"基部、前記基部から延伸された振動部、及び、外部接続端子を有する振動片と、半導体装置と、を備え、前記半導体装置は、前記半導体装置の第1の面に設けられた第1の電極、及び、前記第1の電極に配線を介して電気的に接続されて前記第1の電極と平面視で重ならない位置にずらせて設けられた第2の電極により構成された複数の電極部と、前記第1の面と前記第2の電極との間に設けられた樹脂層と、を有し、前記振動片が、前記外部接続端子と前記第2の電極との接合部材を介した接続によって前記半導体装置に保持され、前記複数の電極部において、前記第2の電極が前記第1の電極から同じ方向にずらせて設けられていることを特徴とするセンサーデバイス。請求項1に記載のセンサーデバイスにおいて、前記電極部夫々における前記配線の長さが略同じであることを特徴とするセンサーデバイス。請求項1または2に記載のセンサーデバイスにおいて、前記配線の熱膨張係数が前記半導体装置の基材の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とするセンサーデバイス。請求項1~3のいずれか一項に記載のセンサーデバイスにおいて、前記配線の熱膨張係数が前記基部および前記振動部の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とするセンサーデバイス。請求項1~4のいずれか一項に記載のセンサーデバイスと、前記センサーデバイスを収納するパッケージと、を有し、前記センサーデバイスが、前記パッケージに収納されていることを特徴とするモーションセンサー。請求項1~4のいずれか一項に記載のセンサーデバイス、または、請求項5に記載のモーションセンサーを備えていることを特徴とする電子機器。しかしながら、特許文献1に記載のジャイロセンサーでは、外部から加わる衝撃によりリード線が撓んだ場合に、半導体装置と、センサー素子とが互いに干渉しないように、両者間にリード線の撓み量を超える空隙を設ける必要がある。この結果、上記ジャイロセンサーは、センサーデバイスの厚さが増加し、総厚が厚くなってしまうという課題を有している。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかるセンサーデバイスは、基部、該基部から延伸された振動部、及び、外部接続端子を有する振動片と、半導体装置と、を備え、前記半導体装置は、該半導体装置の第1の面に設けられた第1の電極、及び、前記第1の電極に配線を介して電気的に接続されて前記第1の電極と平面視で重ならない位置にずらせて設けられた第2の電極により構成された複数の電極部と、前記第1の面と前記第2の電極との間に設けられた樹脂層と、を有し、前記振動片が、前記外部接続端子と前記第2の電極との接合部材を介した接続によって前記半導体装置に保持され、前記複数の電極部において、前記第2の電極が前記第1の電極から同じ方向にずらせて設けられていることを特徴とする。上記構成によれば、センサーデバイスは、半導体装置の第1の面において、第1の電極と、その第1の電極と樹脂層を介して配線により電気的に接続された第2の電極とにより構成された電極部を複数有し、第2の電極と振動片の外部接続端子とが接合部材を介して接続され、半導体装置上に振動片が保持されている。このとき、全ての第2の電極が、第1の電極と平面視で重ならないように略同じ方向にずらせて配置されている。この結果、全ての電極部において熱による配線の収縮が同一方向に生ずるので、配線の収縮により振動片に加わる応力が抑制され、これにより、配線を介して振動片に応力が加わることにより振動モードや周波数特性が不安定になったり、配線や接続部に応力が加わることにより断線したりする不具合を回避することができる。また、半導体装置上に樹脂層を介して振動片を保持する構造となっているので、樹脂層により外部から加わる衝撃などが緩和されて振動片に伝達され難くなり、振動片の安定した振動特性が保持される。さらに、半導体装置と振動片とが、接合部材により確保される隙間を設けて接合されるので、上述した支持基板を介した従来例のようにリード線の撓み量を考慮した空隙が不要となり、厚さが低減された薄型のセンサーデバイスを提供することができる。したがって、小型薄型で、感度の高いセンサーデバイスを提供することができる。[適用例2]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記電極部夫々における前記配線の長さが略同じであることを特徴とする。これによれば、温度の変化に伴う各電極部の配線の熱収縮がセンサーデバイスにおいてさらに一様に生じることにより、配線の収縮により振動片に加わる応力をより抑えることができる。[適用例3]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記配線の熱膨張係数が前記半導体装置の基材の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする。[適用例4]上記適用例にかかるセンサーデバイスにおいて、前記配線の熱膨張係数が前記基部および前記振動部の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とする。上記構成のセンサーデバイスは、電極部の配線の熱膨張係数が、半導体装置の基材や振動片の熱膨張係数よりも大きいときに、上記した配線の熱収縮による振動片への応力の抑制効果をより発揮して、センサーデバイスの感度を保持する効果を奏する。[適用例5]本適用例のモーションセンサーは、上記適用例のいずれかに記載のセンサーデバイスと、前記センサーデバイスを収納するパッケージと、を有し、前記センサーデバイスが、前記パッケージに収納されていることを特徴とする。これによれば、モーションセンサーは、上記適用例のいずれか一例に記載の効果を奏するセンサーデバイスを備えたモーションセンサーを提供できる。加えて、モーションセンサーは、薄型化されるとともに耐衝撃性の高いセンサーデバイスを用いることから、薄型化及び耐衝撃性の向上を実現することが可能となる。[適用例6]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一項に記載のセンサーデバイス、または、モーションセンサーを備えていることを特徴とする。上記構成の電子機器は、上記適用例のセンサーデバイス、または、モーションセンサー、即ち、振動モードや周波数温度特性が安定して周波数ばらつきが抑制された高感度のセンサーデバイス、または、モーションセンサーを備えているので、高機能で安定した特性を有する。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。第1の実施形態センサーデバイス図1は、センサーデバイスの一実施形態の概略構成を示す模式図であり、図1aは、ICチップ側上側から俯瞰した平面図、bは、aのA-A線断面図である。また、図2は、ICチップの電極部の配置を上側から俯瞰した平面図である。また、図3は、センサーデバイスのICチップと振動片としての振動ジャイロ素子との接合部分を拡大して説明する模式図であり、aは、ICチップの電極部を上側から俯瞰した平面図、bは、aに振動ジャイロ素子が接合された状態の正断面図である。図1に示すように、センサーデバイス1は、能動面側に複数の第1の電極を有する半導体装置としてのICチップ10と、前記第1の電極と電気的に接続される外部接続端子を有する振動ジャイロ素子ジャイロ振動片20と、を備えている。ICチップ10は、能動面10a側に積層された樹脂層としての応力緩和層15と、応力緩和層15上に配置され第1の電極11と配線16を介して電気的に接続された第2の電極17を有し、この第2の電極17と外部接続端子とが接合部材12を介して電気的に接続されることにより、振動ジャイロ素子20がICチップ10上に隙間を設けて保持されている。まず、センサーデバイス1におけるセンサー素子としての振動ジャイロ素子20について詳細に説明する。振動ジャイロ素子20は、圧電材料である水晶を基材主要部分を構成する材料として形成されている。水晶は、電気軸と呼ばれるX軸、機械軸と呼ばれるY軸及び光学軸と呼ばれるZ軸を有している。そして、振動ジャイロ素子20は、水晶結晶軸において直交するX軸及びY軸で規定される平面に沿って切り出されて平板状に加工され、平面と直交するZ軸方向に所定の厚みを有している。なお、所定の厚みは、発振周波数共振周波数、外形サイズ、加工性などにより適宜設定される。また、振動ジャイロ素子20を成す平板は、水晶からの切り出し角度の誤差を、X軸、Y軸及びZ軸の各々につき多少の範囲で許容できる。例えば、X軸を中心に0度から2度の範囲で回転して切り出したものを使用することができる。Y軸及びZ軸についても同様である。振動ジャイロ素子20は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングウエットエッチングまたはドライエッチングにより形成されている。なお、振動ジャイロ素子20は、1枚の水晶ウエハーから複数個取りすることが可能である。図1aに示すように、本実施形態の振動ジャイロ素子20は、ダブルT型と呼ばれる構成となっている。詳述すると、振動ジャイロ素子20は、中心部分に位置する基部21と、基部21からY軸に沿って延伸された振動部としての1対の検出用振動腕22a,22bと、検出用振動腕22a,22bと直交するように、基部21からX軸に沿って延伸された1対の連結腕23a,23bと、検出用振動腕22a,22bと平行になるように、各連結腕23a,23bの先端側からY軸に沿って延伸された振動部としての各1対の駆動用振動腕24a,24b,25a,25bと、を備えている。各検出用振動腕22a,22bの先端側には、他の部分より幅が大きいX軸方向の長さが大きい略矩形状の錘部26a,26bを有している。同様に、二対の駆動用振動腕24a,24b及び駆動用振動腕25a,25bそれぞれの先端側には、他の部分より幅が大きい略矩形状の錘部27a,27b及び錘部28a,28bを有している。これら錘部26a,26b,27a,27b,28a,28bによって、振動ジャイロ素子20は、小型化を図りながら角速度の検出感度を向上させることができる。また、振動ジャイロ素子20は、一対の支持部19a,19bを備えている。このうち一方の支持部19aは、一対の検出用振動腕22a,22bのうちの一方の検出用振動腕22aに対してY軸の正の方向に配置されている。また、他方の支持部19bは、一対の検出用振動腕22a,22bのうち他方の検出用振動腕22bに対してY軸の負の方向側に配置されている。各支持部19a,19bのX軸方向の長さは、各検出用振動腕22a,22bの錘部26a,26bのX軸方向の長さよりも大きく、例えば、一対の連結腕23a,23b及び基部21のX軸方向の長さの合計と同じ程度である。なお、図示の例では、各支持部19a,19bの平面形状は略矩形であるが、特に限定されるものではない。支持部19a,19bは、各検出用振動腕22a,22bと、各駆動用振動腕24a,24b,25a,25bとから離間して配置されている。各支持部19a,19bは、接合部材12を介してICチップ10に固定される部位となる。図1aに示すように、基部21から一方の支持部19aまでの間には、一対の梁9a,9cが設けられている。このうち一方の梁9aは、基部21から検出用振動腕22aと駆動用振動腕24aとの間を通って延出されて支持部19aに接続され、他方の梁9cは、基部21から検出用振動腕22aと駆動用振動腕25aとの間を通って延出されて支持部19aに接続されている。同様に、基部21から他方の支持部19bまでの間には、一対の梁9b,9dが設けられている。このうち一方の梁9cは、基部21から検出用振動腕22bと駆動用振動腕24bとの間を通って延出されて支持部19aに接続され、他方の梁9dは、基部21から検出用振動腕22bと駆動用振動腕25bとの間を通って延出されて支持部19bに接続されている。各梁9a,9b,9c,9dは、図示するようなS字形状をそれぞれ有することができる。このように、細長く蛇行した形状を有する梁9a~9dによって各支持部19a,19bと基部21が接続されることによって、振動ジャイロ素子20の要部がX軸方向及びY軸方向に弾性を得ることができる。基部21の中心は、振動ジャイロ素子20の重心位置としての重心Gであることができる。X軸、Y軸及びZ軸は、互いに直交し、重心Gを通るものとする。振動ジャイロ素子20は、重心Gに関して点対称であることができる。即ち、振動ジャイロ素子20は、XZ平面に関して面対称であり、かつYZ平面に関して面対称であることができる。また、振動ジャイロ素子20は、検出用振動腕22a,22bに、図示しない検出電極が形成され、駆動用振動腕24a,24b,25a,25bに、図示しない駆動電極が形成されている。振動ジャイロ素子20は、検出用振動腕22a,22bで、角速度を検出する検出振動系を構成し、連結腕23a,23bと駆動用振動腕24a,24b,25a,25bとで、振動ジャイロ素子20を駆動する駆動振動系を構成している。振動ジャイロ素子20は、平面視において、ICチップ10と重なるようにICチップ10の能動面10a側に配置されている。なお、振動ジャイロ素子20は、基部21及び各振動腕の表裏面を主面とする。ここでは、基部21において外部と電気的に接続する面を一方の主面20aといい、一方の主面20aと対向する面を他方の主面20bという。振動ジャイロ素子20の各支持部19a,19bそれぞれの一方の主面20aには、上記各検出電極、各駆動電極から引き出された接続電極としての外部接続端子29が形成されている。各外部接続端子29は、後述するように、ICチップ10の対応する第2の電極17と電気的及び機械的に接続されるものである。次に、半導体装置としてのICチップ10について図面に沿って説明する。ICチップ10には、能動面10a側にトランジスターやメモリー素子などの半導体素子を含んで構成される集積回路図示せずが形成されている。この集積回路には、振動ジャイロ素子20を駆動振動させるための駆動回路と、角速度が加わったときに振動ジャイロ素子20に生じる検出振動を検出する検出回路とが備えられている。ICチップ10は、図1及び図2に示すように、能動面10a側に設けられた複数の第1の電極電極パッド11、及び、第1の電極11に配線16を介して電気的に接続されて能動面10a側の第1の電極11と平面視で重ならない位置にずらせて設けられた第2の電極17により構成された複数の電極部18と、ICチップ10の能動面10aと第2の電極17との間に順次積層された絶縁膜14及び応力緩和層15と、能動面10a側に設けられた接続用端子13とを備えている。詳述すると、ICチップ10の能動面10a上には、絶縁層パッシベーション膜14が積層され、その絶縁膜14上の、少なくとも振動ジャイロ素子20の外部接続端子29と平面視で重なる領域には、弾性を有する絶縁樹脂からなる樹脂層としての応力緩和層15が形成されている。本実施形態では、ICチップ10の能動面10aの略全面に、絶縁膜14を介して応力緩和層15が積層されている。第2の電極17は、一端が第1の電極11に電気的に接続された配線16の他端と電気的に接続されている。本実施形態では、図3に示すように、絶縁膜14の開口部14a、及び、応力緩和層15の開口部15aによって外側に露出された第1の電極に一端が接続された配線16が、応力緩和層15の開口部15aの内壁から上面に引き出され、その配線16の他端が第2の電極17に接続されている。このように、第1の電極11と第2の電極17とを平面視で重ならない位置に配置しながら、配線16により互いに電気的に接続する電極部18は、微細設計によって位置の制約が大きい第1の電極11に対して、振動ジャイロ素子20の外部接続端子29との接続に供する第2の電極17の位置を任意にずらして配置し、ICチップ10における振動ジャイロ素子20との接続位置の自由度を高めるための重要な構成要素である。本発明の半導体装置としてのICチップ10では、上記構成の複数の電極部18夫々において、全ての第2の電極17が第1の電極11から略同じ方向にずらせて設けられている。さらに、本実施形態のICチップ10では、全ての電極部18各々における配線16の略同じ長さとなっている。具体的には、図2に示すICチップ10の複数の電極部18本実施形態では6つの電極部18の全てにおいて、図3に示ように、第1の電極11と第2の電極との平面視での位置関係が、第1の電極11の中心と第2の電極17の中心とを結ぶ中心線P1に沿った方向で、且つ、第1の電極11の中心と第2の電極17の中心との距離Lだけずらせて配置されている。上記構成の複数の電極部18において、各第2の電極17上には、振動ジャイロ素子との接続に供する接合部材12が設けられている。接合部材12は、第2の電極17と、振動ジャイロ素子20の対応する外部接続端子29との電気的な接続をはかるとともに、ICチップ10と振動ジャイロ素子20とに所定の隙間を設けるためのスペーサーの機能を果たすものである。第1の電極11は、ICチップ10の集積回路に直接導通して形成されたものである。また、能動面10a上には、パッシベーション膜となる絶縁膜14が形成されており、この絶縁膜14には、第1の電極11上に開口部14aが形成されている。これにより、各第1の電極11は、絶縁膜14の開口部14a内にて外側に露出した状態となっている。なお、絶縁膜14は、酸化珪素SiO2、窒化珪素Si3N4などの無機絶縁材料によって形成することができる。また、絶縁膜14は、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、BCBbenzocyclobutene及びPBOpolybenzoxazoleなどの樹脂を用いて形成することもできる。配線16は、金Au、銅Cu、銀Ag、チタンTi、タングステンW、チタンタングステンTiW、窒化チタンTiN、ニッケルNi、ニッケルバナジウムNiV、クロムCr、アルミニウムAl、パラジウムPdなどによって形成することができる。いずれの材料を使用した場合でも、配線16は、半導体装置としてのICチップ10の半導体基板シリコン基板、および、振動片としての振動ジャイロ素子20の基部21や振動部としての検出用振動腕22a,22b、駆動用振動腕24a,24b,25a,25bの基材水晶よりも大きな熱膨張係数を有する。また、第2の電極17は、配線16と電気的接続な可能な導体で形成すればよいが、本実施形態では、配線16と同一材料の金属により第2の電極17を形成している。これにより、配線16と第2の電極17とを同一工程で形成することができるので製造効率がよいとともに、配線16と第2の電極17との電気的な接続信頼性を高くすることができる。なお、配線16、及び、第2の電極17は、上記材料による単層構造のみならず、複数種類の上記材料を組み合わせた積層構造としてもよく、また、複数種類の金属材料の合金を用いて構成してもよい。また、ICチップ10に形成された集積回路には、第1の電極11以外にも、図示しない他の電極が形成されている。この他の電極は、第1の電極11の場合と同様に配線が接続され、絶縁膜14の開口部内にて外部に露出する接続用端子13と接続されている。接続用端子13は、電気的、あるいは機械的な接続を成すためのパッド状のものである。第1の電極11や接続用端子13、あるいはその他の電極は、チタンTi、窒化チタンTiN、アルミニウムAl、銅Cu、または、これらを含む合金などを用いて形成することができる。特に接続用端子13については、ワイヤーボンディングの際の接合性を高めるため、その表面にニッケルNi、金Auのメッキを施しておくのが好ましい。このようにすることで、特にさびによる接触性、接合性の低下を防止することができる。また、第1の電極11や接続用端子13、あるいはその他の電極は、ハンダメッキ、ハンダプリコートなどの最表面処理を施したものとしてもよい。また、絶縁膜14は、酸化珪素SiO2、窒化珪素Si3N4などの無機絶縁材料によって形成することができる。また、絶縁膜14は、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、BCBbenzocyclobutene及びPBOpolybenzoxazoleなどの樹脂を用いて形成することもできる。また、応力緩和層15の材料には、ポリイミドなどの他、弾性樹脂材料として既に公知となっているいずれかの材料を適用することができる。例えば、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole等の樹脂層を適用することができる。上記のような構成のもとに、ICチップ10に形成された集積回路は、第1の電極11、配線16、及び、第2の電極17からなる電極部18を介して、接合部材12により振動ジャイロ素子20と電気的に接続されるようになっている。これにより、振動ジャイロ素子20は、ICチップ10に保持されている。詳述すると、図3に示すように、ICチップ10の集積回路は、絶縁膜14の開口部14aおよび応力緩和層15の開口部15aから露出する第1の電極11に一端が接続された配線16により応力緩和層15上に引き出され、その配線16の他端が第2の電極17と電気的に接続されている。そして、図2に示すように、第2の電極17と、振動ジャイロ素子20の対応する外部接続端子29とが位置合わせされ、例えば半田バンプなどの導電性の接合部材12により接合されている。これにより、ICチップ10において配線16によって引き出された集積回路が、第2の電極17、接合部材12及び、振動ジャイロ素子20の外部接続端子29を介して振動ジャイロ素子20と電気的に接続されるとともに、機械的に接続される。このとき、接合部材12の接合後の高さ厚みによって、振動ジャイロ素子20とICチップ10との間に隙間が設けられている。ここで、センサーデバイス1の振動ジャイロ素子20の動作について説明する。図4及び図5は、振動ジャイロ素子の動作を説明する模式平面図である。図4は駆動振動状態を示し、図5a、図5bは、角速度が加わった状態における検出振動状態を示している。なお、図4及び図5において、振動状態を簡易に表現するために、各振動腕は線で表してある。まず、振動ジャイロ素子20の駆動振動状態を説明する。図4において、ICチップ10の集積回路駆動回路から駆動信号が印加されることにより、振動ジャイロ素子20は角速度が加わらない状態において、駆動用振動腕24a,24b,25a,25bが矢印Eで示す方向に屈曲振動を行う。この屈曲振動は、実線で示す振動姿態と2点鎖線で示す振動姿態とを所定の周波数で繰り返している。次に、この駆動振動を行っている状態で、振動ジャイロ素子20にZ軸回りの角速度ωが加わると、振動ジャイロ素子20は、図5に示すような振動を行う。まず、図5aに示すように、駆動振動系を構成する駆動用振動腕24a,24b,25a,25b及び連結腕23a,23bには、矢印B方向のコリオリ力が働く。また同時に、検出用振動腕22a,22bは、矢印B方向のコリオリ力に呼応して、矢印C方向に変形する。その後、図5bに示すように、駆動用振動腕24a,24b,25a,25b及び連結腕23a,23bには、矢印B’方向に戻る力が働く。また同時に、検出用振動腕22a,22bは、矢印B’方向の力に呼応して、矢印C’方向に変形する。振動ジャイロ素子20は、この一連の動作を交互に繰り返して新たな振動が励起される。なお、矢印B,B’方向の振動は、重心Gに対して周方向の振動である。そして、振動ジャイロ素子20は、検出用振動腕22a,22bに形成された検出電極が、振動により発生した水晶の歪を検出することで角速度が求められる。上記第1の実施形態のセンサーデバイス1によれば、ICチップ10と振動ジャイロ素子20とを、接合部材12により確保される隙間を設けて接合することができる。従って、従来の支持基板を介して接合した場合のように、リード線の撓み量を考慮した空隙が不要となることから、厚みの増大を抑えながら、応力緩和層15が有する弾性によって外部から加わる衝撃などが緩和されて振動ジャイロ素子20に伝達され難くなる効果により、振動特性の劣化が抑えられた感度の高いセンサーデバイス1を提供することができる。上記構成のセンサーデバイス1によれば、ICチップ10の複数の電極部18において、第1の電極11と、その第1の電極11と応力緩和層15を介して配線16により電気的に接続された第2の電極17とが、第1の電極と平面視で重ならないように略同じ方向に同じ距離だけずらせて配置されている。この結果、全ての電極部18において熱による配線16の収縮が同一方向に略同じ大きさ生ずるので、配線16の収縮により振動ジャイロ素子20に加わる応力による歪が抑制される。特に、配線16に用いる金属材料は、半導体装置としてのICチップ10の半導体基板シリコン基板や、振動片としての振動ジャイロ素子20の基部21や振動部としての検出用振動腕22a,22b、駆動用振動腕24a,24b,25a,25bの基材水晶よりも大きな熱膨張係数を有するので、熱による応力を抑える効果が絶大に得られる。これにより、配線16を介して振動ジャイロ素子20に応力が加わることにより振動モードや周波数特性が不安定になったり、配線16やICチップ10と振動ジャイロ素子20との接続部に応力が加わることにより断線したりする不具合を回避することができる。また、上記構成のセンサーデバイス1では、ICチップ10上に弾性を有する応力緩和層15を介して振動ジャイロ素子20を保持する構造となっているので、応力緩和層15により外部から加わる衝撃などが緩和されて振動ジャイロ素子20に伝達され難くなり、振動ジャイロ素子20の安定した振動特性が保持される。したがって、小型薄型で、感度の高いセンサーデバイス1を提供することができる。次に、上記実施形態のセンサーデバイス1の変形例について図面を参照して説明する。変形例1図6は、センサーデバイスの変形例1の概略構成を部分的に拡大して示す模式図であり、aは、ICチップの電極部を上側から俯瞰した平面図、bは、aの同じ部分に振動ジャイロ素子が搭載された状態を示す正断面図である。なお、上記実施形態との共通部分については同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる構成を中心に説明する。図6に示す本変形例のセンサーデバイス61において、能動面10a側に積層された絶縁膜14および応力緩和層15 ́と、応力緩和層15 ́上に設けられ第1の電極11と電気的に接続された第2の電極37とを有するICチップ60上に、振動ジャイロ素子20が、接合部材12を介して電気的な接続をはかりながら保持されている。ICチップ10は、能動面10a側に設けられた複数の第1の電極11と、能動面10aと第2の電極17との間に順次積層された絶縁膜14及び応力緩和層15と、を有している。また、第1の電極11、及び、第1の電極11に配線を介して電気的に接続されて能動面10a側の第1の電極11と平面視で重ならない位置にずらせて設けられた第2の電極37により構成された複数の電極部38が設けられている。複数の電極部38夫々において、全ての第2の電極17が第1の電極11から略同じ方向に、且つ、略同じ距離だけずらせて設けられている。本変形例の電極部38において、配線は、配線36と、配線の一部としてのビアホールViahole35とにより構成されている。具体的には、電極部38において、第2の電極37は、一端が第1の電極11に電気的に接続された配線36の他端と電気的に接続されている。配線36の一端は、応力緩和層15 ́上において第1の電極11の上方まで引き回されている。そして、配線36の一端と第1の電極11とが、絶縁膜14の開口部14aから応力緩和層15内を配線36の一端に向けて貫設された貫通孔、及び、その貫通孔と開口部14aとに埋設された導電体からなる配線の一部としてのビアホール35により電気的に接続されている。これにより、第1の電極11と、それに対応する第2の電極37とが電気的に接続されている。上記構成のセンサーデバイス61によれば、上記実施形態のセンサーデバイス1と同様に、複数の電極部38において、熱による応力が同じ方向に略同じ大きさ生ずるようになり、熱による配線の収縮により振動ジャイロ素子20に加わる応力による歪を抑制しながら、応力緩和層15 ́による応力緩和構造を実現することができる。また、ビアホール35を利用した応力緩和層15 ́の層内配線において、ビアホール35が第2の電極37と平面視で重なる位置からずらせて配置されているので、ビアホール35によって応力緩和層15 ́の応力緩和効果が損なわれることがない。なお、応力緩和層15 ́として、上記実施形態の応力緩和層15と同じ材料を用いてもよい。第2の実施形態ジャイロセンサー次に、上記のセンサーデバイスを搭載したモーションセンサーについて、図面を参照しながら説明する。図7は、上記実施形態のセンサーデバイスを搭載したモーションセンサーとしてのジャイロセンサーの概略構成を示す模式図であり、図7aは、ジャイロセンサーをパッケージ上面から俯瞰した平面図、図7bは、aの正断面図である。なお、図7aでは、パッケージの内部の構造を説明する便宜上リッド蓋体の図示を省略している。また、上記実施形態との共通部分については、同一符号を付して説明を省略する。図7に示すように、モーションセンサーとしてのジャイロセンサー200は、3つのセンサーデバイス以下、センサーデバイス1A、センサーデバイス1B、センサーデバイス1Cと称すが、上記実施形態で説明したセンサーデバイス1と同一であると、各センサーデバイスを内部に収納する略直方体形状のパッケージ180と、を有し、センサーデバイス1A、センサーデバイス1B、センサーデバイス1Cがパッケージ180の内部に配置され収納されている。なお、各センサーデバイス1A,1B,1Cは、後述するように、互いの主面どうしが所定の角度を有してジャイロセンサー200内に収容させる必要がある。このため、各センサーデバイス1A,1B,1Cのベース基板185には、パッケージ180の凹部内で所定の角度でセンサーデバイスを載置できるように形成された保持基板185a,185b,185cがそれぞれ装着されている。パッケージ180は、底面183と壁面181,182とを含む内面を有する凹部が形成されている。この凹部は、センサーデバイス1A、センサーデバイス1B、センサーデバイス1Cの収納後、リッド蓋体184によって覆われる。パッケージ180は、セラミックグリーンシートを成形して積層し、焼成した酸化アルミニウム質焼結体などが用いられている。また、リッド184には、コバールなどの金属、ガラス、セラミックなどが用いられている。センサーデバイス1Aは、振動ジャイロ素子201の一方の主面20aまたは他方の主面20b図1および図3参照、以下参照の記載は省略すると、パッケージ180の凹部の底面183とが、略平行になるようにパッケージ180の底面183に固定、接続されている。そして、センサーデバイス1Aは、図示しないパッケージ内部電極と電気的に接続されている。他の2つのセンサーデバイス1B,1Cは、それぞれの振動ジャイロ素子201,202,203の一方の主面20aまたは他方の主面20b同士の成す角度が略直角となるように、パッケージ180の内部に配置され収納されている。センサーデバイス1Bは、パッケージ180の壁面181に固定、接続され、センサーデバイス1Cは、パッケージ180の壁面182に固定、接続されている。2つのセンサーデバイス1B,1Cも、図示しないパッケージ内部電極と電気的に接続されている。なお、パッケージ内部電極は、パッケージ180の外部に設けられた外部電極図示せずと電気的に接続されている。外部電極、内部電極は、タングステンWなどのメタライズ層に、ニッケルNi、金Auなどの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜からなる。ジャイロセンサー200は、各センサーデバイス1A,1B,1Cが、パッケージ180の内部に上記のように配置され収納された状態で、リッド184がシームリング、低融点ガラスなどの接合部材によってパッケージ180の上面に接合される。これにより、パッケージ180の内部は、気密に封止される。なお、パッケージ180の内部は、各センサーデバイスの振動ジャイロ素子201,202,203の振動が阻害されないように、真空状態真空度が高い状態、または、不活性ガス雰囲気に保持されていることが好ましい。ここで、ジャイロセンサー200の動作について概略を説明する。ここでは、パッケージ180の底面183が、互いに直交する3軸であるX’軸、Y’軸、Z’軸に対して、X’軸及びY’軸と平行で、Z’軸と直交しているものとする。これにより、外力などによってジャイロセンサー200の姿勢が変化し、角速度が加わった場合、振動ジャイロ素子201の一方の主面20aまたは他方の主面20bとパッケージ180の底面183とが、略平行になるようにパッケージ180の内部に収納されているセンサーデバイス1Aは、振動ジャイロ素子201の一方の主面20aまたは他方の主面20bとZ’軸とが略直交していることから、Z’軸回りに対する角速度を検出する。一方、振動ジャイロ素子202,203の一方の主面20aまたは他方の主面20b同士の成す角度が略直角となるとともに、各振動ジャイロ素子202,203の一方の主面20aまたは他方の主面20bとセンサーデバイス1Aの振動ジャイロ素子201の一方の主面20aまたは他方の主面20bとの成す角度が略直角となるように、パッケージ180の内部に収納されている2つのセンサーデバイス1B,1Cは、一方が、振動ジャイロ素子202の一方の主面20aまたは他方の主面20bとX’軸とが略直交していることから、X’軸回りに対する角速度を検出し、他方が、振動ジャイロ素子203の一方の主面20aまたは他方の主面20bとY’軸とが略直交していることから、Y’軸回りに対する角速度を検出する。これらにより、ジャイロセンサー200は、互いに直交する3軸であるX’軸、Y’軸、Z’軸回りに対する角速度を、1つのジャイロセンサー200で検出することができる。このことから、ジャイロセンサー200は、撮像機器の手ぶれ補正や、GPSGlobalPositioningSystem衛星信号を用いた移動体ナビゲーションシステムにおける車両などの姿勢検出、姿勢制御などに好適に用いられる。また、ジャイロセンサー200は、上記第1実施形態に記載のセンサーデバイスを用いているため、上記第1実施形態に記載のセンサーデバイスと同等の効果を有している。すなわち、ジャイロセンサー200は、電気的特性の安定した小型、薄型化を実現することが可能となる。なお、本実施形態では、3つのセンサーデバイス1A,1B,1Cを用いたモーションセンサーとしてのジャイロセンサー200について説明したが、センサーデバイスの数はこれに限らず、1つ以上であればよい。例えば、センサーデバイスを、1つ用いれば、1軸方向の角速度の検出が可能であり、例えば、2つのセンサーデバイスを用いれば、異なる2軸方向の角速度の検出が可能となる。第3の実施形態電子機器上記実施形態および変形例に記載のセンサーデバイス、および、それらを備えた第3の実施形態のモーションセンサーとしてのジャイロセンサーを搭載した電子機器は、小型化および高性能化を図ることが可能である。例えば、図8aは、デジタルビデオカメラへの適用例を示す。デジタルビデオカメラ240は、受像部241、操作部242、音声入力部243、及び表示ユニット1001を備えている。このようなデジタルビデオカメラ240に、上記実施形態のセンサーデバイス1やモーションセンサーとしてのジャイロセンサー200を搭載することにより、所謂手ぶれ補正機能を搭載することができる。また、図8bは、電子機器としての携帯電話機、図8cは、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistantsへの適用例をそれぞれ示すものである。まず、図8bに示す携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットと1002を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、表示ユニット1002に表示される画面がスクロールされる。また、図8cに示すPDA4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニット1003を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が表示ユニット1003に表示される。このような携帯電話機3000やPDA4000に、上記実施形態のセンサーデバイスやモーションセンサーとしてのジャイロセンサーを搭載することにより、様々な機能を付与することができる。例えば、図8bの携帯電話機3000に、図示しないカメラ機能を付与した場合に、携帯電話機3000に搭載されたセンサーデバイスやジャイロセンサーにより手振れ補正を行うことができる。また、図8bの携帯電話機3000や、図8cのPDA4000にGPSGlobalPositioningSystemとして広く知られる汎地球測位システムを具備した場合に、上記実施形態のセンサーデバイスやモーションセンサーとしてのジャイロセンサーを搭載することにより、GPSにおいて、携帯電話機3000やPDA4000の位置や姿勢を認識させることができる。なお、図8に示す電子機器に限らず、本発明のセンサーデバイスおよびモーションセンサーを適用可能な電子機器として、モバイルコンピューター、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ゲーム機などが挙げられる。以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態およびその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態および変形例では、複数の電極部18,38夫々において、全ての第2の電極17,37が第1の電極11から略同じ方向に、且つ、略同じ距離だけずらせて設けられた構成を説明した。これに限らず、全ての第2の電極17,37が、第1の電極11から略同じ方向にずらされていれば、ずらす長さまで略同じだけずらさなくても、本発明の一定の効果が得られる。また、上記実施形態および変形例では、振動素子としての振動ジャイロ素子形成材料として水晶を用いた例を説明したが、水晶以外の圧電体材料を用いることができる。例えば、窒化アルミニウムAlNや、ニオブ酸リチウムLiNbO3、タンタル酸リチウムLiTaO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、四ほう酸リチウムLi2B4O7、ランガサイトLa3Ga5SiO14などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウムや五酸化タンタルTa2O5などの圧電体材料を積層させて構成された積層圧電基板、あるいはジルコン酸チタン酸鉛PbZrx,Ti1-xO3などの圧電セラミックスを用いることができる。また、圧電体材料以外の材料を用いて振動片を形成することができる。例えば、シリコン半導体材料などを用いて振動素子を形成することもできる。また、振動素子の駆動振動の励振方式や検出振動の検出方式は、圧電効果によるものだけに限らない。静電気力クーロン力を用いた静電駆動型や、磁力を利用したローレンツ駆動型などの振動片においても、本発明の構成およびその効果を発揮させることができる。また、振動素子としての振動ジャイロ素子の形状は、上記実施形態および変形例で説明した所謂WT型に限らない。音叉型、あるいは、MEMSジャイロのように櫛歯電極で静電検出する振動素子においても、本発明の半導体基板の能動領域の配置によれば、上述した実施形態および変形例に記載したものと同様な効果を得ることができる。また、上記実施形態及び変形例では、各センサーデバイスに備わる振動片センサー素子として振動ジャイロ素子20を例に挙げたが、これに限定するものではなく、例えば、加速度に反応する加速度感知素子、圧力に反応する圧力感知素子、重さに反応する重量感知素子などでもよい。したがって、本発明のセンサーデバイスを利用したモーションセンサーは、上記第3の実施形態で説明した角速度を検出するジャイロセンサー200に限らず、角加速度、加速度、力、温度、磁気など、種々の物理量を検出するセンサー素子に利用することができる。また、本発明のセンサーデバイスやモーションセンサーに用いる振動素子は、上記実施形態および変形例で説明した振動ジャイロ素子20,201,202,203などのセンサー素子に限らず、例えば、発振器などに用いられる共振子であってもよい。また、上記実施形態及び変形例では、半導体装置としてのICチップ10,60上に一層の応力緩和層15,15 ́を設けた構成を説明した。これに限らず、樹脂層としての応力緩和層を複数層設けて、その複数の応力緩和層の層間に電極部を形成することができる。この構成によれば、複数の応力緩和層を介して電極や配線の直上に配線を設けることができ、電極部の引き回しの設計の自由度をより高くすることができる。"