"イオンビームを発生させるイオンガンを複数備えたイオンビーム源と、前記イオンガンをそれぞれ制御する制御部と、前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載し回転する被加工物ホルダーと、を備え、前記イオンガンの一つは前記被加工物ホルダーの中心を含む部分にイオンビームを照射できる位置に配置され、前記イオンガンの少なくとも一つは前記被加工物ホルダーの中心から偏心した部分にイオンビームを照射できる位置に配置されていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項1に記載のイオンミリング装置において、前記イオンビーム源は、第1イオンガンおよび第2イオンガンを備え、前記制御部は、前記第1イオンガンを制御する第1制御部および前記第2イオンガンを制御する第2制御部を備え、前記第1イオンガンは、前記第1イオンガンから出射されるイオンビームが前記被加工物ホルダーの中心を照射するように配置され、前記第2イオンガンは、前記第1イオンガンから出射されるイオンビームと同じ方向へイオンビームが出射され、かつ前記被加工物ホルダーの中心から偏心した位置を照射するように配置されていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項2に記載のイオンミリング装置において、前記イオンビーム源は前記第1イオンガンと前記第2イオンガンと第3イオンガンとを有し、前記制御部は前記第1制御部と前記第2制御部とに加えて前記第3イオンガンを制御する第3制御部を備え、前記第3イオンガンは前記第1イオンガンから出射されるイオンビームと同じ方向へイオンビームが出射され、かつ前記被加工物ホルダーの中心から偏心した位置を照射するように配置されていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項2または3に記載のイオンミリング装置において、前記被加工物ホルダーの回転軸と、前記第1イオンガンから出射されるイオンビームの方向とが交差するように前記被加工物ホルダーが配置されていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項1乃至4のいずれか一項に記載のイオンミリング装置において、前記イオンビーム源のプラズマ発生手段が高周波放電を利用した高周波イオン源であることを特徴とするイオンミリング装置。請求項1乃至4のいずれか一項に記載のイオンミリング装置において、前記イオンビーム源のプラズマ発生手段がフィラメントを用い直流放電を利用したイオン源であることを特徴とするイオンミリング装置。特許文献1の技術では、均一な加工量を確保して基板表面の平坦性を維持している。しかしながら、スピンコーターで形成した膜などは、基板の外周部が厚くなる形状であり、この膜の表面を平坦に加工することは上記特許文献1の技術を利用しても困難である。このため、表面が任意の初期形状の被加工物でも表面を平坦に加工できるイオンミリング装置が要求されている。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかるイオンミリング装置は、イオンビームを発生させるイオンガンを複数備えたイオンビーム源と、前記イオンガンをそれぞれ制御する制御部と、前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載し回転する被加工物ホルダーと、を備え、前記イオンガンの一つは前記被加工物ホルダーの中心を含む部分にイオンビームを照射できる位置に配置され、前記イオンガンの少なくとも一つは前記被加工物ホルダーの中心から偏心した部分にイオンビームを照射できる位置に配置されていることを特徴とする。この構成によれば、イオンビーム源の一つのイオンガンが被加工物ホルダーの中心を含む部分にイオンビームを照射できる位置に配置され、少なくとも一つのイオンガンは被加工物ホルダーの中心から偏心した部分にイオンビームを照射できる位置に配置されている。そして、被加工物を搭載する被加工物ホルダーは回転できるように構成され、各イオンガンはそれぞれ制御部により制御されている。このように、イオンミリング装置は被加工物ホルダーの中央と、その周辺にイオンビームを照射できるイオンガンを有し、それぞれのイオンガンが独立して制御することができることから、各イオンガンが任意の加工量でイオンミリング加工が可能である。このため、例えば、外周部が厚い形状の基板においても、各イオンガンでの加工量を調整することで、基板の表面を平坦に加工することができる。[適用例2]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記イオンビーム源は、第1イオンガンおよび第2イオンガンを備え、前記制御部は、前記第1イオンガンを制御する第1制御部および前記第2イオンガンを制御する第2制御部を備え、前記第1イオンガンは、前記第1イオンガンから出射されるイオンビームが前記被加工物ホルダーの中心を照射するように配置され、前記第2イオンガンは、前記第1イオンガンから出射されるイオンビームと同じ方向へイオンビームが出射され、かつ前記被加工物ホルダーの中心から偏心した位置を照射するように配置されていることが望ましい。この構成によれば、イオンビーム源として、第1イオンガンが被加工物ホルダーの中心を含む部分にイオンビームを照射できる位置に配置され、第2イオンガンは被加工物ホルダーの中心から偏心した部分にイオンビームを照射できる位置に配置されている。そして、各イオンガンはそれぞれ制御部により制御されている。このように、イオンミリング装置は被加工物ホルダーの中央を照射する第1イオンガンと、その周辺にイオンビームを照射できる第2イオンガンを有している。そして第1イオンガンおよび第2イオンガンが、それぞれ第1制御部、第2制御部にて独立して制御することができることから、各イオンガンが任意の加工量でイオンミリング加工が可能である。このため、例えば、外周部が厚い形状の基板においても、各イオンガンでの加工量を調整することで、基板の表面を平坦に加工することができる。このように、任意の基板の初期形状においても、その表面を平坦に加工することができる。[適用例3]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記イオンビーム源は前記第1イオンガンと前記第2イオンガンと第3イオンガンとを有し、前記制御部は前記第1制御部と前記第2制御部とに加えて前記第3イオンガンを制御する第3制御部を備え、前記第3イオンガンは前記第1イオンガンから出射されるイオンビームと同じ方向へイオンビームが出射され、かつ前記被加工物ホルダーの中心から偏心した位置を照射するように配置されていることが望ましい。この構成によれば、適用例2の構成に加えて第3イオンガンと第3イオンガンを制御する第3制御部を備えている。このように、イオンミリング装置は被加工物ホルダーの中央を照射する第1イオンガンと、その周辺にイオンビームを照射できる第2イオンガンおよび第3イオンガンを有し、第1、第2、第3イオンガンが独立して制御することができることから、各イオンガンが任意の加工量でイオンミリング加工が可能である。このことから、加工精度のよいイオンミリング装置を提供できる。[適用例4]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記被加工物ホルダーの回転軸と、前記第1イオンガンから出射されるイオンビームの方向とが交差するように前記被加工物ホルダーが配置されていることが望ましい。この構成によれば、被加工物ホルダーが各イオンガンに対して傾いて配置されている。また被加工物ホルダーが回転することから、各イオンガンから被加工物へのイオンビームの照射量を均一にすることができ、加工精度を向上させることができる。[適用例5]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記イオンビーム源のプラズマ発生手段が高周波放電を利用した高周波イオン源であることが望ましい。この構成によれば、イオンビーム源のプラズマ発生手段が高周波放電を利用した高周波イオン源である。このため、大きな直径のプラズマを得ることができ、口径の大きいイオンガンを利用することができる。また、安定したプラズマを発生させることができ、加工精度の高いイオンミリング装置を提供できる。[適用例6]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記イオンビーム源のプラズマ発生手段がフィラメントを用い直流放電を利用したイオン源であることが望ましい。この構成によれば、イオンビーム源のプラズマ発生手段がフィラメントを用い直流放電を利用したイオン源である。このため、容易にプラズマを発生させることができ、また装置の構成を簡略化でき、低コストのイオンミリング装置を提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。第1実施形態<イオンミリング装置1の構成>図1は本実施形態のイオンミリング装置の構成を示す模式図である。イオンミリング装置1は、イオンビームを生成するイオンビーム源10と、イオンビームが照射される基板などの被加工物を配置する基板ホルダー35と、基板ホルダー35を収容する処理室31を備えている。イオンビーム源10は第1イオンガン11と第2イオンガン12とから構成されている。本実施形態では第1イオンガン11と第2イオンガン12とは同じ構成であり、第1イオンガン11について説明をし、第2イオンガン12については説明を省略する。第1イオンガン11はプラズマを発生させるプラズマ室と、プラズマの発生とイオンビームの制御を行う駆動電源28Aを備えている。第1イオンガン11のプラズマ室は高周波プラズマ室21と、これに連通するプラズマ拡張室24から構成されている。高周波プラズマ室21は石英円筒管22に高周波コイル23が巻かれて形成され、外部よりArなどの放電ガスが供給できる構成となっている。高周波コイル23には第1高周波電源28aが接続され、高周波コイル23に高周波電力が供給される。そして、高周波プラズマ室21に連通されたプラズマ拡張室24は、高周波プラズマ室21よりも大きな径を持って形成され、外周に多極の永久磁石25が配置されている。この永久磁石25は、磁力線によりプラズマをプラズマ拡張室24に閉じ込めるとともに、放電領域に磁界をかけてイオンの飛程距離を長くしてイオン化率を増大させる機能を有する。このように、本実施形態のイオンビーム源10のプラズマ発生手段は高周波放電を利用した高周波イオン源である。プラズマ拡張室24の処理室31との連結部には引き出し電極26が配置されている。引き出し電極26は、加速電極26a、減速電極26b、接地電極26cの3枚の電極から構成されている。これらの引き出し電極26は、プラズマの発生源に近い方から加速電極26a、減速電極26b、接地電極26cの順に配置されている。各電極は円板状に形成され、モリブデンなどの高融点材料が用いられている。そして、各電極の円板内にイオンビームが通過する多数の穴が設けられている。加速電極26aには加速電源27aが接続され、減速電極26bには減速電源27bが接続されている。加速電源27aからは500Vから2000Vの間の電圧が加速電極26aに印加され、減速電源27bからは-100Vから-500Vの間の電圧が減速電極26bに印加される。また、接地電極26cは接地、または接地に対して-100V未満の電圧が印加されている。これらの加速電極26aおよび減速電極26bに印加する電圧を調整することによって、第1イオンガン11から照射されるイオンビームのエネルギーを調整することができる。上記の第1高周波電源28a、加速電源27a、減速電源27bは、第1イオンガン11の駆動電源28Aを構成している。そして、この駆動電源28Aにイオンビームの照射を制御する第1制御部29aが接続されている。なお、第2イオンガン12の高周波コイル23には第2高周波電源28bが接続され、高周波コイル23に高周波電力が供給される。第2高周波電源28b、加速電源27a、減速電源27bは、第2イオンガン12の駆動電源28Bを構成している。そして、この駆動電源28Bにイオンビームの照射を制御する第2制御部29bが接続されている。処理室31には、排気装置図示せずが接続され、処理室31およびそれに連通される第1イオンガン11および第2イオンガン12のプラズマ拡張室24、高周波プラズマ室21を減圧状態に保つことが可能である。そして、処理室31には被加工物の基板14を保持する基板ホルダー35が設置されている。基板ホルダー35は基板14が載置されて保持される。基板ホルダー35は、中心をOとする円板状で、基板ホルダー35の中心部に軸37が設けられて回転軸Lの周りに回転可能に形成されている。なお、処理室31はイオンビームの導入を安定して確保するために電気的に接地された状態となっている。第1イオンガン11と第2イオンガン12とはイオンビームが同じ方向に出射されるように、第1イオンガン11の中心軸C1と第2イオンガン12の中心軸C2とが平行となるように配置されている。ここでイオンガンの中心軸とは、イオンガンの引き出し電極から出射されるイオンビームの中心と、そこからイオンビームが放出される方向に引いた軸線である。また、イオンガン11,12と基板ホルダー35の位置関係は、第1イオンガン11および第2イオンガン12の中心軸C1,C2と、基板ホルダー35の回転軸Lと、が交差するように配置されている。つまり、基板ホルダー35が第1イオンガン11、第2イオンガン12に対して傾いて配置されている。本実施形態では、中心軸C1,C2に対して傾き角θが概ね-40度に設定されている。このように、基板ホルダー35が傾いて配置され、また回転することから、各イオンガンから被加工物へのイオンビームの照射量を均一にすることができ、加工精度を向上させることができる。そして、第1イオンガン11は中心軸C1が基板ホルダー35の中心Oを通る位置に配置され、第2イオンガン12は中心軸C2が基板ホルダー35の中心Oから偏心して配置されている。<イオンミリング装置の動作>次に、上記のイオンミリング装置1の動作について説明する。第1イオンガン11および第2イオンガン12において、排気装置により、処理室31、高周波プラズマ室21、プラズマ拡張室24、が排気され一定流量の放電ガスが各イオンガンの高周波プラズマ室21に供給される。そして、高周波コイル23に高周波電力を印加すると、放電ガスが放電しプラズマが高周波プラズマ室21に発生する。生成されたプラズマはプラズマ拡張室24に拡張する。プラズマ拡張室24からイオンが引き出し電極26を用いてイオンビームとして処理室31に引き出される。第1イオンガン11から処理室31に導入されたイオンビームは回転する基板ホルダー35に保持された基板14の中央部に照射されてイオンミリング加工が行われる。また、第2イオンガン12から処理室31に導入されたイオンビームは回転する基板ホルダー35に保持された基板14の外周部に照射されてイオンミリング加工が行われる。ここで、第1イオンガン11と第2イオンガン12はそれぞれ第1制御部29aと第2制御部29bに制御され、目的の加工に合った加工レートのイオンビームを出射できるように出力が保たれる。このように、2つのイオンガンが作動して1つの基板14の加工が行われる。<イオンガンの加工特性>次に、イオンガンのイオンビームによる加工特性について説明する。図2は、イオンガンにおけるイオンビーム位置とミリングレートの関係の一例を示すグラフである。横軸にイオンビームの中央からの距離を示し、縦軸にミリングレートを示している。グラフから分かるように、イオンガンの加工では、イオンビームの中央部でミリングレートが大きく、中央部から外側に行くに従いミリングレートが低下する傾向がある。このため、1つのイオンガンのみを加工に用いた場合、加工の要求精度により利用するイオンビームのビーム径を設定する必要がある。精度が要求される場合には、例えば中心領域のビーム径として約60の部分を利用するなどの設定がなされる。<イオンミリング装置1を用いた加工例>次に、本実施形態の加工例について説明する。図3は本実施形態の各イオンガンにおける基板の加工状態を示す模式断面図である。図4は本実施形態のイオンミリング装置を用いた基板の加工状況を示す模式断面図である。図3aは加工前の基板の断面形状を示している。基板14は基材15の表面に金属膜16が形成され、その上にイオンミリング加工がなされる加工層17が形成されている。加工層17の表面は平坦に形成されている。図3bは図3aの基板を本実施形態におけるイオンミリング装置1の第1イオンガン11のみで加工した基板の断面形状である。第1イオンガン11は基板の中央を照射するため、基板の外周部にいくほどミリング量が少なく、加工された加工層17は外周部が厚い凹形状となる。図3cは図3aの基板を本実施形態におけるイオンミリング装置1の第2イオンガン12のみで加工した基板の断面形状である。第2イオンガン12は基板の外周部を照射するため、基板の外周が大きくミリングされ、中央部はほとんどミリングされず、加工された加工層17は外周部が薄い凸形状となる。図4aは、基材15の表面に金属膜16を形成し、その上にスピンコーターで形成したスピンコート膜18が形成された基板14である。このスピンコート膜18は、外周の膜厚が厚くなる傾向があり、基板14の表面は凹形状となっている。イオンミリング加工を行う前に、前もって基板14の形状平坦性を計測しておき、その計測データに基づき、第1イオンガンと第2イオンガンから照射するイオンビームのパワーを第1制御部29aおよび第2制御部29bで調整する。そして、イオンミリング装置1にて第1イオンガンと第2イオンガンを用いて加工することで、図3bと図3cの加工を合わせた加工となり、図4bのように、スピンコート膜18をミリングして、金属膜16が露出する基板14の表面を平坦にすることができる。以上、本実施形態のイオンミリング装置1は、基板ホルダー35の中央にイオンビームを照射する第1イオンガン11と、基板ホルダー35の外周にイオンビームを照射する第2イオンガン12を有している。そして第1イオンガン11および第2イオンガン12が、それぞれ第1制御部29a、第2制御部29bにて独立して制御することができることから、イオンビームの照射時間や強度を調整して、各イオンガンが任意の加工量でイオンミリング加工が可能である。このため、例えば、外周部が厚い形状の基板においても、各イオンガンの加工量を調整することで、基板の表面を平坦に加工することができる。このように、任意の基板の初期形状においても、その表面を平坦に加工することができる。また、本実施形態のイオンミリング装置1は、表面を平坦に加工するだけでなく、凹形状、凸形状など任意の形状に加工をすることが可能である。さらに、本実施形態のイオンミリング装置1は、基板の大型化に対してイオンガンの個数を増やすことで対応でき、イオンガンを大型化する必要がない。また、同一ロットにおける加工において、初期の加工量と終期の加工量が変化する場合、各イオンビームの照射時間、強度などを変更することでロット内の加工の均一性を図ることができる。第2実施形態<イオンミリング装置2の構成>次にイオンミリング装置の他の実施形態について説明する。図5は第2実施形態のイオンミリング装置の構成を示す模式図である。本実施形態はイオンガンの構成およびイオンガンの駆動制御が第1実施形態と異なる。このため、第1実施形態と同様な構成については同符号を付し詳細な説明を省略する。イオンミリング装置2は、イオンビームを生成するイオンビーム源40と、イオンビームが照射される基板などの被加工物を配置する基板ホルダー35と、基板ホルダー35を収容する処理室31を備えている。イオンビーム源40は第1イオンガン41と第2イオンガン42とから構成されている。本実施形態では第1イオンガン41と第2イオンガン42とは同じ構成であり、主に第1イオンガン41について説明する。第1イオンガン41にはアークチャンバー51を有し、処理室31と連通している。アークチャンバー51の内部には、イオン源としてフィラメント52が設けられている。フィラメント52は、例えばタングステンなどからなり、アークチャンバー51内に熱電子を放出する。そして、アークチャンバー51の外周に多極の永久磁石55が配置されている。この永久磁石55は、磁力線によりプラズマをアークチャンバー51に閉じ込めるとともに、放電領域に磁界をかけてイオンの飛程距離を長くしてイオン化率を増大させる機能を有する。フィラメント52はフィラメント電源58aに接続され、このフィラメント電源58aから所定の電圧が印加される。またアークチャンバー51にはアーク電源58bの正極側が接続され、負極側はフィラメント電源58aの正極側に接続されて、アーク電圧が印加される。また、アークチャンバー51は、外部よりArなどの放電ガスが供給できる構成となっている。このことから、フィラメント52のマイナス端子とアークチャンバー51のアノードとなる内壁との間の放電によって、供給されたArなどの放電ガスがイオン化されるように構成されている。このように、本実施形態のイオンビーム源のプラズマ発生手段はフィラメントを用い直流放電を利用したイオン源である。アークチャンバー51の処理室31との連結部には引き出し電極56が配置されている。引き出し電極56は、加速電極56a、減速電極56b、接地電極56cの3枚の電極から構成されている。これらの引き出し電極56は、プラズマの発生源に近い方から加速電極56a、減速電極56b、接地電極56cの順に配置されている。各電極は円板状に形成され、モリブデンなどの高融点材料が用いられている。そして、各電極の円板内にイオンビームが通過する多数の穴が設けられている。加速電極56aには加速電源57aの正極が接続されて正電圧が印加される。また、加速電源57aの正極側は抵抗58cを介してアーク電源58bの正極側に接続されており、負極側は接地されている。減速電極56bには減速電源57bの負極が接続されて負電圧が印加され、減速電源57bの正極側は接地されている。接地電極56cは接地、または接地に対して-100V未満の電圧が印加されている。これらの加速電極56aおよび減速電極56bに印加する電圧を調整することによって、第1イオンガン41から照射されるイオンビームのエネルギーを調整することができる。上記のフィラメント電源58a、アーク電源58b、加速電源57a、減速電源57bは、第1イオンガン41の駆動電源58Aを構成している。そして、この駆動電源58Aにイオンビームの照射を制御する第1制御部59aが接続されている。なお、第2イオンガン42には駆動電源58Bが接続され、この駆動電源58Bにイオンビームの照射を制御する第2制御部59bが接続されている。このように、第1イオンガン41、第2イオンガン42のイオン源が異なっても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態のイオンビーム源のプラズマ発生手段はフィラメントを用い直流放電を利用したイオン源であるため、容易にプラズマを発生させることができ、また装置の構成を簡略化でき、低コストのイオンミリング装置2を提供することができる。第3実施形態<イオンミリング装置3の構成>次にイオンミリング装置の他の実施形態について説明する。図6は第3実施形態のイオンミリング装置の構成を示す模式図である。本実施形態は第1実施形態のイオンミリング装置にもう一つのイオンガンを追加した構成である。このため、第1実施形態と同様な構成については同符号を付し詳細な説明を省略する。イオンミリング装置3は、イオンビームを生成するイオンビーム源60と、イオンビームが照射される基板などの被加工物を配置する基板ホルダー35と、基板ホルダー35を収容する処理室31を備えている。イオンビーム源60は第1イオンガン11と第2イオンガン12と第3イオンガン13とから構成されている。本実施形態では第1イオンガン11、第2イオンガン12、第3イオンガン13は同じ構成である。すでに第1実施形態においてイオンガンの構成については説明したためこれらの説明は省略する。なお、第3イオンガン13の高周波コイル23には第3高周波電源28cが接続されている。また、第3高周波電源28cと、引き出し電極26に接続される加速電源図示せず、減速電源図示せずとで駆動電源28Cを構成している。第1イオンガン11と第2イオンガン12と第3イオンガン13とはイオンビームが同じ方向に出射されるように、第1イオンガン11の中心軸C1と第2イオンガン12の中心軸C2と第3イオンガン13の中心軸C3とが平行となるように配置されている。ここでイオンガンの中心軸とは、イオンガンの引き出し電極から出射されるイオンビームの中心と、そこからイオンビームが放出される方向に引いた軸線である。また、イオンガン11,12,13と基板ホルダー35の位置関係は、第1イオンガン11、第2イオンガン12および第3イオンガン13の中心軸C1,C2,C3と、基板ホルダー35の回転軸Lと、が交差するように配置されている。つまり、基板ホルダー35が第1イオンガン11、第2イオンガン12、第3イオンガン13に対して傾いて配置されている。本実施形態では、中心軸C1,C2,C3に対して傾き角θが概ね-40度に設定されている。このように、基板ホルダー35が傾いて配置され、また回転することから、各イオンガンから被加工物へのイオンビームの照射量を均一にすることができ、加工精度を向上させることができる。そして、第1イオンガン11は中心軸C1が基板ホルダー35の中心Oを通る位置に配置され、第2イオンガン12および第3イオンガン13はそれぞれの中心軸C2,C3が基板ホルダー35の中心Oから偏心して配置されている。図7はイオンガンの配置について説明する模式図である。これらの模式図は、基板ホルダーをイオンガンの方から見た概略の配置を示している。図7aは図6の各イオンガン11,12,13と基板ホルダー35との位置関係を示す模式図で、各イオンガン11,12,13が縦一列に並んで配置されている。このイオンガンの配置では、基板ホルダー35が傾いているため、第2イオンガン12は被加工物との距離が近い位置で加工が可能であり、第3イオンガン13は被加工物との距離が遠い位置で加工が可能である。イオンガンと被加工物との距離は被加工物のミリングレートに影響するため、このミリングレートの差を利用して精度よくイオンミリング加工を行うことができる。また、図7bに示すように、第3イオンガン13を第2イオンガン12の位置から90度回転した位置に配置しても良い。この状態では、被加工物との距離を第1イオンガン11と同じ距離にて加工ができる。そして、加工時間の短縮が可能である。さらに、図7cに示すように、第1イオンガン11と第3イオンガン13との間に第2イオンガン12を配置しても良い。この状態では、被加工物との距離を第1イオンガン11から順に近くなる位置での加工が可能であり、微細なイオンミリング加工の制御が可能となる。<イオンミリング装置の実験データ>次に、イオンミリング加工における基板のミリング実験データの一例を説明する。図8は、イオンガンの先端引き出し電極から基板までの距離とミリングレートの関係と、イオンビームの中心からの距離とミリングレートの関係を示すグラフである。図9は実験データを最大のミリングレート、平均のミリングレート、ミリングの均一性についてまとめた表である。図8では、引き出し電極と基板との距離Hを222.5mmと275.5mmとし、イオンビーム中心からの距離ごとにイオンビームの中心のデータを1点と、中心から各距離-95mm、-50mm、-5mm、5mm、50mm、95mmごとに9点ずつのデータを取得し、平均値を表示している。また、図9の最大ミリングレートおよび平均ミリングレートは上記の測定データの中の全部のデータからの値である。この実験データから、イオンガンが同一条件では引き出し電極と基板間の距離が短くなるとミリングレートは高くなるが、ミリングの均一性は低下する傾向にあることがわかる。このように、イオンガンによるイオンミリング加工は上記のような加工特性があり、これらを利用して様々な加工が可能となる。<イオンミリング装置3を用いた加工例>図10は本実施形態のイオンミリング装置3を利用してミリング加工する場合の概略の加工例を示す表である。基板の初期形状が平坦でない状態から加工をする例であり、各イオンガンを制御照射時間、イオンビーム強度することで加工を行う。これらのミリング加工では、あらかじめ基板の形状を測定しておき、その基板の初期形状に合わせて加工を行う。図10aに示すような凹形状の基板を平坦に加工する場合には、第1イオンガン11と第2イオンガン12とを動作させ、第3イオンガン13を停止して加工すればよい。この例では、基板の外周を速くミリングできるように第2イオンガン12を作動させている。また、第1イオンガン11を停止させて、イオンビームの出力を調整して第3イオンガン13を作動させてもよい。図10bに示すような凸形状の基板を平坦に加工する場合には、第1イオンガン11と第3イオンガン13を動作させ、第2イオンガン12を停止して加工すればよい。この例では、基板の中央部を多く加工させるために第1イオンガン11を作動させ、基板の外周部は少ない加工でよいため、基板までの距離が遠い第3イオンガン13を作動させ、基板までの距離が近い第2イオンガン12を停止させる。図10cに示すような凹形状の深い基板を、中央部はほとんどミリングせず、外周をミリングして平坦に加工する場合には、第2イオンガン12と第3イオンガン13を動作させ、第1イオンガン11を停止して加工すればよい。この加工では、中央部は加工量を少なくしたいために、第1イオンガン11を停止させ、第2イオンガン12と第3イオンガン13を作動させて基板の外周部のミリング量を増やしている。図10dに示すような凹形状の深い基板を、中央部および外周をミリングして平坦に加工する場合には、第1イオンガン11と第2イオンガン12および第3イオンガン13を動作させて加工すればよい。この加工では、加工量の多い外周部を第2イオンガン12および第3イオンガン13を動作させて外周部のミリング量を増やしている。本実施形態の説明では、初期の基板形状に係わらず、基板表面を平坦に加工する例を説明したが、平坦に限らず、3つのイオンガンを用いて基板を凹形状、凸形状などの任意の形状に加工することが可能である。そして、これらの加工は基板の初期形状によらず、任意形状に形成することができる。このように、本実施形態のイオンミリング装置3は基板ホルダー35の中央を照射する第1イオンガン11と、その周辺にイオンビームを照射できる第2イオンガン12および第3イオンガン13を有し、第1、第2、第3イオンガンが独立して制御することができることから、各イオンガンが任意の加工量でイオンミリング加工が可能である。このことから、加工精度のよいイオンミリング装置3を提供できる。なお、実施形態1、2、3では同じ仕様のイオンガンを複数配置したが、それぞれのイオンビームの照射時間、強度などを変えて設定してもよい。さらに、同じ仕様のイオンガンではなく、異なる仕様のイオンガンを配置してもよい。また、実施形態1,2,3では基板側が固定されたイオンガンに対して動く形態であるが、基板側を固定し、イオンガン側が動く形態のイオンミリング装置であってもよい。本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。"