集電体と、前記集電体上に形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有し、サイクル数1回目に対する10回目の比容量が90以上であることを特徴とする蓄電装置。集電体と、前記集電体上に密着して形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有し、サイクル数1回目に対する10回目の比容量が90以上であることを特徴とする蓄電装置。集電体と、前記集電体上に密着して形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有する第1の電極、電解質、及び前記電解質を介して前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極を有し、サイクル数1回目に対する10回目の比容量が90以上であることを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記集電体は、表面処理されていることを特徴とする蓄電装置。請求項4において、前記表面処理は、フッ酸を用いて行われていることを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記集電体の表面には、前記集電体の材料と前記結晶性半導体層の材料とを含む層が形成されていることを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の蓄電装置が搭載されたことを特徴とする電気推進車両。集電体に表面処理を行い、前記集電体上に、ウィスカーを有する結晶性半導体層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。集電体をフッ酸を用いて処理し、前記集電体上に、ウィスカーを有する結晶性半導体層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。集電体をフッ酸を用いて処理し、前記集電体上に、低圧化学的気相堆積法により、ウィスカーを有する結晶性半導体層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。集電体をフッ酸を用いて処理し、前記集電体上に、シリコンを含む原料ガスを用い、低圧化学的気相堆積法により、ウィスカーを有する結晶性シリコン層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項9乃至請求項11のいずれか一において、前記集電体をフッ酸を用いて処理した後、流水により処理することを特徴とする蓄電装置の作製方法。しかしながら、シリコンは、反応物質の吸蔵及び放出によって体積が膨張するという問題があった。そして、体積が膨張することで、シリコンが電極から脱離ピーリングともいうし、蓄電装置を劣化させていた。また、シリコンが脱離することで蓄電装置の性能を低下させていた。そこで、本発明の一態様は、活物質としてシリコン等の半導体材料を用いる場合に、活物質層の脱離を抑制することを課題の一とする。また、充放電容量をはじめとする蓄電装置の諸性能を向上させることを課題の一とする。開示する蓄電装置は、電極の活物質層として、結晶性半導体層を用いるものである。そして、該結晶性半導体層が、ウィスカーを有していることを特徴としている。本発明の一態様は、集電体と、集電体上に形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有し、サイクル数1回目に対する10回目の比容量が90以上である蓄電装置である。本明細書においてサイクル数とは充放電を実施した数を示す。また、サイクル数1回目に対する10回目の比容量とは、蓄電装置において10回目の充電もしくは放電の容量を1回目の充電もしくは放電の容量で除したものを示す。本発明の他の一態様は、集電体と、集電体上に密着して形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有し、サイクル数1回目に対する10回目の比容量が90以上である蓄電装置である。本発明の他の一態様は、集電体と、集電体上に密着して形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有する第1の電極、電解質、及び電解質を介して第1の電極に対向して設けられた第2の電極を有し、サイクル数1回目に対する10回目の比容量が90以上であることを特徴とする蓄電装置である。本発明の一態様は、集電体に表面処理を行い、集電体上に、ウィスカーを有する結晶性半導体層を形成する蓄電装置の作製方法である。本発明の他の一態様は、集電体をフッ酸を用いて処理し、集電体上に、ウィスカーを有する結晶性半導体層を形成する蓄電装置の作製方法である。本発明の他の一態様は、集電体をフッ酸を用いて処理し、集電体上に、低圧化学的気相堆積LPCVD:LowPressureChemicalVaporDeposition法により、ウィスカーを有する結晶性半導体層を形成する蓄電装置の作製方法である。本発明の他の一態様は、集電体をフッ酸を用いて処理し、集電体上に、シリコンを含む原料ガスを用い、低圧化学的気相堆積法により、ウィスカーを有する結晶性シリコン層を形成する蓄電装置の作製方法である。また、上記のように集電体をフッ酸を用いて処理した後、流水により処理してもよい。また、本発明の他の一態様は、上記蓄電装置が搭載された電気推進車両である。本発明の一態様は、ウィスカーを有することで活物質の表面積が増大し、充放電容量をはじめとする蓄電装置の諸性能を向上させることができる。また、電極の構成として集電体上に密着して形成された結晶性半導体層を有することで、蓄電装置のサイクル特性などを向上させることができる。また、集電体を表面処理することで、集電体と結晶性半導体層との密着性を向上させることができる。また、密着性の向上により蓄電装置の劣化を低減することができる。また、蓄電装置の生産性を向上させることができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。実施の形態1本実施の形態では、蓄電装置の作製方法、構造、及び性能について説明する。図1は、蓄電装置の電極の作製方法である。まず、集電体101を準備する図1A。集電体101は、電気を取り出す端子として機能する。集電体101の材料として、白金、アルミニウム、銅、チタン等に代表される金属材料を用いることができる。また、シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金を用いてもよい。なお、集電体101の形状として、箔状、板状、又は網状等が挙げられる。次に、集電体101の表面処理を行う図1B。例えば、濃度を0.1以上1以下としたフッ酸を用い、1分以上1時間以下の処理を行う。表面処理により、集電体101の表面の清浄度等が向上すると共に凹凸が大きくなり、後に形成する結晶性半導体層の密着性を向上させることができる。凹凸が大きくなることで、所謂アンカー効果が生じ、凹部に半導体材料が入り込んで堆積されるため密着性を向上させることができる。また、表面処理としてフッ酸処理などの後に流水による処理を行ってもよい。流水処理流水洗浄ともいうにより、集電体101の表面の清浄性が更に向上する。なお、集電体101の両面を用いて電極を構成する場合、集電体101の裏面に対しても、同様の表面処理を行う。ついで、集電体101上に、LPCVD法を用いて、ウィスカーを有する結晶性半導体層103を形成する図1C。結晶性半導体層103は、蓄電装置の活物質層として機能する。ここでは、半導体材料としてシリコンを用いる。LPCVD法は、シリコンを含む原料ガスを用い、基板を加熱しながら行う。原料ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。加熱温度としては、550°Cより高い温度で、且つ、LPCVD装置または集電体101が耐えうる温度以下、好ましくは580°C以上650°C未満で行う。なお、原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素、及び水素の一以上を混合させてもよい。また、圧力は、原料ガスを流して保持できる圧力の下限以上200Pa以下とする。ここで、ウィスカーとは、半導体材料例えばシリコンが柱状又は針状の突起103cを有するように結晶成長したものを指す。すなわち、結晶性半導体層103の表面は、柱状又は針状の突起103cウィスカーともよぶを有している。なお、結晶性半導体層103は、ウィスカーを一つ以上有していればよい。また、複数のウィスカーをウィスカー群とも呼ぶ。このようなウィスカーを有することで、結晶性半導体層103の表面積を増大させることができ、充放電容量をはじめとする蓄電装置の諸性能を向上させることができる。そして、上述したように、結晶性半導体層103の形成前に集電体101に表面処理を行うことで、集電体101と結晶性半導体層103との密着性を向上させることができる。特に、結晶性半導体は内部応力が大きいため、結晶性半導体層103が集電体101から脱離し、蓄電装置の性能を低下させる可能性がある。そのため、密着性の向上させることで、蓄電装置の性能を向上させることができる。また、気相成長により活物質層を形成することができるため、スループットを向上させることができる。また、一回の堆積工程において、集電体101の表面及び裏面に対して結晶性半導体層を形成することができるため、集電体101の両面を用いて電極を構成する場合に工程数を削減することができる。例えば、図4Bのような積層型の蓄電装置を作製する場合に有効である。なお、集電体101の表面に、集電体101の材料と結晶性半導体層103の材料例えばシリコンを含む層図3の層107を参照を形成してもよい。該層は、各々の材料が混合した混合物層、または各々の材料が反応した化合物層例えばシリサイド層である。すなわち、集電体101の一部が、混合物層又は化合物層になる。また、集電体101の全部が、混合物層又は化合物層となってもよい。このような混合物層又は化合物層を有することで、集電体101と結晶性半導体層103との密着性を高めることができる。また、集電体101と結晶性半導体層103との間の界面抵抗を低減することができるため、充放電容量を高めることができる。なお、上述したシリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、またはニッケル等がある。そして、シリサイドは、これら金属元素の化合物例えばジルコニウムシリサイド等である。以上のように、集電体101上に密着して結晶性半導体層103を設けることで、結晶性半導体層103の脱離を抑制し、蓄電装置の劣化を低減することができる。そのため、蓄電装置のサイクル特性を向上させることが可能である。具体的には、サイクル数1回目に対する10回目の比容量容量保持率ともいうを90以上とすることができる。また、サイクル数1回目に対する100回目の比容量を70以上とすることができる。次に、サンプルA及びサンプルBの2つのリチウムイオン二次電池を作製し、本発明の一態様に係る効果について具体的に説明する。サンプルAは集電体の表面処理を行うものであり、サンプルBは比較用として集電体の表面処理を行わないものである。そして、該表面処理の有無以外は同条件とする。サンプルAの具体的な作製工程としては、集電体としてチタン箔を用い、該チタン箔に表面処理を行った。表面処理は、濃度が0.5のフッ酸を用いて、10分間処理した後、流水処理を行い、窒素を用いてブローした。そして、チタン箔上に、LPCVD法により結晶性シリコン層を形成した。LPCVD法の条件としては、圧力20Pa、基板温度600°Cに設定した処理室に、流量300sccmでシランを導入し、2時間15分の処理を行った。一方、サンプルBは、集電体チタン箔に表面処理を行わず、その他を同条件として作製した。結晶性シリコン層の形成前後に、各サンプルの観察を行った。まず、図10Aは、結晶性シリコン層成膜前のサンプルA表面処理有りにおける、チタン箔Tiの光学顕微鏡OM:OpticalMicroscopeの平面写真である。図10Bは、結晶性シリコン層成膜前のサンプルB表面処理なしにおける、チタン箔Tiの光学顕微鏡の平面写真である。光学顕微鏡写真から、表面処理をしていないサンプルB図10Bに比べて、表面処理を行ったサンプルA図10Aでは、チタン箔Ti表面の凹凸が大きいことが確認できた。そして、図8Aは、結晶性シリコン層成膜後のサンプルA表面処理有りにおける、走査型イオン顕微鏡SIM:ScanningIonMicroscopeの平面写真左図、及びSIM写真の矢印方向から観察した透過型電子顕微鏡TEM:TransmissionElectronMicroscopeの断面写真右図である。図8Bは、結晶性シリコン層成膜後のサンプルB表面処理無しにおける、SIMの平面写真左図、及びSIM写真の矢印方向から観察したTEMの断面写真右図である。TEM写真から、表面処理をしていないサンプルB図8Bでは、チタン箔Tiと結晶性シリコンSiとの間に、隙間が生じている部分が確認された。これに対し、フッ酸処理を行ったサンプルA図8Aでは、チタン箔Tiと結晶性シリコンSiの間には、隙間が確認されなかった。すなわち、表面処理を行うことで、上述したアンカー効果等の働きにより、集電体と活物質層との密着性が高まることがわかる。また、SIM写真から、サンプルBより、サンプルAの方が、ウィスカーが高密度且つ長く成長していることを確認できた。すなわち、表面処理を行うことで、集電体と活物質層との密着性が高まったため、ウィスカーの成長が促進されたと推測される。なお、エネルギー分散型X線分析装置EDX:EnergyDispersiveX-rayspectroscopeの検出結果から、チタン箔Tiは、鉄、ニッケルを有していることが確認された。続いて、サンプルA及びサンプルBを電極として用い、リチウムイオン二次電池を作製した。ここではコイン型のリチウムイオン二次電池を作製した。以下に、コイン型のリチウムイオン二次電池の作製方法について、図9を参照して説明する。なお、サンプルA、Bともに同条件で作製した。図9に示すように、コイン型のリチウムイオン二次電池は、電極204、参照電極232、セパレータ210、電解液図示せず、筐体206及び筐体244を有する。このほかにはリング状絶縁体220、スペーサー240及びワッシャー242を有する。電極204は、上記工程により得られたチタン箔集電体200上に結晶性シリコン層活物質層202が設けられたものを用いた。参照電極232は、参照電極活物質層230を有する。また、参照電極活物質層230には、リチウム金属リチウム箔を用いた。セパレータ210には、ポリプロピレンを用いた。筐体206、筐体244、スペーサー240及びワッシャー242は、ステンレスSUS製のものを用いた。筐体206及び筐体244は、電極204及び参照電極232を外部と電気的に接続する機能を有している。これら電極204、参照電極232及びセパレータ210を電解液に含浸させた。そして、図9に示すように、筐体206を下にして電極204、セパレータ210、リング状絶縁体220、参照電極232、スペーサー240、ワッシャー242、筐体244をこの順で積層し、コインかしめ機で筐体206と筐体244とをかしめてコイン型のリチウムイオン二次電池を作製した。図2Aは、リチウムイオン二次電池の放電におけるサイクル特性である。実線AがサンプルA表面処理有りを示し、破線BがサンプルB表面処理無し示している。また、図2Bは、充電におけるサイクル特性である。実線A2がサンプルA表面処理有りを示し、破線B2がサンプルB表面処理無しを示している。なお、図2ABともに、縦軸が容量であり、横軸がサイクル数である。また、充放電の測定には定電流方式を採用し、0.2mAの電流で充放電し、上限電圧を1.0V、下限電圧を0.03Vとして行った。そして、すべての測定は、室温で行った。図2ABより、表面処理を行わないサンプルB破線B、B2では、サイクル数を重ねるとともに容量の低下が確認された。これに対し、表面処理を行ったサンプルA実線A、A2では、容量の低下は確認されなかった。そして、表面処理を行ったサンプルAでは、サイクル数1回目1サイクル目ともいうに対するサイクル数10回目10サイクル目ともいうの比容量が、放電において99.7であり、充電において108.0であった。なお、サンプルAにおける活物質重量は1.6mgであり、活物質重量あたりの放電容量は1サイクル目初期容量ともいうにおいて1500mAh/gであった。この値は、例えば黒鉛電極を用いた蓄電装置の理論容量値である372mAh/gと比較して極めて高い数値である。以上の結果から、表面処理を行うことで、集電体と結晶性半導体層との密着性が高まり、充放電のサイクル特性が向上したものと認められる。また、表面処理を行う方法に限定されず、密着性を高めることでサイクル特性を向上させることが可能であると考察される。なお、表面処理としては、上述したフッ酸、塩酸、硫酸、若しくはこれらの混酸などの酸による処理、又は、NF3プラズマ、SiF4プラズマ、ClF3プラズマなどのプラズマによる処理などを用いることができる。その他の処理を用いてもよい。また、これらの処理を組み合わせて用いることで、より密着性を高めることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、蓄電装置の構造について具体例を示す。図3Aは、図1Cの破線105における拡大図である。図3Aに示すように、結晶性半導体層103活物質層は、集電体101を覆う結晶性半導体領域103aと、結晶性半導体領域103a上に形成されたウィスカー突起103cを有する結晶性半導体領域103bとを有する。すなわち、結晶性半導体層103は、ウィスカーを有している。また、結晶性半導体領域103aと結晶性半導体領域103bとの界面は、明確ではない。このため、突起103cの間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ集電体101の表面と平行な平面を、結晶性半導体領域103aと結晶性半導体領域103bとの界面とする。突起103cの具体的な形状としては、円柱状若しくは角柱状等の柱状、又は円錐状若しくは角錐状の針状などが挙げられる。また、突起103cは、頂部が湾曲していてもよい。そして、突起103cの径は、50nm以上10μm以下、好ましくは500nm以上3μm以下である。また、突起103cの軸における長さhは、500nm以上1000μm以下、好ましくは1.0μm以上100μm以下である。また、突起103cの本数は、100μm2あたり1本以上500本以下、好ましくは10本以上50本以下である。なお、突起103cの軸における長さhは、突起103cの頂点または上面の中心を通る軸における、該頂点または該上面の中心と結晶性半導体領域103aとの距離である。また、結晶性半導体層103活物質層の厚さは、結晶性半導体領域103aの厚さと、結晶性半導体領域103bの厚さの和である。ここで、結晶性半導体領域103bの厚さは、突起103cの頂点から結晶性半導体領域103aまでの垂線の長さすなわち、高さを指す。また、突起103cの径とは、突起103cの根元における輪切り断面形状の長軸の長さを指す。なお、突起103cが結晶性半導体領域103aから伸張する方向を長手方向といい、長手方向に沿った断面形状を長手断面形状という。また、長手方向が法線方向となる面を輪切り断面形状という。図3Aでは、突起103cの長手方向は一方向、例えば結晶性半導体領域103aの表面に対する法線方向に伸張している。なお、突起103cの長手方向は、結晶性半導体領域103aの表面に対して法線方向と、略一致していればよく、その場合、方向の差は代表的には5度以内であることが好ましい。このように、突起103cの長手方向が略一致しているため、図3Aでは、突起103cの長手断面形状のみを示している。このように、ウィスカーを有する結晶性半導体領域103bを有するため、結晶性半導体層103活物質層における単位質量当たりの表面積を大きくすることができる。表面積が大きくなることで、蓄電装置の反応物質リチウムイオン等が結晶性半導体層に吸蔵または放出される速度が増大する。反応物質の吸蔵または放出の速度が増大することで、単位時間当たりの反応物質の吸蔵量又は放出量が増大するため、蓄電装置の充放電容量を高めることができる。また別の例として、図3Bに示すように、複数の突起の長手方向が不揃いであってもよい。代表的には、ウィスカーを有する結晶性半導体領域103bは、長手方向が法線方向と略一致する第一の突起113aと、長手方向が法線方向とは異なる第二の突起113bとを有してもよい。さらには、第一の突起113aより第二の突起113bの軸における長さが長くてもよい。このように、複数の突起の長手方向が不揃いであるため、図3Bでは、突起の長手断面形状と共に、突起の輪切り断面形状領域103dが混在している。領域103dは、円柱状または円錐状の突起の輪切り断面形状であるため円形であるが、突起が角柱状または角錐状であれば、領域103dは、多角形状である。このように、突起の長手方向が不揃いであると、突起同士が絡む場合があるため、蓄電装置の充放電において突起が脱離しにくく、充放電特性を安定させることができる。また別の例として、図3Cに示すように、突起が凹凸121凹凸部とも呼ぶを有していてもよい。また、凹部又は凸部のいずれかを有していてもよい。凹凸121を有することにより、突起の表面積を大きくすることができる。すなわち、結晶性半導体層103における単位質量当たりの表面積を、図3Bと比較して更に大きくすることができるため、充放電容量を高めることができる。なお、図3A~図3Cに示すように、集電体101の表面に、層107物質層とも呼ぶを有していてもよい。層107は、集電体101の材料と結晶性半導体層103の材料例えばシリコンとが混合した混合物層、または集電体101の材料と結晶性半導体層103の材料が反応した化合物層シリサイドである。すなわち、層107は、集電体101の材料と結晶性半導体層103の材料とを含む層である。なお、層107は、集電体101の一部として記載する。また、集電体101の全てが混合物層または化合物層であってもよい。層107を有することで、集電体101と結晶性半導体層103との間の密着性を高めることができる。また、層107を有することで、集電体101と結晶性半導体層103との間の界面抵抗を低減することができるため、充放電容量を高めることができる。なお、上述したシリサイドを形成する金属材料としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、またはニッケル等がある。そして、シリサイドは、これら金属元素の化合物例えばジルコニウムシリサイド等である。なお、結晶性半導体層103に、リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加することで、結晶性半導体層103における導電性が高くなるため、電極の導電率を高めることができる。このため、充放電容量を更に高めることができる。そして、蓄電装置は、上記のような集電体101及び結晶性半導体層103を有する第1の電極と、電解質と、電解質を介して第1の電極と対向して設けられた第2の電極対向電極ともいうを有している。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、蓄電装置の構造について、図4を用いて説明する。はじめに、蓄電装置として、二次電池の構造について、以下に説明する。二次電池の中でも、LiCoO2等のリチウム含有金属酸化物を用いたリチウムイオン電池は、放電容量が高く、安全性が高い。ここでは、二次電池の代表例であるリチウムイオン電池の構造について、説明する。図4Aは、蓄電装置151の平面図であり、図4Aの一点鎖線A-Bの断面図を図4Bに示す。図4Aに示す蓄電装置151は、外装部材153の内部に蓄電セル155を有する。また、蓄電セル155に接続する端子部157、159を有する。外装部材153は、ラミネートフィルム、高分子フィルム、または金属フィルム、金属ケース、プラスチックケース等を用いることができる。図4Bに示すように、蓄電セル155は、負極163と、正極165と、負極163及び正極165の間に設けられるセパレータ167と、外装部材153中に満たされる電解質169とで構成される。負極163は、負極集電体171及び負極活物質層173で構成される。負極163としては、実施の形態1に示す電極を用いることができる。また、LPCVD装置において、負極集電体を枠状のサセプターで保持しながら結晶性シリコン層で形成される負極活物質層を形成することで、負極集電体の両面に同時に負極活物質層を形成することが可能であるため、工程数を削減することができる。正極165は、正極集電体175及び正極活物質層177で構成される。負極活物質層173は、負極集電体171の一方又は両方の面に形成される。正極活物質層177は、正極集電体175の一方又は両方の面に形成される。また、負極集電体171は、端子部157と接続する。また、正極集電体175は、端子部159と接続する。また、端子部157、159は、それぞれ一部が外装部材153の外側に導出されている。なお、本実施の形態では、蓄電装置151として、パウチされた薄型蓄電装置を示したが、ボタン型蓄電装置、円筒型蓄電装置、角型蓄電装置等様々な形状の蓄電装置を用いることができる。また、本実施の形態では、正極、負極、及びセパレータが積層された構造を示したが、正極、負極、及びセパレータが捲回された構造であってもよい。正極集電体175は、アルミニウム、ステンレス等を用いる。正極集電体175は、箔状、板状、網状等の形状を適宜用いることができる。正極活物質層177は、LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiPO4、LiMn2PO4、V2O5、Cr2O5、MnO2、その他のリチウム化合物を材料として用いることができる。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンの場合、正極活物質層177として、上記リチウム化合物において、リチウムの代わりに、アルカリ金属例えば、ナトリウムやカリウム等、またはアルカリ土類金属例えば、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等ベリリウム、マグネシウムを用いることもできる。電解質169の溶質は、キャリアイオンであるリチウムイオンを移送可能で、且つリチウムイオンが安定に存在する材料を用いる。電解質の溶質の代表例としては、LiClO4、LiAsF6、LiBF4、LiPF6、LiC2F5SO22N等のリチウム塩がある。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンの場合、電解質169の溶質として、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシウム塩、ストロンチウム塩、バリウム塩等のアルカリ土類金属塩、ベリリウム塩、またはマグネシウム塩等を適宜用いることができる。また、電解質169の溶媒としては、リチウムイオンの移送が可能な材料を用いる。電解質169の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができる。また、電解質169の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性を含めた安全性が高まる。また、蓄電装置151の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表例としては、シリコンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解質169として、Li3PO4等の固体電解質を用いることができる。セパレータ167は、絶縁性の多孔体を用いる。セパレータ167の代表例としては、セルロース紙、ポリエチレン、ポリプロピレン等がある。リチウムイオン電池は、メモリー効果が小さく、エネルギー密度が高く、放電容量が大きい。また、動作電圧が高い。これらのため、小型化及び軽量化が可能である。また、充放電の繰り返しによる劣化が少なく、長期間の使用が可能であり、コスト削減が可能である。次に、蓄電装置としては、キャパシタについて、説明する。キャパシタの代表例としては、二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ等がある。キャパシタの場合は、図4Bに示す二次電池の正極活物質層177の代わりに、リチウムイオン及び/またはアニオンを可逆的に吸蔵できる材料を用いればよい。正極活物質層177の代表例としては、活性炭、導電性高分子、ポリアセン有機半導体PASがある。リチウムイオンキャパシタは、充放電の効率が高く、急速充放電が可能であり、繰り返し利用による寿命も長い。負極163として実施の形態1に示す電極を用いることで、放電容量の高い蓄電装置を作製することができる。また、蓄電装置の一形態である空気電池の負極において、実施の形態1に示す電極の構造及び材料を用いることで、放電容量の高い蓄電装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態2で説明した蓄電装置の応用形態について図5を用いて説明する。実施の形態3で説明した蓄電装置は、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置等の電子機器に用いることができる。また、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等の電気推進車両に用いることができる。ここでは、電気推進車両の代表例として車椅子を用いて説明する。図5Aは電動式の車椅子501の斜視図である。電動式の車椅子501は、使用者が座る座部503、座部503の後方に設けられた背もたれ505、座部503の前下方に設けられたフットレスト507、座部503の左右に設けられたアームレスト509、背もたれ505の上部後方に設けられたハンドル511を有する。アームレスト509の一方には、車椅子の動作を制御するコントローラ513が設けられる。座部503の下方のフレーム515を介して、座部503前下方には一対の前輪517が設けられ、座部503の後下方には一対の後輪519が設けられる。後輪519は、モータ、ブレーキ、ギア等を有する駆動部521に接続される。座部503の下方には、バッテリー、電力制御部、制御手段等を有する制御部523が設けられる。制御部523は、コントローラ513及び駆動部521と接続しており、使用者によるコントローラ513の操作により、制御部523を介して駆動部521が駆動し、電動式の車椅子501の前進、後進、旋回等の動作及び速度を制御する。実施の形態3で説明した蓄電装置を制御部523のバッテリーに用いることができる。制御部523のバッテリーは、プラグイン技術や非接触給電による外部からの電力供給により充電をすることができる。なお、電気推進車両が鉄道用電気車両の場合、架線や導電軌条からの電力供給により充電をすることができる。図5Bは、電気自動車の一例を示している。電気自動車3050には、蓄電装置3051が搭載されている。蓄電装置3051の電力は、制御回路3053により出力が調整されて、駆動装置3057に供給される。制御回路3053は、コンピュータ3055によって制御される。駆動装置3057は、直流電動機若しくは交流電動機単体、又は電動機と内燃機関と、を組み合わせて構成される。コンピュータ3055は、電気自動車3050の運転者の操作情報加速、減速、停止などや走行時の情報登坂や下坂等の情報、駆動輪にかかる負荷情報などの入力情報に基づき、制御回路3053に制御信号を出力する。制御回路3053は、コンピュータ3055の制御信号により、蓄電装置3051から供給される電気エネルギーを調整して駆動装置3057の出力を制御する。交流電動機を搭載している場合は、直流を交流に変換するインバータも内蔵される。蓄電装置3051は、プラグイン技術による外部からの電力供給により充電することができる。蓄電装置3051として、本発明の一態様に係る蓄電装置を搭載することで、充電時間の短縮化などに寄与することができ、利便性を向上させることができる。また、充放電速度の向上により、電気自動車の加速力向上に寄与することができ、電気自動車の性能向上に寄与することができる。また、蓄電装置3051の特性向上により、蓄電装置3051自体を小型軽量化できれば、車両の軽量化に寄与することができ、燃費向上にも結びつけることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態5本実施の形態では、本発明の一態様に係る二次電池を、無線給電システム以下、RF給電システムと呼ぶ。に用いた場合の一例を、図6及び図7のブロック図を用いて説明する。なお、各ブロック図では、受電装置および給電装置内の構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが困難であり、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。はじめに、図6を用いてRF給電システムについて説明する。受電装置600は、給電装置700から供給された電力で駆動する電子機器または電気推進車両であるが、この他電力で駆動する装置に適宜適用することができる。電子機器の代表的としては、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、表示装置、コンピュータ等がある。また、電気推進車両の代表例としては、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等がある。また、給電装置700は、受電装置600に電力を供給する機能を有する。図6において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604とを少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702とを少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、および、二次電池604から電源負荷部610への電力の供給を制御する。また、信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602の動作を制御する。すなわち、受電装置用アンテナ回路602から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。電源負荷部610は、二次電池604から電力を受け取り、受電装置600を駆動する駆動部である。電源負荷部610の代表例としては、モータ、駆動回路等があるが、その他の電力を受け取って受電装置を駆動する装置を適宜用いることができる。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602からの信号を受け取る役割を有する。信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701が受信した信号を処理する。また、信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701の動作を制御する。すなわち、給電装置用アンテナ回路701から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図6で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができる。よって、無線給電の時間間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。次に、RF給電システムの他の例について図7を用いて説明する。図7において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604と、整流回路605と、変調回路606と、電源回路607とを、少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702と、整流回路703と、変調回路704と、復調回路705と、発振回路706とを、少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る場合、整流回路605は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号から直流電圧を生成する役割を有する。信号処理回路603は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、二次電池604から電源回路607への電力の供給を制御する役割を有する。電源回路607は、二次電池604が蓄電している電圧を電源負荷部610に必要な電圧に変換する役割を有する。変調回路606は受電装置600から給電装置700へ何らかの応答を送信する場合に使用される。電源回路607を有することで、電源負荷部610に供給する電力を制御することができる。このため、電源負荷部610に過電圧が印加されることを低減することが可能であり、受電装置600の劣化や破壊を低減することができる。また、変調回路606を有することで、受電装置600から給電装置700へ信号を送信することが可能である。このため、受電装置600の充電量を判断し、一定量の充電が行われた場合に、受電装置600から給電装置700に信号を送信し、給電装置700から受電装置600への給電を停止させることができる。この結果、二次電池604の充電量を100としないこと、二次電池604の充電回数を増加させることが可能である。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る役割を有する。受電装置用アンテナ回路602に信号を送る場合、信号処理回路702は、受電装置600に送信する信号を生成する回路である。発振回路706は一定の周波数の信号を生成する回路である。変調回路704は、信号処理回路702が生成した信号と発振回路706で生成された一定の周波数の信号に従って、給電装置用アンテナ回路701に電圧を印加する役割を有する。そうすることで、給電装置用アンテナ回路701から信号が出力される。一方、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る場合、整流回路703は受け取った信号を整流する役割を有する。復調回路705は、整流回路703が整流した信号から受電装置600が給電装置700に送った信号を抽出する。信号処理回路702は復調回路705によって抽出された信号を解析する役割を有する。なお、RF給電を行うことができれば、各回路の間にどんな回路を設けてもよい。例えば、受電装置600が信号を受信し整流回路605で直流電圧を生成したあとに、後段に設けられたDC-DCコンバータやレギュレータといった回路を設けて、定電圧を生成してもよい。そうすることで、受電装置600内部に過電圧が印加されることを抑制することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図7で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができるので、無線給電の間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。なお、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用し、受電装置用アンテナ回路602と二次電池604を重ねる場合は、二次電池604の充放電による二次電池604の形状の変形と、当該変形に伴うアンテナの形状の変化によって、受電装置用アンテナ回路602のインピーダンスが変化しないようにすることが好ましい。アンテナのインピーダンスが変化してしまうと、十分な電力供給がなされない可能性があるためである。例えば、二次電池604を金属製あるいはセラミックス製の電池パックに装填するようにすればよい。なお、その際、受電装置用アンテナ回路602と電池パックは数十μm以上離れていることが望ましい。また、本実施の形態では、充電用の信号の周波数に特に限定はなく、電力が伝送できる周波数であればどの帯域であっても構わない。充電用の信号は、例えば、135kHzのLF帯長波でも良いし、13.56MHzのHF帯でも良いし、900MHz~1GHzのUHF帯でも良いし、2.45GHzのマイクロ波帯でもよい。また、信号の伝送方式としては電磁結合方式、電磁誘導方式、共鳴方式、マイクロ波方式など様々な種類があるが、適宜選択すればよい。ただし、雨や泥などの、水分を含んだ異物によるエネルギーの損失を抑えるためには、本発明の一態様では、周波数が低い帯域、具体的には、超長波である3kHz~30kHz、長波である30kHz~300kHz、中波である300kHz~3MHz、及び短波である3MHz~30MHzの周波数を利用した電磁誘導方式や共鳴方式を用いることが望ましい。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。