"基材のコーティング表面に層を堆積させる方法であって、第1のプリカーサノズルアセンブリと第2のプリカーサノズルアセンブリとを有するユニットセルを含むデポジションヘッドを提供すること、前記第1のプリカーサノズルアセンブリから前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第1のプリカーサを大気の条件に放出すること、前記第2のプリカーサノズルアセンブリから前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第2のプリカーサを大気の条件に放出すること、前記コーティング表面の第1の領域に前記第1のプリカーサを向かわせた後に前記コーティング表面の前記第1の領域に前記第2のプリカーサを向かわせるように前記デポジションヘッドと前記基材とを相対的に移動させることを含む、方法。前記ユニットセルは、前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記第2のプリカーサノズルアセンブリとの間に配置される不活性ガスノズルアセンブリを有し、前記方法は、前記不活性ガスノズルアセンブリから前記コーティング表面に実質的に垂直な方向に不活性ガスを大気の条件に放出することであって、前記第1のプリカーサが前記第2のプリカーサと混合するのを実質的に防止するバッファゾーンを形成するように前記不活性ガスを向かわせることを更に含む、請求項1に記載の方法。前記ユニットセルが、前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される第1のエグゾーストチャネルと、前記第2のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される第2のエグゾーストチャネルとを含み、前記方法は、第1のエグゾーストチャネルを通して、未反応の第1のプリカーサおよび反応副生成物の一方を除去することと、前記第2のエグゾーストチャネルを通して、未反応の第2のプリカーサおよび反応副生成物の一方を除去することとを更に含む、請求項2に記載の方法。前記第1のプリカーサおよび前記第2のプリカーサが同時に放出される、請求項1に記載の方法。前記コーティング表面の上方において、前記デポジションヘッドを横方向に移動させることを含む、請求項1に記載の方法。前記デポジションヘッドの下方において、前記基材を横方向に移動させることを含む、請求項1に記載の方法。前記デポジションヘッドが、前記コーティング表面から0.5~5mmの距離で離れている、請求項1に記載の方法。前記第1のプリカーサが、前記コーティング表面と反応して、化学的に改変された表面を形成し、前記第2のプリカーサが、前記化学的に改変された表面と反応して、固体の物質層を形成する、請求項1に記載の方法。前記デポジションヘッドが複数のユニットセルを含む、請求項1に記載の方法。前記デポジションヘッドが静止していて、前記相対的な移動が、前記基材のコーティング表面を移動させて10~35m/分の範囲の速度で前記デポジションヘッドを通過させることを含む、請求項1に記載の方法。デポジションシステムであって、コーティング表面を含む基材と、第1のプリカーサノズルアセンブリと第2のプリカーサノズルアセンブリとを有するユニットセルを含むデポジションヘッドであって、前記第1のプリカーサノズルアセンブリが、前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第1のプリカーサを大気の条件に放出するように構成および配置され、前記第2のプリカーサノズルアセンブリが、前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第2のプリカーサを大気の条件に放出するように構成および配置される、デポジションヘッドと、前記デポジションヘッドおよび/または前記基材と協同するアクチュエータであって、前記デポジションヘッドと前記基材との間で相対的な運動を発生させて、前記コーティング表面の第1の領域を前記第1のプリカーサに曝露させた後、前記コーティング表面の前記第1の領域を前記第2のプリカーサに曝露させるように構成されるアクチュエータとを含む、デポジションシステム。前記ユニットセルが、前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記第2のプリカーサノズルアセンブリとの間に配置される不活性ガスノズルアセンブリを有する、請求項11に記載のシステム。前記ユニットセルが、前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される第1のエグゾーストチャネルと、前記第2のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される第2のエグゾーストチャネルとを含む、請求項12に記載のシステム。前記第1のエグゾーストチャネルが、前記第2のエグゾーストチャネルと分離されている、請求項13に記載のシステム。前記アクチュエータが、前記基材と協同する機械的な直線変位機構を含む、請求項11に記載のシステム。前記デポジションヘッドが静止しており、これに対して、前記基材と協同する前記機械的な直線変位機構が、前記基材を進行させて3~35メートル/分の範囲の速度で前記デポジションヘッドを通過させる、請求項15に記載のシステム。前記ユニットセルが、0.7~1.5mmの範囲のチャネル幅を有するように構成される、請求項11に記載のシステム。前記デポジションシステムが、5~50msecの範囲のドウェル時間で作動するように構成される、請求項11に記載のシステム。前記デポジションヘッドが、前記コーティング表面から0.5~5mmの距離で離れている、請求項11に記載のシステム。各ノズルアセンブリが、プリカーサオリフィスプレートを含み、前記プリカーサオリフィスプレートは、該プリカーサオリフィスプレートを貫通する1以上のオリフィスを含み、前記1以上のオリフィスからガスが出る位置が、前記コーティング表面から、0.5~5mmの距離で離れている、請求項12に記載のシステム。前記第1のプリカーサノズルアセンブリ、前記第2のプリカーサノズルアセンブリおよび前記不活性ガスノズルアセンブリが、それぞれ、プリカーサオリフィスプレートを含み、前記プリカーサオリフィスプレートが、前記コーティング表面に対して垂直な軸線に沿って該プリカーサオリフィスプレートを貫通する1以上のオリフィスを含み、前記プリカーサオリフィスプレートが、加圧されたガスで満たされたチャンバを大気の条件から分離し、前記1以上のオリフィスの各々は、前記加圧されたガスで満たされたチャンバから出るガスのフローを絞るような寸法とされている、請求項12に記載のシステム。前記デポジションヘッドが複数のユニットセルを含む、請求項11に記載のシステム。デポジションヘッドであって、複数の第1のプリカーサノズルアセンブリと、複数の第2のプリカーサノズルアセンブリと、前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記第2のプリカーサノズルアセンブリとの間にそれぞれ配置される複数の不活性ガスノズルアセンブリと、前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される複数の第1のエグゾーストチャネルと、前記第2のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される複数の第2のエグゾーストチャネルと、前記複数の第1のプリカーサノズルのそれぞれに第1のプリカーサを送達する第1のプリカーサ送達システムと、前記複数の第2のプリカーサノズルのそれぞれに第2のプリカーサを送達する第2のプリカーサ送達システムと、前記複数の不活性ガスノズルのぞれぞれに不活性ガスを送達する不活性ガス送達システムと、前記第1のエグゾーストチャネルのぞれぞれを通して、および前記第2のエグゾーストチャネルのぞれぞれを通して、エグゾーストガスを吸引し、前記エグゾーストガスをデポジションヘッドから除去するエグゾーストガス除去システムとを含む、デポジションヘッド。前記エグゾーストガス除去システムが、前記第1のエグゾーストチャネルから吸引されるエグゾーストガスと、前記第2のエグゾーストチャネルから吸引されるエグゾーストガスとを分離する、請求項23に記載のデポジションヘッド。前記第1のプリカーサノズルアセンブリおよび前記第2のプリカーサノズルアセンブリが、それぞれ、プリカーサオリフィスプレートを含み、前記プリカーサオリフィスプレートが、前記コーティング表面に対して垂直な軸線に沿って該プリカーサオリフィスプレートを貫通する少なくとも1つのオリフィスを含み、前記プリカーサオリフィスプレートが、加圧されたプリカーサおよび不活性ガスで満たされたチャンバを大気の条件から分離し、前記少なくとも1つのオリフィスは、前記加圧されたガスで満たされたチャンバから出るガスのフローを絞るような寸法とされている、請求項23に記載のデポジションヘッド。前記少なくとも1つのオリフィスが、複数の円形のオリフィスを含み、前記オリフィスのそれぞれが0.25~0.127mmの範囲の直径を有する、請求項25に記載のデポジションヘッド。当該分野では、既存のALDコーティングのケミストリ又は化学物質によって簡便に提供され得るコーティングによって、ウェブまたはロールあるいは基材材料のウェブをコーティングする必要がある。さらに、このようなコーティングを大気圧で適用して、バキュームチャンバ内で基材をコーティングする際の高コストおよび煩雑さを回避し、バキュームチャンバまたは密封シールされたチャンバへの基材のローディング装填およびそこからの基材のアンローディング脱離に付随して増加するサイクル時間を回避することが望ましい。Levyらは、大気圧でのALDコーティング用のシステムを開示するが、Levyらによって開示されるシステムには、基材のコーティング表面と、ガスフローチャネルを形成するために使用されるパーティションの下方の端部との間において、小さな分離距離25μm以下が必要であり、この分離距離のより多くの変動性を必要とする多くの用途において、25μmの分離距離は実用的ではない。1つの問題は、コーティングされるいくつかの材料の厚みが25μmを超えて変動し得ることである。別の問題は、輸送の駆動力に起因する材料の伸張又は延長および位置の変動によって、この分離距離が25μmを超えて変動され得ることである。なぜなら、この材料がこのガス分配マニホールドを通過して進められるからである。このことは、ウェブの移動速度がこの発明のシステムおよび方法によって実現可能な速度の範囲である0.5~20m/秒に到達するので、特に問題である。従って、当該分野において、基材とガスマニホールドとの分離距離が500μm~3mmまたはそれ以上の範囲内である信頼性のあるコーティングALD特性を与えて、変動する材料の厚みに起因する分離距離の変動を受け入れることができ、さらに、材料輸送機構によってもたらされる材料の伸張又は延長および移動に起因する分離距離のダイナミックな変化を受け入れることができるシステムおよび方法を提供する必要がある。より一般には、ALDのコーティング速度例えば、m2/分で測定される速度を増加させる必要がある。本発明は、大気圧でのALDコーティング用の改良されたシステムおよび方法を提供することによって上記の必要性を扱い、それによって、処理チャンバのロード装填およびアンロード脱離のサイクル時間を排除し、そして、従来のALDコーティングシステムにおいて使用される密封シールチャンバに関連するポンプダウンおよびパージサイクルcayleの時間を排除する。さらに、本発明は、ユニットセルの寸法を最適化することによって、そして、所望の基材速度で完全な飽和をもたらす基材へのガス容量の送達を最適化することによって、1分あたりのコーティング速度を増加させる。さらに、増加した基材速度で基材表面のより迅速な飽和を達成する必要がある。本発明は、各ガスチャネルに曝される基材の領域にわたって、より迅速かつより均一な処理ガスの送達および除去を提供することによって、上記の必要性を扱う。ALDプロセスを使用してコーティングされる基材表面の飽和を達成するために使用されるケミストリ又は化学物質の容量を低減するというさらなる必要性がある。本発明は、ユニットセルの寸法を最適化することによって、および所望の基材輸送速度に従って、基材へのガス容量の送達を最適化することによって第1の曝露の間に使用されるケミストリ又は化学物質の容量を減らすことによって、ならびにパージサイクルの間に除去される異種プリカーサを分離および回収して未反応のプリカーサを再使用する機会を提供することによって、上記の必要性を扱う。基材表面に近い反応ゾーン。4発明の要旨本明細書中には、コーティング表面に層を堆積させる方法および装置が記載される。1つの形態では、基材のコーティング表面に層を堆積又はデポジションさせる方法が提供される。この方法は、第1のプリカーサノズルアセンブリと第2のプリカーサノズルアセンブリとを有するユニットセルを含むデポジションヘッド又は堆積ヘッドを提供すること、前記第1のプリカーサノズルアセンブリから前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第1のプリカーサ又は第1の前駆体を大気の条件に放出すること、および前記第2のプリカーサノズルアセンブリから前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第2のプリカーサ又は第2の前駆体を大気の条件に放出することを含む。この方法は、さらに、前記コーティング表面の第1の領域に前記第1のプリカーサを向かわせた後に前記コーティング表面の前記第1の領域に前記第2のプリカーサを向かわせるように前記デポジションヘッドと前記基材とを相対的に移動させることを含む。1つの形態においては、デポジションシステム又は堆積システムが提供される。このシステムは、コーティング表面を含む基材と;第1のプリカーサノズルアセンブリおよび第2のプリカーサノズルアセンブリを有するユニットセルを含むデポジションヘッドとを含む。前記第1のプリカーサノズルアセンブリは、前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第1のプリカーサを大気の条件に放出するように構成および配置され、そして、前記第2のプリカーサノズルアセンブリは、前記コーティング表面に対して実質的に垂直な方向に第2のプリカーサを大気の条件に放出するように構成および配置されている。このシステムは、さらに、前記デポジションヘッドおよび/または前記基材と協同又は関連するアクチュエータを含む。前記アクチュエータは、前記デポジションヘッドと前記基材との間で相対的な運動又は移動を発生させて、前記コーティング表面の第1の領域を前記第1のプリカーサに曝露させた後、前記コーティング表面の前記第1の領域を前記第2のプリカーサに曝露させるように構成されている。1つの形態においては、デポジションヘッド又は堆積ヘッドが提供される。このデポジションヘッドは、複数の第1のプリカーサノズルアセンブリと;複数の第2のプリカーサノズルアセンブリと;前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記第2のプリカーサノズルアセンブリとの間にそれぞれ配置される複数の不活性ガスノズルアセンブリとを含む。このデポジションヘッドは、さらに、前記第1のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される複数の第1のエグゾーストチャネルと;前記第2のプリカーサノズルアセンブリと前記不活性ガスノズルアセンブリとの間に配置される複数の第2のエグゾーストチャネルとを含む。このデポジションヘッドは、さらに、前記複数の第1のプリカーサノズルのそれぞれに第1のプリカーサを送達する第1のプリカーサ送達システムと;前記複数の第2のプリカーサノズルのそれぞれに第2のプリカーサを送達する第2のプリカーサ送達システムと;前記複数の不活性ガスノズルのぞれぞれに不活性ガスを送達する不活性ガス送達システムとを含む。このデポジションヘッドは、さらに、前記第1のエグゾーストチャネルのぞれぞれを通して、および前記第2のエグゾーストチャネルのぞれぞれを通して、エグゾーストガスを吸引し、前記エグゾーストガスをデポジションヘッドから除去するエグゾーストガス除去システムを含む。これらおよび他の形態および利点は、添付の図面とともに以下の説明を読めば明らかとなる。5図面の簡単な説明本発明の特徴は、発明の詳細な説明、およびその例示を目的として選択され、かつ添付の図面に示される好ましい実施形態から、最も良く理解される。名称又は符号6本発明のいくつかの実施形態の説明図1および2を参照すると、ユニットセル100の概略断面図が示され、ユニットセル100は、ガスデポジションヘッドの一部を形成するものであり、ガスデポジションヘッドは、好ましくは複数のユニットセルを含む。このユニットセルは、固体又は中実の基材の上方に配置されて示され、この固体又は中実の基材は、トップ表面またはコーティング表面110を含み、この表面は、ユニットセル100によってコーティングされる表面又はコーティングされている表面である。以下に記載の例示の実施形態では、このガスデポジションのプロセス又は方法は、原子層堆積又はアトミックレイヤーデポジションALDのプロセスである。しかし、本明細書中に記載の装置および方法は、そのまま使用できるか、あるいは他のガスデポジションプロセスを実施するために適合され得る単一の気体または蒸気のプリカーサをコーティング表面に向かわせることによって、コーティング表面に薄膜コーティングを形成することなど;あるいは2よりも多くの異種プリカーサをコーティング表面に連続して向かわせることによって、コーティング表面に薄膜コーティングを形成することなど;あるいは2以上の気体または蒸気の異種プリカーサの混合物をコーティング表面の同じ領域に同時に向かわせることによって、薄膜コーティングを形成することなど。基材は、ALDプロセスまたは他のガスデポジションプロセスまたはベーパーデポジションプロセスによってコーティングされるのに適した任意の材料を含んでいてよい。基材のいくつかの非限定的な例としては、金属、セラミック、プラスチック、半導体、誘電体、織物又は織布、および有機材料、例えば木、紙などが挙げられる。基材は、固体又は中実の材料の連続したウェブを含んでいてよく、あるいは、1またはそれよりも多くの別々の構成要素エレメントを含んでいてよい。好ましくは、ユニットセル100が静止していて又は固定式であり、基材が速度Vでユニットセルを通過して移動する。しかし、ユニットセルは、静止した基材単数または複数に対して、相対的に移動してもよく、基材およびユニットセルの両方が移動してもよい。ユニットセル100は、幅Wcと、長手方向の長さLとを有し、基材は、幅Wsを有する。両方を図2に示す。好ましくは、ユニットセルの長手方向の長さLは、基材幅Wsと実質的に一致するか、またはそれよりも大きい。しかし、いくつかのコーティング用途において、ユニットセルの長手方向の長さLが基材幅Wsよりも短いことが望ましくてもよい。ユニットセル100およびコーティング表面110は、少なくともユニットセルの幅Wcにわたって、互いに実質的に平行に配置され、分離距離Dだけ離れている。ユニットセル100は、第1のプリカーサノズルアセンブリ120を含み、これは、コーティング表面110に第1の気体のプリカーサを向かわせるように構成される。ユニットセル100は、さらに、第2のプリカーサノズルアセンブリ130を含み、これは、表面110に第2の気体のプリカーサを向かわせるように構成される。好ましくは、第1および第2のプリカーサノズルアセンブリ120,130は、それぞれ、基材の全幅Wsにわたって、表面110に対して実質的に垂直な方向にプリカーサガスを向かわせるように構成される。さらに、第1および第2のプリカーサノズルアセンブリ120,130は、それぞれ、全幅Wsにわたって、表面110に実質的に均一な容量のプリカーサガスを向かわせるように構成されることが好ましい。ここで、図1~3を参照すると、好ましい実施形態において、ユニットセルは、ALDコーティングサイクルを使用して操作するように構成される。操作において、コーティング表面110は、速度Vでユニットセル100を通過して速度ベクトル135で示される方向に進み、そうすることで、基材の先端140が、第1のプリカーサノズルアセンブリ120を通過して進み、その後、第2のプリカーサノズルアセンブリ130を通過して進むようになる。従って、コーティング表面の先端140は、まず、第1のプリカーサノズルアセンブリ120から出る第1のプリカーサに曝露され、その後、第2のプリカーサノズルアセンブリ130から出る第2のプリカーサに曝露される。第1および第2のプリカーサノズルアセンブリ120および130は、それぞれ、実質的に連続するプリカーサガスの流れ又はフローを送達する。当業者に認識される通り、ALD反応において、第1のプリカーサは、コーティング表面110と反応して、コーティング表面110を化学的に改変させて、その後、コーティング表面110は、第2のプリカーサノズル130から出る第2のプリカーサに曝露される。次に、この化学的に改変されたコーティング表面は、第2のプリカーサと反応し、この第2のプリカーサとの反応によって、コーティング表面110に第1の固体又は中実の物質層または薄膜が形成される。従って、好ましいユニットセル100は、2つのプリカーサ源を含み、そのそれぞれが、コーティング表面110の異なる領域の上方に配置され、そうすることで、このコーティング表面が、第1のプリカーサに実質的に曝露され、続いて第2のプリカーサに曝露され、そして、この2つが協同することによって、コーティング表面110に単一の固体又は中実の物質層を堆積するようになる。このとき、コーティング表面110は、ユニットセルを通過して進む。あるいは、ユニットセル100とコーティング表面110との間の相対的な運動の任意の組み合わせであって、表面110が、まず、第1のプリカーサノズルアセンブリ120を通過して進み、次いで、第2のプリカーサノズルアセンブリ130を通過して進むものを使用して、表面110に単一の固体又は中実の物質層を堆積させることができる。ユニットセル110は、さらに、第1と第2のプリカーサノズルアセンブリ120および130の間に配置される第1の不活性ガスまたは他の適切なパージノズルアセンブリ150と、第2のプリカーサノズルアセンブリ130に隣接して配置される第2の不活性ガスまたはパージノズルアセンブリ160とを含む例えば、隣接するユニットセル例えば、図3に示される通りであるの第2のプリカーサノズルアセンブリ130と第1のプリカーサノズルアセンブリとの間。好ましくは、第1および第2のパージノズルアセンブリ150,160は、それぞれ、基材の全幅Wsにわたって、コーティング表面110に実質的に垂直な方向に不活性ガスを向かわせるように構成される。さらに、第1および第2のパージノズルアセンブリ150,160は、それぞれ、全幅Wsにわたって、実質的に均一な容量のプリカーサガスを表面110に向かわせるように構成されることが好ましい。さらに、パージノズルアセンブリ150,160のそれぞれによってコーティング表面110に送達される不活性ガスの圧力および容量は、プリカーサノズルアセンブリ120,130のそれぞれによってコーティング表面110に送達されるプリカーサの圧力および容量よりも大きく、それによって、コーティング表面に向けられる不活性ガスが、コーティング表面付近でのプリカーサガスの流れ又はフローを、隣接するパージノズルアセンブリ150,160の間の領域に制限する傾向にあるようになることが好ましい。不活性ガスノズルアセンブリによって表面110に向けられる不活性ガスは、2つの目的に役立つ。第1の目的は、不活性ガスのバッファゾーンを形成することであり、この不活性ガスバッファゾーンは、コーティング表面110付近の第1と第2のプリカーサの間に配置されるものである。不活性ガスのバッファゾーンは、コーティング表面110付近のプリカーサガスを、ユニットセル100の長手方向の全寸法Lに沿って配置される長手方向の領域又はゾーンへと実質的に制限し、それによって、不活性ガスバッファゾーンを提供し、かかる不活性ガスのバッファゾーンによって、コーティング表面110付近で第1と第2のプリカーサが混合されることを防止する。さらに、パージノズルアセンブリ150,160によってコーティング表面110に向けられる不活性ガスの連続フローは、未反応のプリカーサ、ならびに第1および第2のプリカーサとコーティング表面110との間の反応によって生成される反応副生成物が連続的にパージするのに役立つ。さらに詳細には、その先端140は、第1のプリカーサノズルアセンブリ120を通過し、これによって、かかる先端が第1のプリカーサに曝露され、第1のプリカーサとコーティング表面110との間で化学反応が生じ、その直後に、先端140が第1の不活性ガスノズルアセンブリ150を通過し、これによって、あらゆる反応副生成物および/または未反応の第1のプリカーサが先端140からパージされ、その後、先端140は、第2のプリカーサノズルアセンブリ130に到達する。同様に、先端140は、第2のプリカーサノズルアセンブリ130を通過し、これによって、第2のプリカーサとコーティング表面110との間で化学反応が起こり、その直後に、先端140が第2の不活性ガスノズルアセンブリ160を通過し、これによって、あらゆる反応副生成物および/または未反応の第2のプリカーサが先端140からパージされ、その後、先端140がユニットセルの端部に到達する。従って、ユニットセル100は、連続ALD物質層形成デバイスとして作用し、このデバイスは、同時に第1のプリカーサをコーティング表面110に向かわせて、その一方で、第1の不活性ガスノズルアセンブリ150によって、あらゆる未反応の第1のプリカーサおよび反応副生成物をコーティング表面110から連続的にパージし、その一方で、同時に第2のプリカーサをコーティング表面110に向かわせて、第2の不活性ガスノズルアセンブリ160によって、あらゆる未反応の第1のプリカーサおよび副生成物をコーティング表面110から連続的にパージする。好ましくは、ユニットセル100およびコーティング表面110は、実質的には大気圧におけるものであり、バキュームチャンバ内でALDプロセスを実施することに付随する費用、煩雑さ、および処理量又はスループットの減少を回避する。さらに、コーティング表面110がユニットセルを通過して進むので、第1および第2のプリカーサを同時に付与して、その一方でコーティング表面の様々な領域から反応副生成物を同時にパージするプロセスは、コーティングサイクルの間にチャンバを密封することが要求される減圧または低圧で維持される反応チャンバ内で実施されるALDプロセスと比べて、コーティングのサイクル時間を減少させる。なぜなら、本発明によれば、プリカーサの付与およびパージングのサイクルが同時に行われ、反応チャンバ内での一般的な場合のように、逐次的に行われないからである。ユニットセル100は、スペーサ170を含むか、あるいは、ノズルアセンブリ120,150,130および160を分割する不可欠なスペース又はスペーシングとともに形成され、さらに、隣接するユニットセルを互いに離して間隔を設けて配置するエンドスペーサ172を含む。各ノズルアセンブリは、互いに接続された構成要素エレメントまたは一体式のプレートもしくはバーの構造体又はストラクチャを含み、これは、ノズルの底縁部175および1またはそれ以上のノズルの開口部180を含み、これは、そこからガスを放出するためにある。一般に、各ノズルの開口部は、ガス源と流体連通していて、ガス供給システムが、ノズルの開口部を通して、適切なガスまたは蒸気を強制的に放出し、そして、コーティング表面へと向かわせる。各ノズルアセンブリは、さらに、スペーサ単数または複数170を含み、これは、隣接するノズルの開口部120および150などの間に配置されるウォールまたはパーティションを含んでいてよい。図2に示されるように、長手方向の軸線において、各ノズルアセンブリは、ノズルの開口部の列を含み、各スペーサは、ユニットセル100の長手方向の全長Lに沿って連続的に延びる市販のウォールまたはパーティションを含む。いくつかの実施形態において、ノズルの開口部単数または複数は、例えば図10に示されるように、スペーサの底縁部175と実質的に共面coplanarであってもよく、あるいは、例えば図11に示されるように、ノズルの開口部120,150,130,160は、底縁部175から凹んでいてよく、そうすることで、スペーサまたはセパレータが長手方向のフローチャネル290を形成し、それによって、ノズル開口部の列から出るガス流が、このスペーサまたはセパレータによって形成される対応する長手方向のフローチャネル290によって規定される容量部分へと制限されるようになる。スペーサの底縁部175は、コーティング表面110から分離距離Dだけ離れて間隔を開けて配置され、この距離は、実質的にゼロから約5mmの範囲であり得るが、これは、好ましくは、0.5~3mmである。図1の例において、各ノズルアセンブリ120,150,130および160ならびに各スペーサ170,172は、同一の幅寸法wを有する。他の実施形態では、ノズルおよびスペーサの幅寸法は、不均一であってもよく、所望のガスフローパターンを形成する様式で変動してもよい。ここで図2を参照すると、ユニットセル200および基材210は、底面図で示される。ユニットセル200は、セル幅Wcを有し、これは、実質的に、基材の速度ベクトルVの軸線に沿って延びるものである。ユニットセル200は、長手方向のセル長Lを有し、これは、セル幅Wcに対して実質的に垂直方向のものである。基材210は、速度の軸線Vに沿って、長さが実質的に制限されない材料のウェブを含んでいてもよい。あるいは、基材210は、移動ウェブなどの輸送表面に支持される複数の別個の基材を含んでいてもよく、この移動ウェブは、その輸送表面に支持される複数の別個の基材を速度Vでユニットセル200を通過させて輸送するように構成されるものである。基材210は、基材幅Wsを有する。好ましくは、ユニットセル長Lは、基材幅Wsと一致するか、それよりも長い。しかし、セル長L対基材幅Wsは、基材の全幅Ws未満のコーティングを含む特定のコーティング用途に従って、適合されてもよい。ユニットセル200は、第1のプリカーサノズルアセンブリ220、第2のプリカーサノズルアセンブリ230ならびに2つの不活性ガスまたはパージノズルアセンブリ250および260を含む複数のノズルアセンブリを含む。上記のように、複数のスペーサまたはセパレータ170,172は、ノズルアセンブリの間に配置されて、ノズルアセンブリを互いに分離し、場合によっては図11に示されるように、セル長Lに沿って延びる長手方向のガスフローチャネル290を規定する場合もある。また、各ガスフローチャネル290は、1またはそれ以上のエグゾーストチャネルまたはプレナム280および285と相互に流体接続していてもよい。例示の実施形態では、エグゾーストチャネルまたはプレナム280,285は、各フローチャネル290の対向する端部に配置され、速度の軸線に沿って延びる。そして、一方または両方のエグゾーストチャネル280,285が、分離距離Dによって規定されるユニットセルとコーティング表面との間に広がる容量部分と流体連通している。また、エグゾーストチャネルは、エグゾースト導管295を介して、バキュームポンプまたはファンなどのエグゾーストエレメント265と流体連通の状態である。エグゾーストエレメント265は、連続的に作動して、エグゾーストチャネル280,285からガスを除去し、そうすることで、ガスは、分離距離Dによって規定されるユニットセルとコーティング表面との間に広がる容量部分から連続的に除去されるようになる。ユニットセル200が、実質的に平面の底面を含む場合、例えば、ノズルの開口部がスペーサの底縁部175と同じ高さである場合、分離距離Dは、全ての処理面積にわたって、実質的に均一であり、エグゾーストチャネル280,285は、ユニットセルの全幅Wcに沿って、ガスを実質的に均一に除去するように位置決めされ、かつ構成され得る。他に、ノズルの開口部がスペーサの底縁部から凹んでいる場合、分離距離Dは、均一ではなく、このエグゾーストチャネルは、長手方向のフローチャネル290のそれぞれからガスを実質的に除去するように位置決めされ、かつ構成され得る。いずれの場合においても、エグゾーストエレメント265が連続的に作動して、エグゾーストチャネル280,285からガスを除去する。さらに、いくつかのユニットセルが一緒に組み立てられてアセンブリングされて、図3に示すデポジションヘッドシステム300などのポジションヘッドを形成する場合、ユニットセル200のエグゾーストチャネル280,285は、隣接するユニットセルのエグゾーストチャネルと流体連通するように構成されてもよい。ユニットセル200のさらなる実施形態において、パージノズルアセンブリ250,260内のガスフローは、長手方向の軸線Lに沿って向けられるか、あるいは、上記のように垂直の入射でコーティング表面に向けられる代わりに、コーティング表面110に平行して向けられる。このユニットセル200の実施形態においては、パージガスは、コーティング表面に平行して流れて、あらゆる未反応のプリカーサおよび反応副生成物をコーティング表面からエグゾーストチャネル280および285の一方または両方に向けて押し流す。次いで、エグゾーストチャネルからの流れアウトフローは、エグゾーストエレメント265へと運ばれ、ベントされるか、あるいは、そうでなければ、処理される。この実施形態において、パージノズルアセンブリ220および230のみがエグゾーストチャネル280および285と流体連通の状態であり、それによって、プリカーサノズルアセンブリ220および230において、ガスフローは、エグゾーストチャネル280および285には入らないが、その代わりに、パージノズルアセンブリへと吸引され、各パージノズルアセンブリの長手方向のフローによって、エグゾーストチャネルへと押し流されるようになる。また、以下のことに注目されたい。交互のパージノズルアセンブリにおいてガスフローは、同一の方向であっても、反対の方向であってもよい。あるいは、このパージガスは、長手方向の軸線の中心で各パージノズルアセンブリに入ってもよく、その中心から、対向するエグゾーストチャネル280および285のそれぞれに向けて、反対の方向に流れてもよい。図2にさらに示されるように、各ノズルアセンブリ220,250,230および260は、複数のノズルの開口部292を含み、これらを通して、圧力下でガスが放出される。ノズルアセンブリは、間隔を開けて接近して配置される複数の円形の孔または他の開口形状、あるいは長手方向の長さLに沿って配置される1またはそれ以上の長手方向のスロットを含んでいてもよく、各円形の孔またはスロットは、適切な供給プレナムと流体連通の状態にある。いずれの場合においても、実質的に長手方向の全長Lに沿って、適切な気体または蒸気がコーティング表面上に向けられ、ノズルの開口部の数および形状が最適化されて、各ノズルの開口部292から放出される実質的に均一なガスの容量を提供する。従って、コーティング表面は、その長手方向の全長Lに沿って、実質的に均一な容量の処理ガスまたは不活性ガスに同時に曝露されて、基材幅Wsにわたる均一なコーティングが促進される。好ましくは、各ノズルアセンブリ220,250,230および260は、実質的に連続するガスのフローを放出し、各エグゾーストチャネルは、連続的に作動して、ユニットセルと基材との間の容量部分から、あるいは上記の場合であり得るようにパージノズルアセンブリから、実質的に連続するガスのフローを吸引する。ここで、図3によると、ガスデポジションヘッドシステム300の非限定的な実施形態は、エリアアレイで一緒に組み立てられた4つのユニットセル310,320,330,340を含み、各ユニットセルは、基材コーティング表面110の上方に距離Dで配置されている。各ユニットセル310,320,330および340は、実質的には、図1に示されるように構成される。ただし例外として、エンドユニットセル340だけは、エンドチャネル390を形成するためのエンドスペーサ372を含む。各ユニットセル310,320,330および340は、第1のプリカーサ供給システム360からの第1のプリカーサガスの供給を受け、一定容量の第1のプリカーサを4つの第1のプリカーサノズルアセンブリのそれぞれに送達する。同様に、第2のプリカーサ供給アセンブリ370は、一定容量の第2のプリカーサを4つの第2のプリカーサノズルアセンブリのそれぞれに送達し、不活性ガス供給システム380は、一定容量の不活性ガスを8つのパージガスノズルアセンブリのそれぞれに送達する。各ガス供給システム360,370,380は、ガス供給コンテナ1,i,2と、ガス圧および/またはマスフローレイトを調整するガスフローレギュレータ図示せずと、プリカーサを所望の反応温度に加熱するための加熱エレメント図示せずとを含んでいてもよい。さらに、システム300は、基材輸送システム図示せずと、電子コントローラ図示せずと、温度、ガス圧およびガスフローレイト、基材輸送速度、薄膜コーティングの厚みならびに求められ得る限りの他の特性を感知して制御する様々なセンサおよびフィードバック回路図示せずとを含んでいてもよい。例示のデポジションヘッドシステム300は、4つのユニットセル310,320,330および340を含み、これらは、速度の軸線に沿って延びるユニットセル幅Wcで一緒に組み立てられていてアセンブリングされていて、それにより、この例示のヘッドシステム300は、基材がこの組み立て幅Wdを一回通過する間に、基材表面110に4つの物質層が堆積するように構成される。例示の実施形態300において、基材表面110に堆積される4つの全ての物質層は、実質的に同一の材料層であり、各物質層の組成および厚みは、実質的に均一であり、コーティング表面110に付与される第1および第2のプリカーサの組成に依存する。理想的には、プリカーサおよびコーティング表面110は、所望の反応に適した反応温度で維持され、その反応温度は、プリカーサおよび基材材料に依存して、20°C~600°Cの範囲であってもよい。他の例示の実施形態において、プリカーサの様々な組み合わせによって、1またはそれ以上のユニットセルが供給されてもよく、それにより、デポジションヘッドシステム300は、コーティング表面110をコーティングするために構成されていてもよく、固体又は中実の物質層は、本発明から逸脱することなく、様々な物質の組成および/または物質の厚みを有するようになる。さらなる例示の実施形態において、1またはそれ以上のプリカーサノズルアセンブリは、プラズマ、あるいはガスプリカーサの粒子をイオン化するのに適した他の高エネルギー源を含んでいてもよい。ここで、図4によると、シングルノズルアセンブリ400は、ノズルアセンブリ410と、その周囲のスペーサ420および430とを含む。ノズルアセンブリ400は、ユニットセル100の任意のガスノズルアセンブリを含んでいてもよい。このノズルアセンブリ400の例示の実施形態において、ノズル開口部の領域410およびスペーサ420,430の各々は、同一の幅wを有する。しかし、本発明から逸脱することなく、他の形状が有用であってもよい。速度Vでコーティング表面110がノズルアセンブリ410を通過して進む場合、コーティング表面110の一部がノズルの下方を通過する時間の期間デュレーションは、ドウェル時間tdと呼ばれ、以下の式で示される。ドウェル時間td=2w/V[1]理想的には、ドウェル時間は、基板表面の面積を完全に飽和させるのに必要な期間デュレーションに等しいものであり、この基板表面は、ドウェル時間の間にノズルを通過するものである。さらに詳細には、完全な飽和は、プリカーサの分子と反応するのに利用できるコーティング表面の実質的に全ての分子が反応を完了するときに起こる。従って、理想の速度Vは、増加した場合、基材表面の面積の完全な飽和が起こらないものであり、この基材表面は、ドウェル時間の間にノズルの組み立て幅2wを通過するものである。飽和のレベルに影響を与える他の変数としては、ノズル幅w、コーティング表面110と反応するのに利用できるプリカーサの容量、プリカーサおよび基材の温度、プリカーサの圧力、コーティング表面付近でのガスのタービュランス、およびコーティング表面に近い領域でのプリカーサガスの濃度が挙げられる。同様に、各プリカーサノズルアセンブリ410および結合されるスペーサ420および430は、ユニットセルの長手方向の全長Lにわたって、基材表面110の付近において、実質的に均一なプリカーサの入手可能性および反応条件を提供して、確実に基材の全幅Wsにわたる完全な飽和が起こるように構成されることが好ましい。ここで図1を参照すると、1つの非限定的な例示の実施形態において、ユニットセル100は、複数の等幅のプリカーサノズルアセンブリ120および130と、パージノズルアセンブリ150および160と、等幅のスペーサ170,172と、速度Vでユニットセル100を通過して進む基材のコーティング表面110とを含む。等式1のドウェル時間を使用すると、1回のALDサイクルを実施するのにすなわち、表面110に1つの物質層を堆積させるのにユニットセル100に必要なサイクル時間tcは、以下のように示される。サイクル時間tc=tprec1tpurgetprec2tpurge=8w/V[2]複数のユニットセルが一緒に組み立てられる図3に示される例示の実施形態においては、デポジションヘッド300の幅Wdは、N個のユニットセル100の幅をあわせたものであり、以下の式で示される。デポジションヘッド幅Wd=N8w[3]各ユニットセル310,320,330,340がフィルムの厚みの成長Gに寄与するので、幅Wdのデポジションヘッドによって付与される物質層の全体の厚みTmは、以下の式で示される。物質層の厚みTm=NG=Wc/8wG[4]6.1ドウェル時間および基材の速度ここで、図5を参照すると、デポジションヘッドシステム300を用いて膜又はフィルムを堆積させることに関連する特徴的な時間および寸法がグラフで示されている。詳細には、図5は、0.7~1.5mmの範囲の3つの異なるチャネル幅wについて、ドウェル時間tdsecを基材の速度との関数としてプロットするものである。挿入図500においてさらに示されるように、上記の等式2~4は、1mmのチャネル幅に対応する5msのドウェル時間では、24m/minの物質コーティング速度が得られる能力を示す。6.1.1例1ドウェル時間の重要な局面をより明確に理解するためには、Al2O3などの従来のALD膜の堆積を考慮することが有益である。Al2O3の堆積を、トリメチルアルミニウムTMAを含む第1のプリカーサと、水H2Oを含む第2のプリカーサとを用いて開始する。従前の堆積研究の経験に基づいて、CambridgeNanotechInc.CambridgeMAから入手可能なSAVANNAHALDシステムなどの従来のALDバキュームリアクタにおいて、大気条件下で0.5msのドウェル時間が、減圧条件下の基材でのプリカーサの簡単な飽和で見受けられる条件を再現することが推定されている。従って、大気条件下で5msecのプリカーサのドウェル時間これは、簡単な飽和に必要とされる要素又はファクタよりも100倍大きなものであるは、20m/minを超える速度であっても、十分な飽和を提供すべきである。6.2チャネル幅および基材の速度ここで、図6を参照すると、チャネル幅と基材の速度との間の関係がグラフで示されている。詳細には、図6は、様々なドウェル時間tdにおいて、チャネル幅w対基材の速度Vをプロットするものである。このプロットは、一般に、チャネル幅が大きい程、より緩和されたドウェル時間において、より大きな基材速度が許容されることを示すが、とりわけ、大きな全膜厚すなわち、多数のユニットセルが求められる場合にには、チャネル幅が大きい程、デポジションヘッドの寸法は、非実用的なものとなり得る。しかし、このプロットは、さらに、より短いドウェル時間を使用することによって、チャネル幅を減少させることが可能になることを示す。より詳細には、図6は、5.0、2.5および0.5msの3つのドウェル時間tdについて、チャネル幅w対基材の速度Vをプロットしている。各曲線は、基材速度が増加するにつれて、固定されたドウェル時間を維持するのに必要なチャネル幅の変化を示す。この結果によって、20m/secのオーダーでの処理速度を達成するためには、チャネル幅が約1mmで維持される必要があることが示され、それによって、実用的なセルのフルサイズは、より厚い膜において維持され得る。より詳細には、本発明の1つの非限定的な実施形態は、0.1~5msの範囲のドウェル時間、0.1~10mmのチャネル幅および0.5~20m/secの範囲の基材速度で作動するように構成されるデポジションシステム300を含む。6.3ガスマニホールドおよび直線リニア輸送デバイスの例図7を参照すると、非限定的な例示のALDコーティングシステム700は、ALDチャンバエンクロージュア745に固定して取り付けられるガスマニホールド710と、関連の直線輸送要素又はリニア輸送エレメントとを含む。エンクロージュア745は、その中に収容される直線変位機構を含み、これは、そこから外側に延びるドライブエレメント又は駆動要素を備えるものである。直線変位機構は、基材単数または複数を支持するように構成され、かかる基材は、直線変位機構上でコーティングされ、この直線変位機構は、基材単数または複数を、この固定されたガスマニホールド710を通過して輸送するものである。ALDチャンバエンクロージュア745は、アクセスハッチ705を通して、コーティングされる基材単数または複数を直線変位機構にロード装填するように構成され、アクセスハッチ705は、ALDチャンバ745へのアクセスを提供するものである。基材単数または複数がガスマニホールド710を通過して輸送される場合、ガスマニホールド710を適合させて、ALDプリカーサをALDチャンバに送達し、かつ様々な基材単数または複数のコーティング表面にALDプリカーサを向かわせる。ガスマニホールド710をさらに適合させて、上記の不活性ガスの分離ゾーンを用いて、コーティング表面でプリカーサを互いに分離し、未反応のプリカーサガスおよび反応副生成物がコーティング表面から離れるようにパージし、そして、ガスマニホールド710およびALDチャンバエンクロージュア745の外部のエグゾーストエリアに、未使用のプリカーサガス、反応副生成物および不活性ガスを排出する。チャンバエンクロージュア745は、このチャンバエンクロージュア745の側壁に開けられた様々なアクセスポート720とともに形成される。アクセスポートは、ガスおよび電気のフィッティングおよびコネクタなどを含み、ガスのインプット注入または入口導管およびアウトプット注出または出口導管をアクセスポート720へと接続し、そして、ゲージ、センサ、制御デバイス、ヒーター、または他の電気デバイスをこのアクセスポートに接続する。これらは、必要に応じて、ALDチャンバの内部で使用するためのものである。ALDチャンバの上部は、リムーバブルリッド715を有していてもよい。好ましくは、ALDチャンバは、実質的に大気圧で維持され、そして、ベントポート、ファンなどによって、大気中へとベントされてもよい。あるいは、アクセスポート720を通してALDチャンバエンクロージュア745の内部に不活性ガスのフローをポンピングすることによって、ALDチャンバは、わずかに加圧されていてもよく例えば、大気圧の1.1倍、それにより、ALDチャンバ内部のガスは、ガスマニホールド710に設けられた出口導管を通して、ALDチャンバから出る傾向にあるようになる。本発明の非限定的な例示の実施形態において、直線変位機構は、機械式のリニア変位システムを含み、このシステムは、ボールスクリューアセンブリ740、リニアトラック735、モータードライブまたはドライブカップリング730、およびリニアベロー725を含み、そして、輸送方向は、リニアベロー725の長手方向の軸線に沿う。このようなシステムは、ALDコーティングシステム700の性能を評価するのためには都合がよいが、さらなる実施形態において、ガスマニホールド710は、コンベアシステム例えば、コンベアベルトなどの上方に配置されていてもよく、このコンベアシステムは、ガスマニホールド710を通過して、コンベアベルト上に支持された複数の別個の基材を連続して進めるものである。システム700では、連続したウェブが、リニアベロー725の長手方向の軸線によって実質的に規定される輸送軸に沿って、基材を、マニホールド710を通過させて輸送する。さらなる実施形態において、このガスマニホールド710は、このガスマニホールドを通過させて輸送される基材材料のウェブの上方に配置されてもよく、それにより、この材料のウェブ全体を1またはそれ以上の薄膜層でコーティングするようになる。このとき、ガスマニホールドから出るプリカーサは、基材材料のウェブのコーティング表面と反応する。さらに、ALDコーティングシステム100は、電子コントローラ図示せずとインターフェイスで接続し、これは、少なくとも精密なリニア輸送ドライブシステムおよびリニア位置フィードバックシステムなどを含むものであり、これらは、様々な速度でモータードライブ730を操作して、基材がガスマニホールド710を通過するときに、コーティングされる基材の実質的に一定の1またはそれ以上の直線速度を維持するためのものである。さらに、電子コントローラは、図7に示されるガスフローコントロールシステムの構成要素又はエレメント、ならびにシステム700の性能を操作および評価することに関連する様々な他の電気的な構成要素又はエレメントとインターフェイスで接続する。6.4ガスマニホールドの例図7~14を参照すると、本発明の非限定的な例示のガスマニホールド710は、コーティング表面単数または複数がプリカーサオリフィスプレート930を通過して進むとき、基材のコーティング表面単数または複数にプリカーサガスのフローを向かわせるように構成される。さらに、ガスマニホールド710は、異なるプリカーサが混合することを防止する様式で、プリカーサガスフローの間で、コーティング表面単数または複数に不活性ガスのフローを向かわせるように構成される。さらに、ガスマニホールド710は、コーティング表面単数または複数からガスのフローが離れるように吸引して、ガスマニホールド710からエグゾーストガスを除去するように構成される。図8に示されるように、ガスマニホールド710は、複数のインプット又は注入もしくは入口ポートを含み、これらは、様々なプリカーサをその中で受けるためにある。1またはそれ以上のインプット又は注入もしくは入口ポート815は、第1のプリカーサ源から第1の気体または蒸気のプリカーサAの供給を受け、1またはそれ以上のインプット又は注入もしくは入口ポート820は、第2のプリカーサ源からの第2の気体または蒸気のプリカーサBの供給を受ける。さらに、ガスマニホールド710は、窒素系ガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス、ヘリウムガスまたはそれらの組み合わせなどの不活性ガス源とそれぞれ流体連通する1またはそれ以上のインプット注入または入口導管825を含む。さらに、ガスマニホールド710は、1またはそれ以上のアウトプット注出または出口導管またはエグゾースト導管805,810を含み、これらは、1またはそれ以上の流れアウトフローの保管部又はデポジトリに接続されていてもよく、これは、回収用であり、いくつかの実施形態においては、エグゾーストガスを処理するためのものである。図9~14に最も良く示されるように、エグゾーストガスは、プリカーサオリフィスプレート930を通過して、複数のエグゾーストインレット1010A,1010B,1105A,1105Bを通して、コーティング表面単数または複数から回収される。エグゾーストインレットによって回収されるエグゾーストガスは、プレート925、920および915のそれぞれを通ってエグゾーストインレットから延びるエグゾーストフローチャネルによって、エグゾースト回収マニホールド830および835へと運ばれる。このエグゾーストガスは、未反応のプリカーサ、反応副生成物および不活性ガスの混合物を含む。好ましい実施形態では、エグゾーストガスは、エグゾーストガスが含む未反応のプリカーサに応じて分離される。さらに具体的には、本発明の1つの形態に従って、ガスマニホールド710は、別個の分離されたエグゾーストフローチャネルにおいて、未反応のプリカーサAおよび未反応のプリカーサBを含むガスを排出するように構成される。第1のエグゾーストフローチャネルは、未反応のプリカーサAを含むエグゾーストガスを、エグゾーストポート805を含む第1のエグゾースト回収マニホールド835へと運ぶように配置される。同様に、第2のエグゾーストフローチャネルは、未反応のプリカーサBを含むエグゾーストガスを、エグゾーストポート810を含む第2のエグゾースト回収マニホールド830へと運ぶように配置される。エグゾーストポート805および810は、それぞれ、ブロワー1485と流体連通していて、このブロワーが作動して、エグゾーストポート805および810の外側にエグゾーストガスを吸引し、このガスマニホールドから除去されるエグゾーストガスを、エグゾーストガス回収モジュール1475へと送達する。好ましくは、エグゾーストガス回収モジュール1475は、2つの別個のチャンバまたはチャネルを含み、これらは、エグゾーストポート805からの流れアウトフローおよびエグゾーストポート810からの流れアウトフローを回収して分離するためのものであり、それぞれの流れアウトフローは、さらに処理されて、未反応のプリカーサAおよびBを、再使用のために別々に回収し得る。様々な実施形態において、単一のブロワー1485を使用して、エグゾースト回収マニホールド835および830の両方から外側にエグゾーストガスを吸引してもよく、あるいは、各エグゾースト回収マニホールドは、別個のブロワー1485と流体連通の状態であってもよい。さらなる実施形態において、ガスマニホールド710は、全てのエグゾーストガスの流れアウトフローを単一又はシングルのエグゾーストマニホールド中に合わせるように、例えば、エグゾーストマニホールド830および835を単一のエグゾーストマニホールド中に合わせることによって、構成されていてもよい。エグゾーストガスをエグゾーストガスマニホールド830および835の一方または両方から除去することに加えて、ブロワー単数または複数1475を操作して、エグゾーストガスマニホールドのそれぞれにおいてガス圧を低下させる。これは、プリカーサオリフィスプレート930を通過させて、複数のエグゾーストインレット1010A,1010B,1105A,1105Bを通して、コーティング表面から離れるようにガスを吸引するように作用する。図1に示されるユニットセル100と比較すると、エグゾーストインレット1010A,1010B,1105A,1105Bは、スペーサ170,172の位置に配置される。図9~13に最も良く示されるように、処理ガスは、以下のように、ガスマニホールド710を通して入り、そして、そこから流れる。プリカーサAは、1またはそれ以上のプリカーサAのインプットポート815を通して入り、そしてプリカーサAのみを運ぶように供される第1のプリカーサフローチャネルを通して、基材のコーティング表面へと運ばれる。同様に、プリカーサBは、1またはそれ以上のプリカーサBのインプットポート820を通して入り、そしてプリカーサBのみを運ぶように供される第2のプリカーサフローチャネルを通して、基材のコーティング表面へと運ばれる。同様に、パージガスは、1またはそれ以上のパージガスのインプットポート825を通して入り、そしてパージガスのみを運ぶように供されるパージガスフローチャネルを通して、基材コーティング表面へと運ばれる。第1および第2のプリカーサチャネルおよびパージガスチャネルは、それぞれ、プリカーサオリフィスプレート930を貫通し、プレート925、920および915のそれぞれを貫通する。ガスマニホールド710の底面は、プリカーサオリフィスプレート930によって形成される。この底面は、好ましくは、長手方向の寸法Lhと、横切る方向又は横方向の寸法Wcとを有する四角形または矩形であり、長手方向の寸法Lhは、長手方向の軸線Lに沿って延びるものであり、横切る方向の寸法Wcは、基材の速度によって規定される軸線である速度の軸線Vに沿って、長手方向の寸法Lhに対して実質的に垂直方向に延びるものである。様々な実施形態において、プリカーサオリフィスプレート930は、4~36インチの範囲の長手方向の寸法と、0.2~36インチの範囲の横切る方向の寸法とを有する処理面積にわたって、ガス堆積層を付与するように構成され得る。当業者は、プリカーサオリフィスプレート930の底面および処理面積の他の機能的な寸法および形状が本発明の範囲内に含まれることを認識する。より一般的には、ガスマニホールド710は、その長手方向の寸法Lhが基材コーティング表面の幅寸法Wsと一致するか、またはそれよりも長く、そして、その横切る方向の寸法またはヘッド幅Wcが、ガスマニホールド710に含まれるユニットセルの数に対応するように、例えば、上記の等式3で示されるように構成される。上記のように、ヘッド幅Wcは、単一又はシングルのユニットセル例えば、100の数倍の幅を有し、ここで各ユニットセルは、コーティング表面に単一の薄膜の物質層を堆積させる。従って、ヘッド幅Wcは、結局、付与されるフィルムの所望の全厚これは、1つのユニットセルで付与される製品の厚みに等しいと、ユニットセルの数との関数である。ガスマニホールド710の長手方向の寸法Lhまたはコーティング幅は、一般には、固定されているが、複数のガスマニホールド710を互いに結合させ得るか、あるいはそれぞれ軸線Vに沿って並んで配置させてもよく、フィルムの所望の全厚を増加させることができることを当業者は容易に認識する。ここで、各ガスマニホールド710は、その下方で輸送される基材に、さらに薄膜層を付与する。より一般的には、単一又はシングルのガスマニホールド710は、プリカーサオリフィスプレート930の長手方向の寸法Lおよび横切る方向又は横方向の寸法Wdを適合させて、特定の目的に合わせてパス又は経路ごとに堆積される薄膜層のコーティング幅および数を最適化するように構成され得る。また、同一のガスマニホールド710の下方の複数のパス又は経路を通して、例えば、物質のより大きな全厚を達成する往復直線移動によって、基材は、サイクル処理され得ることにも留意されたい。また、ガス分配マニホールドのコーティング面積が、特定のノンウェブ基材ウェブではない基材例えば、大きなテレビのスクリーンに適合され得ることにも留意されたい。これは、ガス分配マニホールドまたは基材のいずれかの反復移動、あるいはその両方の反復移動を使用して、この大きなノンウェブ基材をコーティングするためである。6.5プリカーサオリフィスプレートの例ここで、図10を参照すると、ガスオリフィスプレート930の第1の実施形態の単一又はシングルのユニットセル1000を切り取った概略断面図は、第1のガスオリフィスプレートの設計とガスフローのパターンとを示す。全体のガスオリフィスプレート930は、単一のユニットセル1000を含んでいてもよいが、ガスオリフィスプレート930は、好ましくは、複数のユニットセル1000を含む一体式のプレートとして構成され、複数のユニットセル1000は、並列で配置され、その横切る方向の寸法Wdに沿って、速度の軸線Vに沿って延びる。上記で説明したように、各ユニットセル1000によって、このユニットセルを通過して輸送されるコーティング表面に単一又はシングルのALDコーティング層または薄膜が堆積される。図10において、基材1025は、速度の軸線Vに沿って、ユニットセル1000を通過して輸送され、このユニットセルの底面から分離距離1030だけ離れて間隔を開けて配置され、この分離距離は、0.5~5mmの寸法を有し得、好ましい分離距離の範囲は、0.5~2mmである。基材のコーティング表面は、ユニットセル1000に面し、これは、好ましくは、ユニットセルの底面1050と共面coplanarにある。好ましい実施形態において、分離距離1030は、少なくとも0.5mmであり、底面1050とコーティング表面との間の十分なクリアランスを提供して、基材の厚みにおける変動バリエーションを収容し、そして基材がガスマニホールドを通過して輸送されるときの基材の位置における任意の望ましくない変動フラクチュエーションを収容する。さらに、最小の分離距離0.5mmは、底面1050とコーティング表面との間に十分なクリアランスを提供し、プリカーサノズルアセンブリおよびパージノズルアセンブリから出るガスが底面1050の下方に漏出して、エグゾーストインレット中に吸引され、かつコーティング表面付近の領域から除去される。本発明の最小の分離距離0.5mmは、Levyらによる先行技術に開示の0.025mmの操作する分離距離これは移動ウェブのコーティングまたは移動ウェブ上に支持される基材のコーティングには実用的でない距離であるよりもかなり大きい。ユニットセル1000は、2つのプリカーサノズルアセンブリ1005A,1005Bを含み、これらは、コーティング表面にプリカーサAおよびBを向かわせるためにある。このユニットセルは、2つの不活性ガスノズルアセンブリまたはパージノズルアセンブリ1015A,1015Bを含み、これらは、コーティング表面に不活性ガスまたはパージガス例えば、窒素を向かわせるためにあり、そして、各パージノズルアセンブリは、2つのプリカーサノズルアセンブリの間に配置される。ユニットセル1000は、3つのエグゾーストインレット1010A,1010B,1010Cを含み、そのそれぞれが、長手方向のスロット1060を含み、これは、プリカーサオリフィスプレート930を通って垂直方向に延びる。各エグゾーストインレットは、適切なエグゾーストフローパス又は通路と流体連通の状態であり、この通路は、フロー分配プレート925、エグゾーストオリフィスプレート920およびエグゾースト回収プレート915を通って、エグゾースト回収マニホールド830または835の1つまで、垂直方向に延びる。各エグゾーストインレット1010A,1010B,1010Cは、実質的にプリカーサオリフィスプレート930の長手方向の全寸法にわたって延び、分離距離1030からガスを吸引する。各エグゾーストインレットは、プリカーサノズルアセンブリ1005A,1005Bとパージノズルアセンブリ1015との間に配置される。また、別のユニットセルをユニットセル1000に隣接してその左の縁部又はエッジに配置する場合、プリカーサノズルアセンブリ1005Aが、エグゾーストインレットと、その左側に配置されるパージノズルアセンブリとを有することについても留意されたい。基材のコーティング表面がユニットセル1000を通過して進むので、まず、基材は、コーティング表面にプリカーサAを向かわせる第1のプリカーサノズルアセンブリ1005Aを通過する。プリカーサAは、コーティング表面と反応して、コーティング表面の化学的および物理的な特性を変化させて反応副生成物を生成する。未反応のプリカーサA、反応副生成物、およびパージノズルアセンブリ1015Aから放出される不活性ガスは、プリカーサノズルアセンブリ1005A付近の分離距離1030において共に混合し、未反応のプリカーサA、不活性ガス、およびプリカーサAのコーティング表面との反応に関連する反応副生成物のガス混合物は、コーティング表面がエグゾーストインレット1010Aを通過して進むとき、第1のエグゾーストインレット1010Aへと実質的に完全に吸引される。さらに、各パージノズルアセンブリによって放出される不活性ガスのカーテンによって、未反応のプリカーサAおよび反応副生成物が他のプリカーサノズルアセンブリに向かってコーティング表面に対して平行に流れることを防止するか、あるいは、拡散することを防止する傾向にあり、その後、これは、エグゾーストインレット1010Aに吸引される。別のエグゾーストポート例えば、隣接するユニットセル図示せずのエグゾーストポートが、エグゾーストインレット1010Aに対向するプリカーサノズルアセンブリ1005Aに隣接して位置決めされてもよく、そうすることで、2つのエグゾーストインレットが、プリカーサノズルアセンブリ1005Aを囲み、分離距離1030からのガスを連続的に吸引するようになることに留意されたい。次いで、基材のコーティング表面は、不活性ガスをコーティング表面に向かわせるパージノズルアセンブリ1015Aを通過して進む。不活性ガスのフローは、不活性ガスのカーテンを提供し、これは長手方向の軸線Lに沿って延びるものであり、分離距離1030において、プリカーサAをプリカーサBと分離する。この分離距離1030は、未反応のプリカーサおよび反応副生成物がエグゾーストインレット中に吸引され得るのに十分に大きいが、隣接するプリカーサノズルアセンブリへのガスの拡散を防止するのには十分に小さいものである。さらに、パージノズルアセンブリ1015Aからの不活性ガスのフローは、コーティング表面をパージする傾向がある。なぜなら、これが、パージノズルアセンブリ1015Aの下方を通過して、あらゆる追加の未反応のプリカーサAおよび反応副生成物の分離距離1030をパージし続けるからである。その一方で、各エグゾーストインレット1010Aおよび1010Bによって、パージノズルアセンブリ1015A付近のコーティング表面および分離距離1030から、ガスは連続的に吸引される。次いで、このコーティング表面は、プリカーサBをコーティング表面に向かわせる第2のプリカーサノズルアセンブリ1005Bを通過して進む。プリカーサBは、コーティング表面がプリカーサAとの反応によって改変された後、コーティング表面と反応し、プリカーサBとコーティング表面との間の反応によって、コーティング表面に新たな薄膜層を堆積させるが、また、その一方で、別の反応副生成物も生成する。未反応のプリカーサB、プリカーサBのコーティング表面との反応からの反応副生成物、および第1および第2のパージノズルアセンブリ1015A,1015Bから放出される不活性ガスは、プリカーサノズルアセンブリ1005B付近の分離距離1030において共に混合され、そして、第2および第3のエグゾーストインレット1010Bおよび1010Cへと吸引される。コーティング表面は、最終的には、不活性ガスをコーティング表面に向かわせる第2のパージノズルアセンブリ1015Bを通過して進み、プリカーサAをプリカーサBと分離し、廃ガスをエグゾーストインレット1010Cに向けて押し出す。別のエグゾーストインレット例えば、隣接するユニットセル図示せずのエグゾーストインレットは、エグゾーストインレット1010Cに対向するパージノズルアセンブリ1015Bの隣に位置決めされてもよく、そうすることで、2つのエグゾーストインレットがパージノズルアセンブリ1015Bを囲み、分離距離1030からガスを連続して吸引するようになることに留意されたい。さらに、パージノズルアセンブリ1015Aからの不活性ガスのフローは、さらに、コーティング表面をパージする。なぜなら、コーティング表面が、ポート1015Bを通過して、分離距離1030のあらゆる未反応のプリカーサBおよび反応副生成物をパージし続けるからである。図11を参照すると、プリカーサオリフィスプレート930の第2の実施形態は、ユニットセル1100を含む。この実施形態において、ユニットセル1100は、3つの分離距離を有する。第1の分離距離1140は、プリカーサノズルアセンブリのベースウォール1160Aおよび1160Bの各々の底面と、コーティング表面との間に延び、そして、この第1の分離距離1140の寸法は、4~10mmの範囲内であってもよい。第2の分離距離1175は、パージノズルアセンブリのベースウォール1165の各々の底面と、コーティング表面との間に延び、そして、この第2の分離距離の寸法は、2~8mmの範囲内であってもよい。第3の分離距離1145は、プリカーサオリフィスプレートのベース表面1150と、コーティング表面との間に延び、この第3の分離距離の寸法は、0.5~3mmの範囲内であってもよい。好ましい実施形態において、第3の分離距離1145は、少なくとも0.5mmであり、ベース表面1150とコーティング表面との間に十分なクリアランスを提供して、基材の厚みにおける変動を収容し、そして、基材がベース表面1150を通過して輸送されるときに、基材の位置のあらゆる所望でない変動フラクチュエーションを収容する。さらに、0.5mmの最小の分離距離は、底面1150とコーティング表面との間に十分なクリアランスを提供し、これは、パージノズルアセンブリから出るガスのためのものであり、ガスは、ベース表面1150の下方に漏出して、エグゾーストインレット中に吸引され、コーティング表面付近の領域から除去される。一般に、第2の分離距離1175は、第3の分離距離1145よりも大きく、第1の分離距離1140は、第2の分離距離1175よりも大きい。しかし、いくつかの実施形態において、第1および第2の分離距離1140および1175は、実質的に等しくてもよく、その両方が、第3の分離距離1145よりも大きくてもよい。この実施形態において、パージノズルアセンブリ1115Aおよび1115Bは、ベースウォール1165を含み、その底面は、第2の分離距離1175を規定し、対向して平行するウォール1162を規定する。このウォール1162は、垂直に下方に延びて、ベース表面1150と一致するものである。このウォール1162は、パージノズルアセンブリ1115Aおよび1115Bを、隣接するエグゾーストインレット1105Aおよび1105Bと分離し、パージガスノズルアセンブリから出るパージガスをコーティング表面に向けて送達する。その一方で、このパージガスがコーティング表面に近接するまで例えば、コーティング表面から0.5~2mmまで、パージガスが、隣接するエグゾーストインレット1105Aおよび1105B内に吸引されることを防止する。さらに、ウォール1162は、援助用のメカニカルバリアを提供して、プリカーサノズルアセンブリ1110から放出されるプリカーサAが、プリカーサノズルアセンブリ1120から放出されるプリカーサBと混合することを防止する。この実施形態において、各プリカーサノズルアセンブリ1110および1120は、ベースウォール1160Aおよび1160Bを含み、その底面は、第3の分離距離1140を規定する。各プリカーサノズルアセンブリ1110および1120は、対向する側壁1162で囲まれていて、これは、プリカーサをコーティング表面に送達するのに役立ち、かかるプリカーサが、パージガスノズルアセンブリを通過して、拡散するのを防止する。ユニットセル1100は、第1のプリカーサノズルアセンブリ1110と、2つの対向するエグゾーストインレット1105Aとを含み、この第1のプリカーサノズルアセンブリ1110は、コーティング表面1130にプリカーサAを向かわせるためのものであり、2つの対向するエグゾーストインレット1105Aは、第1のプリカーサノズルアセンブリ1110の各側部に1個ずつ配置されるものであり、コーティング表面からのエグゾーストガス、ならびに分離距離1140および1145のそれぞれによって閉ざされた容量部分からのエグゾーストガスを回収するためのものである。この2つのエグゾーストインレット1105Aによって回収されるエグゾーストガスは、未反応のプリカーサA、反応副生成物および不活性ガスを含む。同様に、ユニットセル1100は、第2のプリカーサノズルアセンブリ1120と、2つの対向するエグゾーストインレット1105Bとを含み、この第2のプリカーサノズルアセンブリ1120は、コーティング表面1130にプリカーサBを向かわせるためのものであり、2つの対向するエグゾーストインレット1105Bは、第2のプリカーサノズルアセンブリ1120の各側部に1個ずつ配置されるものであり、コーティング表面からのエグゾーストガス、ならびに分離距離1140および1145のそれぞれによって閉ざされた容量部分からのエグゾーストガスを回収するためのものである。この2つのエグゾーストインレット1105Bによって回収されるエグゾーストガスは、未反応のプリカーサB、反応副生成物および不活性ガスを含む。4つのエグゾーストインレット1105Aおよび1105Bの各々は、プリカーサオリフィスプレート930を貫通し、フロー分配プレート925、エグゾーストオリフィスプレート920およびエグゾースト回収プレート915を貫通するフローチャネルと流体連通の状態であり、これは、エグゾーストガスマニホールド830または835の1つに廃ガスを送達するものであり、エグゾースト回収マニホールド830および835の各々から、流れアウトフローをブロワー1485が吸引する。本発明の1つの局面によると、エグゾーストインレット1105Aによって回収されるエグゾーストガスは、エグゾーストインレット1105Bから回収されるエグゾーストガスと分離される。そうすることで、未反応のプリカーサAを含むエグゾーストガスのみがエグゾースト回収マニホールド805から出て、未反応のプリカーサBを含むエグゾーストガスのみがエグゾースト回収マニホールド810から出るようになる。ユニットセル1100は、さらに、第1のプリカーサノズルアセンブリ1110と第2のプリカーサノズルアセンブリ1120との間に配置される第1のパージノズルアセンブリ1115Aと、第2のパージノズルアセンブリ1115Bとを含む。各パージノズルアセンブリ1115A,1115Bは、対向するウォール1162の間で、コーティング表面に不活性ガスを向かわせて、この不活性ガスは、第3の分離距離1145を通して、ウォール1162の下方に漏出して、プリカーサAが、プリカーサBと混合することを防止する。好ましい実施形態では、パージノズルアセンブリ1115A,1115Bの各々から放出されるガスの圧力および/またはガスの容量は、プリカーサノズルアセンブリ1110,1120の各々から放出されるガスの圧力および容量よりも大きくてもよく、それによって、プリカーサガスおよび/または反応副生成物が、突出ウォール1162の下方に漏出しないことを確実にする。基材1130は、ユニットセル1100を通過して進むので、基材は、まず、コーティング表面にプリカーサAを向かわせる第1のプリカーサノズルアセンブリ1110を通過する。プリカーサAは、コーティング表面と反応して、コーティング表面の化学的および物理的な特性を変化させて反応副生成物を生成する。未反応のプリカーサAと、反応副生成物と、第1のパージノズルアセンブリ1115Aから放出される不活性ガスとが、コーティング表面の付近で、かつ分離寸法1145および1140によって規定される容量部分で、一緒に混合される。第1のプリカーサノズルアセンブリ1110の各側部に1個ずつ配置される2つのエグゾーストインレット1105Aによって、分離寸法1145および1140によって規定される容量部分から、およびコーティング表面から、この混合物は吸引される。各エグゾーストインレット1105Aは、未反応のプリカーサBがこのエグゾーストガスと混合することなく、未反応のプリカーサA、反応副生成物および不活性ガスを除去する。次いで、このコーティング表面に不活性ガスを向かわせて、あらゆる反応副生成物または未反応のプリカーサAをコーティング表面からさらにパージするパージノズルアセンブリ1115Aを通過して、基材は進む。上記のように、コーティング表面に放出される不活性ガスは、ガスのカーテンを形成し、これは、ベースウォール1165からコーティング表面まで延び、プリカーサAをプリカーサBと分離するものである。次いで、基材1130は、コーティング表面にプリカーサBを向かわせる第2のプリカーサノズルアセンブリ1120を通過して進む。プリカーサBは、コーティング表面がプリカーサAとの反応によって改変された後にこのコーティング表面と反応し、化学的および物理的に改変されたコーティング表面とプリカーサBとの反応によって、コーティング表面に固体又は中実の薄膜層が堆積される。また、その一方で、別の反応副生成物を生成する。未反応のプリカーサBと、反応副生成物と、パージノズルアセンブリ1115Aおよび1115Bから放出される不活性ガスとが、このコーティング表面で一緒に混合される。第2のプリカーサノズルアセンブリ1120の各側部に1個ずつ配置されるエグゾーストインレット1105Bによって、分離距離1140および1145によって規定される容量部分から、およびコーティング表面から、この混合物は吸引される。次いで、この基材は、コーティング表面に不活性ガスを向かわせるパージノズルアセンブリ1115Bを通過して進む。コーティング表面に放出される不活性ガスは、ガスのカーテンを形成し、これは、ベースウォール1165とコーティング表面との間で延びて、プリカーサBをプリカーサAから分離し、さらに、反応副生成物および未反応のプリカーサBをコーティング表面から除去する。6.6プリカーサおよび不活性ガスの送達図12を参照すると、ガスマニホールド710は、上面等角分割図で部分的に切り取られて示され、これは、図の後方リア部分のハードウェアおよび図の前方フロント部分のガスフローを示し、ガスマニホールド710を通るプリカーサのフローを示す。プリカーサAのフローの経路又はパスは、明瞭化のためにパターン化している。図12は、エグゾースト回収プレート915、エグゾーストオリフィスプレート920およびフロー分配プレート925を通して切り取られた断面図を示す。プリカーサオリフィスプレート930は、図12には示されていない。プリカーサAは、複数のプリカーサポート815を通して、ガスマニホールド910に入る。プリカーサポート815は、エグゾースト回収プレート915を貫通し、エグゾーストオリフィスプレート920内に形成される第1の横切る方向又は横方向の流体用導管にプリカーサAを送達する。アイテム1236は、プリカーサAを含む。このとき、プリカーサAは、第1の横切る方向の導管を通過し得るようである。プリカーサAは、複数の長手方向のフローパス1241を介して、横切る方向の導管を出る。この複数の長手方向のフローパス1241は、フロー分配プレート925内に形成される複数の第1の長手方向の流体用導管によって形成されるものである。各々の複数のフローパス1241は、第1のプリカーサノズルアセンブリ例えば、上記の1005Aまたは1110に供給し、複数の第1のプリカーサノズルアセンブリを通るガスのフローを、図12に1250として示す。プリカーサBは、複数のプリカーサポート820を通して、ガスマニホールド910に入る。プリカーサポート820は、エグゾースト回収プレート915を貫通し、エグゾーストオリフィスプレート920内に形成される第2の横切る方向又は横方向の流体用導管にプリカーサBを送達する。アイテム1235は、プリカーサBを含み、このとき、プリカーサBは、エグゾーストオリフィスプレート920内に形成される第2の横切る方向の導管を通過し得るようである。プリカーサBは、複数の第2の長手方向のフローパス1240を介して第2の横切る方向の導管を出る。この複数の第2の長手方向のフローパス1240は、フロー分配プレート925内の複数の第2の長手方向の流体用導管によって形成されるものである。各々の複数のフローパス1240は、第2のプリカーサノズルアセンブリ上記の1005Bまたは1120などに供給し、複数の第2のプリカーサノズルアセンブリを通るガスのフローを、図12に1265として示す。図12にさらに示されるように、不活性ガスは、不活性ガスポート825を通して、このマニホールドに入る。複数の不活性ガスポートは、エグゾースト回収プレート915を貫通し、エグゾーストオリフィスプレート920内に形成される第3の横切る方向又は横方向の流体用導管に不活性ガスのフローを送達する。アイテム1237は、不活性ガスを含み、このとき、不活性ガスは、エグゾーストオリフィスプレート920内に形成される第3の横切る方向の導管を通過し得るようである。パージガスは、複数の第3の長手方向のフローパス1242を介して、第3の横切る方向の導管を出る。この複数の第3の長手方向のフローパス1242は、フロー分配プレート925内の複数の第3の長手方向の流体用導管によって形成される。各々の複数のフローパス1242は、パージノズルアセンブリ例えば、上記の1015A,1015Bまたは1115Aおよび1115Bに供給し、パージガスは、フローパス1242の各々から長手方向に延びる複数のパージノズルアセンブリを通して流れる。6.7エグゾーストガスの除去ここで、図9および13を参照すると、図9は、図8の断面900-900で切り取った断面図であり、図13は、図9から取り出した展開図1300を示す。この展開図1300は、ユニットセルを示す。図9を参照すると、上部トップから下部ボトムまで、エグゾーストマニホールド835の壁部又はウォールを示し、これは、エグゾースト回収プレート915のその基部又はベースに取り付けられることが示される。エグゾースト回収プレート915は、エグゾーストオリフィスプレート920と係合し、このエグゾーストオリフィスプレートは、フロー分配プレート925と係合し、このフロー分配プレートは、プリカーサオリフィスプレート930と係合する。エグゾースト回収プレート915、エグゾーストオリフィスプレート920、フロー分配プレート925およびプリカーサオリフィスプレート930は、それぞれ、実質的には、矩形または四角形のプレートの形状の構成要素又はエレメントであり、これらは、材料の厚みによって分割される対向する平行の表面を有し、実質的に等しい長手方向および横切る方向又は横方向の寸法を有する。この長手方向の寸法は、コーティング表面の幅Wsまたはガス分配マニホールドのコーティング幅に対応する。この横切る方向又は横方向の寸法は、ガス分配マニホールドの幅Wcに対応し、これは、単一又はシングルのユニットセル例えば100の幅の数倍である。各プレートは、それと係合するプレートに対して、例えばOリング、ガスケットなど図示せずによってガスシールされ得て、プレートの間からガスが分配マニホールドに漏出するのを防止してもよい。また、各プレートは、様々なオリフィス、チャネルなどを含み、これらは、プレートを通して、またはプレートを部分的に通して広がり、そして、これらは、必要に応じて、ガスマニホールドを通してガスを送達するための流体用導管として役立つ。さらに、係合プレートは、対応する表面チャネルなどを含んでいてもよく、これらは、プレートが組み立てられて流体用導管を形成するときに、一緒に結合される。プレートの材料は、メタルアロー例えば、アルミニウムまたはステンレス鋼を含んでいてもよい。あるいは、プレートは、成形可能なポリマー材料例えば、ABSまたはポリカーボネートを含んでいてもよい。あるいは、プレートは、セラミック材料石英またはガラスなどを含んでいてもよい。図13を参照すると、例示のエグゾーストガスフローの経路又はパスが示され、ここで、プリカーサノズルアセンブリ1340は、対向するエグゾーストインレット1355Aの間に配置される。示されるように、各エグゾーストインレット1355Aは、長手方向のスロットを含み、これは、プリカーサオリフィスプレート930の全体を通して、かつフロー分配プレート925の全体を通して、エグゾーストオリフィスプレート920まで垂直方向に広がる。エグゾーストオリフィスプレート920は、対向する長手方向のスロット1310および1315を含み、これらは、エグゾーストオリフィスプレート920の対向する表面から広がる。この対向するスロットは、センターウォール1305で終了し、これは、それ自体を貫通する複数の円形のオリフィス1320を含む。エグゾーストガスは、複数の円形のオリフィス1320の各々を通過し、エグゾースト回収マニホールド835へと流れる。オリフィス1320は、センターウォール1305を通して、流れが絞られた状態を形成するように寸法が調整され、それによって、長手方向のスロット1310からスロット1315へのガスフローが、オリフィス1320によって制限されるようになる。この制限されたガスフローは、結果的に、中央ウォール1305の長手方向の長さに沿って、オリフィス1320のそれぞれを通る実質的に均一なエグゾーストガスのフローを吸引することになる。同様に、プリカーサノズルアセンブリ1335は、対向するエグゾーストインレット1355の間に配置され、これは、エグゾーストインレット1355Aと構造および動作が実質的に同一である。ただし、例外的に、エグゾーストインレット1355は、それによって回収されたエグゾーストガスをもう一方のエグゾースト回収マニホールド830に送達し得る。ブロワー1485は、エグゾースト回収マニホールド830および835の各々と流体連通の状態であり、ブロワーの操作によって、エグゾースト回収マニホールド830および835の各々から出るエグゾーストガスを吸引する。エグゾースト回収マニホールド830および835の各々において生じる圧力の低下は、オリフィス1320の各々を通過するエグゾーストガスの容量を均一に吸引し、各エグゾーストインレット1355A内にエグゾーストガスを吸引する。同様に、プリカーサノズルアセンブリ1335は、エグゾーストインレット1355Aと実質的に同一である対向するエグゾーストインレット1355の間に配置される。ただし、例外的に、エグゾーストインレット1355は、複数の円形のオリフィス1325の各々を通過し、エグゾースト回収マニホールド830ではなく、エグゾースト回収マニホールド830に流れる。6.8ノズルアセンブリの例ここで、図10~13を参照すると、各プリカーサノズルアセンブリ1005A,1005B,1110,1120,1335,1340および各パージノズルアセンブリ1015A,1015B,1115A,1115B,1350は、長手方向のインプット注入又は入口チャンバ1330を含み、これは、ベースウォール1045,1160A,1160B,1165,1345によって、および対向する側壁1035,1135,1375によって包囲されている。図13に最も良く示されているように、長手方向のインプットチャンバ1330は、それぞれ、プリカーサオリフィスプレート930内に部分的に形成され、そして、フロー分配プレート925内に部分的に形成される。図12に最も良く示されるように、プリカーサノズルアセンブリに関連付けられる又は結合される長手方向のインプットチャンバの各々には、第1および第2の長手方向の導管1240または1241の1つを通して、プリカーサガスが供給され、そして、パージノズルアセンブリに関連付けられる又は結合される長手方向のインプットチャンバの各々には、第3の長手方向の導管1242の1つを通して、不活性ガスが供給される。このように、適切なガスが、各長手方向のインプットチャンバ1330にその一方の端部から入り、このチャンバを満たす。この長手方向のインプットチャンバ1330の各々は、プリカーサオリフィスプレート930の長手方向の寸法に沿って、実質的にはガスマニホールドの活性部分の長手方向の全寸法Lに沿って、水平方向に延び、そしてガスマニホールドのコーティング幅Wsを規定する。ベースウォール1045,1160A,1160B,1345は、それぞれ、複数のオリフィス1070,1170,1370を含み、このオリフィスは、コーティング表面に対して実質的に垂直の軸線に沿って、ベースウォールを通して延びる。好ましい実施形態では、複数のオリフィス1070,1170および1370は、それぞれ、円形であり、その直径は、長手方向のチャンバ1330のそれぞれから出る絞られたガスフローを発生させるのに十分に小さいものである。より詳細には、長手方向のチャンバ1330から出るガスフローが円形のオリフィス1070,1170および1370によって制限されるとき、絞られたガスフローが発生する。この絞られたガスフローは、先行技術に対する利点を提供する。先行技術において、長手方向のインプットチャンバ1330のいずれかにおけるガスの圧力および/またはガス容量の小さな周期的な変動は、オリフィス1070,1170,1370を通過するガス容量の対応する変動においては生じない。さらに、この絞られたフローのコンディションは、長手方向のインプットチャンバ1330の長手方向の全長に沿って、円形のオリフィスの各々を通過する実質的に均一なガス容量をもたらす。このように、この絞られたフローのコンディションは、有利には、各ガスノズルアセンブリの下方を通過するコーティング表面を、長手方向の軸線Lに沿って、単位時間ごとに、および単位長さごとに、実質的に均一な容量の処理ガスに曝露させて、それによって、所望のドウェル時間の間に、このシステムのコーティング幅Wsにわたって、完全な飽和サチュレーションをもたらす。従って、本発明によって提供されるこの絞られたフローのコンディションは、大気圧での向上したコーティングの均一性を提供し、また、その一方で、プリカーサの使用を減少させる。上記の例示の実施形態において、この所望の絞られたフローのコンディションを有するガスオリフィス1050,1170,1370は、直径が0.025~0.127mm0.0001~0.005インチの範囲の円形の孔を含む。好ましくは、オリフィスの直径は、0.064~0.0165mm0.00025~0.00065インチの範囲である。上記の例示の実施形態において、このガスオリフィスは、0.25~10mm0.010~0.4インチの範囲、好ましくは約3mm0.12インチの中心間中心~中心またはピッチの寸法で間隔を開けて配置される。長手方向の軸線に沿う所望の均一なガスの分配を提供する他の間隔を開けた配列は、本発明から逸脱することなく、使用可能である。さらなる実施形態において、複数の円形の開口は、1またはそれ以上の長手方向のスロット、1またはそれ以上の楕円形または他の形状のオリフィスあるいは他のオリフィスパターンと置き換えられてもよく、これらは、本発明から逸脱することなく、長手方向の軸線に沿って、所望の均一なガスの分配を提供する。ガスオリフィス1070,1170,1370の各々から出るガスは、一定の分配パターンでコーティング表面に垂直方向のインシデントで衝突し、この分配パターンは、円形の直径を有していてもよいものである。この分配パターンの形状およびサイズは、少なくとも、そのガスの密度、分離距離、および他のフローの特徴に依存する。上記のように、絞られたフローのコンディションの結果として、この分配パターンは、長手方向のインプットチャンバ1330の内側のガス圧力または長手方向のインプットチャンバに入るガスのマスフローレイトに、より少なく依存し、そして、これは、コーティングの特徴を向上させる。好ましくは、オリフィス1070,1170,1370は、長手方向の軸線に沿って、中心間中心~中心のピッチで均一に間隔を開けて配置され、これは、隣接するオリフィスの分配パターンのいくらかのオーバーラップを提供するものである。円形のオリフィス1070,1170,1370の中心間の間隔を開けた配置またはスペーシングおよび直径は、実質的に活性又はアクティブな基材のコーティング幅Wsに対応するガスマニホールド710の長手方向の全長Lに沿って、ガス容量を均一に分配するように選択される。パージノズルアセンブリ1015A,1015B,1115A,1115B,1350のベースウォールを貫通するオリフィスの寸法および形状は、コーティング表面に向けられるパージガスの容量とプリカーサガスの容量との間に差を設けるために、プリカーサノズルアセンブリ1005A,1005B,1110,1120,1335,1340のベースウォールを貫通するオリフィスの寸法および形状と異なっていてもよい。プリカーサノズルアセンブリ1005A,1005B,1110,1120,1335,1340のベースウォールを貫通するガスオリフィスの寸法および形状は、コーティング表面に向けられる1つのプリカーサの容量が別のプリカーサに対して異ならせるために、様々なプリカーサガスで異なっていてもよい。ベースウォールを貫通するオリフィスの中心間の間隔を開ける配置又はスペーシングまたはピッチは、単位長あたりのコーティング表面へのガス容量の送達を異ならせるために、1つのノズルアセンブリと別のノズルアセンブリとが異なっていてもよい。例えば、プリカーサノズルアセンブリは、パージノズルアセンブリと比べて、オリフィスの全数は、大きくても、小さくてもよい。あるいは、1つのプリカーサノズルアセンブリは、同一ガスマニホールドの別のプリカーサノズルと比較して、オリフィスの全数は、大きくても、小さくてもよい。より一般的には、本発明の様々な実施形態によると、長手方向のインプットチャンバ1330から導かれるオリフィスの寸法、形状およびピッチは、コーティング表面におけるガスの分配パターンを調整してコーティング表面での完全な飽和をより頼もしく得るために、変更されてもよい。さらに、分離距離1030,1145,1140および1175は、ガスの分配パターンを調整して、コーティング表面での完全な飽和をより頼もしく得るために、変更されてもよい。6.9コーティング表面でのガスフローの例図10および11のそれぞれにおいて、ガスオリフィスから出て示されるガスフローのラインを参照すると、上記のユニットセルの実施形態のそれぞれにおいて、ベースウォール1045,1160A,1160B,1325を貫通するオリフィスは、実質的にコーティング表面に対して垂直方向の軸線に沿って配向され、この軸線は、直立方向の軸線であってもよい。円形のガスオリフィスを出るガスは、実質的に円錐形のパターンを形成してもよく、これは、ガスがコーティング表面に衝突する円形のゾーンを規定する。上記のように、円形ゾーンの直径は、分離距離1030,1140、ガスオリフィスの直径、ガスの圧力に依存し、そして、程度までは、ガスの温度、密度、基材の速度などに依存し得る。コーティング表面への衝突の後、このガスは、同一の円錐形パターンで、コーティング表面から離れるように偏向され、これは、コーティング表面からの距離が増大するのに伴って、連続して直径が広がるものである。従って、偏向されるガスの多くは、エグゾーストインレット例えば、1010B,1010C,1105Aに向けて向かわされ、ここで、ガスは、分離距離1030,1140および1145から、迅速に除去される。偏向されるガスの一部がコーティング表面に対して、平行またはほぼ平行に向けられる程度まで、プリカーサノズルアセンブリの対向する側部に配置されるパージノズルアセンブリ1015A,1115A,1350が、不活性ガスのカーテンを、分離距離1030,1145に送達し、そして、不活性ガスのカーテンによって、プリカーサガスが、コーティング表面に対して、平行に流されること、または平行に拡散されることを防止する傾向にあり、そして、好ましくは、未反応のプリカーサガスおよび反応副生成物を分離距離1030,1140から除去するエグゾーストインレット1010A,1105Aによって生じる低圧エリアにプリカーサを制限する。いくつかの実施形態において、プリカーサがコーティング表面に対して、平行またはほぼ平行に流れることを防止するために、パージノズルアセンブリ1015A,1115Aを通して、より大きな容量の不活性ガスを送達することが好ましくてもよい。従って、エグゾーストインレット、例えば1010A,1105Aに吸引されるプリカーサガスに加えて、パージノズルアセンブリ1015A,1015B,1115A,1115Bから放出され、そしてコーティング表面から偏向される不活性ガスの一部が、隣接するエグゾーストインレット1010Aおよび1105Aに向かって、分離距離1030および1145を通して流れることが望ましい。上記のユニットセルの実施形態の各々において、パージノズルアセンブリは、プリカーサノズルアセンブリの間に配置されて、異なるプリカーサが、ガスプリカーサオリフィスプレート930とコーティング表面との間の分離距離において、混合することを防止する。上記のユニットセルの実施形態の各々において、分離距離1030,1145を選択して、コーティング表面から偏向される未反応のプリカーサガスおよび反応副生成物を、エグゾーストインレット1010および1105に向けて案内ガイドして、異なるプリカーサが混合することを防止し、かつ、コーティング表面の全面積にわたって、プリカーサとコーティング表面との間における迅速かつ完全な反応を促進する。6.10ガスコントロールシステムここで、図14を参照すると、本発明の一実施形態によるガスコントロールシステム1400を模式的に示す。ガスコントロールシステム1400は、ガスマニホールド1460図8に示す上記のガスマニホールド710などを含む。プリカーサおよび不活性ガスは、インプット注入ライン1412を介して、例えば、複数のインプット導管によって、ガスマニホールド1460へと送達される。インプットライン1412は、1またはそれ以上の圧力ゲージPと、フローメータ1425,1455と、コントロールバルブ1435,1440,1445と、圧力レギュレータ1410および1420とを含んでいてよく、必要に応じて、ガスのインプット注入圧力およびマスフローレイトを調節し、そして、プリカーサのインプット注入を調節する。不活性ガスは、ガス圧力レギュレータ1410によって圧力が調節される不活性ガス供給源1405から送達される。ガスコントロールシステム1400は、さらに、マニホールド1460を通してエグゾーストガスを吸引するブロワー1485を含む。エグゾーストガスは、2つの分離エグゾーストライン1465および1470を通して吸引され得、一方のガスライン1465は、未反応のプリカーサAを含むエグゾーストガスに関連し、そして、他方のガスライン1470は、未反応のプリカーサBにそれぞれ関連する。エグゾーストガス回収モジュール1475は、エグゾーストガスを回収して処理するために、ブロワー1485とマニホールド1460との間に配置される。エグゾースト回収モジュール1475は、未反応のプリカーサを捕捉するためのトラップ、または未反応のプリカーサを再生又は回収するためのプリカーサ再生又は回収モジュール、あるいはその両方を含んでいてもよい。また、エグゾースト回収モジュール1475は、反応副生成物をエグゾーストガスから分離するためのトラップまたは濾過装置を含んでいてよい。また、ガスコントロールシステム1400は、スロットルバルブ1480などを含んでいてもよく、これは、ガスマニホールド1460とブロワー1485との間に配置されるものであり、エグゾーストガスの圧力および/またはマスフローレイトを調整するのに適している。ガスコントロールシステム1400は、液体または固体のプリカーサを気化させるために、1またはそれ以上の従来のガスバブラー1450を含んでいてもよい。あるいは、またはさらに、このシステムは、バブラーを必要としない1またはそれ以上の気体のプリカーサの容器を含んでいてもよい。ガスバブラー1450は、密閉された容器内に液体または固体のプリカーサを含み、そして、不活性ガスが、フローライン1430に沿って、容器内に送達される。バブラー1450への不活性ガスのインプット注入は、圧力レギュレータ1410およびマスフローコントローラ1425によって調節され得る。プリカーサの気体は、コントロールバルブ1440を通して、バブラーから放出される。コントロールバルブ1435,1440および1445を使用して、不活性ガスがバブラー1450に流入することを防止するか、および/または、プリカーサがバブラーから出ることを防止してもよい。ガスコントローラ1400は、不活性ガスをガスマニホールド1460例えば、図8に示す不活性ガスインプットポート825の各々へと直接に送達する。さらに、不活性ガスは、キャリアガスとして一方のまたは両方のプリカーサと混合されてもよく、そうすることで、混合物または不活性ガスおよびプリカーサの気体は、図8に示すプリカーサインプットポート815,820の各々へと送達されるようになる。この実施形態は、2成分のプリカーサシステムを使用するが、本発明は、2種類のプリカーサに限定されない。本発明は、本発明から逸脱することなく、所望のコーティングの目的を達成するために必要なあらゆる数のプリカーサに開かれている。さらに、このガスコントロールシステム1400は、概略で示すものであり、複数の様々なプリカーサおよび不活性ガスの容器、バブラーおよびフローパス又は流路を含んでいてもよい。なぜなら、ユーザーは、複数の様々な基材に種々の異なる物質層を付与するようにガスマニホールドを構成することを求め得るからである。6.11基材の輸送システムを含むデポジションシステム図15および16は、ぞれぞれ、本発明の実施形態に従う様々な基材の輸送システムを含むデポジションシステムを示す。図15を参照すると、デポジションシステム1500は、基材の輸送システムを含み、これは、上記の技術に従って、基材にコーティングを堆積させるために、ガスデポジションヘッドシステムの下方で実質的に平らな形状で基材を輸送するように設計されるものである。基材がこのヘッドシステムの下方を通過するとき、各ユニットセルと、基材のコーティング表面との間の分離距離が実質的に同一となるように、デポジションヘッドシステムを設計および配置する。図15の実施形態は、4つのユニットセル1510,1520,1530,1540を含む図3に示されるガスデポジションヘッドシステムを利用するものである。図15の実施形態において、輸送システムは、コーティングされていない基材を供給する供給ロール1550と、コーティングされた基材を回収する巻取ロール1560とを含む。デポジションプロセスの間に、供給ロール1550は、例えば、反時計回り方向に回転して、基材を巻き出す。いくつかの実施形態において、示されるように、基材は任意の基材支持体1570の上方に輸送され得、これは、存在する場合、実質的に平らな形状で基材を維持するのを援助し得るものである。基材が、ガスデポジションヘッドシステムの下方を通過するとき、上記の技術に従って、コーティング表面に層を堆積させる。この実施形態において、ドライブ機構1580は、巻取ロール1560を回転させて、コーティングされた基材を回収し、これは、次に、供給ロール1550を回転させて、基材を供給する。しかし、他の実施形態では、ドライブ機構は、このドライブ機構が巻取ロール1560と関連付けられる又は協同する代わりに、あるいはこれに追加して、供給ロール1550と関連付けられて又は協同してもよい。さらに、輸送システム1500は、各ユニットセルのガスノズルアセンブリに対応するプリカーサおよび不活性ガスを送達するためのガス供給モジュール1585と、ユニットセルのエグゾーストチャネルを通してエグゾーストガスを回収するためのエグゾーストモジュール1590とを含む。好ましい実施形態では、基材は、約24m/minの速度でガスデポジションヘッドを通過して進み、各ガスノズルアセンブリは、約1mmのノズル幅を有し、コーティング表面とデポジションヘッドのベース表面との間の分離距離は、約0.5mmである。図15の例示の実施形態では、4個のユニットセルが示され、各ユニットセルが、ALDコーティングプロセスによって、コーティング表面に、単一の固体又は中実のフィルム層を堆積させる。他の実施形態では、システム1500は、デポジションヘッドシステムのユニットセルの数を増加させることによって、より多くの固体又は中実のフィルム層を堆積させるように構成されてもよい。図16を参照すると、デポジションシステム1600は、基材の輸送システムを含み、これは、上記の技術に従って、基材にコーティングを堆積させるように、湾曲した形状で基材を輸送するように設計されるものである。また、この実施形態においては、デポジションヘッドも湾曲していて、そうすることで、基材がこのヘッドの下方を通過するときに、各ユニットセル1610,1620,1630,1640とコーティング表面との間の分離距離が実質的に同一となるようになる。図15の実施形態と同様に、輸送システムは、コーティングされていない基材を供給する供給ロール1650と、コーティングされた基材を回収する巻取ロール1660とを含む。この輸送システムは、湾曲した基材支持要素又は基材支持エレメント1670を含み、これは、基材のコーティング表面を各ユニットセル1610,1620,1630,1640から等距離で維持するためにある。ドライブ機構1680は、巻取ロール1660を回転させて基材を回収し、これは、次いで、供給ロール1650を回転させて基材を供給する。しかし、他の実施形態では、この湾曲した基材支持要素1670は、コーティング表面を所望の速度でユニットセルを通過させて進めるために、ドライブ機構1680によって駆動されるローラを含んでいてもよい。さらに、ドライブ機構1680は、供給ロール1610を駆動させるための構成要素又はエレメントを含んでいてよい。上記の実施形態の全てにおいて、不活性ガスならびにプリカーサガスは、1またはそれ以上の不活性ガス入口ポート825を通して、あるいはコーティングプロセスで使用される各プリカーサに関する少なくとも1つのプリカーサ入口ポート815および820を通して、ガスマニホールド710に実質的に連続して送達される。上記の実施形態の全てにおいて、エグゾーストガスは、複数の出口ポート805および810の各々を通して、ガスマニホールド710から、実質的に連続的に除去される。他の実施形態において、単一のエグゾースト出口ポートの使用が可能である。出口ポート805および810は、三角形の形状の出口プレナム830,835からガスを吸引する。他の実施形態において、単一の出口プレナムの使用が可能である。各出口プレナムは、エグゾースト回収プレート915と係合し、そして、各出口プレナムとエグゾースト回収プレートとの間のインターフェイスは、ガスケット、Oリングなどでシーリングされる。さらに、プリカーサおよび不活性ガスの各々のマスフローレイト、圧力および温度は、所定のコーティングサイクルで完全な飽和又はサチュレーションを達成する必要に応じて、コントロールシステムによって変更されてもよい。本発明の他の実施形態において、ユーザーは、例えば、コーティング表面への自己組織化単分子膜の気相成長を促進するために、単一のプリカーサガスを基材のコーティング表面に送達することを選択してもよい。このような場合、単一のプリカーサガスは、1つまたは全ての入口ポート815,820に送達されてもよい。また、本発明は、好ましい実施形態について上記で記載されているが、本発明がこれらに限定されないことは、当業者が理解するであろう。上記の発明の様々な特徴および形態は、別々にまたは結合して使用され得る。さらに、本発明は、その特定の環境での実施、ならびに、特定の用途例えば、ALDに関連して記載されているが、当業者は、その有用性がこれらに限定されないこと、ならびに本発明が化学気相成長、物理気相成長、プラズマエッチング化学気相成長およびパルスレーザー堆積などの堆積方法のあらゆる環境および実施においても有益に使用できることを理解するであろう。従って、以下に記載の特許請求の範囲は、本明細書中に記載の本発明の全範囲および要旨に鑑みて解釈されるべきである。"