電気光学装置用素子基板の基板本体の一方面および他方面のうち、前記一方面に遮光層を形成する遮光性形成工程と、前記遮光層に対して前記基板本体が位置する側とは反対側で当該遮光層と重なる領域に画素トランジスター用の半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層に不純物を導入する不純物導入工程と、前記一方面側を前記他方面より温度を高くした状態で前記半導体層を加熱して前記不純物を前記半導体層の厚さ方向に拡散させる不純物拡散工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。前記不純物拡散工程では、前記一方面側から加熱する一方、前記他方面側を冷却することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。前記遮光層は、金属あるいは金属化合物膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法。前記不純物拡散工程では、前記一方面側をレーザー光により加熱することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。前記不純物拡散工程では、加熱ガスを前記一方面側に接触させることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。前記不純物拡散工程では、前記一方面側を赤外線ランプにより加熱することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。前記半導体層形成工程では、アモルファスの半導体膜を形成した後、前記一方面側を前記他方面より温度を高くした状態で前記半導体膜を加熱して結晶化させることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。前記半導体層形成工程では、前記一方面側から加熱する一方、前記他方面側を冷却することを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置の製造方法。しかしながら、素子基板に対して遮光層を形成した状態で、加熱炉内で600°C以上の温度まで素子基板を加熱すると、遮光層を構成する金属膜や金属化合物膜に溶融や再結晶化等が発生して遮光層としての特性が低下するという問題点がある。以上の問題点に鑑みて、本発明は、遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用素子基板の基板本体の一方面および他方面のうち、前記一方面に遮光層を形成する遮光性形成工程と、前記遮光層に対して前記基板本体が位置する側とは反対側で当該遮光層と重なる領域に画素トランジスター用の半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層に不純物を導入する不純物導入工程と、前記一方面側を前記他方面より温度を高くした状態で前記半導体層を加熱して前記不純物を前記半導体層の厚さ方向に拡散させる不純物拡散工程と、を有することを特徴とする。本発明では、不純物拡散工程において半導体層を加熱する際、基板本体全体を均一に加熱するのではなく、一方面側を他方面より温度を高くした状態で半導体層を加熱する。このため、半導体層は高い温度で処理されるが、遮光層には高い温度が加わらない。それ故、遮光層に用いた材料が劣化して遮光性能が低下するという事態を回避することができる。本発明において、前記不純物拡散工程では、前記一方面側から加熱する一方、前記他方面側を冷却することが好ましい。かかる構成によれば、遮光層に高い温度が加わることをより確実に防止することができる。それ故、遮光層に用いた材料が劣化して遮光性能が低下するという事態をより確実に回避することができる。本発明において、前記遮光層は、金属膜あるいは金属化合物膜である構成を採用することができる。本発明では、不純物拡散工程において遮光層に高い温度が加わらないので、遮光層として、アルミニウム等の融点や軟化温度が比較的低い金属や、タングステンシリサイド等の再結晶化が発生するおそれのある金属化合物を用いることができる。本発明において、前記不純物拡散工程では、例えば、前記一方面側をレーザー光により加熱する方法を採用する。本発明において、前記不純物拡散工程では、加熱ガスを前記一方面側に接触させる方法を採用してもよい。本発明において、前記不純物拡散工程では、前記一方面側を赤外線ランプにより加熱する方法を採用することもできる。本発明において、前記半導体層形成工程では、アモルファスの半導体膜を形成した後、前記一方面側を前記他方面より温度を高くした状態で前記半導体膜を加熱して結晶化させることが好ましい。かかる構成によれば、アモルファスの半導体膜を結晶化させた半導体層を用いる場合でも、遮光層が高い温度にまで加熱されることを回避することができるので、遮光層の遮光性能が低下することを防止することができる。本発明において、前記半導体層形成工程では、前記一方面側から加熱する一方、前記他方面側を冷却することが好ましい。かかる構成によれば、遮光層に高い温度が加わることをより確実に防止することができる。それ故、遮光層に用いた材料が劣化して遮光性能が低下するという事態をより確実に回避することができる。図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置およびその製造方法に本発明を適用した場合を中心に説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、本説明では、画素電極が接続されている側画素側ソースドレイン領域をドレインとし、データ線が接続されている側データ線側ソースドレイン領域をソースとする。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側対向基板が位置する側を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。[実施の形態1]全体構成図1は、本発明を適用した液晶装置電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図1は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量線等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。図1において、本形態の液晶装置100は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画像表示領域10a画素領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10図2等を参照では、画像表示領域10aの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター30、および後述する画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、画素トランジスター30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。素子基板10において、画像表示領域10aより外周側には走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板20図2等を参照に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に蓄積容量55が付加されている。本形態では、蓄積容量55を構成するために、複数の画素100aに跨る第1電極層5aが容量電極層として形成されている。本形態において、第1電極層5aは、共通電位Vcomが印加された共通電位線5cに導通している。液晶パネル100pの構成図2は、本発明を適用した液晶装置100に用いた液晶パネル100pの説明図であり、図2a、bは各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図2a、bに示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と画像表示領域10aの外周縁との間には、略四角形の周辺領域10bが額縁状に設けられている。素子基板10において、画像表示領域10aの外側では、素子基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。なお、端子102には、フレキシブル配線基板図示せずが接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。詳しくは後述するが、素子基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、一方面10s側の画像表示領域10aには、図1を参照して説明した画素トランジスター30、および画素トランジスター30に電気的に接続する画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。また、素子基板10の一方面10s側において、周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9b図2b参照が形成されている。ダミー画素電極9bについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極9bは、素子基板10において配向膜16が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極9bを所定の電位に設定すれば、画像表示領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には共通電極21が形成されており、共通電極21の上層には配向膜26が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。また、対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には、共通電極21の下層側に遮光層108が形成されている。本形態において、遮光層108は、画像表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層108の外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層108とシール材107とは重なっていない。なお、対向基板20において、遮光層108は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることもある。このように構成した液晶パネル100pにおいて、素子基板10には、シール材107より外側において対向基板20の角部分と重なる領域に、素子基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極109が形成されている。かかる基板間導通用電極109には、導電粒子を含んだ基板間導通材109aが配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通材109aおよび基板間導通用電極109を介して、素子基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。シール材107は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材107は、略四角形である。但し、シール材107は、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極109を避けて内側を通るように設けられており、シール材107の角部分は略円弧状である。かかる構成の液晶装置100において、画素電極9aおよび共通電極21を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極21を透光性導電膜により形成し、画素電極9aを反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置100が反射型である場合、対向基板20の側から入射した光が素子基板10の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100が透過型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20には、カラーフィルター図示せずや保護膜が形成される。また、液晶装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置100は、後述する投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各液晶装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。本形態において、液晶装置100が、後述する投射型表示装置においてRGB用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板20から入射した光が素子基板10を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置100は、液晶層50として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたVAモードの液晶パネル100pを備えている場合を中心に説明する。画素の具体的構成図3は、本発明を適用した液晶装置100の画素の説明図であり、図3a、bは各々、素子基板10において隣り合う画素の平面図、および図3aのF-F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図3aでは、各領域を以下の線で表してある。走査線3a=太い実線半導体層1a=細くて短い点線データ線6aおよびドレイン電極6b=一点鎖線第1電極層5aおよび中継電極5b=細くて長い破線第2電極層7a=二点鎖線画素電極9a=太くて短い破線図3aに示すように、素子基板10上には、複数の画素100aの各々に矩形状の画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた縦横の画素間領域10fと重なる領域に沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。より具体的には、画素間領域10fのうち、走査線3aに沿って延在する第1画素間領域10gと重なる領域に沿って走査線3aが延在し、データ線6aに沿って延在する第2画素間領域10hと重なる領域に沿ってデータ線6aが延在している。データ線6aおよび走査線3aは各々、直線的に延びており、データ線6aと走査線3aとが交差する領域に画素トランジスター30が形成されている。素子基板10上には、データ線6aと重なるように、図1を参照して説明した第1電極層5a容量電極層が形成されている。図3a、bに示すように、素子基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10wの液晶層50側の表面一方面側に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の画素トランジスター30、および配向膜16を主体として構成されており、対向基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w、その液晶層50側の表面素子基板10と対向する一方面側に形成された共通電極21、および配向膜26を主体として構成されている。素子基板10において、基板本体10wの一方面側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる走査線3aが形成されている。本形態において、走査線3aは、膜厚が200nm程度のアルミニウムAl/金属やタングステンシリサイドWSi/金属化合物等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター30に対する遮光膜としても機能している。なお、基板本体10wと走査線3aとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。基板本体10wの一方面10s側において、走査線3aの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜12が形成されており、かかる絶縁膜12の表面に、半導体層1aを備えた画素トランジスター30が形成されている。本形態において、絶縁膜12は、例えば、テトラエトキシシランSiOC2H54と酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜と、シランSH4と亜酸化窒素とを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜との2層構造を有している。この場合の成膜は600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で行う。画素トランジスター30は、走査線3aとデータ線6aとの交差領域において走査線3aの延在方向に長辺方向に向けた半導体層1aと、半導体層1aの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層1aの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極3cとを備えている。また、画素トランジスター30は、半導体層1aとゲート電極3cとの間に透光性のゲート絶縁層2を有している。半導体層1aは、ゲート電極3cに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gを備えているとともに、チャネル領域1gの両側にソース領域1bおよびドレイン領域1cを備えている。本形態において、画素トランジスター30は、LDD構造を有している。従って、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、チャネル領域1gの両側に低濃度領域1b1、1c1を備え、低濃度領域1b1、1c1に対してチャネル領域1gとは反対側で隣接する領域に高濃度領域1b2、1c2を備えている。半導体層1aは、多結晶シリコン膜によって構成されている。ゲート絶縁層2は、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる。この場合の成膜は600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で行う。ゲート電極3cは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、半導体層1aの両側において、第2ゲート絶縁層2bおよび絶縁膜12を貫通するコンタクトホール12a、12bを介して走査線3aに導通している。本形態において、ゲート電極3cは、膜厚が100nm程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が100nm程度のタングステンシリサイド膜との2層構造を有している。なお、本形態では、液晶装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層1aに入射して画素トランジスター30で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線3aを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層2の上層に形成し、その一部をゲート電極3cとしてもよい。この場合、図3に示す走査線3aは、遮光のみを目的として形成されることになる。ゲート電極3cの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜41が形成されており、層間絶縁膜41の上層には、データ線6aおよびドレイン電極6bが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜41は、例えば、シランと亜酸化窒素とを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。データ線6aおよびドレイン電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線6aおよびドレイン電極6bは、膜厚が20nmのチタンTi膜、膜厚が50nmの窒化チタンTiN膜、膜厚が350nmのアルミニウムAl膜、膜厚が150nmのTiN膜をこの順に積層してなる4層構造を有している。データ線6aは、層間絶縁膜41および第2ゲート絶縁層2bを貫通するコンタクトホール41aを介してソース領域1bデータ線側ソースドレイン領域に導通している。ドレイン電極6bは、第1画素間領域10gと重なる領域において、半導体層1aのドレイン領域1c画素電極側ソースドレイン領域と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜41および第2ゲート絶縁層2bを貫通するコンタクトホール41bを介してドレイン領域1cに導通している。データ線6aおよびドレイン電極6bの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜42が形成されている。層間絶縁膜42は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。この場合の成膜は600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で行う。層間絶縁膜42の上層側には、第1電極層5aおよび中継電極5bが同一の導電膜によって形成されている。第1電極層5aおよび中継電極5bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第1電極層5aおよび中継電極5bは、膜厚が200nm程度のAl膜と、膜厚が100nm程度のTiN膜との2層構造を有している。第1電極層5aは、データ線6aと同様、第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在している。中継電極5bは、第1画素間領域10gと重なる領域において、ドレイン電極6bと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42aを介してドレイン電極6bに導通している。第1電極層5aおよび中継電極5bの上層側にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜44がエッチングストッパー層として形成されており、かかる層間絶縁膜44には、第1電極層5aと重なる領域に開口部44bが形成されている。本形態において、層間絶縁膜44は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。この場合の成膜は600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で行う。ここで、開口部44bは、図3aでの図示を省略するが、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたL字形状に形成されている。層間絶縁膜44の上層側には透光性の誘電体層40が形成されており、かかる誘電体層40の上層側には第2電極層7aが形成されている。第2電極層7aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第2電極層7aは、膜厚が100nm程度のTiN膜からなる。誘電体層40としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。この場合の成膜は600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で行う。第2電極層7aは、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分と、データ線6aと走査線3aとの交差領域を起点として第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分とを備えたL字形状に形成されている。従って、第2電極層7aのうち、第2画素間領域10hと重なる領域に沿って延在する部分は、層間絶縁膜44の開口部44bにおいて、誘電体層40を介して第1電極層5aに重なっている。このようにして、本形態では、第1電極層5a、誘電体層40、および第2電極層7aは、第1画素間領域10gと重なる領域に蓄積容量55を構成している。また、第2電極層7aにおいて、第1画素間領域10gと重なる領域に沿って延在する部分は、中継電極5bと部分的に重なっており、誘電体層40および層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44aを介して中継電極5bに導通している。第2電極層7aの上層側には透光性の層間絶縁膜45が形成されており、かかる層間絶縁膜45の上層側には、ITOIndiumTinOxide膜等の透光性導電膜からなる画素電極9aが形成されている。層間絶縁膜45は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマCVD法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。この場合の成膜は600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で行う。画素電極9aは、データ線6aと走査線3aとの交差領域の近傍で第2電極層7aと部分的に重なっており、層間絶縁膜45を貫通するコンタクトホール45aを介して第2電極層7aに導通している。層間絶縁膜45の表面は平坦面になっており、かかる平坦面上に画素電極9aが形成されている。画素電極9aの表面には配向膜16が形成されている。配向膜16は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜16は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜である。配向膜16と画素電極9aとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜が形成され、かかる保護膜によって、画素電極9aの間に形成された凹部を埋めることもある。かかる構成によれば、配向膜16を平坦面に形成することができる。対向基板20では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの液晶層50側の表面素子基板10に対向する側の面に、ITO膜等の透光性導電膜からなる共通電極21が形成されており、かかる共通電極21を覆うように配向膜26が形成されている。配向膜26は、配向膜16と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜26は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜である。なお、配向膜26と共通電極21との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜を形成することもある。かかる配向膜16、26は、液晶層50に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル100pは、ノーマリブラックのVAモードとして動作する。なお、図1および図2を参照して説明したデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104には、nチャネル型の駆動用トランジスターとpチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター30の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板10においてデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104が形成されている領域も、図3bに示す断面構成と略同様な断面構成を有している。液晶装置100の製造方法図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100の製造工程の要部を示す説明図であり、図4a、b、c、dは、走査線3a遮光層および半導体層1aの形成工程、第1不純物導入工程の説明図、第2不純物導入工程の説明図、および不純物拡散工程の説明図である。なお、以下に説明する工程は、素子基板10を多数取りできる大型基板の状態で行われるが、以下の説明では、サイズにかかわらず、素子基板10として説明する。また、以下の説明では、画素トランジスター30をnチャネル型の電界効果型トランジスターとして形成する場合を例示する。本形態の液晶装置100の製造工程のうち、素子基板10を形成する工程では、図4aに示すように、基板本体10wの一方面側に走査線3a遮光層を形成するための遮光膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術等を用いて遮光膜をパターニングし、走査線3a遮光層を形成する遮光層形成工程。次に、温度が600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で絶縁膜12をCVD法等により形成する。次に、絶縁膜12の表面全体にアモルファスのシリコン膜半導体膜1を形成した後、フォトリソグラフィ技術等を用いて半導体膜1をパターニングし、走査線3a遮光層と重なる領域に半導体層1aを形成する遮光層形成工程。ここで、半導体層1aとして多結晶シリコン膜を用いる場合、パターニング前のアモルファスのシリコン膜半導体膜1、あるいはパターニング後のアモルファスのシリコン膜半導体膜1に対して結晶化工程を行う。かかる結晶化工程として、本発明では、基板本体10wの一方面10s側を他方面10t側より温度を高くした状態で半導体膜1を加熱して結晶化させる。より具体的には、基板本体10wの一方面10sを上方に向けて基板本体10wをステージ960上に配置し、この状態で、加熱装置970により、基板本体10wの一方面10sを加熱する。かかる加熱装置970としては、レーザーアニール装置、ランプアニール装置等を用いることができる。レーザーアニール装置は、基板本体10wの一方面10sにレーザー光を照射して半導体膜1を表面側から加熱する。ランプアニール装置は、基板本体10wの一方面10sに赤外光を照射して半導体膜1を表面側から加熱する。従って、基板本体10wの他方面10t側は加熱されないので、走査線3aが高い温度にまで上昇しない。次に、図4bに示すように、温度が600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件でゲート絶縁層2をCVD法等により形成した後、ゲート電極3cを形成し、次に、以下の工程を行う。まず、半導体層1aにイオン注入等の方法で不純物を導入する不純物導入工程を行う。かかる不純物導入工程として、本形態では、図4bに示す第1不純物導入工程において、半導体層1aのうち、ゲート電極3cと重なるチャネル予定領域図3bに示すチャネル領域1gの形成予定領域に隣接する第1領域1d1、1e1図3bに示すソース領域1bおよびドレイン領域1cの形成予定領域にリンイオン等のn型の不純物を少ないドーズ量で導入する。その際の不純物のドーズ量は、例えば1×1013/cm2である。かかる第1不純物導入工程においては、ゲート電極3cをマスクとして不純物を導入する。従って、第1領域1d1、1e1は、ゲート電極3cに対して自己整合的に設定される。なお、不純物が導入されなかった領域がチャネル領域1gとなる。次に、図4cに示す第2不純物導入工程においては、ゲート電極3cを広めに覆うマスク90を形成し、この状態で、半導体層1aのうち、チャネル予定領域から離間した第2領域1d2、1e2に対してリンイオン等のn型の不純物を多いドーズ量で導入する。その際の不純物のドーズ量は、例えば1×1015/cm2である。次に、図4dに示すように、温度が600°C以下、好ましくは450°C以下の温度条件で層間絶縁膜41をCVD法等により形成した後、不純物拡散工程活性化工程を行う。かかる不純物拡散工程では、半導体層1aを600°C以上の温度に加熱して不純物を半導体層1aの厚さ方向に拡散させる。その結果、第1不純物導入工程で不純物が導入された領域第1領域1d1、1e1のうち、第2不純物導入工程で不純物が導入されなかった領域がソース領域1bおよびドレイン領域1cの低濃度領域1b1、1c1となる。また、第2不純物導入工程で不純物が導入された領域第2領域1d2、1e2がソース領域1bおよびドレイン領域1cの高濃度領域1b2、1c2となる。このようにしてnチャネル型の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター30が形成される。また、図1等に示すデータ線駆動回路101や走査線駆動回路104には、nチャネル型の電界効果型トランジスターからなる駆動回路用トランジスターが形成される。なお、データ線駆動回路101や走査線駆動回路104のpチャネル型の電界効果型トランジスター駆動回路用トランジスターも同様な方法により形成することができる。かかる不純物拡散工程において、本形態では、素子基板10の基板本体10wにおいて、半導体層1aが形成されている一方面10sの側を他方面10tより温度を高くした状態で半導体層1aを加熱して不純物を半導体層1aの厚さ方向に拡散させる。より具体的には、基板本体10wの一方面10sを上方に向けて基板本体10wをステージ910上に配置し、この状態で、加熱装置920により、基板本体10wの一方面10sを加熱する。かかる加熱装置920としては、レーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等を用いることができる。レーザーアニール装置は、基板本体10wの一方面10sにレーザー光を照射して半導体層1aを表面側から加熱する。ヒートガスアニール装置は、基板本体10wの一方面10sに加熱ガスを吹き付けて加熱ガスを一方面10sに接触させ、半導体層1aを表面側から加熱する。ランプアニール装置は、基板本体10wの一方面10sに赤外光を照射して半導体層1aを表面側から加熱する。その結果、不純物は、半導体層1aの表面側半導体層1aにおいて基板本体10wが位置する側から底面側半導体層1aにおいて基板本体10wが位置する側に向けて拡散する。その際、本形態では、不純物の拡散を、半導体層1aの加熱温度および加熱時間に加えて、半導体層1aの表面側の温度と底面側の温度との差という新たなパラメーターによっても制御する。このようにして、画素トランジスター30を形成した後は、図3等を参照して説明した構成要素を形成する。かかる構成要素の形成には周知の方法を利用できるので、説明を省略する。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の液晶装置100の製造方法によれば、不純物拡散工程において半導体層1aを加熱する際、基板本体10w全体を均一に加熱するのではなく、基板本体10wの一方面10s側を他方面10t側より温度を高くした状態で半導体層1aを加熱する。このため、半導体層1aは高い温度で処理されるが、走査線3a遮光層には高い温度が加わらない。それ故、走査線3aに用いた材料が劣化して遮光性能が低下するという事態を回避することができる。より具体的には、走査線3aにアルミニウム融点が660°Cを用いた場合、不純物拡散工程を行っても走査線3aアルミニウムが軟化、溶融することがないので、光が通過するような欠陥が走査線3aに発生するという事態が発生しない。また、走査線3aにタングステンシリサイドを用いた場合、不純物拡散工程を行っても、走査線3aタングステンシリサイドが再結晶化することがないので、OD値光学濃度が低下するという事態が発生しない。また、本形態では、半導体層1aとして多結晶シリコン膜を用いるために、アモルファスの半導体膜1を加熱する結晶化工程を行うが、その場合も、基板本体10w全体を均一に加熱するのではなく、基板本体10wの一方面10s側を他方面10t側より温度を高くした状態で半導体膜1を加熱する。このため、半導体膜1は高い温度で処理されるが、走査線3a遮光層には高い温度が加わらない。それ故、走査線3aに用いた材料が劣化して遮光性能が低下するという事態を回避することができる。また、本形態では、不純物拡散工程において半導体層1aを加熱する際、基板本体10w全体を均一に加熱するのではなく、基板本体10wの一方面10s側を他方面10t側より温度を高くした状態で半導体層1aを加熱する。このため、半導体層1aの表面側の温度と、半導体層1aの底面側の温度との差等を制御すれば、半導体層1aの厚さ方向の不純物分布を制御することができる。すなわち、従来であれば、不純物を導入した後は、半導体層1aの加熱温度および加熱時間のみで不純物分布を制御していたが、本形態によれば、さらに、半導体層1aの表面側の温度と底面側の温度との差という新たなパラメーターによっても不純物分布を制御することができる。それ故、本形態によれば、半導体層1a内における不純物分布の最適化を図ることができるので、画素トランジスター30のトランジスター特性のばらつきの圧縮や、トランジスター特性の向上を図ることができる。特に本形態では、画素トランジスター30電界効果型トランジスターをLDD構造とする場合に適用したため、その効果が顕著である。すなわち、LDD構造の電界効果型トランジスターは特に、低濃度領域1b1、1c1での不純物分布によってトランジスター特性が大きく変動することから、低濃度領域1b1、1c1における厚さ方向の不純物濃度を最適化すれば、トランジスター特性のばらつきの圧縮やトランジスター特性の向上を図ることができる。[実施の形態2]図5は、本発明の実施の形態2に係る液晶装置100の製造工程の要部を示す説明図であり、図5a、bは、不純物拡散工程、および温度制御動作を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。本形態でも、実施の形態1で説明した不純物導入工程第1不純物導入工程および第2不純物導入工程を行った後、不純物拡散工程活性化工程を行う。かかる不純物拡散工程でも、実施の形態1と同様、素子基板10の基板本体10wにおいて、半導体層1aが形成されている一方面10sの側を他方面10tより温度を高くした状態で半導体層1aを加熱して不純物を半導体層1aの厚さ方向に拡散させる。かかる不純物拡散工程を行うにあたって、本形態では、図5aに示すように、基板本体10wの一方面10sを上方に向けて基板本体10wを、空冷あるいは水冷の冷却装置付きステージ940冷却プレート上に配置し、基板本体10wの他方面10t側を冷却しながら、加熱装置920により、基板本体10wの一方面10sを加熱する。加熱装置920としては、実施の形態1と同様、レーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等を用いることができる。冷却装置付きステージ940としては、空冷あるいは水冷の冷却装置を内蔵したものの他、コンプレッサーを用いて液体が気化する際の気化熱を利用したものや、ペルチェ素子を用いたもの等を利用してもよい。ここで、加熱装置920による加熱、および冷却装置付きステージ940による冷却は連続的に行ってもよいが、図5bに示すように、加熱装置920での加熱を間欠的に行い、冷却装置付きステージ940による冷却も間欠的に行ってもよい。本形態では、上記のように構成したので、実施の形態1と同様、半導体層1aは高い温度で処理されるが、走査線3a遮光層には高い温度が加わらない。それ故、走査線3aに用いた材料が劣化して遮光性能が低下するという事態を回避することができる等、実施の形態1と同様な効果を奏する。また、本形態では、冷却装置付きステージ940冷却プレートを用いたため、基板本体10wの他方面10t側を冷却しながら、加熱装置920により、基板本体10wの一方面10sを加熱することができる。それ故、走査線3a遮光層に高い温度が加わることをより確実に防止することができるので、走査線3aに用いた材料が劣化して遮光性能が低下するという事態をより確実に回避することができる等の効果を奏する。また、図5bを参照して説明したように、不純物拡散工程中、加熱装置920および冷却装置付きステージ940をオンオフさせれば、半導体層1aの温度と走査線3a遮光層の温度をより確実に制御することができる等の効果を奏する。なお、基板本体10wの他方面10tを冷却するにあたっては、冷却装置付きステージ940を用いた構成の他、例えば、基板本体10wを保持する際、他方面10tの側を開放状態として他方面に冷却空気を吹き付ける等の方法を採用してもよい。[他の実施の形態]上記実施の形態では、不純物拡散工程で用いるステージを冷却装置付きステージ940冷却プレートとしたが、図4aを参照して説明した半導体層形成工程で用いるステージ960についても冷却装置付きステージ冷却プレートとしてもよい。かかる構成によれば、半導体層形成工程でも、不純物拡散工程と同様、基板本体10wの一方面10s側から加熱する一方、他方面10t側を冷却することができる。また、半導体層形成工程でも、基板本体10wの他方面10tを冷却するにあたっては、冷却装置付きステージを用いた構成の他、例えば、基板本体10wを保持する際、他方面10tの側を開放状態として他方面に冷却空気を吹き付ける等の方法を採用してもよい。上記実施の形態では、透過型の液晶装置100に本発明を適用した例を説明したが、反射型の液晶装置100に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、液晶装置100に本発明を適用した例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等、他の電気光学装置に本発明を適用してもよい。[電子機器への構成例]上述した実施形態に係る液晶装置100を備えた電子機器について説明する。図6は、本発明を適用した液晶装置100を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図6a、bは各々、透過型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図である。投射型表示装置の第1例図6aに示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117液晶装置100と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー系120とを備えている。光源112は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121及び偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115c及び第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル115cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、液晶パネル116c及び第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル116cは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117c及び第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル117cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a及び第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて射出するように構成されている。なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115~117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光及び青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ図示略を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。投射型表示装置の第2例図6bに示す投射型表示装置1000は、光源光を発生する光源部1021と、光源部1021から出射された光源光を赤、緑、青の3色に分離する色分離導光光学系1023と、色分離導光光学系1023から出射された各色の光源光によって照明される光変調部1025とを有している。また、投射型表示装置1000は、光変調部1025から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム1027合成光学系と、クロスダイクロイックプリズム1027を経た像光をスクリーン不図示に投射するための投射光学系である投射光学系1029とを備えている。かかる投射型表示装置1000において、光源部1021は、光源1021aと、一対のフライアイ光学系1021d、1021eと、偏光変換部材1021gと、重畳レンズ1021iとを備えている。本形態においては、光源部1021は、放物面からなるリフレクタ1021fを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系1021d、1021eは、システム光軸と直交する面内にマトリックス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光発散させる。偏光変換部材1021gは、フライアイ光学系1021eから出射した光源光を、例えば図面に平行なp偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ1021iは、偏光変換部材1021gを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部1025に設けた複数の液晶装置100を各々均一に重畳照明可能とする。色分離導光光学系1023は、クロスダイクロイックミラー1023aと、ダイクロイックミラー1023bと、反射ミラー1023j、1023kとを備える。色分離導光光学系1023において、光源部1021からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー1023aに入射する。クロスダイクロイックミラー1023aを構成する一方の第1ダイクロイックミラー1031aで反射された赤色Rの光は、反射ミラー1023jで反射されダイクロイックミラー1023bを透過して、入射側偏光板1037r、p偏光を透過させ、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032r、および光学補償板1039rを介して、p偏光のまま、赤色R用の液晶装置100に入射する。また、第1ダイクロイックミラー1031aで反射された緑色Gの光は、反射ミラー1023jで反射され、その後、ダイクロイックミラー1023bでも反射されて、入射側偏光板1037g、p偏光を透過させ、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032g、および光学補償板1039gを介して、p偏光のまま、緑色G用の液晶装置100に入射する。これに対して、クロスダイクロイックミラー1023aを構成する他方の第2ダイクロイックミラー1031bで反射された青色Bの光は、反射ミラー1023kで反射されて、入射側偏光板1037b、p偏光を透過させ、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032b、および光学補償板1039bを介して、p偏光のまま、青色B用の液晶装置100に入射する。なお、光学補償板1039r、1039g、1039bは、液晶装置100への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。このように構成した投射型表示装置1000において、光学補償板1039r、1039g、1039bを経て入射した3色の光は各々、各液晶装置100において変調される。その際、液晶装置100から出射された変調光のうち、s偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板1032r、1032g、1032bで反射し、出射側偏光板1038r、1038g、1038bを介してクロスダイクロイックプリズム1027に入射する。クロスダイクロイックプリズム1027には、X字状に交差する第1誘電体多層膜1027aおよび第2誘電体多層膜1027bが形成されており、一方の第1誘電体多層膜1027aはR光を反射し、他方の第2誘電体多層膜1027bはB光を反射する。従って、3色の光は、クロスダイクロイックプリズム1027において合成され、投射光学系1029に出射される。そして、投射光学系1029は、クロスダイクロイックプリズム1027で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン図示せず。投射する。他の投射型表示装置なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。他の電子機器本発明を適用した液晶装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistants、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。