芯材粒子の表面に無電界Niメッキ法によりNi被膜を設けたNiメッキ粒子であって、Ni被膜中の厚み方向のP含有量が、芯材粒子側からNi被膜表面側に漸減しており、かつEDXにより求めた、Ni被膜中のPとNiの含有比P/Niが、芯材粒子側界面からNi被膜の厚みの10以下の領域で0.15<P/Ni<0.40であり、Ni被膜表面からNi被膜の厚みの10以下の領域で0.02<P/Ni<0.15であり、それらの領域に挟まれた中央部の領域で0.05<P/Ni<0.20であるNiメッキ粒子。貴金属触媒を担持させた芯材粒子の水性懸濁液に、Ni塩、リン系還元剤、pH調整剤として水酸化ナトリウムを含むNiメッキ液を添加することにより無電界Niメッキ反応を行い、芯材粒子表面にNi被膜を形成する、請求項1記載のNiメッキ粒子の製造方法において、Niメッキ液中の水酸化ナトリウムが常に水性懸濁液に供給されるように、Niメッキ液を水性懸濁液に添加することにより、水性懸濁液のpHを、徐々に上昇させてメッキ反応開始時よりもメッキ反応終了時で高くする製造方法。メッキ反応開始時のpHを3.8~4.2とし、メッキ反応終了時のpHを5.8~6.2とする請求項2記載の製造方法。水性懸濁液に、水酸化ナトリウムとの緩衝系のpHが5.8~6.2となる錯化剤を含有させ、かつ該水性懸濁液のメッキ反応開始時のpHを3.8~4.2にする請求項3記載の製造方法。Niメッキ被膜を150~200nmの厚みで形成する請求項3又は4記載の製造方法。しかしながら、被メッキ物が粒径0.1~50μm程度の微粒子の場合、非常に表面が活性であり、比面積が大きく、凝集力が大きいので、特公平6-96771号公報等に記載されているように、一定のpHで、芯材の分散液にNiメッキ液を構成するNi塩溶液と次亜リン酸ナトリウム等の還元剤溶液とを各々少量ずつ添加する方法では、メッキ反応の速度を精密に制御することが困難である。さらに、Ni被膜中のP含有量が多いと、Ni被膜の導電性が低下するので、Niメッキ粒子を導電性接着剤、異方導電性接着剤等の導電性フィラーとして使用する場合には、Ni被膜中のP含有量を低下させることが望まれるが、還元剤として次亜リン酸ナトリウムを使用する場合には、次式に示すように、Niメッキ反応の副反応によりPが生成するので、Ni被膜中のP含有量を制御することも困難となる。即ち、pH4~5の低pH域で無電界Niメッキ反応を行うと、Niメッキ反応局部カソード反応の速度が遅く、副反応の速度が速いため、Ni被膜中に多くのPが取り込まれ、Ni被膜の電気導電率が低下する。一方、Niメッキ粒子同士の凝集は少なくなる。反対に、pH7~8の高pH域で無電界Niメッキ反応を行うと、Niメッキ反応の速度が速いために、Pの取り込み量の少ないNi被膜が形成されるが、Ni被膜が磁性を持ち、Niメッキ粒子同士の凝集が著しくなるので、Ni被膜は凸凹となり、その厚さも不均一となり、Niメッキを続けることが困難となる。さらに、Niメッキ粒子の用途により、Ni被膜上にさらに金メッキが施される場合、金メッキはNi被膜を形成するNiが金で置換されることにより行われるので、均一な金メッキ被膜を得ることが困難となる。それ故、Niメッキ粒子の製造に際しては、如何にして、Niメッキ粒子の導電性が損なわれないようにP含有量を少なくし、かつ凝集性を抑制するかが課題となっている。これに対し、本発明は優れた電気導電性を有し、かつ凝集性が少なく、Ni被膜の厚みが均一な、新たなNiメッキ粒子を提供することを目的とする。本発明者は、無電界Niメッキ法によりNiメッキ粒子を製造するにあたり、Ni被膜中のP含有量をNi被膜の厚み方向で異ならせ、芯材粒子側に対してNi被膜の表面側のP含有量を低下させると、P含有量の低いNi被膜の表面側領域によって優れた電気導電性が確保され、かつ、P含有量の高い芯材側領域によってNiメッキ粒子の凝集性が抑制されることを見出した。さらに、Ni被膜中のP含有量をNi被膜の厚み方向で異ならせるためには、芯材粒子の分散液中に、Ni塩溶液と還元剤溶液を滴下してNiメッキ反応を進行させる場合に、反応時間の経過と共に反応液のpHを上昇させ、Ni被膜中のP含有量を漸減させることが有効であることを見出した。即ち、本発明は、芯材粒子の表面に無電界Niメッキ法によりNi被膜を設けたNiメッキ粒子であって、Ni被膜中の厚み方向のP含有量が、芯材粒子側よりもNi被膜表面側で少ないことを特徴とするNiメッキ粒子を提供する。また、本発明は、貴金属触媒を担持させた芯材粒子の水性懸濁液に、Ni塩、リン系還元剤、pH調整剤を含むNiメッキ液を添加することにより無電界Niメッキ反応を行い、芯材粒子表面にNi被膜を形成するNiメッキ粒子の製造方法において、Niメッキ液を添加した水性懸濁液のpHを、反応開始時よりも反応終了時で高くすることを特徴とするNiメッキ粒子の製造方法を提供する。本発明のNiメッキ粒子の製造方法によれば、Niメッキ反応の初期ではpHを低くして、Ni被膜に取り込まれるPを多くし、それによりNiメッキ粒子の凝集を防止し、反対に、Niメッキ反応の終期ではpHをあげることによりNi被膜中のP含有量を低下させて被膜中のNi純度を向上させ、Niメッキ粒子の凝集が著しく生じる前にNiメッキ反応を終了させる。したがって、凝集の問題を生じさせることなく、表面に高純度のNi被膜が形成されたNiメッキ粒子を生産性高く製造することができる。以下、本発明の一態様を、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1に示すように、本発明のNiメッキ粒子1は、芯材粒子2の表面に無電界Niメッキ法によりNi被膜3を設けたものであり、Ni被膜3中の厚み方向のP含有量が、芯材粒子2側よりもNi被膜表面3x側で少ないことを特徴としている。特に、EDXEnergyDispersingXrayanalyzer:エネルギー分散型X線分析装置により求められる、Ni被膜中に含有されるPとNiの原子数の比P/Niを、芯材粒子側界面からNi被膜3の厚みの10以下の領域Aで0.15<P/Ni<0.40、Ni被膜表面3xからNi被膜3の厚みの10以下の領域Cで、0.00<P/Ni<0.15とすることが好ましく、特に、この領域Aと領域Cに挟まれたNi被膜3の中央部の領域Bで0.05<P/Ni<0.20とし、領域Aでは領域BよりもP/Niを大きくし、領域Cでは領域BよりもP/Niを小さくすることが好ましい。これにより、Niメッキ粒子1の表面のNi純度を高めて電気導電率を高め、かつNiメッキ粒子1の凝集性を抑制することができる。このようなNiメッキ粒子1は、本発明のNiメッキ粒子の製造方法により容易に製造することができる。本発明のNiメッキ粒子の製造方法は、初めに芯材粒子の表面にパラジウム、銀等の貴金属触媒を担持させ、次いでNiメッキ液を適用する点では公知の無電界Niメッキ法と同様である。パラジウム等の貴金属触媒を担持させた芯材粒子を得るためには、まず、表面にパラジウムイオン等の貴金属イオンをキレート又は塩として捕捉できる芯材粒子、即ち、貴金属イオンの捕捉能を有する芯材粒子を用意し、それに貴金属イオンを担持させ、次いで還元剤を適用することにより、芯材粒子の表面に貴金属触媒を担持させることが好ましい。表面に貴金属触媒を担持させた芯材粒子としては、通常の分散手法により水中に懸濁させることができる限り、形状、大きさ等について特に制限はない。例えば、芯材粒子の形状としては、球状、繊維状、中空状、針状等の特定形状でもよく、又は不特定形状でもよい。また、貴金属イオンの捕捉能の有無を別とした芯材粒子の材質としては、有機系、無機系のいずれでもよく、結晶性、非結晶性のいずれでもよい。より具体的には、芯材粒子を構成する無機系材料としては、金属合金、ガラス、セラミックス、金属酸化物、金属珪酸塩、金属炭化物、金属窒化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属リン酸塩、金属硫化物、金属酸塩、金属ハロゲン化物、炭素等をあげることができ、また、有機系材料としては、天然繊維、天然樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリブテン、ポリアミド、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリエステル等の熱可塑性樹脂、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の熱硬化性樹脂等をあげることができる。芯材粒子は、これらのうち1種から形成してもよく、2種以上の混合物あるいは共重合物から形成してもよい。芯材粒子に貴金属イオンの捕捉能をもたせるためには、その表面にアミノ基、イミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、水酸基、ニトリル基、カルボキシル基等を存在させる。芯材粒子の表面がアミノ系樹脂、ニトリル系樹脂、アミノ硬化剤で硬化したエポキシ樹脂等からなる場合、この芯材粒子は、貴金属イオンの捕捉能を有する粒子として使用することができる。一方、芯材粒子が貴金属イオンの捕捉能を持たない場合、そのような芯材粒子は、例えば、アミノ基置換オルガノシラン系カップリング剤やアミン系硬化剤で硬化したエポキシ系樹脂等の表面改質剤の溶液で撹拌処理し、分散させ、その後に真空乾燥することにより、表面に貴金属イオンの捕捉能を付与する。貴金属イオンの捕捉能を有する芯材粒子に貴金属イオンを捕捉させる方法としては、貴金属イオンの捕捉能を有する芯材粒子を貴金属塩の希薄な酸性水溶液に分散させ、芯材粒子に貴金属イオンを捕捉させる。この場合、酸性水溶液中の貴金属イオン濃度は、例えば、貴金属塩として塩化パラジウムを使用する場合、0.05~1.0g/Lとすることが好ましい。次に、芯材粒子に捕捉させた貴金属イオンを貴金属触媒とするためには、貴金属イオンを捕捉させた後の酸性水溶液に、Niメッキに用いる還元剤例えば、次亜リン酸ナトリウムを滴下し、貴金属イオンを還元して貴金属触媒とする。本発明のNiメッキ粒子の製造方法においては、貴金属触媒を担持させた芯材粒子の水性懸濁液以下、スラリーと称するを調製する。このスラリーでは、凝集が起きないように、芯材粒子を一次粒子に近い状態とする。そのために、スラリー中の芯材粒子の濃度は、0.5~2重量とすることが好ましい。このスラリーには、界面活性剤、還元剤、錯化剤を添加することが好ましい。ここで、界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤等を使用する。スラリー中の界面活性剤の濃度は、0.5~5重量とすることが好ましい。還元剤としては、コスト及び実績の点から、次亜リン酸ナトリウム等を使用する。スラリー中の還元剤の濃度は、P含有量を少なくするために、0.5~5重量とすることが好ましい。錯化剤としては、従来の無電界Niメッキでは、Niイオンに対して錯化作用を有する種々の化合物、例えば、リンゴ酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、ヒドロキシ酢酸等のカルボン酸又はそのアルカリ金属塩、アンモニウム塩等のカルボン酸塩、グリシン等のアミノ酸、エチレンジアミン、アルキルアミン等のアミノ類、その他のアンモニウム、EDTA、ピロリン酸塩等を使用するが、本発明においては、Niメッキ反応終了時のpHを5.8~6.2とするために、pH調整剤との緩衝系のpHがそのような値をとるものを使用することが好ましく、例えば、酒石酸ナトリウム、酢酸アンモニウム、リンゴ酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等を使用する。スラリー中の錯化剤の濃度は、0.5~5重量とすることが好ましい。さらに、スラリーには、Niメッキ反応の開始時の反応液のpHを3.8~4.2に調整するため、硫酸、塩酸等を添加する。一方、Niメッキ液を調製する。Niメッキ液は、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル等のニッケル塩水溶液と、次亜リン酸ナトリウム等の還元剤と水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のpH調整剤とを含有させた水溶液との二液に調製することが好ましい。この場合、ニッケル塩水溶液中のニッケル塩の濃度は、メッキの厚みに応じて定めるが、比表面積1m2/g、粒径5μmの芯材粒子に厚さ150~200nmのメッキ被膜を形成する場合、20~30重量とすることが好ましい。また、還元剤とpH調整剤を含む水溶液中の還元剤の濃度は、P含有量に応じて定めるが、比表面積1m2/g、粒径5μmの芯材粒子に厚さ150~200nmのメッキ被膜を形成する場合、15~25重量とすることが好ましい。なお、スラリーやNiメッキ液の調製に際しては、必要に応じて撹拌や超音波分散処理をし、温度が50~80°Cとなるように温度制御する。次に、Niメッキ液を前述のスラリー中に徐々に添加し、Niメッキ反応を行うことにより、芯材粒子の表面にNi被膜を形成する。Niメッキ液を二液に調整した場合には、これらを同時に添加する。本発明においては、こうして形成するNi被膜中のP含有量を、芯材側よりもNi被膜表面側で少なくすることを特徴としている。Ni被膜中のP含有量を制御する手法としては、還元剤である次亜リン酸ナトリウムの濃度制御、メッキ温度制御等が考えられるが、特に、Niメッキ反応中のpHの制御によることが好ましく、より具体的には、Niメッキ反応の開始時にはpHを3.8~4.2とし、Niメッキ反応終了時には、pHを5.8~6.2とすることが好ましい。このようにNiメッキ反応中のpHを制御するためには、上述のようにスラリーのpHを予め3.8~4.2に調整し、Niメッキ反応時に徐々に添加していくpH調整剤アルカリによってNiメッキ反応中にpHが上昇するようにすることが好ましく、特に、このpH調整剤と、当初よりスラリー中に含有させていた錯化剤とで、pH5.8~6.2の緩衝系が形成されるようにすることが、反応終了時のpHを所定の値に制御しやすいので好ましい。上述のようにNiメッキ中のpHを制御することにより、反応初期においてはpHが低いため、芯材粒子表面ではNiの沈着速度が遅く、副生成物であるPの生成が速いため、PがNi被膜中に多く取り込まれてP含有量の高いNi被膜が形成される。また、このようなNi被膜が形成された粒子は、スラリー中で高い分散性を維持する。その後、pHが徐々に上昇し、pHが緩衝系のpHである5.8~6.2になると、Niメッキ反応が急速に進み、Ni被膜では副生成物であるPの取り込みよりもNiの沈着が優先し、Ni純度の高いNi被膜が形成される。こうして、Ni被膜中の厚み方向のPとNiの含有比P/Niが、EDXによる値として、Ni被膜の芯材粒子側界面からNi被膜の厚みの10以下の領域で0.15<P/Ni<0.40となり、Ni被膜表面からNi被膜の厚みの10以下の領域で、0.00<P/Ni<0.15となるように、Ni被膜中のP含有量を芯材粒子側からNi被膜表面側に向かって連続的に漸減させることができる。なお、本発明のNiメッキ粒子においては、Ni被膜中のP含有量を不連続的に変化させてもよく、その場合のNiメッキ粒子の製造方法としては、例えば、pH調整剤の多量投入や不連続投入を行えばよい。Niメッキ反応の終了時点は、当該Niメッキ粒子に必要とされるNi被膜の純度、必要とされる生産量、生産コスト等に応じて適宜定める。例えば、Niメッキ粒子に次工程で置換金メッキがなされる場合、Niメッキ粒子の表面のNi被膜の純度が高いほどNiと金との置換反応が進むため、Ni被膜表面の純度が非常に重要となるので、Niメッキ反応は、高純度のNi被膜がNiメッキ粒子の表面に所定の厚さで形成されるまで十分に行う。また、Niメッキ粒子が導電フィラーとして使用される場合、Ni被膜の表面に所定の電気導電率が得られればよい。ただし、Ni純度の高いNi被膜が表面に形成された粒子は、急激に凝集し易くなるので、本発明においては、Niメッキ反応に伴う水素の発生が認められなくなった後、Niメッキ粒子の凝集が著しく生じる前にNiメッキ反応を終了させる。Niメッキ反応の終了後は、なお撹拌を10~20分程度続けて熟成させ、その後に粒子を濾過し、アルコール、温水等で洗浄し、乾燥する。こうして得られたNiメッキ粒子は、芯材粒子上にNi被膜が凹凸なく均一に形成されているので、Ni被膜と芯材粒子との接合強度が高い。したがって、Niメッキ粒子を合成樹脂等と混練分散しても、メッキ被膜が剥がれ落ちることが無い。また、Ni被膜表面は、Ni純度が高く、高い電気導電率を有する。したがって、このNiメッキ粒子は、導電性接着剤又は異方導電性接着剤用の導電フィラー等として有用となる。また、金メッキを施すための粒子としても有用となる。実施例1真比重1.4、平均粒径4.6μm、比表面積0.95m2/gのベンゾグアナミン系樹脂粒子日本触媒社製、エポスターGP-H46Sを、イオン吸着剤奥野製薬工業社製、コンディライザーSPの10溶液で5分間処理し、その後、塩化パラジウムの0.01水溶液で5分間処理し、さらに次亜リン酸ナトリウムの5溶液を加えて還元処理し、さらに、界面活性剤ケミカル電子社製、CE-80Wをこれらの溶液に対して1程度添加して20分間撹拌処理し、濾過、洗浄することにより、パラジウムを担持した芯材粒子を得た。次に、酒石酸ナトリウム錯化剤1、界面活性剤日信化学工業社製、サフィノールTG2を含むイオン交換水500mlと、上述の芯材粒子10gとを混合してスラリーを調製し、さらに硫酸を添加してスラリーのpHを4に調整した。一方、Niメッキ液として、硫酸ニッケルの22.4溶液と、次亜リン酸ナトリウム22.4と水酸化ナトリウム6を含む溶液の2液を調製した。前述のスラリーを70°Cにし、これに二液のNiメッキ液を構成する、硫酸ニッケル溶液と還元剤溶液を同時に連続的に添加し、約1時間撹拌することによりメッキ反応させた。このメッキ反応の開始時のpHは4であった。メッキ反応が進行するにつれて還元剤である次亜リン酸ナトリウムが消費され、Hが生成されるが、常に水酸化ナトリウム溶液が適性濃度で供給滴下されるので、徐々にpHは上昇し、反応終了近くでは酒石酸ナトリウムと水酸化ナトリウムで形成される緩衝系に固有のpH6に近づいた。このメッキ反応中、著しい凝集はなく、仕込んだNiイオンが全て芯材粒子上に沈着したことを市販のNiイオンテスターで確認し、さらに、水素の発生がなくなることを確認してメッキ反応を終了させた。その後、メッキした粒子を濾過し、洗浄し、80°Cで乾燥させた。こうして得られたNiメッキ粒子の断面をミクロトームで切り出し、20万倍の透過型電子顕微鏡で観察すると共に、Ni被膜中のP含有量をEDXで分析した。その結果、このNiメッキ粒子1のNi被膜3の厚みは180nmであり、Ni被膜3におけるPとNiの含有比P/Niは、図1に示すように、その芯材粒子2側の界面からNi被膜3の厚みの約10の部位aで0.25であり、Ni被膜3の厚みの中央部bで0.1であり、Ni被膜の表面3xからNi被膜3の厚みの約10の部位cで0.05であった。また、このNiメッキ粒子1は、図2に示すように、均質で微細なNi粒子が緻密に沈着している、良好な表面状態を有していた。実施例2実施例1と同様にしてパラジウムを担持した芯材粒子のスラリーpH4を調製した。一方、Niメッキ液として、硫酸ニッケルの22.4溶液と、次亜リン酸ナトリウム22.4と水酸化ナトリウム12を含む溶液の2液を調製し、このNiメッキ液を用いて実施例1と同様にメッキ反応を行った。本実施例においてもメッキ反応中、著しい凝集はなかった。仕込んだNiイオンが全て芯材粒子上に沈着したことを市販のNiイオンテスターで確認し、さらに、水素の発生がなくなることを確認してメッキ反応を終了させた。メッキ反応終了時のpHは6であった。次いで、実施例1と同様にして、粒子を濾過し、洗浄し、乾燥することによりNiメッキ粒子を得た。得られたNiメッキ粒子の断面をミクロトームで切り出し、20万倍の透過型電子顕微鏡で観察すると共に、Ni被膜中のP含有量をEDXで分析した。その結果、このNiメッキ粒子のNi被膜の厚みは170nmであり、このNi被膜におけるPとNiの含有比P/Niは、その芯材粒子側の界面からNi被膜の厚みの約10の部位aで0.15であり、Ni被膜の厚みの中央部bで0.05であり、Ni被膜の表面からNi被膜の厚みの約10の部位cで0.02であった。また、このNiメッキ粒子は、均質で微細なNi粒子が緻密に沈着している、良好な表面状態を有していた。実施例3実施例1と同様にしてパラジウムを担持した芯材粒子のスラリーpH4を調製した。一方、Niメッキ液として、硫酸ニッケルの22.4溶液と、次亜リン酸ナトリウム22.4と水酸化ナトリウム3を含む溶液の2液を調製し、このNiメッキ液を用いて実施例1と同様にメッキ反応を行った。本実施例においてもメッキ反応中、著しい凝集はなかった。仕込んだNiイオンが全て芯材粒子上に沈着したことを市販のNiイオンテスターで確認し、さらに、水素の発生がなくなることを確認してメッキ反応を終了させた。メッキ反応終了時のpHは6であった。次いで、実施例1と同様にして、粒子を濾過し、洗浄し、乾燥することによりNiメッキ粒子を得た。得られたNiメッキ粒子の断面をミクロトームで切り出し、20万倍の透過型電子顕微鏡で観察すると共に、Ni被膜中のP含有量をEDXで分析した。その結果、このNiメッキ粒子のNi被膜の厚みは180nmであり、このNi被膜におけるPとNiの含有比P/Niは、その芯材粒子側の界面からNi被膜の厚みの約10の部位aで0.40であり、Ni被膜の厚みの中央部bで0.20であり、Ni被膜の表面からNi被膜の厚みの約10の部位cで0.15であった。また、このNiメッキ粒子は、均質で微細なNi粒子が緻密に沈着している、良好な表面状態を有していた。比較例1硫酸でpH調整をしない以外は実施例1と同様にしてパラジウムを担持した芯材粒子のスラリーを調製したpH6。一方、Niメッキ液として、硫酸ニッケルの22.4溶液と、次亜リン酸ナトリウム22.4と水酸化ナトリウム12を含む溶液の二液を調製し、このNiメッキ液を用いて実施例1と同様にメッキ反応を行った。メッキ反応は、終始pH6前後で進行した。メッキ反応初期から凝集が著しく、界面活性剤をさらに数添加したが、凝集を完全に防止することはできなかった。仕込んだNiイオンが全て芯材粒子上に沈着したことを市販のNiイオンテスターで確認し、さらに、水素の発生がなくなることを確認してメッキ反応を終了させた。実施例1と同様にして、粒子を濾過し、洗浄し、乾燥することによりNiメッキ粒子を得た。得られたNiメッキ粒子の断面をミクロトームで切り出し、20万倍の透過型電子顕微鏡で観察すると共に、Ni被膜中のP含有量をEDXで分析した。その結果、このNiメッキ粒子のNi被膜の厚みは170nmであり、このNi被膜におけるPとNiの含有比P/Niは、その芯材粒子側の界面からNi被膜の厚みの約10の部位a、Ni被膜の厚みの中央部b、Ni被膜の表面からNi被膜の厚みの約10の部位cのいずれでも0.05という低い値となっていた。また、Ni被膜の表面状態は、滑らかではなく、粗い状態であった。比較例2硫酸でpH調整をしない以外は実施例1と同様にしてパラジウムを担持した芯材粒子のスラリーを調製したpH6。一方、Niメッキ液として、硫酸ニッケルの22.4溶液と、次亜リン酸ナトリウム22.4と水酸化ナトリウム8を含む溶液の二液を調製し、このNiメッキ液を用いて実施例1と同様にメッキ反応を行った。メッキ反応は、終始pH6前後で進行した。比較例1に比して、メッキ液中の水酸化ナトリウムの濃度が低いのでメッキ反応の速度が遅かった。また、凝集の状態は、比較的少なかった。仕込んだNiイオンが全て芯材粒子上に沈着したことを市販のNiイオンテスターで確認し、さらに、水素の発生がなくなることを確認してメッキ反応を終了させた。実施例1と同様にして、粒子を濾過し、洗浄し、乾燥することによりNiメッキ粒子を得た。得られたNiメッキ粒子の断面をミクロトームで切り出し、20万倍の透過型電子顕微鏡で観察すると共に、Ni被膜中のP含有量をEDXで分析した。その結果、このNiメッキ粒子のNi被膜の厚みは170nmであり、このNi被膜におけるPとNiの含有比P/Niは、その芯材粒子側の界面からNi被膜の厚みの約10の部位a、Ni被膜の厚みの中央部b、Ni被膜の表面からNi被膜の厚みの約10の部位cのいずれでも0.15であった。また、Ni被膜の表面状態は、比較的滑らかであった。