"[A]同一又は異なる重合体中に、下記式1で表される構造単位Iと下記式2で表される構造単位IIとを有する重合体成分、[B]感放射線性酸発生剤、及び[C]環構造を有する窒素含有化合物を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。Zは、R2と共に2価の単環の脂環式炭化水素基を形成する基である。R2は、炭素原子である。R3は、メチル基又はエチル基である。式2中、R4は、水素原子又はメチル基である。Xは、R5と共に炭素数10以上の2価の有橋の脂環式炭化水素基を形成する基である。R5は、炭素原子である。R6は、炭素数3又は4の分岐状のアルキル基である。[A]重合体成分が、構造単位I及び構造単位IIを有する重合体を含む請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[A]重合体成分が、構造単位Iを有する重合体と構造単位IIを有する重合体とを含む混合物である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。構造単位Iが、下記式1-1で表される構造単位I-1である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式1-1中、R1及びR3は、上記式1と同義である。aは、1又は2である。構造単位IIが、下記式2-1で表される構造単位II-1である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式2-1中、R4及びR6は、上記式2と同義である。[A]重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、ラクトン構造を含む構造単位III及び環状カーボネート構造を含む構造単位IVからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[C]化合物が、芳香環構造及び窒素原子含有複素環構造からなる群より選ばれる少なくとも1種の環構造を有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。下記式1で表される構造単位I、下記式2で表される構造単位II及び環状カーボネート構造を含む構造単位を有する重合体。式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。Zは、R2と共に2価の単環の脂環式炭化水素基を形成する基である。R2は、炭素原子である。R3は、メチル基又はエチル基である。式2中、R4は、水素原子又はメチル基である。Xは、R5と共に炭素数10以上の2価の有橋の脂環式炭化水素基を形成する基である。R5は、炭素原子である。R6は、炭素数3又は4の分岐状のアルキル基である。1請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、レジスト被膜を形成する工程、2上記レジスト被膜を露光する工程、3上記露光されたレジスト被膜を加熱する工程、及び4上記加熱されたレジスト被膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、LWR性能に優れると共に、パターン倒れ寸法が小さく、かつレジスト残膜量が大きい感放射線性樹脂組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]同一又は異なる重合体中に、下記式1で表される構造単位Iと下記式2で表される構造単位IIとを有する重合体成分以下、[A]重合体成分ともいう、[B]感放射線性酸発生剤以下、[B]酸発生剤ともいう、及び[C]環構造を有する窒素含有化合物以下、[C]化合物ともいうを含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。Zは、R2と共に2価の単環の脂環式炭化水素基を形成する基である。R2は、炭素原子である。R3は、メチル基又はエチル基である。式2中、R4は、水素原子又はメチル基である。Xは、R5と共に炭素数10以上の2価の有橋の脂環式炭化水素基を形成する基である。R5は、炭素原子である。R6は、炭素数3又は4の分岐状のアルキル基である。本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分、[B]酸発生剤及び[C]化合物を含有することで、LWR性能に優れると共に、パターン倒れ寸法を小さく、かつレジスト残膜量を大きくすることができる。当該感放射線性樹脂組成物が、上記構成を有することで、上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば、[A]重合体成分の構造単位I及び構造単位IIが有する酸解離性基の解離容易性が高いため、PEBポストエクスポージャーベークの温度を例えば100°C未満に低温化することができ、このPEB低温化と[C]化合物の適度な塩基性との相乗効果によって、[B]酸発生剤等から発生する酸の拡散を適切に制御していること等が考えられる。[A]重合体成分は、構造単位I及び構造単位IIを有する重合体を含むことが好ましい。また、[A]重合体成分は、構造単位Iを有する重合体と構造単位IIを有する重合体とを含む混合物であることも好ましい。[A]重合体成分が、構造単位I及び構造単位IIを有する共重合体を含む場合であっても、各構造単位を有する重合体を含む混合物の場合であっても、当該感放射線性樹脂組成物は、上記効果を発揮することができる。構造単位Iは、下記式1-1で表される構造単位I-1であることが好ましい。式1-1中、R1及びR3は、上記式1と同義である。aは、1又は2である。構造単位Iが上記特定構造を有すると、PEB温度を低くした場合の酸解離性基の解離容易性がより高まると考えられ、その結果、LWR性能、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の特性が向上する。構造単位IIは、下記式2-1で表される構造単位II-1であることが好ましい。式2-1中、R4及びR6は、上記式2と同義である。構造単位IIが上記特定構造を有すると、PEB温度を低くした場合の酸解離性基の解離容易性がさらに高まると考えられ、その結果、LWR性能、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の特性がより向上する。[A]重合体成分は、同一又は異なる重合体中に、ラクトン骨格を有する構造単位III及び環状カーボネート構造を有する構造単位IVからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有することが好ましい。[A]重合体成分が上記特定の構造単位をさらに有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンの基板との密着性を向上させることができ、その結果、LWR性能、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の特性がより向上する。[C]窒素含有化合物は、芳香環構造及び窒素原子含有複素環構造からなる群より選ばれる少なくとも1種の環構造を有することが好ましい。[C]窒素含有化合物は、上記特定構造を有することで適度な塩基性を有することができると考えられ、[B]酸発生剤等から発生する酸の拡散をより適度に制御することができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の特性がさらに向上する。本発明の重合体は、下記式1で表される構造単位I、下記式2で表される構造単位II及び環状カーボネート構造IVを有する構造単位とを有する。式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。Zは、R2と共に2価の単環の脂環式炭化水素基を形成する基である。R2は、炭素原子である。R3は、メチル基又はエチル基である。式2中、R4は、水素原子又はメチル基である。Xは、R5と共に炭素数10以上の2価の有橋の脂環式炭化水素基を形成する基である。R5は、炭素原子である。R6は、炭素数3又は4の分岐状のアルキル基である。当該重合体は、上述の特性を有しているので、感放射線性樹脂組成物の構成成分として好適に用いることができる。本発明のレジストパターン形成方法は、1当該感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、レジスト被膜を形成する工程、2上記レジスト被膜を露光する工程、3上記露光されたレジスト被膜を加熱する工程、及び4上記加熱されたレジスト被膜を現像する工程を有する。当該レジストパターン形成方法によれば、当該感放射線性樹脂組成物を用いているので、PEB温度LWR及びパターン倒れ寸法が小さいレジストパターンを、レジスト残膜量を大きくしつつ形成することができる。本発明によれば、LWR性能に優れると共に、パターン倒れ寸法が小さく、かつレジスト残膜量が大きい感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について詳述する。<感放射線性樹脂組成物>当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分、[B]発生剤及び[C]化合物を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[D]溶媒を含有してもよく、さらに、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について説明する。<[A]重合体成分>[A]重合体成分は、同一又は異なる重合体中に、構造単位Iと構造単位IIとを有する重合体成分である。[A]重合体成分は、例えば、構造単位I及び構造単位IIを有する重合体を含んでいてもよく、構造単位Iを有する重合体と構造単位IIを有する重合体とを含む混合物を含んでいてもよい。[A]重合体成分における両構造単位の含有形態にかかわらず、当該感放射線性樹脂組成物は、LWR性能に優れると共に、パターン倒れ寸法を小さく、かつレジスト残膜量を大きくすることができる。[A]重合体成分は、当初アルカリ難溶性又は不溶性であるが、構造単位I及びIIが共に露光により発生する酸により解離してアルカリ可溶性となる基を有するため、露光によってアルカリ可溶性となる性質を有する。構造単位Iと構造単位IIとを組み合わせると、酸解離性基の解離容易性が向上し、PEB温度を例えば100°C未満に低温化することができ、[B]酸発生剤等から発生する酸の未露光部への拡散を抑えることができるので、その結果、レジスト残膜量が向上すると考えられる。また、このように酸解離性基の解離容易性が高くなることで、露光部の溶解性が十分高くなるため、パターン倒れ寸法を小さくすることができると考えられる。すなわち、[A]重合体成分によれば、構造単位Iと構造単位IIとの組み合わせにより、PEB後の露光部エリアと未露後部エリアの現像液に対する溶解性及び剛直性を適切にコントロールでき、その結果、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の性能を向上させることができると考えられる。[A]重合体成分は、構造単位I及び構造単位II以外にもラクトン構造を有する構造単位III、環状カーボネート構造を有する構造単位IV及びその他の構造単位を有していてもよい。上記各構造単位は、構造単位を1種又は2種以上有してもよい。以下、各構造単位について説明する。[構造単位I]構造単位Iは、上記式1で表される構造単位である。構造単位Iは、特定の1-メチル置換の単環の脂環式炭化水素基又は1-エチル置換の単環の脂環式炭化水素基を有することを特徴とする。上記式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。式1中、Zは、R2と共に2価の単環の脂環式炭化水素基を形成する基である。R2は、炭素原子である。R3は、メチル基又はエチル基である。上記R1としては、構造単位Iを与える単量体の重合性の観点から、メチル基が好ましい。上記ZがR2と共に形成する2価の単環の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロノナンジイル基、シクロデカンジイル基等が挙げられる。これらの中でもシクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基が好ましい。構造単位Iとしては、上記式1-1で表される構造単位I-1が好ましい。上記式1-1中、R1及びR3は、上記式1と同義である。aは、1又は2である。上記aとしては、1が好ましい。構造単位Iの含有割合としては、[A]重合体成分中の全構造単位に対して、10モル~60モルが好ましく、20モル~60モルがより好ましく、30モル~55モルがさらに好ましく、40モル~55モルが特に好ましい。構造単位Iの含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の性能が向上する。[構造単位II]構造単位IIは、上記式2で表される構造単位である。構造単位IIは、特定の分岐状アルキル基で置換された有橋脂環式炭化水素基を有することを特徴とする。上記式2中、R4は、水素原子又はメチル基である。Xは、R5と共に炭素数10以上の2価の有橋の脂環式炭化水素基を形成する基である。R5は、炭素原子である。R4は、炭素数3又は4の分岐状のアルキル基である。上記R4としては、構造単位IIを与える単量体の重合性の観点から、メチル基が好ましい。上記XがR5と共に形成する炭素数10以上の2価の有橋の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンタンジイル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプタンジイル基、トリシクロ[4.3.0.12,5]デカンジイル基、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカンジイル基等が挙げられる。これらの中でもアダマンタンジイル基が好ましい。上記R6で表される炭素数3又は4の分岐状のアルキル基としては、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、sec-ブチル基等が挙げられる。これらの中でも、i-プロピル基、i-ブチル基が好ましい。構造単位IIとしては、上記式2-1で表される構造単位II-1等が挙げられる。上記式2-1中、R4及びR6は、上記式2と同義である。構造単位IIの含有割合としては、[A]重合体成分中の全構造単位に対して、5モル~55モルが好ましく、5モル~35モルがより好ましく、5モル~20モルがさらに好ましい。構造単位IIの含有割合を上記範囲とすることで、パターン倒れ寸法、レジスト残膜量及びLWRを向上させることができる。[構造単位III及び構造単位IV][A]重合体成分は、ラクトン構造を有する構造単位III及び/又は環状カーボネート構造を有する構造単位IVを好適に含有することができる。[A]重合体成分がこのような構造単位を有することにより、当該感放射線性樹脂組成物は、LWR性能及びMEEF性能が向上すると共に、形成されるレジスト被膜と基板との密着性が向上するので、その結果、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の特性も向上する。ラクトン構造を有する構造単位IIIとしては、例えば、下記式3で表される構造単位以下、構造単位III-1ともいう等が挙げられる。上記式3中、R7は、水素原子又はメチル基である。R8は、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基又はシアノ基である。Aは、単結合、炭素数1~4の2価の炭化水素基、-A’-O-、-A’-COO-又は-A’-OCO-である。但し、A’は、炭素数1~4の2価の炭化水素基である。は、酸素原子に結合する部位を示す。nは、0~3の整数である。R8が複数の場合、複数のR8は同一でも異なっていてもよい。bは、0又は1である。上記R7としては、構造単位III-1を与える単量体の重合性の観点から、メチル基が好ましい。上記R8で表される炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましい。上記R8で表される炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。これらの中でも、トリフルオロメチル基が好ましい。上記R8で表される炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。これらの中でも、メトキシ基が好ましい。上記A及びA’で表される炭素数1~4の2価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基、1,4-n-ブチレン基等の直鎖状炭化水素基;1,2-プロピレン基、1,2-n-ブチレン基、1,3-n-ブチレン基、1,3-i-ブチレン基等の分岐状炭化水素基等が挙げられる。これらの中でも、直鎖状炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基がより好ましい。bとしては、0が好ましい。nとしては、0又は1が好ましい。構造単位III-1としては、例えば、下記式3-1~3-8で表される構造単位等が挙げられる。上記式3-1~3-8中、R7は、上記式3と同義である。これらの中でも3-1で表される構造単位が好ましい。上記ラクトン構造を有する構造単位IIIとしては、上記構造単位III-1以外にも、例えば、下記式4-1~4-9で表される構造単位等が挙げられる。上記式4-1~4-9中、R9は、水素原子又はメチル基である。環状カーボネート構造を有する構造単位IVとしては、例えば、下記式5-1~5-21で表される構造単位等が挙げられる。上記式5-1~5-21中、R10は、水素原子又はメチル基である。これらの中でも、式5-1で表される構造単位が好ましい。構造単位III及び構造単位IVの含有割合としては、[A]重合体成分中の全構造単位に対して、通常70モル以下であり、20モル~65モルが好ましく、30モル~60モルがより好ましい。構造単位III及び構造単位IVの含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物は、LWR性能及び形成されるレジスト被膜と基板との密着性が向上し、その結果、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の特性も向上する。[その他の構造単位]その他の構造単位としては、例えば、メタアクリル酸アダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-メチルアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-エチルアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-シアノアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-カルボキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3,5-ジカルボキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-カルボキシ-5-ヒドロキシアダマンタン-1-イル、メタアクリル酸3-メトキシカルボニル-5-ヒドロキシアダマンタン-1-イル等の単量体に由来する構造単位等が挙げられる。その他の構造単位の含有割合としては、[A]重合体成分中の全構造単位に対して、0~20モルであることが好ましい。[A]重合体成分の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して、70質量以上が好ましく、80質量以上がより好ましい。<[A]重合体成分を構成する重合体の合成>[A]重合体成分を構成する重合体は、ラジカル重合等の従来公知の方法に従って合成することができるが、例えば、各単量体とラジカル開始剤を含有する反応溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する反応溶液に滴下して重合反応させる方法、各単量体を含有する反応溶液とラジカル開始剤を含有する反応溶液とを、各々別々に反応溶媒又は単量体を含有する反応溶液に滴下して重合反応させる方法、各単量体も各々別々に調製された反応溶液とラジカル開始剤を含有する反応溶液とを、各々別々に反応溶媒又は単量体を含有する反応溶液に滴下して重合反応させる方法等が挙げられる。上記重合反応における反応温度は、開始剤の種類によって適宜設定することができるが、30~180°Cが好ましく、40~160°Cがより好ましく、50~140°Cがさらに好ましい。滴下に要する時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体によって適宜設定することができるが、30分~8時間が好ましく、45分~6時間がより好ましく、1時間~5時間がさらに好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間は、適宜設定することができるが、30分~8時間が好ましく、45分~7時間がより好ましく、1時間~6時間がさらに好ましい。単量体を含有する溶液に滴下する場合、滴下する溶液中の単量体の割合は、重合に用いられる単量体の総量に対して、30モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上がさらに好ましい。重合に使用されるラジカル開始剤としては、例えば、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス2-メチルブチロニトリル、1,1’-アゾビスシクロヘキサン-1-カルボニトリル、2,2’-アゾビス2-メチル-N-フェニルプロピオンアミジンジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス2-メチル-N-2-プロペニルプロピオンアミジンジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス[2-5-メチル-2-イミダゾリン-2-イルプロパン]ジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス[2-メチル-N-[1,1-ビスヒドロキシメチル2-ヒドロキシエチル]プロピオンアミド]、ジメチル-2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネ-ト、4,4’-アゾビス4-シアノバレリックアシッド、2,2’-アゾビス2-ヒドロキシメチルプロピオニトリル等が挙げられる。これら開始剤は1種単独又は2種以上を使用することができる。上記重合反応に用いられる反応溶媒としては、使用する単量体を溶解し、重合を阻害するような溶媒例えば、ニトロベンゼン類、メルカプト化合物でなければ使用可能である。このような溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル類、ラクトン類、ニトリル類、これらの混合溶媒等が挙げられる。アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1-メトキシ-2-プロパノール等が挙げられる。エーテル類としては、例えば、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン、1,3-ジオキサン等が挙げられる。ケトン類としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。アミド類としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等が挙げられる。エステル類としては、例えば、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸イソブチル等が挙げられる。ラクトン類としては、例えば、γ-ブチロラクトン等が挙げられる。ニトリル類としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等が挙げられる。これらの溶媒は、1種単独又は2種以上を使用することができる。重合反応終了後、重合反応液を再沈溶媒に投入し、目的の重合体を粉体として回収することが好ましい。再沈溶媒としては、例えば、水、及び上述の重合反応に用いられる反応溶媒として例示した溶媒等を使用することができる。[A]重合体成分のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した重量平均分子量Mwとしては、1,000~100,000が好ましく、1,500~80,000がより好ましく、2,000~50,000がさらに好ましい。[A]重合体成分のMwが1,000未満であると、レジスト被膜の耐熱性が低下するおそれがある。一方、Mwが100,000を超えると、レジスト被膜の現像性が低下するおそれがある。また、[A]重合体成分のMwと数平均分子量Mnとの比Mw/Mnは、1~5が好ましく、1~3がより好ましい。当該感放射線性樹脂組成物に用いられる[A]重合体成分は、ハロゲン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。[A]重合体成分ひいては当該感放射線性樹脂組成物の不純物の含有量が少ない方が、レジスト被膜を形成したときの感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに改善できる。[A]重合体成分を得る際の重合反応液の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等が挙げられる。このように合成した重合体を1種又は2種以上混合して、[A]重合体成分とすることができる。<[B]酸発生剤>[B]酸発生剤は、放射線の照射により酸を発生する化合物である。[B]酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩;有機ハロゲン化合物;ジスルホン類、ジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物等が挙げられる。[B]酸発生剤としては、オニウム塩が好ましく、スルホニウム塩がより好ましく、その中でも、下記式6で表されるスルホニウム塩化合物がさらに好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、このような酸発生剤を含有することで、放射線の吸収効率の点で優れる。上記式6中、R11は、水素原子、水酸基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基又は炭素数2~11の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシカルボニル基である。R12は、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基である。mは、0~10の整数である。R12が複数の場合、複数のR12は同一でも異なっていてもよい。R13及びR14は、それぞれ独立して、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、フェニル基又はナフチル基である。このアルキル基、フェニル基及びナフチル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R13とR14とが互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に炭素数2~10の環構造を形成していてもよい。kは、0~2の整数である。X-は、RaCxF2xSO3-である。但し、Raは、フッ素原子又は置換されていてもよい炭素数1~12の炭化水素基である。xは、1~10の整数である上記R11、R12、R13及びR14で表される炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基等が挙げられる。R11で表される炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基等が挙げられる。R11で表される炭素数2~11の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、i-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。kとしては、0又は1が好ましい。上記Raで表される置換されていてもよい炭素数1~12の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基等の直鎖状又は分岐状のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の脂環式炭化水素基等が挙げられる。上記xとしては、1~4が好ましい。上記式6で表されるスルホニウムカチオンとしては、放射線の吸収効率が向上する観点から、下記式6-1で表されるカチオン、式6-2で表されるカチオンが好ましい。上記式6-1中、R15、R16及びR17は、それぞれ独立して、水酸基、置換されていてもよい炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は置換されていてもよい炭素数6~12のアリール基である。q1、q2及びq3は、それぞれ独立して、0~5の整数である。R15、R16及びR17がそれぞれ複数の場合、複数のR15、R16及びR17はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式6-2中、R18は、水酸基、炭素数1~8の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数6~8のアリール基である。このアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。R19は、水素原子、炭素数1~7の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数6~7のアリール基である。このアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。q4は、0~7の整数である。q5は、0~6の整数である。R18及びR19がそれぞれ複数の場合、複数のR18及びR19はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、2つのR19が互いに結合して環構造を形成してもよい。q6は、0~3の整数である。上記式6で表されるスルホニウムカチオンとしては、例えば、下記式i-1~i-63で表されるカチオン等が挙げられる。これらの中でも、上記式i-1、式i-2、式i-6、式i-8、式i-13、式i-19、式i-25、式i-27、式i-29、式i-33、式i-51及び式i-54で表されるスルホニウムカチオンが好ましく、上記式i-1で表されるスルホニウムカチオン、式i-33で表されるスルホニウムカチオンがより好ましい。[B]酸発生剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、1質量部~50質量部が好ましく、2質量部~30質量部がより好ましく、5質量部~20質量部がさらに好ましい。[B]酸発生剤は、1種単独又は2種以上を使用することができる。<[C]化合物>[C]化合物は、環構造を有する窒素含有化合物である。この[C]化合物は、適度な塩基性を有していると考えられ、当該感放射線性樹脂組成物において、良好な酸拡散制御剤として作用すると考えられる。すなわち、[C]化合物は、露光により[B]酸発生剤等から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制すると考えられる。その結果、[A]重合体成分の酸解離性基の解離容易性向上によるPEB低温化との相乗効果として、当該感放射線性樹脂組成物は、LWR性能に優れると共に、パターン倒れ寸法を小さく、かつレジスト残膜量を大きくすることができる。また、[C]化合物を含有させることで、当該感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、解像度が向上すると共に、露光から加熱処理までの引き置き時間PEDの変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。上記環構造としては、例えば、芳香環構造、脂環構造、窒素原子含有脂肪族複素環構造、窒素原子含有芳香族複素環構造等の窒素原子含有複素環構造等が挙げられる。なお、[C]化合物には、アミノ基を有する窒素含有化合物のアミノ基の水素原子を例えばt-ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基で置換した構造を有し、酸の作用により分解して上記アミノ基が生成する化合物等も好適に含まれる。[C]化合物としては、芳香環構造を有する化合物として、例えば、アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、2,6-ジメチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼンテトラメチレンジアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。脂環構造を有する化合物として、例えば、シクロヘキシルジメチルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジシクロヘキシルメチルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-ノルボルニルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン等のN-t-アルコキシカルボニルシクロアルキルアミン類;窒素原子含有複素環構造を有する化合物としては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド等のピリジン類;キノリン、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン等のキノリン類;アクリジン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン;イミダゾール、4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等のイミダゾール類;ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のベンズイミダゾール類などの窒素原子含有芳香族複素環構造を有する化合物;ピペラジン、1,4-ジメチルピペラジン、N、N’-ジ-t-ブトキシカルボニルピペラジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン等のピペラジン類;ピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール等のピロリジン類;ピペリジン、N-t-ブトキシカルボニル--4-ヒドロキシピペリジン、N-t-アミロキシ-4-ヒドロキシピペリジン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール等のピペリジン類;モルホリン、4-メチルモルホリン等のモルホリン類;1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等の窒素原子含有脂肪族複素環構造を有する化合物が挙げられる。これらの中でも、適度な塩基性を有する観点から、芳香環構造を有する化合物、窒素原子含有複素環構造を有する化合物が好ましく、芳香環構造を有する化合物、窒素原子含有脂肪族複素環構造を有する化合物がより好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジンがさらに好ましい。[C]化合物の塩基性が高すぎるとパターンがT-Top形状になりパターン倒れ寸法が大きくなる場合がある。逆に、[C]化合物の塩基性が低すぎると酸拡散制御能の不足により酸の未露光部への拡散を抑えることが十分できず、レジスト残膜量が減少する場合がある。なお、本発明の効果を損なわない限度において、[C]化合物に加えて、環構造を有しないその他の窒素含有化合物を併用してもよい。その他の窒素含有化合物としては、例えば、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル等の3級アミン化合物;テトラ-n-プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウムヒドロキシド化合物等が挙げられる。[C]化合物の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.001質量部~10質量部が好ましく、0.1質量部~5質量部がより好ましく、0.2質量部~3質量部がさらに好ましく、0.5質量部~2質量部が特に好ましい。[C]化合物の含有量が10質量部を超えると、当該感放射線性樹脂組成物の感度が低下する場合がある。逆に、含有量が0.001質量部未満だと、パターン倒れ寸法等の改良効果が十分に得られない場合がある。<[D]溶媒>本発明の感放射線性樹脂組成物は、通常、[D]溶媒を含有する。[D]溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸i-プロピル等の乳酸エステル類;ぎ酸n-アミル、ぎ酸i-アミル等のぎ酸エステル類;酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸n-アミル、酢酸i-アミル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート等の酢酸エステル類;プロピオン酸i-プロピル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-ブチル、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート等のプロピオン酸エステル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、2-ペンタノン、2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ-ブチロラクン等のラクトン類等が挙げられる。これらの中で、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、ラクトン類が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンがより好ましい。これらの[D]溶媒は、1種単独又は2種以上を使用することができる。<その他の任意成分>本発明の感放射線性樹脂組成物は、高分子添加剤、酸解離性基を有する脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等のその他の任意成分をさらに含有することができる。その他の任意成分は、それぞれ1種又は2種以上用いることができる。[フッ素原子含有重合体]当該感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子含有重合体を含有することもできる。[A]重合体成分とフッ素原子含有重合体とを含有する感放射線性樹脂組成物用いて、レジスト被膜を形成した場合、フッ素原子含有重合体の撥油性に起因して、レジスト被膜の表面においてフッ素原子含有重合体の分布が高くなる傾向がある。すなわち、フッ素原子含有重合体が、レジスト被膜表層に偏在する。従って、レジスト被膜と液浸媒体を遮断することを目的とした上層膜を別途形成する必要がなく、液浸露光法に好適に用いることができる。上記フッ素原子含有重合体としては、例えば、フッ素化アルキルメタアクリレート、アルコキシカルボニル基を置換基として有するフッ素化アルキルメタアクリレート、アルコキシ基を置換基として有するフッ素化アルキルメタアクリレート等に由来する構造単位を有する重合体等が挙げられる。フッ素原子含有重合体の含有量としては、[A]重合体成分100重量部に対して、0.5質量部~15重量部が好ましく、1質量部~8重量部がより好ましい。[脂環族添加剤]酸解離性基を有する脂環族添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を有する成分である。このような脂環族添加剤としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル、1-アダマンタンカルボン酸t-ブトキシカルボニルメチル、1,3-アダマンタンジカルボン酸ジ-t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブトキシカルボニルメチル、1,3-アダマンタンジ酢酸ジ-t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル、デオキシコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3-オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル、リトコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3-オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類等が挙げられる。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション及び現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤等が挙げられる。界面活性剤の市販品としては、KP341信越化学工業製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学製、エフトップEF301、同EF303、同EF352トーケムプロダクツ製、メガファックF171、同F173大日本インキ化学工業製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106旭硝子製等が挙げられる。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>当該感放射線性樹脂組成物は、例えば、[A]重合体成分、[B]酸発生剤、[C]化合物及び必要に応じて任意成分を[D]溶媒に溶解した後、孔径200nm程度のフィルターでろ過することにより得ることができる。当該感放射線性樹脂組成物の全固形分濃度としては、通常、1質量~50質量であり、2質量~25質量が好ましい。<レジストパターン形成方法>本発明のレジストパターン形成方法は、1当該感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、レジスト被膜を形成する工程、2上記レジスト被膜を露光する工程、3露光された上記レジスト被膜を加熱する工程、及び4上記加熱されたレジスト被膜を現像する工程を有する。このレジストパターン形成方法によれば、当該感放射線性樹脂組成物を用いているので、PEB温度を低くすることができ、その結果、LWR及びパターン倒れ寸法が小さいポジ型のレジストパターンを、レジスト残膜量を大きくしつつ形成することができる。以下、各工程について説明する。[1工程]1工程では、当該感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、レジスト被膜を形成する。回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の基板上に塗布することによりレジスト被膜を形成する。その際、場合によりプレベークPBを行ってレジスト被膜中の溶媒を蒸発させることが好ましい。なお、当該感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば、特公平6-12452号公報等に開示されているように、用いる基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。なお、これらの技術を併用することもできる。[2工程]2工程では、1工程で形成したレジスト被膜を露光する。露光により[B]酸発生剤から発生した酸の作用で[A]重合体成分中の酸解離性基を解離させ、カルボキシル基を生じさせる。カルボキシル基が生じると、レジスト被膜の露光部におけるアルカリ現像液に対する溶解性が高くなる。露光に用いられる放射線としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を適宜選定することができるが、遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザー光波長193nm、KrFエキシマレーザー光波長248nmがより好ましく、特にArFエキシマレーザー光が好ましい。[3工程]3工程では、2工程で露光されたレジスト被膜を加熱する。すなわち、ポストエクスポージャーベークPEBを行う。このPEBにより、レジスト被膜中の酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。このPEB温度としては、100°C未満が好ましく、96°C以下がより好ましく、91°C以下がさらに好ましく、86°C以下が特に好ましい。また、PEB温度は、30°C以上が好ましく、50°C以上がより好ましい。PEB温度を上記範囲とすることにより、[C]化合物の酸拡散制御効果との相乗効果として、[B]酸発生剤等から発生する酸の拡散長を適度に短くすることができる。その結果、形成されるレジストパターンのLWR及びパターン倒れ寸法を小さくすることができ、かつレジスト残膜量を大きくすることができる。PEB時間としては、5秒~600秒が好ましく、10秒~300秒がより好ましい。[4工程]4工程では、3工程で加熱されたレジスト被膜を現像する。すなわち、露光されたレジスト被膜の露光部をアルカリ現像液によって溶解、除去することによって、ポジ型のレジストパターンを形成することができる。なお、上記現像液で現像した後、水で洗浄して乾燥することが好ましい。上記現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン及び1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。上記アルカリ性水溶液の濃度は、10質量以下が好ましい。アルカリ性水溶液の濃度が10質量を超えると、非露光部も現像液に溶解するおそれがある。また、上記現像液には、例えば、有機溶媒を含有させることもできる。上記有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これらの有機溶媒は、1種単独又は2種以上を使用することができる。上記有機溶媒の含有量としては、上記アルカリ性水溶液に対して、100体積以下が好ましい。有機溶媒の含有量が100体積を超えると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、上記現像液には、上述した界面活性剤等を適量添加することもできる。<重合体>本発明の重合体は、上記式1で表される構造単位I、上記式2で表される構造単位II及び環状カーボネート構造を含む構造単位IVを有する重合体である。当該重合体は、これらの各構造単位を有しており上述した特性を有しているので、感放射線性樹脂組成物の構成成分として好適に用いることができ、LWR性能、パターン倒れ寸法及びレジスト残膜量の特性並びにレジストパターンの基板への密着性に寄与する。当該重合体における環状カーボネート構造を含む構造単位IVの含有割合としては、重合体中の全構造単位に対して、通常70モル以下であり、10モル~65モルが好ましく、10モル~50モルがより好ましく、10モル~35モルがさらに好ましい。当該重合体の詳細な説明については、当該感放射線性樹脂組成物に含有される[A]重合体成分の説明の項で行っているので、ここでは省略する。以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を下記に示す。[重合体成分のMw及びMn]重合体成分のMw及びMn測定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより、GPCカラム東ソー製、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準として測定した。[13C-NMR分析]:重合体の13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置JNM-ECX400、日本電子製を使用し測定した。<重合体の合成>[A]重合体成分及び[E]フッ素原子含有重合体の合成に用いた単量体を以下に示す。下記にそれぞれの構造式を示す。M-1:1-メチルシクロペンチルメタクリレートM-2:1-エチルシクロペンチルメタクリレートM-3:1-イソプロピルアダマンチルメタクリレートM-4:1-エチルアダマンチルメタクリレートM-5:1-メチルアダマンチルメタクリレートM-6:2-オキソ-1,3-ジオキソラン-4-イルメタクリレートM-7:4-オキサ-5-オキソトリシクロ[4,2,1,03,7]ノナン-2-イルメタクリレートM-8:1-メトキシカルボニル-1,1-ジフルオロ-2-ブチルメタクリレート<[A]重合体成分を構成する重合体の合成>[合成例1]重合体A-1の合成上記単量体M-137.49g45モル及び単量体M-749.52g45モルを2-ブタノン200gに溶解し、さらに開始剤としてのAIBN1.63g単量体の総モル数に対して2モルを溶解した単量体溶液を調製した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた1,000mLの三口フラスコに、100gの2-ブタノン及び単量体M-312.99g10モルを仕込み、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、上記調製した単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、2,000gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を400gのメタノールにてスラリー状にして2回洗浄した。その後、ろ別し、60°Cにて18時間乾燥し、白色粉末の重合体A-1を得た80.3g、収率80。この重合体A-1は、Mwが11,500であり、Mw/Mnが1.47であった。また、13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-3由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、44.5:8.5:47.0モルであった。[合成例2]重合体A-2の合成三口フラスコに100gの2-ブタノン及び単量体M-312.81g10モルを仕込み、滴下する単量体溶液として、上記単量体M-120.54g25モル、M-217.80g20モル、M-748.84g45モル及びAIBN1.60g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-2を得た81.8g、収率82。この重合体A-2は、Mwが11,200であり、Mw/Mnが1.41であった。また、13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-2由来の構造単位:M-3由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、24.2:19.1:8.7:48.0モルであった。[合成例3]重合体A-3の合成三口フラスコに100gの2-ブタノン及び単量体M-312.72g10モルを仕込み、滴下する単量体溶液として、上記単量体M-244.18g50モル、M-743.10g40モル及びAIBN1.59g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-3を得た79.1g、収率79。この重合体A-3は、Mwが11,800であり、Mw/Mnが1.49であった。また、13C-NMR分析の結果、M-2由来の構造単位:M-3由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、49.1:8.3:42.6モルであった。[実施例1]重合体A-4の合成三口フラスコに100gの2-ブタノン及び単量体M-313.47g10モルを仕込み、滴下する単量体溶液として、単量体M-138.88g45モル、M-619.12g20モル、M-728.53g25モル及びAIBN1.69g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-4を得た78.9g、収率79。この重合体A-4は、Mwが11,000であり、Mw/Mnが1.40であった。また、13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-3由来の構造単位:M-6由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、43.9:8.3:19.8:28.0モルであった。[実施例2]重合体A-5の合成三口フラスコに100gの2-ブタノン及び単量体M-313.18g10モルを仕込み、滴下する単量体溶液として、単量体M-245.78g50モル、M-618.70g20モル、M-722.33g20モル及びAIBN1.65g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-5を得た76.7g、収率77。この重合体A-5は、Mwが11,800であり、Mw/Mnが1.48であった。また、13C-NMR分析の結果、M-2由来の構造単位:M-3由来の構造単位:M-6由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、43.9:8.3:19.8:28.0モルであった。[合成例4]重合体A-6の合成三口フラスコに100gの2-ブタノンを仕込み、滴下する単量体溶液として、単量体M-143.08g50モル、M-756.92g50モル及びAIBN1.68g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-6を得た80.4g、収率80。この重合体A-6は、Mwが12,100であり、Mw/Mnが1.53であった。また、13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-7の各含有割合は、49.6:50.4モルであった。[合成例5]重合体A-7の合成三口フラスコに100gの2-ブタノン及び単量体M-363.91g60モルを仕込み、滴下する単量体溶液として、単量体M-736.09g40モル及びAIBN1.33g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-7を得た74.2g、収率74。この重合体A-7は、Mwが10,200であり、Mw/Mnが1.45であった。また、13C-NMR分析の結果、M-3由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、48.5:51.5モルであった。[合成例6]重合体A-8の合成三口フラスコに100gの2-ブタノン及び単量体M-412.38g10モルを仕込み、滴下する単量体溶液として、単量体M-137.75g45モル、M-749.87g45モル及びAIBN1.64g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-8を得た82.3g、収率82。この重合体A-8は、Mwが12,000であり、Mw/Mnが1.47であった。また、13C-NMR分析の結果、M-1由来の構造単位:M-4由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、44.5:8.9:46.6モルであった。[合成例7]重合体A-9の合成三口フラスコに100gの2-ブタノン及び単量体M-412.12g10モルを仕込み、滴下する単量体溶液として、単量体M-244.48g50モル、M-743.39g40モル及びAIBN1.60g2モルを2-ブタノン100gに溶解した溶液を用いた以外は合成例1と同様にして白色粉末の重合体A-9を得た79.8g、収率80。この重合体A-9は、Mwが11,200であり、Mw/Mnが1.43であった。また、13C-NMR分析の結果、M-2由来の構造単位:M-4由来の構造単位:M-7由来の構造単位の各含有割合は、48.7:8.8:42.5モルであった。<[E]フッ素原子含有重合体の合成>[合成例8]フッ素原子含有重合体E-1の合成上記単量体M-224.85g30モル、単量体M-875.15g70モルを2-ブタノン100gに溶解し、さらに開始剤としてのAIBN2.05g7モルを溶解した単量体溶液を調製した。次に、温度計及び滴下漏斗を備えた1,000mLの三口フラスコに50gの2-ブタノンを仕込み、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、上記調製した単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合反応溶液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、フラスコ内容物が150gになるまで濃縮し、1,125gのメタノール及び125gの水の混合溶液中に投入し、析出した沈殿を回収した。その後プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートにて溶媒置換を行い、フッ素原子含有重合体E-1の20質量プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た350.2g、収率70。このフッ素原子含有重合体E-1は、Mwが11,100であり、Mw/Mnが1.52であった。また、13C-NMR分析の結果、M-2由来の構造単位:M-8由来の構造単位の各含有割合は、29.8:70.2モルであった。<感放射線性樹脂組成物の調製>感放射線性樹脂組成物の調製に用いた[A]重合体成分及び[E]フッ素原子含有重合体以外の成分を以下に示す。[[B]酸発生剤]下記に各構造式を示す。B-1:4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタン-1-スルホナートB-2:トリフェニルスルホニウム2-アダマンタン-1-イル-1,1-ジフルオロエタン-1-スルホナートB-3:トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタン-1-スルホナート[[C]成分]C-1:2,6-ジイソプロピルアニリンC-2:N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジンCC-1:トリ-n-ペンチルアミンCC-2:ジエタノールアミン[[D]溶媒]D-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD-2:シクロヘキサノンD-3:γ-ブチロラクトン[実施例3][A]重合体成分としてのA-1100質量部、[B]酸発生剤としてのB-14質量部、B-24質量部及びB-34質量部、[C]化合物としてのC-11質量部、[D]溶媒としてのD-12,600質量部、D-21,100質量部及びD-315質量部、並びに[E]フッ素原子含有重合体としてのE-17質量部を混合し、孔径0.20μmのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物J-1を調製した。[実施例4~11及び比較例1~6]下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例3と同様にして各実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物J-2~J-9及びCJ-1~CJ-6を調製した。表1の-は、該当する成分を用いなかったことを示す。<レジストパターンの形成>上記調製した実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物を用い、下記表2に示すパターン形成方法を用いて、レジストパターンを形成した。パターン形成方法1実施例3及び5~11並びに比較例1~6基板として、シリコンウェハ表面に膜厚230nmのCTL53JSR製膜及び膜厚45nmのSOG508JSR製膜からなる2層のレジスト下層膜を形成したシリコンウェハを用いた。感放射線性樹脂組成物を基板上にスピンコートにより塗布後、ホットプレート上にて110°Cで60秒間PBを行い、膜厚100nmのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜に液浸ArFエキシマレーザー露光装置S610C、ニコン製開口数1.30を用いマスクパターンを介して露光した。その後、表2に示すPEB温度で60秒間PEBを行った後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により23°Cで4秒間現像を行い、水洗、乾燥を行って、ポジ型のレジストパターンを形成した。パターン形成方法2実施例4上記パターン形成方法1と同様にして、シリコンウェハ表面に2層のレジスト下層膜及びレジスト被膜を形成した後、形成したレジスト被膜上に液浸上層膜としてTCX091JSR製をスピンコートし、90°Cで60秒間加熱して膜厚90nmの塗膜を形成した。続いて、上記この膜に上記液浸ArFエキシマレーザー露光装置を用いマスクパターンを介して露光した。その後、95°Cで60秒間PEBを行った後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により23°Cで4秒間現像し、水洗、乾燥を行って、ポジ型のレジストパターンを形成した。<評価>上記形成したレジストパターンについて、下記方法に従って評価を行った。評価結果を下記表2に示す。[最適露光量]上記得られたレジストパターンのうち、線幅40nmのラインアンドスペースパターン1L/1Sを1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とした。[LWR]最適露光量にて解像した40nm1L/1Sパターンについて、測長SEMCG4000、日立製作所製にてパターン上部から観察し、線幅を任意のポイントで10点観測しその測定値の分布度を3シグマで表現した値をLWRnmとした。[パターン倒れ寸法]40nm1L/1S形成用のマスクパターンを用いて、最適露光量から1mJの間隔で露光量を変化させながら露光を実施した。各露光ショットにつき上記測長SEMを用いて40nm1L/1Sのパターンの写真を20枚撮り、1枚も倒れているパターンのない露光ショットの中で最もパターン線幅が小さいショットのパターン線幅をパターン倒れ寸法nmとした。[レジスト残膜量]最適露光量で解像した40nm1L/1Sパターンを断面SEMS4800、日立製作所製を用いて断面形状を観察し、パターンの高さを測長し、レジスト残膜量nmとした。表2に示したように、本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、比較例の感放射線性樹脂組成物に比べて低温のPEB下でも酸解離性基の十分な脱保護反応が起こり、かつ[C]化合物の使用により、酸の拡散長を抑えることができると考えられ、その結果、LWR性能に優れると共に、パターン倒れ寸法が小さく、かつレジスト残膜量が大きいレジストパターンを形成することができる。"