"処理チャンバ内部に配置された基板を処理する方法であって、ある流量の1つまたは複数のオルガノシリコン化合物と、ある流量の1つまたは複数のポロゲン化合物とを含む混合ガスを前記処理チャンバ内に流し、高周波RF電力を前記処理チャンバに印加することによって前記基板上に開始層を堆積させること、前記開始層の上に第1の遷移層を堆積させるために、前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物の流量を、前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物の最終的な流量に達するまで上昇させること、および前記第1の遷移層の上に第2の遷移層を堆積させるために、最終的な流量の前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物を流しながら、前記1つまたは複数のポロゲン化合物の流量を、前記1つまたは複数のポロゲン化合物の最終的な流量に達するまで上昇させることを含み、前記開始層ならびに前記第1および第2の遷移層の堆積を、約0.1W/sccm~約0.3W/sccmの間の総流量に対するRF電力の比で行う方法。前記開始層の堆積を、約0.5秒~約5秒の範囲の期間にわたって行う、請求項1に記載の方法。前記第1の遷移層および第2の遷移層の堆積を、それぞれ、約1秒~約5秒および約1秒~約10秒の範囲の期間にわたって行う、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物を、約200mgm~約700mgmの間の流量で前記チャンバ内に導入し、前記1つまたは複数のポロゲン化合物を、約200mgm~約1600mgmの間の流量で前記チャンバ内に導入する、請求項1に記載の方法。前記開始層ならびに前記第1および第2の遷移層の堆積を、1000Å/分~約3500Å/分の間の堆積速度で、約350W~約500Wの間の低いRF電力で行う、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物の流量を上昇させることは、約600mgm/秒~約1500mgm/秒の間の上昇率で行われ、前記1つまたは複数のポロゲン化合物の流量を上昇させることは、約200mgm/秒~約600mgm/秒の間の上昇率で行われる、請求項1に記載の方法。前記混合ガスが、さらに、オゾン、酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、水、亜酸化窒素、2,3-ブタンジオン、およびそれらの混合物からなる群から選択される1つまたは複数の酸化ガスと、ヘリウム、アルゴン、または窒素からなる群から選択される不活性ガスとを含む、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物が、メチルジエトキシシランmDEOS、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTS、トリメチルシランTMS、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルジシロキサン、テトラシラノ-2,6-ジオキシ-4,8-ジメチレン、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサンHMDS、1,3-ビスシラノメチレンジシロキサン、ビス1-メチルジシロキサニルメタン、ビス1-メチルジシロキサニルプロパン、ヘキサメトキシジシロキサンHMDOS、ジメチルジメトキシシランDMDMOS、ジメトキシメチルビニルシランDMMVS、およびそれらの誘導体からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。前記1つまたは複数のポロゲン化合物が、ノルボルナジエンBCHD、ビシクロ2,2,1ヘプタ-2,5-ジエン、1-メチル-4-1-メチルエチル-1,3-シクロヘキサジエンATPまたはα-テルピネン、ビニルシクロヘキセンVCH、酢酸フェニル、ブタジエン、イソプレン、シクロヘキサジエン、ビシクロヘプタジエン、1-メチル-4-1-メチルエチル-ベンゼンシメン、3-カレン、フェンコン、リモネン、シクロペンテン酸化物、ビニル-1,4-ジオキシニルエーテル、ビニルフリルエーテル、ビニル-1,4-ジオキシン、ビニルフラン、フロン酸メチル、ギ酸フリル、酢酸フリル、フルアルデヒド、ジフリルケトン、ジフリルエーテル、ジフルフリルエーテル、フラン、1,4-ジオキシン、およびそれらのフッ化炭素誘導体からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。処理チャンバ内部に配置された基板を処理する方法であって、ライナ/バリア層を支持する基板を提供すること、前記ライナ/バリア層の上に、炭素含有酸化物接着層を、約1000Å/分~約3500Å/分の間の堆積速度で堆積させることであって、ある流量の1つまたは複数のオルガノシリコン化合物と、ある流量の1つまたは複数のポロゲン化合物とを含む混合ガスを前記処理チャンバ内に流し、13.56MHzで約300W~約600Wの高周波RF電力レベルを前記処理チャンバに印加することによって前記基板上に開始層を堆積させること、前記開始層の上に第1の遷移層を堆積させるために、前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物の最終的な流量に達するまで、前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物の流量を上昇させること、および前記第1の遷移層の上に第2の遷移層を堆積させるために、最終的な流量の前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物を流しながら、前記1つまたは複数のポロゲン化合物の流量を、前記1つまたは複数のポロゲン化合物の最終的な流量に達するまで上昇させることを含む堆積させること、前記接着層の上に低誘電率フィルムを堆積させること、ならびに前記堆積された低誘電率フィルムを硬化させて、その中にナノポーラスを形成することを含む方法。開始層の堆積を、約0.5秒~約5秒の範囲の期間にわたって行い、前記第1の遷移層の堆積を、約1秒~約5秒の範囲の期間にわたって行い、前記第2の遷移層の堆積を、約1秒~約10秒の範囲の期間にわたって行う、請求項10に記載の方法。前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物を、約200mgm~約700mgmの間の流量で前記チャンバ内に導入し、前記1つまたは複数のポロゲン化合物を、約200mgm~約1600mgmの間の流量で前記チャンバ内に導入する、請求項11に記載の方法。前記開始層ならびに前記第1および第2の遷移層を、厚さが約50Å~約300Åの範囲内となるように堆積させる、請求項10に記載の方法。前記1つまたは複数のオルガノシリコン化合物の流量を上昇させることは、約600mgm/秒~約1500mgm/秒の間の上昇率で行われ、前記1つまたは複数のポロゲン化合物の流量を上昇させることは、約200mgm/秒~約600mgm/秒の間の上昇率で行われる、請求項10に記載の方法。前記開始層ならびに前記第1および第2の遷移層の堆積を、約0.1W/sccm~約0.3W/sccmの間の総流量に対する前記RF電力の比で行う、請求項10に記載の方法。本発明は、低誘電率フィルムを堆積させる方法を提供する。低誘電率フィルムは、ケイ素、酸素、水素、および炭素を含む。本発明のいくつかの実施形態は、接着層の厚さを減少させることによって、超低誘電率フィルムスタックに対する接着層のKインパクト誘電率を大幅に低下させることができることが実証されている。接着層の厚さを約200Å以下に減少させることによって、超低誘電フィルムスタック<2kÅの厚さ不均一性も2未満に減少される。以下に論じるように、改良された酸化物接着層は、総流量を高めることと組み合わせて、堆積速度を低下させ、かつプラズマ密度を下げて堆積されることにより、フィルム堆積中の共堆積種の充填/秩序化が改善され、これは、機械的強度を高め、多孔率を低下させる。改良された接着層は、下にあるバリア/ライナ層に対する超低誘電率フィルムの接着性を改良するための高い接着エネルギーを提供する。得られる低誘電フィルムは、ナノメートルサイズの孔と、より密な細孔径分布とを有する。低誘電率フィルムは、約3.0以下、好ましくは約2.5以下の誘電率を有する。低誘電率フィルムは、少なくとも約6.5GPa以上の弾性係数を有することがある。図1Aは、本発明の実施形態に従って形成される誘電体フィルムスタック100の断面図を概略的に示す。ここには図示しないが、本発明の誘電体フィルムスタック100は、デュアルダマシン構造における金属間誘電体層として使用することができると考えられる。デュアルダマシン構造は、一般に、交互に、または望まれる順序で堆積された、1つまたは複数のナノポーラス金属間誘電体層図示せずと、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または水素化アモルファス炭化ケイ素の1つまたは複数のエッチング停止層図示せずとを含むことがある。次いで、堆積されたフィルム層の上に、反射防止コーティング図示せずと、フォトレジスト層を備えるトレンチフォトマスク図示せずとが丁寧に堆積され、従来のフォトリソグラフィ技法によってパターン形成されて、銅など所望の金属で充填すべきメタライゼーション構造を現像する。デュアルダマシン形成プロセスは、望みの数の相互接続レベルを堆積させるために繰り返すことができる。本発明から利益を得ることができる例示的なデュアルダマシン構造は、全体を参照により組み込む、2009年6月16日にFrancimarSchmitt他に付与された、本願と同一の譲受人に譲渡された米国特許第7,547,643号にさらに記載されている。一般に、図1Aに示される誘電体フィルムスタック100は、ライナ/バリア層104を支持する基板102を備え、ライナ/バリア層104は、後続の接着層106と、下にある基板表面103、および基板表面103上に形成された金属ライン108との間の絶縁層として働く。接着層106の上に低誘電率層110が堆積され、低誘電率層110は、キャップ層112によってキャップされる。本発明の様々な実施形態によるそのような誘電体フィルムスタック100を堆積させる方法を、図1Bに関連付けて図2に関して簡単に説明する。オルガノシリケート層を堆積させるための例示的なプロセス図2は、本発明の一実施形態による誘電体フィルムスタック100を堆積させる方法を示すプロセス流れ図200である。一般に、典型的な有孔誘電体フィルムは、Siバックボーンとなる1つまたは複数のオルガノシリコン化合物と、犠牲ポロゲンとして働く熱的に不安定な基を有する1つまたは複数の不飽和の非シリコン化合物とを同時に堆積することを必要とする。ステップ202で、プラズマ化学気相堆積PECVDプロセスを行うことができる処理チャンバ内で、ライナ/バリア層104を支持する基板102が基板支持体上に位置決めされる。ライナ/バリア層104は、オルガノシラン化合物、アンモニア、酸素、および不活性ガスを含むプラズマからPECVDプロセスによって堆積させることができる。堆積プロセスは、当技術分野で知られている方法による処理チャンバ内での容量結合プラズマ、または誘導結合プラズマと容量結合プラズマの両方を含むことができる。プラズマは、He、Ar、およびN2などの不活性ガスを使用して発生させることができる。PECVD堆積では、プラズマの発生を支援するためにヘリウムなどの不活性ガスが一般に使用される。ステップ204で、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物と、1つまたは複数のポロゲン化合物と、1つまたは複数の酸化ガスとを含む組成を有する混合ガスが、シャワーヘッドなどガス分配プレートを通して処理チャンバ内に導入される。後続の堆積のための条件を安定させるために、RF電力の開始前に、酸素および/またはヘリウムの初期ガス組成物を処理チャンバ内に導入することができる。一実施形態では、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物は、約200ミリグラム/分~約5000ミリグラム/分の間、例えば約350ミリグラム/分~約2500ミリグラム/分の間の流量でチャンバ内に導入される。1つまたは複数の酸化ガスは、約100sccm~約1000sccmの間、例えば約125sccm~約550sccmの間の流量でチャンバ内に導入される。1つまたは複数のポロゲン化合物は、約50ミリグラム/分~約5000ミリグラム/分の間、例えば約150グラム/分~約1500グラム/分の間の流量でチャンバ内に導入される。チャンバ内でのプラズマ処理条件を実現するために、高周波RF電力が、シャワーヘッドなどの電極に印加される。適切なRF電力は、約13.56MHzの周波数で約10W~約2000W、例えば約300W~約600Wの範囲内の電力でよい。混合ガスは、RF電力の存在下においてチャンバ内で反応させられて、酸化物層を備える開始層106aを堆積させ、酸化物層は、下にあるライナ/バリア層104に強く接着する。混合ガスは、任意選択で、1つまたは複数のキャリアガスを含むことができる。典型的には、1つまたは複数のキャリアガスは、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物および1つまたは複数のポロゲン化合物と共に処理チャンバ内に導入される。使用することができるキャリアガスの例としては、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素、およびそれらの組合せが挙げられる。キャリアガスとしてヘリウムが使用される一実施形態では、ヘリウムガスは、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物と共に約1500sccm~約8000sccmの間、例えば約3500sccm~約5500sccmの間の流量でチャンバ内に導入される。また、ヘリウムガスは、1つまたは複数のポロゲン化合物と共に、約300sccm~約1800sccm、例えば約700sccm~約1250sccmの間の流量でチャンバ内に導入される。開始層106aは、一般に、酸化ケイ素層を含む。以下に論じるように、開始層106aと、第1の遷移層106bおよび第2の遷移層106c図1Bとが、接着層106を構成し、接着層106は、下にあるライナ/バリア層104と後続の低誘電率層110との間の接着性を高める。一実施形態では、堆積期間が、フィルム全体の粘着性を保証するのに十分に長い限り、開始層堆積は、約0.5秒~約10秒の間の時間範囲を有することがある。一例では、開始層堆積は、約1秒間であることがある。開始層106aは、約5Å~約100Å、好ましくは約10Å~約50Åの範囲内の厚さに堆積させることができる。本開示で述べる様々な期間の時間は、特定の実施形態の必要性に応じて調節することができると考えられる。例えば、約0.5秒~約10秒の時間範囲を述べるが、いくつかの実施形態では、開始期間は、0秒間であることがある。0秒の開始期間は、ガスストリームの流量の変化が、ガスストリームをチャンバに導入した直後に始まることを意味する。すなわち、開始期間のない実施形態が考えられる。低誘電率層110の堆積前に、ガス分配プレートで生じるシリコンの流れとポロゲンの流れとの望ましくない気相反応によって望ましくない粒子クラスタがフィルムに形成されるのを防止するために、別個の遷移ステップが行われる。また、チャンバ内への液体の滑らかな遷移が、炭素バンプの発生を大幅に減少させることができることも観察されている。これらの問題は、望ましい勾配率で2つの液体前駆体すなわちオルガノシリコン化合物とポロゲン化合物の遷移を分けることによって対処することができる。個別の遷移ステップの第1の期間206中または単にステップ206と表す、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物の流量は、PF電力の存在下で、所定のオルガノシリコン化合物ガス混合に達するまで、約100mgm/秒~約5000mgm/秒の間、例えば約800mgm/秒~約1200mgm/秒の間、例えば約1000mgm/秒の上昇率で徐々に増加されて、開始層106aの上に第1の遷移層106b図1B参照。図1Bは、図1Aに示されるフィルムスタックの断面の拡大図であるを堆積させる。ヘリウムキャリアガスが使用される実施形態では、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物およびヘリウムガスの流量は、約2500sccm~約4000sccmの範囲まで減少させることができる。一実施形態では、第1の遷移層の堆積は、約0.5秒~約10秒の間の時間範囲を有することがある。一例では、第1の遷移層の堆積時間は、約1秒であることがある。第1の遷移層106bは、約10Å~約300Åの範囲内、例えば約50Å~約200Åの範囲内の厚さに堆積されることがある。遷移ステップの第2の期間208中または単にステップ208と表す、所定のオルガノシリコン化合物ガス混合を一定に保ちながら、1つまたは複数のポロゲン化合物の流量が、所定の最終的なガス混合に達するまで、約100mgm/秒~約5000mgm/秒の間、例えば約200mgm/秒~約350mgm/秒の間、例えば約300mgm/秒の上昇率で徐々に増加され、第1の遷移層106bの上に第2の遷移層106c図1Bを堆積させる。ヘリウムキャリアガスが使用される実施形態では、1つまたは複数のポロゲン化合物およびヘリウムガスの流量は、約800sccm~約2000sccmの範囲まで増加させることができる。一実施形態では、第2の遷移層の堆積は、約1秒~約180秒の間の時間範囲を有することがある。一例では、第2の遷移層の堆積時間は、約3秒であることがある。第2の遷移層106cは、約10Å~約600Å、好ましくは、約100Å~約400Åの範囲内の厚さに堆積させることができる。開始層106aと、第1の遷移層106bおよび第2の遷移層106cとの堆積期間により、好ましくは、図示されるようにフィルムスタック106a、106b、106cの薄い部分106が堆積される。フィルムスタックのこの薄い部分106は、下にあるバリア/ライナ層に対する超低誘電率フィルムの接着性を向上させるための接着層として働く。ほとんどの実施形態において、この部分の厚さは、約半分、例えば約200オングストローム未満減少される。フィルムスタック106a、106b、106cの薄い部分106の堆積は、比較的短い期間および/または低い堆積速度で実現することができる。一実施形態では、フィルムスタックの薄い部分のための堆積速度は、約1000オングストローム/分~約3500オングストローム/分の間、例えば約2500オングストローム/分である。フィルムスタック106a、106b、106cの薄い部分106は、2000オングストローム未満の厚さを有する超低誘電率ナノポーラスフィルムスタック106a、106b、106c、110のかなりの部分を成すので、フィルムスタックの薄い部分の厚さを減少させることによって、誘電体フィルムスタック100の厚さ不均一性を2未満に減少させることができる。最も重要なことに、フィルムスタック106a、106b、106cの薄い部分106の厚さの減少は、ナノポーラスフィルムスタック全体に対するKインパクトを最小限にする。ステップ210で、最終的な混合ガス組成に達した後、ある流量の1つまたは複数のオルガノシリコン化合物と、ある流量の1つまたは複数のポロゲン化合物とを含む最終的な混合ガスのプラズマが発生されて、ポロゲン含有オルガノシリケート誘電体層、すなわち低誘電率層110を堆積させる。一実施形態では、低誘電率層の堆積は、約15秒~約180秒の間の時間範囲を有することがある。一例では、最終層の堆積時間は、約130秒であることがある。低誘電率層110は、RF電力が終了されるまで、約200Å~約10000Åの範囲内の厚さに堆積させることができる。理論に束縛されることを望まずに、オルガノシリコン化合物とポロゲン化合物の上昇率を分けることによって、より安定で、製造性の高いプロセスを得て、炭素バンプなど欠陥の問題がかなり少ないオルガノシリケート誘電体層を生成することができると考えられる。あるいは、ステップ208、すなわち第2の遷移層106cの堆積を、ステップ210、すなわち最終的なポロゲン酸化ケイ素層の堆積と組み合わせることができる。そのような実施形態では、ポロゲン酸化ケイ素層の堆積中、所定のオルガノシリコン化合物混合ガスを流す一方で、ポロゲン化合物の流量は連続的に上昇される。ステップ208とステップ210の組合せは、約1秒~約180秒の間の時間範囲を有することができる。このようにして、最終的なポロゲン酸化ケイ素層は、ポロゲン酸化ケイ素層が堆積されるにつれて酸化ケイ素層内のポロゲンの濃度が増加するようなポロゲンの勾配濃度を有することができる。この勾配層は、RF電力が終了されるまで、約50Å~約10000Å、好ましくは約100Å~約5000Åの範囲内の厚さに堆積させることができる。上述したプロセス中、基板は、典型的には、約100°C~約400°Cの間、例えば約200°C~約350°Cの間の温度で維持される。チャンバ圧力は、約1Torr~約20Torrの間、例えば約7Torr~約9Torrの間でよく、基板支持体とチャンバシャワーヘッドとの間隔は、約200ミル~約1500ミル、例えば約280ミル~約450ミルの間でよい。300mmの基板に関して、約100W~約600Wの間のRF電力レベルを使用することができる。RF電力は、約0.01MHz~約300MHzの間、例えば約13.56MHzの周波数で提供される。RF電力は、約13.56MHzの高い周波数と約350kHzの低い周波数など、混合周波数で提供することができる。基板の加熱を減少させ、堆積されたフィルム内での多孔率を高めるために、RF電力をサイクルまたはパルスさせることができる。また、用途に応じて、RF電力は連続でも不連続でもよい。特定の実施形態では、総流量を高め、かつプラズマ密度を下げる。より低いプラズマ密度を得るために、約300W~約600W、例えば約350W~約500Wの間のRF電力レベルを使用することができる。約350W~約500Wの間のRF電力レベルが使用される場合、約0.1W/sccm~約0.3W/sccmのRF電力/総流量が好ましい。あるいは、約0.2W/cm3~約0.5W/cm3のRF電力/総体積流量が好ましい。本明細書で使用する用語総流量または総体積流量は、前に論じたように、堆積中に処理チャンバ内に導入される混合ガスおよび任意選択のキャリアガスの流量/体積を表すものと意図される。総流量を高めると同時にプラズマ密度を下げることにより、フィルム堆積中に、共堆積種をより高密度で充填することができ、それにより、機械的な強度が高まり、細孔径<10Åが減少し、かつ細孔径分布がより密になることが本発明者らによって観察されている。これにより、後続のデバイス製造プロセスに対するフィルムの耐損傷性を増加させることによって、フィルムの機械的な完全性が大幅に改良される。本明細書で述べる実施形態の任意のものにおいて、ポロゲン含有オルガノシリケート誘電体層は、オルガノシリコン化合物とポロゲンとを含むプロセスガス混合物から堆積される。オルガノシリケート層は、誘電体層として使用することができる。誘電体層は、デュアルダマシン構造または適切なデバイスの内部で様々なレベルで使用することができる。例えば、誘電体層は、プリメタル誘電体層、金属間誘電体層、またはゲート誘電体層として使用することができる。本発明の様々な実施形態に従って堆積されるオルガノシリケート層は、3.0未満、例えば約2.5の低誘電率を提供することができることが判明している。オルガノシリケート誘電体層を堆積させるために、様々なプロセスガス混合物を使用することができ、そのような混合ガスの非限定的な例を以下に提示する。一般に、混合ガスは、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物例えば第1および第2のオルガノシリコン化合物と、1つまたは複数のポロゲン化合物と、キャリアガスと、酸化ガスとを含む。炭化水素例えば脂肪族炭化水素などさらなる成分を含む多くの他の混合ガスが考えられるので、上記の成分は、限定的なものと解釈すべきではない。本明細書で使用する用語オルガノシリコン化合物は、有機基中の炭素原子を含むシリコン含有化合物を表すものと意図される。オルガノシリコン化合物は、1つまたは複数の環状オルガノシリコン化合物、1つまたは複数の脂肪族オルガノシリコン化合物、またはそれらの組合せを含むことができる。いくつかの例示的なオルガノシリコン化合物としては、以下のものが挙げられる。メチルジエトキシシランmDEOS、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTS、トリメチルシランTMS、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルジシロキサン、テトラシラノ-2,6-ジオキシ-4,8-ジメチレン、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサンHMDS、1,3-ビスシラノメチレンジシロキサン、ビス1-メチルジシロキサニルメタン、ビス1-メチルジシロキサニルプロパン、ヘキサメトキシジシロキサンHMDOS、ジメチルジメトキシシランDMDMOS、およびジメトキシメチルビニルシランDMMVS、またはそれらの誘導体。1つまたは複数のオルガノシリコン化合物は、約200ミリグラム/分~約5000ミリグラム/分の範囲内、例えば約350ミリグラム/分~約2500ミリグラム/分の間の流量で処理チャンバ内に導入することができる。本明細書で使用する用語ポロゲン化合物は、熱的に不安定な基を含む化合物を表すものと意図される。熱的に不安定な基は、不飽和環状有機基など、環状基でよい。本明細書で使用する用語環状基は、環状構造を表すものと意図される。環状構造は、原子を3つだけ含むこともある。原子は、例えば、炭素、窒素、酸素、フッ素、およびそれらの組合せを含むことがある。環状基は、1つまたは複数の単結合、二重結合、三重結合、およびそれらの任意の組合せを含むことがある。例えば、環状基は、1つまたは複数の芳香族、アリル類、フェニル類、シクロヘキサン類、シクロヘキサジエン類、シクロヘプタジエン類、およびそれらの組合せを含むことがある。環状基はまた、二環系または三環系でもよい。一実施形態では、環状基は、直鎖または分岐官能基に結合される。直鎖または分岐官能基は、好ましくは、アルキル基またはビニルアルキル基を含み、1~20個の炭素原子を有する。また、直鎖または分岐官能基は、例えば、ケトン、エーテル、およびエステル中に酸素原子を含むこともある。ポロゲンは、環状炭化水素化合物を含むことがある。使用することができるいくつかの例示的なポロゲンとしては、以下のものが挙げられる。ノルボルナジエンBCHD、ビシクロ2.2.1ヘプタ-2,5-ジエン、1-メチル-4-1-メチルエチル-1,3-シクロヘキサジエンATPまたはα-テルピネン、ビニルシクロヘキセンVCH、酢酸フェニル、ブタジエン、イソプレン、シクロヘキサジエン、ビシクロヘプタジエン、1-メチル-4-1-メチルエチル-ベンゼンシメン、3-カレン、フェンコン、リモネン、シクロペンテン酸化物、ビニル-1,4-ジオキシニルエーテル、ビニルフリルエーテル、ビニル-1,4-ジオキシン、ビニルフラン、フロン酸メチル、ギ酸フリル、酢酸フリル、フルアルデヒド、ジフリルケトン、ジフリルエーテル、ジフルフリルエーテル、フラン、および1,4-ジオキシン、ならびにそれらのフッ化炭素誘導体。1つまたは複数のポロゲン化合物は、約50ミリグラム/分~約5000ミリグラム/分の範囲内、例えば約150ミリグラム/分~約1500ミルグラム/分の間の流量で処理チャンバ内に導入することができる。前に論じたように、混合ガスは、任意選択で、1つまたは複数のキャリアガスを含むことができる。典型的には、1つまたは複数のキャリアガスは、1つまたは複数のオルガノシリコン化合物および1つまたは複数のポロゲン化合物と共に処理チャンバ内に導入される。使用することができるキャリアガスの例としては、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素、およびそれらの組合せが挙げられる。1つまたは複数のキャリアガスは、一部はチャンバの内部のサイズに依存して、約20000sccm未満の流量で処理チャンバ内に導入することができる。好ましくは、キャリアガスの流量は、約500sccm~約5000sccmの範囲内である。いくつかのプロセスでは、反応性プロセスガスが導入される前に、チャンバ内の圧力を安定化させるために、ヘリウムやアルゴンなど不活性ガスが処理チャンバ内に入れられる。また、混合ガスは、1つまたは複数の酸化ガスを含む。適切な酸化ガスとしては、酸素O2、オゾンO3、亜酸化窒素N2O、一酸化炭素CO、二酸化炭素CO2、およびそれらの組合せが挙げられる。酸化ガスの流量は、一部はチャンバの内部のサイズに依存して、約100sccm~約3000sccmの範囲内でよい。典型的には、酸化ガスの流量は、約100sccm~約1000sccmの範囲内、例えば約450sccmである。堆積チャンバに入る前にマイクロ波チャンバ内で、および/または堆積チャンバ内部でプロセスガスに印加されるRF電力によって、酸素または酸素含有化合物の解離が生じることがある。後処理プロセス低誘電率フィルムが堆積された後、フィルムが後処理される。フィルムを、熱アニーリングのみによって、またはUV放射による支援を伴って熱アニーリングによって後処理して、不安定な有機種を除去し、最終材料内に細孔インクルージョンを生成することができる。一実施形態では、低誘電率フィルムは、UV硬化プロセスで後処理される。UV後処理は、同じ処理チャンバまたはシステム内部でインシトゥで行うことができ、例えば真空を破壊することなく1つのチャンバから別のチャンバに移送される。使用することができる例示的なUV後処理条件は、約1Torr~約10Torrの間のチャンバ圧力と、約350°C~約500°Cの間の基板支持体温度とを含む。紫外線放射源を、基板表面から約100ミル~約1400ミルの間の位置に置くことができる。任意選択で、紫外線硬化プロセス中に処理ガスを導入することができる。適切な処理ガスとしては、酸素O2、窒素N2、水素H2、ヘリウムHe、アルゴンAr、水蒸気H2O、一酸化炭素、二酸化炭素、炭化水素ガス、フッ化炭素ガス、およびフッ化炭化水素ガス、またはそれらの組合せが挙げられる。UV放射は、任意のUV源、例えば、水銀マイクロ波アークランプ、パルスキセノンフラッシュランプ、または高効率UV発光ダイオードアレイによって提供されることがある。紫外線放射は、ある範囲の紫外線波長を含むことがあり、1つまたは複数の波長を同時に含むこともある。適切な紫外線波長は、約1nm~約400nmの間の波長を含み、さらに、約600nmまたは780nmまでの光波長を含むことができる。追加として、または代替として、紫外線放射は、複数の波長で、または調整可能な波長放出および調整可能な電力放出で、または望みであれば複数の波長の間で変調させて印加することができ、単一のUVランプから放出することも、紫外線ランプのアレイから印加することもできる。適切なUVランプの例としては、Xe充填Zeridex商標UVランプ、ウシオエキシマUVランプ、DSSUVランプ、またはHgアークランプが挙げられる。堆積された低誘電率フィルムは、約10秒~約600秒の間、例えば約60秒~約600秒の間、紫外線放射に露出される。UV放射は、例えば約170nm~約400nmの間の波長を有することがある。使用することができるUVチャンバおよび処理条件のさらなる詳細は、参照として本明細書に組み込む、本願と同一の譲受人に譲渡された2005年5月9日出願の米国特許出願第11/124,908号に記載されている。AppliedMaterials,Inc.からのNanoCure商標チャンバが、UV後処理のために使用することができる市販のチャンバの一例である。別の実施形態では、低誘電率フィルムは、熱アニーリングまたはプラズマアニーリングプロセスで後処理される。フィルムは、チャンバ内で、約200°C~約400°Cの間の温度で約2秒~約1時間、好ましくは約30分、アニーリングすることができる。ヘリウム、水素、窒素、またはそれらの混合物など非反応性ガスは、約100sccm~約10000sccmの流量で導入することができる。チャンバ圧力は、約1Torr~約10Torrの間で維持される。アニーリング中のRF電力は、約13.56MHzの周波数で約200W~約1000Wであり、好ましい基板間隔は、約300ミル~約800ミルの間である。低誘電率フィルムが堆積された後に、約200°C~約400°Cの基板温度で低誘電率フィルムをアニーリングすることで、フィルム内の有機基の少なくともいくらかを揮発させ、フィルム内に空隙を形成する。さらに別の実施形態では、低誘電率フィルムは、電子ビーム処理によって後処理される。使用することができる例示的な電子ビーム条件は、約200°C~約600°Cの間、例えば約350°C~約400°Cの間のチャンバ温度を含む。電子ビームエネルギーは、約0.5keV~約30keVでよい。照射線量は、約1μC/cm2~約400μC/cm2の間でよい。チャンバ圧力は、約1mTorr~約100mTorrの間でよい。チャンバ内のガス雰囲気は、以下のガスの任意のものでよい。窒素、酸素、水素、アルゴン、水素と窒素の混合、アンモニア、キセノン、またはこれらのガスの任意の組合せ。電子ビーム電流は、約0.15mA~約50mAの間でよい。電子ビーム処理は、約1分~約15分間行うことができる。任意の電子ビームデバイスを使用することができるが、使用することができる例示的な電子ビームチャンバは、AppliedMaterials,Inc.米国カリフォルニア州サンタクララから市販されているEBk商標電子ビームチャンバである。電子ビーム硬化プロセスは、堆積されたフィルムネットワークの機械的強度を改良し、また低誘電率値を低下させる。励起された電子ビームは、堆積されたフィルムの分子ネットワーク内の化学的結合を変化させ、1つの環を備えて環内に1つまたは2つの炭素-炭素二重結合を備える1つまたは複数の酸素を含まない炭化水素化合物の環からの有機成分など、分子基の少なくとも一部をフィルムから除去する。分子基の除去は、フィルム内部に空隙または孔を生成し、低誘電率値を低下させる。例示的なハードウェア図3は、炭素ドープ酸化ケイ素層を堆積させるための化学気相堆積CVDチャンバ300の概略断面図を示す。この図は、AppliedMaterials,Inc.によって現在製造されているPRODUCER登録商標チャンバの特徴に基づく。PRODUCER登録商標CVDチャンバ200mmまたは300mmは、炭素ドープ酸化ケイ素および他の材料を堆積させるために使用することができる2つの隔離された処理領域を有する。2つの隔離された処理領域を有するチャンバは、参照として本明細書に組み込む米国特許第5,855,681号に記載されている。堆積チャンバ300は、個別の処理領域318、320を画定するチャンバ本体302を有する。各処理領域318、320は、チャンバ300内部で基板図示せずを支持するためのペデスタル328を有する。ペデスタル328は、典型的には、加熱要素図示せずを含む。好ましくは、ペデスタル328は、ステム326によって各処理領域318、320内に可動に配置され、ステム326は、チャンバ本体302の底部を通って延在し、そこで駆動システム303に接続される。内部で移動可能なリフトピン図示せずが、好ましくは基板の下面に係合するようにペデスタル328内に提供される。リフトピンは、処理前に基板を受け取るため、または堆積後の基板を次のステーションへ移送するために持ち上げるために、リフトメカニズム図示せずによって係合される。また、各処理領域318、320は、好ましくは、処理領域318、320内にガスを送達するためにチャンバ蓋304に通して配置されたガス分配アセンブリ308を含む。各処理領域のガス分配アセンブリ308は、通常は、マニホールド348を通るガス入口経路340を含み、ガス入口通路340は、ガス分配マニホールド319からのガスを、ブロッカプレート346を通して、次いでシャワーヘッド342を通して送る。シャワーヘッド342は、複数のノズル図示せずを含み、処理中にガス状混合物がそれらのノズルを通して注入される。RF高周波供給装置325が、シャワーヘッド342にバイアス電位を提供して、シャワーヘッドとペデスタル328の間でのプラズマの発生を容易にする。堆積チャンバ300内で実施される堆積プロセスは、冷却された基板ペデスタル328上での非プラズマプロセスでも、プラズマプロセスでもよい。プラズマプロセスでは、典型的には、ペデスタル328が接地された状態でRF電源325からシャワーヘッド342に印加されるRFエネルギーによって、制御されたプラズマが基板に隣接して生成される。あるいは、RF電源325は、ペデスタル328に、または様々周波数で様々な構成要素に提供することができる。プラズマは、高周波RFHFRF電力、ならびに低周波RFLFRF電力例えば、二周波RF、一定のRF、パルスRF、または他の任意の、既知もしくは未発見のプラズマ発生技法を使用して発生させることができる。RF電源325は、約5MHz~約300MHzの間の単一周波RFを供給することができる。さらに、プロセスチャンバ内に導入されるプロセスガスの反応種の分解を高めるために、RF電源325は、約300Hz~約1000kHzの間の低周波RFも供給して、混合周波数を供給することができる。基板の加熱を減少させ、堆積されたフィルム内での多孔率を高めるために、RF電力をサイクルまたはパルスさせることができる。適切なRF電力は、約10W~約5000Wの範囲内、例えば約200W~約600Wの範囲内の電力でよい。適切なLFRF電力は、約0W~約5000Wの範囲内、例えば約0W~約200Wの範囲内の電力でよい。システムコントローラ334は、RF電源325、駆動システム303、リフトメカニズム、ガス分配マニホールド319、ならびに他の関連のチャンバおよび/または処理機能など、様々な構成要素の機能を制御する。システムコントローラ334は、好ましい実施形態ではハードディスクドライブであるメモリ338に記憶されているシステム制御ソフトウェアを実行し、アナログおよびデジタル入電力ボード、インターフェースボード、およびステッパモータコントローラボードを含むことができる。一般に、可動の機械的アセンブリを移動させて位置を決定するために、光センサおよび/または磁気センサが使用される。上記のCVDシステムの説明は、主に例示の目的のものであり、本発明の実施形態を実施するために他のプラズマ処理チャンバも採用することができる。本発明の実施形態は、分散された微小ガス空隙を有する超低誘電率ナノポーラスフィルムの堆積を実証する。前に述べた実施形態の任意のものにおいて、一般に、主層および/または接着層堆積プロセスに、以下のプロセスパラメータおよび範囲が有益である。接着層の堆積中、様々な遷移における1つまたは複数のオルガノシリコン化合物および1つまたは複数のポロゲン化合物の上昇率は、一般に、それぞれ800mgm/秒~1200mgm/秒の間、および約200mgm/秒~約350mgm/秒の間である。好ましくは、前に論じたように、フィルムの欠陥を防止するために、様々な遷移ステップ中にオルガノシリコン化合物とポロゲン化合物の流量の一方のみが変化している。図1Aおよび図1Bに関して上述した1つの特定の実施形態では、ポロゲン含有オルガノシリケート誘電体層を基板上に堆積させた。フィルムは、AppliedMaterials,Inc.米国カリフォルニア州サンタクララから市販されているPRODUCER登録商標システムにおいてPECVDチャンバすなわちCVDチャンバを使用して堆積させた。堆積中、チャンバ圧力を約6.5Torrの圧力で維持し、基板を約270°Cの温度で維持した。プロセスチャンバの内部に配置された基板支持体上に基板を位置決めした。チャンバシャワーヘッドから450ミルの位置に基板を位置決めした。300sccmの酸素と3800sccmのヘリウムとの初期ガス組成を有するプロセスガス混合物をチャンバ内に導入し、RF電力の開始前に流量を安定させた。その後、13.56MHzで約600WのRF電力レベルをシャワーヘッドに印加して、約600mgmの流量でチャンバ内に導入されるメチルジエトキシシランmDEOSを含む混合ガスのプラズマを発生させて、酸化ケイ素開始層を堆積させた。約1秒間のRF電力の開始後、mDEOSの流量を、約1秒間、約1000mgm/秒の上昇率で2200mgmまで増加させた。さらに、ヘリウムの流量を約3000sccmに減少させた。約2200mg/分の最終的なmDEOS流量に達して維持した後、ある流量のBCHDを、約1300mgmのポロゲン堆積流量に達するように約400mgm/秒の上昇率で約3秒間チャンバ内に導入した。また、最終的な混合ガス組成は、3000sccmのヘリウムと、225sccmの酸素とを含む。ポロゲン含有オルガノシリケート誘電体層の所望の厚さに達した後、RF電力を終了し、さらなる堆積を停止する。RF電力終了後、チャンバ絞り弁を開き、プロセスガス混合物をチャンバからポンプで排出することができるようにする。チャンバ内への液体前駆体の個別の遷移が、フィルム内の欠陥を減少させる。図4に示されるように、誘電体フィルムスタック内での元素濃度の深さプロファイルを分析するために、二次イオン質量分析法SIMSでの分析を行った。炭素の深さ分布は、フィルム内の炭素の滑らかな相推移を示し、これは、例示的なプロセスを使用してフィルム内に炭素バンプが生じなかったことを示唆する。上記の例の多くの変形形態を実施することができることが考えられる。例えば、他のオルガノシラン前駆体、ポロゲン前駆体、酸化ガス、および不活性ガスを使用することもできる。さらに、異なる流量および/または傾斜率を採用することもできる。用途に応じて、様々な前駆体の流量を調節して、フィルムの各部分例えば、開始層106aおよび/または遷移層106b、106cが堆積されるにつれて炭素含有量を変えることができ、それにより、堆積されたフィルムの初期の部分は、低い炭素含有量を有し、したがって酸化物状であり、後の部分は、より高い炭素含有量を有し、酸炭化物oxycarbide状になる。本発明の実施形態は、新規のプロセスパラメータを用いて堆積される接着層の厚さを減少させることによって、超低誘電フィルムスタックに対する酸化物接着層のKインパクトを大幅に低下させることができることが判明している。接着層の厚さを約200Å以下に減少させることによって、超低誘電フィルムスタック<2kÅの厚さ不均一性も2未満に減少される。改良された酸化物接着層は、総流量約0.1W/sccm~約0.3W/sccmの間のRF電力/総流量を高めながら、約2400Å/分まで堆積速度を低下させ、かつ低いプラズマ密度を低下させて堆積されることで、フィルム堆積中の共堆積種の充填/秩序を改善し、これにより機械的強度が約6.9GPaまで高まる。改良された接着層は、下にあるバリア/ライナ層に対する超低誘電率フィルムの接着性を改善するために十分な接着エネルギー約4.5J/m2を提供する。得られる超低誘電ナノポーラスフィルムは、約7Å~約10Åのより小さな細孔半径と、約15~約25の範囲内の多孔率を有するより密な細孔径分布とを有する。前述したことは本発明のいくつかの実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態を開発することができ、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定される。"