"シリカガラス基板上にシリコン層と酸化シリコン層とがこの順で配される検出板と、前記検出板の前記シリカガラス基板側に光学的に密着される光学プリズムと、前記光学プリズムを介して前記検出板に光を照射し、前記光学プリズムに対して光の入射角が固定されて配される光照射手段と、前記検出板から反射される反射光の強度を検出する光検出手段とを有し、前記反射光の特性変化を検出することにより、前記検出板の前記酸化シリコン層の表面近傍における誘電率の変化を検出する検出装置であって、前記光学プリズムは、前記光照射手段から照射される光が入射される入射面と、前記検出板に密着される密着面とのなす角の角度が43°以下であることを特徴とする検出装置。光照射手段が、密着面の面内方向に対して平行に光を照射する請求項1に記載の検出装置。シリコン層が、単結晶シリコンにより形成される請求項1及び2のいずれかに記載の検出装置。シリコン層と酸化シリコン層との界面における界面粗さが、RMS換算で0.5nm以下である請求項1から3のいずれかに記載の検出装置。光照射手段が、光源と、前記光源から照射される光をコリメート光とするコリメータと、前記コリメート光を偏光してs偏光とする偏光板とを有し、光学プリズムを介して前記s偏光を検出板に照射する請求項1から4のいずれかに記載の検出装置。光検出手段が、少なくとも反射光を分光して検出する分光器を有する請求項1から5のいずれかに記載の検出装置。光学プリズムが、密着面に対して入射面と同一角度をなす出射面を有する請求項1から6のいずれかに記載の検出装置。光学プリズムが、シリカガラス基板と同じ屈折率のシリカガラスで形成される請求項1から7のいずれかに記載の検出装置。光学プリズムと検出板とが一体的に形成される請求項1から8のいずれかに記載の検出装置。酸化シリコン層表面近傍における、物質の吸着、離脱、接近、及び変質のいずれかの状態を誘電率の変化として検出する請求項1から9のいずれかに記載の検出装置。前記光導波モードセンサーにおいて、上述のSPRセンサーにおいて報告されている波長分解型測定法を適応することができれば、高性能で小型なセンサーの実現が期待できる。しかしながら、前記SPRセンサーと前記光導波モードセンサーとは、光学的なセットアップが似ているものの、SPR励起条件と光導波モード励起条件が全く異なるため、前記SPRセンサーにおけるSPR励起条件と、前記光導波モードセンサーにおける光導波モード励起条件との差異を補完する必要がある。この点、前記SPRセンサーの場合、前記SPRを励起できる光の波長は、使用する金属材料により、ある特定の波長帯域に限定される。また、前記SPR励起条件は、使用する金属材料、基板材料、及び光学プリズムの材料における、それぞれの材料の複素屈折率によって決まり、例えば、入射された光が基板を通過し金属材料面に入射される際の入射角度の最適値は、これら使用する材料によって一意的に決定される。一方、前記SiO2/Si/SiO2検出板を用いた光導波モードセンサーの光導波モードの励起波長は、シリコン層の厚さや酸化シリコン層の厚さに大きく依存する。この特性を利用すれば、これらの層の厚さを制御することによって、前記光導波モードの励起波長帯を、紫外から近赤外領域内であれば、自由に設定可能である。また、前記SPRセンサーと異なり、前記光導波モードセンサーの場合、基板から検出板表面の光導波路層に対する入射角の最適値は、シリコン層及び酸化シリコン層の厚さ、更には入射光の波長に依存する。したがって、検出装置としては、設計上大きな自由度を持つ前記光導波モードセンサーの方が有利である。そして、前記SiO2/Si/SiO2検出板を用いた光導波モードセンサーを用いて、波長分解型測定法を適応させるためには、光源からの光が入射される光学プリズムの角を特定の角度に設定して、光導波モードの励起に最適な光が入射されるようにすれば、前記SPRセンサーにおけるSPR励起条件と、前記光導波モードセンサーにおける光導波モード励起条件との差異を補完することができる。本発明は、従来技術における前記諸問題と、前記光導波モードセンサーを用いて前記波長分解型測定法を適応させた検出装置を提供するために生じた新たな技術的課題とを解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、光導波モードセンサーを用いて波長分解型測定法を適応させた検出装置を実現するに際して、SPRセンサーにおけるSPR励起条件と、光導波モードセンサーにおける光導波モード励起条件との差異を補完し、小型で、安定的かつ高感度な検出装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>シリカガラス基板上にシリコン層と酸化シリコン層とがこの順で配される検出板と、前記検出板の前記シリカガラス基板側に光学的に密着される光学プリズムと、前記光学プリズムを介して前記検出板に光を照射し、前記光学プリズムに対して光の入射角が固定されて配される光照射手段と、前記検出板から反射される反射光の強度を検出する光検出手段とを有し、前記反射光の特性変化を検出することにより、前記検出板の前記酸化シリコン層の表面近傍における誘電率の変化を検出する検出装置であって、前記光学プリズムは、前記光照射手段から照射される光が入射される入射面と、前記検出板に密着される密着面とのなす角の角度が43°以下であることを特徴とする検出装置。<2>光照射手段が、密着面の面内方向に対して平行に光を照射する前記<1>に記載の検出装置。<3>シリコン層が、単結晶シリコンにより形成される前記<1>及び<2>のいずれかに記載の検出装置。<4>シリコン層と酸化シリコン層との界面における界面粗さが、RMS換算で0.5nm以下である前記<1>から<3>のいずれかに記載の検出装置。<5>光照射手段が、光源と、前記光源から照射される光をコリメート光とするコリメータと、前記コリメート光を偏光してs偏光とする偏光板とを有し、光学プリズムを介して前記s偏光を検出板に照射する前記<1>から<4>のいずれかに記載の検出装置。<6>光検出手段が、少なくとも反射光を分光して検出する分光器を有する前記<1>から<5>のいずれかに記載の検出装置。<7>光学プリズムが、密着面に対して入射面と同一角度をなす出射面を有する前記<1>から<6>のいずれかに記載の検出装置。<8>光学プリズムが、シリカガラス基板と同じ屈折率のシリカガラスで形成される前記<1>から<7>のいずれかに記載の検出装置。<9>光学プリズムと検出板とが一体的に形成される前記<1>から<8>のいずれかに記載の検出装置。<10>酸化シリコン層表面近傍における、物質の吸着、離脱、接近、及び変質のいずれかの状態を誘電率の変化として検出する前記<1>から<9>のいずれかに記載の検出装置。本発明によれば、従来技術における前記諸問題と、前記光導波モードセンサーを用いて前記波長分解型測定法を適応させた検出装置を提供するために生じた新たな技術的課題とを解決することができ、光導波モードセンサーを用いて波長分解型測定法を適応させた検出装置を実現するに際して、SPRセンサーにおけるSPR励起条件と、光導波モードセンサーにおける光導波モード励起条件との差異を補完し、小型で、安定的かつ高感度な検出装置を提供することができる。検出装置本発明の検出装置は、検出板と、光学プリズムと、光照射手段と、光検出手段とを有する。<検出板>前記検出板は、シリカガラス基板上にシリコン層と酸化シリコン層とがこの順で配されてなる。前記シリカガラス基板としては、シリカガラスで形成されるガラス材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、SiO2ガラス、シリカ、石英ガラスなどと呼ばれるガラス材料から適宜選択することができる。前記シリコン層の形成材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコンなど、シリコンを主たる構成物質とした材料が挙げられるが、中でも、光学的及び構造的均一性の観点から、単結晶シリコンが好ましい。前記酸化シリコン層としては、光導波路層として機能するものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱酸化シリコンSiO2、シリカガラスなどシリコンの酸化物が挙げられる。前記シリカガラス基板の厚さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ハンドリングが容易である観点から、0.5mm~3mmが好ましい。前記シリコン層の厚さとしては、光導波モードを励起することができれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、近紫外域から近赤外域の間の波長領域で光導波モードを励起することができる観点から、10nm~1μmであることが好ましく、更に製造が容易である観点から、その上限としては500nm以下がより好ましい。前記酸化シリコン層の厚さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光導波路として機能させ、また、製造が容易である観点から、200nm~800nmが好ましい。前記シリコン層と前記酸化シリコン層との界面粗さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光の散乱を抑制する観点から、RMSRootMeanSquare;二乗平均平方根換算で0.5nm以下が好ましく、理想的には0nmである。また、前記酸化シリコン層の表面にナノ孔を形成することによって、検出感度を向上させることができる。前記検出板の断面構造を図4に示す。該図4に示すように、検出板6は、シリカガラス基板6a上にシリコン層6bと酸化シリコン層6cとがこの順で配されてなり、このシリカガラス基板6aの酸化シリコン層6cが形成されている面と反対の面に後述の光学プリズムを密着させる。<光学プリズム>前記光学プリズムは、前記検出板の前記シリカガラス基板側に光学的に密着されてなる。前記光学プリズムの形成材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記検出板との界面における光の反射や屈折を抑える観点から、前記シリカガラス基板と同じ屈折率のシリカガラスで形成されることが好ましい。本発明の検出装置においては、前記光照射手段から照射される光が入射される入射面と、前記検出板に密着される密着面とのなす角の角度、即ち、図中にαで示される角度が43°以下であることを技術の核とする。このようにすることで、従来のSPRセンサーにおけるSPR励起条件と、光導波モードセンサーにおける光導波モード励起条件との差異を補完することができる。したがって、前記光学プリズムの形状としては、前記角度を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、図5に示すような任意の形状とすることができる。また、前記角の先端としては、研磨の関係上、丸まっていてもよい。前記光学プリズムの好ましい態様としては、図6に示すような断面視台形のプリズム及び二等辺三角形のプリズムが挙げられる。これらの光学プリズムにおいては、前記検出板との密着面に対し、前記光照射手段から照射される光が入射される入射面と同一角度図6における角度αをなす出射面を有するので、前記光学プリズムを中心として、光照射手段と光検出手段とを対称的に光学配置することができ、検出装置をより小型でかつ簡便な配置設計にすることができる。前記検出板及び前記光学プリズムの密着方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記検出板と前記光学プリズムの間に、屈折率調節オイルや屈折率調節ポリマーシートで満たし、光学的に連続となるように密着されていることが好ましい。また、前記検出板と前記光学プリズムとは、より簡便に光学的な連続性が得られる観点から、一体的に形成されていてもよい。この場合、前記検出板のシリカガラス基板部分を研磨して、プリズム形状にして用いても同様の効果を得ることができる。前記検出板と前記光学プリズムとが一体的に形成される例を図7に示す。この例では、シリカガラス基板を光学プリズム状に加工して形成されたプリズム状のシリカガラス基板16a上に、シリコン層16bと、酸化シリコン層16cとをこの順で配したチップを検出板及び光学プリズムとして用いる。この場合、プリズム状のシリカガラス基板16aの光入射面と、前記検出板ここでは、シリコン層16bとの密着面とのなす角図中のαの角度を43°以下とする。<光照射手段>前記光照射手段は、前記光学プリズムを介して前記検出板に光を照射し、前記光学プリズムに対して光の入射角が固定されて配される。前記光照射手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、密着面の面内方向に対して平行に光を照射することが好ましい。このように前記光照射手段の光学系を配することで、より小型で簡便な光学系とすることができる。前記光照射手段の好ましい構成例としては、光源と、前記光源から照射される光をコリメート光とするコリメータと、前記コリメート光を偏光してs偏光とする偏光板とを有し、光学プリズムを介して前記s偏光を検出板に照射する構成が挙げられる。このように前記光照射手段を構成することで、適切な入射角で前記光学プリズムに対し光を照射することができるとともに、より高感度の検出が可能な光学系を得ることができる。前記光源としては、波長分解型の測定を行う観点から、白色ランプやLEDやLDなどが好ましい。また、前記s偏光板に代えてp偏光板を用いることができるが、前記s偏光板を用いる方が高い感度を得ることができる。なお、前記光照射手段のこのほかの部材として、前記光源から照射される光をコリメータに導くための光ファイバーなどの光学部材を配することができる。<光検出手段>前記光検出手段は、前記検出板から反射される反射光の強度を検出する機能を有する。本発明の検出装置は、前記反射光の特性変化を検出することにより、前記検出板の前記酸化シリコン層の表面近傍における誘電率の変化を検出する。前記光検出手段としては、前記機能を有するものであれば特に制限はなく、例えば、少なくとも分光器と光検出器により構成することができ、必要に応じて、集光レンズ、光ファイバ等を付加して構成することができる。前記集光レンズ及び前記光ファイバを用いることで、光学配置に自由度を与えることができる。前記光検出器としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、CCDアレイ、フォトダイオードアレイ、フォトマルチプライアなど、前記光学プリズムから出射される反射光の強度を測定する装置が挙げられ、前記分光器から取得される波長ごとの反射光強度から特定波長帯域における反射光の強度または反射スペクトルを検出可能とする。本発明の一実施形態に係る検出装置50を図8に示す。該図8に示すように、光照射手段は、光源1と、光ファイバ2Aと、コリメータレンズ3と偏光板4で構成されている。光源1からの光は、光ファイバ2Aに入射され、光学プリズム5に入射しやすい位置に導かれる。光ファイバ2Aの先に配置されたコリメータレンズ3により、光ファイバ2Aからの出射光は、平行光となるように設定される。また、この出射光は、偏光板4にて所望の偏光状態に偏光された後に、光学プリズム5に入射される。光学プリズム5に入射された光は、検出板6で反射され、反射光として光学プリズム5から出射された後、集光レンズ7により集光されて光ファイバ2Bに取り込まれ、分光器8及び光検出器9にて、反射強度または反射スペクトルを観測可能とされる。検出板6は、シリカガラス基板6a上に、シリコン層6bと、酸化シリコン層6cとがこの順で配されたもので構成され、シリカガラス基板6aの酸化シリコン層6cが配される面と反対側の面に光学プリズム5が光学的に密着されて配される。ここで、光学プリズム5は、偏光板4を通じて光が入射される入射面と、検出板6に密着される密着面とのなす角の角度図中のαが43°以下に設定される。このように角度を設定することで、従来のSPRセンサーにおけるSPR励起条件と、光導波モードセンサーにおける光導波モード励起条件との差異を補完して、小型で高感度の検出装置を実現することができる。このような構造を有する検出装置50により、入射光が検出板6で反射された後の特性、例えば反射光スペクトルを観測すると、入射光のある特定波長帯域の光が、検出板6の表面に形成された酸化シリコン層6c内及びその近傍を局在的に伝搬する光導波モードを励起する条件を満たし、この波長帯域で反射強度が著しく弱まる現象が生じる。この光導波モード励起条件は、検出板6の酸化シリコン層6c表面近傍の誘電率によって変化するため、酸化シリコン層6c表面近傍の誘電率に変化があると、反射スペクトルが変化する。これにより、反射スペクトルの変化又はある特定波長帯域の反射光強度の変化を観測することで、酸化シリコン層6c表面近傍において誘電率変化を引き起こしている原因、例えば、物質の吸着や接近、離脱、変質を光検出器9で検出することができる。図9に、本発明の一実施例として作製した検出装置100の概要を示す。この検出装置100おいては、タングステンハロゲンランプ光101から照射される光を光ファイバ102Aを介してコリメータレンズ103、偏光板104の順で導入し、s偏光の平行光にした後、プリズム105に照射する。プリズム105には、検出板106を光学的に密着させた。ここで、プリズム105としては、2つの底角の角度αがいずれも38°の台形プリズムを用いた。また、検出板106としては、厚さ1.2mmのシリカガラス基板106a上に、厚さ220nmの単結晶Si層106bと、厚さ448nmの熱酸化シリコン層106cとがこの順で配されたものを用いた。また、検出装置100は、プリズム105の光入射面Aを介して検出板106に照射された光を検出板で反射させプリズム105の光出射面Bから出射させた後、集光レンズ107及び光ファイバ102Bを介して、CCDアレイ付きの分光器108に導き、光検出器109によりスペクトルが観測されるように作製した。この実施例に係る検出装置100を用いて、ビオチン110とストレプトアビジン111の特異吸着の検出試験を以下に記載の通り行った。まず、検出板106を弱アルカリ水溶液に10時間浸漬後乾燥し、次いで0.2質量の3-アミノプロピルトリエトキシシランのエタノール溶液に10時間浸漬し、酸化シリコン層106cの表面に反応活性なアミノ基を修飾した。エタノールでリンスし乾燥させた後、0.1mMのスルホスクシンイミジル-N-D-ビオチニル-6-アミノヘキサネートスクシンイミド基含有化合物を含む1/15Mリン酸緩衝液に浸した。そのまま5時間放置し、アミノ基とスクシンイミド基含有化合物のスクシンイミド基とを反応させ、酸化シリコン層106cの表面にビオチニル基を導入した。こうすることによって、ビオチニル基へのストレプトアビジンの特異吸着を観測できるようになる。具体的な観察方法としては、前述の方法で酸化シリコン表面106cにビオチニル基を導入させた後、酸化シリコン表面106cの部分に液セルを外装し、1/15Mリン酸緩衝液を液セル内に満たし、検出装置100を駆動させ、光検出器109から反射スペクトルを観測することにより行った。この観測結果を図10中の実線で示す。その後、1/15Mリン酸緩衝液を取り除き、次に液セル内にストレプトアビジンを0.5μM含有する1/15Mリン酸緩衝液を注入し、再度反射スペクトルを観測した。この観測結果を図10中の破線で示す。該図10から確認されるように、ストレプトアビジンを含有する溶液の注入によって、ビオチン110とストレプトアビジン111の吸着反応が生じて、反射スペクトル中に見られるディップの位置が長波長側へシフトする。検出板106の表面近傍で誘電率の変化が生じた際、図10に見られるようなディップ位置の波長シフト量がより大きくなるように拡大設定できれば、誘電率の変化をより高感度に検出できることになり、誘電率の変化を引き起こしている反応をより正確に捉えられることとなる。そこで、プリズムの角αの角度とディップ位置の波長シフト量の関係をシミュレーション計算にて計算した。シミュレーション計算には、フレネルの式を用いた計算プログラム及びフリーウエアである計算プログラムWinspallWolfgangKnollグループ,MPI-Pを用いた。計算に用いた条件としては、1検出板におけるシリコン層の厚さが45nmで入射波長600nmの位置にディップの底がある場合、2検出板におけるシリコン層の厚さが80nmで入射波長470nmの位置にディップの底がある場合、3検出板におけるシリコン層の厚さが160nmで入射波長520nmの位置にディップの底がある場合、4検出板におけるシリコン層の厚さが220nmで入射波長650nmの位置にディップの底がある場合、の4通りの条件を用いた。いずれの場合も、シリコン層は単結晶シリコンであるとして計算した。また、検出板106の表面が水と同等の屈折率を持った液に浸っているとして計算を行った。酸化シリコン層106cとしては、シリカガラスであるとして計算した。酸化シリコン層106cの厚さとしては、ディップの現れる波長位置に影響を与えることから、計算を行う際、検出板表面が液に浸っている状態で、ディップ位置が上述のそれぞれの波長になるように酸化シリコン層の厚さを設定した。ディップ位置のシフト量としては、検出板106の表面に厚さが5nmで屈折率1.45の物質が吸着した場合を想定して計算した。計算で得られた、波長シフト量のプリズムの角αに対する角度依存性を示す結果を図11に示す。また、プリズムの角αの角度が31°の時の値で規格化したシフト量を図12に示す。図11、図12に示す通り、計算で用いた条件では、検出板106を構成するシリコン層の厚さや、励起波長帯域が異なるにも拘わらず、いずれの場合も、プリズムの角αが小さいほうが、シフト量が大きい、つまり感度が高いことが分かる。ただし、プリズムの角αの角度が30°より小さくなると、入射光が検出板106の表面で全反射条件を満たさなくなる、つまり、検出板106表面への光の入射角が臨界角より小さくなってしまう場合がある。検出板106に用いられている各材料の屈折率に波長依存性があるため、ここで一意的に、検出板表面への光の入射角が臨界角より小さくなってしまうようなプリズムの角αの角度を定められないが、光の入射角が臨界角より小さくなると、光導波モードは励起されないことに留意する必要がある。プリズムの角αの角度が31°の時の値で規格化したシフト量を理想的な値として、プリズムの角αをこれ以外に変更して得られたシフト量と比較検討すると、プリズムの角αの角度が43°以下であれば、計算を行った全ての条件下で、プリズムの角αの角度が31°の時のディップ位置のシフト量に対して、60以上のディップ位置のシフト量が得られている図12参照。したがって、プリズムの角αの角度を43°以下にすると、SiO2/Si/SiO2検出板を用い、かつ、波長分解型測定法を適応するに際し、高い感度を得ることができる。また、プリズムの角αの角度が41°以下であれば、計算を行った全ての条件下で、プリズムの角αの角度が31°の時のディップ位置のシフト量に対して、70前後またはそれ以上のディップ位置のシフト量が得られることから図12参照、より好ましい。"