半導体チップと、前記半導体チップを実装するリードフレームと、前記半導体チップおよび前記リードフレームを電気的に接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップおよび前記ボンディングワイヤを封止するモールド樹脂とを具備し、前記半導体チップは、信号用パッドと、前記信号用パッドに隣接する接地用パッドとを具備し、前記リードフレームは、表面に前記半導体チップが実装され、かつ、裏面が外部に接地可能に前記モールド樹脂から露出しているマウントアイランドと、前記マウントアイランドに接続されて、かつ、前記接地用パッドに電気的に接続された接地用導体と、一方の端部が外部に接続可能に前記モールド樹脂から露出し、かつ、他方の端部が前記信号用パッドに電気的に接続された信号用リードとを具備し、前記ボンディングワイヤは、前記信号用パッドと、前記信号用リードにおける前記他方の端部とを接続する信号用ボンディングワイヤと、前記接地用パッドと、前記接地用導体とを接続する接地用ボンディングワイヤとを具備し、前記信号用リードに前記信号用ボンディングワイヤが接続された第1の接続部分と、前記接地用導体に前記接地用ボンディングワイヤが接続された第2の接続部分とは、前記半導体チップが前記マウントアイランドに搭載された高さ方向において同じ高さに、かつ、前記マウントアイランドの平面方向において隣接して設けられており、前記信号用ボンディングワイヤと、前記接地用ボンディングワイヤとは、同じワイヤプロファイルを有し、かつ、並走している半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記接地用導体は、一方の端部が前記マウントアイランドに接続されて、かつ、他方の端部が前記接地用ボンディングワイヤに接続された接地用リードを具備している半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記接地用導体は、前記半導体チップに向けて前記平面方向に凹んだ凹部を具備し、前記信号用リードは、前記他方の端部が前記凹部の内側まで延長されて形成されており、前記接地用導体および前記接地用ボンディングワイヤの接続部分は、前記凹部の外側に設けられており、前記リードフレームは、前記信号用リードよりも短く、一方の端部が外部に接続可能に前記モールド樹脂から露出している他の信号用リードをさらに具備する半導体装置。請求項2に記載の半導体装置において、前記リードフレームは、前記信号用リードよりも短く、一方の端部が外部に接続可能に前記モールド樹脂から露出している第1の他の信号用リードと、前記信号用リードよりも長い第2の他の信号用リードとをさらに具備し、前記第2の他の信号用リードは、前記第1の他の信号用リードの延長線上に配置されて、かつ、一方の端部が前記同じワイヤプロファイルを有する他の信号用ボンディングワイヤに接続された第1の部分と、前記接地用リードの延長線上に配置されて、かつ、一方の端部が外部に接続可能に前記モールド樹脂から露出している第2の部分と、前記第1の部分における他方の端部と、前記第2の部分における他方の端部とを接続する第3の部分とを具備する半導体装置。請求項1~4のいずれかに記載のリードフレーム。モールド樹脂と、一端が前記モールド樹脂内に封止されて、他端が前記モールド樹脂の側面から側方に延出しているリードと、下面が前記モールド樹脂から露出しているマウントアイランドと、前記マウントアイランドの上面に搭載される半導体チップとを具備する半導体装置であって、前記半導体チップは、第1パッドと、前記第1パッドに隣接する第2パッドとを具備し、前記リードの前記一端は、第1ボンディング点を具備し、前記マウントアイランドは、前記上面における、前記半導体チップが搭載された領域以外に設けられた第2ボンディング点を具備し、前記半導体装置は、前記第1ボンディング点および前記第1パッドを接続する第1ワイヤと、前記第2ボンディング点および前記第2パッドを接続する第2ワイヤとをさらに具備し、前記第1ワイヤと、前記第2ワイヤとは、同じワイヤプロファイルを備える半導体装置。請求項6に記載の半導体装置において、前記リードと、前記モールド樹脂の外縁とが交差する領域において、前記リードの上面は前記マウントアイランドの上面よりも上方に形成されている半導体装置。請求項6または7に記載の半導体装置において、前記マウントアイランドは、平面視において前記半導体装置のパッケージの外縁方向に延出する延出部を具備し、前記延出部と、前記パッケージの下面との間には、前記モールド樹脂が形成されている半導体装置。請求項6または7に記載の半導体装置において、前記マウントアイランドは、平面視において前記半導体装置のパッケージの外縁方向に延出する延出部を具備し、前記延出部は、下面が前記モールド樹脂から露出している半導体装置。請求項8または9に記載の半導体装置において、前記第2ボンディング点は、前記延出部に配置されていて、前記第1ボンディング点と、前記第2ボンディング点とは、前記マウントアイランドの上面に平行で同じ高さに位置する第1の平面に配置されており、かつ、前記半導体チップの最も近い辺までの距離の差が前記ワイヤプロファイルの範囲内に収まっている半導体装置。請求項6~10のいずれかに記載の半導体装置において、前記第1ワイヤは、信号線であり、前記第2ワイヤには、固定電圧が印加される半導体装置。上記の特許文献1および特許文献2に記載された従来技術では、半導体チップの接地用パッドおよびマウントアイランドをボンディングワイヤで接続し、かつ、マウントアイランドに接続された接地用リードを信号用リードの最外周まで形成する構成を用いている。これらの従来技術では、信号用リードを接地用リードで挟むことによって、信号用リード間でのクロストークによるノイズを低減している。これらの従来技術について、以下に説明する。図1は、特許文献2に記載の従来技術による半導体装置の構成を概略的に示す平面図である。図1は、特許文献2における図1に基づいて、符号などに変更を加えたものである。図1の半導体装置は、半導体チップ122と、信号用リード101、104、106、108、109、112、113、115、117および120と、接地用リード102、103、105、107、110、111、114、116、118および119と、マウントアイランド121と、ボンディングワイヤ123と、モールド樹脂124とを具備している。ただし、図1では、モールド樹脂124についてはその概略的な形状だけを示しており、半導体チップ122、各種リード101~120、マウントアイランド121およびボンディングワイヤ123を透過して示している。図1に示した従来技術による半導体装置では、マウントアイランド121に接続されたグランド用リードを、信号用リードの最外周まで形成した上で、PCBのグランドプレーンに接続している。この構成では、外部端子数が増加してしまい、半導体パッケージのサイズが大きくなってしまう。図2は、特許文献1に記載の従来技術による半導体装置の構成を概略的かつ部分的に示す平面図である。図2は、特許文献1における図1に基づいて、符号などに変更を加えたものである。図2の半導体装置は、半導体チップ207と、マウントアイランド202と、マウントアイランド202を支えるリード204と、金属板205と、信号用リード203と、接地用リード206と、信号用ボンディングワイヤ209と、接地用ボンディングワイヤ203aとを具備している。半導体チップ207は、パッド208、208aを具備している。図2に示した従来技術による半導体装置では、マウントアイランド202に接続された接地用リード206を最外周まで形成して、信号用リード203を囲んでいる。ここで、接地用リード206の先端部分は、PCBのグランドプレーンに接続されていない。図3は、図1および図2に示した従来技術による半導体装置における信号用リードの伝送特性の、数値シミュレーションによる一例である。図3には、第1および第2のグラフ301および302が示されている。第1および第2のグラフ301および302において、横軸は信号周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。第2のグラフ302には、ピーク303が存在する。第1のグラフ301は、図1に示した従来技術による半導体装置における信号用リードの伝送特性を示している。第2のグラフ302は、図2に示した従来技術による半導体装置における信号用リードの伝送特性を示している。図2の構成では、マウントアイランド202に接続された接地リード206が、信号波長の1/4の長さを有し、アンテナ効果により共振する。その結果、信号用リード203を伝搬する信号の電力が、隣接する接地リード206側に逃げて、信号が減衰してしまう。このことは、第1および第2のグラフ301および302を比較することで明白である。図4は、図1および図2に示した従来技術による半導体装置の構成における共通点を概略的かつ部分的に示す断面図である。図4の断面図には、半導体チップ401と、マウント材402と、マウントアイランド403と、信号用リード404と、接地用ボンディングワイヤ405と、信号用ボンディングワイヤ406と、モールド樹脂407とが描かれている。ここで、図4における半導体チップ401は、図1における半導体チップ122と、図2における半導体チップ207とに対応している。図4におけるマウントアイランド403は、図1におけるマウントアイランド121と、図2におけるマウントアイランド202とに対応している。図4における信号用リード404は、図1における信号用リード101、104、106、108、109、112、113、115、117および120と、図2における信号用リード203とに対応している。図4における接地用ボンディングワイヤ405は、図1において接地用リード102、103、105、107、110、111、114、116、118および119に接続されたボンディングワイヤ123と、図2におけるグランド用ボンディングワイヤ203aとに対応している。図4における信号用ボンディングワイヤ406は、図1において信号用リード101、104、106、108、109、112、113、115、117および120に接続されたボンディングワイヤ123と、図2における信号用ボンディングワイヤ209とに対応している。図4に示すとおり、図1および図2に示した従来技術による半導体装置において、信号用ボンディングワイヤのワイヤプロファイルと、接地用ボンディングワイヤのワイヤプロファイルとは、異なっている。以下に、発明を実施するための形態で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。本発明による半導体装置は、半導体チップ10と、リードフレームと、ボンディングワイヤ31~35と、モールド樹脂50とを具備する。ここで、リードフレームは、半導体チップ10を実装する。ボンディングワイヤ31~35は、半導体チップ10およびリードフレームを電気的に接続する。モールド樹脂50は、半導体チップ10およびボンディングワイヤ31~35を封止する。半導体チップ10は、信号用パッド11と、接地用パッド11とを具備する。ここで、接地用パッド11は、信号用パッド11に隣接する。リードフレームは、マウントアイランド21と、接地用導体23、25と、信号用リード22とを具備する。ここで、マウントアイランド21は、表面に半導体チップ10が実装され、かつ、裏面が外部に接地可能にモールド樹脂50から露出している。接地用導体23、25は、マウントアイランド21に接続されて、かつ、接地用パッド11に電気的に接続されている。信号用リード22は、一方の端部が外部に接続可能にモールド樹脂50から露出し、かつ、他方の端部が信号用パッド11に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ31~35は、信号用ボンディングワイヤ31と、接地用ボンディングワイヤ32とを具備する。ここで、信号用ボンディングワイヤ31は、信号用パッド11と、信号用リード22における他方の端部とを接続する。接地用ボンディングワイヤ32は、接地用パッド11と、接地用導体23、25とを接続する。信号用リード22に信号用ボンディングワイヤ31が接続された第1の接続部分と、接地用導体23、25に接地用ボンディングワイヤ32が接続された第2の接続部分とは、半導体チップ10がマウントアイランド21に搭載された高さ方向において同じ高さに、かつ、マウントアイランド21の平面方向において隣接して設けられている。信号用ボンディングワイヤ31と、接地用ボンディングワイヤ32とは、同じワイヤプロファイルを有し、かつ、並走している。本発明による半導体装置は、モールド樹脂と、リードと、マウントアイランドと、半導体チップとを具備する。ここで、リードは、一端が前記モールド樹脂内に封止されて、他端が前記モールド樹脂の側面から側方に延出している。マウントアイランドは、下面が前記モールド樹脂から露出している。半導体チップは、マウントアイランドの上面に搭載される。半導体チップは、第1パッドと、第2パッドとを具備する。ここで、第2パッドは、第1パッドに隣接する。リードの一端は、第1ボンディング点を具備する。マウントアイランドは、上面における、半導体チップが搭載された領域以外に設けられた第2ボンディング点を具備する。半導体装置は、第1ワイヤと、第2ワイヤとをさらに具備する。ここで、第1ワイヤと、第1ボンディング点および第1パッドを接続する。第2ワイヤは、第2ボンディング点および第2パッドを接続する。第1ワイヤと、第2ワイヤとは、同じワイヤプロファイルを備える。本発明の半導体装置では、信号用リードにおけるボンディング地点と、マウントアイランドに接続された接地用リードにおけるボンディング地点とを、同じ高さに形成する。さらに、信号用ボンディングワイヤと、接地用ボンディングワイヤとで、ワイヤプロファイルを同じにする。こうすることで、本発明の半導体装置によれば、信号用ボンディングワイヤと、接地用ボンディングワイヤとが並走し、ボンディングワイヤ側でのクロストークが抑制され、信号間に生じるクロストークノイズが低減する。添付図面を参照して、本発明による半導体装置およびリードフレームを実施するための形態を以下に説明する。第1の実施形態図5は、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成を概略的かつ部分的に示す平面図である。図6は、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成を概略的かつ部分的に示す第1の断面図である。図6は、図5における断線A-A’による断面図である。図7は、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成を概略的かつ部分的に示す第2の断面図である。図7は、図5における断線B-B’による断面図である。本実施形態による半導体装置の構成要素について説明する。図5~図7の半導体装置は、半導体チップ10と、マウントアイランド21と、信号用リード22と、接地用リード23と、信号用ボンディングワイヤ31と、接地用ボンディングワイヤ32とを具備している。半導体チップ10は、パッド11を具備している。なお、図5には図示されていないが、図5~図7の半導体装置は、マウント材40と、モールド樹脂50とをさらに具備している。ここで、マウントアイランド21と、信号用リード22と、接地用リード23とをまとめて、単にリードフレームと呼んでも良い。また、信号用ボンディングワイヤ31と、接地用ボンディングワイヤ32とをまとめて、単にボンディングワイヤと呼んでも良い。本実施形態による半導体装置の構成要素の接続関係について説明する。半導体チップ10は、マウント材40を介して、マウントアイランド21の上に装着されている。マウントアイランド21には、接地用リード23における一方の端部が接続されている。言い換えれば、マウントアイランド21および接地用リード23は、同一の金属板の一部分としてそれぞれ形成されている。信号用リード22は、マウントアイランド21および接地用リード23の周囲に配列されている。信号用ボンディングワイヤ31において、一方の端部は半導体チップ10のパッド11に接続されており、他方の端部は、信号用リード22における一方の端部に接続されている。接地用ボンディングワイヤ32において、一方の端部は半導体チップ10のパッド11に接続されており、他方の端部は、接地用リード23における他方の端部に接続されている。モールド樹脂50は、半導体チップ10と、マウントアイランド21と、信号用リード22と、接地用リード23と、信号用ボンディングワイヤ31と、接地用ボンディングワイヤ32と、マウント材40とを封止している。ただし、マウントアイランド21における裏面と、信号用リード22における他方の端部と、接地用リード23における裏面とは、モールド樹脂50から露出している。ここで、本実施形態による半導体装置の構成によって得られる効果について説明するために、ボンディングワイヤおよびリードフレームの接続部分の配置に注目する。本実施形態による半導体では、図5の平面図に示すとおり、信号用ボンディングワイヤ31および信号用リード22の接続部分と、接地用ボンディングワイヤ31および接地用リード23の接続部分とが、一列に配列されている。これらの接続部分は、図5における平面方向で一列に並んでいるのみならず、図6および図7に示す高さも一致している。同様に、半導体チップ10におけるパッド11も一列に配列されている。その結果、半導体チップ10における同一の辺において、信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32は、同じワイヤプロファイルを有している。言い換えれば、隣接する信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32は、半導体チップ10のパッドからリードフレームに向けて、並走している。ワイヤプロファイルについて、さらに詳細に説明する。図5の平面図では、信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32のそれぞれが、上面視による写像である直線として示されている。この直線の長さは、半導体チップ10側のボンディング点から、信号用リード22側または接地用リード23側のボンディング点までの距離に等しい。これらの直線のような、上面視による見かけ上の長さを、Lと記す。このとき、同じワイヤプロファイルを備える信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32のうち、隣接する2本のボンディングワイヤの長さLの比は、0.7~1.3の範囲内に収まり、さらに好ましくは0.85~1.15の範囲に収まるものとする。同様に、図6の正面図では信号用ボンディングワイヤ31が、断面視による写像である線として示されている。また、図7の正面図では接地用ボンディングワイヤ32が、断面視による写像である線として示されている。これらの線の頂点から、パッケージ底面まで垂線を降ろした高さを、Hと記す。このとき、このとき、同じワイヤプロファイルを備える信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32のうち、隣接する2本のボンディングワイヤの高さHの比は、0.7~1.3の範囲内に収まり、さらに好ましくは0.85~1.15の範囲に収まるものとする。さらに、図6および図7の断面視による写像である線の頂点から、半導体チップ10側ボンディング点までを結ぶ直線の長さをDと記す。このとき、同じワイヤプロファイルを備える信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32のうち、隣接する2本のボンディングワイヤの長さDの比は、0.7~1.3の範囲内に収まり、さらに好ましくは0.85~1.15の範囲に収まるものとする。隣接するボンディングワイヤのワイヤプロファイルが同じとなる条件を上記のように定義することで、本発明による半導体装置はさらに優れた効果を発揮することが出来る。一般的に、エクスポーズドパッドを有するリードフレームパッケージでは、信号用リードにおけるインナー部分の高さと、マウントアイランドに接続された接地用リードの高さとが、異なる。また、一般的には、このようなリードフレームパッケージを用いて、半導体チップにおける接地用パッドと、マウントアイランドに接続された接地用リードとをボンディングワイヤで接続する。さらに、マウントアイランドを接地する。しかし、これだけでは、信号用ボンディングワイヤから生じる磁界の広がりを効果的に抑制することが出来ない。すなわち、信号用ボンディングワイヤの間で生じるクロストークノイズを効率的に低減出来ない。しかし、本実施形態による半導体装置では、信号用リード22および信号用ボンディングワイヤ31の接続部分と、接地用リード23および接地用ボンディングワイヤ32の接続部分とが、同じ高さになるように構成されている。また、本実施形態による半導体装置では、接地用ボンディングワイヤ32が信号用ボンディングワイヤ31に隣接して併走している。このような構成によって、隣接する信号用ボンディングワイヤ31を取り巻く磁界の広がりが抑制されている。その結果、信号用ボンディングワイヤ31におけるクロストークノイズを低減することが可能となっている。また、一般的に、信号用リード22および接地用リード23と比べて、信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32の方が、より狭いピッチで配列されている。このため、同じ長さなら、信号用リード22または接地用リード23よりも、信号用ボンディングワイヤ31又は接地用ボンディングワイヤ32の方が、より大きい誘導性結合を得られる。したがって、ボンディングワイヤ間に生じるクロストークを抑制することで、信号間に生じるノイズを低減することが出来る。なお、図5~図7は、半導体チップ10におけるパッド11が、直線上に並んでいる場合を示しているが、これはあくまでも一例に過ぎず、本発明を限定しない。すなわち、半導体チップ10におけるパッド11は、曲線状に一列に配列されていても構わない。同様に、図5~図7は、ボンディングワイヤおよびリードフレームの接続部分が、直線上に並んでいる場合を示しているが、これはあくまでも一例に過ぎず、本発明を限定しない。すなわち、ボンディングワイヤおよびリードフレームの接続部分は、曲線状に一列に配列されていても構わない。本発明で重要なのは、接地用ボンディングワイヤ32が信号用ボンディングワイヤ31に隣接して併走することでクロストークノイズを低減することである。このとき、隣接する信号用ボンディングワイヤ31および接地用ボンディングワイヤ32が、同じワイヤプロファイルを有することが重要となる。ただし、同じワイヤプロファイルとは言っても厳密に同一である必要は無く、いわゆる当業者にとっては自明であるとおり、図5の平面方向におけるずれや、図6または図7に示す高さ方向のずれが多少は許容される。さらに、本実施形態による半導体装置では、マウントアイランド21に接続された接地リード23が、半導体装置の最外周にまで届かない構成になっている。そのため、半導体装置の外部端子を接地用リード23のために増やす必要が無い。また、本実施形態による半導体装置では、マウントアイランド21に一方の端部が接続された接地用リード23における他方の端部が、フローティング状態ではない。そのため、接地用リード23の長さに対応する周波数における共振現象による信号の減衰が、本実施形態による半導体装置では発生しない。第1の実施形態の応用図8は、本発明の第1の実施形態による半導体装置の他の構成を示す平面図である。図8の半導体装置は、図5に示した本実施形態による半導体装置で差動信号を扱うために、以下の変更を加えたものに等しい。まず、マウントアイランド21に接続された接地用リード23の数を2本から3本に増やしている。次に、合計8本の信号用リード22の2本が、隣接する第1および第2の接地用リード23に挟まれて、送信信号用リード22aとして用いられている。同様に、合計8本の信号用リード22の他の2本が、隣接する第2および第3の接地用リード23に挟まれて、受信信号用リード22bとして用いられている。ここで、2本の送信信号用リード22aは、差動信号としての送信信号を伝達するものである。2本の送信信号用リード22aは、半導体チップ10における2つの差動信号用パッド11bに、信号用ボンディングワイヤ31を介してそれぞれ接続されている。同様に、2本の受信信号用リード22bは、差動信号としての受信信号を伝達するものである。2本の受信信号用リード22bは、半導体チップ10における別の2つの差動信号用パッド11bに、信号用ボンディングワイヤ31を介してそれぞれ接続されている。言い換えると、図8の半導体装置では、隣接する2本の送信信号用リード22aで差動信号を伝達している。さらに、これら2本の送信信号用リード22aにそれぞれ接続された2本の信号用ボンディングワイヤ31に、2本の接地用リード32にそれぞれ接続された2本の接地用ボンディングワイヤ32が並走している。すなわち、これら2本の信号用ボンディングワイヤ31と、これら2本の接地用ボンディングワイヤ32は、ワイヤプロファイルが同じで、かつ、隣接している。同様に、図8の半導体装置では、隣接する2本の受信信号用リード22bで差動信号を伝達している。さらに、これら2本の受信信号用リード22bにそれぞれ接続された2本の信号用ボンディングワイヤ31に、2本の接地用リード32にそれぞれ接続された2本の接地用ボンディングワイヤ32が並走している。すなわち、これら2本の信号用ボンディングワイヤ31と、これら2本の接地用ボンディングワイヤ32は、ワイヤプロファイルが同じで、かつ、隣接している。このように構成された図8の半導体装置によれば、差動信号の送受信に係るクロストークノイズをさらに低減することが可能となる。なお、以上の構成は、特に各リードまたは各ボンディングワイヤの総数および位置関係などは、あくまでも一例に過ぎず、技術的な矛盾の無い範囲で自由な組み合わせが可能である。第2の実施形態図9は、本発明の第2の実施形態による半導体装置の構成を概略的にかつ部分的に示す平面図である。図10は、本発明の第2の実施形態による半導体装置の構成を概略的にかつ部分的に示す第1の断面図である。図10は、図9における断線C-C’による断面図である。図11は、本発明の第2の実施形態による半導体装置の構成を概略的かつ部分的に示す第2の断面図である。図11は、図9における断線D-D’による断面図である。なお、図9における断線E-E’による断面図は、本発明の第1の実施形態の説明で参照した図6と同じであるので、本実施形態では図6をも参照して説明する。図9~図11および図6の半導体装置は、図5~図7に示した本発明の第1の実施形態による半導体装置に、以下の変更を加えたものに等しい。まず、クロストークノイズを低減したい信号を伝搬する線路として、本発明の第1の実施形態による信号用リード22および信号用ボンディングワイヤ31を、より長い信号用リード24およびより短い信号用ボンディングワイヤ33に、それぞれ置き換える。同様に、信号を伝搬する線路に併走する接地用線路として、本発明の第1の実施形態による接地用リード23および接地用ボンディングワイヤ32を、より短い接地用端部25およびより短い接地用ボンディングワイヤ34に、それぞれ置き換える。ここで、接地用端部25は、マウントアイランド21の平面方向において、半導体チップ10に向けて凹んだ凹部を有している。信号用リード24は、本発明の第1の実施形態による信号用リード22よりも延長されて、その端部はこの凹部の内部に届いている。信号用リード24および信号用ボンディングワイヤ33の接続部分は、この凹部の内側に設けられている。また、接地用端部25および接地用ボンディングワイヤ34の接続部分は、この凹部の外側に設けられている。このとき、信号用リード24および信号用ボンディングワイヤ33の接続部分の高さは、図10に示すように、マウントアイランド21の高さと同じ程度である。また、接地用端部25および接地用ボンディングワイヤ33の接続部分の高さは、図11に示すように、マウントアイランド21の高さと同じ程度である。ただし、ここで重要なのは、2つの接続部分の高さが同じであることであって、マウントアイランド21の高さには必ずしも一致しなくても良い。さらに、図9に示すように、信号用リード24および信号用ボンディングワイヤ33の接続部分と、接地用端部25および接地用ボンディングワイヤ33の接続部分とは、隣接している。したがって、図10および図11に示すように、信号用ボンディングワイヤ33のワイヤプロファイルと、接地用ボンディングワイヤ34のワイヤプロファイルとを、同じにすることが出来る。本実施形態による半導体装置によって得られる効果としては、まず、本発明の第1の実施形態で説明したクロストークノイズの低減がある。さらに、本実施形態によれば、信号用リード24および信号用ボンディングワイヤ33の接続部分と、接地用端部25および接地用ボンディングワイヤ33の接続部分とにおける配線間隔を広げることが出来る。これは、本実施形態で用いた接地用端部25を、信号用リード22、24の間に配置する必要が無いからである。第3の実施形態図12は、本発明の第3の実施形態による半導体装置の構成を概略的かつ部分的に示す平面図である。図13は、本発明の第1の実施形態による半導体装置の構成を概略的かつ部分的に示す断面図である。図13は、図12における断線J-J’による断面図である。なお、図12における断線F-F’による断面図は、本発明の第2の実施形態の説明で参照した図11と同じであるので、本実施形態では図11をも参照して説明する。同様に、図12における断線G-G’、断線H-H’および断線I-I’による断面図は、本発明の第1の実施形態の説明で参照した図6、図6および図7とそれぞれ同じであるので、本実施形態では図6および図7をも参照して説明する。図12、図13、図11、図6および図7の半導体装置は、図5~図7に示した本発明の第1の実施形態による半導体装置に、以下の変更を加えたものに等しい。すなわち、本発明の第1の実施形態による半導体装置における、2本の接地用リード23の外側に配置された信号用リード22を、図12に示す信号用リード22、26および22cに置き換える。同様に、本発明の第1の実施形態による半導体装置における、2本の接地用ボンディングワイヤ32の外側に配置された信号用ボンディングワイヤ31を、図12に示す信号用ボンディングワイヤ31および35に置き換える。ここで、信号用リード26は、信号用リード22よりも短い。また、信号用リード26に接続された信号用ボンディングワイヤ35は、信号用リード22に接続された信号用ボンディングワイヤ31よりも長い。その結果、図13に示すように、信号用ボンディングワイヤ35のワイヤプロファイルは、信号用ボンディングワイヤ31のワイヤプロファイルとは必然的に異なる。信号用リード26を、信号用リード22よりも短くしたことで、信号用リード22と、接地用リード23との間に、隙間が生じる。本実施形態の半導体装置では、この隙間を利用して、折れ曲がった形状の信号用リード22cが設けられている。信号用リード22cは、以下の第1~第3の部分に分けて考えることが出来る。すなわち、第1の部分は、短い信号用リード26の延長線上に配置されている部分であって、一方の端部に信号用ボンディングワイヤ31が接続されている。また、第3の部分は、接地用リード23の延長線上に配置されている部分であって、一方の端部はモールド樹脂から露出した外部端子として機能する。最後に、第2の部分は、第1の部分における他方の端部と、第3の部分における他方の端部とを接続する部分である。信号用リード22cと、信号用ボンディングワイヤ31との接続部分は、例えば、信号用リード22と、信号用ボンディングワイヤ31との接続部分と同じ高さであっても良い。この場合、信号用リード22cに接続される信号用ボンディングワイヤ31のワイヤプロファイルは、図6に示すように、信号用リード22に接続された信号用ボンディングワイヤ31のワイヤプロファイルと同じになる。なお、本実施形態においても、2本の接地用リード23の内側に配置された2本の信号用リード22については、同じ構成を有する本発明の第1の実施形態の場合と同様に、クロストークノイズの低減に係る効果が得られる。さらに、本実施形態によれば、リードフレームおよびボンディングワイヤの接続部分の一部を半導体装置の外側に分散したことによって、その他の接続部分の配線間隔を拡げることが可能となっている。以上に説明した各実施形態は、技術的に矛盾の無い範囲で、自由に組み合わせることが可能である。