"シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、次いで誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記拡散層上に、下記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、次いで誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程と、シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、次いで誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記受光面側拡散層上に、下記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。上記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布後に、加熱処理することにより式1の化合物が加水分解縮合した硬化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池の製造方法。加熱処理温度が80~200°Cである請求項3記載の太陽電池の製造方法。上記受光面側の拡散層がシリコン基板におけるp型拡散層である請求項1乃至4のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。請求項1乃至5のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池。シリコン基板の受光面側の拡散層上に、下記一般式1R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。で示される化合物の加水分解縮合物の硬化膜がパッシベーション膜として形成されてなることを特徴とする太陽電池。下記一般式1で示される化合物を含有してなることを特徴とするパッシベーション膜形成用組成物。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、シリコン基板における受光面側の拡散層上、特にp型拡散層上に最適なパッシベーション膜を形成することで、表面パッシベーションの優れた太陽電池の製造方法、及びその方法により製造される高変換効率な太陽電池を提供することを目的とする。上記目的を達成するため鋭意検討した結果、太陽電池を形成する工程において、シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成後、下記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布し、その後加熱処理により縮合反応させて、上記拡散層上に硬化膜を形成することで、形成された硬化膜が負の固定電荷を有していると予想され、上記拡散層、特にp型領域におけるパッシベーション効果が向上することを見出し、本発明をなすに至った。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。従って、本発明は、下記の太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。[1]シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、次いで誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記拡散層上に、下記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。[2]シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、次いで誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程と、シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、次いで誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記受光面側拡散層上に、下記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。[3]上記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布後に、加熱処理することにより式1の化合物が加水分解縮合した硬化膜を形成する工程を含むことを特徴とする[1]又は[2]記載の太陽電池の製造方法。[4]加熱処理温度が80~200°Cである[3]記載の太陽電池の製造方法。[5]上記受光面側の拡散層がシリコン基板におけるp型拡散層である[1]~[4]のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。[6][1]~[5]のいずれかに記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池。[7]シリコン基板の受光面側の拡散層上に、下記一般式1R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。で示される化合物の加水分解縮合物の硬化膜がパッシベーション膜として形成されてなることを特徴とする太陽電池。[8]下記一般式1で示される化合物を含有してなることを特徴とするパッシベーション膜形成用組成物。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。本発明によれば、R12-Al-O-Si-R23式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。で示される化合物を含有してなる組成物を、シリコン基板の受光面側拡散層、特にp型領域上に塗布/加熱処理し、硬化膜を形成することで、受光面側拡散層、特にp型領域におけるパッシベーション効果の優れたパッシベーション膜の形成が可能となり、その結果、高変換効率の太陽電池を提供することができる。本発明の製造方法は、シリコン基板の受光面側にこのシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、次いで拡散層上に誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程と、シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、次いで誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記受光面側拡散層上に、下記一般式1で示される化合物を含有してなる組成物を塗布する工程を含み、該組成物塗布後に加熱処理することにより加水分解縮合反応させて、上記受光面側拡散層上に硬化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。以下、本発明の太陽電池の製造方法を、図面を用いて説明するが、この説明により本発明が限定されるものではない。図1A~Fは、本発明の太陽電池の製造方法における一実施形態の製造工程を示す概略断面図である。以下、各工程について詳細に説明する。1基板本発明で用いられるシリコン基板1はn型でもp型でもよいが、図1Aにおいてはn型基板を示した。このシリコン単結晶基板はチョクラルスキーCZ法及びフロートゾーンFZ法のいずれの方法によって作製されていてもよい。シリコン基板1の比抵抗は、高性能の太陽電池を作る点から、0.3~3.0Ωcmが好ましく、0.5~2.0Ωcmがより好ましい。シリコン基板としては、比較的高いライフタイムが得られる点から、リンドープn型単結晶シリコン基板が好ましい。リンドープのドーパント濃度は1×1015cm3~5×1016cm3が好ましい[図1A]。2ダメージエッチング/テクスチャ形成例えば、シリコン基板1を水酸化ナトリウム水溶液に浸し、スライスによるダメージ層をエッチングで取り除く。この基板のダメージ除去は、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いてもよく、フッ硝酸等の酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。ダメージエッチングを行った基板1にランダムテクスチャを形成する。太陽電池は通常、表面受光面に凹凸形状を形成するのが好ましい。その理由は、受光面における入射光の反射率を低減させるために、できる限り2回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。これら一つ一つの山のサイズは1~20μm程度が好ましい。代表的な表面凹凸構造としては、V溝、U溝が挙げられる。これらは、研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凹凸構造を作るには、水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してウェットエッチングや、他には、酸エッチングやリアクティブイオンエッチング等を用いることができる。なお、図中では両面に形成したテクスチャ構造は微細なため省略する。3n型拡散層形成シリコン基板1がn型の場合は、裏面にドーパントを含む塗布剤を塗布した後に熱処理を行うことでn型拡散層3を裏面の少なくとも一部に、特に裏面全面に形成する[図1B]。なお、シリコン基板がp型の場合は受光面にドーパントを含む塗布剤を塗布した後に熱処理を行うことでn型拡散層を受光面に形成する。熱処理後、シリコン基板1に付いたガラス成分はガラスエッチング等により洗浄する。ドーパントはリンが好ましい。n型拡散層3の表面ドーパント濃度は、1×1018~5×1020cm3が好ましく、5×1018~1×1020cm3がより好ましい。4p型拡散層形成同様の処理を受光面で行い、p型拡散層2を受光面全体に形成する[図1C]。受光面にドーパントを含む塗布剤を塗布して熱処理を行い、p型拡散層2を形成する。ドーパントはボロンが好ましく、また、p型拡散層2の表面ドーパント濃度は、1×1018~5×1020cm3が好ましく、更には5×1018~1×1020cm3がより好ましい。5pn接合分離プラズマエッチャーを用い、pn接合分離を行う。このプロセスでは、プラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、サンプルをスタックし、その状態で端面を数ミクロン削る。接合分離後、基板に付いたガラス成分、シリコン粉等はガラスエッチング等により洗浄する。6硬化膜形成引き続き、図1Dに示すように、p型拡散層2上に硬化膜4を形成する。硬化膜は、下記一般式1で表される化合物を含有してなる組成物を加水分解縮合反応させて得られる膜である。R12-Al-O-Si-R231式中、R1は炭素数1~4の有機基、特にアルコキシ基、R2は加水分解性基又はヒドロキシル基を示す。各R1及びR2は同一でも異なっていてもよい。ここで加水分解性基R2としては、例えば、アルコキシ基、アセトキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン基等が挙げられる。これら加水分解性基の中で、組成物の安定性や取扱性等の観点からアルコキシ基が好適である。加水分解性基R2がアルコキシ基である一般式1の組成物としては、ジブトキシアルミノキシトリメトキシシラン、ジブトキシアルミノキシトリエトキシシラン、ジブトキシアルミノキシトリプロポキシシラン等が挙げられる。また、加水分解性基R2がアセトキシ基である一般式1の組成物としては、上記アルコキシ基がアセトキシ基で置換されたものが挙げられる。また、ヒドロキシル基及びハロゲン基に関しても同様にアルコキシ基がそれぞれヒドロキシル基及びハロゲン基で置換されたものが挙げられる。また、加水分解縮合反応を促進させる目的で、ギ酸、酢酸、シュウ酸、カルボン酸、安息香酸、アルキル酸等の有機酸、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸、ホウ酸、フッ酸等の無機酸を触媒として用い、上記組成物中に配合することができる。上記触媒の使用量としては、一般式1で表される化合物に対して、10~1,000ppmの範囲が好ましい。使用量が、1,000ppmを超えると、縮合反応によるゲル化の進行が速まり、シリコン基板表面への塗布性が悪化する傾向にあり、10ppm未満では、縮合反応が進行しない可能性がある。また、硬化膜の膜厚を調整する目的で、溶剤を用いてもよい。使用する溶剤として例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール、グリセロール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、n-ヘプタン、n-ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族乃至脂環式炭化水素、水、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の極性溶剤が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を混合して用いることができる。これらの中でも極性溶剤がより好ましい。次に、上記組成物をシリコン基板表面へ塗布し、硬化膜を形成する。シリコン基板表面へ塗布方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法など、特に限定されないが、スピンコート法が簡便であり好適である。硬化膜を形成するための加熱温度としては80~200°C、特に90~150°Cの範囲で、1~100分間、特に1~10分間行うことが好ましい。加熱温度が低すぎると、加水分解縮合反応が遅くなり硬化膜形成に時間を要するという不利が生じ、加熱温度が高すぎると、シリコン基板の性能を低下させるという不利が生じるおそれがある。また、加熱時間が短すぎると、加水分解縮合反応が不十分である可能性があり、長すぎることで、硬化膜形成に問題はないが、無駄な加熱時間は生産性を悪化させるおそれがある。加熱方法は、特に制限されないが、ホットプレートで加熱する方法、電気炉を用いる方法等が挙げられ、コスト上、作業上の簡便さからホットプレートを用いる方法が好ましい。硬化膜の膜厚は、誘電体膜の膜厚との兼ね合いで決定されるが、10~100nmが好ましく、より好ましくは30~70nmである。膜厚が薄すぎても厚すぎてもパッシベーション効果が得られなくなる場合がある。ここで得られる硬化膜は、上記式1の化合物の加水分解縮合物であり、AlとSiとOとを含むものである。7誘電体膜形成引き続き、図1Dに示すように、プラズマCVD法により、n型拡散層3及び/又はp型拡散層2上に誘電体膜5である窒化珪素膜を堆積する。この膜厚は70~100nmが好ましい。他の反射防止膜として二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜、酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜、フッ化マグネシウム膜、酸化アルミニウム膜等があり、代替が可能である。また、形成方法も上記以外にコーティング法、真空蒸着法等があるが、経済的な観点から、上記、窒化珪素膜をプラズマCVD法によって形成するのが好適である。8電極形成スクリーン印刷装置等を用い、受光面側及び裏面側に、例えば銀からなるペーストを、スクリーン印刷装置を用いてp型拡散層及びn型拡散層上に印刷し、櫛形電極パターン状に塗布して乾燥させる。シリコン基板にp型を使用する場合は、裏面側にアルミニウム粉末を有機バインダで混合したペーストをスクリーン印刷し乾燥させる。最後に、焼成炉において、500~900°Cで1~30分間焼成を行い、前記p型拡散層及びn型拡散層と電気的に接続するフィンガー電極6、裏面電極7、及びバスバー電極8を形成する[図1F]。なお、図1Fではフィンガー電極6、裏面電極7が、拡散層2,3と接続されていないように示されているが、焼成によりファイヤースルーされ、実際は拡散層と接続されている。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例において、部は質量部を示す。[実施例1]図1に示すように、結晶面方位100、15.65cm角、200μm厚、アズスライス比抵抗2Ωcmドーパント濃度7.2×1015cm3リンドープn型単結晶シリコン基板を、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った。得られたシリコン基板1の裏面に、リンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、900°C,1時間熱処理を行い、n型拡散層3を裏面に形成した。熱処理後、基板に付いたガラス成分は高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。引き続き受光面にボロンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、1,000°Cで1時間熱処理を行い、p型拡散層2を受光面全体に形成した。次に、プラズマエッチャーを用い、pn接合分離を行った。プラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、対象をスタックした状態で端面を数ミクロン削った。基板に付いたガラス成分を高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。引き続きジブトキシアルミノキシトリエトキシシラン5部、N,N-ジメチルアセトアミド10部、0.01mol/l塩酸水溶液0.02部を混合した組成物をスピンコート法にて塗布し、200°Cで5分間ホットプレートにて加熱し、縮合反応させ、硬化膜4を形成させた。膜厚は30nmであった。次に、平行平板型CVD装置を用い、成膜用ガスとしてモノシランとアンモニアと水素の混合ガスを使用して、受光面側p型拡散層、及び裏面n型拡散層上に誘電体膜5である窒化珪素膜を積層した。この膜厚は60nmであった。引き続き、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペーストを電極印刷し、乾燥後800°Cで20分間焼成を行い、フィンガー電極6、裏面電極7及びバスバー電極8を形成した。[比較例1]pn接合分離後、硬化膜を形成する工程を省いた以外は、実施例1と同様な方法にて作製した。即ち、p型拡散層2上に硬化膜4を形成せずに作製したものである。実施例及び比較例で得られた太陽電池を、25°Cの雰囲気の中、ソーラーシミュレーター光強度:1kW/m2,スペクトル:AM1.5グローバルの下で電流電圧特性を測定した。結果を表1に示す。なお、表中の数字は実施例1及び比較例1で作製したセル10枚の平均値である。上記のように、本発明の製造方法による太陽電池は、p型領域のパッシベーション効果が優れた太陽電池の作製が可能となり、高い変換効率の太陽電池が得られる。"