"回路基板上にフリップチップ実装した半導体発光素子の形状に沿って蛍光体層を備える半導体発光装置の製造方法において、複数の前記回路基板が連結した集合基板を準備する準備工程と、該集合基板に前記半導体発光素子をフリップチップ実装する実装工程と、該集合基板の前記蛍光体層を残す領域にプライマーを印刷する印刷工程と、該集合基板に蛍光体ペーストを塗布し蛍光体層を形成する塗布工程と、前記プライマーを印刷した領域の端部に沿って前記蛍光体層に溝を形成する溝形成工程と、前記プライマーを印刷した領域以外の領域の前記蛍光体層を除去する除去工程と、前記集合基板から前記半導体発光装置を個片化する個片化工程とを備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記塗布工程のあとに前記蛍光体層を研磨することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置の製造方法。前記除去工程のあとに前記半導体発光素子の周囲に残った蛍光体層の側部を研削することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置の製造方法。前記回路基板上に白色反射層を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。前記実装工程においてフリップチップ実装する前記半導体発光素子のピーク波長のバラツキが1nm以内であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。特許文献2の方法で作成されたLED素子発光ダイオード1は、ウェハーに対する機械加工なので蛍光体粒子径の影響を受けず精度の良い外形が保証されている。またLED素子が密集して配列した状態のウェハーを加工しているため製造効率も良い。しかしながら蛍光体層14の厚さは概ね100μm以上必要であるため溝12の幅は200μm以上必要になる。現状、300μm~1000μm角程度のLED素子に対して、ウェハー上でLED素子間を200μm以上離すことは取り個数を考えると採用しづらい。また予めLED素子に蛍光体層14を配置しておくと、回路基板にLED素子を実装する工程で必要な高温300~400°Cに耐えられるバインダ材料を使用せざるを得ず、一般的なシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などが使えなくなり、材料の選択範囲が狭くなってしまう。そこで本発明は、これらの課題を解決するため、LED素子の形状に沿って蛍光体層が配置されながら、ウェハーからの取り個数や蛍光体層に含まれるバインダの選択範囲が制限されず、蛍光体層の機械的加工が容易なLED装置の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため本発明の半導体発光装置の製造方法は、回路基板上にフリップチップ実装した半導体発光素子の形状に沿って蛍光体層を備える半導体発光装置の製造方法において、複数の前記回路基板が連結した集合基板を準備する準備工程と、該集合基板に前記半導体発光素子をフリップチップ実装する実装工程と、該集合基板の前記蛍光体層を残す領域にプライマーを印刷する印刷工程と、該集合基板に蛍光体ペーストを塗布し蛍光体層を形成する塗布工程と、前記プライマーを印刷した領域の端部に沿って前記蛍光体層に溝を形成する溝形成工程と、前記プライマーを印刷した領域以外の領域の前記蛍光体層を除去する除去工程と、前記集合基板から前記半導体発光装置を個片化する個片化工程とを備えることを特徴とする。前記塗布工程のあとに前記蛍光体層を研磨しても良い。前記除去工程のあとに前記半導体発光素子の周囲に残った蛍光体層の側部を研削しても良い。前記回路基板上に白色反射層を備えることが好ましい。前記実装工程においてフリップチップ実装する前記半導体発光素子のピーク波長のバラツキが1nm以内であることが好ましい。本発明の半導体発光装置の製造方法では、集合基板にフリップチップ実装し、蛍光体層を残す部分にだけ集合基板上面及び半導体発光素子上面と蛍光体の密着性を向上させるプライマーを印刷してから、この集合基板全体に蛍光体層を形成し、蛍光体層の不要な部分を除去することにより半導体発光素子の形状に沿って蛍光体層を備えさせている。蛍光体層は、蛍光体粒子をバインダで凝集したものなので機械的加工が容易である。また回路基板に半導体発光素子を実装してから蛍光体層を配置するので、半導体発光素子が密集して配列するウェハーに対してダイシング以外の素子間隔制限がないため半導体発光素子の取り個数を減じることはない。さらに蛍光体層には実装時の高温が掛からないためシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などのバインダ材料が使えるようになる。以上、本発明の半導体発光装置の製造方法は、LED素子の形状に沿って備えさせようとする蛍光体層を容易に加工でき、ウェハーからの取り個数や蛍光体層に含まれるバインダ材料の選択範囲を制限しない。以下、添付図1~7を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態図1は本発明の第1実施形態の方法で製造したLED装置30半導体発光装置の断面図である。LED装置30は、回路基板41上にLED素子36をフリップチップ実装している。蛍光体層32はLED素子36の上面及び側面に沿うようにして配置されており、LED素子36の底部と回路基板41の間にも存在する。封止材31は回路基板41の上面及び蛍光体層32を封止している。回路基板41は、板材38の上面と下面にそれぞれ電極37,40を備え、電極37と電極40はスルーホール39で接続している。電極37,40はニッケル及び金層を備えた銅箔であり、厚さが10~30μm程度である。スルーホール39は直径が100~300μm程度で内面に金属箔を備え金属ペーストが充填されている。板材38は、厚さが数100μmで、熱伝導等を考慮して樹脂、セラミクス、金属から選ばれる。LED素子36はサファイア基板33の下面に半導体層34が形成され、半導体層34に2このバンプ電極35が付着している。サファイア基板33は厚さが80~120μmであるが、さらに薄くすればサファイア基板33の側面から出射する光が減り、上方へ向かう光が増える。半導体層34は厚さが7μm程度であり、発光層を備えた青色発光ダイオードである。2このバンプ電極35はそれぞれアノードとカソードに相当し、電解メッキ法で形成され厚さが10~30μm程度になる。バンプ電極35は金属共晶接合により電極37と接続している。蛍光体層32は、LED素子36の周囲で厚さが100μm~200μmになるよう調整される。また珪酸塩系又は窒化物系の緑色蛍光体と窒化物系の赤色蛍光体を含みシリコーン樹脂をバインダとしている。半導体層34から出射した青色光と、この青色光により励起した蛍光体層32からの緑色光及び赤色光とが混色し白色光が得られる。蛍光体層32のように蛍光体をLED素子の周囲に配置させると出射方向方位角によって変化する色ムラ白色光の色度変化が軽減する。図2及び図3は図1のLED装置30を製造するための工程説明図である。aは回路基板41図1参照が複数個連結した集合基板42を準備する準備工程である。集合基板42には回路基板41が縦横に連結して配列し、例えば集合基板42が10cm角であるとすると集合基板42には数千個の回路基板41となる領域が含まれる。なお図2及び図3ではLED素子36が2個含まれる集合基板42の一部断面を示している以下同様。また集合基板42のそれぞれの回路基板領域には図1で示した電極37,40並びにスルーホール39が形成されている。bは集合基板42にLED素子36をフリップチップ実装する実装工程である。一個ずつ集合基板42にLED素子36を配置しても良いが、いったん粘着シート図示せず上に集合基板42の電極ピッチに合わせて複数のLED素子36を配列してから、粘着シートと集合基板42とを位置合わせし、一括してLED素子36を配置しても良い。この際、粘着シートにはサファイア基板33側を貼り付け、接合時には粘着シートごと加熱加圧する。LED素子36は高さや平面形状ばかりでなく発光のピーク波長も揃っていることが好ましい。これは青色光のピーク波長によって珪酸塩系又は窒化物系の緑色蛍光体の発光効率が敏感に変わるからである。蛍光体層32の厚みバラツキが10~20μm程度に抑え込めるときに、LED装置30の色度CIE1931のxy色度図を±5/1000に収めようとすると、ピーク波長のバラツキは1nm程度となる。同時に集合基板42にLED素子36を配置する位置精度は±10μm程度以内に収めることが好ましい。cはLED素子36に沿うようにして蛍光体層32を配置する予定の領域にプライマー45を印刷する印刷工程である。プライマー45は、LED素子36上面及びLED素子36を取り囲む集合基板42の領域に配置される。プライマー45は、一般に塗装などの下地処理で使われるもので、本実施形態ではシラン及びシロキサンを補助剤とともに溶剤に溶かし込んだものであり、大気湿度によって形成される硬質のシリコーン膜により、後述するようにLED素子36及び集合基板42表面と蛍光体層32を強固に接着させる。dはLED素子36を実装した集合基板42に蛍光体ペーストを塗布し蛍光体層32を形成する塗布工程である。蛍光体ペーストを集合基板42に塗布してから、100°C程度で仮硬化し蛍光体層32を形成する。蛍光体ペーストは、前述の珪酸塩系又は窒化物系の緑色蛍光体、窒化物系の赤色蛍光体及びシリコーン樹脂のバインダ並びに触媒を含んでいる。仮硬化とは蛍光体ペーストのバインダの架橋を途中で止めた状態であり硬度が小さい。eはプライマー45を印刷した領域の端部に沿って蛍光体層32に溝46を形成する溝形成工程である。溝46はナイフ等の刃を押し当てるか、刃でカットして形成する。刃は片刃が好ましく、垂直な面をLED素子36側にする。前述のように蛍光体層32は仮硬化状態なので溝46を作りやすくなっている。fはプライマー45を印刷した領域以外の領域の蛍光体層32を除去する除去工程である。この領域の蛍光体層32は、プライマー45が印刷されていないため基板との密着力が弱く、さらに溝46で境界が確定しているため容易に剥がし取ることができる。この結果、LED素子36の近傍にだけ蛍光体層32が残りコンフォーマルな状態になる。gは封止材31で蛍光体層32とともに集合基板42の上面を封止する封止工程である。封止材31は拡散粒子やフィラー等を含有する透明なシリコーン樹脂であり、この樹脂を金型で集合基板42上に配置し、150°C程度で硬化させる。このとき蛍光体層32も本硬化する。hは集合基板42からLED装置30を個片化する個片化工程である。ダイシング装置を使って集合基板42を切断し単個のLED装置30を分離する。第2実施形態図1で示したLED装置30は上面とともに側面からも光が出射する。側面から出射する光は利用しづらいことが多いので、図4においてLED素子の形状に沿って蛍光体層を備えながら、上方に多くの光が出射するよう配光制御したLED装置の一例を示す。そして図5~7において第2実施形態として図4で示したLED装置50の製造方法を説明する。図4は本発明の第2実施形態の方法で製造したLED装置50半導体発光装置の断面図である。LED装置50は、LED素子36、回路基板41が図1のLED装置30と共通であり、LED素子36と回路基板41の接続構造も図1のLED装置30と等しい。LED装置50は回路基板41の上面に白色反射層54がある。またLED素子36の形状に沿って配置された蛍光体層52の底部が広がっている。さらに回路基板41の周辺部には反射枠53があり、反射枠53に取り囲まれた空間に封止材51が充填されている。白色反射層54は酸化チタン等の反射性微粒子とオルガノポリシロキサンなどの無機バインダとを混練したペーストを回路基板41に印刷してから硬化させたものである。この厚さは30~50μm程度であり、このときバインダはガラス質になり、後述するフリップチップ実装時の高温に耐えることができる。蛍光体層52及び封止材51の材料及び厚さは図1のLED装置30の蛍光層32及び封止材31と等しい。反射枠53は酸化チタン等の反射性微粒子を含むシリコーン樹脂であり、厚さは50~100μm程度である。白色反射層54及び反射枠53は、LED素子36及び蛍光体層52から出射した光のうち斜め下方及び側方に向かう光線を白色反射層54及び反射枠53で反射しLED装置50の上方に向かって出射させようとするものである。図5~7は図4のLED装置50を製造するための工程説明図である。aは図2aの準備工程と同じものである。a1は集合基板42に白色反射層54を印刷する工程を示している。集合基板42の上面に対しLED素子36を実装する領域以外の領域に白色反射部層54を印刷する。bはLED素子36を集合基板42に実装する実装工程であり、白色反射層54の有無以外は図2bの実装工程と等しい。cはプライマー55を印刷する印刷工程であり、図2cの印刷工程に比べプライマー55を広く印刷している。すなわちプライマー55はLED素子36及び電極37上面に加え白色反射層54の一部にも存在する。この結果、プライマー55の印刷精度を緩めることができる。dは蛍光体ペーストを集合基板42に塗布し蛍光体層52を形成する塗布工程である。蛍光体層52は図3dで形成した蛍光体層32よりも厚くなっており、塗布量の精度を緩くしている。d1は蛍光体層52を研磨する工程である。蛍光体層52が仮硬化したら所定の厚さまで蛍光体層52を研磨する。この厚さは、所望の発光色を得る目的で予め準備してあるLED素子36のピーク波長及び蛍光体層52の厚さ並びに発光色の関係に基づいて決める。各LED素子36のピーク波長が1nm以内で揃っている場合、xy色度図CIE1931上で±5/1000の範囲に収めようとすると、厚み精度は±10μm程度になる。eはプライマー55を印刷した領域の端部に沿って蛍光体層52に溝56を形成する溝形成工程である。溝56の形状等は図3eと同等である。fはプライマー55を印刷した領域以外の領域の蛍光体層52を除去する除去工程である。この領域の蛍光体層52は、プライマー55が印刷されていないため基板との密着力が弱く、さらに溝56で境界が確定しているため容易に剥がし取ることができる。f1はLED素子36の周囲に残った蛍光体層52の側部を研削する工程である。ダイシング装置を使ってLED素子36側部の蛍光体層52を研削し、厚みを100μm程度まで薄くする。このとき白色反射層54や電極37の表面を傷つけないようにするため蛍光体層52の底部を残している。gは封止材51で蛍光体層52とともに集合基板42の上面を封止する封止工程である。図3gと同様に金型で封止材51を硬化させる。g1は反射枠53を形成する工程である。封止材51に溝を掘り、反射性部粒子を含有する硬化前のシリコン樹脂をこの溝に充填し硬化させる。hはダイシング装置を使って集合基板42を切断し単個のLED装置50に分離する個片化工程である。参考例本発明の作用上のひとつの特徴は、密着力の差を利用して蛍光体層を残す領域と蛍光体層を除去する領域を区分したとも言い換えられる。つまり蛍光体層を除去する領域の密着力が弱ければよい。そこでこの領域に密着力を弱める部材を予め配置しておいてもよい。図8及び図9により参考例としてこの手法によりLED装置70を製造する方法を説明する。なお図1がLED装置30のプライマー45を図示していないため、LED装置70の断面{図9h参照}は図1のLED装置30と等しくなる。図8及び図9は参考例として示す方法でLED素子36の形状に沿って蛍光体層32を備えるLED装置70を製造するための工程説明図である。なお前述のようにLED装置30とLED装置70の断面図が共通になるので部材の番号も同じものを使っている。a及びbは図2a及びbの準備工程及び実装工程と同じものである。cは離型剤85を印刷する印刷工程であり、離型剤85は蛍光体層32を残さない領域に印刷される。dは蛍光体ペーストを印刷し蛍光体層32を形成する印刷工程であり、プライマー45と離型剤85の違いを除くと図2dに等しい。eは離型剤85を印刷した領域の端部に沿って蛍光体層32に溝46を形成する溝形成工程である。溝46の作り方等は図3eの溝形成工程と等しい。fは離型剤85を印刷した領域の蛍光体層32を除去する除去工程である。この領域の蛍光体層32は、離型剤85が印刷されているため集合基板42との密着力が弱く、さらに溝46で境界が確定しているため容易に剥がし取ることができる。この結果、LED素子36の近傍にだけ蛍光体層32が残りコンフォーマルな状態になる。このとき洗浄などで離型剤85を集合基板42から除去しておく。g及びhはプライマー45がない点を除き図3g及びhの封止工程及び個片化工程と等しい。第1,2実施形態及び参考例では蛍光体層32及び回路基板41上面を封止剤31,51で封止していた。しかしながらLED装置30,50,70を薄くしたい場合、又は蛍光体層32や回路基板41上面が化学的に安定な場合は封止しなくても良い。また第2実施形態の図6d1で示した蛍光体層52を研磨する工程は、蛍光体ペーストの塗布量が正確で表面が平坦であれば不要になる第1実施形態及び参考例の場合。しかしながら蛍光体層を研磨する工程は、蛍光体層を研磨しながら発光色を調整するのにも利用できる。"