ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基板本体と、前記搭載面のほぼ全面を覆いかつ少なくとも2つの独立した領域を構成するように形成された反射膜であって、少なくとも2つの領域の一部が発光素子の電極と電気的に接続される配線導体となる導電性の反射膜と、前記搭載面の反射膜が形成されていない部分を覆い、かつ前記反射膜の配線導体となる部分を除く全面を覆うように形成されたオーバーコートガラス膜と、を有することを特徴とする発光素子搭載用基板。前記反射膜が実質的に銀からなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用基板。下記A工程~D工程を含む請求項1または2に記載の発光素子搭載用基板を製造する方法。Aガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物を用いて前記発光素子搭載用基板の本体基板を構成する、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する本体用グリーンシートを作製する工程、B前記搭載面のほぼ全面を覆いかつ少なくとも2つの独立した領域を構成するようにスクリーン印刷により導電性の反射膜用ペースト層を形成する工程C前記搭載面の反射膜用ペースト層が形成されていない部分を覆い、かつ前記反射膜用ペースト層の配線導体となる部分を除く全面を覆うようにオーバーコートガラスペースト層を形成し未焼結発光素子搭載用基板を得る工程、D前記未焼結発光素子搭載用基板を800~930°Cで焼成する工程。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、発光素子搭載用のLTCC基板において、基板上に形成される金属反射膜と配線導体部の絶縁を得るために設けられるギャップが低減された発光素子搭載用基板およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の発光素子搭載用基板は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基板本体と、前記搭載面のほぼ全面を覆いかつ少なくとも2つの独立した領域を構成するように形成された反射膜であって、少なくとも2つの領域の一部が発光素子の電極と電気的に接続される配線導体となる導電性の反射膜と、前記搭載面の反射膜が形成されていない部分を覆い、かつ前記反射膜の配線導体となる部分を除く全面を覆うように形成されたオーバーコートガラス膜と、を有することを特徴とする。本発明の発光素子搭載用基板においては、前記反射膜の構成材料は高反射率を有する実質的に銀からなるものが好ましい。ここにおいて、実質的に銀からなる反射膜とは、反射膜が銀ペーストにより形成される場合、銀ペーストに含まれるペースト形成のための成分が、形成された反射膜に残存して含まれてもよいこと、あるいは銀の耐久性向上のための他の成分を含んでもよいことを意味する。実質的に銀からなる反射膜とは、銀を90質量以上含む反射膜を意味し、銀合金を許容する。たとえば、パラジウムであれば10質量、白金であれば3質量まで含んでもよい。また、本発明は、下記A工程~D工程を含む上記本発明の発光素子搭載用基板の製造方法を提供する。Aガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物を用いて前記発光素子搭載用基板の本体基板を構成する、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する本体用グリーンシートを作製する工程、B前記搭載面のほぼ全面を覆いかつ少なくとも2つの独立した領域を構成するようにスクリーン印刷により導電性の反射膜用ペースト層を形成する工程C前記搭載面の反射膜用ペースト層が形成されていない部分を覆い、かつ前記反射膜用ペースト層の配線導体となる部分を除く全面を覆うようにオーバーコートガラスペースト層を形成し未焼結発光素子搭載用基板を得る工程、D前記未焼結発光素子搭載用基板を800~930°Cで焼成する工程。本発明によれば、基板上に形成される金属反射膜や配線導体等の導体間の絶縁を得るために設けられるギャップから基板に入射する光の量が少なく、発光素子を搭載して発光装置とした際の光取り出し効率に優れる発光素子搭載用基板を提供することが可能である。以下に、図を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。本発明の発光素子搭載用基板は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基板本体と、前記搭載面のほぼ全面を覆いかつ少なくとも2つの独立した領域を構成するように形成された導電性の反射膜であって、少なくとも2つの領域の一部が発光素子の電極と電気的に接続される配線導体となる反射膜と、前記搭載面の反射膜が形成されていない部分を覆い、かつ前記反射膜の配線導体となる部分を除く全面を覆うように形成されたオーバーコートガラス膜と、を有することを特徴とする。本発明によれば、通常は、別々に形成される反射膜と配線導体を一体化して、つまり、反射膜を配線導体部を含む構成として、基板の発光素子搭載面上に導通しない程度の間隔をもってそれぞれに独立した2つ以上の領域のかたちで形成し、さらにその上にオーバーコートガラス膜を反射膜の配線導体となる部分を除く全面と、上記間隔部分を覆うように形成することで、発光素子搭載面における反射膜の非コート部分を小さくし、さらに、反射膜の非コート部分にも反射性能を有するオーバーコートガラス膜を形成したことにより、発光素子が発光する光の基板への入射を抑制したものである。このような構成により、本発明の発光素子搭載用基板上に、発光素子が搭載されて発光装置として使用する場合に、発光素子から発光された光がギャップから基板内に入射するのを減少させることが可能となり、光取り出し効率の高い発光装置とすることが可能となる。図1は、本発明の発光素子搭載用基板の一実施形態を上から見た平面図であり、図2は図1に示す発光素子搭載用基板の実施形態の図1におけるX-X’線に相当する部分の断面図である。また、図3は、図1に示す本発明の発光素子搭載用基板の一実施形態を部材毎に上から見た平面図である。発光素子搭載用基板1は、発光素子搭載用基板1を主として構成する略平板状の基板本体2を有している。基板本体2は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、一方の面図2中、上側の一段高く形成された枠部分を除く部分が発光素子の搭載される搭載面21となっており、この略中央部が実際に発光素子の搭載される搭載部22となっている。また、他方の面は、発光素子の搭載されない非搭載面23とされている。基板本体2は、発光素子の搭載時、その後の使用時における損傷等を抑制する観点から、例えば抗折強度が250MPa以上となるものであることが好ましい。基板本体の形状、厚さ、大きさ等は特に制限されず、通常、発光素子搭載用基板として用いられるものと同様とすることができる。また、基板本体2を構成するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述する発光素子搭載用基板の製造方法において説明する。発光素子搭載用基板1は、搭載面21の中央部に導通しない程度の間隔5をもって、その間隔5部分以外の搭載面21全面を覆うように、搭載面21上に形成された導電性の反射膜7を有する。反射膜7は、図32の上から見た平面図に示される通り上記間隔5を有することで独立した2つの領域に分断されたかたちに形成されている。間隔5の幅は、絶縁を十分に保ちながら、発光素子からの光の入射量を抑制するために、できる限り小さくなるように形成されている。基板本体2の搭載面21の大きさや、形状、間隔の形状等にもよるが、図1~3に示される実施形態のような形状の場合、この間隔5の幅は、100~150μmであることが好ましい。反射膜7は導体からなり、各領域の一部が配線導体3として使用される。このような反射膜7の構成材料として、具体的には、銀、銀パラジウム混合物、銀白金混合物等が挙げられる。なお、本発明においては、経済性及び反射率の点から銀が好ましく用いられる。また、ここで反射膜7の膜厚は、反射膜の構成材料や発光素子搭載用基板が用いられる発光装置の設計にもよるが、たとえば、銀反射膜を用いた場合には、十分な反射性能を得るために5μm以上であることが好ましく、経済性、基板本体との熱膨張率差による変形等を考慮すると50μm以下が好ましい。ここで、この実施形態においては、反射膜が搭載面上に上記導通しない程度の間隔をもって分断されて形成された独立領域は2つであるが、この領域の数は発光素子搭載用基板が必要とされる配線導体の数に応じて適宜調整可能である。また、上記領域間の間隔の形状や大きさは、独立した反射膜の領域間で導通が起きない範囲で、発光素子からの光の入射を考慮して、間隔の面積、すなわち基板搭載面上の反射膜の形成されていない部分の面積が可能な限り小さくなるように設計される。発光素子搭載用基板1は、搭載面21の反射膜7の上に、搭載面21の反射膜7が形成されていない部分を覆い、かつ反射膜7の配線導体3となる部分を除くように形成されたオーバーコートガラス膜8を有する。図33にオーバーコートガラス膜8の上から見た平面図を示す。オーバーガラス層は、反射層を保護する機能を有するとともに、発光素子から発光される光の反射にも貢献するものである。配線導体3となる部分の位置、大きさ、形状等は、用いられる発光装置の設計による。オーバーコートガラス膜8の膜厚については、発光素子搭載用基板1が用いられる発光装置の設計にもよるが、熱伝導性および、基板本体との熱膨張率差による変形等を勘案すると10~50μmであることが好ましい。なお、オーバーコートガラス膜に関する原料組成は、後述の製造方法において説明する。発光素子搭載用基板1は、搭載面21に上記構成の反射膜7とオーバーコートガラス膜8を有することで、基板本体2の搭載面21は上記わずかな間隔5を残してほぼ全面が反射膜7により被覆され、さらに上記間隔5部分は、光の入射を抑制することが可能なオーバーコートガラス膜8で被覆されている。つまり、搭載面21においては、基板本体の非コート部は存在せず、基板本体への発光素子が発光する光の入射を効果的に抑制できる構成となっている。また、基板本体2の非搭載面23には、外部回路と電気的に接続される外部電極端子4が設けられ、基板本体2の内部に、上記領域の一部が配線導体3として使用される反射膜7の領域毎に、反射膜7と外部電極端子4とを電気的に接続する貫通導体6が設けられている。外部電極端子4および貫通導体6の形状や構成材料としては、通常、発光素子搭載用基板に用いられるものと同様のものであれば、特に制限なく使用することが可能である。また、外部電極端子4および貫通導体6の配置についても、配線導体3から外部電極図示せずに電気的に接続されるように配置されていれば、特に制限されるものではない。なお、図示されていないが、熱抵抗を低減するために基板本体2の内部にサーマルビアが埋設されていてもよい。サーマルビアは、例えば搭載部22より小さい柱状のものであり、搭載部22の直下に複数設けられる。サーマルビアを設ける場合には、搭載面21に達しないように、非搭載面23から搭載面21の近傍にかけて設けることが好ましい。このような配置とすることで、搭載面21、特に搭載部22の平坦度を向上させることができ、熱抵抗を低減し、また発光素子を搭載したときの傾きも抑制することができる。以上、本発明の発光素子搭載用基板の実施形態について一例を挙げて説明したが、本発明の発光素子搭載用基板はこれに限定されるものではない。本発明の趣旨に反しない限度において、また必要に応じて、その構成を適宜変更することができる。本発明の発光素子搭載用基板を用いて、その搭載部に発光素子を搭載することで発光装置、たとえば、図4に示す発光装置を作製することができる。図4に示す発光装置10は、発光素子搭載用基板1の搭載部22に発光ダイオード素子等の発光素子11が搭載されたものである。発光素子11は、搭載部22に接着剤を用いて固定され、その図示しない電極がボンディングワイヤ13によって配線導体3に電気的に接続されている。そして、発光素子11やボンディングワイヤ13を覆うようにモールド材14が設けられて発光装置10が構成されている。本発明の発光素子搭載用基板1を用いた発光装置10によれば、反射膜7を配線導体3部を含む構成として、基板の発光素子搭載面21上に導通しない程度の間隔5をもってそれぞれに独立した2つ以上の領域のかたちで形成し、さらにその上にオーバーコートガラス膜8を反射膜7の配線導体3となる部分を除く全面と、上記間隔5部分を覆うように形成することで、発光素子11が発光する光の基板本体への入射を抑制し、光取り出し効率を高いものとして高輝度に発光させることができる。このような発光装置10は、例えば携帯電話や大型液晶ディスプレイ等のバックライト、自動車用あるいは装飾用の照明、その他の光源として好適に用いることができる。本発明の発光素子搭載用基板は、たとえば、以下に説明する本発明の製造方法により製造することができる。なお、以下の説明では、その製造に用いる部材について、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。本発明の発光素子搭載用基板の製造方法は、下記A工程~D工程を含むものであり、その実施形態として、上記図1に示す本発明の発光素子搭載用基板の実施形態を製造する場合を例にして、図5を参照して説明する。より具体的には、下記するA工程~D工程の各工程をこの順に従って本発明の発光素子搭載用基板を製造するのが好ましい。Aガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物を用いて前記発光素子搭載用基板の本体基板を構成する、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する本体用グリーンシートを作製する工程以下、本体用グリーンシート作製工程という、B前記搭載面のほぼ全面を覆いかつ少なくとも2つの独立した領域を構成するようにスクリーン印刷により導電性の反射膜用ペースト層を形成する工程以下、反射膜用ペースト層形成工程という、C前記搭載面の反射膜用ペースト層が形成されていない部分を覆い、かつ前記反射膜用ペースト層の配線導体となる部分を除く全面を覆うようにオーバーコートガラスペースト層を形成し未焼結発光素子搭載用基板を得る工程以下、オーバーコートガラスペースト層形成工程という、D前記未焼結発光素子搭載用基板を800~930°Cで焼成する工程以下、焼成工程という。さらに、A工程~D工程の各工程について、以下に図面を参照しながら詳細に説明する。A本体用グリーンシート作製工程図5Aは、本発明の製造方法のA工程により本体用グリーンシート2を作製後、さらに最終的に発光素子搭載用基板の非搭載面23となる面上に外部電極端子用導体ペースト層4、および次いで行われるB工程で形成される導電性の反射膜用ペースト層7と外部電極端子用導体ペースト層4を電気的に接続するための貫通導体用ペースト層6を形成した後の導体ペースト層付き本体用グリーンシート2の平面図a1および断面図a2を示すものである。本発明の製造方法においては、上記外部電極端子用導体ペースト層4や貫通導体用ペースト層6のようにA工程で得られた本体基板を構成する本体用グリーンシート2に、B工程の反射膜用ペースト層7形成工程の前に、必要に応じて、最終的に得られる発光素子搭載用基板が有する部材を適宜、配設することが可能である。たとえば、図示されていないが本体用グリーンシート2は、未焼成サーマルビアを有していてもよく、上記同様にB工程の反射膜用ペースト層7形成工程の前に、未焼成サーマルビアを本体用グリーンシート2の所望の位置に配設することができる。なお、部材によっては、B工程の反射膜用ペースト層7形成工程の後、またはC工程のオーバーコートガラスペースト層8形成工程の後、D工程の焼成の前に本体用グリーンシート2に配設してもよい。a-1本体用グリーンシート2の作製本体用グリーンシート2は、ガラス粉末基板本体用ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造することができる。基板本体用ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、ガラス転移点Tgが550°C以上700°C以下のものが好ましい。ガラス転移点Tgが550°C未満の場合、脱脂が困難となるおそれがあり、700°Cを超える場合、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。また、800°C以上930°C以下で焼成したときに結晶が析出するものであることが好ましい。結晶が析出しないものの場合、十分な機械的強度を得ることができないおそれがある。さらに、DTA示差熱分析により測定される結晶化ピーク温度Tcが880°C以下のものが好ましい。結晶化ピーク温度Tcが880°Cを超える場合、寸法精度が低下するおそれがある。このような基板本体用ガラス粉末のガラス組成としては、例えばSiO2を57mol以上65mol以下、B2O3を13mol以上18mol以下、CaOを9mol以上23mol以下、Al2O3を3mol以上8mol以下、K2OおよびNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5mol以上6mol以下含有するものが好ましい。このような組成のガラス粉末を用いることで、本体基板表面の平坦度を向上させることが容易となる。ここで、SiO2は、ガラスのネットワークフォーマとなるものである。SiO2の含有量が57mol未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、SiO2の含有量が65molを超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれある。SiO2の含有量は、好ましくは58mol以上、より好ましくは59mol以上、特に好ましくは60mol以上である。また、SiO2の含有量は、好ましくは64mol以下、より好ましくは63mol以下である。B2O3は、ガラスのネットワークフォーマとなるものである。B2O3の含有量が13mol未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれがある。一方、B2O3の含有量が18molを超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。B2O3の含有量は、好ましくは14mol以上、より好ましくは15mol以上である。また、B2O3の含有量は、好ましくは17mol以下、より好ましくは16mol以下である。Al2O3は、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Al2O3の含有量が3mol未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Al2O3の含有量が8molを超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれがある。Al2O3の含有量は、好ましくは4mol以上、より好ましくは5mol以上である。また、Al2O3の含有量は、好ましくは7mol以下、より好ましくは6mol以下である。CaOは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めると共に、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgを低下させるために添加される。CaOの含有量が9mol未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、CaOの含有量が23molを超える場合、ガラスが不安定となるおそれがある。CaOの含有量は、好ましくは12mol以上、より好ましくは13mol以上、特に好ましくは14mol以上である。また、CaOの含有量は、好ましくは22mol以下、より好ましくは21mol以下、特に好ましくは20mol以下である。K2O、Na2Oは、ガラス転移点Tgを低下させるために添加される。K2OおよびNa2Oの合計した含有量が0.5mol未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれがある。一方、K2OおよびNa2Oの合計した含有量が6molを超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。K2OおよびNa2Oの合計した含有量は、0.8mol以上5mol以下であることが好ましい。なお、基板本体用ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、ガラス転移点Tg等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有することができる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10mol以下であることが好ましい。基板本体用ガラス粉末は、上記したような組成のガラスとなるようにガラス原料を配合、混合し、溶融法によってガラスを製造し、得られたガラスを乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得ることができる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行うことができる。基板本体用ガラス粉末の50粒径D50は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。基板本体用ガラス粉末の50粒径が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となると共に、均一に分散させることが困難となる。一方、基板本体用ガラス粉末の50粒径が2μmを超える場合、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行うことができる。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折散乱法による粒子径測定装置により得られるものである。一方、セラミックスフィラーとしては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものを特に制限なく用いることができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いることができる。セラミックスフィラーの50粒径D50は、例えば0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。上記以外にも白色セラミックスフィラーは存在するが、発光素子搭載用基板への不具合を生じるおそれがあるため、使用は避けた方がよい。この不具合には、例えば、光反射率の低下、強度の低下、焼結性の低下、熱膨張係数の低下による実装基板ガラスエポキシ基板などとの熱膨張係数差の増大である。このような基板本体用ガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えば基板本体用ガラス粉末が30質量以上50質量以下、セラミックスフィラーが50質量以上70質量以下となるように配合、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノール等の有機溶剤を好適に用いることができる。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで、本体用グリーンシート2を製造することができる。a-2導体ペースト層の形成次いで、このようにして得られた本体用グリーンシート2の非搭載面23となる面上に外部電極端子用導体ペースト層4と、これに電気的に接続する貫通導体用ペースト層6との組合せを2セット形成することで、図5a1に上から見た平面図、およびa2に断面図を示す導体ペースト層付き本体用グリーンシート2とすることができる。外部電極端子用導体ペースト層4、および貫通導体用ペースト層6の形成方法としては、スクリーン印刷法により導体ペーストを塗布、充填する方法が挙げられる。導体ペーストとしては、例えば銅、銀、金等を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。なお、上記金属粉末としては、銀からなる金属粉末、銀と白金からなる金属粉末、または銀とパラジウムからなる金属粉末が好ましく用いられる。B反射膜用ペースト層形成工程図5Bは、上記A工程を含む工程で得られた導体ペースト層付き本体用グリーンシート2の発光素子搭載用基板の搭載面となる主面上にB工程により反射膜用ペースト層7を形成させた後の平面図b1および断面図b2を示すものである。B反射膜用ペースト層形成工程においては、図5Bのb1平面図に示されるように、上記で得られた導体ペースト層付き本体用グリーンシート2の、最終的に発光素子搭載用基板1の搭載面21となる面上のほぼ中央部に間隔5ができるようにして、その間隔5部分を除いた全面にスクリーン印刷により反射膜となる反射性と導電性をともに有する材料を含む反射膜用ペースト層7を形成させる。これにより反射膜用ペースト層7は、2つの独立した領域を有するように搭載面21のほぼ全面を覆うかたちに形成される。また、上記反射膜用ペースト層7の2つの独立した領域は、本体用グリーンシート2に上記で形成された2つの貫通導体用ペースト層6にそれぞれ電気的に接続されるように形成される。反射膜用ペースト層7より得られる反射膜の一部が発光素子の電極と電気的に接続される配線導体3となるが、貫通導体用ペースト層6と配線導体3となる部分は最短距離で接続されるように配置されることが好ましい。上記スクリーン印刷に用いる反射膜用ペーストは、導電性の反射膜を構成する反射性と導電性をともに有する材料を含有するペーストである。このような材料としては、上記の通り、銀、銀パラジウム混合物、銀白金混合物等が挙げられるが、上記の理由により銀が好ましく用いられる。反射膜用ペーストは、このような材料を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。形成される反射膜用ペースト層7の膜厚は、最終的に得られる反射膜の膜厚が上記所望の膜厚となるように調整される。Cオーバーコートガラスペースト層形成工程図5Cは、上記B反射膜用ペースト層7形成工程後、反射膜用ペースト層7の上に、C工程によりオーバーコートガラスペースト層8を形成させた後の、すなわち未焼結発光素子搭載用基板1の平面図c1および断面図c2を示すものである。Cオーバーコートガラスペースト層形成工程においては、図5Cのc1平面図に示されるように、上記搭載面21の反射膜用ペースト層7が形成されていない部分、すなわち反射膜用ペースト層7の間隔5部分を覆い、かつ上記反射膜用ペースト層7の配線導体3となる部分を除く全面を覆うように、スクリーン印刷によりオーバーコートガラスペースト層8が形成される。これにより、未焼結発光素子搭載用基板1が得られる。配線導体3となる部分の位置、大きさ、形状等は、用いられる発光装置の設計による。オーバーコートガラスペーストは、ガラス粉末ガラス膜用ガラス粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。形成されるオーバーコートガラスペースト層8の膜厚は、最終的に得られるオーバーコートガラス膜の膜厚が上記所望の膜厚となるように調整される。オーバーコートガラス膜用ガラス粉末としては、C工程後に次いで行われるD工程における焼成により、膜状のガラスを得られるものであればよく、その50粒径D50は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。また、オーバーコートガラス膜8の表面粗さRaの調整は、例えばこのオーバーコートガラス膜用ガラス粉末の粒度により行うことができる。すなわち、オーバーコートガラス膜用ガラス粉末として、焼成時に十分に溶融し、流動性に優れるものを用いることで、表面粗さRaを小さくすることができる。D焼成工程上記C工程後、得られた未焼結発光素子搭載用基板1について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行って発光素子搭載用基板1とすることができる。脱脂は、例えば500°C以上600°C以下の温度で1時間以上10時間以下保持することにより行うことが好ましい。脱脂温度が500°C未満もしくは脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去することができないおそれがある。脱脂温度は600°C程度、脱脂時間は10時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去することができる。一方、脱脂温度を600°C超、脱脂温度を10時間超とするとかえって生産性等が低下するおそれがある。また、焼成は、基体本体の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、800°C~930°Cの温度範囲で適宜時間を調整することで行うことができる。具体的には、850°C以上900°C以下の温度で20分以上60分以下保持することにより行うことが好ましく、特に860°C以上880°C以下の温度で行うことが好ましい。焼成温度が800°C未満では、基体本体が緻密な構造のものとして得られないおそれがある。一方、焼成温度は930°Cを超えると基体本体が変形するなど生産性等が低下するおそれがある。また、上記導体ペーストや反射膜用ペーストとして、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合、焼成温度が880°Cを超えると、過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれがある。以上、発光素子搭載用基板1の製造方法について説明したが、本体用グリーンシート2は必ずしも単一のグリーンシートからなる必要はなく、複数枚のグリーンシートを積層したものであってもよい。また、各部の形成順序等についても、発光素子搭載用基板1の製造が可能な限度において適宜変更することができる。以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されるものではない。[実施例1]以下に説明する方法で、図4に示すのと同様の構造の試験用発光装置を作製した。なお、上記同様、焼成の前後で部材に用いる符号は同じとした。まず、発光素子搭載用基板1の本体基板を作製するための本体用グリーンシート2を作製した。本体用グリーンシート2は、SiO2が60.4mol、B2O3が15.6mol、Al2O3が6mol、CaOが15mol、K2Oが1mol、Na2Oが2molとなるようにガラス原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。得られたガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。この基板本体用ガラス粉末が40質量、アルミナフィラー昭和電工社製、商品名:AL-45Hが60質量となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの15g、可塑剤フタル酸ジ-2-エチルヘキシル2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラールデンカ社製、商品名:PVK3000K5g、さらに分散剤ビックケミー社製、商品名:BYK1800.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが0.15mmとなる本体用グリーンシートを製造した。一方、導電性粉末銀粉末、大研化学工業社製、商品名:S550、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で配合し、固形分が85質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って金属ペーストを製造した。本体用グリーンシート2の未焼成貫通導体6に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体ペースト層6を形成すると共に、未焼成外部電極端子導体ペースト層4を形成して、導体ペースト層付き本体用グリーンシート2を得た。導体ペースト層付き本体用グリーンシート2の搭載面21上に、中央部に幅100μmの間隔5をおいて、その間隔5を除く部分の全面を覆うように銀反射膜用ペースト層7をスクリーン印刷法によって形成した。その上に、配線導体3となる部分を除いて、上記間隔部分を含むかたちでオーバーコートガラスペースト層8をスクリーン印刷法によって形成し未焼成発光素子搭載用基板1とした。上記で得られた未焼成発光素子搭載用基板1を、550°Cで5時間保持して脱脂を行い、さらに870°Cで30分間保持して焼成を行って試験用の発光素子搭載用基板1を製造した。なお、上記銀反射膜用ペーストは、銀粉末大研化学工業社製、商品名:S400-2と、ビヒクルとしてのエチルセルロースとを質量比90:10の割合で配合し、固形分が87質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って製造した。また、上記オーバーコートガラスペーストの調製に用いたオーバーコートガラス膜用ガラス粉末は以下のようにして製造した。まず、SiO2が81.6mol、B2O3が16.6mol、K2Oが1.8molになるようにガラス原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。得られたガラスをアルミナ製ボールミルにより8~60時間粉砕してオーバーコートガラス膜用ガラス粉末とした。このオーバーコートガラス膜用ガラス粉末が60質量、樹脂成分エチルセルロースとαテレピネオールとを質量比で85:15の割合で含有するものが40質量となるように配合した後、磁器乳鉢中で1時間混練し、さらに三本ロールにて3回分散を行うことによりオーバーコートガラスペーストを調製した。上記で作製した試験用の発光素子搭載用基板1に発光ダイオード素子を搭載して発光装置10を作製した。搭載部22に発光ダイオード素子11昭和電工社製、商品名:GQ2CR460Zを1つダイボンド材信越化学工業株式会社製、商品名:KER-3000-M2により固定し、その図示しない電極をボンディングワイヤ13によって配線導体3に電気的に接続した。さらに封止剤信越化学工業株式会社、商品名:SCR-1016Aを用いて図4に示すモールド材14を構成するように封止した。封止剤には蛍光体化成オプトニクス株式会社製、商品名P46-Y3を封止剤に対して20質量含有したものを用いた。得られた発光装置10について、従来の発光装置に相当する以下の構成の発光装置と全光束を比較したところ、この発光装置に比べて5光束量が向上していた。<従来の発光装置>反射膜7と配線導体3が搭載面上に別々に配設され、反射膜がオーバーガラス膜により端部を含んで被覆された以外は、上記例1と同様の発光素子搭載用基板を用いた図6に示す、従来の構成の試験用発光装置を作製した。なお、配線導体3は、貫通導体6および外部電極端子導体4と同様の材料を用いて作製した。ここで、用いた発光素子搭載用基板において、発光素子搭載面における基板本体の非コート部の幅図6においてw’で示される銀反射膜上のオーバーコートガラス膜と配線導体の間の距離は、任意に選択された10箇所の平均で150μmであった。全光束の測定はスペクトラコープ社製LED全光束測定装置SOLIDLAMBDACCDLEDMONITORPLUSを用いて行った。積分球は6インチ、電圧/電流発生器としてはアドバンテスト社製R6243を用いた。またLED素子には35mAを印加して測定した。