"被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器内に相対向して設けられた第1および第2の電極間で処理ガスの高周波放電によるプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記第1の電極上に保持される前記基板に所望の処理を施すプラズマ処理方法であって、所与のプラズマプロセスに対して、前記プラズマの生成に用いる第1の高周波のパワーがオン状態または第1のレベルになる第1の期間とオフ状態または前記第1のレベルよりも低い第2のレベルになる第2の期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記第1の高周波のパワーにパルス状の変調をかける工程と、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比を、プラズマ着火用の初期値で開始し、所定の遷移時間をかけて前記初期値から前記プラズマプロセス用の設定値まで漸次的または段階的に下げる工程とを有するプラズマ処理方法。前記第1または第2の電極のいずれかに対して前記第1の高周波の印加を開始するのと同時に、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。前記デューティ比の初期値は、85~95に設定される、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法。前記遷移時間は0.5秒~3.0秒に設定される、請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記プラズマから前記基板にイオンを引き込むのに適した第2の高周波を設定上一定のパワーでパルス状の変調をかけずに連続的に前記第1の電極に印加する、請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始した後に、前記第1の電極に対する前記第2の高周波の印加を開始する、請求項5記載のプラズマ処理方法。前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみ前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加する、請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加し、前記第1の高周波パワーのパルス変調に同期して、前記第1の期間中よりも前記第2の期間中のほうで前記直流電圧の絶対値を大きくする、請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始した後に、前記第2の電極に対する前記直流電圧の印加を開始する、請求項7または請求項8に記載のプラズマ処理方法。前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみプラズマからイオンを前記基板に引き込むのに適した第2の高周波を前記第2の電極に印加する、請求項7~9のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始した後に、前記第2の電極に対する前記第2の高周波の印加を開始する、請求項10に記載のプラズマ処理方法。真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第1の電極または前記第2の電極のいずれか一方に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、所与のプラズマプロセスに対して、前記第1の高周波のパワーがオン状態または第1のレベルになる第1の期間とオフ状態または前記第1のレベルよりも低い第2のレベルになる第2の期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記第1の高周波給電部を制御して前記第1の高周波のパワーにパルス状の変調をかける変調制御部と、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比を、プラズマ着火用の初期値で開始し、所定の遷移時間をかけて前記初期値から前記プラズマプロセス用の設定値まで漸次的または段階的に下げるデューティ比制御部とを有するプラズマ処理装置。前記第1の高周波給電部は、前記変調制御部および前記デューティ制御部の制御の下で前記第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、前記第1の高周波電源より出力された前記第1の高周波を前記第1または第2の電極のいずれかまで伝送する第1の高周波伝送路と、前記第1の高周波伝送路上に設けられる第1の可変リアクタンス素子を含む第1の整合回路および第1のインピーダンスセンサを有し、前記パルス周波数の各サイクル内で前記第1の期間内に設定される第1のモニタ時間中に前記第1のインピーダンスセンサにより負荷側のインピーダンスを測定して、その負荷側インピーダンス測定値が前記第1の高周波電源側のインピーダンスに対応する基準値に一致または近似するように前記第1の可変リアクタンス素子のリアクタンスを間断なく制御する第1の整合器と、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比に連関してそれに比例するように前記第1のモニタ時間を制御する第1のモニタ時間制御部とを有する請求項12に記載のプラズマ処理装置。前記プラズマからイオンを前記基板に引き込むのに適した第2の高周波を一定のパワーで連続的に出力して前記第1の電極に印加する第2の高周波給電部を有する、請求項12または請求項13に記載のプラズマ処理装置。前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみ前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加する直流電源部を有する、請求項12~14のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加し、前記第1の高周波パワーのパルス変調に同期して、前記第1の期間中よりも前記第2の期間中のほうで前記直流電圧の絶対値を大きくする直流給電部を有する、請求項12~14のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみプラズマからイオンを前記基板に引き込むのに適した第2の高周波を前記第2の電極に印加する第2の高周波給電部を有する、請求項15または請求項16に記載のプラズマ処理装置。前記第2の高周波給電部は、前記変調制御部および前記デューティ制御部の制御の下で前記第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、前記第2の高周波電源より出力される前記第2の高周波を前記第1の電極まで伝送する第2の高周波伝送路と、前記第2の高周波伝送路上に設けられる第2の可変リアクタンス素子を含む第2の整合回路および第2のインピーダンスセンサを有し、前記パルス周波数の各サイクル内で前記第1の期間内に設定される第2のモニタ時間中に前記第2のインピーダンスセンサにより負荷側のインピーダンスを測定して、その負荷側インピーダンス測定値が前記第2の高周波電源側のインピーダンスに対応する基準値に一致または近似するように前記第2の可変リアクタンス素子のリアクタンスを間断なく制御する第2の整合器と、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比に連関してそれに比例するように前記第2のモニタ時間を制御する第2のモニタ時間制御部とを有する請求項17に記載のプラズマ処理装置。上記のようなパワー変調の機能を備えた従来の容量結合型プラズマ処理装置は、プラズマプロセスに対するレシピの中でパルス周波数およびデューティ比パルスの1サイクルにおけるオン期間の比率のいずれも任意に設定できるようにしている。ところが、プラズマの生成に用いる高周波のパワー変調において、デューティ比を低めに設定した場合や、パルス周波数を高めに設定した場合に、プロセス開始の際にプラズマが着火し難いことが問題になっている。この問題に対処するために、従来は、高周波放電に適した特別の高圧力条件または高RFパワー条件の下でプラズマを着火させてプロセスを開始し、放電が安定化してから本来の設定圧力または設定RFパワーに切り換える方法を採っている。しかしながら、この方法は、本来のプロセス条件とは異なる条件を一定時間用いるため、プラズマプロセスに望ましくない影響を来すおそれがあり、信頼性がよくなかった。本発明は、上記従来技術の課題に鑑みてなされたものであり、プラズマ生成に用いる高周波のパワーをパルス状に変調するパワー変調方式においてデューティ比を任意特に低めに設定し、あるいはパルス周波数を任意特に高めに設定してもプラズマを確実に着火して、プラズマプロセスを所期のプロセス条件で安定確実に開始できるようにしたプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。本発明のプラズマ処理方法は、被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器内に相対向して設けられた第1および第2の電極間で処理ガスの高周波放電によるプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記第1の電極上に保持される前記基板に所望の処理を施すプラズマ処理方法であって、所与のプラズマプロセスに対して、前記プラズマの生成に用いる第1の高周波のパワーがオン状態または第1のレベルになる第1の期間とオフ状態または前記第1のレベルよりも低い第2のレベルになる第2の期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記第1の高周波のパワーにパルス状の変調をかける工程と、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比を、プラズマ着火用の初期値で開始し、所定の遷移時間をかけて前記初期値から前記プラズマプロセス用の設定値まで漸次的または段階的に下げる工程とを有する。本発明のプラズマ処理装置は、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第1の電極または前記第2の電極のいずれか一方に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、所与のプラズマプロセスに対して、前記第1の高周波のパワーがオン状態または第1のレベルになる第1の期間とオフ状態または前記第1のレベルよりも低い第2のレベルになる第2の期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記第1の高周波給電部を制御して前記第1の高周波のパワーにパルス状の変調をかける変調制御部と、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比を、プラズマ着火用の初期値で開始し、所定の遷移時間をかけて前記初期値から前記プラズマプロセス用の設定値まで漸次的または段階的に下げるデューティ制御部とを有する。本発明のプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法によれば、上記のような構成により、プラズマ生成に用いる高周波のパワーをパルス状に変調するパワー変調方式においてデューティ比を任意に設定し、あるいはパルス周波数を任意に設定してもプラズマを確実に着火して、プラズマプロセスを所期のプロセス条件で安定確実に開始することができる。以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。[実施形態1におけるプラズマ処理装置の構成及び作用]図1に、本発明の第1の実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。このプラズマ処理装置は、容量結合型平行平板型のプラズマエッチング装置として構成されており、たとえば表面がアルマイト処理陽極酸化処理されたアルミニウムからなる円筒形の真空チャンバ処理容器10を有している。チャンバ10は接地されている。チャンバ10の底部には、セラミックなどの絶縁板12を介して円柱状のサセプタ支持台14が配置され、このサセプタ支持台14の上にたとえばアルミニウムからなるサセプタ16が設けられている。サセプタ16は下部電極を構成し、この上に被処理基板としてたとえば半導体ウエハWが載置される。サセプタ16の上面には半導体ウエハWを保持するための静電チャック18が設けられている。この静電チャック18は導電膜からなる電極20を一対の絶縁層または絶縁シートの間に挟み込んだものであり、電極20にはスイッチ22を介して直流電源24が電気的に接続されている。直流電源24からの直流電圧により、半導体ウエハWを静電吸着力で静電チャック18に保持できるようになっている。静電チャック18の周囲でサセプタ16の上面には、エッチングの均一性を向上させるためのたとえばシリコンからなるフォーカスリング26が配置されている。サセプタ16およびサセプタ支持台14の側面にはたとえば石英からなる円筒状の内壁部材28が貼り付けられている。サセプタ支持台14の内部には、たとえば円周方向に延びる冷媒室30が設けられている。この冷媒室30には、外付けのチラーユニット図示せずより配管32a,32bを介して所定温度の冷媒たとえば冷却水が循環供給される。冷媒の温度によってサセプタ16上の半導体ウエハWの処理温度を制御できるようになっている。さらに、伝熱ガス供給機構図示せずからの伝熱ガスたとえばHeガスが、ガス供給ライン34を介して静電チャック18の上面と半導体ウエハWの裏面との間に供給される。サセプタ16には、2系統の高周波給電部33,35が電気的に接続されている。第1系統の高周波給電部33は、プラズマの生成に適した一定の周波数fRF1たとえば100MHzの高周波RF1を出力する高周波電源36と、この高周波電源36からの高周波RF1をサセプタ16まで伝送する高周波伝送路43と、この高周波伝送路43上に設けられる整合器40とで構成されている。第2系統の高周波給電部35は、プラズマからサセプタ16上の半導体ウエハWへのイオンの引き込みに適した一定の周波数fRF2たとえば13.56MHzの高周波RF2を出力する高周波電源38と、この高周波電源38からの高周波RF2をサセプタ16まで伝送する高周波伝送路45と、この高周波伝送路45上に設けられる整合器42とで構成されている。サセプタ16の裏面下面に接続される給電用導体たとえば給電棒44は、両高周波伝送路43,45に共用される。チャンバ10の天井には、サセプタ16と平行に向かいあって接地電位の上部電極46が設けられている。この上部電極46は、多数のガス噴出孔48aを有するたとえばSi、SiCなどのシリコン含有材質からなる電極板48と、この電極板48を着脱可能に支持する導電材料たとえば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体50とで構成されている。この上部電極46とサセプタ16との間にプラズマ生成空間または処理空間PSが形成されている。電極支持体50は、その内部にガスバッファ室52を有するとともに、その下面にガスバッファ室52から電極板48のガス噴出孔48aに連通する多数のガス通気孔50aを有している。ガスバッファ室52にはガス供給管54を介して処理ガス供給源56が接続されている。ガス供給管54には、マスフローコントローラMFC58および開閉バルブ60が設けられている。処理ガス供給源56より所定の処理ガスエッチングガスがガスバッファ室52に導入されると、電極板48のガス噴出孔48aよりサセプタ16上の半導体ウエハWに向けて処理空間PSに処理ガスがシャワー状に噴出されるようになっている。このように、上部電極46は、処理空間PSに処理ガスを供給するためのシャワーヘッドを兼ねている。また、電極支持体50の内部には冷媒たとえば冷却水を流す通路図示せずも設けられており、外部のチラーユニットにより冷媒を介して上部電極46の全体、特に電極板48を所定温度に温調するようになっている。さらに、上部電極46に対する温度制御をより安定化させるために、電極支持体50の内部または上面にたとえば抵抗発熱素子からなるヒータ図示せずを取り付ける構成も可能である。サセプタ16およびサセプタ支持台14とチャンバ10の側壁との間に形成される環状の空間は排気空間となっており、この排気空間の底にはチャンバ10の排気口62が設けられている。この排気口62に排気管64を介して排気装置66が接続されている。排気装置66は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ10の室内、特に処理空間PSを所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ10の側壁には半導体ウエハWの搬入出口68を開閉するゲートバルブ70が取り付けられている。主制御部72は、1つまたは複数のマイクロコンピュータを含み、外部メモリまたは内部メモリに格納されるソフトウェアプログラムおよびレシピ情報にしたがって、装置内の各部、特に高周波電源36,38、整合器40,42、MFC58、開閉バルブ60、排気装置66等の個々の動作および装置全体の動作シーケンスを制御する。また、主制御部72は、キーボード等の入力装置や液晶ディスプレイ等の表示装置を含むマンマシンインタフェース用の操作パネル図示せずおよび各種プログラムやレシピ、設定値等の各種データを格納または蓄積する外部記憶装置図示せず等とも接続されている。この実施形態では、主制御部72が1つの制御ユニットとして示されているが、複数の制御ユニットが主制御部72の機能を並列的または階層的に分担する形態を採ってもよい。この容量結合型プラズマエッチング装置における枚葉ドライエッチングの基本的な動作は次のようにして行われる。先ず、ゲートバルブ70を開状態にして加工対象の半導体ウエハWをチャンバ10内に搬入して、静電チャック18の上に載置する。そして、処理ガス供給源56より処理ガスつまりエッチングガス一般に混合ガスを所定の流量および流量比でチャンバ10内に導入し、排気装置66による真空排気でチャンバ10内の圧力を設定値にする。さらに、高周波電源36からの高周波RF1100MHzと高周波電源38からの高周波RF213.56MHzとを重畳してあるいは単独でサセプタ16に印加する。また、直流電源24より直流電圧を静電チャック18の電極20に印加して、半導体ウエハWを静電チャック18上に固定する。上部電極46のシャワーヘッドより吐出されたエッチングガスは両電極46,16間の高周波電界の下で放電し、処理空間PS内にプラズマが生成される。このプラズマに含まれるラジカルやイオンによって半導体ウエハWの主面の被加工膜がエッチングされる。この容量結合型プラズマエッチング装置においては、両高周波給電部33,35に対する主制御部72の制御により、チャンバ10内のサセプタ16に印加する高周波の種類、形態および組み合わせについて次のような7種類のRFモードを選択的に使用できるようになっている。このうち、第1~第3のRFモードはパワー変調を用いず、第4~第7のRFモードがパワー変調を用いる。図2Aに示すように、第1のRFモードは、通常の下部2周波重畳方式であり、高周波給電部33の高周波RF1100MHzを設定上一定パワーの連続波CWとし、高周波給電部35の高周波RF213.56MHzを設定上一定パワーの連続波CWとする。この場合、高周波RF1がプラズマの生成に支配的に作用または寄与し、高周波RF2がプラズマからサセプタ16上の半導体ウエハWへのイオンの引き込みに支配的に作用または寄与する。第2のRFモードは、図2Bに示すように、高周波給電部33の高周波RF1を設定上一定パワーの連続波CWとし、高周波給電部35の高周波RF2を終始オフに保つ。この場合、高周波RF1は、プラズマの生成に作用するだけでなく、高周波RF2ほどの効き目はないがイオンの引き込みにも作用する。第3のRFモードは、図2Cに示すように、高周波給電部33の高周波RF1を終始オフに保ち、高周波給電部35の高周波RF2を設定上一定パワーの連続波CWとする。この場合、高周波RF2は、イオンの引き込みに作用するだけでなく、高周波RF1ほど放電効率はよくないがプラズマの生成にも作用する。図3Aに、第4のRFモードを示す。第4のRFモードは、高周波給電部33の高周波RF1をパワー変調によりパルス波形とし、高周波給電部35の高周波RF2を設定上一定パワーの連続波CWとする。この場合、高周波RF1がプラズマの生成に支配的に作用し、高周波RF2がイオンの引き込みに支配的に作用する。図3Bに示す第5のRFモードは、高周波給電部33の高周波RF1をパワー変調によりパルス波形とし、高周波給電部35の高周波RF2を終始オフにする。この場合、高周波RF1は、プラズマの生成に作用するだけでなく、高周波RF2ほどの効き目はないがイオンの引き込みにも作用する。図3Cに示す第6のRFモードは、高周波給電部33の高周波RF1を設定上一定パワーの連続波CWとし、高周波給電部35の高周波RF2をパワー変調によりパルス波形とする。この場合、主に高周波RF1がプラズマの生成に作用し、主に高周波RF2がイオンの引き込みに作用する。最後に、第7のRFモードは、図3Dに示すように、高周波給電部33の高周波RF1を終始止めて、高周波給電部35の高周波RF2をパワー変調によりパルス波形とする。この場合、高周波RF2は、イオンの引き込みに作用するだけでなく、高周波RF1ほど放電効率はよくないがプラズマの生成にも作用する。この実施形態のパワー変調においては、図3A~図3Dに示すように、高周波RF1RF2のパワーがオン状態になるオン期間第1の期間Tonとオフ状態になるオフ期間第2の期間Toffとが一定のパルス周波数または周期TCで交互に繰り返す。オン期間Ton中のRFパワーは設定上一定である。主制御部72は、パワー変調のパルス周波数およびデューティ比を規定する変調制御パルス信号PSを高周波電源3638に与える。ここで、パルス周波数およびデューティ比の設定値をfs,DSとすると、TC=1/fS、TC=TonToff、DS=Ton/TonToffの関係式が成立する。[実施形態1におけるパワー変調のデューティ制御法]次に、図4A~図7Bにつき、第4~第7のRFモードにおけるパワー変調のデューティ比制御を説明する。このデューティ比制御は、たとえば操作パネルを介してのレシピ上の設定あるいは別形式の設定にしたがい、各高周波給電部33,35に対する主制御部72の制御の1つとして行われる。すなわち、この実施形態では、主制御部72がデューティ比制御部を構成している。第4のRFモード図3Aは、2種類のデューティ比制御法[4RFM-1,4RFM-2]を選択的に使用できるようになっている。図4Aおよび図4Bに示すように、第4のRFモードでは、プロセスを開始する際に、プラズマ生成用の高周波RF1高周波給電部33を時点t0で先に起動させ、一定時間Ta遅延後の時点t1でイオン引き込み用の高周波RF2高周波給電部35を起動させる。遅延時間Taは、高周波RF1の印加を開始してからプラズマが着火するまでの所要時間通常0.2~0.5秒より大きな値たとえば0.4~0.8秒に設定されるのが望ましい。ここで、第1のデューティ比制御法[4RFM-1]は、図4Aに示すように、パワー変調をかけられる高周波RF1のデューティ比を、プロセス開始時点t0では、実用上の任意のパワー変調条件特にデューティ比、パルス周波数の下でプラズマを確実に着火できる初期値この実施例では90を用いる。なお、この初期値は、当該プロセス用の本来の設定値Dsに出来るだけ近い値が望ましい。すなわち、実用上の任意のパワー変調条件の下でプラズマを確実に着火できるデューティ比の範囲内でその下限値に近い値通常85~95が望ましい。そして、プロセスの開始と同時に高周波RF1のデューティ比を初期値90から一定の負の勾配またはランプ波形で漸次的に下げ、所定時間TdTd>Taを経過した時点t2で当該エッチングプロセス用の本来の設定値Dsまで下げる。時点t2以降は、プロセスの終了時時点t4までデューティ比を設定値Dsに固定または保持する。なお、高周波RF1,RF2を併用重畳印加する場合は、イオン引き込み用の高周波RF2をプロセス終了時より少し前時点t3に止める。この第1のデューティ比制御法[4RFM-1]は、第4のRFモードにおいてプラズマが着火しにくい場合、たとえばデューティ比Dsを低めに設定した場合、あるいはパルス周波数fsを高めに設定した場合に有効である。第2のデューティ比制御法[4RFM-2]は、図4Bに示すように、高周波RF1のデューティ比をプロセスの開始時t0から終了時t4まで終始本来の設定値Dsに固定する。このデューティ比制御法[4RFM-2]は、当該エッチングプロセス用に設定されたパワー変調のデューティ比Dsおよびパルス周波数fsの下でプラズマが確実に着火する場合には、好適に使える。第5のRFモード図3Bも、2種類のデューティ比制御法[5RFM-1,5RFM-2]を選択的に使用できるようになっている。第5のRFモードでは、図5Aおよび図5Bに示すように、プロセスを開始する際に、プラズマ生成およびイオン引き込み兼用の高周波RF1高周波給電部33を時点t0で起動させる。ここで、第1のデューティ比制御法[5RFM-1]は、上述した第4のRFモードにおける第1のデューティ比制御法[4RFM-1]と同じシーケンスである。すなわち、図5Aに示すように、パワー変調をかけられる高周波RF1のデューティ比を、プロセス開始時点t0では、実用上の任意のパワー変調条件特にデューティ比、パルス周波数の下でプラズマを確実に着火できる初期値90を用いる。そして、プロセスの開始と同時に高周波RF1のデューティ比を初期値90から一定の負の勾配またはランプ波形で漸次的に下げ、所定時間Tdを経過した時点t2で当該エッチングプロセス用の本来の設定値Dsに合わせる。時点t2以降は、プロセスの終了時時点t4までデューティ比を設定値Dsに固定する。この第1のデューティ比制御法[5RFM-1]は、第5のRFモードにおいてプラズマが着火しにくい場合、たとえばデューティ比Dsを低めに設定した場合、あるいはパルス周波数fsを高めに設定した場合に有効である。第5のRFモードにおける第2のデューティ比制御法[5RFM-2]も、上述した第4のRFモードにおける第2のデューティ比制御法[4RFM-2]と同じシーケンスになる。すなわち、図5Bに示すように、高周波RF1のデューティ比をプロセスの開始時t0から終了時t4まで終始本来の設定値Dsに固定する。当該エッチングプロセス用に設定されたパワー変調のデューティ比Dsおよびパルス周波数fsの下でプラズマが確実に着火する場合には、この第2のデューティ比制御法[5RFM-2]を好適に使用できる。第6のRFモード図3Cは、1種類のデューティ比制御法だけを用いる。図6に示すように、第6のRFモードでは、プロセスを開始する際に、プラズマ生成用の高周波RF1高周波給電部33を時点t0で先に起動させ、一定時間Ta遅延後の時点t1でイオン引き込み用の高周波RF2高周波給電部35を起動させる。この場合、高周波RF1はデューティ比100に相当する連続波CWであるため、圧力やRF1のパワーが通常の値に設定されている限り、高周波RF2側でパワー変調のデューティ比Dsおよびバルス周波数fsが如何なる値に設定されても、チャンバ10内でプラズマは確実に着火する。そこで、第6のRFモードにおけるデューティ比制御法[6RFM]は、高周波RF2のデューティ比を高周波RF2高周波給電部35の起動時t1から停止時t3まで終始設定値Dsに固定する。第7のRFモード図3Dは、2種類のデューティ比制御法[7RFM-1,7RFM-2]を選択的に使用できるようになっている。第7のRFモードでは、図7Aおよび図7Bに示すように、プロセスを開始する際に、プラズマ生成およびイオン引き込み兼用の高周波RF2高周波給電部35を時点t0で起動させる。ここで、第1のデューティ比制御法[7RFM-1]は、図7Aに示すように、パワー変調をかけられる高周波RF2のデューティ比を、プロセス開始時点t0では、実用上の如何なるパワー変調条件特にデューティ比、パルス周波数の下でプラズマを確実に着火できる初期値90に合わせる。そして、プロセス開始直後に、高周波RF2のデューティ比を初期値90から一定の負の勾配またはランプ波形で漸次的に下げ、所定時間Tdを経過した時点t2で当該エッチングプロセス用の本来の設定値Dsに合わせる。時点t2以降は、プロセスの終了時時点t4までデューティ比を設定値Dsに固定する。第7のRFモードにおいてプラズマが着火しにくい場合、たとえばエッチングプロセス用のデューティ比Dsを低めに設定した場合、あるいはパルス周波数fsを高めに設定した場合には、この第1のデューティ比制御法[7RFM-1]を好適に使用できる。第2のデューティ比制御法[7RFM-2]は、図7Bに示すように、高周波RF1のデューティ比をプロセスの開始時t0から終了時t4まで終始本来の設定値Dsに固定する。当該エッチングプロセス用に設定されたパワー変調のデューティ比Dsおよびパルス周波数fsの下でプラズマが確実に着火する場合には、このデューティ比制御法[7RFM-2]を好適に使える。上記のように、この実施形態では、第4、第5および第7のRFモードにおいてプラズマが着火しにくい場合に、図4A、図5Aおよび図7Aに示すように、パワー変調のデューティ比をプラズマ着火用の初期値90値で開始し、所定の遷移時間Tdをかけて初期値から当該エッチングプロセス用の設定値Dsまでランプ波形で漸次的に下げるようにしている。ここで、遷移時間Tdは、短すぎると整合器4042内の整合動作が不安定になり、長すぎると当該エッチングプロセスのプロセス特性またはプロセス結果に影響が生じる。したがって、長短両面で制限があり、通常はTd=0.5~3.0秒に選定される。[実施形態1におけるプラズマ着火性に関する効果]次に、この実施形態において、上記第5のRFモードにおける第1のデューティ比制御法[5RFM-1]図5Aのプラズマ着火性に関する検証実験について説明する。本発明者は、チャンバ内圧力2666Pa20mTorr、RF1パワー300W、RF2パワー0W、エッチングガスC4F8/O2/Ar24/16/150sccm、電極間ギャップ22mmを主たるプロセス条件とする第5のRFモードによるプラズマエッチングの実験において、第2のデューティ比制御法[5RFM-2]を使用し、その中で高周波RF1にかけるパルス変調のデューティ比Dsおよびパルス周波数fsをパラメータとしてそれぞれDs=10~90、fs=5~90kHzで可変し、各パラメータ値Ds,fsの組み合わせにおけるプラズマ着火性を評価した。図8は、デューティ設定値Dsを低めたとえば10に選んで第2のデューティ比制御法[5RFM-2]を用いた場合のシーケンスを示す。図9Aに、第2のデューティ比制御法[5RFM-2]を用いた場合の実験結果を示す。この図の表マトリクスにおいて、縦方向の欄はデューティ設定値Dsのパラメータ値を示し、横方向の欄はパルス周波数fsのパラメータ値を示す。OKの表記は、このセルに対応するパラメータ値Ds,fsを用いたプロセスではプラズマが着火しかつ安定に持続したことを表わす。NGの表記は、このセルに対応するパラメータ値Ds,fsを用いたプロセスではプラズマが着火しなかったか、あるいは着火しても安定しなかったことを表わす。空欄は、このセルに対応するパラメータ値Ds,fsを用いたプロセスの実験は行われなかったことを示す。図示のように、パラメータ値Ds,fsが40kHz、40,40kHz、50,40kHz、60,40kHz、70,40kHz、80,50kHz、70,50kHz、80,60kHz、60,60kHz、70,70kHz、70の各場合に、NGプラズマ未着火安定せずの実験結果が得られた。他のパラメータ値Ds,fsの組み合わせではいずれもOKプラズマ着火安定の実験結果が得られた。本発明者は、第2のデューティ比制御法[5RFM-2]の下でNGの実験結果が出たパラメータ値Ds,fsの各場合について、第1のデューティ比制御法[5RFM-1]を使用し、上記と同じプロセス条件でプラズマエッチングの実験を行い、プラズマ着火性を評価した。その結果、図9Bに示すように、パラメータ値Ds,fsが40kHz、40,40kHz、50,40kHz、60,40kHz、70,40kHz、80,50kHz、70,50kHz、80,60kHz、60,60kHz、70,70kHz、70の各場合でいずれもOKプラズマ着火安定であった。なお、この実験で用いた遷移時間Tdはいずれの場合も1.0秒であった。図9Bにおける1.0sの表記はそのことを表わしている。また、図9BのOKの表記は、図9Aと同じであり、このセルに対応するパラメータ値Ds,fsを用いたプロセスでは第2のデューティ比制御法[5RFM-2]の下でOKの結果が得られたことを表わしている。本発明者は、別の実験として、チャンバ内圧力、RF1/RF2パワー、エッチングガスの各条件は上記と同じで、電極間ギャップを30mmに変更した第5のRFモードのプラズマエッチングの実験において、上記と同様に第2のデューティ比制御法[5RFM-2]を使用し、その中で高周波RH1にかけるパルス変調のデューティ比Dsおよびパルス周波数fsをパラメータとしてそれぞれDs=10~90、fs=5~90kHzで可変し、各パラメータ値Ds,fsの組み合わせにおけるプラズマ着火性を評価した。その結果、図10Aに示すように、パラメータ値Ds,fsが5kHz、10,5kHz、20,10kHz、10,20kHz、20,20kHz、30,20kHz、40,20kHz、40,30kHz、30の各場合でNGであった。他のパラメータ値Ds,fsの組み合わせではいずれもOKであった。本発明者は、上記実験結果を踏まえ、第2のデューティ比制御法[5RFM-2]の下でNGであったパラメータ値Ds,fsの各場合について、第1のデューティ比制御法[5RFM-1]を使用し、上記と同一プロセス条件でプラズマエッチングの実験を行い、プラズマ着火性を評価した。その結果、図10Bに示すように、パラメータ値Ds,fsが5kHz、10,5kHz、20,10kHz、10,20kHz、20,20kHz、30,20kHz、40,20kHz、50,30kHz、30の各場合でいずれもOKプラズマ着火安定であった。この実験で用いた遷移時間Tdは、パラメータ値Ds,fsが5kHz、10,5kHz、20のときは2.5秒、10kHz、10のときは1.5秒、20kHz、20,20kHz、30,20kHz、40,20kHz、40,30kHz、30のときは1.0秒であった。図10Bにおける2.5s、1.5s、1.0sの表記はそのことを表わしている。また、図10Bにおいても、OKの表記は、このセルに対応するパラメータ値Ds,fsでは第2のデューティ比制御法[5RFM-2]の下でOKの結果が出たことを表わしている。上記のように、上記第5のRFモードにおいては、第2のデューティ比制御法[5RFM-2]の下でプラズマを確実に着火できる場合は、パワー変調のデューティ比をプロセスの開始から設定値Dsに固定する第2のデューティ比制御法[5RFM-2]を使用するのが望ましい。しかし、第2のデューティ比制御法[5RFM-2]の下でプラズマを確実に着火できない場合は、所望のプロセス条件によるプラズマプロセスを安定確実に実施するうえで、パワー変調のデューティ比をプロセス開始直後にランプ低減する第1のデューティ比制御法[5RFM-1]を使用するのが好ましい。同様に、上記第4のRFモードにおいて、第2のデューティ比制御法[4RFM-2]の下でプラズマを確実に着火できる場合は、パワー変調のデューティ比をプロセスの開始から設定値Dsに固定する第2のデューティ比制御法[4RFM-2]を使用するのが望ましい。しかし、第2のデューティ比制御法[4RFM-2]の下でプラズマを確実に着火できない場合は、所望のプロセス条件によるプラズマプロセスを安定確実に実施するうえで、パワー変調のデューティ比をプロセス開始直後にランプ低減する第1のデューティ比制御法[4RFM-1]を使用するのが好ましい。また、上記第7のRFモードにおいても、第2のデューティ比制御法[7RFM-2]の下でプラズマを確実に着火できる場合は、パワー変調のデューティ比をプロセスの開始から設定値Dsに固定する第2のデューティ比制御法[7RFM-2]を使用するのが望ましい。しかし、第2のデューティ比制御法[7RFM-2]の下でプラズマを確実に着火できない場合は、所望のプロセス条件によるプラズマプロセスを安定確実に実施するうえで、パワー変調のデューティ比をプロセス開始直後でランプ低減する第1のデューティ比制御法[7RFM-1]を使用するのが好ましい。[実施形態1における高周波給電部の構成及び作用]図11に、この実施形態における高周波給電部33の構成、特に高周波電源36および整合器40の構成を示す。高周波電源36は、プラズマの生成に適した周波数たとえば100MHzの正弦波を発生する発振器80Aと、この発振器80Aより出力される正弦波のパワーを可変の利得または増幅率で増幅するパワーアンプ82Aと、主制御部72からの制御信号にしたがって発振器80Aおよびパワーアンプ82Aを直接制御する電源制御部84Aとを備えている。主制御部72から電源制御部84Aには、上記変調制御パルス信号PSだけでなく、通常の電源オンオフやパワーインターロック関係等の制御信号およびパワー設定値等のデータも与えられる。主制御部72と電源制御部84Aは、高周波RF1系のパワー変調部を構成する。高周波電源36のユニット内には、RFパワーモニタ86Aも備わっている。このRFパワーモニタ86Aは、図示省略するが、方向性結合器、進行波パワーモニタ部および反射波パワーモニタ部を有している。ここで、方向性結合器は、高周波伝送路43上を順方向に伝搬するRFパワー進行波と逆方向に伝搬するRFパワー反射波のそれぞれに対応する信号を取り出す。進行波パワーモニタ部は、方向性結合器により取り出された進行波パワー検出信号を基に、高周波伝送路43上の進行波に含まれる基本波進行波100MHzのパワーを表わす信号を生成する。この信号つまり基本波進行波パワー測定値信号は、パワーフィードバック制御用に高周波電源36内の電源制御部84Aに与えられるとともに、モニタ表示用に主制御部72にも与えられる。反射波パワーモニタ部は、チャンバ10内のプラズマから高周波電源36に返ってくる反射波に含まれる基本波反射波100MHzのパワーを測定するとともに、チャンバ10内のプラズマから高周波電源36に返ってくる反射波に含まれる全ての反射波スペクトルのトータルのパワーを測定する。反射波パワーモニタ部により得られる基本波反射波パワー測定値はモニタ表示用に主制御部72に与えられ、トータル反射波パワー測定値はパワーアンプ保護用のモニタ値として高周波電源36内の電源制御部84Aに与えられる。整合器40は、複数たとえば2つの可変リアクタンス素子たとえば可変コンデンサあるいは可変リアクトルXH1,XH2を含む整合回路88Aと、可変リアクタンス素子XH1,XH2のリアクタンスをアクチエータたとえばステッピングモータM90A,92Aを介して可変するマッチングコントローラ94Aと、高周波給電ライン43上で整合回路88Aのインピーダンスを含む負荷側のインピーダンスを測定するインピーダンスセンサ96Aとを有している。マッチングコントローラ94Aは、主制御部72の制御の下で動作し、インピーダンスセンサ96Aより与えられる負荷側インピーダンス測定値をフィードバック信号として、負荷側インピーダンス測定値が高周波電源36側のインピーダンスに相当する整合ポイント通常50Ωに一致ないし近似するように、可変リアクタンス素子XH1,XH2のリアクタンスをモータ90A,92Aの駆動制御を通じて可変するようになっている。インピーダンスセンサ96Aは、図示省略するが、高周波伝送路43上のRF電圧およびRF電流をそれぞれ検出するRF電圧検出器およびRF電流検出器と、RF電圧検出器およびRF電流検出器よりそれぞれ得られるRF電圧検出値およびRF電流検出値から負荷側のインピーダンスの測定値を演算する負荷インピーダンス測定値演算部とを有している。この実施形態において、高周波RF1にパワー変調をかけるときは、図13に示すように、パルス周波数の各サイクル毎にオン期間Ton内に設けられるモニタ時間負荷側インピーダンス測定時間THを指示するモニタ信号ASが、主制御部72よりインピーダンスセンサ96Aに与えられる。好ましくは、図13に示すように、高周波伝送路43上でRF1系の反射波のパワーが突発的に増大するオン期間Tonの開始直後および終了直前の過渡時間TA1,TA2を除いた区間にモニタ時間THが設定される。高周波RF1がパルス周波数fsでオンオフしても、モニタ時間THがオン期間Ton内だけに設定され、オフ期間Toff内には設定されないので、整合器40からはあたかも高周波RF1がオンし続けている連続波CWのように見える。インピーダンスセンサ96Aは、モニタ信号ASによって指示されるモニタ時間THの間だけ負荷側インピーダンス測定の動作を行う。したがって、インピーダンスセンサ96Aよりマッチングコントローラ94Aに与えられる負荷側インピーダンス測定値は、パワー変調に同期してパルス周波数fsの各サイクル毎に更新される。マッチングコントローラ94Aは、この更新の合間にも、整合動作つまりリアクタンス素子XH1,XH2のリアクタンス可変制御を停止することなく、更新直前の負荷側インピーダンス測定値を整合ポイントに一致ないし近似させるように、ステッピングモータ90A,92Aを連続的に駆動制御する。この実施形態では、主制御部72が、整合器40に対してモニタ時間制御部の機能を有し、高周波RF1のパワー変調におけるデューティ比の変化に連動してモニタ時間THを比例制御する。すなわち、図13に示すように、プロセスの開始直後でパワー変調のデューティ比が漸次的に低減する際に、これに比例してモニタ時間THを漸次的に低減する。図12に、この実施形態における高周波給電部35の構成を示す。高周波給電部35の高周波電源38および整合器42は、そこで扱う高周波RF2の周波数13.56MHzが上記高周波RF1の周波数100MHzと異なるだけで、上述した高周波給電部33の高周波電源36および整合器40とそれぞれ同様の構成および機能を有している。すなわち、高周波電源38の発振器80Bがイオンの引き込みに適した周波数たとえば13.56MHzの正弦波を発生する点を除けば、高周波電源38および整合器42内の各部は高周波電源36および整合器40内の対応する各部と同様の構成および機能を有している。したがって、たとえば電源制御部84Bは、主制御部72と協働して高周波RF2系のパワー変調部を構成する。もっとも、高周波電源38内の電源制御部84Bおよび整合器42内のインピーダンスセンサ96Bには、主制御部72より高周波給電部33向けとは独立に変調制御パルス信号PCおよびモニタ信号BSがそれぞれ与えられる。すなわち、高周波RF2にパワー変調をかけるときは、図13に示すように、パルス周波数の各サイクル毎にオン期間Ton内に設けられるモニタ時間負荷側インピーダンス測定時間TLを指示するモニタ信号BSが、主制御部72よりインピーダンスセンサ96Bに与えられる。好ましくは、図13に示すように、高周波伝送路45上でRF2系の反射波のパワーが突発的に増大するオン期間Tonの開始直後および終了直前の過渡時間TB1,TB2を除いた区間にモニタ時間TLが設定される。高周波RF2がパルス周波数fsでオンオフしても、モニタ時間TLがオン期間Ton内だけに設定され、オフ期間Toff内には設定されないので、整合器42からはあたかも高周波RF2がオンし続けている連続波CWのように見える。インピーダンスセンサ96Bは、モニタ信号BSによって指示されるモニタ時間TLの間だけ負荷側インピーダンス測定の動作を行う。したがって、インピーダンスセンサ96Bよりマッチングコントローラ94Bに与えられる負荷側インピーダンス測定値は、パワー変調に同期してパルス周波数の各サイクル毎に更新される。マッチングコントローラ94Bは、この更新の合間にも、整合動作つまりリアクタンス素子XL1,XL2のリアクタンス可変制御を停止することなく、更新直前の負荷側インピーダンス測定値を整合ポイントに一致ないし近似させるように、ステッピングモータ90B,92Bを連続的に駆動制御する。主制御部72は、整合器42に対するモニタ時間制御部として機能し、高周波RF2のパワー変調におけるデューティ比に連関してそれに比例するようにモニタ時間TLを制御する。すなわち、図13に示すように、プロセスの開始直後でパワー変調のデューティ比が漸次的に低減する際に、これに比例してモニタ時間TLを漸次的に低減する。本発明者は、整合動作に関して上記第5のRFモードにおける第1のデューティ比制御法[5RFM-1]図5Aおよびモニタ時間制御法図13の効果を上記と同様のプロセス条件によるプラズマエッチングの実験で検証した。この実験では、整合器40の整合回路88Aに含まれる2つの可変リアクタンス素子XH1,XH2に可変コンデンサRF1C1,RF1C2をそれぞれ使用した。図14に、上記実施例の実験で観測された各部の波形を示す。図示のように、可変コンデンサRF1C1のステップキャパシタンスポジションは、プロセス開始直後に初期値からオーバーシュート気味で立ち上がる。そして、遷移期間Td2.5秒中に落ち着いたRF1C1のステップキャパシタンスポジションは、その後も、つまりデューティ比を設定値Ds30に固定してからも、略一定に保たれた。また、可変コンデンサRF1C2のステップキャパシタンスポジションは、プロセス開始直後に初期値からステップ状に立ち下がる。そして、遷移期間Td中に落ち着いたRF1C2のステップキャパシタンスポジションは、その後も、つまりデューティ比を設定値Ds30に固定してからも、略一定に保たれた。高周波伝送路42上の反射波パワーRF1Prは、プロセス開始直後にインパルス状に発生するものの、遷移期間Td中に収まり、以後殆ど発生しなかった。このように、上記実施例の実験では、遷移期間Tdの中盤からプロセスが終了するまで高周波伝送路43上でインピーダンス整合が良好にとれていたことが確認された。本発明者は、比較例として、図15に示すように、プロセス開始直後に上記実施例の遷移期間Tdに相当する立ち上げ期間Te2.5秒は高周波RF1を連続波デューティ比100に相当とし、立ち上げ期間Te経過時に設定デューティ比Ds30のパワー変調に切り換えるデューティ比制御法を用いて、上記実施例と同じプロセス条件によるプラズマエッチングの実験を行った。図16に、上記比較例の実験で観測された各部の波形を示す。図示のように、立ち上げ期間Te中の各部の波形は、上記実施例の場合と殆ど同じである。また、この比較例でも、実施例と同様のモニタ信号ASパルス周波数の各サイクル毎にオン時間Ton内のモニタ時間THを指示する信号を主制御部72より整合器40のインピーダンスセンサ96Aに与えた。しかし、立ち上げ期間Teの後、つまり高周波RF1を連続波CWからパワー変調のパルスに切り換えた後時点t2以降の各部の波形は、高周波伝送路43上の進行波パワーRF1Ptを除き、上記実施例の場合とは著しく異なる。すなわち、可変コンデンサRF1C1のステップキャパシタンスポジションは、切り換えt2の直後に初期値の方へ逆戻りし、しかもプロセス終了時まで大きなハンチングを起こし続けた。可変コンデンサRF1C2のステップキャパシタンスポジションも、切り換えt2の直後に初期値の方へ逆戻りし、RF1C1ほどではないがプロセスの終了までハンチングを起こし続けた。一方、高周波伝送路43上の反射波パワーRF1Prは、切り換えt2の直後にステップ状に大きく増大し、プロセスの終了まで減少しなかった。このように、上記比較例の実験では、インピーダンスセンサのモニタ時間をパルス周波数の各サイクルのオン時間内に限定する整合モニタ法を用いたとしても、高周波RF1を連続波CWからパワー変調のパルスに切り換えるとその後はプロセスが終了するまで高周波伝送路43上でインピーダンス整合が全くとれていなかったことが確認された。なお、上記比較例における整合不良図16は、連続波CWの時とパワー変調をかけた時とでプラズマ負荷のインピーダンスが大きく異なる場合であり、概してパワー変調のデューティ比が低いときに起こりやすい。しかし、デューティ比が低くても、圧力等の他の条件次第でプラズマ負荷インピーダンスの差変動が小さいときは、そのような整合不良に至らないこともある。いずれにして本発明のデューティ比制御法を用いることによって上記比較例のような整合不良を解消することができる。[実施形態2におけるプラズマ処理装置の構成及び作用]図17に、本発明の第2の実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。図中、上記第1の実施形態におけるプラズマ処理装置図1と同様構成または機能を有する部分には同一の符号を付している。この第2の実施形態では、上部電極48に負極性の直流電圧Vdcを印加するための直流電源部100を備える。このために、上部電極48はチャンバ10の上部にリング状の絶縁体102を介して取り付けられている。リング状絶縁体102は、たとえばアルミナAl2O3からなり、上部電極48の外周面とチャンバ10の側壁との間の隙間を気密に塞いでおり、上部電極48を非接地で物理的に支持している。この実施形態における直流電源部100は、出力電圧絶対値が異なる2つの直流電源104,106と、上部電極46に対して直流電源104,106を選択的に接続するスイッチ108とを有している。直流電源104は相対的に絶対値の大きい負極性の直流電圧Vdc1たとえば-2000~-1000Vを出力し、直流電源106は相対的に絶対値の小さな負極性の直流電圧Vdc2たとえば-300~0Vを出力する。スイッチ108は、主制御部72からの切換制御信号SWPSを受けて動作し、直流電源104を上部電極46に接続する第1のスイッチ位置と、直流電源106を上部電極46に接続する第2のスイッチ位置との間で切り換わるようになっている。なお、スイッチ108は、上部電極46を直流電源104,106のいずれからも遮断する第3のスイッチ位置も有している。スイッチ108と上部電極46との間で直流給電ライン110の途中に設けられるフィルタ回路112は、直流電源部100からの直流電圧Vdc1Vdc21をスルーで上部電極46に印加する一方で、サセプタ16から処理空間PSおよび上部電極46を通って直流給電ライン110に入ってきた高周波を接地ラインへ流して直流電源部100側へは流さないように構成されている。また、チャンバ10内で処理空間PSに面する適当な箇所に、たとえばSi,SiC等の導電性材料からなるDCグランドパーツ図示せずが取り付けられている。このDCグランドパーツは、接地ライン図示せずを介して常時接地されている。この容量結合型プラズマエッチング装置においては、両高周波給電部33,35に対する主制御部72の制御により、チャンバ10内のサセプタ下部電極16に印加する高周波の種類、形態および組み合わせについて第1の実施形態と同様に上記第1~第7のRFモード図2A~図3Dを選択的に使用することができる。さらに、両高周波給電部33,35および直流電源部100に対する主制御部72の制御により、図18に示すような第8のRFモードまたはRFDCモードも選択できるようになっている。この第8のRFモードは、たとえば、上部電極46で発生する2次電子を半導体ウエハWの表層に高速度で打ち込んで、ArFフォトレジスト等のエッチング耐性の低い有機マスクを改質する場合に選択される。この第8のRFモードでは、高周波給電部33,35の高周波RF1,RF2をパワー変調により位相およびデューティ比の揃った同じパルス波形にするとともに、スイッチ108の切り換えを通じて直流電源部100の出力をパワー変調に同期させ、オン期間Ton中は絶対値の大きい直流電圧Vdc1を上部電極46に印加し、オフ期間Toff中は絶対値の小さい直流電圧Vdc2を上部電極46に印加する。スイッチ108には、主制御部72より変調制御パルス信号PSに同期した切換制御信号SWPSが与えられる。パルス周波数の1サイクル内で直流電圧Vdc1が印加される時間の割合Vdc1/Vdc1Vdc2は、高周波RF1,RF2側のデューティ比に相当する。なお、この第8のRFモードの一変形例として、たとえば直流電源106を省いてあるいは終始オフに保持して、図19に示すように、パワー変調に同期させて直流電源104の出力をオン/オフ切り換えするつまり、オフ期間Toffのみ直流電圧Vdc1を印加することも可能である。また、直流電源104,106に可変直流電源を用いることも可能である。第8のRFモードは、2種類のデューティ比制御法[8RFM-1,8RFM-2]を選択的に使用できるようになっている。第8のRFモードでは、図20Aおよび図20Bに示すように、プロセスを開始する際に、プラズマ生成用の高周波RF1高周波給電部33を時点t0で先に起動させ、一定時間Ta遅延後の時点t1でイオン引き込み用の高周波RF2高周波給電部35を起動させ、さらに一定時間TbTb>Ta遅延後の時点tgで直流電圧Vdc電源部100を起動させる。ここで、第1のデューティ比制御法[8RFM-1]は、図20Aに示すように、高周波RF1,RF2および直流電圧Vdcのデューティ比を、プロセス開始時点t0では、実用上の任意のパワー変調条件特にデューティ比、パルス周波数の下でプラズマを確実に着火できる初期値たとえば90を用いる。そして、プロセスの開始と同時にRF1,RF2,Vdcのデューティ比を初期値90から一定の負の勾配またはランプ波形で漸次的に下げ、所定時間TdTd>Tbを経過した時点t2で当該エッチングプロセス用の本来の設定値Dsまで下げる。時点t2以降は、プロセスの終了時時点t4までデューティ比を設定値Dsに固定または保持する。この第1のデューティ比制御法[8RFM-1]は、第8のRFモードにおいてプラズマが着火しにくい場合、たとえばデューティ比Dsを低めに設定した場合、あるいはパルス周波数fsを高めに設定した場合に有効である。第2のデューティ比制御法[8RFM-2]は、図20Bに示すように、RF1,RF2,Vdcのデューティ比をプロセスの開始時t0から終了時t3,t4まで終始本来の設定値Dsに固定する。このデューティ比制御法[8RFM-2]は、当該エッチングプロセス用に設定されたデューティ比Dsおよびパルス周波数fsの下でプラズマが確実に着火する場合には、好適に使える。なお、この実施形態のプラズマエッチング装置図17において、直流電源部100をオフにして上部電極46から電気的に切り離すことも可能である。その場合は、上記第1の実施形態におけるプラズマエッチング装置図1と同様に、上記第1~第7のRFモードを選択的に使用することが可能であり、第4~第7のRFモードでは上記と同様のデューティ比制御法を用いることができる。[他の実施形態または変形例]以上本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種種の変形が可能である。たとえば、図21Aに示すように、プロセス開始直後の遷移時間Td中にパワー変調のデューティ比を初期値図示の例は90から設定値Dsまで段階的に下げる制御も可能である。あるいは、図21Bに示すように、デューティ比をプロセス開始直後に一定の遅延時間Tkを経過してから設定値Dsに向けて漸次的または段階的に下げる制御も可能である。もっとも、所望のプロセス条件によるプラズマプロセスを望み通りに実施する上では、遅延時間Tkが短いほど好ましく、最も好ましいのは上記実施形態のようにTk=0の場合である。プラズマ生成に好適な高周波給電部33の高周波RF1は、上記実施形態ではサセプタ下部電極16に印加したが、上部電極46に印加することも可能である。本発明は、容量結合型プラズマエッチング装置に限定されず、プラズマCVD、プラズマALD、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなど任意のプラズマプロセスを行う容量結合型プラズマ処理装置に適用可能である。本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ、有機EL、太陽電池用の各種基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等も可能である。"