"被処理基板を収容する処理室と、成膜材料の蒸気を該被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部とを備える成膜装置において、前記成膜材料噴出部から噴出され、前記被処理基板で反跳した成膜材料を捕捉する捕捉部を前記処理室の内部に備えることを特徴とする成膜装置。前記捕捉部は、前記成膜材料噴出部から噴出され、前記被処理基板で反跳した成膜材料が進入する複数の間隙又は穴部を有することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記捕捉部は、対向している複数の板部を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜装置。前記被処理基板を支持する支持台を備え、前記板部は、面方向が前記支持台に対して交差するように配されており、前記被処理基板側の部位が前記成膜材料噴出部側へ曲がっていることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。前記成膜材料噴出部は、複数の成膜材料の蒸気を前記被処理基板へ向けてそれぞれ噴出する複数の蒸着ヘッドを備え、前記捕捉部は、前記複数の前記蒸着ヘッドの間に配されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の成膜装置。前記成膜材料噴出部は、複数の成膜材料の蒸気を前記被処理基板へ向けてそれぞれ噴出する複数の蒸着ヘッドを備え、前記捕捉部は、略矩形状をなし、対向している複数の板部を備え、該複数の板部は、一辺が前記複数の前記蒸着ヘッドよりも前記被処理基板側に位置するように、前記複数の前記蒸着ヘッドの間に配されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜装置。前記複数の板部は、前記被処理基板側の部位が直近の前記蒸着ヘッド側へ曲がっていることを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。本願発明者は、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入するという問題を発見した。なお、特許文献1に記載の成膜装置には、成膜材料の反跳の問題、及びその問題を解決する構成は開示されていない。本発明に係る成膜装置は、被処理基板を収容する処理室と、成膜材料の蒸気を該被処理基板へ向けて噴出する成膜材料噴出部とを備える成膜装置において、前記成膜材料噴出部から噴出され、前記被処理基板で反跳した成膜材料を捕捉する捕捉部を前記処理室の内部に備えることを特徴とする。本発明にあっては、被処理基板で反跳した成膜材料は、捕捉部によって捕捉される。従って、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳することを防止することが可能である。本発明によれば、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入することを防止することができる。以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。図1は、本実施の形態に係る成膜システムの一構成例を概念的に説明する説明図である。本実施の形態に係る成膜システムは、被処理基板G図3参照の搬送方向に沿って直列順に並べたローダ90、トランスファーチャンバ91、成膜装置1、トランスファーチャンバ92、エッチング装置93、トランスファーチャンバ94、スパッタリング装置95、トランスファーチャンバ96、CVD装置97、トランスファーチャンバ98、及びアンローダ99にて構成される。ローダ90は、被処理基板G、例えば予め表面にITO層が形成されたガラス基板Gを成膜システム内に搬入するための装置である。トランスファーチャンバ91,92,94,96,98は、各処理装置間で被処理基板Gを受け渡しするための装置である。成膜装置1は、真空蒸着法にて、被処理基板G上にホール注入層、ホール輸送層、青発光層、赤発光層、緑発光層、並びに電子輸送層ないし電子注入層を形成するための装置である。詳細は後述する。エッチング装置93は、有機層の形状を所定形状に調整するための装置である。スパッタリング装置95は、パターンマスクを用いて、例えば銀Ag、マグネシウムMg/銀Ag合金等をスパッタリングすることによって、電子輸送層上に陰極層を形成する装置である。CVD装置97は、窒化膜等からなる封止層をCVD法等によって成膜し、ガラス基板G上に形成された各種膜を封止するための装置である。アンローダ99は、被処理基板Gを成膜システム外へ搬出するための装置である。図2は、成膜装置1の一構成例を模式的に示す斜視図、図3は、成膜装置1の一構成例を模式的に示す側断面図、図4は、図3のIV-IV線断面図である。成膜装置1は、被処理基板Gを収容する処理室11と、成膜材料の蒸気を被処理基板Gへ向けて噴出する成膜材料噴出部13とを含む。処理室11は、搬送方向を長手方向とする中空略直方体形状をなし、アルミニウム、ステンレス等で構成されている。処理室11の長手方向一端側の面図2中背面側の面には、被処理基板Gを処理室11内に搬入するための搬入口11aが形成され、長手方向他端側の面図2中手前側の面には、被処理基板Gを処理室11外へ搬出するための搬出口11bが形成されている。搬入口11a及び搬出口11bは、搬入方向に対して直交した長手方向を有するスリット状であり、搬入口11a及び搬出口11bの長手方向は略同一である。以下、搬入口11a及び搬出口11bの長手方向を横方向、該横方向及び搬送方向に直交する方向を上下方向という。また、収容室の適宜箇所には、排気孔11cが形成されており、排気孔11cには、処理室11の外部に配された真空ポンプ15が排気管14を介して接続されている。真空ポンプ15を駆動することにより、処理室11の内部は所定の圧力、例えば102Paに減圧される。処理室11内部の底部には、被処理基板Gを搬入口11a側から搬出口11b側へ搬送する搬送装置12が設置されている。搬送装置12は、処理室11の底部に長手方向に沿って設けられた案内レール12aと、該案内レール12aに案内されて搬送方向、即ち前記長手方向へ移動可能に設けられた移動部材12bと、移動部材12bの上端部に設けられており、被処理基板Gを底部に対して略平行になるように支持する支持台12cとを含む。支持台12cの内部には、被処理基板Gを保持する静電チャック、被処理基板Gの温度を一定に保つためのヒータ、冷媒管等が設けられている。なお、支持台12cは、リニアモータによって移動するように構成されている。また、処理室11の上部、搬送方向略中央部には、被処理基板Gに対して真空蒸着法にて成膜を行う成膜材料噴出部13が設けられている。成膜材料噴出部13は、複数の成膜材料の蒸気を前記被処理基板へ向けてそれぞれ噴出する複数の蒸着ヘッド、即ち、ホール注入層を蒸着させる第1蒸着ヘッド13a、ホール輸送層を蒸着させる第2蒸着ヘッド13b、青発光層を蒸着させる第3蒸着ヘッド13c、赤発光層を蒸着させる第4蒸着ヘッド13d、緑発光層を蒸着させる第5蒸着ヘッド13e、及び電子輸送層を蒸着させる第6蒸着ヘッド13fを、搬送方向に沿って順に配置して構成されている。成膜材料噴出部13には、処理室11の外部に配された蒸気発生部17が配管18aを介して接続されている。図4では、第1蒸着ヘッド13aに配管18aが接続される構成を代表的に図示しているが、他の第2乃至第6蒸着ヘッド13b,13c,13d,13e,13fも同様の構成である。以下では、主に第1蒸着ヘッド13a及び蒸気発生部17の構成について説明する。蒸気発生部17は、容器17aと、容器17aの内部に配された加熱機構17bとを含む。加熱機構17は、各層の材料である有機系の成膜材料17cを、電源から供給された電力によって加熱するように構成されている。例えば、電気抵抗体にて加熱するように構成されている。こうして、容器17aに収納した成膜材料17cを加熱して、有機系の成膜材料17cの蒸気を発生させる。また、容器17aには、被処理基板Gに対して不活性ガス、例えばArなどの希ガス等からなる輸送ガスを供給する輸送ガス供給管18bが接続されている。配管18a及び輸送ガス供給管18bにはそれぞれ、輸送ガス及び蒸気量を調整するための調整弁18c,18dが設けられている。なお、配管18a、輸送ガス供給管18b及び第1蒸着ヘッド13aを加熱する、図示しないヒータが各部に設けられている。ヒータは、成膜材料17cの蒸気が管内に付着することを防止するためのものである。輸送ガス供給管18bから容器17aに供給され、蒸気温度に加熱された輸送ガスと共に、成膜材料17cの蒸気を蒸気発生部17から配管18aを介して第1蒸着ヘッド13aへ供給するように構成されている。更に、第1蒸着ヘッド13aには、成膜処理一時停止時などに、第1蒸着ヘッド13a内の蒸気を排気するための蒸気排出管18eが接続されている。蒸気排出管18eには、該蒸気排出管18eを開閉する開閉弁18fが設けられている。なお、蒸気排出管18eにも、該蒸気排出管18eを加熱するヒータを設けると良い。図5は、第1蒸着ヘッド13aの底面図である。第1蒸着ヘッド13aの底面には、成膜材料の蒸気を基板Gへ噴射する複数の噴出孔13gが設けられている。噴出孔13gは、例えば、基板Gの搬送方向に対して直交する方向に直線的に並び配されている。なお、噴出孔13gの配列方法は、成膜材料17cの蒸気を略均一に噴射することができれば特にこれに限定されない。更に、成膜装置1は、成膜材料噴出部13から噴出され、被処理基板Gで反跳した成膜材料を捕捉する複数の捕捉部16を処理室の内部に含む。複数の捕捉部16は、第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13f間と、第1蒸着ヘッド13aの搬送方向上流側と、第2蒸着ヘッド13bの搬送方向下流側とに配されている。各捕捉部16は、同様の構成であるため、以下では、主に第1蒸着ヘッド13aと、第2蒸着ヘッド13bとの間に配された補捉部について説明する。図6は、本実施の形態に係る捕捉部16の一構成例を示した側断面図である。捕捉部16は、成膜材料噴出部13から噴出され、被処理基板Gで反跳した成膜材料が進入する複数の間隙16cを有する。具体的には、捕捉部16は、第1蒸着ヘッド13aと、第2蒸着ヘッド13bとを隔てる隔離壁16aと、略矩形状をなし、面対向している複数の板部16bとを有し、複数の板部16bは、被処理基板G側の一辺が第1及び第2蒸着ヘッド13a,13bよりも被処理基板G側に位置するように、第1及び第2蒸着ヘッド13a,13bの間に配されている。間隙16cは、対向する複数の板部16bによって構成されている。より具体的には、隔離壁16aは下端部、つまり隔離壁16aの被処理基板G側の部分が被処理基板G又は支持台12cに対して略平行な下面を有する。複数の板部16bは、第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fの並列方向と略同一方向に並ぶように面対向し、前記下面から下方へ略垂直に突出している。より詳細には、捕捉部16は、第1及び第2蒸着ヘッド13a,13bの横方向略中央部に配されており、捕捉部16の厚み、即ち板部16bの法線方向における一端側の板部16bと、他端側の板部16bとの距離をDとした場合、下記式を満たす。下記式を満たした場合、第1及び第2蒸着ヘッド13a,13bから噴射され、捕捉部16の板部16bに衝突せずに最も鋭い角度で被処理基板Gに入射した成膜材料も捕捉部16によって捕捉することが可能になる。D≧2×d×H/Δd但し、d:板部16bの下辺、即ち被処理基板G側の一辺と、被処理基板Gとの距離H:前記法線方向における第1蒸着ヘッドと、第1蒸着ヘッドに直近の板部16bとの距離Δd:被処理基板Gの法線方向における板部16bの下辺、即ち被処理基板G側の一辺と、第1蒸着ヘッドの下端部との距離図7は、捕捉部16の作用を概念的に示した説明図である。第2蒸気ヘッド13bから噴出された成膜材料は、被処理基板Gで反跳し、捕捉部16を構成する複数の板部16b間に進入する。図7中、第2蒸着ヘッド13bの下端部から伸びる直線は、第2蒸着ヘッド13bから噴射された成膜材料の軌跡を示している。板部16b間に進入した成膜材料は、該板部16b間で反跳を繰り返した後、板部16bに付着する。つまり、成膜材料は捕捉部16に捕捉される。図8は、捕捉部16の作用を説明するための実験装置を模式的に示した側面図である。図8Aに示すように、第1基板2と、第2基板3とが横方向に並べられ、図示しない蒸着ヘッドから噴射された成膜材料の蒸気が第2基板3に直接付着しないように、保護板4が配された実験装置を用意する。そして、成膜材料の蒸気を第1基板2へ噴射する。次いで、第1基板2と、第2基板3とにそれぞれ付着した成膜材料の付着量を測定し、付着量の比を計算する。実験の結果、付着量の比は0.43であった。つまり、第1基板2に付着した成膜材料の付着量を1とした場合、第2基板3に付着した成膜材料の付着量は0.43であった。この実験結果より、第1基板2へ噴射された成膜材料の一部は、第1基板2と、保護板4との間で反跳し、第2基板3に付着することが分かる。他方、図8Bに示すように、図8Aと同様の構成を有し、保護板5に、本実施の形態と同様の捕捉部5aを設けた実験装置を用意する。そして、成膜材料の蒸気を第1基板2へ噴射する。次いで、第1基板2と、第2基板3とにそれぞれ付着した成膜材料の付着量を測定し、付着量の比を計算する。実験の結果、付着量の比は0.037であった。この実験結果より、捕捉部5aは、第1基板2で反跳した成膜材料を捕捉し、成膜材料の反跳を防止する機能を有することが確かめられた。本実施の形態にあっては、蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板Gと、処理室11又は第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fからの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入することを防止することができる。従って、一の成膜材料を蒸着させている際、他の成膜材料が混入して蒸着されることを防止することができる。なお、本実施の形態では、隔離壁16aの下端部に複数の板部16bを設けた捕捉部16を説明したが、複数の板部16bのみで捕捉部16を構成しても良い。また、捕捉部16を第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fの間と、搬送方向両側とに配置した例を説明したが、処理室内のその他の部位に捕捉部16を設けても良い。例えば、処理室の上部に捕捉部16を設けると良い。この場合、被処理基板Gと、処理室の上部との間で成膜材料が反跳することを防止することができる。また、処理室の内側壁及び底部に捕捉部16を設けても良い。更に、複数の板部16bが等間隔に並んだ捕捉部16を説明したが、各板部16bの間隔が異なるように構成しても良い。各板部16bの間隔が非周期的である場合、より効果的に成膜材料を捕捉することが可能になる。更にまた、本実施の形態では、主に有機系の成膜材料を捕捉する捕捉部について説明したが、無機系の成膜材料を成膜する成膜装置に本実施の形態に係る捕捉部を適用しても良い。変形例1変形例1に係る成膜装置1は、捕捉部116の構成のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。図9は、変形例1に係る捕捉部116の一構成例を示した側断面図である。変形例1に係る捕捉部116は、実施の形態と同様、隔離壁116aと、複数の板部116bとを有し、複数の板部116bによって、間隙116cが構成されている。複数の板部116bは、被処理基板G側の部位が直近の第1蒸着ヘッド13a又は第2蒸着ヘッド13b側へ曲がっている。例えば、第1蒸着ヘッド13a側に位置する板部116bは、被処理基板G側の部位が第1蒸着ヘッド13a側に曲がり、第2蒸着ヘッド13b側に位置する板部116bは、被処理基板G側の部位が第2蒸着ヘッド13b側に曲がっている。他の第2乃至第6蒸着ヘッド13b~13f間に配された捕捉部116も同様の構成である。変形例1にあっては、板部116bの被処理基板G側の部位が直近の第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13f側へ曲がっているため、被処理基板Gで反跳した成膜材料をより効果的に捕捉することができる。変形例2変形例2に係る成膜装置1は、捕捉部216の構成のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。図10は、変形例2に係る捕捉部216の一構成例を示した側断面図である。具体的には、捕捉部216は、第1蒸着ヘッド13aと、第2蒸着ヘッド13bとを隔てる隔離壁216aと、隔離壁216aの下部、即ち被処理基板G側の部位に形成されており、成膜材料噴出部13から噴出され、被処理基板Gで反跳した成膜材料が進入する複数の穴部216bを有する。穴部216bは、長穴であり、長手方向が第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fの並列方向に対して直交する方向である。他の第2乃至第6蒸着ヘッド13b~13f間に配された捕捉部216も同様の構成である。変形例2にあっては、実施の形態と同様の効果を奏する。つまり、第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fから噴射された成膜材料が被処理基板Gと、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着することを防止することができる。なお、変形例2では、長穴を有する捕捉部を説明したが、長穴は一例であり、複数の円形、その他の形状の穴部を有する捕捉部を備えるように構成しても良い。変形例3変形例3に係る成膜処理システムは、成膜装置301がフェースダウン式である点と、捕捉部316の配置のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。図11は、変形例3に係る成膜装置301の一構成例を概念的に説明する説明図である。変形例3に係る成膜装置301は、実施の形態と同様の処理室11を備える。処理室11の底部には、成膜材料噴出部313が設けられている。成膜材料噴出部313は、搬送方向に並んだ第1乃至第6蒸着ヘッド313a~313fを有し、各第1乃至第6蒸着ヘッド313a~313f間には、捕捉部316が配されている。また、処理室11内部には、被処理基板Gを保持し、搬入口11aから搬出口11bへ搬送する搬送装置312が設置されている。図12は、変形例3に係る捕捉部316の一構成例を示した側断面図である。実施の形態と同様、捕捉部316は、成膜材料噴出部313から噴出され、被処理基板Gで反跳した成膜材料が進入する複数の間隙316cを有する。具体的には、捕捉部316は、第1蒸着ヘッド313aと、第2蒸着ヘッド313bとを隔てる隔離壁316aと、略矩形状をなし、面対向している複数の板部316bとを有し、複数の板部316bは、被処理基板G側の一辺が第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fよりも被処理基板G側に位置するように、第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fの間に配されている。間隙316cは、対向する複数の板部316bによって構成されている。より具体的には、隔離壁316aの上端部、つまり隔離壁316aの被処理基板G側の部分が被処理基板G又は搬送装置312に対して略平行な上面を有する。複数の板部316bは、第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fの並列方向と略同一方向に並ぶように面対向し、前記上面から上方へ略垂直に突出している。変形例3にあっては、実施の形態と同様の効果を奏する。つまり、第1乃至第6蒸着ヘッド313a~313fから噴射された成膜材料が被処理基板Gと、処理室11又は他の第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13fとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着することを防止することができる。変形例4に係る成膜処理システムは、捕捉部416の構造及び処理室411に対する取り付け構造のみが実施の形態と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。図13は、変形例4に係る捕捉部416の一構成例を示した側断面図である。変形例4に係る捕捉部416は、実施の形態と同様、隔離壁416aと、複数の板部416bとを有し、複数の板部416bによって、間隙416cが構成されている。隔離壁416aの内部には、捕捉部416を加熱する加熱部416dが設けられている。加熱部416dは、例えばカートリッジヒータであり、加熱部416dの動作は、図示しない制御部によって制御される。制御部は、例えば、成膜処理停止時に加熱部416dを動作させる。なお、加熱部416dによる加熱を手動で入切することが可能なスイッチを備える構成にしても良い。捕捉部416は、良好な熱伝導性を有する材料、例えば銅で形成されている。なお、捕捉部416の表面を良好な熱伝導性を有する材料によって被覆するようにしても良い。成膜装置は、処理室411に捕捉部416を着脱自在に保持する保持部411dを有する。保持部411dは、例えば、第1乃至第6蒸着ヘッド13a~13f間と、第1蒸着ヘッド13aの搬送方向上流側と、第2蒸着ヘッド13fの搬送方向下流側とに設けられた凹部である。このように構成された成膜処理システムにあっては、所定のタイミングで加熱部416dを動作させることによって、捕捉部416を加熱し、捕捉部416に付着した成膜材料を蒸発させ、除去することができる。この場合、捕捉部416を処理室411から取り外さずに、捕捉部416を清掃することができる。また、保持部411dから捕捉部416を取り外して、ウェットクリーニングを行うこともできる。使用者は、ウェットクリーニングされた捕捉部416を、再び保持部411dの凹部に差し込むことによって、処理室411の上部に取り付けることができる。なお、フェイスアップ成膜の場合、加熱部416d及び保持部411dの双方を備える構成が好ましい。フェイスダウン成膜の場合、加熱部416dは必ずしも必要が無い。また、隔離壁416aの内部に、捕捉部416を冷却する水流路を設けても良い。捕捉部416を冷却することによって、被処理基板Gで反跳した成膜材料を、より効率的に捕捉することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものでは無いと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味では無く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"