基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法。前記膜が形成されている基板は、表面に酸化膜が形成されているシリコン基板であって、前記薬液は、フッ酸水溶液であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。基板を洗浄するための薬液が入れられている薬液槽と、前記薬液内に浮遊しているパーティクルを除去するための網部と、を有し、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記網部により、前記薬液内に浮遊している前記パーティクルを除去することを特徴とする基板処理装置。前記網部は、絶縁体材料により形成されているものであることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。前記網部を帯電させるための帯電部を有することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。表面に酸化膜が形成されている基板を薬液に浸漬させ、前記酸化膜を前記基板より剥離し、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、前記酸化膜が剥離することにより生じたパーティクルを前記薬液内より除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出し、前記取り出された基板表面にゲート酸化膜を形成し、前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成し、前記基板表面にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、半導体装置は、シリコン基板の表面に酸化膜を形成し、所定の領域に不純物元素のイオン注入を行なった後、酸化膜を除去し、その後、ゲート酸化膜を形成し、更に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成することにより製造される。このような製造方法においては、ゲート酸化膜を形成する前の前処理の工程として、酸化膜を除去する工程が行なわれるが、この工程は酸化膜の形成されたシリコン基板をフッ酸HF水溶液に浸漬させることにより行なわれる。この工程を図1に基づき説明する。最初に、図1aに示すように、薬液槽20に入れられたフッ酸水溶液21に、酸化膜11が表面に形成されているシリコン基板10を浸漬させる。フッ酸水溶液21は薬液槽20に入れられており、更に、ポンプ22によりフッ酸水溶液21を薬液槽20の底面に設けられた供給口20aより供給することにより、フッ酸水溶液21が溢れ出しオーバーフローしている状態となる。この薬液槽20より溢れ出したフッ酸水溶液21はオーバーフロー槽23に流れ込む。表面に酸化膜11が形成されているシリコン基板10は、この薬液槽20内のフッ酸水溶液21に浸漬させる。尚、フッ酸水溶液21はポンプ22により循環されており、オーバーフロー槽23に流れ込んだフッ酸水溶液21は、不図示の濾過処理装置によりパーティクル等が除去された後、再び、ポンプ22により供給口20aから供給される。このように、薬液槽20内に表面に酸化膜11が形成されているシリコン基板10を浸漬させることにより、図1bに示すように、シリコン基板10の表面に形成されていた酸化膜11はシリコン基板10の表面より除去される。除去された酸化膜11は分離しパーティクル11aとなり、薬液槽20内のフッ酸水溶液21内を浮遊する。このパーティクル11aは、一部はオーバーフロー槽23にフッ酸水溶液21とともに流れ出すが、すべてのパーティクル11aが流れ出すのではなく、その多くは薬液槽20内に留まっている。この後、図1cに示すように、表面の酸化膜11が除去されたシリコン基板10を薬液槽20より取り出す。この際に、薬液槽20のフッ酸水溶液21中に浮遊していたパーティクル11aがシリコン基板10の表面に付着再付着する。このように、シリコン基板10の表面にパーティクル11aが付着すると、製造される半導体装置の歩留りが低下する。このため、半導体装置を製造する際の洗浄やウエットエッチング等において、基板表面に付着するパーティクル等が少ない基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法が望まれている。本実施の形態の一観点によれば、基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする。また、本実施の形態の他の一観点によれば、基板を洗浄するための薬液が入れられている薬液槽と、前記薬液内に浮遊しているパーティクルを除去するための網部と、を有し、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記網部により、前記薬液内に浮遊している前記パーティクルを除去することを特徴とする。また、本実施の形態の他の一観点によれば、表面に酸化膜が形成されている基板を薬液に浸漬させ、前記酸化膜を前記基板より剥離し、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、前記酸化膜が剥離することにより生じたパーティクルを前記薬液内より除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出し、前記取り出された基板表面にゲート酸化膜を形成し、前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成し、前記基板表面にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする。開示の基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、洗浄やウエットエッチング等において、基板の表面に付着するパーティクル等を減らすことができるため、半導体装置の歩留りを向上させることができる。発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。第1の実施の形態最初に、図1に示す工程において、薬液槽20より取り出したシリコン基板10の表面に付着しているパーティクル11aについて説明する。図2は、薬液槽20より取り出されたシリコン基板10を示すものである。図2に示すように、薬液槽20より取り出されたシリコン基板10の表面にはパーティクル11aが付着している。図3は、シリコン基板10に付着しているパーティクル11aのSEMScanningElectronMicroscope像を示す。パーティクル11aは、シリコン基板10の表面に形成されていた酸化膜11が剥離して分離したものであり、パーティクル11aの大きさは約0.2μm程度である。このようなパーティクル11aは、図4に示すように、フッ酸水溶液21を薬液槽20の底部からポンプ22により供給して、フッ酸水溶液21をオーバーフローさせることにより、徐々に除去することが可能である。従って、薬液槽20にシリコン基板10を浸漬させてフッ酸水溶液21を長時間オーバーフローさせることにより、フッ酸水溶液21中に含まれるパーティクル11aの数を減らすことができる。しかしながら、この間、シリコン基板10はフッ酸水溶液21内に浸漬されているため、シリコン基板10に与えるダメージが大きく、歩留りの低下を招くため、実際の製造プロセスとしては用いることはできない。基板処理方法及び基板処理装置次に、本実施の形態における基板処理方法及び基板処理装置について説明する。本実施の形態における基板処理方法及び基板処理装置は、シリコン基板等の表面に形成されている酸化膜を除去するためのものである。尚、本実施の形態では、薬液としてフッ酸水溶液を用いた場合について説明するが、他のエッチング液又は洗浄液等を用いた場合についても適用可能である。図5等に基づき本実施の形態における基板処理装置について説明する。本実施の形態における基板処理装置は、薬液槽120内にフッ酸水溶液121が入れられており、フッ酸水溶液121は、ポンプ122により薬液槽122の底面又は側面に設けられた供給口120aより薬液槽120内に供給されている。薬液槽120の側面にはオーバーフロー槽123が設けられており、薬液槽120より溢れ出たフッ酸水溶液121はオーバーフロー槽123に流れ込む。尚、本実施の形態では、フッ酸水溶液121はポンプ122により循環されており、オーバーフロー槽123に流れ込んだフッ酸水溶液121は、不図示の濾過処理装置によりパーティクル等が除去された後、再び、ポンプ122により供給口120aより供給される。また、本実施の形態における基板処理装置では、パーティクル除去部130が設けられている。パーティクル除去部130は、網部131と網部131を支持する支持部132により形成されており、網部131と支持部132の接合部分を軸に網部131が可動することができるように形成されている。網部131には開口部が2次元状に形成されており、開口部の幅は0.1μm以下で形成されている。これは、前述したように、酸化膜を剥離することより生じた酸化シリコンのパーティクルの大きさが約0.2μmであるため、このパーティクルを除去するため、網部131の開口部は、パーティクルの大きさよりも小さく形成されている。また、網部131は、フッ酸水溶液121に溶けることがないように、薬品耐性の高い絶縁体材料により形成されていることが好ましく、樹脂材料により形成されていることが好ましい。具体的には、ポリプロピレン、ポリエチレン又はフッ素樹脂等により形成されていることが好ましい。次に、本実施の形態における基板処理方法について説明する。本実施の形態における基板処理方法は、最初に、図5aに示すように、表面に酸化膜の形成されているシリコン基板110を薬液槽120内におけるフッ酸水溶液121に浸漬させる。これにより、シリコン基板110の表面の酸化膜は除去され、パーティクル111aが発生し、フッ酸水溶液121内を浮遊する。フッ酸水溶液121は薬液槽120の底部に設けられた供給口120aより単位時間当たり一定量が供給されており、薬液槽120からフッ酸水溶液121が溢れ出している。このため薬液槽120内では、下から上に向かうフッ酸水溶液121の流れが生じており、この流れに伴いパーティクル111aがフッ酸水溶液121内を浮遊している。次に、図5bに示すように、パーティクル除去部130の網部131を薬液槽120内におけるフッ酸水溶液121に浸漬させる。次に、図5cに示すように、パーティクル除去部130の網部131を支持部132と網部131との接続部分を軸に動かすことにより、フッ酸水溶液121内におけるシリコン基板110の上部を網部131により覆う。次に、図6aに示すように、支持部132を上方向、即ち、シリコン基板110の取出し方向に移動させる。これに伴い網部131も上方向に移動し、薬液槽120内の上部、即ち、シリコン基板110を取り出す方向におけるフッ酸水溶液121中に存在しているパーティクル111aを除去する。次に、図6bに示すように、シリコン基板110を薬液槽120内のフッ酸水溶液121より取り出す。本実施の形態では、網部131によりシリコン基板110の上方のフッ酸水溶液121中に存在しているパーティクル111aは除去されているため、取り出されたシリコン基板110の表面に付着するパーティクル111aの数を減らすことができる。ところで、長時間ポンプ122により薬液槽120内にフッ酸水溶液121を供給し続けた場合、徐々にではあるがパーティクル111aの量を減らすことができ、本実施の形態と同様の効果を得ることができるものと考えられる。しかしながら、前述のとおり、長時間シリコン基板110をフッ酸水溶液121に浸漬させた場合には、シリコン基板110に与えるダメージが大きく、製造される半導体装置の歩留りの低下を招くため実用的ではない。図7は、シリコン基板110をフッ酸水溶液121に浸漬させる時間とシリコン基板110に付着するパーティクル111aの数の関係を説明するものである。図7では、1点が1枚のシリコン基板を示すものであり、フッ酸水溶液121に浸漬させる時間が通常の3分程度であるシリコン基板の群をグループAで示し、フッ酸水溶液121に浸漬させる時間が通常よりも長い約5分であるシリコン基板の群をグループBで示す。この図より、グループAにおけるシリコン基板では、1枚のシリコン基板110に付着するパーティクル111aの数の平均は、1561個であった。これに対し、グループBにおけるシリコン基板では、1枚のシリコン基板110に付着するパーティクル111aの数の平均は、520個であった。このように、フッ酸水溶液121中よりパーティクル111aを減らすことにより、シリコン基板110に付着するパーティクル111aの数を減らすことができる。従って、本実施の形態において、パーティクル除去部130によりパーティクル111aを除去した場合においても同様の効果、即ち、シリコン基板110に付着するパーティクル111aの数を減らすことができるものと考えられる。特に、本実施の形態では、シリコン基板110を取り出す方向となるシリコン基板110の上部に存在していたパーティクル111aは、網部131により除去されるため、この領域のフッ酸水溶液121中にはパーティクル111aは殆ど存在していない。このため、より一層、シリコン基板110に付着するパーティクル111aの数を減らすことができるものと考えられる。尚、本実施の形態は、基板に付着しているパーティクルや酸化シリコン以外のパーティクル、例えば、窒化シリコンやシリコン等のパーティクルにも適用することができる。また、フッ酸水溶液以外の薬液等についても同様に適用することができる。第2の実施の形態次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図8に示すように第1の実施の形態における基板処理装置において、網部131を帯電させるための帯電部140を有するものである。帯電部140は絶縁体材料により形成されている網部131を帯電させるためものであり、帯電ブラシ等により形成されている。パーティクル111aの成分が酸化シリコンである場合、水溶液と接するとその表面はゼータ電位に帯電する。図9に示すように、水溶液がフッ酸である場合には、酸化シリコンのパーティクル111aは、プラスに帯電する。従って、帯電部140により網部131をマイナスに帯電させることにより、網部131にパーティクル111aを引き寄せ付着させることができ、パーティクル111aをより効率よく除去することができる。尚、本実施の形態は、酸化シリコン以外の成分のパーティクル、即ち、窒化シリコンやシリコン等のパーティクルにも適用することができ、また、フッ酸水溶液以外の薬液等についても適用することができる。この際、図9に示すように、パーティクルとなる物質と水溶液のpHの値によって帯電する極性が変わる場合があるため、パーティクルが帯電する極性に対応して、帯電部140により網部131をプラスまたはマイナスに帯電させる。第3の実施の形態次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態または第2の実施の形態における基板処理方法及び基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法である。本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図10に基づき説明する。最初に、ステップ102S102において、シリコン基板110の表面に酸化膜を形成する。具体的には、シリコン基板の表面を熱酸化することによりシリコン酸化膜を形成する。次に、ステップ104S104において、不純物元素のイオン注入が行なわれる領域に開口部を有するレジストパターンを形成する。具体的には、シリコン酸化膜の表面にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、レジストパターンを形成する。次に、ステップ106S106において、レジストパターンの形成されていない領域のシリコン基板110に不純物元素のイオン注入を行なう。具体的には、シリコン基板110にp型またはn型となる不純物元素を注入する。次に、ステップ108S108において、有機溶剤等によりレジストパターンを除去した後、前処理を行なう。この前処理は、RCA洗浄とフッ酸水溶液によるエッチングとを組み合わせたものである。具体的には、最初に、RCA洗浄におけるSC1StandardClean1となる洗浄を行なう。この洗浄は過酸化水素水と水酸化アンモニウムとのアルカリ性混合液用いたものであり、この洗浄によりシリコン酸化膜等の表面に付着しているパーティクルを除去する。次に、フッ酸水溶液によりシリコン基板110の表面に形成されているシリコン酸化膜を除去する。このプロセスは、第1の実施の形態または第2の実施の形態における基板処理方法及び基板処理装置を用いて行なう。次に、RCA洗浄におけるSC2StandardClean2となる洗浄を行なう。この洗浄は塩酸と過酸化水素水との酸性混合液を用いたものであり、これによりシリコン基板110の表面に付着している金属付着物を除去するとともに、シリコン基板110の表面に1nm以下の薄い酸化膜を形成する。次に、ステップS110において、ゲート酸化膜を形成する。具体的には、シリコン基板110の表面を熱酸化することによりゲート酸化膜を形成する。次に、ステップS112において、ゲート酸化膜上にポリシリコン膜を形成する。具体的には、CVDChemicalVaporDepositionにより、ポリシリコン膜を形成する。次に、ステップS114において、ポリシリコン膜が除去される領域に開口部を有するレジストパターンを形成する。具体的には、ポリシリコン膜の表面にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、レジストパターンを形成する。次に、ステップ116S116において、レジストパターンの形成されていない領域のポリシリコン膜をドライエッチングにより除去し、更に、レジストパターンを有機溶剤等により除去する。これにより、ポリシリコンにより形成されるゲート電極が形成される。次に、ステップ118S118において、ソース電極及びドレイン電極を形成する。具体的には、ソース電極及びドレイン電極の形成される領域におけるゲート酸化膜を除去し、ゲート酸化膜の除去された領域に金属材料等により形成されるソース電極及びドレイン電極を形成する。以上の工程により、本実施の形態における半導体装置を製造することができる。以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。付記1基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法。付記2前記薬液は薬液槽内に入れられており、前記薬液を前記薬液槽の底又は側面より供給することにより、前記薬液が前記薬液槽より溢れ出していることを特徴とする付記1に記載の基板処理方法。付記3前記膜が形成されている基板は、表面に酸化膜が形成されているシリコン基板であって、前記薬液は、フッ酸水溶液であることを特徴とする付記1又は2に記載の基板処理方法。付記4前記網部は、絶縁体材料により形成されているものであることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の基板処理方法。付記5前記網部は、帯電されていることを特徴とする付記4に記載の基板処理方法。付記6前記網部の開口部の大きさは、1μm以下であることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の基板処理方法。付記7基板を洗浄するための薬液が入れられている薬液槽と、前記薬液内に浮遊しているパーティクルを除去するための網部と、を有し、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記網部により、前記薬液内に浮遊している前記パーティクルを除去することを特徴とする基板処理装置。付記8前記網部の開口部の大きさは1μm以下であることを特徴とする付記7に記載の基板処理装置。付記9前記網部は、絶縁体材料により形成されているものであることを特徴とする付記7又は8に記載の基板処理装置。付記10前記網部を帯電させるための帯電部を有することを特徴とする付記9に記載の基板処理装置。付記11表面に酸化膜が形成されている基板を薬液に浸漬させ、前記酸化膜を前記基板より剥離し、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、前記酸化膜が剥離することにより生じたパーティクルを前記薬液内より除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出し、前記取り出された基板表面にゲート酸化膜を形成し、前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成し、前記基板表面にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記12前記基板はシリコン基板であり、前記酸化膜はシリコン酸化膜であり、前記薬液はフッ酸水溶液であることを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。