光電変換した電荷を蓄積する画素がマトリックス状に配置された画素アレイ部と、前記画素からリセット期間に読み出された画素電圧と信号読み出し期間に読み出された画素電圧との差分に基づいて画素信号を出力する画像用CDS処理部と、ダイオード電流を変化させた時のダイオード電圧を出力する温度センサと、前記ダイオード電流を変化させた時の前記ダイオード電圧の差分に基づいて温度計測値を出力する温度用CDS処理部と、前記リセット期間、前記信号読み出し期間および前記温度センサのダイオード電流を変化させるタイミングを制御するタイミングジェネレータとを備えることを特徴とする固体撮像装置。前記ダイオード電流は1水平期間ごとに変化されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記タイミングジェネレータは、前記リセット期間から前記信号読み出し期間に変化させるのと同じタイミングで前記温度センサのダイオード電流を変化させることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記画像用CDS処理部と前記温度用CDS処理部とは共有化されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記画像用CDS処理部と前記温度用CDS処理部とは同一の構成であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記画像用CDS処理部は、前記リセット期間に読み出された画素電圧に基づいて第1のカウント動作を行い、前記信号読み出し期間に読み出された画素電圧に基づいて第2のカウント動作を行うことにより、前記画素信号をデジタル化する画像用ADC回路を備え、前記温度用CDS処理部は、前記ダイオード電流を変化させる前に出力されたダイオード電圧に基づいて第1のカウント動作を行い、前記ダイオード電流を変化させた後に出力されたダイオード電圧に基づいて第2のカウント動作を行うことにより、前記温度計測値をデジタル化する温度用ADC回路を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記温度用CDS処理部による動作は垂直ブランク期間に行われることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記温度センサと前記温度用CDS処理部との間に挿入され、前記ダイオード電圧を増幅するアンプをさらに備えることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記画像用CDS処理部のアナログゲインに前記アンプのゲインを連動させることを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置。前記温度センサには、ダイオード電流が互いに等しく、自段のダイオード電圧が次段のダイオードに受け継がれるように接続された複数のダイオードが設けられ、前記ダイオード電圧を取り出すダイオードを切り替えることにより、前記ダイオード電圧を出力する時の前記ダイオード電流を変化させることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。本発明の一つの実施形態の目的は、ダイオードの電流電圧特性に基づく温度測定精度を向上させることが可能な固体撮像装置を提供することである。実施形態の固体撮像装置によれば、画素アレイ部と、画像用CDS処理部と、温度センサと、温度用CDS処理部と、タイミングジェネレータとが設けられている。画素アレイ部は、光電変換した電荷を蓄積する画素がマトリックス状に配置されている。画像用CDS処理部は、前記画素からリセット期間に読み出された画素電圧と信号読み出し期間に読み出された画素電圧との差分に基づいて画素信号を出力する。温度センサは、ダイオード電流を変化させた時のダイオード電圧を出力する。温度用CDS処理部は、前記ダイオード電流を変化させた時の前記ダイオード電圧の差分に基づいて温度計測値を出力する。タイミングジェネレータは、前記リセット期間、前記信号読み出し期間および前記温度センサのダイオード電流を変化させるタイミングを制御する。以下、実施形態に係る温度計測装置および固体撮像装置について図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置が適用される画像処理部の概略構成を示すブロック図である。図1において、イメージセンサ22の前段にはレンズ光学系21が設けられ、イメージセンサ22の後段には画像処理部24が設けられている。イメージセンサ22には、ダイオード電流を変化させた時のダイオード電圧を出力する温度センサ23が搭載されている。画像処理部24には、温度計測値Stに基づいて画素信号Sgの補正処理を行う補正処理部25が設けられている。なお、イメージセンサ22としては、図2、図11または図12の固体撮像装置を用いることができる。そして、レンズ光学系21を介してイメージセンサ22に光が入射すると、その光量に応じた画素信号Sgが生成されるともに、温度センサ23から出力されたダイオード電圧の差分に基づいて温度計測値Stが算出され、画像処理部24に送られる。補正処理部25において、温度計測値Stに基づいて画素信号Sgの補正処理が行われるとともに、補正処理が行われた画素信号Sgの画像処理が行われる。なお、画素信号Sgの補正処理では、例えば、温度変動に起因して発生するレンズ光学系21の屈折率変動や寸法変動に伴う画素信号Sgの歪を解消したり、フォトダイオードPDの暗電流に起因する固定パターンノイズや白点を解消したりすることができる。また、画素信号Sgの画像処理としては、例えば、シェーディング補正、色分離補間処理、マスキング処理、γ補正処理、色空間変換処理、ブライトネス調整、コントラスト調整、色彩調整および彩度調整などを挙げることができる。図2は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロックである。図2において、この固体撮像装置には、光電変換した電荷を蓄積する画素PCがロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部1、読み出し対象となる画素PCを垂直方向に走査する垂直レジスタ2、ダイオード電流を変化させた時のダイオード電圧を出力する温度センサ8、温度センサ8のダイオード電流の基準となる参照電圧を発生させる参照電圧発生部7、画素PCからリセット期間に読み出された画素電圧Vsと信号読み出し期間に読み出された画素電圧Vsとの差分に基づいて画素信号Sgを出力する画像用カラムCDS処理部3-1、温度センサ8のダイオード電流を変化させた時のダイオード電圧の差分に基づいて温度計測値Stを出力する温度用カラムCDS処理部3-2、読み出し対象となる画素PCおよび温度センサ8を水平方向に走査する水平レジスタ4、画素PCのリセット期間、信号読み出し期間および温度センサ8のダイオード電流を変化させるタイミングを制御するタイミングジェネレータ5、画像用カラムCDS処理部3-1および温度用カラムCDS処理部3-2に基準電圧VFを出力する基準電圧発生部6、画像用カラムCDS処理部3-1および温度用カラムCDS処理部3-2を駆動するドライバ9、画像用カラムCDS処理部3-1および温度用カラムCDS処理部3-2から出力された信号を検知するセンスアンプ10および画素PCから読み出された信号に垂直信号線Vlinの電位を追従させる負荷回路11が設けられている。なお、温度センサ8と画素アレイ部1とは同一の半導体チップに搭載することができる。基準電圧発生部6から出力される基準電圧VFとしてはランプ波を用いることができる。参照電圧発生部7としてはバンドギャップリファレンス回路を用いることができる。ここで、画素アレイ部1において、ロウ方向には画素PCの読み出し制御を行う水平制御線Hlinが設けられ、カラム方向には画素PCから読み出された信号を伝送する垂直信号線Vlinが設けられている。そして、垂直レジスタ2にて画素PCが垂直方向に走査されることで、ロウ方向の画素PCが選択され、その画素PCから読み出された画素電圧Vsは垂直信号線Vlinを介して画像用カラムCDS処理部3-1に伝送される。ここで、負荷回路11では、画素PCから信号が読み出される時にその画素PCとの間でソースフォロアが構成されることで、垂直信号線Vlinの電位が画素PCから読み出された画素電圧Vsに追従される。そして、画像用カラムCDS処理部3-1において、各画素PCからリセット期間に読み出された画素電圧Vsと信号読み出し期間に読み出された画素電圧Vsがサンプリングされ、これらの画素電圧Vsの差分がとられることで各画素PCの信号成分がCDSにてデジタル化され、センスアンプ10を介して画素信号Sgとして出力される。また、温度センサ8から読み出されたダイオード電圧Vtは温度用カラムCDS処理部3-2に伝送される。そして、温度用カラムCDS処理部3-2において、ダイオード電流を変化される前に読み出されたダイオード電圧Vtとダイオード電流を変化された後に読み出されたダイオード電圧Vtがサンプリングされ、これらのダイオード電圧Vtの差分がとられることで温度センサ8の信号成分がCDSにてデジタル化され、センスアンプ10を介して温度計測値Stとして出力される。ここで、ダイオード電流を変化させた時のダイオード電圧Vtの差分から温度計測値Stを求めることにより、ダイオードの電流電圧特性の温度依存性を打ち消すことが可能となり、温度測定精度を向上させることが可能となる。なお、図2の実施形態では、温度用カラムCDS処理部3-2を画像用カラムCDS処理部3-1と別個に設ける方法について説明したが、温度用カラムCDS処理部3-2を画像用カラムCDS処理部3-1と共有化するようにしてもよい。この場合、画素PCと温度センサ8との間で画像用カラムCDS処理部3-1を切り替えて用いることができる。例えば、有効画素期間では画像用カラムCDS処理部3-1を画素PC側に切り替え、垂直ブランク期間では画像用カラムCDS処理部3-1を温度センサ8側に切り替えることにより、画素信号Sgの欠落を引き起こすことなく、1フレーム期間中に少なくとも1回は温度計測値Stを得ることができる。また、図2の実施形態では、固体撮像装置に温度センサ8を搭載する方法について説明したが、温度センサ8を温度計測装置として単独で用いるようにしてもよい。この場合、温度計測装置には、温度センサ8とともに温度用カラムCDS処理部3-2を搭載するようにしてもよい。また、図2の実施形態では、温度用カラムCDS処理部3-2および画像用カラムCDS処理部3-1において、画素信号Sgおよび温度計測値Stをデジタル化する方法について説明したが、画素信号Sgおよび温度計測値Stをアナログ信号のまま出力し、必要に応じて外部でデジタル化するようにしてもよい。図3は、図2の画素PCの構成例を示す回路図である。図3において、画素PCには、フォトダイオードPD、行選択トランジスタTa、増幅トランジスタTb、リセットトランジスタTcおよび読み出しトランジスタTdがそれぞれ設けられている。また、増幅トランジスタTbとリセットトランジスタTcと読み出しトランジスタTdとの接続点には検出ノードとしてフローティングディフュージョンFDが形成されている。そして、画素PCにおいて、読み出しトランジスタTdのソースは、フォトダイオードPDに接続され、読み出しトランジスタTdのゲートには、読み出し信号READが入力される。また、リセットトランジスタTcのソースは、読み出しトランジスタTdのドレインに接続され、リセットトランジスタTcのゲートには、リセット信号RESETが入力され、リセットトランジスタTcのドレインは、電源電位VDDに接続されている。また、行選択トランジスタTaのゲートには、行選択信号ADRESが入力され、行選択トランジスタTaのドレインは、電源電位VDDに接続されている。また、増幅トランジスタTbのソースは、垂直信号線Vlinに接続され、増幅トランジスタTbのゲートは、読み出しトランジスタTdのドレインに接続され、増幅トランジスタTbのドレインは、行選択トランジスタTaのソースに接続されている。なお、図2の水平制御線Hlinは、読み出し信号READ、リセット信号RESETおよび行選択信号ADRESをロウごとに画素PCに伝送することができる。図4は、図2の温度センサ8の構成例を示す回路図である。図4において、温度センサ8にはダイオードDおよび電流源Gが設けられ、電流源GはダイオードDに直列に接続されている。ダイオードDとしては、例えば、コレクタとベースが共通に接続されたバイポーラトランジスタを用いることができる。電流源Gは電流I1と電流I2とを切り替えて出力することができる。なお、電流I2は電流I1より大きくすることができる。そして、図2のタイミングジェネレータ5は、画素PCのリセット期間に電流I1に切り替え、画素PCの信号読み出し期間に電流I2に切り替えることができる。ここで、ダイオードDを温度センサ8として使用する場合、ダイオードDの電流電圧特性からダイオード電流I1に対してのダイオード電圧Vtを測定する。そして、ダイオード電圧Vtが温度に比例すると仮定し、ダイオード電圧Vtから温度を読み取ることができる。この時、ダイオード電流I1は以下の1式で与えることができる。I1=IsexpqVt/kBT1ただし、Isは逆方向電流、Tは温度単位=ケルビン、kBはボルツマン定数=8.6210-5eV/K、qは電荷量=1.60210-19クーロンである。1式を展開すると、以下の2式が得られる。Vt=kBT/qlnI1/Is2仮にT=300K27°Cとした場合は、kBT/q=0.0259Vの定数となる。つまり、kB、qおよびIsが定数であれば、2式のVtとI1の関係である電流電圧特性から温度Tを求めることができる。ただし、厳密には逆方向電流Isには温度依存があり、正確にはダイオードDの電流電圧特性は温度Tに対し非線形性となる。ここで、ダイオード電流をI1からI2に切り替えた時のダイオード電圧Vtの差分から温度計測値Stを求めることにより、ダイオードの電流電圧特性の温度依存性を打ち消すことが可能となり、温度測定精度を向上させることが可能となる。図5は、図2の画像用カラムCDS処理部3-1の構成例を示す回路図である。図5において、画像用カラムADC3aには、コンデンサC1、コンパレータPA、スイッチトランジスタTcp、インバータV、アップダウンカウンタUDがカラムごとに設けられている。アップダウンカウンタUDには論理積回路N1が設けられている。そして、コンパレータPAの反転入力端子にはコンデンサC1を介して垂直信号線Vlinが接続され、コンパレータPAの非反転入力端子には基準電圧VFが入力される。コンパレータPAの反転入力端子と出力端子との間にはスイッチトランジスタTcpが接続されている。コンパレータPAの出力端子はインバータVを介して論理積回路N1の一方の入力端子に接続され、論理積回路N1の他方の入力端子には基準クロックCKCが入力される。そして、行選択信号ADRESがロウレベルの場合、行選択トランジスタTaがオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、垂直信号線Vlinに信号は出力されない。この時、読み出し信号READとリセット信号RESETがハイレベルになると、読み出しトランジスタTdがオンし、フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに排出される。そして、リセットトランジスタTcを介して電源電位VDDに排出される。フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷が電源電位VDDに排出された後、読み出し信号READがロウレベルになると、フォトダイオードPDでは、有効な信号電荷の蓄積が開始される。次に、行選択信号ADRESがハイレベルになると、画素PCの行選択トランジスタTaがオンし、増幅トランジスタTbのドレインに電源電位VDDが印加されることで、増幅トランジスタTbと負荷回路11とでソースフォロアが構成される。次に、リセット信号RESETが立ち上がると、リセットトランジスタTcがオンし、フローティングディフュージョンFDにリーク電流などで発生した余分な電荷がリセットされる。そして、フローティングディフュージョンFDのリセットレベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかる。そして、リセットレベルに応じた画素電圧Vsが垂直信号線Vlinに出力されている時に、リセットパルスPcpがスイッチトランジスタTcpのゲートに印加されると、コンパレータPAの反転入力端子の入力電圧が出力電圧でクランプされ、動作点が設定される。この時、垂直信号線Vlinからの画素電圧Vsとの差分は、コンデンサC1に保持され、コンパレータPAの入力電圧がゼロ設定される。スイッチトランジスタTcpがオフした後、リセットレベルの画素電圧VsがコンデンサC1を介してコンパレータPAに入力された状態で、基準電圧VFとしてランプ波Vf1が与えられ、リセットレベルの画素電圧Vsとランプ波Vf1とが比較される。そして、コンパレータPAの出力電圧はインバータVにて反転された後、出力電圧Vcompとして論理積回路N1の一方の入力端子に入力される。また、論理積回路N1の他方の入力端子には基準クロックCKCが入力される。そして、リセットレベルの画素電圧Vsがランプ波Vf1のレベルより小さい場合は、出力電圧Vcompがハイレベルとなる。このため、基準クロックCKCが論理積回路N1を通過し、通過後の基準クロックCKCiがアップダウンカウンタUDにてダウンカウントされる。そして、リセットレベルの画素電圧Vsがランプ波Vf1のレベルと一致すると、コンパレータPAの出力電圧が立ち下がり、出力電圧Vcompがロウレベルとなる。このため、基準クロックCKCが論理積回路N1にて遮断され、アップダウンカウンタUD1にてダウンカウントが停止されることで、リセットレベルの画素電圧Vsがデジタル化される。次に、読み出し信号READが立ち上がると、読み出しトランジスタTdがオンし、フォトダイオードPDに蓄積されていた電荷がフローティングディフュージョンFDに転送され、フローティングディフュージョンFDの信号レベルに応じた電圧が増幅トランジスタTbのゲートにかかる。そして、信号レベルの画素電圧VsがコンデンサC1を介してコンパレータPAに入力された状態で、基準電圧VFとしてランプ波Vf2が与えられ、信号レベルの画素電圧Vsとランプ波Vf2とが比較される。そして、コンパレータPAの出力電圧はインバータVにて反転された後、出力電圧Vcompとして論理積回路N1の一方の入力端子に入力される。そして、信号レベルの画素電圧Vsがランプ波Vf2のレベルより小さい場合は、出力電圧Vcompがハイレベルとなる。このため、基準クロックCKCが論理積回路N1を通過し、通過後の基準クロックCKCiがアップダウンカウンタUDにて今度はアップカウントされる。そして、信号レベルの画素電圧Vsがランプ波Vf2のレベルと一致すると、コンパレータPAの出力電圧が立ち下がり、出力電圧Vcompがロウレベルとなる。このため、基準クロックCKCが論理積回路N1にて遮断され、アップダウンカウンタUDにてアップカウントが停止されることで、信号レベルの画素電圧Vsとリセットレベルの画素電圧Vsとの差分がデジタル化される。なお、温度用カラムCDS処理部3-2についても図5の画像用カラムCDS処理部3-1と同様に構成することができる。この場合、図4のダイオードDのダイオード電流が電流I1に設定された時のダイオード電圧Vtがリセットレベルの画素電圧Vsの代わりに入力される。そして、ダイオード電流が電流I1に設定された時のダイオード電圧Vtがランプ波Vf1と比較される。また、図4のダイオードDのダイオード電流が電流I2に設定された時のダイオード電圧Vtが信号レベルの画素電圧Vsの代わりに入力される。そして、ダイオード電流が電流I2に設定された時のダイオード電圧Vtがランプ波Vf2と比較される。図6は、図2の固体撮像装置の温度測定動作を示すタイミングチャートである。図5において、1水平期間には、リセット期間、信号読み出し期間およびデータ転送期間が設けられている。そして、リセット期間ではダイオード電流がI1に設定され、信号読み出し期間ではダイオード電流がI2に設定される。そして、図2の温度用カラムCDS処理部3-2において、ダイオード電流がI1に設定された時のダイオード電圧Vtがサンプリングされた後、ダイオード電流がI2に設定された時のダイオード電圧Vtがサンプリングされる。そして、これらのダイオード電圧Vtの差分に基づいて温度計測値Stが算出され、データ転送期間において、画素信号Sgが出力されるデータ転送バスを解して温度計測値Stが出力される。ここで、電流I2を電流I1のKKは1以上の実数倍に変化させるものとすると、と、電流I2は以下の3式で与えることができる。I2=I1K3そして、ダイオード電流がI1からI2に切り替えられた時のダイオード電圧Vtの電圧差分値ΔVtは、2式から以下の4式で与えることができる。ΔVt=kBT/qlnI1/Is-kBT/qlnI2/Is=kBT/qlnI1/I2=kBT/qlnI2K/I2=kBT/qlnK44式から、電圧差分値ΔVtを求めると、温度に依存する逆方向電流Isがキャンセルされるので、ダイオードDの電流電圧特性の温度依存性を打ち消すことが可能となり、温度測定精度を向上させることが可能となる。例えば、K=8に設定した場合、下の5式に示すように、電圧差分値ΔVtは温度Tの一次近似式となり、1°Cあたりの電圧変化率は0.18mV/°Cとなる。ΔVt=kB/qlnKT=0.0259ln8T/300=0.02592.079T/300=0.00018TV5図7は、電圧差分値ΔVtと温度との関係を示す図である。図7において、5式の温度Tに対する電圧差分値ΔVtをグラフ化した。5式から明らかなように、温度Tと電圧差分値ΔVtとの関係は線形になる。よって、ダイオードDの電流電圧特性から温度を精度よく計測することができ、予め温度テーブルコード値を計算しておけば、温度計測値Stから温度を読み取ることができる。また、1水平期間内にダイオード電圧Vtの差分処理を行い、温度計測値Stを出力することができるので、1垂直期間1フレーム期間とも言う中に必ず1回は温度計測を行うことができる。図8は、固体撮像装置の画素信号Sgおよび温度計測値Stの転送方法を示すブロック図である。図8において、この固体撮像装置では、図2の固体撮像装置に対し画素信号Sgおよび温度計測値Stを転送する水平転送バスBSが複数本設けられている。なお、図8の例では、水平転送バスBSが4本設けられている場合を示した。そして、水平転送バスBSを介して画素信号Sgおよび温度計測値Stを4個ずつ並列に転送することができる。なお、水平転送バスBSが4個の場合、温度用カラムCDS処理部3-2および画像用カラムCDS処理部3-1の個数の合計は4の倍数になるように設定することが好ましい。ここで、水平転送バスBSを複数本設けることにより、画素信号Sgおよび温度計測値Stの転送時間を短くすることができ、温度計測値Stを用いた画素信号Sgの補正処理を高速化することができる。第2実施形態図9は、第2実施形態に係る固体撮像装置の画素PCの画素電圧Vsの読み出し時および温度センサ8のダイオード電圧Vtの読み出し時におけるアナログゲインの変更方法を示すタイミングチャートである。図9において、例えば、25°Cでは電圧差分値ΔVtは0.053Vとなり、ダイオード電圧Vtよりも小さくなる。また、1°Cあたりの電圧変化率は0.18mV/°Cであるが、これをデジタル化した時の1LSB当たりの電圧変化率を大きくするには、ランプ波Vf1、VF2の傾きを緩くし、アナログゲインを高くする必要がある。例えば10ビット出力で基準電圧VFの振幅が40mVの場合、1LSBあたりの電圧変化率は40mv/0.18mv1023=0.217°C/LSBとなり、1LSBにつき0.217°C分となる。一方、画像用カラムCDS処理部3-1では、フォトダイオードPDへの入射光量によりアナログゲインが設定される。例えば、入射光量が大きい場合はアナログゲインが低下され、ランプ波Vf1、Vf2の傾きが急になる。このため、温度計測時の電圧変化率を大きくするには、温度計測処理時と撮像処理時とでランプ波Vf1、Vf2の傾きを異ならせる必要があり、温度用カラムCDS処理部3-2を画像用カラムCDS処理部3-1と共有化した場合には、1水平期間内において温度計測と撮像とを行うことができなくなる。このため、1垂直期間内の垂直ブランク期間に温度計測処理を行わせ、この温度計測処理時のアナログゲインを高くするとともに、1垂直期間内の残りの垂直ブランク期間および有効画素期間に撮像処理を行わせ、この撮像処理時のアナログゲインを入射光量に応じて変化させることができる。これにより、温度用カラムCDS処理部3-2を画像用カラムCDS処理部3-1と共有化した場合においても、入射光量に応じて画素信号Sgのレベルを適正化することが可能となるとともに、ダイオードDの電流電圧特性に基づく温度測定精度を向上させることができる。また、1回の温度計測処理は1水平期間内に行わせることができるので、1垂直ブランク期間に1水平期間が複数含まれている場合には1垂直期間内に複数回の温度計測処理を行わせることができる。第3実施形態図10は、第3実施形態に係る温度センサ8に流す電流の切替方法を示すブロック図である。図10において、この温度センサ8には、複数のダイオードD1~D6が設けられるとともに、これらのダイオードD1~D6のダイオード電流をそれぞれ設定する複数の電流源G1~G6が設けられている。なお、図10の例では、ダイオードD1~D6および電流源G1~G6が6個ずつ設けられている場合を示した。ここで、各電流源G1~G6から出力される電流はI1に設定し、各ダイオードD1~D6のダイオード電流は互いに等しくすることができる。また、これらのダイオードD1~D6は、自段のダイオード電圧が次段のダイオードに受け継がれるように接続されている。例えば、バイポーラトランジスタにてダイオードD1~D6を構成した場合、各バイポーラトランジスタのエミッタに各電流源G1~G6を接続し、各バイポーラトランジスタのコレクタにグランド電位を接続することができる。各バイポーラトランジスタのベースは次段のバイポーラトランジスタのエミッタに接続することができる。だだし、最終段のバイポーラトランジスタのエミッタにはグランド電位を接続することができる。この温度センサ8には、セレクタK1が設けられている。このセレクタK1は、切り替え信号SL1に基づいて、初段のダイオードD1のエミッタ電位と最終段のダイオードD6のエミッタ電位とを切り替えて出力することができる。ここで、ダイオードD1のエミッタ電位は、ダイオードD6に電流I1の6倍の電流を流した時のダイオードD6のエミッタ電位となる。このため、電流I1の6倍の電流をI2とすると、セレクタK1を切り替えることで図5と同様のタイミングで電流I1と電流I2とを切り替えることが可能となる。このため、各電流源G1~G6から出力される電流はI1に固定したままで、温度センサ8のダイオード電流を変化させることができ、電流源Gから出力される電流を変化させる場合に比べて回路構成を簡単化することができる。第4実施形態図11は、第4実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図11において、この固体撮像装置では、図2の固体撮像装置にアンプ12が追加されている。ここで、アンプ12は、温度センサ8と温度用カラムCDS処理部3-2との間に挿入されている。ここで、アンプ12のゲインは、電圧差分値ΔVtがリセット期間の画素電圧Vsと同等程度になるように予め設定することができる。例えば、25°Cの場合、ΔVt=0.054Vであるのに対し、リセット期間の画素電圧Vsは常温時には約1.0V位である。このため、1.0/0.054≒18.51なので、アンプ12のゲインを約16倍に設定することができる。これにより、電圧差分値ΔVtを増幅するために、温度用カラムCDS処理部3-2のアナログゲインを高める必要がなくなり、画像用カラムCDS処理部3-1と温度用カラムCDS処理部3-2とに対してランプ波Vf1、VF2の傾きを異ならせる必要がなくなる。このため、1水平期間内に温度計測処理および撮像処理を行わせることが可能となり、画素信号Sgの欠落を発生させることなく、1水平期間ごとに温度計測値Stを出力させることができる。なお、アンプ12としてPGAプログラマブルゲインアンプを用い、アンプ12のゲインを画像用カラムCDS処理部3-1のアナログゲインに連動させてもよい。これにより、どのようなアナログゲインが設定されても、温度測定時のA/D変換処理に対応させることができる。第5実施形態図12は、第6実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図12において、この固体撮像装置では、図1の固体撮像装置において複数の温度センサ8およびセレクタK2が追加されている。セレクタK2は、切り替え信号SL2に基づいて、複数の温度センサ8のダイオード電圧を切り替えて出力することができる。ここで、固体撮像装置に複数の温度センサ8を設けることにより、固体撮像装置で温度のバラツキがある場合においても、温度測定精度を向上させることが可能となる。例えば、温度センサ8を1フレームの始めの無効画素の傍および1フレームの終わりの無効画素の傍に配置することができる。そして、1フレームの始めの垂直ブランク期間中の温度測定時と、1フレームの終わりの垂直ブランク期間中の温度測定時とで温度センサ8を切り替えることができる。これにより、温度に依存して垂直方向にシェーディングが発生した場合などにおける画像補正精度を向上させることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。