"炭化水素を供給するための炭化水素供給弁を機関排気通路内に配置し、炭化水素供給弁下流の機関排気通路内に排気ガス中に含まれるNOXと改質された炭化水素とを反応させるための排気浄化触媒を配置し、該排気浄化触媒の排気ガス流通表面上には貴金属触媒が担持されていると共に該貴金属触媒周りには塩基性の排気ガス流通表面部分が形成されており、該排気浄化触媒は、排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度を予め定められた範囲内の振幅および予め定められた範囲内の周期でもって振動させると排気ガス中に含まれるNOXを還元する性質を有すると共に、該炭化水素濃度の振動周期を該予め定められた範囲よりも長くすると排気ガス中に含まれるNOXの吸蔵量が増大する性質を有しており、機関運転時に排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度変化の振幅が該予め定められた範囲内の振幅となるように炭化水素供給弁からの炭化水素の噴射量が制御されると共に、排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度が予め定められた範囲内の周期でもって振動するように炭化水素供給弁からの炭化水素の噴射周期が制御され、炭化水素が供給されると炭化水素の酸化反応熱により温度上昇する後処理装置を排気浄化触媒下流の機関排気通路内に配置し、後処理装置を昇温すべきときには排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度変化の振幅を増大させて排気浄化触媒をすり抜ける炭化水素のすり抜け量を増大させるようにした内燃機関の排気浄化装置。後処理装置の昇温時の目標温度が予め定められており、後処理装置を昇温すべきときには後処理装置の温度が該目標温度まで上昇するように炭化水素のすり抜け量が制御される請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。後処理装置を昇温すべきときには炭化水素供給弁からの炭化水素の噴射量を増大することによって排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度変化の振幅が増大せしめられ、このとき炭化水素の噴射量が増大するにつれて炭化水素の噴射周期が長くされる請求項2に記載の内燃機関の排気浄化装置。排気浄化触媒の許容上限温度が予め設定されており、後処理装置の昇温制御を行っているときに排気浄化触媒の温度が該許容上限温度を越えたときには排気浄化触媒の温度を低下させるために炭化水素の噴射周期が長くされる請求項3に記載の内燃機関の排気浄化装置。上記後処理装置がパティキュレートフィルタ、或いはNOX選択還元触媒を担持したパティキュレートフィルタからなり、上記目標温度がパティキュレートフィルタの再生温度である請求項2に記載の内燃機関の排気浄化装置。上記後処理装置がNOX選択還元触媒からなり、上記目標温度がNOX選択還元触媒の活性化温度である請求項2に記載の内燃機関の排気浄化装置。上記排気浄化触媒内において排気ガス中に含まれるNOXと改質された炭化水素とが反応して窒素および炭化水素を含む還元性中間体が生成され、上記炭化水素の噴射周期は還元性中間体を生成し続けるのに必要な周期である請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。上記炭化水素の噴射周期が0.3秒から5秒の間である請求項7に記載の内燃機関の排気浄化装置。上記貴金属触媒は白金Ptと、ロジウムRhおよびパラジウムPdの少くとも一方とにより構成される請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。上記排気浄化触媒の排気ガス流通表面上にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又は希土類又はNOXに電子を供与しうる金属を含む塩基性層が形成されており、該塩基性層の表面が上記塩基性の排気ガス流通表面部分を形成している請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。しかしながらNOX吸蔵触媒は高温になるとNOX浄化率が低下するという問題がある。本発明の目的は、排気浄化触媒の温度が高温になっても高いNOX浄化率を得ることができかつ高いNOX浄化率を確保しつつ排気浄化触媒の下流に配置された後処理装置を容易に昇温することのできる内燃機関の排気浄化装置を提供することにある。本発明によれば、炭化水素を供給するための炭化水素供給弁を機関排気通路内に配置し、炭化水素供給弁下流の機関排気通路内に排気ガス中に含まれるNOXと改質された炭化水素とを反応させるための排気浄化触媒を配置し、排気浄化触媒の排気ガス流通表面上には貴金属触媒が担持されていると共に貴金属触媒周りには塩基性の排気ガス流通表面部分が形成されており、排気浄化触媒は、排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度を予め定められた範囲内の振幅および予め定められた範囲内の周期でもって振動させると排気ガス中に含まれるNOXを還元する性質を有すると共に、炭化水素濃度の振動周期を予め定められた範囲よりも長くすると排気ガス中に含まれるNOXの吸蔵量が増大する性質を有しており、機関運転時に排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度変化の振幅が上述の予め定められた範囲内の振幅となるように炭化水素供給弁からの炭化水素の噴射量が制御されると共に、排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度が上述の予め定められた範囲内の周期でもって振動するように炭化水素供給弁からの炭化水素の噴射周期が制御され、炭化水素が供給されると炭化水素の酸化反応熱により温度上昇する後処理装置を排気浄化触媒下流の機関排気通路内に配置し、後処理装置を昇温すべきときには排気浄化触媒に流入する炭化水素の濃度変化の振幅を増大させて排気浄化触媒をすり抜ける炭化水素のすり抜け量を増大するようにした内燃機関の排気浄化装置が提供される。排気浄化触媒の温度が高温になっても高いNOX浄化率を得ることができかつ炭化水素のすり抜け量を増大することによって高いNOX浄化率を確保しつつ後処理装置を昇温することができる。図1に圧縮着火式内燃機関の全体図を示す。図1を参照すると、1は機関本体、2は各気筒の燃焼室、3は各燃焼室2内に夫々燃料を噴射するための電子制御式燃料噴射弁、4は吸気マニホルド、5は排気マニホルドを夫々示す。吸気マニホルド4は吸気ダクト6を介して排気ターボチャージャ7のコンプレッサ7aの出口に連結され、コンプレッサ7aの入口は吸入空気量検出器8を介してエアクリーナ9に連結される。吸気ダクト6内にはステップモータにより駆動されるスロットル弁10が配置され、更に吸気ダクト6周りには吸気ダクト6内を流れる吸入空気を冷却するための冷却装置11が配置される。図1に示される実施例では機関冷却水が冷却装置11内に導かれ、機関冷却水によって吸入空気が冷却される。一方、排気マニホルド5は排気ターボチャージャ7の排気タービン7bの入口に連結される。排気タービン7bの出口は排気管12を介して排気浄化触媒13の入口に連結され、排気浄化触媒13の出口は、炭化水素が供給されると炭化水素の酸化反応熱により温度上昇する後処理装置14に排気管12aを介して連結される。図1に示される実施例ではこの後処理装置14は排気ガス中に含まれるパティキュレートを捕集するためのパティキュレートフィルタからなる。排気浄化触媒13上流の排気管12内には圧縮着火式内燃機関の燃料として用いられる軽油その他の燃料からなる炭化水素を供給するための炭化水素供給弁15が配置される。図1に示される実施例では炭化水素供給弁15から供給される炭化水素として軽油が用いられている。なお、本発明はリーン空燃比のもとで燃焼の行われる火花点火式内燃機関にも適用することができる。この場合、炭化水素供給弁15からは火花点火式内燃機関の燃料として用いられるガソリンその他の燃料からなる炭化水素が供給される。一方、排気マニホルド5と吸気マニホルド4とは排気ガス再循環以下、EGRと称す通路16を介して互いに連結され、EGR通路16内には電子制御式EGR制御弁17が配置される。また、EGR通路16周りにはEGR通路16内を流れるEGRガスを冷却するための冷却装置18が配置される。図1に示される実施例では機関冷却水が冷却装置18内に導かれ、機関冷却水によってEGRガスが冷却される。一方、各燃料噴射弁3は燃料供給管19を介してコモンレール20に連結され、このコモンレール20は電子制御式の吐出量可変な燃料ポンプ21を介して燃料タンク22に連結される。燃料タンク22内に貯蔵されている燃料は燃料ポンプ21によってコモンレール20内に供給され、コモンレール20内に供給された燃料は各燃料供給管19を介して燃料噴射弁3に供給される。電子制御ユニット30はデジタルコンピュータからなり、双方向性バス31によって互いに接続されたROMリードオンリメモリ32、RAMランダムアクセスメモリ33、CPUマイクロプロセッサ34、入力ポート35および出力ポート36を具備する。排気浄化触媒13の下流には排気浄化触媒13の温度を検出するための温度センサ23が取付けられている。また、パティキュレートフィルタ14の下流にはパティキュレートフィルタ14の温度を検出するための温度センサ25が取付けられており、パティキュレートフィルタ14にはパティキュレートフィルタ14の前後の差圧を検出するための差圧センサ24が取付けられている。これら温度センサ23,25、差圧センサ24および吸入空気量検出器8の出力信号は夫々対応するAD変換器37を介して入力ポート35に入力される。また、アクセルペダル40にはアクセルペダル40の踏込み量Lに比例した出力電圧を発生する負荷センサ41が接続され、負荷センサ41の出力電圧は対応するAD変換器37を介して入力ポート35に入力される。更に入力ポート35にはクランクシャフトが例えば15°回転する毎に出力パルスを発生するクランク角センサ42が接続される。一方、出力ポート36は対応する駆動回路38を介して燃料噴射弁3、スロットル弁10の駆動用ステップモータ、炭化水素供給弁15、EGR制御弁17および燃料ポンプ21に接続される。図2は排気浄化触媒13の基体上に担持された触媒担体の表面部分を図解的に示している。この排気浄化触媒13では図2に示されるように例えばアルミナからなる触媒担体50上には貴金属触媒51,52が担持されており、更にこの触媒担体50上にはカリウムK、ナトリウムNa、セシウムCsのようなアルカリ金属、バリウムBa、カルシウムCaのようなアルカリ土類金属、ランタノイドのような希土類および銀Ag、銅Cu、鉄Fe、イリジウムIrのようなNOXに電子を供与しうる金属から選ばれた少くとも一つを含む塩基性層53が形成されている。排気ガスは触媒担体50上に沿って流れるので貴金属触媒51,52は排気浄化触媒13の排気ガス流通表面上に担持されていると言える。また、塩基性層53の表面は塩基性を呈するので塩基性層53の表面は塩基性の排気ガス流通表面部分54と称される。一方、図2において貴金属触媒51は白金Ptからなり、貴金属触媒52はロジウムRhからなる。即ち、触媒担体50に担持されている貴金属触媒51,52は白金PtおよびロジウムRhから構成されている。なお、排気浄化触媒13の触媒担体50上には白金PtおよびロジウムRhに加えて更にパラジウムPdを担持させることができるし、或いはロジウムRhに代えてパラジウムPdを担持させることができる。即ち、触媒担体50に担持されている貴金属触媒51,52は白金Ptと、ロジウムRhおよびパラジウムPdの少なくとも一方とにより構成される。炭化水素供給弁15から排気ガス中に炭化水素が噴射されるとこの炭化水素は排気浄化触媒13において改質される。本発明ではこのとき改質された炭化水素を用いて排気浄化触媒13においてNOXを浄化するようにしている。図3はこのとき排気浄化触媒13において行われる改質作用を図解的に示している。図3に示されるように炭化水素供給弁15から噴射された炭化水素HCは触媒51によって炭素数の少ないラジカル状の炭化水素HCとなる。図4は炭化水素供給弁15からの炭化水素の供給タイミングと排気浄化触媒13への流入排気ガスの空燃比A/Finの変化とを示している。なお、この空燃比A/Finの変化は排気浄化触媒13に流入する排気ガス中の炭化水素の濃度変化に依存しているので図4に示される空燃比A/Finの変化は炭化水素の濃度変化を表しているとも言える。ただし、炭化水素濃度が高くなると空燃比A/Finは小さくなるので図4においては空燃比A/Finがリッチ側となるほど炭化水素濃度が高くなっている。図5は、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を周期的に変化させることによって図4に示されるように排気浄化触媒13への流入排気ガスの空燃比A/Finを変化させたときの排気浄化触媒13によるNOX浄化率を排気浄化触媒13の各触媒温度TCに対して示している。本発明者は長い期間に亘ってNOX浄化に関する研究を重ねており、その研究課程において、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を予め定められた範囲内の振幅および予め定められた範囲内の周期でもって振動させると、図5に示されるように400°C以上の高温領域においても極めて高いNOX浄化率が得られることが判明したのである。更にこのときには窒素および炭化水素を含む多量の還元性中間体が塩基性層53の表面上に、即ち排気浄化触媒13の塩基性排気ガス流通表面部分54上に保持又は吸着され続けており、この還元性中間体が高NOX浄化率を得る上で中心的役割を果していることが判明したのである。次にこのことについて図6Aおよび6Bを参照しつつ説明する。なお、これら図6Aおよび6Bは排気浄化触媒13の触媒担体50の表面部分を図解的に示しており、これら図6Aおよび6Bには排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度が予め定められた範囲内の振幅および予め定められた範囲内の周期でもって振動せしめたときに生ずると推測される反応が示されている。図6Aは排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度が低いときを示しており、図6Bは炭化水素供給弁15から炭化水素が供給されて排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度が高くなっているときを示している。さて、図4からわかるように排気浄化触媒13に流入する排気ガスの空燃比は一瞬を除いてリーンに維持されているので排気浄化触媒13に流入する排気ガスは通常酸素過剰の状態にある。従って排気ガス中に含まれるNOは図6Aに示されるように白金51上において酸化されてNO2となり、次いでこのNO2は更に酸化されてNO3となる。また、NO2の一部はNO2-となる。この場合、NO3の生成量の方がNO2-の生成量よりもはるかに多い。従って白金Pt51上には多量のNO3と少量のNO2-が生成されることになる。これらNO3およびNO2-は活性が強く、以下これらNO3およびNO2-を活性NOXと称する。一方、炭化水素供給弁15から炭化水素が供給されると図3に示されるようにこの炭化水素は排気浄化触媒13内において改質され、ラジカルとなる。その結果、図6Bに示されるように活性NOX周りの炭化水素濃度が高くなる。ところで活性NOXが生成された後、活性NOX周りの酸素濃度が高い状態が一定時間以上継続すると活性NOXは酸化され、硝酸イオンNO3-の形で塩基性層53内に吸収される。しかしながらこの一定時間が経過する前に活性NOX周りの炭化水素濃度が高くされると図6Bに示されるように活性NOXは白金51上においてラジカル状の炭化水素HCと反応し、それにより還元性中間体が生成される。この還元性中間体は塩基性層53の表面上に付着又は吸着される。なお、このとき最初に生成される還元性中間体はニトロ化合物R-NO2であると考えられる。このニトロ化合物R-NO2は生成されるとニトリル化合物R-CNとなるがこのニトリル化合物R-CNはその状態では瞬時しか存続し得ないのでただちにイソシアネート化合物R-NCOとなる。このイソシアネート化合物R-NCOは加水分解するとアミン化合物R-NH2となる。ただしこの場合、加水分解されるのはイソシアネート化合物R-NCOの一部であると考えられる。従って図6Bに示されるように塩基性層53の表面上に保持又は吸着されている還元性中間体の大部分はイソシアネート化合物R-NCOおよびアミン化合物R-NH2であると考えられる。一方、図6Bに示されるように生成された還元性中間体の周りを炭化水素HCが取り囲んでいると還元性中間体は炭化水素HCに阻まれてそれ以上反応が進まない。この場合、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度が低下せしめられ、それによって酸素濃度が高くなると還元性中間体周りの炭化水素は酸化せしめられる。その結果、図6Aに示されるように還元性中間体と活性NOXとが反応するようになる。このとき活性NOXは還元性中間体R-NCOやR-NH2と反応してN2,CO2,H2Oとなり、斯くしてNOXが浄化されることになる。このように排気浄化触媒13では、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を高くすることにより還元性中間体が生成され、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を低くして酸素濃度を高くすることにより活性NOXが還元性中間体と反応し、NOXが浄化される。即ち、排気浄化触媒13によりNOXを浄化するには排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を周期的に変化させる必要がある。無論、この場合、還元性中間体を生成するのに十分高い濃度まで炭化水素の濃度を高める必要があり、生成された還元性中間体を活性NOXと反応させるのに十分低い濃度まで炭化水素の濃度を低下させる必要がある。即ち、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を予め定められた範囲内の振幅で振動させる必要がある。なお、この場合、生成された還元性中間体が活性NOXと反応するまで、十分な量の還元性中間体R-NCOやR-NH2を塩基性層53上に、即ち塩基性排気ガス流通表面部分24上保持しておかなければならず、そのために塩基性の排気ガス流通表面部分24が設けられている。一方、炭化水素の供給周期を長くすると炭化水素が供給された後、次に炭化水素が供給されるまでの間において酸素濃度が高くなる期間が長くなり、従って活性NOXは還元性中間体を生成することなく硝酸塩の形で塩基性層53内に吸収されることになる。これを回避するためには排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を予め定められた範囲内の周期でもって振動させることが必要となる。そこで本発明による実施例では、排気ガス中に含まれるNOXと改質された炭化水素とを反応させて窒素および炭化水素を含む還元性中間体R-NCOやR-NH2を生成するために排気浄化触媒13の排気ガス流通表面上には貴金属触媒51,52が担持されており、生成された還元性中間体R-NCOやR-NH2を排気浄化触媒13内に保持しておくために貴金属触媒51,52周りには塩基性の排気ガス流通表面部分54が形成されており、塩基性の排気ガス流通表面部分54上に保持された還元性中間体R-NCOやR-NH2の還元作用によりNOXが還元され、炭化水素濃度の振動周期は還元性中間体R-NCOやR-NH2を生成し続けるのに必要な振動周期とされる。因みに図4に示される例では噴射間隔が3秒とされている。炭化水素濃度の振動周期、即ち炭化水素HCの供給周期を上述の予め定められた範囲内の周期よりも長くすると塩基性層53の表面上から還元性中間体R-NCOやR-NH2が消滅し、このとき白金Pt53上において生成された活性NOXは図7Aに示されるように硝酸イオンNO3-の形で塩基性層53内に拡散し、硝酸塩となる。即ち、このときには排気ガス中のNOXは硝酸塩の形で塩基性層53内に吸収されることになる。一方、図7BはこのようにNOXが硝酸塩の形で塩基性層53内に吸収されているときに排気浄化触媒13内に流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチにされた場合を示している。この場合には排気ガス中の酸素濃度が低下するために反応が逆方向NO3-→NO2に進み、斯くして塩基性層53内に吸収されている硝酸塩は順次硝酸イオンNO3-となって図7Bに示されるようにNO2の形で塩基性層53から放出される。次いで放出されたNO2は排気ガス中に含まれる炭化水素HCおよびCOによって還元される。図8は塩基性層53のNOX吸収能力が飽和する少し前に排気浄化触媒13に流入する排気ガスの空燃比A/Finを一時的にリッチにするようにした場合を示している。なお、図8に示す例ではこのリッチ制御の時間間隔は1分以上である。この場合には排気ガスの空燃比A/Finがリーンのときに塩基性層53内に吸収されたNOXは、排気ガスの空燃比A/Finが一時的にリッチにされたときに塩基性層53から一気に放出されて還元される。従ってこの場合には塩基性層53はNOXを一時的に吸収するための吸収剤の役目を果している。なお、このとき塩基性層53がNOXを一時的に吸着する場合もあり、従って吸収および吸着の双方を含む用語として吸蔵という用語を用いるとこのとき塩基性層53はNOXを一時的に吸蔵するためのNOX吸蔵剤の役目を果していることになる。即ち、この場合には、機関吸気通路、燃焼室2および排気浄化触媒13上流の排気通路内に供給された空気および燃料炭化水素の比を排気ガスの空燃比と称すると、排気浄化触媒13は、排気ガスの空燃比がリーンのときにはNOXを吸蔵し、排気ガス中の酸素濃度が低下すると吸蔵したNOXを放出するNOX吸蔵触媒として機能している。図9は、排気浄化触媒13をこのようにNOX吸蔵触媒として機能させたときのNOX浄化率を示している。なお、図9の横軸は排気浄化触媒13の触媒温度TCを示している。排気浄化触媒13をNOX吸蔵触媒として機能させた場合には図9に示されるように触媒温度TCが300°Cから400°Cのときには極めて高いNOX浄化率が得られるが触媒温度TCが400°C以上の高温になるとNOX浄化率が低下する。このように触媒温度TCが400°C以上になるとNOX浄化率が低下するのは、触媒温度TCが400°C以上になると硝酸塩が熱分解してNO2の形で排気浄化触媒13から放出されるからである。即ち、NOXを硝酸塩の形で吸蔵している限り、触媒温度TCが高いときに高いNOX浄化率を得るのは困難である。しかしながら図4から図6A,6Bに示される新たなNOX浄化方法では図6A,6Bからわかるように硝酸塩は生成されず或いは生成されても極く微量であり、斯くして図5に示されるように触媒温度TCが高いときでも高いNOX浄化率が得られることになる。そこで本発明では、炭化水素を供給するための炭化水素供給弁15を機関排気通路内に配置し、炭化水素供給弁15下流の機関排気通路内に排気ガス中に含まれるNOXと改質された炭化水素とを反応させるための排気浄化触媒13を配置し、排気浄化触媒13の排気ガス流通表面上には貴金属触媒51,52が担持されていると共に貴金属触媒51,52周りには塩基性の排気ガス流通表面部分54が形成されており、排気浄化触媒13は、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を予め定められた範囲内の振幅および予め定められた範囲内の周期でもって振動させると排気ガス中に含まれるNOXを還元する性質を有すると共に、炭化水素濃度の振動周期をこの予め定められた範囲よりも長くすると排気ガス中に含まれるNOXの吸蔵量が増大する性質を有しており、機関運転時に排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度を予め定められた範囲内の振幅および予め定められた範囲内の周期でもって振動させ、それにより排気ガス中に含まれるNOXを排気浄化触媒13において還元するようにしている。即ち、図4から図6A,6Bに示されるNOX浄化方法は、貴金属触媒を担持しかつNOXを吸収しうる塩基性層を形成した排気浄化触媒を用いた場合において、ほとんど硝酸塩を形成することなくNOXを浄化するようにした新たなNOX浄化方法であると言うことができる。実際、この新たなNOX浄化方法を用いた場合には排気浄化触媒13をNOX吸蔵触媒として機能させた場合に比べて、塩基性層53から検出される硝酸塩は極く微量である。なお、この新たなNOX浄化方法を以下、第1のNOX浄化方法と称する。次に図10から図15を参照しつつこの第1のNOX浄化方法についてもう少し詳細に説明する。図10は図4に示される空燃比A/Finの変化を拡大して示している。なお、前述したようにこの排気浄化触媒13への流入排気ガスの空燃比A/Finの変化は同時に排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度変化を示している。なお、図10においてΔHは排気浄化触媒13に流入する炭化水素HCの濃度変化の振幅を示しており、ΔTは排気浄化触媒13に流入する炭化水素濃度の振動周期を示している。更に図10においてA/Fbは機関出力を発生するための燃焼ガスの空燃比を示すベース空燃比を表している。言い換えるとこのベース空燃比A/Fbは炭化水素の供給を停止したときに排気浄化触媒13に流入する排気ガスの空燃比を表している。一方、図10においてXは、生成された活性NOXが硝酸塩の形で塩基性層53内に吸蔵されることなく還元性中間体の生成のために使用される空燃比A/Finの上限を表しており、活性NOXと改質された炭化水素とを反応させて還元性中間体を生成させるには空燃比A/Finをこの空燃比の上限Xよりも低くすることが必要となる。別の言い方をすると図10のXは活性NOXと改質された炭化水素とを反応させて還元性中間体を生成させるのに必要な炭化水素の濃度の下限を表しており、還元性中間体を生成するためには炭化水素の濃度をこの下限Xよりも高くする必要がある。この場合、還元性中間体が生成されるか否かは活性NOX周りの酸素濃度と炭化水素濃度との比率、即ち空燃比A/Finで決まり、還元性中間体を生成するのに必要な上述の空燃比の上限Xを以下、要求最小空燃比と称する。図10に示される例では要求最小空燃比Xがリッチとなっており、従ってこの場合には還元性中間体を生成するために空燃比A/Finが瞬時的に要求最小空燃比X以下に、即ちリッチにされる。これに対し、図11に示される例では要求最小空燃比Xがリーンとなっている。この場合には空燃比A/Finをリーンに維持しつつ空燃比A/Finを周期的に低下させることによって還元性中間体が生成される。この場合、要求最小空燃比Xがリッチになるかリーンになるかは排気浄化触媒13の酸化力による。この場合、排気浄化触媒13は例えば貴金属51の担持量を増大させれば酸化力が強まり、酸性を強めれば酸化力が強まる。従って排気浄化触媒13の酸化力は貴金属51の担持量や酸性の強さによって変化することになる。さて、酸化力が強い排気浄化触媒13を用いた場合に図11に示されるように空燃比A/Finをリーンに維持しつつ空燃比A/Finを周期的に低下させると、空燃比A/Finが低下せしめられたときに炭化水素が完全に酸化されてしまい、その結果還元性中間体を生成することができなくなる。これに対し、酸化力が強い排気浄化触媒13を用いた場合に図10に示されるように空燃比A/Finを周期的にリッチにさせると空燃比A/Finがリッチにされたときに炭化水素は完全に酸化されることなく部分酸化され、即ち炭化水素が改質され、斯くして還元性中間体が生成されることになる。従って酸化力が強い排気浄化触媒13を用いた場合には要求最小空燃比Xはリッチにする必要がある。一方、酸化力が弱い排気浄化触媒13を用いた場合には図11に示されるように空燃比A/Finをリーンに維持しつつ空燃比A/Finを周期的に低下させると、炭化水素は完全に酸化されずに部分酸化され、即ち炭化水素が改質され、斯くして還元性中間体が生成される。これに対し、酸化力が弱い排気浄化触媒13を用いた場合に図10に示されるように空燃比A/Finを周期的にリッチにさせると多量の炭化水素は酸化されることなく単に排気浄化触媒13から排出されることになり、斯くして無駄に消費される炭化水素量が増大することになる。従って酸化力が弱い排気浄化触媒13を用いた場合には要求最小空燃比Xはリーンにする必要がある。即ち、要求最小空燃比Xは図12に示されるように排気浄化触媒13の酸化力が強くなるほど低下させる必要があることがわかる。このように要求最小空燃比Xは排気浄化触媒13の酸化力によってリーンになったり、或いはリッチになったりするが、以下要求最小空燃比Xがリッチである場合を例にとって、排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度変化の振幅や排気浄化触媒13に流入する炭化水素濃度の振動周期について説明する。さて、ベース空燃比A/Fbが大きくなると、即ち炭化水素が供給される前の排気ガス中の酸素濃度が高くなると空燃比A/Finを要求最小空燃比X以下とするのに必要な炭化水素の供給量が増大し、それに伴なって還元性中間体の生成に寄与しなかった余剰の炭化水素量も増大する。この場合、NOXを良好に浄化するためには前述したようにこの余剰の炭化水素を酸化させる必要があり、従ってNOXを良好に浄化するためには余剰の炭化水素量が多いほど多量の酸素が必要となる。この場合、排気ガス中の酸素濃度を高めれば酸素量を増大することができる。従ってNOXを良好に浄化するためには、炭化水素が供給される前の排気ガス中の酸素濃度が高いときには炭化水素供給後の排気ガス中の酸素濃度を高める必要がある。即ち、炭化水素が供給される前の排気ガス中の酸素濃度が高いほど炭化水素濃度の振幅を大きくする必要がある。図13は同一のNOX浄化率が得られるときの、炭化水素が供給される前の排気ガス中の酸素濃度と炭化水素濃度の振幅ΔHとの関係を示している。図13から同一のNOX浄化率を得るためには炭化水素が供給される前の排気ガス中の酸素濃度が高いほど炭化水素濃度の振幅ΔHを増大させる必要があることがわかる。即ち、同一のNOX浄化率を得るにはベース空燃比A/Fbが高くなるほど炭化水素濃度の振幅ΔTを増大させることが必要となる。別の言い方をすると、NOXを良好に浄化するためにはベース空燃比A/Fbが低くなるほど炭化水素濃度の振幅ΔTを減少させることができる。ところでベース空燃比A/Fbが最も低くなるのは加速運転時であり、このとき炭化水素濃度の振幅ΔHが200ppm程度あればNOXを良好に浄化することができる。ベース空燃比A/Fbは通常、加速運転時よりも大きく、従って図14に示されるように炭化水素濃度の振幅ΔHが200ppm以上であれば良好なNOX浄化率を得ることができることになる。一方、ベース空燃比A/Fbが最も高いときには炭化水素濃度の振幅ΔHを10000ppm程度にすれば良好なNOX浄化率が得られることがわかっている。従って本発明では炭化水素濃度の振幅の予め定められた範囲が200ppmから10000ppmとされている。また、炭化水素濃度の振動周期ΔTが長くなると炭化水素が供給された後、次に炭化水素が供給される間、活性NOX周りの酸素濃度が高くなる。この場合、炭化水素濃度の振動周期ΔTが5秒程度よりも長くなると活性NOXが硝酸塩の形で塩基性層53内に吸収され始め、従って図15に示されるように炭化水素濃度の振動周期ΔTが5秒程度よりも長くなるとNOX浄化率が低下することになる。従って炭化水素濃度の振動周期ΔTは5秒以下とする必要がある。一方、炭化水素濃度の振動周期ΔTがほぼ0.3秒以下になると供給された炭化水素が排気浄化触媒13の排気ガス流通表面上に堆積し始め、従って図15に示されるように炭化水素濃度の振動周期ΔTがほぼ0.3秒以下になるとNOX浄化率が低下する。そこで本発明では炭化水素濃度の振動周期が0.3秒から5秒の間とされている。次に図16から図19を参照しつつ排気浄化触媒13をNOX吸蔵触媒として機能させた場合のNOX浄化方法について具体的に説明する。このように排気浄化触媒13をNOX吸蔵触媒として機能させた場合のNOX浄化方法を以下、第2のNOX浄化方法と称する。この第2のNOX浄化方法では図16に示されるように塩基性層53に吸蔵された吸蔵NOX量ΣNOXが予め定められた許容量MAXを越えたときに排気浄化触媒13に流入する排気ガスの空燃比A/Finが一時的にリッチにされる。排気ガスの空燃比A/Finがリッチにされると排気ガスの空燃比A/Finがリーンのときに塩基性層53内に吸蔵されたNOXが塩基性層53から一気に放出されて還元される。それによってNOXが浄化される。吸蔵NOX量ΣNOXは例えば機関から排出されるNOX量から算出される。本発明による実施例では機関から単位時間当り排出される排出NOX量NOXAが噴射量Qおよび機関回転数Nの関数として図17に示すようなマップの形で予めROM32内に記憶されており、この排出NOX量NOXAから吸蔵NOX量ΣNOXが算出される。この場合、前述したように排気ガスの空燃比A/Finがリッチにされる周期は通常1分以上である。この第2のNOX浄化方法では図18に示されるように燃焼室2内に燃料噴射弁3から燃焼用燃料Qに加え、追加の燃料WRを噴射することによって排気浄化触媒13に流入する排気ガスの空燃比A/Finがリッチにされる。なお、図18の横軸はクランク角を示している。この追加の燃料WRは燃焼はするが機関出力となって現われない時期に、即ち圧縮上死点後ATDC90°の少し手前で噴射される。この燃料量WRは噴射量Qおよび機関回転数Nの関数として図19に示すようなマップの形で予めROM32内に記憶されている。無論、この場合炭化水素供給弁15からの炭化水素の供給量を増大させることによって排気ガスの空燃比A/Finをリッチにすることもできる。さて、再び第1のNOX浄化方法についての説明に戻ると、第1のNOX浄化方法を用いてNOXを良好に浄化するためには前述したように炭化水素濃度の振幅ΔHおよび振動周期ΔTを適切に制御する必要がある。即ち、第1のNOX浄化方法を用いてNOXを良好に浄化するためには、排気浄化触媒13への流入排気ガスの空燃比A/Finが要求最小空燃比X以下となるように炭化水素濃度の振幅ΔHを制御し、炭化水素濃度の振動周期ΔTを0.3秒から5秒の間に制御する必要がある。この場合、本発明では炭化水素濃度の振動周期ΔTは炭化水素供給弁15からの炭化水素の噴射量を制御することに制御され、炭化水素濃度の振動周期ΔTは炭化水素供給弁15からの炭化水素の噴射周期を制御することによって制御される。なおこの場合、炭化水素供給弁15からの炭化水素の噴射量は、炭化水素供給弁15からの炭化水素の噴射時間又は噴射圧の少なくとも一方を制御することに制御される。ところで第1のNOX浄化方法によりNOXの浄化作用が行われているときに、最も要求されることはどのような運転状態でも高いNOX浄化率を得ることができ、供給された炭化水素が排気浄化触媒13をすり抜けないようにすることである。この点について検討を重ねた結果、排気浄化触媒13において完全に酸化される炭化水素の量と部分酸化される炭化水素の量がNOX浄化率と炭化水素のすり抜け量を支配していることが判明したのである。次にこのことについて図20を参照しつつ説明する。図20には、炭化水素供給弁15から同一の噴射圧のもとで異なる噴射時間でもって噴射された炭化水素の三つの噴射パターンA,B,Cが示されている。この場合、噴射時間は噴射パターンAが最も短かく、噴射パターンCが最も長くなっている。また、図20には各噴射パターンA,B,Cにより噴射が行われた後、排気浄化触媒13に流入する排気ガス中の炭化水素濃度の時間的な変化が示されている。更に図20には各噴射パターンA,B,Cによる噴射が行われたときのNOX浄化率と排気浄化触媒13の炭化水素のすり抜け量とが示されている。さて、排気浄化触媒13に流入する排気ガス中の炭化水素濃度、即ち単位排気ガス量当りの炭化水素量が少ないときにはこの炭化水素は排気浄化触媒13において完全に酸化されてしまう。一方、排気ガス中の炭化水素濃度、即ち単位排気ガス量当りの炭化水素量が増大すると排気浄化触媒13において全ての炭化水素を完全に酸化しえなくなる。このとき一部の炭化水素は部分酸化されることになる。このように排気ガス中の炭化水素濃度には排気浄化触媒13において全ての炭化水素が完全に酸化される限界が存在し、この限界が図20においてXAで示されている。即ち、図20において炭化水素濃度が限界XAよりも低いときには全ての炭化水素が完全に酸化されるので図20において限界XAよりも下方のハッチング領域RAでは全ての炭化水素が完全に酸化されることになる。この場合、ハッチング領域RAの面積は炭化水素量を表しており、従ってハッチング領域RAに相当する量の炭化水素が完全に酸化されることになる。なお、以下この限界XAを完全酸化限界と称する。一方、図20において完全酸化限界XAよりも上方の領域RBでは排気浄化触媒13において炭化水素の部分酸化作用が行われる。この場合、図20においてハッチング領域RBは部分酸化される炭化水素量を表わしている。この部分酸化された炭化水素から還元性中間体が生成されるのでこの部分酸化された炭化水素により第1のNOX浄化方法によるNOXの浄化作用が行われることになる。なお、実際にはこの部分酸化された炭化水素の一部は還元性中間体の生成に使用されずに酸化されてしまい、部分酸化された残りの炭化水素によって還元性中間体が生成される。一方、排気浄化触媒13に流入する排気ガス中の炭化水素濃度、即ち単位排気ガス量当りの炭化水素量が更に増大せしめられると一部の炭化水素は排気浄化触媒13において完全に酸化されないどころか部分酸化もされなくなり、この場合酸化もされない一部の炭化水素は排気浄化触媒13をすり抜けることになる。この炭化水素のすり抜けを生ずる炭化水素の限界が図20においてXBで示されており、以下この限界XBをすり抜け限界と称する。図20においてこのすり抜け限界XBよりも上方のハッチング領域RCは炭化水素のすり抜け量を表している。排気ガス中に含まれるNOXを第1のNOX浄化方法を用いて浄化するためには排気ガス中に含まれるNOX量に対して十分な量の炭化水素が部分酸化されることが必要であり、部分酸化される炭化水素量RBが不十分である場合にはNOX浄化率が低下することになる。図20における噴射パターンAはこのように部分酸化される炭化水素量RBが不足している場合を示しており、この場合には図20に示されるようにNOX浄化率が低下することになる。一方、図20において噴射パターンBは部分酸化される炭化水素量RBを増大するために噴射パターンAに比べて噴射時間が長くされた場合を示している。噴射時間が長くされると部分酸化される炭化水素量RBが増大するために図20に示されるようにNOX浄化率が高くなる。なお、図20は噴射パターンBであっても部分酸化される炭化水素量RBが若干不足している場合を示している。図20において噴射パターンCは部分酸化される炭化水素量RBを更に増大するために噴射パターンBに比べて噴射時間が更に長くされた場合を示している。この場合、図20に示されるようにNOX浄化率は向上する。しかしながらこの場合、炭化水素濃度がすり抜け限界XBを越えるので炭化水素のすり抜けが発生することになる。第1のNOX浄化方法によるNOX浄化作用を行う際には通常は炭化水素のすり抜けが生じないようにする必要がある。従って本発明では第1のNOX浄化方法によるNOX浄化作用を行う際には通常は図20に示される例において炭化水素濃度のピークがすり抜け限界XBとなる噴射パターンBが用いられる。無論、噴射パターンAに示されるように炭化水素濃度のピークがすり抜け限界XBに達していなくても十分高いNOX浄化率が得られる場合には噴射パターンAが用いられる。即ち、本発明では第1のNOX浄化方法によるNOX浄化作用を行う際には通常は噴射パターンAか噴射パターンBのいずれかが用いられることになる。さて、排気浄化触媒13の温度が上昇すると排気浄化触媒13において単位時間当り酸化される炭化水素量が増大し、即ち炭化水素に対する酸化速度が増大し、その結果排気浄化触媒13の温度が上昇すると完全酸化限界XAが上昇する。一方、排気浄化触媒13の温度が上昇すると、温度が上昇する前にはすり抜けていた炭化水素が部分酸化されるようになるのですり抜け限界XBも上昇することになる。即ち、排気浄化触媒13の温度が上昇すると完全酸化限界XAとすり抜け限界XBが共に上昇することになる。従って第1のNOX浄化方法によりNOXの浄化を行う際にはこのことを考慮して炭化水素の噴射制御を行う必要がある。図21および図22はこのことを考慮して炭化水素の噴射制御を行うようにしたときの一例を示している。なお、図21に示す例は、噴射圧を一定に維持した状態で噴射時間を制御することにより炭化水素の噴射量を制御するようにした場合を示しており、図22に示す例は、噴射圧および噴射時間の双方を制御することにより炭化水素の噴射量を制御するようにした場合を示している。また、図21および図22においてA1は機関回転数および負荷が比較的低いときの噴射パターンを示しており、A3は機関回転数および負荷が比較的高いときの噴射パターンを示しており、A2は機関回転数および負荷が夫々A1で示される場合とA3で示される場合の中間である場合の噴射パターンを示している。即ち、機関回転数および負荷が高くなるにつれて噴射パターンはA1からA3に向けて変化せしめられる。さて、機関回転数および負荷が高くなるほど排気浄化触媒13の温度が高くなり、従って機関回転数および負荷が高くなるほど完全酸化限界XAおよびすり抜け限界XBも高くなる。一方、回転数および負荷が高くなるほど機関からの単位時間当りの排出NOX量が増大し、従って機関回転数および負荷が高くなるほど部分酸化される炭化水素量RBを増大する必要がある。この場合、部分酸化される炭化水素量RBを増大させるには炭化水素の噴射量を増大させる必要がある。従ってNOXの浄化に必要な量の部分酸化炭化水素を生成しうるように図21に示される例では機関回転数および負荷が高くなるにつれ噴射時間を長くすることにより噴射量が増量せしめられ、図22に示される例では機関回転数および負荷が高くなるにつれて噴射圧および噴射時間を共に長くすることによって噴射量が増量せしめられる。このように噴射量は噴射時間のみを制御することによっても、或いは噴射圧および噴射時間の双方を制御することによっても制御することができるが、以下噴射時間のみを制御することによって噴射量を制御するようにした場合を例にとって本発明を説明する。図23Aはこのように噴射時間のみを制御することによって噴射量を制御するようにした場合に、NOXの浄化に必要な量の部分酸化炭化水素を生成することのできる等噴射時間線を示している。図23Aからわかるように炭化水素の噴射時間は燃焼室2内への燃料噴射量Qが増大するほど、即ち機関負荷が増大するほど長くなり、機関回転数Nが高くなるほど長くなる。この噴射時間WTは燃料噴射量Qおよび機関回転数Nの関数として図23Bに示すようなマップの形で予めROM32内に記憶されている。また、最適な炭化水素濃度の振動振幅ΔT、即ち炭化水素の噴射周期ΔTも同様に噴射量Qおよび機関回転数Nの関数として図23Cに示すようなマップの形で予めROM32内に記憶されている。機関運転時に炭化水素供給弁15から図23Bに示される噴射時間WTijおよび図23Cに示される噴射周期ΔTijでもって炭化水素が噴射されると第1のNOX浄化方法による良好なNOX浄化作用が行われる。図24はこのように第1のNOX浄化方法による良好なNOX浄化作用が行われているときの炭化水素の噴射パターンと炭化水素濃度変化を示している。このときには図24において領域RAに示される量の炭化水素が完全酸化せしめられており、このときこの炭化水素の酸化反応熱によって排気浄化触媒13は活性化した状態に維持されている。さて、前述したように図1に示される実施例では後処理装置14がパティキュレートフィルタからなり、このパティキュレートフィルタ14上には白金Ptのような貴金属が担持されている。即ち、このパティキュレートフィルタ14は酸化機能を有しており、従ってこのパティキュレートフィルタ14に炭化水素が供給されるとパティキュレートフィルタ14は炭化水素の酸化反応熱により温度上昇することになる。一方、前述したように第1のNOX浄化方法によるNOX浄化作用が行われているときには通常、図24からもわかるように炭化水素の噴射量は排気浄化触媒13を炭化水素がすり抜けないように制御されている。従って通常、パティキュレートフィルタ14は炭化水素の酸化反応熱によって温度上昇せしめられることなく、パティキュレートフィルタ14は排気浄化触媒13において熱が付与された排気ガスによって加熱されることになる。従って通常、パティキュレートフィルタ14の温度は排気浄化触媒13の温度よりも低く、パティキュレートフィルタ14が排気浄化触媒13から更に離れるように配置された場合にはパティキュレートフィルタ14の温度は更に低くなる。ところでパティキュレートフィルタ14のパティキュレート捕集量が一定レベルを越えたときにはパティキュレートフィルタ14の温度を650°C程度まで上昇させ、堆積したパティキュレートを燃焼させて除去する必要がある。即ち、パティキュレートフィルタ14を再生する必要がある。この場合、排気浄化触媒13における酸化反応を活発にし、それにより排気ガス温を上昇させてパティキュレートフィルタ14の温度を650°C程度の再生温度まで上昇させようとすると排気浄化触媒13の温度が極度に高くなってしまう。その結果、排気浄化触媒13が熱劣化を生じたり、場合によってNOX浄化率が低下してしまうという問題を生ずる。そこでこの場合、本発明では図25に示されるように炭化水素の濃度変化の振幅を増大させて排気浄化触媒13をすり抜ける炭化水素のすり抜け量RCを増大させ、すり抜けた炭化水素のパティキュレートフィルタ14上における酸化反応熱によってパティキュレートフィルタ14を昇温させるようにしている。即ち、一般的に表現すると本発明では、炭化水素が供給されると炭化水素の酸化反応熱により温度上昇する後処理装置14が排気浄化触媒13下流の機関排気通路内に配置されており、後処理装置14を昇温すべきときには排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度変化の振幅を増大させて排気浄化触媒13をすり抜ける炭化水素のすり抜け量RCを増大させるようにしている。この場合、本発明による実施例では図25においてWTKで示されるように、第1のNOX浄化方法によるNOX浄化作用が行われているときの噴射時間TW図24に比べて噴射時間が長くされ、それにより噴射量を増大させて炭化水素のすり抜け量RCを増大するようにしている。このように噴射量が増大されると、図24と比較すれば明らかなように、部分酸化される炭化水素量RBも増大し、従ってこのとき十分な量の還元性中間体が生成される。従ってこのときには第1のNOX浄化方法による良好なNOX浄化作用が行われる。また、噴射量が増大されると排気浄化触媒13において完全酸化される炭化水素量RAが増大するために酸化反応熱が増大し、その結果排気浄化触媒13の温度が上昇することになる。しかしながらこのとき排気浄化触媒13自体は特に昇温させる必要はなく、排気浄化触媒13の温度はそのときの温度に維持すれば十分である。この場合、排気浄化触媒13の温度をそのまま維持するためには単位時間当りに完全酸化される炭化水素量を一定に維持することが必要となる。単位時間当りに完全酸化される炭化水素量は一噴射当りの完全酸化炭化水素量RAを噴射周期ΔTKで徐した値RA/ΔTKで表すことができる。この場合、一噴射当りの完全酸化炭化水素RAは噴射量に比例し、噴射量は噴射時間WTKに比例するので単位時間当りに完全酸化される炭化水素量は噴射時間WTKを噴射周期ΔTKで徐した値WTK/ΔTKでもって代表することができる。従って排気浄化触媒13の温度をそのまま維持するためにはこの値WTK/ΔTKを図24に示される場合のWT/ΔTと等しくすればよいことになる。WTK/ΔTK=WT/ΔTとしたときの関係が図26に示されている。図26からわかるように排気浄化触媒13の温度をそのまま維持するためには噴射時間がWTからWTKに増大されたときには噴射周期をΔTからΔTKに増大することが必要となる。即ち、本発明による実施例では、後処理装置14を昇温すべきときには炭化水素供給弁15からの炭化水素の噴射量を増大することによって排気浄化触媒13に流入する炭化水素の濃度変化の振幅が増大せしめられ、このとき炭化水素の噴射量が増大するにつれて炭化水素の噴射周期が長くされる。図27はパティキュレートフィルタの再生制御時における炭化水素のすり抜け量RCと、排気浄化触媒13の温度TCの変化と、パティキュレートフィルタ14の温度TMの変化とを示している。なお、図27においてTMXはパティキュレートフィルタ14の再生時の目標温度、即ち再生温度を示している。図27において時刻t0においてパティキュレートフィルタ14の再生制御が開始されたとすると、炭化水素の噴射量が増大せしめられ、それによって炭化水素のすり抜け量RCが増大せしめられる。炭化水素のすり抜け量RCが増大せしめられるとすり抜けた炭化水素の酸化反応熱によってパティキュレートフィルタ14の温度TMが上昇せしめられる。図27に示されるように炭化水素のすり抜け量RCはパティキュレートフィルタ14の温度TMが再生温度TMXに近づくに従って減少せしめられ、パティキュレートフィルタ14の温度TMが再生温度TMXに到達するとパティキュレートフィルタ14の温度TMが再生温度TMXに維持されるように炭化水素のすり抜け量RCが制御される。即ち、この実施例では後処理装置13の昇温時の目標温度が予め定められており、後処理装置13を昇温すべきときには後処理装置13の温度が目標温度まで上昇するように炭化水素のすり抜け量RCが制御されることになる。一方、パティキュレートフィルタ14を昇温するために炭化水素の噴射量が増大せしめられたときには排気浄化触媒13の温度TCを一定に維持するために噴射周期が長くされる。しかしながら実際にはパティキュレートフィルタ14の温度TCは一定に維持されることなく変動する場合が多い。そこで本発明による実施例では、排気浄化触媒13の熱劣化をひき起こす可能性のある排気浄化触媒13の許容上限温度TCXが予め設定されており、パティキュレートフィルタ14の昇温制御を行っているときに、即ち後処理装置14の昇温制御を行っているときに排気浄化触媒13の温度TCがこの許容上限温度TCXを越えたときには排気浄化触媒13の温度を低下させるために炭化水素の噴射周期が長くされる。更に、本発明による実施例ではパティキュレートフィルタ14の昇温制御を行っているときに、即ち後処理装置14の昇温制御を行っているときに排気浄化触媒13の温度TCが活性化温度TC0まで低下したときには排気浄化触媒13の温度TCを活性化温度TC0以上に維持するために炭化水素の噴射周期が短かくされる。このように本発明による実施例では後処理装置14の昇温作用は炭化水素の噴射量を変化させることによって制御され、排気浄化触媒13の温度TCは炭化水素の噴射周期を変化させることによって制御される。図28にNOX浄化制御ルーチンを示す。このルーチンは一定時間毎の割込みによって実行される。図28を参照するとまず初めにステップ60において温度センサ23の出力信号から排気浄化触媒13の温度TCが活性化温度TC0を越えているか否かが判別される。TC≧TC0のとき、即ち排気浄化触媒13が活性化しているときにはステップ61に進んでパティキュレートフィルタ14の再生制御中か否かが判別される。パティキュレートフィルタ14の再生制御中であるときには処理サイクルを完了する。これに対し、パティキュレートフィルタ14の再生制御中でないときにはステップ62に進んで差圧センサ24の出力信号に基づきパティキュレートフィルタ14の前後差圧が、再生すべきであることを示す差圧P0を越えたか否かが判別される。ΔP≦P0のときにはステップ64に進み、図23Bから算出された噴射時間WTijおよび図23Cから算出された噴射周期ΔTijでもって炭化水素の供給処理が行われる。このとき第1のNOX浄化方法によるNOX浄化作用が実行される。一方、ステップ62においてΔP>P0であると判別されたときにはステップ63に進んでパティキュレートフィルタ14の再生制御が実行される。この再生制御を行うためのルーチンが図29および図30に示されている。一方、ステップ60においてTC<TC0であると判断されたときには第2のNOX浄化方法を用いるべきであると判断され、ステップ65に進む。ステップ65では図17に示すマップから単位時間当りの排出NOX量NOXAが算出される。次いでステップ66ではΣNOXに排出NOX量NOXAを加算することによって吸蔵NOX量ΣNOXが算出される。次いでステップ67では吸蔵NOX量ΣNOXが許容値MAXを越えたか否かが判別される。ΣNOX>MAXになるとステップ68に進んで図19に示すマップから追加の燃料量WRが算出され、追加の燃料の噴射作用が行われる。次いでステップ69ではΣNOXがクリアされる。図29および図30に示される再生制御ルーチンも再生制御が開始されると一定時間毎の割込みによって実行される。この再生制御ルーチンではまず初めにステップ70において図23Bに示されるマップから運転状態に応じた噴射時間WTが算出され、次いでステップ71において図23Cに示されるマップから運転状態に応じた噴射周期ΔTが算出される。次いでステップ72では温度センサ25により検出されたパティキュレートフィルタ14の温度TMが読込まれ、次いでステップ73では温度センサ23により検出された排気浄化触媒13の温度TCが読込まれる。次いでステップ74では次式に基づいて再生時の炭化水素の噴射時間WTKが算出される。WTK←WT1CTMX-TMここでCは定数であり、TMXは図27に示される再生温度である。上式においてCTMX-TMは噴射時間WTの増量割合を示しており、この噴射時間WTの増量割合はパティキュレートフィルタ14の温度TMと再生温度TMXとの差が大きいほど大きくされる。次いでステップ75では次式に基づいて再生時の炭化水素の噴射周期ΔTKが算出される。ΔTK←WTK/WTΔT上式からわかるように再生時における噴射周期ΔTKは再生時の噴射時間WTKが増大されるほど長くされる。次いでステップ76からステップ80では排気浄化触媒13の温度TCが活性化温度TC0と許容上限温度TCXとの間に維持されるように再生時の噴射周期ΔTKが修正される。即ち、ステップ76では排気浄化触媒13の温度TCが許容上限温度TCXを越えたか否かが判別される。TC>TCXのときにはステップ77に進んで噴射周期の補正値Δdに一定値αが加算される。次いでステップ80では噴射周期ΔTKに補正値Δdが加算される。従ってこのときには噴射周期ΔTKが長くされる。一方、ステップ76においてTC≦TCXであると判別されたときにはステップ78に進んで排気浄化触媒13の温度TCが活性化温度TC0以下になったか否かが判別される。TC≦TC0のときにはステップ79に進んで補正値Δdから一定値が減算され、次いでステップ80に進む。従ってこのときには噴射周期ΔTKが短かくされる。一方、ステップ78においてTC>TC0であると判別されたときにはステップ80に進む。次いでステップ81ではステップ74において算出された噴射時間WTKおよびステップ80において算出された噴射周期ΔTKでもって炭化水素の供給処理が行われる。このとき第1のNOX浄化方法によるNOX浄化作用が実行されつつパティキュレートフィルタ14の再生処理が行われる。次いでステップ82ではパティキュレートフィルタ14の再生処理が完了したか否かが判別され、パティキュレートフィルタ14の再生処理が完了するとステップ83に進んで補正値Δdがクリアされる。さて、炭化水素が排気浄化触媒13をすり抜けるように炭化水素の噴射量が増大せしめられたときにはパティキュレートフィルタ14に流入する排気ガスの空燃比は間欠的にリッチとなる。このように排気ガスの空燃比がリッチになると排気ガス中に酸素がほとんど存在しないためにリッチ空燃比の排気ガス中では炭化水素は酸化されず、炭化水素が大気中に排出されることになる。しかしながらパティキュレートフィルタ14はパティキュレートを捕集するために排気ガスの流路が複雑に曲げられており、従ってパティキュレートフィルタ14に流入する排気ガスの空燃比が間欠的にリッチになってもこの排気ガスはパティキュレートフィルタ14内でリーン空燃比の排気ガスと混合してリーンとなる。従ってパティキュレートフィルタ14内に流入した炭化水素はパティキュレートフィルタ14内で酸化せしめられ、斯くして炭化水素がパティキュレートフィルタ14から流出することはなくなる。なお、炭化水素の噴射量を増大したときにパティキュレートフィルタ14内でリッチ空燃比の排気ガスとリーン空燃比の排気ガスとが十分に混合しない危険性があるときには図31Aに示されるようにパティキュレートフィルタ14上流の排気管12a内に排気ガス混合器45を配置することが好ましい。図31Bは、後処理装置14としてNOX選択還元触媒を担持したパティキュレートフィルタを用いた場合を示している。また、図31Cは後処理装置14としてNOX選択還元触媒を用いた場合を示している。これらの場合には図31Bおよび図31Cに示されるように後処理装置14上流の排気管12a内に尿素水供給弁46が配置され、尿素水供給弁46から排気ガス中に尿素水が供給される。排気ガス中に含まれるNOXは尿素水から生成されたアンモニアによりNOX選択還元触媒において還元される。なおこれらのNOX選択還元触媒は例えばCuゼオライトからなり、従ってNOX選択還元触媒は強くはないが酸化機能を有する。図31Bに示される実施例では後処理装置14の昇温制御時の昇温目標温度はパティキュレートフィルタの再生温度とされている。一方、図31Cに示される実施例では後処理装置14の昇温制御時の昇温→目標温度はNOX選択還元触媒の活性化温度とされている。即ち、図31Cに示される実施例ではNOX選択還元触媒を活性化すべきときに炭化水素の噴射量が増量される。なお、炭化水素の噴射量を大巾に増大すると排気浄化触媒13内においてアンモニアが生成され、従って後処理装置14に流入する排気ガス中にはアンモニアが含まれることになる。このアンモニアも酸素が存在しないとNOXの選択還元作用が生じない。従って図31Bおよび図31Cに示される実施例においてリッチ空燃比の排気ガスとリーン空燃比の排気ガスとが後処理装置14内で十分に混合しない危険性がある場合には、図31Aに示すような排気ガス混合器45を排気管12a内に配置するのが好ましいことになる。なお、別の実施例として排気浄化触媒13上流の機関排気通路内に炭化水素を改質させるための酸化触媒を配置することもできる。"