第1電極層スタックと、第2電極層スタックと、前記第1電極層スタックと前記第2電極層スタック間に形成された収容空間と、を備えたエレクトロウェッティング光学素子であって、前記収容空間の側面を画定する1つまたは複数のピクセル壁が前記第1および第2電極層スタック間に延在し、前記収容空間は、互いに非混和性の極性液体と無極性液体とを少なくとも含み、前記第1電極層スタックは、基板と、第1電極層と、前記収容空間との第1界面表面を有する絶縁層と、を備え、前記第2電極層スタックは、上板と、前記収容空間との第2界面表面を有する第2電極層と、を備え、前記疎水性界面表面の疎水性は、前記第2界面表面のそれより高く、前記第2電極層スタックの前記第2界面表面上に固定的に搭載されて前記第1電極層に向かって延在するピクセル壁に特徴付けられる前記エレクトロウェッティング素子は、前記無極性液体に対して前記極性液体を再配置するために前記第1および第2電極層に通電できるように配置され、前記第1電極層スタックと反対側の前記1つまたは複数のピクセル壁の端面は、前記疎水性界面表面にゆるく面していることを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子。前記端面と前記疎水性界面表面間に、前記無極性液体を引き込むためのスリットが存在することを特徴とする請求項1に記載のエレクトロウェッティング素子。前記1つまたは複数のピクセル壁は疎水性表面を備えることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のエレクトロウェッティング素子。前記疎水性表面は、前記第1電極層と反対側の前記ピクセル壁の前記端面上に形成されることを特徴とする請求項3に記載のエレクトロウェッティング素子。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のエレクトロウェッティング光学素子を1つまたは複数を備えることを特徴とするエレクトロウェッティングディスプレイ。上板と第2界面表面を有する第2電極層とを備える第2電極層スタックを準備するステップと、前記第2電極層スタックの前記第2界面表面上にピクセル壁を固定的に搭載し、前記第2界面表面と前記ピクセル壁とで画定される収容空間を形成するステップと、非混和性の極性液体と無極性液体で前記収容空間を充填するステップと、基板と、第1電極層と、疎水性界面表面を有する絶縁層と、を備える第1電極層スタックで前記収容空間を被覆するステップと、を備え、前記疎水性界面表面の疎水性は、前記第2界面表面のそれより高く、前記ピクセル壁の端面は、前記第1電極層スタックの前記疎水性界面表面にゆるく面していることを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子の製造方法。前記収容空間を被覆するステップは、前記端面と前記疎水性界面表面間に、前記無極性液体を引き込むためのスリットを形成するステップを備えることを特徴とする請求項6に記載の方法。前記ピクセル壁を搭載するステップは、前記ピクセル壁に対して疎水性表面を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の方法。疎水性界面表面を形成するステップは、前記第1電極層と反対側の前記ピクセル壁の端面上に疎水性表面を形成するステップを備えることを特徴とする請求項8に記載の方法。前記充填するステップは、前記極性液体で前記収容空間を前記ピクセル壁の上端まであるいはそれを超えて充填するステップと、前記収容空間のすべてが所定の高さまで充填されるように前記極性液体を蒸発させるステップと、前記収容空間の残りを前記無極性液体で充填するステップと、を備えることを特徴とする請求項6に記載の方法。本発明の目的は、従来技術における上記の問題および欠点をなくし、構造的一体性と切替え動作が改善されたエレクトロウェッティング光学素子を提供することである。本発明の1態様では、上記の目的は、第1電極層スタックと、第2電極層スタックと、前記第1電極層スタックと第2電極層スタック間に形成された収容空間と、を備え、前記収容空間の側面を画定する1つまたは複数のピクセル壁が前記第1および第2電極スタック間に延在し、前記収容空間は、互いに非混和性の極性液体と無極性液体とを少なくとも含むことを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子によって達成される。前記第1電極層スタックは、基板と、第1電極層と、前記収容空間との疎水性界面表面を有する絶縁性層と、を備え、前記第2電極層スタックは、上板と、前記収容空間との間に第2界面表面を有する第2電極層と、を備える。前記疎水性界面表面の疎水性は第2界面表面のそれより高い。エレクトロウェッティング素子は、前記無極性液体に対して前記極性液体を再配置するために、前記第1および第2電極層への通電を可能にするように配置される。前記ピクセル壁は、前記第2電極層スタックの前記第2界面表面上に固定的に搭載されて前記第1電極層に向かって延在し、前記第1電極層スタックと反対側の前記1つまたは複数のピクセル壁の端面は、前記疎水性界面表面にゆるく面している。前記のゆるくとは、ピクセル壁の端面上には、前記第1電極層スタックの疎水性界面との何らの固定や構造的取付けもなされていないことを意味する。この端面は、必ずしもそうではないが、第1電極層スタックの疎水性表面に隣接していてもよい。この実施形態の利点は、ピクセル壁と第1電極層スタック間にいかなる構造的取付けも必要でないために、この端面が製造プロセスで容易に作成できることである。第2電極層のより低疎水性の第2界面表面上にピクセル壁が作成されるので、その高さは、無極性液体がピクセルからピクセルに広がり各ピクセル内に含まれることを防止するために、ピクセル壁が第2電極層スタックから第1電極層スタックまで十分に遠くに延在するものとなる。これは、ピクセル壁とより低疎水性の第2界面表面間の接続が、従来技術におけるピクセル壁と疎水性界面表面との接続に比べてただ機械的に強いために、ピクセル壁の構造的一体性を損なうことなく行える。従って、最終製品の構造的一体性は改善される。前記第2および第1電極層間の全距離に及ぶ高さを有するピクセル壁の利点は、第1および第2電極層を所望の距離に維持するスペーサとしてピクセル壁が機能することである。これによって、エレクトロウェッティング素子の光学的および構造的特性も改善される。疎水性界面表面およびより低疎水性の第2界面表面とは、第1および第2電極層スタックのそれぞれの表面は、前記収容空間とのそれぞれの界面が疎水性およびより低疎水性すなわち親水性であるようになされていることを意味する。前記極性液体は通常、水または主に水系の物質であろう。なぜなら、水は容易に入手でき、電気双極子形成構造を有する分子から成るためである。しかしながら、当業者であれば、他の極性液体もエレクトロウェッティング素子での使用に適切であることは理解するであろう。さらに、前記無極性液体は多くの場合、適切な色および光学的特性を有する油性物質であろう。しかしながら、エレクトロウェッティング光学素子で使用でき、前記極性液体と非混和性で、非ゼロの化学極性を有する分子を含まない任意の適切な物質で無極性液体を形成してもよい。本発明によるある実施形態では、前記無極性液体をその中に引き込むスリットが前記端面と疎水性界面間に存在する。これによって、通電状態でのエレクトロウェッティング素子の切替え時に、無極性液体が疎水性表面から低エネルギー状態に後退するために、エレクトロウェッティング素子の操作動作が改善される。さらに、通電状態で、第1電極の疎水性表面近くのピクセル壁の一端部上に形成された小さな毛細管表面は、無極性液体がスリット内に引き込まれた結果として、散乱光の量を低減し、エレクトロウェッティング素子の光学的特性を改善する。この実施形態では、スリット形成のために、ピクセル壁の高さは第1および第2電極層間の距離よりわずかに短い。ピクセル壁が疎水性表面を備えるさらなる実施形態によっても、エレクトロウェッティング素子の光学的特性は改善される。その場合、極性液体はピクセル壁にはじかれて、無極性液体がエネルギー的にピクセル壁近傍により留まり易くなるであろう。この実施形態では、通電状態において、ピクセル壁と疎水性表面間のスリットの一端部における前述の毛細管表面は、無極性液体オイルがピクセル壁をずり上がる傾向を有するために、より大きくなるであろう。この実施形態での散乱光の量はさらに低減される。本発明によるさらなる実施形態では、ピクセル壁の疎水性表面は、前記第1電極層と反対側のピクセル壁の端面上に形成される。これによって、エレクトロウェッティングセルの通電状態において、疎水性表面と疎水性の第1表面の両方によって誘引される無極性液体は、より容易にスリット内に引き込まれる。本発明の第2の態様では、上記のエレクトロウェッティング素子を1つまたは複数備えるエレクトロウェッティングディスプレイが提供される。適切に制御することによって、前記エレクトロウェッティング素子は、種々の目的のための任意の画像または形状を表示するディスプレイを形成するように組み合わせられて、好都合に操作される。本発明の第3の態様では、上板と第2界面表面を有する第2電極層とを備える第2電極層スタックを準備するステップと、前記第2電極層スタックの前記第2界面表面上にピクセル壁を固定的に搭載し、少なくとも前記第2界面表面と前記ピクセル壁とで画定される収容空間を形成するステップと、非混和性の極性液体と無極性液体で前記収容空間を充填するステップと、基板と、第1電極層と、疎水性界面表面を有する絶縁層と、を備える第1電極層スタックで前記収容空間を被覆するステップと、を備えることを特徴とするエレクトロウェッティング光学素子の製造方法が提供される。前記疎水性界面表面の疎水性は、前記第2界面表面のそれより高い。前記ピクセル壁の端面は、前記第1電極層スタックの前記疎水性界面表面にゆるく面している。本発明のこの方法の利点は、前記製造方法が直接に実施できることである。なぜなら、従来技術によるエレクトロウェッティング素子と比較して、ピクセル壁が固定的に搭載される第2電極層上に形成される収容空間の配列が、最初に前記極性液体で所望の高さまで、次に無極性液体でより容易に充填されるためである。さらに、従来技術による方法と比較して、前記第2電極表面上にピクセル壁を搭載するという構造一体性ははるかに優れているため、本製造方法では、従来技術による方法と比較して、完全に機能するエレクトロウェッティング素子の歩留りが高い。ある実施形態では、前記収容空間を被覆する方法ステップは、スリットが前記端面と前記疎水性界面表面間に形成されるように行われる。これによって、前記第1電極層スタックの疎水性界面表面と前記ピクセル壁の端面の毛管作用によっても、無極性液体がスリット内に引き寄せられるので、無極性液体の引込みが容易になる。特定の実施形態では、本方法は、ピクセル壁を疎水性にするステップをさらに含み、これによって、無極性液体のピクセル壁のずり上がりが可能になる。上記に関連して、ピクセル壁にどの程度の疎水性/親水性を持たせるかは、ピクセル壁が疎水性すぎるそれによって、エレクトロウェッティング素子の切替え性が阻害される場合、無極性液体がピクセル壁に付着しないように最適化され得ることは留意されるべきである。さらなる実施形態では、前記第1電極層スタックの前記疎水性界面表面と反対側のピクセル壁の端面だけを疎水性界面表面とする。これによって、無極性液体のピクセル壁側面への付着を弱め、無極性液体が前記スリット内により容易に引き込まれるようになる。別の実施形態では、前記収容空間を充填するステップは、前記極性液体で収容空間をピクセル壁の上端まであるいはそれを超えて充填するステップと、前記収容空間のすべてが所定の高さまで充填されるように前記極性液体を蒸発させるステップと、前記収容空間の残りを前記無極性液体で充填するステップと、を備える。前記上端は、ピクセル壁端面と一致していてもよい。これによって、充填ステップ中に極性液体の高さを監視する必要なしに、エレクトロウェッティング素子を充填できる。極性液体を蒸発させる間は、その高さを監視するであろう。正しい高さに達すると、収容空間の残りに無極性液体を供給する。本発明の実施形態を例示した添付図面を参照して、本発明をさらに説明する。