"被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理方法であって,前記被処理基板にニッケル膜を成膜する工程と,前記ニッケル膜を成膜した前記被処理基板を水素雰囲気中で所定の温度まで加熱する工程と,前記所定の温度まで加熱した前記被処理基板に前記ニッケル膜の表面を覆うキャップ膜を成膜する工程と,を有することを特徴とする基板処理方法。前記ニッケル膜は,前記被処理基板のシリコン酸化膜上に成膜したものを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。前記キャップ膜は,タングステン,チタン,窒化チタン,タンタル,または窒化タンタルのいずれかを含むガスを原料として,CVD法を用いて成膜することを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理方法。前記被処理基板を水素雰囲気中で加熱する所定の温度は,少なくとも300°C以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理方法。被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理方法であって,前記被処理基板にニッケル膜を成膜する工程と,前記ニッケル膜を成膜した前記被処理基板を水素雰囲気中で所定の温度まで加熱する工程と,前記所定の温度まで加熱した前記被処理基板の前記ニッケル膜にドーパント原子を添加する工程と,を有することを特徴とする基板処理方法。前記ドーパント原子は,前記ドーパント原子を含む水素化合物ガスを前記ニッケル膜に供給することによって前記ニッケル膜に添加することを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。前記水素化合物ガスは,ジボランまたはホスフィンであることを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。ところで,半導体装置の微細化が進むに連れて絶縁膜が薄く形成されるようになり,リーク特性の低下が問題になっており,近年ではより高いワークファンクションを有する金属シリサイド膜が求められている。この点,ニッケルNiは,Siの消費量を抑えつつ,低抵抗の膜を形成することができるので,金属シリサイド膜の材料として有力な候補とされている。このNi膜についても熱によって凝集するため,上述したCo膜の場合と同様にその上にキャップ膜を形成することで,凝集を抑制できるものと考えられる。ところが,Niが凝集する温度はCoに比べて低いのに対して,キャップ膜を形成するための温度はそのNiの凝集する温度よりも高いので,特許文献1に記載のような従来の方法では,実際にはキャップ膜形成温度までの昇温過程で凝縮してしまう可能性が高いという問題がある。そこで,本発明は,このような問題に鑑みてなされたもので,その目的とするところは,Ni膜の凝集を抑制するための処理例えばキャップ膜成膜を行う際に,その凝集抑制処理後のみならず,その処理過程においても,Ni膜の凝集を抑えることができる基板処理方法を提供することにある。上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理方法であって,前記被処理基板にニッケル膜を成膜する工程と,前記ニッケル膜を成膜した前記被処理基板を水素雰囲気中で所定の温度まで加熱する工程と,前記所定の温度まで加熱した前記被処理基板に前記ニッケル膜の表面を覆うキャップ膜を成膜する工程と,を有することを特徴とする基板処理方法が提供される。このような本発明によれば,Ni膜に凝集抑制のためにキャップ膜の形成を行う際に,水素雰囲気中において被処理基板を加熱して昇温した上で,キャップ膜の形成処理を行うので,その処理後のみならず,その処理過程においても,Ni膜の凝集を抑えることができる。また,上記ニッケル膜は,前記被処理基板のシリコン酸化膜上に成膜したものを含むようにしてもよい。シリコン酸化膜上のニッケル膜はシリサイド化しないため,シリコン膜上のニッケル膜に比べて熱によって凝集しやすい。この点,本発明によれば,このようなシリコン酸化膜上のニッケル膜についても,キャップ膜と水素の効果によりその凝集を抑えることができるので,例えばシリコン膜上のみならずシリコン酸化膜上に成膜されるニッケル膜についてもキャップ膜を成膜する際に大きな効果を奏することができる。また,上記キャップ膜は,例えばタングステン,チタン,窒化チタン,タンタル,または窒化タンタルのいずれかを含むガスを原料として,CVD法を用いて成膜する。これによってニッケル膜の凝集を抑制するキャップ膜を形成することができる。また,CVD法を用いてキャップ膜を成膜するため,被処理基板を比較的高温に加熱することになるが,その際のニッケル膜の凝集を抑えることもできる。また,上記被処理基板を水素雰囲気中で加熱する所定の温度は,少なくとも300°C以上であってもよい。被処理基板をこのような温度にまで加熱しても,水素の効果によりニッケル膜の凝集を抑制することができる。また,カバレッジ特性が高いキャップ膜を成膜することができる。上記課題を解決するために,本発明の他の観点によれば,被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理方法であって,前記被処理基板にニッケル膜を成膜する工程と,前記ニッケル膜を成膜した前記被処理基板を水素雰囲気中で所定の温度まで加熱する工程と,前記所定の温度まで加熱した前記被処理基板の前記ニッケル膜にドーパント原子を添加する工程と,を有することを特徴とする基板処理方法が提供される。このような本発明によれば,Ni膜中にドーパント原子を添加する処理を行う際に,水素雰囲気中において被処理基板を加熱して昇温した上で,ドーパント原子を添加する処理を行うので,その処理後のみならず,その処理過程においても,Ni膜の凝集を抑えることができる。また,上記ドーパント原子は,例えば前記水素化合物ガスを前記ニッケル膜に供給することによって前記ニッケル膜に添加する。さらに,上記水素化合物ガスは,ジボランまたはホスフィンであることが好ましい。このようなドーパント原子をニッケル膜に添加することにより,ニッケル膜を耐熱性が高く凝集しにくい膜質に変化させることができる。本発明によれば,Ni膜の凝集を抑制するためのキャップ膜成膜やドーパント原子添加などの処理を行う際に,水素雰囲気中において被処理基板を加熱して昇温した上で,凝集抑制処理を行うので,その凝集抑制処理後のみならず,その処理過程においても,Ni膜の凝集を抑えることができる。以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。基板処理装置の構成例まず,本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は本実施形態にかかる基板処理装置100の構成例を概略的に示す模式図である。この基板処理装置100は,気密に構成された略円筒状の処理室102を有しており,その中には被処理基板であるウエハ300を水平に支持するためのサセプタ104が,後述する排気室の底部からその中央下部に達する円筒状の支持部材106により支持された状態で配置されている。このサセプタ104は窒化アルミニウムAlN等のセラミックスからなっている。また,サセプタ104にはヒータ110が埋め込まれており,このヒータ110にはヒータ電源112が接続されている。一方,サセプタ104の上面近傍には熱電対114が設けられており,熱電対114の信号はヒータコントローラ116に伝送されるようになっている。そして,ヒータコントローラ116は熱電対114の信号に応じてヒータ電源112に指令を送信し,ヒータ110の加熱を制御してウエハ300を所定の温度に制御するようになっている。サセプタ104の内部のヒータ110の上方には,高周波電力印加用の電極154が埋設されている。この電極154には整合器156を介して高周波電源158が接続されており,必要に応じて電極154に高周波電力を印加してプラズマを生成することによりプラズマCVDの処理を実行できるようになっている。なお,サセプタ104には3本のウエハ昇降ピン図示せずがサセプタ104の表面に対して突没自在に設けられており,ウエハ300を搬送する際に,サセプタ104の表面から突出した状態となる。処理室102の上方には円形の開口部102bが形成されており,この開口部102bを閉じる天壁を構成する蓋部102aが着脱自在に取り付けられている。蓋部102aの下面にはシャワーヘッド120が設けられ,蓋部102aを閉じると開口部102bにシャワーヘッド120が挿入され処理室102内の上方に配置されるようになっている。シャワーヘッド120は,後述するガス供給機構160から供給された成膜用のガスを処理室102内に吐出するためのものである。シャワーヘッド120の上部には,ガスを独立して導入可能な第1,第2導入路122,124が設けられている。第1導入路122からは,成膜原料ガスとしてNを含有するNi化合物ガスが処理室102内に導入される。ここでのNi化合物ガスは,例えばNiIIN,N′-ジ-ターシャリブチルアミジネートNiIItBu-AMD2のようなニッケルアミジネートである。このニッケルアミジネートとしては,NiIIN,N′-ジ-イソプロピルアミジネートNiIIiPr-AMD2,NiIIN,N′-ジ-エチルアミジネートNiIIEt-AMD2,NiIIN,N′-ジ-メチルアミジネートNiIIMe-AMD2等が挙げられる。第1導入路122からは,ウエハWの処理に応じて必要なガスが処理室102内に導入される。第1導入路122を介して導入されるガスとしては,例えばアンモニアNH3ガス,水素H2ガス,六フッ化タングステンWF6ガス,ジボランB2H6ガス,窒素N2ガスなどが挙げられる。上記第1,第2導入路122,124はそれぞれ,シャワーヘッド120内に形成された上部空間126,下部空間128に連通している。シャワーヘッド120の下面には,上部空間126に連通する複数の第1ガス吐出孔130と,下部空間128に連通する複数の第2ガス吐出孔132が独立して設けられている。これにより,シャワーヘッド120の第1,第2導入路122,124から導入されたガスはそれぞれ独立して,第1,第2ガス吐出孔130,132から処理室102内に吐出することができる。第1,第2導入路122,124には,後述する2系統のガス供給系を有するガス供給機構160が接続されており,各ガス供給系からのガスが第1,第2導入路122,124にそれぞれ独立して供給されるようになっている。このガス供給機構160の具体的構成例については後述する。処理室102の底壁には,下方に向けて突出する排気室142が設けられている。排気室142の側面には排気管144が接続されており,この排気管144には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置146が接続されている。そしてこの排気装置146を作動させることにより処理室102内を所定の減圧状態とすることが可能となっている。処理室102の側壁には,ウエハ300の搬入出を行うための搬入出口148と,この搬入出口148を開閉するゲートバルブ150とが設けられている。また,処理室102の壁部には,ヒータ152が設けられており,成膜処理の際に処理室102の内壁の温度を制御可能となっている。次に,本実施形態におけるガス供給機構160の具体的構成例について説明する。図1に示すガス供給機構160は,シャワーヘッド120の第1導入路122に接続される第1ガス供給系と,第2導入路124に接続される第2ガス供給系とを備える。ここでの第1ガス供給系は,後述するNi膜形成に用いる成膜原料ガスとしての,ニッケルアミジネートであるNiIIN,N′-ジ-ターシャリブチルアミジネートNiIItBu-AMD2を成膜原料とするガスを供給する場合を例に挙げる。また,第2ガス供給系は,Ni膜形成に用いるガスとしてのNH3ガス,Ni膜上にタングステンWなどのキャップ膜の成膜に用いるWF6ガス,Ni膜中にBボロンなどを添加するために用いるB2H6ガスが選択的に供給できるように構成されている。先ず,第1ガス供給系統について説明する。第1ガス供給系統は,ニッケルアミジネートであるNiIIN,N′-ジ-ターシャリブチルアミジネートNiIItBu-AMD2を成膜原料として貯留する成膜原料タンク162を有している。成膜原料タンク162の周囲にはヒータ162aが設けられており,タンク162内の成膜原料を適宜の温度に加熱することができるようになっている。成膜原料タンク162には,上方からバブリングガスであるアルゴンArガスを供給するためのバブリング配管164が成膜原料に浸漬されるようにして挿入されている。バブリング配管164にはArガス供給源166が接続されている。バブリング配管164にはArガス供給源166よりも下流側に流量制御器としてのマスフローコントローラMFC168が介装されている。マスフローコントローラMFC168の上流側と下流側にはそれぞれ,バルブ170が1つずつ設けられている。また,成膜原料タンク162内には第1ガス送出配管172が上方から成膜原料まで届かない位置まで挿入されており,この第1ガス送出配管172の他端はシャワーヘッド120の第1導入路122に接続されている。第1ガス送出配管172にはバルブ174が介装されている。また,第1ガス送出配管172には成膜原料ガスの凝集防止のためのヒータ176が設けられている。そして,バブリングガスであるArガスが成膜原料に供給されることにより成膜原料タンク162内で成膜原料がバブリングにより気化され,生成された成膜原料ガスが,第1ガス送出配管172および第1導入路122を介してシャワーヘッド120内に供給される。なお,バブリング配管164と第1ガス送出配管172との間は,バイパス配管196により接続されており,このバイパス配管196にはバルブ198が介装されている。バブリング配管164の下流側と,第1ガス送出配管172におけるバイパス配管196接続部分の下流側にはそれぞれ,バルブ170a,174aが介装されている。そして,バルブ170a,174aを閉じてバルブ198を開くことにより,Arガス供給源166からのArガスを,バブリング配管164,バイパス配管196,第1ガス送出配管172を経て,パージガス等として処理室102内に供給することができるようになっている。シャワーヘッド120の第2導入路124には,第2ガス送出配管180が接続されており,この第2ガス送出配管180にはバルブ182が設けられている。この第2ガス送出配管180には,ガス供給源184が接続されている。第2ガス送出配管180のガス供給源184下流側にはマスフローコントローラMFC188が介挿されている。マスフローコントローラMFC188の上流側と下流側にはそれぞれ,バルブ190が1つずつ設けられている。ガス供給源184は,例えばNi膜を成膜する際にはNH3ガスを供給し,Ni膜上にタングステンWなどのキャップ膜を成膜する場合はWF6ガスを供給し,Ni膜中にBボロンなどを添加する場合B2H6ガスを供給するようになっている。なお,図1には第2導入路124に接続される第2ガス供給系として,ガス供給源184,マスフローコントローラMFC188,バルブ190等から成る第2ガス供給系を1つのみ示しているが,第2導入路124にはガスの種類ごとに複数のガス供給系が接続されており,各ガスはそれぞれ独立に流量制御され,処理室102内に供給されるようになっている。基板処理装置100には,上述したバルブ,電源,ヒータ,ポンプなど各構成要素を制御する制御部200が接続されている。制御部200は,例えばマイクロプロセッサコンピュータを備えたプロセスコントローラ202と,ユーザインタフェース204と,記憶部206とを備えて構成される。基板処理装置100の各構成要素は,プロセスコントローラ202に電気的に接続されて制御される。ユーザインタフェース204は,プロセスコントローラ202に接続されており,例えばLCDLiquidCrystalDisplayなどの表示部を備えたタッチパネルからなるオペレーションパネル等を備える。表示部には例えば基板処理装置100の各構成要素の動作状況が表示される。また,オペレータはオペレーションパネルにより基板処理装置100に対する種々の操作を行うことができる。プロセスコントローラ202には記憶部206が接続されている。記憶部206には,基板処理装置100で実行される各種処理をプロセスコントローラ202の制御にて実現するための制御プログラム,処理条件に応じて基板処理装置100の各構成要素に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピ,各種データベース等が格納されている。記憶部206は,ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし,CD-ROM,DVD,フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また,他の装置から,例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。制御部200は,必要に応じて,ユーザインタフェース204からの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶部206から読み出してプロセスコントローラ202に実行させることで,プロセスコントローラ202の制御下で,基板処理装置100はウエハ300に対する所定の処理を行う。Wキャップ膜の成膜次に,上記のように構成された基板処理装置100によって実行される基板処理方法について図面を参照しながら説明する。ここでは,ウエハ300上にNi膜を形成し,そのNi膜上にキャップ膜としてのW膜以下,Wキャップ膜と称するを形成することによって,Ni膜の凝集を抑制する場合を例に挙げる。図2A~図2Cは,Ni膜上にWキャップ膜を形成する処理を説明するための工程図である。先ずウエハ300としてSi基板301上にSiO2膜302が形成されたものにNi膜を形成する。ウエハ300は例えば図2Aに示すように予め熱酸化処理が施されたSi基板301の表面に所定の領域に所定の膜厚例えば100nmのSiO2膜302を形成したものである。具体的には,ゲートバルブ150を開き,搬送装置図示せずによって図2Aに示すような膜構造のウエハ300を,搬入出口148を介して処理室102内に搬入し,サセプタ104上に載置する。次いで,処理室102内を排気装置146により排気して処理室102内を所定の圧力にし,サセプタ104を所定温度に加熱し,その温度を維持したまま,成膜原料ガスであるNを含有するNi化合物ガスと還元ガスであるNH3ガスを供給して,CVD法を用いて図2Bに示すようにNi膜304を成膜する。具体的には,成膜原料タンク162内に貯留された成膜原料としてのNを含有するNi化合物,例えばニッケルアミジネートであるNiIIN,N′-ジ-ターシャリブチルアミジネートNiIItBu-AMD2にバブリングガスとしてのArガスを供給して,その成膜原料としてのNi化合物をバブリングにより気化させ,第1導入路122からシャワーヘッド120を介して処理室102内へ供給するとともに,還元ガスとしてのNH3ガスを第2導入路124からシャワーヘッド120を介して処理室102内に供給する。このときの処理室102内の圧力は133~665Pa1~5Torr,サセプタ104によるウエハ300の加熱温度は160~230°C,Arガスの流量は100~500ml/minsccm,NH3ガスの流量は400~4500ml/minsccmとする。このように,Ni化合物ガスと還元ガスを処理室102内に供給することにより,サセプタ104により加熱されたウエハ300のSiO2膜302の表面でNi化合物ガスと還元ガスとが反応してSiO2膜302上に所定の膜厚例えば20nmのNi膜304が成膜される。なお,このような熱CVDの他,高周波電源158からサセプタ104内の電極154に高周波電力を印加するプラズマCVD法を用いてNi膜304を成膜してもよい。Ni膜304が成膜された時点で,バルブ170a,174a,182,190を閉じて処理室102内へのNi化合物ガスおよびNH3ガスの供給を停止した後,排気装置146により急速排気を行いながら,バルブ198を開いてArガスをバイパス配管196,第1ガス送出配管172を介して処理室102内に供給して処理室102内をパージする。このときのArガス流量は1000~5000ml/minsccmが好ましい。パージ工程の時間は5~20secが好ましい。次に,Ni膜304の凝集を抑制するため,その表面を覆うWキャップ膜306を形成する。このとき,Wキャップ膜306の成膜は,PVD法よりもステップカバレッジが良好なCVD法を用いることが好ましい。このCVD法によるWキャップ膜306の成膜温度は300°C程度なのでその温度までウエハ300を加熱して昇温しなければならない。ところが,Niが凝集し始める温度はCoやTiに比べて低いので,Wキャップ膜306を成膜する前のウエハWの昇温過程において既にNi膜が凝集してしまう虞がある。このため,本発明者らは,ウエハWの昇温過程でも凝集しない方法について実験を重ねたところ,水素雰囲気の中で昇温したときには比較的高温になるまでNi膜の凝集が発生しないことを見出した。そこで,本実施形態におけるWキャップ膜の形成処理では,Wキャップ膜の成膜温度まで,水素ガス雰囲気にしてウエハを加熱した上で,Wキャップ膜を成膜する。これによれば,Wキャップ膜形成前のウエハの昇温過程においてもNi膜の凝集を抑制できる。そして,Ni膜上にWキャップ膜が形成された後は,それ以上の高温にウエハを加熱してもNi膜の凝集を抑制できる。ここで,このような水素ガス雰囲気中でウエハ300を昇温しながらWキャップ膜306を形成する処理について,水素以外のガス雰囲気中でウエハ300を昇温する場合と比較しながら説明する。図3は,本実施形態におけるNi膜上にWキャップ膜306を形成する処理のタイミングチャートである。Ni膜304を成膜した後,この上にWキャップ膜306をCVD法によって成膜するにあたり,予めウエハ300を所定の温度例えば300°Cまで加熱する昇温工程。このとき,上述したように処理室102内を水素ガス雰囲気にして昇温させることが好ましい。具体的には第2導入路124から処理室102内にH2ガスを供給してウエハ300をH2雰囲気中に置くようにする。このとき,H2ガスの流量を例えば500~4000ml/minsccmとして,処理室102内の圧力を400~10670Pa3~80Torrに調整する。これによって,Wキャップ膜成膜前におけるウエハ300の昇温過程昇温工程においてもNi膜の凝集を抑制できる。仮に,ウエハ300をH2ガス以外のガス雰囲気,例えばAr雰囲気で加熱すると,その昇温過程でNi膜304の凝集が生じてしまう虞がある。特にSiO2膜302上のNi膜は上述したように凝集し易いので,Si基板上のNi膜よりも低い温度でも凝集が生じてしまう虞がある。これに対して,本実施形態によれば,H2雰囲気中にウエハ300を置きながら昇温するため,Ni膜304を凝集させることなくウエハWを所定の温度にまで加熱した上で,Wキャップ膜306を成膜できる。続いて,CVD法を用いて,図2Cに示すようにNi膜304の上に所定の膜厚例えば16nmのWキャップ膜306を成膜するW成膜工程。具体的には,ウエハWの温度を例えば300°Cに維持したまま,成膜原料ガスであるWF6ガスを第2導入路124からシャワーヘッド120を介して処理室102内に供給する。このとき,WF6ガスの流量を例えば200ml/minsccm,処理室102内の圧力を400~10670Pa3~80Torrに調整する。この処理時間は,例えば5秒とする。次いで,排気装置146により排気を行いながら,N2ガスを第2導入路124からシャワーヘッド120を介して処理室102内に供給する。このとき,N2ガスの流量を例えば2000ml/minsccmとして,処理室102内の圧力を例えば400Pa3Torrに調整する。そして,ウエハ300を所定の温度例えば,600°Cまで加熱して,その温度を例えば3分間維持する。これによって,Ni膜304のうち,下地がウエハ300の表面Si層である部分については,シリサイド化してNiシリサイド膜となる。その後,ゲートバルブ150を開いて成膜後のウエハ300を搬送装置図示せずにより搬入出口148を介して搬出する。このように本実施形態によれば,Wキャップ膜306の形成処理では,その成膜温度までは水素ガス雰囲気にしてウエハ300を加熱した上で,Wキャップ膜306を成膜する。これによれば,Wキャップ膜306形成前のウエハ300の昇温過程においてもNi膜の凝集を抑制できる。そして,Ni膜上にWキャップ膜306が形成された後は,Ni膜304をシリサイド化する際のアニール処理熱処理のようにそれ以上の高温にウエハ300を加熱してもNi膜の凝集を抑制できる。さらに,水素ガス雰囲気中で昇温することにより,比較的高温まで昇温しても,Ni膜の凝集を抑制できるので,Wキャップ膜306の成膜においても比較的温度が高い状態で実行されるCVD法を用いることができる。これによれば,ウエハW上のSiO2膜上に成膜されたNi膜の凝集を抑制しながら,Si基板又はSi膜上に成膜されたNi膜とSi基板又はSi膜との反応を制御できる。これにより,例えばウエハW上に形成されたコンタクトホール底に良質なNiシリサイド膜を形成できるので,良好な電気特性を有する半導体装置をウエハW上に形成できる。H2ガスによるNi膜凝集抑制効果を検証した実験結果次に,上述したWキャップ膜形成前に水素ガス雰囲気中でウエハを昇温させる場合のNi膜凝集抑制効果を検証した実験結果について,N2雰囲気中にてウエハを昇温させる場合の比較例と比較しながら説明する。図4は,膜厚20nmのNi膜に対してN2雰囲気中にてウエハを昇温した比較例のNi膜の表面状態の温度依存性を説明するためのSEMScanningElectronMicroscope:走査型電子顕微鏡画像である。図5は,SiO2膜上のNi膜に対してH2雰囲気中にてウエハを昇温した本実施形態におけるNi膜の表面状態の温度依存性を説明するためのSEM画像を示す図であり,図6は,Si膜上のNi膜の同温度依存性を説明するためのSEM画像を示す図である。図4~図6の実験では,N2ガスの流量を2000ml/minsccm,処理室内の圧力を400Pa3Torr,昇温時間を3分に設定した。そして,図4では昇温の目標温度を200°C,250°C,300°C,350°Cに変化させて,それぞれのNi膜の表面状態を観察した。図4中の各画像にはそれぞれSi膜上のNi膜の表面左側と,SiO2膜上のNi膜の表面右側を示している。図5のSiO2膜上のNi膜では300°Cよりも低い温度では凝集は見られなかったので,300°C以上を目標温度とする範囲300°C,450°C,500°C,550°Cで実験を行ったものである。図5では,これらと比較するため,熱処理を施す前,すなわち熱処理を施さない場合as-depo.の実験結果も示している。図6のSi膜上のNi膜は,450°Cよりも低い温度では凝集は見られなかったので,450°C以上を目標温度とする範囲450°C,500°C,550°Cで実験を行ったものである。このようにSiO2膜上のNi膜は,Si膜上のNi膜よりも低い温度から凝集し始める。これは,Si膜上に成膜されたNi膜は,温度上昇によってSiと反応してある程度シリサイド化するので,Ni膜との密着性がよくなり,シリサイド化しないSiO2膜上のNi膜に比して,多少は凝集し難くなっているためと考えられる。図4に示す実験結果によれば,N2雰囲気中にてウエハを昇温した比較例の場合には,Si膜上のNi膜とSiO2膜上のNi膜のいずれにおいても,300°Cに達する前から凝集し始めていることが分かる。特にSiO2膜については250°C程度でも凝集が顕著になり始め,Si膜上のNi膜でも300°C程度からは凝集が顕著になり始め,350°Cでは両者とも凝集による欠陥が明らかとなる。このように,N2雰囲気中にてウエハを昇温した比較例の場合には,Ni膜が凝集する温度がCVDによるWキャップ膜の成膜温度である略300°Cよりも低いため,Wキャップ膜の成膜前の昇温過程においてもNi膜が凝集してしまうことが分かる。なお,水素ガス以外のガス雰囲気では,N2雰囲気中に限られず,例えばAr雰囲気中でウエハを昇温した場合にも同様にNi膜の凝集を抑制できない。これに対して,図5,図6に示す実験結果によれば,H2雰囲気中にてウエハを昇温した本実施形態の場合には,Si膜上のNi膜図5とSiO2膜上のNi膜図6のいずれにおいても,300°C程度まで昇温してもNi膜は凝集しないことが分かる。例えば図5では,熱処理を施さない場合as-depo.には凝集は発生しておらず,300°C程度まで昇温してもこれとほぼ同様の表面状態となっており,凝集が発生していないことが分かる。特にN2雰囲気中では250°C程度でも凝集し始めたSiO2膜上のNi膜についても,本願実施形態におけるH2雰囲気中では300°C以上昇温してもNi膜が凝集しないようにすることができる点で効果が大きい。このように,H2雰囲気中にてウエハを昇温した本実施形態の場合には,Ni膜が凝集する温度がCVDによるWキャップ膜の成膜温度である略300°Cよりも高いため,Wキャップ膜の成膜前の昇温過程においてもNi膜が凝集しないことが実験からも明らかである。図5によればSiO2膜上のNi膜ではさらに450°C程度まで昇温しても顕著な凝集は見られず,図6によればSi膜ではさらに高温の550°Cまで昇温しても顕著な凝集は見られなかった。このため,Ni膜上に形成するキャップ膜としてはWのみならず,それよりも成膜温度の高い材料例えばTi膜などをキャップ膜として成膜しても,昇温過程でNi膜の凝集を抑制することができることが分かる。Wキャップ膜による凝集抑制効果を検証した実験結果次に,Ni膜上にWキャップ膜を成膜したことによるNi膜の凝集抑制効果を検証した実験結果について,Wキャップ膜を成膜しない比較例の実験結果と比較しながら説明する。図7は,この実験結果をまとめた表であり,図8は,Wキャップ膜によるNi膜の凝集抑制効果を説明するためのSEM画像を示す図である。なお,図7の表中,○印は凝集が観察されなかったことを表し,×印は凝集が観察されたことを表している。この実験では,本実施形態にかかる基板処理方法を用いて,Ni膜の膜厚5,10,15,20nmおよびその上に形成したWキャップ膜の膜厚0,1,8,15nmが異なる複数のサンプルウエハを作製して,それぞれにN2雰囲気中にて熱処理を施した場合と熱処理を施さない場合as-depo.のNi膜の表面状態を観察した。図7に示す実験結果によれば,熱処理を施さない場合には,Ni膜の膜厚,Wキャップの有無およびその膜厚にかかわらず,Ni膜の凝集は観察されなかった。これに対して,600°Cの熱処理を施した場合には,Wキャップ膜を成膜しない比較例膜無し0nmでは,Ni膜の膜厚にかかわらず,すべてNi膜において凝集が観察された。その一方で,Wキャップ膜が形成した本実施形態では,そのWキャップ膜の膜厚にかかわらず,Ni膜の凝集が観察されなかった。これにより,Wキャップ膜を成膜した本実施形態では,Wキャップ膜を形成しない比較例に比して,Ni膜の凝集抑制効果があることが実験によっても明らかになった。このように,SiO2膜膜厚100nm上に,Ni膜膜厚20nmとWキャップ膜膜厚16nmを本実施形態にかかる基板処理方法によって順次成膜してサンプルウエハを作製し,このサンプルウエハに熱処理を施していない場合と,N2雰囲気中にて600°Cの熱処理を施した場合のNi膜の表面状態を観察した実験結果を図8に示す。図8のSEM画像に示すように,Ni膜の上にWキャップ膜を形成すれば,その後ウエハに600°Cの熱処理を施しても,Ni膜の表面は凝集のない良好な状態が維持されることが確認できた。ここで,上記サンプルウエハについて,N2雰囲気中にて600°Cの熱処理を施す前後の膜中の原子の密度分布をXPSX線光電子分光法を用いて測定した結果を図9A,図9Bに示す。図9Aはサンプルウエハに熱処理を施す前のデータであり,図9Bはサンプルウエハに熱処理を施した後のデータである。図9A,図9Bを比較すると,熱処理によって,Wがウエハの表面からより深くに拡散し,逆にNiがウエハの表面近くまで拡散していることがわかる。この結果から,ウエハに熱処理を施すことによってNiとWが広い範囲で合金化し,これによってNi膜の凝集が抑制されていると推測することができる。なお,上記実施形態では,Ni膜の上にWキャップ膜を形成することによって,Ni膜の凝集を抑制する基板処理方法について説明したが,これに限られるものでなく,例えばNi膜にWキャップ膜を形成する代わりに,ボロンBなどを添加することによって,Ni膜の凝集を抑制することもできる。Ni膜へのBの添加ここで,このようなNi膜にBを添加することによって,Ni膜の凝集を抑制する処理について図面を参照しながら説明する。図10A~図10Cは,Ni膜にBを添加する処理を説明するための工程図である。先ず,上述したWキャップ膜の成膜の場合と同様に,ウエハ300としてSi基板301上にSiO2膜302が形成されたものにNi膜を形成する。ウエハ300は例えば図10Aに示すように予め熱酸化処理が施されたSi基板301の表面に所定の領域に所定の膜厚例えば100nmのSiO2膜302を形成したものである。具体的には,ゲートバルブ150を開き,搬送装置図示せずによって図10Aに示すような膜構造のウエハ300を,搬入出口148を介して処理室102内に搬入し,サセプタ104上に載置する。次いで,処理室102内を排気装置146により排気して処理室102内を所定の圧力にし,サセプタ104を所定温度に加熱し,その温度を維持したまま,成膜原料ガスであるNを含有するNi化合物ガスと還元ガスであるNH3ガスを供給して,CVD法を用いて図10Bに示すようにNi膜304を成膜する。ここまでは,上述したNi膜にWキャップ膜を形成する場合と同様であるため,その詳細な説明は省略する。次に,Ni膜304の凝集を抑制するため,Ni膜304の膜中にBを添加して,Ni膜304をニッケル硼化物Ni2B,Ni3B,Ni3B2など膜314に変化させる図10C。図11は,Ni膜304にBを添加する処理のタイミングチャートである。Ni膜304へのBの添加は,以下のようにして行われる。このとき,Bを添加するために必要なウエハWの温度は350°C程度なので,その温度までウエハ300を加熱して昇温しなければならない。従って,Bを添加する処理の場合においても,上述したWキャップ膜の形成処理の場合と同様に,処理室102内を水素ガス雰囲気にして昇温させることが好ましい。具体的には,第2導入路124から処理室102内にH2ガスを供給してウエハ300をH2雰囲気中で所定温度例えば350°Cまで昇温する昇温工程。このとき,H2ガスの流量を例えば500~4000ml/minsccmとして,処理室102内の圧力を400~10670Pa3~80Torrに調整する。これによって,B添加前におけるウエハ300の昇温過程昇温工程においてもNi膜の凝集を抑制できる。続いて,ウエハWの温度を例えば350°Cに維持したまま,水素化合物ガスであるB2H6ガスを第2導入路124からシャワーヘッド120を介して処理室102内に供給する。B2H6ガスの流量を例えば8000ml/minsccm,処理室102内の圧力を400~10670Pa3~80Torrに調整する。この処理時間は,例えば5秒とする。これによって,Ni膜304は,B2H6ガス雰囲気中で熱処理が施されることになり,Ni膜304にBが添加され,その結果としてNi膜304はニッケル硼化物膜314に変化する。このNi膜304由来のニッケル硼化物膜314は,Ni膜よりはるかに耐凝集性が高く,熱による凝集が起きにくい性質を有している。続いて,排気装置146により排気を行いながら,N2ガスを第2導入路124からシャワーヘッド120を介して処理室102内に供給する。このときのN2ガス流量を例えば2000ml/minsccmとして,処理室102内の圧力を例えば400Pa3Torrに調整する。そして,ウエハ300を所定の温度例えば,600°Cまで加熱して,その温度を例えば3分間維持する。こうして,ニッケル硼化物膜314のうち,下地がウエハ300の表面Si層である部分については,シリサイド化してNiシリサイド膜となる。その後,ゲートバルブ150を開いて成膜後のウエハ300を搬送装置図示せずにより搬入出口148を介して搬出する。このようにNi膜上にBを添加する処理においても,上述したWキャップ膜306の形成処理の場合と同様に,そのBを添加する処理に必要なウエハ300の温度までは水素ガス雰囲気にしてウエハ300を加熱した上で,Bを添加する。これによれば,B添加前のウエハ300の昇温過程においてもNi膜の凝集を抑制できる。そして,Ni膜の膜中にBを添加した後は,Ni膜304をシリサイド化する際のアニール処理熱処理のようにそれ以上の高温にウエハ300を加熱してもNi膜の凝集を抑制できる。また,Ni膜304にBを添加してニッケル硼化物膜314に変化させるため,金属硼化物膜であるニッケル硼化物膜314をシリサイド化する際の熱処理中にこのニッケル硼化物膜314が凝集してしまうことを防止できる。この結果,金属硼化物膜および金属シリサイド膜が不連続にならずに,良好な電気特性を有する半導体装置を構成することができる。B添加によるNi膜凝集抑制効果を検証した実験結果次に,Ni膜上にB添加によるNi膜凝集抑制効果を検証した実験結果について図面を参照しながら説明する。図12は,B添加によるNi膜の凝集抑制効果を説明するためのSEM画像を示す図である。この実験では,SiO2膜膜厚100nm上に成膜されたNi膜膜厚20nmに対して,本実施形態にかかる基板処理方法によってBを添加してサンプルウエハを製作し,このサンプルウエハに熱処理を施していない場合と,N2雰囲気中にて600°Cの熱処理を施した場合のニッケル硼化物膜Bが添加されたNi膜の表面状態を観察した。図12に示す実験結果によれば,Ni膜にBを添加すれば,ウエハに600°Cの熱処理を施しても,ニッケル硼化物膜Bが添加されたNi膜の表面は凝集のない良好な状態が維持される。これにより,Ni膜にBを添加することによるNi膜の凝集抑制効果を確認することができた。ここで,Ni膜へのB添加の熱処理温度依存性を確認するための実験を行った結果について説明する。図13A,図13Bは,熱処理温度を変えてNi膜へのB添加したときサンプルウエハについて,膜中の原子の密度分布をXPS法を用いて測定した結果を示している。図13AはNi膜を有するサンプルウエハをB2H6雰囲気中において250°Cで熱処理を施したときのデータであり,図13Bは図13Aよりも高い350°Cで熱処理を施したときのデータである。図13A,図13Bを比較すると,Ni膜全体にBを拡散させるためには250°Cでは不十分であり,350°Cまで熱処理温度を上昇させる必要があることがわかる。上記の実験結果から,Ni膜の凝集を抑えるには,Ni膜にBを添加することが有効であることが分かっており,そのためにはB2H6雰囲気中でのNi膜の熱処理温度を350°C以上に設定することが好ましいと考えることができる。このように350°Cという比較的高い温度でNi膜を熱処理しようとすると,その加熱段階でのNi膜の凝集が懸念される。しかしながら,本実施形態によれば,H2雰囲気中でウエハを加熱するため,その間でのNi膜の凝集を抑制することができる。そして,B2H6雰囲気中で350°Cの熱処理をNi膜に施して,BをNi膜全体に拡散させることによりNi硼化物を形成できるため,耐凝集性を高めることができる。したがって,その後にウエハに600°Cの熱処理を施しても,Ni膜ニッケル硼化物膜は凝集することはなく,結果的に良質なNiシリサイド膜を得ることができる。以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば,Ni膜を覆うキャップ膜としてW膜を用いた方法を本発明の1つの実施形態として説明したが,キャップ膜をTi,TiN,Ta,TaNなどで形成するようにしてもよい。また,水素化合物ガスとして,B2H6ガスに代えてホスフィンPH3を用いるようにしてもよい。この場合には,Ni膜にPが添加されて,Niリン化物が形成されることにより耐凝集性が向上する。"