"式2により表される部分構造MLnを含む、式1により表される化合物:式中、使用された記号および添え字には以下が適用される:Mは、遷移金属であり、Eは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々においてsp2混成炭素又は窒素原子であり、Zは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々においてC2又はNRであり、Cy1、Cy2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、N原子を介してMに配位する置換又は無置換の複素環であり、基Zと結合していてもよく、Rは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々は、H、D、F、CN、1~40個の炭素原子を有する直鎖アルキル又はアルコキシ基、3~40個の炭素原子を有する分岐もしくは環式アルキル又はアルコキシ基、2~40個の炭素原子を有するアルケニル基又はアルキニル基各々において、1つのCH2基又は2以上の非隣接CH2基は、-R2C=CR2-、-C≡C-、Si2、Ge2、Sn2、-O-、-S-、-NR2-、--、--、-P=O-、SO、SO2又は-CONR2-により置き換えられていてもよく、また、1以上のH原子はFにより置き換えられていてもよい。、あるいは、5~60個の芳香族環原子を有する芳香族又は芳香族複素環、5~60個の芳香族環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基各々は、1以上の非芳香族ラジカルR2により置換されていてもよい。、あるいは、これらの系の2、3又は4つの組み合わせであり、ここでRは、環Cy1及び/又はCy2の一方又は双方と共に脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を更に形成していてもよく、R2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、1~20個のC原子を有する脂肪族炭化水素、5~30個の芳香族環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系からなる群から選択され、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN又はNO2により置き換えられていてもよく、2以上の隣接する置換基R2は、それらが結合する原子と共に単環又は多環の脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成し、nは1、2又は3である。式中、配位子L’及びLは、同一又は異なり、単座、二座又は三座キレート配位子から選択され、配位子Lと結合していてもよく、m、oは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々が0、1又は2であり、且つ、nmo=2又は3であり、但し、n=1であり、且つ、Lが四座配位子であるとき、式2はM-C結合を有さないか、一つのみ有し、もしくは、式2は四座環状配位子を有し、また、式1で表される化合物から下式で表される化合物を除く。式中、R及びmは上記で特定された意味と同じ意味を表し、M1は、遷移金属であり、Y1は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、ハロゲン、カルボキシル、カルボキシレート、アルキルもしくは官能化アルキル基、OH又はアミノ基であり、Y2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、ハロゲン、アルコキシ、OH、ニトロ又はアミノ基であり、L’’’は、配位子である。Cy1及びCy2が置換されていてもよい複素環式芳香族基である、請求項1に記載の化合物。式2により表される部分構造が式3又は4により表される、請求項1又は2に記載の化合物。式中、記号及び添え字は請求項1に定義された意味と同じ意味を表す:式3中の置換基Zは、環Cy3の一部であり、Cy1又はCy2と共に脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成する。式4中の置換基Zは、2つの環Cy3及びCy4の一部であり、Cy1及びCy2と共に脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成する。式2により表される部分構造が式5又は6により表される、請求項1乃至3のいずれかに記載の化合物。式中、記号及び添え字は上記に定義された意味と同じ意味を表す:Xは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、CR1又はNであるが、Nにより表される隣接するXは最大で2つであり、R1は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、Cl、Br、I、CN、NO2、CNO、NCS、SCN、CF3、1~40個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、3~40個の炭素原子を有する分岐、環式又は多環式アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、2~40個の炭素原子を有するアルケニル又はアルキニル基各々は、1以上のR2基により置き換えられていてもよく、各々において、1つのCH2基又は2以上の非隣接CH2基は、-R2C=CR2-、-C≡C-、Si2、Ge2、Sn2、C=O、C=S、C=Se、C=NR2、P、SO、SO2、NR2、O、S又はCONR2-により置き換えられていてもよく、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN又はNO2により置き換えられていてもよい。、あるいは、5~60個の芳香族環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系これらは1以上のラジカルR2により置換されていてもよい、5~60個の芳香族環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基これらは1以上のラジカルR2により置換されていてもよい。、あるいは、上記系の組み合わせからなる群から選択され、ここで、2以上の隣接する置換基R1は、それらが結合する原子と共に単環又は複素環の脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成していてもよく、該環系は1以上のラジカルR2により置換されていてもよく、R2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、1~20個のC原子を有する脂肪族炭化水素、5~30個の芳香族環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系からなる群から選択され、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN又はNO2により置き換えられていてもよく、2以上の隣接する置換基R2は、それらが結合する原子と共に単環又は多環の脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成し、Cy3、Cy4、Cy5は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成するように選択される。式2により表される部分構造が式7又は8により表される、請求項1乃至4のいずれかに記載の化合物。式中の記号及び添え字は、請求項1及び4に定義された意味と同じ意味を表す。式2により表される部分構造が式9又は10により表される、請求項1乃至5のいずれかに記載の化合物。式中の記号及び添え字は、請求項1及び4に定義された意味と同じ意味を表す。金属Mが、Zr、Hf、Mo、W、Ru、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag及びAuからなる群から選択され、特に好ましくはIr、Pt及びCuである、請求項1乃至6のいずれかに記載の化合物。式2により表される部分構造が、式11又は12により示される三座又は四座配位子である、請求項1乃至7のいずれかに記載の化合物。式中、記号及び添え字は、請求項1及び4に定義された意味と同じ意味を表し、R3は、Mに配位する基であり、5、6又は7員環キレートが形成されるように選択され、C、N、P、O、S又はこれらの組み合わせから選択されるドナー基を含み、式12中の半サイクルは、脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成するのに必要な基を表すが、必ず存在するものではない。式13又は14により表される化合物から選択される請求項8に記載の化合物:式中、記号及び添え字は、請求項1及び4に定義された意味と同じ意味を表し、R3は、好ましくは、ドナー基C、N、P、O、S又はこれらの組み合わせを介して金属Mに結合している。配位子L’及びLが、一酸化炭素、NO、イソニトリル、アミン、ホスフィン、ホスファイト、アルシン、スチビン、窒素含有複素環化合物、水素化物、重水素化物、ハライドF、Cl、Br及びI、アルキルアセチリド、アリールアセチリド、シアン化物、シアナート、イソシアナート、チオシアナート、脂肪族又は芳香族アルコラート、脂肪族又は芳香族チオアルコラート、アミド、カルボキシレート、O2-、S2-、ナイトレンこれはR-N=M式中、Rは一般的な置換基を表す。の形態において配位する、N3-、ジアミン、イミン、ジイミン、2つの窒素原子を含む複素環化合物、ジホスフィン、1,3-ジケトンから誘導された1,3-ジケトネート、3-ケトエステルから誘導された3-ケトネート、アミノカルボン酸から誘導されたカルボキシレート、サリチルイミンから誘導されたサリチルイミネート、ジアルコールから誘導されたジアルコラート、ジチオールから誘導されたジチオラート、窒素含有複素環化合物のボラート、二座モノアニオン配位子これは、金属と共に、少なくとも一つの金属-炭素結合を含むシクロメタル化5員環を形成する。、η5-シクロペンタジエニル、η5-ペンタメチルシクロペンタジエニル、η6-ベンゼン又はη7-シクロヘプタトリエニル各々は1以上のラジカルRにより置換されていてもよいから選択される、請求項1乃至9のいずれかに記載の化合物。ラジカルR及びR1の少なくとも1つが、オリゴマー、ポリマー又はデンドリマーへの結合を表す請求項1乃至10のいずれかに記載の化合物の1以上を含有するオリゴマー、ポリマー又はデンドリマー。請求項1乃至11のいずれかに記載の化合物の電子部材における使用。式2により表される部分構造MLnを含む、式1’により表される化合物を含有する電子部材:式中、使用された記号および添え字には以下が適用される:Mは、遷移金属であり、Eは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々はsp2混成炭素又は窒素原子であり、Zは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々はC2又はNRであり、Cy1、Cy2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々はN原子を介してMに配位する置換又は無置換の複素環であり、各々は基Rと結合していてもよく、Rは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々は、H、D、F、CN、1~40個の炭素原子を有する直鎖アルキル又はアルコキシ基、3~40個の炭素原子を有する分岐もしくは環式アルキル又はアルコキシ基、2~40個の炭素原子を有するアルケニル基又はアルキニル基各々において、1つのCH2基又は2以上の非隣接CH2基は、-R2C=CR2-、-C≡C-、Si2、Ge2、Sn2、-O-、-S-、-NR2-、--、--、-P=O-、SO、SO2又は-CONR2-により置き換えられていてもよく、また、1以上のH原子はFにより置き換えられていてもよい。、あるいは、5~60個の芳香族環原子を有する芳香族又は芳香族複素環、5~60個の芳香族環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基各々は、1以上の非芳香族ラジカルR2により置換されていてもよい。、あるいは、これらの系の2、3又は4つの組み合わせであり、ここでRは、環Cy1及び/又はCy2の一方又は双方と共に脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を更に形成していてもよく、R2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、1~20個のC原子を有する脂肪族炭化水素、5~30個の芳香族環原子を有する芳香族又は芳香族複素環系からなる群から選択され、ここで、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN又はNO2により置き換えられていてもよく、2以上の隣接する置換基R2は、それらが結合する原子と共に単環又は多環の脂肪族、芳香族又は芳香族複素環系を形成し、nは1、2又は3である。式中、配位子L’及びLは、同一であるかまたは異なり、単座、二座又は三座キレート配位子から選択され、これらは配位子Lと結合していてもよく、m、oは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、各々は0、1又は2であり、且つ、nmo=2又は3であり、但し、n=1であり、且つ、Lが四座配位子であるとき、式2はM-C結合を有さないか、一つのみ有し、もしくは、式2は四座環状配位子を有する。有機発光デバイス又はダイオードOLED、有機集積回路O-IC、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機太陽電池O-SC、有機発光トランジスタO-LET、有機電界クエンチデバイスO-FQD、発光電気化学セルLEC及び有機レーザーダイオードO-レーザーからなる群から選択される、請求項13に記載の電子部材。式1により表される化合物が、発光層において発光材料として、好ましくは、ケトン、ホスフィン、酸化物、スルホキシド、スルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザカルバゾール、双極性マトリクス材料、シラン、アザボロール、ボロン酸エステル、トリアジン誘導体又は亜鉛錯体から選択されるマトリクス材料と組み合わせて使用され、及び又は、発光層において発光化合物のためのマトリクス材料として、及び又は、正孔障壁層において正孔障壁材料として、及び又は、電子輸送層において電子輸送材料として、及び又は、正孔輸送又は正孔注入層において正孔輸送材料として、及び又は、励起子障壁層において電子障壁又は励起子障壁材料として使用される、請求項13又は14に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。請求項1乃至11のいずれかに記載の1以上の化合物、又は、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーと、少なくとも1つの溶剤を含有する調製物。例1:有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造及び特性本発明に係るエレクトロルミネセンスデバイスは、例えば、WO05003253に記載されたように製造することができる。下記構造を有するOLEDは、上記の一般的方法と類似した方法により製造される。正孔注入層HIL:2,2’,7,7’-テトラキスジ-パラ-トリルアミノスピロ-9,9’-ビフルオレンの20nm正孔輸送層HTL:20nmNPBN-ナフチル-N-フェニル-4,4’-ジアミノビフェニル電障壁層EBL:15nmの9,9-ビス-3,5-ジフェニルアミノフェニルフルオレン発光層EML:40nmのホスト材料:aスピロケトンSK、ビス9,9’-スピロビフルオレン-2-イルケトンb混合マトリクス:30ジアザシロール55ケトンドーパント1又は2:10体積及び15体積ドーピング化合物は下記を参照正孔障壁層HBL:10nmのSK電子伝導体ETL:20nmのAlQ3トリスキノリナートアルミニウムIIIカソード:1nmのLiF、100nmの上部Al明確化のためSK及びドーパント1の構造を以下に示す。この未だ最適化されていないOLEDを標準的な方法で特性決定する。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、輝度の関数としての効率cd/Aで測定、電流-電圧-輝度特性線IUL特性線から計算される作業電圧、及び寿命を決定する。例2:ドーパント2の合成A4,9-ビス-2,4,6-トリメチルフェニル-1-12-ジアザ-ベンゾ[c]フェナントレン4,9-ジ-クロロ-1,12-ジアザ-ベンゾ[c]フェナントレン3.0g10mmolと、2,4,6-トリメチル-ベンゼンボロン酸6.6g40mmol、フッ化カリウム3.5g60mmol、トリ-tert-ブチル-ホスフィン142mg0.7mmol及びパラジウムIIアセテート112g0.5mmolの混合物を、80mlのジオキサン中において100°Cで30分間撹拌する。混合物を60°Cに冷却し、次いでメタノール:水の1:1体積:体積混合物200mlを滴下して加える。室温で更に2時間撹拌した後、沈殿物を濾過し、50mlのメタノールで2回洗浄し、次いで真空中で乾燥する。原料産物を300mlのジクロロメタン中に再溶解させ、残渣パラジウムを除去するために、シリカのショートカラムを通して濾過する。ジクロロメタンを除去した後に得られる産物を、DMFから2回再結晶する。収率:2.9g6.2mmol62B4,9-ビス-2,4,6-トリメチルフェニル-1-12-ジアザ-ベンゾ[c]フェナントレン-ジ-シアノ-白金II4,9-ビス-2,4,6-トリメチルフェニル-1-12-ジアザ-ベンゾ[c]フェナントレン2.3g5mmolと、DMF50ml中のPtCN21.2g5mmolの混合を、18時間加熱還流する。混合物を室温まで冷却し、沈殿物を濾過してメタノールで洗浄し、次いで真空中で乾燥する。原料産物をDMSOから3回再結晶し、次いでフラクション昇華圧力:約10-6mbar、温度:340-360°Cを繰り返して更に精製する。収率:1.4g2mmol39"