SiC基板上にSiCエピタキシャル層を形成し、該エピタキシャル層にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記SiC基板よりも欠陥密度の高いゲッタリング層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項1において、1500°C以上の熱処理工程のより前に、前記ゲッタリング層を形成する工程を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項1または2において、前記ゲッタリング層の形成をイオン注入により行い、ゲッタリング層の欠陥密度が捕捉すべき不純物の密度より高く、補償欠陥密度が半導体素子のキャリア密度以下となるように、注入ドーズ量を制御することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項1から3までのいずれか1項において、上記ゲッタリング層は、エピタキシャル成長前に行なうエッチング除去代よりも深く形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項1から4までのいずれか1項において、上記ゲッタリング層は、上記SiC基板上で半導体素子形成予定領域を避けて形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項1から4までのいずれか1項において、上記ゲッタリング層の欠陥密度は、上記SiC基板上における駆動時の電流に基づいて決定されることを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項1から6までのいずれか1項において、エピタキシャル成長後にエピタキシャル層内にゲッタリング領域を形成する場合には素子形成領域を避けて形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項1から7までのいずれか1項において、上記ゲッタリング層は、基板下面からの電子線または中性子線の照射によって形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。本発明は、SiC半導体基板の不純物元素を捕捉固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。上記の目的は、本発明によれば、SiC基板上にSiCエピタキシャル層を形成し、該エピタキシャル層にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記SiC基板よりも欠陥密度の高いゲッタリング層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法によって達成される。本発明によれば、SiC基板よりも欠陥密度の高いゲッタリング層を形成するので、不純物元素が優先的にゲッタリング層に捕捉固定される。本発明のゲッタリング層は、1500°C以上の高温熱処理を含む製造方法により半導体素子を製造する際に特に有効である。本発明の半導体素子の製造方法は、SiC基板上にSiCエピタキシャル層を形成し、該エピタキシャル層に種々のイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する際に、上記SiC基板よりも欠陥密度の高いゲッタリング層を形成する工程を含む。特に、1500°C以上の高温熱処理酸化、結晶成長を含むを行う前に、SiC単結晶基板に、希ガスなどの元素を高密度でイオン注入することにより、上記高温熱処理中において結晶中に含まれる重金属等の不純物元素がゲッタリング層に捕捉固定され、拡散が抑制される。本発明の望ましい一形態においては、SiC基板にゲッタリング層を形成し、SiC基板中に含まれる不純物が、基板上に形成した素子形成領域を含むエピタキシャル層へ拡散するのを防止する。主として基板厚さ方向の拡散に対処する。すなわち、基板上に低N窒素密度のエピタキシャル成長層すなわち素子形成領域を積層する場合、エピタキシャル成長前に基板表面に希ガス元素のイオンを注入して、ガウス分布、ボックスプロファイルなどのゲッタリング層を形成する。エピタキシャル成長を行う前に、H2エッチングなどにより基板表面を削除して清浄な新表面を露出させる。したがって、その前に行うゲッタリング層形成のためのイオン注入は、H2エッチングの削除代よりも深くまで行なう必要がある。また、イオン注入により生成されゲッタリング層を形成する欠陥の密度は、捕捉すべき不純物の密度より高く、かつ、補償欠陥密度ゲッタリングサイト非ゲッタリングサイトが形成する半導体素子のキャリア濃度例えばN窒素密度n型半導体の場合を超えないように、注入ドーズ量を制御する必要がある。そうすることで、ゲッタリング用の欠陥導入後も電子移動が確保されるため、SiC基板における導電性の確保がより容易になる。ゲッタリング層の欠陥密度は、上記SiC基板上における駆動時の電流に基づいて決定される。図11に示すように、Heなどの希ガスイオンによる基板10のイオン注入領域12あるいは注入イオンが通過した領域14に、点欠陥、転位、積層欠陥などが形成され、これらの欠陥がゲッタリングサイトとして作用し、全体としてゲッタリング層13を構成する。図12に示すように、その後、例えば低N窒素濃度のエピタキシャル層16を例えば1500~1800°Cで形成する際に、基板10から拡散する重金属などの不純物を捕捉し、ゲッタリング層13内に固定する。これにより、基板10からエピタキシャル層16への不純物元素の拡散侵入が防止される。注入イオンとしては、He、Arなどの希ガスが望ましい。H、Si、C、Geなどの4族元素を用いることもできる。n型半導体基板の場合は、N窒素などの5族元素を用いてもよい。3族元素は、導電性を低下させる作用があるので、望ましくない。イオン注入以外に、ゲッタリング層13を形成する方法としては、電子線照射、中性子線照射など、基板の最表面から欠陥を形成できる方法であればよい。本発明の方法により形成されたゲッタリング層は、種々の重金属元素を捕捉固定ゲッタリングできる。特に、Cr、Ni、Fe、Znなどに対して有効である。本発明の他の望ましい形態においては、SiC基板上のエピタキシャル層中の半導体素子形成予定領域以下素子形成領域と略称以外耐圧保持部以外の部位にゲッタリング層を形成し、SiC基板中の不純物よりも、むしろ基板の周囲から侵入する不純物が、素子形成領域を含むエピタキシャル層へ拡散するのを防止する。図2に示すように、1エピタキシャル層16の素子形成領域18よりも浅い位置にゲッタリング層13を形成して、基板厚さ方向の拡散に対処する場合と2エピタキシャル層16の素子形成領域18を水平に取り囲む位置にゲッタリング13を形成して、基板面に平行な方向の拡散に対処する場合とがある。後述するように、Crなどの金属はエピタキシャル層中で非常に拡散し易いので、エピタキシャル接合によるpn接合素子などのように素子領域内でのゲッタリングの虞が無ければ、図212のように表面付近のコンタクト層内やその他の部分例えば素子分離層などにゲッタリング層を設けてもよい。典型的には、1500°Cを超える高温で熱処理すると不純物が拡散する。このとき素子形成領域内でゲッタリングが起きると素子特性が変化する虞があるので、素子形成領域以外の部位でゲッタリングを起こす。特に、素子動作時に空乏層が進展する領域を注入イオンや電子などが透過しないようにする必要がある。ゲッタリング層の形成部位が、電流の流れない領域かあるいは電流の流れる領域であるかを問わず、ドーズ量は、電流の流れを著しく阻害しない程度に制御する。SiCはSiと異なり化合物半導体であるので、注入されたイオンや電子などが結晶を通過する際に生成される結晶欠陥特に原子空孔などの真性欠陥が熱的安定であり、1700°Cを超える温度で熱処理を施しても回復できない場合さえある。Siでは、複空孔は400°C程度の熱処理で消滅する。したがって、SiCの場合、注入種が素子動作領域を通過すると、素子が設計どおりに動作しない虞がある。本発明の更にもう一つの望ましい形態においては、図3に示すように、電子線、中性子線、軽いイオンをエピタキシャル層16に照射または注入する際、基板10の上面からではなく裏面から行なうことで、素子形成領域に欠陥を導入することなくゲッタリング層13を形成することができる。図3では素子形成領域18の上に電極20を設けた状態を示す。図41~7に、本発明の方法を種々の半導体素子に適用した例を示す。図示した以外にも、トランジスタなどの各種素子への適用できる。以下に、本発明を実施例により更に詳細に説明する。比較例1本発明の効果を確認するために、特別にCr濃度の高い1017cm-3SiC基板を溶液法により作製した。この基板上にCVD法によりエピタキシャル層を形成した。得られた試料のCr密度のプロファイルを調べた結果、図5に示すように、基板からエピタキシャル層へCrが拡散しており、その一部が試料表面まで突き抜けている。比較例2比較例1の現象をより簡易的に観察するために、エピタキシャル層の表面にイオン注入によりCrを注入した。図6に示すような深さ400nm、密度1×1017cm-3のボックスプロファイルを形成した。この試料に1780°C、240分の熱処理を施したところ、図7に示すようにCr密度のプロファイルが変化した。これは、注入したCrが拡散したことを意味している。表1に、熱処理温度と拡散の有無の関係をまとめて示す。1500°C以上の熱処理でCrが拡散することが分かる。比較例3比較例2と同様の実験を市販のSiCウェハを用いて行なった結果、Crの拡散は認められなかった。したがってCrの拡散は、エピタキシャル層には少なく市販ウェハに多い欠陥によるものであることが分かった。実施例1比較例2と同様にエピタキシャル層の表面にCrを注入した試料に、更にArイオンを注入して欠陥を導入した。Arは深さ200nmに密度1×1021cm-3のガウス分布で導入したエネルギー270keVの単エネルギー注入。この試料を1780°Cで30分熱処理した。その結果、図8に示すように、イオン注入領域Arの通過領域ではCrの密度プロファイルは殆ど変化せず、すなわちゲッタリングが起こった。実施例2比較例2と同様にエピタキシャル層の表面にCrを注入した試料に、更にHeイオンを注入して欠陥を導入した。Heは深さ1μmに密度1×1021cm-3のガウス分布で導入したエネルギー360keVの単エネルギー注入。この試料を1780°Cで30分熱処理した。その結果、図9に示すように、イオン注入領域Arの通過領域ではCrの密度プロファイルは殆ど変化せず、すなわちゲッタリングが起こった。実施例3比較例2と同様にエピタキシャル層の表面にCrを注入した試料に、更にHイオンを注入して欠陥を導入した。Hは深さ2.2μmに密度1×1020cm-3のガウス分布で導入したエネルギー350keVの単エネルギー注入。この試料を1780°Cで30分熱処理した。その結果、図10に示すように、イオン注入領域Hの通過領域でCrの密度プロファイルは変化したものの、Crは1×1016cm-3程度の密度でH注入領域に残っており、ゲッタリングは起こっていると考えられる。本実施例では、H注入量が十分でなかったため、捕捉し切れなかったCrが拡散してしまったと考えられる。Hでもゲッタリングが可能であることが分かる。また、電子線や中性子線によってもH注入と同様のゲッタリング効果が理論上期待できるただし、注入量は十分に大きくする必要がある。実施例4エピタキシャル層にFeイオンを注入し、深さ400nm、密度1×1017cm-3のボックスプロファイルを形成した。この試料にHeイオンを実施例2のように注入し、1780°Cで30分熱処理した後にFe密度のプロファイルを調べた。その結果、図11He注入ありに示すようにボックスプロファイルは維持されており、ゲッタリングが起きた拡散が抑制されたことが分かる。比較例4実施例4と同様にFeイオンを注入し、Heイオンは注入しなかった。この場合、図11He注入なしに示すようにボックスプロファイルは乱れ、Feが拡散したことゲッタリングが起きなかったことが分かる。実施例5エピタキシャル層にZnイオンを注入し、深さ400nm、密度1×1017cm-3のボックスプロファイルを形成した。この試料にHeイオンを実施例2のように注入し、1780°Cで30分熱処理した後にZn密度のプロファイルを調べた。その結果、図12に示すようにボックスプロファイルは維持されており、ゲッタリングが起きた拡散が抑制されたことが分かる。実施例6エピタキシャル層にTiイオンを注入し、深さ400nm、密度1×1017cm-3のボックスプロファイルを形成した。この試料にArイオンを実施例1のように注入し、1780°Cで30分熱処理した後にTi密度のプルファイルを調べた。その結果、図13に示すようにボックスプロファイルは維持されており、ゲッタリングが起きた拡散が抑制されたことが分かる。