"頂面に交互に形成された複数の凹部および複数のエピタキシャル成長部を有する基板を形成する工程と、前記凹部を全部覆わないように前記基板の頂面にエピタキシャル層が堆積することで前記凹部に隙間を形成する工程と、前記エピタキシャル層の上にLED構造を形成する工程と、前記LED構造をスーパーストレートに付着させる工程と、前記基板を前記エピタキシャル層から分離する工程と、を具備することを特徴とする発光素子製造方法。前記凹部が、平行凹溝または網状凹溝に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子製造方法。前記凹部の側断面の幅が0.5~5μmであり、深さが1~10μmであることを特徴とする請求項2に記載の発光素子製造方法。各前記エピタキシャル成長部は、エピタキシャル成長表面を有しており、前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル成長表面からエピタキシャル成長し、前記エピタキシャル成長表面の側断面の幅が、1~10μmであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子製造方法。前記エピタキシャル成長表面が、c面、m面、A面、R面のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項4に記載の発光素子製造方法。前記基板を分離する工程は、レーザー分離法が採用されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子製造方法。前記基板を分離する工程は、エッチング法が採用されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子製造方法。前記基板の代わりに、前記エピタキシャル層に透明導電層と接触電極とを形成することを特徴とする請求項1に記載の発光素子製造方法。基板モジュールの上にLED構造を成長させるための基板モジュールであって、頂面に交互に形成された複数の凹部および複数のエピタキシャル成長部を有する基板と、前記基板の頂面に形成されたエピタキシャル層と、を備え、前記エピタキシャル層が前記凹部を全部覆わないように前記凹部に隙間が形成されていることを特徴とする基板モジュール。各前記エピタキシャル成長部は、エピタキシャル成長表面を有しており、前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル成長表面からエピタキシャル成長し、前記エピタキシャル成長表面の側断面の幅が、1~10μmであることを特徴とする請求項9に記載の基板モジュール。前記凹部が、平行凹溝または網状凹溝に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の基板モジュール。前記凹部の側断面の幅が0.5~5μmであり、深さが1~10μmであることを特徴とする請求項9に記載の基板モジュール。前記隙間の占有率が1~20であることを特徴とする請求項9に記載の基板モジュール。前記隙間のうち少なくとも一部が、互いに流体連通され、かつ、外部に流体連通されることを特徴とする請求項11に記載の基板モジュール。前記隙間の側断面の幅が、0.5~5μmであることを特徴とする請求項9に記載の基板モジュール。前記基板は、ケイ素、サファイア、ガリウムヒ素、炭化ケイ素又はスピネルによって形成されていることを特徴とする請求項9に記載の基板モジュール。前記基板は、材料層を有しており、前記材料層の中に前記凹部が形成されており、前記材料層上に前記エピタキシャル層が形成されていることを特徴とする請求項9に記載の基板モジュール。前記材料層が、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化チタンのいずれかによって形成されていることを特徴とする請求項17に記載の基板モジュール。しかし、高圧窒素蒸気およびその振動波は発光構造に余分な欠陥を導入し、比較的低い発光効率および比較的大きな素子正方向/逆方向漏電流を発生させ、つまり比較的低い素子合格率および比較的弱い素子性能をもたらすことがある。米国の特許No.7,781,247および特許出願No.2005/0247950は、いずれも、基板と発光構造の間に挟まれたInGaN犠牲層で素子の剥離品質と生産量を向上する方法を提出した。ここに参考にする方式で米国特許No.7,781,247および特許出願No.2005/0247950のすべての内容を援用した。InGaN禁制帯は窒化ガリウム禁制帯より狭いが、より多くのレーザーエネルギーを吸収して被害薄膜の厚さを減少することができる。そのうえ、InGaNは比較的低い温度において解離するので、比較的少ないレーザーエネルギーで剥離を行う。レーザー剥離工程は、接触する半導体表面を露出させて、発光層の2つの相対側にそれぞれn型接触電極およびp型接触電極を形成させて、垂直LEDを得られる。垂直LEDはより均一な電流分布を有するので、高電流駆動のハイパワー応用に適している。本発明は、前述したような従来技術の問題を解決するものであって、そのもの目的は、素子生産量と光抽出効率を向上させることができる垂直型発光素子の製造方法およびその垂直型発光素子に用いる基板モジュール提供することにある。本発明は、垂直発光素子を製造する方法を提供するものであって、基板とLED構造の間に隙間を形成してインターフェース層を分離または剥離して、基板をその上に形成されたLED構造から容易に分離または剥離する。また、本発明は、その上にLED構造をエピタキシャル成長させるための基板モジュールを提供し、該基板モジュールは基板およびエピタキシャル層を含み、制御可能な方式で該基板とエピタキシャル層の間のインターフェースに複数の隙間を形成して、それから、該エピタキシャル層にLED構造を形成させ、更にLED構造をスーパーストレートに付着させ、エピタキシャル層から該基板を分離し、かつ、エピタキシャル層の剥離面に導電層と接触電極を形成させて、発光素子を形成させる。本発明にかかる発光素子製造方法は、頂面に交互に形成された複数の凹部および複数のエピタキシャル成長部を有する基板を形成する工程と、前記基板の頂面にエピタキシャル層が堆積することで前記凹部を全部に覆わないように前記凹部に隙間を形成する工程と、前記エピタキシャル層にLED構造を形成する工程と、前記LED構造をスーパーストレートに付着させる工程と、前記エピタキシャル層から前記基板を分離する工程と、を含んで構成される。本発明にかかる基板モジュールは、頂面における交互に形成された複数の凹部と、複数のエピタキシャル成長部と、頂面に形成されたエピタキシャル層と、を備え、前記エピタキシャル層が前記凹部を全部覆わないように前記凹部に隙間が形成されている。本発明によれば、素子生産量と光抽出効率とを向上させることができる。本発明の発光素子製造方法において、基板に形成されたLED構造から基板を容易に分離または除去するために、基板とLED構造との間のインターフェースにおける分離するまたは除去する領域で隙間が形成されている。これらの隙間は、いかなる適合な方式でもよいが、例えば、互いに分離しており、または互いに連通しており、または流体連通されている。これらの分離している、および連通している隙間について、そのサイズまたは側断横は0.5~5μmである。下記の本明細書による限定のように、隙間の占有率は1~20である。基板とLED構造との間のインターフェースにおける隙間は、基板とエピタキシャル層とを含んだ基板モジュールによって形成される。基板の頂面に複数の凹部と複数のエピタキシャル成長部が形成されており、かつ、各エピタキシャル成長部は、エピタキシャル成長表面を備えている。エピタキシャル層の成長は、凹部ではなく、主にエピタキシャル成長表面から始まり、かつ、エピタキシャル層が凹部を全部に覆わないように基板とエピタキシャル層との間のインターフェースに隙間が形成されている。凹部とエピタキシャル成長部とが基板の頂面に交互に配列されることで、凹部に形成された隙間によって基板の隣接したエピタキシャル成長表面をエピタキシャル層から容易に分離または剥離させることができる。適当なサイズ、形状および所定数の隙間を形成できれば、凹部は、いかなる形状とサイズに形成されてもよいが、例えば、平行凹溝または網状凹溝でよい。凹部の側断面の幅は0.5~5μmとされており、深さは1~10μmである。エピタキシャル成長表面は、そのうえにエピタキシャル層を成長するためのもので、かつ、エピタキシャル成長表面のサイズまたは側断面の幅は1~10μmである。前記エピタキシャル成長表面はc面、m面、A面およびR面のうちのいずれか一つを採用してもよい。前記エピタキシャル成長表面のミラー指数は周辺非エピタキシャル成長表面例えば凹部または凸部部分の傾斜面のミラー指数より低い。本発明における図面は、本発明を更に理解するために提出された本出願の一部となるが、前記図面は本発明の実施例を示し、かつ、明細書と共同で本発明の原理を示している。図面全体において、同じ図面記号は同じ部品を示しており、かつ、1つの層は同じ機能にかかわる1組の層として示すことができる。図1Aは本発明の1つのプログラムの垂直LED成長用の1つの基板10の側断面図である。基板10はサファイア、ケイ素、炭化ケイ素、ガリウムヒ素、スピネルおよびその他いかなる適切な材料を採用してもよい。基板10に2種類の凹部12、凹部13が形成されているが、凹部12は比較的広い底部があり、つまり図に示された平底であって、これによりその後のLED構造の成長を得られるが、凹部13は比較的狭く、鋭い底部があって、その後のLED構造の成長において隙間を形成させる。図1Aに示されたような実施例において、様々な凹部は、いずれも最も接近した、または隣接したもう1種類の凹部に属する隣接の凹部を持っている。言い換えれば、凹部12と凹部13とは交互に配列されていることが好ましい。凹部12、凹部13は図1Aに示された周期パターン、または任意のパターンで形成されてもよい。周期パターンで配列された場合、パターンは図3Aに示された1次元、または2次元を有している。凹部12および凹部13はそれぞれ、凸部11によって形成されている。凸部11は凹部12と凹部13を仕切る役割を果している。図1Aおよび図3Aに示されたように、凹部12および凹部13は周期定数aで周期パターンで配列されている。凹部13の深さは凹部12の深さより小さくても、または大きくてもよい。図1Aおよび図3Aにおいて、凹部12および凹部13は同じ深さであり、かつ、凸部11の高さに相当している。最も接近した2つの隣り合った凸部11の間隔はdで、間隔dは凹部13の2つの隣り合った凸部11を限定する頂点の間の距離を通じて測定されたものである。普通、間隔dは図3、図4および図5に示された凹部13の頂部の側断面の開口の幅となる。図1Aを参考にして見れば、凹部12のLED構造の成長を得るための側断面の底部の幅はwである。間隔dは0.5~5μmとされており、例えば1~3μmとすることができ、凹部12の側断面の底部の幅wは3~10μmであり、例えば5~7.0μmとすることができる。凹部13の深さhは1~10μmであり、例えば3~6μmとすることができる。周期定数aは4~20μmとされており、例えば7~13μmとすることができる。図1Aおよび図3の実施例において、凹部13の深さhは凹部12の深さと同じで、かつ、凸部11の高さに相当している。その他実施例において、凹部13の深さを凹部12の深さより大きくし、または小さくてもよい。また、一部の凹部13の深さを凹部12の深さより小さくして、その他の凹部13の深さを凹部12の深さより大きくしてもよい。凹部12の深さは1~10μmとされており、例えば3~6μmとすることができる。凹部13および凹部12のサイズ選定規則として、例えば、周期定数a、凹部12の側断面の底部の幅w、凹部13の深さhおよび頂部の側断面の幅dについて、凹部13が十分鋭いことを確保し、後続のLED構造の成長のとき、凹部13に所望の体積の隙間を所望の密度で形成させ、かつ、LED構造が凹部12の底部で順調に成長できることを確認する。したがって、凹部12の底部はエピタキシャル成長表面のエピタキシャル成長部と呼ばれる。凹部13のアスペクト比h/dは1~5である。標準的なフォトエッチングおよびエッチング法で凹部12と凹部13とを形成することが可能である。例えば、次の手順でサファイア基板10を形成させる。まず、1つのクリーンなc面サファイアチップにかなりの厚さ、例えば200nmのSiO2を堆積させる。次に、所定パターンをSiO2膜に移転し、かつ、エッチングしてc面サファイアの<1~1.0>方向と平行なSiO2フォトマスクを形成する。さらに、チップを熱い酸溶液、例えば硫酸H2SO4に浸す。酸溶液を260°C~330°Cに加熱したとき、サファイアのエッチング速度は3μm/分に達する。これほど高いエッチング速度において、Al2SO4の不溶性物質の形成を避けるために、エッチング剤にもう1種類の酸例えば、燐酸を投入する。硫酸および燐酸について、エッチング剤の体積比は3:1であることが好ましい。エッチング速度は混合酸性溶液の温度によるが、11.l小面を形成して凹部12および凹部13を形成する。00.1基準面と比べて、11.l小面は比較的高い表面エネルギーがあるため、安定的な成長平面ではない。図3Bに示すように、凹部12および凹部13を具備した基板10は、堆積の材料層16を通じて、該堆積の材料層の中に凹部12および凹部13を形成することによって形成されてもよい。この場合に、基板10は1つの底部基板10および1つの該底部基板10に堆積された材料層16を含む。底部基板10は、上記の材料層16を備えていない単独基板10と同じ材料で製作されてもよい。図3Aおよび図3Bにおける構造の唯一の相違点としては、図3Bの構造には1つの追加された材料層16があり、かつ、材料層16に凹部12および凹部13が形成されている。堆積された材料層16は、可視光に対し透明であり、かつ、GaNのエピタキシャル層20と下のサファイアの基板10との間の屈折率を備えていることが好ましい。また、材料層16は、熱安定性があり、かつ、1000~1100°C高温に耐えられることが好ましい。前記のこれらの性能を考えれば、最も適した材料層16の材料は窒化ケイ素となり、その他材料、例えば酸化ケイ素、酸化チタンも採用できる。図3Bにおける基板10は、次の手順で形成することができる。まず、底部サファイア基板10またはその他適当な基板に厚さhの材料層16を堆積する。それから、材料層16の頂面上方に所定パターンの金属クロムで製作された保護フォトマスクを形成する。続けて、乾式エッチングイオン結合プラズマまたはその他適当なエッチング方法で材料層16をエッチングして、凸部11より凹部12および凹部13を形成する。図3Bにおいて、凸部11は材料層16で製作されたもので、かつ、凹部12の底面はエピタキシャル成長に用いられるので、下の基板10、例えばサファイア基板10の表面は露出している。図3Bにおけるパターンは、c面サファイアの<1~1.0>方向と平行であることが好ましい。材料層16を使用の場合、本明細書で検討されたその他パターンの凹部13および/または凹部12を形成してもよい。初歩的に製作された基板10をいかなる適切なエピタキシャル成長反応器、例えば有機金属気相成長法MOCVD反応器、分子線エピタキシー法MBE反応器および水素化物気相エピタキシーHVPE反応器に導入して、LED構造を成長させる。ある実施例において、凹部13にはいかなる安定した成長平面を形成しなかったが、凹部12は1つの安定した成長平面を形成した。安定した成長平面は普通、安定していない成長平面より比較的低いミラー指数がある。例えば、基板10は、サファイアで製作された場合に、凹部12の平底面は00.1平面であり、凹部12のその他傾斜の側壁面はミラー指数が比較的高い平面、例えば11.2、11.3、10.2、10.3等であることが好ましい。凹部12の平底面のミラー指数はその傾斜面のミラー指数より低い。安定したおよび安定していない成長平面の選択のため、主にまたはわずか凹部12の底面からエピタキシャル成長が開始している。例えば図1Bに示されたように、一定の厚さのエピタキシャル層20がエピタキシャル成長してから、エピタキシャル層20には平坦な頂面があり、後続のLED構造の成長に有利になっている。エピタキシャル層20と基板10との間のインターフェースの凹部13の底部で凹部13の隙間13’が形成される。隙間13’の形成に有利となるために、初期工程では、好ましくは3次元成長を増強させる。3次元成長モードは、隙間13’の隙間体積を増大させることができる。そのために、エピタキシャル層20の成長初期において、比較的高い成長圧力、比較的高いV/III比つまりV族源とIII族源とのモル量の比および比較的低い成長温度を採用することが好ましい。例えば、隙間13’を形成する間に、成長圧力を500~760torr、成長温度を950~1000°C、およびV/III比を4000~8000としてもよい。隙間13’を形成した後、成長圧力を200~500torrに下げ、成長温度を1000~1080°Cに上げ、およびV/III比を2000~4000に下げることができる。エピタキシャル層20についてはケイ素ドーピングのGaNまたはその他適切な材料を採用するが、例えばケイ素ドーピングのInGaNおよびAlGaNで形成される。隙間13’は互いにつながっていない隔離状態または互いにつながっている連接状態にあってもよい。例えば、図1Bおよび図3の実施例において、凹部13は平行な凹溝に形成されており、その上にエピタキシャル層20が堆積後、隙間13’が形成され、かつ、隙間13’が少なくとも一部の凹溝においてつながっており、かつ、同じ凹溝においてつながっている隙間13’は、互いに外部と流体連通されている。隔離された隙間13’について、その大小サイズは0.5~5μmとされており、例えば1~3μmで、かつ、隙間13’の層密度sheetdensityは隙間13’を形成したインターフェースを通った1つの平面の単位面積内の隙間13’の個数であり、104~107個/平方cmとされており、例えば105~106個/平方cmとすることができる。つながっている隙間13’について、隙間13’の側断面サイズは、つながっている隙間13’縦軸と垂直方向における側断面の最大幅方向長さで、0.5~5μmとされており、例えば、1~3μmとすることができる。かつ、つながっている隙間13’の線密度は単位長さにおける凹部13の凹溝個数で、103~104個/cmである。隙間の占有率は1~20で、例えば5~10とすることができ、ここに採用する隙間占有率は隙間総体積とh×Aの総体積との比で、Aは基板平面総面積、hは凹部13の高さである。エピタキシャル層20上に発光層30の下制限層21が形成される。下制限層21はケイ素ドーピングのGaN、InGaNおよびAlGaNのいずれを採用する。発光層30は1つのインジウム込み構造で、設定された波長の光を出す。下制限層21は単独InGaN層またはGaN/InGaN複数の量子を有するものである。発光層30の上に上制限層40があり、該上制限層40はマグネシウムドーピングのGaN、InGaNまたはAlGaNである。エピタキシャル層20上にいかなるその他適切なLED構造を形成できる。上制限層40をエピタキシャル成長後、基板10におけるLED構造に透明電流拡張層52および反射鏡60が形成される。図1Bに示された実施例において、該LED構造は、下制限層21、発光層30および上制限層40を含んでいる。1つの実施例においては、上制限層40をエピタキシャル成長後、反応炉からLED構造を備えた基板10を取り出し、かつ、各自の気相堆積成長システム、例えば電子線堆積成長室の中で透明電流拡張層52と反射鏡60とを形成する。図1Bを参考にしてみれば、上制限層40に透明電流拡張層52を形成して、電流拡張のP型電流拡張層に使用する。透明電流拡張層52は、透明金属層、例えばNi/Au、NiO/Auであってもよく、または1つの透明導電酸化層、例えば酸化亜鉛ZnO、酸化インジウムスズITOであってもよい。透明電流拡張層52は単層または多層である。透明電流拡張層52上に導電の反射鏡60が形成され、該導電の反射鏡60は銀Ag、アルミニウムAl、窒化ジルコニウムZrNや窒化ハフニウムHfNの金属層である。透明電流拡張層52と共同で機能する反射鏡60は、可視光領域において90以上の反射率を持つことが好ましい。それから、LED構造、透明電流拡張層52および反射鏡60を備えた基板10を高導熱率および高導電率のサポートスーパーストレート70に付着する。付着は、公知の方法、例えばチップ接合またはメッキにより実施されてもよい。スーパーストレート70の製造材料は銅、プラチナ、パラジウム、ニッケル、銀、金、アルミニウム、コバルト、タングステン、モリブデン、ケイ素およびそれらの合金を採用してもよい。比較的よい熱学と電気学特性および商業生存能力を考慮して、スーパーストレート70の材料としては銅または銅合金を採用することが好ましい。最後に、スーパーストレート70に接触電極82、例えば、p型接触電極を形成する。図1Bの構造において、分離メカニズムを採用して基板10を取り除くことが、図1Cに示されている。分離メカニズムは機械研磨、つや出し、化学エッチングおよびレーザー剥離の方法を採用してもよい。化学エッチングの場合、図1Bおよび図3を参考にして、化学試薬を毛細管現象によりエピタキシャル層20および基板10の間のインターフェースにおけるつながっている隙間13’に注入して、分離工程を加速させる。例えば、ケイ素基板に成長されたGaN基LEDの実施例において、HNO3、H2O2などの酸化剤およびHFなどのエッチング剤は毛細管現象によりGaN/Siインターフェースにおける隙間13’に注入される。従って、基板10全体をエッチングしなくても、Si凸部11を化学的にエッチングしてエピタキシャル層と基板即ち図1B実施例におけるエピタキシャル層20と基板10との分離を実現できる。また、図1Bおよび図3を参考にして見れば、本発明の1つの実施例において、基板10は111ケイ素で、その隙間13’は<1~10>または等量方向に沿っている。サファイア基板10においてGaN基LEDを成長する実施例において、基板10は00.1サファイアであってよく、かつ、隙間13’は<11.0>、<10.0>または等量方向に沿って形成される。図6を参考にしてみれば、図1Bに示された発光構造は鈍化層75より保護されており、該鈍化層75は発光構造の頂面を覆っており、発光構造の側壁の一部を覆ってもよいが、2つの側壁で隙間13’を暴露している。鈍化層75は窒化ケイ素またはフォトレジストで製作される。それから、発光構造を容器90の化学エッチング液体92に浸す。基板10を露出して容器90の底部から射入した紫外線95を受ける。化学エッチング剤92はアルカリ性のもの、例えば、NaOH、KOH、または酸性のもの、例えばHNO3、H3PO4およびHFを採用してよい。毛細管現象により、化学エッチング剤92はつながっている隙間13’に注入されて、エピタキシャル層20と基板10との間のインターフェースをエッチングする。紫外線95を照射すると、エッチング工程を著しく増強することができる。該実施例では、エピレイヤーLED構造と基板10との分離は発光層30へのマイナス作用を著しく低減でき、または無にすることができる。サファイア基板10にGaN基LED構造を成長したもう1つの実施例において、レーザー剥離によりエピレイヤーLED構造と基板10とを分離できる。1束の高エネルギーレーザー、例えば、1束の248nm励振レーザーを、サファイア基板10を通して窒化ガリウムとサファイアインターフェースとに照射させる。図1Bに示された隙間13’は窒化ガリウム解離により発生した高圧窒素の振動波を吸収して、振動波による発光構造の損傷を避け、または軽減する。依然として図1Cを参考にしれみれば、分離後、エピタキシャル層20は粗くなったまたはパターン化された表面を持つようになり、発光構造の光取り出しにとって有利になる。または図1Dに示されるように、エピタキシャル層20は透明導電層51によりさらに平坦化されることができる。透明導電層51は図1Eに示されるように、粗化され、または層51’にパターン化して、光取り出し効率を向上することができる。透明導電層5151’にn型接触電極81が形成されている。透明導電層5151’は、透明金属層、例えばNi/Au、NiO/Au、または透明導電酸化層、例えばZnO、ITOとしてもよく、かつ、単層または多層としてもよい。前記のLED構造において、基板10からまずn型層を形成した。しかし、LED構造は基板10からまずp型層を形成してもよい。これは、つまりその他の実施例において、エピタキシャル層20、下制限層21はp型層とし、上制限層40、透明電流拡張層52はn型層としてもよい。図2A~図2Dに示すのは、本発明のもう1つの実施例の垂直LEDの製造工程である。図2Aは本発明のもう1つの実施例の基板10の側断面図である。基板10はサファイア、ケイ素、炭化ケイ素、ガリウムヒ素およびスピネルのいずれかを採用してもよい。基板10の頂面にはエピタキシャル成長部15と凹部13とが含まれる。凹部13はフォトエッチングおよびエッチングで形成され、傾斜の側壁を備えているが、該側壁は安定していない結晶体成長面である。図2Aに示されたように、凹部13はV形側断面を持っている。エピタキシャル成長部15には平坦な頂面があって、LED構造のエピタキシャル成長を受けている。図2Aの実施例において、各エピタキシャル成長部15は、その他のエピタキシャル成長部15と隣り合った凹部13より分けられており、かつ、各凹部13は、その他の凹部13と隣り合ったエピタキシャル成長部15より分けられている。しかし、エピタキシャル成長部15と凹部13との構造関係は図2Aに示された関係に限らない。エピタキシャル成長部15と凹部13とは図2Aに示された周期パターンにより配列されてもよく、またはランダムに配列されてもよい。周期パターンにより配列された場合、パターンは、図1Dのもの、例えば図4に示された図2Aは図4の側断面図ものであり、または図2Dのもの、例えば図5に示された図2Aは図5の2A~2A’方向に沿った側断面図ものである。図2Aおよび図4において、エピタキシャル成長部15および凹部13は周期パターンにより配列されており、周期定数はaで、かつ、凹部13の頂部の側断面の間隔はdである。凹部13の深さhは、エピタキシャル成長部15の高さに相当している。図2Aを参考にして見れば、エピタキシャル成長部15の頂面の側断面の幅wはa-dで、エピタキシャル成長部15の頂面はLED構造のエピタキシャル成長を受ける。凹部13の側断面の間隔dは0.5~5μmとされており、例えば1~3μmとすることができ、エピタキシャル成長部15の頂面の側断面の幅wは1~10μmとされており、例えば4~7μmとすることができる。凹部13の深さhは、1~10μmとされており、例えば3~6μmとすることができる。図5はエピタキシャル成長部15および凹部13の2次元パターンの平面図である。図2Aは図5の線2A~2A’の側断面図である。エピタキシャル成長部15は六角形で、かつ、基板10の表面に密集した六角形パターンが配列されている。隣り合った2つのエピタキシャル成長部15の傾斜側壁は凹部13を形成している。図2と図5とにおける各パラメーターh、d、wおよびaの値は前記図2および図4におけるものと相似している。エピタキシャル成長部15は、比較的小さな頂面、比較的大きな底面および頂面と底面を連接する傾斜側壁のいかなるその他の形状から構成されてもよい。頂面はエピタキシャル層のエピタキシャル成長に用いられるが、隣り合ったエピタキシャル成長部15の傾斜側壁は凹部13を形成している。例えば、エピタキシャル成長部15は円錐形に製作されてもよい。エピタキシャル成長部15の頂面は三角形、正方形、長方形またはその他多角形に製作されてもよい。それに対応して、エピタキシャル成長部15の底面もそれぞれ三角形、正方形、長方形またはその他多角形に製作されてもよい。普通の場合、a、d、wおよびhの設定規則として、凹部13を十分鋭くするが、そうすれば、後続のLED構造の成長後、凹部13において所望の体積の隙間を所望の密度で形成でき、およびエピタキシャル成長部15の頂面にLED構造を順調に成長できることを確保する。凹部13のアスペクト比h/dは1~5とする。標準的なフォトエッチングおよびエッチング法で基板10を形成することができる。初歩的に製作した基板10を適当なエピタキシャル成長反応器、例えば、有機金属気相成長法MOCVD反応器、分子線エピタキシー法MBE反応器、および水素化物気相エピタキシーHVPE反応器に導入して、後続のLED構造の成長に使用する。凹部13にはいかなる安定した成長平面が形成されていない。安定した成長平面は、安定しない成長平面より普通、比較的低いミラー指数である。例えば、基板10がサファイアで製作された場合、エピタキシャル成長部15の平坦頂面は00.1面であり、その他凹部13を形成する傾斜面は高ミラー指数の面、例えば11.2、11.3、10.2、10.3等であることが好ましい。安定したおよび安定していない成長平面の選択のため、主にまたはわずかエピタキシャル成長部15の頂面からエピタキシャル成長が開始している。図2Bに示されたように、一定の厚さのケイ素ドーピングを含んだ窒化ケイ素エピタキシャル層20をエピタキシャル成長後、エピタキシャル層20の平坦表面を得て、後続LED構造の成長に有利になる。それと同時に、安定したおよび安定していない平面を適切に選択すると、エピタキシャル層20と基板10とのインターフェースにおける凹部13の底部に隙間13’を形成するが、パラメーターh、dおよびwは前記と同じである。図2Aおよび図4に示された実施例において、凹部13は平行な凹溝に形成され、かつ、その上にエピタキシャル層20を堆積後、隙間13’を形成し、かつ、少なくとも一部の凹溝において前記隙間13’が互いにつながっており、同じ凹溝におけるつながっている隙間13’は互いに、および外部と流体連通されている。図2Aおよび図5に示された実施例において、隣り合った六角形のエピタキシャル成長部15の側壁は凹部13を形成して、互いにつながっている網状凹溝を形成し、その上にエピタキシャル層20を堆積後、隙間13’を形成し、かつ、少なくとも一部の網状凹溝において前記隙間13’が互いにつながっており、かつ、網状凹溝におけるつながっている隙間13’は互いに、および外部と流体連通されている。図5に示された実施例において、隙間13’の側断面サイズは、即ち凹部13の網状凹溝におけるつながっている隙間13’の縦軸と垂直な方向における側断面の最大幅方向の長さで、0.5~5μmとされており、例えば1~3μmとすることができる。隙間占有率は1~20で、例えば5~10とすることができる。下制限層21、発光層30、上制限層40、透明電流拡張層52および反射鏡60、サポートのスーパーストレート70およびp型接触電極82は図1Bに示されたもの、および検討されたものと同じであり、かつ、これらは相似の方式でエピタキシャル層20および基板10に堆積されて図2Bに示されたLED構造を形成されている。ここに再び詳しい述べることが省略した。図2Cに示すように、図2Bにおける構造に対し、分離メカニズムを使用して、基板10を除く。前記図1Bおよび1Cにおけるものと相似して、分離メカニズムは機械研磨、艶出し、化学エッチングおよびレーザー剥離法のいずれをも採用してもよい。ここに再び詳しい述べることが省略した。図2Cに示されたように、分離後、エピタキシャル層20は粗くなったまたはパターン化された表面を持つようになり、発光構造の光取り出しにとって有利になる。または図2Dに示されたように、エピタキシャル層20は透明導電層51よりさらに平坦化されることができる。該透明導電層51は平坦な表面を持ってよく、透明導電層51’にパターン化され、または粗化されて、光取り出し効率を向上することができる。透明導電層51’にn型接触電極81が形成されている。透明導電層51’は透明金属層、例えばNi/Au、NiO/Au、または透明導電酸化層、例えばZnO、ITOとしてもよく、かつ、単層または多層としてもよい。図7は本発明実施例の垂直型LEDの製造フローチャートを示している。基板10に対する構図パターン化に開始され、最適のパターンを選択することで、それからLED構造が成長するとともに、エピタキシャル層20と基板10との間のインターフェースにおいて所望の体積の隙間13’を所望の密度で得られる。そして、上制限層40、発光層30、下制限層21およびエピタキシャル層20を含んだLED構造は、構図パターン化した基板10に形成され、該エピタキシャル層20が、構図パターン化した基板10と接触して最適エピタキシャル層20の成長パラメーターを選択することにより、エピタキシャル層20と基板10との間のインターフェースに隙間13’を形成できる。その後、構図パターン化した基板10に成長したLED構造にp型の透明電流拡張層52と反射鏡60とを覆わせる。さらに、LED構造は、優れた導熱性と導電性とを有したスーパーストレート70に付着され、スーパーストレート70が基板10からLED構造を分離するために機械サポートを提供している。本分野における公知の方法として、スーパーストレート70が基板10と反対側に設置してLED構造に付着されることを採用して付着工程を完成できる。公知の方法で基板10の除去を実現ことができ、エピタキシャル層20と基板10との間のインターフェースに形成された隙間13’によって、分離する際に分離しやすくになり、または発光層30への損傷を軽減でき、または同時にこの二つ作用を備えている。最後に、後続のn型の透明導電層51および接触電極81の形成にとって有利になるよう、エピタキシャル層20の露出表面を洗浄した。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、開示した実施例に対して様々な修正、変形が可能であり、よって、本発明は、特許の請求の範囲で定義された本発明の思想と合致するあらゆる修正、変形などを含む。"