負荷1のための電源装置であって、前記電源装置は、直流電圧源2と、複数のスイッチングステージ3と、制御装置4と、を備えており、前記スイッチングステージ3は、前記直流電圧源2と、前記負荷1と、前記制御装置4と、に接続され、前記負荷1は、前記制御装置4による前記スイッチングステージ3の対応する作動に基づいて、前記直流電圧源2に接続可能であり、前記スイッチングステージ3は、それぞれ電界効果トランジスタ5と、各電界効果トランジスタ5に逆向きに並列接続された複数のフリーホイールダイオード9、9’と、を有しており、前記電界効果トランジスタ5は、カットオフ周波数fGを有し、前記電界効果トランジスタは、前記カットオフ周波数までは最大限に動作可能であり、各フリーホイールダイオード9、9’は、回復時間Tを有している電源装置において、各スイッチングステージ3に関して、各電界効果トランジスタ5に逆向きに並列接続された全てのフリーホイールダイオード9、9’の回復時間Tが、各電界効果トランジスタ5の前記カットオフ周波数fGの逆数に、少なくとも略一致していること、及び、前記制御装置4が、前記スイッチングステージ3を、少なくとも一時的に作動させ、不整合によって出力が前記スイッチングステージ3に反射して戻ってくること、を特徴とする電源装置。前記スイッチングステージ3と前記負荷1との間には、不整合を回避するための整合回路が配置されていないことを特徴とする請求項1に記載の電源装置。前記電界効果トランジスタ5は、接合型電界効果トランジスタとして形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電源装置。前記電界効果トランジスタ5及び/又は前記フリーホイールダイオード9、9’のための半導体材料として、炭化ケイ素又は窒化ガリウムが用いられることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電源装置。複数の前記スイッチングステージ3の内少なくとも1つについて、各電界効果トランジスタ5に逆向きに並列接続された複数のフリーホイールダイオード9、9’の内1つが、各電界効果トランジスタ5に関連して、外部に配置されたフリーホイールダイオード9’として形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電源装置。複数の前記スイッチングステージ3の内の少なくとも1つについて、各電界効果トランジスタ5に逆向きに並列接続された複数のフリーホイールダイオード9、9’の内1つが、各電界効果トランジスタ5に組み込まれていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電源装置。前記スイッチングステージ3は、少なくとも部分的に並列に接続されており、前記並列接続されたスイッチングステージ3と前記負荷1との間には、電力結合器10が配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電源装置。前記スイッチングステージ3は、少なくとも部分的に、ペアで直列に接続されており、前記ペアは、それぞれのペアの両方のスイッチングステージ3の間に配置された開始点11を介して、前記負荷1に接続されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電源装置。前記スイッチングステージ3は、少なくとも部分的にペアで、サークロトロンCirclotronのようなプッシュプル増幅器を形成するように組み合わされていることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の電源装置。前記負荷1が、前記制御装置4によって前記スイッチングステージ3を通じてパルスを与えられて、前記直流電圧源2に接続されることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の電源装置。前記直流電圧源2は、ネットワークから供給を受ける整流器13を有しており、前記整流器13と前記スイッチングステージとの間には、複数のバッファコンデンサ14が配置されていることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の電源装置。前記負荷1が、粒子加速器の空洞共振器として形成されていることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の電源装置。本発明の課題は、容易に構築可能であるが、それにも関わらず、カットオフ周波数に近い領域までの高い周波数で動作可能な電源装置を創出することにある。本課題は、請求項1の特徴を備える電源装置によって解決される。本発明に係る電源装置の有利な構成は、従属請求項2から11の対象である。本発明によると、冒頭に述べた種類の電源装置は、‐各スイッチングステージに関して、各電界効果トランジスタに逆向きに並列接続された全てのフリーホイールダイオードの回復時間が、各電界効果トランジスタのカットオフ周波数の逆数に、少なくとも略対応していること、及び、‐制御装置が、スイッチングステージを、少なくとも一時的に作動させ、不整合によって出力が反射してスイッチングステージに戻ってくること、によってさらに構成される。負荷に向かう方向において、スイッチングステージに整合回路が後置されていても良い。しかしながら、本発明に係る構成においては、不整合を回避するためのこのような整合回路は必ずしも必要ではない。また、スイッチングステージと負荷との間には、不整合を回避するための整合回路が配置されていなくても良い。電界効果トランジスタは、好ましくは、接合型電界効果トランジスタJFETとして形成されている。接合型電界効果トランジスタは、特にいわゆるMESFETMeS=金属半導体を含む。半導体材料としては、特に、炭化ケイ素SiCと窒化ガリウムGaNとが考慮の対象になる。スイッチングステージを少なくとも部分的に並列に接続することができる。この場合、並列に接続されたスイッチングステージと負荷との間には、一般的に、電力結合器が配置されている。同じく、スイッチングステージを少なくとも部分的に、ペアで直列に接続することもできる。この場合、当該ペアは、それぞれのペアの両方のスイッチングステージの間に配置された開始点を介して、負荷に接続されている。同じく、スイッチングステージをペアで、サークロトロンCirclotronのようなプッシュプル増幅器を形成するように組み合わせても良い。複数のスイッチングステージの内少なくとも1つについて、各電界効果トランジスタに逆向きに並列接続された複数のフリーホイールダイオードの内少なくとも1つを、各電界効果トランジスタに関連して、外部に配置されたフリーホイールダイオードとして形成することが可能である。この措置は、各電界効果トランジスタが、一体型フリーホイールダイオードを有していない場合、やむを得ないものである。しかしながらまた、当該措置は、各電界効果トランジスタが一体型フリーホイールダイオードを有している場合、任意で実現可能である。同じく、複数のスイッチングステージの内少なくとも1つについて、各電界効果トランジスタに逆向きに並列接続された複数のフリーホイールダイオードの内1つを、各電界効果トランジスタに組み込むことが可能である。この場合、外部に配置されたフリーホイールダイオードは不要である。しかしながら、当該フリーホイールダイオードは存在していても良い。一般的に、各電界効果トランジスタには、正確に1つのフリーホイールダイオードが逆向きに並列接続される。さらに、一般的に、全てのスイッチングステージは、外部のフリーホイールダイオードと同じか、又は、一体型フリーホイールダイオードと同じように構成される。しかしながら、原則的に、任意の混合形態及び組合せが可能である。本発明に係る電源装置の構成は、特に負荷が制御装置によってスイッチングステージを通じてパルスを与えられて、直流電圧源に接続される場合に有利である。一般的に、直流電圧源は、ネットワークから供給を受ける整流器を有している。この場合、好ましくは、整流器とスイッチングステージとの間に、複数のバッファコンデンサが配置されている。本発明に係る電源装置は、原則的に、任意の負荷において用いることができる。好ましい適用事例は、当該負荷が粒子加速器特に線形加速器の空洞共振器として形成されている場合である。さらなる利点及び詳細は、以下の図を用いた実施例の説明から明らかになる。図1によると、負荷1のための電源装置は、直流電圧源2と、複数のスイッチングステージ3と、制御装置4と、を有する。スイッチングステージ3は、直流電圧源2と、負荷1と、制御装置4とに接続されている。それによって、負荷1は、制御装置4によるスイッチングステージ3の対応する作動に基づいて、直流電圧源2に接続可能である。スイッチングステージ3の数は、必要に応じて選択され得る。いくつかの場合では、スイッチングステージ3は1つのみで十分である。この場合、唯一のスイッチングステージ3は、好ましくは図2に従って接続されている。図2によると、スイッチングステージ3は電界効果トランジスタ5を有している。電界効果トランジスタ5には、直流電圧源2の方向においてバッファコンデンサ6が前置されている。直流電圧源2から電界効果トランジスタ5への導線7は、インダクタンス8を有している。しかしながら、このインダクタンス8に該当するのは、それ自体が設けられたインダクタンスではなく、導線7に基づいてそれ自体すでに存在しており、回避不可能な寄生インダクタンスである。電界効果トランジスタ5にはさらに、内部にすなわち、電界効果トランジスタ5に組み込まれてフリーホイールダイオード9が逆向きに並列接続されている。それとは別の選択肢として、又は、それに加えて、電界効果トランジスタ5には、外部のフリーホイールダイオード9’を逆向きに並列接続しても良い。この外部のフリーホイールダイオード9’は、図2では、破線で示されている。スイッチングステージ3を1つのみ設ける場合とは別の選択肢として、複数のスイッチングステージ3を設けても良い。例えば、図3の描写のように、複数のスイッチングステージ3を並列に接続することができる。この場合、並列に接続されたスイッチングステージ3と負荷1との間には、電力結合器10が配置されている図1も参照のこと。電力結合器10は、例えば一般的な90度ハイブリッド又は180度ハイブリッドとして形成され得る。複数のスイッチングステージ3が並列に接続されている場合、スイッチングステージ3を制御装置4によって同時に作動させることができる。それとは別の選択肢として、スイッチングステージ3を時間的にずらして、特に交互に作動させることが可能である。並列接続とは別の選択肢として、スイッチングステージ3が複数の場合、スイッチングステージを図4に従って、ペアで直列に接続することができるいわゆるトーテムポール配置。この場合、当該ペアは開始点11を介して、負荷1に接続されている。開始点11は、当該ペアの両方のスイッチングステージ3の間に配置されている。図4によると、さらにバッファコンデンサ6のペアが1つ存在している。これらのバッファコンデンサは、スイッチングステージ3と同様に、直列に接続されている。両方のバッファコンデンサ6の間には、さらなる開始点11’が配置されており、当該開始点を介して、バッファコンデンサ6の直列接続が同じく負荷1に接続されている。図4の構成でも、スイッチングステージ3はそれぞれ電界効果トランジスタ5を有しており、当該電界効果トランジスタには、1つずつのフリーホイールダイオード9が逆向きに並列接続されている。図4に示されているのは、図2と同様に、内部のフリーホイールダイオード9である。図2と同様に、内部のフリーホイールダイオード9とは別の選択肢として、又は追加的に、外部のフリーホイールダイオード9’が存在していても良い。外部のフリーホイールダイオード9’は、図4では破線で示されている。図3と同様に、複数のペアが存在していても良い。当該ペアは互いに並列接続されている。この構成は図示されていない。この場合、図3と同様に、電力結合器が存在しており、当該電力結合器は、開始点11、11’と負荷1との間に配置されている。電力結合器は、図3と同様に構成され得る。さらに図3と同様に、この場合、当該ペアは制御装置4によって、同時又は時間的にずらされて、特に交互に、作動され得る。再び、直列接続とは別の選択肢として、図5に従って、2つのスイッチングステージ3を、サークロトロンのようなプッシュプル増幅器を形成するように組み合わせても良い。図5は、このようなプッシュプル増幅器の好ましい構成を示している。当該構成においては、プッシュプル増幅器のスイッチングステージ3は、図2とは対照的に、物理的に存在するインダクタンス12を通じて接続されている。図5の構成においても、スイッチングステージ3に前置されたバッファコンデンサ6が存在する。さらに、図5の構成においても、スイッチングステージ3は電界効果トランジスタ5を有しており、当該電界効果トランジスタには、フリーホイールダイオード9が逆向きに並列接続されている。フリーホイールダイオード9は、図5によると、内部のフリーホイールダイオードとして形成されている。それとは別の選択肢として、又は、それに加えて、外部のフリーホイールダイオード9’が存在していても良い。外部のフリーホイールダイオード9’は、図5では破線で示されている。図3と同様に、サークロトロンのようなプッシュプル増幅器を複数、図5に示したように、互いに並列接続することも可能である。この場合もまた、電力結合器が設けられている。当該電力結合器は、プッシュプル増幅器と負荷1との間に配置されている。図3の構成と同様に、この場合、同時又は時間的にずらして特に交互に、プッシュプル増幅器を動作させることができる。図6では再び、単独のスイッチングステージ3を、分離して、すなわち付属する回路を伴わずに示している。図6に関する以下の説明は、図1から図5のスイッチングステージ3のそれぞれに有効である。図6によると、各電界効果トランジスタ5は、カットオフ周波数fGを有している。電界効果トランジスタ5のカットオフ周波数fGは、当該電界効果トランジスタが、その周波数までは最大限に動作できる周波数である。各電界効果トランジスタ5が、比較的大きな周波数を切り替えることはもはや不可能である。カットオフ周波数fGは、電界効果トランジスタ5に制御装置4によって供給される制御信号Sが正弦波であり、カットオフ周波数fGを有する場合に、制御信号Sのレベル変化に対応する電界効果トランジスタ5の出力信号のレベル変化が、63=1-1/e、e=オイラー数=2.718...まででのみ生じることによって決定されている。この場合、100と表記されるのは、制御信号Sの低周波での変化、さもなければ均質な変化に際して生じる、出力信号の対応するレベル変化である。さらに、スイッチングステージ3のフリーホイールダイオード9、9’にも当てはまるが、各ダイオードは、回復時間Tを有している。回復時間Tは、ダイオードが伝導状態にあるという前提において、順方向に向けられた電圧がターンオフされた後から、ダイオード9のpn接合の電荷が再び乏しくなるまで、すなわち、pn接合が再び形成されるまでの時間である。当該回復時間Tは、先行技術では一般的に、切替時間、逆方向回復時間、又は遮断回復時間とも表記される。英語では一般的に逆方向回復時間reverserecoverytimeという概念が用いられ、trrと略される。本発明によると、各スイッチングステージ3に関して、電界効果トランジスタ5と、フリーホイールダイオード9又は9’は、互いに調整されており、それによって、フリーホイールダイオード9、9’の回復時間Tは、少なくとも概ね、電界効果トランジスタ5のカットオフ周波数fGの逆数に対応している。すなわち、少なくとも概ね、以下の関係が有効である。T=1/fGまたはfGT=1前記関係は、各電界効果トランジスタ5に逆向きに並列接続された全てのフリーホイールダイオード9、9’に適用される。前記関係からの些少の逸脱は許容されている。しかしながら、少なくとも上方すなわち、回復時間Tがより長くなる方向へ3倍は2倍のほうが良いが、超過しない方が良い。前記関係を満たすための方法は、必要に応じて選択され得る。例えば、図6に係る電界効果トランジスタ5は、接合型電界効果トランジスタJFETとして形成され得る。接合型電界効果トランジスタは、特にいわゆるMESFETを含む。接合型電界効果トランジスタは、極端に回復時間Tが短い内部のフリーホイールダイオード9を有しているか、内部のフリーホイールダイオードを全く有していない。最初に挙げた場合では、内部のフリーホイールダイオード9は、本発明に基づいて利用可能である。2番目に挙げた場合では、十分に高速な外部のフリーホイールダイオード9’を用いなければならない。電界効果トランジスタ5及び/又はフリーホイールダイオード9、9’のための半導体材料として、好ましくは炭化ケイ素SiC又は窒化ガリウムGaNが用いられる。上記で、図6に関連して説明したスイッチングステージ3の構成に基づいて、制御装置4がスイッチングステージ3を少なくとも一時的に作動させ、不整合によって出力がスイッチングステージ3に反射して戻ってくることが可能である。なぜなら、フリーホイールダイオード9、9’が存在するので、反射した出力は、直流電圧側すなわち直流電圧源2に向かってに戻るように供給されるからである。それにもかかわらず、フリーホイールダイオード9、9’の回復時間Tが極端に短いので、フリーホイールダイオード9、9’が短絡する危険は生じない。短絡は、電源装置の破損につながり得るものである。出力は、例えば負荷1から反射して戻ってくることができる。このような出力反射の原因として考えられるのは、スイッチングステージ3と負荷1との間に、このような出力反射の回避に用いられる整合回路が配置されていないことである。ただし、別の選択肢として、このような整合回路を1つ設けても良い。しかしながら、この場合、負荷1のいくつかの動作状態において、特に出力の反射が生じ得る。それとは別の選択肢として、又は、それに加えて、電力結合器、例えば図3の電力結合器10が存在する場合、そこで出力が反射され得る。ここでも、出力反射は同じ原因を有している。すなわち、整合回路の欠如、又は、いくつかの動作状態における整合回路の不完全な作用である。整合回路が存在するにもかかわらず、出力がスイッチングステージ3に反射して戻される場合は、特に、負荷1が制御装置4によってスイッチングステージ3を通じてパルスを与えられて、直流電圧源2に接続されるときに生じる。パルス接続は、図2において象徴的に示されている。パルス接続は、自明のことながら、図3、図4、図5の構成において、並びに、複数のペアの並列接続、及び、複数のサークロトロンのようなプッシュプル増幅器の並列接続においても可能である。直流電圧源2は、必要に応じて形成され得る。一般的に、図1に係る直流電圧源2は、ネットワークから供給を受ける整流器13を有している。さらに、整流器13とスイッチングステージ3との間には、一般的に、複数のバッファコンデンサ14が配置されている。ネットワークから供給を受ける整流器13に直接後置されているバッファコンデンサ14は、図2から図5のバッファコンデンサ6と同一であっても良い。別の選択肢として、追加的なコンデンサが関連する。負荷1も同様に、必要に応じて形成され得る。図1によると、負荷1は、粒子加速器特に線形加速器の空洞共振器として形成されている。本発明は、多くの利点を有している。特に、出力密度と全出力とが大きい電源装置を製造することが可能である。上記の記載は、専ら本発明の解説に用いられる。これに対して、本発明の権利範囲は、専ら添付の請求項によって決定されるべきである。