"固定部と前記固定部の内側に位置する可撓部及び可動部とを有する半導体基板と、前記可撓部及び前記可動部を覆うキャップ部材と、を備え、前記固定部は、前記可撓部及び前記可動部を囲む内フレームと前記内フレームの周囲に位置する外フレームと、前記内フレームと前記外フレームを分離するスリットと、前記内フレームと前記外フレームを連結する連結部と、を有することを特徴とする力学量センサ。前記可撓部、前記内フレーム及び外フレームが線対称の形状であることを特徴とする請求項1に記載の力学量センサ。前記可撓部、前記内フレーム及び外フレームが略方形であることを特徴とする請求項2に記載の力学量センサ。前記スリットは、前記連結部を除いて前記内フレームと前記外フレームを分離する少なくとも一部が開放する形状を有することを特徴とする請求項1記載の力学量センサ。前記スリットは、前記内フレームと前記外フレームとの間に複数の線状スリットを有することを特徴とする請求項1記載の力学量センサ。前記連結部の長さは、前記スリットの長さより短いことを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の力学量センサ。前記連結部は、前記内フレームの一部と前記外フレームの一部とを一箇所で連結することを特徴とする請求項6に記載の力学量センサ。前記連結部は、前記可撓部と対向する位置で前記内フレームと前記外フレームを連結することを特徴とする請求項7に記載の力学量センサ。前記連結部は、前記可撓部と対向する位置から外れた位置で前記内フレームと前記外フレームを連結することを特徴とする請求項7に記載の力学量センサ。前記可撓部は、応力緩和部を有することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の力学量センサ。前記応力緩和部は少なくとも一つの環状体を含み、前記可撓部の長手方向に沿って線対称に配置されたことを特徴とする請求項10に記載の力学量センサ。前記半導体基板を載置する基板を更に備え、前記半導体基板は、前記基板を電気的に接続するバンプを有することを特徴とする請求項1に記載の力学量センサ。しかしながら、特許文献1~4に記載された加速度センサ、及び特許文献5に記載された慣性センサでは、以下のような問題がある。特許文献1の加速度センサは、キャップ部材を含めてセンサを貫通するスリットを形成しているため、応力を緩和する構造になっていない。また、特許文献1の加速度センサは、樹脂パッケージを用いることを考慮していない。すなわち、特許文献1の加速度センサは、樹脂パッケージを用いる場合、樹脂がスリット部分に入るため、樹脂パッケージ工程においてセンサが受ける応力を軽減することはできない。特許文献2の加速度センサは、内フレームと外フレームが応力緩和梁のみにより結合されているが、応力緩和梁の長さがセンサの一辺の長さより長いため、外力によるセンサの共振周波数を考慮すると、センサの共振周波数よりも十分に高い共振周波数の応力緩和梁を実現するためには、応力緩和梁の幅を広くする必要がある。応力緩和梁の幅を広くすると、配線レイアウトの自由度も低下させるため、センサ及び応力緩和梁を形成する半導体基板の面積を増大させることになり、小型化の要求に反する。特許文献3及び特許文献4の加速度センサ、特許文献5の慣性センサは、いずれもの構造も樹脂パッケージの応力を受けた場合にセンサ特性を維持することが困難であり、特に、樹脂パッケージの応力を受けた場合にZ軸の温度特性の変化を低減することは困難である。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、樹脂パッケージによりセンサが受ける応力を軽減し、応力によるセンサ特性の変動を抑制する力学量センサを提供することを目的とする。本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、固定部と前記固定部の内側に位置する可撓部及び可動部とを含む半導体基板と、前記可撓部及び前記可動部を覆うキャップ部材と、を備え、前記固定部は、前記可撓部及び前記可動部を囲む内フレームと、前記内フレームの周囲に位置する外フレームと、前記内フレームと前記外フレームを分離するスリットと、前記内フレームと前記外フレームを連結する連結部と、を有することを特徴とする。この力学量センサによれば、パッケージ工程においてセンサが受ける応力を軽減し、応力によるセンサ特性の変動を抑制することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記スリットは、前記連結部を除いて前記内フレームと前記外フレームを分離する少なくとも一部が開放する形状を有してもよい。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力がセンサに及ぶ影響を軽減することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記スリットは、前記内フレームと前記外フレームとの間に複数の線状スリットを有してもよい。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力がセンサに及ぶ影響を軽減することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記連結部の長さは、前記スリットの長さより短くすることが望ましい。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力がセンサに及ぶ影響を更に軽減することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記連結部は、前記内フレームの一部と前記外フレームの一部とを一箇所で連結してもよい。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力がセンサに及ぶ影響を更に軽減することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記連結部は、前記可撓部と対向する位置で前記内フレームと前記外フレームを連結してもよい。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力がセンサに及ぶ影響を更に軽減することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記連結部は、前記可撓部と対向する位置から外れた位置で前記内フレームと前記外フレームを連結してもよい。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力がセンサに及ぶ影響を更に軽減することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記可撓部は、応力緩和部を有してもよい。前記応力緩和部は、少なくとも一つの環状体で構成することができ、前記可撓部は、前記可撓部の長手方向に沿って線対称に配置することによって構成することができる。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力がセンサに及ぶ影響を更に軽減することができる。また、本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、前記半導体基板を載置する基板を更に備え、前記半導体基板は、前記基板を電気的に接続するバンプを有してもよい。この力学量センサによれば、樹脂パッケージ工程において印加される応力が基板に及ぶ影響を軽減することができる。本発明によれば、半導体基板に内フレームと外フレームに分離するスリットを設けることにより、樹脂パッケージによりセンサが受ける応力を軽減し、応力によるセンサ特性の変動を抑制する力学量センサを提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。尚、以下の実施の形態は、便宜上、外周が略方形状である外フレーム、内フレーム及び錘部が用いて説明されるが、図示例に限定される訳では無い。すなわち、外フレーム、内フレーム及び錘部の形状は、線対称性を有すれば足り、正方形以外の正多角形、円形或いは楕円形状であっても良い。第1の実施の形態本発明の第1の実施の形態では、力学量センサとして加速度センサの例について図を参照して説明する。<加速度センサの構成>まず、第1の実施の形態に係る加速度センサの構成について図1~図3を参照して説明する。図1は加速度センサ100の全体構成を示す平面図であり、図2A及びB、図3は図1の加速度センサ100のA-A線から見た断面図である。図1において、半導体基板101は、固定部110と前記固定部110の内側に位置する可撓部111~114及び可動部可撓部111~114及び錘部115~118を含むとを有する。更に詳細には、119は可動部を構成する錘部115~118を接合する錘接合部であり、可撓部111~114は錘接合部119を変位可能に支持し、固定部110は可撓部111~114の外周部において可撓部111~114を支持する。120はスリットであり、半導体基板101を貫通して形成される図2参照。スリット120は、固定部110を可撓部111~114及び錘部115~118を囲む内フレーム102と、内フレーム102の周囲に位置する外フレーム121とに分離する。外フレーム121の周囲には、後述する上キャップ部材を接合するための接合部122が形成されている。内フレーム102及び外フレーム121は連結部123により連結されている。スリット120は連結部123を除いて略C字形状に形成されている。連結部123は、可撓部113と対向する位置で内フレーム102の一部と外フレーム121の一部を一箇所で連結している。また、図1に示す連結部123の長さLRは、図1に示すスリット120の長さLSより短い。なお、図1において、LAは固定部110と錘部115~118の間の隙間の幅を示し、LBは固定部110の幅を示し、LCはスリット120の幅を示す。これらの幅LA及びLCは、後述する製造工程においてセンサ及びスリット120をエッチングにより形成する際に、エッチング条件を同一にしてエッチング工程を単純化するため、略同一の幅であることが望ましい。例えば、幅LA及びLCは、|LA-LC|が50[μm]好ましくは30[μm]以内であってもよい。また、図1に示す連結部123は、内フレーム102と外フレーム121を図中の右側部の一箇所で連結するように略C字形状少なくとも一部が開放する形状に形成した場合を示しているが、この形状に限定するものではなく、後述する実施例2及び実施例3において示すように形成位置及び長さLRを様々に変更してもよく、内フレーム102と外フレーム121を複数箇所で連結してもよい。すなわち、連結部123は、内フレーム102と外フレーム121を連結するものであり、その形状、大きさ、連結箇所等を限定するものではない。可撓部111~114上の4箇所には、可動部の変位をX図1の横方向,Y図1の縦方向,Z図1の紙面に対する奥行き方向の3軸方向で検出する12個のピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4が形成されている。本実施の形態では、ピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4はX軸方向、ピエゾ抵抗素子Ry1~Ry4はY軸方向、ピエゾ抵抗素子Rz1~Rz4はZ軸方向をそれぞれ検出するものとする。但し、これらピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4に設定した各軸方向は限定するものではない。これらピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4は、複数の金属配線図示せずを用いてブリッジ回路を構成するように配線されている。本実施の形態1に係る加速度センサ100は、外力に応じて錘部115~118が変位する際に可撓部111~114が変位し、その変位方向に応じて各可撓部111~114に配置されたピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化をブリッジ回路により検出して、加速度検出信号を出力するように構成されている。加速度検出信号は、半導体基板101の上面に形成された電極パッド125図3参照に接続されるボンディングワイヤ124図3参照を介して後述する基板160図3参照の貫通電極160a図3参照により外部に出力される。次に、図1のA-A線から見た加速度センサ100の断面図を図2に示す。図2において、Aは図1のA-A線から見た加速度センサ100の断面図であり、Bは同図Aの半導体基板101の上面に上部キャップ部材150を結合した状態を示す断面図である。図2A及びBにおいて、図1に示した各部構成と同一の構成には同一符号を付している。図2Aにおいて、スリット120は、半導体基板101を貫通して形成されている。140は半導体基板101の下面側に接合される下部キャップ部材である。図2Bにおいて、150は上部キャップ部材である。上部キャップ部材150は、半導体基板101の上面の接合部122に接合される。上部キャップ部材150は、可撓部111~114及び錘部115~118と対向する面に凹部150aが形成されており、可撓部111~114及び錘部115~118が変位する際に当たらないようにしている。また、上部キャップ部材150は、可撓部111~114及び錘部115~118が過剰に変位した場合、錘部115~118が上部キャップ部材150に当たり、その変位を規制する役割も果たす。また、上部キャップ部材150は、可撓部111~114及び錘部115~118の上方を覆って封止することにより、加速度センサ100の製造中に可動部可撓部111~114及び錘部115~118を含むに異物が付着することを防止し、センサ全体を覆うモールド樹脂が可動部の動きを妨げることを防止し、錘部115~118の過剰変位により可撓部111~114が破損することを防止するために設けられる。図3は図1の加速度センサ100のA-A線から見た断面図である。図3において、図1に示した各部構成と同一の構成には同一符号を付している。図3において、160は複数の貫通電極160aが形成された基板であり、170はモールド樹脂である。基板160は、下部キャップ部材140及び上部キャップ部材150を接合した半導体基板101を載置する。下部キャップ部材140は、基板160の上面に接着剤等により接着される。基板160の貫通電極160aは、半導体基板101の上面に形成された電極パッド125とボンディングワイヤ124により電気的に接続される。このボンディングワイヤ124の接続後、半導体基板101及び下部キャップ部材140はモールド樹脂170により覆われて、樹脂パッケージ型の加速度センサ100となる。<樹脂パッケージ工程における応力の影響を軽減する構成>上述したように、モールド樹脂170による樹脂パッケージ工程において、半導体基板101と樹脂モールド170の線膨張係数の差により固定部110、可撓部111~114及び錘部115~118は応力を受けて、樹脂パッケージ後のオフセット電圧や感度などのセンサ特性が変動する。本発明者は、樹脂パッケージ工程において応力の影響を軽減する構成要素として、図1に示したスリット120の形状と、内フレーム102と外フレーム121とを連結する連結部123の長さLR図1参照が関係すること後述する実施例により見出した。この知見に基づいて、後述する実施例では、スリット120の形状と連結部123の長さLRを変更して加速度センサ100に発生する応力を測定した。このため、第1の実施の形態に係る加速度センサ100において応力の影響を軽減する構成の詳細については、後述する実施例において詳述する。第2の実施の形態本発明の第2の実施の形態では、力学量センサとして加速度センサの例について図を参照して説明する。第2の実施の形態の加速度センサは、センサの可撓部に応力緩和部を設けたことに特徴がある。<加速度センサの構成>まず、第2の実施の形態に係る加速度センサの構成について図4を参照して説明する。図4は加速度センサ200の全体構成を示す平面図である。なお、図4において上述の図1、図2A及びB、図3に示した加速度センサ100の各部構成と同一の構成部分には同一符号を付しており、その構成説明は省略する。また、第2の実施の形態に係る加速度センサ200の断面構造は、図3に示した加速度センサ100の断面構造と同様であるため、その図示及び構成説明は省略する。図4において、101は半導体基板であり、119は可動部を構成する錘部115~118を接合する錘接合部であり、201~204は錘接合部119を変位可能に支持する可撓部である。可撓部201~204は、上述した固定部110、可撓部111~114及び錘部115~118に対する応力の影響を緩和する応力緩和部211~214を各々有する。応力緩和部211~214は、樹脂パッケージ工程においてセンサに対する応力の影響を軽減するとともに、可撓部201~204の左右の変形を対称にするために設けている。応力緩和部211~214は、図4に示すようにドーナツ型の構造を各々3個有している。可撓部201~204上の応力緩和部211~214を除く8箇所には、可動部の変位をX図4の横方向,Y図4の縦方向,Z図4の紙面に対する奥行き方向の3軸方向で検出する12個のピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4が形成されている。応力緩和部211~214は、各可撓部201~204の長手方向の略中央位置に配置することが望ましい。応力緩和部211~214を各可撓部201~204の略中央位置に配置することで、固定部110、可撓部111~114及び錘部115~118に対する応力の影響を効果的に抑えることができる。また、応力緩和部211~214を各可撓部201~204の略中央位置に配置することで、樹脂パッケージ工程において半導体基板101が受ける応力により可撓部201~204が変形するとき、各可撓部201~204の応力緩和部211~214を挟んだ左右の変形が対称になる。このため、各可撓部201~204に形成されたピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4の応力による変化を一致させ易くなり、各ピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4の抵抗値の変化も均一になる。なお、図4に示す応力緩和部211~214は、各々3個のドーナツ型の構造を有する場合を示したが、その形状及び個数を限定するものではなく、ピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4の応力による抵抗値の変化を均一にさせるものであれば良い。応力緩和部211~214は、前記したようにドーナツ形状に限るものではなく、可撓部に発生する応力を緩和するように弾性変形する形状であれば良い。そのような形状として、回転対称性或いは鏡像対称性を有する形状、例えば、線対称に構成された環状体、ジグザグ形状或いは曲線形状を例示することができる。本発明において、応力緩和部は、線対称な形状を有する部材を少なくとも一つ用いて、線対称に構成されることが好ましい。<樹脂パッケージ工程における応力の影響を軽減する構成>加速度センサ200は、上述した知見に基づいてスリット120及び連結部123を設け、更に、応力によるピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化を軽減するために応力緩和部211~214を設けている。後述する実施例では、スリット120の形状と連結部123の長さLRを変更することに加えて、応力緩和部211~214を組み合わせた場合に加速度センサ200に発生する応力を測定した。このため、第2の実施の形態に係る加速度センサ200において応力の影響を軽減する構成の詳細については、後述する実施例において詳述する。第3の実施の形態本発明の第3の実施の形態では、力学量センサとして加速度センサの例について図を参照して説明する。第3の実施の形態の加速度センサは、固定部110、可撓部111~114及び錘部115~118を基板160に対してフリップチップ実装する構成としたことに特徴がある。なお、第3の実施の形態に係るフリップチップ実装の構成は、上述の第1及び第2の実施の形態に示した加速度センサ100及び200に対しても適用可能である。このため、第3の実施の形態に係る加速度センサの構成は、平面図の図示を省略し、図5に示す断面図のみを示して説明する。センサと基板との電気接続のより好ましい一態様としてフリップチップ接続が挙げるが、センサと基板とをワイヤボンディングなどにより接続してもよい。したがって、センサと基板との電気的接続は種々の配線部材を用いて行うことが可能である。図5は第3の実施の形態に係る加速度センサ300の全体構成を示す断面図である。なお、図5において上述の図1、図2A及びB、図3に示した加速度センサ100の各部構成と同一の構成部分には同一符号を付しており、その構成説明は省略する。図5において、加速度センサ300は、図1、図2A及びB、図3に示した固定部110、可撓部111~114及び錘部115~118の上面を下側とし、図1、図2A及びB、図3に示した固定部110、可撓部111~114及び錘部115~118の下面を上側として配置している。図5において、301は電極パッドであり、302はバンプである。電極パッド301は、基板160の上面に形成されたバンプ302と電気的に接続される。基板160は、少なくとも上面に配線パターン図示せずが形成されており、配線パターンはバンプ302と電気的に接続されている。基板160は、例えば、配線基板や貫通電極基板を挙げることができる。加速度センサ300は、センサを基板160上にフリップチップ実装することにより、半導体基板101上の電極パッド301と基板160上の配線パターン間の配線長をワイヤボンディングで電気的に接続する場合よりも短くなるため、信頼性の高い加速度センサを提供することができる。また、センサを基板160上にフリップチップ実装することにより、ワイヤボンディングで電気的に接続する場合に比べて、面方向の広がりを抑えることができ、加速度センサの小型化が可能になる。また、センサを基板160上にフリップチップ実装することにより、ウェハレベルで製造することができ、ワイヤボンディングを用いる製造に比べて製造工程を効率化できる。図5に示す加速度センサ300では、下部キャップ部材を設けない構成例を示したが、必要に応じて下部キャップ部材を設けてもよい。<樹脂パッケージ工程における応力の影響を軽減する構成>加速度センサ300は、上述した知見に基づいてスリット120及び連結部図示せずを設けている。また、加速度センサ300は、更に、応力によるピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化を軽減するために応力緩和部211~214を設けてもよい。後述する実施例では、スリット120の形状と連結部123の長さLRを変更することに加えて、応力緩和部211~214を組み合わせた場合に加速度センサ300に発生する応力を測定した。このため、第3の実施の形態に係る加速度センサ300において応力の影響を軽減する構成の詳細については、後述する実施例において詳述する。尚、以下の実施例において、便宜上、外周が略方形状である外フレーム、内フレーム及び錘部が用いて説明されるが、図示例に限定される訳では無い。すなわち、外フレーム、内フレーム及び錘部の形状は、線対称性を有すれば足り、正方形以外の正多角形、円形或いは楕円形状であっても良い。実施例1本発明に係る実施例では、上述した第1~第3の実施の形態の加速度センサ100、200及び300において応力の影響を軽減する構成であるスリット120の形状、連結部123の長さLR、応力緩和部211~214の組み合わせを変更した場合について、加速度センサに発生する応力を測定した。<センサに対する応力の印加条件>まず、加速度センサに応力が印加される条件について図6A及びB、図7A及びBを参照して説明する。図6A及びBは加速度センサ2000に印加される応力の印加状態を模式的に示す斜視図である。図6Aは上部キャップ部材150が接合された加速度センサに対して図中に示すX軸方向とY軸方向から30[MPa]の応力が印加される状態を示し、図6Bは上部キャップ部材150が外された加速度センサに対して図中に示すX軸方向とY軸方向から30[MPa]の応力が印加される状態を示す。以下の説明では、図6A及びBに示す応力の印加状態を条件Aと呼称する。なお、図6A及びBにおいて、加速度センサ2000の応力による変形箇所は、各図中に示す色の変化を示すバーMS紫色→緑色→赤に順次変化を基準にした色の変化で示されている。この場合、紫色→緑色→赤による色の変化に応じて、変形量が徐々に大きくなることを示している。図7A及びBは加速度センサ2000に印加される応力の印加状態を模式的に示す斜視図である。図7Aは上部キャップ部材150が接合された加速度センサ2000に対して図中に示すZ方向から10[MPa]の応力が印加される状態を示し、図7Bは上部キャップ部材150が外された加速度センサ2000に対して図中に示すZ方向から10[MPa]の応力が印加される状態を示す。以下の説明では、図7A及びBに示す応力の印加状態を条件Bと呼称する。なお、図7A及びBにおいて、センサ130の応力による変形箇所は、各図中に示す色の変化を示すバーMS紫色→緑色→赤に順次変化を基準にした色の変化で示されている。この場合、紫色→緑色→赤による色の変化に応じて、変形量が徐々に大きくなることを示している。<応力印加時のセンサの変形>次に、上記条件A及び条件Bの各応力印加時の加速度センサ2000の変形状態を図8A及びBに示す。図8Aは条件Aによる応力印加時の加速度センサ2000の変形状態を示す平面図であり、図8Bは条件Bによる応力印加時の加速度センサ2000の変形状態を示す平面図である。なお、図8A及びBに示す加速度センサ2000では、スリット120、連結部123及び応力緩和部211~214は設けられていない。図8Aに示すように条件Aによる応力を印加した場合、加速度センサ2000は主に可撓部を中心にして全体的に内側方向X軸方向及びY軸方向に凹状に変形する。図8Bに示すように条件Bによる応力を印加した場合、加速度センサ2000は主に可撓部を中心にして全体的に外側方向X軸方向及びY軸方向に凸状に変形する。これらの結果から、加速度センサ2000は条件A及び条件Bによる応力が印加された場合、可撓部を中心にして変形することが判明した。すなわち、樹脂パッケージ工程において印加される応力が可撓部に影響を軽減する構造として、上記第1及び第2の実施の形態に示したスリット120及び連結部123、又は、応力緩和部211~214の構成が必要であることが判明した。実施例2次に、上記実施例1の結果に基づいて、加速度センサ2000に対してスリット120、連結部123及び応力緩和部211~214の各構成を組み合わせて、条件A及の応力を印加して可撓部が受ける応力を測定した例について、以下に示す図9~図12を参照して説明する。図9~図12に示す加速度センサ2000では、スリット120及び連結部123を設けた場合、更に応力緩和部211~214を設けた場合、連結部123の位置と長さLを変更した場合の各構成に対して条件Aによる応力を印加して可撓部201~204が受ける応力の大きさを測定した。図9Aは加速度センサ2000の周囲にスリット120及び連結部123を設けて、条件Aの応力を印加した場合の加速度センサ2000が受ける応力を測定した結果を示す斜視図である。この図9Aに示す加速度センサ2000に設けられた連結部123の長さはL1660[μm]であり、加速度センサ2000の図中の右辺部全体の長さと同等である。この図9Aに示す加速度センサ2000の構成はタイプAと呼称する。図9Bは加速度センサ2000の周囲にスリット120及び連結部123を設け、更に可撓部201~204に応力緩和部211~214を設けて、条件Aの応力を印加した場合の加速度センサ2000が受ける応力の大きさを測定した結果を示す斜視図である。この図9Bに示す加速度センサ2000に設けられた連結部123の長さは図9Aと同様にL1である。この図9Bに示す加速度センサ2000の構成はタイプBと呼称する。図11Aに示すタイプAの加速度センサ2000では、条件Aによる応力の影響が可撓部に及んでいることが判明した。図9Bに示すタイプBの加速度センサ2000では、タイプAに比べて可撓部に及ぶ応力の影響が少ないことが判明した。図10Aに示す加速度センサ2000では、タイプAの構成に対して連結部123の長さを短くしてL2270[μm]とし、その位置を可撓部203と対向する位置から外れた右辺部の上部に形成したことが異なる。この図10Aに示す加速度センサ2000の構成はタイプCと呼称する。図10Bに示す加速度センサ2000のでは、タイプBに対してタイプCと同様に連結部123の長さを短くしてL2とし、その位置を可撓部と対向する位置から外れた右辺部の上部に形成したことが異なる。この図10Bに示す加速度センサ2000の構成はタイプDと呼称する。これらタイプC及びタイプDの加速度センサ2000は、共にタイプA及びBの構成における応力の可撓部に対する影響に比べて、可撓部に対する応力の影響が少ないことが判明した。タイプC及びタイプDの各構成では、タイプA及びタイプBの構成に比べて、条件Aによる応力が可撓部201~204に与える影響が少ないことが判明した。図11A及びBに示す加速度センサ2000では、タイプA及びタイプBの構成に対して連結部123の長さを短くしてL3340[μm]とし、その位置を可撓部203と対向する右辺部の中央部に形成したことが異なる。但し、連結部123の長さL3は、タイプC及びタイプDの連結部123の長さL2に比べて長い。これら図13A及びBに示す加速度センサ2000の各構成はタイプE及びタイプFと呼称する。これらタイプE及びタイプFの加速度センサ2000は、共にタイプA及びBの構成における応力の可撓部に対する影響に比べて、可撓部に対する応力の影響が少ないことが判明した。但し、タイプE及びタイプFの加速度センサ2000の可撓部に対する応力の影響は、タイプC及びタイプDの加速度センサ2000の可撓部201~204に対する応力の影響に比べて大きいことが判明した。図12A及びBに示す加速度センサ2000では、タイプE及びタイプFの構成に対して連結部123の長さを更に短くしてL4140[μm]とし、その位置を可撓部203と対向する右辺部の中央部に形成したことが異なる。但し、連結部123の長さL4は、タイプA~Fの連結部123の長さL1~L3に比べて最も短い。これら図12A及びBに示す加速度センサ2000の各構成はタイプG及びタイプHと呼称する。これらタイプG及びタイプHの加速度センサ2000は、共にタイプA~Fによる応力の可撓部に対する影響に比べて、可撓部201~204に対する応力の影響が少ないことが判明した。すなわち、タイプG及びタイプHの加速度センサ2000は、共に応力の可撓部に対する影響が最も少ないことが判明した。次に、図9~図12に示したタイプA~Hの各構成において条件Aの応力を印加した際に加速度センサ2000の可撓部が受ける応力を測定した結果について、図13~図17を参照して説明する。図13A及びBは、タイプA~Hの各構成に対して条件Aの応力を印加した際に加速度センサ2000の可撓部が受ける応力の大きさを、X軸方向の可撓部の位置を示す可撓部端部間距離DXをパラメータとして測定した結果を示すグラフである。可撓部端部間距離DXは、図1及び図4に示すようにX軸方向に対向する可撓部111及び113が固定部110と接続された端部間の距離である。図13A及びBは、タイプA~Hの各構成に対して条件Aの応力を印加した際に加速度センサ2000のX軸方向の可撓部111及び113の可撓部端部間距離DXにおいて所定位置毎に発生する応力の分布をプロットしたグラフである。図13Aは、横軸を可撓部端部間距離DX0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~70[MPa]の範囲として、X軸方向の可撓部111及び113の可撓部端部間距離DXにおいて所定位置毎に発生する応力を測定した結果をプロットしたグラフである。図13Bは、図13Aのグラフの応力の範囲のうち0[MPa]~2[MPa]部分を拡大して示したグラフである。なお、図13A及びBにおいて、可撓部端部間距離DXは、図1及び図4に示したX軸方向に対向する可撓部端部間距離DXが700[μm]である場合を示す。図13A及びBにおいて、条件Aにより応力が印加された場合、X軸方向の可撓部が受ける応力の変化が大きい構成の順番は以下であることが判明した。タイプA>タイプB>タイプC>タイプE>タイプF>タイプGタイプHスリット120及び連結部123を組み合わせたタイプA、C及びEの可撓部が受ける応力の大きさに比べて、更に応力緩和部211~214を組み合わせたタイプB、D及びFの可撓部が受ける応力の大きさが小さいことが判明した。但し、連結部123の長さをL4と最も短くしたタイプG及びHでは、スリット120及び連結部123による応力の低減効果が応力緩和部211~214による応力の低減効果より大きいことが判明した。以上の測定結果により、樹脂パッケージ工程において加速度センサ2000に印加される応力の影響を軽減するために最も効果的な構成は、スリット120と連結部123の組み合わせにおいて、連結部123の長さLをL4として最も短くする構成であるパターンGであることが判明した。この判定結果を図14に示す。図15A及びBは、タイプA~Hの各構成に対して条件Aの応力を印加した際に加速度センサ2000のY軸方向の可撓部112及び114の可撓部端部間距離DYにおいて所定位置毎に発生する応力の分布をプロットしたグラフである。可撓部端部間距離DYは図1及び図4に示すようにY軸方向に対向する可撓部112及び114が固定部110と接続された端部間の距離である。図15Aは、横軸を可撓部端部間距離0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~70[MPa]の範囲として、測定した応力の結果をプロットしたグラフである。図15Bは、図15Aのグラフの応力の範囲のうち0[MPa]~2[MPa]部分を拡大して示したグラフである。なお、図15A及びBにおいて、可撓部端部間距離DYは、図1及び図4に示したY軸方向に対向する可撓部端部間DY距離が700[μm]であることを示す。図15A及びBにおいて、条件Aにより応力が印加された場合、Y軸方向の可撓部が受ける応力の変化が大きい構成の順番は以下であることが判明した。タイプA>タイプB>タイプC>タイプE>タイプF>タイプG>タイプHスリット120及び連結部123の組み合わせたタイプA、C、E及びGの可撓部が受ける応力の大きさに比べて、更に応力緩和部211~214を組み合わせたタイプB、D、F及びHの可撓部が受ける応力の大きさが小さいことが判明した。以上の測定結果により、樹脂パッケージ工程において加速度センサ2000に印加される応力の影響を軽減するために最も効果的な構成は、スリット120、連結部123及び応力緩和部211~214の組み合わせにおいて、連結部123の長さLを最も短くする構成であるパターンHであることが判明した。この判定結果を図16に示す。以上の図13~図15に示した応力の測定結果により、樹脂パッケージ工程においてセンサの可撓部が受ける応力を軽減する効果が大きい構成は、センサの周囲に略全周にわたってスリットを設け、連結部の長さLRを強度が維持できる範囲でできるだけ短くすることであることが判明した。また、連結部の長さLを短くできない場合は、応力緩和部を設けることが有効であることが判明した。なお、連結部の長さLRは、図1に示した複数のピエゾ抵抗素子Rx1~Rx4,Ry1~Ry4,Rz1~Rz4間を電気的に接続する複数の金属配線のレイアウトを制限しない程度であればよい。例えば、3軸方向の加速度を検出する加速度センサである場合には、連結部の長さLRは50[μm]以上であれば金属配線のレイアウトの妨げにならない。実施例3次に、上記実施例1の結果に基づいて、加速度センサに対してスリット、連結部及び応力緩和部の各構成を組み合わせ、更にスリットの形状及び応力緩和部の形状及び個数を変更して、上記条件A及び条件Bの応力を印加して可撓部が受ける応力を測定した例について、以下に示す図17~図27を参照して説明する。図17~図21に示す加速度センサ400~1300では、スリット、連結部及び応力緩和部を設け、スリットの形状、連結部の位置と長さL、応力緩和部の形状及び個数を変更した場合の各構成に対して条件A及び条件Bの応力を印加して可撓部が受ける応力の大きさを測定した。<加速度センサの構成>図17Aは加速度センサ400の概略構成を上面側から見た平面図である。図17Aにおいて加速度センサ400は、半導体基板401に形成された可撓部405~408に応力緩和部411~414を設けている。可撓部405~408は、各々一方の端部が固定部402に接続されている。この図17Aに示す加速度センサ400の構成はタイプA1と呼称する。図17Bは加速度センサ500の概略構成を上面側から見た平面図である。図17Bにおいて加速度センサ500は、半導体基板501に形成された可撓部505~508に応力緩和部511~514を設けるとともに、スリット503を設けている。スリット503は半導体基板501を図中に示すZ方向に貫通し、可撓部505~508の周囲の3辺を囲むように設けられている。半導体基板601は、スリット503により可撓部505~508を含む内フレーム521と、内フレーム521の周囲に位置する外フレーム522に分離される。この図17Bに示す加速度センサ500の構成はタイプB1と呼称する。なお、図17Aに示す応力緩和部411~414の構成と、図17Bに示す応力緩和部511~514の構成は同様である。図18Aは加速度センサ600の概略構成を上面側から見た平面図である。図18Aにおいて加速度センサ600は、半導体基板601に形成された可撓部605~608に応力緩和部611~614を設けるとともに、スリット603及び連結部604を設けている。この図18Aに示す加速度センサ600の構成はタイプC1と呼称する。スリット603は半導体基板601を図中に示すZ方向に貫通し、可撓部605~608の周囲の主に3辺を囲むように設けられている。スリット603は、図18Aにおいて丸で囲む部分にも設けられており、図17Bに示したスリット503とは形状が異なる。半導体基板601は、スリット603により可撓部605~608を含む内フレーム621と、内フレーム621の周囲に位置する外フレーム622に分離される。内フレーム621と外フレーム622は、連結部604により連結されている。連結部604の長さはL1660[μm]である。図18Bは加速度センサ700の概略構成を上面側から見た平面図である。図18Bにおいて加速度センサ700は、半導体基板701に形成された可撓部705~708に応力緩和部711~714を設けるとともに、スリット703及び連結部704を設けている。この図18Bに示す加速度センサ700の構成はタイプD1と呼称する。スリット703は半導体基板701を図中に示すZ方向に貫通し、可撓部705~708の周囲の3辺を囲むように設けられている。半導体基板701は、スリット703により可撓部705~708を含む内フレーム721と、内フレーム721の周囲に位置する外フレーム722に分離される。内フレーム721と外フレーム722は、連結部704により連結されている。連結部704の長さはL1660[μm]である。なお、図18Aに示す応力緩和部611~614の構成と、図18Bに示す応力緩和部711~714の構成は、ドーナツ型形状の大きさが異なる。図18Aに示す応力緩和部611~614の構成は、図17A及びBに示した応力緩和部411~414及び511~514の構成と同様である。応力緩和部711~714のドーナツ型形状の大きさは、応力緩和部611~614のドーナツ型形状の大きさに比べて小さい。図19Aは加速度センサ800の概略構成を上面側から見た平面図である。図19Aにおいて加速度センサ800は、半導体基板801に形成された可撓部805~808に応力緩和部811~814を設けるとともに、スリット803及び連結部804を設けている。この図19Aに示す加速度センサ800の構成はタイプE1と呼称する。スリット803及び連結部804の各形状は、図18A及びBに示したスリット603及び703、及び連結部604及び704と同様である。半導体基板801は、スリット803により可撓部805~808を含む内フレーム821と、内フレーム821の周囲に位置する外フレーム822に分離される。また、応力緩和部811~814は、図18Bに示した応力緩和部711~714のドーナツ型形状と同様のものを一つ設けた構成としている。図19Bは加速度センサ900の概略構成を上面側から見た平面図である。図19Bにおいて加速度センサ900は、半導体基板901に形成された可撓部905~908に応力緩和部911~914を設けるとともに、スリット903及び連結部904を設けている。この図19Bに示す加速度センサ900の構成はタイプF1と呼称する。スリット903及び連結部904の各形状は、図18A及びBに示したスリット603及び703、及び連結部604及び704と同様である。半導体基板901は、スリット903により可撓部905~908を含む内フレーム921と、内フレーム921の周囲に位置する外フレーム922に分離される。また、応力緩和部911~914の各ドーナツ形状の大きさは、図17A及びBに示した応力緩和部411~414及び511~514の各ドーナツ形状より小さく、図19Aに示した応力緩和部811~814の各ドーナツ形状よりも大きい。図20Aは加速度センサ1000の概略構成を上面側から見た平面図である。図20Aにおいて加速度センサ1000は、半導体基板1001に形成された可撓部1005~1008に応力緩和部1011~1014を設けるとともに、スリット1003を設けている。この図20Aに示す加速度センサ1000の構成はタイプG1と呼称する。スリット1003は半導体基板1001を図中に示すZ方向に貫通し、可撓部1005~1008の周囲の3辺を囲むように分離図中に示す丸部分して複数の線状スリットとして設けられている。この分離部分と図中の可撓部1007に隣接する右辺部分は、内フレーム1021と外フレーム1022を3箇所で連結する連結部1004となる。応力緩和部1011~1014の形状は、図19Bに示した応力緩和部911~914と同様である。図20Bは加速度センサ1100の概略構成を上面側から見た平面図である。図20Bにおいて加速度センサ1100は、半導体基板1101に形成された可撓部1105~1108に応力緩和部1111~1114を設けるとともに、スリット1103を設けている。この図20Bに示す加速度センサ1100の構成はタイプH1と呼称する。スリット1103は半導体基板1101を図中に示すZ方向に貫通し、可撓部1105~1108の周囲の3辺を囲むように設けられている。半導体基板1101は、スリット1103により可撓部1105~1108を含む内フレーム1121と、内フレーム1121の周囲に位置する外フレーム1122に分離される。内フレーム1121と外フレーム1122は、連結部1104により連結されている。連結部1104の長さはL2270[μm]である。連結部1104はセンサ1102の対向する辺の中央部より上部に設けられている。応力緩和部1111~1114の形状は、図19Bに示した応力緩和部911~914と同様である。図21Aは加速度センサ1200の概略構成を上面側から見た平面図である。図21Aにおいて加速度センサ1200は、半導体基板1201に形成された可撓部1205~1208に応力緩和部1211~1214を設けるとともに、スリット1203及び連結部1204を設けている。この図21Aに示す加速度センサ1200の構成はタイプI1と呼称する。スリット1203は半導体基板1201を図中に示すZ方向に貫通し、可撓部1205~1208の周囲の4辺を囲むように設けられている。半導体基板1201は、スリット1203により可撓部1205~1208を含む内フレーム1221と、内フレーム1221の周囲に位置する外フレーム1222に分離される。内フレーム1221と外フレーム1222は、連結部1204により連結されている。連結部1204の長さはL3340[μm]である。この連結部1204の長さL3は、上述した連結部の長さL1より短く、上述した連結部の長さL2より長い。応力緩和部1211~1214の形状は、図19Bに示した応力緩和部911~914と同様である。図21Bは加速度センサ1300の概略構成を上面側から見た平面図である。図21Bにおいて加速度センサ1300は、半導体基板1301に形成された可撓部1305~1308に応力緩和部1311~1314を設けるとともに、スリット1303及び連結部1304を設けている。この図21Bに示す加速度センサ1300の構成はタイプJ1と呼称する。スリット1303は半導体基板1301を図中に示すZ方向に貫通し、可撓部1305~1308の周囲の4辺を囲むように設けられている。半導体基板1301は、スリット1303により可撓部1305~1308を含む内フレーム1321と、内フレーム1321の周囲に位置する外フレーム1322に分離される。内フレーム1321と外フレーム1322は、連結部1304により連結されている。連結部1304の長さはL4140[μm]である。この連結部1304の長さL4は、上述した連結部の長さL1~L3より短い。応力緩和部1311~1314の形状は、図19Bに示した応力緩和部911~914と同様である。<条件Aによる応力の測定>次に、上記図17~図21に示した加速度センサ400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200及び1300の各構成タイプA1、B1、C1、D1、E1、F1、G1、H1、I1及びJ1に対して、上記条件Aにより応力を印加し、各構成タイプの可撓部が受ける応力の大きさを測定した結果について、図22~図24を参照して説明する。図22A及びBは、タイプA1~J1の各構成に対して条件Aの応力を印加した際に加速度センサ400~1300の各可撓部に発生する応力の大きさを、X軸方向及びY軸方向の可撓部の位置を示す可撓部端部間距離DX及びDYをパラメータとして測定した結果を示すグラフである。可撓部端部間距離DXは、図17Aに示す加速度センサ400においてX軸方向に対向する可撓部405及び407が固定部402と接続された端部間の距離である。可撓部端部間距離DYは、図17Aに示す加速度センサ400においてY軸方向に対向する可撓部406及び408が固定部402と接続された端部間の距離である。なお、可撓部端部間距離DX及び可撓部端部間距離DYは、図17B、及び図18~図21に示す加速度センサ500~1300においても同様である。図22Aは、横軸を可撓部端部間距離DX0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~70[MPa]の範囲として、X軸方向の可撓部の可撓部端部間距離DXにおいて所定位置毎に発生する応力の分布をプロットしたグラフである。図22Bは、横軸を可撓部端部間距離DY0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~70[MPa]の範囲として、Y軸方向の可撓部の可撓部端部間距離DYにおいて所定位置毎に発生する応力の分布をプロットしたグラフである。なお、図22A及びBにおいて、可撓部端部間距離DX及びDYは、図17~図21に示した可撓部405~408、505~508、605~608、705~708、805~808、905~908、1005~1008、1105~1108、1205~1208、及び1305~1308のうち、X軸方向及びY軸方向に対向する可撓部の端部間の距離が700[μm]であることを示す。図23A及びBは、図22A及びBの各グラフの応力の範囲のうち0[MPa]~30[MPa]部分を拡大して示したグラフである。なお、図23A及びBにおいて、可撓部端部間距離DX及びDYは、図17~図21に示した可撓部405~408、505~508、605~608、705~708、805~808、905~908、1005~1008、1105~1108、1205~1208、及び1305~1308のうち、X軸方向及びY軸方向に対向する可撓部の端部間の距離が700[μm]であることを示す。図24A及びBは、図22A及びBの各グラフの応力の範囲のうち0[MPa]~3[MPa]部分を拡大して示したグラフである。なお、図24A及びBにおいて、可撓部端部間距離DX及びDYは、図17~図21に示した可撓部405~408、505~508、605~608、705~708、805~808、905~908、1005~1008、1105~1108、1205~1208、及び1305~1308のうち、X軸方向及びY軸方向に対向する可撓部の端部間の距離が700[μm]であることを示す。図22A及びB、図23A及びB、及び図24A及びBにおいて、条件Aにより応力が印加された場合、X軸方向及びY軸方向の可撓部が受ける応力の変化が大きい構成の順番は以下であることが判明した。タイプA1>タイプG1>タイプE1タイプF1>タイプB1>タイプC1タイプD1>タイプI1>タイプH1>タイプJ1応力緩和部1011~1014及び分離したスリット1003を組み合わせたタイプG1の可撓部が受ける応力の大きさに比べて、応力緩和部811~814及び911~914の構成に加えて可撓部803及び903をC字形状とし、連結部803及び903の長さをL1660[μm]としたタイプE1及びタイプF1の各可撓部が受ける応力の大きさは小さかった。この結果により、スリットは複数に分けて配置するよりも、1つの連続した形状とした方が可撓部に対する応力の軽減効果があることが判明した。また、タイプE1及びタイプF1において、応力緩和部の形状の違いによる可撓部に対する応力の軽減効果に大きな差は認められなかった。タイプE1及びタイプF1の各可撓部が受ける応力の大きさに比べて、タイプB1の可撓部が受ける応力の大きさが小さいことが判明した。この結果によれば、タイプB1の応力緩和部511~514のドーナツ型形状の大きさが、タイプE1及びタイプF1の応力緩和部811~814及び911~914のドーナツ型形状の大きさより大きいことが影響していることが判明した。すなわち、タイプE1及びタイプF1のスリット803及び903とタイプB1のスリット503の形状の違いよりも、応力緩和部の形状の違いにより可撓部が受ける応力の大きさが小さくなることが判明した。さらに、タイプB1の可撓部が受ける応力の大きさに比べて、タイプC1及びタイプD1の可撓部が受ける応力の大きさが小さくなることが判明した。この結果によれば、タイプB1のスリット503とタイプC1及びタイプD1のスリット603及び703の形状の違いと、長さL1660[μm]の連結部604及び704を設けたことにより、可撓部が受ける応力の大きさが更に小さくなることが判明した。また、タイプC1の応力緩和部611~614のドーナツ形状とタイプD1の応力緩和部711~714のドーナツ形状の違いによる応力低減効果の差に大きな違いは認められなかった。さらに、タイプC1及びタイプD1の可撓部が受ける応力の大きさに比べて、タイプI1の可撓部が受ける応力の大きさが小さくなることが判明した。この結果によれば、タイプC1及びタイプD1のスリット603及び703とタイプI1のスリット1203の形状の違いと、より短い長さL3340[μm]の連結部1204を設けたことにより、可撓部が受ける応力の大きさが更に小さくなることが判明した。この場合、タイプC1及びタイプD1の応力緩和部611~614及び711~714のドーナツ形状と、タイプI1の応力緩和部1211~1214のドーナツ形状の違いによる応力低減効果の差に大きな違いは認められなかった。さらに、タイプI1の可撓部が受ける応力の大きさに比べて、タイプH1の可撓部が受ける応力の大きさが小さくなることが判明した。この結果によれば、タイプI1のスリット1203とタイプH1のスリット1103の形状の違いと、より短い長さL2270[μm]の連結部1204を設けたことにより、可撓部が受ける応力の大きさが更に小さくなることが判明した。この場合、タイプI1の応力緩和部1211~1214のドーナツ形状と、タイプH1の応力緩和部1111~1114のドーナツ形状は同様であるため、応力低減効果の差に大きな違いは認められなかった。さらに、タイプH1の可撓部が受ける応力の大きさに比べて、タイプJ1の可撓部が受ける応力の大きさが小さくなることが判明した。この結果によれば、タイプH1のスリット1103とタイプJ1のスリット1303の形状の違いと、より短い長さL4140[μm]の連結部1304を設けたことにより、可撓部が受ける応力の大きさが更に小さくなることが判明した。この場合、タイプH1の応力緩和部1111~1114のドーナツ形状と、タイプJ1の応力緩和部1311~1314のドーナツ形状は同様であるため、応力低減効果の差に大きな違いは認められなかった。以上のタイプA1~J1の各可撓部に対する応力測定結果により、樹脂パッケージ工程においてセンサに印加される応力の影響を軽減するために最も効果的な構成は、スリットと連結部の組み合わせにおいて、連結部の長さLを最も短くする構成であるパターンJ1であることが判明した。<条件Bによる応力の測定>次に、上記図17~図20Aに示した加速度センサ400、500、600、700、800、900及び1000の各構成タイプA1、B1、C1、D1、E1、F1及びG1に対して、上記条件Bにより応力を印加し、各構成タイプの可撓部が受ける応力の大きさを測定した結果について、図25を参照して説明する。図25A及びBは、タイプA1~G1の各構成に対して条件Bの応力を印加した際に加速度センサ400~1000の各可撓部に発生する応力の大きさを、X軸方向及びY軸方向の可撓部の位置を示す可撓部端部間距離DX及びDYをパラメータとして測定した結果を示すグラフである。図25Aは、横軸を可撓部端部間距離DX0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~15[MPa]の範囲として、X軸方向の可撓部に発生する応力を測定した結果をプロットしたグラフである。図25Bは、横軸を可撓部端部間距離DY0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~15[MPa]の範囲として、Y軸方向の可撓部に発生する応力を測定した結果をプロットしたグラフである。なお、図25A及びBにおいて、可撓部端部間距離DX及びDYは、図17~図20Aに示した可撓部405~408、505~508、605~608、705~708、805~808、905~908、及び1005~1008のうち、対向する可撓部の端部間の距離が700[μm]であることを示す。図25Aにおいて、条件Bにより応力が印加された場合、X軸方向の可撓部が受ける応力の変化が大きい構成の順番は以下であることが判明した。タイプA1>タイプG1>タイプE1タイプF1>タイプB1>タイプC1タイプD1この結果は、図22~図24において示した応力測定結果により判明した構成の順番と同様の結果である。タイプG1、タイプE1、タイプF1及びタイプB1の各構成と、タイプC1及びタイプD1の各構成が異なる主な点は、スリット603及び703の形状の違いと、長さL1660[μm]の連結部604及び704を設けたことであり、この構成により、Z方向から可撓部が受ける応力の大きさが小さくなることが判明した。この場合、応力緩和部の構成の違いによるZ方向の応力を軽減する効果の差は、スリットの形状の違いによるZ方向の応力を軽減する効果の差より大きくはなかった。図25Bにおいて、条件Bにより応力が印加された場合、Y軸方向の可撓部が受ける応力の変化が大きい構成の順番は以下であることが判明した。タイプA1>タイプG1>タイプF1>タイプE1>タイプB1>タイプC1タイプD1この結果は、図22~図24において示した応力測定結果により判明した構成の順番とは異なる結果である。スリット1003を分離したタイプG1に比べて、スリット503、603、703、803及び903を連続する形状としたタイプB1、C1、D1、E1及びF1の方がZ方向から可撓部が受ける応力の影響は小さくなることが判明した。さらに、タイプE1及びF1に比べて、応力緩和部511~514のドーナツ形状を大きくした方がZ方向から可撓部が受ける応力の影響は更に小さくなることが判明した。さらに、スリット503をセンサ500の周囲の3辺のみに設けたタイプB1に比べて、長さL1660[μm]の連結部604及び704を設けたタイプC1及びタイプD1の方がZ方向から可撓部が受ける応力の影響は更に小さくなることが判明した。但し、タイプC1の応力緩和部611~614のドーナツ形状と、タイプD1の応力緩和部711~714のドーナツ形状との違いによるZ方向の応力低減効果の差に大きな違いは認められなかった。<スリット及び応力緩和部の組み合わせによる応力の測定>次に、加速度センサにおいて、スリット及び応力緩和部を設けない場合、スリットのみを設けた場合、応力緩和部のみを設けた場合、スリット及び応力緩和部を設けた場合の各構成に対して、上記条件A及び条件Bの応力を印加して、可撓部が受ける応力を測定した結果について、図26及び図27を参照して説明する。図26A及びBは、スリット及び応力緩和部を設けない場合、スリットのみを設けた場合、応力緩和部のみを設けた場合、スリット及び応力緩和部を設けた場合の各構成の加速度センサに対して、上記条件Aの応力を印加した場合、各加速度センサのX軸方向及びY軸方向の可撓部に発生する応力を測定した結果を示すグラフである。図26Aは、横軸を可撓部端部間距離DX0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~700[MPa]の範囲として、X軸方向の可撓部が受ける応力を測定した結果をプロットしたグラフである。図26Bは、横軸を可撓部端部間距離DY0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~700[MPa]の範囲として、Y軸方向の可撓部に発生する応力を測定した結果をプロットしたグラフである。なお、図26A及びBにおいて、可撓部端部間距離DX及びDYは、X軸方向及びY軸方向に各々対向する可撓部の端部間の各距離が700[μm]であることを示す。図26Aに示すX軸方向の応力の測定結果では、スリット及び応力緩和部を設けていない加速度センサのX軸方向の可撓部が受ける応力が最も大きく、次いで、応力緩和部のみを設けた加速度センサ、スリットのみを設けた加速度センサ、スリット及び応力緩和部を設けた加速度センサの順にX軸方向の可撓部が受ける応力が小さくなることが判明した。図26Bに示すY軸方向の応力の測定結果では、スリット及び応力緩和部を設けていない加速度センサのY軸方向の可撓部が受ける応力が最も大きく、次いで、応力緩和部のみを設けた加速度センサ、スリットのみを設けた加速度センサ、スリット及び応力緩和部を設けた加速度センサの順にY軸方向の可撓部が受ける応力が小さくなることが判明した。図27A及びBは、スリット及び応力緩和部を設けない場合、スリットのみを設けた場合、応力緩和部のみを設けた場合、スリット及び応力緩和部を設けた場合の各構成の加速度センサに対して、上記条件Bの応力を印加した場合、各加速度センサのX軸方向及びY軸方向の可撓部に発生する応力を測定した結果を示すグラフである。図27Aは、横軸を可撓部端部間距離DX0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~200[MPa]の範囲として、X軸方向の可撓部に発生する応力を測定した結果をプロットしたグラフである。図27Bは、横軸を可撓部端部間距離DY0[μm]~700[μm]の範囲とし、縦軸を応力0[MPa]~200[MPa]の範囲として、Y軸方向の可撓部に発生する応力を測定した結果をプロットしたグラフである。なお、図27A及びBにおいて、可撓部端部間距離DX及びDYは、X軸方向及びY軸方向に各々対向する可撓部の端部間の各距離が700[μm]であることを示す。図27Aに示すX軸方向の応力の測定結果では、スリット及び応力緩和部を設けていない加速度センサのX軸方向の可撓部が受ける応力が最も大きく、次いで、応力緩和部のみを設けた加速度センサ、スリットのみを設けた加速度センサ、スリット及び応力緩和部を設けた加速度センサの順にX軸方向の可撓部が受ける応力が小さくなることが判明した。図27Bに示すY軸方向の応力の測定結果では、スリット及び応力緩和部を設けていない加速度センサのY軸方向の可撓部が受ける応力が最も大きく、次いで、応力緩和部のみを設けた加速度センサ、スリットのみを設けた加速度センサ、スリット及び応力緩和部を設けた加速度センサの順にY軸方向の可撓部が受ける応力が小さくなることが判明した。以上のように、加速度センサにおいて、半導体基板に内フレームと外フレームに分離するスリットと、内フレームと外フレームを連結する連結部を設けることにより、樹脂パッケージ工程においてセンサが受ける応力を軽減し、応力によるセンサ特性の変動を抑制する力学量センサを提供することができる。さらに、可撓部に応力緩和部を設けることにより、樹脂パッケージ工程においてセンサが受ける応力を更に軽減することができる。また、スリットは内フレームの周囲のうち少なくとも3辺を囲むように連続して形成し、連結部の長さLはスリットの長さより短く形成し、連結部は内フレームの一部と外フレームの一部を一箇所で連結することにより、樹脂パッケージによりセンサが受ける応力を更に軽減することができる。さらに、第3の実施の形態に示した加速度センサ300において、樹脂パッケージ工程において印加される応力が基板160に及ぶ影響を軽減することができる。なお、上述の実施の形態では、本発明に係る力学量センサを加速度センサに適用した例を示したが、静電容量型、圧電型等の力学量センサに対しても適用可能である。また、本発明に係る力学量センサに用いられる錘部の変位検出手段は、可撓部に配置した応力を電気信号に変換する応力変換素子を含み、そのような力学量センサとしてピエゾ抵抗型、圧電素子型が挙げられる。また、ピエゾ抵抗型及び圧電素子型以外の変位検出手段として、錘部に形成した電極可動電極と、この可動電極に対向する位置に配置された電極固定電極により変位検出手段を構成した静電容量型があり、本発明に係る力学量センサではいずれの変位検出手段を用いてもよい。本発明に係る力学量センサはチップ単体としても流通するが、ICなどの能動素子を搭載したパッケージ基板や回路基板と組み合わせた電子部品としても流通する。この電子部品は、ゲーム機やモバイル端末機例えば、携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、PDA等に実装され、様々な用途で利用される。"