"放射ビームを生成する放射源から発散する汚染物質をトラップする、前記放射ビームのパスにおける汚染物質トラップ装置であって、前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行なチャネルを規定する複数のチャネル形成要素を有するロータであって、帯電可能材料を含み、前記放射源の動作の結果として帯電されるロータと、前記ロータをロータ搬送構造に対して回転可能に保持するベアリングとを含み、i前記ロータの放電を制御または方向転換させるか、ii前記ロータの放電を抑制するか、またはiiiiおよびiiの両方を行う、汚染物質トラップ装置。前記ロータの放電は、前記ロータの導電性部分および前記ロータ搬送構造の導電性部分、電荷ドレイン、または両方と電気的接触している導電性カップリングによって制御される、請求項1に記載の装置。前記電気的カップリングは、滑り接触を含む、請求項2に記載の装置。前記ベアリングは、ロータシャフトと前記ロータ搬送構造との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ロータシャフトは、前記ロータと前記ロータ搬送構造のベアリング面との間の前記ガスベアリング構造における電荷の流れを防ぐために電気絶縁材料を含む、請求項1~3のうちのいずれかに記載の装置。前記ベアリングは、ロータシャフトの第1の部分と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ガスベアリング構造は、前記ロータシャフトの第1の部分と前記ロータ搬送構造との間にガスまたはガス混合物を供給し、前記ガスベアリング構造の外のエリアで前記ロータシャフトとの放電を刺激するために前記ロータシャフトの別の第2の部分においてまたはその近くで、i放電刺激構造が提供されるか、ii放電刺激ガスまたはガス混合物が提供されるか、またはiiiiおよびiiの両方が行われ、前記第2のシャフト部は、前記ロータに取り付けられ、且つ前記帯電可能ロータ材料と電荷を交換することが可能である、請求項1~4のうちのいずれかに記載の装置。前記第2のシャフト部は、実質的に前記ガスベアリング構造に囲まれておらず、且つ前記ロータと前記第1のシャフト部との間に延在する、請求項5に記載の装置。前記放電刺激ガスまたはガス混合物は、前記ベアリングガスまたはガス混合物より低い破壊電圧を有する、請求項5または6に記載の装置。前記放電刺激構造は、前記第2のシャフト部の外面の近くの位置へと延在または延びる導電性電極を含み、前記電極は、電荷ドレインまたは電位源に接続されている、請求項5~7のうちのいずれかに記載の装置。前記ベアリングは、ロータシャフトの一部と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径流体ベアリング構造を含み、前記流体ベアリング構造は、前記ロータシャフトと前記ロータ搬送構造との間に導電性パスを提供するために導電性流体または流体混合物を供給する、請求項1~8のうちのいずれかに記載の装置。前記ベアリングは半径ガスベアリング構造を含み、前記チャネル形成要素は前記チャネルを規定するプレートを含み、前記プレートは前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行であり、ロータシャフトの一部は前記ガスベアリング構造へと延びる、請求項1~9のうちのいずれかに記載の装置。前記放射源を含む放射システムをさらに含む、請求項1~10のうちのいずれかに記載の装置。リソグラフィ装置であって、放射ビームを生成する放射源から発散する汚染物質をトラップする、前記放射ビームのパスにおける汚染物質トラップ装置であって、前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行なチャネルを規定する複数のチャネル形成要素を有するロータであって、帯電可能材料を含み、前記放射源の動作の結果として帯電されるロータと、前記ロータをロータ搬送構造に対して回転可能に保持するベアリングとを含み、前記汚染物質トラップ装置は、i前記ロータの放電を制御または方向転換させるか、ii前記ロータの放電を抑制するか、またはiiiiおよびiiの両方を行う汚染物質トラップ装置と、基板を保持する基板テーブルと、前記放射ビームを前記基板上にパターン形成されるように投影する投影システムとを含む、リソグラフィ装置。前記ロータの放電は、前記ロータの導電性部分および前記ロータ搬送構造の導電性部分、電荷ドレイン、または両方と電気的接触している導電性カップリングによって制御される、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記ベアリングは、ロータシャフトと前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ロータシャフトは、前記ロータと前記ロータ搬送構造のベアリング面との間のガスベアリング構造における電荷の流れを防ぐために電気絶縁材料を含む、請求項12または13に記載のリソグラフィ装置。前記ベアリングは、ロータシャフトの第1の部分と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径ガスベアリング構造を含み、前記ガスベアリング構造は、前記ロータシャフトの第1の部分と前記ロータ搬送構造との間にガスまたはガス混合物を供給し、前記ガスベアリング構造の外のエリアで前記ロータシャフトとの放電を刺激するために前記ロータシャフトの別の第2の部分においてまたはその近くで、i放電刺激構造が提供され、ii放電刺激ガスまたはガス混合物が提供され、またはiiiiおよびiiの両方が行われ、前記第2のシャフト部は、前記ロータに取り付けられ、且つ前記帯電可能ロータ材料と電荷を交換することが可能である、請求項12~14のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記第2のシャフト部は、実質的に前記ガスベアリング構造に囲まれておらず、前記ロータと前記第1のシャフト部との間に延在する、請求項15に記載のリソグラフィ装置。前記放電刺激ガスまたはガス混合物は、前記ベアリングガスまたはガス混合物より低い破壊電圧を有する、請求項15または16に記載のリソグラフィ装置。前記放電刺激構造は、前記第2のシャフト部の外面の近くの位置へと延在または延びる導電性電極を含み、前記電極は、電荷ドレインまたは電位源に接続されている、請求項15~17のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記ベアリングは、ロータシャフトの一部と前記ロータ搬送構造の一部との間に設けられた半径流体ベアリング構造を含み、前記流体ベアリング構造は、前記ロータシャフトと前記ロータ搬送構造との間に導電性パスを提供するために導電性流体または流体混合物を供給する、請求項12~18のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記ベアリングは半径ガスベアリング構造を含み、前記チャネル形成要素は前記チャネルを規定するプレートを含み、前記プレートは前記放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行であり、ロータシャフトの一部は前記ガスベアリング構造へと延びる、請求項12~19のうちのいずれかに記載のリソグラフィ装置。0032図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、放射ビームPBを調整し、パターン形成された放射ビームを形成するために調整された放射ビームの断面にパターンを付与し、かつパターン形成された放射ビームを基板Wのターゲット部分上に投影するように構成された多数の光コンポーネントを含む。図1では、装置は、0033放射ビームPB例えば、UV放射または他の種類の放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、0034パターニングデバイス例えば、マスクMAを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第1のポジショナPMに連結されているサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、0035基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第2のポジショナPWに連結されている基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、0036パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成されている投影システムPSとを備える。0037照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0038サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。0039本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。0040パターニング構造は、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0041本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な投影システムという用語と同義であると考えるとよい。0042本明細書に示されているとおり、装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものである。また、装置は、透過型のもの例えば、透過型マスクを採用しているものであってもよい。0043リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のサポート構造を有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルおよび/またはサポート構造を並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブルおよび/またはサポート構造上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルおよび/またはサポート構造を露光用に使うこともできる。0044図1aを参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。放射源SOおよびイルミネータILを、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。一実施形態では、放射源SOは、プラズマEUV源、特に、放電プラズマ源、例えば、スズSnプラズマEUV源である。例えば、そのような放射源では、Sn原子を、低出力レーザを使用して加熱することができる例えば、電気的に。EUV放射源は、別の放射源、例えば、LiまたはXe燃料プラズマ放射源であってもよい。さらに、使用中、プラズマ電子、荷電粒子および他のデブリ粒子は、コレクタKおよびイルミネータILへと向かって放射源SOから漏れる場合がある。コレクタKは、放射源SOから放射を収集できる。コレクタKは、収集した放射を照射システムILに送るように構成されてもよい。特に、コレクタKは、放射源から受ける入射を小さなフォーカスエリアまたはフォーカスポイント上に焦点を合わせるように構成されてもよい。0045デブリ緩和システム10、110は、望ましくは、放射源SOから発散する粒子を捕獲するために提供される。図1に示されるように、緩和システムには、放射源SOの近くに配置された1つ以上の回転可能な汚染物質トラップ101つのみが示されてるが設けられてもよい。さらに、1つ以上のさらなる汚染物質トラップ110、例えば、回転可能トラップ10と放射コレクタKとの間に位置付けされた静的汚染物質トラップ110が提供されてもよい。回転可能トラップシステム10の1つ以上の実施形態を以下に説明する。0046イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータは、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせるように放射ビームを調整するために使用することができる。0047放射ビームPBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスMAを通り抜けた後、放射ビームPBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2のポジショナPWおよび位置センサIF2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、基板テーブルWTを、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームPBのパス内に位置付けるように正確に動かすことができる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサIF1を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームPBのパスに対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート構造MTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、1つより多いダイがパターニングデバイスMA上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0048例示の装置は、以下のモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00491.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にすなわち、単一静止露光ターゲット部分C上に投影する。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。00502.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。00513.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0052上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0053図2A~図2Cは、回転可能な汚染物質トラップ10および10’の実施形態を示している。例えば、トラップ10および10’の各々は、モータ駆動ファンであってもよい。図2A~図2Bで示されるように、回転可能トラップ10は、放射すなわち、放射源SOから発散する発散放射ビームの伝搬の通常方向に対して実質的に平行に構成されてもよいチャネルChを規定する複数のチャネル形成要素11を有するロータ10を含んでもよい。より詳細には、回転可能トラップ10は、コレクタKまたは次の汚染物質トラップ110へと向かう放射源SOの放射放出エリアLEPから発散する放射の透過を可能にしてもよい。ロータ10には、シャフト15が設けられており、ロータ10がその周りを回転可能である回転軸Qを提供する。本実施形態では、シャフト15は、ロータ搬送構造の適したベアリング20に回転可能に保持されており、これは以下により詳細に説明されている。放射の透過は、図3の矢印Rによって概略的に示されている。望ましくは、ロータ10の回転軸Qの仮想的拡張は、放射源SOの放射放出エリア/放射放出ポイント例えば、プラズマ放電ポイントLEPと同時に起こる。ロータを回転させるための駆動機構、例えばモータは、特に示されていないが、駆動モータが様々な方法で構成され、かつ様々な方法でロータ10に結合されてもよいことは当業者に理解されるであろう。0054図2Bおよび図2Cで示されるように、チャネル形成要素11は、異なる方法で構成されてもよく、望ましくはプレート例えば、ホイル11によって提供されるしたがって、いわゆるホイルトラップを形成する。プレート11は、様々な方法で構成されてもよい。例えば、図2Bは、放射透過チャネルChを規定する複数のプレート11を含む汚染物質トラップ10の第1の実施形態を示している。プレート11は、実質的に、そのもの自身がアパーチャを含まない固体プレート11であってもよい。チャネルChは、使用中、放射ビームの伝搬の方向に対して実質的に平行に構成されてもよい。さらに、プレート11は、ロータ10の回転軸Qに対して実質的に半径方向に配置され、回転軸Qの周りに均等かつ規則的に配置されている。図2Cは、プレート11が回転軸Qまたはシャフト15から半径方向に延びない代替の実施形態を示している。0055プレート11は、チャネルChが実質的に同じボリュームを有するように、トラップ10の中心軸の周りに規則的かつ対称的に配置されてもよい。図2Cに示されるように、プレート11は互いに、例えば、半径方向外側で外側プレートコネクタ18によって接続されてもよい。プレート11は互いに、半径方向内側で、および/または、例えばシャフト15に直接的に接続されてもよい。回転可能な汚染物質トラップ10は、様々な量のチャネルChおよびそれぞれのプレート11、例えば、比較的多数の比較的細いまたは細隙状のチャネル例えば、少なくとも約100チャネルまたは少なくとも約180チャネルあるいは少数のチャネルCh図2Cのようにを含んでもよい。0056さらに、ロータ10は、帯電可能材料を含んでもよく、全体の構成は、ロータ10が放射源SOの動作の結果として帯電されるようになっていてもよい下記参照。例えば、プレート11およびシャフト15は、実質的に、導電性材料、例えば、1つ以上の金属または合金、例えば、アルミニウム、鋼または他の材料から成っていてもよい。一実施形態では、シャフトは、ロバスト材料、例えば、ロバスト導電性鋼または他の材料を含む。別の実施形態では、ロータシャフトは、ロバスト絶縁体材料、例えば、セラミック絶縁体材料、炭化ケイ素SiCまたは他の絶縁体材料を含むか、またはそれらから成る図6について、下記参照。0057さらに、ロータ構成は、チャネル形成要素11およびロータシャフト15が互いに、直接的または間接的に、例えば、適した溶接接続または別の方法を介して電気的に接続されるようになっていてもよい。0058図2Aおよび図3にあるとおり、シャフト15をロータ搬送構造30のシャフト収容アパーチャで回転可能に保持するように構成されたベアリング20が提供され得る。ベアリングは、図3にてより詳細に示されている。ベアリング20およびロータ搬送構造30の両方は、本図では概略的にのみ示されており、それらは様々な構成を有していてもよい。ロータ搬送構造30は、1つ以上の比較的強くて耐久性のある導電性材料を含むか、または少なくともそれらから成ってもよい。0059例えば、ロータシャフトベアリング20は、半径ガスベアリングのような半径流体ベアリングを含んでもよい。そのような半径流体ベアリングは、当業者に理解されるように、従来技術として知られている。以下、ベアリングは主にガスベアリングと呼ばれるが、これは、流体ベアリングの適用を除外するものとして解釈されるべきではない。0060例えば、本実施形態では、ガスベアリング20は、ロータ搬送構造30の内側円柱面後に記述される内側面は、搬送構造のガスベアリング面と呼ばれることもあり、反対のシャフト面は、ロータシャフトのガスベアリング面と呼ばれることもあり、2つの表面はガスベアリングのための空間を囲うから間隔を空けるようにシャフト15を維持するために、シャフト15の一部を囲むガスまたはガス混合物あるいは流体または流体混合物、流体ベアリングの場合の円筒層を提供するように構成されてもよい。さらに、ベアリング20は、シャフト15の自由端とロータ搬送構造30の反対の内側面との間に配置された軸ガスベアリング20aも含んでもよい。ガスベアリング20は、シャフト15とロータ搬送構造30との間に非常に少ない摩擦を提供するためにその間の直接的な接触を防ぐことがあり、それによって、シャフト15および汚染物質トラップロータ10を搬送構造30に対して速い速度で効率的に回転させることができる例えば、10,000rpmを超える速度。ガスベアリング20は、良い熱導体である場合がある。ガスベアリング20内の高圧および比較的薄いガスの厚さによって、熱伝導性が良い場合がある。ガスベアリング20で使用されるガスは、加熱されることもあり、したがって、熱をホイルトラップから移動させるために使用される。これは、シャフト15の拡張、そしてそれによる磨耗および寿命問題の導入というリスクなしにホイルトラップ上に大量の力を吸収することを可能にする。シャフト15の熱的分離例えば、ボールベアリングを用いたでは、シャフト15の温度が600Cより高く上昇する一方、ガスベアリングでの同様の熱負荷では、シャフト15の温度は約100Cに上昇するということを実験が示している。0061例えば、ガスベアリング20および20Aは、シャフト15とロータ搬送構造30との間の空間にガスを供給するために1つ以上のガスインレット21を含んでもよいそれぞれのガス流は矢印GBによって示されている。例えば、インレット21は、搬送構造30のシャフト収容アパーチャの周りに延在する溝を含んでもよい。さらに、ロータ搬送構造30は、シャフト15とロータ搬送構造30との間の空間からガスを除去するために1つ以上のガス排出口22を含んでもよいそれぞれのガス流は矢印によって示されている。排出口22は、搬送構造30のシャフト収容チャンバの周りに延在する溝も含んでもよい。当業者に理解されるように、ベアリング20は、様々な他の方法によって配置および構成されてもよい。0062当業者に理解されるように、使用中、インレット21を介してガスベアリング20へと向かうガス流GBと排出口22を介するガスベアリング20からのガス流GBとの比率は、シャフト15と搬送構造30との間に所望のガスの厚さを維持するように調整または制御されてもよい。非限定例として、ガスベアリング20内のガス圧は、動作中、約0.1~5バールの範囲内であってもよい。一実施形態では、ガスベアリング20内で使用されるガスは窒素ガスN2である。0063放射源SOの動作中、放射源SOが放射を発した場合、荷電デブリ粒子例えば、電子および/またはイオンを含むは、放射源SOによって発されることがある。ロータプレート11は、放射源SOから発散する荷電粒子を含むデブリを捕獲することができ、ロータプレート11およびシャフト15の荷電へと繋がる。非限定例では、汚染物質トラップロータ10およびそのシャフト15は、アースに対して600ボルトより高く、数kVの電荷でさえにも荷電されてもよい。そのようなロータシャフト荷電は、導電性シャフト15と搬送構造30の導電性ベアリング面との間のガスベアリング20のガス空間を介して、制御されていない、突然の放電ED図3を参照へと繋がる場合もあり、放電EDは、ガスベアリング面に損傷を与え、それによって汚染物質トラップ10の動作を妨げることもある。0064一実施形態によると、装置は、ロータ10の放電EDの制御または方向転換、またはロータ10の放電を抑制、あるいはその両方を達成するように構成されている。言い換えると、例えば、装置は、ロータ10の電荷を制御するように構成されてもよい。したがって、制御されていない放電EDを防ぐことができ、それによって、高い信頼性を有する高速回転可能な汚染物質トラップ10を達成することができる。本出願を通して、ロータシャフト放電EDは、負に帯電したシャフト15を補償するためにシャフト15から流れる電子、または反対に、正に帯電した蓄積を補償するためにシャフト15へと流れる電子の流れを含んでもよい。0065図3~図11は、本発明の様々なさらなる実施形態を示している。1つ以上のこれらの実施形態の1つ以上の態様は、望まれかつ適切である場合、1つ以上の他の実施形態の1つ以上の態様と組み合わせるかまたはそれと置き換えられてもよい。0066図4の実施形態では、ロータ放電は、放電刺激器構造23の適用によって制御または方向転換される。特に、刺激器23は、ガスベアリング20の外のエリアでシャフト15の放電EDを刺激するように構成されている。特に、本実施形態では、放電刺激器23は、ガスベアリング20が実質的に存在しないロータ10の近くのエリアでシャフト15の実質的に全てまたはほとんどの放電EDが発生するように構成されている。0067例えば、第1のシャフト部15Aはガスベアリング20で保持されており、統合第2のシャフト部15Bは、ガスベアリングから離れており、主要ロータ部10に取り付けられ、かつロータ10の帯電可能ロータ材料と電荷を交換することが可能である。したがって、望ましいのは、特定のロータ帯電放射源動作によるの補償の全てまたはほとんどが第2のシャフト部15Bまたは別のロータ部を介して起こるが、第1のシャフト部15Aおよびガスベアリング20を介して起こらないような構成である。0068例えば、図4の実施形態では、放電刺激器は、第2のシャフト部15Bの少なくとも一部が放電刺激ガスまたはガス混合物GDで囲まれるかあるいはそれに接触するように、放電刺激ガスまたはガス混合物GDをシャフト15の第2のシャフト部15Bに向かって供給するためにガス供給構造23を含む。そこで、一実施形態では、放電刺激ガスまたはガス混合物GDは、比較的低い破壊電圧、例えば、動作中にガスベアリング20で使用されるベアリングガスまたはガス混合物GBの破壊電圧より低い種類のものであってもよい。記載された破壊電圧は、ガスの種類、ガス圧および破壊の長さに依存し、様々なガス/ガス混合物に対してはパッシェン曲線パッシェンの法則に従ったから決定されるか、あるいは実験または計算によって決定されてもよい。したがって、本実施形態では、使用中、シャフト15と搬送構造30との間のエリアの放電刺激ガス/ガス混合物GDの圧力およびガス/ガス混合物GDの種類との組み合わせのエリアの半径幅は、特に、ベアリングガス/ガス混合物GB、ベアリングガス/ガス混合物GBの種類との組み合わせのガスベアリングの半径幅に関連して、実質的に全てまたはほとんどのロータシャフト放電が放電刺激ガス/ガス混合物GDを介するようになってもよい。0069このように、電気的破壊EDまたは破過が記載された放電刺激ガスまたはガス混合物GDの適用によって第2のシャフト部15Bで生じる可能性が高いので、第1のシャフト部15Aを介する放電を防ぐことができる。したがって、例えば、放電EDは、ベアリング部20への損傷を防ぐことができるように、シャフト15と、例えば搬送構造30の一部との間の放電刺激ガス/ガス混合物GDによって導かれる。0070非限定例として、ガスベアリングで使用されるガスが窒素であった場合、放電刺激ガスはアルゴンであってもよい。例えば、シャフト/ベアリング構成に関連するガス/ガス混合物に対する一般的に知られているパッシェン曲線を使用または比較して、第2のロータシャフト部15Bで放電刺激を提供するために様々なガスまたはガス混合物が適し得ることが当業者に理解されるであろう。0071さらなる実施形態では、ガス供給23は、放電刺激ガス/ガス混合物GDを受けるために第2のシャフト部15Bの周りで、搬送構造30内に円筒形の溝を含んでもよい。さらに、一実施形態では、放電刺激ガス/ガス混合物GDを介して放電をさらに刺激するために電極26をガス供給23の下流部の中または近くに提供してもよい。このため、電極26は、電極26を介してロータシャフト放電を方向転換させるために、適した電位を電極に適用するために電位源に接続されていてもよい。したがって、放電刺激器構造は、第2のシャフト部15Bの外面の近くの位置に延在または延びる電極26、例えば、環状電極を含んでもよく、電極は、望ましくは電位源または適した電荷ドレイン例えば、アースに接続されている。例えば、十分に制御されたグロー放電がシャフト15と電極26との間に達成される場合があり、よって、シャフト15およびガスベアリング20に対する損害を防ぐ。例えば、制御されていない放電が生じる前であってもシャフト15からの電荷を接地へと導くことができる連続的導電性パスが形成されてもよく、よって、材料輸送を防ぎ、ガスベアリング面に対して拡大した寿命を与える。電極26は、様々な構成および形を有することができる。例えば、電極26は、電極へと向かう放電EDの方向転換を強化させるためにフィールド強化の鋭いエッジまたは鋭い先端を含んでもよい。0072図5は、図4の実施形態に類似する別の実施形態を示しているが、放電刺激ガスを供給するように構成されたガス供給を含んでいない。図5の実施形態では、第2のシャフト部15Bの外面の近くの位置に延在または延びる導電性電極26’が提供され、電極は電位源27に接続されている。電極26’は、ベアリング20の一部を形成しないエリア、例えば、搬送構造30のロータシャフトアパーチャの局所的に広がった部分に配置される。電極26’は、シャフト放電をガスベアリング20から離れるように方向転換させるために電位源27によって所望の高電圧使用中にシャフト15が負に帯電することが期待される場合の高い正電圧に帯電されてもよい。0073図6は、別の実施形態を示している。この場合、ロータ10は、ロータがガスベアリング20を介して放電できないようにロータ搬送構造30から電気的に絶縁される。例えば、そのため、ロータシャフト15’は、電気絶縁材料、例えば、電気絶縁セラミック材料から成ってもよい。さらに、または代替として、そのため、ガスベアリング20を囲う搬送構造の1つ以上の部分30Aは、電気絶縁材料、例えば、電気絶縁セラミック材料から成ってもよい。図6では、電気絶縁材料15’および30Aは、斜線で示されている。0074図7および図8は、別の実施形態を示している。この場合、ロータシャフト15の一部のみが、ロータ10とロータ搬送構造30のガスベアリング面との間のガスベアリングのガス空間を介する電荷の流れを防ぐために電気絶縁材料を含んでいる。例えば、シャフト15は、実質的にガスベアリング20の外に配置されたシャフト部15Cを含んでもよく、シャフト部は、電気絶縁材料から成っている。図8はシャフト15の詳細を示しており、第1のシャフト部115Aおよび第2のシャフト部115Bは互いに間隔を空けて配置され、電気絶縁結合部115Cによって互いに一体に取り付けられる。結合部115Cは、1つ以上の絶縁材料から成っており、装置の動作中に2つのシャフト部115Aおよび115Bの間に電流が全く流れないか少し流れることを確実にする。例えば、当業者に理解されるように、適した材料としては、酸化物、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、セラミック材料、そのような材料の組み合わせおよび他の材料が含まれる。0075図9は別の実施形態を示している。この場合、ロータ10特に、シャフト15の放電は、1つ以上の導電性カップリング29によって制御されており、この導電性カップリング29は、一方でシャフト15の導電性外面と電気接続されており、もう一方では、ロータ搬送構造の導電性部分、電荷ドレイン、またはその両方と電気接続されている。例えば、電荷ドレインは、アースを含んでもよく、または別の適した電荷受容/収集構造であってもよい。0076図9の実施形態では、いくつかの滑り接触29が記載された導電性カップリングを提供するためにガスベアリング20のガス空間を橋絡する。一実施形態では、滑り接触29は、シャフト15と搬送構造30との間の電荷交換のための経路を提供するためにロータ搬送構造30に取り付けられ、シャフト15の外面と滑り接触している。あるいは、またはさらに、同じ目的のために、滑り接触は、シャフト15と一体的に接続され、ロータ搬送構造30の一部と滑り接触していてもよい。一実施形態では、滑り接触は、例えば、適した金属または合金から成る導電性の毛またはワイヤを含んでもよい。0077図10は、ロータ搬送構造30を適した放電反作用電圧に帯電させるためにシャフトの放電が電位源27’を使用して実質的に防がれまたは減少される実施形態を示している図10では、ガスベアリングインレットおよび排気口は、ロータ搬送構造を別々の部分に分けているように見えるが、実際にはそのようになっておらず、電位源27’がロータ搬送構造30の少なくとも全てのガスベアリング面を帯電させることができるようになっている。例えば、シャフト15が特定の正電圧例えば、電位V1=500Vに帯電される場合があることが期待されている場合、ロータ搬送構造30も、ガスベアリング20のガス空間を介したシャフト15の突然の放電を打ち消すために正電圧例えば、電位V2=400Vに帯電されてもよい。ここで、ロータ搬送構造30は、電圧V2とロータシャフトV1の期待電圧との間の差がガスベアリング20に対する特定の破壊電圧より低く保たれるようにただ単に電圧V2に帯電されてもよい。一実施形態では、電位源27’の動作は、放射源SOの放射化のみの場合、またはそれによってロータ搬送構造30を帯電させるために、例えば、適した制御器を介して放射源SOの動作と関連させてもよい。0078図9で特に示されていない一実施形態では、ベアリング20は、シャフト15の一部とロータ搬送構造30の一部との間の空間にガスを供給するように構成された半径流体ベアリングである図2および図3のように。その場合、これは、流体ベアリングがロータシャフトとロータ搬送構造との間に導電性パスを提供し、それによってその間のあらゆる電位差を徐々に均等にするために導電性流体または流体混合物を提供するように構成された場合に有利である。例えば、流体ベアリング20によって供給される流体は、イオンまたはイオン化ベアリングガスを少なくとも部分的に含むか、またはそれらから成ってもよい。このように、グロー放電がシャフト15とロータ搬送構造30との間に突然のスパークの代わりに生成される場合があり、そのような全体流体ベアリング20は、ロータ10を制御した方法で放電するために放電パスを提供し得る。0079一実施形態では、流体ベアリング20は、良好な導電性液体室温における、例えば、液体金属または液体合金、例えばスズ、あるいは、スズ、インジウムおよびガリウムのうちの1つ以上を含む合金例えば、複数の合金のうちの1つ:ガリウム-インジウムおよびスズ-ガリウム-インジウムを提供するように構成された液体ベアリングであってもよい。その場合、シャフト15の制御された放電は、シャフト15のベアリング面および周囲構造30への損害へと繋がることなく単にベアリング20の液体中を展開し得る。0080反対に、流体ベアリング20は、実質的に、装置の動作中にベアリング20を介するあらゆる放電を防ぐかまたは減少させるためにシャフト15と搬送構造30との間に非常に良い電気的絶縁を形成するように選択されてもよい。0081本発明の一実施形態は、実施することに対して比較的容易で費用がかからない。さらに、1つ以上の実施形態では、高速ロータ10およびそのシャフト15との機械接触はなく、この場合、さらなる磨耗はなく、かつ余分なモータ力も必要としない。シャフト15上の電荷蓄積は非常に速い場合があり<100ns、表皮効果により、電流がほとんどシャフト15の外面で流れるように強制されることが期待される。この効果を考慮して、上述の実施形態は、電子が流れるように強制されているところ、すなわち、外側シャフト面から電子を取り出すことがある。0082本発明の1つ以上の実施形態は、例えば、ブラシリングを用いてシャフト15に対して電気接触をさせることを含んでもよい。さらに、または代替として、メカ全体は、制御されていないロータシャフト放電を抑制するためにその環境に対して電気的に絶縁されてもよく、電圧差を減少させるためにシャフト15とハウジング30との間で良好な容量結合が頼りにされている。一実施形態では、チャネル形成要素11は、そのシャフト15から電気的に絶縁されている図6~図8に示されている実施形態と同様。0083別の実施形態では、ロータ10またはシャフト15をロータ搬送構造30に対して回転可能に保持すなわち、搬送、誘導または支持するように構成された導電性ベアリング20が提供されてもよい。例えば、導電性ベアリング20は、導電性ガスまたはガス混合物を使用する上述の半径ガスベアリング20であってもよい。一実施形態では、ベアリング20は、導電性ボールベアリング、特に、導電性半径ボールベアリングであってもよい。後者の場合、例えば、ボールベアリングの1つ以上のボールは、導電性材料からなってもよい。さらに、ボールベアリング実施形態は、上述されて図で示された1つ以上の実施形態と組み合わされてもよい。0084図11は、別の実施形態を示している。この場合、そのようなロータ10の一部の近くにあるまたは電気接触しているロータ放電刺激器40が提供される。例えば、ロータ放電刺激器40は、外側ロータ部18例えば、チャネル形成要素11を相互接続する円形外側ロータ部であるを介してロータを放電するように構成された電極または滑り接触40を含んでもよい。ロータ放電刺激器40は、外側ロータ部18と直接的な電気接触するか、またはロータから適した短い距離で配置されてもよく、それによって、動作中にロータ10から電荷を受ける。さらに、ロータ放電刺激器40は、ロータ10から電荷を奪うために接地、電荷ドレインまたは電位源に電気的に結合されてもよい。放電刺激器としての電極40の場合、再度、電極40は、電極へと向かう放電EDの方向転換を強化させるためにフィールド強化の鋭いエッジまたは鋭い先端を含んでもよい。0085上述の実施形態の1つ以上は、様々な利点を提供し得る。例えば、回転可能な汚染物質トラップの実施形態の1つ以上は、メンテナンスをあまり必要としないで長い動作期間を達し、および/または放射源から発散するデブリの効率的な捕獲を提供し得る。0086回転可能な汚染物質トラップを有する本装置構成は、リソグラフィ装置に関する場合があるが、本発明の1つ以上の実施形態をリソグラフィ分野外でも適用できるため、リソグラフィ装置に特に限定されない。0087本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置および/またはコレクタが、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0088本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV放射例えば、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する、および極端紫外線EUV放射例えば、5~20nmの範囲の波長を有する、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。特に、プラズマを低圧真空環境で生成できる種類の放射である。0089レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0090上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。"