"Co:05~30質量,Si:01~10質量を含有し、CoSiの質量比:30~50であって、残部が銅および不可避的不純物からなり、圧延平行方向の厚み中央における500nm以上の析出物の平均粒径Anmと、表面における500nm以上の析出物の平均粒径Bnmとの比A/Bが12以上であるCu-Co-Si系銅合金条。Ni、Cr、Mg、Mn、Ag、P、Sn、Zn、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeよりなる群から選ばれる1種以上を合計0001~25質量含有する請求項1記載のCu-Co-Si系銅合金条。Co:05~30質量,Si:01~10質量を含有し、CoSiの質量比:30~50であって、残部が銅および不可避的不純物からなるCu-Co-Si系銅合金条の製造方法であって、インゴットの熱間圧延の仕上厚みを20mm以上とし,熱間圧延後に850°Cから400°Cまで20°C/min以上75°C/min以下で空冷するCu-Co-Si系銅合金条の製造方法。ところで、良好なめっき性やはんだ濡れ性を得るためには、CoSi系銅合金表面の析出物を小さくすることが必要であるが、一方で材料強度や曲げ性を向上させるためには析出を促進させる必要があり、双方の特性を同時に満たすことは困難である。具体的には,高い材料強度を得るためには、CoSi系銅合金の溶体化処理を高温で行って添加元素を十分に銅中に固溶させる必要がある。このとき、銅材料中に一定以上の粗大な析出物を存在させて結晶粒の粗大化を抑制し、強度と曲げ加工性を向上させるが、この粗大な析出物が原因となってめっき性やはんだ濡れ性が低下するという問題があった。逆に、良好なめっき性やはんだ濡れ性を得るために粗大な析出物を低減すると,溶体化処理時に結晶粒が粗大化し、強度や曲げ加工性が悪化するといった問題があった。すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、めっき性やはんだ濡れ性に優れると共に、強度や曲げ性を向上させたCu-Co-Si系銅合金条及びその製造方法の提供を目的とする。本発明のCu-Co-Si系銅合金条は、Co:05~30質量,Si:01~10質量を含有し、CoSiの質量比:30~50であって、残部が銅および不可避的不純物からなり、圧延平行方向の厚み中央における500nm以上の析出物の平均粒径Anmと、表面における500nm以上の析出物の平均粒径Bnmとの比A/Bが12以上である。Ni、Cr、Mg、Mn、Ag、P、Sn、Zn、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeよりなる群から選ばれる1種以上を合計0001~25質量含有することが好ましい。本発明のCu-Co-Si系銅合金条の製造方法は、Co:05~30質量,Si:01~10質量を含有し、CoSiの質量比:30~50であって、残部が銅および不可避的不純物からなるCu-Co-Si系銅合金条の製造方法であって、インゴットの熱間圧延の仕上厚みを20mm以上とし,熱間圧延後に850°Cから400°Cまで20°C/min以上75°C/min以下で空冷する。本発明によれば、めっき性やはんだ濡れ性に優れると共に、強度や曲げ性を向上させたCu-Co-Si系銅合金条が得られる。以下、本発明の実施形態に係るCu-Co-Si系銅合金条について説明する。なお、本発明においてとは、特に断らない限り、質量を示すものとする。まず、銅合金条の組成の限定理由について説明する。<Co及びSi>Co及びSiは、時効処理を行うことによりCoとSiが微細なCo2Siを主とした金属間化合物の析出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる。また、時効処理でのCo2Siの析出に伴い、導電性が向上する。ただし、Co濃度が05未満の場合、またはSi濃度が01Coの15未満の場合は、他方の成分を添加しても所望とする強度が得られない。また、Co濃度が30を超える場合、またはSi濃度が10Coの13を超える場合は十分な強度が得られるものの、導電性が低くなり、更には強度の向上に寄与しない粗大なCo-Si系粒子晶出物及び析出物が母相中に生成し、曲げ加工性、エッチング性およびめっき性の低下を招く。よって、Coの含有量を05~30質量とする。好ましくは、Coの含有量を10~20質量とする。同様に、Siの含有量を01~10質量とする。好ましくは、Siの含有量を02~07質量とする。CoSiの質量比を30~50とすると、析出硬化後の強度と導電率を共に向上させることができる。CoSiの質量比が30未満であるとCo2Siとして析出しないSiの濃度が多くなって導電率が低下する。CoSiの質量比が5を超えるとCo2Siとして析出しないCoの濃度が多くなって導電率が低下する。さらに、Ni、Cr、Mg、Mn、Ag、P、Sn、Zn、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeよりなる群から選ばれる1種以上を合計0001~25質量含有することが好ましい。これら元素は固溶強化や析出強化等により強度上昇に寄与する。これら元素の合計量が0001質量未満であると上記効果が得られない場合がある。又、これら元素の合計量が25質量を超えると導電率が低下したり、熱間圧延で割れる場合がある。本発明のCu-Co-Si系銅合金条の厚みは特に限定されないが、例えば003~06mmとすることができる。次に、銅合金条の集合組織の規定について説明する。本発明者らは、Cu-Co-Si系銅合金条を種々の条件で製造したときの析出物の粒径と厚み方向の分布状態を調査、解析した結果、以下の知見を得た。つまり、図1に示すように、銅合金条の圧延平行方向RDの厚み中央Cの組織M1の析出物の粒径を大きく、表面の組織M2の析出物の粒径を小さくする。より詳しくは、銅合金条の圧延平行方向の厚み中央における500nm以上の析出物の平均粒径Anmと、表面における500nm以上の析出物の平均粒径Bnmとの比A/Bを12以上とする。このようにすると、銅合金条の表面では析出物の粒径が小さく、粗大な析出物が少なくなり、めっき密着性が良好となる。又、銅合金条の芯部では析出物の析出が促進されて粒径が大きくなり、材料強度や曲げ性が向上する。A/Bが12未満であると、銅合金条の表面の析出物の粒径が大きくなり、銅合金条の芯部の析出物の粒径が小さくなるので、めっき性、強度及び曲げ性を共に向上させることが難しい。なお、A/Bの上限は特に制限されないが、例えば30程度である。ここで、圧延平行方向の厚み中央は、図1に示すように、圧延平行方向に沿う断面にて、試料の厚み方向の中央部をいう。銅合金条の圧延平行方向の厚み中央の析出物は、図1の圧延平行方向RDに沿う断面Sを鏡面研磨した後,析出物が溶解しないように電解研磨やエッチングし、厚み中央Cの位置R1で5000倍の走査電子顕微鏡像2次電子像を5箇所撮影し、この画像から周囲の暗いマトリクスから浮き出た明るい白い画像を析出物とみなし、500nm以上の析出物の平均粒径Aを測定し、5個の画像についてAの平均値を採用する。又、500nm以上の析出物は、析出物の円相当径である。銅合金条の圧延平行方向の表面における析出物は、図1の圧延平行方向RDに沿う断面Sにおいて、表面から板厚の10となる位置R2で、上記測定視野の走査電子顕微鏡像を撮影し、厚み中央の析出物と同様な方法で測定する。図2は、後述する実施例4の試料の圧延平行方向の厚み中央の走査電子顕微鏡像2次電子像である。又、図3は、実施例4の試料の圧延平行方向の表面の走査電子顕微鏡像2次電子像である。本発明のCu-Co-Si系銅合金条は、インゴットを熱間圧延する際の仕上げ厚みを20mm以上とし、熱間圧延した後、850°Cから400°Cまで20°C/min以上75°C/min以下の冷却速度で空冷し、冷間圧延、溶体化処理、時効処理、仕上圧延、および必要に応じて歪取り焼鈍して製造することができる。熱間圧延の仕上げ厚みが20mm以上であるものをその後に空冷すると、材料の板厚方向中央部芯部の冷却速度が表面と比べて遅くなり、芯部の析出物が成長して表面より粒径が大きくなる。従って、この材料をさらに冷間圧延して溶体化処理しても、析出物が大きい芯部では成長した析出物のピン止め効果により結晶粒が粗大化しにくい。このため、強度と曲げ性に優れた銅合金条が得られる。一方、銅合金条表面では析出物が小さいため、めっき性やはんだ濡れ性が良好となる。熱間圧延の仕上げ厚みが20mmを下回ると、板厚中央部と表面部の冷却速度に差異が生じなくなり、析出物の粒径が板厚中央部と表面部で同程度となる。熱間圧延後の冷却速度が75°C/minを超えると、材料の板厚方向中央部芯部も急激に冷却されて析出物の粒径が小さくなる。その結果、析出物のピン止め効果が減少し、溶体化処理で結晶粒が粗大化し、強度と曲げ性が低下する。熱間圧延後の冷却速度は遅いほど好ましいが、あまり遅いと表面の析出物まで成長してしまうので、熱間圧延後の冷却速度の下限を20°C/minとすると好ましい。例えば、インゴットを仕上げ厚みが20mm以上となるように熱間圧延した後、850°Cから400°Cまで20°C/min以上75°C/min以下で空冷すると上記効果がえられる。空冷時の冷却速度は、例えば熱風炉を用いて大気中の温度を管理することで行うことができる。電気銅を原料とし、大気溶解炉を用いて表1に示す組成の銅合金を溶製し、厚さ100mm×幅200mmのインゴットに鋳造した。このインゴットを950°Cで表1の板厚になるまで熱間圧延を行った後、400°Cまで20°C/min以上75°C/min以下の冷却速度で空冷し、その後、0.375mmまで冷間圧延を行った。さらに、850~1000°Cで60秒の溶体化処理、時効処理450~600°Cで15時間を順に行った。その後、最終仕上げ圧延を行った後、300°Cで60秒の歪取り焼鈍を行い、0.3mmの厚みの試料を製造した。なお、比較例13,14については、溶体化処理により結晶粒が粗大化するのを防止するため、熱間圧延後に時効処理700°Cで1時間を行った。このような時効処理を行うと、析出物が全体に増え、ピン止め効果により溶体化処理での結晶粒粗大化を防止する。比較例15については、熱間圧延後に熱風炉を用いて20°C/min未満の冷却速度で空冷した。<引張強さTS>引張試験機により、JIS-Z2241に従い、圧延方向と平行な方向における引張強さTSを測定した。<02耐力YS>引張試験機により、JIS-Z2241に従い、圧延方向と平行な方向における0.2耐力YSを測定した。<W曲げ加工性>幅10mm×長さ30mmの短冊状の試験片を作製し、W曲げ試験JISH3130によって行った。試験片採取方向は、BWとし、割れの発生しない最小曲げ半径MBRMinimumBendRadiusと板厚tの比MBR/tにて評価した。<導電率IACS>得られた試料の導電率IACSを4端子法により測定した。<平均結晶粒径GS>得られた試料の圧延平行方向に沿う断面について、JISH0501の切断法により測定した。<500nm以上の析出物の平均粒径A、B>上記した方法で、試料の圧延平行方向の厚み中央における500nm以上の析出物の平均粒径Anmと、表面における500nm以上の析出物の平均粒径Bnmとを求めた。<めっき性>めっき性は試料表面にNiめっきした後のピンホールの有無で評価した。めっき前の試料表面をアセトン脱脂、電解脱脂、10vol硫酸水溶液での酸洗の順に洗浄した。その後、フェノールスルフォン酸Ni-ほう酸浴を用い、厚さ1.5μmのNiめっきを施した。めっき後の試料表面の1000mm2の面積を光学顕微鏡で拡大観察し、幅が10μm以上のNiめっき欠損部ピンホールの有無を評価した。なお、ピンホールの幅は、ピンホールを囲む最小円の直径とした。ピンホールが無かったものを○とし、幅が10μm以上のピンホールが有ったものを×とした。<はんだ濡れ性>はんだ濡れ性はゼロクロスタイムT2値で評価した。ゼロクロスタイムT2値は、濡れ応力値がゼロになるまでの時間であり、ゼロクロスタイムが短いほど、はんだに濡れやすい。試験は、試料を10wtの希硫酸水溶液で酸洗した後に、浸漬深さ4mm,浸漬速度25mm/s,浸漬時間10secで、235°C±3°Cの上記はんだ浴に浸漬し、JIS-C60068-2-54に準拠して実施し、メニスコグラフ法でゼロクロスタイムを求めた。ゼロクロスタイムが2.0秒以下のものを○、2.0秒を超えるものを×とした。得られた結果を表1に示す。表1から明らかなように、熱間圧延の仕上げ厚みを20mm以上とし、熱間圧延した後、空冷した各実施例の場合、A/Bが12以上となり、曲げ加工性が向上したR/t≦1.0と共に、引張強さが650MPa以上、導電率が55IACS以上に向上した。一方、熱間圧延の仕上げ厚みを20mm未満とし、熱間圧延後に空冷した比較例9の場合、A/Bが12未満となり、曲げ加工性が1.0を超えた。これは、板厚中央部と表面部の冷却速度に差異が生じなくなり、析出物の粒径が板厚中央部と表面部で同程度となったためと考えられる。熱間圧延後に75°C/minを超える冷却速度で水冷した比較例10の場合、A/Bが12未満となり、曲げ加工性が1.0を超えた。これは、材料の板厚方向中央部芯部も急激に冷却されて析出物の粒径が小さくなった結果、析出物のピン止め効果が減少し、溶体化処理で結晶粒が粗大化したためと考えられる。溶体化処理温度を低く900°C未満とするとともに、熱間圧延の仕上げ厚みを20mm未満とし、熱間圧延後に空冷した比較例13の場合、及び溶体化処理温度を低く900°C未満するとともに、熱間圧延後に75°C/minを超える冷却速度で水冷した比較例14の場合、A/Bが12未満となり、引張強さが650MPa未満に低下した。これは、結晶粒の粗大化を防止するために溶体化処理温度を低くしたため、材料の板厚方向中央部芯部の析出物の粒径も小さくなり、引張強さが低下したためと考えられる。熱間圧延の仕上げ厚みを20mm未満とし、熱間圧延後に時効処理を行った比較例13の場合、及び熱間圧延後に75°C/minを超える冷却速度で水冷し、熱間圧延後に時効処理を行った比較例14の場合、引張強さが650MPaに向上した。これは、熱間圧延後で溶体化処理前に時効処理を行ったために析出物が全体に増え、溶体化処理での結晶粒粗大化を防止したためと考えられる。ところが、比較例13,14の場合、表面の析出物も増えたため、めっき性及びはんだ濡れ性が低下した。熱間圧延後の冷却速度を20°C/min未満とした比較例15の場合、冷却が遅すぎるため、芯部と表面の冷却速度に差が生じず、表面の析出物の粒径も大きくなり、めっき性及びはんだ濡れ性が低下した。"