記憶領域が複数のブロックに分けられており、データの消去はブロック単位で行うフラッシュメモリに対してデータの記憶および消去を行う、フラッシュメモリの制御装置であって、前記複数のブロックに対して、更新頻度の低いデータとして予め設定された低頻度データを記憶する低頻度データブロックと、更新頻度の高いデータとして予め設定された高頻度データを記憶する高頻度データブロックとを設定し、前記フラッシュメモリに新たに記憶させるデータの種類が、前記低頻度データであれば前記低頻度データブロックに記憶させ、高頻度データであれば前記高頻度データブロックに記憶させることを特徴とする、フラッシュメモリの制御装置。請求項1において、前記低頻度データブロックに記憶されているデータを、そのブロックに記憶されている最も古いデータの記憶時点から、フラッシュメモリのデータ保持期間よりも短い期間に設定された書換期間経過後に、他の低頻度データブロックに移動させることを特徴とする、フラッシュメモリの制御装置。請求項2において、前記低頻度データブロックに設定しているブロックと、前記高頻度データブロックに設定しているブロックとを、逐次、入れ替えることを特徴とする、フラッシュメモリの制御装置。前述のように、ブロックに記憶されたデータを消去する際には、ブロック内のデータのうち有効なデータを、何も記憶されていない別のブロックに退避させる。この退避させるデータが多い場合、すなわち有効なデータが多い場合には、退避先のブロックは、退避させたデータが記憶された直後から既に空き領域が少ないことになる。その結果、そのブロックは、少ない書き込み量で一杯になってしまうので、少ない書き込み量で消去をしなければならないことになる。従って、そのブロックは、書き換え回数寿命が早く来てしまうことになる。前述の特許文献1には、ブロックに書きこむデータの種類については特に記載はないが、ここで、1つのブロックに、更新頻度の高いデータと更新頻度の低いデータとが混在している場合を考える。更新頻度の高いデータと更新頻度の低いデータとが同じブロックに混在している場合、そのブロックは、更新頻度の高いデータの更新頻度の影響により、比較的早くに一杯になってしまう。そして、一杯になった場合には、ブロック単位で消去を行う前に、有効なデータを全部退避させる。従って、更新頻度の低いデータも、更新頻度の高いデータに基づく更新頻度で他のブロックへ退避させられることになる。更新頻度の高いデータは、消去されるブロックに、最新のデータのみならず過去のデータも含まれることも多く、最新のデータと過去のデータとが含まれている場合、最新のデータのみを退避先のブロックに退避させればよい。よって、更新頻度の高いデータが多いほど、退避先のブロックは、退避直後の空き容量が多いことになる。一方で、更新頻度の低いデータは、消去されるブロックに、最新のデータと過去のデータが両方含まれていることは少ない。よって、更新頻度の低いデータは、更新頻度の高いデータとは異なり、退避データ量を、消去されるブロックに記憶されているデータに対して少なくすることができない場合が多い。このように、同一ブロックに更新頻度の高いデータと更新頻度の低いデータとが混在していると、更新頻度の低いデータは、更新頻度の高いデータに基づく頻度で退避させられるものの、更新頻度の高いデータほどには、退避させるデータ量を少なくすることができない。このことにより、退避先のブロックの退避直後の空き容量が不要に少なくなっており、書き換え回数寿命に早く到達してしまっていた。本発明は、この事情に基づいて成されたものであり、その目的とするところは、フラッシュメモリの寿命を延ばすことができる、フラッシュメモリの制御装置を提供することにある。前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、記憶領域が複数のブロックに分けられており、データの消去はブロック単位で行うフラッシュメモリに対してデータの記憶および消去を行うフラッシュメモリの制御装置であって、前記複数のブロックに対して、更新頻度の低いデータとして予め設定された低頻度データを記憶する低頻度データブロックと、更新頻度の高いデータとして予め設定された高頻度データを記憶する高頻度データブロックとを設定し、前記フラッシュメモリに新たに記憶させるデータの種類が、前記低頻度データであれば前記低頻度データブロックに記憶させ、高頻度データであれば前記高頻度データブロックに記憶させることを特徴とする。このようにすれば、高頻度データブロックには、更新頻度の低い低頻度データは含まれず、更新頻度の高い高頻度データのみが記憶されるので、高頻度データブロックが一杯になったときには、同じ種類のデータであって、最新のデータと過去のデータとが含まれることが多くなる。よって、高頻度データブロックが一杯になったときに退避させるデータ量を少なくすることができる。すなわち、退避先のブロックの空き容量を多くすることができる。これにより、退避先のブロックが一杯になるのが遅くなるので、そのブロックの寿命を延ばすことができる。請求項2記載の発明は、前記低頻度データブロックに記憶されているデータを、そのブロックに記憶されている最も古いデータの記憶時点から、フラッシュメモリのデータ保持期間よりも短い期間に設定された書換期間経過後に、他の低頻度データブロックに移動させることを特徴とする。低頻度データと高頻度データとを別々のブロックに記憶させることにより、低頻度データは、低頻度データブロックが一杯になる前に、データ保持期間が経過してしまうことも考えられる。しかし、このように、低頻度データブロックに記憶されているデータについては、フラッシュメモリのデータ保持期間よりも短い期間に設定された書換期間経過後に他のブロックに移動させることにすれば、データ保持期間が経過してしまうことを防止できる。よって、低頻度データが、データ保持期間経過により消滅してしまうことを防止できる。請求項3記載の発明は、低頻度データブロックに設定しているブロックと、高頻度データブロックに設定しているブロックとを、逐次、入れ替えることを特徴とする。高頻度データブロックは低頻度データブロックに比べて書換頻度が高くなることから、このように、低頻度データブロックに設定しているブロックと、高頻度データブロックに設定しているブロックとを、逐次、入れ替えるようにすれば、各ブロックの書換頻度が平準化され、フラッシュメモリ全体の寿命をさらに延ばすことができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明が適用された制御装置10、および、この制御装置10が制御するフラッシュメモリ20を備えた記憶システムの全体構成図である。この記憶システムは、たとえば、車両に搭載され、車両の機器の状態を逐次記憶する車両ダイアグシステムの一部として用いられる。図1に示すように、制御装置10とフラッシュメモリ20とはバスライン30により互いに接続されている。制御装置10は、CPU11、ROM12、RAM13を備えたコンピュータであり、CPU11が、RAM13の一時記憶機能を利用しつつ、ROM12に記憶されたプログラムを実行することで、制御装置10は、フラッシュメモリ20に対して、データの記憶、読み出し、消去を行う。また、ROM12には上記プログラムの他に、外部から入力されるデータの種類と、頻度種別低頻度データか高頻度データかを示すものとの対応関係も記憶している。上記制御装置10により制御するフラッシュメモリ20は、NOR型、NAND型のいずれでもよいが、本実施形態では、NAND型であるとする。NOR型、NAND型のいずれのフラッシュメモリであってもデータの消去はブロック単位で行う。しかし、書き込み単位には相違があり、NOR型では1バイトまたは1ワード単位で書き込みを行うのに対して、NAND型では、ブロック単位消去単位よりも小さな単位に設定されているページ単位で書き込みを行う。フラッシュメモリ20は、記憶領域が多数のブロックに分けられている。このブロックの大きさは、フラッシュメモリ20の用途により適宜設定されるものである。また、フラッシュメモリ20に書きこむデータの構造は、公知の種々のデータ構造を採用できる。たとえば、有効データフラグ、データ種類、データサイズ、データ本体、CRCチェックデータを順に含む構造とすることができる。なお、単にデータというときは、有効データフラグを含む一組のデータを指すものとする。制御装置10は、バスライン30を介して、フラッシュメモリ20に記憶させる必要があるデータ以下、取得データを外部から取得した場合には、その取得データに基づいて、上述の有効データフラグ等を有するデータを作成して、フラッシュメモリ20に記憶させる。図2は、制御装置10がフラッシュメモリ20にデータを記憶させる際に実行する処理を示すフローチャートである。この図2に示すフローチャートを用いて、制御装置10がフラッシュメモリ20にデータを記憶させる際に実行する処理を説明する。この図2に示す処理は、前述の取得データを取得した場合に実行する。まず、ステップS1では、取得データのデータ種類を判別する。データ種類の判別は、取得データに含まれているデータ種類に基づいて行う。データ種類には、たとえば、車両ダイアグシステムに用いられる場合には、比較的短い周期で取得するダイアグデータ機器の状態を示すデータ、作動要因データや、工場出荷時に設定される初期データなどがある。続くステップS2では、上記取得データを記憶する記憶先ブロックを決定する。記憶先ブロックとしては、低頻度データブロックと高頻度データブロックとがある。低頻度データブロックとは、更新頻度の低いデータとして予め設定された低頻度データを記憶するブロックである。一方、高頻度データブロックは、更新頻度の高いデータとして予め設定された高頻度データを記憶するブロックである。制御装置10は、フラッシュメモリ20の多数のブロックのうちの一部または全部を、低頻度データブロック、高頻度データブロックに設定している。取得データが低頻度データであるか高頻度データであるかは、ステップS1で判別したデータ種別と、ROM12に記憶している対応関係とを用いて決定する。たとえば、前述のダイアグデータは高頻度データであり、初期データは低頻度データである。そして、取得データが低頻度データであれば記憶先を低頻度データブロックのうちの書き込みに使用中の1つのブロックに決定し、高頻度データであれば高頻度データブロックのうちの書き込みに使用中の1つのブロックに決定する。続くステップS3では、取得データに基づいて、前述の有効データフラグ等を有するデータを作成し、そのデータをステップS2で決定したブロックにおいて、記憶済みのページの直後の空きページに記憶させる。また、このステップS3では、上記データが、同ブロックに既に記憶済みのデータの更新データとなる場合には、既に記憶済みのデータの有効データフラグを1有効から0無効に書き換える。なお、フラッシュメモリは、一般的に、このような1→0の書き換えは可能である。続くステップS4では、ステップS3でデータを記憶させた結果、そのデータを記憶させたブロックが一杯となったか否かを判断する。この判断は、書き込みアドレスが、ブロックの最終ページのアドレスであるか否かにより行う。この判断が否定判断である場合には、図2に示す処理を終了する。一方、肯定判断であった場合には、ステップS5に進み、そのブロックに記憶されている複数のデータのうち有効なデータのみを、別のブロックに退避移動させる。移動先のブロックは、一杯になったブロックと同種の頻度種別データを記憶するブロックであって、一度も書き込みが行われていないため、あるいは、データ消去により、何もデータが記憶されていないブロックである。これに該当するブロックが複数ある場合には、それら複数のブロックのうち、所定の規則たとえば、物理アドレス順により、一つのブロックを決定する。続くステップS6では、一杯になったデータブロック全体の記憶内容を消去する。図3は、図2に示したフローチャートの処理により行われるデータの記憶退避処理を、従来処理と対比して概念的に説明する図であり、図3Aが図2の処理に基づくデータの記憶退避処理、図3Bが従来処理に基づくデータの記憶退避処理である。図3A、Bとも、G1-Dxx=1、2、は低頻度データを意味し、G2-Dxは高頻度データを意味している。図3Bに示す従来処理では、低頻度データG1-Dxと、高頻度データG2-Dxとを同じブロックに記憶しているので、ブロックmが一杯になったときに、→で示す4つのデータを退避させる必要がある。その結果、退避先のブロックは、退避データが書きこまれた直後から、空き容量が少なくなってしまう。これに対して、図3Aに示すように、本実施形態では、低頻度データG1-Dxと、高頻度データG2-Dxとを別々のブロックに記憶している。従って、ブロックmが一杯になったときに退避させるデータは、→にて示す最新のG2-D1、G2-D2の2つのデータのみである。よって、退避先のブロックには、比較的大きい空き容量が存在する。制御装置10は、図2に示した処理の他に、低頻度データブロックについては、そのブロックに記憶されている最も古いデータの記憶時点からの経過時間を計時している。そして、その経過時間が、フラッシュメモリ20のデータ保持期間よりも短い期間に設定された書換期間を経過した時点で、そのブロックに記憶されているデータを別の低頻度データブロックに移動させる。なお、ここで移動させるデータは、移動元の低頻度データブロックに記憶されている全てのデータでもよいが、そのブロックに記憶されているデータのうちの有効なデータのみとすることが好ましい。データの移動後は、データ移動元の低頻度データブロックの消去を行うが、その後は、この物理ブロックを高頻度データブロックに設定変更し、代わりに、それまで高頻度データブロックであった物理ブロックを低頻度データブロックに設定する。このようにすることにより、上記書換期間が経過する毎に、低頻度データブロックと高頻度データブロックとを入れ替えることになる。なお、入れ替えにより低頻度データブロックとなるブロックをどのブロックにするかは適宜設定することができる。一例を挙げると、たとえば、図3Aにおいて、ブロック0、1が低頻度データブロックに設定され、他のブロックが高頻度データブロックに設定されているとする。上記書換期間が経過したことにより、ブロック0のデータをブロック1に退避させ、そのブロック0を高頻度データに設定するとともに、ブロック1に1を加えたブロックを、新たな低頻度データブロックとすることが考えられる。このようにすれば、低頻度データブロックが1つずつ順番に移動することになる。以上、説明した本実施形態によれば、高頻度データブロックには、更新頻度の高い高頻度データのみが記憶されるので、高頻度データブロックが一杯になったときには、同じ種類のデータについて、最新のデータと過去のデータとが含まれることが多くなる。よって、高頻度データブロックが一杯になったときに退避させるデータ量が少なくなるので、退避先のブロックの空き容量を多くすることができる。その結果、退避先のブロックが一杯になるのが遅くなるので、そのブロックが書換回数寿命に到達するのを遅くする、すなわち、そのブロックの寿命を長くすることができる。また、本実施形態によれば、低頻度データブロックに記憶されているデータについては、フラッシュメモリ20のデータ保持期間よりも短い期間に設定された書換期間が経過した時点で他のブロックに移動させている。これにより、低頻度データブロックに記憶させたデータに対して書き換えを行うまでの期間は、フラッシュメモリ20のデータ保持期間よりも長くならないので、低頻度データが、データ保持期間経過により消滅してしまうことを防止できる。また、本実施形態によれば、低頻度データブロックの書換期間が経過した時点で、低頻度データブロックに設定しているブロックと、高頻度データブロックに設定しているブロックとを入れ替えている。これにより、各ブロックの書換頻度が平準化されるので、フラッシュメモリ20の全体の寿命をさらに延ばすことができる。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、次の実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。たとえば、前述の実施形態では、データの退避を行う際、有効なデータか否かを、データに含まれている有効データフラグにより判断していた。すなわち、有効なデータか否かをそのデータに含まれている情報により判断していた。しかし、これに限られず、各ブロックのデータが有効か否かを記憶するテーブルをそれらのデータ外に記憶しておき、データ退避を行う際には、そのテーブルを参照して有効なデータを決定してもよい。また、前述の実施形態では、低頻度データブロックと高頻度データブロックの入れ替えは、低頻度データブロックについて書換期間が経過した時点で行っていたが、これに加えて、低頻度データブロックが一杯になって他のブロックにデータを移す時点で、ブロックの種別の入れ替えを行ってもよい。