物体のスケールが電磁波の波長よりも小さい低周波領域において、回路解析対象となる回路モデルを複数の導体領域と回路要素とを含む1つの領域で定義される有限要素領域の回路モデルと該有限要素領域に対して回路要素を組み込んだ回路解析領域の回路モデルとにモデル化し、前記有限要素領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式と、前記回路解析領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式とからなる連立一次方程式に基づいて、前記解析対象となる回路モデル内での電磁界の状態の解析を行う回路連携解析プログラムを記憶した記憶媒体を有する回路連携解析シミュレーション装置であって、前記有限要素領域では、分断された導体領域の間に配置される電圧源や電流源もしくはインピーダンスにて構成される回路要素をビーム電流要素として設定し、前記有限要素領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式としていることを特徴とする回路連携解析シミュレーション装置。前記回路連携解析プログラムは、前記有限要素領域において、前記ビーム電流要素が定義されている要素辺の向きを該ビーム電流要素に流れる電流の向きとして持ち、体積分を線積分に変換するδ関数をビーム電流の補間関数として使用しており、前記有限要素領域と前記回路解析領域を、の係数マトリクスで結合させていることを特徴とする請求項1に記載の回路連携解析シミュレーション装置。前記連立一次方程式は、磁気ベクトルポテンシャルをA、電位スカラーポテンシャルをφ、前記回路要素の電圧をv、前記回路要素に流れる電流をI、透磁率をμ、導電率をσ、前記ビーム電流要素の鎖交磁束成分を考慮する部分であるビーム回路要素に接続される外部回路端子と該外部回路端子番号を関連付けるグラフ行列をF、転置行列を上添字のT、前記ビーム電流要素のうち前記ビーム回路要素以外の部分を表した端子アドミタンスマトリクスをYとして数式2で表され、該数式2中における各係数マトリクスが、で表されることを特徴とする請求項1または2に記載の回路連携解析シミュレーション装置。物体のスケールが電磁波の波長よりも小さい低周波領域において、回路解析対象となる回路モデルを複数の導体領域と回路要素とを含む1つの領域で定義される有限要素領域の回路モデルと該有限要素領域に対して回路要素を組み込んだ回路解析領域の回路モデルとにモデル化し、前記有限要素領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式と、前記回路解析領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式とからなる連立一次方程式に基づいて、前記解析対象となる回路モデル内での電磁界の状態の解析を行う回路連携解析方法であって、前記有限要素領域では、分断された導体領域の間に配置される電圧源や電流源もしくはインピーダンスにて構成される回路要素をビーム電流要素として設定し、前記有限要素領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式としていることを特徴とする回路連携解析方法。前記有限要素領域において、前記ビーム電流要素が定義されている要素辺の向きを該ビーム電流要素に流れる電流の向きとして持ち、体積分を線積分に変換するδ関数をビーム電流の補間関数として使用し、前記有限要素領域と前記回路解析領域を、の係数マトリクスで結合させることを特徴とする請求項4に記載の回路連携解析方法。前記連立一次方程式は、磁気ベクトルポテンシャルをA、電位スカラーポテンシャルをφ、前記回路要素の電圧をv、前記回路要素に流れる電流をI、透磁率をμ、導電率をσ、前記ビーム電流要素の鎖交磁束成分を考慮する部分であるビーム回路要素に接続される外部回路端子と該外部回路端子番号を関連付けるグラフ行列をF、転置行列を上添字のT、前記ビーム電流要素のうち前記ビーム回路要素以外の部分を表した端子アドミタンスマトリクスをYとして数式5で表され、該数式5中における各係数マトリクスが、で表されることを特徴とする請求項4または5に記載の回路連携解析方法。しかしながら、非特許文献1に示される回路連携解析方法では、外部回路と連携するための電流流出入面がモデルの境界条件でなければならないため、電流流出入面にて解析モデルが分断されてしまう。このため、図8に示す回路モデルの解析イメージを図示すると、図9のような回路図となり、配線J1と配線J2などの導体間をコンデンサなどの任意のインピーダンスで接合した解析や、導体間に電流源もしくは電圧源を配置した解析が困難で、受動素子で接続された導体の一体解析が困難である。例えば、図9中に示したように配線J1と配線J2の間には磁気的な結合が生じるが、非特許文献1に示される回路連携解析手法では、このような配線間の磁気的な結合について考慮できない。これに対して、変位電流を考慮した高周波解析手法を導入すれば、原理的には導体間を任意のインピーダンスで接合した場合などについても解析可能であるが、物体スケールが電磁波の波長の例えば1/20以下というような十分に小さい低周波の領域については変位電流を考慮する必要がなく、解析が困難である。例えば、特許文献1において、高周波電磁界解析手法であるFDTD法を用いた回路連携解析手法について開示されている。この回路連携解析手法でも、回路を部分に分けて電磁界-回路連携解析を行っているが、短時間nsecオーダでの解析しかできず、AM帯のよう低周波の領域での適用が困難である。本発明は上記点に鑑みて、変位電流を考慮する必要のない低周波の領域において、導体間に任意のインピーダンスや電流源もしくは電圧源を配置した回路モデルについての回路連携解析を行えるようにした回路連携解析シミュレーション装置および回路連携解析方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、物体のスケールが電磁波の波長よりも十分に小さい低周波領域において、回路解析対象となる回路モデルを複数の導体領域と回路要素とを含む1つの領域で定義される有限要素領域の回路モデルと該有限要素領域に対して回路要素を組み込んだ回路解析領域の回路モデルとにモデル化し、有限要素領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式と、回路解析領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式とからなる連立一次方程式に基づいて、解析対象となる回路モデル内での電磁界の状態の解析を行う回路連携解析プログラムを記憶した記憶媒体を有する回路連携解析シミュレーション装置であって、有限要素領域では、分断された導体領域の間に配置される電圧源や電流源もしくはインピーダンスにて構成される回路要素をビーム電流要素として設定し、有限要素領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式としていることを特徴としている。このように、回路モデルのすべての配線を1つのモデルとしてモデル化し、低周波電磁界解析にビーム電流要素を導入して有限要素法で定式化し、回路解析と連立させるようにしている。これにより、配線受動素子を含めた一体低周波電磁界解析を可能とすることができる。したがって、変位電流を考慮する必要のない低周波の領域において、導体間に任意のインピーダンスや電流源もしくは電圧源を配置した回路モデルについての回路連携解析を行うことが可能となる。すなわち、請求項2に記載したように、有限要素領域において、ビーム電流要素が定義されている要素辺の向きを該ビーム電流要素に流れる電流の向きとして持ち、体積分を線積分に変換するδ関数をビーム電流の補間関数として使用しており、有限要素領域と回路解析領域を、所定の係数マトリクスで結合させることにより、連立一次方程式とすることができる。具体的には、請求項3に記載したように、連立一次方程式は、磁気ベクトルポテンシャルをA、電位スカラーポテンシャルをφ、回路要素の電圧をv、回路要素に流れる電流をI、透磁率をμ、導電率をσ、ビーム電流要素の鎖交磁束成分を考慮する部分であるビーム回路要素に接続される外部回路端子と該外部回路端子番号を関連付けるグラフ行列をF、転置行列を上添字のT、ビーム電流要素のうちビーム回路要素以外の部分を表した端子アドミタンスマトリクスをYとして後述する数式24で表される。なお、上記請求項1ないし3では、本発明を回路連携解析プログラムを記憶した記憶媒体を有する回路連携解析シミュレーション装置として把握した場合について説明したが、本発明を請求項4ないし6に記載したような回路連携解析方法として把握することもできる。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態図1は、本実施形態にかかる回路連携解析シミュレーション装置1の模式図である。回路連携解析シミュレーション装置1は、本実施形態にかかる回路連携解析方法を実現するプログラムを記憶した記録媒体であり、CPU、ROM、RAM、I/Oなどを備えた周知のマイクロコンピュータによって構成され、ROMなどに回路連携解析を実行するためのプログラムを記憶している。そして、回路連携解析シミュレーション装置1は、回路連携解析に必要なデータ入力を行うと、その入力されたデータに基づいてプログラムを実行することで、入力されたデータに示される回路モデルについての回路連携解析を行い、その回路モデルの回路連携解析結果を示すデータを出力する。具体的には、後述するように、本実施形態にかかる回路連携解析シミュレーション装置1では、回路モデルのすべての配線を1つのモデルとしてモデル化している。そして、低周波電磁界解析にビーム電流要素を導入して、ベクトルポテンシャルとスカラーポテンシャルを用いて有限要素法で定式化し、回路解析と連立させることにより、配線受動素子を含めた一体低周波電磁界解析を可能としている。すなわち、有限要素領域と回路解析領域とを離散化し、1つの連列方程式に組み込むことにより一体回路連携解析が行うようにしている。このため、回路連携解析シミュレーション装置1に対して、例えば、回路連携解析を行う回路モデルの導体領域と空気領域とを分割するメッシュ情報、回路モデルの導体領域に含まれる配線の導体率などの物性値、導体間配線間に接続される受動素子の場所に関する情報、回路解析領域上において受動素子に対応する要素として何を置くかについての情報をデータとして入力している。そして、回路連携シミュレーション装置1からは、回路連携解析結果として、回路モデルの電磁界の状態、すなわち磁界分布、電界分布、導体中の電界分布、回路要素にかかる電圧や回路要素に流れる電流に関するデータが出力される。具体的には、磁界分布、電界分布、導体中の電界分布を表す磁気ベクトルポテンシャルAおよび電位スカラーポテンシャルφ、回路要素の電圧vおよび回路要素に流れる電流Iをデータとして出力している。次に、本実施形態にかかる回路連携解析シミュレーション装置1が回路連携解析方法に基づいて行う回路連携解析について説明する。図2に、回路連携解析に用いられる回路モデルの一例を示し、この図を参照して説明する。図2aは、有限要素領域における回路モデル図、図2bは、回路解析領域における回路モデル図である。この図に示すように、回路連携解析に用いられる回路モデルを有限要素領域と回路解析領域とを離散化する。そして、有限要素領域と回路解析領域それぞれについて回路モデルでの電磁界の関係を示す一次方程式を導出し、これらの連立一次方程式を得ることで、複数の導体および回路要素部品を含む一体回路解析を行う。有限要素領域では、図2aに示すように、従来分離して定義していた各導体領域2、3を1つの領域にまとめて定義する。1つの領域にまとめるにあたり、電圧源4やインピーダンスに相当するコンデンサ5などについて、一般的には有限要素法ではある程度体積を持った要素としてモデル化するが、ここでは、体積を持たない線状のビーム電流要素としてモデル化する。具体的には、有限要素領域において、回路モデルを有限要素に分割してシミュレーションする。図3は、ビーム電流要素および外部回路端子、電位スカラーポテンシャルの配置図である。この図に示されるように、回路モデルに含まれる導体領域と空気領域とをメッシュ状の有限要素に分割し、それに基づいてシミュレーションを行う。メッシュ状の有限要素の各角部は、電位スカラーポテンシャルが定義される節点であり、各接点間を結ぶ線が辺要素辺である。これら節点および辺に任意の番号を付すことで、各接点や各辺を特定することができる。節点ごとに電位を持っているため、それに基づいて各節点に流れる電流や各節点での磁界を求め、マクスウェルの方程式で表される制約条件を満たすように導出した一次連立方程式に基づいて回路モデル内の各節点での最適な磁界分布、電界分布、導体中の電界分布、回路要素にかかる電圧や回路要素に流れる電流について解析する。本来は、すべての物体が体積を有したものとして分割されるが、本実施形態では、コンデンサなどのインピーダンスを表現する際に、体積を有した物体として表現することが困難であるから、一旦、体積を持たないビーム電流要素として見立てておき、回路解析の階層において、任意のインピーダンスとしてビーム電流要素を設置する。つまり、各導体領域2、3の任意の外部回路端子同士を接続する単なる線として把握する。このようなビーム電流要素は、体積0であるため、電流密度については求めることができないが、そこを流れる電流であれば定義することができる。また、ビーク電流要素については、各導体領域のどの節点の電位が回路要素の電位になるか不明であるため、一旦、各導体領域の任意の節点の電位が回路要素電圧源4やコンデンサ5の両端の電位vt1、vt2と見なし、任意の接点をビーム電流要素が接続される外部接続端子として回路解析を行う。一方、回路解析領域では、図2bに示すように有限要素領域を全配線も出るとして回路解析領域の一部のブロックとして組み込み、回路解析領域で定義される方程式に対して、有限要素領域で定義される方程式を組み合わせ、一つの連立方程式とすることで、一体化回路連携解析を行う。すなわち、有限要素領域の任意の部位に電圧源4やコンデンサ5などのインピーダンスを組み込んだ形として回路解析を行う。回路解析領域中に組み込む有限要素領域のブロックについては、有限要素領域を電流および電圧のみ定義できる領域と見なしている。回路要素については、有限要素領域においてビーム電流要素として設置した電圧源4もしくはコンデンサ5などの任意のインピーダンスを有限要素領域に接続した形態として組み込む。具体的には、電圧源4については、各外部回路端子の電位をvt1、vt2として、所定電圧Vを発生させると共に所定の電流I1が流れる電圧源を組み込む。ただし、ビーム電流要素によって各外部回路端子同士を接続しているということは、多少距離があることを意味しているため、その距離分のインピーダンス4aを電圧源4に直列接続した形態として組み込む。同様に、任意のインピーダンスここではコンデンサ5については、各外部回路端子の電位をvt3、vt4として、所定の電流I2が流れるコンデンサ5を組み込む。また、この場合にも、ビーム電流要素の距離分のインピーダンス5aをコンデンサ5に直列接続した形態として組み込む。そして、各回路要素の条件、例えば3Vの交流電圧を発生させる電圧源4であれば、電圧源4がそのような電圧とされる条件として、有限要素領域と回路解析領域それぞれを連立させた1つの方程式を解く。これにより、各回路要素の条件を満たした回路連携解析を行うことができる。以下、具体的に、有限要素領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式と、回路解析領域において導出される電磁界の関係を示す一次方程式、および、これら各一次方程式を1つにした連立一次方程式の導出の仕方について説明する。まず、有限要素領域での電磁界の関係を示す一次方程式の導出について説明する。低周波の磁界は、数式1のように示されるマクスウェルの方程式に従い、磁界Hは磁気ベクトルポテンシャルAに基づいて数式2のように表される。なお、数式1中のJは電流密度ベクトルであり、数式2中のμは透磁率を表している。電流密度ベクトルJは、ビーム電流成分Jbeamと渦電流成分Jeddyを有し、数式3のように表される。また、渦電流成分Jeddyは数式4のように表される。なお、数式4において、σは導電率、φは電位スカラーポテンシャルを表している。そして、数式1に対して、数式2~4を代入することにより、数式5が導出され、この数式5の発散を取ることにより、数式6を得ることができる。有限要素法では、これら数式5、6を解くことにより、解を得る。ここで、磁気ベクトルポテンシャルA、電位スカラーポテンシャルφ、ビーム電流成分Jbeamは、以下の数式7~数式9のように表される。本数式7中において、mは辺番号、Nemはベクトル補間関数、Amはベクトルポテンシャルに関する未知変数を表している。本数式8中において、jは節点番号、Nnjは節点補間関数、φjは電位スカラーポテンシャルに関する未知数、kは外部回路端子番号、Nntkはビーム電流要素端部の節点補間関数、vkは外部回路端子電位に関する未知数を表している。本数式9中において、jはビーム電流要素番号、Ibjはビーム電流要素に流れる電流値に関する未知数、lbjはビーム電流要素が定義されている要素辺上にてビーム電流要素に流れるビーム電流の方向に成分を持つ。また、数式9において、lbjは体積分を線積分に変換することのできる関数であり、数式10の性質を持つ。このδ関数をビーム電流の補間関数として使用している。なお、数式10中のΩは体積分を示す記号であり、aは任意のベクトル量、beamjはビーム電流要素が定義されている要素辺を表している。そして、ガラーキン法にて数式5、6を離散化すると、以下の数式11~13を導出することができる。これら数式11~13を行列表現すると、数式14を導出することができる。ただし、数式14中の各係数マトリクスは、数式14の下に記載した式で表される。また、数式14中の上添字Tは、転置行列を表している。以上のようにして、有限要素領域での一次方程式を導出することができる。続いて、回路解析領域での一次方程式の導出の仕方について説明する。外部回路の方程式は、例えば、非特許文献2などに記載されている節点解析法を適用した離散化により行う。外部回路上でもビーム電流要素で発生する誘起電圧を考慮する必要があるため、ビーム電流要素の鎖交磁束成分を考慮する部分以下、ビーム回路要素というと、それ以外の回路要素とを分けて考える。ビーム回路要素以外の部分については、端子アドミタンスマトリクスYnijを使用して、数式15のように表せる。なお、数式15中のi、jは外部回路端子番号である。また、Ynは、接続された状態での端子アドミタンスマトリクスを表している。ここで、端子アドミタンスマトリクスは、ビーム回路要素と外部回路端子間の関係を表す接続行列Dと、回路素子のアドミタンスを対角成分に持つマトリクスYにより、数式16にて表される。ビーム回路要素と外部回路端子との接続間の関係を表す行列Dについては、例えば、図4のような端子1と端子2および端子2と端子3の間に、それぞれインピーダンスZ1、Z2が配置されたものを例とすると、数式17のように表される。また、端子アドミタンスマトリクスYnは、数式18のように表される。なお、接続行列Dの成分Dijは、端子番号iが回路素子番号jの始点であるときに-1、終点であるときに1、それ以外のときに0となるように定義される。また、ビーム電流要素には、有限要素領域において磁束が鎖交しているため、数式19の鎖交磁束の時間変化による誘起電圧が発生する。なお、数式19中のtb1、tb2はビーム回路要素に接続される外部回路端子を表しており、tb1が始点、tb2が終点を意味している。また、Φbeamjはビーム電流要素jを通る磁束を表している。ビーム電流要素には、有限要素領域において磁束が鎖交しているため、数式16の鎖交磁束の時間変化による誘起電圧が発生する。鎖交磁束は数式20で表されるため、数式20を数式19に代入することにより、数式21が得られる。また、外部回路端子の始点tb1および終点tb2と外部回路端子番号を関連付けるグラフ行列F、つまり端子2と端子2の間の電圧を求めるための行列Fについては、例えば、図5のように端子1と端子2および端子2と端子3の間に、インピーダンスZとビーム回路要素が接続されたものを例とすると、数式22のように表される。このため、グラフ行列Fを用いて数式21を表すと、数式23となる。このようにして、回路解析領域での一次方程式を導出することができるため、上記のように導出した有限要素領域での一次方程式である数式14と、回路解析領域での端子アドミタンスマトリクスを表した数式15および回路解析領域での一次方程式である数式23を用いて、有限要素領域から外部回路端子に流入する電流を消去して連立させる。これにより、外部回路と有限要素領域を連携させた連立一次方程式である数式24を得ることができる。なお、数式24中における係数マトリクスは、上記数式14で示したものと同様である。この式は、有限要素領域と回路解析領域を下記の数式25に示す係数マトリクスで結合させたものとなる。そして、この数式24を解くことにより、磁界分布、電界分布、導体中の電界分布を表す磁気ベクトルポテンシャルAおよび電位スカラーポテンシャルφ、回路要素の電圧vおよび回路要素に流れる電流Iを得ることができる。したがって、複数の導体領域および回路要素部品を含む一体解析が可能となる。なお、節点解析法において、上記数式15に電流源もしくは電圧源を定義することにより、外部回路電源を表現することもできる。このように説明した回路連携解析方法によって、配線受動素子を含めた一体低周波電磁界解析を可能とすることができる。このような回路連携解析方法を実現するプログラムが回路連携解析シミュレーション装置1のROMなどに記憶されている。このため、回路連携解析シミュレーション装置1に対して回路連携解析に必要なデータ入力を行うことによって、入力されたデータに示される回路モデルについての回路連携解析を行わせることで、回路連携解析結果として、回路モデルでの磁界分布、電界分布、導体中の電界分布、回路要素にかかる電圧や回路要素に流れる電流に関するデータを得ることができる。以上説明したように、本実施形態では、回路モデルのすべての配線を1つのモデルとしてモデル化し、低周波電磁界解析にビーム電流要素を導入して、ベクトルポテンシャルとスカラーポテンシャルを用いて有限要素法で定式化し、回路解析と連立させている。これにより、配線受動素子を含めた一体低周波電磁界解析を可能とすることができる。したがって、変位電流を考慮する必要のない低周波の領域において、導体間に任意のインピーダンスや電流源もしくは電圧源を配置した回路モデルについての回路連携解析を行うことが可能となる。他の実施形態上記実施形態では、電流源や電圧源もしくはコンデンサなどのインピーダンスなどの回路要素として、電圧源4およびコンデンサ5を例に挙げ、これらが1つずつ備えられた回路モデルについて説明した。しかしながら、これは単なる一例を示したに過ぎず、勿論、他の回路モデルについても回路連携解析を行うことができる。また、回路要素は2つに限るものではなく、より多くの回路要素を含む回路モデルについても回路連携解析を行うことができる。図6aは、電圧源を1つ、コンデンサを2つ含む有限要素領域での回路モデル図、図6bは、図6aに対応する回路解析領域における回路モデル図である。この図に示すように、3つ以上の回路要素を含む回路モデルの場合にも、有限要素領域に対して複数の回路要素を組み込んだ形態で回路解析領域における回路モデルを作成できる。このような場合であっても、上記実施形態と同様の手法によって回路連携解析を行うことができる。また、インピーダンスとしては、抵抗やインダクタも挙げられる。この場合には、図7に示したように、有限要素領域に組み込まれる回路要素を抵抗6やインダクタ7とし、抵抗6やインダクタ7にビーム電流要素の距離分のインピーダンス6a、7aを接続した形態とすればよい。