ハウジング1と、放射放出半導体チップ2と、放射検出半導体チップ3と、を備えるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10であって、-第1のキャビティ4aと第2のキャビティ4bが前記ハウジング1の中に形成され、-前記放射放出半導体チップ2は、放射を生成するのに適している活性層を有し、前記第1のキャビティ4aの中に配置され、前記第1のキャビティ4aは、第1のポッティング化合物5aによりポッティングされ、-前記放射検出半導体チップ3は、放射を検出するのに適している活性層を有し、前記第2のキャビティ4bの中に配置され、前記第2のキャビティ4bは、第2のポッティング化合物5bによりポッティングされ、-吸収材粒子が、前記第2のポッティング化合物5bの中に埋め込まれ、前記吸収材粒子は、前記放射放出半導体チップ2により放出される放射の少なくとも一部を吸収するのに適している、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記放射検出半導体チップ3は、前記放射放出半導体チップ2により放出された放射の波長範囲と異なる波長範囲の放射を検出するために設けられる、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント。前記放射放出半導体チップ2は、前記放射検出半導体チップ3を介して通電される、請求項1または2に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。キャビティ壁1a、1bに基づく光学的障壁が、前記放射放出半導体チップ2と前記放射検出半導体チップ3との間に形成される、請求項1から3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記ハウジング1の前記第1のキャビティ4aおよび前記第2のキャビティ4bは、一体化された分離スロット6により互いに機械的に分離されている、請求項1から4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記第1のポッティング化合物5aは、シリコンポッティング化合物であり、前記第2のポッティング化合物5bは、エポキシ樹脂のポッティング化合物である、請求項1から5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記放射放出半導体チップ2は、可視光を放出するのに適しているLEDであり、前記放射検出半導体チップ3は、赤外線放射を検出するのに適している光検出器である、請求項1から6のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記放射放出半導体チップ2および前記放射検出半導体チップ3のそれぞれに対して、成形によりハウジング材料で封入された2つプリント基板7a、7b、8a、8bが、前記ハウジング1内において一体化されている、請求項1から7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記ハウジング1は、黒色のエポキシドを含み、および/または、前記ハウジング1は、ニッケル、パラジウムおよび金のうち少なくとも1つにより少なくともいくつかの領域で被膜される、請求項1から8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記放射放出半導体チップ2は、動作中400nmと700nmの間の範囲両端値を含むの波長を有する可視光を生成するように設計され、前記放射検出半導体チップ3は、800nmと1500nmの間の範囲両端値を含むの波長を有する赤外線放射を検出するのに適している、請求項4から7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。前記ハウジング1は、QFNハウジングである、請求項1から10のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10。請求項1から11のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10をインテリジェント光源として使用する方法であって、外部放射の検出された部分に基づいて前記放射放出半導体チップ2を動作させる方法。前記外部放射は太陽光の放射である、請求項12に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10を使用する方法。ハウジング1と、放射放出半導体チップ2と、放射検出半導体チップ3とを備えるオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10の製造方法であって、-第1のキャビティ4aと、第2のキャビティ4bとを有する前記ハウジング1を備えるステップと、-前記放射放出半導体チップ2を前記第1のキャビティ4aに配置し、前記第1のキャビティ4aを第1のポッティング化合物5aによりポッティングするステップと、-前記放射検出半導体チップ3を前記第2のキャビティ4bに配置し、前記第2のキャビティ4bを第2のポッティング化合物5bによりポッティングするステップと、を備え、吸収材粒子が前記第2のポッティング化合物5bに埋め込まれ、前記吸収材粒子は、前記放射放出半導体チップ2により放出される前記放射の少なくとも一部を吸収するのに適している製造方法。複数の半導体コンポーネント10が共通の方法により製造され、前記半導体コンポーネントは鋸引きにより順次個片化される、請求項14に記載のオプトエレクトロニクス半導体コンポーネント10の製造方法。例示的な実施形態および図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図面に示した要素と、それらの互いのサイズの関係は原則的に正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素例えば、層、構造部、部品、領域を、誇張した厚さまたは寸法で示してある。図4は、従来技術に従ったコンポーネントに関する例示的な回路図の実施形態を示している。このようなコンポーネントは、1つの放射放出半導体チップ2と1つの放射検出半導体チップ3とを備えている。これらの半導体チップは、導電的に互いに接続されている。しかし、従来技術によれば、それぞれの半導体チップは、別々のユニットまたはハウジングの中に配置されている。このケースでは、ハウジングは、互いに離れて距離をおいて配置されている。例えば、プリント基板上に配置されている。しかしながら、このように半導体チップが互いに離れて配置されているため、プリント基板のサイズが小さくなるように具体化されなかった。抵抗Rと電圧レギュレータVと6ボルト電池Bとが、放射放出半導体チップ2と放射検出半導体チップ3との間に配置されている。図1Aは本発明に従ったコンポーネント10の断面図を示している。本発明によるコンポーネント10は、ハウジング1と放射放出半導体チップ2と放射検出半導体チップ3とを備えている。ハウジング1は第1のキャビティ4aと第2のキャビティ4bとを有している。キャビティ壁1a、1bは、第1のキャビティ4aと第2のキャビティ4bとの間に配置されている。この第1のキャビティ4aと第2のキャビティ4bは、例えば、ハウジング1を貫く穿孔perforationsとして形成されている。ハウジングの底面には、プリント基板7a、8aが、第1のキャビティ4aと第2のキャビティ4bのベース領域にそれぞれ配置されており、したがって、第1のキャビティ4aと第2のキャビティ4bの穿孔は、ハウジング1の底面で閉じている。この場合、ハウジング1のハウジングは、プリント基板7a、8aの部品取付面の上において部分的に突出しており、したがって、プリント基板7a、8aは、ハウジング1に機械的に固定されている。一例として、内部にプリント基板7a、8aを有するハウジング1は作成済みのハウジングであり、当業者には、予め成形されたハウジングpremoldedhousingという用語で知られている。放射放出半導体チップ2は、第1のキャビティ4aの中、特に第1のプリント基板7aの取り付け側の上に配置されている。放射放出半導体チップ2は、例えば、LED発光ダイオードであり、好ましくは薄膜LED発光ダイオードである。放射放出半導体チップ2は、機械的にかつ導電的に第1のプリント基板7aの取り付け側上にその下面が接続されている。半導体チップ2は、その上面からボンディングワイヤー9により第2のプリント基板に導電的に接続されており、これにより、放射放出半導体チップ2と導電的に接触することが可能となる。同様のことが放射検出半導体チップ3にも当てはまり、放射検出半導体チップ3は例えば光検出器である。この半導体チップ3は第2のキャビティ4bの中に配置され、第3のプリント基板8aに機械的にかつ導電的に接続されている。放射検出半導体チップ3は、ボンディングワイヤー9によって第4のプリント基板に対して第2の接触接続を行っている。第1のプリント基板、第2のプリント基板、第3のプリント基板および第4のプリント基板は、例えば、図1B、図3Aおよび図3Bにおける例示的な実施形態に関しより詳細に示され、説明されている。第1のキャビティ4aおよび第2のキャビティ4bの高さは、好ましくは、半導体チップ2、3の高さよりも大きい。したがって、ハウジング、特に、キャビティ壁は、半導体チップ2、3を完全に超えて突出している。キャビティ壁1a、1bがあるため、半導体チップ2と半導体チップ3との互いに対する光学的クロストークを防止することができる。特に、放射放出半導体チップ2により放出された放射は、放射検出半導体チップ3により直接検出することはできない。放射放出半導体チップ2と放射検出半導体チップ3は、それぞれ活性層を有している。放射放出半導体チップ2の活性層は、放射を生成するのに適している。放射検出半導体チップ3の活性層は、放射を検出するのに適している。放射検出半導体チップ3は、特に、放射放出半導体チップ2が放出する波長範囲とは異なる波長範囲において放射を検出するために設けられる。これにより、放射検出半導体チップが放射放出半導体チップによって放出される放射に対して敏感に反応しないようにすることができる。放射放出半導体チップ2は、好ましくは、可視光を発光するのに適しているLEDである。放射検出半導体チップ3は、好ましくは、赤外線放射を検出するのに適している光検出器である。キャビティ壁1a、1bによる光学的障壁は、放射放出半導体チップ2と放射検出半導体チップ3との間に形成される。したがって、LEDにより放出された放射は、光検出器により直接検出することはできない。分離スロットが第2のキャビティ4bのキャビティ壁1aと第1のキャビティ4aのキャビティ壁1bとの間に形成されている。この分離スロットは、ハウジング1の第1のキャビティ4aと第2のキャビティ4bとの間を互いに機械的に分離している。ハウジング1は、分離スロット6にも拘わらず、一体的に具体化されている。第1のキャビティ4aの中で、放射放出半導体チップ2は、シリコンポッティング化合物によりポッティングされる。第2のキャビティ4bの中で、放射検出半導体チップ3は、エポキシ樹脂のポッティング化合物によりポッティングされ、エポキシ樹脂ポッティング化合物5bは、放射放出半導体チップ2により放出される放射の少なくとも一部を吸収するのに適している吸収材粒子を備えている。もし、放射放出半導体チップ2により放出された放射が通過して第2のキャビティ4b内に入った場合には、放射のうち通過した部分がエポキシ樹脂のポッティング化合物5bの吸収材粒子により吸収され、従ってその部分は放射検出半導体チップ3に到達しない。よって、放射検出器3がLED2により放出される放射により影響を受けることを防止することができる。この場合、シリコンポッティング化合物5aとエポキシ樹脂ポッティング化合物5bとが第1のキャビティ4aおよび第2のキャビティ4bを完全に充填し、したがって、コンポーネント10は、好ましくは、ほぼ平面状の面を有する。ハウジング1は、好ましくは、黒色のエポキシドを含み、少なくともいくつかの領域でニッケル、パラジウムおよび金のうち少なくとも1つで被膜される。一例として、ハウジングは、QFNハウジングである。放射放出半導体チップ2は、放射検出半導体チップ3を介して通電される。放射検出半導体チップ3は、放射放出半導体チップ2を通電するためのスイッチとして具体化されており、したがって放射放出半導体チップ2を操作するためのスイッチとして具体化されている。したがって、インテリジェント光源を製造することができ、インテリジェント光源は、外部の放射のうち検出された部分に基づいて放射放出半導体チップ2の動作をさせる。一例として、太陽光の放射は外部放射であると考える。したがって、もし放射検出半導体チップ3が、一定の限界値を超える赤外線波長範囲の放射を検出すると、放射検出器3は、放射放出半導体チップ2の通電のスイッチをオフにし、したがって、放射放出半導体チップ2は放射を放出しない。例えば、もし太陽光の光線のある部分が、コンポーネント10の付近に存在したなら、その結果コンポーネント10による照明が不要となる場合が当てはまる。これに対して、放射検出器3が特定の限界値に満たない外部放射の部分を検出すると、放射検出器3は、放射放出半導体チップ2の通電のスイッチをオンにし、したがって、放射放出半導体チップ2が放射を放出する。すなわち、例えば、もし太陽光の外部の光線の部分が例えば夕方に減少したら、コンポーネントによる発光が必要となる。半導体チップ2、3の配置が共通であるため、小型のコンポーネント10を実現することができ、高い信頼性での動作が可能となり、生産と部品コストの点で好都合である。このようなコンポーネント10は、大量生産法により生産することができ、例えば、複数のこのようなコンポーネントを同時に生産することができるため、これらのコンポーネントは鋸引きにより順次個片化される。図1Bは、例えば、図1Aの例示的な実施形態によるコンポーネント10の斜視図を示す。第1のキャビティ4aの底面に、第1のプリント基板7aおよび第2のプリント基板7bが配置され、これらにより、放射放出半導体チップ2との電気的接触が可能となる。同様に放射検出半導体チップ3にも当てはまり、放射検出半導体チップ3は第3のプリント基板8aに配置され導電的に接続され、そして放射検出半導体チップ3の第2の接触接続は、プリント基板8bにより実現されている。キャビティ壁1aとキャビティ壁1bの間の分離スロット6にはポッティング化合物がない。別案として、例えば、第1のキャビティ4aまたは第2のキャビティ4bのポッティング化合物を追加的に分離スロット6に導入することもできる。この場合は、コンポーネント10から放射放出半導体チップ2により放出される放射の放射出口側は、底面とは反対側に設けられる。その他の点に関しては、図1Bの例示的な実施形態は、実質的に図1Aの例示的な実施形態に一致している。図2は、例えば図1Aの例示的な実施形態におけるコンポーネント10の回路図を示している。回路図で示すように、半導体チップ2、3が1つの共通のハウジング内に配置され、互いに導電的に接続されている。アノードAおよびカソードCが、それぞれ半導体チップごとに半導体チップの入力および出力に接続されている。半導体チップ2、3は、さまざまな電気部品を通して互いに接続されている。平面図、例えば、図1Aの例示的な実施形態におけるコンポーネント10は、図3Aの例示的な実施形態に示されている。半導体チップ2、3に電気的に接触する役割を有するプリント基板7a、7b、8a、8bは、第1のキャビティおよび第2のキャビティの平面図において見ることができる。プリント基板7a、7b、8a、8bは、それぞれ互いに電気的に絶縁された状態で配置されている。特に、電気絶縁性ハウジング材料がプリント基板の間に配置されている。キャビティは、キャビティ壁により完全に囲まれている。分離スロット6は、2つのキャビティの間に配置されており、分離スロット6には、この例示的な実施形態では、ポッティング材料がない。その他の点に関しては、図3Aの例示的な実施形態は、図1Aの例示的な実施形態に一致している。図3Bは、図3Aの例示的な実施形態におけるコンポーネント10の底面図を示している。半導体チップ2、3と電気的に接触する役割を有する個々のプリント基板7a、7b、8a、8bは底面から見ることができる。これらのプリント基板は、互いに電気的に絶縁された状態で配置されている。特に、個々のプリント基板は、互いに間隔を置いて配置されており、この間隔にはハウジング材料1が充填されている。コンポーネント10は、その底面から外部との電気的な接触が可能であり、例えば、その底面は、外部のプリント基板に取り付けられ、外部のプリント基板に導電的に接続されている。コンポーネント10は、特に、表面実装コンポーネントである。その他の点に関しては、図3Bの例示的な実施形態は、図3Aの例示的な実施形態に一致している。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。[関連出願]本特許出願は、独国特許出願第102010053809.4号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。