"樹脂からなる基板層の接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解手順と、処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度未満で加熱して圧着する圧着手順と、を含む、基板層の融着方法。さらに、圧着された前記基板層に残留する前記有機溶媒を除去する除去手順と、前記有機溶媒除去後の圧着された前記基板層を、前記圧着手順における加熱温度よりも高く、前記樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する加圧手順と、を含む請求項1記載の基板層の融着方法。前記基板層に物質の反応場あるいは分析場となる領域が形成されている請求項2記載の基板層の融着方法。前記基板層は、前記接合面に微小な段差を有する請求項3記載の基板層の融着方法。前記段差は、前記接合面表面に形成された電極と該表面との間に存する請求項4記載の基板層の融着方法。前記溶解手順において、気化させた前記有機溶媒によって前記接合面を処理する請求項5記載の基板層の融着方法。前記圧着手順及び/又は前記加圧手順において、緩衝材を介し、前記基板層の前記接合面と反対側の面を押圧する請求項6記載の基板層の融着方法。樹脂からなり、物質の反応場あるいは分析場となる領域が形成された基板層の接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解工程と、処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度未満で加熱して圧着する圧着工程と、を含む、マイクロ流体チップの製造方法。樹脂からなり、接合面に微小な段差を有する基板層の前記接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解工程と、処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度未満で加熱して圧着する圧着工程と、圧着された前記基板層に残留する前記有機溶媒を除去する除去工程と、前記有機溶媒除去後の圧着された前記基板層を、前記圧着手順における加熱温度よりも高く、前記樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する加圧工程と、を含む、前記段差が前記樹脂により封止されたマイクロ流体チップの製造方法。樹脂からなる基板層の接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解部と、前記有機溶媒により処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度未満で加熱して圧着する圧着部と、前記有機溶媒除去後の圧着された前記基板層を、前記圧着部における加熱温度よりも高く、前記樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する加圧部と、を含む、基板層の融着装置。ウェルや流路などの領域を設けたマイクロ流体チップは、領域を成形した基板層を貼り合わせることによって製造される。プラスチック基板層を用いる場合、貼り合わせは、基板層を樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度まで加熱して圧着することにより行うことができる。しかし、従来の熱圧着方法では、圧着時の圧力によって基板層に形成された領域が変形してしまう場合があった。また、基板層に形成された領域の変形を防止するために圧着時の温度を下げると、樹脂の軟化が不十分となり、接合が不完全となってしまう場合があった。特に基板層の接合面に電極が形成されているような場合には、接合面表面において凸となっている電極の周辺で接合が不完全となり易く、接合界面に隙間が生じてしまう場合があった。そこで、本技術は、形成された領域の変形を防止して基板層の貼り合わせを行うことが可能な基板層の融着方法を提供することを主な目的とする。上記課題解決のため、本技術は、以下の手順1及び2を含む基板層の融着方法を提供する。この融着方法では、基板層の接合面を有機溶媒で処理した後に基板層の圧着を行うことにより、圧着時の温度を樹脂のガラス転移温度あるいは軟化点温度以下、両温度を指して単にガラス転移温度と称する未満に抑えることができる。1樹脂からなる基板層の接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解手順。2処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度未満で加熱して圧着する圧着手順。この融着方法は、さらに以下の手順3及び4を含んでいてもよい。除去手順及び加圧手順を行うことにより、圧着手順において圧着された基板層の接合をより完全なものとできる。3圧着された前記基板層に残留する前記有機溶媒を除去する除去手順。4前記有機溶媒除去後の圧着された前記基板層を、前記圧着手順における加熱温度よりも高く、前記樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する加圧手順。この融着方法は、前記基板層に物質の反応場あるいは分析場となる領域が形成されている場合に好適に適用され、前記基板層が前記接合面に微小な段差を有する場合に特に好適に適用される。段差としては、前記接合面表面に形成された電極と該表面との間に存するものが挙げられる。この融着方法の溶解手順においては、気化させた前記有機溶媒によって前記接合面を処理することが好ましい。また、圧着手順及び/又は加圧手順においては、緩衝材を介し、前記基板層の前記接合面と反対側の面を押圧することが好ましい。また、本技術は、以下の工程1A及び2Aを含むマイクロ流体チップの製造方法を提供する。この製造方法によれば、領域の変形がないマイクロ流体チップを得ることができる。1A樹脂からなり、物質の反応場あるいは分析場となる領域が形成された基板層の接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解工程。2A処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度未満で加熱して圧着する圧着工程。さらに、本技術は、以下の工程1B~4Bを含むマイクロ流体チップの製造方法を提供する。この製造方法によれば、接合面の段差が樹脂により封止されたマイクロ流体チップを得ることができる。1B樹脂からなり、接合面に微小な段差を有する基板層の前記接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解工程。2B処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度未満で加熱して圧着する圧着工程。3B圧着された前記基板層に残留する前記有機溶媒を除去する除去工程。4B前記有機溶媒除去後の圧着された前記基板層を、前記圧着手順における加熱温度よりも高く、前記樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する加圧工程。併せて、本技術は、樹脂からなる基板層の接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解部と、前記有機溶媒により処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度未満で加熱して圧着する圧着部と、前記有機溶媒除去後の圧着された前記基板層を、前記圧着部における加熱温度よりも高く、前記樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する加圧部と、を含む、基板層の融着装置をも提供する。本技術により、形成された領域の変形を防止して基板層の貼り合わせを行うことが可能な基板層の融着方法が提供される。以下、本技術を実施するための好適な形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。説明は以下の順序により行う。1.マイクロ流体チップ2.基板層の融着方法1溶解手順2圧着手順3除去手順4加圧手順3.基板層の融着装置1.マイクロ流体チップ図1は、本技術に係る基板層の融着方法の手順を説明するフローチャートである。また、図2~4は、本技術に係る基板層の融着方法を用いて好適に製造されるマイクロ流体チップの一例の構成を説明する模式図である。図2A、図3及び図4は上面模式図、図2BはA中P-P断面に対応する断面模式図である。図2~4中、符号Aで示すマイクロ流体チップは、マイクロチップ電気泳動法に用いられるものであって、基板層1と基板層2とが貼り合わされてなる。基板層1には、試料を供給するための貫通した4つの供給口11a,11b,11c,11dが設けられている。対向する一対の供給口11a,11b及び供給口11c,11dの間には、対となる供給口を連通する溝状の流路12a試料分離用流路及び流路12b試料導入用流路が互いに直交するように形成されている。基板層2には、基板層1の供給口11a,11b,11c,11dと対応する位置に電極21a,21b,21c,21dが設けられている。電極21a,21b,21c,21dは、流路12a,12b内で試料を電気泳動するための導電路となる。マイクロ流体チップAは、基板層2に設けられた電極21a,21b,21c,21dがそれぞれ基板層1に設けられた供給口11a,11b,11c,11d内に位置するようにして、基板層2の電極が形成された面と基板層1の流路が設けられた面とを貼り合わせることにより作製される。基板層1,2の材料は、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、シクロオレフィンポリマー、ポリジメチルシロキサンなどの、マイクロ流体チップの材質として従来公知のプラスチックとできる。流路12a,12b内に導入された物質あるいはその反応生成物の分析を光学的に行う場合には、基板層1,2の材料は、光透過性を有し、自家蛍光が少なく、波長分散が小さいために光学誤差の少ない材料を選択することが好ましい。これらの光学特性に加えて耐熱性にも優れるポリカーボネートが、基板層1,2の材料として特に好ましい。なお、基板層1,2の材料は同一であっても、異なっていてもよいものとする。基板層1,2のサイズは、特に限定されないが、例えば、基板層1を縦25mm、横75mm、厚さ1mm程度の基板とし、基板層2を縦25mm、横75mm、厚さ50~200μm程度のシートあるいはフィルムとする。基板層1への供給口11a,11b,11c,11d及び流路12a,12bの成形は、ナノインプリント、射出成型及び切削加工などによって行うことができる。供給口11a,11b,11c,11d及び流路12a,12bには、必要に応じてフィルターとして機能する、幅10~500μm、高さ10~300μm程度のピラーを形成してもよい。流路12a,12bのサイズは、特に限定されないが、例えば、幅が10~500μm、深さ10~300μm程度とされる。電極21a,21b,21c,21dの材料は、カーボン、金及び銀などの導電性材料を特に限定されずに用いることができ、カーボンが好ましく用いられる。電極材料は、流路12a,12b内に導入される物質あるいはその反応生成物を吸着失活させないものが好ましい。基板層2への電極21a,21b,21c,21dの形成は、印刷工法、蒸着工法、エッチング工法又はメッキ工法等の従来公知の手法を用いて行うことができる。電極21a,21b,21c,21dのサイズは、特に限定されないが、例えば厚みが2~10μm程度とされる。2.基板層の融着方法図1を参照して、基板層1,2を貼り合わせてマイクロ流体チップAを得る手順について順に説明する。1溶解手順溶解手順S1では、基板層1,2の接合面を、基板層1,2を形成する樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する。ここで、基板層1の接合面は、流路12a,12bが設けられた面であり、基板層2の接合面は、電極21a,21b,21c,21dが形成された面である。接合面を有機溶媒で処理することにより、接合面を軟化させ、次に説明する圧着手順S2における基板層の圧着温度を樹脂のガラス転移温度融点未満に抑えることができる。なお、樹脂の種類によって明確なガラス転移を生じない場合には、ガラス転移温度融点は、軟化点温度融点と読み替えられ得るものとする。有機溶媒は、基板層1,2の材料に応じて該材料に溶解性を有する溶媒が適宜用いられる。有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、クロロホルム、アセトン、塩化メチル、2プロパノール、エタノール、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、オクタンなどが用いられる。基板層1,2の材料をポリカーボネートとする場合、有機溶媒にはクロロホルムを用いることが好ましい。有機溶媒は、流路12a,12b内に導入される物質あるいはその反応生成物を失活、変性等させないものを用いる。有機溶媒による処理は、基板層1の接合面及び基板層2の接合面の少なくとも一方に行われる。有機溶媒が基板層2の接合面に形成された電極21a,21b,21c,21dへ影響を及ぼす可能性を排除するため、有機溶媒の処理は、基板層1の接合面のみに行うことが好ましい。このため、基板層の接合面と反対の面は、有機溶媒が接触しないようにフィルム等で保護することが好ましい。有機溶媒による処理は、接合面に液体の有機溶媒を接触させることによって行うことができるが、気化させた有機溶媒を接触させて行うことが好ましい。有機溶媒による処理は、基板層1,2の接合界面の樹脂の軟化温度を下げるだけで良いが、樹脂の溶解性が高い液体の有機溶媒で処理すると、基板層1,2の接合面の表層から深いところまで有機溶媒が浸透して樹脂を軟化させ、基板層1に形成された流路12a,12bの形状変化をもたらしたり、ソルベントクラックを引き起こしたりする可能性がある。液体の有機溶媒を接触させる場合には、樹脂の溶解性が低い有機溶媒を選択することが好ましい。有機溶媒による処理時間は、基板層の材料及び用いる有機溶媒に応じて適宜設定されるものであるが、処理時間が短すぎると圧着手順S2における圧着温度を下げる効果が得られず、長すぎると圧着手順S2において流路12a,12bの変形が生じる場合がある。2圧着手順圧着手順S2では、有機溶媒処理後の基板層1,2を接合面を対向させて重ね合わせて熱プレスユニットに載置し、ヒータで加熱しながら加圧して圧着させる。溶解手順S1において接合面を有機溶媒で処理して軟化させているため、本手順では、樹脂のガラス転移温度未満での熱圧着によっても基板層を十分に接合できる。このため、ガラス転移温度付近での熱圧着において従来問題となっていた流路12a,12b等の形状変形を防止できる。また、ガラス転移温度まで加熱しないため、接合後の基板層1,2に反りやねじれなどが発生することがなく、樹脂の熱分解に起因して基板層の自家蛍光が生じるのも抑制できる。加熱温度、加圧力及び加圧時間は、基板層の材料及び溶解手順S1で用いる有機溶媒に応じて適宜設定されるものであるが、温度、圧力及び時間が過小であると基板層の接合が不十分となり、過大であると流路12a,12bの変形が生じる場合がある。本手順においては、緩衝材を介し、基板層1,2の接合面と反対側の面を押圧するようにする。緩衝材としては、耐熱性フッ素ゴム等の耐熱性と弾性を有する部材が用いられる。基板層2の接合面は、表面に形成された電極21a,21b,21c,21dのために、微小な段差が存在している。このような場合、圧着後の基板層1,2の接合界面において、凸となっている電極の周辺に隙間が生じ易い。図5Aに、電極の周辺に生じ得る隙間符号V参照を模式的に示す。接合界面に隙間Vが生じると、隙間Vから流路12a,12bに導入された試料が漏れ出したり、電気的な絶縁性を保てず流路12a,12b内での試料の電気泳動が不能となったりする。このような隙間Vは、基板層の成形時に生じたばりあるいはだれと称される成形不良のために接合面に微小な段差が生じている場合にも、それらの周辺に生じることがある。ばりは、基板層を射出成形する際、熱可塑性樹脂の金型に接する部分で発生し易いことが知られている。マイクロ流体チップでは、凸部の高さが2~10μm程度のばりでも隙間Vを引き起こす原因となる。緩衝材を用いることで、押圧時に電極及びばりなどの凸部に圧力が集中するのを防止して、かつ基板層1,2の厚みのばらつきによる圧力のかかり方の不均一をなくすことができ、隙間Vを生じ難くできる。さらに、本手順後においてもなお隙間Vが残存する可能性があるため、以下の除去手順S3及び加圧手順S4を行って基板層1,2の接合をより完全なものとすることが望ましい。3除去手順まず、除去手順S3において、圧着された基板層1,2に残留する有機溶媒を完全に除去する。有機溶媒の除去は、自然乾燥あるいは風乾等によって行うこともできるが、圧着された基板層1,2を室温より高い温度60°C程度に加熱したオーブン内に静置することにより行うことが好ましい。残留する有機溶媒を除去することで、有機溶媒により下げられた基板層の軟化温度を樹脂本来の軟化温度に戻すことができる。また、本手順は、マイクロ流路チップA内に残留する有機溶媒がソルベントクラックや白化を引き起こすのを防止するためにも必要となる。4加圧手順次に、加圧手順S4において、圧着された基板層1,2を、圧着手順S2における加熱温度よりも高く、樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する。本手順では、圧着手順S2における加熱温度よりも高い温度で加圧を行うことにより、圧着手順S2後に基板層1,2の接合界面に残存している隙間Vの箇所でも基板層を接合させることができる。加圧は、流路12a,12bの液密性及び電気的絶縁性を確保するため、凸となっている電極又はばりの少なくとも一部に樹脂が完全に密着し、当該密着箇所において電極又はばりによって生じている段差が樹脂によって完全に封止されるように行う図5B参照。加熱温度、加圧力及び加圧時間は、基板層の材料に応じて適宜設定されるものであるが、温度、圧力及び時間が過小であると隙間をなくす効果が得られず、過大であると流路12a,12bの変形が生じる場合がある。なお、除去手順S3において基板層1,2に残留する有機溶媒を除去し、基板層の軟化温度が樹脂本来の軟化温度に戻されているため、本手順で、圧着手順S2よりも高い温度で加圧を行っても流路12a,12b等の形状変形は生じない。本手順においても、緩衝材を介し、基板層1,2の接合面と反対側の面を押圧するようにする。緩衝材を用いることで、凸部に圧力が集中するのを防止して、隙間Vが生じないようにできる。以上のように本技術に係る基板層の融着方法によれば、圧着手順S2において樹脂のガラス転移温度未満で基板層を熱圧着させることができるため、流路等の形状変形がないマイクロ流体チップを得ることができる。さらに、基板層の接合面に電極又はばりなどの数ミクロン程度の段差が存在している場合にも、加圧手順S4において段差に樹脂を密着させて、段差部分に隙間がないマイクロ流体チップを得ることができる。3.基板層の融着装置図6は、本技術に係る基板層の融着装置の構成を説明するブロック図である。図中符号3で示す融着装置は、供給部31、溶解部32、融着部33、排出部34及びこれらの間において基板層を搬送する手段を備える。融着部33は、圧着部331と加圧部332とからなる。供給部31には、流路などの領域が形成された基板層及び/又はこれと貼り合わされる基板層が複数個保有されている。供給部31は保有された基板層を溶解部32に送出する。溶解部32は、供給部31から供給されてきた基板層の接合面を、基板層を形成する樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する表面処理装置を備える。表面処理装置としては、有機溶剤による曝露処理装置であって、浸漬装置又はスプレー装置等とできる。好ましくは、スプレー装置によって気化させた有機溶媒を基板層の接合面のみに接触させる。処理後の基板層は、融着部33に送出される。融着部33の圧着部331は、溶解部32から搬送されてきた基板層を樹脂のガラス転移温度未満で加熱して圧着する熱プレス装置を備える。また、融着部33の加圧部332は、圧着部331において圧着された基板層を圧着部331における加熱温度よりも高く、樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する熱プレス装置を備える。圧着部331及び加圧部332を構成する熱プレス装置は、基板層の接合面を対向させて重ね合わせて加圧する圧着ヘッド等の加圧手段と、この加圧手段を加熱するヒータ等の加熱手段を有する。融着部33で接合された基板層はマイクロ流体チップとなって排出部34に送出される。圧着部331及び加圧部332を構成する熱プレス装置は同一であっても異なっていてもよい。両者を別々の熱プレス装置で構成する場合、それぞれの装置の間に搬送手段を設け、圧着部331の熱プレス装置から加圧部332の熱プレス装置までの搬送経路に、圧着部331における圧着後の基板層に残留する有機溶媒を除去するための乾燥手段を設ける。乾燥手段は、送風装置又はオーブンなどとすればよい。また、両者を同一の熱プレス装置で構成する場合、圧着工程と加圧工程との間に基板層に残留する有機溶媒を除去するための乾燥手段を熱プレス装置に設ける。本技術に係る基板層の融着方法は以下のような構成とすることもできる。1樹脂からなる基板層の接合面を、前記樹脂に対して溶解性を有する有機溶媒で処理する溶解手順と、処理された基板層を、前記樹脂のガラス転移温度未満で加熱して圧着する圧着手順と、を含む、基板層の融着方法。2さらに、圧着された前記基板層に残留する前記有機溶媒を除去する除去手順と、前記有機溶媒除去後の圧着された前記基板層を、前記圧着手順における加熱温度よりも高く、前記樹脂のガラス転移温度よりも低い温度で加熱しながら加圧する加圧手順と、を含む上記1記載の基板層の融着方法。3前記基板層に物質の反応場あるいは分析場となる領域が形成されている上記1又は2記載の基板層の融着方法。4前記基板層は、前記接合面に微小な段差を有する上記2又は3に記載の基板層の融着方法。5前記段差は、前記接合面表面に形成された電極と該表面との間に存する上記4記載の基板層の融着方法。6前記溶解手順において、気化させた前記有機溶媒によって前記接合面を処理する上記1~5のいずれかに記載の基板層の融着方法。7前記圧着手順及び/又は前記加圧手順において、緩衝材を介し、前記基板層の前記接合面と反対側の面を押圧する上記1~6のいずれかに記載の基板層の融着方法。<実施例1>1.マイクロ流体チップの作製1基板層の作製図2~4に示したマイクロ流体チップを試作した。基板層1は、射出成形により成形した。原盤は、流路12a、12bの深さに対して充分な厚さのニッケルメッキを施したステンレス板上に、エンドミルを用いて流路の箇所を掘り残して当該箇所の周りを彫り込む方法で作製した。作製した原盤を射出成形機に取付け、ポリカーボネート樹脂により基板層1を成形した。基板層2は、ポリカーボネートシートに電極21a,21b,21c,21dをシルクスクリーン印刷することにより作製した。導電性インキには、カーボンElectrodag423SS、ヘンケルジャパンを使用した。キャピラリ電気泳動用の電極は、ジュール熱の発生を抑えるために、表面抵抗率が5000Ω/sq未満であることが望ましい。このため、導電性インキの印刷厚さ電極の厚さと表面抵抗率との関係を検討した。表面抵抗率は、電極の厚さが4μmでは平均1.39kΩ/sq、電極の厚さが3.5μmでは平均2.52kΩ/sq、3μmでは平均4.88kΩ/sqであった。そこで、電極の厚さを3.5μmに設定した。2溶解工程圧着工程基板層1の接合面流路12a、12bが形成された面にエタノール、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、クロロホルムの蒸気をあてた。有機溶媒耐性の処理容器内に接合面と反対側の面を保護フィルムでマスキングした基板層1を入れて密封し、接合面を飽和蒸気に曝露した。処理温度は35°Cとし、処理時間は3,5,7,10,30,60,90,120秒の各条件で検討を行った。有機溶媒処理後の基板層1に基板層2を接合面が対向するように重ね合わせ、熱プレスユニット1の金型に載置してヒータで加熱しながら加圧した。熱プレスユニット1は以下の構成とした。上金型基板層1側:ラップ研磨ステンレス板下金型基板層2側:ラップ研磨ステンレス板の上に、厚さ2mmの緩衝材キンヨーボードF200、金陽社を敷き、さらにその上に厚さ0.08mmの両面ラップ研磨ステンレス板を載せた。一定時間経過後、ヒータによる加熱を止め、熱プレスユニット1の金型内を水冷して金型温度を下げた。金型温度が50°C未満になった段階で加圧を止め、金型を開いて融着後の基板層を取り出した。加圧時間は、120,240,360秒の各条件で検討を行った。金型温度は95,100,105,110,115,120,125,130,135,140°Cの各条件で検討を行った。また、加圧力は、4.5,5.0,5.2kNの各条件で検討を行った。金型温度100°C、加圧力5.0kNの条件下で、有機溶媒としてクロロホルムを用いた場合、溶媒処理時間7秒で、基板層1,2の良好な接着が確認され、流路形状の変形もみられなかった。一方、処理時間5秒では基板層1,2の接着が弱く、3秒では接着しなかった。また、処理時間10秒では、流路形状の変形が生じた。同条件下で、有機溶媒としてテトラヒドロフランを用いた場合、溶媒処理時間30秒で、基板層1,2の良好な接着が確認され、流路形状の変形もみられなかった。一方、処理時間10秒以下では基板層1,2が接着しなかった。また、処理時間60秒では、流路形状の変形が生じた。同条件下で、有機溶媒として酢酸エチルを用いた場合、溶媒処理時間90秒で、基板層1,2の良好な接着が確認され、流路形状の変形もみられなかった。一方、処理時間60秒では基板層1,2の接着が弱く、30秒以下では接着しなかった。また、処理時間120秒では、流路形状の変形が生じた。有機溶媒としてポリカーボネートに対して溶解性を有さないエタノールを用いた場合、溶媒処理時間120秒においても基板層1,2が接着せず、圧着温度を下げる効果は得られなかった。極性の強い溶媒では処理時間を短くしても基板層の良好な接着が得られた。しかし、処理時間が僅かに長過ぎるのみでも流路の変形が生じ、逆に僅かに短すぎるのみで接着不良が生じたため、処理時間の制御が難しい傾向があった。また、基板層の接着力が同程度であれば、極性の弱い溶媒の長時間処理よりも、極性の強い溶媒の短時間処理のほうが流路の変形は軽度であった。加圧力5.0kNの条件下で、クロロホルムを7秒処理した場合、金型温度100°C以上で基板層1,2の良好な接着が確認された。一方、同条件下で、クロロホルム処理を行わない場合には、良好な接着を得るためには金型温度を130°C以上とする必要があった。このことから、溶媒処理によって圧着温度を30°C下げる効果が得られることが確認された。表1に、クロロホルム処理時間7秒の条件下で、金型温度、加圧力及び加圧時間について詳細な検討を行った結果を示す。図7には、加圧力を5.2kNに設定した場合における熱プレスユニットの加圧力の変化と金型温度の変化を示す。3除去工程加圧工程基板層1,2を圧着したマイクロ流体チップを60°Cのオーブンで1時間加熱した後、オーブンから取り出して室温まで自然冷却させることで、基板内に残留する有機溶媒を完全に除去した。マイクロ流体チップを熱プレスユニット2の金型に載置してヒータで加熱しながら加圧した。熱プレスユニット2は以下の構成とした。上金型基板層1側:ラップ研磨ステンレス板下金型基板層2側:ラップ研磨ステンレス板の上に、厚さ2mmの緩衝材キンヨーボードF200、金陽社を敷き、さらにその上に厚さ0.2mmの両面ラップ研磨ステンレス板を載せた。60秒経過後、ヒータによる加熱を止め、熱プレスユニット2の金型内を水冷して金型温度を下げた。金型温度が50°C未満になった段階で加圧を止め、金型を開いてマイクロ流体チップを取り出した。金型温度は110,115,120,125,130°Cの各条件で検討を行った。また、加圧力は、4.5,5.0,5.5kNの各条件で検討を行った。結果を表2に示す。金型温度が低いと電極周辺に隙間ボイドが生じ、金型温度が高いと流路形状が変形した。図8には加圧工程前A及び加圧工程後Bの電極周辺部の写真を示す。"