aガラス基材を準備する工程と、b化学蒸着CVD被覆を前記ガラス基材の少なくとも1つの表面に堆積させて、CVD被覆ガラスを製造する工程と、cさらなる被覆を、前記CVD被覆ガラスの表面にスパッタ堆積させる工程とを具える被覆ガラスの製造方法であって、前記さらなる被覆が、少なくとも3つの反射金属層を具えることを特徴とする、被覆ガラスの製造方法。前記反射金属層の1つ以上が銀を含む、請求項1に記載の方法。少なくとも1つの誘電体層が、各反射金属層の間に堆積される請求項1又は2に記載の方法。前記CVD被覆が1つ以上の層を具える、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記CVD被覆が、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ及び/又は酸化亜鉛の1つ以上を含むドープした又は未ドープの酸化物を含む、請求項4に記載の方法。前記CVD被覆の各層が、10~50nmの間の厚さで堆積される請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記CVD被覆が、ガラス製造工程時に堆積される請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記ガラス基材が、フロートガラス基材を含む請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。ガラス基材の前記表面が、気体側の表面である請求項8に記載の方法。前記さらなる被覆を堆積させる工程が、少なくとも1つの金属保護層をスパッタ堆積させる工程を含む請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。前記1つの又は複数の誘電体層が、AlNx、SiNx、SixAlyNz、ZnxSnyOz、ZnO、SnOx、TiOx、及びZnxAlyOz又はその混合物を含む請求項3~10のいずれか一項に記載の方法。1つの又はそれぞれの反射金属層が、6~30nmの間の厚さで堆積される請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。aガラス基材と、b前記基材の少なくとも1つの表面上のCVD堆積被覆と、c前記CVD堆積被覆上のさらなるスパッタ堆積被覆とを具える被覆ガラスであって、前記スパッタ堆積被覆が、少なくとも3つの反射金属層を具えることを特徴とする、被覆ガラス。本発明の目的は、従来技術のかかる問題に対処することにある。従って、本発明は、aガラス基材を準備する工程と、b化学蒸着CVD被覆を前記ガラス基材の少なくとも1つの表面に堆積させて、CVD被覆ガラスを製造する工程と、cさらなる被覆を、前記CVD被覆ガラスの表面にスパッタ堆積させる工程とを具える被覆ガラスの製造方法であって、前記さらなる被覆が、少なくとも3つの反射金属層を具えることを特徴とする、被覆ガラスの製造方法を提供する。この発明の大きな利点は、この発明により、多層被覆積層体の基盤被覆をスパッタ被覆の前に作製することができ、スパッタ被覆ラインで必要とされるカソードをより少なくすることができるという点にある。また、複数のスパッタ層を、CVD被覆に置き換えることもできる。多くの場合、CVD被覆を有する積層体は、強化可能である。もし、最初に又は最初のほとんどに、誘電体の配列を、CVDによって付与することができれば例えば、ガラス製造時に、多数のカソードを省くことができる。これは、以前はできなかった、設備内で完全な被覆積層体を作製し得ること、又は、既にそれを作製することができた設備内での堆積がより早くなることを確実にする。またこれによって、フィルムが、製造するのに経済的に実行可能なものとなる。好ましくは、スパッタ被覆における前記反射金属層の少なくとも1つ、及び好ましくはそのそれぞれが、銀を含む。通常は、少なくとも1つの誘電体層を、各反射金属層の間に堆積させる。通常、CVD被覆は、1つ以上の層を具える。かかる層は、酸化ケイ素例えばオキシ炭化ケイ素、シリカ、又はオキシ窒化ケイ素など、酸化チタンドープした、又は未ドープのもの、酸化スズ例えばFでドープした、又は未ドープのもの、及び/又は酸化亜鉛ドープした、又は未ドープのものの1つ以上から選択することができる。最も好適なCVD被覆は、酸化チタンの層で上塗りされた酸化ケイ素の層を具える。通常は、CVD堆積被覆の各層を、10~50nmの間の厚さで堆積する。好ましくは、CVD被覆の各層の厚さは、15~30nmの間であり、より好ましくは15及び25nmである。CVD被覆をガラス製造工程時に堆積させるのであれば、特に有益である。ガラス基材がフロートガラス基材を含む場合には、フロート浴、焼きなまし炉、又は焼きなまし炉のギャップのいずれかでのフロートガラスの堆積工程時に、都合よくCVD被覆を堆積させることができる。CVD被覆の方法は、任意の化学蒸着法、特に大気圧化学蒸着例えば、フロートガラスの堆積工程時に行われるようなオンラインのCVDである。通常、ガラス基材のかかる表面は、気体側の表面である。気体側の表面への堆積によって被覆の特性が改善されると考えられていることから、被覆ガラスの製造業者は、通常、フロートガラスにおけるスズ側の表面とは反対の気体側の表面上に被覆を堆積させることを選ぶ。好ましくは、CVD堆積被覆上にさらなる被覆を堆積させる工程が、少なくとも1つの金属又はセラミックターゲットからArスパッタした酸化物の例えば、NiCr、Ti、Zn、Zr、Sn、Nb、ITO、ZAO、TiOxの保護層をスパッタ堆積させる工程を含む。スパッタ被覆における誘電体層は、通常、TiOx、ZnxSnyOz、ZnO、SnOx、ZnxAlxOz、AlNx、SiNx又はSixAlyNzから選択されるが、その他の多くの透明な誘電体材料から選択することもできる。通常、各反射金属層は、1つ以上の任意の保護的な例えば、金属又はアルゴンスパッタした誘電体の層を有する誘電体層の間に堆積される。スパッタ被覆は、3つを上回る例えば、4つ、5つ、又は6つのさらなる反射金属層を、各反射金属層が好適に誘電体層及び任意に金属保護層の間に挟まれて、1つ以上具えることができる。ガラス表面に最も近い反射金属層は、通常、CVD被覆上に堆積される。即ち、通常、CVD被覆は光学的に、第一の誘電体としての機能を果たす。任意の第二の誘電体層を、熱分解/CVD誘電体及びスパッタ金属層の間に、マグネトロンスパッタリングにより付与してもよい。通常は、反射金属層を、6~30nmの間の厚さで堆積させる。本発明の第一の態様により製造した被覆ガラスは、ガラスを使用する多くの分野において、用途を見出す。従って、本発明は、第二の態様において、aガラス基材と、b前記基材の少なくとも1つの表面上のCVD堆積被覆と、c前記CVD堆積被覆上のさらなるスパッタ堆積被覆とを具える被覆ガラスであって、前記スパッタ堆積被覆が、少なくとも3つの反射金属層を具えることを特徴とする、被覆ガラスを提供する。CVD被覆したガラス上にスパッタ被覆を堆積させた以下の実施例により、本発明を説明する。2セットの実験を行った。第1の比較例のセットは、一般形態のガラス/Di/Ag/Diである単層の銀の被覆積層体を用い、また、第2の実施例のセットは、ガラス/Di/Ag/Di/Ag/Di/Ag/Diの形態である三層の銀の被覆積層体を用いた。両積層体におけるDiは、1つ又はいくつかの誘電体材料の層から構成することができる誘電体層を表す。その例としては、これらに限定されないが、Ti、Zn、Sn、Al、Si、Zrの酸化物若しくは窒化物又はこれらの混合物が挙げられる。全ての基材を、Bentler平床式洗浄機を通過させることにより、同一の方法で調製した。かかる洗浄機は、温水と、純水及びエアーナイフ乾燥機を用いて仕上げる多段洗浄工程とを用いる。全ての試料を、同一の運転にて、同一の被覆積層体で被覆した。被覆設備は、DC及びMFの電源に接続された3400cm2のWSM及びSDMのマグネトロンを具えるVonArdenneGC120V/CSEであった。純粋なArでスパッタする場合には、DC電源を用いた。比較例1における被覆積層体は、以下の設計を基礎とした:ガラス/30ZnSnOx/5ZnO/12Ag/1.5NiCrOx/3ZAO/10ZnSnOx/25SiN厚さは全てnmである。この積層体を、プレーンガラス基板上に用いた。さらなる比較例2は、PilkingtonActiv登録商標のガラス/25nmSiO2/15nmTiO2のCVD二重層のCVD被覆ガラスを用いて作製した積層体で構成された。比較例2における光学的厚さは、全てスパッタした試料のそれよりも小さかったであろうから、スパッタリングによって5nmのZnSnOxを加えて、基盤誘電体を完成した。結果は以下の通りであった:AD=堆積させたとき;HT=加熱処理後鏡面ヘイズ時として、関連する特定の色の外観を表現するために、赤ヘイズ又は白ヘイズとも呼ばれるは、被覆ガラスの表面の大部分を覆う乳状の又は微細な斑点の模様と考えてもよい。この名前が示唆するように、その本質は、大部分が、しかし完全にではないが、散乱性というよりはむしろ鏡面反射性のようである。これは、かかる模様が、その挙動に対して強力な角度成分を頻繁に有すること、即ち、照明及びオブザーバーの視野角が法線入射であれば鏡面ヘイズは顕著となり得る一方、照明が45°等の全く異なる角度に移動すればそうとはなり得ないことを意味する。加熱後、及びガラスを室温に冷却させた後、暗い背景に対する強力なランプでの照明により、被覆した試料を肉眼で評価した。鏡面ヘイズのレベルを、他の試料及び経験と対照して、数値的にランク付けした。鏡面ヘイズを全く示さない試料は、ゼロとランクした。ゼロでない鏡面ヘイズ値を得ることが一般的であるが、低い値であることは、ヘイズが均一に及びランダムに分散されている限り、問題ではない。非常に高いヘイズの模様に集中し、又はその領域を有する場合には、視覚的に気が散るものとなり、容認できない。ヘイズが局所的及び/又は不均一なこれらの模様は、斑点、汚点、又はしみとなって現れ得る。全てスパッタした基盤誘電体を有する積層体は、良好なシート抵抗の降下及び可視透過率の増加を有するが、鏡面ヘイズのレベルは、全体的に容認できるものではない。Activ登録商標のCVD被覆もまた、より高い値ではあるが、シート抵抗の降下及び透過率の増加を示す。しかしながら、Avtivベースのフィルムは、容認できないヘイズには発展せず-実際、ヘイズはとても低い。全てのPilkingtonActiv登録商標の基材は、容認できる性能を示している。同時に、25nmの基盤誘電体積層体の全ての誘電体の厚さのおよそ30を堆積させる必要性を除去している。単層の銀の被覆積層体において、このことは、積層体における他の層により多くのカソードを用いることができ、また、より高いライン速度と、従ってより高い生産とを可能にし、より有益な固定資産の使用をもたらすことを意味する。本発明の実施例における被覆積層体は、比較例と同一の材料及びほとんど同一の配列を基礎としたが、配列を繰り返して、ガラス/Di/Ag/Di/Ag/Di/Ag/Diの形態である三層の銀の被覆積層体を作製した。この場合においては、全ての基部の誘電体層を、PilkingtonActiv登録商標に完全に置き換えた。種々の実験において、被覆積層体の設計におけるわずかな変更を行った。これらを以下の表に示す。これらの積層体は、以下の性能データとなった:ヘイズレベルは高かったが、日中に観察した場合に容認可能なものであった。CVD被覆は、設計からの3つの独立した被覆層の代わりとしての機能を果たした。これらの層のいくつかは、異なった反応性ガスを要するであろうから、ガスのポンピング部分もまた除去された。CVD基層を用いる本来の被覆設備は、おそらく少なくとも7つのカソードの配置が省かれたであろう。使用した堆積条件は以下の通りであり、試料の移動速度を変えて、被覆積層体の各層における適切な厚さを与えた。基材から最も離れたSiN層における第二の値である。