aエッチ停止層をその上に配置する第1の誘電体材料、及び、前記エッチ停止層及び第2の誘電体材料及び前記エッチ停止層を貫通し前記第1の誘電体材料へ延伸する溝上に配置された前記第2の誘電体材料であって、前記溝は前記第1及び第2の誘電体材料及び前記エッチ停止層の側縁を露出し、bシリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記溝に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成がシリコン窒化物Si3N4変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物Si3N4膜であって、前記Si3N4膜は前記第1及び第2の誘電層の前記露出した側縁に沿って配置されるが、前記エッチ停止層の前記露出した側縁に沿っては配置されず、c前記シリコン窒化物Si3N4膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜であって、前記耐火性金属膜はタングステン、窒化タングステン、タンタル又は窒化タンタルを含み、及びd前記耐火金属膜上に配置された銅シード層を含む半導体デバイス。前記誘電体材料はあらかじめ決められた温度及び圧力で、一定の時間、窒素含有材料に露出される請求項1記載の半導体デバイス。前記溝は前記第1の誘電体材料中に形成されたビア及びトレンチを含む請求項1記載の半導体デバイス。前記第1及び第2の誘電体材料の少なくとも1つは低k誘電体材料から成るものである請求項1記載の半導体デバイス。本発明は障壁層及び新しいデュアル薄膜を用いる障壁層の作製プロセスに関する。障壁層を構成する2つの薄膜は、デバイストポグラフィ構造中に形成されたトレンチ、ビア、孔のようなくぼみ又は形状内に形成される。障壁層はデバイス形状内の誘電体材料の表面に沿って配置されたシリコン窒化物SiNを含む第1の薄膜を含む。第2の薄膜又は耐熱性金属薄膜を、形状の側壁及び底部とシリコン窒化物薄膜上に堆積させる。本明細書中で用いられる耐熱性金属という用語は、耐熱性金属合金も含む。次に、障壁層上に金属シード層を堆積させ、次にシード層上の形状内に、導電性金属を堆積させる。