第1の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第1の電流波形と、第2の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第2の電流波形を記憶する記憶部と、前記第1の電流波形と前記第2の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する量子化部と、前記第1の構成のメモリおよび前記第2の構成のメモリと異なる構成の第3の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第3の電流波形を、前記部分領域および動作モードが同一の前記第1の電流波形と、前記部分領域および動作モードが同一の前記第2の電流波形との補間によって計算する補間部と、動作モードごとに、前記補間によって得られたすべての部分領域の第3の電流波形を合算することによって、前記第3の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションする動的電流解析部とを備えた、設計支援装置。前記補間部は、前記第1および第2の電流波形からビットに依存する第1の部分波形と、ワードに依存する第2の部分波形を抽出する抽出部と、前記第1の電流波形から抽出された第1の部分波形の振幅と前記第2の電流波形から抽出された第1の部分波形の振幅との補間によって、前記第3の電流波形を構成する第1の部分波形の振幅を計算し、前記第1の電流波形から抽出された第2の部分波形の振幅と前記第2の電流波形から抽出された第2の部分波形の振幅との補間によって、前記第3の電流波形を構成する第2の部分波形の振幅を計算する振幅補間部と、前記振幅が補間された第1の部分波形と、前記振幅が補間された第2の部分波形とを合成して、前記第3の電流波形を生成する合成部とを含む、請求項1記載の設計支援装置。前記補間部は、さらに、前記第1の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングと前記第2の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記第3の電流波形を構成する第1の部分波形のピークのタイミングを計算し、前記第1の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングと前記第2の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記第3の電流波形を構成する第2の部分波形のピークのタイミングを計算するタイミング補間部とを含み、前記合成部は、前記補間によって振幅が計算された第1の部分波形と、前記補間によって振幅が計算された第2の部分波形とを、補間されたピークのタイミングに基づいて、繋ぎあわせることによって合成して、前記第3の電流波形を生成する、請求項2記載の設計支援装置。前記振幅補間部は、前記第1の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングと前記第2の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングが一致するように2つの第1の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行ない、前記第1の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングと前記第2の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングが一致するように2つの第2の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行なう、請求項2記載の設計支援装置。複数の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形を記憶する記憶部と、前記記憶部に電流波形が記憶されている前記複数の構成のメモリから、ビット数が相違する第1の構成のメモリおよび第2の構成のメモリを選択し、ワード数が相違する第3の構成のメモリおよび第4の構成のメモリを選択し、前記記憶部から、第1の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第1の電流波形と、第2の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第2の電流波形と、第3の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第3の電流波形と、第4の構成のメモリの部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第4の電流波形とを読出す選択部と、前記第1の電流波形、前記第2の電流波形、前記第3の電流波形、および前記第4の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する量子化部と、前記第1および第2の電流波形からビットに依存する第1の部分波形を抽出し、前記第3および第4の電流波形からワードに依存する第2の部分波形を抽出する抽出部と、前記第1の電流波形から抽出された第1の部分波形の振幅と前記第2の電流波形から抽出された第1の部分波形の振幅との補間によって、指定された構成のメモリの第1の部分波形の振幅を計算し、前記第3の電流波形から抽出された第2の部分波形の振幅と前記第4の電流波形から抽出された第2の部分波形の振幅との補間によって、前記指定された構成のメモリの第2の部分波形の振幅を計算する振幅補間部と、前記第1の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングと前記第2の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記指定された構成のメモリの第1の部分波形のピークのタイミングを計算し、前記第3の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングと前記第4の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングとの補間によって、前記指定された構成のメモリの第2の部分波形のピークのタイミングを計算するタイミング補間部と、前記指定された構成のメモリの第1の部分波形の振幅およびピークのタイミングと、前記指定された構成のメモリの第2の部分波形の振幅およびピークのタイミングに基づいて、前記第1の部分波形と前記第2の部分波形とを合成して、前記指定された構成のメモリの電流波形を生成する合成部と、動作モードごとに、前記補間によって求めたすべての部分領域の電流波形を合算して、前記指定された構成のメモリの消費電流の時間変化をシミュレーションする動的電流解析部とを備えた、設計支援装置。前記選択部は、ビット線数が相違するメモリのうち、前記指定された構成のメモリとワード線数が類似した2つの構成のメモリを前記第1構成のメモリおよび前記第構成のメモリとして選択し、ワード線数が相違するメモリのうち、前記指定された構成のメモリとビット線数が類似した2つの構成のメモリ前記第3の構成のメモリおよび前記第4の構成のメモリとして選択する、請求項5記載の設計支援装置。前記選択部は、ビット線数が最大のメモリを前記第1の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小のメモリを前記第2の構成のメモリとして選択し、ワード線数が最大のメモリを前記第3の構成のメモリとして選択し、ワード線数が最小のメモリを前記第4の構成のメモリとして選択する、請求項5記載の設計支援装置。前記選択部は、ビット線数が最大のものが2個以上ある場合には、ビット線数が最大で、かつ前記指定された構成のメモリとワード線数が類似したメモリを第1の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小のものが2個以上ある場合には、ビット線数が最小で、かつ前記指定された構成のメモリとワード線数が類似したメモリを第2の構成のメモリとして選択し、ワード線数が最大のものが2個以上ある場合には、ワード線数が最大で、かつ前記指定された構成のメモリとビット線数が類似したメモリを第3の構成のメモリとして選択し、ワード線数が最小のものが2個以上ある場合には、ワード線数が最小で、かつ前記指定された構成の目盛りビット線数が類似したメモリを第4の構成のメモリとして選択する、請求項7記載の設計支援装置。前記振幅補間部は、前記第1の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングと前記第2の電流波形から抽出された第1の部分波形のピークのタイミングが一致するように2つの第1の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行ない、前記第3の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングと前記第4の電流波形から抽出された第2の部分波形のピークのタイミングが一致するように2つの第2の部分波形のいずれかおよび両方を時間軸方向にシフトした上で、前記補間を行なう、請求項5記載の設計支援装置。しかしながら、特許文献1では、LSILargeScaleIntegrationを構成する素子の特性に基づいて消費電流を計算することが必要となり、長時間を要する。また、特許文献2では、既知の構成の消費電力値の補間によって未知の構成の消費電力値求めることができるものの、1つのRAMのマクロセルの消費電力値を求めることが目的であり、メモリ全体の動的な消費電流を求めることができない。それゆえに、本発明の目的は、メモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる設計支援装置を提供することである。本発明の一実施形態の設計支援装置は、第1の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第1の電流波形と、第2の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第2の電流波形を記憶する記憶部と、第1の電流波形と第2の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する量子化部とを備える。さらに、この設計支援装置は、第1の構成のメモリおよび第2の構成のメモリと異なる構成の第3の構成のメモリについての部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第3の電流波形を、部分領域および動作モードが同一の第1の電流波形と、部分領域および動作モードが同一の第2の電流波形との補間によって計算する補間部と、動作モードごとに、補間によって得られたすべての部分領域の第3の電流波形を合算することによって、第3の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションする動的電流解析部とを備える。本発明の一実施形態によれば、全体の動的消費電流を短時間に求めることができる設計支援装置を提供することである。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。[第1の実施形態]構成図1は、本発明の実施形態の設計対象のメモリのブロック図である。図1を参照して、メモリは、複数の部分領域を含む。アレイ部22、IO部21、デコーダ部24、第1制御部23、第2制御部25は、それぞれ部分領域となる。図2は、図1のメモリの各部分領域のある動作モードでの電流波形の例を表わす図である。図2には、構成のメモリA34ビット×64ワード、構成のメモリB34ビット×2Kワードにおける、ある動作モードにおける部分領域ごとの消費電流の時間変化を表わす電流波形が表わされている。図2に示すように、部分領域およびビットおよびワード構成のメモリに応じて、電流波形が異なることがわかる。したがって、本実施の形態では、メモリ構成、部分領域、動作モードを考慮して、電流波形の推定を行なう。図3は、本発明の実施の形態におけるメモリの設計支援装置の構成例を表わす図である。このメモリの設計支援装置は、コンピュータ本体1、ディスプレイ装置2、FDFlexibleDisk4が装着されるFDドライブ3、キーボード5、マウス6、CD-ROMCompactDiscReadOnlyMemory8が装着されるCD-ROM装置7、およびネットワーク通信装置9を含む。メモリの設計支援プログラムは、FD4またはCD-ROM8等の記録媒体によって供給される。メモリの設計支援プログラムがコンピュータ本体1によって実行されることによって、メモリの設計支援が行なわれる。また、メモリの設計支援プログラムは他のコンピュータより通信回線を経由し、コンピュータ本体1に供給されてもよい。コンピュータ本体1は、CPUCentralProcessingUnit10、ROMReadOnlyMemory11、RAMRandomAccessMemory12およびハードディスク13を含む。CPU10は、ディスプレイ装置2、FDドライブ3、キーボード5、マウス6、CD-ROM装置7、ネットワーク通信装置9、ROM11、RAM12またはハードディスク13との間でデータを入出力しながら処理を行なう。FD4またはCD-ROM8に記録されたメモリの設計プログラムは、CPU10によりFDドライブ3またはCD-ROM装置7を介して一旦ハードディスク13に格納される。CPU10は、ハードディスク13から適宜メモリの設計支援プログラムをRAM12にロードして実行することによって、メモリの設計が行なわれる。設計支援装置図4は、第1の実施形態におけるCPU10が設計支援プログラムを実行することによって実現される機能を表わす図である。図4を参照して、設計支援プログラムによって実現される機能30は、ネットリスト記憶部32と、分離領域情報記憶部33と、モード別ベクタ34と、電流波形計算部31と、電流波形記憶部36と、電流波形推定部41と、動的電流解析部45と、制御部35とからなる。ネットリスト記憶部32は、ネットリストを記憶する。分離領域情報記憶部33は、部分領域の配置を表わす情報を記憶する。モード別ベクタ34は、動作モードに関する情報を記憶する。電流波形計算部31は、ネットリスト、分離領域情報、モード別ベクタ34を用いて、第1の構成のメモリと第2の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの電流波形を計算する。電流波形計算部31は、第1構成のメモリおよび第2構成のメモリのアレイ部22、IO部21、デコーダ部24、第1制御部23、第2制御部25の5つの部分領域のそれぞれについて、読出しモードと書込みモードの電流波形を計算する。第1の構成のメモリと第2の構成のメモリとは、ビット数および/またはワード線数が相違する。第1の構成のメモリの電流波形を第1の電流波形とし、第2の構成のメモリの電流波形を第2の電流波形とする。電流波形計算部31は、5=部分領域の数×2=動作モードの数=10個の第1の電流波形と、10個の第2の電流波形を計算する。電流波形計算部31は、たとえば、SPICESimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasisスパイスなどによって実現される。電流波形記憶部36は、電流波形計算部31によって計算された第1および第2の電流波形と、電流波形推定部41によって推定された電流波形を記憶する。電流波形推定部41は、第1の構成のメモリおよび第2の構成のメモリと異なる構成の第3の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第3の電流波形を推定する。電流波形計算部31は、5=部分領域の数×2=動作モードの数=10個の第3の電流波形を推定する。電流波形推定部41は、選択部37と、量子化部38と、ピーク抽出部39と、部分波形抽出部40と、補間部46と、合成部44とを含む。選択部37は、第3の構成のメモリについて電流波形を推定する対象である部分領域および動作モードを逐次選択する。量子化部38は、第1の電流波形と第2の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する。ピーク抽出部39は、第1の電流波形から2つのピークのタイミングを抽出し、第2の電流波形から2つのピークのタイミングを抽出する。部分波形抽出部40は、第1の電流波形からビット依存部分の部分波形Aを抽出し、第2の電流波形からビット依存部分の部分波形Aを抽出する。部分波形抽出部40は、第1の電流波形からワード依存部分の部分波形Bを抽出し、第2の電流波形からワード依存部分の部分波形Bを抽出する。補間部46は、振幅補間部42と、タイミング補間部43とを含む。振幅補間部42は、第1の電流波形から抽出された部分波形Aの振幅と第2の電流波形から抽出された部分波形Aの振幅との補間によって、第3の電流波形を構成する部分波形Aの振幅を計算する。振幅補間部42は、第1の電流波形から抽出された部分波形Bの振幅と第2の電流波形から抽出された部分波形Bの振幅との補間によって、第3の電流波形を構成する部分波形Bの振幅を計算する。タイミング補間部43は、第1の電流波形から抽出された部分波形Aのピークのタイミングと第2の電流波形から抽出された部分波形Aのピークのタイミングとの補間によって、第3の電流波形を構成する部分波形Aのピークのタイミングを計算する。タイミング補間部43は、第1の電流波形から抽出された部分波形Bのピークのタイミングと第2の電流波形から抽出された部分波形Bのピークのタイミングとの補間によって、第3の電流波形を構成する部分波形Bのピークのタイミングを計算する。合成部44は、振幅が補間された部分波形Aおよび部分波形Bとを、補間されたピークのタイミングに基づいて、繋ぎあわせることによって合成して、第3の電流波形を生成する。動的電流解析部45は、動作モードごとに、補間部によって得られたすべての部分領域の第3の電流波形を合算することによって、第3の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションして、消費電流の時間変化を表わす画像をディスプレイ装置2に表示する。制御部35は、全体の動作を制御する。動作図5は、本発明の実施形態の設計支援装置の動作手順を表わすフローチャートである。図5を参照して、まず、電流波形計算部31は、特定の2個以上のビットワード構成のメモリについて、部分領域ごとに読出しモードでの電流波形と、書込みモードでの電流波形を計算して電流波形記憶部36に記憶する。電流波形計算部31は、アレイ部22と、IO部21と、デコーダ部24と、第1制御部23と、第2制御部25の全部分領域について、この計算を実行するステップS101。次に、電流波形推定部41は、ステップS101で計算した電流波形を用いて、ユーザによって指定された構成のメモリについて、部分領域ごとに読出しモードでの電流波形と、書込みモードでの電流波形を補間によって推定するステップS102。次に、動的電流解析部45は、動作モードごとに、補間部によって得られたすべての部分領域の第3の電流波形を合算することによって、指定された構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションして、消費電流の時間変化を表わす画像をディスプレイ装置2に表示するステップS103。図6は、第1の実施形態における図5のステップS102の詳細な手順を表わすフローチャートである。全部分領域の電流波形を計算するまでステップS201でYES、以下の処理が繰返される。選択部37は、未計算の部分領域を選択するステップS202。全ての動作モード読出しモードおよび書込みモードの電流波形を計算するまでステップS203でYES、以下の処理が繰返される。選択部37は、未選択の動作モードを選択するステップS204。次に、選択部37は、電流波形記憶部36から第1の構成のメモリ、第2の構成のメモリの選択した部分領域での選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部37は、第1の構成のメモリの電波波形を第1の電流波形、第2の構成のメモリの電流波形を第2の電流波形とするステップS205。図7は、ある部分領域のある動作モードにおける第1の電流波形および第2の電流波形を表わす図である。図7では、第1の構成のメモリが2ビット×64ワードであり、第2の構成のメモリが34ビット×2kワードである。次に、量子化部38は、第1の電流波形と第2の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化するステップS206。ピーク抽出部39は、第1の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングta1を特定する。ピーク抽出部39は、第2の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングta2を特定する。ピーク抽出部39は、第1の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングtb1を特定する。ピーク抽出部39は、第2の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングtb2を特定するステップS207。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングta1を第1の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Aのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングta2を第2の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Aのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、第1の電流波形からピークのタイミングta1を中心として幅WAの部分波形Aを抽出する。部分波形抽出部40は、第2の電流波形からピークのタイミングta2を中心として幅WAの部分波形Aを抽出する。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングtb1を第1の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Bのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングtb2を第2の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Bのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、第1の電流波形からピークのタイミングtb1を中心として幅WBの部分波形Bを抽出する。部分波形抽出部40は、第2の電流波形からピークのタイミングtb2を中心として幅WBの部分波形Bを抽出するステップS208。図8は、部分波形Aと部分波形Bの抽出の例を表わす図である。図8の例では、WAは3であり、WBは5である。振幅補間部42は、2つの部分波形Aのいずれかまたは両方をシフトすることによって、2つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部42は、シフトした2つの部分波形Aの振幅を線形補間することによって、ユーザによって指定された構成である第3の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Aの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部42は、第1の構成のメモリがXAビットで時刻tの振幅がfat、第2の構成のメモリがYAビットで時刻tの振幅がgatで、第3の構成のメモリがZAビットのときには、第3の構成のメモリの部分波形Aの時刻tでの振幅hatを以下の式で計算する。tの範囲は、幅WAであるステップS209。hat=ZA-XA×{gat-fat}/YA-XAA1図9aは、部分波形Aの振幅の補間の例を表わす図である。図9aでは、第1の構成のメモリのビット線数XAが2、第2の構成のメモリのビット線数YAが34、第3の構成のメモリのビット線数ZAが18の場合の部分波形Aの振幅の補間の例が表わされている。振幅補間部42は、2つの部分波形Bのいずれかまたは両方をシフトすることによって、2つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部42は、シフトした2つの部分波形Bの振幅を線形補間することによって、第3の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Bの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部42は、第1の構成のメモリがXBビワードで時刻tの振幅がfbt、第2の構成のメモリがYBワードで時刻tの振幅がgatで、第3の構成のメモリがZBワードのときには、第3の構成のメモリの部分波形Bの時刻tでの振幅hbtを以下の式で計算する。tの範囲は、幅WBであるステップS210。hbt=ZB-XB×{gbt-fbt}/YB-XBA2図9bは、部分波形Bの振幅の補間の例を表わす図である。図9bでは、第1の構成のメモリのワード線数XBが64、第2の構成のメモリのワード線数YBが2k、第3の構成のメモリのワード線数ZBが1kの場合の部分波形Bの振幅の補間の例が表わされている。タイミング補間部43は、2つの部分波形Aのピークのタイミングを線形補間することによって、第3の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップS209で振幅が決定された部分波形Aのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部43は、第1の構成のメモリがXAビットで、部分波形Aのピークのタイミングがta1、第2の構成のメモリがYAビットで、部分波形Aのピークのタイミングがta2で、第3の構成のメモリがZAビットのときには、第3の構成のメモリの部分波形Aのピークのタイミングta3を以下の式で計算するステップS211。ta3=ZA-XA×{ta2-ta1}/YA-XAA3図10aは、部分波形Aのタイミングの補間の例を表わす図である。図10aでは、第1の構成のメモリのビット線数XAが2、第2の構成のメモリのビット線数YAが34、第3の構成のメモリのビット線数ZAが18の場合の部分波形Aのピークのタイミングの補間が表わされている。タイミング補間部43は、2つの部分波形Bのピークのタイミングを線形補間することによって、第3の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップS210で振幅が決定された部分波形Bのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部43は、第1の構成のメモリがXBワードで、部分波形Bのピークのタイミングがtb1、第2の構成のメモリがYBワードで、部分波形Bのピークのタイミングがtb2で、第3の構成のメモリがZBワードのときには、第3の構成のメモリの部分波形Bのピークのタイミングtb3を以下の式で計算するステップS212。tb3=ZB-XB×{tb2-tb1}/YB-XBA4図10bは、部分波形Bのタイミングの補間の例を表わす図である。図10bでは、第1の構成のメモリのワード線数XBが64、第2の構成のメモリのワード線数YBが2k、第3の構成のメモリのワード線数ZBが1kの場合の部分波形Bのピークのタイミングの補間の例が表わされている。合成部44は、第3の構成のメモリの部分波形Aのピークのタイミングがta3となるように部分波形Aの時間方向の位置を定め、第3の構成のメモリの部分波形Bのピークのタイミングがtb3となるように部分波形Bの時間方向の位置を定めた上で、補間によって振幅が計算された部分波形Aと部分波形Bとを繋ぎ合わせて合成するステップS213。図11は、部分波形Aと部分波形Bとの合成の例を表わす図である。以上のように、本実施の形態の設計支援装置によれば、計算済みの2つの電流波形の補間によって、電流波形が未知のメモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる。[第2の実施形態]図12は、第2の実施形態における図5のステップS102の詳細な手順を表わすフローチャートである。全部分領域の電流波形を計算するまでステップS401でYES、以下の処理が繰返される。選択部37は、未計算の部分領域を選択するステップS402。全ての動作モード読出しモードおよび書込みモードの電流波形を計算するまでステップS403でYES、以下の処理が繰返される。選択部37は、未選択の動作モードを選択するステップS404。次に、選択部37は、電流波形記憶部36から、制御部35からユーザによって指定された構成のメモリとビット線数が相違し、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似した2つの構成のメモリ第1の構成のメモリおよび第2の構成のメモリを選択し、選択した構成のメモリについて、選択した部分領域および選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部37は、第1の構成のメモリの電波波形を第1の電流波形、第2の構成のメモリの電流波形を第2の電流波形とするステップS405。図13は、指定された構成のメモリに対して、第1の構成のメモリと第2の構成のメモリを選択する例を表わす図である。図13において、指定された構成のメモリがXの場合に、第1の構成のメモリがSP1で示される構成のメモリであり、第2の構成のメモリがSP2で示される構成のメモリである。次に、量子化部38は、第1の電流波形と第2の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化するステップS406。ピーク抽出部39は、第1の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングta1を特定する。ピーク抽出部39は、第2の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも前の時刻の範囲からピークのタイミングta2を特定するステップS407。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングta1を第1の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Aのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングta2を第2の電流波形から抽出するビット依存の部分波形Aのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、第1の電流波形からピークのタイミングta1を中心として幅WAの部分波形Aを抽出する。部分波形抽出部40は、第2の電流波形からピークのタイミングta2を中心として幅WAの部分波形Aを抽出するステップS408。振幅補間部42は、2つの部分波形Aのいずれかまたは両方をシフトすることによって、2つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部42は、シフトした2つの部分波形Aの振幅を線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Aの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部42は、第1の構成のメモリがXAビットで時刻tの振幅がfat、第2の構成のメモリがYAビットで時刻tの振幅がgatで、指定された構成のメモリがZAビットのときには、指定された構成のメモリの部分波形Aの時刻tでの振幅hatを以下の式で計算する。tの範囲は、幅WAであるステップS409。hat=ZA-XA×{gat-fat}/YA-XAB1タイミング補間部43は、2つの部分波形Aのピークのタイミングを線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップS409で振幅が決定された部分波形Aのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部43は、第1の構成のメモリがXAビットで、部分波形Aのピークのタイミングがta1、第2の構成のメモリがYAビットで、部分波形Aのピークのタイミングがta2で、指定された構成のメモリがZAビットのときには、指定された構成のメモリの部分波形Aのピークのタイミングta3を以下の式で計算するステップS410。ta3=ZA-XA×{ta2-ta1}/YA-XAB2次に、選択部37は、電流波形記憶部36から、制御部35からユーザによって指定された構成のメモリとワード線数が相違し、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似した2つの構成のメモリ第3の構成のメモリおよび第4の構成のメモリを選択し、選択した構成のメモリについて、選択した部分領域および選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部37は、第3の構成のメモリの電波波形を第3の電流波形、第4の構成のメモリの電流波形を第4の電流波形とするステップS411。次に、量子化部38は、第3の電流波形と第4の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化するステップS412。ピーク抽出部39は、第3の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングtb1を特定する。ピーク抽出部39は、第4の電流波形の振幅が0となる中央の区間よりも後の時刻の範囲からピークのタイミングtb2を特定するステップS413。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングtb1を第3の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Bのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、ピークのタイミングtb2を第4の電流波形から抽出するワード依存の部分波形Bのピークのタイミングとする。部分波形抽出部40は、第3の電流波形からピークのタイミングtb1を中心として幅WBの部分波形Bを抽出する。部分波形抽出部40は、第4の電流波形からピークのタイミングtb2を中心として幅WBの部分波形Bを抽出するステップS414。振幅補間部42は、2つの部分波形Bのいずれかまたは両方をシフトすることによって、2つの部分波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部42は、シフトした2つの部分波形Bの振幅を線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの部分波形Bの振幅を計算する。すなわち、振幅補間部42は、第3の構成のメモリがXBワードで時刻tの振幅がfbt、第4の構成のメモリがYBワードで時刻tの振幅がgbtで、指定された構成のメモリがZBワードのときには、指定された構成のメモリの部分波形Bの時刻tでの振幅hbtを以下の式で計算する。tの範囲は、幅WAであるステップS415。hbt=ZB-XB×{gbt-fbt}/YB-XBB3タイミング補間部43は、2つの部分波形Bのピークのタイミングを線形補間することによって、指定された構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードのステップS415で振幅が決定された部分波形Bのピークのタイミングを計算する。すなわち、タイミング補間部43は、第3の構成のメモリがXBワードで、部分波形Bのピークのタイミングがtb1、第4の構成のメモリがYBビットで、部分波形Bのピークのタイミングがtb2で、指定された構成のメモリがZBビットのときには、指定された構成のメモリの部分波形Bのピークのタイミングtb3を以下の式で計算するステップS416。tb3=ZB-XB×{tb2-tb1}/YB-XBB4合成部44は、指定された構成のメモリの部分波形Aのピークのタイミングがta3となるように部分波形Aの時間方向の位置を定め、指定された構成のメモリの部分波形Bのピークのタイミングがtb3となるように部分波形Bの時間方向の位置を定めた上で、補間によって振幅が決定された部分波形Aと部分波形Bとを繋ぎ合わせて合成するステップS417。本実施の形態の設計支援装置によれば、計算済みの4つの電流波形の補間によって、電流波形が未知のメモリ全体の動的消費電流を短時間かつ高精度に求めることができる。[第2の実施形態の変形例]図14および図15を用いて、本変形例において指定された構成のメモリに対して補間のために選択される構成のメモリを説明する。図14において、○で示される箇所は、電流波形計算部31によって計算されて電流波形記憶部36に記憶されている電流波形に対応するメモリのビット数とワード数とを表わす。電流波形記憶部36に電流波形が記憶されているメモリのうち、ビット線数が最大のメモリのビット数がB2で、ビット線数が最小のメモリのビット数がB1であり、ワード線数が最大のメモリのワード線数がW2で、ワード線数が最小のメモリのワード線数がW1である。SP1で示される構成のメモリは、ビット線数がB1でワード線数がW2である。SP2で示される構成のメモリは、ビット線数がB2でワード線数がW2である。SP3で示される構成のメモリは、ビット線数がB1でワード線数がW1である。SP4で示される構成のメモリは、ビット線数がB2でワード線数がW2である。部分領域S1のビット線数は、B1以上かつB1B2/2未満である。部分領域S1のワード線数は、W1W2/2以上かつW2以下である。部分領域S2のビット線数は、B1B2/2以上かつB2以下である。部分領域S1のワード線数は、W1W2/2以上かつW2以下である。部分領域S3のビット線数は、B1以上かつB1B2/2未満である。部分領域S3のワード線数は、W1以上かつW1W2/2未満である。部分領域S4のビット線数は、B1B2/2以上かつB2以下である。部分領域S3のワード線数は、W1以上かつW1W2/2未満である。選択部37は、指定された構成のメモリがS1の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Aの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP2で示されるメモリを第1の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP1で示される構成のメモリを第2の構成のメモリとして選択する。選択部37は、指定された構成のメモリがS1の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Bの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP1で示される構成のメモリが第3の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP3で示される構成のメモリが第4のメモリとして選択する。選択部37は、指定された構成のメモリがS2の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Aの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP2で示されるメモリを第1の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP1で示される構成のメモリを第2の構成のメモリとして選択する。選択部37は、指定された構成のメモリがS2の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Bの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP2で示される構成のメモリが第3の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP4で示される構成のメモリが第4のメモリとして選択する。選択部37は、指定された構成のメモリがS3の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Aの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP4で示されるメモリを第1の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP3で示される構成のメモリを第2の構成のメモリとして選択する。選択部37は、指定された構成のメモリがS3の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Bの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP1で示される構成のメモリが第3の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP3で示される構成のメモリが第4のメモリとして選択する。選択部37は、指定された構成のメモリがS4の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Aの計算のために、ビット線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP4で示されるメモリを第1の構成のメモリとして選択し、ビット線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとワード線数が類似したSP3で示される構成のメモリを第2の構成のメモリとして選択する。選択部37は、指定された構成のメモリがS4の部分領域にある場合に、指定された構成のメモリの部分波形Bの計算のために、ワード線数が最大で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP2で示される構成のメモリが第3の構成のメモリとして選択され、ワード線数が最小で、かつ指定された構成のメモリとビット線数が類似したSP4で示される構成のメモリが第4のメモリとして選択する。[第3の実施形態]構成図16は、第3の実施形態のCPU10が設計支援プログラムを実行することによって実現される機能を表わす図である。図16を参照して、設計支援プログラムによって実現される機能130は、ネットリスト記憶部32と、分離領域情報記憶部33と、モード別ベクタ34と、電流波形計算部31と、電流波形記憶部36と、電流波形推定部141と、動的電流解析部45とからなる。ネットリスト記憶部32は、ネットリストを記憶する。分離領域情報記憶部33は、部分領域の配置を表わす情報を記憶する。モード別ベクタ34は、動作モードに関する情報を記憶する。電流波形計算部31は、ネットリスト、分離領域情報、モード別ベクタ34を用いて、第1の構成のメモリと第2の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの電流波形を計算する。電流波形計算部31は、第1構成のメモリおよび第2構成のメモリのアレイ部22、IO部21、デコーダ部24、第1制御部23、第2制御部25の5つの部分領域のそれぞれについて、読出しモードと書込みモードの電流波形を計算する。第1の構成のメモリと第2の構成のメモリとは、ビット数および/またはワード線数が相違する。第1の構成のメモリの電流波形を第1の電流波形とし、第2の構成のメモリの電流波形を第2の電流波形とする。電流波形計算部31は、5=部分領域の数×2=動作モードの数=10個の第1の電流波形と、10個の第2の電流波形を計算する。電流波形計算部31は、たとえば、SPICESimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasisスパイスなどによって実現される。電流波形記憶部36は、電流波形計算部31によって計算された第1および第2の電流波形と、電流波形推定部41によって推定された電流波形を記憶する。電流波形推定部141は、第1の構成のメモリおよび第2の構成のメモリと異なる構成の第3の構成のメモリについて、部分領域および動作モードごとの消費される電流の波形である第3の電流波形を推定する。電流波形計算部31は、5=部分領域の数×2=動作モードの数=10個の第3の電流波形を推定する。電流波形推定部141は、選択部137と、量子化部138と、ピーク抽出部139と、部分波形抽出部140と、補間部146とを含む。選択部137は、第3の構成のメモリについて電流波形を推定する対象である部分領域および動作モードを逐次選択する。量子化部138は、第1の電流波形と第2の電流波形とを時間軸方向および振幅方向に量子化する。ピーク抽出部139は、第1の電流波形から1つのピークのタイミングを抽出し、第2の電流波形から1つのピークのタイミングを抽出する。補間部146は、選択した部分領域および動作モードの第3の電流波形を、選択した部分領域および動作モードが同一の第1の電流波形と、選択した部分領域および動作モードが同一の第2の電流波形との補間によって計算する。補間部146は、振幅補間部142と、タイミング補間部143とを含む。振幅補間部142は、第1の電流波形の振幅と第2の電流波形の振幅との補間によって、第3の電流波形の振幅を推定する。タイミング補間部143は、第1の電流波形のピークのタイミングと第2の電流波形のピークのタイミングとの補間によって、第3の電流波形のピークを推定する。動的電流解析部45は、動作モードごとに、補間部によって得られたすべての部分領域の第3の電流波形を合算することによって、第3の構成のメモリにおける消費電流の時間変化をシミュレーションして、消費電流の時間変化を表わす画像をディスプレイ装置2に表示する。動作図17は、第3の実施形態における図5のステップS102の詳細な手順を表わすフローチャートである。全部分領域の電流波形を計算するまでステップS301でYES、以下の処理が繰返される。選択部137は、未計算の部分領域を選択するステップS302。全ての動作モード読出しモードおよび書込みモードの電流波形を計算するまでステップS303でYES、以下の処理が繰返される。選択部137は、未選択の動作モードを選択するステップS304。次に、選択部137は、電流波形記憶部36から第1の構成のメモリ、第2の構成のメモリの選択した部分領域での選択した動作モードでの電流波形を取得する。選択部137は、第1の構成のメモリの電波波形を第1の電流波形、第2の構成のメモリの電流波形を第2の電流波形とするステップS305。次に、量子化部138は、第1の電流波形と第2の電流波形を時間軸方向と振幅方向の両方向に所定の幅で量子化するステップS306。ピーク抽出部139は、第1の電流波形のピークのタイミングt1を特定する。ピーク抽出部39は、第2の電流波形ピークのタイミングt2を特定するステップS307。振幅補間部142は、第2の電流波形を時間方向にシフトすることによって、第1の電流波形のピークのタイミングと第2の電流波形のピークのタイミングが一致するようにする。振幅補間部142は、2つの電流波形を用いて、第3の構成のメモリの選択した部分領域の選択した動作モードの電流波形の振幅を線形補間によって計算する。すなわち、振幅補間部142は、第1の構成のメモリがXAビット×XBワードで時刻tの振幅がft、第2の構成のメモリがYAビット×YBワードで時刻tの振幅がgtで、指定された構成のメモリがZAビット×ZBのときには、第3の構成のメモリの第3の電流波形の時刻tでの振幅hatを以下の式で計算するステップS308。ht=ZA×ZB-XA×XB×{gt-ft}/YA×YB-XA×XBC1タイミング補間部143は、選択した部分領域の選択した動作モードのステップS308で振幅が決定された電流波形のピークのタイミングを線形補間によって計算する。すなわち、タイミング補間部143は、第3の電流波形のピークのタイミングt3を以下の式で計算し、第3の電流波形のピークのタイミングがt3となるように第3の電流波形の時間方向の位置を決めるステップS309。t3=ZA×ZB-XA×XB×{t2-t1}/YA×YB-XA×XBC2以上のように、本実施の形態の設計支援装置によれば、計算済みの4つの電流波形の補間によって、電流波形が未知のメモリ全体の動的消費電流を短時間に求めることができる。変形例本発明の実施形態では、振幅およびタイミングの補間を線形補間としたが、これに限定するものではなく、2次以上の高次関数で補間することとしてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。