基材102と、該基材102に配設されたはんだ層136と、該はんだ層136を介して前記基材102に結合され、セラミックを含んでいる圧電素子104とを備えた圧電センサ装置100であって、前記基材102、前記はんだ層136、及び前記圧電素子104は、3mmを超えない外形高さを有する成層構造138として構成され、前記基材102は、120°Cを超える動作温度と両立する材料を含んでいる、圧電センサ装置100。前記基材102及び前記セラミックは、前記はんだ層136を加工するのに用いられるリフロー温度と両立する、請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記セラミックはNavyTypeII材料を含んでいる、請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記基材102はポリアミド系フィルムを含んでいる、請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記基材102は、T字形幾何学的形状134を有する電極122を備えた区域を含んでおり、前記圧電素子104は、前記はんだ層136により前記区域に固定される、請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記圧電素子104の少なくとも一部の周りに配設された巻き付けタブ112をさらに含んでいる請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記圧電素子104に配設された金めっきをさらに含んでいる請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記基材202の前面240に配設された1又は複数のケーブル接続244をさらに含んでおり、前記圧電素子204は前記基材202の背面242に配設され、前記1又は複数のケーブル接続244は、前記圧電素子204、及び前記1又は複数のケーブル接続244に固定された1又は複数のケーブル478に対する入出力を導通させるように構成されている、請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記基材302に組み入れられて、前記圧電素子304及び前記基材302の自由端366に結合される導体360をさらに含んでいる請求項1に記載の圧電センサ装置100。前記自由端366において前記導体360に結合されて、前記圧電素子304に対する入出力をやり取りするコネクタ368をさらに含んでいる請求項9に記載の圧電センサ装置100。様々な因子が装置の構成に影響し、特にこれらの非破壊試験システムに用いられる材料に影響する。例えば幾つかの応用での動作温度のような動作条件が、ポリビニリデンフルオリドPVDFの共重合体例えばPVDF-TrFEのような材料の限界温度を超える場合がある。また、製造時の幾つかの加工ステップに関連する温度を含めた加工条件が限定因子となる。さらに、微小欠陥及び材料厚みの微小変化に対する精度及び感度のような性能因子が、特定の材料及びこれらの材料の組み合わせの利用を除外する他の因子となる。しかしながら、各材料の何らかの構成を用いて性能の改善を達成し得ても、これらの構成はしばしば、得られる装置の応用可能性を限定する物理的特性例えば高さ外形を結果として生ずる。従って、性能及び物理的特徴が改善されているばかりでなく、高温の動作温度及び高温の工程温度に対応するように構成されている超音波試験及び材料厚み測定に適した装置を提供することが望ましい。一実施形態では、圧電センサ装置が、基材と、基材に配設されたはんだ層と、はんだ層を介して基材に結合された圧電素子とを含んでおり、圧電素子はセラミックを含んでいる。この圧電センサ装置の一例では、基材、はんだ層、及び圧電素子は、3mmを超えない外形高さを有する成層構造として構成される。この圧電センサ装置の一例では、基材は120°Cを超える動作温度と両立する材料を含んでいる。もう一つの実施形態では、目標物の材料厚みを測定する測定システムが提供される。この測定システムは、T字形幾何学的形状の電極を備えた区域を有する軟質回路材料を含む基材を含んでいる。この測定システムはまた、電極に配設されたはんだ層と、はんだ層に配設された圧電素子とを含んでいる。圧電素子は、第一の電極と、第二の電極と、第一の電極及び第二の電極の各々に結合された巻き付けタブwraptabとを有するセラミック本体を含んでいる。この測定システムはさらに、圧電素子に対する入出力を導通させる接続を含んでいる。この測定システムの一例では、軟質回路材料、はんだ層、及び圧電素子は、3mmを超えない外形高さを有する成層構造として構成される。さらにもう一つの実施形態では、目標物の材料厚みを監視する装置が提供される。この装置は、目標物に固定されたトランスデューサアレイと、トランスデューサアレイに結合された機器とを含んでいる。この装置の一例では、トランスデューサアレイは圧電センサ装置を含んでいる。この装置の一例では、圧電センサ装置は、軟質回路材料と、はんだ層と、はんだ層を介して軟質回路材料に結合されたセラミック本体とを有する成層構造を含んでいる。この装置の一例では、成層構造は、3mmを超えない外形高さを有する。図面を参照すると、図1には感度を高めて構成を改善した測定システム10の実施形態の一例が示されており、この構成は、例えば120°Cよりも高い動作温度において、他の測定システムでは接近が限定されているような区域での測定システム10の具現化に有利である。測定システム10は、トランスデューサアレイ12と、接続16を介してトランスデューサアレイ12に結合されて動作する機器14とを含み得る。トランスデューサアレイ12は、基材22に結合されている圧電素子20を各々有する1又は複数のセンサ素子18を含み得る。トランスデューサアレイ12は、内部を輸送される流体によって腐蝕及び浸蝕を生じ得る管パイプ、チューブ、及び関連するコンジットのような目標物に配設され得る。トランスデューサアレイ12の配設は、圧電素子20によって発生される超音波信号が目標物の材料に入射することを可能にする。これらの超音波信号は材料の表面等によって反射されて、反射信号が圧電素子20によって検出される。一実施形態では、機器14は、接続16を介して圧電素子20に印加される波形パルス一般に入力を発生する超音波試験ユニット24を含み得る。波形パルスは、圧電素子20に機械的な変化例えば寸法変化を生じ得る。この変化が音波を生ずることができ、音波は目標物の材料を透過する。反対に、圧電素子20は、被検材料から反射した音波が圧電素子20の表面に接触するときに電圧差を発生する。この電圧差が、超音波試験ユニット24又は他の信号処理電子回路によって受波信号一般に出力として検出される。超音波試験ユニット24は、圧電素子20によって発生される波形パルスの振幅、タイミング及び送信系列を決定するのに有用な様々な制御手段を含み得る。波形パルスは一般的には、周波数レンジが約5MHz~約20MHzにある。波形パルスの送信と受波信号の受信との間の差を追跡して反射波の振幅を測定することにより、材料の様々な特性を決定することができる。一例では、目標物の材料の厚み及びあらゆる対応する厚みの変化を飛行時間型解析を用いて決定することができ、この方法の主題についてはトランスデューサ及び関連分野の技術者には認められよう。一実施形態では、センサ素子18は別々に配置されて、個別のセンサユニットとして構築される。これら個別のユニットと超音波試験ユニット24との間の通信は接続16によって容易になり、一構成では、接続16は複数のケーブル図示されていないを有する。これらのケーブルはセンサ素子18の各々に結合される。例示的なケーブルとしては、同軸ケーブル及び光ファイバがあり、また単一及び複数の銅線、並びに/又は本書で思量されるように圧電素子20に対する入出力例えば波形パルス及び受波信号を導通させ得る関連する材料を含み得る。もう一つの実施形態では、センサ素子18は、ここの例では参照番号26に全体的に示す共通の基材に配置される。この配置は、共通基材26に配設される圧電素子20の1又は複数によって画定される。センサ素子18の圧電素子20は、例えば材料片に沿って互いから隔設されることができ、以下の1又は複数の実施形態において議論されるように、この材料は目標物の形状に適合し得る軟質回路材料を含み得る。一例では、軟質回路材料に導体が組み入れられ、各々の導体が圧電素子20及び共通基材26の端部において終端する。接続16は1又は複数のコネクタ図示されていないを含むことができ、これらのコネクタは導体に結合されて、自由端に組み入れられてもよいし他の場合には自由端に装着されてもよい。コネクタは、対を成すコネクタ、又は超音波試験ユニット24から延在する同軸ケーブル束のような他の装置に結合され得る。この組み合わせによって、圧電素子20と機器14との間で入出力をやり取りすることができる。トランスデューサアレイ12でのセンサ素子18の数は様々であってよく、一構成では数は1~20にわたり得る。一つの特定的な例では、数は14である。数の代替的な選択は、被検目標物の寸法、目標物でのセンサ素子18の好ましい間隔、及び検出される欠陥の形式の任意の一つ又は組み合わせに基づき得る。共通基材26と共に具現化されるときに、圧電素子20の近似的な中心間の間隔は約10mm~約100mmにわたり得る。また、センサ素子18が個別型ユニットとして構成されているような具現化形態では、各々のセンサ素子18が、トランスデューサアレイ12のセンサ素子18の他のものと独立に目標物に位置し得る。すると、隣り合った圧電素子20の間の間隔、及び目標物の各特徴例えば端辺に対する圧電素子20の位置は、所望に応じてセンサ素子18の各々について最適化され得る。トランスデューサアレイ12はリニアアレイ例えばセンサ素子18が単一の横列及び1又は複数の縦列を形成するとして示されているが、他の構成も思量される。一実施形態では、トランスデューサアレイ12は、1又は複数の横列及び1又は複数の縦列を成すセンサ素子18を含み得る。もう一つの実施形態では、センサ素子18は、横列及び縦列のアレイとは異なる編成で構成される。例として述べると、トランスデューサアレイ12の一つの編成は、センサ素子18の第一の列とセンサ素子18の第二の列とを含むことができ、第二の列は第一の列に対して垂直な関係に配置され、従ってT字形を形成する。ここでセンサ素子18の構成に着目して図2及び図3を参照する。同図には、図1のセンサ素子18の1又は複数として配置され得る圧電センサ装置100の実施形態の一例が示されている。一実施形態では、圧電センサ装置100は、基材102と、セラミック本体106を備えた圧電素子104とを含み得る。セラミック本体106は、当該セラミック本体106に付着される金めっき又は同等の伝導性材料で構築される電極108と接地110と巻き付けタブ112とを備えて構成され得る。基材102は、この例では第一の層116及び第二の層118を備えて図示されている軟質回路材料114を含むことができ、さらに圧電素子104を受け入れるように構成されている受け入れ域120を備えている。受け入れ域120は、例えば電極108及び接地110に接続する電極122を有し得る。電極122は、第一の電極又は接地電極124と、第二の電極又は高温電極126とを含み得る。電極122は、電極122と電極122との間の隔離用間隙130、及び/又は電極122の一方又は両方に適用される形状幾何的構成132によって画定される電極幾何学的形状128に適合し得る。一例では、形状幾何的構成132は高温電極126についてはT字形幾何学的形状134を含んでいる。一実施形態では、圧電センサ装置100はまた、スズ、鉛、銀、ビスマス、及びインジウムのような1又は複数の材料を含むはんだ層136を含み得る。はんだ層136は組み立て時に付着されて、基材102の受け入れ域120に圧電素子104を結合するために用いられる。組み立て時には、基材102、圧電素子104、及びはんだ層136の組み合わせが外形高さPの成層構造138として構成される。圧電センサ装置100の各実施形態は、外形高さPが約7mmを超えないように構成されることができ、一例では外形高さが約0.25mm~約1mmとなるように構成されることができる。これらの値は従来の装置よりも小さく、従来構成の測定装置では一般に接近可能でなかった箇所での圧電センサ装置100の利用を可能にする。セラミック本体106に用いられる材料は、例えばはんだ層136のリフローに要求されるリフロー温度のような組み立て時の加工条件との両立性を含めた材料の特性について選択される。これらのリフロー温度は典型的には、200°Cを上回り、工程の一例ではリフロー温度は約220°Cである。考慮すべき他の特性として、限定しないが材料の誘電率があり、セラミック本体106に選択される材料は、圧電素子104の全体寸法を最小にしつつ良好な電気インピーダンス整合を与える誘電率を有すべきである。これらの寸法は、例えば約3mm×約5mmの図2の矩形の寸法を含むが、長さ及び幅はそれぞれ約2mm~約8mmにわたり得る。他の例では、圧電素子104の形状は、方形、円、及び/又は長円を含み得る。上で議論した外形高さPに関して述べると、圧電素子104は、全厚が約0.1mm~約1mmとなるように形成されることがさらに思量される。一実施形態では、NavyTypeII材料及び関連するセラミックス例えばチタン酸ジルコン鉛圧電性物質のような圧電セラミックスを用いることが望ましい場合もあるが、類似の特性及び組成を有する他の材料も同様に思量され利用され得る。セラミック本体106一般的には圧電素子104を構築する目的のために、一例では、NavyTypeII材料塊をダイス加工して0.6mm程度の厚みを有するプレートにする。これらのプレートは、結果として得られるプレートの厚みが約0.2mmとなるように仕上げ研削作業によって仕上げ加工され得る。線状研削lineargrinding、ラップ仕上げ、及び裏面研削は全て許容可能な仕上げ研削作業である。この後に、プレートを切断して幅が約9mmの材料片とし、電極を形成し、極性を調整して、試験することができる。スパッタリングのようなめっき作業を用いて金Auめっきを付着させ、仕上がったプレートをダイス加工して個別の圧電素子例えば圧電素子104を形成することができる。一例では、単一のNavyTypeII材料の単一の塊から約2880個の圧電素子104が得られる。尚、電極122は幾つかの付着、エッチング、スパッタリング、並びに本開示の範囲及び主旨の範囲内で認められる関連する加工手法及び工程を用いて形成され得ることを認められよう。軟質回路材料114の各層例えば第一の層116及び第二の層118は、ポリアミド系フィルムのような材料、並びにポリエステルPET、ポリイミドPI、ポリエチレンナフタレートPEN、及びポリエーテルイミドPEIの1又は複数を含む他の材料及びフィルムを含み得る。各層は共に構築されて、本書で議論する加工条件、動作温度、及び物理的特性例えば外形高さPと両立する成層体を形成することができる。金属箔等の導電体のような導体を層に含めてもよいし、又は他の例では、電気めっき並びに関連するめっき手法及び付着手法等を用いることにより導体を層に組み入れることもできる。これらの導体は電極122まで延在し、また基材102の周辺の各辺及び各区域まで延在し得る。この構成は圧電素子104との間でパルス及び電気信号を導通させるのに有用であり、構成の一例については共通基材例えば図1の共通基材26に関連して上で議論した。次に図4~図7を参照すると、圧電センサ装置200図4及び図5並びに圧電センサ装置300図6及び図7の実施形態の例が掲げられている。以下の議論の目的のために、図2~図7の間で100番ずつ増加している以外では類似している参照番号例えば参照番号100は図4及び図5では200となり、200は図6及び図7では300となるを用いて類似の構成要素を示す。圧電センサ装置200及び300は、上で図1に関連して議論されたトランスデューサアレイ12の構成の1又は複数における具現化に有用である。例えば図4及び図5に示す圧電センサ装置200は、センサ素子18の各々が個別のユニットとして構成されているトランスデューサアレイ12図1の構成に関連して用いるのに適している。一実施形態では、圧電センサ装置200は、基材202と圧電素子204とを含み得る。基材202は受け入れ域220を備えた軟質回路材料214を含むことができ、受け入れ域220に圧電素子204が配置される。受け入れ域220は、接地電極224及び高温電極226を含む電極222を有し得る。はんだ層236が、当技術分野では認められるスクリーン印刷手法を用いて電極222の1又は複数に配設され得る。軟質回路材料214は前面240及び背面242を含むことができ、背面242に電極222が位置する。圧電センサ装置200はまた、ケーブル接続パッド246及び歪み逃げ248を備えた1又は複数のケーブル接続244を含み得る。ケーブル接続パッド246は、接地パッド250及び高温パッド252を含むことができ、各々が1又は複数のビア254を介して接地電極224及び高温電極226にそれぞれ結合される。ビア254は軟質回路材料214を通って延在し、これにより前面240のケーブル接続パッド246を背面242の電極222に結合する。一例では、接地プレーン256も軟質回路材料214に組み入れられる。接地プレーン256は、接地電極224及び接地パッド250に結合される。図6及び図7に示すような圧電センサ装置300は、トランスデューサアレイ12図1が共通基材例えば共通基材26図1を用いるときに具現化され得る。一実施形態では、圧電センサ装置300は基材302及び圧電素子304を含み得る。基材302は、圧電素子304を受け入れるように構成されている1又は複数の受け入れ域320を備えた軟質回路材料314を含み得る。受け入れ域320は、接地電極324及び高温電極326を含む電極322を有し得る。また、はんだ層336が、圧電素子304を電極322に固定させるために含められている。圧電センサ装置300は、複数の導体360を組み入れた共通基材358を含み得る。導体360は高温導体362及び接地導体364を含むことができ、各々が共通基材358の自由端366から延在するものとして図示されている。自由端366には、導体360の各々に結合される多重ピンコネクタのようなコネクタ368が配設される。コネクタ368も同様に、本書で思量されている機器例えば機器14図1に付設され得るように、対を成すコネクタ図示されていないに結合するように構成される。ここで、上述の圧電センサ装置100、200、及び300のような圧電センサ装置の具現化形態について議論するために図8及び図9を参照する。図8及び図9は、圧電センサ装置400及び500の実施形態の例をそれぞれ示し、これらの実施形態は上述の測定システムのような測定システムに用いられるように構成され、以下でさらに詳細に説明される。ここでも類似の参照番号を用いて図2~図9の間で類似の構成要素を表わす。但し、本開示の圧電センサ装置の特徴及び概念の幾つかについては図8及び図9に関連して図示又は議論されない場合があるが、かかる特徴及び概念は、圧電センサ装置400及び500にも、これらの装置の実施形態及び派生物にも適用可能であるものと思量される。例えば図8には、複数の圧電センサ装置400が示されており、圧電センサ装置400の各々が基材402及び圧電素子404を含み得る。基材402は、接地電極424、高温電極426を備えた軟質回路材料414と、圧電素子404を基材402に固定するのに用いられるはんだ層436とを含み得る。軟質回路材料414は前面440及び背面442を含んでいる。一実施形態では、圧電センサ装置400は測定システム470の一部として具現化され、測定システム470は、トランスデューサアレイ472と、機器474と、圧電素子404に結合されている1又は複数のケーブル478のような接続476とを含み得る。測定システム470はまた、ケーブル478をまとめて、一例では機器474及びトランスデューサアレイ472の圧電センサ装置400に対する信号をやり取りする中央ハブとして動作する接続端子480を含み得る。一実施形態では、圧電センサ装置400は、基材402の背面442に配設された接着剤のような接触媒質カプラント486を用いて目標物484の表面482に固定される。表面482に対する圧電センサ装置400の正しい作用及び結合をさらに確実にするために、保護層490及び締結機構492のような1又は複数の外側構造488を用いることができる。これらの外側構造488は圧電センサ装置400の一部として組み込まれてもよいし、又は一実施形態では、外側構造488は圧電センサ装置400とは別個の1又は複数の部品を含んでいてもよい。外側構造488の各部品の組み立ては、一般的には圧電センサ装置400及び測定システム470の実装及び設置の時点で生じ得る。接触媒質486は、図8に示すように基材402の表面に配設されることができ、また圧電素子404に配設され得る。施工時には、圧電素子404の性能の低下を回避するように注意を払うべきである。性能特性に加えて、接触媒質486として用いられる材料は基材402の材料特性及び目標物484の材料特性と適合することが望ましい場合がある。一例では、アクリル系接着剤のような接着剤を名目初期厚みが約1mmである層として施工することができる。同様に許容可能な他の接着剤及び関連する材料としては、限定しないがシアノアクリレート類、エポキシ類、溶剤型接着剤、及び常温流れ接着剤、並びにこれらの組み合わせ及び誘導体がある。保護層490を用いて、下層の構造、例えば圧電センサ装置400に対する損傷を防ぐ。材料も同様に電気的絶縁特性を有することができ、このようにして外部環境からの保護を提供し、また生じ得る電弧、短絡、及び他の電気的に誘発される故障を防ぐ。保護層490として用いられる材料の例としては、シリコン、ナイロン、ネオプレン、高分子材料、及びこれらの組み合わせ及び誘導体がある。締結機構492は、図8に示す帯状構造の形態にあってよい。目標物484が管又は他の円周型装置であるときに、かかる構造は円周の周りに装着され得る。これらの構造は、管の周りの帯の径を縮小することにより圧電センサ装置400に力を加える二次的な締結及び圧迫特徴を組み入れることができる。平坦な構成又は不規則な構成を有する目標物のような他の構成の目標物484のためには、締結機構492は、目標物484の特定の構成向けに設計された装置を備えて構成され得る。これらの装置は、圧電センサ装置400に力を加え得る磁石及び磁化型手段を含み得る。図9を参照すると、圧電センサ装置500が基材502及び圧電素子504を含み得ることが分かる。基材502は接地電極524及び高温電極526を含むことができ、はんだ層536が本書で思量されるようにして含められている。基材502は、コネクタ568を配設した自由端566を備えた共通基材558として構成されている。圧電センサ装置500は測定システム570の一部であり、測定システム570はトランスデューサアレイ572、機器574、及びトランスデューサアレイ572と機器574との間に結合された接続576を含み得る。圧電センサ装置500を固定するために接触媒質586が用いられており、さらに保護層590及び締結機構592によって保護が提供されている。一実施形態では、接続576は、コネクタ568及び機器574に結合されている単一のケーブル594を含み得る。単一のケーブル594は、例えばコネクタ568と係合するように構成されている対を成すコネクタ596を含み得る。この書面の記載は、最適な態様を含めて発明の実施形態を開示し、また任意の装置又はシステムを製造して利用すること及び任意の組み込まれた方法を実行することを含めてあらゆる当業者が本発明を実施することを可能にするように実例を用いている。特許付与可能な発明の範囲は特許請求の範囲によって画定されており、当業者に想到される他の実例を含み得る。かかる他の実例は、特許請求の範囲の書字言語に相違しない構造要素を有する場合、又は特許請求の範囲の書字言語と非実質的な相違を有する等価な構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。