"列方向にある長さを持つ複数のセルを行方向に順次直列に接続した太陽電池の成膜検査装置であって、前記各セルを列方向の所定長さ毎に仮想的に分割された複数の仮想分割ユニットからなるものとみなすことにより、前記太陽電池モジュールを前記複数の仮想分割ユニットがマトリクス状に並んだものとみなして測定を行う測定部であって、前記仮想分割ユニットをスキャンする、少なくとも3つのプローブを有し、前記スキャンにあたり、前記3つのプローブを、行方向に並ぶ3つの前記仮想分割ユニットの電極に当接させて、隣り合う2つの前記プローブを1組とした計2組によって、それぞれ、前記仮想分割ユニットの単体発電素子の性能としての第1の電流電圧特性を取得する第1の測定を行い、且つ、両端の2つの前記プローブによって、互いに行方向に接続された2つの前記仮想分割ユニットの合成発電素子の性能としての第2の電流電圧特性を取得する第2の測定を行う、測定部と、前記仮想分割ユニットを照射する光源と、前記測定部と前記光源とを互いの位置関係を固定したまま且つ同期して二次元方向に移動させる移動機構と、を備え、さらに、前記測定部は、前記スキャンしながら、前記第1の測定と前記第2の測定を繰り返すものとして構成されており、さらに、前記第1の測定と前記第2の測定とを行なうたびに得られる前記第1の電流電圧特性と前記第2の電流電圧特性とに基づいて、前記太陽電池モジュールの成膜状態を判定する、判定装置を、備えることを特徴とする太陽電池の成膜検査装置。前記2組のそれぞれで得た前記第1の電流電圧特性と、前記合成発電素子についての前記第2の電流電圧特性とから、前記セルを行方向に接続したことによる行方向に隣り合う2つの仮想分割ユニットのセル間接合損失を演算する演算処理装置をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の成膜検査装置。前記第1の測定と前記第2の測定を行うたびに得られる前記第1の電流電圧特性及び第2の電流電圧特性をそれぞれ配列化する演算処理装置と、配列にしたがって画像処理を行って、前記仮想分割ユニット毎の発電性能と、接続された前記仮想分割ユニット間の伝達性能を、それぞれ画像として表示する、画像処理装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の太陽電池の成膜検査装置。前記光源と前記測定部とを太陽電池モジュールの対向する面側に配置したことを特徴とする請求項1乃至3の1つに記載の太陽電池の成膜検査装置。前記光源と前記測定部とを太陽電池モジュールの同一の面側に配置したことを特徴とする請求項1乃至3の1つに記載の太陽電池の成膜検査装置。列方向にある長さを有する複数のセルを行方向に順次直列に接続した太陽電池の成膜検査方法であって、前記各セルを列方向の所定長さ毎に仮想的に分割して複数の仮想分割ユニットとなし、前記太陽電池モジュールを前記複数の仮想分割ユニットがマトリクス状に並んだものと想定し、測定部における3つのプローブを行方向に並ぶ3つの前記仮想分割ユニットの電極に当接させ、且つ、3つの前記プローブのうちの隣り合う2つの前記プローブを1組とした計2組を光源で照射した状態において、前記2組のそれぞれにて、前記仮想分割ユニットの単体発電素子の第1の電流電圧特性を取得する第1の測定を行い、且つ、両端の2つの前記プローブによって、互いに行方向に接続された2つの前記仮想分割ユニットの合成発電素子の第2の電流電圧特性を取得する第2の測定を行い、前記光源と前記測定部とを互いの位置関係を固定したまま且つ同期して二次元方向に移動させて複数の前記仮想分割ユニットについて前記第1の測定と前記第2の測定を繰り返し、前記第1の測定と前記第2の測定とを行なうたびに得られる前記第1の電流電圧特性と前記第2の電流電圧特性とに基づいて、前記太陽電池モジュールの成膜状態を判定する、ことを特徴とする太陽電池の成膜検査方法。前記2組のそれぞれについての前記第1の電流電圧特性と、前記合成発電素子についての前記第2の電流電圧特性とから、前記セルを行方向に接続したことによる行方向に隣り合う2つの仮想分割ユニットのセル間接合損失を演算する、ことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の成膜検査方法。前記第1の測定と前記第2の測定とを行なうたびに得られる前記第1の電流電圧特性及び第2の電流電圧特性をそれぞれ配列化する演算を行い、配列にしたがって画像処理を行って、前記仮想分割ユニット毎の発電性能と、接続された前記仮想分割ユニット間の伝達性能を、それぞれ画像として表示する、ことを特徴とする請求項6記載の太陽電池の成膜検査方法。前記光源と前記測定部とは、前記太陽電池モジュールの対向する面側に配置されることを特徴とする請求項6乃至8の1つに記載の太陽電池の成膜検査方法。前記光源と前記測定部とは、前記太陽電池モジュールの同一の面側に配置されることを特徴とする請求項6乃至8の1つに記載の太陽電池の成膜検査方法。しかしながら、特許文献1の測定方法では、光源の位置が固定であり、各セルの放射照度にむらが発生している。このため、この測定方法では、各セルに欠陥があるか否かを精度よく判定することはできない。また、一般に、薄膜太陽電池は、成膜状態により、電気的特性が変化する。したがって、セル同士を接合したときに、各セルの成膜状態が異なると、セルの接合に起因する発電量の損失が生じてしまう。特許文献1では、この損失の測定についてはなんら触れていない。本発明の課題は、上記のような問題点に鑑み、太陽電池モジュールにおける成膜検査をより的確に実施できる方法及び装置を提供することにある。本発明の薄膜太陽電池の成膜検査装置は、列方向にある長さを持つ複数のセルを行方向に順次直列に接続した太陽電池モジュールの成膜検査装置であって、前記各セルを列方向の所定長さ毎に仮想的に分割された複数の仮想分割ユニットからなるものとみなすことにより、前記太陽電池モジュールを前記複数の仮想分割ユニットがマトリクス状に並んだものとみなして測定を行う測定部であって、前記仮想分割ユニットをスキャンする、少なくとも3つのプローブを有し、前記スキャンにあたり、前記3つのプローブを、行方向に並ぶ3つの前記仮想分割ユニットの電極に当接させて、隣り合う2つの前記プローブを1組とした計2組によって、それぞれ、前記仮想分割ユニットの単体発電素子の性能としての第1の電流電圧特性を取得する第1の測定を行い、且つ、両端の2つの前記プローブによって、互いに行方向に接続された2つの前記仮想分割ユニットの合成発電素子の性能としての第2の電流電圧特性を取得する第2の測定を行う、測定部と、前記仮想分割ユニットを照射する光源と、前記測定部と前記光源とを互いの位置関係を固定したまま且つ同期して二次元方向に移動させる移動機構と、を備え、さらに、前記測定部は、前記スキャンしながら、前記第1の測定と前記第2の測定を繰り返すものとして構成されており、さらに、前記第1の測定と前記第2の測定とを行なうたびに得られる前記第1の電流電圧特性と前記第2の電流電圧特性とに基づいて、前記太陽電池モジュールの成膜状態を判定する、判定装置を、備えるものとして構成される。さらに、本発明の薄膜太陽電池の成膜検査方法は、列方向にある長さを有する複数のセルを行方向に順次直列に接続した太陽電池モジュールの成膜検査方法であって、前記各セルを列方向の所定長さ毎に仮想的に分割して複数の仮想分割ユニットとなし、前記太陽電池モジュールを前記複数の仮想分割ユニットがマトリクス状に並んだものと想定し、測定部における3つのプローブを行方向に並ぶ3つの前記仮想分割ユニットの電極に当接させ、且つ、3つの前記プローブのうちの隣り合う2つの前記プローブを1組とした計2組を光源で照射した状態において、前記2組のそれぞれにて、前記仮想分割ユニットの単体発電素子の第1の電流電圧特性を取得する第1の測定を行い、且つ、両端の2つの前記プローブによって、互いに行方向に接続された2つの前記仮想分割ユニットの合成発電素子の第2の電流電圧特性を取得する第2の測定を行い、前記光源と前記測定部とを互いの位置関係を固定したまま且つ同期して二次元方向に移動させて複数の前記仮想分割ユニットについて前記第1の測定と前記第2の測定を繰り返し、前記第1の測定と前記第2の測定とを行なうたびに得られる前記第1の電流電圧特性と前記第2の電流電圧特性とに基づいて、前記太陽電池モジュールの成膜状態を判定する、ものとして構成される。本発明によれば、薄膜太陽電池の薄膜の生成状態を、位置毎の発電性能と位置毎の伝達性能の両面の視点から検査することができる。本発明の実施形態は、後で詳しく説明するが、測定部による測定と光源による照光が同じ位置関係で行われること、同じ光で照射しつつ太陽電池モジュールの同じ面積を評価できること、さらに光源によるいわゆる光のユニフォミティの問題が排除できること等の利点を有するものである。これを達成するため、本発明の実施形態では、測定部のスキャンによって太陽電池モジュールの全面をカバーするようにしている。図1aは測定対象としての太陽電池モジュール1を示す。太陽電池モジュール1としては各種のものがあるが、図1aは太陽電池モジュールの両面にそれぞれ受光面と電極がある場合のものを示す。この太陽電池モジュール1は、図中Y方向列方向にある長さの複数のセル22A1,2A2,,2Axを有する。前記複数のセル2は、図中X方向行方向に並んでおり、X方向行方向に隣り合うもの同士が順次接続接合されて、電気的に直列接続された状態にある。後述するように、前記各セル2は、仮想的に複数の仮想分割ユニット3,3,に分割されている。図2aは太陽電池モジュール1の構造の詳細の一例を示す。即ち、図2aから分かるように、太陽電池モジュール1を構成するセル22A0,2A1,のそれぞれは、共通のガラスの基板100上に積層されたITO膜101、Si層102、電極103を備える。さらに、X方向行方向に隣り合うセル2,2同士の電極103とITO膜101とは電気的に順次接続接合されている。この接続により、場合によっては、電気的特性への影響として、セル間伝達性能の低下セル間接合損失が考えられる。このセル間接合損失はまさに本発明の実施形態で測定対象としている。つまり、本発明の実施形態においては、接続された2つのセル詳しくは、後述するように、接続された2つの仮想分割ユニットの合成発電素子としての発電性能を測定対象としている。また、当然、本発明の実施形態においては、セル単体詳しくは、後述するように、1つの仮想分割ユニットの単体発電素子としての発電性能も測定可能としている。後述するように、セル間接合損失は、単体発電素子としての発電性能と合成発電素子としての発電性能との差分により求められる。例えば図1aに示すように、Y方向列方向に沿ってある長さを有する前記各セル2は、Y方向列方向に沿って点線で示す所定長さ毎に、仮想的に分割され、複数の仮想分割ユニット3とされる。例えば、セル2A0を、複数の仮想分割ユニット33A0,B1,3A0,B2,3A0,B3,,3A1,Byに仮想的に分割している。他のセル22A1-2Axもこれと同様にY方向列方向に沿って所定長さ毎に仮想的に分割される。このような仮想的な分割によって、薄膜シリコン系太陽電池モジュール1においては、図1aからわかるように、複数の仮想分割ユニット33A0,B1―3Ax,Byがマトリクス状に並ぶこととなる。つまり、仮想分割ユニット3,3,がy行×x1列のマトリクス状に並んでいると考えられる。ここで本発明の実施形態では、先にも簡単に述べたように、前記各仮想分割ユニット3を、それ自体がそれぞれ発電可能な、単体発電素子として機能すると考えている。また、行方向に並ぶ2つの仮想分割ユニット3,3は合成されて合成発電素子として機能すると考えている。よって、本発明の実施形態においては、前記複数の仮想分割ユニット3をそれぞれ単体発電素子と仮想して、後述するように、測定を実施する。また、X方向行方向に並ぶ複数例えば2つの仮想分割ユニット3を、合成発電素子として測定を実施する。さらに、X方向に並ぶ例えば2つの仮想分割ユニット3,3の接合損失を測定する。これらの測定に当たっては、測定対象とする仮想分割ユニット3,3を光源によって照射するのは当然である。本発明の実施形態においては、上記したところから分かるように、仮想分割ユニット3の単体の単体発電性能だけでなく、X方向行方向に並ぶ仮想分割ユニット3,3の合成した合成発電性能、さらにはいわゆるセル間接合損失をも測定の対象としている。これを達成するため、図2aから分かるように、測定部5を3つ以上のプローブ5a,5b,5cを備えるものとしている。図2aは前記測定部5の具体的な構造と実際の測定状態を示している。即ち、測定部5における3つのプローブ5a、5b、5cを、図2aに示すように、X方向行方向に並ぶ3つの仮想分割ユニット3A0,B1,3A1,B1,3A2,B1における上部の電極103,103,103に当接させている。このときの等価回路は図3に示される。この等価回路からもわかるように、仮想分割ユニット3A1,B1,3A2,B1が測定対象としての発電素子となる。この時、図2aおよび図3からわかるように、3つのプローブ5a,5b,5cのうちのプローブ5a,5bによって仮想分割ユニット3A1,B1の電流-電圧特性IV特性に対応する第1の電流電圧特性単体発電性能IVaを測定第1の測定し、プローブ5b,5cによって仮想分割ユニット3A2,B1の電流電圧特性IVbを測定第1の測定する。また、プローブ5a,5cによって直列接続された仮想分割ユニット3A1,B1,3A2,B1の電流-電圧特性IV特性に対応する第2の電流電圧特性合成発電性能IVcを測定第2の測定する。このようにして測定した第1の電流電圧特性IVa、IVbにより各仮想分割ユニット3の単体としての第1の電流電圧特性単体発電性能が得られ、電流電圧特性IVcから隣り合う2つの仮想分割ユニット3,3の接合した第2の電流電圧特性合成発電性能が得られる。つまり、本発明の実施形態では、3つの電流電圧特性IV特性を測定するようにしたので、個別のセル仮想分割ユニットのIV特性を測定でき、さらに行方向に隣り合うセル同士仮想分割ユニット同士の伝達特性を測定することができる。測定した電流電圧特性IVa、IVbから、各仮想分割ユニット3の例えば、短絡電流Isc、解放電圧Voc、最大出力Pmax、変換効率FF、直列抵抗Rs等を得ることができる。また、電流電圧特性IVa、IVb、IVcから隣り合う2つの仮想分割ユニット3,3のセル間接合損失を電流電圧特性IVaIVb-IVcから求めることができる。より詳しくは、仮想分割ユニット3A1,B1の最大出力PmaxAと、仮想分割ユニット3A2,B1の最大出力PmaxBと、これら2つの最大出力PmaxCについて着目する。今、PmaxA≒PmaxBであれば、この2点間の最大出力PmaxCは、PmaxAPmaxBとほぼ同じになり、いわゆる2つのセルのバランスが良く、セル間の伝達性能は良いと言える。一方、例えば、PmaxA>PmaxBである場合、PmaxCはPmaxAPmaxBとはならない。これは、出力が低いPmaxBがボトルネックとなり、PmaxAの最大出力動作電流ipmがPmaxBと同等値まで抑えられているからである。PmaxAとPmaxBが等しくならないのは、成膜状態の不均一に起因するものと考えられる。PmaxAとPmaxBが等しくならない場合は、上述したように、PmaxAとPmaxBのうち出力が低い方の電流しか各セルに流れなくなり、これがすなわち、セルの接合に起因する発電量の損失になる。よって、本発明の実施形態によれば、太陽電池の発電効率に大きく影響するセル間伝達性能を任意の位置で測定可能となり、太陽電池モジュール全体での成膜状態を良好に判定することができる。このような電流電圧特性IVa、IVb、IVcの測定時には、先にも簡単に述べたが、図2aからわかるように、光源7で、2つの仮想分割ユニット3A1,B1,3A2,B1を下方から均等に照射する。図2aでは、太陽電池モジュール1として受光面と電極が別の面にあるものを用いているので、前記光源7と前記測定部5で太陽電池モジュール1を挟むようにしている。なお、追って詳述するが、太陽電池モジュール1として、受光面と電極が同一の面にあるカルコパイライト系化合物CIGSによるカルコパイライト系化合物太陽電池モジュールを用いた場合には、プローブ測定部5Aと光源を同じ側に位置させなければならないのは当然である。前記のような電流電圧特性の測定を、プローブ5a,5b,5cで太陽電池モジュール1をスキャンさせて、その全面における仮想分割ユニット3について行う。この際、本発明の実施形態では、図2aから分かるように、測定部5と光源7を、太陽電池モジュール1に対して測定部5と光源7の相対的な位置関係を固定させた状態で且つ同期して移動して、測定位置が変わっても、測定対象としての2つの仮想分割ユニット3,3を同じ照度で照射するようにしている。このように、測定対象としての2つの仮想分割ユニット3、3を同じ照度で照射しながら、太陽電池モジュール1の全面をいわゆるスキャンする。このスキャンの仕方としては各種のものを採用することができる。第1態様のスキャンについて図1bを参照しながら説明すれば、先頭行B1において、3つのプローブ5a,5b,5cを座標位置TA1-A3,B1から矢印ARxfに沿って行方向に移動させ座標位置TAx2-Ax,Byまでスキャンする。この後、3つのプローブ5a,5b,5cを座標位置TA1-A3,B2として上記と同様のスキャンを行う。これを繰り返し、3つのプローブ5a,5b,5cが最終の座標位置Ax2-Ax,Byまでスキャンする。このスキャンは、いわゆる一筆書きのような第2態様のスキャンも行うこともできる。即ち、座標位置TA1-A3,B1から座標位置TAx2-Ax,Byに達したら、座標位置Ax2-Ax,B2に移動し、矢印ARxrに沿って逆向きに移動し座標位置A1-A3,B2までスキャンする。以後このスキャン動作を繰り返す。このようなスキャンの際は光源7を測定部5Aと追随して移動させるのは当然である。このように、本発明の実施形態においては、前記スキャンにあたり、測定部5のみを移動させるのではなく、測定部5と光源7とを、相対的な位置を保ったまま、同時に移動させる。つまり、測定部5と光源7とを、太陽電池モジュール1を挟んだ状態で、相対的位置を固定させたまま同期して移動させる。これにより、スキャンにより測定部5の測定位置が変わっても、光源7は測定対象としての2つの仮想分割ユニット3,3を、継続的に同じ照度で照射することになる。これにより、スキャンにより測定位置が変わっても、測定部5による2つの仮想分割ユニット3,3の測定を、照射むらのない状態で、適正に行うことができる。なお、図1aに示されるように、本発明の実施形態では、測定部5のプローブ5a,5b,5cを3つとし、これらをXY方向に動かして測定するようにしている。このため、例えば太陽電池モジュール1のB1行の仮想分割ユニット3A2,B1についてみると、この仮想分割ユニット3A2,B1自体は2回単独発電性能が測定されることとなる。よって、2回の測定値を用いてより適切な値として単独発電性能を得ることができる。例えば、2回の測定値の平均値を採る、ある値を上回った/下回った測定値を捨てて残りの測定値を用いる等の任意の対応を採ることが出来る。以上に、測定部5のプローブが3つの場合を説明した。所定の条件、例えば、光源7による測定対象としての複数の仮想分割ユニットを均等に照射でき、且つ、測定部を所望数のプローブを持つものとして構成できれば、プローブ数を4以上とすることができる。このようにすれば測定時間を短縮することができる。測定部5と光源7とを相対的な位置を保ったまま同期して移動させるために各種の構成を採用することができる。それらの例を図4、図5を参照しながら説明する。これらの例は、先にも述べたように、太陽電池モジュール1として、図2aのような受光面と電極がそれぞれ別の面にある太陽電池モジュールを用いた場合の例である。これらの図4、図5においては、測定対象としての太陽電池モジュール1は測定部と光源との間に挟まれるが、ここではその太陽電池モジュールの図示を省略している。また、測定部5と光源7はブロックとして簡略化して表している。先ず、図4の装置について説明する。この装置おける上移動機構11はZ方向上下方向に移動可能に構成されている。この上移動機構11は、X方向行方向に対向する一対の上支持部11a,11aと、これらを連結する上連結部11bを備える。上連結部11bは図4から分かるように、上支持部15aに対してY方向列方向に移動可能に取り付けられている。この上連結部11bに対して前記測定部5がX方向に移動可能に取り付けられている。これにより、測定部5は、X,Y,Z軸に沿って移動可能とされている。なお、プローブ5a,5b,5cは図示していないが、上移動機構11の上下によりプローブ5a,5b,5cが太陽電池モジュールに接離する。プローブ5a,5b,5cの太陽電池モジュールへの当接時の衝撃を和らげるため、降下速度と接触圧力を適宜のものに設定しておくのが望ましい。下移動機構13はこれとほぼ同様に構成されている。即ち、下移動機構13もZ方向上下方向に移動可能に構成することができる。この下移動機構13は、X方向に対向する一対の下支持部13a,13aと、これらを連結する下連結部13bを備える。下連結部13bは図4から分かるように、下支持部13aに対してY方向に移動可能に取り付けられている。この下連結部13bに対して前記光源7がX方向に移動可能に取り付けられている。これにより、光源7は、少なくともX,Y軸に沿って移動可能とされている。このように、測定部5と光源7とは、X-Y平面においては、位置関係を固定したままで且つ同期して動くように構成されている。つまり、測定部5と光源7とは、X-Y平面において、相対的な位置を保ったまま移動する。これにより、測定対象とする、例えば2つの仮想分割ユニット3,3は、スキャンにより測定位置が変わっても、常に同じように照射される。次に、図5aの装置について説明する。この装置も図4の装置と同様に、測定部5と光源7が相対的位置を固定したままで同期してX方向行方向及びY方向列方向に移動可能とされている。即ち、この装置は、移動機構15を備える。この移動機構15により、測定部5と光源7は、互いの相対的な位置を保ったまま少なくともX方向行方向及びY方向列方向に沿って同期して移動可能とされている。この移動機構15は、Y方向に走る基本支持部15Aと、ほぼX方向に走る移動支持部15Bとを備える。移動支持部15Bは基本支持部15Aに対してY方向に移動可能に取り付けられている。移動支持部15Bは、上取付部15aと下取付部15bとそれらを一体化する連結部15cとを備える。上取付部15aに測定部5が取り付けられ、下取付部15bに光源7が取り付けられている。図5b、cからわかるように、測定部5におけるプローブ5a,5b,5cは、測定、移動を行うため、各種の駆動機構によって、太陽電池モジュール1に対してプローブ5a,5b,5cが当接、離反可能に構成されている。この駆動機構としては例えばアクチュエータとばねとを備える駆動機構を採用することができる。先にも述べたように、このようなスキャンを行い各測定位置毎に第1の電流電圧特性IVa、IVb、IVcを得る。これらの測定値から、演算装置により各仮想分割ユニットの各種の単一発電性能を求める。また、演算装置により、第2の電流電圧特性IVaIVb-IVcから合成発電性能セル間接合効率を求める。これらのデータに基づき、太陽電池の特性の測定が可能である。つまり、前記各仮想分割ユニットの電流電圧特性単一発電性能から短絡電流Isc等の各種特性を求めることができ、且つ、2つの仮想分割ユニット3,3の電流電圧特性合成発電性能から伝達性能を求めることができる。このようにして求めた単一発電性能、合成発電性能を演算処理装置で配列化する。画像処理装置により配列化に基づいて演算を行い、いわゆるセル仮想分割ユニット自体の発電性能と、セル間仮想分割ユニット間の伝達性能をそれぞれ画像として表示する。図7は画像表示の例を示し、aはセル仮想分割ユニット自体の発電性能を示し、bはセル間仮想分割ユニット間の伝達性能を示す。図7a、bにおいて、各小ウィンドウの表示の仕方が異なるのは、各仮想分割ユニット自体の単一発電特性が異なること、及び、仮想分割ユニット間の合成電流電圧特性が異なることをイメージ的に表すものである。従って、小ウィンドウの数が、つまり、行の数が、図7aにおけるよりもbの小ウィンドウの数が1つだけ少ないのは当然である。以上の説明は、太陽電池モジュール1として受光面と電極が反対の面にある場合について行った。これに対し、太陽電池モジュール1としてカルコパイライト系化合物太陽電池モジュールのように、受光面と電極が同じ面側にある場合について説明する。この場合も以上の説明と基本的な考え方は同様である。しかしながら、カルコパイライト系化合物太陽電池モジュールは、電極が受光面側に存在することに起因して、薄膜シリコン系太陽電池モジュール1の場合と以下の点において異なる。即ち、図2bから分かるように、カルコパイライト系化合物太陽電池モジュールの場合は、図2aの場合と異なり、測定部と光源を同じ側に設ける必要がある。このため、具体的な測定の装置の構造が異なってくる。図2bは、カルコパイライト系化合物太陽電池モジュールの場合の測定状態の一例を示す断面説明図である。この図2bにおいて、カルコパイライト系化合物太陽電池モジュールにおける1つのセル2A1について着目する。このセル2A1は、共通の基板100上に形成された下部電極110、光吸収層CIGS111,バッファ層112,透明電極113,上部電極114を備える。透明電極114がX方向に隣り合うセル2A2の下部電極110に接続されている。図2bにおいては、測定部5Aと光源7Aは同じ側に位置する。測定部5Aのプローブ5a,5b,5cがそれぞれセル2A1、2A2、2A3の上部電極114に当接される。光源7は少なくともセル2A1、2A2における2つの仮想分割ユニットの光吸収層111を均等に照射する。且つ、先の実施形態の時と同様に、測定部5Aと光源7Aが太陽電池モジュール1についてのスキャンにより移動した場合にあっても、これらは同じ位置を保ったまま同期して移動することから、均等に新たな2つのセル2の仮想分割ユニットを照射する。図6は、図2bの測定部5Aと光源7Aを駆動する装置の一例を示す。この装置は、先に述べた図4、図5の装置と、先にも述べたように、測定部5Aと光源7Aが同じ側にある点において相違する。実際には、この装置は例えば天地を反転した状態で使用される。反転したこの装置の下方に、カルコパイライト系化合物太陽電池モジュールが、上方に受光面及び端子面を位置させた状態で、設置される。この装置は、図6に示すように、移動機構21がY方向に走る一対の支持部21a、21aを備える。これらの支持部21a、21a間に連結部21bがY方向に移動可能に設けられている。この連結部21bには、測定部5Aと光源7Aが、X方向に沿って移動可能に取り付けられている。この測定部5Aはいわゆる枠状に構成されている。この測定部5Aは、図2の測定部5と同様に3つのプローブ5a、5b、5cを備えるものであるが、図示は省略している。この枠状の測定部5Aの内側の隙間に光源7Aが設けられている。これにより、カルコパイライト系化合物太陽電池モジュールの各仮想分割ユニットの受光面に向けて光を照射し、これにより発電された電気信号が測定部5Aによって単一発電性能、合成発電性能として測定される。次に、本発明の実施形態の測定手順の一例を図8を参照しながら説明する。この手順におけるスキャンは、先に図1bを参照しながら説明した第1のスキャン態様の手順を採用している。先ず、測定部5をスタート位置3A1,B1,3A2,B1,3A3,B1に移動させるS1。先ず、そのスタート位置で、単体電流電圧特性IVa、IVb、IVcを測定するS2。このスタート位置での測定結果を演算処理装置で配列化して配列データを得るS3。さらに、これらの測定結果から演算処理装置で合成電流電圧特性IVaIVb-IVcを求め配列化して配列データを得るS4。以上の処理を全ての列縦列B2-Byまで繰り返すS5,S6,S1-S4。次いで、測定部5を、行横列B1において、座標を図1a中右へ1つずらし、座標3A1,B1,3A2,B1,3A3,B1へ移動し、上記の処理を繰り返すS7-S9、S2-S6。つまり、ステップS2-S9はいわゆるデータ取りのステップと言える。このようにして、太陽電池モジュールの全ての仮想分割ユニット3,3,についての測定が終わったら、上記配列データから図7a、bに示すように画像表示を行うS10。次いで、配列データと不良値を比較するS11。比較の結果を予め決めた基準値に基づいて判断して、製品としての合否OK,NGを決めS12、OK表示とNG表示を行いS13,S14、測定を終了する。"