"基板と、前記基板の一主面に対して傾いた第1の斜面を有する第1載置部材、および、前記第1の斜面とは異なる方向に向いた第2の斜面を有する第2載置部材と、所定方向に検出軸を有する少なくとも三つのセンサーデバイスと、を備え、前記センサーデバイスは、前記一主面に直交する方向に検出軸ベクトルn0を向けて前記一主面に載置されたセンサーデバイスD0と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn1が向くように、前記第1載置部材の前記第1の斜面に載置されたセンサーデバイスD1と、前記検出軸ベクトルn0および前記検出軸ベクトルn1に交差する方向に検出軸ベクトルn2が向くように前記第2載置部材の前記第2の斜面に載置されたセンサーデバイスD2と、を含み、各検出軸ベクトルn0,n1,n2は、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係が成り立つことを特徴とする物理量センサー。請求項1に記載の物理量センサーにおいて、前記検出軸ベクトルn0、前記検出軸ベクトルn1、および前記検出軸ベクトルn2がそれぞれ成す角度をα、前記第1の斜面と前記第2の斜面とが前記基板上で成す角度をβとしたときに、下記の式、45<α≦90、90<β<180、且つ、Sin2α-cos2αsinβ-α=0の条件を満たすことを特徴とする物理量センサー。請求項2に記載の物理量センサーにおいて、α=54.74°、β=120°であることを特徴とする物理量センサー。請求項1~3のいずれか一項に記載の物理量センサーにおいて、前記第1載置部材と前記第2載置部材は三角錐形状の一部材に一体形成されたことを特徴とする物理量センサー。単結晶基板と、前記単結晶基板の一主面の一部をエッチングして形成され、前記一主面に対して所定の角度に傾いた第1の斜面および第2の斜面を少なくとも含む掘り込み部と、所定の方向に検出軸を有する少なくとも三つのセンサーデバイスと、を備え、前記センサーデバイスは、前記一主面と直交する方向に検出軸ベクトルn0を向けて前記一主面に載置されたセンサーデバイスD0と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn1が向くように、前記第1の斜面に載置されたセンサーデバイスD1と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn2が向くように第2の斜面に載置されたセンサーデバイスD2と、を含み、各検出軸ベクトルn0,n1,n2の方向は、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係が成り立つことを特徴とする物理量センサー。請求項5に記載の物理量センサーにおいて、前記単結晶基板はシリコンであり、前記一主面は前記シリコンのSi{111}面であり、前記第1の斜面および前記第2の斜面は前記シリコンのSi{100}面であることを特徴とする物理量センサー。基板と、前記基板の一主面に対して傾いた第1の斜面を有する第1載置部材、および、前記第1の斜面とは異なる角度に傾いた第2の斜面を有する第2載置部材と、所定の方向に検出軸を有する少なくとも三つのセンサーデバイスと、を備え、前記センサーデバイスは、前記一主面に直交する方向に検出軸ベクトルn0を向けて前記一主面に載置されたセンサーデバイスD0と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn1が向くように前記第1載置部材の前記第1の斜面に載置されたセンサーデバイスD1と、前記検出軸ベクトルn0および前記検出軸ベクトルn1に交差する方向に検出軸ベクトルn2が向くように第2載置部材の前記第2の斜面に載置されたおよびセンサーデバイスD2を含み、各検出軸ベクトルn0,n1,n2は、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係が成り立つ物理量センサーの制御方法であって、前記センサーデバイスD0,D1,D2より前記検出軸ベクトルn0,n1,n2の物理量を各々測定する物理量測定ステップと、前記物理量測定ステップにおける前記センサーによる測定値に基づいて前記物理量センサーに印加された物理量を検知するステップと、を含み、前記物理量測定ステップの後で、前記検出軸ベクトルn0の物理量測定値が前記センサーデバイスD0のダイナミックレンジの最大値を越えているか否かを判断するステップを有し、前記物理量測定値が前記センサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えていない場合には、検出軸ベクトルn0の物理量測定値をそのまま前記物理量センサーに印加された物理量として検知し、前記物理量測定値が前記センサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えていた場合には、n0=n1sinαとして前記物理量センサーに印加された物理量を検知することを特徴とする物理量センサーの制御方法。請求項1~6のいずれか一項に記載の物理量センサー、または、請求項7に記載の制御方法を有する物理量センサーを備えていることを特徴とする電子機器。電子機器の高機能化の要求に応えるために、電子デバイスに搭載する物理量センサーの高機能化のニーズが高まっており、よりダイナミックレンジが大きい物理量センサーが求められている。しかしながら、特許文献1に記載の物理量センサーでは、各センサーデバイスが有するダイナミックレンジが物理量センサーのダイナミックレンジとなっていた。発明者は、少なくとも3つのセンサーデバイスを備えた物理量センサーにおいて、主たる物理量が印加される方向に検出軸ベクトルを向けて載置するセンサーデバイスD0に対して、他の少なくとも2つのセンサーデバイスの検出軸ベクトルを前記センサーデバイスD0の検出軸ベクトルと直交させないように配置することにより、検出回路を複雑化させることなく、センサーデバイスD0のダイナミックレンジを超えた物理量を比較的容易に検出できることを見出した。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例の物理量センサーは、基板と、前記基板の一主面に対して傾いた第1の斜面を有する第1載置部材、および、前記第1の斜面とは異なる方向に向いた第2の斜面を有する第2載置部材と、所定方向に検出軸を有する少なくとも三つのセンサーデバイスと、を備え、前記センサーデバイスは、前記一主面に直交する方向に検出軸ベクトルn0を向けて前記一主面に載置されたセンサーデバイスD0と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn1が向くように、前記第1載置部材の前記第1の斜面に載置されたセンサーデバイスD1と、前記検出軸ベクトルn0および前記検出軸ベクトルn1に交差する方向に検出軸ベクトルn2が向くように前記第2載置部材の前記第2の斜面に載置されたセンサーデバイスD2と、を含み、各検出軸ベクトルn0,n1,n2は、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係が成り立つことを特徴とする。上記構成の物理量センサーによれば、センサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2が、主たる物理量が印加されるセンサーデバイスD0の検出軸ベクトルn0と直交しないように配置されているので、検出軸ベクトルn0に方向に印加された物理量に対してもセンサーデバイスおよびセンサーデバイスD2が物理量を検出し得る。さらに、検出軸ベクトルn0方向に印加された物理量がセンサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えた場合でも、センサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2が飽和することなくセンサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えた分の物理量を検出することができる。しかも、検出軸ベクトルn1と検出軸ベクトルn2とを直交させていることにより、検出軸ベクトルn1や検出軸ベクトルn2に対して印加される物理量に対してn1成分やn2成分が発生して検出データの補正が必要となり演算が複雑になる不具合を回避することができる。したがって、検出回路などを複雑化させることなく、搭載されたセンサーデバイスのダイナミックレンジを超えた物理量をも高感度にて検出することができる物理量センサーを提供することができる。[適用例2]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記検出軸ベクトルn0、前記検出軸ベクトルn1、および前記検出軸ベクトルn2がそれぞれ成す角度をα、前記第1の斜面と前記第2の斜面とが前記基板上で成す角度をβとしたときに、下記の式、45<α≦90、90<β<180、且つ、Sin2α-cos2αsinβ-α=0の条件を満たすことを特徴とする。この条件を満たすことにより、検出軸ベクトルn1と検出軸ベクトルn2とは直交するので、検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2のそれぞれに対して印加される物理量によって、不要な検出成分を発生させてデータ演算が複雑化する不具合を回避することができる。[適用例3]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、α=54.74°、β=120°であることを特徴とする。この条件を満たすことにより、検出軸ベクトルn1と検出軸ベクトルn2とが直交するので、不要な検出成分を発生させてデータ演算を複雑化させることなくダイナミックレンジが大きい物理量センサーを提供することができる。[適用例4]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記第1載置部材と前記第2載置部材は三角錐形状の一部材に一体形成されたことを特徴とする。この構成によれば、主たる物理量が印加される検出軸ベクトルn0を有するセンサーデバイスD0と、物理量センサーのダイナミックレンジを広げる効果を奏する検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2を有するセンサーデバイスD1およびサンサーD2とを、一部材で、位置精度よく上記適用例の検出軸ベクトルの位置関係を満たすように配置できるので、小型でダイナミックレンジの上限値の高い物理量センサーを提供することができる。[適用例5]本適用例の物理量センサーは、単結晶基板と、前記単結晶基板の一主面の一部をエッチングして形成され、前記一主面に対して所定の角度に傾いた第1の斜面および第2の斜面を少なくとも含む掘り込み部と、所定の方向に検出軸を有する少なくとも三つのセンサーデバイスと、を備え、前記センサーデバイスは、前記一主面と直交する方向に検出軸ベクトルn0を向けて前記一主面に載置されたセンサーデバイスD0と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn1が向くように、前記第1の斜面に載置されたセンサーデバイスD1と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn2が向くように第2の斜面に載置されたセンサーデバイスD2と、を含み、各検出軸ベクトルn0,n1,n2の方向は、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係が成り立つことを特徴とする。単結晶基板はエッチング異方性を有し、結晶面によるエッチング速度の違いを利用することで平滑で正確な角度の斜面を形成できることが知られており、この特性を利用して、単結晶基板の一主面の一部をエッチングして、所望の傾斜角の第1の斜面および第2の斜面を少なくとも含む掘り込み部を形成することができる。上記構成によれば、掘り込み部の第1の斜面および第2の斜面にセンサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2を載置することにより、主たる物理量が印加されるセンサーデバイスD0の検出軸ベクトルn0と、センサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2と直交しないように配置することができる。これにより、検出軸ベクトルn0に対して印加された物理量がセンサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えた場合でも、検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2が飽和することなく物理量を検出することができる。しかも、検出軸ベクトルn1と検出軸ベクトルn2を直交させていることにより、検出軸ベクトルn1や検出軸ベクトルn2に対して印加される物理量に対してn1成分やn2成分が発生して検出データの補正が必要となり演算が複雑になる不具合を回避することができる。また、基板の掘り込み部にセンサーデバイスを載置するので、物理量センサーの薄型化に有利となる。したがって、小型薄型で、搭載されたセンサーのダイナミックレンジを超えた物理量をも高感度にて検出することができる物理量センサーを提供することができる。[適用例6]上記適用例にかかる物理量センサーにおいて、前記単結晶基板はシリコンであり、前記一主面は前記シリコンのSi{111}面であり、前記第1の斜面および前記第2の斜面は前記シリコンのSi{100}面であることを特徴とする。上記構成の単結晶基板としてのシリコン基板は、Si{111}ウェハー主面がSi{111}面であるシリコンウェハーのSi111面からエッチングすることにより形成することができる。このようにして形成された掘り込み部のエッチング面は、Si111面に対して正確な角度の傾斜面であるSi{100}面を形成する。これにより、Si{111}面を上記一主面としてセンサーデバイスD0を載置するとともに、掘り込み部のSi{100}面を第1の斜面および第2の斜面として各々の斜面にセンサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2を載置することによって、主たる物理量が印加される検出軸ベクトルn0を有するセンサーデバイスD0と、物理量センサーのダイナミックレンジを広げる効果を奏する検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2を有するセンサーデバイスD1およびサンサーD2とを、位置精度よく上記適用例の検出軸ベクトルの位置関係を満たすように配置することができるので、小型でダイナミックレンジの高い物理量センサーを提供することができる。[適用例7]本適用例にかかる物理量センサーの制御方法は、基板と、前記基板の一主面に対して傾いた第1の斜面を有する第1載置部材、および、前記第1の斜面とは異なる角度に傾いた第2の斜面を有する第2載置部材と、所定の方向に検出軸を有する少なくとも三つのセンサーデバイスと、を備え、前記センサーデバイスは、前記一主面に直交する方向に検出軸ベクトルn0を向けて前記一主面に載置されたセンサーデバイスD0と、前記検出軸ベクトルn0と交差する方向に検出軸ベクトルn1が向くように前記第1載置部材の前記第1の斜面に載置されたセンサーデバイスD1と、前記検出軸ベクトルn0および前記検出軸ベクトルn1に交差する方向に検出軸ベクトルn2が向くように第2載置部材の前記第2の斜面に載置されたおよびセンサーデバイスD2を含み、各検出軸ベクトルn0,n1,n2は、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係が成り立つ物理量センサーの制御方法であって、前記センサーデバイスD0,D1,D2より前記検出軸ベクトルn0,n1,n2の物理量を各々測定する物理量測定ステップと、前記物理量測定ステップにおける前記センサーによる測定値に基づいて前記物理量センサーに印加された物理量を検知するステップと、を含み、前記物理量測定ステップの後で、前記検出軸ベクトルn0の物理量測定値が前記センサーデバイスD0のダイナミックレンジの最大値を越えているか否かを判断するステップを有し、前記物理量測定値が前記センサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えていない場合には、検出軸ベクトルn0の物理量測定値をそのまま前記物理量センサーに印加された物理量として検知し、前記物理量測定値が前記センサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えていた場合には、n0=n1sinαとして前記物理量センサーに印加された物理量を検知することを特徴とする。上記制御方法を有する物理量センサーによれば、検出回路を複雑化させることなく、小型でダイナミックレンジの高い物理量センサーを提供することができる。[適用例8]本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一項に記載の物理量センサー、または、上記適用例に記載の制御方法を有する物理量センサーを備えていることを特徴とする。上記構成の電子機器は、上記適用例の物理量センサー、または、上記適用例の制御方法を有する物理量センサー、即ち、検出回路の複雑化を回避しながら実質的なダイナミックレンジの増大が図られた物理量センサーを備えているので、高機能で安定した特性を有する。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。センサーデバイスまず、物理量センサーに搭載されるセンサーデバイスの一実施形態について説明する。図1は、センサーデバイスの概略構成を示す模式図であり、aは、センサー素子としての振動ジャイロ素子側上側から俯瞰した平面図、bは、aの正断面図である。なお、図1aでは、センサーデバイス内部の構造を説明する便宜上リッド蓋体の図示を省略してある。図1に示すように、センサーデバイスD0は、センサー素子としての振動ジャイロ素子20と、振動ジャイロ素子20の駆動回路及び検出回路を少なくとも有する半導体回路素子としてのICチップ40と、振動ジャイロ素子20及びICチップ40とを収容するパッケージ60とを備えている。パッケージ60は、平板状の第1層基板61と、開口部の大きさが異なる矩形環状の第2層基板62、第3層基板63、及び第4層基板64とがこの順に積層されている。第2層基板62から第4層基板64まで上方にいくにしたがって開口部の大きさが大きくなっていることから、パッケージ60の内部には段差を有する凹部が形成されている。なお、パッケージ60を構成する第1層基板61~第4層基板64には、セラミックグリーンシートを成形したものが広く利用され、例えば焼成した酸化アルミニウム質焼結体などが用いられている。パッケージ60の凹部の凹底面となる第1層基板61の上面にはICチップ40が図示しないダイアタッチ材により接着固定されている。ICチップ40には、能動面40a側にトランジスターやメモリー素子などの半導体素子を含んで構成される集積回路図示せずが形成されている。この集積回路には、振動ジャイロ素子20を駆動振動させるための駆動回路と、角速度が加わったときに振動ジャイロ素子20に生じる検出振動を検出する検出回路とが備えられている。また、ICチップ40の能動面40a側には、集積回路から引き出され集積回路と外部との電気的な接続を図る複数の電極パッド45が設けられている。ICチップ40の各電極パッド45は、パッケージ60の凹部の第2層基板62により形成された段部に設けられた対応するIC接続端子65とボンディングワイヤー95を介して電気的に接続されている。なお、ICチップ40とパッケージ60との電気的な接続は、本実施形態のワイヤーボンディングを用いた方法に限らず、例えば、電極パッド45に半田などのバンプを設けてIC接続端子に直接接合するフェースダウン接合などの他の接合方法を用いることができる。パッケージ60の凹部の第3層基板63により形成された段部には振動ジャイロ素子20が接合されるマウント電極66が設けられている。振動ジャイロ素子20は、基部21に設けられた外部接続端子15,16を、パッケージ60の対応するマウント電極66に位置合わせした状態で導電性接着材などの接合部材97を介してマウント電極66に接合されている。これにより、振動ジャイロ素子20は、パッケージ60の凹部において、ICチップ40の上方に隙間を介して片持ち支持される。なお、パッケージ60に設けられるIC接続端子65やマウント電極66などの電極、端子、及びそれらを接続する配線は、例えば、タングステンWなどのメタライズ層に、ニッケルNi、金Auなどの各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜が用いられる。センサーデバイスD0は、ICチップ40及び振動ジャイロ素子20がパッケージ60の内部に上記のように配置され収納された状態で、リッド70がシームリングや低融点ガラスなどの接合部材69を介してパッケージ60の上面に接合される。リッド70には、コバールなどの金属、ガラス、セラミックなどが用いられている。これにより、パッケージ60の内部は、気密に封止される。なお、パッケージ60の内部は、振動ジャイロ素子20の振動が阻害されないように、真空状態真空度が高い状態、または、不活性ガス雰囲気に保持されていることが好ましい。次に、センサーデバイスD0における振動ジャイロ素子20の動作の概要について説明する。図2に示すセンサーデバイスD0において、振動腕22の励振用電極12に励振信号を印加して振動腕22の延伸方向Y方向と垂直な面内方向X方向に励振振動させているときに、振動腕22の延伸方向Y方向を軸とした軸周りの回転運動が加わると、その回転運動が、励振振動方向と直交する面外方向Z方向のコリオリの力を発生させ、他方の振動腕23に基部21を介して面外方向Z方向の振動を発生させる。この検出部となる他方の振動腕23の面外振動を検出用電極13により電気検出済みの信号に変換して検知することにより、振動ジャイロ素子20に加わった回転角速度を検出する。ジャイロセンサー次に、上記のセンサーデバイスを搭載した物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図2は、物理量センサーの概略構成を模式的に示す斜視図である。図1において、物理量センサー1は、基板10と、基板10上に載置された三つのセンサーデバイスD0,D1,D2とを有している。基板10の一主面としての第1の面10aには、物理量センサー1において主たる物理量回転角速度が印加される方向に検出軸ベクトルn0を向けたセンサーデバイスD0が固定されている。また、第1の面10aのセンサーデバイスが固定された領域とは異なる領域には、第1の面10aに対して所定の角度αに傾いた第1の斜面2aを有する第1載置部材2、および、第1の斜面2aとは異なる方向に向いた第2の斜面3aを有する第2載置部材3が配設されている。第1載置部材2の第1の斜面2aには、センサーデバイスD1が載置固定されている。また、第2載置部材3の第2の斜面3aには、センサーデバイスD2が載置固定されている。これらセンサーデバイスD0,D1,D2は、以下に述べる位置関係で配置されている。まず、センサーデバイスD0,D1,D2は、各々の検出軸ベクトルn0,n1,n2が互いに異なる方向に向けられるように配置されている。また、センサーデバイスD1の検出軸ベクトルn1、および、センサーデバイスD2の検出軸ベクトルn2は、センサーデバイスD0の検出軸ベクトルn0とは直交しないn1≠⊥n0、n2≠⊥n0ように配置されている。また、センサーデバイスD1の検出軸ベクトルn1と、センサーデバイスD2の検出軸ベクトルn2とは直交するn1⊥n2ように配置されている。詳述すると、センサーデバイスD0の検出軸ベクトルn0とセンサーデバイスD1の検出軸ベクトルn1、および、検出軸ベクトルn0とセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn2とがそれぞれ成す角度をα、第1載置部材2の第1の斜面2aと第2載置部材3の第2の斜面3aとが成す角度をβとしたときに、45<α≦90、90<β<180、且つ、Sin2α-cos2αsinβ-α=0の条件を満たすことが望ましい。さらに具体的には、α=57.74°、β=120°であることが好ましい。これらの条件を満たすことにより、センサーデバイスD1の検出軸ベクトルn1とセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn2とは直交する。上記構成のジャイロセンサーによれば、センサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2が、主たる回転角速度物理量が印加されるセンサーデバイスD0の検出軸ベクトルn0と直交しないように配置されているので、検出軸ベクトルn0に対して印加された回転角速度がセンサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えた場合でも、センサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2が飽和することなくセンサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えた分の回転角速度を検出することができる。しかも、センサーデバイスD1の検出軸ベクトルn1とセンサーデバイスD2の検出軸ベクトルn2とを直交させていることにより、検出軸ベクトルn1や検出軸ベクトルn2に対して印加される物理量に対してn1成分やn2成分が発生して検出データの補正が必要となり演算が複雑になってしまう不具合を回避することができる。したがって、検出回路などを複雑化させることなく、搭載されたセンサーデバイスのダイナミックレンジを超えた回転角速度をも高感度にて検出することができる物理量センサー1を提供することができる。また、物理量センサー1は、センサーデバイスD0,D1,D2の検出軸ベクトルn0,n1,n2の軸回りに対する回転角速度を、1つの物理量センサー1で検出することができる。このことから、物理量センサー1は、撮像機器の手ぶれ補正や、GPSGlobalPositioningSystem衛星信号を用いた移動体ナビゲーションシステムにおける車両などの姿勢検出、姿勢制御などに好適に用いられる。なお、本実施形態では、3つのセンサーデバイスD0,D1,D2を用いた物理量センサーとしての物理量センサー1について説明したが、センサーデバイスの数は3つ以上であればよく、例えば4つ以上のセンサーデバイスを備えることにより、4軸以上の方向の角速度の検出がとなる。次に、本実施形態のジャイロセンサーの制御方法について説明する。図3は、ジャイロセンサーの制御方法を示すフローチャートである。図3において、まず、物理量センサー1の各センサーデバイスD0,D1,D2に備わる振動ジャイロ素子20図1および図2を参照に励振信号を印加して励振振動させ、主たる回転角速度が加わる方向に検出軸ベクトルn0を向けて設置されたセンサーデバイスD0に印加される検出軸ベクトルn0を軸とした軸周りの回転運動の角回転速度物理量を、電気検出済みの信号に変換して測定するステップS1。次に、センサーデバイスD0の検出軸ベクトルn0の回転角速度物理量測定値n0 ́が、センサーデバイスD0のダイナミックレンジの最大値を越えているか否かを判断するステップS2。そして、測定値n0 ́がセンサーデバイスD0のダイナミックレンジの最大値を越えていた場合ステップS2でYESには、次の式1により測定値n0 ́を補正して回転角速度物理量n0を算出して得るステップS3n0=n1sinα1また、ステップS2の物理量測定で得られた回転角速度の測定値n0 ́がセンサーデバイスD0のダイナミックレンジを越えていない場合には、検出軸ベクトルn0の物理量測定値n0 ́をそのまま物理量センサー1に印加された角回転速度n0として検出値を得るステップS4。上記制御方法を有する物理量センサー1によれば、検出回路を複雑化させることなく、小型でダイナミックレンジの高い物理量センサー1を提供することができる。上記実施形態で説明した物理量センサーは、以下の変形例として実施することも可能である。以下、物理量センサーの変形例について図面を参照して説明する。変形例1図4は、物理量センサーの変形例1の概略構成を模式的に示す斜視図である。なお、上記実施形態との共通部分については同一符号を付して説明を省略し、上記実施形態と異なる構成を中心に説明する。図4に示す本変形例の物理量センサー101は、上記実施形態の物理量センサー1における第1載置部材2と第2載置部材3図1を参照とが、三角錐形状の一部材からなるものである。すなわち、物理量センサー101は、基板110と、基板110の一主面としての第1の面110aに設けられた三角錐状の載置部材112と、三つのセンサーデバイスD0,D1,D2とを有している。基板110の第1の面110a上において、載置部材112は、第1の面10aに対して所定の角度に傾いた第1の斜面102a、および、第1の斜面2aとは異なる方向に向いた第2の斜面103a、および、第1の斜面102aおよび第2の斜面103aとは異なる方向を向いた第3の斜面104aを有している。基板110の第1の面10aには、物理量センサー1において主たる物理量回転角速度が印加される方向に検出軸ベクトルn0を向けたセンサーデバイスD0が固定されている。また、載置部材112の第1の斜面102aにはセンサーデバイスD1が載置固定され、第2の斜面103aにはセンサーデバイスD2が載置固定されている。これらセンサーデバイスD0,D1,D2は、上記実施形態と同様に、各々の検出軸ベクトルn0,n1,n2が互いに異なる方向に向けられるように配置されるとともに、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係を満たすように配置されている。また、上記実施形態と同様に、45<α≦90、90<β<180、且つ、Sin2α-cos2αsinβ-α=0の条件を満たすことが望ましく、さらに、α=54.74°、β=120°であることが好ましい。載置部材112は、6面体の一角を頂部として切り出すことにより容易に得ることができる。本変形例の物理量センサー101によれば、主たる物理量回転角速度が印加される検出軸ベクトルn0を有するセンサーデバイスD0と、物理量センサーのダイナミックレンジを広げる効果を奏する検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2を有するセンサーデバイスD1およびサンサーD2とを、一部材で、位置精度よく上記実施形態で述べた位置関係を満たすように配置することができるので、小型でダイナミックレンジの上限値の高い物理量センサー101を提供することができる。変形例2図5および図6は、基板に斜面を有する掘り込み部を設けた物理量センサーの変形例2の2つのバリエーションを模式的に示す斜視図である。なお、上記実施形態及び変形例1との共通部分については、同一符号を付して説明を省略する。図5に示す変形例2の一つのバリエーションである物理量センサー201は、単結晶基板としてのシリコン基板210と、シリコン基板210の第1の面210aの一部をエッチングして形成された掘り込み部212と、三つのセンサーデバイスD0,D1,D2とを有している。掘り込み部212は、シリコン基板1012をウェットエッチングすることにより形成されたものであり、シリコン基板210の第1の面210aに対して所定の角度に傾いた第1の斜面202a、第1の斜面202aとは異なる方向に向いた第2の斜面203a、同じく第3の斜面204a、および、第1の面210aと並行する底面205aを有する凹部である。なお、本変形例で説明する掘り込み部212は少なくとも第1の斜面202aおよび第2の斜面203aを有していればよく、四つ以上の斜面を有していてもよいし、また、底面205aがない構成としてもよい。シリコン基板210の第1の面210aには、物理量センサー1において主たる物理量回転角速度が印加される方向に検出軸ベクトルn0を向けたセンサーデバイスD0が固定されている。また、掘り込み部212の第1の斜面202aにはセンサーデバイスD1が載置固定され、第2の斜面203aにはセンサーデバイスD2が載置固定されている。これらセンサーデバイスD0,D1,D2は、上記実施形態と同様に、各々の検出軸ベクトルn0,n1,n2が互いに異なる方向に向けられるように配置されるとともに、n1≠⊥n0、n2≠⊥n0、および、n1⊥n2の関係を満たすように配置されている。また、上記実施形態と同様に、45<α≦90、90<β<180、且つ、Sin2α-cos2αsinβ-α=0の条件を満たすことが望ましく、さらに、α=54.74°、β=120°であることが好ましい。シリコンのような単結晶基板はエッチング異方性を有し、結晶面によるエッチング速度の違いを利用することで平滑で正確な角度の斜面を形成できることが知られており、この特性を利用して、第1の面210aに対して所望の傾斜角の第1の斜面202aおよび第2の斜面203aを含む掘り込み部212を精度よく形成することができる。また、シリコン基板210の掘り込み部212にセンサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2を載置するので、物理量センサー201の薄型化に有利である。したがって、小型薄型で、搭載されたセンサーのダイナミックレンジを超えた物理量をも高感度にて検出することができる物理量センサーを提供することができる。なお、図中破線で示すように、センサーデバイスD0を掘り込み部212の底面205aに載置してもよい。このようにすれば全てのセンサーデバイスD0,D1,D2が掘り込み部212に載置されるのでさらなる薄型化を図ることができる。図6に示す変形例2の別のバリエーションである物理量センサー201 ́は、図5の物理量センサー201におけるシリコン基板210に設けた掘り込み部212の第3の斜面204aに別の機能素子250を搭載した構成を示している。別の機能素子250として、例えば、磁気センサーや、温度センサーなどの他のセンシング機能を有するセンサー素子を搭載することにより、多機能な複合センサーを構成することができる。また、別の機能素子250としてICチップを搭載すれば、センサーデバイスD0,D1,D2の様々な制御を行うことにより高機能で安定した物理量のセンシングが可能になる。また、本変形例のシリコン基板210において、第1の面210aとしてSi{111}面を用いて、そのSi{111}面からエッチングすることにより、より正確な傾きに制御された第1の斜面202aおよび第2の斜面203aを得ることができる。このようにして形成された掘り込み部212のエッチング面は、Si{111}面に対して正確な角度の傾斜面であるSi{100}面を形成する。これにより、Si{111}面を第1の面210aとしてセンサーデバイスD0を載置するとともに、掘り込み部212のSi{100}面を第1の斜面202aおよび第2の斜面203aとして各々の斜面にセンサーデバイスD1およびセンサーデバイスD2を載置することによって、主たる物理量が印加される検出軸ベクトルn0を有するセンサーデバイスD0と、物理量センサーのダイナミックレンジを広げる効果を奏する検出軸ベクトルn1および検出軸ベクトルn2を有するセンサーデバイスD1およびサンサーD2とを、より位置精度よく上記実施形態で説明した検出軸ベクトルの位置関係を満たすように配置することができるので、小型でダイナミックレンジの高い物理量センサー201,201 ́を提供することができる。電子機器上記実施形態及び変形例に記載の物理量センサーを搭載した電子機器は、上記したように、小型でダイナミックレンジの上限値が高い物理量センサーを、コストの上昇を抑えながら高性能化及び小型化を図ることが可能である。例えば、図7aは、デジタルビデオカメラへの適用例を示す。デジタルビデオカメラ240は、受像部241、操作部242、音声入力部243、及び表示ユニット1001を備えている。このようなデジタルビデオカメラ240に、上記実施形態および変形例の物理量センサー1,101,201,201 ́を搭載することにより、所謂手ぶれ補正機能を搭載することができる。また、図7bは、電子機器としての携帯電話機、図7cは、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistantsへの適用例をそれぞれ示すものである。まず、図7bに示す携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットと1002を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、表示ユニット1002に表示される画面がスクロールされる。また、図7cに示すPDA4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニット1003を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が表示ユニット1003に表示される。このような携帯電話機3000やPDA4000に、上記実施形態の振動ジャイロ素子20を備えた物理量センサー搭載することにより、様々な機能を付与することができる。例えば、図7bの携帯電話機3000に、図示しないカメラ機能を付与した場合に、携帯電話機3000に搭載された振動ジャイロ素子20や物理量センサーにより手振れ補正を行うことができる。また、図7bの携帯電話機3000や、図7cのPDA4000にGPSGlobalPositioningSystemとして広く知られる汎地球測位システムを具備した場合に、上記実施形態の振動ジャイロ素子20を備えた物理量センサーを搭載することにより、GPSにおいて、携帯電話機3000やPDA4000の位置や姿勢を認識させることができる。なお、図7に示す電子機器に限らず、本発明の振動ジャイロ素子20及びそれを備えた物理量センサーを適用可能な電子機器として、モバイルコンピューター、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ゲーム機などが挙げられる。以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態及びその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態及び変形例では、物理量センサー1,101,201,201 ́について説明したが、これに限定するものではなく、例えば、加速度をセンシングする加速度センサーや、磁気をセンシングする磁気センサーなどに利用することもできる。"