"カチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、前記組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有するパターン形成材料であって、前記水溶性有機化合物中の前記カチオン性基とレジストパターン中のアニオン性基とが塩形成による不溶化膜を形成することを特徴とする、パターン形成材料。前記水溶性有機化合物は、前記水溶性有機化合物中の前記カチオン性基が、前記レジストパターン中の前記アニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成材料。前記組成物が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンオキシドまたはスチレン-無水マレイン酸共重合体のうち少なくとも1種類の非カチオン性有機化合物を副成分として含有することを特徴とする、請求項1または2に記載のパターン形成材料。カチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、前記組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有するパターン形成材料であって、レジスト中に前記パターン形成材料に含有される前記カチオン性基を有する前記水溶性有機化合物が拡散し、前記カチオン性基と前記レジスト中のアニオン性基との塩形成による不溶化膜を形成し、前記レジストを膨張させることを特徴とする、パターン形成材料。前記水溶性有機化合物は、前記水溶性有機化合物中の前記カチオン性基が、前記レジスト中の前記アニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とする、請求項4に記載のパターン形成材料。前記組成物が、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンオキシドまたはスチレン-無水マレイン酸共重合体のうち少なくとも1種類の非カチオン性有機化合物を副成分として含有することを特徴とする、請求項4または5に記載のパターン形成材料。請求項1~6のいずれかに記載したパターン形成材料を用いて製造したことを特徴とする電子デバイス装置。しかしながら、上記特許文献4および5に開示されているような、レジスト表面に有機枠を形成し、分離幅を縮小する方法では、酸触媒の過少によって有機枠の増減があり、場合によっては有機枠が形成されないという問題があり、また、不溶化による有機枠の体積収縮応力でパターンが変形するという問題があった。そこで、本発明は、分離パターン、ホールパターンの微細化において、波長限界を超えるパターン形成を可能とする微細分離レジストパターン形成を実現する、下地レジストを溶解しない水溶性のパターン形成材料を提供することを目的とする。また、本発明は、さらに、上記パターン形成材料を用いて製造した電子デバイス装置を提供することも目的とする。本発明にかかるパターン形成材料は、カチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有するパターン形成材料であって、水溶性有機化合物中のカチオン性基とレジストパターン中のアニオン性基とが塩形成による不溶化膜を形成することを特徴とする。ここで、水溶性有機化合物は、水溶性有機化合物中のカチオン性基が、レジストパターン中のアニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とできる。また、本発明にかかるパターン形成材料は、カチオン性基を有する水溶性有機化合物を主成分とする組成物と、組成物を溶解する、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有するパターン形成材料であって、レジスト中にパターン形成材料に含有されるカチオン性基を有する水溶性有機化合物が拡散し、カチオン性基とレジスト中のアニオン性基との塩形成による不溶化膜を形成し、レジストを膨張させることを特徴とする。ここで、水溶性有機化合物は、水溶性有機化合物中のカチオン性基が、レジスト中のアニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能なものであることを特徴とできる。本発明にかかるパターン形成材料において、上記組成物は、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンオキシドまたはスチレン-無水マレイン酸共重合体のうち少なくとも1種類の非カチオン性有機化合物を副成分として含有することができる。また、本発明にかかる電子デバイス装置は、上記に記載したパターン形成材料を用いて製造したことを特徴とする。本発明によれば、レジストの分離パターン、ホールパターンなどの微細化において、波長限界を越えるパターン形成を可能とする微細分離レジストパターン形成用材料と、それを用いたパターン形成方法が得られる。これにより、ドライエッチング耐性が高くかつ、応力による形状劣化を生じない方法で、ホール系レジストパターンのホール径を従来より縮小することができ、またスぺース系レジストパターンの分離幅を従来より縮小することができる。また、体積収縮応力の影響を受けずにレジスト表面に有機枠を形成し、レジストの耐エッチング性を向上することができる。また、このようにして形成した微細分離レジストパターンをマスクとして用いて、電子デバイス基材上に微細分離されたスペースあるいはホール形成することができる。また、このような製造方法により、微細分離されたスペースあるいはホールを有する電子デバイス装置を得ることができる。また、本発明によれば、アニオン性基とカチオン性基との塩形成反応を行って、不溶化膜を形成するためのミキシングベークの時間および温度を調整することにより、不溶化膜の膜厚を制御することができる。また、本発明によれば、微細パターン形成材料中の主成分と副成分の組成比を調整することにより、カチオン性基とアニオン性基とが塩を形成して不溶化膜を生成する際に、不溶化膜の膜厚を制御することができる。本発明は、カチオン性基を有する水溶性の化合物を主成分とし、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を溶媒として溶解する微細パターン形成材料であって、カチオン性基は、アニオン性基との塩形成により不溶化膜を形成可能であることを特徴とする。このように、不溶化膜を形成することにより、用いる露光の波長により形成可能なパターンよりさらに微細なパターンを形成することが可能となる。ここで、カチオン性基を有する水溶性有機化合物は、アニオン性基と塩を形成して不溶化膜を形成可能であり、さらに水溶性のものを用いることができ、具体的には、エチレンイミンオリゴマー、ビニルアミンオリゴマー、アリルアミンオリゴマー、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性尿素樹脂および水溶性メラミン樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。また、これらの水溶性有機化合物はユニットを構成するモノマーの2~240量体、または平均分子量が10000以下であることが好ましい。240量体を超えるかまたは平均分子量が10000を超えると、材料の粘性が高くなりすぎ、これを抑えるために水などの溶媒量が増加するが、このために、レジストパターン上に本発明の微細パターン形成材料を塗布する際、濡れ性やハジキ特性が悪化するおそれがあるためである。これらの化合物についての化学構造式を次に示す。本発明において、当該カチオン性基を有する水溶性の有機化合物は、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒に溶解するものである。ここで、水溶性有機溶媒としては、公知のものを用いることができ、たとえば、イソプロピルアルコールを挙げることができる。本発明の微細パターン形成材料は、当該材料中のカチオン性基とアニオン性基を有する化合物を含むレジスト中のアニオン性基とが塩形成反応により、不溶化膜を形成することができる。ここで不溶化膜とは、現像液により溶解しない膜である。当該現像液としては、水、イソプロピルアルコール10水溶液、イソプロピルアルコール5水溶液および界面活性剤入り水溶液などを挙げることができるが、これらに限定されない。本発明の微細パターン形成材料は、電子デバイス装置などの製造プロセスにおいて、基材上に形成されたレジストパターンのさらなる微細加工に用いられるものであって、本発明においては、アニオン性基を有する化合物を含むレジストパターン上に形成され、当該レジスト中のアニオン性基との塩形成反応により不溶化膜を形成するものである。本発明の微細パターン形成材料は、主成分として上記カチオン性基を有する水溶性の有機化合物を含むが、これ以外に副成分として、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンオキシドまたはスチレン-無水マレイン酸共重合体のいずれか1つ以上を含んでもよい。このような分子量の大きい水溶性ポリマーを副成分として添加することにより、レジストパターン上に本発明の微細パターン形成材料を塗布する際の濡れ性やハジキ特性を向上させることができる。このような副成分の化合物についての化学構造式を次に示す。また、本発明において、上記の主成分および副成分は、共重合体を形成していてもよい。具体的には、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性尿素樹脂、水溶性メラミン樹脂またはアルキッド樹脂の少なくともいずれか1種類以上の化合物と、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアセタール、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンオキシドまたはスチレン-無水マレイン酸共重合体のいずれか1種類以上の化合物との組み合わせからなる共重合体を主成分とすることができる。このように共重合体にすることで、主成分と副成分の相溶性を向上させることができる。また、本発明において、基材上にパターン形成する第1のレジストは、アニオン性基を有する化合物を主成分とする。当該アニオン性基を有する化合物としては、アクリル系化合物およびその誘導体を挙げることができる。具体的には、アクリル系としてTArF-P7052東京応化工業社製、パラヒドロキシスチレン系としてAZ-DX5240Pクラリアント製、ノボラックナフトキノンジアジド系としてPFI-58住友化学製を挙げることができる。また、基材にはたとえば酸化シリコン膜SiO2を用いることができる。次に、本発明の微細パターン形成方法について、図を用いて説明する。図1は、微細分離されたレジストパターンを形成するためのマスクパターンの一例を示す平面図であり、図1aは、微細ホールのマスクパターンであり、図1bは、直線状の微細スペースのマスクパターンであり、図1cは、点状の微細スペースのマスクパターンである。また、図2は、微細パターン形成方法を示すプロセス図である。まず、図2aに示すように、基板3上に、第1のレジスト1を塗布する。当該基板3としては、電子デバイス装置に用いるものであれば特に限定されるものではないが、半導体基板などとするものである。また、第1のレジスト1は、アニオン性基を有する化合物を主成分とするレジストである。また、当該第1のレジスト1の厚さは、一例を挙げると、約0.2μm~約0.6μm程度の範囲に設定することができる。この第1のレジスト1は、基板3上にスピンコートなどにより塗布し、プリベークを行って第1のレジスト1中の溶媒を蒸発させる。当該プリベークの際、温度は、約70°C~約110°C程度の範囲内に設定し、時間は約1分程度に設定することができる。次に、第1のレジストパターン1’を形成するために、第1のレジスト1の感光波長に対応した光源を用いて、図1に示す如くパターンのマスクを用いて露光する。当該光源には、g線、i線、またはDeep-UV、KrFエキシマ、ArFエキシマ、EB電子線、X-rayなどを用いることができるが、これに限定されない。次に、必要に応じて露光後加熱PostEXPOSUREBake:PEBを行い、レジストの解像度を向上させる。当該加熱の温度は、たとえば、約60°C~約130°C程度の範囲内の温度に、また時間は約1分程度に設定することができる。次いで、アルカリ現像液を用いて現像する。このようにして、図2bに示す第1のレジストパターン1’が形成されるものである。以上の工程より、基材上に第1のレジストパターンが形成されることとなる。この工程は、第1のレジストにアニオン性基を有する化合物を主成分とすするレジストを用いた以外は、公知のパターン形成方法と同様である。次に、図2cに示すように、基板3および第1のレジストパターン1’上に、第2のレジスト2として上述した微細パターン形成材料を塗布する。当該第2のレジスト2の塗布方法は、第1のレジストパターン1’および基板3上に均一に塗布可能であれば、特に限定されるものではなく、スピンコートや、スプレーによる塗布または第2のレジスト溶解中に浸漬ディッピングすることにより塗布可能である。第2のレジスト2の塗布後、必要に応じてプリベークすることができる。当該プリベークの際の温度は、約70°C~約90°C程度の範囲内に設定し、時間は約1分程度に設定することができる。次に、第1のレジスト中のアニオン性基と第2のレジスト中のカチオン性基との塩形成反応を行って、第2レジストと第1レジストとが接合する、第2レジスト中の部分において不溶化膜を形成するために、ミキシングベークmixingbake:MBを行う。当該ミキシングベークの際の温度は、約80°C~140°C程度の範囲内に設定し、時間は約1分程度に設定することができるが、これに限定されず、用いる第1レジスト材料および第2レジスト材料、またはこれらのレジストの膜厚に応じて、適宜設定すればよい。次に、図2eに示すように、第1のレジストパターン1を溶解せず、第2のレジスト中の非不溶化部分を溶解させることができる現像液を用いて、塩形成していない第2のレジスト2を剥離する。当該現像液としては、水、イソプロピルアルコール10水溶液、イソプロピルアルコール5水溶液および界面活性剤入り水溶液などを挙げることができるが、これらに限定されない。次に、ポストベークを行う。当該加熱の温度は、たとえば、約70°C~110°C程度の範囲内の温度に、また時間は約90秒程度に設定することができる。このようにして、図2に示したとおり、微細パターンが形成されることになる。この方法では、第1のレジストパターン1’を形成した後に、第2のレジストと塩形成反応により不溶化膜を形成することによって、さらなる微細パターン化を図れるものである。ここで、第1のレジストと第2のレジストとの塩形成反応による不溶化膜の形成の制御は、ミキシングベーク温度および処理時間を調整するか、または、第2のレジスト中の組成比を調整することにより、行うことができるものである。なお、塩形成反応の制御は、第1のレジストと第2のレジストとの反応性、第1のレジストパターンの形状および膜厚、不溶化膜の膜厚、塗布条件などの種々の条件により、何らかの影響が及ぼされることを考慮して、所望する不溶化膜、さらには微細パターン形状が得られるように、第二レジストの組成およびMB条件を最適化設定することが好ましい。本発明において、上述のようにして形成された微細パターン形状をマスクとして、基材をエッチングすることにより、基材を所望の形状に加工することができる。その後、当該第1および第2のレジストを剥離することにより、所望の形状に加工された基材を、電子デバイス装置に用いることができるものである。以下実施例により本発明をより詳細に説明するが、これに限定されることを意図しない。実施例1第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、基材上にレジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、当該レジストを回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行った。次いで、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1に示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-003と10質量のポリビニルアセタールを下記表1のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。上記第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、第2のレジスト材料である表1のAの材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏100度で70秒間ミキシングベークMBを行い、アニオン性のレジスト樹脂中に低分子カチオン性樹脂であるエチレンイミンオリゴマーが拡散し、アニオン性基とカチオン性基とが塩を形成することで不溶化反応が進行し、下地のレジストを膨張させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて、摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表2に示す。表2に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用いて、微細パターンが形成されることが分かる。実施例2第1のレジストとして、主としてパラヒドロキシスチレン樹脂から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:AZ-DX5240P、クラリアント製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布により膜厚が約0.8μmとなるように成膜した。次に、摂氏90度で90秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を乾燥させた。続いて、KrFエキシマ縮小投影露光装置を用いて、図1に示すようなマスクを用いて、露光を行った。次に、摂氏100度で90秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-003と10質量のポリビニルアセタールを上記表1のAに示すような割合で加え、水溶性化合物溶液を得た。上述の第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、第2のレジスト材料である表1のAの材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏100度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表3に示す。表3に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用いて、微細パターンが形成されることが分かる。実施例3第1のレジストとして、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドから構成されたi線レジスト商品名:PFI-58、住友化学製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏85度で70秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約1.0μmで形成した。次に、露光装置として、i線縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1に示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏120度で70秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-003と10質量のポリビニルアセタールとを上記表1のAに示すような割合で加え、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、第2のレジスト材料である表1のAに示す材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏100度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表4に示す。表4に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用いて、微細パターンが形成されることが分かる。実施例4第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-003と10質量のポリビニルアセタールとを上記表1のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、第2のレジスト材料である表1のAに示す材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、表5に示すように摂氏90度~120度の範囲内で10度間隔で温度を変化させ、70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表5に示す。表5に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用い、ミキシングベーク温度を変更すると、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例5第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、Siウェハー上に滴下、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-003と10質量のポリビニルアセタールとを上記表1のA~Dに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表1のA~Dの各材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏120度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続く摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表6に示す。表6に示すように、本実施例で得られる第2のレジスト材料を表1のA~Dのように組成を変更することで、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例6第1のレジストとして、主としてパラヒドロキシスチレン樹脂から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:AZ-DX5240P、クラリアント製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布により膜厚約0.8μmとなるように成膜した。次に、摂氏90度で90秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を乾燥させた。続いて、KrFエキシマ縮小投影露光装置を用いて、図1aに示すようなマスクを用いて、露光を行った。次に、摂氏100度で90秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-003と10質量のポリビニルアセタールとを上記表1のA~Dに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表1のA~Dの各材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏120度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表7に示す。表7に示すように、本実施例で得られる第2のレジスト材料を表1のA~Dのように組成を変更することで、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例7第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-006と10質量のポリビニルアセタールとを上記表1のA~Dに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表1のA~Dの各材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏120度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続く摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表8に示す。表8に示すように、本実施例で得られる第2のレジスト材料を表1のA~Dのように組成を変更することで、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例8第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-018と10質量のポリビニルアセタールとを上記表1のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表1のAに示す材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、表9に示すように摂氏90度~120度の範囲内において10度間隔で温度を変化させ、70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表9に示す。表9に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用い、ミキシングベーク温度を変更すると、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例9第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー日本触媒製、SP-200と10質量のポリビニルアセタールとを表1のA~Dに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表1のA~Dに示す各材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度/70秒でプリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏120度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表10に示す。表10に示すように、本実施例で得られる第2のレジスト材料を表1のA~Dのように組成を変更することで、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例10第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー誘導体日本触媒製、SP-103と10質量のポリビニルアセタールとを表1のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表1のAの材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、表11に示すように摂氏90度~120度の範囲内において温度を10度間隔で変化させ、70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表11に示す。表11に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用い、ミキシングベーク温度を変更すると、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例11第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンオリゴマー誘導体日本触媒製、PP-061と10質量のポリビニルアセタールとを上記表1のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表1のAの材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、表12に示すように摂氏90度~120度の範囲内で温度を10度間隔で変化させ、70秒間ミシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表12に示す。表12に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用い、ミキシングベーク温度を変更すると、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例12第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミンを分子内に持つ1,3-ジアミノプロパンと10質量のポリビニルアルコールとを下記表13のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た表13のAに示す第2のレジスト材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、表14に示すように摂氏90度~120度の範囲内において温度を10度の間隔で変化させ、70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表14に示す。表14に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用い、ミキシングベーク温度を変更すると、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例13第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミンを分子内に持つ1,4-ジアミノブタンと10質量のポリビニルアルコールとを下記表15のA~Dに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表15のA~Dに示す各材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏120度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表16に示す。表16に示すように、本実施例で得られる第2のレジスト材料を表15のA~Dのように組成を変更することで、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例14第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、Siウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度/60秒でPEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミンを分子内に持つ1-アミノエタノールと10質量のポリビニルアルコールとを下記表17のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た表17のAに示す第2のレジスト材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、表18に示すように摂氏90度~120度の範囲内において温度を間隔10度で変化させ、70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表18に示す。表18に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用い、ミキシングベーク温度を変更すると、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例15第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミンおよび3級アミンを分子内に持つジエチレンテトラミンと10質量のポリビニルアルコールを下記表19のA~Dに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表19のA~Dに示す各材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏120度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表20に示す。表20に示すように、本実施例で得られる第2のレジスト材料を表19のA~Dのように組成を変更することで、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例16第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミンおよび2級アミンを分子内に持つジエチレントリアミンと10質量のポリビニルアルコールを下記表21のA~Dに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、本実施例で得た第2のレジスト材料である表21のA~Dの各材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏120度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表22に示す。表22に示すように、本実施例で得られる第2のレジスト材料を表21のA~Dのように、組成を変更することで、形成される微細パターンの寸法を制御できることが分かる。実施例17第1のレジストとして、主としてアクリル化合物から構成された化学増幅型エキシマレジスト商品名:TArF-P7052、東京応化工業社製を用い、レジストパターンを形成した。まず、上記レジストを、基材としてのSiウェハー上に滴下し、回転塗布した後、摂氏90度で60秒間プリベークを行い、レジスト中の溶媒を蒸発させて第1のレジストを膜厚約0.4μmで形成した。次に、露光装置として、ArFエキシマ縮小投影露光装置を用い、露光マスクとして、図1aに示すようなマスクを用いて、第1のレジストを露光した。次に、摂氏110度で60秒間PEB処理を行い、続いて、アルカリ現像液東京応化工業社製、NMD3を用いて現像を行い、レジストパターンを得た。次に、第2のレジスト材料として、1級アミン、2級アミンおよび3級アミンを1分子内に持つエチレンイミンポリマー日本触媒製、P-1000と10質量のポリビニルアセタールとを下記表23のAに示すような割合で加え、室温で6時間攪拌混合し、水溶性化合物溶液を得た。この第1のレジストパターンが形成されたSiウェハー上に、第2のレジスト材料である表23のAに示す材料を滴下し、スピンコートした後、摂氏80度で70秒間プリベークを行い、第2のレジスト膜を形成した。次に、摂氏100度で70秒間ミキシングベークMBを行い、不溶化反応を進行させた。次に、純水を用いて現像を行い、非不溶化層を現像剥離し、続いて摂氏90度で90秒間ポストベークを行うことにより、第1のレジストパターン上に第2のレジスト不溶化層を形成し、第2のレジストパターンを形成した。第1のレジストパターンおよび第2のレジストパターンのサイズについての結果を表24に示す。表24に示すように、本実施例で得た第2のレジスト材料を用いて、微細パターンが形成されることが分かる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"