"ガスクロマトグラフィーにより検出される、下記一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物が有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体のうち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、前記4つの立体異性体の合計量中80以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。式中、R1~R12は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~20の炭化水素基を表す。前記高純度脂環式ジエポキシ化合物が、前記一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物が有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体のうち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、前記4つの立体異性体の合計量中95以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物である請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記高純度脂環式ジエポキシ化合物が、テトラヒドロインデンジエポキシドである請求項1又は2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記硬化剤が、酸無水物系硬化剤である請求項1~3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記硬化促進剤が、イミダゾール系硬化促進剤である請求項1~4のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記無機充填剤が、平均粒径が5μm以下の球状シリカであり、かつその含有量が半導体封止用エポキシ樹脂組成物中40重量以上である請求項1~5のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。前記無機充填剤が、平均粒径が1μm以下の球状シリカであり、かつその含有量が半導体封止用エポキシ樹脂組成物中50重量以上である請求項1~6のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。請求項1~7のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなる半導体装置。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、フィラーを高充填しても低粘度で、かつ、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を得ることができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び、この半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなる半導体装置を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、ガスクロマトグラフィーにより検出される、後述する一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物が有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体のうち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、前記4つの立体異性体の合計量中80以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、フィラーを高充填しても低粘度で、かつ、得られる硬化物はガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さいものであるため、半導体封止材料として好適に用いることができることを見出し、かかる知見に基づいて本発明を完成するに至った。かくして本発明の第1によれば、下記1~7の半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。1ガスクロマトグラフィーにより検出される、下記一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物が有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体のうち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、前記4つの立体異性体の合計量中80以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填剤を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。式中、R1~R12は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~20の炭化水素基を表す。2前記高純度脂環式ジエポキシ化合物が、前記一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物が有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体のうち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、前記4つの立体異性体の合計量中95以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物である1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。3前記高純度脂環式ジエポキシ化合物が、テトラヒドロインデンジエポキシドである1又は2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。4前記硬化剤が、酸無水物系硬化剤である1~3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。5前記硬化促進剤が、イミダゾール系硬化促進剤である1~4のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。6前記無機充填剤が、平均粒径が5μm以下の球状シリカであり、かつその含有量が半導体封止用エポキシ樹脂組成物中40重量以上である1~5のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。7前記無機充填剤が、平均粒径が1μm以下の球状シリカであり、かつその含有量が半導体封止用エポキシ樹脂組成物中50重量以上である1~6のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。本発明の第2によれば、下記8の半導体装置が提供される。81~7のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなる半導体装置。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、フィラーを高充填しても低粘度で、かつ、得られる硬化物はガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さいものであるため、半導体封止材料として好適である。また、得られる硬化物は絶縁信頼性が高い。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、微細なバンプ間へも樹脂が充分に浸透してボイドの少ない封止が可能である。また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物により封止されているため、半導体チップとの線膨張率差が比較的小さく、ヒートサイクル試験において優れた接続信頼性を示す。以下、本発明を、1半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び、2半導体装置、に項分けして詳細に説明する。1半導体封止用エポキシ樹脂組成物本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、以下のa~dの成分を含有することを特徴とする。aガスクロマトグラフィーにより検出される、前記一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物が有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体のうち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、前記4つの立体異性体の合計量中80以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物以下、高純度脂環式ジエポキシ化合物aということがある。b硬化剤c硬化促進剤d無機充填剤a高純度脂環式ジエポキシ化合物本発明において用いる高純度脂環式ジエポキシ化合物aは、ガスクロマトグラフィーにより検出される、前記一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物以下、ジエポキシ化合物Aということがある。が有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体すなわち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体、エキソ-エンドの立体配置を有する立体異性体、エンド-エキソの立体配置を有する立体異性体、エンド-エンドの立体配置を有する立体異性体の4種の立体異性体のうち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体以下、エキソ-エキソ立体異性体ということがある。の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、前記4つの立体異性体の合計量中80以上であることを特徴とする。エキソ-エキソ立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、4つの立体異性体の合計量中80以上、好ましくは95以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物を含有するエポキシ樹脂組成物を用いることにより、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を効率的に得ることができる。また、当該硬化物は、光透過性と耐黄変性に優れるという特性を有する。エキソ-エキソ立体異性体はその立体構造の関係で他の3つの異性体に較べてエポキシ基の反応性が高いと考えられるが、かかる性質が寄与しているものと推定される。なお、本発明の高純度脂環式ジエポキシ化合物中、エキソ-エキソ立体異性体以外の3つの立体異性体の存在割合は特に限定されるものではない。前記式I中、R1~R12は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~20の炭化水素基を表す。前記R1~R12のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数1~20の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1~20のアルキル基;ビニル基、アリル基等の炭素数2~20のアルケニル基;エチリデン基、プロピリデン基等の炭素数2~20のアルキリデン基;等が挙げられる。これらの中でも、R1~R12としては、光透過性と耐黄変性とにバランスよく優れる硬化物を得ることができることから、互いに独立して、水素原子又は炭素数1~20のアルキル基であるのが好ましく、水素原子又はメチル基であるのがより好ましく、R1~R12の全てが水素原子であるのが特に好ましい。前記一般式IにおいてR1~R12の全てが水素原子である場合、当該一般式Iで表される脂環式ジエポキシ化合物はテトラヒドロインデンジエポキシドである。前記ジエポキシ化合物Aの4つの立体異性体の、ガスクロマトグラフィーによる定量分析は、例えば、下記の測定条件で行うことができる。測定装置:HP6890ヒューレットパッカード社製カラム:HP-1ヒューレットパッカード社製、長さ30m、内径0.25mm、膜厚1.0μm液相100-ジメチルポリシロキサンキャリアガス:ヘリウムキャリアガス流量:1.0mL/分検出器:FID注入口温度:250°C検出器温度:250°C昇温パターンカラム:40°Cで3分間保持、10°C/分で300°Cまで昇温スプリット比:200サンプル:0.4μLまた、ガスクロマトグラフィーで検出されるジエポキシ化合物Aの4つの立体異性体の構造は1HNMRや13C-NMRで帰属することができる。ジエポキシ化合物Aは、従来公知の方法により製造することができる。例えば、下記に示すように、対応する環状オレフィン化合物下記式IIで表される化合物を、酸化剤により酸化エポキシ化する方法が挙げられる。式中、R1~R12は前記と同じ意味を表す。酸化剤としては、過酸化水素、脂肪族過カルボン酸、有機過酸化物等が挙げられる。酸化剤の使用量は、環状オレフィン化合物に対して等モル以上、好ましくは、1~2倍モルである。エポキシ化反応は、溶媒中で行うのが好ましい。用いる溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン等の芳香族炭化水素類;酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類;等が挙げられる。反応温度は、0°C以上用いる溶媒の沸点以下、好ましくは20~70°Cである。反応時間は、反応規模等にもよるが、通常1~100時間、好ましくは2~50時間である。反応終了後は、例えば、貧溶媒で沈殿させる方法、エポキシ化物を熱水中に攪拌の下で投入し溶媒を蒸留除去する方法、又は、直接脱溶媒法等を行うことにより、目的とするエポキシ樹脂を得ることができる。上記反応により得られる式Iで表される化合物は、通常、エンド-エンド立体異性体、エンド-エキソ立体異性体、エキソ-エンド立体異性体及びエキソ-エキソ立体異性体の4つの立体異性体の混合物である。前記4つの立体異性体のうち、エキソ-エキソ立体異性体の含有量が、ガスクロマトグラフィーによるピーク面積の割合で、4つの立体異性体の合計量中80以上である高純度脂環式ジエポキシ化合物は、前記式Iで表される化合物の4つの立体異性体混合物を、蒸留やカラムクロマトグラフィー等の公知の精製方法に供し分離精製することで得ることができる。中でも、当該混合物を、後述の<ジエポキシ化合物Aの精製例>に記載の方法に従って分離精製するのが好ましい。b硬化剤本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記高純度脂環式ジエポキシ化合物aに加えて、硬化剤bを含有する。硬化剤bとしては、高純度脂環式ジエポキシ化合物aを、熱や光により硬化させ得るエポキシ樹脂用の硬化剤であれば、特に制約はない。例えば、酸無水物系硬化剤やフェノール系硬化剤等が挙げられ、高純度脂環式ジエポキシ化合物aをより好適に硬化できることから、酸無水物系硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤としては、分子中に脂肪族環又は芳香族環を1個又は2個有するとともに、酸無水物基を1個又は2個有する、炭素原子数4~25個、好ましくは8~20個程度の酸無水物が好適である。酸無水物系硬化剤としては、一般にエポキシ樹脂用硬化剤として慣用されているものの中から任意に選択して使用することができ、常温で液状のものが好ましい。具体的には、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸等を挙げることができる。また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の含浸性に悪影響を与えない範囲で、常温で固体の酸無水物系硬化剤、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等を使用することができる。常温で固体の酸無水物系硬化剤を使用する場合には、常温で液状の酸無水物系硬化剤に溶解させ、常温で液状の混合物として使用することが好ましい。以上の硬化剤はそれぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、本発明の目的とする効果がより得られやすいことから、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、及び、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物が好ましい。市販されている酸無水物系硬化剤としては、例えば、商品名MH-700、HNA-100[以上、新日本理化社製]、HN-5500E、HN-7000[以上、日立化成工業社製]、グルタル酸無水物ジャパンエポキシレジン社製などが挙げられる。硬化剤の使用割合は、硬化剤としての効果を発揮しうる有効量であれば特に制限はないが、通常エポキシ当量1当量に対して、酸無水物当量として0.5~1.5当量の範囲であり、さらに好ましくは0.8~1.2当量の範囲である。c硬化促進剤本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記高純度脂環式ジエポキシ化合物a及び硬化剤bに加えて、さらに硬化促進剤cを含有する。硬化促進剤cは、前記高純度脂環式ジエポキシ化合物aが硬化剤bによって硬化する際、硬化反応を促進する機能を有する化合物である。硬化促進剤cの具体例としては、ベンジルジメチルアミン、トリスジメチルアミノメチルフェノール、ジメチルシクロヘキシルアミン等の3級アミン類;1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール等のイミダゾール系硬化促進剤;トリフェニルホスフィン、亜リン酸トリフェニル等の有機リン系硬化促進剤;テトラブチルホスホニウムジエチルホスホロジチオエート、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリブチルホスホニウムジメチルホスフェート、テトラ-n-ブチルホスホニウムブロマイド等の4級ホスホニウム塩類;1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等やその有機酸塩等のジアザビシクロアルケン類;オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫やアルミニウムアセチルアセトン錯体等の有機金属化合物類;テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド等の4級アンモニウム塩類;三フッ化ホウ素、トリフェニルボレート等のホウ素化合物;塩化亜鉛、塩化第二錫等の金属ハロゲン化物;が挙げられる。更には、高融点イミダゾール化合物、ジシアンジアミド、アミンをエポキシ樹脂等に付加したアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性促進剤;イミダゾール系、リン系、ホスフィン系促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性促進剤;アミン塩型潜在性硬化促進剤;ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型の潜在性硬化促進剤;紫外線や放射線等の活性エネルギー線によりプロトンを発生する光解離型の光カチオン重合型の潜在性硬化促進剤等に代表される潜在性硬化促進剤も使用することができる。これらの中でも、より本発明の目的とする効果が得られやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、2エチル-4-メチルイミダゾールや1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾールが特に好ましい。以上の硬化促進剤cはそれぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。硬化促進剤cの使用割合は、硬化促進効果が得られる量であれば特に制限はないが、高純度脂環式ジエポキシ化合物100重量部に対して、通常0.1~10重量部、好ましくは0.5~5重量部である。d無機充填剤本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、前記高純度脂環式ジエポキシ化合物a、硬化剤b及び硬化促進剤cに加えて、フィラーとしてさらに無機充填剤dを含有する。無機充填剤dとしては、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶質シリカ、ゾルゲルシリカ、フュームドシリカ等のシリカ、シリカバルーン、アルミナ、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化すず、酸化ベリリウム、バリウムフェライト、及びストロンチウムフェライト等の無機酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、及び炭酸水素ナトリウム等の無機炭酸塩;硫酸カルシウム等の無機硫酸塩;タルク、クレー、マイカ、カオリン、フライアッシュ、モンモリロナイト、ケイ酸カルシウム、ガラス、及びガラスバルーン等の無機ケイ酸塩;等が挙げられる。中でも、最密充填に適した粒度分布の設計が可能なため、球状シリカが好ましく、溶融球状シリカが特に好ましい。溶融球状シリカは、球状の非晶質シリカであって、最密充填に適した粒度分布の設計が可能なため、高充填が可能なシリカである。溶融球状シリカは、製法によって、天然溶融球状シリカと合成溶融球状シリカに大別され、本発明においては、いずれも使用可能である。天然溶融球状シリカは天然ケイ石が原料として用いられる。水洗、破砕されたミクロンサイズのケイ石が、LPG/酸素火炎中に供給され、加熱されて軟化し表面張力によって球状になり、火炎を出たところで急冷されて非晶質の球状シリカとなる。原料の破砕ケイ石の粒度や溶融条件によって種々の平均粒径のものが製造される。合成溶融球状シリカは、金属ケイ素と塩化水素から合成された高純度四塩化ケイ素が原料として用いられる。水素/酸素火炎中に四塩化ケイ素が供給され、火炎中にて四塩化ケイ素の高温加水分解によりシリカが生成する。次いで火炎中でシリカが溶融し、表面張力によって球状になり、火炎を出たところで急冷されて非晶質の球状シリカとなる。溶融条件によって種々の平均粒径のものが製造される。用いる球状シリカの平均粒径は、特に限定されるものではないが、凝集沈降がしにくいことから、粒子を三次元的にみたときの長手方向と短手方向の長さの平均値で、5μm以下であるのが好ましく、1μm以下であるのがより好ましい。より詳しくは、0.1~5μmであるのが好ましく、0.5~1μmであるのがより好ましい。また、用いる球状シリカに含まれる粗大粒子の粒径最大粒径は、通常50μm以下、好ましくは25μm以下、さらに好ましくは10μm以下である。この範囲のシリカを用いることで、微細バンプ間にも浸透容易な液状封止材料を効率的に提供することが可能となる。無機充填剤の使用割合は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中40重量以上であるのが好ましく、50重量以上であるのがより好ましい。より詳しくは、40~80重量であるのが好ましく、50~70重量であるのがより好ましい。なかでも、微細バンプ間への浸透性と作業性を考慮すると共に、得られる半導体装置の接続信頼性を充分高める観点から、無機充填剤が、平均粒径が5μm以下の球状シリカであり下限は通常0.1μm、かつその含有量が半導体封止用エポキシ樹脂組成物中40重量以上である上限は通常80重量のが好適であり、平均粒径が1μm以下の球状シリカであり下限は通常0.5μm、かつその含有量が半導体封止用エポキシ樹脂組成物中50重量以上である上限は通常70重量のが特に好適である。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、樹脂成分と無機充填剤dとの接着性を高めるために、所望により、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシランカップリング剤eをさらに添加することができる。シランカップリング剤eの具体例としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリスβ-メトキシエトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γアニリノプロピルトリメトキシシラン、γアニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ-[ビスβ-ヒドロキシエチル]アミノプロピルトリエトキシシラン、N-β-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-β-アミノエチルアミノプロピルジメトキシメチルシラン、N-トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、N-ジメトキシメチルシリルイソプロピルエチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、N-β-N-ビニルベンジルアミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤などが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。シランカップリング剤eの配合量は、無機充填剤100重量部に対して0.05~5重量部であるのが好ましく、0.1~2.5重量部であるのがより好ましい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、高純度脂環式ジエポキシ化合物a、硬化剤b、硬化促進剤c、無機充填剤d、及び、所望により、シランカップリング剤eのほかに、本発明の目的を損なわない範囲で、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、反応調整剤、他のエポキシ化合物、他の添加剤等が挙げられる。反応調整剤としては、水酸基を持った化合物が挙げられる。水酸基を持った化合物を添加することで半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化反応を緩やかに進行させることができる。水酸基を持った化合物の具体例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリンなどが挙げられる。反応調整剤の添加料としては、高純度脂環式ジエポキシ化合物100重量部に対して、通常0.1~10重量部、好ましくは0.5~5重量部である。他のエポキシ化合物の具体例としては、前記一般式1で示される脂環式ジエポキシ化合物を除いた脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの2官能型エポキシ樹脂が挙げられ、塩素含有率が低いものが特に好ましい。前記脂環式エポキシ樹脂の具体例としては、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス3,4-エポキシシクロヘキシルアジペート、リモネンジエポキシド、1エポキシ-3,4-エポキシシクロヘキサン、ジシクロペンタジエンジエポキシド、エポキシ化3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸ビス3-シクロヘキセニルメチルエステル及びそのε-カプロラクトン付加物、並びに、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス-3-シクロヘキセニルメチルエステル及びそのε-カプロラクトン付加物等が挙げられる。上記以外にもフェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールADノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノールとの重合物をエポキシ化したジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェノールとフェノールとの縮合体をエポキシ化したフェノールビフェニレン型エポキシ樹脂、ナフトールとフェノール類との縮合物をエポキシ化したナフタレン型エポキシ樹脂等の変性ノボラック型エポキシ樹脂;ダイマー酸グリシジルエステル、トリグリシジルエステル等のグリシジルエステル型エポキシ樹脂;テトラグリシジルアミノジフェニルメタン、トリグリシジルp-アミノフェノール、トリグリシジル-p-アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシリレンジアミン、テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂;フロログリシノールトリグリシジルエーテル、トリヒドロキシビフェニルトリグリシジルエーテル、トリヒドロキシフェニルメタントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、2-[4-2,3-エポキシプロポキシフェニル]-2-[4-[1,1-ビス[4-2,3-エポキシプロポキシフェニル]エチル]フェニル]プロパン、1,3-ビス[4-[1-[4-2,3-エポキシプロポキシフェニル]-1-[4-[1-[4-2,3-エポキシプロポキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチル]フェノキシ]-2-プロパノール等の3官能型エポキシ樹脂;テトラヒドロキシフェニルエタンテトラグリシジルエーテル、テトラグリシジルベンゾフェノン、ビスレゾルシノールテトラグリシジルエーテル、テトラグリシドキシビフェニル等の4官能型エポキシ樹脂;等が挙げられる。これらの他のエポキシ化合物はそれぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、より本発明の目的とする効果が得られ易いことから、25°Cで液状の、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、及び脂環式エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物における他のエポキシ化合物の配合量は、用いるエポキシ化合物の全量中、通常50重量以下である。他のエポキシ化合物の配合量が、用いるエポキシ化合物の全量中50重量を超えると本発明の目的とする効果が得られにくくなる。他の添加剤としては、例えば、シリコーン系やフッ素系の消泡剤、前記無機充填剤d以外の充填剤、難燃剤、着色剤、酸化防止剤フェノール系、リン系、イオウ系酸化防止剤等、紫外線吸収剤、蛍光体、イオン吸着体、染料、顔料、低応力化剤、可撓性付与剤、離型剤、ワックス類、ハロゲントラップ剤、レベリング剤、濡れ改良剤等が挙げられる。これらの他の添加剤の配合量は、それぞれ、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中、重量基準で、通常5以下である。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、高純度脂環式ジエポキシ化合物a、硬化剤b、硬化促進剤c、無機充填剤d及び、所望により、シランカップリング剤eや他の成分を、公知の方法に従って撹拌、混合することにより調製することができる。撹拌、混合の際の温度は、配合する硬化剤や硬化促進剤の種類等によっても異なるが、通常、10~60°C程度に設定されるのが好ましい。調製時の設定温度が10°C未満では、粘度が高すぎて均一な撹拌、混合作業が困難になる場合があり、逆に、調製時の温度が高すぎると、硬化反応が起き、エポキシ樹脂組成物の粘度が高くなってしまう場合があるので、好ましくない。撹拌、混合するには、例えば、三本ロール、ニーダー、万能攪拌機、ボールミル、プラネタリミキサー、ホモジナイザー、ホモディスパーザー等を用いればよく、撹拌、混合は、前記高純度脂環式ジエポキシ化合物と前記各成分とが均一になるまで行えばよい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、フィラーを高充填しても低粘度であり、従来品に比して、より低温度短時間で硬化しても、ガラス転移温度Tgが高く、線膨張係数が小さい硬化物を与えるものである。従って、作業性が良好な半導体封止材料として好適である。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数は小さいため、作業性が良好で、半導体封止用途に好適である。適度な粘度とは、通常、25°Cにおいて1~20Pas、好ましくは3~15Pasである。粘度は、後述の実施例に記載の方法により測定することができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、容易に硬化して、半導体を効率よく封止することができる。硬化方法としては、特に限定されないが、例えば、80~200°C程度に設定された加熱炉内に0.5~4時間程度静置する方法が挙げられる。硬化方法は、多段階のステップキュアとすることも可能であり、例えば本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させる場合、1次硬化を80~120°Cで0.5~2時間程度行った後、2次硬化を120~200°Cで0.5~2時間程度行って硬化することが好ましい。本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度Tgは、180°C以上例えば、180~250°Cが好ましく、190°C以上例えば、190~250°Cがより好ましい。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、後述するように、特に、フリップチップ実装パッケージ等において、チップの電極とプリント基板の電極を接続する半田バンプ等の部分を封止するのに好適に用いられる。本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物をアンダーフィル剤として用いた場合、半田バンプ等の間隙に容易に浸透し、当該間隙をボイド残り無く充填することができ、さらに低線膨張率であるため、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置を、例えば、ヒートサイクル試験に供した場合、当該装置は優れた接続信頼性を発揮しうる。2半導体装置本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなることを特徴とする。本発明の半導体装置としては、半導体チップ等の電子部品とプリント基板インターポーザとの間等が本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されたものであれば、特に制約はない。プリント基板は、少なくとも、絶縁層と導体回路と電極とを有し、電子部品の電極からの電気信号を他の電子部品等に伝送可能なものであれば特に限定はない。プリント基板としては、例えば、従来のガラスエポキシプリント配線基板、ガラスポリイミドプリント配線基板、ビスマレイミドトリアジン樹脂プリント基板、ポリフェニレンエーテルポリフェニレンオキサイドプリント配線基板、フッ素樹脂プリント配線基板、その他環状オレフィン系樹脂プリント配線基板等の低誘電率プリント配線基板等のプリント配線基板;ポリエチレンテレフタレートフレキシブルプリント配線基板、ポリイミドフレキシブルプリント配線基板等のフレキシブルプリント配線基板FPC;シリコンウェハー基板;セラミック基板;感光性樹脂等を使用した高密度実装基板;樹脂付き金属箔やドライフィルム、接着性絶縁フィルム等のフィルム積層型の高密度実装基板;ポリフェニレンスルフィドや液晶ポリマー等の熱可塑性エンジアリングプラスチックフィルム等のフィルム配線基板等や、近年のパッケージ形態であるチップスケールパッケージCSPに使用されるキャリアフィルムポリイミドキャリアフィルム等や単層基板等、並びにこれらの基板に電子部品が実装されたプリント回路板等が挙げられる。電子部品としては、ICチップ、LSIチップ等の半導体チップ、及び、複数の半導体部品を実装してなるマルチチップモジュールMCM等の半導体パッケージ等が挙げられる。電子部品は、プリント基板の電極に直接接続するための接続ワイヤ又は突起状電極バンプを有する。突起状電極としては、例えば、半田バンプや金バンプ等が挙げられる電子部品をプリント基板に実装する方法としては、特に制約はないが、基板側の電極と電子部品側の電極とをワイヤによって接続するワイヤボンディング実装図1参照、電子部品の電極を基板側の電極と直接接続するフリップチップ実装図2参照、及びリード線を設けたフィルムを用いて基板側の電極と電子部品側の電極とを接続するTABTapeAutomatedBonding実装が挙げられる。なかでも、フリップチップ実装で実装されていることが好ましい。フリップチップ実装では、電子部品は、突起状電極形成面を逆さまにして、フェースダウンの状態でプリント基板の電極上に搭載され直接接続されることになる。本発明の半導体装置は、前記プリント基板と電子部品との間にできた間隙等に前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を充填し、加熱硬化することにより、電極間接続部分を該材料により封止する。半導体装置の封止方法としては特に限定されるものではないが、プリント基板と電子部品との間隙付近に、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物をディスペンサー等を用いて塗布し、毛細管現象を利用して該組成物を間隙に充填し、封止する方法キャピラリーフローアンダーフィル法や、トランスファー成形機等により、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物をプリント基板と電子部品との間隙及び電子部品上に充填し、一括して封止する方法モールドアンダーフィル法が好適である。前記ワイヤボンディング実装を行った場合図1参照は、前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、少なくともワイヤ接続部分を覆うように塗布することで電極間接続部分を該材料により被覆することができる。その際、塗布した材料が流れないように、電子部品の周辺に枠ダムを設置したり、電子部品の実装部分のみを凹部分にしてもよい。加熱は、例えば、電子部品との電極間接続部分が前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物で充填された状態にあるプリント基板ごと加熱炉内に静置することにより行われる。前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させるための加熱温度は、80~200°C程度であり、加熱時間は、通常0.5~4時間程度である。多段階のステップキュアで硬化させることも可能である。得られる半導体装置の例を、図1及び図2に示す。図1は、半導体チップがワイヤボンディング実装された半導体装置を示す図であり、図2は、半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置を示す図である。図中、1及び1’はプリント基板を、2は接続ワイヤを、3及び3’は半導体チップを、4及び4’は本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物を、5は半田バンプ半田ボールをそれぞれ示す。プリント基板に対して電子部品を取り付ける反対側の面に半田バンプが設けられている場合、上述のようにしてプリント基板と電子部品との電極間接続部分を封止した後1次封止、得られたプリント回路板をマザーボード通常のプリント配線板上にさらに搭載し接続してもよい。この場合、前記プリント回路板とマザーボードとの間隙に対してアンダーフィル法により本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物をディスペンサー等を使用して流し込み、硬化させることにより、2次封止することができる。また、本発明の半導体装置は、半導体ベアチップ実装パッケージであってもよい。用いられる電子部品としては、半導体部品の中でもCPU中央演算装置やメモリDRAM等に使用されるような、微細配線が高度に集積された大規模集積回路LSI等が挙げられる。半導体ベアチップ実装パッケージは、少なくとも半導体チップの電極とプリント基板の電極との間の接続部分を、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止することにより得られる。前記パッケージに、さらにマザーボードのプリント基板に接続する目的で半田ボール等の突起状電極を取付けたボールグリッドアレイBGA、半導体チップが複数実装されたマルチチップパッケージマルチチップモジュールは、コンピューターや通信機器に使用可能である。以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されるものではない。各例中の部及びは、特に断りのない限り、重量基準である。なお、合成例におけるガスクロマトグラフィーの測定条件等は以下に記載の通りである。測定装置:HP6890ヒューレットパッカード社製カラム:HP-1ヒューレットパッカード社製、長さ30m、内径0.25mm、膜厚1.0μm液相100-ジメチルポリシロキサンキャリアガス:ヘリウムキャリアガス流量:1.0mL/分検出器:FID注入口温度:250°C検出器温度:250°C昇温パターンカラム:40°Cで3分間保持、10°C/分で300°Cまで昇温スプリット比:200サンプル:0.4μL[合成例1]ジエポキシ化合物A粗生成物の合成温度計を備えた3つ口反応器において、窒素気流中、3a,4,7,7a-テトラヒドロインデン40.0g0.333molをアセトン400mLに溶解させ、炭酸水素ナトリウム201.3g2.396molと蒸留水400mLを加えた。その混合液を水浴で10°Cに冷却した後、オキソン登録商標-過硫酸塩化合物327.4g0.532molを加え、反応液の内温が20~30°Cの間になるように水浴温度を調整しながら2時間攪拌した。その後、反応液を0°Cに冷却し、10水酸化ナトリウム水溶液300mL、蒸留水300mL、飽和食塩水300mLを加え、ヘキサン500mLで2回抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで濃縮した後、真空乾燥させることで、ジエポキシ化合物A粗生成物を41.5g得た収率82。得られたジエポキシ化合物A粗生成物をガスクロマトグラフィーにより分析した結果、ジエポキシ化合物Aが有する2つのエポキシ環の立体配置に基づく4つの立体異性体すなわち、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体、エキソ-エンドの立体配置を有する立体異性体、エンド-エキソの立体配置を有する立体異性体、エンド-エンドの立体配置を有する立体異性体の4種の立体異性体の重量比は、エキソ-エキソ体:エキソ-エンド体:エンド-エキソ体:エンド-エンド体=53.5:22.9:21.6:2.0であったエキソ-エキソ立体異性体の含有量:53.5。[合成例2]ジエポキシ化合物Aの精製上記方法により得られたジエポキシ化合物A粗生成物41.5gを薄層クロマトグラフィー展開溶媒;ヘキサン:酢酸エチル=2:1により分析した結果、Rf値=0.54とRf値=0.44に2つのスポットを確認した。そこで、粗生成物41.5gをシリカゲル1200g球状、中性、粒径;63-210μm、関東化学社製と溶離液ヘキサン:酢酸エチル=1:4容積比とを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。そして、前記薄層クロマトグラフィーによる分析でRf値=0.44であった化合物を単離することで、ジエポキシ化合物A精製物を17.0g、収率41で得た。得られたジエポキシ化合物A精製物をガスクロマトグラフィーにより分析した結果、エキソ-エキソの立体配置を有する立体異性体の含有量は99.2であった。以上より、ジエポキシ化合物Aの4つの立体異性体のうちエキソ-エキソ立体異性体の含有量が99.2である高純度脂環式ジエポキシ化合物が得られた。なお、立体異性体の構造はNMRで同定した第1表。[実施例1]合成例2で得られた高純度脂環式ジエポキシ化合物100部と、硬化剤としてメチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物リカシッド登録商標MH-700G新日本理化社製170部と、硬化促進剤として2-エチル-4-メチルイミダゾールキュアゾール登録商標2E4MZ四国化成工業社製1部と、無機充填剤として溶融球状シリカ商品名PLV-3龍森社製平均粒径3.0μm最大粒径10μm406.5部と、シランカップリング剤としてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン商品名KBM-403信越シリコーン社製4.1部と、反応調整剤としてエチレングリコール1部を加え、プラネタリーミキサーにて10分間攪拌し、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製した。硬化剤の酸無水物とエポキシ樹脂の当量比は酸無水物当量/エポキシ当量として0.9、シリカの含有量は60であった。あらかじめ離型フィルムで被覆した1対のガラス基板の間3mmのスペーサーで間隔が調整されているに、得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を注入し、1次硬化を100°Cのオーブン中で1時間、さらに2次硬化を150°Cのオーブン中で2時間実施して厚さ3mmの硬化物を得た。以上のようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び硬化物につき、半導体の封止剤及び封止物に要求される特性として、以下の評価方法に従い、前者については粘度及びキャピラリーフロー性を、後者についてはガラス転移温度Tg及び線膨張率を、それぞれ評価した。それらの結果を表2に示す。前記実施例1における評価方法は以下に記載の通りである。<粘度>実施例1で得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の25°Cにおける粘度を、ブルックフィールド社製ハイシェアレイト粘度計CAP2000にてCAP-03コーンスピンドルを用いて測定した。<キャピラリーフロー性>スライドガラス上に厚さ20μmのフォトレジストをラミネートし、フォトリソグラフィー法によりスライドガラスの長片方向に水平に幅6mmの溝を形成した。このようにして作製したパターン付きスライドガラス上に、10mm角のカバーガラスを、溝の中央とカバーガラスの中央が重なるように静置した。溝とカバーガラスの端部にできた隙間幅6mm、高さ20μm部分に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物をシリンジを用いて手作業で滴下し、毛細管現象により半導体封止用エポキシ樹脂組成物がカバーガラスと溝の反対側の隙間から滲み出してくるまでの時間を測定した。尚、本測定時にはスライドガラスを60°Cに加温した。図3にキャピラリーフロー性の評価に用いた装置の模式図を示す。Aは装置の斜視図であり、10はカバーガラス、11はレジスト、12はスライドガラス、Sは半導体封止用エポキシ樹脂組成物の滴下部分を、BはAのXY断面図であり、a=20μm、b=6mmである。<ガラス転移温度Tg線膨張率>実施例1で得られた硬化物を、マルトー社製ラボカッターMC-120にて5mm角に切断し、エスアイアイナノテクノロジー社製EXSTERTMA/SS7100を用いて、膨張圧縮法によりTMA測定を行った。得られたデータから、ガラス転移温度TgとTg前後の平均線膨張率α1、α2を算出した。[実施例2]合成例2で得られた高純度脂環式ジエポキシ化合物50部と、他のエポキシ樹脂として、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレートセロキサイド登録商標2021Pダイセル化学工業社製50部を用いたこと、MH-700Gを141.7部、PLV-3を364部、KBM-403を3.6部用いたこと以外は実施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製し、その硬化物を得た。評価は実施例1で示した方法で行った。その結果を第2表に示す。[実施例3]合成例2で得られた高純度脂環式ジエポキシ化合物50部と、他のエポキシ樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂商品名jERYL983U三菱化学社製50部を用いたこと、MH-700Gを121.4部、PLV-3を339.6部、KBM-403を3.4部用いたこと以外は実施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製し、その硬化物を得た。評価は実施例1で示した方法で行った。その結果を第2表に示す。[比較例1]合成例1で得られたジエポキシ化合物A粗生成物100部を用いたこと以外は実施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製し、その硬化物を得た。評価は実施例1で示した方法で行った。その結果を第2表に示す。[比較例2]3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレートセロキサイド登録商標2021Pダイセル化学工業社製100部を用いたこと、MH-700Gを112.8部、PLV-3を320.7部、KBM-403を3.2部用いたこと以外は実施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製し、その硬化物を得た。評価は実施例1で示した方法で行った。その結果を第2表に示す。[比較例3]ビスフェノールF型エポキシ樹脂商品名jERYL983U三菱化学社製100を用いたこと、MH-700Gを86.8部、PLV-3を281.7部、KBM-403を2.8部用いたこと以外は実施例1と同様にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を調製し、その硬化物を得た。評価は実施例1で示した方法で行った。その結果を第2表に示す。第2表より、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、無機充填材を高い割合で含有しても低粘度でキャピラリーフロー性に優れており、その硬化物はTgが高く、線膨張率が低いことが分かる。従って、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、半導体チップとプリント基板を接続するバンプ間の隙間に短時間でボイド無く浸透することができ、また、当該組成物を硬化し、封止してなる半導体装置は、例えば、ヒートサイクル試験に供した場合、優れた接続信頼性を発揮しうる。"