"式Aで表される繰り返し単位と式Bで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。式A及び式B中、Q及びRは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は式2で表される基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるQは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるRは、同一でも相異なっていてもよい。2式2中、m1は、0~6の整数を表し、m2は、0~6の整数を表す。R’は、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。式1で表される繰り返し単位を含む高分子化合物。1式1中、Q及びRは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は式2で表される基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるQは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるRは、同一でも相異なっていてもよい。2式2中、m1は、0~6の整数を表し、m2は、0~6の整数を表す。R’は、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。一対の電極と、該電極間に設けられた機能層とを有し、該機能層が電子受容性化合物と請求項1又は2に記載の高分子化合物とを含む有機光電変換素子。機能層中に含まれる電子受容性化合物の量が、高分子化合物100重量部に対して、10~1000重量部である請求項3に記載の有機光電変換素子。電子受容性化合物が、フラーレン誘導体である請求項3又は4に記載の有機光電変換素子。ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層と、ゲート電極とを備え、前記有機半導体層に請求項1又は2に記載の高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ。しかしながら、上記高分子化合物は、長波長の光の吸収が十分でないという課題がある。そこで、本発明は長波長の光の吸光度が大きい高分子化合物を提供することを目的とする。即ち、本発明は第一に、式Aで表される繰り返し単位と式Bで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物を提供する。式A及び式B中、Q及びRは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は式2で表される基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるQは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるRは、同一でも相異なっていてもよい。2式2中、m1は、0~6の整数を表し、m2は、0~6の整数を表す。R’は、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。本発明は第二に、式1で表される繰り返し単位を含む高分子化合物を提供する。1式1中、Q及びRは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は式2で表される基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるQは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるRは、同一でも相異なっていてもよい。2式2中、m1は、0~6の整数を表し、m2は、0~6の整数を表す。R’は、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。本発明は第三に、一対の電極と、該電極間に設けられた機能層とを有し、該機能層が電子受容性化合物と前記高分子化合物とを含む有機光電変換素子を提供する。本発明は第四に、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層と、ゲート電極とを備え、前記有機半導体層に前記高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタを提供する。本発明の高分子化合物は、長波長の光の吸光度が大きいため、極めて有用である。以下、本発明を詳細に説明する。<高分子化合物>本発明の高分子化合物は、式Aで表される繰り返し単位と式Bで表される繰り返し単位とを含む。式A及び式B中、Q及びRは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基又は式2で表される基を表す。これらの基に含まれる水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。複数個あるQは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるRは、同一でも相異なっていてもよい。2式2中、m1は、0~6の整数を表し、m2は、0~6の整数を表す。R’は、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Q又はRで表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、iso-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基、n-ペンタデシル基、n-オクタデシル基が挙げられる。アルキル基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。フッ素原子で水素原子が置換されたアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が挙げられる。Q又はRで表されるアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、iso-プロポキシ基、ブトキシ基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基が挙げられる。アルコキシ基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。フッ素原子で水素原子が置換されたアルコキシ基としては、例えば、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基が挙げられる。Q又はRで表されるアリール基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から、水素原子1個を除いた原子団である。アリール基には、ベンゼン環を含む基、芳香族性を有する縮合環を含む基、2個以上のベンゼン環又は芳香族性を有する縮合環が直接結合した構造を有する基、2個以上のベンゼン環又は芳香族性を有する縮合環がビニレン等の基を介して結合した基などが含まれる。アリール基の炭素数は、6~60であることが好ましく、6~30であることがより好ましい。アリール基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。アリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基が挙げられる。芳香族炭化水素が有していてもよい置換基としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキル基、アルコキシ基が挙げられる。該アルキル基及びアルコキシ基の具体例は、Rで表されるアルキル基及びアルコキシ基の具体例と同じである。Q又はRで表されるヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物から、水素原子1個を除いた原子団である。ヘテロアリール基としては、例えば、チェニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられる。ヘテロアリール基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。芳香族複素環式化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルキル基、アルコキシ基が挙げられる。該アルキル基及びアルコキシ基の具体例は、Rで表されるアルキル基及びアルコキシ基の具体例と同じである。式2で表される基において、m1は、0~6の整数を表し、m2は、0~6の整数を表す。R’は、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。R’で表されるアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の定義及び具体例は、Rで表されるアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の定義及び具体例と同じである。式2で表される基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Q又はRが、アルキル基又はアルコキシ基である場合、高分子化合物の溶媒への溶解性の観点からは、アルキル基又はアルコキシ基の炭素数が1~20であることが好ましく、2~18であることがより好ましく、3~12であることがさらに好ましい。式Aで表される繰り返し単位としては、例えば、下記繰り返し単位が挙げられる。式Bで表される繰り返し単位としては、例えば、下記繰り返し単位が挙げられる。本発明の高分子化合物に含まれる式Aで表される繰り返し単位と式Bで表される繰り返し単位の合計量は、該高分子化合物を含む機能層を有する有機光電変換素子の光電変換効率を高める観点からは、該高分子化合物が含有する繰り返し単位の合計量に対して、20~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。また本発明の高分子化合物に含まれる式Aで表される繰り返し単位と式Bで表される繰り返し単位の合計量は、該高分子化合物を含む有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの移動度を高める観点からは、該高分子化合物が含有する繰り返し単位の合計量に対して、20~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。また本発明の高分子化合物に含まれる式Aで表される繰り返し単位の数と、式Bで表される繰り返し単位の数との比は、1:9~9:1であり、3:7~7:3が好ましい。本発明の高分子化合物の他の態様は、式1で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。1式1中、Q及びRは、前述と同じ意味を表す。式1で表される繰り返し単位としては、例えば、以下の繰り返し単位が挙げられる。本発明の高分子化合物に含まれる式1で表される繰り返し単位の量は、該高分子化合物を含む機能層を有する有機光電変換素子の光電変換効率を高める観点からは、該高分子化合物が含有する繰り返し単位の合計量に対して、20~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。また本発明の高分子化合物に含まれる式1で表される繰り返し単位の量は、該高分子化合物を含む有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの移動度を高める観点からは、該高分子化合物が含有する繰り返し単位の合計量に対して、20~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは103~108であり、より好ましくは103~107であり、さらに好ましくは103~106である。本発明の高分子化合物は、共役系高分子化合物であることが好ましい。ここで、共役系高分子化合物とは、高分子化合物の主鎖を構成する原子が実質的に共役している化合物を意味する。本発明の高分子化合物は、式Aで表される繰り返し単位、式Bで表される繰り返し単位、式1で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を有していてもよい。該繰り返し単位としては、アリーレン基、ヘテロアリーレン基等が挙げられる。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、フルオレンジイル基等が挙げられる。ヘテロアリーレン基としては、フランジイル基、ピロールジイル基、ピリジンジイル基等が挙げられる。<高分子化合物の製造方法>本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、用いる重合反応に適した官能基を有するモノマーを合成した後に、必要に応じて該モノマーを有機溶媒に溶解し、アルカリ、触媒、配位子等を用いた公知のアリールカップリング反応を用いて重合することにより合成することができる。前記モノマーの合成は、例えば、特開2006-182920号公報、特開2006-335933号公報に示された方法を参考にして行うことができる。アリールカップリング反応による重合は、例えば、Stilleカップリング反応による重合、Suzukiカップリング反応による重合、Yamamotoカップリング反応による重合、Kumada-Tamaoカップリング反応による重合が挙げられる。Stilleカップリング反応による重合は、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン、[トリスジベンジリデンアセトン]ジパラジウム、パラジウムアセテート、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライドなどのパラジウム錯体を触媒として用い、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ2-メチルフェニルホスフィン、トリ2メトキシフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリtert-ブチルホスフィン等の配位子を添加し、有機スズ残基を有するモノマーと、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を有するモノマー、又は、トリフルオロメタンスルホネート基、pトルエンスルホネート基等のスルホネート基を有するモノマーとを反応させる重合である。Stilleカップリング反応による重合の詳細は、例えば、アンゲヴァンテケミーインターナショナルエディションAngewandteChemieInternationalEdition,2005年,第44巻,p.4442-4489に記載されている。Suzukiカップリング反応による重合は、無機塩基又は有機塩基の存在下、パラジウム錯体又はニッケル錯体を触媒として用い、必要に応じて配位子を添加し、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を有するモノマーと、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を有するモノマー、又は、トリフルオロメタンスルホネート基、pトルエンスルホネート基等のスルホネート基を有するモノマーとを反応させる重合である。無機塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸三カリウム、フッ化カリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウムが挙げられる。パラジウム錯体としては、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン、[トリスジベンジリデンアセトン]ジパラジウム、パラジウムアセテート、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライドが挙げられる。ニッケル錯体としては、例えば、ビスシクロオクタジエンニッケルが挙げられる。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ2-メチルフェニルホスフィン、トリ2メトキシフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリtert-ブチルホスフィンが挙げられる。Suzukiカップリング反応による重合の詳細は、例えば、ジャーナルオブポリマーサイエンス:パートエー:ポリマーケミストリーJournalofPolymerScience:PartA:PolymerChemistry,2001年,第39巻,p.1533-1556に記載されている。Yamamotoカップリング反応による重合は、触媒と還元剤とを用い、ハロゲン原子を有するモノマー同士、トリフルオロメタンスルホネート基等のスルホネート基を有するモノマー同士又はハロゲン原子を有するモノマーとスルホネート基を有するモノマーとを反応させる重合である。触媒としては、ビスシクロオクタジエンニッケル等のニッケルゼロ価錯体とビピリジル等の配位子からなる触媒、[ビスジフェニルホスフィノエタン]ニッケルジクロライド、[ビスジフェニルホスフィノプロパン]ニッケルジクロライド等のニッケルゼロ価錯体以外のニッケル錯体と、必要に応じ、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリtert-ブチルホスフィン等の配位子からなる触媒が挙げられる。還元剤としては、例えば、亜鉛、マグネシウムが挙げられる。Yamamotoカップリング反応による重合は、脱水した溶媒を反応に用いてもよく、不活性雰囲気下で反応を行ってもよく、脱水剤を反応系中に添加して行ってもよい。Yamamotoカップリングによる重合の詳細は、例えば、マクロモルキュルズMacromolecules,1992年,第25巻,p.1214-1223に記載されている。Kumada-Tamaoカップリング反応による重合は、[ビスジフェニルホスフィノエタン]ニッケルジクロライド、[ビスジフェニルホスフィノプロパン]ニッケルジクロライド等のニッケル触媒を用い、ハロゲン化マグネシウム基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とを反応させる重合するである。反応は、脱水した溶媒を反応に用いてもよく、不活性雰囲気下で反応を行ってもよく、脱水剤を反応系中に添加して行ってもよい。前記アリールカップリング反応による重合では、通常、溶媒が用いられる。該溶媒は、用いる重合反応、モノマー及びポリマーの溶解性等を考慮して選択すればよい。具体的には、テトラヒドロフラン、トルエン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、これらの溶媒を2種以上混合した混合溶媒等の有機溶媒、有機溶媒相と水相の二相を有する溶媒が挙げられる。Stilleカップリング反応に用いる溶媒はテトラヒドロフラン、トルエン、N,N-ジメチルホルムアミド、これらの溶媒を2種以上混合した混合溶媒等の有機溶媒、有機溶媒相と水相の二相を有する溶媒が好ましい。Stilleカップリング反応に用いる溶媒は、副反応を抑制するために、反応前に脱酸素処理を行うことが好ましい。Suzukiカップリング反応に用いる溶媒は、テトラヒドロフラン、トルエン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、これらの溶媒を2種以上混合した混合溶媒等の有機溶媒、有機溶媒相と水相の二相を有する溶媒が好ましい。Suzukiカップリング反応に用いる溶媒は、副反応を抑制するために、反応前に脱酸素処理を行うことが好ましい。Yamamotoカップリング反応に用いる溶媒は、テトラヒドロフラン、トルエン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、これらの溶媒を2種以上混合した混合溶媒等の有機溶媒が好ましい。Yamamotoカップリング反応に用いる溶媒は、副反応を抑制するために、反応前に脱酸素処理を行うことが好ましい。前記アリールカップリング反応による重合の中でも、反応性の観点からは、Stilleカップリング反応により重合する方法、Suzukiカップリング反応により重合する方法、Yamamotoカップリング反応により重合する方法が好ましく、Stilleカップリング反応により重合する方法、Suzukiカップリング反応による重合する方法、ニッケルゼロ価錯体を用いたYamamotoカップリング反応による重合する方法がより好ましい。前記アリールカップリング反応の反応温度の下限は、反応性の観点からは、好ましくは-100°Cであり、より好ましくは-20°Cであり、特に好ましくは0°Cである。反応温度の上限は、モノマー及び高分子化合物の安定性の観点からは、好ましくは200°Cであり、より好ましくは150°Cであり、特に好ましくは120°Cである。前記アリールカップリング反応による重合において、反応終了後の反応溶液からの本発明の高分子化合物を取り出す方法としては、公知の方法が挙げられる。例えば、メタノール等の低級アルコールに反応溶液を加え、析出した沈殿をろ過し、ろ物を乾燥することにより、本発明の高分子化合物を得ることができる。得られた高分子化合物の純度が低い場合は、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等により精製することができる。本発明の高分子化合物を有機光電変換素子の製造に用いる場合、高分子化合物の末端に重合活性基が残っていると、有機光電変換素子の耐久性等の特性が低下することがあるため、高分子化合物の末端を安定な基で保護することが好ましい。末端を保護する安定な基としては、アルキル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、アリール基、アリールアミノ基、1価の複素環基等が挙げられる。アリールアミノ基としては、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。1価の複素環基としては、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。また、高分子化合物の末端に残っている重合活性基を、安定な基に代えて、水素原子で置換してもよい。ホール輸送性を高める観点からは、末端を保護する安定な基がアリールアミノ基などの電子供与性を付与する基であることが好ましい。高分子化合物が共役高分子化合物である場合、高分子化合物の主鎖の共役構造と末端を保護する安定な基の共役構造とが連続するような共役結合を有している基も末端を保護する安定な基として好ましく用いることができる。該基としては、例えば、アリール基、芳香族性を有する1価の複素環基が挙げられる。本発明の高分子化合物において、式1で表される繰り返し単位を含む高分子化合物は、例えば、式4で表される化合物と式5で表される化合物とを重合して製造することができる。重合反応としては、例えば、Suzukiカップリング反応が挙げられる。45式4、5中、R、Qは、前述と同じ意味を表す。Zは、ホウ酸、ホウ酸エステル残基を表す。2個あるZは、同一でも相異なっていてもよい。式4中、Zで表されるホウ酸エステル残基は、ホウ酸エステルから水素原子を1個除いた基を表し、その具体例としては、下記式で表される基が挙げられる。式中、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。式4で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。式4で表される化合物は、式6で表される化合物を、有機溶媒中で、ジホウ酸、またはジホウ酸エステルと反応させることにより製造することができる。6式6中、Rは、前述と同じ意味を表す。式6で表される化合物と反応させるジホウ酸またはジホウ酸エステルは、反応性の観点からジホウ酸エステルであることが好ましい。ジホウ酸エステルとしては例えば下記のB-1~B-6の構造が挙げられる。ジホウ酸エステルとして好ましくはB-1、B-3であり、特に好ましくはB-3である。ジホウ酸またはジホウ酸エステルの使用量は式6であらわされる化合物に対して通常2モル当量以下、本明細書ではモル当量を単に当量と記載する。~10当量であり、好ましくは2当量~4当量であり、さらに好ましくは2~3当量である。式6で表される化合物とジホウ酸またはジホウ酸エステルの反応は通常有機溶媒中で行われるが、該有機溶媒としては、芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒、非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。芳香族炭化水素溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン等が挙げられる。脂肪族炭化水素溶媒としては、ヘキサン、オクタン、デカンなどが挙げられる。エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等が挙げられる。ハロゲン系溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。非プロトン性極性溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドンなどが挙げられる。溶媒として好ましくは芳香族炭化水素溶媒、エーテル溶媒であり、さらに好ましくはエーテル溶媒である。エーテル系溶媒の中でも好ましくはテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサンであり、さらに好ましくは1,4-ジオキサンである。式6で表される化合物とジホウ酸またはジホウ酸エステルの反応は触媒存在下で行うことが好ましい。触媒としてはパラジウム触媒、ロジウム触媒、ルテニウム触媒、白金触媒が挙げられるが、中でもパラジウム触媒が好ましい。パラジウム触媒としては、例えば、Pd0触媒、PdII触媒が挙げられる。具体的には、パラジウム[テトラキストリフェニルホスフィン]、パラジウムアセテート類、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム、パラジウムアセテート、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム、ジクロロビスジフェニルホスフィノフェロセンパラジウムが挙げられ、反応操作の容易さ、反応速度の観点からは、ジクロロビスジフェニルホスフィノフェロセンパラジウムが好ましい。パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式6で表される化合物1モルに対して、通常、00001モル~05モル、好ましくは00003モル~02モルである。反応において、必要に応じて配位子を用いることもできる。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリo-トリルホスフィン、トリo-メトキシフェニルホスフィン、トリス2-フリルホスフィン、11’-ビスフェロセン等のリン化合物やトリフェニルアルシン、トリフェノキシアルシン等の砒素化合物が挙げられる。配位子として好ましくは11’-ビスフェロセンである。配位子を用いる場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒1モルに対して、通常、05モル~100モルであり、好ましくは09モル~20モル、さらに好ましくは1モル~10モルである。式6で表される化合物とジホウ酸またはジホウ酸エステルの反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、50~160°C程度であり、60~120°Cが好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。前記反応を行う時間反応時間は、高速液体クロマトグラフィ等で分析を行い、目的の転化率に達したときを終点としてもよいが、通常、01時間~200時間程度である。1時間~30時間程度が効率的で好ましい。式6で表される化合物は、例えば、マクロモルキュルズ、2009年、第42巻、第17号、p.6564~6571Macromolecules426564に記載の方法を用いて合成することができる。<有機光電変換素子>本発明の高分子化合物は、600nmの光等の長波長の光の吸光度が高く、太陽光を効率的に吸収するため、本発明の高分子化合物を用いて製造した有機光電変換素子は短絡電流密度が大きくなる。本発明の有機光電変換素子は、一対の電極と、該電極間に機能層を有し、該機能層が電子受容性化合物と本発明の高分子化合物を含有する。電子受容性化合物としては、フラーレン、フラーレン誘導体が好ましい。有機光電変換素子の具体例としては、1.一対の電極と、該電極間に機能層を有し、該機能層が電子受容性化合物と、本発明の高分子化合物とを含有する有機光電変換素子;2.一対の電極と、該電極間に機能層を有し、該機能層が電子受容性化合物と、本発明の高分子化合物とを含有する有機光電変換素子であって、該電子受容性化合物がフラーレン誘導体である有機光電変換素子;が挙げられる。前記一対の電極は、通常、少なくとも一方が透明又は半透明であり、以下、その場合を一例として説明する。前記1.の有機光電変換素子では、電子受容性化合物及び前記高分子化合物を含有する機能層における該電子受容性化合物の量が、前記高分子化合物100重量部に対して、10~1000重量部であることが好ましく、20~500重量部であることがより好ましい。また、前記2.の有機光電変換素子では、フラーレン誘導体及び前記高分子化合物を含有する機能層における該フラーレン誘導体の量が、該重合体100重量部に対して、10~1000重量部であることが好ましく、20~500重量部であることがより好ましい。光電変換効率を高める観点からは、機能層における該フラーレン誘導体の量が、該重合体100重量部に対して、20~400重量部であることが好ましく、40~250重量部であることがより好ましく、80~120重量部であることがさらに好ましい。短絡電流密度を高める観点からは、機能層における該フラーレン誘導体の量が、該重合体100重量部に対して、20~250重量部であることが好ましく、40~120重量部であることがより好ましい。有機光電変換素子が高い光電変換効率を有するためには、前記電子受容性化合物と、式1または式A及び式Bで表される繰り返し単位を有する高分子化合物とが所望の入射光のスペクトルを効率よく吸収することができる吸収域を有するものであること、ヘテロ接合界面が励起子を効率よく分離するためにヘテロ接合界面を多く含むこと、ヘテロ接合界面が生成した電荷を速やかに電極へ輸送する電荷輸送性を有することが重要である。このような観点から、有機光電変換素子としては、前記1.、前記2.の有機光電変換素子が好ましく、ヘテロ接合界面を多く含むという観点からは、前記2.の有機光電変換素子がより好ましい。また、本発明の有機光電変換素子には、少なくとも一方の電極と該素子中の機能層との間に付加的な層を設けてもよい。付加的な層としては、ホール又は電子を輸送する電荷輸送層、バッファ層等が挙げられる。本発明の有機光電変換素子は、通常、基板上に形成される。該基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極即ち、基板から遠い方の電極が透明又は半透明であることが好ましい。一対の電極の材料には、金属、導電性高分子等を用いることができる。一対の電極のうち一方の電極の材料は仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらの金属のうちの2つ以上の金属の合金、又はそれらの金属のうちの1つ以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1つ以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金、カルシウム-アルミニウム合金が挙げられる。前記の透明又は半透明の電極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズオキサイドITO、インジウム亜鉛オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、NESA、金、白金、銀、銅が用いられ、ITO、インジウム亜鉛オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。前記付加的な層としての電荷輸送層、即ち、ホール輸送層又は電子輸送層に用いられる材料として、それぞれ後述の電子供与性化合物、電子受容性化合物を用いることができる。付加的な層としてのバッファ層に用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のハロゲン化物又は酸化物等を用いることができる。また、酸化チタン等の無機半導体の微粒子を用いることもできる。<有機薄膜>本発明の有機光電変換素子における前記機能層としては、例えば、本発明の高分子化合物と電子受容性化合物とを含有する有機薄膜を用いることができる。前記有機薄膜は、膜厚が、通常、1nm~100μmであり、好ましくは2nm~1000nmであり、より好ましくは5nm~500nmであり、さらに好ましくは20nm~200nmである。前記有機薄膜は、前記高分子化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。また、前記有機薄膜のホール輸送性を高めるため、前記有機薄膜中に電子供与性化合物として、低分子化合物及び/又は前記高分子化合物以外の高分子化合物を混合して用いることもできる。式1または式A及び式Bで表される繰り返し単位を有する高分子化合物以外に有機薄膜が含んでいてもよい電子供与性化合物としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。前記電子受容性化合物としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、C60等のフラーレン及びその誘導体、カーボンナノチューブ、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン等のフェナントロリン誘導体が挙げられ、とりわけフラーレン及びその誘導体が好ましい。なお、前記電子供与性化合物、前記電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。フラーレン及びその誘導体としては、C60、C70、C84及びその誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体とは、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を表す。フラーレン誘導体としては、例えば、式Iで表される化合物、式IIで表される化合物、式IIIで表される化合物、式IVで表される化合物が挙げられる。IIIIIIIV式I~IV中、Raは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はエステル構造を有する基である。複数個あるRaは、同一であっても相異なってもよい。Rbはアルキル基又はアリール基を表す。複数個あるRbは、同一であっても相異なってもよい。Ra及びRbで表されるアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の定義、具体例は、Rで表されるアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の定義、具体例と同じである。Raで表されるエステル構造を有する基は、例えば、式Vで表される基が挙げられる。V式V中、u1は、1~6の整数を表す、u2は、0~6の整数を表す、Rcは、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Rcで表されるアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の定義、具体例は、Rで表されるアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基の定義、具体例と同じである。C60の誘導体の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。C70の誘導体の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。<有機薄膜の製造方法>前記有機薄膜は、如何なる方法で製造してもよく、例えば、本発明の高分子化合物を含む溶液からの成膜による方法で製造してもよいし、真空蒸着法により有機薄膜を形成してもよい。溶液からの成膜により有機薄膜を製造する方法としては、例えば、一方の電極上に該溶液を塗布し、その後、溶媒を蒸発させて有機薄膜を製造する方法が挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明の高分子化合物を溶解させるものであれば特に制限はない。この溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、n-ブチルベンゼン、sec-ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類系溶媒が挙げられる。本発明の高分子化合物は、通常、前記溶媒に0.1重量以上溶解させることができる。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スピンコート法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法が好ましい。<素子の用途>有機光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。また、電極間に電圧を印加した状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。<有機トランジスタ>本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層と、ゲート電極とを備え、前記有機半導体層に式Aで表される繰り返し単位と式Bで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物、または式1で表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する。本発明の高分子化合物は電荷移動度が高いため、本発明の高分子化合物を含む有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタは、電界効果移動度が高くなる。以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量はサイズエクスクルージョンクロマトグラフィーSECにより求めた。カラム:TOSOHTSKgelSuperHMH2本TSKgelSuperH2000;検出器:RI;移動相:テトラヒドロフランTHF参考例1化合物2の合成窒素気流雰囲気下ジムロートを取付けた100ml3口フラスコに化合物1LuminescenceTechnology社より購入、050g、073mmol、bisdiboron041g、161mmol、酢酸カリウム035g、403mmol、PdCl2001g、001mmol、dppf001g、002mmol、無水14ジオキサン50mlを室温下にて仕込み、15時間加熱還流下攪拌した。攪拌後反応液をセライトろ過し、セライトケーキをTHF20mlを用い、3回洗浄した。ろ液をエバポレータにて濃縮し、得られた残渣にトルエン20mlを加え80°Cにて加熱攪拌し、そこへメタノール40ml加え、攪拌を続けながら、室温まで放冷後さらに1時間攪拌した。得られたスラリーをろ取、メタノール20mlを用い2回洗浄した後減圧乾燥50mmHg、70°C、3hrすることで、化合物2を183mg024mmol、収率329得た。1H-NMR270MHz/CDCl3:δ8.93d、2H、7.72d、2H、4.07ホスフィンTris2-methoxyphenylphosphine2.36mg、炭酸ナトリウム水溶液16.7重量wt1mLを加え、100°Cで5.5時間攪拌を行った。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム1gと水20mLを加えて2時間還流下で攪拌を行った。反応終了後、反応溶液を室温25°C付近まで冷却した後、得られた反応溶液を静置し、分液したトルエン層を回収した。該トルエン層を水10mLで2回、3酢酸水10mLで2回、さらに水10mLで2回洗浄し、得られたトルエン層をメタノール中に注ぎ込み、析出した沈殿物を回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエン12mLに溶解した。次に、得られたトルエン溶液をろ過し、不溶物を除去した後、シリカゲル/アルミナカラムに通し、精製した。得られたクロロホルム溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、沈殿させ、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体20mgを得た。以下、この重合体を高分子化合物1と呼称する。高分子化合物1は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が16000であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が5100であった。参考例2高分子化合物2の合成フラスコ内の気体をアルゴンで置換した2L四つ口フラスコに、化合物Eを7.928g16.72mmol、化合物Fを13.00g17.60mmol、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド商品名Aliquat336登録商標、アルドリッチ社製、CH3N7CH33Cl、density0884gml、25°Cを4.979g、及びトルエンを405ml入れ、撹拌しながら反応系内を30分間アルゴンバブリングした。フラスコ内にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムIIを0.02g加え、105°Cに昇温し、撹拌しながら2mol/Lの炭酸ナトリウム水溶液42.2mlを滴下した。滴下終了後5時間反応させ、その後、フェニルボロン酸2.6gとトルエン1.8mlとを加え、105°Cで16時間撹拌した。その後、反応液にトルエン700ml及び7.5wtのジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物水溶液200mlを加え、85°Cで3時間撹拌した。反応液の水層を除去後、有機層を60°Cのイオン交換水300mlで2回、60°Cの3wt酢酸300mlで1回、さらに60°Cのイオン交換水300mlで3回洗浄した。有機層をセライト、アルミナ及びシリカを充填したカラムに通し、ろ液を回収した。その後、熱トルエン800mlでカラムを洗浄し、洗浄後のトルエン溶液をろ液に加えた。得られた溶液を700mlまで濃縮した後、濃縮した溶液を2Lのメタノールに加え、重合体を再沈殿させた。重合体をろ過して回収し、500mlのメタノール、500mlのアセトン、500mlのメタノールで重合体を洗浄した。重合体を50°Cで一晩真空乾燥することにより、ペンタチエニル-フルオレンコポリマー高分子化合物212.21gを得た。高分子化合物2のポリスチレン換算の重量平均分子量は1.1×105であった。測定例1有機薄膜の吸光度の測定高分子化合物1を1重量の濃度でo-ジクロロベンゼンに溶解させ、塗布溶液を作製した。得られた塗布溶液をガラス基板上に、スピンコートで塗布した。塗布操作は23°Cで行った。その後、大気下120°Cの条件で5分間ベークし、膜厚約100nmの有機薄膜を得た。有機薄膜の吸収スペクトルを分光光度計日本分光株式会社製、商品名:V-670で測定した。測定したスペクトルを図1に示す。600nm、700nm、800nm及び900nmにおける吸光度を表1に示す。比較例1有機薄膜の吸光度の測定高分子化合物1の代わりに高分子化合物2を使用し、0.5重量の濃度で溶解した以外は、測定例1と同様にして有機薄膜を作製し、該有機薄膜の吸収スペクトルを測定した。測定したスペクトルを図2に示す。600nm、700nm、800nm及び900nmにおける吸光度を表1に示す。実施例2有機薄膜太陽電池の作製及び評価電子受容性化合物であるフラーレン誘導体C60PCBMを用いて一定の光を照射し、有機薄膜太陽電池が発電することを確認した。"