"ベース基板と、該ベース基板の一表面側で前記ベース基板に支持され直下に空間が設けられる薄膜構造部と、前記ベース基板と前記薄膜構造部とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知するサーモパイルとを有する赤外線センサであって、前記サーモパイルの熱電対は、異なる材料からなる一対の熱電対素線を備え、一対の前記熱電対素線は、少なくとも前記薄膜構造部において前記薄膜構造部の厚み方向に絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする赤外線センサ。前記異なる材料は、一方が半導体材料であり、他方がAlまたはAuであることを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。前記異なる材料は、一方がp形多結晶シリコンであり、他方がn形多結晶シリコンであることを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。前記サーモパイルは、絶縁材料で被覆されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記薄膜構造部は、該薄膜構造部と前記ベース基板とを連結する支持部により前記ベース基板に支持されており、前記薄膜構造部および前記支持部が複数の層からなる多層膜で構成され、前記薄膜構造部の厚み方向と垂直な方向において、前記層の各々のうち引張応力が生じる層の応力の総和が、前記層の各々のうち圧縮応力が生じる層の応力の総和以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記薄膜構造部は、該薄膜構造部と前記ベース基板とを連結する支持部により前記ベース基板に支持されており、前記薄膜構造部および前記支持部が複数の層からなる多層膜で構成され、前記薄膜構造部および前記支持部における厚み方向の中立面において、前記中立面から前記ベース基板側における前記層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きと、前記中立面から前記ベース基板と反対側における前記層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きとが異なることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記薄膜構造部は、該薄膜構造部と前記ベース基板とを連結する支持部により前記ベース基板に支持されており、前記支持部に設けられる前記サーモパイルは、平面視において前記支持部の幅方向の中央部に配置されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記薄膜構造部は、該薄膜構造部と前記ベース基板とを連結する支持部により前記ベース基板に支持されており、前記サーモパイルが設けられる前記支持部の幅方向において前記サーモパイルが形成されている領域の幅と前記サーモパイルの両側のスペース領域の幅との比を、前記薄膜構造部における前記サーモパイルが形成されている領域の幅と前記サーモパイルの両側のスペース領域の幅との比に等しくすることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記熱電対は、複数個設けられており、複数の前記熱電対における前記熱電対素線の各々は、前記薄膜構造部の厚み方向と垂直な平面ごとに設けられる前記熱電対素線が同一材料で構成されていることを請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記ベース基板の前記一表面側において、複数個の前記薄膜構造部がアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記ベース基板は、前記サーモパイルからの出力信号を処理するトランジスタを備えていることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記薄膜構造部は、前記薄膜構造部における前記サーモパイルの両側のスペース領域に赤外線を吸収する半導体材料膜を設けていることを特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記載の赤外線センサ。前記半導体材料膜は、所定のピッチで複数を設けられていることを特徴とする請求項12に記載の赤外線センサ。前記薄膜構造部は、該薄膜構造部の厚み方向に配置される前記半導体材料膜を平面視において、ずらして配置していることを特徴とする請求項12または請求項13に記載の赤外線センサ。前記薄膜構造部は、該薄膜構造部の厚み方向に配置される一対の前記熱電対素線を平面視において、ずらして配置していることを特徴とする請求項1ないし請求項14のいずれか1項に記載の赤外線センサ。しかしながら、上述の特許文献3の赤外線センサの構成では、絶縁基板14Aの表面側に形成された複数個の熱電対4と、裏面側に形成された複数個の熱電対4とを電気的に接続させたにすぎず、表面側の熱電対4と裏面側の熱電対4との温度差などによりセンサ感度を十分に向上することができない恐れがある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、センサ感度をより向上させることが可能な赤外線センサを提供することにある。本発明の赤外線センサは、ベース基板と、該ベース基板の一表面側で上記ベース基板に支持され直下に空間が設けられる薄膜構造部と、上記ベース基板と上記薄膜構造部とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知するサーモパイルとを有する赤外線センサであって、上記サーモパイルの熱電対は、異なる材料からなる一対の熱電対素線を備え、一対の上記熱電対素線は、少なくとも上記薄膜構造部において上記薄膜構造部の厚み方向に絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする。この赤外線センサにおいて、上記異なる材料は、一方が半導体材料であり、他方がAlまたはAuであることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記異なる材料は、一方がp形多結晶シリコンであり、他方がn形多結晶シリコンであることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記サーモパイルは、絶縁材料で被覆されていることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記薄膜構造部は、該薄膜構造部と上記ベース基板とを連結する支持部により上記ベース基板に支持されており、上記薄膜構造部および上記支持部が複数の層からなる多層膜で構成され、上記薄膜構造部の厚み方向と垂直な方向において、上記層の各々のうち引張応力が生じる層の応力の総和が、上記層の各々のうち圧縮応力が生じる層の応力の総和以上であることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記薄膜構造部は、該薄膜構造部と上記ベース基板とを連結する支持部により上記ベース基板に支持されており、上記薄膜構造部および上記支持部が複数の層からなる多層膜で構成され、上記薄膜構造部および上記支持部における厚み方向の中立面において、上記中立面から上記ベース基板側における上記層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きと、上記中立面から上記ベース基板と反対側における上記層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きとが異なることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記薄膜構造部は、該薄膜構造部と上記ベース基板とを連結する支持部により上記ベース基板に支持されており、上記支持部に設けられる上記サーモパイルは、平面視において上記支持部の幅方向の中央部に配置されていることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記薄膜構造部は、該薄膜構造部と上記ベース基板とを連結する支持部により上記ベース基板に支持されており、上記サーモパイルが設けられる上記支持部の幅方向において上記サーモパイルが形成されている領域の幅と上記サーモパイルの両側のスペース領域の幅との比を、上記薄膜構造部における上記サーモパイルが形成されている領域の幅と上記サーモパイルの両側のスペース領域の幅との比に等しくすることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記熱電対は、複数個設けられており、複数の上記熱電対における上記熱電対素線の各々は、上記薄膜構造部の厚み方向と垂直な平面ごとに設けられる上記熱電対素線が同一材料で構成されていることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記ベース基板の上記一表面側において、複数個の上記薄膜構造部がアレイ状に配置されていることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記ベース基板は、上記サーモパイルからの出力信号を処理するトランジスタを備えていることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記薄膜構造部は、上記薄膜構造部における上記サーモパイルの両側のスペース領域に赤外線を吸収する半導体材料膜を設けていることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記半導体材料膜は、所定のピッチで複数を設けられていることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記薄膜構造部は、該薄膜構造部の厚み方向に配置される上記半導体材料膜を平面視において、ずらして配置していることが好ましい。この赤外線センサにおいて、上記薄膜構造部は、該薄膜構造部の厚み方向に配置される一対の上記熱電対素線を平面視において、ずらして配置していることが好ましい。本発明の赤外線センサは、センサ感度をより向上させることが可能となる。実施形態1本実施形態の赤外線センサ10について、図1~図8を参照しながら説明する。赤外線センサ10は、図1に示すように、シリコン基板を用いたベース基板1と、ベース基板1の一表面側でベース基板1に支持され直下にベース基板1に設けられた空洞部8により空間が設けられる薄膜構造部2と、ベース基板1と薄膜構造部2とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知するサーモパイル3とを有している。特に、本実施形態の赤外線センサ10は、サーモパイル3の熱電対4が、異なる材料からなる一対の熱電対素線4a,4bを備え、一対の熱電対素線4a,4bが、少なくとも薄膜構造部2において薄膜構造部2の厚み方向に絶縁膜5を介して配置されている。ここで、赤外線センサ10の薄膜構造部2は、平面視が矩形状の薄膜構造部2とベース基板1とを連結する支持部6によりベース基板1に支持されている図1aを参照。薄膜構造部2を支持する支持部6は、薄膜構造部2の一辺の端部から突出した突出部6aと、突出部6aと一端が接続され突出部6aが突出した薄膜構造部2の一辺に沿って長手方向に設けられた長尺部6bと、長尺部6bの他端をベース基板1側に支持させる支持突出部6cとを備えている。本実施形態の赤外線センサ10では、矩形状の薄膜構造部2が薄膜構造部2の対角線上で連結された支持部6,6によりベース基板1に支持されている。なお、薄膜構造部2を支持する支持部6の数は、1個でもよいし、3個以上設けてもよい。薄膜構造部2の直下の空間は、薄膜構造部2をベース基板1と断熱するためにベース基板1に設けられた空洞部8により形成されている図1bを参照。空洞部8は、薄膜構造部2および支持部6の周部に設けられている開口部8aから、エッチング液たとえば、TMAHTetramethylAmmoniumHydroxide液などを導入してベース基板1の一部をエッチングすることにより形成することができる。また、支持部6に設けられるサーモパイル3は、平面視において支持部6における突出部6a、長尺部6bおよび支持突出部6cの各々の幅方向の中央部に配置されている。これにより、赤外線センサ10は、サーモパイル3が設けられた支持部6における上記中央部から幅方向の両端部までの曲げモーメントを均一化させ曲げモーメントの不整合を低減することが可能となる。さらに、赤外線センサ10は、複数の支持部6の各々におけるサーモパイル3の配置を同様の構成にすれば、各支持部6の各々の応力のばらつきが少なく、支持部6の応力ばらつきに起因する薄膜構造部2の反りを抑制することが可能となる。そのため、赤外線センサ10は、支持部6がベース基板1に対し支持部6の反りや捻りの少ない構造とし、薄膜構造部2の形状を安定させることで複数の赤外線センサ10間におけるセンサ感度のばらつきを抑制することが可能となる。サーモパイル3の熱電対4は、異なる材料からなる一対の熱電対素線4a,4bを備えており、一対の熱電対素線4a,4bが、薄膜構造部2での構成と同様に、支持部6の厚み方向において絶縁膜5を介して配置されている。また、本実施形態の赤外線センサ10におけるサーモパイル3は、全体が絶縁膜5と同じ絶縁材料で被覆されている。より詳述すると、サーモパイル3は、図2aに示すように、薄膜構造部2の厚み方向において絶縁膜5を介して熱電対素線4aと熱電対素線4bとが配置されたものを、絶縁材料からなる被覆部3aにより被覆して構成することができる。なお、熱電対素線4bは、後述するシリコン酸化膜1bとシリコン窒化膜1cとの積層膜上に形成させている。また、サーモパイル3は、図2bに示すように、熱電対素線4bが被覆部3bにより被覆され、熱電対素線4aと熱電対素線4bとの間の被覆部3bを絶縁膜5として利用することもできる。ここで、サーモパイル3は、絶縁膜5上の熱電対素線4aが、絶縁材料からなる被覆部3cにより被覆されている。このような被覆部3a,3b,3cを構成する材料として、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜などの絶縁材料を好適に用いることができる。これにより、赤外線センサ10は、上記エッチング液を用いてベース基板1をエッチングすることにより、空洞部8などを構成する場合であっても、サーモパイル3が上記エッチング液により損傷を受けることを抑制することが可能となる。同様に、赤外線センサ10は、たとえば、プラズマエッチングによりベース基板1や後述する犠牲層図示していないをエッチングすることにより空洞部8などを構成する場合、サーモパイル3がプラズマエッチングにより損傷を受けることを抑制することも可能となる。次に、熱電対4の一対の熱電対素線4a,4b同士は、コンタクトホール2adを介して薄膜構造部2の中央部において金属材料からなる接続部21a,21aにより電気的に接続され、温接点T1,T1を形成している図1bを参照。また、熱電対4は、支持部6を介して薄膜構造部2とベース基板1とに跨って形成されており、熱電対4を構成する熱電対素線4a,4bがベース基板1側において金属材料により電気的に接続され、冷接点T2を形成している。また、サーモパイル3は、外部への出力端子となる接続部21bを熱電対素線4aに接続させて備えている。また、サーモパイル3は、外部への出力端子となる異なる極性の接続部21cを熱電対素線4bに接続させて備えている。本実施形態の赤外線センサ10における熱電対4は、一方がp形多結晶シリコンにより形成させた第1の熱電対素線4aであり、他方がn形多結晶シリコンにより形成させた第2の熱電対素線4bとしている。なお、熱電対4は、第1の熱電対素線4aの材料をn形多結晶シリコンとし、第2の熱電対素線4bの材料をp形多結晶シリコンとしてもよい。また、第1および第2の熱電対素線4a,4bの材料は、多結晶シリコンだけに限られるものではなく、多結晶シリコンゲルマニウム、多孔質シリコン、ビスマステルライドBi2Te3、アンチモンテルライドSb2Te3でもよいし、一方が半導体材料であり、他方が金属材料であるAlまたはAuとしてもよい。なお、赤外線センサ10の出力ΔVは、異なる材料のゼーベック係数をそれぞれα1、α2とする場合、温度差ΔT×α1-α2で表すことができる。赤外線センサ10は、一対の熱電対素線4a,4bをAlと半導体材料との異なる材料により構成した場合におけるゼーベック係数と比較して、半導体材料同士を組み合わせたほうがゼーベック係数を大きくすることができる。特に、p形の半導体材料とn形の半導体材料とは、逆符号のゼーベック係数を有する。そのため、赤外線センサ10は、p形の半導体材料とn形の半導体材料とを組み合わせた熱電対素線4a,4bを用いることにより、出力をより高めることが可能となる。これに対し、一対の熱電対素線4a,4bの一方にAlを用いる場合、Alを接続部21a,21bや配線図示していないの材料として利用することができる。そのため、Alを用いた第1の熱電対素線4aあるいは第2の熱電対素線4bは、スパッタ法や蒸着法を用いて比較的簡単に形成することができる。また、一対の熱電対素線4a,4bの一方の材料にAuを用いる場合、Auは、Alと比較して上記エッチング液に対する耐性が高い。そのため、上記エッチング液を用いて上記シリコン基板をエッチングして薄膜構造部2、支持部6や空洞部8を形成する場合、Auを用いた熱電対素線4a,4bは、熱電対素線4a,4bを被覆する上記絶縁材料の被覆が十分でなく被膜にピンポールなどがある場合でも、上記エッチング液が浸入して熱電対素線4a,4bが断線などの損傷を抑制することが可能となる。なお、熱電対素線4a,4bの一方を半導体材料たる多結晶シリコン、他方をAuにより形成させた場合、熱電対素線4a,4b間のオーミック接触を行うためには、一対の熱電対素線4a,4b間にAl膜やTi膜などを適宜に介在させてもよい。なお、本実施形態の赤外線センサ10は、複数の熱電対4における熱電対素線4a,4bの各々が、薄膜構造部2の厚み方向と垂直な平面ごとに設けられる熱電対素線4a,4bが同一材料で構成されている。これにより、赤外線センサ10は、熱電対素線4aの基礎となる半導体材料にp形やn形の不純物をドーピングして熱電対素線4a,4bを形成させるドーピング工程において、異なる不純物をドーピングする不純物ごとにマスクを形成する必要がない。すなわち、赤外線センサ10は、同一平面でp形多結晶シリコンからなる第1の熱電対素線4aと、n形多結晶シリコンからなる第2の熱電対素線4bとが混在している場合と比較して、第1の熱電対素線4aと、第2の熱電対素線4bとを分けて形成するためのマスクが必要となることがない。そのため、赤外線センサ10は、各熱電対素線4a,4bの形成にあたり上記マスクの位置合わせ精度のマージンを必要とすることもなく、熱電対素線4a,4bの微細化を図ることが容易となる。次に、赤外線センサ10の薄膜構造部2は、薄膜構造部2とベース基板1とを連結する支持部6によりベース基板1に支持されており、薄膜構造部2および支持部6が後述する複数の層からなる多層膜で構成され、薄膜構造部2の厚み方向と垂直な方向において、上記層の各々のうち引張応力が生ずる層の応力の総和が、上記層の各々のうち圧縮応力が生じる層の応力の総和以上としている。すなわち、赤外線センサ10は、薄膜構造部2における残留応力の引張や圧縮の総和が、赤外線センサ10の厚み方向と垂直な方向への薄膜構造部2に変形が生じないように各層の応力や膜厚を調整して形成することが好ましい。これにより、赤外線センサ10は、赤外線センサ10の厚み方向と垂直な方向へ薄膜構造部2の変形を抑制し、圧縮応力により薄膜構造部2に座屈が生ずることを抑制することが可能となる。さらに、赤外線センサ10の薄膜構造部2は、薄膜構造部2とベース基板1とを連結する支持部6によりベース基板1に支持されており、薄膜構造部2および支持部6が複数の層からなる多層膜で構成され、薄膜構造部2および支持部6における厚み方向の中立面において、中立面からベース基板1側における層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きと、上記中立面からベース基板1と反対側における層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きとが異なるように上記層の各々の応力および厚みを調整していることが好ましい。これにより、赤外線センサ10は、薄膜構造部2が薄膜構造部2の厚み方向に反り変形が生ずることを抑制することができる。すなわち、赤外線センサ10は、薄膜構造部2の応力のバランスの均一性が向上する。これにより、赤外線センサ10は、薄膜構造部2の反りを抑制することができ、センサ感度のばらつきを低減できる。なお、薄膜構造部2においては、平面視においてベース基板1に支持される支持部6と薄膜構造部2との接続部位を基準として、接続部位と対向する薄膜構造部2の自由端までの距離で曲げモーメントを求めればよい。また、支持部6においては、平面視においてベース基板1に支持される支持部6の固定端を基準として、固定端から上記接続部位の距離で曲げモーメントを求めればよい。ここで、赤外線センサ10は、サーモパイル3が設けられる支持部6の幅方向においてサーモパイル6が形成されている領域Waの幅とサーモパイル3の両側のスペース領域WbWbの幅との比図3aを参照を、薄膜構造部2におけるサーモパイル3が形成されている領域WaWaの幅とサーモパイル3の両側のスペース領域Wb2WbWbの幅図3bを参照との比に等しくしてもよい。これにより、赤外線センサ10は、支持部6と薄膜構造部2との応力バランスが均一化され、より反りの少ない構造として支持部6の形状および薄膜構造部2の形状を安定させ複数の赤外線センサ10間におけるセンサ感度のばらつきを抑制することが可能となる。この場合、支持部6におけるサーモパイル3が形成されている領域aの幅と、サーモパイル3が形成されていない領域WbWbの幅との比が同一であれば間隔を変えることもできる。また、赤外線センサ10は、薄膜構造部2の熱電対素線4a,4bが形成されていないスペース領域に、熱電対素線4a,4bと同じ材料により構成させた赤外線を吸収する半導体材料膜からなるダミー配線を形成させてもよい。これにより、赤外線センサ10は、サーモパイル3が設けられる支持部6の幅方向においてサーモパイル6が形成されている領域の幅とサーモパイル3の両側のスペース領域の幅との比を、薄膜構造部2におけるサーモパイル3およびダミー配線が形成されている領域の幅とサーモパイル3およびダミー配線の両側のスペース領域の幅との比に等しくさせる。すなわち、ダミー配線たる半導体材料膜は、所定のピッチで複数を設けることができる。これにより、赤外線センサ10は、薄膜構造部2および支持部6の応力バランスを均一化し、薄膜構造部2および支持部6の各々における曲げモーメントをそれぞれ低減することが可能となる。すなわち、赤外線センサ10は、薄膜構造部2および支持部6の反りを抑制することができる。ここで、赤外線センサ10は、ダミー配線を、AlやAuなどの金属材料ではなく、多結晶シリコンを用いることにより、ダミー配線を利用して赤外線の吸収量を増加させて、センサ感度をより向上さえることもできる。本実施形態の赤外線センサ10は、空洞部8を薄膜構造部2を断熱するためベース基板1に形成している。ここで、空洞部8は、図1に示したベース基板1の一表面側から四角錘状に窪んだ形状だけでなく、図4aに示すように、薄膜構造部2の一表面と平行な対向する底面を備えた窪み形状としてもよい。図4aの赤外線センサ10では、空洞部8が形成されるベース基板1に予め赤外線反射膜9を設けておき、開口部8aから注入した上記エッチング液などにより赤外線センサ10の製造過程で除去される犠牲層図示していないを除去することで、空洞部8を形成させるとともに赤外線反射膜9を露出させることができる。赤外線反射膜9は、薄膜構造部2を透過した赤外線を薄膜構造部2側に反射させてセンサ感度の向上を図ることができる。さらに、赤外線センサ10は、図4bに示すように、薄膜構造部2の直下にベース基板1がない構造とすることもできる。これにより、本実施形態の赤外線センサ10は、センサ感度をより向上させることができる。以下、本実施形態における赤外線センサ10について、さらに詳細に説明する。図8bに示す赤外線センサ10は、ベース基板1の上記一表面側において領域A1に形成された熱型赤外線検出部11と、ベース基板1の上記一表面側において領域A2に形成されたトランジスタ7とを備えた検知部により構成されている。検知部は、ベース基板1の上記一表面側において2次元アレイ状に配置させて構成している図示していない。赤外線センサ10は、2次元アレイ状に配置させた検知部からの出力をそれぞれ時系列的に読み出すことができるように、熱型赤外線検出部11とトランジスタ7とを電気的に接続させている。熱型赤外線検出部11は、図1の構成を基礎として含み、サーモパイル3が内部に埋設された薄膜構造部2、薄膜構造部2をベース基板1に支持する支持部6およびベース基板1により構成している。トランジスタ7は、ベース基板1の一部に設けられたMOSトランジスタにより構成している。赤外線センサ10は、ベース基板1の上記一表面側において薄膜構造部2の直下に空間が形成できるように空洞部8を形成している。ベース基板1の上記一表面側で空洞部8を覆うように形成される薄膜構造部2は、支持部6によりベース基板1の上記一表面側で支持されている。サーモパイル3は、温接点T1が薄膜構造部2側に設けられ、図示していない冷接点T2がベース基板1側に設けられている。薄膜構造部2は、シリコン基板を用いたベース基板1の上記一表面側に形成されたシリコン酸化膜1bを備えている。薄膜構造部2は、シリコン酸化膜1b上にシリコン窒化膜1cを備えている。薄膜構造部2は、シリコン窒化膜1c上に熱電対素線4bを備えている。薄膜構造部2は、熱電対素線4bを覆うように絶縁膜5をシリコン窒化膜1cの表面側に形成している図8bの破線を参照。薄膜構造部2は、絶縁膜5上に熱電対素線4aを備えている。薄膜構造部2は、熱電対素線4aを絶縁材料で覆っている。ここで、薄膜構造部2は、熱電対素線4aを覆う上記絶縁材料と、絶縁膜5の材料として同じBPSGBoronPhosphorSilicateGlassを用いている。薄膜構造部2は、熱電対素線4bを覆うBPSGの膜と熱電対素線4aを覆うBPSGの膜とで層間絶縁膜2aを構成している。薄膜構造部2は、層間絶縁膜2a上にパッシベーション膜2bを形成している。薄膜構造部2は、上述の複数の層からなる多層膜を適宜にパターニングやエッチングして形成することができる。なお、薄膜構造部2のシリコン窒化膜1cは、赤外線を吸収する赤外線吸収部33として機能するように構成している。薄膜構造部2は、言い換えれば、ベース基板1の上記一表面側に形成されたシリコン酸化膜1bと、シリコン酸化膜1b上に形成されたシリコン窒化膜1cと、シリコン窒化膜1c上に形成されたサーモパイル3と、シリコン窒化膜1cの表面側でサーモパイル3を覆うように形成された層間絶縁膜2aと、層間絶縁膜2a上に形成されたパッシベーション膜2bとの複数の層からなる多層膜により構成されている。なお、薄膜構造部2については、上述したように、薄膜構造部2における厚み方向の中立面において、中立面からベース基板1側における層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きと、上記中立面からベース基板1と反対側における層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きとを異ならせ薄膜構造部2に反りが生じないように層の応力および厚さを調整している。ここで、層間絶縁膜2aは、BPSG膜により構成している。パッシベーション膜2bは、PSGPhosphorSilicateGlass膜とPSG膜上に形成されたNSGNondopedSilicateGlass膜との積層膜により構成してあるが、これに限らず、たとえば、シリコン窒化膜により構成してもよい。また、支持部6は、サーモパイル3を備え、薄膜構造部2での構成と同様にシリコン酸化膜1bとシリコン窒化膜1cと層間絶縁膜2aとパッシベーション膜2bとで構成されている。したがって、支持部6については、薄膜構造部2と同様に、支持部6における厚み方向の中立面において、中立面からベース基板1側における層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きと、上記中立面からベース基板1と反対側における層の各々の応力の総和による曲げモーメントの向きとを異ならせ支持部6に反りが生じないように層の応力および厚さを調整している。なお、層間絶縁膜2aおよびパッシベーション膜2bは、屈折率および膜厚を調整することにより、薄膜構造部2においてサーモパイル3に赤外線を効率よく吸収させる赤外線吸収膜の機能を備えさせることができる。また、赤外線センサ10は、層間絶縁膜2aと絶縁膜5とを同じ材料を用い層間絶縁膜2aの一部を利用して絶縁膜5を形成させるだけでなく異なる材料を用いて形成させてもよい。サーモパイル3の熱電対4は、シリコン窒化膜1c上で薄膜構造部2と支持部6とに跨って形成されたn形多結晶シリコンからなる第2の熱電対素線4bと、絶縁膜5を介して第2の熱電対素線4b上に形成されるp形多結晶シリコンからなる第1の熱電対素線4aとを備えている。なお、絶縁膜5は、BPSG膜だけに限らず、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜など適宜に構成すればよい。サーモパイル3の熱電対4は、第1の熱電対素線4aと、第2の熱電対素線4bとの一端部同士を薄膜構造部2の赤外線入射面側で金属材料たとえば、Al-Siなどからなる接続部21aにより電気的に接続している。また、赤外線センサ10は、空洞部8の形状を四角錘状としており、平面視における中央部の方が周部に比べて深さ寸法を大きくしている。そのため、赤外線センサ10は、薄膜構造部2の中央部に温接点T1が集まるようにサーモパイル3の平面レイアウトを設計してある。薄膜構造部2は、サーモパイル3を形成していない領域に、赤外線を吸収するn形多結晶シリコンからなる赤外線吸収層やp形多結晶シリコンからなる赤外線吸収層をシリコン窒化膜1cを利用して適宜に形成してもよい図示していない。赤外線吸収層は、第2の熱電対素線4bと同じn形不純物たとえば、リンなどを同じ不純物濃度たとえば、1018~1021cm-3で含んでおり、第2の熱電対素線4bと同時に形成することもできる。なお、第2の熱電対素線4bの材料がp形多結晶シリコンの場合、赤外線吸収層は、第2の熱電対素線4bと同じp形不純物たとえば、ボロンなどを同じ不純物濃度たとえば、1018~1021cm-3で含んでおり、第2の熱電対素線4bと同時に形成することができる。本実施形態の赤外線センサ10では、第1の熱電対素線4aおよび第2の熱電対素線4bそれぞれの不純物濃度を1018~1021cm-3としており、熱電対素線4a,4bの抵抗値を低減して、S/N比の向上を図ることを可能としている。また、赤外線センサ10は、赤外線の吸収率を高くしつつ赤外線の反射を抑制することができて、サーモパイル3の出力のS/N比を高めることもできる。ここで、サーモパイル3の接続部21aは、ベース基板1の上記一表面側において、絶縁膜5が一部を構成する層間絶縁膜2aによって絶縁分離されている。すなわち、温接点T1側の接続部21aは、層間絶縁膜2aに形成したコンタクトホール2adを通して、第1の熱電対素線4aと第2の熱電対素線4bとを一端部において電気的に接続させている。また、冷接点T2側でも、同様にコンタクトホール図示していないを通して、第1の熱電対素線4aや第2の熱電対素線4bの上記各他端部と電気的に接続させている。これにより、2つの熱電対4を直列に電気的に接続させてサーモパイル3を構成している。また、トランジスタ7は、上述のように、ベース基板1の上記一表面側において領域A2に形成されている。赤外線センサ10は、ベース基板1にサーモパイル3からの出力信号を処理するトランジスタ7を備えていることにより、別途に信号処理基板を用意することを不要とすることができる。そのため、赤外線センサ10は、赤外線を検知する熱型赤外線検出部11と、熱型赤外線検出部11からの出力信号を処理するトランジスタ7とを同一のベース基板1内に設けることができる。これにより、赤外線センサ10は、寄生容量等に起因するノイズの影響を抑制することができると共に小型化を比較的容易に行うことが可能となる。トランジスタ7は、図8bに示すように、ベース基板1の上記一表面側に第1導電形であるp形pのウェル領域7aが形成され、ウェル領域7a内に、第2導電形であるn形nのドレイン領域7cと第2導電形であるn形nのソース領域7dとが離間して形成されている。さらに、ウェル領域7a内には、ドレイン領域7cとソース領域7dとを囲む第1導電形であるp形pのチャネルストッパ領域7bが形成されている。ウェル領域7aにおいてドレイン領域7cとソース領域7dとの間に位置する部位の上には、シリコン酸化膜熱酸化膜からなるゲート絶縁膜7eを介してn形多結晶シリコンからなるゲート電極7fが形成されている。また、ドレイン領域7c上には、金属材料たとえば、Al-Siなどからなるドレイン電極7gが形成され、ソース領域7d上には、金属材料たとえば、Al-Siなどからなるソース電極7hが形成されている。ゲート電極7f、ドレイン電極7gおよびソース電極7hは、層間絶縁膜2aによって絶縁分離されている。ここで、ドレイン電極7gは、層間絶縁膜2aに形成したコンタクトホール2aaを通してドレイン領域7cと電気的に接続され、ソース電極7hは、層間絶縁膜2aに形成したコンタクトホール2abを通してソース領域7dと電気的に接続されている。赤外線センサ10は、図示していないが、トランジスタ7のソース電極7hとサーモパイル3の一端とを電気的に接続しており、サーモパイル3の他端が配線11aに電気的に接続されている。また、MOSトランジスタ7は、チャネルストッパ領域7b上に、金属材料たとえば、Al-Siなどからなる電極7iが形成されている。なお、電極7iは、層間絶縁膜2aに形成したコンタクトホール2acを通してチャネルストッパ領域7bと電気的に接続されている。ここで、赤外線センサ10は、図示していないが平面視において薄膜構造部2を備えた熱型赤外線検出部11とトランジスタ7とを備えた検知部を、行列a×bのアレイ状に配置している。赤外線センサ10は、各検知部のサーモパイル3に対応するトランジスタ7のゲート電極7fの電位を制御することにより順次に各トランジスタ7をオン状態とし、各トランジスタ7のドレイン電極7gおよび配線11aを利用して全ての検知部のサーモパイル3の出力を時系列的に読み出すように構成している。以下、赤外線センサ10の製造方法の一例について図5~図8を参照して説明する。まず、第2導電形のシリコン基板を用いたベース基板1の上記一表面側に第1の所定膜厚たとえば、0.3μmの第1のシリコン酸化膜1bと第2の所定膜厚たとえば、0.1μmのシリコン窒化膜1cとの積層膜からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程を行う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層のうち熱型赤外線検出部11を形成するための領域A1に対応する部分を残し、トランジスタ7を形成するための領域A2に対応する部分をエッチング除去する絶縁層パターニング工程を行う図5aを参照。なお、第1のシリコン酸化膜1bは、ベース基板1を所定温度たとえば、1100°Cで熱酸化することにより形成し、シリコン窒化膜1cは、LPCVD法により形成することができる。絶縁層パターニング工程の後、ベース基板1の上記一表面側に第1導電形であるp形pのウェル領域7aを形成するウェル領域形成工程を行う。続いて、ベース基板1の上記一表面側におけるウェル領域7a内に第1導電形であるp形pのチャネルストッパ領域7bを形成するチャネルストッパ領域形成工程を行う。その後、トランジスタ7のしきい値電圧を制御するためのイオン注入工程を行う。ウェル領域形成工程では、ベース基板1の上記一表面側の露出部位を所定温度で熱酸化する。これにより、シリコン酸化膜からなる第1の熱酸化膜1dを選択的に形成する。その後、ウェル領域7aを形成するためのマスクを利用したフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第1の熱酸化膜1dをパターニングする。続いて、第1導電形の不純物たとえば、ボロンなどのp形の不純物のイオン注入を行ってから、ドライブインを行うことにより、ウェル領域7aを形成する。また、チャネルストッパ領域形成工程では、ベース基板1の上記一表面側を所定温度で熱酸化することでシリコン酸化膜よりなる第2の熱酸化膜1eを選択的に形成する。その後、チャネルストッパ領域7bを形成するためのマスクを利用したフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第2の熱酸化膜1eをパターニングする。続いて、第1導電形の不純物たとえば、ボロンなどのp形の不純物のイオン注入を行ってから、ドライブインを行うことにより、チャネルストッパ領域7bを形成する図5bを参照。上述のイオン注入工程の後、第2導電形であるn形nのドレイン領域7cおよび第2導電形であるn形nのソース領域7dを形成するソースドレイン形成工程を行う。ソースドレイン形成工程では、ウェル領域7aにおけるドレイン領域7cおよびソース領域7dそれぞれの形成予定領域に第2導電形の不純物たとえば、リンなどのn形の不純物のイオン注入を行ってから、ドライブインを行うことによって、ドレイン領域7cおよびソース領域7dを形成する。ソースドレイン形成工程の後、ベース基板1の上記一表面側にたとえば熱酸化により所定膜厚たとえば、600Åのシリコン酸化膜熱酸化膜からなるゲート絶縁膜7eを形成するゲート絶縁膜形成工程を行う。続いて、ベース基板1の上記一表面側の全面にゲート電極7f、n形多結晶シリコンからなる第2の熱電対素線4bの基礎となる所定膜厚のノンドープ多結晶シリコン層をLPCVD法により形成する第1の多結晶シリコン層形成工程を行う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上記ノンドープ多結晶シリコン層のうちゲート電極7f、第2の熱電対素線4bそれぞれに対応する部分が残るようにパターニングする第1の多結晶シリコン層パターニング工程を行う。続いて、上記ノンドープ多結晶シリコン層のうちゲート電極7fおよび第2の熱電対素線4bに対応する部分にn形の不純物たとえば、リンなどのイオン注入を行ってからドライブインを行うことによりゲート電極7fおよび第2の熱電対素線4bを形成するn形多結晶シリコン層形成工程を行うことによって、図5cに示す構造を得る。続いて、ベース基板1の上記一表面側の全面に層間絶縁膜2aの一部を構成するBPSGからなる絶縁膜5を第2の熱電対素線4bを覆うようにCVD法により形成する絶縁膜形成工程を行う。絶縁膜形成工程では、ベース基板1の上記一表面側に所定膜厚のBPSG膜をCVD法により堆積させてから、所定温度たとえば、800°Cでリフローすることにより平坦化させている。また、ベース基板1の上記一表面側の全面にp形多結晶シリコンからなる第1の熱電対素線4aの基礎となる所定膜厚のノンドープ多結晶シリコン層をLPCVD法により形成する第2の多結晶シリコン層形成工程を行う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上記ノンドープ多結晶シリコン層のうち第1の熱電対素線4aに対応する部分が残るようにパターニングする第2の多結晶シリコン層パターニング工程を行う。続いて、上記ノンドープ多結晶シリコン層のうち第1の熱電対素線4aに対応する部分にp形の不純物たとえば、ボロンなどのイオン注入を行ってからドライブインを行うことによりp形多結晶シリコンからなる第1の熱電対素線4aを形成するp形多結晶シリコン層形成工程を行うことによって、図6aに示す構造を得る。上述のp形多結晶シリコン層形成工程およびn形多結晶シリコン層形成工程が終了した後、ベース基板1の上記一表面側に第1の熱電対素線4aを覆うように絶縁膜5の形成と同様にして層間絶縁膜2aを形成する層間絶縁膜形成工程を行う。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して層間絶縁膜2aにコンタクトホール2aa,2ab,2ac,2adを形成するコンタクトホール形成工程を行うことによって、図6bに示す構造を得る。上述のコンタクトホール形成工程の後、ベース基板1の上記一表面側の全面に接続部21a、配線11a、電極7i、ソース電極7h、ドレイン電極7gなどの基礎となる所定膜厚たとえば、2μmの金属膜たとえば、Al-Si膜を形成する金属膜形成工程を行う。続いて、金属膜をパターニングすることで接続部21a、配線11a、電極7i、ソース電極7h、ドレイン電極7gなどを形成する金属膜パターニング工程を行うことによって、図7aに示す構造を得る。上述の金属膜形成工程では、金属膜をスパッタ法により形成している。金属膜形成工程での金属膜の形成方法は、スパッタ法に限らず、たとえば、CVD法や蒸着法などでもよい。また、金属膜パターニング工程では、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜をパターニングする。ここで、金属膜パターニング工程におけるエッチングはRIEにより行っている。なお、この金属膜パターニング工程を行うことにより、温接点T1および冷接点T2を形成している。上述の金属膜パターニング工程の後、ベース基板1の上記一表面側に所定膜厚たとえば、0.5μmのPSG膜と所定膜厚たとえば、0.5μmのNSG膜との積層膜からなるパッシベーション膜2bを形成するパッシベーション膜形成工程を行うことによって、図7bに示す構造を得る。パッシベーション膜形成工程では、CVD法によってパッシベーション膜2bを形成する。上述のパッシベーション膜形成工程の後、第1のシリコン酸化膜1b、シリコン窒化膜1c、層間絶縁膜2a、パッシベーション膜2bなどを備えた多層膜をパターニングする多層膜パターニング工程を行うことによって、図8aに示す構造を得る。多層膜パターニング工程において、開口部8aを形成している。次に、開口部8aをエッチング液導入孔としてエッチング液を導入しベース基板1を異方性エッチング結晶異方性エッチングすることによりベース基板1に空洞部8を形成する空洞部形成工程を行うことで、図8bに示す構造を得る。ここで、開口部形成工程では、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上述の開口部を形成する。また、開口部形成工程におけるエッチングはRIEにより行っている。また、空洞部形成工程では、エッチング液として所定温度たとえば、85°Cに加熱したTMAH溶液を用いているが、エッチング液はTMAH溶液に限らず、他のアルカリ系溶液たとえば、KOH溶液などを用いてもよい。なお、空洞部形成工程が終了するまでの全工程はウェハレベルで行うので、空洞部形成工程が終了した後、複数の赤外線センサ10に分離する分離工程を行うことでチップ状の複数の赤外線センサ10を形成することができる。上述の赤外線センサ10では、ベース基板1として上記一表面が100面の単結晶シリコン基板を用いて、エッチング速度の結晶面方位依存性を利用した異方性エッチングにより形成する空洞部8を四角錘状の形状としてあるが、四角錘状の形状に限らず、四角錘台状の形状でもよい。また、ベース基板1の上記一表面の面方位は特に限定するものではなく、たとえば、ベース基板1として上記一表面がSi110面の単結晶のシリコン基板を用いてもよい。なお、ベース基板1の導電形は、n形に限らず、p形でもよい。また、赤外線センサ10は、上述した図4bで示す赤外線センサ10を形成する場合、ベース基板1の厚み方向に貫通する形で空洞部8を形成する。この場合、空洞部8を形成する空洞部形成工程において、ベース基板1の上記一表面とは反対の他表面側から、ベース基板1における空洞部8の形成予定領域をエッチングすればよい。空洞部8は、たとえば、誘導結合プラズマICP型のドライエッチング装置を用いた異方性エッチング技術を利用して形成すればよい。実施形態2本実施形態の赤外線センサ10は、図1に示す実施形態1のように、薄膜構造部2を支持部6によりベース基板1に支持する断熱ブリッジ構造とする代わりに、薄膜構造部2自体でベース基板1に支持されたダイヤフラム構造で構成した点が相違する。その他の構成および機能は実施形態1と同様である。本実施形態の赤外線センサ10は、図9に示すように、シリコン基板を用いたベース基板1と、ベース基板1の一表面側でベース基板1に支持され直下にベース基板1に設けられた空洞部8により空間が設けられる薄膜構造部2と、ベース基板1と薄膜構造部2とに亘って設けられ赤外線の吸収による温度変化を検知するサーモパイル3とを有している。特に、本実施形態の赤外線センサ10は、サーモパイル3の熱電対4が、異なる材料からなる一対の熱電対素線4a,4bを備え、一対の熱電対素線4a,4bが、少なくとも薄膜構造部2において薄膜構造部2の厚み方向に絶縁膜5を介して配置されている。ここで、赤外線センサ10の薄膜構造部2は、ベース基板1側に延設されている。本実施形態の赤外線センサ10では、平面視が矩形状の薄膜構造部2の対角方向に沿って細長い切口形状の開口部8aが設けられている。赤外線センサ10は、開口部8aを介してベース基板1にベース基板1の一表面側から四角錘状に窪んだ形状とすることができる。また、サーモパイル3は、複数ここでは、22個の熱電対4を接続部21aなどで電気的に直列に接続させて、図9dに示すように、接続部21b、接続部21cを介して外部への出力できるように構成している。なお、図9d中において、熱検出するための熱電対素線4a,4bの各々を等価抵抗で示している。赤外線センサ10は、図10aに示すように、平面視が矩形状の空洞部8の四隅にそれぞれ矩形状の対向する一辺に沿って長尺状の開口部8aを4つ設けた構成としてもよい。赤外線センサ10の空洞部8は、各開口部8aからエッチング液を用いてエッチングすることにより、薄膜構造部2の一表面と平行な対向する底面を備えた窪み形状としてもよい。図10の赤外線センサ10では、ベース基板1の窪みの内底面に赤外線反射膜9を設けており、赤外線反射膜9により薄膜構造部2を透過した赤外線を薄膜構造部2側に反射させてセンサ感度の向上を図っている。なお、赤外線センサ10は、図10cに示す薄膜構造部2の構成の代わりに、図11に示すように薄膜構造部2の厚み方向に配置される熱電対素線4a,4bを平面視において、ずれた配置としてもよい。同様に、赤外線センサ10は、たとえば、熱電対素線4a,4bの代わりに上記赤外線吸収層として機能するダミー配線を平面視においてずらして配置することもできる。赤外線センサ10は、熱電対素線4a,4bやダミー配線のいずれか一方をずらして、配置することで平面視において、熱電対素線4a,4bやダミー配線が薄膜構造部2の外周以外のほぼ全面を覆うように配置させる。これにより、赤外線センサ10は、薄膜構造部2全体のより広い面積で赤外線を吸収することが可能となり、センサ感度をより向上させることが可能となる。さらに、赤外線センサ10は、図12に示すように、薄膜構造部2の直下にベース基板1がない構造としてもよい。本実施形態の赤外線センサ10は、いずれの構成でも、センサ感度をより向上させることが可能となる。"