セラミック部と、前記セラミック部の少なくとも1面に、酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOが拡散された反射改善層と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板。前記反射改善層の膜厚は、1um以上30um以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用セラミック基板。請求項1乃至2に記載の発光素子搭載用セラミック基板上に、発光素子が実装されたことを特徴とする発光素子搭載モジュール。セラミック部を形成するための複数枚のセラミック部形成用グリーンシートを準備するセラミック部形成用グリーンシート準備工程と、複数枚の前記セラミック部形成用グリーンシートを積層し、その少なくとも1面に酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOを含有する第2の拘束層を積層し、その後、加圧加熱し、第1のグリーンシート積層体を形成する第1のグリーンシート積層体形成工程と、前記第1のグリーンシート積層体を過熱することによって、前記グリーンシート積層体内のバインダー成分を除去する脱バインダー工程と、バインダー成分が除去された第1のグリーンシート積層体を加熱することによって、第1のグリーンシート積層体を焼成する焼成工程と、前記第1のグリーンシート積層体の上下面に配置されている酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOを含有する第2の拘束層を除去する拘束層除去工程と、からなるから構成される発光素子搭載用セラミック基板の製造方法。上述した発光素子搭載用セラミック基板では、湿式めっき法無電界めっき法や電界めっき法等や乾式めっき法真空蒸着法、スパッタ法などを用いて、その反射金属膜を、セラミック部表面全体に成膜し、さらに、必要な領域のみにその反射金属膜を残すため、フォトレジスト、エッチング等を行う必要があった。すなわち、従来の発光素子搭載用セラミック基板では、非常に高価な工法を用いて反射金属膜を形成する必要があるため、その製造コストが非常に高くなってしまうという課題を有していた。そこで、本発明は、その製造コストを低く抑えることによって、安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供すること目的とする。そしてこの目的を達成するために本発明は、セラミック部と、前記セラミック部の少なくとも1面に、酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOが拡散された反射改善層と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板、とした。また、本発明は、セラミック部を形成するための複数枚のセラミック部形成用グリーンシートを準備するセラミック部形成用グリーンシート準備工程と、複数枚の前記セラミック部形成用グリーンシートを積層し、その少なくとも1面に酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOを含有する第2の拘束層を積層し、その後、加圧加熱し、第1のグリーンシート積層体を形成する第1のグリーンシート積層体形成工程と、前記第1のグリーンシート積層体を過熱することによって、前記グリーンシート積層体内のバインダー成分を除去する脱バインダー工程と、バインダー成分が除去された第1のグリーンシート積層体を加熱することによって、第1のグリーンシート積層体を焼成する焼成工程と、前記第1のグリーンシート積層体の上下面に配置されている酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOを含有する第2の拘束層を除去する拘束層除去工程と、からなるから構成される発光素子搭載用セラミック基板の製造方法、とした。これにより所期の目的を達成するものである。以上のように本発明は、セラミック部と、前記セラミック部の少なくとも1面に、酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOが拡散された反射改善層と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板、としたので、安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供することができる。すなわち、本発明においては、前記セラミック部を焼成する際に、酸化チタンTiO2成分、もしくは酸化カルシウムCaO成分を前記セラミック部表面に拡散させることによって、酸化チタンTiO2成分、もしくは酸化カルシウムCaO成分を含有する反射改善層を形成することができるので、反射金属膜を形成する高価な工法湿式めっき法、乾式めっき法、エッチング等を使用する必要がなく、その結果として、安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供することができるのである。以下に、本発明の一実施形態を図面とともに詳細に説明するが、これら実施形態は、本発明を限定するものではない。実施の形態1[1]発光素子搭載用セラミック基板の構成まずはじめに、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板の構成に関して説明する。図1は本発明の実施の形態1における発光素子搭載用セラミック基板の構成を示す断面図である。図1に示すように、セラミック基板1は、セラミック部2と、そのセラミック部2の少なくとも1面図1中では、上面に形成された酸化チタンTiO2が拡散された反射改善層3とから構成されている。また、本実施形態において、セラミック部2、反射改善層3の厚さは、それぞれ、セラミック部2は0.40[mm]、反射改善層3は2.9[um]としている。また、本実施形態におけるセラミック部2は、主成分がセラミックの成分から構成されている。本実施形態におけるセラミック部2は、アルミナAl2O3粉末を55[wt]、ガラス粉末を45[wt]の割合で配合したガラスセラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分84:有機バインダー16の重量比の割合で混合された組成物からなる、シート状の形状のグリーンシートと呼ばれるものを、複数枚少なくとも2枚以上積層し、加圧し、その後、900[°C]にて焼成することによって形成されたものである。さらに、図1に示すように、セラミック部2内部には、内部配線部4、ビア5が形成されている。また、本実施形態における表面処理層3は、セラミック部2を焼成する際に、酸化チタンTiO2成分をセラミック部2表面に拡散して形成している。この酸化チタンTiO2成分をセラミック部2表面に拡散する方法は、後述で詳しく説明する。なお、本実施形態においては、酸化チタンTiO2をセラミック部2表面に拡散させることによって、反射改善層3を形成したが、酸化チタンTiO2の代わりに、酸化カルシウムCaOを拡散させることによって、酸化チタンTiO2を拡散させた場合と同等の効果を得ることができる。この発光素子搭載用セラミック基板1上に形成された反射改善層3の少なくとも1面に、発光素子例えば、LED=LightEmittingDiode=発光ダイオード実装されるのである。以上が、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板1の構成に関する説明である。[2]発光素子搭載モジュールの構成次に、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板1を用いた発光素子搭載モジュールの構成に関して説明する。図2は、本発明の実施の形態1における発光素子搭載モジュールの構成を示す断面図である。図2に示すように、本実施形態における発光素子搭載モジュール6は、前述の発光素子搭載用セラミック基板1図1に図示を用い、その反射改善層3の少なくとも1面その一例として、図2中では、上面に、湿式めっき法によって形成された導電性金属からなる第1の金属層7と、その第1の金属層7の表面に、湿式めっき法によって形成された第2の導電性金属からなる第2の金属層8とから構成される外部電極9を有している。この外部電極9上には、発光素子10が実装されているのである。また、本実施形態においては、第1の金属層4は、湿式めっき法の一種である無電界めっき法によって銅Cuを形成し、その膜厚は0.5[um]=500[nm]とした。本実施形態においては、第1の金属層4は、無電界めっき法によって形成された銅Cuを用いたが、その他に、無電界めっき法によって形成されたニッケル-リンNi-Pや、乾式めっき法の一種であるRFRadioFrequencyスパッタ法によって形成されたチタンTiやニッケルNiを用いることもできる。また、本実施形態においては、第2の金属層5は、湿式めっき法の一種である電界めっき法によって銅Cuを形成し、その膜厚は、50[um]としたが、この第2の金属層5は、5[um]から100[um]の間の膜厚で、適宜決定を行うことができるが、本実施形態において、第2の金属層5の膜厚は25[um]形成した。また、本実施形態においては、第2の金属層5は、電界めっき法によって形成された銅Cuを用いたが、その他に、無電界めっき法によって形成された金Auや銀Agを用いることもできる。以上が、本実施形態における発光素子搭載モジュール6の構成の構成に関する説明である。[3]発光素子搭載用セラミック基板の製造方法次に、本実施形態における発光素子搭載モジュールの製造方法に関して説明する。図3は、本発明の実施の形態1における発光素子搭載モジュールの製造方法を示すフローチャートである。図3に示すように、本実施形態におけるセラミック基板の製造方法は、S1:発光素子搭載用セラミック基板製造工程と、S2:金属層形成工程と、S3:金属層加工工程と、S4:発光素子実装工程と、という4つの工程から構成されるものである。以下に、S1~S4の製造工程の詳細を説明する。[2]-1:セラミック部準備工程S1図4は、本発明の実施の形態1における発光素子搭載用セラミック基板製造工程を示すフローチャートである。図4に示すように、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板製造工程S1は、S100:セラミック部形成用グリーンシート準備工程と、S200:第1のグリーンシート積層体形成工程と、S300:脱バインダー工程と、S400:焼成工程と、S500:拘束層除去工程と、いう5つの工程から構成されるもので、この5つの工程によって、セラミック部2を形成し、さらに、そのセラミック部2の少なくとも片面セラミック部2の表面、裏面両方でも良いに、酸化チタンTiO2が拡散された反射改善層3を形成するのである。それでは、以下に、この5つの工程の順次説明を行う。[2]-1-i:セラミック部形成用グリーンシート準備工程まずはじめに、図5を用いて、セラミック部2の材料となるグリーンシート11を準備するセラミック部形成用グリーンシート準備工程S100に関して説明する。図5は、本発明の実施の形態1におけるグリーンシートの断面図を示すものであり、図4aはグリーンシート9Aの断面図、図4bはグリーンシート9Bの断面図、図4cはグリーンシート9Cの断面図を示すものである。本実施形態におけるグリーンシート11A、11B、11Cは、アルミナ粉末を55[wt]、ガラス粉末を45[wt]の割合で配合したガラスセラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分84:有機バインダー16の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成し、その後、乾燥させたものから、図5a~図5cに示すように、グリーンシート11A図5a、グリーンシート11B図5b、グリーンシート11C図5cを作成する。まず、はじめに、図5aに示すグリーンシート11Aに関して説明する。グリーンシート11Aには、例えば、レーザー光による加工によってスルーホール一般には穴とも呼ばれるを形成し、その後、そのスルーホーに導体ペーストを充填することによって、ビア5を形成する。これにて、グリーンシート11Aが完成する。次に、図5bに示すグリーンシート11Bに関して説明する。グリーンシート11Bは、はじめに、グリーンシート11Aと同様に、スルーホールを形成し、その後、スルーホールに導体ペーストを充填することによって、ビア5を形成する。次に、グリーンシート11B上面に導体ペーストを、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して内部配線部4を形成する。これにて、グリーンシート11Bが完成する。次に、図5cに示すグリーンシート9Cに関して説明する。グリーンシート11Cは、はじめに、グリーンシート11Aと同様に、ビア5を形成する。これにて、グリーンシート11Cが完成する。[2]-1-ii:積層工程S200次に、図6、図7、図8を用いて、積層工程S200について説明する。図6は、本発明の実施の形態1の積層工程における積層手順を示す断面図である。また、図7は、本発明の実施の形態1の積層工程における第1のグリーンシート積層体の断面図を示すものである。また、図8は、本発明の実施の形態1の積層工程における加圧加熱方法を説明する断面図を示すものである。まず、はじめに、図6、図7に示している第1の拘束層12、第2の拘束層13に関して説明する。一般に、アルミナ粉末とガラス粉末を配合したガラスセラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートを、高温を印加すると、アルミナ粉末とガラス粉末が焼成することによって、そのグリーンシートの体積平面方向、および厚さ方向に収縮する。本実施形態においても、本工程である積層工程S200、次の工程である脱バインダー工程S300、次々工程である焼成工程S400にて、第1のグリーンシート積層体14を、熱を印加するのであるが、その際、図6に示すように、それらグリーンシート11A、11B、11Cを挟み込むように、印加する温度では焼成しない成分のセラミックからなる第1の拘束層12、第2の拘束層13を上下面に配置しておく。こうすることによって、グリーンシー11A、11B、11Cは、図6中に示す、X方向、およびY方向すなわち、第1のグリーンシート積層体14の平面方向には収縮せず、Z方向すなわち、第1のグリーンシート積層体14の厚さ方向にのみ収縮する。このX方向、Y方向に収縮させないために、この第1の拘束層12、第2の拘束層13を使用するのである。ここで、第1の拘束層12と第2の拘束層13の違いに関して説明する。本実施形態においては、第1の拘束層12は、アルミナ粉末の固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分84:有機バインダー16の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成し、その後、乾燥させたものを用いた。また、本実施形態においては、第2の拘束層13は、アルミナ粉末を95[wt]、酸化チタンTiO2を5[wt]の割合で配合したガラスセラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分84:有機バインダー16の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成したものを用いた。即ち、第1の拘束層12はアルミナ製シートであり、第2の拘束層13は、微量のチタンを含有させたアルミナ製シートである。この第1の拘束層12は発光素子搭載用セラミック基板1の発光素子10を実装しない側の最外面図6、図7では、下面に配置し、第2の拘束層13は発光素子搭載用セラミック基板1の発光素子10を実装する側の最外面図6、図7では、上面に配置する。即ち、図6、図7に示すように、第1のグリーンシート積層体14において、微量のチタンを含有させたアルミナ製シート第2の拘束層13を、発光素子搭載用セラミック基板1の発光素子10を実装する面側の最外面に配置するのである。こうすることによって、この後工程の焼成工程S400にて、発光素子搭載用セラミック基板1の発光素子10を実装する面上に酸化チタンTiO2が拡散される、即ち、酸化チタンTiO2が拡散された反射改善層3を形成することができるのである。なお、本実施形態においては、発光素子10を実装する面は、図2に示すように、上面であるので、第2の拘束層13=チタンを含有させたアルミナ製シートは、図6、図7における上面のみに配置したが、たとえば、発光素子10を発光素子搭載用セラミック基板の両面に実装する場合は、この第2の拘束層13=チタンを含有させたアルミナ製シートを両面に配置すればよい。次に、図6を用いて、グリーンシート11A、11B、11Cを積層し、その最も下の面に第1の拘束層12を配置し、その最も上の面に第2の拘束層13を配置した、第1のグリーンシート積層体14を準備する方法を説明する。まず、第1の拘束層12上に、グリーンシート11Cを積層する。次に、グリーンシート11C上にグリーンシート11Bを、グリーンシート11Aに形成されているビア5と、グリーンシート11Bに形成されているビア5の位置が合うように位置合わせを実施しながら積層する。次に、グリーンシート11B上のグリーンシート11Aを積層する。最後に、グリーンシート11A上に、第2の拘束層13を配置する。このようにして、図7に示すような、第1のグリーンシート積層体14が準備されるのである。次に、図8に示すように、第1のグリーンシート積層体14の上下面にステンレス板15を配置し、それを台座16上に配置し、その上面から加圧加熱をすることによって、第1のグリーンシート積層体14中のグリーンシート11A、11B、11C同士を仮接着する。ここで、図8中の第1のグリーンシート積層体14は、図7中の第1のグリーンシート積層体14と同一のものであるが、図8中の第1のグリーンシート積層体14は簡略化して図示している。また、本実施形態において、第1のグリーンシート積層体14上のステンレス板15上から加圧した圧力は15.2[MPa]とし、加熱温度は85[°C]を用いた。このようにして、第1のグリーンシート積層体14中のグリーンシート11A、11B、11C同士を仮接着する。なお、第1のグリーンシート積層体14と、第1のグリーンシート積層体14の上下面に配置したステンレス板15とは、ステンレス板15の材質がニッケルクロム合金NiCrであるため接着されることはない。[2]-1-iii:脱バインダー工程S300次に、図9を用いて、脱バインダー工程S300について説明する。図9は、本発明の実施の形態1の脱バインダー工程を説明する断面図を示すものである。この工程では、図9に示すように、第1のグリーンシート積層体14を台座17上に配置し、加熱をすることによって、第1のグリーンシート積層体14中のグリーンシート11A、11B、11C内部の有機バインダーを除去する。本実施形態において、第1のグリーンシート積層体14は、加熱温度は650[°C]にて加熱を行った。このようにして、第1のグリーンシート積層体14中のグリーンシート11A、11B、11C内部の有機バインダーを除去する。[2]-1-iv:焼成工程S400次に、図10を用いて、焼成工程S400について説明する。図10は、本発明の実施の形態1の焼成工程における加圧加熱方法を説明する断面図を示すものである。また、図11は、本発明の実施の形態1の焼成工程後におけるグリーンシート積層体の断面図を示すものである。第1のグリーンシート積層体14を台座15上に配置し、加熱をすることによって、第1のグリーンシート積層体14を焼成する。本実施形態において、この加熱温度は900[°C]を用いた。このようにして、この焼成工程後、図11に示すように、第1のグリーンシート積層体14は、その厚さ方向に収縮するのである。また、この焼成工程S400を実施することによって、グリーンシート11A、11B、11Cがセラミック部2となるのである。更に、この焼成工程S400を実施することによって、第2の拘束層13とグリーンシート11Aとの界面Eでは、第2の拘束層13の成分である酸化タンタルTiO2のタンタルTa成分が拡散し、この界面Eに反射改善層3が形成されるのである。[2]-1-v:拘束層除去工程S500次に、サンドブラスター工程S500について説明する。この工程では、サンドブラスター法例えば、特許文献である国際公開第1999/56510号を参照を用いて、第1のグリーンシート積層体14の上面と下面の第1の拘束層12、第2の拘束層13を除去する。本実施形態においては、水96gと平均粒径0.1~10umのアルミナ粉末4gの割合の混合物を、圧力0.4[MPa]の圧縮空気にて、第1のグリーンシート積層体14の上下面の第1の拘束層12上、及び第2の拘束層13上から吹き付ける。図12は、本発明の実施の形態1の拘束層除去工程後における第1のグリーンシート積層体14の断面図を示すものである。このように、水96gと平均粒径0.1~10umのアルミナ粉末4gの割合の混合物を、圧力0.4[MPa]の圧縮空気にて、グリーンシート積層体11の上下面の拘束層23上から吹き付ける作業を行うことによって、アルミナ部2上に、0.1um以上アルミナ粉末の最小の平均粒径、30um以下アルミナ粉末の最大の平均粒径の反射改善層3を形成することができる。この反射改善層3の厚さは、この吹き付ける作業吹き付け時間を調整することによって調整可能である。本実施形態においては、前述の[1]で説明したように、反射改善層3が2.9umになるように、吹き付け時間を調整した。以上のように、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板製造工程S1は、図4に示す、セラミック部形成用グリーンシート準備工程S100、第1のグリーンシート積層体形成工程S200、脱バインダー工程S300、焼成工程S400、拘束層除去工程S500という5つの工程を実施することによって、セラミック部2を準備するとともに、このセラミック部2上に、酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOが拡散された反射改善層3を形成する、即ち、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板1を形成することができるのである。[2]-2:金属層形成工程S2次に、図3中の金属層形成工程S2に関して説明する。図13は、本発明の実施の形態1の金属層形成工程後における発光素子搭載用セラミック基板の断面図を示すものである。金属層形成工程S2においては、前述の発光素子搭載用セラミック基板1の反射改善層3上に、第1の金属層7と第2の金属層を形成する。まずはじめに、前処理として、セラミック部2上のアルミナ点在層3の表面に付着している異物及び油分などを除去する。この前処理は、本発明に必須の工程ではなく、ポセラミック部2上の反射改善層3の表面がきれいな状態であれば不要である。次に、セセラミック部2上の反射改善層3の表面を、金属触媒を含む水溶液に接触させる。この金属触媒としては、第1の金属層4を形成するための触媒となり得るもの、例えばパラジウムPd触媒、銅Cu触媒等を用いることができる。本実施形態においては、銅Cu触媒を用いた。また、触媒付与工程における触媒の濃度、処理時間、温度等の諸条件は、適宜変更可能である。こうして、反射改善層3の表面に、これら金属触媒本実施形態においては銅Cu触媒が結合する。次に、無電界めっき法によって第1の金属層7を形成するが、このとき無電解めっき液に含まれる還元成分により、反射改善層3の表面の金属触媒が還元されるため、触媒作用が働き、触媒金属を核として、無電解めっき膜が形成される。本実施形態においては、前述のように、無電界めっき法によって、銅Cuを形成した。また、この第1の金属層7の膜厚は、前述のように、0.5[um]500[nm]を用いた。次に、この第1の金属層7の表面に、電界めっき法によって、第2の金属層8を形成する。本実施形態においては、上述したように、第2の金属層として銅Cuを用いた。また、この第2の金属層7の膜厚は、前述のように、25[um]を用いた。このようにして、図13に示すように、発光素子搭載用セラミック基板1の反射改善層3上に、第1の金属層7と第2の金属層8を形成することができるのである。[2]-3:金属層加工工程S3次に、図3中の金属層加工工程S3に関して説明する。図14は、本発明の実施の形態1の金属層加工工程後における発光素子搭載用セラミック基板の断面図を示すものである。金属層加工工程S3においては、第1の金属層7、及び第2の金属層8を加工し、図1に示すような、外部電極9を形成する。本実施形態においては、必要な第1の金属層7、及び第2の金属層8上にレジストを塗布し、その後、エッチングを行うことによって、外部電極9を形成した。このようにして、図14に示すように、第1の金属層7、及び第2の金属層8を加工し、発光素子搭載用セラミック基板上に外部電極9を形成することができるのである。[2]-4:発光素子実装工程S4次に、図3中の発光素子実装工程S4に関して説明する。金属層加工工程S3においては、発光素子搭載用セラミック基板1上の外部電極9上に発光素子10を実装電気的に接続する。この発光素子実装工程S4を実施し、発光素子搭載用セラミック基板1上の外部電極9上に発光素子10を実装電気的に接続することによって、図2に示すような、本実施形態における発光素子搭載モジュール6を製造することができるのである。以上のように、本実施形態においては、発光素子搭載用セラミック基板製造工程S1と、金属層形成工程S2と、金属層加工工程S3と、発光素子実装工程S4と、いう4つの工程を実施することによって、図2に示すような、発光素子搭載モジュール6を製造することができるのである。[3]本発明の一実施形態における発明の効果次に、本発明の一実施形態の発明の効果に関して説明する。従来の発光素子搭載用セラミック基板セラミック部2上に反射改善層3が形成されていないものの表面の反射率:74.9[]であった。一方、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板セラミック部2上に酸化チタンTiO2が拡散された反射改善層3を形成しているものの表面の反射率は、903[]であった。以上のように、セラミック部2上に酸化チタンTiO2が拡散された反射改善層3を形成することによって、発光素子搭載用セラミック基板の表面の反射率が向上していることが確認できた。また、セラミック部2上に、酸化チタンTiO2の代わりに酸化カルシウムCaOを拡散された反射改善層3が形成された発光素子搭載用セラミック基板の場合も、表面の反射率は90.8[]と、酸化チタンTiO2が拡散された反射改善層3を形成したものと同様に、発光素子搭載用セラミック基板の表面の反射率が向上していることを確認している。以上のように、この発光素子搭載用セラミック基板の表面の反射率の向上は、酸化チタンTiO2成分、もしくは酸化カルシウムCaO成分を前記セラミック部表面に拡散させることによって、酸化チタンTiO2成分、もしくは酸化カルシウムCaO成分が、この表面の反射率の向上に寄与していると考えられる。[4]まとめ以上のように、本実施形態においては、セラミック部2と、セラミック部2の少なくとも1面に、酸化チタンTiO2もしくは酸化カルシウムCaOが拡散された反射改善層3と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板1としたので、安価な発光素子搭載用セラミック基板1、及び発光素子搭載モジュール6を提供することができる。すなわち、本発明においては、セラミック部2を焼成する際に、酸化チタンTiO2成分、もしくは酸化カルシウムCaO成分を、セラミック部2表面に拡散させることによって、酸化チタンTiO2成分、もしくは酸化カルシウムCaO成分を含有する反射改善層3を形成することができるので、先行技術文献に示すような反射金属膜を形成する高価な工法湿式めっき法、乾式めっき法、エッチング等を使用する必要がなく、その結果として、安価な発光素子搭載用セラミック基板1、及び発光素子搭載モジュール6を提供することができるのである。