"電気光学結晶を含む光導波路により構成されるテラヘルツ波発生装置であって、第1の光が伝播する第1の光導波路と、第2の光が伝播する第2の光導波路と、前記第2の光導波路から前記第2の光とは異なる方向に発生する第1のテラヘルツ波を伝播させる伝播部と、各光の入射側に配置され、前記第2の光に対し前記第1の光を遅延させる遅延部と、を有し、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路は、前記伝播部を介して配置され、前記第1のテラヘルツ波の第1の等位相面と、前記第1の光導波路から前記第1の光とは異なる方向に発生する第2のテラヘルツ波の第2の等位相面とを略重ねる様に構成された、ことを特徴とするテラヘルツ波発生装置。前記遅延部は、前記第2の光が入射する側の前記第2の光導波路の端面の位置を、前記第1の光が入射する側の前記第1の光導波路の端面の位置に対し、前記第2の光の伝播方向に所定の距離ずらす構造を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置。前記遅延部は、光源から出力される光が、前記第1の光と前記第2の光に分岐されて、当該遅延部の出力側に至る光路長について、前記第1の光が伝播する光路長を前記第2の光が伝播する光路長に対し光学的に長くする部分である、ことを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置。前記第1の光導波路と前記第2の光導波路のコア部が、前記第2の光導波路から前記第1の光導波路に向かうテラヘルツ波の伝播経路の方向について略重なり、各光の伝播方向と平行に配置される、ことを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のテラヘルツ波発生装置。各光導波路に入射する光のうち、前記第1の光導波路から前記第2の光導波路に至る前記遅延部の界面で反射した反射光を検出する第1の位置センサと、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路を透過した透過光を検出する第2の位置センサと、を更に有し、前記第1の位置センサと前記第2の位置センサとにより当該テラヘルツ波発生装置の位置決めを行うことができる様に構成された、ことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載のテラヘルツ波発生装置。電気光学結晶を含む光導波路により構成されるテラヘルツ波発生素子であって、第1の光が伝播する第1の光導波路と、第2の光が伝播する第2の光導波路と、前記第2の光導波路から、前記第2の光とは異なる方向に発生する第1のテラヘルツ波を伝播させる伝播部と、前記第2の光に対し前記第1の光を遅延させる遅延部と、を有し、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路は、前記伝播部を介して配置され、前記遅延部は、前記第2の光が入射する側の前記第2の光導波路の端面の位置を、前記第1の光が入射する側の前記第1の光導波路の端面の位置に対し、前記第2の光の伝播方向に所定の距離ずらす構造を有し、前記第1のテラヘルツ波の第1の等位相面と、前記第1の光導波路から前記第1の光とは異なる方向に発生する第2のテラヘルツ波の第2の等位相面とを略重ねる様に構成された、ことを特徴とするテラヘルツ波発生素子。当該テラヘルツ波発生素子が、前記第1の光導波路の長手方向に対する法線の方向に複数配置されている、ことを特徴とする請求項6に記載のテラヘルツ波発生素子。電気光学結晶を含む光導波路により構成されるテラヘルツ波検出装置であって、第1の光が伝播する第1の光導波路と、第2の光が伝播する第2の光導波路と、前記第1の光導波路から前記第1の光とは異なる方向に出射する第1のテラヘルツ波を伝播させる伝播部と、各光の出射側に配置され、前記第2の光に対し前記第1の光を遅延させる遅延部と、前記第1の光と第2の光の伝播状態の変化を検出する伝播状態検出部と、を有し、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路は、前記伝播部を介して配置され、前記第1の光に検出される時点における前記第1のテラヘルツ波の第1の等位相面と、前記第2の光に検出される時点における、前記第2の光導波路から前記第2の光とは異なる方向に出射する、第2のテラヘルツ波の第2の等位相面とを略重ねる様に構成された、ことを特徴とするテラヘルツ波検出装置。前記遅延部は、前記遅延部の入力側から前記伝播状態検出部に至る前記第1の光と前記第2の光の光路長について、前記第1の光が伝播する光路長を前記第2の光が伝播する光路長に対し光学的に長くする部分である、ことを特徴とする請求項8に記載のテラヘルツ波検出装置。前記遅延部は、前記第1の光が出射する側の前記第1の光導波路の端面の位置を、前記第2の光が出射する側の前記第2の光導波路の端面の位置に対し、前記第1の光の伝播方向に所定の距離ずらす構造を有する、ことを特徴とする請求項8に記載のテラヘルツ波検出装置。電気光学結晶を含む光導波路により構成されるテラヘルツ波検出素子であって、第1の光が伝播する第1の光導波路と、第2の光が伝播する第2の光導波路と、前記第1の光導波路から前記第1の光とは異なる方向に出射する第1のテラヘルツ波を伝播させる伝播部と、を有し、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路は、前記伝播部を介して配置され、前記第1の光により検出される時点における前記第1のテラヘルツ波の第1の等位相面と、前記第2の光により検出される時点における、前記第2の光導波路から前記第2の光とは異なる方向に出射する、第2のテラヘルツ波の第2の等位相面とを略重ねる様に構成された、ことを特徴とするテラヘルツ波検出素子。各光の出射側に配置され、前記第2の光に対し前記第1の光を遅延させる遅延部を更に有し、前記遅延部は、前記第1の光が出射する側の前記第1の光導波路の端面の位置を、前記第2の光が出射する側の前記第2の光導波路の端面の位置に対し、前記第1の光の伝播方向に所定の距離ずらす構造を有することを特徴とする請求項11に記載のテラヘルツ波検出素子。各光の入射側に配置され、前記第1の光に対し前記第2の光を遅延させる第2の遅延部を更に有し、前記第2の遅延部は、前記第1の光が入射する側の前記第1の光導波路の端面の位置を、前記第2の光が入射する側の前記第2の光導波路の端面の位置に対し、前記第1の光の伝播方向に所定の距離ずらす構造を有する、ことを特徴とする請求項11または12に記載のテラヘルツ波検出素子。当該テラヘルツ波検出素子が、前記第1の光導波路の長手方向に対する法線の方向に複数配置されている、ことを特徴とする請求項11から13の何れか1項に記載のテラヘルツ波検出素子。テラヘルツ波を発生する請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置または請求項6に記載のテラヘルツ波発生素子を有する、ことを特徴とするテラヘルツ時間領域分光システムを利用した測定装置。テラヘルツ波を検出する請求項8に記載のテラヘルツ波検出装置または請求項11に記載のテラヘルツ波検出素子を有する、ことを特徴とするテラヘルツ時間領域分光システムを利用した測定装置。前記テラヘルツ波検出素子を、テラヘルツ波発生素子として共用する、ことを特徴とする請求項16に記載のテラヘルツ時間領域分光システムを利用した測定装置。請求項15から17の何れか1項に記載の測定装置を有する、ことを特徴とするトモグラフィックイメージング装置。電気光学結晶を含む第1及び第2の光導波路で夫々発生するテラヘルツ波を用いてテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生方法であって、前記第1の光導波路に第1の光を伝播させ、前記第2の光導波路に第2の光を伝播させ、前記第1の光により第2のテラヘルツ波が発生する前記第1の光導波路の発生位置において、前記第2の光により前記第2の光導波路で発生した第1のテラヘルツ波が前記発生位置に到達する時間と、前記発生位置において前記第2のテラヘルツ波が発生する時間とを略重ね、前記第1のテラヘルツ波の第1の等位相面と前記第2のテラヘルツ波の第2の等位相面とを略重ねてテラヘルツ波を発生し、前記等位相面を略重ねることは、前記第2の光に対し前記第1の光を遅延させて伝播させることと、前記第1のテラヘルツ波が前記第2の光導波路から前記発生位置に到達するまでに時間を費やさせることとで行われる、ことを特徴とするテラヘルツ波発生方法。電気光学結晶を含む第1及び第2の光導波路に夫々入射するテラヘルツ波を、該第1及び第2の光導波路を伝播する第1及び第2の光を検出器で検出することにより、検出するテラヘルツ波検出方法であって、前記第1の光導波路に前記第1の光を伝播させ、前記第2の光導波路に前記第2の光を伝播させ、前記第1の光により検出される時点における前記第1の光導波路から出射する第1のテラヘルツ波の等位相面と、前記第2の光により検出される時点における前記第2の光導波路から出射する前記第2のテラヘルツ波の等位相面と、が略重なるように、前記第1の光に対し前記第2の光を遅延させて伝播させ、前記第1の光が検出器に到達する時間と、前記第2の光が前記検出器に到達する時間と、が略等しくなるように、前記第2の光に対し前記第1の光を遅延させて伝播させる、ことを特徴とするテラヘルツ波検出方法。非特許文献1に記載の方法では、位相整合条件を満たすために、レーザ光の波面を光学的に傾斜させ、テラヘルツ波の放射方向と一致させている。しかし、光の波面の形状を調整する光学系はアライメントが容易ではなく、作業性が良いとは言えない。また、非特許文献1の方法では、バルクの非線形結晶を使用しているが、この様な非線形結晶は、テラヘルツ波に対する損失が小さくはなく、テラヘルツ波の更なる高出力放射が容易ではない。上記課題に鑑み、本発明の一側面としてのテラヘルツ波発生装置は以下の構成を有する。電気光学結晶を含む光導波路により構成され、第1の励起光が伝播する第1の光導波路と、第2の励起光が伝播する第2の光導波路とを有する。また、前記第2の光導波路から、前記第2の励起光とは異なる方向に発生する第1のテラヘルツ波を伝播させる伝播部を有する。更に、各励起光の入射側に配置され、前記第2の励起光に対し前記第1の励起光を遅延させる遅延部を有する。ここで、前記第1の光導波路と前記第2の光導波路は、前記伝播部を介して配置される。そして、前記第1のテラヘルツ波の第1の等位相面と、前記第1の光導波路から前記第1の励起光とは異なる方向に発生する第2のテラヘルツ波の第2の等位相面とを略重ねる様に構成されている。一体的なテラヘルツ波発生素子として構成する形態では、前記遅延部が、第2の励起光が入射する側の第2の光導波路の端面の位置を、第1の励起光が入射する側の第1の光導波路の端面の位置に対し、第2の励起光の伝播方向に所定の距離ずらす構造を有する。また、上記課題に鑑み、テラヘルツ時間領域分光システムを利用した本発明の一側面としての測定装置は、2つの光を出射する光源と、一方の光によってテラヘルツ波を発生する前記テラヘルツ波発生装置または素子と、他方の光によってテラヘルツ波を検出する検出器とを有する。また、前記発生装置または素子におけるテラヘルツ波発生時と前記検出器におけるテラヘルツ波検出時との間の遅延時間を調整する遅延調整部と、前記検出器の出力と前記遅延調整部の調整量とを参照し、テラヘルツ波の時間波形を構築する検出部とを有する。トモグラフィックイメージング装置を構成する形態では、前記測定装置に加え、サンプルの位置を調整するサンプル台と、この位置の情報と検出部で構築された時間波形とを対応付けし、サンプルのトモグラフィックイメージを取得する画像構成部とを有する。また、上記課題に鑑み、電気光学結晶を含む第1及び第2の光導波路で夫々発生するテラヘルツ波を用いてテラヘルツ波を発生する本発明の一側面としてのテラヘルツ波発生方法では、次の様にしてテラヘルツ波を発生する。すなわち、第1及び第2の光導波路に夫々励起光を伝播させる。そして、励起光により第2のテラヘルツ波が発生する第1の光導波路の発生位置において、励起光により第2の光導波路で発生した第1のテラヘルツ波が前記発生位置に到達する時間と、前記発生位置において第2のテラヘルツ波が発生する時間を略重ねる。これにより、第1のテラヘルツ波の第1の等位相面と第2のテラヘルツ波の第2の等位相面を略重ねる。ここで、時間を略重ねることは、第2の励起光に対し第1の励起光を遅延させて伝播させることと、第1のテラヘルツ波が第2の光導波路から前記発生位置に到達するまでに時間を費やさせることとで達成する。前記テラヘルツ波発生装置及び素子では、前記遅延部と前記伝播部とを設けることで、これを達成している。本発明の一側面に依れば、第2の励起光に対し第1の励起光を遅延させ、第1のテラヘルツ波が第2の光導波路から前記発生位置に到達するまでに時間を費やさせる。テラヘルツ波発生装置及び素子の構成で言えば、第1の励起光を遅延させる遅延部を備えると共に伝播部を介して第1の光導波路と第2の光導波路を配置する。この様な手段により、複数のテラヘルツ波の位相整合条件を、各テラヘルツ波が発生するタイミングを調整して実現する。これにより、複数の箇所から発生するテラヘルツ波の等位相面を略重ね合わせて取り出すことができるので、比較的高強度なテラヘルツ波を発生させることができる。本発明のその他の側面については、以下で説明する実施の形態で明らかにする。本発明は、第2の励起光第2の光に対し第1の励起光第1の光を遅延させることと、第1のテラヘルツ波が第2の光導波路から前記発生位置に到達するまでに時間を費やさせることとで、第1及び第2のテラヘルツ波の第1及び第2の等位相面を略重ねることを特徴とする。また、同じ構成で逆過程によりテラヘルツ波を検出することができる。尚、ここで用いる1次電気光学効果のための電気光学結晶は、2次の非線形特性を持つものであり、一般に実用的な電気光学結晶と2次の非線形性を持つ非線形光学結晶はほぼ等価である。この考え方に基づき、本発明のテラヘルツ波発生または検出するための装置及び素子、さらに発生、検出方法等は、上記課題を解決するための手段のところで述べた様な基本的な構成を有する。以下、図を用いて本発明の実施形態及び実施例を説明する。実施形態1本発明のテラヘルツ波発生素子及び装置などの実施形態1を説明する。図1は、電気光学結晶である非線形光学結晶より成るテラヘルツ波発生素子である。図1において、aはテラヘルツ波発生素子の斜視図であり、bはテラヘルツ波発生素子のAA′断面図である。本実施形態のテラヘルツ波発生素子は、パルス波を発生する素子である。図1のテラヘルツ波発生素子は、第1の光導波路100と第2の光導波路200と第3の光導波路300が夫々伝播部5を介して配置されて構成される。以下の説明では、3つ以上の光導波路を有する場合と原理は同じであるので、第1の光導波路100と第2の光導波路200を有する素子として説明する。第1の光導波路100と第2の光導波路200は、レーザ光10のうち、一部の光を第1の励起光11及び第2の励起光12としてテラヘルツ波の発生に利用する。テラヘルツ波は、光導波路の一部を構成するLN結晶内で起きる2次非線形現象である電気光学的チェレンコフ放射によって発生する。励起光の伝播方向に対するテラヘルツ波の放射角度θは、次式で表すことができる。θvTHzvgngnTHz式1ここで、vgは励起光の群速度、ngは励起光の群屈折率、vTHzは結晶中のテラヘルツ波に対する位相速度、nTHzは結晶中のテラヘルツ波に対する屈折率である。電気光学的チェレンコフ放射は、光導波路を伝播する励起光の群速度が、光導波路を伝播するテラヘルツ波の位相速度よりも速い場合に起きる現象である。この時、発生するテラヘルツ波は、衝撃波の様に円錐状に放出される。本実施形態において、第1の光導波路100と第2の光導波路200は同じ構造である。図1において、第1の光導波路100は、コア部1、第1のクラッド部2、第2のクラッド部3、第3のクラッド部4で構成される。第1のクラッド部2と第3のクラッド部4は、コア部1を介して対向して配置される。また、第2のクラッド部3は、コア部1の側面について、第1のクラッド部2と第3のクラッド部4の隙間を埋める様に配置される。つまり、コア部1は、第1のクラッド部2、第2のクラッド部3、第3のクラッド部4によって周囲を覆われる構成である。コア部1の屈折率は、レーザ光10のうち第1の光導波路100に入射される第1の励起光11に対し、各クラッド部の屈折率より高くされている。これにより、コア部1によって、第1の光導波路100に入射する第1の励起光11をコア部1に閉じ込めて伝播させる光導波路が形成される。コア部1として必要な厚さは、光導波路から取り出したいテラヘルツ波について、その最大周波数に対応する素子内での等価波長の半分以下である。この様な厚みに設定することで、コア部1と第1のクラッド部2の界面及びコア部1と第3のクラッド部4の界面で発生したテラヘルツ波の位相が反転して打ち消し合うことを防止する。第1のクラッド部2と第3のクラッド部4の厚みは、コア部1を伝播する第1の励起光11に対し、クラッド領域として機能するのに十分厚いことが望ましい。そして、テラヘルツ波に対し、各クラッド部の厚みは、多重反射や損失の影響が無視できる程度に薄いことが望ましい。例えば、コア部1を伝播する第1の励起光11について、各クラッド部に染み出す光強度分布がコア部1の光強度の1/e2以下になる様な厚みに設定する。また、テラヘルツ波について、外部に取り出したい周波数のうち、最も周波数の高いテラヘルツ波の素子内における等価波長λに対し、1/10λ~1/20λ程度の厚さ以下に設定することが望ましい。この様な厚みに設定することで、テラヘルツ波は第1のクラッド部1と第3のクラッド部4を構造として認識し難くなる。その結果、テラヘルツ波に対する反射、散乱、屈折などの影響が無視できるとみなすことができる。ただし、前記望ましい厚さの範囲外でも、本発明のテラヘルツ波発生素子からのテラヘルツ波発生は可能である。第2のクラッド部3の厚みは、コア部1の厚みに準じる。また、図1aの様に、本実施形態の発生素子は、第2のクラッド部3を介し、第1の光導波路100の長手方向に対する法線の方向B方向に複数配置される構造も取り得る。この時、第2のクラッド部3のB方向の幅は、第2のクラッド部3に染み出す光強度分布がコア部1の光強度の1/e2以下になる様な幅に設定する。コア部1は、LiNbOxLN,LiTaOx,NbTaOx,KTP,DAST,ZnTe,GaSeなどに代表される非線形光学結晶である。第1のクラッド部2、第2のクラッド部3、第3のクラッド部4は、コア部1よりも屈折率の小さい材料が適用される。例えば、樹脂材料やコア部1に用いる非線形光学結晶を用いることもできる。クラッドとして非線形光学結晶を用いる場合、コア部1との屈折率差を確保するため、コア部1を、例えば、チタンTi等の金属を用いた拡散によるドープ領域で形成する。また、これらのクラッドは、接着剤を兼ねる。或いは、接着領域を有していることもある。伝播部5は、第2の光導波路200から発生し、第2の励起光12とは異なる方向に発生する第1のテラヘルツ波8を伝播させる部分である。そして、伝播部5は、第1のテラヘルツ波8を第1の光導波路100に中継する部分である。伝播部5を伝播する第1のテラヘルツ波の放射角度θは、第2の光導波路200でのテラヘルツ波の放射角度をθとするとき、次式で表すことができる。cosθcosθnTHzn式2ここで、nは第1のテラヘルツ波8に対する伝播部5の屈折率である。nTHzは非線形光学結晶のテラヘルツ波に対する屈折率である。式2から推定される様に、nは、第2の光導波路200で発生したテラヘルツ波が第2の光導波路200と伝播部5の界面で全反射しない値を選択する必要がある。また、伝播部5の材料は、屈折率nを満たす材料であればよい。望ましくは、第1のテラヘルツ波8に対して損失や分散が小さい材料を選択する。伝播部5の厚さdは、第1のテラヘルツ波8の第1の等位相面13と第2のテラヘルツ波9の第2の等位相面14とが略重なる様に調整される。ここで、第2のテラヘルツ波9は、第1のテラヘルツ波8と同じく、第1の光導波路100から発生し、第1の励起光11とは異なる方向に発生する。なお、本明細書において略重なるとは、完全に重なること及び許容範囲内だけずれていることを含む略等しいも同様の定義である。。完全に重なることがより好ましいが、第1及び第2のテラヘルツ波が強度を強め合うように重なるのであれば、第1及び第2の等位相面がずれていても良い。許容範囲は、素子に要求される条件に依り異なる。例えば、多少の強度ビートや強度低下が許容されるなら、完全に重なる位相状態から或る程度ずれることが許される。勿論、位相が180度近くまでずれて強度が極度に低下する様なことは除外される。本実施形態の場合、伝播部5の厚さdの上限は、テラヘルツ波発生素子に入射するレーザ光10のビーム径について、少なくとも第1の光導波路100と第2の光導波路200の組が1つ入る値であることが望ましい。逆に、レーザ光10のビーム径を、上記条件を満たす様に調整してもよい。この様な値にすることで、第1の光導波路100と第2の光導波路200に、第1の励起光11と第2の励起光12を導入することができる。また、伝播部5の厚さdの下限は、各光導波路を構成するコア部の間隔が以下の条件を満たす様に設定される。すなわち、外部に取り出したいテラヘルツ波の周波数成分のうち、最も周波数の高い波長成分がコア部間を伝播する時の等価波長をλとする時、コア部の間隔が1/10λ~1/20λ程度の厚さ以上に設定されることが望ましい。この様な値にすることで、テラヘルツ波は、各光導波路の構造を識別でき、第1の光導波路100と第2の光導波路200を光学的に分離することができる。遅延部6は、各光導波路に入射するレーザ光10の入力側に設けられる。そして、遅延部6は、レーザ光10の一部である第2の励起光12に対し、第1の励起光11が遅延部6の出力側に到達するタイミングを遅延させる。図1では、遅延部6と各光導波路及び伝播部5とが密着して一体的な素子として構成されている例を示しているが、遅延部6が分離していてもよい。また、遅延部6を2つ設け、1つは分離し、他の1つは各光導波路及び伝播部5と密着している形態にしてもよい。こうして、テラヘルツ波発生装置として構成することもできる。図1の様に、本実施形態では、伝播部5を介して配置される第1の光導波路100と第2の光導波路200の端面はレーザ光10の入射側においてずれて配置される。詳細には、第2の光導波路200の第2の励起光12が入射する側の端面の位置が、第1の光導波路100の第1の励起光11が入射する側の端面の位置に対し、第2の励起光12の伝播方向に所定の距離Lずれた構造を有する。本実施形態の素子では、この構造を含む領域を遅延部6と呼ぶ。本実施形態において、遅延部6は、第2の励起光12に対し、第1の励起光11がテラヘルツ波発生素子を伝播する時間を遅延させる。遅延部6において、第1の励起光11は第1の光導波路100を伝播するのに対し、第2の励起光12は空間を伝播する。この結果、各励起光が夫々伝播する経路の物理定数が異なるため、遅延部6において、各励起光の伝播速度が相違する。この励起光の伝播速度の違いを利用して、遅延部6は、第1の励起光11を第2の励起光12に対して遅延させることができる。この様な遅延部6を設けることで、第2の光導波路200から発生する第1のテラヘルツ波8と第1の光導波路100から発生する第2のテラヘルツ波9との発生タイミングを調整することができる。特に、本発明では、第1の光導波路100の第2のテラヘルツ波9が発生する位置において、次の様に第1のテラヘルツ波8が発生するタイミングを調整する。遅延部6は、第1のテラヘルツ波8がこの発生位置に到達する時間と、この発生位置において第2のテラヘルツ波9が発生する時間が略重なる様に、各励起光を調整する。この結果、第1のテラヘルツ波8の第1の等位相面13と第2のテラヘルツ波9の第2の等位相面14とが略重なる。そのため、第1のテラヘルツ波8と第2のテラヘルツ波9の強度を高めることができる。本実施形態では、遅延部6を定義する距離Lは次式により求められる。Ltanθ×d式3ここで、θは伝播部5を伝播する第1のテラヘルツ波8の放射角度である。dは伝播部5の厚みである。テラヘルツ波発生素子を構成する各部位の材料が決まる場合、本実施形態では、伝播部5の厚みdと遅延部6の距離Lによって、各テラヘルツ波の等位相面を調整し、テラヘルツ波を略重ね合わせるものである。尚、これまでの説明で、遅延部6において、第2の励起光12は空間を伝播しているが、これに限るものではない。励起光の伝播速度の違いを利用する形態であるので、例えば、第1の光導波路100を構成するコア部1の屈折率よりも小さな屈折率を有する物質を、遅延部6における第2の励起光12の伝播路として適用することができる。図1aでは、本実施形態のテラヘルツ波発生素子として、テラヘルツ波の伝播方向に光導波路を3つ配置する例を示している。また、発生したテラヘルツ波を外部に取り出すため、光結合部材7を備える構成を示している。光結合部材7としては、プリズム、回折格子、フォトニック結晶等が適用できる。この様に、複数のテラヘルツ波の位相整合条件を満たす様に光導波路を複数段配置することで、テラヘルツ波の強度を高めることができる。本実施形態は、従来、位相条件を満たすために行ってきたレーザ光の波面形状の調整を、発生素子側の端面で行う構成とも言える。詳細には、第1の光導波路100と第2の光導波路200の形状によって、複数のテラヘルツ波の位相整合条件を満たす様に第1の励起光11と第2の励起光12の入射するタイミングを調整している。そのため、本実施形態の発生素子を用いた装置形態を考えた場合、従来必要であったレーザ光の波面傾斜を行うための光学系がなくなり、装置が小型化できることが分かる。また、レーザ光の波面の形状を調整する必要がなくなるので、アライメント等の工程が省略でき、作業性が向上する。また、本実施形態の発生素子を用いた装置に依れば、伝播部5を介して第1の光導波路100と第2の光導波路200を配置している。そして、これらの光導波路から発生したテラヘルツ波の等位相面を略重ねる構成である。この様な構成により、伝播部5として、テラヘルツ波に対し損失が少ない材料を適用できるため、テラヘルツ波の強度を高めた装置を提供できる。また、本実施形態の素子に依れば、上述した様に、第1の光導波路100と第2の光導波路200の形状で、各励起光の入射するタイミングを調整している。これにより、波面の形状を調整したレーザ光を励起光として使用する必要がなくなり、テラヘルツ波発生素子の取扱いが容易になる。また、第2の光導波路200から発生する第1のテラヘルツ波8と第1の光導波路100から発生する第2のテラヘルツ波9の伝播経路を線状に重ねることができるので、素子から取り出されるテラヘルツ波の強度を効率良く高めることができる。つまり、各光導波路のコア部が、第2の光導波路から第1の光導波路に向かうテラヘルツ波の伝播経路の方向について略重なり、各励起光の伝播方向と平行に配置されるので、テラヘルツ波の強度を効率良く高められる。以上に説明した様に、本実施形態のテラヘルツ波発生では、第1のテラヘルツ波8と第2のテラヘルツ波9の位相整合条件を、各テラヘルツ波が発生するタイミングを調整して実現する。この結果、複数の箇所から発生するテラヘルツ波を略重ね合わせて取り出せるので、高強度なテラヘルツ波を発生させることができる。実施例1本発明の実施例1を説明する。本実施例は、実施形態1に対応した素子及び装置の実施例である。ここでは、実施形態1での説明と共通する部分の説明は省略する。本実施例では、レーザ光10として、中心波長1.55μm、パルス幅20フェムト秒、繰り返し周波数50MHzのパルスを用いる。また、ビーム径は1.56mmである。ただし、波長は1.06μmでもよく、パルス幅、繰り返し周波数もこれらの値に限らない。本実施例では、レーザ光10は平行光であり、一部の光が、第1の励起光11と第2の励起光12として利用される。第1の光導波路100は以下の様にして構成する。コア部1は、MgOドープしたLiNbOxである。コア部1の厚みは3.8μmで、幅は5.0μmである。第1のクラッド部2は、厚み2.0μmの光学接着剤を用いる。光学接着剤の屈折率nは、およそ1.5である。第2のクラッド部3は、コア部1と同じ厚みで、第1のクラッド部3と同じ材料を適用する。第3のクラッド部4は、第1のクラッド部2と同じ厚みで、同じ材料を適用する。すなわち、第1の光導波路100は、コア部1の周囲が、第2のクラッド部2、第3のクラッド部3、第4のクラッド部4として用いる光学接着剤で囲まれたリッジ形状の導波路である。第2の光導波路200も、第1の光導波路100と同じ構成である。コア部1に用いる結晶は、Yカットである結晶のY軸が各光導波路の積層方向に対して平行。この時、他の結晶軸は、励起光の伝播する方向がX軸、各光導波路の積層方向に垂直な方向がZ軸である。ただし、結晶軸の方向はこれに限らない。例えば、Z軸を各光導波路の積層方向に対して平行になる様にコア部1を配置してもよい。レーザ光10は、Z軸に平行になる偏波で素子に入射する。すなわち、レーザ光10から分配される第1の励起光11と第2の励起光12の偏波もZ軸に平行である。この様な偏波を用いることで、非線形結晶の非線形効果を最大に利用でき、光導波路から取り出すテラヘルツ波の発生効率を高めることができる。ただし、Z軸に対する偏波の方向はこの限りではない。例えば、偏波方向によってテラヘルツ波の発生効率が変化することを利用し、発生するテラヘルツ波の強度を変調する態様も可能である。この時、コア部1のZ軸とレーザ10の偏波方向を相対的に回転させる機構を追加する。励起レーザ光10に対する各光導波路の群屈折率ngは、およそ1.4である。また、テラヘルツ波に対する屈折率nTHzは、およそ5.1である。式1に従うと、励起光の伝播方向に対するテラヘルツ波の放射角度θは、およそ65.6度である。伝播部5は、半絶縁性の高抵抗シリコンを用いる。伝播部5の厚みdはおよそ100μmで、テラヘルツ波に対する屈折率nは3.2である。伝播部5は、第1の光導波路100と第2の光導波路200のクラッドとして用いられる光学接着剤によってこれらの光導波路に挟まれて接着される。式2に従うと、伝播部5を伝播する第1のテラヘルツ波8の放射角度θは、およそ48.8度である。遅延部6は、伝播部5と同じ材料で構成される。図1bの様に、本実施例の遅延部6は、第1の光導波路100と第2の光導波路200の端面が、距離Lだけずれて配置された領域である。式3に従うと、距離Lはおよそ114μmである。また、本実施例では、遅延部6は、第1の光導波路100と第2の光導波路200の端面を最短距離で結ぶ様に、レーザ光10の入射方向に対して傾斜している。これは、各光導波路を伝播する第1の励起光11と第2の励起光12が、遅延部6の端部でけられることを防止するために設けている。遅延部6の端面の構造はこれに限らず、例えば、階段状、曲面等であってもよい。光結合部材7は、プリズムであり、材料は伝播部5と同じ半絶縁性の高抵抗シリコンを用いている。光結合部材7は、第1の光導波路100のクラッドとして用いられる光学接着剤によって保持される。光結合部材7は、伝播部5と同じ材料を使用するため、光結合部材7を伝播するテラヘルツ波の放射角度θは、およそ48.8度である。上述した様に、第1の光導波路100と第2の光導波路200は、伝播部5を介して配置される。この時、各光導波路のコア部は、第2の光導波路200から第1の光導波路100に向かうテラヘルツ波の伝播経路の方向光導波路の積層される方向について略重なる位置に配置される。更に望ましくは、各光導波路のコア部は、励起光の伝播方向に対し平行に配置する。この様な配置にすることで、第2の光導波路200から発生する第1のテラヘルツ波8と第1の光導波路100から発生する第2のテラヘルツ波9の伝播経路とを線状に重ねることができる。よって、素子から取り出されるテラヘルツ波の強度を効率良く高めることができる。本実施例の動作を説明する。ここでは、説明を簡単にするために、2つの光導波路を用いる例で説明する。当然のことながら、用いる光導波路の数はこれに限らない。例えば、図1aで示す様に、3つの光導波路を用いることもできる。各工程を順に列挙して動作を説明する。1.レーザ光10が素子の遅延部6側より入射される。2.レーザ光10の一部の光が、第1の励起光11として第1の光導波路100に結合する。第1の励起光11は、第1の光導波路100のコア部1を全反射して伝播する。この時、光結合部材7が存在しない領域では、第1の光導波路100から発生したテラヘルツ波は、式2に従い素子の外部に取り出すことができず、第1のクラッド部2によって全反射される。3.第1の励起光11は、遅延部6において第1の光導波路100を伝播する。この時、レーザ光10の他の一部の光は、遅延部6において空間を伝播する。光導波路100と空間の材料の屈折率が異なるので、遅延部6において、第1の励起光11とレーザ光10の伝播速度が異なる。この結果、遅延部6における第1の励起光11の伝播時間は、レーザ光10に対し長くなり、遅延する。4.空間を伝播したレーザ光10の他の一部の光が、第2の励起光12として第2の光導波路200に結合する。第2の励起光12の伝播に伴い、第1のテラヘルツ波8が発生し、第1のテラヘルツ波8は伝播部5を伝播する。図1bには、第1のテラヘルツ波8の第1の等位相面13を示している。等位相面では、仮想的にテラヘルツ波の位相は同じである。尚、図1bで表わした等位相面は、説明の都合上、各光導波路について、或る発生点から発生するテラヘルツ波の等位相面を示したものである。そのため、円弧状に記載してある。実際には、光導波路で連続的にテラヘルツ波が発生し、これらの等位相面が略重なることで円錐状の等位相面が形成される。この円錐の母線が進む方向の角度が、等位相面の放射角度θとなる。5.光結合部材7直下において、第1の光導波路100を伝播する第1の励起光11によって、第2のテラヘルツ波9が発生し、光結合部材7を伝播する。図1bには、この伝播に伴う第2のテラヘルツ波9の第2の等位相面14を記載している。6.第1のテラヘルツ波8が第1の光導波路100に到達する。この時、遅延部6と伝播部5の存在により、第2のテラヘルツ波9の発生位置で、第1のテラヘルツ波8が第2のテラヘルツ波9の発生位置に到達する時間と、発生位置で第2のテラヘルツ波9が発生する時間が略重なる略等しい。この結果、第1のテラヘルツ波8の第1の等位相面13と第2のテラヘルツ波9の第2の等位相面14とが略重なり、光結合部材7から取り出されるテラヘルツ波の強度が高まる。言い換えると、第1のテラヘルツ波8と第2のテラヘルツ波9の位相整合条件を、各テラヘルツ波が発生するタイミングを調整して実現している。この結果、複数の箇所から発生するテラヘルツ波を略重ね合わせて取り出すことができるので、高強度なテラヘルツ波を発生させられる。本実施例では、レーザ光10として平行光を利用する例を示した。この場合、レーザ光10の一部の光を励起光として利用するため、レーザ光10の利用効率が若干低くなる。この問題は、伝播部5の厚みを小さくし、レーザ光10の照射領域に、より多くの光導波路を積層することで改善することができる。ここで、レーザ光10のビーム径の中に存在する光導波路のコア部の断面積の割合を利用効率と定義する。例えば、本実施例では、レーザ光10のビーム径を1.56mmとした場合、光導波路を構成するコア部1の断面積を考慮すると、およそ0.002弱の利用効率である。伝播部5の厚みを5μmとし、光導波路を150枚積層することで、レーザ光10の利用効率はおよそ0.3弱まで改善する。また、レーザ光10のビーム径を包含する領域までコア部1の幅を広げ、光導波路をスラブ型にすることで利用効率は改善する。例えば、コア部1の幅を2.00mmとし、光導波路を150枚積層することで、レーザ光の利用効率は40~50程度まで改善する。実施例2本発明の実施例2を説明する。本実施例は実施例1の変形例である。具体的には、テラヘルツ波を発生する光導波路を、光導波路の長手方向に対する法線の方向図1aのBに複数配置している形態である。これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。図1aには、法線方向に光導波路を2列配置した例を示している。光導波路の最小の間隔は、外部に取り出したいテラヘルツ波の周波数成分のうち、最も周波数の高いテラヘルツ波の伝播部5における等価波長λに対し、1/10λ~1/20λ程度である。例えば、レーザ光10のビーム径が1.56mmの時、光導波路の間隔を5μmとし、150列アレイ化すると、およそ20弱の光の利用効率となる。また、アレイ化によって、テラヘルツ波の発生領域を広げることができる。この様に、テラヘルツ波に対する損失を抑えた本発明の発生素子をアレイ化することで、高強度のテラヘルツ波を広範囲から一括して発生させることができる。実施形態2本発明のテラヘルツ波発生素子及び装置などの実施形態2を説明する。これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。本実施形態は、実施形態1の変形例である。具体的には、本実施形態のテラヘルツ波発生素子は、連続波を発生する素子に関するものである。図2は、本実施形態の発生素子の構成図である。図2aは、光導波路の長手方向について、コア部1の中心を通る部分の断面図である。図2bは、発生素子の各位置における第1の励起光11と第2の励起光12による非線形分極を示す図である。ここで、第1の光導波路100における非線形分極を第1の非線形分極15と呼ぶ。また、第2の光導波路200における非線形分極を第2の非線形分極16と呼ぶ。図2のテラヘルツ波発生素子は、実施形態1の素子と同じく、第1の光導波路100と第2の光導波路200が、伝播部5を介し配置される構成である。実施形態1の発生素子と異なる点は、実施形態1のレーザ光10はパルス光を用いているのに対し、本実施形態では、波長λ1とλ2の2つの連続光を使用する点である。また、伝播部5の厚みdと、遅延部6の距離Lの決め方が異なる。これは、励起光としてパルス光を用いるか、連続光を用いるかの違いによる。より具体的には、パルス光を用いる場合、時間毎に光導波路から発生するテラヘルツ波の場所は1箇所であるのに対し、連続光の場合、テラヘルツ波の発生箇所は複数箇所になることに起因する。図2bにおいて、2Lcは、非線形分極の周期である。非線形分極の周期2Lcは次式で表すことができる。2Lcλ1λ2式4ここで、λ1とλ2は、照射される2つ連続光の波長である。n1とn2は、光導波路における波長λ1と波長λ2の光の屈折率である。光導波路から発生するテラヘルツ波の位相は、2Lcの周期で等しくなり、等位相面を形成する。ここで、第2の光導波路200から発生する第1のテラヘルツ波8の等位相面を第1の等位相面13とする。また、第1の光導波路100から発生する第2のテラヘルツ波9の等位相面を第2の等位相面14とする。光導波路から発生するテラヘルツ波の波長をλTHzとすると、テラヘルツ波の放射角度θは次式で表すことができる。cosθ2Lc式5ここで、nTHzは結晶中のテラヘルツ波に対する屈折率である。n1とn2が等価とみなせる場合、放射角度θは、式1に近似される。図2bにおいて、φは第1の非線形分極15と第2の非線形分極16の位相差である。本実施形態では、伝播部5の厚さdと遅延部6の距離Lで位相差φを調整し、第1の等位相面13と第2の等位相面14を略重ねる。位相面が略重なるためには、少なくとも第2の光導波路200で発生した第1のテラヘルツ波8が、同じ位相で第1の光導波路100に到達する必要がある。このため、この伝播部5の厚さdが定義される時、遅延部6の距離Lは式3で定義される。この様な構成により、第1のテラヘルツ波8と第2のテラヘルツ波9の位相整合条件を、遅延部6により位相差φを調整することで実現する。この結果、複数の箇所から発生するテラヘルツ波を略重ね合わせて取り出すことができるので、高強度なテラヘルツ波を発生させることができる。実施例3本実施例では、実施形態2に対応する素子及び装置などの実施例を示す。これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。本実施例では、レーザ光10として、波長1.550μmと1.558μmの2つの連続波を用いる。他の素子構成は実施例1と同じである。上記レーザ光10を励起光として光導波路に入射すると、第1の光導波路100と第2の光導波路200に分布する非線形分極の周期2Lcは、式4に従うと、およそ144μmである。この時、光導波路における励起光の伝播方向に対するテラヘルツ波の放射角度θは、式1に従うと、およそ65.6度である。そして、伝播部5を伝播するテラヘルツ波の放射角度θは、式2に従うと、およそ48.8度である。伝播部5の厚さdを50μmとする。この時、遅延部6の距離Lは、式3に従うと、およそ57μmとなる。以上の構成によって放射されるテラヘルツ波の波長λTHzは、例えば、式5に従うと、およそ300μmとなり、1THz近傍のテラヘルツ波が発生する。実施形態3本実施形態は、実施形態1と実施形態2の変形例である。具体的には、レーザ光10の入射方法が異なる。これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。図4に、本実施形態の素子の構成を示す。これまでの素子の構成と異なる点は、レーザ光10を素子に入射する際、素子の端面に設けられた集光部材22を介する点である。集光部材22として、例えば、マイクロレンズやフライアイレンズを用いることができる。この場合、集光部材22は、光学接着材で各光導波路の端面部分に接着される。また、光導波路の端面の形状をレンズ形状にする態様も可能である。本実施形態によれば、素子の端面によって光学的にけられていたレーザ光10も励起光として利用できる。そのため、本実施形態の素子及び本実施形態の素子を用いた装置においては、レーザ光10の利用効率が更に改善できる。実施形態4本実施形態は、これまで説明した実施形態の変形例である。具体的には、遅延部6の構成が異なる。これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。図3は、本実施形態の装置の構成を示したものである。本実施形態においては、遅延部6の一部または全部が、素子の外部に設けられている。図3は、遅延部6の全部を、素子の外部に設けた例を示している。ただし、態様はこれに限らず、これまで述べた実施形態の素子構成に対し、外部に設けた遅延部を追加する形態も可能である。図3aは、遅延部6を、各光導波路へ入射する励起光の光路長差によって実現する例を示している。図3bは、この光路長差を、励起光が伝播する光ファイバの長さによって実現する例を示している。図3によると、装置は、2つの伝播部5と、この伝播部5を挟む様に配置された3つの光導波路100、200、300で構成されている。ただし、上述した様に、光導波路の数はこれに限らない。これらの光導波路の端面は、光導波路の積層方向に沿って揃っている。また、光結合部材7は、これまでの実施形態と若干異なり、光導波路の端面部分に配置されている。図3aの遅延部6は、素子の外部に設けられ、例えば、折り返し光学系17、光分岐器18、光反射器19で構成されている。折り返し光学系17は、例えば、直動ステージと該直動ステージに備えられたリトロリフレクターで構成する。折り返し光学系17に入射する光の方向について、直動ステージの位置を調整することで、各光導波路に入射する励起光の光路長を調整している。光分岐器18は、ビームスプリッタの様に、レーザ光10を透過光と反射光に分配する。本実施形態では、反射光を励起光として利用している。光反射器19は、例えば、ミラーであり、装置構成によって、適宜挿入して光路を調整するために用いるものである。図3bの遅延部6は、素子の外部に設けられ、光をファイバと結合する結合部材21と、ファイバを伝播するレーザ光10を複数のファイバに分岐するための分岐器20で構成する。そして、分岐器20で分岐された後のファイバの長さを調整することで、各光導波路に入射する励起光の光路長を調整する。尚、ファイバを用いる場合、素子に励起光を入射する際、結合部材21を介さずに、直接融着する態様も可能である。この様に、本実施形態の遅延部は、光源からの出力光が第1の励起光、第2の励起光等に分岐され、ファイバ等を用いて、遅延部の出力側に至る光路長に関し、第1の励起光が伝播する光路長を第2の励起光等が伝播する光路長に対し光学的に長くする部分である。本実施形態では、この様な遅延部6によって、素子に入射する励起光のタイミングや位相差φを調整する。こうした装置に依れば、テラヘルツ波発生素子に入射する第1の励起光11と第2の励起光12のタイミングや位相差φを外部で調整することができる。このため、第1の等位相面13と第2の等位相面14の位置の調整を外部で行うことができるので、装置のロバスト性が高まり、安定性が向上する。また、これまで説明した実施形態の素子と組み合わせることで、作製誤差や材料の特性変化による等位相面の変動にも対応でき、確実にテラヘルツ波を発生させることが可能になる。また、上記実施形態では、素子内部に設けられた遅延部6を伝播する励起光は、テラヘルツ波の発生に寄与していなかった。これに対し、本実施形態によれば、光導波路の端面付近よりテラヘルツ波を取り出すことができるので、励起光の利用効率が高まる。実施形態5本実施形態は、これまで説明した発生装置及び素子を用いた測定装置などの装置の構成例を示すものである。具体的には、本実施形態はイメージング装置の構成例に関する。これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。図5は、本発明の発生装置ないし素子をテラヘルツ波発生素子として用いて構成したテラヘルツ時間領域分光システムTHz-TDSによるトモグラフィックイメージング装置の構成例である。図5の装置は、これまで説明した発生素子501、光を出射する光源であるレーザ源503、テラヘルツ波を検出する検出器502を基本構成とする。また、検出器502から時間波形を検出するため、検出器502に入射するレーザ光の光路長を調整する遅延光学系505を有する。そして、検出器502の出力と、遅延調整部を成す遅延光学系505の光路長の変化をモニタし時間波形を構築する検出部506を有する。トモグラフィックイメージング装置において、テラヘルツ波の時間波形は、イメージング対象物の内部の奥行き位置情報に相当する。サンプル台508は、イメージングの対象物を保持する台で、テラヘルツ波の入射方向に対して、面方向に動かすことが可能である。画像構成部507は、サンプル台508の位置の情報とその位置でのテラヘルツ波の時間波形とを対応させ、3次元像を構築する。遅延調整部は、発生素子におけるテラヘルツ波発生時と検出器におけるテラヘルツ波検出時との間の遅延時間を調整できれば、遅延光学系には限られず、どの様なものでもよい。レーザ源503は、分岐器504を介して2つのファイバより、一方の光であるレーザ光10と他方の光であるレーザ光1000を取り出す。典型的には中心波長1.55μmでパルス幅20fs、繰り返し周波数50MHzのフェムト秒レーザを用いる。ただし、波長は1.06μm帯などでもよく、パルス幅、繰り返し周波数は前記の値に限らない。また、連続光を用いる場合、レーザ源503は半導体レーザを用いる。レーザ源503としてフェムト秒レーザを用いる場合、出力段のファイバは最終段の高次ソリトン圧縮のための高非線形ファイバを含んでもよい。また、テラヘルツ波を発生する発生素子501、検出器502までに至る光学素子等、或いは素子内部のおける分散を補償するためのプリチャープを行う分散ファイバを含んでいてもよい。また、これらは偏波保持ファイバであることが望ましい。検出器502における検出手法として、レーザ光1000照射時の光伝導性の変化より、テラヘルツ波の電界強度に対応した電流を検出する手法がある。また、電気光学効果を用いて電場を検出する手法や磁気光学効果を用いて磁場を検出する手法がある。光伝導性の変化より電流を検出する手法として、光伝導素子が適用できる。特に本実施形態では、発生素子501の位置決めを行なう2つのセンサを有することが特徴である。具体的には、発生素子501にある光導波路に入射する励起光10のうち、第1の光導波路100から第2の光導波路200に至る界面端面で反射した反射光10bを検出する第1の位置センサ509aを有する。そして、第1の光導波路100と第2の光導波路200を透過した透過光10aを検出する第2の位置センサ509bを有する。これらのセンサは、例えば4分割フォトダイオードなどで構成し、センサの出力は、位置検出部510でモニタされる。この2つの位置センサに目標の態様で光が受光される様に発生素子501を位置調整することによって、発生素子501の位置決めを精密に行なうことができる。本装置の動作を説明する。レーザ源503から2つのレーザ光10と1000が出力される。レーザ光10は、発生素子501に入射しテラヘルツ波9を出力する。この時、発生素子501の位置は、実際に使用するレーザ光10を用いて精密に位置決めされている。発生したテラヘルツ波9は、2つの放物面ミラー513a、513bとビームスプリッタ511を介してサンプル台508に保持された不図示のサンプルに照射される。ビームスプリッタ511は高抵抗シリコンなどが適用できる。サンプルに照射されたテラヘルツ波9は、サンプルで反射される。そして、2つの放物面ミラー513b、513cとビームスプリッタ511を介して検出器502に入射する。検出器502に入射したテラヘルツ波は、レーザ光1000によって検出される。レーザ光1000は、2つのミラー512a、512bと遅延光学系505を介して検出器502に照射される。遅延光学系505は、レーザ光1000の伝播長を調整し、レーザ光10に対するレーザ光1000の伝播遅延時間を変化させるものである。検出部506は、検出器502の出力と遅延光学系505の調整量を参照して、サンプルからの反射テラヘルツ波の波形を構築する。画像構成部507は、サンプル台508の位置を調整する。そして、サンプル台の位置の情報と検出部506で構築された時間波形とを対応付けし、サンプルに関するトモグラフィックイメージを取得する。本実施形態の装置によれば、テラヘルツ波発生装置ないし素子の位置決めを、実際にテラヘルツ波の発生に使用した励起光を直接用いて行う。そのため、励起光のアライメントに要する作業性が向上する。また、本発明の特徴であるテラヘルツ波の出力を高めた発生装置ないし素子を用いることで、サンプルに対するテラヘルツ波の浸透力が高まり、より深いサンプル内部の情報が取得できる。更に、テラヘルツ波の出力が高まることで、信号のSN比が上がり、信号の取得時間も短縮できる。尚、本実施形態では、トモグラフィックイメージング装置について説明したが、装置形態はこれに限るものではない。例えば、テラヘルツ時間領域分光システムTHz-TDSを利用し、サンプルからのテラヘルツ波の時間波形の変化をモニタし、サンプルの性状を分析する分析装置や検査装置にも適用可能である。この様な場合にも、信号のSN比が上がり、信号の取得時間が短縮できる。実施形態6本実施形態は、これまで説明したテラヘルツ波発生素子をテラヘルツ波検出素子及び装置などに適用したものである。基本的な素子構成は、これまでの説明と共通するため、共通する部分の説明は省略する。図6は、本発明の検出素子と、その検出素子を用いた検出装置の構成例を示したものである。図6aのように本検出素子は、電気光学結晶を含む第1の光導波路100と第2の光導波路200を有する。これらの光導波路は、伝播部5を介して配置される。本実施形態では、光結合部材7によって空間からのテラヘルツ波は、素子に結合しテラヘルツ波607が入射する。結合したテラヘルツ波607は、第1の光導波路100、伝播部5、第2の光導波路200の順に伝播する。第1の光導波路100を伝播する第1の励起光611と第2の光導波路200を伝播する第2の励起光612は、これまでの実施形態とは反対の方向に伝播している。本実施形態における素子では、これらの励起光は遅延部6側より素子外部に出射する構成である。本検出素子は、これまで説明した発生素子と同様に、励起光を遅延させる遅延部6を有する。具体的には、この遅延部6は、第2の励起光612に対し、第1の励起光611を遅延させる構成である。そのため、この遅延部6は、第1の励起光611の出射側の第1の光導波路100の端面の位置を、第2の励起光612の出射側の第2の光導波路200の端面の位置に対し第1の励起光611の伝播方向に所定の距離Lずらしている。この距離Lの値は、発生素子と同様の考えで算出することができる。詳細には、図6aにおいて、角度θ7は、検出素子に結合し光結合部材7を伝播するテラヘルツ波607の光導波路への入射角度として扱う。角度θcは、光導波路を伝播する励起光に対するテラヘルツ波の入射角度として扱う。角度θ5は、伝播部5を伝播するテラヘルツ波が光導波路へ入射する角度として扱う。ここで、第1のテラヘルツ波608は、第1の光導波路100を介し第1の励起光611とは異なる方向に出射している。同じく、第2のテラヘルツ波609は、第2の光導波路200を介し第2の励起光612とは異なる方向に出射している。この時、各光導波路を伝播する励起光の伝播状態は、各光導波路を伝播するテラヘルツ波の電界によって変化する。詳細には、各光導波路を伝播するテラヘルツ波について、励起光が瞬間的に重なる時点におけるテラヘルツ波の電界によって励起光の伝播状態は変化する。言い換えれば、或る時点におけるテラヘルツ波の電界情報を励起光によって抽出している。本検出素子では、この励起光が検出する時点における第1のテラヘルツ波608の第1の等位相面613と第2のテラヘルツ波609の第2の等位相面614が略重なるように各光導波路が配置されている。実際には、図6aのように、検出素子内部を伝播するテラヘルツ波は励起光の伝播方向に対し或る角度でもって伝播する。そのため、励起光が測定する時点における等位相面を略重ねるためには、等位相面に到達する第1の励起光611と第2の励起光612の到達時間を予め調整する必要がある。具体的には、図6aのように、等位相面に沿って第1の励起光611aに対し第2の励起光612aは遅延して伝播する。これらの第1の励起光611aと第2の励起光612aは、遅延部6で第2の励起光612bに対する第1の励起光611bの遅延時間が調整され、例えば、後述する偏光素子601の面検出面に沿うように遅延時間が調整され伝播する。ここで、或る瞬間における励起光の位置をプロットすると、励起光の伝播方向に対して或る角度を有していることがわかる。本発明では、この或る瞬間における励起光の位置を含む面を便宜的に励起光の波面と表現することもある。遅延部6は、第1の励起光611bと第2の励起光612bの光学的な伝播距離を調整し、検出面に対し、各励起光が同じタイミングで到達するように第1の励起光611cと第2の励起光612cを空間に出射する。言い換えると、遅延部6は、励起光の伝播方向に対する励起光の波面の形状を調整する場所ともいえる。尚、必ずしも第2の遅延部6bは、検出素子に作りこまれている必要はない。例えば、第2の遅延部6bとして、図3で述べたような空間的に光学長を調整する手段を用いて、励起光の波面を予め調整し、この励起光を検出素子に入射する構成も可能である。ここで、第1の励起光611aと第2の励起光612aの遅延時間を調整する部分として、図6bのように、これまで説明した第1の遅延部6aとは別の第2の遅延部6bを備えていることが望ましい。ここで第1の遅延部6aは、これまで説明した遅延部6と同じである。第2の遅延部6bは、励起光の伝播方向について、第1の励起光611aに対し第2の励起光612aを遅延して伝播させている。これを実現するために、図6bでは、第1の遅延部6aと同じ構造を、検出素子に対し点対称に配置している。励起光の伝播状態の変化について詳細に説明する。各励起光について、励起光の偏波を直線偏光で光導波路を構成する結晶のZ軸から傾けて例えば45度入射させると、各導波路から出射される励起光は、電気光学結晶の複屈折性によって電界のZ軸成分とY軸成分に位相差が生じる。ここで、Z軸は図6において励起光の伝播方向に対し垂直で各導波路の配置方向と重なる軸、Y軸は励起光の伝播方向と導波路の配置方向に対し夫々垂直となる軸紙面に対し垂直方向である。このような位相差が生じると、検出素子から出射される空間では、励起光は楕円偏波となって伝播する。このような自然複屈折率による位相差は結晶の種類や入射偏波方向、導波路長さによって異なり、位相差ゼロの構成にすることもできる。ここに、光結合部材7、例えばSiプリズムによって、偏波の主軸がZ軸のテラヘルツ波パルスが、これまで説明した発生素子の出射面から入射する。すると、テラヘルツ波発生の逆過程で、光導波路を伝播する励起光とテラヘルツ波の相互作用を導波路全体に渡って行わせることが可能となる。相互作用としては、テラヘルツ波電磁界が電気光学結晶に与える1次電気光学効果ポッケルス効果、即ち2次非線形過程の一種の効果により、光導波路のZ軸の屈折率が変化して伝播する励起光の偏波状態が変化することである。具体的には、励起光の電界のZ軸成分とY軸成分の位相差が誘導複屈折率により変化し、楕円偏波の楕円率や主軸の方向が変化する。これを利用すると、或る瞬間テラヘルツ波と励起光が重なる瞬間におけるテラヘルツ波電磁界の量を測定することが可能となる。そして、このテラヘルツ波と励起光が重なるタイミングを調整することで、テラヘルツ波の時間波形を再構築することが可能となる。本発明では、このテラヘルツ波と励起光が重なるタイミングを、励起光がテラヘルツ波を検出する時点と表現することもある。これまで説明したように、各励起光は、励起光がテラヘルツ波を検出する時点におけるテラヘルツ波の等位相面に沿って伝播するタイミングが調整されている。図6のように、テラヘルツ波の伝播方向は、励起光の伝播方向に対して或る角度を有するため、等位相面が略重なる方向も励起光の伝播方向に対して或る角度を有する。この結果、或る瞬間における励起光の位置をプロットすると、励起光の伝播方向に対して或る角度を有している。本発明では、この或る瞬間における励起光の位置のプロットを便宜的に励起光の波面と表現している。この表現を用いると、上述した励起光の角度は、励起光の波面の傾きとも言い換えることができる。遅延部6は、第2の励起光612に対し第1の励起光611を遅延させて、励起光の伝播方向に対する励起光の波面の傾きを調整するために用いる。テラヘルツ波の検出は、各励起光の伝播状態の変化より行うが、本発明の検出素子の外部に設けられた伝播状態を検出する面は、この励起光の波面の傾きに沿って配置されていることが望ましい。言い換えると、遅延部6は、励起光の伝播状態を検出する面に沿って、励起光の波面の傾きを調整する部分とも表現できる。励起光の伝播状態を検出する面と励起光の波面を合わせると、検出素子を構成する各光導波路から出力される励起光の伝播状態の変化を過不足なく検出することができるため、励起光の伝播状態の変化を高感度に検出することができる。言い換えると、励起光の伝播状態の変化を検出する位置に対し、各励起光の到達時間を略重ね合わせることにより伝播状態の変化を重ね合わせ、この結果、高感度な検出が実現できるともいえる。尚、光導波路の配置としては、これまで説明した形態に限らず、発生素子と同様に励起光の伝播方向と直交する面に対し2次元に配置することもできる図1参照。また、光導波路の形態としては、発生素子と同様にスラブ構造やリッジ構造が適用できる。使用する励起光の形態も発生素子と同様にパルス光や連続光が適用できる。これは、発生素子とは逆過程でテラヘルツ波を検出していることから、発生素子と同様の構造を取り得ることができることに由来する。また、本実施形態では、テラヘルツ波の伝播方向に対し励起光を順方向励起光の伝播方向に関するベクトル成分が同一方向に入射させているが、逆方向励起光の伝播方向に関するベクトル成分が逆方向に入射させてもよい。この場合は、テラヘルツ波と励起光が整合する長さが小さくなるため信号強度が小さくなるが、検出することは可能である。これらの構成は、装置構成によって適宜選択される。次に、これまで説明した検出素子を用いたテラヘルツ波の検出装置の構成例について図6を用いて説明する。この検出装置は、上述した励起光の伝播状態を検出するための伝播状態検出部600を有している。伝播状態検出部600は、偏光素子601及び光検出器602、603で構成する。本発明では、偏光素子601に対し、励起光の波面が沿うように、第1の励起光611と第2の励起光622の到達時間を遅延部6により調整する。本実施形態では、励起光の伝播方向に対し、偏光素子601の検出面が垂直に配置されているため、励起光の波面は平行に調整する。このような構成で励起光の伝播状態の変化を検出すれば、テラヘルツ波の電界振幅の大きさを検出することができる。例えば、偏光素子601としてウォラストンプリズム用いて励起光の二つの偏光を分離して、二つの光検出器602、603の出力を差動増幅器によって検出することで、信号のS/N比を向上させている。ただし、差動増幅器は必須ではなく、偏光素子601を偏光板として一つの光検出器で強度を検出する形態でもよい不図示。また、前記自然複屈折率の補償のために位相補償板λ/4板など、不図示を検出素子の出力端と偏光素子601の間に追加してもよい。本発明の検出素子を用いた検出装置では、各光導波路で検出したテラヘルツ波の電界振幅の信号を重ね合わせて検出することができるため、テラヘルツ波の検出感度が向上する。実施形態7本実施形態は、これまで説明した検出素子及び検出装置の変形例である。具体的には、検出素子の遅延部6aの一部または全部が検出素子から分離されている構成である。尚、これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。図7に検出装置の構成を示す。遅延部6aは、実施形態4で説明した構成を適用している。本実施例では、上述した第2の遅延部6bは、検出素子に集積されている構成であり、第1の励起光に対する第2の励起光の遅延時間が予め調整されている構成である。図7aは、遅延部6aを各光導波路から出射する励起光の光路長差によって実現する例を示している。図7bは、この光路長差を励起光が伝播する光ファイバの長さによって実現する例を示している。そして、これらの遅延部6aの出力に実施形態6で説明した伝播状態検出部600が配置されている。ここで、検出素子を構成する各光導波路100、200、300から出射する励起光711、712、713は遅延部6を介し同一光路励起光710の光路に合成され、伝播状態検出部600を構成する偏光素子601に到達する時間が調整される。尚、各励起光は必ずしも合成する必要はなく、異なる光路で偏光素子601に到達してもよい。重要なのは、略等しいタイミングで偏光素子601に到達することである。本実施形態では、このような遅延部6aによって、素子から出射し伝播状態検出部600に入射する励起光のタイミングや位相差φを調整する。このような装置に依れば、テラヘルツ波検出素子から出射し伝播状態検出部600に到達する各励起光711,712,713のタイミングを外部で調整することができる。実施形態8本実施形態では、実施形態5で説明した装置の変形例を示す。具体的には、図5で示したイメージング装置の検出器502をこれまで説明した検出素子及びこれを用いた検出装置に置き換える構成である。この場合、発生素子501と同じ構成の検出素子が適用可能なため、素子間の特性を同じにすることが容易になる。この結果、素子間の特性主として周波数特性の違いによる信号劣化を抑制でき、検出器に到達するテラヘルツ波に対する検出感度が向上する。また、検出素子のみ本発明の構成を適用してもよい。この場合、複数の光導波路から出射する複数の励起光を重ね合わせて検出するため、検出感度の向上が期待できる。また、図8は、本発明の素子を発生用と検出用に共用した装置構成例を示したものである。図8の装置では、本発明で説明した発生素子と検出素子両方の機能を兼ねる発生検出素子801を用いる。図8では、発生検出素子801は、素子の両端に、第1の遅延部6aと第2の遅延部6bを備えている。第1の遅延部6aは、第1の励起光11、611の光路長を第2の励起光12、612の光路長に対して長くし、第2の励起光12,612に対して第1の励起光11、611を遅延させて光導波路を伝播させる構成である。第2の遅延部6bは、第2の励起光12、612の光路長を第1の励起光11、611の光路長に対して長くし、第1の励起光11,611に対して第2の励起光12、612を遅延させて光導波路を伝播させる構成である。そして、発生検出素子801に対して、レーザ源503から出力されるレーザ光10が入射する端面とは別の端面の側に、遅延光学系802を配置している。遅延光学系802は、発生検出素子801から出力された第1の励起光と第2の励起光を含む出射光を、出射光路に従って反射させる構成である。動作を説明する。レーザ源503から発生したレーザ光10は、ビームスプリッタ803を介して発生検出素子801に入射される。実際には、発生検出素子801に入射したレーザ光10は、第1の励起光11と第2の励起光12として各光導波路を伝播する。これまでの説明では便宜上第1の励起光と第2の励起光という表現を適用しているが、これらの励起光の数は、導波させる光導波路の数に応じて変化する。第1の遅延部6aを伝播した第1の励起光11は、テラヘルツ波の等位相面に従って第2の励起光12に対して遅延する。発生検出素子801から発生したテラヘルツ波803は、ミラー等の光学系によってサンプル台508に設置されたサンプルに照射される。サンプルから反射されたテラヘルツ波804は、照射されたテラヘルツ波の光路に沿って再び発生検出素子801に入射する。ここで、発生検出素子801を伝播する第2の励起光12は、第2の遅延部6bによって、第1の励起光11に対して遅延されて各々発生検出素子801から出射する。この時、第1の遅延部6aと第2の遅延部6bの遅延量を同じ量同じ光路長差に設定すると、発生検出素子801から出射する各励起光の遅延量はほぼなくなる。発生検出素子801から出射した各励起光は、遅延光学系802に入射され、折り返されて再び発生検出素子801に入射する。この折り返し量によって、励起光が検出するテラヘルツ波の時間軸上の位置を調整する。発生検出素子801に入射した励起光は、第2の遅延部6bによって、第2の励起光612が第1の励起光611に対して遅延して伝播する。第1の遅延部6aと第2の遅延部6bが同じ遅延量を有する場合、励起光が検出する時点において、各励起光は発生検出素子801内を伝播するテラヘルツ波の等位相面で相互作用する。その結果、各励起光の伝播状態は変化する。これらの励起光は、第1の遅延部6aによって、第2の励起光612に対する第1の励起光611の遅延量が再調整される。第1の遅延部6a側から出射した各励起光は、ビームスプリッタ803で反射され伝播状態検出部600に入射する。第1の遅延部6aで遅延量が調整された各励起光は、ほぼ同じタイミングで伝播状態検出部600に到達し、テラヘルツ波が検出される。検出部506では、伝播状態検出部600の出力と遅延光学系802の調整量を参照してテラヘルツ波の時間波形を再構築する。画像構成部507では、サンプル台508の位置情報とテラヘルツ波の時間波形を対応させてサンプルのトモグラフィイメージを取得する。この構成によれば、発生と検出に用いる素子を共通化することで装置の小型化が容易となる。尚、このトモグラフィックイメージング装置では、発生検出素子は遅延部が集積された構成であるが、これまで説明したように、遅延部が分離された構成も可能である本形態の場合、発生検出装置とも呼ぶ。尚、本実施形態においても、主としてトモグラフィックイメージング装置について説明したが、装置形態はこれに限るものではない。例えば、テラヘルツ時間領域分光システムTHz-TDSを利用し、サンプルからのテラヘルツ波の時間波形の変化をモニタし、サンプルの性状を分析する分析装置や検査装置にも適用可能である。この様な場合にも、トモグラフィックイメージング装置と同様な効果が期待できる。"