"低高調波の3相フロンエンド機器のための統合型磁気デバイス1であって、各磁気サブアセンブリ30が空隙の無い一つの磁気コア、三つ以上の巻線分岐部及び少なくとも五つの巻線20を備えた三つの磁気サブアセンブリ30と、3相電力網100と接続可能な三つの電流入力と、電流入力当たり三つの電流出力が有り、これらの電流出力が前記の三つの電流入力と電気的に接続されるとともに、負荷200と接続可能である少なくとも九つの電流出力と、を備えた統合型磁気デバイス。請求項1に記載の統合型磁気デバイス1において、当該の三つの磁気サブアセンブリ30を磁気的に結合する少なくとも一つの第一の共通ヨーク10;60,70;50と少なくとも一つの第二の共通ヨーク10’;60’,70’;50’の一方又は両方と、当該の三つの磁気サブアセンブリ30と前記の第一の共通ヨーク10;60,70;50又は前記の第二の共通ヨーク10’;60’,70’;50’の間の少なくとも一つの空隙40;40’と、を有する統合型磁気デバイス。請求項1又は2に記載の統合型磁気デバイス1において、当該の三つの磁気サブアセンブリ30の各々が、一つの第一のヨーク35と一つの第二のヨーク35’を有し、当該の空隙の無い磁気コアが、当該の三つの巻線分岐部、当該の第一のヨーク35及び当該の第二のヨーク35’から構成される、統合型磁気デバイス。請求項1又は3に記載の統合型磁気デバイス1において、当該の三つの磁気サブアセンブリ30の各々が、当該の空隙の無い磁気コアに取り付けられた三つの巻枠を備えている統合型磁気デバイス。請求項2から4までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1において、当該の第一又は第二の共通ヨークを通る磁束の合計がゼロである統合型磁気デバイス。請求項2から5までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1において、当該の三つの磁気サブアセンブリ30と当該の少なくとも一つの第一の共通ヨーク10;60,70;50の間の第一の空隙40と、当該の三つの磁気サブアセンブリ30と当該の少なくとも一つの第二の共通ヨーク10’;60’,70’;50’の間の第二の空隙40’の二つの空隙を有する統合型磁気デバイス。請求項1から6までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1において、一つの第一の共通ヨーク10;50と一つの第二の共通ヨーク10’;50’を備えた統合型磁気デバイス。請求項7に記載の統合型磁気デバイス1において、当該の第一の共通ヨーク50と当該の第二の共通ヨーク50’が三角形、環状又は多角形の形状を有し、当該の三つの磁気サブアセンブリ30が、三角形、環状又は多角形の形態で配置されており、本デバイス10が穴80を有する、統合型磁気デバイス。請求項2から8までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1において、当該の第一の共通ヨーク10と当該の第二の共通ヨーク10’が長方形の形状を有し、当該の三つの磁気サブアセンブリ30が整列して配置されている、統合型磁気デバイス。請求項1から6までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1において、少なくとも二つの第一の共通ヨーク60,70と少なくとも二つの第二の共通ヨーク60’,70’を備えた統合型磁気デバイス。請求項10に記載の統合型磁気デバイス1において、四つの換気通路90を有する統合型磁気デバイス。請求項1から11までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1において、当該の少なくとも三つの巻線20が少なくとも三つの分割巻線Sと少なくとも二つの変位巻線Vから構成される統合型磁気デバイス。請求項1から12までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1において、本デバイス1が、当該の三つの3相電力網100と当該の負荷200の間に接続されている場合に、当該の電流入力の各々に流れる共通電流I1;I2;I3の各基本成分が、当該の電流出力の各々に流れる所定の位相角φを有する三つの分割電流I11,I12,I13;I21,I22,I23;I31,I32,I33に分割され、前記の共通電流I1;I2;I3の各基本成分が、当該の3相電力網100の電圧位相ベクトルの各々から遅延角度δだけずれている、統合型磁気デバイス。電力網100と一般的なDC負荷700の間に接続可能な、18パルス整流器を備えたAC/DC整流器において請求項1から13までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1を使用する方法。18個の制御スイッチを備えたDC/ACインバータにおいて請求項1から13までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1を使用する方法。請求項1から13までのいずれか一つに記載の統合型磁気デバイス1と、逆並列のダイオードを備えた18個の制御スイッチのセットと、を備えた、3相電力線100とDC電源又はDC負荷700の間に接続可能な、低高調波の双方向式3相フロンエンド電力変換器。本発明の課題は、インダクタ400とプリスプリッタ及びポストスプリッタ磁気デバイス310,320の機能を実行する統合型磁気デバイスを提供することである。この統合型との形容詞は、実際に本発明の磁気デバイスが複数の機能を実行することを意味する。特に、電流の遅延と分割の両方の機能が、従来技術よりもサイズが小さく、重量が軽く、コストが低く、より良好なデバイスの対称性を可能とする同じ磁気デバイスによって実行されるようにする。本発明の別の課題は、簡単な半導体回路を備えた低高調波の双方向式3相フロンエンド電力変換器を提供することである。本発明の別の課題は、信頼できる効率的な磁気デバイスを提供することである。これらの課題は、本発明により、請求項1に記載の低高調波の3相フロンエンド機器用の統合型磁気デバイスを用いて、本統合型磁気デバイスをAC/DC整流器請求項14及びDC/ACインバータ請求項15において使用する方法によって、並びに請求項16に記載の低高調波の双方向式3相フロンエンド電力変換器を用いて達成される。本発明によるデバイスは、三つの磁気サブアセンブリを備えており、各磁気サブアセンブリは、空隙の無い一つの磁気コアと、三つの巻線分岐部と、少なくとも五つの巻線とを備えている。言い換えると、本発明によるデバイスは、磁気的に結合された三つのサブアセンブリを備えている。一つの実施形態では、本デバイスは、三つの磁気サブアセンブリを磁気的に結合するための少なくとも一つの第一の共通ヨークと少なくとも一つの第二の共通ヨークを備えている。別の好ましい実施形態では、これらの二つの共通ヨークは、同形であり、それぞれ三つの磁気サブアセンブリの上部と底部に並列に配置されている。別の実施形態では、これらの三つのサブアセンブリは、共通ヨークが無くとも磁気的に結合されるように、互いに充分に接近して配置されている。有利には、本デバイスは、三つの磁気サブアセンブリと二つの共通ヨークの中の一方の間に少なくとも一つの空隙を有する。好ましい実施形態では、それは、二つの空隙、即ち、それぞれ三つの磁気サブアセンブリの上部又は底部と第一又は第二の共通ヨークの間の第一と第二の空隙を有する。本デバイスは、3相電力線又は電力網と接続可能な三つの電流入力と、電流入力毎の少なくとも三つの電流出力とを有する。好ましい実施形態では、本デバイスは、九つの電流出力、即ち、電流入力毎に三つの電流出力を有する。これらの電流出力は、電気的に三つの電流入力と接続されるとともに、負荷と接続することが可能である。三つの磁気サブアセンブリの各々は、三つの巻線分岐部と共に空隙の無い磁気コアを構成する第一のヨークと第二のヨークを備えている。更に、三つの磁気サブアセンブリの各々は、この磁気コアに対して組み立てられている、特に、三つの分岐部に配置された三つの巻枠を備えることができる。有利には、基本周波数における第一又は第二の共通ヨークを通る磁束の正味の合計はゼロである。本デバイスが3相電力網と負荷の間に接続されている場合、各電流出力に流れる電流の基本成分は、それに対応する電流入力に流れる電流の基本成分に対して所定の角度だけ位相がずれている。この角度の値は、以下において明らかとなる通り、巻線の巻数比に応じて決まる。第一の実施形態では、本デバイスは、長方形の形状を持つ一つの第一の共通ヨークと一つの第二の共通ヨークを有する。このケースでは、三つの磁気サブアセンブリは整列して配置される。別の実施形態では、本デバイスは、長方形の形状を持つ二つの第一の共通ヨークと二つの第二の共通ヨークを有する。この実施形態では、磁気デバイスは、空気の流れによる冷却のために使用できる四つの換気通路を有する。別の実施形態では、本デバイスは、三角形、環状又は多角形の形状を持つ一つの第一の共通ヨークと一つの第二の共通ヨークを有する。これらのケースでは、三つの磁気サブアセンブリは、それぞれ三角形、環状又は多角形の形態で配置され、本デバイスは、中央に穴を有する。空気の流れは、有利には、この穴を通過して、本デバイスを効率的に冷却することができる。この実施形態は、製造が容易で、前記の実施形態よりも良好な対称性を有する、即ち、3相全てに関して同じパラメータによって特徴付けられる。或る程度のエネルギーが前記の空隙内の磁場に保存される。そのようなケースでは、電力網100とそれに対応する磁気デバイスの入力電流I1,I2,I3の各電圧位相ベクトルの間の遅延角度又は位相差角度δは、図3Aに図示されている通り観測できる。このケースでは、インダクタの機能は、本発明によるデバイスに統合されている。更に、数mmのオーダーである空隙の厚さを変更することによって、このデバイスのインダクタンスの値を容易に制御できる。前述した通り、本発明の変化形態では、本発明によるデバイスは、共通ヨーク無しに磁気的に結合された三つのサブアセンブリを備えることができる。このケースでは、エネルギーは、サブアセンブリを取り囲むスペースを充たす磁場に保存される。有利には、本発明の磁気デバイスは、AC/DCとDC/AC変換器の両方に使用することができる。それをAC/DC変換器において、例えば、18パルス整流器と組み合わせて使用した場合、電流の流れは、本デバイスの電流入力又は共通パスから電流出力又は分割パスの方向に生じる。このケースでは、本デバイスは、電流スプリッタとして動作し、共通パスの共通電流は、強制的に分割パスにおける同じ大きさであるが位相のずれた三つの分割電流に分割される。一つの実施形態では、共通電流は、強制的に同じ大きさであるが位相のずれた四つ以上の分割電流に分割することができる。本デバイスをDC/AC変換器で使用した場合、電流の流れは、三つの分割パスから共通パスの方向に生じる。このケースでは、本デバイスは、電流統合器として動作する。両方のケースにおいて、本デバイスの動作は高調波電流を低減している。この磁気デバイスを備えたAC/DC又はDC/AC変換器では、電気絶縁することは不可能である。本設備の従来技術と比べた利点は、特に、高インピーダンスと低インピーダンスのDCリンク整流器の両方において、従来技術による幾つかの磁気デバイスを用いた、インダクタの機能とスプリッタの機能を実行する単一のデバイスを使用できることである。本デバイスは、従来技術による設備の幾つかの磁気デバイス一つのプレスプリッタ、三つのポストスプリッタ320A~C及びインダクタ400用の一つのデバイスの代わりに、一つの磁気デバイスから構成される。本磁気デバイスは、三つの磁気サブアセンブリと、好ましい実施形態では、二つの共通ヨークとから構成される。更に、本設備は、低高調波の電力変換器のサイズ、重量及びコストを低減するとともに、高い信頼性及び効率と低いEMI電磁干渉とを可能とする。更に、本設備は、磁気サブアセンブリの巻線分岐部の巻線に関する多くの配置構成を用いて実現できる。本設備は、周知の多相整流器などにおける重大な高調波を除去するとともに、電力網の電圧の不平衡に影響され難い。本発明は、実施例として示した、図面に図示した実施形態の記述により、より良く理解できる。本発明による統合型磁気デバイスは、片方向又は双方向式の低高調波の3相フロンエンド機器のために構成されている。それを使用することによって、3相電力線の入出力電流の高調波を低減することができる。それは、従来技術による設備と比べてコストが低く、サイズが小さい。図4A、4B及び4Cは、それぞれ本発明によるデバイス1の一つの実現可能な実施形態の共通ヨークを取り去った一方の平面図、側面図及び他方の平面図を図示している。この実施形態では、本デバイス1は、三つの磁気サブアセンブリ30を備えており、各磁気サブアセンブリ30は、三つの巻線分岐部と少なくとも五つの巻線を備えている。低圧又は中圧の電力用途、即ち、50kW以内の電力用途では、各巻線分岐部は、巻枠20を備えることができる。高圧の電力用途では、巻線は、コアから巻線を離して保持するための四つ以上のスペースホルダーを用いて、巻枠無しに磁気サブアセンブリに巻き付けられる。三つの磁気サブアセンブリ30の各々は、三つの分岐部と共に空隙の無い閉した磁気コアを構成する、第一のヨーク35と第二のヨーク35’を備えている。有利には、それぞれ第一と第二の共通ヨークを通る、基本周波数と高調波の両方に対する磁束の正味の合計はゼロである。言い換えると、磁束は、このデバイスの外に飛散しない。この実施形態では、本デバイスは、一つの第一の共通ヨーク10と一つの第二の共通ヨーク10’を備えており、それらは、同形である。これらの三つの別個の磁気サブアセンブリ30と二つの共通ヨーク10と10’は、それぞれ三つの別個の磁気サブアセンブリ30の上部又は底部に並列に配置されている。本デバイスは、二つの空隙40と40’を有する、即ち、三つの磁気サブアセンブリ30の上部又は底部と第一の共通ヨーク10又は第二の共通ヨーク10’の間には、それぞれ第一と第二の空隙が有る。本発明によるデバイスは、三つの磁気サブアセンブリ30と二つの共通ヨーク10,10’の中の一方との間に一つの空隙だけを備えることができる。この実施形態では、第一の共通ヨーク10と第二の共通ヨーク10’は、長方形の形状を有する。このケースでは、三つの磁気サブアセンブリ30は整列して配置されている、即ち、一つの磁気サブアセンブリ30の二つの巻線分岐部の間の長方形の穴は、それ以外の二つの磁気サブアセンブリ30の穴と一列に並んでいる。図4A~4Cに図示された実施形態では、共通ヨーク10,10’の断面の幅WYは、各磁気サブアセンブリ30の断面の幅WCと等しい。好ましい実施形態では、三つの磁気サブアセンブリ30の各々は、断面の長さLCがその幅WCよりも長い長方形の断面を有する。好ましい実施形態では、共通ヨーク10,10’の断面の長さLYは、図4A~4Cに図示されている通り、磁気サブアセンブリ30の断面の長さLCの五倍よりも長い、即ち、LY>5LCである。図5A~5Cの実施形態では、三つの磁気サブアセンブリ30は、平行である、即ち、一つの磁気サブアセンブリ30の二つの巻線分岐部の間の長方形の穴は、別の磁気サブアセンブリ30の二つの巻線分岐部の間の長方形の穴の前に有る。この実施形態では、本デバイス1は、長方形の形状を有する、二つの第一の共通ヨーク60,70と二つの第二の共通ヨーク60’,70’を備えている。このようにして、この実施形態の統合型磁気デバイス1は、有利には、デバイスの冷却に使用できる四つの垂直な換気通路90を備えている。共通ヨークの数は、二つ又は四つに限定されないが、本発明には、如何なる数の共通ヨークを備えた変化形態も含まれる。実際に、これらのサブアセンブリは、互いに充分に接近して配置されており、或るケースでは、共通ヨークを完全に省略することができる。又もや、本デバイス1は、三つの磁気サブアセンブリ30と第一の共通ヨーク60,70及び第二の共通ヨーク60’,70’の間に少なくとも一つの空隙を備えることができる。好ましい実施形態では、本デバイスは、各磁気サブアセンブリ30の第一のヨーク35と第一の共通ヨーク60,70の間の第一の空隙40と、各磁気サブアセンブリ30の第二のヨーク35’と第二の共通ヨーク60’,70’の間の第二の空隙40’との二つの空隙を有する。本磁気デバイス1の共通ヨークを取り去った一方の平面図と他方の平面図及び側面図を図示した図6A~6Cの実施形態では、長方形の形状を有する一つの第一の共通ヨーク50と一つの第二の共通ヨーク50’が配備されている。このケースでは、三つの磁気サブアセンブリ30が三角形の側面に沿って配置されている。別の実施形態では、第一の共通ヨーク50と第二の共通ヨーク50’は、環状又は多角形の形状を有し、三つの磁気サブアセンブリ30は、それぞれ環状又は多角形の形態で配置されている。本デバイスは、中央の穴又は垂直な換気通路80を有する。図示された実施形態では、この穴80は三角形である。有利には、空気の流れは、この穴80を通り抜けて、本デバイスを効率的に冷却することができる。更に、この実施形態は、前記の実施形態よりも良好な対称性を有する、即ち、3相全てに関して同じパラメータによって特徴付けられる。言い換えると、図6A~6Cの実施形態は、本デバイスの完全な対称性を保証するとともに、各相に関する条件を同じにすることができる。図6Cに図示されたデバイス1が三つの磁気サブアセンブリ30と第一の共通ヨーク50の間の第一の空隙40と、三つの磁気サブアセンブリ30と第二の共通ヨーク50’の間の第二の空隙40’との二つの空隙を持っているのに対して、本デバイスは、一つの空隙40又は40’だけを備えることもできる。本デバイス1は、3相電力線又は電力網100と接続可能な三つの電流入力と、電流入力毎の少なくとも三つの電流出力、即ち、少なくとも九つの電流出力とを有する。これらの電流出力は、三つの電流入力と電気的に接続されており、負荷200と接続することができる。本デバイス1は、3相入力を9相出力に変換する。このデバイスが3相電力網100と負荷、例えば、18パルス整流器の後にDC負荷が続く非線形の負荷200との間に接続されている場合、電流出力の各々に流れる電流の基本成分は、それに対応する電流入力に流れる電流の基本成分に対して所定の角度-20°、0°及び20°だけ位相がずれる。三つの磁気サブアセンブリに第一と第二の共通ヨークを並列に配置することは、これらの三つの磁気サブアセンブリ30の間に磁気的な接続部を形成するとともに、少なくとも一つの空隙の存在によって、本デバイスがインダクタの機能も実行できることとなる。別の実施形態では、これらのサブアセンブリは、共通ヨークを省略できるように、互いに充分に接近して配置されている。本デバイス1は、材料の節約を可能とし、同じ定格出力の従来の18パルス設備と比べて、20サイズが小さく、重量が軽い。本発明のデバイス1は、同じ定格出力の電力変圧器で使用する材料の約4分の1となる。一つの実施形態では、三つの磁気サブアセンブリ30の各々は、薄板鉄心又は高周波用の強磁性体サブコアである。C形コアなどのカットしたコアは、焼き鈍し後に含浸し、次に部分に裁断して折り畳んだコアに線を巻いたものである。これらのコアは、非常に短い時間で巻枠の回りに組み立てられるので、この実施形態のデバイス1は、デバイスを製造する時間が短くなる。図6Bに図示された三角形のヨーク50と50’も、ストリップ巻線手法により効率的に作ることができる。図7A,8A,9A...15Aは、本発明の様々な代替形態に関する磁気デバイス1の一つのサブアセンブリにおける異なる巻線配置構成を図示している。図7B,8B,9B...15Bは、図7A,...15Aの配置構成と関連した本デバイス1の三つの磁気サブアセンブリの代替巻線形態とそれに対応するMMFベクトルの位相ベクトル図を図示している。この位相ベクトル図は、本デバイス1の全ての巻線の全てのMMFを図示する一方、この巻線形態は、簡略化するために、一般的に位相ベクトル図の最も下の位置に表示された単一の磁気サブアセンブリに関するものとした。ここで、図7B,...,15Bの位相ベクトル図は、電流ではなく、MMFを表し、そのため、巻線の巻数が異なるので、異なる位相ベクトルは、異なる長さを持てることを注意喚起しておきたい。しかし、これらの電流は、本発明によるデバイスの出力で生じ、全て同じ振幅を有し、同じ長さの九つの位相ベクトルによって表される。前述した通りのスプリッタデバイスとするためには、各磁気閉ループに関して、その磁気回路のMMFの合計がゼロでなければならないとの条件を満足しなければならない。一つの巻線に関するMMFが、その巻線に流れる電流の瞬間値と巻数の乗算である。言い換えると、磁気回路のMMFベクトルが閉じたパスを形成しなければならないことを意味する。図7Aと7Bの実施形態では、各磁気サブアセンブリ30は、五つの巻線を備えており、二つの分岐部が一つの分割巻線Sと一つの変位巻線Vを有する一方、残りの分岐部が一つの分割巻線だけを有する。これらの巻線の名称は、MMF起磁力ベクトルを示す図7Bの位相ベクトル図を参照して説明する。簡略化のために、図7Bの上方左隅の配置構成を考慮すると、ここで考慮したサブアセンブリ30には、一つの磁気回路が存在する。この回路では、それぞれ先行電流と後行電流に対応するのでS1.3が先行分割巻線として動作するのに対して、S1.1が後行分割巻線として動作し、S1.1が同相分割巻線として動作する。このケースでは、V3.1とV2は、これらの五つの位相ベクトルで構成される独立した二つの三角形のループを閉じているので、変位巻線である。特に、V3.1が後行電流に対する変位巻線として動作し、V2が先行電流に対する変位巻線として動作する。一般的に、各分割巻線は、一つの分割電流を電導し、各変位巻線は、一つの相電流、即ち、I1,I2又はI3又は一つの分割電流I11,I12,I21,I22,I31,I32を電導する。変位巻線Vは、如何なる形式の電流も電導することができる。一つの実施形態では、本デバイスの一つの分岐部の変位巻線Vは、同じデバイスの別の分岐部の分割電流又は共通電流を電導することができる。別の実施形態では、変位巻線Vは、外部の制御可能な電流を電導することができる。図7A,7B,8A,8B,9A,9Bは、一方の変位巻線が相電流を電導する一方、他方の変位巻線が分割電流を電導する実施形態を図示している。図10A~14Bは、両方の変位巻線が分割電流を電導する本発明の別の実施形態を図示している。図15Aと15Bは、両方の変位巻線が相電流を電導する本発明の別の実施形態を図示し、図16Aと16Bは、同様の実施形態を図示しているが、両方の変位巻線が分割電流を電導している。従って、本発明の磁気デバイスにおいて、提示した図面では尽くせない、九つの等しい電流を供給できる、所望の相を18パルス整流器に供給するための巻線の配置及び相互接続構成に関する幾つかの可能性が有ることは明らかである。本発明が特定の配置構成に限定されず、特許請求の範囲内に有る全てのデバイスを包含することを理解しなければならない。本デバイス1は、磁気サブアセンブリ30における五つの巻線に関する全ての実現可能な組合せを図示した図7A~16Bに図示されている通り、15個の巻線を有する、即ち、磁気サブアセンブリ30毎に五つの巻線を有するデバイスで構成され、二つの巻線分岐部が二つの巻線を有し、巻線分岐部毎に残る一つの巻線を有する。本デバイスの少なくとも一つの空隙又は本デバイスを取り囲むスペース内の磁場に或る程度のエネルギーを保存することができるので、図3Aに図示された電力網100とそれに対応する磁気デバイスの入力電流I1,I2,I3の各電圧位相ベクトル間の遅延角度又は位相差角度δを観測することができる。このケースでは、インダクタの機能が本デバイスに統合されている。更に、インダクタンスの値は容易に制御できる。本磁気デバイス1を電力変換器で使用することによって、18ダイオード整流器の使用と、そのため5次と7次、11次と13次、23次と25次及び29次と31次の高調波の除去が可能である。試験では、全高調波歪みTHDを約5以内にできることが示された。例えば、DCリンクのチョークを備えた6ダイオード整流器のケースでは、高調波は除去されず、全高調波歪みは35よりも良くならない。図7A,8A...15A及び16Aの電気回路で図示されている通り、本発明によるデバイス1は、位相L1,L2,L3に対応する三つの共通パスと、九つの分割パスとを有する。別の実施形態では、分割パスの数は、相当たり三つ以上とすることができる。本デバイスをAC/DC電力整流器において使用し、その場合に電流がAC入力からDC出力に流れる場合、前述した通り、本デバイス1は位相シフト電流スプリッタとして動作する。実際に、共通パスに流れる電流は、分割パスに流れる三つ以上の同じ大きさであるが位相のずれた成分に分割される。別の実施形態では、分割パスの数は、それよりも多い数とすることができる。有利には、本デバイス1は、DC/AC電力変換器において使用することができる。そのようなケースでは、電流はDC入力からAC出力に流れ、本デバイス1は、位相シフト電流統合器として動作する。実際に、分割パスに流れる電流は、一つの共通パスに統合される。このケースでも、分割パスの数は三つ以上とすることができる。言い換えると、3相電力網100と接続可能な三つの入力線の相毎の位相シフト電流スプリッタ/統合器1を使用することができる。本デバイスがスプリッタとして動作する場合、それは入力電流を位相差と振幅を制御可能な三つ以上の分割電流に分割し、本デバイスが統合器として動作する場合、それは位相差と振幅を制御可能な形で三つ以上の分割電流を一つの出力電流に統合する。本発明によるデバイス1の共通パスの変位巻線をゼロ図10A~14A及び16A、一つ図7A~9A又は二つ図15Aとすることができる。各分割パスは、一つの分割巻線図11A~12A及び図17A~18Aを備えるか、或いは一つの分割巻線と一つ又は二つの変位巻線図7A~10A及び13A~16Aを備えることができる。共通パスと分割パスにおける巻線の数と位置に応じて、異なる形式のデバイスへのクラス分けを実現することができる。幾つかの配置構成、即ち、図15A、15B及び17Aの配置構成では、二つの変位巻線が同じ共通電流を電導している。図7A~9A及び17Bの例に図示された別のクラスでは、一方の変位巻線が相電流を電導し、他方の変位巻線が分割電流を電導している。図10A~12A及び17Cに図示された別のカテゴリーでは、変位巻線が二つの異なる分割電流を電導する配置構成にグループ分けされている。最後に、二つの変位巻線が同じ分割電流を電導するデバイスは、図17Dと16Aに図示された最後のカテゴリーに分類される。巻線の巻数は、分割パスに流れる分割電流の基本周波数成分の振幅が同じとなり、それらの分割電流の基本周波数成分の間の位相差が所定の角度と等しくなるように選択される。好ましい実施形態では、この角度の値は0°と±20°である。図18Aは、本発明の一つの実施形態による磁気部品又はデバイス1を備えたAC/DC電力整流器を図示している。本統合型デバイス1は真性の誘導デバイスであるので、図1Aの別個のインダクタ400を除去することが可能であり、従来技術と比べて材料、コスト及び体積を更に節約することができる。本デバイス1は、三つの共通電流の各々を三つの分割電流に分割しているので、九つの出力を有する。これらの出力が18ダイオード整流器に送られる。これらのダイオードの出力が、図18Aに図示されている通り組み合わされて、一つのDC出力を形成する。このケースでは、分割パスに流れる三つの電流の間の位相差の値は、0°と±20°に等しく、そして5次と7次、11次、13次、23次、25次、29次及び31次の高調波が除去される。各磁気サブアセンブリ30は、一つの相に対応すると考えることができ、図18Aに図示された例では、第一の磁気サブアセンブリ30は、L1の分割電流がこの磁気サブアセンブリの電流出力I11,I12,I13に流れるので、L1の相に対応すると考えることができる。図18Aにおいて、本デバイス1の上に矢印で表示した通り、電力の流れは片方向であり、特に、ACからDCの方向に流れる。図18Cと18Bは、図18Aのデバイス1の巻線の配置構成とその結果得られるMMF位相ベクトル図を図示している。この構造は、デバイス1全体が単一のサブアセンブリではなく、図18Cに図示されているとの相違点を除いて、図15Bの最も右側の例と同じであることが理解できる。考察した通り、本デバイス1は、DC/ACインバータにおいて統合器として使用することもできる。前述した通り、そのようなケースでは、本デバイス1は電流統合器として動作する。DC/AC変換器は、18個のダイオードに対して並列に、制御スイッチの18個以上のパルスブリッジを備えている。一つの実施形態では、これらの能動スイッチは、トランジスタ又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTである。駆動回路が能動スイッチの状態を変更するために配置されている。本デバイス1をDC/ACインバータにおいて使用した場合、それは三つ以上の分割電流を共通の相電流に統合する。3相電力網100と18パルス整流器の間に接続された本デバイス1は、所定の方向のDC電流と所定の極性のDC電圧を発生する。18パルス整流器において、ダイオードの代わりにサイリスタを使用した場合、DC電圧の値と極性を変更することができる。その結果得られた位相制御変換器は、AC/DC整流器又はDC/ACインバータ2象限変換器として動作することができる。本発明の独立した観点では、図19において、本デバイス1の上の矢印で表示した通り、変換器内のACとDC部品間の電力の流れを双方向とすることができる。実際に、符号700は、電力負荷と電源の両方を示している。そのようなケースでは、双方向式フロンエンド機器を形成するために、18パルス整流器のダイオードの各々と並列に、制御スイッチを有する。これらのスイッチの制御回路は図示されていない。そのような双方向式フロンエンド電力変換器は、有利には、回生ブレーキを備えた電車、電気自動車又はリフトのモータのために使用することができ、自動車の運動エネルギー及び/又は上昇による位置エネルギーの幾らかは、従来の抵抗ブレーキのように熱として放出するのではなく、有用な形のエネルギーに変換して、その変換したエネルギーを電力網に戻して他の自動車で使用することができる。最後に、簡略化のために、18パルスシステムだけを参照して本発明を説明したが、巻線と巻線分岐部の数を相応に増加することによって、如何なる数の相にも拡張することができる。図20は、各々が四つの巻線分岐部に八つの巻線を有する三つのサブアセンブリを備えた本発明によるデバイスの変化形態を図示している。この低高調波の双方向式フロンエンド電力変換器は、3相電力線100と、前述した通りの統合型磁気デバイス1と、逆並列のダイオードを備えた18個の能動スイッチのセットと、DC電源又はDC負荷700と、を備えている。本発明による統合型磁気デバイスは、有利には、バッテリーの充電のために、太陽エネルギーパネルと組み合わせて、或いは公衆の照明用途で使用することができる。そのような統合型デバイスを使用する利点は、高調波の低減と、高い信頼性と、低いノイズ、即ち、低い電磁干渉と高い効率と、である。"