"fr,θ=r/r0psinpθr:回転軸からの距離、r0:回転子の半径、θ:偏角、p:極対数の等値線に沿って形成されたフラックスバリアが積層されてなる回転子を具備した永久磁石同期機であって、同一層であるか否かに関わらず、前記フラックスバリア内に、残留磁束密度が異なる複数種類の磁場発生物体を、回転軸からの距離が回転子表面に近いほど残留磁束密度が大きくなるように配置してなる永久磁石同期機。前記複数種類の磁場発生物体のうちの全部又は一部の磁場発生物体は、1残留磁束密度の異なる1以上の磁石及び非磁性材料、或いは、2残留磁束密度の異なる複数の磁石を、回転軸方向に所定順に積層した異種積層物体でなる、請求項1に記載の永久磁石同期機。前記異種積層物体については当該物体体積に占める各磁石の体積割合に基づき算定された残留磁束密度とみなして、前記磁場発生物体の位置が位置決めされてなる、請求項2に記載の永久磁石同期機。各種類の前記磁場発生物体の代表配置位置の回転軸からの距離の比と、各種類の前記磁場発生物体の残留磁束密度の比とが極対数に基づき定まる所定の比例条件を満たすよう構成されてなる、請求項1~3の何れか一項に記載の永久磁石同期機。上述の特許文献1等のように、フラックスバリアの形状や磁石配置に関する研究開発は盛んであったが、フラックスバリア内の磁石配置がギャップ磁束密度分布に与える影響については、あまり研究が進んでいない。ギャップ磁束密度分布中の高調波磁束は、トルク脈動や鉄損発生の原因となる。また、高調波磁束を含む総磁束が固定子鉄心を通るため、高調波磁束は、固定子を大型化する原因ともなり得る。この問題を解決する1つの方法が、磁石により形成されるギャップ密度分布を正弦波状にすることである。そこで、本発明は、ギャップ磁束密度を正弦波状にすることのできる永久磁石同期機の回転子構造の実現を目的としてなされたものである。上記課題を解決するための第1の形態は、fr,θ=r/r0psinpθr:回転軸からの距離、r0:回転子の半径、θ:偏角、p:極体数の等値線に沿って形成されたフラックスバリアが積層されてなる回転子を具備した永久磁石同期機であって、同一層であるか否かに関わらず、前記フラックスバリア内に、残留磁束密度が異なる複数種類の磁場発生物体を、回転軸からの距離が回転子表面に近いほど残留磁束密度が大きくなるように配置してなる永久磁石同期機である。この第1の形態によれば、フラックスバリア内に、残留磁束密度が異なる複数種類の磁場発生物体が、回転軸からの距離が回転子表面に近いほど、残留磁束密度が大きくなるように配置される。フラックスバリア内に複数種類の磁場発生物体を配置することで、全体として、フラックスバリア内に負の透磁率を有する磁場発生物体を配置したかのような構造を等価的に実現することができ、その結果、この負の透磁率を有する磁場発生物体によってギャップに正弦波状の起磁力が供給され、ギャップ磁束密度分布を正弦波状とすることができる。なお、残留磁束密度とは一般的には磁石の特性値のことである。しかし、磁場発生物体は磁石のみで構成されているとは限らない。そのため、磁石のみで構成されていない場合の磁場発生物体に対して残留磁束密度という用語を使用することは、厳密には不適切と思われるかも分からない。しかれども、対象とする物性上の特性値は残留磁束密度に等価的な特性値残留磁束密度相当値であり、用語の使い分けをするとなると本形態の理解に無用な混乱を与えかねない。そこで、統括的に残留磁束密度と表記しており、以下も同様である。第2の形態として、第1の形態の永久磁石同期機であって、前記複数種類の磁場発生物体のうちの全部又は一部の磁場発生物体は、1残留磁束密度の異なる1以上の磁石及び非磁性材料、或いは、2残留磁束密度の異なる複数の磁石を、回転軸方向に所定順に積層した異種積層物体でなる、永久磁石同期機を構成しても良い。この第2の形態によれば、磁場発生物体は、1残留磁束密度の異なる1以上の磁石及び非磁性材料、或いは、2残留磁束密度の異なる複数の磁石を回転軸方向に所定順に積層した異種積層物体として形成される。第3の形態として、第2の形態の永久磁石同期機であって、前記異種積層物体については当該物体体積に占める各磁石の体積割合に基づき算定された残留磁束密度とみなして、前記磁場発生物体の位置が位置決めされてなる、永久磁石同期機を構成しても良い。異種積層物体は、当該物体体積に占める磁石の体積割合を調整することで、任意の残留磁束密度を有する物体とみなすことができるためである。さらには、第4の形態として、第1~第3の何れかの形態の永久磁石同期機であって、各種類の前記磁場発生物体の代表配置位置の回転軸からの距離の比と、各種類の前記磁場発生物体の残留磁束密度の比とが極対数に基づき定まる所定の比例条件を満たすよう構成されてなる、永久磁石同期機を構成しても良い。この第4の形態によれば、ギャップ磁束密度分布を正弦波状とするための理想的な磁石配置に一層近づけることができる。[作用効果]このように、本実施形態によれば、永久磁石同期機における回転子構造として、回転子に形成されたフラックスバリアに、残留磁束密度と動作磁束密度とが比例するように、特性が異なる複数種類の磁石を、回転子表面に近いほど残留磁束密度が大きくなるように配置された構造が実現される。これにより、フラックスバリアに負の透磁率を有する磁石を配置したのと等価の構造となり、磁石によって形成されたギャップ磁束密度分布を正弦波状とすることができる。[変形例]なお、本発明の適用可能な実施形態は上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能なのは勿論である。例えば、図5では、フラックスバリア内に2種類の磁石A,B磁場発生物体を配置した回転子構造を示したが、3種類以上の磁石磁場発生物体を配置することにしても良い。例えば、3つの磁石A,B,Cを配置する場合には、図2に示した原理に従って、これらの3つの磁石A,B,Cを、回転子中心から順に、その残留磁束密度が小さい順に配置する。また、図6では、磁場発生物体は、それぞれ1種類の磁石磁性体と非磁性体とを交互に積層した積層体としたが、これを、残留磁束密度の異なる複数種類の磁石磁性体と1種類の非磁性体とを回転軸方向に交互に積層した積層体として構成しても良いし、残留磁束密度の異なる複数種類の磁石を回転軸方向に交互に積層した積層体として構成しても良い。この場合、積層体を構成する各層において、当該層の厚みを一定一様に構成すると好適である。また、各種類の磁性体及び非磁性体それぞれの層の比率体積比を、積層体全体としての残留磁束密度が上述した残留磁束密度Brwを有するように定める必要があることは勿論である。また、図5では、2層のフラックスバリアが形成された回転子構造を示したが、3層以上でも同様に適用可能である。また、図5では、4極極対数p=2のフラックスバリアが形成された回転子構造を示したが、例えば、図1に示した6極p=3や8極p=4のフラックスバリアが形成された回転子についても同様に適用可能である。以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。但し、本発明の適用可能な実施形態がこれに限定されるものではない。例えば、正弦波と余弦波とは、位相が異なるのみで波形形状は同じであるため、本実施形態においては、正弦波も余弦波も同一とみなし、総括して正弦波という用語を用いて説明する。また、残留磁束密度とは一般的には磁石の特性値のことである。しかし、図6等を参照して説明する積層体磁場発生物体は磁石のみで構成されているとは限らない。そのため、磁石のみで構成されていない積層体磁場発生物体に対して残留磁束密度という用語を使用することは、厳密には不適切と思われるかも分からない。しかれども、対象とする物性上の特性値は残留磁束密度に等価的な特性値残留磁束密度相当値であり、用語の使い分けをするとなると本実施形態の理解に無用な混乱を与えかねない。そこで、本実施形態では、統括的に残留磁束密度と表記する。[原理]先ず、本実施形態の埋込磁石形永久磁石同期機以下、単に永久磁石同期機というにおける回転子構造の原理を説明する。図1は、永久磁石同期機の回転子の回転軸に対する垂直断面模式図である。図1では、左から順に、極対数pが24極の場合、極対数pが36極の場合、極対数pが48極の場合のそれぞれを示している。図1に示すように、回転子は、円筒形状の鉄心にフラックスバリア磁気障壁層が形成されてなる。フラックスバリアは、回転子の外周面表面に対して逆方向に湾曲した形状で積層されており、この積層されたフラックスバリアの一群が、回転子の周方向に等間隔に設けられている。この回転子表面の磁気ポテンシャルφsが、次式1で与えられるとする。式1において、pは極対数、θは機械角、φ0は磁気ポテンシャルのピーク値である。そして、回転子が全て均一な透磁率μの物質で構成されているとすると、回転子内部の磁気ベクトルポテンシャルA、及び、磁気ポテンシャルφは、次式2で表される。式2において、r0は回転子半径、rは回転中心からの距離、である。そして、式2に対応する磁束密度ベクトルBは、次式3となる。ここで、Brは磁束密度ベクトルBのr方向成分、Bθは磁束密度ベクトルBのθ方向成分、Bpは磁束密度ベクトルBの大きさである。すなわち、式3によれば、磁束密度ベクトルBの方向は、半径方向とpθの角度をなす方向である。また、磁束密度ベクトルBの大きさは、rp-1に比例する。つまり、極対数pに基づいて定まる比例関係で定義され、極対数pが多くなると回転子表面近傍で磁束密度が急激に高くなる。ここで、フラックスバリアの形状を、次式4で表される関数fの等値線に沿った形状とすると、そのフラックスバリアの形状は、磁気ポテンシャルφの等値線形状と等しく、フラックスバリアと垂直な方向に磁束を流すのに必要な磁気ポテンシャルを最大化するバリアが形成される。また、そのフラックスバリアの形状は、磁気ベクトルポテンシャルAの等値線磁束線形状とも等しく、フラックスバリアと平行な方向に磁束が最も流れやすい磁路が形成されるため、突極性を最大化することができる。更に、上式4の関数fに関して均等分割の考えを適用すると、各フラックスバリアの各境界線を表す関数fは、次式5となる。均等分割とは、各フラックスバリアを定義する2つの境界線における関数fの値の差が各フラックスバリアで等しく、また、鉄心層についても同様のことが成り立つように、境界線の位置を定める方法である。式5において、nlはフラックスバリア数、il=1,2,,nl、である。また、Kaはフラックスバリアの割合であり、0~1の値を取る。このように、層数が無限に多いフラックスバリアが均等配置の考え方に従って配置された回転子において、フラックスバリアに垂直な方向に磁束が流れ、式3と同一の磁束密度分布が形成されているとする。この場合、回転子表面の磁気ポテンシャルφsは、次式6となる。式6において、φxは磁気ポテンシャルφのピーク値、μsは鉄心の透磁率、μaは空気の透磁率である。そして、フラックスバリアを磁石で満たし、この磁石の作用によって磁束を発生させる場合を考える。磁石が負の一定値の透磁率μmを有し、この透磁率μmが次式7を満たすと仮定する。すると、次式8で与えられる回転子表面の磁気ポテンシャルφsが負となり、磁石によって、ギャップに正弦波状の起磁力が供給されるとともに、ギャップ磁束密度分布が正弦波状となる。ところが、単体で負の透磁率μを有する磁石は存在しない。しかし、特性が異なる複数種類の磁石を用いることで、全体として負の透磁率を有する磁石を配置した場合と同等の効果を得ることができる。具体的には、図2に示すように、特性が異なる複数種類の磁石を、残留磁束密度と動作磁束密度とが比例するように配置する。図2において、左側は回転子の回転軸に対する垂直断面図を示し、右側は減磁曲線を示している。回転子内部の動作磁束密度は、式3に示したように、rp-1に比例して変化するため、回転中心からの距離rに応じて磁石の種類を変え、回転子表面に近いほど、残留磁束密度の大きい磁石を配置する。また、磁石の着磁方向は、式3で表される磁束密度ベクトルBの方向と平行になるようにする。すなわち、磁束密度ベクトルBの方向を、半径方向に対してpθの角度をなして磁極中心に傾けた方向とすれば良い。また、上述の均等分割の考え方に従ってフラックスバリアが配置されている場合、磁束密度ベクトルBとフラックスバリアとは直交しているため、フラックスバリアと直交する方向に着磁すると考えることもできる。図3は、このような磁石配置をした回転子構造の一例を示す図である。図3では、フラックスバリアの層数が8、極対数pが24極の場合を示している。また、フラックスバリア内には、上述の原理に従い、特性の異なる複数種類の磁石が、動作磁束密度が半径rに比例rp-1=r2-1=rするように配置されている。そして、図3に示した構造の回転子に対して電磁界解析を行って得られたギャップ磁束密度分布を図4に示す。図4では、磁束密度ベクトルの半径方向成分を実線で示しているとともに、比較のための正弦波波形を点線で示している。但し、電磁界解析に当たり、フラックスバリア割合Kaを1/3とし、均等分割の考えに従ってフラックスバリアが形成されているとした。そして、磁石の着磁方向は5°刻みで変化させ、各磁石の残留磁束密度は10刻みで変化させた。図4によれば、ギャップ磁束密度分布は、ほぼ正弦波となっている。すなわち、上述の原理による磁石配置によって、ギャップ磁束密度分布が正弦波状になることが確認された。[構成]続いて、上述の原理を適用した永久磁石同期機の回転子の具体的な構造を説明する。図5は、本実施形態における永久磁石同期機の回転子の回転軸に対する垂直断面図である。図5に示す回転子は、フラックスバリアの層数が2であり、このフラックスバリアそれぞれに、特性が異なる2種類の磁石磁場発生物体A,Bが配置されている。具体的には、回転子表面に近い部分回転子半径r0の約80以上の位置に、残留磁束密度Brwaの磁石Aが配置充填され、回転子中心に近い部分回転子半径の約80未満の位置に、残留磁束密度Brwbの磁石Bが配置充填されている。この磁石A,Bは、図2に示したように、残留磁束密度と動作磁束密度とが比例する磁石である必要がある。しかしながら、実際には、この比例関係を満たす任意の残留磁束密度を有する単一材料の磁石磁性材料を得ることは困難である。そこで、本実施形態では、図6に示すように、磁石磁性体と非磁性体とを、回転軸方向に交互に積層して接着した積層体を用いることで、任意の残留磁束密度の磁石磁場発生物体を実現している。一般的に、希土類磁石やフェライト磁石では、減磁曲線の直線部分の傾きは、真空の透磁率μにほぼ等しい。このため、希土類磁石やフェライト磁石の減磁曲線は、真空の透磁率μの磁気特性を、残留磁束密度の分だけ平行移動させたものとして近似できる。すなわち、磁界の強さHが、磁石と非磁性材料との積層体に与えられたとき、積層体における磁石の磁束密度Bmは、次式9となる。また、積層体における非磁性材料の磁束密度Baは、次式10となる。そして、積層体における磁石の占積率積層体の体積に占める磁石の体積の割合をρmとすると、積層体全体の平均的磁束密度Bwは次式11となる。つまり、この積層体は、残留磁束密度Brwが次式12となる磁石と等価とみなすことができる。このように、磁石磁性体と非磁性体とを交互に積層した積層体における磁石の占積率ρmを調整することで、任意の残留磁束密度Brwを有する磁石磁場発生物体を実現する。[具体例]図5における回転子の具体的な構成例として、例えば、磁石Aとして、残留磁束密度Brmが1.08TのNdFeB磁石を、占積率ρm=66.6で積層した積層体を配置するとともに、また、磁石Bとして、残留磁束密度Brmが0.475Tのフェライト磁石を、占積率ρm=100で積層した積層体、すなわちフェライト磁石そのものを配置する。この場合、磁石Aとなる積層体の残留磁束密度Brwaは0.719Tとなり、磁石Bとなる積層体の残留磁束密度Rrwbは0.475Tとなる。また、回転子表面に近い磁石Aの磁石重心の回転中心からの距離raは、回転子半径r0の90ra=0.9r0となり、回転子中心に近い磁石Bの磁石重心の回転中心からの距離rbは、回転子半径r0の59rb=0.59r0となる。また、この回転子は4極p=2であり、つまり、式3に示したように、残留磁束密度Brwが、回転中心からの距離r=rp-1=r2-1に比例して増加するように配置する必要がある。そして、磁石A,Bそれぞれの残留磁束密度Brwa,Brwbの比Brwa/Brwbは、0.475/0.719=66、となり、また、磁石重心の回転中心からの距離ra,rbの比ra/rbは、59/90=66、となって両者は一致する。すなわち、ギャップ磁束密度分布を正弦波状とする理想的な磁石配置に近い構成となっている。図7は、本実施形態における構造の回転子図5参照に対する電磁界解析を行って得られた磁束密度ベクトルの半径方向成分を示すグラフである。図7では、本実施形態における構造の回転子Optについてのギャップ磁束密度分布を実線で示しているとともに、比較対象として、図8に示す構造の回転子Cnvに対する電磁界解析を行って得られたギャップ磁束密度分布を点線で示している。図8は、比較対象の回転子の構造を示す図である。図8に示すように、比較対象の回転子の鉄心は、本実施形態の回転子の鉄心と同じである。そして、このフラックスバリア内に、1種類の磁石が配置充填されている。電磁界解析に当たり、本実施形態の回転子構造については、上述の具体例で挙げた2種類の磁石A,Bが配置されているとした。すなわち、磁石Aを、残留磁束密度Brmが1.08TのNdFeB磁石を、占積率ρm=66.6で積層した積層体とし、磁石Bを、残留磁束密度Brmが0.475Tのフェライト磁石そのものとした。また、比較対象の回転子構造については、1種類の磁石Aすなわち、残留磁束密度Brmが1.08TのNdFeB磁石を、占積率ρm=66.6で積層した積層体が配置されているとした。図7によれば、比較対象の回転子についてのギャップ磁束密度分布の波形は、ほぼ矩形波形状である。これに対して、本実施形態の回転子についてのギャップ磁束密度分布の波形は、矩形波の角の部分の磁束密度が減少して正弦波に近い波形となっている。また、電磁界解析を行って得られた本実施形態の回転子のひずみ率は10.2であり、比較対象の回転子のひずみ率は24.2であった。つまり、比較対象の回転子構造に対して、本実施形態の回転子構造のギャップ磁束密度分布波形のひずみ率が改善されており、正弦波形状により近いといえる。[作用効果]このように、本実施形態によれば、永久磁石同期機における回転子構造として、回転子に形成されたフラックスバリアに、残留磁束密度と動作磁束密度とが比例するように、特性が異なる複数種類の磁石を、回転子表面に近いほど残留磁束密度が大きくなるように配置された構造が実現される。これにより、フラックスバリアに負の透磁率を有する磁石を配置したのと等価の構造となり、磁石によって形成されたギャップ磁束密度分布を正弦波状とすることができる。[変形例]なお、本発明の適用可能な実施形態は上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能なのは勿論である。例えば、図5では、フラックスバリア内に2種類の磁石A,B磁場発生物体を配置した回転子構造を示したが、3種類以上の磁石磁場発生物体を配置することにしても良い。例えば、3つの磁石A,B,Cを配置する場合には、図2に示した原理に従って、これらの3つの磁石A,B,Cを、回転子中心から順に、その残留磁束密度が小さい順に配置する。また、図6では、磁場発生物体は、それぞれ1種類の磁石磁性体と非磁性体とを交互に積層した積層体としたが、これを、残留磁束密度の異なる複数種類の磁石磁性体と1種類の非磁性体とを回転軸方向に交互に積層した積層体として構成しても良いし、残留磁束密度の異なる複数種類の磁石を回転軸方向に交互に積層した積層体として構成しても良い。この場合、積層体を構成する各層において、当該層の厚みを一定一様に構成すると好適である。また、各種類の磁性体及び非磁性体それぞれの層の比率体積比を、積層体全体としての残留磁束密度が上述した残留磁束密度Brwを有するように定める必要があることは勿論である。また、図5では、2層のフラックスバリアが形成された回転子構造を示したが、3層以上でも同様に適用可能である。また、図5では、4極極対数p=2のフラックスバリアが形成された回転子構造を示したが、例えば、図1に示した6極p=3や8極p=4のフラックスバリアが形成された回転子についても同様に適用可能である。"