金属板と、該金属板の少なくとも一方の主面上に設けられたセラミックスからなる絶縁膜とを備える複合体であって、前記絶縁膜の内部には、前記絶縁膜の厚さ方向の寸法に対して前記金属板の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙が複数存在することを特徴とする複合体。前記絶縁膜の厚さ方向に5μm以下の間隔をおいて整列してなる前記扁平な空隙からなる空隙群が、前記金属板の主面に沿う方向に所定間隔をおいて複数形成されていることを特徴とする請求項1に記載の複合体。前記扁平な空隙の前記絶縁膜の厚さ方向の長さに対して、前記金属板の主面に沿う方向の長さが5倍以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の複合体。一対の金属からなる回路板と、該一対の回路板間に配置された半導体素子とが樹脂により一体に成形され、前記回路板の前記半導体素子とは反対側の面が樹脂からそれぞれ露出した半導体モジュールと、前記回路板の前記半導体素子とは反対側の面にそれぞれ設けられた冷却器とを具備してなり、前記回路板と前記冷却器との間に、請求項1乃至3のうちいずれかに記載の複合体を、該複合体の前記絶縁膜が前記回路板の面を覆うように配置してなることを特徴とする半導体装置。前記複合体は、前記金属板の両面に前記絶縁膜を形成してなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記冷却器が、締め付け部材により前記半導体モジュール側に押圧されて、前記半導体モジュールと、前記複合体と、前記冷却器とが一体となっていることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置。一対の金属からなる回路板と、該一対の回路板間に配置された半導体素子とが樹脂により一体に成形され、前記回路板の前記半導体素子とは反対側の面が樹脂からそれぞれ露出した半導体モジュールを作製する第1工程と、請求項1乃至3のうちいずれかに記載の複合体を、前記半導体モジュールの前記回路板の露出した面と冷却器との間に、前記回路板の面を前記絶縁膜が覆うようにそれぞれ配置する第2工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製法。前記第2工程は、前記金属板の両面に前記絶縁膜を形成した前記複合体を、前記半導体モジュールの前記回路板の露出した面と前記冷却器との間にそれぞれ配置する工程であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製法。金属板が樹脂によりモールドされ、前記金属板の両主面が前記樹脂から露出した一対の金属板モールド体と、半導体素子が樹脂によりモールドされ、前記半導体素子の電極部が前記樹脂から露出した半導体素子モールド体とが、一対の前記金属板間に前記半導体素子が配置されるように積層され、前記半導体素子と前記金属板とが電気的に接続されてなり、前記金属板モールド体は、前記金属板の前記半導体素子と接続されていない側の主面がセラミックスからなる絶縁膜で被覆されており、前記絶縁膜の内部には、前記絶縁膜の厚さ方向の寸法に対して前記金属板の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙が複数存在することを特徴とする半導体モジュール。請求項9に記載の半導体モジュールにおける前記一対の金属板モールド体の前記絶縁膜が形成された側に、それぞれ冷却器を配置してなることを特徴とする半導体装置。前記冷却器が、それぞれ締め付け部材により前記半導体モジュール側に押圧されて、前記半導体モジュールと前記冷却器とが一体となっていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。金属板を、該金属板の両主面が露出するように樹脂によりモールドしてなり、前記金属板の一方の主面にセラミックスからなる絶縁膜を被覆し、かつ前記絶縁膜の内部には、前記絶縁膜の厚さ方向の寸法に対して前記金属板の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙が複数存在する一対の金属板モールド体を準備する第1工程と、前記一対の金属板モールド体の前記絶縁膜が形成されていない側で半導体素子を挟み、前記半導体素子と前記金属板とを電気的に接続する第2工程と、前記一対の金属板モールド体間の前記半導体素子の周囲に樹脂を充填する第3工程とを具備することを特徴とする半導体モジュールの製法。請求項12に記載の半導体モジュールの製法における前記第3工程の後に、前記一対の金属板モールド体の絶縁膜側にそれぞれ冷却器を配置する第4工程を具備することを特徴とする半導体装置の製法。前記半導体モジュールの両側に配置された前記冷却器を、それぞれ前記半導体モジュール側に押圧して、前記半導体モジュールと前記冷却器とを一体とする第5工程を具備することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製法。しかしながら、従来の絶縁膜では、絶縁膜中に存在する残留応力により、高電圧を印加したときに膜が破壊してしまうという問題があった。本発明は、高い絶縁信頼性を維持できる複合体およびそれを用いた半導体装置、半導体モジュールならびにその製法を提供することを目的とする。本発明の複合体は、金属板と、該金属板の少なくとも一方の主面上に設けられたセラミックスからなる絶縁膜とを備える複合体であって、前記絶縁膜の内部には、前記絶縁膜の厚さ方向の寸法に対して前記金属板の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙が複数存在することを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、一対の金属からなる回路板と、該一対の回路板間に配置された半導体素子とが樹脂により一体に成形され、前記回路板の前記半導体素子とは反対側の面が樹脂からそれぞれ露出した半導体モジュールと、前記回路板の前記半導体素子とは反対側の面にそれぞれ設けられた冷却器とを具備してなり、前記回路板と前記冷却器との間に、前記複合体を、該複合体の前記絶縁膜が前記回路板の面を覆うように配置してなることを特徴とする。さらに、本発明の半導体装置の製法は、一対の金属からなる回路板と、該一対の回路板間に配置された半導体素子とが樹脂により一体に成形され、前記回路板の前記半導体素子とは反対側の面が樹脂からそれぞれ露出した半導体モジュールを作製する第1工程と、前記複合体を、前記半導体モジュールの前記回路板の露出した面と冷却器との間に、前記回路板の面を前記絶縁膜が覆うようにそれぞれ配置する第2工程とを具備することを特徴とする。また、本発明の半導体モジュールは、金属板が樹脂によりモールドされ、前記金属板の両主面が前記樹脂から露出した一対の金属板モールド体と、半導体素子が樹脂によりモールドされ、前記半導体素子の電極部が前記樹脂から露出した半導体素子モールド体とが、一対の前記金属板間に前記半導体素子が配置されるように積層され、前記半導体素子と前記金属板とが電気的に接続されてなり、前記金属板モールド体は、前記金属板の前記半導体素子と接続されていない側の主面がセラミックスからなる絶縁膜で被覆されており、前記絶縁膜の内部には、前記絶縁膜の厚さ方向の寸法に対して前記金属板の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙が複数存在することを特徴とする。本発明の半導体モジュールの製法は、金属板を、該金属板の両主面が露出するように樹脂によりモールドしてなり、前記金属板の一方の主面にセラミックスからなる絶縁膜を被覆し、かつ前記絶縁膜の内部には、前記絶縁膜の厚さ方向の寸法に対して前記金属板の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙が複数存在する一対の金属板モールド体を準備する第1工程と、前記一対の金属板モールド体の前記絶縁膜が形成されていない側で半導体素子を挟み、前記半導体素子と前記金属板とを電気的に接続する第2工程と、前記一対の金属板モールド体間の前記半導体素子の周囲に樹脂を充填する第3工程とを具備することを特徴とする。本発明によれば、絶縁膜中の残留応力が緩和され、絶縁膜の耐電圧特性が向上するため、高い絶縁信頼性を維持できる。第1の実施形態第1の実施形態である複合体について、図1をもとに説明する。複合体1は、金属板3と、金属板3の少なくとも一方の主面上に設けられた絶縁膜2とを備えている。絶縁膜2は、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素および窒化アルミニウムの少なくとも一種のセラミックス微粒子から構成されたセラミックス層とされている。金属板3は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタン、モリブデンのうち少なくともいずれか一種の金属からなり、特にアルミニウムからなることが望ましい。金属板3の材質は特に限定されるものではなく、熱伝導性が良好な金属であれば良い。また、金属板3は、金属の熱伝導面が主面として露出していれば、樹脂等に埋設された状態でも差し支えなく、露出した金属主面の周囲の樹脂面上に絶縁膜が形成されていてもよい。なお、本明細書でいう金属とは、上述した金属だけに限らず、その金属の合金も含む概念である。絶縁膜2の内部には、絶縁膜2の厚さ方向の寸法に対して金属板3の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙4が複数存在している。このような構成を有することにより、絶縁膜2中に存在する残留応力が緩和され、複合体1に高電圧を印加した際も絶縁膜2の破壊や空隙4の進展拡大による絶縁膜2の剥離を防止できる。なお、ここでいう扁平な空隙とは、図2に示すように、絶縁膜2の厚さ方向における空隙の寸法をA、金属板3の主面に沿う方向における空隙の寸法をBとしたとき、アスペクト比A:Bが1:3以上である空隙をさす。一般的に絶縁膜2中に存在する空隙4は、図8のように絶縁膜2を構成するセラミック粒子5に囲まれた歪な形状を有している。このような形状の空隙でも、絶縁膜2中に存在する残留応力を緩和することは可能だが、絶縁膜2に高電圧を印加した際、歪な形状の空隙4内で局所的な電界集中が起こり、部分放電が発生して絶縁膜2にダメージを与え強度を低下させてしまう。そのため、絶縁膜2の断面において、空隙4全体の占有面積に対して、扁平な空隙4の面積比率が95以上であることが望ましい。扁平な空隙4の面積比率は、絶縁膜2の切断面をイオンエッチングして走査型電子顕微鏡SEMで観察し、画像解析により任意の領域に存在する全ての空隙4の占有面積を算出し、そのうちアスペクト比がA:Bが1:3以上である空隙の面積比率を算出することで確認できる。扁平な空隙4の金属板3の主面に沿う方向の寸法Bは、0.5~10μmであることが望ましい。扁平な空隙4の寸法をこの範囲とすることにより、絶縁膜2中に存在する残留応力の緩和効果が得られるとともに、空隙4が進展することによる絶縁膜2の剥離を防止できる。また、扁平な空隙4の絶縁膜2の厚さ方向の寸法Aは、1μm以下であることが望ましい。これは、絶縁膜2に高電圧を印加した際、絶縁膜2中に存在する空隙4内で発生して絶縁膜2の破壊原因となる部分放電が、絶縁膜2の厚さ方向すなわち電圧印加方向の空隙寸法Aが小さいほど発生しにくいためである。なお、金属板3の主面側から扁平な空隙4を見た場合、最大径が10μm以下の円形または多角形の島状の空隙4が周期的に分布している。空隙4がこのような分布を示すことにより、絶縁膜2中の残留応力の緩和効果が向上する。また、扁平な空隙4は、絶縁膜2の断面10μm×10μmの領域に、10~80個存在していることが望ましい。絶縁膜2の内部に存在する扁平な空隙4の個数は、絶縁膜2の切断面をイオンエッチングしてSEMで観察することで確認できる。扁平な空隙4の個数をこの範囲とすることにより、絶縁膜2中の残留応力の緩和効果がさらに向上するとともに、過剰に存在する空隙が進展して互いに連結することによる絶縁膜2の剥離を防止できる。また、絶縁膜2の厚さは例えば10~100μmであり、エアロゾルデポジション法以下、AD法という場合もある、スパッタリング法等の薄膜法により金属板3の主面上に直接形成される。IGBT等の用途においては、1000V程度の耐電圧特性が求められるが、100V/μmの電界が印加されると扁平な空隙4の内部においても部分放電が発生してしまうため、絶縁膜2は10μm以上の厚さを有する必要がある。また、複合体1の放熱性を良好に維持するために、絶縁膜2の厚さは100μm以下とし、特に60μm以下とすることで、残留応力による絶縁膜2の破壊を効果的に防止できるとともに、成膜に要する時間とコストを削減できる。複合体1は、絶縁膜2を上記のような材質、構造、厚みとすることにより、絶縁性を確保できるとともに、高い機械的強度を得ることができ、さらに良好な熱伝導性を得ることができる。絶縁膜を形成する際、特許文献3に記載されているようなエアロゾルデポジション法で形成すると、0.1~5μm程度の脆性材料微粒子をガス中に均一に分散させたエアロゾルを基板に吹き付けることにより、緻密な絶縁膜が得られるという特徴があり、得られた絶縁膜は焼結体に比べて高い絶縁性能を持つ。エアロゾルの発生について説明する。ガラス瓶にエアロゾルの原料粉末であるセラミックス微粒子を投入し、配管付きの蓋をする。ガラス瓶を振動させながら、ガラス瓶内に分散媒となる気体を吹き込む。分散媒となる気体としては、窒素、ヘリウム、アルゴン、空気などが用いられる。エアロゾルデポジション法により、内部に扁平な空隙4を有する絶縁膜2を形成する場合には、図6に示すように2つのノズル6a、6bを用いて、それぞれ粒子の濃度および速度の異なる2種類のエアロゾルを金属板3となる基板に吹き付けることにより形成できる。ノズル6aは高濃度かつ高速のセラミック粒子5aを噴出し、ノズル6bは低濃度かつ低速のセラミック粒子5bを噴出する。これらのノズル6a、6bが基板上を往復することで、図7aのように緻密な絶縁層2aと疎な絶縁層2bが積層された絶縁膜2を有する複合体1が得られる。ノズル6a、6bから噴出するエアロゾルの濃度は、エアロゾル供給源であるガラス瓶の振幅と周波数により調整できる。すなわち、ノズル6aから噴出するエアロゾルの供給源であるガラス瓶aの振幅を大きく、周波数を高くすることで、ノズル6aから高濃度のエアロゾルを噴出させることができ、ノズル6bから噴出するエアロゾルの供給源であるガラス瓶bの振幅を小さく、周波数を低くすることで、ノズル6bから低濃度のエアロゾルを噴出させることができる。また、ガラス瓶を振動させることによってエアロゾルを発生させているので、ノズルから噴出するエアロゾル濃度は周期的に変化する。疎な絶縁層2bは強度が低いため、緻密な絶縁層2aとの界面から疎な絶縁層2bが剥離する部分が周期的に発生し、図7bのように扁平な空隙4が形成される。なお、疎な絶縁層2bが厚すぎると、疎な絶縁層2b内部に無数の歪な空隙4が形成され、それにより残留応力が緩和されるため、緻密な絶縁層2aとの界面からの剥離が起こらず、扁平な空隙4は形成されない。扁平な空隙4を形成するためには、疎な絶縁層2bの厚さが0.5μm以下となるように、ノズル6bから噴出するエアロゾル濃度を低下させることが重要である。また、緻密な絶縁層2aの厚さは1層あたり5μm以下となるように形成する。緻密な絶縁層2aの1層の厚さが5μmを超えると、扁平な空隙4による残留応力の緩和効果が低下する。緻密な絶縁層2aと疎な絶縁層2bは、それぞれ2層以上積層されていることが望ましい。なお、絶縁膜2の成膜に用いる分散媒としての気体は窒素であることが望ましい。空隙4の内部には成膜に用いた分散媒である気体が封入されており、窒素は他の気体と比較して放電開始電圧が高く、空隙4内での部分放電発生を抑制する効果がある。また、成膜に用いる原料粉末は、あらかじめ500°C以上で加熱処理しておくことが望ましい。原料粉末であるセラミックス微粒子を500°C以上で加熱処理することにより、セラミックス微粒子に付着している有機不純物を除去することができ、絶縁膜中に混入した有機不純物が電圧印加時にガス化することで発生するクラックや、絶縁膜の破壊を防止できる。第2の実施形態第2の実施形態である複合体について、図3をもとに説明する。本発明の第2の実施形態における複合体1では、絶縁膜2の内部に存在する複数の扁平な空隙4が、絶縁膜2の厚さ方向に5μm以下の間隔を置いて整列して扁平な空隙群を形成し、このような扁平な空隙群が金属板3の主面に沿う方向に所定間隔をおいて複数形成されている。このような構成を有することにより、絶縁膜2の厚さ方向で均一に応力が緩和され局所的な応力集中が抑えられるため、さらに絶縁膜2の耐電圧特性が向上する。なお、複数の扁平な空隙4が整列している空隙群とは、図4に示すように、絶縁膜2の断面において、3個以上の扁平な空隙4が絶縁膜2の厚さ方向に互いに5μm以下の間隔をおいて並んでおり、互いに隣接する一組の扁平な空隙4が、金属板3の主面に沿う方向における長さが小さいほうの空隙4の長さB’に対して60以上重なり合っているものをいう。なお、扁平な空隙群同士の間隔は、金属板3の主面に沿う方向において20μm以下であることが望ましい。これにより、金属板3の主面に沿う方向についてもより均一な応力の緩和効果が得られる。このような複合体1は、以下の手順によって作製される。ノズル6bから噴出されるエアロゾルは、ガラス瓶bの振動により一定周期で濃度が変化する。この振幅の周期と基板の往復周期を調整することによって、ノズル6bが基板上を往復移動する時に基板上の同一箇所でエアロゾル濃度が極大となる。その結果、複数の絶縁層が形成される過程で、疎な絶縁層2bが基板上の同一箇所で緻密な絶縁層2aとの界面から剥離し、絶縁膜2の厚さ方向に整列した扁平な空隙群が金属板の主面に沿う方向に所定の間隔をおいて複数形成された絶縁膜2を有する複合体1が得られる。第3の実施形態第3の実施形態である複合体について、図5をもとに説明する。本発明の第3の実施形態における複合体1では、絶縁膜2の内部に存在する扁平な空隙4の寸法が、絶縁膜2の厚さ方向の寸法Aに対し、金属板3の主面に沿う方向の寸法Bが5倍以上である。これにより、さらに絶縁膜2の耐電圧特性が向上する。扁平な空隙4の金属板3の主面に沿う方向の寸法Bを大きくすることにより、絶縁膜2中に存在する残留応力の緩和効果が向上し、絶縁膜2の厚さ方向の寸法Aを小さくすることにより部分放電の開始電圧が高くなる。すなわち、扁平な空隙4の絶縁膜2の厚さ方向と金属板3の主面に沿う方向のアスペクト比A:Bは、1:5以上であることが望ましい。このような、絶縁膜2の内部にアスペクト比の大きい扁平な空隙4を有する複合体1は、基板の往復速度を第1の実施形態および第2の実施形態の場合よりも高速にすることにより作製できる。基板の往復速度を高速にするとことで、より金属板3の主面に沿う方向に長い空隙4を有する絶縁膜2が形成され、所望の複合体1を得ることができる。第4の実施形態第4の実施形態である半導体装置について、図9を用いて説明する。第4の実施形態である半導体装置は、板状の半導体モジュール8の上下に冷却器9を配置して構成されている。半導体モジュール8は、図10、図11に示すように、回路パターン部11aを有する一対の金属からなる回路板11と、該一対の回路板11の回路パターン部11a間に配置され、回路板11における電流の流れを制御する半導体素子10とが樹脂14により一体に成形されて構成されている。すなわち、回路板11は、半導体素子10が電気的に接続される回路パターン部11aと、この回路パターン部11aに接続された配線部11bとから構成されており、回路パターン部11aは、半導体素子10で制御された電流を回路板11に流す経路として機能するとともに、半導体素子10で発生した熱の伝導経路となっている。回路パターン部11aの面は、半導体素子10で発生した熱の伝導経路となっているため、板状の半導体モジュール8の厚み方向の両側の面に露出している。配線部11bは、半導体モジュール8から外部に導出されている。言い換えれば、半導体素子10が回路板11の回路パターン部11aで挟まれ、この状態で、回路板11が回路パターン部11aの半導体素子10と反対側の面が露出するように樹脂モールドされて半導体モジュール8が構成されている。回路板11は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタン、モリブデンの何れか一種の金属からなるもので、特に銅、アルミニウムからなることが望ましい。回路板11の材質は、特に限定されるものではなく、熱伝導性が良好な金属であれば良い。これらの回路板11の厚みは、1~5mmとされている。なお、回路板11は金属からなるものであり、本明細書でいう金属とは、上述した金属だけに限らず、その金属の合金も含む概念である。一対の回路板11の回路パターン11aの間には半導体素子10が配置され、さらに、一対の回路板11間の間隔を確保するため、半導体素子10の上面に、金属からなる導電性スペーサ13が配置されている。半導体素子10には、制御信号を送るための配線12が接続されている。半導体素子10は、下側の回路板11の回路パターン部11aと導電性接着剤で接合され、上側の導電性スペーサ13と導電性接着剤で接合され、導電性スペーサ13と上側の回路板11の回路パターン部11aとが導電性接着剤で接合され、これにより、半導体素子10と上下の回路板11とが電気的に接続されている。導電性スペーサ13も回路板11と同様の金属から形成されている。なお、一対の回路板11間の間隔を確保する必要がない場合には、導電性スペーサ13を設ける必要はなく、この場合には、半導体素子10と上側の回路板11の回路パターン部11aが導電性接着剤で接合されることになる。そして、半導体モジュール1の上下面と冷却器3との間には、図9に示したように、金属からなる熱伝導板3にセラミックスからなる絶縁膜2を形成してなる複合体1が配置されており、複合体1の絶縁膜2が、回路板11の回路パターン11aの半導体素子7と反対側の面を覆っている。この複合体1には、第1~第3の実施形態のいずれかに示した複合体1を用いる。複合体1として、第1~第3の実施形態のいずれかに示した複合体1を用いることにより、より高い絶縁信頼性を確保できるとともに、さらに良好な熱伝導性を得ることができる。熱伝導板3の材質は特に限定されるものではなく、熱伝導性が良好な金属であれば良い。熱伝導板3の厚みは、0.1~5mmとされている。これにより、熱伝導板3を、薄い絶縁膜2の支持体とすることができ、また、絶縁膜2からの熱を冷却器9に十分に拡散することができる。なお、熱伝導板3は金属からなるものであり、本明細書でいう金属とは、上述した金属だけに限らず、その金属の合金も含む概念である。半導体装置は、上記のような板状の半導体モジュール8の上下に、金属からなる冷却器9を配置して半導体装置が構成されている。冷却器9は、半導体モジュール8よりも大きい面積を有するもので、一対の冷却器9で半導体モジュール8を挟み込み、冷却器9に取り付けられた締め付け部材15により一対の冷却器9の間隔を狭めるように締め付け、半導体モジュール8側に冷却器9を押圧することにより、半導体モジュール8と複合体1と冷却器9とが一体となっている。冷却器9は、銅、アルミニウム、鉄の何れか一種の金属からなるもので、特にアルミニウムからなることが望ましい。冷却器9の材質は、特に限定されるものではなく、熱伝導性が良好な金属であれば良い。このような冷却器9は、例えば、内部に冷却流体の通路が形成されて構成されている。また、冷却器9と複合体1の熱伝導板3との間には、熱伝導性を向上するためにグリース16を介在させている。なお、絶縁膜2と冷却器9との間にも、グリースを介在させても良い。図9では、冷却器9間に一つの半導体モジュール8を配置した場合について説明したが、2つ以上の半導体モジュール8を配置しても良いことは勿論である。なお、半導体モジュール8の両側にそれぞれ1個の冷却器9を配置したが、複数の冷却器9を配置して連結してもよい。なお、冷却器9は金属からなるものであり、本明細書でいう金属とは、上述した金属だけに限らず、その金属の合金も含む概念である。以上のように構成された半導体装置の製法について説明する。先ず、半導体モジュール8を準備する。半導体モジュール8は、回路パターン部11aの両面が露出するように樹脂14中に回路板11を埋設して形成されている。半導体モジュール8は、回路板11の回路パターン部11a間に半導体素子10を配置し、さらに半導体素子10の上側に導電性スペーサ13を配置した状態で、例えばインジェクション成形して回路パターン部11aの両面が露出するように樹脂14中に回路板11を埋設して構成される。また、複合体1には、第1~第3の実施形態のいずれかに示したものを使用する。この後、図12に示すように、半導体モジュール8の露出した回路パターン部11aの面と冷却器9との間に、回路パターン部11aの面に絶縁膜2が当接するように複合体1を配置し、図12bに示すように、複合体1に、冷却器9をグリース16を介して配置し、締め付け部材15により一対の冷却器9の間隔を狭めるように締め付け、半導体モジュール8側に冷却器9を押圧することにより、半導体モジュール8と、複合体1と、冷却器9とが一体に固定され、半導体装置を作製することができる。より具体的には、冷却器9にグリースを介して複合体1を配置し、この複合体1上に、絶縁膜2が回路パターン部11aの面に当接するように半導体モジュール8を配置し、この半導体モジュール8の上面に、回路パターン部11aの面に絶縁膜2が当接するように複合体1を配置し、この複合体1に冷却器9をグリース16を介して配置し、締め付け部材15により一対の冷却器9の間隔を狭めるように締め付けて、半導体装置を作製することができる。また、半導体モジュール8の露出した回路パターン部11aの面に、絶縁膜2が当接するように複合体1をそれぞれ配置し、これらの複合体1に、冷却器9をグリース16を介してそれぞれ配置し、締め付け部材15により一対の冷却器9の間隔を狭めるように締め付けた場合にも、半導体装置を作製することができる。このような半導体装置では、半導体モジュール8と、複合体1と、冷却器9とが接合されるのではなく、冷却器9により挟まれて一体となっているので、半導体モジュール8と、複合体1と、冷却器9との間における熱応力を低減することができる。本形態の半導体装置では、絶縁膜におけるクラックの発生を抑制することができ、絶縁信頼性を向上することができる。すなわち、本形態の半導体装置では、金属からなる熱伝導板3にセラミックスからなる絶縁膜2を形成してなる複合体1を作製し、この複合体1の絶縁膜2を半導体モジュール8の回路パターン部11aに位置するように、半導体モジュール8と冷却器9との間に複合体1を介在させたので、薄い絶縁膜2が半導体モジュール8の表面形状に対応して変形し、回路板11と樹脂15との境等に段差が存在していたとしても、絶縁膜2におけるクラックの発生率を殆ど無くすことができ、高い絶縁信頼性を維持することができる。また、絶縁膜2は金属からなる熱伝導板3の主面上に形成されて複合体1が構成されており、支持体となる金属からなる熱伝導板3が変形し易いため、複合体1が変形し易く、絶縁膜2が半導体モジュール8の表面形状に対応してより変形し易くなる。また、複合体1の絶縁膜2は、内部に絶縁膜2の厚さ方向の寸法に対して金属からなる熱伝導板3の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙4を複数有するため、耐電圧特性をさらに向上できる。また、本発明の半導体装置の製法では、半導体モジュールの不良率を低減し、絶縁膜形成不良に伴う損失金額を低減できる。すなわち、本形態の半導体装置の製法では、金属からなる熱伝導板3にセラミックスからなる絶縁膜2を形成してなる複合体1を作製した後、絶縁膜2の形成状態を、例えば、顕微鏡等で確認したり、絶縁膜2上に絶縁抵抗測定用導体を配置し、熱伝導板3と絶縁抵抗測定用導体間の絶縁抵抗を測定し、絶縁膜2の絶縁性を確認した上で、半導体モジュール8に配置することができ、絶縁膜形成不良の複合体1は不良として除去し、絶縁膜形成状態が良好な複合体1を半導体モジュール8に配置し、半導体装置を作製することで、半導体モジュールの不良率を低減し、絶縁膜形成不良に伴う損失金額を低減できる。また、半導体モジュール8の回路パターン部11aに絶縁膜2が位置するように複合体1を配置し、この状態で、絶縁膜2の絶縁抵抗を測定することができ、半導体装置の絶縁信頼性を向上することができる。第5の実施形態第5の実施形態である半導体装置は、図13に示すように、板状の半導体モジュール8の上下面と、冷却器9との間に、金属からなる熱伝導板3の両面にセラミックスからなる絶縁膜2を形成してなる複合体21が配置されており、複合体21の半導体モジュール8側の絶縁膜2が、回路板11の回路パターン11aの半導体素子10と反対側の面を覆っている。図13に示す半導体装置では、図9に記載された半導体装置とは異なり、複合体21の上下面の面積は、半導体モジュール8の上下面の面積よりも広い面積を有しており、複合体21の上下面の中央部に、半導体モジュール8の上下面が位置している。言い換えれば、複合体21の周囲は、半導体モジュール8からはみ出している。このような半導体装置では、複合体21の面積が広いため、露出した回路パターン11aから冷却器までの距離を長くでき、縁面放電を無くすことができる。図13に記載された半導体装置では、複合体21は、金属からなる熱伝導板3の両面にセラミックスからなる絶縁膜2を形成してなるため、複合体21が熱膨張して変形することによる薄い絶縁膜2のクラック発生を防止でき、さらに、複合体21の熱膨張による反りを無くし、複合体21と、半導体モジュール8、冷却器9とを十分に接触させることができ、半導体モジュール8から冷却器9への熱伝導を促進することができ、放熱特性を向上できる。また、冷熱サイクル試験を繰り返した場合にも複合体21が破損することを防止できる。すなわち、金属からなる熱伝導板3の片面だけに絶縁膜2を形成した場合、加熱冷却されると、金属とセラミックスの熱膨張差に起因して複合体21が反ってしまい、冷却器9および半導体モジュール8との接触性が悪くなり、放熱特性が劣化する傾向にある。この場合、締め付け部材15による締め付け力を強くし、複合体21を冷却器9と半導体モジュール8とで押さえつけることも考えられるが、締め付け力を強くしすぎると、冷却器9や半導体モジュール8が破損してしまうおそれがあるため、そこまで強く締め付けることができない。この第5の形態では、締め付け部材15による締め付け力を強くすることなく、複合体21が変形することにより薄い絶縁膜2のクラック発生を防止でき、さらに、複合体21の熱膨張による反りを殆ど無くし、複合体21と、半導体モジュール8、冷却器9とを十分に接触させることができ、半導体モジュール8から冷却器9への熱伝導を促進することができ、放熱特性を向上できる。第6の実施形態第6の実施形態である半導体装置は、図14に示すように、板状の半導体モジュール8の上下面と、冷却器9との間に、金属からなる熱伝導板3の両面にセラミックスからなる絶縁膜2を形成してなる複合体22が配置されており、複合体22の半導体モジュール8側の絶縁膜2が、回路板11の回路パターン11aの半導体素子10と反対側の面を覆っている。そして、複合体22の半導体モジュール8側の絶縁膜2は、熱伝導板3の半導体モジュール8側の面積よりも小さい面積とされており、熱伝導板3の外周よりも内側に形成されており、複合体22の半導体モジュール8側の絶縁膜2は、熱伝導板3の端までは形成されておらず、熱伝導板3の外周部が露出している。このような半導体装置では、熱伝導板3のエッジ端まで絶縁膜2を形成すると、冷熱サイクルに晒されたときに、絶縁膜2の端の部分が剥離しやすいが、第6の形態では、複合体22の半導体モジュール8側の絶縁膜2が、熱伝導板3の端よりも内側に形成されているため、複合体22の半導体モジュール8側の絶縁膜2の端の部分が剥離しにくくなり、冷熱サイクル試験を行った場合にも、エッジ部からの絶縁膜2の剥離が発生しにくくなる。さらに、複合体22の半導体モジュール8側の絶縁膜2が、熱伝導板3の端よりも内側に形成されている場合には、図15に示すように、複合体22の外周部が半導体モジュール8側に湾曲されていることが望ましい。言い換えれば、複合体22の半導体モジュール8側の絶縁膜2が、熱伝導板3の端よりも内側に形成されており、熱伝導板3が露出した部分が、半導体モジュール8側に向けて曲げられていることが望ましい。このような半導体装置では、冷却器9に半導体モジュール8側に突出するバリがある場合、熱伝導板3と冷却器9とが電気的に接触するおそれがあり、この場合、冷却器9側の絶縁膜2が絶縁の役割を果たさなくなってしまうため、絶縁性が低下するおそれがあるが、図15では、半導体モジュール8側の絶縁膜2が、熱伝導板3の外周部に形成されておらず、この熱伝導板3の外周部が半導体モジュール8側に曲がっているため、熱伝導板3が直接冷却器9と接触することを防止でき、絶縁信頼性を向上できる。第7の実施形態第7の実施形態である半導体装置は、図16に示すように、板状の半導体モジュール8の上下面と、冷却器9との間に、金属からなる熱伝導板3の両面にセラミックスからなる絶縁膜2を形成してなる複合体23が配置されており、複合体23の半導体モジュール8側の絶縁膜2が、回路板11の回路パターン11aの半導体素子10と反対側の面を覆っている。そして、図16の複合体23では、熱伝導板3の両面の絶縁膜2は、熱伝導板3の面積よりも小さい面積とされており、熱伝導板3の端よりも内側に形成され、絶縁膜2は、熱伝導板3の端までは形成されていない。言い換えれば、熱伝導板3が、絶縁膜2の端から突出している。このような半導体装置では、熱伝導板3のエッジ端まで絶縁膜2を形成すると、冷熱サイクルに晒されたときに、絶縁膜2の端の部分が剥離しやすいが、第7の形態では、熱伝導板3の両面の絶縁膜2が、熱伝導板3の端よりも内側に形成されているため、複合体23の絶縁膜2の端の部分が剥離しにくくなり、冷熱サイクル試験を行った場合にも、エッジ部からの絶縁膜2の剥離が発生しにくくなる。さらに、熱伝導板3の両面の絶縁膜2が、熱伝導板3の端よりも内側に形成されている場合には、図17に示すように、複合体23の外周部が半導体モジュール8側に湾曲されていることが望ましい。言い換えれば、熱伝導板3が露出した部分が、半導体モジュール8側に向けて曲げられていることが望ましい。このような半導体装置では、冷却器9に半導体モジュール8側に突出するバリがある場合、熱伝導板3と冷却器9とが電気的に接触するおそれがあり、この場合、冷却器9側の絶縁膜2が絶縁の役割を果たさなくなってしまうため、絶縁性が低下するおそれがあるが、図17では、絶縁膜2が熱伝導板3の外周部に形成されておらず、熱伝導板3が半導体モジュール8側に曲がっているため、熱伝導板3が直接冷却器9と接触することを防止でき、絶縁信頼性を向上できる。第8の実施形態第8の実施形態である半導体装置は、図18に示すように板状の半導体モジュール28の上下面に冷却器9を配置して構成されている。第8の実施形態における半導体モジュール28は、図19、図20に示すように、一対の金属板モールド体17a、17b以下、金属板モールド体17ということがあると、半導体素子10が樹脂14bにモールドされた半導体素子モールド体18とが、一対の金属板モールド体17a、17bで挟まれるように積層されて構成されている。一対の金属板モールド体17a、17bは、樹脂14a中に金属からなる回路板11が、その回路パターン部11aの両主面が露出するように埋設されて構成されている。回路パターン部11aは、半導体素子10で制御された電流を配線部11bに流す経路として機能するとともに、半導体素子10で発生した熱の伝導経路となっているため、回路パターン部11aの主面は金属板モールド体17の厚み方向の両側に露出している。金属板モールド体17a、17bの間には、樹脂14bが充填され、半導体素子10とともに半導体素子モールド体18を形成している。すなわち、金属板モールド体17a、17bの間に、半導体素子10が樹脂14bにモールドされた半導体素子モールド体18が挟まれるように積層されている。なお、半導体素子10をモールドする樹脂14bは、金属板モールド体17に使用している樹脂14aよりも柔らかく変形しやすいものであることが望ましい。そして、金属板モールド体17a、17bの半導体素子10と反対側の面には、回路パターン部11aの主面を被覆するように絶縁膜2がそれぞれ形成され、複合体24を形成している。なお、絶縁膜2は、回路パターン部11の樹脂14aから露出した主面と、この露出した主面の周囲の樹脂14a表面に直接形成されている。複合体24の絶縁膜2は、内部に絶縁膜2の厚さ方向の寸法に対して金属板3の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙4を複数有することにより、より高い絶縁信頼性を確保できるとともに、さらに良好な熱伝導性を得ることができる。第8の実施形態である半導体装置は、上記のような板状の半導体モジュール28の上下面に、金属からなる冷却器9を配置して半導体装置が構成されている。冷却器9は、半導体モジュール28よりも大きい面積を有するもので、一対の冷却器9で板状の半導体モジュール28を挟み、冷却器9に取り付けられた締め付け部材15により一対の冷却器9の間隔を狭めるように締め付け、半導体モジュール28側に冷却器9を押圧することにより、半導体モジュール28と冷却器9とが一体となっている。また、冷却器9と複合体24金属板モールド体17a、17bとの間には、熱伝導性を向上するためにグリース16を介在させている。以上のように構成された半導体モジュール28及び半導体装置の製法について説明する。先ず、一対の金属板モールド体17a、17bを準備する第1工程。一対の金属板モールド体17a、17bは、図21aに示すように、樹脂14a中に回路パターン部11aの両主面が露出するように回路板11が埋設されて形成されている。金属板モールド体17a、17bは、例えばインジェクション成形して樹脂14a中に回路パターン部11aの両主面が露出するように回路板11を埋設し、この後、図21bに示すように、金属板モールド体17a、17bの回路パターン部11bの一方の主面をセラミックからなる絶縁膜2で被覆して複合体24が形成されている。複合体24の絶縁膜2は、内部に絶縁膜2の厚さ方向の寸法に対して金属板3の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙4を複数有している。この後、図21cに示すように、一対の金属板モールド体17a、17bの絶縁膜2が形成されていない側で半導体素子10を挟み、半導体素子10と回路パターン部11aとを電気的に接続し第2工程、図22aに示すように、一対の金属板モールド体17a、17b間の半導体素子10の周囲に樹脂14bを充填する第3工程ことで、半導体モジュール28を作製できる。さらに、図22bに示すように、第3工程の後に、半導体モジュール28の絶縁膜2にグリース16を介して冷却器9を配置し第4工程、一対の冷却器9で半導体モジュール28を挟み、冷却器9に取り付けられた締め付け部材15を締め付け、半導体モジュール28側に冷却器9を押圧することにより、半導体モジュール28と冷却器9とを一体に固定し第5工程、半導体装置を作製することができる。このような半導体装置では、半導体モジュール28と冷却器9とが接合されるのではなく、冷却器9により挟まれて一体となっているので、半導体モジュール28と冷却器9との間における熱応力を低減することができる。本形態の半導体装置およびその製法では、一旦、樹脂14a中に回路パターン部11aの両主面が露出した一対の金属板モールド体17a、17bの、回路パターン部11aの一方の主面が絶縁膜2で被覆された複合体24を作製した後、これらの一対の金属板モールド体17a、17bで半導体素子10を挟み込み、次に一対の金属板モールド体17a、17b間の半導体素子10の周囲に樹脂14bを充填して半導体モジュール28を作製するため、複合体24の絶縁膜2の形成状態を、例えば、顕微鏡等で確認したり、絶縁膜2上に絶縁抵抗測定用導体を配置し、回路板11と絶縁抵抗測定用導体間の絶縁抵抗を測定し、絶縁膜2の絶縁性を確認した上で、一対の金属板モールド体17a、17bで半導体素子10を挟み、半導体モジュール28を作製することができ、絶縁膜形成不良の複合体24は不良として除去し、絶縁膜形成状態が良好な複合体24で半導体素子10を挟み、半導体モジュール28を作製することで、半導体モジュールの不良率を低減し、絶縁膜形成不良に伴う損失金額を低減できる。また、複合体24の絶縁膜2は、内部に絶縁膜2の厚さ方向の寸法に対して金属板3の主面に沿う方向の寸法が大きい扁平な空隙4を複数有するため、耐電圧特性を向上できる。さらに、本形態の半導体装置では、金属板モールド体17a、17bでは硬い樹脂14aを用い、一対の金属板モールド体17a、17b間の半導体素子10の周囲に充填される樹脂14bとして柔らかい変形し易いものを用いることにより、金属板モールド体17a、17bに形成された絶縁膜2が平行になっていない場合であっても、締め付け部材15を締め付けることにより、金属板モールド体17a、17b間の樹脂14bが変形し、冷却器9の絶縁膜2への片当たりがなくなり、絶縁膜2の信頼性を向上することができる。金属板3である基板として、20mm×20mm、厚さ2mmの主面が正方形状のアルミニウム基板を用いた。このアルミニウム基板は、片面に鏡面研磨処理を施した。エアロゾルの原料粉末として、平均粒径0.5μmのアルミナ粉末を用いた。これを表1に示す温度で12時間加熱処理した。このアルミナ粉末を、ノズル6a及び6bにそれぞれ接続される450mlのガラス瓶に50gずつ投入し、配管付きの蓋をして、成膜システムにセットした。成膜システムは、成膜が行われる成膜装置と、この成膜装置内のチャンバにエアロゾルを供給するエアロゾル発生装置と、チャンバ内を吸引して負圧にする真空ポンプと、エアロゾル発生装置のガラス瓶に分散媒となる気体を供給する気体供給装置とを具備して構成されている。まず、真空ポンプロータリーポンプおよびメカニカルブースターポンプで、チャンバおよびエアロゾル発生装置を構成するガラス瓶の内部を10Paまで真空引きした。次に、ガラス瓶を左右に振動させながら、ガラス瓶中に気体供給装置から気体以下、成膜ガスともいうを導入することにより、エアロゾルを発生させた。ノズル6aから噴出させるエアロゾルの発生条件として、ガラス瓶aの振幅を1mm、振動周期を1000回/min、成膜ガス流量を10L/minとした。ノズル6bから噴出させるエアロゾルの発生条件は、ガラス瓶の振幅を0.5mm、成膜ガス流量を5L/minとし、ガラス瓶bの振動周期および成膜ガスの種類は表1に示す条件とした。なお、ノズル6a、6bの開口寸法は0.4mm×10mmであり、長方形状の開口部を有する。また、基板3をノズル6a、6bに対して往復移動させ、その条件は振幅10mm、速度および回数は表1に示す条件とした。ノズル6a、6bと基板3との距離は15mmで一定とした。以上の手順により、基板3表面の10mm×10mmの面積に、厚さ50μmのアルミナ絶縁膜2を形成した。なお、ガラス瓶を振動させているため、ガラス瓶が振幅の両端に来たとき、アルミナ粉末の舞い上がる量が最大となり、このときエアロゾル濃度も最大となる。つまり、エアロゾルの濃度は周期的に変化する。たとえば試料No.2の場合、ガラス瓶を600回/minの周期で振動させているので、ノズル6bは1秒間に20回、エアロゾル濃度が極大となる。また、基板3の移動速度が0.1mm/sであるため、基板3上で基板の移動方向5μmごとにエアロゾル濃度が極大となり、その部分で基板3へのアルミナ粒子5bの付着量が多くなり、剥離しやすい絶縁層が形成される部分が周期的に現れる。試料No.2~6においては、基板3の往復移動中に、このような部分が基板3上の同一箇所に出現するので、扁平な空隙が絶縁膜2の厚さ方向に整列する。なお、試料No.7および8ではノズル6bを用いずに、ノズル6aだけを用いて成膜を行った。それ以外の条件は、試料No.1~6と同様である。形成した絶縁膜2の厚さについては、成膜後に複合体1の厚さをマイクロメータで測定し、成膜前に測定していた基板3の厚さを差し引くことで絶縁膜2の厚さを求めた。その結果、いずれの絶縁膜も厚さは50μmだった。絶縁膜2内部の空隙4の形成状態は、各試料の切断面をイオンエッチングし、走査型電子顕微鏡SEMで絶縁膜2の断面を観察することで確認した。空隙4の形状および個数は、倍率3000倍のSEM写真を10箇所撮影し、各写真の任意の10×10μmの領域内に確認できる空隙すべてのアスペクト比A:Bを確認し、アスペクト比が1:3以上のものを扁平な空隙として、その個数の平均値をもとめた。また、空隙4の整列状態については、SEM写真上で絶縁膜2の厚さ方向における空隙間の間隔と重なり状態を測定し、3個以上の扁平な空隙4が絶縁膜2の厚さ方向に5μm以下の間隔を置いて並んでいるとともに、互いに隣接する一組の扁平な空隙4が、金属板3の主面に沿う方向における長さが小さいほうの空隙の長さBに対して60以上重なり合っている扁平な空隙群を抽出し、この扁平な空隙群同士が金属板の主面に沿う方向に所定間隔をおいて複数形成されている場合に扁平な空隙が整列しているものとした。各試料における空隙のアスペクト比、形状、個数および整列状態は表2に記載した。なお、いずれの試料においても、絶縁膜内部の空隙形成状態に、切断面の方向による差異は見られなかった。残留応力の評価では、基板3において絶縁膜2が形成されていない側の表面の変位を、触針式表面粗さ計で測定した。測定した変位量を、測定長さ、基板のヤング率およびポアソン比、基板および絶縁膜の厚さとともにStoneyの式に代入し、絶縁膜の応力を算出し、表2に記載した。なお、測定長さは5mmであった。複合体の絶縁信頼性の評価は、絶縁膜2の表面中央部にφ5の範囲を抜いたマスキングを施し、絶縁膜の表面に白金を蒸着し、φ4のSUS製電極を押し当て、500gの荷重を印加して行った。部分放電の評価では、基板と電極の間に交流電圧を印加して、部分放電開始電圧を測定した。0から2kVまで、10V/sの速度で昇圧し、部分放電が確認された電圧を表2に記載した。絶縁破壊試験では、基板と電極の間に直流電圧1kVを印加して、絶縁膜2が破壊するまでの時間を評価した。なお、電流が0.5mA以上流れた時点で破壊したものとみなし、電圧印加を停止した。試料No.1~6は、絶縁膜の内部に扁平な空隙の存在が確認され、絶縁膜中の残留応力が330MPa以下に緩和され、部分放電開始電圧が0.9kV以上と高く、DC1kV印加時の破壊時間が24時間以上と、高い絶縁信頼性を示すものであった。特に、扁平な空隙のアスペクト比が1:5以上で、絶縁膜の厚さ方向に整列していた試料No.3及び4は、直流電圧1kVを72時間印加し続けても破壊に至らない、非常に絶縁信頼性に優れたものであった。