"光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、前記基板の表面に結合する第1および第2のシランを気相から共堆積するステップと、続いて、15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、前記第1および第2のシランに結合する金属膜を前記気相から堆積するステップとを備え、前記第1のシランが非アミノ官能性シランであり、前記第2のシランがアミノ官能性シランである、方法。前記金属膜の厚さが10nm以下である、請求項1に記載の方法。前記金属膜の厚さが4nm以上である、請求項1または2に記載の方法。前記金属膜の厚さが6nm以上である、請求項3に記載の方法。前記電極が可撓性であり、前記基板が可撓性ポリマーである、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記金属膜のシート抵抗が100Ω/□以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記金属膜のシート抵抗が20Ω/□以下である、請求項6に記載の方法。前記金属膜のシート抵抗が15Ω/□以下である、請求項7に記載の方法。前記金属膜に、それぞれの直径が300nm以上である開口部の配列が設けられる、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。前記開口部の直径が500nm以上である、請求項9に記載の方法。各開口部の直径が50ミクロン以下である、請求項9または10に記載の方法。各開口部の直径が10ミクロン以下である、請求項11に記載の方法。前記開口部が、前記金属層の熱処理によって形成される、請求項9~12のいずれか一項に記載の方法。前記金属層がアニールされる、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。前記電極を透過する光の透過率が少なくとも70である、請求項1~14のいずれか一項に記載の方法。前記電極を透過する光の透過率が少なくとも75である、請求項15に記載の方法。前記電極を透過する光の透過率が少なくとも80である、請求項16に記載の方法。前記金属膜が、金、または銀、または銅、またはそれらの少なくとも2種類の混合物でできている、請求項1~17のいずれか一項に記載の方法。前記金属膜が金と銀との合金でできている、請求項18に記載の方法。前記第1のシランが、前記基板の前記表面に結合可能な官能性部分である、または加水分解してそのような部分を形成する少なくとも1つアンカー基と、チオール-SH、カルボキシ-CO2H、イソシアニド-NC、および有機ジスルフィド-SS-R基式中、RはH、C1-6アルキル、またはケイ素含有基であるから選択される少なくとも1つの頭部基とを含む、請求項1~19のいずれか一項に記載の方法。前記第2のシランが、前記基板の前記表面に結合可能な官能性部分である、または加水分解してそのような部分を形成する少なくとも1つアンカー基と、アミン部分である少なくとも1つの頭部基とを含む、請求項1~20のいずれか一項に記載の方法。前記第1のシランが式I、すなわち、式中、L1はリンカー基であり;Xは、-SH、-CO2H、-NCおよび-SS-Rから選択され、Rは、水素、C1-6アルキル、またはケイ素含有基であり;R1~R3のそれぞれは独立して、1~12個の炭素原子を有する有機基、-OH、加水分解して-OHとなる基、または基-L1-Xであり;但し、R1、R2、およびR3の少なくとも1つが、-OHまたは加水分解して-OHとなる基であるで表される、請求項1~21のいずれか一項に記載の方法。前記第2のシランが式II、すなわち、式中L2はリンカー基であり;Yは-NH2であり;R4~R6のそれぞれは独立して、1~12個の炭素原子を有する有機基、-OH、加水分解して-OHとなる基、または基-L2-Yであり;但し、R4、R5、およびR6の少なくとも1つが、-OHまたは加水分解して-OHとなる基であるで表される、請求項1~22のいずれか一項に記載の方法。前記第1のシランが3-メルカプトプロピルトリメトキシシランであり、前記第2のシランが3-アミノプロピルトリメトキシシランである、請求項1~23のいずれか一項に記載の方法。請求項1~24のいずれか一項に記載の方法によって製造された透明電極を、ドナー半導体材料、アクセプター半導体材料、および第2の電極と組み合わせるステップを備える、光起電力デバイスの製造方法。前記半導体材料の少なくとも1つが有機半導体材料である、請求項25に記載の方法。光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、前記基板の表面に結合するシランを気相から堆積するステップと、15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、前記シランに結合する金属を前記気相から堆積するステップとを備え、前記シランが、アミノ官能性および非アミノ官能性の両方を有する、方法。光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、前記基板の表面に結合するシランを堆積するステップと、続いて、15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属膜が形成されるように、前記シランに結合する金属を堆積するステップとを含み、前記金属が、太陽スペクトルの異なる部分でピーク透明度を有する少なくとも2種類の金属の混合物であり、前記金属およびそれらの比率が、前記金属のいずれかを単独で使用した場合よりもより広い帯域で透明度が得られるような、金属および比率である、方法。前記金属が異なる仕事関数を有し、前記金属およびそれらの比率が、前記電極のフェルミ準位が、有機半導体の適切なフロンティア分子軌道または分子帯に調整され、前記有機半導体とともに前記電極が有機光起電力デバイス中に使用されるような、金属およびそれらの比率である、請求項28に記載の方法。光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、前記基板の表面に結合するシランを堆積するステップと、15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属膜が形成されるように、前記シランに結合する金属を堆積するステップとを備え、前記金属膜が、少なくとも300nmの直径を有する開口部の配列を含むように、前記基板の一部の上にのみ前記金属が堆積されるような配置である、方法。前記開口部が少なくとも500nmの直径を有する、請求項28に記載の方法。有機光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、前記基板の表面に結合するシランを堆積するステップと、15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、前記シランに結合する金属を堆積するステップと、続いて、前記金属層をアニールして、少なくとも300nm、好ましくは少なくとも500nmの直径を有する開口部を金属層中に形成するために、前記電極を加熱するステップとを備える、方法。前記電極が、有機光起電力デバイス中での使用に好適である、請求項27~32のいずれか一項に記載の方法。請求項27~33のいずれか一項に記載の方法によって製造された透明電極を、ドナー半導体材料、アクセプター半導体材料、および第2の電極と組み合わせるステップを備える、光起電力デバイスの製造方法。前記半導体材料の少なくとも1つが有機半導体材料である、請求項34に記載の方法。透明電極、ドナー半導体材料、アクセプター半導体材料、および第2の電極を含む有機光起電力デバイスであって、前記半導体材料の少なくとも1つが有機半導体材料であり、前記透明電極が、透明基板、前記基板に結合したシラン層、および前記シランに結合した透明金属膜を含み、前記金属膜が、15ナノメートル以下の厚さを有し、前記金属膜には、それぞれが300nm~50ミクロンの直径を有する開口部の配列が設けられる、有機光起電力デバイス。前記開口部が500nm~10ミクロンの範囲内の直径を有する、請求項36に記載の有機光起電力デバイス。前記金属膜が、金、または銀、または銅、またはそれらの少なくとも2種類の混合物でできている、請求項36または37に記載の有機光起電力デバイス。前記金属膜の厚さが4nm~10nmである、請求項36、37、または38のいずれか一項に記載の有機光起電力デバイス。前記金属膜の厚さが6nm~10nmである、請求項39に記載の有機光起電力デバイス。前記電極が可撓性であり、前記透明電極の前記基板が可撓性ポリマーである、請求項36~40のいずれか一項に記載の有機光起電力デバイス。前記可撓性ポリマーがポリエチレンナフタレートまたはポリエチレンテレフタレートである、請求項5または請求項41に記載の有機光起電力デバイス。透明電極、ドナー半導体材料、アクセプター半導体材料、および第2の電極を含む可撓性有機光起電力デバイスであって、前記半導体材料の少なくとも1つが有機半導体材料であり、前記透明電極が、15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属膜を有する透明可撓性ポリマー基板を含む、可撓性有機光起電力デバイス。本発明の一態様によると、有機光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、基板の表面に結合する第1および第2のシランを気相から透明基板上に共堆積するステップと、続いて、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、第1および第2のシランの両方に結合する金属膜を気相から堆積するステップとを含み、第1のシランが非アミノ官能性シランであり、第2のシランがアミノ官能性シランである方法が提供される。第1および第2のシランの両方は、それぞれが、基板表面に結合可能な官能性部分である、または加水分解してそのような部分を形成する少なくとも1つのアンカー基を有する。結合は、典型的には共有結合を介した結合である。同種であっても異種あってもよい最大3つのこのようなアンカー基が、第1および第2のシランのそれぞれ存在することができ、これらは一般にシラン中のSi原子に直接結合している。好ましくは、2つ以上のこのようなアンカー基が各シラン中に存在し、典型的には2または3つ、たとえば3つが存在する。任意の特定のシラン中に2つ以上のアンカー基が存在する場合、これらは好ましくは同一のものである。Si原子に直接結合した3つの同一のアンカー基を有するシランの使用が特に好ましい。2つのSi原子を含有する二官能性シランも本発明に使用することができる。第1および第2のシランの一方または両方が二官能性であってよく、したがって1分子当たり3つを超えるアンカー基を有することができる。たとえば、二官能性シランは、最大6つのアンカー基を有することができるこれらの基が各Si原子に直接結合している場合。しかし、一般には単官能性シランすなわち1つのSi原子を有するシランが好ましい。典型的な基板材料としては、ペンダントヒドロキシ基を有するか、あるいは官能化または処理たとえば酸素プラズマ処理または紫外光/オゾンO3処理によってが可能であるため、当技術分野において周知の方法を使用してポリマー主鎖上にそのような基を導入できるかのいずれかである、ガラスおよびポリマー材料が挙げられる。シラン上に存在するあらゆるヒドロキシ基が、このような基板材料に結合可能であり、したがって予備処理不要な好適なアンカー基として機能しうる。基板材料に結合可能な官能基たとえば加水分解後にシラノールを生成するがアンカー基としての使用に特に好適であり;このような基としては、特にアルコキシ好ましくはC1-4アルコキシまたはフェノキシ、ハロゲンたとえばCl、および-Hが挙げられる。これらの中で特に好ましいものはアルコキシであり、特にメトキシおよびエトキシ、より好ましくはメトキシである。アンカー基に加えて、第1および第2のシランのそれぞれは、金属に結合可能な少なくとも1つの頭部基を有する。結合は、典型的には共有結合を介した結合である。第2のシランの場合、頭部基は第1級アミン部分によって得られる。アミン部分または複数の部分に加えて、金属に結合可能な他の官能基も第2のシラン中に存在することもできるが、これは一般にあまり好ましくはない。第2のシランとは対照的に、第1のシランはアミノ官能性を全く有しない。しかし、第1のシランも、好ましくは共有結合を介して金属と結合可能であるべきであり、これは、チオール-SH基、カルボキシ-CO2H基、イソシアニド-NC基、または有機ジスルフィド-SS-R基Rは本明細書での定義の通りであり、好ましくはケイ素含有基であるなどの非アミノ官能性部分である少なくとも1つの頭部基の存在によって実現される。これらの中では、チオールが特に好ましい。第1のシラン単独では、有機光起電力デバイスの製造の前の好適な溶媒中の超音波撹拌などのさらなる処理ステップに対して抵抗性の構造が得られる。しかし、第1のシランは、化学的誘導体化によって基板表面上に結合するためには長時間を必要としうる。対照的に、第2のシランは、アミン部分がカップリング反応を触媒するので基板表面に迅速に結合するが、単独で使用すると、電極を洗浄するための超音波撹拌などのさらなる処理ステップの状況における堅牢性が低い構造が得られる。第2のシランのアミン部分は、第1のシランの基板表面へのカップリング反応をも触媒し、そのため、両方のシランが表面に迅速に結合する。全体として、有機光起電力デバイスの製造中の超音波撹拌およびさらなる処理ステップの状況における堅牢性が向上する。第1のシランは式I、すなわち、式中、L1はリンカー基であり;Xは、-SH、-CO2H、-NCおよび-SS-Rから選択され、Rは、水素、C1-6アルキル、またはケイ素含有基であり;R1~R3のそれぞれは独立して、1~12個の炭素原子を有する有機基、-OH、加水分解して-OHとなる基、または基-L1-Xであり;但し、R1、R2、およびR3の少なくとも1つが、-OHまたは加水分解して-OHとなる基であるで表すことができる。Xが基-SS-Rである場合、好ましくはRがケイ素含有基であるべきであり、それによって、ジスルフィド結合の開裂後、得られる化合物HS-Rも金属を基板表面に結合させる機能を果たすことができる。したがって、Rは、本明細書に記載の少なくとも1つのアンカー基を有する基であることが好ましい。典型的には、Rは、基-L1-SiR1R2R3式中、L1は本明細書における定義の通りであり、R1、R2、およびR3のそれぞれは独立して、1~12個の炭素原子を有する有機基、-OH、または加水分解して-OHとなる基であるであってよい。加水分解して-OHとなる基としては、-H、ハロゲン特にCl、およびアルコキシ特にC1-4アルコキシまたはフェノキシが挙げられる。これらの中で、アルコキシが特に好ましい。式Iの化合物において、L1の機能は結合部分としての機能であり、この機能が果たされるのであれば、その厳密な化学的性質はあまり重要ではない。しかし、一般に、これは1~10個の原子長、好ましくは1~8個の原子長、特に1~5個の原子長の鎖を含む。好適なリンカーの例としては、線状および分岐の両方のアルカンすなわちCH2p式中のpは整数である鎖が挙げられ、これらは窒素および酸素などのヘテロ原子、またはアリール基によって中断されてよい。好適な中断基としては、-O-および-NR7-式中、R7は、水素またはC1-6アルキルたとえばメチルのいずれかであるが挙げられる。リンカーがアリール基で中断される場合、これは通常は、場合により置換されたフェニルまたはビフェニル、たとえば非置換フェニルまたはビフェニルであってよい。任意のビフェニル基が存在する場合、これは一般にパラ位で結合する。リンカーが分岐している場合、ペンダント基が、最大4原子、より好ましくは1~3原子を有する鎖を含むことが一般に好ましい。好適なペンダント基としては、たとえばメチルが挙げられる。好ましいリンカーL1としては、-CH2p-式中、pは1~4の整数であり、好ましくは2~4、たとえば3であるが挙げられる。別の好ましいリンカーL1としては、-CH2q-Phr-CH2s-式中、Phはフェニルであり;rは1または2、好ましくは1であり;qおよびsはそれぞれ独立して0~3の整数、好ましくは0~2であり;但し、qおよびsの両方が0となることはできないが挙げられる。特に好ましいリンカーは、-CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2-Ph-CH2CH2-、および-CH2-Ph-Ph-である。式I中、Xは好ましくは-SHである。好ましくはR1~R3のそれぞれが独立して、加水分解して-OHとなる基、たとえばC1-4アルコキシである。より好ましくは、R1~R3は同一であり、それぞれがC1-4アルコキシ、たとえばメトキシである。したがって、好ましい一実施形態においては、第1のシランは式Ia、すなわち、R’OaSi-L1-X4-aIa式中、aは、1~3の整数、好ましくは3であり;R’は、C1-4アルキル、好ましくはメチルであり;L1は、本明細書で前述した定義の通りであり、好ましくはC2-8アルキレン、たとえばC2-4アルキレンであり;Xは、本明細書で前述した定義の通りであり、好ましくは-SHであるの化合物である。第1のシランの例としては以下、すなわち、HS-CH23-SiOCH333-メルカプトプロピルトリメトキシシラン;HS-CH2-C6H4-SiOCH33;およびHS-CH2-C6H4-CH22-SiOCH33が挙げられる。第2のシランは式II、すなわち、式中L2はリンカー基であり;Yは-NH2であり;R4~R6のそれぞれは独立して、1~12個の炭素原子を有する有機基、-OH、加水分解して-OHとなる基、または基-L2-Yであり;但し、R4、R5、およびR6の少なくとも1つが、-OHまたは加水分解して-OHとなる基であるで表すことができる。式II中、加水分解して-OHとなる基は、式I中のR1~R3に関して前述したものと同じ意味を有することができる。L1と同様に、式II中のL2の機能は結合部分としての機能である。L2は、L1に関して前述したものと同じ意味を有することができる。好ましくはR4~R6のそれぞれは独立して、加水分解して-OHとなる基、たとえばC1-4アルコキシである。より好ましくは、R4~R6は同一であり、それぞれC1-4アルコキシ、たとえばメトキシである。したがって、好ましい一実施形態においては、第2のシランは式IIa、すなわち、R’’ObSi-L2-Y4-bIIa式中、bは、1~3の整数、好ましくは3であり;R’’は、C1-4アルキル、好ましくはメチルであり;L2は、本明細書で前述した定義の通りであり、好ましくはC2-8アルキレン、たとえばC2-4アルキレンであり;Yは-NH2であるの化合物である。第2のシランの例としては以下、すなわち、NH2-CH23-SiOCH333-アミノプロピルトリメトキシシラン;NH2-CH23-SiOC2H53;NH2-CH23-SiOC2H52CH3;NH2-CH2-C6H4-SiOCH33;およびNH2-CH2-C6H4-CH22-SiOCH33が挙げられる。これらの中で、3-アミノプロピルトリメトキシシランが特に好ましい。本発明の方法における使用に特に好ましいものは、約90:10~約10:90、より好ましくは75:25~約25:75の比の第1および第2のシランの混合物である。第1のシラン対第2のシランの好ましい比は約25:75である。本発明において使用するためのシランの好ましい組み合わせの1つは、第1のシランが3-メルカプトプロピルトリメトキシシランMPTMSであり、第2のシランが3-アミノプロピルトリメトキシシランAPTMSである組み合わせである。本明細書に記載のシラン類は、たとえばDowCorningCorporationまたはDegussaAGより市販されており、当技術分野において周知の方法によって製造することもできる。第1および第2のシランの使用の代替法の1つは、基板表面および金属に結合可能であり、アミノ官能性および非アミノ性の両方を有する1種類のシランの使用である。アミン部分第1級アミンまたは第2級アミンのいずれかであってよいの存在が、シランの基板表面へのカップリングを触媒する。アミンが第1級アミンである場合、これは金属にも結合することができる。しかし、第2級アミンを、カップリング反応を触媒する機能を依然として果たす程度で、本発明のこの態様において使用できる。第2級アミン基は、たとえば、シラン分子の一方の端部でアンカー基に結合し、他方の端部で頭部基に結合する機能を果たすリンカー部分の中に存在することができる。本発明のこの特定の態様で使用するためのシラン類は、本明細書に記載されるような少なくとも1つのアンカー基および1つ以上の頭部基を含む。たとえば、これらは、どちらも金属に結合可能な2つの異なる頭部基を有することができる。2つ以上のこのような頭部基が存在する場合、これらの中の少なくとも1つがアミノ官能性部分たとえば第1級アミンであってよく、残りの頭部基の少なくとも1つが、チオール-SH基、カルボキシ-CO2H基、イソシアニド-NC基、または有機ジスルフィド-SS-R基特にチオールなどの非アミノ官能性部分であってよい。したがって、本発明の別の一態様によると、有機光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明な基板上に、基板表面に結合するシランを気相から堆積するステップと、続いて、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、上記シランに結合する金属膜を気相から堆積するステップとを含み、上記シランがアミノ官能性と非アミノ官能性との両方を有する方法が提供される。本発明の好ましい一実施形態においては、2種類のシランが存在し、第1のシランがMPTMSであり、第2のシランがAPTMSである。APTMS分子およびMPTMS分子は、ガラス表面にもともと存在するヒドロキシル基にメトキシシラン部分-OCH3を介して共有結合する。次に、-HN2APTMS部分または-SHMPTMS部分は、金属堆積中に到着する金原子と結合することができる。APTMSは、アミン部分が表面とのカップリング反応の触媒にもなり、そのためガラス表面がAPTMSで非常に迅速に誘導体化されるため好都合である。しかし、この結果得られる超薄金膜は水中の超音波処理に対して抵抗性ではなく、そのため有機光起電力デバイスにおける用途に関して十分に堅牢ではない。MPTMSを用いて形成された超薄膜は、水中の超音波処理に対して堅牢であるが、化学誘導体化のプロセスははるかに遅い。APTMSおよびMPTMSを本発明により共堆積すると、ガラス表面の化学誘導体化は迅速であり、超薄金膜は水中の超音波処理に対して堅牢となる。APTMS:MPTMS混合単層を使用することのさらなる利点の1つは、超薄Au膜の熱安定性が1種類の分子のみすなわちAPTMSまたはMPTMS単独の単層を使用した場合よりもはるかに高いことである。気相からのシラン類の堆積によって、重合を引き起こすことなく、容易に非常に薄いシラン層、好ましくは単分子層を形成することができる。これによって、金属上層の粗さが、下にある基板の粗さと非常に類似することが保証される。シランが適度に、たとえば約100°C以下に加熱される場合は、シラン類の気相堆積は、大気圧の密閉容器中で行うことができる。あるいは、シランの堆積は、加熱を使用して、または使用せずに、真空下で行うことができる。たとえば熱蒸着による、気相からの金属の堆積によって、シラン薄層の機能の低下が起こらないことが保証され、たとえば金属のスパッタリングの場合には機能の低下が生じる。金属層は、有機半導体中の透明電極として使用するために気相からの堆積に適した金、銀、または別の貴金属などの、腐食および酸化に対して抵抗性である金属が好ましい。銅をそのような金属として使用できることも分かっている。ある実施形態においては、金属の混合物が使用される。たとえば金および銀;金および銅;銀および銅;または金、銀、および銅の合金であってよい。好ましい合金の1つは金および銀の合金である。たとえば、超薄銀膜は、同じ厚さの超薄金膜とは異なる可視スペクトル部分で透明である。合金によって、より広い帯域での光透過性が得られる。金属を合金化することによって、2つの金属の間で仕事関数を連続的に調整することもできるたとえば5.1eV金~4.6eV銀。このことは重要な特徴となるが、その理由は、金属のフェルミ準位を、隣接する有機半導体中の適切なフロンティア分子軌道エネルギーに調整することができ、これはデバイス効率に影響するためである。合金の代わりに、複数の異なる金属を、連続または逐次のいずれかで別々に堆積することができる。金および銀などの2種類の金属の合金が使用される場合、2つの金属のそれぞれのモルパーセント値は約10:90、20:80、25:75、30:70、40:60、50:50、60:40、70:30、75:25、80:20、または90:10であってよい。この状況での合金膜の使用は、それ自体に発明性があり、したがって、本発明の別の一態様から見ると、有機光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、基板表面に結合するシランを堆積するステップと、続いて、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、シランに結合する金属を堆積するステップとを含み、上記金属は、太陽スペクトルの異なる部分でピーク透明度を有する少なくとも2種類の金属の合金であり、金属およびそれらの比率は、いずれかの金属を単独で使用した場合よりも広い帯域で透明度が得られるような、金属および比率である、方法が提供される。さらに、またはこれとは別に、複数の金属は異なる仕事関数を有し、金属およびそれらの比率は、電極のフェルミ準位が有機半導体に調整され、その有機半導体とともに電極が有機光起電力デバイス中に使用されるような、金属およびそれらの比率である。本発明の上記態様によると、金属膜の厚さは約15nm以下である。好ましい実施形態においては、厚さは約10nm以下である。一般に、金属層の厚さは、十分に低いシート抵抗、好ましくは約100オーム/スクエア以下Ω/□、より好ましくは約20Ω/□以下、たとえば約15Ω/□以下;可視スペクトルにわたって十分に低い光透過率、たとえば少なくとも約70、より好ましくは少なくとも約75たとえば少なくとも約80;および十分な堅牢性の3つの目的に適合するように選択する必要がある。ガラスまたはポリマーなどの裸の基板に対して、透過像が得られる。電極基板および金属膜を透過する絶対光透過率はより低く、たとえば約55の低さであってよい。金属層のシート抵抗は、通常、10~20Ω/□の範囲内である。一般に、十分低いシート抵抗を得るためには、厚さが約4nmを超え、典型的には約6nmまたは約7nmを超える必要がある。厚さは、約6nm~約10nmの範囲内、または約7nm~約9nmの範囲内であってよい。典型的な厚さは約8nm~8.5nmであってよい。層を形成する1種類以上の金属に依存する問題が存在し、それは、最適な透過特性と最適なシート抵抗とを同時に実現することが困難となりうることである。膜の厚さを減少させると透過率が増加するが、シート抵抗も増加し、あらゆる状況で最良の妥協案を得ることは容易ではない場合がある。したがって、ある実施形態においては、さらなる変量が提供される。これらの実施形態によると、超薄金属膜には、直径が少なくとも約300nm、好ましくは少なくとも約500nmである開口部の配列が設けられる。好ましい実施形態における直径は、約550nm以上、約600nm以上、約750nm以上、約1ミクロン以上であってよい。一般に、たとえば有機光起電力デバイスが曝露される光の波長、または少なくともデバイスの1つ以上のピーク感度付近の光の波長以上の開口部を有することが好ましく、その理由は、散乱効果によって膜の透過率がさらに低下しうるからである。開口部の直径は、約50ミクロン以下、好ましくは約10ミクロン以下であってよい。好ましい実施形態においては、直径は約5ミクロン以下、または約2.5ミクロン以下、または約2ミクロン以下、または約1.5ミクロン以下、または約1ミクロン以下であってよい。適切な大きさの開口部を適切な数で使用することによって、膜を透過する光の透過率が増加する。これは、他の方法で必要となりよりも膜の厚さを増加させることが可能なことを意味する。当然ながら、開口部を含むことで金属が減少するため、膜のシート抵抗が増加する。しかし、膜厚と、開口部が占める面積との2つのパラメータを調節することによって、最適な妥協案をより容易に得ることができる。開口部は、種々のナノスフェアまたはマイクロスフェアリソグラフィー技術を用いて得ることができる。このようなものとしては、i特定の領域のみにシランがカップリングできるような基板表面のパターン化;ii金属が特定の場所のみに接着できるようなシラン層のパターン化;またはiii基板の特定の部分のみが金属化されるように、シランでコーティングされた基板を金属堆積中にマスクすることが挙げられる。基板がマスクされるこのような配置の1つでは、ポリスチレンなどの好適な材料の球が基板に取り付けられる。これは、基板をシラン混合物で処理する前または後に行うことができる。次に金属膜が堆積され、次に球が除去される。これは、たとえば球に接着する接着テープを取り付け、次に除去することによって機械的に行うことができる。あるいは、球を好適な溶媒に溶解させることができる。金属が球に接着した場合、これは溶媒で処理した後も残留するが、洗浄して除去することができる。球は、たとえばポリスチレンでできていてよいが、ポリメチルメタクリレートなどの別のポリマーなどの他の材料を使用することもできる。ある実施形態においては、球は、有機溶媒に曝露することによって除去可能なポリマーでできていてよい。これは熱蒸気の形態であってよい。たとえば、ポリスチレン球の場合、沸騰テトラヒドロフランTHFの蒸気を使用することができる。THF以外の好適な有機溶媒は、たとえばトルエンまたはキシレンであってよい。開口部の配列は規則的である必要はなく、不規則であってもよいが、所望により規則的にすることができる。開口部の密度に関する制限はまったくない。超薄金属膜を透過する透過率を向上させるための開口部の使用は、それ自体が発明性があり、したがって別の一態様から見ると、本発明は、有機光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、基板表面に結合するシランを堆積するステップと、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、シランに結合する金属を堆積するステップとを含み、その配置は、少なくとも300nm、好ましくは少なくとも約500nmの直径を有する開口部の配列を金属層が有するように、基板の一部の上にのみ金属が堆積されるような配置である、方法を提供する。本発明のこの態様のある実施形態においては、金属の堆積前に、少なくとも300nm、好ましくは少なくとも500nmの直径を有する球の層が基板上に堆積され、金属の堆積後に、透明金属膜中に開口部の配列が得られるように球を除去する。別の配置の1つでは、金属薄膜を堆積し、次に膜中に孔が生じる温度までアニールし、それによって透明度を増加させることができる。したがって、別の一態様から見ると、有機光起電力デバイス中での使用に好適な透明電極の製造方法であって、透明基板上に、基板表面に結合するシランを堆積するステップと、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層が形成されるように、シランに結合する金属を堆積するステップと、続いて、金属層をアニールして、少なくとも300nm、好ましくは少なくとも約500nmの直径を有する開口部を金属層中に形成するために、電極を加熱するステップとを含む、方法が提供される。アニール温度は、少なくとも約100°C、150°C、200°C、250°C、300°C、350°C、または400°Cであってよい。アニール温度は約250°C以下、300°C以下、350°C以下、または400°C以下であってよい。本発明は、本発明の上記態様のいずれかにより製造された透明電極を、ドナー半導体材料、アクセプター半導体材料、および第2の電極と組み合わせることによる、光起電力デバイスの製造方法にも拡張される。第2の電極は、たとえば、銀、アルミニウム、またはカルシウム、またはそれらのあらゆる組み合わせなどの金属の不透明で反射性の電極であってよい。好ましくは、ドナー材料およびアクセプター材料の少なくとも1つが有機半導体材料である。有機アクセプター材料は、たとえば、ペリレン類、ナフタレンnapthalene類、フラーレン類、ナノチューブ類、またはシロール類であってよい。本発明のある好ましい実施形態においては、アクセプター材料はバックミンスターフラーレンC60である。有機ドナー材料は、たとえば、フタロシアニン、ポルフィリン、またはアセン、あるいはそれらの誘導体、あるいは金属フタロシアニンpthalocyanineなどのそれらの金属錯体であってよい。本発明の実施形態において好ましいドナー材料の1つはクロロ-アルミニウムフタロシアニンであり、別の1つはサブフタロシアニンである。本発明は、本発明による方法によって製造された透明電極、およびそのような透明電極と、ドナー半導体材料と、アクセプター半導体材料と、第2の電極とを含む光起電力デバイス、好ましくは有機光起電力デバイスにも拡張される。したがって、たとえば、別の一態様から見ると、透明電極、ドナー半導体材料、アクセプター半導体材料、および第2の電極を含む光起電力デバイスであって、透明電極が、透明基板、基板に結合したシラン層、およびシランに結合した透明金属層を含み、金属層は、約15ナノメートル以下の厚さを有し、金属層には、約300nm以上、好ましくは約500nm以上の直径をそれぞれ有する開口部の配列が設けられている、光起電力デバイスが提供される。好ましくは、ドナー半導体材料およびアクセプター半導体材料の少なくとも1つが有機半導体材料である。直径という単語の使用は、開口部が円形であることを意味するのではないが、実際にはこれらは前述のように球を使用して形成することができる。直径という単語は、最大寸法を意味するより一般的な意味に拡張される。本発明の態様は、基板が可撓性、特に可撓性プラスチック材料である場合に特に好都合である。一般に、有機半導体によって、使用後に持続可能な方法で処分することが可能な真に可撓性の光起電力装置の可能性が得られる。この可能性の実現は、高い導電性を有する好適な透明基板電極の利用しやすさに依存し、その理由は、導電性酸化物電極は本来脆性であるため、曲げによって急激に破壊するからである。近年、多数の新規な透明電極技術が有機光起電力デバイス用に提案されているが、電極設計における2つの重要な側面が見過ごされている。それらは以下のものである、すなわち、1電極シート抵抗の決定的な重要性。これは、今まで報告されている実験室規模の可撓性OPVの小さな領域では分からないことが多い。実際的な用途では、OPVの電荷キャリア収集効率は大きく電圧に依存するため、シート抵抗が最小限になることが重要である。2基板電極との界面が、OPV性能の重要な決定余韻であることが現在明らかとなっており、そのため、堅牢でエネルギー的に最適化された基板電極との界面を計画するためには、安定で輪郭が明確な電極が必要条件となる。本発明の実施形態によると、可撓性基板上のナノ厚さの透明性の高い金属Auなど透明電極が提供される。これらは、ポリエチレンナフタレートPENおよびポリエチレンテレフタレートPETの基板を含む。これらの電極は、一般的な溶媒たとえばトルエン、水、および2-プロパノール、曲げの繰り返し、および高温に対して堅牢性であることが分かった。これらは、化学的および形状的に明確である。これらの電極の実現に重要なことは、混合シラン単層によるプラスチック基板表面の誘導体化であり、このシラン層は気相から堆積される。混合シラン層の気相堆積によって、プロセスの規模の拡大が可能となり、プラスチック基板に適合性となる。本発明の実施形態によると、ポリエチレンナフタレートPENおよびポリエチレンテレフタレートPETなどの透明可撓性ポリマー基板の上に超薄約5~9nmなどで平滑な金属電極を形成する方法が提供される。好ましい実施形態においては、これらの膜の形成における重要なステップの1つは、蒸着による金属の堆積の前にタイプIおよびIIのシラン分子の混合単層でプラスチック表面を誘導体化することである。上記混合シラン層は、低真空下で気相から堆積されるので、溶媒の使用で生じる複雑性が回避され、規模の拡大が可能となる。この結果得られる膜は、導電性が高く、可視および近赤外範囲にわたって透明性が高い。これらは、一般的な溶媒たとえば水、イソプロパノール、およびトルエン、曲げの繰り返し、および200°Cまでの高温に対して堅牢性でもある。これらの膜のさらなる重要な特徴は、厚さが≦約8~9nmの場合、中程度のアニールによって、近赤外領域700~900nmにおける透明度が顕著に高くなり、シート抵抗が低下することで、OPV用途に好適となることである。好ましい実施形態においては、このようなデバイスは、全体的に真空下で製造され、基板電極を含めたデバイス部品のすべてを同じ真空システム中で製造可能となる。これは、製造コスト削減の手段となるので、重要な利点である。PENおよびPETは、高い透明度、良好な機械的性質、ならびに酸素および水蒸気の透過に対する抵抗性のため、可撓性有機オプトエレクトロニクス用に選択される基板として広く注目されている。PET中のp-フェニレン環をPEN中のナフタレンで置換すると380nm未満の吸収が増加し、それによって、デバイス寿命を短縮すると思われる高エネルギー紫外フォトンが除去される。通常、Auなどの蒸着金属膜とプラスチック基板との間は接着性が弱いため、膜の透明性が不十分となり、シート抵抗が高くなる。本発明の好ましい実施形態においては、プラスチック基板表面が、シラン分子の混合単層で処理される。シラン類たとえばクロロシラン類、アルコキシシラン類、およびフェノキシシラン類は、酸化物表面と、もともと存在する表面ヒドロキシル基を介してカップリングし、表面ヒドロキシル基はPETおよびPENの表面には存在しないため、酸素プラズマまたはUV/O3などの酸化処理によって生成する必要がある。プラスチック基板の場合、UV/O3処理は、より穏やかな処理であり、処理時間が短いため表面粗さが増加しないので、最も好適であることが分かった。以下、添付の図面を参照しながら、例として本発明の一部の実施形態を説明する。以下、図1を参照すると、本発明による方法の概略が示されている。ガラスまたはプラスチックの基板1が、平均直径約2ミクロンのポリスチレンマイクロスフェア2とともに提供される。ステップAにおいて、マイクロスフェア2が基板1上に堆積され、不規則に分布するマイクロスフェアで覆われた基板は、分子酸素に対する紫外光の作用によって発生したオゾンO3に曝露される。ステップBにおいて、MPTMSおよびAPTMSのシラン混合物3の基板1上への気相堆積が行われる。これによって混合単分子層が基板上に形成される。ステップCにおいて、厚さ約8nmの透明薄膜4が形成されるまで、シラン処理した基板上に約1nm/秒の速度で金を蒸着する。ステップDにおいて、熱溶媒蒸気を使用してポリスチレンマイクロスフェア2を除去すると、基板1上に金の薄膜4が残り、この金膜は、間隔を開けた開口部5の配列により孔が開けられる。図2は、単層堆積時間の関数としての、MPTMS曲線6およびAPTMS曲線7で誘導体化したガラス基板上に堆積した超薄金膜のシート抵抗のグラフである。三角形8は、混合MPTMS:APTMS単層上に形成した金属膜のシート抵抗を表している。図3は、異なるシラン層の上に形成した同じ厚さの金膜の透明度を示すグラフである。曲線9はMPTMSの場合であり、曲線10はAPTMSの場合であり、曲線11はMPTMSおよびAPTMSの混合物の場合である。曲線30は、同じ厚さのAu層を有するが、シラン層は全く有しないガラスに関するものである。これは、シラン単層によって、膜の透明度にどのような差が生じるかを示している。図4は、透明電極としてITOガラスを使用したOPVデバイス曲線12、およびMPTMS:APTMS誘導体化ガラス上に支持された孔あき超薄金膜を有する本発明による電極を使用したOPVデバイス曲線13の、ともに1sunの模擬太陽光照射下での、電流-電圧特性を示すグラフである。上部の曲線の組は暗電流-電圧特性を示している。この図は、20の開口部占有率の8.4nmのAuまたはITOガラス/7.5nmのWO3/P3HT:PCBM/8nmのバソクプロイン/100nmのAlの構造を有するOPVの暗所点線およびAM1.5G模倣日射量実線でのJV特性を示している。これらのナノ構造電極の、OPV中のITOガラスの直接的な代替品としての可能性を示すため、これらを、WO3正孔抽出層とポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT:[6,6]-フェニル-C61酪酸メチルエステルPCBMバルクヘテロ接合光活性層とを使用するデバイス中に組み込んだ。後者は、十分に特性決定されたOPVの光活性材料系であり、4.4の電力変換効率ηを得ることが可能である。WO3は、OPV用に有効な正孔抽出材料であるが、その横方向導電率は、典型的な正孔抽出材料のポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホネートPEDOT:PSSよりもはるかに低い。正孔抽出層および光活性層のこの組み合わせは、OPV用のこれらの電極の適合性を評価する試験台として理想的である。本発明者らの実験室では、ITOガラス基板上で製造した基準のOPVがη=4.0を示した。PVデバイスのηは、短絡電流密度JSCと、開路電圧VOCと、曲線因子FFとの積に正比例し、曲線因子FFは、最大出力点と積JSCVOCとの間の比として定義される。図4から明らかなように、電極表面の20を占めるミクロンサイズの孔のあいた超薄Au膜電極を使用したOPVは、ITOガラス電極を使用した同じ構造のOPVデバイスと同等のFFおよびVOCそれぞれ-0.65および-0.55Vを示した。性能の唯一の顕著な差は、約10低いJSCであり、これは遠方場の透過率の差に起因しうる。しかし、開口部密度および直径を最適化すれば、この比較的小さな差を大きく減少させることができる。図5は、本発明により作製した透明電極15、ドナー半導体材料16、アクセプター半導体材料17、および第2の電極18を含むOPVデバイス14の概略図である。図6は、素ガラスを基準とした、光の波長の関数としての3つの金属膜の透明度を示すグラフである。3つの膜はすべて同じ厚さである。曲線19は、銀のみの膜の特性を示しており、約300nm~350nmでピークを示している。曲線20は、金のみの膜の特性を示しており、約550nm~600nmにピークを有する。曲線21は、金および銀の合金の膜の特性を示している。これは、2つの金属の混合物によって、いずれかの金属単独よりもはるかに広い帯域での透明度が得られることを示している。図7は、異なる種類の単層iAPTMS;iiMPTMS;およびiiiこれら2つの混合物で誘導体化したガラス基板上の8.4nmのAu膜の種々の温度におけるアニールのシート抵抗に対する影響を示すグラフである。図8は、APTMS:MPTMS混合単層が設けられたガラス基板上の8.4nmのAu膜の、透明度およびシート抵抗挿入図の両方に対する熱アニールの影響を示している。したがって、シート抵抗が低く維持されることから、混合分子接着剤層によって、いずれかの成分を単独で使用した場合よりも、高温で対処する能力が改善される。さらに、MPTMS:APTMSの単層で誘導体化したガラス基板上の8.4nmのAu膜の透明度素ガラスを基準としたおよびシート抵抗に対する熱アニールの影響をアニール温度の関数として示している図8に示されるように、混合単層上の金属膜のアニールによって透明度も増加する。図9は、APTMS:MPTMS接着層を有するガラス上のアニールしていないAu膜8.4nmの微小角でのX線回折XRDスペクトルを示すプロットであり;図10は、APTMS:MPTMS接着層を有するガラス上の8.4nmのAu膜の300°Cでアニールした後のXRDスペクトルを示すプロットである。膜のアニールによって膜の結晶性が高くなり、表面が主として111結晶面で構成されるようになる程度までアニールするとX線回折パターンが変化することが分かる。これは重要な利点であり、その理由は、膜表面が非常に明確になると、隣接する有機半導体との界面を、最適なデバイス性能のために厳密に設計できるからである。金属薄膜をアニールすると透明度が増加する理由の1つは、温度が上昇すると、膜の中に孔が現れ始めるためと考えられる。ガラス上の混合MPTMS:APTMS単層の上の8.4nmのAu膜の走査電子顕微鏡写真の分析から、窒素下で300°Cにおいて10分間アニールすると、大きな孔直径>300nmが現れることが示されている。したがって、十分高温でのアニールが、マイクロスフェアを使用する代わりに膜に孔を導入する代替法となる。本発明のさらなる実施形態においては、可撓性PENおよびPET基板を使用した。これらの基板に対してUV/O3処理を行った。UV/O3処理後にポリマー基板表面に親水性部分が組み込まれることで表面エネルギーが変化するので、UV/O3処理時間の関数としての静水接触角を測定することで、最適な酸化時間を求めた。UV/O3処理したPENサンプルを、減圧約5mbar下、種々の時間でAPTMS:MPTMS蒸気に曝露し、次に、8.4nmの有効厚さのAu膜を蒸着した。得られた膜は、4分のUV/O3処理時間および4時間の単層堆積時間の場合に最高の透明度および最低のシート抵抗を示した。長時間UV/O3に曝露すると基板の粗さが増加し、15分のUV/O3処理時間後にはAu膜の品質が急速に低下した。PET膜も同様の性質を示す。高解像度X線光電子分光法を使用して測定されるPENおよびPETの両方に対するUV/O3処理の影響は、C-OH、-C-O-C-、およびCOO-Cの化学環境における炭素原子の比率の増加であった。PETに関しては、この比率が約21から約24まで増加した。PENに関しては、この比率は約14から約22まで増加した。PET、PENの両方およびガラス基板の上の混合単層の組成は、APTMS:MPTMSが3.4±0.1:1であり、これは高解像度X線光電子分光法を用いてN対Sの表面濃度比を測定することにより測定される。UV/O3処理によってポリマー基板の表面特性が変化すると、分子のシラン末端が表面の反応性ヒドロキシル基と結合して、シロキサン結合を形成する。NH2-、SH-などの官能基は、金と共有結合を形成し、混合APTMS:MPTMSの緻密な単層上の超薄金膜は、堅牢で透明性が高く導電性の膜を薄い厚さこの実施形態では8.4nmで形成する。PETおよびPENの上の8.4nmのAu膜の性質は、実質的に同じであり、ガラス基板上で得られる性質に非常に近い、すなわち、PENおよびPET上のシート抵抗は、それぞれ約12±2Ω/□および約13±2Ω/□であり、400nm~750nmの領域での平均透明度は71であり、これらはガラス上の約11Ω/□および71と同等である。膜のシート抵抗は、バルクAuの抵抗率に基づいて計算した値2.6Ω/□の6倍の大きさである。この差の最も考えられる原因は以下のものである、すなわち、iバルクAu中の電子の平均自由行程約36nmが膜厚の4倍であるため、膜表面の散乱が増加すること;およびii分子接着剤を用いた処理後のガラス表面の核形成部位が高密度であるため、横寸法の小さな微結晶の形成が促進されるので、結晶境界での散乱が増加することである。図11は、MPTMS:APTMS単層を用いて誘導体化したPEN上の6.5nmのAu膜の200°Cにおけるアニールの前後の透過スペクトルの形状の変化を示すグラフであり、透明度は素ガラスを基準としている。標準的な基板洗浄手順に対する膜の堅牢性を、UV/O3酸化処理と、3つの一般的な溶媒、すなわち、2-プロパノール、トルエン、および水中での超音波撹拌とを行うことで試験した。顕著なこととして、これらの膜は、すべての溶媒処理に対して抵抗性であり、シート抵抗の大きな変化は見られなかった。UV/O3処理後の約10の膜の抵抗の増加は、薄い約1nm絶縁性酸化物層の形成と一致している。Au膜の性能は、約12Ω/□のシート抵抗、高い透明度400nm~750nmで70を超える、平均二乗粗さの平方根が1.5nmと小さい、ならびに十分に明確で、化学的に安定で、均一な構造を併せ持つ最良の代替透明電極と同等である。これらの膜の透明度およびシート抵抗は、膜の厚さを変更することによって個別の用途に合わせることができる。このようにして、5.6nmのAu膜の場合で最大74の平均透明度ピーク透明度81、8.4nmのAu膜の場合で12Ω/□のシート抵抗を有する膜を得ることが可能である。厚さをさらに増加させるとシート抵抗の低下に関して有益となる場合があり、一方、5.6nmよりも薄い膜は、連続性が低下しシート抵抗が高いという問題が生じる傾向にある。本明細書に記載の可撓性基板上の超薄Au膜の製造方法は、汎用性があり、種々のポリマーに適合させることができる。当該分野では、動作温度が長時間60°Cを超えることがあり、多くの光活性材料系は、最適な効率を実現するために100~200°Cの温度まで堆積後アニールを行う必要があるので、OPV用の基板電極は、高温に対して堅牢であることが要求される。PETおよびPENはともに、最高加工温度の上限となる約200°Cで永久変形が始まる。シランで誘導体化されたPETおよびPEN上に支持される超薄Au膜の性能の高温に対する影響を調べるために、種々の有効厚さの膜を窒素雰囲気中で最高200°Cでアニールした。これらの電極は高温に対して非常に堅牢であり、実際にシート抵抗が低下することが分かった。8.4nmおよび7.4nmの膜の透明度スペクトルには、透明度が約500nmで低下し、700nmを超えると増加すると、膜のアニール後に小さな変化が見られるが、より薄い膜では大きな変化が生じる。スペクトル形状の変化は、膜の光学的性質に影響を与える形態の変化の間接的な証拠である。したがってアニールは、Au膜の電気的および光学的性質の両方を調整するための別の方法となる。可撓性OPV中のITOの一時的な代替品としてのこれらの電極の可能性を示すために、これらを、ペンタセン/C60接合に基づく別個のヘテロ接合OPVに組み込み、市販のITOでコーティングされたPET上に製造された同じデバイスと性能を直接比較した。このヘテロ接合は、最も広く研究されているものの1つであり、可視スペクトルの大部分にわたるフォトンを捕獲するため、この種の比較研究において優れた試験台となるため選択した。周知のように、基板電極の性質の比較的小さな差が、デバイス性能の重要な決定因子となることがあるが、その理由は、分子半導体の成長モードが基板表面エネルギーおよび形態に大きな依存性を示すことが多いからである。この理由のため、3,4,9,10-ペリレン-テトラカルボン酸-二無水物PTCDAの1nmの層を、ペンタセン/電極界面に加えた。この分子は、ITO基板およびAu基板の両方の上で同じ配向で取り入れられることが知られており、1nm膜は、界面を通過する電子輸送で通り抜けるのに十分な薄さである。結果として、デバイス性能の差は、ペンタセン層の形態の差によって生じるのではないと思われる。ケルビンプローブを使用して、新しく蒸着したAuおよび新しくUV/O3処理したITOの仕事関数を測定すると、それぞれ4.90±0.05eVおよび5.40±0.15eVであった。PTCDAの1nm膜を堆積した後、これはそれぞれ4.60±0.05eVおよび4.9±0.1eVとなり、以前の報告と一致している。Sharmaら[Sharma,A.;Haldi,A.;Potscavage,W.J.;Hotchkiss,P.J.;Marder,S.R.;Kippelen,B.JournalofMaterialsChemistry2009,19,5298.]は、ペンタセン/C60に基づくOPVの性能は、この範囲にわたる正孔抽出電極の仕事関数の差による影響を受けず、そのためデバイス性能の差は、界面エネルギーの差が原因となることはないことを示している。さらに、大面積OPVの性能の決定においてシート抵抗の重要な役割を明らかにするため、デバイス面積は1cm2を選択した。1sunの模擬太陽光照射下の典型的なデバイス性能を図12に示している。ITOをコーティングしたPET基板上に製造したデバイスは、1sunの模擬太陽光照射下の電力変換効率η=0.64±0.07である。PEN/8.4nmのAu、およびPET/8.4nmのAuの電極の上に製造されたデバイスは、1sunの模擬太陽光照射下の電力変換効率ηがそれぞれ0.83±0.05および0.85±0.03である。超薄Au電極上に製造されたデバイスの優れたηは、より大きな曲線因子に起因する。ITOガラス上に支持されたデバイスの少ない曲線因子は、PET上のITO膜の高いシート抵抗8.4nmのAu上の12~13Ω/□に対して、ITO上の>40Ω/□のために生じるが、その理由は、OPVの電荷収集効率が電圧に大きく依存するからである。この結果は、大面積OPVの電極シート抵抗の重要性を強調しており、プラスチック基板上の超薄Au電極のプラスチック基板上のITO電極に対する優位性を示している。さらに、Au層は蒸着されるので、このデバイス構造は、真空を中断することなく全体を製造することができ、製造条件を高度に制御することができ、潜在的なコストの優位性が得られる。図12の上部の曲線の組は、暗電流密度/電圧特性を示している。最後に、プラスチック基板上のITO電極およびAu電極上のOPVの機械的性質を、曲率半径4mmでの曲げサイクルの数の関数として評価した。本来脆性であるITO電極は、曲げの繰り返しによって急速に破壊され、わずか10回の曲げの後で効率が元の値の32まで低下するが、PETまたはPEN上の8.4nmのAu膜上に支持されたデバイスは100回の曲げサイクルの後でさえも、最初の効率を維持する。したがって、本発明の実施形態においては、可撓性基板上に超薄透明Au電極を製造する迅速で無溶媒の方法が提供される。これらの電極は、平滑平均二乗粗さの平方根が約1.5nmで、透明性が高く400nm~750nmの領域の平均透明度が70を超える、導電性が高い12Ω/□までの低さのシート抵抗。これらの電極をペンタセン/C60に基づくOPVに組み込むと、その性能は、ITO/PET電極上に支持された同じデバイスよりも高く、繰り返しの曲げに対して大きく向上した抵抗性を示すというさらなる利点を有する。金は、その寿命終了時にOPVから容易に回収することもできる。金は、その化学的性質およびチオール/アミン部分に対する親和性のために、最良の光学的性質および高い安定性を示すが、本発明は金の使用に限定されるものではなく、銅および銀などの他の金属、あるいはこれらの金属の混合物が、可撓性ポリマー基板および他の基板の両方の上に存在できる。本明細書に記載の方法により、一度予備処理された基板上にデバイス全体を蒸着する時間およびコストが節約される製造が可能となる。連続超薄金属膜とより厚い金属線の配列と組み合わせることによって、横方向電流によって生じる抵抗損を最小限に維持しながら、広帯域で大きな光透過率を維持することができる。これらの電極の性質は、膜厚およびアニールによって個別の用途に合わせることができる。この手順は汎用性があり、種々の可撓性基板に適用することができる。本発明のある実施形態においては、厚さ125μmのHostaphan商標GN4600MitsubishiPolyesterFilmGMBHおよびTeonex商標DuPontTeijinFilmsUKLtdを、最初にDeconNeutracon商標の希薄水溶液および次に2-プロパノールで15分間の超音波撹拌で洗浄し、続いて4分間のUV/O3処理を行って、残留溶媒を除去し、ポリマー表面上にヒドロキシル基を導入した。直ちに基板をデシケータに移動させ、そこで基板をAPTMS:MPTMS蒸気に5mbarで4時間曝露した後、Au堆積用の蒸着装置に移した。Au堆積速度は0.1nms-1であった。堆積したAuの厚さは、基板の近傍に搭載し注意深く構成した水晶発振子微量天秤を使用して測定した。基板をN2下、ホットプレート上でアニールした。図14は、MPTMS:APTMS誘導体化ガラス基板上に異なる厚さで堆積したAu層の透過率スペクトルを示している。挿入図は、厚さの関数としてのAu膜のシート抵抗を示すプロットである。図15は、MPTMS:APTMS単層で誘導体化したガラス基板上の8.4nmのAu膜の表面トポグラフィーaおよび導電率bの原子間力顕微鏡画像を示している。また、Au膜を部分的に除去したステップ端のヒストグラムcおよび断面dも示している。本発明の実施形態においては、有機半導体光起電力デバイス中に使用すると好適な透明電極の製造方法が提供される。第1および第2のシランを気相から基板上に堆積させて、基板表面に結合させる。次に、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属が形成されるように、金属膜を気相から堆積して第1および第2のシランの両方に結合させる。第1のシランは非アミノ官能性シランであり、第2のシランはアミノ官能性シランである。電極は、ポリマー基板を使用して可撓性となってよい。金属膜は、複数の開口部を設けることができ、たとえば、基板をマイクロスフェアでマスクしながら、金属を堆積し、その後、マイクロスフェアを除去することによって、および/または開口部が現れるように金属をアニールすることによって開口部を設けることができる。基板への金属層の結合を促進するために、シラン類またはシラン類の混合物を使用することの代替法も存在しうる。したがって、本発明の別の一態様から見ると、透明電極、ドナー半導体材料、アクセプター半導体材料、および第2の電極を含む可撓性有機光起電力デバイスであって、半導体材料の少なくとも1つが有機半導体材料であり、透明電極が、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層を有する透明可撓性ポリマー基板を含む、デバイスが提供される。本発明のこの態様は、約15ナノメートル以下の厚さを有する透明金属層を有する透明可撓性ポリマー基板を含む可撓性透明電極にも拡張される。一般に、シランの使用が言及される本発明の態様において、これは、基板に結合するアンカー基と、金属に結合する頭部基とを有する別の種類の分子接着剤に拡張される。たとえば、シランアンカー基の代わりに、酸塩化物-COCl、スルホニルクロリド-SO2Cl、またはジクロロホスフェート-PO2Cl2を使用することができ、これらすべてが表面に結合したヒドロキシル部分に対して高い親和性を有する。2種類のシランの混合物の使用が言及される場合、これは、2つのこのような分子接着剤の使用に拡張される。1つが基板に比較的速く結合するアンカー基を有することができ、1つが比較的ゆっくりと結合するアンカー基を有することができる。これらが一緒に使用される場合、より速く結合する分子接着剤は、ゆっくりと結合する分子接着剤の結合速度を増加させる触媒として機能しうる。"