窒化物半導体層表面にオーミック電極を備えた窒化物半導体装置の製造方法において、前記窒化物半導体層表面のオーミック電極形成予定領域に、インジウムあるいはゲルマニウムからなる金属膜を被覆し、加熱処理することにより、前記窒化物半導体層表面に、オーミック接触する合金層を形成する工程と、前記合金層が形成された前記窒化物半導体層表面に残る前記インジウムあるいはゲルマニウムを除去し、前記合金層を露出させる工程と、露出した前記合金層上に、配線用金属膜を積層し、オーミック電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。請求項1記載の窒化物半導体装置の製造方法において、前記合金層上に前記配線用金属膜を被覆した後、加熱処理を行う工程を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。従来の製造方法では、高温の加熱処理が必要であったため、オーミック電極表面の凹凸が大きくなり、次工程のフォトグラフィにおいて自動アライメントが困難になるという問題が生じていた。さらにオーミック電極表面の凹凸が大きくなると、オーミック電極上に積層する配線用金属膜が凹凸の段差により断線してしまうという問題も発生してします。また、窒化物半導体装置の表面に、二酸化シリコン膜等の絶縁膜が形成されている場合には、窒化物半導体と絶縁膜との線膨張係数が大きく異なるため、高温の加熱処理により、絶縁膜が剥離してしまうという問題が生じていた。さらにまた、低価格の窒化物半導体装置を形成するために、耐熱性の低いシリコン基板上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長されている場合が多く、高温の加熱処理によって、クラックが生じてしまうという問題も生じていた。本発明は、上記問題点を解消するため、低温の加熱処理によって、電極表面を荒らさずに、コンタクト抵抗の低いオーミック電極を形成することができる方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、窒化物半導体層表面にオーミック電極を備えた窒化物半導体装置の製造方法において、前記窒化物半導体層表面のオーミック電極形成予定領域に、インジウムあるいはゲルマニウムからなる金属膜を被覆し、加熱処理することにより、前記窒化物半導体層表面に、オーミック接触する合金層を形成する工程と、前記合金層が形成された前記窒化物半導体層表面に残る前記インジウムあるいはゲルマニウムを除去し、前記合金層を露出させる工程と、露出した前記合金層上に、配線用金属膜を積層し、オーミック電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。また本願請求項2に係る発明は、請求項1記載の窒化物半導体装置の製造方法において、前記合金層上に前記配線用金属膜を被覆した後、加熱処理を行う工程を含むことを特徴とする。本発明の製造方法によれば、従来に比べて低温で、低コンタクト抵抗のオーミック電極を形成することが可能となる。高温の加熱処理を行わないため、オーミック電極表面に凹凸が形成されることがなく、窒化物半導体装置表面を被覆する絶縁膜が剥離してしまうという問題もない。また本発明の製造方法は、通常の半導体装置の製造工程に従うため、非常に簡便な方法である。本発明の窒化物半導体装置の製造方法は、まず、窒化物半導体層のオーミック電極形成領域に、インジウムあるいはゲルマニウムのような低融点金属を積層し、低融点金属の融点近傍の低温で加熱処理することにより、窒化物半導体層中に低融点金属が拡散させ、合金層を形成することによりオーミック接触を形成する。この熱処理は、従来のオーミック電極を形成するための加熱処理温度に比べて、400°C以上低い温度である。その後、窒化物半導体層表面に残るインジウムあるいはゲルマニウムを除去する。この除去により、オーミック電極表面の平坦性が保たれることになる。その後、オーミック接触が形成されている合金層上に、配線のための金属層を形成することにより、窒化物半導体にオーミック接触するオーミック電極を形成することができる。合金層と配線用金属層の接着性を高めるため、加熱処理してもよい。以下、本発明の実施例について詳細に説明する。シリコン基板1上に、ノンドープのGaN層2、n型のAlGaN層3が積層形成した窒化物半導体基板を用意する。AlGaN層3とGaN層2との界面には、キャリアとなる二次元電子ガス4が形成されている。AlGaN層3表面に、プラズマCVD法等により厚さ0.2μmの二酸化シリコン膜5を形成する図1a。オーミック電極形成領域を開口するように、通常のフォトグラフ法によりフォトレジスト膜6をパターニングした後、バッファードフッ酸液を用いて、フォトレジスト膜6の開口内に露出する二酸化シリコン膜5をエッチング除去し、AlGaN層3の一部を露出させる図1b。フォトレジスト膜6を除去した後、全面に厚さ0.05μmの低融点金属であるインジウム膜7を蒸着する図1c。インジウム膜の代わりにゲルマニウム膜であっても良い。ゲルマニウム膜も蒸着法により形成することができる。オーミック電極形成領域を被覆するように、フォトレジスト膜6をパターニングした後、希硫酸を用いて、二酸化シリコン膜5上のインジウム膜7をエッチング除去する図1d。なお、このインジウム膜7の除去は、後述の加熱処理の後に行うインジウム膜7の除去と同時に行うこともできる。インジウム膜の代わりにゲルマニウム膜を使用する場合には、ゲルマニウム膜を過酸化水素水によりエッチング除去する。フォトレジスト膜6を除去した後、窒素雰囲気で、200°C、2分間の加熱処理を行う。その結果、インジウムは、接触するAlGaNと反応し、AlGaN膜3中に合金層8を形成する。この合金層8により、オーミック接触が形成される。その後、合金層8を形成せずに残るインジウム膜7を硫酸により除去する図1e。インジウム膜の代わりにゲルマニウム膜を使用する場合には、ゲルマニウム膜を過酸化水素水によりエッチング除去する。次に、オーミック電極形成領域を開口するように、通常のフォトリソ法によりフォトレジスト膜をパターニングした後、全面に配線用金属膜となるTi/Alの積層膜を、それぞれ厚さ0.04μm/0.2μmの厚さで蒸着し、リフトオフすることにより配線用に金属膜9を形成する図1f。配線用金属膜9は、合金層8と接触し、オーミック電極となる。なお、合金層8と配線用金属膜9を十分に密着させるため、窒素雰囲気で、400°C、3分間の熱処理を加えてもよい。合金層8上に配線用金属膜9を積層形成したオーミック電極間密着性を向上させる加熱処理なしの電流―電圧特性を図2に示す。図2に示すように、加熱温度200°Cという従来に比べて非常に低い温度の熱処理のみで、良好なオーミック電極が形成できることが確認できた。このオーミック電極は、コンタクト抵抗率が、5.44×104Ωcm2となり、コンタクト抵抗の低いオーミック電極であることも確認できた。以上のように低温でオーミック電極を形成するため、さらにインジウム膜あるいはゲルマニウム膜を形成し、合金層を形成した後、これらの膜を除去するため、配線用金属膜の表面は平坦性に優れ、フォトリソグラフ工程で自動アライメントができなくなったり、段差により断線が発生するという問題も解消することができた。