半導体ウェーハのフォトリソグラフィ用のマスクであって、当該マスクのハンドリング部から突き出た突起部と、マスクアライナ装置により取り扱うために設けられた前記ハンドリング部の外形とを有し、前記突起部の表面が、前記ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられることを特徴とするマスク。前記突起部は円形の形状を有する、請求項1に記載のマスク。前記ハンドリング部の前記表面領域は環状の溝によって規定される、請求項1または2に記載のマスク。前記環状の溝は、前記ハンドリング部の縁端部に向かう斜面を有する、請求項3に記載のマスク。前記環状の溝は、前記ハンドリング部の縁端部に向かう曲面部を有する、請求項3または4に記載のマスク。前記環状の溝は、前記マスクの縁端部に向かうS字形の部分を有する、請求項3~5のうちの一項に記載のマスク。前記ハンドリング部は正方形の形状を有し、前記突起は円形の形状を有する、請求項1~6のうちの一項に記載のマスク。前記ハンドリング部の中央に切り抜き穴が設けられ、前記突起は前記切り抜き穴の中に設けられる、請求項7に記載のマスク。前記ハンドリング部の前記表面からの前記突起の高さは、500~680μmの範囲である、請求項1~8のうちの一項に記載のマスク。前記ハンドリング部の前記表面からの前記突起の高さは、600~650μmの範囲である、請求項9に記載のマスク。フォトリソグラフィマスクを製造する方法であって、前記マスクのハンドリング部の底面に円形の突起を設けるステップであって、前記突起の表面は前記ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられるステップと、前記円形の突起の底面に不透明層を設けるステップと、前記不透明層にパターンを形成するステップとを含むことを特徴とする方法。マスクアライナにマスクを備えるステップが、前記マスクの底面に環状の溝を作成することにより前記円形の突起を設けるステップを含む、請求項11に記載のフォトリソグラフィマスクを製造する方法。前記環状の溝を作成する前記ステップが、前記不透明層にパターンを形成する前記ステップより前に実行される、請求項12に記載の方法。前記不透明層にパターンを形成する前記ステップが、前記環状の溝を作成する前記ステップより前に実行される、請求項13に記載の方法。ウェーハのフォトリソグラフィのための方法であって、ウェーハに、薄化された内側部分および前記ウェーハの支持構造を設けるステップと、前記薄化された内側部分の少なくとも一部をフォトレジスト層で覆うステップと、マスクを設けるステップであって、前記マスクの突起が前記ウェーハの前記内側部分の上面の上に設けられ、また前記マスクのハンドリング部が前記支持構造の上面の上に、異なる高さに設けられるステップと、前記マスクに光源で上方から光を当てるステップと、前記マスクの前記突起を持ち上げて外すステップと、前記フォトレジスト層を処理するステップとを含む方法。半導体ウェーハにリソグラフィを行うための改良型の装置および方法を提供することが、本出願の目的である。特に、先行技術で述べられているように、外側リムの支持構造と、薄化された内側部分とを備えるウェーハのためのリソグラフィを改善する方法および装置に関する。より具体的には、シリコン貫通電極ThroughSiliconVia:TSVウェーハのためのリソグラフィ用の改良型の方法および装置に関する。本出願によると、リムウェーハの内側部分のリソグラフィ処理のための改良型マスクが提供される。内側部分は通常約50~100μmまで薄化される。一般的なマスクを用いると、ウェーハの内側部分の表面からマスクのクロム層までの間隙は、完全接触モードを用いたとして、少なくとも600~650μmである。支持リムとマスクの間のいくらか追加の間隙を用いる場合には、間隙はこの安全マージンだけ広くなる。本出願による改良型マスクは、距離60μm未満の間隙を保たせることにより高解像度のリソグラフィを提供し、これは標準的な適用でよく用いられている。さらに、本出願は、マスクを改良することにより回折を最小限に抑える解決法を提供する一方で、アライナ自体は変更されない。このことは、既存の製品システムを追加コストなしで用いることができるというさらなる利点を有する。本出願によるマスクを有するマスクアライナを用いるさらなる利点は、平行光に基づく簡単な光学構成を提供することであり、したがって投影アライナと比べて安価であり複雑でない。実施形態全体にわたり、本出願は、半導体ウェーハのフォトリソグラフィ用のマスクであって、マスクのハンドリング部から突き出た突起部を備えるマスクを提供する。ハンドリング部の外形は、マスクアライナ装置により取り扱うために設けられる。ハンドリング部は、例えば正方形を用いることにより、マスクアライナ装置に嵌合するように適合される。突起の表面は、ハンドリング部の表面領域とは異なる高さに設けられる。したがって、突起の表面はリムウェーハの内側の薄化された面に近づけることができる。位置合わせを容易にするために、突起部は好ましくは円形である。リムウェーハの支持構造への突起の挿入を容易にするために、円形の突起の半径は、リムウェーハのリムにおける支持構造の半径よりもわずかに小さく作られている。本出願による実施形態では、突起の表面領域と異なる高さにあるハンドリング部の表面領域は、環状の溝によって規定される。環状の溝は、例えばマスクの位置決めを容易にするために、種々の様式で形成してもよい。一実施形態では、溝はハンドリング部の縁端部に向かう斜面を有する。環状の溝は、ハンドリング部の縁端部に向かう曲面部をさらに有してもよい。また環状の溝は、マスクの縁端部に向かうS字形の部分を有してもよい。また溝は、非円形の突起を設けるために環状以外の外形を有してもよい。一実施形態では、ハンドリング部が正方形で、突起が円形の形状をしている。これにより、現行のマスクアライナへの容易な挿入と同時に、ウェーハの簡単な位置合わせが可能になる。また本出願によるマスクは、ハンドリング部の中央に切り抜き穴が設けられ、そこで突起が切り抜き穴内に設けられるように、設計されてもよい。これにより、ハンドリング部を残したまま突起を交換することができる。さらに、本出願によるマスクは、突起が接着等によりハンドリング部に固定される複合構造として設計されてもよい。複合構造は、異なる屈折率を持つ部品を設けるために、または重量および/または製造コストを低減するために異なる材料を使用するために、利用することができる。より具体的な実施形態では、ハンドリング部の表面からの突起の高さは、500~680μmの範囲である。さらなる実施形態では、ハンドリング部の表面からの突起の高さは、600~650μmの範囲である。薄化ウェーハの補強/支持構造の典型的高さは、650~680μmであり、半導体ウェーハの典型的厚さは700μmであり、またウェーハの薄化部分は、より厚かったりより薄かったりすることもあるが、典型的には20~80μmの厚さである。突起の高さは、容易な位置合わせおよび/または優れたリソグラフィ解像度の理由により、補強構造の高さ未満、実質的に同じ、またはそれ以上とすることができる。これについては、図16と関連して以下に述べる。さらに本出願は、フォトリソグラフィマスクを製造する方法を開示する。円形の突起が、マスクのハンドリング部の底面に設けられる。ハンドリング部は、マスクアライナに嵌合するように正方形に形作ることができ、円形の突起よりも大きい水平断面を有することになる。突起の表面は、ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられ、円形の突起の直径は、ウェーハの外側リムにおける支持構造の直径よりわずかに小さい。クロムや銅等の不透明層が円形の突起の底面に設けられ、不透明層にパターンが形成される。さらなる実施形態によると、マスクアライナにマスクを備えるステップは、マスクの底面に環状の溝を作成することにより円形の突起を設けるステップを含む。この実施形態は、立方体の形をした試験片から作られているため、機械加工するのが容易である。さらなる実施形態によると、環状の溝を作成するステップは、不透明層を設けるステップより前、不透明層にパターンを形成するステップより前、あるいは不透明層にパターンを形成するステップより後に実行される。さらに本出願は、リムウェーハ用の低コスト高解像度リソグラフィを提供するウェーハのフォトリソグラフィのための方法を開示する。薄化された内側部分と、外側リムに支持構造とを持つウェーハが提供される。薄化された内側部分の少なくとも一部がフォトレジスト層で覆われる。マスクが、マスクアライナ内に設けられ、マスクの円形の突起がウェーハの内側部分の上面の上になり、マスクのハンドリング部が支持構造の上面の上の異なる高さに設けられるように、位置合わせされる。マスクの円形の突起は、支持構造と境を接する円形の領域に少なくとも部分的に挿入される。マスクは、光源で上部から光を当てられる。マスクの円形の突起は円形の領域から持ち上げて外され、フォトレジスト層はエッチング等により処理される。ウェーハのさらなる処理ステップは、簡潔にするためにここでは言及しない。以下の図を参照し、本出願をより詳細にこれから説明する。図1は、凹部11および支持構造12を有するリムウェーハ10の断面を示す。ウェーハ10の直径は、今日の半導体製造で一般的なように、典型的には8インチ200mmまたは12インチ300mmである。支持構造12の高さは、通常700μmの帯域であり、これはウェーハ10の当所の厚さである。支持構造12は、ウェーハ10のそれぞれの側で約2~3mmの幅を有する。凹部11の底面に形成されるウェーハ10の内側部分13は、約50~100μmの厚さを有し、このことは600~650μmが研削やエッチング等の方法で除去されていることを意味する。本出願によるマスク15の第1の実施形態を図2に示す。マスク15は正方形のハンドリング部16を備える。円形の突起17が正方形のハンドリング部16の底面に設けられる。ハンドリング部16の正方形の形状および突起17の円形の形状は、図2の投影面A-Aへのマスク15の投影図を示す図3で最もよく見える。円形の突起17の表面8は、ハンドリング部16の表面9よりも低い高さに設けられる。円形の突起17は、以下の点を特徴とし、このことは図2において、および図4の拡大断面18において見ることができる。a円形の突起17の直径は、ウェーハ10の薄化された内側部分13の直径よりもわずかに小さい。b円形の突起17の高さは、凹部11の深さとほぼ同じ大きさで、例えば600~650μmである。c突起17の底面はクロム構造20を備える。クロム構造20は、薄化部分13の上面に設けられたレジスト21におけるパターンを規定する。さらにクロム層が、突起17の側壁23に設けられてもよい。同様に、パターン形成されたクロム層が、マスクのハンドリング部16に設けられてもよい。さらなるクロム層が、図4には示されていないが、マスクのさらなる実施形態を示す図15で見ることができる。有利には、マスクのハンドリング部16は、現行のマスクアライナとの互換性を可能にするため標準的なマスクと実質的に同じ寸法である。本出願によるマスクを用いることにより、マスク15の円形の突起17は、ウェーハ10の薄化された内側部分13に密着させることができる。本出願の実施形態によると、マスク15のハンドリング部16は、マスク15のリムにおける支持構造12と接触しない。突起17を内側部分13の近くに配置することにより、回折を最小限に抑えることができる。このことで高解像度のリソグラフィが可能になり、これにより小さい特徴でも高精度で再現することができる。本出願による別の実施形態のマスク15’を図5に示す。図5の実施形態では、正方形のマスク15’は、マスク15’の底面にリング状の溝25を含む。リング状の溝25は、マスク15’の底面を内側の円形突起17と外側の縁端部分19に分割する。図6では、溝25のリング形状が破線で示されている。図7で見ることができるように、溝25は、外側の支持リム12が溝25に嵌合するように形成されている。溝25の側面および底面は、図5には示されていないが、クロム層で完全にまたは部分的に覆われてもよい。このクロム層にパターンを形成してもよい。これにより、マスク15’のハンドリング部16がウェーハ10の薄化された内側部分13に密着するまで、マスク15’全体をウェーハ10上に下げることができる。溝25は、クロム層が塗布される前に、クロム層にパターンが形成される前に、あるいはクロム層にパターンが形成された後に、作成することができる。図7~9は、図5~6のマスクのさらなる発展形を示す。簡略にするため、マスクは同じ参照番号15’’で示す。溝25は、フライス削りによる応力を最小限に抑えるために、またクロム層の構成用のいかなるレジストのより優れたスピニング加工をも可能にするために、様々な形状25’、25’’、25’’’をとることができる。図7は、本出願によるさらなる実施形態のマスク15’’の断面を示す。図9は、図7の実施形態の拡大部分およびこの実施形態の変形例の拡大部分を示す。ここで、変形例aは、マスク15’’の縁端部分19に向かう斜面を有する溝25’を含む。変形例bは、マスク15’’の縁端部分19に向かう曲面部を有する溝25’’を含む。変形例cは、マスク15’’の縁端部分19に向かうS字形の部分を有する溝25’’’を含む。さらなる実施形態のマスク15’’’を図10に示す。図11は、図10のマスク15’’’の投影面D-Dへの投影図を示す。図7の実施形態では、マスク15’’’は上部の正方形のハンドリング部16’’’および下部の円形の突起17’を含む複合物として設計されている。さらなる実施形態のマスク15’’’’を図12に示す。図13は、図12のマスク15’’’’の投影面E-Eへの投影図を示す。図7の実施形態では、マスク15’’’’は、ハンドリング部16’’’’の中央に切り抜き穴26を有する正方形のハンドリング部16’’’’からなる複合物として設計されている。ハンドリング部16’’’’における切り抜き穴26の直径は、ウェーハ10の薄化された内側部分13の直径よりもわずかに小さい。この切り抜き穴26の中に、円形のディスク17’’が配置され、図12には示されていないが、ディスク17’’は底面にクロム構造を有する。円形のディスク17’’の厚さは、円形のディスク17’’の下部がハンドリング部16’’’’から突き出るように、ハンドリング部16’’’’よりも大きい。複合物のマスク15’’’’がウェーハ10上に下ろされると、マスク15’’’’の突出しているディスク17’’がウェーハ10の薄化された内側部分13に密着することができる。以下でマスク15と呼ぶ全てのマスク15~15’’’に対して、クロム層およびこの層のパターン形成に関してさらなる変形が可能である。ウェーハ10の薄化された内側部分13に密着する突起17は、マスクの円形部とも呼ばれる。円形部を担持するマスク15のハンドリング部16~16’’’’は、マスク15の正方形部とも呼ばれる。ハンドリング部はマスクアライナに嵌合する形状を備える。典型的には正方形をしているが、長方形や他の形状で設けられてもよい。さらに側壁が、円形部から正方形部への移行領域であるマスク15の領域として画定される。有利には、構造化されたクロム層が、フォトリソグラフィを可能にするために円形部に設けられる。好みに応じて、正方形部はクロム層を有していても、いなくてもよい。1.ポジ型レジスト21、21’が使用される場合、レジスト21、21’が支持リム12において完全に除去されると、クロム層20、20’は正方形部には必要とされない。2.ポジ型レジスト21、21’が使用される場合、レジスト20、21’が支持リム12に残ると、正方形部に構造化されていないクロム層20、20’が必要であり、これにより光は正方形部を通過しない。3.ネガ型レジスト21、21’が使用される場合、上記の考慮事項が当てはまるが、反対の分布のクロム層20、20’を伴う。すなわち、レジスト21、21’が残る場合、クロム層20、20’は必要とされず、レジスト21、21’が除去される場合、完全な構造化されていないクロム層20、20’が必要である。4.レジスト21、21’ポジ型またはネガ型が、例えばテスト構造のために、構造化されている場合、マスク15の正方形部は構造化されたクロム層20、20’を持たなければならない。同様の変形をマスク15の側壁に行うことができる。プロセスの好みに応じて、この領域はクロム20、20’で覆うか、あるいは無いままとすることができる。図14および15は、例として、円形部17’の底面におけるクロム層20、20’およびウェーハ10の上面におけるレジスト層21’の2つの設計を示す。図14によると、クロム層は、マスクの円形部17’の底面部を覆う。レジスト層21’は、薄化部分13、支持構造12の内側の側壁、および支持構造12の上面を覆う。図15によると、クロム層20’はマスクの円形部17’の側壁の底面を覆う。クロム層20’の一部分27が、円形部17’の外側のハンドリング部16’’’の底面部を覆う。図14と同様に、レジスト層21’が、ウェーハ10の薄化部分13と内側の側壁を覆い、レジスト21’の一部分28が支持構造12の上面を覆う。さらなる変形例a、b、c、dを図16に示す。これらの変形例は先に述べた全ての実施形態に当てはまる。簡略にするため、マスク15の種々の実施形態をマスク15と呼ぶ。マスク15の円形底部17の厚さに応じて、マスク15とウェーハ10の間の接触モードに関しては、所望の適用に合わせることができるいくつかのバリエーションが実現できる。変形例a、b、c、dは、マスク15、15’、15’’が正方形部16、16’、16’’および円形部17を持つ単一の部品からなる図2~9の実施形態とともに、マスク15’’’、15’’’’が正方形部16’’’、16’’’’および円形部17’、17’’を持つ2つの部品からなる図10~13の実施形態に当てはまる。aマスク15の円形部17は、ウェーハ10の凹部13よりも薄い。この場合、マスク15の正方形部16はウェーハ10の支持リム12と接触することができる一方、マスク15の円形部17はウェーハ10の薄化された内側部分13に全く接触しない。したがって、正確な高さの間隙を提供することができる。bマスク15は、ウェーハ10のいずれの部分にも接触しないようにマスクアライナに固定される。したがって、機械的な接触は避けられる。c円形部17がウェーハの凹部11よりも厚い場合、マスクの円形部17は、マスク15の正方形部がウェーハ10に全く触れないようにして、ウェーハ10の中央の薄化部分13に直接接触することができる。この構成は完全接触モードとも呼ばれる。d円形部17が凹部11と同じ厚さである場合、マスク15の両方の部位がウェーハ10と直接接触する。