C8芳香族炭化水素を含む供給物ストリームであって、低ppmレベル以下の溶存H2を有することを特徴とし、キシレン中の平衡状態のPXの量に比してPXが乏しいことをさらに特徴とする供給物ストリームを、キシレンの異性化に適している触媒と、反応器中、295°C未満の温度およびキシレンを液相に維持するのに十分な圧力を含む条件下で接触させるステップと、液相の前記キシレンを異性化して、前記供給物ストリーム中のPXの濃度に比して増加した濃度のPXを有する生成物ストリームを得るステップとを含むプロセス。約4~100ppmの範囲の低ppmレベルの溶存H2を含有する供給物ストリームを用いて、連続モードで動作させることをさらに特徴とする、請求項1に記載のプロセス。約4~10ppmの範囲の低ppmレベルの溶存H2を含有する供給物ストリームを用いて、連続モードで動作させることをさらに特徴とする、請求項1に記載のプロセス。前記プロセスを、H2を含有しない供給物ストリームを用いて、循環モードで動作させることをさらに特徴とし、さらに、前記触媒を、H2を含有する供給物ストリームと接触させることを含むステップにより、前記触媒が定期的に再生される、請求項1に記載のプロセス。前記H2を含有しない供給物ストリームが、4ppm未満の溶存H2を含有することを特徴とし、前記H2を含有する供給物ストリームが、約4ppm以上の溶存H2を含有することを特徴とする、請求項4に記載のプロセス。前記触媒が、HZSM-5およびMCM-49のうちの少なくとも1つを含む、請求項1から5までのいずれか1項に記載のプロセス。前記触媒が、20~50のシリカ対アルミナの質量比SiO2:Al2O3としてを有するHZSM-5を含み、前記触媒が、結合剤を含んでいてもよい、請求項1から6までのいずれか1項に記載のプロセス。結合剤が存在する場合または不在の場合の前記HZSM-5の結晶サイズが、0.1μm以下である、請求項7に記載のプロセス。前記反応器の温度が、280°C未満である、請求項1から8までのいずれか1項に記載のプロセス。前記反応器が、固定床反応器、流動床反応器、濃厚床反応器および擬似移動床反応器から選択される、請求項1から9までのいずれか1項に記載のプロセス。前記供給物ストリームが、前記触媒と1~10WHSVの流量で接触する、請求項1から10までのいずれか1項に記載のプロセス。前記接触が、上向流モードの動作により実施される、請求項1から12までのいずれか1項に記載のプロセス。前記接触が、下向流モードの動作により実施される、請求項1から13までのいずれか1項に記載のプロセス。前記触媒が、10質量~90質量のHZSM-5ゼオライトを含む、請求項1から13までのいずれか1項に記載のプロセス。前記触媒が、アルミナ、シリカ、粘土およびアルミノシリケートのうちの少なくとも1つから選択される結合剤を含み、かつ/または、好ましくは、前記結合剤の量が、前記触媒の質量に対して、10~90質量である、請求項1から14までのいずれか1項に記載のプロセス。前記触媒が、酢酸から選択される少なくとも1つの押出助剤を使用する押出成形、ペレット化、油への滴下または噴霧乾燥から選択される方法により形成されたHZSM-5を含む、請求項1から15までのいずれか1項に記載のプロセス。前記触媒が、以下の特徴、すなわち、--0.1μm未満の平均結晶サイズ;--45m2/g超のメソポーラスな表面積MSA;--9未満のゼオライト表面積ZSA対メソポーラスな表面積MSAの比;--質量で、20~50、好ましくは、20~30のシリカ/アルミナの比の少なくとも1つ、好ましくは全てを特徴とするHZSM-5を含む、請求項1から16までのいずれか1項に記載のプロセス。以下の特徴、すなわち、--0.1μm未満の平均結晶サイズ;--45m2/g超のメソポーラスな表面積MSA;--9未満のゼオライト表面積ZSA対メソポーラスな表面積MSAの比の少なくとも1つ、好ましくは全てをさらに特徴とするH-ZSM-5を含み、結合剤を含んでいてもよい触媒。アルミナ、シリカ、粘土およびアルミノシリケートのうちの少なくとも1つから選択される結合剤をさらに含む、請求項18に記載の触媒。反応器中、295°C未満の温度で、C8芳香族炭化水素を含む供給物ストリームおよび4~10ppmのレベルのH2と接触する、請求項18および19のいずれか1項に記載の触媒。本発明者らは、プロセスへの供給物ストリームと比較した場合、PXが濃縮された生成物をもたらすためのキシレンの異性化技術を発見するに至った。実施形態では、本プロセスは、PXが乏しい供給物ストリームを用いて、平衡状態または平衡状態近傍のキシレンを有する生成物を生産する。実施形態では、本プロセスは、非常に低いレベルの副産物例として、<0.3質量をもたらす。したがって、追加の蒸留カラムを必要としない。さらに、本技術は、水素が全く存在しなくても、または低ppmレベルの溶存水素さえあれば動作し得、単純なかつ費用効果があるプロセスをもたらす。本発明は、平衡状態または平衡状態近傍のキシレンを生産するための、液相における異性化を含めた、キシレンの異性化プロセスを対象とし、プロセス条件が、295°C未満の温度、およびキシレンを液相に維持するのに十分な圧力を含む。実施形態では、液相における異性化プロセスは、ZSM-5および/またはMCM-49を含む触媒を活用する。いくつかの実施形態では、本プロセスは、供給物中の低ppmレベルのH2を用いて、連続モードで動作し得、その他の実施形態では、本プロセスは、供給物中にH2はないが、定期的な再生を行って、循環モードで動作し得る。実施形態では、本プロセスを、4~10ppmのH2を用いて、295°C未満の温度およびキシレンを液相に維持するのに十分な全圧で、連続モードで動作させる。実施形態では、本プロセスを、供給物中にH2はないが、供給物中の5ppm超のH2を使用する定期的な再生を行って、循環モードで動作させ、再生には、いくつかの実施形態では、供給物中の少なくとも10ppmのH2、その他の実施形態では、供給物中の少なくとも20ppmのH2を使用する。本発明の目的は、液相における異性化プロセスを含めた、キシレンの異性化プロセスを提供することであり、本プロセスは、従来のキシレンの異性化プロセスと比較して、低い投資、低い動作コスト、低い副産物の収率、および低いキシレンの喪失から選択される利点のうちの少なくとも1つをもたらす。本発明の別の目的は、最大限でもわずか低ppmのレベルの水素を使用し、実施形態では、非常に単純なinsituの手順により多数倍に再生することができる、液相におけるキシレンの異性化プロセスを提供することである。これらおよびその他の目的、特徴および利点が、以下の詳細な説明、好ましい実施形態、例、および添付の特許請求の範囲を参照することにより明らかになるであろう。本発明に従って、295°C未満の温度およびキシレンを液相に維持するのに十分な圧力下でのキシレンの液相における異性化を含めた、キシレンの異性化のためのプロセスを提供する。実施形態では、本プロセスは、ゼオライト、好ましくは、ZSM-5およびMCM-49からなる群から選択される少なくとも1つを含む触媒を活用する。実施形態では、本プロセスは、ZSM-5を、結合剤と併せて含む触媒を活用するか、またはZSM-5は、自己結合性self-boundであってもよい。好ましい実施形態では、触媒は、以下の特徴、すなわち、--ZSM-5が、プロトンの形態をとるHZSM-5;--ZSM-5が、0.1μm未満の結晶サイズを有する;--ZSM-5が、45m2/g超のメソポーラスな表面積MSAを有する;--ZSM-5が、9未満のゼオライト表面積ZSA対メソポーラスな表面積MSAの比を有する;--20~50の範囲のシリカ対アルミナの質量比のうちの1つまたは複数を特徴とする。本明細書で使用する場合、結晶サイズは、平均結晶サイズを意味し、電子顕微鏡法により好都合に決定される。電子顕微鏡法自体は、当技術分野で周知である。また、表面積も、当技術分野で周知の方法により決定することができる。触媒を、種々の技法、例として、押出成形、ペレット化、油への滴下oildropping、噴霧乾燥等の技法を使用して製剤化することができる。それらの技法自体は、当技術分野で周知である。場合により、結合剤材料、例として、アルミナ、シリカ、粘土、アルミノシリケートを、製剤中で使用してもよい。好ましい実施形態では、触媒は、結合剤に関する以下の特性、すなわち、--ゼオライト:結合剤の質量比が、1:9~9:1である;--結合剤は、好ましくは、シリカ、アルミナおよびアルミノシリケートを含む;--触媒は、好ましくは、酢酸を押出助剤として使用して、押出成形されるのうちの1つまたは複数を特徴とする。好ましい反応器は、固定床であり、流動は、上または下であり得る。いくつかの実施形態では、本プロセスは、供給物中に溶存している低ppmレベルのH2を用いて、連続モードで動作し得、その他の実施形態では、本プロセスは、供給物中にH2はないが、定期的な再生を行って、循環モードで動作し得る。低いppmにより、当業者がppmと表現するであろうレベル、一般に、100ppm未満を意味する。表現ppmは、別段の記載がない限り、質量ppmwppmである。実施形態では、非芳香族化合物、ベンゼン、およびA99つ以上の炭素原子を有する芳香族炭化水素、ならびにそれらの混合物から選択される、非常に低いレベルの副産物、例として、1質量未満、または好ましくは、0.5質量未満の副産物が生成される。本プロセスは、C8芳香族炭化水素を含む供給物ストリームを、異性化に適している触媒、好ましくは、MCM-49および/またはZSM-5を含む触媒、好ましくは、ZSM-5を含む触媒、より好ましくは、上記の特性のうちの1つまたは複数を有する触媒、最も好ましくは、上記の特性の全てを有する触媒と、295°C未満、好ましくは、280°C未満の温度で、かつ反応物を液相に保つのに十分な圧力で接触させるステップを含む。本開示を所有する当業者であれば、その範囲内で本発明を実行することができるその他の動作の特徴、例として、より低い温度を決定することができるであろう。下限値は、例えば、180°C超もしくは190°C超もしくは200°C超、または210°C超等であり得る。本開示を所有する当業者であれば、流量を選択することができるが、流量は、1~100WHSV、好ましくは、1~20WHSV、より好ましくは、1~10WHSVの範囲内で好都合に選択され得る。以下の例は、本発明の典型例を示すことを意図し、本発明を限定することを意図しない。ある実施形態では、PXが乏しいキシレンの供給物ストリームを、少なくとも1つの反応器に供給する。PXが乏しいは、本発明の目的では、平衡状態未満の量のパラキシレン、すなわち、100モルのキシレンの供給物ストリームに対して、24モル未満のPXを意味する。好ましい実施形態では、供給物ストリームは、100モルのキシレンの供給物ストリームに対して、2~18モルのPXを含む。好ましい実施形態では、キシレンの供給物ストリーム中に、H2がない。キシレンの供給物ストリーム中のH2を、低ppmレベルの何らかの精度で測定するのは困難でありこうした測定は、一般に公知のGC技法等の方法により試みることはできる、したがって、表現H2がないは、本明細書で使用する場合、必然的な不純物を上回るH2がないことを意味し、また、そのような供給物ストリーム中にH2を意図的には添加しないことも意味する。また、所望されるならば、供給物ストリームを、不活性ガス、例として、N2を用いてパージして、必然的な不純物に由来するH2のレベルを低下させることもできる。また、表現H2を含有しないも、本明細書において使用するが、この表現は、H2がないと同じことを意味することを意図する。実施形態では、H2を含有しない供給物ストリームが含有するH2が、4ppm以下であれば、本発明の目的に十分かなう。連続モードで使用する低いppmの量のH2は、好ましくは、4ppm超~約10ppm1モルのキシレン当たり0.00001モルのH2に相当するである。しかし、H2の量は、50または100ppm等、より高くてもよい。実際面では、低ppmレベルのH2を達成する1つの方法は、H2を含有しないストリームに添加するH2の分量を制御することによって行う。例えば、ストリームが、どんな上流の処理を経てきたか、例として、ストリームからH2を容易に除くであろう蒸留を経てきたことが我々には分かるので、ストリームがH2を含有しないことを我々は知ることができる。次いで、どれだけH2を添加するかを注意深く制御することによって、我々は、最終的なH2の分量を知るであろう。反応器は、任意のタイプの反応器、例として、固定床反応器、流動床反応器、濃厚床反応器densebedreactor等であり得る。例えば、反応器は、C8芳香族炭化水素の異性化に適している触媒、より好ましくは、HZSM-5またはMCM-49を含む触媒を充填した、管状の固定床反応器であり得るであろう。供給物ストリームは、上向流モードまたは下向流モードのいずれかで、反応器を通って流動することができる。そのような反応器を、295°C未満の温度、0.1~100WHSV毎時質量空間速度WeightHourlySpaceVelocityの範囲内の流量、および反応器内の液相に供給物ストリームを保つのに十分に高い圧力で動作させ、低い副産物の収率を達成するように好都合に維持することができる。本開示を所有する当業者であれば、日常的な実験を行うだけで、そのような条件を達成することができる。当業者は、温度を設定したら、キシレンのVLE気液平衡データに基づいて、どんな圧力を使用して、供給物ストリームを液相に保てるかを決定することができる。限定する意図はないが、例示のために、実施形態では、圧力は、100psia超、または好ましくは、150psia超であり得る。動作条件に応じて、触媒が、緩慢な失活を示す場合がある。また、本発明者らは予想外に、キシレン供給物中の、低ppmレベルの溶存水素が、そのような失活を完全に緩和することができることも発見するに至った。したがって、H2を含有しないキシレン供給物を有する反応器を一定期間運転することができ、運転期間の長さは、オペレーターの動作パラメータの選択によって異なり、運転の終わりに、同じ動作条件で、H2を含有しないキシレン供給物を、H2を含有するキシレン供給物で置き換えることができる。したがって、この実施形態では、H2が、この時点では、供給物に意図的に添加される。わずか低ppmのレベルが必要となるに過ぎない。上記で言及したように、GC技法は、C8芳香族炭化水素供給物ストリーム中の低ppmレベルのH2レベルを正確に測定するのに特に優れているわけではないが、そのようなレベルのH2の存在を、H2-キシレンのVLEに基づいて推定することができる。本発明の目的では、H2を含有しない供給物ストリームを、0.00005モル以下のH2/1モルのキシレン、または0.00001モル以下のH2/1モルのキシレンを含有すると定義する場合、それぞれ、H2を含有するキシレン供給物は、0.00005モル超のH2/1モルのキシレン、または0.00001モル超のH2/1モルのキシレンを有するはずである。驚くべきことに、H2を含有するキシレン供給物は、触媒を再生して、喪失した活性を回復させることを見出すに至った。再生期間は、1日~数週間等、変化し得る。再生の終わりに、オペレーターは、H2を含有する供給物を、H2を含有しない供給物で置き換え、通常の動作を再開することができる。この再生の技法は、少なくともいくつかの利点を有する。この技法は、実行するのが容易であり、費用効果がある。水素は、キシレン中に必要なレベルで容易に溶存させることができる。例として、160psiaでは、71ppmのH2が、室温でキシレン中に溶存する。この技法は、分離器および従来の気相異性化技術における、高いH2分圧のために必要である再圧縮機等の高価かつ複雑なプロセス機器を必要としない。再生は、H2を含有するキシレン供給物を用いて、通常の動作のための条件と同じ条件で行う。このことは、再生の間でさえ依然として、反応器は、平衡状態または平衡状態近傍のキシレンを生産しており、したがって、生産性の喪失はないであろうことを意味する。実施形態では、オペレーターは、再生の間は、H2濃度を増加させて、H2を100まで高め、キシレンを0とし、依然として、目標を達成することができる。別の実施形態では、低ppmレベルのH2、例として、4~100ppm、好ましくは、4~10ppm現在の測定技法により生じ得る標準的な試料採取誤差の範囲内を、キシレン供給物中に溶存させ、動作全体を通して、反応器に連続的に供給する。そのようなレベルのH2は、触媒失活を完全に阻止する。結果として、この実施形態では、長期の連続的な動作を可能にし、再生のために止める必要は全くないプロセスを提供する。上記に列挙した利点に加えて、この実施形態では、一貫して高いPXの収率が、常時可能でもある。本発明をより良好に理解するために、ここでは、特定の例を参照する。これらの例は、代表的な本発明であることを意図するに過ぎず、本発明を限定するものであると理解してはならない。例130のシリカ/アルミナの比を有する、1/16の押出成形したH-ZSM-5触媒の試料を、PQCorporationから得、30/60メッシュまで粉砕し、0.180のID×0.625の長さの管状の反応器中に、0.13グラムのレベルまで充填した。次いで、触媒を、流動窒素ガス下、200°Cで10時間乾燥して、水分を除去した。その後、最初は、H2を溶存させずに本発明によれば、H2を含有しない、次いで、供給物中にH2を130質量ppmのレベルまで溶存させて、触媒をキシレン供給物と接触させた。異性化の条件を、280psia、232°Cおよび3WHSVに設定した。これらの条件下で、キシレン供給物を異性化し、触媒の失活または再生の速度を、生成物の分析に基づいて計算した。結果は、表1に示すように、溶存水素の存在により、触媒失活が停止したのみならず、また、触媒活性が回復され、維持されたことを実証している。表1本発明の範囲を特定するために、追加の実験を実施した。PXが乏しい供給物ストリームを異性化して、平衡状態を得、かつ副産物の形成を最低限に留めるのが、本発明の範囲である。予備的な実験を、表2に列挙する各種の特性を有するZSM-5ゼオライト、およびMCM-49ゼオライトに対して実施した。表2例2この例は、本発明のプロセスに関する予想外の知見を、触媒により達成することができることを示す。MCM49ゼオライトおよびZSM5ゼオライト表3に示すを、本発明による液相におけるキシレンの異性化について試験した。使用した供給物を、表4に示し、結果を、図1に示す。両方のゼオライトが、236°C、3毎時質量空間速度1グラムの触媒を使用した、および265psigで、キシレンをパラ-キシレンに異性化した。MCM49は、図1にもまた示すように、より高いパラ-キシレンの収率をもたらしたが、また、生成物のC9含有量によって示されるように、より多い副産物ももたらした。したがって、液相におけるキシレンの異性化のためには、いずれかのゼオライトを臨機応変に選ぶことができるであろう。表3表4例3また、本発明者らは、HZSM-5ゼオライトのシリカ/アルミナの比および結晶サイズが、触媒の性能にとって、重要な因子であることも発見するに至った。したがって、本発明による液相におけるキシレンの異性化のためには、30以下のシリカ/アルミナの比および0.1μm未満の結晶サイズを有するHZSM-5ゼオライトに基づく触媒が、さらにより好都合な液相におけるキシレンの異性化の性能をもたらし、この性能は、特定した範囲外のシリカ/アルミナの比および結晶サイズを有するZSM-5ゼオライトを用いた触媒の性能よりも優れている。3つのZSM-5押出成形品を、3つの異なるZSM5結晶を使用して調製し、表5に示す。結晶をイオン交換して、プロトンの形態を得、アルミナ結合剤および押出助剤としての1の酢酸と共に押出成形して、1/20の四つ葉形quadrulobeの押出成形品となした。結晶対結合剤の質量比は4であった。押出成形品を、1000°Fで焼成した。表5押出成形品を、13.28のパラ-キシレン、63.72のメタ-キシレン、17.94のオルト-キシレン、1.52のエチルベンゼン、1.28のトルエン、ならびに2.25の非芳香族化合物、ならびに低いレベルのベンゼンおよび9炭素の芳香族化合物の供給物を使用して評価した。1/4のステンレス鋼製反応器中で、触媒床を通って上方に流れる供給物を用いて、試験を実施した。試験条件を、表4に列挙する。試験結果を、図2に示す。3つの触媒は全て、メタ-およびオルト-キシレンをパラ-キシレンに異性化することができたことが分かる。しかし、PXの収率は、E>C>Dの順に減少し、結晶IIIを用いた触媒は、平衡状態近傍のパラ-キシレンの収率97~98平衡状態をもたらした。触媒Eと触媒Dとの間の比較は、シリカ/アルミナの比を60から25に低下させると、パラ-キシレンの収率が約20.2から約22.2に上昇したことを示しており、触媒Eと触媒Cとの間の比較は、結晶サイズを0.5μmから<0.1μmに低下させると、パラ-キシレンの収率が平均して21.6から22.2に上昇したことを示している。例4~6押出成形品を形成して調製する場合、ゼオライト対結合剤のより高い比は、キシレンをパラ-キシレンにより効率的に異性化することが証明された。3つのZSM-5押出成形品を、全て結晶III表2に記載を使用して調製し、表6に示す。結晶をイオン交換して、プロトンの形態を得、アルミナ結合剤と共に押出成形して、1/20の四つ葉形quadrulobeの押出成形品をなした。また、触媒Hは、破砕強度を改善するために、押出助剤としての1の酢酸も使用して押出成形した。全ての押出成形品を、1000°F約538°Cで焼成した。表6押出成形品を、表7に示す供給物を使用して評価した。各触媒の1グラムを、試験では使用した。圧力は、全ての運転について265psigであり、供給物は、H2を含有しない、PXが乏しいキシレンであった。表7試験結果を、図3および表8に示す。例3については、触媒Fおよび触媒Hの両方を、246°C、および4.6の、ゼオライトのみに関してのWHSVで試験した。全体的なWHSVは、触媒Fについては3.0であり、触媒Hについては3.7であった。より高い全体的なWHSVにもかかわらず、触媒Hは、生成物中に、より高いパラ-キシレン濃度をもたらした。また、この傾向は、例5および6でも観察された。したがって、形成した押出成形品中のゼオライト濃度を増加させることによって、ゼオライトがより有効になる。表8本発明の例示的な実施形態を入念に説明してきたが、種々のその他の改変形態が当業者には明らかになり、それらの改変形態を、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者であれば容易に作製することができることを理解されたい。本明細書において使用する商品名を、商標記号または登録商標記号により示す。このことは、それらの名前は、特定の商標権により保護され得、例えば、種々の管轄区域において登録されている登録商標であり得ることを示している。本明細書に引用する特許および特許出願、試験手順例として、ASTMの方法、ULの方法等、ならびにその他の文献は全て、そのような開示が、本発明とも、そのような組込みが許可されている全ての管轄区域にとっても、一貫性がある範囲で、参照により完全に組み込まれている。数値の下限および数値の上限を、本明細書に列挙する場合、任意の下限値から任意の上限値までの範囲を企図する。