"スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと;このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと;前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と;前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定める制御装置と;を備えることを特徴とする成膜装置。前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、この磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え;前記制御装置が、前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める;ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記制御装置が、スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視する監視機能を有しており、前記スパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせる制御を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと;このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと;前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と;を備えた成膜装置を用いた成膜方法であって、前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の前記被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定め、前記磁場形成装置の制御を行うことを特徴とする成膜方法。前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、前記磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え;前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める;ことを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視することで、このスパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせることを特徴とする請求項4又は5に記載の成膜方法。ところで、近年のスパッタリング装置においては、スパッタリングの性能の向上のために、スパッタリング時における投入パワーの増加が図られている。これにより、より短時間での成膜が可能となり、スループットの向上を実現することができる。また、このような用途のスパッタリング装置においては、LED、光学膜等の成膜工程では、要求される膜厚が薄くなってきていると共に、膜厚均一性よく成膜できることが強く要求されている。例えば、上述したような、マグネットを偏心回転させるマグネトロンスパッタ装置の場合は、より膜厚均一性を高めるためには、マグネットの回転周期に対して成膜時間は十分長いことが好ましい。しかし、薄膜化及び投入パワーの増加に伴って成膜時間が短縮化されているため、マグネットの回転周期に対して、成膜時間が十分ではなくなってきているという問題がある。例えば、磁石の回転周期が1秒60rpmであることに対し、スパッタ成膜時間が1.5秒であるとすると、スパッタ成膜時間の間に磁石は1回転半することになる。この場合、1.5秒のスパッタ成膜時間のうち、最後の0.5秒が膜厚不均一の要因となり、膜厚分布が大きく損なわれてしまう。言い換えれば、スパッタ成膜時間1.5秒間で、磁石が540°回転してしまうため、一周360°に対する余剰の回転180°において、不均一な膜厚が形成されてしまう。この問題に対しては、磁石の回転速度を更に速くすることで膜厚分布を改善する方法が考えられる。しかしながら、回転速度を速くすることによって、成膜装置の消費電力の増加や、回転装置の短寿命化を招くという問題がある。この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、膜厚均一化を図ることができ、スパッタリング時の消費電力を抑えるとともに、磁石を回転させる駆動手段の長寿命化を実現することができる成膜装置及び成膜方法を提供することにある。上記の目的を達成するために、この発明は以下を提供している。1本発明の一態様は、スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと;このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと;前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と;前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定める制御装置と;を備える成膜装置である。2上記1に記載の成膜装置では、前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、この磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え;前記制御装置が、前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める;ように構成しても良い。3上記1又は2に記載の成膜装置では、前記制御装置が、スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視する監視機能を有しており、前記スパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせる制御を行うように構成しても良い。4本発明の他の態様は、スパッタ成膜により被膜を形成する基板が内部に配置されるチャンバと;このチャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと;前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置と;を備えた成膜装置を用いた成膜方法であって、前記磁場の変動周期を、所望の膜厚の前記被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が前記磁場の変動周期の整数倍となるように定め、前記磁場形成装置の制御を行う。5上記4に記載の成膜方法では、前記磁場形成装置が、前記ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、前記磁石を前記ターゲットの中心を軸に偏心回転させる駆動装置とを備え;前記磁石の回転周期を、前記スパッタ成膜時間が前記磁石の回転周期の整数倍となるように定める;ようにしても良い。6上記4又は5に記載の成膜方法では、スパッタ放電の立ち上がりの遅れを監視することで、このスパッタ放電の立ち上がりの遅れを感知した場合に、スパッタの終了時間を前記スパッタ放電の立ち上がり遅れ時間と同じ時間、遅らせるようにしても良い。上記1又は4に記載の態様によれば、ターゲットの表面上に一定周期で変動する磁場を形成する磁場形成装置を備えた成膜装置において、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が磁場の変動周期の整数倍となるように変動周期を定める制御を行う制御装置を備える構成としたことによって、膜厚分布をより均一にすることができる。また、上記2又は5の場合、磁場形成装置が、ターゲットの中心から偏心して配置された磁石と、磁石をターゲットの中心を軸に回転させる駆動装置とを備えている。この場合、磁石の回転速度が低下することになるため、消費電力が抑えられ、装置の長寿命化を実現することができる。さらに、上記3又は6の場合、監視機能を有するものとしている。この場合には、スパッタ放電の立ち上がりが遅れても、スパッタ成膜時間が変わらないため、スパッタ放電の立ち上がりの遅れが膜厚分布に影響を及ぼすことがない。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態のみに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。スパッタリング装置図1は、本実施形態に係るスパッタリング装置1成膜装置の概略断面図である。本実施形態において、スパッタリング装置1は、マグネトロンスパッタ装置として構成されている。スパッタリング装置1は、内部を気密封止しうる真空チャンバ2と、この真空チャンバ2の内部に配置された基板支持台3と、スパッタリングカソード4等を備えている。真空チャンバ2は、内部に処理室5を画成しており、図示しない真空排気手段を介して処理室5を所定の真空度にまで減圧可能とされている。また、処理室5の内部にアルゴンガス等のプロセスガスや酸素、窒素等の反応性ガスを導入するためのガス導入ノズル図示せずが真空チャンバ2の所定位置に取り付けられている。基板支持台3ステージとも言うは、図示しない温度調整手段を用いて、基板支持台3上に載置された基板Wを所定温度に加熱可能に構成されている。また、基板Wは、例えば、静電チャックによって基板支持台3に固定される。スパッタリングカソード4は、絶縁リング6を介してチャンバ2上部に取り付けられているターゲット電極7と、ターゲット電極7の背面側に設けられた磁場形成装置8磁場形成手段等から構成されている。ターゲット電極7の下面には、基板Wと平行な状態で対向配置されるように、基板Wに成膜するCu、Al、Ti、Ta、及び磁性材料Ni、Co等の任意の材料からなるターゲット9が装着されている。また、ターゲット電極7は、直流電源15の負極に接続されている。磁場形成装置8は、磁石支持台10と、磁石支持台10に固定された永久磁石11と、回転軸12を介して磁石支持台10を回転させるモータ等の駆動手段13とから構成されている。回転軸12は、回転軸12の軸中心がターゲット9の中心と一致するように設けられており、これにより、磁石支持台10及び永久磁石11は、ターゲット9の中心を軸として回転可能とされている。磁場形成装置8は、ターゲット9の表面上に磁束Fが漏洩し、所望形状の磁界を形成できるように構成されている。図2に示すように、永久磁石11は、大きさが異なるリング形状の磁石11a及び11bとから構成されている。磁石11a及び11bの中心は、ターゲットの中心から偏心している。また、磁石11は、外側がN極、内側がS極となるように構成されているが、ターゲット9表面での磁場の強さは絶対値が問題となるので、外側がS極、内側がN極となるように磁石を構成することもできる。スパッタリング装置1を構成する磁場形成装置8、駆動手段13等は制御装置14制御手段によって制御されている。例えば、制御装置14は、回転軸4を所定の回転速度に回転させることができる。すなわち、使用者は、磁石支持台10に固定された磁石11を所望の回転速度Srpm、及び回転周期P秒で回転させることができる。さらに、制御装置14は、スパッタリング装置1の仕様等によって決定されるスパッタ成膜速度と、使用者が所望する成膜膜厚から、スパッタ成膜時間T秒を計算する機能を有する。さらに、制御装置14は、計算されたスパッタ成膜時間Tに応じて、回転周期Pを決定する機能を有する。ここで、回転周期Pとは、磁石支持台10が1回転するのに要する時間秒であり、磁石支持台10の回転速度をSrpm回転/分とすると、P=60/Sで計算される値である。制御装置14は、スパッタ成膜時間Tが、回転周期Pの整数倍となるように制御する。つまり、スパッタ成膜時間をTとすると、回転周期Pは、下式1のように計算される。nは整数を表わす。T=n×P式1すなわち、下式2で、回転周期Pが計算される。P=1/n×T式2このような方法で算出された回転周期Pとなるような回転速度Sで磁石支持台10を回転させる制御を行うことによって、磁石支持台10永久磁石11は、スパッタ成膜時間Tの間に正確にn回転する。言い換えれば、スパッタ成膜時間Tの間、磁石支持台10が一定速度で正確に360×n°回転するように、回転周期P回転速度Sが決定される。当然のことながら、スパッタ成膜が行われる時間スパッタ成膜時間Tも正確に制御される。消費電力や駆動手段13の寿命、及びターゲット材料内に発生する渦電流の問題を考慮すると、回転速度Sは遅いこと回転周期Pは長いことが好ましい。つまり、nは小さい整数であることが好ましい。しかしながら、回転周期Pが長すぎる場合、すなわち回転速度Sが遅くなりすぎることによって、膜厚均一度及び駆動モータの振動等の問題が生じるため、最長回転周期Pmax最低回転速度を設定しておくことが好ましい。計算された回転周期Pが、最長回転周期Pmaxに満たない場合は、上記計算式のnの値を順次大きくすることによって最長回転周期Pmaxを超えないようにする再計算を行う。一方、駆動手段13の振動、ターゲットの局所的温度上昇を避けるように、最短回転周期Pmin最高回転速度を設定することが好ましい。n=1とした場合でも、最短回転周期Pminを下回る回転周期Pが計算された場合は、図示しない表示装置に警告を表示後、最短回転周期Pminで処理を行う。また、スパッタ成膜時間Tがある程度予測できる場合は、予め、スパッタ成膜時間Tに対する回転回数上記した計算式における整数nを定めておく方法としてもよい。例えば、スパッタ成膜時間Tが60秒以下であると予測できる場合は、スパッタ成膜時間が1秒以上30秒未満の場合は、スパッタ成膜時間Tで磁石支持台10を1回転させるように制御するように定める。また、スパッタ成膜時間Tが30秒以上60秒以下の場合は、スパッタ成膜時間Tで、磁石支持台10を2回転させるように制御するように定める。このようなデータテーブルを用意することで、より容易に回転周期P回転速度Sを計算することができる。例えば、上述したようなデータテーブルの場合、スパッタ成膜時間Tが50秒と計算された場合、磁石支持台10を2回転させるように制御を行う。つまり、回転周期Pは、50秒/2回転=25秒と算出される。また、制御装置14は主にスパッタリング時間を制御するための監視機能を有している。制御装置14は、上述したような工程で、スパッタ成膜時間Tを決定し、このスパッタ成膜時間Tに応じて、スパッタ開始命令、スパッタ終了命令を出力する一方で、監視機能は、スパッタの放電時の電圧を常に監視している。監視機能は、スパッタ開始命令を出力後、実際にスパッタ放電が開始されるまでの時間を監視しており、例えば、スパッタ放電の立ち上がりがd秒遅れた場合、スパッタ終了命令をd秒遅らせることによって、スパッタ成膜時間Tが変化しないように制御する。スパッタ放電の監視はスパッタ電源実出力をスパッタ電源内部電圧測定部にて検知して、アナログ入力ボードを介して、制御装置14のPCに取り込んで行う。ここで、スパッタ電源実出力をPCに取り込むまでの時間と、PCの出力をスパッタ電源の実出力に反映するまでの時間には、無視できないタイムラグ例えば0.5秒が生じることがある。制御装置の測定周期が遅い場合は、スパッタ時間が長くなる。タイムラグは略一定なので、タイムラグの一定値を考慮した時間だけ早くスパッタを停止すれば良い。本実施形態によれば、制御装置14によって、スパッタ成膜時間Tが磁石11の回転周期Pの整数倍となるように、磁石支持台11の回転速度Sを制御することによって、基板Wに形成される膜の膜厚分布をより均一にすることができる。また、従来のスパッタリング装置と比較して、磁石支持台11の回転速度Sが低下することになるため、消費電力が抑えられ、スパッタリング装置1の長寿命化を実現することができる。さらに、制御装置14の監視機能が、スパッタ放電の立ち上がりが遅れた場合においても、スパッタ成膜時間Tが変化しないように制御を行うため、スパッタ放電の立ち上がりの遅れが膜厚分布に影響を及ぼすことがない。以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。<実施例>実施例では、図1に示すスパッタリング装置1を用い、Ti膜を成膜した。基板Wとして、φ200mmのSiウエハを用いた。また、ターゲットとして、Tiの組成比が99で、スパッタ面の径がφ300mmに作製したものを用いた。成膜するTi膜の膜厚は14nm~21nmとした。スパッタリング装置1のスパッタ速度は、7.0nm/秒である。また、成膜後において膜厚分布d[]を測定した。膜厚分布dは、成膜後、図3に示すような基板W上の9点の膜厚を測定し、膜厚の最大値をFmax、最小値をFminとすると、下式3より算出される値である。d[]=Fmax-Fmin/FmaxFmin×100式3表1にその結果を示す。表1において、例えば、必要膜厚14nmの場合、スパッタリング装置1のスパッタ速度7.0nm/秒より、スパッタ成膜時間Tは、14nm/7.0nm/秒=2.0秒と計算された。この2.0秒間で磁石支持台10を1回転させるとすると、P=1/n×Tより、回転周期Pは1/1×2.0=2.0秒30rpmとなる。この条件で成膜を行ったところ、2.0秒の成膜時間で、磁石支持台10が正確に1回転するため、膜厚分布は4.1となった。同様に、必要膜厚を15.4nm~21nmまで変化させると共に、必要膜厚に依存して変化するスパッタ成膜時間Tに応じて回転速度Sを制御して成膜を行ったところ、膜厚分布は、3.9~4.1となった。<比較例>回転速度S回転周期Pを制御しないこと以外は、実施例と同様の方法で成膜を行った。回転速度60rpm回転周期Pは1秒とした。表2にその結果を示す。表2より、必要膜厚14.0nm、及び21.0nmの場合においては、スパッタ成膜時間Tが回転周期P1秒の整数倍となっているため、膜厚分布は良好であった4.0,3.9。一方、成膜時間が、回転周期の整数倍から外れる、必要膜厚2.2nm、2.4nm、2.6nm、及び2.8nmの場合においては、膜厚分布が悪化する結果となった5.3~6.3。例えば、成膜時間2.4秒を要する必要膜厚16.8nmの場合、スパッタ成膜開始2.0秒後からスパッタ終了までの0.4秒間の間に成膜される膜が、膜厚分布悪化の要因になっていると思われる。図4は、スパッタ成膜時間T横軸に対して、膜厚分布縦軸をプロットしたグラフである。図4を参照することより実施例と比較例とを比較すると、実施例の膜厚分布が均一度が高い結果となっているのに対して、比較例の膜厚分布は、成膜時間2.2秒~2.8秒の範囲で均一度が低くなっている。これは、比較例で使用したスパッタリング装置の磁石の回転周期が1秒であることに対して、成膜時間が回転周期1秒のの整数倍になっていないことに起因するものであると考えられる。特に、回転周期の整数倍である、成膜時間2秒または3秒との差がより大きくなるに従って、膜厚分布が悪化するのがわかる。なお、磁場形成装置8は、上述したような回転型に限ることはなく、磁場を一定周期で変動させることができるものであればよい。例えば、磁石構成体を揺動させる揺動型マグネトロンスパッタ装置を採用することができる。また、磁場形成手段を構成する磁石としては、永久磁石の代替として、電磁石を採用してもよい。この場合、スパッタ成膜時間Tが、電磁石によって形成される磁場の変動周期XHzの逆数1/Xの整数倍となるように、変動周期Xを制御することによって、膜厚分布の均一化を図ることができる。また、電磁石を、カソード側ではなくステージや真空チャンバ側面に配置した場合も同様に周期を合わせることで膜厚分布を改善させることができる。"