"シリコンから構成された第1太陽電池セルと、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成されて前記第1太陽電池セルの一方の面に積層された第2太陽電池セルと、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成されて前記第1太陽電池セルの他方の面に積層された第3太陽電池セルとを少なくとも備えることを特徴とする多接合太陽電池。シリコン基板の上にシリコンから構成された第1太陽電池セルを作製する工程と、前記第1太陽電池セルの一方の面に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成された第2太陽電池セルを積層する工程と、前記第1太陽電池セルの他方の面に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成された第3太陽電池セルを積層する工程とを少なくとも備えることを特徴とする多接合太陽電池の製造方法。第1シリコン基板の主表面上にシリコンから構成された第1太陽電池セルを作製する工程と、前記第1太陽電池セルの上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成された第2太陽電池セルを積層する工程と、第2シリコン基板の主表面上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成された第3太陽電池セルを積層する工程と、前記第1シリコン基板の裏面と前記第2シリコン基板の裏面とを貼り合わせる工程とを少なくとも備えることを特徴とする多接合太陽電池の製造方法。第1シリコン基板の主表面上にシリコンから構成された第1太陽電池セルを作製する工程と、第2シリコン基板の主表面上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成された第2太陽電池セルを積層する工程と、前記第1太陽電池セルの上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成された第3太陽電池セルを積層する工程と、前記第1シリコン基板の裏面と前記第2シリコン基板の裏面とを貼り合わせる工程とを少なくとも備えることを特徴とする多接合太陽電池の製造方法。上述したように、すでに高品質な太陽電池が実現されているシリコン系においては、バンドギャップの組み合わせにバリエーションがなく、多接合による高効率化を目指すのは困難である。一方、化合物半導体のバンドギャップ制御の柔軟性を生かしたGe基板による多接合太陽電池においては、Ge基板のコストが高いという問題がある。他方、安価なシリコン基板を用いるという試みにおいては、高品質な太陽電池が実現されているシリコン系の太陽電池セルを活用できていないという問題がある。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、バンドギャップエネルギーの組み合わせを柔軟にすることで太陽光エネルギーを効率的に利用できる多接合型太陽電池を、高品質なシリコン太陽電池を用いることでより安価に形成できるようにすることを目的とする。本発明に係る多接合太陽電池は、シリコンから構成された第1太陽電池セルと、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成されて第1太陽電池セルの一方の面に積層された第2太陽電池セルと、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成されて第1太陽電池セルの他方の面に積層された第3太陽電池セルとを少なくとも備える。本発明に係る多接合太陽電池の製造方法は、シリコン基板の上にシリコンから構成された第1太陽電池セルを作製する工程と、第1太陽電池セルの一方の面に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成された第2太陽電池セルを積層する工程と、第1太陽電池セルの他方の面に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成された第3太陽電池セルを積層する工程とを少なくとも備える。また、本発明に係る他の多接合太陽電池の製造方法は、第1シリコン基板の主表面上にシリコンから構成された第1太陽電池セルを作製する工程と、第1太陽電池セルの上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成された第2太陽電池セルを積層する工程と、第2シリコン基板の主表面上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成された第3太陽電池セルを積層する工程と、第1シリコン基板の裏面と第2シリコン基板の裏面とを貼り合わせる工程とを少なくとも備える。また、本発明に係る他の多接合太陽電池の製造方法は、第1シリコン基板の主表面上にシリコンから構成された第1太陽電池セルを作製する工程と、第2シリコン基板の主表面上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成された第2太陽電池セルを積層する工程と、第1太陽電池セルの上に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成された第3太陽電池セルを積層する工程と、第1シリコン基板の裏面と第2シリコン基板の裏面とを貼り合わせる工程とを少なくとも備える。以上説明したように、本発明によれば、シリコンから構成された第1太陽電池セルの一方に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成された第2太陽電池セルを設け、他方の面にシリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成された第3太陽電池セルを設けるようにしたので、バンドギャップエネルギーの組み合わせを柔軟にすることで太陽光エネルギーを効率的に利用できる多接合型太陽電池を、高品質なシリコン太陽電池を用いることでより安価に形成できるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。[実施の形態1]はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、実施の形態1における多接合太陽電池の構成を示す構成図である。この多接合太陽電池は、シリコンから構成された第1太陽電池セル101と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成されて第1太陽電池セル101の一方の面に積層された第2太陽電池セル102と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成されて第1太陽電池セル101の他方の面に積層された第3太陽電池セル103とを備える。本実施の形態1における多接合太陽電池において、第2太陽電池セル102は、第1材料をGeとし、第3太陽電池セル103は、第2材料をInGaPとしている。第1太陽電池セル101を構成しているシリコンは、バンドギャップエネルギーが1.1eVであり、第1材料のGeはバンドギャップエネルギーが0.66eVである。また、第2材料のInGaPは、III族元素のInおよびGaの組成比により、バンドギャップエネルギーは、1.34eVInPから2.26eVGaPまで変更可能である。ここで、第1太陽電池セル101は、シリコン基板を用い、シリコン基板に不純物を導入することで、p型層およびn型層を形成して太陽電池セルとしている。また、第2太陽電池セル102は、p型のGeからなるp型層とn型のSiGeからなるn型層を形成して太陽電池セルとしている。また、第3太陽電池セルは、例えば、p型のGaP、p型のInGaPおよびn型のInGaPより太陽電池セルを構成している。なお、第1太陽電池セル101を構成しているシリコン基板の一方の面にGeからなる第2太陽電池セル102を形成し、また、当該シリコン基板の他方の面にInGaPからなる第3太陽電池セル103を形成するにあたり、実際には、GeおよびInGaPを良好に形成するための様々なバッファ層構造や、太陽電池セルの特性を向上させるための裏面電界層、各セル間を接合させるためのトンネル接合層などを形成している。これらの層は、図1では省略しているが、多くのバリエーションがある。本実施の形態1における多接合太陽電池において、第3太陽電池セル103を構成するInGaPのIII族組成を、バンドギャップエネルギーが1.8eV程度になるように設定した場合、図2に示すような分光感度特性となる。図2において、aは、第1太陽電池セル101の量子効率曲線であり、bは、第2太陽電池セル102の量子効率曲線であり、cは、第3太陽電池セル103の量子効率曲線である。なお、図2のdは、太陽光スペクトルである。図2より明らかなように、3つの太陽電池セルにより、ほぼ太陽光スペクトルをカバーしており、高効率になることが期待できる。[実施の形態2]次に、本発明の実施の形態2について図3を用いて説明する。図3は、実施の形態2における多接合太陽電池の構成を示す構成図である。この多接合太陽電池は、シリコンから構成された第1太陽電池セル301と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成されて第1太陽電池セル301の一方の面に積層された第2太陽電池セル302と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成されて第1太陽電池セル301の他方の面に積層された第3太陽電池セル303とを備える。本実施の形態2における多接合太陽電池において、第2太陽電池セル302は、第1材料をInNとし、第3太陽電池セル303は、第2材料をInGaNとしている。第1材料のInNは、バンドギャップエネルギーが0.7eVである。また、第2材料のInGaNは、III族元素のInおよびGaの組成比により、バンドギャップエネルギーは、0.7eVInNから3.4eVGaNまで変更可能である。ここで、第1太陽電池セル301は、シリコン基板を用い、シリコン基板に不純物を導入することで、p型層およびn型層を形成して太陽電池セルとしている。また、第2太陽電池セル302は、p型のInNからなるp型層とn型のInNからなるn型層を形成して太陽電池セルとしている。また、第3太陽電池セルは、例えば、p型のGaN、p型のInGaNおよびn型のInGaNより太陽電池セルを構成している。なお、第1太陽電池セル301を構成しているシリコン基板の一方の面にInNからなる第2太陽電池セル302を形成し、また、当該シリコン基板の他方の面にInGaNからなる第3太陽電池セル303を形成するにあたり、実際には、InNおよびInGaNを良好に形成するための様々なバッファ層構造や、太陽電池セルの特性を向上させるためのBSF層、各セル間を接合させるためのトンネル接合層などを形成している。これらの層は、図3では省略しているが、多くのバリエーションがある。本実施の形態2における多接合太陽電池において、第3太陽電池セル303を構成するInGaNのIII族組成を、バンドギャップエネルギーが1.8eV程度になるように設定した場合、図4に示すような分光感度特性となる。図4において、aは、第1太陽電池セル301の量子効率曲線であり、bは、第2太陽電池セル302の量子効率曲線であり、cは、第3太陽電池セル303の量子効率曲線である。なお、図4のdは、太陽光スペクトルである。図4より明らかなように、3つの太陽電池セルにより、ほぼ太陽光スペクトルをカバーしており、高効率になることが期待できる。[実施の形態3]次に、本発明の実施の形態3について図5を用いて説明する。図5は、実施の形態3における多接合太陽電池の構成を示す構成図である。この多接合太陽電池は、シリコンから構成された第1太陽電池セル501と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい第1材料から構成されて第1太陽電池セル501の一方の面に積層された第2太陽電池セル502と、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい第2材料から構成されて第1太陽電池セル501の他方の面に積層された第3太陽電池セル503とを備える。加えて、本実施の形態3では、第1太陽電池セル501と第3太陽電池セル503との間に、バンドギャップエネルギーが、シリコンよりも大きく第2材料よりも小さい第3材料から構成された第4太陽電池セル504を設けている。本実施の形態3における多接合太陽電池において、第2太陽電池セル502は、第1材料をInNとし、第3太陽電池セル503は、第2材料をInAlNとし、第3材料をInGaNとしている。なお、第1太陽電池セル501を構成しているシリコン基板の一方の面にInNからなる第2太陽電池セル502を形成し、また、当該シリコン基板の他方の面にInAlNからなる第4太陽電池セル504を形成するにあたり、実際には、InNおよびInAlNを良好に形成するための様々なバッファ層構造や、太陽電池セルの特性を向上させるためのBSF層、各セル間を接合させるためのトンネル接合層などを形成している。これらの層は、図5では省略しているが、多くのバリエーションがある。本実施の形態3における多接合太陽電池において、第3太陽電池セル503を構成するInGaNのIn組成を、バンドギャップエネルギーが1.4eV程度になるように設定し、第4太陽電池セル504を構成するInAlNのIn組成を、バンドギャップエネルギーが2.0eV程度になるように設定した場合、図6に示すような分光感度特性となる。なお、このようなIn組成の設定を行うと、InGaNとInAlNとの格子定数がほぼ一致し、いわゆる格子整合の状態となり、より高品質にInAlNの層が形成できるという利点がある。図6において、aは、第1太陽電池セル501の量子効率曲線であり、bは、第2太陽電池セル502の量子効率曲線であり、cは、第3太陽電池セル503の量子効率曲線であり、dは、第4太陽電池セル504の量子効率曲線である。なお、図6のeは、太陽光スペクトルである。図6より明らかなように、4つの太陽電池セルにより、ほぼ太陽光スペクトルをカバーしており、高効率になることが期待できる。また、本実施の形態3によれば、前述した実施の形態1,2に比較して、より短波長側に量子効率曲線が伸びており、更に高効率になることが期待できる。[製造方法]次に、本発明における多接合太陽電池の製造方法について説明する。以下では、前述した実施の形態1における多接合太陽電池の製造法について説明する。[製造方法例1]はじめに、製造方法例1について、図7A~図7Dを用いて説明する。まず、図7Aに示すように、導電型がp型とされたシリコン基板701を用意する。次に、図7Bに示すように、シリコン基板701の主表面にn-Si層702を形成し、シリコン基板701の裏面に、BSF層703およびトンネル接合層704を形成する。このように各層が形成されたシリコン基板701により、第1太陽電池セルが構成される。ここで、BSF層703は、シリコン基板701で生成した小数キャリアである電子の実効的な拡散長を増大させる。また、トンネル接合層704は、BSF層703と組み合わせることで、後述する第2太陽電池セルとのトンネル接合を形成する。このトンネル接合により、第1太陽電池セルと第2太陽電池セルとを、電気的に損失なく接続することができる。各不純物の導入層は、まず、シリコン基板701の裏に、高濃度にp型不純物の導入を行うことで、BSF層703を形成する。例えば、熱拡散、イオン注入、もしくはエピタキシャル成長などの手法により、高濃度にp型不純物を導入したp-Si層であるBSF層703を形成すればよい。次に、シリコン基板701の主表面および裏面に高濃度にn型不純物の導入を行うことで、n-Si層702およびトンネル接合層704を形成する。例えば、熱拡散、イオン注入、もしくはエピタキシャル成長などの手法により、高濃度にn型不純物を導入すればよい。次に、図7Cに示すように、n-Si層702の上に、高濃度にp型不純物が導入されたGaPからなるトンネル接合層711、組成傾斜層712、p型不純物が導入されたInGaPからなるp-InGaP層713、および高濃度にn型不純物が導入されたInGaPからなるn-InGaP層714を、順次形成する。組成傾斜層712は、GaPからバンドギャップエネルギー1.8eVとなるInGaPまでIII族元素の組成比を徐々に変化させた層であり、p型不純物を導入してp型としている。トンネル接合層711とn-Si層702との間にはトンネル接合が形成され、Siで構成された第1太陽電池セルとInGaPで構成された第3太陽電池セルとが、電気的な損失なく接続できる。また、GaPとSiとの格子定数差は小さく、いわゆる格子整合しているため、高品質な状態でGaPを堆積することが可能であることが利点である。また、n-InGaN層714は、この上面にnコンタクト電極を形成するための層n型コンタクト層である。次に、図7Dに示すように、シリコン基板701の裏面側のトンネル接合層704に、組成傾斜層721、p形の不純物が導入されたGeからなるp-Ge層722、およびp型の不純物が高濃度に導入されたGeからなるp-Ge層723を順次形成する。組成傾斜層721は、n型不純物が導入され、SiとGeの混合比率をトンネル接合層704から離れるに従ってp-Ge層722に向かって徐々に変化させた層である。トンネル接合層704と組成傾斜層721との間にはトンネル接合が形成され、シリコンで構成された第1太陽電池セルとGeで構成された第2太陽電池セルとが、電気的な損失なく接続できる。また、p-Ge層723は、BSF層であるとともにpコンタクト電極を形成するためのpコンタクト層の機能を有する。上述した製造方法では、第1太陽電池セルを構成しているシリコン基板の主表面の側に、シリコンよりもバンドギャップエネルギーの大きい材料InGaPで構成される第3太陽電池セルを形成し、シリコン基板の裏面下面側にシリコンよりもバンドギャップエネルギーの小さい材料Geで構成される第2太陽電池セルを形成する例を示した。また、同様な工程により、シリコン基板の主表面側に第2太陽電池セルを形成し、シリコン基板の裏面側に第3太陽電池セルを形成してもよい。また、上述した製造方法では、シリコン基板の主表面側にn型コンタクト層を配置し、シリコン基板裏面側にp型コンタクト層を配置する例を示したが、これに限るものではない。シリコン基板の主表面側にp型コンタクト層を配置し、裏面側にn型コンタクト層を配置してもよい。更に、上述では、p型シリコン基板を用いるなど、太陽電池セルとしての吸収層に対応する領域をp型とした例を示したが、これに限るものではない。n型シリコン基板を用いるなどして吸収層に相当する領域をn型にすることも可能である。あるいは、第2太陽電池セル、第1太陽電池セル、第3太陽電池セルの各々において、吸収層の導電型を任意に選択することも可能である。また、いずれかの、もしくはすべての太陽電池セルにおいて実用上はトップセルにおいて、吸収層領域に導電性不純物を導入せずにいわゆるp-i-n構造としてもよい。上述した製造方法では、トンネル接合の形成について、第3太陽電池セル~第1太陽電池セルの間は、p-GaP/n-Siとヘテロ接合でトンネル接合を形成している。また、第1太陽電池セル~第2太陽電池セルの間は、p-Si/n-Siとシリコン基板側にホモ接合でトンネル接合を形成した。しかしながらこれに限るものではなく、例えば、第3太陽電池セル~第1太陽電池セルの間をp-GaP/n-GaPとホモ接合のトンネル接合にしてもよい。また、第1太陽電池セル~第3太陽電池セルの間は、p-Ge/n-Siとヘテロ接合のトンネル接合にしてもよく、また、p-Ge/n-Geというホモ接合のトンネル接合にしてもよい。更に、第3太陽電池セル~第1太陽電池セルの間を、GaPよりもバンドギャップエネルギーの大きい材料例えば、AlPでトンネル接合を形成すると、電気的な損失がないだけでなく光学的な損失も回避することができ、変換効率向上のためには非常に有効である。同じ理由で、第1太陽電池セル~第2太陽電池セルの間も、Siよりもバンドギャップエネルギーの大きい材料例えばGaPでトンネル接合を形成すると、電気的光学的な損失のない接続が可能となり、変換効率向上のためには非常に有効である。[製造方法例2]次に、製造方法例2について、図8A~図8Fを用いて説明する。まず、図8Aに示すように、導電型がp型とされたシリコン基板第1シリコン基板801を用意する。次に、図8Bに示すように、シリコン基板801の主表面にn-Si層802を形成し、シリコン基板801の裏面に、BSF層803およびn-Si層804を形成する。シリコン基板801とn-Si層802とにより、第1太陽電池セルが構成される。また、BSF層803は、シリコン基板801で生成した小数キャリアである電子の実効的な拡散長を増大させる。また、n-Si層804は、BSF層803と組み合わせることで、後述する第2太陽電池セルとのトンネル接合を形成する。このトンネル接合により、第1太陽電池セルと第2太陽電池セルとを、電気的に損失なく接続することができる。各不純物の導入層は、まず、シリコン基板801の裏に、高濃度にp型不純物の導入を行うことで、BSF層803を形成する。例えば、熱拡散、イオン注入、もしくはエピタキシャル成長などの手法により、高濃度にp型不純物を導入したp-Si層であるBSF層803を形成すればよい。次に、シリコン基板801の主表面および裏面に高濃度にn型不純物の導入を行うことで、n-Si層802およびn-Si層804を形成する。例えば、熱拡散、イオン注入、もしくはエピタキシャル成長などの手法により、高濃度にn型不純物を導入すればよい。次に、図8Cに示すように、n-Si層802の上に、高濃度にp型不純物が導入されたGaPからなるトンネル接合層811、組成傾斜層812、p型不純物が導入されたInGaPからなるp-InGaP層813、および高濃度にn型不純物が導入されたInGaPからなるn-InGaP層814を、順次形成する。組成傾斜層812は、GaPからバンドギャップエネルギー1.8eVとなるInGaPまでIII族元素の組成比を徐々に変化させた層であり、p型不純物を導入してp型としている。トンネル接合層811とn-Si層802との間にはトンネル接合が形成され、Siで構成された第1太陽電池セルとInGaPで構成された第3太陽電池セルとが、電気的な損失なく接続できる。また、GaPとSiとの格子定数差は小さく、いわゆる格子整合しているため、高品質な状態でGaPを堆積することが可能であることが利点である。また、n-InGaN層814は、この上面にnコンタクト電極を形成するための層n型コンタクト層である。以上の第1太陽電池セルおよび第3太陽電池セルの製造については、前述した製造方法例1と同様である。この製造方法では、次に説明するように、第2太陽電池セルを別の基板に作製する。まず、図8Dに示すように、高濃度にn型の不純物が導入された低抵抗のシリコン基板第2シリコン基板820を用意する。次に、図8Eに示すように、シリコン基板820の主表面に、組成傾斜層821、p形の不純物が導入されたGeからなるp-Ge層822、およびp型の不純物が高濃度に導入されたGeからなるp-Ge層823を順次形成する。組成傾斜層821は、n型の不純物が導入され、SiとGeの混合比率をシリコン基板820から離れるに従ってp-Ge層822に向かって徐々に変化させた層である。p-Ge層823は、BSF層であるとともにpコンタクト電極を形成するためのpコンタクト層の機能を有する。なお、後述するように、シリコン基板820が、トンネル接合層として機能する。次に、図8Fに示すように、シリコン基板801の裏面n-Si層804にシリコン基板820の裏面を当接させて両者を貼り合わせる。このように貼り合わせることで、n-Si層804とシリコン基板820とでトンネル接合層が構成され、シリコンで構成された第1太陽電池セルとGeで構成された第2太陽電池セルとが、電気的な損失なく接続できる。なお、シリコン基板820は、ここにおける光学的な損失を低減するために、可能な範囲で薄くすることが望ましい。例えば、貼り合わせる前にシリコン基板820を研磨により薄層化しておけば、変換効率の向上により有効である。製造方法例2では、InGaPで構成された第3太陽電池セル側の最表面をn層、Geで構成された第2太陽電池セル側の最表面をp層としたが、逆の組み合わせにしても全く問題はない。また、トンネル接合の形成や単一セルの構造をp-i-n構造にするといったことについては、製造方法例1で説明した様々なバリエーションがこの製造方法例2にも適用可能であることは言うまでもない。[製造方法例3]次に、製造方法例3について、図9A~図9Fを用いて説明する。まず、図9Aに示すように、導電型がp型とされたシリコン基板第1シリコン基板901を用意する。次に、図9Bに示すように、シリコン基板901の主表面にp-SiからなるBSF層903およびn-Siからなるトンネル接合層904を形成し、シリコン基板901の裏面に、n-Si層902を形成する。これらが第1太陽電池セルとなる。各不純物の導入層は、まず、シリコン基板901の主表面に、高濃度にp型不純物の導入を行うことで、BSF層903を形成する。例えば、熱拡散、イオン注入、もしくはエピタキシャル成長などの手法により、高濃度にp型不純物を導入したp-Si層であるBSF層903を形成すればよい。次に、シリコン基板901の主表面および裏面に高濃度にn型不純物の導入を行うことで、n-Si層902およびトンネル接合層904を形成する。例えば、熱拡散、イオン注入、もしくはエピタキシャル成長などの手法により、高濃度にn型不純物を導入すればよい。次に、図9Cに示すように、シリコン基板901の主表面側のトンネル接合層904の上に、組成傾斜層921、p形の不純物が導入されたGeからなるp-Ge層922、およびp型の不純物が高濃度に導入されたGeからなるp-Ge層923を順次形成する。組成傾斜層921は、n型の不純物が導入され、SiとGeの混合比率をトンネル接合層904から離れるに従ってp-Ge層922に向かって徐々に変化させた層である。トンネル接合層904と組成傾斜層921との間にはトンネル接合が形成され、シリコンで構成された第1太陽電池セルとGeで構成された第2太陽電池セルとが、電気的な損失なく接続できる。また、p-Ge層923は、BSF層であるとともにpコンタクト電極を形成するためのpコンタクト層の機能を有する。次に、以下に説明するように、第2太陽電池セルを別の基板に作製する。まず、図9Dに示すように、高濃度にn型の不純物が導入された低抵抗のシリコン基板第2シリコン基板910を用意する。次に、図9Eに示すように、シリコン基板910の上に、高濃度にp型不純物が導入されたGaPからなるトンネル接合層911、組成傾斜層912、p型不純物が導入されたInGaPからなるp-InGaP層913、および高濃度にn型不純物が導入されたInGaPからなるn-InGaP層914を、順次形成する。組成傾斜層912は、GaPからバンドギャップエネルギー1.9eVとなるInGaPまでIII族元素の組成比を徐々に変化させた層であり、p型不純物を導入してp型としている。トンネル接合層911とシリコン基板910との間にはトンネル接合が形成され、後述するシリコン基板901とシリコン基板910との接合により、Siで構成された第1太陽電池セルとInGaPで構成された第3太陽電池セルとが、電気的な損失なく接続できる。また、GaPとSiとの格子定数差は小さく、いわゆる格子整合しているため、高品質な状態でGaPを堆積することが可能であることが利点である。また、n-InGaN層914は、この上面にnコンタクト電極を形成するための層n型コンタクト層である。次に、図9Fに示すように、シリコン基板901の裏面n-Si層902にシリコン基板910の裏面を当接させて両者を貼り合わせる。このように貼り合わせることで、n-Si層901とシリコン基板910とでトンネル接合層が構成され、シリコンで構成された第1太陽電池セルとInGaPで構成された第3太陽電池セルとが、電気的な損失なく接続できる。なお、シリコン基板910は、ここにおける光学的な損失を低減するために、可能な範囲で薄くすることが望ましい。例えば、貼り合わせる前にシリコン基板910を研磨により薄層化しておけば、変換効率の向上により有効である。この製造方法例3では、第3太陽電池セル側の最表面をn層、第2太陽電池セル側の最表面をp層としたが、逆の組み合わせにしても全く問題はない。また、トンネル接合の形成や単一セルの構造をp-i-n構造にするなど、製造方法例1で説明した様々なバリエーションが、製造方法例3でも有効であることは言うまでもない。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、前述では、3つおよび4つの太陽電池セルから構成した多接合太陽電池について説明したが、これに限るものではなく、更に多くの太陽電池セルから構成した多接合太陽電池であっても同様である。また、シリコンよりもバンドギャップの大きい材料として、InGaP,InGaN,およびInAlNを例示したが、これに限るものではなく、これ以外の材料でも本発明の効果を当然実現できる。更に、シリコンよりもバンドギャップの小さい材料として、GeおよびInNを例示したが、これ以外の材料でも本発明の効果を実現できる。また、例えば、前述した製造方法例では、シリコン基板上に第3太陽電池セルや第2太陽電池セルを形成する際の工程として、エピタキシャル成長など、基板上に堆積する手法を採ったが、例えば、GaAs基板上にInGaPから構成された第3太陽電池セルの構造を堆積した後、シリコン基板上へ貼り合わせ、この後GaAs基板を除去するようにしてもよい。また、Geで構成した第2太陽電池セルに関しては、Ge基板を用いてセルを作製した後にシリコン基板に貼り付けるようにしてもよい。"