"第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、前記構造体の前記第2半導体層の側に設けられた電極層であって、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、100ナノメートル以下である金属部と、前記方向に沿って前記金属部を貫通する複数の開口部であって前記開口部のそれぞれを前記方向にみたときの外形の円相当直径が10ナノメートル以上、5マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する電極層と、前記発光層から放出される光に対して透過性を有し、前記金属部の表面及び前記開口部の内面を覆う無機膜と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。前記金属部は、Agを含む第1層を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記金属部は、前記第1層と前記第2半導体層との間に設けられ、Ni、Ti、Cr及びCoの少なくともいずれかを含む第2層をさらに有し、前記第2層の厚さは、1ナノメートル以上、5ナノメートル以下であることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。前記第1層は、Al、Cu、Zn、Zr、Si、Ge、Pt、Rh、Ni、Pd、Cu、Sn、C、Mg、Cr、Te、Se、In、Co及びTiからなる群から選択される少なくとも1つの元素を含有することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光素子。前記無機膜は、SiN、BN、AlN、GaN、CN、ZnS、AlF3、MgF2、CaF2、CeF2、GdF2、LaF2、NdF2、LiF,NaF、YbF3及びYF3のよりなる群からから選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記無機膜の厚さは、20ナノメートル以上、200ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記開口部の前記円相当直径は、10ナノメートル以上、1マイクロメートル未満であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記開口部の前記円相当直径は、10ナノメートル以上、500ナノメートル未満であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記開口部の前記円相当直径は、10ナノメートル以上、50ナノメートル未満であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記電極層の前記方向にみたときの外形の面積は、1平方ミリメートル以上であることを特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記電極層のシート抵抗は、10オーム/□以下であることを特徴とする請求項1~10のいずれか1つに記載の半導体発光素子。成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成する工程と、前記第2半導体層の上に、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートル以上、100ナノメートル以下の金属層を形成する工程と、前記金属層の上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクにして前記金属層をエッチングし、前記方向にみたときの形状の円相当直径が10ナノメートル以上、5マイクロメートル以下である複数の開口部を有する電極層を形成する工程と、前記金属層の表面及び前記開口部の内面を覆うように、前記発光層から放出される光に対して透過性を有する無機膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記マスクパターンを形成する工程において、前記金属層の上にブロックコポリマー膜を形成し、前記ブロックコポリマー膜をミクロ相分離させ、ブロックコポリマー膜の1相を除去することにより、複数の開口部を作成し、前記開口部が得られたブロックコポリマー膜をマスクに用いることを特徴とする請求項12記載の半導体発光素子の製造方法。前記マスクパターンを形成する工程において、前記金属層の上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜に凸部を有する型の前記凸部を押し付けて、前記レジスト膜に複数のレジスト凹部を有するレジストパターンを形成することを特徴とする請求項12記載の半導体発光素子の製造方法。前記マスクパターンを形成する工程において、前記金属層の上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜に電子線または光を照射したのちに現像し、前記レジスト膜に複数のレジスト開口部が設けられたレジストパターンを形成することを特徴とする請求項12記載の半導体発光素子の製造方法。前記マスクパターンを形成する工程において、前記金属層の上に単層の微粒子を形成し、前記単層の微粒子を樹脂で固定化したのち、微粒子を除去することで樹脂膜に複数の開口部を作成し、前記開口部が樹脂膜をマスクに用いることを特徴とする請求項12記載の半導体発光素子の製造方法。本発明の実施形態は、高い輝度が実用的に得られる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第1電極層と、電極層と、無機膜と、を備える。構造体は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極層は、構造体の第2半導体層の側に設けられる。電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第1半導体層から第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10ナノメートルnm以上、100nm以下である。開口部は、前記方向に沿って金属部を貫通し、円相当直径が10nm以上、5マイクロメートルμm以下である。無機膜は、発光層から放出される光に対して透過性を有する。無機膜は、金属部の表面及び開口部の内面を覆うように設けられる。また、実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成する工程と、前記第2半導体層の上に、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿った厚さが10nm以上、100nm以下であって、前記第2半導体層と接合された金属層を形成する工程と、前記金属層の上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクにして前記金属層をエッチングし、前記方向にみたときの形状の円相当直径が10nm以上、5μm以下である複数の開口部を有する電極層を形成する工程と、金属層の表面及び開口部の内面を覆うように、発光層から放出される光に対して透過性を有する無機膜を形成する工程と、を備える。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的斜視図である。図2は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の一部を拡大した模式的断面図である。第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、構造体100、電極層である第2電極層20、及び無機膜40、を備える。構造体100は、第1導電形の第1半導体層51と、第2導電形の第2半導体層52と、第1半導体層51と第2半導体層52との間に設けられた活性層53と、を有する。構造体100は、例えば窒化物半導体によって形成される。ここで、本明細書において窒化物半導体とは、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1またはBxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。第1半導体層51は、例えばGaNの電流拡散層511を含む。第2半導体層52は、電流拡散層522を含む。すなわち、例えばp形GaNによるクラッド層521上に、例えばp形GaNによる電流拡散層522が設けられている。実施形態では、便宜上、電流拡散層522は第2半導体層52に含まれるものとする。活性層53は、第1半導体層51と、第2半導体層52と、の間に設けられる。半導体発光素子110では、例えば、n形GaNによるクラッド層512、発光層530、及び、p形GaNによるクラッド層521によってヘテロ構造の活性層53が構成される。構造体100に含まれる第1半導体層51、活性層53及び第2半導体層52は、図示しない成長用基板例えば、サファイア基板の上で結晶成長した層である。第2電極層20は、構造体100の第2半導体層52の側に設けられる。具体的には、第2電極層20は、第2半導体層52の第1半導体層51とは反対側に設けられる。第2電極層20には、例えば後述するようにAgの化合物が含まれる。なお、実施形態では、説明の便宜上、構造体100の第2半導体層52の側を表面側または上側、構造体100の第1半導体層51の側を裏面側または下側とする。また、第1半導体層51から第2半導体層52に向かう方向に沿った積層方法をZ方向とする。第2電極層20は、金属部23と、複数の開口部21と、を有する。開口部21は、Z方向に沿って金属部23を貫通する。開口部21をZ方向にみたときの外形の円相当直径は、10nm以上、5μm以下である。好ましくは、10nm以上、1μm未満、さらに好ましくは、10nm以上、500nm未満、さらに好ましくは、10nm以上、50nm未満である。ここで、円相当直径は、次の式で定義される。円相当直径=2×面積/π1/2ここで、面積は、開口部21のZ方向からみたときの面積である。開口部21は、必ずしも円形とは限らない。したがって、実施形態では、上記の円相当直径の定義を用いて開口部21を特定する。また、半導体発光素子110は、第1電極層30を備える。第1電極層30は、構造体100の第1半導体層51の側に設けられる。具体的には、第1電極層30は、第1半導体層51の第2半導体層52とは反対側に設けられる。第1電極層30は、金属製である。第1電極層30は、第1半導体層51の裏面側と接する部分を有し、この接する部分によって第1半導体層51と導通している。第1電極層30には、例えばAgが用いられる。第1電極層30は、例えば蒸着法により形成される。無機膜40は、第2電極層20の金属部23の表面及び開口部21の内面を覆うように形成される。すなわち、図2に表したように、無機膜40は、金属部23の上側の表面23a及び開口部21の内壁面21aを覆うように設けられる。無機膜40は、発光層530から放出される光に対して透過性を有する。無機膜40の厚さは、例えば20nm以上、200nm以下である。このような半導体発光素子110では、第2電極層20の形成された面が、主たる発光面として利用される。すなわち、第2電極層20と第1電極層30との間に所定の電圧を印加することで、発光層530から所定の中心波長を有する光が放出される。この光は、主として第2電極層20の主面20aから外部に放出される。第1の実施形態に係る半導体発光素子110では、第2電極層20に開口部21が設けられているため、例えば10nm以上5μm以下の程度の大きさの超微細な開口部21を含む第2電極層20による発光層530への電流の拡がりを保ったまま効率良く光を外部に放出できるようになる。また、半導体発光素子110では、第2電極層20と第1電極層30とが対向して配置され、第1電極層30として金属を用いていることから、第2電極層20で拡がり、発光層530から第1電極層30へ向かう電流の集中を抑制することができる。また、半導体発光素子110では、無機膜40によってAgの化合物を保護することができる。すなわち、無機膜40によって金属部23の表面及び開口部21の内面が覆われているため、第2電極層20のオーミック接触を確保するためのアニール処理を行っても、Agの化合物をアニール温度から保護することができる。これによって、Agの化合物を用いた第2電極層20からの放出光の輝度の向上を図ることが可能となる。半導体発光素子110の具体的な一例を説明する。半導体発光素子110は、例えばGaNの電流拡散層511を備え、この電流拡散層511の上に、例えばSiがドープされたn形GaNによるクラッド層512と、InGaNによる発光層530と、p形AlGaNによるクラッド層521と、を含むヘテロ構造が形成される。発光層530は、例えば障壁層GaNおよび井戸層InGaNが交互に繰り返し設けられたMQWMultipleQuantumWell構成であってもよい。また、発光層530は、井戸層を挟む障壁層の組みが1組み設けられたSQWSingleQuantumWell構成を含むものであってもよい。そして、この発光層530の上に、例えばp形GaNによる電流拡散層522が形成されている。さらに電流拡散層522には、Mg等のドーピングがされていてもよい。これにより、電流拡散層522の抵抗値が下がり、第2電極層20とのオーミック接続をとりやすくなる。なお、これらの半導体の層構成は一例であり、実施形態はこれに限定されない。電流拡散層522の上には、例えばコンタクト層が形成され、コンタクト層を介して第2電極層20が形成されていてもよい。コンタクト層に用いられる材料は、例えば、コンタクト層に隣接する電流拡散層522の材料、及び、第2電極層20に用いられる材料に基づいて適切に選択すればよい。第2電極層20の金属部23は、Agの化合物を有する第1層231と、第1層231と第2半導体層52との間に設けられる第2層232と、を有する。第1層231は、例えば、Al、Cu、Zn、Zr、Si、Ge、Pt、Rh、Ni、Pd、Cu、Sn、C、Mg、Cr、Te、Se、In、Co及びTiからなる群から選択される少なくとも1つの元素を含有する。第2層232は、Ni、Ti、Cr及びCoうちいずれかを含む。第2層232のZ軸方向に沿った厚さは、例えば1nm以上、5nm以下である。このように、第1層231と第2半導体層52との間に第2層232を設けることで、第1層231に含まれるAgが第2半導体層52へ拡散することを防止する。ただし、第2層232の膜厚が大きすぎると、発光層530から放出される光の透過性が悪くなることから、5nm以下が好ましい。本具体例において、p側の電極として、第2電極層20の第1層231には、例えばNiが用いられ、第2層232には、例えばAg-Pd-Cuの化合物が用いられる。すなわち、第2電極層20には、例えばNi/Ag-Pd-Cuの積層構造が用いられる。第2層232のZ軸方向に沿った厚さは、例えば40nmである。また、本具体例において、第2電極層20のZ軸方向に沿った厚さは、10nm以上、100nm以下である。好ましくは、10nm以上、50nm以下である。第2電極層20には、この金属部23をZ軸方向に沿って貫通する複数の開口部21が設けられている。開口部21のそれぞれの大きさ及び配置は、規則的であっても、不規則的であってもよい。金属部23の表面及び開口部21の内面は、無機膜40によって覆われている。無機膜40は、少なくとも第1層231の露出部分を覆うように設けられる。無機膜40は、例えばSiN、BN、AlN、GaN、CN、ZnS、AlF3、MgF2、CaF2、CeF2、GdF2、LaF2、NdF2、LiF,NaF、YbF3及びYF3のうち選択される1つである。本具体例では、無機膜40としてSiNが用いられる。ここで、無機膜40は、酸素を主として含まない膜が好ましい。無機膜40のうちSiNは、成膜性が良好であり、成膜後の加工も容易である。無機膜40の厚さ金属部23の表面及び開口部21の内面のそれぞれに直交する方向に沿った厚さは、例えば20nm以上、200nm以下である。無機膜40の厚さが20nmよりも薄いと、金属部23に含まれるAgの化合物の耐熱性を十分に得ることができない。一方、無機膜40の厚さが200nmよりも厚いと、クラックを発生させる可能性がある。電流拡散層511の裏面側には、例えばAgからなるn側の第1電極層30が形成されている。第1電極層30は、第1半導体層51と接する部分を有し、この部分で第1半導体層51と導通している。第1電極層30のZ軸方向に沿った厚さは、1μm以上であることが望ましい。すなわち、構造体100は成長用基板の上に結晶成長によって形成されており、Z軸方向に沿った厚さは非常に薄い。このため、構造体100から成長用基板を剥離した後、構造体100の裏面側に形成される第1電極層30は、構造体100を補強する役目も果たす。したがって、第1電極層30の厚さを1μm以上にすることで、構造体100を十分に補強することができる。ここで、構造体100のZ軸方向に沿った厚さは、数μm以上、20μm以下である。第1電極層30のZ方向に沿った厚さを1μm以上、500μm以下にすることが好ましく、より好ましくは、10μm以上、100μm以下である。実施形態では、構造体100をあいだにして、第2電極層20と、第1電極層30と、が対向している。そして、実施形態に係る半導体発光素子110において、発光層530から放出された光は、第2半導体層52の第2電極層20が設けられた全面から外部に放出される。半導体発光素子110は、例えば、中心波長400nm以上、650nm以下の光を放出する。このような波長の光を発光する半導体発光素子110において、第2電極層20にAgの化合物を含む材料を用いると光の吸収が抑制され、発光効率を高めることができる。しかしながら、発明者は、上記のような開口部21を有する第2電極層20として、Agの化合物を用いる場合、第2電極層20のオーミック接触を確保するためのアニールによってAgの凝縮が発生するという新規な課題を見出した。図3及び図4は、第2電極層のアニール前後の状態を例示する図である。図3は、無機膜が設けられている場合、図4は、無機膜が設けられていない場合である。それぞれ、aはアニール前、bはアニール後の状態を示している。図3aに表した例では、Ni/Ag-Cu-Pdの積層構造の第2電極層20にピッチ150nmの開口部21が形成され、その上に、SiNの無機膜40が設けられている。図3bは、この無機膜40が設けられた第2電極層20を650°Cでアニールした後の状態を表している。第2電極層20に設けられた開口部21は、ほとんど変化なく維持されているのが分かる。図4aに表した例では、Ni/Ag-Cu-Pdの積層構造の第2電極層20にピッチ150nmの開口部21が形成されている。第2電極層20の上に無機膜40は設けられていない。図4bは、この第2電極層20を650°Cでアニールした後の状態を表している。上記アニール後、第2電極層20に含まれるAgに凝縮が発生し、開口部21を維持できないことが分かる。Ag-Cu-Pdの合金では、500°C以上で凝縮が発生すると考えられる。例えば青色や緑色を発光する半導体発光素子110では、第2電極層20にAgの化合物を含む材料を用いると光の吸収が抑制され、発光効率を高めることができる。しかしながら、金属部23の厚さが10nm以上、100nm以下であり、円相当直径が10nm以上、5μm以下の開口部21を有する第2電極層20にAgの化合物を含む材料を適用すると、上記のように500°C以上のアニールでAgの凝縮が発生し、開口部21を維持することができない。このため、この構成を実用化することが困難である。上記のような実験の結果、発明者は、第2電極層20の上に無機膜40を設けることで、Agの化合物を含む材料を第2電極層20に適用しても、開口部21を維持できること、すなわち第2電極層20をアニールする際の耐熱性を十分に確保できることを見出した。発明者は、無機膜40としてSiNを用いた場合、約700°Cまで第2電極層20の開口部21を維持できることを確認した。また、開口部21の円相当直径が10nmよりも小さいと、無機膜40による耐熱性向上の作用を十分に得られない。一方、開口部21の円相当直径が5μmよりも大きいと、500°C以上のアニールによって第2電極層20に含まれるAgの凝縮が発生する。したがって、開口部21の円相当直径が10nm以上、5μm以下である場合、無機膜40による耐熱性の向上の効果を得ることができる。つまり、500°C以上の温度でアニールを行っても、第2電極層20に含まれるAgの凝縮を発生させずに開口部21を維持することができる。これにより、第2電極層20にAgの化合物を適用しても、第2電極層20として十分なオーミック接触及び光反射特性を得ることができ、例えば青色や緑色を発光する半導体発光素子110の発光効率を高めることが可能になる。上記のように、実施形態に係る半導体発光素子110では、第2電極層20における開口部21の円相当直径は、10nm以上、5μm以下である。また、第2電極層20の厚さは、10nm以上、100nm以下である。すなわち、半導体発光素子110では、比較的大きな第2電極層20を設けることで高い放熱性を得て、半導体発光素子110の温度上昇を抑制している。また、第2電極層20に設けられた開口部21の大きさ例えば、円相当直径を調整することによっても、半導体発光素子110の温度上昇を抑制している。すなわち半導体発光素子110の順方向の電圧を低下させることによって直列抵抗を低下させ、発熱自体を減少させることができる。このような効果を実現するためには、開口部21を有する第2電極層20から第2半導体層52に対して全面に均一に電流を流すとことができるとよい。第2半導体層52に均一に電流を流すためには開口部21の大きさ、並びに、開口部21の中心間隔はある程度限定される。電流を流す半導体層のドーピング濃度等にも依存するが、シミュレーション等の計算で得られる電流の流れる範囲は、第2電極層20の端から約5μmまでの範囲であり、十分な導電性を有し、順方向電流の上昇が起こらないのは1μm以下である。すなわち、開口部の直径がそれ以上であると電流が流れない範囲が生じて、直列抵抗を下げることができず、順方向電圧を下げることができない。そのため、開口部21の平均開口部直径の上限は5μm以下である。発光層530から発生する光の波長より十分小さい開口部21を第2電極層20に設けることによって、第2電極層20は、金属でありながら光透過型電極として機能することがある。これは、開口部21に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、この光の波長よりも十分短いことにより、第2電極層20に光が照射した際に光の電場により誘起される自由電子の運動が阻害され、該当波長の光と反応できなくなり、金属が透明となる点である。金属反射を記述するドルーデの理論において、対象となる物質は照射される光の波長に対して十分に大きく、均一な構造であることが仮定されている。物質にプラズマ周波数よりも低い周波数の光が照射された際、物質内の自由電子の運動について述べると、光のもつ電場により物質内の電子の分極が生じる。この分極は光の電場を打ち消す方向に誘起される。この誘起された電子の分極により、光の電場が遮蔽されることで、光は物質を透過することができず、いわゆるプラズマ反射が生じる。ここで、もし電子の分極を誘起される物質が、光の波長よりも十分に小さいとすると、電子の運動は幾何学的な構造により制限され、光の電場を遮蔽することができなくなるものと考えられる。これは、構造的には開口部の直径を、該当する光の波長よりも十分小さくすることにより実現できる。このため、第2電極層20における光透過率発光層530で発生した光の外部への透過率が、開口率第2電極層20の面積に対する開口部の面積を上回る効果を得るためには、円相当直径を、発光層530で発生する光の中心波長の1/2以下程度が望ましい。例えば、可視光の場合には、開口部21の円相当直径は、300nm以下がよい。一方、開口部21の円相当直径の下限に関しては、抵抗値の観点からは制約は無いものの、製造の容易性から10nm以上、好ましくは30nm以上あるとよい。なお、例えば、第2電極層20の金属部23開口部21が設けられていない部分の任意の2点間は、少なくともパッド電極などの電流供給源から切れ目無く連続している。これは、通電性を確保し抵抗値を低く保つためである。なお、複数の電流供給源が設けられている場合には、各電流供給源のそれぞれに対応して第2電極層20の金属部23が連続していればよい。また、金属部23は、連続していることが望ましい。これにより、半導体発光素子110において、光の放出の均一性が高まる。また、第2電極層20のシート抵抗は、10Ω/□以下であることが好ましく、5Ω/□以下であることがより好ましい。シート抵抗が小さいほど、均一な発光、輝度の向上が顕著になる。また、半導体発光素子110の発熱は少なくなる。実施形態に係る半導体発光素子110では、半導体層上に金属層を形成し、さらに後述する方法によって開口部21を形成することによって第2電極層20を形成している。ここで、第2電極層20の厚さが薄くなりすぎると抵抗値の増加を招くこと、また、第2電極層20の一部でAgが凝縮しやすくなるため、10nm以上であることが好ましい。一方、第2電極層20の厚さが厚いほど抵抗値は下がる。発光層530で発生した光の透過率を確保する点から、第2電極層20の厚さは、好ましくは100nm以下であり、より好ましくは50nm以下である。ここで、第2電極層20においては、発光層530から放出される波長の光に対する金属材料のバルク状態での反射率バルク反射率が70以上である。これは、金属反射の際に反射率が低いと光が熱に変わり損失が生じるためである。第2電極層20で、素子から出られなかった光も本電極では光として反射されるため、発光層530の下部に反射層図示せずなどを施すことで再利用可能となり、再び取り出すことができる。これにより、発光層530から放出された光が、第2電極層20を透過することになる。第2の実施形態次に、第2の実施形態を説明する。第2の実施形態は、半導体発光素子の製造方法である。第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法には、例えば以下のA~Dの方法が挙げられる。A電子線描画を利用する方法開口部を有する第2電極層を形成させる方法のひとつは、電子線描画による方法である。この方法を利用した第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、次の工程を備える。すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程a1と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程a2と、当該レジスト膜に電子線を照射し、現像し、複数の第1レジスト開口部及び第2レジスト開口部を有するレジスト層を形成する工程a3と、当該レジスト層をマスクとして当該金属層をエッチングし、複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程a4と、金属層の表面及び開口部の内面を覆うように無機膜を形成し、アニール処理する工程a5と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第2電極層を形成する工程a6と、を備える。そして、実施形態では、当該第2電極層を形成する工程a4において、当該複数の開口部のそれぞれの円相当直径を、10nm以上、5μm以下に形成する。具体的には、例えば以下のようにして半導体発光素子を製造する。図5は、電子線描画を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。先ず、図5aに表したように、成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に発光層530を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。次に転写層としてシリコン酸化膜201Aを例えばEBElectronBeam蒸着する。そして、金属層20Aの上に電子線用のレジスト膜200Aの層を形成する。次いで、図5bに表したように、パターンジェネレータを装備した電子線露光装置で、レジスト膜200Aに、開口部21に対応したレジスト開口部211を形成する。次いで、レジスト開口部211が形成された電子線用のレジスト層200をマスクに、転写層のシリコン酸化膜201AをRIEReactiveIonEtchingでレジスト層200のパターンを転写する。次に、開口部が開いたシリコン酸化層201をマスクにしてイオンミリングを行い、金属層20Aをエッチングする。これにより、レジスト開口部202aに対応した金属層20Aに開口部21が形成される図5c。金属層20Aは、開口部21が形成され、第2電極層20になる。金属層20Aのエッチング後、レジスト層200は除去される。第2電極層20を形成した後は、無機膜40を例えばCVDChemicalVaporDeposition法によって形成する。その後、第2電極層20と第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、例えば650°Cで所定時間のアニールを行う。その後、図5dに表したように、金属層20Aの上にパッド電極202を形成する。そして、第1半導体層51の下面から成長用基板10を剥離し、第1半導体層51の下面に第1電極層30を形成する。次に、表面である第1電極20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板を貼り付ける。その後、サファイア基板側から、波長248nmのフッ化クリプトンKrFエキシマレーザ光を照射し、サファイア基板とGaNの界面にレーザ光を吸収させて、レーザリフトオフLLO法により、サファイア基板からエピ基板を剥離する。裏面に残ったGaについては、塩酸処理により取り除く。次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を50μm積層させる。そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。B型を利用する方法第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の別のひとつは、型を利用するものである。その方法は、次の工程を備える。すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程b1と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程b2と、レジスト膜に、凸部を有する型の凸部を押し付けて、当該レジスト膜に複数のレジスト凹部を有するレジスト層を形成する工程b3と、当該レジスト層をマスクとして当該金属層をエッチングし、レジスト凹部に対応した複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程b4と、金属層の表面及び開口部の内面を覆うように無機膜を形成し、アニール処理する工程b5と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層を形成する工程b6と、を備える。そして、実施形態では、当該第2電極層を形成する工程b4において、当該複数の開口部のそれぞれの円相当直径を、10nm以上、5μm以下に形成する。具体的には、例えば以下のようにして半導体発光素子を得ることができる。図6は、型を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。先ず、図6aに表したように、成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に発光層530を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。そして、金属層20Aの上に転写層としてシリコン酸化膜800Aを例えばEB蒸着する。さらにレジスト膜801Aの層を形成する。次いで、図6bに表したように、凸部802aを有する型802を用意する。例えば、型802の凸部802aが設けられた転写面において、複数の凸部802aが設けられている。型802は、例えば石英上に電子線リソグラフィにて所望の構造を形成させることにより製造することができる。なお、型802の材料及び型802の微細凹凸構造の形成手法はこれに限定されない。例えば、型802を後述するブロックコポリマーブロック共重合体の自己組織化や、微粒子マスクを用いた方法により形成することも可能である。次に、必要に応じてレジスト膜801Aを所定温度に加熱した状態で、図6bに表したように、型802の凸形状がある側をレジスト膜801Aに押し付けるインプリントを行う。インプリント後、レジスト膜801Aを室温まで冷却して硬化させ、型802をリリースする。これにより、凸部802aに対応した凹部を有するレジストパターン801Bが形成される図6c。以上、熱インプリントの例を示したが、UVインプリントを用いることも可能である。次いで、図6dに表したように、レジストパターン801Bを、エッチングする。これにより、レジスト層の凹部の底が除去され、金属層20Aが露出する図6d。金属層20Aが露出した部分は、レジスト開口部811となる。次に、転写層のシリコン酸化膜800AをRIEでレジスト層801のパターンを転写する。次いで、レジスト開口部811と同じ形状の開口部が形成されたシリコン酸化層800をマスクにしてイオンミリングを行い、金属層20Aをエッチングする。これにより、レジスト開口部811に対応した金属層20Aに開口部21が形成される図6e。金属層20Aは、開口部21が形成され、第2電極層20になる。金属層20Aのエッチング後、レジスト層801は除去される。第2電極層20を形成した後は、無機膜40を例えばCVD法によって形成する。その後、第2電極層20と第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、例えば650°Cで所定時間のアニールを行う。その後、図6fに表したように、金属層20Aの上にパッド電極202を形成する。そして、第1半導体層51の下面から成長用基板10を剥離し、第1半導体層51の下面に第1電極層30を形成する。次に、表面である第2電極層20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板を貼り付ける。その後、サファイア基板側から、波長248nmのKrFエキシマレーザ光を照射し、サファイア基板とGaNの界面にレーザ光を吸収させて、レーザリフトオフLLO法により、サファイア基板からエピ基板を剥離する。裏面に残ったGaについては、塩酸処理により取り除く。次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を50μm積層させる。そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。なお、型を利用する方法は、上記のような熱による成形に限定されるものではなく、光の照射によってレジストを硬化させる成形や、PDMAポリジメチルアクリルアミドやPDMSポリジメチルシロキサン等の柔軟性を備えた型を用いる成形など、種々の技術を用いることができる。Cブロックコポリマーの自己組織化を利用する方法第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の別のひとつは、ブロックコポリマーの自己組織化による相分離を利用するものである。その方法は、次の工程を備える。すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程c1と、当該金属層の少なくとも一部の表面にブロックコポリマーを含む組成物を塗布し、当該ブロックコポリマーを相分離させてミクロドメインパターンを生成する工程c2と、当該ミクロドメインパターンをマスクとして当該金属層をエッチングして、複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程c3と、金属層の表面及び開口部の内面を覆うように無機膜を形成し、アニール処理する工程c4と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層を形成する工程c5と、を備える。そして、実施形態では、当該第2電極層を形成する工程c3において、複数の開口部のそれぞれの円相当直径を、10nm以上、5μm以下に形成する。具体的には、例えば以下のようにして半導体発光素子を得ることができる。図7は、ブロックコポリマーの自己組織化を利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。先ず、図7aに表したように、成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に発光層530を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。そして、金属層20Aの上に、例えばシリコン酸化膜701Aを形成する。次に、図7bに表したように、シリコン酸化膜701A上に、2種類のポリマーのブロックを有するブロックコポリマーを溶剤に溶かした液をスピンコート法で塗布する。その後、プリベークして溶剤を除去し、ブロックコポリマー膜703Aを形成する。そして、その膜をアニールし、2種類のポリマーのミクロ相分離を行い、ブロックコポリマーによるミクロドメインパターン703を形成する図7c。次いで、ミクロドメインパターン703を例えばRIE装置によってエッチングする。このとき、2種類のポリマーのエッチング速度差により、エッチング速度の速いポリマーによるホールパターンが形成される。次いで、ポリマーによるホールパターンをマスクにして、例えばRIE装置によりシリコン酸化膜701Aをエッチングし、酸化膜ホールパターン701Bを形成する図7d。これにより、酸化膜ホールパターン701Bには、開口部21に対応した開口パターン711が形成される。次いで、酸化膜ホールパターン701Bをマスクにしてイオンミリングを行い、金属層20Aをエッチングする。これにより、開口パターン711に対応した金属層20Aに開口部21が形成される図7e。金属層20Aは、開口部21が形成され、第2電極層20になる。金属層20Aのエッチング後、酸化膜ホールパターン701Bは除去される。第2電極層20を形成した後は、無機膜40を例えばCVD法によって形成する。その後、第2電極層20と第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、例えば650°Cで所定時間のアニールを行う。その後、図7fに表したように、金属層20Aの上にパッド電極202を形成する。そして、第1半導体層51の下面から成長用基板10を剥離し、第1半導体層51の下面に第1電極層30を形成する。次に、表面である第2電極層20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板を貼り付ける。その後、サファイア基板側から、波長248nmのKrFエキシマレーザ光を照射し、サファイア基板とGaNの界面にレーザ光を吸収させて、レーザリフトオフLLO法により、サファイア基板からエピ基板を剥離する。裏面に残ったGaについては、塩酸処理により取り除く。次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を50μm積層させる。そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。D微粒子のマスクを利用する方法第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法の別のひとつは、シリカ等の微粒子の単分子層をマスクとして利用するものである。その方法は、次の工程を備える。すなわち、当該製造方法は、成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、当該第1半導体層と当該第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体を結晶成長によって形成し、当該第2半導体層の上に、金属層を形成する工程d1と、当該金属層の上にレジスト膜を形成する工程d2と、当該レジスト膜の表面に微粒子の単粒子層を形成させる工程d3と、当該単粒子層をマスクとして当該レジスト膜をエッチングし、開口部を有するレジスト層を形成する工程d4と、当該レジスト層の開口部に無機物質を充填して逆パターンマスクを形成する工程d5と、当該逆パターンマスクをマスクとして当該金属層をエッチングし、複数の開口部を有する第2電極層を形成する工程d6と、金属層の表面及び開口部の内面を覆うように無機膜を形成し、アニール処理する工程d7と、構造体から成長用基板を剥離した後、構造体の第1半導体層側に第1半導体層と接する部分を有する金属製の第1電極層を形成する工程d8と、を備える。そして、実施形態では、当該第2電極層を形成する工程d6において、複数の開口部のそれぞれの円相当直径を、10nm以上、5μm以下に形成する。具体的には、例えば以下のようにして半導体発光素子を得ることができる。図8は、微粒子のマスクを利用する方法の工程例を示す模式的断面図である。先ず、図8aに表したように、成長用基板10上に第1半導体層51を形成し、第1半導体層51上に発光層530を形成し、その上に第2半導体層52を形成する。次いで、第2半導体層52の上に金属層20Aを形成する。そして、金属層20Aの上にレジスト膜601Aの層を形成する。次いで、例えば乳酸エチル中にシリカ微粒子を分散させた液に、モノマーを加えて分散液を作成する。その分散液を上記のレジスト膜601A上へ滴下し、スピンコートする。スピンコート後、溶媒を除去する。これにより、規則配列した微粒子602Aの単分子層を形成する。次いで、図8bに表したように、配列された微粒子602Aの層をRIE装置によってエッチングし、微粒子の粒径を縮小化させる。縮小化された微粒子602Bの間には隙間が生じる。次いで、図8cに表したように微粒子602Bの層をマスクとして、レジスト膜601Aをエッチングし、レジストピラーパターン601を形成する。次に、図8dに表したように、例えば有機SOG組成物をレジストピラーパターン601上へ滴下し、スピンコートする。スピンコート後、溶媒を完全に除去し、アニールを行う。有機SOG組成物の硬化後、レジストピラーパターン601はSOG層603Aによって埋め込まれる状態になる。SOG層603Aの表面は、平坦化されている。次いで、図8eに表したように、SOG層603Aをエッチバックして、レジストピラーパターン601を露出させる。次いで、エッチングによってレジストピラーパターン601を完全に除去する。レジストピラーパターン601を除去した後は、図8fに表したように、SOGのホールパターン603Bが形成される。このホールパターン603Bの開口は、開口部21に対応した開口パターン611である。次いで、SOGのホールパターン603Bをマスクにしてイオンミリングを用いて、金属層20Aをエッチングする。これにより、開口パターン611に対応した金属層20Aに開口部21が形成される図8g。金属層20Aは、開口部21が形成され、第2電極層20になる。金属層20Aのエッチング後、SOGのホールパターン603Bは除去する。第2電極層20を形成した後は、無機膜40を例えばCVD法によって形成する。その後、第2電極層20と第2半導体層52とを十分にオーミック接触させるため、例えば650°Cで所定時間のアニールを行う。その後、図8hに表したように、金属層20Aの上にパッド電極202を形成する。そして、第1半導体層51の下面から成長用基板10を剥離し、第1半導体層51の下面に第1電極層30を形成する。次に、表面である第2電極層20側に、電極保護用の樹脂をコーティングし、さらに補助基板を貼り付ける。その後、サファイア基板側から、波長248nmのKrFエキシマレーザ光を照射し、サファイア基板とGaNの界面にレーザ光を吸収させて、レーザリフトオフLLO法により、サファイア基板からエピ基板を剥離する。裏面に残ったGaについては、塩酸処理により取り除く。次に、剥がした裏面に銀をスパッタし、さらにメッキで銀を50μm積層させる。そして、表面の樹脂を有機溶媒により溶解することで補助基板を剥離する。最後にダイシングにより素子を分離し、半導体発光素子110を完成させる。なお、上記A~Dの各製造方法は一例であり、これらに限定されるものではない。次に、実施例の説明を行う。なお、以下の実施例で示される材料、数値、製造条件等は一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1実施例1では、上記Aの電子線描画を利用した方法に準じて半導体発光素子110を製造する。先ず、成長用基板10上に、GaNの電流拡散層511を形成する。次に、電流拡散層511の上に、n形GaNのクラッド層512、InGaNの発光層530、p形AlGaNのクラッド層521などを含むヘテロ構造を形成する。その上に、p形GaNを含む電流拡散層522をエピタキシャル成長させる。次いで、Ni1nm/Ag-Pd-Cu30nmの積層膜による金属層20Aをスパッタリング法により形成する。次いで、Ag-Pd-Cu層の上に電子線用レジストフジフィルム株式会社製:商品名FEP-301の層を300nmの厚さで形成する。そして、パターンジェネレータを装備した50kVの加速電圧を持つ電子線露光装置で開口径100nm、150nmの間隔を有するホールパターンレジスト開口部211を電子線用レジストに形成する。次いで、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500ボルトV、イオン電流40ミリアンペアmAの条件で90秒間、Ni/Ag-Pd-Cu層のエッチングを行って開口部を形成する。これにより、開口部21を有する第2電極層20が形成される。次いで、第2電極層20の金属層20Aの表面及び開口部21の内面に、SiNの無機膜40をCVD法により形成する。その後、窒素雰囲気下で650°C、30分間アニールを行い、金属層20Aのオーミック接触を得る。その後、Ni/Ag-Pd-Cu層の上にパッド電極202を形成する。そして、電流拡散層511の下面から成長用基板10を剥離し、電流拡散層511の下面に第1電極層30を形成して半導体発光素子110を完成させる。実施例2実施例2では、上記Cのブロックコポリマーの自己組織化を利用した方法に準じて半導体発光素子110を製造する。先ず、実施例1と同様に、成長用基板10上に、GaNの電流拡散層511を形成する。次に、電流拡散層511の上に、n形GaNのクラッド層512、InGaNの発光層530、p形AlGaNのクラッド層521などを含むヘテロ構造を形成する。その上に、p形GaNを含む電流拡散層522をエピタキシャル成長させる。次いで、Ni1nm/Ag-Pd-Cu30nmからなる金属層20Aをスパッタリング法により形成する。次に、シリコン酸化膜をCVDにより50nmの厚さで形成する。ブロックコポリマーには、ポリスチレンPS-ポリメチルメタクリレートPMMAのブロックコポリマーPS-b-PMMAが用いられる。ブロックコポリマーの分子量Mnは、920kg/molであり、PSとPMMAとの組成比は、80mol:20molである。なお、PS-b-PMMA以外でも、例えば特許3940546号明細書に示したブロックコポリマーを使ってミクロドメインパターンを作成してもよい。そして、PS-b-PMMAは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAに溶解され、ブロックコポリマーレジストになる。次に、ブロックコポリマーレジストを、シリコン酸化膜上にスピンコートし、無酸化オーブン中で230°Cでアニールを行う。これにより、ピッチが直径が120nmのPMMA球状ドメインがブロックコポリマー中に形成される。PS-b-PMMAブロックコポリマーの膜厚はPMMA球状ドメインが1層になるように調整する。PMMAはRIEに対して耐性が低い。したがって、酸素RIEによって、ブロックコポリマーレジストは選択的に削られる。これにより、PMMAドメインの部分を除去する。そして、メッシュ状に残ったPSをマスクにしてCF4とArとの混合ガスを用いてRIEする。これによって、開口部21に対応した開口パターン711を有する酸化膜マスク酸化膜ホールパターン701Bが形成される。次いで、酸化膜マスクを介して、Ag-Pd-Cu層をアルゴンでミリングを行う。これにより、複数の開口部21を備えた金属製の光透過性薄膜電極第2電極層20が形成される。Ni/Ag-Pd-Cu層のエッチング後、酸化膜マスクを除去する。次いで、第2電極層20の金属層20Aの表面及び開口部21の内面に、SiNの無機膜40を形成する。その後、窒素雰囲気下で650°C、30分間アニールを行い、金属層20Aのオーミック接触を得る。その後、Ni/Ag-Pd-Cu層の上にパッド電極202を形成する。そして、電流拡散層511の下面から成長用基板10を剥離し、電流拡散層511の下面に第1電極層30を形成して半導体発光素子110を完成させる。変形例:その1図9は、変形例に係る半導体発光素子を例示する模式的断面図である。本変形例に係る半導体発光素子120においては、構造体100が成長用基板10の上に形成されている。また、第1電極層39は、第1半導体層51の表面側に露出した部分に設けられている。すなわち、半導体発光素子120は、例えばサファイア基板である成長用基板10の上に、例えばGaNの電流拡散層511、Siがドープされたn形GaNによるクラッド層512、InGaN/GaNのMQW構造を有する発光層530、Mgがドープされたp形Al0.2Ga0.8Nによるクラッド層521及びMgがドープされたp形GaNによる電流拡散層522が、例えばエピタキシャル成長によって形成されている。なお、本変形例に係る半導体発光素子120では、便宜上、第1半導体層51に電流拡散層511が含まれ、第2半導体層52に電流拡散層522が含まれ、活性層53に、クラッド層512、発光層530及びクラッド層521が含まれるものとする。電流拡散層522の上には、開口部21を有する第2電極層20が設けられている。また、電流拡散層522、クラッド層521、発光層530及びクラッド層512の一部がエッチングされ、電流拡散層511の露出した部分に、第1電極層39が設けられている。半導体発光素子120のように、第1電極層39は、第1半導体層51の裏面側に設けられたものに限定されず、第1半導体層51の表面側に設けられていてもよい。本変形例に係る半導体発光素子120においても、半導体発光素子110と同様に、第2電極層20による発光層530への電流の拡がりを保ったまま、効率良く光を外部に放出することができるようになる。変形例:その2図10は、変形例に係る半導体発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。本変形例に係る半導体発光素子130には、窒化物半導体以外の半導体が用いられている。先ず、図10aに表したように、n形GaAsによる成長用基板10の上に、n形InAlPのクラッド層512、InGaPの発光層530、p形InAlPのクラッド層521などを含むヘテロ構造部を形成する。その上に、p形のInGaAlPなど4元元素を含む電流拡散層522をエピタキシャル成長させる。さらに、電流拡散層522の上にオーミック接触をとるためにp形GaAsのコンタクト層523を例えば厚さ0.1μmで形成する。次に、成長用基板10の裏面側に、n側の対向電極である第1電極層30として、例えばAuを形成する。なお、本変形例では、便宜上、成長用基板10は第1半導体層51に含まれるものとする。また、電流拡散層522及びコンタクト層523は第2半導体層52に含まれるものとする。次いで、コンタクト層523の上に、Ag-Cuによる金属層20Aを、例えば厚さ30nmで、蒸着法により形成する。次いで、Ag-Cuによる金属層20Aの上に電子線用のレジスト膜200Aフジフィルム株式会社製:商品名FEP-301を300nmの厚さで形成する。そして、パターンジェネレータを装備した50kVの加速電圧を持つ電子線露光装置で開口径100nm、200nmの間隔を有するホールパターンレジスト開口部211を形成する図10b参照。次いで、レジスト層200をマスクとして、イオンミリング装置を用いて、加速電圧500V、イオン電流40mAの条件で90秒間、Ag-Cuによる金属層20Aのエッチングを行って開口部を形成する。これにより、開口部21を有する第2電極層20が形成される図10c参照。次いで、Ag-Cuの第2電極層20の表面及び開口部21の内面に、SiNの無機膜40をCVD法により形成する図10d参照。その後、窒素雰囲気下で550°C、30分間アニールを行い、第2電極層20のオーミック接触を得る。その後、図10eに表したように、Ag-Cuの第2電極層20の上にパッド電極202を形成して半導体発光素子130を完成させる。半導体発光素子130では、例えば波長610nm以上、640nm以下の光を放出する。このように、窒化物半導体以外の半導体を用いた半導体発光素子130であっても、Agを含む第2電極層20を適用することができる。これにより、半導体発光素子110と同様に、第2電極層20による発光層530への電流の拡がりを保ったまま、効率良く光を外部に放出することができるようになる。なお、上記に実施形態では、構造体100として窒化物半導体を用いた例を示したが、窒化物半導体以外の半導体を用いてもよい。例えば、電流拡散層511としてn形GaAs、クラッド層512としてn形InAlPを用い、発光層530としてInGaPを用い、クラッド層521としてp形InAlP、電流拡散層522としてp形InGaAlPを用いてもよい。また、第1の導電形をn形、第2の導電形をp形として説明したが、第1の導電形をp形、第2の導電形をn形としても実施可能である。以上説明したように、実施形態に係る半導体発光素子およびその製造方法によれば、半導体層への均一な電流の拡がりを保ったまま、光の放出効率光取り出し効率を向上することができ、高輝度化を図ることが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"