"電圧駆動型半導体スイッチング素子を含むインバータ主回路と、前記電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲートーエミッタ間にゲート電圧を印加し、前記電圧駆動型半導体スイッチング素子を制御するインバータ制御装置を備えたインバータ装置において、前記インバータ制御装置は、複数の前記電圧駆動型スイッチング素子のゲートにゲート電圧を出力するゲート駆動回路と、当該ゲート駆動回路を駆動するためのゲート電源電圧を出力する1つのゲート電源回路と、当該ゲート電源電圧を制御する1つのゲート電源電圧制御回路とを有し、前記ゲート電源電圧制御回路は、前記スイッチング素子の温度に関する情報を取得し、当該温度に関する情報が低い場合には、前記ゲート電源回路から前記ゲート駆動回路に出力するゲート電源電圧を高くするように前記ゲート電源回路を制御し、前記ゲート駆動回路は、前記ゲート電源電圧の制御に応じたゲート電圧を、複数の前記電圧駆動型半導体スイッチング素子に出力するように構成したことを特徴とするインバータ装置。請求項1に記載のインバータ装置であって、複数の前記電圧駆動型半導体スイッチング素子は、前記インバータ主回路の上アーム及び下アームを構成し、前記ゲート駆動回路は、前記上アームを駆動させるための第一バッファ回路と、前記下アームを駆動させるための第二バッファ回路から構成され、前記ゲート電源回路は、前記第一バッファ回路と前記第二バッファ回路に、共通のゲート電源電圧を出力する回路から構成されることを特徴とするインバータ装置。請求項1または2に記載のインバータ装置であって、前記ゲート電源回路は、フライバック型ゲート電源回路であることを特徴とするインバータ装置。インバータ主回路を構成する複数の電圧駆動型半導体スイッチング素子を制御するインバータ制御装置において、複数の前記電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲートにゲート電圧を出力するゲート駆動回路と、前記ゲート駆動回路にゲート電源電圧を出力する1つのゲート電源回路と、前記ゲート電源回路を制御する1つのゲート電源電圧制御回路とを有し、前記ゲート電源電圧制御回路は、前記スイッチング素子の温度に関する情報を取得し、当該温度に関する情報が低い場合には、前記ゲート電源回路から前記ゲート駆動回路に出力するゲート電源電圧を高くするように前記ゲート電源回路を制御し、前記ゲート駆動回路は、前記ゲート電源電圧の制御に応じたゲート電圧を、複数の前記電圧駆動型半導体スイッチング素子に出力するように構成したことを特徴とするインバータ制御装置。請求項4に記載のインバータ制御装置であって、複数の前記電圧駆動型半導体スイッチング素子は、前記インバータ主回路の上アーム及び下アームを構成し、前記ゲート駆動回路は、前記上アームを駆動させるための第一バッファ回路と、前記下アームを駆動させるための第二バッファ回路から構成され、前記ゲート電源回路は、前記第一バッファ回路と前記第二バッファ回路に、共通のゲート電源電圧を出力する回路から構成されることを特徴とするインバータ制御装置。請求項4または5に記載のインバータ制御装置であって、前記ゲート電源回路は、フライバック型ゲート電源回路であることを特徴とするインバータ制御装置。しかしながら、特許文献1の方法では、電力変換装置の主回路の各アームにゲート抵抗可変構造を用意する必要があり、装置を複雑化させる問題があった。また、半導体スイッチング素子のターンオフ時のみのスイッチング損失を低減するだけに止まっている。本発明の目的は、構造を複雑化させずに、電圧駆動型半導体スイッチング素子のスイッチングノイズを低減できるインバータ装置やインバータ制御装置を提供することである。本発明の望ましい実施態様においては、電圧駆動型半導体スイッチング素子を含むインバータ主回路と、前記電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲートーエミッタ間にゲート電圧を印加し、前記電圧駆動型半導体スイッチング素子を制御するインバータ制御装置を備えたインバータ装置において、前記インバータ制御装置は、複数の前記電圧駆動型スイッチング素子のゲートにゲート電圧を出力するゲート駆動回路と、当該ゲート駆動回路を駆動するためのゲート電源電圧を出力する1つのゲート電源回路と、当該ゲート電源電圧を制御する1つのゲート電源電圧制御回路とを有し、前記ゲート電源電圧制御回路は、前記スイッチング素子の温度に関する情報を取得し、当該温度に関する情報が低い場合には、前記ゲート電源回路から前記ゲート駆動回路に出力するゲート電源電圧を高くするように前記ゲート電源回路を制御し、前記ゲート駆動回路は、前記ゲート電源電圧の制御に応じたゲート電圧を、複数の前記電圧駆動型半導体スイッチング素子に出力するように構成したことを特徴とする。本発明の望ましい実施態様によれば、主回路装置を複雑化することなく、電圧駆動型半導体スイッチング素子のスイッチングノイズを低減することができるインバータ装置やインバータ制御装置を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図1は、電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動装置を適用した本発明の一実施例によるモータ駆動用インバータ装置の構成図である。バッテリ1の直流電圧を、インバータ装置2によって可変電圧可変周波数の3相交流電圧に変換し、交流モータ3に供給する。インバータ装置2は、インバータ主回路21と、電圧平滑用キャパシタ22、並びにインバータ制御装置23とからなる。インバータ主回路21は、IGBT電圧駆動型半導体スイッチング素子211を3相ブリッジ結線して構成され、各IGBT211は、逆並列ダイオード212を備えている。これにより、直流側端子P,N間の直流電圧を、交流端子U,V,W間に可変電圧可変周波数の3相交流電圧に変換している。このインバータ主回路21は、インバータ制御装置23からの指令に応じて、IGBT211がスイッチング制御され、バッテリ1の直流電圧源から、3相交流電圧を生成し、モータ3を駆動するための電流を通電する。ここで、インバータ制御装置23は、IGBT211にゲート電圧を与え、これらをオン/オフ駆動するゲート駆動回路231を備えている。この部分の詳細については、図2を参照して後述する。この実施例においては、ゲート駆動回路231の出力電圧を調整するために、電圧調整可能なゲート電源回路232を設けている。そしてその出力電圧は、ゲート電源電圧制御回路233によって制御される。このゲート電源電圧制御回路233には、電圧指令装置マイコン234から電圧指令が与えられる。この電圧指令装置マイコン234は、インバータ主回路21の直流電圧を検出する電圧検出器235及びIGBT211又はこれらIGBTを冷却する冷却水の温度を検出する温度検出器236の出力を入力し、前記電圧指令を決定する。全体を制御するためのコントローラに設けられた電圧指令装置マイコン234は、直流電圧検出器235や、冷却水温度又はIGBT211のチップ温度等の温度検出器236等の情報から、電力変換装置としての動作状況を把握し、電圧指令を作成する。例えば、インバータ主回路21の直流側端子P,N間すなわち電圧平滑用キャパシタ22の電圧を電圧検出器235で検出し、この直流電圧が高い場合には、スイッチング損失も大きくなるので、ゲート電圧を高くして、損失を低減することが望ましい。したがって、電圧指令装置マイコン234から、高い電圧指令をゲート電源電圧制御回路233に与える。これにより、電圧調整可能なゲート電源回路232の出力であるゲート電源電圧が高くなる。この結果、ゲート駆動回路231からIGBT211のゲート-エミッタ間に印加されるゲート電圧が高くなる。このようにして、直流側P,N間電圧が高い場合には、IGBT211のスイッチング損失も大きくなるので、ゲート電圧を高くして、損失を低減することができる。また、IGBT211又はこれらIGBTを冷却する冷却水の温度を検出する温度検出器236の出力が低く、IGBT211の熱的損失に余裕がある場合には、ゲート電圧を高くして、素子のスイッチングノイズを低減することが望ましい。したがって、電圧指令装置マイコン234から、通常より低い電圧指令をゲート電源電圧制御回路233に与える。これにより、電圧調整可能なゲート電源回路232の出力であるゲート電源電圧が低くなる。この結果、ゲート駆動回路231からIGBT211のゲート-エミッタ間に印加されるゲート電圧が低くなる。このようにして、直流側P,N間電圧が高くなく、スイッチング素子に熱的余裕がある場合には、IGBT211に高いゲート電圧を印加し、スイッチングノイズを低減することができる。このように、インバータ装置2の状況に応じて、臨機応変に、電圧駆動型半導体スイッチング素子であるIGBT211のゲート電圧を調整することができる。図2は、電圧駆動型半導体スイッチング素子であるIGBTの駆動原理を説明する駆動回路構成図である。図では、図1におけるインバータ主回路21のW相P側の1アームのIGBT211と逆並列ダイオード212のみを抜き出し、このIGBT211に対するゲート駆動回路231からのゲート電圧の与え方を説明するものである。IGBT211は、そのゲートGとエミッタE間のゲート電圧によって、コレクタCとエミッタE間をオン/オフ制御できる。213は、ゲートGとエミッタE間の浮遊容量を示している。ゲート駆動回路231は、制御用IC2311からのオン/オフ指令によって相補的にオン/オフするターンオン用のNPNバッファトランジスタ2312とターンオフ用のPNPバッファトランジスタ2313と、ゲート抵抗2314を備えている。IGBT211をターンオンさせる場合は、制御用IC2311から、正の電圧を出力し、ターンオン用のNPNトランジスタ9をオンさせ、ターンオフ用のPNPトランジスタ2313をオフさせる。これによって、充電電流Ionにより浮遊容量213を充電して、IGBT211のゲートGとエミッタE間に正の電圧を印加する。一方、IGBT211をターンオフさせるときは、制御用IC2311から、ゼロ電圧を出力し、逆に、ターンオフ用のPNPトランジスタ10をオンさせ、ターンオン用のNPNトランジスタ9をオフさせる。これにより、放電電流Ioffにより浮遊容量213の電荷を放電させて、IGBT211のゲートGとエミッタE間電圧をゼロ[V]とする。このとき、前述したように、ターンオン用のゲートGとエミッタE間のゲート電圧Vgが高いと、IGBT211のスイッチング損失は小さくなり、スイッチングノイズは大きくなる。また、逆に、ゲート電圧Vgが低いと、IGBT211のスイッチング損失は大きくなるが、スイッチングノイズは小さくなる。このゲート電圧Vgの大きさは、ゲート電源回路232図1から与えられるゲート駆動回路231の電源電圧Vgsによって調整することができる。図3は、本発明の一実施例によるインバータ制御装置における電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動装置の回路構成図である。この図では、3相インバータ主回路21のW相アームのIGBTのみに対するインバータ制御装置23の一部を示しており、他の2相分は省略している。図3において、インバータ主回路21の構成素子であるIGBT211は、インバータ制御装置23によってオン/オフ制御される。インバータ制御装置23は、図1で説明したように、ゲート駆動回路231、ゲート電源回路232、ゲート電源電圧制御回路233、並びに電圧指令装置マイコン234を備えている。電圧指令装置マイコン234は、インバータ主回路21の直流電圧を検出する電圧検出器235の出力Vpと、IGBT211又はこれらIGBTを冷却する冷却水の温度を検出する温度検出器236の出力Tsを入力し、電圧指令を決定する。その決定の基本的内容は、図1で説明したように、直流電圧Vpが高い場合には、スイッチング損失も大きくなるので、ゲート電圧を高くして、損失を低減する。一方、IGBT211又はこれらIGBTを冷却する冷却水の温度を検出する温度検出器236の出力Tsが低く、IGBT211の熱的損失に余裕がある場合には、ゲート電圧を高くして、素子のスイッチングノイズを低減することである。しかし、そのほかの判断要素を加味して、電力変換装置あるいは交流モータ制御装置としての動作状況に応じて、損失やノイズを考慮しつつ、制御することができる。各アーム用のドライバIC2311の各電源電圧Vgsは、フライバック型のゲート電源回路232により、同じ電圧になるように制御されている。その電源電圧値Vgsは、全体を制御するコントローラの電圧指令装置マイコン234からの電源電圧指令に応じて、ゲート電源電圧制御回路233内の電源制御ICが制御する構成としている。ゲート電源電圧制御回路233は、上記のようにして得られた電圧指令と電圧帰還値とが一致するように電源制御用ICによって電圧制御系AVRを構成している。ゲート電源電圧制御回路233は、前記電圧指令に応じた電圧を、フライバック型のゲート電源回路232を介して、その後段のゲート駆動回路231の電源電圧Vgsとして供給する。ゲート駆動回路231は、図2を参照して詳細に説明した通りであり、出力するゲート電圧Vgの大きさは、ゲート電源回路232から与えられる電源電圧Vgsによって調整することができる。すなわち、電圧指令装置マイコン234にプログラムされたアルゴリズムに従って、ゲート駆動回路231の電源電圧Vgsが変化するので、IGBT211のゲート-エミッタ間に印加されるゲート電圧Vgを変化させることができる。なお、ドライバIC2311は、IGBT211の短絡保護機能をも備えている。図4は、本発明の一実施例によるインバータ制御装置における電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動装置の動作を説明する電圧、電流及び損失等の波形図である。時点t1において、IGBT211に対するオン/オフ指令がオンになると、ゲート電圧Vgがゼロから所定値まで立上がる。このとき、インバータ主回路21の直流側電圧Vpが高い場合には、ゲート駆動回路231の電源電圧Vgsが高いため、ゲート電圧Vg1も時点t2までに素早く、かつ、高い電圧まで立上がる。したがって、IGBT211のコレクタ電流Ic1も素早く立上がり、コレクタ電圧Vc1は素早く、かつ、より小さい値まで低下する。したがって、IGBT211のターンオン時のスイッチング損失L1は短い時間t1~t2内で小さく抑えられる。しかも、その後の導通中のゲート電圧Vg1を、図示するように、そのまま高く保持されておれば、導通中の損失L1も小さく抑制することができる。一方、インバータ主回路21の構成素子であるIGBT211の冷却水温が低く、熱的に余裕がある場合には、ゲート駆動回路231の電源電圧Vgsを低く指令する。このため、ゲート電圧Vg3は、時点t4までにゆっくり、かつ、低く抑制された電圧まで立上がる。したがって、IGBT211のコレクタ電流Ic3もゆっくり立上がり、コレクタ電圧Vc3はゆっくり、かつ、より大きな値までしか低下しない。したがって、IGBT211のターンオン時のノイズを小さく抑制することができる。但し、スイッチング損失L3は、比較的長い時間t1~t4に大きく発生する。しかも、その後の導通中のゲート電圧Vg3を、図示するように、そのまま低く保持した場合には、導通中の損失L3も大きくなる。したがって、ノイズを小さく抑制したい場合でも、導通中のゲート電圧は十分に大きく保つことが望ましい。図4におけるゲート電圧Vg2、コレクタ電流Ic2、コレクタ電圧Vc2及び素子損失L2は、前述した2例の中間の値を示す標準値である。この実施例によれば、インバータやコンバータ等の電力変換装置の状況に応じて、臨機応変に電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲート電圧を調整することができる。したがって、例えば、冷却水温が低く、熱的に余裕がある場合などには、ノイズを低減するため、ゲート電圧を低く設定し、他方、電力変換装置の直流側電圧が高い場合などには、ゲート電圧を高くして、スイッチング損失を低減することができる。"