"サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが05μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下であることを特徴とする窒化物半導体成長用基板。サファイア基板のC面である主面に、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、前記主面からの高さが05μm以上3μm以下で、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部を、隣接する前記凸部間の距離を1μm以上6μm以下として前記主面に格子状に配置して形成した後、前記サファイア基板を酸素を含む零囲気中でアニール処理を施して、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSを10nm以下に平坦化することを特徴とする窒化物半導体成長用基板の製造方法。請求項1に記載の窒化物半導体成長用基板の上に、窒化物半導体からなるエピタキシャル層をその表面が平坦化するまで成長して形成されたことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャル基板。請求項3に記載の窒化物半導体エピタキシャル基板上に、素子構造を形成したことを特徴とする窒化物半導体素子。上記のサファイア基板の凹凸加工の表面へのGaN成長では、転位の低減が図れるものの、未だ十分ではなく、更なる低転位化が求められる。本発明の目的は、低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供することにある。本発明の第1の態様は、サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが05μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。本発明の第2の態様は、サファイア基板のC面である主面に、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、前記主面からの高さが05μm以上3μm以下で、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部を、隣接する前記凸部間の距離を1μm以上6μm以下として前記主面に格子状に配置して形成した後、前記サファイア基板を酸素を含む零囲気中でアニール処理を施して、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSを10nm以下に平坦化する窒化物半導体成長用基板の製造方法である。本発明の第3の態様は、第1の態様に記載の窒化物半導体成長用基板の上に、窒化物半導体からなるエピタキシャル層をその表面が平坦化するまで成長して形成されたことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャル基板である。本発明の第4の態様は、第3の態様に記載の窒化物半導体エピタキシャル基板上に、素子構造を形成した窒化物半導体素子である。本発明によれば、低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板が得られる。また、窒化物半導体成長用基板を用いて作製される、低転位密度の窒化物半導体層を有する窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子が得られる。本発明は、サファイア基板の主面C面に円錐状などの凹凸加工を施し、凹凸加工の主面上にGaN等の窒化物半導体をエピタキシャル成長した時、窒化物半導体の転位低減の効果が、凹凸形状の傾斜した側面の表面粗さに依存し、側面の表面粗さrmsの値を10nm以下に平滑化することで、低転位化を促進できるとの知見に基づいてなされたものである。以下に、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに当該窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子について説明する。窒化物半導体成長用基板図1aは本発明の一実施形態に係る窒化物半導体成長用基板であるサファイア基板の側面図、図1bは図1aの主面の一部を拡大した平面図、図1cは図1bのC-C断面図である。図1aに示すように、窒化物半導体成長用基板であるサファイア基板1は、サファイアからなる円盤状等のウェハであり、窒化物半導体を成長させるサファイア基板1の成長面となるC面である主面2には、窒化物半導体の低転位化に有効な凹凸加工が施されている。図1b、cに示すように、サファイア基板1の主面2に、円錐状の凸部3が三角格子状に配置して形成されている。凸部3は主面2からの高さhが05μm以上3μm以下であり、隣接する凸部3間のピッチ距離、三角格子の正三角形の辺の長さpが1μm以上6μm以下である。凸部3は主面2に対して90°未満で傾斜した傾斜角θの側面円錐面4を有する。側面4の傾斜角θは、30°以上70°以下が好ましい。また、凸部3の側面4の表面粗さは、RMS二乗平均平方根粗さの値が10nm以下の平滑な面となっている。凸部3の側面4の表面粗さRMSは、3nm以下とするのがより好ましい。凸部3の側面4の平滑化は、例えば、ドライエッチングによる凸部3の形成後に、酸素を含む零囲気中でアニール処理を施せばよい。本実施形態の凸部3は、円錐状であるが、角錐状三角錐、四角錐など、楕円錐状などの錐状でもよい。また、本実施形態の凸部3は、図1cに示すように、側面4の傾斜角θがほぼ一定の円錐状であるが、側面の傾斜角が一定でなく、円錐状、角錐状あるいは楕円錐状などの凸部の側面が外側に膨らんだり内側に縮んだりしたような形状であってもよい例えば、円錐状の凸部の側面円錐面が外側に膨らんだり内側に縮んだりした放物面状ないし双曲面状の形状。更に、サファイア基板1の主面2に形成される凸部は錐台状でもよい。錐台状としては、円錐台状、角錐台状三角台錐、四角台錐など、楕円錐台状などがあり、また、これら錐台状の側面が外側に膨らんだり内側に縮んだりしたような形状であってもよい。また、本実施形態の凸部3は、主面2に三角格子状に配置されているが、三角格子状に限らず、例えば正方格子状などの格子状に配置してもよく、凸部がサファイア基板の主面上に均一に分散配置されるのがよい。窒化物半導体成長用基板の製造方法次に、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体成長用基板の製造方法を説明する。図2a~dに、本実施形態に係る窒化物半導体成長用基板の製造方法の各工程の断面図を示す。本実施形態の窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板のC面である主面に、円錐状の凸部を三角格子状に配置させて形成したものである。まず、サファイア基板のC面である主面2にフォトレジストパターンを形成する。一例として、鏡面研磨されたC面サファイア基板の主面2の全面に、フォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィによってパターン露光、現像を行い、主面2上に円柱状のフォトレジスト5が三角格子状に配置されたフォトレジストパターンを形成する図2a。隣接する円柱状のフォトレジスト5、5間のピッチp後のドライエッチング工程により形成されるサファイア基板の凸部のピッチpとなるは、1μm以上6μm以下とする。次に、上記のフォトレジストパターンが形成されたサファイア基板を、ホットプレートを用いてベークし、フォトレジストを加熱する。このベーク工程では、フォトレジスト5中の余分な有機溶剤が蒸発すると共に、円柱状であったフォトレジスト5は、半球状のフォトレジスト6に変化する図2b。次に、半球状のフォトレジスト6が形成されたサファイア基板の主面2をドライエッチングする。ドライエッチング工程は、一例として、プラズマエッチング装置を用い、プラズマエッチング装置の反応室内にサファイア基板1を設置し、反応室内に塩素を含む反応性ガスを供給し、反応室内に生成される反応性ガスプラズマを利用して、サファイア基板1の主面2をドライエッチングする。このドライエッチングにより、サファイア基板1’の主面2’には、円錐状の凸部3’が三角格子状に配置して形成される図2c。凸部3’は主面2’からの高さhが05μm以上3μm以下であり、隣接する凸部3’、3’間のピッチpが1μm以上6μm以下である。ただし、円錐状の凸部3’の側面4’及び主面2’の表面は、ドライエッチングによって表面が粗くなり、表面粗さRMS値が10nmより大きく50nm以下程度となる。次に、ドライエッチングにより多数の凸部3’が三角格子状に配置されたサファイア基板1’をアニールする。アニール工程は、一例として、電気炉を用い、電気炉内にサファイア基板1’を設置し、電気炉内を酸素を含む零囲気酸素雰囲気あるいは大気とし、800°C以上1200°C以下のアニール温度で、1時間以上、アニール処理をする図2d。このアニール処理により、10nmを超え50nm以下の表面粗さRMSであった凸部3’の側面4’及び主面2’は平滑化され、アニール後における凸部3の側面4及び主面2のRMSは10nm以下となる。これにより、本実施形態の窒化物半導体成長用基板であるサファイア基板1が得られる。アニール後の側面4及び主面2のRMS値は、アニール温度が高いほど、また、アニール処理時間が長いほど低減し、最良の場合にはRMS値は02nmとなった。表面粗さRMS値は、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFMを用いて測定した値である。なお、例えば、半球状のフォトレジスト6が半楕円体状のフォトレジストとなるように、露光条件やベーク条件を調整することにより、円錐状の凸部3の側面4の傾斜角θを調整変更することができる。窒化物半導体エピタキシャル基板本発明の一実施形態に係る窒化物半導体エピタキシャル基板は、上記のアニール処理されたサファイア基板1の上に、窒化物半導体からなるエピタキシャル層としてのGaN層をその表面が平坦化するまで成長して形成される。比較例まず、本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板と比較する比較例として、図2cに示すアニール前のサファイア基板、つまり、円錐状の凸部3’の側面4’及び主面2’の表面粗さRMSが10nmより大きく50nm以下のサファイア基板1’を用いて、GaN層を成長した。図3に、比較例の窒化物半導体エピタキシャル基板10を示す。サファイア基板1’上へのGaN層11の成長は、HVPE有機金属気相成長により行った。成長条件としては、HVPE装置内の圧力を10kPa~120kPa、成長温度を800°C~1200°Cとし、Ga原料ガスにGaClガス、窒素原料ガスにNH3、キャリアガスにH2とN2の混合ガスを用いた。サファイア基板1’上へのGaN層11の成長は、C面である主面2’には原料ガスが付着しやすく、容易にGaN核が発生する。これに対し、C面以外である凸部3’の傾斜した側面4’には、一般に原料ガスが付着しにくく、GaN核が発生しにくい。ところが、比較例のサファイア基板1’における凸部3’の側面4’は、表面粗さRMSが10nmより大きく50nm以下と粗いため、原料ガスが付着しやすくなり、比較的に容易に核が発生する。したがって、GaN成長初期からサファイア基板1’の全面からGaNが成長し、図3中に破線で示すように、成長初期のGaN成長面f1は、サファイア基板1’表面に対応したような形状となる。GaNの成長面は、f1,f2,f3と順次成長し、すぐに平坦な成長面となってしまう。GaNの成長面におけるC面とは平行でない傾斜した斜面は、転位を折り曲げて転位同士の会合消滅を促進するが、比較例のGaN層11では、成長面の傾斜した斜面が存在する期間が短く、すぐに平坦な成長面となるため、転位低減効果が少ない。なお、C面である主面2’は、平滑面であってもRMSが10nm以下、平滑面で無くてもRMSが10nmより大きく50nm以下、GaN成長にほとんど変わりはない。本実施形態本実施形態に係る窒化物半導体エピタキシャル基板は、上記の図2dに示すアニール処理されたサファイア基板1、つまり、円錐状の凸部3の側面4及び主面2の表面粗さRMSが10nm以下のサファイア基板1を用いて、GaN層21を成長した。図4に、本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20を示す。サファイア基板1上へのGaN層21の成長は、上記の比較例と同様に、HVPEにより同一の成長条件で行った。本実施形態のサファイア基板1は、比較例とは異なり、凸部3の側面4の表面粗さRMSが10nm以下に平坦化されているため、C面以外である凸部3の傾斜した側面4には、原料ガスが付着しにくく、GaN核が発生しにくい。すなわち、GaN核は主面2に発生し、傾斜した側面4にはほとんど発生せず、成長初期にはC面である主面2上にGaNが成長し、成長初期のGaN成長面f1は、図4中に破線で示すようになる。主面2上に成長する成長面f1のGaN層は、凸部3を埋めるように拡大成長し成長面f2,f3、更に、凸部3上方にピットを有する連続した成長面f4のGaN層となり、成長面のピットを縮小しながら成長して、最終的に平坦な表面を有するGaN層21が形成される。本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20では、C面である主面2上のGaN成長よりも、傾斜した側面4上のGaN成長が遅れる。したがって、GaNの成長面f1,f2,...におけるC面とは平行でない傾斜した斜面が存在する期間が長くなり、成長面の傾斜した斜面で転位が折り曲げられて、転位同士の会合消滅が促進される。このため、本実施形態では、GaN層21の転位密度を低く抑えることができ、結晶性が良好なGaN層21を有する窒化物半導体エピタキシャル基板20が得られる。凸部3の側面4の表面粗さRMSを10nm以下に平坦化しても、凸部3の高さhが05μmよりも低くなったり、隣接する凸部3間のピッチpが6μm以下よりも広くなってくると、従来の凹凸加工を施していない平坦なサファイア基板を用いてGaN成長する場合に近づき、GaNの成長面の傾斜した斜面が存在することによる転位低減効果が得られなくなる。また、凸部3の高さhが3μmよりも高くなってくると、サファイア基板上に成長させるGaN層などの窒化物半導体層の表面を平坦化するのが困難となる。以下に、窒化物半導体エピタキシャル基板のGaN層表面の転位密度を測定した具体例を説明する。窒化物半導体エピタキシャル基板のGaN層表面の転位密度を、凹凸加工を施していない平坦なサファイア基板主面のRMSは1nm以下を用いた従来の場合、円錐状の凸部3’の側面4’の表面粗さRMSが10nmを超え50nm以下の上記比較例の場合、および円錐状の凸部3の側面4の表面粗さRMSが10nm以下の上記実施形態の場合について、それぞれ測定した。なお、比較例および実施形態において、主面からの凸部の高さhは1μm、隣接する凸部間のピッチpは4μmとした。従来の平坦なサファイア基板上のGaN層は、転位密度が3×108/cm2であり、比較例のサファイア基板上のGaN層は、転位密度が2×108/cm2より大きく、RMSが50nmの場合、転位密度が25×108/cm2であった。また、実施形態のサファイア基板上のGaN層は、凸部の側面の表面粗さRMSが10nmの場合には、転位密度が2×108/cm2であり、同じくRMSが3nmの場合には、転位密度が12×108/cm2であり、同じくRMSが02nmの場合には、転位密度が05×108/cm2であった。また、サファイア基板の主面に形成される円錐状の凸部3間のピッチpを05μm~65μmの範囲および凸部3の高さhを02μm~31μmの範囲で種々に変更した場合において、凸部3の側面4の表面粗さRMSをそれぞれ10nm、3nm、02nmとしたときに、サファイア基板上に形成されるGaN層表面の転位密度を測定した。なお、凸部3の側面4の傾斜角θは約45°とした。転位密度×108/cm2の測定結果を表1~表3に示す。側面4のRMS値が10nmの場合を表1に、側面4のRMS値が3nmの場合を表2に、側面4のRMS値が02nmの場合を表3にそれぞれ示す。なお、表1~表3に示すように、サファイア基板の主面に形成され隣接する凸部3が互いに一部でも重ならない範囲で凸部3を作製している。表1~表3に示すように、凸部3の側面4の表面粗さRMSが10nm以下であり、凸部3の高さhが05μm以上3μm以下、隣接する凸部3間のピッチ距離pが1μm以上6μm以下を満足する実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板表1~表3において、グレーの塗りを施した範囲では、転位密度が低く抑えられていることが分かる。また、側面4の表面粗さRMSの値が小さい程、すなわち側面4が平滑である程、転位密度が低減されることが分かる。更に、サファイア基板表面のC面である主面2の割合が小さくなる程、転位密度が低減されることが分かる。窒化物半導体素子本発明の一実施形態に係る窒化物半導体素子は、上記実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20を用い、窒化物半導体エピタキシャル基板20に窒化物半導体層や電極などの素子構造を形成して作製される窒化物半導体素子である。この窒化物半導体素子は、上記実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20の窒化物半導体層21の表面が低転位であるため、特性の優れた窒化物半導体素子を作製できる。窒化物半導体素子の一例として、上記実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20を用いて作製した、図5に示す青色のLED発光ダイオードについて説明する。窒化物半導体エピタキシャル基板20をMOVPE装置に設置し、エピタキシャル基板20上に青色LED構造の積層半導体を成長する。青色LED構造の積層半導体は、GaN層21上に順次積層して成長した、n型GaNクラッド層41と、InGaN/GaN多重量子井戸構造の活性層42と、p型AlGaNクラッド層43と、p型GaNコンタクト層44とからなる。上記の積層半導体を成長した後に、LED用基板をMOVPE装置より取出し、得られたLED用基板の積層半導体層をRIEReactiveIonEtchingにより部分的にエッチング除去し、n型GaNクラッド層41の一部を露出する。露出したn型GaNクラッド層41上にn側電極45を形成すると共に、p型GaNコンタクト層44上にp側電極46を形成し、その後、チップ化等を行うことにより、図5に示す構造の青色LEDが作製される。窒化物半導体エピタキシャル基板20の結晶性のよいGaN層21上に、n型GaNクラッド層41、活性層42、p型AlGaNクラッド層43などを積層して作製したLEDは、光出力が大きく、信頼性を向上できた。他の実施形態次に、本発明の他の実施形態に係る窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに当該窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板について説明する。図6に、本実施形態に係る窒化物半導体エピタキシャル基板の断面図を示す。本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板30で使用されている窒化物半導体成長用基板としてのサファイア基板1は、図6に示すように、C面である主面2に、円錐台状の凸部13が格子状に配置して形成されている。主面2から円錐台状の凸部13の上面15までの高さは05μm以上3μm以下であり、隣接する凸部13間のピッチは1μm以上6μm以下である。また、凸部13の側面14は主面2に対して90°未満の所定の傾斜角で傾斜しており、側面14の傾斜角は、30°以上70°以下が好ましい。また、凸部13の側面4の表面粗さは、RMS値が10nm以下の平滑な面となっている。次に、本実施形態に係る窒化物半導体成長用基板の製造方法を簡単に説明する。まず、サファイア基板1のC面である主面の全面に、フォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィによってパターン露光、現像を行い、主面上にフォトレジストパターンを形成する。次に、フォトレジストパターンが形成されたサファイア基板の主面をプラズマエッチング装置を用いてドライエッチングする。このドライエッチングの実施時間を上述した実施形態の場合よりも短く設定することで、フォトレジストの下に、円錐台状の凸部が形成される。次に、フォトレジストを除去した後、ドライエッチングにより多数の凸部が形成されたサファイア基板を電気炉を用いてアニールする。アニール処理は、電気炉内を酸素を含む零囲気とし、800°C以上1200°C以下のアニール温度で、1時間以上、実施する。このアニール処理により、10nmを超えた表面粗さRMSであった円錐台状の凸部の側面及び主面は平滑化され、アニール後における凸部13の側面14及び主面2のRMSは10nm以下となるなお、凸部13の上面15は、フォトレジストに覆われているので、ドライエッチングを受けず、平滑面のままである。これにより、図6に示す本実施形態の円錐台状で平滑面からなる凸部13が形成されたサファイア基板1が得られる。なお、例えば、フォトレジストを円錐台状とし、その側面の傾斜角を変更したり、あるいはドライエッチング条件を調整したりすることにより、円錐台状の凸部13の側面14の傾斜角を調整変更することができる。本実施形態に係る窒化物半導体エピタキシャル基板30は、図6に示すように、上記のアニール処理により平滑化された円錐台状の凸部13を有するサファイア基板1上に、GaN層31をその表面が平坦化するまで成長して形成する。サファイア基板1上へのGaN層31の成長は、HVPE法により行った。サファイア基板1は、円錐台状の凸部13の側面14の表面粗さRMSが10nm以下に平坦化されているため、C面以外である傾斜した側面14には、原料ガスが付着しにくく、GaN核が発生しにくい。すなわち、GaN核は主面2及び凸部13の上面15に発生し、傾斜した側面4にはほとんど発生せず、成長初期にはC面である主面2及び上面15上にGaNが成長し、成長初期のGaN成長面f1は、図6中に破線で示すようになる。主面2及び上面15上に成長する成長面f1のGaN層はそれぞれ拡大しながら成長して結合し、凸部13上方に凸状の成長面f2を有するGaN層となり、更に、凸状の成長面を平坦化させながら成長して成長面f3,f4、最終的に平坦な表面を有するGaN層31が形成される。本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板30では、C面である主面2及び上面15上のGaN成長よりも、傾斜した側面14上のGaN成長が遅れる。したがって、GaN成長面におけるC面とは平行でない傾斜した斜面が存在する期間が長くなり、成長面の傾斜した斜面で転位が折り曲げられ、転位同士の会合消滅が多く起こる。このため、本実施形態においても、GaN層31の転位密度を低く抑えることができ、低転位密度のGaN層31を有する窒化物半導体エピタキシャル基板30が得られる。本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板30を用いて、窒化物半導体エピタキシャル基板30上にLED構造を形成してLEDを作製したが、光出力が大きく、信頼性の高いLEDが得られた。また、上記実施形態と同様の凸部3、凸部13を主面2に正方格子状に配置したサファイア基板を作製し、この正方格子状に凸部を配置したサファイア基板を用いて、窒化物半導体エピタキシャル基板および窒化物半導体素子を作製したが、上記実施形態と同様な優れた結果が得られた。なお、上記実施形態では、サファイア基板上への窒化物半導体であるGaNの気相成長にHVPE法を用いたが、HVPE法ではなく、MOVPE法などを用いてもよい。また、上記実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板では、サファイア基板上の窒化物半導体窒化物半導体層としてGaNGaN層を成長させたが、GaNに限らず、AlN、InN、AlGaN、InGaNなどを成長させてもよく、あるいはこれら窒化物半導体の中から異なる組成のエピタキシャル層を複数組み合わせて積層するようにしてもよい。また、サファイア基板の主面をドライエッチングして凸部を形成する際のマスクは、フォトレジストに限定されるものではなく、また、主面上の凸部の側面の平坦化は、アニール処理に限らず、側面の表面粗さRMSを10nm以下に平坦化できる方法であるならば、どのような方法を用いてもよい。"