"測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、絶縁基板の一方の面に形成され第1の測定ダイアフラムを形成する第1の凹部と、前記絶縁基板の一方の面に形成され第2の測定ダイアフラムを形成し前記第1の凹部と同一形状をなす第2の凹部と、前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所に一端が固定され前記第2の測定ダイアフラムの前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所に他端が固定された振動式半導体歪ゲージ素子と、前記絶縁基板の他方の面に一方の面が接続され前記第1の凹部と第1の測定室を構成し前記第2の凹部と第2の測定室を構成する支持基板と、この支持基板の他方の面に一方の面が接する支持台と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第1の測定室に連通し他方端が外部に開口する第1の導通孔と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第2の測定室に連通し他方端が外部に開口する第2の導通孔と、を具備したことを特徴とする圧力センサ。測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、絶縁基板の一方の面に形成され第1の測定ダイアフラムを形成する第1の凹部と、前記絶縁基板の一方の面に形成され第2の測定ダイアフラムを形成し前記第1の凹部と同一形状をなす第2の凹部と、前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所に一端が固定され前記第2の測定ダイアフラムの前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所と同一の対応位置に他端が固定された振動式半導体歪ゲージ素子と、前記絶縁基板の他方の面に一方の面が接続され前記第1の凹部と第1の測定室を構成し前記第2の凹部と第2の測定室を構成する支持基板と、この支持基板の他方の面に一方の面が接する支持台と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第1の測定室に連通し他方端が外部に開口する第1の導通孔と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第2の測定室に連通し他方端が外部に開口する第2の導通孔と、を具備したことを特徴とする圧力センサ。前記所定箇所に一方端が接続され他端が前記絶縁基板に接続された静圧用振動式半導体歪ゲージ素子を具備したことを特徴とする請求項2記載の圧力センサ。このような装置においては、以下の問題点がある。このような半導体圧力センサを使った伝送器では、高圧側と低圧側のオイルが封入されている伝導穴構造、特に,圧力センサ周辺部の構造が違うため配管抵抗や封入されているオイル量が異なる。温度変化によるオイルの膨張、収縮で圧力が変化するが、オイル量が違うと圧力も異なるため、センサ特性へ影響を与える。過大圧保護をするためのセンターダイアフラムが必要でコストがかかる。更に、圧力、特に、静圧下でプロセスラインでの水衝撃等によって急激に圧力が変化する場合がある。この際に,高圧側及び低圧側の配管抵抗とオイル量が異なるため,オイル収縮の影響で高圧側と低圧側の圧力に時間のズレが発生するため,過大圧保護の動作点がずれてしまう場合がある。その時に,センサ部に大きな差圧が発生して圧力センサのダイアフラムに大きな差圧が加わりダイアフラムが破壊してしまう場合がある。本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、特性が良好な圧力センサを提供することにある。このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の圧力センサにおいては、測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、絶縁基板の一方の面に形成され第1の測定ダイアフラムを形成する第1の凹部と、前記絶縁基板の一方の面に形成され第2の測定ダイアフラムを形成し前記第1の凹部と同一形状をなす第2の凹部と、前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所に一端が固定され前記第2の測定ダイアフラムの前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所に他端が固定された振動式半導体歪ゲージ素子と、前記絶縁基板の他方の面に一方の面が接続され前記第1の凹部と第1の測定室を構成し前記第2の凹部と第2の測定室を構成する支持基板と、この支持基板の他方の面に一方の面が接する支持台と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第1の測定室に連通し他方端が外部に開口する第1の導通孔と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第2の測定室に連通し他方端が外部に開口する第2の導通孔と、を具備したことを特徴とする。本発明の請求項2の圧力センサにおいては、測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、絶縁基板の一方の面に形成され第1の測定ダイアフラムを形成する第1の凹部と、前記絶縁基板の一方の面に形成され第2の測定ダイアフラムを形成し前記第1の凹部と同一形状をなす第2の凹部と、前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所に一端が固定され前記第2の測定ダイアフラムの前記第1の測定ダイアフラムの所定箇所と同一の対応位置に他端が固定された振動式半導体歪ゲージ素子と、前記絶縁基板の他方の面に一方の面が接続され前記第1の凹部と第1の測定室を構成し前記第2の凹部と第2の測定室を構成する支持基板と、この支持基板の他方の面に一方の面が接する支持台と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第1の測定室に連通し他方端が外部に開口する第1の導通孔と、前記支持基板と前記支持台とを貫通し一方端が前記第2の測定室に連通し他方端が外部に開口する第2の導通孔と、を具備したことを特徴とする。本発明の請求項3の圧力センサにおいては、請求項2記載の圧力センサにおいて、前記所定箇所に一方端が接続され他端が前記絶縁基板に接続された静圧用振動式半導体歪ゲージ素子を具備したことを特徴とする。本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。圧力センサの低圧側、高圧側の構造が左右対称であるので、圧力や温度変化によるオイルの膨張、収縮で圧力変化が等しくなる。そのため、温度や圧力変化に影響を補正し易い圧力センサが得られる。また、振動式半導体歪ゲージ素子の、第1と第2の測定ダイアフラムの支持箇所が異なると静圧による影響を受けるために、静圧をも測定することが出来る圧力センサが得られる。本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。圧力センサの低圧側、高圧側の構造が左右対称であるので、圧力や温度変化によるオイルの膨張、収縮で圧力変化が等しくなる。そのため、温度や圧力変化に影響を補正し易い圧力センサが得られる。測定ダイアフラムを跨いで振動子が配置され、第1の測定ダイアフラムの所定箇所に一端が固定され、第2の測定ダイアフラムの、第1の測定ダイアフラムの所定箇所と同一の対応位置に他端が固定された。従って2つの測定ダイアフラムに印加される圧力に差があると片側の測定ダイアフラムのみがたわむ。そのため振動式半導体歪ゲージ素子には歪みが発生する。一方、圧力差が無い場合は、ダイアフラムが同じようにたわむ。そのため、振動式半導体歪ゲージ素子には歪が発生しない。この動作によって、差圧ひずみの検知と静圧ひずみのキャンセルを振動式半導体歪ゲージ素子1本で出来る圧力センサが得られる。本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。所定箇所に一方端が接続され、他端が絶縁基板に接続された静圧用振動式半導体歪ゲージ素子が設けられたので、更に、静圧歪を検出できる圧力センサが得られる。以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例の要部構成説明図で、aは上面図、bはaのA-A断面図である。図において、図3と同一記号の構成は同一機能を表す。以下、図3との相違部分のみ説明する。図1において、第1の凹部22は、絶縁基板21の一方の面に形成され第1の測定ダイアフラム23を形成する。絶縁基板21は、この場合は、シリコンが使用されている。第2の凹部24は、絶縁基板21の一方の面に形成され第2の測定ダイアフラム25を形成し第1の凹部22と同一形状をなす。振動式半導体歪ゲージ素子26は、第1の測定ダイアフラム23の所定箇所に一端が固定され、第2の測定ダイアフラム25の、第1の測定ダイアフラム23の所定箇所と同一の対応位置に他端が固定されている。支持基板27は、絶縁基板21の他方の面に一方の面が接続され、第1の凹部22と第1の測定室28を構成し、第2の凹部24と第2の測定室29を構成する。支持基板27は、この場合は、サファイヤが使用されている。支持台31は、支持基板27の他方の面に一方の面が接する。支持台31は、この場合は、ステンレスが使用されている。第1の導通孔32は、支持基板27と支持台31とを貫通し、一方端が第1の測定室28に連通し、他方端が外部に開口する。第2の導通孔33は、支持基板27と支持台31とを貫通し、一方端が第2の測定室29に連通し、他方端が外部に開口する。以上の構成において、第1の導通孔32を通して、第1の測定室28に、第1の測定流体FL1が導入され、第2の導通孔33を通して、第2の測定室29に、第2の測定流体FL2が導入される。通常は、第1の測定流体FL1は高圧側の測定流体が、第2の測定流体FL2は低圧側の測定流体が導入される。この結果、圧力センサの低圧側、高圧側の構造が左右対称であるので、圧力や温度変化によるオイルの膨張、収縮で圧力変化が等しくなる。そのため、温度や圧力変化に影響を補正し易い圧力センサが得られる。測定ダイアフラム23,25を跨いで振動式半導体歪ゲージ素子26が配置され、第1の測定ダイアフラム23の所定箇所に一端が固定され、第2の測定ダイアフラム25の、第1の測定ダイアフラム23の所定箇所と同一の対応位置に他端が固定された。従って2つの測定ダイアフラム23,25に印加される圧力に差があると片側の測定ダイアフラムのみがたわむ。そのため振動式半導体歪ゲージ素子26には歪みが発生する。一方、圧力差が無い場合は、ダイアフラム23,25が同じようにたわむ。そのため、振動式半導体歪ゲージ素子26には歪が発生しない。この動作によって、差圧ひずみの検知と静圧ひずみのキャンセルを振動式半導体歪ゲージ素子261本で出来る圧力センサが得られる。なお、振動式半導体歪ゲージ素子26が、第1の測定ダイアフラム23の所定箇所に一端が固定され、第2の測定ダイアフラム25の、第1の測定ダイアフラム23の所定箇所と同一の対応位置でない箇所に他端が固定された場合には、静圧をも測定することが出来る圧力センサが得られる。図2は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。図2において、静圧用振動式半導体歪ゲージ素子41a、41bは所定箇所に一方端が接続され、他端が絶縁基板21にそれぞれ接続されている。なお、静圧用振動式半導体歪ゲージ素子は、41a、41bのいずれか1個でも良い。この結果、所定箇所に一方端が接続され、他端が絶縁基板に接続された静圧用振動式半導体歪ゲージ素子が設けられたので、更に、静圧歪を検出できる圧力センサが得られる。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。"