支持基板上に酸化膜層を形成する酸化膜形成工程と、一方面に高濃度不純物層が形成された活性層を、当該高濃度不純物層と前記酸化膜とが接合するように前記酸化膜層上に形成する活性層形成工程と、前記高濃度不純物層が外気と触れる箇所に当該高濃度不純物層と外気との接触を防止するキャップ部を形成するキャップ形成工程とを備えることを特徴とする、SOIウェーハの製造方法。前記酸化膜形成工程において前記支持基板上に前記酸化膜層が形成されて成る基板を第1基板とし、前記活性層形成工程は、半導体基板に活性不純物イオンを導入することによって、前記高濃度不純物層および前記活性層を備えた第2基板を製造する第2基板製造工程と、前記第1基板に前記第2基板を貼り合わせる貼合工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。前記第2基板製造工程において、前記半導体基板の縁部領域へ前記活性不純物イオンを導入しないよう前記半導体基板へ選択的に当該活性不純物イオンを導入することによって当該半導体基板の縁部領域を前記キャップ部として形成することで、前記キャップ形成工程が当該第2基板製造工程と同一工程により実現されることを特徴とする、請求項2に記載のSOIウェーハの製造方法。前記キャップ形成工程は、前記活性層形成工程の後に実行され、前記キャップ形成工程において、前記高濃度不純物層が外気と触れる箇所に前記キャップ部としてケイ素酸化膜を形成することを特徴とする、請求項1または2の何れか1項に記載のSOIウェーハの製造方法。前記キャップ部が形成された後に前記活性層の他方面においてエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程をさらに備えることを特徴とする、請求項1から4の何れか1項に記載のSOIウェーハの製造方法。前記キャップ形成工程において、前記エピタキシャル成長工程における前記活性層中の前記活性不純物イオンの拡散係数をDとし、当該工程における成長時間をtminとした場合、式Aで表される値X以上の厚みとなるよう前記キャップ部を形成することを特徴とする、請求項5に記載のSOIウェーハの製造方法。X=D×t12...A支持基板と、前記支持基板上に形成された酸化膜層と、前記酸化膜層上に形成され、活性不純物イオンを含む高濃度不純物層と、前記高濃度不純物層上に形成された活性層と、前記高濃度不純物層が外気と触れる箇所に形成され、当該高濃度不純物層と外気との接触を防止するキャップ部とを備えることを特徴とする、SOIウェーハ。しかしながら、特許文献1に示されるような従来のSOIウェーハにエピタキシャル層を形成するべく加熱処理を行うと、不純物が活性層に混入する現象、いわゆるオートドープが起こるおそれがあった。具体的には、特許文献1のように高濃度不純物層を形成した半導体基板を平面研削および鏡面研磨あるいはエッチング等により薄膜化する際には、基板縁部の不良部位を削除する研磨処理いわゆる、テラス研磨が行われる場合がある。テラス研磨により半導体基板100にテラス部70が形成されると、図5に示すように当該テラス部70において高濃度不純物層122ゲッタリング層の一部が外気と触れるように露出した状態となる場合がある。なお、図5は、従来の高濃度不純物層を備えた半導体ウェーハの部分断面図である。このような状態で半導体ウェーハ100の活性層121においてエピタキシャル層123を形成すべく加熱処理等を行うと、高濃度不純物層122に含まれていた不純物が外気を伝って活性層に混入するオートドープが起こる場合がある。そして、上述のようなオートドープが発生すると、例えば、当該SOIウェーハから切り出されるSOI基板を用いて製造されるトランジスタの電流増幅率hFEや、ダイオードの接合耐圧等の素子性能が低下するおそれがあった。本発明は上記の課題を鑑みて成されたものであり、高品質な半導体素子を製造可能なSOIウェーハおよびSOIウェーハの製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本願は以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明は、支持基板上に酸化膜層を形成する酸化膜形成工程と、一方面に高濃度不純物層が形成された活性層を、当該高濃度不純物層と酸化膜とが接合するように酸化膜層上に形成する活性層形成工程と、高濃度不純物層が外気と触れる箇所に当該高濃度不純物層と外気との接触を防止するキャップ部を形成するキャップ形成工程とを備えることを特徴とする、SOIウェーハの製造方法である。第2の発明は、第1の発明において、酸化膜形成工程において支持基板上に酸化膜層が形成されて成る基板を第1基板とし、活性層形成工程は、半導体基板に活性不純物イオンを導入することによって、高濃度不純物層および活性層を備えた第2基板を製造する第2基板製造工程と、第1基板に第2基板を貼り合わせる貼合工程と、を含むことを特徴とする。第3の発明は、第2の発明において、第2基板製造工程において、半導体基板の縁部領域へ活性不純物イオンを導入しないよう半導体基板へ選択的に当該活性不純物イオンを導入することによって当該半導体基板の縁部領域をキャップ部として形成することで、キャップ形成工程が当該第2基板製造工程と同一工程により実現されることを特徴とする。第4の発明は、第1または2の何れか1つの発明において、キャップ形成工程は、活性層形成工程の後に実行され、キャップ形成工程において、高濃度不純物層が外気と触れる箇所にキャップ部としてケイ素酸化膜を形成することを特徴とする。第5の発明は、第1から4の何れか1つの発明において、キャップ部が形成された後に活性層の他方面においてエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程をさらに備えることを特徴とする。第6の発明は、第5の発明において、キャップ形成工程において、エピタキシャル成長工程における活性層中の活性不純物イオンの拡散係数をDとし、当該工程における成長時間をtminとした場合、式Aで表される値X以上の厚みとなるようキャップ部を形成することを特徴とすることを特徴とする。X=D×t12...A第7の発明は、支持基板と、支持基板上に形成された酸化膜層と、酸化膜層上に形成され、活性不純物イオンを含む高濃度不純物層と、高濃度不純物層上に形成された活性層と、高濃度不純物層が外気と触れる箇所に形成され、当該高濃度不純物層と外気との接触を防止するキャップ部とを備えることを特徴とする、SOIウェーハである。第1の発明によれば、高品質な半導体素子を製造可能なSOIウェーハを製造することができる。具体的には、高濃度不純物層に含まれる不純物の外気への漏出がキャップ部によって防がれるため、当該不純物によるオートドープを抑制し、高品質なSOIウェーハを製造することができる。第2の発明によれば、簡単な方法で高濃度不純物層を内部に備えたSOIウェーハを製造できる。第3の発明によれば、少ない工程でキャップ部を形成することができる。第4の発明によれば、既存の工程設備を流用して容易に本発明に係るSOIウェーハを製造することができる。第5の発明によれば、純度の高いエピタキシャル層を備えたSOIウェーハを製造することができる。第6の発明によれば、高濃度不純物層に含まれる不純物の外気への漏洩を、より確実に防ぐことができる。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態に係るSOIウェーハ1について説明する。先ず、図1を参照してSOIウェーハ1の構成について説明する。なお、図1は、第1の実施形態に係るSOIウェーハ1の構成を示す部分断面図である。図1に示すように、SOIウェーハ1は、支持基板11、酸化膜層12、活性層21、高濃度不純物層22、エピタキシャル層23、およびキャップ部31を備える。支持基板11は、典型的には単結晶シリコン基板などの半導体材料により形成された板状部材である。支持基板11の表面には酸化膜層12が形成されている。酸化膜層12は、支持基板11の表面を酸化する等して形成された酸化物例えばSiO2の膜層である。酸化膜層12上には活性層21が形成される。活性層21は、支持基板11と同様に典型的には単結晶シリコン基板などの半導体材料から成る層状領域である。活性層21の裏側酸化膜層12と接合する側の面には、高濃度不純物層22が形成される。すなわち、酸化膜層12上には高濃度不純物層22が形成され、高濃度不純物層22上に活性層21が位置する構造となっている。高濃度不純物層22は、例えばヒ素Asなどの活性不純物を含む領域層であり、いわゆるゲッタリング層としての機能を有する。高濃度不純物層22は、例えば、活性層21を構成する単結晶シリコン基板に活性不純物を導入して形成される。一方、活性層21の表側高濃度不純物層22が形成されている側とは反対側の面には、エピタキシャル層23が形成される。エピタキシャル層23は、活性層21に対して所定のエピタキシャル成長処理を施して形成される領域層である。上記のような積層構造を有するSOIウェーハ1は、図1に示す通り、外周縁部がテラス研磨されることによりテラス部70を有する構造となっている。ここで、高濃度不純物層22の縁部はキャップ部31により覆われており、SOIウェーハ1の内部に埋設された状態となっている。すなわち、SOIウェーハ1は、高濃度不純物層22が外気と触れることがないよう構成されている。なお、第1の実施形態に係るキャップ部31は、活性層21と同様の材質で活性層21と一体的に形成されている。以下、図2を参照して、上述SOIウェーハ1の製造方法ついて説明する。図2は、第1の実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法の一例を示す図である。先ず、図2のaに示すように、支持基板11の表面に酸化膜層12を形成して成る第1基板10を製造する。次いで、図2のbに示すように、活性層21となる単結晶シリコン基板以下、活性層基板24と称するを第1基板10とは別途に用意する。そして、活性層基板24の裏面に、例えばAsイオン等の活性不純物を導入して、高濃度不純物層22を形成する。より詳細には、n型Asイオンを、ドーズ量3.70E15cm2、注入エネルギー80keV、ピーク濃度5.0E19cm2の条件で導入する。この際、活性層基板24の縁部EにはAsイオンが導入されないよう、活性層基板24における当該イオンの導入領域を適宜選択するものとする。具体的には、Asイオンが透過しない材質で形成されたステンシルマスク50を活性層基板24の縁部Eに対応した位置に予め配置した状態で、Asイオンを導入する。このようにして高濃度不純物層22を備えた成る第2基板20を製造する。なお、上記高濃度不純物層22の形成方法は一例であり、従来周知の任意の手法を用いて高濃度不純物層22を形成して良い。次いで、図2のcに示すように、高濃度不純物層22と酸化膜層12とが接合するよう第1基板10と第2基板20とを貼り合わせる。次いで、図2のdに示すように図2のcに示した基板を研削することによって活性層21を薄膜化する。また、テラス研磨を行うことによりテラス部70を形成する。次いで、図2のeに示すように、図2のdに示した基板についてエピタキシャル成長処理を施し、活性層21の表面にエピタキシャル層23を形成する。より詳細には、雰囲気温度1200°C、処理時間2minの条件でエピタキシャル成長処理を行う。以上のようにして、本発明第1の実施形態に係るSOIウェーハ1が製造される。以上の通り、本発明第1の実施形態に係るSOIウェーハ1では、その製造過程において高濃度不純物層22が外気と触れる箇所にキャップ部31が形成されていることから、上記のような高温雰囲気でエピタキシャル成長処理を行ったとしても、当該成長処理中に高濃度不純物層22に含まれていた不純物が外気中へ漏出することがなく、エピタキシャル層23への不純物のオートドープを抑制することができる。すなわち、本発明第1の実施形態に係るSOIウェーハ1を用いれば、高品質な半導体素子を製造することができる。また、本発明第1の実施形態に係るSOIウェーハ1では、Asイオン等の活性不純物イオンの導入領域をマスク等で限定する簡単な工法で、容易にキャップ部31を形成することができる。したがって、キャップ部31を新たに作成する工程等を増やすことなく、比較的少ない工程で上述オートドープを抑制する効果を得ることができる。なお、単結晶シリコンSiにより構成されている第1の実施形態に係るキャップ部31の厚みW1は、下記のような計算式により求めた拡散長X以上とすることが、より好ましい。このような厚みとすることによって、高濃度不純物層22に含まれる不純物の外気への漏洩を、より確実に防ぐことができる。具体的には、エピタキシャル成長工程における活性層21中の活性不純物Asイオンの拡散係数をDとし、当該工程における成長時間をtminとした場合、拡散長Xは、式1で表される。X=D×t12...1活性不純物Dは、ボルツマン定数をkeV/k、エピタキシャル成長工程の雰囲気温度をT°Cとすると式2により算出される。D=D0exp-Q0/kT...2なお、式2に示す定数D0および定数Q0は、活性不純物および活性層21の材料固有の値である。例えば、活性不純物がAsであり、且つ活性層21がSiである場合、定数D0は、0.32cm2/sec定数Q0は3.56keVである。上記のような式から、雰囲気温度1200°C、処理時間2minの条件でエピタキシャル成長処理を行うことを前提とした場合、キャップ部31の厚みW1は0.05μm以上とすることが好ましい。第2の実施形態上記第1の実施形態では、キャップ部をウェーハ内に形成する例について説明したが、キャップ部をウェーハ表面部に個別形成する態様としても良い。以下、第2の実施形態に係るSOIウェーハ2について説明する。先ず、図3を参照してSOIウェーハ2の構成について説明する。なお、図3は、第2の実施形態に係るSOIウェーハ2の構成を示す部分断面図である。図3に示すように、第2の実施形態に係るSOIウェーハ2は、第1の実施形態に係るSOIウェーハ1と同様に、支持基板11、酸化膜層12、活性層21、高濃度不純物層22、エピタキシャル層23を備える。一方、第2の実施形態に係るSOIウェーハ2は、第1の実施形態に示したキャップ部31に代えてキャップ部32を備える。以下、第1の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。キャップ部32は、高濃度不純物層22の縁部が外気と触れぬよう、これを覆うようテラス部70に沿って形成されている部材である。キャップ部32の材料としては、例えば二酸化ケイ素SiO2等のケイ素酸化物を用いることができる。以下、図4を参照して、上述SOIウェーハ2の製造方法ついて説明する。図4は、第2の実施形態に係るSOIウェーハ2の製造方法の一例を示す図である。先ず、図4のaに示すように、支持基板11の表面に酸化膜層12を形成して成る第1基板10を製造する。次いで、図4のbに示すように、活性層21となる単結晶シリコン基板以下、活性層基板24と称するを第1基板10とは別途に用意する。そして、活性層基板24の裏面に、例えばAsイオン等の活性不純物を導入して、高濃度不純物層22を形成する。第2の実施形態では、第1の実施形態とは異なり、活性層基板24の裏面全体に活性不純物Asイオンを導入して良い。次いで、図4のcに示すように、高濃度不純物層22と酸化膜層12とが接合するよう第1基板10と第2基板28とを貼り合わせる。次いで、図4のdに示すように、図4のcに示した基板を研削することによって活性層21を薄膜化する。また、テラス研磨を行うことによりテラス部70を形成する。次いで、図4のeに示すように、図4のdに示した基板の外周縁部についてのみキャップ部32を形成する。より詳細には、先ず、熱酸化法により、例えば、雰囲気温度1100°C、処理時間40minの条件化で図4のdに示した基板を加熱することによって当該基板の表面全体にケイ素酸化膜を形成する。その後、テラス部70のみをレジストで覆い、当該レジストで被覆されていない領域のケイ素酸化膜をエッチングにより除去する。なお、上記熱酸化法による加熱処理は、当該処理中のオートドープを抑制するべく、後述エピタキシャル成長処理よりも低い雰囲気温度で行うことが好ましい。次いで、図4のfに示すように、図4のeに示した基板についてエピタキシャル成長処理を施し、活性層21の表面にエピタキシャル層23を形成する。以上のようにして、本発明第1の実施形態に係るSOIウェーハ2が製造される。以上の通り、本発明第2の実施形態に係るSOIウェーハ2では、第1の実施形態と同様に、その製造過程で高濃度不純物層22が外気と触れる箇所にキャップ部32が形成されていることから、高温雰囲気でエピタキシャル成長処理を行ったとしても、当該成長処理中に高濃度不純物層22に含まれていた不純物が外気中へ漏出することがなく、エピタキシャル層23への不純物のオートドープを抑制することができる。すなわち、本発明第2の実施形態に係るSOIウェーハ2を用いれば、高品質な半導体素子を製造することができる。また、本発明第2の実施形態に係るSOIウェーハ2では、半導体層を積層形成した後にキャップ部を後から形成するため、既存の工程設備を流用し易いという利点がある。なお、第2の実施形態に係るキャップ部32は、その材質がSiO2であることから、第1の実施形態とは活性不純物の拡散係数Dの値が異なる。具体的には、活性不純物がAsであり、且つ活性層21がSiO2である場合、上式2中の定数D0は、67cm2/sec定数Q0は3.7keVとなる。したがって、上述の式1、2に基づいて、キャップ部32の厚みW2は、0.5μm以上とすることが好ましい。なお、上記各実施形態では、高濃度不純物層22を形成する際に導入する活性不純物としてAsイオンを用いる例を示したが、従来周知の他の不純物を用いても構わない。例えば、ボロンB等を活性不純物として用いても構わない。