"型に、K1-XNaXNbO3を形成するためのゾルゲル溶液を流し込み、前記ゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記K1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記型をエッチングにより除去する強誘電体膜の製造方法であって、前記型は前記K1-XNaXNbO3結晶化膜よりエッチングされやすく、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.7基板上に型を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するためのゾルゲル溶液を流し込み、前記ゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記K1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記型をエッチングにより除去することにより、前記基板上に前記K1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.7基板上に第1の電極を形成し、前記第1の電極および前記基板の上に型を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するためのゾルゲル溶液を流し込み、前記ゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記K1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記型をエッチングにより除去することにより、前記第1の電極上に前記K1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.7請求項3において、前記ゾルゲル溶液を仮焼成した後で且つ前記K1-XNaXNbO3材料膜を熱処理する前に、前記K1-XNaXNbO3材料膜および前記型の上に電極材料膜を形成し、前記型をエッチングにより除去した際に前記型上に位置する前記電極材料膜が除去されることで、前記K1-XNaXNbO3結晶化膜上に前記電極材料膜からなる第2の電極が形成されることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記ゾルゲル溶液に含有するK、Na及びNbの合計濃度は、10~50molであることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記K1-XNaXNbO3材料膜を形成する際、前記ゾルゲル溶液の流し込み及び前記仮焼成を複数回繰り返すことにより、K1-XNaXNbO3材料膜を形成することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記K1-XNaXNbO3結晶化膜の上及び下の少なくとも一方に、001に優先配向した第1の結晶性酸化膜が接して形成されることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。基板上に型を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するための第1のゾルゲル溶液を流し込み、前記第1のゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内に第1のK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記型に第1の結晶性酸化膜を形成するための第2のゾルゲル溶液を流し込み、前記第2のゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内で且つ前記第1のK1-XNaXNbO3材料膜上に結晶性酸化膜形成用材料膜を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するための第3のゾルゲル溶液を流し込み、前記第3のゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内で且つ前記結晶性酸化膜形成用材料膜上に第2のK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記第1のK1-XNaXNbO3材料膜、前記結晶性酸化膜形成用材料膜および前記第2のK1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内に第1のK1-XNaXNbO3結晶化膜、001に優先配向した第1の結晶性酸化膜および第2のK1-XNaXNbO3結晶化膜を順に積層して形成し、前記型をエッチングにより除去し、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.7請求項7または8において、前記第1の結晶性酸化膜は、ペロブスカイト構造を有するビスマス層状構造強誘電体膜またはタングステンブロンズ型強誘電体膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項7乃至9のいずれか一項において、前記第1の結晶性酸化膜は、島状又は膜状に形成されていることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項7乃至10のいずれか一項において、前記第1の結晶性酸化膜の厚さは2~30nmであることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項1乃至11のいずれか一項において、前記型は、酸化物からなることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項12において、前記酸化物は、多孔質セラミックスであることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項12または13において、前記酸化物は、001に優先配向した第2の結晶性酸化膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項14において、前記第2の結晶性酸化膜は、ペロブスカイト構造を有するビスマス層状構造強誘電体膜またはタングステンブロンズ型強誘電体膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項9または15において、前記ビスマス層状構造強誘電体膜は、Bi4Ti3O12膜またはBi3.25La0.75Ti3O12膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。請求項1乃至16のいずれか一項において、前記熱処理は、0.0993~1.986MPaの圧力範囲で行うことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。上述したように産業界において非鉛の材料からなる強誘電体の作製が求められている。本発明の一態様は、非鉛の材料からなる強誘電体膜の製造方法を提供することを課題とする。下記の1~18は、本発明の複数の態様について説明するものである。1型に、K1-XNaXNbO3を形成するためのゾルゲル溶液を流し込み、前記ゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記K1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記型をエッチングにより除去する強誘電体膜の製造方法であって、前記型は前記K1-XNaXNbO3結晶化膜よりエッチングされやすく、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.72基板上に型を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するためのゾルゲル溶液を流し込み、前記ゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記K1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記型をエッチングにより除去することにより、前記基板上に前記K1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.73基板上に第1の電極を形成し、前記第1の電極および前記基板の上に型を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するためのゾルゲル溶液を流し込み、前記ゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記K1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内にK1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記型をエッチングにより除去することにより、前記第1の電極上に前記K1-XNaXNbO3結晶化膜を形成し、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.74上記3において、前記ゾルゲル溶液を仮焼成した後で且つ前記K1-XNaXNbO3材料膜を熱処理する前に、前記K1-XNaXNbO3材料膜および前記型の上に電極材料膜を形成し、前記型をエッチングにより除去した際に前記型上に位置する前記電極材料膜が除去されることで、前記K1-XNaXNbO3結晶化膜上に前記電極材料膜からなる第2の電極が形成されることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。5上記1乃至4のいずれか一項において、前記ゾルゲル溶液に含有するK、Na及びNbの合計濃度は、10~50molであることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。6上記1乃至5のいずれか一項において、前記K1-XNaXNbO3材料膜を形成する際、前記ゾルゲル溶液の流し込み及び前記仮焼成を複数回繰り返すことにより、K1-XNaXNbO3材料膜を形成することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。7上記1乃至6のいずれか一項において、前記K1-XNaXNbO3結晶化膜の上及び下の少なくとも一方に、001に優先配向した第1の結晶性酸化膜が接して形成されることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。上記の強誘電体膜の製造方法によれば、K1-XNaXNbO3結晶化膜の上及び下の少なくとも一方に、001に優先配向した第1の結晶性酸化膜が接して形成されることにより、K1-XNaXNbO3材料膜を001に配向して結晶化させることができる。8基板上に型を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するための第1のゾルゲル溶液を流し込み、前記第1のゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内に第1のK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記型に第1の結晶性酸化膜を形成するための第2のゾルゲル溶液を流し込み、前記第2のゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内で且つ前記第1のK1-XNaXNbO3材料膜上に結晶性酸化膜形成用材料膜を形成し、前記型に、K1-XNaXNbO3を形成するための第3のゾルゲル溶液を流し込み、前記第3のゾルゲル溶液を仮焼成することにより、前記型内で且つ前記結晶性酸化膜形成用材料膜上に第2のK1-XNaXNbO3材料膜を形成し、前記結晶性酸化膜形成用材料膜、前記第1および第2のK1-XNaXNbO3材料膜を酸素雰囲気で熱処理して結晶化することにより、前記型内に第1のK1-XNaXNbO3結晶化膜、001に優先配向した第1の結晶性酸化膜および第2のK1-XNaXNbO3結晶化膜を順に積層して形成し、前記型をエッチングにより除去し、前記Xが下記式を満たすことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。0.3≦X≦0.79上記7または8において、前記第1の結晶性酸化膜は、前記K1-XNaXNbO3膜に比べて誘電率が高いことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。ここでいう誘電率が高いこととは、第1の結晶性酸化膜全体の誘電率がK1-XNaXNbO3膜全体の誘電率より高いことを意味し、いわゆる実質誘電率を意味する。10上記7乃至9のいずれか一項において、前記第1の結晶性酸化膜は、ペロブスカイト構造を有するビスマス層状構造強誘電体膜またはタングステンブロンズ型強誘電体膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。11上記7乃至10のいずれか一項において、前記第1の結晶性酸化膜は、島状又は膜状に形成されていることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。12上記7乃至11のいずれか一項において、前記第1の結晶性酸化膜の厚さは2~30nmであることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。ここでいう第1の結晶性酸化膜の厚さは、第1の結晶性酸化膜がK1-XNaXNbO3膜の上及び下の一方のみに形成されている場合はその厚さを意味し、第1の結晶性酸化膜がK1-XNaXNbO3膜の上及び下の両方に形成されている場合はその両方の合計厚さを意味する。13上記1乃至12のいずれか一項において、前記型は、酸化物からなることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。14上記13において、前記酸化物は、多孔質セラミックスであることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。15上記13または14において、前記酸化物は、001に優先配向した第2の結晶性酸化膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。上記の強誘電体膜の製造方法によれば、型を001に優先配向した第2の結晶性酸化膜により形成するため、K1-XNaXNbO3材料膜を001に配向して結晶化させることができる。16上記15において、前記第2の結晶性酸化膜は、ペロブスカイト構造を有するビスマス層状構造強誘電体膜またはタングステンブロンズ型強誘電体膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。17上記10または16において、前記ビスマス層状構造強誘電体膜は、Bi4Ti3O12膜またはBi3.25La0.75Ti3O12膜であることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。18上記1乃至17のいずれか一項において、前記熱処理は、0.0993~1.986MPaの圧力範囲で行うことを特徴とする強誘電体膜の製造方法。本発明の一態様によれば、非鉛の材料からなる強誘電体膜の製造方法を提供することができる。以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本発明の一態様に係る非鉛の材料からなる強誘電体膜は、ペロブスカイト構造からなるK1-XNaXNbO3膜であり、Xは下記式1を満たすことが好ましい。10.3≦X≦0.7上記のK1-XNaXNbO3膜は、非常に硬くて脆いため、機械的加工およびエッチングによる加工が困難である。そこで、以下のような加工方法を見出した。図1~図6は、本発明の一態様に係る強誘電体膜の製造方法を説明するための断面図である。まず、図1に示すように、基板1を用意する。この基板1としては、種々の材料からなる基板を用いることができるが、本実施形態では、Siウエハのような基板上にSiO2膜を形成し、このSiO2膜上にTi膜を形成し、このTi膜を酸化処理し、その上に所定の結晶面に配向した第1の電極を形成したものを用いる。第1の電極には、例えば111配向させたPt膜またはIr膜が用いられる。次に、図2Aに示すように、第1の電極図示せずを有する基板1上に型を形成するための材料膜2を形成する。この材料膜2は、K1-XNaXNbO3膜に比べてエッチングされやすい材料であればよく、例えばエッチング液等に溶解しやすい酸化物からなる。また、材料膜2は、多孔質セラミックスであってもよい。多孔質であればエッチング液等に溶解しやすいからである。また、材料膜2は、001に優先配向した結晶性酸化膜であるとよく、この結晶性酸化膜としてはペロブスカイト構造を有するビスマス層状構造強誘電体膜またはタングステンブロンズ型強誘電体膜が挙げられる。ビスマス層状構造強誘電体膜は、図7に示すように、例えばBITであるBi4Ti3O12またはBLTであるBi4-xLaxTi3O12が挙げられ、具体的にはBi3.25La0.75Ti3O12である。なお、xは下記式を満たす。0<x<1また、タングステンブロンズ型強誘電体膜の詳細については後述する。なお、本実施形態では、材料膜2として多孔質のPZT膜を用いており、このPZT膜のSEM写真を図2Bに示す。材料膜2は、基板1上にPZT膜を形成するためのゾルゲル溶液をスピンコート法により塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を仮焼成し、塗布膜の形成および仮焼成を繰り返すことにより、基板1上に複数の塗布膜を形成することで作製される。次に、図3に示すように、材料膜2上にレジスト膜図示せずを形成し、このレジスト膜をマスクとしてウエットエッチングまたはドライエッチングすることにより、材料膜を貫通した複数のライン状の開口部3aが基板1上に形成される。次いで、レジスト膜を除去する。このようにして複数のライン状の開口部3aを有する型3が基板1上に形成され、開口部3aによって第1の電極が露出される。次に、図4Aに示すように、型3の開口部3a内の第1の電極上に、001に優先配向した結晶性酸化膜を形成するためのゾルゲル溶液をスピンコート法により塗布することで塗布膜を形成し、この塗布膜を仮焼成することにより、塗布膜からなる結晶性酸化膜形成用材料膜図示せずを成膜する。次に、型3の開口部3a内の結晶性酸化膜形成用材料膜上にK1-XNaXNbO3膜4を形成するためのゾルゲル溶液を用意する。このゾルゲル溶液は、K、Na及びNbを含むヘテロポリ酸を含む原料溶液と、極性溶媒類と不飽和脂肪酸類を含有する。ゾルゲル溶液に含有するK、Na及びNbの合計濃度は、10~50molであるとよい。前記ゾルゲル溶液は、分子構造が非中心対称化され、非線形を発現しているケギン型構造を有するヘテロポリ酸イオンを構成要素とし、前記ヘテロポリ酸イオンのポリ原子が少なくとも1つ欠損しているか、または、ヘテロポリ酸イオンの一部のポリ原子が他の原子で置換されているヘテロポリ酸イオンを強誘電体セラミックスの前駆体構造の一部として含むものである。前記ヘテロポリ酸イオンが、次の一般式:[XMyM′12-yO40]n-式中、Xはヘテロ原子、Mはポリ原子、M′はMとは異なるポリ原子、nは価数、y=1~11である。で表されるケギン型構造を有するものであり、上記のヘテロポリ酸イオンを強誘電体セラミックスの前駆体構造の一部として含むものである。また、前記ヘテロポリ酸イオンが、一般式:[XM11O39]n-式中、Xはヘテロ原子、Mはポリ原子、nは価数である。で表されるケギン型構造を有するものであっても良く、上記のヘテロポリ酸イオンを強誘電体セラミックスの前駆体構造の一部として含むものである。また、前記ヘテロポリ酸イオンが、次の一般式:[XMzM′11-zO39]n-式中、Xはヘテロ原子、Mはポリ原子、M′はMとは異なるポリ原子、nは価数、z=1~10である。で表されるケギン型構造を有するものであり、上記のヘテロポリ酸イオンを強誘電体セラミックスの前駆体構造の一部として含むものである。前記ヘテロポリ酸イオンの内、ヘテロ原子が、B、Si、P、S、Ge、As、Mn、Fe、Coからなる群より成り、ポリ原子が、Mo、V、W、Ti、Al、Nb、Taからなる群より成ることも可能であり、上記のヘテロポリ酸イオンを強誘電体セラミックスの前駆体構造の一部として含むものであっても良い。極性溶媒類は、メチルエチルケトン、1,4-ジオキサン、1,2-ジメトキシエタンアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、アセトニトリル、ジクロロメタン、ニトロメタン、トリクロロメタン、ジメチルホルムアミド、モノメチルホルムアミドの何れかまたは複数の組み合わせである。不飽和脂肪酸は、モノ不飽和脂肪酸、ジ不飽和脂肪酸、トリ不飽和脂肪酸、テトラ不飽和脂肪酸、ペンタ不飽和脂肪酸およびヘキサ不飽和脂肪酸のいずれかまたは複数の組み合わせである。モノ不飽和脂肪酸としては、例えば、クロトン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、エイコセン酸、エルカ酸、ネルボン酸が挙げられ、これらのいずれかまたは複数の組み合わせとして用いても良い。ジ不飽和脂肪酸としては、例えば、リノール酸、エイコサジエン酸、ドコサジエン酸が挙げられ、これらのいずれかまたは複数の組み合わせとして用いても良い。トリ不飽和脂肪酸としては、例えば、リノレン酸、ピノレン酸、エレオステアリン酸、ミード酸、ジホモ-γ-リノレン酸、エイコサトリエン酸が挙げられ、これらのいずれかまたは複数の組み合わせとして用いても良い。テトラ不飽和脂肪酸としては、例えば、ステアリドン酸、アラキドン酸、エイコサテトラエン酸、アドレン酸が挙げられ、これらのいずれかまたは複数の組み合わせとして用いても良い。ペンタ不飽和脂肪酸としては、例えば、ボセオペンタエン酸、エイコサペンタエン酸、オズボンド酸、イワシ酸、テトラコサペンタエン酸が挙げられ、これらのいずれかまたは複数の組み合わせとして用いても良い。ヘキサ不飽和脂肪酸としては、例えば、ドコサヘキサエン酸、ニシン酸が挙げられ、これらのいずれかまたは複数の組み合わせとして用いても良い。次に、型3の開口部3a内の結晶性酸化膜形成用材料膜上に、上記のゾルゲル溶液を塗布する。このゾルゲル溶液の基板との接触を測定した結果は20°以下であった。なお、基板との接触角は1~40°好ましくは1~20°であれば良い。ゾルゲル溶液の塗布は、スピンコート法により行う。これにより、型3の開口部3a内の結晶性酸化膜形成用材料膜上に塗布膜を形成し、この塗布膜を25~450°Cの温度好ましくは450°Cの温度で仮焼成することにより、結晶性酸化膜形成用材料膜上に塗布膜からなるK1-XNaXNbO3材料膜を成膜する。なお、この塗布膜の形成及び仮焼成を複数回繰り返すことにより、結晶性酸化膜形成用材料膜上に複数の塗布膜からなるK1-XNaXNbO3材料膜を成膜してもよい。次に、型3の開口部3a内のK1-XNaXNbO3材料膜上に結晶性酸化膜形成用材料膜図示せずを成膜する。この結晶性酸化膜形成用材料膜は、上記の結晶性酸化膜形成用材料膜と同様のものを用いることができる。次に、上記と同様の方法で、型3の開口部3a内の結晶性酸化膜形成用材料膜上に、K1-XNaXNbO3材料膜を成膜する。なお、型3の開口部3a内にさらに結晶性酸化膜形成用材料膜、K1-XNaXNbO3材料膜を繰り返して成膜してもよい。次に、図5に示すように、型3およびK1-XNaXNbO3材料膜の上に第2の電極材料膜5を形成する。本実施形態では、第2の電極材料膜5としてPt膜を用いる。次に、結晶性酸化膜形成用材料膜およびK1-XNaXNbO3材料膜を以下の方法で結晶化させる。結晶性酸化膜形成用材料膜およびK1-XNaXNbO3材料膜を450~900°Cの温度好ましくは900°Cの温度の酸素雰囲気で熱処理することにより、それらを結晶化することができる。この際の熱処理条件は、0.0993~1.986MPaの圧力範囲で行うとよい。また、この際の熱処理条件は、加圧酸素雰囲気2~20atm、50~150°C/secの昇温速度で、1~5min焼成するとよい。また、K1-XNaXNbO3材料膜を一括で結晶化する際のK1-XNaXNbO3材料膜の膜厚は300nm以上であることが好ましい。このようにして結晶性酸化膜形成用材料膜を結晶化した結晶性酸化膜図示せずは001に優先配向しており、また結晶化されたK1-XNaXNbO3結晶化膜は、Xが下記式1を満たすことが好ましい。10.3≦X≦0.7優先配向とは、X線構造解析を行った際のΘ-2Θ解析チャートの各ピークの最も強いものが次に強いものの2倍以上である場合をいう。例えば図9を用いて具体的に説明する。ただし、図9の縦軸のXRD反射強度はアナログ強度表示cpsであり、対数表示を用いていない。PZTの各ピークの最も強い001の次は110であるが、2倍以上の強度差があるので、001を優先配向と呼ぶ。結晶性酸化膜を001に優先配向させることにより、K1-XNaXNbO3結晶化膜を001に配向させることができ、その結果、圧電特性を向上させることができる。なお、K1-XNaXNbO3結晶化膜は、図4BのSEM写真に示すように緻密でエッチングされにくい膜である。K1-XNaXNbO3結晶化膜は、膜厚500nm以上の厚い膜であっても気泡をほとんど含まない。言い換えると、このようにして成膜することにより、良好な厚い膜を形成することができる。その理由は、殆ど膜厚方向に有機成分が消失するような構造からなっており、基板面内では殆ど収縮せず、酸化による膨張と相殺される程度である。したがって殆ど基板に反りはないのである。なお、上記のK1-XNaXNbO3材料膜と結晶性酸化膜形成用材料膜の成膜及び結晶化を繰り返すことにより、膜厚2μm以上のK1-XNaXNbO3結晶化膜を形成することも可能である。また上記のようにして結晶化された結晶性酸化膜の合計厚さは、1~30nmであり、好ましくは15~25nmであり、より好ましくは20nmである。結晶性酸化膜における結晶がK1-XNaXNbO3材料膜を結晶化する際の核となるため、ペロブスカイト構造に結晶化されにくいK1-XNaXNbO3材料膜の結晶化を迅速に進めることが可能となる。このように結晶性酸化膜が結晶化の核として作用するため、K1-XNaXNbO3材料膜の上及び下の少なくとも一方に結晶性酸化膜が形成されていればよい。K1-XNaXNbO3材料膜4上を覆っている第2の電極材料膜5は遮蔽膜としても機能する。遮蔽膜は、K1-XNaXNbO3材料膜4を酸素雰囲気で熱処理して結晶化する際にK及びNaがK1-XNaXNbO3材料膜4中から離脱するのを抑制するように機能するものである。また、結晶性酸化膜は、強誘電体膜であるK1-XNaXNbO3結晶化膜に比べて誘電率が高いことが好ましい。ここでいう誘電率が高いこととは、結晶性酸化膜全体の誘電率が強誘電体膜全体の誘電率より高いことを意味し、いわゆる実質誘電率を意味する。これにより、結晶性酸化膜及びK1-XNaXNbO3結晶化膜に直列に電圧を印加した際に、誘電率が低いK1-XNaXNbO3結晶化膜に電界が加えられる。次に、図6に示すように、型3をエッチングにより除去することにより、K1-XNaXNbO3結晶化膜4aが露出されるとともに、第2の電極材料膜5がリフトオフされてK1-XNaXNbO3結晶化膜4a上に残される。その結果、基板1の第1の電極上にK1-XNaXNbO3結晶化膜4aが形成され、K1-XNaXNbO3結晶化膜4a上に第2の電極5aが形成される。本実施形態によれば、非鉛の材料からなる強誘電体膜であるK1-XNaXNbO3結晶化膜4aを作製することができる。また、K1-XNaXNbO3結晶化膜4aの下には第1の電極が形成され、K1-XNaXNbO3結晶化膜4aの上には第2の電極が形成されているため、第1の電極と第2の電極に電圧を印加することにより圧電素子として機能させることができる。また、本実施形態では、001に優先配向した結晶性酸化膜を用いることにより、K1-XNaXNbO3材料膜4を001に配向して結晶化させることができ、その結果、K1-XNaXNbO3結晶化膜の圧電特性を向上させることができる。また、型3を形成するための材料膜2として001に優先配向した結晶性酸化膜を用いた場合は、K1-XNaXNbO3材料膜4を001に配向して結晶化させるのに役立ち、その結果、K1-XNaXNbO3結晶化膜の圧電特性を向上させることができる。また、本実施形態によれば、K1-XNaXNbO3材料膜4を、基板1と第2の電極材料膜5によって挟んだ状態で結晶化の熱処理を行うため、K1-XNaXNbO3材料膜4中のKとNaが抜けることを抑制でき、K1-XNaXNbO3結晶化膜4aの膜質を向上させることができる。また、K1-XNaXNbO3材料膜4に結晶化の熱処理を行う際に加圧酸素雰囲気とすることにより、K1-XNaXNbO3材料膜4中のKとNaが抜けることを抑制でき、K1-XNaXNbO3結晶化膜4aの膜質を向上させることができる。また、結晶性酸化膜は、ペロブスカイト構造を有するビスマス層状構造強誘電体膜またはタングステンブロンズ型強誘電体膜であることが好ましい。ビスマス層状構造強誘電体は、その特異な結晶構造より、結晶成長方向に異方性を有することが知られている論文、TakeshiKijimaetal.:Jpn.J.Appl.Phys.3519961246。ビスマス層状構造強誘電体は、素早く001に優先配向して結晶化される特性例えば111配向したPt膜の上でも勝手にc軸配向である001配向して結晶化される特性を有しており、一般式Bi2O22Am-1BmO3m12-m=1~5またはBi2Am-1BmO3m3m=1~5で表される結晶構造であり、Bi2O22層の間に複数の疑ペロブスカイト構造が挟まれた構造をしている。ここでmは、単位格子における疑ペロブスカイト層中の酸素八面体の数を示している。この強誘電体については、タングステンブロンズ型強誘電体と同様にBサイトイオンを中心とした酸素八面体がわずかに回転や傾斜することによって強誘電性を示すと考えられ、タングステンブロンズ構造と同様に圧電異方性が大きい。ビスマス層状構造強誘電体は、図7に示すように、例えばBITであるBi4Ti3O12またはBLTであるBi4-xLaxTi3O12が挙げられ、具体的にはBi3.25La0.75Ti3O12である。なお、xは下記式を満たす。0<x<1タングステンブロンズ型強誘電体膜の結晶構造は、タングステン酸ナトリウムNaxWO3,x=0.0~1.0の研究を通じて見出された結晶構造であり、タングステン酸ナトリウムはx=1.0組成で黄金色を呈することから、一般にタングステンブロンズ型結晶構造と呼ばれている。タングステンブロンズ化合物はペロブスカイト構造ABO3におけるAサイトイオンの一部が欠損した構造AxBO3x<1を基本としており、一般に全体を整数倍した形の組成式で表現される。図8に、典型的なタングステンブロンズ型結晶構造を示す。本構造の強誘電体については、Bサイトイオンを中心とした6個の酸素イオンから構成される酸素八面体が電界の変化にともない、わずかに回転や傾斜することによって強誘電性を発現する。この構造の代表的な無鉛圧電セラミックス材料としては、Ba2NaNb5O15がある。なお、本実施形態では、強誘電体膜として結晶性酸化膜とK1-XNaXNbO3結晶化膜の積層構造としているが、強誘電体膜としてK1-XNaXNbO3結晶化膜の単層構造としてもよい。"