"第1の領域と、前記第1の領域と異なる第2の領域とを有する被加工膜を第1の基板上に形成する工程と、前記被加工膜の前記第1の領域上に、複数の成分で組成される自己組織化材料を選択的に塗布する工程と、ベーキングにより前記自己組織化材料を前記複数の成分に相分離させる工程と、相分離した前記複数の成分のうちのいずれかの成分を除去することにより第1のパターンを形成する工程と、前記被加工膜の前記第2の領域上に硬化樹脂を塗布する工程と、所望のパターンに応じた凹凸を有する第2の基板を前記硬化樹脂と対向するように近接させて密着させる工程と、前記硬化樹脂を硬化させる工程と、前記第2の基板を前記硬化樹脂から離して前記硬化樹脂に第2のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンおよび前記第2のパターンをマスクとして被加工膜を加工する工程と、を備えるパターン形成方法。前記自己組織化材料を塗布する前に、前記自己組織化材料に所望の接触角を与える第1の膜を成膜する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記第1の膜は、前記硬化樹脂との密着性を有する第2の膜を兼ねることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。硬化樹脂を塗布する前に、前記硬化樹脂との密着性を有する第2の膜を成膜する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記第2の膜を成膜する前に前記第1のパターンに対してレジスト不溶化処理を行う工程をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。前記自己組織化材料を塗布する工程と、前記自己組織化材料を複数の成分に相分離させる工程と、相分離した前記複数の成分のうちのいずれかを除去する工程とは、前記第2のパターンを形成する工程の後に行われることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のパターン形成方法。前記自己組織化材料および前記光硬化樹脂の塗布前に、前記自己組織化材料および前記光硬化樹脂のエッチングレート差を予め測定する工程をさらに備え、前記自己組織化材料の膜厚と前記光硬化樹脂のパターンの高さとは、測定されたエッチングレート差に応じて決定されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のパターン形成方法。前記第2のパターンは、ラインアンドスペースのパターンであり、前記自己組織化材料は、前記第2のパターンにおけるライン間隔に応じて決定される、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のパターン形成方法。本発明は、スループットが高いパターン形成方法を提供する。実施形態のパターン形成方法は、第1の領域と、前記第1の領域と異なる第2の領域とを有する第1の基板上に被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜の前記第1の領域上に、複数の成分で組成される自己組織化材料を選択的に塗布する工程と、ベーキングにより前記自己組織化材料を前記複数の成分に相分離させる工程と、相分離した前記複数の成分のうちのいずれかの成分を除去することにより第1のパターンを形成する工程と、前記被加工膜の前記第2の領域上に硬化樹脂を塗布する工程と、所望のパターンに応じた凹凸を有する第2の基板を前記硬化樹脂と対向するように近接させて密着させる工程と、前記硬化樹脂を硬化させる工程と、前記第2の基板を前記硬化樹脂から離すことにより前記硬化樹脂に第2のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンおよび前記第2のパターンをマスクとして被加工膜を加工する工程と、を含む。以下の実施の形態では、シリコンなどの半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜等の層間絶縁膜上に光ナノインプリントによりパターンを形成する場合を取り挙げて説明する。しかしながら、以下の形態に限られるものでは決して無い。例えば基板として、半導体基板以外に例えばセラミック基板やガラス基板も使用でき、被加工膜も絶縁膜に限らず例えばシリコン等の半導体層、金属等の導電体層に対しても適用できる。さらに、光ナノインプリントに限らず、熱ナノインプリントにも適用可能であることは勿論である。その場合は硬化樹脂として光硬化樹脂に代えて熱硬化樹脂を使用し、光硬化プロセスに代えて熱硬化プロセスを使用すればよい。1第1の実施の形態a概略工程フロー図1は、本実施形態によるパターン形成方法の工程フロー図である。先ず、図1を参照して本実施形態の工程を概略的に説明する。最初に、前処理工程として、半導体基板の周縁領域にパターンを形成するための自己組織化材料と、光硬化樹脂との間のエッチングレート差を予め測定しておき、該エッチングレート差に応じて自己組織化材料から形成する周縁領域のパターンの膜厚と、光硬化樹脂でなるパターンの高さを決定しておくS1。これにより、周縁領域のパターンと光硬化樹脂でなるパターンとをマスクとする最後のエッチング工程S90において、被加工膜を良好に加工することが可能になる。後述するとおり、以下の実施形態では、自己組織化材料の膜厚として約30nm、光硬化樹脂のパターンの高さとして約60nmを決定したが、勿論これに限るわけではなく、製品の要求仕様に応じた最適の膜厚高さが決定される。次いで、半導体基板上に被加工膜として酸化膜を形成するS10。次に、複数の成分で組成される自己組織化材料としてポリスチレンーポリメチルメタクリレートpolystyrene-polymethylmethacrylate:以下、PS-PMMAというを酸化膜の周縁領域に選択的に塗布するS20。自己組織化材料としては該PS-PMMA以外にポリスチレンーポリブタジエンpolystyrene-polybutadiene、ポリスチレンーポリイソプレンpolystyrene-polyisopreneおよびポリスチレンーポリ4ビニルピリジンpolystyrene-poly4-vinylpyridineなどを用いることができる。次いで、ベークによりPS-PMMAを相分離させS30、光硬化樹脂をチップ形成領域に塗布しS40、さらに、テンプレート基板を光硬化樹脂に近接させ密着させることにより、テンプレート基板のパターンを光硬化樹脂に転写するS50。続いて、テンプレート基板を通してUV光を光硬化樹脂に照射することにより、光硬化樹脂を硬化させるS60。さらに、テンプレート基板を光硬化樹脂から剥離するS70。次いで、相分離したPS-PMMAの成分の一つを選択的に除去すると同時に、光硬化樹脂で形成された凹凸パターン中のパターン間残渣を除去するS80。最後に、残存したPS-PMMAの成分によるパターンと光硬化樹脂の凹凸パターンとをマスクとして酸化膜を選択的に除去することで加工するS90。図1のフローを図2A乃至図2Iの概略工程図を用いてより詳細に説明する。b被加工膜の形成S10本実施形態では、図2Aに示すように、半導体基板S上に約200nmの厚さで酸化膜10を形成する。半導体基板Sおよび酸化膜10は、本実施形態において例えば第1の基板および被加工膜にそれぞれ対応する。cPS-PMMAの選択塗布S20図2Bに示すように、ローラー塗布、スキャン塗布、またはスプレー塗布などを用いて、酸化膜10の周縁領域にPS-PMMAを膜厚30nmで塗布することによりPS-PMMA層20を形成する。図2には、ノズルNZ1からスプレーを塗布する例が示されている。本実施形態において、周縁領域は例えば第1の領域に対応する。dベークS30本実施形態では、200°Cでベークする。これにより、図2Cに示すように、PS-PMMA層20が、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとの一方、例えばポリスチレンでなるパターン20a,20cと、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートとの他方、例えばポリメチルメタクリレートでなるパターン20bに相分離される。本実施形態においてポリスチレンおよびポリメチルメタクリレートは、例えば自己組織化材料を組成する複数の成分に対応する。e光硬化樹脂塗布S40図2Dに示すように、例えばインクジェット法によりノズルNZ2から、酸化膜10上のチップ形成領域に光硬化樹脂30を選択的に塗布する。チップ形成領域は、本実施形態において例えば第2の領域に対応する。fプリントS50図2Eに示すように、所望のパターンに応じた凹凸パターンを有するテンプレート基板100を光硬化樹脂30に近接させ密着させて凹凸パターン中の掘り込みパターン内に光硬化樹脂を充填することで、テンプレート基板100のパターンが光硬化樹脂30に転写される。本実施形態において、テンプレート基板100は例えば第2の基板に対応する。g光硬化S60図2Fに示すように、テンプレート基板10を通して光硬化樹脂30にUV光を照射することにより、光硬化樹脂30が硬化する。h離型図2Gに示すように、硬化された光硬化樹脂30からテンプレート基板100を剥離すれば、約60nmの高さを有する凹凸パターン38が形成される。iPMMAおよび残渣膜の除去凹凸パターン38中のパターン間残渣膜と、ポリメチルメタクリレートのパターン20bとをRIEReactiveIonEtchingにより同時に除去すると、図2Hに示すように、周縁領域にポリスチレンのパターン20a,20cが形成され、チップ形成領域に光硬化樹脂のパターン40が形成される。図2Hからも分かるように、自己組織化材料の種類は、パターン20bの幅、即ち、パターン20a,20c間の間隔が、チップ形成領域に形成されるパターン40の間隔とほぼ一致するように、パターン40のライン間隔に応じて決定する必要がある。本実施形態において、パターン20a,20cは例えば第1のパターンに対応し、パターン40は例えば第2のパターンに対応する。j酸化膜加工最後に、ポリスチレンのパターン20a,20cおよび光硬化樹脂のパターン40をマスクに、フッ素系ガスを用いたRIEで酸化膜10を加工すれば、図2Iに示すように、テンプレート基板100の凹凸パターンに対応したパターン50が得られる。2比較例図3は、比較例によるパターン形成方法のフロー図である。そのプロセスS51に示すように、周縁領域についてもプリントを行っている。この比較例の工程を図4A乃至4Fを参照して説明する。まず、半導体基板S上に被加工膜200を形成した後図3、S11、図4Aに示すように、インクジェット法により光硬化樹脂30の液滴を被加工膜200上の所望の位置に配置する図3、S40。このとき、被加工膜200の周縁領域にも配置する。次に、所望の凹凸パターンが形成された石英テンプレート300を被加工膜200に近接させてパターン形成領域の光硬化樹脂30に接触させ、図4Bに示すように、凹凸パターン中の掘り込みパターン内に光硬化樹脂30を充填する図3、S50。次に、図4Cに示すように、UV光を照射して光硬化樹脂を硬化させる。次いで、図4Dに示すように、テンプレート300を被加工膜200から離型し、これによりパターン380を形成する。次いで、以上のプリント、光硬化および離型の一連の工程を周縁領域の光硬化樹脂30に対しても実行する図3、S78続いて、主として酸素プラズマによる異方性エッチングを用いて残膜層を除去し、図4Eに示すように光硬化樹脂パターン400を得る。最後に、図4Fに示すように、形成したパターン400をマスクとしてRIEにより被加工膜200を加工してパターン500を形成する。このように、比較例の光インプリントプロセスによれば、加工やCMPなどの後の工程においてパターンのあるチップ形成領域と周縁領域との粗密差によるエッチング量差が発生する懸念があるため、図5に示すように、チップ形成領域Rcのみならず、周縁領域Rpにもインプリントしてパターン形成する必要がある。そのため、1ウェーハ当たりのインプリント回数が必要量以上に多く、例えば図5に示す例では、チップ形成領域Rcおよび周縁領域Rpへの全ショット数581中、周縁領域Rpへのダミーショットが118と約20に及び、インプリントのスループットの低下、ひいてはコスト増加を招いている。これに対して、上述の第1の実施の形態によれば、高額なリソグラフィー装置を用いることもなく周縁領域をパターニングできるので、加工やCMPなどの後の工程において、パターンのあるチップ形成領域とパターンの無い周縁領域との粗密差によるエッチング量差を発生させることなく、インプリント回数を低減することができる。この結果、ナノインプリントのスループットを向上でき、製造コストの低減が図れる。3第2の実施の形態図6は、第2の実施の形態によるパターン形成方法のフロー図である。図6中のプロセスS12に示すように、本実施形態の特徴は、PS-PMMAの選択塗布S20に先立って、表面制御膜を形成する点にある。以下、図7A乃至7Jを参照して本実施形態の具体的工程を順に説明する。まず、前処理工程として、自己組織化材料と光硬化樹脂との間のエッチングレート差を予め測定しておき、該エッチングレート差に応じ、自己組織化材料から形成する周縁領域のパターンの膜厚と、光硬化樹脂でなるパターンの高さとを決定しておくS1。次いで、半導体基板S上に酸化膜10を形成した後図6、S10、図7Aに示すように、酸化膜10上に表面制御膜60を成膜する図6、S12。表面制御膜60は、自己組織化材料の表面接触角制御性と光硬化樹脂の下地層酸化膜10に対する密着性とを兼ね備えた膜である。該表面接触角制御性により、自己組織化材料の下地層との接触角が所望の値に制御される。本実施形態で制御される接触角は、水の場合と同様の80度である。表面制御膜60は、本実施形態において例えば第2の膜を兼ねる第1の膜に対応する。次に、図7Bに示すように、ローラー塗布、スキャン塗布、またはスプレー塗布などを用いて、表面制御膜60の周縁領域にPS-PMMAを膜厚30nmで選択的に塗布してPS-PMMA層20を形成する図6、S20。次いで、200°Cでベークすることにより、図7Cに示すように、PS-PMMA層20を、ポリスチレンでなるパターン20a,20cと、ポリメチルメタクリレートでなるパターン20bに相分離する図6、S30。続いて、図7Dに示すように、酸素ガスを用いたRIEによりポリメチルメタクリレートのパターン20bを除去する図6、S31。次に、図7Eに示すように、インクジェット法によりノズルNZ2から、酸化膜10上のチップ形成領域に光硬化樹脂30を選択的に塗布する図6、S40。次いで、テンプレート基板100を光硬化樹脂30に近接させ密着させることによりテンプレート基板100の凹凸パターンを光硬化樹脂30に転写し図6、S50、さらに、図7Fに示すように、テンプレート基板100を通して光硬化樹脂30にUV光を照射し、光硬化樹脂30を硬化させる図6、S60。次に、図7Gに示すように、硬化された光硬化樹脂30からテンプレート基板100を剥離し、約60nmの高さを有する凹凸パターン38を形成する図6、S70。次いで、凹凸パターン38中のパターン間残渣膜を、フッ素ガスを用いたRIEにより除去し、図7Hに示すように、光硬化樹脂のパターン40を形成する図6、S81。最後に、ポリスチレンのパターン20a,20cおよび光硬化樹脂のパターン40をマスクとして、フッ素系ガスを用いたRIEにより酸化膜10を加工し、図7Iに示すように、テンプレート基板100の凹凸パターンに対応したパターン50を得る図6、S90。本実施形態によれば、PS-PMMAの選択塗布に先立って、自己組織化材料の表面接触角制御性と光硬化樹脂の密着性とを兼ね備えた制御膜60を成膜するので、より良好にPS-PMMA層20が相分離し、かつ、テンプレート基板100の剥離も容易になる。これにより、ナノインプリントの歩留まりが向上する。4第3の実施の形態図8は、第2の実施の形態によるパターン形成方法のフロー図である。本実施形態の第1の特徴は、図8中のプロセスS14、S33に示すように、PS-PMMAの選択塗布S20に先立って、表面接触角制御膜を形成し、また、光硬化樹脂の塗布S40前に密着膜を形成する工程をさらに含む点にある。さらに、図8中のプロセスS32に示すように、本実施形態の第2の特徴は、密着膜の形成S33前に、PS膜に対する表面不溶化処理を行う点にある。以下、図9A乃至9Jを参照して本実施形態の具体的工程を順に説明する。まず、上述した第1および第2の実施形態と同様に、前処理工程として、自己組織化材料と光硬化樹脂との間のエッチングレート差を予め測定しておき、該エッチングレート差に応じ、自己組織化材料から形成する周縁領域のパターンの膜厚と、光硬化樹脂でなるパターンの高さとを決定しておくS1。次いで、半導体基板S上に膜厚約200nmの酸化膜10を形成した後、図9Aに示すように、PS-PMMA層との接触角を80度にする表面接触角制御膜70を酸化膜10上に成膜するS14。表面接触角制御膜70は、本実施形態において例えば第1の膜に対応する。次に、図9Bに示すように、ローラー塗布、スキャン塗布、またはスプレー塗布などを用いて、表面接触角制御膜70の周縁領域にPS-PMMAを膜厚30nmで選択的に塗布してPS-PMMA層20を形成する図8、S20。次いで、200°Cでベークすることにより、図9Cに示すように、PS-PMMA層20を、ポリスチレンでなるパターン20a,20cと、ポリメチルメタクリレートでなるパターン20bに相分離する図6、S30。続いて、図9Dに示すように、酸素ガスを用いたRIEによりポリメチルメタクリレートのパターン20bを除去する図8、S31。次に、図9Eに示すように、レジスト不溶化材料としてメラミン樹脂前駆体を用い、ポリスチレンのパターン20a,20cが全て覆われる膜厚までメラミン樹脂前駆体膜75を成膜し、約150°Cでベークすることにより、パターン20a,20cの表面に、約3nmの厚さでメラミン樹脂膜80を成膜する図8、S32。次いで、図9Fに示すように、後の工程で形成される光硬化樹脂との密着性を向上させるための有機膜である密着膜90を約3nmの厚さで成膜する図8、S32。このとき、パターン20a,20cの表面にはメラミン樹脂膜80が成膜されているので、どのような組み合わせで密着膜と自己組織化材料とを選択しても、密着膜90の成膜工程でパターン20a,20cが溶け出すことはない。密着膜90は、本実施形態において例えば第2の膜に対応する。その後は、前述した実施形態と同様に、インクジェット法を用いて光硬化樹脂30を密着膜90のチップ形成領域に選択的に滴下し図8、S40、図9G、この光硬化樹脂30にテンプレート基板100を接触させ図8、S50、その後、図9Hに示すようにUV光を照射して光硬化させる図8、S60。さらに、テンプレート基板100を密着膜90から剥離し図8、S70、図9Iに示すように、60nmの高さを有する凹凸パターン38を形成する。次いで、フッ素系ガスを用いたRIEにより、凹凸パターン38のパターン間残渣を除去してパターン40を形成する図8、S81、図9I。最後に、ポリスチレンのパターン20a,20cと光硬化樹脂のパターン40とをマスクに、フッ素系ガスを用いたRIEにより、密着膜90、表面制御膜70および酸化膜10を選択的に除去し図8、S90、図9Jに示すように、パターン50を形成する。このように、本実施形態によっても、良好なPS-PMMA層20の相分離とテンプレート基板100の容易剥離とが同時に実現される。5第4の実施の形態図10は、第4の実施の形態によるパターン形成方法のフロー図である。本実施形態の特徴は、チップ形成領域でのパターンを形成した後にS32~S70、周縁領域のパターンを形成するS71~S73点にある。以下、図11A乃至11Hを参照して本実施形態の具体的工程を順に説明する。まず、上述した第2の実施形態と同様に、前処理工程として、自己組織化材料と光硬化樹脂との間のエッチングレート差を予め測定しておき、該エッチングレート差に応じ、自己組織化材料から形成する周縁領域のパターンの膜厚と、光硬化樹脂でなるパターンの高さとを決定しておくS1。次に、半導体基板S上に膜厚約200nmの酸化膜10を形成した後図10、S10、接触角80度になる自己組織化材料の表面接触角制御性と光硬化樹脂の下地層酸化膜10に対する密着性とを兼ね備えた表面制御膜60を成膜する図10、S14。次いで、図11Aに示すように、インクジェット法によりノズルNZ2から、酸化膜10上のチップ形成領域に光硬化樹脂30を選択的に塗布する図10、S40。次いで、テンプレート基板100を光硬化樹脂30に近接させ密着させることによりテンプレート基板100の凹凸パターンを光硬化樹脂30に転写し図10、S50、さらに、図11Bに示すように、テンプレート基板100を通して光硬化樹脂30にUV光を照射し、光硬化樹脂30を硬化させる図10、S60。次に、図11Cに示すように、硬化された光硬化樹脂30からテンプレート基板100を剥離し、約60nmの高さを有する凹凸パターン38を形成する図10、S70。続いて、図11Dに示すように、ローラー塗布、スキャン塗布、またはスプレー塗布などを用いて、表面制御膜60の周縁領域にPS-PMMAを膜厚30nmで選択的に塗布してPS-PMMA層20を形成する図10、S71。次いで、200°Cでベークすることにより、図11Eに示すように、PS-PMMA層20を、ポリスチレンでなるパターン20a,20cと、ポリメチルメタクリレートでなるパターン20bと、に相分離する図10、S72。続いて、図11Fに示すように、酸素ガスを用いたRIEによりポリメチルメタクリレートのパターン20bを除去する図10、S73。次いで、凹凸パターン38中のパターン間残渣膜を、フッ素ガスを用いたRIEにより除去し、図11Gに示すように、光硬化樹脂のパターン40を形成する図10、S81。最後に、ポリスチレンのパターン20a,20cおよび光硬化樹脂のパターン40をマスクとして、フッ素系ガスを用いたRIEにより酸化膜10を加工し、図11Hに示すように、テンプレート基板100の凹凸パターンに対応したパターン50を得る図10、S90。このように、チップ形成領域でのパターンを形成した後に周縁領域のパターンを形成することとしても、ナノインプリントのスループットの向上、および製造コスト低減を実現することができる。以上、実施の形態のいくつかについて説明したが、上記形態に限ることなく種々変形して適用可能である。例えば、被加工膜の種類によって光硬化樹脂との密着性が高い場合は、特に密着膜を用いることなく、自己組織化材料の表面接触角制御性を有する膜のみを周縁領域に成膜してもよい。また、上記実施形態では周縁領域にPS-PMMA膜を形成し、チップ形成領域に光硬化樹脂のパターンを形成したが、これに限ることなく、被加工膜上の同一レイア内であればいずれの領域に形成してもよい。"