"基板と、該基板の主面上に位置する弾性波素子と、該弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層とを有する弾性波装置。前記カバーは、前記基板の主面に位置し、平面視において前記弾性波素子を取り囲む環状の枠部と、該枠部の開口部を塞ぐ蓋部とをさらに有しており、前記複数の突部の突出高さは、前記蓋部の厚みよりも小さい請求項1に記載の弾性波装置。前記導体層は、平面透視において前記枠部の開口部と重なる部分を有するとともに、前記導体層を構成する材料のヤング率は前記カバーを構成する材料のヤング率よりも高い請求項2に記載の弾性波装置。前記複数の突部は、前記導体層の表面に点在している請求項3に記載の弾性波装置。前記複数の突部は、前記導体層の全体に亘って一様な密度で分布している請求項4に記載の弾性波装置。前記複数の突部は、平面視における形状がそれぞれ線状である請求項3に記載の弾性波装置。前記弾性波素子に接続された端子をさらに有し、該端子は、前記主面上に位置し、前記カバーを貫通する柱状部と、該柱状部の側面から突出して前記カバーの上面に重なっているフランジとを有し、前記導体層は、前記フランジである請求項1または2に記載の弾性波装置。前記複数の突部は、前記主面の平面視において、前記柱状部を囲んでいる請求項7に記載の弾性波装置。基板と、該基板の主面上に位置する弾性波素子と、前記基板の主面上に位置し、前記弾性波素子に接続されたパッドと、前記弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、前記パッド上に位置し、前記カバーを貫通する柱状部を有する端子と、複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層とを有する弾性波装置。基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、前記感光性樹脂層を露光する工程と、露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、現像された前記感光性樹脂層の上面にマスクを形成する工程と、前記マスクが形成された前記感光性樹脂層の上面のうち前記マスクが形成されていない部位を凹状にエッチングする工程と、エッチングされた凹状の部位に第1金属を充填する工程と、前記感光性樹脂層の上面に第2金属を積層する工程とを有する弾性波装置の製造方法。前記感光性樹脂で覆う工程は、前記基板の主面に形成された弾性波素子を保護層で被覆する工程と、前記弾性波素子を前記保護層を介して前記感光性樹脂層で覆う工程とを有する請求項10に記載の弾性波装置の製造方法。基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、前記感光性樹脂層を露光する工程と、露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、現像された前記感光性樹脂層を該感光性樹脂層が重合する温度で加熱する工程と、加熱された前記感光性樹脂層に酸素プラズマ処理を施す工程と、前記酸素プラズマ処理された前記感光性樹脂層の上面に金属を積層する工程とを有する弾性波装置の製造方法。以下、本発明の実施形態に係るSAW装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。符号は、同一または類似する構成のものについて、第1端子7A~第6端子7Fなどのように、大文字のアルファベットの付加符号を付すことがある。また、この場合において、単に端子7というなど、名称の頭の番号および上記の付加符号を省略することがある。<第1の実施形態>SAW装置の構成図1は、本発明の第1の実施形態に係るSAW装置1の外観斜視図である。ただし、後述する絶縁層43については図示を省略している。SAW装置1は、いわゆるウェハレベルパッケージWLP形のSAW装置によって構成されている。SAW装置1は、基板3と、基板3に固定されたカバー5と、カバー5から露出する第1端子7A~第6端子7Fと、カバー5の上面基板3とは反対側の面に積層された補強層8と、基板3のカバー5とは反対側に設けられた裏面部9とを有している。SAW装置1は、複数の端子7のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、SAW装置1によってフィルタリングされる。そして、SAW装置1は、フィルタリングした信号を複数の端子7のいずれかを介して出力する。SAW装置1は、例えば、カバー5側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることによって、端子7を実装面上の端子に接続した状態で実装される。基板3は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、基板3は、タンタル酸リチウム単結晶,ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板3は、第1主面3aと、その背面側の第2主面3bとを有している。基板3の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、Y方向を長手方向とする矩形である。基板3の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは0.2~0.5mm、1辺の長さは0.5~2mmである。カバー5は、第1主面3aを覆うように設けられている。カバー5の平面形状は、例えば、基板3の平面形状と同様であり、本実施形態では、Y方向を長手方向とする矩形である。カバー5は、例えば、第1主面3aと概ね同等の広さを有し、第1主面3aの概ね全面を覆っている。カバー5は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合によって硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。複数の端子7は、カバー5の上面から露出している。複数の端子7の数および配置位置は、SAW装置1の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、6つの端子7がカバー5の外周に沿って配列されている。補強層8は、カバー5の強度を補強するためのものである。補強層8は、カバー5を構成する材料よりもヤング率が高い材料によって構成されている。例えば、カバー5が樹脂によって構成されているのに対して、補強層8は金属によって構成されている。また、例えば、カバー5のヤング率が0.5~1GPaであるのに対し、補強層8のヤング率は100~250GPaである。補強層8の厚さは、例えば、1~50μmである。補強層8は、カバー5の比較的広い範囲に亘って形成されている。例えば、カバー5は、端子7の配置位置を避けて、カバー5の概ね全面に亘って形成されている。補強層8は、端子7と接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている。裏面部9は、特に図示しないが、例えば、第2主面3bの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極によって、温度変化等によって基板3表面にチャージされた電荷が放電される。保護層によって、基板3の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部9は、図示や説明が省略されることがある。図2は、カバー5の一部を破断して示すSAW装置1の斜視図である。第1主面3aには、SAW素子11が設けられている。SAW素子11は、SAW装置1に入力された信号をフィルタリングするためのものである。SAW素子11は、第1主面3aに形成された一対の櫛歯状電極IDT電極15を有している。各櫛歯状電極15は、基板3における弾性表面波の伝搬方向X方向に延びるバスバー15aと、バスバー15aから上記伝搬方向に直交する方向Y方向に伸びる複数の電極指15bとを有している。一つの櫛歯状電極15同士は、それぞれの電極指15bが互いに噛み合うように設けられている。なお、図2は模式図であることから、数本の電極指15bを有する一対の櫛歯状電極15を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のSAW素子11が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型SAWフィルタや2重モードSAW共振器フィルタ等が構成されてよい。SAW素子11は、例えばAl-Cu合金等のAl合金によって形成されている。カバー5は、第1主面3aの平面視においてSAW素子11を囲む枠部35と、枠部35の開口を塞ぐ蓋部37とを有している。そして、第1主面3a厳密には後述する保護層25、枠部35および蓋部37によって囲まれた空間によって、SAW素子11の振動を容易化する振動空間10が形成されている。なお、振動空間10は、適宜な数および形状で設けられてよく、図2では、2つの振動空間10が設けられている場合を例示している。枠部35は、概ね一定の厚さの層に振動空間10となる開口が1以上本実施形態では2つ形成されることによって構成されている。枠部35の厚さ振動空間10の高さは、例えば、数μm~30μmである。蓋部37は、枠部35上に積層される、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部37の厚さは、例えば、数μm~30μmである。枠部35および蓋部37は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部35と蓋部37との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部35と蓋部37とが同一材料によって形成され、一体的に形成されていてもよい。なお、補強層8は、第1主面3aの平面視において、振動空間10に重なっている。より具体的には、補強層8は、振動空間10の全体を覆うとともに、振動空間10の外側に延出している。従って、補強層8は、蓋部37とともに枠部35に架け渡され、枠部35に支持されている。端子7は、図2では第6端子7Fにおいてよく表れているように、第1主面3aに立てて設けられており、枠部35および蓋部37を第1主面3aの面する方向へ貫通し、カバー5の上面において露出している。端子7は、柱状に形成された柱状部7aと、柱状部7aの側面から突出するフランジ7bとを有している。柱状部7aは、カバー5を貫通し、フランジ7bは、カバー5の上面に積層されている。端子7の、フランジ7bを含む上端面は、回路基板などに接続されるランド7cを構成している。柱状部7aは、例えば、円柱状に形成されている。柱状部7aの直径は、例えば、20~120μmである。フランジ7bは、柱状部7aの全周に亘って形成されるとともに、概ね一定の幅で形成されている。従って、ランド7cの形状は、柱状部7aの第1主面3aに平行な断面の形状に対して、一周り大きい相似形本実施形態では円形となっている。ランド7cの直径は、柱状部7aの直径よりも、例えば、5~100μmの差で大きい。第1主面3aには、SAW素子11に接続された配線12と、配線12に接続された第1パッド13A~第6パッド13F図2では一部のみ示すが設けられている。端子7は、パッド13上に設けられることによって、SAW素子11と接続されている。図3は、図2のIII-III線における断面図である。また、図4は、図3の領域IVの拡大図である。SAW装置1は、第1主面3aに設けられた導電層19と、導電層19および第1主面3aに積層された保護層25とを有している。また、SAW装置1は、カバー5に成膜された下地層39と、下地層39の表面上に形成された金属部41と、金属部41を覆う絶縁層43とを有している。導電層19は、第1主面3a上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、導電層19は、SAW素子11、配線12およびパッド13を構成している。導電層19は、例えば、Al-Cu合金等のAl合金によって形成されており、その厚さは、例えば、100~300nmである。保護層25は、SAW素子11の酸化防止等に寄与するものである。保護層25は、例えば、酸化珪素SiO2など、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素またはシリコンによって形成されている。保護層25の厚さは、例えば、導電層19の厚さの1/10程度10~30nmである。保護層25は、パッド13の配置位置以外においては、第1主面3a全体に亘って形成されている。なお、カバー5は、保護層25に積層されている。下地層39は、端子7のカバー5およびパッド13に接する部分を構成するとともに、補強層8のカバー5に接する部分を構成している。下地層39は、例えば、銅もしくはチタンによって形成されている。下地層39の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層39が銅からなる場合は300nm~1μm、下地層39がチタンからなる場合は10~100nmである。金属部41は、端子7において、柱状部7aの内部側部分およびフランジ7bの上方側カバー5とは反対側部分を構成している。また、金属部41は、補強層8の上方側部分を構成している。金属部41は、例えば、銅によって形成されている。絶縁層43は、補強層8の全面を覆っている。また、絶縁層43は、補強層8の縁部から端子7のランド7cの縁部に亘っても形成されている。絶縁層43は、補強層8の絶縁に寄与するとともに、端子7とカバー5との隙間に水分などが浸入することを抑制することにも寄与している。絶縁層43は、例えば、一般にソルダーレジストとして使われているエポキシ系樹脂などによって構成されてよい。また、絶縁層43は、有機材料に比較して遮水性の高い無機材料によって構成されてもよい。無機材料としては、例えば、酸化珪素SiO2など、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁層43の厚さは、例えば、500nm~20μmである。なお、絶縁層43は、少なくとも補強層8の側面またはランド7cの側面のいずれかを被覆するように形成されていればよい。補強層8のカバー5側の面からは、複数の第1突部31が突出している。また、端子7のフランジ7bのカバー5側の面からは、第2突部33が突出している。第1突部31および第2突部33も、補強層8および端子7と同様に、下地層39と金属部41とによって構成されている。従って、第1突部31は、補強層8と一体的に形成され、第2突部33は、端子7と一体的に形成されている。なお、第1突部31は、補強層8の一部と捉えることができ、第2突部33は、端子7の一部と捉えることができるが、本実施形態では、便宜上、第1突部31および第2突部33は、補強層8および端子7とは別個の部分であるものとして説明する。第1突部31および第2突部33は、カバー5の内部へ突出しており、その側面はカバー5に覆われている。換言すれば、第1突部31および第2突部33は、カバー5の上面に設けられたそれぞれの突部の形状に対応する凹部に嵌まっている。第1突部31および第2突部33の補強層8からの突出部分の高さ突出高さは、蓋部37の厚さ振動空間10の天井からカバー5の上面までの厚さ未満であり、第1突部31および第2突部33は、カバー5を貫通せず、その先端面はカバー5に覆われている。第1突部31および第2突部33の突出高さは、例えば、3~20μm、蓋部37の厚さの10~70、または下地層39の厚さ以上である。図5は、カバー5の上面における第1主面3aに平行なSAW装置1の断面図である。図5では、補強層8およびフランジ7bの形状も2点鎖線によって示されている。複数の第1突部31は、第1主面3aの平面視において、点在している。すなわち、第1主面3aの平面視において、複数の第1突部31は、円形、楕円形または多角形などの、カバー5の広さに対して点と捉えることができる形状および大きさに形成され、カバー5に分布している。複数の第1突部31の第1主面3aに平行な断面形状、その断面積および密度は適宜に設定されてよい。例えば、複数の第1突部31は、直径が互いに同一の円形に形成され、また、補強層8の全面に亘って密度が一様になるように分布している。円形の直径は、例えば、3~20μmである。複数の第1突部31の断面積の総和は、例えば、補強層8の面積の10~70である。第2突部33は、第1主面3aの平面視において、端子7の柱状部7aを囲むライン状突条に形成されている。具体的には、第2突部33は、柱状部7aと同心の円形に形成されている。第2突部33は、例えば、柱状部7aとの間隔が10~45μmとなるように形成されている。SAW装置の製造方法図6a~図8cは、SAW装置1の製造方法を説明する、図3図2のIII-III線に対応する断面図である。製造工程は、図6aから図8cまで順に進んでいく。以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板3となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることによって、多数個分のSAW装置1が並行して形成される。ただし、図6a~図8cでは、1つのSAW装置1に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。図6aに示すように、まず、基板3の第1主面3a上には、導電層19が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはCVDChemicalVaporDeposition法等の薄膜形成法によって、第1主面3a上に導電層19となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機ステッパーとRIEReactiveIonEtching装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。パターニングによって、SAW素子11、配線12およびパッド13が形成される。すなわち、導電層19が形成される。導電層19が形成されると、図6bに示すように、保護層25が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法によって保護層25となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはCVD法である。次に、導電層19のうちパッド13を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これによって、保護層25が形成される。保護層25が形成されると、図6cに示すように、枠部35となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂によって形成されたフィルムが貼り付けられることによってまたは保護層25と同様の薄膜形成法によって形成される。枠部35となる薄膜が形成されると、図6dに示すように、フォトリソグラフィー法等によって、薄膜の一部が除去され、振動空間10を構成する開口および端子7が配置される予定の孔部35hが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部35が形成される。枠部35が形成されると、図7aに示すように、蓋部37厳密には、第1突部31および第2突部33が埋設される凹部が形成される前の蓋部が形成される。具体的には、まず、蓋部37となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることによって形成される。そして、薄膜が形成されることによって、枠部35の開口が塞がれて、振動空間10が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等によって、孔部35h図6d上の部分が除去され、端子7が配置される予定の孔部5h孔部35h含むが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても一定の幅で除去される。このようにして、蓋部37が形成される。蓋部37が形成されると、図7bに示すように、マスク51が形成される。マスク51は、第1突部31および第2突部33が配置される予定の位置において、カバー5の上面が露出するように形成される。マスク51は、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによってパターニングされることによって形成される。マスク51が形成されると、図7cに示すように、カバー5の上面のうちマスク51から露出されている部分が、RIE等によって、蓋部37を貫通しない深さまで凹状にエッチングされる。これによって、第1突部31が配置される予定の第1凹部37aおよび第2突部33が配置される予定の第2凹部37bが形成される。第1凹部37aおよび第2凹部37bが形成されると、図8aに示すように、マスク51は除去され、下地層39が形成される。下地層39は、カバー5の上面の全体に亘って形成される。下地層39は、孔部5h、第1凹部37a、および第2凹部37bの内周面や底面にも形成される。下地層39は、例えば、スパッタリング法によって形成される。下地層39が形成されると、図8bに示すように、レジスト層53が形成される。レジスト層53は、ランド7cおよび補強層8が配置される予定の範囲において、下地層39が露出するように形成される。レジスト層53は、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによってパターニングされることによって形成される。レジスト層53が形成されると、図8cに示すように、電気めっき処理によって、下地層39の露出部分に金属を析出させ、第1凹部37aおよび第2凹部37bに第1金属が充填され、続いてカバー5の上面に第2金属が積層されることとなる。これによって第1金属および第2金属からなる金属部41が形成される。そして、下地層39のレジスト層53に被覆されていた部分およびレジスト層53が除去される。これによって、下地層39および金属部41からなる、補強層8、端子7、第1突部31および第2突部33が形成される。その後、特に図示しないが、フォトリソグラフィーなどによって、絶縁層43が形成される。以上の実施形態によれば、SAW装置1は、基板3と、基板3の第1主面3aに設けられたSAW素子11と、第1主面3aに被せられ、SAW素子11上に振動空間10を形成するカバー5とを有している。また、SAW装置1は、カバー5の上面に形成された導体層補強層8またはフランジ7bと、この導体層と一体的に形成され、導体層からカバー5内へ突出し、先端面および側面がカバー5に覆われた第1突部31または第2突部33とを有している。従って、導体層補強層8またはフランジ7bは、第1突部31または第2突部33が形成されたことによって、カバー5と接する面積が大きくなり、導体層の剥がれが抑制される。また、導体層金属とカバー5樹脂との間に、平均して、これらの熱膨張係数の中間の熱膨張係数を有する層が形成されることになり、熱膨張差が緩和され、導体層の剥がれが抑制される。ちなみに、導体層Cuの熱膨張係数は13ppm/K程度、カバー5樹脂の熱膨張係数は-35ppm/K程度である。熱膨張差による剥がれの抑制は、以下のように考えることもできる。製造工程においてSAW装置1が高温に晒されると、図4において矢印y11およびy12で示すように、カバー5は中央側へ縮小しようとし、補強層8は外周側へ膨張しようとする。従って、カバー5と補強層8との熱膨張差によって、カバー5は、補強層8に対して、矢印y11で示す方向にずらされることになる。一方、第1突部31は、カバー5の内部に突出していることから、矢印y13で示すように、カバー5を係止する力を発揮し得る。その結果、補強層8とカバー5との間において、ずれが生じることが抑制され、補強層8の剥がれが抑制される。第1突部31の突出高さは、振動空間10の天井からカバー5の上面までの厚さよりも小さい。従って、補強層8のように振動空間10に重なる導体層についても、振動空間10の密閉性に影響を及ぼすことなく、好適に剥がれを抑制することができる。上記の導体層の一例は、振動空間10に重なり、カバー5を構成する材料樹脂よりもヤング率が高い材料金属によって構成された補強層8である。第1突部31によって、補強層8と蓋部37との一体性が向上することによって、補強層8による蓋部37の補強の効果が増進される。第1突部31は、第1主面3aの平面視において、点在して複数設けられている。この場合、後述する第2の実施形態に比較して、第1突部31のカバー5に接する面積が第1突部31の体積に対して相対的に大きくなり、効果的に補強層8の剥がれを抑制することができる。複数の第1突部31は、第1主面3aの平面視において、それぞれ円形に形成されるとともに、補強層8の全体に亘って一様な密度で分布している。従って、補強層8の全体に亘って、且つ全方向において、比較的均等に、上述した接触面積の増大および熱膨張差の緩和の効果が得られ、好適に補強層8の剥がれが抑制されることが期待される。SAW装置1は、SAW素子11に接続された端子7をさらに有する。端子7は、第1主面3aに立てて設けられ、カバー5を貫通する柱状部7aと、柱状部7aの側面から突出して蓋部37の上面に積層されるフランジ7bと、を有する。上記の導体層の一例は、フランジ7bである。従って、フランジ7bにおいて第2突部33によって剥がれが抑制されることによって、カバー5とフランジ7bとの間から柱状部7aと孔部5hとの隙間へ水分などが浸入することが抑制される。その結果、パッド13などの腐食が抑制される。また、端子7は、他の回路基板に接続されるなど、カバー5から引き抜かれる力が加えられることがあるが、そのような引抜きに対する端子7の耐性も向上する。第2突部33は、第1主面3aの平面視において、柱状部7aを囲んでいる。従って、図4において矢印y1で示すように、第2突部33が設けられない場合に比較して、フランジ7bの縁部から孔部5hまでの沿面距離は長くなる。その結果、柱状部7aと孔部5hとの隙間への水分の浸入などがより効果的に抑制される。本実施形態のSAW装置1の製造方法は、以下の工程を有している。基板3の第1主面3aにSAW素子11を形成する工程図6a。SAW素子11を覆う感光性樹脂層を積層し、その感光性樹脂層を露光および現像して、現像された感光性樹脂層からなり、SAW素子11上に振動空間10を構成するカバー5を形成する工程図6c~図7a。カバー5の上面にマスク51を形成し、マスク51を介してカバー5の上面をエッチングして第1凹部37aまたは第2凹部37bを形成する工程図7bおよび図7c。第1凹部37aまたは第2凹部37bに金属を充填しつつカバー5の上面に金属を積層し、カバー5の上面に積層された導体層補強層8またはフランジ7bおよび導体層からカバー5内へ突出する第1突部31または第2突部33を形成する工程図8a~図8c。このような製造方法によれば、カバー5を露光および現像する工程とは別個のエッチング工程によって第1凹部37aまたは第2凹部37bを形成することによって、枠部35を貫通する振動空間10およびカバー5を貫通する孔部5hを簡便に形成しつつ、蓋部37を貫通しない第1凹部37aまたは第2凹部37bを簡便に形成できる。ひいては、蓋部37の厚さよりも突出量が小さい第1突部31または第2突部33を簡便に形成することができる。なお、以上の実施形態において、SAW装置1は本発明の弾性波装置の一例であり、SAW素子11は本発明の弾性波素子の一例である。<第2の実施形態>図9は、第2の実施形態のSAW装置101の図5に相当する断面図である。なお、第2の実施形態以降において、第1の実施形態と共通または類似する構成については、第1の実施形態と同様の符号を付して説明を省略する。第2の実施形態のSAW装置101は、第1突部131の構成のみが、第1の実施形態のSAW装置1と相違する。具体的には、第1突部131は、第1主面3aの平面視において線状突条に形成されている。より具体的には、第1突部131は、直線状に形成され、複数設けられている。また、複数の第1突部131は、第1主面3aの平面視において、補強層8蓋部37の中央側を多重に囲む形状に延びている。なお、複数の第1突部131は、その端部などにおいて、他の第1突部131に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。第1突部131の突出高さおよび幅は、第1の実施形態の第1突部31の突出高さおよび直径と同様でよい。第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、第1突部131によって、補強層8の剥がれ抑制の効果が得られる。さらに、第1突部131は、第1主面3aの平面視において線状に形成されていることから、梁のように機能して、補強層8の曲げ剛性の向上に寄与する。ひいては、補強層8による蓋部37の補強効果が増進される。第1の実施形態において、図4の矢印y11、y12、およびy13を参照して説明したように、カバー5には、カバー5を補強層8に対してずらそうとする力が加えられる。ここで、第1主面3aの平面視においては、カバー5を補強層8に対してずらそうとする力は、図9において矢印y11で示すように、カバー5補強層8の外周側から中央側へ働く。一方、線状の第1突部131は、第1主面3aの平面視において、蓋部37の中央側を多重に囲む形状に延びている。従って、第1の実施形態の第1突部31などの他の形状の突部に比較して、第1突部131は、カバー5を補強層8に対してずらそうとする力を遮断しやすい。その結果、第2の実施形態では、補強層8のカバー5からの剥がれが効果的に抑制される。<第3の実施形態>図10aは、第3の実施形態のSAW装置201の図5に相当する断面図である。図10bは、図10aの領域Xbの拡大図である。第3の実施形態のSAW装置201では、第1の実施形態の第1突部31および第2突部33が設けられていない。ただし、SAW装置201では、図10bに示すように、カバー205蓋部237の上面が粗面化されている。すなわち、カバー205の上面には微小な凹凸が形成されている。また、下地層39の下面は、カバー205の上面の凹凸に応じた形状となって、カバー205の上面に密着している。従って、SAW装置201においても、第1の実施形態と同様に、導体層補強層8またはフランジ7bとカバー205とが接する面積が大きくなることによって、導体層のカバー205からの剥がれが抑制される。粗面化されたカバー205の上面の算術平均粗さレーザー顕微鏡で測定したときの算術表面粗さは、例えば、0.5μm以上2μm以下である。この算術平均粗さの粗面化は、例えば、カバー205の厚みが10μm以上80μm以下の場合および/または導体層の厚さが10μm以上50μm以下の場合に有効である。また、SAW装置201の蓋部237の上面は、第1の実施形態の蓋部37の上面に比較して、酸素原子の含有率が高くなっている。SAW装置201においては、蓋部237の上面は、下面枠部35と密着する面および振動空間10の天井となる面よりも酸素原子の含有率が高くなっている。なお、酸素原子の含有率は、例えば、X線光電子分光分析によって、蓋部237の上面または下面から数nm~数十nmの範囲で測定される。また、別の観点では、蓋部237は、蓋部237の下面を含む下面側部237cと、蓋部237の上面を含み、下面側部237cよりも酸素の含有率が高い上面側部237dとを有している。ただし、下面側部237cおよび上面側部237dの境界は必ずしも明確でなくてもよい酸素原子の含有率が急激に変化する境界はなくてもよい。。そして、蓋部237の上面と導体層補強層8およびフランジ7bとの間において、酸素原子と下地層39の金属原子とが結合することによって、導体層の蓋部237の上面からの剥がれが抑制されている。なお、下地層39は、Ti等の酸化物を形成しやすい金属であることが好ましい。図11は、SAW装置201の製造方法の手順を示すフローチャートである。ただし、図11では、図6~図8を参照して説明した第1の実施形態のSAW装置1の製造方法との相違点を中心に示し、SAW装置1の製造方法と共通する部分については大部分を省略している。ステップS1の処理は、図6dの処理に対応しており、この処理まで、第1の実施形態と同様の処理が行われる。ステップS2では、プラズマアッシング処理が行われる。すなわち、基板3の第1主面3a側を酸素プラズマに晒す。これによって、フォトレジスト枠部35の除去された部分の残渣が除去される。すなわち、デスカム処理が行われる。ステップS3の処理は、図7aの処理に対応しており、蓋部237となる薄膜の形成およびその一部の除去が行われる。ステップS4では、第1の実施形態では説明を省略したが、カバー205のポストベークbakeが行われる。ベークの温度は、カバー205の樹脂が重合する温度である。これによって、残存する溶剤および水分が除去されたり、カバー205と基板3との密着性が向上したりする。なお、ベークの温度および時間は、カバー205の材料に応じて適宜に設定される。ステップS5では、ステップS2と同様に、プラズマアッシング処理が行われる。ただし、ステップS5では、ステップS4のベークの後にアッシングが行われている。その結果、ステップS5では、残渣の除去に加えて、カバー205の表面の粗面化も行われる。なお、仮に、ステップS5とS4との順番を逆にしたとすると、アッシング処理による粗面化の効果は得られない。また、カバー205の上面では、カバー205の樹脂が酸素プラズマに晒されることによって、樹脂と酸素とが結合し、酸素置換基が形成される。これによって、カバー205蓋部237の上面は、カバー205の酸素プラズマに晒されない面例えば蓋部237の枠部35との密着面および蓋部237の振動空間10の天井となる面に比較して、酸素原子の含有率が高くなる。ステップS6の処理は、図8aの処理に対応している。そして、この処理以降は、第2の実施形態と同様の処理が行われる。なお、第1突部31および第2突部33を形成するための処理図7bおよび図7cの処理は、第3の実施形態では行われない。このように、カバー205の上面を酸素プラズマに晒すことにより、カバー205の上面の粗面化、カバー205の上面における酸素原子の含有率の増加、およびカバー205におけるデスカムを同時に行うことができ、製造工程の短縮化が図られる。また、デスカムによってカバー205が清浄化された後に導体層補強層8等が形成されることから、導体層のカバー205からの剥がれが一層抑制される。アッシング処理の条件は適宜に設定されてよい。なお、一般には、酸素プラズマの圧力が大きいほど、酸素プラズマに印加されるパワー電力が大きいほど、またカバー205を酸素プラズマに晒す時間が長いほど、カバー205の表面は削られ、粗面化が進む。実施例第3の実施形態のSAW装置および当該SAW装置を模した試料を作製し、性能評価を行った。具体的には以下のとおりである。剥離強度評価第3の実施形態のSAW装置を模した試料を形成し、SAICASSurfaceAndInterfacialCuttingAnalysisSystem試験によって剥離強度を評価した。具体的には以下のとおりである。a剥離強度評価の試料の構成試料は、以下に列挙する層がその列挙順に下から積層された積層体とした。なお、内は、実施形態のSAW装置の対応する部材の符号を示している。また、各層は、パターニングがなされない下層の全面に形成された、いわゆるベタ膜とした。基板3:LiTaO3からなる4インチのウェハ導電層19:11、12、13:Al-Cu合金保護層25:SiO2樹脂層205:エポキシ樹脂下地層39:Ti層厚さ1500Åおよびその上のCu層厚さ10500Åb剥離強度評価の試料のアッシング条件圧力:11Paまたは73Paパワー電力:100W時間:30分なお、アッシング処理が行われない試料も用意した。また、アッシング処理が行われない試料、圧力11Paでアッシング処理が行われた試料、圧力73Paでアッシング処理が行われた試料のそれぞれについて、2つの試料を用意した。すなわち、合計6つの試料を用意した。c剥離強度評価の方法切刃によって下地層を削り取り、そのときの切刃に係る荷重を測定するSAICAS試験を採用した。具体的な条件は以下のとおりである。装置:ダイプラウィンテス社製SAICASNN-04型最大垂直可動距離:50μm最大水平可動距離:500μm剥離条件:刃幅0.3mm、垂直速度25nm/sec水平速度:250nm/sec定荷重モードd剥離強度評価の結果切刃に加えられた水平方向の荷重の平均値を切刃の幅で除算したものを剥離強度の評価指標とした。図12aは、その評価結果を示す図である。同図において、横軸はアッシングの圧力Pを示し、縦軸は、剥離強度Stを示している。圧力P=0の試料は、アッシング処理がなされていない試料に対応している。この図に示されるように、アッシング処理が行われることによって、剥離強度が向上することが確認された。具体的には、アッシング処理が行われた場合の剥離強度は、アッシング処理が行われない場合の剥離強度の2倍程度の値を示している。なお、今回の実施例の範囲においては、アッシング処理の圧力の差による剥離強度の有意な差は認められなかった。形状評価以下の条件でアッシングを行って第3の実施形態に係るSAW装置を作製した。圧力:163Paパワー電力:100W時間:30分このときのカバー205の上面の高低差の変化は以下のとおりであった。なお、高低差は、主としてカバー205の上面の緩やかな湾曲によって生じるものであり、粗面の粗さとは異なる。ベークステップS4後:4.96μmアッシングステップS5後:5.12μmこの結果から、アッシングを行っても高低差に大きな変化はないことが確認された。膜厚評価以下の条件でアッシングを行って第3の実施形態に係るSAW装置を作製した。圧力:73Paパワー電力:100W時間:30分このときのアッシングによるカバー205の厚さの低減量は、0.5~1μmであった。従って、厚みが10μm以上好ましくは55~60μmのカバー205を有するSAW装置の形成に支障は生じないことが確認された。電気特性評価図12bは、比較例の電気特性と、第3の実施形態のSAW装置の電気特性とを比較する図である。横軸は、周波数を示し、縦軸は、挿入損失を示している。比較例のSAW装置は、第3の実施形態の製造方法からアッシング処理を除いた製造方法によって作製されたものである。図12bにおいて、比較例の電気特性を示す実線と、実施例の電気特性を示す実線とは殆ど重なっており、あたかも1本の線のようになっている。同図からアッシング処理によって電気特性の変化は殆ど生じないことが確認された。本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。上述した複数の実施形態は適宜に組み合わされてもよい。例えば、第3の実施形態の粗面化が第1または第2の実施形態に適用され、導体層から突出する突部が設けられるとともに、カバー上面が粗面化された弾性波装置が実施されてもよい。弾性波装置は、SAW装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置ただし、広義のSAW装置に含まれるであってもよい。なお、弾性境界波装置は、圧電基板と、圧電基板の主面上に位置する弾性波素子と、弾性波素子上に位置する媒体層とを有し、圧電基板の主面と媒体層との境界を弾性境界波広義のSAWに含まれるが伝搬する。この弾性境界波装置において、カバーは媒体層を兼ねていてもよい。換言すれば、振動空間は設けられていなくてもよい。弾性波装置において、保護層25は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、配線12と絶縁体を介して立体交差する配線が設けられてもよいし、パッド13と端子7との間に介在し、パッド13と端子7との接着力を強化する接続強化層が設けられてもよいし、枠部と蓋部との間に導電層が設けられてもよい。カバーの上面に形成される導体層は、補強層または端子のフランジに限定されない。例えば、導体層は、インダクタ、キャパシタ、配線等の回路を構成するものであってもよい。補強層は、基準電位が付与される端子に接続されていてもよい。補強層は、振動空間よりも広いものに限定されない。例えば、補強層は、振動空間と同一形状でもよいし、振動空間に収まる広さであってもよい。また、補強層は、振動空間よりも広い場合において、振動空間の全周において枠部と重なっていなくてもよい。先端面がカバーに覆われる突部は、突出量が蓋部の厚さよりも小さいものに限定されない。例えば、振動空間よりも外周側に設けられた突部は、蓋部全体を貫通して、先端面が枠部の上面に覆われていてもよいし、蓋部全体および枠部の一部を貫通して、先端面が枠部に覆われていてもよい。補強層に点在する突部は、補強層が剥がれやすい位置において密度が高くなるように形成されてもよい。補強層に設けられるライン状の突部は、補強層の中央側を囲むものに限定されない。例えば、ライン状の突部は、網状に形成されてもよい。また、ライン状の突部が補強層の中央側を囲む場合、ライン状の突部は、直線に限定されず、曲線であってもよい。例えば、補強層の中央側を囲む同心円状に複数のライン状の突部が設けられてもよいし、補強層の中央側を囲む螺旋状に1本のライン状の突部が設けられてもよい。端子のフランジに設けられる突部33は、環状に設けられるものに限定されない。フランジに設けられる突部は、第1の実施形態における補強層の突部31のように、点在するものであってもよいし、放射状に延びるライン状であってもよい。本発明の第1の観点の弾性波装置、すなわち、突部の先端面がカバーに覆われる弾性波装置において、カバーを貫通する柱状部を有する端子は設けられていなくてもよい。また、本発明の第2の観点の弾性波装置、すなわち、端子の柱状部とは別個に突部が設けられた弾性波装置において、突部は、先端面がカバーに覆われていなくてもよい。すなわち、突部は、蓋部および枠部を貫通して、主面に到達していてもよい。なお、第1および第2の観点の弾性波装置は、カバー上に積層された導体層の剥がれを抑制するために、導体層からカバー内に突出する突部が設けられている点で共通の技術的特徴を有するものである。第1および第2の観点に分けて記載したのは、柱状部およびフランジを有する端子の柱状部が突部に含まれてしまうことを排除するための表現上の都合に過ぎない。ここで、端子の柱状部は、端子の本体部分であり、フランジは、ランドの面積を拡張するために柱状部に付加されたものであるから、端子の柱状部は、フランジの抜けを抑制するために設けられたものではなく、本願発明の突部とは本質的に相違する。第3の観点の弾性波装置において、酸素原子の含有率がカバーの上面と比較される部位は、カバーの上面を構成する樹脂層実施形態では蓋部237の下面であればよく、振動空間の天井を構成する面に限定されない。例えば、振動空間が形成されない弾性境界波装置において、一層の樹脂層のみによってカバーが形成される場合には、その樹脂層の上面と下面圧電基板の主面に密着する面とで酸素原子の含有率が比較されてよい。突部を有する弾性波装置の製造方法は、カバーの現像とは別個にカバーの上面のエッチングを行う方法に限定されない。例えば、突部が蓋部を貫通する態様においては、蓋部の現像において突部が収容される凹部が形成されてもよい。"