"第1導電型の半導体層1の表面内に形成された活性領域2と、前記活性領域の端縁部から外側に向けて、前記活性領域を囲むように配設された第2導電型の不純物領域で規定される複数の電界緩和層と、を備え、前記複数の電界緩和層は、前記活性領域側から外側に向かうにつれて不純物注入量が少なくなるように構成され、前記複数の電界緩和層は、その領域全体が第1の面密度で第2導電型の不純物が注入された第1の電界緩和層と、その領域全体が第2の面密度で第2導電型の不純物が注入された第2の電界緩和層と、前記第1の電界緩和層よりも平面方向の幅が狭く、前記第1の面密度で第2導電型の不純物が注入された第1の小領域と、前記第2の電界緩和層よりも平面方向の幅が狭く、前記第2の面密度で第2導電型の不純物が注入された第2の小領域とが、それぞれ交互に複数配設された第3の電界緩和層とを有し、前記第3の電界緩和層は、前記第1の電界緩和層と前記第2の電界緩和層との平面方向の間に配置され、前記第3の電界緩和層の平均の面密度は、前記第1の面密度と前記第2の面密度との間の値となる、半導体装置。前記複数の電界緩和層は、前記活性領域側を先頭とした場合に最終段となる最終電界緩和層が、前記最終電界緩和層の1つ前に位置する最終直前電界緩和層よりも平面方向の幅が狭く、前記最終直前電界緩和層と同じ面密度で第2導電型の不純物が注入された第3の小領域と、前記半導体層に第2導電型の不純物を注入しない非注入領域とがそれぞれ交互に複数配設された構成を有する、請求項1記載の半導体装置。前記第2の電界緩和層は、その不純物領域の注入深さが前記第1の電界緩和層の不純物領域の注入深さよりも深い、請求項1記載の半導体装置。前記第2の電界緩和層の前記不純物領域と同時に同じ深さ同じ不純物濃度で形成される不純物領域は、前記第1の電界緩和層の前記不純物領域と同時に同じ深さ同じ不純物濃度で形成される不純物領域を断面方向に包含する、請求項3記載の半導体装置。前記第1の電界緩和層が、前記活性領域に隣接して設けられる場合、前記第1の電界緩和層を構成する前記不純物領域が、前記活性領域の端縁部、または全体を覆うように前記不純物領域の注入深さおよび注入領域が設定される、請求項1記載の半導体装置。前記第1の電界緩和層が前記活性領域を兼用する、請求項5記載の半導体装置。前記第3の電界緩和層は、前記第1および第2の小領域のうち、注入量が多い方の平面方向の幅は一定とし、注入量が少ない方の小平面方向の幅は、前記活性領域から離れる方向に向けて徐々に広くなるように形成される、請求項1記載の半導体装置。前記第3の電界緩和層は、前記第1および第2の小領域のうち、注入量が多い方の平面方向の幅は前記活性領域から離れる方向に向けて徐々に狭くなり、注入量が少ない方の小平面方向の幅は、前記活性領域から離れる方向に向けて徐々に広くなるように形成される、請求項1記載の半導体装置。前記活性領域は、PN接合ダイオードのアノード領域に対応する、請求項1記載の半導体装置。前記活性領域は、ショットキーバリアダイオードのショットキー電極下部の領域に対応する、請求項1記載の半導体装置。前記活性領域は、MOSFET、IGBT、BJTを含むトランジスタの一部の領域に対応する、請求項1記載の半導体装置。前記活性領域は、前記半導体層の主面上に、平面方向に、ソース電極95、ゲート電極93およびドレイン電極97が配置されるLDMOSFETLaterallyDiffusedMOSFETのドレイン領域に相当し、前記複数の電界緩和層は、前記ドレイン領域とソース領域を含むウエル領域との間に配設される、請求項11記載の半導体装置。前記半導体層は、ワイドバンドギャップ半導体によって構成される、請求項1記載の半導体装置。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体層上に、第1の注入マスクを形成し、前記第1の面密度で第2導電型の不純物をイオン注入して前記第1の電界緩和層および前記第1の小領域を形成する工程と、の後、前記半導体層上に、第2の注入マスクを形成し、前記第2の面密度で第2導電型の不純物をイオン注入して前記第2の電界緩和層および前記第2の小領域を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体層上に、第1の注入マスクを形成し、前記第2の面密度で第2導電型の不純物をイオン注入して前記第2の電界緩和層と同じ不純物層を前記第1の電界緩和層の形成領域に及ぶように形成するとともに前記第2の小領域を形成する工程と、前記工程の後、前記半導体層上に、少なくとも前記第2の電界緩和層上を覆う第2の注入マスクを形成し、前記第2の面密度に加えることで前記第1の面密度となる面密度で第2導電型の不純物をイオン注入して前記第1の電界緩和層および前記第1の小領域を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。以上説明したような、外側に向かって段階的にリサーフ層注入量を下げたリサーフ構造を備えた半導体装置では、リサーフ層注入量の階調を増やすことにより、よりリサーフ層における電界集中を緩和することができる。しかし、注入量の階調を増やすに従い、マスク形成のための写真製版プロセスと不純物注入プロセスの回数も同じだけ増えるという問題があった。本発明は上記の問題点を解決するためになされたものであり、写真製版プロセスと不純物注入プロセスの回数を抑えつつ、リサーフ層の注入量の階調を増やすことが可能なリサーフ構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置の態様は、第1導電型の半導体層の表面内に形成された活性領域と、前記活性領域の端縁部から外側に向けて、前記活性領域を囲むように配設された第2導電型の不純物領域で規定される複数の電界緩和層とを備え、前記複数の電界緩和層は、前記活性領域側から外側に向かうにつれて不純物注入量が少なくなるように構成され、前記複数の電界緩和層は、その領域全体が第1の面密度で第2導電型の不純物が注入された第1の電界緩和層と、その領域全体が第2の面密度で第2導電型の不純物が注入された第2の電界緩和層と、前記第1の電界緩和層よりも平面方向の幅が狭く、前記第1の面密度で第2導電型の不純物が注入された第1の小領域と、前記第2の電界緩和層よりも平面方向の幅が狭く、前記第2の面密度で第2導電型の不純物が注入された第2の小領域とが、それぞれ交互に複数配設された第3の電界緩和層とを有し、前記第3の電界緩和層は、前記第1の電界緩和層と前記第2の電界緩和層との間に配置され、前記第3の電界緩和層の平均の面密度は、前記第1の面密度と前記第2の面密度との間の値となる。本発明に係る半導体装置の態様によれば、複数の電界緩和層に、第1の電界緩和層よりも平面方向の幅が狭く、第1の面密度で第2導電型の不純物が注入された第1の小領域と、第2の電界緩和層よりも平面方向の幅が狭く、第2の面密度で第2導電型の不純物が注入された第2の小領域とが、それぞれ交互に複数配設された第3の電界緩和層を有している。第3の電界緩和層の形成は、第1、第2の電界緩和層の形成工程を兼用することができ、専用の写真製版プロセスや不純物注入プロセスは不要であり、写真製版プロセスや不純物注入プロセスの回数の増加を抑えつつ、リサーフ層の注入量の実効的な階調を増やすことができる。その結果、低コストで高耐圧性と高信頼性を備えた半導体装置を得ることができる。本発明をダイオードに適用した場合の全体構成.図1は本発明をダイオードに適用した場合のダイオード100の構成を示す平面図であり、図2は、図1におけるA-A線での矢視断面を示す断面図である。ダイオード100は、図1および図2に示すように、N型不純物を比較的低濃度に含む半導体基板1の表面内に、P型不純物を比較的高濃度に含む注入層で構成される活性領域2が形成され、さらに活性領域2を取り囲むように、濃度の異なる複数のP型注入層で構成される終端領域3が形成されている。そして、活性領域2上にはアノード電極4が配設され、アノード電極4とは反対側の半導体基板1の主面基板裏面上にはカソード電極5が配設されている。このような構成において、活性領域2と接触するアノード電極4と基板裏面のカソード電極5との間にバイアス電圧を印加することで、ダイオード100はPN接合ダイオードとして機能する。以下、本発明に係る半導体装置の実施の形態として、終端領域の構成を中心として説明する。A.実施の形態1.図3~図5を用いて、本発明に係る実施の形態1の終端領域の構成および製造方法について説明する。A-1.装置構成図3~図5は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図5にリサーフ層101として示す。図5に示すように、P型不純物を比較的高濃度に含む活性領域P型ベース2に隣接するように、P型不純物を比較的低濃度に含む複数のP型注入層で構成されるリサーフ層101が形成されている。リサーフ層101が形成される領域が終端領域となる。リサーフ層101はP型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層11、第2リサーフ層12、第3リサーフ層13、第4リサーフ層14および第5リサーフ層15で構成されている。このように、リサーフ層101は、複数のリサーフ層電界緩和層で構成されており、これは、他の実施の形態においても同じである。第2リサーフ層12は、第1リサーフ層11と同じ注入量の小領域11’と、第3リサーフ層13と同じ注入量の小領域13’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第4リサーフ層14は、第3リサーフ層13と同じ注入量の小領域13’と、第5リサーフ層15と同じ注入量の小領域15’とが、多重に交互に配列されて構成されている。このような構成を採ることにより、第2リサーフ層12は、実効的に第1リサーフ層11と第3リサーフ層13の中間の注入量を有するものと見なすことができ、第4リサーフ層14は、実効的に第3リサーフ層13と第5リサーフ層15の中間の注入量を有するものと見なすことができる。ここで、リサーフ層101の中で、第1リサーフ層11の注入量が最も多く、第3リサーフ層13の注入量は第1リサーフ層11の注入量よりも少なく、第5リサーフ層15の注入量は第3リサーフ層13の注入量よりも少なく設定した場合、リサーフ層101の実効的な注入量はダイオード100の外側に向かって段階的に少なくなる構成となる。このような構成を採ることで、PN接合ダイオードにおける活性領域端縁部での電界集中を緩和することができる。A-2.製造方法.次に、図3~図5を用いてリサーフ層101の形成方法について説明する。まず、イオン注入を用いて、半導体基板1の表面内に、P型不純物を比較的高濃度に注入して活性領域2を形成した状態の半導体基板1において、図3に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に例えばレジスト材で構成される注入マスクM1をパターニングする。なお、以下の説明では、注入マスクはレジスト材で構成されるものとする。注入マスクM1は、第1リサーフ層11および第2リサーフ層12における小領域11’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM1上からアルミニウムAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1リサーフ層11全体および第2リサーフ層12における小領域11’を形成する。次に、注入マスクM1を除去した後、図4に示す工程において注入マスクM2をパターニングする。注入マスクM2は、第2リサーフ層12における小領域13’、第3リサーフ層13および第4リサーフ層14における小領域13’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM2上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第3リサーフ層13全体、第2リサーフ層12および第4リサーフ層14における小領域13’を形成する。次に、注入マスクM2を除去した後、図5に示す工程において注入マスクM3をパターニングする。注入マスクM3は、第5リサーフ層15および第4リサーフ層14における小領域15’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM3上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第5リサーフ層15全体および第4リサーフ層14における小領域15’を形成する。このように、3回の注入プロセスで実効的に5段階の注入量を有するリサーフ層101を形成することができ、不純物注入プロセスの回数の増加を抑えつつ、リサーフ層の注入量の実効的な階調を増やすことができる。その結果、低コストで高耐圧性と高信頼性を備えた半導体装置を得ることができる。ここで、第2リサーフ層12、第4リサーフ層14のように、異なる2種類の注入量の領域が多重に交互に配列される領域では、平均化した注入量を実効的な注入量として考えるため、交互に配列する周期は短い方が有効である。すなわち、1つの実効的な注入量を有する領域を想定した場合、その幅層の配列方向の長さに対して、交互に配列する周期は1/2以下であるつまり、4つ以上の小領域を含むことが望ましい。なお、図5のリサーフ層101では、全ての注入層がオーバーラップなしに形成されているが、写真製版時の光の拡散によるレジストマスクの遮蔽部の細りや、不純物イオンの散乱などにより、注入層の幅が若干拡がるため、リサーフ層101に注入されない領域が発生する可能性は低い。また、熱拡散長がマスクのアライメント精度に比べて同等かそれ以上であれば、アニール処理により注入した不純物が熱拡散するので、リサーフ層101に注入されない領域が発生する可能性はさらに低くなる。例え、マスクのアライメントずれにより、リサーフ層101に注入されない領域が生じたとしても、注入量自体は同じであるので、領域内で平均化した注入量は変わらない。高耐圧性の観点から言えば、リサーフ層は空乏化することが前提であるため、重要であるのは空間電荷量すなわち、注入量である。つまり、マスクのアライメントずれが発生しても、リサーフ層101による電界集中緩和の効果は変わらない。ただし、P型ベース2と第1リサーフ層11とは接触することが望ましく、現実的には、注入マスクM1の第1リサーフ層11用の開口部はP型ベース2にオーバーラップさせることが望ましい。なお、このオーバーラップ量が大きくても、元々P型ベース2には空乏層がほとんど拡がらないので、問題は生じない。また、他のリサーフ層の境界もマスクの段階で隣り合うリサーフ層とオーバーラップするようにしても良いが、実効的な注入量が変化するため、オーバーラップ量はできるだけ小さい方が望ましい。なお、以上の説明においては、P型ベース2を形成した後にリサーフ層101を形成するものとしたが、どちらが先であっても良いし、リサーフ層101を構成する注入層の形成順序にも制限はない。どのような注入プロセスの順序であっても、最終的に図5に示すリサーフ層101が形成できれば、得られる効果に違いはない。また、図5に示すリサーフ層101では、第1~第5リサーフ層11~15の幅を全て同じにしているが、これらの幅を揃えなくても良い。これらの最適な幅はそれぞれの領域の注入量もしくは実効的な注入量により決定されるものである。また、図5に示すリサーフ層101では、第1~第5リサーフ層11~15の深さを揃えているが、図3~図5を用いて説明した3回のイオン注入においては、注入深さは揃えなくても良い。これらの最適な深さはP型ベース2を含めた注入層の相対的な深さや注入プロファイルにより決定されるものである。また、図5に示すリサーフ層101では、平均化した注入量を実効的な注入量として定義した領域が2つあるが第2リサーフ層12と第4リサーフ層14、注入量が単一の異なる領域図5では、第1リサーフ層11、第3リサーフ層13および第5リサーフ層15の間に、実効的な注入量で定義される領域が存在しない箇所があっても良い。例えば、図6に示すリサーフ層101Aでは、第3リサーフ層13と第5リサーフ層15とが隣り合い、両者の間には実効的な注入量で定義される領域図5における第4リサーフ層14は設けられていない。また、一般的なリサーフ構造と同様に、リサーフ層101の外側の離間した位置にダイシングラインまで伸びるN型不純物を比較的高濃度に注入したN型注入層チャネルストッパを設けても良いし、リサーフ層101の外側の半導体基板1上に、配線層で構成される、ほとんど電界緩和効果のない空乏層の伸びを抑止するための、チャネルストッパと同電位のフィールドプレートを設けても良いし、P型ベース2端縁部のさらなる電界緩和のための、P型ベースと同電位のフィールドプレートを、P型ベース2端縁部と第1リサーフ層11の一部を覆うように設けても良い。本発明はこれらの効果を阻害するものではない。A-3.変形例1.以下、図7~図9を用いて実施の形態1の変形例1による終端領域の構成および製造方法について説明する。図7~図9は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図9にリサーフ層102として示す。図9に示すリサーフ層102においては、図5に示したリサーフ層101の第5リサーフ層15のさらに外側に第6リサーフ層16を加えた構成となっている。第6リサーフ層16は、第5リサーフ層15と同じ注入量の小領域15’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列された構成となっている。このような配置により、第6リサーフ層16は、実効的に第5リサーフ層15よりも少ない注入量を有するものと見なすことができる。次に、図7~図9を用いてリサーフ層102の形成方法について説明する。まず、図7に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM11をパターニングする。注入マスクM11は、第1リサーフ層11および第2リサーフ層12における小領域11’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM1上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1リサーフ層11全体および第2リサーフ層12における小領域11’を形成する。次に、注入マスクM11を除去した後、図8に示す工程において注入マスクM12をパターニングする。注入マスクM12は、第2リサーフ層12における小領域13’、第3リサーフ層13および第4リサーフ層14における小領域13’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM12上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第3リサーフ層13全体、第2リサーフ層12および第4リサーフ層14における小領域13’を形成する。次に、注入マスクM12を除去した後、図9に示す工程において注入マスクM13をパターニングする。注入マスクM13は、第4リサーフ層14および第6リサーフ層16における小領域15’と第5リサーフ層15に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM13上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第5リサーフ層15全体および第4リサーフ層14および第6リサーフ層16における小領域15’を形成する。このように、3回の注入プロセスで実効的に6段階の注入量を有するリサーフ層102を形成することができる。これは、図5に示したリサーフ層101よりも実効的な注入量を有するリサーフ層が1段階多いものであり、電界集中をさらに緩和することができる。なお、図9に示すリサーフ層102は、図5に示したリサーフ層101よりも第6リサーフ層19の幅の分だけ幅が広くなっているが、これは説明を簡単するための便宜的な措置であり、実際には、リサーフ層全体の幅を変更する必要はなく、内部の領域を6分割して図9に示すようなリサーフ層102の構造にすれば良い。ここで、図5に示したリサーフ層101はP型ベース2に接続されており、逆方向電圧バイアス印加時のリサーフ層101内の中性領域はP型ベース2と等電位とみなせる。一方、図9に示すリサーフ層102では、第6リサーフ層16の注入層小領域15’は第5リサーフ層15に接続されておらず、電圧バイアスがゼロのときでも、拡散電位により第6リサーフ層16の注入層内にフローティング電位の領域が生じる。その結果、逆方向電圧バイアスを印加して空乏層が拡大しても、第6リサーフ層16の注入層内にキャリアが閉じ込められたままになる。しかし、キャリアの拡散や空乏層内の再結合電流によりキャリアが外部に吐き出されれば、第6リサーフ層16も第1~第5リサーフ層11~15と同様に空乏化し、リサーフ構造として機能する。なお、第2リサーフ層12と第4リサーフ層14でも、注入量の多い小領域にキャリアが空乏層に囲まれて取り残されるような状態が考えられるが、この場合も上記と同様の仕組みによりリサーフ構造として機能する。A-4.変形例2.図5および図9にそれぞれ示したリサーフ層101および102においては、実効的な注入量で定義されるリサーフ層を構成する各小領域の幅は何れも同じとなるように構成されていたが、図10に示すリサーフ層103のように、実効的な注入量で定義されるリサーフ層においては、注入量が多い方の小領域の幅は一定とし、注入量が少ない方の小領域の幅は、装置の外側に向かって徐々に広くなる構成としても良い。すなわち、図10に示すリサーフ層103は、P型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層11、第2リサーフ層120、第3リサーフ層13、第4リサーフ層140、第5リサーフ層15および第6リサーフ層160で構成されている。第2リサーフ層120は、第1リサーフ層11と同じ注入量の小領域11’と、第3リサーフ層13と同じ注入量の小領域13’とが、多重に交互に配列されて構成されているが、小領域13’は、第1リサーフ層11に隣接するものの幅が一番狭く、第1リサーフ層11から離れるにつれて幅が広くなるように構成されており、小領域11’の幅は一定である。第4リサーフ層140は、第3リサーフ層13と同じ注入量の小領域13’と、第5リサーフ層15と同じ注入量の小領域15’とが、多重に交互に配列されて構成されているが、小領域15’は、第3リサーフ層13に隣接するものの幅が一番狭く、第3リサーフ層13から離れるにつれて幅が広くなるように構成されており、小領域13’の幅は一定である。また、第6リサーフ層160は、第5リサーフ層15と同じ注入量の小領域15’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列されて構成されているが、小領域19’は、第5リサーフ層15に隣接するものの幅が一番狭く、第5リサーフ層15から離れるにつれて幅が広くなるように構成されており、小領域15’の幅は一定である。このような構成のリサーフ層103では、両端に存在する単一注入量の領域第6リサーフの外側は注入量ゼロの単一領域と考えるに対して、実効的な注入量を緩やかに変化させることが可能であり、電界集中をさらに緩和することができる。また、図11に示すリサーフ層104のように、実効的な注入量で定義されるリサーフ層においては、注入量が多い方の小領域の幅は装置の外側に向かって徐々に狭まり、注入量が少ない方の小領域の幅は、装置の外側に向かって徐々に広くなる構成としても良い。すなわち、図11に示すリサーフ層104は、P型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層11、第2リサーフ層120A、第3リサーフ層13、第4リサーフ層140A、第5リサーフ層15および第6リサーフ層160Aで構成されている。第2リサーフ層120Aは、第1リサーフ層11と同じ注入量の小領域11’と、第3リサーフ層13と同じ注入量の小領域13’とが、多重に交互に配列されて構成されているが、小領域11’の幅は、第1リサーフ層11に最も近いものの幅が一番広く、第1リサーフ層11から離れるにつれて幅が狭くなるように構成されており、小領域13’は、第1リサーフ層11に隣接するものの幅が一番狭く、第1リサーフ層11から離れるにつれて幅が広くなるように構成されている。第4リサーフ層140Aは、第3リサーフ層13と同じ注入量の小領域13’と、第5リサーフ層15と同じ入量の小領域15’とが、多重に交互に配列されて構成されているが、小領域13’の幅は、第3リサーフ層13に最も近いものの幅が一番広く、第3リサーフ層13から離れるにつれて幅が狭くなるように構成されており、小領域15’は、第3リサーフ層13に隣接するものの幅が一番狭く、第3リサーフ層13から離れるにつれて幅が広くなるように構成されている。また、第6リサーフ層160Aは、第5リサーフ層15と同じ注入量の小領域15’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列されて構成されているが、小領域15’の幅は、第5リサーフ層15に最も近いものの幅が一番広く、第5リサーフ層15から離れるにつれて幅が狭くなるように構成されており、小領域19’は、第5リサーフ層15に隣接するものの幅が一番狭く、第5リサーフ層15から離れるにつれて幅が広くなるように構成されている。このような構成のリサーフ層104では、両端に存在する単一注入量の領域第6リサーフの外側は注入量ゼロの単一領域と考えるに対して、実効的な注入量をさらに緩やかに変化させることが可能であり、電界集中をさらに一層緩和することができる。B.実施の形態2.図12および図13を用いて、本発明に係る実施の形態2の終端領域の構成および製造方法について説明する。B-1.装置構成.図12および図13は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図13にリサーフ層101として示す。なお、本実施の形態においては、最終的に得られるリサーフ層の構成は実施の形態1の図5に示したリサーフ層101と同じであるが、製造方法において実施の形態1とは異なっている。B-2.製造方法.以下、図12および図13を用いてリサーフ層101の形成方法について説明する。まず、図12に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM21をパターニングする。注入マスクM21は、第1リサーフ層11、第2リサーフ層12および第3リサーフ層13に対応する部分および第4リサーフ層14における小領域13’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM21上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第3リサーフ層11~13に対応する部分に第3リサーフ層13と同じ注入量の注入層を形成するとともに、第4リサーフ層14における小領域13’を形成する。次に、注入マスクM21を除去した後、図13に示す工程において注入マスクM22をパターニングする。注入マスクM22は、第1リサーフ層11、第2リサーフ層12における小領域11’、第4リサーフ層14における小領域15’および第5リサーフ層15に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM22上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1リサーフ層11、第2リサーフ層12、第4リサーフ層14および第5リサーフ層15を形成する。なお、注入マスクM22によりさらなる不純物注入が防止されることで、第3リサーフ層13が得られる。なお、図13に示す注入マスクM22を用いた注入プロセスの注入量は、図12に示す注入マスクM21を用いた注入プロセスの注入量よりも少なくなければ、段階的に注入量を減らしたリサーフ層101を得ることができない。このように、2回の注入プロセスで実効的に5段階の注入量を有するリサーフ層101を形成することができる、実施の形態1の製造方法と比べて写真製版プロセスおよび不純物注入プロセスの回数を1回ずつ減らすことができる。また、同様の方法で、図9に示したリサーフ層102と同じ構成を得ることができる。以下、図14および図15を用いてリサーフ層102の形成方法について説明する。まず、図14に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM31をパターニングする。注入マスクM31は、第1リサーフ層11、第2リサーフ層12および第3リサーフ層13に対応する部分および第4リサーフ層14における小領域13’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM31上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第3リサーフ層11~13に対応する部分に第3リサーフ層13と同じ注入量の注入層を形成するとともに、第4リサーフ層14における小領域13’を形成する。次に、注入マスクM31を除去した後、図15に示す工程において注入マスクM32をパターニングする。注入マスクM32は、第1リサーフ層11、第2リサーフ層12における小領域11’、第4リサーフ層14における小領域15’、第5リサーフ層15に対応する部分および第6リサーフ層16における小領域15’が開口部となったパターンを有し、注入マスクM32上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1リサーフ層11、第2リサーフ層12、第4リサーフ層14および第5リサーフ層15を形成する。なお、注入マスクM32によりさらなる不純物注入が防止されることで、第3リサーフ層13が得られる。なお、図15に示す注入マスクM32を用いた注入プロセスの注入量は、図14に示す注入マスクM31を用いた注入プロセスの注入量よりも少なくなければ、段階的に注入量を減らしたリサーフ層102を得ることができない。このように、2回の注入プロセスで実効的に5段階の注入量を有するリサーフ層102を形成することができる、実施の形態1の製造方法と比べて写真製版プロセスおよび不純物注入プロセスの回数を1回ずつ減らすことができる。以上説明した製造方法では、最も注入量が多い第1リサーフ層11の注入量が第3リサーフ層13の注入量と第5リサーフ層15の注入量の和で決まるが、この制限は次の理由により問題とならない。以下、図14および図15を用いて説明した方法を例に、第1~第6リサーフ層11~16の注入量を説明する。ここでは、半導体基板1をポリタイプが4HのSiC基板であると想定する。注入マスクM32を用いた注入プロセスの注入量注入面密度を0.5×1013cm2、注入マスクM31を用いた注入プロセスの注入量を1.0×1013cm2とすると、第1~第6リサーフ層11~19の注入量もしくは実効的な注入量は、第1リサーフ層11から順番に、1.5×1013cm2、1.25×1013cm2、1.0×1013cm2、0.75×1013cm2、0.5×1013cm2、0.25×1013cm2となる。ここで、第1~第6リサーフ層11~16の幅がほぼ等しいとすると、リサーフ層102の注入量は、外側に向かって段階的に線形にゼロまで減少することになる。外側に向かって注入量が段階的に線形にゼロまで減少するリサーフ層は、高耐圧性およびデバイス動作の信頼性の向上に効果的である。従って、第1リサーフ層11の注入量が第3リサーフ層13の注入量と第5リサーフ層15の注入量の和で決まることによるデメリットはほぼ皆無と言える。例えば、SiC基板1のN型不純物の濃度を3×1015cm3とし、上記の注入量を有する第1~第6リサーフ層11~16の幅を25μmリサーフ層全体の幅を150μmとすると、リサーフ層の最表面の電界を1MV/cm以下に抑えながら、4000V以上の耐圧を得ることができる。なお、図13に示すリサーフ層101では、上記と同様の注入条件で、第1~第4リサーフ層11~14の幅をほぼ等しくし、第5リサーフ層15の幅を他の1.5倍程度にすることで、近似的に、注入量が外側に向かって段階的に線形にゼロまで減少するリサーフ層と見なすことができる。ここで、逆電圧4000Vにおける電界強度分布をシミュレーションした結果を図36および図37に示す。図36には、基板の最表面リサーフ層の最表面での電界強度V/cmを示しており、横軸にリサーフ層、P型ベースおよび低濃度のN型半導体基板の平面方向の距離μmを取り、縦軸に電界強度V/cmを示している。図37には、横軸に平面方向の距離μmを取り、縦軸に電界強度V/cmを示している。図37の平面方向の距離は図36と同一であるが、図37は基板の最表面リサーフ層の最表面から、P型ベースおよびリサーフ層の注入深さの分だけ深い位置PN接合深さの電界強度分布を示している。そして、図36および図37では、本発明の構造のリサーフ層で得られた電界強度分布を実線で示し、理想的な構造第2リサーフ層12、第4リサーフ層14、第6リサーフ層16を単一の注入量とした構造での電界強度分布を破線で示している。図36および図37より、本発明の構造でリサーフ層最表面の電界が効果的に抑制されていることが判る。また、本発明の構造の電界強度分布を平均化すると理想的な構造に極めて近い電界強度分布となることが判る。逆電圧4000Vにおいて、本発明の構造と理想的な構造のいずれも、最大電界はP型ベース端縁部のPN接合深さで発生している。この箇所は、リサーフ層を形成しない場合に電界集中する箇所と同一である。B-3.変形例1.以上説明した実施の形態2では、2回の注入プロセスでの注入深さを同一にしているが、注入プロセスによって注入深さを変えても良い。以下、図16および図17を用いて実施の形態2の変形例1による終端領域の構成および製造方法について説明する。図16および図17は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図17にリサーフ層102Aとして示す。リサーフ層102はP型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層11A、第2リサーフ層12A、第3リサーフ層13A、第4リサーフ層14A、第5リサーフ層15Aおよび第6リサーフ層16Aで構成されている。第1リサーフ層11Aは、第3リサーフ層13Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第3リサーフ層13Aよりも浅い第1リサーフ層内不純物層111を有して構成されている。第2リサーフ層12Aは、第3リサーフ層13Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第1リサーフ層内不純物層111と同じ注入量、同じの深さの小領域111’が所定間隔で配列されて構成されている。第4リサーフ層14Aは、第3リサーフ層13Aと同じ注入量、同じ深さの小領域13’と、第5リサーフ層15Aと同じ注入量、同じ深さの小領域15’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第6リサーフ層16Aは、第5リサーフ層15Aと同じ注入量、同じ深さの小領域15’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列された構成となっている。このような構成を採ることにより、第1リサーフ層11Aと第2リサーフ層12Aの深さ方向の濃度変化を緩やかにすることができる。その結果、第1リサーフ層11Aと第2リサーフ層12Aにおける電界集中を緩和することができる。次に、図16および図17を用いてリサーフ層102Aの形成方法について説明する。まず、図16に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM31をパターニングする。注入マスクM31は、第1リサーフ層11A、第2リサーフ層12Aおよび第3リサーフ層13Aに対応する部分および第4リサーフ層14Aにおける小領域13’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM31上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第3リサーフ層11A~13Aに対応する部分に第3リサーフ層13Aと同じ注入量、同じ深さの注入層を形成するとともに、第4リサーフ層14Aにおける小領域13’を形成する。この場合、第3リサーフ層13Aの注入深さはP型ベース2の注入深さと同等にする。次に、注入マスクM31を除去した後、図17に示す工程において注入マスクM32をパターニングする。注入マスクM32は、第1リサーフ層11A、第2リサーフ層12Aにおける小領域111’、第4リサーフ層14Aにおける小領域15’、第5リサーフ層15Aに対応する部分および第6リサーフ層16Aにおける小領域15’が開口部となったパターンを有している。そして、注入マスクM32上からAlなどのP型不純物を、注入マスクM31の注入プロセスよりも低い注入エネルギーでイオン注入することで、第1リサーフ層内不純物層111、小領域111’、小領域15’、第5リサーフ層15A、小領域15’を形成して、第1リサーフ層11A、第2リサーフ層12A、第4リサーフ層14A、第5リサーフ層15Aおよび第6リサーフ層16Aを形成する。なお、注入マスクM32によりさらなる不純物注入が防止されることで、第3リサーフ層13Aが得られる。B-4.変形例2.また、注入プロセスによって注入深さを変える方法としては、図18および図19に示す方法を用いても良い。図18および図19は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図19にリサーフ層102Bとして示す。リサーフ層102BはP型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層11B、第2リサーフ層12B、第3リサーフ層13B、第4リサーフ層14B、第5リサーフ層15Bおよび第6リサーフ層16Bで構成されている。第1リサーフ層11Bは、第3リサーフ層13Bと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第3リサーフ層13Bよりも浅い第1リサーフ層内不純物層111を有して構成されている。第2リサーフ層12Bは、第3リサーフ層13Bと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第1リサーフ層内不純物層111と同じ注入量、同じの深さの小領域111’が所定間隔で配列されて構成されている。第4リサーフ層14Bは、第3リサーフ層13Bと同じ注入量、同じ深さの小領域13’と、第5リサーフ層15Bと同じ注入量、同じ深さの小領域15’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第6リサーフ層16Bは、第5リサーフ層15Bと同じ注入量、同じ深さの小領域15’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列された構成となっている。なお、リサーフ層102Bにおいては、第1リサーフ層11Bが幅方向および深さ方向においてP型ベース2にオーバーラップする構成となっているので、P型ベース2の第1リサーフ層11B近傍のコーナー部において深さ方向の濃度変化を緩やかにすることができる。その結果、P型ベース2のリサーフ層11B近傍のコーナー部における電界集中も緩和することができる。次に、図18および図19を用いてリサーフ層102Bの形成方法について説明する。まず、図18に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM51をパターニングする。注入マスクM51は、第1リサーフ層11B、第2リサーフ層12Bおよび第3リサーフ層13Bに対応する部分および第4リサーフ層14Bにおける小領域13’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM51上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第3リサーフ層11B~13Bに対応する部分に第3リサーフ層13Bと同じ注入量、同じ深さの注入層を形成するとともに、第4リサーフ層14Bにおける小領域13’を形成する。この場合、第3リサーフ層13Bと同じ注入量、同じ深さの注入層の注入深さはP型ベース2の注入深さよりも深くなるように注入エネルギーを設定し、幅方向においてP型ベース2にオーバーラップするように注入マスクM51の開口部を形成する。次に、注入マスクM51を除去した後、図19に示す工程において注入マスクM52をパターニングする。注入マスクM52は、第1リサーフ層内不純物層111、第2リサーフ層12Bにおける小領域111’、第4リサーフ層14Bにおける小領域15’、第5リサーフ層15Bに対応する部分および第6リサーフ層16Bにおける小領域15’が開口部となったパターンを有している。この場合、第1リサーフ層内不純物層111を形成するための開口部は、幅方向においてP型ベース2にオーバーラップするように形成するが、幅方向において第3リサーフ層13Bと同じ注入量、同じ深さの注入層がP型ベース2にオーバーラップしている部分を越えないように形成する。そして、注入マスクM52上からAlなどのP型不純物を、注入マスクM51の注入プロセスよりも低い注入エネルギーでイオン注入することで、第1リサーフ層内不純物層111、小領域111’、小領域15’、第5リサーフ層15B、小領域15’を形成して、第1リサーフ層11B、第2リサーフ層12B、第4リサーフ層14B、第5リサーフ層15Bおよび第6リサーフ層16Bを形成する。なお、注入マスクM52によりさらなる不純物注入が防止されることで、第3リサーフ層13Bが得られる。この場合、第1リサーフ層内不純物層111の注入深さが、P型ベース2よりも深くなるように注入エネルギーを設定する。B-5.変形例3.また、活性領域が図1で示すようなP型ベース2のみで構成されるダイオード100であれば、P型ベース2全体にもリサーフ層の注入を行っても良い。この方法について、図20および図21を用いて説明する。図20および図21は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図21にリサーフ層102Cとして示す。リサーフ層102CはP型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層11C、第2リサーフ層12C、第3リサーフ層13C、第4リサーフ層14C、第5リサーフ層15Cおよび第6リサーフ層16Cと、P型ベース2全体に及ぶ活性領域リサーフ層10とで構成されている。第1リサーフ層11Cは、第3リサーフ層13Cと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第3リサーフ層13Cよりも浅い第1リサーフ層内不純物層111を有して構成されている。第2リサーフ層12Cは、第3リサーフ層13Cと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第1リサーフ層内不純物層111と同じ注入量、同じの深さの小領域111’が所定間隔で配列されて構成されている。第4リサーフ層14Cは、第3リサーフ層13Cと同じ注入量、同じ深さの小領域13’と、第5リサーフ層15Cと同じ注入量、同じ深さの小領域15’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第6リサーフ層16Cは、第5リサーフ層15Cと同じ注入量、同じ深さの小領域15’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列された構成となっている。なお、リサーフ層102Cにおいては、第1リサーフ層内不純物層111がP型ベース2全体を包含するように設けられ、第3リサーフ層13Cと同じ注入量、同じ深さの注入層が第1リサーフ層内不純物層111を包含するように設けられており、P型ベース2が包含されている領域を活性領域リサーフ層10と呼称する。このような構成を採ることで、P型ベース2全体の深さ方向の濃度変化が緩やかになり、PNダイオードのスイッチング特性を変化させることができる。次に、図20および図21を用いてリサーフ層102Cの形成方法について説明する。まず、図20に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM61をパターニングする。注入マスクM61は、P型ベース2、第1リサーフ層11C、第2リサーフ層12Cおよび第3リサーフ層13Cに対応する部分および第4リサーフ層14Cにおける小領域13’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM61上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、活性領域リサーフ層10、第1~第3リサーフ層11C~13Cに対応する部分に第3リサーフ層13Cと同じ注入量、同じ深さの注入層を形成するとともに、第4リサーフ層14Cにおける小領域13’を形成する。この場合、第3リサーフ層13Cと同じ注入量、同じ深さの注入層の注入深さはP型ベース2の注入深さよりも深くなるように注入エネルギーを設定する。次に、注入マスクM61を除去した後、図21に示す工程において注入マスクM62をパターニングする。注入マスクM62は、第1リサーフ層内不純物層111、第2リサーフ層12Cにおける小領域111’、第4リサーフ層14Cにおける小領域15’、第5リサーフ層15Cに対応する部分および第6リサーフ層16Cにおける小領域15’が開口部となったパターンを有している。この場合、第1リサーフ層内不純物層111を形成するための開口部は、P型ベース2上全体にも形成する。そして、注入マスクM62上からAlなどのP型不純物を、注入マスクM61の注入プロセスよりも低い注入エネルギーでイオン注入することで、第1リサーフ層内不純物層111、小領域111’、小領域15’、第5リサーフ層15C、小領域15’を形成して、活性領域リサーフ層10、第1リサーフ層11C、第2リサーフ層12C、第4リサーフ層14C、第5リサーフ層15Cおよび第6リサーフ層16Cを形成する。なお、注入マスクM62によりさらなる不純物注入が防止されることで、第3リサーフ層13Cが得られる。この場合、第1リサーフ層内不純物層111の注入深さが、P型ベース2よりも深くなるように注入エネルギーを設定する。以上説明した、実施の形態2の変形例1~3は、各注入プロセスの注入深さを変えることでリサーフ構造、さらには活性領域の深さ方向のプロファイルを制御する方法を示している。この方法は、SiC基板のように、不純物イオンの散乱や拡散が小さい半導体基板を用いる場合に特に有効である。また、シリコン基板のように大きく熱拡散するような半導体基板であっても、アニール処理時間を短縮する、アニール温度を低減するといった場合に適用できる。なお、変形例2および3では、注入プロセスによって注入深さを変えた場合に、第1リサーフ層11Bが幅方向および深さ方向においてP型ベース2にオーバーラップする構成および第1リサーフ層内不純物層111がP型ベース2全体を包含するように設けられた構成を示したが、注入深さが一定の場合に、P型ベース2活性領域に隣接する第1リサーフ層の不純物領域を上記のように構成しても良い。特に変形例3の場合、P型ベース層2の注入プロセスを省略し、第1リサーフ層内不純物層111すなわち、活性領域リサーフ層10と第1リサーフ層11CをP型ベースとみなす構成にしても良い。このとき、P型ベースとなる領域の総注入量は、半導体材料のリサーフ条件で与えられる値の1倍から2倍以上P型ベースが完全に空乏化しないような条件であることが望ましい。この構成により、PN接合ダイオードを製造するための写真製版プロセスおよび不純物注入プロセスを1回減らすことができる。C.実施の形態3.実施の形態2では、2回の注入プロセスにより、実効的な注入量が半導体装置の外側に向かって5段階ないしは6段階で漸減するリサーフ層を形成する構成および製造方法を説明したが、これは2回以上のn回の注入プロセスに定式化することができる。以下、本発明に係る実施の形態3として、n回の注入プロセスでリサーフ層を形成する構成および製造方法について説明する。n回の注入プロセスを行う場合、注入量a1,a2,a3,,anは次の関係を満たすものとする。上式1は、以下の数式2で書き直すことができる。このn回の注入プロセスで実現できる注入量の種類、すなわち、a1,,anのうち、1つ以上の和で表現できる注入量の種類は2n-1通りである。現段階では、まだ実効的な注入量は考慮しない。そして、その注入量sjは、以下の数式3で表すことができる。言い換えれば、注入量s2n-1=a1×2n-1/2n1からs1=a1/2n1の間で、等間隔で離散的な注入量を得ることができる。そして、P型ベース2に隣接して注入量s2n-1の領域を配置し、その外側に隣接して注入量s2n-2の領域を配置し、というように、外側に向かって徐々に注入量sjを少なくし、最後に注入量s1の領域を配置する。すると、n回の注入プロセスにより、2n-1段階の注入量を有するリサーフ層を形成できる。そして、注入量sjの領域の幅を全て同じにすれば、注入量が外側に向かって段階的に線形にゼロまで減少する2n-1段階のリサーフ層を形成できる。C-1.装置構成1.ここで、n=3の例について図22~図24を用いて説明する。上記理論に基づけば、3回の注入プロセスで7段階の注入量を有するリサーフ層を形成できる。図22~図24は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図24にリサーフ層121として示す。図24に示すリサーフ層121は、P型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層21、第2リサーフ層22、第3リサーフ層23、第4リサーフ層24、第5リサーフ層25、第6リサーフ層26および第7リサーフ層27で構成されている。C-2.製造方法1.次に、図22~図24を用いてリサーフ層121の形成方法について説明する。まず、図22に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM71をパターニングする。注入マスクM71は、第1リサーフ層21、第2リサーフ層22、第3リサーフ層23および第4リサーフ層24に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM71上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第4リサーフ層21~24に対応する部分に第4リサーフ層24と同じ注入量、同じ深さの注入層を形成する。次に、注入マスクM71を除去した後、図23に示す工程において注入マスクM72をパターニングする。注入マスクM72は、第1リサーフ層21、第2リサーフ層22、第5リサーフ層25および第6リサーフ層26に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM72上からAlなどのP型不純物を第6リサーフ層26と同じ不純物量でイオン注入することで、第1および第2リサーフ層21および22に対応する部分に第2リサーフ層22と同じ注入量、同じ深さの注入層を形成し、第5および第6リサーフ層25および26に対応する部分に第6リサーフ層26と同じ注入量、同じ深さの注入層を形成する。次に、注入マスクM72を除去した後、図24に示す工程において注入マスクM73をパターニングする。注入マスクM73は、第1リサーフ層21、第3リサーフ層23、第5リサーフ層25および第7リサーフ層26に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM73上からAlなどのP型不純物を第7リサーフ層27と同じ不純物量でイオン注入することで、第1リサーフ層21、第3リサーフ層23、第5リサーフ層25および第7リサーフ層27を形成する。なお、注入マスクM73によりさらなる不純物注入が防止されることで、第2リサーフ層22、第4リサーフ層24および第6リサーフ層26が得られる。C-3.装置構成2次に、実施の形態1および2において説明した、異なる注入量の小領域を多重に交互に配列した領域を設けて、実効的な注入量の階調を増やす場合についての定式化を行う。この場合、単一注入量のリサーフ層の境界に実効的な注入量で定義されるリサーフ層を挿入することになるので、実効的な注入量は2n-1{2n-1-1}={2×2n-1-1}段階となる。また、最外周に、注入する小領域と注入しない小領域を多重に交互に配置させた領域を設ければ、実効的な注入量は{2×2n-1}段階となる。この場合、実効的な注入量単一注入量を含むtjは以下の数式4で表される。つまり、実効的な注入量を有するリサーフ層を挿入することによって、同じ注入プロセスの回数でも、注入量の階調段階数をおおよそ2倍にすることができる。違う見方をすれば、実効的な注入量を有するリサーフ層を挿入することによって、実効的な注入量ではあるが、ある注入量の階調を得るために必要な注入プロセスの回数を1回減らすことができる。ここで、n=3の例について図25~図27を用いて説明する。上記理論に基づけば、3回の注入プロセスで、実効的な注入量を有するリサーフ層を含む、14段階の注入量を有したリサーフ層を形成できる。C-4.製造方法.図25~図27は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図27にリサーフ層122として示す。図27に示すリサーフ層122は、P型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層41、第2リサーフ層42、第3リサーフ層43、第4リサーフ層44、第5リサーフ層45、第6リサーフ層46、第7リサーフ層47、第8リサーフ層48、第9リサーフ層49、第10リサーフ層50、第11リサーフ層51、第12リサーフ層52、第13リサーフ層53および第14リサーフ層54で構成されている。このうち、第2リサーフ層42、第4リサーフ層44、第6リサーフ層46、第8リサーフ層48、第10リサーフ層50、第12リサーフ層52および第14リサーフ層54は実効的な注入量を有するリサーフ層である。第2リサーフ層42は、第1リサーフ層41と同じ注入量の小領域41’と、第3リサーフ層43と同じ注入量の小領域43’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第4リサーフ層44は、第3リサーフ層43と同じ注入量の小領域43’と、第5リサーフ層45と同じ注入量の小領域45’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第6リサーフ層46は、第5リサーフ層45と同じ注入量の小領域45’と、第7リサーフ層47と同じ注入量の小領域47’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第8リサーフ層48は、第7リサーフ層47と同じ注入量の小領域47’と、第9リサーフ層49と同じ注入量の小領域49’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第10リサーフ層50は、第9リサーフ層49と同じ注入量の小領域49’と、第11リサーフ層51と同じ注入量の小領域51’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第12リサーフ層52は、第11リサーフ層51と同じ注入量の小領域51’と、第13リサーフ層53と同じ注入量の小領域53’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第14リサーフ層54は、第13リサーフ層53と同じ注入量の小領域53’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列されて構成されている。次に、図25~図27を用いてリサーフ層122の形成方法について説明する。まず、図25に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM81をパターニングする。注入マスクM81は、第1~第7リサーフ層41~47に対応する部分および第8リサーフ層48における小領域47’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM81上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第7リサーフ層41~47に対応する部分に第7リサーフ層47と同じ注入量の注入層を形成するとともに、第8リサーフ層18における小領域47’を形成する。次に、注入マスクM81を除去した後、図26に示す工程において注入マスクM82をパターニングする。注入マスクM82は、第1リサーフ層41、第2リサーフ層42、第3リサーフ層43、第9リサーフ層49、第10リサーフ層50および第11リサーフ層51に対応する部分、第4リサーフ層44における小領域43’に対応する部分、および第12リサーフ層52における小領域51’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM82上からAlなどのP型不純物を第11リサーフ層51と同じ不純物量でイオン注入することで、第1~第3リサーフ層41~43に対応する部分および第8リサーフ層48における小領域49’に第3リサーフ層43と同じ注入量の注入層を形成するとともに、第4リサーフ層44における小領域43’を形成する。また、第9~第11リサーフ層49~51に対応する部分に第11リサーフ層51と同じ注入量の注入層を形成するとともに第12リサーフ層52における小領域51’を形成する。次に、注入マスクM82を除去した後、図27に示す工程において注入マスクM83をパターニングする。注入マスクM83は、第1リサーフ層41、第5リサーフ層45、第9リサーフ層49および第13リサーフ層53に対応する部分、第2リサーフ層42における小領域41’に対応する部分、第4リサーフ層44における小領域45’に対応する部分、第6リサーフ層46における小領域45’に対応する部分、第8リサーフ層48における小領域49’に対応する部分、第10リサーフ層50における小領域49’に対応する部分、第12リサーフ層52における小領域51’に対応する部分および第14リサーフ層54における小領域53’に対応する部分が開口部となったパターンを有している。注入マスクM83上からAlなどのP型不純物を第13リサーフ層53と同じ不純物量でイオン注入することで、第1リサーフ層41、第5リサーフ層45、第9リサーフ層49および第13リサーフ層53を形成する。また、第2リサーフ層42における小領域41’第4リサーフ層44における小領域45’、第6リサーフ層46における小領域45’、第8リサーフ層48における小領域49’、第10リサーフ層50における小領域49’、第12リサーフ層52における小領域51’および第14リサーフ層54における小領域53’を形成する。なお、注入マスクM83によりさらなる不純物注入が防止されることで、第3リサーフ層43、第7リサーフ層47および第11リサーフ層51が得られる。なお、図25~27に示した注入マスクM81~M83は一例であり、3回の注入プロセスで14段階の注入量を有したリサーフ層を形成できるマスクはこれに限定されるものではない。ただし、注入マスクM81~M83は、次のような法則性をもって開口されており、これはn回の注入プロセスの場合にも適用できる。単一の注入量もしくは実効的な注入量を有する{2×2n-1}個の領域のそれぞれの幅をwとすると、注入量am=a1/2m11≦m≦nの注入に使用するマスクは、P型ベース側から順番に、幅{w×2nm1-1}の開口部、幅wの一部開口した部分、幅{w×2nm1-1}のマスク部、幅wの一部開口した部分、の繰り返しで形成される。リサーフ構造の場合、a1が半導体材料のリサーフ条件で与えられる値の1倍から2倍程度である場合に、良好な特性が得られる。C-5.変形例1.以上説明した実施の形態3では、3回の注入プロセスでの注入深さを同一にしているが、注入プロセスによって注入深さを変えても良い。以下、図28~図30を用いて実施の形態3の変形例1による終端領域の構成および製造方法について説明する。図28~図30は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図30にリサーフ層121Aとして示す。リサーフ層121AはP型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層21A、第2リサーフ層22A、第3リサーフ層23A、第4リサーフ層24A、第5リサーフ層25A、第6リサーフ層26Aおよび第7リサーフ層27Aで構成されている。第1リサーフ層21Aは、第2リサーフ層22Aに含まれる第2リサーフ層内不純物層221と同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第2リサーフ層内不純物層221よりも浅い第1リサーフ層内不純物層211を有して構成されている。第2リサーフ層22Aは、第4リサーフ層24Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第4リサーフ層24Aよりも浅い第2リサーフ層内不純物層221を有して構成されている。第3リサーフ層23Aは、第4リサーフ層24Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第4リサーフ層24Aよりも浅い第3リサーフ層内不純物層231を有して構成されている。第5リサーフ層25Aは、第6リサーフ層26Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第6リサーフ層26Aよりも浅い第5リサーフ層内不純物層251を有して構成されている。このような構成を採ることにより、第1~第3リサーフ層21A~23Aの深さ方向の濃度変化を緩やかにすることができる。その結果、第1~第3リサーフ層21A~23Aにおける電界集中を緩和することができる。次に、図28~図30を用いてリサーフ層121Aの形成方法について説明する。まず、図28に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM91をパターニングする。注入マスクM91は、第1~第4リサーフ層21A~24Aに対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM91上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第4リサーフ層21A~24Aに対応する部分に第4リサーフ層24Aと同じ注入量、同じ深さの注入層を形成する。次に、注入マスクM91を除去した後、図29に示す工程において注入マスクM92をパターニングする。注入マスクM92は、第1リサーフ層21A、第2リサーフ層22A、第5リサーフ層25Aおよび第6リサーフ層26Aに対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM92上からAlなどのP型不純物を、注入マスクM91の注入プロセスよりも低い注入エネルギーでイオン注入することで、第2リサーフ層内不純物層221および第6リサーフ層26Aと同じ注入量、同じ深さの注入層を形成する。次に、注入マスクM92を除去した後、図30に示す工程において注入マスクM93をパターニングする。注入マスクM93は、第1リサーフ層21A、第3リサーフ層23A、第5リサーフ層25Aおよび第7リサーフ層27Aに対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM93上からAlなどのP型不純物を、注入マスクM92の注入プロセスよりも低い注入エネルギーでイオン注入することで、第2リサーフ層内不純物層221内に第1リサーフ層内不純物層211を形成し、第4リサーフ層24Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に第3リサーフ層内不純物層231を形成し、第6リサーフ層26Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に第5リサーフ層内不純物層251を形成し、第7リサーフ層27Aを半導体基板1内に形成する。なお、注入マスクM93によりさらなる不純物注入が防止されることで、第2リサーフ層22A、第4リサーフ層24Aおよび第6リサーフ層26Aが得られる。C-6.変形例2.実施の形態3の変形例2として、異なる注入量の小領域を多重に交互に配列した領域を設けて、実効的な注入量の階調を増やす構成において、注入プロセスによって注入深さを変えた場合の構成について、図31~図33を用いて説明する。図31~図33は終端領域の製造工程を順に示す断面図であり、終端領域の最終的な構成は、最終工程を示す図33にリサーフ層122Aとして示す。図33に示すリサーフ層122Aは、P型ベース2側から順にP型ベース2を囲むように配置された第1リサーフ層41A、第2リサーフ層42A、第3リサーフ層43A、第4リサーフ層44A、第5リサーフ層45A、第6リサーフ層46A、第7リサーフ層47A、第8リサーフ層48A、第9リサーフ層49A、第10リサーフ層50A、第11リサーフ層51A、第12リサーフ層52A、第13リサーフ層53Aおよび第14リサーフ層54Aで構成されている。このうち、第2リサーフ層42A、第4リサーフ層44A、第6リサーフ層46A、第8リサーフ層48A、第10リサーフ層50A、第12リサーフ層52Aおよび第14リサーフ層54Aは実効的な注入量を有するリサーフ層である。第1リサーフ層41Aは、第3リサーフ層43Aに含まれる第3リサーフ層内不純物層431と同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第4リサーフ層内不純物層431よりも浅い第1リサーフ層内不純物層411を有して構成されている。第3リサーフ層43Aは、第7リサーフ層47Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第7リサーフ層47Aよりも浅い第3リサーフ層内不純物層431を有して構成されている。第5リサーフ層45Aは、第7リサーフ層47Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第7リサーフ層47Aよりも浅い第5リサーフ層内不純物層451を有して構成されている。第9リサーフ層49Aは、第11リサーフ層51Aと同じ注入量、同じ深さの注入層の中に、第11リサーフ層51Aよりも浅い第9リサーフ層内不純物層491を有して構成されている。第2リサーフ層42Aは、第1リサーフ層41Aに含まれる第1リサーフ層内不純物層411と同じ注入量、同じ深さの小領域41’と、第3リサーフ層43に含まれる第3リサーフ層内不純物層431と同じ注入量、同じ深さの小領域43’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第4リサーフ層44Aは、第3リサーフ層43に含まれる第3リサーフ層内不純物層431と同じ注入量、同じ深さの小領域43’と第5リサーフ層45Aに含まれる第5リサーフ層内不純物層451と同じ注入量、同じ深さの小領域45’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第6リサーフ層46Aは、第5リサーフ層45Aに含まれる第5リサーフ層内不純物層451と同じ注入量、同じ深さの小領域45’と第7リサーフ層47Aと同じ注入量、同じ深さの小領域47’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第8リサーフ層48は、第7リサーフ層47Aと同じ注入量、同じ深さの小領域47’と、第9リサーフ層49Aに含まれる第9リサーフ層内不純物層491と同じ注入量、同じ深さの小領域49’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第10リサーフ層50Aは、第9リサーフ層49Aに含まれる第9リサーフ層内不純物層491と同じ注入量、同じ深さの小領域49’と第11リサーフ層51Aと同じ注入量、同じ深さの小領域51’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第12リサーフ層52Aは、第11リサーフ層51Aと同じ注入量、同じ深さの小領域51’と、第13リサーフ層53Aと同じ注入量、同じ深さの小領域53’とが、多重に交互に配列されて構成されている。第14リサーフ層54Aは、第13リサーフ層53Aと同じ注入量、同じ深さの小領域53’と、イオン注入を全く行わない小領域19’とが、多重に交互に配列されて構成されている。このような構成を採ることにより、第1~第3リサーフ層41A~43Aの深さ方向の濃度変化を緩やかにすることができる。その結果、第1~第3リサーフ層41A~43Aにおける電界集中を緩和することができる。また、第1リサーフ層41Bが幅方向および深さ方向においてP型ベース2にオーバーラップする構成となっているので、P型ベース2の第1リサーフ層41A近傍のコーナー部において深さ方向の濃度変化を緩やかにすることができる。その結果、P型ベース2のリサーフ層41A近傍のコーナー部における電界集中も緩和することができる。次に、図31~図33を用いてリサーフ層122Aの形成方法について説明する。まず、図31に示すように、活性領域2を形成した側の主面上に注入マスクM101をパターニングする。注入マスクM101は、第1~第7リサーフ層41A~47Aに対応する部分および第8リサーフ層48Aにおける小領域47’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM101上からAlなどのP型不純物をイオン注入することで、第1~第7リサーフ層41A~47Aに対応する部分に第7リサーフ層47Aと同じ注入量の注入層を形成するとともに、第8リサーフ層18における小領域47’を形成する。次に、注入マスクM101を除去した後、図32に示す工程において注入マスクM102をパターニングする。注入マスクM102は、第1リサーフ層41A、第2リサーフ層42A、第3リサーフ層43A、第9リサーフ層49A、第10リサーフ層50Aおよび第11リサーフ層51Aに対応する部分、第4リサーフ層44Aにおける小領域43’に対応する部分、および第12リサーフ層52Aにおける小領域51’に対応する部分が開口部となったパターンを有し、注入マスクM102上からAlなどのP型不純物を、注入マスクM101の注入プロセスよりも低い注入エネルギーで第11リサーフ層51Aと同じ不純物量でイオン注入することで、第1~第3リサーフ層41A~43Aに対応する部分および第8リサーフ層48Aにおける小領域49’に第3リサーフ層43と同じ注入量の注入層を形成するとともに、第4リサーフ層44における小領域43’を形成する。また、第9~第11リサーフ層49A~51Aに対応する部分に第11リサーフ層51Aと同じ注入量の注入層を形成するとともに第12リサーフ層52Aにおける小領域51’を形成する。次に、注入マスクM102を除去した後、図33に示す工程において注入マスクM103をパターニングする。注入マスクM103は、第1リサーフ層41A、第5リサーフ層45A、第9リサーフ層49Aおよび第13リサーフ層53Aに対応する部分、第2リサーフ層42Aにおける小領域41’に対応する部分、第4リサーフ層44Aにおける小領域45’に対応する部分、第6リサーフ層46における小領域45’に対応する部分、第8リサーフ層48における小領域49’に対応する部分、第10リサーフ層50における小領域49’に対応する部分、第12リサーフ層52における小領域51’に対応する部分および第14リサーフ層54における小領域53’に対応する部分が開口部となったパターンを有している。注入マスクM103上からAlなどのP型不純物を、注入マスクM102の注入プロセスよりも低い注入エネルギーで第13リサーフ層53Aと同じ不純物量でイオン注入することで、第1リサーフ層41A、第5リサーフ層45A、第9リサーフ層49Aおよび第13リサーフ層53Aを形成する。また、第2リサーフ層42Aにおける小領域41’第4リサーフ層44Aにおける小領域45’、第6リサーフ層46Aにおける小領域45’、第8リサーフ層48Aにおける小領域49’、第10リサーフ層50Aにおける小領域49’、第12リサーフ層52Aにおける小領域51’および第14リサーフ層54Aにおける小領域53’を形成する。なお、注入マスクM103によりさらなる不純物注入が防止されることで、第3リサーフ層43A、第7リサーフ層47Aおよび第11リサーフ層51Aが得られる。以上説明した実施の形態1~4によれば、さらに以下の効果が期待できる。すなわち、比較的低い注入量で、平均して線形的に注入量がP型ベース層から外側に向かって漸減するようなリサーフ層例えば、SiC基板においては、最大不純物濃度が1.5×1013cm2を形成し、複数のイオン注入が重畳される領域第1リサーフ層にもある程度空乏層を広げることで、P型ベース層側の空乏層境界の曲率半径を拡大し、さらに優れた高耐圧性を持たせることができる。また、リサーフ層の水平方向の注入量の勾配により外乱に対するロバスト性を得ることができると言うことができる。また、リサーフ層の濃度が比較的低く、また、リサーフ層の最も濃度の高い領域にもある程度空乏層を広げることができるので、P型ベース層側の空乏層境界において過度な電界集中は生じない。そのため、異なる注入量もしくは濃度を持つ注入層の深さに対する大きな制限はなく、例えば図17に示されるように、深さの異なるリサーフ層を重畳する構造により耐圧の向上をも図ることができる。また、異なる注入量によるイオン注入プロセスにおいて、不純物を重ねて注入せず、別個の領域に交互に注入する領域を設けることにより、リサーフ構造の段階を増やすことができる。この場合、先に説明したように、マスクのアライメントずれが発生しても、リサーフ層による電界集中緩和の効果は変わらない注入マスクアライメント誤差は耐圧性能に影響を与えないので、問題は発生しない。また、実施の形態1で説明した方法によれば、3回の注入プロセスで実効的に5~6段階の注入量を有するリサーフ層を形成することができ、実施の形態2で説明した方法によれば、2回の注入プロセスで実効的に5~6段階の注入量を有するリサーフ層を形成することができるので、少ない注入プロセスで、より多くのリサーフ層を形成でき、耐圧を高めることができる。D.実施の形態4.実施の形態1~3においては、本発明をPNダイオードに適用した場合について説明したが、P型不純物を比較的高濃度に含むP型注入層P型ウエルを有するMOSFETはもちろんのこと、ショットキーバリアダイオードの終端領域にも適用して、終端領域での電界集中を緩和することができる。図34は本発明を適用した場合のショットキーバリアダイオード200の終端領域を示す断面図である。ここで、ショットキーバリアダイオード200は、N型不純物を比較的低濃度に含む半導体基板1に形成されており、半導体基板1の主面上に設けられたショットキー電極81の端縁部の下部に第1リサーフ層11が配置されるようにリサーフ層102が形成されている。なお、リサーフ層102は、図9に示したリサーフ層102と同一の構成を有しており、重複する説明は省略する。一般にショットキーバリアダイオードでは、ショットキー電極の端部における電界集中を緩和するために、ショットキー電極端縁部の下部に、P型不純物を比較的高濃度に含むP型注入層を設けるが、第1リサーフ層11の注入量が、半導体材料のリサーフ条件で与えられる値の1倍から2倍以上第1リサーフ層11が完全に空乏化しないような条件であれば、特に別途P型注入層を設ける必要はない。図34に示すショットキーバリアダイオード200では、保護すべき箇所はショットキー電極81の下部この部分が活性領域に相当する端縁部であるため、第1リサーフ層11は、ショットキー電極81の端縁部下部にも及ぶように構成されている。ショットキーバリアダイオード200では、第1リサーフ層11の内側端縁部にも電界が集中する。その電界集中のショットキー電極81の下部端縁部への影響を避けるために、ショットキー電極81と第1リサーフ層11のオーバーラップは数μm以上設けることが望ましい。また、リサーフ層102の形成する際に、ショットキー電極81の下部活性領域の一部にも同時に注入し、JBSJunctionBarrierSchottkydiodeもしくはMPSMergedPNSchottkydiodeとしても良い。E.実施の形態5.実施の形態1~3においては、本発明をPNダイオードに適用した場合について説明したが、LDMOSFETLaterallyDiffusedMOSFETにも適用して高濃度注入層端縁部における電界集中を緩和することができる。図35は本発明を適用した場合のLDMOSFET300の活性領域を示す断面図である。ここで、LDMOSFET300は、P型不純物を比較的低濃度に含む半導体基板91に形成されており、半導体基板91の主面内に設けられたP型不純物を比較的高濃度に含むP型注入層P型ウエル98と、半導体基板91上にゲート酸化膜92を介して設けられたゲート電極93と、P型ウエル98の表面内に設けられソースとなるN型不純物を比較的高濃度に含むN型注入層94と、P型ウエル98およびN型注入層94上に設けられたソース電極95と、ソースとは離隔して設けられた、ドレインとなるN型不純物を比較的高濃度に含むN型注入層96と、N型注入層96上に設けられたドレイン電極97と、ゲート-ドレイン間に設けられたN型不純物を比較的低濃度に含むリサーフ層101とを備えている。リサーフ層101は、N型注入層96側が第1リサーフ層11となり、第5リサーフ層15の終端はP型ウエル98の側面に接している。なお、ゲート電極95が第5リサーフ層15の終端を少しでも覆っていれば、第5リサーフ層15の終端とP型ウエル98の間に注入されない領域があっても良い。また、ゲート電極95のドレイン側端の下部がN型不純物層となっていれば、第5リサーフ層15とP型ウエル98がオーバーラップして注入されても良い。このような構成でも、P型ウエル98表面のチャネルが開通しないとLDMOSFETがオンしないため、ゲート閾値電圧は変わらない。LDMOSFET300のゲート-ドレイン部と終端領域とでは電極の配置が異なるものの、リサーフ層を設ける目的は同じである。半導体基板の裏面、および、半導体基板の裏面とほぼ同電位である領域LDMOSFETの活性領域ではソースおよびP型ウエル、縦型ダイオードの終端領域ではダイシングラインおよびチャネルストッパに相当と、半導体基板と導電型の異なる高濃度注入層LDMOSFETの活性領域ではドレイン、縦型ダイオードの終端領域ではPベースに相当との間に高電圧が印加されたときに発生する、高濃度注入層端縁部における電界集中を緩和するために、リサーフ層101を設けている。F.その他の適用例.実施の形態1~3では縦型デバイスへの適用例を示したが、横型デバイスでも、デバイス周縁部終端領域に耐圧を保持する機構が必要な場合は、同様のリサーフ構造を適用することができる。また、実施の形態1~3においては、N型半導体基板とP型注入層により構成されたPN接合ダイオードに適用した構成について説明したが、これらの導電型が全て逆であっても、同様の効果が得られる。また、PN接合ダイオードだけでなく、MOSFETやIGBT、BJTBipolarJunctionTransistorなどのトランジスタに適用しても、同様の効果が得られる。もちろん、実施の形態5の横型LDMOSFETの終端構造としても適用できる。また、半導体基板はSiCに限定されずワイドバンドギャップを有する半導体、例えば、窒化ガリウム系材料や、ダイヤモンドで構成される基板を使用しても良いし、Si基板であっても良い。最適なリサーフ層の注入量は、主に使用する半導体材料の誘電率と絶縁破壊電界によって決まり、最適なリサーフ層の幅は、主に半導体材料の絶縁破壊電界と必要とされる耐圧により決まる。このようなワイドバンドギャップ半導体によって構成されるスイッチング素子やダイオード素子は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、シリコン半導体に比べて小型化が可能であり、これら小型化されたスイッチング素子やダイオード素子を用いることにより、これらの素子を組み込んだ半導体装置モジュールの小型化が可能となる。また、耐熱性も高いため、ヒートシンクの放熱フィンの小型化や、水冷ではなく空冷による冷却も可能となり、半導体装置モジュールの一層の小型化が可能となる。また、注入に用いる不純物は、Bホウ素、N窒素、Alアルミニウム、Pリン、Asヒ素、Inインジウムなど、半導体材料の原子と置換して活性化するものであれば、どのようなものであっても良い。ただし、拡散長が大きい不純物の方が、注入量の異なる領域の界面において、注入量あるいは、濃度の変化がなだらかになり、電界集中が緩和される。そのため、N型半導体基板であれば、Bホウ素やAlアルミニウムを注入してP型注入層を形成することにより、より良い効果が期待できる。"