重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるの金属または合金からなるRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体を加熱しながら回転する拡散処理部と、前記拡散処理部に隣接し、前記拡散処理部から送出した前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体から前記RH拡散源を選択的に分離するために回転する分離部と、前記拡散処理部および前記分離部を傾ける傾斜機構と、を備える処理装置。前記分離部は、前記RH拡散源を分離部外側に排出する複数の開口部を有しており、前記開口部の大きさは、R-T-B系焼結磁石体よりも小さい請求項1に記載の処理装置。前記分離部は、回転させられながら、前記R-T-B系焼結磁石体を前記拡散処理部に送出し、前記拡散処理部は、前記分離部から移動してきた前記R-T-B系焼結磁石体に対する熱処理を行う請求項1または2に記載の処理装置。前記拡散処理部は、第1内壁部を収容する第1外壁部を有し、前記分離部は、第2内壁部を収容する第2外壁部を有し、少なくとも前記第1内壁部は、円筒形で、Mo、W、Nb、Taの少なくとも1種からなる金属または合金からなる請求項1から3のいずれかに記載の処理装置。前記第1内壁部と前記第1外壁部との間または前記第2内壁部と前記第2外壁部との間にはシート状の緩衝部材が配置されている、請求項4に記載の処理装置。前記拡散処理部の内壁部には、螺旋状の邪魔板が設けられており、前記拡散処理部の邪魔板は、第1方向に回転するとき、前記拡散処理部内の前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を前記分離部に送出し、かつ、前記第1方向とは反対の第2方向に回転するとき、前記拡散処理部内の前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を前記拡散処理部内に保持する、請求項1から4のいずれかに記載の処理装置。重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるの金属または合金からなるRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体を加熱しながら回転する拡散処理部と、前記拡散処理部に隣接し、前記拡散処理部から送出した前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体から前記RH拡散源を選択的に分離するため回転する分離部と、前記分離部に隣接し、前記拡散処理部で重希土類元素RHが拡散された前記R-T-B系焼結磁石体に対して、前記RH拡散源が取り除かれた状態で回転しながら熱処理を行う熱処理部と、少なくとも前記拡散処理部、前記分離部および前記熱処理部を傾ける傾斜機構と、を備える処理装置。前記分離部は、前記拡散処理部から送出された前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を、前記熱処理部に移動させながら、前記RH拡散源を分離部外側に排出する複数の開口部を有している、請求項7に記載の処理装置。前記拡散処理部は、前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を収容する円筒形状の第1内壁部を有し、回転させられながら、前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を前記分離部に送出し、前記分離部は、前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を収容し、開口部が設けられた円筒形状の第2内壁部を有し、回転させられながら、前記RH拡散源を前記開口部から外部に排出し、かつ、前記R-T-B系焼結磁石体を前記熱処理部に送出し、前記熱処理部は、前記R-T-B系焼結磁石体を収容する円筒形状の第3内壁部を有し、前記駆動部によって回転させられながら、前記R-T-B系焼結磁石体を排出口に送出する請求項7または8に記載の処理装置。前記拡散処理部および前記熱処理部の内壁部には、螺旋状の邪魔板が設けられており、前記拡散処理部の邪魔板は、前記熱処理部の邪魔板とは螺旋方向が反対向きとなるように保持されている、請求項7から9のいずれかに記載の処理装置。前記拡散処理部は、前記第1内壁部を収容する第1外壁部を有し、前記分離部は、前記第2内壁部を収容する第2外壁部を有し、前記熱処理部は、前記第3内壁部を収容する第3外壁部を有し、少なくとも前記第1内壁部および前記第3内壁部は、円筒形で、Mo、W、Nb、Taの少なくとも1種からなる金属または合金からなる請求項7から10のいずれかに記載の処理装置。前記内壁部と前記外壁部との間にはシート状の緩衝部材が配置されている、請求項7から11のいずれかに記載の処理装置。特許文献1の方法では、拡散処理装置内において、R-T-B系焼結磁石体と重希土類元素RHからなるRHバルク体とを離間して配置する必要がある。このため、配置のための工程に手間がかかり、量産性に劣るという問題がある。また、DyやTbの供給が昇華によってなされるため、R-T-B系焼結磁石体への拡散量を増加して、より高い保磁力を得るには長時間を要する。一方、特許文献2の開示によると、Yb、Eu、Smのように飽和蒸気圧の高い希土類金属であれば、焼結磁石体への被膜の形成と被膜からの拡散とを同一温度範囲例えば800~850°Cの熱処理によって実行することが可能である。しかし、DyやTbのように蒸気圧の低い希土類元素をR-T-B系焼結磁石体表面へ被膜堆積するためには、高周波加熱用コイルを用いた誘導加熱により希土類金属を選択的に高温に加熱することが必要になる。このようにDyやTbをR-T-B系焼結磁石体よりも高い温度に加熱する場合は、DyおよびTbをR-T-B系焼結磁石体と離間させることが必要になる。特に、特許文献2の技術思想及び方法によれば、R-T-B系焼結磁石体の表面にDyやTbの被膜が厚く例えば数十μm以上形成されるため、R-T-B系焼結磁石体の表面近傍において主相結晶粒の内部にDyやTbが拡散してしまうため、残留磁束密度Brの低下が発生することになる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、残留磁束密度を低下させることなくDyやTbの重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体の表面から内部に拡散させるための量産に適した処理装置を提供することにある。本発明の処理装置は、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるの金属または合金からなるRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体を加熱しながら回転する拡散処理部と、前記拡散処理部に隣接し、前記拡散処理部から送出した前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体から前記RH拡散源を選択的に分離するため回転する分離部と、前記拡散処理部および前記分離部を傾ける傾斜機構とを備える。好ましい実施形態において、前記分離部は、前記RH拡散源を外部に排出する複数の開口部を有しており、前記開口部の大きさは、R-T-B系焼結磁石体よりも小さい。好ましい実施形態において、前記分離部は、回転させられながら、前記R-T-B系焼結磁石体を前記拡散処理部に送出し、前記拡散処理部は、前記分離部から移動してきた前記R-T-B系焼結磁石体に対する熱処理を行う。好ましい実施形態において、前記拡散処理部は、第1内壁部を収容する第1外壁部を有し、前記分離部は、第2内壁部を収容する第2外壁部を有し、少なくとも前記第1内壁部は、円筒形で、Mo、W、Nb、Taの少なくとも1種からなる金属または合金からなる。さらに好ましい実施形態において、前記内壁部と前記外壁部との間にはシート状の緩衝部材が配置されている。好ましい実施形態において、前記拡散処理部の内壁部には、螺旋状の邪魔板が設けられており、前記拡散処理部の邪魔板は、第1方向に回転するとき、前記拡散処理部内の前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を前記分離部に送出し、かつ、前記第1方向とは反対の第2方向に回転するとき、前記拡散処理部内の前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を前記拡散処理部内に保持する。本発明の他の処理装置は、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるの金属または合金からなるRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体を加熱しながら回転する拡散処理部と、前記拡散処理部に隣接し、前記拡散処理部から送出した前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体から前記RH拡散源を選択的に分離するため回転する分離部と、前記分離部に隣接し、前記拡散処理部で重希土類元素RHが拡散された前記R-T-B系焼結磁石体に対して、前記RH拡散源が取り除かれた状態で回転しながら熱処理を行う熱処理部と、少なくとも前記拡散処理部、前記分離部および前記熱処理部を傾ける傾斜機構とを備える。好ましい実施形態において、前記分離部は、前記拡散処理部から受け取った前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を、前記熱処理部に移動させながら、前記RH拡散源を外部に排出する複数の開口部を有している。好ましい実施形態において、前記拡散処理部は、前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を収容する円筒形状の第1内壁部を有し、前記駆動部によって回転させられながら、前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を前記分離部に送出し、前記分離部は、前記RH拡散源および前記R-T-B系焼結磁石体を収容し、開口部が設けられた円筒形状の第2内壁部を有し、前記駆動部によって回転させられながら、前記RH拡散源を前記開口部から外部に排出し、かつ、前記R-T-B系焼結磁石体を前記熱処理部に送出し、前記熱処理部は、前記R-T-B系焼結磁石体を収容する円筒形状の第3内壁部を有し、前記駆動部によって回転させられながら、前記R-T-B系焼結磁石体を排出口に送出する。好ましい実施形態において、前記拡散処理部および前記熱処理部の内壁部には、螺旋状の邪魔板が設けられており、前記拡散処理部の邪魔板は、前記熱処理部の邪魔板とは螺旋方向が反対向きとなるように保持されている。好ましい実施形態において、前記拡散処理部は、前記第1内壁部を収容する第1外壁部を有し、前記分離部は、前記第2内壁部を収容する第2外壁部を有し、前記熱処理部は、前記第3内壁部を収容する第3外壁部を有し、少なくとも前記第1内壁部および前記第3内壁部は、円筒形で、Mo、W、Nb、Taの少なくとも1種からなる金属または合金からなる。さらに好ましい実施形態において、前記内壁部と前記外壁部との間にはシート状の緩衝部材が配置されている。本発明によれば、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるの金属または合金からなるRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体を加熱しながら回転する拡散処理部と、RH拡散源を選択的に分離する分離部を備えているため、残留磁束密度を低下させることなく保磁力の向上した焼結磁石をRH拡散処理工程から熱処理工程まで効率よくスムーズに作製することができる。本発明の処理装置は、RH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体を加熱し、かつ攪拌するため回転することができる拡散処理部を備えている。ここで、RH拡散源は、重希土類元素RHDyおよびTbの少なくとも一方からなるの金属または合金からなる。RH拡散源の好ましい形態などについては、後述する。拡散処理部内では、最初に複数のRH拡散源と複数のR-T-B系焼結磁石体とが混在する状態で加熱が行われ、RH拡散源からR-T-B系焼結磁石体に重希土類元素RHが供給される。拡散処理部内に装入されたRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体は、保持部材などによって固定されておらず、相対的に移動可能である。また、これらのRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体は、拡散処理部の回転により、拡散処理部内で移動し、相互に近接または接触することができる。RH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体は、拡散処理部の回転により、近接、離間しながら、加熱手段により、好ましくは500°C以上1000°C以下の温度範囲に保持される。拡散処理部が回転することにより、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とは、拡散処理部内で連続的にまたは断続的に移動するため、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源との接触部の位置は変化し、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とは、近接離間を繰り返す。こうした運動を加熱状態で継続するとき、重希土類元素RHがRH拡散源からR-T-B系焼結磁石体に供給されるとともに、R-T-B系焼結磁石体の内部に拡散するRH拡散処理工程。本発明の処理装置は、RH拡散処理工程が終了した後、拡散処理部から移動してきたRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体のうちのRH拡散源を選択的にR-T-B系焼結磁石体から分離する分離部を備えている。上述の拡散処理部は、RH拡散源が分離された後、R-T-B系焼結磁石体のみの熱処理に用いることも可能である。本発明の処理装置は、拡散処理部で重希土類元素RHの供給を受け、重希土類元素RHを拡散したR-T-B系焼結磁石体に対して追加的な熱処理を行うための熱処理部を備えていてもよい。熱処理部で行う追加的な熱処理とは、RH拡散源が取り除かれた状態で実行される熱処理である。この熱処理は、拡散処理部でRH拡散源からR-T-B系焼結磁石体に供給された重希土類元素RHを、R-T-B系焼結磁石体の内部に更に奥深く拡散させる。好ましい実施形態において、分離部は、拡散処理部から送出されたRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体を熱処理部に移動させながら、RH拡散源を選択的に外部に排出する開口部を有している。この分離部におけるRH拡散源の排出により、次の熱処理工程にスムーズに移行することが可能になる。本発明の拡散処理部、分離部、熱処理部は、好ましい形態において、傾斜した状態で回転しながらR-T-B系焼結磁石体、RH拡散源等の処理対象物を加熱することができる。本発明では、R-T-B系焼結磁石体、RH拡散源等の処理対象物を、大気に暴露することなく、順次、拡散処理部から分離部へ、分離部から熱処理部へと移動させることができる。実施形態以下、図面を参照しながら、本発明の処理装置の好ましい実施形態を説明する。本発明は、この実施形態に限定されるものではない。図1は、本実施形態における処理装置の構成を示す概略図である。図示されている処理装置は、RH拡散処理と必要に応じて熱処理とを行うための拡散処理部10と、拡散処理部10から移動してきたRH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1からRH拡散源2を選択的に分離し、必要に応じてRH拡散処理後のR-T-B系焼結磁石体1のみを拡散処理部10に送出する分離部20とを備えている。本実施形態では、分離部20が拡散処理部10と連結している。拡散処理部10と分離部20は印籠継ぎ手で接続されている。R-T-B系焼結磁石体1は、RH拡散処理工程、RH拡散源の分離工程、および熱処理工程が順次行われる間、大気に暴露されることがない。また、RH拡散処理工程と熱処理工程との間に行われるRH拡散源の分離工程において、RH拡散源は人手を介することなく分離されるため、処理温度を下げることなく、RH拡散源2の分離工程を行うことが可能になる。その結果、RH拡散処理工程から熱処理工程までの生産性が向上する。ここで、図1では拡散処理部10と分離部20が直接連結されているが、路管を介して接続してもよい。拡散処理部10には投入口15が設けられている。投入口15からは、RH拡散処理前のR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが拡散処理部10の内部に投入される。RH拡散処理工程、分離工程、熱処理工程が終了したR-T-B系焼結磁石体1は投入口15から処理装置外に取り出される。分離部20と連結された拡散処理部10は、図1では路管から構成され、回転可能に支持されている。拡散処理部10および分離部20の少なくとも一方には、拡散処理部10および分離部20を傾斜させる傾斜機構50が設けられている。傾斜機構50の働きにより、拡散処理部10および分離部20は、水平または傾斜状態をとることができる。本実施形態における拡散処理部10および分離部20は、それらの全体が一体で傾斜することができる。拡散処理部10および分離部20は、不図示のモータによって回転することができる。拡散処理部10および分離部20は、水平状態および傾斜状態のいずれの場合においても回転することが可能であり、回転の方向および速度は、任意に設定され得る。次に、図2を参照する。図2は、図1の処理装置の断面構成を模式的に示す図である。図2に示すように、拡散処理部10は、内部にRH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を収容する空間を有し、分離部20を下方に傾斜した状態で回転することにより、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を分離部20に送出することができる。また、逆方向に傾けることで分離部20から拡散処理部10へR-T-B系焼結磁石体1を送出することも可能である。分離部20も、傾斜した状態で回転することにより、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1の中からRH拡散源2のみを効率的に外部に排出することができる。拡散処理部10の材料は、500~1000°C程度の温度に耐える耐熱性を有し、少なくとも内壁部は、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2と反応しにくい材料から形成されることが好ましい。拡散処理部10の内壁部は、例えば、Nb、Mo、W、Taの金属またはそれらの少なくとも1種を含む合金から形成され得る。また、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Cr-Co系合金を用いてもよい。このことは、後述する分離部20でも同様である。図6aは、拡散処理部10の軸方向に垂直な断面構成の一例を示している。この例における拡散処理部10は、上記の金属または合金からなる円筒状の内壁部14と、この内壁部14を収容する外壁部12とを備えている。外壁部12は、例えばステンレスから形成される。ここで、拡散処理部10の内壁部14は、少なくとも分離部20の内壁部14と接する部位において、分離部20の内壁部14と同じ径になるように設定し、接続しているので、拡散処理部10と分離部20との間でのR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の移動がスムーズにできる。さらに、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を分離部20へ搬送するために内壁部14内部に図3aおよびbに示すような邪魔板70、80を設置する。邪魔板は通常内壁部に接続し、拡散処理部の回転に追随するようにするが、内壁部に接続せず独自に回転するようにしてもよい。本実施形態では、RH拡散処理動作の開始前後で900°C近い温度変化が生じ得るため、外壁部12と内壁部14とを、それぞれ、異なる熱膨張係数を有する材料から形成する場合は、外壁部12と内壁部14を密着して固定すると、熱膨張または熱収縮によって外壁部12と内壁部14とが剥がれてしまったり、内壁部14が裂けたりする恐れがある。外壁部12と内壁部14とを、それぞれ、異なる熱膨張係数を有する材料から形成する場合は、外壁部12と内壁部14とが衝突しないように、外壁部12と内壁部14とに隙間を設け、ボルトにて固定することがさらに好ましい。さらに外壁部12と内壁部14との間には、シート状の緩衝部材が配置されていることが好ましい。この緩衝部材は、耐熱性を有する例えばカーボン、セラミックス材料または耐熱性を有する金属材料から好適に形成され、例えば耐熱フエルトなどの不織布から形成されていても良い。図6bは、内壁部14の他の構成例を示す図である。図6bに示す内壁部14は、金属プレートを円筒状に丸め、その一端14aと他端14bとが常温時に重なりあうように設計されている。内壁部14を構成する金属プレートの一端14aと他端14bとは固定されておらず、熱膨張および熱収縮に応じて重なりの程度が変化し得る。このため、900°C程度の温度変化が生じて、内壁部14の外径が大きく変化しても、外壁部12に衝突することが効果的に防止される。外壁部12と内壁部14との間には、さらに前述の緩衝部材を配置してもよい。拡散処理部10の外壁部12および内壁部14の軸方向に垂直な断面形状は、必ずしも円に限定されず、楕円または多角形、あるいはその他の形状であってもよい。また、拡散処理部10の回転によるR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2との攪拌を促進するため、拡散処理部10の内壁部14に突起を設けてもよい。再び図2を参照する。本実施形態では、拡散処理部10の内部に螺旋状の第1邪魔板70が設けられている。第1邪魔板70は、例えば図3aに示すような構成を有している。第1邪魔板70は、拡散処理部10が第1方向図1の左側から処理装置を見たとき時計回り方向に回転するとき、内部のRH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を分離部20に送出することができるが、第1方向とは反対の第2方向に回転するときは、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を内部に保持することができる。第1邪魔板の直径は内壁部14の内径より小さくしてもよい。その場合内壁部14と第1邪魔板70との間にできるクリアランスは、投入するRH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1が漏れ落ちないように設定する。また、図2の例では、第1邪魔板70は拡散処理部10に設けられているが、第1邪魔板70は、分離部20側に配置されていても良いし、拡散処理部10と分離部20の両方にまたがって配置されていても良い。以下、図4a~d、図5を参照しながら、本実施形態における処理装置の動作を詳しく説明する。以下、本発明の好ましい実施形態で使用するR-T-B系焼結磁石体1、RH拡散源2の例を説明する。まず、本発明では、重希土類元素RHの拡散の対象とするR-T-B系焼結磁石体を準備する。本発明で準備するR-T-B系焼結磁石体は公知の組成からなる。このR-T-B系焼結磁石体は、例えば以下の組成からなる。希土類元素R:12~17原子、BBの一部はCで置換されていてもよい:5~8原子、添加元素MAl、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb、およびBiからなる群から選択された少なくとも1種:0~2原子、TFeを主とする遷移金属であって、Coを含んでもよいおよび不可避不純物:残部ここで、希土類元素Rは、主として軽希土類元素RLから選択される少なくとも1種の元素であるが、重希土類元素RHを含有していてもよい。なお、重希土類元素RHは、DyおよびTbの少なくとも一方を含むことが好ましい。ただし、R-T-B系焼結磁石体の段階で多量の重希土類元素RHを添加したのでは、本発明の効果を充分に奏することはできないため、R-T-B系焼結磁石体に対して相対的に少ない量の重希土類元素RHが添加され得る。上記組成のR-T-B系焼結磁石体は、公知の製造方法によって製造される。[RH拡散処理]まず、図5のステップS10に示すように、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を図4aに示す拡散処理部10の内部にR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に装入する。このとき、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とはあらかじめ混合されて不図示の供給機により充填されている。拡散処理部10および分離部20は図4aに示すように内壁部を水平にしてもよいし、傾斜していてもよい。RH拡散源2は、DyおよびTbの少なくとも1種からなる重希土類元素RHまたはそれらを含有する合金である。RH拡散源2が合金からなる場合、重希土類元素RHを30質量以上含有する合金であるのが好ましい。RH拡散源2の大きさは、R-T-B系焼結磁石体1よりも小さい。さらに、図では示していないが、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2との接触を促進させることを目的に攪拌補助部材を用いても良い。攪拌補助部材はRH拡散源がR-T-B系焼結磁石体とより多く接触させる役割をする。また、R-T-B系焼結磁石体同士の直接接触による欠けを防止する効果もある。攪拌補助部材はジルコニア、窒化硼素、窒化ケイ素、炭化ケイ素またはこれらの混合物からなるセラミックス材料が好ましい。また、Mo、W、Nb、Ta、Hf、Zrを含む族の元素、または、これらの混合物からなる金属材料も好ましい。これらの材料は、RH拡散源と反応しにくい材料であるので、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2との分離を防止する効果が特に高い。また、攪拌補助部材はR-T-B系焼結磁石体より小さく、RH拡散源より大きいことが好ましい。次に、図5のステップS20に示すRH拡散処理を開始する。このRH拡散処理は、図4aに示す状態で拡散処理部10を回転しながらR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の両方を加熱して行う。このとき、拡散処理部10は、水平な状態で回転することが好ましい。仮に分離部を下方にしている場合の回転は、第1邪魔板により分離部20への移動を阻止する方向で行う。RH拡散源2の形状は、拡散処理部10の回転によってR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2との間の接触点が速やかに移動する形状であることが好ましい。具体的には、RH拡散源2の表面には曲面が形成されていることが好ましい。RH拡散源2の好ましい形状の例は、例えば、球状、楕円球状、円柱状である。拡散処理部10の内部は、ポンプなどの排気装置に連結されていてもよい。排気装置の働きにより、拡散処理部10の内部は、大気から遮蔽された状態密閉状態で減圧または加圧され得る。拡散処理部10の内部には、不図示のガスボンベからArなどの不活性ガスが導入され得る。拡散処理部10は、不図示のヒータによって加熱される。ヒータにより、内部に収納されたR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2が加熱される。拡散処理部10は、中心軸の回りに回転可能に支持されているが、ヒータによる加熱中もモータによって回転することができる。拡散処理部10の内壁部における周速度は、例えば毎秒0.01m以上に設定される。回転によりR-T-B系焼結磁石体同士が激しく接触して欠けないよう、毎秒0.5m以下に設定するのが好ましい。RH拡散処理時における拡散処理部10の内部は不活性雰囲気中であることが好ましい。本明細書における不活性雰囲気とは、真空、または不活性ガスを含むものとする。また、不活性ガスは、例えばアルゴンArなどの希ガスであるが、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2との間で処理温度の範囲内で化学的に反応しないガスであれば、不活性ガスに含まれ得る。拡散処理部10の内部における雰囲気ガス圧力が大気圧に近いと、例えば特許文献1に示された技術ではRH拡散源2から重希土類元素RHがR-T-B系焼結磁石体1の表面に供給されにくくなる。しかし、本発明の好ましい実施形態において、RH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1とが近接または接触しているため、重希土類元素RHの供給量を大きくできる。このため、拡散処理部10の雰囲気ガス圧力は大気圧以下であれば充分である。また、真空度と重希土類元素RHの供給量との相関は比較的小さく、真空度を更に高めても、重希土類元素RHの供給量は大きくは影響されない。本願では重希土類元素RHの供給量は、R-T-B系焼結磁石体の温度を管理することにより調整できる。本実施形態では、まず、拡散処理部10に投入した複数のR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を、500°C以上1000°C以下の温度に加熱し、所定時間、その温度範囲に保持する。このとき、本実施形態では、拡散処理部10を回転させる。500°C以上1000°C以下という温度範囲は、R-T-B系焼結磁石体1内部において、希土類元素の拡散が進行し得る温度であり、RH拡散源2をR-T-B系焼結磁石体1に接触させながら加熱処理を行ったときに、重希土類元素RHはR-T-B系焼結磁石体1の内部に拡散し、その保磁力を増加させる。このような温度範囲で拡散が生じる理由は、RH拡散源とR-T-B系焼結磁石体とが近接または接触し、両者の距離が充分に小さくなるためであると考えられる。RH拡散処理の温度、保持時間は、RH拡散処理工程をする際のR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2の投入量の比率、R-T-B系焼結磁石体1の形状、RH拡散源2の組成、形状、RH拡散処理によってR-T-B系焼結磁石体1に供給される重希土類元素RHの量拡散量、攪拌補助部材の投入の有無等を考慮して決められる。本実施形態では、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能な状態で拡散処理部を回転させるため、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが連続または断続的に移動する。これにより、目的とするRH拡散を実現することができる。すなわち、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とは、一定箇所に固定して長時間接触または近接した状態とならず、連続的にまたは断続的にRH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1との接触部が移動または離間する。しかも、この間、RH拡散源2からR-T-B系焼結磁石体1に重希土類元素RHを供給することができる。こうして、重希土類元素RHを含有するRH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1とを連続または断続的に移動させながら加熱することにより、RH拡散源2から重希土類元素RHをR-T-B系焼結磁石体1の表面に供給しつつ、R-T-B系焼結磁石体1の内部に拡散させることができる。なお、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを相対的に移動可能かつ近接または接触可能に装入するとは、前記の通り、装入工程後のRH拡散処理工程においてR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが拡散処理部内で連続または断続的に移動することで、RH拡散源2とR-T-B系焼結磁石体1とが一定箇所に固定して長時間例えば、1000°Cで2分以上接触または近接した状態に拘束されないようにすることを意味する。従って、本発明では、特許文献1に記載するようにR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2を所定位置に配置する必要はない。[分離]次に、図5のステップS30を実行する。具体的には、図4bに示すように、分離部20を下方に傾斜させた状態で拡散処理部10を回転させることにより、拡散処理部10内のR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を分離部20に移動させる。このとき、第1邪魔板70は、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を分離部20へ搬送するため、図3aに示すように拡散処理部10の内壁部に溶接等により接続し、拡散処理部10の回転に追随するようにする。また、邪魔板が内壁部と接続していなくとも、邪魔板は投入口等から延ばしたシャフトに接続し独自に回転するようにしてもよい。拡散処理部10の回転に伴ってR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を分離部20に移動させるよう拡散処理部10の回転方向を選択する。分離部20は、RH拡散源2を選択的に排出することのできる構成を有している。好ましい実施形態において、分離部20の内壁部に開口部が設けられおり、その開口部はRH拡散源2よりも大きくかつR-T-B系焼結磁石体1よりも小さく形成されている。分離部の内壁は、例として耐熱性を有する材料からなる網、または、複数の開口部が設けられた金属のプレートが挙げられる。分離部20を傾斜回転させることにより、RH拡散源2は、図4cに示すように、分離部20の内壁に設けた開口部から分離部外側に落下する図5のステップS40。分離部20はRH拡散源2が落下した後も回転する。分離部20の内壁部はR-T-B系焼結磁石体1のみが残るように開口部の大きさを設定しているので、分離部20の回転によりRH拡散源2は分離部20の内壁部から分離部20の外側に排出される。落下されたRH拡散源2は不図示のバルブを通じてコンテナに回収される。ここで、RH拡散源2が分離部20に残ってしまった場合は、さらに分離部20を水平に戻し、分離部の底部を振動させて分離部20に残るRH拡散源2を分離部20の内壁から分離部20の外側へ落下させてもよい。また、別の実施形態として、図1、図2に記載の分離部20に代えて拡散処理部10の端面にネットを分離部として設置し、RH拡散源のみ分離部に収容するようにしてもよい。このときネットの目開きの大きさはR-T-B系焼結磁石体1が残る大きさにし、拡散処理部10を分離部と接している側に傾斜させたときネットの開口部からRH拡散源2が分離部に移動し、R-T-B系焼結磁石体1は拡散処理部10に残る。[熱処理]RH拡散処理工程および分離工程後に、拡散された重希土類元素RHをより均一に拡散する目的で、R-T-B系焼結磁石体1に対する熱処理を追加的に行う。このため、まず、R-T-B系焼結磁石体1を分離部20から再び拡散処理部10に戻す。具体的には、図4dに示すように、分離部20および拡散処理部10を下方に傾斜させた状態で、第1邪魔板70は、拡散処理部10の回転に伴ってR-T-B系焼結磁石体1を分離部20から拡散処理部10に移動させるよう拡散処理部10の回転方向を選択する。こうして、図4dに示すようにR-T-B系焼結磁石体1を拡散処理部10に移動させる図5のステップS50。なお、前述した分離部の別の実施形態で拡散処理部10の端面にネットを設置した場合は、分離部20にR-T-B系焼結磁石体1が移動していないので、R-T-B系焼結磁石体1を分離部20から再び拡散処理部10に戻す動作は不要となる。R-T-B系焼結磁石体1を拡散処理部10に戻した後、拡散処理部を回転させながら熱処理を行う。熱処理は、例えば500°Cから1000°Cの温度で実行される図5のステップS60。この熱処理では、R-T-B系焼結磁石体1の表面に対して重希土類元素RHの更なる供給は生じないが、R-T-B系焼結磁石体1の内部において重希土類元素RHの拡散が生じる。このため、R-T-B系焼結磁石体1の表面側から奥深くに重希土類元素RHが拡散し、磁石全体として保磁力を高めることが可能になる。熱処理の時間は、例えば10分から72時間である。好ましくは1時間から6時間である。その後、前述の熱処理が完了したR-T-B系焼結磁石体1は炉内を常温まで下げる徐冷を行った後、投入口15から排出される。R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とを長時間近接した状態で熱処理を進行させると、重希土類元素RHが過大に供給され、R-T-B系焼結磁石体1の表面にRH被膜を生成してしまうという問題が生じてしまう場合がある。本実施形態では、RH拡散源2を取り除いた状態で熱処理を行うため、このような問題を回避することができる。本実施形態では、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とを近接、離間を繰り返してR-T-B系焼結磁石体1の表面から重希土類元素RHを供給するRH拡散処理後、RH拡散源2を選択的に分離する分離部を備えているため、RH拡散処理工程から熱処理工程までを効率よくスムーズに実行することができ、残留磁束密度を低下させることなく保磁力の向上したR-T-B系焼結磁石の生産性が大きく向上する。重希土類元素RHを主相結晶粒の外側から拡散させることにより、主相外殻部に重希土類置換層を形成することで、R-T-B系焼結磁石の主相結晶粒の外殻部における結晶磁気異方性が高められると、主相全体の保磁力HcJが効果的に向上する。本発明では、R-T-B系焼結磁石体1の表面に近い領域だけでなく、R-T-B系焼結磁石体1の表面から奥深い領域においても重希土類置換層を主相外殻部に形成することができるため、保磁力HcJを向上させることが可能になる一方、重希土類置換層は十分に薄く、主相内部には重希土類元素RHがほとんど拡散されないため、残留磁束密度Brをほとんど低下させない。また、以上説明してきたように、本実施形態によれば、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とをRH拡散処理装置内の所定位置に並べる載置の時間が不要となる。図7は、本実施形態における処理装置の別の構成を示す概略図である。図7の処理装置は、RH拡散処理を行うための拡散処理部10と、拡散処理部10から移動してきたRH拡散源およびR-T-B系焼結磁石体からRH拡散源を選択的に分離する分離部20と、RH拡散源が取り除かれた状態でR-T-B系焼結磁石体の熱処理を行う熱処理部30とを備えている。分離部20は、RH拡散処理後のR-T-B系焼結磁石体のみを熱処理部30に送出する機能をも有している。この例では、拡散処理部10、分離部20、および熱処理部30の全体が一体的に傾斜することが可能である。図7に示す処理装置では、分離部20が拡散処理部10と熱処理部30との間に位置し、拡散処理部10と熱処理部30とを連結している。このため、R-T-B系焼結磁石体は、RH拡散処理工程、RH拡散源の分離工程、熱処理工程の一連の工程が完了するまで大気に暴露されることがない。また、RH拡散処理工程と熱処理工程との間に行われるRH拡散源の分離工程において、RH拡散源は人手を介することなく分離されるため、温度を下げることなく、RH拡散源の分離工程を行うことが可能になる。その結果、RH拡散処理工程から熱処理工程までの生産性が向上する。拡散処理部10には投入口15が設けられている。投入口15からは、RH拡散処理前のR-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とが拡散処理部10の内部に投入される。一方、熱処理部30には排出口35が設けられており、排出口35から、RH拡散処理および熱処理が終了したR-T-B系焼結磁石体が処理装置外に取り出される。分離部20によって連結された拡散処理部10および熱処理部30は、それぞれ、路管から構成され、中心軸不図示の周りに回転可能に支持されている。より詳細には、拡散処理部10、分離部20、および熱処理部30を傾斜させる傾斜機構50が設けられており、傾斜機構50の働きにより、拡散処理部10、分離部20、および熱処理部30は、水平または傾斜状態をとることができる。拡散処理部10、分離部20、および熱処理部30は、不図示のモータによって中心軸の回りを回転することができる。拡散処理部10、分離部20、および熱処理部30は、水平状態および傾斜状態のいずれの場合においても回転することが可能であり、回転の方向および速度は、任意に設定され得る。傾斜機構50について説明をしたが、あらかじめ拡散処理部10、分離部20、および熱処理部30の全体が所定角度に傾いていても、同様の効果を得ることができる。次に、図8を参照する。図8は、図7の処理装置の断面構成を模式的に示す図である。図8に示すように、拡散処理部10は、内部にRH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を収容する空間を有し、傾斜した状態で回転することにより、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を分離部20に送出することができる。熱処理部30は、R-T-B系焼結磁石体1を収容する空間を有し、これも傾斜した状態で回転することにより、R-T-B系焼結磁石体1を排出口35に送出することができる。分離部20も、傾斜した状態で回転することにより、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1の中からRH拡散源2のみを効率的に外部に排出することができる。拡散処理部10の材料は、500~1000°C程度の温度に耐える耐熱性を有し、少なくとも内壁部は、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2と反応しにくい材料から形成されることが好ましい。拡散処理部10の内壁部は、例えば、Nb、Mo、W、Taの金属またはそれらの少なくとも1種を含む合金から形成され得る。また、拡散処理部10の内壁部は、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Cr-Co系合金を用いてもよい。このことは、分離部20、熱処理部30でも同様である。図8でも、拡散処理部10の内部に螺旋状の第1邪魔板70が設けられている。第1邪魔板70は、拡散処理部10が第1方向に回転するとき、内部のRH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を分離部20に送出することができるが、第1方向とは反対の第2方向に回転するときは、RH拡散源2およびR-T-B系焼結磁石体1を拡散処理部10の内部に保持することができる。同様に、熱処理部30の内部には、図3bに示す螺旋状の第2邪魔板80が設けられている。第2邪魔板80は、第1邪魔板70に対してらせんねじれ方向が反対向きになるよう配置される。その結果、第2邪魔板80は、熱処理部30が第1方向に回転するとき、分離部20内のR-T-B系焼結磁石体1を分離部20内に保持するが、第2方向に回転するときは、分離部20内のR-T-B系焼結磁石体1を熱処理部30の内部に送出することができる。第1邪魔板70、第2邪魔板80は通常内壁部に固定されている。内壁部14と第1邪魔板70、第2邪魔板80との間の間隔は、投入するRH拡散源、R-T-B系焼結磁石体が漏れ落ちないように設定する。次に、図9a~d、図10を参照しながら、図7、8に示した別の処理装置の動作を詳しく説明する。[RH拡散処理]まず、図10のステップS110に示すように、R-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を図9aに示す拡散処理部10の内部に装入する。このとき、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とはあらかじめ混合し不図示の供給機に充填している。ここで、RH拡散源2の大きさは、R-T-B系焼結磁石体1よりも小さくなるよう調整する。不図示の供給機を振動または投入口を傾斜させて拡散処理部10に装入する。ここで拡散処理部10を回転させておくとR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とを拡散処理部10にスムーズに装入することができる。また、図9aのように拡散処理部10、分離部20、および熱処理部30が水平状態のまま、拡散処理部10にR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を装入するためスクリューコンベアを用いて装入してもよい。次に、図10のステップS120に示すRH拡散処理を開始する。このRH拡散処理は、図9aに示す状態で拡散処理部10を回転させることで、装入されたR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2の両方を攪拌しつつ加熱しRH拡散処理を行う。このとき、拡散処理部10は、水平な状態で回転することが好ましい。RH拡散処理での他の実施条件は図4aを参照して説明した条件と同じである。[分離]次に、図10のステップS130を実行する。具体的には、図9bに示すように、拡散処理部10を傾斜させた状態で回転させ、それによってR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を分離部20に移動させる。このとき、拡散処理部10の回転方向をRH拡散処理時とは逆方向に回転させることにより、第1邪魔板70は、拡散処理部10の回転に伴ってR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を分離部20に移動させることができる。分離部20の内壁部には開口部が設けられており、図9cに示すように、RH拡散源2が分離部20の内壁部に設けた開口部から分離部外側に落下し図10のステップS140、分離部の外側にRH拡散源2を選択的に排出できるようになっている。ここで開口部の目の大きさはRH拡散源2の大きさより大きく、R-T-B系焼結磁石体1の大きさよりも小さくなるように設定されている。この設定により、拡散処理部10を傾斜させた状態で回転させ、それによってR-T-B系焼結磁石体1およびRH拡散源2を分離部20に移動させ、分離部20にてR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが分離され、RH拡散源2のみが分離部の外側に排出される。好ましい実施形態において、内壁部は、網状、または、金属のプレートに複数の開口部が設けられた構成がよい。ここで、攪拌補助部材を用いる場合、攪拌補助部材が分離部からRH拡散源とともにR-T-B系焼結磁石体と分離部の外側に排出されるか、それともRH拡散源とともに分離部の外側に排出されずにいるかは、R-T-B系焼結磁石体の形状、重量等に応じて任意に決定する。さらに、R-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とが分離部20に移動した後、分離部20を水平に戻し、分離部20を振動させてRH拡散源2をふるい落とす機構をさらに備えていてもよい。[熱処理]RH拡散処理工程後に、拡散された重希土類元素RHをより均一に拡散する目的で、R-T-B系焼結磁石体1に対する熱処理を行う。このため、まず、R-T-B系焼結磁石体1を分離部20から熱処理部30に移動させる。具体的には、図9dに示すように、分離部20および熱処理部30を傾斜させた状態で、熱処理部30を適切な方向に回転させる。このとき、第2邪魔板80は、熱処理部30の回転に伴ってR-T-B系焼結磁石体1を熱処理部30に移動させるように設置する図10のステップS150。こうして、図9dに示すようにR-T-B系焼結磁石体1を熱処理部30に移動させる。熱処理は、例えば500°Cから1000°Cの温度で実行される図10のステップS160。この熱処理では、R-T-B系焼結磁石体1の表面に対して重希土類元素RHの更なる供給は生じないが、R-T-B系焼結磁石体1の内部において重希土類元素RHの拡散が生じる。このため、R-T-B系焼結磁石体1の表面側から奥深くに重希土類元素RHが拡散し、磁石全体として保磁力を高めることが可能になる。熱処理の時間は、10分から72時間である。好ましくは1時間から6時間である。熱処理が完了したR-T-B系焼結磁石体1は炉内を常温まで下げる徐冷を行った後、排出口35から排出される。本実施形態では、RH拡散源2を取り除いた状態で熱処理を行うため、R-T-B系焼結磁石体1の表面にRH被膜を生成してしまう問題を回避することができる。本実施形態でも、R-T-B系焼結磁石体とRH拡散源とを近接、離間を繰り返してR-T-B系焼結磁石体表面から重希土類元素RHを供給するRH拡散処理後、RH拡散源を選択的に分離する分離部を備えているため、RH拡散処理工程から熱処理工程までを効率よくスムーズに実行することができ、残留磁束密度を低下させることなく保磁力の向上したR-T-B系焼結磁石の生産性が大きく向上する。また、図9の例では、第1邪魔板70は拡散処理部10に設けられているが、第1邪魔板70は、分離部20側に配置されていても良いし、拡散処理部10と分離部20の両方にまたがって配置されていても良い。同様に、第2邪魔板80も、分離部20側に配置されていても良いし、分離部20と熱処理部30の両方にまたがって配置されていても良い。第1邪魔板70および第2邪魔板80が相互にねじれ方向が逆となるように配置されているため、図9bの状態から図9cの状態に変化するとき、R-T-B系焼結磁石体1が熱処理部30に移動することを阻止できる。もしも、第2邪魔板80が第1邪魔板70を平行に移動させた配置をとっているならば、R-T-B系焼結磁石体1は、分離部を通り抜けて熱処理部30にまで到達してしまう。以上、説明してきたように、本実施形態によってもR-T-B系焼結磁石体1とRH拡散源2とをRH拡散処理装置内の所定位置に並べる載置の時間が不要となる。