4価の金属水酸化物粒子と、カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類と、酸成分と、水と、を含有する研磨剤。前記酸成分が、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホウ酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、乳酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、クエン酸、ピコリン酸及び尿酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項1に記載の研磨剤。アルカリ成分を更に含有する、請求項1又は2に記載の研磨剤。前記アルカリ成分が、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項3に記載の研磨剤。前記4価の金属水酸化物粒子の平均粒径が1~400nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の研磨剤。前記4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中でのゼータ電位が-30~50mVである、請求項1~5のいずれか一項に記載の研磨剤。研磨剤のpHが3.0~11.0である、請求項1~6のいずれか一項に記載の研磨剤。前記4価の金属水酸化物粒子の含有量が研磨剤100質量部に対して0.005~5質量部である、請求項1~7のいずれか一項に記載の研磨剤。前記カチオン化ポリビニルアルコールの含有量が研磨剤100質量部に対して0.005質量部以上であり、前記糖類の含有量が研磨剤100質量部に対して0.001質量部以上である、請求項1~8のいずれか一項に記載の研磨剤。前記4価の金属水酸化物粒子が水酸化セリウムを含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の研磨剤。前記糖類がキトサン及びキトサン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の研磨剤。少なくとも水が添加されて請求項1~11のいずれか一項に記載の研磨剤となる濃縮1液式研磨剤であって、前記4価の金属水酸化物粒子と、前記カチオン化ポリビニルアルコールと、前記糖類と、前記水とを含有する、濃縮1液式研磨剤。第1の液と第2の液とを混合して請求項1~11のいずれか一項に記載の研磨剤となるように該研磨剤の構成成分が前記第1の液と前記第2の液とに分けて保存され、前記第1の液は、前記4価の金属水酸化物粒子と前記水とを含有する、2液式研磨剤。前記第1の液と前記第2の液と前記水とを混合して請求項1~11のいずれか一項に記載の研磨剤となる、請求項10に記載の2液式研磨剤。基板に形成された被研磨膜と研磨パッドとの間に、請求項1~11のいずれか一項に記載の研磨剤を供給して前記被研磨膜を研磨する工程を備える、基板の研磨方法。前記被研磨膜の少なくとも一部が、酸化シリコン系絶縁膜である、請求項15に記載の基板の研磨方法。前記被研磨膜の少なくとも一部が、窒化シリコン膜又はポリシリコン膜である、請求項15に記載の基板の研磨方法。半導体デバイスの回路寸法が微細化すると、上述の研磨傷以外にも、平坦性や研磨選択比の不足がCMP工程において深刻な問題となってくる。CMP工程において平坦性が不足していると、その後のホトリソグラフィ工程において微細な回路を高精度に形成するのが困難となる。従って、CMP工程における平坦性は高ければ高いほど好ましく、平坦性を更に高めることができる研磨剤が求められている。また、CMP工程において研磨選択比が不足していると、研磨停止層が露出した時に研磨を停止するのが困難になり、研磨が過剰に進行してしまう。その結果、研磨停止性を高めるのが困難となる。従って、CMP工程における研磨選択比は、高ければ高いほど好ましく、研磨選択比を更に高めることができる研磨剤が求められている。また、前記研磨停止層としては、一般的に窒化シリコン膜又はポリシリコン膜が使用される。しかしながら、どちらの研磨停止層に対しても充分な研磨選択比が得られる研磨剤とすることは難しく、研磨停止層に応じて研磨液を変えなければならなかった。本発明は、前記課題に鑑み、酸化シリコン系絶縁膜等の被研磨膜を研磨するCMP技術において、研磨傷を抑制しつつ、被研磨膜を高平坦に研磨できる研磨剤、この研磨剤を得るための濃縮1液式研磨剤及び2液式研磨剤を提供することを目的とする。また、本発明は、この研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供することを目的とする。更に、本発明は、研磨停止層として窒化シリコン膜及びポリシリコン膜のいずれを使用した場合も、良好な研磨選択比が得られ、研磨停止性を高めることができる研磨剤、この研磨剤を得るための濃縮1液式研磨剤及び2液式研磨剤、並びにこの研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供することを目的とする。なお、以下、特に断りがない限り、窒化シリコン膜に対する研磨選択比とは、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の窒化シリコン膜に対する研磨速度の比被研磨膜の研磨速度/窒化シリコン膜の研磨速度を意味し、研磨選択比が高い又は研磨選択比に優れるとは、前記研磨速度の比が充分に大きいことを意味する。ポリシリコン膜についても同様である。本発明者らは、4価の金属水酸化物粒子と、カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類と、水とを含有する研磨剤を使用することで前記課題が解決できることを見いだした。すなわち、本発明は、4価の金属水酸化物粒子と、カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類と、水と、を含有する研磨剤に関する。本発明の研磨液では、被研磨膜を研磨するCMP技術において、研磨傷を抑制しつつ、被研磨膜を高平坦に研磨できる。また、本発明の研磨液では、研磨停止層として窒化シリコン膜及びポリシリコン膜のいずれを使用した場合も、良好な研磨選択比が得られ、研磨停止性を高めることができる。本発明がこれらの効果を奏する原因について、本発明者らは以下のような含有成分同士の相互作用等に基づくものと推定している。但し、原因が以下の内容に限定されるものではない。4価の金属水酸化物粒子は、粒子が微小であることから、研磨傷を抑制するのに特に有効であると推定される。また、カチオン化ポリビニルアルコールは、主に4価の金属水酸化物粒子に吸着し、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類は、主に被研磨膜に吸着するものと推定される。その結果、4価の金属水酸化物粒子と被研磨膜との間に、適切な相互作用が生じるものと推定される。この相互作用は、被研磨膜の凸部を凹部に比べて優先的に研磨する効果を生み出し、被研磨膜を高平坦に研磨するのに特に有効であると推定される。更に、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類は、被研磨膜に加えて研磨停止層にも吸着するものと推定される。その結果、4価の金属水酸化物粒子と研磨停止層との間に適切な相互作用が生じるものと推定される。この相互作用は、被研磨膜を研磨停止層に比べて優先的に研磨する効果を生み出し、研磨選択比を高めるのに特に有効であると推定される。また、4価の金属水酸化物粒子の平均粒径は、1~400nm以下であることが好ましい。また、4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中でのゼータ電位は、-30~50mVであることが好ましい。また、本発明の研磨剤のpHは、3.0~11.0であることが好ましい。また、4価の金属水酸化物粒子の含有量は、研磨剤100質量部に対して0.005~5質量部であることが好ましい。また、カチオン化ポリビニルアルコールの含有量は、研磨剤100質量部に対して0.005質量部以上であり、前記糖類の含有量は、研磨剤100質量部に対して0.001質量部以上であることが好ましい。また、4価の金属水酸化物は、水酸化セリウムを含むことが好ましい。また、糖類は、キトサン及びキトサン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。また、本発明は、少なくとも水が添加されて前記研磨剤となる濃縮1液式研磨剤であって、4価の金属水酸化物粒子と、カチオン化ポリビニルアルコールと、前記糖類と、水とを含有する濃縮1液式研磨剤に関する。また、本発明は、第1の液と第2の液とを混合して前記研磨剤となるように該研磨剤の構成成分が第1の液と第2の液とに分けて保存され、第1の液は、4価の金属水酸化物粒子と水とを含有する2液式研磨剤に関する。また、本発明は、前記第1の液と前記第2の液と水とを混合して前記研磨剤となる2液式研磨剤に関する。また、本発明は、被研磨膜が形成された基板の該被研磨膜を研磨定盤の研磨パッドに押圧した状態で、前記研磨剤を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する工程を備える、基板の研磨方法に関する。また、本発明は、被研磨膜の少なくとも一部が、酸化シリコン系絶縁膜である、前記の基板の研磨方法に関する。また、本発明は、被研磨膜の少なくとも一部が、窒化シリコン膜又はポリシリコン膜である、前記の基板の研磨方法に関する。尚、本発明において、酸化シリコン系絶縁膜とは、酸化シリコンのみからなる絶縁膜だけではなく、絶縁膜としての機能を期待された酸化シリコン系の膜全般例えばリンやホウ素をドープした酸化シリコン膜を含むものとする。本発明によって、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜を研磨するCMP技術において、研磨傷を抑制しつつ、被研磨膜を高平坦に研磨し、更に、研磨停止層として窒化シリコン膜及びポリシリコン膜のいずれを使用した場合も、良好な研磨選択比が得られ、研磨停止性を高めることができる研磨剤、この研磨剤となる濃縮1液式研磨剤、2液式研磨剤及びこの研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供することができる。本明細書において研磨剤とは、研磨時に被研磨膜に触れさせる組成物のことであり、具体的には、砥粒、添加剤及び水を含有する。また、本明細書において添加剤とは、砥粒及び水以外に研磨剤に含まれる成分である。本実施形態に係る研磨剤は、砥粒として、4価の金属水酸化物粒子を含むことを特徴とする。4価の金属水酸化物粒子を含む研磨剤は、従来のセリア系研磨剤と比較して、研磨傷を抑制する観点で好ましい。4価の金属水酸化物粒子は、希土類金属水酸化物又は水酸化ジルコニウムの少なくとも一方を含むことが好ましい。なお、希土類金属水酸化物とは、希土類元素の水酸化物であり、希土類元素とは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムを指す。希土類金属水酸化物として、水酸化セリウムを使用することが、高研磨速度である点で好ましい。また、これらの4価の金属水酸化物粒子は、一種類を単独又は二種類以上組み合わせて使用することができる。4価の金属水酸化物粒子を作製する方法としては、4価の金属塩とアルカリ液とを混合する手法を使用できる。この方法は、例えば、希土類の科学足立吟也編、株式会社化学同人、1999年に説明されている。4価の金属塩としては、例えば、MSO42、MNH42NO36、MNH44SO44但し、Mは希土類元素を示す。、ZrSO424H2O等が好ましい。前記のMとしては、化学的に活性なセリウムCeがより好ましい。前記アルカリ液としては、アンモニア水、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等を使用できる。これらのうち好ましくは、アンモニア水を用いることができる。前記方法で合成された4価の金属水酸化物粒子は、洗浄して金属不純物を除去できる。金属水酸化物粒子の洗浄方法としては、遠心分離で固液分離を数回繰り返す方法等を使用できる。前記で得られた4価の金属水酸化物粒子は、凝集している場合があり、適切な方法で水中に分散させることが好ましい。主な分散媒である水に4価の金属水酸化物粒子を分散させる方法としては、特に制限はなく、通常の攪拌機による分散処理の他に、ホモジナイザ、超音波分散機、湿式ボールミル等を使用することができる。分散方法、粒径制御方法については、例えば、分散技術大全集株式会社情報機構、2005年7月に記述されている方法を使用することができる。4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中での平均粒径の下限は、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の研磨速度を更に高める観点から、1nm以上であることが好ましく、2nm以上であることがより好ましく、10nm以上であることが更に好ましい。また、4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中での平均粒径の上限は、研磨傷を更に抑制する観点から、400nm以下であることが好ましく、300nm以下であることがより好ましく、250nm以下であることが更に好ましい。本明細書において、4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中での平均粒径とは、動的光散乱法を使用し、キュムラント解析で得られるZ-averageSizeをいう。4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中での平均粒径の測定には、例えば、スペクトリス株式会社製ZetasizerNanoSを使用できる。より具体的には、4価の金属水酸化物粒子の濃度を、研磨剤100質量部に対して0.1質量部となるように研磨剤を水で希釈し、1cm角のセルに約1mL入れ、ZetasizerNanoSに設置する。分散媒の屈折率を1.33、粘度を0.887mPasとし、25°Cにおいて測定を行い、Z-averageSizeとして表示される値を平均粒径として読み取る。4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中でのゼータ電位の下限は、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の研磨速度を更に高める観点から、-30mV以上であることが好ましく、-15mV以上であることがより好ましく、0mV以上であることが更に好ましい。また、ゼータ電位の上限は、平坦性や研磨選択比を更に高める観点から、50mV以下であることが好ましく、30mV以下であることがより好ましく、20mV以下であることが更に好ましい。4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中でのゼータ電位の測定には、例えば、スペクトリス株式会社製Zetasizer3000HSを使用できる。より具体的には、研磨剤をZetasizer3000HSの推奨される散乱光量となるように水で希釈して、室温にて測定する。4価の金属水酸化物粒子の研磨剤中の含有量の下限は、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の研磨速度を更に高める観点から、研磨剤100質量部に対して0.005質量部以上が好ましく、0.01質量部以上がより好ましく、0.1質量部以上が更に好ましい。また、4価の金属水酸化物粒子の含有量の上限は、研磨傷を更に抑制する観点から、研磨剤100質量部に対して5質量部以下が好ましく、3質量部以下がより好ましく、2質量部以下が更に好ましい。本実施形態に係る研磨剤は、添加剤として、カチオン化ポリビニルアルコールを含むことを特徴とする。カチオン化ポリビニルアルコールとは、ポリビニルアルコールにカチオン性の官能基を導入した変性ポリビニルアルコールである。カチオン化ポリビニルアルコールは、例えば、ポリビニルアルコールと、カチオン性の官能基を有するモノマーとのブロック重合体又はランダム重合体として得ることができる。前記の重合体を形成するためのカチオン性の官能基を有するモノマーとしては、例えば、アクリルアミド系、メタクリルアミド系、クロトニルアミド系、アクリル酸系、メタクリル酸系、クロトン酸系等のモノマーが挙げられる。カチオン化ポリビニルアルコールのカチオン性の官能基による変性度は、特に制限はないが、平坦性や研磨選択比を更に高める観点から、0.1mol以上が好ましく、0.5mol以上がより好ましく、1mol以上が更に好ましい。カチオン化ポリビニルアルコールのけん化度は、特に制限はないが、水への溶解性を高める観点から、50mol以上が好ましく、60mol以上がより好ましく、70mol以上が更に好ましい。尚、カチオン化ポリビニルアルコールのけん化度は、JISK6726ポリビニルアルコール試験方法に準拠して測定することができる。また、カチオン化ポリビニルアルコールの平均重合度の上限は、特に制限はないが、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の研磨速度を更に高める観点から、3000以下が好ましく、2000以下がより好ましく、1000以下が更に好ましい。また、平均重合度の下限は、平坦性や研磨選択比を更に高める観点から、50以上が好ましく、100以上がより好ましく、150以上が更に好ましい。尚、カチオン化ポリビニルアルコールの平均重合度は、JISK6726ポリビニルアルコール試験方法に準拠して測定することができる。カチオン化ポリビニルアルコールの研磨剤中の含有量の下限は、平坦性や研磨選択比を更に高める観点から、研磨剤100質量部に対して0.005質量部以上が好ましく、0.01質量部以上がより好ましく、0.1質量部以上が更に好ましい。また、カチオン化ポリビニルアルコールの含有量の上限は、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の研磨速度を更に高める観点から、研磨剤100質量部に対して10質量部以下が好ましく、5質量部以下がより好ましく、2質量部以下が更に好ましい。本実施形態に係る研磨剤は、添加剤として、カチオン化ポリビニルアルコール以外に、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類を含むことを特徴とする。カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類とを併用することによって、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の平坦性に優れた研磨液を得ることができる。また、これまで本発明者らが見いだした、前記4価の金属水酸化物粒子を含む研磨液では、研磨パッドのショアD硬度が高いほど酸化シリコン系絶縁膜の平坦性に優れるというように研磨パッド依存性が見られる場合があった。一方、本実施形態によれば、研磨パッドのショアD硬度によらず安定して高い被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の平坦性を得ることができるため、研磨パッドの選択肢がより広がる点で有利である。また、カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類とを併用することによって、窒化シリコン膜やポリシリコン膜に対する研磨選択比に優れた研磨液とすることができる。尚、本発明者らは、カチオン化していない通常のポリビニルアルコールを使用した場合でも、ポリシリコン膜に対する研磨選択比が、多少高くなることを見いだしている。しかしながら、本発明者らは、カチオン化したポリビニルアルコールを使用した場合、ポリシリコン膜に対する研磨選択比が飛躍的に向上し、更に、窒化シリコン膜に対する研磨選択比も飛躍的に向上することを見いだした。本実施形態において、アミノ糖とは、アミノ基を有する糖類であり、グルコサミン、ガラクトサミン等が挙げられ、これらの誘導体でもよい。誘導体としては、例えば、N-アセチルグルコサミン、硫酸グルコサミン、N-カルバモイルグルコサミン、グルコサミン塩酸塩、グルコサミン酢酸塩、グルコサミン硫酸塩、N-アセチルガラクトサミン等が挙げられる。また、本実施形態において、アミノ糖を持つ多糖類とは、単糖類がグリコシド結合で結合したものであり、前記アミノ糖を少なくとも1つ以上含むものである。このようなアミノ糖を持つ多糖類としては、キチン、キトサン、グルコサミン、コンドロイチン、ヒアルロン酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、ヘパリン、デルマタン硫酸等が挙げられ、これらの誘導体でもよい。アミノ糖を持つ多糖類としては、平坦性や研磨選択比を更に高める観点から、キトサン及びキトサン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種が特に好ましい。キトサン誘導体としては、例えば、キトサンピロリドンカルボン酸塩、カチオン化キトサン、ヒドロキシプロピルキトサン、キトサン乳酸塩、グリセリル化キトサン、グリコールキトサン、カルボキシメチルキトサンCM-キトサン、カルボキシメチルキトサンサクシナミド等が挙げられる。アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類の研磨剤中における含有量の下限は、平坦性や研磨選択比を更に高める観点から、研磨剤100質量部に対して0.001質量部以上が好ましく、0.005質量部以上がより好ましく、0.01質量部以上が更に好ましい。また、含有量の上限は、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の研磨速度を更に高める観点から、研磨剤100質量部に対して5質量部以下が好ましく、1質量部以下がより好ましく、0.5質量部以下が更に好ましい。本実施形態に係る研磨剤は、添加剤として、カチオン化ポリビニルアルコール、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類以外の成分を含んでいてもよい。このような成分としては、例えば、酸成分、アルカリ成分、アミノ酸、両性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、その他の水溶性高分子、有機溶剤等が挙げられ、これらは一種類を単独又は二種類以上組み合わせて使用することができる。これらの成分によって、研磨速度、平坦性、研磨選択比等の研磨特性を調整したり、研磨剤の保存安定性を高めたりすることができる。酸成分としては、例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホウ酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、乳酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、クエン酸、ピコリン酸、尿酸等が挙げられる。アルカリ成分としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、イミダゾール等が挙げられる。アミノ酸としては、例えば、アルギニン、リシン、アスパラギン酸、グルタミン酸、アスパラギン、グルタミン、ヒスチジン、プロリン、チロシン、トリプトファン、セリン、トレオニン、グリシン、アラニン、β-アラニン、メチオニン、システイン、フェニルアラニン、ロイシン、バリン、イソロイシン等が挙げられる。両性界面活性剤としては、例えば、ベタイン、β-アラニンベタイン、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、2-アルキル-N-カルボキシメチル-N-ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ラウリン酸アミドプロピルベタイン、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタイン、ラウリルヒドロキシスルホベタイン等が挙げられる。陰イオン性界面活性剤としては、例えばラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン、特殊ポリカルボン酸型高分子分散剤等が挙げられる。非イオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。陽イオン性界面活性剤としては、例えば、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート等が挙げられる。その他の水溶性高分子としては、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン、プルラン等の多糖類アミノ糖を持つ多糖類を除く;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリp-スチレンカルボン酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩、ポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン等のビニル系ポリマ;ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド等のアクリル系ポリマ、ポリエチレングリコール、ポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレン縮合物、エチレンジアミンのポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレンブロックポリマー等が挙げられる。有機溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン等の炭化水素類の他、エーテル類、ケトン類、エステル類等が挙げられる。本実施形態に係る研磨剤は、水を含むことを特徴とする。水としては、特に制限されないが、脱イオン水、イオン交換水、超純水等が好ましい。研磨剤中における水の含有量は、前記含有成分の含有量の残部でよく、研磨剤中に含有されていれば特に限定されない。本実施形態に係る研磨剤のpHの下限は、被研磨膜例えば酸化シリコン系絶縁膜の研磨速度を更に高める観点から、3.0以上であることが好ましく、4.5以上であることがより好ましく、5.5以上であることが更に好ましい。また、研磨剤のpHの上限は、研磨剤の保存安定性を高める観点から、11.0以下であることが好ましく、9.0以下であることがより好ましく、7.0以下であることが更に好ましい。研磨剤のpHの測定には、一般的なガラス電極を使用したpHメータが使用でき、例えば、横河電機株式会社製ModelpH81を使用できる。より具体的には、フタル酸塩pH緩衝液pH4.01と中性リン酸塩pH緩衝液pH6.86を標準緩衝液として使用して、ModelpH81を2点校正した後、ModelpH81の電極を研磨剤に入れて、2分以上経過して安定した後の値を測定する。ここで、標準緩衝液と研磨剤の液温は、共に25°Cとする。本実施形態に係る研磨剤の保存方法に特に制限は無い。例えば、砥粒、添加剤、及び水を含む1液式研磨剤として保存しても良い。また例えば、この1液式研磨剤から水の含有量を減じた濃縮1液式研磨剤として保存しても良い。また例えば、スラリ第1の液と添加液第2の液とを混合して本実施形態に係る研磨剤となるように該研磨剤の構成成分をスラリと添加液とに分けて保存しても良い。この場合、スラリは、例えば少なくとも砥粒及び水を含有し、添加液は、例えば添加剤のうち少なくとも1成分例えば、カチオン化ポリビニルアルコール又は糖類の少なくとも一方及び水を含有する。また例えば、これらスラリと添加液からそれぞれ水の含有量を減じた、濃縮スラリ第1の液と濃縮添加液第2の液とからなる濃縮2液式研磨剤として保存しても良い。本実施形態に係る濃縮1液式研磨剤は、砥粒、添加剤、及び水を含み、研磨前又は研磨時に必要量の水が添加されて前記研磨剤として使用される。本実施形態に係る2液式研磨剤は、研磨前又は研磨時にスラリと添加液とを混合して前記研磨剤として使用される。また、本実施形態に係る濃縮2液式研磨剤は、研磨前又は研磨時にスラリと添加液と必要量の水とを混合して前記研磨剤として使用される。前記のように研磨剤を、濃縮1液式研磨剤、2液式研磨剤、濃縮2液式研磨剤として保存することによって、研磨剤の保存安定性を高めることができる。1液式研磨剤を用いる場合における基板の研磨方法は、被研磨膜が形成された基板の該被研磨膜を研磨定盤の研磨パッドに押圧した状態で、前記研磨剤を被研磨膜と研磨パッドとの間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨する研磨工程を備えることを特徴とする。2液式研磨剤を用いる場合における基板の研磨方法は、前記1液式研磨剤を用いた研磨方法の研磨工程の前に、スラリと添加液とを混合して研磨液を得る研磨液調製工程を有していてもよい。また、研磨工程において、スラリと添加液とをそれぞれ研磨パッドと被研磨膜との間に供給しながら、スラリと添加液とが混合されて得られる研磨液により被研磨膜を研磨してもよい。本実施形態において、被研磨膜とは、研磨前、研磨中又は研磨後に基板表面に露出する膜として定義される。また、基板自体が表面に露出する場合は、その基板を広義の被研磨膜と見なすことができる。被研磨膜は、単一の膜であっても良く、複数の膜であっても良い。複数の膜が、研磨前、研磨中又は研磨後に基板表面に露出する場合、それらを被研磨膜と見なすことができる。被研磨膜の初期の表面は平滑であっても良く、凹凸を有していても良い。被研磨膜表面の凹凸の段差は、基板に平行な基準面から測定した、被研磨膜の最大高さと最小高さの差として定義される。被研磨膜表面の凹凸の段差は、例えば、光学式膜厚測定装置を使用して、被研磨膜の凸部と凹部の膜厚を測定したり、触針式段差計を使用して、被研磨膜の凸部と凹部の高低差を直接測定したりすることで求めることができる。被研磨膜の初期の表面の凹凸段差が大きいほど、前記本実施形態に係る基板の研磨方法による平坦化の効果を生かすことができる。そこで、被研磨膜の初期の表面の凹凸段差は、50nm以上であることが好ましく、100nm以上であることがより好ましく、150nm以上であることが更に好ましい。被研磨膜の材質には特に制限がなく、絶縁体、半導体、金属を研磨することができる。前記本実施形態に係る基板の研磨方法によって高い研磨速度が得られるという観点からは、被研磨膜の少なくとも一部が、シリコン系化合物であることが好ましい。シリコン系化合物の被研磨膜としては、例えば、結晶シリコン、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜、シリコンゲルマニウム膜、金属シリサイド膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、炭窒化シリコン膜、酸化シリコン系絶縁膜等が挙げられる。このうち、高い研磨速度が得られるという観点からは、被研磨膜の少なくとも一部が酸化シリコン系絶縁膜であることが特に好ましい。酸化シリコン系絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、炭酸化シリコン膜、水素基を導入した酸化シリコン膜、メチル基を導入した酸化シリコン膜、ホウ素ドープ酸化シリコン膜、リンドープ酸化シリコン膜等が挙げられる。シリコン系化合物以外の被研磨膜としては、例えば、ハフニウム系、チタン系、タンタル系酸化物等の高誘電率膜、銅、アルミニウム、タンタル、チタン、タングステン、コバルト等の金属膜、ゲルマニウム、窒化ガリウム、リン化ガリウム、ガリウム砒素、有機半導体等の半導体膜、ゲルマニウムアンチモンテルル等の相変化膜、酸化インジウムスズ等の無機導電膜、ポリイミド系、ポリベンゾオキサゾール系、アクリル系、エポキシ系、フェノール系等のポリマ樹脂膜等が挙げられる。被研磨膜の製膜方法には、特に制限が無く、熱反応やプラズマ反応による化学気相成長CVD法、物理気相成長PVD法、塗布法、熱酸化法、メッキ法等を、用いることができる。酸化シリコン系絶縁膜の製膜方法としては、例えば、モノシランと酸素を熱反応させる熱CVD法、テトラエトキシシランとオゾンを熱反応させる準常圧CVD法、モノシランと二酸化窒素又はテトラエトキシシランと酸素をプラズマ反応させるプラズマCVD法、ポリシラザンやシロキサン等を含む液体原料を基板上に塗布する塗布法等が挙げられる。以上のような方法で得られた酸化シリコン系絶縁膜には、窒素、炭素、水素、ホウ素、リン等、シリコンと酸素以外の元素が含まれていても良い。これにより、膜質や、下地の凹凸に対する埋め込み性等を調整することができる。また、以上のような方法で得られた酸化シリコン系絶縁膜の膜質を安定化させるために、製膜後に、必要に応じて150~1100°C程度の温度で熱処理をしても良い。窒化シリコン膜の製膜方法としては、例えば、ジクロルシランとアンモニアを熱反応させる低圧CVD法、モノシラン、アンモニア及び窒素をプラズマ反応させるプラズマCVD法等が挙げられる。以上のような方法で得られた窒化シリコン膜には、膜質を調整するために、炭素、水素等のように、シリコンと窒素以外の元素が含まれていても良い。ポリシリコン膜の製膜方法としては、例えば、モノシランを低圧で熱反応させる低圧熱CVD法、モノシランをプラズマ反応させるプラズマCVD法等が挙げられる。以上のような方法で得られたポリシリコン膜には、膜質を調整するために、リン、ホウ素、水素等のように、シリコン以外の元素が含まれていても良い。被研磨膜が表面に形成される基板の材質には特に制限がなく、ガラス、結晶シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、窒化ガリウム、リン化ガリウム、ガリウム砒素、サファイヤ、プラスチック等が挙げられる。これらの基板は、必要に応じて本実施形態に係る基板の研磨方法で研磨されても良い。本実施形態に係る基板の研磨方法を用いて製造する対象物には、特に制限がなく、例えば、半導体デバイス、液晶、有機EL等の画像表示装置、フォトマスク、レンズ、プリズム、光ファイバー、単結晶シンチレータ等の光学部品、光スイッチング素子、光導波路等の光学素子、固体レーザー、青色レーザーLED等の発光素子、磁気ディスク、磁気ヘッド等の磁気記憶装置、MEMSMicroElectroMechanicalSystems、シリコンインターポーザー等のデバイスの製造にも用いることができる。このうち、本実施形態に係る基板の研磨方法は、高い研磨速度、高平坦性、研磨傷数の低減が高いレベルで要求される、半導体デバイスに用いられることが特に好ましい。前記半導体デバイスの種類としては、例えば、MPUMicroProcessingUnit、DSPDigitalSignalProcessor等のロジックLSI、DRAM、SRAM、NAND型フラッシュメモリ、NOR型フラッシュメモリ、PRAM相変化メモリ、FeRAM強誘電体メモリ、MRAM磁気抵抗メモリ等のメモリデバイス、無線通信用LSI、AD変換LSI、DA変換LSI等のアナログLSI、CMOSセンサー、CCD等のイメージセンサーLSI等、更に、これらのLSIを1つのチップ上に混載した混載LSI等が挙げられる。本実施形態に係る基板の研磨方法が適用される半導体デバイスの研磨工程には、特に制限がなく、例えば、STI形成用の絶縁膜の研磨工程、プリメタル絶縁膜の研磨工程、層間絶縁膜の研磨工程、メタル間絶縁膜の研磨工程、タングステンプラグの研磨工程、ポリシリコンプラグの研磨工程、ダングステンダマシン配線の研磨工程、銅ダマシン配線の研磨工程、各種シリサイド形成用の研磨工程、High-k/ダマシンメタルゲート形成用の研磨工程、DRAMにおける埋め込みワード線形成用の研磨工程等が挙げられる。被研磨膜の少なくとも一部が、酸化シリコン系絶縁膜である場合、酸化シリコン系絶縁膜の下層には、研磨停止膜が備えられていても、備えられていなくても良い。研磨停止膜が備えられている場合、酸化シリコン系絶縁膜よりも研磨速度が低い窒化シリコン膜又はポリシリコン膜の少なくとも一方が、研磨停止膜であることが好ましい。これら窒化シリコン膜又はポリシリコン膜の少なくとも一方が露出した時に、研磨を停止することが更に好ましい。これにより、研磨停止層が露出した時に研磨を停止するのが容易になり、研磨停止性を高めることができる。本実施形態に係る研磨方法において、使用することができる研磨装置には、特に制限は無い。基板を保持可能な基板ホルダーと、研磨パッドを貼り付け可能な研磨定盤と、研磨剤の供給機構とを有する一般的な研磨装置を使用できる。基板ホルダーには、基板を研磨パッドに押し当てて加圧する加圧機構が備えられている。また、基板ホルダーと研磨定盤には、それぞれに回転数を変更可能なモータ等が備えられおり、基板と研磨パッドを相対的に動かすことができる。また、研磨剤の供給機構には、研磨剤の流量を制御する機構が備えられており、適当な量の研磨剤を、基板と研磨パッドの間に供給することができる。また、研磨剤の供給方法として、一般的には、研磨剤を研磨パッドの上に滴下する方法が用いられる。具体的な研磨装置としては、例えば、株式会社荏原製作所製EPO-111、EPO-222、FREX-200、FREX-300、アプライドマテリアルズジャパン株式会社製MIRRA、Reflexion、株式会社東京精密製ChaMPシリーズ等が挙げられる。研磨条件の設定に特に制限は無いが、基板が基板ホルダーから外れないように、定盤の回転速度は、200rpm以下が好ましく、基板にかける圧力研磨圧力は、100kPa以下が好ましい。また、研磨パッド上への研磨剤供給量に特に制限は無いが、研磨中は、研磨パッドの表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。研磨剤の供給方法に特に制限は無い。濃縮1液式研磨剤を使用して研磨する場合、研磨剤の供給方法としては、例えば、予め濃縮1液式研磨剤と水とを混合しておいたものを直接送液して供給する方法、濃縮1液式研磨剤と水とを別々の配管で送液し、これらを合流、混合させて供給する方法等を用いることができる。2液式研磨剤を使用して研磨する場合、研磨剤の供給方法としては、例えば、予めスラリと添加液とを混合しておいたものを直接送液して供給する方法、スラリと添加液とを別々の配管で送液し、これらを合流、混合させて供給する方法等を用いることができる。濃縮2液式研磨剤を使用して研磨する場合、研磨剤の供給方法としては、例えば、予め濃縮スラリと濃縮添加液と水とを混合しておいたものを直接送液して供給する方法、濃縮スラリと濃縮添加液と水とを任意の組み合わせで複数の配管で送液し、これらを合流、混合させて供給する方法、等を用いることができる。使用できる研磨パッドの種類には、特に制限がなく、例えば、実質的にメインパッド被研磨膜と直接的に接触する部材のみから構成される単層パッド、メインパッドの下層にサブパッドを備えた2層パッド等を使用することができる。一般的に、2層パッドを使用した方が、研磨の基板面内均一性が向上する傾向がある。使用できる研磨パッドのメインパッドの材質には、特に制限が無く、例えば、一般的な非発泡樹脂、発泡樹脂、多孔質樹脂、不織布等を使用できる。具体的材質としては、ポリウレタン、アクリル、ポリエステル、アクリル-エステル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ-4-メチルペンテン、セルロース、セルロースエステル、ナイロン、及びアラミド等のポリアミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリシロキサン共重合体、オキシラン化合物、フェノール樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等の樹脂を使用できる。材料コストが低いという観点からは、ポリウレタン樹脂を使用することが好ましい。更に、研磨の安定性が高いという観点からは、発泡ポリウレタン樹脂を使用することが好ましい。研磨パッドのメインパッドの表面形状には、特に制限は無いが、研磨剤が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。これにより、研磨パッド上に研磨剤が均一かつ効率的に広がり、研磨の基板面内均一性が向上する。研磨パッドのメインパッドのショアD硬度の下限は、特に制限は無いが、研磨の平坦性を更に高める観点から、40以上にすることが好ましく、50以上にすることがより好ましく、55以上にすることが更に好ましい。また、ショアD硬度の上限は、研磨の基板面内均一性を更に高める観点から、80以下にすることが好ましく、70以下にすることがより好ましく、65以下にすることが更に好ましい。研磨パッドのメインパッドのショアD硬度は、JISK6253に準拠して測定した数値として定義される。ショアD硬度の測定には、例えば、高分子計器株式会社製アスカーゴム硬度計D型を使用することができる。ショアD硬度の測定値には、一般的に±1程度の測定誤差が生じるため、同一の測定を5回行った平均値とする。また、ショアD硬度の上限は、その定義から100となる。研磨パッドの表面メインパッドの表面は、基板毎の研磨特性のばらつきを抑えるために、研磨の回数を増しても、常に同一の状態であることが好ましい。このため、任意の頻度で研磨パッドの表面をコンディショナードレッサーともいうで荒らしたり、清浄化したりする、つまりコンディショニングすることができる。コンディショニングは、各基板の研磨前、研磨中又は研磨後に実施することができる。また、製造元から提供される研磨パッドの初期の表面は、一般的に平滑であるため、新しい研磨パッドを研磨で使用する前に、所望の表面粗さが得られるまでコンディショニングパッドブレークインするのが好ましい。コンディショナーとしては、一般的にダイヤモンド砥粒が台座に埋めこまれた、ダイヤモンド砥粒コンディショナーが使用される。ダイヤモンド砥粒コンディショナーのダイヤモンド砥粒のサイズは、一般的に、小さくても400メッシュ相当であり、大きくても40メッシュ相当である。更に一般的には、80~120メッシュ程度のダイヤモンド砥粒が使われている。研磨終了後の基板は、洗浄して基板に付着した粒子を除去することが好ましい。洗浄には水以外に、希フッ酸やアンモニア水を併用しても良いし、洗浄効率を高めるために、ブラシを併用しても良い。また、洗浄後の基板は、スピンドライヤ等を使用して基板上に付着した水滴を払い落としてから、乾燥させることが好ましい。また、前記以外の基板の洗浄方法として、本実施形態に係る基板の研磨方法で研磨をした後、低硬度のバフ研磨用パッドと適切な洗浄液を使用して洗浄する方法もある。洗浄液としては、水以外に希フッ酸やアンモニア水を併用しても良い。<実施例1>研磨剤の調整10リットルビーカー中で、430gのCeNH42NO36を7300gの水に溶解し、アンモニアの添加量が48gに相当する量のアンモニア水を攪拌しながらゆっくりと加え、水酸化セリウム粒子の懸濁液を得た。尚、アンモニア水の滴下においては、pHが2.5になる迄は、25質量アンモニア水をゆっくりと滴下し、pHが2.5を超えてからは、2.5質量アンモニア水をゆっくりと滴下した。得られた懸濁液の固体成分を遠心分離加速度:1000G、5分間によって分離し、上澄み液を除去し、新たに水を加えて、再び同じ条件で遠心分離を行った。このような操作を7回繰り返して、水酸化セリウム粒子を洗浄した。洗浄された水酸化セリウム粒子に、水を加えて、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる懸濁液を得た。続いて、水酸化セリウム粒子の懸濁液を攪拌しながら超音波を照射して水酸化セリウム粒子を分散させた。更に、この分散液を1μmのメンブレンフィルタでろ過し、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、0.3質量のカチオン化ポリビニルアルコール株式会社クラレ製、CM-318、けん化度:86.0~91.0mol、平均重合度:1800、0.2質量のキトサン大日精化工業株式会社製、ダイキトサン100DVL、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。尚、前記キトサンは、1質量キトサン、1質量酢酸、水を含有する溶液の20°Cにおける粘度が、5~7mPasメーカ公称値になるようなキトサンである。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤A1を得た。研磨剤A1の最終的な各成分の配合量は、表1に示すとおりである。研磨剤の特性研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径を、スペクトリス株式会社製ZetasizerNanoSを使用して測定した。また、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位を、スペクトリス株式会社製Zetasizer3000HSを使用して測定した。また、研磨剤のpHを、横河電機株式会社製ModelpH81を使用して測定した。研磨剤A1において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、127nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、11mV、研磨剤のpHは、6.0であった。基板の作製表面が平坦なシリコン基板円形、直径:200mm上に、テトラエトキシシランと酸素をプラズマ反応させるプラズマCVD法を用いて、膜厚:500nmの酸化シリコン膜を堆積した基板を用意した。以後、これをSiO2ブランケット基板と言う。また、表面が平坦なシリコン基板円形、直径:200mm上に、ジクロルシランとアンモニアを熱反応させる低圧CVD法を用いて、膜厚:500nmの窒化シリコン膜を堆積した基板を用意した。以後、これをSiNブランケット基板と言う。また、表面が平坦なシリコン基板円形、直径:200mm上に、モノシランを低圧で熱反応させる低圧熱CVD法を用いて、膜厚:500nmのポリシリコン膜を堆積した基板を用意した。以後、これをpSiブランケット基板と言う。また、SiO2パターン基板を用意した。この基板は以下のようにして製造されたものである。即ち、表面が平坦なシリコン基板円形、直径:200mm上に、テトラエトキシシランと酸素をプラズマ反応させるプラズマCVD法を用いて、膜厚:100nmの酸化シリコン膜を堆積し、更に、その上に、厚さ:500nmのフォトレジスト膜を塗布する。フォトマスクを使用した周知のホトリソグラフィ工程で、幅凸部の幅を言う。以下同じ100μm、ピッチ一組の隣り合う凸部の幅と凹部の幅の和を言う。以下同じ200μmのラインスペース状パターンをフォトレジスト膜に露光し、現像する。その後、周知のドライエッチング工程で、酸化シリコン膜とシリコン基板を、それぞれ100nmずつドライエッチングし、フォトレジスト膜を酸素プラズマによるアッシング工程で除去する。このようにして、酸化シリコン膜とシリコン基板からなる、幅:100μm、ピッチ:200μm、深さ:200nmのラインスペース状の凹凸パターンを形成する。最後に、凹凸パターン上に、テトラエトキシシランと酸素をプラズマ反応させるプラズマCVD法を使用して、膜厚:300nmの酸化シリコン膜を堆積する。このようにして得られる基板の最終的な構成は、図1の模式断面図に示すように、凸部では、膜厚:400nmの酸化シリコン膜1/シリコン基板2である。また凹部では、膜厚:300nmの酸化シリコン膜1/シリコン基板2であり、凹部と凸部の段差は200nmである。また、SiO2/SiNパターン基板を用意した。この基板は以下のようにして製造されたものである。即ち、表面が平坦なシリコン基板円形、直径:200mm上に、ジクロルシランとアンモニアを熱反応させる低圧CVD法を用いて、膜厚:100nmの窒化シリコン膜を堆積し、更に、その上に、厚さ:500nmのフォトレジスト膜を塗布する。フォトマスクを使用した周知のホトリソグラフィ工程で、幅:100μm、ピッチ:200μmのラインスペース状パターンをフォトレジスト膜に露光し、現像する。その後、周知のドライエッチング工程で、窒化シリコン膜とシリコン基板を、それぞれ100nmずつドライエッチングし、フォトレジスト膜を酸素プラズマによるアッシング工程で除去する。このようにして、窒化シリコン膜とシリコン基板からなる、幅:100μm、ピッチ:200μm、深さ:200nmのラインスペース状の凹凸パターンを形成する。最後に、凹凸パターン上に、テトラエトキシシランと酸素をプラズマ反応させるプラズマCVD法を用いて、膜厚:300nmの酸化シリコン膜を堆積する。このようにして得られる基板の最終的な構成は、図2の模式断面図に示すように、凸部では、膜厚:300nmの酸化シリコン膜3/膜厚100nmの窒化シリコン膜4研磨停止層/シリコン基板5である。また、凹部の膜構成は、膜厚:300nmの酸化シリコン膜3/シリコン基板5である。また、凸部と凸部の段差は200nmである。また、SiO2/pSiパターン基板を用意した。この基板は以下のようにして製造されたものである。即ち、表面が平坦なシリコン基板円形、直径:200mm上に、モノシランを低圧で熱反応させる低圧熱CVD法を用いて、膜厚:100nmのポリシリコン膜を堆積し、更に、その上に、厚さ:500nmのフォトレジスト膜を塗布する。フォトマスクを使用した周知のホトリソグラフィ工程で、幅:100μm、ピッチ:200μmのラインスペース状パターンをフォトレジスト膜に露光し、現像する。その後、周知のドライエッチング工程で、ポリシリコン膜とシリコン基板を、それぞれ100nmずつドライエッチングし、フォトレジスト膜を酸素プラズマによるアッシング工程で除去する。このようにして、ポリシリコン膜とシリコン基板からなる、幅:100μm、ピッチ:200μm、深さ:200nmのラインスペース状の凹凸パターンを形成する。最後に、凹凸パターン上に、テトラエトキシシランと酸素をプラズマ反応させるプラズマCVD法を用いて、膜厚:300nmの酸化シリコン膜を堆積する。このようにして得られる基板の最終的な構成は、図3の模式断面図に示すように、凸部では、膜厚:300nmの酸化シリコン膜6/膜厚:100nmのポリシリコン膜7研磨停止層/シリコン基板8である。また、凹部は、膜厚300nmの酸化シリコン膜/シリコン基板である。また、凸部と凸部の段差は200nmである。基板の研磨研磨装置株式会社荏原製作所製、EPO-111の研磨定盤に、2層タイプの発泡ポリウレタン研磨パッドロームアンドハース社製、IC1000、メインパッド表面に同心円溝加工有り、メインパッドのショアD硬度:59を貼り付けた。研磨パッドを使用する前に、ダイヤモンド砥粒コンディショナー旭ダイヤモンド工業株式会社製、CMP-N100A、ダイヤモンド砥粒メッシュサイズ:100を使用して、研磨パッドを30分間コンディショニングした。続いて、基板ホルダーに研磨する基板を貼り付け、研磨剤を研磨パッド上に供給した。更に、基板を研磨パッドに押し当てて加圧し、基板ホルダーと研磨定盤を回転させることによって、基板を研磨した。ここで、研磨剤の供給速度は、200mL/分、研磨圧力は、40kPa、基板ホルダーの回転数は、40rpm、研磨定盤の回転数は、40rpmとした。尚、基板を研磨した後は、研磨パッドを1分間コンディショニングしてから、次の基板を研磨するようにした。続いて、研磨後の基板を、0.5質量のフッ酸を使用したブラシ洗浄30秒間で洗浄し、更に、水を使用したブラシ洗浄30秒間で洗浄した。また、洗浄後の基板をスピン乾燥機で乾燥した。このような操作を、前記で用意した各基板について、それぞれ行った。尚、各基板に対する前記の研磨時間の長さは、下記の通りである。SiO2、SiN及びpSiの各ブランケット基板:1分間研磨した。SiO2パターン基板:凸部の酸化シリコン膜厚が100nm±5nmになるまで研磨した。SiO2/SiNパターン基板:窒化シリコン膜研磨停止層が露出するまで研磨し、更に、その研磨時間の半分の時間の研磨を追加した。SiO2/pSiパターン基板:ポリシリコン膜研磨停止層が露出するまで研磨した後、更に、その研磨時間の半分の時間の研磨を追加した。研磨結果研磨速度及び研磨選択比前記研磨後のSiO2ブランケット基板における酸化シリコン膜の膜厚減少量を測定することにより、酸化シリコン膜の研磨速度以後、Roと略記するを算出した。前記研磨後のSiNブランケット基板における窒化シリコン膜の膜厚減少量を測定することにより窒化シリコン膜の研磨速度以後、Rnと略記するを算出した。前記研磨後のpSiブランケット基板におけるポリシリコン膜の膜厚減少量を測定することによりポリシリコン膜の研磨速度以後、Rpと略記するを、算出した。ここで、研磨速度の算出に必要な膜厚の測定には、光干渉式膜厚測定装置ナノメトリクス社製、NanospecAFT-5100を使用した。また、酸化シリコン膜の窒化シリコン膜に対する研磨選択比以後、Snと略記するを、RoのRnに対する比Ro/Rnを求めることで算出した。また、酸化シリコン膜のポリシリコン膜に対する研磨選択比以後、Spと略記するを、RoのRpに対する比Ro/Rpを求めることで算出した。研磨傷数前記研磨後のSiO2ブランケット基板について、酸化シリコン膜の表面に観察される傷の総数を、酸化シリコン膜の研磨傷数とした。ここで、傷の観察には、走査型電子顕微鏡式欠陥検査装置アプライドマテリアルズ社製、SEMVisionを使用し、酸化シリコン膜表面に存在する凹状の欠陥大きさ:0.2μm以上を傷と判断した。平坦性前記研磨後のSiO2パターン基板について、凸部と凹部の酸化シリコン膜の段差以後、Δoと略記するを測定して、SiO2パターン基板の研磨後の平坦性を評価した。Δoが小さいほど平坦性が高いことを意味する。前記研磨後のSiO2/SiNパターン基板について、凸部窒化シリコン膜と凹部酸化シリコン膜の段差以後、Δnと略記するを測定してSiO2/SiNパターン基板の研磨後の平坦性を評価した。Δnが小さいほど平坦性が高いことを意味する。前記研磨後のSiO2/pSiパターン基板について、凸部ポリシリコン膜と凹部酸化シリコン膜の段差以後、Δpと言うを測定して、SiO2/pSiパターン基板の平坦性を評価した。Δpが小さいほど平坦性が高いことを意味する。ここで、前記平坦性の各評価に必要な段差の測定には、触針式段差測定装置ヴィーコインスツルメンツ社製、DektakV200Siを使用した。研磨停止性前記研磨後のSiO2/SiNパターン基板について、窒化シリコン膜研磨停止層の膜厚減少量以後、Lnと略記するを測定した。Ln量が小さいほど、窒化シリコン膜による研磨停止性が高いことを意味する。前記研磨後のSiO2/pSiパターン基板について、ポリシリコン膜研磨停止層の膜厚減少量以後、Lpと略記するを測定した、Lpが小さいほど、ポリシリコン膜による研磨停止性が高いことを意味する。ここで、研磨停止性の各評価に必要な膜厚の測定には、光干渉式膜厚測定装置ナノメトリクス社製、NanospecAFT-5100を使用した。研磨剤A1を使用した研磨において、Roは197nm/分、Rnは1.1nm/分、Rpは0.7nm/分、Snは183、Spは295、研磨傷数は0個、Δoは16nm、Δnは17nm、Δpは16nm、Lnは0.8nm、Lpは0.5nmであった。<実施例2>研磨剤の調整実施例1と同じ方法で、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、1質量のカチオン化ポリビニルアルコール株式会社クラレ製、C-506、カチオン性、けん化度:74.0~79.0mol、平均重合度:600、0.2質量のキトサン大日精化工業株式会社製、ダイキトサン100DVL、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤A2を得た。研磨剤A2の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤A2において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、104nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、16mV、研磨剤のpHは、6.0であった。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤A2を使用した研磨において、Roは205nm/分、Rnは1.0nm/分、Rpは0.6nm/分、Snは201、Spは352、研磨傷数は0個、Δoは14nm、Δnは15nm、Δpは16nm、Lnは0.7nm、Lpは0.4nmであった。<実施例3>研磨剤の調整実施例1と同じ方法で、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、1質量のカチオン化ポリビニルアルコール株式会社クラレ製、C-506、カチオン性、けん化度:74.0~79.0mol、平均重合度:600、0.1質量のキトサン大日精化工業株式会社製、ダイキトサン100D、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。尚、前記キトサンは、0.5質量キトサン、0.5質量酢酸、水を含有する溶液の20°Cにおける粘度が40~100mPasメーカ公称値になるようなキトサンである。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤A3を得た。研磨剤A3の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤A3において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、108nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、18mV、研磨剤のpHは、6.0であった。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤A3を使用した研磨において、Roは219nm/分、Rnは1.2nm/分、Rpは0.7nm/分、Snは189、Spは320、研磨傷数は0個、Δoは15nm、Δnは17nm、Δpは17nm、Lnは0.8nm、Lpは0.5nmであった。<実施例4>研磨剤の調整実施例1と同じ方法で、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、1質量のカチオン化ポリビニルアルコール株式会社クラレ製、C-506、カチオン性、けん化度:74.0~79.0mol、平均重合度:600、0.4質量のグリセリルキトサン大日精化工業株式会社製、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。尚、前記グリセリルキトサンは、10質量グリセリルキトサン、5質量酢酸、水を含有する溶液の20°Cにおける粘度が399mPasメーカ公称値になるようなグリセリルキトサンである。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤A4を得た。研磨剤A4の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤A4において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、114nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、14mV、研磨剤のpHは、6.0であった。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤A4を使用した研磨において、Roは201nm/分、Rnは1.3nm/分、Rpは1.0nm/分、Snは158、Spは210、研磨傷数は0個、Δoは13nm、Δnは14nm、Δpは15nm、Lnは0.9nm、Lpは0.7nmであった。<実施例5>研磨剤の調整実施例1と同じ研磨剤A1を用意した。基板の研磨研磨パッドとして、2層タイプの非発泡ポリウレタン研磨パッド日本ミクロコーティング株式会社製、NCPシリーズ、メインパッド表面に同心円溝加工有り、メインパッドのショアD硬度:81を使用した以外は、実施例1と同じ方法で、基板を研磨した。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤A1を使用した研磨において、Roは210nm/分、Rnは1.5nm/分、Rpは1.2nm/分、Snは140、Spは175、研磨傷数は0個、Δoは5nm、Δnは6nm、Δpは6nm、Lnは1.1nm、Lpは0.9nmであった。<比較例1>研磨剤の調整実施例1と同じ方法で、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤B1を得た。研磨剤B1の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤B1において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、94nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、43mV、研磨剤のpHは、6.0であった。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤B1を使用した研磨において、Roは428nm/分、Rnは134nm/分、Rpは84nm/分、Snは3.2、Spは5.1、研磨傷数は0個、Δoは145nm、Δnは116nm、Δpは130nm、Lnは47nm、Lpは29nmであった。<比較例2>研磨剤の調整実施例1と同じ方法で、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、2質量のカチオン化ポリビニルアルコール株式会社クラレ製、C-506、カチオン性、けん化度:74.0~79.0mol、平均重合度:600、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤B2を得た。研磨剤B2の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤B2において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、127nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、10mV、研磨剤のpHは、6.0であった。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤B2を使用した研磨において、Roは198nm/分、Rnは54nm/分、Rpは2.1nm/分、Snは3.7、Spは94、研磨傷数は0個、Δoは87nm、Δnは83nm、Δpは88nm、Lnは41nm、Lpは1.6nmであった。<比較例3>研磨剤の調整実施例1と同じ方法で、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、0.4質量のキトサン大日精化工業株式会社製、ダイキトサン100DVL、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤B3を得た。研磨剤B3の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤B3において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、102nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、29mV、研磨剤のpHは、6.0であった。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤B3を使用した研磨において、Roは215nm/分、Rnは12nm/分、Rpは43nm/分、Snは18、Spは5.0、研磨傷数は0個、Δoは91nm、Δnは97nm、Δpは77nm、Lnは9.7nm、Lpは30nmであった。<比較例4>研磨剤の調整実施例1と同じ方法で、1質量の水酸化セリウム粒子が含まれる水酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、0.3質量のポリビニルアルコール和光純薬株式会社製、ノニオン性、けん化度:98.0mol、平均重合度:2000、0.2質量のキトサン大日精化工業株式会社製ダイキトサン100DVL、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。続いて、100gの水酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、800gの水を混合し、研磨剤B4を得た。研磨剤B4の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤B4において、研磨剤中の水酸化セリウム粒子の平均粒径は、138nm、研磨剤中の水酸化セリウム粒子のゼータ電位は、9mV、研磨剤のpHは、6.0であった。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤B4を使用した研磨において、Roは204nm/分、Rnは12nm/分、Rpは2.2nm/分、Snは17、Spは93、研磨傷数は0個、Δoは83nm、Δnは80nm、Δpは87nm、Lnは10nm、Lpは1.6nmであった。<比較例5>研磨剤の調整白金製容器に、400gの炭酸セリウム水和物を入れ、675°Cで2時間、空気中で焼成することにより、酸化セリウム焼成粉を200g得た。次に、酸化セリウム焼成粉をジェットミルで乾式粉砕し、酸化セリウム粒子を得た。更に、酸化セリウム粒子に、適当な量の水を加えて、1質量の酸化セリウム粒子が含まれる酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。続いて、500gの酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、400gの水を混合し、研磨剤B5を得た。研磨剤B5の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤B5において、研磨剤中の酸化セリウム粒子の平均粒径は、407nm、研磨剤中の酸化セリウム粒子のゼータ電位は、34mV、研磨剤のpHは、6.0であった。基板の作製実施例1と同じ方法で、SiO2ブランケット基板、SiNブランケット基板、pSiブランケット基板、SiO2パターン基板、SiO2/SiNパターン基板、SiO2/pSiパターン基板を用意した。基板の研磨実施例1と同じ方法で、前記基板を研磨し、更に洗浄した。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤B5を使用した研磨において、Roは207nm/分、Rnは58nm/分、Rpは43nm/分、Snは3.6、Spは4.8、研磨傷数は24個、Δoは121nm、Δnは97nm、Δpは101nm、Lnは42nm、Lpは31nmであった。<比較例6>研磨剤の調整比較例6と同じ方法で、1質量の酸化セリウム粒子が含まれる酸化セリウム濃縮スラリを得た。更に、1質量のカチオン化ポリビニルアルコール株式会社クラレ製、C-506、カチオン性、けん化度:74.0~79.0mol、平均重合度:600、0.2質量のキトサン大日精化工業株式会社製、ダイキトサン100DVL、0.2質量の酢酸、0.2質量のイミダゾール、水を含有する濃縮添加液を用意した。続いて、500gの酸化セリウム濃縮スラリ、100gの濃縮添加液、400gの水を混合し、研磨剤B6を得た。研磨剤B6の最終的な各成分の配合量は表1に示すとおりである。研磨剤の特性実施例1と同じ方法で、研磨剤中の酸化セリウム粒子の平均粒径、研磨剤中の酸化セリウム粒子のゼータ電位、研磨剤のpHを測定した。研磨剤B6において、研磨剤中の酸化セリウム粒子の平均粒径は、414nm、研磨剤中の酸化セリウム粒子のゼータ電位は、30mV、研磨剤のpHは、6.0であった。基板の作製実施例1と同じ方法で、SiO2ブランケット基板、SiNブランケット基板、pSiブランケット基板、SiO2パターン基板、SiO2/SiNパターン基板、SiO2/pSiパターン基板を用意した。基板の研磨実施例1と同じ方法で、前記基板を研磨し、更に洗浄した。研磨結果実施例1と同じ方法で、Ro、Rn、Rp、Sn、Sp、研磨傷数、Δo、Δn、Δp、Ln、Lpを求めた。研磨剤B6を使用した研磨において、Roは173nm/分、Rnは40nm/分、Rpは28nm/分、Snは4.3、Spは6.2、研磨傷数は35個、Δoは116nm、Δnは93nm、Δpは94nm、Lnは35nm、Lpは24nmであった。以上の結果をまとめたものを表2に示す。実施例1~5に記載の研磨剤は、研磨傷数が少なく、酸化シリコン膜を高平坦に研磨することができることがわかる。更に、窒化シリコン膜やポリシリコン膜に対する研磨選択比が高く、窒化シリコン膜やポリシリコン膜を研磨停止層として用いた場合の研磨停止性に優れることがわかる。カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類のいずれか一方又は両方を含有しない比較例1~4に記載の研磨剤は、研磨傷数は少ないものの、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて、酸化シリコン膜の平坦性に劣っている。更に、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて窒化シリコン膜やポリシリコン膜に対する研磨選択比が低く、窒化シリコン膜やポリシリコン膜を研磨停止層として用いた場合の研磨停止性に劣っている。カチオン化ポリビニルアルコールを含有する比較例2の研磨剤は、ポリシリコン膜に対する研磨選択比が、その他の比較例と比べて高いものの、キトサンを含有しないため、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて酸化シリコン膜の平坦性に劣っている。更に、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて窒化シリコン膜に対する研磨選択比が低く、窒化シリコン膜を研磨停止層として用いた場合の研磨停止性に劣っている。キトサンを含有する比較例3の研磨剤は、窒化シリコン膜に対する研磨選択比が、その他の比較例と比べて高いものの、カチオン化ポリビニルアルコールを含有しないため、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて酸化シリコン膜の平坦性に劣っている。更に、実施例1~5に記載の研磨剤と比べてポリシリコン膜に対する研磨選択比が低く、ポリシリコン膜を研磨停止層として用いた場合の研磨停止性に劣っている。また、比較例4の研磨剤は、ポリビニルアルコールとキトサンの両方を含有するものの、カチオン化ポリビニルアルコールではないため、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて酸化シリコン膜の平坦性に劣っている。更に、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて窒化シリコン膜やポリシリコン膜に対する研磨選択比が低く、窒化シリコン膜やポリシリコン膜を研磨停止層として用いた場合の研磨停止性に劣っている。砥粒として水酸化セリウム粒子ではなく酸化セリウム粒子を使用した比較例5及び6に記載の研磨剤は、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて、研磨傷数が多く、酸化シリコン膜の平坦性に劣っている。更に、実施例1~5に記載の研磨剤と比べて窒化シリコン膜やポリシリコン膜に対する研磨選択比が低く、窒化シリコン膜やポリシリコン膜を研磨停止層として用いた場合の研磨停止性に劣っている。これらの結果から明らかなように、本発明の研磨剤及び研磨方法は、研磨傷を抑制しつつ、酸化シリコン膜を高平坦に研磨し、更に研磨停止性を高めることができる。