表面にデバイスを備えたデバイスチップと該デバイスチップの表面に配設されたカバープレートとからなるチップの製造方法であって、表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハを準備するデバイスウエーハ準備ステップと、該デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該分割予定ライン上に積層された積層物を除去する積層物除去ステップと、該積層物除去ステップを実施した後、少なくとも該デバイスウエーハの該各デバイスを囲繞する領域に接着部材を介在させ、該デバイスウエーハの表面にカバーウエーハを貼着して貼り合わせウエーハを形成する貼り合わせウエーハ形成ステップと、該貼り合わせウエーハを該分割予定ラインに沿って分割してデバイスチップの表面にカバープレートが配設されたチップを形成する分割ステップと、を具備したことを特徴とするチップの製造方法。前記積層物除去ステップを実施した後、前記貼り合わせウエーハ形成ステップを実施する前に、前記デバイスウエーハの前記分割予定ラインに沿って切削ブレードで該デバイスウエーハを切削し、前記デバイスチップの仕上げ厚みに至る深さの切削溝を形成する切削溝形成ステップを更に具備し、前記分割ステップは、該貼り合わせウエーハ形成ステップを実施した後、前記貼り合わせウエーハを構成する該デバイスウエーハの裏面側を研削して該デバイスチップの仕上げ厚みへと薄化するとともに、該切削溝を該デバイスウエーハの裏面に露出させて該デバイスウエーハを個々のデバイスチップへと分割するデバイスウエーハ分割ステップと、該分割予定ラインに沿って前記カバーウエーハを分割するカバーウエーハ分割ステップと、を含むことを特徴とする請求項1記載のチップの製造方法。従来のように個々のデバイスチップに分割後にチップの表面上にカバーを配設してカバー付きチップを製造するのは、手数がかかり生産性が非常に悪いという問題がある。そこで、デバイスウエーハ上にカバーウエーハを貼り合わせた後に分割を実施して、生産効率を向上することが考えられる。ところが、層間絶縁膜としてLow-k膜やTEGTestElementGroupパターン、SiNやポリイミド等のパシベーション膜等の積層物がデバイスウエーハの分割予定ライン上にあると、カバーウエーハをデバイスウエーハに貼り合わせた後に積層物ごと貼り合わせウエーハを分割することは難しいという問題がある。具体的には、Low-k膜は脆くて雲母のように剥離するため、例えば切削ブレードで切削するとデバイス領域のLow-k膜も剥離してデバイスを損傷させてしまう恐れがある。また、金属のTEGパターンやパシベーション膜は切削ブレードで切削すると切削ブレードに目詰まりを引き起こしたり、切削不良を生じさせる。一方、貼り合わせウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射して貼り合わせウエーハ内部に改質層を形成した後、貼り合わせウエーハに外力を付与して分割しようとしても、金属のTEGパターンやパシベーション膜は分割が非常に難しい上、Low-k膜は改質層に沿って分割されないという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、分割予定ライン上の積層物によって貼り合わせウエーハの分割が阻害されることのないカバー付きチップを製造するチップの製造方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、表面にデバイスを備えたデバイスチップと該デバイスチップの表面に配設されたカバープレートとからなるチップの製造方法であって、表面に形成された交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハを準備するデバイスウエーハ準備ステップと、該デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該分割予定ライン上に積層された積層物を除去する積層物除去ステップと、該積層物除去ステップを実施した後、少なくとも該デバイスウエーハの該各デバイスを囲繞する領域に接着部材を介在させ、該デバイスウエーハの表面にカバーウエーハを貼着して貼り合わせウエーハを形成する貼り合わせウエーハ形成ステップと、該貼り合わせウエーハを該分割予定ラインに沿って分割してデバイスチップの表面にカバープレートが配設されたチップを形成する分割ステップと、を具備したことを特徴とするチップの製造方法が提供される。請求項2記載の発明によると、請求項1記載の発明において、前記積層物除去ステップを実施した後、前記貼り合わせウエーハ形成ステップを実施する前に、前記デバイスウエーハの前記分割予定ラインに沿って切削ブレードで該デバイスウエーハを切削し、前記デバイスチップの仕上げ厚みに至る深さの切削溝を形成する切削溝形成ステップを更に具備し、前記分割ステップは、該貼り合わせウエーハ形成ステップを実施した後、前記貼り合わせウエーハの該デバイスウエーハの裏面側を研削して該デバイスチップの仕上げ厚みへと薄化するとともに、該切削溝を該デバイスウエーハの裏面に露出させて該デバイスウエーハを個々のデバイスチップへと分割するデバイスウエーハ分割ステップと、該分割予定ラインに沿って前記カバーウエーハを分割するカバーウエーハ分割ステップと、を含むことを特徴とするチップの製造方法が提供される。請求項1記載の発明によると、貼り合わせウエーハを形成する前にデバイスウエーハの分割予定ライン上にある積層物を除去するため、分割予定ライン上の積層物によって貼り合わせウエーハの分割が阻害されることがなく、カバー付きチップを効率良く製造することができる。請求項2記載の発明によると、薄いデバイスウエーハでもカバーウエーハが貼着されているため、ハンドリングが阻害されることなく容易にカバー付きデバイスチップに分割することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。デバイスウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ラインストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にCMOSイメージセンサデバイス15が形成されている。デバイスウエーハ11では、金属配線間を絶縁するために必要となる層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜Low-k膜が採用されている。よって、分割予定ライン13上にはLow-k膜が積層されていることになる。低誘電率絶縁膜としては、SiO2膜誘電率k=4.1よりも誘電率が低い例えばk=2.5乃至3.6程度材料、例えばSiOC、SiLK等の無機物系の膜、ポリイミド系、パリレン系、ポリテトラフルオロエチレン系等のポリマー膜である有機物系の膜、及びメチル含有ポリシロキサン等のポーラスシリカ膜を挙げることができる。このように構成されたデバイスウエーハ11は、CMOSイメージセンサデバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平坦部に備えている。デバイスウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。本発明のチップの製造方法では、まずデバイスウエーハ11の分割予定ライン13に沿ってレーザビームを照射して分割予定ライン上に積層されたLow-k膜積層物を除去する積層物除去ステップを実施する。この積層物除去ステップでは、図2に示すように、レーザ加工装置10のチャックテーブル12でデバイスウエーハ11をその表面11aを上にして吸引保持する。そして、レーザ加工装置10の図示しない撮像ユニットでデバイスウエーハ11を撮像して、レーザ加工すべき第1の方向に伸長する分割予定ライン13を検出するアライメントを実施する。次いで、チャックテーブル12を90度回転してから、第1の方向と直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13についても同様なアライメントを実施する。アライメント実施後、積層されたLow-k膜に対して吸収性を有する波長例えば355nmのレーザビームを集光器14で集光して分割予定ライン13に照射し、チャックテーブル12を図2で矢印X1方向に所定の加工送り速度で移動させることにより、分割予定ライン13に沿ってレーザ加工溝16を形成し、分割予定ライン13上の積層されたLow-k膜を除去する。本実施形態の場合、集光器14で分割予定ライン13上に集光されるレーザビームのビームスポット径を大きくして、後工程の分割ステップで使用される切削ブレードの刃厚程度の幅の領域において積層物であるLow-k膜を除去するのが好ましい。チャックテーブル12をストリートピッチずつY軸方向に割り出し送りしながら、全ての第1の方向に伸長する分割予定ライン13上の積層されたLow-k膜を除去する。次いで、チャックテーブル12を90度回転してから、第1の方向に伸長する分割予定ライン13と直交する方向に伸長する分割予定ライン13に沿って同様なレーザ加工溝16を形成して、分割予定ライン13上の積層されたLow-k膜を除去する。この積層物除去ステップのレーザ加工条件は、例えば以下のように設定される。光源:YAGパルスレーザ又はYVO4パルスレーザ波長:355nm平均出力:7~10W繰り返し周波数:100~130kHz加工送り速度:70~100mm/s積層物除去ステップ実施後、図3に示すように、デバイスウエーハ11の各デバイス15を囲繞する領域に接着部材18を介在させ、デバイスウエーハ11の表面11aにカバーウエーハ20を貼着して貼り合わせウエーハ25を形成する貼り合わせウエーハ形成ステップを実施する。本実施形態のデバイスウエーハ11は、その表面11a上に複数のCMOSイメージセンサデバイス15を有しているため、カバーウエーハ20としては透明なガラスが使用される。しかし、本発明のチップの製造方法で使用されるカバーウエーハ20はガラスに限定されるものではなく、例えばデバイス15がMEMSデバイス等の場合には、カバーウエーハ20をシリコンウエーハ等から形成するようにしてもよい。貼り合わせウエーハ形成ステップ実施後、デバイスウエーハ11の裏面11bを研削してデバイスウエーハ11を所定の厚みに薄化する裏面研削ステップを実施する。この裏面研削ステップでは、図4に示すように、研削装置のチャックテーブル30で貼り合わせウエーハ25のカバーウエーハ20側を吸引保持して、デバイスウエーハ11の裏面11bを露出させる。図4において、研削ユニット32のスピンドル34の先端に固定されたホイールマウント36には、図示しない複数のねじのように研削ホイール38が着脱可能に装着されている。研削ホイール38は、ホイール基台40の自由端部下端部に複数の研削砥石42を環状に配設して構成されている。裏面研削ステップでは、チャックテーブル30を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール38を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール38の研削砥石42をデバイスウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール38を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでデバイスウエーハ11の厚みを測定しながら、デバイスウエーハ11を所望の厚みに研削する。裏面研削ステップ実施後、貼り合わせウエーハ25を分割予定ライン13に沿って分割してデバイスチップ15Aの表面にカバープレート23が配設されたチップを形成する分割ステップを実施する。この分割ステップを実施する前に、貼り合わせウエーハ25のカバーウエーハ20に粘着テープTを貼着するテープ貼着ステップを実施する。そして、切削装置の撮像ユニットの赤外線撮像素子でデバイスウエーハ11をその裏面11b側から撮像して、分割予定ライン13を検出するアライメントを実施する。このアライメントは、第1の方向に伸長する分割予定ライン13及び第1の方向と直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13についてそれぞれ実施する。アライメント実施後、図5に示すように、切削装置の切削ブレード22で貼り合わせウエーハ25を分割予定ライン13に沿って切削して、デバイスチップ15Aの表面にカバープレート23が配設されたチップに分割する分割ステップを実施する。図5に示した実施形態では、貼り合わせウエーハ25のカバーウエーハ20に粘着テープTを貼着しているが、粘着テープTをデバイスウエーハ11の裏面11bに貼着して分割ステップを実施するようにしてもよい。この場合には、カバーウエーハ20が透明なガラスから形成されているため、CCD等の通常の撮像素子で貼り合わせウエーハ25をカバーウエーハ20側から撮像して分割予定ライン13を検出するアライメントを実施することができる。上述した実施形態では、貼り合わせウエーハ25をチップに分割する分割ステップを切削ブレード22で実施しているが、レーザ加工装置によりレーザ加工溝や改質層をデバイスウエーハ11及び/又はカバーウエーハ20に形成した後、ブレーキング装置分割装置によりレーザ加工溝又は改質層を分割起点として貼り合わせウエーハ25を個々のチップに分割するようにしてもよい。次に、図6乃至図9を参照して、本発明第2実施形態のチップの製造方法について説明する。本実施形態は先ダイシング法DicingBeforeGrindingを利用したチップの製造方法である。図6Aに示す積層物除去ステップでは、分割予定ライン13に沿って複数のレーザ加工溝16を形成して、次工程の切削溝形成ステップで使用する切削ブレードの刃厚以上の幅の領域において積層物であるLow-k膜13aを除去する。しかし、照射されるレーザビームのビームスポット径を大きくして、一回のレーザビームの照射により切削ブレードの刃厚以上の幅の領域においてLow-k膜13aを除去するようにしてもよい。或いは、代替実施形態として、図6Bに示すように、次工程の切削溝形成ステップで使用する切削ブレードの表裏側面が位置付けられる領域に分割予定ライン13に沿って一対のレーザ加工溝16を形成して、積層物であるLow-k膜13aを除去する。このように積層物除去ステップを実施した後、図7Aに示すように、デバイスウエーハ11の分割予定ライン13に沿って切削ブレード22Aでデバイスウエーハ11を切削し、デバイスウエーハ11にデバイスチップ15Aの仕上げ厚みt1に至る深さの切削溝24を形成する切削溝形成ステップを実施する。この切削溝形成ステップは、全ての分割予定ライン13について実施する。図6Bに示すように、分割予定ライン13に沿って一対のレーザ加工溝16を形成した実施形態については、図7Bに示すように、切削ブレード22Aの表裏両面をレーザ加工溝16に合わせて切削する切削溝形成ステップを実施することにより、切削して雲母のように剥離されたLow-k膜13aがレーザ加工溝16で分断されて、デバイス15に悪影響を及ぼすことがない。切削溝形成ステップ実施後、貼り合わせウエーハ25のデバイスウエーハ11の裏面側を研削してデバイスウエーハ11をデバイスチップの仕上げ厚みへと薄化するとともに、切削溝24をデバイスウエーハ11の裏面11bに露出させてデバイスウエーハ11を個々のデバイスチップ15Aへと分割するデバイスウエーハ分割ステップを実施する。このデバイスウエーハ分割ステップでは、図8に示すように、研削装置のチャックテーブル30で貼り合わせウエーハ25のカバーウエーハ20側を吸引保持して、デバイスウエーハ11の裏面11bを露出させる。そして、チャックテーブル30を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール38を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール38の研削砥石42をデバイスウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール38を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。デバイスウエーハ11を所望の厚みt1に研削すると、切削溝24がデバイスウエーハ11の裏面11bに露出し、デバイスウエーハ11が個々のデバイスチップ15Aに分割される。デバイスウエーハ11の裏面11bを研削して、デバイスウエーハ11を個々のデバイスチップ15Aで分割した後、カバーウエーハ20を分割予定ライン13に沿って分割するカバーウエーハ分割ステップを実施する。このカバーウエーハ分割ステップを実施する前に、貼り合わせウエーハ25のカバーウエーハ20を図9に示すように粘着テープTに貼着する。そして、切削ブレード22でデバイスウエーハ11の切削溝24を通してカバーウエーハ20を切削し、デバイスチップ15Aの表面にカバープレート23が貼着されたチップを形成する。