とのカップリングによりVDD電位よりも高いFDリセット電位3に昇圧される以下、寄生容量C201のカップリング効果と記す。t3b~t3。このとき、寄生容量C102のカップリング効果によって、垂直信号線153の電圧も昇圧される。このときの垂直信号線153の電位をリセットレベルとして次段回路で取り込む。この後、駆動パルスFDUP2をフローティング状態にして、転送ゲートパルスTRANS1ハイレベルを転送ゲートトランジスタ134aに印加するt3~t4。そうすると、フォトダイオード132aからフローティングディフュージョン138に信号電荷が転送され、信号電荷の量に応じてフローティングディフュージョン138の電位が下がる。このとき、フローティングディフュージョン138のリセット電位は、配線容量C201とのカップリングによりFDリセット電位3に昇圧されているので、昇圧された分だけ、より多くの信号電荷をフローティングディフュージョン138に溜めることができる。その結果、ダイナミックレンジを広げることができる。また、フローティングディフュージョン138の電位が高くなることで、フォトダイオード132aの信号電荷は、転送時t3~t4に、フローティングディフュージョン138に移動しやすくなる。これにより、フォトダイオード132aに信号電荷が残留し難くなるので、残像を抑制することができる。信号電荷の転送が完了した後、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELLを立ち上げるとt4b、垂直信号線153の電位は、フローティングディフュージョン138の電位から増幅トランジスタ142のドレイン-ゲート間電位差Vthだけ下がった電位まで、フローティングディフュージョン138の電位に連動して下がるt4b~t4c。このときの垂直信号線153の電位を信号レベルとして次段回路で再び取り込む。次に、ドレイン駆動パルスVDDCELLをローレベルにして、リセット信号RSTハイレベルをリセットトランジスタ136に印加するとt5~t6、フローティングディフュージョン138はローレベルに復帰するt5以降。次段回路は、リセットレベルと信号レベルの差を取って画素信号として出力する。-フローティングディフュージョン138のポテンシャル-続いて、フローティングディフュージョン138のポテンシャルの変化について説明する。図4は、フローティングディフュージョン138のポテンシャルの変化を示すポテンシャル図であり、フォトダイオード132aに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン138に転送する場合のポテンシャルを例示している。他のフォトダイオード132b、132c、132dに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン138に転送する場合も同様のポテンシャル変化になる。フォトダイオード132aに光が入射されると光の強度に応じた信号電荷Qが生成され蓄積される。次に、駆動パルスFDUP2がローレベルの状態で、リセット信号RSTハイレベルをリセットトランジスタ136に印加してリセット配線156を立ち上げt1、その後、リセット信号RSTを立ち下げるt2。図4aは、図3のt1~t2の期間における、フォトダイオード132a及びフローティングディフュージョン138のポテンシャルを示している。図4aに示すように、この期間では、生成された信号電荷Qがフォトダイオード132aに蓄積された状態にある。また、リセットトランジスタ136がオン状態になることで、フローティングディフュージョン138の電位は、FDリセット電位1VDD電位になっている。リセット信号RSTを立ち下げた後、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELLを立ち下げると、垂直信号線153はフローティング状態となる。この後、駆動パルスFDUP2をハイレベルに立ち上げた後t3b、駆動パルスFDUP2をフローティング状態にするt3。図4bは、図3のt3b~t3の期間における、フォトダイオード132a及びフローティングディフュージョン138のポテンシャルを示している。図4bに示すように、この期間では、フローティングディフュージョン138の電位は、配線容量C201とのカップリング効果により、電位P1だけ昇圧され、その結果、VDD電位よりも高いFDリセット電位3になる。また、駆動パルスFDUP2をフローティング状態にした後、転送トランジスタ134には転送ゲートパルスTRANSハイレベルが印加され、その後、転送ゲートパルスTRANS1は再びローレベルにされるt4。図4cは、図3のt3~t4の期間における、フォトダイオード132a及びフローティングディフュージョン138のポテンシャルを示している。図4cに示すように、この期間では、フォトダイオード132aで発生した信号電荷Qがフローティングディフュージョン138に転送される。このとき、フローティングディフュージョン138の電位とフォトダイオード132aとの電位差は、フローティングディフュージョン138が昇圧された分すなわち電位P1だけ大きくなるので、より多くの信号電荷をフローティングディフュージョン138に溜めることができる。その結果、ダイナミックレンジを広げることができる。また、フォトダイオード132に信号電荷Qが残り難くなるため、残像による画質の劣化を抑制することができる。転送ゲートパルスTRANS1が再びローレベルにされた後、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELLを立ち上げるt4b。図4dは、図3のt4~t4bの期間における、フォトダイオード132a及びフローティングディフュージョン138のポテンシャルを示している。図4dに示すように、この期間では、フォトダイオード132aとフローティングディフュージョン138との間は遮断される。この後、負荷トランジスタ駆動パルスLOADCELLが立ち上げられたことにより、垂直信号線153の電位は、フローティングディフュージョン138の電位から増幅トランジスタ142のドレイン-ゲート間電位差Vthだけ下がった電位まで、フローティングディフュージョン138の電位に連動して下がる。-レイアウト-続いて、固体撮像装置10における、拡散層、ポリシリコン、コンタクト、配線層における下側の層下層配線層、ビア、および配線層における上側の層上層配線層のレイアウトについて図5,6,7を用いて説明する。図5は、固体撮像装置10の4つの単位セルにおいて、拡散層、ポリシリコン、およびコンタクトのレイアウトを示す模式平面図である。白抜き部分が拡散層、実線斜線部分がポリシリコン、ドット部分がコンタクトを示している。図6は、固体撮像装置10の4つの単位セルにおいて、拡散層、ポリシリコン、下層配線層、およびビアのレイアウトを示す模式平面図である。白抜き部分が拡散層、実線斜線部分がポリシリコン、破線斜線部分が下層配線層の配線、バツ部分がビアを示している。図7は、固体撮像装置10の4つの単位セルにおいて、拡散層、ポリシリコン、下層配線層、および上層配線層のレイアウトを示す模式平面図である。白抜き部分が拡散層、実線斜線部分がポリシリコン、破線斜線部分が下層配線層の配線、網目部分が上層配線層の配線を示している。図5に示すように、列Y軸方向に着目すると、フォトダイオード132a、132b、132c、132dが等間隔に配置されてなるフォトダイオード列が、それぞれ間を空けて4列配されている。各フォトダイオード列の右側には、当該フォトダイオード列の各フォトダイオードと接続される各種トランジスタおよびポリシリコンが配されている。列方向に隣接した4つのフォトダイオード132a~132dとそれらの右側に配置された各種トランジスタおよびポリシリコンを含んで1つの単位セルが構成される。ここでは、図5の左端の単位セルに着目してその構成を説明する。他の単位セルについても同様の構成である。図5に示すように、ポリシリコンからなる転送トランジスタのゲート134aG、134bG、134cG、134dGはそれぞれ、対応するフォトダイオードに隣接した位置に配置される。転送トランジスタのドレインについては、2つの転送トランジスタで一つのドレインを共有しており、これらのドレインがそれぞれ、フローティングディフュージョン138a、138bとして機能する。行方向に隣接するフォトダイオード132同士の間には、リセットトランジスタ136が配されている。フォトダイオード132bとフォトダイオード132cの間に当たる部分に増幅トランジスタ142が形成されている。ポリシリコンps1は、リセットトランジスタ136のソース136Sに隣接した位置からフローティングディフュージョン138bの中央に隣接する位置にかけてすなわちY軸方向に延伸して形成されている。ポリシリコンps1のうちフォトダイオード132bとフォトダイオード132cの間に当たる部分142Gが、これらフォトダイオード側に突出することで幅広になっている。この部分142Gが増幅トランジスタ142のゲートの上方に位置しており、増幅トランジスタ142のゲート電極として機能する。行方向に隣接するフォトダイオード132d同士の間には、半導体基板とコンタクトを取るための拡散層171が形成されている。また、下層配線層の配線と接続するためのコンタクト161が複数形成されている。下層配線層として、図6に示すように、複数の配線が、列Y軸方向に隣接したフォトダイオードの間を行X軸方向に延伸して形成されている。複数の配線として、具体的には、転送制御信号線T1、転送制御信号線T2、転送制御信号線T3、転送制御信号線T4、リセット信号線156、電源線157SF、電源線157RS、およびフローティングディフュージョン制御配線211が該当する。複数のフォトダイオードが行列状に配置された構成において、一行毎に一本の転送制御信号線が配され、単位セル毎に一本のリセット信号線156、電源線157SF,157RS、およびフローティングディフュージョン制御配線211が配されている。行方向に隣接する転送トランジスタのゲート134aG同士、134bG同士、134cG同士、134dG同士はそれぞれ、コンタクトを介して、転送制御信号線T1、転送制御信号線T2、転送制御信号線T3、転送制御信号線T4で接続されている。これにより各転送制御信号線の負荷は等しくなっている。フローティングディフュージョン制御配線211は、フォトダイオード132bとフォトダイオード132cとの間に配置され、各増幅トランジスタのゲートの上方を通過している。フローティングディフュージョン制御配線211における、各増幅トランジスタのゲートの上方に当たる第1部分211aの列方向の幅W1は、列方向に隣接するフォトダイオードの間の領域の上方に当たる第2部分211bの列方向の幅W2よりも広くなっている。つまり、フローティングディフュージョン制御配線211における、増幅トランジスタのゲートの上方に当たる部分が、転送制御信号線T2側に突出することで、第2部分211bの幅W2よりも幅広の第1部分211aが形成されている。この構成により、ポリシリコンps1におけるゲート電極142G部分との対向面積が増加するので、ダイナミックレンジをより広くすることができる。幅W1は、言い換えると、増幅トランジスタのゲート電極142G部分とフローティングディフュージョン制御配線211が平面視で重なり合う部分において、フローティングディフュージョン制御配線211の列方向の幅であり、0.05~0.5μmであることが好ましい。また、増幅トランジスタのゲート電極142G部分とフローティングディフュージョン制御配線211が平面視で重なり合う部分において、増幅トランジスタの行方向の幅W3は0.3~0.65μmであることが好ましい。リセットトランジスタ136のゲートに接続されたリセット信号線156は、フォトダイオード132aとフォトダイオード132dとの間に配置され、このリセット信号線156およびフローティングディフュージョン制御配線211はそれぞれ、転送制御信号線T2、T4と同様の形状をしている。さらに、電源線157RSはフォトダイオード132aとフォトダイオード132dとの間に配置され、電源線157SFはフォトダイオード132bとフォトダイオード132cとの間に配置され、これらの電源線は共に転送制御信号線T1、T3と同様の形状をしている。これにより、各フォトダイオードの開口径を等しくできるため、各フォトダイオードで生成される信号電荷量のばらつきを抑制することができる。各フローティングディフュージョン138a、138bは配線212を介してポリシリコンps1と接続されることで、電気的に接続されている。ポリシリコンps1は、リセットトランジスタのソース136Sと配線213を介して接続されている。また、上層配線層の配線群と接続するためのビアが複数形成されている。上層配線層として、図7に示すように、複数の配線が、行X軸方向に隣接したフォトダイオードの間を列Y軸方向に延伸して形成されている。複数の配線として、具体的には、基板コンタクト線301および垂直信号線153が該当する。隣り合うフォトダイオード列の間の領域に二本ずつ配線が配され、一方が基板コンタクト線301、他方が垂直信号線153である。つまり、垂直信号線153および基板コンタクト線301がフォトダイオード列毎に配されている。垂直信号線153は、ポリシリコンps1の上方に配置される。ポリシリコンps1は各フローティングディフュージョン138a、138bとリセットトランジスタのソース136Sに接続される。この構成によれば、読出し動作を行う際、垂直信号線153は、フローティングディフュージョン138a、138bの電位変化に追随して電位が変動する。このため、見かけ上フローティングディフュージョン138a、138bの寄生容量が小さくなり、フローティングディフュージョン138a、138bにおいて大きな電位変化を得ることができ、S/N比が向上する。-概略断面図-続いて、図8は、固体撮像装置10の構成を模式的に示す部分断面図図7のA-A’断面である。固体撮像装置10では、図8に示すように、半導体基板213上に層間絶縁膜216が形成され、層間絶縁膜216の内部領域には、下層配線層216aおよび上層配線層216bの2層構造からなる配線層216abが形成されている。半導体基板213には、複数のフォトダイオード132bが間隔を空けて隣り合って配置され、隣り合うフォトダイオードの間には、これらを分離するためのSTI214が形成されている。半導体基板213上における、STI214の上方に当たる各部分には、ゲート電極142Gがそれぞれ位置し、層間絶縁膜216がこれらのゲート電極142Gを覆っている。また、フローティングディフュージョン制御配線211がゲート電極142Gの上方に位置している。このため、フローティングディフュージョン制御配線211に電圧が印加されることでカップリング効果を得ることができる。カップリング効果を高めるためには、ゲート電極142Gの上面とフローティングディフュージョン制御配線211の下面との距離l1は、50nm以上250nm以下であることが好ましい。また、フローティングディフュージョン制御配線211は、3層構造であり、下層から順にTaTaNCuで形成され、下層配線層216aにおける他の配線と同一の工程により形成される。-FD制御電圧とフローティングディフュージョン138-ここでは、フローティングディフュージョン138の電位がカップリング効果によりどの程度上昇するのかについて具体例を挙げて説明する。図6で示した増幅トランジスタの行方向の幅W3を0.6μm、図6で示したフローティングディフュージョン制御配線211における第1部分211aの列方向の幅W1を0.4μm、図8で示した、ゲート電極142Gの上面とフローティングディフュージョン制御配線211の下面との距離l1を50nm、層間絶縁膜216をSiO2とする。また、εSiO2は3.97であり、ε0は、8.85×10-12F/mである。このとき、フローティングディフュージョン制御配線211とフローティングディフュージョン138の間の容量は、約0.17fFとなる。この場合に、例えば、フローティングディフュージョン制御配線211にFD制御電圧として4Vの振幅を与えると、フローティングディフュージョン138の電位は約0.68V上昇する。<変形例>以上、本発明に係る固体撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られないことは勿論である。1フローティングディフュージョン制御配線211の形状を替えた一変形例について説明する。図9は、変形例1に係る固体撮像装置の4つの単位セルにおいて、拡散層、ポリシリコン、下層配線層、およびビアのレイアウトを示す模式平面図である。図9に示すように、フローティングディフュージョン制御配線211における、増幅トランジスタのゲートの上方に当たる第1部分211cが、電源線157SFの方向および電源線157SFとは反対方向の両方向に突出している。つまり、この構成では、フローティングディフュージョン制御配線211における、増幅トランジスタのゲートの上方に当たる第1部分211cの行方向の両側面がそれぞれ、当該側面に対向している配線転送制御信号線T2、電源線157Sf側に突出している。これにより、列方向に隣接するフォトダイオードの間の領域の上方に当たる部分211bよりも幅広になっている。この構成によれば、フローティングディフュージョン制御配線211と増幅トランジスタのゲート電極142Gの対向面積が増加するので、フローティングディフュージョン制御配線211とフローティングディフュージョン138a、138bのカップリング効果をより高めることができる。2増幅トランジスタのソースと垂直信号線を接続する配線の形状を替えた一変形例について説明する。図10は、変形例2に係る固体撮像装置の4つの単位セルにおいて、拡散層、ポリシリコン、下層配線層、およびビアのレイアウトを示す模式平面図である。図10に示すように、増幅トランジスタのソース142Sと垂直信号線図示せずを接続する配線219が列方向に延伸した構成となっている。この構成によれば、配線219とポリシリコンps1の対向面積が増加するので、垂直信号線とポリシリコンps1とのカップリング効果をより高めることができる。3電圧発生回路19が固体撮像装置10に含まれる構成としたが、電圧発生回路19は、固体撮像装置の外部に配置されていてもよい。4図5に示すように、フローティングディフュージョン138aとポリシリコンps1のそれぞれにコンタクトを設けたが、シェアードであってもよい。5図7に示すように、上層配線層として、基板電位安定のための基板コンタクトVSS配線301を配していたが、基板コンタクト配線301の代わりに、下層配線層における電源線157SFおよび電源線157RS以下、これらを第1の電源線と記す。と接続させた第2の電源線VDD配線を配してもよい。これにより、第1の電源線に印加される電源電圧VDDを補強することができる。64画素1セル構造の固体撮像装置10を例に挙げて説明したが、本発明は、この構造に限らない。5画素以上一セル構造の固体撮像装置に、フローティングディフュージョンの電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線を設けても同様の効果を得ることができる。7フローティングディフュージョン制御配線211が増幅トランジスタの上方を通過する構成としたが、当該配線とのカップリングによりフローティングディフュージョンの電位を上げることが可能であれば、他の位置に配置されてもよい。例えば、図6における、転送制御信号線T2とフローティングディフュージョン制御配線211の配置場所を入れ替え、フローティングディフュージョン制御配線211が配線212の上方を通過してもよい。"