"基板上に形成されたリッジ型もしくはメサ型の光導波路であり、伝搬する光のフィールドが当該光導波路の外に染み出すように導波路幅が設定されている光導波路において、前記光導波路に沿って形成した溝のうち予め決めた長手方向に沿う特定区間を除く部分に埋戻し用材料を充填することにより、前記特定区間に形成された位相調整溝と、前記光導波路を構成する材料とは屈折率が異なっており、位相調整のために前記位相調整溝に充填された位相調整用材料と、を備えたことを特徴とする光導波路。請求項1の光導波路において、前記位相調整溝は、前記溝の長手方向に沿う複数箇所に形成されていることを特徴とする光導波路。請求項1の光導波路において、前記位相調整溝は、前記溝の長手方向に沿う複数箇所に形成されており、かつ、複数の各位相調整溝の長さが不等長であることを特徴とする光導波路。請求項1の光導波路において、前記位相調整溝は、前記溝の長手方向に沿う複数箇所に形成されており、かつ、複数の各位相調整溝の長さが不等長であり、かつ、各位相調整溝に充填される前記位相調整用材料の屈折率が同一または異なっていることを特徴とする光導波路。請求項2乃至請求項4の何れか一項の光導波路において、複数の前記位相調整溝の間隔が不等長になっていることを特徴とする光導波路。請求項1乃至請求項5の何れか一項の光導波路において、前記位相調整溝に沿い、かつ隣接して、流出防止溝が形成されていることを特徴とする光導波路。少なくとも2つのカップラと、前記カップラを接続する、請求項1乃至請求項6の何れか一項の少なくとも2本の光導波路とを備えたことを特徴とする光導波路干渉計回路。請求項7の光導波路干渉計回路において、前記溝のうち前記カップラ付近で相互に近接した部分には、両溝を区切る構造物が充填されていることを特徴とする光導波路干渉計回路。請求項7または請求項8の光導波路干渉計回路の位相を調整する方法であって、光導波路干渉計回路の特性を測定しながら、あるいは、測定した後に、予め決めた光学特性を得るように、前記位相調整用樹脂を充填する前記位相調整溝の長さや個数を調整することを特徴とする光導波路干渉計回路の位相調整方法。上述したように、光導波路からなる光導波路干渉計回路の位相を、高精度かつ恒久的に調整するのは、困難であった。特に、半導体光導波路で形成した光導波路干渉計回路ではかかる問題が顕著であった。本発明は、上記従来技術に鑑み、高精度に位相調整ができる光導波路及び光導波路干渉計回路ならびに光導波路干渉計回路の位相調整方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の光導波路の構成は、基板上に形成されたリッジ型もしくはメサ型の光導波路であり、伝搬する光のフィールドが当該光導波路の外に染み出すように導波路幅が設定されている光導波路において、前記光導波路に沿って形成した溝のうち予め決めた長手方向に沿う特定区間を除く部分に埋戻し用材料を充填することにより、前記特定区間に形成された位相調整溝と、前記光導波路を構成する材料とは屈折率が異なっており、位相調整のために前記位相調整溝に充填された位相調整用材料と、を備えたことを特徴とする。また本発明の光導波路の構成は、前記位相調整溝は、前記溝の長手方向に沿う複数箇所に形成されていること、または、前記位相調整溝は、前記溝の長手方向に沿う複数箇所に形成されており、かつ、複数の各位相調整溝の長さが不等長であること、または、前記位相調整溝は、前記溝の長手方向に沿う複数箇所に形成されており、かつ、複数の各位相調整溝の長さが不等長であり、かつ、各位相調整溝に充填される前記位相調整用材料の屈折率が同一または異なっていること、または、複数の前記位相調整溝の間隔が不等長になっていることを特徴とする。また本発明の光導波路の構成は、前記位相調整溝に沿い、かつ隣接して、流出防止溝が形成されていることを特徴とする。また本発明の光導波路干渉計回路の構成は、少なくとも2つのカップラと、前記カップラを接続する、前記の少なくとも2本の光導波路とを備えたことを特徴とする。また本発明の光導波路干渉計回路の構成は、前記溝のうち前記カップラ付近で相互に近接した部分には、両溝を区切る構造物が充填されていることを特徴とする。また本発明の光導波路干渉計回路の位相調整方法の構成は、光導波路干渉計回路の特性を測定しながら、あるいは、測定した後に、予め決めた光学特性を得るように、前記位相調整用樹脂を充填する前記位相調整溝の長さや個数を調整することを特徴とする。本発明によれば、光導波路干渉計回路を構成する光導波路に沿って位相調整溝を形成し、光導波路とは屈折率の異なる位相調整用材料を位相調整溝に充填することにより、高精度かつ簡単に光導波路干渉計回路の位相調整をすることができる。以下、本発明の実施の形態について、実施例に基づき詳細に説明する。本実施例では、マッハツェンダー干渉計からなる遅延干渉計を設計製造し、その素子を用いて光導波路干渉計回路を作製しトリミングを実施した。作製した光導波路干渉計回路10の概略図を図1に示す。図1においてaは平面図であり、bはaのB-B断面図であり、cはaのC-C断面図であり、dはaのD-D断面図である。これらの図に示すように、本実施例の光導波路干渉計回路10では、2つのMMIMultimodeInterference:多モード干渉型のカップラ21,22と、両カップラ21,22を接続する光導波路からなる上側アーム導波路31及び下側アーム導波路32と、入力用の光導波路33,34と出力用の光導波路35,36を有しており、これらによりマッハツェンダー干渉計を形成している。上側下側アーム導波路31,32は遅延干渉計を形成するように片側上側アーム導波路31に遅延量を付けている。フィルターとして干渉計を利用する場合には遅延量を付ける。本実施例では、トリミングの効果をわかりやすく波長スペクトルで得るために干渉計に遅延量を設けている。上側下側アーム導波路光導波路31,32及び入出力用光導波路33~36は、本例ではハイメサ型であり、これら光導波路31~36は、基板301上に、薄膜成形技術とフォトリソグラフィー技術とエッチング技術を用いて形成した、下クラッド302、コア303、上クラッド304により構成されている。しかも、上側下側アーム導波路光導波路31,32の導波路幅は、光導波路31,32を伝搬する光のフィールドが光導波路31,32の外に染み出すように設定されている。伝搬する光のフィールドが一定である場合、図2に示すように、光導波路の導波路幅が狭くなるほど光閉じ込め率が小さくなり、光閉じ込め率が1未満になると、伝搬する光のフィールドが光導波路の外に染み出てくることが知られている。このため、光導波路31,32の材質特性を考慮して導波路幅を規定すれば、伝搬する光のフィールドを光導波路31,32の外に染み出すようにすることができる。更に上側アーム導波路31に沿って、溝41と溝42が形成され、上側アーム導波路31は溝41と溝42とで挟まれている。しかも溝41は、その両端が伸びて、カップラ21,22の側面及び入出力導波路33,35に沿っても形成されている。また、下側アーム導波路32に沿って、溝43と溝44が形成され、下側アーム導波路32は溝43と溝44とで挟まれている。しかも溝44は、その両端が伸びて、カップラ21,22の側面及び入出力導波路34,36に沿っても形成されている。入力アーム導波路33と入力アーム導波路34の間には、溝45が形成され、出力アーム導波路35と出力アーム導波路36との間には、溝46が形成されている。これら溝41~46は、光導波路を形成する際のエッチングにより光導波路の形成と同時に形成されている。上側アーム導波路31に沿い形成された溝41,42のうち、区間αを除く予め決めた長手方向に沿う部分、並びに、下側アーム導波路32に沿い形成された溝43,44のうち、区間βを除く予め決めた長手方向に沿う部分には、埋戻し用樹脂埋戻し用材料51が充填されている。埋戻し用樹脂51としては、例えば、ポリイミドを用いることができるが、埋戻し用材料としては、ポリイミドに限らず他の有機材料や無機材料を用いてもよい。本例では、この埋戻し用樹脂51は、溝45,46を埋め、更に、カップラ21,22の上面や、上側下側アーム導波路31,32のうち区間α,βを除く部分の上面にも施されている。このように溝41~44のうち区間α,βを除く部分に埋戻し用樹脂51を充填するため、溝41,42のうち埋戻し用樹脂51が充填されなかった区間αの部分が溝として残って位相調整溝41a,42aとして形成され、溝43,44のうち埋戻し用樹脂51が充填されなかった区間βの部分が溝として残って位相調整溝43a,44aとして形成される。更に、下側アーム導波路32に沿い形成された位相調整溝43a,44aには、位相調整用樹脂位相調整用材料52が充填されている。本例では、この位相調整用樹脂52は、区間βに位置する下側アーム導波路32の上面にも施されている。位相調整用樹脂52としては、例えば、ドーパントで屈折率調整したシリコーン樹脂等を用いることができ、この位相調整用樹脂52の屈折率は、上側下側アーム導波路光導波路31,32を構成する材料、特にコアを構成する材料の屈折率とは異ならせている。もちろん、位相調整溝43a,44aに位相調整用樹脂52を充填してトリミングをする前では、位相調整溝43a,44aは空洞の溝になっていることは言うまでもない。位相調整用材料としては、ドーパントで屈折率調整したシリコーン樹脂に限らず、他の有機材料や無機材料を用いてもよい。なお、図1の例では、位相調整溝41a,42aには、位相調整用樹脂52を充填していない。このように、下側アーム導波路32に沿った位相調整溝43a,44aに位相調整用樹脂52を充填することにより、下側アーム導波路32の位相が調整され、上側アーム導波路31と下側アーム導波路の位相差を調整することができる。なお、本実施例ではコアの一部が露出している光導波路としてハイメサ導波路を想定しているが、伝搬する光のフィールドが、後に位相調整用樹脂が入る部分である位相調整溝41a,42a,43a,44aに染み出している光導波路ではあれば、ハイメサ構造に限らず、ローメサ構造やリッジ構造などの光導波路でもよい。上記のような構成のマッハツェンダー干渉計からなる光導波路干渉計回路10の実際のトリミング方法の原理について述べる。樹脂がないコア側面が露出し、側面が空気屈折率1の箇所の光導波路の実効屈折率n1は、計算上、波長を155μm、導波路幅を15μm、バンドギャップ波長を13μm、コア厚を03μmとした場合、TE偏波のみを考慮するとn1=320733と見積もられる。一方、同じ光導波路幅をもつハイメサ光導波路において側面を、屈折率が160の位相調整用樹脂52で充填している場合は、TE偏波で実効屈折率n2は320792となり、空気の場合に比べて上昇する。今、上側アーム導波路31の光導波路が下側アーム導波路32の光導波路に比べてΔL長い干渉計を考える。L0の長さ分、上側及び下側のアーム導波路31,32で光導波路の側面が露出しており、それ以外の部分ΔLを含んでは既に埋戻し用樹脂51で充填済みの回路を考える。ΔLは適当につけ、次数が200相当になるように966μmのΔLを設けるとする。この時、位相調整用樹脂52を充填する前の上側下側アーム導波路31,32間の位相差Φ0は、次式で示すようになる。ここで、n1はコア側面が空気の場合の実効屈折率であり、λは設計波長155μmである。ここで、充填部分長さL1の下側アーム導波路32の位相調整溝43a,44aだけに、屈折率n2の位相調整用樹脂52を充填する。L1=1311μmであるとする。すると、上側下側アーム導波路31,32間の位相差は、次式で与えられる。設計波長において、下側アーム導波路32の位相調整溝43a,44aの全ての充填部分長さL1を位相調整用樹脂52で充填した場合は、上の式より第2項がおよそπになる。つまり、波長スペクトル上で見ると図3に示すように、初期状態でOFFだった特性を、半波長特性を変えて、ON状態の特性にまで変化できることを示している。なお、図3において縦軸は干渉計の透過率dB、横軸は干渉計に入力される光の波長μm、実線は位相調整用樹脂充填前の特性、点線は位相調整用樹脂充填後の特性を示す。一周期分の調整が必要な場合は、位相調整溝43a,44aの長さを長くすれば可変範囲は広げることが可能である。通常では、π以上の位相変化が必要な場合は、逆側上側のアーム導波路31の位相調整溝41a,42aにも位相調整用樹脂を充填して調整することで目的の特性を得ることが可能である。ここでは説明のために位相調整溝を1個所のみ考えてきた。しかし、実際のトリミング作業では微小な位相だけを変化させたい。そこで長さL1の位相調整溝をdL1に分割し、アーム導波路に沿って配置する。長さL1の一つの位相調整溝をM個に分割して長さdL1の分割したM個の位相調整溝とし、そのうち片側のアーム導波路のm個の分割した位相調整溝に樹脂を充填した場合、与えられる位相差は、次式で与えられ、離散的ではあるが、所望の特性に近づけるトリミングが可能である。一例として、M10として、長さL1の位相調整溝を10等分した場合を図4に示しているdL=L1M。分割した位相調整溝の長さの和は、もとのものに等しくなるように分割している。即ち、図4において、上側アーム導波路31に沿い、例えば10個の分割した位相調整溝41a―1~41a―10と、例えば10個の分割した位相調整溝42a―1~42a―10が形成され、下側アーム導波路32に沿い、例えば10個の分割した位相調整溝43a―1~43a―10と、10個の分割した位相調整溝44a―1~44a―10が形成されている。しかもこの例では、下側のアーム導波路32の7つの位相調整溝43a―1~43a―7及び7つの位相調整溝44a―1~44a―7に位相調整用樹脂52が充填されている。なお他の部分は図1に示すものと同様である。この場合、1つの位相調整溝を位相調整用樹脂52で埋めることで10πの位相調整が可能であり、所望の特性に近づくように、特性を見ながら位相調整溝を一つ、また一つと位相調整用樹脂52で埋めていけばよい。図5は、下側短側のアーム導波路の一つの位相調整溝を埋め込んだ場合の初期からの変化を示していて、微小変化が得られることがわかる。これらを繰り返して、所望の特性を得ればよい。また特性が行き過ぎた場合は、逆側上側アーム導波路の位相調整溝を1つ埋めれば、特性が1つ分元に戻せる。なお、図5において縦軸は干渉計の透過率dB、横軸は干渉計に入力される光の波長μm、実線は位相調整用樹脂充填前の特性、点線は位相調整用樹脂充填後の特性を示す。分割した位相調整溝の長さdL0は1331μmであり、各位相調整溝の長さが等しい場合について述べたが、各位相調整溝の長さは必ずしも等しい必要性はなく、異なっていてもよい。例えば、一番短い位相調整溝の長さをdL0より短いdL0minにしておけば、段階的な変化をより細かく設定することができる。dL0mindL05としておけば、この実施例の場合では2πの調整が可能である。また、dL0の2倍の長さの位相調整溝、3倍の長さの位相調整溝と言うふうに用意しておけば良い。特に各位相調整溝最短の位相調整溝を除くの長さを、最短の位相調整溝の長さの整数倍にしておけば、調整の手間が省け、調整時間の短縮が可能である。実際の調整では、上下どちらかの長さがdL0minの位相調整溝をまず樹脂充填し、スペクトルなどの特性変化がどれほど起こるかをみて、目的まで長さがdL0minの位相調整溝を埋めて得られた位相変化量をもってして必要量を類推することが可能である。例えば、dL0minの長さの位相調整溝を一つ充填し、その位相変化量の14倍の位相変化が必要であれば長さがdL0の位相調整溝の3倍の長さの位相調整溝を1つ用意してあれば、その位相調整溝を充填し、その充填とは反対側アーム導波路のdL0minの長さの位相調整溝を1つ埋めれば目的の位相変化量が得られる。つまり最短の位相調整溝の整数倍の長さの位相調整溝を用意しておけば、dL0を3つ埋めるよりも手早く調整を終えることができる。最短の位相調整溝の長さに対して他の各位相調整溝の長さを整数倍にすることに限らず、不等長さにすると他の効果がある。即ち、同じ長さの位相調整溝を大量に並べると、わずかな屈折率の差から発生する屈折率変調で位相調整溝の両端をキャビティーとする共振器効果を発生し、長さによっては使用波長で透過強度を劣化させることがある。しかし長さが不等間隔であればこれらの問題は起きない。同様に位相調整溝を複数配置する際のピッチにおいても、ピッチによっては、等間隔に大量に位相調整溝を並べた場合、そのピッチがLPGLongPeriodGratingとして動作し、使用する波長領域で透過強度劣化を起こすことがある。つまり、位相調整溝の長さが数種類あると、調整段階を増やす効果があり、また樹脂滴下の回数を減らすことができ作業効率を高める効果が得られる。さらに、位相調整溝の両端をキャビティーとする共振器効果による透過強度劣化の影響も小さくする効果が得られる。さらにピッチも不等間隔化することで、LPG効果による透過強度劣化を抑える効果がある。ここまでは、位相調整用樹脂として屈折率n2320785のものだけを用いた場合であるが、必要に応じて異なる屈折率を有する位相調整用樹脂をN種類複数種類用意しておけば、上記のM段階の位相調整と合わせてN×M段階の位相調整が可能となり、離散的調整をより細かくすることができる。例えば、上の例を具体的に示すと、下側アーム導波路の長さがdLの位相調整溝の一つに、屈折率n2=145の位相調整用樹脂を充填した場合は、68πの位相調整が可能である。また、上側アーム導波路の位相調整溝に屈折率が160の位相調整用樹脂を入れて、下側アーム導波路の位相調整溝に屈折率が145の位相調整用樹脂を充填すれば、位相差は160-145dLλ発生して、32πの位相調整が可能である。つまり、離散的といえ位相調整用樹脂を数種用意すれば、ほぼ無段階調の屈折率変調が可能である。このように複数の屈折率を持つ位相調整用樹脂を使い分けることで、より調整段階が多い位相調整が可能となるメリットが得られる。また本実施例では、遅延量を設けた非対称マッハツェンダー干渉計を取り上げているが、これは初期的な位相差φ0が与えられているだけで、遅延量がない等長マッハツェンダー干渉計でも同じように調整することが可能である。このような干渉計は以下のようにして作製することができる。InPの基板上に、バンドギャップ波長が、13μmとなるように組成を調整したInGaAsPを03μm成長し、その上に、オーバークラッドとなるInPを15μm成長した。これら結晶成長には、MOCVD有機金属気相成長法MetalOrganicChemicalVaporDepositionを用いた。その後、エッチングマスク材となるSiO2をスパッタリング法を用いて製膜し、SiO2製膜した基板上に、レジストを塗布し、フォトマスクを利用した標準的なフォトリソグラフィー技術を用いて光回路パターンを転写した。その後、RIE反応性イオンエッチングを用いて、一度SiO2にパターンを転写した。次に加工されたSiO2パターンをマスクとして半導体をエッチング加工し、干渉計を作製した。この時点での回路概略を示したのが図6であり、aは平面図、bはaのB―B断面図である。この図に示すように、RIEによってエッチングされることにより、干渉路を形成する光導波路上側下側アーム導波路31,32の両側に溝41,42,43,44ができ、光導波路31,32を形成すると同時に、樹脂が後に入ることになる溝41,42,43,44を同時に形成する。本実施例では、光導波路31,32の幅を15μmとし、導波路側面のエッチング幅を10μmとして形成した。光導波路31,32の幅は伝搬する光がシングルモード伝搬ができるサイズが好ましいが、サイズはこの限りではない。その後、上記のように半導体を加工した基板上に、埋戻し用樹脂となる感光性のポリミドを塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングして、図7に示したようなデバイス形状を得る。なお図7においてaは平面図、bはaのB―B断面図、cはaのC―C断面図である。ここでは感光性のポリイミドを利用したが、非感光性のポリイミドやBCBを用いて溝41,42,43,44を埋めたあと、フォトリソグラフィー技術とRIE技術を用いて一部を除去してもよい。また必要に応じて、半導体エッチング直後、およびポリイミドを製膜した直後にSiO2やSi3N4といった無機物をコートしてもよい。その場合は、光導波路を露出させたい窓の部分を再度レジスとなどで保護し、フッ化水素などを用いて半導体側面に製膜している無機物を除去すればよい。除去しない場合には半導体光導波路の閉じ込め係数が高いため、樹脂を製造後充填しても、十分な屈折率変化が得られない。本実施例ではわかりやすくするために、遅延量を与える部分とは別の直線部分に位相調整溝41a,42a,43a,44aを形成した場合を示してきたが、素子サイズが大きくなるのを防ぐために、図8のように曲線部分に位相調整溝41a,42a,43a,44aを配置することで、素子自体が大きくなるのを防ぐことができる。なお図8においてaは平面図、bはaのB-B断面図、cはaのC-C断面図である。ここで、あらかじめ無機物、または樹脂により充填されている部分は、充填という単語を使っているが、この充填とは、伝搬している光のフィールドが染み出している部分が既に、他の材料で満たされていることを意味しており、位相調整溝41a,42a,43a,44aを完全に他の物質で満たすことではない。例えばハイメサ導波路の場合、伝搬している光の横方向への染み出し量は、わずかに数百ナノメートルであるので、ハイメサ導波路の側面に、無機物などを、光のフィールドの範囲を上回る厚さで堆積すれば、外部の影響を受けなくなる。つまり充填されたとみなすことができる。実際に作製した素子特性を示す。測定方法は、155μm帯のASEを、ファイバー型のPBSPolarizationBeamsplitterを通過させ片側TE偏波状態だけを切りだしを行った。その後、PMFPolarizationMaintainingFiberからなる先球ファイバー先端R10μmへ導き、ペルチェ素子を設置している試料台上に配置した試料の光導波路の端面にPMFを保持する光学定板に設けられたXYZステージを動かしアライメントを実施し、光を素子に導いた。この時、PMFファイバーは角度を調整し、試料のTEモードと一致するようにあらかじめ調整してある。出口側にはSMFsinglemodefiberからなる先球ファイバーを同じくアライメントし、光導波路の出口端面にアライメントする。出口のファイバーはそのままスペクトルアナライザーへ導きスペクトルの測定を行った。図9aは、上記計算に用いた構造を実際に製造し、測定した結果を示している。測定温度が25度になるように、試料台のペルチェ素子を駆動させて一定温度下で実施している。なお、図9aにおいて縦軸は干渉計の透過率dB、横軸は干渉計に入力される光の波長μm、点線は、作製直後のスペクトルを示している。この状態で、下側アーム導波路の10等分した一つの位相調整溝dL=131μmに、屈折率160となるようにドーパントを調合したシリコーン樹脂を滴下した。滴下はマイクロピベットを用いて顕微鏡下ではあるが手動で滴下を行った。その後、試料台のペルチェ素子を駆動し120度に加熱し10分程放置することで硬化させた。その後、再度室温になるように温度調整を行い測定した結果が、実線のスペクトルである。得られた結果を理論式でフィッティングし、位相変化量を求めると、位相換算で98πの位相変化が認められた。計算では10πが予想されたが、やや異なる。これは滴下樹脂の屈折率がやや160からずれていたことによるものと思われる。しかし、所望の方向にスペクトルを動かせていることがわかる。これらの滴下を次々に行って用意した下側10個の位相調整溝すべてに樹脂を滴下し樹脂充填した結果を図9bに示す。初期特性で透過強度が最小になる波長で、滴下後ほぼ透過強度が最大にできており、ほぼ位相が計算で予想通りにπパイ分調整できていることがわかる。ハイメサ導波路を形成する溝と位相調整溝を併用する場合、カップラ21,22付近は光導波路間隔が短くなるので、この部分で上下アーム導波路の溝が連結される。つまり、図10aは、上側アーム導波路光導波路31に沿い溝41,42を形成し、下側アーム導波路32に沿い溝43,44を形成した状態を示し、図10bは図10aのγ部分を拡大したものであり、これらの図から溝42,43がカップラ21,22の付近で連結されていることがわかる。滴下長をあらかじめパターニングした無機または有機樹脂により規定するが、この時、連結された部分に、位相調整用樹脂を滴下した際に、逆側アーム導波路側に樹脂が流れ込まないように図10b中→の方向に流れ込まないように、少なくともハイメサ導波路を形成するための溝41,42が連結された部分を図10cのように無機または有機樹脂で形成した樹脂構造物53により上側下側アーム導波路31,32の滴下領域を区切る必要がある。区切ることにより、反対側に樹脂が流れ込むことを防ぐことが可能となる。図11は本発明の実施例3に係る光導波路干渉計回路を示しており、aは平面図であり、bはaのB-B断面図である。この実施例3は、マッハツェンダー干渉計を形成する上側下側アーム導波路を構成する光導波路それぞれの少なくとも内側に上側下側アーム導波路の間に、1本以上の樹脂だまりとなる流出防止溝を形成したものである。即ち、図11に示す光導波路干渉計回路は、図4に示す光導波路干渉計回路に、更に、流出防止溝61,62,63,64を備えたものである。より具体的に説明すると、上側アーム導波路31に沿い上側アーム導波路31の両側に溝41,4241a,42aが形成され、更に、上側アーム導波路31から見て溝41,4241a,42aの外側に溝41,4241a,42aに沿い流出防止溝61,62が形成されている。同様に、下側アーム導波路32に沿い下側アーム導波路32の両側に溝43,4443a,44aが形成され、更に、下側アーム導波路32から見て溝43,4443a,44aの外側に溝43,4443a,44aに沿い流出防止溝63,64が形成されている。結局、上側下側アーム導波路31,32の内側上側下側アーム導波路31,32の間には、流出防止溝62,63が形成され、更に、上側下側アーム導波路31,32の外側には、流出防止溝61,64が形成されている。なお、流出防止溝61,62,63,64は、溝31~34の形成と同時に形成される。このように流出防止溝61,62,63,64を備えたので、滴下した位相調整用樹脂51が、意図せぬ隣接するアーム導波路の位相調整溝内に流れ込むことを防ぐ効果がある。インクジェット装置などで滴下するとより正確な位置に滴下することが可能である。しかし、このような樹脂だまりとなる流出防止溝61,62,63,64があれば、ラフに樹脂を滴下しても、隣の位相調整溝にまで行くことは大幅に減らせるので、手動での滴下でも十分である。高価な滴下装置を利用しなくても位相調整が可能となり、結果コストを押し下げることができる。また、この形成は、ハイメサ導波路を形成する工程で作製すればよく、デザインのみの修正で形成することが可能であり、追加の工程増加なく実現できる。本例のように、溝41,42の外側にも、樹脂だまりとなる流出防止溝61,64を形成した場合には、チップをはみ出して樹脂が滴下されることを防ぐ効果がある。チップがマウント固定された状態で滴下する場合は問題とはならないが、マウント前に滴下する場合、側面を伝わって裏面に樹脂が回りこむと、平坦にマウントできない。また素子と下のマウント間の熱伝導が悪くなることを防ぐことができ、特性を維持することが可能となる。これらの回路がレーザに集積された場合などは熱伝導は非常に特性上重要であり、それらが維持可能となる。"