"少なくとも等方的熱伝導層と、異方的熱伝導層とを、含む2層以上の放熱基板であって、異方的熱伝導層における熱伝導度の異方性が10倍以上であり、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より2倍以上大きい、放熱基板。前記の異方的熱伝導層が少なくとも熱伝導度の異方性を有するグラファイト層であり、グラファイト層の面方向の熱伝導度が200W/mK以上である、請求項1記載の放熱基板。前記等方的な熱伝導層が熱伝導度100W/mK以上の金属を含む、請求項1~2のいずれかに記載の放熱基板。前記等方的な熱伝導層が熱伝導度10W/mK以上のセラミックを含む、請求項1~3のいずれかに記載の放熱基板。前記異方的熱伝導層の最大厚さが1mm以下である請求項1~4のいずれかに記載の放熱基板。前記基板における等方的熱伝導層と異方的熱伝導層が直接接触している、請求項1~5のいずれかに記載の放熱基板。請求項3記載の金属が、請求項2記載のグラファイト層表面に無電解メッキ法により形成されている、放熱基板。請求項2記載の熱伝導性の異方性を有するグラファイトがポリイミド、ポリオキサゾ-ル、及びポリパラフェニレンビニレンから選ばれた1種以上の高分子フィルムを不活性ガス中、2400°C以上の温度で熱処理して得られうるものである、請求項2~7のいずれかに記載の放熱用基板。少なくとも等方的熱伝導層と、異方的熱伝導層とを含む2層以上の構成であって、異方的熱伝導層における熱伝導の異方性が10倍以上であり、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より2倍以上大きい、発光ダイオード用基板。前記の異方的熱伝導層が少なくとも熱伝導度の異方性を有するグラファイト層であり、グラファイト層の面方向の熱伝導度が200W/mK以上である、請求項9記載の発光ダイオード用基板。前記等方的な熱伝導層が熱伝導度100W/mK以上の金属を含む、請求項9~10のいずれかに記載の発光ダイオード用基板。前記等方的な熱伝導度層が熱伝導度10W/mK以上のセラミックを含む、請求項9~11のいずれかに記載の発光ダイオード用基板。前記異方的熱伝導層の最大厚さが1mm以下である請求項9~12のいずれかに記載の発光ダイオード用基板。前記基板における等方的熱伝導層と異方的熱伝導層が直接接触している、請求項9~13のいずれかに記載の発光ダイオ-ド用基板。請求項11記載の金属とするが、請求項10記載のグラファイト層表面に無電解メッキ法により形成して得られうる、発光ダイオード用基板。請求項10記載の熱伝導性の異方性を有するグラファイトがポリイミド、ポリオキサゾ-ル、及び、ポリパラフェニレンビニレンから選ばれた1種以上の高分子フィルムを不活性ガス中、2400°C以上の温度で熱処理して得られうるものである、発光ダイオード用基板。最表面が金属を含み、請求項9~16のいずれかに記載の発光ダイオ-ド用基板と、発光ダイオードチップとを含む、発光ダイオード実装基板であって、発光ダイオードチップが直接基板に実装されている、発光ダイオード実装基板。最表面がセラミックを含み、請求項9~16のいずれかに記載の発光ダイオ-ド用基板と、発光ダイオードチップとを含む、発光ダイオード実装基板であって、発光ダイオードチップが直接基板に実装されている、発光ダイオード実装基板。本発明の課題は、発光ダイオードや高性能LSIなどの発熱を効果的に放熱する事の出来る実装基板を提供する事である。特に放熱が重要な課題となっているLEDチップを実装できる基板を提供する事である。LEDチップは一定の動作領域まで駆動電流と輝度は略比例関係にあり、高輝度を得るには、駆動電流を増加させる必要がある。しかし、駆動電流を増加させるとそれに比例してLEDチップの電力損失が増加し、エネルギーの大部分は熱に変換され、LEDチップの温度が上昇する。LEDチップは温度が低いほど発光効率効率が高いので、LEDチップが高温になると発光輝度は低下するという問題が生じる。さらに、LEDチップの動作寿命も高温動作になるほど短くなり、LEDチップを封止している透光性封止樹脂が熱による変色で透明度を低下させるなどの問題が発生する。すなわちLEDを高輝度高出力用途として使用するにはその温度上昇を如何に抑えるかが課題であった。特にこの様な問題は照明用途として多数のLEDを実装する場合には顕著となる。本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的はLEDの発熱を速やかに拡散し、結果としてLEDの温度上昇を抑える事の出来る実装基板を提供する事である。課題解決の手段として、本発明では実装基板を、等方的な熱伝導度を有する層と異方的な熱伝導度を有する層の少なくとも2層以上の構造とする。本発明の手段は、これらの等方的高熱伝導材料を単独で使用するよりも一定の特性を有する異方的熱伝導材料との多層構造とする方が優れた放熱特性が得られる事を発見した事をその主旨としている。このとき異方的熱伝導層における熱伝導の異方性が10倍以上であり、かつ高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より2倍以上大きい場合には、単独で等方的な熱伝導体のみを用いた場合より放熱効果に優れる基板を実現する事ができる。好ましい実施形態において、前記熱伝導度の異方性を有する層が少なくとも熱伝導性の異方性を有するグラファイト層であり、グラファイト層面方向の熱伝導度が200W/mK以上である。この様なグラファイト材料を用いる事により優れた放熱特性を実現する基板を得る事が出来る。さらに、好ましい実施形態において、前記等方的な熱伝導度層は熱伝導度100W/mK以上の金属を含む。また、好ましい実施形態において、前記等方的な熱伝導度層は熱伝導度10W/mK以上のセラミックを含む。好ましい実施形態において、前記異方的熱伝導層の厚さが1mm以下である。好ましい実施形態において、前記基板における等方的熱伝導層と異方的熱伝導層が直接接触している。具体的な好ましい実施の一態様としては、前記基板における等方的熱伝導層と異方的熱伝導層が接着層を介さずに直接接触している。これは、よりすぐれた放熱特性を実現するためにより好ましい。ここで接着層を介さずにとは、メッキなどの化学的手法やスパッタや蒸着などの物理的手法により直接、金属層やセラミック層をグラファイト層上に形成する事を意味している。また機械的に、ビスやネジによってかしめる事もこの範ちゅう範疇である。前記金属層が、前記グラファイト層表面に無電解メッキ法により形成される事は本発明の好ましい実施形態である。好ましい実施形態において、前記熱伝導性の異方性を有するグラファイトはポリイミド、ポリオキサゾ-ル、ポリパラフェニレンビニレンから選ばれた高分子フィルムを不活性ガス中、2400°C以上の温度で熱処理して得られたものである。なお、本発明の高分子フィルムは、樹脂フィルムをも含む広い概念である。特にLEDにおける発熱の課題解決手段として、本発明では発光ダイオードの実装基板を、等方的な熱伝導度を有する層と異方的な熱伝導を有する層の少なくとも2層以上の構造とする。本発明の手段は、これらの等方的高熱伝導材料を単独で使用するよりも一定の特性を有する異方的熱伝導材料との多層構造とする方が優れた放熱特性が得られる事を発見した事をその主旨としている。このとき異方的熱伝導層における熱伝導の異方性が10倍以上であり、かつ高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より2倍以上大きい場合には、単独で等方的な熱伝導体のみを用いた場合より放熱効果に優れる発光ダイオード用基板を実現する事ができる。好ましい実施形態において、前記熱伝導度の異方性を有する層が少なくとも熱伝導性の異方性を有するグラファイト層であり、グラファイト層面方向の熱伝導度が200W/mK以上である。この様なグラファイト材料を用いる事により優れた放熱特性を実現する事が出来る。さらに、好ましい実施形態において、前記等方的な熱伝導度層は熱伝導度100W/mK以上の金属である。また、好ましい実施形態において、前記等方的な熱伝導度層は熱伝導度10W/mK以上のセラミックである。好ましい実施形態において、前記異方的熱伝導層の厚さが1mm以下である。好ましい実施形態において、前記基板における等方的熱伝導層と異方的な熱伝導層が接着層を介さずに直接接触している。これは、よりすぐれた放熱特性を実現するためにより好ましい。ここで接着層を介さずにとは、メッキなどの化学的手法やスパッタや蒸着などの物理的手法により直接、金属層やセラミック層をグラファイト層上に形成する事を意味している。また機械的に、ビスやネジによってかしめる事もこの範疇である。前記金属層が、前記グラファイト層表面に無電解メッキ法により形成される事は本発明の好ましい実施形態である。好ましい実施形態において、発光ダイオードチップは直接基板に実装されており、前記実装基板の最表面が金属層である。これは熱伝導性を有するグラファイト層に特有の剥離による粉落ちの問題を防止するためである。好ましい実施形態において、発光ダイオードチップは直接基板に実装されており、前記実装基板の最表面がセラミック層である。これは前記と同様にグラファイト層の剥離による粉落ちを防ぎ、さらに絶縁性を付与するためである。好ましい実施形態において、前記基板における等方的熱伝導層と異方的な熱伝導層が接着層を介さずに直接接触している。これは、よりすぐれた放熱特性を実現するためにより好ましい。ここで接着層を介さずにとは、メッキなどの化学的手法やスパッタや蒸着などの物理的手法により直接、金属層やセラミック層をグラファイト層上に形成する事を意味している。また機械的に、ビスやネジによってかしめる事もこの範ちゅうである。好ましい実施形態において、前記熱伝導性の異方性を有するグラファイトはポリイミド、ポリオキサゾ-ル、ポリパラフェニレンビニレンから選ばれた高分子フィルムを不活性ガス中、2400°C以上の温度で熱処理して得られたものである。本発明によればLEDチップの上昇温度を、本発明の構造を有する実装基板を通して効果的に放熱する事により抑え、駆動電流を増やしてもLEDチップの発光効率および動作寿命を低下させることのない発光ダイオードを提供することが可能である。本発明の各構成要素について説明する。<発光ダイオード>本発明で言う発光ダイオードの発光部は、インジウムガリウムナイトライドInGaN、ガリウムリンGaP、アルミニウムインジウムガリウムリンAlInGaPとガリウムリンGaPまたはインジウムガリウムナイトライドInGaNとYAG構造を有する蛍光体からなる発光ダイオード、またはインジウムガリウムナイトライドInGaNと蛍光体からなる発光ダイオード、またはジンクセレンZnSeからなる発光ダイオードを言う。これらの発光ダイオードは複数個直列または並列に接続したものであってもよい。これらの発光ダイオードにおいて、青色、緑色、黄色、赤色および白色の発光させるためには、インジウムガリウムナイトライドInGaNおよびアルミニウムインジウムガリウムリンAlInGaPとガリウムリンGaPのそれぞれの発光ダイオードを使用することができる。また、青色から緑色を発光させるためには、インジウムガリウムナイトライドInGaNの発光ダイオードを使用することができる。また、黄色から赤色を発光させるためには、アルミニウムインジウムガリウムリンAlInGaPとガリウムリンGaPのそれぞれの発光ダイオードを使用することができる。赤色から赤外線を発光させるためには、ガリウムリンGaPに亜鉛Znをドープした発光ダイオードを使用することができる。白色を発光させるためには、インジウムガリウムナイトライドInGaNとYAG構造を有する蛍光体からなる発光ダイオードの周囲にYAG構造を有する蛍光体主波長:黄色を塗布してチップ化した発光ダイオード、または紫外線発光するインジウムガリウムナイトライドInGaNと蛍光体を組合せてなる発光ダイオード、またはジンクセレンZnSeの発光ダイオードを使用することができる。<等方的熱伝導層>本発明に用いられる等方的熱伝導層としては、アルミニウム熱伝導度:237W/mK、銅熱伝導度:398W/mK、銀熱伝導度:428W/mK、ニッケル熱伝導度:90W/mK、などの熱伝導性に優れた金属材料、シリカ熱伝導度:1.5W/mK、アルミナ熱伝導度:20W/mK、酸化マグネシュウムMgO熱伝導度:40W/mK、窒化ホウ素BN熱伝導度:60200W/mK、窒化アルミAlN熱伝導度:70270W/mK、炭化ケイ素SiC熱伝導度:88~128W/mK結晶系により異なるなどのセラミック材料、またはこれらを組合せた基板を使用することができる。<異方的熱伝導層>本発明の目的に使用される異方的熱伝導層としては、異方的熱伝導層における熱伝導度の異方性が10倍以上で、かつ前記、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より2倍以上大きければ特に制限はない。この様な異方性熱伝導層に用いられる最も好ましい材料として、グラファイトを挙げる事ができる。グラファイトは炭素原子が層状に広がった構造を持ち、その面方向に優れた熱伝導性を有する。理想的なグラファイトでは面方向の熱伝導度は2000W/mKに達し、この値は銅の熱伝導398W/mKの5倍である。しかも、グラファイトの厚さ方向の熱伝導度は面方向の1/400程度である、という特徴がある。本発明の目的に用いられるグラファイトフィルムは、フィルム面方向の熱伝導度が200W/mK以上であり、フィルム面に垂直方向の熱伝導度との異方性が10倍以上である事が好ましい、さらに20倍以上が好ましい。しかし、上記グラファイトの熱伝導度は理想的な単結晶グラファイトでの値であり、現実に得られるグラファイト材料の熱伝導は理想値よりも劣るものとなる。現実的に本発明の目的に使用できる様なグラファイトとして、1天然黒鉛や人造黒鉛等の黒鉛粉末をシート化して得られるグラファイトフィルム、2高分子フィルムを熱処理して得られるグラファイトフィルムを挙げる事が出来る。1の製造方法で得られるグラファイトフィルムとしては、フィルム面方向の熱伝導度が200~400W/mK、厚さ方向の熱伝導度が5~20W/mK、厚さ100~1000μmのものが得られる。グラファイトの熱伝導度はグラファイト本来の構造に由来する熱伝導の異方性を有し、面方向の熱伝導度を高くするほど厚さ方向の熱伝導度は小さくなる。本発明の目的は熱の拡散であるから本発明にとっては面方向の熱伝導度が大きい事は極めて重要である。一方、異方的熱伝導層おける面の厚み方向の熱伝導度は小さいので、面方向に十分熱拡散が可能となる範囲で厚さ方向の厚みは小さいほど好ましい。前記グラファイトを用いた場合には、異方的熱伝導層の厚さは1mm以下である事が好ましい。1mm以上のグラファイトを用いると、等方的熱伝導層を単独で用いた場合よりかえって放熱特性は悪くなる。<熱伝導度の異方性、熱伝導度の測定算出>本発明における熱伝導度の異方性とは、面方向の熱伝導度の値と、厚み方向の熱伝導度の値との間で、大きい方の熱伝導度の値を、小さい方の熱伝導度の値で割った値で、表す。フィルム面方向X方向、Y方向の熱伝導度も、フィルム厚さ方向Z方向の熱伝導も、それぞれ、下記の方法で、独立に測定することが出来る。フィルム面方向の熱伝導度は、グラファイトの場合は、グラファイトの本質的な結晶構造に由来して、XY方向には差が無い。熱拡散率は、光交流法による熱拡散率測定装置アルバック理工株社から入手可能なLaserPitを用いて、20°Cの雰囲気下、10Hzにおいて測定された。測定された熱拡散率から密度および比熱の値をもちいて熱伝導率熱伝導度を算出した。グラファイトフィルムの密度は、グラファイトフィルムの重量gをグラファイトフィルムの縦、横、厚みの積で算出した体積cm3の割り算により算出された。なお、グラファイトフィルムの厚みは、任意の10点で測定した平均値を使用した。<グラファイトフィルムの製造法-1>前記グラファイトの製造方法について述べる。前記、1の製法はグラファイト粉末をシート状に押し固めたグラファイトフィルムである。グラファイト粉末がフィルム状に成型されるためには粉末がフレーク状、あるいはリン片状になっている必要がある。この様なグラファイト粉末の製造のための最も一般的な方法がエキスパンド法と呼ばれる方法である。これはグラファイト硫酸などの酸に浸漬し、グラファイト層間化合物を作製し、しかる後にこれを熱処理、発泡させてグラファイト層間を剥離するものである。剥離後、グラファイト粉末を洗浄して酸を除去し薄膜のグラファイト粉末を得る。この様な方法で得られたグラファイト粉末をさらに圧延ロール成型してフィルム状のグラファイトを得る。この様な手法で得られたグラファイトフィルムは柔軟性にとみ、フィルム面方向に高い熱伝導性を有するので本発明の目的に好ましく用いられる。<グラファイトフィルムの製造法-2>前記、2の方法で得られるグラファイトフィルムとしてはフィルム面方向の熱伝導が400~1000W/mK、厚さ方向の熱伝導度が5~20W/mK、厚さ50~200μmのものが得られる。これらは本発明の目的にとっていずれも好ましく用いられる。このグラファイトは、高分子フィルムおよび/または炭素化した高分子フィルムからなる原料フィルムを2400°C以上の温度で熱処理して得られる。本発明で用いることができる高分子フィルムは、ポリベンゾオキサゾールPBO、ポリベンゾビスオキサザールPBBO、ポリチアゾールPT、ポリイミドPI、ポリアミドPA、ポリオキサジアゾールPOD、ポリベンゾオキサゾールPBO、ポリベンゾチアゾールPBT、ポリベンゾビスチアゾールPBBT、ポリパラフェニレンビニレンPPV、ポリベンゾイミダゾールPBI、ポリベンゾビスイミダゾールPBBIが挙げられる。特に、最終的に得られるグラファイトの熱伝導性が大きくなることから、ポリイミドPI、ポリオキサジアゾールPOD、ポリパラフェニレンビニレンPPVは本目的のグラファイト製造原料として好ましく用いられる。これらのフィルムは公知の製造方法で製造すればよい。中でも以下に述べるポリイミドは、他の有機材料を原料とする高分子フィルムよりもフィルムの炭化、黒鉛化が進行しやすく、結晶性、熱伝導性に優れたグラファイトとなりやすいために、本目的にとって特に好ましいい出発原料である。本発明の目的に用いられるグラファイトとして、100~200°Cの範囲における平均線膨張係数が2.5×10-5cm/cm/°C以下であるポリイミドフィルムを2400°C以上の温度で熱処理して作製されたグラファイトフィルムであることは優れた熱伝導性を実現する上で好ましい。また、複屈折が0.13以上であるポリイミドフィルムを2400°C以上の温度で熱処理してグラファイトフィルムを用いる事は優れた熱伝導性を実現する上で好ましい。無論、100~200°Cの範囲における平均線膨張係数が2.5×10-5cm/cm/°C以下であり、かつ、複屈折が0.13以上であるポリイミドフィルムを2400°C以上の温度で熱処理しグラファイトフィルムを作製する事は優れた熱伝導性を実現する上で好ましい。この様なグラファイト化に好ましく用いられるポリイミドは、下記、一般式1、2、3で表される繰り返し単位からなる群から選択される少なくとも1種以上の繰り返し単位を有するポリイミド、あるいは下記、一般式1、2、3で表される繰り返し単位からなる群から選択される少なくとも2種以上の繰り返し単位を有するポリイミドの共重合体フィルム、あるいは、一般式1、一般式2、及び一般式3で表されるポリイミド共重合体からなる群からから選択される少なくとも2種以上のポリイミド共重合体の混合物フィルムである事、でその目的を達成する事が出来る。である。なお、R1は、からなる群から選択される2価の有機基であって、R2はそれぞれ独立して、-CH3、-Cl、-Br、-F、または-CH3Oである。式3中のRはであって、ここでnは1~3の整数。そしてXおよびYはそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、カルボキシル基、炭素数6以下の低級アルキル基、または炭素数6以下のアルコキシ基、そしてAは、-O-、-S-、-CO-、-SO2-、または-CH2-、である。また、上記一般式1、2および下記一般式6、7で表される繰り返し単位からなる群から選択される少なくとも2種以上の繰り返し単位を有するポリイミドの共重合体、あるいは、一般式1、一般式2、一般式6、一般式7で表されるポリイミド共重合体からなる群からから選択される少なくとも3種以上の混合物を含むポリイミド共重合体は本目的のグラファイトを得るために特に好ましい。本目的のグラファイトシートはこれらのポリイミドを2400°C以上の温度で熱処理して得ることが出来る。さらに、一般式1、2で表される繰り返し単位をもつポリイミド共重合体ポリイミドフィルムであって、4、4’-オキシジアニリンおよびパラフェニレンジアミンをモル比で9/1~4/6の割合で含むジアミンを用いて得られるポリイミドフィルムは本目的のグラファイトを得るために最も好ましく用いられる。これらのポリイミドフィルムを2400°C以上の温度で熱処理することにより、本発明の目的のグラファイトフィルムを得ることが出来る。中でも上記、ポリイミドが一般式1、2、6、7で表される繰り返し単位をもつポリイミド共重合体であって、それぞれの繰り返し単位の数を、a、b、c、dとし、abcdをsとしたとき、ab/s、ac/s、bd/s、cd/sが0.25~0.75を満たすポリイミドフィルムである場合は最も好ましく本発明のグラファイトフィルムを作製する目的で用いられる。以上述べたポリイミドを用いる事により、100~200°Cの範囲における平均線膨張係数が2.5×10-5cm/cm/°C以下、好ましくは2.0×10-5cm/cm/°C以下、更に好ましくは1.5×10-5cm/cm/°C以下、であるポリイミドフィルムを得ることができる。フィルムの線膨張係数はTMA熱機械分析装置を用いて、まず試料を10°C/分の昇温速度で350°Cまで昇温させたのち一旦室温まで空冷し、再度10°C/分の昇温速度で350°Cまで昇温させ、2回目の昇温時から100°C~200°Cの平均線膨張係数とした。また更にフィルムの弾性率については、200kg/mm2、以上であり、更には250kg/mm2、以上、より好ましくは350kg/mm2、以上である事が好ましい。また、本発明に用いられるポリイミドフィルムは、面内配向性を示す複屈折Δnがフィルム面内のどの方向においても0.13以上、好ましくは0.15以上、最も好ましくは0.16以上であることが好ましい。ここでいう複屈折とはフィルム面内方向の屈折率と厚み方向の屈折率の差であり、本明細書においてはフィルム面内X方向の複屈折Δnxは式1で与えられる。具体的測定方法を説明すると、フィルム試料をくさび形に切り出してナトリウム光をフィルム面内のX方向に垂直な方向から当て、偏光顕微鏡で観察すると干渉縞がみられる。この干渉縞の数をnとすると、フィルム面内X方向の複屈折Δnxは、式2で表される。ここで、λはナトリウム光の波長589nm、dは試料の巾幅nmである。詳しくは新実験化学講座第19巻丸善株などに記載されている。なお、前記した複屈折Δnがフィルム面内のどの方向においてもとは、例えばフィルム製膜時の流れ方向を基準として、面内の0 ゚方向、45 ゚方向、90 ゚方向、135 ゚方向のどの方向においても、の意味である。<高分子フィルムのグラファイト化プロセスと構造>次に、高分子フィルムのグラファイト化のプロセスについて述べる。一例として、ポリイミドフィルムのグラファイト化のプロセスについて述べるが、本発明は、下記だけに限定を受ける物ではない。本発明では出発物質であるポリイミドフィルムを窒素ガス中で予備加熱し、炭素化を行う。予備加熱は通常1000°C程度の温度で行い、例えば、10°C/分昇温速度で予備処理を行った場合には1000°Cの温度領域で30分程度の保持を行う事が望ましい。予備処理の段階では出発高分子フィルムの配向性が失われない様に、フィルムの破壊が起きない程度の面方向の圧力を加える事が有効である。次に、上記の方法で炭素化されたフィルムを超高温炉内にセットし、グラファイトを行う。グラファイト化は不活性ガス中で行うが不活性ガスとしてはアルゴンが最も適当であり、アルゴンに少量のヘリウムを加えるとさらに好ましい。処理温度は2400°C以上である事が好ましく、2700°C以上の温度で処理する事はより好ましい。処理温度は高ければ高いほど良質のグラファイトに転化出来るが、経済性の面からは出来るだけ低温で良質のグラファイトに転化できる事が好ましい。2500°C以上の超高温を作り出すには、通常グラファイトヒーターに直接電流を流し、そのジュ-ル熱を利用して過熱を行う。グラファイト化は前処理で作製した炭素化フィルムをグラファイト構造に転化する事によって起きるが、その際には炭素-炭素結合の開裂再結合化が起きなくてはならない。グラファイト化をスムーズに起こすためには、その開裂再結合が最小のエネルギーで起こる様にする必要があり、出発ポリイミドフィルムの分子配向は炭素化フィルムの炭素の配列に影響を与え、それはグラファイト化の際の炭素-炭素結合の開裂再結合化のエネルギーを少なくする効果を持つ。従って分子が配向するように分子設計を行い、高度な配向を実現することで低温でのグラファイト化と良質のグラファイトフィルムへの転化が可能になる。得られたグラファイトフィルムは、内部に最短径0.1~50μmの不定形形状の模様を有していても良い。この様な構造のグラファイトフィルムでは、JISZ0237に基づいて測定される粘着テープ粘着シート試験方法に基づいて測定される表面粘着力が3N/cm以上、好ましくは4N/cm以上、さらに好ましくは5N/cm以上となる。3N/cm以上では、グラファイトと発熱部品を接着剤や粘着剤を用いて取り付けた場合に、剥がれることなく、グラファイトが本来有する放熱特性を発揮することが出来る。また、表面の外観の具体的レベルは、JISK5400に基づいて測定されるXカットテープ法に基づいて測定される評価が6以上、好ましくは8以上となる。外観が6以上では、グラファイトと発熱部品を接着剤や粘着剤を用いて取り付けた場合に、剥がれることなく、また、取り付け時の接触や装置に組み込んだ後にファンの風によって表面から黒鉛が剥がれ落ちることがなくなり、電子機器内を汚染しなくなる。また、本発明のグラファイトは表面層の断面模様と表面層以外の断面模様とが、少なくとも異なる部分を有するグラファイトフィルムであっても良い。さらに、表面層の断面模様の一部が、1μm未満の厚みの略長方形が略平行に積層した結果形成される短辺5μm以上の略長方形の形状を有するグラファイトフィルムであっても良い。ここで表面層とは、グラファイトフィルムの断面を見た場合に、フィルム全体の厚みの外側30以内の厚みの部分であるフィルム両表面からの範囲をいう。グラファイトフィルムの構造としては1グラファイト結晶子が面方向に発達し、これらがフィルム表面形状に平行に積層した高密度なグラファイト層の断面模様、2グラファイト結晶子が面方向に発達し、これらが積層しているが、フィルム表面形状に平行ではなく、うねった状態で存在している高密度のグラファイト層の断面模様、3グラファイト結晶子が面方向に発達しているが、これらは積層しておらず、フィルム表面形状に平行に存在している低密度な空気層に富んだグラファイト層の断面模様、4グラファイト結晶子が面方向に発達しているが、これらは積層しておらず、またフィルム表面形状に平行ではなく、うねった状態で存在している低密度な空気層に富んだグラファイト層の断面模様。5グラファイト結晶子が発達しておらず、燐片状のグラファイト層の断面模様。6上記1~5以外の断面模様、例えばグラファイト化工程において不純物などの影響により形成された、グラフェン構造ではない炭素塊などのグラファイト層を形成していないもの、を例示できる。面方向の優れた熱伝導性には、グラファイト結晶子が面方向に発達し、これらが積層した高密度のグラファイト層が必要である。高密度のグラファイト層であれば、熱伝導のロスが少なく効率が良い。したがって、観察される上記1~6の断面模様のなかで、高熱伝導性を示す断面模様として、好ましいのは1と2であり、次に好ましいのは3と4であり、次に好ましいのは5、次にこのましいのは6である。仮に、表面層の断面模様と表面層以外の断面模様が高密度なグラファイト層である1の断面模様だけであれば、熱拡散率に優れ、フィルムの強度にも優れるが、一方で、屈曲した場合などに緩衝する部位がないために、柔軟性に乏しいグラファイトフィルムになる。また、仮に、表面層の断面模様と表面層以外の断面模様が、空気層を含んだ低密度なグラファイト層である3の断面模様だけであれば、柔軟性に優れるが、熱拡散率に劣り、フィルムの強度も劣るグラファイトフィルムになる。したがって、高熱伝導性と柔軟性を兼ね備えたグラファイトフィルムには、表面層の断面模様と表面層以外の断面模様とが、上記の観察される断面模様1~6で異なった組み合わせが好ましい。表面層に高密度にグラファイト層が積層した12の断面模様が存在し、表面層以外には空気層を含んだグラファイト層である34の断面模様が存在することが好ましい。内部に最短径0.1~50μmの不定形形状の模様を有する、グラファイトフィルムは高分子フィルムおよび/または炭素化した高分子フィルムからなる原料フィルムを2400°C以上の温度で熱処理し、熱処理前および/または熱処理中に金属を含む物質と接触させて行う。具体的な方法としては、例えば、1熱処理する前に、高分子フィルムの表面に金属を含む物質を付着させ熱処理する方法、2黒鉛化する前に、炭素化した高分子フィルムの表面に金属を含む物質を付着させ熱処理する方法、3高分子フィルムまたは炭素化した高分子フィルムを、金属を含む容器に入れて熱処理する方法、高分子フィルムに金属を含む物質を添加する方法、等がある。グラファイトフィルムは、高分子フィルムおよび/または炭素化した高分子フィルムからなる原料フィルムを、通電可能な容器A内に保持し、該容器に電圧を印加、通電しながらグラファイト化することで作製される。<等方的熱伝導層と異方的熱伝導層の複合化>本発明においては前記異方的熱伝導層を等方的熱伝導層と複合化してLED用の放熱基板とする。前記大面積のグラファイトは機械的な強度が低く、かつグラファイトの層に沿って燐片状のグラファイトが剥がれ落ちる現象、などのために強固な接着が難しく電子部品の実装基板として用いる事は困難であった。本発明はその様なグラファイトの欠点を金属やセラミックとの多層構造とする事で補い、さらに等方的な熱伝導層を単独で用いる場合よりも優れた放熱特性を実現し、発光ダイオード実装基板として用いるものである。複合化の方法としては優れた粘着接着性を示す接着層を介して異方的熱伝導層と等方的熱伝導層を接着し、複合化することができる。粘着層の形成にはディップやロールによる塗布法、フィルム状の粘着材をグラファイト膜と貼り付ける方法等、があり、いずれも好ましく用いる事が出来る。この様な目的に好ましい接着剤として、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤、COPNA系接着剤などを例示する事ができる。これらは使用される温度環境によって適切に選択されるが、シリコーン系接着剤やポリイミド系接着剤は耐熱性に優れ好ましく用いられる。複合化に際して粘着接着材に熱伝導性にすぐれる各種のフィラーを添加する事によって放熱効果をより高める事ができる。この様な目的に用いられるフィラーとして、シリカ、SiC、アルミナ、酸化マグネシュウム、窒化ホウ素、窒化アルミ、銅、アルミ、銀、ニッケル、等を例示することができる。接着層を介さずに異方的熱伝導層と等方的熱伝導層を接着する事は、よりすぐれた放熱特性を実現するためには好ましい方法である。等方的熱伝導層が金属であり異方的熱伝導層がグラファイトである場合、グラファイト表面に金属化学メッキの手法で金属層を形成し、しかる後に電気メッキ法により金属化学メッキ層の上に任意の厚さまで金属層を形成する事は好ましく用いられる。この様な目的に用いられる化学メッキ用金属としては銅、ニッケル、クロム、銀、アルミ、亜鉛、金などを例示する事ができる。化学メッキプロセスは、脱脂、ソフトエッチ、触媒付与、無電解メッキのプロセスを経て実施される。電気メッキにより金属層を形成する場合の下地金属形成法として、蒸着やスパッタリングなどの物理的方法を用いても良い。この様な場合、比較的強固な接続を実現するためには、例えばスパッタ銅層とグラファイト層との間にさらにニッケルなどの金属層を設けても良い。接着層を介さずに異方的熱伝導層と等方的熱伝導層を接着する方法として、単に機械的な圧力で固定することでも良い。高品質のグラファイトは基本的に柔らかくフィルム厚さ方向に圧縮され、この様な特性はパッキンやガスケットとして利用されている。本発明においてもこの様なグラファイト本来の性質を利用し、高熱伝導性基板を作製する事が出来る。例えば、各種セラミック基板の間にグラファイトフィルムを挟み機械的に固定すればよい。無論セラミックの代わりに金属であっても良く、一方が金属で他方がセラミックなどの構造であっても良い。<LEDの実装構造>図1に示す構成は、LEDの最も基本的な実装構造に本発明の放熱基板を適用した例である。通常、LEDディスプレイでは基板材料に樹脂が用いられるが通常の樹脂材料の熱伝導率は低く熱がこもりやすくなるので、大出力での点灯には適していない。本発明の構造図1では、放熱基板は等方的熱伝導層として絶縁性のセラミック層16、異方的熱伝導層15、さらに等方的熱伝導層17の3層構造となっている。等方的熱伝導層17は絶縁性のセラミックでも良く、導電性の金属材料でも良い。LEDベアチップの内部構造は図示していないが、例えばサファイア、SiC、GaAs、GaP、などの素子基板上に、GaNのn型半導体層、活性層、p型半導体層の順に構成されている。このベアチップからはそれぞれN型半導体層、P型半導体層より引き出されたリード線13が絶縁基板上に形成された回路14に接続している。ベアチップ11は絶縁性のセラミック基板に実装されており従来の構造ではベアチップ11で発生した熱は、主にこのリード線を通しては放熱されていたが、本発明の構造ではベアチップで発生した熱は絶縁性のセラミック基板を通して異方性熱伝導層に伝わり、ここで速やかに基板全体に広がり放熱される。すなわち、この構造では前記基板のうち前記LEDが実装されていない基板裏面全体から熱を放熱させる手段を備えているのである。これに対して異方的熱伝導層を備えていない場合には、ベアチップの直下の基板裏面温度は高くなるが、その他の部分の温度は温度が低いため全体としての放熱特性は劣る事になる。図2に示す構成は、ベアチップの実装された等方的熱伝導層21が金属のような導電体層である場合である。この様な場合には回路14は絶縁層22を介して基板上に形成される。ベアチップの最下層は素子基板であり、必要に応じて絶縁体を介して基板上に実装される。他の構造や放熱の機構は図1と同じである。図3に示す構成は、LEDドットマトリクスディスプレイに採用される実装構造である。LEDディスプレイでは複数のLEDが実装されるがこの時、素子間には隔壁31が設けられる。この隔壁はLEDの発光と非発光部のコントラストを上げるように機能する。この隔壁は放熱の役割としても重要で複数個のLEDの温度が可能な限り均一となるようにする事が重要である。そのために隔壁としては放熱特性に優れた金属やセラミック材料がもちいられる。この隔壁として、等方的熱伝導層/異方的熱伝導層/等方的熱伝導層からなる本発明の放熱基板材料を用いることは有用である。図4は、セラミックなどの放熱性基板に凹部を設け、その凹部にLEDベアチップを実装し表面に形成された回路との間をリード線で接続したものである。この様な構造を取ることによって発熱体であるLEDと異方的熱伝導層との距離が短くなり、より有効に熱の拡散が行われる。また斜めにカットされた等方的熱伝導体面は、光を効率良く反射する役割にも寄与する。図5はさらに効率良く光を前面に放射するLED実装構造の一例である。絶縁基板53上に実装されたベアチップ11と回路14は直接接合されている。隔壁52は光反射が有効に起きるように斜めにカットされており、LEDからの光、隔壁で反射された光は集光レンズ51を通して前方に放射される。この時ベアチップで発生した熱は本発明の基板を通して効率良く放熱されることは言うまでも無い。以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。<グラファイトフィルム>まず、本発明の実施例に異方的熱伝導層として用いた5種類のグラファイトフィルムについて述べるが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。1グラファイトフィルム-Aグラフテック社製eGRAF-HiTherm,販売元巴工業株商品番号710。厚み250μm、面方向熱伝導率240W/mK、厚さ方向熱伝導度6W/mK。2グラファイトフィルム-B鈴木総業社製スーパーλ-GS-300。厚み300μm、面方向熱伝導率300W/mK、厚さ方向熱伝導度5~10W/mK。3グラファイトフィルム-Cパナソニック製PGSグラファイトシート、商品番号:EYGS182310。厚み70μm、面方向熱伝導率700W/mK、厚さ方向熱伝導度5W/mK。4グラファイトフィルム-Dピロメリット酸二無水物、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、p-フェニレンジアミンをモル比で4/3/1の割合で合成したポリアミド酸の18wtのDMF溶液100gに無水酢酸20gとイソキノリン10gからなる硬化剤を混合、攪拌し、遠心分離による脱泡の後、アルミ箔上に流延塗布した。攪拌から脱泡までは0°Cに冷却しながら行った。このアルミ箔とポリアミド酸溶液の積層体を120°Cで150秒間加熱し、自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをアルミ箔から剥がし、フレームに固定した。このゲルフィルムを300°C、400°C、500°Cで各30秒間加熱して100~200°Cの平均線膨張係数が1.6×10-5cm/cm/°Cのポリイミドフィルムを製造した。フィルム厚さは75μmである。これらの方法で作製したフィルムの複屈折率は0.14であった。得られたフィルムを電気炉を用いて窒素ガス中、10°C/分の速度で1000°Cまで昇温し、1000°Cで1時間保って予備処理した。得られた炭素化フィルムを自由に伸び縮み出来る様に円筒状のグラファイトヒーターの内部にセットし、20°C/分の昇温速度で2800°Cまで昇温、10分間保持し、その後40°C/分の速度で降温した。処理はアルゴン雰囲気で0.5kg/cm2の加圧下でおこなった。このポリイミドフィルムは2800°Cで良質グラファイトへの転化が可能である事が分った。得られたグラファイトフィルム-Dの厚みは40μm、面方向熱伝導度は、1200W/mK、厚さ方向熱伝導度6W/mKであった。5グラファイトフィルム-Eピロメリット酸二無水物、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、p-フェニレンジアミンをモル比で3/2/1の割合で合成したポリアミド酸の18wtのDMF溶液100gに無水酢酸20gとイソキノリン10gからなる硬化剤を混合、攪拌し、遠心分離による脱泡の後、アルミ箔上に流延塗布した。攪拌から脱泡までは0°Cに冷却しながら行った。このアルミ箔とポリアミド酸溶液の積層体を120°Cで150秒間加熱し、自己支持性を有するゲルフィルムを得た。このゲルフィルムをアルミ箔から剥がし、フレームに固定した。このゲルフィルムを300°C、400°C、500°Cで各30秒間加熱して100~200°Cの平均線膨張係数が1.0×10-5cm/cm/°Cのポリイミドフィルム厚さ75μmを製造した。このフィルムの複屈折は、0.15~0.16の範囲であった。このフィルムを用いて前記4のケースと同様に2800°Cでグラファイト化を行った。得られたグラファイトフィルム-Eの厚みは40μm、面方向熱伝導度は1400W/mK、厚さ方向熱伝導度10W/mKであった6グラファイトフィルム-F前記、5で得られた125μmポリイミドフィルムの炭化処理品に硝酸鉄の10wtメタノール溶液を塗布した後、黒鉛板に挟み、黒鉛容器にセットした。この容器全体を、黒鉛化炉を用いて、2100°C以下では減圧下、2100°C以上ではアルゴン雰囲気下で3000°Cまで昇温された後、3000°Cで1時間熱処理し、グラファイトフィルムFを作製した。得られたグラファイトフィルムFの厚みは70μm、面方向熱伝導度は1000W/mK、厚さ方向熱伝導度5W/mKであった。<グラファイトフィルムの物性測定法>熱拡散率は、光交流法による熱拡散率測定装置アルバック理工株社から入手可能なLaserPitを用いて、20°Cの雰囲気下、10Hzにおいて測定された。測定された熱拡散率から密度および比熱の値をもちいて熱伝導率熱伝導度を算出した。グラファイトフィルムの密度は、グラファイトフィルムの重量gをグラファイトフィルムの縦、横、厚みの積で算出した体積cm3の割り算により算出された。なお、グラファイトフィルムの厚みは、任意の10点で測定した平均値を使用した。得られたグラファイトフィルムを、縦20mm×横10mmの短冊状の大きさにカッターナイフで切り取った。さらにこのフィルムの一端に面方向に剃刀で微小な切り目を入れ、その切り目の反対側から力を加え、フィルムを割断させることで断面を出し、SEM日立製走査型電子顕微鏡S-4500型、加速電圧5kVによるフィルムの断面の観察をおこなった。グラファイトフィルムA,Bは、原料に天然黒鉛を用いており、表面層および表面層以外の断面の模様は、グラファイト結晶子が発達しておらず、空気層を含む低密度なグラファイト層の断面模様であった。グラファイトフィルムCは、原料にポリイミドフィルムを熱処理して作製されていると推定され、表面層および表面層以外の断面模様は、グラファイト結晶子が面方向に発達しているが、これらは積層しておらず、低密度なグラファイト層の断面の模様であった。グラファイトフィルムDは、表面層および表面層以外の断面模様は、グラファイト結晶子が面方向に発達しているが、これらは積層しておらず、また、この断面の模様はグラファイトフィルムCの断面模様と類似していることがわかる。但し、熱拡散率は、グラファイトフィルム、A,B、Cよりも優れている。グラファイトフィルムDの断面模にはフィルム内部に当初の原料フィルムには観察されなかった最短径0.1~50μmの不定形形状の模様不均一層が形成されていた。さらに、グラファイトフィルム1~3、5のような層間に空気層はなくが密な状態であった。このような構造を有しているために、優れた熱伝導特性に加え、鉛事硬度はHB以上、密度1.9g/cm3以上、ビール強度5.0N/cm以上、外観8以上と各特性に優れていた。なお、グラファイトフィルムの鉛筆硬度は、JISK54001990年JISK56001999年塗料一般試験方法の8.4.1試験機法に準じて、評価した。また、グラファイトフィルムのピール強度は、JISZ02371980年粘着テープ粘着シート試験方法に準じて、評価した。値が大さいほど、表面の接着剤や粘着剤に対する接着性が高いことを意味している。グラファイトフィルムの外観は、JISK54001990年JISK56001999年塗料一般試験方法の8.5.3Xカットテープ法に準じて、評価した。値は0~10の範囲で示され、値が大きいほど表面の剥がれが少ないことを意味している。実施例1~6前記の6種類のグラファイトA、B,C,D,E,Fをもちいてその両表面に無電解Cuメッキを実施した。無電解メッキの前処理条件、メッキ条件を表1、表2に示した。安定な化学メッキ膜を形成するには前処理条件、メッキ条件を厳密に選択する必要がある。特に化学的に安定なグラファイト層面にメッキを施すには前処理条件が重要である。無電解メッキの後に通常の電解メッキ法をもちいて任意の厚さに銅の電解メッキ膜を形成した。無電解メッキと電解銅メッキ層の厚さの和をそれぞれ40μmとなるようにした。得られた第一銅層/グラファイト/第二銅層からなる基板面積10×10cm2の放熱特性を見積もる目的で、基板中央にセラミックヒーター坂口電熱株式会社製マイクロセラミックヒーター、MS-3サイズ10×10mm2を置き、一定の電力16Wを印加し、ヒーターの温度上昇を熱電対で測定したなお測定値は±2~3°C程度の誤差を含んでいる基板の熱伝導が良好で、放熱特性に優れるほどセラミックヒーターの温度は上昇しない事になる。得られた結果を表3に示す。また、比較のために同じ厚さの銅板をもちいて、同様の実験を行いセラミックヒーター表面の温度を測定した。得られた結果を比較例として表4にしめす。なお、上記条件下でヒーター単独ではその表面温度はおよそ150°Cとなる。本発明の銅/グラファイト/銅からなる3層構造の基板ではいずれも50°C~60°Cの温度となり著しい放熱効果が確認できた。また比較例では、実施例D、Eの基板と同じ厚さである120μmの厚さの銅基板を取り付けた時のヒーター表面温度は85°Cであり比較例3、実施例C、Fの基板と同じ厚さである150μmの厚さの銅基板を取り付けた時のヒーター表面温度は70°Cであり比較例2本発明の構成になる基板が例えば銅のみからなる基板と比較して優れた放熱特性を有する事が分かる。また、実施例Aの基板と同じ厚さである330μmの銅基板を用いた場合比較例1の場合にはヒーター表面の温度は60°Cで、ほぼ実施例1と同等であった。すなわち、実施例C、D、E、Fではその厚さは比較例1のケースに比較して半分以下であるにも関わらず、同等または同等以上の優れた放熱特性を有している事が明らかになり、本発明の有用性が確認できた。実施例7~12実施例4と同じ方法で、グラファイトDをもちいて第一層および第二層の銅層の厚さをそれぞれに変えて、同じセラミックヒーターを用いてその放熱効果を測定した。その結果を表5に示す。第一銅層の厚さは放熱特性に大きな影響を与える。本検討でもちいたグラファイトDの様に面方向の熱伝導度が1200W/mKであって、銅の熱伝導度398W/mKよりもはるかに大きい場合には、第一層の厚さが薄いほど放熱効果は優れたものとなる。望ましくは第一層の銅層がなく、グラファイトが第一層である事は特性上は最も好ましい。グラファイトFはグラファイトの粉落ちが少なくグラファイト層を第一層とする場合には好ましく用いる事が出来る。一方、第二銅層の影響は第一層の影響に比べると大きくない。第二層の役割はグラファイト層の効果で基板全体に広がった熱放熱するための物であり、熱容量の大きさという影響はあるものの、放熱効果と言う観点からは影響が小さいのであろう。実施例13~18前記の3種類のグラファイトA、C,Dを用い、その表面に蒸着法でアルミ層を形成した。次にこうして得られたアルミ/グラファイト/アルミの3層板をアルミ板上にプレス圧着した。得られた放熱基板を実施例1と同じセラミックヒーターを用いてその放熱特性を測定した。結果を表6に示す。また、比較のために同じ厚さのアルミ単体の板を用いてその放熱特性を測定し効果を比較した。厚さ150μm、180μm、1250μmのアルミを用いた場合にはセラミックヒーターの表面温度はそれぞれ98°C、95°C、85°Cであった。この事からグラファイトを用いる本発明の方法が優れた放熱効果を有する事が確認できた。実施例17~19日本タングステン株製アルミナ商品名NPA-5を加工して得られた、直径100mm、熱伝導率20W/mKの円盤を2枚用意しそれぞれの厚さ2mm、10mmその間にグラファイトフィルムA、C、Dを挟んで周囲をクリップで留め、その表面厚さ2mm板側に実施例1と同様のセラミックヒーターを取り付け、その表面温度を測定した。グラファイトフィルムを挟まない場合にはヒーター表面温度は105°Cであったが、グラファイトA、C、Dを挟んだ場合にはそれぞれ、95°C、90°C、84°Cであった。この事からグラファイトを挟む事によって優れた放熱特性が実現できた事が分かった。実施例20~25グラファイトA、B、C、D、E、Fの両表面にGE東芝シリコーン社製のTSE3080シリコーン樹脂を塗布し、それを2枚の日本タングステン株製窒化アルミ商品名NPL-2、厚さ3mm、直径100mm、熱伝導率170W/mKで挟み放熱基板を作製した。同様の方法で放熱特性を調べたが、グラファイトA、Bではグラファイトを挟んだ効果は認められなかった。これは、グラファイトA、Bの面方向の熱伝導はそれぞれ、240W/mK、300W/mKで窒化アルミの170W/mKよりも大きいにも関わらず、グラファイト面厚さ方向熱伝導がそれぞれ6W/mK、5~10W/mKと小さいためにその影響が現れたものと考えられる。しかしながら、グラファイトC、D、E、Fでは同じ厚さの窒化アルミ単体よりも10°C以上高い放熱特性が確認できた。これは、これらのグラファイトにおける面方向の高い熱伝導度700W/mK以上が熱の速やかな拡散に寄与したものと考えられる。これらの事実から異方性熱伝導体を用いる場合には、異方性熱伝導体の高熱伝導方向の熱伝導率は用いられる等方性熱伝導体の2倍以上ある事が望ましい好ましい事が分かる。実施例26以上の実施例を元にLEDでの実証試験を行った。1ポリイミド樹脂上に銅配線を施した基板実装基板、2窒化アルミ基板に銅ペーストを焼き付けて回路形成を行った基板、3最表面を前記窒化アルミ回路としさらに裏面にグラファイトDを貼り付けた基板、の3種類で比較実験を行った。用意した発光ダイオードに3Vの電圧を印加し、200mAの電流を流すことができる素子を使用した。発光ダイオードLEDのジャンクション温度の上昇が上昇すると相対的に光出力が減少するから、逆にそれぞれの基板を用いたときの発光強度を測定すれば基板の放熱効果を見積もる事が出来る。その結果、1基板の発光強度を100とすると、2の基板ではおよそ120、3の基板ではおよそ130の発光強度が得られた。この事から3基板を用いる事によって、ジャンクション温度を30°C以上低下出来る事が分かった。"