"待機位置に載置された一枚の未処理基板を、所定の処理を施す処理位置へ搬送する基板搬送装置であって、前記未処理基板の裏面の両側縁部を支持し、その支持面に、前記未処理基板の周縁部の搬送方向上流側に係合されるフックが形成された可動支持部材と、前記可動支持部材を搬送方向に可逆にシフトさせるシフト機構と、前記可動支持部材を昇降させる昇降機構と、前記可動支持部材の支持面から上方へガスを噴出させるガス噴出機構と、を有する基板搬送装置。さらに、前記可動支持部材の支持面からエアを吸引するエア吸引機構を備える、請求項1に記載の基板搬送装置。請求項1に記載の基板搬送装置を用いた基板搬送方法であって、前記可動支持部材が前記未処理基板を前記待機位置からピックアップする際、前記可動部材の支持面からガスを噴出し、前記フックに前記未処理基板の周縁部の搬送方向上流側を係合させることを特徴とする基板搬送方法。請求項2に記載された基板搬送装置を用いた基板搬送方法であって、前記可動支持部材が前記未処理基板を前記待機位置からピックアップする際、前記可動部材の支持面からガスを噴出し、前記フックに前記未処理基板の周縁部の搬送方向上流側を係合させた後、前記未処理基板を前記待機位置から前記処理位置まで搬送する間、前記可動支持部材の支持面からエアを吸引することを特徴とする基板搬送方法。請求項1または2に記載の基板搬送装置を備え、前記処理位置において前記未処理基板の表面に均一に塗布液を塗布する基板処理装置であって、前記未処理基板を吸着回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに吸着された前記未処理基板の表面の中心部に塗布液を滴下するノズルとを有する塗布装置。特に太陽電池セルなどに用いられる非円形例えば、矩形や矩形の4つの角を面取りした八角形に近似した形状など。の基板の場合、円形の基板とは異なり、中心から周縁までの距離が均一でないため、アライメント補正の精度が低下しやすい。また、テクスチャと呼ばれる紙やすりのように表面がザラザラした基板の場合、アズスライス基板とは異なり、滑りが悪いため、アライメント補正の歩留まりが低下しやすい。また、特許文献2のように連続処理するものでは、処理能力を上げるため、各処理工程に行くまでの搬送間を最小限の動作で対応することを前提としているので、アライメント補正工程を新設すると、タクトタイムが延びてしまうという矛盾が生ずる。本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、工程を増やすことなく、未処理基板を精度良くアライメント補正することを目的とする。本発明の基板搬送装置は、待機位置に載置された一枚の未処理基板を、所定の処理を施す処理位置へ搬送するものである。この基板搬送装置は可動支持部材、シフト機構、昇降機構およびガス噴出機構を有する。可動支持部材は前記未処理基板の裏面の両側縁部を支持し、その支持面に、前記未処理基板の周縁部の搬送方向上流側に係合されるフックが形成されている。シフト機構は前記可動支持部材を搬送方向に可逆にシフトさせる。昇降機構は前記可動支持部材を昇降させる。ガス噴出機構は前記可動支持部材の支持面から上方へガスを噴出させる。この構成において、可動支持部材が未処理基板を待機位置からピックアップする際、可動支持部材の支持面からガスを噴出すると、未処理基板は摩擦が低減された状態で可動支持部材に支持される。このとき、可動支持部材のフックを未処理基板の周縁部の搬送方向上流側に係合させに行くと、未処理基板が可動支持部材の支持面で首尾良く回転する。したがって、未処理基板をアライメント補正することが出来る。フックを未処理基板の周縁部の搬送方向上流側に係合させるには、未処理基板の搬送動作を利用すれば良い。また、本発明の基板搬送装置は、前記可動支持部材の支持面からエアを吸引するエア吸引機構を備える。この構成において、可動支持部材の支持面からエアを吸引すると、未処理基板は可動支持部材の支持面に吸着される。このため、搬送動作中および搬送停止時に発生する可動支持部材上での未処理基板の位置ズレを防止することが出来る。また、本発明の塗布装置は前記基板搬送装置を備え、前記処理位置において前記未処理基板の表面に均一に塗布液を塗布する。この基板処理装置はスピンチャックおよびノズルを有する。スピンチャックは前記未処理基板を吸着回転させる。ノズルは前記スピンチャックに吸着された前記未処理基板の表面の中心部に塗布液を滴下する。本発明によれば、工程を増やすことなく、未処理基板を精度良くアライメント補正することが可能となり、タクトタイムの短縮が図られる。特に、非円形で表面がざらざらした基板に対して有効である。本発明の一実施形態に係る塗布装置の構成について、図1~図5を参照して説明する。まず、塗布装置1の概略を説明する。塗布装置1は、回転塗布ユニット20および搬送装置100を備える。搬送装置100は、待機位置A点に置かれた一枚の矩形の未処理基板W1を処理位置B点へ搬送する。処理位置B点には、回転塗布ユニット20が設置される。回転塗布ユニット20では、未処理基板W1の表面に均一に塗布液が塗布される。本実施の形態では、未処理基板W1は、4つの角を面とりした八角形に近似した形状を呈している。本実施の形態では、搬送装置100は、このような未処理基板W1の搬送と同時に、回転塗布ユニット20によって塗布液を塗布し終えた処理済み基板W2を、待避位置C点まで搬送する。退避位置C点にはチャック30が設置されている。処理済み基板W2は、チャック30に吸着された後、塗布装置1を離れて乾燥や焼き付け等の次工程に移送される。このようにして複数の未処理基板W1に連続して塗布処理が施されていく。待機位置A点には、プラットホーム10が設置される。図5Aに示すように、プラットホーム10は、搬送方向に平行に延びる2本の板棒状の部材であり、その上面に複数のガス噴出孔11が長手方向に並んで形成されている。図5に示すように、2つのプラットホーム10の外側縁間の距離D1は搬送フォーク40の2本の爪42の内側縁間の距離D2よりも狭くなるように設定され、爪42がプラットホーム10に干渉しないようになっている。ガス噴出孔11には、ガスボンベや流量調整弁、配管等を備えるガス噴出機構不図示により高圧のガスが供給される。これにより、ガス噴出孔11よりプラットホーム10の上面に置かれた未処理基板W1に向けて上方へガスが噴出される。このガスは、未処理基板W1を浮上させ、未処理基板W1に作用する摩擦を低減するように働く。このガスとしてはエア、窒素など安価で基板に対して不活性なガスを好適に用いることが出来る。図1に示すように、プラットホーム10に隣接して昇降可能なカセット2が配設されている。カセット2は、複数段のラックに一枚ずつ積載された状態で複数の未処理基板W1を収納する。カセット2とプラットホーム10の間には、ローディング機構不図示が設けられる。ローディング機構は、カセット2内から一枚ずつ未処理基板W1をプラットホーム10上に払い出して塗布工程のために待機させる。図3に示すように、回転塗布ユニット20は、上方が開放または密閉されたケース22内にスピンチャック21を配置し、このスピンチャック21上に未処理基板W1を配置するとともに、スピンチャック21上面に形成した真空引き用の溝不図示で未処理基板W1を吸着し、スピンチャック21の回転によって未処理基板W1を一体的に回転せしめ、この回転に伴う遠心力で、上方のノズル23から滴下した塗布液を、基板表面に均一に広げるように構成される。図2に示すように、搬送装置100は、搬送フォーク可動支持部材40、シフト機構50、昇降機構60、ガス噴出機構70図示せずおよびエア吸引機構80を備える。図4、図5に示すように、搬送フォーク40は、ステム41および爪42,43から構成される。ステム41はコの字形を呈し、搬送方向に直交する方向に平行に延びた2つのアーム411,412には、それより一段低い高さに、板棒上の爪42,43がそれぞれ搬送方向について背中合わせに取付られている。爪42,43はいずれも2本ずつであり、所定の間隔を隔てて平行に延びている。爪42の上面には未処理基板W1の裏面の両側縁部が支持される。爪43の上面には処理済み基板W2の裏面の両側縁部が支持される。爪42の先端部上面にはフック44が設けられている。各フック44はL字型を呈し、矩形の未処理基板W1の4つの角周縁部のうち、搬送方向上流側に位置する2つの角のそれぞれに係合される。なお、未処理基板W1の角は面取りされており、フック44に係合させやすくなっている。また、爪42の上面には、未処理基板W1の支持領域内に、ガス噴出孔45およびエア吸引孔46が設けられている。なお、爪42の上面におけるこれらの孔の位置は、図示の位置に限定されるものでない。ガス噴出孔45には、ガスボンベや流量調整弁、配管等を備えるガス噴出機構70図5参照。により高圧のガスが供給される。これにより、ガス噴出孔45より爪42の上面に支持された未処理基板W1に向けて上方へガスが噴出される。このガスは、未処理基板W1を浮上させて未処理基板W1に作用する摩擦を低減するように働く。このガスとしては空気、窒素など安価で基板に対して不活性なガスを好適に用いることが出来る。ガス噴出孔45に接続された配管は、爪42を横切って搬送装置100の外部に導出される。エア吸引孔46からは、真空ポンプや配管等を備えるエア吸引機構80図2参照。によってエアが吸引される。このエアは、爪42の上面に支持された未処理基板W1を吸着するように働く。これにより、爪42の上面に未処理基板W1を確実に保持できる。エア吸引孔46に接続された配管は、爪42、ステム41、ロッド62、シリンダ61およびスライダ51を通って搬送装置100の外部に導出される。図2に示すように、搬送フォーク40は、シリンダ61によって昇降するロッド62、およびシリンダ61に固着されたスライダ51を左右に摺動させるためのガイドロッド52によって作動する。スライダ51および52は搬送フォーク40を搬送方向に可逆にシフトさせるシフト機構50を構成している。また、シリンダ61およびロッド62は搬送フォークを昇降させる昇降機構60を構成している。塗布装置1の主制御部不図示は、回転塗布ユニット20、シフト機構50、昇降機構60、ガス噴出機構70およびエア吸引機構80はそれぞれ独立して動作させるように制御する。次に、上記のように構成される塗布装置1の動作を図1、図6~図10を参照して説明する。まず、カセット2に積載された未処理基板W1を一枚ずつプラットホーム10に払い出す。このとき、図9に示すように、カセット2内で未処理基板W1はランダムに配向している状態であり、個々の未処理基板W1-1,W1-2,W1-3の中心位置は不揃いである。未処理基板W1はカセット2からプラットホーム10に払い出されたときでもそのランダムな配向状態を維持している。このようなランダムは配向状態を維持したまま未処理基板W1をスピンチャック21上に搬送すると、スピンチャック21の中心との位置が不整合であり、塗布液の省液が図れない。そこで、未処理基板のアライメント補正が必要となる。プラットホーム10から回転塗布ユニット20へ搬送するには、まず昇降機構60を動作させて搬送フォーク40を上昇させる図6Bの矢印201参照。。するとプラットホーム10の下方に位置する爪42が上昇して未処理基板W1をピックアップする。また、爪43も同時に上昇し、スピンチャック21上の処理済み基板W2をピックアップする。このとき、ガス噴出機構70を動作させて爪42の上面のガス噴出孔45からガスを噴出させる図6Bの矢印101参照。。すると未処理基板W1が浮上し、未処理基板W1に作用する摩擦が低減される。さらに、プラットホーム10のガス噴出孔11からもガスを噴出させる図6Bの矢印102参照。ことで、摩擦低減効果が増大する。次に、シフト機構50を動作させて搬送フォーク40を搬送方向図6Aでは右方向。に移動させる図6Aの矢印202参照。すると各爪42の端部のフック44に未処理基板W1の搬送方向上流側の2つの角が水平方向から係合される。このとき未処理基板W1に作用する摩擦が低減されているので、未処理基板W1の配向がランダムでもフック44が未処理基板W1をキックすることで、配向を矯正する方向に容易に未処理基板W1が回転する図6Aの矢印103参照。。そして、フック44に未処理基板W1の搬送方向上流側の2つの角が整合されることで爪42に対する位置決めがなされる。したがって、スピンチャック21の中心との位置合わせアライメント補正が精度良く行える。未処理基板W1をA点からB点まで処理済み基板W2をB点からC点まで搬送する間図7Aの矢印203参照。は、エア吸引機構80を動作させて爪42の上面からエアを吸引する図7Bの矢印103参照。。すると、未処理基板W1が爪42の上面に吸着されるため、未処理基板W1を、アライメント補正された状態でスピンチャック21上方まで搬送することが出来る。特に、爪42がB点に到達して停止するときに、未処理基板W1に作用する慣性の影響で中心位置がずれることを防ぐことが可能である。次に、昇降機構60を動作させて搬送フォーク40を下降させる図8Bの矢印204参照。。するとスピンチャック21の上方に位置する爪42が下降してスピンチャック21が未処理基板W1を吸着する。これにより、図8Aに示すように、未処理基板W1をスピンチャック21上の中心に配置することが出来る。また、爪43も同時に下降し、チャック30が処理済み基板W2を吸着する。その後、シフト機構50を動作させて搬送フォーク40を搬送方向と反対方向図8Aでは左方向。に移動させ、爪42,43がスピンチャック21に干渉しない位置例えば、図1に示すように、ステム41の中心がB点にある位置。まで退避させる。そして、図3に示すように、ノズル23の吐出口をスピンチャック21の中心に移動させる。未処理基板W1はスピンチャック21の中心と位置合わせされているので、吐出口の位置は未処理基板W1の中心とも一致する。そして、塗布液Rを適量滴下する。このように未処理基板W1の中心に確実に滴下出来るので、塗布液Rの省液化が可能である。続いて、スピンチャック21を下降させてケース22内でスピンチャック21を回転駆動することで未処理基板W1の表面に均一に塗布液が広げられる。なお、回転塗布ユニット20に、ケース22の内部の温度や雰囲気を調節する機構が備えられていてもよい。一方、チャック30に吸着した処理済み基板W2は、この後、ホトレジスト等のように乾燥処理が必要な場合は乾燥機へ搬送し、また、SOG等のように焼き付け処理が必要な場合はホットプレート等の熱処理装置へ搬送する。その後、スピンチャック21を上昇させるとともに、チャック30を元の位置に戻してからシフト機構50を動作させて爪42をA点、爪43をB点まで移動させる。以上を繰り返すことにより、連続的に塗布処理を行う。上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"