基板と、ゲート電極と、脱水化または脱水素化された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層の間に形成されるゲート絶縁層と、前記酸化物半導体層を介して、前記ゲート絶縁層と対向し、且つ前記酸化物半導体層に接するシリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層と、を有する半導体装置。請求項1において、前記酸化物半導体層は、水素濃度が1×1018cm-3未満であることを特徴とする半導体装置。請求項1または請求項2において、前記酸化物半導体層は、キャリア濃度が1×1014cm-3未満であることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層に重なり、該酸化物半導体層が前記ゲート電極よりも前記基板側であることを特徴とする半導体装置。請求項4において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁層及び前記酸化物半導体層の間に形成されることを特徴とする半導体装置。請求項4において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記絶縁層及び前記酸化物半導体層の間に形成されることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極に重なり、該ゲート電極が前記酸化物半導体層よりも前記基板側であることを特徴とする半導体装置。請求項7において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層及び前記絶縁層の間に形成されることを特徴とする半導体装置。請求項7において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁層及び前記酸化物半導体層の間に形成されることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項9のいずれか一において、前記ゲート絶縁層は、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層であることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項10のいずれか一において、前記酸化物半導体層は、チャネル領域と、前記酸化物半導体層を低抵抗化したソース領域及びドレイン領域と、を有し、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、それぞれ前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接続することを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項11のいずれか一において、前記シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層は、電子スピン共鳴法で得られたスペクトルにおいて、g値が2.0016及び2.0078に信号を有することを特徴とする半導体装置。基板上にシリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層を形成し、前記下地絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上に接してソース電極及びドレイン電極を離間して形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に前記酸化物半導体層と一部が接するゲート絶縁層を形成し、前記酸化物半導体層上に前記ゲート絶縁層を介してゲート電極を形成し、前記酸化物半導体層の形成時の基板加熱、または前記酸化物半導体層の形成後に熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上にシリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層を形成し、前記下地絶縁層上に接してソース電極及びドレイン電極を離間して形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に前記下地絶縁層と一部が接する酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、前記酸化物半導体層上に前記ゲート絶縁層を介してゲート電極を形成し、前記酸化物半導体層の形成時の基板加熱、または前記酸化物半導体層の形成後に熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上に下地絶縁層を形成し、前記下地絶縁層上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上に接してソース電極及びドレイン電極を離間して形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に前記酸化物半導体層と一部が接するシリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層を形成し、前記酸化物半導体層の形成時の基板加熱、または前記酸化物半導体層の形成後に熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上に下地絶縁層を形成し、前記下地絶縁層上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に接してソース電極及びドレイン電極を離間して形成し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に前記ゲート絶縁層と一部が接する酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上にシリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層を形成し、前記酸化物半導体層の形成時の基板加熱、または前記酸化物半導体層の形成後に熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項13乃至請求項16のいずれか一において、前記下地絶縁層は、スパッタリング法により、シリコンターゲットもしくは石英ターゲットを用い、酸素または、酸素とアルゴンの混合ガスを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項13乃至請求項16のいずれか一において、前記ゲート絶縁層は、スパッタリング法により、シリコンターゲットもしくは石英ターゲットを用い、酸素または、酸素とアルゴンの混合ガスを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項15または請求項16において、前記保護絶縁層は、スパッタリング法により、シリコンターゲットもしくは石英ターゲットを用い、酸素または、酸素とアルゴンの混合ガスを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。酸化物半導体を用いたトランジスタのBT試験によるしきい値電圧の変動は、酸化物半導体を用いたトランジスタの信頼性を著しく低下させる。そこで、本発明の一態様は、酸化物半導体を用いた半導体装置の信頼性を向上することを目的とする。本発明の一態様は、酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、酸化物半導体層と接する絶縁層として、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を形成することを技術的思想とする半導体装置または半導体装置の作製方法である。酸化シリコンにおいて、シリコンは、O-3Si-Oの形で安定であるが、該酸素原子の一が熱などによって脱離するとO-3Siのようにラジカルとなる。ここにO2が結合すると、O-3Si-O-Oシリコン過酸化ラジカルとなる。シリコン過酸化ラジカルは、外部に酸素を与えることで安定化しやすい状態である。酸化シリコンを含む材料においてシリコン過酸化ラジカルを含むとは、ESRElectronSpinResonance:電子スピン共鳴法で得られたスペクトルより、g値が2.0078及び2.0016に信号を有することをいう。本発明の一態様は、トップゲート構造である酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、下地絶縁層及びゲート絶縁層として、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を形成することを技術的思想とする半導体装置または半導体装置の作製方法である。下地絶縁層中にシリコン過酸化ラジカルを含むことにより、半導体装置の動作などに起因して生じうる電荷などが、下地絶縁層と酸化物半導体層との界面に捕獲されることを十分に抑制することができる。この効果は、酸化物半導体層に下地絶縁層から酸素が供給されることで、酸化物半導体層と下地絶縁層の界面準位を低減できるためである。また、ゲート絶縁層中にシリコン過酸化ラジカルを含むことにより、半導体装置の動作などに起因して生じうる電荷などが、酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層の界面に捕獲されることを十分に抑制することができる。この効果は、酸化物半導体層にゲート絶縁層から酸素が供給されることで、酸化物半導体層とゲート絶縁層の界面準位を低減できるためである。さらに、酸化物半導体層の酸素欠損に起因して電荷が生じる場合がある。一般に酸化物半導体層中の酸素欠損はドナーとなり、キャリアである電子を生じる。この結果、トランジスタのしきい値電圧が負方向にシフトしてしまう。しかしながら、酸化物半導体層中の酸素欠損に下地絶縁層及びゲート絶縁層から酸素が与えられることにより、しきい値電圧の負方向へのシフトを抑制できる。即ち、酸化物半導体層に酸素欠損が生じるとき、下地絶縁層と酸化物半導体層との界面及び酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面における電荷の捕獲を抑制するのが困難になるが、シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層及びシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層を設けることにより、酸化物半導体層における界面準位及び酸素欠損を低減し、酸化物半導体層と下地絶縁層との界面における電荷の捕獲の影響を小さくすることができる。このように、本発明の一態様による効果は、シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層及びシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層に起因するものである。本発明の一態様では、シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層もしくはシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層のいずれか一方を含む構成とすればよい。好ましくはシリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層及びシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層の両方を含む構成とする。上述した下地絶縁層と酸化物半導体層の界面及び酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面における電荷の捕獲を抑制する効果により、酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流の増加、しきい値電圧の変動などの不具合を抑制し、加えて半導体装置の信頼性を向上させることができる。なお、シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層は、酸化物半導体層に対して十分な厚みを有していることが好ましい。シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層が酸化物半導体層に対して薄い場合には、酸化物半導体層への酸素供給が十分でなくなる場合があるためである。本発明の一態様は、下地絶縁層と、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と一部が接するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する半導体装置であり、下地絶縁層及びゲート絶縁層の少なくとも一方はシリコン過酸化ラジカルを含む。また、上記において、下地絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム又はこれらいずれかの積層で構成することができる。また、ゲート絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウム又はこれらいずれかの積層で構成することができる。ただし、下地絶縁層及びゲート絶縁層は、酸化物半導体層と接する側を酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンとする。ここで、酸化窒化シリコンとは、その組成において、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示し、例えば、酸素が50原子以上70原子以下、窒素が0.5原子以上15原子以下、珪素が25原子以上35原子以下、水素が0原子以上10原子以下の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成において、酸素よりも窒素の含有量が多いものを示し、例えば、酸素が5原子以上30原子以下、窒素が20原子以上55原子以下、珪素が25原子以上35原子以下、水素が10原子以上25原子以下の範囲で含まれるものをいう。但し、上記範囲は、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometryや、水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringSpectrometryを用いて測定した場合のものである。また、構成元素の含有比率は、その合計が100原子を超えない値をとる。また、上記構成において、ゲート絶縁層及びゲート電極を覆う保護絶縁層を有することがある。また、酸化物半導体層の下方に導電層を有することがある。または、本発明の一態様は、ボトムゲート構造である酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、ゲート絶縁層及び保護絶縁層として、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を形成することを技術的思想とする半導体装置または半導体装置の作製方法である。保護絶縁層中にシリコン過酸化ラジカルを含むことにより、半導体装置の動作などに起因して生じうる電荷などが、前記保護絶縁層と酸化物半導体層との界面に捕獲されることを十分に抑制することができる。この効果は、酸化物半導体層に保護絶縁層から酸素が供給されることで、酸化物半導体層と保護絶縁層の界面準位を低減できるためである。また、ゲート絶縁層中にシリコン過酸化ラジカルを含むことにより、半導体装置の動作などに起因して生じうる電荷などが、酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層の界面に捕獲されることを十分に抑制することができる。この効果は、酸化物半導体層にゲート絶縁層から酸素が供給されることで、酸化物半導体層とゲート絶縁層の界面準位を低減できるためである。酸化物半導体層中の酸素欠損に保護絶縁層及びゲート絶縁層から酸素が与えられることにより、しきい値電圧の負方向へのシフトを抑制できる。即ち、酸化物半導体層に酸素欠損が生じるとき、保護絶縁層と酸化物半導体層との界面及び酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面における電荷の捕獲を抑制するのが困難になるが、シリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層及びシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層を設けることにより、酸化物半導体層における界面準位及び酸素欠損を低減し、酸化物半導体層と保護絶縁層との界面における電荷の捕獲の影響を小さくすることができる。このように、本発明の一態様による効果は、シリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層及びシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層に起因するものである。本発明の一態様では、シリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層もしくはシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層のいずれか一方を含む構成とすればよい。好ましくはシリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層及びシリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層の両方を含む構成とする。上述した保護絶縁層と酸化物半導体層の界面及び酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面における電荷の捕獲を抑制する効果により、酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流の増加、しきい値電圧の変動などの不具合を抑制し、加えて半導体装置の信頼性を向上させることができる。なお、シリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層は、酸化物半導体層に対して十分な厚みを有していることが好ましい。シリコン過酸化ラジカルを含む保護絶縁層が酸化物半導体層に対して薄い場合には、酸化物半導体層への酸素供給が十分でなくなる場合があるためである。本発明の一態様は、下地絶縁層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に一部を酸化物半導体層と接する保護絶縁層と、を有する半導体装置であり、保護絶縁層及びゲート絶縁層の少なくとも一方はシリコン過酸化ラジカル含む。また、上記構成において、保護絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム及びこれらの積層で構成することができる。また、ゲート絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウム及びこれらの積層で構成することができる。ただし、保護絶縁層及びゲート絶縁層は、酸化物半導体層と接する側を酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンとする。また、上記構成において、酸化物半導体層の下方に導電層を有することがある。なお、上記構成において、ソース電極とドレイン電極の間隔によって決定されるトランジスタのチャネル長Lは、10nm以上10μm以下、好ましくは、0.1μm~0.5μmとすることができる。もちろん、チャネル長Lは、10μm以上であっても構わない。また、チャネル幅Wについても、10μm以上とすることができる。本発明の一態様により、酸化物半導体層と接する絶縁層にシリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を設けることにより、オフ電流が低く、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供される。または、本発明の一態様により、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置が提供される。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。実施の形態1本実施の形態では、半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図1乃至図7を用いて説明する。図1には、本発明の一態様の半導体装置の例として、トップゲートトップコンタクト型であるトランジスタ151の上面図及び断面図を示す。ここで、図1Aは上面図であり、図1B及び図1Cはそれぞれ、図1AにおけるA-B断面及びC-D断面における断面図である。なお、図1Aでは、煩雑になることを避けるため、トランジスタ151の構成要素の一部例えば、ゲート絶縁層112などを省略している。図1に示すトランジスタ151は、基板100上の、下地絶縁層102、酸化物半導体層106、ソース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、ゲート電極114を含む。下地絶縁層102の材料には、酸化シリコン、酸化窒化シリコンなどを用いればよい。また、下地絶縁層102には、前述の材料と酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたはこれらの混合材料などを積層して用いてもよい。例えば、下地絶縁層102を窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層または窒化アルミニウム層と酸化シリコン層の積層構造とすると、基板100などからトランジスタ151への水分の混入を防ぐことができる。下地絶縁層102を積層構造で形成する場合、酸化物半導体層106と接する側の層を酸化シリコン、酸化窒化シリコンとするとよい。なお、下地絶縁層102はトランジスタ151の下地層として機能する。なお、下地絶縁層102はシリコン過酸化ラジカルを含むことが好ましい。酸化シリコンを含む材料においてシリコン過酸化ラジカルを含むとは、ESR法で得られたスペクトルより、g値が2.0078及び2.0016に信号を有することをいう。酸化物半導体層に用いる材料としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系の材料、In-Sn-Zn-O系の材料、In-Al-Zn-O系の材料、Sn-Ga-Zn-O系の材料、Al-Ga-Zn-O系の材料、Sn-Al-Zn-O系の材料や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系の材料、Sn-Zn-O系の材料、Al-Zn-O系の材料、Zn-Mg-O系の材料、Sn-Mg-O系の材料、In-Mg-O系の材料、In-Ga-O系の材料や、In-O系の材料、Sn-O系の材料、Zn-O系の材料などを用いることができる。また、上記の材料に酸化珪素を含ませてもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系の材料とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物層、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。なお、一例として、In-Zn-O系の材料を用いる場合、原子数比で、In/Zn=0.5以上50以下、好ましくはIn/Zn=1以上20以下、さらに好ましくはIn/Zn=1.5以上15以下とする。Znの原子数比を前述の範囲とすることで、トランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとすると好ましい。また、酸化物半導体層は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される材料を用いた薄膜により形成することができる。ここで、Mは、Ga、Al、Mn及びCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMnまたはGa及びCoなどを用いることができる。酸化物半導体層は、バンドギャップが3eV以上、好ましくは、3eV以上3.6eV未満であるものが望ましい。また、電子親和力が4eV以上、好ましくは、4eV以上4.9eV未満であるものが望ましい。このような材料において、さらに、ドナーあるいはアクセプタに由来するキャリア濃度が1×1014cm-3未満、好ましくは、1×1011cm-3未満であるものが望ましい。さらに、酸化物半導体膜層の水素濃度は、1×1018cm-3未満、好ましくは1×1016cm-3未満であるものが望ましい。上記酸化物半導体層は、高純度化によりi型真性化されたものである。上記酸化物半導体層を活性層に有する薄膜トランジスタは、オフ電流を1zAゼプトアンペア、10-21Aというような極めて低い値とすることができる。酸化物半導体層と下地絶縁層とが接することで、下地絶縁層102と酸化物半導体層106との界面準位及び酸化物半導体層106中の酸素欠損を低減することができる。上記界面準位の低減により、BT試験前後のしきい値電圧変動を小さくすることができる。ゲート絶縁層112は、下地絶縁層102と同様の構成とすることができ、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層であることが好ましい。このとき、トランジスタのゲート絶縁層として機能することを考慮して、ゲート絶縁層112の一部に酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半導体層との界面状態などを考慮し、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコンに酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率の高い材料を積層してもよい。このとき、酸化物半導体層106と接する側の層を酸化シリコン、酸化窒化シリコンとするとよい。トランジスタ151上には、さらに保護絶縁層が設けられていてもよい。保護絶縁層は、下地絶縁層102と同様の構成とすることができる。また、ソース電極108aやドレイン電極108bと配線とを電気的に接続させるために、下地絶縁層102、ゲート絶縁層112などには開口が形成されていてもよい。また、酸化物半導体層106の下方に、さらに、第2のゲート電極を有していてもよい。なお、酸化物半導体層106は島状に加工されていることが好ましいが、島状に加工されていなくてもよい。図2A乃至図2Dには、トランジスタ151とは異なる構成のトランジスタの断面構造を示す。図2Aに示すトランジスタ152は、下地絶縁層102、酸化物半導体層106、ソース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、ゲート電極114を含む点で、トランジスタ151と共通している。トランジスタ152とトランジスタ151との相違は、酸化物半導体層106と、ソース電極108aやドレイン電極108bが接続する位置である。即ち、トランジスタ152では、酸化物半導体層106の下部において、酸化物半導体層106と、ソース電極108aやドレイン電極108bとが接している。その他の構成要素については、図1のトランジスタ151と同様である。図2Bに示すトランジスタ153は、下地絶縁層102、酸化物半導体層106、ソース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、ゲート電極114を含む点で、トランジスタ152と共通している。トランジスタ153とトランジスタ151との相違は、酸化物半導体層106に対するゲート電極の位置である。即ち、トランジスタ153では、酸化物半導体層106の下部にゲート絶縁層112を介してゲート電極が設けられている。また、トランジスタ153では、ソース電極108a及びドレイン電極108b及び酸化物半導体層106を覆うように保護絶縁層124が設けられる。その他の構成要素については、図2Aのトランジスタ152と同様である。トランジスタ153において、酸化物半導体層106に接するゲート絶縁層112及び保護絶縁層124をシリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を用いて形成する。図2Cに示すトランジスタ154は、下地絶縁層102、酸化物半導体層106、ソース電極108a、ドレイン電極108b、ゲート絶縁層112、ゲート電極114を含む点で、トランジスタ151と共通している。トランジスタ154とトランジスタ151との相違は、酸化物半導体層106に対するゲート電極の位置である。即ち、トランジスタ154では、酸化物半導体層106の下部にゲート絶縁層112を介してゲート電極が設けられている。また、トランジスタ154では、ソース電極108a及びドレイン電極108b及び酸化物半導体層106を覆うように保護絶縁層124が設けられる。その他の構成要素については、図1のトランジスタ151と同様である。トランジスタ154において、酸化物半導体層106に接するゲート絶縁層112及び保護絶縁層124をシリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を用いて形成する。図2Dに示すトランジスタ155は、下地絶縁層102、ゲート絶縁層112、ゲート電極114、ソース電極108a、ドレイン電極108bを含む点で、トランジスタ151及びトランジスタ152と共通している。トランジスタ155は、同一平面上の酸化物半導体層中にチャネル領域126、ソース領域122a、ドレイン領域122bを形成する点でトランジスタ151及びトランジスタ152との相違がある。ソース領域122a及びドレイン領域122bには、保護絶縁層124に設けられてた開口を通じて、それぞれソース電極108a及びドレイン電極108bが接続される。なお、図2Dにおいて、ゲート絶縁層112はゲート電極114の下部にのみ設けられているが、これに限定されない。例えば、チャネル領域126、ソース領域122a、ドレイン領域122bからなる酸化物半導体層を覆うように設けられていても構わない。以下、図3を用いて、図1に示すトランジスタの作製工程の例について説明する。まず、図3A乃至図3Eを用いて、図1に示すトランジスタ151の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に下地絶縁層102を形成する図3A参照。。本実施の形態は、下地絶縁層102を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。基板100の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板100として用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板100として用いてもよい。また、基板100として、可撓性基板を用いてもよい。その場合は、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作製することができる。なお、可撓性基板上にトランジスタを設ける方法としては、基板100として非可撓性のものを用いて、この上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可撓性基板に転置する方法もある。その場合には、基板100とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。下地絶縁層102の形成方法は、例えば、プラズマCVD法やスパッタリング法などを用いることができる。シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層の形成にはスパッタリング法を用いることが好ましい。下地絶縁層102の材料には、酸化シリコン、酸化窒化シリコンなどを用いればよい。また、下地絶縁層102には、前述の材料と酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたはこれらの混合材料などを積層して用いてもよい。下地絶縁層102を積層構造で形成する場合、酸化物半導体層106と接する側の層を酸化シリコン、酸化窒化シリコンとするとよい。下地絶縁層102の合計の膜厚は、好ましくは20nm以上、より好ましくは100nm以上とする。下地絶縁層102を厚く形成することにより、下地絶縁層102のシリコン過酸化ラジカルの量を増加することができる。スパッタリング法を用いてシリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を形成するには、成膜ガスとして、酸素または、酸素と希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンなどの混合ガスを用いる場合、酸素と希ガスの混合割合を、酸素の割合を高めて形成するとよい。例えば、全ガス中の酸素の濃度を6以上100未満にするとよい。例えば、石英好ましくは合成石英をターゲットに用い、基板温度30°C以上450°C以下好ましくは70°C以上200°C以下、基板とターゲットの間の距離T-S間距離を20mm以上400mm以下好ましくは40mm以上200mm以下、圧力を0.1Pa以上4Pa以下好ましくは0.2Pa以上1.2Pa以下、高周波電源を0.5kW以上12kW以下好ましくは1kW以上5kW以下、成膜ガス中の酸素の割合O2/O2Arを1以上100以下好ましくは6以上100以下として、RFスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する。なお、石英好ましくは合成石英ターゲットに代えてシリコンターゲットを用いることもできる。なお、成膜ガスとしては、酸素または、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。次に、下地絶縁層102上に酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する図3B参照。。酸化物半導体層は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、パルスレーザ堆積法、CVD法などを用いて形成することができる。また、酸化物半導体層の厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましい。酸化物半導体層を厚くしすぎると例えば、厚さを100nm以上、短チャネル効果の影響が大きくなり、サイズの小さなトランジスタでノーマリーオンになるおそれがあるためである。ここで、ノーマリーオンとは、ゲート電極に電圧を印加しなくてもチャネルが存在し、トランジスタに電流が流れてしまう状態のことである。なお、下地絶縁層102及び酸化物半導体層は、大気に触れさせることなく連続して成膜するのが好ましい。本実施の形態では、酸化物半導体層を、In-Ga-Zn-O系の酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。In-Ga-Zn-O系の酸化物ターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料及び組成を上述したものに限定する必要はない。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比の酸化物ターゲットを用いることもできる。酸化物ターゲットの相対密度は、90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体層を緻密な層とすることができるためである。成膜は、希ガス雰囲気下、酸素雰囲気下または希ガスと酸素の混合ガス雰囲気下などで行えばよい。また、酸化物半導体層への水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが好ましい。酸化物半導体層に対して、酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。酸化物半導体層に酸素を含むプラズマ処理を行うことにより、酸化物半導体層中、酸化物半導体層界面近傍、または、酸化物半導体層中および該界面近傍に酸素を含有させることができる。この場合、酸素の含有量は、酸化物半導体層の化学量論比を超える程度、好ましくは、化学量論比の1倍を超えて2倍まで1倍より大きく2倍未満、とする。あるいは、酸素の含有量は、単結晶の場合の酸素の量をYとして、Yを超える程度、好ましくは、Yを超えて2Yまですることもできる。あるいは、酸素の含有量は、酸素プラズマ処理を行わない場合の酸化物半導体層中の酸素の量Zを基準として、Zを超える程度、好ましくは、Zを超えて2Zまでとすることもできる。なお、上述の好ましい範囲に上限が存在するのは、酸素の含有量を多くしすぎると、水素吸蔵合金水素貯蔵合金のように、かえって酸化物半導体層が水素を取り込んでしまう恐れがあるためである。なお、酸化物半導体層において酸素の含有量は水素の含有量より大きくなる。例えば、酸化物半導体層は、次のように形成することができる。成膜条件の一例として、基板とターゲットの間との距離を60mm、圧力を0.4Pa、直流DC電源を0.5kW、成膜雰囲気をアルゴンと酸素の混合雰囲気酸素流量比率33とすることができる。なお、パルスDCスパッタリング法を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、厚さの分布も均一となるため好ましい。まず、減圧状態に保持された成膜室内に基板100を保持し、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下とする。基板100が加熱された状態で成膜を行うことで、酸化物半導体層に含まれる水素水や水酸基を有する化合物を含むやその他の不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷を軽減することができる。また、下地絶縁層102から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層102と酸化物半導体層との界面準位を低減することができる。なお、酸化物半導体層106をスパッタリング法により形成する前には、希ガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、形成表面例えば下地絶縁層102の表面の付着物を除去してもよい。ここで、逆スパッタとは、通常のスパッタリングにおいては、スパッタターゲットにイオンを衝突させるところを、逆に、処理表面にイオンを衝突させることによってその表面を改質する方法のことをいう。処理表面にイオンを衝突させる方法としては、アルゴン雰囲気下で処理表面側に高周波電圧を印加して、被処理物付近にプラズマを生成する方法などがある。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などによる雰囲気を適用してもよい。酸化物半導体層106の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体層上に形成した後、当該酸化物半導体層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成してもよい。なお、酸化物半導体層のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。その後、酸化物半導体層に対して、熱処理第1の熱処理を行うことが好ましい。この第1の熱処理によって酸化物半導体層中の、水素水や水酸基を有する化合物を含むを除去し、かつ酸化物半導体層の構造を整えることができる。第1の熱処理の温度は、100°C以上650°C以下または基板の歪み点未満、好ましくは250°C以上600°C以下とする。第1の熱処理は、酸化性ガス雰囲気下、もしくは不活性ガス雰囲気下とする。なお、不活性ガスとは、窒素または希ガスを主成分とするガスであって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上即ち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とする。不活性ガス雰囲気とは、不活性ガスを主成分とする雰囲気で、反応性ガスが10ppm未満である雰囲気のことである。反応性ガスとは、半導体や金属などと反応するガスのことをいう。なお、酸化性ガスとは、酸素、オゾンまたは亜酸化窒素などであって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、熱処理装置に導入する酸素、オゾン、亜酸化窒素の純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上即ち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とする。酸化性ガス雰囲気には、酸化性ガスを不活性ガスと混合して用いてもよく、酸化性ガスが少なくとも10ppm以上含まれるものとする。この第1の熱処理によって、下地絶縁層102から酸素が放出され、下地絶縁層102と酸化物半導体層106との界面準位及び酸化物半導体層106中の酸素欠損を低減することができる。上記界面準位の低減により、BT試験前後のしきい値電圧の変動を小さくすることができる。また、一般に、酸化物半導体層中の酸素欠損は、ドナーとなりキャリアである電子の発生源となることが知られている。酸化物半導体層106中に電子が生じることで、トランジスタ151のしきい値電圧が負方向へシフトし、ノーマリーオンになりやすい。酸化物半導体層106中の酸素欠損が埋められることで、しきい値電圧が負方向へシフトすることを抑制できる。熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下で、350°C、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体層は大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。熱処理装置は電気炉に限られず、加熱されたガスなどの媒体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置などのRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。ガスとしては、アルゴンなどの希ガスまたは窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性ガスが用いられる。例えば、第1の熱処理として、熱せられた不活性ガス雰囲気中に被処理物を投入し、数分間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理を行ってもよい。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガス雰囲気を、酸化性ガスを含む雰囲気に切り替えてもよい。酸化性ガスを含む雰囲気において第1の熱処理を行うことで、酸化物半導体層106中の酸素欠損を埋めることができるとともに、酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである。ところで、上述の熱処理第1の熱処理には水素水や水酸基を有する化合物を含むなどを除去する効果があるため、当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。また、絶縁層や熱処理雰囲気などから酸素を供給する効果があることから、加酸素化処理と呼ぶこともできる。当該脱水化処理、脱水素化処理、加酸素化処理は、例えば、酸化物半導体層を島状に加工した後などのタイミングにおいて行うことが可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理、加酸素化処理は、一回に限らず複数回行ってもよい。なお、ここでは、酸化物半導体層106を島状に加工した後に、第1の熱処理を行う構成について説明したが、これに限定されず、第1の熱処理を行った後に、酸化物半導体層106を加工してもよい。次いで、下地絶縁層102及び酸化物半導体層106上に、ソース電極及びドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電層を形成し、当該導電層を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成する図3C参照。。なお、ここで形成されるソース電極108aの端部とドレイン電極108bの端部との最小の間隔によって、トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。ソース電極108a及びドレイン電極108bに用いる導電層としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属層または上述した元素を成分とする金属窒化物層窒化チタン層、窒化モリブデン層、窒化タングステン層などを用いることができる。また、Al、Cuなどの低融点かつ低抵抗の金属層の下側及び上側の一方または双方に、Ti、Mo、Wなどの高融点金属層またはこれらの金属窒化物層窒化チタン層、窒化モリブデン層、窒化タングステン層を積層させた構成を用いてもよい。また、ソース電極108a及びドレイン電極108bに用いる導電層は、導電性の金属酸化物で形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化スズ混合酸化物ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛混合酸化物またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。導電層の加工は、レジストマスクを用いたエッチングによって行うことができる。当該エッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光などを用いるとよい。なお、チャネル長L=25nm未満となるように露光を行う場合には、例えば、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを短くすることが可能であり、回路の動作を速くすることができる。また、いわゆる多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチングを行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の厚さを有する形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。なお、導電層のエッチングの際に、酸化物半導体層106の一部がエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。その後、酸素、オゾン、亜酸化窒素などのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層106の表面を酸化し、酸素欠損を埋めてもよい。プラズマ処理を行った場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体層106の一部に接するゲート絶縁層112を形成することが好ましい。次に、ソース電極108a及びドレイン電極108bを覆い、かつ、酸化物半導体層106の一部と接するように、ゲート絶縁層112を形成する図3D参照。。ゲート絶縁層112は、下地絶縁層102と同様の構成とすることができる。ただし、トランジスタのゲート絶縁層として機能することを考慮して、ゲート絶縁層112の一部に酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半導体層との界面状態などを考慮し、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコンに酸化ハフニウムや酸化アルミニウムなどの比誘電率の高い材料を積層して用いてもよい。ゲート絶縁層112の合計の膜厚は、好ましくは1nm以上300nm以下、より好ましくは5nm以上50nm以下とする。ゲート絶縁層が厚いほど短チャネル効果が顕著となり、しきい値電圧が負方向へシフトしやすい傾向となる。また、ゲート絶縁層が5nm以下となるとトンネル電流によるリークが増大することがわかっている。ゲート絶縁層112を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。ゲート絶縁層112の形成後には、第2の熱処理を行うのが好ましい。第2の熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、好ましくは350°C以上600°C以下または基板の歪み点未満とする。第2の熱処理は、酸化性ガス雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で行えばよいが、雰囲気中に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、熱処理装置に導入するガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。第2の熱処理においては、酸化物半導体層106と、ゲート絶縁層112が接した状態で加熱される。したがって、酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、シリコン過酸化ラジカルを含むゲート絶縁層112より酸化物半導体層106へ供給することができる。これによって、酸化物半導体層106の酸素欠損及び酸化物半導体層とゲート絶縁層112との界面準位を低減することができる。また、同時にゲート絶縁層112中の欠陥も低減することができる。なお、第2の熱処理のタイミングは、ゲート絶縁層112の形成後であれば特に限定されない。例えば、ゲート電極114の形成後に第2の熱処理を行ってもよい。その後、ゲート電極114を形成する図3E参照。。ゲート電極114は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウムなどの金属材料、これらの窒化物、またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、ゲート電極114は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。以上の工程でトランジスタ151が作製される。次に、図4A乃至図4Eを用いて、図2Aに示すトランジスタ152の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に下地絶縁層102を形成する図4A参照。。下地絶縁層102を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。次に、下地絶縁層102上に、ソース電極及びドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電層を形成し、当該導電層を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成する図4B参照。。その後、トランジスタ151と同様に第2の熱処理を行ってもよい。次に、下地絶縁層102上に、ソース電極108a及びドレイン電極108bと接続する酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する図4C参照。。その後、トランジスタ151と同様の第1の熱処理を行ってもよい。次に、ソース電極108a及びドレイン電極108b、酸化物半導体層106を覆い、かつ、酸化物半導体層106、ソース電極108a及びドレイン電極108bの一部と接するように、ゲート絶縁層112を形成する図4D参照。。ゲート絶縁層112はを含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。その後、トランジスタ151と同様に第2の熱処理を行ってもよい。その後、ゲート電極114を形成する図4E参照。。以上の工程でトランジスタ152が形成される。なお、酸化物半導体層の表面に電荷がトラップされると、トランジスタのしきい値電圧はシフトする。例えば、バックチャネル側に正電荷がトラップされると、トランジスタのしきい値電圧は負方向にシフトする。しかし、このような電荷捕獲の要因の一つとして、陽イオンまたはその原因たる原子の移動及びトラップのモデルを仮定することができる。本発明の一態様では、シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層102及びゲート絶縁層112を用い、酸化物半導体層と、下地絶縁層102及びゲート絶縁層112と、の界面準位を低減することで、上述のモデルにおいて想定される電荷捕獲を低減することができ、トランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制することができる。次に、図5A乃至図5Eを用いて、図2Bに示すトランジスタ153の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に下地絶縁層102を形成する図5A参照。。次に、下地絶縁層102上に、ゲート電極114を形成する。図5B参照。。次に、ゲート電極114上に、ゲート絶縁層112を形成する。ゲート絶縁層112を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む図5C参照。。次に、ゲート絶縁層112上に、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成し、前記ソース電極108a及び前記ドレイン電極108bと接続する酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する図5D参照。。その後、トランジスタ151と同様の第1の熱処理を行ってもよい。その後、トランジスタ151と同様に第2の熱処理を行ってもよい。次に、酸化物半導体層106及びソース電極108a及びドレイン電極108bを覆うように保護絶縁層124を形成する図5E参照。。保護絶縁層124を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。以上の工程でトランジスタ153が形成される。次に、図6A乃至図6Eを用いて、図2Cに示すトランジスタ154の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に下地絶縁層102を形成する図6A参照。。次に、下地絶縁層102上に、ゲート電極114を形成する。図6B参照。。次に、ゲート電極114上に、ゲート絶縁層112を形成する図6C参照。。ゲート絶縁層112を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。次に、ゲート絶縁層112上に、酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する。その後、トランジスタ151と同様の第1の熱処理を行ってもよい。その後、ソース電極108a及びドレイン電極108bを酸化物半導体層106と接続する図6D参照。。次に、酸化物半導体層106及びソース電極108a及びドレイン電極108bを覆うように保護絶縁層124を形成する図6E参照。。保護絶縁層124を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。以上の工程でトランジスタ154が形成される。図7A乃至図7Eを用いて、図2Dに示すトランジスタ155の作製工程の一例について説明する。まず、基板100上に下地絶縁層102を形成する図7A参照。。下地絶縁層102を含む酸化物半導体層と接する絶縁層の少なくともいずれかは、シリコン過酸化ラジカルを含む。次に、下地絶縁層102上に、酸化物半導体層を形成し、当該酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層106を形成する図7B参照。。その後、トランジスタ151と同様の第1の熱処理を行ってもよい。次に、ゲート絶縁層112及びゲート電極114を形成し、フォトリソグラフィにより同様のパターンに加工する図7C参照。。このとき、ゲート電極114を加工し、その後、ゲート電極114をマスクにゲート絶縁層112を加工してもよい。次に、ゲート電極114をマスクに用いて酸化物半導体層106を低抵抗化し、ソース領域122a及びドレイン領域122bを形成する。低抵抗化されないゲート電極下の領域はチャネル領域126となる図7D参照。。このとき、ゲート電極の幅によってトランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。このように、ゲート電極をマスクに用いてパターニングすることで、ゲート電極とソース領域、ドレイン領域の重なりが生じず、この領域における寄生容量が生じないため、トランジスタ動作を速くすることができる。次に、保護絶縁層124を形成し、ソース領域122a及びドレイン領域122bと重畳する部分の保護絶縁層124に開口部を設ける。ソース電極及びドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電層を形成し、当該導電層を加工して、ソース電極108a及びドレイン電極108bを形成する図7E参照。。以上の工程でトランジスタ155が作製される。本実施の形態に示すトランジスタの活性層に用いる酸化物半導体層は、酸化物半導体層形成時の基板加熱、または酸化物半導体層形成後の熱処理によって、水素水や水酸基を有する化合物を含むなどの不純物を酸化物半導体より排除し、かつ当該不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層から酸化物半導体層に供給することによって、酸化物半導体層を高純度化によりi型真性化されたものである。このように高純度化された酸化物半導体膜を含むトランジスタは、オフ電流が低く、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。以上のように、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態2実施の形態1で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。図8Aにおいて、第1の基板201上に設けられた画素部202を囲むようにして、シール材205が設けられ、第2の基板206によって封止されている。図8Aにおいては、第1の基板201上のシール材205によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体層または多結晶半導体層で形成された走査線駆動回路204、信号線駆動回路203が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路203と、走査線駆動回路204または画素部202に与えられる各種信号及び電位は、FPCFlexibleprintedcircuit218a、218bから供給されている。図8B及び図8Cにおいて、第1の基板201上に設けられた画素部202と、走査線駆動回路204とを囲むようにして、シール材205が設けられている。また画素部202と、走査線駆動回路204の上に第2の基板206が設けられている。よって画素部202と、走査線駆動回路204とは、第1の基板201とシール材205と第2の基板206とによって、表示素子と共に封止されている。図8B及び図8Cにおいては、第1の基板201上のシール材205によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体層または多結晶半導体層で形成された信号線駆動回路203が実装されている。図8B及び図8Cにおいては、別途形成された信号線駆動回路203と、走査線駆動回路204または画素部202に与えられる各種信号及び電位は、FPC218から供給されている。また図8B及び図8Cにおいては、信号線駆動回路203を別途形成し、第1の基板201に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装してもよい。なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COGChipOnGlass方法、ワイヤボンディング方法、或いはTABTapeAutomatedBonding方法などを用いることができる。図8Aは、COG方法により信号線駆動回路203、走査線駆動回路204を実装する例であり、図8Bは、COG方法により信号線駆動回路203を実装する例であり、図8Cは、TAB方法により信号線駆動回路203を実装する例である。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むICなどを実装した状態にあるモジュールとを含む。なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもしくはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPTapeCarrierPackageの先にプリント配線板が設けられたモジュールまたは表示素子にCOG方式によりICIntegratedCircuitが直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。また第1の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、実施の形態1で一例を示したトランジスタを適用することができる。表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう、発光素子発光表示素子ともいう、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence素子、有機EL素子などを含む。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。半導体装置の一形態について、図9乃至図11を用いて説明する。図9乃至図11は、図8BのM-N断面における断面図に相当する。図9乃至図11で示すように、半導体装置は接続端子電極215及び端子電極216を有しており、接続端子電極215及び端子電極216はFPC218が有する端子と異方性導電層219を介して、電気的に接続されている。接続端子電極215は、第1の電極層230と同じ導電層から形成され、端子電極216は、トランジスタ210、トランジスタ211のソース電極及びドレイン電極と同じ導電層で形成されている。また第1の基板201上に設けられた画素部202と、走査線駆動回路204は、トランジスタを複数有しており、図9乃至図11では、画素部202に含まれるトランジスタ210と、走査線駆動回路204に含まれるトランジスタ211とを例示している。本実施の形態では、トランジスタ210、トランジスタ211として、実施の形態1で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ210、トランジスタ211は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図9乃至図11で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。画素部202に設けられたトランジスタ210は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図9に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図9において、表示素子である液晶素子213は、第1の電極層230、第2の電極層231、及び液晶層208を含む。なお、液晶層208を挟持するように配向層として機能する絶縁層232、233が設けられている。第2の電極層231は第2の基板206側に設けられ、第1の電極層230と第2の電極層231とは液晶層208を介して積層する構成となっている。また、スペーサ235は絶縁層を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層208の厚さセルギャップを制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていてもよい。表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶などを用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相などを示す。また、配向層を不要とすることができるブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向層を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。また、液晶材料の固有抵抗率は、1×109Ωcm以上であり、好ましくは1×1011Ωcm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ωcm以上である。なお、本明細書における固有抵抗率の値は、20°Cで測定した値とする。液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流などを考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体層を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像信号などの電気信号の保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体層を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。液晶表示装置には、TNTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticalCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモードなどを用いることができる。また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向VAモードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素ピクセルをいくつかの領域サブピクセルに分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。また、表示装置において、ブラックマトリクス遮光層、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材光学基板などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。また、バックライトとして複数の発光ダイオードLEDを用いて、時間分割表示方式フィールドシーケンシャル駆動方式を行うことも可能である。フィールドシーケンシャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うことができる。また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式などを用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGBRは赤、Gは緑、Bは青を表すの三色に限定されない。例えば、RGBWWは白を表す、またはRGBに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。また、表示装置に含まれる表示素子として、ELを利用する発光素子を適用することができる。ELを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子及び正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、これらキャリア電子及び正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明する。発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板の、トランジスタ及び発光素子が形成されている面側から発光を取り出す上面射出や、基板の、トランジスタ及び発光素子が形成されていない面側から発光を取り出す下面射出や、基板の、トランジスタ及び発光素子が形成されている側及びされていない側の両面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。図10に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。表示素子である発光素子243は、画素部202に設けられたトランジスタ210と電気的に接続している。なお発光素子243の構成は、第1の電極層230、電界発光層241、第2の電極層231の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子243から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子243の構成は適宜変えることができる。隔壁240は、有機絶縁材料、または無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極層230上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。電界発光層241は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでもよい。発光素子243に酸素、水素、水分、二酸化炭素などが侵入しないように、第2の電極層231及び隔壁240上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、DLC層DiamondLikeCarbon層、酸化アルミニウム層及び窒化アルミニウム層などを形成することができる。また、第1の基板201、第2の基板206、及びシール材205によって封止された空間には充填材244が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルムなどやカバー材でパッケージング封入することが好ましい。充填材244としては窒素やアルゴンなどの不活性ガスの他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、または円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板または円偏光板に反射防止層を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置電気泳動ディスプレイとも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第1の粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの無色を含むとする。このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。なお、マイクロカプセル中の第1の粒子及び第2の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料またはこれらの複合材料を用いればよい。また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することができる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。図11に、半導体装置の一形態としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを示す。図11の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。トランジスタ210と接続する第1の電極層230と、第2の基板206に設けられた第2の電極層231との間には、黒色領域255a及び白色領域255bを有し、周りに液体で満たされているキャビティ252を含む球形粒子253が設けられており、球形粒子253の周囲は樹脂などの充填材254で充填されている。第2の電極層231が共通電極対向電極に相当する。第2の電極層231は、共通電位線と電気的に接続される。なお、図9乃至図11において、第1の基板201、第2の基板206としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。絶縁層221は、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などの、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁層として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラスなどを用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、絶縁層221を形成してもよい。絶縁層221の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷など、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコーティングなどを用いることができる。表示装置は光源または表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁層、導電層などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。表示素子に電圧を印加する第1の電極層230及び第2の電極層231画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいうにおいては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。第1の電極層230、第2の電極層231には、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、第1の電極層230、第2の電極層231はタングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、チタンTi、白金Pt、アルミニウムAl、銅Cu、銀Agなどの金属、またはその合金、もしくはその窒化物から一つ、または複数種を用いて形成することができる。また、第1の電極層230、第2の電極層231として、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、もしくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体もしくはその誘導体などがあげられる。また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。以上のように実施の形態1で例示したトランジスタを適用することで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSIなどの半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態3本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビまたはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。図12Aは、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体301、筐体302、表示部303、キーボード304などによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。図12Bは、携帯情報端末PDAであり、本体311には表示部313と、外部インターフェイス315と、操作ボタン314などが設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス312がある。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末PDAとすることができる。図12Cは、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍320は、筐体321及び筐体322の2つの筐体で構成されている。筐体321及び筐体322は、軸部325により一体とされており、該軸部325を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体321には表示部323が組み込まれ、筐体322には表示部324が組み込まれている。表示部323及び表示部324は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図12Cでは表示部323に文章を表示し、左側の表示部図12Cでは表示部324に画像を表示することができる。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍320とすることができる。また、図12Cでは、筐体321に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体321において、電源326、操作キー327、スピーカー328などを備えている。操作キー327により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍320は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍320は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図12Dは、携帯電話であり、筐体330及び筐体331の二つの筐体で構成されている。筐体331には、表示パネル332、スピーカー333、マイクロフォン334、ポインティングデバイス336、カメラ用レンズ337、外部接続端子338などを備えている。また、筐体330には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル340、外部メモリスロット341などを備えている。また、アンテナは筐体331内部に内蔵されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。また、表示パネル332はタッチパネルを備えており、図12Dには映像表示されている複数の操作キー335を点線で示している。なお、太陽電池セル340で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。表示パネル332は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル332と同一面上にカメラ用レンズ337を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー333及びマイクロフォン334は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体330と筐体331は、スライドし、図12Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子338はACアダプタ及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット341に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図12Eは、デジタルビデオカメラであり、本体351、表示部A357、接眼部353、操作スイッチ354、表示部B355、バッテリー356などによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。図12Fは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置360は、筐体361に表示部363が組み込まれている。表示部363により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド365により筐体361を支持した構成を示している。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置360とすることができる。テレビジョン装置360の操作は、筐体361が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置360は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。本実施例では、本発明の一態様である半導体装置に設けられるシリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層のESR法分析結果について説明する。本実施例では、厚さ1.1mmの石英基板上に酸化シリコン層もしくは酸化窒化シリコン層を形成し、20mm×3mmのサイズに分断し、試料を2本重ねた状態で測定を行った。本実施例で測定を行った試料の条件について以下に示す。試料1の形成条件は以下の通りである。膜種:酸化シリコン成膜法:RFスパッタリング法ターゲット:シリコンターゲット成膜ガス:Ar10sccm、O240sccm電力:3kW13.56MHz圧力:0.6PaT-S間距離:60mm成膜時基板温度:室温厚さ:300nm試料2の形成条件は以下の通りである。膜種:酸化シリコン成膜法:RFスパッタリング法ターゲット:シリコンターゲット成膜ガス:Ar10sccm、O240sccm電力:3kW13.56MHz圧力:0.6PaT-S間距離:60mm成膜時基板温度:100°C厚さ:300nm試料3の形成条件は以下の通りである。膜種:酸化シリコン成膜法:RFスパッタリング法ターゲット:シリコンターゲット成膜ガス:Ar40sccm、O210sccm電力:3kW13.56MHz圧力:0.6PaT-S間距離:60mm成膜時基板温度:100°C厚さ:300nm試料4の形成条件は以下の通りである。膜種:酸化シリコン成膜法:RFスパッタリング法ターゲット:石英ターゲット成膜ガス:Ar40sccm、O210sccm電力:1.5kW13.56MHz圧力:0.4PaT-S間距離:60mm成膜時基板温度:100°C厚さ:300nm試料5の形成条件は以下の通りである。膜種:酸化窒化シリコン成膜法:プラズマCVD法原料ガス:SiH425sccm、N2O1000sccm電力:35W13.56MHz圧力:133.3Pa電極-基板間距離:20mm成膜時基板温度:200°C厚さ:300nm試料6は参照用の石英基板である。なお、ESR法分析にはブルカーバイオスピン株式会社製E500CW-EPRスペクトロメーターを用いた。試料1のESR分析結果を図13に示す。また、試料2のESR分析結果を図14に示す。また、試料3のESR分析結果を図15に示す。また、試料4のESR分析結果を図16に示す。また、試料5のESR分析結果を図17に示す。また、試料6のESR分析結果を図18に示す。なお、ESR分析のマイクロ波電力を0.1mW、ModulationAmplitudeを0.5G、ConversionTimeを400msec、スキャン回数を25回、測定温度を室温、として測定を行っている。ここで、g値が2.0003及び2.0019の信号はシリコン亜酸化ラジカルO-3Siを示し、g値が2.0016及び2.0078の信号はシリコン過酸化ラジカルを示す。試料1乃至試料4にて、シリコン亜酸化ラジカルが検出された。また、試料1、試料2、試料4において、シリコン過酸化ラジカルが検出された。試料5及び試料6においては、シリコン亜酸化ラジカル及びシリコン過酸化ラジカルは検出されなかった。シリコンターゲットを用いた場合、O2/O2Ar割合が20のとき、シリコン過酸化ラジカルは検出されなかったが、石英ターゲットを用いた場合、O2/O2Ar割合が20のときでもシリコン過酸化ラジカルが検出されることがわかった。また、プラズマCVD法により作製した試料5では、シリコン亜酸化ラジカル及びシリコン過酸化ラジカルは検出されなかった。試料1乃至試料6において、それぞれのラジカルの検出の有無を表1に示す。従って、シリコン過酸化ラジカルを持つ絶縁層の形成には、スパッタリング法を用いるとよく、ターゲットには石英ターゲットを用いることが好ましい。または、シリコンターゲットを用いる場合にはO2/O2Ar割合を高くすることが好ましい。本実施例では、本発明の一態様を用いて作製したトランジスタについて説明する。本実施例におけるトランジスタの構造を図19に示す。図19に示すトランジスタは、基板500上に設けられた下地絶縁層502と、酸化物半導体層506と、ソース電極508a及びドレイン電極508bと、ソース電極508a及びドレイン電極508b上に設けられたゲート絶縁層512と、ゲート絶縁層512上に設けられたゲート電極514と、ゲート電極514上に設けられた保護絶縁層516と、保護絶縁層516に設けられた開口を通じてソース電極508a及びドレイン電極508bにそれぞれ接続されたソース配線518a及びドレイン配線518bと、を有する。本実施例では、基板500として0.7mmのガラス基板を用い、下地絶縁層502として酸化シリコン層を300nm形成し、酸化物半導体層506としてIn-Ga-Zn-O系非単結晶層を30nm形成し、ソース電極508a及びドレイン電極508bとしてタングステン層を100nm形成し、ゲート絶縁層512として酸化窒化シリコン層を20nm形成し、ゲート電極514として窒化タンタル層とタングステン層をそれぞれ30nmと370nm積層して形成し、保護絶縁層516として酸化シリコン層を300nm形成し、ソース配線518a及びドレイン配線518bとしてチタン層とアルミニウム層とチタン層をそれぞれ50nmと100nmと5nm積層して形成した。本実施例のトランジスタは、下地絶縁層502としてシリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層を用いることにより、しきい値電圧の変動及びBT試験前後のしきい値電圧の変動を低減させている。本実施例では、シリコン過酸化ラジカルを含む下地絶縁層として酸化シリコン層を用いている。酸化シリコン層のその他の形成条件は以下の通りである。成膜法:RFスパッタリング法ターゲット:石英ターゲット成膜ガス:Ar25sccm、O225sccm電力:1.5kW13.56MHz圧力:0.4PaT-S間距離:60mm基板温度:100°C本実施例のトランジスタにおける酸化物半導体層506の形成条件は以下の通りである。成膜法:DCスパッタリング法ターゲット:In-Ga-Zn-OIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]ターゲット成膜ガス:Ar30sccm、O215sccm電力:0.5kWDC圧力:0.4PaT-S間距離:60mm基板温度:200°C酸化物半導体層506を形成した後、抵抗加熱炉を用いて、窒素雰囲気下、350°Cにおいて1時間の熱処理を行った。本実施例のトランジスタにおけるドレイン電流Ids-ゲート電圧Vgs測定結果について図20に示す。測定は、基板面内で25点行っており、図20には重ねて表示している。チャネル長Lは2μmであり、チャネル幅Wは50μmである。なお、トランジスタのソース電極とドレイン電極の間の電圧Vdsは3Vとした。図20より、本実施例のトランジスタは基板面内でばらつきがないことがわかる。25点の平均のしきい値電圧は0.27Vであった。次に、本実施例におけるBT試験について説明する。BT試験を行うトランジスタのチャネル長Lは3μmであり、チャネル幅Wは50μmである。本実施例では、まず基板温度25°Cとし、ソース電極とドレイン電極との間の電圧Vdsを3Vとし、トランジスタのIds-Vgs測定を行った。次に、基板ステージ温度を150°Cとし、トランジスタのソース電極を0V、ドレイン電極を0.1Vとした。次に、ゲート絶縁層に印加される電界強度が2MV/cmとなるようにゲート電極に負の電圧を印加し、そのまま1時間保持した。次に、ゲート電極の電圧を0Vとした。次に、基板温度25°Cとし、ソース電極とドレイン電極との間の電圧Vdsを3Vとし、トランジスタのIds-Vgs測定を行った。BT試験前後のIds-Vgs測定結果を図21Aに示す。図21Aにおいて、細線522はBT試験前のトランジスタのIds-Vgs測定結果であり、太線524はBT試験後のトランジスタのIds-Vgs測定結果である。BT試験前から比べ、BT試験後のしきい値電圧は負方向に0.07V変動していることがわかる。同様に、測定するトランジスタを替えて、基板温度25°Cとし、ソース電極とドレイン電極との間の電圧Vdsを3Vとし、トランジスタのIds-Vgs測定を行った。トランジスタのチャネル長Lは3μmであり、チャネル幅Wは50μmである。次に、基板ステージ温度を150°Cとし、トランジスタのソース電極を0V、ドレイン電極を0.1Vとした。次に、ゲート絶縁層に印加される電界強度が2MV/cmとなるようにゲート電極に正の電圧を印加し、そのまま1時間保持した。次に、ゲート電極の電圧を0Vとした。次に、基板温度25°Cとし、ソース電極とドレイン電極との間の電圧Vdsを3Vとし、トランジスタのIds-Vgs測定を行った。BT試験前後のIds-Vgs測定結果を図21Bに示す。図21Bにおいて、細線532はBT試験前のトランジスタのIds-Vgs測定結果であり、太線534はBT試験後のトランジスタのIds-Vgs測定結果である。BT試験前から比べ、BT試験後のしきい値電圧は正方向に0.19V変動していることがわかる。上述の通り、本実施例のトランジスタは、基板面内のしきい値電圧のばらつきが小さく、また、BT試験前後におけるしきい値電圧の変動が小さいことがわかる。