基板と、前記基板の上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成され、端部に無秩序化された無秩序部を有する活性層と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層と、前記活性層の上方の層に形成された回折格子と、を備えたことを特徴とするレーザ素子。前記無秩序部は、Zn拡散又はSi拡散により無秩序化されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ素子。前記無秩序部は、前記活性層の前端面を含む部分と、前記活性層の後端面を含む部分とに形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ素子。基板の上方に活性層を形成する工程と、前記活性層の上方の層に回折格子を形成する工程と、前記回折格子を形成した後に、前記活性層の端部を無秩序化する工程と、を備えたことを特徴とするレーザ素子の製造方法。基板の上方に活性層を形成する工程と、前記活性層の端部を無秩序化する工程と、前記活性層の端部を無秩序化した後に、前記活性層の上方の層に回折格子を形成する工程と、を備えたことを特徴とするレーザ素子の製造方法。回折格子を有するレーザ素子の端面を含む部分では、バンドギャップの低下によりCOD光学損傷が起こることがある。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、レーザ素子の端面を含む部分におけるCODを抑制できるレーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成され、端部に無秩序化された無秩序部を有する活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に形成された回折格子と、を備えたことを特徴とする。本発明に係るレーザ素子の製造方法は、基板の上方に活性層を形成する工程と、該活性層の上方の層に回折格子を形成する工程と、該回折格子を形成した後に、該活性層の端部を無秩序化する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明に係るレーザ素子の製造方法は、基板の上方に活性層を形成する工程と、該活性層の端部を無秩序化する工程と、該活性層の端部を無秩序化した後に、該活性層の上方の層に回折格子を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、活性層の端部を無秩序化するため、CODを抑制できる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の断面図である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10は、基板12を備えている。基板12はn型のGaAsで形成されている。基板12の上には下部クラッド層14が形成されている。下部クラッド層14は、n型のAlGaAsで形成されている。下部クラッド層14の上には活性層16が形成されている。活性層16は、多重量子井戸構造で形成されている。活性層16は、無秩序化されていない非無秩序部16aと、無秩序化された無秩序部16bを有している。無秩序部16bは、レーザ素子10の前端面17aを含む部分に形成された窓構造である。活性層16の上には、上部クラッド層18が形成されている。上部クラッド層18は、p型AlGaAsで形成されている。上部クラッド層18の一部には回折格子18aが形成されている。上部クラッド層18の上には、コンタクト層24が形成されている。コンタクト層24は、p型AlGaAs又はGaAsで形成されている。上述のように形成された共振器は、前端面17aと後端面17bを有している。前端面17aに接する領域では、コンタクト層24、上部クラッド層18、及び活性層16を貫き、下部クラッド層14に至るようにZn拡散領域40が形成されている。Zn拡散領域40はZnが拡散した領域である。Zn拡散領域40における活性層16は、Znにより無秩序化されて無秩序部16bとなっている。コンタクト層24の上には電極30が形成されている。また、基板12の裏面には電極32が形成されている。共振器の前端面17aには端面コーティング34が施されている。共振器の後端面17bには端面コーティング36が施されている。端面コーティング36は、反射率が99程度となるように形成されている。続いて、レーザ素子10の製造方法について説明する。まず、基板の上方に活性層16を形成する。図2は、基板上に活性層を形成したことを示す断面図である。活性層16は下部クラッド層14と上部クラッド層18に挟まれるように形成する。次いで、活性層の上方の層である上部クラッド層18の一部に回折格子を形成する。図3は、回折格子を形成したことを示す断面図である。回折格子18aは、共振器内の特定の波長の光に利得を持たせるように光を反射するものである。次いで、上部クラッド層18の上方にコンタクト層24を形成する。図4は、コンタクト層を形成したことを示す断面図である。コンタクト層24は、回折格子18aを埋め込むように形成する。埋め込まれた回折格子18aは前端面17aと接している。次いで、コンタクト層24の上にZnO膜を形成する。図5は、ZnO膜を形成したことを示す断面図である。ZnO膜42は、前端面17aと接するように形成する。次いで、レーザ素子に熱処理を施してZnO膜42内のZnを共振器に拡散させる。図6は、ZnO膜のZnを拡散させることを示す断面図である。Znは、図6の矢印方向に少なくとも活性層16に至るまで拡散し、Zn拡散領域40を形成する。Znの拡散により活性層16の端部は無秩序化され、無秩序部16bが形成される。無秩序部16bは、活性層16の端部であって、前端面17aと接する部分に形成される。無秩序部16bは、非無秩序部16aよりもエネルギーバンドギャップが大きい。つまり、無秩序部16bは窓構造となっている。次いで、ZnO膜42を除去する。図7は、ZnO膜を除去したことを示す断面図である。次いで、電極30、及び32を形成する。図8は、電極を形成したことを示す断面図である。コンタクト層24の上に電極30を形成する。また、基板12の裏面に電極32を形成する。次いで、共振器の両端面にコーティングを施す。共振器の前端面17aに端面コーティング34を形成する。また、共振器の後端面17bに端面コーティング36を形成する。こうして図1に示すレーザ素子10が完成する。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子によれば、活性層16のうち、前端面17aに接する部分は無秩序部16bとなっている。よって、レーザ素子10の前端面17aとその近傍以後、前端面17aを含む部分というにおけるCODを抑制できる。特に、レーザ素子10を高出力で使用する場合には、前端面17aを含む部分でCODが起こりやすいので、上述の構成が有効である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子とその製造方法は、活性層の端面を含む部分に無秩序部を形成することが特徴である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子とその製造方法は、この特徴を失わない限りにおいて様々な変形をなしうる。図9は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の変形例を示す断面図である。このレーザ素子は、活性層の前端面を含む部分と後端面を含む部分の両方に無秩序部を形成したものである。活性層16の後端面17bを含む部分に無秩序部16cが形成されている。よって、後端面17bを含む部分におけるCODを抑制できる。このように、無秩序部は、活性層16の端部前端面を含む部分と後端面を含む部分の少なくとも一方のことをいうに形成されればCODを抑制できる。また、回折格子18aは、上部クラッド層18以外の層例えば、活性層16の上方の層に形成されていてもよい。例えば、レーザ素子に光ガイド層を形成し、光ガイド層に回折格子を形成してもよい。図10は、光ガイド層に回折格子を形成したレーザ素子を示す断面図である。このレーザ素子は、活性層16と上部クラッド層18の間に第1光ガイド層19a、及び第2光ガイド層19bを備えている。そして、第2光ガイド層19bに回折格子19cが形成されている。この場合は、上部クラッド層18に回折格子を形成する必要はない。なお、光ガイド層に回折格子を形成しつつ、前端面を含む部分と後端面を含む部分の両方に無秩序部を形成してもよい。図11は、光ガイド層に回折格子を形成しつつ、前端面を含む部分と後端面を含む部分の両方に無秩序部を形成したレーザ素子を示す断面図である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10は、GaAs/AlGaAs系材料で形成したが、例えばInP/InGaAsP系材料又はGaAs/AlGaInP系材料などの材料で形成してもよい。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子では、上部クラッド層18の一部に回折格子18aが形成されたDBRDistributedBraggReflector型レーザ素子を採用した。しかしながら、本発明は、回折格子が共振器長全体に渡って形成されたDFBDistributedFeedback型レーザ素子にも適用できる。上記の説明では本発明を分かりやすく説明するため、活性層構造等の詳細なエピ構造を記述しなかったが、活性層の構造は、量子井戸構造のSQWシングルカンタムウエル、MQWマルチカンタムウエル構造でも良い。また、クラッド層とコンタクト層の間のバンドギャップ緩和のために、これらの間にバンド不連続緩和層を形成しても良い。実施の形態2.図12は、本発明の実施の形態2に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点を中心に説明する。前端面17aを含む部分には、コンタクト層24、上部クラッド層18、及び活性層16を貫き下部クラッド層14に至るように、Si拡散領域50が形成されている。Si拡散領域50は、Siが拡散した領域である。Si拡散領域50における活性層16は、Siにより無秩序化されて無秩序部16dとなっている。続いて、本発明の実施の形態2に係るレーザ素子の製造方法について、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の製造方法との相違点のみ説明する。図13は、マスク膜を形成したことを示す断面図である。マスク膜52は、前端面17aを含む部分を開口するように形成する。次いで、マスク膜52をマスクとして共振器にSiイオンを注入する。図14は、Siイオンの注入を示す断面図である。Siイオンが矢印の方向に注入されて、Si拡散領域50が形成される。Si拡散領域50内の活性層16は無秩序部16dとなる。このように、Siイオン注入によって、活性層16の前端面を含む部分に無秩序部16dを形成することができる。よって、前端面17aを含む部分におけるCODを抑制できる。なお本発明の実施の形態2に係るレーザ素子とその製造方法は少なくとも実施の形態1と同程度の変形は可能である。実施の形態3.本発明の実施の形態3に係るレーザ素子の製造方法は、活性層に無秩序部を形成した後に回折格子を形成することを特徴とする。以後、前述のレーザ素子10の製造方法との相違点を中心に説明する。図15は、上部クラッド層の上にZnO膜を形成したことを示す断面図である。ZnO膜60は、上部クラッド層18の端部を含む部分の上に形成する。次いで、活性層16の端部を無秩序化して無秩序部を形成する。図16は、無秩序部を形成したことを示す断面図である。この工程では、未完成のレーザ素子を加熱してZn拡散領域62を形成する。Zn拡散領域62内の活性層16は無秩序部16eとなる。次いで、ZnO膜60を除去する。図17は、ZnO膜を除去したことを示す断面図である。次いで、活性層16の上方の層である上部クラッド層18の一部に回折格子を形成する。図18は、回折格子を形成したことを示す断面図である。回折格子18aは、前端面17aを含む部分に形成する。次いで、上部クラッド層18の上方にコンタクト層24を形成する。図19は、コンタクト層を形成したことを示す断面図である。コンタクト層24は、回折格子18aを埋め込むように形成する。次いで、電極形成及び端面コーティングを実施する。図20は、電極形成及び端面コーティングを実施したレーザ素子の断面図である。本発明の実施の形態3に係るレーザ素子の製造方法によれば、無秩序部16eの形成後に回折格子18aを形成するので、回折格子18aが無秩序部16e形成のための加熱の影響を受けない。よって、回折格子18aの形状を維持できる。本発明の実施の形態3に係るレーザ素子の製造方法は、活性層の端部を無秩序化した後に、活性層の上方の層に回折格子を形成することを特徴とする。この特徴を失わない限りにおいて、様々な変形が可能である。例えば、実施の形態2で説明したSiイオン注入による無秩序部の形成を、回折格子の形成に先立って行ってもよい。なお、本発明の実施の形態3に係るレーザ素子の製造方法は少なくともここまでの実施の形態と同程度の変形は可能である。