透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部を含む前記透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜形成工程と、前記凹部内の金属を残して、前記透明基板の表面に形成された金属の膜を化学機械研磨により除去し、前記凹部内の金属による掘り込み電極を形成する掘り込み電極形成工程と、前記透明基板の表面における前記掘り込み電極のエッジ部を被覆する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記透明基板の前記掘り込み電極および前記絶縁膜が形成された側に、前記掘り込み電極と電気的に接続された透明電極を形成する透明電極形成工程とを備えたことを特徴とする透明導電性基板の製造方法。前記掘り込み電極は、前記透明基板の表面に、格子状またはストライプ状に形成され、前記絶縁膜は、前記掘り込み電極の一部においては、その幅方向の全体を覆うように形成され、前記掘り込み電極の他部においては、その幅方向の中央部にコンタクトホールを設けるように、エッジ部のみに形成されることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性基板の製造方法。前記絶縁膜形成工程と前記透明電極形成工程との間に、前記透明基板の前記掘り込み電極および前記絶縁膜が形成された側にフィルタ層を形成するフィルタ層形成工程を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電性基板の製造方法。前記絶縁膜は、前記フィルタ層が形成されるべき領域を囲むように形成され、前記フィルタ層を形成する際の仕切層として用いられることを特徴とする請求項3に記載の透明導電性基板の製造方法。前記凹部は、エッチング加工により形成されることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の透明導電性基板の製造方法。前記凹部は、型押し加工により形成されることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の透明導電性基板の製造方法。前記透明基板と前記掘り込み電極との段差が1μm以下であることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の透明導電性基板の製造方法。前記絶縁膜が透明な材料で形成されることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の透明導電性基板の製造方法。前記フィルタ層の厚さが1μm以下であることを特徴とする請求項3または4に記載の透明導電性基板の製造方法。請求項1から9の何れか1項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする透明導電性基板。請求項10に記載の透明導電性基板と、前記透明導電性基板に対向して配置された対向基板と、前記透明導電性基板と前記対向基板との間に封入された表示材料とを備えたことを特徴とする表示素子。前記表示材料は、電解液であることを特徴とする請求項11に記載の表示素子。しかしながら、特許文献1の方法では、透明基板上に低抵抗電極を形成した後に低抵抗電極間に絶縁材料を充填して絶縁膜を形成していると考えられることから、絶縁膜の形成工程において、低抵抗電極と透明導電膜との間に絶縁膜が介在しがちであり、低抵抗化を妨げるという問題がある。また、特許文献2の方法では、透明樹脂材料として絶縁性のものを用いる方法の場合には、特許文献1の場合と同様に、金属電極と透明導電膜との間に絶縁材料が介在してしまう恐れがあり、低抵抗化の妨げになる。また、導電性を有する樹脂組成物を用いる方法も、樹脂組成物の表面の平坦性が確保できず、金属電極のエッジ部に対応した隆起部分で樹脂組成物および透明導電膜が切れる恐れがある。特に、樹脂組成物および透明導電膜が切れた状態で透明導電性基板を電気化学表示素子に用いた場合、電気化学表示素子の電解液が透明導電性基板の内部に侵入し、金属電極を腐食させる問題が起こる。さらに、特許文献3に記載されているような構成の透明導電性基板を表示素子や太陽電池等に用いるには、電気メッキ工程の後に、透明絶縁材料及び金属膜の上に、さらに透明導電膜を形成する必要がある。また、電気メッキの電極として作用する透明導電膜の抵抗値によっては、メッキされた金属膜に厚みムラが生じ、表示濃度のムラや透明導電膜との接触不良等が発生するといった問題がある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたもので、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、信頼性の高い透明導電性基板を製造することができる透明導電性基板の製造方法、その製造方法によって製造された透明導電性基板、およびそれを用いた表示素子を提供することを目的とする。本発明の目的は、下記構成により達成することができる。透明基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部を含む前記透明基板の表面に金属の膜を形成する金属膜形成工程と、前記凹部内の金属を残して、前記透明基板の表面に形成された金属の膜を化学機械研磨により除去し、前記凹部内の金属による掘り込み電極を形成する掘り込み電極形成工程と、前記透明基板の表面における前記掘り込み電極のエッジ部を被覆する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記透明基板の前記掘り込み電極および前記絶縁膜が形成された側に、前記掘り込み電極と電気的に接続された透明電極を形成する透明電極形成工程とを備えたことを特徴とする透明導電性基板の製造方法。本発明によれば、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、信頼性の高い透明導電性基板の製造方法、その製造方法によって製造された透明導電性基板、およびそれを用いた表示素子を提供することができる。以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。なお、図中、同一あるいは同等の部分には同一の番号を付与し、重複する説明は省略することがある。最初に、本発明の第1の実施の形態について、図1を用いて説明する。図1は、第1の実施の形態における透明導電性基板の構成を示す模式図で、図1aは平面図、図1bは図1aのA-B-C断面図である。ここでは、表示素子の各表示画素に対して共通の共通基板として用いられる透明導電性基板を例にとって説明する。図1aおよびbにおいて、透明導電性基板100は、透明基板101に格子状に形成された凹部103を金属で充填して形成された掘り込み電極105と、掘り込み電極105を被覆する絶縁膜107と、透明基板101の掘り込み電極105および絶縁膜107が形成された側の全面に、絶縁膜107を覆うように形成された透明電極111を備えている。掘り込み電極105と透明電極111とは、絶縁膜107に形成されたコンタクトホール開口部109を介して電気的に接続されている。掘り込み電極105は、透明導電性基板100を表示素子に用いた場合の各画素Pの周囲を囲むように格子状の形状であり、凹部103を含む透明基板101の全面に金属膜を形成し、凹部103以外の金属膜を化学機械研磨によって除去する方法によって形成される。この方法によって、図1bに示すように、アスペクト比の大きい金属電極を実現することができ、高開口率と低抵抗とを両立することができる。化学機械研磨の特性から、掘り込み電極105は透明基板101よりも僅かに低く研磨されるので、掘り込み電極105と透明基板101との間には僅かな段差がある。絶縁膜107は、掘り込み電極105を全面的に被覆する必要はなく、図1bの右側のコンタクトホール109の部分のように、少なくとも透明基板101の表面における掘り込み電極105のエッジ部、即ち透明基板101と掘り込み電極105との境界部を被覆すればよい。また、掘り込み電極105だけを被覆するのではなく、コンタクトホール109の部分を除く透明基板101の掘り込み電極105が形成された側の全面を被覆してもよい。ただし、この場合、絶縁膜107は透明である必要がある。なお、第1の実施の形態においては、掘り込み電極105の図1aにおいて縦に延びる部分は、その幅方向の全体が絶縁膜107によって覆われており図1bの左側、掘り込み電極105の図1aにおいて横に延びる部分の一部は、その幅方向の中央部にコンタクトホール109を設けるようにエッジ部のみが絶縁膜107によって覆われている図1bの右側。絶縁膜107を設けずに、透明基板101の掘り込み電極105が形成された側に透明電極111を直接形成すると、掘り込み電極105のエッジ部の上部の透明電極111に亀裂が入る可能性があり、この亀裂に表示素子の電解液が侵入して掘り込み電極が腐食する恐れがある。この亀裂の原因は、上述したように透明基板101の表面と掘り込み電極105との間に僅かな段差があること、この段差部の端部が非常にシャープであること、透明基板101、掘り込み電極105および透明電極111の材料の熱膨張率が異なること等のために、温度変化等によって、掘り込み電極105のエッジ部の上部の透明電極111に歪みが集中するためである。掘り込み電極105のエッジ部に絶縁膜107を設けることで、透明基板101の段差部の端部のシャープな部分をカバーして緩やかにすることができるので、透明電極111に亀裂が入ることを防止できる。なお、掘り込み電極105と透明基板101との段差は、1μm以下であることが好ましい。段差が1μmよりも大きくなると、透明基板101と掘り込み電極105とのエッジ部に絶縁膜107を設けても、透明電極111および絶縁膜107に亀裂が入ることを完全には防止できなくなる恐れがある。コンタクトホール109は、図1aに示すように、掘り込み電極105の格子の水平部分に部分的に設けられているが、掘り込み電極105の格子の垂直部分や交差部分に設けられてもよく、格子の全周にわたって設けられてもよい。次に、本発明の第2の実施の形態について、図2を用いて説明する。図2は、第2の実施の形態における透明導電性基板の構成を示す模式図で、図2aは平面図、図2bは図2aのA-B-C断面図である。第2の実施の形態は、透明電極111の下にフィルタ層113が形成されている点が第1の実施の形態と異なる。フィルタ層113以外は第1の実施の形態と同じであるので、説明は省略する。フィルタ層113は、例えば赤R、緑G、青Bの各色のカラーフィルタであり、透明電極111の下の絶縁膜107で囲まれた領域に形成されている。絶縁膜107は、フィルタ層113の形成時に、バンク層と呼ばれるフィルタ形成領域の仕切層として用いることができ、工程の省略化、低コスト化に貢献することができる。第1および第2の実施の形態によれば、透明基板に形成した凹部を金属で充填して掘り込み電極を形成し、掘り込み電極のエッジ部を絶縁膜で被覆した上に透明電極を形成し、掘り込み電極と透明電極とを絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して電気的に接続することで、高開口率と低抵抗とを両立しつつ、掘り込み電極の腐食を防止することができ、高画質で信頼性の高い透明導電性基板および表示素子を提供することができる。次に、本発明の実施形態における透明導電性基板の製造方法について、図3から図6を用いて説明する。図3は、透明導電性基板の製造方法の流れを示す工程図であり、図4から図6は、図3の各工程における状態を示す断面模式図である。なお、図4から図6の断面模式図は、図2aのA-B-C断面を示す。上述した第1の実施の形態の構成と第2の実施の形態の構成とでは、フィルタ層113の有無が異なるだけであるので、以下の説明では、フィルタ層113を有する第2の実施の形態の製造方法を説明する。第1の実施の形態の製造方法は、フィルタ層113を形成しない点が異なるだけである。工程S1凹部形成工程透明基板101に凹部103を形成する工程である。図4aに示すように、透明基板101上にレジスト151が塗布され、透明基板101の凹部103が形成される位置に、例えばフォトリソグラフィ法等で開口パターン153が形成される。開口パターン153の形成方法としては、フォトリソグラフィ法以外に、スクリーン印刷法、インクジェット塗布法、フレキソ印刷法等の周知の方法が挙げられる。透明基板101の材料としては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英等の電子デバイスに使用されている硬質の材料や、フレキシブルなプラスチックで構成されたものを用いることができる。このプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、トリアセチルセルロースTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP、ポリカーボネートPC、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリイミドPI等を用いることができ、またこれらのプラスチック材料で構成された基板の特性を高める為に、その表面に公知の表面コートや表面処理を行ったものを用いることが好ましい。続いて、図4bに示すように、開口パターン153を介して、例えばエッチング法により、透明基板101に凹部103が形成される。次に、レジスト151が剥離されて、凹部103を有する透明基板101が完成される。この状態を図4cに示す。工程S3金属膜形成工程透明基板101の凹部103が形成された面に金属膜157を形成する工程である。透明基板101の凹部103内部および凹部103が形成された面上に、例えばスパッタ法により、例えばCu等の金属膜157が形成される。この状態を図4dに示す。金属膜の形成方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、無電界メッキ法、電界メッキ法等多くの方法が適用可能であり、また、これらの方法を組み合わせてもよい。例えば、スパッタ法で下地膜を形成し、電界メッキ法で厚膜化する方法等を用いることができる。また、金属膜157の材料としては、Cu以外に、Au、Pt、Ag、Alおよびそれらの合金等が挙げられる。工程S5掘り込み電極形成工程金属膜157を研磨して、掘り込み電極105を形成する工程である。透明基板101上に形成された金属膜157を化学機械研磨法により研磨して、金属膜157を透明基板101の凹部103の内部のみに残すことで、凹部103内部の金属による掘り込み電極105が形成される。この状態を図5aに示す。形成された掘り込み電極105の表面の高さが透明基板101の表面の高さよりも僅かに低くなるまで研磨することで、凹部103内部以外の金属膜157を完全に除去することができる。なお、化学機械研磨法とは、研磨対象物である透明基板101をキャリアと呼ばれる部材で保持し、研磨布または研磨パッドを張った平板ラップに押し付けて、金属膜157の材料に応じた各種化学成分および硬質の微細な砥粒を含んだスラリーを流しながら、透明基板101と平板とを相対運動させることで研磨を行う方法である。工程S7絶縁膜形成工程掘り込み電極105を被覆する絶縁膜107と、コンタクトホール109とを形成する工程である。透明基板101の掘り込み電極105が形成された側に感光性樹脂を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて露光、現像することで、絶縁膜107と、コンタクトホール109とが同時に形成される。この状態を図5bに示す。実際には、絶縁膜107の端部の透明基板101に対する傾斜角度は図示したよりも非常に緩やかであり、後述する工程S11透明電極形成工程で、透明電極111を絶縁膜107および透明基板101上に形成しても、絶縁膜107の端部で透明電極111に亀裂が入ることはない。絶縁膜107とコンタクトホール109との形成方法としては、フォトリソグラフィ法以外に、例えばインクジェット法を用いて樹脂を所望の形状に直接印刷する方法等がある。また、絶縁膜107の材料としては、アクリル樹脂やシリコーン、フッ素等の有機材料や、SiO2、SiNX等の無機材料が適用可能であるが、透明性の高い材料が望ましい。工程S9フィルタ層形成工程透明基板101上にフィルタ層113を形成する工程である。第1の実施の形態の場合は、この工程を省略すればよい。透明基板101上の絶縁膜107が形成されていない部分に、例えばインクジェット法により、フィルタ用樹脂を直接印刷することで、フィルタ層113が形成される。この状態を図5cに示す。この際に、絶縁膜107は、バンク層と呼ばれるフィルタ形成領域の仕切層として用いることができ、別途バンク層を設ける必要がないので、工程の省略化、低コスト化に貢献することができる。フィルタ層113の形成方法としては、インクジェット法以外に、スピンコート法等で感光性のフィルタ用樹脂をコートして成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて露光、現像してフィルタ層113を形成する方法や、感光性のフィルタ用樹脂をフィルム化して透明基板101上にラミネートし、フォトリソグラフィ法を用いて露光、現像してフィルタ層113を形成する方法等、種々の方法を用いることができる。工程S11透明電極形成工程透明電極111を形成する工程である。絶縁膜107、コンタクトホール109およびフィルタ層113が形成された透明基板101の全面に、例えばスパッタ法により、例えば酸化インジウムスズITOが成膜されて透明電極111が形成される。掘り込み電極105と透明電極111とは、コンタクトホール109の内部に入り込んだ透明電極111の材料によって電気的に接続される。この状態を図5dに示す。透明電極111は、酸化インジウムスズITO以外に、フッ素ドープ酸化スズFTO、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム亜鉛IZO、アモルファス酸化物半導体IGZO等の透明な無機酸化物をスパッタ法や真空蒸着法等を用いて成膜することで形成できる。あるいは、ポリスチレンスルホン酸ドープポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT/PSSに代表される透明な導電性高分子をスピンコート等の各種ウェットコーティング法を用いて成膜することで形成できる。以上の各工程を経て、透明導電性基板100が形成される。また、上述した工程S1凹部形成工程では、透明基板101にエッチング法により凹部103を形成したが、他の方法でも凹部103を形成することができる。これを、図6を用いて説明する。図6は、凹部を形成する他の方法を説明するための断面模式図である。ここでは、ナノインプリント法を用いて凹部103を形成する方法について説明する。図6aにおいて、例えばポリエーテルスルホンPES等の透明なベース板101a上に、例えば塗布法により、例えば透明な紫外線UV硬化性樹脂層101bが形成される。ベース板101aとUV硬化性樹脂層101bとを合わせて、透明基板101とする。一方、凹部103が形成される位置に凸部163を有する押し型161が用意される。図6bにおいて、押し型161の凸部163がUV硬化性樹脂層101bに型押しされて、凸部163の形状がUV硬化性樹脂層101bに転写される。図6cにおいて、押し型161を取り去った後に、UV硬化性樹脂層101bに紫外線UVが照射されて、UV硬化性樹脂層101bが硬化されることで、透明基板101に凹部103が形成される。このような方法によっても、透明基板101に凹部103を形成することができる。以上に説明した透明導電性基板の製造方法によれば、製造工程の複雑化と高価格化を招くことなく、高開口率と低抵抗とを両立しつつ、信頼性の高い透明導電性基板の製造方法を提供することができる。次に、掘り込み電極105の形状について、図7を用いて説明する。図7は、掘り込み電極105の形状を説明するための模式図である。上述した第1および第2の実施の形態では、掘り込み電極105は、透明導電性基板100を表示素子に用いた場合の各画素Pの周囲を囲むような格子状の形状としたが、これに限るものではなく、掘り込み電極105を間引いて設けてもよい。例えば図7aに示すように、画素Pの複数個ここでは4個の周囲を囲むように、掘り込み電極105を格子状に配置してもよい。あるいは、図7bに示すように、画素Pの水平行毎あるいは垂直列毎、または複数の水平行毎あるいは複数の垂直列毎ここでは2水平行毎に掘り込み電極105をストライプ状に配置してもよい。このようにして、図1および図2の例に比べて透明導電性基板100上の掘り込み電極105の配線面積を少なくすることで、透明導電性基板100を表示素子に用いた場合の画素Pの開口率を高くすることができ、高画質化に寄与することができる。配線面積を少なくしても、掘り込み電極105はアスペクト比が大きく低抵抗であるために、配線抵抗の増加が問題になることはない。なお、図7では、図面を見やすくするために、掘り込み電極105と画素Pおよびフィルタ層113ここでは、R、G、Bの3色のカラーフィルタを例示しているのみを図示している。図7aや図7bのように掘り込み電極105を間引いて設けると、掘り込み電極105が間引かれたフィルタ層113の間の部分、例えば図7bのD部では、フィルタ層113の間に段差が生じ、透明電極111が透明基板101側に僅かに歪む。この歪みによって透明電極111に亀裂が生じないために、フィルタ層113の厚さは、1μm以下であることが好ましい。実際のカラーフィルタでは、その厚さは0.1μm程度であり、透明基板101に亀裂が入るような厚さではない。また、掘り込み電極105が間引かれたフィルタ層113の間の部分、例えば図7bのD部にも、絶縁膜107を設けてもよい。それによって、フィルタ層113の間の段差を埋めることができ、透明電極111の歪みを防止することができる。次に、本実施の形態における表示素子の構成について、図8および図9を用いて説明する。図8は、本実施の形態における表示素子の構成を示す回路ブロック図である。本実施の形態においては、エレクトロデポジション方式の電気化学表示素子ED以下、ED素子と言うを用いた表示素子1のコモン基板として、上述した透明導電性基板100を用いる例を示す。なお、ED素子に限らず、エレクトロクロミック方式の電気化学表示素子以下、ECD素子と言うの場合であっても同様の構成を採用することができる。図8において、表示素子1は、m行n列m、nは正の整数の2次元マトリクス状に配置された画素Pjkj、kは正の整数で、1≦j≦m、1≦k≦n、m行の垂直走査を行う垂直走査回路31、n列の水平走査を行う水平走査回路21、画素Pjkの駆動電圧を供給する電源Vddおよび画素Pjkの共通電位を供給するコモン電源Vcom等で構成される。図8では、画素P11、P12、P21、P22の4画素を例示している。垂直走査回路31は、表示素子1を駆動するために外部から供給される垂直駆動信号Sgに基づいて、垂直走査線Gj1≦j≦mを順次アクティブ状態例えば高電位に制御する。水平走査回路21は、表示素子1を駆動するために外部から供給される水平駆動信号Ssに基づいて、水平走査線Sk1≦k≦nを順次アクティブ状態例えば高電位に制御する。画素Pjkは、選択トランジスタQ1および駆動トランジスタQ2の2個の薄膜トランジスタTFTと、ED素子ED等で構成される。ED素子EDは、各画素毎に設けられた画素電極211と、全画素共通の透明電極111との間に、表示材料である電解液301が封入されて構成されている図9参照。透明電極111は共通電源Vcomに接続されている。2個の薄膜トランジスタQ1とQ2とは、所謂アクティブマトリクス方式の構成をとっている。選択トランジスタQ1は、ゲートGA1が垂直走査線Gjに接続され、ソースSO1が水平走査線Skに接続され、ドレインD1が駆動トランジスタQ2のゲートGA2に接続されている。駆動トランジスタQ2は、ソースSO2が電源Vddに接続され、ドレインD2がED素子EDの画素電極211に接続されている。垂直走査線Gjがアクティブ状態にある時、即ち画素Pj1から画素Pjnの各選択トランジスタQ1がオン状態にある時に、水平走査線Skがアクティブ状態にされることで、画素Pjkの駆動トランジスタQ2がオン状態となり、駆動トランジスタQ2を介して画素電極211が電源Vddに接続される。これによって、画素電極211と透明電極111との間に正または負の極性の電圧が選択的に印加されることにより、両電極の表面で銀の酸化還元反応が行われ、透明電極111の表面では、還元状態の黒い銀が存在する状態と、酸化状態の透明な状態とが可逆的に切り替えられ、画素Pjkに表示が行われる。図9は、図8に示した表示素子における画素の構成を示す断面模式図である。ここでは、画素Pjkの1画素分の断面を示してある。なお、断面の切り方は、図1aに示したA-B-C断面と同じである。図9において、表示素子1は、表示素子1の観察側の基板であるコモン基板透明導電性基板100、コモン基板100に対向する画素電極基板対向基板200およびコモン基板100と画素電極基板200との間に封入された電解液301等で構成される。表示素子1の端部は、コモン基板100と画素電極基板200との間に設けられた図示しないシール剤で封止されている。なお、ED素子EDの画素電極211は、画素電極基板200内に設けられている。コモン基板100としては、図1に示した第1の実施の形態の透明導電性基板を用いている。もしカラー表示等のためにフィルタ層113が必要な場合は、図2に示した第2の実施の形態の透明導電性基板を用いればよい。コモン基板100の透明電極111は、電解液301に面するように配置される。画素電極基板200は、基板201、画素電極211、多孔質層207および選択トランジスタQ1と駆動トランジスタQ2との2個の薄膜トランジスタTFT等で構成される。基板201の材料としては、ガラスやポリエチレンテレフタレートPET等の透明基板材料を用いることができる他に、必ずしも透明である必要はないので、ステンレスフォイルやポリイミドといった基板材料も用いることができる。また、ED素子EDを構成する画素電極211は、銀電極や銀パラジウム電極等の化学的に安定な金属電極を用いることが好ましく、画素電極基板200の一部として形成される。2個の薄膜トランジスタTFTは、通常のボトムゲート型の薄膜トランジスタで、図8で示したように、アクティブマトリクス方式の構成になっている。断面構造としては、基板201上にゲートGA1およびGA2が形成され、ゲートGA1およびGA2がゲート絶縁膜203で覆われた上にソースSO1、SO2、ドレインD1、D2および半導体層SC1、SC2が形成される。ソースSO1、SO2、ドレインD1、D2および半導体層SC1、SC2が層間絶縁膜205で覆われた上に画素電極211が形成される。画素電極211の上は、多孔質層207で覆われる。多孔質層207は、画素電極211の保護と白表示時の白色度向上のために用いられる層で、例えばTiO2やZnO等の微粒子を水溶性高分子材料等のバインダを用いて多孔質化した層である。電解液301としては、銀または銀を化学構造中に含む化合物、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物が用いられる。電解液301の層の厚さを保つためのスペーサを電解液301中に混入させてもよい。スペーサとしては、例えば、液晶ディスプレイ等に使用されているガラス製、アクリル樹脂製、シリカ製等の微小真球を用いることができる。さらに、白表示時の白色度向上のために、多孔質層207の代わりに、電解液301にTiO2やZnO等の金属酸化物微粒子を分散させてもよい。なお、上述した例では、図1の透明導電性基板を表示素子1のコモン基板100として用いた構成を示したが、画素電極基板200としても同様の構成を用いることができる。この場合、透明電極111を画素毎に画素電極として分割して形成し、透明電極111の下に例えばアクティブマトリクス形式の薄膜トランジスタTFTを形成し、透明電極111と掘り込み電極105とは薄膜トランジスタTFTを介して接続するような構成とすればよい。以上に説明した表示素子1によれば、細い掘り込み電極を用いて透明導電性基板の抵抗値を小さくできるので、表示面積を大きくしても抵抗値に起因する表示ムラの発生を防止でき、開口率も高くでき、表示品位の向上に寄与できる。