"光透過性基板上に透明電極層と半導体薄膜層とが順次積層される半導体デバイス前駆体の前記半導体薄膜層に発生した剥離欠陥部を補修する半導体欠陥補修方法であって、前記剥離欠陥部に、感光性を有する感光性液体を塗布する塗布工程と、前記感光性液体が塗布された半導体デバイス前駆体を、前記感光性液体を硬化させるための紫外線を照射する照射装置に対して相対的に移動させながら、該照射装置によって半導体デバイス前駆体に紫外線を照射する照射工程とを含み、前記照射工程では、半導体デバイス前駆体における所定の領域ごとに、当該領域における前記感光性液体の塗布状況に応じた照射時間だけ紫外線が照射されるように、前記半導体デバイス前駆体を段階的に移動させることを特徴とする半導体欠陥補修方法。前記照射装置は、100mW/cm2以下の紫外線強度の紫外線を照射するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体欠陥補修方法。前記照射装置は、波長領域の互いに異なる紫外線を照射するように構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体欠陥補修方法。前記照射装置は、前記半導体デバイス前駆体において移動方向に垂直な方向の全幅に亘って、半導体デバイス前駆体を照射可能に構成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体欠陥補修方法。前記感光性液体は、赤色系、黄色系およびシアン系の顔料のうちの少なくとも1つを含有していることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体欠陥補修方法。前記塗布工程では、インクジェット法を用いて、剥離欠陥部に感光性液体を塗布することを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体欠陥補修方法。光透過性基板上に透明電極層と半導体薄膜層とが順次積層される半導体デバイス前駆体の前記半導体薄膜層に発生した剥離欠陥部を補修する半導体欠陥補修装置であって、前記半導体薄膜層に発生した剥離欠陥部の発生位置を特定する位置特定手段と、前記位置特定手段によって特定された発生位置に基づいて、前記剥離欠陥部に、感光性を有する感光性液体を塗布する塗布手段と、前記塗布手段によって塗布された感光性液体を硬化させるための紫外線を照射する照射手段と、前記感光性液体が塗布された半導体デバイス前駆体を、前記照射手段に対して相対的に移動させる移動手段と、前記半導体デバイス前駆体を段階的に移動させるように前記移動手段を制御する制御手段であって、半導体デバイス前駆体における所定の領域ごとに、当該領域における前記感光性液体の塗布状況に応じた照射時間だけ紫外線が照射されるように、移動手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする半導体欠陥補修装置。しかしながら、前述した特許文献1~4に記載される方法を用いて半導体薄膜層の剥離欠陥部を補修し、電気的短絡を防止するプロセスを製造工程へ応用する場合を考えると以下の課題がある。特許文献1,2に記載される方法では、大面積の薄膜太陽電池内に多数存在する不特定形状の剥離欠陥部を補修するために、剥離欠陥部ごとにレーザ光の照射回数、強度および照射エリアなどの処理条件を設定する必要がある。したがって、このレーザ光処理プロセスにおいて、処理タクトが非常に長くなってしまい、また、処理を実行するための設備も高コストになってしまうという問題がある。特に、特許文献2に記載される方法では、レーザ光の照射処理は、半導体薄膜層の上部に裏面電極を形成した後に行われているため、剥離欠陥部ピンホールを完全に特定することが難しく、歩留まりも低いという問題がある。また、特許文献1,2に記載される方法では、レーザ光照射によって発生する熱により、半導体薄膜層を損傷してしまうという問題もある。さらには、レーザ光照射により半導体薄膜層を溶融する際の発塵により、半導体薄膜層の汚染を助長し、レーザ処理によってかえってリークパスが形成され、電気的短絡部が拡大してしまうという問題もある。特許文献3に記載される方法では、半導体薄膜層の全面に亘ってネガ型レジスト材料を塗布し、露光、現像工程により剥離欠陥部を補修する際に、加熱処理を行う必要があるが、この加熱処理によって、熱に弱い半導体薄膜層の特性劣化を促進させるという問題がある。また、剥離欠陥部以外の正常な部分にもネガ型レジスト材料が塗布されるので、レジスト残渣が発生した場合には、電気的短絡部のみならず、レジスト残渣が発生した部分についても、特性不良となってしまうという問題がある。また、半導体薄膜層の全面に亘ってネガ型レジスト材料を塗布しているため、ネガ型レジスト材料、現像材料および洗浄材料自体が半導体層に悪影響を与えてしまい、特性劣化不良を引き起こす可能性があるという問題がある。さらには、レジスト材料の露光工程、現像工程などの新たな工程が必要となり、また、必要となるレジスト材料が多量であることや、フォト露光設備やレジスト材料の洗浄設備、乾燥設備などによって、高コストになってしまうという問題もある。特許文献4に記載される方法では、UV硬化塗料を短時間で完全に硬化させるために、1000mW/cm2以上の強力な紫外線を半導体薄膜層に照射しているので、半導体薄膜層のダングリングボンドが増加し、欠陥密度が増加することで半導体素子内のキャリアの移動を阻害し、太陽電池の性能の劣化を招くという問題がある。また、紫外線発生照明から発生する熱により半導体薄膜層の劣化を招く可能性がある。また、スポット照明を使用しているため、照射エリアによる紫外線強度のばらつきが大きく、照射される紫外線のエリアにより形成される塗布膜の硬化状態などの塗布膜特性がばらついてしまうという問題がある。さらに、ニードル塗布を行った場合には、塗料の塗布エリアの面積が大きくなるため、剥離欠陥部以外の半導体薄膜層上へ塗料が塗布されることで、半導体薄膜層の発電効率が低下するという問題もある。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体薄膜層内に発生した欠陥部を補修するプロセスにおいて、塗布材料、熱および紫外線によって、正常な半導体薄膜層へ悪影響を与えず、半導体薄膜層に発生する剥離欠陥部に均一な特性の塗布膜を形成することで剥離欠陥部を補修し、かつ装置コストを低減させることができる半導体欠陥補修方法および半導体欠陥補修装置を提供することである。本発明は、光透過性基板上に透明電極層と半導体薄膜層とが順次積層される半導体デバイス前駆体の前記半導体薄膜層に発生した剥離欠陥部を補修する半導体欠陥補修方法であって、前記剥離欠陥部に、感光性を有する感光性液体を塗布する塗布工程と、前記感光性液体が塗布された半導体デバイス前駆体を、前記感光性液体を硬化させるための紫外線を照射する照射装置に対して相対的に移動させながら、該照射装置によって半導体デバイス前駆体に紫外線を照射する照射工程とを含み、前記照射工程では、半導体デバイス前駆体における所定の領域ごとに、当該領域における前記感光性液体の塗布状況に応じた照射時間だけ紫外線が照射されるように、前記半導体デバイス前駆体を段階的に移動させることを特徴とする半導体欠陥補修方法である。また本発明は、前記照射装置は、100mW/cm2以下の紫外線強度の紫外線を照射するように構成されていることを特徴とする。また本発明は、前記照射装置は、波長領域の互いに異なる紫外線を照射するように構成されていることを特徴とする。また本発明は、前記照射装置は、前記半導体デバイス前駆体において移動方向に垂直な方向の全幅に亘って、半導体デバイス前駆体を照射可能に構成されていることを特徴とする。また本発明は、前記感光性液体は、赤色系、黄色系およびシアン系の顔料のうちの少なくとも1つを含有していることを特徴とする。また本発明は、前記塗布工程では、インクジェット法を用いて、剥離欠陥部に感光性液体を塗布することを特徴とする。また本発明は、光透過性基板上に透明電極層と半導体薄膜層とが順次積層される半導体デバイス前駆体の前記半導体薄膜層に発生した剥離欠陥部を補修する半導体欠陥補修装置であって、前記半導体薄膜層に発生した剥離欠陥部の発生位置を特定する位置特定手段と、前記位置特定手段によって特定された発生位置に基づいて、前記剥離欠陥部に、感光性を有する感光性液体を塗布する塗布手段と、前記塗布手段によって塗布された感光性液体を硬化させるための紫外線を照射する照射手段と、前記感光性液体が塗布された半導体デバイス前駆体を、前記照射手段に対して相対的に移動させる移動手段と、前記半導体デバイス前駆体を段階的に移動させるように前記移動手段を制御する制御手段であって、半導体デバイス前駆体における所定の領域ごとに、当該領域における前記感光性液体の塗布状況に応じた照射時間だけ紫外線が照射されるように、移動手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする半導体欠陥補修装置である。本発明によれば、半導体薄膜層の剥離欠陥部に局所的に感光性液体を塗布した後、半導体デバイス前駆体を照射装置に対して相対的に移動させながら、該照射装置によって半導体デバイス前駆体に紫外線を照射する際に、半導体デバイス前駆体における所定の領域ごとに、感光性液体の塗布状況に応じて半導体デバイス前駆体を段階的に移動させるので、剥離欠陥部のサイズや形状、感光性液体の塗布液滴量や材料特性に応じて、紫外線を照射する時間や紫外線強度をフレキシブルにコントロールすることができる。これにより、剥離欠陥部に形成する塗布膜の特性をより均一化することができ、プロセス制御性を向上することができる。また本発明によれば、太陽光が照射する紫外線強度の10分の1以下である100mW/cm2以下の紫外線強度の紫外線を照射して塗布膜を形成するため、紫外線が発電効率などの半導体薄膜層の特性に与える影響をなくすことができる。さらに、紫外線強度を低減することで、照射装置の発熱を抑制することができ、熱により半導体薄膜層が損傷してしまうことを防止することができる。また、紫外線強度が低いため照射装置自体のコストを低減することができる。また本発明によれば、広範囲の波長領域を照射することにより感光性液体の硬化速度を向上することができ、処理タクトを向上させることができる。また、照射する紫外線の波長領域を太陽光と同程度の領域をカバーすることができるため、特定波長領域の紫外線を照射することによる半導体薄膜層の劣化を防止することができる。また本発明によれば、半導体デバイス前駆体における幅方向の全幅に亘って、均一な紫外線強度の紫外線を照射することができる。そのため、剥離欠陥部へ塗布した感光性液体への紫外線光量を均一化することができ、剥離欠陥部ごとに形成される塗布膜の特性を均一にすることができる。また、紫外線光源を半導体デバイス前駆体の移動方向に沿って複数設置することで、紫外線光源1つあたりの照射時間を短縮することができ、剥離欠陥部の処理タクトを向上させることができる。また本発明によれば、顔料を含有させた感光性液体を用いることで、補修処理実施時に半導体薄膜層の処理欠陥部を容易に特定することができるため、補修処理が既に実施されたか否かを容易に判別することができる。また、補修処理を実施した半導体デバイスを製品化した場合には、外観から補修処理が行われた部分を目立たなくすることができる。また本発明によれば、感光性液体を塗布する際の塗布液適量を微小にすることができ、また、半導体薄膜層の剥離欠陥部のみをピンポイントで塗布することができるため、半導体薄膜層上の感光性液体の塗布エリアを最小にすることができる。さらに、形成される塗布膜を薄膜化することができるため、感光性液体の硬化に必要とされる紫外線光量を減少させることができ、硬化の際に照射する紫外線により半導体薄膜層が損傷してしまうことを防止することができる。また本発明によれば、半導体薄膜層の剥離欠陥部を特定する位置特定手段を備えているため、剥離欠陥部に感光性液体を正確に塗布することができる。また、半導体デバイス前駆体を照射手段に対して相対的に移動させながら、該照射手段によって半導体デバイス前駆体に紫外線を照射する際に、半導体デバイス前駆体における所定の領域ごとに、感光性液体の塗布状況に応じて半導体デバイス前駆体を段階的に移動させるので、剥離欠陥部のサイズや形状、感光性液体の塗布液滴量や材料特性に応じて、紫外線を照射する時間や紫外線強度をフレキシブルにコントロールすることができる。これにより、剥離欠陥部に形成する塗布膜の特性をより均一化することができ、プロセス制御性を向上することができる。図1は、本発明の実施形態に係る半導体欠陥補修装置1の概略構成図である。図2は、半導体欠陥補修装置1による処理対象の半導体デバイス100の構成を示す断面図である。半導体デバイス100は、透光性を有する絶縁基板101の厚み方向一方の表面上に、第1電極層102、半導体光電変換薄膜層以下、半導体薄膜層と称する103、第2電極層104を順次積層することによって構成される。絶縁基板101としては、以降の膜形成プロセスにおける耐熱性および透光性を有するガラス基板、ポリイミドなどの樹脂基板などが使用可能である。また、第1電極層102は、透明導電膜からなり、好ましくは、ZnOまたはSnO2を含む材料からなる透明導電膜からなる。SnO2を含む材料は、SnO2自体であってもよく、SnO2と別の酸化物の混合物たとえば、SnO2とIn2O3の混合物であるITOであってもよい。半導体薄膜層103は、第1電極層102側から順に、p型半導体層103a、i型半導体層103bおよびn型半導体層103cが積層されてなる。p型半導体層103aには、ボロン、アルミニウムなどのp型不純物原子がドープされており、n型半導体層103cには、リンなどのn型不純物原子がドープされている。i型半導体層103bは、完全にノンドープである半導体層であってもよく、微量の不純物を含む弱p型または弱n型で光電変換機能を十分に備えている半導体層であってもよい。第2電極層104は、たとえば、透明導電膜と金属膜とが半導体薄膜層上に積層した積層構造を有する。透明導電膜は、ZnO、ITO、SnO2などからなる。金属膜は、銀、アルミニウムなどの金属からなる。本実施形態に係る半導体欠陥補修装置1は、上記のような構造を有する半導体デバイス100において、半導体薄膜層103に発生した剥離欠陥部を、第1電極層102と第2電極層104とが電気的短絡を起こさないように補修する装置である。剥離欠陥部とは、ピンホールとも称され、半導体薄膜層103が局所的に欠落していることにより、第1電極層102あるいは絶縁基板101が外部に露出している部分のことである。このような剥離欠陥部に絶縁性材料を塗布することにより補修を行うため、半導体欠陥補修装置1は、第2電極層104が積層される前の状態の半導体デバイスを処理対象としている。本発明において、第2電極層104が積層されておらず、半導体薄膜層103が外部に露出している状態の半導体デバイスを、半導体デバイス前駆体と称することとする。処理対象の半導体デバイス前駆体20は、図1に示すように、矩形板状に形成された大形の部材であり、主面厚み方向に垂直な表面のサイズが、たとえば600mm×1000mmに形成されている。以下、本実施形態に係る半導体欠陥補修装置1について説明する。本実施形態に係る半導体欠陥補修装置1は、インクジェットヘッド10を備え、インクジェットヘッド10によって補修用のインクを剥離欠陥部へ吐出することで、剥離欠陥部にインクを塗布するように構成されている。具体的には、半導体欠陥補修装置1は、補修用のインクを吐出するインクジェットヘッド10と、前記のように大形の半導体デバイス前駆体20を載置可能であり、半導体デバイス前駆体20を所定の方向に沿って移動させるステージ30と、インクジェットヘッド10におけるインク吐出を制御する吐出制御回路40と、観察用カメラ50と、インクジェットヘッド10および観察用カメラ50をそれぞれ保持するキャリッジ60,61と、補修用のインクを硬化させるための紫外線を照射する紫外線UV照射装置70と、キャリッジ60,61および紫外線照射装置70を保持するガントリー80と、制御部90とを備えている。ここで、ステージ30の移動方向をX方向とし、ステージ30の上面に垂直な方向をZ方向とし、X方向およびZ方向のいずれにも直交する方向をY方向とする。インクジェットヘッド10は、インクを吐出する液体吐出口が、ステージ30上に載置された半導体デバイス前駆体20と対向するように、キャリッジ60に固定されている。インクジェットヘッド10は、吐出制御回路40に電気的に接続され、吐出制御回路40から送信される吐出信号に応じて液体を吐出する。インクジェットヘッド10は、塗布手段に相当する。インクジェットヘッド10には、インクの吐出方法の相違により様々な方式のものが存在し、たとえばピエゾ変換方式と熱変換方式などが挙げられる。本実施形態においては、インクジェットヘッド10として、電圧を加えることにより変形するピエゾ素子の圧力でインクを射出するピエゾ変換方式のインクジェットヘッドが用いられている。また、吐出制御回路40から送信される吐出信号としては、パルス電圧を用いている。なお、インクを剥離欠陥部に塗布する方法としては、剥離欠陥部に対してピンポイントにインクを塗布するために、本実施形態のようにインクジェット塗布を行うことが好ましいが、この手法に限定されず、ディスペンサー塗布などの他の局所塗布方法を用いることもできる。インクジェットヘッド10から吐出する補修用のインクとしては、アクリル系、ポリイミド系、エポキシ系、ノボラック系などの樹脂からなり、紫外線照射により感光、すなわち紫外線を照射するとインク液体内部でラジカルあるいはカチオン反応による重合反応が起こり、上記の樹脂成分の重合反応が進行することにより硬度が増し、塗布膜が形成される特性を有する、一般的にUVインクと呼ばれて市販されている感光性液体インクが用いられる。感光性液体インクとしては、溶媒系インクあるいは無溶媒系インクのどちらを用いてもよい。また、インクの特性や塗布膜の特性を向上させるために、たとえば絶縁材料などのフィラーを含有していてもよい。さらに、塗布するインクには、半導体薄膜層103側から観察した場合に補修箇所の特定が容易になり、一方、透光性を有する絶縁基板101側から目視した場合に補修箇所を特定し難くし、該補修箇所を外観から認識し難くするという理由から、赤色系、黄色系およびシアン系の顔料のうちの少なくとも1つを含有していることが好ましい。半導体デバイス前駆体20は、図示しないロボットなどの搬入出手段によって、半導体薄膜層103が上方に臨むような姿勢で、ステージ30上に載置される。本実施形態では、半導体デバイス前駆体20の厚み方向、長手方向および幅方向がそれぞれ、X方向、Y方向およびZ方向に一致するように、載置されている。ステージ30は、制御部90に電気的に接続され、制御部90からの制御信号に基づいて、載置された半導体デバイス前駆体20を、X方向に段階的に移動させる。すなわち、ステージ30は、半導体デバイス前駆体20をステップ搬送するように構成されている。ステージ30は、たとえばリニアスケールを備えたステージを採用することができる。この場合、ステージ30は、エンコーダのパルス信号に基づいて、後述する制御部90により、その移動が制御される。吐出制御回路40は、制御部90に電気的に接続され、制御部90から送信された信号に応じて、吐出信号をインクジェットヘッド10へ送信する。吐出信号のパラメータは、吐出制御回路40内のメモリに保持されている。また、吐出信号のパラメータ書き換えは、制御部90から送信されるパラメータ変更信号によって実施される。なお、パラメータ変更信号は、制御部90内で作成される。観察用カメラ50は、インクジェットヘッド10によりインクが吐出される領域よりも、半導体デバイス前駆体20の搬送方向X方向の一方の上流側を撮像するように、キャリッジ61に固定されている。また、観察用カメラ50付近には、図示しないファイバランプなどの照明手段が取り付けられており、照明手段により照らされた半導体デバイス前駆体20の反射像が観察用カメラ50によって撮像される。観察用カメラ50は、制御部90に接続され、観察用カメラ50により取得された画像信号は、制御部90へ送信され、制御部90内で画像処理される。制御部90では、観察用カメラ50からの画像信号に基づいて、半導体デバイス前駆体20の半導体薄膜層103における剥離欠陥部の発生位置を特定する。観察用カメラ50および制御部90は、位置特定手段に相当する。なお、本実施の形態では、半導体欠陥補修装置1に、観察用カメラ50が設置されているが、予めインクを塗布すべき位置を把握している場合、たとえば剥離欠陥部の発生位置を特定するための装置が別に存在している場合には、観察用カメラ50を半導体欠陥補修装置1に設置しない構成であってもよい。キャリッジ60は、ガントリー80の長尺方向に沿って移動可能に、ガントリー80に保持されている。ガントリー80は、ステージ30をY方向に跨ぐように設けられている。すなわち、ガントリー80は、その長尺方向と、半導体デバイス前駆体20の長手方向とが直交するように設置されている。したがって、キャリッジ60,61は、Y方向に移動するように設けられている。これによって、キャリッジ60,61にそれぞれ保持されているインクジェットヘッド10および観察用カメラ50を、半導体デバイス前駆体20上の任意の箇所の上方に配置させることができる。なお、本実施形態に係る半導体欠陥補修装置1は、ステージ30およびガントリー80がいずれもX方向に移動可能に構成されているが、これに限らず、ステージ30およびガントリー80のいずれか一方のみがX方向に移動可能に構成されていてもよい。図3は、半導体欠陥補修装置1に備えられる紫外線照射装置70の概略構成図である。紫外線照射装置70は、紫外線を出射する光源71と、ランプハウス72と、電源ユニット73とを備えている。光源71としては、半導体デバイス前駆体20に塗布されたインクを均一な状態で硬化させるために、半導体デバイス前駆体20における幅方向の全幅に亘って、半導体デバイス前駆体20を照射できるようなライン光源を選択することが好ましい。本実施形態では、5本の光源71が、半導体デバイス前駆体20の移動方向、すなわちX方向に並んで配設されている。また、5本の光源71は、波長領域の互いに異なる紫外線を照射するように構成されている。光源71は、たとえばメタルハライドランプ、高圧水銀ランプおよびブラックライト三共電気株式会社製FL40SBLなどを用いることができる。本実施形態では、上記のブラックライトを光源71として利用している。ランプハウス72は、複数の光源71を上方から被覆する部材であり、光源71より出射される紫外線を有効に利用するために、光源71に臨む内面がアルミニウムでコーティングされている。ランプハウス72は、半導体欠陥補修装置1の操作者が紫外線に曝露してしまうことを防止する役割も果たしている。ランプハウス72の設置の有無は、任意に決定してよい。光源71は、ケーブルを通じて、電源ユニット73に接続されている。電源ユニット73は、光源71の点灯や、紫外線の照射時間などの設定や制御を行うことができる。図4は、光源71と半導体デバイス前駆体20との間のGAPと紫外線強度との関係を示したグラフである。本実施形態で使用している光源71と半導体デバイス前駆体20との間の間隔GAPにより、光の拡散状況が異なってしまうため、半導体デバイス前駆体20に到達する紫外線強度が、図4のように変化する。本実施形態では、光源71と半導体デバイス前駆体20との間のGAPを10mmに設定しているが、インクの要求する積算紫外線光量や処理タクト、反りやゆがみ等の基板状態を考慮して、GAPを設定することが望ましい。また、使用する光源71の種類により、GAPと紫外線強度との関係は異なるため、使用する光源71と半導体デバイス前駆体20との間のGAPと、紫外線強度との関係を測定し、使用するインクの硬化テストを行った後にGAPを設定することがより好ましい。制御部90は、たとえばパソコンPCによって実現され、ステージ30、キャリッジ60およびガントリー80が電気的に接続される。制御部90は、ステージ30、キャリッジ60およびガントリー80の位置を制御する。次に、本実施形態に係る半導体欠陥補修装置1を用いた半導体欠陥補修方法について説明する。図5は、半導体欠陥補修方法における各工程を概略的に示す図である。先ず、半導体欠陥補修装置1による処理対象の半導体デバイス前駆体20が、図示しないロボットなどの搬入出手段によって、所定の姿勢でステージ30上に載置される。このとき、半導体薄膜層103に存在する剥離欠陥部Pの位置情報などが、予め図示しない外部入力手段から制御部90へ転送される。次に、図5aに示すように、制御部90へ転送された位置情報に基づいて、剥離欠陥部Pが観察用カメラ50で観察撮像される。制御部90は、観察用カメラ50からの画像信号に基づいて、半導体欠陥補修装置1上での剥離欠陥部Pの正確な位置座標、剥離欠陥部Pのサイズや形状を認識し、インクジェットヘッド10によりインクを塗布すべき位置を決定する。この際、観察用カメラ50によってインクを塗布する位置座標にダストなどの堆積物が確認された場合には、たとえばエアブローなどの洗浄装置を用いて、これら堆積物を除去することが好ましい。図5aの処理は、任意に設定されたステップ送り幅半導体デバイス前駆体20が次の処理工程に搬送される距離;搬送距離時間で形成される領域内に存在する全ての剥離欠陥部Pについて行われる。そして、ステップ送り幅内の全剥離欠陥部Pの情報の取得が完了すると、半導体デバイス前駆体20は、1ステップ分だけ次工程に搬送される。そのため、たとえば半導体デバイス前駆体20の長手寸法が1000mmで、1ステップ分の刻み幅が100mmに設定されている場合には、図5aの処理は、1000÷100=10回繰り返される。このように、図5aの処理は、任意に設定されたステップ送り幅ごとに、半導体デバイス前駆体20全域の剥離欠陥部Pの情報が取得されるまで繰り返し行われる。図5aの処理が完了し、半導体デバイス前駆体20が1ステップ分だけ搬送されてステージ30が停止すると、制御部90は、取得した剥離欠陥部Pの位置情報に基づいて、機械設計値を元にインクジェットヘッド10が欠陥発生位置の上方に配置されるように、制御部90からガントリー80に動作信号が送信され、ガントリー80の移動動作終了後、静定信号がガントリー80から制御部90に送信される。ガントリー80の静定信号を受信した制御部90は、吐出開始信号を吐出制御回路40に送信する。吐出開始信号を受信した吐出制御回路40は内部に保持された駆動条件を元に電気信号を作製し、電気信号をインクジェットヘッド10に送信し、図5bに示すように、インクジェットヘッド10からインクIが吐出される。吐出されたインクIは剥離欠陥部Pに着弾し、吐出制御回路40は、電気信号をインクジェットヘッド10に送信後、吐出終了信号を制御部90に送信する。制御部90は、吐出終了信号を受信後、次の吐出開始信号を送信し、図5bの操作を予め設定させた回数繰り返した後、剥離欠陥部Pに塗布したインクIの液溜りを、剥離欠陥部Pのエッジ部分に到達させる。この際、剥離欠陥部Pを完全に被覆するために、インクIが剥離欠陥部Pの周囲まで広がってもよいが、インクIが塗布された部分については、半導体薄膜層103の特性が劣化してしまうため、剥離欠陥部Pのエッジ部分よりも内側にインクの液溜りを留めることがより好ましい。図5bの処理も、図5aの処理と同様に、任意に設定されたステップ送り幅内の領域に存在する全ての剥離欠陥部Pについて行われる。1ステップ領域内の全ての剥離欠陥部Pに対して処理が完了すると、インクIの塗布液適総量およびインクIの塗布エリアに関する情報が制御部90に送信される。1ステップ領域内における全ての剥離欠陥部Pに対してインクIを塗布する処理が完了すると、ステージ30が駆動することによって、半導体デバイス前駆体20は1ステップ分搬送される。紫外線照射装置70では、光源71が常に点灯状態にされており、この1ステップ分の搬送により、前工程でインクIが塗布された1ステップ領域が、紫外線照射装置70の下方に配置される。制御部90は、インクIの塗布液適総量およびインクIの塗布エリアに関する情報に基づいて、インクIを硬化させるために必要とされる積算光量およびインクIの塗布液滴総量に基づいて決定された照射時間だけ、前工程でインクIが塗布された1ステップ領域に紫外線が照射されるように、ステージ30を駆動する。換言すれば、制御部90は、インクIが塗布され、紫外線照射装置70の下方に配置された1ステップ領域に対し、前記照射時間だけ紫外線が照射されると、半導体デバイス前駆体20が1ステップ分搬送されるように、ステージ30を駆動する。本実施形態に係る半導体欠陥補修装置1では、ある1ステップ領域に対する紫外線の照射工程と、他の1ステップ領域に対するインクIの塗布工程と、さらに他の1ステップ領域に対する剥離欠陥部Pの検出工程とが同時に行われ、前記照射工程において、当該1ステップ領域に対し所定の照射時間だけ紫外線が照射されると、制御部90が、ステージ30を駆動させることにより、半導体デバイス前駆体20を1ステップ分搬送させて、ステージ30の動作を停止させる。そして、1ステップ分移動した半導体デバイス前駆体20に対し、前記と同様、照射工程、塗布工程および検出工程が行われる。したがって、本実施形態に係る半導体欠陥補修装置1は、照射工程における1ステップ領域に対する照射時間に応じて、ステージ30がステップ搬送される。ここで、硬化に必要な紫外線の照射時間の算出方法について説明する。照射時間の算出に関しては、硬化のための光源71の種類や波長、強度を設定後、予めインクの塗布液滴量と必要硬化時間液体の流動性タック性が損なわれる時間:タックフリー、塗布液滴量と濡れ広がり量に関するデータの取得、および欠陥サイズと塗布液滴量を任意に設定塗布を行う材料、基板、任意に設定する必要膜厚を考慮して決定しておく。次に、任意エリア1ステップの搬送エリアに存在する欠陥を検査工程にて確認し、そのエリア内に存在する欠陥サイズおよび欠陥分布情報から、そのエリア内での最大塗布体積量を規定する。ここでの塗布体積量は単純に、サイズから規定されるものではなく、欠陥分布を考慮欠陥サイズと塗布体積、濡れ広がり量から塗布後にインク同士がひっつくものは、合計塗布体積として扱うして決定する。そして、最大塗布液滴量と硬化時間との関係から、UV照射エリアを通過する時間を求め、任意の照射エリアを通過する搬送速度が決定される。半導体欠陥補修装置1には、事前にユーザによって取得データが入力され、これにより、自動的に搬送速度を決定するように構成されている。図6は、塗布液滴量と濡れ広がりの関係について示すグラフである。この照射工程では、紫外線を照射する際、硬化速度を促進させるために、たとえばホットプレートのような加熱装置を用いて液溜りの加温を行ってもよい。しかしながら、半導体デバイス前駆体20の加熱は、半導体薄膜層103の特性を劣化させる可能性があるため、紫外線のみで塗布膜Jを形成させるほうが好ましい。塗布膜Jの形成が完了した後、塗布膜観察用カメラ120が塗布膜Jを形成した箇所の略上方に配置されるように、図示しないガントリーが移動する図5d。制御部90は、塗布膜観察用カメラ120から送信される、半導体デバイス前駆体20に形成された塗布膜Jの画像から、塗布膜Jの形成位置情報や塗布膜Jのサイズなどの情報を取得し、剥離欠陥部Pの位置座標やサイズの情報と比較することで、剥離欠陥部Pの補修の合否判定を行う。判定完了後、制御部90は、塗布膜観察用カメラ120を元の位置に移動させる。図5dの作業は、ステップ送り幅で形成されるエリア毎のすべての剥離欠陥部Pに対して繰り替えし行われる。以上のようにして、全ての剥離欠陥部Pに対する補修が完了すると、半導体デバイス前駆体20は図示しないロボット等の搬入出手段によって、ステージ30から払い出される。ここで、本実施形態における光源71の選定方法について説明する。光源71としては、前記のように、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプおよびブラックライトなどの紫外線を出射可能な光源を使用することができるが、光源から出射される紫外線の波長によって、インクが硬化するまでの時間硬化タクトが異なる。表1は、各紫外線波長UV-A、UV-B、UV-Cを単独で照射する照明系およびそれらを混合させた照明系MIX-UVを用いた場合のインクの硬化時間を示した表である。硬化時間は塗布液滴の表面がタックフリーになった際の時間とし、紫外線強度は365nmの換算値としている。また、紫外線強度と硬化時間の測定には各波長を照射する照明を3本使用している。その際、UV-BおよびUV-Cについては紫外線強度5mW/cm2以上の出力を検出することはできなかった。その結果、UV-A等の単体のUV照明を用いて硬化させた場合よりも、3種類全ての照明を混合させて照射した場合のほうが、硬化タクトが短く、早くインクが硬化している。インク硬化のメカニズムについての詳細は不明であるが、インクに供給されるエネルギー量が増加するため、あるいは各波長の相互作用により、各波長の硬化反応が促進されることが原因と考えられる。そのため、紫外線照射装置70には、各紫外線波長を照射する照明を混合して使用することがより望ましい。次に、光源71から出射される紫外線強度とその紫外線が照射された半導体薄膜層103であるアモルファスシリコン層の発電効率との関係について説明する。図7は、半導体薄膜層103に照射する紫外線強度波長帯:UV-Aと照射されたアモルファスシリコン半導体薄膜層の発電効率との関係を示したグラフである。この際、照射する紫外線にはUV-Aを用いており、5分間照射している。図7より、照射する紫外線強度が強いとアモルファスシリコン層の発電効率が低下する傾向を示す。アモルファスシリコンは、ステブラーロンスキー効果と呼ばれる紫外線を受けるとシリコンのダングリングボンドが増加し、導電率が劣化する性質を有する。紫外線強度が強い場合には、欠陥密度の増加によって素子内でのキャリアの移動を阻害することで、太陽電池として性能の劣化を招く。そのため、光源71から照射される紫外線強度はなるべく低く設定することが好ましい。なかでも100mW/cm2の強度では、紫外線を照射しない場合の発電効率の値と大差がないことから、半導体薄膜層103の特性の観点からは、光源71の照射強度は100mW/cm2以下に設定することがより望ましい。また、100mW/cm2以下に設定した場合には、光源71に導入されるエネルギー量も低く、発生する熱量も少ない。そのため、紫外線強度を100mW/cm2のような低紫外線強度に設定すると熱により受けるダメージを小さくすることもでき、熱に弱い、たとえば熱を加えると半導体が剥離するようなアモルファスシリコンなどの半導体薄膜層103においても半導体欠陥補修装置1を使用することができる。さらに、照射する紫外線強度が低い場合には、光源71や電源ユニット73の価格も低く、紫外線照射装置70のコストを低下することもできる。しかしながら、インクの硬化は積算光量によって決定されるため、照射強度を低くすると硬化に要する時間が長くなる。そのため、半導体薄膜層103の特性と硬化時間とのトレードオフを考えて設定することが望ましい。次に、形成する塗布膜の膜厚、および欠陥部に塗布する塗布液適量と硬化時間の関係について説明する。図8は、剥離欠陥部にインクを塗布した際に形成される塗布膜の膜厚とインクを硬化するまでに必要な時間との関係を示したグラフである。図9は、剥離欠陥部に塗布した塗布液滴量とインクを硬化するまでに必要な時間との関係を示したグラフである。この際、光源71にはUV-Aの紫外線を照射するブラックライトを使用し、紫外線強度は3mW/cm2としている。インクを塗布する半導体デバイス前駆体20と光源71間のGAPは30mmに設定している。図8および図9の結果より、インクの硬化時間は、塗布膜厚が厚いほどまた、塗布液滴量が多いほど時間が長くなることがわかる。半導体薄膜層103に存在する剥離欠陥部は不特定の位置に存在し、そのサイズは欠陥ごとに異なる。また1ステップ領域内に存在する剥離欠陥部の数も、半導体素子毎に異なる。そのため、半導体欠陥補修装置1では、剥離欠陥部ごとにインクの塗布液滴量などの塗布条件を変動する必要があり、インクを硬化する条件を補修を行った剥離欠陥部ごとに変更する必要がある。そのため、半導体デバイス前駆体20の搬送速度を塗布条件に合わせて変更することで紫外線照射装置70内を通過する時間、すなわちUV露光時間を変動させることで、剥離欠陥部ごとに異なる塗布条件で塗布された塗布膜の露光時間をおおよそ均一にすることができる。これにより、剥離欠陥部に形成する塗布膜の性状を均一にし、信頼性の高い補修処理を行うことができる。以上のように、本実施形態で説明した半導体薄膜層103の半導体欠陥補修方法を用いることで、剥離欠陥部を補修する際の紫外線および熱によるダメージを最小にし、半導体薄膜層103の剥離欠陥部に対して均一性の高い塗布膜を形成し、信頼性の高い補修処理を行うことができる。"