増幅回路に設けられた半導体素子に流れる電流を検出する電流検出回路であって、前記半導体素子に流れる電流を測定し、測定した電流に応じた測定信号を出力する電流測定部と、前記電流測定部から出力される前記測定信号を正側信号および負側信号に分離し、前記正側信号が、前記測定信号に応じて値が変化する期間と、前記測定信号に応じて値が変化せず常に正側閾値電圧である期間とを含み、前記負側信号が、前記測定信号に応じて値が変化する期間と、前記測定信号に応じて値が変化せず常に負側閾値電圧である期間とを含む、正負分離部と、前記増幅回路における温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部による検出結果に応じて、前記正側閾値電圧を決定する正側閾値電圧生成部と、前記温度検出部による検出結果に応じて、前記負側閾値電圧を決定する負側閾値電圧生成部と、前記正側信号と前記負側閾値電圧とを比較し、前記正側信号が前記負側閾値電圧以上である場合に前記半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号を出力し、かつ、前記負側信号と前記正側閾値電圧とを比較し、前記負側信号が前記正側閾値電圧以下である場合に前記半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号を出力する比較部とを備える、電流検出回路。前記正負分離部が、第1ダイオードおよび第2ダイオードを含み、前記第1ダイオードのアノードが前記電流測定部の出力に接続され、前記第1ダイオードのカソードが前記比較部の正側入力端子に接続され、前記第2ダイオードのカソードが前記電流測定部の出力に接続され、前記第2ダイオードのアノードが前記比較部の負側入力端子に接続されている、請求項1に記載の電流検出回路。前記正側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度が上昇するほど前記正側閾値電圧が増加するように前記正側閾値電圧を決定し、前記負側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度が上昇するほど前記負側閾値電圧が低下するように前記負側閾値電圧を決定する、請求項1または2に記載の電流検出回路。前記正側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度によって生成する定電流が変化する正側定電流回路と、前記正側定電流回路によって生成された電流に基づいて流れる電流を電圧に変換し、前記正側閾値電圧を決定する正側電流電圧変換回路とを含み、前記負側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度によって生成する定電流が変化する負側定電流回路と、前記負側定電流回路によって生成された電流に基づいて流れる電流を電圧に変換し、前記負側閾値電圧を決定する負側電流電圧変換回路とを含む、請求項1~3のいずれかに記載の電流検出回路。前記電流測定部が、前記半導体素子とは非接触で、前記半導体素子に流れる電流を測定する、請求項1~4のいずれかに記載の電流検出回路。本発明は上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、温度の影響を考慮し、増幅回路の半導体素子に流れる電流が過大であることを検出することができる電流検出回路を提供することにある。本発明の好ましい実施形態による電流検出回路は、増幅回路に設けられた半導体素子に流れる電流を検出する電流検出回路であって、前記半導体素子に流れる電流を測定し、測定した電流に応じた測定信号を出力する電流測定部と、前記電流測定部から出力される前記測定信号を正側信号および負側信号に分離し、前記正側信号が、前記測定信号に応じて値が変化する期間と、前記測定信号に応じて値が変化せず常に正側閾値電圧である期間とを含み、前記負側信号が、前記測定信号に応じて値が変化する期間と、前記測定信号に応じて値が変化せず常に負側閾値電圧である期間とを含む、正負分離部と、前記増幅回路における温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部による検出結果に応じて、前記正側閾値電圧を決定する正側閾値電圧生成部と、前記温度検出部による検出結果に応じて、前記負側閾値電圧を決定する負側閾値電圧生成部と、前記正側信号と前記負側閾値電圧とを比較し、前記正側信号が前記負側閾値電圧以上である場合に前記半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号を出力し、かつ、前記負側信号と前記正側閾値電圧とを比較し、前記負側信号が前記正側閾値電圧以下である場合に前記半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号を出力する比較部とを備える。本実施形態によると、正側閾値電圧生成部は、温度検出部による検出結果に応じて、正側閾値電圧を決定する。負側閾値電圧生成部は、温度検出部による検出結果に応じて、負側閾値電圧を決定する。比較部は、正側信号と負側閾値電圧とを比較し、正側信号が負側閾値電圧以上である場合に半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号を出力し、かつ、負側信号と正側閾値電圧とを比較し、負側信号が正側閾値電圧未満である場合に半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号を出力する。以上のように、半導体素子の温度に応じて正側閾値電圧および負側閾値電圧を動的に変化させることによって、温度の影響を考慮し、増幅回路の半導体素子に流れる電流が過大であることを検出することができる。好ましい実施形態においては、前記正負分離部が、第1ダイオードおよび第2ダイオードを含み、前記第1ダイオードのアノードが前記電流測定部の出力に接続され、前記第1ダイオードのカソードが前記比較部の正側入力端子に接続され、前記第2ダイオードのカソードが前記電流測定部の出力に接続され、前記第2ダイオードのアノードが前記比較部の負側入力端子に接続されている。好ましい実施形態においては、前記正側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度が上昇するほど前記正側閾値電圧が増加するように前記正側閾値電圧を決定し、前記負側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度が上昇するほど前記負側閾値電圧が低下するように前記負側閾値電圧を決定する。従って、半導体素子の温度が上昇すると、正側閾値電圧が増加することにより、測定信号の振幅値が大きい時点で、負側信号が正側閾値電圧未満になる。つまり、測定信号が同じであっても、半導体素子の温度が上昇することによって、比較部から、半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号が出力される期間が長くなり、測定信号の負側信号の振幅値が大きい時点で、半導体素子に流れる電流が過大であると判断し、プロテクト処理を実行することができる。同様に、負側閾値電圧が増加することにより、測定信号の振幅値が小さい時点で、正側信号が負側閾値電圧以上になる。つまり、測定信号が同じであっても、半導体素子の温度が上昇することによって、比較部から、半導体素子に流れる電流が過大であることを示す信号が出力される期間が長くなり、測定信号の振幅値が小さい時点で、半導体素子に流れる電流が過大であると判断し、プロテクト処理を実行することができる。好ましい実施形態においては、前記正側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度によって生成する定電流が変化する正側定電流回路と、前記正側定電流回路によって生成された電流に基づいて流れる電流を電圧に変換し、前記正側閾値電圧を決定する正側電流電圧変換回路とを含み、前記負側閾値電圧生成部が、前記温度検出部によって検出された温度によって生成する定電流が変化する負側定電流回路と、前記負側定電流回路によって生成された電流に基づいて流れる電流を電圧に変換し、前記負側閾値電圧を決定する負側電流電圧変換回路とを含む。この場合、温度検出部によって検出された温度に基づいて、正側定電流回路および負側定電流回路が生成する電流が増減することによって、正側閾値電圧および負側閾値電圧を半導体素子の温度に応じて増減させることができる。温度の影響を考慮し、増幅回路の半導体素子に流れる電流が過大であることを検出することができる電流検出回路を提供することができる。以下、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照して具体的に説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。図1は、本発明の好ましい実施形態による電流検出回路1を示す概略回路図である。電流検出回路1は、例えば図2に示すようなオーディオアンプ増幅回路の出力段に設けられたトランジスタ半導体素子に流れる電流が過大であるか否かを判断し、過大であることを示す信号を出力する回路である。電流検出回路1からの出力信号は例えば図示しないマイコンに供給され、電流が過大である場合にマイコンは、オーディオアンプの動作を停止する等のプロテクト処理を実行する。電流検出回路1は、電流測定部2と、温度検出部3と、正負分離部4と、正側閾値電圧生成部5と、負側閾値電圧生成部6と、比較部7とを備える。電流検出回路1は、電源電圧VA例えば5Vおよび電源電圧VB例えば0Vが供給されて、動作する。電流測定部2は、オーディオアンプのトランジスタに流れる電流を測定し、測定した電流に応じた測定信号を出力する。電流測定部2は、電流測定素子21とアンプ22とを含む。電流測定素子21は、オーディオアンプのトランジスタに流れる電流を測定し、測定した電流に応じた測定信号を出力する。電流測定素子21は、特に限定されないが、フローティング非接触で電流を測定することができるホール素子または磁気抵抗素子が採用され得る。ホール素子は、ホール効果を利用した磁気センサであり、磁石の発生する磁界や電流の発生する磁界を電気信号に変換し出力する。なお、電流測定素子21は、オーディオアンプの出力とスピーカーとの間に直列接続される抵抗素子が使用されてもよい。アンプ22は、電流測定素子21から出力される測定信号の振幅値を増幅して出力するものである。電流測定素子21は、電源電圧VAラインと、電源電圧VBラインとに接続され、出力端子がアンプ22に接続されている。アンプ22の出力端子は正負分離部4の入力に接続されている。なお、電源電圧VA、VBは、オーディオアンプ出力段の電源と異なっていても構わない。また、片電源中点を作成する形式でも構わない。温度検出部3は、オーディオアンプ内詳細にはトランジスタ周辺における温度を検出し、検出した結果を正側閾値電圧生成部5および負側閾値電圧生成部6に伝達する。温度検出部3は、温度検出素子を含む。温度検出素子は、特に限定されないが例えばサーミスタT1が採用され得る。本実施形態においては、温度の上昇に対して抵抗値が減少するNTCサーミスタが採用されている。これに限定されず、PTCサーミスタが使用されてもよい。温度検出部3は、その他に抵抗R1、R2、インバータ回路31、および、バッファ回路32を含む。サーミスタT1は、一端が抵抗R1を介して電源電圧VAラインに接続され、他端が抵抗R2を介して電源電圧VBラインに接続されている。また、サーミスタT1の他端は、インバータ回路31の入力端子と、バッファ回路32の入力端子とに接続されている。インバータ回路31の出力端子は、負側閾値電圧生成部6のトランジスタQ2のエミッタに接続されている。インバータ回路32の出力端子は、正側閾値電圧生成部5のトランジスタQ1のエミッタに接続されている。オーディオアンプのトランジスタの温度が上昇すると、サーミスタT1の抵抗値が減少するので、サーミスタT1の他端の電圧が増加する。その結果、正側閾値電圧生成部5のトランジスタQ1のエミッタの電圧は増加する。また、負側閾値電圧生成部6のトランジスタQ2のエミッタの電圧は低下する。これにより、温度検出部3による温度の検出結果が、正側閾値電圧生成部5および負側閾値電圧生成部6に伝達される。正負分離部4は、電流測定部2から出力される測定信号を正側信号および負側信号に分離し、正側信号を比較部7の正側入力端子に供給し、負側信号を比較部7の負側入力端子に供給する。図3に示すように、正側信号は、測定信号に応じて値が変化する期間と、測定信号に応じて値が変化せず常に正側閾値電圧である期間とを含む。負側信号は、測定信号に応じて値が変化する期間と、測定信号に応じて値が変化せず常に負側閾値電圧である期間とを含む。なお、負側閾値電圧は、正側閾値電圧よりも大きな値である。正負分離部4は、ダイオードD1、D2を含む。ダイオードD1は、アノードが電流測定部2の出力に接続され、カソードが比較部7の正側入力端子に接続されている。ダイオードD2は、カソードが電流測定部2の出力に接続され、アノードが比較部7の負側入力端子に接続されている。正側信号に関して、ダイオードD1のアノード電圧つまり測定信号が、カソード電圧とダイオードの導通開始電圧例えば0.6Vとの加算電圧未満である場合、ダイオードD1はオフ状態になっており、正側電圧は、正側閾値電圧生成部5によって生成される正側閾値電圧に固定される。一方、ダイオードD1のアノード電圧つまり測定信号が、カソード電圧とダイオードの導通開始電圧例えば0.6Vとの加算電圧以上である場合、ダイオードD1はオン状態であり、ダイオードD1のアノードからカソード、トランジスタQ1のコレクタへと電流が流れる。その結果、正側電流電圧変換回路52に流れる電流が低下し、正側電流電圧変換回路52が生成する電圧が低下するので、正側信号が測定信号の増加に伴って増加する。負側信号に関して、ダイオードD2のカソード電圧つまり測定信号が、アノード電圧-ダイオードの導通開始電圧例えば0.6Vよりも大である場合、ダイオードD2はオフ状態になっており、負側電圧は、負側閾値電圧生成部6によって生成される負側閾値電圧に固定される。一方、ダイオードD2のカソード電圧つまり、測定信号が、アノード電圧-ダイオードの導通開始電圧例えば0.6V以下である場合、ダイオードD2はオン状態であり、トランジスタQ2のコレクタから、ダイオードD2のアノード、カソードへと電流が流れる。その結果、負側電流電圧変換回路62に流れる電流が低下し、負側電流電圧変換回路52が生成する電圧が低下するので、負側信号が測定信号の減少に伴って減少する。正側閾値電圧生成部5は、温度検出部3による検出結果に応じて、正側閾値電圧を決定する。すなわち、図4に示すように、正側閾値電圧生成部5は、温度検出部3によって検出された温度が上昇するほど、正側閾値電圧が増加するように正側閾値電圧を決定する。正側閾値電圧生成部5は、正側定電流回路51と、正側電流電圧変換回路52とを含む。正側定電流回路51は、定電流を生成し、温度検出部3によって検出された温度に応じて、生成する定電流を変化させる。正側定電流回路51は、例えば、トランジスタQ1と、抵抗R3と電圧源53とを含む。トランジスタQ1は、ベースが電圧源53の正側に接続され、エミッタが抵抗R3を介してバッファ回路32の出力端子に接続され、コレクタが比較部7の正側入力端子と正側電流電圧変換回路52に接続されている。電圧源53の負側は、電源電圧VBラインに接続されている。正側電流電圧変換回路52は、正側電流電圧変換回路52に流れる電流を電圧に変換することで、正側閾値電圧を決定する。正側電流電圧変換回路52は、例えば抵抗であり、一端が比較部7の正側入力端子とトランジスタQ1のコレクタとに接続され、他端が電源電圧VAラインに接続されている。上記の通り、オーディオアンプのトランジスタの温度が上昇すると、正側閾値電圧生成部5のトランジスタQ1のエミッタの電圧は増加する。従って、トランジスタQ1のコレクタ電流が低下し、正側電流電圧変換回路52に流れる電流が減少し、正側電流電圧変換回路52の電圧が減少するので、正側閾値電圧は増加する。負側閾値電圧生成部6は、温度検出部3による検出結果に応じて、負側閾値電圧を決定する。すなわち、図4に示すように、負側閾値電圧生成部6は、温度検出部3によって検出された温度が上昇するほど、負側閾値電圧が低下するように負閾値電圧を決定する。負側閾値電圧生成部6は、負側定電流回路61と、負側電流電圧変換回路62とを含む。負側定電流回路61は、定電流を生成し、温度検出部3によって検出された温度に応じて、生成する定電流を変化させる。負側定電流回路61は、例えば、トランジスタQ2と、抵抗R4と、電圧源63とを含む。トランジスタQ2は、ベースが電圧源63の負側に接続され、エミッタが抵抗R4を介してインバータ回路31の出力端子に接続され、コレクタが比較部7の負側入力端子と負側電流電圧変換回路62に接続されている。電圧源63の正側は、電源電圧VAラインに接続されている。負側電流電圧変換回路62は、負側電流電圧変換回路62に流れる電流を電圧に変換することで、負側閾値電圧を決定する。負側電流電圧変換回路62は、例えば抵抗であり、一端が比較部7の負側入力端子とトランジスタQ2のコレクタとに接続され、他端が電源電圧VBラインに接続されている。上記の通り、オーディオアンプのトランジスタの温度が上昇すると、負側閾値電圧生成部6のトランジスタQ2のエミッタの電圧は低下する。従って、トランジスタQ2のコレクタ電流が減少し、負側電流電圧変換回路62に流れる電流が減少し、負側電流電圧変換回路62の電圧が低下するので、負側閾値電圧は低下する。比較部7は、正側信号が入力される正側入力端子と、負側信号が入力される負側入力端子とを含む。図3に示すように、比較部7は、正側信号と負側信号とを比較し、正側信号が負側信号以上である場合に、オーディオアンプのトランジスタに流れる電流が過大であることを示す信号例えば、ハイレベルの信号を出力する。詳細には、比較部7は、正側信号と負側閾値電圧とを比較し、正側信号が負側閾値電圧以上である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示す信号を出力する。また、比較部7は、負側信号と正側閾値電圧とを比較し、負側信号が正側閾値電圧以下である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示す信号を出力する。上記の通り、オーディオアンプのトランジスタの温度が上昇すると、正側閾値電圧が増加し、かつ、負側閾値電圧が低下する。従って、図3と図4図4はトランジスタの温度が上昇した場合の信号波形を示すとを対比すると分かるように、正側信号が負側閾値電圧以上となる期間が長くなり、負側信号が正側閾値電圧未満となる期間が長くなる。従って、オーディオアンプのトランジスタの温度が上昇すると、トランジスタの電流の定格値が低下するが、電流の絶対値が比較的低い段階で、トランジスタを流れる電流が過大であることを示す信号を出力することができる。以上の構成を有する電流検出回路1について、その動作を説明する。まず、図1および図3を参照して基本的な動作について説明する。電流測定部2は、オーディオアンプのトランジスタに流れる電流の値を測定し、測定した電流値に応じた測定信号を出力する。つまり、測定信号は、トランジスタに流れる電流が増加すると増加し、減少すると減少する交流信号である。[負側信号が負側閾値電圧に固定されている場合時刻t5まで]図3に示すように、時刻t1までは、測定信号の振幅値が大きくも小さくもないので、ダイオードD1、D2は共にオフ状態であり、正側信号は正側閾値電圧に固定され、負側信号は負側閾値電圧に固定されている。正側閾値電圧は、正側定電流回路51によって生成された電流が正側電流電圧変換回路52によって電圧に変換され、当該電圧に基づいて決定される。同様に、負側閾値電圧は、負側定電流回路61によって生成された電流が負側電流電圧変換回路62によって電圧に変換され、当該電圧に基づいて決定される。従って、正側信号は負側信号未満になっているので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。次に、時刻t1~t2においては、測定信号の振幅値の増加に伴い、ダイオードD1がオン状態になり、その結果、正側信号は、正側閾値電圧から測定信号の増加に伴い増加する。つまり、ダイオードD1のアノードからカソード、トランジスタQ1に向けて電流が流れるので、正側電流電圧変換回路52に流れる電流が低下し、正側電流電圧変換回路52の電圧が低下することにより、正側信号の振幅値が増加する。しかしながら、この期間は、未だ正側信号は負側閾値電圧未満であるので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。一方、時刻t2~t3になると、測定信号の振幅値のさらなる増加に伴い、正側信号の振幅値がさらに増加して、正側信号が負側閾値電圧以上になる。従って、この期間には、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力する。次に、時刻t3~t4には、時刻t1~t2と同じく、正側信号が正側閾値電圧から増加した状態になっているが、正側信号は負側閾値電圧未満であるので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。時刻t4~t5には、時刻t1までと同様に、ダイオードD1はオフ状態になり、正側信号は正側閾値電圧に固定される。従って、正側信号は負側信号未満になっているので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。[正側信号が正側閾値電圧に固定されている場合時刻t5以降]上記の通り、時刻t4~t5までは、ダイオードD1、D2は共にオフ状態であり、正側信号は正側閾値電圧に固定され、負側信号は負側閾値電圧に固定されている。従って、負側信号は正側信号より大になっているので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。次に、時刻t5~t6においては、測定信号の振幅値の低下に伴い、ダイオードD2がオン状態になり、その結果、負側信号は、負側閾値電圧から測定信号の低下に伴い低下する。つまり、トランジスタQ2から、ダイオードD2のアノード、カソードに向けて電流が流れるので、負側電流電圧変換回路62に流れる電流が低下し、負側電流電圧変換回路62の電圧が低下することにより、負側信号の振幅値が低下する。しかしながら、この期間は、未だ負側信号は正側閾値電圧より大であるので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。一方、時刻t6~t7になると、測定信号の振幅値のさらなる低下に伴い、負側信号の振幅値がさらに低下して、負側信号が正側閾値電圧以下になる。すなわち、正側信号の振幅値が負側信号の振幅値以上になる。従って、この期間には、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力する。次に、時刻t7~t8には、時刻t5~t6と同じく、負側信号が負側閾値電圧から低下した状態になっているが、負側信号は正側閾値電圧より大であるので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。時刻t8以降には、時刻t4~t5と同様に、ダイオードD1、D2は共にオフ状態になり、負側信号は負側閾値電圧に固定される。従って、負側信号は正側信号よりも大になっているので、比較部7は、トランジスタに流れる電流が過大ではないことを示すローレベルの信号を出力する。[温度上昇した場合の動作]続いて、図4を参照して、温度検出部3で検出された温度が図3の場合よりも上昇している場合を説明する。オーディオアンプのトランジスタの温度が上昇すると、サーミスタT1の抵抗値が低下し、サーミスタT1の他端の電圧が増加する。正側閾値電圧生成部5に関して、トランジスタQ1のエミッタにはサーミスタT1の他端の電圧が供給されているので、トランジスタQ1のエミッタの電圧が増加する。トランジスタQ1のベースには電圧源53からの定電圧が供給されているので、トランジスタQ1のコレクタ電流が低下する。その結果、正側電流電圧変換回路52を流れる電流が低下し、正側電流電圧変換回路52に発生する電圧が低下する。従って、正側閾値電圧は図3の場合と比較して増加する。正側閾値電圧が増加することにより、図3と比較して、測定信号の振幅値が大きい時点で、負側信号が正側閾値電圧以下になる時刻t6~t7参照。つまり、測定信号が同じであっても、トランジスタの温度が上昇することによって、比較部7から出力される信号のハイレベルの期間が長くなり、測定信号の負側信号の振幅値が大きい時点で、トランジスタに流れる電流が過大であると判断し、プロテクト処理を実行することができる。負側閾値電圧生成部6に関して、トランジスタQ2のエミッタにはサーミスタT1の他端の電圧を反転した電圧が供給されているので、トランジスタQ2のエミッタの電圧が低下する。一方、トランジスタQ2のベースには電圧源63からの定電圧が供給されているので、トランジスタQ2のコレクタ電流が低下する。その結果、負側電流電圧変換回路62を流れる電流が低下し、負側電流電圧変換回路62に発生する電圧が低下する。従って、負側閾値電圧は図3の場合と比較して低下する。負側閾値電圧が低下することにより、図3と比較して、測定信号の振幅値が小さい時点で、正側信号が負側閾値電圧以上になる時刻t2~t3参照。つまり、測定信号が同じであっても、トランジスタの温度が上昇することによって、比較部7から出力される信号のハイレベルの期間が長くなり、測定信号の振幅値が小さい時点で、トランジスタに流れる電流が過大であると判断し、プロテクト処理を実行することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。トランジスタQ1、Q2の極性や各信号のレベルハイレベル、ローレベルは上記に限定されず、適宜変更することができる。例えば、図1において、サーミスの極性を逆にする場合、正側閾値電圧生成部と負側閾値電圧生成部とを入れ替えた構成とすれば良い。