半導体レーザパッケージに配置された半導体レーザの出射端面洗浄方法であって、前記半導体レーザを前記半導体レーザパッケージに配置する工程と、前記半導体レーザの出力光を外部に取り出すための光ファイバを、前記半導体レーザと光学的に結合する位置に固定する工程と、前記半導体レーザの出射端面近傍を酸素またはオゾンを含有する雰囲気にする工程と、前記光ファイバに前記半導体レーザパッケージ外部から紫外線を導入させて、前記酸素またはオゾンを含有する雰囲気において、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄する工程と、を含み、前記光ファイバは、前記紫外線の波長及び前記半導体レーザの出力光波長を透過可能であることを特徴とする半導体レーザの洗浄方法。半導体レーザモジュールの製造方法であって、半導体レーザを半導体レーザパッケージに配置する工程と、前記半導体レーザの出力光を外部に取り出すための光ファイバを、前記半導体レーザと光学的に結合する位置に固定する工程と、前記半導体レーザの出射端面近傍を酸素またはオゾンを含有する雰囲気にする工程と、前記光ファイバに前記半導体レーザパッケージ外部から紫外線を導入させて、前記酸素またはオゾンを含有する雰囲気において、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄する工程と、を含み、前記光ファイバは、前記紫外線の波長及び前記半導体レーザの出力光波長を透過可能であることを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。請求項2に記載の半導体レーザモジュールの製造方法であって、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄する工程は、前記半導体レーザパッケージが開放された状態で行い、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄した後、前記半導体レーザ及び前記光ファイバの先端部を前記半導体レーザパッケージにより気密に封止することを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。請求項2または3に記載の半導体レーザモジュールの製造方法であって、前記半導体レーザ及び前記光ファイバの先端部が前記半導体レーザパッケージにより気密に封止された状態で、前記光ファイバに前記半導体レーザパッケージ外部から紫外線を導入させて、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄することを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。LD素子の外面やパッケージの内部には、LD素子の半導体チップを樹脂封止する樹脂部、LD素子の駆動回路を構成するメッキ金属部、あるいはゴムなどの異種材料が存在する場合がある。このため、従来技術のように、パッケージ内で広い範囲に紫外線を照射すると、洗浄が不要な箇所にも紫外線が照射され、樹脂部やゴム等の有機材料の変質や、金属部の表面酸化など、部材の劣化が発生することがあった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、洗浄が必要な箇所に効率よく紫外線を照射して出射端面を洗浄することが可能な半導体レーザの洗浄方法及びこれを用いた半導体レーザモジュールの製造方法を提供することを課題とする。前記課題を解決するため、本発明は、半導体レーザパッケージに配置された半導体レーザの出射端面洗浄方法であって、前記半導体レーザを前記半導体レーザパッケージに配置する工程と、前記半導体レーザの出力光を外部に取り出すための光ファイバを、前記半導体レーザと光学的に結合する位置に固定する工程と、前記半導体レーザの出射端面近傍を酸素またはオゾンを含有する雰囲気にする工程と、前記光ファイバに前記半導体レーザパッケージ外部から紫外線を導入させて、前記酸素またはオゾンを含有する雰囲気において、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄する工程と、を含み、前記光ファイバは、前記紫外線の波長及び前記半導体レーザの出力光波長を透過可能であることを特徴とする半導体レーザの洗浄方法を提供する。本発明の半導体レーザの洗浄方法によれば、出射端面に光結合された光ファイバを通じて紫外線を照射することにより、出射端面における紫外線の照射範囲を制限して、出射端面に集中的に紫外線を照射することができる。これにより、半導体レーザやその周囲に存在する樹脂部やメッキ面等の紫外線洗浄が必要ない箇所への紫外線照射が抑制され、樹脂の変質や金属の表面酸化等の影響を回避しつつ、効率的に出射端面を洗浄することができる。また、紫外線照射に用いる光ファイバが半導体レーザの発光波長を透過可能でもあるので、紫外線照射の際に光ファイバが光結合した状態を維持して半導体レーザ出力光を光ファイバから外部に取り出すことができる。これにより、出射端面の洗浄後に別の光ファイバに交換する手間が省け、コスト及び工数を削減できるとともに、別の光ファイバを光結合する際に出射端面が汚染するおそれがない。また、本発明は、半導体レーザモジュールの製造方法であって、半導体レーザを半導体レーザパッケージに配置する工程と、前記半導体レーザの出力光を外部に取り出すための光ファイバを、前記半導体レーザと光学的に結合する位置に固定する工程と、前記半導体レーザの出射端面近傍を酸素またはオゾンを含有する雰囲気にする工程と、前記光ファイバに前記半導体レーザパッケージ外部から紫外線を導入させて、前記酸素またはオゾンを含有する雰囲気において、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄する工程と、を含み、前記光ファイバは、前記紫外線の波長及び前記半導体レーザの出力光波長を透過可能であることを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法を提供する。この製造方法によれば、半導体レーザ及び光ファイバがパッケージの所定位置に固定された状態で、上述の半導体レーザの洗浄方法を実施することができるので、出射端面の洗浄後には半導体レーザのパッケージへの取り付け作業を行う必要がなく、出射端面の清浄な状態を維持しやすくなる。本発明の半導体レーザモジュールの製造方法は、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄する工程は、前記半導体レーザパッケージが開放された状態で行い、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄した後、前記半導体レーザ及び前記光ファイバの先端部を前記半導体レーザパッケージにより気密に封止することもできる。この場合、紫外線洗浄により汚れや異物等が分解されて生成したガスや水分等を、パッケージ外に容易に放出することができる。本発明の半導体レーザモジュールの製造方法は、前記半導体レーザ及び前記光ファイバの先端部が前記半導体レーザパッケージにより気密に封止された状態で、前記光ファイバに前記半導体レーザパッケージ外部から紫外線を導入させて、前記出射端面近傍に紫外線を照射させて洗浄することもできる。この場合、出射端面の洗浄後にはパッケージの封止作業を行う必要がなく、出射端面の清浄な状態を維持しやすくなる。本発明によれば、光ファイバを通じて半導体レーザパッケージ外部から出射端面に集中的に紫外線を照射して、効率的に出射端面を洗浄することができるとともに、出射端面の洗浄後に半導体レーザを光ファイバと光結合する工程が不要になる。以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。図1に、本発明の半導体レーザの洗浄方法の一実施形態を示す。本実施形態では、半導体レーザ1と光ファイバ3の先端部6は、半導体レーザモジュール10のパッケージ9の内部に収容されている。光ファイバ3は、洗浄に用いられる紫外線の波長と半導体レーザ1の発光波長を透過可能なものが使用される。光ファイバ3としては、コアが純粋シリカSiO2ガラス、水酸基OH基含有シリカガラス等からなり、クラッドがフッ素Fを添加したシリカガラス等からなるものが挙げられる。光ファイバ3のクラッド外周を覆う被覆材コーティングは、紫外線硬化樹脂等の樹脂からなるものが好ましい。光ファイバ3の一例として、コア径100μm、クラッド径125μmのマルチモードファイバが挙げられる。光ファイバ3の長さは、パッケージ9内の半導体レーザ1とパッケージ外の外部装置との間の光伝送が可能であればよく、特に限定されるものではないが10cm~3m程度が挙げられる。この半導体レーザモジュール10は、後述のように、半導体レーザからの出力光を光ファイバ3を介して、外部に出力する。光ファイバ3の先端部6は、半導体レーザ1の出射端面2に対向するように位置決めされている。光ファイバ3の先端部6を保持する構成は特に限定されるものではないが、例えば、図1に示すように、パッケージ9内では、光ファイバ3をファイバマウント7に固定する半田8等を用いて、光ファイバ3の先端部6を支持することができる。光ファイバ3の先端部6は、出射端面2に向かって先細り状となり、光ファイバ3のコアの端面がレンズ状に加工されることが好ましい。光ファイバ3の先端部6と半導体レーザ1の出射端面2との間には、集光レンズ図示せずを配置することもできる。集光レンズを配置する場合、光ファイバ3の先端部は、光ファイバ3の長手方向に垂直な端面を有する形状であってもよく、レンズ状に加工をする必要はない。光ファイバ3の先端部6は、半導体レーザ1の出力光が光ファイバ3のコアに結合される位置に調芯されて固定される。光ファイバ3の先端部には、反射防止膜を設けることが好ましい。反射防止膜は、洗浄に用いられる紫外線の波長と半導体レーザ1の発光波長を透過可能で、半導体レーザ1の発光波長の反射率が低い例えば5以下のものが使用される。反射防止膜は、例えば酸化ケイ素SiO2と酸化タンタルTa2O5のように、屈折率の異なる複数の誘電体からなる誘電体多層膜により構成することができる。光ファイバ3の先端部の反射防止膜により、半導体レーザ1から出力されたレーザ光が、光ファイバ3の先端部で反射して、半導体レーザ1の共振器に戻ることを抑制できる。戻り光を抑制できるので、半導体レーザ1のレーザ発振が不安定になることを抑制することができる。さらに、半導体レーザ1から出力されたレーザ光が、光ファイバ3の先端部で反射されることが抑制されるので、レーザ光を高い効率で光ファイバ3に導入することができる。半導体レーザ1の発光波長は、光通信、光センサ等の用途に応じて、紫外光、可視光、赤外光の範囲から選択することができる。発光波長の具体例としては、900nm帯、980nm帯、1020nm帯、1420~1490nm、及び1550nm帯等が挙げられる。光ファイバ3のコアが水酸基OH基を高濃度に含有するシリカガラスからなる場合、OH基の振動吸収が約1.3μm付近の波長帯に幅広く存在するため、吸収波長帯から離れた980nm等の発光波長を選択すると、発光波長における光ファイバ3の伝送損失が低くなり、好ましい。半導体レーザ1は、例えばパッケージ9内に配置したマウント11に保持させることができる。このマウント11には、半導体レーザ1の過熱を防ぐため、ヒートシンクや冷却素子図示せずを設けることが好ましい。半導体レーザ1は、パッケージ9の外部からリード等の電極棒14を介して供給される駆動電流により発光する。電極棒14と半導体レーザ1との間は、マウント11上の導体パターン12やワイヤ13によって電気的に接続されている。パッケージ9は、半導体レーザ1及び光ファイバ3の先端部6を気密に封止するための容器であり、例えばケースとキャップとの組み合わせにより構成することができる。パッケージ9は、金属、ガラス、樹脂、ゴム等から選択される1種または2種以上により構成することができる。なお、図面ではパッケージ9の内部を示すため、上面と手前面を開放した状態で図示しているが、気密封止のためには全面を覆う必要がある。さらに、光ファイバ3は、パッケージ9の側壁に開口した孔に挿入され、その隙間には封止材図示せず等が充填されている。次に、半導体レーザ1の出射端面2を洗浄する方法を説明する。まず、光ファイバ3の先端部6と反対の端部に紫外線光源を接続する。次に、半導体レーザ1の出射端面2近傍を酸素O2またはオゾンO3を含有する雰囲気とした状態において、光ファイバ3を通じて紫外線4を出射端面2に照射する。紫外線4が放射される光ファイバ3の先端部6は、半導体レーザ1の出力光が光ファイバ3のコアに結合される位置に調芯されて固定されているので、紫外線4は、半導体レーザ1の出射端面2のレーザ導波路近傍の領域に照射される。この紫外光の照射により、出射端面2を洗浄する。紫外線4は、有機物に含まれる化学結合を切断するのに必要な光エネルギーを有するものが選択される。波長150~250nmの範囲で1または複数の発光ピークを有する限り、250nmより長波長の光を含んでもよい。紫外線4の照射により、有機物の結合が切断されると、フリーラジカルや励起状態の分子を生成する。なお、紫外線4照射中に、酸素O2またはオゾンO3を導入し、半導体レーザ1の出射端面2近傍を酸素O2またはオゾンO3を含有する雰囲気とさせてもよい。紫外線4を発生する光源としては、例えば、波長185nm及び254nmの紫外線を放射する低圧水銀ランプや波長126nm、146nm、172nm、及び222nm等の紫外線を放射するエキシマランプ、波長172nmのXe2エキシマレーザ、波長193nmのArFエキシマレーザ、波長222nmのKrClエキシマレーザ、波長248nmのKrFエキシマレーザ等のエキシマレーザが挙げられる。例えば低圧水銀ランプを用いる場合、波長185nmの紫外線が酸素に吸収されると、オゾンが発生する。さらにオゾンに波長254nmの紫外線が吸収されると、励起酸素原子が生成される。この強力な酸化力をもったオゾンや励起酸素原子が、紫外線照射によって生成した有機物のフリーラジカルや励起状態の分子と反応することで、有機物が二酸化炭素CO2や水H2Oのような揮発性物質に分解される。このようにして出射端面2に付着している有機物が、ほぼ完全に分解除去されるので、半導体レーザ1の出射端面2における堆積物の生成を防止し、半導体レーザ1の特性劣化を防止することができる。紫外線による有機物の分解除去に要する処理時間は、有機物の量に依存するが、あらかじめ、アセトン、メタノール、イソプロピルアルコール、純水等の揮発性溶剤によって洗浄し、乾燥後に紫外線洗浄を行うことが好ましい。これにより、出射端面2に付着した有機物の量を低減できるので、紫外線洗浄の処理時間を短縮することができる。雰囲気ガスは、水分を除いたドライなガスが望ましい。雰囲気ガスは、酸素O2及びオゾンO3の両方を含んでもよい。また、雰囲気ガスが、酸素O2またはオゾンO3のほかに、アルゴンArや窒素N2等の不活性ガスを含んでもよい。半導体レーザ1と、光ファイバ3とをパッケージ9に取り付けた状態で、光ファイバ3を通じて紫外線4を出射端面2に照射すると、出射端面2の洗浄後には半導体レーザ1のマウント作業を行う必要がなく、出射端面2の清浄な状態を維持しやすく、好ましい。パッケージ9が、マウント11を有するケースと、ケースを閉鎖する蓋とからなる場合、半導体レーザ1及び光ファイバ3をケースに取り付けておき、洗浄後に蓋を取り付けてパッケージ9を封止することができる。この場合、紫外線洗浄により汚れや異物等が分解されて生成したガスや水分等を、パッケージ外に容易に放出することができ、分解されて生成したガスや水分等による出射端面2への再付着を抑制できるので好ましい。気密封止後にパッケージ9に封入される気体置換ガスとしては、酸素O2ガス、窒素N2ガス、アルゴンArガス、ヘリウムHeガス、酸素及び窒素の混合ガスが一般的に用いられる。ガスの置換を適宜の回数繰り返して、紫外線洗浄時の雰囲気ガスに含まれる水分等をパージすることが好ましい。また、半導体レーザ1及び光ファイバ3の先端部6がパッケージ9により気密に封止された状態で、光ファイバ3を通じてパッケージ9外部から紫外線4を導入させて、紫外線4を出射端面2に照射させて洗浄することもできる。この場合、出射端面2の洗浄後にはパッケージ9の封止作業を行う必要がなく、出射端面2の清浄な状態を維持しやすく、好ましい。図2a及び図2bに示すように、半導体レーザモジュール10は、1つのパッケージ9内に、半導体レーザ1と光ファイバ3を1組または複数組有することができる。図2bに示すように、1つのパッケージ9から複数の光ファイバ3が引き出されているときは、それぞれの光ファイバ3を通じてパッケージ9外部から紫外線4を半導体レーザ1の出射端面2に照射し、洗浄してもよい。図2cに示すように、複数の半導体レーザモジュール10の有する複数の半導体レーザ1の出力を、各半導体レーザモジュール10の光ファイバ3を介して受け取り、1本の光ファイバ21に入射させる光結合系20を備える構成とすることもできる。この場合、光結合系20の光ファイバ21から紫外線4を照射することで、各半導体レーザモジュール10の光ファイバ3を通じてパッケージ9外部から紫外線4を半導体レーザ1の出射端面2に照射し、洗浄することもできる。