"半導体熱電変換材料と結着材とが複合された熱電変換複合材料であって、前記結着材は、前記半導体熱電変換材料と同極性の半導体ガラスであり、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに酸化バナジウムを含有し、軟化点が480°C以下の無鉛ガラスであることを特徴とする熱電変換複合材料。請求項1に記載の熱電変換複合材料において、前記半導体ガラス中で、5価のバナジウムイオンの濃度と4価のバナジウムイオンの濃度とが異なることを特徴とする熱電変換複合材料。請求項1または請求項2に記載の熱電変換複合材料において、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに二酸化テルルおよびまたは五酸化二燐を更に含有し、前記酸化バナジウムを全て五酸化二バナジウムとして換算した場合に、前記五酸化二バナジウムと前記二酸化テルルと前記五酸化二燐との合計配合率が60質量以上であることを特徴とする熱電変換複合材料。請求項3に記載の熱電変換複合材料において、前記半導体熱電変換材料がp型であり、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに、三酸化二砒素、酸化鉄III、三酸化アンチモン、酸化ビスマスIII、三酸化タングステン、三酸化モリブデン、および酸化マンガンのうち少なくとも1種類以上を更に含有することを特徴とする熱電変換複合材料。請求項3に記載の熱電変換複合材料において、前記半導体熱電変換材料がn型であり、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに、酸化銀I、酸化銅II、アルカリ金属酸化物、およびアルカリ土類金属酸化物のうち少なくとも1種類以上を更に含有することを特徴とする熱電変換複合材料。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の複合熱電変換材料において、前記半導体ガラスの配合率が10~50体積であることを特徴とする熱電変換複合材料。請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の熱電変換複合材料において、前記半導体熱電変換材料が、Bi系材料、PbTe系材料、ZnSb系材料、MgSi系材料、SiGe系材料、GeTeAgSbTe系材料、Sb系材料、Co2O5系材料、FeSi系材料、およびFeVAl系材料から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする熱電変換複合材料。請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の熱電変換複合材料と、溶剤とを含むことを特徴とする熱電変換材料ペースト。請求項8に記載の熱電変換材料ペーストにおいて、前記溶剤がブチルカルビトールアセテートまたはα-テルピネオールであり、樹脂バインダーとしてエチルセルロースまたはニトロセルロースを更に含むことを特徴とする熱電変換材料ペースト。請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の熱電変換複合材料からなる熱電変換素子であって、前記半導体ガラスの少なくとも一部が結晶化していることを特徴とする熱電変換素子。請求項10に記載の熱電変換素子において、前記結晶化している部分はバナジウム複合酸化物結晶であることを特徴とする熱電変換素子。基板と、前記基板上に配列された複数の熱電変換素子と、前記基板に形成され隣接する前記熱電変換素子の間を電気的に接続する複数の電極とを具備する熱電変換モジュールであって、前記熱電変換素子は、請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の熱電変換複合材料からなる熱電変換素子であり、隣接する前記熱電変換素子の極性が交互になるように電気的に直列接続されていることを特徴とする熱電変換モジュール。特許文献1や特許文献2に記載の熱電変換材料および熱電変換素子は、熱電変換材料をペースト状あるいは液状にしてスクリーン印刷や塗布等の簡易な製造プロセスを用いることができ、所望のパターンを有する厚膜を容易にすなわち、低い製造コストで形成することができる。しかしながら、特許文献1の熱電変換材料および熱電変換素子は、無機熱電変換材料の結着剤として金属酸化物微粒子を用いており、該金属酸化物微粒子が熱電変換機能を有しないことから、全体としての熱電変換性能が阻害される問題があった。また、特許文献2の熱電変換材料は、分散混合するハイブリッド化する有機熱電変換材料の熱電変換特性が低いことから、先と同様に全体としての熱電変換性能が阻害される問題があった。一方、非特許文献1に記載の薄膜形の熱電変換モジュールは、微細パターンを有しかつ緻密質な膜が形成されることから、モジュール単位面積当たりの素子密度が高く、高い出力起電力を得られることが期待される。しかしながら、薄膜であるが故に素子の表裏面モジュールの表裏面での温度差を取ることが本質的に困難であり、温度差を作り出すために非常に大きな冷却部材例えば、冷却フィンを必要とする。そのため、熱電変換モジュールが全体として大型化してしまうという問題があった。また、半導体プロセス真空プロセスで製造するため、製造装置コストが大きく、モジュール価格が高くなる問題があった。したがって本発明の目的は、低コストプロセスを用いても高特性を有する熱電変換素子を作製可能とする熱電変換複合材料、および該複合材料を用いた熱電変換材料ペーストを提供することにある。さらに、該複合材料を用いて低コストで高効率な熱電変換モジュールを提供することにある。本発明の1つの態様は、上記目的を達成するため、半導体熱電変換材料と結着材とが複合された熱電変換複合材料であって、前記結着材は、前記半導体熱電変換材料と同極性の半導体ガラスであり、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに酸化バナジウムを含有し、軟化点が480°C以下の無鉛ガラスであることを特徴とする複合熱電変換材料を提供する。なお、本発明における無鉛とは、RoHS指令電子電気機器における特定有害物質の使用制限についての欧州連合EUによる指令、2006年7月1日施行における禁止物質鉛を指定値以下の範囲で含有することを容認するものとする。ガラスの軟化点の定義については後述する。また、本発明は、上記の本発明に係る熱電変換複合材料において、以下のような改良や変更を加えることができる。i前記半導体ガラス中で、5価のバナジウムイオンの濃度と4価のバナジウムイオンの濃度とが異なる。言い換えると、5価のバナジウムイオンの濃度:V5と4価のバナジウムイオンの濃度:V4との比が1ではないV5V4≠1。なお、本発明におけるバナジウムイオンの価数および濃度とは、JISG1221に準拠した酸化還元滴定法による定量分析によって測定される価数および濃度と定義する。ii前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに二酸化テルルおよびまたは五酸化二燐を更に含有し、前記酸化バナジウムを全て五酸化二バナジウムとして換算した場合に、前記五酸化二バナジウムV2O5と前記二酸化テルルTeO2と前記五酸化二燐P2O5との合計配合率が60質量以上である。iii前記半導体熱電変換材料がp型であり、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに、三酸化二砒素As2O3、酸化鉄IIIFe2O3、三酸化アンチモンSb2O3、酸化ビスマスIIIBi2O3、三酸化タングステンWO3、三酸化モリブデンMoO3、および酸化マンガンMnOのうち少なくとも1種類以上を更に含有する。iv前記半導体熱電変換材料がn型であり、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに、酸化銀IAg2O、酸化銅IICuO、アルカリ金属酸化物、およびアルカリ土類金属酸化物のうち少なくとも1種類以上を更に含有する。v前記半導体ガラスの配合率が10~50体積である。vi前記半導体熱電変換材料が、Bi系材料、PbTe系材料、ZnSb系材料、MgSi系材料、SiGe系材料、GeTeAgSbTe系材料、Sb系材料、Co2O5系材料、FeSi系材料、およびFeVAl系材料から選ばれる少なくとも1種である。vii本発明に係る熱電変換材料ペーストは、上記の熱電変換複合材料と溶剤とを含む。viii本発明に係る熱電変換材料ペーストは、前記溶剤がブチルカルビトールアセテートまたはα-テルピネオールであり、樹脂バインダーとしてエチルセルロースまたはニトロセルロースを更に含む。ix本発明に係る熱電変換素子は、上記の熱電変換複合材料からなり、前記半導体ガラスの少なくとも一部が結晶化している。なお、本発明において、熱電変換素子とは、所望の形状寸法に成形され焼成焼結された半導体熱電変換材料と定義する。x本発明に係る熱電変換素子は、前記結晶化している部分がバナジウム複合酸化物結晶である。xi本発明に係る熱電変換モジュールは、基板と、前記基板上に配列された複数の熱電変換素子と、前記基板に形成され隣接する前記熱電変換素子の間を電気的に接続する複数の電極とを具備し、前記熱電変換素子は、上記の熱電変換複合材料からなる熱電変換素子であり、隣接する前記熱電変換素子の極性が交互になるように電気的に直列接続されている。なお、本発明において、熱電変換モジュールとは、複数の熱電変換素子が電気的に接続されているものと定義する。本発明によれば、低コストプロセスを用いても高特性を有する熱電変換素子を作製可能とする熱電変換複合材料、および該複合材料を用いた熱電変換材料ペーストを提供することができる。さらに、該複合材料を用いることで、低コストで高効率な熱電変換モジュールを提供することができる。本発明者らは、スクリーン印刷や塗布等の低コストプロセスを用いても従来よりも高効率な熱電変換素子を作製可能とする熱電変換材料について鋭意検討を行った結果、半導体熱電変換材料と新規な半導体ガラスとを複合化することにより、前記の目的を達成できることを見出した。以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明はここに取り上げる実施形態に限定されるものではなく、要旨を変更しない範囲で適宜組み合わせや改良が可能である。熱電変換複合材料前述したように、本発明に係る熱電変換複合材料は、半導体熱電変換材料に対して、該半導体熱電変換材料と同極性の半導体ガラスを複合化したものであり、前記半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに酸化バナジウムを含み、軟化点が480°C以下の無鉛ガラスである。より具体的には、本発明で用いる半導体ガラスは、成分を酸化物で表したときに二酸化テルルTeO2およびまたは五酸化二燐P2O5を更に含有し、含有される酸化バナジウムを全て五酸化二バナジウムV2O5として換算した場合に、五酸化二バナジウムと二酸化テルルと五酸化二燐との合計配合率が60質量以上である。本発明の半導体ガラスは、ガラス中のバナジウムイオンの価数バランス調整により、p型半導体にもn型半導体にもなる。4価のバナジウムイオン濃度:V4に対する5価のバナジウムイオン濃度:V5の比が1より小さい場合V5V4<1にはp型半導体となり、1より大きい場合V5V4>1にはn型半導体となる。半導体ガラスの極性を半導体熱電変換材料の極性と同極にすることによって、全体としての熱電変換特性を損なうことなく、複合化することができる。なお、バナジウムイオンの価数および濃度は、JISG1221に準拠した酸化還元滴定法による定量分析によって測定できる。また、この半導体ガラスの非晶質状態での導電率は102~106Sm程度である。本発明の半導体ガラスの極性すなわち、V5V4は、添加元素によって制御することができる。半導体ガラスの極性をp型V5V4<1にする場合、五酸化二バナジウムV2O5を還元する効果のある元素を添加すればよい。具体的には、成分を酸化物で表したときに、三酸化二砒素As2O3、酸化鉄IIIFe2O3、三酸化アンチモンSb2O3、酸化ビスマスIIIBi2O3、三酸化タングステンWO3、三酸化モリブデンMoO3、および酸化マンガンMnOのうち少なくとも1種類以上を添加すればよい。一方、半導体ガラスの極性をn型V5V4>1にする場合、五酸化二バナジウムV2O5の還元を抑制する効果のある元素を添加すればよい。具体的には、成分を酸化物で表したときに、酸化銀IAg2O、酸化銅IICuO、アルカリ金属酸化物、およびアルカリ土類金属酸化物のうち少なくとも1種類以上を添加すればよい。いずれの場合にも、これらの元素の添加は、半導体ガラスの極性を制御するだけではなく、ガラス構造を強化する効果ガラスの安定性を高める効果と耐水性を向上する効果とを奏する。また、本発明で用いる半導体ガラスは、軟化点が480°C以下と低いことを特徴とする。軟化点が低い半導体ガラスを複合化することにより、従来のバルク形の熱電変換素子における熱電変換材料の焼結温度例えば、BiTe系材料において600~650°Cよりも低温での焼成が可能となる。焼成温度の低温化は、焼成に要するエネルギーコストの低減に加えて、望まない化学反応を抑制することから熱電変換特性の低下を防止する。ここで、本発明におけるガラスの特性温度転移点、屈伏点、軟化点、結晶化温度の定義について説明する。図1は、本発明における代表的な半導体ガラスに対する示差熱分析DTAの昇温過程で得られるチャートの1例である。DTA測定は、参照試料としてα-アルミナを用い、大気中5°Cminの昇温速度で行った。参照試料および測定試料の質量は、それぞれ650mgとした。本発明においては、図1に示したように、第1吸熱ピークの開始温度をガラス転移点Tg粘度=10133poiseに相当、該第1吸熱ピークのピーク温度を屈伏点Td粘度=10110poiseに相当、第2吸熱ピークのピーク温度を軟化点Ts粘度=10765poiseに相当、第1発熱ピークの開始温度を結晶化温度Tcと定義する。なお、それぞれの温度は、接線法によって求められる温度とする。本明細書に記載の特性温度例えば、軟化点Tsは上記の定義に基づくものである。半導体ガラスと複合化する半導体熱電変換材料は、特に限定されず、使用温度に応じて最適なものを選択することができる。例えば、200°C以下で使用するならば、Bi系材料を好適に用いることができる。また、上記以外にも、例えば、Bi系材料、PbTe系材料、ZnSb系材料、MgSi系材料、SiGe系材料、GeTeAgSbTe系材料、Sb系材料、Co2O5系材料、FeSi系材料、FeVAl系材料等を好適に用いることができる。さらに、広範囲な温度域に対応させるために、使用温度の異なる熱電変換材料を組み合わせることも可能である。前述したように、本発明の熱電変換材料は、半導体熱電変換材料と上述した半導体ガラスとを複合化したものであり、半導体熱電変換材料の粉末と半導体ガラスの粉末とを混合し、塗布焼成して使用される詳細は後述する。混合する半導体熱電変換材料粉末と半導体ガラス粉末の粒子径は、塗布工程における塗布性を考慮すると、それぞれ5μm以下であることが好ましい。また、半導体熱電変換材料に対する半導体ガラスの混合比は、10体積以上50体積以下10~50体積が好ましい。半導体ガラスの混合比が10体積未満であると、半導体熱電変換材料の粒子表面が軟化溶融した半導体ガラスで十分に濡れないため、半導体熱電変換材料粒子の液相焼結が十分に進行しない。一方、半導体ガラスの混合比が50体積を超えると、半導体熱電変換材料粒子同士の接触面積が減少するため、全体としての熱電変換特性が低下してしまう。ここで、熱電変換材料の性能について、簡単に説明する。熱電変換材料の性能は、しばしば次式1で示される無次元性能指数ZTを指標として表わされる。S:ゼーベック係数、σ:導電率、κ:熱伝導率、および、T:動作温度である。このZTが大きいほど、高い変換効率が得られる。ゼーベック係数は熱電変換材料の物性値であるが、熱電変換材料が焼結体の場合、導電率および熱伝導率は特性値となる。式1を本発明に係る熱電変換複合材料半導体熱電変換材料と半導体ガラスとの複合化に当てはめて考えると、次のような留意点がある。a複合化によって、ゼーベック係数が低下する可能性がある。b複合化によって、実効的な導電率が低下する可能性がある。c複合化によって、実効的な熱伝導率が低下する可能性がある。言い換えると、ゼーベック係数の低下の抑制すなわち、半導体熱電変換材料と半導体ガラスとの化学反応の抑制と、実効的な導電率の低下の抑制とが重要であると言える。半導体熱電変換材料と複合化した半導体ガラスの少なくとも一部は、結晶化していることが好ましい。半導体ガラスの少なくとも一部を結晶化させることで、半導体ガラス自体の導電率電気導電率を向上させ、熱電変換複合材料の実効的な導電率の低下を抑制することが可能となる。具体的には、高導電率のバナジウム複合酸化物結晶であるMxV2O5M銅、銀、アルカリ金属、アルカリ土類金属、0<x<1、LiV2O4、CaVO3、SrVO3、La1xSrxVO3、Gd1xSrxVO3、V2O3、VO2等を析出させることが好ましい。本発明の半導体ガラスの結晶化にあたって特段の制約はなく、従前のガラスの結晶化方法を適宜適用できる。図2は、CuxV2O5を析出させた半導体ガラスとV2O5を析出させた半導体ガラスの導電率の温度依存性を示すグラフである。バナジウム複合酸化物結晶を析出させるガラスを結晶化させる前の半導体ガラスの室温での導電率は104Smオーダーであったことから、図2に示したように、本発明の半導体ガラスを結晶化させることによって、ガラスの導電率が飛躍的に約5桁向上することが確認された。熱電変換材料ペースト本発明に係る熱電変換材料ペーストは、上述した熱電変換複合材料と溶剤とを含むものである。該ペーストは、樹脂バインダーを更に含んでいてもよい。溶剤としては、ブチルカルビトールアセテートまたはα-テルピネオールが好ましく用いられる。樹脂バインダーとしては、エチルセルロースまたはニトロセルロースが好ましく用いられる。一方、溶剤としてα-テルピネオールを用い、セルロース系の樹脂バインダーを用いないペーストでもよい。本発明に係る熱電変換複合材料をペースト化することにより、スクリーン印刷や塗布等の低コストプロセスを用いて、基板上に所望の形状微細パターンを容易に成形することができる。その後、ペースト中の半導体ガラスの軟化点Tsよりも20~40°C程度高い温度で焼成することで、ペースト中の半導体熱電材料を液相焼結させ、熱電変換素子および熱電変換モジュールを製造することができる。熱電変換素子および熱電変換モジュール次に、本発明に係る熱電変換素子および熱電変換モジュールについて説明する。前述したように、本発明において、熱電変換素子とは、所望の形状寸法に成形され焼成焼結されたp型半導体熱電変換材料やn型半導体熱電変換材料と定義し、熱電変換モジュールとは、複数の熱電変換素子が電気的に接続されているものと定義している。図3は、本発明に係る熱電変換モジュールの製造工程の1例を示す断面模式図である。以下、図3に沿って本発明の熱電変換モジュールとその製造方法について説明する。1電極形成工程まず、基板101の片側表面に、高絶縁性の絶縁層102を形成する。その後、絶縁層102上に電極103を形成する。電極103が形成された基板101を一対用意する。基板101は高熱伝導性の材質であればよく、特に限定されない。例えば、金属ならばアルミニウムを好適に用いることができる。また、金属以外にも高熱伝導率かつ高絶縁性のアルミナAl2O3、窒化アルミニウムAlN、炭化珪素SiC、ベリリアBeO等を用いても良い。絶縁層102としては、高絶縁性を有するものであればよく、例えば基板がアルミニウムであれば、基板表面の酸化処理あるいは窒化処理により、アルミナあるいは窒化アルミニウムを形成すればよい。絶縁層102が高熱伝導性を有することは、より好ましい。なお、基板が高絶縁性のものである場合には、絶縁層102を形成する必要はない。電極103としては、導電率が105Smオーダー以上であり、基材101との熱膨張率差が小さいものであればよく、特段の限定はない。例えば、スパッター法により形成した金属膜でもよいし、導電性ペーストを塗布焼成した電極膜でもよい。2熱電変換材料層形成工程本発明に係る熱電変換材料ペーストを用意する。p型熱電変換材料ペースト104は、p型半導体熱電変換材料粒子105とp型半導体ガラス106と溶剤例えば、ブチルカルビトールアセテートとを混合して作製される。同様に、n型熱電変換材料ペースト107は、n型半導体熱電変換材料粒子108とn型半導体ガラス109と溶剤例えば、ブチルカルビトールアセテートとを混合して作製される。熱電変換材料ペーストの極性が交互になるように、各熱電変換材料ペースト104,107を電極103上に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、スタンプ法、およびフォトレジストフィルム法等を好適に用いることができる。その後、150°C程度に加熱して溶剤を除去し、熱電変換材料層熱電変換素子の前駆体を形成する。3熱電変換素子熱電変換モジュール形成工程次に、前述の電極形成工程で用意した電極103が形成された基板101を熱電変換材料層の上に重ね合わせる。このとき、熱電変換材料の極性が交互に直列接続されるように、電極103が形成された基板101を配置することが好ましい。その後、半導体ガラス106,109の軟化点Tsよりも20~40°C程度高い温度で焼成することで、電気的に接続された複数の熱電変換素子すなわち、熱電変換モジュールが形成される。4封着工程さらに、熱電変換モジュールの耐久性を向上させるために、対となる2枚の基板101の端部をガラス封着することは好ましい。図3に示すように、基板101の端部に封着用ガラスペースト111封着用ガラスフリットでもよいを塗布した後、電気炉中で焼成封着する。このとき、熱電変換モジュール内部を真空引きしながら封着することは好ましい。封着用ガラスペースト111に用いるガラスとして特段の限定はないが、熱電変換素子内の半導体熱電変換材料と半導体ガラスとが化学反応を起こさない温度領域で封着可能なガラスを用いることが望ましい。また、封着用のガラスは、耐水性に優れたガラスであることが好ましい。図4は、本発明に係る熱電変換モジュールの製造工程の他の1例を示す断面模式図である。図4に沿って本発明に係る熱電変換モジュールの製造工程の他の1例について説明する。図3と同様に電極形成工程において、まず、基板201の片側表面に、高絶縁性の絶縁層202を形成する。その後、絶縁層202上に電極203を形成する。電極203が形成された基板201を一対用意する。次に、熱電変換材料層形成工程において、一方の基板201の電極203上に、p型半導体熱電変換材料粒子205とp型半導体ガラス206とを含むp型熱電変換材料ペースト204を塗布し、他方の基板201の電極203上に、n型半導体熱電変換材料粒子208とn型半導体ガラス209とを含むn型熱電変換材料ペースト207を塗布する。その後、それぞれの基板を150°C程度に加熱して溶剤を除去し、熱電変換材料層熱電変換素子の前駆体を形成する。次に、熱電変換素子熱電変換モジュール形成工程において、熱電変換材料層が形成された基板同士を、熱電変換材料の極性が交互に直列接続されるように重ね合わせる。その後、半導体ガラス206,209の軟化点Tsよりも20~40°C程度高い温度で焼成することで、電気的に接続された複数の熱電変換素子すなわち、熱電変換モジュールが形成される。なお、図4においては封着工程を省略したが、封着工程が行われることは、もちろん好ましい。図5は、本発明に係る熱電変換モジュールの1例を示す斜視模式図である。図5に示したように、本発明に係る熱電変換モジュール300は、対向する2枚の基板301の間に複数の熱電変換素子p型熱電変換素子304、n型熱電変換素子305が配列されており、p型熱電変換素子304とn型熱電変換素子305とが交互になるように、基板301上に形成された電極302を介して電気的に直列接続されている。直列接続された熱電変換素子の両端には、引出電極303が取り付けられている。なお、図中に示した熱電変換素子の形状寸法は例示であり、最適な形状寸法は、使用する熱電変換複合材料の熱伝導率、熱電変換複合材料と電極との界面熱抵抗率や界面電気抵抗率、および熱電変換モジュールの用途などを考慮して適宜設計される。熱電変換モジュールの使用例図6は、本発明に係る熱電変換モジュールを利用した太陽光太陽熱複合発電システムの1例を示す断面模式図である。図6に示したように、本発明に係る熱電変換モジュールを利用した太陽光太陽熱複合発電システム400は、太陽電池モジュール401と本発明に係る熱電変換モジュール402と熱交換器403とが積層された構成を有している。太陽電池モジュール401は、太陽光に面する位置に配置され、一例として、リードフレーム407を介して接続された複数の太陽電池セル406が透明樹脂408によって固定されている構造を有している。太陽光の入射面は、強化ガラス405によって保護されている。太陽電池モジュール401の裏面に配設される熱電変換モジュール402は、図3~5と同様の構造を有し、対向する2枚の基板409の間に複数の熱電変換素子p型熱電変換素子412、n型熱電変換素子413が配列されており、p型熱電変換素子412とn型熱電変換素子413とが交互になるように、基板409上に絶縁層410を介して形成された電極411により電気的に直列接続されている。熱電変換モジュール402の他方の面には、熱交換器403が配設されている。また、太陽光太陽熱複合発電システム400の側面は、封着ガラス414を介して側板404が取り付けられている。太陽光太陽熱複合発電システム400は、太陽電池モジュール401による太陽光発電と、太陽電池モジュール401の下面と熱交換器403の上面との温度差を利用した熱電変換モジュール402による太陽熱発電と、熱電変換モジュール402で利用できなかった廃熱の熱交換器403による回収例えば、給湯とを行うことができる。すなわち、電力と熱とのコージェネレーションシステムを構築することができる。また、太陽光太陽熱複合発電システム400は、太陽電池モジュール401の熱を熱電変換モジュール402で積極的に抜熱することにより、太陽電池セル406の温度上昇による効率低下を抑制することができる。さらに、熱電変換モジュール402の他方の面太陽電池モジュール401と反対側の面の熱を熱交換器403で積極的に抜熱することにより、熱電変換モジュール402の上下面における温度差を拡大し熱電変換効率を向上することができる。以下、本発明を具体的な実施例に基づいてより詳細に説明する。ただし、本発明は、ここで取り上げた実施例に限定されることはなく、そのバリエーションを含むものとする。[実施例1]本実施例においては、種々の組成を有する半導体ガラスを作製し、該半導体ガラスの評価を行った。半導体ガラスの評価1-1半導体ガラスの軟化点表1に示す名目組成を有する半導体ガラスSG01~SG19を作製した。表中の組成は、各成分の酸化物換算における質量比率で表示してある。出発原料としては、株高純度化学研究所製の酸化物粉末純度999を用いた。表に示した質量比で各出発原料粉末を混合し、白金るつぼに入れた。混合にあたっては、原料粉末への余分な吸湿を避けることを考慮して、金属製スプーンを用いて白金るつぼ内で混合した。原料混合粉末が入った白金るつぼをガラス溶融炉内に設置し、加熱融解した。5°Cminの昇温速度で昇温し、設定温度900~1000°Cで融解しているガラスを撹拌しながら1時間保持した。その後、白金るつぼをガラス溶解炉から取り出し、あらかじめ150~300°Cに加熱しておいた黒鉛鋳型に鋳込んだ。次に、鋳込まれたガラスを、あらかじめ歪取り温度に加熱しておいた歪取り炉に移動し、1時間保持により歪を除去した後、1°Cminの速度で室温まで冷却した。室温まで冷却したガラスブロックを粉砕し、表に示した名目組成を有する半導体ガラスSG01~SG19の粉末を作製した。上記で得られた各半導体ガラス粉末に対して、示差熱分析DTAにより軟化点Tsを測定した。DTA測定は、参照試料α-アルミナおよび測定試料の質量をそれぞれ650mgとし、大気中5°Cminの昇温速度で行い、第2吸熱ピークのピーク温度を軟化点Tsとして求めた図1参照。結果を表2に示す。DTA測定の結果、本発明に係る半導体ガラスSG01~SG19は、いずれも軟化点が480°C以下であることが確認された。1-2半導体ガラスの極性前記1-1で作製した半導体ガラスSG01~SG19中のバナジウムイオンの価数と濃度とを、JISG1221に準拠した酸化還元滴定法によって測定した。得られた測定結果から、4価のバナジウムイオン濃度:V4に対する5価のバナジウムイオン濃度:V5の比が1より小さい場合V5V4<1にはp型半導体と判定し、1より大きい場合V5V4>1にはn型半導体と判定した。その結果を表2に併記する。表2に示したように、添加元素によって半導体ガラスの極性を制御できることが確認された。1-3半導体熱電変換材料との化学反応性前記1-1で作製した半導体ガラスSG01~SG19と、半導体熱電変換材料であるBi2Te3株式会社豊島製作所製、粒径:200メッシュ以下、純度:3N以上との化学反応性を調査した。半導体ガラス粉末とBi2Te3粉末との混合粉末Bi2Te3に対して半導体ガラスを30体積混合を冷間プレスにより成型した後、アルゴン雰囲気中または大気中にて所定の温度で30分間焼成した。焼成温度は、熱電変換素子を作製する際の焼成条件を考慮して、混合した半導体ガラスの軟化点Tsよりも20~40°C高い温度とした。焼成後の成型体を乳鉢にて粉砕し、広角X線回折測定法いわゆる、θ2θ法により反応生成物の同定を行った。なお、検出されたピークの同定には、X線回折標準データ集であるICDDInternationalCentreforDiffractionDataカードを用いた。測定装置には、広角X線回折装置株式会社リガク製、型式:RU200Bを用いた。測定条件は、X線としてCuKα線を用い、X線出力を50kV×150mAとし、走査範囲を2θ=5~100degとし、発散スリットをDS=10degとし、走査速度を20degminとした。得られたX線回折パターンが、ガラスに由来するハローパターンおよびBi2Te3に由来する回折ピークのみで構成されている場合、混合した半導体ガラスはBi2Te3と化学反応しなかったと判断し合格と評価した。得られたX線回折パターンが、ガラスに由来するハローパターンとBi2Te3に由来する回折ピークの他に、半導体ガラスとBi2Te3との反応生成物例えば、Bi2TeO5やBi4TeO8と思われる回折ピークで構成されており、回折ピーク強度から計算される反応生成物の体積分率がBi2Te3の体積分率の15以下であった場合、許容と評価した。回折ピーク強度から計算される反応生成物の体積分率がBi2Te3の体積分率の15超であった場合には、不合格と評価した。評価した結果を表2に併記する。表2に示したように、本発明の半導体ガラスSG01~SG19は、アルゴン雰囲気中で焼成した場合に、いずれもBi2Te3との化学反応性が低いことが確認された。また、SG01,SG02,SG15,SG17では、大気中の焼成においても、Bi2Te3との化学反応性が低いことが確認された。これらの結果は、本発明の半導体ガラスが高い化学的安定性を有すると共に、低い軟化点を有することに起因すると考えられた。なお、詳細は省略するが、PbTe系材料、ZnSb系材料、MgSi系材料、SiGe系材料、GeTeAgSbTe系材料、Sb系材料、Co2O5系材料、FeSi系材料、およびFeVAl系材料においても、同様の結果が得られることを別途確認した。[実施例2]本実施例においては、本発明に係る熱電変換素子を作製し、その特性評価を行った。熱電変換素子の特性評価半導体熱電変換材料として、p型のBi03Sb17Te3粉末株式会社豊島製作所製、純度:3N以上、粒径:32μmと、n型のBi2Te3粉末株式会社豊島製作所製、純度:3N以上、粒径:25μmとを用意した。また、複合する半導体ガラスとして、p型のSG07とn型のSG15とを用意した。p型のBi03Sb17Te3粉末70体積とp型のSG0730体積とを混合し、該混合粉末に対して、エチルセルロースECとブチルカルビトールアセテートBCAとの混合溶液を15質量配合して、p型の熱電変換材料ペーストを作製した。同様に、n型のBi2Te3粉末70体積とn型のSG1530体積とを混合し、該混合粉末に対して、ECとBCAとの混合溶液を15質量配合して、n型の熱電変換材料ペーストを作製した。次に、これらのペーストをステンレス製の型に流し込み、アルゴンガス雰囲気中430°Cで30分間焼成することにより、約3×3×10mm3の角柱状の熱電変換素子を作製した。また、比較試料として、半導体熱電変換材料のみをホットプレスにより圧粉成型焼結した熱電変換素子株式会社豊島製作所製も用意した。これらの熱電変換素子のゼーベック係数および電気導電率を熱電特性評価装置アルバック理工株式会社製、型式:ZEM3により測定した。測定は、低圧ヘリウムガス中で、323K、373K、423Kの各温度でそれぞれ3回ずつ行い、平均値を求めた。結果を表3に示す。表3に示したように、本発明に係る熱電変換素子は、従来のバルク形熱電変換素子と比較して、同等の熱電特性を維持していることが確認された。言い換えると、本発明の半導体ガラスおよびそれを用いた熱電変換材料ペーストは、半導体熱電変換材料の熱電特性に悪影響を与えないことが確認された。さらに、本発明に係る熱電変換複合材料を用いると、従来のバルク形熱電変換素子の場合よりも低温焼成で、熱電変換素子が作製可能であることが確認された。[実施例3]本実施例においては、本発明に係る熱電変換モジュールを作製し、その変換効率を測定した。熱電変換モジュールの評価実施例2で作製した熱電変換材料ペーストを用いて、図5に示した熱電変換モジュールを作製した。熱電変換素子304、305の寸法形状を一辺約100μmの立方体状とし、該熱電変換素子を70cm角の基板301上に144万個集積させた。製造条件の概略を表4に示す。図7は、熱電変換モジュールの変換効率の測定方法を示す断面模式図である。作製した熱電変換モジュール502を加熱ヒータ501と熱伝導率が既知の銅ブロック504との間に設置した。銅ブロック504の他端側には、抜熱するためのヒートシンク505を配設した。加熱ヒータ501で熱電変換モジュール502の一方の面を加熱し、引出電極503から出力されるモジュール出力Pと銅ブロック504を流れる熱流束Qとを測定した。測定した出力Pと熱流束Qとから次式η=Pを用いて変換効率ηを求めた。ヒータ温度を150°Cに設定し、熱電変換モジュール502の上下面の温度差ΔTが50K、銅ブロック504に流れる熱流束Qが10Wcm2の条件下で測定した結果、熱電変換モジュール502の変換効率ηは約2と十分に高い性能が得られることが確認された。"