"基板を処理する基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記主面に凝固点よりも低い温度まで過冷却された過冷却液を供給する液体供給部と、前記過冷却液が供給された前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に液膜を形成する基板回転機構と、前記液膜を冷却して凍結させる凍結部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記液体供給部から前記過冷却液を前記基板の前記主面に供給することにより、前記主面の温度を前記過冷却液の凝固点よりも低い温度とした後に、前記基板回転機構による前記液膜の形成が行われることを特徴とする基板処理装置。請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記液膜が形成される際に、回転中の前記基板の他方の主面を冷却する冷却部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。請求項3に記載の基板処理装置であって、前記冷却部が、前記過冷却液を前記他方の主面に供給することを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記過冷却液が純水であることを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。基板を処理する基板処理方法であって、aチャンバ内において一方の主面を上側に向けた状態で保持された基板の前記主面に凝固点よりも低い温度まで過冷却された過冷却液を供給する工程と、b前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に液膜を形成する工程と、c前記液膜を冷却して凍結させる工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。ところで、上述のような凍結洗浄を行う基板処理装置では、基板上の液膜を凍結させるための冷却ガスとして、液体窒素内を通る配管を通過して約-190°Cまで冷却された窒素ガス等が利用される。このような冷却ガスを、基板の処理が行われるチャンバ内へと導入するためには、高性能な断熱設備が必要であり、装置の製造コストが増大してしまう。しかしながら、断熱設備の性能を下げると冷却ガスの温度が高くなり、液膜の凍結に要する時間が長くなってしまう。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、液膜の凍結に要する冷却コストを抑制し、また、液膜の凍結に要する時間を短くすることを目的としている。請求項1に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記主面に凝固点よりも低い温度まで過冷却された過冷却液を供給する液体供給部と、前記過冷却液が供給された前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に液膜を形成する基板回転機構と、前記液膜を冷却して凍結させる凍結部とを備える。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記液体供給部から前記過冷却液を前記基板の前記主面に供給することにより、前記主面の温度を前記過冷却液の凝固点よりも低い温度とした後に、前記基板回転機構による前記液膜の形成が行われる。請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記液膜が形成される際に、回転中の前記基板の他方の主面を冷却する冷却部をさらに備える。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理装置であって、前記冷却部が、前記過冷却液を前記他方の主面に供給する。請求項5に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記過冷却液が純水である。請求項6に記載の発明は、請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備える。請求項7に記載の発明は、基板を処理する基板処理方法であって、aチャンバ内において一方の主面を上側に向けた状態で保持された基板の前記主面に凝固点よりも低い温度まで過冷却された過冷却液を供給する工程と、b前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に液膜を形成する工程と、c前記液膜を冷却して凍結させる工程とを備える。本発明では、液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。また、液膜の凍結に要する時間を短くすることができる。図1は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置1の構成を示す図である。図1に示すように、基板処理装置1は、半導体基板9以下、単に基板9という。を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1では、基板9上に凍結膜を形成し、当該凍結膜を除去することにより、基板9上からパーティクル等を除去する凍結洗浄処理が行われる。基板処理装置1は、基板保持部2と、カップ部21と、第1液体供給部31と、第2液体供給部32と、凍結部4と、基板回転機構5と、加熱液供給部6と、チャンバ7と、制御部8とを備える。制御部8は、第1液体供給部31、第2液体供給部32、凍結部4、基板回転機構5および加熱液供給部6等の構成を制御する。基板保持部2は、チャンバ7内において基板9の一方の主面91以下、上面91という。を上側に向けた状態で基板9を保持する。基板9の上面91には、回路パターン等が形成されている。カップ部21は、チャンバ7内において基板9および基板保持部2の周囲を囲む。基板回転機構5は、基板9の中心を通るとともに基板9の上面91に垂直な回転軸を中心として、基板9を基板保持部2と共に水平面内にて回転する。第1液体供給部31は、凝固点よりも低い温度まで過冷却された液体である過冷却液を基板9の上面91に供給する。過冷却とは、物質の相変化において、変化するべき温度以下でもその状態が変化しないでいる状態を指す。本実施の形態では、第1液体供給部31から基板9の上面91の中央部に向けて、0°Cよりも低い温度例えば、約-5°Cまで過冷却された純水である過冷却水が吐出される。また、第2液体供給部32から基板9の他方の主面92以下、下面92という。の中央部に向けて、第1液体供給部31から供給される過冷却水と同様の過冷却液が吐出される。過冷却液としては、脱イオン水DIW:DeIonizedWaterが利用されることが好ましい。凍結部4は、基板9の上面91に向けて冷却ガスを供給する。冷却ガスは、第1液体供給部31から供給される冷却液の凝固点よりも低い温度まで冷却されたガスである。凍結部4は、冷却ガスを吐出する冷却ガスノズル41と、冷却ガスノズル41を回転軸421を中心として水平に回動するノズル回動機構42とを備える。ノズル回動機構42は、回転軸421から水平方向に延びるとともに冷却ガスノズル41が取り付けられるアーム422を備える。冷却ガスとしては、冷却された窒素N2ガスが用いられる。冷却ガスの温度は、好ましくは、-100°C~-20°Cであり、本実施の形態では、約-50°Cである。加熱液供給部6は、基板9の上面91の中央部に、加熱された液体である加熱液を供給する。図1では、図示の都合上、加熱液供給部6を第1液体供給部31の上方に描いているが、実際には、第1液体供給部31が基板9の上方から外側に退避した状態で、加熱液供給部6が基板9の外側から上方へと移動する。また、第1液体供給部31が基板9の上方に位置する際には、加熱液供給部6が基板9の上方から外側に退避する。加熱液としては、常温よりも高い温度まで加熱された純水好ましくは、脱イオン水が用いられる。加熱液の温度は、好ましくは50°C~90°Cであり、本実施の形態では、約80°Cである。図2は、基板処理装置1における基板9の処理の流れを示す図である。基板処理装置1では、まず、基板9がチャンバ7内に搬入されて基板保持部2により保持され、制御部8の制御により、基板回転機構5による基板9の回転が開始されるステップS11。基板9の回転数は、例えば、300rpm~900rpmであり、本実施の形態では400rpmである。続いて、制御部8により第1液体供給部31および第2液体供給部32が制御され、第1液体供給部31から基板9の上面91に対する過冷却液の供給が開始され、第2液体供給部32から基板9の下面92に対する過冷却液の供給が開始されるステップS12,S13。基板9の上面91および下面92に供給された過冷却液は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって上面91および下面92の全面に亘って拡がり、基板9のエッジから外側へと飛散する。基板9から飛散した過冷却液は、カップ部21により受けられて回収される。基板処理装置1では、第1液体供給部31および第2液体供給部32からの過冷却液の供給が所定の時間だけ継続される。そして、少なくとも基板9の上面91の温度が0°Cすなわち、過冷却液の凝固点よりも低くなるまで基板9が冷却されるステップS14。より好ましくは、基板9全体の温度が0°Cよりも低くなるまで、基板9の上面91および下面92に対する過冷却液の供給が継続される。以下の説明では、ステップS14における基板9の冷却を、予備冷却という。本実施の形態では、予備冷却により、基板9全体が約-1°Cまで冷却される。その後、基板回転機構5による基板9の回転数が減少し、過冷却液による基板9の予備冷却時よりも小さい回転数に変更される。基板9の回転数は、例えば、50rpm~300rpmであり、本実施の形態では80rpmである。続いて、第1液体供給部31から基板9の上面91への過冷却液の供給が停止されるステップS15。基板処理装置1では、低速にて回転する基板9の上面91において、上面91上に残っている過冷却液の一部が基板9の中央部からエッジへと向かい、基板9から外側へと飛散する。そして、基板9の上面91上には、過冷却液の薄い液膜が形成されるステップS16。液膜の厚さは、基板9の上面91の全面に亘っておよそ均一であり、本実施の形態では、約50μmである。なお、液膜の厚さは必ずしも均一である必要はない。基板処理装置1では、基板9の上面91上に液膜が形成される際にも、第2液体供給部32により、回転中の基板9の下面92に過冷却液が継続的に供給され、基板9の下面92が冷却される。換言すれば、第2液体供給部32は、液膜形成中も基板9の下面92の冷却を行う冷却部である。液膜の形成が終了すると、第2液体供給部32からの過冷却液の供給が停止されるステップS17。続いて、制御部8の制御により、凍結部4のノズル回動機構42による冷却ガスノズル41の回動が開始され、基板9の中央部とエッジとの間で冷却ガスノズル41が往復移動を繰り返す。そして、基板処理装置1の外部に設けられた冷却ガス供給源から冷却ガスノズル41へと冷却ガスが供給され、冷却ガスノズル41から回転中の基板9の上面91に向けて供給される。これにより、基板9の上面91の全面に亘って冷却ガスが供給され、上面91上の液膜が冷却されて凍結するステップS18。以下、凍結した液膜を凍結膜とも呼ぶ。なお、基板処理装置1では、基板9の中央部の上方にて停止した冷却ガスノズル41から冷却ガスの供給が行われ、基板9の回転により冷却ガスが基板9の中央部から外縁部へと拡がることにより凍結膜が形成されてもよい。基板9上では、基板9とパーティクル等との間に浸入した過冷却液が凍結凝固して体積が増加することにより、パーティクル等が基板9から微小距離だけ浮き上がる。その結果、パーティクル等と基板9との間の付着力が低減され、パーティクル等が基板9から脱離する。また、過冷却液が凍結する際に、基板9の上面91に平行な方向に体積が増加することによっても、基板9に付着しているパーティクル等が基板9から剥離する。凍結膜の形成が終了すると、凍結部4からの冷却ガスの供給が停止され、冷却ガスノズル41が基板9の上方から外側に移動する。続いて、基板回転機構5による基板9の回転数が増加し、凍結膜の形成時よりも大きい回転数に変更される。基板9の回転数は、例えば、1500rpm~2500rpmであり、本実施の形態では2000rpmである。次に、制御部8により加熱液供給部6が制御され、加熱液供給部6から基板9の上面91に向けて加熱液が供給される。加熱液は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって上面91の全面に亘って拡がる。これにより、上面91上の凍結膜が急速に解凍されすなわち、液化され、加熱液と共に基板9のエッジから外側へと飛散するステップS19。基板9の上面91に付着していたパーティクル等は、基板9上から飛散する液体と共に基板9上から除去される。基板9上から外側へと飛散した液体は、カップ部21により受けられて回収される。基板処理装置1では、加熱液供給部6は、基板9上の凍結膜に解凍用液体である加熱液を供給して凍結膜を除去する凍結膜除去部の役割を果たす。凍結膜の除去が終了すると、図示省略のリンス液供給部から基板9の上面91上にリンス液例えば、常温の脱イオン水が供給され、基板9のリンス処理が行われるステップS20。リンス処理中の基板9の回転数は、好ましくは、300rpm~1000rpmであり、本実施の形態では、800rpmである。その後、基板9の回転数を1500rpm~3000rpm本実施の形態では、2000rpmに変更し、基板9の回転により、基板9上のリンス液を除去する乾燥処理が行われるステップS21。基板9の乾燥処理が終了すると、基板回転機構5による基板9の回転が停止するステップS22。以上に説明したように、基板処理装置1では、基板9の上面91に供給された過冷却液により上面91上に液膜が形成され、当該液膜が凍結部4からの冷却ガスにより冷却されて凍結膜が形成される。過冷却液により形成された液膜の温度は、当該液体純水の凝固点よりも低く、凝固点よりも高温の純水に比べて凍結が生じやすい状態にある。このため、凍結部4により冷却された際に、液膜の凍結に要する時間すなわち、液体が固体へと変化する相変化時間を短くすることができる。また、相変化時間を短くすることにより、パーティクル等の除去率を向上することができる。基板処理装置1では、凝固点よりも高温の純水にて液膜を形成する場合に比べて、凍結部4からの冷却ガスの温度を高くしても迅速に液膜を凍結することができる。このため、冷却ガス供給源から冷却ガスノズル41へと冷却ガスを供給する配管等の断熱設備を簡素化することができる。その結果、凍結部4による液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。なお、相変化時間は、過冷却状態の液膜の温度と凝固点との差である過冷幅が大きいほど短くなる。基板処理装置1では、上述のように、第1液体供給部31および第2液体供給部32から基板9の上面91および下面92に過冷却液が供給され、基板9の温度が過冷却液の凝固点よりも低くなった後に、基板9上への液膜の形成が行われる。このため、液膜が基板9の熱を吸収して液膜の温度が上昇することが抑制される。その結果、液膜の凍結に要する時間をより短くすることができる。また、液膜の凍結に要する冷却コストをより抑制することができる。基板処理装置1では、液膜が形成される際に、冷却部である第2液体供給部32により基板9の下面92が冷却されるため、液膜形成中における基板9および液膜の温度上昇がさらに抑制される。これにより、液膜の凍結に要する時間をより一層短くすることができる。また、液膜の凍結に要する冷却コストをさらに抑制することができる。上述のように、第2液体供給部32から下面92に供給される液体は、第1液体供給部31から上面91に供給される過冷却液と同様の液体である。このため、第1液体供給部31および第2液体供給部32の配管の一部を共通にする等、基板処理装置1の構成を簡素化することができる。また、基板9の上面91および下面92に供給された液体をまとめて回収して基板処理装置1の処理に再利用することもできる。上述のように、基板9上の凍結膜は、体積膨張率が比較的大きい純水により形成されるため、他の液体により凍結膜を形成する場合に比べて、パーティクル等の基板9に対する付着力をより一層低減することができる。その結果、基板9からのパーティクル等の除去率を向上することができる。また、加熱液を供給して基板9から凍結膜を除去することにより、基板9に付着しているパーティクル等を凍結膜と共に効率良く除去することができる。基板処理装置1では、加熱液を、第1液体供給部31および第2液体供給部32から供給される過冷却液と同様の液体とすることにより、凍結膜の解凍時に基板9から飛散する液体も回収して再利用することができる。以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。例えば、第1液体供給部31から基板9の上面91に純水以外の液体例えば、水素水、炭酸水、SC1アンモニア過酸化水素水、ターシャリーブタノールTBAが過冷却された過冷却液が供給され、当該過冷却液の液膜が凍結することにより凍結膜が形成されてもよい。凍結部4による液膜の凍結は、液膜を形成する液体の凝固点よりも低温の窒素以外の冷却ガス例えば、酸素、空気、オゾン、アルゴンが、基板9の上面91に供給されることにより行われてもよい。液膜の凍結は、液膜を形成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスや液体が、基板9の下面92に供給されることにより行われてもよい。上記実施の形態では、基板9の上面91に液膜が形成されるよりも前、および、液膜が形成される際に、冷却部である第2液体供給部32から基板9の下面92に純水の過冷却液が供給されることにより下面92が冷却されるが、下面92の冷却は、純水以外の液体が過冷却された過冷却液が供給されることにより行われてもよい。また、基板9の下面92の冷却は、常温よりも低温の過冷却されていない液体より好ましくは、基板9の上面91において液膜を形成する液体の凝固点よりも低温の液体が冷却部から下面92に供給されることにより行われてもよく、常温よりも低温の気体の供給により行われてもよい。加熱液供給部6では、純水以外の様々な液体が、解凍用液体として常温よりも高い温度まで加熱され、基板9の上面91に供給されてもよい。また、解凍用液体として常温以下の液体が利用されてもよい。基板処理装置1では、液膜形成中における液膜の温度上昇が許容範囲内であれば、冷却部による基板9の下面92の冷却は省略されてもよい。また、液膜が基板9の熱を吸収することにより生じる温度上昇が許容範囲内であれば、ステップS14における基板9の予備冷却は省略されてもよい。この場合、凍結部4による凍結処理が開始される際の液膜の温度が凝固点以上となる可能性はあるが、凝固点よりも高温の液体が基板9の上面91に供給されて液膜が形成される場合に比べ、液膜の凍結に要する時間を短くすることができ、また、凍結部4による液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。基板処理装置1により処理される基板は、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FEDFieldEmissionDisplay用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等であってもよい。上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。"