i3次元構造を形成するための露出パターンを有する第1のマスクを提供する段階、ii第1のマスクを放射線に露出して放射線感受性レジスト上に前記露出パターンを形成する段階であって、前記露出パターンが、レジストの照射領域及び非照射領域によって画定される、段階、ii第2のマスクを提供する段階、iii露出の間に、前記第1のマスクと前記第2のマスクとの間の相対的な位置を変更して、前記照射領域のうち選択された部分を放射線から遮蔽し、異なる深さプロファイルを前記3次元構造内に形成可能にする段階、を含む、リソグラフィ法。前記第1のマスクが、前記レジストと接触する、請求項1に記載のリソグラフィ法。前記相対位置を間隔をあけて変更する段階をさらに含む、請求項1または2に記載のリソグラフィ法。前記相対位置を連続的に変更する段階をさらに含む、請求項1または2に記載のリソグラフィ法。前記相対位置を変更する段階が、前記第2のマスクの位置を維持し、前記第1のマスク及び前記レジストの両方を共に移動させる段階を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。前記第1のマスク及び前記レジストの両方を、第1の移動軸に沿って移動させ、次いで前記第1の移動軸に対して直交する第2の移動軸に沿って移動させる段階をさらに含む、請求項5に記載のリソグラフィ法。前記相対位置を変更する段階が、前記第1のマスク及び前記レジストの位置を維持し、前記第2のマスクの位置を移動させる段階を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。前記第2のマスクを第1の移動軸に沿って移動させ、次いで前記第1の移動軸に対して直交する第2の移動軸に沿って移動させる段階をさらに含む、請求項7に記載のリソグラフィ法。前記第2のマスクを、中心点の周りに回転させる段階をさらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。前記第2のマスクが、2つの対向する開口部を含む、請求項9に記載のリソグラフィ法。前記開口部が、菱形の開口部である、請求項9または10に記載のリソグラフィ法。第3のマスクを提供する段階をさらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。前記第2のマスクを第1の移動軸に沿って移動させ、前記第3のマスクを前記第1の軸に直交する第2の移動軸に沿って移動させ、その間前記第1のマスク及び前記レジストの位置を維持する段階をさらに含む、請求項12に記載のリソグラフィ法。前記露出パターンが、層状構造を含む、請求項1から13のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。露出後に、前記レジストを現像溶液中で現像して前記照射領域の部分をエッチングで除去し、異なる深さプロファイルを有する前記3次元構造を形成する段階をさらに含む、請求項1から14のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。前記放射線がX線である、請求項1から15のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。前記レジストが、ポリマーである、請求項1から16のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。前記レジストが、ポリメチルメタクリレートPMMAである、請求項1から17のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。請求項1から18のいずれか一項に記載のリソグラフィ法から得られる3次元構造から、マイクロ構造またはナノ構造を製造する方法。前記3次元構造からモールドを形成する段階をさらに含む、請求項19に記載の方法。前記モールドに基づいて、前記マイクロ構造または前記ナノ構造を製造する段階をさらに含む、請求項20に記載の方法。請求項19から21のいずれか一項の方法から得られる、異なる高低差を有する異なる表面領域上に配置された層状格子セルのアレイを含む格子構造。請求項22に記載の格子構造を有するマルチミラーアレイ。請求項23に記載のマルチミラーアレイを含む、フーリエ分光計。i3次元構造を形成するための露出パターンを有する第1のマスク、ii第2のマスク、ii前記第1のマスクを放射線に露出して放射線感受性レジスト上に露出パターンを形成するための放射線源であって、前記露出パターンが、前記レジストの照射領域及び非照射領域によって画定される、放射線源、及びiii前記第1のマスクと前記第2のマスクとの間の相対的な位置を変更して前記照射領域の選択された部分を放射線から遮蔽し、異なる深さプロファイルを前記3次元構造内に形成することを可能にする手段、を含む、リソグラフィ装置。本発明の目的は、上述の応用分野に用いられる3次元構造を形成するのに用いられうる、従来技術の欠点の少なくとも1つに対処し及び/または有用な選択肢を公衆に提供するリソグラフィ法及び装置を提供することである。本発明の第1の側面に従えば、i3次元構造を形成するための露出パターンを有する第1のマスクを提供する段階、ii第1のマスクを放射線に露出して放射線感受性レジストに露出パターンを形成する段階であって、露出パターンは放射線感受性レジストの照射領域及び非照射領域によって画定される、露出パターンを形成する段階、ii第2のマスクを提供する段階、及びiii露出の間に、第1のマスク及び第2のマスクの間の相対位置を変更して、照射領域のうち選択された部分を放射線から遮蔽し、異なる深さプロファイルを3次元構造内に形成可能にする段階、を含むリソグラフィ法が提供される。放射線はX線またはUV光であってもよい。また、電子またはイオンで形成される粒子ビームであってもよい。レジストは、シリコンウェハのような適切な基板上に成膜されてもよい。記載された実施形態の利点は、放射線感受性レジストの部分のより正確かつ精密な選択が達成されうることである。このことにより、100nmから1000μmの範囲で可能な高アスペクト比及び段差を伴う、異なる深さの多層表面または任意表面を有する3次元構造を形成することが可能になる。アスペクト比は、構造の深さと最小の構造詳細部との間の比として定義される。高アスペクト比は、通常、1よりも顕著に大きいと考えられ、数百にも達すると考えられる。好適な比は、6または7でありうる。提案される方法は特に、非常に精密かつ正確な3次元構造を形成または製造するのに有用であるため、このことは、干渉及び分光に関して電磁波を操作することが可能な光学デバイスの製造に有用でありうる。特に、そのような方法は、単パルス測定が可能である高速並列処理フーリエ変換干渉計FPPFTIRに用いられるマルチミラーアレイを製造するのに用いられうる。概して、任意の多層平面表面もまた、光波の時間構造を操作するのに有用でありえ、レーザー技術、遠隔通信の分野またはホログラフィ分野での応用を有する。好適には、第1のマスクは、レジストと接触し、第2のマスクは第1のマスク上に配置される。換言すれば、第1及び第2のマスクは、異なる垂直座標またはZ座標に位置する。本方法は、さらに、相対位置を間隔をあけて変更する段階を含むものであってもよい。代替的に、本方法は、相対位置を連続的に変更する段階を含むものであってもよい。いずれの場合でも、相対位置を変更する段階は、第2のマスクの位置を維持し、第1のマスク及びレジストの両方を共に移動させる段階を含むものであってもよい。この場合、本方法は、さらに、第1のマスク及びレジストの両方を、第1の移動軸に沿って移動させ、次いで第1の移動軸に対して直交する第2の移動軸に沿って移動させる段階を含むものであってもよい。代替的に、相対位置を変更する段階は、第1のマスク及びレジストの位置を維持し、第2のマスクの位置を移動させる段階を含むものであってもよい。この場合、本方法は、第2のマスクを第1の移動軸に沿って移動させ、次いで第1の移動軸に対して直交する第2の移動軸に沿って移動させる段階を含むものであってもよい。マスクの一方が、方位角方向の移動を実施するものであってもよい。例えば、本方法は、中心点の周りに第2のマスクを回転させることを含むものであってもよい。一実施例において、第2のマスクは、2つの対向する開口部を含んでもよく、開口部は菱形であってもよい。特に、開口部は、ただ1つの開口部またはマスクの寸法に応じて2つより多いものであってもよい。リソグラフィ法は、2つ以上のマスクを含んでもよく、従って、本方法は第3のマスクを提供することを含んでもよいとみなされる。このような好適な特徴に関して、本方法は、さらに、第1の移動軸に沿って第2のマスクを移動させ、第1の移動軸に対して直交する第2の移動軸に沿って第3のマスクを移動させ、その一方で第1のマスク及びレジストの位置を維持することを含むものであってもよい。有利には、露出パターンは、例えば、マルチミラーアレイの場合には、層状構造を含む。リソグラフィ法は、さらに、露出後に、現像溶液中でレジストを現像して照射領域の部分をエッチングで除去し、異なる深さプロファイルを有する3次元構造を形成する段階を含んでもよい。他の放射線の形態、例えばUVもまた想定されるが、放射線はX線が好ましい。レジストはポリマーであってもよく、好適なレジストは、ポリメチルメタクリレートPMMAである。具体的には、リソグラフィは、フォトリソグラフィまたは深X線DXRLリソグラフィであってもよい。リソグラフィ法によって製造された3次元構造は、マイクロ構造またはナノ構造を製造するために用いられるものであってよく、従って、第2の態様において、リソグラフィ法から得られる3次元構造からマイクロ構造またはナノ構造を製造する方法が提供される。この方法は、さらに、3次元構造からモールドを形成する段階、次いでモールドに基づいてマイクロ構造またはナノ構造を製造する段階を含んでもよい。マイクロ/ナノ構造の例は、格子構造であり、第3の態様において、マイクロ/ナノ構造を製造する方法から得られる格子構造が提供され、この格子構造は、異なる構造の高さを有する異なる表面領域に配置された層状の格子セルのアレイを含む。このような格子構造は、マルチミラーアレイとして用いられてもよく、マルチミラーアレイは、フーリエ分光計の一部であってもよい。第4の態様において、i3次元構造を形成するための露出パターンを有する第1のマスク、ii第2のマスク、ii第1のマスクを放射線に露出して放射線感受性レジストに露出パターンを形成するための放射線源であって、露出パターンがレジストの照射領域及び非照射領域によって画定される、放射線源、並びにiii第1のマスクと第2のマスクとの間の相対的な位置を変更して照射領域の選択された部分を放射線から遮蔽し、異なる深さプロファイルを3次元構造内に形成することを可能にする手段を含む、リソグラフィ装置が提供される。1つの態様に関する特徴はまた、他の態様にも適用可能であってよいことを理解すべきである。本発明の例は、以下の添付した図に関連して、これから説明される。図1は、楕円ミラー102及びコリメートミラー104を含む例示的な高速並列処理FPPFTIR分光計100である。楕円ミラー102は、物体または光源106からコリメートミラー104に向かって放射される光を反射し、凝縮するように構成される。コリメートミラー104は、反射光108から、ほぼ平行な光のビーム110を形成し、マルチミラーアレイMMA200へビームを指向する。図2は、区別可能であり異なる高さまたは深さの表面を有し、升目状のアレイに配置されたNxM2元格子セル202を含むMMA200の概略図を示している。セルは、段差を有する升目状の表面の個々の高さの1つに属する領域であり、層状の上部構造である。セル202のそれぞれは、前後の個別の面のミラーの間の個々の距離について隣接するセルとは異なっているため、それぞれのセルは、隣のセルとは異なる特定の光学経路を形成する。MMAによる反射において、格子セル202のアレイは、平行光ビーム110を各サブビーム112に分割し、サブビームのそれぞれは、格子セル202の対応する光学経路に関連して強度を変調される。サブビーム112は、サブビーム112を開口部118を有する空間フィルター116に収束する集束ミラー114に指向される。空間フィルター116は、サブビーム112の空間的により高い回折次数をフィルターし、その一方で0次の放射が、フィルターされた光のビーム120として開口118を、空間フィルター116から離れて位置する検出器122の方へ通過することができるようにする。集束ミラー114は、検出器122の表面上にMMA200の表面を同時に描像する。検出器122は、検出器セル図示されないのアレイを含み、検出器セルのそれぞれはフィルターされた光の各ビームの単一の強度の点を測定する。フィルターされた光のビーム120はMMA200によって生成された異なる光学経路を有するので、フィルターされた光の各ビームの光学経路の差は、検出器122上の強度の点またはスポットの位置から導き出すことができる。フィルターされた光のビーム120の強度及びそれぞれの光学経路の差は、全体で干渉図形を形成する。次いで、干渉図形は、スペクトル、通常は光の波長、波数または周波数に対するサンプルの透過率または吸収率のいずれかを得るためにフーリエ変換を受ける。もちろん、NxMアレイはNxNつまり、各軸に沿って等しい数のセルを有するであってもよい。FPPFTIR分光計100は、時間がかかる走査機構または狭いスペクトル稼働バンドによって制限されないことは明らかであろう。分光計100は、物体106から入射する光の信号の全ての光束を用いることができ、静的MMA200を有するという利点を有する。分光計100内に可動部がないことは、小型で丈夫な設計をもたらす一方で、爆発、火炎、放電、プラズマ過程、稲妻、多数の物体の分光的走査及び分類、有毒性又は可燃性ガス流などに典型的な、非常に短い非反復性パルスの検出を可能とする。このような過程は、内部燃焼、ジェットエンジン、炎、環境の汚染、廃棄物の処理、有毒性ガスの危険性、化学反応、及び爆発物の監視及び診断に高い重要性があり、これらはクリーンエネルギー及び環境、安全性、警備、武力衝突、民間防衛及び国土防衛に関連する。分光計200は、広いスペクトル幅、処理能力及び多重化能力という点でFTIRの利点をそのまま有している。加えて、従来技術のFTIRに用いられるビームスプリッターによる50の強度損失を避けることができる。MMA200、特に格子セルの鏡面の正確な製造が非常に重要であることは理解されるべきである。リソグラフィによるMMA200の格子セルのような多層表面を形成する方法をこれから説明する。図3aは、本発明の実施形態に従うリソグラフィ法の露出段階を実施するための二重マスクを有するX線リソグラフィ装置300の上面図であり、図3bは、装置300の側面斜視図である。装置300は、装置300の構成要素の残りの部分を支えるためのX線走査テーブル302を含む。装置300は、微小移動ステージ310を搬送するための中央下部領域308を有する摺動板306を搬送するためのホルダープレート304を含む。微小移動ステージ310は、放射線感受性レジストを搬送するための基板テーブル312を支持するように配置され、この実施形態において、レジストは、ポジ型レジストのように働く多層PMMAシートを含む、ポリメチルメタクリレートPMMAレジスト314を含む。PMMAレジスト314が放射線に露出されると、露出された部分は放射線を吸収し、これによって、具体的には露出された部分で、照射されたPMMAレジストの分子量が減少する。この放射線によって引き起こされた分子鎖切断により、PMMAレジスト314の照射部と非照射部との間で、現像溶液における可溶性に違いが生じる。換言すれば、PMMAレジスト314の照射部の現像速度は、非照射部のそれと比較してはるかに高く、その程度は、放射線を受けた吸収量または程度に依存する。微小移動ステージ310は、図3bの矢印Aによって示されるように、線形的にまたは水平にPMMAレジスト314を移動させるように配置される。第1のマスク316は、PMMAレジスト314の上面に位置合わせされて配置され、第1のマスク316とPMMAレジスト314との相対的な位置が固定される。装置300はさらに、3つの微動ねじ320によって、PMMAレジスト314上に懸架されるマスクホルダープレート318を含み、微動ねじは、マスクホルダープレート318とPMMAレジスト314とを所望の距離だけ離隔させる。マスクホルダープレート318は、マスクホルダーリング324を受けるように配置された円形の中央開口部322を有する。マスクホルダーリング324は、マスクホルダーリング324をマスクホルダープレート318に締め付ける多数のマスクホルダー取り付けクランプ326を用いてマスクホルダープレート318によって支持される。マスクホルダーリング324は、第2のマスク328を支持するように配置される。いわゆる近接間隔である、PMMAレジスト基板314及び従って第1のマスク316と第2のマスク328との望ましい距離は、高いパターン転写精度を可能にする最適な距離であるべきであり、その距離は、微動ねじ320を調整することによって変更される。図4は、図3a及び3bの装置によって実施されるX線リソグラフィ法を示す簡略化された概略である。図4に示されるように、第1のマスク316及び第2のマスク328の動きは、X線ビーム330によって照射される間、X線光源図示されないから、PMMAレジスト314の露出領域を正確に選択できるように、相互に関連している。装置330は、PMMAレジスト314が典型的には入射X線ビーム330に対して垂直となるように配置される。しかしながら、特別な場合には、X線ビーム330と装置300との間の角度を傾斜させることも可能であり、有用である。例示的なMMAの場合を詳述すると、第1のマスク316は、PMMAレジスト314の上部に直接取り付けられ、X線ビーム330が第2のマスク328によってマスクされた後にPMMAレジスト314に向けて通過するのを防ぐ第1の部分332及びX線ビーム330がPMMAレジストの照射対応部336に向けて通過できるようにする第2の部分334を含む。換言すれば、第1及び第2の部分332、334は、PMMAレジスト314上に具体的な露出または幾何学的パターンを生成し、この実施形態においては、パターンはPMMAレジスト314上に層状構造を形成するように意図される。第2のマスク328は、露出パターンの特性を変更するように用いられ、露出は、追加的に、空間的に構造化されることが可能であり、この実施形態においては、第2のマスク328は、X線ビームを遮蔽する第1のマスク部338及び基本的にX線ビーム330をマスクされたX線ビーム330として通過させることができる開口部である第2のマスク部340を含む。このように、第2のマスク328は、制限され均一な照射量のビームプロファイルを第1のマスク316及び従ってPMMAレジスト314に与えるように構成され、第1のマスク316によって形成された幾何学的パターンによって引き起こされる層状構造内に段差構造またはプロファイルを生成する。前述したように、マスクされたX線ビーム330は、第1のマスク316によってさらにマスクされ、PMMAレジスト314上に具体的なパターン、この場合には、一連の平行な溝を照射する。第1のマスク316は、X線光源図示されないからのX線ビーム330の形成における放射線を遮蔽する第1の部分332及びX線ビーム330がPMMAレジスト上の照射対応部336へ通過することを可能にする第2の部分334を含み、従って、これらの第1の部分332の下部の非照射部337は放射線に露出されない。図4に示されるように、位置AAにおいて、マスクされたX線ビーム330は、第1のマスク316上の露出領域AA及びPMMAレジスト336を所定の露出時間だけ照射して、照射部336上に所望の深さプロファイルを生成するが、第1のマスク316によってマスクされた非照射部337は露出しない。所定の露出時間経過後、PMMAレジスト314と共に、第1のマスク316が、基板テーブル312従ってレジスト314及び第1のマスク316を移動させる微小移動ステージ310を作動させることにより、X線ビーム330に露出した状態で方向Bに直線的に、例えば600μmステップで移動される。静止した第2のマスク328に対して、Bの方向に第1のマスク316を偏移させることまたは移動させることの効果は、第2のマスク328が図4に示されるように位置AAから位置BBへ、方向Cへ偏移されることである。もちろん、同じ効果は、反対の配置及び移動によっても達成されうる。第2のマスク328を線形的に偏移させ、その一方で第1のマスク316及びPMMAレジスト314を静的または静止させたままにすることである。これは、装置300の設定に対して適切な改良を施すことによって達成されうる。図4に戻って、第1のマスク及びPMMAレジスト314と第2のマスクとの相対位置の偏移は、露出領域BBに対応し、これは、露出領域AAと重なって、第1のPMMAの部分336aがもはや照射されず、3つのPMMAの部分336b、336c、336dは照射され続けるようにする。さらに、第5のPMMAの部分336eは、第2のマスク316が位置BBにあるときに照射される。所定の露出時間の後、第1のマスク316及びPMMAレジスト314は、露出中に再び位置BBから位置CCへ、続いて位置DDへ移動され、これらの位置が、対応する露出領域CC及びDDを生成する。第2のマスク328が、さらなる放射線にさらされるべきでないこれらの照射部336を遮蔽するように配置されるため、これらの位置を通して、第2のマスク328に対する第1のマスク316の偏移により、様々な位置336b、336c、336d、336e、336f、336gが、露出時間の様々な量に従うことは了解されるべきである。最終的な効果は、異なる露出時間に対応する照射部336の様々な深さプロファイルが、PMMAレジスト314上に生成されることである。第2のマスク328に対する方向Bへの第1のマスク316及びPMMAレジスト314の移動は、図5aに示されるように、PMMAレジスト314に関連してX露出領域またはX軸に沿った移動であると考えてもよい。例として図2を参照すると、X露出領域の移動は、従って、MMA200のような多層構造のX軸に様々な深さプロファイルを生成することである。多層構造のY軸に様々な深さプロファイルを生成することに関して、微小移動ステージ310は、第1のマスク316及びPMMAレジスト314を、図5bに示されるようにX軸に直交するY露出領域またはY軸に変位するように配置される。露出段階の後、露出されたPMMAレジスト314は、装置300から取り除かれ、レジスト現像段階にかけられ、露出されたPMMAレジスト314が、適切な現像溶液内に浸漬され、PMMAレジスト314の照射部336が、非照射部に対してはるかに速い現像速度で現像液内に溶解する。結果的に得られる現像深さまたはエッチング深さは、露出段階における照射量プロファイル、現像溶液及び現像条件に依存する。2種類の現像、つまり撹拌及び浸漬現像について、30°Cの溶液温度での30分の現像サイクルに関する関係が、図6に示されている。現像時間及び露出量は、所定の現像条件下で深さプロファイルに変換し、そのため照射部336の深さプロファイルを決定する。図6のエッチング深さと露出量の関係から、図6の右側の第2座標で示された、浸漬及び撹拌現像に関して現像速度と露出量との間の関係を導くことができる。現像段階後、PMMAレジスト314は、様々な深さまたは段差を有する多層表面を有する3次元構造を明らかにする。図7は、エッチングされた3次元構造の写真である。エッチングされた3次元構造は、次いで、めっきを介して金属モールドを形成するのに用いられ、金属モールドは、次いで、3次元構造、特に異なる深さまたは高さの多層表面または段差を有するマイクロ3次元構造またはナノ3次元構造を大量生産する非常に費用効果が高い方法となるエンボス成形または射出成型を介してMMA200実際、これらはエッチングされた3次元構造の鏡像となるのような3次元構造を再び形成するのに用いられる。リソグラフィを介して3次元構造例えば、MMA200の現像/原版作成が直接可能であるが、大量生産に関してモールディングプラスチックモールディングなども好適に使用されることが明確にされるべきである。図8は、4x5セル-5行のセルを含む、上で提案された方法に従って形成されたMMAのSEM像であり、これらのセルは4つの水平な線350及び、セルサイズこの場合は600x600μm2によって与えられるようにまたは像の明度の変化から発見できるように、セルの水平方向の4つの列によって、垂直方向に離隔される。理解されるように、提案された、この実施形態のリソグラフィ法は、露出領域の正確な選択を可能にする。この方法は、2つの積層されたマスク316、328を用い、それらの少なくとも一方は他方に対して独立に移動することができる。この実施形態において、第1のマスク316は、構造の幾何学的形状全体または露出パターンすなわち、この実施形態に関しては直線及び空隙を有する構造を提供し、第1のマスク328の上部に配置された第2のマスク328が、どこを照射すべきか、いつどの程度の長さだけレジスト314のどの部分を放射線ビームの適切な遮蔽によって照射されるかについて、選択的な照射を可能にする。照射領域は、第1のマスク316によって規定される初期2Dパターンおそらくcmの範囲であり、露出システムおよび応用に依存すると同程度に大きくてもよく、または移動ステージ310の移動が許す限りサブミクロン小さくてもよい。記載された実施形態は、限定的なものとして解釈されるべきではない。例えば、記載された実施形態において、第1のマスク316及びPMMAレジスト314は照射の間第2のマスクの位置に対して線形的に偏移し、または露出して、PMMAレジスト314の領域が選択的に第2のマスク328の影の領域つまり、吸収体と呼ばれうる第1のマスクの部分338の下部に入り、X線ビーム330に露出されるこれらの領域に、中間調の照射量の付与を可能とする。しかしながら、第1のマスク316及びPMMAレジスト314の位置が静止し、第2のマスク328がその代わりに装置300に対して適切な改良によって偏移すれば、同じ効果が達成されうる。また、両方のマスク316、328が動くように構成されてもよいともみなされる。第1のマスク316は、PMMAレジスト314に直接取り付けられずに離隔されてもよい。垂直方向に沿った第1のマスク316及び第2のマスク328の位置は、従って入れ替えられてもよい。つまり、第2のマスク328がPMMAレジスト314に直接隣接し、その一方第1のマスク316が第2のマスク328上にある。この実施形態において、第1のマスク316は、標準的なリソグラフィマスク好適には放射線に対してほぼゼロの透過率を有する金属からなるパターン化された構造を支持する、光のビームを透過させることができる透明な膜を有するであり、PMMAレジスト314及び、所定の時間に所定の露出継続時間だけ照射ビーム330に対して第1のマスク領域を開閉するのに用いられる第2のマスク328に隣接する。しかしながら、第1のマスク及び/または第2のマスクは、図9に拡大して示されているステンシルマスク400のように、開領域が、どのような膜も有さない貫通開口部であることを意味するステンシルマスクであってもよい。ステンシルマスク400は、10’10mm2の、シリコンマスクフレーム404によって保持され、シリコンフレーム405によって支持されたX線ステンシルマスク領域402を有する。マスク領域402は、下部のメンブレン層によって支持されるのではなく、シリコンマスクフレーム404によって自由に懸架された一連の間隔をあけられた縦方向の金の部材406を含む。縦方向の金の部材406は、放射線を吸収しまたは通過を防ぐ第1のマスク316の第1の部分332に対応し、金の部材406の間の溝部は放射線を通過させる第1のマスク316の第2の部分334に対応する。これによって、メンブレン層によるX線ビーム330へのどのような影響も避けることができ、従って、リソグラフィの品質を改善し、より良好な3次元構造につながる。記載された実施形態は、モノリシックな多層構造を形成するためにPMMAレジスト314を用いるが、その他のレジスト材料、ポリマーまたは基板もまた、放射線のスペクトル範囲及びその他の工程上の必要性に応じて用いられてもよい。記載された実施形態において、第1のマスク316及びPMMAレジスト314は、ステップ動作で共に移動し、段差プロファイルを有する3次元構造を形成するが、第1のマスク316及びPMMAレジスト314が、連続的な掃引動作または走査移動で連続的な表面プロファイルを形成するように配置されてもよいことは理解されるべきである。例えば、掃引動作によって、第2のマスク328と第1のマスク316従ってPMMA基板314との間の相対位置が変化する場合、このことはX線ビーム330の照射の程度に変化を引き起こし、曲面状のミラー格子を形成するのに用いられうる。代替的に、第2のマスク328は、曲面状の2次元マスクによって置き換えられてもよく、従ってマスクの曲面が曲面マスクと第1のマスク316及びPMMAレジスト314との間の相対的な位置に対応する変化を発生させる。レジスト上の露出領域を閉じまたは開けるマスクの間の相対位置は、従って付与される照射量の程度、つまり、一定強度の露出の経過時間を異なるものとすることができる。このことにより、X線ビーム330への露出の対応する異なる強度という結果が得られ、Y方向への曲面マスクの走査と共に、曲面状の照射量プロファイルという結果が得られる。曲面状の底部プロファイルを有する3次元構造のSEM画像が、図10に、曲面状プロファイルを明確に示すための想像線白色とともに示される。X線リソグラフィの代わりに、その他の種類のリソグラフィ、例えば、深X線リソグラフィDXRL、UVリソグラフィ及び電子またはイオンビームリソグラフィが用いられてもよい。たがいに対して位置を変更するように構成された2つのマスク316、328を有する代わりに、より多くのマスクが用いられてもよいとみなされる。例えば、第3のマスクが含まれてもよい。このような、多数の可動マスク技術の構成は、図11に示されており、既に記載された実施形態に類似しており、レジストはPMMAレジスト450の形態であり、第1のマスク452はPMMAレジスト450の上面に位置合わせされ取り付けられている。第1のマスク452は、既に記載された実施形態の第1のマスク316と類似した構造を有している。第2のマスク454及び第3のマスク456は、第1のマスク452上に、異なるZ座標で懸架され、PMMAレジスト450の選択された部分上への照射からX線ビーム450を選択的に遮蔽する。マスク454、456のいずれも、単純には領域全体が放射線が通過するのを防ぐように構成された平板であってよく、従って、マスク454及び456がX線ビーム458に対してオフセットして偏移されると、ビームは平板の側方を通過する。第2のマスク454は、X軸に沿って偏移または移動するように構成され、第3のマスク456は、Y軸に沿って第1のマスク452、PMMAレジスト450及びX線ビーム458の位置に対して偏移または移動するように構成される。このようにして、第2及び第3のマスク454、456によって、どの部分が遮蔽されるかに応じてPMMAレジスト450のどの位置を照射するかを選択することが可能になる。3次元構造を形成する例として、第1のマスク452はPMMAレジスト450のための幾何学的パターン全体を提供し、第1のマスク452がまず、X線ビーム458を遮蔽しないようにマスク3が完全に除去された状態でX線ビーム458に露出される。連続的なX線ビーム458への露出の間、次に第2のマスク454がステップ的にまたは間隔をあけてX軸に沿って照射領域を横断して移動され、PMMAレジスト450の第1のマスク452によって露出された部分をX線ビーム458による照射から選択的に遮蔽する。X方向の走査が1回行われれば、第2のマスク454は取り払われ、第3のマスク456が活性化されてX軸に対して直交するY軸に沿ってステップ的に移動する。このようにして、このことがPMMAレジスト450の選択された部分をY軸に沿って照射ビームに露出して、その方向に、様々な深さのプロファイルを生成する。露出後、照射されたPMMAレジスト450は、同様に現像溶液内で現像されて、照射領域を除去し、図11の工程によって形成された現像された結果であるPMMA構造450の簡略化された概略が図12に示され、変化する深さプロファイルまたは段差構造が観察される。段差構造の深さは、露出及び現像時に受けた全照射量または全露出時間に依存する。マスク452、454、456間の相対的な移動は、第2及び/または第3のマスク454、456の独立的な偏移によってまたは第2及び第3のマスク454、456の静止した/固定された積層体の背後で、第1のマスク452及びPMMAレジスト450の積層体のX及びY方向への移動によって実施されてもよいことは理解されるべきである。いずれにしてもマスクの相対的な移動によって、段差状の構造が、MMA200に必要とされる所定の初期パターン直線と空隙で形成されることが可能となる。本方法はまた、選択された曲面底部プロファイルまたは半球を有する3次元構造のようなより複雑なまたは任意な構造を作製するのに適合されるものであってもよい。図11の例を用いれば、これは第3のマスクを、半円形の開口部462を有し、放射線は透過することができるが第4のマスク460のその他の部分は透過しない第4のマスク460で置き換えることを伴うものであってもよい。同様に、第1のマスク452は、PMMAレジスト450上に基本的な幾何学的パターンを提供し、第2のマスク454は、X線ビーム458への露出の間、ステップ状に、X方向に線形的に移動するように操作することが可能である。さらに、第4のマスク460は、X線ビーム458への露出下で第1のマスク452及びPMMAレジスト450を横切ってY方向に連続的に走査されまたは引かれる。第4のマスク460において、PMMAレジスト450の選択された照射領域は、曲面状のプロファイルを有するものであってもよく、照射及びそれに続くレジスト現像後の一例が、図14に示されている。さらなる例が、図16に示されており、そこでは、中心点472の周りで矢印Eの方向にマスク470を回転させるように構成された共通の部材または点472に取り付けられた2つの菱形またはダイヤモンド形として一般的に称されるの切欠きまたは開口部471を特徴とするマスク470を有する。菱形マスク470は、上部に配置され、PMMA474の表面上に置かれたステンシルマスク473から離隔されており、ステンシルマスク473の構造は、中心点472に関して直径方向に走る1つの細長い金の吸収体リボン475を含み、リボン474のそれぞれの側に2つの半円開口部476を含む。そのため、回転するマスク470は、回転速度に依存してPMMAレジスト474の照射からX線源を遮蔽または露出し、従って、露出照射量及びマスク470の形状に対応する露出パターンは、ステンシルマスク473によって露出されたレジスト474の部分に形成される。図17は、図16の照射レジストを現像した結果を示している。菱形マスク470とステンシルマスク473との間の相対位置の変化によって生成された露出パターンは、直径方向に1つの隔壁479を有する環状の逆さまの円錐形凹部478を含む。マスク470は、図17と同様のエッチングされた構造を生成するために、例えば露出時間を2倍にするように露出時間を適切に調整して、2つではなく1つの菱形開口部471を有するだけであってもよいことは理解されるべきである。さらに、菱形開口部の数は、3つ、4つまたはそれ以上に増やしてもよく、開口部が互いに接触するまで到達した開口部の最大数で、マスク470の大きさによって制限される。約100nmの最小段差深さでPMMAレジストにエッチングされた文字SSLSの微細構造の光学プロファイラーの3次元プロットである図15に示されるような、高い解像度及び高いアスペクト比の構造を有するその他の複雑なまたは任意の多層構造が理解されるべきである。1文字の幅は約450μmであり、深さは12μmから28μmまで、約100nmの段差で変化する。レジストの上面プロファイルは、PMMAシート内の段差及び文字490のより良好な視認性のためのプロットのほとんどから明らかになる。上面の一部、レジストの左上角492は残され、参照として働く。上の例から理解されるように、提案された製造技術のマイクロメートル以下の深さ解像度は、従来の直線、微小な角部、又は切断技術に対してより優れている。さらには、リソグラフィを用いる製造技術は、従来の製造技術では加工が不可能であった3次元構造形状の製造を可能にする。光源がシンクロトロンに基づくX線のPMMA表面への露出を用いるならば、これは、より優れた表面の品質となる。独立に移動可能である少なくとも2つのマスクを有することにより、以下のことが可能になる。少なくとも1つの固定されたマスク及び1つの移動するマスクを用いることによる、複雑な3次元幾何学形状の製造。移動可能なマスクを固定されたマスクと組み合わせて用いることにより、固定されたマスクパターンによって与えられた2次元幾何学形状の深さプロファイルを独立して制御することが可能となる。X線源によって発生された利用可能なビームのほとんどが並列に利用可能とされることによる、表面の広範囲に渡るリソグラフィパターンの転写。このことは、コストのかかる露出時間を減少させる。異なる幾何学形状の並列的な露出。レジストプロファイルに渡って最も小さいステップで走査された、または固定マスクパターンに渡って走査されたマスクまたは吸収層の側部を用いることによる傾斜したエッチング表面の作成、またはマスクを用いて露出中に異なる露出領域の照射を許可しまたは遮蔽することによる段差を有するエッチング表面の作成、構造である、マスク内のエッチングされた表面の底面の調整。提案された技術によって提供される3次元構造化は、高い光学品質の表面を製造することを可能にする。レジストまたはPMMAレジストに指向されたシンクロトロンX線照射ビームは、格子の層状構造の、良好に規定され鋭い側壁プロファイルの形成を可能とし、特に、エッチングされた平面の底面は、層状構造の側壁に対して垂直である。開発されたリソグラフィ技術は、層状構造内における段差構造の製造を、1つのポリマー構造またはモノリシック構造内に共に組み合わせる。そのようにして、製造された構造には、リソグラフィ後に追加的な位置合わせの段階は必要とならない。この技術の作業領域は、数cm2であり、0からミリメートル範囲の深さプロファイルを有することができる。X-Y構造の寸法の制限は、用いられる具体的なリソグラフィツールの従来の構造の制限によって与えられる。以前に説明したように、提案されるリソグラフィ法は、図2のMMA200を製造するためにまたはむしろ、MMA200を製造するためのモールドを形成するための3次元構造を製造すること特に有用である。光学ツールとして用いられる場合、MMAは、可動部を有さず、そのため既存の干渉計に対して以下の点でより優れている。フーリエ変換干渉分光法によって、単一の短い非反復性のパルス信号の分光測定が可能となる。連続波信号の測定の際に時間分解能を向上させる。振動に対するスペクトル感度を除去する全ての干渉データが同一の瞬間に収集されるため、振動が全てのデータ点で同一であり、従ってデータの精度を変化させない。マイケルソン型干渉計と比較して機械的部品がより少ないことにより、デバイスの機械的寿命が延長される。FPPFTIRのためのMMAを製造する製造技術の使用に加えて、3次元リソグラフィ技術は、その他の光学的応用のための機械要素に用いられてもよい。そのような構成要素は、直列デジタルホログラフィのための位相変調器または干渉分光応用または分析デバイスのための平面/曲面ミラーアレイを含む。物質の分析を要求するどのような応用にも用いられる分光計として幅広く分類される分析機器の例は、次の通りである。化学産業における化学製品工程分析生物学及び薬学における非侵襲分析医薬品産業の薬品開発安全保障および軍事産業を含む環境監視研究開発市場の物質の特定及び定量化本発明は完全に説明されたが、本発明の特許請求の範囲から逸脱しないように多くの改良を行うことができることは当業者にとって明らかである。