回折格子及び第1の活性層を含む第1の導波路、及び前記第1の導波路の上方に形成される第1の電極を有する半導体レーザと、前記第1の導波路の前記第1の活性層に連接する第2の活性層を含む第2の導波路、及び前記第2の導波路の上方に形成される第2の電極を有する光半導体増幅素子と、前記半導体レーザに熱的に接続され、電流注入領域と第3の電極を有する温度調整素子と、を有することを特徴とする光半導体装置。前記電流注入領域は、第3の活性層を有することを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。前記回折格子は、前記第1の電極の下方に形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光半導体装置。前記回折格子は、前記第1の電極の前と後の2つの領域の下方に形成されることを特徴とする請求項1乃請求項3のいずれか1項に記載の光半導体装置。前記光半導体増幅素子の第2の電極に変調信号を出力するとともに、前記変調信号のうちのオフ時に前記第3の電極に電流を流す制御回路を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の光半導体装置。SOAからDFBレーザへの熱伝達を防止するために、DFBレーザとSOAの間にスペーサ部を挿入する構造がある。しかし、DFBレーザとSOAの熱拡散の影響を完全に排除するためには、スペーサ層を長く設定する必要があり、全体の素子長が長くなりモバイル用途から逸脱する。本発明の目的は、光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供することにある。実施形態の1つの観点によれば、回折格子及び第1の活性層を含む第1の導波路、および前記第1の導波路の上方に形成される第1の電極を有する半導体レーザと、前記第1の導波路の前記第1の活性層に連接する第2の活性層を含む第2の導波路、および前記第2の導波路の上方に形成される第2の電極を有する光半導体増幅素子と、前記半導体レーザに熱的に接続され、電流注入領域と第3の電極を有する温度調整素子と、を有することを特徴とする光半導体装置が提供される。発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解すべきである。光半導体増幅素子の電極に変調信号電流を流さない時には、温度調整素子に電流を流す一方、光半導体増幅素子の電極に電流を流す時には、温度調整素子に電流を流さないことにより、半導体レーザへの熱の伝達量を一定にできる。このため、半導体レーザでの等価屈折率の変化を抑制し、半導体レーザの発振波長を一定に保持することができる。以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。第1の実施の形態図1a、bは、第1の実施形態に係る光半導体装置の一例を示す平面図とI-I線から見た断面図である。図2a、bは、図1に示す半導体レーザ装置のII-II線、IIIIII線から見た断面図である。図1、図2において、n型GaAs基板1上には、n型AlGaAsクラッド層2、活性層3、アンドープi-GaAs層4、p型AlGaAsクラッド層5、p型GaAsコンタクト層6が順に形成されている。活性層3は、AlGaAsクラッド層2、5に比べて、エネルギーバンドギャップが小さく且つ屈折率が高い化合物半導体から形成される。n型GaAs基板1では、光進行方向に隣接する第1の領域11と第2の領域12に分けられている。第1の領域11におけるi-GaAs層4には光進行方向に膜厚が変化する凹凸の回折格子4aが形成されている。回折格子4aの周期は、第1の領域11に形成される半導体レーザの媒質内での発振波長の例えば約1/2である。第1の領域11は、光進行方向にストライプ状に延びるDFBレーザ領域13をさらに有している。さらに、第2の領域12は、DFBレーザ領域13の延長上に延びるストライプ状のSOA素子領域14を有している。p型GaAsコンタクト膜6及びp型AlGaAsクラッド層5のうちDFBレーザ領域13及びSOA素子領域14の両側の領域には、光進行方向に沿って延びる第1、第2の溝15a、15bが形成され、その間はリッジ構造となっている。これにより、図2a、bに例示するように、DFBレーザ領域13及びSOA素子領域14のp型GaAsコンタクト膜6からn型AlGaAsクラッド層2までの層はリッジ構造の光導波路13a、14aとなっている。第2の領域12のうちSOA素子領域14の側方にはストライプ状の温度調整素子領域17が離れて配置されている。温度調整素子領域17の両側のp型GaAsコンタクト膜6及びp型AlGaAsクラッド層5内には、第1、第2の溝15a、15bに平行な第3、第4の溝15c、15dが形成され、その間はリッジ構造となっている。これにより、図2bに例示するように、温度調整素子領域17では、p型GaAsコンタクト膜6からn型AlGaAsクラッド層2までの層はリッジ構造の電流注入領域17aとなり、SOA素子領域14の光導波路14aと同じ断面構造になっている。また、第1~第4の溝15a~15dの中には、絶縁保護膜19を介して低誘電体膜16a~16dが埋め込まれている。低誘電体膜16a~16dとして、例えばベンゾシクロブテンBCB、ポリイミド系有機化合物、エポキシ系有機化合物、アクリル系有機化合物等のポリマ材の低誘電体膜が形成されている。なお、第1~第4の溝15a~15dの中は低誘電体膜16a~16dを埋め込まないで空気が存在している状態にしてもよい。DFBレーザ領域13のうち第1、第2の溝15a、15bに挟まれる光導波路13aのp型GaAsコンタクト層6の上には、レーザ用電極として第1のp側電極8aが形成されている。また、第1のp側電極8aの側部には、第1又は第2の低誘電体膜16a、16bを跨いで第1のパッド電極9aが接続されている。SOA素子領域14のうち第1、第2の溝15a、15bに挟まれる領域のp型GaAsコンタクト層6上には、変調用電極として第2のp側電極8bが形成されている。また、第2のp側電極8bの側部には、第1又は第2の低誘電体膜16a、16bを跨いで第2のパッド電極9bが接続されている。温度調整素子領域17のうち第3、第4の溝15c、15dに挟まれる領域のp型GaAsコンタクト層6上には、電流印加電極として第3のp側電極8cが形成されている。第3のp側電極8cの側部には、第3又は第4の低誘電体膜16c、16dを跨いで第3のパッド電極9cが接続されている。また、n型GaAs基板1の下面にはn側電極7が形成されている。上述した光半導体装置において、第1のp側電極8aからn側電極7に向けて閾値以上の電流を流すと、活性層3では誘導放出による光が生じる。その光は、回折格子4aの1周期の長さのほぼ2倍の波長を持ち、リッジ構造のp型AlGaAsクラッド層5に沿って活性層3からSOA素子領域14に出射される。SOA素子領域14では、第2のp側電極8bからn側電極7に向けて変調用の電流を注入すると、変調信号に応じて活性層3の増幅率が変化するので、DFBレーザ領域13の活性層3から入射したレーザ光は活性層3で変調されて外部に出射される。このように、第2のp側電極8bを通してSOA素子領域14に変調用の電流を注入した場合に、電力がどのように消費されるかを次に説明する。SOA素子領域14に第2のp側電極8bを通して供給された電力は、誘導放出により光に変換される要素を除いたものが熱エネルギーに変換される。このように、SOA素子領域14で発生した熱は、n型GaAs基板1側又はp型GaAsコンタクト層6側に配置されるヒートシンク不図示、或いは素子周囲に存在する空気を介して外部へ放出される。しかし、熱エネルギーの一部は、DFBレーザ領域13に流れ、波長ドリフトを誘発する。例えば、DFBレーザ領域13の第1のp側電極8aからn側電極7に向けて閾値以上の電流を流す。その状態で、SOA素子領域14の第2のp側電極8bからn側電極7に向けて光導波路である活性層3に図3aに例示するような強度変調電流を流す。この場合、SOA素子領域14では、投入電力のうち誘導放出するために消費されないエネルギーは図3bに例示するように熱エネルギーに変換される。その熱エネルギーを受けたDFBレーザ領域13では、活性層3の透過屈折率が増加し、発振波長は長波長側にシフトする。このため、DFBレーザ領域13から出力されるレーザの強度はSOA素子領域14において増幅されるが、波長は疑似位相整合素子の位相整合波長からずれることになる。その対策として、図3cに例示するように、SOA素子領域14がオフ状態で、SOA素子領域14の位相整合波長に対してDFBレーザ領域13の発振波長を短波長側にシフトさせる。さらに、オン状態のSOA素子領域14から伝達した熱により、DFBレーザ領域13の発振波長を長波長側にシフトさせ、DFBレーザ領域13の発振波長と疑似位相整合素子の位相整合波長を一致させる方法がある。しかし、変調時のオン、オフでの発生熱量の波形に歪みが生じ、例えばビデオ変調をかける場合に歪みが特に顕著に現れる。これにより、SOA素子領域14により変調された光の強度が弱くなり、さらに歪みが生じることになる。そこで、図4aに例示するように、SOA素子領域14の第2のp側電極8bからn側電極7に向けて変調信号の電流を供給すると同時に、その変調信号と逆のオンオフ電流信号を温度調整素子領域17の第3のp側電極8cからn側電極7に向けて流す。これにより、SOA素子領域14では、オン時に、誘導放出で消費されないエネルギーが熱エネルギーに変換される。さらに、温度調整素子領域17では、オン時、即ちSOA素子領域14のオフ時に、誘導放出で消費されないエネルギーが熱エネルギーに変換される。そして、図4bに示すように、SOA素子領域14と温度調整素子領域17の熱エネルギーの合計は時間に対してほぼ一定に保たれる。これにより、DFBレーザ領域13では、図3bに比べて、時間に対してほぼ一定の熱エネルギーをSOA素子領域14と温度調整素子領域17から伝達されるので、等価屈折率が増加した状態が常に維持されることになる。この結果、図4cに例示するように、DFBレーザ領域13の発振波長は、疑似位相整合素子での位相整合波長に長期に渡って一致することになる。従って、DFBレーザ領域13から出力されるレーザの波長は、常に、SOA素子領域14がオン時の位相整合波長に実質的に固定されることになり、DFBレーザ領域13の発振波長は、SOA素子領域14から受ける発熱量の波形の歪みに影響されなくなる。従って、本実施形態に係る半導体装置では、発振された光と変調された光の波長を例えば1064nmに維持することが可能になる。これにより、図5に例示するように、SOA素子領域14の活性層3の光出射端側に配置したコリメートレンズ21を介して非線形光学素子22と赤外線遮断用フィルタ23を組み合わせて第二次高調波発生により530nm付近の緑色レーザを発生させることができる。第1、第2及び第3のp側電極8a、8b、8cに印加される電流の制御は、例えば、図5に示す制御回路27により行われる。制御回路27として、例えばプログラムされた半導体装置が使用される。制御回路27は、上記のように第1~第3のp側電極8a~8cへの電流、変調電流を流すように電流供給源不図示に制御信号を送り、さらに以下のような制御を併せて行う。例えば、非線形光学素子22から入射した530nm付近のレーザを、例えばハーフミラー24を介して、受光素子であるモニタ用フォトダイオード25に入射させる。モニタ用フォトダイオード25からの光強度情報、波形情報は制御回路27に入力される。また、n型GaAs基板1に接触させたサーミスタ26、即ち温度検出器の測定温度データは制御回路27に入力される。フォトダイオード25から制御回路27に入力した光強度情報、波形情報を基準データと比較し、非線形高額素子22から出射される光が目標となる光強度、波形になるように第3のp側電極8cに注入する電流のオン、オフを調整する。例えば、上記のように第2のp側電極8b第3のp側電極8cのそれぞれに流される信号電流はオンとオフが互いに逆になるように制御回路27により制御される。これに加え、制御回路27は、第2のp側電極8bへの変調電流がオンの時に、第3のp側電極8cへの注入電流がオンとなるように制御してもよい。これにより、さらに高い精度でDFBレーザ領域13の温度を制御することができる。また、制御回路27は、サーミスタ26によるDFBレーザ領域13の測定温度を基準データとして参照する。そして、測定温度が目標値よりも低くなっている場合にはDFBレーザ領域13の温度を高くするために第3のp側電極8cに電流を注入するように電流源を制御する。この場合、第3のp側電極8cに供給されるオン電流は、図4aに例示したようにSOA素子領域14でのオフ信号時にのみ供給されるとは限らない。次に、上記したようなDFBレーザ領域13、SOA素子領域14及び温度調整素子領域17を含む光半導体装置の製造方法について説明する。その製造方法として、まず、図1bに示す回折格子4aを形成するまでの工程を図6を参照して説明し、ついで、図2bに示す構造を形成するまでの工程を図7、図8を参照して説明する。次に、図6aに例示する構造を形成するまでの工程を説明する。まず、n型GaAs基板1のうち001面を有する主面の上に、n型AlGaAsクラッド層2、活性層3を順に形成する。活性層3として、例えばGaAs層を介してInAsの量子ドットを繰り返して10層形成する積層構造であってもよいし、GaAsのバルク層であってもよい。続いて、活性層3の上に、回折格子層としてi型GaAs層4を成長する。なお、i型GaAs層4の代わりにp型不純物、例えば亜鉛がドーピングされたp型GaAs層を形成してもよい。次に、i型GaAs層4の上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の誘電体膜31をプラズマ化学気相成長PCVD法などにより成膜する。さらに、誘電体膜31上にフォトレジスト32を塗布し、干渉露光法や電子線露光法などを用いて第1の領域11においてストライプ状の回折格子を有するレジストパターンを形成する。フォトレジスト32の回折格子パターンは、第1の領域11から第2の領域12に向かう方向に開口部32aと線状パターン32bを繰り返し交互に形成されている。次に、図6bに例示する構造を形成するまでの工程を説明する。まず、フォトレジスト32をマスクに使用して、誘電体膜31をエッチングすることにより、回折格子パターンの形状を誘電体膜31に転写する。これにより、開口部31aと線上パターン31bを有するマスクを形成する。誘電体膜31のエッチングには、緩衝フッ酸BHFなどによるウェットエッチングや、フッ素系ガス、例えばCF4などのガスを使用する反応性イオンエッチングが用いられる。フォトレジスト32を除去した後に、誘電体膜31の開口部31aから露出したi型GaAs層4をエッチングすることにより、i型GaAs層4における第1の領域11に凹凸の回折格子4aを形成する。この場合、i型GaAs層4をウェットエッチングする場合には例えばアンモニア系エッチャントやリン酸系エッチャントが用いられる。また、i型GaAs層4をドライエッチングする場合には、例えばICPエッチング法などが用いられる。ドライエッチングのエッチャントとして、例えば塩素系ガス、例えば塩化シリコンSiCl4又は塩素Cl2が使用される。次に、図6cに例示する構造を形成するまでの工程を説明する。まず、誘電体膜31を例えばウェットエッチングにより除去する。ついで、回折格子4aを含むi型GaAs層4の上にi型AlGaAs層による埋め込み再成長を行い、ついで、その上にp型AlGaAsクラッド層5、p型GaAsコンタクト層6を形成する。以上のようなn型GaAs基板1上の上記の積層構造は、分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法MOCVD法などを用いて形成する。次に、図7a~図7cを参照して、図2bに示す第1~第4の溝15a~15dを形成するまでの工程を説明する。まず、図7aに例示するように、p型GaAsコンタクト層6の上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の誘電体膜33を例えばPCVD法により形成する。その後に、誘電体膜33上にフォトレジストを塗布し、これを露光、現像してレジストパターン34を形成する。レジストパターン34は、DFBレーザ領域13と、その延長上にあるSOA素子領域14と、SOA素子領域14の側方に配置される温度調整素子領域17のそれぞれの両側に開口部34a~34dを有している。さらに、図7bに例示するように、レジストパターン34の開口部34a~34dを通して誘電体膜33をエッチングして開口部33a~33dを形成し、その後にレジストパターン34を除去する。誘電体膜33のエッチングには、BHFなどによるウェットエッチングや、フッ素系ガス、例えばCF4などのガスを使用する反応性イオンエッチングが用いられる。その後に、図7cに例示するように、誘電体膜33の開口部33a~33dの下方にあるp型GaAsコンタクト層6とp型AlGaAsクラッド層5を順にエッチングする。そのエッチング深さは、i型GaAs層4に達する深さでもよいし、p型AlGaAsクラッド層5の途中の深さでもよい。p型GaAsコンタクト層6とp型AlGaAsクラッド層5のエッチングは、ウェットでもよいしドライでもよい。ウェットエッチングには例えばアンモニア系エッチャントやリン酸系エッチャントが用いられる。また、ドライエッチングには、例えばICPエッチング法などが用いられる。ICPエッチング法の場合、エッチャントとして例えば塩素系ガスが用いられる。これにより、第2の領域12内のSOA素子領域14とその側方に配置される温度調整素子領域17のそれぞれの両側には、第1~第4の溝15a~15dが形成される。SOA素子領域14の延長上にある第1の領域11のDFBレーザ領域13の両側にも第1、第2の溝15a、15bが形成される。この結果、SOA素子領域14、温度調整素子領域17及びDFBレーザ領域13のそれぞれには、図2a、bに示したリッジ構造の導波路13a、14a及び電流注入領域17aが形成される。DFBレーザ領域13を有する第1の領域11では、横方向の光閉じ込めのためのリッジ構造は1本形成されている。また、第2の領域12では、SOA素子領域14とこれに平行な温度調整素子領域のそれぞれにリッジ構造が2本形成される。次に、図8a~cを参照して、図1bの溝15a~15d内に低誘電体膜6a~6dを埋め込むまでの工程を説明する。まず、図8aに示すように、第1~第4の溝15a~15dの内面とp型GaAsコンタクト層6の上面の上に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁性保護膜19を例えばプラズマ化学気相成長法により形成する。その後に、絶縁性保護膜19の表面に、例えばBCBなどの低誘電率材料16をスピンコートにより塗布し、その表面をほぼ平坦化する。その後に、低誘電率材料16であるBCB層を高温キュアする。続いて、図8bに例示するように、BCB層をエッチングすることにより第1~第4の溝15a~15dの中を除いて絶縁性保護膜19を露出させる。これにより、第1~第4の溝15a~15d内に残された低誘電率材料16を低誘電体層16a~16dとして使用する。BCB層のエッチングには、例えば反応性イオンエッチング法などが用いられ、反応ガスとして酸素O2などが用いられる。その後に、第1~第4の溝15a~15d以外の領域の絶縁性保護膜19をエッチングして除去し、リッジ構造の導波路13a、14a及び電流注入領域17aの頭出しを行う。絶縁性保護膜19がシリコン酸化膜である場合のエッチングには、例えば緩衝フッ酸を使用する。次に、図8cに例示するように、p型GaAsコンタクト層6及び低誘電体層16a~16dの上にレジストパターン35を形成する。レジストパターン35は、SOA素子領域14、温度調整素子領域得17及びDFBレーザ領域13とそれらの一部から引き出される領域に開口部35a、35bを有している。その後に、レジストパターン35上と開口部35a、35b内に金属膜8、例えば金Au層、亜鉛Zn層、Au層を順に蒸着し、さらにレジストパターン35を溶剤により除去する。これにより、SOA素子領域14、温度調整素子領域得17及びDFBレーザ領域13に残された金属膜は、上記のような第1、第2及び第3のp側電極8a、8b、8c及び第1~第3のパッド電極9a、9b、9cとして使用される。その後に、n型GaAs基板1の下面にn側電極7として例えば金を含む積層膜を形成する。その後に、n型GaAs基板1を劈開し、さらに必要に応じて劈開面である出力端面に誘電体多層膜による反射防止コーティングを施す。これにより、図1、図2に示す光半導体装置の基本的な構造が完成する。なお、i型GaAs層4及び回折格子4aを活性層3の下方に形成してもかまわない。ところで、上記の化合物半導体層に含まれるアルミニウム、ガリウム、リン、ヒ素等の元素は元素記号Al、Ga、P、As等で示されている。第2の実施の形態図9aは、第2実施形態に係る光半導体装置を例示する平面図、図9bは、図9aのII-II線から見た断面図である。図1、図2と同じ符号は同じ要素を示している。図9a、bにおいて、図1、図2bと同様に、n型GaAs基板1上には、n型AlGaAsクラッド層2からp型GaAsコンタクト層6までの各層が形成されている。また、p型GaAsコンタクト層6、p型AlGaAsクラッド層5には、第1実施形態と同様に、第1~第4の溝15a~15dが形成され、その中に低誘電体膜16a~16dが埋め込まれている。さらに、p型GaAsコンタクト層6のうち第1~第4の溝15aに挟まれる領域13、14、17には、それぞれ第1~第3のp側電極8a~8cが形成されている。DFBレーザ領域13における第1のp側電極8a、p型GaAsコンタクト層6及び低誘電体膜16aの上には絶縁膜36を介してヒータ37が形成されている。ヒータ37は、電力を供給するための第4、第5の電極パッド37a、37bをその両端に有している。ヒータ37及び第4、第5の電極パッド37a、37bの形成は次の工程により形成される。まず、コンタクト層6及び第1~第3のp側電極8a~8cの上に、絶縁膜36として例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等をPCVD法により形成する。その後に、例えば、絶縁膜36の上にフォトレジスト不図示を形成し、これを露光、現像することにより、DFBレーザ領域13の一部に開口部を形成する。続いて、レジストパターンの上と開口部内に、発熱導電膜、例えばプラチナ膜を蒸着した後に、レジストパターンを溶剤等により除去する。これにより絶縁膜36上に残されたプラチナ膜をヒータ37として使用する。その後に、絶縁膜36及びヒータ37の上に新たにフォトレジスト不図示を形成し、これを露光、現像することによりレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、少なくとも第1~第3の電極パッド9a~9cを露出させる開口部を有する。その後に、レジストパターンをマスクに使用して絶縁膜36をエッチングすることにより、第1~第3の電極パッド9a~9cを露出させる。以上のようにヒータ37をDFBレーザ領域13の上に形成したので、図5に示すように、制御回路27が電流源不図示を制御してヒータ37に電力を投入し、DFBレーザ領域13における活性層3の等価屈折率を調整する。これによって発振波長をさらに細かく制御することが可能となる。例えば、SOA素子領域14に注入される変調電流がオンの時に、疑似位相整合素子の位相整合波長とDFBレーザ領域13から出る光の波長にズレが生じる場合に、ヒータ37の温度調整によりDFBレーザ領域13から出力される光の波長を調整することができる。ヒータ37の温度調整は、フォトダイオード25から出力される光パルス波形情報、光強度情報と、サーミスタ26から出力される温度情報に基づいて、光パルス波形と強度が許容範囲内になるように制御回路27により制御される。上述の各実施形態における光半導体素子の構造、材料組成などは、一例に過ぎず、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。また、上述の各実施形態では量子ドット活性層を用いたが、この活性層は例えば量子井戸構造、量子細線構造、バルク構造としてもよい。さらに、上述の各実施形態では、n型GaAs基板状にGaAs系化合物半導体層を積層した構造として使用しているが、これに限られるものではなく、その他の基板や半導体材料の組み合わせを採用することも可能である。例えば上部クラッド層はAlGaAsクラッド層としているが、InGaPクラッド層でもよい。またInP基板にInGaAsP系化合物半導体層やAlGaInAs系化合物半導体層を成長させた構造を採用することも可能である。さらに、上述の各実施形態において導波路構造13a、14a及び電流注入領域17aは、リッジ導波路としているが、これに限られるものではなく、例えばハイメサ導波路構造や埋め込みリッジ導波路構造などでも良い。例えば、p型GaAsコンタクト層6からn型GaAsクラッド層2の途中までを光進行方向に長い平面ストライプ形状にエッチングして、その溝内を高抵抗の半絶縁のGaAs電流ブロック層で埋め込んでもよい。また、上述の各実施形態において単一縦モード発振が可能な回折格子を有する半導体レーザとしてDFBレーザを使用したが、DBRレーザを光源として使用してもよい。DBRレーザは、活性層3のうち上方にp側電極が形成される領域に対して前の領域と後の領域の上方又は下方に回折格子を形成した構造を有する。さらに、上記の各実施形態において、p型とn型が逆であってもよい。ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈され、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。付記1回折格子及び第1の活性層を含む第1の導波路、及び前記第1の導波路の上方に形成される第1の電極を有する半導体レーザと、前記第1の導波路の前記第1の活性層に連接する第2の活性層を含む第2の導波路、及び前記第2の導波路の上方に形成される第2の電極を有する光半導体増幅素子と、前記半導体レーザに熱的に接続され、電流注入領域と第3の電極を有する温度調整素子と、を有することを特徴とする光半導体装置。付記2前記電流注入領域は、第3の活性層を有することを特徴とする付記1に記載の光半導体装置。付記3前記第1の活性層、前記第2の活性層及び前記第3の活性層は同一の層であることを特徴とする付記2に記載の光半導体装置。付記4前記第1の活性層、前記第2の活性層及び前記第3の活性層は、同一の半導体基板の上方に形成され、前記半導体基板の下面には第4の電極が形成され、前記第1の活性層、前記第2の活性層及び前記第3の活性層のそれぞれは、前記第1の活性層、前記第2の活性層及び前記第3の活性層よりも屈折率の低い上部半導体層と下部半導体層により上下から挟まれることを特徴とする付記2又は付記3に記載の光半導体装置。付記5前記上部半導体層はリッジ構造を有することを特徴とする付記4に記載の光半導体装置。付記6前記回折格子は、前記第1の電極の下方に形成されることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1つに記載の光半導体装置。付記7前記回折格子は、前記第1の電極の前と後の2つの領域の下方に形成されることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1つに記載の光半導体装置。付記8前記半導体レーザの上方にはヒータが形成されていることを特徴とする付記1乃至付記7のいずれか1つに記載の光半導体装置。付記9前記光半導体増幅素子の光出力端には、第二次高調波発生素子が光結合されることを特徴とする付記1乃至付記8のいずれか1つに記載の光半導体装置。付記10前記光半導体増幅素子の前記光出力端と第二次高調波発生素子の間にはコリメートレンズが配置されていることを特徴とする付記9に記載の光半導体装置。付記11前記光半導体増幅素子の第2の電極に変調信号を出力するとともに、前記変調信号のうちのオフ時に前記第3の電極に電流を流す制御回路を有することを特徴とする付記1乃至付記10のいずれか1つに記載の光半導体装置。付記12前記制御回路は、前記光半導体増幅素子から出力された光を受光する受光素子の測定データに基づいて前記第3の電極に流す電流をさらに調整する回路であることを特徴とする付記11に記載の光半導体装置。付記13前記制御回路は、前記半導体レーザの一部に接続される温度検出素子の測定温度データに基づいて前記第3の電極に流す電流をさらに調整する回路であることを特徴とする付記11に記載の光半導体装置。付記14前記制御回路は、前記半導体レーザの一部に接続される温度検出素子の測定温度データに基づいて前記ヒータに流す電流をさらに調整する回路であることを特徴とする付記11に記載の光半導体装置。