タンタル又はタンタルを主成分とする合金からなる陽極と、前記陽極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う電解質層と、を有する固体電解コンデンサにおいて、前記誘電体層は、前記陽極と接する第1誘電体層と、前記第1誘電体層を覆い、且つ、前記電解質層と接する第2誘電体層と、を有し、前記第1誘電体層は非晶質成分により構成される前記陽極の酸化物からなり、前記第2誘電体層は前記第1誘電体層よりも高い誘電率をもつ誘電体粒子により構成されると共に、前記誘電体粒子は前記第1誘電体層と接する第1誘電体粒子と、前記第1誘電体層と接しない第2誘電体粒子とを含み、前記第1誘電体粒子の平均粒径は前記第2誘電体粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とする固体電解コンデンサ。前記誘電体粒子はチタン酸バリウムにより構成されていることを特徴とする請求項1記載の固体電解コンデンサ。タンタル又はタンタルを主成分とする合金からなる陽極を形成する工程と、前記陽極の表面に、チタン薄膜を形成する工程と、前記チタン薄膜が形成された前記陽極を電解質水溶液中で電圧を加えながら水熱処理することにより、前記陽極を酸化し、非晶質成分により構成される第1誘電体層と、前記チタン薄膜を変化させ前記第1誘電体層と接し、且つ、前記第1誘電体層よりも高い誘電率をもつ誘電体粒子により構成される第2誘電体層と、を形成する水熱処理工程と、前記第2誘電体層の表面に電解質層を形成する工程と、を備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。前記水熱処理工程は、前記誘電体粒子が前記第1誘電体層と接する第1誘電体粒子と、前記第1誘電体層と接しない第2誘電体粒子とを含み、且つ、前記第1誘電体粒子の平均粒径が前記第2誘電体粒子の平均粒径よりも小さく形成する工程を含むことを特徴とする請求項3記載の固体電解コンデンサの製造方法。前記水熱処理工程において、バリウムイオンを含有する電解質水溶液を用いることでチタン酸バリウムからなる誘電体粒子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項3又は4何れか記載の固体電解コンデンサの製造方法。前記水熱処理工程において、前記水熱処理工程で発生する全ての酸化チタンをチタン酸バリウムへ反応させる工程を含むことを特徴とする請求項5記載の固体電解コンデンサの製造方法。しかしながら、従来のタンタル固体電解コンデンサは、漏れ電流を十分に低減できなかった。そこで、本発明は、陽極にタンタル又はその合金を用いた場合においても漏れ電流を十分に低減した固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の固体電解コンデンサは、タンタル又はタンタルを主成分とする合金からなる陽極と、前記陽極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う電解質層と、を有する固体電解コンデンサにおいて、前記誘電体層は、前記陽極と接する第1誘電体層と、前記第1誘電体層を覆い、且つ、前記電解質層と接する第2誘電体層と、を有し、前記第1誘電体層は非晶質成分により構成される前記陽極の酸化物からなり、前記第2誘電体層は前記第1誘電体層よりも高い誘電率をもつ誘電体粒子により構成されると共に、前記誘電体粒子は前記第1誘電体層と接する第1誘電体粒子と、前記第1誘電体層と接しない第2誘電体粒子とを含み、前記第1誘電体粒子の平均粒径は前記第2誘電体粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とする。このように本発明の固体電解コンデンサにおいて、第1誘電体層は非晶質成分の陽極の酸化物により構成され、更に、第2誘電体層は第1誘電体粒子と第2誘電体粒子とを含む誘電体粒子で構成され、平均粒径が小さい第1誘電体粒子が第1誘電体層と接している。これにより、第1誘電体層と第2誘電体層との密着性が高まり、誘電体層の膜質が高まり、漏れ電流を低減した固体電解コンデンサを提供できる。本発明において、誘電体粒子はチタン酸バリウムにより構成されていることが好ましい。本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、タンタル又はタンタルを主成分とする合金からなる陽極を形成する工程と、前記陽極の表面に、チタン薄膜を形成する工程と、前記チタン薄膜が形成された前記陽極を電解質水溶液中で電圧を加えながら水熱処理することにより、前記陽極を酸化し、非晶質成分により構成される第1誘電体層と、前記チタン薄膜を変化させ前記第1誘電体層と接し、且つ、前記第1誘電体層よりも高い誘電率をもつ誘電体粒子により構成される第2誘電体層と、を形成する水熱処理工程と、前記第2誘電体層の表面に電解質層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。このように本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、陽極を電解質水溶液中で電圧を加えながら水熱処理することで、主に非晶質成分の第1誘電体層及び誘電体粒子により構成される第2誘電体層を同一の工程で形成できる。本発明の固体電解コンデンサの製造方法において、前記水熱処理工程は、前記誘電体粒子が前記第1誘電体層と接する第1誘電体粒子と、前記第1誘電体層と接しない第2誘電体粒子とを含み、且つ、前記第1誘電体粒子の平均粒径が前記第2誘電体粒子の平均粒径よりも小さく形成する工程を含むことが好ましい。本発明の固体電解コンデンサの製造方法において、前記水熱処理工程において、バリウムイオンを含有する電解質水溶液を用いることでチタン酸バリウムからなる誘電体粒子を形成する工程を含むことが好ましい。本発明の固体電解コンデンサの製造方法において、前記水熱処理工程において、前記水熱処理工程で発生する全ての酸化チタンをチタン酸バリウムへ反応させる工程を含むことが好ましい。本発明によれば、漏れ電流を低減したタンタル固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することができる。次に、図面を用いて、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。第1実施形態図1は、本実施形態におけるタンタル固体電解コンデンサ20の内部を説明するための模式的な断面図である。本実施形態におけるタンタル固体電解コンデンサ20は、直方体の外形を有しており、図1に示すように、陽極1と、陽極1の一端部1aを覆うように形成された誘電体層3と、誘電体層3を覆う電解質層4と、電解質層4を覆う陰極引出層5とを有している。陽極1の他端部1bには陽極端子7が接続され、陰極引出層5には導電性接着材8により陰極端子9が接着されている。そして、陽極端子7及び陰極端子9の一部が露出するように外装樹脂体11が形成されている。以下に、本実施形態におけるタンタル固体電解コンデンサ20の具体的な構成を説明する。陽極1には、弁作用金属であるタンタルまたはタンタルを主成分とする箔を用いた。陽極1を構成する箔の材料としては、純粋なタンタルに限ることなく、タンタルを主成分とする他の金属材料との合金であってもよい。タンタルを主成分とする合金としては、タンタルを主体とするタンタル合金を用いることができ、例えば、タンタル合金の総重量に対してタンタル合金に含まれる添加剤の重量が10以下であるタンタル合金が好ましい。タンタル合金に含まれる添加剤としては、ケイ素、バナジウム、ホウ素、窒素等が挙げられ、このような添加剤をタンタルに添加することによりタンタル合金が形成される。誘電体層3は、図1に示すように、陽極1を覆う第1誘電体層3Aと、第1誘電体層3Aを覆い、且つ、電解質層4と接する第2誘電体層3Bを有する。図2aは、本実施形態におけるタンタル固体電解コンデンサ20の内部を説明するための図1の破線αで囲む領域の模式的な拡大断面図である。第1誘電体層3Aは、陽極1上に形成され、非晶質成分からなる酸化タンタルTa2O5の層により構成されている。第2誘電体層3Bは、誘電体粒子33により構成されている。本実施形態において、誘電体粒子33は第1誘電体層3Aよりも高い誘電率をもつチタン酸バリウムBaTiO3の結晶性粒子により構成されている。チタン酸バリウム系の酸化物は比誘電率が約1000~6000と、比誘電率が約27である酸化タンタルと比較し非常に大きい。尚、図2aでは、球状の誘電体粒子33を形成した場合の切断面図を示したため、誘電体粒子33の断面図は、円状の断面形状となる。誘電体粒子33は、第1誘電体層3Aと接する第1誘電体粒子33Sと第1誘電体層3Aと接しない第2誘電体粒子33Lとを有し、第1誘電体粒子33Sの平均粒径は、第2誘電体粒子33Lの平均粒径よりも小さい。図2bは誘電体粒子33を構成する第1誘電体粒子33S及び第2誘電体粒子33Lの平均粒径を求めるにあたり、誘電体粒子33の粒径dの測定箇所を示す図である。上述の通り、本実施形態において誘電体粒子33の切断面は円状であるので、誘電体粒子33の粒径dは、同図に示すように、円状の切断面の直径から求めることができる。誘電体粒子33の粒径dは、透過型電子顕微鏡TEMでタンタル固体電解コンデンサ20の切断面を観察することで測定できる。誘電体粒子33の平均粒径は、タンタル固体電解コンデンサ20の同一の切断面から、無作為に誘電体粒子33を10個程度特定し、粒径dの測定を行い、その平均値から求めることができる。このように、誘電体粒子33を構成する第1誘電体粒子33Sの平均粒径は、第1誘電体層3Aと接する粒子を無作為に特定し、測定した粒径の平均値から求めることができる。誘電体粒子33を構成する第2誘電体粒子33Lの平均粒径は、第1誘電体層3Aと接しない粒子を無作為に特定し、測定した粒径の平均値から求めることができる。本実施形態において、誘電体粒子33第1誘電体粒子33S及び第2誘電体粒子33Lの粒径dの測定は誘電体粒子33の切断面で行ったため、誘電体粒子33は球状であるので誘電体粒子33の切断箇所により粒径dが異なる。しかしながら、第1誘電体粒子33S及び第2誘電体粒子33Lの平均粒径を求めるにあたり、タンタル固体電解コンデンサ20の同一の切断面から、無作為に選んだ第1誘電体粒子33S及び第2誘電体粒子33Lの粒径を測定し、平均化することで、第1誘電体粒子33S及び第2誘電体粒子33Lの平均粒径の比較を的確に行うことができる。誘電体粒子33の形状はこれに限らず、種々の形状を有してもよい。例えば、非対称な粒子であって、図2cに示すような断面形状を有する誘電体粒子33でもよい。このような場合、まず、誘電体粒子33の長径d1と短径d2とを測定する。長径d1としては、同図に示すように平行線間における誘電体粒子33の接線径のうち、最大径を測定した値を採用する。短径d2としては、誘電体粒子33の長径d1方向に対して略垂直方向における誘電体粒子33の接線径のうち、最大径を測定した値を採用する。このように測定した長径d1及び短径d2を平均d1d2/2することで誘電体粒子33の粒径とする。次に、これを上述のように複数個を測定し、平均化することで誘電体粒子33の平均粒径を求めることができる。電解質層4は、図1及び図2aに示すように、第2誘電体層3Bの表面に形成されている。また、図2aに示すように、電解質層4は第2誘電体粒子33L間の間隙にも入り込むように形成されている。尚、電解質層4は第2誘電体層3Bから露出した第1誘電体層3A表面にも形成されていてもよい。電解質層4には、導電性高分子や二酸化マンガンを用いることができる。導電性高分子は化学重合法や電解重合法などにより形成することができ、材料としてはポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン及びポリフランなどが挙げられる。電解質層4は、単一の層で形成しても良いし、複数の層で形成してもよい。陰極引出層5は、電解質層4を覆うように形成されており、カーボン層5a、銀ペースト層5bが順次形成された積層構造をしている。カーボン層5aは、カーボン粒子を含む層により形成されている。このように陰極引出層5は、電解質層4上に直接接するように形成されている。陰極端子9は、陰極引出層5に取り付けられている。具体的には、この陰極端子9は、帯状の金属板を折り曲げて形成されており、図1に示すように、その一端部9a側の下面が陰極引出層5に導電性接着材8により接着されることにより、陰極端子9と陰極引出層5とは機械的にも電気的にも接続されている。具体的な導電性接着材8の材料としては、銀とエポキシ樹脂とが混合された銀ペーストなどの材料が挙げられる。尚、陰極引出層5は、カーボン層5a又は銀ペースト層5bのどちらか一方だけからなってもよく、電解質層4と陰極端子9とを電気的に接続するものであれば種々の構成をとることができる。陽極端子7は、陽極1の他端部1bに取り付けられている。具体的には、この陽極端子7は、帯状の金属板を折り曲げて形成されおり、図1に示すように、その一端部7a側の下面が陽極1の他端部1bに溶接等により機械的にも電気的にも接続されている。陽極端子7及び陰極端子9の材料としては、銅、銅合金及び鉄‐ニッケル合金42アロイなどが挙げられる。樹脂外装体11は、上述のように配された陽極1、陰極引出層5、陽極端子7、陰極端子9の露出した周囲を覆うように形成されている。陽極端子7の他端部7b及び陰極端子9の他端部9bは、樹脂外装体11の側面から下面にかけて露出しており、この露出箇所は基板との半田接続に用いられる。樹脂外装体11の材料としては、封止材として機能する材料が用いられ、具体的にはエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などが挙げられる。樹脂外装体11は主剤、硬化剤及びフィラーを適宜配合することにより調整された樹脂を硬化することにより形成することができる。作用効果このように本実施形態のタンタル固体電解コンデンサ20において、第1誘電体層3Aは非晶質成分からなるタンタルまたはその合金からなる陽極の酸化物Ta2O5により構成され、更に、第2誘電体層3Bは第1誘電体粒子33Aと第2誘電体粒子33Bとを含む誘電体粒子33で構成され、平均粒径が小さい第1誘電体粒子33Aが第1誘電体層3Aと接している。これにより、第1誘電体層3Aと第2誘電体層3Bとの密着性が高まり、誘電体層3の膜質が高まる。したがって、本実施形態によれば、漏れ電流を低減したタンタル固体電解コンデンサ20を提供できる。更に、本実施形態のタンタル固体電解コンデンサ20は、第1誘電体層よりも高い誘電率をもつ誘電体粒子33により構成される第2誘電体層3Bを有する。第2誘電体層3Bは、第1誘電体層1Aよりも高い誘電率をもつ誘電体粒子33により構成されるので、誘電体層3の誘電率を高めることができる。また、第1誘電体層3Aと接しない第2誘電体粒子33Lの平均粒径は第1誘電体粒子33Sの平均粒径よりも大きいため、第2誘電体層3Bの誘電率を効率的に高くできるので、誘電体層3全体の誘電率も高めることができる。また、第2誘電体粒子33Lの平均粒径は第1誘電体粒子33Sの平均粒径よりも大きい。これにより、第2誘電体粒子33L間の空隙を大きくできるので、電解質層4との密着性を高めることができる。また、本実施形態において誘電体粒子33はチタン酸バリウムの結晶性粒子で構成されている。結晶性の高い誘電体粒子33を陽極1上に直接形成すると、その結晶性から漏れ電流が著しく増加すると考えられる。本実施形態では、陽極1とチタン酸バリウムの結晶性粒子で構成される第2誘電体層3Bとの間に非晶質成分の第1誘電体層3Aを設け、更に、平均粒径が小さい第1誘電体粒子33Aが第1誘電体層3Aと接するように設けられている。従って、誘電体層に結晶性の高い誘電体粒子33を用いた場合にあっても漏れ電流を低減したタンタル固体電解コンデンサを形成できる。第1実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの製造方法本実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの製造方法について以下に説明する。図3は、本実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの製造工程図である。<工程1:陽極の形成>図3aに示すように、陽極1として、長さが40mm、幅が20mm、厚み0.1mmからなる薄板状のタンタル箔を用いた。<工程2:チタン薄膜の形成>図3bに示すように、上記陽極1の表面にスパッタリング法により厚みが約10~500nmのチタン薄膜10を形成した。尚、同図に示すようにチタン薄膜10は、陽極1の他端部1b側の領域にマスクを施し、後述の誘電体層3を形成する陽極1の一端部1a側の領域のみに形成してもよいし、陽極1全体を覆うように形成してもよい。陽極1全体を覆うようにチタン薄膜10を形成した場合であっても、後の工程で陽極端子7を接続することを妨げない。また、チタン薄膜10は上記スパッタリング法以外にも蒸着法等種々の方法で形成できる。<工程3:誘電体層の形成水熱処理工程>チタン薄膜10を形成した陽極1の一端部1a側を約70~180°Cに保持した約0.01~1Mの電解質水溶液である水酸化バリウム水溶液中に浸漬し、約3~50Vの定電圧で約1~240時間、電気化学的に水熱処理することにより、図3cに示すように、誘電体層3を形成した。電解質水溶液である水酸化バリウム水溶液は、溶質に水酸化バリウムを用いることでバリウムイオンを含有する。熱水中で陽極1に電圧を印加し、水熱処理することにより形成した誘電体層3は、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bを同一の工程で形成できる。したがって、第1誘電体層3Aと第2誘電体層3Bとの密着性が高まる。具体的には、上記のように電気化学的に水熱処理することにより、まず、タンタルからなる陽極1の表面とチタン薄膜10とは、同時に陽極酸化される。この際、陽極1の表面には、非晶質成分の酸化タンタルTa2O5からなる第1誘電体層3Aが形成され、チタン薄膜10は、酸化チタンTiO2の層となる。そして、電圧を加えながら水熱処理を続けることにより、第1誘電体層3Aはさらに成長し、反応性の高い酸化チタンの層は速やかに水酸化バリウム水溶液と反応し、第1誘電体層3Aの表面には、チタン酸バリウムBaTiO3からなる結晶性の誘電体粒子33により構成される第2誘電体層3Bが形成される。本実施形態において、チタン酸バリウムの誘電体粒子33を形成する前に生成される酸化チタンの層は、すべてチタン酸バリウムの誘電体粒子33へと変化する。酸化チタンの比誘電率は約90であり、チタン酸バリウムの比誘電率より低いため、このようにチタン薄膜10をチタン酸バリウムの誘電体粒子33とすることで第2誘電体層3Bの誘電率を効率よく高めることができる。本実施形態において、上記の水熱処理工程で形成された第1誘電体層3Aは非晶質成分の酸化タンタルTa2O5からなり、漏れ電流を抑制する。第2誘電体層3Bは、陽極1上に形成されたチタン薄膜10を、第1誘電体層3Aよりも高い誘電率をもつ誘電体粒子33へと変化させることにより形成されているので、誘電体層3の誘電率を高めることができる。更に、本実施形態において、上記水熱処理工程で誘電体粒子33は、第1誘電体層3Aと接する第1誘電体粒子33Sと第1誘電体層3Aと接しない第2誘電体粒子33Lとを含み、第1誘電体粒子33Sの平均粒径は第2誘電体粒子33Lの平均粒径よりも小さく形成される。この理由は明らかではないが、電圧を印加し水熱処理することで、第2誘電体粒子33Lは第1誘電体粒子33Sと比較し、水熱処理時に電解質水溶液とより接することになる。したがって、第2誘電体粒子33L近傍のバリウムイオン濃度が高くなり、粒子の成長速度が速く、粒径が大きくなったと考えられる。このように、第2誘電体粒子33Lの平均粒径を第1誘電体粒子33Sの平均粒径よりも大きくすることにより、第2誘電体層3Bの誘電率を効率的に高くできるので、誘電体層3全体の誘電率を高めることができる。また、第1誘電体粒子33Sの平均粒径は第2誘電体粒子33Lの平均粒径よりも小さくすることにより、第1誘電体層3Aと第2誘電体層3Bとの密着性を高めることができる。尚、チタン薄膜10には、ジルコニウム、ハフニウムを混合してもよい。ジルコニウム、ハフニウムを混合したチタン薄膜から形成された第2誘電体層3Bのチタン酸バリウムBaTiO3からなる誘電体粒子33の結晶構造は、チタンの一部がジルコニウムまたはハフニウムに置換された結晶構造となる。上記の添加を行うことで、誘電率の温度依存性を制御できる。また、電解質水溶液の水酸化バリウム水溶液に、マグネシウム、カルシウムまたはストロンチウムから選ばれた少なくとも1つを添加した水溶液を用いてもよい。マグネシウム、カルシウムまたはストロンチウムを少なくとも1つ添加したチタン薄膜から形成された第2誘電体層3Bのチタン酸バリウムBaTiO3からなる誘電体粒子33の結晶構造は、バリウムの一部がマグネシウム、カルシウムまたはストロンチウムに置換された結晶構造となる。上記の添加を行うことで、誘電率の温度依存性を制御できる。また、本実施形態において、電解質水溶液に溶解させる溶質として水酸化バリウムを用いたが、これに限らず、酢酸バリウム、塩化バリウム、燐酸水素バリウム、フッ化バリウム、硫酸バリウム、硝酸バリウム、炭酸バリウム、臭化バリウム、ヨウ化バリウム、過塩素酸バリウム、シュウ酸バリウム等を用いることができる。このように電解質水溶液中にバリウムイオンを含有できる溶質を用い、更に、電解質水溶液のpH等を適宜調整することにより、上記と同様の誘電体層3を形成することができる。<工程4:電解質層の形成>図3dに示すように、誘電体層3の表面に、電解質層4を形成する。電解質層4に導電性高分子を用いた場合の形成方法としては、例えば、化学重合法を用いてポリピロール等の導電性高分子からなるプレコート層を形成する。引き続き、プレコート層の表面上に、電解重合法を用いてポリピロール等の導電性高分子層を形成する。このようにして、誘電体層3上に、プレコート層、導電性高分子層の積層膜からなる導電性高分子の電解質層4を形成できる。本実施形態の製造方法では、電解質層4側に形成された第2誘電体粒子33Lの平均粒径は第1誘電体粒子33Sの平均粒径よりも大きく形成される。したがって、第2誘電体粒子33L間の空隙を大きくできるので、誘電体層3と電解質層4との密着性が高まる。<工程5:陰極引出層の形成>図3eに示すように、電解質層4の表面に直接接するようにカーボンペーストを塗布することによりカーボン層5aを形成し、カーボン層5a上に銀ペーストを塗布することにより銀ペースト層5bを形成した。本実施例において、陰極引出層5は、このカーボン層5a及び銀ペースト層5bにより構成されている。<工程6:陽極端子及び陰極端子の接続>図3fに示すように、陽極端子7の端部7aは、陽極1の他端部1bに溶接などにより電気的及び機械的に接続されている。また、陰極端子9の端部9aは、陰極引出層5上に導電性接着材8により電気的及び機械的に接続されている。<工程7:モールド工程>図3gに示すように、工程5まで形成後、陽極端子及び陰極端子の一部が露出するように、エポキシ樹脂及びイミダゾール化合物を含む封止材を用い、トランスファーモールド法により樹脂外装体11を形成した。具体的には、予備加熱した封止材を金型に注入し、金型内で硬化させた。樹脂外装体11を形成後、露出した陽極端子及び陰極端子を樹脂外装体11の側面から下面側に折り曲げることにより、基板との半田接続に用いる端子7b、9b部分を形成した。以上により、第1実施形態のタンタル固体電解コンデンサ20が形成される。このように形成されたタンタル固体電解コンデンサ20は、第1誘電体層3Aと第2誘電体層3Bとの密着性が高まるので漏れ電流を低減できる。尚、ニオブやチタンを陽極として用いた固体電解コンデンサでは、上記水熱処理工程で誘電体層を形成したとしても第1誘電体層が、結晶性の高い酸化ニオブNb2O5や酸化チタンTiO2となり、漏れ電流が増大すると考えられる。また、アルミニウムを陽極として用いた固体電解コンデンサでは、酸化アルミニウムからなる誘電体層を陽極の周囲に形成する前に上記水熱処理工程を行うと、アルミニウムが水酸化バリウムと反応し、誘電体層を形成できないと考えられる。一方、タンタル固体電解コンデンサ20のタンタルを用いた陽極1は、ニオブ、チタン及びアルミニウムを陽極としたものと比較し、水熱処理工程で使用する電解質水溶液との反応が安定しているため、上記のような誘電体層3が形成できると考えられる。また、本実施形態において、誘電体層3は陽極1の一端部1aの周囲を覆うように形成しているが、例えば、直方体の陽極1の側面のうち、もっとも大きい面積を持つ対向する面にチタン薄膜10を形成し、その後水熱処理工程により第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bを含む誘電体層3を形成してもよい。このような場合であっても、本実施形態の効果を奏することができる。第2実施形態次に、第2実施形態について以下に説明する。尚、上述の第1実施形態と同様の部分については説明を省略する。図4aは、本実施形態におけるタンタル固体電解コンデンサ20Tを説明するための模式的な断面図である。前述の第1実施形態では、陽極としてタンタル箔を用いたが、これに代えて、本実施形態では、陽極1Tとしてタンタルからなる多数の金属粒子を成形し、それを焼結することにより形成した多孔質焼結体を用いた。尚、本実施形態においても、陽極1Tを構成する多孔質焼結体の材料としては、純粋なタンタルに限ることなく、第1実施形態と同様に他の金属材料とのタンタル合金であってもよい。本実施形態において陽極1Tは直方体の外形を有しており、図4aに示すように、陽極1Tには、陽極1Tに一端部2aが埋設され、他端部2bが突出するように陽極リード2が設けられ、他端部2bに陽極端子7が接続されている。陽極リード2の材料としては、陽極1Tと同様にタンタルまたは主にタンタルからなる合金を用いることができるが、これに限らず、ニオブ等の弁作用金属及び主にニオブ等の弁作用金属からなる合金を用いてもよい。このように、本実施形態においては、陽極リード2の材料として、タンタル以外の弁作用金属を用いることができる。誘電体層3は、図4aに示すように、陽極1Tを覆う第1誘電体層3Aと、第1誘電体層3Aを覆い、且つ、電解質層4と接する第2誘電体層3Bからなる。第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bは、陽極リード2の他端部2bの一部上にも順次形成されている。尚、同図は多孔質焼結体からなる陽極1Tの外周部側に形成された第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bからなる誘電体層3のみを模式的に図示している。図4bは、本実施形態におけるタンタル固体電解コンデンサ20Tの内部を説明するための図4aの破線βで囲む領域の模式的な拡大断面図である。同図に示すように、陽極1Tを構成する多孔質焼結体の外周部側には、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bからなる誘電体層3が形成され、陽極1Tを構成する多孔質焼結体の内側における細孔の壁面には第1誘電体層3Aのみからなる誘電体層3が形成されている。尚、第2誘電体層3Bは第1実施形態同様に第1誘電体粒子及び第2誘電体粒子を含む誘電体粒子により構成されているが、同図において省略されている。電解質層4は、陽極1Tの外周部側に形成された第2誘電体層3Bと、陽極1Tの細孔の壁面に形成された第1誘電体層3Aの表面に形成されている。尚、本実施形態において、電解質層4は多孔質焼結体の孔を充填するように形成されているが、一部に電解質層4が形成されていない箇所があってもよい。本実施形態においては、陽極1Tの外周部側に形成された、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bにより漏れ電流を低減できる。尚、陽極1Tを構成する多孔質焼結体の内側における細孔の壁面にも第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bからなる誘電体層3が形成されていてもよい。このような場合、更に効率よく漏れ電流を低減できる。このように本実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサ20Tにあっても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。更に、本実施形態において、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bを含む誘電体層3は、陽極1Tから陽極リード2の他端部2bに跨るように形成されている。陽極リード2の突出部の近傍は誘電体層に欠陥が発生しやすいため、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bをこの領域に形成することで、タンタル固体電解コンデンサ20Tの漏れ電流を低減する効果を高めることができる。第2実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの製造方法本実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの製造方法について以下に説明する。第1実施形態と異なる工程である、工程1、工程2及び工程6について下記に説明する。尚、上述の第1実施形態と同様の部分については説明を省略する。<工程1:陽極の形成>1次粒径が約0.5μm、2次粒子径が約100μmのタンタル金属粒子を用いて、陽極リード2の一端部2aが陽極1Tに埋め込まれた状態で複数のタンタル金属粒子を成形し、真空中で焼結することにより、多孔質焼結体からなる陽極1Tを成型した。陽極リード2の他端部2bは、陽極1Tの一面から突出した形で固定されている。このように形成された多孔質焼結体からなる陽極1Tの外形は、長さが4.4mm、幅が3.3mm、厚みが1.0mmからなる直方体である。<工程2:チタン薄膜の形成>陽極1Tの外周部側の表面及び陽極リード2の他端部2bの一部表面にスパッタリング法等によりチタン薄膜10を形成した。尚、陽極リード2の他端部2bにおいて、陽極端子7が接続される領域にはマスクを施し、チタン薄膜10を形成していないが、チタン薄膜10が形成されていてもよい。このようにチタン薄膜10を形成することで、誘電体層3を形成する工程において陽極1Tの外周部側の領域に、陽極1Tを覆う第1誘電体層3Aと、第1誘電体層3Aを覆い、且つ電解質層4と接する第2誘電体層3Bからなる誘電体層3を形成できる。尚、本実施形態において、チタン薄膜10は陽極リード2の他端部2bの表面にも形成されているので、陽極リード2の他端部2bの一部表面にも第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bが順次形成されている。多孔質焼結体からなる陽極1Tの内部表面には、第1誘電体層3Aが形成される。次に、第1実施形態と同様の工程3~工程5を行った後、以下の工程6を行う。<工程6:陽極端子及び陰極端子の接続>陽極端子7の端部7aは、陽極リード2の端部2bに溶接等により電気的及び機械的に接続されている。また、陰極端子9の端部9aは、陰極引出層5上に導電性接着材8により電気的及び機械的に接続されている。以上により、第2実施形態のタンタル固体電解コンデンサ20Tが形成される。第2実施形態の変形例次に、第2実施形態の変形例について以下に説明する。尚、上述の第1実施形態及び第2実施形態と同様の部分については説明を省略する。図5aは、本変形例におけるタンタル固体電解コンデンサ20Uを説明するための模式的な断面図である。陽極1Uは第2実施形態と同様にタンタル金属粒子の多孔質焼結体により形成されている。図5bは、本変形例におけるタンタル固体電解コンデンサ20Uの内部を説明するための図5aの破線γで囲む領域の模式的な拡大断面図である。図5aに示す、陽極1Uを構成する多孔質焼結体の外周部側の表面や、図5bに示す、陽極1Uを構成する多孔質焼結体の細孔の表面には、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bからなる誘電体層3が形成されている。第2誘電体層3Bの表面には電解質層4が形成されている。一方、タンタル金属粒子1UAの間には、チタン薄膜10が形成されている。このため、陽極1Uを構成するタンタル金属粒子1UAの間は、チタン薄膜10を介して電気的に接続されている。このように本実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサにあっても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。更に、本変形例において、陽極1Uを構成する多孔質焼結体の細孔の壁面には、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bからなる誘電体層3が形成されている。このような場合、タンタル固体電解コンデンサ20Uの漏れ電流を効率よく低減できる。第2実施形態の変形例に係るタンタル固体電解コンデンサの製造方法本変形例に係るタンタル固体電解コンデンサの製造方法について以下に説明する。第2実施形態と異なる工程である、工程1、工程2について下記に説明する。本変形例では工程2に次いで工程1を行っている。尚、上述の第2実施形態と同様の部分については説明を省略する。<工程2:チタン薄膜の形成>1次粒径が約0.5μm、2次粒子径が約100μmのタンタル金属粒子1UAの表面に、スパッタリング法等によりチタン薄膜10を形成した。<工程1:陽極の形成>上述のチタン薄膜10が形成されたタンタル金属粒子1UAを陽極リード2の一端部2aが陽極1Uに埋め込まれた状態で成形し、真空中で焼結することにより、多孔質焼結体からなる陽極1Uを成型した。このように形成した陽極1Uの露出した表面にはチタン薄膜10が形成され、陽極1Uを構成するタンタル金属粒子1UAの粒界にもチタン薄膜10が形成されている。この陽極1Uを用いて上述の水熱処理を行うことにより、陽極1Uを構成する多孔質焼結体の細孔の壁面も均一に、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bからなる誘電体層3が形成できる。また、水熱処理時において電解質水溶液に接しないタンタル金属粒子1UAの粒界のチタン薄膜10は、電解質水溶液と反応せず存在するが、陽極1Uを構成するタンタル金属粒子1UAの密着性を高めることができる。以上により、第2実施形態の変形例に係るタンタル固体電解コンデンサ20Tが形成される。評価以下に、第1実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの誘電体層の漏れ電流及び誘電体層の誘電率を確認するために評価試料を作製した。図6aは、評価試料に係る固体電解コンデンサを模式的に示した断面図である。図6aに示すよう、上述の実施形態に係る固体電解コンデンサの基本的な構成である陽極1、誘電体層3を備えている。図6bは、評価試料の漏れ電流の測定方法を模式的に示した説明図である。評価試料に係る誘電体層3が形成された陽極1及び陰極用電極Xを電解質水溶液4 ́に浸漬し、電解質水溶液4 ́を電解質とし陰極として機能させ、誘電体層3を流れる漏れ電流の測定を行っている。よって、このように陽極1に誘電体層3が順次形成された評価試料のような構成があれば、上述の実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの漏れ電流の確認が可能となり、その評価を行うことができる。評価試料1第1実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの評価試料1について以下に説明する。<工程1:陽極の形成>陽極として、長さが40mm、幅が20mm、厚みが0.1mmからなる直方体のタンタル箔を用いた。<工程2:チタン薄膜の形成>陽極の一端部側にスパッタリング法により厚みが50nmのチタン薄膜を形成した。<工程3:誘電体層の形成>チタン薄膜を形成した陽極の一端部側を約150°Cに保持した0.5Mの水酸化バリウム水溶液中に浸漬し、約30Vの定電圧で約12時間、水熱処理することにより、誘電体層を形成した。図7はこのように形成した誘電体層3を、透過型電子顕微鏡TEMにより断面観察を行ったTEM像である。図7に示すように、誘電体層3は、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bから構成され、第2誘電体層3Bは誘電体粒子33により構成されている。誘電体粒子33の中でも、第1誘電体層3Aと接する第1誘電体粒子33Sを無作為に10個特定し、粒径を測定し、その平均値から求められた第1誘電体粒子33Sの平均粒径は26nmであった。第1誘電体層3Aと接しない第2誘電体粒子33Lを無作為に10個特定し、粒径を測定し、その平均値から求められた第2誘電体粒子33Lの平均粒径は105nmであった。尚、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bの特定は同一切断面から行った。また、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bの組成を、X線マイクロアナライザを用いて評価した。その結果、第1誘電体層3Aは酸化タンタルの組成が、第2誘電体層3Bはチタン酸バリウムの組成が検出された。また、第1誘電体層3A及び第2誘電体層3Bの結晶性を、X線回折装置を用いて評価した。その結果、第1誘電体層3Aは非晶質の酸化タンタルであり、第2誘電体層3Bは結晶性のチタン酸バリウムであった。評価試料2評価試料1における工程2を行わず、更に評価試料1の工程3に代えて、下記工程3Aを行ったこと以外は、評価試料1と同様に、従来に係るタンタル固体電解コンデンサの評価試料2の作成を行った。<工程3A:誘電体層の形成>陽極の一端部側を約25°Cに保持した約0.02重量の燐酸水溶液中に浸漬し、約30Vの定電圧で約2時間、陽極酸化することにより、誘電体層を形成した。評価試料2において誘電体層は上記1層のみで構成されている。上記と同様に組成及び結晶性の確認を行ったところ、誘電体層は非晶質成分の酸化タンタルであった。評価試料3評価試料1における工程2を行わず、更に評価試料1の工程1に代えて、下記工程1Aを行ったこと以外は、評価試料1と同様に評価試料3の作成を行った。<工程1A:陽極の形成>陽極1として、長さが40mm、幅が20mm、厚みが0.1mmからなる直方体のチタン箔を用いた。評価試料3において誘電体層は第1誘電体層及び第2誘電体層で構成されている。上記と同様に組成及び結晶性の確認を行ったところ、第1誘電体層は結晶性の酸化チタンであり、第2誘電体層は結晶性のチタン酸バリウムであった。また、断面を透過型電子顕微鏡TEMにより断面観察を行ったところ、第2誘電体層は誘電体粒子により構成されるが、殆どの誘電体粒子が第1誘電体層と接する状態で形成され、第2誘電体層内で誘電体粒子の粒径の分布はなかった。このように、誘電体粒子が成長した理由は明らかではないが、バルク状のチタンを水熱処理したためと考えられる。尚、誘電体粒子を無作為に10個特定し、測定した粒径から求められる平均粒径は200nmであった。評価試料4評価試料1の工程3に代えて、下記工程3Bを行ったこと以外は、評価試料1と同様に評価試料4の作成を行った。<工程3B:誘電体層の形成>陽極の一端部側を約25°Cに保持した約0.02重量の燐酸水溶液中に浸漬し、約30Vの定電圧で約2時間、陽極酸化することにより、第1誘電体層を形成した。次に、上述の第1誘電体層を形成した陽極を、約150°Cに保持した0.5Mの水酸化バリウム水溶液中に浸漬し、約12時間、水熱処理することにより、第2誘電体層を形成した。評価試料4において誘電体層は第1誘電体層及び第2誘電体層と、第1誘電体層及び第2誘電体層の間に形成された第3誘電体層とで構成されている。上記と同様に組成及び結晶性の確認を行ったところ、第1誘電体層は非晶質成分の酸化タンタルであり、第3誘電体層は結晶性の酸化チタンであり、第2誘電体層は結晶性のチタン酸バリウムであった。また、断面を透過型電子顕微鏡TEMにより断面観察を行ったところ、第2誘電体層は誘電体粒子により構成されるが、殆どの誘電体粒子が第3誘電体層と接する状態で形成され、第2誘電体層内で誘電体粒子の粒径の分布はなかった。尚、第3誘電体層が形成された理由としては、電圧を印加せず水熱処理を行ったため、チタン薄膜から酸化チタンが生成された後、十分に反応が進まず、酸化チタンが第3誘電体層として残存したためと考えられる。また、第2誘電体層内で誘電体粒子の粒径の分布が見られなかった理由としては、電圧を印加せず水熱処理を行ったためと考えられる。尚、誘電体粒子を無作為に10個特定し、測定した粒径から求められる平均粒径は60nmであった。漏れ電流の測定及び誘電率の算出評価試料1~4に対して図6bに示す電極間に10Vの電圧を印加し、50秒後の漏れ電流を測定した。次に、評価試料1~4に対して図6bに示す電極間に120Hz、100mVの交流電圧を印加して測定した静電容量及び走査型電子顕微鏡SEMで断面を観察して測定した誘電体層全体の膜厚から、誘電体層全体の比誘電率を算出した。これら結果を表1に示す。尚、表1における漏れ電流の値は、評価試料2を100とした場合の相対値で示している。表1に示すように、第1実施形態に係るタンタル固体電解コンデンサの評価試料1は、誘電体層が酸化タンタルのみで構成される従来に係るタンタル固体電解コンデンサの評価試料2と比べて漏れ電流を低減できた。更に、評価試料1は評価試料2と比較し、誘電体層の誘電率を高くできた。評価試料3は、従来の評価試料2と比較し、誘電体層の誘電率は高くなったが、漏れ電流が著しく増加した。評価試料4は、評価試料2と比較し、漏れ電流を低減したが、その程度は評価試料2の3分の1程度である。第1実施形態に係る評価試料1は、評価試料4よりも更に10分の1程度、漏れ電流が低減した。