"回路基板上に取り付けられるパッケージ基板であって、該パッケージ基板上に少なくとも1つの半導体チップを取り付け、該パッケージ基板は、導電材質又は半導体材質から構成され、表面にダイ固定領域及び複数の導電領域を含む基板と、それぞれ異なる導電領域に分布する複数の導電薄膜パターンと、該導電薄膜パターンと該基板との間に位置する絶縁薄膜パターンと、を含み、該半導体チップは、該ダイ固定領域上に取り付けられ、且つ該導電薄膜パターンと電気接続されるパッケージ基板。前記半導体チップが発光ダイオードであり、該導電領域は、第1導電領域及び第2導電領域を含み、該導電薄膜パターンは、第1導電薄膜パターン及び第2導電薄膜パターンを含み、該第1導電薄膜パターン及び該第2導電薄膜パターンは、それぞれ該第1導電領域及び該第2導電領域上にそれぞれ位置し、且つ該第1導電薄膜パターン及び該第2導電薄膜パターンは、相互に接触しない請求項1に記載のパッケージ基板。前記基板上に複数の貫通孔を設置し、この貫通孔は、該基板を貫通し、且つ異なる導電領域上に位置し、且つ該貫通孔の孔壁上に該導電薄膜を分布する請求項1又は2に記載のパッケージ基板。前記基板は、凹穴を含み、該凹穴は、該ダイ固定領域に位置し、且つ該基板上に一体に成形され、且つ該半導体チップは、該凹穴内に位置する請求項2に記載のパッケージ基板。前記導電薄膜パターンは、第3導電薄膜パターンを含み、該第3導電薄膜パターンは、該ダイ固定領域上に位置し、且つ該第3導電パターンは、該基板と直接接触する請求項2に記載のパッケージ基板。前記第3導電薄膜パターンは、該第2導電薄膜パターンと電気接続し、且つ該半導体チップのうちの1つの電極は、該第3導電薄膜パターンと直接接触し、該半導体チップのもう1つの電極は、第1接続線により該第1導電薄膜パターンと接触する請求項5に記載のパッケージ基板。前記基板の材質は、銅又はアルミニウム又は以上の何れか1つの成分を含む合金である請求項1又は2に記載のパッケージ基板。前記基板の材質がシリコンである請求項1又は2に記載のパッケージ基板。前記導電薄膜パターンの材質が主に銅、ニッケル、金、銀、又は以上の何れか1つの成分を含む合金を含む請求項1又は2に記載のパッケージ基板。前記絶縁薄膜パターンが重合物である請求項1又は2に記載のパッケージ基板。前記絶縁薄膜パターンの材質がエポキシ樹脂、シリコンゲル、ポリイミド、又ははんだ塗料である請求項10に記載のパッケージ基板。前記絶縁薄膜パターンの厚さが2μmより大きい請求項1又は2に記載のパッケージ基板。前記パッケージ基板は、表面実装技術を利用し、回路基板と電気接続する請求項1又は2に記載のパッケージ基板。前記半導体チップ上に第1接続線及び第2接続線を接続し、該第1接続線は、該第1導電層パターン及び該半導体チップの間に接続され、該第2接続線は、該第2導電層パターン及び該半導体チップの間に接続される請求項2に記載のパッケージ基板。更に、第3接続線及び第4接続線を含み、該第3接続線は、該第1導電層パターン及び該回路基板の間に接続され、該第4接続線は、該第2導電層パターン及び該回路基板の間に接続される請求項2に記載のパッケージ基板。該基板の側壁上に該導電薄膜を分布する請求項1又は2に記載のパッケージ基板。a基板を提供し、該基板は、主に導電材質または半導体材質から構成され、該基板の表面は、ダイ固定領域及び複数の導電領域に分けられ、b該基板上に絶縁薄膜パターンを形成し、該絶縁薄膜パターンは、該ダイ固定領域上に形成されず、c複数の導電薄膜パターンを形成し、これら導電薄膜パターンは、異なる導電領域上に分布され、d半導体チップを該ダイ固定領域内に取り付けられ、e該半導体チップを該導電薄膜パターンと電気接続する、ことを含むパッケージ基板の製造方法。前記ステップbにおいて、該絶縁薄膜パターンは、電気メッキ、電気泳動、又は電気化学蒸着を利用し、該基板上に形成される請求項17に記載のパッケージ基板の製造方法。前記導電領域は、第1導電領域及び第2導電領域を含み、該導電薄膜パターンは、第1導電薄膜及び第2導電薄膜パターンを含み、該第1導電薄膜パターン及び該第2導電薄膜パターンは、それぞれ該第1導電領域及び該第2導電領域上に分布され、該半導体チップは、発光ダイオードである請求項17に記載のパッケージ基板の製造方法。前記基板は、複数の貫通孔を含み、これらの貫通孔は、該基板を貫通し、且つ異なる導電領域上にそれぞれ位置し、且つ該貫通孔の孔壁上に該導電薄膜を分布する請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記基板は、更に、凹穴を含み、該凹穴は、該ダイ固定領域に位置し、且つ該基板上に一体に成形され、且つ該半導体チップは、該凹穴内に位置する請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記dのステップの前に、更に下記のステップ:第3導電薄膜パターンを該ダイ固定領域に形成する、を含む請求項19に記載のパッケージ基板の製造方法。前記cのステップ中に更に以下のステップ:c1シード層を形成し、c2該シード層を基底とし、電気メッキ又は電気泳動を利用し、導電薄膜パターンを形成する、を含む請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記c1のステップに置いて、該シード層は、浸せきメッキ法又はスパッタリング法で形成される請求項22に記載のパッケージ基板の製造方法。前記基板の材質が銅又はアルミニウム又は以上の何れか1つの成分を含む合金である請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記基板の材質がシリコンである請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記導電薄膜パターンの材質が銅、ニッケル、金、又は銀又は以上の何れか1つの成分を含む合金である請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記絶縁薄膜パターンの材質が重合物である請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記絶縁薄膜パターンの材質がエポキシ樹脂、シリコンゲル、ポリイミド、又ははんだ塗料である請求項27に記載のパッケージ基板の製造方法。前記絶縁薄膜パターンの厚さが2μmより大きい請求項17乃至請求項19の何れか1項に記載のパッケージ基板の製造方法。前記bのステップにおいて、前記絶縁薄膜パターンを形成する方法は、印刷塗布法、スパッタリング法、又は噴霧法を含む請求項17に記載のパッケージ基板の製造方法。本発明の目的は、パッケージ基板及びその製造方法を提供することにあり、該パッケージ基板は、良好な放熱効果、比較的長い使用寿命、及び占有面積が小さい等の利点を有する。上記の目的及びその他の目的に基づき、本発明は、パッケージ基板を提供し、このパッケージ基板は、回路基板上に取り付けられ、且つパッケージ基板上に少なくとも1つの半導体チップを取り付け、該パッケージ基板は、基板と、複数の導電薄膜パターンと、絶縁薄膜パターンと、を含む。基板は、主に導電材質又は半導体材質から構成され、その表面がダイ固定領域及び複数の導電領域を含む。各導電薄膜パターンは、それぞれ異なる導電領域上に分布し、絶縁薄膜パターンは、導電薄膜パターン及び基板の間に位置するが、絶縁薄膜パターンは、ダイ固定領域上に設置されない。そのうち、半導体チップは、ダイ固定上に取り付けられ、且つ導電薄膜パターンと電気接続する。上記のパッケージ基板において、半導体チップが発光ダイオードであり、導電領域は、第1導電領域及び第2導電領域を含む。半導体薄膜パターンは、第1導電薄膜パターン及び第2導電薄膜パターンを含み、該第1導電薄膜パターン及び該第2導電薄膜パターンは、それぞれ第1導電領域及び第2導電領域上に位置し、且つ第1導電薄膜パターン及び第2導電薄膜パターンは、相互に接触しない。上記のパッケージ基板において、基板上に複数の貫通孔を設置し、これら貫通孔は、基板を貫通し、且つそれぞれ異なる導電領域に位置し、且つこれら貫通孔の孔壁上に導電薄膜を分布する。上記のパッケージ基板において、更に、凹穴を含み、該凹穴は、ダイ固定領域に位置し、且つ基板上に一体に成形され、且つ半導体チップが凹穴内に位置する。上記のパッケージ基板において、導電薄膜パターンは、更に、第3導電薄膜パターンを含み、第3導電薄膜パターンは、ダイ固定領域に塗布され、且つ第3導電薄膜パターンは、直接基板と接触する。また、第3導電薄膜パターンは、例えば、第2導電パターンと電気接続し、且つ半導体チップのそのうち1つの電極は、第3導電薄膜パターンと直接接触し、半導体チップのもう1つの電極は、第1接続線により第1導電薄膜パターンと接触する。上記のパッケージ基板において、基板の材質は、銅又はアルミニウム、又は銅又はアルミニウムの何れか1つの成分を含む合金である。或いは、半導体材質、例えば、シリコンであることもできる。また、導電薄膜パターンの材質は、主に銅であるが、その他の材質、例えば、ニッケル、金、又は銀、又は以上のいずれか1つの成分を含む合金を含むことができる。上記のパッケージ基板において、絶縁薄膜パターンの材質は、重合物であることができ、この重合物は、例えば、エポキシ樹脂、シリコンゲル、ポリイミド、又ははんだ塗料等であり、且つ厚さが好ましくは、2μmより大きいものである。上記のパッケージ基板において、該パッケージ基板は、例えば、表面実装技術を利用してマザーボードと電気接続を行うものである。上記の目的及びその他の目的に基づき、本発明は、パッケージ基板の製造方法を提供し、該製造方法は、以下~に記載するステップを含む:基板を提供し、該基板は、主に導電材質又は半導体材質で構成される。更に、基板上に、複数の貫通孔を有し、且つ基板は、ダイ固定領域及び複数の導電領域に分けられる。基板上に絶縁薄膜パターンを形成し、該絶縁薄膜パターンは、ダイ固定領域上に形成されず、この絶縁薄膜パターンは、電気メッキ、電気泳動、又は電気化学蒸着により基板上に形成される。複数の導電薄膜パターンを形成し、これら導電薄膜パターンは、異なる導電領域上に分布される。半導体チップをダイ固定領域内に取り付ける。半導体チップ及び導電薄膜パターンを電気接続する。パッケージ基板のダイ固定領域に絶縁薄膜パターンを塗布しないことにより、パッケージ基板は、半導体パッケージ構造の放熱効果を増強することができる。図2A~図2Eを参照し、図2A~図2Eが示すのは、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の実施例である。先ず、図2Aに示すように、基板220を提供し、この基板220の材質は、銅である。基板220上に凹穴221及び複数の貫通孔222を設置し於実施例中は2つである、そのうち、凹穴221は、基板220上に一体に成型され、且つ貫通孔222は、基板220を貫通する。また、基板220の表面は、ダイ固定領域223と、第1導電領域224と、第2導電領域225と、に分けられ、そのうち、凹穴221は、ダイ固定領域223に位置し、2つの貫通孔222は、それぞれ第1導電領域224及び第2導電領域225に位置する。ダイ固定領域223、第1導電領域224、及び第2導電領域225について、如何に分けるかは、下方の文で詳細に説明する。更に、図2Bに示すように、電気メッキ、電気泳動、又は電気化学蒸着を利用し、基板220上に絶縁薄膜パターン240を形成する。そのうち、基板220のダイ固定領域223は、絶縁薄膜パターン240に覆われていない。電気メッキ、電気泳動、又は、電気化学蒸着は、基板220上に電圧を印加し、基板220自身に正の電荷又は負の電荷を帯電させ、相反する電荷を帯びた粒子又はイオンを基板220上に堆積させる。電気メッキ及び電気泳動は、当業者にとって周知の技術であるので、ここでは、詳細を記載しない。従来のスパッタリング、陽極酸化、又は熱酸化に比較し、本実施例の製造方法が採用する電気メッキ、電気泳動、又は電気化学蒸着は、比較的高い成形速度を有するので、比較的短い時間内で厚さが比較的厚い絶縁薄膜パターン240を形成することができる。本実施例において、絶縁薄膜パターン240の厚さは、2μmより大きく、好ましくは、5μmより大きい。絶縁薄膜パターン240は、比較的大きな厚さを有するので、その後、使用時に絶縁破壊の現象が発生し難い。続いて、図2Cに示すように、基板220上に導電薄膜パターン230を形成し、そのうち、導電薄膜パターン230は、第1導電薄膜パターン231、第2導電薄膜パターン232、及び第3導電薄膜パターン233を含む。そのうち、第1導電薄膜パターン231及び第2導電薄膜パターン232は、それぞれ基板220の第1導電領域224及び第2導電領域225上に塗布され、第3導電薄膜パターン233は、ダイ固定領域223に塗布される。図2Cから分かるように、第1導電薄膜パターン231及び第2導電薄膜パターン232は、絶縁薄膜パターン240上を覆う。また、第1導電薄膜パターン231、第2導電薄膜パターン232、及び第3導電薄膜パターン233は、相互に接触しない。このように、パッケージ基板202の製造を完成することができる。図2A及び図2Cを同時に参照し、当業者であれば分かるように、基板220上の第1導電領域224は、第1導電薄膜パターン231に覆われた領域であり、基板220上の第2導電領域225は、第2導電薄膜パターン232により覆われた領域であり、ダイ固定領域223は、第1導電領域224及び第2導電領域225の間に位置する。また、本実施例において、ダイ固定領域223上に絶縁薄膜パターン240を塗布していない。更に、図2Dを参照し、発光ダイオード210を凹穴221内に取り付ける。その後、第1接続線211を発光ダイオード210及び第1導電薄膜パターン231の間に接続し、同時に、第2接続線212を発光ダイオード210及び第2導電薄膜パターン232の間に接続する。また、発光ダイオード210上に更に蛍光粉層260を塗布する。続いて、図2Eを参照し、レンズ270を発光ダイオード210上方に取り付け、このレンズ270は、プラスチック射出成型の方式で形成される。このように、発光ダイオード装置200の製造を完成する。続いて、絶縁薄膜パターン240に形成方式をより詳しく紹介する。図3A~図3Cを参照し、図3A~図3Cが示すのは、絶縁薄膜パターンの形成過程である。先ず、図3Aを参照し、電気メッキ、電気泳動、又は電気化学蒸着を利用し、基板220上に絶縁薄膜240を形成し、本実施例において、絶縁薄膜240の材質は、重合物、例えば、エポキシ樹脂、シリコンゲル、ポリイミド、又ははんだ塗料である。続いて、図3Bを参照し、絶縁薄膜240上にフォトレジスト層50を塗布し、そのうち、ダイ固定領域223上の絶縁薄膜240は、フォトレジスト層50に覆われていない。その後、エッチングプロセスを行い、フォトレジスト層50に覆われていない絶縁薄膜240を除去する。更に、図3Cに示すように、フォトレジスト層50を除去し、絶縁薄膜パターン240を形成する。或いは、図4A~図4Cに示すように、先に、絶縁薄膜パターンを形成しない箇所図4A中では、ダイ固定領域223であるにフォトレジスト層50を形成することもできる。その後、図4Bに示すように、電気メッキ、電気泳動、又は電気化学蒸着を利用し、基板220上に絶縁薄膜240の堆積を行い、絶縁薄膜240は、フォトレジスト層50上に形成されないので、フォトレジスト層50を除去した後、絶縁薄膜パターン240が形成される図4C参照。以下は、導電薄膜パターン230の製造過程についてより詳細に紹介する。図5A~図5Dを参照し、図5A~図5Dが示すのは、導電薄膜パターンの製造過程である。先ず、図5Aに示すように、基板220上にシード層230を形成し、このシード層230の材質は、銅であり、それは、基板220全体に分布し、且つ絶縁薄膜パターン240全体を覆う。本実施例において、浸せきメッキ法或スパッタリング法を利用し、シード層230を形成し、このシード層230の材質は、例えば、銅である。更に、図5Bに示すように、シード層230上にフォトレジスト層50を塗布し、そのうち、一部のシード層230は、フォトレジスト層50に覆われていない。その後、エッチングプロセスを行い、フォトレジスト層50に覆われていないシード層230を除去し、図5Cに示すようなシード層パターン230を形成する。フォトレジスト層50を除去した後、電気メッキ、電気泳動、又は電気化学蒸着を利用し、シード層パターン230上に銅の堆積を継続して行い、図5Dに示すような導電薄膜パターン230を形成する。また、当業者は、銅を堆積した後、更に、その他の種類の金属、例えば、ニッケル、金、及び銀又は以上の何れか1つの成分を含んだ合金等を堆積し、導電薄膜パターン230の物理性質を増進させることもできる。また、導電薄膜パターン230の形成方式は、図5A~図5Dに示す製造過程に制限しない。図6A~図6Dを参照し、図6A~図6Dが示すのは、導電薄膜パターンのもう1種の製造過程である。先ず、図6Aに示すように、基板220上にシード層230を形成し、このシード層230の材質は、銅であり、それは、絶縁薄膜パターン240全体を覆う。更に、図6Bに示すように、シード層230上にフォトレジスト層50を塗布し、そのうち、一部のシード層230は、フォトレジスト層50により覆われていない。その後、電気メッキ又は電気泳動を利用し、フォトレジスト層50で覆われていないシード層230上に銅及びその他の種類の金属例えば、ニッケル及び金の堆積を継続して行い、それを増厚し、増厚した部分が導電薄膜パターン230となる。続いて、フォトレジスト層50を除去した後、エッチングプロセスを行い、残りのシード層230を除去し、図6Dに示すような導電薄膜パターン230を形成することができる。注意すべきことは、図5A~図5D及び図6A~図6Dは、何れも説明に用いるのみであり、実際の比例寸法に基づき作成されたものではなく、例えば、導電薄膜パターン230は、実際には、シード層パターン230又はシード層230に比べ更に厚みが大きくなる。一般的に、シード層パターン230又はシード層230は、1μmより小さく、導電薄膜パターン230は、10μmより大きい。また、当業者は、シード層230上に直接、電気メッキ、電気泳動、電気化学蒸着の方式で導電薄膜を形成し、その後、導電薄膜上にフォトレジスト層を塗布し、エッチングを行い、導電薄膜パターン230を形成することもできる。図7A及び図7Bが示すのは、本発明の発光ダイオード装置の第1実施例の説明図であり、図7Aが示すのは、断面図であり、図7Bが示すのは、平面図である。この発光ダイオード装置200は、図2A~図2Dが示す製造方法により製造され、且つそれは、回路基板20上に取り付けられる。この回路基板20は、例えば、プリント回路基板であり、回路基板20上に発光ダイオード装置200を取り付ける以外に、更に、その他の電子部品図示せずを取り付けるか、より多くの発光ダイオード装置200を取り付けることができる。図7Aから分かるように、発光ダイオード210の直下には、如何なる絶縁薄膜パターン240も塗布しておらず、第3導電薄膜パターン233が銅、ニッケル、金、又は銀等の金属から構成され、基板220の材質が銅であるので、発光ダイオード210が発生する熱量は、第3導電薄膜パターン233及び基板220から容易に伝導して放出されることができ、発光ダイオード210が過度の熱を持つ状況を発生し難くする。また、発光ダイオード210上に塗布する蛍光粉層260は、発光ダイオード装置200が発する色光を制御することに用い、例えば、発光ダイオード210が発する光が青色光であり、蛍光粉層260が黄色の蛍光粉で形成されるものであれば、発光ダイオード装置200は、白色光を発することができる。凹穴221が基板220上に一体に成型されることにより、図1の発光ダイオード装置100が発生する問題、即ち、使用時間が長くなった後、反射部材130及び基板120間で離脱の現象が発生し得る問題が生じることがない。従って、発光ダイオード装置100に比較し、発光ダイオード装置200は、比較的長い使用寿命を有することができる。また、凹穴221の孔壁上に第3導電薄膜パターン233を塗布し、その表面に反射の効果を有するので、発光ダイオード210が発する光線が反射され、且つレンズ270も集光の作用を有し、これらが発光ダイオード装置200の発光品質を向上することができる。図1,図7A及び図7Bを参照し、パッケージ基板202上において、パッケージ基板102のような一般に設置する絶縁体140を必要としないので、基板220の面積が比較的小さく、且つ第1接続線211及び第2接続線212の長さが接続線112及び接続線114と比較し短く、従って、発光ダイオード装置200が比較的小さな面積を有することができる。また、パッケージ基板102は、接続線を接合する方式を利用し、回路基板10と接続し、パッケージ基板202は、表面実装技術を利用し、回路基板20と電気接続するので、図1及び図7Aと比較し、明確に以下のことが分かる:発光ダイオード装置200が回路基板20上で占める面積は、発光ダイオード装置100が回路基板10上で占める面積より小さい。発光ダイオード装置200が回路基板20上で占める面積が比較的小さいことにより、回路基板20上により多くの電子部品又はより多くの発光ダイオード装置200を取り付けることも可能である。上記の実施例において、ダイ固定領域223は、基板220表面の中央箇所に位置しているが、当業者にとって、ダイ固定領域223は、中央箇所に設置することに限らないことが明白である。また、基板220の材質が銅であるが、当業者は、その他の材質を使用し、基板220を製造することもでき、例えば、アルミニウム、又は銅とアルミニウムの何れか1つの成分を含む合金である。また、基板220の材質は、半導体材質であることもでき、例えば、シリコンであり、基板220に導電の性質を持たせれば、何れも可能である。また、ダイ固定領域223上に凹穴221を設置せずに平面状を呈するようにすることもできる。図8Aを参照し、図8Aが示すのは、本発明の発光ダイオード装置の第2実施例の説明図である。図7Aの発光ダイオード装置200に比べて、図8Aの発光ダイオード装置200は、第3導電薄膜パターン233を設置しておらず、即ち、発光ダイオード210は、基板220と直接接触している。また、図7Aにおいて、第1導電薄膜パターン231、第2導電薄膜パターン232、及び第3導電薄膜パターン233は、相互に接触しておらず、且つ発光ダイオード210は、接続線の方式で第1導電薄膜パターン231及び第2導電薄膜パターン232と電気接続する。しかしながら、図8Bを参照し、図8Bが示すのは、本発明の発光ダイオード装置の第3実施例の説明図である。本実施例において、第2導電薄膜パターン232及び第3導電薄膜パターン233は、一体に成形され、即ち、相互に1つに接続される。また、発光ダイオード装置200の発光ダイオード210の中の1つの電極本実施例では正極であるは、第3導電薄膜パターン233と直接接触するが、発光ダイオード210のもう1つの電極在本実施例為負極は、第1接続線211により第1導電薄膜パターン231と接触する。図9を参照し、図9が示すのは、本発明の発光ダイオード装置の第4実施例の説明図であり、発光ダイオード装置300のパッケージ基板302は、回路基板30上に取り付けられる。図7Aのパッケージ基板202に比べて、パッケージ基板302の基板310は、凹穴221及び如何なる貫通孔222も設置しておらず、且つ発光ダイオード装置300は、更に第3接続線303及び第4接続線304を含む。第3接続線303は、第1導電層パターン331及び回路基板30の間に接続され、第4接続線304は、第2導電層パターン332と回路基板30の間に接続される。基板310上に如何なる凹穴221及び貫通孔222も設置しておらず、その表面が平坦の表面であるので、本実施例において、電気泳動、電気メッキ、又は電気化学蒸着を使用できる以外に、更に、印刷塗布法、スパッタリング法、又は噴霧法等の方式を使用し、基板310上に絶縁薄膜パターン340及び導電薄膜パターン330を形成することもできる。図10を参照し、図10が示すのは、本発明の発光ダイオード装置の第5実施例の説明図であり、発光ダイオード装置400のパッケージ基板402は、回路基板20上に取り付けられる。図7Aに比較し、発光ダイオード装置400の基板410は、如何なる貫通孔も設置されておらず、その第1導電薄膜パターン431及び第2導電薄膜パターン432は、基板410の上表面及び下表面に分布する以外に、更に、基板410の側壁上に分布する。従って、基板410上表面の導電薄膜430は、側壁上に位置する導電薄膜430により、下表面に位置する導電薄膜430と相互に導通する。本実施例において、パッケージ基板402は、表面実装技術を利用し、回路基板20と電気接続する。上記の実施例において、全ての発光ダイオード装置は、何れもただ1つの発光ダイオードのみを取り付けているが、当業者は、状況に応じて、より多くの発光ダイオードを取り付けることができ、これら発光ダイオードは、並列の方式を利用し、1つに接続することができる。更に、上記の発光ダイオード以外に、パッケージ基板は、更にその他の半導体パッケージ構造上に応用することができる。即ち、パッケージ基板のダイ固定領域上に、発光ダイオードを取り付ける以外に、更にその他の形態の半導体チップ、例えば、論理IC、メモリIC、アナログIC、CMOSイメージセンサ部材を取り付けることができる。また、取り付けた半導体チップの違いに応じて、導電薄膜パターンの個数も異なり、主にその半導体チップの接続ピン数を取り決め、例えば、接続ピンが10個であれば、導電薄膜パターンの個数は、10個となる。パッケージ基板のダイ固定領域に絶縁薄膜パターンを塗布していないので、パッケージ基板により半導体パッケージ構造の放熱効果を増強することができる。本発明では好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知するものなら誰でも、本発明の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って本発明の保護の範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。"