"第1導体と、前記第1導体に対向し、繰り返し配置されている複数の第2導体と、前記複数の第2導体それぞれに対向している複数の第3導体と、前記複数の第3導体と前記複数の第2導体の間と、前記複数の第3導体と前記第1導体の間と、の少なくとも一方に設けられ、電圧によって誘電率が変わる誘電率可変層と、第1の前記第2導体と、当該第1の第2導体の隣に位置する第2の前記第2導体とを互いに接続する第4導体と、を備える構造体。請求項1に記載の構造体において、前記第4導体は、前記第2の第2導体をリターンパスとする伝送線路を形成する構造体。請求項2に記載の構造体において、前記伝送線路はマイクロストリップラインである構造体。請求項2に記載の構造体において、前記伝送線路はコプレナー線路である構造体。請求項2に記載の構造体において、前記伝送線路は平衡型伝送線路である構造体。請求項1~5のいずれか一項に記載の構造体において、前記第2導体および前記第3導体は3つ以上設けられており、前記第4導体は、全ての互いに隣り合う前記第2導体の間に設けられている構造体。請求項1~6のいずれか一項に記載の構造体において、前記誘電率可変層は、少なくとも前記複数の第3導体と前記複数の第2導体の間に設けられており、前記第3導体は、前記第2導体をリターンパスとする伝送線路を形成している構造体。請求項7に記載の構造体において、前記複数の第3導体それぞれに少なくとも一つずつ設けられ、前記第1導体と前記第3導体とを接続するインダクタンス要素をさらに備える構造体。請求項1~6のいずれか一項に記載の構造体において、前記誘電率可変層は、少なくとも前記複数の第3導体と前記第1導体の間に設けられており、前記第3導体は、前記第1導体をリターンパスとする伝送線路を形成している構造体。請求項9に記載の構造体において、前記複数の第3導体それぞれに少なくとも一つずつ設けられ、前記第2導体と前記第3導体とを接続するインダクタンス要素をさらに備える構造体。請求項1~10のいずれか一項に記載の構造体において、前記第2導体は、前記第3導体を介して前記第1導体とは反対側に位置しており、前記第4導体は、前記第2導体を介して前記第3導体とは反対側に位置している構造体。請求項1~10のいずれか一項に記載の構造体において、前記第2導体は、前記第4導体を介して前記第1導体とは反対側に位置しており、前記第3導体は、前記第2導体を介して前記第4導体とは反対側に位置している構造体。請求項1~10のいずれか一項に記載の構造体において、前記第4導体は、前記第3導体と同一層に形成されている構造体。請求項1~10のいずれか一項に記載の構造体において、前記第4導体は前記第2導体と同一層に形成されており、前記第2の第2導体は、前記第1の第2導体に対向する辺に凹部を有しており、前記第4導体は、前記第1の第2導体から前記凹部の内側までに延伸している構造体。請求項14に記載の構造体において、前記第1の第2導体と前記第2の第2導体は、第1の方向に並んでおり、前記第4導体は、前記第1の第2導体のうち前記第2の第2導体に対向する辺から、前記第1の方向と交わる方向に延伸している構造体。請求項1~10のいずれか一項に記載の構造体において、前記第3導体は前記第2導体と同一層に形成されている構造体。請求項1に記載の構造体において、前記第3導体は、前記第1導体との間に容量を形成する構造体。請求項1~17のいずれか一項に記載の構造体において、前記構造体はアンテナの少なくとも一部であり、前記第1導体及び端部に位置する前記第3導体に接続する給電用導体路をさらに備える構造体。特許文献1に記載の技術では、2つの導体それぞれに、電圧を印加するための配線を接続する必要がある。一方、メタマテリアルは単位セルを繰り返し配置することにより構成されている。このため、特許文献1に記載の技術では、複数の単位セルそれぞれにおいて、2つの導体それぞれに配線を接続しなければならない。このため、電圧印加のための配線構造が複雑になってしまう。本発明の目的は、配線構造が簡単であり、かつ漏洩波の指向性を容易に変化させることができる構造体を提供することにある。本発明によれば、第1導体と、前記第1導体に対向し、繰り返し配置されている複数の第2導体と、前記複数の第2導体それぞれに対向している複数の第3導体と、前記複数の第3導体と前記複数の第2導体の間と、前記複数の第3導体と前記第1導体の間の少なくとも一方に設けられ、電圧によって誘電率が変わる誘電率可変層と、第1の前記第2導体と、当該第1の第2導体の隣に位置する第2の前記第2導体とを互いに接続する第4導体と、を備える構造体が提供される。本発明によれば、配線構造が簡単であり、かつ漏洩波の指向性を容易に変化させることができる構造体を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、第1の実施形態にかかる構造体の構成を示す斜視図であり、図2は図1のA-A ́断面図である。なお図2において、説明の都合上、後述する給電用導体220,240及びビア400を図示している。この構造体は、第1導体100、複数の第2導体200、複数の第3導体410、誘電率可変層絶縁層620、及び第4導体300を備える。複数の第2導体200は、第1導体100に対向し、繰り返し、例えば周期的に配置されている。第3導体410は、複数の第2導体200それぞれに対向する位置に設けられている。誘電率可変層は、電圧によって誘電率が変わる誘電率可変材料、例えば液晶により形成されており、複数の第2導体200と複数の第3導体410の間と、複数の第3導体410と第1導体100の間と、の少なくとも一方に設けられている。本実施形態において誘電率可変層は絶縁層620であり、第2導体200と第3導体410の間に位置している。第4導体300は、第1の第2導体200と、この隣に位置する第2の第2導体200それぞれに、ビア500を介して接続している。第4導体300は、第2導体200に対向することにより、第2導体200をリターンパスとする伝送線路を形成する。以下、詳細に説明する。第1導体100は例えばCu膜などの金属膜であり、第1導体層においてシート状に延在している。第1導体100の上には絶縁層610が設けられている。絶縁層610上には第2導体層が形成されている。第2導体層には、第3導体410が形成されている。第2導体層の上には絶縁層620が形成されている。絶縁層620の上には第3導体層が形成されている。第3導体層には、第2導体200が形成されている。第3導体層の上には絶縁層630が形成されている。絶縁層630の上には第4導体層が形成されている。第4導体層には、第4導体300が形成されている。すなわち本実施形態では、第2導体200は第3導体410を介して第1導体100とは反対側に位置しており、第4導体300は第2導体200を介して第3導体410とは反対側に位置している。第2導体200、第3導体410、及び第4導体300は、例えばCu膜などの金属膜であり、第1の方向図中X方向に沿って繰り返し、例えば周期的に設けられている。上記したように第4導体300は、一端が第1の第2導体200と電気的に接続しており、他端が第2の第2導体200に接続している。このため第4導体300は、第2の第2導体200をリターンパスとするマイクロストリップラインを形成しており、ショートスタブとして機能する。本実施形態において第2導体200は3つ以上設けられており、第4導体300は、少なくとも一組の互いに隣り合う第2導体200の間に設けられている。図1及び図2に示す例では、第4導体300は、全ての互いに隣り合う第2導体200の間に設けられている。そして複数の第2導体200は、第4導体300及びビア500を介して、直流的には互いに接続している。ビア500は、絶縁層630を貫通しており、一端が第2導体200に接続しており、他端が第4導体300の端部に接続している。図2においてビア500は、図中X方向において、第2導体200の端部、すなわち後述するビア400と重ならない場所で第2導体200に接続している。第3導体410は、配線状の導体パターンである。第3導体410は、一端がビア400の他端に接続しており、他端が開放端になっている。第3導体410は、第2導体200をリターンパスとするマイクロストリップラインを形成しており、オープンスタブとして機能する。本実施形態では、第3導体410は、絶縁層610を貫通するビア400を介して、第1導体100に接続している。なお、図1に示すように本実施形態では、一つの第2導体200に対して2つの第4導体300が形成されているが、第4導体300の数はこれに限定されない。また第4導体300は、例えば直線状に延伸する導体パターンであるが、これに限定されない。また第3導体層すなわち第2導体200と同一層には、給電用導体220,240が形成されている。給電用導体220は、第2導体200の配列の一端に位置する第2導体200に電気的に接続しており、給電用導体240は、第2導体200の配列の他端に位置する第2導体200に電気的に接続している。給電用導体220,240は、第2導体200に直接接続してもよいし、容量結合してもよい。給電用導体220,240は第1導体100に対向しているため、第1導体100とともに給電用導体路を構成する。そして本実施形態に係る構造体は、アレーアンテナ漏洩波アンテナとして機能する。ただし、給電用導体220、240は必ずしも第2導体200の配列の両端に必要なわけではなく、どちらか一方だけでもよい。そして本実施形態に係る構造体は、単位セル10が繰り返し、例えば周期的に配置されていることになる。単位セル10は、第1導体100、ビア400、第3導体410、第1の第2導体200の半分、第2の第2導体200の半分、ビア500、及び第4導体300により構成されている。単位セル10が繰り返し配置されることにより、構造体の給電用導体路220,240以外の部分はメタマテリアルとして機能する。ここで繰り返し単位セル10を配置する場合、互いに隣り合う単位セル10において、同一のビアの間隔中心間距離が、ノイズとして想定している電磁波の波長λの1/2以内となるようにするのが好ましい。また繰り返しには、いずれかの単位セル10において構成の一部が欠落している場合も含まれる。また単位セル10が2次元配列を有している場合には、繰り返しには単位セル10が部分的に欠落している場合も含まれる。また周期的には、一部の単位セル10において構成要素の一部がずれている場合や、一部の単位セル10そのものの配置がずれている場合も含まれる。すなわち厳密な意味での周期性が崩れた場合においても、単位セル10が繰り返し配置されている場合には、メタマテリアルとしての特性を得ることができるため、周期性にはある程度の欠陥が許容される。なおこれらの欠陥が生じる要因としては、単位セル10の間に配線やビアを通す場合、既存の配線レイアウトにメタマテリアル構造を追加する場合において既存のビアやパターンによって単位セル10が配置できない場合、製造誤差、及び既存のビアやパターンを単位セル10の一部として用いる場合などが考えられる。図3は、第3導体410のパターンを示す平面図である。本図に示す例では、第3導体410はスパイラル状に延伸している。そして第3導体410は、スパイラルの中心に位置する端部がビア400に接続している。第3導体410が形成するスパイラルは、全面が第2導体200に対向している。図4は、図2に示した単位セル10の等価回路図である。第1導体100と第2導体200は対向しているため、これらの間には容量CRが形成される。また第1導体100と第2導体200の間には第3導体410が位置している。第3導体410は第2導体200とともにオープンスタブを形成している。また第3導体410はビア400によって第1導体100に接続されているため、第1導体100とオープンスタブの間には、ビア400に起因したインダクタンスLLが形成される。このように、第1導体100と第2導体200の間には、容量CR、インダクタンスLL、及びオープンスタブを有するシャント回路Sが構成される。一方、第1の第2導体200aと第2の第2導体200bは端部が互いに対向しているため、この部分で容量CLが形成される。また第1の第2導体200aはインダクタンスLRを有している。このため、第1の第2導体200aと第2の第2導体200bの間には、容量CLとインダクタンスLRを有する直列回路Dが形成される。そして第4導体300は、第2の第2導体200bをリターンパスとするショートスタブを形成しているため、直列回路Dには、このオープンスタブの入力インピーダンスが付加される。本実施形態の漏洩波アンテナは、前記シャント回路Sと前記直列回路Dの共振周波数を一致させた、いわゆるバランス条件を満たすように設計することが好ましい。なぜならば通常、前記共振周波数付近ではアンテナの入力インピーダンスが急激に変化するためインピーダンスマッチングをとることが難しいが、バランス条件を満たす場合、この入力インピーダンスの変化が緩やかになり容易にマッチングがとれることが知られている。本実施形態は、シャント回路Sの共振周波数が前記オープンスタブのスタブ長で制御でき、直列回路Dの共振周波数が前記ショートスタブのスタブ長で制御できるため、バランス条件を満たす設計が従来構造に比べて容易である。ただし、バランス条件を満たさない場合でも本発明の本質的な効果に何ら影響を与えるものでない。次に、本実施形態の作用及び効果について、図5を用いて説明する。図5は、図1~図3に示した構造体において、給電用導体220から電力を入力した場合の漏洩波の放射方向を示した図である。本実施形態にかかる構造体は、シャント回路Sの共振周波数もしくは直列回路Dの共振周波数において、構造体中の電磁波の波長が無限大となる0次共振を起こすことが知られており、この0次共振周波数において漏洩波は構造体に対して垂直な方向に屈折して放射される。また本実施形態にかかる構造体は、0次共振周波数より低周波側では、左手系メタマテリアルとして動作し、屈折率が負の値となる。このため、漏洩波は電力の進行方向に対して後方に屈折して放射される。一方、本実施形態にかかる構造体は、0次共振周波数より高周波側では右手系メタマテリアルとして動作し、屈折率が正の値となるため、漏洩波は電力の進行方向に対して前方に屈折して放射される。一方、絶縁層620は容量可変層になっており、第3導体410の電位と第2導体200の間の電位差、すなわち第1導体100と第2導体200の間に印加される電圧によって誘電率が変わる。このため、第1導体100と第2導体200の間に印加される電圧を変えることにより、第3導体410と第2導体200の間すなわちオープンスタブの間の層絶縁層620の誘電率が変えることができ、その結果、第3導体410が形成する伝送線路の伝播定数を変化させることができる。これにより、構造体の0次共振周波数をある周波数領域の中で変えることができる。そして、アンテナに入力される周波数を、構造体の0次共振周波数の可変範囲の中に位置させた場合、漏洩波の放射方向を変えることができる。すなわち第1導体100と第2導体200の間に印加される電圧を変えることにより、0次共振周波数を、アンテナに入力される周波数より高周波側、低周波側のいずれにも位置させることができ、またアンテナに入力される周波数に一致させることもできる。そして0次共振周波数をアンテナに入力される周波数よりも高周波側に位置させた場合、漏洩波は電力の進行方向に対して後方に屈折して放射される。また0次共振周波数をアンテナに入力される周波数よりも低周波側に位置させた場合、漏洩波は電力の進行方向に対して前方に屈折して放射される。さらに0次共振周波数をアンテナに入力される周波数に一致させた場合、漏洩波は電力の進行方向に対して垂直方向に屈折して放射される。また、複数の第2導体200は、直流的には第4導体300及びビア500を介して互いに接続している。このため、図5に示すように、直流の可変電圧源710を、例えばスイッチ720を介していずれかの第2導体200と第1導体100の間に接続することにより、全ての第2導体200に対して、第1導体100を基準とした同一の電圧を印加することができる。従って、配線構造は簡単になる。図6は、第2の実施形態に係る構造体の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図2に相当している。本実施形態に係る構造体は、以下の点を除いて第1の実施形態に係る構造体と同様の構成である。まず、第3導体410と第4導体300が形成されている層が入れ替わっている。すなわち第3導体410は絶縁層630上に形成されており、第4導体300は絶縁層610上に形成されている。すなわち本実施形態では、第2導体200は、第4導体300を介して第1導体100とは反対側に位置しており、第3導体410は、第2導体200を介して第4導体300とは反対側に位置している。そしてビア500は絶縁層620内に設けられている。また第2導体200は開口202を有しており、ビア400は、この開口202を通って絶縁層610,620,630を貫通している。このためビア400は、第2導体200と導通することなく第3導体410に接続することができる。また絶縁層620ではなく絶縁層630が誘電率可変層になっている。すなわち絶縁層630は、液晶など電圧によって誘電率が変わる材料によって形成されている。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。図7は、第3の実施形態に係る構造体の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図2に相当している。本実施形態に係る構造体は、以下の点を除いて第1の実施形態に係る構造体と同様の構成である。まず、第4導体300が第3導体410と同一層、すなわち絶縁層610上に形成されている。またビア500は絶縁層620内に形成されている。そして絶縁層630は形成されていない。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また絶縁層630を設ける必要がないため、層数を少なくすることができる。また第4導体300と第2導体200の間の層も誘電率可変層になるため、直列回路Dにおけるショートスタブの伝播定数も変化させることができる。これにより、バランス条件を満たしたまま、すなわちインピーダンスマッチングを維持しながら0次共振周波数を変更することが可能となる。図8は、第4の実施形態に係る構造体の構成を示す断面図であり、第3の実施形態における図7に相当している。本実施形態に係る構造体は、第2導体200及び給電用導体220,240が形成されている層と、第3導体410及び第4導体300が形成されている層とが入れ替わっている点を除いて、第3の実施形態に係る構造体と同様の構成である。すなわち第2導体200及び給電用導体220,240は絶縁層610上に形成されている。第3導体410及び第4導体300は、絶縁層620上に形成されている。そして絶縁層630は形成されていない。また第2導体200は開口202を有しており、ビア400は、この開口202を通って絶縁層610,620を貫通している。このためビア400は、第2導体200と導通することなく第3導体410に接続することができる。本実施形態によっても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。図9は、第5の実施形態に係る構造体の構成を示す平面図である。図10は、図9のA-A ́断面図である。本実施形態に係る構造体は、以下の点を除いて第1の実施形態に係る構造体と同様の構成である。まず、第4導体300は第2導体200と同一層すなわち絶縁層620上に形成されている。またビア500及び絶縁層630は形成されていない。詳細には、複数の第2導体200は、給電用導体220に接続している第2導体200を除いて、凹部204を有している。第2導体200は矩形を有しており、凹部204は、第2導体200のうち給電用導体220に近い側の辺に形成されている。そして第4導体300は、第2導体200と一体的に形成されており、第2導体200のうち給電用導体220から遠い側の辺から、隣に位置する第2導体200の凹部204の底辺に接続している。すなわち第4導体300は凹部204の側方をリターンパスとするコプレナーラインを形成しており、ショートスタブとして機能する。なお、図9の第2導体200は、隣接する第2導体200と対向する一方の辺に凹部を、他方の辺に第4導体300を備えているが、隣り合う一組の第2導体200の互いに対向する辺のうち、一方の辺に凹部を設けており、他方に第4導体300を設けており、コプレナーラインを形成していれば、図9の構成に限定する必要はない。例えば、図9に示す例に対して、凹部204と第4導体300が形成される位置が入れ替わってもよいし、両辺ともに凹部を設けた第2導体200や、両辺ともに第4導体300を設けた第2導体200があってもよい。本実施形態によっても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また第4導体300が第2導体200と同一層に形成されているため、ビア500及び絶縁層630を形成する必要がなくなり、かつ構造体に必要な層数を少なくすることができる。従って構造体の製造コストをさらに低くすることができる。図11は、第6の実施形態に係る構造体の構成を示す断面図であり、第5の実施形態における図10に相当している。本実施形態に係る構造体は、第2導体200及び第4導体300本図では図示せずが形成されている層と、第3導体410が形成されている層とが入れ替わっている点を除いて、第5の実施形態に係る構造体と同様の構成である。詳細には、第2導体200及び第4導体300は絶縁層610上に形成されており、第3導体410は絶縁層620上に形成されている。また第2導体200は開口202を有しており、ビア400は、この開口202を通って絶縁層610,620を貫通している。このためビア400は、第2導体200と導通することなく第3導体410に接続することができる。本実施形態によっても、第5の実施形態と同様の効果を得ることができる。図12は、第7の実施形態に係る構造体の構成を示す平面図である。本実施形態に係る構造体は、以下の点を除いて、第5の実施形態に係る構造体と同様の構成である。まず、第2導体200は凹部204を有していない。また第2導体200は図中X方向に並んでいる。そして第4導体300は、第1の第2導体200のうち第2の第2導体に対向する辺から、図中X方向と交わる方向に延伸している。詳細には、第2導体200は矩形を有している。第4導体300は、第2導体200のうち給電用導体220から遠い側の辺に、第2導体200と一体的に形成されている。第4導体300は、第2導体200の上述した辺と略平行な方向、すなわちX方向と直交する方向に延伸している。また第2導体200は、給電用導体220に近い側の辺に、第5導体310を有している。第5導体310は、隣に位置する第2導体200の第4導体300と対向して延伸しており、第4導体300および第5導体310によって平衡型伝送線路を形成している。第4導体300および第5導体310は、互いに平行かつ同じ長さとなることが好ましい。第4導体300および第5導体310は端部が互いにつながっており、これらが形成する平衡型伝送線路はショートスタブとして機能する。本実施形態によっても、第5の実施形態と同様の効果を得ることができる。図13は、第8の実施形態に係る構造体の構成を示す平面図である。図14は、図13のA―A ́断面図である。本実施形態に係る構造体は、以下の点を除いて第5の実施形態に係る構造体と同様の構成である。まず、第2導体200には開口206が設けられている。そして開口206内には、第3導体410が形成されている。すなわち第3導体410は、第2導体200及び第4導体300と同一層に形成されており、第1導体100に対向している。第3導体410は、一端が開口206の縁において第2導体200に接続しており、他端が開放端になっている。すなわち第3導体410は第1導体100をリターンパスとするマイクロストリップラインを形成しており、オープンスタブとして機能する。また絶縁層610は、誘電率可変層となっている。そしてビア400及び絶縁層620は設けられていない。図15は、図13及び図14に示した構造体の単位セル10の等価回路図である。本図に示す等価回路は、ビア400に由来するインダクタンスLLがない点を除いて図4に示した単位セル10の等価回路、すなわち第1の実施形態に係る単位セル10及び第5の実施形態に係る単位セル10の等価回路と同じである。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また2つの配線層及び一つの絶縁層610を用いて構造体を構成することができるため、構造体の製造コストを低くすることができる。また第2導体200と第1導体100の間の層も誘電率可変層になるため、直列回路Dにおけるショートスタブの伝播定数も変化させることができる。これにより、バランス条件を満たしたまま、すなわちインピーダンスマッチングを維持しながら0次共振周波数を変更することが可能となる。図16は、第9の実施形態に係る構造体の構成を示す平面図である。図17は、図16のA―A ́断面図である。本実施形態に係る構造体は、以下の点を除いて第1の実施形態に係る構造体と同様の構成である。まず、第2導体200及び給電用導体220,240は絶縁層610の上に形成されている。そして、第3導体410の代わりに第3導体210を有しており、ビア400の代わりにインダクタンス要素212を有している。第3導体210及びインダクタンス要素212は第2導体200と同一層すなわち第1導体610上に形成されている。第3導体210は、図中Y方向、すなわち第2導体200の配列方向とは直行する方向に、第2導体200と並んで配置されている。本図に示す例では、第3導体210は、第2導体200の両側に配置されている。そしてインダクタンス要素212は配線状の導体パターンであり、第2導体200と第3導体210を接続している。また第4導体300は絶縁層620上に形成されており、ビア500は絶縁層620内に形成されている。そして絶縁層620ではなく絶縁層610が、誘電率可変層になっている。絶縁層630は形成されていない。図18は、図16及び図17に示した構造体の単位セル10の等価回路図である。本図に示すように、本実施形態における単位セル10は、シャント回路Sがショートスタブの代わりに容量CGを有している点を除いて、図4に示した等価回路と同様である。容量CGは、第1導体100と第3導体210の間に形成される容量であり、等価回路においては、インダクタンス要素212に起因したインダクタンスLLと第1導体100の間に位置している。本実施形態において、第1導体100と第2導体200の間に印加される電圧を変えることにより、第3導体210と第1導体100によって形成される容量CGの誘電層絶縁層610の誘電率、及び第1導体100と第2導体200によって形成される容量CRの誘電層絶縁層610の誘電率を変えることができる。その結果、シャント回路Sの伝播定数を変化させることができる。従って、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。図19は、第10の実施形態に係る構造体の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図2に対応している。本実施形態に係る構造体は、以下の点を除いて第1の実施形態に係る構造体と同様の構成である。まずビア400は、第3導体410を、第1導体100ではなく第2導体200に接続している。このため、第3導体410のリターンパスは、第2導体200ではなく第1導体100となっている。そして絶縁層620ではなく絶縁層610が、誘電率可変材料によって形成されている。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば第1~第6の実施形態において、絶縁層610を誘電率可変層にしてもよい。さらに第2の実施形態においては、絶縁層620を誘電率可変層にしてもよい。この出願は、2010年6月2日に出願された日本出願特願2010-127199号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。"