"一面に固定電極が形成された絶縁基板と、前記固定電極と離間して対向する可動電極が形成されて前記絶縁基板と陽極接合される半導体基板と、前記絶縁基板の前記一面に形成されて前記固定電極を前記可動電極に導通させ且つ前記陽極接合後に切断される放電防止用配線部と、前記絶縁基板の前記一面と対向する前記半導体基板の一面に起立する絶縁材料製の保護壁とを備え、当該保護壁は、前記放電防止用配線部と、当該放電防止用配線部を前記可動電極に導通させる導電部とを隔てる位置に設けられることを特徴とする静電容量型半導体物理量センサ。前記半導体基板は、前記放電防止用配線部と対向する位置に貫通孔が形成されることを特徴とする請求項1記載の静電容量型半導体物理量センサ。前記半導体基板はSOI基板からなり、前記放電防止用配線部と対向する位置に、活性層が除去されてなる凹部が形成されることを特徴とする請求項1記載の静電容量型半導体物理量センサ。前記半導体基板の前記一面には、前記放電防止用配線部と対向する位置に絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項1記載の静電容量型半導体物理量センサ。前記固定電極と前記可動電極と前記放電防止用配線部の組を複数備え、当該複数の放電防止用配線部毎に前記保護壁が設けられることを特徴とする静電容量型半導体物理量センサ。ところで、特許文献1記載の従来例では、放電防止用配線部が切断される際、切断された部分の金属材料が周辺に飛散し、不要な箇所に付着するなどして様々な不具合が生じる虞があった。特に、飛散した金属材料によって固定電極と可動電極とが導通してしまうとセンサ出力が得られなくなってしまう。本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、放電防止用配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制することを目的とする。本発明の静電容量型半導体物理量センサは、一面に固定電極が形成された絶縁基板と、前記固定電極と離間して対向する可動電極が形成されて前記絶縁基板と陽極接合される半導体基板と、前記絶縁基板の前記一面に形成されて前記固定電極を前記可動電極に導通させ且つ前記陽極接合後に切断される放電防止用配線部と、前記絶縁基板の前記一面と対向する前記半導体基板の一面に起立する絶縁材料製の保護壁とを備え、当該保護壁は、前記放電防止用配線部と、当該放電防止用配線部を前記可動電極に導通させる導電部とを隔てる位置に設けられることを特徴とする。この静電容量型半導体物理量センサにおいて、前記半導体基板は、前記放電防止用配線部と対向する位置に貫通孔が形成されることが好ましい。この静電容量型半導体物理量センサにおいて、前記半導体基板はSOI基板からなり、前記放電防止用配線部と対向する位置に、活性層が除去されてなる凹部が形成されることが好ましい。この静電容量型半導体物理量センサにおいて、前記半導体基板の前記一面には、前記放電防止用配線部と対向する位置に絶縁膜が形成されることが好ましい。この静電容量型半導体物理量センサにおいて、前記固定電極と前記可動電極と前記放電防止用配線部の組を複数備え、当該複数の放電防止用配線部毎に前記保護壁が設けられることが好ましい。本発明の静電容量型半導体物理量センサは、放電防止用の配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制することができるという効果がある。以下、物理量として加速度を検出する加速度センサに本発明の技術思想を適用した実施形態について説明する。ただし、本発明の技術思想が適用可能な物理量センサは加速度センサに限定されず、例えば、圧力センサなどの加速度以外の物理量を検出するセンサにも適用可能である。まず、図2及び図3を参照して本実施形態の全体構造を説明する。ただし、以下の説明では図3におけるx軸方向を縦方向、y軸方向を横方向、z軸方向を上下方向と定める。本実施形態は、図3に示すように外形が矩形平板状であるセンサチップ1と、センサチップ1の上面側に固定される上部固定板2Aと、センサチップ1の下面側に固定される下部固定板2Bとを備える。センサチップ1は、フレーム部3、重り部4,5などを備える。フレーム部3は、上下方向から見て矩形の2つの枠部3A,3Bが長手方向に並設されている。重り部4,5は、直方体形状に形成され、枠部3A,3Bの内周面に対して隙間を空けた状態で枠部3A,3B内に配置されるとともに、各一対のビーム部6A,6B及び7A,7Bによって回動自在に支持される。なお、重り部4,5の上面に可動電極4A,5Aが形成されている。一対のビーム部6A,6Bは、横方向に対向する枠部3Aの内周面における縦方向の中央部に一端が連結され、重り部4の側面に他端が連結されている。同じく一対のビーム部7A,7Bは、横方向に対向する枠部3Bの内周面における縦方向の中央部に一端が連結され、重り部5の側面に他端が連結されている。つまり、一対のビーム部6Aと6B、7Aと7Bをそれぞれ結ぶ直線が回動軸となり、回動軸の回りに各重り部4,5が回動することになる。また、センサチップ1は、後述するように半導体の微細加工技術によりシリコン基板を加工して形成されるものであり、重り部4,5の上面を含む部分が可動電極4A,5Aとなる。上部固定板2Aは、石英ガラスなどの絶縁材料製であって、その下面には、上下方向に沿ってセンサチップ1の重り部4と対向する位置に第1の固定電極20Aと第2の固定電極20Bが縦方向に並設される。また上部固定板2Aは、上下方向に沿ってセンサチップ1の重り部5と対向する位置に第1の固定電極21Aと第2の固定電極21Bが縦方向に並設されている。さらに上部固定板2Aは、縦方向の一端側に5つの貫通孔22A~22Eが横方向に並べて貫設されている。またさらに、上部固定板2Aの下面には各固定電極20A,20B及び21A,21Bと電気的に接続された4つの配線パターン23A,23B及び24A,24Bが形成されている。一方、センサチップ1の縦方向一端側にはフレーム部3から離間された合計4つの電極部8A,8B,9A,9Bが並設されている。これら4つの電極部8A,8B,9A,9Bは、上面における略中央に金属膜からなる検出電極80A,80B,90A,90Bがそれぞれ形成されるとともに、枠部3A,3Bに臨む端部の上面に金属膜からなる圧接電極81A,81B,91A,91Bがそれぞれ形成されている。なお、フレーム部3上面の電極部8B,9Aの間には接地電極10が形成されている。そして、センサチップ1の上面に上部固定板2Aが接合されると、上部固定板2Aの下面に形成されている導電パターン23A,23B,24A,24Bと圧接電極81A,81B,91A,91Bとが各々圧接接続される。これにより、各検出電極80A,80B,90A,90Bが各固定電極20A,20B,21A,21Bと電気的に接続されるとともに、上部固定板2Aの貫通孔22A~22Dを通して各検出電極80A,80B,90A,90Bが外部に露出する。なお、接地電極10も貫通孔22Eを通して外部に露出する。下部固定板2Bは、上部固定板2Aと同じく石英ガラスなどの絶縁材料製であって、その上面には上下方向に沿ってセンサチップ1の重り部4,5と対向する位置にそれぞれ付着防止膜27A,27Bが形成されている。この付着防止膜27A,27Bは、アルミニウム系合金等の固定電極20A,...と同じ材料で形成されており、回動した重り部4,5の下面が下部固定板2Bに付着することを防止している。なお、下部固定板2Bはフレーム部3の下面に接合される。ここで、枠部3A、重り部4、ビーム部6A,6B、可動電極4A、第1及び第2の固定電極20A,20B、検出電極80A,80Bと、枠部3B、重り部5、ビーム部7A,7B、可動電極5A、第1及び第2の固定電極21A,21B、検出電極81A,81Bとで各々加速度センサが構成されている。次に、本実施形態の検出動作について説明する。まず、一方の重り部4にx軸方向の加速度が印加された場合を考える。x軸方向に加速度が印加されると重り部4が回動軸の回りに回動して可動電極4Aと第1の固定電極20A並びに第2の固定電極20Bとの間の距離が変化し、その結果、可動電極4Aと各固定電極20A,20Bとの間の静電容量C1,C2も変化する。ここで、x軸方向の加速度が印加されていないときの可動電極4Aと各固定電極20A,20Bとの間の静電容量をC0とし、加速度の印加によって生じる静電容量の変化分をΔCとすれば、x軸方向の加速度が印加されたときの静電容量C1,C2は、C1C0ΔC...1C2C0ΔC...2と表すことができる。同様に、他方の重り部5にx軸方向の加速度が印加された場合、可動電極5Aと各固定電極21A,21Bとの間の静電容量C3,C4は、C3C0ΔC...3C4C0ΔC...4と表すことができる。ここで、静電容量C1~C4の値は、検出電極80A,80B及び81A,81Bから取り出す電圧信号を演算処理することで検出することができる。そして、一方の加速度センサから得られる静電容量C1,C2の差分値CAと、他方の加速度センサから得られる静電容量C3,C4の差分値CBとの和を算出すれば、この差分値CA,CBの和に基づいてx軸方向に印加された加速度の向きと大きさを演算することができる。次に、一方の重り部4にz軸方向の加速度が印加された場合を考える。z軸方向に加速度が印加されると重り部4が回動軸の回りに回動して可動電極4Aと第1の固定電極20A並びに第2の固定電極20Bとの間の距離が変化し、その結果、可動電極4Aと各固定電極20A,20Bとの間の静電容量C1,C2も変化する。ここで、z軸方向の加速度が印加されていないときの可動電極4Aと各固定電極20A,20Bとの間の静電容量をC0とし、加速度の印加によって生じる静電容量の変化分をΔCとすれば、z軸方向の加速度が印加されたときの静電容量C1,C2は、C1C0ΔC...C2C0ΔC...と表すことができる。同様に、他方の重り部5にz軸方向の加速度が印加された場合、可動電極5Aと各固定電極21A,21Bとの間の静電容量C3,C4は、C3C0ΔC...C4C0ΔC...と表すことができる。そして、一方の加速度センサから得られる静電容量C1,C2の差分値CAと、他方の加速度センサから得られる静電容量C3,C4の差分値CBとの差を算出すれば、この差分値CA,CBの差に基づいてz軸方向に印加された加速度の向きと大きさを演算することができる。ただし、差分値CA,CBの和と差に基づいてx軸方向及びz軸方向の加速度の向き及び大きさを求める演算処理については従来周知であるから詳細な説明を省略する。ところで、上部固定板2Aの下面には、上部固定板2A及び下部固定板2Bとセンサチップ1とが陽極接合される際に可動電極4A,4Bと固定電極20A,20B,21A,21Bとを導通させる放電防止用配線部25,26が形成されている。一方の放電防止用配線部25は、第1の固定電極20Bに接続された第1配線部25Aと、第2の固定電極21Bに接続された第2配線部25Bと、第1及び第2配線部25A,25Bの端部に接続された第3配線部25Cとを有する参照。なお、第3配線部25Cは、センサチップ1に形成されている導電部11を介して可動電極4A,4Bと導通する。他方の放電防止用配線部26は、第1の固定電極20Aに接続された第1配線部26Aと、第2の固定電極21Aに接続された第2配線部26Bと、第1及び第2配線部26A,26Bの端部に接続された第3配線部とを有する。而して、センサチップ1と上部固定板2Aとが陽極接合される際、放電防止用配線部25,26を介して固定電極20A,20B及び21A,21Bと可動電極4A,4Bが導通しているために放電が生じ難くなる。そして、センサチップ1と上部固定板2Aとの陽極接合が終了した後、レーザ光の照射等によって各放電防止用配線部25,26が切断され、固定電極20A,20B及び21A,21Bと可動電極4A,4Bが非導通となる。しかしながら、従来技術で説明したように、放電防止用配線部25,26が切断される際、切断された部分の金属材料が周辺に飛散し、不要な箇所に付着するなどして様々な不具合が生じる虞がある。これに対して本実施形態では、図1に示すようにセンサチップ1の上面に絶縁材料製の保護壁12が形成されている。この保護壁12は、上下方向から見て矩形枠状に形成された酸化膜で構成されている。なお、酸化膜を矩形枠状に形成する方法については、従来周知である半導体の微細加工技術を利用することで実現できる。ここで、図1における下側の平板状の部分を第1保護壁120、左右両側の平板状の部分を第2保護壁121、上側の平板状の部分を第3保護壁122と呼ぶ。つまり、第1保護壁120と第3保護壁122がセンサチップ1の上面に沿って対向し、第1保護壁120と第3保護壁122の左右両端が2つの第2保護壁121でそれぞれ連結されている。また第1保護壁120は、放電防止用配線部25,26と、放電防止用配線部25,26を可動電極4A,4Bに導通させる導電部11とを隔てる位置に起立している。而して、放電防止用配線部25,26の切断部分Xの金属材料Yは、図1に示すように保護壁12に遮られることで広い範囲に飛散しないので、不要な箇所への付着が抑制される。特に、第1保護壁120が導電部11と放電防止用配線部25,26とを隔てる位置に起立しているため、飛散した金属材料Yによって固定電極20A,...と可動電極4A,4Bとが導通するようなことが回避できる。このように本実施形態によれば、放電防止用配線部25,26の切断に伴う不具合の発生を抑制することができる。なお、本実施形態では保護壁12が第1~第3保護壁120~122からなる矩形枠状に形成されているが、少なくとも導電部11を放電防止用配線部25,26と隔てる位置に保護壁12が設けられていればよい。あるいは、第1保護壁120と第2保護壁121、若しくは第1保護壁120と第3保護壁122のみが設けられても構わない。ところで、放電防止用配線部25,26の切断が不十分であると、半導体基板からなるセンサチップ1と導電部11を経由して固定電極20A,...と可動電極4A,4Bが導通してしまう可能性がある。そこで、図4に示すように、センサチップ1における放電防止用配線部25,26と対向する位置に貫通孔13が形成されることが好ましい。つまり、金属材料Yを貫通孔13内に落とすことで固定電極20A,...と可動電極4A,4Bが導通する可能性を低くすることができる。あるいは、センサチップ1を構成する半導体基板がSOI基板である場合、図4に示すように、放電防止用配線部25,26と対向する位置に、活性層100が除去されてなる凹部101が形成されてもよい。または、図4に示すように放電防止用配線部25,26と対向する位置に絶縁膜14が形成されてもよい。つまり、金属材料Yと半導体基板との導通が、絶縁膜102,14によって遮られるので、固定電極20A,...と可動電極4A,4Bが導通する可能性を低くすることができる。ここで、放電防止用配線部25,26の第1配線部25A,26Aと第2配線部25B,26Bとが第3配線部25C,26Cに対して並列接続される代わりに、図5に示すように第1配線部25A,26Aと第2配線部25B,26Bが第3配線部25C,26Cを介して直列接続されても構わない。この場合、それぞれの放電防止用配線部25,26毎に保護壁12が設けられることが好ましい。"