電気光学物質を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、複数の画素を有する画素領域と、前記画素領域の外側の領域に形成された電極を有するイオントラップ部と、を備えた電気光学装置であって、前記イオントラップ部の前記電極に対して印加されるトラップ電圧が、基準となる一又は複数の前記画素において前記電気光学物質に印加される駆動電圧から算出される算出電圧値に応じて異ならされており、前記算出電圧値が相対的に高い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に高電圧とされ、前記算出電圧値が相対的に低い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に低電圧とされることを特徴とする電気光学装置。前記算出電圧値が相対的に高い第1の電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に高電圧の第1のトラップ電圧とされ、前記算出電圧値が相対的に低い第2の電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に低電圧の第2のトラップ電圧とされる、請求項1に記載の電気光学装置。前記算出電圧値が相対的に高い電圧であるほど前記トラップ電圧が相対的に高いトラップ電圧とされ、前記算出電圧値が相対的に低い電圧であるほど前記トラップ電圧が相対的に低いトラップ電圧とされる、請求項1に記載の電気光学装置。前記トラップ電圧が直流電圧である、請求項1から3のいずれか1項に記載の電気光学装置。前記算出電圧値が、基準となる複数の前記画素における前記駆動電圧の平均値である、請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置。前記算出電圧値が、基準となる複数の前記画素における前記駆動電圧の最小値又は最大値である、請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置。基準となる複数の前記画素が、前記画素領域の最外周に位置する複数の前記画素である、請求項5又は6に記載の電気光学装置。基準となる複数の前記画素が、前記画素領域の外周端から2画素ないし5画素分の幅の領域に属する複数の前記画素である、請求項5又は6に記載の電気光学装置。前記算出電圧値が、前記画素領域に属する全ての前記画素における前記駆動電圧の最小値又は最大値である、請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置。電気光学物質を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、複数の画素を有する画素領域と、前記画素領域の外側の領域に形成された電極を有するイオントラップ部と、を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記イオントラップ部の前記電極に対して印加されるトラップ電圧を、基準となる一又は複数の前記画素において前記電気光学物質に印加される駆動電圧から算出される算出電圧値に基づき設定するに際して、前記算出電圧値が相対的に高い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧を相対的に高電圧に設定し、前記算出電圧値が相対的に低い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧を相対的に低電圧に設定することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。請求項1から9のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。請求項1から9のいずれか1項に記載の電気光学装置を複数備えたプロジェクターであって、複数の前記電気光学装置に対して青色光、赤色光、及び緑色光を供給する照明光学系と、前記電気光学装置で変調された前記青色光、赤色光、及び緑色光を投射する投射光学系と、を有し、前記電気光学装置における前記算出電圧値と前記トラップ電圧との対応関係が、対応する色光の種類毎に異なることを特徴とするプロジェクター。ところで、上記した複数の電極を有するイオントラップ部において、液晶層内のイオン性不純物をトラップするには、上記複数の電極に対して、少なくとも液晶の応答が起こる程度の電圧を印加する必要がある。しかし、イオントラップ部が設けられた領域において液晶が応答すると、液晶層が明表示の配向状態となる。また、イオントラップ部は画素領域のすぐ外側に配置されている。そのため、画素領域の周辺部が暗表示状態であると、周辺領域からの漏れ光の影響で画素領域のコントラストが低下してしまう。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、イオントラップ部に起因するコントラスト低下を抑制することができる電気光学装置とその駆動方法を提供することを目的の一つとする。本発明の電気光学装置は、電気光学物質を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、複数の画素を有する画素領域と、前記画素領域の外側の領域に形成された電極を有するイオントラップ部と、を備えた電気光学装置であって、前記イオントラップ部の前記電極に対して印加されるトラップ電圧が、基準となる一又は複数の前記画素において前記電気光学物質に印加される駆動電圧から算出される算出電圧値に応じて異ならされており、前記算出電圧値が相対的に高い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に高電圧とされ、前記算出電圧値が相対的に低い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に低電圧とされることを特徴とする。この構成によれば、画素の駆動電圧が高いときにはイオントラップ部に高いトラップ電圧が印加され、画素の駆動電圧が低いときには低いトラップ電圧が印加されるので、画素領域に暗い画像が表示されているときにイオントラップ部の漏れ光量を少なくすることができ、イオントラップ部に起因するコントラスト低下を防止することができる。また、漏れ光がコントラストにほとんど影響しない明るい画像が表示されているときにトラップ電圧を高めるので、イオントラップ部のトラップ効率を過度に低下させることもない。前記算出電圧値が相対的に高い第1の電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に高電圧の第1のトラップ電圧とされ、前記算出電圧値が相対的に低い第2の電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧が相対的に低電圧の第2のトラップ電圧とされる構成としてもよい。このように、トラップ電圧を2水準に設定し、それらに対して駆動電圧の電圧領域を割り当てるようにしてもよい。前記算出電圧値が相対的に高い電圧であるほど前記トラップ電圧が相対的に高いトラップ電圧とされ、前記算出電圧値が相対的に低い電圧であるほど前記トラップ電圧が相対的に低いトラップ電圧とされる構成としてもよい。このように、算出電圧値の変動に対して追従するようにトラップ電圧を設定してもよい。前記トラップ電圧が直流電圧である構成としてもよい。すなわち、算出電圧値の極性によらず、正極性又は負極性の直流電圧としてトラップ電圧が設定されていてもよい。前記算出電圧値が、基準となる複数の前記画素における前記駆動電圧の平均値である構成としてもよい。この構成によれば、画素領域の全体的な明るさに基づいてトラップ電圧が設定されるので、イオントラップ部におけるトラップ効率と、表示コントラストをバランスさせた設定となる。前記算出電圧値が、基準となる複数の前記画素における前記駆動電圧の最小値又は最大値である構成としてもよい。この構成によれば、基準となる画素に暗く表示された画素が含まれていればトラップ電圧が低くなるので、表示コントラストを優先させる場合に好適な設定となる。基準となる複数の前記画素が、前記画素領域の最外周に位置する複数の前記画素である構成としてもよい。この構成によれば、コントラスト低下の影響を受けやすい最外周の画素の明るさに基づいてトラップ電圧が設定されるため、より確実にコントラスト低下を抑制することができる。基準となる複数の前記画素が、前記画素領域の外周端から2画素ないし5画素分の幅の領域に属する複数の前記画素である構成としてもよい。この構成によれば、コントラスト低下の影響を受けやすい外周部の複数の画素の明るさに基づいてトラップ電圧が設定されるため、より確実にコントラスト低下を抑制することができる。前記算出電圧値が、前記画素領域に属する全ての前記画素における前記駆動電圧の最小値又は最大値である構成としてもよい。この構成によれば、画素領域に暗い画素が含まれていればトラップ電圧が低くなるので、イオントラップ部からの漏れ光による表示コントラストを最も抑制することができる。本発明の電気光学装置の駆動方法は、電気光学物質を挟持して対向する第1基板及び第2基板と、複数の画素を有する画素領域と、前記画素領域の外側の領域に形成された電極を有するイオントラップ部と、を備えた電気光学装置の駆動方法であって、前記イオントラップ部の前記電極に対して印加されるトラップ電圧を、基準となる一又は複数の前記画素において前記電気光学物質に印加される駆動電圧から算出される算出電圧値に基づき設定するに際して、前記算出電圧値が相対的に高い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧を相対的に高電圧に設定し、前記算出電圧値が相対的に低い電圧領域に属するときには、前記トラップ電圧を相対的に低電圧に設定することを特徴とする。この駆動方法によれば、画素の駆動電圧が高いときにはイオントラップ部に高いトラップ電圧が印加され、画素の駆動電圧が低いときには低いトラップ電圧が印加されるので、画素領域に暗い画像が表示されているときにイオントラップ部の漏れ光量を少なくすることができ、イオントラップ部に起因するコントラスト低下を防止することができる。また、漏れ光がコントラストにほとんど影響しない明るい画像が表示されているときにトラップ電圧を高めるので、イオントラップ部のトラップ効率を過度に低下させることもない。本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示品質と信頼性の双方に優れた光変調手段を備えた電子機器を提供することができる。本発明のプロジェクターは、先に記載の電気光学装置を複数備えたプロジェクターであって、複数の前記電気光学装置に対して青色光、赤色光、及び緑色光を供給する照明光学系と、前記電気光学装置で変調された前記青色光、赤色光、及び緑色光を投射する投射光学系と、を有し、前記電気光学装置における前記駆動電圧と前記トラップ電圧との対応関係が、対応する色光の種類毎に異なることを特徴とする。この構成によれば、表示品質と信頼性の双方に優れた光変調手段を備えたプロジェクターを提供することができる。以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。第1の実施形態図1は、第1実施形態に係る液晶装置の概略構成を示すブロック図である。図2は表示データ処理回路の構成を示すブロック図である。図3は液晶パネルの概略構成を示す平面図である。図4は液晶パネルの回路構成を示す図である。図1に示す液晶装置電気光学装置1は、液晶パネル2と、電圧生成回路10と、制御装置11とを備えている。液晶パネル2は、例えばアクティブマトリクス駆動の反射型液晶パネルであり、その詳細な構成については後述する。電圧生成回路10は、DC/DCコンバーターなどを含んで構成される。電圧生成回路10は、制御装置11の制御のもと、液晶装置1の各部で使用する複数レベルの直流電圧を生成する。例えば、電圧生成回路10は、液晶パネル2の共通電極に印加される共通電極電位Vcomを生成し、液晶パネル2に供給する。電圧生成回路10が、上記の各種電圧を生成する上で必要な電力は、例えば液晶装置1の内部又は外部の電源から供給される。制御装置11は、データ信号Vidの出力に合わせて液晶パネル2の動作等を制御する回路モジュールにより構成される。制御装置11は、例えばフレキシブル基板FPCを介して液晶パネル2と接続されている。制御装置11は、制御回路12と、表示データ処理回路13と、クロック発生回路14と、フレームメモリー15と、DAコンバーター16と、を備えている。制御回路12は、制御装置11表示データ処理回路13、タイミング信号発生回路17及び電圧生成回路10を総合的に制御する。制御回路12には、タイミング信号発生回路17が内蔵されている。タイミング信号発生回路17はクロック発生回路14と接続されている。クロック発生回路14は、各部の制御動作の基準となるクロック信号を生成してタイミング信号発生回路17に出力する。タイミング信号発生回路17は、クロック発生回路14から入力されるクロック信号と、外部装置図示省略から供給される垂直同期信号VS、水平同期信号HS及びドットクロック信号Dclkとに基づいて、液晶パネル2を制御するための各種の制御信号を生成する。タイミング信号発生回路17は、生成した制御信号Ctrl-x、トリガー信号Dy、クロック信号Clyを液晶パネル2に対して出力する。またタイミング信号発生回路17は、垂直同期信号VS、水平同期信号HS、ドットクロック信号Dclk等を、タイミング調整しつつ表示データ処理回路13に対して出力する。表示データ処理回路13は、制御回路12、フレームメモリー15、及びDAコンバーター16と接続されている。図2に示すように、表示データ処理回路13は、メモリーI/F51と、γ補正回路52と、ガード信号生成回路53と、記憶回路54とを備えている。メモリーI/F51は、表示データ処理回路13に入力される表示データVideoをフレームメモリー15に順次記憶する。また、液晶パネル2に表示させるための表示データVideoを、表示データVideoをフレームメモリー15から読み出し、γ補正回路52に出力する。表示データVideoは、液晶パネル2における画素の階調を規定する画像信号である。表示データ処理回路13の各部は、表示データVideoを1フレーム単位で受け渡す。γ補正回路52は、入力された表示データVideoに対して、液晶パネル2の表示特性に合わせるための階調補正を行う。γ補正後の表示データVideoは、ガード信号生成回路53に出力される。ガード信号生成回路53は、γ補正回路52から入力される表示データVideoから液晶パネル2のイオントラップ部60図2参照に供給するガード信号Guardを生成する。ガード信号生成回路53は、生成したガード信号Guardを、表示データVideoとともにDAコンバーター16に出力する。記憶回路54は、ガード信号生成回路53により参照されるLUTルックアップテーブルを保持したROMReadOnlyMemoryである。記憶回路54に保持されたLUTは、表示データVideo又は表示データVideoから算出される情報と、設定すべきガード信号Guardとの関係を記録したテーブルである。DAコンバーター16は、表示データ処理回路13ガード信号生成回路53から入力される表示データVideoをアナログのデータ信号Vid駆動電圧に変換するとともに、ガード信号Guardをアナログのガード信号Grdトラップ電圧に変換し、データ信号Vid及びガード信号Grdを液晶パネル2に出力する。本実施形態における垂直同期信号VSは、周波数を120Hz周期8.33ミリ秒とするが、本発明の適用範囲は垂直同期信号VSの周波数に限定されない。ドットクロック信号Dclkについては、表示データVideoのうち、1画素分が供給される期間を規定するものとする。つまり、制御回路12は、表示データVideoの供給に同期して各部を制御している。液晶パネル2は、図3に示すように、素子基板20及び対向基板21とを有する。素子基板20と対向基板21とは、対向基板21の周縁に沿って設けられたシール材24を介して貼り合わされている。シール材24はその一部に開口24aを有しており、かかる開口24aを塞ぐように封止材25が設けられている。素子基板20、対向基板21、シール材24、及び封止材25に囲まれた領域に液晶電気光学物質が封入されている。シール材24に囲まれた領域の中央部に、複数の画素PXが平面視マトリクス状に配列された画素領域2Aが形成されている。画素領域2Aとシール材24との間の矩形枠状の領域は表示に用いられない周辺領域2Bである。画素領域2Aには、例えば、1920×1080個の画素PXが配列されている。本実施形態では、図2に示すX方向において画素PXが1920個並んでおり、図示Y方向において画素PXが1080個並んでいる場合について説明するが、画素PXの個数や配列形態は種々に変形することができる。周辺領域2Bには、画素領域2Aを取り囲む矩形枠状に、イオントラップ部60が形成されている。イオントラップ部60は、液晶層中に浮遊するイオン性不純物を電気的に吸着させる機能素子である。シール材24の外側であり、かつ素子基板20と対向基板21とが重ね合わされる領域対向基板21の四隅部分に、基板間導通端子部26が設けられている。電圧生成回路10により生成された共通電極電位Vcomは、素子基板20に供給され、基板間導通端子部26を介して対向基板21に供給される。本実施形態では、素子基板20は対向基板21よりも大きい基板であり、図2に示すように、2枚の基板を貼り合わせた状態で、素子基板20の外周部が対向基板21の外側に張り出している。この素子基板20が外側に張り出した部分に、2つの走査線駆動回路31と、データ線駆動回路32とが実装されている。また、素子基板20のデータ線駆動回路32が実装されている辺に沿って、複数の外部接続端子27が配列されている。外部接続端子27は、例えばフレキシブル基板を介して制御装置11と接続されている。また、外部接続端子27は、図示略の配線を介して走査線駆動回路31、データ線駆動回路32、基板間導通端子部26、イオントラップ部60等に接続されている。図4に示すように、走査線駆動回路31及びデータ線駆動回路32は、画素領域2Aに接続されている。画素領域2Aには、互いに交差しつつ縦横に延びる複数の走査線22と、複数のデータ線23とが形成されている。走査線22とデータ線23との交差部に対応して画素PXが形成されている。各々の画素PXには、走査線22及びデータ線23に接続されたTFT薄膜トランジスタを有するスイッチング素子34と、スイッチング素子34に接続された画素電極35とが設けられている。これらスイッチング素子34及び画素電極35は、素子基板20上に形成されている。走査線22及びデータ線23は、それぞれ画素領域2Aの外側まで引き出されている。走査線22は走査線駆動回路31と接続され、データ線23はデータ線駆動回路32と接続されている。走査線駆動回路31には、タイミング信号発生回路17により生成されたトリガー信号Dy及びクロック信号Clyが入力される。トリガー信号Dyは各フレームの開始タイミングを規定する信号である。クロック信号Clyは、各フレームの期間のうちで各走査線に走査信号を供給するタイミングを規定する信号である。走査線駆動回路31は、トリガー信号Dy及びクロック信号Clyに基づいて、複数の走査線22に線順次で走査信号G1~G1080を供給する。走査線22に走査信号が供給されると、この走査線22に接続されたスイッチング素子34がオン状態となる。データ線駆動回路32は、サンプリング信号出力回路33と、データ線23にそれぞれ対応して設けられたデータ入力スイッチ36とを備えている。データ入力スイッチ36のソースには、データ信号Vidが供給されるデータ入力配線37が接続されている。データ線駆動回路32は、走査線駆動回路31による走査線22の選択動作に同期して、データ線23にデータ信号Vidを供給する。データ線駆動回路32において、サンプリング信号出力回路33には、タイミング信号発生回路17により生成された制御信号Ctrl-xが入力される。サンプリング信号出力回路33は、制御信号Ctrl-xにしたがって、データ入力スイッチ36を順次オン状態とする。このとき、データ入力配線37には、1本の走査線22に接続された各画素用の階調データを含む直列データとしてデータ信号Vidが供給されており、オン状態のデータ入力スイッチ36を介してデータ線23にデータ信号Vidが入力される。データ信号Vidは、選択状態の走査線22に接続された画素PXのスイッチング素子34を介して画素電極35に書き込まれる。例えば、i行j列の画素PXに階調データを書き込む場合には、i行目の走査線22に走査信号が供給されているタイミングで、データ線駆動回路32からj列目のデータ線23にデータ信号Vid階調データを供給する。これにより、i行j列の画素PXのオン状態のスイッチング素子34を介して画素電極35に階調データが書き込まれる。図5は、図3のI-I線に沿う位置における液晶パネルの概略断面構造を示す図である。液晶パネル2は、対向配置された素子基板20と対向基板21との間に、液晶層28が挟持された構成を備えている。液晶層28は、例えば誘電異方性が負の液晶材料からなるVAモードの液晶層である。本実施形態の液晶パネル2は、光源等から射出された光が対向基板21を通って液晶層28に入射し、素子基板20の表層で反射して液晶パネル2に対する光入射側と同じ側から射出される反射型の液晶パネルである。素子基板20は、基板本体20Aと、基板本体20A上に形成された回路層41と、回路層41上に形成された画素電極35及びトラップ電極61イオントラップ部60と、画素電極35及びトラップ電極61を覆って形成された配向膜42とを備えて構成されている。基板本体20Aは、ガラス基板、石英基板、サファイヤ基板、シリコン基板等からなる。回路層41は、走査線22やデータ線23等の各種配線やスイッチング素子34を含む層である。画素電極35は、画素PXに対応する平面領域を有する島状の電極である。画素電極35及びトラップ電極61は、アルミニウム膜や、アルミニウムとITOインジウム錫酸化物との積層膜からなる。配向膜42は、例えば酸化シリコンからなる無機配向膜である。対向基板21は、基板本体21Aと、基板本体21A上に形成された共通電極44と、共通電極44上に形成された配向膜45とを備えて構成されている。基板本体21Aは、ガラス基板や石英基板等の透明基板からなる。共通電極44は、ITO等の透明導電材料からなる。本実施形態の場合、共通電極44は基板本体21Aの一方の面のほぼ全体に形成されており、画素領域2Aにおいて複数の画素電極35と対向するとともに、周辺領域2Bにおいてトラップ電極61と対向している。また共通電極44は、基板本体21Aの角部において基板間導通端子部26と接続されている。配向膜45は、例えば酸化シリコンからなる無機配向膜である。本実施形態のイオントラップ部60は、図2及び図5に示したように、平面視矩形枠状のトラップ電極61と、トラップ電極61と液晶層28を介して対向する共通電極44とを有する。トラップ電極61には、制御装置11からガード信号Grd例えば-5V~5Vが入力され、共通電極44には、共通電極電位Vcomが入力される。そして、トラップ電極61と共通電極44との電位差によって形成される液晶層28の厚さ方向の電界縦電界によって液晶層28中のイオン性不純物をトラップする。なお、イオントラップ部60の具体的構成は、上記に限定されるものではない。例えば、素子基板20上に一対のトラップ電極を設け、これら一対のトラップ電極の間に電圧を印加する方式横電界方式を用いてもよい。また、ダミー画素を用いてイオントラップ部60を構成してもよい。また、本実施形態では、画素領域2Aを取り囲む矩形枠状にイオントラップ部60を設けているが、画素領域2A外周の一部にのみ設けた構成としてもよい。換言すれば、イオントラップ部60のトラップ電極61を、その延在方向又は幅方向において2つ又は3つ以上に分割して形成してもよい。トラップ電極61を延在方向に分割する場合、例えば、画素領域2Aの四隅に対応する部位に、平面視でL形を成すトラップ電極をそれぞれ配置してもよい。あるいは、画素領域2Aの外形辺に沿って延びる直線状のトラップ電極を1つ又は2つ以上配置してもよい。一方、トラップ電極61を幅方向分割する場合には、2つ又は3つ以上の矩形枠状のトラップ電極を周辺領域2Bに設けた構成とすることができる。この場合には、二重枠状や三重枠状のトラップ電極を備えたイオントラップ部60となる。次に、図6を参照しつつ、本実施形態の液晶装置1の動作について説明する。図6は、液晶装置1の動作説明図である。図6aは液晶パネル2の画像表示動作において、画素PXの画素電極35に入力される駆動電圧の平均値の時間変化を模式的に示したグラフである。図6bは、イオントラップ部60のトラップ電極61に入力されるトラップ電圧の時間変化を模式的に示したグラフである。図6に示すグラフの縦軸は電圧V、横軸は時間msecを示す。図6aに示すグラフには、1フレーム期間1Fごとの駆動電圧の平均値の変動状況が示されている。ここでいう駆動電圧の平均値は、各々の画素PXにおいて液晶層28に印加される電圧を画素領域2A全体で平均した値である。本実施形態のように共通電極44の電位が基準電圧Voに固定されている場合には、各々の画素電極35に印加される電圧を画素領域2A全体で平均した値を上記駆動電圧の平均値としてもよい。本実施形態の液晶装置1では、フレーム反転駆動により画像表示が行われる。そのため、同グラフに示すように、駆動電圧の平均値は、基準電圧Voに対して、1フレームごとに正極性の電圧VH1、VH2、VH2と、負極性の電圧VL1、VL2、VL2が反転する。また同グラフにおける駆動電圧の振幅は、表示する画像全体の明るさに対応する。本実施形態のノーマリーブラックの液晶パネル2では、駆動電圧の平均値がVH1、VL1である振幅の大きいフレームでは、画素領域2Aには比較的明るい画像が表示される。一方、駆動電圧の平均値がVH3、VL3である振幅の小さいフレームでは、画素領域2Aに比較的暗い画像が表示される。駆動電圧の平均値がVH2、VL2である期間は、中間的な明るさの画像が表示されている。そして本実施形態の液晶装置1では、イオントラップ部60のトラップ電極61に印加されるトラップ電圧が、図6bに示すように、駆動電圧の平均値に連動して変化する。具体的には、図6aに示すように駆動電圧の平均値がVH1正極性の高電圧であるフレームでは、トラップ電圧として、基準電圧Voに対して正極性の高電圧VtH1が印加される。一方、駆動電圧の平均値がVL1負極性の高電圧であるフレームでは、トラップ電圧として、基準電圧Voに対して負極性の高電圧VtL1が印加される。同様に、駆動電圧の平均値が低電圧VH3、又は低電圧VL3であるフレームでは、それぞれ、トラップ電圧として低電圧VtH3、又は低電圧VtL3がトラップ電極61に印加される。駆動電圧の平均値が中間電圧VH2、又は中間電圧VL2であるフレームでは、それぞれ、トラップ電圧として、中間電圧VtH2、又は中間電圧VtL2がトラップ電極61に印加される。図1及び図2に示した表示データ処理回路13は、イオントラップ部60に供給するトラップ電圧の設定動作を実行する。以下、このトラップ電圧の設定動作についてさらに詳細に説明する。液晶パネル2に表示される画像の階調データである表示データVideoは、図1に示したように、外部装置から制御装置11に供給され、表示データ処理回路13に入力される。表示データ処理回路13では、メモリーI/F51により表示データVideoが1フレーム毎にフレームメモリー15に記憶される。フレームメモリー15には、その容量に応じて1~数フレーム分の表示データVideoが保持されており、液晶パネル2への表示される順にメモリーI/F51により読み出され、γ補正回路52に出力される。γ補正回路52では、表示データVideoに対して液晶パネル2の表示特性に適合させるための階調補正が実施され、補正後の表示データVideoはガード信号生成回路53に出力される。ガード信号生成回路53では、1フレーム分の表示データVideoの階調データの平均値Avgを算出する。次いで、算出した平均値Avgを用いて記憶回路54に保持されているLUTを参照する。本実施形態の場合、記憶回路54のLUTには、階調データの平均値Avgと、設定すべきトラップ電圧に対応する設定階調値Trpが保持されている。ここで、階調データの平均値Avgは、図6に示した駆動電圧の平均値に対応し、上記の設定階調値Trpは、図6に示したトラップ電圧に対応する。次いで、ガード信号生成回路53は、LUT参照により取得した設定階調値Trpをガード信号GuardとしてDAコンバーター16に出力する。また、ガード信号生成回路53は、表示データVideoについてもDAコンバーター16に出力する。DAコンバーター16は、入力されたガード信号Guardと表示データVideoをそれぞれアナログのガード信号Grdとデータ信号Vidに変換し、液晶パネル2に出力する。液晶パネル2では、入力されたデータ信号Vidが、走査線駆動回路31とデータ線駆動回路32の動作により画素PXに書き込まれる。これにより、液晶層28に階調データに基づく駆動電圧が印加され、画素PXが所定の階調で表示される。また、入力されたガード信号Grdに基づくトラップ電圧が、イオントラップ部60のトラップ電極61に印加される。これにより、トラップ電極61と共通電極44との間の液晶層28に、設定階調値Trpに対応する電圧が印加され、所定のイオントラップ動作が実行される。以上に詳細に説明したように、本実施形態の液晶装置1では、画素領域2Aにおける画素PXの駆動電圧の平均値に応じて、イオントラップ部60のトラップ電極61に印加されるトラップ電圧が変化する。これにより、イオントラップ部60に起因するコントラスト低下を効果的に低減することができる。以下、かかる作用について詳細に説明する。まず、イオントラップ部60では、トラップ電極61と共通電極44との間に形成される電界によってイオン性不純物をトラップする。そのため、イオントラップ部60の液晶層28には比較的大きな電界が作用することになり、液晶の配向状態が変化する。例えば、ノーマリーブラックの液晶パネル2において、トラップ電極61に5V、共通電極44に0Vの電圧が印加されると、イオントラップ部60の液晶層28は、画素領域2Aの画素PXが明表示されたときと同様の配向状態になる。通常、イオントラップ部60が形成されている周辺領域2Bには遮光膜が形成されているため、イオントラップ部60において顕著な漏れ光が生じることはない。しかし、イオントラップ部60は画素領域2Aのすぐ外側に設けられているため、画素領域2Aに暗い画像が表示されているときに、イオントラップ部60の液晶層28が明表示と同様の状態になると、イオントラップ部60から画素領域2Aへ斜め方向の光が漏れ、画素領域2Aの外周部においてコントラストを低下させる。その一方で、画素領域2Aに明るい画像が表示されている場合には、イオントラップ部60から多少の漏れ光が入射したとしても表示品質にはほとんど影響しない。そこで本実施形態の液晶装置1では、イオントラップ部60の液晶層28に印加する電圧を、画素領域2Aの液晶層28に印加する電圧に応じて異ならせる構成とした。すなわち、図6に示したように、画素領域2Aにおける駆動電圧の平均値の振幅が大きく、画素領域2Aに明るい画像が表示されているときに、イオントラップ部60のトラップ電圧を高くする一方で、駆動電圧の平均値の振幅が小さく、画素領域2Aに暗い画像が表示されているときには、トラップ電圧を低くするようにした。これにより、暗い画像を表示しているときにイオントラップ部60の漏れ光の量を低減することができるので、画素領域2Aにおけるコントラスト低下を抑制することができる。一方、明るい画像を表示しているときには、光漏れの影響がほとんどないことから、イオントラップ部60の電極間に大きな電圧を印加し、イオン性不純物のトラップ効率を高めることができる。以上により、本実施形態の液晶装置1では、イオントラップ部60におけるイオン性不純物のトラップ効率の低下を抑えつつ、暗い画像を表示したときの表示品質の低下も効果的に抑制することができる。なお、本実施形態では、ノーマリーブラックの液晶パネル2を用いた場合について説明したが、液晶パネル2がノーマリーホワイトのパネルである場合にも問題なく適用することができる。ノーマリーホワイトの液晶パネルの場合、階調データと画素PXの駆動電圧との関係がノーマリーブラックの場合と逆になるが、図6に示した駆動電圧の平均値とトラップ電圧との関係は同じである。したがって、ノーマリーホワイトの液晶パネルを用いる場合にも、本実施形態と全く同様の構成のガード信号生成回路53を用いて本実施形態の駆動方法を実現することができる。また本実施形態では、記憶回路54に記憶されているLUTを参照することにより設定階調値Trpを取得することとしたが、平均値Avgを用いた演算処理により設定階調値Trpを算出する形態であってもよい。この場合、ガード信号生成回路53に平均値Avgから設定階調値Trpを算出するための演算回路を備えていればよいため、記憶回路54を設けない構成とすることもできる。また本実施形態の液晶装置1において、画素PXにカラーフィルターが設けられている場合であっても、駆動方法に変更を加える必要はない。例えば、赤色、緑色、青色の各色のカラーフィルターを備えた直視型の液晶装置である場合には、1フレームの階調データが3色の階調データにより構成されることになるが、ガード信号生成回路53における平均値Avgの算出に際しては、特に色を区別することなく階調データの平均値を算出すればよい。第2の実施形態次に、図7を参照しつつ、第2の実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態の液晶装置1の表示データ処理回路13における動作を変更した例である。図7は、第2実施形態に係る液晶装置の動作説明図である。図7aは液晶パネル2の画像表示動作において、画素PXの画素電極35に入力される駆動電圧の平均値の時間変化を模式的に示したグラフである。図7bは、イオントラップ部60のトラップ電極61に入力されるトラップ電圧の時間変化を模式的に示したグラフである。図7に示すグラフの縦軸は電圧V、横軸は時間msecを示す。図7bに示すように、本実施形態の駆動方法では、トラップ電極61に印加されるトラップ電圧が直流電圧である。具体的に、画素PXの駆動電圧の平均値が正極性の高電圧VH1又は負極性の高電圧VL1であるときに、トラップ電圧として正極性の高電圧Vt1がトラップ電極61に印加される。また画素PXの駆動電圧の平均値が正極性の低電圧VH3又は負極性の低電圧VL3であるときには、トラップ電圧として正極性の低電圧Vt3がトラップ電極61に印加される。さらに、画素PXの駆動電圧の平均値が正極性の中間電圧VH2又は負極性の中間電圧VL2であるときには、トラップ電圧として正極性の中間電圧Vt2がトラップ電極61に印加される。本実施形態の液晶装置1による作用効果は、先の第1実施形態と全く同様である。これは、トラップ電圧を直流電圧としても、イオントラップ部60の液晶層28の動作は交流電圧のトラップ電圧で駆動した場合と同じになるからである。したがって本実施形態においても、イオントラップ部60におけるイオン性不純物のトラップ効率の低下を抑えつつ、暗い画像を表示したときの表示品質の低下も効果的に抑制することができる。なお、本実施形態では、トラップ電圧が基準電圧Voに対して正極性の直流電圧である場合について説明したが、トラップ電圧は負極性の直流電圧としてもよい。この場合にも、駆動電圧の平均値の振幅が大きくなるほどトラップ電圧を高電圧にする点は、本実施形態と同様である。トラップ電圧の極性は、トラップ対象のイオン性不純物の極性に応じて設定すればよい。第3の実施形態次に、図8を参照しつつ、第3の実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態の液晶装置1の表示データ処理回路13における動作を変更した例である。図8は、第3実施形態に係る液晶装置の動作説明図である。図8aは液晶パネル2の画像表示動作において、画素PXの画素電極35に入力される駆動電圧の平均値の時間変化を模式的に示したグラフである。図8bは、イオントラップ部60のトラップ電極61に入力されるトラップ電圧の時間変化を模式的に示したグラフである。図8に示すグラフの縦軸は電圧V、横軸は時間msecを示す。図8bに示すように、本実施形態の駆動方法では、トラップ電極61に印加されるトラップ電圧が直流電圧であり、かつHレベル又はLレベルの二値で規定される。具体的に、画素PXの駆動電圧の平均値が正極性の高電圧VH1、負極性の高電圧VL1、正極性の中間電圧VH2、負極性の中間電圧VL2のいずれかであるときには、トラップ電圧として正極性の高電圧Vt1がトラップ電極61に印加される。一方、画素PXの駆動電圧の平均値が正極性の低電圧VH3又は負極性の低電圧VL3であるときには、トラップ電圧として基準電圧Voがトラップ電極61に印加される。本実施形態の場合、トラップ電極61に印加される電圧は、Hレベルに対応する高電圧Vt1とLレベルに対応する基準電圧Voの二種類である。選択されるレベルを決定するしきい値は、本実施形態の場合、中間電圧VH2と低電圧VH3との間の電圧、及び中間電圧VL2と低電圧VL3との間の電圧に設定されている。上記のしきい値は任意の電圧に設定することができ、正極性と負極性とでしきい値の絶対値を異ならせてもよい。また本実施形態では、トラップ電圧が基準電圧Voに対して正極性の直流電圧である場合について説明したが、トラップ電圧は負極性の直流電圧としてもよい。本実施形態の液晶装置1においても、イオントラップ部60からの漏れ光が影響しやすくなる暗い画像を表示している期間に、イオントラップ部60の液晶層28への電圧印加を停止し、イオントラップ部60における漏れ光を最も少ない状態とすることができるので、暗い画像を表示したときの表示品質の低下を効果的に抑制することができる。一方、比較的明るい画像が表示されている期間では、トラップ電極61に高電圧Vt1を印加することで、効率良くイオン性不純物をトラップすることが可能である。第4の実施形態次に、図9を参照しつつ、第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態の液晶装置1の表示データ処理回路13において用いられる画素PXの駆動電圧に関する情報を変更した例である。以下、第4実施形態の第1~第3の例として説明する。図9は、第4実施形態に係る液晶装置の動作説明図である。図9aは、第1の例に関する説明図、図9bは、第2の例に関する説明図である。[第1の例]先の第1から第3実施形態では、記憶回路54に保持されたLUTを参照するための駆動電圧情報として、1フレーム分の階調データの平均値Avgを用いていた。これに対して第4実施形態の第1の例では、図9aに示すように、画素領域2Aの最外周に位置する画素PXの駆動電圧情報のみをLUT参照に用いる。具体的には、図2に示したガード信号生成回路53において、γ補正回路52から入力された1フレーム分の階調データから、図9aに示す最外周の画素PXに対応する階調データのみを抽出し、抽出した階調データの平均値Avg1を算出する。そして、算出した平均値Avg1を用いて、記憶回路54に保持されているLUTを参照し、トラップ電圧の設定階調値Trpを取得し、これをガード信号GuardとしてDAコンバーター16に出力する。その後の動作は第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。このように、第1の例では、画素領域2Aの最外周において、暗表示の画素PXの割合が大きいときすなわち駆動電圧の平均値の振幅が小さいときに、イオントラップ部60のトラップ電圧を低電圧とする。逆に、最外周に明表示の画素PXが多いときには、イオントラップ部60のトラップ電圧を高電圧とする。なお、トラップ電圧の設定方法としては、先に説明した第1から第3の実施形態のいずれも問題なく用いることができる。図9aに示すように、画素領域2Aの最外周に位置する画素PX斜線を付した画素PXは、イオントラップ部60と隣り合って配置されているため、イオントラップ部60の漏れ光の影響を最も受けやすい。その一方で、イオントラップ部60から漏れ光が出ていたとしても、最外周の画素PXが明表示されていれば、コントラストにはほとんど影響しない。そこで、第1の例のように最外周の画素PXの状態に応じてイオントラップ部60を駆動すれば、より確実に表示のコントラスト低下を防止でき、またトラップ効率の低下も抑えることができる。また上記では、画素領域2Aの最外周に位置する画素PXの駆動電圧の平均値に基づいてトラップ電圧を設定することとしたが、他の設定方法を用いてもよい。例えば、液晶パネル2がノーマリーブラックの液晶パネルである場合に、画素領域2Aの最外周に位置する画素PXの駆動電圧の最小値に基づいてトラップ電圧を設定してもよい。また液晶パネル2がノーマリーホワイトの液晶パネルである場合には、画素領域2Aの最外周に位置する画素PXの駆動電圧の最大値に基づいてトラップ電圧を設定してもよい。すなわち、画素領域2Aの最外周において、最も暗く表示されている画素PXの輝度に基づいてトラップ電圧を設定してもよい。このようにすれば、漏れ光の影響を受けやすい暗表示の画素PXがある場合に確実に漏れ光を少なくすることができるので、漏れ光によるコントラスト低下をより確実に防止することができる。[第2の例]次に第4実施形態の第2の例は、図9bに示すように、画素領域2Aの最外周における数画素分の幅の領域の駆動電圧情報を用いた例である。図9bでは、最外周から内側に3画素分の幅の領域の画素PXに斜線を付しているが、これに限定されず、例えば2画素分の幅の領域の駆動電圧情報を用いてもよく、4画素分あるいは5画素分の幅の領域の駆動電圧情報を用いてもよい。上記の幅の設定は、イオントラップ部60の漏れ光の影響が及ぶ範囲に応じて設定すればよい。第2の例によるトラップ電圧の設定手順は、第1の例とほぼ同様である。すなわち、ガード信号生成回路53において、γ補正回路52から入力された1フレーム分の階調データから、図9bに示す最外周から数画素分の領域に属する画素PXに対応する階調データのみを抽出し、抽出した階調データの平均値Avg2を算出する。そして、算出した平均値Avg2を用いて、記憶回路54に保持されているLUTを参照し、トラップ電圧の設定階調値Trpを取得し、これをガード信号GuardとしてDAコンバーター16に出力する。その後の動作は第1実施形態と同様である。第2の例では、画素領域2Aの最外周の数画素分の幅の領域において、暗表示の画素PXの割合が大きいときすなわち駆動電圧の平均値の振幅が小さいときに、イオントラップ部60のトラップ電圧を低電圧とする。逆に、上記領域に明表示の画素PXが多いときには、イオントラップ部60のトラップ電圧を高電圧とする。なお、トラップ電圧の設定方法としては、先に説明した第1から第3の実施形態のいずれも問題なく用いることができる。第2の例においても、画素領域2Aの外周に位置する画素PXの状態に応じてイオントラップ部60を駆動するので、先の第1から第3実施形態と比較して、より確実に表示のコントラスト低下を防止でき、またトラップ効率の低下も抑えることができる。また第2の例においても、液晶パネル2がノーマリーブラックの液晶パネルである場合に、画素領域2Aの最外周から数画素分の幅の領域に位置する画素PXの駆動電圧の最小値に基づいてトラップ電圧を設定してもよい。また液晶パネル2がノーマリーホワイトの液晶パネルである場合には、画素領域2Aの最外周から数画素分の領域に位置する画素PXの駆動電圧の最大値に基づいてトラップ電圧を設定してもよい。すなわち、画素領域2Aの外周の所定領域において、最も暗く表示されている画素PXの輝度に基づいてトラップ電圧を設定してもよい。このようにすれば、漏れ光の影響を受けやすい暗表示の画素PXがある場合に確実に漏れ光を少なくすることができるので、漏れ光によるコントラスト低下をより確実に防止することができる。[第3の例]次に第4実施形態の第3の例は、駆動電圧情報として駆動電圧の平均値ではなく駆動電圧の最小値又は最大値を用いて、イオントラップ部60のトラップ電圧を設定する例である。第3の例では、ガード信号生成回路53において、γ補正回路52から入力された1フレーム分の階調データから最小値minを抽出する。ここでの階調データの最小値minは、液晶パネル2がノーマリーブラックの液晶パネルである場合には駆動電圧の最小値に対応し、ノーマリーホワイトの液晶パネルである場合には駆動電圧の最大値に対応する。そして、抽出した最小値minを用いて、記憶回路54に保持されているLUTを参照し、トラップ電圧の設定階調値Trpを取得し、これをガード信号GuardとしてDAコンバーター16に出力する。その後の動作は第1実施形態と同様である。なお、トラップ電圧の設定方法としては、先に説明した第1から第3の実施形態のいずれも問題なく用いることができる。第3の例では、画素領域2A内の最も暗い画素PXの輝度駆動電圧に基づいて、トラップ電圧を設定する。すなわち、画素領域2Aに暗い表示の画素PXが1つでも含まれていればトラップ電圧を低くし、画素領域2A全体が明るく表示されている場合にのみトラップ電圧を高電圧とする。第3の例では、イオントラップ部60の漏れ光がコントラストにほとんど影響しない場合にのみトラップ電圧を高くするので、コントラストが低下するのをより確実に防止することができる。電子機器次に、図10を参照しつつ、本発明の液晶装置を適用した電子機器の一例を説明する。図10は、電子機器の一例であるプロジェクターの概略構成を示す模式図である。図10に示すプロジェクター9は、光源90、インテグレーター光学系91、色分離光学系92、3系統の画像形成系93~95、色合成素子96、及び投射光学系97を備えている。3系統の画像形成系93~95は、それぞれ上記実施形態の液晶装置を含んで構成されている。光源90から射出された光源光は、インテグレーター光学系91に入射する。インテグレーター光学系91に入射した光源光は、照度を均一化されるとともに偏光状態を揃えられて射出される。インテグレーター光学系91から射出された光源光は、色分離光学系92により赤色光LR、緑色光LG、青色光LBに分離され、色光ごとに異なる系統の画像形成系93、94、95にそれぞれ供給される。画像形成系93は赤画像を形成し、画像形成系94は緑画像を、画像形成系95は青画像をそれぞれ形成する。すなわち、各画像形成系に入射した色光は、表示すべき画像の表示データに基づいて変調され、画像光となる。3系統の画像形成系93、94、95から射出された3色の画像光は、色合成素子96により合成された後、投射光学系97によりスクリーン等の被投射面図示略に投射される。これにより、被投射面にフルカラーの画像が表示される。3系統の画像形成系93、94、95は共通の構成を備えている。ここでは赤画像用の画像形成系93について説明する。画像形成系93は、液晶装置1R、入射側偏光板931、偏光分離素子932、光学補償板933、及び射出側偏光板934を有する。入射側偏光板931は、偏光分離素子932に対する例えばP偏光の赤色光を透過させる。偏光分離素子932を透過した赤色光は、光学補償板933を通って液晶装置1Rに入射して変調され、画像を示す偏光成分偏光分離素子932に対するS偏光を含んだ光になる。液晶装置1Rから射出された光は、光学補償板933を経由して偏光分離素子932に入射する。液晶装置1Rによって変調された光に含まれるS偏光成分は、偏光分離素子932で反射され、射出側偏光板934に入射する。射出側偏光板934に入射した上記S偏光成分は、射出側偏光板934を透過して色合成素子96に入射し、他の色の画像光と合成された後に投射される。上記構成を備えたプロジェクター9は、光源光を変調する液晶装置1R、1G、1Bとして、上記各実施形態の液晶装置1が用いられている。これにより、液晶装置1R、1G、1Bにおいて、イオントラップ部60におけるイオン性不純物のトラップ効率の低下を抑えつつ、暗い画像を表示したときの表示品質の低下も効果的に抑制することができる。よって本実施形態のプロジェクター9によれば、高コントラストの表示が可能であり、しかも優れた信頼性を得ることができる。また本実施形態のプロジェクター9のように複数の液晶装置を備えている場合に、変調する色光毎にトラップ電圧の設定を異ならせてもよい。例えば、青画像用の液晶装置1Bでは、入射する光源光のエネルギーが高いため、液晶パネル2において配向膜42、44の劣化によるイオン性不純物が発生しやすい。その一方で、視感度の低い青色光は、漏れ光が生じてもユーザーに感知されにくい。そこで、青画像用の液晶装置1Bでは、イオン性不純物のトラップ効率を優先してトラップ電圧を設定するとよい。例えば第1実施形態の設定方法の場合には、画素PXの駆動電圧の平均値が低電圧VH3であるときのトラップ電圧を、他の液晶装置1R、1Gに対して高めの電圧に設定する。上記のようにトラップ電圧を設定すると、画素領域2Aに暗い画像が表示されているときのイオントラップ部60の漏れ光量が多くなるので、画素領域2Aのコントラストが低下しやすくなる。しかし上記したように、青色光は漏れ光が視認されにくいため、実質的な表示品質低下にはつながりにくい。よって、この設定方法を用いることで、実質的に表示品質を低下させることなく、イオン性不純物に起因するシミやムラの発生を抑制することができる。また、緑画像用の液晶装置1Gでは、緑色光の視感度が高いために、漏れ光によるコントラスト低下がユーザーに感知されやすい。そこで、緑画像用の液晶装置1Gでは、イオントラップ部60の漏れ光防止を優先してトラップ電圧を設定するとよい。例えば第1実施形態の設定方法の場合には、画素PXの駆動電圧の平均値が低電圧VH3であるときのトラップ電圧を、他の液晶装置1R、1Bに対して低めの電圧に設定したり、電圧印加しない設定とする。上記のようにトラップ電圧を設定することで、画素領域2Aに暗い画像が表示されているときのイオントラップ部60の電圧を漏れ光量を低減することができるので、漏れ光によるコントラスト低下をさらに低減することができる。