太陽電池に使用される球状、又は、粒状の半導体素子11の生産方法において、球状、又は、基層コア20に対する導電性のバックコンタクト層30の直接的な形成であって、前記バックコンタクト層30は、モリブデン、モリブデン-ガリウム、タングステン、バナジウム、透明導電性酸化物TCO、導電性粒子を有するポリマー、及び導電性ポリマーのグループから選択された一つ以上の導電性材料から構成され、前記基層は、ソーダ石灰ガラスからなり、導電性の前記バックコンタクト層30への銅、又は、銅ガリウムよりなる第一の前駆層40の形成と、第一の前駆層40に対するインジウムよりなる第二の前駆層50の形成と、I―III―VI族化合物半導体を形成するための、前記両前駆層4050と、硫黄と、及び/又は、セレンとの反応であって、前記層構造10の反応が、反応要素である硫黄、及び/又は、セレンの蒸気中で行われるか、前記層構造10の反応が、反応要素である硫黄、及び/又は、セレンの溶解物中で行われるか、又は、前記層構造10の反応が、反応要素である硫黄、及び/又は、セレンの水素化合物中で行われること、を有することを特徴とする半導体素子の生産方法。導電性のバックコンタクト層30の主な成分はモリブデンである、ことを特徴とする、請求項1に記載の生産方法。接着性を改良するために、前記導電性のバックコンタクト層30は、ガリウムを最大で20重量パーセントまで含む、ことを特徴とする請求項2に記載の生産方法。前記層30、40、50は、それぞれ、PVD、又は、CVDの方法によって形成される、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の生産方法。前記前駆層40、50を含む層構造10が、I―III―VI族化合物半導体を形成する反応の前に、220°Cよりも高温428°Fよりも高温にて合金化される、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の生産方法。前記層構造の反応が、大気圧下、又は、大気圧よりも低い圧力下で行われる、ことを特徴とする、請求項1に記載の生産方法。I―III―VI族化合物半導体を形成するための層構造10の反応の後に、KCN水溶液による処理が行われる、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の生産方法。I―III―VI族化合物半導体を形成するための層構造10の反応の後に、バッファ層が蒸着される、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の生産方法。I―III―VI族化合物半導体を形成するための層構造10の反応の後に、高抵抗ZnO層、及び、低抵抗ZnO層が蒸着される、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の生産方法。バッファ層、及び/又は、高抵抗及び低抵抗の層が、PVD、及び/又は、CVDの方法によって蒸着される、ことを特徴とする、請求項7又は請求項8に記載の生産方法。太陽電池に使用するための球状、又は、粒状の半導体素子であって、球状、又は、粒状のソーダ石灰ガラスからなる基層コアと、前記基層コアに対して直接的に形成されるモリブデン、モリブデン-ガリウム、タングステン、バナジウム、透明導電性酸化物TCO、導電性粒子を有するポリマー、及び導電性ポリマーのグループから選択された一つ以上の導電性材料からなる少なくとも1つのバックコンタクト層30と、前記バックコンタクト層30に対して形成されるI―III―VI族化合物半導体を有する半導体素子11。前記基層コア20の直径は、0.1mmから1mmの大きさにあり、特に、約0.2mmとする、ことを特徴とする、請求項10に記載の半導体素子。前記バックコンタクト層30の厚さは、0.1μmから1μmの大きさにある、ことを特徴とする、請求項10又は請求項11に記載の半導体素子。前記I―III―VI族化合物半導体層60は、銅インジウム硫化物、銅インジウムジセレニド、銅インジウム硫化ガリウム、又は、銅インジウムガリウムジセレニドのグループからの化合物から成る、ことを特徴とする、請求項10乃至請求項12のいずれか1項に記載の半導体素子。前記I―III―VI族化合物半導体層60の厚さは、1μmから3μmの大きさにある、ことを特徴とする、請求項10乃至請求項13のいずれか1項に記載の半導体素子。前記半導体素子11は、前記I―III―VI族化合物半導体層60の上にバッファ層を有する、ことを特徴とする、請求項10乃至請求項14のいずれか1項に記載の半導体素子。前記バッファ層は、CdS、ZnS、ZnSe、ZnO、インジウムセレン化合物、又は、インジウム硫黄化合物を含むグループからの材料から成る、ことを特徴とする請求項15に記載の半導体素子。前記バッファ層の厚さは、20nmから200nmの大きさにある、ことを特徴とする、請求項15又は請求項16に記載の半導体素子。前記半導体素子は、前記I―III―VI族化合物半導体層60の上に高抵抗及び低抵抗のZnO層を有する、ことを特徴とする、請求項10乃至請求項17のいずれか1項に記載の半導体素子。前記高抵抗のZnO層の厚さは、10nmから100nmの大きさにあり、低抵抗のZnO層の厚さは、0.1μmから2μmの大きさにある、ことを特徴とする、請求項18に記載の半導体素子。前記半導体素子11は、請求項1乃至請求項9に記載された方法により生産される、ことを特徴とする、請求項10乃至請求項19のいずれか1項に記載の半導体素子。本発明の目的は、様々な太陽電池へのフレキシブルな適用に適した、高い活性を有する半導体素子を提供することにある。本発明の目的は、また、太陽電池として使用する半導体素子の生産の効率的な方法を提供することにある。本発明の別の目的は、半導体素子を太陽電池に組み入れるための方法を提供することにある。同様に、集積化された半導体素子を持っている太陽電池と、少なくとも1つの太陽電池を持っている光電池モジュールを提供することは、本発明の目的である。本発明によれば、この目的は主たる請求項1、10、21、26、および37の機能によって達成される。下位のクレームによれば、本発明の詳細化について好都合となるものを得ることができる。本発明によれば、この目的は太陽電池で使用されるための球状、又は、粒状の半導体素子によって達成される。そして、この半導体素子の生産方法は、球状又は粒状の基層コアへのバックコンタクト層の形成、銅又は銅ガリウムで作られた第一の前駆層の形成、インジウムで作られた第二の前駆層の形成、及び、I―III―VI族化合物半導体を形成するための、前記前駆層と硫黄、及び/又は、セレンとの反応、によって特徴付けられる。前記前駆層の反応は、セレン、及び/又は、硫黄の存在下で行われ、セレン化、又は、硫化と呼ばれる。これらの処理は、実施される工程において調整されるパラメータを用い、様々な手法で実施することができる。前記パラメータには、例えば、温度、時間、大気、および圧力が含まれる。セレン化、又は、硫化は、例えば、蒸気中、問題となる反応要素の溶解物若しくは溶解塩中、又は、硫黄及び/若しくはセレンの混合物の溶解塩中において、行われることができる。硫黄要素とセレンは、同時に、また、連続して、反応目的に使用することができる。特に、本発明の好適な実施例としては、その反応は、硫黄かセレンの水素化合物の中で行われる。また、規定の性質のI―III―VI族化合物半導体層を得るためには、前駆層の確実なパラメータを設定しなければならない。また、構成はともかくとして、これらのパラメータは、個々の層の厚さを含む。ここで、層の厚さの比率は、球状であることと、結果的に直径がばらつくことから、可能であるならば、層の厚さの比率は、プレーナ型I―III―VI族化合物半導体を生成するために、先行技術の方法と異なる値が選定されるべきである。本発明の特に好適な実施例では、コーティングされることになる基層コアは、層構造のためのソジウムのよい根源になるため、ガラス、特に、ソーダ石灰ガラスで構成される。導電性のバックコンタクト層の主な成分は、モリブデンが望ましい。本発明の特に好適な実施例では、接着性を向上させするために、バックコンタクト層は最大20重量パーセントのガリウムを含むこととする。個々の層の形成には、それぞれ、スパッタリング、又は、蒸着コーティングなどの物理蒸着PVD方法によるもの、又は、化学気相蒸着法CVDによるものが、適用され得る。前記前駆層は、I―III―VI族化合物半導体を形成するための反応に先立って、通常、220°Cよりも高温428°Fよりも高温にて合金化することができる。また、I―III―VI族化合物半導体を形成するために、前駆層構造の反応の後に、追加の処理ステップやコーティングを実施することができる。これらには、銅硫黄化合物などの有害な表面層を除去するために、たとえば、KCN水溶液たとえば、0.5のアルカリ性のKOH水溶液中の10のKCN水溶液による処理がある。さらに、バッファ層、高抵抗のZnO層、および、低抵抗ZnO層が蒸着され得る。以上をまとめると、本発明による、太陽電池に使用するための球状、又は、粒状の半導体素子は、少なくとも、1つのバックコンタクト層と、少なくとも、1つのI―III―VI族化合物半導体によってコーティングされる、球状、又は、粒状の基層コアを有していることになる。前記基層コアは、ガラス、金属、又は、セラミックスから成ることが望ましく、また、その基層コアの直径は、0.05mmから1mmの大きさにあることが望ましい。0.2mmの直径は、特に好都合であると実証されている。また、前記バックコンタクト層の厚さは、0.1μmから1μmの大きさにある。また、I―III―VI族化合物半導体層は、例えば、銅インジウムジセレニド、銅インジウム硫化物、銅インジウム硫化ガリウム、又は、銅インジウムガリウムジセレニドから成る。この層の厚さは、1μmから3μmの大きさにある。また、説明されるプロセス工程で生産される球状、又は、粒状の半導体素子は、太陽電池の生産のための使用のための要素を構成する。太陽電池に使用されるような半導体素子は、たとえば、異種の太陽電池への組み込みに適したI―III―VI族化合物半導体を生産し得るという利点がある。このことは、特に、異なる寸法の太陽電池を含むものである。また、I―III―VI族化合物半導体を有する平らな太陽電池は、特定のパラメータに従うために、想定される太陽電池のサイズに正確に適合させる必要がある反応装置にて、従来生産されている。結果として、広い表面の太陽電池構造の場合では、例えば、広大な全範囲における熱の影響下での反応において、加熱と冷却を繰り返す必要があり、これに対応する大型の反応装置が要求されることもなる。このことは、高いエネルギー需要を必然的に伴うことになる。対照的に、太陽電池に後に組み込むための、球状、又は、粒状の半導体素子の生産については、問題となる反応装置において、比較的小さな範囲だけ反応させることが必要となるため、はるかに少ないエネルギーが必要とされることになる。また、他の利点として、生産プロセスにおける高いフレキシビリティがある。たとえば、より大きい構造か、又は、より小さい構造を反応装置内で反応させる必要がある、従来の太陽電池の表面では、必要とされるパラメータを正確に設定するために、新規の適切な反応装置を提供する必要があった。このことは、非常にコストがかかるものである。また、従来の薄層モジュール等の生産は、半導体層を製造するために使われる装置によって、制限されるものであった。また、対照的に、本発明に従った球状の半導体素子の生産では、必要な量の半導体素子を生産する際に、既存の反応装置を、追加の反応装置によって補強することができる。したがって、このことは、反応装置が必要とされない太陽電池の後工程よりも、むしろ、追加層を形成するシステムを、大いに簡素化することになる。さらに、球状とするおかげで、平らな半導体構造では得ることができない実用的な層構造を得ることができる。例えば、蒸着される層の計算上の厚さは減少することになる。その結果、例えば、平らな構造である場合に、バックコンタクト層の抵抗を大きくすることなしに、モリブデンとガリウムで作られたバックコンタクト層を形成することができる。集積化された球状、又は、粒状の半導体素子を有する太陽電池を生産するための本発明に基づく方法は、後工程にて、半導体素子を太陽電池に組み入れるために利用される。球状の半導体素子を絶縁性支持層に組み入れるために提供される方法では、半導体素子が少なくとも支持層の一側面の表面からはみ出ており、球状、又は、粒状の半導体素子は、それぞれ、少なくとも1つの導電性のバックコンタクト層と、少なくとも1つのI―III―VI族化合物半導体層と、でコーティングされる基層コアから成る。望ましくは、いくつかの半導体素子のバックコンタクト層の表面を露出するために、支持層の片面において、半導体素子の一部が除去される。引き続き、この支持層の側半導体素子が除去された側に、バックコンタクト層が形成される。前記バックコンタクト層は、半導体素子の開放されたバックコンタクト層に接触する。フロントコンタクト層は、前記支持層の反対側つまり、支持層に形成されたバックコンタクト層とは反対側に形成される。フロントコンタクト層、及び、前記バックコンタクト層に加えて、他の機能層を形成することができる。本発明の特に好適な実施例では、半導体素子は、支持層に対し、スキャタリング、ダスティング、及び/又は、プリンティングの手法によって取り付けられ、また、引き続き、前記半導体素子は、支持層にある程度埋め込まれるように、前記支持層に対して押し込まれる。前記支持層がソフト塩基にかぶせた熱可塑性プラスチックフィルムである場合、例えば、前記半導体素子は、ソフト塩基に入り込み、その結果、前記支持層の両側にからはみ出るように、前記支持層に対して深く押し込まれる。また、前記支持層は、半導体素子が組み込まれる、又は、必要であれば、取り付けられる溝を有するマトリクスとして構成することもできる。このことは、例えば、加熱、及び/又は、プレスの方法によって行うことができる。また、半導体素子の一部を除去するときには、それと共に支持層の一部を除去することができる。前述の除去については、例えば、研摩加工、磨き加工、熱エネルギーの入力、エッチング加工による。また、そこでは、バックコンタクト層とフロントコンタクト層が、それぞれ、PVD法又はCVD法にて蒸着される、ホトリソグラフィ処理加工で行うことができる。例えば、導電性ポリマーが、バックコンタクト層、又は、フロントコンタクト層として利用される場合では、ブラッシングや吹きつけによる手法が有効であることが判明している。そして、半導体素子が組み込まれた絶縁性支持層を有する、集積化された球状、又は、粒状の半導体素子を有する本発明に従う太陽電池では、前記半導体素子は、支持層の少なくとも片側の層からはみ出すことになる。また、前記太陽電池は、片面にフロントコンタクト層を有し、反対面にバックコンタクト層を有している。前記バックコンタクト層の側では、いくつかの半導体素子がI―III―VI族化合物半導体を有しない表面を持っており、その結果、半導体素子のバックコンタクト層の表面が開放される。これらの表面は、太陽電池の前記バックコンタクト層に直接接触している。また、本発明の特に好適な実施例では、前記支持層は、例えば、ポリマーの絶縁材から成る。また、球状の半導体素子は、本発明による手段によって生産されることが望ましく、また、前記フロントコンタクト層は、例えば、透明導電性酸化物TCOから成ることが望ましい。前記バックコンタクト層は、金属、透明導電性酸化物TCO、導電性粒子を有するポリマーのような導電性材料から成る。また、前記太陽電池は、前記フロントコンタクト層、前記バックコンタクト層に加え、他の機能層を持つことができる。また、プロセス工程のすべてがいったん完了されると、集積化された半導体素子を有する太陽電池は、特に、プレーナ型半導体構造と比較して、多くの利点を有することになる。本質的な利点は、生産の簡素化に加え、入射の向きの如何にかかわらず、入射光が当たることができる曲面を有するということにある。したがって、散光であっても、電気を起こすために、より効率的に利用することができる。本発明の、更なる利点、特徴、及び、有利な実施例は、従属クレームや、及び、図を参照した以下の好適な実施例によって得ることができる。図は次のごとくである。図1のイラストaは、球状の半導体素子を生産する際における層構造の特に好適な実施例、イラストbは、本発明に従った手段により生産された半導体素子を示す。図2のイラストa~dは、本発明に従った、太陽電池への球状の半導体素子の組み込みに関する加工ステップについて示す。図1のイラストaは、球状、又は、粒状の半導体素子11を生産する際における層構造10の特に好適な実施例を示す。また、前記層構造10は、後のI―III―VI族化合物半導体を形成するための反応のため前駆層構造として見ることもできる。また、本発明に従った、球状の半導体素子11の生産方法の第一工程では、球状の基層コア20が、バックコンタクト層30でコーティングされる。前記球状の基層コア20は、ガラスから作られることが望ましいが、金属や、セラミックなどの他の材料で作られてもよい。ガラスが採用される場合では、例えば、後の層構造形成においてソジウムの良い原料となる、ソーダ石灰ガラスが採用される。また、他のガラス組成物も使用することができる。前記基層コア20は、本質的には球状とするが、その形状は純粋な球状とは異なってもよい。生産工程によっては、結果的な球状の形は、粒状の形として指定することもできる。また、上記の材料で作られた空洞の物体ボディを使用することもできる。球の直径は、0.05mmから1mmの大きさにあるが、約0.2mmの直径が望ましくは選択される。前記バックコンタクト層30は、球基層コアの全体表面がコーティングされるように、球状の基層コアに形成される。バックコンタクト層30のための材料は、望ましくはモリブデンであるが、例えば、タングステンやバナジウムなどの他の適当な導電体を使用することもできる。前記半導体の基層コア20は、スパッタリングや、蒸発コーティングなどのPVD方法によってコーティングすることができる。また、CVD法も使用することができる。これに関連して、多くの小さな基層コアの球面のスパッタリングは、非常に時間がかかるプロセスであり、生産率を考慮すると、他の手法よりも適当ではないことを指摘しなければならない。前記バックコンタクト層の厚さは、0.1μmから1μmの大きさにある。前記バックコンタクト層30に対する、後続の層の粘着性を改良するために、ガリウム層をモリブデン層に対して加えることができる。本発明の特に好適な実施例では、ガリウムは、接着性を増加させるために、モリブデン層に組み入れられる。この場合、ガリウム含有量を最大で20重量パーセントまですることができる。実際には、このアプローチは、有害な方法でバックコンタクト層の抵抗を増加させるため、平らな太陽電池については、通常避けるものである。しかしながら、平らな半導体による場合よりも薄い層とすることができ、また、それらのより大きな抵抗は重大な欠点を伴わないため、本発明による半導体素子の生産のためには、ガリウム―モリブデン層は、有利な点を有していることが判明している。本発明によれば、I―III―VI族化合物半導体は半導体化合物として選定される。また、これらの半導体黄銅鉱とも呼ばれるは、例えば、銅インジウムジセレニド、銅インジウム硫化物、銅インジウム硫化ガリウム、および銅インジウムガリウムジセレニドを含む。球状の下層に対し、CuGa/InS/Se2層のようなものを形成するために、まず、銅、ガリウム、及び/又は、インジウムからなる前駆層が形成され、これらは、後続の想定される半導体を形成するためのセレン化、又は、硫化の過程によって反応される。また、ここでも、スパッタリングや蒸発コーティングなどのPVD法や、CVD法等を用い、前記バックコンタクト層と同じ方法で前記前駆層を形成することができる。第一の前駆層40については、本発明の特に好適な実施例では、球状の下層すでに形成された球体は、銅によってコーティングされる。この最初の層とバックコンタクト層の間の接着性を改良するために、接着剤として薄い銅ガリウム層が早めに形成される。本発明の第一実施例では、インジウムのフォームの第二の前駆層50が銅の層に蒸着される。Cu/In層パケット例えば、Cu/In/Cu/Inの代替となるもの形成は、同様に可能である。Cu/In層は、次に、CuInSを形成するために、硫黄によって硫化され、いわゆるCIS層が形成される。前駆体と硫化の過程から結果として生じるCIS層60は、イラストbの半導体素子11において示される。銅、及び、インジウムから成る前記前駆層構造は、必要に応じて、接着力や、セレン、及び/又は、硫黄との後の反応にとって有利となる硫化反応に先立って、通常、220°Cよりも高温428°Fよりも高温の昇温状態にて合金化することができる。しかしながら、このステップは絶対に必要となるものではない。CuとInの層の厚さは、CIS半導体の想定された層厚によって決定される。前記CIS層60の厚さは、1μmから3μmの大きさとするのが望ましい。そのうえ、Cu対Inの原子比は1~2の大きさが都合よいということが実証されている。1.2~1.8の間のCu対Inの原子比は、特に有効である。本発明の第二実施例では、銅層、又は、銅ガリウム層が、第一の前駆層40として、バックコンタクト層30に対し形成される。この第一の前駆層は、次に、インジウム層のフォームの第二前駆層50に追従され、また、前記二つの層は、引き続き、CuIn/GaSe2にセレン化され、CIGS層を形成する。また、ここで、銅インジウム/ガリウム層構造は、必要に応じて、昇温状態で、通常、220°Cよりも高温428°Fよりも高温にて合金化することができる。この実施例では、層の厚さは、セレン化後の想定された原子比Cu/InGaに同様に依存する。この原子比は1よりも低いことが有効であると判明している。セレン化後のCIGS層の厚さは、1μmから3μmの大きさとするのが望ましい。仕上がったCIGS層の銅分は、化学量論において必然的な値よりも小さく設定できることが判明している。前記前駆体でコーティングされて形成される球体は、セレンとのセレン化、及び/又は、硫黄との硫化によって反応させることができる。この目的のためには、様々な方法を使用することができる。本発明の特に好適な実施例では、前記球体を真空状態で反応させること、又は、問題となる要素セレン、及び/又は、硫黄の蒸気を含む大気圧下で反応させることがある。この反応は、例えば、温度や、時間や、過程持続時間や、圧力や分圧などの特定のパラメータを使うことで起こすことができる。また、前記反応は前記要素で作られた溶解物中で起こすこともできる。前記反応のための他の可能性として、硫黄、及び/又は、セレンを含む溶解塩がある。本発明の別の実施例では、前記球体は、硫黄、及び、又は、セレンの水素化合物を形成するために反応させられる。この反応は、例えば、大気圧、又は、大気圧よりも小さい圧力において起こすことができる。前記反応の間、連続して、又は、同時に、セレンと同様に硫黄を使用することができる。本発明の特に好適な実施例では、前記球体の反応後の次のプロセスステップでは、有害な影響を有する表面層が除去される。これは、例えば、反応過程の間に形成された硫化銅化合物の表面層である。そのような層を除去する1つの方法として、KCN水溶液とともに処理を行う方法がある。硫化が行われる場合、この処理のステップは必要となるが、セレン化の後である場合には、任意のものとすることができる。また、好適な実施例では、次のステップでは、CIS、又は、CIGSの半導体にバッファ層を蒸着する。例えば、前記バッファ層の材料としてCdS、ZnS、ZnSe、ZnO、又は、CdZnSを使用できる。他の可能な材料としては、In-Se化合物、又は、In-S化合物がある。CVD化学気相蒸着、PVD物理蒸着、温式化学方法薬浴蒸着などの塗工法や、他の適当な方法により、これらバッファ層を蒸着させることができる。前記薬浴蒸着による蒸着は、特に有効であることが判明している。前記バッファ層の厚さは、望ましくは、10nmから200nmの大きさとする。また、本発明の特に好適な他の実施例では、次のステップでは、高抵抗ZnOi―ZnOを層構造に蒸着することである。この層の蒸着は、PVD反応性の、又は、セラミックのや、CVDや、薬浴蒸着のような方法により行うことができる。この層の厚さは、望ましくは、10nmから100nmの大きさとする。また、高抵抗ZnO約50nmの蒸着の後において、本発明の特に好適な実施例では、低抵抗ZnOZnO:Alの別の層が蒸着される。ここでは、高抵抗ZnOの形成に適用されたものと同様の蒸着法を利用できる。この層TCOの厚さは、0.1μmから2μmの大きさにある。説明したプロセスステップで生産された半導体素子は、さらに、太陽電池の生産に利用される半導体素子となる。本発明に従った半導体素子は、後に、様々な方法で、太陽電池に組み入れることができる。例えば、本発明の他の側面として、球状の半導体素子は、図2のイラストa~dに示すように、太陽電池に埋め込まれる。図2のイラストaでは、絶縁性支持層70への半導体素子11の組み込みを示している。ここで、前記絶縁性支持層70として、フレキシブルなフィルムを使用することが有効であることが確認されている。望ましくは、前記絶縁性支持層70は、例えば、ポリカーボネート、又は、ポリエステルのグループからのポリマーのような熱可塑性ポリマーから成ることとする。エポキシド、ポリウレタン、ポリアクリル酸、及び/又は、ポリイミド類のグループからの予備重合樹脂も使用できる。また、前記球体半導体素子11が押された後に硬くなる液状ポリマーを使用することができる。前記半導体素子11は少なくとも絶縁性支持層70の片面で層の表面からはみ出るような方法で絶縁性支持層70に組み入れられることが望ましい。このために、例えば、スキャタリング、ダスティング、及び/又は、プリンティングにより、その後に押されることになる手段によって、球体半導体素子を取り付けることができる。そのボディ半導体素子のボディを前記絶縁性支持層70に押し込むために、例えば、後半に加熱することができる。本発明の別の実施例としては、前記球体半導体素子を、球体が組み込まれる溝を持っている絶縁性支持層70に準備されたマトリクスに組み入れるというものがある。前記ボディ半導体素子のボディを前記絶縁性支持層70に取り付けるためには、加熱、及び/又は、プレスによる手法で行うことができる。前記半導体素子が、前記絶縁性支持層70の両側からはみ出ることとされている場合では、前記半導体素子が組み込まれるときには、前記絶縁性支持層70を、フレキシブルなベースの上に位置させることができるので、前記半導体素子の一部が前記絶縁性支持層70の下部から現れる程に、前記半導体素子を前記絶縁性支持層70に押し込むことができる。また、本発明の特に好適な実施例では、次のステップでは、前記絶縁性支持層70の片側にある半導体素子の一部が除去される。また、この過程では、前記絶縁性支持層70の部分も除去することができる。これは図2のイラストbにて矢印で示されている。ここで、絶縁性支持層70は、組み込まれた半導体素子のボディの部分も除去される層厚まで、除去されることが望ましい。この実施例では、この除去は、半導体素子11のバックコンタクト層30点のラインで示されるまでいっぱいに達する。また、半導体素子が層の両側からはみ出るような方法で絶縁性支持層70に組み入れられる場合では、その処理の後に、半導体素子を絶縁性支持層70からさらにはみ出させるか、又は、絶縁性支持層70と平らとさせるために、前記絶縁性支持層70の追加的な除去をすることなく、半導体素子の片側に対して処理を施す、ということも可能である。また、半導体素子や、絶縁性支持層70の除去は、除去が行われる側へのバックコンタクト層80の形成の前の、異なるタイミングで実施することもできる。半導体素子、及び/又は、絶縁性支持層70の除去は、研摩加工や磨き加工といった機械的な方法、エッチング加工、熱エネルギーの入力、例えば、レーザーや放射やその他のホトリソグラフィ処理加工によるものにより行える。また、更なる次のプロセスステップでは、導電性のバックコンタクト層80が、半導体素子が除去された側に形成される。このバックコンタクト層80を形成するための導電体の材料の例には、様々なクラスのポリマー類からの物質が含まれる。特に、好適な材料としては、エポキシ樹脂、ポリウレタン、及び/又は、ポリイミド類、であって、炭素、インジウム、ニッケル、モリブデン、鉄、ニッケルクロム、銀、アルミ、及び/又は、対応する合金、又は、酸化物などの適当な導電性の粒子が提供されたものがある。別の可能性として、本質的に導電性のポリマーが含まれる。これらは、例えば、PANisのグループからのポリマー類を含む。使用され得る他の材料としては、TCOや適当な金属がある。TCOと金属のケースでは、PVD法、又は、CVD法にてバックコンタクト層80を形成することができる。また、更なる次のプロセスステップでは、導電性のフロントコンタクト層90が、半導体素子が除去されていない支持層の側に形成される。これも、PVDかCVDなどの方法により行うことができる。フロントコンタクト層90の導電体としては、様々な透明導電性酸化物TCOを使用できる。フロントコンタクト層90とバックコンタクト層80の蒸着の前、又は、後に、他の機能層を蒸着できる。他の機能層の選択は、特に、使われる半導体素子による。例えば、既に、半導体素子に蒸着されたバッファ層などの機能層は、集積化された半導体素子を持っている太陽電池の生産のためには、必ずしも、さらに蒸着される必要はない。また、必要とされる蒸着と処理ステップのすべてが、光電池モジュールを作ることができる太陽電池をもたらすことになる。また、一つ、又は、複数の太陽電池を、直列に接続することができ、例えば、発生する電流を引き出すモジュールを形成するために、それらを結合させることができる。