"シラノール基を有するオルガノポリシロキサンAと、アルコキシシリル基を有するシラン化合物Bと、スズ化合物Cと、亜鉛化合物Dとを含有し、前記スズ化合物Cの含有量が、前記オルガノポリシロキサンAおよび前記シラン化合物Bの合計100質量部に対して0.001~1質量部であり、前記亜鉛化合物Dの含有量が、前記オルガノポリシロキサンAおよび前記シラン化合物Bの合計100質量部に対して0.01~5質量部であり、前記亜鉛化合物Dに対する前記スズ化合物Cの質量比C/Dの値が1未満である、熱硬化型シリコーン樹脂組成物。前記亜鉛化合物Dが、下記式d1または下記式d2で表される亜鉛化合物である、請求項1に記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。ZnO-CO-R12d1ZnR2COCHCOR32d2式d1中、R1は、炭素数1~18のアルキル基またはアリール基を示す。式d2中、R2、R3は、同一または異なって、炭素数1~18の1価の炭化水素基またはアルコキシ基を示す。前記オルガノポリシロキサンAが、R3SiO1/2単位式中、Rはそれぞれ独立に非置換または置換の炭素数1~6の1価の炭化水素基を表わすおよびSiO4/2単位を繰り返し単位とし、SiO4/2単位1モルに対するR3SiO1/2単位の割合が0.5~1.2モルであり、さらに、SiO4/2単位1モルに対し、R2SiO2/2単位およびRSiO3/2単位各式中、Rはそれぞれ独立に非置換または置換の炭素数1~6の1価の炭化水素基を表わすのうち少なくとも1つを各単位がそれぞれ1.0モル以下で各単位の合計が1.0モル以下となるように有していてもよく、かつ、シラノール基を6.0質量未満有する、シリコーンレジンを含む、請求項1または2に記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。さらに、ジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物Fを含有する、請求項1~3のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。さらに、ビスアルコキシアルカンおよび/またはイソシアヌレート誘導体を含む、請求項1~4のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。銀を含む部材と、前記部材を覆う、請求項1~5のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化させて得られるシリコーン樹脂層と、を備えるシリコーン樹脂含有構造体。凹部を有する枠体と、前記凹部の底部に配置された光半導体素子と、前記凹部の内側面に配置された銀を含む部材と、前記凹部に充填されて前記光半導体素子と前記部材とを封止する、請求項1~5のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化させて得られる封止材と、を備える光半導体素子封止体。スズ化合物は、湿気硬化型の触媒として広く用いられているが、スズ化合物を含有するシリコーン樹脂組成物は、室温でゲル化してしまうなど室温での安定性に劣るうえ、熱硬化性にも劣っていた。そこで、本発明は、室温での安定性および熱硬化性に優れた、スズ化合物を含有する熱硬化型シリコーン樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、所定のオルガノポリシロキサンに特定量の亜鉛化合物およびスズ化合物を併用させて配合したシリコーン樹脂組成物が、室温での安定性および熱硬化性に優れることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下の1~7を提供する。1シラノール基を有するオルガノポリシロキサンAと、アルコキシシリル基を有するシラン化合物Bと、スズ化合物Cと、亜鉛化合物Dとを含有し、上記スズ化合物Cの含有量が、上記オルガノポリシロキサンAおよび上記シラン化合物Bの合計100質量部に対して0.001~1質量部であり、上記亜鉛化合物Dの含有量が、上記オルガノポリシロキサンAおよび上記シラン化合物Bの合計100質量部に対して0.01~5質量部であり、上記亜鉛化合物Dに対する上記スズ化合物Cの質量比C/Dの値が1未満である、熱硬化型シリコーン樹脂組成物。2上記亜鉛化合物Dが、下記式d1または下記式d2で表される亜鉛化合物である、上記1に記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。ZnO-CO-R12d1ZnR2COCHCOR32d2式d1中、R1は、炭素数1~18のアルキル基またはアリール基を示す。式d2中、R2、R3は、同一または異なって、炭素数1~18の1価の炭化水素基またはアルコキシ基を示す。3上記オルガノポリシロキサンAが、R3SiO1/2単位式中、Rはそれぞれ独立に非置換または置換の炭素数1~6の1価の炭化水素基を表わすおよびSiO4/2単位を繰り返し単位とし、SiO4/2単位1モルに対するR3SiO1/2単位の割合が0.5~1.2モルであり、さらに、SiO4/2単位1モルに対し、R2SiO2/2単位およびRSiO3/2単位各式中、Rはそれぞれ独立に非置換または置換の炭素数1~6の1価の炭化水素基を表わすのうち少なくとも1つを各単位がそれぞれ1.0モル以下で各単位の合計が1.0モル以下となるように有していてもよく、かつ、シラノール基を6.0質量未満有する、シリコーンレジンを含む、上記1または2に記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。4さらに、ジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物Fを含有する、上記1~3のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。5さらに、ビスアルコキシアルカンおよび/またはイソシアヌレート誘導体を含む、上記1~4のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物。6銀を含む部材と、上記部材を覆う、上記1~5のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化させて得られるシリコーン樹脂層と、を備えるシリコーン樹脂含有構造体。7凹部を有する枠体と、上記凹部の底部に配置された光半導体素子と、上記凹部の内側面に配置された銀を含む部材と、上記凹部に充填されて上記光半導体素子と上記部材とを封止する、上記1~5のいずれかに記載の熱硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化させて得られる封止材と、を備える光半導体素子封止体。本発明によれば、室温での安定性および熱硬化性を優れた、スズ化合物を含有する熱硬化型シリコーン樹脂組成物を提供することができる。<熱硬化型シリコーン樹脂組成物>本発明の熱硬化型シリコーン樹脂組成物以下、本発明の組成物ともいう。は、シラノール基を有するオルガノポリシロキサンAと、アルコキシシリル基を有するシラン化合物Bと、スズ化合物Cと、亜鉛化合物Dとを含有し、上記スズ化合物Cの含有量が、上記オルガノポリシロキサンAおよび上記シラン化合物Bの合計100質量部に対して0.001~1質量部であり、上記亜鉛化合物Dの含有量が、上記オルガノポリシロキサンAおよび上記シラン化合物Bの合計100質量部に対して0.01~5質量部であり、上記亜鉛化合物Dに対する上記スズ化合物Cの質量比C/Dの値が1未満である、熱硬化型シリコーン樹脂組成物である。以下、本発明の組成物が含有する各成分について詳細に説明する。<オルガノポリシロキサンA>本発明の組成物に含有されるオルガノポリシロキサンAは、シラノール基を1分子中に1個以上、好ましくは2個以上有するオルガノポリシロキサンである。オルガノポリシロキサンAが有する炭化水素基としては、特に限定されず、例えば、フェニル基などの芳香族基;アルキル基;アルケニル基;等が挙げられる。オルガノポリシロキサンAの主鎖は、直鎖状、分岐状、または、網目状のいずれであってもよい。また、一部に炭素数1~6のアルコキシシリル基を有していてもよい。オルガノポリシロキサンAとしては、例えば、2個以上のシラノール基が末端に結合しているオルガノポリジアルキルシロキサンが挙げられる。このようなオルガノポリシロキサンAとしては、2個のシラノール基が両末端に結合しているオルガノポリジメチルシロキサンであるのが好ましく、2個のシラノール基が両末端に結合している直鎖状のオルガノポリジメチルシロキサン直鎖状オルガノポリジメチルシロキサン-α,ω-ジオールであるのがより好ましく、具体例としては、下記式a1で表されるものが挙げられる。式a1中、R4は、同一または異なって、炭素数1~18のアルキル基またはアリール基を示し、nは1以上の整数を示す。R4が示す炭素数1~18のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基などの直鎖状または分岐状のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基;等が挙げられ、R4が示す炭素数1~18のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、メチル基、フェニル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。式a1中、nは、オルガノポリシロキサンAの重量平均分子量に対応する数値とすることができ、10~15,000の整数であるのが好ましい。また、オルガノポリシロキサンAとしては、主鎖が網目状のシリコーンレジンが挙げられる。このようなシリコーンレジンとしては、例えば、R3SiO1/2単位式中、Rはそれぞれ独立に非置換または置換の炭素数1~6の1価の炭化水素基を表わすおよびSiO4/2単位を繰り返し単位とするシリコーンレジンA1が挙げられる。シリコーンレジンA1において、R3SiO1/2単位中のRとしては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソ-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基;ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基などのアルケニル基;フェニル基などのアリール基;クロロメチル基、3-クロロプロピル基、1-クロロ-2-メチルプロピル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基などのハロゲン化アルキル基;等が挙げられ、中でも、メチル基、ビニル基、フェニル基であるのが好ましく、メチル基であるのがより好ましい。シリコーンレジンA1において、SiO4/2単位1モルに対するR3SiO1/2単位の割合は、0.5~1.2モルであり、好ましくは0.65~1.15モルである。R3SiO1/2単位の割合がこの範囲であれば、本発明の組成物の硬化物は、強度が適切となり、また、透明性にも優れる。また、シリコーンレジンA1は、SiO4/2単位1モルに対し、R2SiO2/2単位およびRSiO3/2単位各式中、Rはそれぞれ独立に非置換または置換の炭素数1~6の1価の炭化水素基を表わすのうち少なくとも1つを、各単位がそれぞれ1.0モル以下で各単位の合計が1.0モル以下となるように有していてもよく、より好ましくは、R2SiO2/2単位およびRSiO3/2単位の各単位が0.2~0.8モルで各単位の合計が1.0モル以下である。このようは配合割合であれば、本発明の組成物は、透明性に優れる。このような配合割合の具体例としては、SiO4/2単位1モルに対し、R2SiO2/2単位0.2モルとRSiO3/2単位0.7モルとの組み合わせが挙げられる。さらに、シリコーンレジンA1は、シラノール基を6.0質量未満有する。シラノール基の含有量は、0.1重量以上が好ましく、0.2~3.0重量がより好ましい。シラノール基の含有量がこの範囲であれば、本発明の組成物の硬化物の硬さが適切となって接着性が良好となり、また、強度も適切となる。また、シリコーンレジンA1は、アルコキシシリル基を有していてもよい。シラノール基およびアルコキシ基を有するレジンとしては、例えば、MKレジン旭化成ワッカーシリコーン社製等が挙げられる。シリコーンレジンA1の製造方法は特に限定されず、従来公知の方法により製造することができ、例えば、各単位に対応するアルコキシ基含有シラン化合物を有機溶媒中で共加水分解し縮合させて、実質的に揮発性分を含まないものとして得ることができる。具体的には、例えば、R3SiOMeとSiOMe4とを、所望によりR2SiOMe2および/またはRSiOMe3とともに、有機溶媒中で共加水分解し縮合させればよい各式中、Rはそれぞれ独立に非置換または置換の炭素数1~6の1価の炭化水素基を表わし、Meはメチル基を表わす。有機溶媒としては、共加水分解縮合反応により生成するオルガノポリシロキサンを溶解することのできるものが好ましく、具体例としては、トルエン、キシレン、塩化メチレン、ナフサミネラルスピリット等を挙げることができる。このようなシリコーンレジンA1としては、市販品を使用することができ、例えば、モメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン合同会社製のSR1000が挙げられる。オルガノポリシロキサンAの製造方法については、特に限定されず、従来公知の製造方法を用いることができる。オルガノポリシロキサンAの分子量は、1,000~1,000,000であるのが好ましく、6,000~100,000であるのがより好ましい。なお、本発明において、オルガノポリシロキサンAの分子量は、クロロホルムを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量である。オルガノポリシロキサンAは、1種単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。<シラン化合物B>本発明の組成物は、熱硬化性の観点から、シラン化合物Bを含有する。本発明の組成物が含有するシラン化合物Bは、1分子中に1個以上、好ましくは2個以上のアルコキシシリル基を有する。ここで、アルコキシシリル基とは、ケイ素原子に直接結合しているアルコキシ基をいう。シラン化合物B成分としては、例えば、1分子中1個のケイ素原子を有し、ケイ素原子にアルコキシ基が2個以上結合している化合物以下、シラン化合物B1ともいういう;1分子中2個以上のケイ素原子を有し、骨格がポリシロキサン骨格であり、ケイ素原子に結合しているアルコキシ基を2個以上有するオルガノポリシロキサン以下、シラン化合物B2ともいう;等が挙げられる。シラン化合物Bは、1分子中に1個以上の有機基を有することができ、例えば、酸素原子、窒素原子および硫黄原子からなる群から選ばれる少なくとも1種のヘテロ原子を含んでもよい炭化水素基が挙げられ、具体例としては、アルキル基炭素数1~6のものが好ましい。、メタアクリレート基、アルケニル基、アリール基、これらの組合せ等が挙げられる。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、2-メチル-1-プロペニル基、2-メチルアリル基等が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、メタアクリレート基、メタアクリロキシアルキル基が好ましい。シラン化合物B1シラン化合物B1としては、例えば、下記式b1で表されるものが挙げられる。SiOR5nR64nb1式b1中、nは2,3または4を示し、R5はアルキル基を示し、R6は有機基を示す。R6が示す有機基は、シラン化合物Bが有することができる有機基として記載したものと同義である。シラン化合物B1としては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジアルコキシシラン;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランなどのトリアルコキシシラン;テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロピルオキシシランなどのテトラアルコキシシラン;γ-メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタアクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタアクリロキシアルキルトリアルコキシシラン;等が挙げられる。なお、メタアクリロキシトリアルコキシシランは、アクリロキシトリアルコキシシランまたはメタクリロキシトリアルコキシシランであることを意味する。メタアクリレート基、メタアクリロキシアルキル基についても同様である。シラン化合物B2シラン化合物B2としては、例えば、下記式b2-1で表される化合物が挙げられる。R7mSiOR8nO2b2-1式b2-1中、R7は有機基であり、R8は水素および/またはアルキル基であり、mは0<m<2、nは0<n<2、mnは0<mn≦3である。ここで、R7が示す有機基は、シラン化合物Bが有することができる有機基として記載したものと同義であり、R8が示すアルキル基は、シラン化合物Bが有することができる有機基としてのアルキル基として記載したものと同義である。シラン化合物B2としては、例えば、メチルメトキシオリゴマーなどのシリコーンアルコキシオリゴマーが挙げられる。シリコーンアルコキシオリゴマーは、主鎖がポリオルガノシロキサンであり、分子末端がアルコキシシリル基で封鎖されたシリコーンレジンである。メチルメトキシオリゴマーは、式b2-1で表される化合物に該当し、その具体例としては、下記式b2-2で表されるものが表されるものが挙げられる。式b2-2中、R9はメチル基を示し、aは1~100の整数を示し、bは0~100の整数を示す。メチルメトキシオリゴマーは、市販品を使用することができ、例えば、x-40-9246重量平均分子量:6000、信越化学工業社製が挙げられる。また、シラン化合物B2としては、例えば、少なくとも片末端にアルコキシシリル基を有し、1分子中に3個以上のアルコキシ基アルコキシシリル基由来のものを有する化合物以下、シラン化合物B3ともいうが挙げられる。シラン化合物B3は、例えば、両末端シラノール基を有するポリシロキサン1モルに対してアルコキシリル基を有するシラン化合物1モル以上を脱アルコール縮合した反応物として得ることができる。シラン化合物B3を製造するために使用される、アルコキシ基を有するシラン化合物としては、例えば、上述した、式b1で表される化合物、式b2-1で表される化合物等が挙げられる。シラン化合物B3としては、例えば、下記式b3で表されるものが挙げられる。式b3中、nは、シラン化合物B3の分子量に対応する数値とすることができる。式b3で表される化合物は、例えば、両末端にシラノール基を有するポリシロキサンを、テトラメトキシシラン式b1で表される化合物に相当するで変性することによって製造することができる。シラン化合物Bとしては、式b1で表されるもの、式b2-1で表されるものが好ましく、テトラエトキシシランなどのテトラアルコキシシラン;γ-メタアクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのメタアクリロキシアルキルトリアルコキシシラン;メチルメトキシオリゴマー;がより好ましい。また、上述したオルガノポリシロキサンAがシリコーンレジンA1を用いる場合には、シラン化合物Bとしては、メタアクリル官能性のメタアクリロキシアルキルトリアルコキシシランであるのが好ましい。シラン化合物Bの分子量は、100~1,000,000であるのが好ましく、1000~100,000であるのがより好ましい。なお、シラン化合物Bがシラン化合物B2である場合、その分子量は、クロロホルムを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量であるものとする。シラン化合物Bの製造方法としては、特に限定されず、例えば、従来公知のものが挙げられる。シラン化合物Bは、1主単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。シラン化合物Bの量は、オルガノポリシロキサンA100質量部に対して、0.5~2000質量部であるのが好ましく、10~2000質量部であるのがより好ましい。<スズ化合物C>本発明の組成物は、スズ化合物Cを含有する。なお、スズ化合物とは、スズSnを含有する化合物のことをいう。スズ化合物Cの含有量は、オルガノポリシロキサンAおよびシラン化合物Bの合計100質量部に対して、0.001~1質量部であり、本発明の組成物の室温での増粘が抑制されて、室温での安定性により優れるという理由から、0.001~0.5質量部であるのが好ましく、0.01~0.1質量部であるのがより好ましい。スズ化合物Cとしては、スズ化合物であれば特に限定されず、例えば、2価のスズ化合物、4価のスズ化合物等が挙げられるが、可使時間の観点からは4価のスズ化合物であるのが好ましい。2価のスズ化合物としては、例えば、ビス2-エチルヘキサン酸スズ、ジn-オクチル酸スズ、ジナフテン酸スズ、ジステアリン酸スズなどの2価のスズカルボン酸塩類が挙げられる。4価のスズ化合物としては、例えば、式c1で表されるもの;式c1で表されるもののビス型、ポリマー型;等が挙げられる。R10a-Sn-[O-CO-R11]4ac1式c1中、R10はアルキル基を示し、R11は炭化水素基を示し、aは1~3の整数を示す。R10が示すアルキル基としては、例えば、炭素数1以上のものが挙げられ、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、オクチル基等が挙げられる。R11が示す炭化水素基としては、特に限定されず、直鎖状であっても分岐状であってもよく、不飽和結合を有していてもよく、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基などの脂肪族炭化水素基;脂環式炭化水素基;芳香族炭化水素基;これらの組み合わせ;等が挙げられる。式c1で表されるもののビス型としては、例えば、下記式c2で表されるものが挙げられる。式c2中、R10、R11は、式c1中のR10、R11と同義であり、aは1または2を示す。4価のスズ化合物の具体例としては、ジメチルスズジアセテート、ジメチルスズビスアセチルアセトナート、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズマレエート、ジブチルスズフタレート、ジブチルスズジオクタノエート、ジブチルスズビス2-エチルヘキサノエート、ジブチルスズビスメチルマレエート、ジブチルスズビスエチルマレエート、ジブチルスズビスブチルマレエート、ジブチルスズビスオクチルマレエート、ジブチルスズビストリデシルマレエート、ジブチルスズビスベンジルマレエート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズビスエチルマレエート、ジオクチルスズビスオクチルマレエート、ジブチルスズジメトキサイド、ジブチルスズビスノニルフェノキサイド、ジブチルスズオキサイド、ジブチルスズビスアセチルアセトナート、ジブチルスズビスエチルアセトアセトナート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクチルスズビスアセチルアセトナートなどのジアルキルスズ化合物;ジアルキルスズ化合物の2量体;ジブチルスズマレエートポリマー、ジオクチルスズマレエートポリマーなどのジアルキルスズのポリマー;ジオクチルスズ塩と正ケイ酸エチルとの反応物などの反応物;モノブチルスズトリス2-エチルヘキサノエートなどのモノアルキルスズ化合物;等が挙げられる。なお、人体への影響の観点からは、ジオクチル錫系のものが好ましく、例えば、ジオクチルスズビスアセチルアセトナート、ジオクチルスズ塩と正ケイ酸エチルとの反応物等が工業的に入手可能である。スズ化合物Cは、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。スズ化合物Cの製造方法については、特に限定されず、例えば、従来公知の方法によって製造することができる。<亜鉛化合物D>本発明の組成物には、スズ化合物Cと併用させて、このスズ化合物Cによる湿気硬化性を遅延させるため、亜鉛化合物Dが含有される。本発明においては、亜鉛化合物Dの含有量が、スズ化合物Cの含有量よりも多い。すなわち、本発明においては、亜鉛化合物Dに対するスズ化合物Cの質量比C/Dの値が1未満である。これにより、本発明の組成物は、室温での増粘が抑制されて、室温での安定性が優れる。本発明の組成物の室温での安定性がより優れるという理由から、亜鉛化合物Dに対するスズ化合物Cの質量比C/Dの値は、1未満0.01以上であるのが好ましく、0.1以下0.01以上であるのがより好ましい。また、本発明においては、亜鉛化合物Dの含有量は、上述したオルガノポリシロキサンAおよびシラン化合物Bの合計100質量部に対して0.01~5質量部である。これにより、本発明の組成物は、熱硬化性にも優れる。熱硬化性により優れるという理由から、亜鉛化合物Dの含有量は、オルガノポリシロキサンAおよびシラン化合物Bの合計100質量部に対して、0.01~5質量部であるのが好ましく、0.1~1質量部であるのがより好ましい。なお、本発明の組成物は、亜鉛化合物Dを含有することにより、耐硫化性にも優れる。これは、本発明の組成物を硬化させて得られる封止材において、亜鉛化合物Dが空気中の腐蝕性ガス例えば、硫化水素、アミン類などの非共有電子対を有するガスを捕捉するため、腐蝕性ガスによる金属の腐食例えば、変色を防止できるものと考えられる。もっとも、このようなメカニズムは推測であり、たとえ別のメカニズムあっても本発明の範囲内である。本発明の組成物が含有する亜鉛化合物Dとしては、亜鉛を含む化合物であれば特に限定されず、例えば、リン酸亜鉛などの亜鉛塩;亜鉛錯体;亜鉛アルコラート;亜鉛華、スズ酸亜鉛などの亜鉛酸化物;等が挙げられる。これらのうち、耐硫化性、透明性により優れるという観点から、亜鉛塩および/または亜鉛錯体であるのが好ましい。ここで、亜鉛塩としては、亜鉛と酸無機酸、有機酸を含む。とから形成される塩であれば特に限定されない。また、亜鉛錯体としては、亜鉛と配位子とから形成されるキレート化合物であれば特に限定されない。なお、本発明において、亜鉛化合物Dは、耐熱着色性の観点から、実質的に、ベンツイミダゾール塩を含まないのが好ましい。亜鉛化合物Dの具体例としては、下記式d1またはd2で表される亜鉛化合物;サリチル酸化合物の亜鉛錯体;ジアミン化合物の亜鉛錯体;等の化合物が挙げられる。まず、式d1は、下記のとおりである。ZnO-CO-R12d1式d1中、R1は、炭素数1~18のアルキル基またはアリール基を示す。また、式d1中のCOは、カルボニル基C=Oである。R1が示す炭素数1~18のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、1-エチルペンチル基、ネオノニル基、ネオデシル基等が挙げられる。R1が示す炭素数1~18のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。式d1で表される亜鉛化合物Dが塩である場合、亜鉛塩としては、例えば、下記式d1′で表されるものが挙げられる。式d1′中、R1は、式d1中のR1と同義である。式d1で表される亜鉛化合物Dとしては、例えば、亜鉛アセテート、亜鉛2-エチルヘキサノエート、亜鉛オクトエート、亜鉛ネオデカネート、亜鉛アセチルアセテート、亜鉛メタアクリレート、亜鉛サリチレート等が挙げられる。次に、式d2は、下記のとおりである。ZnR2COCHCOR32d2式d2中、R2、R3は、同一または異なって、炭素数1~18の1価の炭化水素基またはアルコキシ基を示す。式d2中のR2COCHCOR3は、それぞれ、下記式のいずれかであり、C-O-で亜鉛と結合する。式d2で表される亜鉛化合物Dが錯体である場合、亜鉛錯体としては、例えば、下記式d2′で表されるものが挙げられる。式d2′中、R2、R3は、式d2中のR2、R3と同義であり、同一のR2COCHCOR3内にあるR2、R3は、入れ替わっていてもよい。式d2中のR2、R3が示す炭素数1~18の1価の炭化水素基としては、例えば、炭素数1~18のアルキル基またはアリール基式d1中のR1が示す炭素数1~18のアルキル基またはアリール基と同義が挙げられる。式d2中のR2、R3が示すアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。式d2で表される亜鉛化合物Dとしては、例えば、ビスアセチルアセトナート亜鉛錯体、2,2,6,6,6テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート亜鉛錯体等が挙げられる。亜鉛化合物Dは、熱硬化性により優れ、耐硫化性もより優れるという理由から、式d1もしくは式d2で表されるもの、または、これらの併用であるのが好ましく、亜鉛アセテート、亜鉛2-エチルヘキサノエート、亜鉛オクトエート、亜鉛ネオデカネート、亜鉛アセチルアセテート、亜鉛メタアクリレート、亜鉛サリチレート、ビスアセチルアセトナート亜鉛錯体、2,2,6,6,6テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート亜鉛錯体であるのがより好ましい。亜鉛化合物Dは、1主単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。亜鉛化合物Dの製造方法としては、例えば、酸化亜鉛、炭酸亜鉛、水酸化亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛および硝酸亜鉛からなる群から選ばれる少なくとも1種1モルに対して、酸を1.5モル以上3モル未満反応させることによって得られるものを用いることができる。この際に用いる酸としては、特に限定されず、例えば、リン酸などの無機酸;ステアリン酸、パルミチン酸、ラウリル酸、2-エチルヘキサン酸、メタアクリル酸、ネオデカン酸などの有機酸;これらのエステル;等が挙げられる。<ジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物F>本発明の組成物は、さらに、ジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物Fを含有してもよい。これらは、縮合触媒であると同時に、本発明の組成物の高温下での長期信頼性を良好にするものである。ジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物Fは、本発明の組成物の初期硬化時または初期硬化後の加熱に際して、ルイス酸として作用し、オルガノポリシロキサンAとシラン化合物Bとの架橋反応を促進すると考えられる。より詳細には、ジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物Fは、加熱によって活性化され、シラノール基を例えば、シラノール基どうしの反応やシラノール基とアルコキシシリル基との反応によって、縮合させることができる。こうして、本発明の組成物は、加熱によって全体的に均一に硬化される。ジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物Fの含有量は、本発明の組成物の高温下での長期信頼性がより優れるという理由から、オルガノポリシロキサンAおよびシラン化合物Bの合計100質量部に対して0.001~1質量部であるのが好ましく、0.01~0.5質量部であるのがより好ましく、0.001~0.05質量部であるのがさらに好ましい。以下では、ジルコニウム化合物Eとハフニウム化合物Fとについて個別に説明する。[ジルコニウム化合物E]まず、ジルコニウム化合物Eについて説明する。ジルコニウム化合物Eは、ジルコニウム原子と有機基とを有するものであれば特に限定されない。ここで、ジルコニウムが有する有機基としては、例えば、有機カルボキシレート-O-CO-R;アルコキシ基、フェノキシ基などの、炭化水素基がオキシ基と結合したのもの-O-R;配位子;これらの組み合わせ;等が挙げられる。より具体的には、ジルコニウム化合物Eとしては、例えば、下記式e1で表される化合物化合物E1、下記式e1′で表される化合物化合物E1′、下記式e2で表される化合物化合物E2等が挙げられ、これらを好適に用いることができる。式e1中、R12は、炭素数1~18の炭化水素基を示す。式e1′中、R′は、炭素数1~18の1価の炭化水素基を示し、R′′は、炭素数1~18の1価の炭化水素基またはアシル基を示し、nは、0~2の整数を示す。式e2中、R13は同一または異なって炭素数1~16の炭化水素基を示し、R14は同一または異なって炭素数1~18の炭化水素基を示し、mは1~3の整数を示す。化合物E1化合物E1は、ジルコニル[Zr=O2]を構成要素として含むジルコニウム金属塩である。本発明の組成物は、化合物E1を含むことにより、熱硬化性により優れる。化合物E1のジルコニウム金属塩を製造するために使用される酸としては、特に限定されず、例えば、カルボン酸が挙げられ、カルボン酸の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、オクチル酸2-エチルヘキサン酸、ノナン酸、ステアリン酸、ラウリン酸などの脂肪族カルボン酸;ナフテン酸、シクロヘキサンカルボン酸などの脂環式カルボン酸;安息香酸などの芳香族カルボン酸;等が挙げられる。脂肪族カルボン酸塩としては、例えば、ジオクチル酸ジルコニル、ジネオデカン酸ジルコニル等が挙げられる。脂環式カルボン酸塩としては、例えば、ナフテン酸ジルコニル、シクロヘキサン酸ジルコニル等が挙げられる。芳香族カルボン酸塩としては、例えば、安息香酸ジルコニルが挙げられる。これらのうち、熱硬化性により優れるという理由から、ジオクチル酸ジルコニルおよびナフテン酸ジルコニルのいずれか一方または両方であるのが好ましい。化合物E1′化合物E1′も同様に、ジルコニル[Zr=O2]を構成要素として含むジルコニル錯体であり、本発明の組成物は、化合物E1′を含むことにより、熱硬化性により優れる。上記式e1′中のR′およびR′′が示す炭素数1~18の1価の炭化水素基としては、例えば、炭素数1~18のアルキル基またはアリール基上述した式d1中のR1が示す炭素数1~18のアルキル基またはアリール基と同義が挙げられる。上記式e1′で表されるジルコニル錯体としては、例えば、Rがメチル基を示し、R′がアシル基を示し、nが1を示すアセチルアセトニトリル-2-エチルヘキサノイル-ジルコニル;Rがメチル基を示し、nが0を示すビスアセチルアセトンジルコニル;等が挙げられる。化合物E2化合物E2は、上述した式e2で表されるように、1~3個のアシル基R13-CO-を有する。式e2で表される化合物E2において、アシル基はカルボン酸エステルとして式e2に含まれる。式e2においてmが2以上である場合、複数のR13は同じでも異なっていてもよい。また、mが1~2である場合、複数のR13は同じでも異なっていてもよい。式e2中のR13が示す炭化水素基の炭素数は3~16であるのが好ましく、4~16であるのがより好ましい。R13が示す炭化水素基は、直鎖状でも分岐状でもよく、不飽和結合を有することができ、ヘテロ原子例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などを有することができる。R13が示す炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、これらの組み合わせ等が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基;ナフテン環ナフテン酸由来のシクロパラフィン環;アダマンチル基、ノルボルニル基などの縮合環系炭化水素基;等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アズレン等が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基等が挙げられる。これらのうち、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基であることが好ましく、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ナフテン環R13COO-としてのナフテート基、フェニル基がより好ましく、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ナフテン環がさらに好ましい。脂環式炭化水素基を有するR13COO-としては、例えば、シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロブチルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基シクロヘキシルカルボネート基、シクロヘプチルカルボニルオキシ基シクロヘプチルカルボネート基、シクロオクチルカルボニルオキシ基などのシクロアルキルカルボニルオキシ基;ナフテート基ナフテン酸エステル;アダマンチルカルボニルオキシ基、ノルボルニルカルボニルオキシ基などの縮合環系炭化水素基のカルボニルオキシ基;等が挙げられる。芳香族炭化水素基を有するR13COO-としては、例えば、フェニルカルボニルオキシ基、ナフチルカルボニルオキシ基、アズリルカルボキシ基等が挙げられる。脂肪族炭化水素基を有するR13COO-としては、例えば、アセテート、プロピオネート、ブチレート、イソブチレート、オクチル酸エステル、2-エチルヘキサン酸エステル、ノナン酸エステル、ラウリン酸エステル等が挙げられる。これらのうち、脂環式炭化水素基を有するR13COO-、芳香族炭化水素基を有するR13COO-、2エチルヘキサノエートが好ましく、シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基、ナフテート基、フェニルカルボニルオキシ基がより好ましく、シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基、ナフテート基がさらに好ましい。式e2中のR14が示す炭化水素基の炭素数は、3~8であるのが好ましい。R14が示す炭化水素基としては、直鎖状でも分岐状でもよく、不飽和結合を有することができ、ヘテロ原子例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などを有することができる。R14が示す炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、これらの組み合わせ等が挙げられる。脂肪族炭化水素基を有するR14O-アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられ、なかでも、脂肪族炭化水素基を有するR14O-アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基であるのが好ましい。脂環式炭化水素基を有する化合物E2としては、例えば、ジルコニウムトリアルコキシモノシクロプロパンカルボキシレート、ジルコニウムジアルコキシジシクロプロパンカルボキシレート、ジルコニウムモノアルコキシトリシクロプロパンカルボキシレートなどのジルコニウムアルコキシシクロプロパンカルボキシレート;ジルコニウムトリアルコキシモノシクロペンタンカルボキシレート、ジルコニウムジアルコキシジシクロペンタンカルボキシレート、ジルコニウムモノアルコキシトリシクロペンタンカルボキシレートなどのジルコニウムアルコキシシクロペンタンカルボキシレート;ジルコニウムトリブトキシモノシクロヘキサンカルボキシレート、ジルコニウムジブトキシジシクロヘキサンカルボキシレート、ジルコニウムモノブトキシトリシクロヘキサンカルボキシレート、ジルコニウムトリイソプロポキシモノシクロヘキサンカルボキシレート、ジルコニウムジイソプロポキシジシクロヘキサンカルボキシレート、ジルコニウムモノイソプロポキシトリシクロヘキサンカルボキシレートなどのジルコニウムアルコキシシクロヘキサンカルボキシレート;ジルコニウムトリアルコキシモノアダマンタンカルボキシレート、ジルコニウムジアルコキシジアダマンタンカルボキシレート、ジルコニウムモノアルコキシトリアダマンタンカルボキシレートなどのジルコニウムアルコキシアダマンタンカルボキシレート;ジルコニウムトリブトキシモノナフテート、ジルコニウムジブトキシジナフテート、ジルコニウムモノブトキシトリナフテート、ジルコニウムトリイソプロポキシモノナフテート、ジルコニウムジイソプロポキシジナフテート、ジルコニウムモノイソプロポキシトリナフテートなどのジルコニウムアルコキシナフテート;等が挙げられる。芳香族炭化水素基を有する化合物E2としては、例えば、ジルコニウムトリブトキシモノベンゼンカルボキシレート、ジルコニウムジブトキシジベンゼンカルボキシレート、ジルコニウムモノブトキシトリベンゼンカルボキシレート、ジルコニウムトリイソプロポキシモノベンゼンカルボキシレート、ジルコニウムジイソプロポキシジベンゼンカルボキシレート、ジルコニウムモノイソプロポキシトリベンゼンカルボキシレートなどのジルコニウムアルコキシベンゼンカルボキシレートが挙げられる。脂肪族炭化水素基を有する化合物E2としては、例えば、ジルコニウムトリブトキシモノイソブチレート、ジルコニウムジブトキシジイソブチレート、ジルコニウムモノブトキシトリイソブチレート、ジルコニウムトリイソプロポキシモノイソブチレート、ジルコニウムジイソプロポキシジイソブチレート、ジルコニウムモノイソプロポキシトリイソブチレートなどのジルコニウムアルコキシブチレート;ジルコニウムトリブトキシモノ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムジブトキシジ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムモノブトキシトリ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムトリイソプロポキシモノ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムジイソプロポキシジ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムモノイソプロポキシトリ2エチルヘキサノエートなどのジルコニウムアルコキシ2エチルヘキサノエート;ジルコニウムトリブトキシモノネオデカネート、ジルコニウムジブトキシジネオデカネート、ジルコニウムモノブトキシトリネオデカネート、ジルコニウムトリイソプロポキシモノネオデカネート、ジルコニウムジイソプロポキシジネオデカネート、ジルコニウムモノイソプロポキシトリネオデカネートなどのジルコニウムアルコキシネオデカネート;等が挙げられる。これらのうち、脂環式炭化水素基を有する化合物E2、芳香族炭化水素基を有する化合物E2が好ましく、ジルコニウムトリアルコキシモノナフテート、ジルコニウムトリアルコキシモノイソブチレート、ジルコニウムトリアルコキシモノ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムトリアルコキシモノシクロプロパンカルボキシレート、ジルコニウムトリアルコキシシクロブタンカルボキレート、ジルコニウムトリアルコキシモノシクロペンタンカルボキシレート、ジルコニウムトリアルコキシモノシクロヘキサンカルボキシレート、ジルコニウムトリアルコキシモノアダマンタンカルボキシレート、ジルコニウムトリアルコキシモノナフテートがより好ましく、ジルコニウムトリブトキシモノナフテート、ジルコニウムトリブトキシモノイソブチレート、ジルコニウムトリブトキシモノ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムトリブトキシモノシクロプロパンカルボキシレート、ジルコニウムトリブトキシモノシクロペンタンカルボキシレート、ジルコニウムトリブトキシモノシクロヘキサンカルボキシレート、ジルコニウムトリブトキシモノアダマンタンカルボキシレート、ジルコニウムトリブトキシモノナフテートがさらに好ましい。また、化合物E2は、1~3個のアシル基エステル結合を有するアルコシキ基含有ジルコニウム金属塩であるのが好ましい。1~3個のアシル基を有するアルコシキ基含有ジルコニウム金属塩としては、例えば、ジルコニウムトリブトキシモノナフテート、ジルコニウムトリブトキシモノイソブチレート、ジルコニウムトリブトキシモノ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムトリブトキシモノネオデカネート、ジルコニウムジブトキシジナフテート、ジルコニウムジブトキシジイソブチレート、ジルコニウムジブトキシジ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムジブトキシジネオデカネート、ジルコニウムモノブトキシトリナフテート、ジルコニウムモノブトキシトリイソブチレート、ジルコニウムモノブトキシトリ2エチルヘキサノエート、ジルコニウムモノブトキシトリネオデカネートが挙げられ、なかでも、ジルコニウムトリブトキシモノナフテート、ジルコニウムトリブトキシモノイソブチレート、およびジルコニウムトリブトキシモノ2エチルヘキサノエートからなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。化合物E2の製造方法としては、例えば、ZrOR144で表されるジルコニウムテトラアルコキシドR14は、式e2中のR14と同義1モルに対して、R13-COOHで表されるカルボン酸R13は、式e2中のR13と同義を1モル以上4モル未満を用いて、窒素雰囲気下、20~80°Cの条件下で攪拌することによって、製造することができる。Zrアルコラートとカルボン酸との反応については、D.C.Bradley著MetalalkoxideAcademicPress1978を参考することができる。化合物E2を製造するために使用できるZrOR144としては、例えば、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシド、ジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラノルマルブトキシド等が挙げられる。化合物E2を製造するために使用できるカルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、イソブタン酸、オクチル酸、2-エチルヘキサン酸、ノナン酸、ラウリン酸などの脂肪族カルボン酸;ナフテン酸、シクロプロパンカルボン酸、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキシルカルボン酸シクロヘキサンカルボン酸、アダマンタンカルボン酸、ノルボルナンカルボン酸などの脂環式カルボン酸;安息香酸などの芳香族カルボン酸;等が挙げられる。[ハフニウム化合物F]次に、ハフニウム化合物Fについて説明する。ハフニウム化合物Fは、ハフニウム原子および有機基を有する化合物であれば特に限定されないが、本発明の組成物の高温下での長期信頼性がより優れるという理由から、下記式f1で表される化合物および/または下記式f2で表される化合物であるのが好ましい。式f1中、nは1~4の整数を示し、R15は炭化水素基を示し、R16は炭素数1~18のアルキル基を示す。式f2中、mは1~4の整数を示し、R16は炭素数1~18のアルキル基を示し、R17およびR18は同一または異なって炭素数1~18の炭化水素基またはアルコキシ基を示す。まず、上述した式f1で表されるハフニウム化合物Fについて説明する。式f1中のR15が示す炭化水素基は、直鎖状でも分岐状でもよく、不飽和結合を有することができ、ヘテロ原子例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などを有することができる。R15が示す炭化水素基としては、例えば、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基アルキル基;アリル基などの不飽和脂肪族炭化水素基;等を含む、脂環式炭化水素基、アリール基芳香族炭化水素基、これらの組み合わせ等が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基;ナフテン環ナフテン酸由来のシクロパラフィン環;アダマンチル基、ノルボルニル基などの縮合環系炭化水素基;等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アズレン等が挙げられる。これらのうち、熱硬化性により優れ、耐硫化性に優れるという観点から、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、これらの組み合わせであるのが好ましく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ナフテン環、アダマンチル基、ノルボルニル基、フェニル基、ナフチル基およびアズレンからなる群から選ばれる少なくとも1種であるのがより好ましく、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ナフテン環R15COO-としてのナフテート基、フェニル基であるのがさらに好ましく、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ナフテン環であるのが特に好ましい。式f1中のR16が示すアルキル基の炭素数は、1~18であり、熱硬化性により優れ、耐硫化性に優れるという理由から、3~8であるのが好ましい。R16が示すアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基n-プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基等が挙げられ、なかでも、メチル基、エチル基、プロピル基n-プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基であるのが好ましい。式f1で表されるハフニウム化合物Fであって、R15が示す炭化水素基として脂環式炭化水素基を有するものとしては、例えば、ハフニウムアルコキシモノ~トリシクロプロパンカルボキシレート、ハフニウムテトラシクロプロパンカルボキシレート、ハフニウムアルコキシモノ~トリシクロペンタンカルボキシレート、ハフニウムテトラシクロペンタンカルボキシレート、ハフニウムアルコキシモノ~トリシクロヘキサンカルボキシレート、ハフニウムテトラシクロヘキサンカルボキシレート、ハフニウムアルコキシモノ~トリアダマンタンカルボキシレート、ハフニウムテトラアダマンタンカルボキシレート、ハフニウムアルコキシモノ~トリナフテート、ハフニウムテトラナフテート等が挙げられる。式f1で表されるハフニウム化合物Fであって、R15が示す炭化水素基として芳香族炭化水素基を有するものとしては、例えば、ハフニウムアルコキシモノ~トリベンゼンカルボキシレート、ハフニウムテトラベンゼンカルボキシレート等が挙げられる。式f1で表されるハフニウム化合物Fであって、R15が示す炭化水素基として脂肪族炭化水素基を有するものとしては、例えば、ハフニウムアルコキシモノ~トリブチレート、ハフニウムテトラブチレート、ハフニウムアルコキシモノ~トリ2エチルヘキサノエート、ハフニウムテトラ2エチルヘキサノエート、ハフニウムアルコキシモノ~トリネオデカネート、ハフニウムテトラネオデカネート等が挙げられる。なお、本明細書において、モノ~トリは、モノ、ジおよびトリのうちのいずれかであることを意味する。これらのうち、熱硬化性により優れ、耐硫化性に優れるという理由から、ハフニウムトリアルコキシモノナフテート、ハフニウムトリアルコキシモノイソブチレート、ハフニウムトリアルコキシモノ2エチルヘキサノエート、ハフニウムトリアルコキシモノシクロプロパンカルボキシレート、ハフニウムトリアルコキシシクロブタンカルボキレート、ハフニウムトリアルコキシモノシクロペンタンカルボキシレート、ハフニウムトリアルコキシモノシクロヘキサンカルボキシレート、ハフニウムトリアルコキシモノアダマンタンカルボキシレート、ハフニウムトリアルコキシモノベンゼンカルボキシレート、ハフニウムジアルコキシジナフテートであるのがが好ましく、ハフニウムトリブトキシモノナフテート、ハフニウムトリブトキシモノイソブチレート、ハフニウムトリブトキシモノ2エチルヘキサノエート、ハフニウムトリブトキシモノシクロプロパンカルボキシレート、ハフニウムトリブトキシモノシクロペンタンカルボキシレート、ハフニウムトリブトキシモノシクロヘキサンカルボキシレート、ハフニウムトリアルコキシモノベンゼンカルボキシレート、ハフニウムトリブトキシモノアダマンタンカルボキシレート、ハフニウムジブトキシジナフテート、ハフニウムトリプロポキシモノナフテートであるのがより好ましい。次に、上述した式f2で表されるハフニウム化合物Fについて説明する。式f2中のR16は、式f1中のR16と同義である。式f2中のR17,R18が示す炭素数1~18の炭化水素基は、式f1中のR15が示す炭化水素基のうち炭素数が1~18であるものと同様である。式f2中のR17,R18が示すアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などの炭素数1~18のアルコキシ基が挙げられる。式f2中のR17,R18は、塩素原子、臭素原子、フッ素原子などのハロゲンを有していてもよい。なお、式f2において、R17とR18とは、入れ替わってもよい。式f2で表されるハフニウム化合物Fとしては、例えば、ハフニウムアルコキサイドモノ~トリ2,4-ペンタジオネート、ハフニウム-2,4-ペンタジオネート、ハフニウムアルキルペンタジオネート、ハフニウムフルオロペンタジオネート等が挙げられ、なかでも、ハフニウムジ-n-ブトキサイドビス-2,4-ペンタジオネート、ハフニウム-2,4-ペンタジオネート、ハフニウムテトラメチルペンタジオネート、ハフニウムトリフルオロペンタジオネートであるのが好ましい。<その他の成分>本発明の組成物は、本発明の目的や効果を損なわない範囲で、必要に応じてさらに添加剤を含有することができる。添加剤としては、例えば、無機フィラーなどの充填剤、酸化防止剤、滑剤、紫外線吸収剤、熱光安定剤、分散剤、帯電防止剤、重合禁止剤、消泡剤、硬化促進剤、溶剤、蛍光物質無機物、有機物、老化防止剤、ラジカル禁止剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定性改良剤、オゾン老化防止剤、増粘剤、可塑剤、放射線遮断剤、核剤、カップリング剤、導電性付与剤、リン系過酸化物分解剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤、接着付与剤、接着助剤等が挙げられる。蛍光物質無機物としては、例えば、YAG系蛍光体、ZnS系蛍光体、Y2O2S系蛍光体、赤色発光蛍光体、青色発光蛍光体、緑色発光蛍光体等が挙げられる。接着付与剤または接着助剤としては、例えば、エポキシシラン、エポキシシランオリゴマーなどの公知のエポキシ系シランカップリング剤;ビスアルコキシアルカン;イソシアヌレート誘導体;等が挙げられ、なかでも、ビスアルコキシアルカンおよび/またはイソシアヌレート誘導体であるのが好ましい。ビスアルコキシアルカンとしては、例えば、1,2-ビストリエトキシシリルエタン、1,6-ビストリメトキシシリルヘキサン、1,7-ビストリメトキシシリルヘプタン、1,8-ビストリメトキシシリルオクタン、1,9-ビストリメトキシシリルノナンおよび1,10-ビストリメトキシシリルデカンからなる群から選ばれる少なくとも1種であるのが好ましく、1,6-ビストリメトキシシリルへキサンがより好ましい。イソシアヌレート誘導体としては、下記式で表されるものであるのが好ましい。上記式中、Rは、それぞれ独立に、有機基または脂肪族不飽和結合を有する一価の炭化水素基を示し、エポキシ基、グリシドキシ基、アルコキシシリル基、メタアクリロイル基などの置換基を有していてもよい。上記式中のRが示す有機基としては、特に制限されず、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などのアリール基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基;ハロゲン化アルキル基;等が挙げられる。また、上記式中のRが示す脂肪族不飽和結合を有する一価の炭化水素基としては、特に制限されず、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基などの炭素数2~8の不飽和炭化水素基が挙げられる。上記式で表されるイソシアヌレート誘導体としては、例えば、トリス-3-トリメトキシシリルプロピルイソシアヌレートが挙げられる。これらの接着付与剤または接着助剤は、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの接着付与剤または接着助剤の含有量としては、ビスアルコキシアルカンを使用する場合、上述したオルガノポリシロキサンAおよびシラン化合物Bの合計100質量部に対して0.1~5質量部であるのが好ましい。また、イソシアヌレート誘導体を使用する場合、上述したオルガノポリシロキサンAおよびシラン化合物Bの合計100質量部に対して0.1~10質量部であるのが好ましく、0.1~5質量部であるのがより好ましい。本発明の組成物は、貯蔵安定性に優れるという理由から、実質的に水を含まないのが好ましい。本発明において実質的に水を含まないとは、本発明の組成物中における水の量が0.1質量以下であることをいう。また、本発明の組成物は、作業環境性に優れるという理由から、実質的に溶媒を含まないのが好ましい。本発明において実質的に溶媒を含まないとは、本発明の組成物中における溶媒の量が1質量以下であることをいう。本発明の組成物の製造方法は、特に限定されず、例えば、上述したオルガノポリシロキサンAと、シラン化合物Bと、スズ化合物Cと、亜鉛化合物Dと、所望によりジルコニウム化合物Eおよび/またはハフニウム化合物Fと、必要に応じて添加剤と、を混合することによって製造する方法が挙げられる。本発明の組成物は、1液型または2液型として製造することが可能である。本発明の組成物は、例えば、封止材例えば、光半導体素子用として使用できる。本発明の組成物を封止材として使用できる光半導体素子としては、例えば、発光ダイオードLED、有機電界発光素子有機EL、レーザーダイオード、LEDアレイ等が挙げられる。LEDとしては、例えば、ハイパワーLED、高輝度LED、汎用輝度LED等が挙げられる。また、本発明の組成物は、例えば、ディスプレイ材料、光記録媒体材料、光学機器材料、光部品材料、光ファイバー材料、光電子機能有機材料、半導体集積回路周辺材料等の用途に用いることができる。本発明の組成物の被着体としては、例えば、金属例えば、第11族の金属、ガラス、ゴム、半導体例えば、光半導体素子、ポリフタルアミドなどの樹脂等が挙げられる。なお、第11族の金属としては、銅、銀および金からなる群から選ばれる少なくとも1種であるのが好ましい。本発明の組成物は、透明性、耐硫化性により優れるという理由から、銀を含む部材の存在下で使用されるのが好ましい。本発明の組成物から得られるシリコーン樹脂層は、被着体と接着することができる。<使用方法>本発明の組成物の使用方法としては、例えば、銀を含む部材の存在下で本発明の組成物を硬化させる硬化工程を備える使用方法が挙げられる。以下、当該使用方法を、本発明の組成物の使用方法以下、本発明の使用方法ともいう。として説明する。本発明の使用方法に用いられる銀を含む部材としては、例えば、銀、銀メッキ等が挙げられ、具体例としては、リフレクタ等が挙げられる。上記硬化工程は、加熱および/または光照射によって、本発明の組成物を硬化させる工程であってもよい。本発明の組成物を加熱する温度としては、80°C~150°C付近が好ましく、150°C付近がより好ましい。また、本発明の組成物を光照射する際に用いる光としては、例えば、紫外線、電子線等が挙げられる。<シリコーン樹脂含有構造体>本発明のシリコーン樹脂含有構造体は、銀を含む部材と、上記部材を覆う、本発明の組成物を硬化させて得られるシリコーン樹脂層と、を備える。上記シリコーン樹脂層は、上記部材を、直接覆ってもよく、別の層例えば、樹脂層、ガラス層、空気層を介して覆ってもよい。本発明のシリコーン樹脂含有構造体は、光半導体素子を有するのが好ましい。光半導体素子としては、特に限定されず、例えば、本発明の組成物を封止材として使用できる光半導体素子として例示したものが挙げられる。本発明のシリコーン樹脂含有構造体が光半導体素子を有する態様としては、例えば、上記シリコーン樹脂層が、光半導体素子を介して、上記部材を覆う態様すなわち、光半導体素子が、上記シリコーン樹脂層と上記部材との間にある態様;上記シリコーン樹脂層が、並列に配置された光半導体素子と上記部材とを直接覆う態様;等が挙げられる。また、後者の態様においては、間隔を空けて並列に配置された2個の上記部材の間に、光半導体素子が配置されていてもよい。次に、本発明のシリコーン樹脂含有構造体としての積層体積層体100、積層体200を、図1および図2に基いて説明する。図1は、本発明のシリコーン樹脂含有構造体としての積層体の一例を模式的に示す断面図である。図1に示すように、積層体100は、銀を含む部材120を備える。部材120の上には、シリコーン樹脂層102が直接的に配置されている。図2は、本発明のシリコーン樹脂含有構造体としての積層体の別の一例を模式的に示す断面図である。図2に示すように、積層体200は、銀を含む部材220を備える。部材220の上には、光半導体素子203が直接的に配置され、光半導体素子203の上には、シリコーン樹脂層202が直接的に配置されている。なお、シリコーン樹脂層202と光半導体素子203との間に、図示しない透明な層例えば、樹脂層、ガラス層、空気層等が配置されていてもよい。<光半導体素子封止体>本発明の光半導体素子封止体は、凹部を有する枠体と、上記凹部の底部に配置された光半導体素子と、上記凹部の内側面に配置された銀を含む部材と、上記凹部に充填されて上記光半導体素子と上記部材とを封止する、本発明の組成物を硬化させて得られる封止材と、を備える。銀を含む部材としては、特に限定されず、例えば、本発明の使用方法に用いられる銀を含む部材として例示したものが挙げられる。また、光半導体素子としては、特に限定されず、例えば、本発明の組成物を封止材として使用できる光半導体素子として例示したものが挙げられる。本発明の光半導体素子封止体は、1個当たり、1または2以上の上記光半導体素子を有することができる。次に、本発明の光半導体素子封止体について図3~図5に基いて説明する。図3は、本発明の光半導体素子封止体の一例を模式的に示す断面図である。図3に示すように、光半導体素子封止体300は、凹部302を有する枠体304を備える。凹部302の底面は開口している。そのため、枠体304には、この開口を囲うようにして端部端部312、端部314が形成されている。枠体304の下方位置には、外部電極309を有する基板310が配置されている。基板310は、凹部302の底部を形成している。凹部302の底部には、光半導体素子303が配置されている。光半導体素子303は、上面が発光層図示せずとなる向きで、凹部302に配置される。光半導体素子303の下面は、マウント部材301によって固定される。マウント部材301は、例えば、銀ペースト、樹脂等である。光半導体素子303の各電極図示せずと外部電極309とは、導電性ワイヤー307によってワイヤーボンディングされている。凹部302の内側面には、銀を含む部材としてのリフレクタ320が配置されている。凹部302には、封止材308が充填されており、封止材308は、光半導体素子303およびリフレクタ320を封止している。ここで、封止材308は、本発明の組成物を硬化させて得られたものである。封止材308は、凹部302において、斜線部306まで充填されていてもよい。また、凹部302において308で示す部分を他の透明な層とし、封止材308を斜線部306にのみ配置するようにしてもよい。このような封止材308は、蛍光物質等を含有することができる。なお、光半導体素子封止体300としては、枠体304の端部端部312、端部314が一体的に結合し、凹部302の底部を形成する態様であってよい。この態様の場合、リフレクタ320は、凹部302の内側面のみならず、凹部302の底部にも配置される。そして、光半導体素子303は、凹部302の底部に配置されたリフレクタ320の上に配置される。このような光半導体素子封止体300においては、本発明の組成物を硬化させて得られた封止材308が用いられているため、銀を含む部材であるリフレクタ320の腐食例えば、変色を抑制することができる。また、凹部302に充填された封止材308は、低硬度で硬化収縮が小さいため、硬化収縮によって凹部302から剥がれたり、導電性ワイヤー307が断線したりするのを抑制することができる。図4は、本発明の光半導体素子封止体の別の一例を模式的に示す断面図である。図4に示す光半導体素子封止体400は、図3に示した光半導体素子封止体300の上にレンズ401を配置したものである。レンズ401としては、本発明の組成物を用いて形成されたものを用いることができる。図5は、本発明の光半導体素子封止体のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。図5に示す光半導体素子封止体500においては、ランプ機能を有する樹脂506の内部に、基板510およびインナーリード505が配置されている。基板510は凹部を有する枠体を有し、この凹部の底部には光半導体素子503が配置され、この凹部の内側面にはリフレクタ520が配置され、この凹部には本発明の組成物を硬化させて得られた封止材502が配置されている。リフレクタ520は、この凹部の底部に配置されていてもよい。光半導体素子503は、基板510上にマウント部材501で固定されている。光半導体素子503の各電極図示せずは、導電性ワイヤー507によってワイヤーボンディングされている。樹脂506は、本発明の組成物を用いて形成されてもよい。次に、本発明の組成物および/または本発明の光半導体素子封止体をLED表示器に利用する場合について、図6に基いて説明する。図6は、本発明の組成物および/または本発明の光半導体素子封止体を用いたLED表示器の一例を示す模式図である。図6に示すLED表示器600は、その一部に遮光部材605が配置された筐体604を有する。筐体604の内部には、複数の光半導体素子封止体601がマトリックス状に配置されている。光半導体素子封止体601は、封止材606によって封止されている。ここで、封止材606としては、本発明の組成物を硬化させて得られる封止材を用いることができる。また、光半導体素子封止体601としては、本発明の光半導体素子封止体を用いることができる。本発明のシリコーン樹脂含有構造体、および、本発明の光半導体素子封止体の用途としては、例えば、自動車用ランプ例えば、ヘッドランプ、テールランプ、方向ランプ等、家庭用照明器具、工業用照明器具、舞台用照明器具、ディスプレイ、信号、プロジェクター等が挙げられる。以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<熱硬化型シリコーン樹脂組成物の製造>下記第1表に示す成分を同表に示す量単位:質量部で用い、これらを真空かくはん機で均一に混合して熱硬化型シリコーン樹脂組成物を製造した。なお、下記第1表において、成分Cの量は、成分Aと成分Bとの合計量を100質量部とした場合における当該合計量100質量部に対する量を示している。これは、成分D~Fの量についても同様である。<評価>以下に示す方法で、評価を行った。結果を下記第1表に示す。<安定性熱硬化性>まず、下記第1表に示す成分を混合して製造した熱硬化型シリコーン樹脂組成物を、55RH、23°Cの条件に置き、24時間経過させた。次に、24時間以内にゲル化しなかった組成物について、さらに、150°Cの条件下で硬化させ、8時間経過後のJIS-A硬さと、168時間経過後のJIS-A硬さ飽和硬度とするとを測定し、8時間経過後に対する168時間経過後の硬さ上昇ポイントを求めた。ゲル化せず、硬さ上昇が飽和硬度に対して65を超えた場合は、室温での安定性および熱硬化性に優れるものとして○と評価し、硬さ上昇が飽和硬度に対して50~65であった場合は熱硬化性にやや劣るものとして△と評価し、硬さ上昇が飽和硬度に対して50より小さかった場合、または、熱硬化型シリコーン樹脂組成物がゲル状でありJIS-A硬さ測定ができなかった場合には熱硬化性または室温での安定性に劣るものとして×と評価した。<透明性>得られた熱硬化型シリコーン樹脂組成物を、150°Cで12時間硬化させて得られた硬化物厚さ:2mmについて、JISK0115:2004に準拠して、紫外可視吸収スペクトル測定装置島津製作所社製を用いて、波長400nmにおける透過率を測定した。透過率が80以上であれば、透明性に優れるものとして評価できる。<耐硫化性>[硬化サンプル作成]製造された熱硬化型シリコーン樹脂組成物を、銀メッキ上に厚さ1mm程度になるよう塗布し、150°C、3時間の条件で硬化させて、耐硫化性評価用の硬化サンプルを得た。[耐硫化性試験]10Lのデシケーターの底に、粉状に粉砕した硫化鉄10g程度塩酸0.5mmolに対して大過剰を置いた。次に、デシケーター内における硫化鉄の上方位置に、硫化鉄に接触しないように目皿貫通孔を有するを取り付け、この目皿上に硬化サンプルを置いた。次に、硫化鉄に塩酸0.5mmolを滴下することにより、硫化水素0.25mmol濃度:理論値として560ppmを発生させた反応式:FeS2HCl→FeCl2H2S。[耐硫化性の評価基準]上述した耐硫化性試験の開始硫化水素の発生から24時間後に、目視により硬化サンプルにおける銀の変色を確認した。変色が確認されなかった場合には、耐硫化性に優れるものとして○と評価し、変色が確認された場合には、耐硫化性に劣るものとして×と評価した。上記第1表中の各成分は、以下のものを使用した。オルガノポリシロキサン1:下記式で表されるポリジメチルシロキサン-α,ω-ジオールss10、信越化学工業、重量平均分子量:49000、反応性官能基:シラノール基、平均官能基数:2個オルガノポリシロキサン2:両末端シラノールジメチルシリコーンオイルPRX-413、東レダウコーニング社製、重量平均分子量:4000、反応性官能基:シラノール基、平均官能基数:2個オルガノポリシロキサン3:シリコーンレジンSR1000、モメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン合同会社製、重量平均分子量:4000、反応性官能基:シラノール基オルガノポリシロキサン4:シラノール基およびフェニル基を有する、メチルフェニルジクロロシランの加水分解縮合物重量平均分子量:870、反応性官能基:シラノール基シラン化合物1:下記のとおり製造した両末端トリメトキシシリルシロキサン重量平均分子量:55000、反応性官能基:メトキシシリル基、平均官能基数:6個500mLの3つ口フラスコに、攪拌機とリフラックスコンデンサーとを備え付け、両末端にシラノール基を有するポリシロキサンss10、信越化学工業社製100質量部、テトラメトキシシラン10質量部、および、酢酸0.1質量部を添加し、窒素雰囲気下で100°Cで6時間反応させ、1H-NMR分析によってss10が有するシラノール基の消失を確認し、得られた反応物をシラン化合物1とした。シラン化合物1の主たる構造は、下記式で示される。シラン化合物2:下記のとおり製造した末端ポリメトキシシリルシロキサン重量平均分子量:60000、反応性官能基:メトキシシリル基、平均官能基数:14個500mLの3つ口フラスコに、攪拌機とリフラックスコンデンサーとを備え付け、両末端にシラノール基を有するポリシロキサンss10、信越化学工業社製100質量部、メチルトリメトキシシランの部分加水分解物KC-89、信越化学工業社製10質量部、および、酢酸0.1質量部を添加し、窒素雰囲気下で140°Cで15時間反応させ、1H-NMR分析によってss10が有するシラノール基の消失を確認し、得られた反応物をシラン化合物2とした。シラン化合物2の主たる構造は、下記式で示される。シラン化合物3:シリコーンアルコキシオリゴマーx-40-9246、信越化学工業社製、重量平均分子量:6000、反応性官能基:アルコキシシリル基、平均官能基数:0<n<2シラン化合物4:メトキシ基を14質量含有するメチル系のアルコキシレジンタイプのシリコーンオリゴマーXR31-B2733、モメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン合同会社製、重量平均分子量:20000、反応性官能基:アルコキシシリル基シラン化合物5:アルコキシシリル基およびフェニル基を有し、シラノール基を有さないシリコーンアルコキシオリゴマーKR480、信越化学工業社製、反応性官能基:アルコキシシリル基スズ化合物1:ジブチルスズジアセテートU-200、日東化成社製スズ化合物2:ジオクチルスズ塩と正ケイ酸エチルSiOC2H54との反応物s-1、日東化成社製スズ化合物3:ビス2-エチルヘキサン酸スズネオスタンU-28、日東化成社製亜鉛化合物1:ビス2-エチルヘキサン酸亜鉛オクトープZn、ホープ製薬社製亜鉛化合物2:下記のとおり製造したビスネオデカン酸亜鉛酸化亜鉛関東化学社製1モルに対してネオデカン酸2モルを加えて室温下で撹拌し、透明の均一な液体ビスネオデカン酸亜鉛を得た。得られた液体を亜鉛化合物2とした。亜鉛化合物3:ビスアセチルアセトナート亜鉛錯体関東化学社製ジルコニウム化合物1:ナフテン酸ジルコニル日本化学産業社製ジルコニウム化合物2:下記のとおり製造したジルコニウムトリブトキシモノナフテート87.5質量濃度のジルコニウムテトラブトキシド関東化学社製11.4g0.026molとナフテン酸東京化成社製、カルボキシ基に結合する炭化水素基の炭素原子数の平均:15、中和価220mg、以下同様。6.6g0.026molとを三ツ口フラスコに投入し窒素雰囲気下、室温で2時間程度攪拌し目的合成物とした。なお、ナフテン酸の中和価はナフテン酸1gを中和するのに必要なKOHの量である。合成物の定性はフーリエ変換赤外分光光度計FT-IRを用いてその分析を行った。その結果、カルボン酸由来のCOOHに帰属される1700cm1付近の吸収が反応後は消失し、1450~1560cm1付近のCOOZrに由来するピークを確認した。得られた合成物をジルコニウム化合物2とする。ジルコニウム化合物2が有するナフテート基RCOO-中のRの平均炭素原子数は15である。ハフニウム化合物1:下記のとおり製造したハフニウムトリブトキシモノナフテート45質量濃度のハフニウムテトラブトキシドGelest社製4.7g0.01molとナフテン酸東京化成社製、カルボキシ基に結合する炭化水素基の炭素原子数の平均:15、中和価220mg。なお、ナフテン酸の中和価はナフテン酸1gを中和するのに必要なKOHの量である。2.55g0.01molとを三ツ口フラスコに投入し窒素雰囲気下、室温で2時間程度攪拌し目的合成物とした。合成物の定性はフーリエ変換赤外分光光度計FT-IRを用いてその分析を行った。その結果カルボン酸由来のCOOHに帰属される1700cm1付近の吸収が反応後は消失し、1,450~1,560cm1付近のCOOHfに由来するピークを確認した。得られた合成物をハフニウム化合物1とする。ハフニウム化合物1が有するナフテート基RCOO-中のRの平均炭素原子数は15である。チタン化合物:チタンイソプロポキシビスアセチルアセトネート商品名:TC-100、マツモト交商社製アルミニウム化合物:エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロポキシド商品名:ALCH、川研ファインケミカル社製接着付与剤エポキシ化合物:エポキシシランオリゴマー商品名:x-41-1053、信越化学工業社製ビスアルコキシアルカン:ビストリメトキシシリルヘキサン商品名:Z6830、東レダウコーニング社製イソシアヌレート誘導体:トリス-3-トリメトキシシリルプロピルイソシアヌレート商品名:x-12-965、信越化学工業社製上記第1表に示す結果から明らかなように、実施例1~12は、いずれも、室温での安定性および熱硬化性が両方ともに優れ、また、透明性、耐硫化性にも優れることが分かった。より詳細に見ると、スズ化合物または亜鉛化合物のいずれか一方のみを含有していても室温での安定性および熱硬化性は優れないが比較例1~5,9~13、両者を併用することによって熱硬化性に優れることが分かった実施例1~12。なお、亜鉛化合物に対するスズ化合物の質量比C/Dの値が1以上である比較例6~8は、ゲル化し、室温での安定性に劣っていた。また、スズ化合物にチタン化合物を併用させた比較例9、および、スズ化合物にアルミニウム化合物を併用させた比較例10は、ゲル化し、室温での安定性が劣っていた。本発明の組成物は、室温での安定性に優れ、可使時間を十分な長さで設定することができ、室温での安定性および熱硬化性のバランスに優れる。"