"処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて前記処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、前記処理チャンバー外の前記誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、前記誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、透孔を有する複数の板体を積層させた積層体からなり、前記板体同士の間、又は前記板体と前記誘電体窓との間に設けられ端部が前記透孔の縁部に開口する複数の溝状のガス流路を介して前記処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給するガス供給機構と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置であって、前記板体が、誘電体から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項は2記載のプラズマ処理装置であって、前記板体が、石英又はセラミックスから構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~3いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記板体が環状とされていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項4記載のプラズマ処理装置であって、環状の前記板体が、前記誘電体窓側の前記板体ほど内径が小さく構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項4記載のプラズマ処理装置であって、環状の板体の内径が、全て同一とされていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~6いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記板体の外径が、前記誘電体窓側の前記板体ほど大きく構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~7いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記溝状のガス流路は、前記高周波コイルと直交するように配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項8記載のプラズマ処理装置であって、前記板体の前記溝状のガス流路の部分に金属薄膜が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、前記処理チャンバー外の前記誘電体窓の上部に配設された高周波コイルとを具備し、前記高周波コイルに高周波電力を印加することにより、前記処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて前記処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置の処理ガス供給構造であって、前記誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、透孔を有する複数の板体を積層させた積層体からなり、前記板体同士の間、又は前記板体と前記誘電体窓との間に設けられ端部が前記透孔の縁部に開口する複数の溝状のガス流路を介して前記処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給することを特徴とするプラズマ処理装置の処理ガス供給構造。上述したとおり、従来のプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造では、ガスを噴出させる部位が制約されるため、処理ガスの供給状態を制御して処理の面内均一性を向上させることが難しいという問題があった。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供しようとするものである。本発明のプラズマ処理装置は、処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて前記処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置であって、前記処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、前記処理チャンバー外の前記誘電体窓の上部に配設された高周波コイルと、前記誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、透孔を有する複数の板体を積層させた積層体からなり、前記板体同士の間、又は前記板体と前記誘電体窓との間に設けられ端部が前記透孔の縁部に開口する複数の溝状のガス流路を介して前記処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給するガス供給機構と、を具備したことを特徴とする。本発明のプラズマ処理装置の処理ガス供給構造は、処理チャンバーの上部開口を覆うように設けられ、誘電体窓を備えた上蓋と、前記処理チャンバー外の前記誘電体窓の上部に配設された高周波コイルとを具備し、前記高周波コイルに高周波電力を印加することにより、前記処理チャンバー内に誘導結合プラズマを発生させて前記処理チャンバー内に収容された基板の処理を行うプラズマ処理装置の処理ガス供給構造であって、前記誘電体窓の内側に位置するように前記上蓋に支持され、透孔を有する複数の板体を積層させた積層体からなり、前記板体同士の間、又は前記板体と前記誘電体窓との間に設けられ端部が前記透孔の縁部に開口する複数の溝状のガス流路を介して前記処理チャンバー内に複数の部位から水平方向に向けて処理ガスを供給することを特徴とする。本発明によれば、従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供することができる。以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置1の構成を模式的に示す図である。同図に示すように、プラズマエッチング装置1は、処理チャンバー10を具備している。処理チャンバー10は、表面を陽極酸化処理されたアルミニウム等から略円筒状に構成されており、上部に開口を有する容器状に形成された処理チャンバー本体11と、この処理チャンバー本体11の上部開口を覆うように配設された上蓋12とからその主要部が構成されている。上蓋12には、石英等からなる誘電体窓13が設けられており、処理チャンバー10の外側の、誘電体窓13の上部近傍に位置するように、高周波コイル14が設けられている。この高周波コイル14は、図示しない高周波電源に接続されており、所定周波数例えば、13.56MHzの高周波電力が供給されるようになっている。処理チャンバー10の内部には、誘電体窓13の下方に位置するように、半導体ウエハ等の基板を載置するための載置台15が設けられている。載置台15の基板載置面には、基板を吸着するための図示しない静電チャック等が設けられている。また、この載置台15には、バイアス電圧印加のための図示しない高周波電源が接続されている。載置台15の周囲には、下方に向けて排気するための環状の排気空間16が設けられており、排気空間16には、図示しない排気装置と連通された排気口17が設けられている。載置台15の周囲には、載置台15の上方の処理空間18と、排気空間16とを仕切るためのバッフル板19が配設されている。また、処理チャンバー本体11の側壁部分には、処理する基板を搬入、搬出するための搬入搬出口20が設けられている。この搬入搬出口20には、ゲートバルブ等の図示しない開閉機構が設けられている。誘電体窓13の内側には、処理ガス供給機構30が配設されている。この処理ガス供給機構30は、図2に拡大して示すように、複数本実施形態では4枚の板体31~34を積層させた積層体35から構成されている。板体31~34には、中央部に夫々透孔41~44が形成されており、全体形状が環状とされている。透孔41~44は、その直径環状の板体31~34の内径が、誘電体窓13側図2中上側のものほど小さくなるよう構成されている。一方、板体31~34の外径は、誘電体窓13側図2中上側のものほど大きくなるよう構成されている。板体31~34は、誘電体、例えば石英又はセラミックスから構成されている。これらの板体31~34は、厚さを3mm以上例えば、6mm程度とすることが好ましい。板体31の上面には、外周部から内周側端部に至るように、径方向に沿って溝が形成されており、この溝によって誘電体窓13と板体31との間に、溝状ガス流路51が構成されている。また、例えば板体33の上面にも、外周部から内周側端部に至るように、径方向に沿って溝が形成されており、この溝によって、板体32と板体33との間に、溝状ガス流路53が構成されている。すなわち、上面に径方向に沿って複数の溝が形成された板体31~34を積層させることによって、これらの板体31~34の間及び誘電体窓13と板体31との間に、溝状ガス流路51~54を形成した構造となっている。なお図2では、説明のため、溝状ガス流路51の径方向に沿って形成された溝と、溝状ガス流路53の径方向に沿って形成された溝とを図示してあるが、図1aに示すように、実際には、これらの溝は、異なる縦断面内に位置するように設けられている。また、板体31と板体32との間に形成された溝状ガス流路52と、板体33と板体34との間に形成された溝状ガス流路54については、その先端部の開口のみを図2に図示している。図1aに示すように、これらの溝状ガス流路51~54は、夫々周方向に沿って等間隔で複数図1aに示す例では4本ずつ合計16本設けられており、かつ、周方向の位置が重ならないように設けられている。これらの溝状ガス流路51~54は、夫々環状の高周波コイル14と直交するように設けられており、高周波コイル14によって誘導される電磁界によって、溝状ガス流路51~54内で放電が生じ難い構造となっている。なお、これらの溝状ガス流路51~54を形成するための溝は、例えば深さ1mm~2mm程度とすることが好ましい。図2に示すように、板体31~34の周縁部は、上蓋12の内周部分に設けられた支持部60によってその下面側が支持されている。この支持部60は、各板体31~34の外径に合わせて階段状に構成された支持面61~64を有しており、これらの支持面61~64の外周側端部には、周方向に沿って環状溝71~74が形成されている。そして、これらの環状溝71~74が、板体31~34の周方向に沿って処理ガスを供給するためのガス流路となっている。図2に示すように、環状溝71の所定部位には、環状溝71から外周側に延在する処理ガス導入路81が接続されており、処理ガス導入路81は、処理ガス導入部91に連通されている。図2には、処理ガス導入路81及び処理ガス導入部91のみ示してあるが、図1aに示すように、他の環状溝72~74についても、同様な処理ガス導入路82~84及び処理ガス導入部92~94が設けられている。なお、図2では、説明のため、前述した溝状ガス流路51を構成する溝と、ガス導入路81及び処理ガス導入部91とを図示してあるが、図1aに示すように、実際には、これらは異なる縦断面内に位置するように設けられている。図2に示すように、環状溝71~74より内周側の部分には、Oリング用溝101~104が形成されており、これらのOリング用溝101~104には、気密封止用のOリング111~114が夫々配設されている。板体31~34の固定は、支持面64に板体34を載置し、支持面63に板体33を載置し、支持面62に板体32を載置し、支持面61に板体31を載置した後、板体31の上に誘電体窓13を載置し、次いで、環状の押さえ部材65を上蓋12にボルト等によって固定して誘電体窓13の周囲を下方に向けて押圧した状態とすることにより行うことができる。また、板体31~34を、予め拡散接合等によって固定した状態としてもよい。上記構成の処理ガス供給機構30では、処理ガス導入部92~94から導入された処理ガスが、処理ガス導入路81~84、環状溝71~74、溝状ガス流路51~54を通って、溝状ガス流路51~54が開口する透孔41~44の部分から水平方向に向けて処理チャンバー10内に供給される。この処理ガス供給機構30では、高周波コイル14の直近にガス拡散室が無い構造となっているため、ガス拡散室内における放電の発生対策を行う必要がない。また、誘電体からなる板体31~34の積層構造となっており、基板の中央部及び周辺部に限定されることなく、処理ガスの噴出位置を基板の径方向の任意の複数の位置に、設定することができるので、処理ガスを基板の上方の処理空間18に均一に供給して、処理の面内均一性の向上を図ることができる。また、所望により処理ガスを処理空間18内に不均一に供給してプラズマ処理の状態を任意に制御することもできる。なお、積層構造の処理ガス供給機構30が存在することによって処理空間の形状が、基板からの距離で見ると凸型の形状となるため、このような積層構造物が無い場合と比較して基板外周部の処理特性が変化する。上記のように、溝状ガス流路51~54は、高周波コイル14と直交するように設けられており、溝状ガス流路51~54内での放電の発生可能性は低い。しかし、溝状ガス流路51~54内での放電の発生を確実に防止するためには、溝状ガス流路51~54の部分に金属膜を設け、この金属膜を接地電位或いは他の電位に設定してもよい。上記構成のプラズマエッチング装置1によって、半導体ウエハのプラズマエッチングを行う場合、図示しない開閉機構を開き、搬入搬出口20から処理チャンバー10内に基板を搬入し、載置台15に載置して静電チャックにより吸着する。次いで、搬入搬出口20の図示しない開閉機構を閉じ、排気口17から図示しない真空ポンプ等によって、処理チャンバー10内を所定の真空度となるまで真空引する。その後、所定流量の所定の処理ガスエッチングガスを、処理ガス供給機構30によって処理チャンバー10内に供給する。この際、処理ガス導入部91~94から導入された処理ガスが、処理ガス導入路81~84、環状溝71~74、溝状ガス流路51~54を通って、溝状ガス流路51~54が開口する透孔41~44の部分から水平方向に向けて処理チャンバー10内に供給される。そして、処理チャンバー10内の圧力が、所定の圧力に維持された後、高周波コイル14に所定の周波数の高周波電力が印加される。これにより、処理チャンバー10内の基板の上方の処理空間18内には、エッチングガスのICPプラズマが発生する。また、必要に応じて、載置台15に、図示しない高周波電源からバイアス用の高周波電圧が印加され、ICPプラズマによる基板のプラズマエッチングが行われる。この時、処理ガス供給機構30により、処理チャンバー10内の分散された複数箇所から処理ガスを供給するので、基板に供給される処理ガスをより均一化することができる。また、処理ガス供給機構30は、誘電体からなる板体31~34を積層させた積層体35から構成されており、誘電体窓13と一体的に構成されているので、誘電体窓13を介して処理空間に誘導される電磁場が遮られて基板の処理状態が不均一になることも抑制することができる。これによって、プラズマの状態を均一化することができ、基板の各部に均一なエッチング処理を施すことができる。すなわち、処理の面内均一性を向上させることができる。そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の印加及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、基板が処理チャンバー10内から搬出される。次に、図3,4を参照して第2実施形態に係るプラズマエッチング装置1aについて説明する。第2実施形態では、上述した第1実施形態の処理ガス供給機構30を、処理ガス供給機構30aとした点が第1実施形態と相違している。図4に示すように、第2実施形態では、処理ガス供給機構30aが、誘電体からなる板体31a~34aを積層させた積層体35aから構成されている。板体31a~34aは、環状に構成されており、その中央部に設けられた透孔41a~44aの内径は略同一とされている。また、図3aに示すように、各板体31a~34aに形成された溝によって構成された溝状ガス流路51a~54aは、周方向に等間隔で、かつ、溝状ガス流路51a~54aが周方向にずれた位置となるように形成されている。上記のように、第2実施形態では、透孔41a~44aの内径は略同一とされており、溝状ガス流路51a~54aの端部の処理ガス吐出部は、その径方向位置が同一円周上に位置するように配設されている。なお、この径方向位置については、中央部或いは周辺部に限定されることなく、任意の位置に設定することができる。さらに、周方向位置は、夫々異なるようにずれた位置となっており、溝状ガス流路51a~54aにおける吐出位置の高さも、板体31a~34aの厚みによってずれた位置となっている。したがって、第1実施形態と同様に、基板に供給される処理ガスをより均一化することができ、基板の各部に均一なエッチング処理を施すことができる。なお、上記の構成以外は、前述した第1実施形態と同様に構成されているので、対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。次に、図5,6を参照して第3実施形態に係るプラズマエッチング装置1bについて説明する。第3実施形態では、上述した第1実施形態の処理ガス供給機構30を、処理ガス供給機構30bとした点が第1実施形態と相違している。図6に示すように、第3実施形態では、処理ガス供給機構30bが、誘電体からなる板体31b~34bを積層させた積層体35bから構成されている。最も誘電体窓13側図6において上側の板体31bには、中央付近に合計4つの透孔41bが設けられており図5a参照。、板体31bより載置台15側の板体32b~34bにも、同じ位置に同様な透孔が形成されている。また、図5aに示すように、板体32bには、透孔41bより外周側に4つの透孔42bが設けられており、板体32bより載置台15側の板体33b~34bにも、同じ位置に同様な透孔が形成されている。さらに、板体33bには、透孔42bより外周側に4つの透孔43bが設けられており、板体33bより載置台15側の板体34bにも、同じ位置に同様な透孔が形成されている。そして、板体34bには、透孔43bより外周側に4つの透孔44bが設けられている。上記構成の第3実施形態のように、板体31b~34bは、環状以外の形状としてもよく、処理ガスの吐出部となる位置に透孔41b~44bが設けられた形状となっており、溝状ガス流路51b~54bの端部が透孔41b~44b内の側壁部分に開口した構成となっていればよい。なお、上記の構成以外は、前述した第1実施形態と同様に構成されているので、対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。次に、図7,8を参照して第4実施形態に係るプラズマエッチング装置1cについて説明する。第4実施形態では、上述した第1実施形態の処理ガス供給機構30を、処理ガス供給機構30cとした点が第1実施形態と相違している。図8に示すように、第4実施形態では、処理ガス供給機構30cが、誘電体からなる板体31c~34cを積層させた積層体35cから構成されている。板体31c~34cは、第1実施形態と同様に環状に構成されているが、図7aに示すように、積層体35cの中心が、誘電体窓13の中心から偏芯した位置となるように構成されている点が、第1実施形態と相違している。この第4実施形態のように、処理チャンバー10の空間内に、処理チャンバー10の中心と偏芯するように処理ガス供給機構30cを設け、処理ガス供給口が偏芯して配設された構成としてもよい。なお、上記の構成以外は、前述した第1実施形態と同様に構成されているので、対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。次に、図9~13を参照して第5実施形態に係る処理ガス供給機構30d及びプラズマ処理装置1dについて説明する。なお、前述した第1実施形態と対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。図9は第5実施形態に係るプラズマ処理装置1dの要部構成を示す図である。図9bに示すように、第5実施形態の処理ガス供給機構30dは、石英又は単結晶シリコン又はセラミックス等の誘電体第5実施形態では石英からなる上側板体131、中間板体132、下側板体133の3枚の板体を積層させた積層体135から構成されている。上側板体131、中間板体132、下側板体133は、夫々略円板状に形成されており、全体の厚みが例えば、15mm程度とされている。3枚の板体のうち、中間に位置する中間板体132は、上側板体131及び下側板体133に比べて厚さが厚く構成されており、例えば11mm程度とされている。また、上側板体131及び下側板体133は、厚さが2mm程度とされている。図10に示すように、下側板体133には、複数の下側透孔140が配設されており、本実施形態では、下側透孔140が格子状に配列されている。また、図11に示すように、中間板体132の内周部分には、複数の中間透孔150が形成されている。また、中間板体132の下面側には、図11に示すように、基板の外周部に処理ガスを供給するための外周側ガス流路を形成するための複数の下側外周溝151、下側径方向溝152、下側補助溝153が形成されている。下側外周溝151は、外周部に沿って円弧状に4分割されて配設されている。4つの下側外周溝151には、夫々基板の外周部に処理ガスを供給するための処理ガス導入口151aが配設されている。また、下側径方向溝152は、下側外周溝151から内周側に向けて延在するように径方向に沿って配設されている。下側径方向溝152は、その内周側端部が、図10に示した下側板体133に形成されたいずれかの下側透孔140の縁部に到るように形成されており、下側板体133と中間板体132とを貼り合わせた際に、下側径方向溝152が下側透孔140と連通するようになっている。また、下側補助溝153は、複数の中間透孔150の間を繋ぐように配設されている。この下側補助溝153は、中間板体132の上面側に配設された後述する上側径方向溝156と、一方の中間透孔150を介して連通されるようになっている。この下側補助溝153は、他の上側径方向溝156との干渉により、中間板体132の上面側に上側径方向溝156を形成することができない部分について、中間板体132の下面側にバイパスするようにガス流路を形成するために設けられたものである。図12に示すように、中間板体132の上面側には、基板の内周部に処理ガスを供給するための内周側ガス流路を形成するための複数の上側外周溝155と、上側径方向溝156が形成されている。上側外周溝155は、外周部に沿って円弧状に4分割されて配設されている。また、上側径方向溝156は、上側外周溝155から内周側に向けて延在するように径方向に沿って配設されている。上側径方向溝156は、その内周側端部がいずれかの中間透孔150の縁部に到るよう配設されており、上側径方向溝156と中間透孔150とが連通するようになっている。なお、上側径方向溝156の中には、内周側端部の他、その経路中に他の中間透孔150を含むものがある。すなわち、上側径方向溝156と中間透孔150とは、必ずしも一対一に対応しているものではなく、1つの上側径方向溝156が、複数の中間透孔150と連通された構成のものが含まれている。4つの上側外周溝155には、夫々基板の内周部に処理ガスを供給するための処理ガス導入口155aが配設されている。上側板体131は、平板状に形成されており、上記した中間板体132の上面側に固着され、上側外周溝155、上側径方向溝156及び中間透孔150の上側が閉塞される。これによって、上側外周溝155から上側径方向溝156を通って中間透孔150に到る、図13に示す溝状ガス流路171が形成される。また、中間板体132の下面側に、下側板体133が固着され、下側外周溝151、下側径方向溝152、下側補助溝153の下側が閉塞されるとともに、下側透孔140と中間透孔150とが連通される。これによって、下側外周溝151から下側径方向溝152を通り、下側透孔140に到る、図13に示す溝状ガス流路172が形成される。なお、上側板体131、中間板体132、下側板体133の固着は、例えば、拡散接合によって行うことができる。この拡散接合では、例えば、酸素雰囲気下で800~900°Cに加熱し圧力をかけることにより、接着層無しで接合を行うことができる。図9aに示すように、基板の内周部に処理ガスを供給する4つのガス導入口155a及び基板の外周部に処理ガスを供給する4つの処理ガス導入口151aは、夫々処理ガス導入部91~98と連通されている。処理ガス導入部91~98から導入される処理ガスの種類及び流量は、基板に対して内周部と外周部で異ならせることができ、また、内周部の処理ガス導入部4箇所と外周部の処理ガス導入部4箇所で夫々周方向に異ならせることもできる。これによって、基板に対するプラズマ処理の面内均一性を細かく制御することができる。また、下側外周溝151及び上側外周溝155が分割されていることによって、これらの内部で放電が生じる可能性を低減することができる。すなわち、下側外周溝151及び上側外周溝155が分割されずに、1つの溝が全周に亘って形成されていると、この溝によって形成された溝状ガス流路内で電位差が生じ放電が発生する可能性が高くなるが、本第5実施形態では、このような放電が発生する可能性を低減することができる。上記構成の第5実施形態では、上記した各実施形態と同様な効果を得ることができるとともに、処理ガスの噴出口となる下側透孔140を格子状に多数配設することができる。したがって、基板に供給される処理ガスをより均一化することができる。なお、上記第5実施形態では、溝状ガス流路171及び溝状ガス流路172を曲折した形状とし、また、溝状ガス流路171及び溝状ガス流路172を複数の下側透孔140に対応させた構造となっている。しかしながら、図14に示す第6実施形態のガス供給機構30eのように、溝状ガス流路171及び溝状ガス流路172に夫々1つの下側透孔140を対応させるようにし、かつ、溝状ガス流路171及び溝状ガス流路172を直線状に配設した構造としてもよい。また、上記第5実施形態に係るガス供給機構30d、第6実施形態に係るガス供給機構30eでは、下側板体133等をシリコン製等とすれば、ICP型のプラズマ処理装置に限らず、CCP型のプラズマ処理装置にも適用することができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、処理ガス供給機構の積層体を構成するための板体の数は3枚、4枚に限らず、2枚、或いは5枚以上であってもよい。また、板体に設けられた透孔の形状は、円形又は楕円形に限らず、他の形状であってもよい。さらに、溝状流路の溝の深さ及び幅は、処理ガスの供給量が均一になるように、溝状流路の長さに応じて変更した構成としてもよい。"