"磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、前記磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、前記磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部を有する磁気センサー回路部と、前記論理反転部がオン状態のときは高い電圧値及び低い電圧値のいずれか一方を出力し、前記論理反転部がオフ状態のときは他方を出力する検知制御部と、前記磁気センサー回路部及び前記検知制御部を接続する接続ハーネス部と、を有する遊技機用不正磁気検出装置。前記検知制御部は、前記接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、前記高い電圧値及び前記低い電圧値のうち、前記リードスイッチに前記磁石が近づいたときの電圧値を出力するように構成された請求項1に記載の遊技機用不正磁気検出装置。前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、前記論理反転部は、スイッチング素子を有し、前記検知制御部は、電源が接続された出力端子を有し、前記接続ハーネス部は、一方の端子が接地された前記リードスイッチの他方の端子と前記検知制御部側にある前記電源とを接続する第1リード線と、一方の端子が接地された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第2リード線と、前記磁気センサー回路部側の接地を前記検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有し、前記リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第2リード線により前記出力端子を前記接地に接続して当該出力端子から前記低い電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記高い電圧値を出力させるように構成された請求項1または2に記載の遊技機用不正磁気検出装置。前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、前記論理反転部は、スイッチング素子を有し、前記検知制御部は、接地された出力端子を有し、前記接続ハーネス部は、前記リードスイッチの一方の端子と前記検知制御部側にある電源とを接続する第1リード線と、一方の端子が前記第1リード線の他方の端子に接続された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第2リード線と、前記リードスイッチの前記他方の端子を前記検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有し、前記リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第1リード線及び前記第2リード線により前記出力端子を前記電源に接続して当該出力端子から前記高い電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記低い電圧値を出力させるように構成された請求項1または2に記載の遊技機用不正磁気検出装置。磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、前記磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、前記磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部有する磁気センサー回路部と、前記論理反転部がオン状態のときは低い電圧値と高い電圧値との間の中間の電圧値を出力し、前記論理反転部がオフ状態のときは前記高い電圧値及び前記低い電圧値のいずれか一方を出力する検知制御部と、前記磁気センサー回路部と前記検知制御部とを接続する接続ハーネス部と、を有する遊技機用不正磁気検出装置。前記検知制御部は、前記接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、前記高い電圧値及び前記低い電圧値のいずれかを出力するように構成された請求項5に記載の遊技機用不正磁気検出装置。前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、前記論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部を有し、前記検知制御部は、電源が接続された出力端子を有し、前記接続ハーネス部は、一方の端子が接地された前記リードスイッチの他方の端子と前記検知制御部側にある前記電源とを接続する第1リード線と、前記電圧オフセット部を介して、一方の端子が接地された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第2リード線と、前記磁気センサー回路部側の接地を前記検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有し、前記リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第2リード線により、前記出力端子を、前記電圧オフセット部を介して前記接地に接続して当該出力端子から前記中間の電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記高い電圧値を出力させるように構成された請求項5または6に記載の遊技機用不正磁気検出装置。前記リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは前記接点が接続されるように構成され、前記論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部を有し、前記検知制御部は、接地された出力端子を有し、前記接続ハーネス部は、前記リードスイッチの一方の端子と前記検知制御部側にある電源とを接続する第1リード線と、前記電圧オフセット部を介して、一方の端子が前記第1リード線の他方の端子に接続された前記スイッチング素子の他方の端子と前記検知制御部側にある前記出力端子とを接続する第2リード線と、前記リードスイッチの前記他方の端子を前記検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有し、前記リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは前記接点が開放されてオフ状態となり、前記電源からの電圧を前記スイッチング素子に印加してオン状態にして、前記第1リード線及び前記第2リード線により前記出力端子を前記電源に接続して当該出力端子から前記中間の電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは前記接点が接続されてオン状態となり、前記スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、前記出力端子から前記低い電圧値を出力させるように構成された請求項5または6に記載の遊技機用不正磁気検出装置。しかしながらこのような不正磁気検知装置においては、リード線の断線を検出する端子は、磁石を検出する端子とは別に設けられているため、磁石を検出して警報を発する警報器とは別に、断線を報知する報知器を設けなければならないという課題があった。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、一つの出力端子で磁石検出の信号と磁気センサー及び検出回路の間の接続異常の信号とを出力することができる遊技機用不正磁気検出装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、第1の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置は、磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部を有する磁気センサー回路部と、論理反転部がオン状態のときは高い電圧値及び低い電圧値のいずれか一方を出力し、論理反転部がオフ状態のときは他方を出力する検知制御部と、磁気センサー回路部及び検知制御部を接続する接続ハーネス部と、を有して構成される。このような第1の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、検知制御部は、接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、高い電圧値及び低い電圧値のうち、リードスイッチに磁石が近づいたときの電圧値を出力するように構成されることが好ましい。また、このような第1の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子例えば、実施形態におけるトランジスタQ1を有し、検知制御部は、電源が接続された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、一方の端子が接地されたリードスイッチの他方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第1リード線と、一方の端子が接地されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第2リード線と、磁気センサー回路部側の接地を検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有する。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第2リード線により出力端子を接地に接続して当該出力端子から低い電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から高い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。あるいは、このような第1の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子例えば、実施形態におけるトランジスタQ100を有し、検知制御部は、接地された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、リードスイッチの一方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第1リード線と、一方の端子が第1リード線の他方の端子に接続されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第2リード線と、リードスイッチの他方の端子を検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有する。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第1リード線及び第2リード線により出力端子を電源に接続して当該出力端子から高い電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から低い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。また、第2の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置は、磁石が近づくとオフ状態からオン状態になるリードスイッチを有する磁気検出部、及び、磁気検出部がオフ状態のときはオン状態となり、磁気検出部がオン状態のときはオフ状態となる論理反転部有する磁気センサー回路部と、論理反転部がオン状態のときは低い電圧値と高い電圧値との間の中間の電圧値を出力し、論理反転部がオフ状態のときは高い電圧値及び低い電圧値のいずれか一方を出力する検知制御部と、磁気センサー回路部と検知制御部とを接続する接続ハーネス部と、を有して構成される。このような第2の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、検知制御部は、接続ハーネス部が断線若しくは短絡したときに、高い電圧値及び低い電圧値のいずれかを出力するように構成されることが好ましい。また、このような第2の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部例えば、実施形態におけるダイオードD1を有し、検知制御部は、電源が接続された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、一方の端子が接地されたリードスイッチの他方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第1リード線と、電圧オフセット部を介して、一方の端子が接地されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第2リード線と、磁気センサー回路部側の接地を検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有する。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第2リード線により、出力端子を、電圧オフセット部を介して接地に接続して当該出力端子から中間の電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から高い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。あるいは、このような第2の本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置において、リードスイッチは、磁石が近づいていないときは接点が開放し、磁石が近づいているときは接点が接続されるように構成され、論理反転部は、スイッチング素子及び電圧オフセット部例えば、実施形態におけるダイオードD100を有し、検知制御部は、接地された出力端子を有して構成される。また、接続ハーネス部は、リードスイッチの一方の端子と検知制御部側にある電源とを接続する第1リード線と、電圧オフセット部を介して、一方の端子が第1リード線の他方の端子に接続されたスイッチング素子の他方の端子と検知制御部側にある出力端子とを接続する第2リード線と、リードスイッチの他方の端子を検知制御部側の接地に接続する第3リード線と、を有して構成される。そして、リードスイッチは、当該リードスイッチに磁石が近づいていないときは接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧をスイッチング素子に印加してオン状態にして、第1リード線及び第2リード線により出力端子を電源に接続して当該出力端子から中間の電圧値を出力させ、当該リードスイッチに磁石が近づいているときは接点が接続されてオン状態となり、スイッチング素子に接地電圧を印加してオフ状態にして、出力端子から低い電圧値を出力させるように構成されることが好ましい。本発明に係る遊技用不正磁気検出装置を以上のように構成すると、接続ハーネス部の接続異常として、リード線の断線抜き取りだけでなく、短絡も検出することができ、また、一つの端子で磁石検出及び接続異常の信号を出力することができる。以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して説明する。なお、ここでは、本発明に係る遊技機用不正磁気検出装置以下、単に不正磁気検出装置と呼ぶの2つの実施形態について説明する。[第1の実施形態]まず、図1~図3を用いて、第1の実施形態に係る不正磁気検出装置1について説明する。ここで、図1は、この不正磁気検出装置1の構成を示すブロック図であり、図2は回路図であり、図3は回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。図1に示すとおり、この不正磁気検出装置1は、磁石の接近を検出する磁気センサー回路部10と、磁気センサー回路部10から出力される信号に基づいて検知信号を出力する検知制御部20とを有し、これらの磁気センサー回路部10及び検知制御部20は接続ハーネス部30で接続されている。また、磁気センサー回路部10は、少なくとも2本の端子を有し、磁石の接近離反に応じて当該2本の端子間の接点が接続開放するリードスイッチを有する磁気検出部11と、磁気検出部11から出力されるレベル信号高い電圧レベルHレベルと低い電圧レベルLレベルからなるレベル信号を反転させる論理反転部12とから構成されている。具体的には、この磁気検出部11は、磁石が接近していないときはリードスイッチの接点は開放されており、磁気検出部11からはHレベルの信号が出力される。一方、磁石が接近しているときは、リードスイッチの接点は接続されており、この磁気検出部11からはLレベルの信号が出力される。そして、論理反転部12は、磁気検出部11からHレベルの信号が出力されているときは、接続ハーネス部30を介して接続されている検知制御部20からLレベルの信号を出力させ、Lレベルの信号が出力されているときは、検知制御部20からHレベルの信号を出力させるように構成されている。図2に示すように、磁気センサー回路部10の磁気検出部11はリードスイッチSW1から構成され、また、論理反転部12は2本の抵抗器R1,R2と、1個のトランジスタQ1とから構成されている。また、検知制御部20は、2本の抵抗器R3,R4から構成されている。さらに、接続ハーネス部30は、3本のリード線L1~L3から構成されている。磁気センサー回路部10のリードスイッチSW1は、一方の端子が接続ハーネス部30の第1リード線L1と、検知制御部20の抵抗器R3とを介して電源に接続されており、他方の端子が接地されている。また、トランジスタQ1はNPN型のトランジスタであって、そのベースが抵抗器R1を介してリードスイッチSW1の電源側の端子に接続され、コレクタが接続ハーネス部30の第2リード線L2を介して検知制御部20の出力端子V-OUTに接続されており、エミッタが接地されている。また、トランジスタQ1のベースは抵抗器R2を介して接地されている。ここで抵抗器R1はトランジスタQ1に流れる電流を制限してこのトランジスタQ1を保護するものであり、抵抗器R2はトランジスタQ1の動作を安定させるものである。また、検知制御部20の出力端子V-OUTは、抵抗器R4を介して電源に接続されている。ここで、この抵抗器R4は、磁気センサー回路部10のトランジスタQ1がオフ状態オープンになったときに、この検知制御部20の出力端子V-OUTから出力される電圧値を電源電圧Vccとほぼ同じ高い電圧値にレベル信号をHレベルに固定するためのいわゆるプルアップ抵抗である。また、抵抗器R3はリードスイッチSW1を保護するものであり、磁気センサー回路部10側に設けても良い。なお、接続ハーネス部30の第3リード線L3は、磁気センサー回路部10側の接地を、検知制御部20側の接地に接続し、最終的に回路全体を接地するものである実際には、検知制御部20が、遊技機の接地に接続されている。また、磁気センサー回路部10と接続ハーネス部30とは、コネクタCN1a,CN1bで接続され、検知制御部20と接続ハーネス部30とは、コネクタCN2a,CN2bで接続される。このような構成の不正磁気検出装置1の動作を、図3を用いて説明すると、接続ハーネス部30等に異常がなく、磁石を検知していないときは通常状態のときは、リードスイッチSW1の接点が開放されてオフ状態となり、トランジスタQ1のベースに電源からの電圧が印加されるのでこのトランジスタQ1はオン状態となり、これにより検知制御部20の出力端子V-OUTは接地されるため、この出力端子V-OUTからは接地電圧値0Vとほぼ同じ低い電圧値、すなわち、Lレベルの信号が出力される。一方、リードスイッチSW1に磁石が近づくとこのリードスイッチSW1の接点は接続されてオン状態となり、トランジスタQ1のベースは低い電圧値となり、このトランジスタQ1はオフ状態となるため、上述のように、検知制御部20の出力端子V-OUTからは電源電圧Vccとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Hレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第1リード線L1が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第2リード線L2が断線すると、トランジスタQ1がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第3リード線L3が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部30と、磁気センサー回路部10若しくは検知制御部20との接続が外れても出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部30の第1リード線L1と第2リード線L2とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第1リード線L1と第3リード線L3とが短絡しても、同様に、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部30の第2リード線L2と第3リード線L3とが短絡すると、リードスイッチSW1の接点の状態に応じてトランジスタQ1がオン、オフするが、出力端子V-OUTが接地された状態となるため、この出力端子V-OUTからは、常にLレベル信号が出力されることとなる。以上のように、この第1の実施形態に係る不正磁気検出装置1によると、接続ハーネス部30の第2リード線L2と第3リード線L3とが短絡した場合を除いて、検知制御部20の出力端子V-OUTからLレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていいない状態であることを示し、Hレベルの信号が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部30に異常がある断線コネクタが外れている場合を含む、若しくは、短絡している状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置1の出力端子V-OUTからHレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。このように、磁気検出部11から出力される信号を論理反転部12で反転させて検知制御部20から出力させることにより、一つの出力端子V-OUTからの信号で、正常な状態にあることと、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置1が異常な状態であることと、を検知することができる。なお、この第1の実施形態に係る不正磁気検出装置1において、論理反転部12は、インバータロジックICや反転増幅器等でも代用可能である。[第1の実施形態の変形例]上述の第1の実施形態に係る不正磁気検出装置1は、通常状態では出力端子V-OUTからLレベルの信号を出力し、不正若しくは異常状態ではHレベルの信号を出力するように構成した場合について示したが、この論理を反転させて出力するように構成することもでき、図4及び図5を用いて説明する。ここで、図4は、この第1の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例100の回路図であり、図5は、回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。この図4に示す不正磁気検出装置100は、磁気センサー回路部110と、検知制御部120とを有し、これらの間を接続ハーネス部130で接続されている。磁気センサー回路部110は、さらに、リードスイッチSW100を有する磁気検出部111と、論理反転部112とを有して構成されている。この論理反転部112は、2本の抵抗器R101,R102と、1個のPNP型トランジスタQ100とから構成されている。また、検知制御部120は、2本の抵抗器R103,R104から構成されている。さらに、接続ハーネス部130は、3本のリード線L1~L3から構成されている。磁気センサー回路部110のリードスイッチSW100は、一方の端子が接続ハーネス部130の第1リード線L1を介して検知制御部120側にある電源に接続されており、他方の端子が接続ハーネス部130の第3リード線L3と検知制御部120の抵抗器R103とを介して接地されている。また、トランジスタQ100は、そのベースが、抵抗器R101を介してリードスイッチSW100の接地側の端子に接続され、エミッタが接続ハーネス部130の第1リード線L1を介して検知制御部120側にある電源に接続され、コレクタが接続ハーネス部130の第2リード線L2を介して検知制御部120の出力端子V-OUTに接続されている。また、トランジスタQ100のベースとコレクタとの間には抵抗器R102が接続されている。ここで、抵抗器R102はトランジスタQ100に流れる電流を制限してこのトランジスタQ100を保護するものであり、抵抗器R101はトランジスタQ100の動作を安定させるものである。また、検知制御部120の出力端子V-OUTは、抵抗器R104を介して接地されている。ここで、この抵抗器R104は、磁気センサー回路110のトランジスタQ100がオフ状態オープンになったときに、この検知制御部120の出力端子V-OUTから出力される電圧値を接地電圧0Vとほぼ同じ低い電圧値にレベル信号をLレベルに固定するためのいわゆるプルダウン抵抗である。また、抵抗器R103はリードスイッチSW100を保護するものであり、磁気センサー回路部110側に設けても良い。また、磁気センサー回路部110と接続ハーネス部130とは、コネクタCN1a,CN1bで接続され、検知制御部120と接続ハーネス部130とは、コネクタCN2a,CN2bで接続される。このような構成の不正磁気検出装置100の動作を、図5を用いて説明すると、通常状態のときには、リードスイッチSW100の接点が開放されてオフ状態となり、電源からの電圧が抵抗器R102及びR101で分圧されてトランジスタQ100のベースに印加されるのでこのトランジスタQ100はオン状態となり、これにより第1リード線L1及び第2リード線L2を介して電源と出力端子V-OUTが接続されるため、この出力端子V-OUTからは電源電圧値Vccとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Hレベルの信号が出力される。一方、リードスイッチSW100に磁石が近づくとこのリードスイッチSW100の接点は接続されてオン状態となり、電源からの電流はそのまま接地に流れ込むため、トランジスタQ100のベースは低い電圧値となり、このトランジスタQ100はオフ状態となるため、上述のように、検知制御部120の出力端子V-OUTからは接地電圧0Vとほぼ同じ低い電圧値、すなわち、Lレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部130の第1リード線L1が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ100に印加されないため、リードスイッチSW100の接点の状態に関わらず、トランジスタQ100はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部130の第2リード線L2が断線すると、トランジスタQ100がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチSW100の接点の状態に関わらず、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部130の第3リード線L3が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ100のベースに印加されないため、リードスイッチSW100の接点の状態に関わらず、トランジスタQ100はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部130と、磁気センサー回路部110若しくは検知制御部120との接続が外れても出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部130の第1リード線L1と第2リード線L2とが短絡すると、トランジスタQ100がオン状態となったのと同じ状態になるため、出力端子V-OUTからは、電源電圧値Vccとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Hレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部130の第1リード線L1と第3リード線L3とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタQ100のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ100はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部130の第2リード線L2と第3リード線L3とが短絡すると、リードスイッチSW100の接点がオン状態のときは、トランジスタQ100はオフ状態となり、リードスイッチSW100がオフ状態のときは、トランジスタQ100はオン状態となるため、トランジスタQ100がオフ状態のときは出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力され、トランジスタQ100がオン状態のときは出力端子V-OUTからはHレベルとLレベルの間の値M2レベルが出力される抵抗器及びトランジスタの特性で決定される。以上のように、第1の実施形態の変形例である不正磁気検出装置100によると、接続ハーネス部130の第1リード線L1と第2リード線L2とが短絡した場合を除いて、検知制御部120の出力端子V-OUTからHレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていない状態であることを示し、それより低い電圧値の信号Lレベルの信号及びM2レベルの信号が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部130に異常がある断線コネクタが外れている場合を含む、若しくは、短絡している状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置100の出力端子V-OUTからLレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。このように、磁気検出部111から出力される信号を論理反転部112で反転させて検知制御部120から出力させることにより、一つの出力端子V-OUTからの信号で、正常な状態にあることと、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置100が異常な状態であることと、を検知することができる。なお、この第1の実施形態の変形例である不正磁気検出装置100においても、論理反転部120は、インバータロジックICや反転増幅器等でも代用可能である。[第2の実施形態]次に、図6~図8を用いて、第2の実施形態に係る不正磁気検出装置1′について説明する。ここで、図6は、この不正磁気検出装置1′の構成を示すブロック図であり、図7は回路図であり、図8は回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。この第2の実施形態に係る不正磁気検出装置1′は、図6に示すように、上述の第1の実施形態に係る不正磁気検出装置1における論理反転部12を、磁気検出部11から出力される信号の論理反転をするとともに、通常の状態断線等がなく、磁石を検知していない状態の出力電圧をLレベルではなくMレベル高い電圧値と低い電圧値との中間の電圧値にする電圧オフセット部を有するようにした論理反転部12′に置き換えた磁気センサー回路部10′を有するものである。すなわち、この不正磁気検出装置1′は、図7に示すように、論理反転部12′において、トランジスタQ1のコレクタと接続ハーネス部30の第2リード線L2との間に、電源電圧値Vccと接地電圧値0Vとの中間電圧値を保持する電圧オフセット部であるダイオードD1が接続されている。ここで、このダイオードD1は、カソードがコレクタ側に接続され、アノードが第2リード線L2側電源側に接続されている。なお、第1の実施形態における構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。この不正磁気検出装置1′において、通常状態のときは、図8に示すように、リードスイッチSW1の接点が開放されているため、トランジスタQ1のベースに電源からの電圧が印加されており、このトランジスタQ1はオン状態となっている。そのため、検知制御部20の出力端子V-OUTには、ダイオードD1の順方向電圧値約0.6Vとほぼ同じ値が出力される。このダイオードD1の順方向電圧値は、電源電圧値Vccよりも低く、接地電圧値0Vよりも高いので、Mレベルの信号となる。一方、リードスイッチSW1に磁石が近づくとこのリードスイッチSW1の接点は接続されてオン状態となり、電源からの電流はそのまま接地に流れ込むため、トランジスタQ1のベースは低い電圧値となり、このトランジスタQ1はオフ状態となるため、検知制御部120の出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30第1リード線L1が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第2リード線L2が断線すると、トランジスタQ1がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第3リード線L3が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部30と、磁気センサー回路部10′若しくは検知制御部20との接続が外れても出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部30の第1リード線L1と第2リード線L2とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第1リード線L1と第3リード線L3とが短絡しても、同様に、電源からの電圧がトランジスタQ1のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ1はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはHレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部30の第2リード線L2と第3リード線L3とが短絡すると、リードスイッチSW1の接点の状態に応じてトランジスタQ1がオン、オフするが、出力端子V-OUTが接地された状態となるため、この出力端子V-OUTからは、常にLレベル信号が出力されることとなる。以上のように、この第2の実施形態に係る不正磁気検出装置1′によると、検知制御部20の出力端子V-OUTからMレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていない状態であることを示し、Hレベル若しくはLレベルの信号が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部30に異常がある断線コネクタが外れている場合を含む、若しくは、短絡している状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置1′の出力端子V-OUTからHレベル若しくはLレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。このように、磁気検出部11から出力される信号を論理反転部12′で反転させるとともに、正常状態のときの出力信号をMレベルに保持するように構成することにより、一つの出力端子V-OUTからの信号で、正常な状態と、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置1′が異常な状態であることとを検知することができる。この第2の実施形態に係る不正磁気検出装置1′は、第1の実施形態に係る不正磁気検出装置1において正常な状態のときとの区別できなかった接続ハーネス部30の第2リード線L2と第3リード線L3との短絡も検知できるため、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置1′が異常な状態であることを確実に検知することができる。なお、この第2の実施形態に係る不正磁気検出装置1′において、論理反転部12′に設けられたダイオードD1は、トランジスタQ1がオン状態になったときに、出力端子V-OUTから出力される信号をMレベルに保持できる素子であれば良いため、電圧オフセット部としては、ツェナーダイオードや抵抗などで代用可能である。また、この第2の実施形態に係る不正磁気検出装置1′において、出力端子V-OUTから出力されるレベル信号が、Mレベル以下であれば正常状態であり、Hレベルであれば不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置1′が異常な状態であると判断すれば、第1実施例に係る不正磁気検出装置1と同じ使い方ができる。[第2の実施形態の変形例]上述の第2の実施形態に係る不正磁気検出装置1′は、通常状態では出力端子V-OUTからMレベルの信号を出力し、不正若しくは異常状態ではHレベルまたはLレベルの信号を出力するように構成した場合について示したが、この論理を通常状態時のMレベルを中心に反転させて出力するように構成することもでき、図9及び図10を用いて説明する。ここで、図9は、この第2の実施形態に係る不正磁気検出装置の変形例100′の回路図であり、図10は、回路状態と出力信号との関係を示す説明図である。この第2の実施形態の変形例である不正磁気検出装置100′は、図9に示すように、上述の第1の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置100における論理反転部120を、磁気検出部110から出力される信号の論理反転をするとともに、通常の状態の出力電圧をHレベルではなくMレベル高い電圧値と低い電圧値との中間の電圧値にする電圧オフセット部を有するようにした論理反転部120′に置き換えた磁気センサー回路部100′を有するものである。すなわち、この不正磁気検出装置100′は、論理反転部120′において、トランジスタQ100のコレクタと接続ハーネス部30の第2リード線L2との間に、電源電圧値Vccと接地電圧値0Vとの中間電圧値を保持する電圧オフセット部であるダイオードD100が接続されている。ここで、このダイオードD100は、アノードがコレクタ側に接続され、カソードが第2リード線L2側に接続されている。なお、第1の実施形態の変形例における構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。このような構成の不正磁気検出装置100′の動作を、図10を用いて説明すると、通常状態のときには、リードスイッチSW100の接点が開放されてオフ状態となり、トランジスタQ100のベースに電源からの電圧が印加されており、このトランジスタQ100はオン状態となっている。そのため、検知制御部20の出力端子V-OUTには、電源電圧値VccからダイオードD100の順方向電圧値約0.6Vだけ低い値が出力される。すなわち、Mレベルの信号となる。一方、リードスイッチSW1に磁石が近づくとこのリードスイッチSW100の接点は接続されてオン状態となり、トランジスタQ100のベースは低い電圧値となり、このトランジスタQ100はオフ状態となるため、検知制御部120の出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部130第1リード線L1が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ100のベースに印加されないため、リードスイッチSW100の接点の状態に関わらず、トランジスタQ100はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部130の第2リード線L2が断線すると、トランジスタQ100がオフ状態になったのと同じ状態になるため、リードスイッチSW100の接点の状態に関わらず、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部30の第3リード線L3が断線すると、電源からの電圧がトランジスタQ100のベースに印加されないため、リードスイッチSW100の接点の状態に関わらず、トランジスタQ100はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。なお、接続ハーネス部130と、磁気センサー回路部110′若しくは検知制御部120との接続が外れても出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部130の第1リード線L1と第2リード線L2とが短絡すると、トランジスタQ100がオン状態となったのと同じ状態になるため、出力端子V-OUTからは、電源電圧値Vccとほぼ同じ高い電圧値、すなわち、Hレベルの信号が出力される。また、接続ハーネス部130の第1リード線L1と第3リード線L3とが短絡すると、電源からの電圧がトランジスタQ100のベースに印加されないため、リードスイッチSW1の接点の状態に関わらず、トランジスタQ100はオフ状態となり、出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力される。さらに、接続ハーネス部130の第2リード線L2と第3リード線L3とが短絡すると、リードスイッチSW100の接点がオン状態のときは、トランジスタQ100はオフ状態となり、リードスイッチSW100がオフ状態のときは、トランジスタQ100はオン状態となるため、トランジスタQ100がオフ状態のときは出力端子V-OUTからはLレベルの信号が出力され、トランジスタQ100がオン状態のときは出力端子V-OUTからはHレベルとLレベルの間の値M2レベルが出力される抵抗器及びトランジスタの特性で決定されるため、これらの値を調整してM2レベルの信号が、Mレベルの信号より小さい値、若しくは、大きい値になるようにすれば、通常状態との判別が可能となる。以上のように、この第2の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置100′によると、検知制御部120の出力端子V-OUTからMレベルの信号が出力されているときは、磁石による不正が行われていいない状態であることを示し、Hレベル若しくはLレベルの信号が出力されているときは、不正が行われているか、接続ハーネス部130に異常がある断線コネクタが外れている場合を含む、若しくは、短絡している状態であること示す。そのため、この不正磁気検出装置100′の出力端子V-OUTからHレベル若しくはLレベルの信号が出力されたときに不正または異常を検知することができる。このように、磁気検出部111から出力される信号を論理反転部112′で反転させるとともに、正常状態のときの出力信号をMレベルに保持するように構成することにより、一つの出力端子V-OUTからの信号で、正常な状態と、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置100′が異常な状態であることとを検知することができる。この第2の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置100′は、第1の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置100において正常な状態のときとの区別できなかった接続ハーネス部130の第2リード線L2と第3リード線L3との短絡も検知できるため、不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置100′が異常な状態であることを確実に検知することができる。なお、この第2の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置100′において、論理反転部120′に設けられたダイオードD100は、トランジスタQ100がオン状態になったときに、出力端子V-OUTから出力される信号をMレベルに保持できる素子であれば良いため、電圧オフセット部としては、ツェナーダイオードや抵抗などで代用可能である。また、この第2の実施形態の変形例に係る不正磁気検出装置100′においても、出力端子V-OUTから出力されるレベル信号が、Mレベル以上であれば正常状態であり、Lレベルであれば不正が行われている状態若しくはこの不正磁気検出装置1′が異常な状態であると判断すれば、第1実施例の変形例に係る不正磁気検出装置100と同じ使い方ができる。"