ウェーハが導入される反応室と、前記反応室にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、前記ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、前記ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、前記反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、前記反応室の前記排気口上に、前記ウェーハ支持部材の水平位置より下方から酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給機構と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記排気口上部の反応室の内壁に、石英からなるライナーを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記内壁と前記ライナーとの間隙がシールされることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。反応室内の所定位置にウェーハを保持し、前記ウェーハを所定温度で加熱し、前記ウェーハを回転させ、前記ウェーハ上にSiソースガスを含むプロセスガスを供給することにより、前記ウェーハ上に成膜し、前記所定位置より下方から酸化性ガスを供給し、前記排気口上部に堆積したオイリーシランを酸化させる、ことを特徴とする半導体製造方法。前記酸化性ガスは、前記ウェーハが前記反応室から搬出される毎に供給されることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造方法。オイリーシランは、反応室が大気開放されると、表面が大気中の水分と反応してH2ガス、HClガスを発生するものの、表面がSiO2となり固化し、それ以上の反応は抑えられる。しかしながら、垂直面においては、堆積したオイリーシランは殆どSiO2となり固化するので問題ないが、水平面においてある程度溜まると、オイリーシランを剥離する際、固化部分の下層の未反応のオイリーシランが、激しく反応するため、H2ガスの発火、爆発の危険性がある。特に、大気開放頻度が低く、オイリーシランが溜まりやすい枚葉式のエピタキシャル成長装置において問題となる。そこで、大気開放することなくオイリーシランの除去を行うことが検討されている。オイリーシランは表面が酸化すると下層の酸化が抑制されるため、酸化したオイリーシランF系ガスによる表面除去と、露出した下層のオイリーシランの酸化とを繰り返し行う必要があり、スループットに影響する。また、この場合、水素還元反応によるSiのエピタキシャル成長において、F系ガスが残存していると爆発的に反応するため、十分なガス置換が必要であり、これもスループットに大きく影響する。さらに、通常、上述したように、Clを含むガスCl系ガスを用いてポリシリコンなどが除去されるが、この場合、酸化性ガスを導入することにより、堆積したポリシリコンなどが酸化し、Cl系ガスでは除去できなくなる。そして、これを除去するために、F系のガスの導入や、装置の分解メンテナンスが必要となり、さらにスループットを低下させる。そこで、本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の一態様の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、反応室に、酸化性ガスを、ウェーハ支持部材の水平位置より下方から供給する酸化性ガス供給機構と、を備えることを特徴とする。本発明の一態様の半導体製造装置において、排気口上部の反応室の内壁に、石英からなるライナーを備えることが好ましい。また、本発明の一態様の半導体製造装置において、内壁とライナーとの間隙がシールされることが好ましい。また、本発明の一態様の半導体製造方法は、反応室内の所定位置にウェーハを保持し、ウェーハを所定温度で加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にSiソースガスを含むプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、所定位置より下方から酸化性ガスを供給し、排気口上部に堆積したオイリーシランを酸化させる、ことを特徴とする。また、本発明の一態様の半導体製造方法において、酸化性ガスは、ウェーハが反応室から搬出される毎に供給されることが好ましい。本発明の一態様によれば、半導体製造工程におけるスループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能となる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。実施形態1図1に、本実施形態の半導体製造装置であるエピタキシャル成膜装置の断面図を示す。図に示すように、例えばφ200mmのウェーハwが成膜処理される反応室11には、反応室11上方より、トリクロロシラン、ジクロロシランなどのソースガスを含むプロセスガスなどを、所定の流量でウェーハw上に供給するためのガス供給機構12と接続されたガス供給口12aが設置されている。反応室11の内壁には、例えば石英からなるライナー11aが設けられている。反応室11の底面には、例えば2箇所に、ガスを排出し、反応室11内の圧力を一定常圧に制御するためのガス排出機構13と接続されたガス排出口13aが配置されている。ガス排出口13aの内壁には、それぞれライナー11aと分離された例えば石英からなるライナー11bが設けられている。図2にガス排出口13aの断面図を示す。図に示すように、ガス排出口13aの内壁にカップ状のライナー11bが設けられ、その底面には、ガスを排出する開口部が設けられている。ガス排出口13a上部には、それぞれガス排出口13a近傍に、酸素ガス、オゾンガス、水蒸気など後述するオイリーシランを酸化させるガスを含むガス以下酸化性ガスと記すを供給するための酸化性ガス供給機構14と接続された酸化性ガス供給口14aが設けられている。反応室11上部には、ガス供給口12aから供給されたプロセスガスを、ウェーハw上に整流状態で供給するための整流板15が設置されている。そして、その下方には、ウェーハwを保持するための保持部材であるサセプタ16が、回転部材であるリング17上に設置されている。なお、保持部材は環状のホルダであってもよい。リング17は、ウェーハwを所定の回転速度で回転させる回転軸18a、モータ図示せずなどから構成される回転駆動制御機構18と接続されている。リング16内部には、ウェーハwを加熱するために、例えばSiCからなるディスク状のヒータ19が設置されている。なお、ヒータ19には均一に加熱するために、パターンが形成されていてもよい。ヒータ19としては、さらにウェーハw周縁部を加熱するための環状のヒータを用いてもよく、効率的に加熱するためのリフレクタを有していてもよい。このように構成されるエピタキシャル成膜装置を用いて、例えば、φ200mmのSiウェーハw上に、Siエピタキシャル膜が形成される。先ず、反応室11にウェーハwを搬入し、ウェーハwが載置されたサセプタ16を、リング17上に載置する。そして、ウェーハwの面内温度が均一に例えば1100°Cとなるように、ヒータ19の温度を1500~1600°Cに制御する。そして、回転駆動制御機構18により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させるとともに、プロセスガスを、ガス供給機構12よりガス供給口12aを介して、整流板15を介して整流状態でウェーハw上に供給する。プロセスガスは、例えばジクロロシラン濃度が2.5となるように、H2などの希釈ガスにより希釈され、例えば50SLMで供給される。余剰となったジクロロシラン、希釈ガスを含むプロセスガス、反応副生成物であるHClなどのガスは、サセプタ16の外周より下方に排出される。さらに、これらのガスは、ガス排出口13aを介してガス排出機構13より排出され、反応室11内の圧力が一定例えば常圧に制御される。このようにして、ウェーハw上にSiエピタキシャル膜を成長させる。所望の膜厚のSiエピタキシャル膜が形成された後、ウェーハwが反応室11より搬出される。このとき、図3に示すように、石英ライナー11bの内壁及び底面には、余剰のプロセスガスなどのガスより生成されたオイリーシラン31が堆積する。そこで、酸化性ガス供給機構14より、ガス排出口13a近傍に、酸化性ガスを供給し、堆積したオイリーシランを酸化させ、大気中でも安定なシリコン酸化物を生成する。このとき、堆積したオイリーシランは、表面で酸素と反応し、内部には進行しない。そのため、未反応オイリーシランの残存を防ぐために、このような酸化性ガスの供給処理は、オイリーシランが大量に堆積する前に逐次行われることが好ましく、成膜処理毎に行われることがより好ましい。なお、酸化性ガスが供給された後、次の成膜処理を行う前に、ウェーハwの酸化を防ぐために、反応室11内部より十分に酸化性ガスを除去する必要がある。そして、石英ライナー11bの内壁及び底面に堆積したシリコン酸化物は、例えば反応室11内に堆積した他の堆積物反応副生成物を除去するための通常の反応室11のメンテナンス時に、併せて除去される。このとき、ライナー11bを分離して取り出し、フッ硝酸水溶液などを用いて洗浄することができる。本実施形態によれば、予めオイリーシランを酸化させ、大気中でも安定なシリコン酸化物として堆積させてから、通常の分解メンテナンス時に除去することができる。従って、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能となる。実施形態2本実施形態において、実施形態1とエピタキシャル成膜装置の構成は同様であるが、ガス排出口13aと、その内壁に設けられた石英ライナー11bとの間がシールされている点で実施形態1と異なっている。図4に、本実施形態の半導体製造装置であるエピタキシャル成膜装置におけるガス排出口13aの断面図を示す。実施形態1と同様の構成であるが、ガス排出口13aと、その内壁に設けられた石英ライナー11bとの間が、シリコーンなどからなるOリング41によりシールされている。このような構成により、ガス排出口13aと、その内壁に設けられた石英ライナー11bとの間隙に、余剰のプロセスガスなどのガスが進入し、オイリーシランが生成されることを抑えることが可能となる。そして、大気中において、ガス排出口13aより石英ライナー11bを取り外す際に、未反応のオイリーシランが爆発的に大気中の水分と反応することを抑えることが可能となる。本実施形態によれば、実施形態1と同様の作用により、スループットを低下させることなく、さらに未反応のオイリーシランの残存を抑え、オイリーシランのより安全な除去が可能となる。これら実施形態によれば、半導体ウェーハにエピタキシャル膜などの高品質の膜を形成する半導体製造装置において、安全にメンテナンスを行うことが可能となる。また、安全性を向上させても、スループットを低下させることがないため、そして、半導体ウェーハや、素子形成工程及び素子分離工程を経て形成される半導体装置において、高い生産性を得ることが可能となる。特に、N型ベース領域、P型ベース領域や、絶縁分離領域などに、40μm以上の厚膜成長が必要な、パワーMOSFETやIGBTなどのパワー半導体装置を形成するためのエピタキシャル成膜装置として、好適に用いることができる。また、これら実施形態においては、Si単結晶層エピタキシャル膜形成の場合を説明したが、本実施形態は、ポリSi層形成時にも適用することも可能である。また、例えばSiO2膜やSi3N4膜などSi膜以外の成膜や、例えばGaAs層、GaAlAsやInGaAsなど化合物半導体などにおいても適用することも可能である。その他要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。