n型の結晶質シリコン基板を準備するステップと、前記基板の表面、裏面及び側面上に熱拡散制御膜を形成するステップと、前記基板の裏面上にp型不純物イオンをイオン注入してp型不純物領域を形成するステップと、前記基板の裏面が選択的に露出するように前記熱拡散制御膜をパターニングするステップ、及び熱拡散工程を実施して露出した基板の裏面領域に高濃度裏面電界層nを形成するとともに前記基板の表面部に低濃度表面電界層nを形成し、前記p型不純物領域を活性化させてpエミッタ領域を形成するステップと、を含んでなることを特徴とする裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記基板の裏面が選択的に露出するように前記熱拡散制御膜をパターニングするステップでは、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去することを特徴とする請求項1に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去する方法では、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜上にレーザーを照射して熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去することを特徴とする請求項2に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去する方法では、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜上にエッチングペーストを塗布して熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去することを特徴とする請求項2に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去する方法では、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を反応性イオンエッチングにて除去することを特徴とする請求項2に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。除去される基板の厚みは、前記p型不純物領域の深さに相当することを特徴とする請求項2に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。n型の結晶質シリコン基板を準備するステップと、前記基板の表面、裏面及び側面上に熱拡散制御膜を形成するステップと、前記基板の裏面上にp型不純物イオンをイオン注入してp型不純物領域を形成するステップと、前記基板の裏面上に拡散防止膜を形成するステップと、前記基板の裏面が選択的に露出するように前記熱拡散制御膜及び拡散防止膜をパターニングするステップ、及び熱拡散工程を実施して露出した基板の裏面領域に高濃度裏面電界層nを形成するとともに前記基板の表面部に低濃度表面電界層nを形成し、前記p型不純物領域を活性化させてpエミッタ領域を形成するステップと、を含んでなることを特徴とする裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記基板の裏面が選択的に露出するように前記熱拡散制御膜及び拡散防止膜をパターニングするステップでは、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜、拡散防止膜及び基板の厚みの一部を除去することを特徴とする請求項7に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜、拡散防止膜及び基板の厚みの一部を除去する方法では、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜上にレーザーを照射して熱拡散制御膜、拡散防止膜及び基板の厚みの一部を除去することを特徴とする請求項8に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜、拡散防止膜及び基板の厚みの一部を除去する方法では、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜、拡散防止膜及び基板の厚みの一部を反応性イオンエッチングにて除去することを特徴とする請求項8に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。除去される基板の厚さは、前記p型不純物領域の深さに相当することを特徴とする請求項8に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記基板の表面に形成された熱拡散制御膜の厚さは、前記基板の裏面及び側面に形成された熱拡散制御膜よりも相対的に小さいことを特徴とする請求項1または7に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記pエミッタ領域の面抵抗は、10~60Ω/sq.であることを特徴とする請求項1または7に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記高濃度裏面電界層nの面抵抗は、10~80Ω/sq.であることを特徴とする請求項1または7に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。前記低濃度表面電界層nの面抵抗は、50~150Ω/sq.であることを特徴とする請求項1または2に記載の裏面電極型の太陽電池の製造方法。本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたものであって、基板の裏面部にp領域とn領域を形成するに際してイオン注入を利用したドーピング工程と熱拡散工程とを組み合わせて工数を最小化することができる裏面電極型の太陽電池の製造方法を提供することにその目的がある。前記目的を達成するための本発明に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法は、n型の結晶質シリコン基板を準備するステップと、前記基板の表面、裏面及び側面上に熱拡散制御膜を形成するステップと、前記基板の裏面上にp型不純物イオンをイオン注入してp型不純物領域を形成するステップと、前記基板の裏面が選択的に露出するように前記熱拡散制御膜をパターニングするステップ、及び熱拡散工程を実施して露出した基板の裏面領域に高濃度裏面電界層nを形成するとともに前記基板の表面部に低濃度表面電界層nを形成し、前記p型不純物領域を活性化させてpエミッタ領域を形成するステップと、を含んでなることを特徴とする。前記基板の裏面が選択的に露出するように前記熱拡散制御膜をパターニングするステップでは、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去することができる。また、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去する方法では、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜上にレーザーを照射して熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去するか、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜上にエッチングペーストを塗布して熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を除去することができ、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜及び基板の厚みの一部を反応性イオンエッチングにて除去することができる。このとき、除去される基板の厚みは、前記p型不純物領域の深さに相当してよい。本発明に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法は、n型の結晶質シリコン基板を準備するステップと、前記基板の表面、裏面及び側面上に熱拡散制御膜を形成するステップと、前記基板の裏面上にp型不純物イオンをイオン注入してp型不純物領域を形成するステップと、前記基板の裏面上に拡散防止膜を形成するステップと、前記基板の裏面が選択的に露出するように前記熱拡散制御膜及び拡散防止膜をパターニングするステップ、及び熱拡散工程を実施して露出した基板の裏面領域に高濃度裏面電界層nを形成するとともに前記基板の表面部に低濃度表面電界層nを形成し、前記p型不純物領域を活性化させてpエミッタ領域を形成するステップと、を含んでなることを他の特徴とする。前記基板の表面に形成された熱拡散制御膜の厚みは、前記基板の裏面及び側面に形成された熱拡散制御膜よりも相対的に小さいことが好ましい。前記pエミッタ領域の面抵抗は、10~60Ω/sq.であってよく、前記高濃度裏面電界層nの面抵抗は、10~80Ω/sq.であってよく、前記低濃度表面電界層nの面抵抗は、50~150Ω/sq.であってよい。本発明に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法は、次のような効果がある。一回のイオン注入工程と一回の熱拡散工程にて裏面電界を容易に形成することができ、パターニング作業を最小化することができるようになる。以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法を詳しく説明することにする。図2は、本発明の第1の実施形態に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法を説明するための流れ図であり、図3aないし図3fは、本発明の第1の実施形態に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。先ず、図2及び図3aに示すように第1の導電型の結晶質シリコン基板301を準備しS201、前記第1の導電型のシリコン基板301の表面に凹凸302が形成されるようにテクスチャリングtexturing工程を行うS202。前記テクスチャリング工程は、基板301表面における光反射を低減するためのものであり、湿式エッチング方法または反応性イオンエッチングreactiveionetchingなどの乾式エッチング方法を用いて行うことができる。ここで、前記表面の凹凸構造は受光面、すなわち、表面だけに形成することが好ましい。また、前記第1の導電型は、p型またはn型であり、後述する第2の導電型は第1の導電型の逆であり、以下の説明では、第1の導電型はn型であることを基準にする。テクスチャリング工程が完了した状態で、図3bに示すように、前記基板301周りに沿って所定の厚みの熱拡散制御膜303を形成するS203。前記熱拡散制御膜303は、後述する熱拡散工程を行う際に一部の領域における熱拡散程度を制御する役割を果たし、イオン注入ionimplantationが可能な程度にその厚みが設定されている必要がある。このとき、後述する不純物イオン注入の際、イオン注入は、イオン粒子状態で注入される各種の方式をいずれも含み、具体的に、イオン注入、イオンドーピング、プラズマドーピング、プラズマイオンシャワーリングのいずれかを用いることができる。また、熱拡散工程を行う際に、基板301表面部へのpまたはn不純物の拡散を可能にするために前記基板301表面上の熱拡散制御膜303は、裏面及び側面よりもその厚みを小さくすることもできる。前記熱拡散制御膜303は、一実施例として、シリコン酸化膜SiO2またはSOGsiliconoxideglassなどからなるものであってよく、PECVDplasmaenhancedchemicalvapordeposition、熱酸化、湿式酸化、スピンオン方式、スプレー方式、スパッタリング方式などの各種の薄膜積層方法にて形成されていてよい。前記熱拡散制御膜303が前記基板301の表面、裏面及び側面上に積層された状態で、図3cに示すように、前記基板301裏面上に第2の導電型の不純物イオン、すなわち、ホウ素Bなどのp型不純物イオンを注入してp型不純物領域304を形成するS204。このとき、注入されるイオンは、前記熱拡散制御膜303を通って基板301裏面部の所定の領域に注入されなければならないが、これは、イオン注入エネルギーにて制御可能であり、10~50keV程度が好ましい。これとともに、前記p型不純物イオンの注入方法は、イオン注入ionimplanting、イオンドーピングiondoping、プラズマドーピングplasmadoping方法のいずれかを用いることができる。また、前記p型不純物領域304は、後述する熱拡散工程によって活性化されるが、活性化されたpエミッタ領域307の面抵抗が10~60Ω/sq.になるように、前記p型不純物領域304の形成の際にそれに応じた濃度のイオンが注入される必要があり、pエミッタ領域307の深さは、03~2μm程度になるようにすることが好ましい。前記pエミッタ領域307が形成された状態で、図3dに示すように、高濃度裏面電界層n305が形成される部位に相当する基板301裏面の熱拡散制御膜303及び基板の厚みの一部を選択的に除去するS205。このとき、熱拡散制御膜を除去するとともに基板の厚みの一部を除去する理由は、p型不純物領域を除去することで後述する熱拡散工程によって生成される高濃度裏面電界層nの濃度がp型不純物領域によって影響を受けることを最小化するためである。前記熱拡散制御膜303及び基板301の厚みの一部を選択的に除去する方法としては、レーザー除去法laserablationが用いられていてよい。すなわち、高濃度裏面電界層n305が形成される部位の熱拡散制御膜303上にレーザーを照射して当該部位の熱拡散制御膜303及び基板の厚みの一部を除去することができる。このとき、レーザーの照射によって除去される基板301の厚さは、前記p型不純物領域304の深さ程度が好ましい。また、前記レーザー除去法のほか、エッチングペーストを利用することもできる。具体的に、前記高濃度裏面電界層nが形成される部位の熱拡散制御膜303上にインクジェット方式またはスクリーン印刷方式にてエッチングペーストを塗布することで当該部位の熱拡散制御膜303及び基板301の厚みの一部を除去することができる。上述した方法のほか、反応性イオンエッチングreactiveionetching方法などの乾式エッチング方法を用いることもできる。一方、前記熱拡散制御膜303及び基板301の厚みの一部を選択的に除去するに際して、1次的に前記熱拡散制御膜303を除去した後、2次的にアルカリ水溶液などを利用して基板の厚みの一部をエッチングして、除去するとともに、前記熱拡散制御膜の除去の際に損傷された基板を治癒することができる。このような状態で、図3eに示すように、熱拡散工程を実施して高濃度裏面電界層n305と低濃度表面電界層n306とを同時に形成するとともに、前記p型不純物領域304を活性化させてpエミッタ領域307を形成するS206。具体的に、チャンバ内に前記シリコン基板301を具備させ、前記チャンバ内に第1の導電型不純物イオン、すなわち、n型不純物イオンを含むガス例えば、POCl3を供給してリンPイオンが基板301内部へ拡散されるようにする。このとき、熱拡散制御膜303が除去されて基板301裏面の露出した部位は、熱拡散制御膜303が具備された部位に比べて相対的に不純物イオンの拡散程度が大きくなっており、これによって基板301裏面が露出した部位には高濃度裏面電界層n305が形成され、熱拡散制御膜303が具備された基板301表面部には低濃度表面電界層n306が形成される。このとき、前記高濃度裏面電界層n305と低濃度表面電界層n306は、それぞれ10~80Ω/sq.、50~150Ω/sqの面抵抗を有するように不純物イオンの濃度を調節することが好ましく、これとともに、前記高濃度裏面電界層n305と低濃度表面電界層n306は、それぞれ0.2~1.5μm、0.1~0.4μmの深さを有することが好ましい。ここで、前記第1の導電型不純物イオンがp型の場合、前記POCl3ガスの代りにBBr3ガスが利用されていてよい。一方、前記n型不純物イオンの熱拡散工程は、上述したような気相のガスを利用する方法のほか、n型不純物イオンが含まれた溶液、例えば、リン酸H3PO4溶液またはリンPが含有されている材料中に前記シリコン基板301を沈積するか、スプレー方式による塗布またはスピンオン方式を用いたコーティングなどにより表面に膜を形成させ、後続の熱処理にてリンPイオンが基板301内部に拡散されるようにして高濃度裏面電界層n305と低濃度表面電界層n306を形成する方法を用いることもできる。次いで、図3fに示すように、前記熱拡散制御膜303及び前記熱拡散工程の副産物であるPSG膜を除去すれば、本発明の一実施形態に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法が完了する。次に、本発明の第2の実施形態に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法を説明することにする。図4aないし図4gは、本発明の第2の実施形態に係る裏面電極型の太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。本発明の第2の実施形態は、熱拡散工程を行う際にpエミッタ領域307へn型不純物イオンが拡散していくことを完壁に遮断することに特徴がある。これを実現するために、図4dに示すように、p型不純物領域304が形成された状態で基板301裏面の熱拡散制御膜303上に拡散防止膜401を積層した後、図4eに示すように、高濃度裏面電界層n305が形成される部位の熱拡散制御膜303、拡散防止膜401、及び基板の厚みの一部を選択的に除去して基板301裏面を露出させ、このような状態で図4fに示すように熱拡散工程を実施して高濃度裏面電界層n305及び低濃度表面電界層n306を形成してp型不純物領域304を活性化させる。このとき、拡散防止膜401は、代表的な実例として、シリコン窒化膜SiNx、SOGSiliconOxideGlass、真性非晶質シリコンIntrinsicamorphoussilicon膜などの前記に相応する絶縁膜質の特性を有する膜が適合する。一方、テクスチャリング工程、熱拡散制御膜303の形成、p電極308及びn電極309の形成工程は、第1の実施形態のそれらと同様であり、その詳細な説明は省略することにする。