"基板を処理する基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板に予め冷却された第1液体を供給して前記基板を予備冷却する第1液体供給部と、予備冷却された前記基板の前記主面に前記第1液体の温度以上の凝固点を有する第2液体を供給する第2液体供給部と、前記第2液体が供給された前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に前記第2液体の液膜を形成する基板回転機構と、前記液膜を冷却して凍結させる凍結部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第2液体供給部が、予め冷却された前記第2液体を前記基板に供給することを特徴とする基板処理装置。請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記第1液体供給部による予備冷却により、前記基板の温度が前記第2液体の凝固点以下となることを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1液体の温度以上の凝固点を有する第3液体を前記基板の他方の主面に向けて供給する第3液体供給部をさらに備え、前記基板回転機構により前記基板を回転させつつ、前記第1液体供給部から前記基板の前記主面に向けて前記第3液体の凝固点以下に冷却された前記第1液体を供給するとともに、前記第3液体供給部から前記基板の前記他方の主面に向けて前記第3液体を供給することを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1液体供給部が、前記基板の他方の主面に向けて前記第1液体を供給することを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第2液体が純水であることを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1液体が、エッチング性能を有する機能液であることを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。基板を処理する基板処理方法であって、aチャンバ内において主面を上側に向けた状態で保持された基板に予め冷却された第1液体を供給して前記基板を予備冷却する工程と、b前記基板の前記主面に前記第1液体の温度以上の凝固点を有する第2液体を供給し、前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に前記第2液体の液膜を形成する工程と、c前記液膜を冷却して凍結させる工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。ところで、上述のような凍結洗浄を行う基板処理装置では、基板上の液膜を凍結させるための冷却ガスとして、液体窒素内を通る配管を通過して約-190°Cまで冷却された窒素ガス等が利用される。このような冷却ガスを、基板の処理が行われるチャンバ内へと導入するためには、高性能な断熱設備が必要であり、装置の製造コストが増大してしまう。しかしながら、断熱設備の性能を下げると冷却ガスの温度が高くなり、液膜の凍結に要する時間が長くなってしまう。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、液膜の凍結に要する冷却コストを抑制し、また、液膜の凍結に要する時間を短くすることを目的としている。請求項1に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内において主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板に予め冷却された第1液体を供給して前記基板を予備冷却する第1液体供給部と、予備冷却された前記基板の前記主面に前記第1液体の温度以上の凝固点を有する第2液体を供給する第2液体供給部と、前記第2液体が供給された前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に前記第2液体の液膜を形成する基板回転機構と、前記液膜を冷却して凍結させる凍結部とを備える。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第2液体供給部が、予め冷却された前記第2液体を前記基板に供給する。請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記第1液体供給部による予備冷却により、前記基板の温度が前記第2液体の凝固点以下となる。請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1液体の温度以上の凝固点を有する第3液体を前記基板の他方の主面に向けて供給する第3液体供給部をさらに備え、前記基板回転機構により前記基板を回転させつつ、前記第1液体供給部から前記基板の前記主面に向けて前記第3液体の凝固点以下に冷却された前記第1液体を供給するとともに、前記第3液体供給部から前記基板の前記他方の主面に向けて前記第3液体を供給する。請求項5に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1液体供給部が、前記基板の他方の主面に向けて前記第1液体を供給する。請求項6に記載の発明は、請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第2液体が純水である。請求項7に記載の発明は、請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第1液体が、エッチング性能を有する機能液である。請求項8に記載の発明は、請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置であって、凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備える。請求項9に記載の発明は、基板を処理する基板処理方法であって、aチャンバ内において主面を上側に向けた状態で保持された基板に予め冷却された第1液体を供給して前記基板を予備冷却する工程と、b前記基板の前記主面に前記第1液体の温度以上の凝固点を有する第2液体を供給し、前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に前記第2液体の液膜を形成する工程と、c前記液膜を冷却して凍結させる工程とを備える。本発明では、液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。また、液膜の凍結に要する時間を短くすることができる。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置1の構成を示す図である。図1に示すように、基板処理装置1は、半導体基板9以下、単に基板9という。を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1では、基板9上に凍結膜を形成し、当該凍結膜を除去することにより、基板9上からパーティクル等を除去する凍結洗浄処理が行われる。基板処理装置1は、基板保持部2と、カップ部21と、第1液体供給部31と、第2液体供給部32と、第3液体供給部33と、凍結部4と、基板回転機構5と、加熱液供給部6と、チャンバ7と、制御部8とを備える。制御部8は、第1液体供給部31、第2液体供給部32、第3液体供給部33、凍結部4、基板回転機構5および加熱液供給部6等の構成を制御する。基板保持部2は、チャンバ7内において基板9の一方の主面91以下、上面91という。を上側に向けた状態で基板9を保持する。基板9の上面91には、回路パターン等が形成されている。カップ部21は、チャンバ7内において基板9および基板保持部2の周囲を囲む。基板回転機構5は、基板9の中心を通るとともに基板9の上面91に垂直な回転軸を中心として、基板9を基板保持部2と共に水平面内にて回転する。第1液体供給部31は、常温よりも低い温度まで予め冷却された第1液体を、基板9の上面91の中央部に向けて供給する。第2液体供給部32は、第1液体供給部31から供給される第1液体の温度以上の凝固点を有する第2液体を、基板9の上面91の中央部に向けて供給する。第2液体供給部32から供給される第2液体も、常温よりも低い温度まで予め冷却されている。第2液体としては、純水、炭酸水、水素水、SC1アンモニア過酸化水素水、ターシャリーブタノールTBA等、様々な液体が利用される。好ましくは、凝固点が0°Cの純水、より好ましくは脱イオン水DIW:DeIonizedWaterが、第2液体として利用される。第1液体供給部31からは、第2液体の凝固点以下の温度の様々な液体が第1液体として供給される。好ましくは、SC1、フッ化水素酸、アンモニア水等のように、エッチング性能を有する機能液が第1液体として利用される。TBAの凝固点は、25.7°Cであり、フッ化水素酸の凝固点は-35°Cである。また、SC1の凝固点は、成分の混合比により変化するが、概ね-10°C以下である。第3液体供給部33は、第1液体供給部31から供給される第1液体の温度以上の凝固点を有する第3液体を、基板9の他方の主面92以下、下面92という。の中央部に向けて供給する。第3液体としては、第2液体と同様に、純水、SC1アンモニア過酸化水素水、ターシャリーブタノールTBA等、様々な液体が利用される。好ましくは純水、より好ましくは脱イオン水が、第3液体として利用される。本実施の形態では、第1液体としてフッ化水素酸が利用され、第2液体および第3液体として純水が利用される。なお、第3液体は、必ずしも第2液体と同様の液体である必要はない。凍結部4は、基板9の上面91に向けて冷却ガスを供給する。冷却ガスは、第2液体供給部32から供給される第2液体の凝固点よりも低い温度まで冷却されたガスである。図1では、図示の都合上、凍結部4を第1液体供給部31の上方に描いているが、実際には、第1液体供給部31が基板9の上方から外側に退避した状態で、凍結部4が基板9の外側から上方へと移動する。また、第1液体供給部31が基板9の上方に位置する際には、凍結部4が基板9の上方から外側に退避する。凍結部4は、冷却ガスを吐出する冷却ガスノズル41と、冷却ガスノズル41を回転軸421を中心として水平に回動するノズル回動機構42とを備える。ノズル回動機構42は、回転軸421から水平方向に延びるとともに冷却ガスノズル41が取り付けられるアーム422を備える。冷却ガスとしては、冷却された窒素N2ガスが用いられる。冷却ガスの温度は、好ましくは、-100°C~-20°Cであり、本実施の形態では、約-50°Cである。加熱液供給部6は、基板9の上面91の中央部に、加熱された液体である加熱液を供給する。図1では、図示の都合上、加熱液供給部6を第2液体供給部32の上方に描いているが、実際には、第2液体供給部32が基板9の上方から外側に退避した状態で、加熱液供給部6が基板9の外側から上方へと移動する。また、第2液体供給部32が基板9の上方に位置する際には、加熱液供給部6が基板9の上方から外側に退避する。加熱液としては、常温よりも高い温度まで加熱された純水好ましくは、脱イオン水が用いられる。加熱液の温度は、好ましくは50°C~90°Cであり、本実施の形態では、約80°Cである。図2.Aおよび図2.Bは、基板処理装置1における基板9の処理の流れを示す図である。基板処理装置1では、まず、基板9がチャンバ7内に搬入されて基板保持部2により保持され、制御部8の制御により、基板回転機構5による基板9の回転が開始されるステップS11。基板9の回転数は、例えば、300rpm~900rpmであり、本実施の形態では400rpmである。続いて、制御部8により第1液体供給部31および第3液体供給部33が制御され、第1液体供給部31から基板9の上面91に対する第1液体の供給が開始され、第3液体供給部33から基板9の下面92に対する第3液体の供給が開始されるステップS12,S13。第1液体は、第2液体および第3液体の凝固点以下の温度例えば、-5°C~0°Cまで予め冷却されている。第3液体も、常温よりも低い温度まで予め冷却されている。基板9の上面91および下面92にそれぞれ供給された第1液体および第3液体は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって上面91および下面92の全面に亘って拡がり、基板9のエッジから外側へと飛散する。基板9から飛散した液体は、カップ部21により受けられて回収される。基板処理装置1では、基板回転機構5により基板9を回転させつつ、第1液体供給部31から基板9の上面91に向けての第1液体の供給が、所定の時間だけ継続される。これにより、基板9が冷却され、基板9の温度が0°Cすなわち、第2液体および第3液体の凝固点以下となるステップS14。以下の説明では、ステップS14における基板9の冷却を予備冷却という後述するステップS33においても同様。本実施の形態では、予備冷却により、基板9全体が約-5°Cまで冷却される。基板処理装置1では、第1液体供給部31による予備冷却と並行して、第3液体供給部33から基板9の下面92に向けての第3液体の供給が、所定の時間だけ継続される。上述のように、基板9の温度は予備冷却により第3液体の凝固点以下となるため、基板9の下面92に供給される第3液体の一部が凝固して粒状の凝固体となる。そして、粒状の凝固体が、液状の第3液体と共に基板9の下面92の中央部から外縁部へと移動し、移動中にパーティクル等と衝突することにより、基板9の下面92からパーティクル等が除去される。換言すれば、第3液体供給部33から供給される第3液体により、基板9の下面92の洗浄処理が行われるステップS15。基板9の予備冷却、および、下面92の第3液体による洗浄が終了すると、第1液体供給部31からの第1液体の供給、および、第3液体供給部33からの第3液体の供給が停止されるステップS16。続いて、制御部8により第2液体供給部32が制御されることにより、予備冷却された基板9の上面91の中央部に向けて、常温よりも低い温度例えば、1°Cまで予め冷却された第2液体の供給が開始されるステップS17。基板9の上面91に供給された第2液体は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部へと拡がる。基板9の上面91上に残っている第1液体は、第2液体により押し出されて上面91上から除去される。換言すれば、基板9の上面91上の第1液体が、第2液体供給部32から供給される第2液体に置換されるステップS18。基板9上の第1液体の第2液体による置換が終了すると、基板回転機構5による基板9の回転数が減少し、液体の置換時よりも小さい回転数に変更される。基板9の回転数は、例えば、50rpm~300rpmであり、本実施の形態では80rpmである。そして、第2液体供給部32からの第2液体の供給が停止されるステップS19。基板処理装置1では、低速にて回転する基板9の上面91において、上面91上に供給された第2液体の一部が基板9の中央部からエッジへと向かい、基板9から外側へと飛散する。そして、基板9の上面91上には、第2液体の薄い液膜が形成されるステップS20。液膜の厚さは、基板9の上面91の全面に亘っておよそ均一であり、本実施の形態では、約50μmである。なお、液膜の厚さは必ずしも均一である必要はない。液膜の形成が終了すると、制御部8の制御により、凍結部4のノズル回動機構42による冷却ガスノズル41の回動が開始され、基板9の中央部とエッジとの間で冷却ガスノズル41が往復移動を繰り返す。そして、基板処理装置1の外部に設けられた冷却ガス供給源から冷却ガスノズル41へと冷却ガスが供給され、冷却ガスノズル41から回転中の基板9の上面91に向けて供給される。これにより、基板9の上面91の全面に亘って冷却ガスが供給され、上面91上の第2液体の液膜が冷却されて凍結するステップS21。以下、凍結した液膜を凍結膜とも呼ぶ。なお、基板処理装置1では、基板9の中央部の上方にて停止した冷却ガスノズル41から冷却ガスの供給が行われ、基板9の回転により冷却ガスが基板9の中央部から外縁部へと拡がることにより凍結膜が形成されてもよい後述する基板処理装置1aにおいても同様。基板9上では、基板9とパーティクル等との間に浸入した第2液体が凍結凝固して体積が増加することにより、パーティクル等が基板9から微小距離だけ浮き上がる。その結果、パーティクル等と基板9との間の付着力が低減され、パーティクル等が基板9から脱離する。また、第2液体が凍結する際に、基板9の上面91に平行な方向に体積が増加することによっても、基板9に付着しているパーティクル等が基板9から剥離する。凍結膜の形成が終了すると、凍結部4からの冷却ガスの供給が停止され、冷却ガスノズル41が基板9の上方から外側に移動する。続いて、基板回転機構5による基板9の回転数が増加し、凍結膜の形成時よりも大きい回転数に変更される。基板9の回転数は、例えば、1500rpm~2500rpmであり、本実施の形態では2000rpmである。次に、制御部8により加熱液供給部6が制御され、加熱液供給部6から基板9の上面91に向けて加熱液が供給される。加熱液は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって上面91の全面に亘って拡がる。これにより、上面91上の凍結膜が急速に解凍されすなわち、液化され、加熱液と共に基板9のエッジから外側へと飛散するステップS22。基板9の上面91に付着していたパーティクル等は、基板9上から飛散する液体と共に基板9上から除去される。基板9上から外側へと飛散した液体は、カップ部21により受けられて回収される。基板処理装置1では、加熱液供給部6は、基板9上の凍結膜に解凍用液体である加熱液を供給して凍結膜を除去する凍結膜除去部の役割を果たす。凍結膜の除去が終了すると、図示省略のリンス液供給部から基板9の上面91上にリンス液例えば、常温の脱イオン水が供給され、基板9のリンス処理が行われるステップS23。リンス処理中の基板9の回転数は、好ましくは、300rpm~1000rpmであり、本実施の形態では、800rpmである。その後、基板9の回転数を1500rpm~3000rpm本実施の形態では、2000rpmに変更し、基板9の回転により、基板9上のリンス液を除去する乾燥処理が行われるステップS24。基板9の乾燥処理が終了すると、基板回転機構5による基板9の回転が停止するステップS25。以上に説明したように、基板処理装置1では、第2液体の凝固点以下の温度の第1液体により基板9が予備冷却された後に、基板9の上面91上に第2液体の液膜が形成され、当該液膜が凍結部4からの冷却ガスにより冷却されて凍結膜が形成される。このため、液膜が基板9の熱を吸収して液膜の温度が上昇することが抑制される。その結果、液膜の凍結に要する時間を短くすることができる。また、基板9を予備冷却することなく液膜を形成して凍結させる場合に比べて、凍結部4からの冷却ガスの温度を高くしても迅速に液膜を凍結することができる。このため、冷却ガス供給源から冷却ガスノズル41へと冷却ガスを供給する配管等の断熱設備を簡素化することができる。その結果、凍結部4による液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。基板処理装置1では、第1液体供給部31による基板9の予備冷却により、基板9が第2液体の凝固点以下の温度まで冷却される。これにより、基板9の上面91上の液膜が、基板9の熱を吸収して液膜の温度が上昇することが防止される。その結果、液膜の凍結に要する時間をより短くすることができる。また、凍結部4による液膜の凍結に要する冷却コストをより抑制することができる。さらに、第2液体供給部32から供給される第2液体が予め冷却されていることにより、液膜の凍結に要する時間をより一層短くすることができ、液膜の凍結に要する冷却コストをより一層抑制することができる。上述のように、基板処理装置1では、基板9の予備冷却の際に、エッチング性能を有する機能液である第1液体が基板9の上面91に供給されることにより、パーティクル等と基板9との間の付着力がさらに低減される。その結果、基板9からのパーティクル等の除去率を向上することができる。また、基板9の予備冷却の際に、第3液体供給部33から基板9の下面92に供給された第3液体の一部が、粒状の凝固体となってパーティクル等と衝突する。これにより、基板9の下面92に付着しているパーティクル等を除去することもできる。さらに、第3液体供給部33から基板9に供給される第3液体が予め冷却されているため、第3液体の一部を迅速に凝固させて粒状の凝固体を形成することができる。基板9上の凍結膜は、体積膨張率が比較的大きい純水により形成されるため、他の液体により凍結膜を形成する場合に比べて、パーティクル等の基板9に対する付着力をより一層低減することができる。その結果、基板9からのパーティクル等の除去率をより向上することができる。また、加熱液を供給して基板9から凍結膜を除去することにより、基板9に付着しているパーティクル等を凍結膜と共に効率良く除去することができる。基板処理装置1では、加熱液を、凍結膜を形成する第2液体と同様の液体とすることにより、凍結膜の解凍時に基板9から飛散する液体を回収して再利用することができる。次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図3は、第2の実施の形態に係る基板処理装置1aの構成を示す図である。基板処理装置1aでは、図1に示す基板処理装置1から第3液体供給部33が省略され、第1液体供給部31が基板9の下方に配置される。図3に示す基板処理装置1aでは、第1液体供給部31から、基板9の下面92の中央部に向けて、第2液体の凝固点以下の温度まで予め冷却された第1液体が供給される。その他の構成は、図1に示す基板処理装置1と同様であり、以下の説明では、対応する構成に同符号を付す。基板処理装置1aにおいても、基板処理装置1と同様に、エッチング性能を有する機能液の1つであるフッ化水素酸が第1液体として利用され、第2液体として純水、より好ましくは脱イオン水が利用される。図4は、基板処理装置1aにおける基板9の処理の流れの一部を示す図である。基板処理装置1aでは、まず、基板処理装置1と同様に、基板9がチャンバ7内に搬入されて基板保持部2により保持され、制御部8の制御により、基板回転機構5による基板9の回転が開始されるステップS31。基板9の回転数は、例えば、300rpm~900rpmであり、本実施の形態では400rpmである。続いて、制御部8により第1液体供給部31が制御され、第1液体供給部31から基板9の下面92に対する第1液体の供給が開始されるステップS32。第1液体は、第2液体の凝固点以下の温度例えば、-5°C~0°Cまで予め冷却されている。基板9の下面92に供給された第1液体は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって下面92の全面に亘って拡がり、基板9のエッジから外側へと飛散する。基板9から飛散した液体は、カップ部21により受けられて回収される。基板処理装置1aでは、基板回転機構5により基板9を回転させつつ、第1液体供給部31から基板9の下面92に向けての第1液体の供給が、所定の時間だけ継続される。これにより、基板9が予備冷却され、基板9全体の温度が0°Cすなわち、第2液体の凝固点以下となるステップS33。基板9の予備冷却が終了すると、第1液体供給部31からの第1液体の供給が停止されるステップS34。次に、基板回転機構5による基板9の回転数が減少し、予備冷却時よりも小さい回転数に変更される。基板9の回転数は、例えば、50rpm~300rpmであり、本実施の形態では80rpmである。そして、制御部8により第2液体供給部32が制御されることにより、予備冷却された基板9の上面91の中央部に向けて、常温よりも低い温度例えば、1°Cまで予め冷却された第2液体の供給が開始されるステップS35。基板9の上面91に供給された第2液体は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部へと拡がる。所定時間の経過後、第2液体の供給が停止されるステップS36。基板処理装置1aでは、低速にて回転する基板9の上面91において、上面91上に供給された第2液体の一部が基板9の中央部からエッジへと向かい、基板9から外側へと飛散する。そして、基板9の上面91上には、第2液体の薄い液膜が形成されるステップS37。液膜の厚さは、基板9の上面91の全面に亘っておよそ均一であり、本実施の形態では、約50μmである。なお、液膜の厚さは必ずしも均一である必要はない。液膜の形成が終了すると、図1に示す基板処理装置1と同様に、制御部8により凍結部4が制御され、基板9の中央部とエッジとの間で往復移動を繰り返す冷却ガスノズル41から、回転中の基板9の上面91に向けて冷却ガスが供給される。これにより、基板9の上面91の全面に亘って冷却ガスが供給され、上面91上の第2液体の液膜が凍結して凍結膜が形成される図2:ステップS21。凍結膜の形成が終了すると、凍結部4からの冷却ガスの供給が停止され、基板9の回転数が、凍結膜の形成時よりも大きい回転数に変更される。続いて、制御部8により加熱液供給部6が制御され、加熱液供給部6から基板9の上面91に向けて加熱液が供給される。加熱液は、基板9の回転により、基板9の中央部から外縁部に向かって上面91の全面に亘って拡がる。これにより、上面91上の凍結膜が急速に解凍されすなわち、液化され、加熱液と共に基板9のエッジから外側へと飛散するステップS22。基板9の上面91に付着していたパーティクル等は、基板9上から飛散する液体と共に基板9上から除去される。基板9上から外側へと飛散した液体は、カップ部21により受けられて回収される。凍結膜の除去が終了すると、基板9の上面91上にリンス液例えば、常温の脱イオン水が供給され、基板9のリンス処理が行われるステップS23。その後、基板9の回転数を大きくし、基板9の回転により、基板9上のリンス液を除去する乾燥処理が行われるステップS24。基板9の乾燥処理が終了すると、基板9の回転が停止するステップS25。以上に説明したように、基板処理装置1aでは、第2液体の凝固点以下の温度の第1液体により基板9が予備冷却された後に、基板9の上面91上に第2液体の液膜が形成され、当該液膜が凍結部4からの冷却ガスにより冷却されて凍結膜が形成される。このため、図1に示す基板処理装置1と同様に、基板9の熱による液膜の温度上昇が抑制され、液膜の凍結に要する時間を短くすることができる。また、凍結部4による液膜の凍結に要する冷却コストを抑制することができる。基板処理装置1aでは、図1に示す基板処理装置1と同様に、基板9が第2液体の凝固点以下の温度まで予備冷却される。これにより、液膜の凍結に要する時間をより短くすることができる。また、液膜の凍結に要する冷却コストをより抑制することができる。さらに、第2液体供給部32から供給される第2液体が予め冷却されていることにより、液膜の凍結に要する時間をより一層短くすることができ、液膜の凍結に要する冷却コストをより一層抑制することができる。上述のように、基板処理装置1aでは、基板9の予備冷却の際に、第1液体が基板9の下面92に供給される。このため、第2液体の液膜の形成前に、基板9上において第1液体を第2液体に置換する工程が不要となる。その結果、基板9の凍結洗浄処理に要する時間を短縮することができる。また、第1液体としてエッチング性能を有する機能液が利用されることにより、基板9の下面92のパーティクル等を効率よく除去することができる。以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。例えば、第1の実施の形態に係る基板処理装置1では、第1液体供給部31から基板9の上面91に供給される第1液体は、必ずしもエッチング性能を有する機能液である必要はなく、例えば、イソプロピルアルコールIPA:凝固点は-89.5°C等のようにエッチング性能を有しない液体であってもよい。基板処理装置1では、ステップS16において第1液体および第3液体の供給が停止された後、ステップS17において第2液体の供給が開始されるよりも前に、基板9の回転により、基板9上から第1液体および第3液体を除去する乾燥工程が行われてもよい。この場合、ステップS18の第1液体の第2液体による置換は行われない。また、基板処理装置1では、基板9の下面92の洗浄処理を行う必要がない場合、第3液体供給部33は省略されてよい。基板処理装置1および基板処理装置1aでは、第2液体の凝固点以下の温度の液体が第1液体として供給されるのであれば、必ずしも第1液体の凝固点は第2液体の凝固点よりも低い必要はない。例えば、第1液体は、凝固点以下の温度まで冷却されたすなわち、過冷却された第2液体と同様の液体であってもよい。第2液体が0°Cよりも高温、かつ、常温よりも低温の純水である場合、第1液体は、0°C以下に過冷却された純水であってもよい。なお、過冷却とは、物質の相変化において、変化するべき温度以下でもその状態が変化しないでいる状態を指す。ただし、第1液体として、第2液体の凝固点よりも低い凝固点を有する液体が利用されることにより、第1液体供給部31から供給される第1液体の温度を、容易に第2液体の凝固点以下とすることができる。基板処理装置1では、第3液体の凝固点以下の温度の液体が第1液体として供給されるのであれば、必ずしも第1液体の凝固点は第3液体の凝固点よりも低い必要はなく、第3液体と同様の液体を過冷却したものが第1液体として利用されてもよい。ただし、第1液体として、第3液体の凝固点よりも低い凝固点を有する液体が利用されることにより、第1液体供給部31から供給される第1液体の温度を、容易に第3液体の凝固点以下とすることができる。基板処理装置1および基板処理装置1aでは、第1液体供給部31による予備冷却により、基板9全体の温度少なくとも、基板9の上面91の温度が第2液体の凝固点以下となることが好ましいが、第2液体の凝固点以下の温度の第1液体により基板9が予備冷却されるのであれば、予備冷却後の基板9の温度は、第2液体の凝固点よりも高くてよい。また、第2液体供給部32から供給される第2液体は、必ずしも予め冷却される必要はない。凍結部4による液膜の凍結は、液膜を形成する液体の凝固点よりも低温の窒素以外の冷却ガス例えば、酸素、空気、オゾン、アルゴンが、基板9の上面91に供給されることにより行われてもよい。液膜の凍結は、液膜を形成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスや液体が、基板9の下面92に供給されることにより行われてもよい。また、加熱液供給部6では、純水以外の様々な液体が、解凍用液体として常温よりも高い温度まで加熱され、基板9の上面91に供給されてもよい。また、解凍用液体として常温以下の液体が利用されてもよい。基板処理装置1により処理される基板は、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FEDFieldEmissionDisplay用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等であってもよい。上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。"