"シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段とを具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサにおいて、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与され前記基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記基板面に平行に前記振動梁に対向して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2電極板と、前記振動梁と前記第2の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部と、を具備したことを特徴とする振動式トランスデューサ。前記凸凹部は、前記基板面に対して水平方向に連続して、あるいは垂直方向に連続して、あるいは水平方向と垂直方向とに連続して形成されて格子状に構成されたことを特徴とする請求項1記載の振動式トランスデューサ。前記第1の電極板が前記振動梁を励振する励振電極、前記第2の電極板が前記振動梁の振動を検出する振動検出電極、あるいは、前記第2の電極板が前記振動梁を励振する励振電極、前記第1の電極板が前記振動梁の振動を検出する振動検出電極として使用されたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の振動式トランスデューサ。容量結合を減少できるように前記振動梁と前記第1の電極板と前記第2の電極板との周囲を隙間を置いて囲んで前記基板面に平行に設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と前記第2の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状のガード電極を具備したことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の振動式トランスデューサ。前記振動梁と前記ガード電極と前記基板と前記シェルとが同電位にされたことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の振動式トランスデューサ。前記振動梁は、両端固定梁であることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の振動式トランスデューサ。このような装置においては、以下の問題点がある。図26従来例では、振動梁が基板に対して垂直に振動し、振動梁,励振電極,振動検出電極が積層構造となっているため、製造プロセスにおいて多くの加工工程が必要となっていた。これは、静電気力を用いる構造では、振動梁以外に真空室内に振動梁を励振したり振動を検出するための電極を作製し、それぞれの電極間を絶縁しなければならないため、必然的に構造が複雑になる。積層構造では、振動梁と対向電極は上下方向に向かい合っているため、それぞれに別の加工工程が必要になる。このため、マイクロマシン技術を用いて積層構造の振動式トランスデューサを作製すると、マスク枚数が増え、それに対応して加工工程も増えて、リードタイムが延び、コストアップになる。また、加工工程が増えると、加工精度のバラツキの蓄積によって特性が悪化し、歩留まりが落ちる要因となる。更に、静電気力を用いる場合、振動梁と駆動電極、検出電極の間隔は通常サブミクロンから1μm程度にしなければならないが、振動式トランスデューサとして、歪に対する周波数変化率ゲージファクタを大きくしようとすると、振動梁の長さlを長く、厚さtを薄くしなければならないため、振動梁が電極に付着して動作しなくなる問題があった。この問題は、製作時の水分による付着の他、作製後の動作時にも発生する。また、図26従来方式では、リード本数が多くハーメチックピン数が増えて、パッケージが大きくなる傾向にあった。本発明では、ピン数を抑えパーケージを小型化することができる。振動梁の共振周波数と歪には、次のような関係式が成り立っている。上記の式より、周波数2乗と歪との間には直線関係があるため、バイアス電圧Vb=0Vの時の周波数2乗の歪に対する変化率を求めると下記のように書ける。この式をグラフに表したものが図37である。ここでは振動梁の長さlと厚さhの比率ltが200の場合と140の場合について例示している。振動梁の張力が0με付近では、周波数2乗の変化率と歪の関係式はβl2/t2となり、図37中y切片がこの値を示している。張力が0με付近では黒丸の曲線は白丸の曲線の約2倍ほど大きな値となっている。このことは、低い張力の領域では振動梁の長さlが長く、厚さtが薄いものが、2乗ゲージファクタGf2が大きいことを示している。一方、振動梁の張力が比較的大きく350με以上となると周波数2乗の変化率と歪の関係式は1/εsに漸近していき、弦振動の極限に近づく。このため2乗ゲージファクタGf2は振動梁の形状にはほとんど関係なく張力εsの大きさで決定され、張力が大きくなるに従って小さくなる。この結果から、歪感度の大きな高感度振動式トランスデューサを作る場合は、振動梁長を長く、振動梁厚さを薄く、振動梁の張力は比較的小さくすることが望ましい。更に、振動梁を振動する駆動力に静電気力を選択する場合は、駆動電極と振動梁間の距離を1μm程度に狭めないと静電気力は有効に作用しない。一方で、このような、長さが長く、厚さが薄く、張力が低く、対向電極間距離が狭い振動梁は、付着しやすいという宿命にある。この説明には下記の式が役に立つ。この式は両端支持梁の付着の判定に用いられる式で、Npはpeelnumberと呼ばれており、Np=1のとき、振動梁は付着する。この式から容易に分かるように、張力が低い場合は、第一項のみを考えればよいのだが、長さlが長いと、Npは小さくなる。厚さtと電極間距離hが小さくなるとやはり、Npは小さくなる。このように、静電駆動型振動式トランスデューサの高感度化は、付着の問題をどのように解決するかということに懸っているといっても過言ではない。本発明の、静電駆動型振動式トランスデューサの高感度化は、付着の問題を解決するためのものである。本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、下記のような振動式トランスデューサを提供することにある。1シリコン単結晶梁の振動式トランスデューサを高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを提供する。2振動梁の付着対策を簡便に効果的に行うことができる振動式トランスデューサを提供する。3振動モードがもっとも少ない両端固定梁で自励発振できるため、測定範囲内でモードクロスが無く広い周波数帯域で使用することができるため、広いダイナミックレンジの圧力測定が可能である振動式トランスデューサを提供する。4垂直方向に長く、水平方向に短いため、シェルの幅が狭く、圧力隔壁となるシェルが薄くても真空室の耐圧が高いため、振動梁の歪感度が向上しダイアフラムが小さくできる。また圧力耐圧も上げられる振動式トランスデューサを提供する。5リード本数が少なくでき、センサ部を小型化できる振動式トランスデューサを提供する。このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の振動式トランスデューサにおいては、シリコン単結晶の基板に設けられた振動梁と、該振動梁の周辺に隙間が維持されるように該振動梁を囲み前記基板と共に真空室を構成するシリコン材よりなるシェルと、前記振動梁を励振する励振手段と、前記振動梁の振動を検出する振動検出手段とを具備し、前記振動梁の共振周波数を測定することにより前記振動梁に印加された歪を測定する振動式トランスデューサにおいて、前記真空室内に設けられ前記基板に対して引張の応力が付与され前記基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶の振動梁と、前記基板面に平行に設けられ前記振動梁に一端が接続される板状の第1の電極板と、前記基板面に平行に前記振動梁に対向して設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状の第2電極板と、前記振動梁と前記第2の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部と、を具備したことを特徴とする。本発明の請求項2の振動式トランスデューサにおいては、請求項1記載の振動式トランスデューサにおいて、前記凸凹部は、前記基板面に対して水平方向に連続して、あるいは垂直方向に連続して、あるいは水平方向と垂直方向とに連続して形成されて格子状に構成されたことを特徴とする。本発明の請求項3の振動式トランスデューサにおいては、請求項1又は請求項2記載の振動式トランスデューサにおいて、前記第1の電極板が前記振動梁を励振する励振電極、前記第2の電極板が前記振動梁の振動を検出する振動検出電極、あるいは、前記第2の電極板が前記振動梁を励振する励振電極、前記第1の電極板が前記振動梁の振動を検出する振動検出電極として使用されたことを特徴とする。本発明の請求項4の振動式トランスデューサにおいては、請求項1又は請求項3記載の振動式トランスデューサにおいて、容量結合を減少できるように前記振動梁と前記第1の電極板と前記第2の電極板との周囲を隙間を置いて囲んで前記基板面に平行に設けられ前記振動梁と前記第1の電極板と前記第2の電極板と共に前記基板面に平行な一平面状をなす板状のガード電極を具備したことを特徴とする。本発明の請求項5の振動式トランスデューサにおいては、請求項1乃至請求項4の何れかに記載の振動式トランスデューサにおいて、前記振動梁と前記ガード電極と前記基板と前記シェルとが同電位にされたことを特徴とする。本発明の請求項6の振動式トランスデューサにおいては、請求項1乃至請求項5の何れかに記載の振動式トランスデューサにおいて、前記振動梁は、両端固定梁であることを特徴とする。本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。図26従来例では、振動梁,励振電極,振動検出電極が積層構造であったため、製造プロセスにおいて多くの加工工程が必要であったが、振動梁,励振電極,振動検出電極が同一平面状に配置出来るので、振動梁,励振電極,振動検出電極を1工程マスク1枚で作ることができる振動式トランスデューサが得られる。図26従来例の積層形では、振動梁の付着対策のために振動梁や振動梁と対向する面を粗らし、付着防止するための加工を施す事が難しいが、振動梁,励振電極,振動検出電極が同一平面状に配置出来る水平振動型では、振動梁と対向する電極面とを加工する時に同一加工工程で対向する表面を粗らすことができる。このため振動梁の付着を容易、かつ確実に防止することができる振動式トランスデューサが得られる。例えば、側面を加工する際に、用いるエッチングによって発生するスキャロップを利用したり、振動梁と電極を形成するマスクパターンに凸凹をつけることによって作製する。振動梁を縦長に配置することによって、シェルの幅も図26従来例に比べ狭くすることができるため、シェル厚さを一定にした場合には耐圧が向上出来る振動式トランスデューサが得られる。同じ耐圧を実現するためには、圧力隔壁となるシェルの膜厚は薄くてよい。図26従来例の積層振動型の場合、駆動電極はシェル側に作り込まねばならず、高い圧力が印加された場合、シェルが変形して電極と振動梁間距離が変化し、周波数変化特性が非線形になる恐れがある。振動梁の縦横の形状は、水平振動と垂直振動の共振周波数にも影響する。圧力測定に使用する振動梁の振動モードの共振周波数が他の振動モードの共振周波数と干渉を起こすと、共振周波数同士がロックインして周波数計測にシステリシスが発生し、誤差を生じる。これを避けるためには、振動梁の測定に使用する水平振動モードが最も低い周波数になっていて、垂直振動が3次以上の高次の振動モードとなっていなければならない。このような状態を実現するためには、振動梁の縦横の形状は、縦が横幅に対して少なくとも3倍以上長くならなくてはならない。このように振動梁を縦長に配置することは、測定精度の向上のためにも重要である。更に、振動梁形状を2次元的に自由に加工できるため、振動梁と電極とガード電極などを1工程で加工できるため、作製時工程が容易になる。特に2端子構造では、リード本数を最小に出来るので、ハーメチックシールなどのセンサ部の構造を小型化することも可能である。本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。凸凹部は、基板面に対して水平方向に連続して、あるいは垂直方向に連続して、あるいは水平方向と垂直方向とに連続して形成されて格子状に構成されたので、接触時の接触面積を減らすことができ、振動梁が狭いギャップで対向する電極に付着してしまうことを防止する効果がある。振動梁の振動方向に対する厚さに対して100倍以上に長さをもつ、歪感度の高い振動梁を形成することができる。本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。前記第1の電極板が前記振動梁を励振する励振電極、前記第2の電極板が前記振動梁の振動を検出する振動検出電極、あるいは、前記第2の電極板が前記振動梁を励振する励振電極、前記第1の電極板が前記振動梁の振動を検出する振動検出電極として使用されたことにより2端子形の素子となるため、振動検出電極に接続され振動によって発生する電流を電圧に変換する、電流電圧変換回路が1つで済むため回路が単純となり消費電流を減らすことができる振動式トランスデューサが得られる。本発明の請求項4によれば、次のような効果がある。容量結合を減少できるように、第1の電極板と第2の電極板と振動梁との周囲を、隙間を置いて囲んで、基板面に平行に設けられた板状のガード電極が設けられたので、容量結合を確実に減少できる振動式トランスデューサが得られる。励振に必要な交流成分が励振電極から検出電極へ漏れるとノイズになるが、ガード電極を回路コモンなどに設置することによって、ノイズ成分を除去することができる。本発明の請求項5によれば、次のような効果がある。振動梁と前記ガード電極と前記基板と前記シェルとが同電位にされた。従って、振動梁は、電位が付与されている第2の電極のみに静電気力によって吸引されるが、その他の電極などからは、力を受けない。また、前記ガード電極と前記基板と前記シェルを共通電位としておけば、振動梁と第2の電極は電気的にシールドされた状態の閉空間の内部に存在するため、対ノイズ性が向上する振動式トランスデューサが得られる。本発明の請求項6によれば、次のような効果がある。振動モードがもっとも少ない両端固定梁で自励発振できるため、測定範囲内でモードクロスが無く広い周波数帯域で使用することができるため、広いダイナミックレンジの圧力測定が可能な振動式トランスデューサが得られる。以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1~図15は、本発明の一実施例の要部構成説明図である。図1は要部組立構成説明図で、aは要部平面図、bは断面図、図2~図15は製作工程説明図である。図において、図26と同一記号の構成は同一機能を表す。以下、図26との相違部分のみ説明する。図1において、振動梁32は、真空室33内に設けられ、基板31に対して引張の応力が付与され、基板31の面311に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有するシリコン単結晶よりなる。第1の電極板34は、基板31の面311に平行に設けられ、振動梁32に一端が接続され、板状をなす。第2電極板35は、振動梁32を挟んで、基板31の面311に平行に対向して設けられ、振動梁32と第1の電極板34と共に、基板31の面311に平行な一平面状をなし、板状をなす。ガード電極36は、容量結合を減少できるように、振動梁32と第1の電極板34と第2の電極板35との周囲を隙間を置いて囲んで前記基板面に平行に設けられ、振動梁32と第1の電極板34と第2の電極板35と共に、基板面311に平行な一平面状をなし、板状をなす。凸凹部37は、振動梁32と第2電極板35との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する。この場合は、凸凹部37は、基板31の面311に対して水平方向に連続して、あるいは垂直方向に連続して、あるいは水平方向と垂直方向とに連続して形成されて格子状に構成されている。なお、凸凹部37に付いては、後に、詳細に説明する。38はシェルである。次に、図1の作製工程を説明する。図2に示す如く、SOI基板101を準備する。例えば、SOI基板101は、BOX層の酸化膜厚さは2μm、活性層のシリコン層の厚さは1μmのものを用いる。図3に示す如く、エピタキシャル装置中で、SOI基板101の活性層上に高濃度にボロンBが含まれたシリコン層102をエピタキシャル成長させる。高濃度にボロンBが含まれたシリコン層102は、電気抵抗が小さく導体として、振動梁や電極やリード部分となる。また、高濃度にボロンBが含まれたシリコン層102は、基板部分101に比べ引っ張り応力を残留しているため、振動梁部分に張力を発生させる。振動梁は張力領域で応力が印加された場合、[数1]式に示した通り応力に対して周波数の2乗が比例するように変化し、きわめて直線性の良い特性が得られる。一方で、圧縮応力領域での動作は、非常に非線形な特性となるため、振動式トランスデューサの動作は、引っ張り応力領域で行われるべきである。高濃度にボロンBが含まれたシリコン層の成長条件は次の通り。成長温度1030°C、H2ガス中で、シリコン原料ガスとしてジクロロシラン、不純物であるボロンの原料ガスとしてジボランを用い、一定時間エピタキシャル成長を行うことによって高濃度にボロンBが含まれたシリコン層102を9μm成長し、活性層との合計が10μmとなるようにする。図4に示す如く、高濃度にボロンBが含まれたシリコン層102の表面にレジストを塗布し、ステッパ装置を用いてパターニングを行う。ステッパ装置は、03μm程度の分解能を持ちサブミクロンのラインスペースの露光が可能である。このステッパ装置で振動梁103の輪郭と第1の電極板104aと第2の電極板104bとガード電極板104cとのパターンを形成する。図3で形成したシリコン層102の10μmは、DRYエッチング装置を用いてトレンチ状にエッチングされる。この際、BOSCHプロセスというシリコンSiのエッチング工程とCFポリマーのデポジション工程を繰り返し行うことによって、エッチングされるトレンチの側壁面に襞状の凸凹部105が形成される。エッチング時間とデポジション時間を調整することによって、01μm程度またはそれ以上の凸凹でピッチが01μmから1μm程度の水平方向の縞ができる。エッチングはSOIウェハー101のBOX層に突き当たり、振動梁103と第1の電極板104aと第2の電極板104bとガード電極板104cが構造的に分離されるまで行う。図5に示す如く、CFポリマーを除去し、レジストを剥離した後、図4で形成した溝構造部分を絶縁膜106で埋め込む。埋め込みには、テトラエトキシシランを用いたLPCVD酸化膜やプラズマCVDなどで成膜した絶縁膜106によってトレンチの開口部分を封鎖する。LPCVD酸化膜は温度700°C、圧力50Paの真空中で、TEOSタンクをバブリングして含んだ窒素N2ガスおよび、酸素ガスを導入してTEOSが熱分解することによってシリコン基板上に酸化ケイ素皮膜106を形成する。プラズマCVD膜は、真空中でTEOSと酸素ガスを導入しプラズマを発生させ、400°Cに加熱されたステージ上に置かれたシリコン基板上に、酸化ケイ素皮膜106を形成する。プラズマCVD装置はステップカバレッジがよくないため、埋め込み酸化膜106がトレンチの最深部に成膜しにくく中に空間107が形成される。図6に示す如く、トレンチの上部を封鎖した酸化膜106上に数μmの厚さのポリシリコン108膜を形成する。このポリシリコン108は、振動梁103を真空中に保ち、圧力を伝達するシリコンオイルから隔離するための真空室33の一部を形成する。図7に示す如く、図6で形成したポリシリコン108の一部をDRYエッチングよって開口109する図8に示す如く、100nm程度の酸化ケイ素皮膜111をLPCVDにて形成し、開口部109付近のみをパターニングし、バッファードフッ酸にて除去する。後に、この酸化膜111は、振動梁103の周辺の犠牲層エッチング層を除去する際に、エッチング液またはエッチングガスの導入口となる。図9に示す如く、さらにポリシリコン112を成膜して、開口部分109をポリシリコン層112で埋め戻す。図10に示す如く、振動梁103の上部に相当する部分で、図8で酸化膜111を残した部分の一部に穴またはスリット113をあけ、酸化膜111をストッパとする。図11に示す如く、HFガスエッチングまたは、希HF液を用いて犠牲層エッチング層114を除去する。図12に示す如く、スキャロップは、900°C以上のH2中あるいは真空中に曝されると消失してしまうので、900°C以下の低温にて真空封止を行う。ここではLPCVDポリシリコン膜115によって真空封止を行う。製膜条件は、例えば、温度590°Cで圧力85Paの真空中でSiH4ガスを用いて行う。製膜されたポリシリコン膜115が引っ張り歪となるか、あるいは残留圧縮歪がほとんどなくなる条件で行う。シリコン原料ガスには、SiH4または、SiH4と水素の混合物を用いる。図13に示す如く、真空室を形成しているポリシリコン膜の一部を、反応性イオンエッチングによって下地の酸化膜106をストッパとして第1の電極板104aと第2の電極板104bとガード電極板104cを掘り出すために穴116を空ける。図14に示す如く、酸化膜106に穴を空け、電極にコンタクトするためのコンタクトホール117とする。図15に示す如く、アルミAlを蒸着またはスパッタによって製膜し、パターニングし、電極パッド118を形成する。電極パッド118は、金線を用いてボンディングされ外部のドライバ回路に接続される。以上の構成において、基本的には、振動梁32の駆動方式は、振動梁32と第2の電極板35間にバイアス電圧Vbと駆動電圧Viを加え、静電吸引力Fを発生させて振動梁32を駆動する。検出方式は、振動梁32と他方の第2の電極板35間で構成されるコンデンサに直流バイアスを加えることで電荷Q=CVを各電極に貯めておき、振動梁32が振動して容量Cが変化すると、Qが変化して、それに対応した交流電圧が流れる。これを差動アンプ等で増幅して電圧変化にしてカウンターで読み込むことによって、振動梁の振動周波数を測定することが出来る。図16は本発明の振動式トランスデューサの具体的回路図を示すものである。図において、Vbはバイアス電圧定電圧、Viは駆動電圧交流、R1,R2,R3は抵抗、OP1,OP2は演算増幅器である。第1の電極板34には、駆動電圧Viが印加され、第2の電極板35より振動梁32の振動周波数の信号が取り出される。バイアス電圧Vbは、演算増幅器OP1に加えられている。即ち、この場合は、第1の電極板34は励振電極、第2の電極板35は検出電極として使用される。図17は本発明の振動式トランスデューサの他の具体的回路図を示すものである。図においてVbはバイアス電圧定電圧、Viは駆動電圧交流、R1,R2,R3は抵抗、OP1,OP2は演算増幅器である。第2の電極板35に駆動電圧Vi、演算増幅器OP1にバイアス電圧Vbが印加されると共に、第1の電極板34より振動梁32の振動周波数の信号が取り出される。この結果、電極数が少なく、構造はシンプルで、安価な振動式トランスデューサが得られる。但し、励起信号が検出回路側に回り込むクロストークが起きやすく、このクロストークを抑えるために、振動梁32と電極間の容量が最小となるように、配線間の距離を広げ、その間にガードを入れるなどの工夫が必要である。図18は、本発明の振動式トランスデューサの他の具体的回路図の要部構成説明図である。図において、Vb1はバイアス電圧定電圧、Viは駆動電圧交流、R1,R2,R3は抵抗、OP1,OP2は演算増幅器である。第1の電極板34には、駆動電圧Viが印加され、第2の電極35より振動梁32の振動周波数の信号が取り出される。36はガード電極である。この結果、電極数が少なく、シンプルであるが、励起信号が検出回路側に回り込むクロストークを抑えるため、振動梁と電極間の容量が最小となるように、配線間の距離を広げ、その間にガード電極36が設けられた。次に、凸凹部37の形成について詳述する。凸凹部37は、図4に示す如く、振動梁32と電極34,35,36の側面を加工する際に、用いるエッチングによって発生するスキャロップを利用する場合、あるいはエッチング時に微小な突起をつけたマスクパターンを使用して形成する場合がある。スキャップを作製するためには、例えば、Boschプロセスを利用する。ボッシュプロセスは、エッチングと側壁保護を繰り返しながら行うエッチング手法で、アスペクト比の高いエッチングが可能である。図19に示す如く、プロセスは以下の2つの処理を繰り返す。41はシリコン基板、42はレジストパターンである。エッチングステップ図19b、図19dに示す如く、主に六フッ化硫黄を用いて等方エッチングを行う。エッチング穴底面に保護膜が付いている場合があるので、底面の保護膜を除去する働きもある。2保護ステップ図19c、図19eに示す如く、フロン系のガスC4F8などを用いて側壁にCF系皮膜をデポし、側壁を保護することで横方向のエッチングを抑制する。エッチングステップと保護ステップを繰り返すことで、スキャロップという細かいヒダ状の凸凹が形成される。エッチングステップと保護ステップの時間を調整することでこの凸凹の度合いが制御できる。図20はエッチングの途中経過を示した図で、図21は図20の完成図である。図22から図24は、スキャロップと平面状のマスクパターンで微小な突起をつけたものを組み合わせることによって形成された凸凹部37の実施例を示す。図22bは、図22aに示す如きマスクパターン51を使用して、シリコン基板52にスキャロップを形成した例を示す。図23bは、図23aに示す如きマスクパターン53を使用して、シリコン基板54に通常の異方性エッチングした例を示す。図23cは、図23aに示す如きマスクパターン53を使用して、シリコン基板55にBoschプロセスにてエッチングし、スキャロップを形成した例を示す。図24bは、図24aに示す如きマスクパターン56を使用して、シリコン基板57に通常の異方性エッチングした例を示す。図24cは、図24aに示す如きマスクパターン56を使用して、シリコン基板58にBoschプロセスにてエッチングし、スキャロップを形成した例を示す。次に、本発明の振動梁32とシェル38との関係について説明する。図25aは、本発明の振動梁32とシェル38との関係略図を示し、図25bに図26従来例の振動梁3とシェル4との関係略図を示す。振動梁32を、基板31の面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有する、即ち、縦長に配置することによって、シェル38の幅L1も、図26従来例の幅L2に比べ例えば4分の1ほどに狭くすることができるため、シェル厚さを一定にした場合、耐圧が4倍ほどに向上出来る。同じ耐圧を実現するためには、シェル38の膜厚は4分の1ほどに薄くてよい。Pは圧力を示す。図26従来例の垂直振動型の場合、駆動電極はシェル4側に作り込まねばならず、高い圧力が印加された場合、シェル4が変形して電極と振動梁間距離が変化すると振動梁に働く静電吸引力に影響し、周波数変化特性が非線形になる。磁石が無くなることによって、圧力センサ以外の用途としてストレインゲージとしても使用できるようになる。また、同一の作製工程でマスクパターンを変えるだけでさまざまな振動梁形状が作れるため、高感度な加速度計や振動ジャイロなど作製プロセスとしても応用できる。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。"