光学性能を満たす有効エリアを含む光学面を外面の一部に有する光学素子を線引き処理により製造するために用いられる光学素子用母材であって、前記光学面に対応する曲面以外の部分に設けられ、線引き処理により断面形状が目標断面形状になるように形成された第1屈曲部を有することを特徴とする光学素子用母材。目標断面形状と相似な形状に対する前記第1屈曲部の断面形状の差Dは、以下の式を満たすことを特徴とする請求項1記載の光学素子用母材。D=d/α但し、d:目標断面形状と相似な断面形状を有する光学素子用母材を線引き処理した場合に得られる光学素子の断面形状と目標断面形状との差α:線引き処理による光学素子用母材の縮小率前記光学面に対応する曲面に設けられ、線引き処理により前記光学面の断面形状が目標断面形状になるように形成された第2屈曲部を有することを特徴とする請求項1又は2記載の光学素子用母材。前記第2屈曲部の曲率半径R ́は、以下の式を満たすことを特徴とする請求項3記載の光学素子用母材。R ́=r/r ́R但し、R:光学面に対応する光学素子用母材の曲面の曲率半径r:目標断面形状における光学面の曲率半径r ́:一定の曲率半径Rの曲面を有する光学素子用母材を線引き処理した場合に得られる光学素子の断面形状における光学面のうち、目標断面形状と異なる光学面の所定位置における曲率半径請求項1から4のいずれかに記載の光学素子用母材に対して線引き処理及び切断処理を施すことにより得られる光学素子。光導波路を有するスライダと、前記光導波路と直交する方向に光を出力する光源と、前記光源からの光を反射し、前記光を前記光導波路に導く請求項5記載の光学素子と、を有する光アシスト磁気記録ヘッド。光学素子用母材の外面に対して、線引き処理により断面形状が目標断面形状になるように第1屈曲部を形成する第1屈曲部形成工程と、前記光学素子用母材の断面が所定の大きさとなるまで線引きし、中間生成体を得る線引き処理工程と、前記中間生成体を切断することにより、複数の光学素子を得る切断工程と、を有することを特徴とする光学素子の製造方法。光学素子用母材の曲面に対して、線引き処理により光学面の断面形状が目標断面形状になるように第2屈曲部を形成する第2屈曲部形成工程を更に有することを特徴とする請求項7記載の光学素子の製造方法。しかし、線引き法では、母材の材質や線引きの条件線引きの速度、温度等により、所望の光学素子を得ることができない場合がある。図14は、母材O ́及び光学素子Oの断面図である。たとえば、母材O ́に対して線引き処理を行うと、加熱延伸時の表面張力により、製造される光学素子Oは、その外面が円柱に近づくような変形膨張を生ずる場合がある。すなわち、線引き後の光学素子Oの外面は、平面ではなく凸状に変形する。なお、図14では、外面の変形を理解し易くするため、母材の断面と光学素子の断面とを同じ大きさで示している実際には、線引き法により製造された光学素子の断面は、その母材の断面よりも小さくなる。或いは、線引きの条件によっては、特許文献1の図4A等にあるように、線引き後の光学素子の外面が凹状に変形収縮する場合もありうる。このように、従来の線引き法では、母材と異なる外面形状断面形状を有する光学素子が製造される可能性所望の光学素子を得られない可能性があった。ここで、光アシスト磁気記録ヘッドに使用される光学素子は高い精度が求められる。よって、その光学素子を線引き法で製造する場合には、変形による影響は大きいものとなる。特に、母材の外面の一部に形成された光学面が変形した場合には、光の反射方向等に影響を与える可能性がある。光学面の変形により光の反射方向が変わると、光源からのレーザ光を精度よく光導波路に導くことが困難となる。この発明は上記の問題点を解決するものであり、線引き法を用いて高精度な光学素子を容易に得ることが可能な技術を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、請求項1記載の光学素子用母材は、光学性能を満たす有効エリアを含む光学面を外面の一部に有する光学素子を線引き処理により製造するために用いられる。光学素子用母材は、第1屈曲部を有する。第1屈曲部は、光学面に対応する曲面以外の部分に設けられ、線引き処理により断面形状が目標断面形状になるように形成されている。また、上記課題を解決するために、請求項2記載の光学素子用母材は、請求項1記載の光学素子用母材であって、目標断面形状と相似な形状に対する第1屈曲部の断面形状の差Dは、以下の式を満たす。D=d/α但し、d:目標断面形状と相似な断面形状を有する光学素子用母材を線引き処理した場合に得られる光学素子の断面形状と目標断面形状との差α:線引き処理による光学素子用母材の縮小率また、上記課題を解決するために、請求項3記載の光学素子用母材は、請求項1又は2記載の光学素子用母材であって、第2屈曲部を有する。第2屈曲部は、光学面に対応する曲面に設けられ、線引き処理により光学面の断面形状が目標断面形状になるように形成されている。また、上記課題を解決するために、請求項4記載の光学素子用母材は、請求項3記載の光学素子用母材であって、第2屈曲部の曲率半径R ́は、以下の式を満たす。R ́=r/r ́R但し、R:光学面に対応する光学素子用母材の曲面の曲率半径r:目標断面形状における光学面の曲率半径r ́:一定の曲率半径Rの曲面を有する光学素子用母材を線引き処理した場合に得られる光学素子の断面形状における光学面のうち、目標断面形状と異なる光学面の所定位置における曲率半径また、上記課題を解決するために、請求項5記載の光学素子は、請求項1から4のいずれかに記載の光学素子用母材に対して線引き処理及び切断処理を施すことにより得られる。また、上記課題を解決するために、請求項6記載の光アシスト磁気記録ヘッドは、光導波路を有するスライダと、光導波路と直交する方向に光を出力する光源と、光源からの光を反射し、光を光導波路に導く請求項5記載の光学素子と、を有する。また、上記課題を解決するために、請求項7記載の光学素子の製造方法は、第1屈曲部形成工程と、線引き処理工程と、切断工程とを有する。第1屈曲部形成工程は、光学素子用母材の外面に対して、線引き処理により断面形状が目標断面形状になるように第1屈曲部を形成する。線引き処理工程は、光学素子用母材の断面が所定の大きさとなるまで線引きし、中間生成体を得る。切断工程は、中間生成体を切断することにより、複数の光学素子を得る。また、上記課題を解決するために、請求項8記載の光学素子の製造方法は、請求項7記載の光学素子の製造方法であって、第2屈曲部形成工程を有する。第2屈曲部形成工程は、光学素子用母材の曲面に対して、線引き処理により光学面の断面形状が目標断面形状になるように第2屈曲部を形成する。このように、線引き処理による変形を予め考慮し、光学素子用母材に屈曲部第1屈曲部、第2屈曲部を設けておく。よって、線引き処理によって得られる光学素子は所望の形状となる。すなわち、線引き法を用いて高精度な光学素子を容易に得ることが可能となる。<第1実施形態>図1から図9を用いて第1実施形態に係る光学素子光学素子用母材等について説明する。[情報記録装置の構成]図1に示すように、光アシスト磁気記録ヘッドを搭載した光アシスト磁気記録装置たとえばハードディスク装置、以下情報記録装置1という場合があるは、たとえば、記録用の複数枚の回転可能なディスク磁気記録媒体3と、ヘッド支持部5と、トラッキング用アクチュエータ7と、光アシスト磁気記録ヘッド4以下、光ヘッド4という場合があると、図示しない駆動装置と、を筐体2内に備えている。なお、ディスク3は1枚であってもよい。ヘッド支持部5は、支軸6を支点として矢印Aの方向トラッキング方向に回動可能に設けられている。トラッキング用アクチュエータ7は、ヘッド支持部5に取り付けられている。光ヘッド4は、ヘッド支持部5の先端に取り付けられている。図示しない駆動装置は、ディスク3を矢印Bの方向に回転させる。情報記録装置1は、光ヘッド4がディスク3の上で浮上しながら相対的に移動しうるように構成されている。[光アシスト磁気記録ヘッド]次に、図2から図4を参照して、光ヘッド4の概略構成例を説明する。図2は光ヘッド4の断面図である。図3は、光学素子30の斜視図である。図4は、図3のD-D断面である。光ヘッド4は、ディスク3に対する情報記録に光を利用する微小光記録ヘッドである。光ヘッド4は、スライダ10と、光源部20と、光学素子30とを有する。情報記録装置1は、ディスク3を矢印C方向に移動させ、光ヘッド4がディスク3上で浮上しながら相対的に移動しうるように構成されている。なお、本実施形態では、ディスク3の回転方向矢印C方向をy方向、光ヘッド4の厚み方向をz方向、y方向及びz方向の双方に直交する方向をx方向として説明する。スライダスライダ10は、たとえば、AlTiC等の材料で形成される方形状の基板である。スライダ10は、ディスク3と対向する下面10aと、下面10aに対してz方向の反対側に位置する上面10bと、y方向の端部に位置する側面10cとを有する。スライダ10には、磁気ヘッド部13が形成される。磁気ヘッド部13は、光導波路14と、図示しない磁気記録部と、図示しない磁気情報再生部と、図示しない電極とを有する。なお、本実施形態において、磁気ヘッド部13はスライダ10と一体に形成されているが、別体で形成されたものをスライダ10の側面10cに取り付けることでもよい。光導波路14は、光学素子30によって導かれた光源部20からの光を導光し、ディスク3に向けて出射するための経路を形成している。光導波路14は、入射端14aと、出射端14bとを有する。入射端14aには、光源部20からの光が入射する。入射端14aは、スライダ10の上面10bと略同一面上にある磁気ヘッド部13の上面に設けられる。出射端14bからは、光導波路14内を通過した光が出射する。出射端14bは、スライダ10の下面10aと略同一面上にある磁気ヘッド部13の下面に設けられる。光導波路14は、下部クラッド層、コア層、上部クラッド層いずれも図示しないを、光が伝播する方向とは直交する厚み方向y方向に沿って、この順番に積層させたものである。コア層は、各クラッド層例えば、SiO2で形成よりも屈折率の高い素材例えば、Ta2O5で形成されている。これにより、光導波路14に導かれた光は、コア層と、各クラッド層との間で全反射しながらディスク3に向かって伝播する。光導波路14の出射端14b近傍には、近接場光発生素子としてのプラズモンプローブ15が配置される。光学素子30により導かれた光源部20からの光は、入射端14aから光導波路14に入射し、出射端14bに向かって光導波路14内を進む。出射端14bに設けられているプラズモンプローブ15は、光学素子30により導かれた光を近接場光に変換し、ディスク3に向けて出射する。なお、図示しない磁気記録部は、ディスク3の被記録部分に対して磁気情報の書き込みを行う。図示しない磁気情報再生部は、ディスク3に記録されている磁気情報の読み取りを行う。図示しない電極は、スライダ10の上面10bに形成される。電極は、所定のパターン形状を有し、光源部20と接続されることにより、光源部20に駆動電力を供給する。また、スライダ10は、浮上しながら磁気記録媒体であるディスク3に対して相対的に移動するが、ディスク3に付着したごみやディスク3に欠陥がある場合には、ディスク3と接触する可能性がある。その場合に発生する摩擦を低減するために、スライダ10の材質には耐摩擦性の高い硬質の材料を用いることが好ましい。例えば、Al2O3を含むセラミック材料、AlTiCやジリコニア、又はTiNなどを用いればよい。また、摩擦防止のために、スライダ10のディスク3側の面に、耐摩擦性を増すための表面処理を行ってもよい。例えば、DLCDiamondLikeCarbon被膜を用いることにより、高い硬度が得られる。光源部光源部20は、たとえば半導体レーザLaserDiode:LDを含んで構成されている。光源部20は、光導波路14と略直交する方向に光を出力する。略直交する方向とは、光源部20からの光が光学素子30の光学面32有効エリア32a。後述に入射することができる方向をいう。半導体レーザから出力される光の波長は、可視光から近赤外の波長波長帯としては、0.6μm~2μm程度である。また、具体的な波長としては、650nm、780nm、830nm、1310nm、1550nmなどが挙げられる。半導体レーザを構成する材料としては、たとえば、GaAs、AlGaAs、InGaAs、AlGaInP、InAlGaN、InGaN、GaN、GaInNA、GaNAsP、及びAlGaNAsなどの材料のうちのいずれかを用いればよい。そして、発光に必要な層をウェハ上に積層することにより、半導体レーザを作製することができる。光源部20は、スライダ10の上面10bに配置される。光源部20は、出射面20aと、底面20bとを有している。出射面20aには、半導体レーザからの光が光源部20外に出射するための出射端20cが形成されている。光源部20は、出射端20cから光学素子30に向けて光を出力する。光学素子光学素子30は、光源部20からの光を反射集光させて光導波路14の入射端14aに導くための素子である。図3に示すように、光学素子30は、たとえば、方形状の部材からなり、その外面31の一部に光学面32が形成されている。光学面32は、光源部20からの光を反射させる。光学素子30は、たとえば、光学的に透明な樹脂又はガラスで構成されている。光学素子30は、たとえば、石英などのガラスからなる母材を線引き処理及び切断処理等を施すことにより形成される。光学素子30の製法の詳細については後述する。本実施形態において、光学面32は外部に露出している。従って、光学面32は表面反射ミラーとして機能する。光学面32は、金、アルミなどの金属膜、誘電体多層膜の反射膜等で形成することができる。光学面32が表面反射ミラーであるため、光学素子30内部に光源部20からの光が入射することが無い。よって、光が光学素子30内部を透過することによる光量損失を低減する事ができる。光学面32は、円筒面状円筒面の一部に形成されている。図4に示すように、光学面32は、要求される光学性能たとえば、光源部20からの光を所定方向に反射させる機能を満たす有効エリア32a、及びそれ以外の領域32bを含んで構成されている。なお、光学面32の形状は円円筒に限るものではなく、楕円など非球面の断面の一部から成るシリンドリカル面でもよい。その場合であっても、光学面32は、光学性能を満たす有効エリア32a及びそれ以外の領域32bを含む。光学素子30の外面31のうち一部は、光源側接合面31a及び磁気ヘッド部側接合面31bとして機能する。光源側接合面31aは、接着剤等を介して光源部20の出射面20aと接合される。磁気ヘッド部側接合面31bは、接着剤等を介して磁気ヘッド部13の上面スライダ10の上面10bと接合される。なお、光学素子30を光ヘッド4に接合する際には、光源側接合面31a及び磁気ヘッド部側接合面31bの少なくとも一方が接着剤等により接合されていればよい。光源側接合面31a及び磁気ヘッド部側接合面31bの面積は等しくてもよいし、異なっていてもよい図3等は、面積の異なる例を示している。本実施形態において、光ヘッド4に用いられる光学素子30の断面形状たとえば、図4に示す断面形状を目標断面形状という。[光学素子用母材]次に、図5から図7を参照して、光学素子用母材30 ́について説明する。図5は、光学素子用母材30 ́の斜視図である。図6は、図5におけるE-E断面である。図7は、目標断面形状と相似な断面形状を有する母材M ́、及び母材M ́を線引き処理することにより製造された光学素子Mの一例を示す断面図である。図6の破線は、目標断面形状と相似な形状を示す。図7の破線は、目標断面形状を示す。なお、本実施形態では、光学素子用母材30 ́母材M ́の断面形状と、光学素子30光学素子Mの断面形状とをほぼ同じ大きさで示しているが、光学素子30を線引き法により製造する場合、一般的に、光学素子30光学素子Mの外形断面寸法は光学素子用母材30 ́母材M ́の外形断面寸法よりも縮小されるたとえば1/10から1/100程度。光学素子用母材30 ́は、光学素子30の元となる部材である。光学素子用母材30 ́を線引き処理等することにより、光学素子30が得られる。光学素子用母材30 ́は、光学素子30の外面31に対応する第1屈曲部31 ́、及び光学素子30の光学面32に対応する曲面32 ́が設けられている。第1屈曲部31 ́は、曲面32 ́以外の外周面に設けられ、線引き処理により得られる光学素子30の断面形状が目標断面形状になるように形成されている。ここで、図7に示すように、目標断面形状と相似な断面形状を有する母材M ́に対して線引き処理を行う場合、線引きの際に施される加熱延伸によって生じる表面張力により、得られる光学素子Mの断面形状は目標断面形状に比べ膨張する図7では、目標断面形状に対して差dだけ膨張している。すなわち、目標断面形状と相似な断面形状を有する母材M ́を用いる場合、線引き処理により得られる光学素子Mの断面形状は、目標断面形状とならない可能性が高い。そこで、本実施形態では、光学素子30と相似形の光学素子用母材30 ́を線引き処理した場合に生じる外面31の変形を予め考慮し、その変形と逆方向の変形たとえば、膨張に対しては、その分だけ収縮を与えた第1屈曲部31 ́を光学素子用母材30 ́に形成する。よって、線引き処理後の光学素子30を所望の形状で得ることが可能となる。すなわち、第1屈曲部31 ́を有する光学素子用母材30 ́を線引き処理した場合に得られる光学素子30の断面形状は、目標断面形状となる。たとえば、図6に示すように、第1屈曲部31 ́を予め目標断面形状に対して差D後述だけ収縮させた凹形状としておく。この第1屈曲部31 ́を有する光学素子用母材30 ́が膨張するような線引きの条件で処理することで、得られる光学素子30の断面形状は、目標断面形状と等しくなる。なお、第1屈曲部31 ́の形状は、母材の材質、線引きを行う速度母材を牽引する速度、加熱の温度等の条件を考慮して適宜定めることができる。たとえば、母材M ́を線引き条件fで線引き処理した場合に得られる光学素子Mの断面形状と目標断面形状との差をd図7参照とし、線引き処理による光学素子用母材30 ́の縮小率αとする。なお、縮小率とは、光学素子を線引き法により製造する場合において、光学素子用母材の外形断面寸法に対する光学素子の外形断面寸法の収縮度合いをいう。このとき、条件fで線引き処理する場合における、目標断面形状と相似な形状に対する第1屈曲部31 ́の断面形状の差D図6参照は、以下の式1を満たす値となることが望ましい。[数1]D=d/α1線引き条件fにおいて縮小率αの場合、光学素子30の外面31における凸形状の変形目標断面形状に対する差がdだけ生じる。このdの光学素子用母材30 ́の大きさへの換算量は、dに縮小率の逆数1/αを乗じたd/αとなる。この換算量d/αを線引き処理による変形凸形状と逆方向、すなわち、凹形状の変形として光学素子用母材30 ́の外面に予め与えることにより、第1屈曲部31 ́が形成される。第1屈曲部31 ́が形成された光学素子用母材30 ́を線引き条件fで線引き処理した場合、凹形状の第1屈曲部31 ́が膨張する。そして、凹形状の第1屈曲部31 ́は、縮小率がαとなった時点で平面状、すなわち、目標断面形状となる。式1の算出結果に基づいて、第1屈曲部31 ́それぞれをDだけ凹ませることにより、光学素子用母材30 ́を形成することができる。線引き処理の条件によっては、母材の外面に対して光学素子の外面が収縮する場合もある。この場合には、光学素子用母材30 ́に凸形状の第1屈曲部31 ́を形成することも可能である。また、第1屈曲部31 ́の形状は、全てが等しい形状であってもよいし、それぞれ異なる形状であってもよい。なお、光学素子用母材30 ́に第1屈曲部31 ́を設けることにより、線引き処理によって形成される光学素子30の外面31を平面に形成することができる。よって、外面31の一部が、光源側接合面31a又は磁気ヘッド部側接合面31bとして機能する場合、光学素子30の光源部20又は磁気ヘッド部13に対する位置決めが容易となる。曲面32 ́は、光学素子30の光学面32に対応する面である。光学素子用母材30 ́を線引き処理等することで、曲面32 ́は光学面32を形成する。なお、本実施形態においては、線引き処理による曲面32 ́の変形はないものとして扱う曲面32 ́の変形を考慮する例については、第2実施形態で述べる。[線引き装置]次に、図8を参照して、線引き法に用いる線引き装置100について説明する。線引き装置100は、ローラ101102と、加熱部103と、外形寸法測定部104と、カッター105とを含んで構成されている。ローラ101は、光学素子用母材30 ́を加熱部103へ送り込む。加熱部103は、電気炉103aと、温度調整部103bとを含んで構成されている。温度調整部103bは、電気炉103aの温度調整を行う。具体的には、ローラ101により光学素子用母材30 ́が電気炉103a近傍に送り込まれると、温度調整部103bは、光学素子用母材30 ́の材質の屈伏点以上に加熱を行うよう電気炉103aの温度調整を行う。ローラ102は、加熱部103で加熱された状態の光学素子用母材30 ́を、その外形断面寸法が所定の大きさになるまで引き伸ばす線引き処理。外形寸法測定部104は、ローラ101とローラ102との間に設けられている。外形寸法測定部104は、線引き処理された光学素子用母材30 ́の外径を測定し、その外形寸法が所定の外形寸法になっているか否かすなわち、断面が所定の大きさになっているかを判断する。外形寸法測定部104は、レーザ部104aと、受光部104bと、解析部104cとを含んで構成されている。レーザ部104aは、線引き処理された光学素子用母材30 ́に対してレーザ光を照射する。受光部104bは、光学素子用母材30 ́を通過したレーザ光を受光する。解析部104cは、受光部104bにより受光された光量等に基づいて光学素子用母材30 ́の外形寸法を算出する。カッター105は、ローラ102の下部に設けられ、外形寸法測定部104により、光学素子用母材30 ́の外形寸法が所定の寸法になっていると判断された場合に、光学素子用母材30 ́を所定の長さに切断し、中間生成体Pを形成する。この中間生成体Pを更に切断、加工たとえば、切断面稜線の面取りや光学面32のコーティングすることにより、複数の光学素子30を得ることができる。[光学素子の製造方法]図9を参照して、線引き装置100を使用した光学素子30の製造方法について説明する。図9は、本実施形態に係る光学素子30の製造手順を示すフローチャートである。まず、線引き処理の条件等に基づいてシミュレーションを行い、第1屈曲部31 ́の形状を決定する。シミュレーション結果に基づいて光学素子用母材30 ́を加工し、第1屈曲部31 ́を形成するS10。S10は、第1屈曲部形成工程の一例である。S10で加工された光学素子用母材30 ́を線引き装置100に送り込む。線引き装置100の加熱部103及びローラ102により、光学素子用母材30 ́は、加熱延伸されるS11。延伸された光学素子用母材30 ́の外形寸法が所定の値になると、カッター105は、光学素子用母材30 ́を切断し、中間生成体Pを得るS12。S11及びS12は、線引き処理工程の一例である。そして、切断装置や加工装置いずれも図示なしにより、中間生成体Pを更に切断加工たとえば、切断面稜線の面取りや光学面32のコーティングすることにより、複数の光学素子30を得ることができるS13。S13は、切断工程の一例である。[作用効果]本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態に係る光学素子用母材30 ́は、光学性能を満たすたとえば、光源部20からの光を所定の方向に反射させる有効エリア32aを含む光学面32を外面31の一部に有する光学素子30を線引き処理により製造するために用いられる。光学素子用母材30 ́は、第1屈曲部31 ́を有する。第1屈曲部31 ́は、光学面32に対応する曲面32 ́以外の部分に設けられ、線引き処理により断面形状が目標断面形状になるように形成されている。また、本実施形態に係る光学素子用母材30 ́において、第1屈曲部31 ́の形状を、目標断面形状と相似な形状に対する第1屈曲部31 ́の断面形状の差Dが式1を満たすように形成することが望ましい。D=d/α1但し、d:目標断面形状と相似な断面形状を有する光学素子用母材30 ́を線引き処理した場合に得られる光学素子30の断面形状と目標断面形状との差α:線引き処理による光学素子用母材30 ́の縮小率本実施形態に係る光学素子30は、上述の光学素子用母材30 ́に対して線引き処理及び切断処理等たとえば、切断面稜線の面取りや光学面32のコーティング等の加工処理を含むを行うことで得られる。また、本実施形態に係る光学素子30の製造方法は、第1屈曲部形成工程と、線引き処理工程と、切断工程とを含む。第1屈曲部形成工程は、光学素子用母材30 ́の外面に対して、線引き処理により断面形状が目標断面形状になるように第1屈曲部31 ́を形成する。線引き処理工程は、光学素子用母材30 ́の断面が所定の大きさとなるまで線引きし、中間生成体を得る。切断工程は、中間生成体Pを切断することにより、複数の光学素子30を得る。このように、線引き処理による変形を予め考慮し、光学素子用母材30 ́の外面に第1屈曲部31 ́を設けておくことにより、線引き処理により得られる光学素子30の断面形状を目標断面形状とすることができる。つまり、線引き処理によって得られる光学素子30を所望の形状とすることができる。従って、線引き法を用いて高精度な光学素子を容易に得ることが可能となる。<第2実施形態>次に、図10から図13を用いて第2実施形態に係る光学素子光学素子用母材等について説明する。なお、第1実施形態と同様の構成等については、詳細な説明を省略する場合がある。図10は、目標断面形状と相似な断面形状を有する母材N ́、及び母材N ́を線引き処理することにより製造された光学素子Nの一例を示す断面図である。図11は、光学素子用母材30 ́ ́の斜視図である。図12は、図11におけるF-F断面である。図13は、本実施形態に係る光学素子の製造手順を示すフローチャートである。図10の破線は、目標断面形状を示す。図12の破線は、目標断面形状と相似な形状を示す。なお、本実施形態においても、光学素子用母材の断面形状と、光学素子の断面形状とをほぼ同じ大きさで示している。また、本実施形態における光学素子用母材30 ́ ́を線引き処理して得られる光学素子は、第1実施形態の光学素子30と同じものであるとする。第1実施形態では、線引き処理による光学素子用母材30 ́の曲面32 ́の変形はないものとして説明を行った。しかし、線引きの条件によっては、母材の曲面が変形する場合がある。たとえば、図10に示すように、目標断面形状と相似な断面形状を有する母材N ́に対して線引き処理を行う場合、線引きの際に施される加熱延伸によって生じる表面張力により、得られる光学素子Nの断面形状は目標断面形状に比べ膨張する。このとき、母材N ́の外面N ́aが膨張することにより、曲面N ́bが牽引される。よって、得られる光学素子Nの光学面Nbは、外面Naに近い部分ほど曲率半径が大きくなる。たとえば、曲面N ́bの曲率半径がRの場合に、線引き処理後に得られる光学素子Nの光学面Nbのうち、外面Naに近い部分の曲率半径r ́と外面Naから遠い部分有効エリアの中心付近の曲率半径rとは異なる。ここで、光学素子光学面のNAが小さい場合には、光学面に形成される有効エリアが狭くても、その光学素子は光学性能を発揮することができる。すなわち、線引き処理によって有効エリア以外の領域の曲率半径が目標断面形状における曲率半径と異なった場合であっても、光学素子の光学性能に影響を与える可能性は低い。一方、光学素子光学面のNAが大きい場合には、光学面に形成される有効エリアも広く形成される。よって、線引き処理により光学素子の有効エリアにおける曲率半径が目標曲率半径目標断面形状における有効エリアの曲率半径と異なる可能性がある。有効エリア内で曲率半径が異なると、光学素子の光学性能に影響を与える可能性がある。たとえば、有効エリア内で光源部20からの光が当たった位置によって反射方向が変わる可能性がある。この場合、光導波路14に光を効率的に導くことができない。本実施形態では、線引き処理による曲面の変形を考慮した光学素子用母材30 ́ ́の構成について説明を行う。[光学素子用母材]光学素子用母材30 ́ ́は、光学素子30の元となる部材である。光学素子用母材30 ́ ́を線引き処理等することにより、光学素子30が得られる。光学素子用母材30 ́ ́は、光学素子30の外面31に対応する第1屈曲部31 ́ ́、及び光学素子30の光学面32に対応する曲面32 ́ ́が設けられている。第1屈曲部31 ́ ́は、曲面32 ́ ́以外の外周面に設けられ、線引き処理により得られる光学素子30の断面形状が目標断面形状になるように形成されている。第1屈曲部31 ́ ́は、第1屈曲部31 ́とほぼ同様の構造であるため詳細な説明を省略する。なお、曲面32 ́ ́の形状に合わせて、曲面32 ́ ́に隣接する第1屈曲部31 ́ ́とそれ以外の第1屈曲部31 ́ ́との断面形状を異ならせることも可能である。曲面32 ́ ́は、光学素子30の光学面32に対応する面である。本実施形態において、曲面32 ́ ́は、領域32 ́ ́aと、第2屈曲部32 ́ ́bとを含んで構成されている。領域32 ́ ́aは、光学面32の有効エリア32aの中心付近に対応する領域である。領域32 ́ ́aは、線引き処理による変形曲率半径の変化を受け難い領域である。第2屈曲部32 ́ ́bは、光学面32の領域32b及びそれに隣接する有効エリア32aの一部周辺部に対応する領域であって、線引き処理により光学面32の断面形状が目標断面形状になるように形成されている。すなわち、第2屈曲部32 ́ ́bは、線引き処理による変形曲率半径の変化を受け易い領域である。たとえば、図12に示すように、予め第2屈曲部32 ́ ́bの曲率半径が領域32 ́ ́aの曲率半径よりも小さくなるように曲面32 ́ ́を形成しておく。この光学素子用母材30 ́ ́が膨張するような線引きの条件で線引き処理することで、曲面32 ́ ́に隣接する第1屈曲部31 ́ ́が膨張する。そして、膨張する第1屈曲部31 ́ ́に牽引されて第2屈曲部32 ́ ́bが広がることにより、得られる光学素子30の断面形状は、目標断面形状と等しくなる。なお、第2屈曲部32 ́ ́bの形状は、母材の材質、線引きを行う速度、加熱の温度等の条件を考慮して適宜定めることができる。たとえば、光学面32に対応する曲面32 ́ ́の曲率半径をRとし、目標断面形状における光学面32の曲率半径をrとし、一定の曲率半径Rの曲面N ́bを有する母材N ́を線引き処理した場合に得られる光学素子Nの断面形状における光学面のうち、目標断面形状と異なる光学面の所定位置における曲率半径をr ́とする。なお、所定位置とは、有効エリア以外、或いは有効エリア以外の領域と隣接する有効エリアの一部周辺部における任意の位置である。たとえば、本実施形態では、曲面32 ́ ́と第1屈曲部31 ́ ́が隣接する位置を示す。このとき、第2屈曲部32 ́ ́bの曲率半径R ́は、以下の式2を満たす値となることが望ましい。[数2]R ́=r/r ́R1曲面Nbの外面Naに近い部分は、線引き処理により外面N ́aの膨張に牽引されて曲率半径が目標曲率半径rよりも大きい半径r ́となる。従って、線引き処理による曲率半径の変形率r ́/rの逆数r/r ́を曲面32 ́ ́の曲率半径Rに乗じた値を光学素子用母材30 ́ ́の外面に予め与えることにより、曲率半径R ́=r/r ́Rを有する第2屈曲部32 ́ ́bが形成される。このように第2屈曲部32 ́ ́bを予め設定しておけば、線引き処理後の光学面32の曲率半径は、目標断面形状の曲率半径rとなる。一般に、母材の外面の膨張率と牽引による曲率半径の変形率とは異なるため、このような補正が望ましい。式2の算出結果に基づいて、第2屈曲部32 ́ ́bの曲率半径をR ́とすることにより、光学素子用母材30 ́ ́を形成することができる。線引き処理の条件によっては、母材の外面に対して光学素子の外面が収縮する場合もある。この場合には、領域32 ́ ́aの曲率半径に対して第2屈曲部32 ́ ́bの曲率半径を大きくすることも可能である。また、第2屈曲部32 ́ ́bの形状は、全てが等しい形状であってもよいし、それぞれ異なる形状であってもよい。また、光学面が楕円など非球面の断面の一部から成るシリンドリカル面の場合には、光学面上の所定位置により局所的な曲率半径が異なる。このような場合には、有効エリア中心付近に対応する母材の曲面における曲率半径Rの中心位置から所定位置までの距離をR ́ ́とした場合、R ́ ́=r/r ́ ́Rと設定すればよい。ここで、r ́ ́は母材N ́図10参照の曲面N ́bが目標断面形状と相似な非球面形状となっている場合に、この母材N ́を線引き処理した場合に得られる光学素子Nの有効エリア中心付近における曲率半径rの中心位置から所定位置までの距離である。[光学素子の製造方法]図13を参照して、光学素子用母材30 ́ ́を用いた光学素子30の製造方法について説明する。まず、線引き処理の条件等に基づいてシミュレーションを行い、第1屈曲部31 ́ ́の形状を決定する。シミュレーション結果に基づいて光学素子用母材30 ́ ́を加工し、第1屈曲部31 ́ ́を形成するS20。S20は、第1屈曲部形成工程の一例である。同様に、線引き処理の条件等に基づいてシミュレーションを行い、第2屈曲部32 ́ ́bの形状を決定する。シミュレーション結果に基づいて光学素子用母材30 ́ ́を加工し、第2屈曲部32 ́ ́bを形成するS21。S21は、第2屈曲部形成工程の一例である。上記シミュレーションは同時に行われることが望ましい。また、S20及びS21が同時に行われてもよい。S20及びS21で加工された光学素子用母材30 ́ ́を線引き装置100に送り込む。線引き装置100の加熱部103及びローラ102により、光学素子用母材30 ́ ́は、加熱延伸されるS22。延伸された光学素子用母材30 ́ ́の外形寸法が所定の値になると、カッター105は、光学素子用母材30 ́ ́を切断し、中間生成体Pを得るS23。S22及びS23は、線引き処理工程の一例である。そして、切断装置や加工装置いずれも図示なしにより、中間生成体Pを更に切断加工たとえば、切断面稜線の面取りや光学面32のコーティングすることにより、複数の光学素子30を得ることができるS24。S24は、切断工程の一例である。[作用効果]本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態に係る光学素子用母材30 ́ ́は、光学面32に対応する曲面32 ́ ́に設けられ、線引き処理により光学面32の断面形状が目標断面形状になるように形成された第2屈曲部32 ́ ́bを有する。また、本実施形態に係る光学素子用母材30 ́ ́において、第2屈曲部32 ́ ́bの曲率半径R ́が、以下の式を満たすように形成することが望ましい。R ́=r/r ́R但し、R:光学面に対応する光学素子用母材の曲面の曲率半径r:目標断面形状における光学面の曲率半径r ́:一定の曲率半径Rの曲面を有する光学素子用母材を線引き処理した場合に得られる光学素子の断面形状における光学面のうち、目標断面形状と異なる光学面の所定位置における曲率半径また、本実施形態に係る光学素子30の製造方法においては、第2屈曲部形成工程を設けることができる。第2屈曲部形成工程は、光学素子用母材30 ́ ́の曲面32 ́ ́に対して、線引き処理により光学面32の断面形状が目標断面形状になるように第2屈曲部32 ́ ́bを形成する。このように、線引き処理による曲面の変形を予め考慮し、光学素子用母材30 ́ ́の曲面32 ́ ́に第2屈曲部32 ́ ́bを設けておくことにより、線引き処理により得られる光学素子30の断面形状をより正確に目標断面形状とすることができる。つまり、線引き処理によって得られる光学素子30を所望の形状とすることができる。従って、線引き法を用いて高精度な光学素子を容易に得ることが可能となる。また、本実施形態における構成によれば、製造する光学素子光学面のNAが大きい場合であっても、高精度な光学素子を容易に得ることが可能となる。