"プラズマエッチングチャンバ内でポリシリコンゲート構造をエッチングするための方法であって、エッチングされるポリシリコンフィルムを保護するパターンを設ける工程と、プラズマを点火する工程と、保護されていない前記ポリシリコンフィルムのほぼすべてをエッチングする工程と、シリコン含有ガスを導入する工程と、シリコン含有ガスを導入しつつ、前記ポリシリコンフィルムの残りをエッチングする工程と、を備える、方法。請求項1に記載の方法であって、前記シリコン含有ガスを導入する工程は、約0.1標準立方センチメートル毎分sccmから300sccmの間の流速で前記シリコン含有ガスを流す工程を備える、方法。請求項1に記載の方法であって、前記シリコン含有ガスは、Si2H6、SiH3CH3、SiHCH33、SiF4、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiBr4、およびテトラエチルオルトシリケートTEOSから選択される、方法。請求項1に記載の方法であって、前記シリコン含有ガスは、SiF4およびSiCl4のいずれかである、方法。請求項1に記載の方法であって、前記保護されていない前記ポリシリコンフィルムのほぼすべてをエッチングする工程は、ハードマスクを除去するための第1のエッチングを行う工程と、保護されていない前記ポリシリコンフィルムを除去するための第2のエッチングを行う工程と、を備える、方法。請求項1に記載の方法であって、前記シリコン含有ガスを導入しつつ、前記ポリシリコンフィルムの残りをエッチングする工程は、前記ポリシリコンゲート構造の基部における切れ込みの形成を防止する工程を備える、方法。請求項1に記載の方法であって、前記シリコン含有ガスを導入する工程は、保護されていない前記ポリシリコンフィルムのエッチングを終了させる工程と、オーバーエッチングプラズマを点火する工程と、を備える、方法。請求項1に記載の方法であって、さらに、前記ポリシリコンフィルムのエッチングによって生成された副産物から保護層を形成する工程を備える、方法。半導体処理システムであって、チャンバを備え、前記チャンバは、ガス流入口と、前記チャンバ内でプラズマを点火するように構成された上部電極と、基板を保持するための支持体と、エッチング動作中に保護の足りない状態を検出すると共に、前記保護の足りない状態に応じて、前記エッチング動作中に前記ガス流入口を通して保護強化ガスを導入するよう構成された制御部と、を備える、システム。請求項9に記載のシステムであって、前記制御部は、汎用コンピュータである、システム。請求項9に記載のシステムであって、前記保護強化ガスは、シリコン含有ガスである、システム。請求項11に記載のシステムであって、前記シリコン含有ガスは、Si2H6、SiH3CH3、SiHCH33、SiF4、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiBr4、およびテトラエチルオルトシリケートTEOSから選択される、システム。ここで、本発明のいくつかの代表的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部もしくはすべてがなくとも実施可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の説明は省略した。多くのプラズマエッチングの用途では、保護層の生成することにより所望の形状プロフィルを得る。プロフィルを制御するための主要な機構は、エッチングおよび蒸着反応のバランスを含む。エッチング反応は、一般に、入力する電力、圧力、およびガス流量などの反応チャンバパラメータによって直接的に制御される。シリコンウエハのプラズマエッチングでは、エッチング反応産物が、主な蒸着源となるため、蒸着機構は間接的に制御される。シャロートレンチおよびゲートの用途では、様々なエッチングガス剤が用いられる。例えば、HBr-O2エッチングガスを用いた場合には、保護層は、主に、SixBryOzからなる。Cl2-O2エッチングガスを用いた場合には、保護層は、主に、SixClyOzからなる。保護層の他の構成物質は、N、C、H、およびFを含みうる。さらに、シリコンウエハおよび/または石英構成要素などのチャンバ材料のエッチングの結果として、揮発性のシリコンエッチング副産物が、保護層に組み込まれる。上述のように、シリコンウエハおよび/またはチャンバ材料などのシリコン源をエッチングすることにより、保護層にシリコンが組み込むことが可能である。かかるシリコン源は、エッチングガスによって直接的に制御されない副産物である。さらに、揮発性のシリコンエッチング副産物は、ウエハ表面から真空排気ポートに向かって移送されるため、ウエハ表面上にシリコンを含む副産物が蒸着する可能性は限られている。これにより、ウエハにわたってシリコン副産物の濃度が非一様となり、エッチングされた形状のプロフィルおよびクリティカルディメンションが非一様になる。多くのシャロートレンチの用途は、上端および/または下端の丸みを必要とする。米国特許No.5,807,789は、先細りのプロフィルと、丸み付けされた角とを有するシャロートレンチを記載している。丸みを付けるための主要な機構は、再蒸着副産物を生成することによる。ポリマのスペーサを用いて、シャロートレンチアイソレーション領域の上端に丸みを付けることが、米国特許No.5,801,083に記載されている。同一出願人による米国特許No.6,218,309およびNo.6,287,974は、シャロートレンチアイソレーション形状の上端に丸みを付けることを記載している。一実施形態によると、シリコン層にシャロートレンチをエッチングする方法は、プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に1つの半導体基板を支持する工程と、シリコン含有ガスを含むエッチングガスを用いて、半導体基板のシリコン層に、1μm未満の深さと0.5μm未満の幅とを有するシャロートレンチをプラズマエッチングする工程とを備える。プラズマは、様々な種類のプラズマリアクタで生成することができる。かかるプラズマリアクタは、通例、RFエネルギ、マイクロ波エネルギ、磁界などを用いて中から高密度のプラズマを生成するエネルギ源を有する。例えば、高密度プラズマは、誘導結合プラズマリアクタとも呼ばれるLamResearchCorporationから入手可能な変成器結合プラズマTCP商標、電子サイクロトロン共鳴ECRプラズマリアクタ、ヘリコンプラズマリアクタなどで生成することができる。高密度プラズマを提供できる高流量プラズマリアクタの一例が、共有の米国特許No.5,820,261に開示されている。また、プラズマは、共有の米国特許No.6,090,304に記載されている二重周波数プラズマエッチングリアクタなど、平行平板型エッチングリアクタで生成されてもよい。その処理は、リアクタの壁の流出口に接続された真空ポンプによって所望の真空圧力に維持された誘導結合プラズマリアクタ内で実行することができる。エッチングガスは、ガス供給源から誘電体窓の下側の周りに伸びるプレナムにガスを供給することにより、シャワーヘッドまたはインジェクタ配列に供給される。高密度プラズマは、RF源から、リアクタの上部の誘電体窓の外部に1以上の巻きを有する平面らせんコイルなどの外部RFアンテナに、RFエネルギを供給することにより、リアクタ内で生成可能である。プラズマ生成源は、リアクタの上端に真空気密で着脱可能に取り付けられたモジュール式取り付け構成の一部であってもよい。ウエハは、リアクタ内で、リアクタの側壁からモジュール式取り付け構成によって着脱可能に支持された片持ち梁チャック構成などの基板支持体により支持される。かかる基板支持体は、基板支持体/支持アームアセンブリ全体が、リアクタの側壁における開口部にアセンブリを通すことによりリアクタから取り外し可能となるように、支持アームの一端において片持ちの形態で取り付けられる。基板支持体は、静電チャックESCなどのチャック装置を備えていてもよい。基板は、誘電体フォーカスリングによって囲まれるものとしてもよい。チャックは、エッチング処理中に基板にRFバイアスを掛けるためのRFバイアス電極を備えていてもよい。ガス供給源によって供給されたエッチングガスは、窓と、下にあるガス分配プレートGDPとの間のチャネルを通って、GDPのガス流出口を通してチャンバ内部に入る。リアクタは、さらに、GDPから伸びる加熱ライナを備えていてもよい。その処理も、リアクタの壁の流出口に接続された真空ポンプによって内部を所望の真空圧力に維持された平行平板型プラズマリアクタ内で実行することができる。ガス供給源からガスを供給することにより、エッチングガスがシャワーヘッド電極に供給され、1以上のRF源からシャワーヘッド電極および/または下部電極にRFエネルギが供給されることにより、中密度プラズマがリアクタ内で生成される。あるいは、シャワーヘッド電極電気的に接地し、2つの異なる周波数のRFエネルギを下部電極に供給することも可能である。様々なガスの流量は、プラズマリアクタの種類、電力の設定、リアクタ内の真空圧力、プラズマ源の解離速度などの因子によって決まることは、当業者にとって明らかなことである。リアクタの圧力は、リアクタ内のプラズマを維持するのに適したレベルに維持されることが好ましい。一般に、リアクタの圧力が低すぎると、プラズマが消滅することがあり、高密度エッチングリアクタにおいて、リアクタの圧力が高すぎると、エッチングが停止することがある。高密度プラズマリアクタについては、リアクタの圧力は、100mTorr未満であることが好ましい。中密度プラズマリアクタについては、リアクタの圧力は、30から100mTorrであることが好ましく、50から100mTorrであることがより好ましい。エッチングを施されている半導体基板におけるプラズマ閉じこめにより、基板表面における真空圧力は、リアクタの真空圧力の設定よりも高くなる場合がある。エッチングを施されている半導体基板を支持する基板支持体は、基板におけるフォトレジストの燃焼や望ましくない反応ガスのラジカルの形成などの有害な副反応を防止するのに十分なほど、基板を冷却することが好ましい。高および中高密度プラズマリアクタにおいては、-10から80°Cの温度に基板支持体を冷却すれば十分である。基板支持体は、処理中に基板に対してRFバイアスを供給するための下部電極と、基板を固定するためのESCとを備えていてもよい。例えば、基板は、シリコンウエハを含み、ウエハは、静電気によって固定され、ウエハとESCの上面との間に所望の圧力でヘリウムHeを供給することにより冷却される。ウエハを所望の温度に維持するために、Heは、ウエハとチャックとの間の空間で10から30Torrの圧力に維持される。図1ないし3は、シャロートレンチをシリコン層にエッチングする方法を示す説明図である。図2に示すように、シリコン基板10は、100Åのパッド酸化物12と、1500Å厚の窒化シリコン層14と、600Å厚の下部反射防止膜BARC16と、開口部20を提供するよう事前にパターン化されている3200Å厚のフォトレジスト層18とを含む積層体を上部に備える。シリコンウエハにシャロートレンチをエッチングする際には、フォトレジスト18は、所望のトレンチの位置に対応する多くの開口部20を備える。窒化シリコン層14は、開口部20の位置で開口され、パターン化されたハードマスクを形成する。ハードマスク14を開口するに当たって、BARC層16が、プラズマエッチングによって開口される。代表的なBARCの開口工程では、チャンバは、5mTorrの真空圧力であり、チャンバに誘導結合される高周波エネルギのアンテナ電力は、350ワットに設定される。基板支持体は、88ワットの電力を供給されることによりRFバイアスを提供する電極を備えている。BARCは、ウエハの温度を約60°Cに維持しつつ、50sccmのCF4により60秒間のプラズマエッチングを行うことで開口される。次に、窒化シリコン14およびパッド酸化物12が開口され、開口部22が形成される。その際、チャンバは、同じ圧力に設定されるが、アンテナの電力は1000ワットに上げられる。窒化シリコン層は、ウエハの温度を約60°Cに維持しつつ、70sccmのCHF3および300sccmのArで44秒間エッチングされる。その後、10mTorrのチャンバ圧力と1000ワットのアンテナ電力で、フォトレジストおよびBARCが剥離される。フォトレジストは、200sccmのO2を45秒間使用することにより剥離される。剥離工程の結果として、BARCおよびフォトレジスト層は、除去され、露出したシリコンの領域は、O2プラズマによって酸化されている。代表的な処理では、チャンバは5mTorrに設定され、アンテナには350ワットの電力が供給される。酸化されたシリコンは、ウエハの温度を約60°Cに維持しつつ、50sccmのCF4を用いて7秒間エッチングされる。次に、シリコン基板は、チャンバ圧力を50mTorrに設定してアンテナに1000ワットの電力を供給することでエッチングされる。ウエハの温度を約60°Cに維持した状態で、下部電極には、約220ワットの電力が供給される。エッチングガスは、125sccmのCl2と、14sccmのO2と、14sccmのN2とを含んでいる。所望の丸みおよび/またはプロフィルおよび/またはCD制御を提供するために、SiCl4などのシリコン含有ガスをエッチングガスに加えることも可能である。図3に示すようにトレンチ構造24を形成した後、ウエハは、2分間のHF浸漬で洗浄されて、脱イオン水で回転リンスされる。図4は、エッチングガスにSiCl4を加えずに125sccmのCl2を用いて形成されたトレンチ構造の顕微鏡写真である。図4に示すように、トレンチは、曲がったプロフィルとサブトレンチのある底面とを有する。エッチングガスにシリコン含有ガスを加えることにより、クリティカルディメンションCDおよびプロフィル制御の改善が実現できる。図5は、シャロートレンチのエッチングの際にシリコン含有ガスを用いて形成されたトレンチ構造の顕微鏡写真である。図5に示したトレンチ構造は、75sccmのCl2と25sccmのSiCl4とを用いてエッチングされたものである。図6は、シャロートレンチのエッチングの際にシリコン含有ガスを用いた結果として、丸みのある上部および底部を有する先細りのトレンチの顕微鏡写真である。図7および8は、ゲートのエッチングを示す説明図である。図7に示すように、シリコンウエハ30は、15Å厚の酸化物層32と、1500Å厚のポリシリコン層34と、200Å厚の窒化シリコン層36と、2000Å厚のフォトレジスト層38とを含む積層体を上部に備える。フォトレジスト層38は、ゲートエッチングの位置に対応する開口部40を備えるようすでにパターン化されている。バリア層は、窒化シリコンに限定されないことを理解されたい。例えば、当業者にとって明らかなように、ゲートの用途でのハードマスクは、二酸化シリコンSiO2または酸窒化シリコンSiOxNyである。さらに、バリア層の厚さは、300Åであってもよいし、任意の他の適切な厚さであってもよい。図7には、1つの開口部40が示されているが、ウエハへのゲート構造のエッチングの際には、所望のゲートの位置に対応する多くの開口部40が存在する。以下では、ゲートエッチングの代表的な処理について説明する。まず、チャンバ圧力を15mTorrに設定すると共にアンテナ電力を400ワットに設定して、トリミング工程が実行される。トリミング工程のためのエッチングガスは、30sccmのHBrと10sccmのO2とを含んでいる。次に、チャンバを10sccmのCF4に設定して、窒化シリコン層36をエッチングし、窒化シリコン層36において開口部40に対応する開口部を形成する。次いで、突破工程、第1の主エッチング、第2の主エッチング、およびオーバーエッチングを含む4つの工程で、ポリシリコンがエッチングされる。突破工程では、一部の化学薬品例えば、HBrがSiO2を容易または一様にエッチングしないため、シリコンの表面に存在する自然酸化物がエッチングされる。当業者にとって明らかなように、化学剤がCF4を含む場合には、突破工程を用いる必要はない。第1の主エッチングでは、チャンバは10mTorrに設定され、アンテナは800ワットの電力に設定される。エッチングガスは、50sccmのCl2、175sccmのHBr、60sccmのCf4、および5sccmのO2を含む。第2の主エッチングでは、チャンバは30mTorrに設定され、アンテナは350ワットに設定される。第2の主エッチングのためのエッチングガスは、300sccmのHBrと3sccmのO2とを含んでいる。オーバーエッチングでは、チャンバは80mTorrに設定され、アンテナには500ワットの電力が供給される。オーバーエッチングにおけるエッチングガスは、130sccmのHBr、4sccmのO2、および約270sccmのHeを含む。第1または第2の主エッチングおよび/またはオーバーエッチングに、SiCl4などのシリコン含有ガスを加えて、ゲートのプロフィルと、ウエハ内でのCDの制御とを改善してもよい。ポリシリコンのエッチングの後には、図8に示すように、開口部42がゲート酸化物32まで伸びる。図9Aは、オーバーエッチング工程の際にエッチングガス混合物内にシリコン含有ガスを用いていない場合のエッチングプロフィルを示す簡略な説明図である。エッチングされたゲート形状102aないし102cは、エッチングゲート形状の各々の基部に切れ込み100を有する。ポリシリコン材料が除去されるエッチング処理の終わり、すなわち、オーバーエッチング工程中には、ゲートの完全性を保持しつつ、オーバ―エッチング工程を行う間に酸化物への高い選択性を維持する必要がある。一般的に知られているように、ゲート酸化物の穿孔とは、ゲート酸化物すなわちゲート材料が、狭い局所的な領域で選択的にエッチングされた結果、その下のシリコンがエッチングされて、孔が形成される現象である。図9Bは、本発明の一実施形態に従って、オーバーエッチング処理にシリコン含有ガスを加えることにより、クリティカルディメンションを制御したエッチングゲート形状の代表的な顕微鏡写真である。シリコンエッチングガス混合物の中のシリコン含有ガスは、側壁保護を増大して、切れ込みの形成を低減する。したがって、ゲート形状102aないし102cは、図に示すように、シリコンエッチングガスの追加によって提供される側壁保護のために、切れ込みのない基部を有する。一実施形態では、ハードマスクゲートの用途に関して、側壁保護は、主に、Si、O、Xに基づく材料からなる。なお、Xとは、例えば、臭素、塩素、フッ素などのハロゲンまたはハロゲンの混合物である。当業者にとって明らかなように、ハロゲンは、エッチング剤に依存する。ここで、最初の2つのエッチング工程は、エッチング副産物を含む反応を通して、基板から保護層にシリコンを組み込む。しかしながら、オーバーエッチング工程中のポリシリコンエッチングの終わりに、シリコンを含む副産物は、エッチングされるシリコン材料が減少するために使い果たされる。同時に、エッチング種の濃度が増大される。その結果、オーバーエッチング工程中には、ほとんど保護層が形成されず、ラインの基部における既存の保護層が、エッチング種によって侵され、ポリシリコンラインに切れ込みが生じる場合がある。しかしながら、オーバーエッチング工程の際にシリコンを追加すると、エッチングされているシリコン材料によって前もって供給されていたシリコンの減少を補うことになる。図10は、エッチングされたデュアルドープゲート構造を示す簡略な断面図である。ここで、ゲート110は、nドープポリシリコンからなり、ゲート112は、pドープポリシリコンからなる。全エッチング処理中にシリコン含有ガスを追加することにより、保護層の形成が強化されて、基板上の異なるドープを施されたゲート構造によって引き起こされる差が低減される。横向きの作用の量も、ゲートエッチング処理の最後の工程中に、エッチング剤がゲート酸化物に対してより選択的になると、ドープの種類によって変化しうる。その結果、シリコンエッチングの最初の工程で規定されたプロフィルが、最後の工程で変化することで、様々なドープ領域の間でプロフィルおよびクリティカルディメンションの差が生じる。すなわち、これは、n/pプロフィルローディングとも呼ばれる。したがって、別の実施形態では、エッチングの最後の工程例えば、オーバーエッチング工程でガス混合物にシリコン源を追加することで、異なる種類のドープシリコンの間のエッチング速度のマイクロローディングを低減する。さらに、シリコンガスは、より多くの保護層をラインに追加することにより、プロフィルの輪郭に対する様々な種類のドープシリコン間の横方向のエッチングの差の影響を低減する。したがって、シリコンのエッチングの際にエッチングガス混合物にシリコン含有ガスを追加することにより、形状の基部における切れ込みの形成が防止される。さらに、オーバーエッチング工程の際のエッチングガス混合物の中のシリコン含有ガスは、酸化物への選択性を増大させる。また、シリコンのエッチングの際のエッチングガス混合物の中のシリコン含有ガスは、同じ基板上に存在する様々な種類のドープシリコンの間のプロフィルの差を低減する。すなわち、シリコンのエッチングの際にエッチングガス混合物にシリコン含有ガスを追加することにより、nドープ、pドープされたライン、またはドープされていないラインの間のクリティカルディメンションの偏りが低減される。図11は、オーバーエッチング処理中にシリコン含有ガスを提供するよう構成されたエッチングチャンバを示す簡略な説明図である。エッチングチャンバ120は、ガス流入口122と、電極124と、静電チャック128と、支持ウエハすなわち半導体基板126とを備える。エッチングチャンバ120は、さらに、エッチングチャンバからの排出を行うためのポンプと接続可能な流出口130を備える。処理ガス供給源132は、ガス流入口122に接続している。保護強化ガス例えば、上述のシリコン含有ガスは、ガス流入口122を通じてチャンバに供給され得ることを理解されたい。チャンバ120および処理ガス供給源134に接続された制御部134は、保護の足りない状態、すなわちオーバーエッチング処理を検出するよう構成されている。保護の足りない状態の検出に応じて、制御部は、チャンバ120へのシリコン含有ガスの供給を処理ガス供給源132に行わせる。制御部134は、任意の適切な終点検出によって保護の足りない状態を検出し得ることと、オーバーエッチング処理の開始によりシリコン含有ガスの供給が開始されることを理解されたい。さらに、制御部134は、一実施形態では、汎用コンピュータである。シリコン含有ガス例えば、SiCl4の導入に関するパラメータは、表1にまとめられている。表1は、例示であって限定を意図しないことを理解されたい。すなわち、任意の適切なシリコン含有ガスを用いることができる。さらに、チャンバの構成に応じて、パラメータの範囲を変更してもよい。一実施形態では、オーバーエッチング工程の際に、SiCl4または他の適切なSi含有ガスが、ガス混合物に追加されると、ポリシリコンはエッチングされるが、ゲート酸化物の上には保護蒸着物が形成される。すなわち、SiOxの薄層チャンバ内に存在するBrまたはClまたは任意の他の適切な分子を組み込みうるが、ゲート酸化物または窒化されたゲート酸化物の上に蒸着される。SiOx層を形成するために、酸素源も準備されることを理解されたい。薄層のための酸素源は、酸素含有ガスの導入、または、容器における酸素含有構成要素例えば、石英、アルミナ、エッチングされている基板の酸素含有構成要素などの存在によって実現される。プラズマのための酸素源の一例は、酸素ガスである。シリコン含有薄層の蒸着の結果、ポリシリコンと酸化物との間のエッチング速度の選択性は無限になる、すなわち、ゲート酸化物はエッチングされなくなることを理解されたい。したがって、ゲートの完全性の改善すなわち、酸化物の損失があっても最低限に抑えられると、シリコンの凹部の減少が実現され、穿孔の可能性が大幅に低減される。さらに、エッチング速度の選択性が増大することで、選択性の増大がない場合に穿孔が生じる領域での処理の実行が可能となるため、処理の窓が広くなる。別の実施形態では、保護層のためのシリコンを供給するために、固体のシリコン源が、チャンバに備えられる。すなわち、エッチングされているシリコンがほぼ使い果たされるオーバーエッチング処理中に、固体のシリコン源は、保護層に必要なシリコンを供給して、切れ込みの形成を防止する。例えば、エッチングチャンバの上部電極が、固体のシリコン源を備え、シリコン源は、上部電極に高周波RFバイアスを掛けることによりオーバーエッチング工程の間駆動される。以上、本発明の原理、好ましい実施形態、および動作の形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述の特定の実施形態に限定されない。したがって、上述の実施形態は、限定的なものではなく例示的なものと見なされ、以下の特許請求の範囲で規定される本発明の範囲を逸脱することなく、当業者によって変形を行うことができる。本明細書においては、いくつかの代表的な実施形態を参照して、本発明の説明を行った。当業者にとっては、本明細書の考慮と本発明の実践から、本発明の別の実施形態が明らかとなる。上述の実施形態および好ましい特徴は例示的なものであり、本発明は添付の特許請求の範囲によって規定される。"