"素子基板と、前記素子基板上に設けられ、相互の電極をギャップを存して対向させた一対のアンテナと、を備え、前記相互の電極のそれぞれの対向端部は、前記素子基板側となる下側のギャップ寸法に対し、前記素子基板側とは逆の上側のギャップ寸法が大きくなるように、形成されていることを特徴とするアンテナ素子。前記各アンテナは、前記素子基板の上面に対し裾広がりとなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアンテナ素子。前記素子基板は、最上層に光伝導膜を有する光伝導基板であることを特徴とする請求項1に記載のアンテナ素子。前記素子基板は、前記ギャップの部分に照射した励起光により、テラヘルツ波を発生させるものであることを特徴とする請求項1に記載のアンテナ素子。請求項2に記載のアンテナ素子の製造方法であって、前記素子基板上にリフトオフ用のレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レジストを、前記一対のアンテナの形状にパターニングするパターニング工程と、前記素子基板を傾斜姿勢とした状態で、パターニングした前記レジストを介して、前記素子基板上にアンテナ材料を成膜し前記一対のアンテナを形成するアンテナ成膜工程と、前記レジストおよび前記レジスト上のアンテナ材料を剥離除去するレジスト除去工程と、を備えたことを特徴とするアンテナ素子の製造方法。前記アンテナ成膜工程において、前記素子基板を傾斜姿勢として状態で、回転させることを特徴とする請求項5に記載のアンテナ素子の製造方法。前記傾斜姿勢の傾きが、角度2°~45°であることを特徴とする請求項5に記載のアンテナ素子の製造方法。このような、従来のアンテナ素子では、2つの電極の間隙に基板の隆起部が配設されているため、基板の隆起部以外の部分をエッチングして、この隆起部を作成する必要がある。また、絶縁層を設けるものでは、電極パッドとなる部分を避けて絶縁層を設ける必要がある。このため、製造工程が増え、コストアップになる問題があった。本発明は、簡単な構造で、電極間の短絡による絶縁破壊を防止することができるアンテナ素子およびアンテナ素子の製造方法を提供することを課題としている。本発明のアンテナ素子は、素子基板と、素子基板上に設けられ、相互の電極をギャップを存して対向させた一対のアンテナと、を備え、相互の電極のそれぞれの対向端部は、素子基板側となる下側のギャップ寸法に対し、素子基板側とは逆の上側のギャップ寸法が大きくなるように、形成されていることを特徴とする。この構成によれば、相互の電極のそれぞれの対向端部において、下側のギャップ寸法に対し、上側のギャップ寸法が大きくなるように形成されているため、一対のアンテナ間相互の電極間にバイアス電圧を印加したときに、電極間に生ずる放電短絡を極力抑制することができる。すなわち、ギャップを広くし或いは印加電圧を低くすることなく、相互の電極間の放電短絡を抑制することができ、素子基板の絶縁破壊を有効に防止することができる。また、電極の形成過程において、下側のギャップ寸法に対し上側のギャップ寸法が大きくなるように形成すればよく、製造工程の増加工数の増加を抑制することができる。この場合、各アンテナは、素子基板の上面に対し裾広がりとなるように形成されていることが好ましい。この構成によれば、半導体の微細加工により、上下のギャップ寸法が異なる2つの電極を有する一対のアンテナを、簡単に形成することができる。また、素子基板は、最上層に光伝導膜を有する光伝導基板であることが好ましい。さらに、素子基板は、ギャップの部分に照射した励起光により、テラヘルツ波を発生させるものであることが好ましい。この構成によれば、レーザー光等の励起光により、電磁波テラヘルツ波を発生させる光伝導アンテナ素子を提供することができる。また、この光伝導アンテナ素子は、一対のアンテナに電圧を印加する代わりに、電流計を接続することにより、電磁波テラヘルツ波を検出する素子としても用いることができる。なお、この場合のテラヘルツ波とは、狭義のテラヘルツ波0.1THz~10THzの電磁波は元より、広義のテラヘルツ波数十GHz~数百THzの電磁波も含む概念である。本発明のアンテナ素子の製造方法は、上記したアンテナ素子の製造方法であって、素子基板上にリフトオフ用のレジストを塗布するレジスト塗布工程と、レジストを、一対のアンテナの形状にパターニングするパターニング工程と、素子基板を傾斜姿勢とした状態で、パターニングしたレジストを介して、素子基板上にアンテナ材料を成膜し一対のアンテナを形成するアンテナ成膜工程と、レジストおよびレジスト上のアンテナ材料を剥離除去するレジスト除去工程と、を備えたことを特徴とする。この場合、アンテナ成膜工程において、素子基板を傾斜姿勢とした状態で、回転させることが好ましい。また、傾斜姿勢の傾きが、角度2°~45°であることが好ましい。この構成によれば、リフトオフ法を応用することにより、上下のギャップ寸法が異なる2つの電極を有する一対のアンテナを、簡単に且つ効率よく形成することができる。特に、素子基板を傾斜姿勢で回転させることにより、素子基板の上面に対し裾広がりとなる形状の一対のアンテナを、確実に形成することができる。以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態の係るアンテナ素子を適用した光伝導アンテナ素子について説明する。光伝導アンテナ素子は、これに電圧を印加することにより、電磁波発生素子としての機能を奏する一方、電流計を接続することにより、電磁波検出素子としての機能を奏するものである。ここでは、特に、電磁波発生素子として好適な光伝導アンテナ素子について説明する。図1は、光伝導アンテナ素子を模式的に表した斜視図であり、同図に示すように、光伝導アンテナ素子1は、素子基板である光伝導基板2と、光伝導基板2上に成膜した平行伝送線路3と、により構成されている。光伝導基板2は、基板11と、基板11上に形成されたバッファ層12と、バッファ層12上に形成された光伝導膜13と、を備えている。基板11は、化合物半導体であるSI-GaAs半絶縁性ガリウム砒素により構成されている。基板11の材料としては、SI-GaAsの他、バッファ層12や光伝導膜13の材料の格子定数に応じて、例えばSi、InP等の単結晶半導体を用いることもできる。GaAs系の基板11は、Siの基板に比して光励起キャリアの寿命を短くし、ノイズとなる残留キャリアによるS/N比の低下を防止することができる。バッファ層12は、基板11の格子定数以上、光伝導膜13の格子定数以下となる材料を用いて、基板11上にエピタキシャル成長させた薄膜であり、実施形態のものは、GaAsガリウム砒素により構成されている。バッファ層12は、この上に積層する光伝導膜13の結晶性を制御するために設けられている。バッファ層12を構成する半導体材料は、Si、AlGaAsLT-AlGaAs、InGaP、AlAs、InP、InAlAs、InGaAsLTInGaAs、GaAsSb、InGaAsP、InAsLT-InAs、InSb等を、基板11および光伝導膜13の材料の格子定数に応じて任意に選択して用いることができる。光伝導膜13は、LT-GaAs低温成長ガリウム砒素を、バッファ層12を介して基板11上にエピタキシャル成長させたものであり、表面上面に垂直に入射した励起光フェムト秒パルスレーザ等により、光励起キャリア電子を発生させる詳細は後述する。この場合、光伝導膜13は、キャリア寿命の短縮化や応答速度の高速化に鑑み、GaAsを材料として低温でエピタキシャル成長LT-GaAsさせて形成されている。なお、光伝導膜13を構成する半導体材料は、GaAs、AlGaAsLT-AlGaAs、InGaP、AlAs、InP、InAlAs、InGaAsLTInGaAs、GaAsSb、InGaAsP、InAsLT-InAs、InSb等であってもよい。一方、平行伝送線路3は、光伝導膜13上に形成したダイポール型の一対のアンテナ21,21で構成されている。各アンテナ21は、線状に延びているライン部22と、ライン部22の中央から内側に延設した電極部電極23と、を有しており、ライン部22の少なくとも一方の端部が電極パッド24として機能するようになっている。一対のアンテナ21,21は、そのライン部22,22同士が平行に配置され、且つ相互の電極部23,23が所定のギャップを存して対向配置されている。すなわち、相互の電極部23,23の対向端部25,25間には、数μmの幅ギャップを有するギャップ部26が構成されている。また、図示では、高さ方向を強調して表しているが、各アンテナ21は、数十nmから数百nmの極めて薄い膜として形成されている。実施形態のアンテナ21は、Au金で構成されているが、Al、Ti、Cr、Pd、Pt、Au-Ge合金、Al-Ti合金等の導電性材料であってもよい。なお、平行伝送線路アンテナ213の形式は、ボウタイ型、ストリップライン型、スパイラル型等であってもよい。このように構成された光伝導アンテナ素子1を、電磁波発生素子として機能させるには、一対の電極パッド24,24を介して、相互の電極部間に所定のバイアス電圧を印加しておいて、ギャップ部26に、フェムト秒パルスレーザ等の励起光パルス光を照射する。すなわち、電極部23,23間に電界を発生させておいて、励起光によりギャップ部26の光伝導膜13を励起する。これにより、光伝導膜13に光励起キャリア電子および正孔が生成され、且つ電極部23,23間の電圧電界で光励起キャリアが加速されて瞬時電流が流れる。このパルス状電流の時間変動超高速電流変調により電磁波テラヘルツ波:厳密にはテラヘルツパルス波が発生し、誘電率の大きい基板11側に強く放射される。ところで、電磁波テラヘルツ波の放射強度は、印加する電圧と、励起光のパワーに依存する。また、印加する電圧が一定の場合、両電極部23,23間の距離に依存する。このため、両電極部23,23間の距離、すなわちギャップを狭くすることが好ましいが、ギャップを狭くすると、両電極部23,23間に無用な放電短絡が生じやすくなる。そこで、本実施形態では、相互の電極部23,23の断面形状を、具体的には両アンテナ21,21の断面形状を、以下のような形状としている。図1および図2に示すように、両アンテナ21,21において、相互の電極部23,23のそれぞれの対向端部25,25は、光伝導膜13側となる下側のギャップ寸法に対し、逆の上側のギャップ寸法が大きくなるように、形成されている。言い換えれば、相互の電極部23,23間には、下側のギャップ寸法に対し上側のギャップ寸法が大きい、ギャップ部26が形成されている。詳細は後述するが、両アンテナ21,21は、それぞれの電極部23を含んで真空蒸着により成膜されるため、実際には、各アンテナ21が、光伝導膜13の上面に対し裾広がりとなるように形成されている。したがって、電極部を23を含む各アンテナ21は、対向方向において、対向端部25を含む両縁部が傾斜した扁平な台形形状に形成されている。すなわち、両対向端部25,25は、薄膜の端部であるが、それぞれ直線状の傾斜面となるように積極的に形成している。ここで、図3を参照して、リフトオフ法を応用した光伝導アンテナ素子1の製造方法について説明する。この製造方法では、先ず光伝導基板2を用意する。光伝導基板2は、例えばMBE分子線エピタキシー装置を用い、SI-GaAsの基板11上に、0.1~1.0μm厚程度のGaAsのバッファ層12をエピタキシャル成長させ、さらにバッファ層12上に、1~2μm厚程度のLT-GaAsの光伝導膜13をエピタキシャル成長させたものである。光伝導基板2を用意したら同図a参照、光伝導基板2光伝導膜13上にリフトオフ用のレジストを均一に塗布してレジスト膜31を形成するレジスト塗布工程:同図b。次に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜31に対し、マスクを介して密着露光および現像処理を行って、平行伝送線路一対のアンテナ21,213の形状のレジストパターン32を形成するパターニング工程:同図c。リフトオフ用のレジストにパターニングを行うと、レジストパターンの除去された部分の下部がオーバーハング状にアンダーカットされる。この形状はマイクログルーブと呼ばれ、本来、金属配線パターンを構成する金属膜の基板との接着性が良好になること、断面矩形の金属膜が形成できること、レジストバターンの基板からの剥離が容易であること等により、用いられる。なお、リフトオフ用のレジストは、単層でレジスト膜31を形成するものであってもよいし、複層2層でレジスト膜31を形成するものであってもよい。次に、光伝導基板2を、約20°の傾斜を有するテーブルにセットし、回転させながら実際には、同軸上で回転させるわけではないので、光伝導基板2は公転円運動する。、Crクロムを下地膜として、アンテナ材料33のAuを真空蒸着により成膜するアンテナ成膜工程:同図d。この真空蒸着では、アンテナ材料33がアンダーカット部分マイクログルーブにも入り込むように、光伝導基板2を角度2°~45°傾けて成膜を行うことが好ましい。この場合、傾きが小さいとアンダーカット部分にアンテナ材料33が十分に行き渡らなくなり、大きいとレジストパターン32の内壁への成膜デポジションが多くなる。よって、角度20°前後角度15°~25°の傾きが最も好ましい。そして、最後に、レジストレジストパターン32とレジスト上に成膜されたアンテナ材料33を、溶剤を用いて光伝導基板2から剥離除去リフトオフするレジスト除去工程:同図e。なお、本実施形態では、少なくとも2つの電極部23,23の対向端部25,25を、傾斜形状に或いは面取り形状に形成すればよいため、例えば電極部23,23の対向方向において、光伝導基板2をシーソー様に傾動させながら、アンテナ材料33を真空蒸着するようにしてもよい。次に、図4を参照して、光伝導アンテナ素子1の他の実施形態について説明する。いずれの光伝導アンテナ素子1も、光伝導基板2は同一であるため、ここでは、主に平行伝送線路3の各アンテナ21の断面形状について説明する。図4aは、第2実施形態に係る光伝導アンテナ素子1である。この実施形態の各アンテナ電極部23も含む21は、各対向端部25が凸状に湾曲した傾斜面となる断面形状に形成されている。図4bは、第3実施形態に係る光伝導アンテナ素子1である。この実施形態の各アンテナ電極部23も含む21は、各対向端部25がく字状となる扁平なテーブルマウンテンの断面形状に形成されている。図4cは、第4実施形態に係る光伝導アンテナ素子1である。この実施形態の各アンテナ電極部23も含む21は、各対向端部25が凹状に湾曲した傾斜面となる断面形状に形成されている。図4dは、第5実施形態に係る光伝導アンテナ素子1である。この実施形態の各アンテナ電極部23も含む21は、各対向端部25を含む両上隅部がR形状に面取りされた扁平な略台形断面に形成されている。以上のように、本実施形態によれば、少なくとも相互の電極部23,23のそれぞれの対向端部25,25において、下側のギャップ寸法に対し、下側のギャップ寸法が大きくなるように形成されているため、印加したバイアス電圧による電極部23,23間の放電短絡を極力抑制することができる。すなわち、ギャップ部26を広くしたり印加電圧を低くすることなく、相互の電極部23,23間の放電短絡を抑制することができ、光伝導基板光伝導膜132の絶縁破壊を有効に防止することができる。また、光伝導アンテナ素子1の製造において、リフトオフ法を応用した製造方法を用いているため、上下のギャップ寸法が異なる2つの電極部23,23を有する一対のアンテナ21,21を、簡単に形成することができる。特に、光伝導基板光伝導膜132を傾斜姿勢で回転させることにより、光伝導基板光伝導膜132の上面に対し裾広がりとなる形状の一対のアンテナ21,21を、確実に形成することができる。なお、本発明は、平行伝送線路一対のアンテナ21,21において、複数組の電極部23,23を有するものにも、適用可能である。また、相互の電極部23,23のうち、片側のみ上記のような傾斜形状となっているものであってもよい。"