"銅酸化膜除去の対象物を保持する保持部と、第1の不活性ガスの誘導結合型プラズマからなる一次プラズマを吹き出す誘導結合型プラズマ発生部と、第2の不活性ガスと反応性ガスの混合ガス領域と前記一次プラズマとが衝突されることによりプラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマを発生するプラズマ展開部とを有し、前記二次プラズマを前記対象物に照射する大気圧プラズマ照射部と、前記二次プラズマの前記対象物への照射エリアが移動するように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる移動部とを備えるプラズマ処理装置。前記第1及び第2の不活性ガスはArガスであり、前記反応性ガスはH2である、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記移動部は、前記照射エリアが一定速度で移動するように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる、請求項1又は請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記移動部は、前記照射エリアが円状又は円弧状に移動するように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記移動部は、移動する前記照射エリア間に重なりが生じるように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記保持部は前記対象物を加熱する加熱装置を備える、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記プラズマ展開部は、前記混合ガス領域における前記混合ガスをArガスとH2ガスの混合ガスである第1の混合ガスと、ArガスとO2ガスの混合ガスである第2の混合ガスとに切換可能であり、前記誘導結合型プラズマ発生部からの前記一次プラズマにより前記第2の混合ガスをプラズマ化した前記二次プラズマを発生して前記対象物に照射した後、前記誘導結合型プラズマ発生部からの前記一次プラズマにより前記第1の混合ガスをプラズマ化した前記第二次プラズマを発生して前記対象物に照射する、請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記対象物の表面のうち銅酸化膜の還元除去の対象となる部分のみを前記二次プラズマに対して露出させるマスクが、前記大気圧プラズマ照射部と前記対象物の間に配置されている、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。第1の不活性ガスの誘導結合型プラズマからなる一次プラズマを発生させ、発生した一次プラズマを第2の不活性ガスと反応性ガスの混合ガスとが衝突されることによりプラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマを発生させ、前記二次プラズマを照射エリアに対して相対的に移動させつつ対象物の表面の銅酸化膜に照射する、プラズマ処理方法。本発明は銅酸化膜の部分的な還元除去を効率的に行うことを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は以下のように構成する。本発明の第1の態様は、銅酸化膜除去の対象物を保持する保持部と、第1の不活性ガスの誘導結合型プラズマからなる一次プラズマを吹き出す誘導結合型プラズマ発生部と、第2の不活性ガスと反応性ガスの混合ガス領域と前記一次プラズマとが衝突されることによりプラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマを発生するプラズマ展開部とを有し、前記二次プラズマを前記対象物に照射する大気圧プラズマ照射部と、前記二次プラズマの前記対象物への照射エリアが移動するように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる移動部とを備えるプラズマ処理装置を提供する。例えば、前記第1及び第2の不活性ガスはArガスであり、前記反応性ガスはH2である。誘導結合プラズマ発生部からの一次プラズマArプラズマがプラズマ展開部中の第2の不活性ガスと反応性ガスArガスとH2ガスの混合ガス領域に導入され、混合ガス中の第2の不活性ガスArガスを励起して拡大した二次プラズマArプラズマとする。そして、この二次プラズマArプラズマが反応性ガスを構成する元素水素を活性化する。活性化された水素は保持部に保持された対象物の表面で化学反応を行い、銅酸化膜を還元除去する。移動部による保持部と前記大気圧プラズマ照射部の相対移動により、対象物における二次プラズマの照射エリアが移動するので、大気圧プラズマの反応熱による対象物の温度上昇とそれによる銅の酸化反応再酸化を抑制し、かつ銅酸化膜の還元除去の対象となる領域の面積が広い場合でも処理の均一性を確保でき、銅酸化膜の部分的な還元除去を効率的に行うことができる。好ましくは、前記移動部は、前記照射エリアが一定速度で移動するように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる。好ましくは、前記移動部は、前記照射エリアが円状又は円弧状に移動するように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる。好ましくは、前記移動部は、移動する前記照射エリア間に重なりが生じるように、前記保持部と前記大気圧プラズマ照射部とを相対的に移動させる。前記保持部は前記対象物を加熱する加熱装置を備えることが好ましい。この構成によれば、加熱装置により対象物を加熱して銅酸化膜の温度を高くしておくことで、活性化された水素による化学反応が促進され、銅酸化膜をより効率的に還元除去する。前記プラズマ展開部は、前記混合ガス領域における前記混合ガスをArガスとH2ガスの混合ガスである第1の混合ガスと、ArガスとO2ガスの混合ガスである第2の混合ガスとに切換可能であり、前記誘導結合型プラズマ発生部からの前記一次プラズマにより前記第2の混合ガスをプラズマ化した前記二次プラズマを発生して前記対象物に照射した後、前記誘導結合型プラズマ発生部からの前記一次プラズマにより前記第1の混合ガスをプラズマ化した前記第二次プラズマを発生して前記対象物に照射することが好ましい。この構成によれば、第2の混合ガスArO2ガスによる二次プラズマで活性化された酸素が対象物表面の銅酸化膜上の有機物と化学反応を起こし、有機物を分解除去する。その後、銅酸化膜の表面において第1の混合ガスArH2ガスによる二次プラズマで活性化された水素が化学反応を行い、銅酸化膜を還元除去する。よって、この構成により、銅酸化膜をより効率的に還元除去できる。前記対象物の表面のうち銅酸化膜の還元除去の対象となる部分のみを前記二次プラズマに対して露出させるマスクが、前記大気圧プラズマ照射部と前記対象物の間に配置されていることが好ましい。この構成により、対象物の表面のうち意図しない部分に二次プラズマが照射されて銅酸化膜の還元除去が生じるのを防止でき、意図した部分の銅酸化膜をより効率的に還元除去できる。本発明の第2の態様は、第1の不活性ガスの誘導結合型プラズマからなる一次プラズマを発生させ、発生した一次プラズマを第2の不活性ガスと反応性ガスの混合ガスとが衝突されることによりプラズマ化した混合ガスから成る二次プラズマを発生させ、前記二次プラズマを照射エリアに対して相対的に移動させつつ対象物の表面の銅酸化膜に照射する、プラズマ処理方法を提供する。本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法によれば、第1の不活性ガスの誘導結合型プラズマである一次プラズマと第2の不活性ガスと反応性ガスの混合ガスとを衝突させてプラズマ化される二次プラズマを発生させ、この二次プラズマの対象物への照射エリアを移動させるので、大気圧プラズマの反応熱による対象物の温度上昇とそれによる銅の酸化反応再酸化を抑制し、銅酸化膜の還元除去の対象となる領域の面積が広い場合でも、処理の均一性を確保しつつ、銅酸化膜の部分的な還元除去を効率的に行うことができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。尚、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。実施の形態図1に示す本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置1は、微小な大気圧プラズマを高速で照射することにより、対象物2例えば基板、電子部品等の銅配線のうちの対象となる部分例えば基板の銅配線のうちの電極の部分や、電子部品の銅電極バンプから銅酸化膜を還元除去する。つまり、本実施の形態のプラズマ処理装置1は、銅酸化膜を大気圧マイクロプラズマジェットで高速に選択的に還元除去する。プラズマ処理装置1は、ステージ保持部3、大気圧プラズマ照射装置4、移動装置5、及び制御装置6を備える。ステージ3は、対象物2を着脱可能に保持する。また、ステージ3は加熱装置7を備え、保持した対象物2を室温を上回る所定の温度に加熱できる。大気圧プラズマ照射装置4は、可動のプラズマヘッド11に収容され、断面円形の反応空間12を形成する誘電体からなる円筒状の放電管誘導結合型プラズマ発生部13を備える。放電管13の外側には波線形状で平板型のアンテナ14が設けられている。アンテナ14には整合回路15を介して高周波電源16が接続されている。放電管13の上端側には、不活性ガスであるArガスを放電管13に供給する第1ガス源17Aが接続されている。プラズマヘッド11の下端側には混合器プラズマ展開部21が装着されている。混合器21は下端に開口プラズマ噴出口22aが形成された混合室22を備える。放電管13の下端は混合器21の混合室22内に進入している。また、混合室22の周壁部には、1個あるいは複数のガス供給口23が設けられている。これらのガス供給口23は、第2ガス源17B及び/又は第3ガス源17Cに接続される。後述するように、第2ガス源17Bと第3ガス源17Cのいずれかから選択的に、混合室22内へ混合ガスが供給することが可能である。第2ガス源17Bは、不活性ガスとしてのArガスと反応性ガスとしてH2ガスとの混合ガスArH2ガスを供給する。第3ガス源17Cは、不活性ガスとしてのArガスと反応性ガスとしてO2ガスとの混合ガスArO2ガスを供給する。プラズマヘッド11は移動装置5により水平移動図1においてXY方向の移動及び昇降移動図1においてZ方向の移動が可能である。プラズマヘッド11の水平移動及び昇降移動により、大気圧プラズマ照射装置4のプラズマ噴出口22aは対象物2に対して水平方向及び鉛直方向に移動できる。制御装置6は、移動装置5によるプラズマヘッド11の移動及び第2ガス源17B、第3ガス源17Cの供給あるいは切換を含む、プラズマ処理装置1全体の動作を制御する。以下、本実施の形態のプラズマ処理装置1によるプラズマ処理について説明する。まず、銅酸化膜の還元除去の対象物2がステージ3上に保持される。また、加熱装置7によりステージ3上の対象物2が加熱される。例えば、ステージ3は30~80°Cの温度まで加熱され、その温度で維持される。また、プラズマ噴出口22aが対象物2の上方に予め定められた距離ギャップδ2を隔てて位置するように、移動装置5がプラズマヘッド11を移動させる。なお、図2にのみ概念的に示すように、対象物2の表面のうち銅酸化膜の還元除去の対象となる部分のみに開口が形成されたマスク24が、大気圧プラズマ照射装置4と対象物2との間に配置される。以上の状態から、プラズマ処理が開始される。本実施の形態のプラズマ処理は、前処理工程と本工程とに分かれている。前処理工程と本工程のいずれにおいても、アンテナ14に対して整合回路を介して高周波電源16から高周波電圧を印加され、それによって放電管13に高周波電界が印加される。放電管13の上端から反応空間12へ第1ガス源17AがArガスを供給する。点火装置図示せずで高電圧を印加して点火することで、放電管13の下端から、Arガスがプラズマされたものであり、プラズマ密度が高く、高温の誘導結合型プラズマ熱プラズマである一次プラズマ26が混合器21の混合室22へ吹き出される。前処理工程では、第3ガス源17CからArO2ガスがガス供給口23を介して混合室22に供給される。放電管13からの一次プラズマ26Arプラズマが混合室22中のArO2ガス領域に導入され、混合ガス中のArガスを励起して二次プラズマ27Arプラズマを発生させる。二次プラズマ27は、混合室22の全領域に展開し、プラズマ噴出口22aから下方に吹き出して対象物2に照射される。そして、二次プラズマ27が酸素を活性し、活性化された酸素は対象物2の表面の銅酸化状の有機物と化学反応を起こし、有機物を分解除去する。前処理工程に続いて本工程が実行される。本工程では、混合室22に供給する混合ガスが第3ガス源17CのArO2ガスから第2ガス源17BのArH2ガスに切り換えられる。放電管13から吹き出される一次プラズマ26により、混合室22中のArH2ガス領域に導入された混合ガス中のArガスが励起された二次プラズマ27が発生し、二次プラズマ27は、混合室22の全領域に展開し、プラズマ噴出口22aから下方に吹き出して対象物2に照射される。この二次プラズマ27がH2を活性化し、活性化されたH2は対象物2の表面で、以下1,2の化学反応を行い銅酸化膜を還元除去する。図5を参照して後述するように、銅が加熱され形成される銅酸化膜の膜厚は、加熱温度と加熱時間で求められる。一方、図8及び図9を参照して後述するように、還元速度も予め測定できる。これらの関係から、本工程における、必要なプラズマ照射時間を見積ることができる。以下、本工程についてより詳細に説明する。本工程中、プラズマヘッド11プラズマ噴出口22aが移動装置5により水平方向に移動することで、図3に示すように対象物2に対する二次プラズマ27の照射エリアA1点線で示すが移動する。具体的には、図3に示すように、照射エリアA1は、円形の軌跡L実線で示すを一定速度で移動して複数回周回する。その結果、図3において二点鎖線で示すように、対象物2上の銅酸化膜層が還元除去されたエリア処理エリアA2は照射エリアA1よりも面積の広い円形となる。このように、対象物2における二次プラズマ27の照射エリアA1が移動すると、二次プラズマ27の反応熱による対象物2の温度上昇とそれによる銅の酸化反応再酸化を抑制し、かつ銅酸化膜の還元除去の対象となる領域の面積が広い場合でも処理の均一性を確保でき、銅酸化膜の部分的な還元除去を効率的に行うことができる。特に、本実施の形態では、二次プラズマ27の照射エリアA1を一定速度で移動させているので、照射エリアA1の移動により得られる処理エリアA2内でより均一に銅酸化膜の還元除去できる。照射エリアA1が移動する軌跡Lは図3に示すように円形に限定されず、処理エリアA2の形状及び面積に応じ、楕円形、多角形を含む種々の無端形状、円弧状、螺旋状、二次曲線状、折れ線状等の種々の形状円弧状に設定される。処理エリアA2の形状にもよるが、照射エリアA1が移動する軌跡Lは移動する照射エリアA1間に重なりが生じるように設定することが好ましい。例えば、図3のように照射エリアA1が半径R1の円形であり、かつ必要とされる処理エリアA2が二点鎖線で示される円で囲まれた領域全体である場合、軌跡Lの円形の半径R2は半径R1よりも小さく設定する必要がある。この場合、仮に照射エリアA1の中心の移動の規制である軌跡Lの半径R2が照射エリアA1の半径R1よりも大きいと、図4に示すように、処理エリアA2の中心付近に銅酸化膜の還元除去の対象とならない円形領域A3が残る。二次プラズマ27の照射エリアA1を移動させていることに加え、加熱装置7により対象物2を加熱して銅酸化膜の温度を高くしているので、二次プラズマ27で活性化された水素による化学反応が促進され、銅酸化膜をより効率的に還元除去できる。また、前処理工程で対象物2の銅酸化膜上の有機物を予め分解除去した後に、本工程を実行しているので、二次プラズマ27で活性化されたH2による銅酸化膜の還元除去がより効率的に行われる。さらに、大気圧プラズマ照射装置4と対象物2との間にマスク24図2参照を配置し、対象物2の表面のうち銅酸化膜の還元除去の対象となる部分のみを二次プラズマ27に対して露出させている。そのため、対象物2の表面のうち意図しない部分に大気圧プラズマの二次プラズマ27が照射されて銅酸化膜の還元除去が生じるのを防止でき、意図した部分の銅酸化膜をより効率的に還元除去できる。図2おいて概念的に示すように、混合室22の二次プラズマ27の外周には混合室22の中心側に位置する一次プラズマ26の近傍に比べてプラズマ化されている度合いが小さいArガスと水素ガスとの混合ガスエリア28が形成されている。このArガスと水素ガスとの混合ガスエリア28により二次プラズマ27内へ空気中の酸素が進入するのを防止でき、この点でも銅酸化膜の還元除去中の銅の再酸化を効果的に防止できる。前述の前処理工程中も本処理工程と同様に対象物2に対する二次プラズマ27の照射エリアA1を円形等の軌跡で移動させてもよい。本発明は上述の実施の形態に限定されず、例えば以下に列挙するように種々の変形が可能である。第1ガス源17Aから供給される不活性ガス、第2ガス源17Bから供給される混合ガス中の不活性ガス、及び第3ガス源17Cから供給される混合ガス中の不活性ガスのうちのいずれかをArガス以外の不活性ガス例えばNeガス、Xeガス、Heガス、N2ガスとしてもよい。二次プラズマの照射エリアの移動は大気圧プラズマ照射装置4の移動以外の態様で実現してもよい。例えば、大気圧プラズマ照射装置4を固定してステージ3を移動させてもよいし、大気圧プラズマ照射装置4とステージ3の両方を移動させてもよい。要するに、大気圧プラズマ照射装置4とステージ3との間での相対移動により、二次プラズマの照射エリアの移動を実現できればよい。有機物除去のため前処理工程と銅酸化膜の還元除去のための本工程とを別のプラズマヘッドで実行してもよいし、これらの工程を別の大気圧プラズマ照射装置で実行してもよい。次に、本発明者が本発明を想到するに到った種々の実験及び検討について説明する。なお、実施の形態と異なる点及び具体的な数値等は、以下の通りである。プラズマヘッド11プラズマ噴出口22aは移動しない。また、前処理工程は実行しない。対象物2は縦横20mmで厚さが01mmの銅板である。全長9.8mmの波線形状で平板型のアンテナ14の上に外径1.2mm、内径0.8mmのセラミック製の放電管13が装備されている。図1に示す、プラズマ噴出口22aの内径R3、放電管13の引込量δ1混合器21の下面から放電管13の下端までの距離、及びギャップδ2混合器21の下面から対象物2までの距離を含む種々の条件は以下の表に示す通りである。走査型X線光電子分光分析装置ESCAを用いて銅酸化膜の定量的な膜厚の測定を行った。結果を図5に示す。横軸が加熱時間、縦軸が銅酸化膜厚である。対象物2を保持したステージ3の加熱温度が高くなるほど、また、加熱時間が長くなるほど対象物2の表面の銅酸化膜が成長する。例えばb200°Cで30分加熱した銅板では、70nm程度の銅酸化膜があることがわかるが、c220°Cで加熱した銅板では10分で70nm程度の銅酸化膜となる。プラズマ照射面での変化を見るため、走査型X線光電子分光分析装置ESCAで同伴の表面の原子濃度を測定した。図6で縦軸は、Cu2pが銅の、O1sが酸素の、C1sが炭素の原子濃度を示している。横軸はスパッタ深さであり、分析装置がArで対象物2をスパッタしながら、その表面の原子濃度を測定した。図6は、250°Cで30分加熱した対象物2である銅板に対して高周波電源の電力30W、ステージ温度80°Cで5秒間プラズマ処理本工程したものである。図7を併せて参照すると、aの未処理部100照射エリアA1外領域では、対象物2である銅板の深さ400nm近くまで銅酸化膜が成長していることがわかる。bの照射エリアA1の中央部101では、プラズマ還元により、銅板の表面より100nm程度まで、銅酸化膜が銅に戻っていることがわかる。その下は、再び銅酸化膜の層となり、深さ400nmで酸化されなかった下地の銅となる。cの周辺部102半径5mmでは、同様に対象物2である銅板の表面より50nm程度が還元されている。200°Cで30分加熱した対象物2の銅板では、元々銅酸化膜の厚さが図5により70nmしかないため、同じ条件でプラズマ処理しても周辺部半径5mm近くでも、酸化されていない銅表面が露出し、プラズマ処理した対象物2の銅板を例えばハンダディップ槽に入れた場合、周辺部のプラズマ照射面にハンダが付いている。また、図6により、中央部と周辺部での照射面では、かなり還元速度に差があることがわかる。プラズマ照射時間を変化させた場合のハンダ濡れエリアで還元速度を評価した。図5により200°Cで30分加熱した銅板上の銅酸化膜の膜厚は70nmで一定であるので、半田が付く下地まで還元されたことは、その照射時間で境界部でも70nmの処理能力があることになる。図8は、プラズマ照射時間を横軸に、処理エリア直径をプロットしたものである。処理条件として、a高周波電源の電力30W、ステージ温度30°C、b高周波電源の電力30W、ステージ温度80°C、c高周波電源の電力40W、ステージ温度80°C、d高周波電源の電力50W、ステージ温度80°Cのものを比較した。ステージ温度を80°Cに設定しているのは、ステージ3の加熱としては、温度は高いほうが還元処理そのものは早く進むが、100°Cを超えるとその熱のために、還元処理前後で反ってより熱酸化が進んでしまうためである。図8のa~cの4つのグラフは、10秒未満と10秒以上で異なる挙動を示している。10秒以上では、高周波電源の電力やステージ3の温度に関係なく対象物2の処理エリアは、活性化されたH2の到達範囲で制限されている。この混合器では、12mm程度が活性化された水素ラジカルの到達範囲である。一方、10秒未満の領域では、高周波電源の電力やステージ3のステージ温度によって変化が見られる。aのステージ温度30°Cとbのステージ温度80°Cを比較すると、ステージ温度80°Cに加熱することで、同じ処理時間でも処理エリアが大きくなっていることがわかる。bの高周波電源の電力30W、cの高周波電源の電力40W、及びdの高周波電源の電力50Wを比較すると、高周波電源の電力が高いほど、同じ時間で対象物2の処理エリアが大きくなることがわかる。図9は、図8のグラフを横軸に対象物2の処理エリア半径、縦軸に還元速度で表し直したものである。図9のaとbのグラフによりステージ3の加熱の効果がわかる。bの30W80°Cで還元速度は、処理エリアの半径4mm以内で20nm秒以上あることがわかる。この結果は、前述した図6のグラフの結果ともよく一致している。また、図9のb、c、dを比較することで、高周波電源の電力を上げるにつれて還元速度が上がり、dの50Wでは処理エリアの半径3mmの範囲で還元速度が140nm秒という高速で銅酸化膜の除去ができていることがわかる。対象物2の銅板の表面ではArプラズマによって活性化されたH2による反応前掲の式1,2が起こり、対象物2の表面の銅酸化膜が還元され銅に戻る。H2の混合量が少ないと、化学反応を起す原子の数が少なくなり、H2の添加量が多いと、Arプラズマの強度が落ちるため、ArH2中の水素濃度には最適値があるはずである。200°Cで酸化させた対象物2の銅板に、高周波電源の電力30W、ステージ温度80°CでH2濃度を0~4変化させて、20秒間プラズマ照射した後、ハンダディップ槽に5秒つけて、ハンダがつく領域を測定した。図10において、横軸はH2濃度、縦軸は対象物2の処理エリアの半径である。H2濃度2.5のときが、最も処理エリアが大きかった。これは、高周波電源の電力やステージ温度、プラズマ照射時間を変えても同じであった。なお、上記様々な実施の形態のうちの任意の実施の形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施の形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。2010年11月10日に出願された日本国特許出願No.2010-251959号の明細書、図面、及び特許請求の範囲の開示内容は、全体として参照されて本明細書の中に取り入れられるものである。"