M行Mは2以上の自然数N列Nは自然数に配列された複数の表示回路と、ライトユニットと、を具備し、前記ライトユニットは、X行Xは2以上の自然数に配列され、行毎に少なくとも異なる1行以上の表示回路に重畳し、赤色を呈する発光ダイオード、緑色を呈する発光ダイオード、及び青色を呈する発光ダイオードを含む複数の発光ダイオード群と、前記複数の表示回路及び前記複数の発光ダイオード群の間に設けられた導光板と、を有し、前記導光板は、前記複数の発光ダイオード群のうち、互いに異なる行の発光ダイオード群の光を透過するX個の導光部材を含む表示装置。M行Mは2以上の自然数N列Nは自然数に配列された複数の表示回路と、ライトユニットと、を具備し、前記ライトユニットは、それぞれが、前記複数の表示回路のいずれか一つ又は複数に重畳し、X行Xは2以上の自然数に配列され、赤色を呈する発光ダイオード、緑色を呈する発光ダイオード、及び青色を呈する発光ダイオードを含む複数の発光ダイオード群と、それぞれが、前記複数の表示回路と、前記複数の発光ダイオード群の間に設けられた導光板と、前記導光板を介して前記複数の発光ダイオード群に重畳する拡散シートと、を有し、前記導光板は、X個の導光部材を含み、前記X個の導光部材のそれぞれは、断面が長方形である直方体であり、前記X個の導光部材の側面は、光反射性を有し、前記X個の導光部材の上面及び下面は、透光性を有し、前記複数の発光ダイオード群のうち、互いに異なる行の発光ダイオード群に重畳する表示装置。M行Mは2以上の自然数N列Nは自然数に配列された複数の表示回路と、ライトユニットと、を具備し、前記ライトユニットは、それぞれが、前記複数の表示回路のいずれか一つ又は複数に重畳し、X行Xは2以上の自然数に配列され、赤色を呈する発光ダイオード、緑色を呈する発光ダイオード、及び青色を呈する発光ダイオードを含む複数の発光ダイオード群と、それぞれが、前記複数の表示回路と、前記複数の発光ダイオード群の間に設けられた導光板と、前記導光板を介して前記複数の発光ダイオード群に重畳する拡散シートと、を有し、前記導光板は、それぞれが、前記複数の発光ダイオード群のうち、連続する複数行の発光ダイオード群に重畳するX個の導光部材を含み、前記X個の導光部材のそれぞれは、断面が平行四辺形である直方体であり、前記X個の導光部材の側面は、光反射性を有し、前記X個の導光部材の上面及び下面は、透光性を有し、前記X個の導光部材の下面は、前記複数の発光ダイオード群のうち、互いに異なる行の発光ダイオード群に重畳する表示装置。請求項2又は請求項3において、前記複数のダイオード群は、千鳥格子状に配列されている表示装置。M行Mは2以上の自然数N列Nは自然数に配列された複数の表示回路と、ライトユニットと、を具備し、前記ライトユニットは、X行Xは2以上の自然数に配列され、赤色を呈する発光ダイオード、緑色を呈する発光ダイオード、及び青色を呈する発光ダイオードを含む複数の発光ダイオード群と、前記複数の表示回路と前記複数の発光ダイオード群の間に設けられた導光板と、を有し、前記導光板は、複数の発光ダイオード群のうち、互いに異なる行の発光ダイオード群の光を透過するX個の導光部材を含み、各行の表示回路毎に異なる表示選択信号が入力され、前記表示選択信号のパルスに従って前記複数の表示回路のそれぞれに表示データ信号が入力され、前記表示回路が前記表示データ信号のデータに応じた表示状態になる表示装置の駆動方法であって、1行以上の表示回路及び1行以上の発光ダイオード群毎に分けられた複数の表示領域のそれぞれにおいて、各行の表示回路毎に異なる前記表示選択信号のパルスを順次入力する入力動作と、前記複数の表示領域のそれぞれにおいて、1行以上の表示回路に前記表示選択信号のパルスが入力される毎に、前記複数の表示領域のそれぞれにおいて、異なる行の発光ダイオード群の赤色を呈する発光ダイオード、緑色を呈する発光ダイオード、及び青色を呈する発光ダイオードの一つ又は複数のうち、前記複数の表示領域のそれぞれで異なる色を呈する発光ダイオードを発光させる発光動作と、をZ回Zは3以上の自然数繰り返し行い、K回目Kは2以上Z以下の自然数の前記発光動作では、前記複数の表示領域のそれぞれにおいてK-1回目の前記発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオードを発光させることを特徴とする表示装置の駆動方法。特許文献1に示す液晶表示装置では、各行の画素回路毎に順に表示データを書き込み、その後表示データを書き込んだ複数行の画素回路に重畳する発光ダイオードを発光させ、該画素回路に発光ダイオードから光を照射することにより画像を表示する。このため、複数行の画素回路からなる特定のグループの画素回路において特定の色に対応する表示データを書き込んでいる間に、該特定の色とは異なる色を呈する発光ダイオードの光が該特定のグループの画素回路に照射される場合がある。この場合、表示画像の画質が低下してしまう。上記問題を解決するために、例えば黒の画像を表示する期間を設ける方法がある。しかしながら、黒の画像を表示する期間では、光の透過率が低くなり、表示画像の輝度が低くなってしまう。また、上記画質の低下の問題を解決するために、発光ダイオード及び画素回路の間隔を調整する方法もある。しかしながら、例えば同じ色を呈する複数の発光ダイオードの輝度にばらつきがあると、発光ダイオード及び画素回路の間隔を調整して上記問題を解決することは困難である。本発明の一態様では、表示画像の画質の低下を抑制することを課題の一つとする。また、表示画像の輝度の低下を抑制することを課題の一つとする。本発明の一態様では、複数行の表示回路毎に分けられた複数の表示領域のそれぞれにおいて、各行の表示回路に表示選択信号のパルスを入力し、1行以上の表示回路に表示選択信号のパルスが入力される毎に、発光ダイオード群において発光ダイオードを順次発光させ、表示選択信号のパルスを入力した各行の表示回路に光を順次照射して画像を表示する。さらに、本発明の一態様では、複数行に配列された発光ダイオード群及び導光板を有するライトユニットを備え、該導光板を複数の導光部材を用いて構成し、各行の発光ダイオードからの光を、それぞれ異なる導光部材を介して表示回路に照射することにより、発光ダイオードからの光の拡散方向の制御を図る。本発明の一態様により、発光ダイオードからの光の拡散方向を制御することができるため、表示画像の画質の低下を抑制することができる。また、表示画像の輝度の低下を抑制することができる。本発明を説明するための実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。なお、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく実施の形態の内容を変更することは、当業者であれば容易である。よって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定されない。なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形態の内容を互いに置き換えることができる。また、第1、第2などの序数は、構成要素の混同を避けるために付しており、各構成要素の数は、序数の数に限定されない。実施の形態1本実施の形態では、フィールドシーケンシャル方式の表示装置の例について説明する。本実施の形態における表示装置の例について、図1を用いて説明する。まず、本実施の形態における表示装置の構成例について、図1Aを用いて説明する。図1Aに示す表示装置は、表示駆動回路DISPDRVともいう111と、表示データ信号出力回路DDOUTともいう112と、ライトユニットLIGHTともいう114と、複数の表示回路DISPともいう115と、を具備する。表示駆動回路111は、表示回路115を駆動するための回路であり、パルス信号である複数の表示選択信号信号DSELともいうを出力する機能を有する。表示駆動回路111は、例えばシフトレジスタを備える。表示駆動回路111は、シフトレジスタからパルス信号を出力させることにより、表示選択信号を出力することができる。表示データ信号出力回路112には、画像信号が入力される。表示データ信号出力回路112は、入力された画像信号を元に表示データ信号信号DDともいうを生成し、生成した表示データ信号を出力する機能を有する。表示データ信号出力回路112は、例えばスイッチングトランジスタを備える。なお、表示装置において、トランジスタは、2つの端子と、印加される電圧により該2つの端子の間に流れる電流を制御する電流制御端子と、を有する。なお、トランジスタに限らず、素子において、互いの間に流れる電流が制御される端子を電流端子ともいい、2つの電流端子のそれぞれを第1の電流端子及び第2の電流端子ともいう。また、表示装置において、トランジスタとしては、例えば電界効果トランジスタを用いることができる。電界効果トランジスタの場合、第1の電流端子は、ソース及びドレインの一方であり、第2の電流端子は、ソース及びドレインの他方であり、電流制御端子は、ゲートである。また、一般的に電圧とは、ある二点間における電位の差電位差ともいうのことをいう。しかし、電圧及び電位の値は、回路図などにおいていずれもボルトVで表されることがあるため、区別が困難である。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、ある一点の電位と基準となる電位基準電位ともいうとの電位差を、該一点の電圧として用いる場合がある。表示データ信号出力回路112は、スイッチングトランジスタがオン状態のときに画像信号のデータを表示データ信号として出力することができる。スイッチングトランジスタは、電流制御端子にパルス信号である制御信号を入力することにより制御することができる。なお、表示回路115の数が複数である場合には、複数のスイッチングトランジスタを選択的にオン状態又はオフ状態にすることにより、画像信号のデータを複数の表示データ信号として出力してもよい。ライトユニット114は、発光ユニットであり、X行に配列された複数の発光ダイオード群と、導光板と、を有する。発光ダイオードは、可視光領域例えば光の波長が360nm乃至830nmである領域の波長を有する光を発するダイオードである。発光ダイオード群は、赤色を呈する発光ダイオード赤色発光ダイオードともいう、緑色を呈する発光ダイオード緑色発光ダイオードともいう、及び青色を呈する発光ダイオード青色発光ダイオードともいうを含む。導光板は、X個の導光部材を含む。X個の導光部材のそれぞれは、複数の発光ダイオード群のうち、互いに異なる行における発光ダイオード群の光を透過する。なお、例えば発光ダイオードの点灯を制御する制御回路を設け、パルス信号であり、該制御回路に入力される制御信号に従って、発光ダイオードの点灯を制御することもできる。さらに、ライトユニット114の構成例について、図1B-1及び図1B-2を用いて説明する。図1B-1及び図1B-2は、図1Aに示す表示装置におけるライトユニットの構成例を説明するための模式図であり、図1B-1は、外観模式図であり、図1B-2は、上面模式図である。図1B-1及び図1B-2に示すように、ライトユニットは、複数のLEDチップ121と、導光板122と、拡散シート123と、を備える。なお、本実施の形態における表示装置のライトユニットにおいて、LEDチップ121、導光板122、及び拡散シート123のそれぞれの間隔は、図1B-1に示す間隔に限定されない。LEDチップ121は、上記発光ダイオード群を含む。また、複数のLEDチップ121は、図1B-2に示すように、格子状に15行配列されている。つまり、複数の発光ダイオード群が格子状に配置されている。複数のLEDチップ121のそれぞれは、基板131の一平面に設けられる。導光板122は、X個の導光部材132を含む。X個の導光部材132のそれぞれは、LEDチップ121の列方向に配列され、互いに異なる行の発光ダイオード群の光を透過する。言い換えると、X個の導光部材132のそれぞれは、互いに異なる行のLEDチップ121における発光ダイオード群の光を透過する。なお、LEDチップ121における発光ダイオード群及び導光板122の間隔は、適宜設定され、例えばLEDチップ121及び導光板122が接していてもよい。導光部材132としては、透光性を有する材料を用いることができ、例えばアクリル樹脂などを用いることができる。導光部材132としては、例えば断面が長方形である直方体を用いることができる。このとき、図1B-2に示すように、複数の導光部材132のそれぞれ点線部は、少なくとも互いに異なる行の発光ダイオード群に重畳する。言い換えると、複数の導光部材132のそれぞれにおける上面及び下面は、互いに異なる行のLEDチップ121における発光ダイオード群に重畳する。さらに、導光部材132の上面及び下面は、透光性を有し、導光部材132の側面は、光反射性を有する。導光部材132として、断面が長方形である直方体を用いることにより、発光ダイオードから入射する光の減衰を抑制することができる。例えば、導光板122における導光部材132の側面に光反射膜を形成する。なお、導光部材132の上面及び下面に研磨処理を行うことにより、導光部材132の上面及び下面の透光性を高めてもよい。また、導光部材132として、断面が平行四辺形である直方体を用いることもできる。このとき、複数の導光部材132のそれぞれにおける少なくとも下面は、互いに異なる行のLEDチップ121における発光ダイオード群に重畳する。導光部材132として、断面が平行四辺形である直方体を用いることにより、導光部材132により光を行方向に拡散させやすくすることができる。光反射膜としては、例えばアルミニウムなどの金属膜を用いることができる。例えば、蒸着法又はメッキ処理例えば無電解メッキ又はメッキ塗装などなどにより金属膜を形成することができる。なお、光反射膜の膜厚は、0.2μm以上であることが好ましい。光反射膜の膜厚を0.2μm以上にすることにより、光反射膜を介した光漏れを抑制することができる。また、例えば接着剤を用いて複数の導光部材132を貼り合わせることができる。接着剤としては、例えばエポキシ樹脂を含む接着剤又はウレタン樹脂を含む接着剤を用いることができる。エポキシ樹脂を含む接着剤又はウレタン樹脂を含む接着剤を用いることにより、導光部材132の浸食を抑制することができる。また、接着剤として光反射性を有する材料を用いてもよい。接着剤として光反射性を有する材料を用いることにより、別途光反射膜を設けずに導光部材132の側面に光反射性の機能を与えることができる。また、例えば図2A-1及び図2A-2に示すように、複数のLEDチップ121の配列形状を、複数行のLEDチップ121が平面視において重畳する千鳥配列状としてもよい。つまり、複数の発光ダイオード群を千鳥配列状に配置してもよい。千鳥配列状にすることにより、図1B-2に示すライトユニットより複数の導光部材132の列方向の幅Pを狭くすることができ、1つの導光部材132に重畳する表示回路の行数を少なくすることができるため、より少ない行数の表示回路115毎に照射する光を制御することができる。拡散シート123は、LEDチップ121における発光ダイオード群からの光を拡散する機能を有する。拡散シート123を必ずしも設けなくてもよいが、拡散シート123を設けることにより、表示画像における不要な暗線の発生を抑制することができる。拡散シート123としては、光が円拡散又は楕円拡散するシートを用いることができる。例えば、光が楕円拡散するシートを用いることにより、LEDチップ121、即ち発光ダイオード群の数を少なくすることができる。拡散シート123の拡散係数に応じて、導光板122及び拡散シート123の間隔を設定例えば5mm以下の範囲で設定することが好ましい。以上が図1Aの表示装置におけるライトユニット114の構成例である。さらに、図1Aに示す複数の表示回路115は、M行Mは2以上の自然数N列Nは自然数に配置され、ライトユニット114に重畳する。例えば、各行の表示回路115は、ライトユニット114におけるいずれか一つの行の発光ダイオード群に重畳する。また、表示回路115には、パルス信号である表示選択信号が入力され、且つ入力された表示選択信号に従って表示データ信号が入力される。表示回路115は、入力された表示データ信号のデータに応じた表示状態になる機能を有する。なお、1個以上の表示回路115により1つの画素が構成される。よって、表示回路115が設けられる領域を画素部PIXAともいうともいう。表示回路115は、例えば表示選択トランジスタ及び表示素子を備える。表示選択トランジスタは、表示素子に表示データ信号のデータを入力させるか否かを選択する機能を有する。表示素子は、表示選択トランジスタに従って表示データ信号のデータが入力されることにより、表示データ信号のデータに応じた表示状態になる機能を有する。表示素子としては、例えば液晶素子などを用いることができる。なお、液晶素子に限定されず、表示素子として、例えばエレクトロルミネセンス素子などの他の表示素子を用いることもできる。また、液晶素子を備える表示装置の表示方式としては、TNTwistedNematicモード、IPSInPlaneSwitchingモード、STNSuperTwistedNematicモード、VAVerticalAlignmentモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticallyCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモード、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVAdvancedSuperViewモード、又はFFSFringeFieldSwitchingモードなどを用いてもよい。次に、本実施の形態における表示装置の駆動方法例として、図1に示す表示装置の駆動方法例について説明する。図1に示す表示装置では、入力動作と、発光動作と、をZ回Zは3以上の自然数繰り返し行う。入力動作では、各行の表示回路115に異なる表示選択信号のパルスを順次入力する。例えば、図1に示す表示装置では、1行以上の表示回路及び1行以上の発光ダイオード群毎に複数の表示領域に分け、複数の表示領域のそれぞれにおいて、各行の表示回路115に異なる表示選択信号のパルスを順次入力する。例えば、表示駆動回路111がシフトレジスタを備える場合、該シフトレジスタにスタートパルス信号のパルスを入力し、該シフトレジスタの複数のパルス信号において順次パルスを出力させる。さらに、上記シフトレジスタの複数のパルス信号において順次パルスが出力されている間に、再度スタートパルス信号のパルスを入力する。これにより、複数の表示領域において、各行の表示回路115に異なる表示選択信号のパルスを順次入力する動作を繰り返し行うことができる。表示選択信号のパルスが表示回路115に入力されている間、表示回路115に表示データ信号が入力され、表示回路115は、書き込み状態状態wtともいうになる。さらに、表示選択信号のパルスが入力された後、表示回路115は、入力された表示データに応じた表示状態状態hldともいうになる。発光動作では、1行以上の表示回路115に表示選択信号のパルスが入力される毎に、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの一つ又は複数を発光させる。例えば、1行以上の表示回路115に表示選択信号のパルスが入力される毎に、上記複数の表示領域のそれぞれにおいて、異なる行の発光ダイオード群の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの一つ又は複数のうち、複数の表示領域で異なる色を呈する発光ダイオードを発光させる。これにより、表示選択信号のパルスが入力された表示回路に、発光ダイオード群から光が順次照射される。また、入力動作及び発光動作を複数回繰り返し行う際に、K回目Kは2以上Z以下の自然数の発光動作では、K-1回目の発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオードを発光させる。例えば、K回目の発光動作では、複数の表示領域のそれぞれにおいてK-1回目の発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオードを発光させる。さらに、図1に示す表示装置の駆動方法例について、図3及び図4を用いて説明する。図3及び図4は、図1に示す表示装置の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。例えば、複数の表示回路115により構成される領域を3つの表示領域に分ける。さらに、図3及び図4に示すように、第1の表示領域における複数の表示回路115を、複数の行の表示回路115毎に、第1のグループの表示回路115表示回路PIX_G1ともいう乃至第5のグループの表示回路115表示回路PIX_G5ともいうに分け、第2の表示領域における複数の表示回路115を、複数の行の表示回路115毎に、第6のグループの表示回路115表示回路PIX_G6ともいう乃至第10のグループの表示回路115表示回路PIX_G10ともいうに分け、第3の表示領域における複数の表示回路115を、複数の行の表示回路115毎に、第11のグループの表示回路115表示回路PIX_G11ともいう乃至第15のグループの表示回路115表示回路PIX_G15ともいうに分ける。なお、各グループにおける表示回路115の行数は、5行ずつに限定されない。さらに、入力動作及び発光動作をZ回繰り返し行う。入力動作では、各表示領域において、最初のグループの表示回路115から順に各グループにおける表示回路115を書き込み状態状態wtにしていく。このとき、各グループにおいて、最初の行の表示回路115から行毎に順次書き込み状態にし、表示回路115を入力された表示データに応じた表示状態状態hldにする。また、発光ダイオード群を適宜消灯状態状態offともいうにして書き込み動作を行っている表示回路にLEDチップ121から光を照射しない。さらに、発光動作では、第1の表示領域乃至第3の表示領域のそれぞれにおいて、各グループの表示回路115を書き込み状態にしていく毎に、異なる行のLEDチップ121における発光ダイオード群の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの一つ又は複数のうち、第1の表示領域乃至第3の表示領域のそれぞれで異なる色を呈する発光ダイオードを発光させて表示データが入力されたグループの表示回路115毎に、ライトユニット114から導光部材132を介して光を照射する。また、K回目Kは2以上Z以下の自然数の発光動作では、第1の表示領域乃至第3の表示領域のそれぞれにおいてK-1回目の発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオードを発光させる。例えば、図3に示すように、入力動作毎に、第1の表示領域では、赤色、緑色、青色の順に各行の発光ダイオード群における発光ダイオードを発光させ、第2の表示領域では、青色、赤色、緑色の順に各行の発光ダイオード群における発光ダイオードを発光させ、第3の表示領域では、緑色、青色、赤色の順に各行の発光ダイオード群における発光ダイオードを発光させることにより、発光動作を行ってもよい。また、一部を図4に示すように、入力動作毎に、第1の表示領域では、赤色、緑色、青色、赤色及び緑色、緑色及び青色、青色及び赤色の順に各行の発光ダイオード群における発光ダイオードを発光させ、第2の表示領域では、青色及び赤色、赤色、緑色、青色、赤色及び緑色、緑色及び青色の順に各行の発光ダイオード群における発光ダイオードを発光させ、第3の表示領域では、緑色及び青色、青色及び赤色、赤色、緑色、青色、赤色及び緑色の順に各行の発光ダイオード群における発光ダイオードを発光させることにより、発光動作を行ってもよい。図1乃至図4に示すように、本実施の形態における表示装置の一例は、複数の表示回路と、ライトユニットと、を具備し、ライトユニットが複数行に配列された発光ダイオード群及び複数の導光部材を用いて構成される導光板を有し、各行の発光ダイオードからの光を、それぞれ異なる導光部材を介して表示回路に照射する構成である。上記構成にすることにより、発光ダイオード群からの光の拡散方向を制御することができるため、ある行の発光ダイオード群からの光が、それぞれの複数行の表示回路からなる複数のグループの表示回路に照射されることを抑制することができる。よって、表示画像の画質の低下を抑制することができる。また、上記構成にすることにより、例えば同じ色である複数の発光ダイオードの輝度にばらつきがある場合であっても、同様に表示画像の画質の低下を抑制することができる。また、上記構成にすることにより、例えば黒の画像を挿入する必要がなくなるため、表示画像の輝度を向上させることができる。さらに、本実施の形態における表示装置の一例は、1行以上の表示回路及び1行以上の発光ダイオード群毎に分けられた複数の表示領域のそれぞれにおいて、各行の表示回路毎に表示選択信号のパルスを順次入力する入力動作と、複数の表示領域のそれぞれにおいて、1行以上の表示回路に表示選択信号のパルスが入力される毎に、複数の表示領域のそれぞれにおいて、異なる行の発光ダイオード群の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの一つ又は複数のうち、複数の表示領域のそれぞれで異なる色の発光ダイオードを発光させる発光動作と、をZ回繰り返し行い、K回目の発光動作では、複数の表示領域のそれぞれにおいてK-1回目の発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオードを発光させる構成である。上記構成にする場合であっても、発光ダイオード群からの光の拡散方向を制御することができるため、表示領域を複数の領域に分割して駆動させる場合であっても、分割縞を抑制することができる。また、上記構成にすることにより、複数のグループ毎に、表示回路への表示データ信号のデータの書き込み動作を並列に行うため、全ての表示回路におけるデータ書き込み時間を短縮することができる。よって、表示データの書き込み回数を多くすることが容易になり、色割れ現象を低減しやすくなる。また、上記構成にすることにより、あるグループの表示回路に光を照射している間に他のグループの表示回路に表示データ信号のデータを書き込むことができるため、最低限必要な動作時間を短縮することができる。よって、表示データの書き込み回数を多くすることが容易になり、色割れ現象を低減しやすくなる。以上により、表示画像の画質を向上させることができる。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態の表示装置における表示駆動回路を構成するシフトレジスタの一例について説明する。なお、本実施の形態において説明するシフトレジスタは、一例であり、これに限定されず、他の構成のシフトレジスタ又はシフトレジスタ以外の回路例えばデコーダなどを上記実施の形態の表示装置における表示駆動回路に適用することもできる。本実施の形態におけるシフトレジスタの一例は、複数の順序回路FFともいうを用いて構成される複数段の順序回路を備える。複数の順序回路のそれぞれについて、図5を用いて説明する。図5は、本実施の形態のシフトレジスタにおける順序回路の例を説明するための図である。まず、順序回路の回路構成例について、図5Aを用いて説明する。図5Aは、順序回路の回路構成例を示す回路図である。図5Aに示す順序回路には、セット信号ST信号STともいう、リセット信号RE1信号RE1ともいう、リセット信号RE2信号RE2ともいう、クロック信号CK1信号CK1ともいう、クロック信号CK2信号CK2ともいう、及びパルス幅制御信号PWC信号PWCともいうが入力される。また、順序回路は、信号OUT1及び信号OUT2を出力する。なお、パルス幅制御信号PWCのパルス幅は、クロック信号CK1又はクロック信号CK2におけるパルス幅より短い。また、リセット信号RE2は、例えば各出力信号において単位期間毎にパルス信号を出力する前に、順序回路をリセット状態にするための信号である。また、図5Aに示す順序回路は、トランジスタ301aと、トランジスタ301bと、トランジスタ301cと、トランジスタ301dと、トランジスタ301eと、トランジスタ301fと、トランジスタ301gと、トランジスタ301hと、トランジスタ301iと、トランジスタ301jと、トランジスタ301kと、トランジスタ301lと、を備える。なお、図5Aに示す順序回路において、トランジスタ301a乃至トランジスタ301lのそれぞれは、電界効果トランジスタである。トランジスタ301aのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301aのゲートには、信号STが入力される。トランジスタ301bのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301bのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力される。トランジスタ301cのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301cのゲートには、電圧Vaが入力される。トランジスタ301dのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301dのゲートには、電圧Vaが入力される。トランジスタ301eのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301eのソース及びドレインの他方は、トランジスタ301bのゲートに接続され、トランジスタ301eのゲートには、信号RE2が入力される。トランジスタ301fのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301fのソース及びドレインの他方は、トランジスタ301bのゲートに接続され、トランジスタ301fのゲートには、信号CK2が入力される。トランジスタ301gのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ301gのソース及びドレインの他方は、トランジスタ301bのゲートに接続され、トランジスタ301gのゲートには、信号RE1が入力される。トランジスタ301hのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301gのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301hのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ301hのゲートには、信号STが入力される。トランジスタ301iのソース及びドレインの一方には、信号PWCが入力され、トランジスタ301iのゲートは、トランジスタ301cのソース及びドレインの他方に接続される。トランジスタ301jのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301iのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301jのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ301jのゲートは、トランジスタ301bのゲートに接続される。トランジスタ301kのソース及びドレインの一方には、信号CK1が入力され、トランジスタ301kのゲートは、トランジスタ301dのソース及びドレインの他方に接続される。トランジスタ301lのソース及びドレインの一方は、トランジスタ301kのソース及びドレインの他方に接続され、トランジスタ301lのソース及びドレインの他方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ301lのゲートは、トランジスタ301bのゲートに接続される。なお、電圧Va及び電圧Vbの一方は、高電源電圧Vddであり、電圧Va及び電圧Vbの他方は、低電源電圧Vssである。高電源電圧Vddは、相対的に低電源電圧Vssより高い値の電圧であり、低電源電圧Vssは、相対的に高電源電圧Vddより低い値の電圧である。電圧Va及び電圧Vbの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに入れ替わる場合がある。また、電圧Va及び電圧Vbの差が電源電圧となる。また、図5Aにおいて、トランジスタ301bのゲートと、トランジスタ301eのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301fのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301hのソース及びドレインの一方と、トランジスタ301jのゲートと、トランジスタ301lのゲートとの接続箇所をノードNAともいう。また、トランジスタ301aのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301bのソース及びドレインの一方と、トランジスタ301cのソース及びドレインの一方と、トランジスタ301dのソース及びドレインの一方との接続箇所をノードNBともいう。また、トランジスタ301cのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301iのゲートとの接続箇所をノードNCともいう。また、トランジスタ301dのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301kのゲートとの接続箇所をノードNDともいう。また、トランジスタ301iのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301jのソース及びドレインの一方との接続箇所をノードNEともいう。また、トランジスタ301kのソース及びドレインの他方と、トランジスタ301lのソース及びドレインの一方との接続箇所をノードNFともいう。なお、本実施の形態のシフトレジスタにおける順序回路では、必ずしもトランジスタ301cを設けなくてもよいが、トランジスタ301cを設けることにより、電圧Vaが高電源電圧Vddである場合にノードNBの電圧における、高電源電圧Vddより高い電圧への上昇を抑制することができる。また、本実施の形態のシフトレジスタにおける順序回路では、必ずしもトランジスタ301dを設けなくてもよいが、トランジスタ301dを設けることにより、電圧Vaが高電源電圧Vddである場合にノードNBの電圧における、高電源電圧Vddより高い電圧への上昇を抑制することができる。さらに、図5Aに示す順序回路の動作例について、図5Bを用いて説明する。図5Bは、図5Aに示す順序回路の動作例を説明するためのタイミングチャートである。なお、一例として図5Aに示す順序回路におけるトランジスタ301a乃至トランジスタ301lのそれぞれを全てN型の導電型とし、トランジスタ301i及びトランジスタ301kの閾値電圧を同じ電圧Vthとし、電圧Vaとして高電源電圧Vddが入力され、電圧Vbとして低電源電圧Vssが入力されるとする。また、信号CK1及び信号CK2のデューティ比を25とし、信号PWCのデューティ比を33とし、信号CK1及び信号CK2のパルス幅は、信号PWCの1.5倍とする。図5Aに示す順序回路は、まず期間T31乃至期間T33の間に信号STのパルスが入力されることによりセット状態になる。例えば、期間T31においてトランジスタ301hがオン状態になり、ノードNAの電圧が電圧Vbと同等の値になり、トランジスタ301j及びトランジスタ301lがオフ状態になる。また、期間T31にトランジスタ301a、トランジスタ301c、及びトランジスタ301dがオン状態になり、トランジスタ301bがオフ状態になり、ノードNBの電圧が電圧Vaと同等の値まで上昇し、その後トランジスタ301aがオフ状態になる。さらに、期間T33及び期間T34の間に、信号PWCのパルスが入力され、期間T33に、トランジスタ301iのゲートとソース及びドレインの他方との間に生じる寄生容量による容量結合により、ノードNCの電圧が電圧Vaと電圧Vthの和よりもさらに大きい値、すなわち、VaVthVxVxは正の任意の値まで上昇し、トランジスタ301iがオン状態になる。これにより、図5Aに示す順序回路は、期間T33及び期間T34の間、ノードNEの電圧に従って信号OUT1においてパルスを出力する。また、期間T34乃至期間T36において、信号CK1がハイレベルになり、期間T34に、トランジスタ301kのゲートとソース及びドレインの他方との間に生じる寄生容量による容量結合により、ノードNDの電圧が電圧Vaと電圧Vthの和よりもさらに大きい値、すなわち、VaVthVxまで上昇し、トランジスタ301kがオン状態になる。これにより、図5Aに示す順序回路は、期間T34乃至期間T36の間、ノードNFの電圧に従って信号OUT2においてパルスを出力する。その後、図5Aに示す順序回路は、期間T37乃至期間T39の間に、信号RE1のパルスが入力されることによりリセット状態になり、期間T37に、例えばトランジスタ301gがオン状態になることにより、ノードNAの電圧が電圧Vaと同等の値になり、トランジスタ301j及びトランジスタ301lがオン状態になる。また、期間T37乃至期間T39において、信号CK2がハイレベルになり、期間T37に、トランジスタ301fがオン状態になることにより、ノードNC及びノードNDの電圧が電圧Vbと同等の値になり、トランジスタ301i及びトランジスタ301jがオフ状態になる。よって、期間T37乃至期間T39の間、信号OUT1及び信号OUT2がローレベルになる。以上が図5Aに示す順序回路の動作例である。図5Bを用いて説明したように、図5Aに示す順序回路は、セット信号のパルスが入力されることにより、セット状態になり、信号OUT1及び信号OUT2においてパルスを出力し、その後リセット信号のパルスが入力されることにより、リセット状態になり、信号OUT1及び信号OUT2がローレベルになる。さらに、図5Aに示す順序回路を用いて構成されるシフトレジスタの例について、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態におけるシフトレジスタを説明するための図である。まず、図5Aに示す順序回路を用いて構成されるシフトレジスタの構成例について、図6Aを用いて説明する。図6Aは、本実施の形態におけるシフトレジスタの構成例を示すブロック図である。図6Aに示すシフトレジスタは、r個rは9以上の自然数の図5Aに示す順序回路順序回路300_1乃至順序回路300_rを用いて構成されるr段の順序回路を備える。また、図6Aに示すシフトレジスタには、スタートパルス信号SP信号SPともいう、クロック信号CLK1信号CLK1ともいう乃至クロック信号CLK4信号CLK4ともいう、パルス幅制御信号PWC1信号PWC1ともいう乃至パルス幅制御信号PWC6信号PWC6ともいう、及びリセットパルス信号RP1信号RP1ともいうが入力される。信号CLK1乃至信号CLK4のそれぞれのデューティ比は、25であり、信号CLK1乃至信号CLK4は、順に4分の1周期ずつ遅れている。なお、各順序回路における信号CK1及び信号CK2としては、信号CLK1乃至信号CLK4のうち、いずれか2つのクロック信号を用いることができる。なお、互いに隣り合う段の順序回路に入力されるクロック信号の組み合わせは異なり、入力される2つのクロック信号は、4分の1周期ずつずれている。複数のクロック信号を用いることにより、シフトレジスタにおける信号の出力動作の速度を向上させることができる。パルス幅制御信号PWC1乃至パルス幅制御信号PWC6のそれぞれは、パルス信号であり、デューティ比が33である。また、パルス幅制御信号PWC1乃至パルス幅制御信号PWC6は、順次6分の1周期ずつ遅れている。なお、各順序回路における信号PWCとしては、信号PWC1乃至信号PWC6のうち、いずれか1つのパルス幅制御信号を用いることができる。なお、互いに隣り合う段の順序回路に入力されるパルス幅制御信号は異なる。また、r個の順序回路が連続する複数の順序回路毎に分けられた複数のグループの順序回路毎に入力されるパルス幅制御信号は異なる。複数のパルス幅制御信号を用いることにより、連続する複数段の順序回路毎に出力信号のパルスを制御することができる。例えば、図6Aに示すように、1段目の順序回路300_1乃至p段目pは3以上r-6未満の自然数の順序回路300_pにおいて、奇数段の順序回路には、信号PWC1が入力され、偶数段の順序回路には、信号PWC2が入力される。また、p1段目の順序回路300_p1乃至q段目qはp3以上r-3以下の自然数の順序回路300_qにおいて、奇数段の順序回路には、信号PWC3が入力され、偶数段の順序回路には、信号PWC4が入力される。また、q1段目の順序回路300_q1乃至r段目の順序回路300_rにおいて、奇数段の順序回路には、信号PWC5が入力され、偶数段の順序回路には、信号PWC6が入力される。また、1段目の順序回路300_1におけるトランジスタ301aのゲート及びトランジスタ301hのゲートには、信号STとして信号SPが入力される。また、H1段目Hはr-2以下の自然数の順序回路300_H1におけるトランジスタ301aのゲート及びトランジスタ301hのゲートは、H段目の順序回路300_Hにおけるトランジスタ301iのソース及びドレインの他方に接続される。このとき、順序回路300_Hにおける信号OUT2が順序回路300_H1における信号STになる。また、順序回路300_H1におけるトランジスタ301iのソース及びドレインの他方は、順序回路300_Hにおけるトランジスタ301gのゲートに接続される。このとき、順序回路300_H1における信号OUT2が順序回路300_Hの信号RE1になる。また、r段目の順序回路300_rにおけるトランジスタ301gのゲートには、信号RE1としてリセットパルス信号RP2信号RP2ともいうが入力される。例えば図5Aに示す構成の順序回路からなるダミーの順序回路を設け、該順序回路の信号OUT2を信号RP2として用いることができる。さらに、図6Aに示すシフトレジスタの駆動方法例について、図6Bを用いて説明する。図6Bは、図6Aに示すシフトレジスタの駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、一例として信号CLK1乃至信号CLK6のパルス幅は、信号PWC1乃至信号PWC6のパルス幅の1.5倍とする。図6Aに示すシフトレジスタの動作は、信号CLK1乃至信号CLK4、信号PWC1乃至信号PWC2、及び信号SPに従って、各順序回路順序回路300_1乃至順序回路300_rにおける信号OUT1及び信号OUT2において、順次パルスを出力する。例えば、時刻t41乃至時刻t43の期間において信号SPのパルスが順序回路300_1に入力され、時刻t42乃至時刻t44の期間において信号PWC1のパルスが発生し、時刻t43乃至時刻t45の期間において、信号CLK1のパルスが発生することにより、時刻t42乃至時刻t44の期間に、順序回路300_1は、信号OUT1においてパルスを出力する。なお、信号SPのパルスが入力される前に、信号RP1においてパルスを各順序回路に入力することにより、各順序回路をリセット状態にしてもよい。図5及び図6を用いて説明したように、本実施の形態のシフトレジスタは、複数段の順序回路を用いて構成され、複数の順序回路のそれぞれは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、ゲートにセット信号が入力され、セット信号に従って第2のトランジスタをオン状態にするか否かを制御する機能を有し、第2のトランジスタは、ソース及びドレインの一方にパルス制御信号が入力され、順序回路の出力信号の電圧をパルス制御信号の電圧に応じた値にするか否かを制御する機能を有し、第3のトランジスタは、ゲートにリセット信号が入力され、リセット信号に従って第2のトランジスタをオフ状態にするか否かを制御する機能を有する構成である。また、本実施の形態のシフトレジスタを用いて、上記実施の形態の表示装置における表示駆動回路を構成することができる。上記構成にすることにより、例えば単位期間に複数回信号SPにおいてパルスを発生させることにより、画素部を複数行の表示回路による表示領域に分け、表示領域毎に順序表示選択信号のパルスを順次出力することができる。これにより、表示領域毎に順序表示選択信号のパルスを出力する場合であっても表示領域の境界における分割縞の発生を抑制することができるため、表示画像の画質をさらに向上させることができる。また、単位期間に複数回信号SPにおいてパルスを発生させることに限定されず、例えば上記構成のシフトレジスタを表示駆動回路に複数設け、複数行の表示回路による複数の表示領域毎に異なるシフトレジスタによりパルスを発生させることにより、複数行の表示回路による複数の表示領域毎に順序表示選択信号のパルスを順次出力することもできる。また、上記実施の形態の表示装置における表示データ信号出力回路がシフトレジスタを備える場合、本実施の形態のシフトレジスタを用いて、上記実施の形態の表示装置における表示駆動回路を構成することもできる。実施の形態3本実施の形態では、上記実施の形態の表示装置における表示回路の例について説明する。本実施の形態における表示回路の例について、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態における表示回路の例を説明するための図である。まず、本実施の形態における表示回路の構成例について、図7Aを用いて説明する。図7Aは、本実施の形態における表示回路の構成例を示す図である。図7Aに示す表示回路は、トランジスタ151と、液晶素子152と、容量素子153と、を備える。なお、図7Aに示す表示回路において、トランジスタ151は、電界効果トランジスタである。また、表示装置において、液晶素子は、第1の表示電極、第2の表示電極、及び液晶層により構成される。液晶素子は、第1の表示電極及び第2の表示電極の間に印加される電圧に応じて光の透過率が変化する。また、表示装置において、容量素子は、第1の容量電極、第2の容量電極、並びに第1の容量電極及び第2の容量電極に重畳する誘電体層を含む。容量素子は、第1の容量電極及び第2の容量電極の間に印加される電圧に応じて電荷が蓄積される。トランジスタ151のソース及びドレインの一方には、信号DDが入力され、トランジスタ151のゲートには、信号DSELが入力される。液晶素子152の第1の表示電極は、トランジスタ151のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、液晶素子152の第2の表示電極には、電圧Vcが入力される。電圧Vcの値は、適宜設定することができる。容量素子153の第1の容量電極は、トランジスタ151のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、容量素子153の第2の容量電極には、電圧Vcが入力される。さらに、図7Aに示す表示回路の各構成要素について説明する。トランジスタ151は、表示選択トランジスタとしての機能を有する。液晶素子152としては、第1の表示電極及び第2の表示電極に印加される電圧が0Vのときに光を透過する液晶素子を用いることができ、例えば電気制御複屈折型液晶ECB型液晶ともいう、二色性色素を添加した液晶GH液晶ともいう、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶を含む液晶素子などを用いることができる。また、液晶層としては、ブルー相を示す液晶層を用いてもよい。ブルー相を示す液晶層は、例えばブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により構成される。ブルー相を示す液晶は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。よって、ブルー相を示す液晶を用いることにより、動作速度を向上させることができる。例えば、上記実施の形態におけるフィールドシーケンシャル方式の表示装置では、カラーフィルタを用いた表示装置に比べて速い動作速度が要求されるため、上記実施の形態におけるフィールドシーケンシャル方式の表示装置における液晶素子に上記ブルー相を示す液晶を用いることが好ましい。容量素子153は、トランジスタ151に従って第1の容量電極及び第2の容量電極の間に信号DDに応じた値の電圧が印加される保持容量としての機能を有する。容量素子153を必ずしも設けなくてもよいが、容量素子153を設けることにより、表示選択トランジスタのリーク電流に起因する、液晶素子に印加された電圧の変動を抑制することができる。なお、トランジスタ151としては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。次に、図7Aに示す表示回路の駆動方法例について説明する。まず、図7Aに示す表示回路の駆動方法例について、図7Bを用いて説明する。図7Bは、図7Aに示す表示回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号DD及び信号DSELのそれぞれの状態を示す。図7Aに示す表示回路の駆動方法例では、信号DSELのパルスplsともいうが入力されると、トランジスタ151がオン状態になる。トランジスタ151がオン状態になると、表示回路に信号DDが入力され、液晶素子152の第1の表示電極及び容量素子153の第1の容量電極の電圧が信号DDの電圧と同等の値になる。このとき、液晶素子152は、書き込み状態になり、信号DDに応じた光の透過率になることにより、信号DDのデータデータD1乃至データDQQは2以上の自然数のそれぞれに応じた表示状態になる。その後、トランジスタ151がオフ状態になり、液晶素子152は、入力された表示データに応じた表示状態になり、第1の表示電極及び第2の表示電極の間に印加される電圧を、次に信号DSELのパルスが入力されるまで、初期値からの変動量が基準値より大きくならないように保持する。図7を用いて説明したように、本実施の形態における表示回路の一例は、表示選択トランジスタ及び液晶素子を備える構成である。上記構成にすることにより、表示回路を表示データ信号に応じた表示状態にすることができる。実施の形態4本実施の形態では、上記実施の形態を用いて説明した表示装置におけるトランジスタに適用可能なトランジスタについて説明する。上記実施の形態を用いて説明した表示装置において、トランジスタとしては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。なお、チャネルが形成される層をチャネル形成層ともいう。なお、上記半導体層は、単結晶半導体層、多結晶半導体層、微結晶半導体層、又は非晶質半導体層でもよい。また、上記酸化物半導体層は、例えば層表面に垂直に配向c軸配向ともいうした結晶を含む酸化物半導体層でもよい。このとき、酸化物半導体層は積層であってもよい。例えば、基板温度を25°Cより高くして酸化物半導体膜を成膜し、該酸化物半導体膜を用いて酸化物半導体層を形成することにより、層表面に垂直に配向した結晶を含む酸化物半導体層を形成することができる。層表面に垂直に配向した結晶を含む酸化物半導体層を用いることにより、光によるトランジスタの電気特性の変化を抑制することができる。さらに、上記実施の形態を用いて説明した表示装置において、トランジスタとして適用可能な酸化物半導体層を含むトランジスタとしては、例えば高純度化することにより、真性I型ともいう、又は実質的に真性にさせた酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることができる。上記酸化物半導体層を含むトランジスタの構造例について、図8を用いて説明する。図8は、本実施の形態におけるトランジスタの構造例を示す断面模式図である。図8Aに示すトランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタともいう。図8Aに示すトランジスタは、導電層401aと、絶縁層402aと、酸化物半導体層403aと、導電層405aと、導電層406aと、を含む。導電層401aは、基板400aの上に設けられる。絶縁層402aは、導電層401aの上に設けられる。酸化物半導体層403aは、絶縁層402aを介して導電層401aに重畳する。導電層405a及び導電層406aは、酸化物半導体層403aの一部の上にそれぞれ設けられる。さらに、図8Aにおいて、トランジスタの酸化物半導体層403aの上面の一部上面に導電層405a及び導電層406aが設けられていない部分は、絶縁層407aに接する。また、絶縁層407aは、導電層405a、導電層406a、及び酸化物半導体層403aを介して絶縁層402aの上に設けられる。また、絶縁層407aは、導電層405a、導電層406a、及び酸化物半導体層403aが設けられていない部分において絶縁層402aに接する。図8Bに示すトランジスタは、図8Aに示す構造に加え、導電層408aを含む。導電層408aは、絶縁層407aを介して酸化物半導体層403aに重畳する。図8Cに示すトランジスタは、ボトムゲート構造のトランジスタの一つである。図8Cに示すトランジスタは、導電層401bと、絶縁層402bと、酸化物半導体層403bと、導電層405bと、導電層406bと、を含む。導電層401bは、基板400bの上に設けられる。絶縁層402bは、導電層401bの上に設けられる。導電層405b及び導電層406bは、絶縁層402bの一部の上に設けられる。酸化物半導体層403bは、絶縁層402bを介して導電層401bに重畳する。さらに、図8Cにおいて、トランジスタにおける酸化物半導体層403bの上面及び側面は、絶縁層407bに接する。また、絶縁層407bは、導電層405b、導電層406b、及び酸化物半導体層403bを介して絶縁層402bの上に設けられる。また、絶縁層407bは、導電層405b、導電層406b、及び酸化物半導体層403bが設けられていない部分において絶縁層402bに接する。なお、図8Aにおいて、絶縁層407aの上に保護絶縁層を設けてもよい。また、図8Cにおいて、絶縁層407bの上に保護絶縁層を設けてもよい。図8Dに示すトランジスタは、図8Cに示す構造に加え、導電層408bを含む。導電層408bは、絶縁層407bを介して酸化物半導体層403bに重畳する。図8Eに示すトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタの一つである。図8Eに示すトランジスタは、導電層401cと、絶縁層402cと、酸化物半導体層403cと、導電層405c及び導電層406cと、を含む。酸化物半導体層403cは、絶縁層447を介して基板400cの上に設けられる。導電層405c及び導電層406cは、それぞれ酸化物半導体層403cの上に設けられる。絶縁層402cは、酸化物半導体層403c、導電層405c、及び導電層406cの上に設けられる。導電層401cは、絶縁層402cを介して酸化物半導体層403cに重畳する。さらに、図8A乃至図8Eに示す各構成要素について説明する。基板400a乃至基板400cとしては、例えば透光性を有する基板を用いることができ、透光性を有する基板としては、例えばガラス基板又はプラスチック基板を用いることができる。導電層401a乃至導電層401cのそれぞれは、トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、トランジスタのゲートとしての機能を有する層をゲート電極又はゲート配線ともいう。導電層401a乃至導電層401cとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層401a乃至導電層401cの形成に適用可能な材料の層の積層により、導電層401a乃至導電層401cを構成することもできる。絶縁層402a乃至絶縁層402cのそれぞれは、トランジスタのゲート絶縁層としての機能を有し、ゲート絶縁層ともいう。絶縁層402a乃至絶縁層402cとしては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を用いることができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成することもできる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cとしては、例えば元素周期表における第13族元素及び酸素元素を含む材料の絶縁層を用いることもできる。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cが第13族元素を含む場合に、酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cに接する絶縁層として第13族元素を含む絶縁層を用いることにより、該絶縁層と酸化物半導体層との界面の状態を良好にすることができる。第13族元素及び酸素元素を含む材料としては、例えば酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムガリウム、酸化ガリウムアルミニウムなどが挙げられる。なお、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量原子よりアルミニウムの含有量原子が多い物質のことをいい、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量原子がアルミニウムの含有量原子より多い物質のことをいう。例えば、Al2Oxx=3α、αは0より大きく1より小さい値、Ga2Oxx=3α、αは0より大きく1より小さい値、又はGaxAl2-xO3αxは0より大きく2より小さい値、αは0より大きく1より小さい値で表記される材料を用いることもできる。例えば、絶縁層402a乃至絶縁層402cとして、酸化ガリウムを含む絶縁層を用いることにより、絶縁層402a乃至絶縁層402cと、酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cとの界面における水素又は水素イオンの蓄積を低減することができる。また、例えば、絶縁層402a乃至絶縁層402cとして、酸化アルミニウムを含む絶縁層を用いることにより、絶縁層402a乃至絶縁層402cと、酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cとの界面における水素又は水素イオンの蓄積を低減することができる。また、酸化アルミニウムを含む絶縁層は、水が通りにくいため、酸化アルミニウムを含む絶縁層を用いることにより、該絶縁層を介して酸化物半導体層への水の侵入を抑制することができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成することもできる。例えば、複数のGa2Oxで表記される酸化ガリウムを含む層の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成してもよい。また、Ga2Oxで表記される酸化ガリウムを含む絶縁層及びAl2Oxで表記される酸化アルミニウムを含む絶縁層の積層により絶縁層402a乃至絶縁層402cを構成してもよい。絶縁層447は、基板400cからの不純物元素の拡散を防止する下地層としての機能を有する。なお、絶縁層447を図8A乃至図8Dに示す構造のトランジスタに設けてもよい。絶縁層447としては、例えば絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層の積層により絶縁層447を構成してもよい。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cのそれぞれは、トランジスタのチャネルが形成される層としての機能を有する。酸化物半導体層403a乃至酸化物半導体層403cに適用可能な酸化物半導体としては、例えばIn系酸化物、Sn系酸化物、又はZn系酸化物などを用いることができる。上記金属酸化物としては、例えば四元系金属酸化物、三元系金属酸化物、又は二元系金属酸化物などを用いることができる。なお、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとしてガリウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてスズを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてハフニウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてアルミニウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムの一つ又は複数を含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。例えば、四元系金属酸化物としては、例えばIn-Sn-Ga-Zn系金属酸化物、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、又はIn-Hf-Al-Zn系酸化物などを用いることができる。三元系金属酸化物としては、例えばIn-Ga-Zn系酸化物IGZOともいう、In-Sn-Zn系酸化物ITZOともいう、In-Al-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、又はIn-Lu-Zn系酸化物などを用いることができる。二元系金属酸化物としては、例えばIn-Zn系酸化物IZOともいう、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Sn系酸化物、又はIn-Ga系酸化物などを用いることができる。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。In-Zn系金属酸化物を用いる場合、例えば、In:Zn=50:1乃至In:Zn=1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1乃至In2O3:ZnO=1:4、好ましくはIn:Zn=20:1乃至In:Zn=1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1乃至In2O3:ZnO=1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1乃至In:Zn=1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2乃至In2O3:ZnO=3:4の組成比である酸化物ターゲットを用いてIn-Zn系金属酸化物の半導体層を形成することができる。例えば、In-Zn系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=S:U:Rのとき、R>1.5SUとする。Inの量を多くすることにより、トランジスタの移動度を向上させることができる。また、酸化物半導体としては、InLO3ZnOmmは0より大きい数で表記される材料を用いることもできる。InLO3ZnOmのLは、Ga、Al、Mn、及びCoから選ばれた一つ又は複数の金属元素を示す。導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cのそれぞれは、トランジスタのソース又はドレインとしての機能を有する。なお、トランジスタのソースとしての機能を有する層をソース電極又はソース配線ともいい、トランジスタのドレインとしての機能を有する層をドレイン電極又はドレイン配線ともいう。導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cとしては、例えばアルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層405a乃至導電層405c、及び導電層406a乃至導電層406cに適用可能な材料の層の積層により、導電層405a乃至導電層405c、及び導電層406a乃至導電層406cを構成することもできる。また、導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化スズ合金、又は酸化インジウム酸化亜鉛合金を用いることができる。なお、導電層405a乃至導電層405c及び導電層406a乃至導電層406cに適用可能な導電性の金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。絶縁層407a及び絶縁層407bとしては、絶縁層402a乃至絶縁層402cと同様に、例えば元素周期表における第13族元素及び酸素元素を含む材料の絶縁層を用いることができる。また、絶縁層407a及び絶縁層407bとしては、例えば、Al2Ox、Ga2Ox、又はGaxAl2-xO3αで表記される材料を用いることもできる。例えば、絶縁層402a乃至絶縁層402c並びに絶縁層407a及び絶縁層407bを、Ga2Oxで表記される酸化ガリウムを含む絶縁層により構成してもよい。また、絶縁層402a乃至絶縁層402c、並びに絶縁層407a及び絶縁層407bの一方を、Ga2Oxで表記される酸化ガリウムを含む絶縁層により構成し、絶縁層402a乃至絶縁層402c、並びに絶縁層407a及び絶縁層407bの他方を、Al2Oxで表記される酸化アルミニウムを含む絶縁層により構成してもよい。導電層408a及び導電層408bのそれぞれは、トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、トランジスタが導電層408a及び導電層408bを有する構造である場合、導電層401a及び導電層408aの一方、又は導電層401b及び導電層408bの一方を、バックゲート、バックゲート電極、又はバックゲート配線ともいう。ゲートとしての機能を有する層を、チャネル形成層を介して複数設けることにより、トランジスタの閾値電圧を制御しやすくすることができる。導電層408a及び導電層408bとしては、例えばアルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、導電層408a及び導電層408bに適用可能な材料の層の積層により導電層408a及び導電層408bのそれぞれを構成することもできる。また、導電層408a及び導電層408bとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化スズ合金、又は酸化インジウム酸化亜鉛合金を用いることができる。なお、導電層408a及び導電層408bに適用可能な導電性の金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。なお、本実施の形態のトランジスタを、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層の一部の上に絶縁層を含み、該絶縁層を介して酸化物半導体層に重畳するように、ソース又はドレインとしての機能を有する導電層を含む構造としてもよい。上記構造である場合、絶縁層は、トランジスタのチャネル形成層を保護する層チャネル保護層ともいうとしての機能を有する。チャネル保護層としての機能を有する絶縁層としては、例えば絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層402a乃至絶縁層402cに適用可能な材料の層の積層によりチャネル保護層としての機能を有する絶縁層を構成してもよい。なお、図8A乃至図8Eに示すように、本実施の形態のトランジスタを、必ずしも酸化物半導体層の全てがゲート電極としての機能を有する導電層に重畳する構造にしなくてもよいが、酸化物半導体層の全てがゲート電極としての機能を有する導電層に重畳する構造にすることにより、酸化物半導体層への光の入射を抑制することができる。さらに、本実施の形態におけるトランジスタの作製方法例として、図8Aに示すトランジスタの作製方法例について、図9A乃至図9Eを用いて説明する。図9A乃至図9Eは、図8に示すトランジスタの作製方法例を説明するための断面模式図である。まず、図9Aに示すように、基板400aを準備し、基板400aの上に第1の導電膜を形成し、第1の導電膜の一部をエッチングすることにより導電層401aを形成する。例えば、スパッタリング法を用いて導電層401aに適用可能な材料の膜を形成することにより第1の導電膜を形成することができる。また、第1の導電膜に適用可能な材料の膜を積層させ、第1の導電膜を形成することもできる。なお、スパッタリングガスとして、例えば水素、水、水酸基、又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることにより、形成される膜の上記不純物濃度を低減することができる。なお、スパッタリング法を用いて膜を形成する前に、スパッタリング装置の予備加熱室にて予備加熱処理を行ってもよい。上記予備加熱処理を行うことにより、水素、水分などの不純物を脱離することができる。また、スパッタリング法を用いて膜を形成する前に、例えばアルゴン、窒素、ヘリウム、又は酸素雰囲気下で、ターゲット側に電圧を印加せずに、基板側にRF電源を用いて電圧を印加し、プラズマを形成して被形成面を改質する処理逆スパッタともいうを行ってもよい。逆スパッタを行うことにより、被形成面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することができる。また、スパッタリング法を用いて膜を形成する場合、吸着型の真空ポンプなどを用いて、膜を形成する成膜室内の残留水分を除去することができる。吸着型の真空ポンプとしては、例えばクライオポンプ、イオンポンプ、又はチタンサブリメーションポンプなどを用いることができる。また、コールドトラップを設けたターボ分子ポンプを用いて成膜室内の残留水分を除去することもできる。また、上記導電層401aの形成方法のように、本実施の形態におけるトランジスタの作製方法例において、膜の一部をエッチングして層を形成する場合、例えば、フォトリソグラフィ工程により膜の一部の上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて膜をエッチングすることにより、層を形成することができる。なお、この場合、層の形成後にレジストマスクを除去する。また、インクジェット法を用いてレジストマスクを形成してもよい。インクジェット法を用いることにより、フォトマスクが不要になるため、製造コストを低減することができる。また、透過率の異なる複数の領域を有する露光マスク多階調マスクともいうを用いてレジストマスクを形成してもよい。多階調マスクを用いることにより、異なる厚さの領域を有するレジストマスクを形成することができ、トランジスタの作製に使用するレジストマスクの数を低減することができる。次に、図9Bに示すように、導電層401aの上に第1の絶縁膜を形成することにより絶縁層402aを形成する。例えば、スパッタリング法やプラズマCVD法などを用いて絶縁層402aに適用可能な材料の膜を形成することにより第1の絶縁膜を形成することができる。また、絶縁層402aに適用可能な材料の膜を積層させることにより第1の絶縁膜を形成することもできる。また、高密度プラズマCVD法例えばμ波例えば、周波数2.45GHzのμ波を用いた高密度プラズマCVD法を用いて絶縁層402aに適用可能な材料の膜を形成することにより、絶縁層402aを緻密にすることができ、絶縁層402aの絶縁耐圧を向上させることができる。次に、図9Cに示すように、絶縁層402aの上に酸化物半導体膜を形成し、その後酸化物半導体膜の一部をエッチングすることにより酸化物半導体層403aを形成する。例えば、スパッタリング法を用いて酸化物半導体層403aに適用可能な酸化物半導体材料の膜を形成することにより酸化物半導体膜を形成することができる。なお、希ガス雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下で酸化物半導体膜を形成してもよい。また、スパッタリングターゲットとして、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の組成比である酸化物ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することができる。また、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比である酸化物ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成してもよい。また、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を形成する際に、基板400aを減圧状態にし、基板400aを100°C以上600°C以下、好ましくは200°C以上400°C以下に加熱してもよい。基板400aを加熱することにより、酸化物半導体膜の上記不純物濃度を低減することができ、また、スパッタリング法による酸化物半導体膜の損傷を軽減することができる。次に、図9Dに示すように、絶縁層402a及び酸化物半導体層403aの上に第2の導電膜を形成し、第2の導電膜の一部をエッチングすることにより導電層405a及び導電層406aを形成する。例えば、スパッタリング法などを用いて導電層405a及び導電層406aに適用可能な材料の膜を形成することにより第2の導電膜を形成することができる。また、導電層405a及び導電層406aに適用可能な材料の膜を積層させることにより第2の導電膜を形成することもできる。次に、図9Eに示すように、酸化物半導体層403aに接するように絶縁層407aを形成する。例えば、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下で、スパッタリング法を用いて絶縁層407aに適用可能な膜を形成することにより、絶縁層407aを形成することができる。スパッタリング法を用いて絶縁層407aを形成することにより、トランジスタのバックチャネルとしての機能を有する酸化物半導体層403aの部分における抵抗の低下を抑制することができる。また、絶縁層407aを形成する際の基板温度は、室温以上300°C以下であることが好ましい。また、絶縁層407aを形成する前にN2O、N2、又はArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層403aの表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、その後、大気に触れることなく、絶縁層407aを形成することが好ましい。さらに、図8Aに示すトランジスタの作製方法の一例では、例えば400°C以上750°C以下、又は400°C以上基板の歪み点未満の温度で加熱処理を行う。例えば、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜の一部をエッチングした後、第2の導電膜を形成した後、第2の導電膜の一部をエッチングした後、又は絶縁層407aを形成した後に上記加熱処理を行う。なお、上記加熱処理を行う加熱処理装置としては、電気炉、又は抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導又は熱輻射により被処理物を加熱する装置を用いることができ、例えばGRTAGasRapidThermalAnnealing装置又はLRTALampRapidThermalAnnealing装置などのRTARapidThermalAnnealing装置を用いることができる。LRTA装置は、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、又は高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。また、GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスとしては、例えば希ガス、又は加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体例えば窒素を用いることができる。また、上記加熱処理を行った後、その加熱温度を維持しながら又はその加熱温度から降温する過程で該加熱処理を行った炉と同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エア露点が-40°C以下、好ましくは-60°C以下の雰囲気を導入してもよい。このとき、酸素ガス又はN2Oガスは、水、水素などを含まないことが好ましい。また、加熱処理装置に導入する酸素ガス又はN2Oガスの純度を、6N以上、好ましくは7N以上、すなわち、酸素ガス又はN2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。酸素ガス又はN2Oガスの作用により、酸化物半導体層403aに酸素が供給され、酸化物半導体層403a中の酸素欠乏に起因する欠陥を低減することができる。さらに、上記加熱処理とは別に、絶縁層407aを形成した後に、不活性ガス雰囲気下、又は酸素ガス雰囲気下で加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行ってもよい。また、絶縁層402a形成後、酸化物半導体膜形成後、ソース電極又はドレイン電極となる導電層形成後、絶縁層形成後、又は加熱処理後に酸素プラズマによる酸素ドーピング処理を行ってもよい。例えば2.45GHzの高密度プラズマにより酸素ドーピング処理を行ってもよい。また、イオン注入法又はイオンドーピングを用いて酸素ドーピング処理を行ってもよい。酸素ドーピング処理を行うことにより、作製されるトランジスタの電気特性のばらつきを低減することができる。例えば、酸素ドーピング処理を行い、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方を、化学量論的組成比より酸素が多い状態にする。これにより、絶縁層中の過剰な酸素が酸化物半導体層403aに供給されやすくなる。よって、酸化物半導体層403a中、又は絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方と、酸化物半導体層403aとの界面における酸素欠陥を低減することができるため、酸化物半導体層403aのキャリア濃度をより低減することができる。例えば、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方として、酸化ガリウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層に酸素を供給し、酸化ガリウムの組成をGa2Oxにすることができる。また、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方として、酸化アルミニウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層に酸素を供給し、酸化アルミニウムの組成をAl2Oxにすることができる。また、絶縁層402a及び絶縁層407aの一方又は両方として、酸化ガリウムアルミニウム又は酸化アルミニウムガリウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層に酸素を供給し、酸化ガリウムアルミニウム又は酸化アルミニウムガリウムの組成をGaxAl2-xO3αとすることができる。以上の工程により、酸化物半導体層403aから、水素、水、水酸基、又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を排除し、且つ酸化物半導体層403aに酸素を供給することにより、酸化物半導体層を高純度化させることができる。なお、図8Aに示すトランジスタの作製方法例を示したが、これに限定されず、例えば図8B乃至図8Eに示す各構成要素において、名称が図8Aに示す各構成要素と同じであり且つ機能の少なくとも一部が図8Aに示す各構成要素と同じであれば、図8Aに示すトランジスタの作製方法例の説明を適宜援用することができる。図8及び図9を用いて説明したように、本実施の形態におけるトランジスタの一例は、ゲートとしての機能を有する導電層と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層を介してゲートとしての機能を有する導電層に重畳し、チャネルが形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層と、酸化物半導体層に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層と、を含む構造である。また、本実施の形態におけるトランジスタの一例は、酸化物半導体層、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層、並びにソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層を介して酸化物半導体層に接する絶縁層がゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層に接する構造である。上記構造にすることにより、酸化物半導体層、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層、並びにソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層が酸化物半導体層に接する絶縁層及びゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層に囲まれるため、酸化物半導体層、ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層、並びにソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層への不純物の侵入を抑制することができる。また、チャネルが形成される酸化物半導体層に含まれるアルカリ金属の濃度は低いことが好ましい。例えばチャネルが形成される酸化物半導体層にナトリウムが含まれる場合、チャネルが形成される酸化物半導体層に含まれるナトリウムの濃度は、5×1016/cm3以下、さらには、1×1016/cm3以下、さらには1×1015/cm3以下であることが好ましい。また、例えばチャネルが形成される酸化物半導体層にリチウムが含まれる場合、チャネルが形成される酸化物半導体層に含まれるリチウムの濃度は、5×1015/cm3以下、さらには、1×1015/cm3以下であることが好ましい。また、例えばチャネルが形成される酸化物半導体層にカリウムが含まれる場合、チャネルが形成される酸化物半導体層に含まれるカリウムの濃度は、5×1015/cm3以下、さらには、1×1015/cm3以下であることが好ましい。例えば、ナトリウムは、酸化物半導体層に接する絶縁層が酸化物である場合、酸化物絶縁層内に入り、トランジスタの特性の劣化例えば閾値電圧のシフト、移動度の低下などが起こる。さらに、複数のトランジスタ間における特性のばらつきの原因にもなる。よって、チャネルが形成される酸化物半導体層に含まれるアルカリ金属の濃度を少なくすることにより、アルカリ金属に起因するトランジスタの特性の劣化を抑制することができる。以上のように、チャネルが形成される酸化物半導体層は、高純度化させることによりI型又は実質的にI型となった酸化物半導体層である。酸化物半導体層を高純度化させることにより、酸化物半導体層のキャリア濃度を1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満にすることができ、温度変化による特性変化を抑制することができる。また、上記構造にすることにより、チャネル幅1μmあたりのオフ電流を10aA1×10-17A以下にすること、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を1aA1×10-18A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を10zA1×10-20A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を1zA1×10-21A以下、さらにはチャネル幅1μmあたりのオフ電流を100yA1×10-22A以下にすることができる。トランジスタのオフ電流は、低ければ低いほどよいが、本実施の形態におけるトランジスタのオフ電流の下限値は、約10-30A/μmであると見積もられる。本実施の形態の酸化物半導体層を含むトランジスタを、例えば上記実施の形態における表示装置の表示回路、表示駆動回路、及び表示データ信号出力回路の一つ又は複数におけるトランジスタに用いることにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。実施の形態5本実施の形態では、上記実施の形態における表示装置の構造例について説明する。本実施の形態における表示装置は、トランジスタなどの半導体素子が設けられた第1の基板アクティブマトリクス基板と、第2の基板と、第1の基板及び第2の基板の間に設けられた液晶層と、を含む。まず、本実施の形態の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例について、図10を用いて説明する。図10は、本実施の形態の表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を示す図であり、図10Aは、平面模式図であり、図10Bは、図10Aにおける線分A-Bの断面模式図である。なお、図10では、トランジスタの一例として図8Aを用いて説明した構造のトランジスタを用いる場合を示す。図10に示すアクティブマトリクス基板は、基板500と、導電層501aと、導電層501bと、絶縁層502と、半導体層503と、導電層504aと、導電層504bと、絶縁層505と、絶縁層509と、導電層510と、を含む。導電層501a及び導電層501bのそれぞれは、基板500の一平面に設けられる。導電層501aは、表示回路における表示選択トランジスタのゲートとしての機能を有する。導電層501bは、表示回路における保持容量の第2の容量電極としての機能を有する。なお、容量素子保持容量の第2の容量電極としての機能を有する層を第2の容量電極ともいう。絶縁層502は、導電層501a及び導電層501bを介して基板500の一平面に設けられる。絶縁層502は、表示回路における表示選択トランジスタのゲート絶縁層及び表示回路における保持容量の誘電体層としての機能を有する。半導体層503は、絶縁層502を介して導電層501aに重畳する。半導体層503は、表示回路における表示選択トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。導電層504aは、半導体層503に電気的に接続される。導電層504aは、表示回路における表示選択トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能を有する。導電層504bは、半導体層503に電気的に接続され、絶縁層502を介して導電層501bに重畳する。導電層504bは、表示回路における表示選択トランジスタのソース及びドレインの他方、及び表示回路における保持容量の第1の容量電極としての機能を有する。絶縁層505は、導電層504a及び導電層504bを介して半導体層503に接する。絶縁層509は、絶縁層505に重畳する。絶縁層509は、表示回路における平坦化絶縁層としての機能を有する。なお、必ずしも絶縁層509を設けなくてもよい。導電層510は、絶縁層505及び絶縁層509を貫通する開口部において導電層504bに電気的に接続される。導電層510は、表示回路における表示素子の画素電極としての機能を有する。なお、画素電極としての機能を有する層を画素電極ともいう。さらに、本実施の形態における表示装置の構造例について、図11を用いて説明する。図11は、図10に示すアクティブマトリクス基板を用いた表示装置の構造例を示す図であり、図11Aは、平面模式図であり、図11Bは、図11Aにおける線分A-Bの断面模式図である。なお、一例として表示素子を液晶素子とする。図11に示す表示装置は、図10に示すアクティブマトリクス基板に加え、基板512と、遮光層513と、絶縁層516と、導電層517と、液晶層518と、を含む。なお、図11Aでは、便宜のため、導電層517を省略する。遮光層513は、基板512の一平面の一部に設けられる。例えば、遮光層513は、例えばトランジスタが形成された部分における基板512の一平面に設けられる。絶縁層516は、遮光層513を介して基板512の一平面に設けられる。導電層517は、基板512の一平面に設けられる。導電層517は、表示回路における共通電極としての機能を有する。液晶層518は、導電層510及び導電層517の間に設けられる。なお、導電層510、液晶層518、及び導電層517は、表示回路における表示素子としての機能を有する。さらに、図10及び図11に示す表示装置の各構成要素について説明する。基板500及び基板512としては、図8Aにおける基板400aに適用可能な基板を用いることができる。導電層501a及び導電層501bとしては、図8Aに示す導電層401aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層401aに適用可能な材料の層を積層して導電層501a及び導電層501bを構成してもよい。絶縁層502としては、図8Aにおける絶縁層402aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層402aに適用可能な材料の層を積層して絶縁層502を構成してもよい。半導体層503としては、図8Aに示す酸化物半導体層403aに適用可能な材料の層又は、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを用いた半導体層を用いることができる。導電層504a及び導電層504bとしては、図8Aにおける導電層405a又は導電層406aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層405a又は導電層406aに適用可能な材料の層を積層して導電層504a及び導電層504bを構成してもよい。絶縁層505としては、図8Aにおける絶縁層407aに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層407aに適用可能な層を積層して絶縁層505を構成してもよい。絶縁層509及び絶縁層516としては、例えばポリイミド、アクリル、又はベンゾシクロブテンなどの有機材料の層を用いることができる。また、絶縁層509としては、低誘電率材料low-k材料ともいうの層を用いることもできる。導電層510としては、例えば透光性を有する導電材料の層を用いることができ、透光性を有する導電材料としては、例えばインジウム錫酸化物、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合した金属酸化物IZO:indiumzincoxideともいう、酸化インジウムに酸化珪素SiO2を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、又はグラフェンなどを用いることができる。また、導電層510は、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することもできる。導電性組成物を用いて形成した導電層は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率は、0.1Ωcm以下であることが好ましい。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。π電子共役系導電性高分子としては、例えばポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、又は、アニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。遮光層513としては、例えば金属材料の層を用いることができる。液晶層518としては、例えばTN液晶、OCB液晶、STN液晶、VA液晶、ECB型液晶、GH液晶、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶などを含む層を用いることができる。図10及び図11を用いて説明したように、本実施の形態における表示装置の構造例は、トランジスタと画素電極を含むアクティブマトリクス基板と、対向基板と、アクティブマトリクス基板及び対向基板の間に液晶を有する液晶層と、を含む構造である。また、図10及び図11を用いて説明したように、本実施の形態における表示装置の構造例は、光を透過させる部分を除き、遮光層が設けられた構造である。上記構造にすることにより、例えばアクティブマトリクス基板に設けられたトランジスタへの光の入射を抑制することができるため、光によるトランジスタの電気的特性例えば閾値電圧などの変動を抑制することができる。また、本実施の形態における表示装置の構造にすることにより、表示回路と同一基板上に表示駆動回路などの回路を設けることもできる。このとき、表示駆動回路などの回路におけるトランジスタの構造を、表示回路におけるトランジスタの構造と同じにしてもよい。上記構造にすることにより、同一工程により同一基板上に表示回路及び表示駆動回路を作製することができるため、表示回路及び表示駆動回路の間の接続不良を低減することができる。実施の形態6本実施の形態では、上記実施の形態における表示装置を備えた電子機器の例について説明する。本実施の形態における電子機器の構成例について、図12A乃至図12Dを用いて説明する。図12A乃至図12Dは、本実施の形態における電子機器の構成例を説明するための模式図である。図12Aに示す電子機器は、携帯型情報端末の例である。図12Aに示す情報端末は、筐体1001aと、筐体1001aに設けられた表示部1002aと、を具備する。なお、筐体1001aの側面1003aに外部機器に接続させるための接続端子、及び図12Aに示す携帯型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。図12Aに示す携帯型情報端末は、筐体1001aの中に、CPUと、記憶回路と、外部機器とCPU及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェースと、外部機器との信号の送受信を行うアンテナと、を備える。図12Aに示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。図12Bに示す電子機器は、折り畳み式の携帯型情報端末の例である。図12Bに示す携帯型情報端末は、筐体1001bと、筐体1001bに設けられた表示部1002bと、筐体1004と、筐体1004に設けられた表示部1005と、筐体1001b及び筐体1004を接続する軸部1006と、を具備する。また、図12Bに示す携帯型情報端末では、軸部1006により筐体1001b又は筐体1004を動かすことにより、筐体1001bを筐体1004に重畳させることができる。なお、筐体1001bの側面1003b又は筐体1004の側面1007に外部機器に接続させるための接続端子、及び図12Bに示す携帯型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。また、表示部1002b及び表示部1005に、互いに異なる画像又は一続きの画像を表示させてもよい。なお、表示部1005を必ずしも設けなくてもよく、表示部1005の代わりに、入力装置であるキーボードを設けてもよい。図12Bに示す携帯型情報端末は、筐体1001b又は筐体1004の中に、CPUと、記憶回路と、外部機器とCPU及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。なお、図12Bに示す携帯型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。図12Bに示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。図12Cに示す電子機器は、設置型情報端末の例である。図12Cに示す設置型情報端末は、筐体1001cと、筐体1001cに設けられた表示部1002cと、を具備する。なお、表示部1002cを、筐体1001cにおける甲板部1008に設けることもできる。また、図12Cに示す設置型情報端末は、筐体1001cの中に、CPUと、記憶回路と、外部機器とCPU及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。なお、図12Cに示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。さらに、図12Cに示す設置型情報端末における筐体1001cの側面1003cに券などを出力する券出力部、硬貨投入部、及び紙幣挿入部の一つ又は複数を設けてもよい。図12Cに示す設置型情報端末は、例えば現金自動預け払い機、券などの注文をするための情報通信端末マルチメディアステーションともいう、又は遊技機としての機能を有する。図12Dは、設置型情報端末の例である。図12Dに示す設置型情報端末は、筐体1001dと、筐体1001dに設けられた表示部1002dと、を具備する。なお、筐体1001dを支持する支持台を設けてもよい。なお、筐体1001dの側面1003dに外部機器に接続させるための接続端子、及び図12Dに示す設置型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。また、図12Dに示す設置型情報端末は、筐体1001dの中に、CPUと、記憶回路と、外部機器とCPU及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェースと、を備えてもよい。なお、図12Dに示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。図12Dに示す設置型情報端末は、例えばデジタルフォトフレーム、モニタ、又はテレビジョン装置としての機能を有する。上記実施の形態の表示装置は、例えば電子機器の表示部として用いられ、例えば図12A乃至図12Dに示す表示部1002a乃至表示部1002dとして用いられる。また、図12Bに示す表示部1005として上記実施の形態の表示装置を用いてもよい。図12を用いて説明したように、本実施の形態における電子機器の一例は、上記実施の形態における表示装置が用いられた表示部を具備する構成である。また、本実施の形態における電子機器の一例では、筐体に、光が入射することにより電源電圧を生成する光電変換部、及び表示装置を操作する操作部のいずれか一つ又は複数を設けてもよい。例えば光電変換部を設けることにより、外部電源が不要となるため、外部電源が無い場所であっても、上記電子機器を長時間使用することができる。