"ビーム放射型半導体素子用の少なくとも1つの変換プレート片4を作製する方法において、2層式テンプレート1を用いて、基本材料3および当該基本材料に含まれる変換材料を基板2上に被着する、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記基本材料3および当該基本材料に含まれる変換材料を印刷法によって被着する、ことを特徴とする方法。請求項1または2に記載の方法において、前記テンプレート1は、少なくとも1つの開口部10を有しており、該開口部を通して前記基本材料3および当該基本材料に含まれる変換材料を前記基板2に押し付ける、ことを特徴とする方法。請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法において、前記テンプレート1は、印刷面15および載置面14を有する、ことを特徴とする方法。請求項4に記載の方法において、前記印刷面15は、ニッケル組織構造部を有する、ことを特徴とする方法。請求項4または5に記載の方法において、前記基本材料3および当該基本材料に含まれる変換材料を、前記印刷面15に被着し、引き続いてスキージ7を用い、前記テンプレート1を通して前記基板2上に押し付ける、ことを特徴とする方法。請求項3を引用する請求項4から6までのいずれか1項に記載の方法において、前記載置面14における前記開口部10の形状により、前記変換プレート片4の形状を決定する、ことを特徴とする方法。請求項3を引用する請求項4から7までのいずれか1項に記載の方法において、前記開口部10は、前記印刷面15に格子構造部12を有する、ことを特徴とする方法。請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法において、前記テンプレート1は、前記基本材料3を被着する際に前記基板2と直接接触して配置される、ことを特徴とする方法。請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法において、前記変換プレート片4を、60μm以上170μm以下の厚さで作製する、ことを特徴とする方法。請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法において、共通の1つの方法において複数の変換プレート片4を作製し、共通の1つのステップにおいて印刷法を用いて当該複数の変換プレート片4を前記基板2上に被着する、ことを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、前記テンプレート1は、複数の開口部10を有しており、当該開口部により、変換プレート片4の前記形状をそれぞれ決定する、ことを特徴とする方法。請求項3,4,8および10に記載の方法において、前記基板2および前記変換プレート片4には、ビーム放射型半導体素子が設けられていない、ことを特徴とする方法。基本材料3および当該基本材料に埋め込まれる変換材料を有する、ビーム放射型半導体素子用の変換プレート片4において、前記変換プレート片4の厚さD2は、60μm以上かつ170μm以下である、ことを特徴とする変換プレート片4。請求項14に記載の変換プレート片において、前記基本材料3における前記変換材料の割合は、55重量と70重量の間であり、および/または、前記基本材料3はシリコーンを含む、ことを特徴とする変換プレート片。"