"静磁場、勾配磁場、および複数のRFコイルを有するRFコイル部によるRF磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するMRI装置であって、前記複数のRFコイルごとに設けられたセンサと、複数のRFコイルにより対象にそれぞれ印加されるRF磁場の強度が均等になるように複数のRFコイルの供給電力の比を調節する調節手段と、を具備し、前記調節手段は、前記センサによるRF磁場検出信号に基づいて、前記比が、前記RF磁場検出信号の2乗の逆数の比となるように調節することを特徴とするMRI装置。静磁場、勾配磁場、および複数のRFコイルによるRF磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するMRI装置であって、複数のRFコイルにより対象にそれぞれ印加されるRF磁場の強度が均等になるように複数のRFコイルの供給電力の比を調節する調節手段、を具備し、前記調節手段は、複数のRFコイルの個別のインピーダンスに基づいて前記比を調節することを特徴とする記載のMRI装置。前記比は、前記インピーダンスの逆数の比である、ことを特徴とする請求項2に記載のMRI装置。前記複数のRFコイルは対象を円筒状に取り囲む、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のうちのいずれか1つに記載のMRI装置。フェーズドアレイコイルを送信コイルとしても使用する試みがあるが、フェーズドアレイコイルは対象に近接して使用されるので、個々のRFコイルごとに対象との位置関係が異なることがあり得る。そのような場合は、各RFコイルに同一のRF電力を供給しても、個々のRFコイルによる対象へのRF磁場の印加が均等にならず、適切なイメージングは行えない。そこで、本発明の課題は、複数のRFコイルによるRF磁場の印加が均等なMRI装置を実現することである。上記の課題を解決するための本発明は、静磁場、勾配磁場および複数のRFコイルによるRF磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するMRI装置であって、複数のRFコイルにより対象にそれぞれ印加されるRF磁場の強度が均等になるように複数のRFコイルの供給電力の比を調節する調節手段、を具備することを特徴とするMRI装置である。前記調節手段は、共通のセンサによるRF磁場検出信号に基づいて前記比を調節することが、センサ数を最小限にする点で好ましい。前記比は、前記共通のセンサによるRF磁場検出信号として、対象が存在しない状態において複数のRFコイルに同一強度のRF磁場をそれぞれ発生させたときのRF磁場検出信号に一致する信号が得られる比であることが、電力比を適正化する点で好ましい。前記調節手段は、複数のRFコイルごとのセンサによるRF磁場検出信号に基づいて前記比を調節することが、RF磁場検出条件を平等にする点で好ましい。前記比は、前記検出信号の2乗の逆数の比であることが、電力比を適正化する点で好ましい。前記調節手段は、複数のRFコイルの個別のインピーダンスに基づいて前記比を調節することが、RFコイルの電気的特性値を利用する点で好ましい。前記比は、前記インピーダンスの逆数の比であることが、電力比を適正化する点で好ましい。前記複数のRFコイルは対象を円筒状に取り囲むことが、撮像中心の共有が容易な点で好ましい。本発明によれば、MRI装置が、静磁場、勾配磁場および複数のRFコイルによるRF磁場を対象に印加して発生させた磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成するMRI装置であって、複数のRFコイルにより対象にそれぞれ印加されるRF磁場の強度が均等になるように複数のRFコイルの供給電力の比を調節する調節手段を具備するので、複数のRFコイルによるRF磁場の印加を均等にすることができる。以下、図面を参照して発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、本発明は発明を実施するための最良の形態に限定されるものではない。図1にMRI装置のブロックblock図を示す。本装置は発明を実施するための最良の形態の一例である。本装置の構成によって、MRI装置に関する本発明を実施するための最良の形態の一例が示される。同図に示すように、本装置はマグネットシステムmagnetsystem100を有する。マグネットシステム100は主磁場コイルcoil部102、勾配コイル部106およびRFコイル部108を有する。これら各コイル部は概ね円筒状の形状を有し、互いに同軸的に配置されている。マグネットシステム100の概ね円柱状の内部空間ボア:boreに、撮像の対象1がクレードルcradle500に搭載されて図示しない搬送手段により搬入および搬出される。対象1の例えば頭部はRFコイル部108内に収容されている。RFコイル部108については、後にあらためて説明する。主磁場コイル部102はマグネットシステム100の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向は概ね対象1の体軸の方向に平行である。すなわちいわゆる水平磁場を形成する。主磁場コイル部102は例えば超伝導コイルを用いて構成される。なお、超伝導コイルに限らず常伝導コイル等を用いて構成してもよい。勾配コイル部106は、互いに垂直な3軸すなわちスライスslice軸、位相軸および周波数軸の方向において、それぞれ静磁場強度に勾配を持たせるための3つの勾配磁場を生じる。静磁場空間における互いに垂直な座標軸をx,y,zとしたとき、いずれの軸もスライス軸とすることができる。その場合、残り2軸のうちの一方を位相軸とし、他方を周波数軸とする。また、スライス軸、位相軸および周波数軸は、相互間の垂直性を保ったままx,y,z軸に関して任意の傾きを持たせることも可能である。本装置では対象1の体幅の方向をx方向とし、体厚の方向をy方向とし、体軸の方向をz方向とする。スライス軸方向の勾配磁場をスライス勾配磁場ともいう。位相軸方向の勾配磁場を位相エンコードencode勾配磁場ともいう。周波数軸方向の勾配磁場をリードアウトreadout勾配磁場ともいう。リードアウト勾配磁場は周波数エンコード勾配磁場と同義である。このような勾配磁場の発生を可能にするために、勾配コイル部106は図示しない3系統の勾配コイルを有する。以下、勾配磁場を単に勾配ともいう。RFコイル部108は静磁場空間に対象1の体内のスピンspinを励起するためのRF磁場を形成する。以下、RF磁場を形成することをRF励起信号の送信ないしRF送信ともいう。また、RF励起信号をRFパルスpulseともいう。励起されたスピンが生じる電磁波すなわち磁気共鳴信号は、RFコイル部108によって受信される。磁気共鳴信号は、周波数ドメインdomainすなわちフーリエFourier空間の信号となる。位相軸方向および周波数軸方向の勾配により、磁気共鳴信号のエンコードを2軸で行えば、磁気共鳴信号は2次元フーリエ空間についてのサンプリング信号として得られ、スライス勾配をも利用してエンコードを3軸で行えば3次元フーリエ空間についての信号として得られる。各勾配は、2次元あるいは3次元フーリエ空間における信号のサンプリング位置を決定する。以下、フーリエ空間をkスペースk-spaceともいう。勾配コイル部106には勾配駆動部130が接続されている。勾配駆動部130は勾配コイル部106に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。勾配駆動部130は、勾配コイル部106における3系統の勾配コイルに対応して、図示しない3系統の駆動回路を有する。RFコイル部108にはRF駆動部140が接続されている。RF駆動部140はRFコイル部108に駆動信号を与えてRFパルスを送信させ、対象1の体内のスピンを励起する。RFコイル部108には、また、データdata収集部150が接続されている。データ収集部150は、RFコイル部108が受信した受信信号をディジタルデータdigitaldataとして収集する。勾配駆動部130、RF駆動部140およびデータ収集部150にはシーケンスsequence制御部160が接続されている。シーケンス制御部160は、勾配駆動部130ないしデータ収集部150をそれぞれ制御して磁気共鳴信号の収集を遂行する。シーケンス制御部160は、例えばコンピュータcomputer等を用いて構成される。シーケンス制御部160はメモリmemoryを有する。メモリはシーケンス制御部160用のプログラムprogramおよび各種のデータを記憶している。シーケンス制御部160の機能は、コンピュータがメモリに記憶されたプログラムを実行することにより実現される。データ収集部150の出力側はデータ処理部170に接続されている。データ収集部150が収集したデータがデータ処理部170に入力される。データ処理部170は、例えばコンピュータ等を用いて構成される。データ処理部170はメモリを有する。メモリはデータ処理部170用のプログラムおよび各種のデータを記憶している。データ処理部170はシーケンス制御部160に接続されている。データ処理部170はシーケンス制御部160の上位にあってそれを統括する。本装置の機能は、データ処理部170がメモリに記憶されたプログラムを実行することによりを実現される。データ処理部170は、データ収集部150が収集したデータをメモリに記憶する。メモリ内にはデータ空間が形成される。このデータ空間はkスペースに対応する。データ処理部170は、kスペースのデータを逆フ-リエ変換することにより画像を再構成する。データ処理部170には表示部180および操作部190が接続されている。表示部180は、グラフィックディスプレーgraphicdisplay等で構成される。操作部190はポインティングデバイスpointingdeviceを備えたキーボードkeyboard等で構成される。表示部180は、データ処理部170から出力される再構成画像および各種の情報を表示する。操作部190は、使用者によって操作され、各種の指令や情報等をデータ処理部170に入力する。使用者は表示部180および操作部190を通じてインタラクティブinteractiveに本装置を操作することが可能である。図2に、RFコイル部108の主要部を斜視図によって示す。同図に示すように、RFコイル部108は複数のコイル802-808を有する。コイル802-808は、それぞれが長方形のコイルであり、全体として円筒を形成するように配置される。このように配置することにより、撮像中心を共有することが容易になる。円筒の軸方向は体軸方向と一致する。コイル802-808は、本発明における複数のRFコイルの一例である。ここでは、コイル数が4である例を示すが、それ以外の適宜の複数であってよい。コイル802-808はそれぞれ閉ループloopをなす。各ループは、キャパシタcapacitorを直列に有する導体のループである。ただし、キャパシタの図示は省略してある。コイル802-808は、相互に電磁的にカップリングcouplingしないように構成されている。すなわち、コイル802-808はフェーズドアレイコイルとなっている。フェーズドアレイコイルは、各ループに中和回路を設けること等によって実現される。RFコイル部108内に対象1を収容した状態を図3に示す。同図は、体軸方向に見た図である。対象1はその輪郭が概ね楕円形ではあるが、一般的には厳密な体軸対称性を持たない。さらに、体軸がRFコイル部108の中心軸に常に一致するとは限らない。したがって、対象1とコイル802-808の位置関係はコイルごとに相違する。このため、コイル802-808に供給するRF電力を全て同一にしても、対象1に実際に印加されるRF磁場は、負荷条件等の相違によりコイルごとに相違することとなるが、本装置は、対象1とコイル802-808の個々の位置関係の相違に関わらず、対象1に実際に印加されるRF磁場を均等にする手段を備えている。以下、それについて説明する。図4に、RFコイル部108、RF駆動部140、データ収集部150およびシーケンス制御部160の主要な構成の一例を示す。同図に示すように、RF駆動部140は出力段にパワーアンプpoweramplifier402-408を有する。パワーアンプ402-408は可変ゲインgainのアンプである。パワーアンプ402-408は入力のRFパルスを電力増幅し、送受切換器412-418を通じてRFコイル部108のコイル802-808にそれぞれ供給する。コイル802-808の受信信号は、送受切換器412-418を通じてデータ収集部150の入力段のプリアンプpre-amplifier502-508にそれぞれ入力される。RFコイル部108の近傍には、センサsensor420が設けられ、RFコイル部108が発生するRF磁場の強度が検出される。センサ420は、本発明における共通のセンサの一例である。共通のセンサを用いるので、センサ数を最小限にすることができる。センサ420としては、例えばサーチコイルsearchcoil等が用いられる。センサ420の検出信号は調節部430に入力される。調節部430は、入力信号に基づいてパワーアンプ402-408のゲインを個々に調節する。パワーアンプ402-408の個々のゲインは、コイル802-808によって対象1にそれぞれ印加されるRF磁場の強度が全て同じになるように調節される。調節部430は、本発明における調節手段の一例である。ゲイン調節について説明する。ゲイン調節に当たっては、まず、RFコイル部108内に対象1を収容しない状態で、コイル802-808に同一のRF電力を逐次供給して同一磁場強度のRF磁場をそれぞれ発生させ、そのつど得られるセンサ420の検出値をそれぞれ記憶する。これによって、コイル802-808に同一のRF磁場をそれぞれ発生させたときの、センサ420の位置におけるRF磁場強度検出値がコイルごとに得られる。次に、RFコイル部108内に対象1を収容した状態で、コイル802-808のうちの1つ例えばコイル802について、上記と同一のRF電力を供給してRF磁場を発生させ、そのときのセンサ420の検出値を求める。対象1を収容したことに伴う負荷条件等の変化により、同一のRF電力を供給しても、コイル802が発生するRF磁場は先の無負荷時と同じになるとは限らない。磁場強度が相違する場合は、先の検出値とは異なる検出値が得られる。そのような場合は、調節部430は、パワーアンプ402のゲインを調節してコイル802に供給するRF電力を変化させ、磁場強度の検出値が先の検出値と一致するようにする。検出値の一致は磁場強度の一致を示しているので、このとき、パワーアンプ402の出力電力は、コイル802に無負荷時と同一強度のRF磁場を発生させるRF電力となる。これによって、コイル802に無負荷時と同一強度のRF磁場を発生させるRF電力を供給するための、パワーアンプ402のゲインが定まる。同様なゲイン調節が他のパワーアンプ404-408についてもそれぞれ行われ、無負荷時と同一強度のRF磁場をコイル804-808にそれぞれ発生させるための、パワーアンプ404-408のゲインがそれぞれ定まる。このようにして定められたパワーアンプ402-408のゲインの比は、現在の負荷条件等の下で、コイル802-808に同一強度のRF磁場をそれぞれ発生させるための、パワーアンプ402-408の出力電力の比を表す。したがって、撮影用のRF励起時には、パワーアンプ402-408の出力電力をこの比を維持して行うことにより、コイル802-808から対象1に印加されるRF磁場強度を全て均等にすることができる。なお、パワーアンプ402-408の出力電力の絶対値すなわちRF磁場強度の絶対値は、所望するスピン励起の度合いに応じて適宜に制御される。図5に、RFコイル部108、RF駆動部140、データ収集部150およびシーケンス制御部160の主要な構成の他の例を示す。同図において図4に示したものと同様な部分は同一の符号を付して説明を省略する。同図では、RF磁場用のセンサ422-428がコイル802-808ごとに設けられる。センサ422-428は対応するコイルの近傍にそれぞれ設けられる。センサ422-428は、本発明における複数のRFコイルごとのセンサの一例である。複数のRFコイルごとにセンサを設けることにより、RF磁場検出条件を平等にすることができる。調節部430は、センサ422-428からの入力信号に基づいてパワーアンプ402-408のゲインを個々に調節する。パワーアンプ402-408の個々のゲインは、コイル802-808によって対象1にそれぞれ印加されるRF磁場の強度が全て同じになるように調節される。調節部430は、本発明における調節手段の一例である。ゲイン調節について説明する。ゲイン調節はRFコイル部108内に対象が収容された状態で行われる。すなわち、RFコイル部108内に対象1を収容した状態で、コイル802-808に同一のRF電力を逐次供給してRF磁場をそれぞれ発生させ、そのつど得られるセンサ422-428の検出値をそれぞれ求める。これによって、コイル802-808に同一のRF電力をそれぞれ供給したときの、RF磁場強度検出値がコイルごとに得られる。対象1とコイル802-808の位置関係がコイルごとに異なることにより、同一のRF電力を供給しても、コイル802-808が発生するRF磁場は全て同じになるとは限らない。磁場強度が相違する場合は、センサ422-428によってそれぞれ異なる検出値が得られる。調節部430は、パワーアンプ402-408のゲインの比をセンサ422-428の検出値の2乗の逆数の比となるように調節する。このようにして定められたパワーアンプ402-408のゲインの比は、現在の負荷条件等の下で、コイル802-808に同一強度のRF磁場をそれぞれ発生させるための、パワーアンプ402-408の出力電力の比となる。したがって、撮影時のRF励起は、パワーアンプ402-408の出力電力の比をこの比に維持して行うことにより、コイル802-808から対象1に印加されるRF磁場強度を全て均等にすることができる。なお、パワーアンプ402-408の出力電力の絶対値は、所望するスピン励起の度合いに応じて適宜に制御される。図6に、RFコイル部108、RF駆動部140、データ収集部150およびシーケンス制御部160の主要な構成の他の例を示す。同図において図4に示したものと同様な部分は同一の符号を付して説明を省略する。同図では、コイル802-808のインピーダンスimpedanceがインピーダンス測定部440によって測定される。インピーダンス測定部44としては、例えば、反射波利用形のインピーダンス測定器等が用いられる。調節部430は、インピーダンス測定部440から入力されるコイル802-808ごとのインピーダンスに基づいてパワーアンプ402-408のゲインを個々に調節する。パワーアンプ402-408の個々のゲインは、コイル802-808によって対象1にそれぞれ印加されるRF磁場の強度が全て同じになるように調節される。調節部430は、本発明における調節手段の一例である。ゲイン調節について説明する。ゲイン調節はRFコイル部108内に対象が収容された状態で行われる。すなわち、RFコイル部108内に対象1を収容した状態で、コイル802-808のインピーダンスをそれぞれ測定する。対象1とコイル802-808の位置関係がコイルごとに異なることにより、コイル802-808インピーダンスが全て同じになるとは限らない。インピーダンスが相違する場合は、コイル802-808についてそれぞれ異なる値が測定される。調節部430は、パワーアンプ402-408のゲインの比をコイル802-808のインピーダンスの逆数の比となるように調節する。複数のRFコイルの個別のインピーダンスに基づいて比を調節するので、RFコイルの電気的特性値を利用した調節を行うことができる。このようにして定められたパワーアンプ402-408のゲインの比は、現在の負荷条件等の下で、コイル802-808に同一強度のRF磁場をそれぞれ発生させるための、パワーアンプ402-408の出力電力の比となる。したがって、撮影用のRF励起時には、パワーアンプ402-408の出力電力をこの比を維持して行うことにより、コイル802-808から対象1に印加されるRF磁場強度を全て均等にすることができる。なお、パワーアンプ402-408の出力電力の絶対値すなわちRF磁場強度の絶対値は、所望するスピン励起の度合いに応じて適宜に制御される。図7に、撮影用のパルスシーケンスの一例を示す。このパルスシーケンスはEPIechoplanarimagingによるパルスシーケンスpulsesequenceである。パルスシーケンスは左から右に進行する。以下同様である。同図において、1はRF信号のシーケンスを示す。2-4はいずれも勾配磁場のシーケンスで、2はスライス勾配、3は周波数エンコード勾配、4は位相エンコード勾配である。なお、静磁場は一定の磁場強度で常時印加されている。まず、90°パルスによるスピン励起が行われる。90°励起の所定時間後に180°パルスによる180°励起が行われる。いずれもスライス勾配Gsliceの下での選択励起である。次に、位相エンコード勾配Gphaseおよび周波数エンコード勾配Gfreqが所定のシーケンスで印加され、複数のエコーが逐次読み出される。複数のエコーは位相エンコードがそれぞれ異なる。エコーは中心信号で代表する。以下同様である。このようなパルスシーケンスが、繰り返し時間TRで所定回数繰り返され、そのつど、複数のエコーが読み出される。すなわち、マルチショットmulti-shotのスキャンscanが行われる。繰り返しのたびにエコーの位相エンコードが変更され、所定回数の繰り返しによって、kスペース全体についてのサンプリングが行われる。このデータを2次元逆フーリエ変換することにより、2D画像が再構成される。パルスシーケンスはEPIに限らず他の適宜のパルスシーケンスでよい。EPI以外のパルスシーケンスとして、例えば、3Dグラディエントエコー3DimensionalGradientEcho法によるパルスシーケンスがある。図8に、そのパルスシーケンスを示す。同図において、1はRF信号のパルスシーケンスを示す。2-4はいずれも勾配磁場のパルスシーケンスを示す。2はスライス勾配およびスライス方向の位相エンコード勾配、3は周波数エンコード勾配、4は位相エンコード勾配勾配である。なお、静磁場は一定の磁場強度で常時印加されている。まず、α°パルスによるスピン励起が行われる。α°励起はスライス勾配Gsliceの下での選択励起である。α°励起後に、スライス方向の位相エンコード勾配Gslice、周波数エンコード勾配Gfreqおよび位相エンコード勾配Gphaseが所定のシーケンスで印加され、エコーが読み出される。このようなパルスシーケンスが、繰り返し時間TRで所定回数繰り返され、そのつど、エコーが読み出される。繰り返しのたびにエコーの位相エンコードが変更され、所定回数の繰り返しによって、kスペース全体についてのサンプリングが行われる。このデータを3次元逆フーリエ変換することにより3D画像が再構成される。"