"反応部位としてのカルボニル基を有する芳香族ポリカルボニル化合物と、反応部位としてのアミノ基を有する芳香族ポリアミン及び複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分とを含み、芳香族反応成分が芳香族複素環式化合物であるとき、芳香族ポリカルボニル化合物が芳香族ポリアルデヒド化合物でありる架橋性組成物であって、前記芳香族ポリカルボニル化合物及び芳香族反応成分のうち、少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する架橋性組成物。芳香族ポリカルボニル化合物が、下記式Ia式中、Lはリンカーを示し、A1は芳香族性環を示し、R1はカルボニル基含有基を示し、nは0又は1、k1は1以上の整数、pは1以上の整数である。但し、k1×pは2以上の整数である。で表される化合物である請求項1記載の組成物。芳香族ポリカルボニル化合物が、前記式Iaにおいて、a1環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環であり、nが0であり、k1が2又は3であり、pが1である化合物、a2環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、nが0であり、k1が1又は2であり、pが2である化合物、a3環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基であり、nが1であり、k1が1又は2であり、pが2~4である化合物、又はa4環A1がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k1が2~4であり、pが1である化合物である請求項2記載の組成物。芳香族ポリアミンが、下記式IIa式中、A2は芳香族性環を示し、R3はアミノ基を示し、R4は水素原子、アミノ基、メルカプト基、又はヒドロキシル基を示し、k3は1以上の整数であり、L、n、及びpは前記に同じ。但し、k3×pは2以上の整数である。で表される化合物である請求項1~3のいずれかに記載の組成物。芳香族ポリアミンが、前記式IIaにおいて、b1環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環であり、nが0であり、k3が2又は3であり、pが1である化合物、b2環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、nが0であり、k3が1又は2であり、pが2である化合物、b3環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合した基であり、nが1であり、k3が1又は2であり、pが2~4である化合物、又はb4環A2がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k3が2~4であり、pが1である化合物である請求項4記載の組成物。1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族ポリアルデヒド化合物と、1分子中に反応部位としてのアミノ基2~4個を有する芳香族ポリアミンとを含み、芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族ポリアミンのうち少なくとも一方の成分が、3以上の反応部位を有する請求項1~5のいずれかに記載の組成物。芳香族複素環式化合物が、単環式化合物、縮合環式化合物、及び環集合化合物から選択された少なくとも一種であり、かつ複素環のヘテロ原子として、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及びテルル原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5~8員芳香族複素環を含む請求項1~6のいずれかに記載の組成物。芳香族複素環式化合物が、下記式III式中、環Hetは芳香族複素環を示し、Xはヘテロ原子を示し、R5は非反応性基を示し、rは0~3の整数を示し、L、n及びpは前記に同じで表される化合物である請求項1~7のいずれかに記載の組成物。芳香族複素環式化合物が、複素環のヘテロ原子として、硫黄原子、酸素原子、窒素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環を含む請求項1~8のいずれかに記載の組成物。1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族ポリアルデヒド化合物と、複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての未修飾のα-炭素位2~8個を1分子中に有する芳香族複素環式化合物とを含み、芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち少なくとも一方の成分が、3以上の反応部位を有する請求項1~9のいずれかに記載の組成物。芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族反応成分との割合が、反応部位の当量比換算で、前者/後者=70/30~30/70である請求項1~10のいずれかに記載の組成物。芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物の総量1重量部に対して、酸触媒を0.001~1重量部の割合で含む請求項1~11のいずれかに記載の組成物。有機溶媒を、芳香族ポリカルボニル化合物及び芳香族反応成分の合計1重量部に対して、0.1~200重量部の割合で含む請求項1~12のいずれかに記載の組成物。請求項1~13のいずれかに記載の組成物を熱処理することにより得られる有機半導体。実質的に全体がπ共役系から成る三次元網目構造を有する請求項14記載の有機半導体。炭素-窒素二重結合、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、炭素-炭素単結合、及び炭素-炭素二重結合から選択された少なくとも一種の単位を介して、芳香族ポリカルボニル化合物由来の単位と芳香族反応成分由来の単位とが連結した構造を有する請求項14又は15記載の有機半導体。有機溶媒に不溶又は難溶である請求項14~16のいずれかに記載の有機半導体。無機半導体の少なくとも一方の面に、請求項14~17のいずれかに記載の有機半導体が形成された有機無機複合半導体。無機半導体が、周期表2B、3B、及び4B族元素から選択された少なくとも一種の金属又はこの金属の酸化物で構成されている請求項18記載の有機無機複合半導体。無機半導体の少なくとも一方の面に請求項1~13のいずれかに記載の組成物を塗布した後、熱処理して有機半導体を形成し、請求項18又は19記載の有機無機複合半導体を製造する方法。請求項14~19のいずれかに記載の半導体を含む電子デバイス。従って、本発明の目的は、高分子型であるにも拘わらず低抵抗で、導電性キャリア移動度の高い有機半導体を形成するのに有用な架橋性組成物又はコーティング組成物、この組成物で形成された有機半導体、及びこの有機半導体を含むデバイスを提供することにある。本発明の他の目的は、耐熱性に優れ、熱などの外部エネルギーが付与されても、膜質の変化結晶化を抑制して、デバイス寿命の低下を防止できる有機半導体を形成するのに有用な組成物又はコーティング組成物、この組成物で形成された有機半導体、及びこの有機半導体を含むデバイスを提供することにある。本発明のさらに他の目的は、耐溶剤性に優れる有機半導体を形成するのに有用な組成物又はコーティング組成物、この組成物で形成された有機半導体、及びこの有機半導体を含むデバイスを提供することにある。本発明の別の目的は、コーティングなどの簡便な方法により成膜が容易な有機半導体用組成物コーティング組成物、この組成物で形成された有機半導体、及びこの有機半導体を含むデバイスを提供することにある。本発明のさらに別の目的は、塗布液の安定性が高く、低温で有機半導体を形成するのに有用な組成物又はコーティング組成物、この組成物で形成された有機半導体、及びこの有機半導体を含むデバイスを提供することにある。本発明の他の目的は、重合成分又は反応成分の種類や量などを調整することにより容易に特性を制御できる有機半導体用組成物又はコーティング組成物、この組成物で形成された有機半導体、及びこの有機半導体を含むデバイスを提供することにある。本発明のさらに他の目的は、全体として擬似的なバンド構造を形成可能であり、無機半導体との複合化が容易な有機半導体を形成するのに有用な組成物又はコーティング組成物、この組成物で形成された有機半導体、及びこの有機半導体を含むデバイスを提供することにある。本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、芳香族ポリカルボニル化合物と、芳香族ポリアミン及び複素環のヘテロ原子に隣接する複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分とを含む組成物において、これらの成分のうち、少なくとも1つの成分として、3以上の反応部位を有する成分3官能以上の成分を用い、三次元的架橋構造を有する有機半導体を形成すると、高分子型であるにも拘わらず抵抗を低減し、キャリア移動度を高め、導電性を向上できることを見いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明の組成物は、反応部位としてのカルボニル基を有する芳香族ポリカルボニル化合物と、反応部位としてのアミノ基カルボニル基との反応性基を有する芳香族ポリアミン及び複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分とを含む。上記組成物は、有機半導体を形成するための組成物として有用である。この組成物において、芳香族反応成分が芳香族複素環式化合物であるとき、芳香族ポリカルボニル化合物が芳香族ポリアルデヒド化合物であり、前記芳香族ポリカルボニル化合物及び芳香族反応成分のうち、少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する。前記組成物特に、有機半導体を形成するために有用な組成物は、1前記芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミンとを含み、芳香族ポリカルボニル化合物及び芳香族ポリアミンのうち少なくとも一方の成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する組成物であってもよく、2反応部位としてのホルミル基を有する芳香族ポリアルデヒド化合物と、複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位ホルミル基との反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環式化合物とを含み、芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物のうち少なくとも一方の成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する組成物であってもよい。さらに、前記組成物は、3前記1と前記2とを組み合わせた組成物、すなわち、芳香族ポリカルボニル化合物と、芳香族ポリアミンと、芳香族ポリアルデヒド化合物と、芳香族複素環式化合物とを含み、これらの成分のうち少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位[ホルミル基アルデヒド基、アミノ基及び/又は未修飾のα-炭素位]を有する組成物であってもよい。なお、この組成物において、芳香族ポリカルボニル化合物は芳香族ポリアルデヒド化合物であってもよい。芳香族ポリカルボニル化合物は、下記式Iaで表される化合物であってもよい。式中、Lはリンカーを示し、A1は芳香族性環を示し、R1はカルボニル基含有基を示し、nは0又は1、k1は1以上の整数、pは1以上の整数である。但し、k1×pは2以上の整数である。なお、前記式Iaにおいて、k1×pが2以上の整数であるとは、分子中に含まれるR1の総数が2以上であることを示す。前記式Iaで表される化合物は、下記化合物a1~a4であってもよい。a1環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環など、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環カルバゾール環などであり、nが0であり、k1が2又は3であり、pが1である化合物;a2環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、nが0であり、k1が1又は2であり、pが2である化合物;a3環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基など、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]であり、nが1であり、k1が1又は2であり、pが2~4である化合物;a4環A1がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k1が2~4であり、pが1である化合物。芳香族ポリアミンは、下記式IIaで表される化合物であってもよい。式中、A2は芳香族性環を示し、R3はアミノ基を示し、R4は水素原子、アミノ基、メルカプト基、又はヒドロキシル基を示し、k3は1以上の整数であり、L、n、及びpは前記に同じ。但し、k3×pは2以上の整数である。なお、前記式IIaにおいて、k3が2以上の整数である場合とは、互いにオルト位で接するR3とR4との一対の基が、環A2に2対以上置換していることを示す。また、k3×pが2以上の整数であるとは、分子中に含まれるR3とR4との一対の基の総数が2以上であることを示す。前記式IIaで表される化合物は、下記化合物b1~b4であってもよい。b1環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピレン環、アントラキノン環、コロネン環など、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環カルバゾール環、フェナントリジン環などであり、nが0であり、k3が2又は3であり、pが1である化合物;b2環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、nが0であり、k3が1又は2であり、pが2である化合物;b3環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基、9,9-フルオレン-ジイル基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基など、オキサゾール-ジイル基、オキサジアゾール-ジイル基、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環、酸素原子及び窒素原子を含有する複素環、及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合した基であり、nが1であり、k3が1又は2であり、pが2~4である化合物;b4環A2がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k3が2~4であり、pが1である化合物。前記組成物は、1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族ポリアルデヒド化合物と、1分子中に反応部位カルボニル基との反応性基としてのアミノ基2~4個を有する芳香族ポリアミンとを含み、芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族ポリアミンのうち少なくとも一方の成分が、3以上の反応部位を有する組成物であってもよい。前記芳香族複素環式化合物は、単環式化合物、縮合環式化合物、及び環集合化合物から選択された少なくとも一種であってもよく、芳香族複素環式化合物は、複素環のヘテロ原子として、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及びテルル原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5~8員芳香族複素環を含んでいてもよい。さらに、芳香族複素環式化合物は、複素環のヘテロ原子として、硫黄原子、酸素原子、窒素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環を含んでいてもよい。なお、複素環のヘテロ原子としての窒素原子は、イミノ基NH基を形成してもよい。芳香族複素環式化合物は、下記式IIIで表される化合物であってもよい。式中、環Hetは芳香族複素環を示し、Xはヘテロ原子を示し、R5は非反応性基を示し、rは0~3の整数を示し、L、n及びpは前記に同じ前記組成物は、1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族ポリアルデヒド化合物と、複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位ホルミル基との反応部位としての未修飾のα-炭素位2~8個例えば、2~4個を1分子中に有する芳香族複素環式化合物とを含み、芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち少なくとも一方の成分が、3以上の反応部位を有する組成物であってもよい。芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族反応成分との割合は、反応部位の当量比換算で、前者/後者=70/30~30/70程度、好ましくは60/40~40/60程度、より好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物を含む組成物は酸触媒を含んでいてもよく、酸触媒の含有量は、芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物の総量1重量部に対して、0.001~1重量部程度であってもよい。本発明の組成物は、さらに有機溶媒を含んでいてもよい。有機溶媒の割合は、芳香族ポリカルボニル化合物及び芳香族反応成分の合計1重量部に対して、0.1~200重量部例えば、1~50重量部程度であってもよい。本発明は、前記組成物を熱処理することにより得られる有機半導体も含む。この有機半導体は、実質的に全体がπ共役系から成る三次元網目構造を有していてもよく、炭素-窒素二重結合、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、炭素-炭素単結合、及び炭素-炭素二重結合から選択された少なくとも一種の単位を介して、芳香族ポリカルボニル化合物由来の単位と芳香族反応成分由来の単位とが連結した構造を有していてもよい。また、前記有機半導体は、有機溶媒に不溶又は難溶であってもよい。また、本発明には、無機半導体の少なくとも一方の面に、前記有機半導体が形成された有機無機複合半導体が含まれる。無機半導体は、周期表2B、3B、及び4B族元素から選択された少なくとも一種の金属又はこの金属の酸化物で構成されていてもよい。この有機無機半導体は、例えば、無機半導体の少なくとも一方の面に前記組成物を塗布した後、熱処理して有機半導体を形成することにより製造できる。さらに、本発明には、前記半導体有機半導体、有機無機複合半導体を含む電子デバイスも含まれる。なお、本明細書中、π電子共役系とは、非共役電子対を有する原子例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子も含む共役系を意味する。また、本明細書中、用語芳香族ポリカルボニル化合物及び芳香族ポリアミンにおいて、ポリとは、それぞれカルボニル基及びアミノ基カルボニル基との反応性基が2以上であることを意味する。さらに、本明細書中、芳香族性環とは、芳香環のみならず、複数の芳香環ピロール環などがπ共役系例えば、-N=、-C=を形成して、例えば、数珠状などの形態で、ポルフィリン誘導体、フタロシアニンなどのポルフィン環のように、互いに環状に結合した環状芳香環も含む意味で用いる。本発明の組成物は、芳香族ポリカルボニル化合物、芳香族ポリアミン及び芳香族複素環式化合物のうち、少なくとも1つの成分が、官能基反応基又は反応部位として3以上のカルボニル基カルボニル基を含む反応性基、アミノ基又は3以上の未修飾のα-炭素位を有するため、反応によりπ共役系で繋がった3次元網目構造架橋構造を形成する。そのため、この組成物で形成された有機半導体は、低抵抗で導電性キャリア移動度が高い。特に、反応が容易に進行するため、有機半導体は実質的に全体がπ共役系から成る3次元網目構造で連結された1つの高分子で構成されていると推定できる。この組成物で形成された有機半導体は、全体として擬似的なバンド構造を形成しているため、キャリアの移動機構は分子間での電子移動ホッピングよりも非局在化された分子内での電子移動が優先され、極めて導電性に優れる。また、分子間での電子移動が抑制されているため、酸素や水、その他不純物による電子移動の阻害を受けにくい。このため、この組成物で形成された有機半導体は、従来の有機半導体で必要とされる純度99.9以上よりも低い純度99以下でも半導体として機能する。すなわち、本発明で用いる組成物は、従来の有機半導体で行われる昇華精製など特別な精製処理を必要としないため、より安価に提供できる。また、3次元網目構造を有する有機半導体は、それを構成する各組成物の絶対的な位置が強固に固定されているため、外部からエネルギーが付与されても大きく動くことが出来ず、膜質の変化結晶化などが抑制されることとなり、熱などに対する耐久性に優れ、これを用いたデバイスの寿命の低下を防止できる。さらに、この有機半導体は耐溶剤性に優れるため、有機溶媒を含むコーティング液を有機半導体に直接塗布して積層構造を形成することが可能となる。本発明の組成物に含まれる重合成分又は反応成分は溶剤に可溶であるため、コーティングなどの簡便な方法により容易に成膜できる。さらに、芳香族複素環式化合物を含む組成物は、芳香族ポリアミンを含む組成物に比べて、塗布液の安定性が高く、低温で有機半導体を形成するのに有用である。この重合成分又は反応成分の種類や量などを調整することにより、有機半導体の特性例えば、導電性、バンドギャップなどを容易に制御できる。さらに、本発明の有機半導体は、全体として擬似的なバンド構造を形成しており無機半導体と同様に扱えるため、無機半導体との複合化が容易である。この有機無機複合半導体は、無機半導体の高いキャリア移動と組み合わされて、例えば、太陽電池などの用途において、光電変換効率を向上できる。[架橋性組成物又はコーティング組成物]本発明の組成物架橋性又は重合性組成物は、反応によりπ電子共役系結合[例えば、炭素-窒素二重結合-C=N-、炭素-炭素一重結合-C-C-、炭素-炭素二重結合-C=C-、炭素-炭素三重結合-C≡C-、アミド結合-NHCO-、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環など]を生成可能な官能基反応部位を有する重合成分又は反応成分を含んでいる。この重合成分又は反応成分は、π電子共役系結合を生成可能な2以上例えば2~8、好ましくは2~6、さらに好ましくは2~4程度の官能基反応部位を有しており、特に、少なくとも一つの重合成分又は反応成分は3以上例えば3~8、好ましくは3~6、さらに好ましくは3~4程度の官能基反応部位を有している。そのため、重合反応により、3次元網目構造架橋構造を形成可能である。また、この重合成分自体もπ電子共役系構造通常、芳香環を有するため、重合体は三次元的に全体に亘り電気的に導通可能である。本発明の組成物は、反応部位としてのカルボニル基を有する芳香族ポリカルボニル化合物と、芳香族ポリアミン及び芳香族複素環式化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分とを含んでおり、芳香族ポリアミンは反応部位としてのアミノ基を有し、芳香族複素環式化合物は複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての未修飾又は未置換のα-炭素位を有する。また、芳香族反応成分が芳香族複素環式化合物であるとき、芳香族ポリカルボニル化合物として芳香族ポリアルデヒド化合物が使用される。すなわち、本発明は、1芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミンとを含む態様、2芳香族ポリアルデヒド化合物と芳香族複素環式化合物とを含む態様、及び3芳香族ポリアルデヒド化合物と、芳香族ポリアミンと、芳香族複素環式化合物とを含む態様を包含する。本発明の前記態様1の組成物は、反応の容易さなどの点から、炭素-窒素二重結合-C=N-、アミド結合-NHCO-、イミダゾール環、オキサゾール環、又はチアゾール環を生成する組合せ、すなわち、複数のカルボニル基を含有するπ電子共役系化合物芳香族ポリカルボニル化合物などと複数のアミノ基を含有するπ電子共役系化合物芳香族ポリアミンなどとの組合せで構成されている。また、これらの化合物のうち、少なくとも一方の化合物は、官能基として、分子中に3以上の反応部位[アミノ基又はカルボニル基カルボニル基含有基、アミノ基と反応する反応性カルボニル基]を有する。本発明の前記態様2の組成物は、炭素-炭素一重結合-C-C-、炭素-炭素二重結合-C=C-を生成する組合せ、すなわち、複数のホルミル基を含有するπ電子共役系化合物芳香族ポリアルデヒド化合物と複数の反応部位を含有するπ電子共役系複素環化合物芳香族複素環化合物との組合せで構成されている。この組成物では、芳香族ポリカルボニル化合物及び芳香族複素環式化合物のうち、少なくとも1つの成分は、1分子中に3以上の反応部位ホルミル基アルデヒド基又は未修飾のα-炭素位を有する。この組成物は、安定性が高く、低温での熱処理により有機半導体を形成できる。本発明の前記態様3の組成物は、前記態様1と態様2とを組み合わせた組成物に相当する。そのため、態様3の組成物では、芳香族ポリカルボニル化合物、芳香族ポリアミン、および芳香族複素環式化合物から選択された少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位[ホルミル基アルデヒド基、アミノ基及び/又は未修飾のα-炭素位]を有している。このような態様1~3の組成物は、有機半導体高分子型有機半導体を形成するために適している。本発明では、前記態様1又は2の組成物であっても、高い性能を有する有機半導体を形成できる。芳香族ポリカルボニル化合物芳香族ポリカルボニル化合物としては、複数のカルボニル基カルボニル基含有基を有する芳香族化合物である限り、特に限定されず、通常、下記式Iで表される。式中、Aは芳香族性環を示し、R1はカルボニル基含有基を示し、kは2以上の整数である前記式Iにおいて、Aで表される芳香族性環以下、単に芳香環という場合があるとしては、芳香環であってもよく、芳香環の環集合体であってもよい。芳香環としては、芳香族炭化水素環[例えば、単環式芳香族炭化水素環ベンゼン環など、縮合多環式芳香族炭化水素環インデン環、ナフタレン環などの縮合二環式炭化水素環;アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、アントラセン環、フェナントレン環などの縮合三環式炭化水素環;ピレン環、ナフタセン環などの縮合四環式炭化水素環;ペンタセン環、ピセン環などの縮合五環式炭化水素環;ヘキサフェン環、ヘキサセン環などの縮合六環式炭化水素環;コロネン環などの縮合七環式炭化水素環など]、芳香族複素環[例えば、単環式複素環チオフェン環などの硫黄原子を含む5員複素環;ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環などの窒素原子を含む5員複素環;フラン環などの酸素原子を含む5員複素環;オキサゾール環、オキサジアゾール環などの窒素原子及び酸素原子を含む5員複素環;チアゾール環、チアジアゾール環などの窒素原子及び硫黄原子を含む5員複素環など、多環式複素環キノリン環などの縮合二環式複素環;キサンテン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナントリジン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環などの縮合三環式複素環;ポルフィリン;フタロシアニンなど]、又はこれらの誘導体アントラキノンなどの炭化水素環式ケトン、ピラゾロンなどの複素環式ケトンなどなどが例示できる。なお、これらの芳香環は置換基後述の非反応性基R2などを有していてもよい。環集合体を構成する芳香環は、前記例示の芳香環単独で構成してもよく、二種以上組み合わせて構成してもよい。芳香環の環集合体としては、例えば、直接結合により複数の芳香環が互いに連結した環集合体[例えば、ビフェニルなどの二環系集合体、ターフェニルp-ターフェニルなどなどの三環系集合体、1,3,5-トリフェニルベンゼンなどの四環系集合体など]、リンカー又はユニット又は連結基を介して複数の芳香環が互いに連結した環集合体{例えば、二環系集合体[例えば、酸素原子をリンカーとする環集合体フェノキシベンゼンなどのジアリールエーテルなど、硫黄原子をリンカーとする環集合体フェニルチオベンゼンなどのジアリールチオエーテルなど、ビニレン基をリンカーとする環集合体スチルベンなどの1,2-ジアリールエテンなど、アゾ基をリンカーとする環集合体アゾベンゼンなどのアゾアレーン1,2-ジアリールジアゼンなどなど]、三環系集合体[例えば、窒素原子をリンカーとする環集合体トリフェニルアミンなどのトリアリールアミンなどなど]など}が例示できる。R1で表されるカルボニル基含有基としては、ホルミル基アルデヒド基;基-CH=CHm-CHOmは0以上の整数で、例えば0~10、好ましくは0~5、さらに好ましくは0~2例えば、2-ホルミルビニル基などのホルミル基含有基;アシル基アセチル基などのC2-5アシル基などなどのケトン基含有基;カルボキシル基;低級アルコキシカルボニル基C1-2アルコキシ-カルボニル基;ハロカルボニル基クロロカルボニル基などなどが例示できる。なお、各々のR1は互いに同一又は異なっていてもよく、通常、同一である。R1の置換数kは、2以上であればよく、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6特に2~4程度であってもよい。具体的には、前記式Iで表される化合物として、下記式Iaで表される化合物例えば、芳香族ポリアルデヒド化合物、芳香族ポリカルボン酸などが挙げられる。式中、Lはリンカーを示し、A1は芳香族性環を示し、R1は前記に同じ。nは0又は1、k1は1以上の整数、pは1以上の整数である。但し、k1×pは2以上の整数である。なお、前記式Iaにおいて、k1×pが2以上の整数であるとは、分子中に含まれるR1の総数が2以上であることを示す。前記式Iaにおいて、A1で表される芳香族性環又は芳香環としては、前記環Aと同様の芳香族性環が例示できる。これらの芳香族性環のうち、単環又は縮合2乃至20環式芳香環例えば、縮合2乃至10環式芳香環が好ましい。特に、単環又は縮合二乃至七環式アレーン環ベンゼン環、ナフタレン環などの単環又は縮合二乃至四環式アレーン環など、縮合二乃至七環式窒素原子含有複素環カルバゾール環などの縮合二乃至四環式窒素原子含有複素環などが好ましく、特にベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-14アレーン環、特にC6-10アレーン環が好ましい。なお、pが2以上の整数である場合、各々の環A1の種類は互いに同一又は異なっていてもよく、通常、同一である。Lで表されるリンカー又はユニット又は連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ホウ素原子、リン原子などのヘテロ原子;複数のヘテロ原子で構成されたリンカーアゾ基、ジスルフィド基など;エチレンに対応するリンカービニレン基など;アセチレンに対応するリンカーエチニレン基;芳香環に対応するリンカー又は2以上の多価基;これらの組合せで構成されたリンカー[例えば、下記式Ibで表される基など]が挙げられる。なお、芳香環に対応するリンカーにおいて、芳香環は環Aと同様の芳香環が例示できる。これらの芳香環のうち、単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環などの単環又は縮合二乃至四環式アレーン環など、酸素原子及び窒素原子を含有する複素環オキサゾール環、オキサジアゾール環などの5員複素環など、及びポルフィリン環から選択された一種が好ましい。式中、Yは酸素原子、硫黄原子、又はアゾ基を示し、Zは芳香族性環を示し、q1、q2、及びq3は、それぞれ0又は1であり、q4は1以上の整数である。但し、q1q2q3は1以上の整数、q1q2q3×q4は2以上の整数である。なお、式中、下記化学結合は、二重結合又は三重結合であることを示す。前記式Ibにおいて、環Zで表される芳香族性環としては、前記環Aと同様の芳香族性環が例示できる。環Zは、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-10アレーン環が好ましい。なお、環Zは置換基後述の非反応性基R2などを有していてもよい。また、q4が2以上の整数である場合、各々のZ若しくはYの種類、又はq1又はq2若しくはq3の数は、互いに同一又は異なっていてもよい。前記式Iaにおいて、リンカーLはフラーレン又はフラーレン単位であってもよく、リンカーL及び/又は芳香族性環A1には、フラーレン又はフラーレン単位が置換していてもよい。Y、Z、及びビニレン基又はエチニレン基から選択された少なくとも1種以上で構成された単位の繰り返しの数q4は、1以上であれば特に限定されず、例えば、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~5程度であってもよい。前記単位におけるq1、q2、及びq3の合計q1q2q3は、1以上であれば特に限定されず、1~3、好ましくは1~2程度であってもよい。前記式Ibにおけるq1、q2、及びq3の合計[q1q2q3×q4]は、2以上であれば特に限定されず、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば3~5程度であってもよい。具体的には、前記式Ibで表される基としては、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合したアレーンジアゾ基[下記式Ib1など]、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合したジアリールエテンジアゾ基[下記式Ib2など]、アリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合したアリールアレーンジオキシ基[下記式Ib3など]、アレーン環に複数のエチニレン基が結合した基[下記式Ib4などのアレーンジエチニレン基など]などが挙げられる。これらのリンカーのうち、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[2価の炭化水素環基例えば、フェニレン基、9,9-フルオレン-ジイル基など、2価の複素環基例えば、2,5-オキサゾール-ジイル基などのオキサゾール-ジイル基、2,5-オキサジアゾール-ジイル基などのオキサジアゾール-ジイル基など、3価の炭化水素環基例えば、1,3,5-ベンゼン-トリイル基などのC6-24アレーン-トリイル基など、4価の複素環基5,10,15,20-ポルフィリン-テトライル基などのポルフィリン-テトライル基などなど]、アリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基ビフェニル-ジイル基などのビC6-24アリール-ジイル基などの両末端に酸素原子が結合した基が好ましい。係数pリンカーLの価数に対応する数は、リンカーLの種類に応じて適宜選択され、1以上[例えば、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~6例えば1~4、特に1~3程度]であってもよい。なお、n=0かつp=1とは、前記式Iaが複数のカルボニル基含有基を有する環A1であることを意味し、n=0かつp=2とは、直接結合により、2個の環A1が互いに連結していることを意味する。R1で表されるカルボニル基含有基としては、ホルミル基、2-ホルミルビニル基などのホルミル基含有基、カルボキシル基特にホルミル基が好ましい。基R1の種類は、k1が2以上の整数である場合、互いに異なっていてもよく、通常、同一である。基R1の置換数k1は、1以上であり、かつ分子中の基R1の合計k1×pが2以上となる整数であれば、特に限定されない。例えば、p=1の場合、k1は2以上であればよく、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に3程度であってもよい。pが2以上の整数である場合、k1は1以上であればよく、例えば、1~10、好ましくは1~5、さらに好ましくは1~3例えば1~2、特に1程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々のk1は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。k1×pは、2以上であれば特に限定されず、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に3又は4程度であってもよい。基R1の置換位置は、特に限定されず、1つの芳香環A1に置換する複数の基R1は、互いに非オルト位で置換しているのが好ましい。前記芳香環A1は置換基非反応性基などを有していてもよく、前記式Iaで表される化合物は、下記式Icで表される化合物であってもよい。式中、R2は非反応性基を示し、k2は0以上の整数であり、L、A1、R1、n、k1、pは前記に同じ。基R2で表される非反応性基とは、アミノ基とカルボニル基含有基との反応に対して非反応性又は不活性の基を意味する。非反応性基としては、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、N,N-二置換アミノ基、スルホ基、スルホナート基スルホン酸ナトリウム基などなどが挙げられる。前記炭化水素基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-12アルキル基、好ましくは直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基など、アルケニル基ビニル基などのC2-6アルケニル基など、シクロアルキル基シクロへキシル基などのC5-8シクロアルキル基など、アリール基[例えば、フェニル基、アルキルフェニル基モノ又はジメチルフェニル基トリル基、2-メチルフェニル基、キシリル基などなどのC1-4アルキルフェニル基、ナフチル基などのC6-10アリール基など]、アラルキル基ベンジル基などのC6-10アリール-C1-4アルキル基などなどが例示できる。前記ハロゲン化炭化水素基としては、前記炭化水素基の水素原子がハロゲン原子フッ素、塩素、臭素などに置換された基例えば、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、テトラフルオロエチル基などのハロC1-6アルキル基フッ素化メチル基などなどが例示できる。前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、t-ブトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基好ましくはC1-6アルコキシ基などが例示でき、前記シクロアルコキシ基としては、シクロへキシルオキシ基などのC5-8シクロアルキルオキシ基などが例示できる。さらに、前記アリールオキシ基としては、フェノキシ基などのC6-10アリールオキシ基などが例示でき、前記アラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基などのC6-10アリール-C1-4アルキルオキシ基などが例示できる。前記アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基としては、それぞれ上記アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基に対応する基などが例示できる。前記N,N-二置換アミノ基としては、N,N-ジアルキルアミノ基N,N-ジメチルアミノ基などのN,N-ジC1-6アルキルアミノ基などが挙げられる。なお、基R2の置換位置は特に限定されない。分子中に含まれるR2の総数k2×pが2以上の整数である場合、各々の基R2の種類は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。係数k2は、0以上であれば特に限定されず、例えば、0~5、好ましくは0~3、さらに好ましくは0~2例えば0又は1、特に0程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々のk2は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。k2×pは、0以上であれば特に限定されず、例えば、0~10、好ましくは0~6、さらに好ましくは0~4特に0~2程度であってもよい。これらの化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。前記式Iaで表される化合物のうち、例えば、下記化合物a1~a4が好ましい。a1環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環などのC6-24アレーン環など、又は縮合二乃至七環式芳香族複素環カルバゾール環などの窒素原子含有複素環などであり、nが0であり、k1が2~4例えば、2又は3であり、pが1である化合物。このような化合物としては、例えば、ジ乃至テトラホルミルアレーン類、及びこの化合物においてホルミル基の代わりにカルボキシル基を有する化合物などが例示でき、ジ乃至テトラホルミルアレーン類としては、例えば、ジホルミルアントラセンなどのジホルミルアレーン例えば、ジホルミルC6-20アレーンなど、1,3,5-トリホルミルベンゼンなどのトリホルミルアレーン例えば、トリホルミルC6-20アレーンなど、テトラホルミルピレンなどのテトラホルミルアレーン例えば、テトラホルミルC6-20アレーンなど、9-2-エチルヘキシルカルバゾール-3,6-ジカルバルデヒドなどの置換基C1-12アルキル基などのアルキル基などを有していてもよい複素環式ジアルデヒド5又は6員複素環式ジアルデヒド又は5又は6員複素環とベンゼン環との縮合複素環式ジアルデヒドなどなどが例示できる。a2環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、nが0であり、k1が1又は2であり、pが2又は3である化合物環集合化合物。このような化合物としては、2~10好ましくは2~5程度の複数のアレーン環が結合した環集合化合物、例えば、2,2’-ジホルミルビフェニル、4,4’-ジホルミルビフェニルなどのジホルミルビアリール両末端にホルミル基を有するアレーン環が位置するジホルミルビC6-12アリール、4,4-ジホルミルターフェニルなどの両末端にホルミル基を有するアレーン環が位置するジホルミルターC6-12アリール、2,2’-ビチオフェン-5,5’-ジカルバルデヒドなどのジホルミルビチオフェン、2,2’:5’,2-ターチオフェン-5,5-ジカルバルデヒドなどのジホルミルターチオフェンなど;これらの化合物においてホルミル基の代わりにカルボキシル基を有する化合物などが例示できる。a3環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基などのC6-24アレーン-トリイル基など、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]であり、nが1であり、k1が1又は2であり、pが2~4である化合物。このような化合物としては、例えば、ビス2-ホルミルフェニルエーテルなどのビスホルミルアリールエーテルビスホルミルC6-12アリールエーテルなど;4,4’-ジホルミルスチルベンなどの1,2-ジホルミルアリールエテン1,2-ビスホルミルC6-12アリールエテンなど;トリス4-ホルミルフェニルアミンなどのトリホルミルアリールアミントリスホルミルC6-12アリールアミンなど;1,3,5-トリス4-ホルミルフェニルベンゼンなどのトリホルミルアリールアレーントリスホルミルC6-12アリールC6-12アレーンなど、5,10,15,20-テトラキス4-ホルミルフェニルポルフィリンなどのテトラホルミルアリールポルフィリンテトラキスホルミルC6-12アリールポルフィリンなど;これらの化合物においてホルミル基の代わりにカルボキシル基を有する化合物などが例示できる。a4環A1がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k1が2~4であり、pが1である化合物[例えば、2,9,16,23-テトラホルミルフタロシアニン、3,10,17,24-テトラホルミルフタロシアニンなど]。これらの芳香族化合物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族ポリカルボニル化合物特に、芳香族ポリアルデヒド化合物としては、1分子中に複数例えば、2~4個、特に3~4個の反応部位ホルミル基などを有するのが好ましい。特に、アミノ基及びα-炭素位との反応性の点から、上記化合物a1~a4において、基R1がホルミル基である化合物例えば、表1~3に示す化合物が好ましい。芳香族ポリアミン芳香族ポリアミンは、複数のアミノ基第1級アミノ基を有する芳香族化合物である限り、特に限定されず、通常、下記式IIで表される化合物である。式中、R3はアミノ基を示し、A及びkは前記に同じ。具体的には、前記式IIで表される化合物として、下記式IIaで表される化合物が挙げられる。式中、A2は芳香族性環を示し、R3はアミノ基を示し、R4は水素原子、アミノ基、メルカプト基、又はヒドロキシル基を示し、k3は1以上の整数であり、L、n、及びpは前記に同じ。但し、k3×pは2以上の整数である。なお、前記式IIaにおいて、k3が2以上の整数である場合とは、互いにオルト位で接するR3とR4との一対の基が、環A2に2対以上置換していることを示す。また、k3×pが2以上の整数であるとは、分子中に含まれるR3とR4との一対の基の総数が2以上であることを示す。前記式IIaにおいて、A2で表される芳香族性環又は芳香環は、前記環A1と同様の芳香族性環が例示できる。これらの芳香族性環のうち、単環又は縮合2乃至20環式芳香環例えば、縮合2乃至10環式芳香環が好ましい。特に、単環又は縮合二乃至七環式炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピレン環、アントラキノン環などの単環又は縮合二乃至四環式炭化水素環、縮合二乃至七環式窒素含有複素環カルバゾール環、フェナントリジン環などの縮合二乃至四環式窒素含有複素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-14アレーン環、特にC6-10アレーン環が特に好ましい。リンカーLも前記式Iaと同様のリンカーが例示できる。前記式IIaにおいて、リンカーLはフラーレン又はフラーレン単位であってもよく、リンカーL及び/又は芳香族性環A2には、フラーレン又はフラーレン単位が置換していてもよい。互いにオルト位で接するR3とR4との一対の基の置換数k3は、1以上であり、かつ分子中に含まれるR3とR4との一対の基の総数k3×pが2以上となる整数であれば、特に限定されない。例えば、p=1の場合、k3は2以上であればよく、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に2程度であってもよい。pが2以上の整数である場合、k3は1以上であればよく、例えば、1~10、好ましくは1~5、さらに好ましくは1~3例えば1~2、特に1程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々のk3は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。基R4は、k3×pが2以上の整数である場合、互いに異なっていてもよく、通常、同一である。基R3及び基R4は、オルト位の位置関係で環A2に置換している。基R3の置換位置は特に限定されず、1つの芳香環A2に置換する複数の基R3は、互いに非オルト位で置換しているのが好ましい。芳香環A2は置換基非反応性基などを有していてもよく、前記式IIaで表される化合物は、下記式IIbで表される化合物であってもよい。式中、A2、L、R2、R3、R4、n、k2、k3、及びpは前記に同じ。これらの化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。前記式IIaで表される化合物のうち、例えば、下記化合物b1~b4が好ましい。b1環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピレン環、アントラキノン環、コロネン環など、又は縮合二乃至七環式芳香族複素環カルバゾール環、フェナントリジン環などの窒素原子含有複素環などであり、nが0であり、k3が2~4例えば、2又は3であり、pが1である化合物。このような化合物としては、例えば、フェニレンジアミン、ジアミノナフタレン、ジアミノフルオレン、ジアミノピレン、2,5-ジアミノ-1,4-ベンゼンジチオール、ジアミノカルバゾール、ジアミノアントラキノン、ジアミノ-6-フェニルフェナントリジンなどの置換基を有していてもよいジ乃至トリアミノアレーンジ乃至トリアミノC6-20アレーンなどなどが例示でき、上記置換基としては、C1-10アルキル基、C6-10アリール基、ヒドロキシル基、C1-10アルコキシ基、メルカプト基、アミノ基、カルボニル基などが例示できる。b2環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、nが0であり、k3が1又は2であり、pが2である化合物。このような化合物としては、例えば、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジン、3,3’-ジアミノベンジジン、3,5’-ジヒドロキシベンジジン、3,5’-ジメルカプトベンジジンなどの置換基を有していてもよいベンジジン類;3,3’-ジメチルナフチジンなどの置換基を有していてもよいナフチジン類などが例示でき、上記置換基としては、C1-10アルキル基、ハロC1-10アルキル基、ヒドロキシル基、C1-10アルコキシ基、ハロC1-10アルコキシ基、メルカプト基、C1-10アルキルチオ基、ハロC1-10アルキルチオ基、アミノ基などが例示できる。b3環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基、9,9-フルオレン-ジイル基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基など、オキサゾール-ジイル基、オキサジアゾール-ジイル基、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環、酸素原子及び窒素原子を含有する複素環例えば、5員複素環などの単環式複素環、及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合した基であり、nが1であり、k3が1又は2であり、pが2~4である化合物。このような化合物としては、例えば、トリス4-アミノフェニルアミンなどのトリアミノアリールアミン[トリアミノC6-10アリールアミンなど];ビス2-アミノフェニルスルフィドなどのビスアミノアリールスルフィド[ビスアミノC6-10アリールスルフィドなど];ジ2-アミノフェニルジスルフィドなどのジアミノアリールジスルフィド[ジアミノC6-10アリールジスルフィドなど];4,4’-ジアミノスチルベンなどの1,2-ジアミノアリールエテン[ジアミノC6-10アリールエテンなど];4,4’-ジアミノビフェニルなどのジアミノビアリール[ジアミノビC6-10アリールなど];4,4-ジアミノ-p-ターフェニルなどのジアミノターアリール[ジアミノターC6-10アリールなど];9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレンなどの9,9-ビスアミノアリールフルオレン[9,9-ビスアミノC6-10アリールフルオレンなど];2,5-ビス4-アミノフェニル-1,3,4-オキサジアゾールなどのジアミノアリールオキサジアゾール[ジアミノC6-10アリールオキサジアゾールなど];1,3-ビス3,5-ジアミノ-フェニルアゾベンゼンなどのビスモノ乃至ジアミノアリールアゾアレーン[ビスモノ乃至ジアミノC6-10アリールアゾC6-10アレーンなど];4,4’-ビス4-アミノ-1-ナフチルアゾ-スチルベン、4,4’-ビス4-アミノ-1-ナフチルアゾスチルベン-2,2’-ジスルホン酸などの置換基C1-10アルキル基、ヒドロキシル基、C1-10アルコキシ基、メルカプト基、C1-10アルキルチオ基、スルホニル基、スルフィニル基などを有していてもよいビスアミノアリールアゾスチルベン[ビスアミノC6-10アリールアゾスチルベンなど];4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルなどのビスアミノアリールオキシビアリール[ビスアミノC6-10アリールオキシビC6-10アリールなど];5,10,15,20-テトラキス4-アミノフェニルポルフィリンなどのテトラアミノアリールポルフィリン[テトラアミノC6-10アリールポルフィリンなど]などが例示できる。b4環A2がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k3が2~4であり、pが1である化合物。このような化合物としては、例えば、2,9,16,23-テトラアミノフタロシアニン、3,10,17,24-テトラアミノフタロシアニンなどが例示できる。これらの芳香族アミンは単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族ポリアミンは、1分子中に複数例えば、2~4個、好ましくは2~3個の反応部位アミノ基を有するのが好ましい。このような芳香族アミンは、通常、1分子中に複数例えば、2~4個、特に3~4個の反応部位ホルミル基などを有する芳香族ポリカルボニル化合物特に、芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。特に、前記式IIaで表される化合物のうち、取扱性の点から、毒性の少ない又は毒性のない化合物例えば、表4~11に示す化合物などが好ましい。なお、これらの化合物のうち、基R4が水素原子である化合物は、芳香族ポリカルボニル化合物との反応において、基R3で表されるアミノ基が、カルボニル基含有基と反応して、炭素-窒素二重結合-C=N-、アミド結合-NHCO-を生成する。一方、基R4がアミノ基、ヒドロキシル基、又はメルカプト基である化合物環生成型ポリアミンは、芳香族ポリカルボニル化合物特に、芳香族ポリアルデヒド化合物との反応において、隣接する基R3及び基R4とカルボニル基含有基とが反応に関与して、環を形成する場合が多い。例えば、基R4が、iアミノ基であるとイミダゾール環を形成し、iiヒドロキシル基であるとオキサゾール環を形成し、iiiメルカプト基であるとチアゾール環を形成する。芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミンとの割合は、カルボニル基とアミノ基[詳細には、カルボニル基との反応性基例えば、前記式IIaにおいて、基R4がアミノ基、ヒドロキシル基、又はメルカプト基である場合、基R3及び基R4を一つの反応性基とみなす]との当量比換算で、例えば、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。芳香族複素環化合物芳香族複素環式化合物は、芳香族ポリアルデヒド化合物との複数の反応部位複素環のヘテロ原子に隣接するα-炭素部位を有していればよく、芳香族複素環式化合物は、単環式化合物、縮合環式化合物、環集合化合物のいずれであってもよい。複素環化合物の複素環は、5~8員環、好ましくは5~7員環、さらに好ましくは5又は6員環である。複素環は、通常、芳香族5員環を含む場合が多い。さらに、複素環は、通常、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有している。複素環のヘテロ原子はイミノ基を形成してもよい。これらの複素環化合物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族複素環式化合物は、下記式IIIにより表すことができる。式中、環Hetは芳香族複素環を示し、Xはヘテロ原子を示し、R5は非反応性基を示し、rは0~3の整数を示し、L、n及びpは前記に同じ複素環のヘテロ原子Xとしては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子などが例示でき、ヘテロ原子Xが窒素原子であるとき、Xはイミノ基NH基を形成してもよく、複素環化合物の複素環は、単一のヘテロ原子を含んでいてもよく、同一又は異なる種類の複数のヘテロ原子を含んでいてもよい。複素環のヘテロ原子は、通常、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、特に硫黄原子である場合が多い。複素環のXはイミノ基であってもよい。芳香族複素環Hetは、1分子中に前記複数のα-炭素部位を有する化合物であればよく、代表的な単環式複素環としては、例えば、1又は2のヘテロ原子を有する5員複素環、1~3例えば、1又は2のヘテロ原子を有する6員複素環などが例示できる。また、代表的な縮合環式複素環としては、例えば、同種又は異種の複素環が縮合した縮合複素環、ベンゼン環と複素環とが縮合した縮合複素環などが例示できる。複素環式化合物は、通常、複素環のヘテロ原子として、硫黄原子、酸素原子、窒素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環を含んでいる。非反応性基R5としては、前記非反応性基R2aと同様の非反応性基に加えて、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル基など、ヒドロキシアルキル基例えば、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、4-ヒドロキシブチル基などのヒドロキシC1-10アルキル基など、シアノアルキル基例えば、シアノメチル基、2-シアノエチル基、3-シアノプロピル基などのシアノC1-10アルキル基など、カルボキシアルキル基例えば、カルボキシメチル基、2-カルボキシエチル基などのカルボキシ-C1-6アルキル基、ジカルボキシメチル基、2,2-ジカルボキシエチル基などのジカルボキシC1-6アルキル基など、アルコキシカルボニルアルキル基例えば、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル-C1-6アルキル基など、ジヒドロキシボルニル基-BOH2、複素環基ピリジル基、オキソラン-イル基などの窒素原子、硫黄原子、酸素原子から選択されたヘテロ原子を有する5又は6員複素環基など、連結基を介して複素環化合物に結合した、置換基を有していてもよいフラーレン又はフラーレン単位などが例示できる。非反応性基R5としては、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、シクロヘキシル基などのC5-10シクロアルキル基、フェニル基などのC6-10アリール基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル基、ヒドロキシC1-4アルキル基、シアノC1-4アルキル基、カルボキシC1-4アルキル基、ジヒドロキシボルニル基-BOH2、連結基を介して結合したフラーレン単位などである場合が多い。rは、0~3の整数を示し、通常、0~2例えば、0又は1である。リンカーLとしては、エチレンに対応するリンカービニレン基など、アリーレン基例えば、フェニレン基などなどの前記と同様のリンカーが例示できる。リンカーLは、ビニレン基である場合が多い。リンカーLの係数nは0又は1である。前記式IIIにおいて、リンカーLはフラーレン又はフラーレン単位であってもよく、リンカーL及び/又は芳香族複素環Hetには、フラーレン又はフラーレン単位が置換していてもよい。芳香族複素環Hetの繰り返し係数pは、非反応性置換基R5の有無や種類などに応じて、例えば、1~1000、好ましくは1~500例えば、2~250、さらに好ましくは1~200例えば、2~150程度であってもよい。より具体的には、低沸点の複素環化合物例えば、単環式複素環化合物、特に単環式5員複素環化合物は成膜性が低下し、室温例えば、20~25°Cで液体の複素環化合物は、成膜後の熱処理により形成された架橋塗膜の性能が低下しやすい。そのため、フランなどの低沸点の化合物又は単環式複素環化合物は、前記非反応性置換基R5を導入して沸点を高めるのが好ましく、複素環化合物は、室温で固体であり、かつ溶媒に対して溶解性の高い複素環化合物であるのが好ましい。このような観点から、単環式複素環化合物rが0及びnが0である化合物の沸点は、50°C以上例えば、75~350°C、好ましくは100~300°C、さらに好ましくは120~250°Cであるのが好ましい。また、rが0である化合物又はrが1であっても非反応性置換基R5が置換していても溶媒に対する溶解性の劣る化合物例えば、炭素数の少ない非反応性置換基R5、例えば、ハロゲン原子、アリール基などが置換した化合物では、係数pは、例えば、1~10、好ましくは1~6、さらに好ましくは2~4程度であってもよい。また、rが1であり、かつ溶媒に対する溶解性を改善するための非反応性置換基R5例えば、アルキル基ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基など、アルコキシ基直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基などを有する複素環化合物では、係数pは、例えば、上記のように、1~1000程度の範囲から選択できる。なお、係数pが大きくなると、緩やかな三次元架橋構造となりやすく、有機溶媒に対する耐性も低下しやすい。このような観点から、係数pは、通常、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~6例えば、2~5程度である。前記式IIIで表される化合物としては、例えば、下記化合物c1~c3が例示できる。c1環Hetが5員複素環を含む単環式又は縮合環式芳香族複素環であり、Xが、硫黄原子、酸素原子、窒素原子又はイミノ基NH基であり、rが0~2の整数非反応性基R5が未置換又は置換であり、nが0でありLリンカーがなく、pが1である化合物。このような化合物のうち、未置換の単環式化合物としては、例えば、5員複素環化合物チオフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾールなど、6員複素環化合物トリアジン、ピリジン、ピラジン、ピリミジンなどなどが例示でき、縮合環式化合物としては、例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン、ナフチリジンなどの同種の複素環5員又は6員複素環が縮合した化合物、チエノ[2,3-b]フランなどの異種の複素環5員又は6員複素環が縮合した化合物、イソベンゾフラン、イソインドール、イソキノリン、フタラジンなどのベンゼン環と複素環とが縮合した化合物などが例示できる。非反応性基R5を有する単環式化合物のうち、チオフェン誘導体としては、例えば、3-ハロチオフェン3-クロロチオフェン、3-ブロモチオフェンなど、3,4-ジハロチオフェン3,4-ジクロロチオフェン、3,4-ジブロモチオフェンなど、3-アルキルチオフェン3-メチルチオフェン、3-エチルチオフェン、3-プロピルチオフェン、3-ブチルチオフェン、3-ヘキシルチオフェン、3-オクチルチオフェン、3-2-エチルヘキシルチオフェン、3-デシルチオフェンなどの3-C1-12アルキルチオフェンなど、3,4-ジアルキルチオフェン3,4-ジメチルチオフェン、3,4-ジエチルチオフェン、3,4-ジブチルチオフェンなどの3,4-ジC1-10アルキルチオフェンなど、3-ヒドロキシチオフェン、3-アルコキシチオフェン3-メトキシチオフェン、3-エトキシチオフェン、3-ブトキシチオフェン、3-ヘキシルオキシチオフェン、3-ヘプチルオキシチオフェン、3-オクチルオキシチオフェン、3-デシルオキシチオフェンなどの3-C1-12アルコキシチオフェンなど、3-アリールチオフェン3-フェニルチオフェンなど、3-カルボキシチオフェン、3-アルコキシカルボニルチオフェン3-メトキシカルボニルチオフェン、3-エトキシカルボニルチオフェンなどの3-C1-6アルコキシ-カルボニルチオフェンなど、3-シアノチオフェン、3-シアノアルキルチオフェンチオフェン-3-アセトニトリルなどの3-シアノC1-6アルキルチオフェン、3-ヒドロキシアルキルチオフェン3-ヒドロキシメチルチオフェン、3-2-ヒドロキシエチルチオフェンなどの3-ヒドロキシC1-6アルキルチオフェン、3-チオフェンマロン酸、3-チエニルボロン酸、2-3-チエニル-1,3-ジオキソランなどが例示できる。縮合環式チオフェン誘導体としては、例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノチオフェン、ハロジチエノチオフェン3,5-ジブロモジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなど、アルキルジチエノチオフェン3,5-ジC1-10アルキルジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなどなどが例示できる。フラン誘導体としては、例えば、ハロフラン3-クロロフラン、3-ブロモフランなど、3-アルキルフラン3-メチルフランなどの3-C1-10アルキルフランなど、3-ヒドロキシアルキルフラン3-フランメタノールなどの3-ヒドロキシ-C1-6アルキルフランなど、3-フリルボロン酸などが例示できる。ピロール誘導体としては、例えば、3-アルキルピロール3-メチルピロール、3-エチルピロール、3-n-プロピルピロール、3-ブチルピロール、3-オクチルピロール、3-デシルピロール、3-ドデシルピロールなどの3-C1-10アルキルピロールなど、3,4-ジアルキルピロール3,4-ジメチルピロール、3,4-ジブチルピロールなどの3,4-ジC1-10アルキルピロールなど、N-アルキルピロールN-メチルピロールなどのN-C1-10アルキルピロールなど、3-カルボキシピロール、3-アルコキシカルボニルピロール3-エトキシカルボニルピロールなどの3-C1-6アルコキシ-カルボニルピロールなど、3-ヒドロキシピロール、3-アルコキシピロール3-メトキシピロール、3-エトキシピロール、3-ブトキシピロールなどの3-C1-6アルコキシピロールなどなどが例示できる。フラーレン単位を有する複素環化合物としては、例えば、下記式IIIaで表される化合物が例示できる。式中、R6はアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を示し、R7及び8はそれぞれ独立してアルキレン基を示し、L1は連結基を示し、X4はヘテロ原子を示すR6で表されるアルキル基としては、前記と同様のアルキル基直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、シクロアルキル基としては、前記と同様のシクロアルキル基シクロヘキシル基などのC5-10シクロアルキル基、アリール基としては、前記と同様のアリール基フェニル基などのC6-10アリール基が例示できる。R7及び8で表されるアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基などのC1-10アルキレン基が例示できる。連結基L1としては、例えば、-COO-カルボニルオキシ基、-OCO-オキシカルボニル基、酸素原子、硫黄原子などが例示でき、連結基L1は、直接結合であってもよい。ヘテロ原子X4としては、前記と同様に、硫黄原子、酸素原子、窒素原子又はイミノ基NH基などが例示できる。フラーレン単位を有する化合物は、R6がフェニル基、R7及び8がそれぞれ独立してC2-6アルキレン基、連結基L1が-COO-カルボニルオキシ基、ヘテロ原子X4が硫黄原子である化合物であってもよい。このようなフラーレン単位を有する化合物は、例えば、[6,6]-フェニル-C61酪酸3-エチルチオフェンエステルなどとして市販されている。c2環Hetは5員又は6員芳香族複素環を示し、Xが、硫黄原子、酸素原子、窒素原子又はイミノ基NH基であり、rは0~2の整数非反応性基R5が未置換又は置換を示し、nが0でありLリンカーがなく、pが2以上の整数である化合物。このような化合物としては、環集合化合物、例えば、下記式IIIbで表される化合物が例示できる。式中、芳香族複素環Het1~Het3は、独立して、5員又は6員芳香族複素環を示し、X1~X3は、独立して、硫黄原子、酸素原子、窒素原子又はイミノ基NH基を示し、R5a~R5cは独立して非反応性基を示し、r1~r3はそれぞれ0~3の整数を示し、p1は0~250の整数を示す5員又は6員芳香族複素環としては、前記芳香族複素環Hetの項で例示の単環式複素環例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環などが例示できる。好ましい芳香族複素環は、チオフェン環、フラン環、ピロール環、特にチオフェン環である。R5a~R5cで表される非反応性基としては、前記非反応性基R5と同様の置換基が例示できる。式IIIbで表される環集合化合物の溶解性を高めるためには、アルキル基例えば、直鎖状又は分岐鎖状C4-10アルキル基などなどの非反応性基R5a~R5cを有しているのが好ましい。r1~r3はそれぞれ0~3の範囲から選択でき、通常、0~2、特に0又は1である場合が多い。なお、式IIIbで表される環集合化合物が溶解性を高める非反応性基R5a~R5cを有している場合には、p1は、前記のように、広い範囲p=1~1000となる範囲から選択でき、p1は、通常、0~250、好ましくは0~100例えば、1~75、さらに好ましくは0~50例えば、0~10程度の範囲から選択できる。なお、r1~r3はそれぞれ0である場合、p1は、通常、0~3、好ましくは0~2程度例えば、1又は2である。このような化合物としては、5員又は6員複素環の環集合化合物、例えば、ビフラン、ビチオフェン2,2’-ビチオフェンなど、ターチオフェン2,2’:5’,2-ターチオフェンなど、クウォーターチオフェン2,2’:5’,2:5,2’-クウォーターチオフェンなど、ビピリジン2,2’-ビピリジンなど、クウォーターピリジン、3,4’-ジアルキル-2,2’-ビチオフェン3,4’-ジヘキシル-2,2’-ビチオフェンなどの3,4’-ジC4-10アルキル-2,2’-ビチオフェン、ポリ3-アルキル-チオフェンX1~X3が硫黄原子、芳香族複素環Het1~Het3が2,5-チオフェン-ジイル基であり、R5a~R5cが3-位又は4-位のC4-10アルキルであり、r1~r3はそれぞれ1であり、p1が1~25程度のポリチオフェン化合物、2,5-ジ2-チエニル-1H-ピロール、2-3-チエニルピリジンなどが例示できる。さらに、環集合化合物は、複素環の間に、アリールメチレン基又はアリールビニレン基が介在する化合物であってもよい。このような化合物は、例えば、下記式IIIc又はIIIdで表すことができる。式中、A3及びA4は独立して芳香族性環を示し、p2及びp3はそれぞれ独立して1~5の整数を示し、Het1~Het3、X1~X3、R5a~R5c、r1~r3は前記に同じHet1~Het3は前記と同様の芳香族複素環チオフェン環などの5員芳香族複素環など、X1~X3は前記と同様のヘテロ原子硫黄原子など、R5a~R5cは前記と同様の非反応性基ヘキシル基などのC1-10アルキル基など、r1~r3は前記と同様の0~3の整数例えば、0又は1であり、A3及びA4は前記と同様の芳香族性環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-10アレーン環などが例示でき、p2は1~5例えば、1~4、好ましくは1~3程度の整数、p3は1~5例えば、1~4、好ましくは1~3程度の整数を示す。式IIIcで表される化合物は、前記と同様の芳香族複素環化合物と芳香族モノアルデヒド化合物ベンズアルデヒドなどのアリールアルデヒド類、ヘテロアリールアルデヒド類などとの反応により、上記α-炭素部位において、炭素-炭素単結合-C-C-を生成させることにより得ることができ、式IIIdで表される化合物は、式IIIcで表される化合物を脱水素反応に供して炭素-炭素二重結合-C=C-を生成させることにより得ることができる。c3環Hetは5員芳香族複素環を示し、Xが、硫黄原子、酸素原子、窒素原子又はイミノ基NH基であり、rは0~2の整数非反応性基R5が未置換又は置換を示し、nが1であり、リンカーLが、ビニレン基である化合物。このような化合物としては、例えば、1,2-ジ2-チエニルエチレン、フリル、フロインなどが例示できる。これらの芳香族複素環化合物は単独で又は組み合わせて使用できる。芳香族複素環化合物は、1分子中に2~8個例えば、2~6個、好ましくは2~4個、さらに好ましくは2~3個、例えば、2個の反応部位未修飾のα-炭素位を有するのが好ましい。このような芳香族複素環化合物は、通常、1分子中に複数例えば、2~4個、特に3~4個のホルミル基を有する芳香族ポリアルデヒド化合物と組み合わせて使用される。芳香族複素環化合物は、例えば、下記表12~表16に示すことができる。芳香族複素環化合物は、複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ未修飾の複数のα-炭素位を有しており、1分子中のα-炭素位の数は、2~5、好ましくは2~4、特に2又は3程度である。なお、上記ヘテロ原子に隣接するα-炭素部位は、通常、単環式5員複素環では2,5-位、単環式6員複素環では2,6-位に位置する。また、5員複素環が縮合した複素環化合物例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなどでは、α-炭素部位は2-位及び/又は5-位に位置し、6員複素環が縮合した複素環化合物では、α-炭素部位は2-位及び/又は6-位に位置している。なお、1分子中に2つのα-炭素部位を有する複素環化合物は、1分子中に3以上のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。芳香族ポリアルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との割合は、ホルミル基と複素環化合物の遊離又は未置換のα-炭素部位との当量比換算で、例えば、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。芳香族ポリアミン及び芳香族複素環式化合物芳香族ポリアルデヒド化合物は、芳香族ポリアミン及び芳香族複素環式化合物の双方の芳香族反応成分と組み合わせて用いてもよい。芳香族ポリアミンと芳香族複素環式化合物との割合は、反応部位の当量比換算で、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。なお、芳香族ポリアルデヒド化合物と芳香族反応成分の割合は、前記芳香族ポリアルデヒド化合物と芳香族ポリアミン又は芳香族複素環式化合物との割合と同様である。酸触媒芳香族ポリアルデヒド化合物と芳香族複素環式化合物とを含む組成物は、酸触媒を含むのが好ましい。なお、芳香族複素環化合物が、スルホ基、ジヒドロキシボルニル基-BOH2などの酸性基を含む場合、酸触媒は必ずしも必要ではない。酸触媒は、プロトン酸、ルイス酸のいずれであってもよい。プロトン酸としては、例えば、無機酸塩酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、過塩素酸、フッ酸など、有機酸酢酸、プロピオン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸などの有機カルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、スチレンスルホン酸などのスルホン酸などが例示できる。また、ルイス酸としては、例えば、塩化アルミニウム、塩化錫、塩化亜鉛、塩化チタン、フッ化ホウ素、フッ化ホウ素エーテル錯塩などが例示できる。これらの酸触媒は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。酸触媒の使用量は、芳香族ポリアルデヒド化合物及び芳香族複素環式化合物の総量1重量部に対して、例えば、0.001~1重量部例えば、0.01~1重量部程度の範囲から選択でき、通常、0.005~0.3重量部、好ましくは0.01~0.2重量部、さらに好ましくは0.02~0.1重量部程度であってもよい。有機溶媒本発明の組成物は、さらに有機溶媒又は溶剤を含んでいてもよい。有機溶媒を含有させることにより塗布性を付与できるため、コーティング組成物として使用できる。有機溶媒としては、芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミン及び/又は芳香族複素環化合物とを可溶であるとともに、反応を阻害しない限り、特に限定されず、例えば、アミド類例えば、ホルムアミド;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミドなどのN-モノ又はジC1-4アルキルホルムアミド;N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミドなどのN-モノ又はジC1-4アルキルアセトアミドなど、炭化水素類例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼンなど、ケトン類アセトン、メチルエチルケトンなど、エステル類酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなど、ニトリル類例えば、アセトニトリル、プロピオニトリルなど、スルホキシド類例えば、ジメチルスルホキシドなど、エーテル類例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなどの鎖状エーテル類、ジオキサン、テトラヒドロフランなどの環状エーテル類、ピロリドン類例えば、2-ピロリドン、3-ピロリドン、N-メチル-2-ピロリドン、N-メチル-3-ピロリドンなど、カルビトール類例えば、メチルカルビトール、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトールなどのC1-4アルキルカルビトール類などなどであってもよい。これらの有機溶媒は、単独で又は混合溶媒として使用できる。これらの有機溶媒のうち、アミド類、例えば、N,N-ジメチルアセトアミドなどのN,N-ジC1-4アルキルアセトアミドなどが好ましい。有機溶媒の割合は、芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミン及び/又は芳香族複素環化合物との合計1重量部に対して、0.1~200重量部例えば、1~200重量部、好ましくは1~100重量部、さらに好ましくは1~50重量部程度の範囲から選択でき、例えば、1~40重量部例えば、1~35重量部、好ましくは3~20重量部、さらに好ましくは5~10重量部程度であってもよい。本発明の組成物は、慣用の方法、例えば、芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミン及び/又は芳香族複素環化合物とを混合することにより調製できる。特に、有機溶媒溶剤を含む組成物コーティング組成物は、芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミン及び/又は芳香族複素環化合物とを有機溶媒溶剤に溶解し、必要に応じてろ過して調製してもよい。[有機半導体]芳香族ポリカルボニル化合物と芳香族ポリアミンとを含む組成物から得られる本発明の有機半導体又は有機半導体膜の化学構造は、特に限定されず、π電子共役系単位[例えば、炭素-窒素二重結合-C=N-、炭素-炭素二重結合-C=C-、炭素-炭素三重結合-C≡C-、アミド結合-NHCO-、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環など]を介して、芳香族ポリカルボニル化合物由来の単位と芳香族ポリアミン由来の単位とが連結した構造である。前記π電子共役系単位としては、炭素-窒素二重結合-C=N-、イミダゾール環、オキサゾール環、及びチアゾール環から選択された少なくとも一種の単位が好ましい。上記本発明の有機半導体は、通常、下記式IV1又はIV2で表される単位繰り返し単位又は架橋単位を含む。式中、A5、A6、A7は芳香族性環又は環集合体を示し、Xは窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を示す。A5で表される芳香族性環芳香族ポリカルボニル化合物に由来する芳香族性環、及びA6及びA7で表される芳香族性環芳香族ポリアミンに由来する芳香族性環としては、前記環Aと同様の芳香族性環が例示できる。好ましい環A5は前記環A1と同様の芳香環であり、好ましい環A6又は環A7は前記環A2と同様の芳香環である。なお、式IV1又はIV2では、便宜上、環A5と、環A6及び/又は環A7とからそれぞれ外方向に延びた1つの結合手を示しているが、環A5及び環A6又は環A7から選択された少なくとも1つの環からは、複数の結合手が延びて三次元架橋構造を形成している。芳香族ポリアルデヒド化合物と芳香族複素環化合物とを含む組成物から得られる本発明の有機半導体は、通常、下記式IV3又はIV4で表される単位繰り返し単位又は架橋単位を含む。好ましい繰り返し単位又は架橋単位は、少なくとも式IV4で表される単位を含む。式中、A5、Het、X、R5、r、p2は前記に同じ芳香族性環A5芳香族ポリカルボニル化合物に由来する芳香族性環としては、前記環Aと同様の芳香族性環前記環A1と同様の芳香環が例示でき、Hetで表される芳香族複素環としては、前記複素環Hetと同様の芳香族複素環Xが硫黄原子、酸素原子又は窒素原子である5員環を含む単環式、縮合環式又は環集合複素環などが例示できる。なお、前記IIIcで表される化合物とIIIdで表される化合物との関係と同様に、式IV3で表される化合物を脱水素反応に供することにより式IV4で表される化合物を得ることができる。また、カルボニル基含有基とアミノ基との反応熱重合、ホルミル基と複素環化合物のα-炭素部位との反応は容易に進行するため、本発明の有機半導体は三次元網目構造で連結された1つの高分子であると推定できる。このように、有機半導体が1つの高分子で構成されていると、分子間の電子移動ホッピングが実質的に発生せず、極めて電子移動度が高いと考えられる。本発明の有機半導体の物理構造は、通常、三次元網目構造架橋構造である。なお、三次元網目構造を有しているか否かは、有機溶媒に対する溶解性やバンドギャップにより判別できる。すなわち、本発明の有機半導体は、有機溶媒例えば、N,N-ジメチルアセトアミドなどのN,N-ジC1-4アルキルアセトアミドに不溶又は難溶であり、バンドギャップが重合成分又は反応成分のバンドギャップよりも小さい場合が多いため、三次元網目構造を有していると推定できる。この三次元網目構造の詳細は定かではないが、グラファイト様構造であってもよく、熱に伴うモノマー単位の分子振動などによるπ電子共役系の広がり方の変化により、迅速でかつ安定した電子移動が可能であると考えられる。有機半導体の厚みは、用途に応じて適宜選択され、例えば、1~5000nm、好ましくは30~1000nm、さらに好ましくは50~500nm程度であってもよい。本発明の有機半導体はn型半導体、p型半導体であってもよく、真性半導体であってもよい。なお、真性半導体であるか否かは、有機半導体をp型半導体及びn型半導体のいずれに形成しても整流特性が得られることにより判別できる。有機半導体は、前記組成物の硬化物架橋物で構成してもよく、例えば、前記組成物を重合することにより製造することができる。具体的には、有機半導体は、基材ガラス板、シリコンウエハー、耐熱プラスチックフィルムなどに前記組成物を積層又は塗布する工程と、この組成物を熱処理して重合する工程とを経て製造してもよい。なお、必要に応じて、基材から有機半導体を剥離してもよい。前記組成物を積層又は塗布する方法としては、例えば、化学的気相法CVD法などなどの蒸着方法、塗布方法などが挙げられる。これらの積層方法のうち、重合成分又は反応成分の種類や割合を精度よく調整し、有機半導体の特性を容易に制御できる点から、塗布方法が好ましい。塗布方法としては、慣用の塗布方法、例えば、エアーナイフコート法、ロールコート法、グラビアコート法、ブレードコート法、ディップコート法、スプレー法、スピンコート法、インクジェット印刷法などが例示できる。塗布した後、通常、乾燥して塗膜から溶媒が除去される。重合工程は、不活性ガス窒素など雰囲気下で行ってもよい。また、熱処理温度は、例えば、50~500°C例えば、150~500°C、好ましくは100~400°C例えば、200~400°C、さらに好ましくは150~300°Cや250~350°C程度であってもよい。また、熱処理時間は、例えば、0.1~2.5時間、好ましくは0.2~2.0時間、さらに好ましくは0.3~1.5時間程度であってもよい。なお、芳香族ポリアルデヒド化合物と芳香族複素環式化合物との反応では、前記のように、式IV3で表される単位又は架橋単位が生成し、この式IV3で表される単位は、脱水素反応により、式IV4で表される単位又は架橋単位に変換できる。脱水素反応としては、例えば、水銀ランプ、キセノンランプなどの活性光線を照射する光脱水素法などを利用してもよいが、加熱脱水素法、例えば、上記熱処理温度で処理する方法を利用する場合が多い。なお、前記酸触媒を含む組成物を用いると、容易に脱水素反応を行うことができる。有機半導体は、耐熱性、耐溶剤性、耐久性に優れている。すなわち、外部からエネルギーが付与されても、膜質の変化結晶化を抑制して、デバイス寿命の低下を防止できる。また、外部から透過する水分を加熱により蒸発させることにより、半導体の性能を回復することができる。さらに、この有機半導体に対して、有機溶媒を含むコーティング液を直接塗布でき、積層構造を容易に形成できる。[有機無機複合半導体]本発明では、無機半導体の表面の少なくとも一部例えば、シート状の場合、無機半導体の少なくとも一方の面に、前記有機半導体を積層することにより有機無機複合半導体を形成してもよい。本発明の有機半導体は、全体として擬似的なバンド構造を形成しており無機半導体と同様に扱えるため、無機半導体との複合化が容易である。また、このような複合半導体では、無機半導体の高いキャリア移動を利用することにより、例えば、光吸収により発生した電子及びホールの移動度を高め、光電変換率を向上できるため、光電変換デバイス太陽電池などの用途に適する。無機半導体材料としては、特に限定されず公知の材料[例えば、周期表2B亜鉛など、3Bアルミニウム、インジウムなど、及び4B族元素珪素、錫などから選択された少なくとも一種の金属又はこの金属の酸化物]が適用される。無機半導体の厚みは、作製法及び用途に応じて適宜選択されるが、例えば、1nm~1mm程度であってもよい。有機無機複合半導体は、積層構造に応じて積層順序も特に限定されず、無機半導体の少なくとも一方の面に、前記コーティング組成物を塗布した後、熱処理することにより製造してもよい。なお、無機半導体は、慣用の方法真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理的気相PVD法、プラズマCVD法などの化学的気相CVD法などで、構成材料を基材に蒸着させることにより製造してもよい。[デバイス]本発明のデバイスは、前記半導体有機半導体、有機無機複合半導体などを含むデバイス電子デバイスである。このようなデバイスとしては、整流素子ダイオード、トランジスタ[トップゲート型、ボトムゲート型トップコンタクト型、ボトムコンタクト型など]、光電変換素子太陽電池素子、有機EL素子などであってもよい。代表的なデバイスとして、太陽電池は、pn接合型半導体に表面電極が積層された構造を有している。例えば、p型シリコン半導体に有機半導体膜を積層して、この有機半導体膜に透明電極ITO電極などを積層することにより、太陽電池を形成できる。このような太陽電池では、高い開放電圧及び短絡電流を得ることができる。また、有機EL素子は、透明電極ITO電極などに、正孔輸送層と電子輸送層アルミニウム-キノリノール錯体膜、ベリリウム-ベンゾキノリノール錯体膜などとが順次積層され、この電子輸送層に金属電極が積層された構造を有している。例えば、透明電極に、有機半導体膜と電子輸送層と金属電極とを順次積層することにより、有機EL素子を形成できる。この場合、有機半導体膜は正孔輸送層として機能する。さらに、有機薄膜トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、ソース/ドレイン電極層と、有機半導体層とで構成されている。これらの層の積層構造によって、有機薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型トップコンタクト型、ボトムコンタクト型に分類できる。例えば、ゲート電極酸化膜が形成されたp型シリコンウエハーなどに有機半導体膜を形成して、この有機半導体膜上にソースドレイン電極金電極を形成することにより、トップコンタクト型電界効果トランジスタを製造できる。以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。実施例11組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製16.2mgとトリス4-アミノフェニルアミン29.0mgを入れ、N,N-ジメチルアセトアミド860mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、300°Cで1時間熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下、BTA-TAPAというを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶媒に対する溶解性基材としてシリコンウエハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-TAPA膜を作製した。この膜は、N,N-ジメチルアセトアミドに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-TAPA膜を作製した。BTA-TAPA膜のUV-Visスペクトル測定日立ハイテクノロジー株製、分光光度計U-3900Hを行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、1,3,5-トリホルミルベンゼンとトリス4-アミノフェニルアミンのバンドギャップを求めた。その結果、BTA-TAPA膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたBTA-TAPA膜は架橋反応により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により、白金板をBTA-TAPA膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、ALS600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.2eVであった。得られた値からバンドギャップの値を引くことでLUMO値を算出したところ、2.5eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型及びn型シリコンウエハーを用いて、上記2の方法により、BTA-TAPA膜を作製した後、各々のBTA-TAPA膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図1に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-TAPA膜はp型n型の両特性を併せ持つ、真性半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型及びn型シリコンウエハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのBTA-TAPA膜を作製した。このBTA-TAPA膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図2に示す。このときの開放電圧及び短絡電流を測定したところ、p型シリコンとの組合せで0.3V及び100μA/cm2、n型シリコンとの組合せで0.05V及び0.1μA/cm2であった。また無機半導体をSnO2とした他は同様にした光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図3に示す。このときの開放電圧及び短絡電流を測定したところ、それぞれ0.7V及び1.0μA/cm2であった。6有機EL素子ITO膜が積層されたガラス板をアセトン中で超音波洗浄した後、オゾン照射によりITO表面を洗浄した。上記2の方法により、ITO膜上に厚み30nmのBTA-TAPA膜を作製した。これを真空蒸着装置株アルバック製、VPC-410にセットし、BTA-TAPA膜上に、厚み30nmのトリスアルミニウム以下、Alq3という場合がある膜を蒸着形成した。さらに、厚み300nmのリチウム-アルミニウム合金リチウム含量:0.5重量膜を蒸着形成して有機EL素子を作製した。この有機EL素子に通電したところ図4のようにAlq3の緑色発光が見られ、BTA-TAPA膜がホール輸送層として機能することを確認した。実施例21組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製16.2mgと2,7-ジアミノフルオレン29.4mgを入れ、N,N-ジメチルアセトアミド1400mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、実施例1と同様の方法により有機半導体膜以下、BTA-DAFというを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶媒に対する溶解性実施例1と同様の方法によりBTA-DAF膜を作製した。この膜は、N,N-ジメチルアセトアミドに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ実施例1と同様の方法によりBTA-DAF膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。3-3HOMO、LUMO値の測定実施例1と同様の方法によりBTA-DAF膜の酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.4eVであった。得られた値からバンドギャップの値を引くことでLUMO値を算出したところ2.7eVであった。4電気特性ダイオード特性評価実施例1と同様の方法によりシリコン/BTA-DAF膜のpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図5に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-DAF膜はp型n型の両特性を併せ持つ、真性半導体であることを確認した。5光電変換評価実施例1と同様の方法によりシリコン/BTA-DAF膜からなる光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図6に示す。このときの開放電圧及び短絡電流を測定したところ、p型シリコンとの組合せで0.2V及び10μA/cm2、n型シリコンとの組合せで0.02V及び0.05μA/cm2であった。実施例31組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製16.2mgと1,3-ジアミノピレン34.8mgを入れ、N,N-ジメチルアセトアミド1650mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、実施例1と同様の方法により有機半導体膜以下、BTA-13DAPyと言うを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶媒に対する溶解性実施例1と同様の方法によりBTA-13DAPy膜を作製した。この膜は、N,N-ジメチルアセトアミドに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ実施例1と同様の方法によりBTA-13DAPy膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。3-3HOMO、LUMO値の測定実施例1と同様の方法によりBTA-13DAPy膜の酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.6eVであった。得られた値からバンドギャップの値を引くことでLUMO値を算出したところ3.3eVであった。4電気特性ダイオード特性評価実施例1と同様の方法によりシリコン/BTA-13DAPy膜のpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図7に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-13DAPy膜はp型n型の両特性を併せ持つ、真性半導体であることを確認した。5光電変換評価実施例1と同様の方法によりシリコン/BTA-13DAPy膜からなる光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図8に示す。このときの開放電圧及び短絡電流を測定したところ、p型シリコンとの組合せで0.2V及び10μA/cm2、n型シリコンとの組合せで0.1V及び0.05μA/cm2であった。また無機半導体をSnO2とした他は同様にした光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図9に示す。このときの開放電圧及び短絡電流を測定したところ、それぞれ0.67V及び0.6μA/cm2であった。実施例41組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製16.2mgと3,6-ジアミノカルバゾール29.6mgを入れ、N,N-ジメチルアセトアミド1480mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、実施例1と同様の方法により有機半導体膜以下、BTA-DACと言うを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶媒に対する溶解性実施例1と同様の方法によりBTA-DAC膜を作製した。この膜は、N,N-ジメチルアセトアミドに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ実施例1と同様の方法によりBTA-DAC膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。3-3HOMO、LUMO値の測定実施例1と同様の方法によりBTA-DAC膜の酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.7eVであった。得られた値からバンドギャップの値を引くことでLUMO値を算出したところ3.1eVであった。4電気特性ダイオード特性評価実施例1と同様の方法によりシリコン/BTA-DAC膜のpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図10に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-DAC膜はp型n型の両特性を併せ持つ、真性半導体であることを確認した。5光電変換評価実施例1と同様の方法によりシリコン/BTA-DAC膜からなる光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図11に示す。このときの開放電圧及び短絡電流を測定したところ、p型シリコンとの組合せで0.2V及び100μA/cm2、n型シリコンとの組合せで0.08V及び0.1μA/cm2であった。実施例1~4における有機半導体のHOMO,LUMO値一覧を図12にまとまる。同様に導電特性を図13にまとめる。なお、図13には、比較対象としてペンタセンの導電特性を示す。図12及び図13より組成物の分子構造を変えることで、半導体特性を任意に制御できることを確認した。実施例51有機半導体の作製1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製とトリス4-アミノフェニルアミンを減圧加熱キャリアガス:窒素、圧力:100Pa、1,3,5-トリホルミルベンゼン加熱温度:100°C、トリス4-アミノフェニルアミン加熱温度:200°Cにより気化させ、混合ガスとした後、流速5sccmで250°Cに加熱することで反応させ、その反応物を基材上に積層させた。次に、窒素雰囲気下300°Cで20分熱処理することにより、BTA-TAPA膜を得た。2有機半導体膜の構造2-1有機溶媒に対する溶解性基材としてシリコンウエハー又はガラス板を用いて、1の方法により、BTA-TAPA膜を作製した。得られた膜は、N,N-ジメチルアセトアミドに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。2-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、1の方法により、BTA-TAPA膜を作製した。得られた膜のバンドギャップを、実施例13-2と同様の方法で求めた。なお、比較対象として、1,3,5-トリホルミルベンゼンとトリス4-アミノフェニルアミンのバンドギャップを求めた。その結果、BTA-TAPA膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたBTA-TAPA膜は架橋反応によりπ電子共役系が広がった構造であることを確認した。3電気特性ダイオード特性評価基材としてp型及びn型シリコンウエハーを用いて、1の方法により、シリコン/BTA-TAPA膜のpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図14に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-TAPA膜はp型n型の両特性を併せ持つ、真性半導体であることを確認した。4有機EL素子ITO膜が積層されたガラス板をアセトン中で超音波洗浄した後、オゾン照射によりITO表面を洗浄した。1の方法により、ITO膜上に厚み30nmのBTA-TAPA膜を作製した。これを真空蒸着装置株アルバック製、VPC-410にセットし、有機半導体膜上に、厚み30nmのAlq3膜を蒸着形成した。さらに、厚み300nmのリチウム-アルミニウム合金リチウム含量:0.5重量膜を蒸着形成して有機EL素子を作製した。この有機EL素子に通電したところ図15のようにAlq3の緑色発光が見られ、有機半導体膜がホール輸送層として機能することを確認した。比較例11組成物コーティング組成物の調製30mlナスフラスコにアダマンタントリアルデヒド株ナード研究所製55.3mgと3,3’-ジアミノベンジジン42.9mgを入れ、N,N-ジメチルアセトアミド884mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、300°Cで1時間熱処理を行うことにより、有機半導体膜を得た。3有機半導体膜の構造有機溶媒に対する溶解性基材としてシリコンウエハー又はガラス板を用いて、上記2の方法により有機半導体膜を作製した。この有機半導体膜は、N,N-ジメチルアセトアミドに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型及びn型シリコンウエハーを用いて、上記2の方法により、有機半導体膜を作製した。得られた有機半導体膜の電気特性を、実施例14と同様の手法で測定したところ、図16のように通電は確認されず絶縁膜であった。実施例61組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製8.1mgと2,2’:5’,2’’ターチオフェン37.3mg及びスチレンスルホン酸0.5mgを入れ、シクロヘキサノン900mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで30分熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下、BTA-3Tというを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-3T膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-3T膜を作製した。BTA-3T膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、1,3,5-トリホルミルベンゼンと2,2’:5’,2’’-ターチオフェンのバンドギャップを求めた。その結果、BTA-3T膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたBTA-3T膜は架橋構造により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により白金板をBTA-3T膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、AL600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、6.3eVであった。得られた値からバンドギャップ値を引くことでLUMO値を算出したところ、3.5eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法によりBTA-3T膜を作製した後、各々のBTA-3T膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図17に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-3T膜は有機半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのBTA-3T膜を作製した。このBTA-3T膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図18に示す。このとき開放電圧及び短絡電流を測定したところ、0.5V及び0.47μA/cm2であった。実施例71組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製4.9mgとtrans12ジ2チエニルエチレン17.3mg及びスチレンスルホン酸0.5mgを入れ、シクロヘキサノン740mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで30分熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下、BTA-DTEというを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-DTE膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-DTE膜を作製した。BTA-DTE膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、1,3,5-トリホルミルベンゼンとtrans12ジ2チエニルエチレンのバンドギャップを求めた。その結果、BTA-DTE膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたBTA-DTE膜は架橋構造により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により白金板をBTA-DTE膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、AL600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.1eVであった。得られた値からバンドギャップ値を引くことでLUMO値を算出したところ、2.3eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法によりBTA-DTE膜を作製した後、各々のBTA-DTE膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図19に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-DTE膜は有機半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのBTA-DTE膜を作製した。このBTA-DTE膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図20に示す。このとき開放電圧及び短絡電流を測定したところ、0.1V及び0.38μA/cm2であった。実施例81組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製16.2mgとピロール20.1mg及びスチレンスルホン酸0.5mgを入れ、シクロヘキサノン1200mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで30分熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下、BTA-Pyを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-Py膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-Py膜を作製した。BTA-Py膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、1,3,5-トリホルミルベンゼンとピロールのバンドギャップを求めた。その結果、BTA-Py膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたBTA-Py膜は架橋構造により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により白金板をBTA-Py膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、AL600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.4eVであった。得られた値からバンドギャップ値を引くことでLUMO値を算出したところ、3.5eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法によりBTA-Py膜を作製した後、BTA-Py膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図21に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-Py膜は有機半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのBTA-Py膜を作製した。このBTA-Py膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図22に示す。このとき開放電圧及び短絡電流を測定したところ、0.45V及び1.3μA/cm2であった。実施例91組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製8.1mgと3-チオフェンボロン酸9.6mgを入れ、シクロヘキサノン740mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで1時間熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下、BTA-TbAを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-TbA膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-TbA膜を作製した。BTA-TbA膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、1,3,5-トリホルミルベンゼンと3-チオフェンボロン酸のバンドギャップを求めた。その結果、BTA-TbA膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたBTA-TbA膜は架橋構造により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により白金板をBTA-TbA膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、AL600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.4eVであった。得られた値からバンドギャップ値を引くことでLUMO値を算出したところ、2.6eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法によりBTA-TbA膜を作製した後、各々のBTA-TbA膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図23に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-TbA膜は有機半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのBTA-TbA膜を作製した。このBTA-TbA膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図24に示す。このとき開放電圧及び短絡電流を測定したところ、0.6V及び0.51μA/cm2であった。実施例101組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製8.1mgと3-フランカルボン酸エチル21.0mg及びスチレンスルホン酸0.5mgを入れ、シクロヘキサノン970mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで1時間熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下、BTA-FCEを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-FCE膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-FCE膜を作製した。BTA-FCE膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、1,3,5-トリホルミルベンゼンと3-フランカルボン酸エチルのバンドギャップを求めた。その結果、BTA-FCE膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたBTA-FCE膜は架橋構造により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により白金板をBTA-FCE膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、AL600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.3eVであった。得られた値からバンドギャップ値を引くことでLUMO値を算出したところ、2.6eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法によりBTA-FCE膜を作製した後、各々のBTA-FCE膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図25に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したBTA-FCE膜は有機半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのBTA-FCE膜を作製した。このBTA-FCE膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図26に示す。このとき開放電圧及び短絡電流を測定したところ、0.56V及び0.54μA/cm2であった。実施例111組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン株ナード研究所製2.0mgとポリシグマアルドリッチ製:分子量15,000-45,00010.0mg及びスチレンスルホン酸0.5mgを入れ、ジクロロベンゼン600mgに溶解した。この液を孔径0.45μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、150°Cで1時間熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下、BTA-P3HTというを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりBTA-P3HT膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。実施例121組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶にトリス4-ホルミルフェニルアミン16.5mgと2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジン16.5mgを入れ、シクロヘキサノン1350mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、300°Cで1時間熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下TFPA-BFMEを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりTFPA-BFME膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりTFPA-BFME膜を作製した。TFPA-BFME膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、トリス4-ホルミルフェニルアミンと2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジンのバンドギャップを求めた。その結果、TFPA-BFME膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたTFPA-BFME膜は架橋構造により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により白金板をTFPA-BFME膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、AL600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、6.5eVであった。得られた値からバンドギャップ値を引くことでLUMO値を算出したところ、3.8eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法によりTFPA-BFME膜を作製した後、各々のTFPA-BFME膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図27に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したTFPA-BFME膜は有機半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのTFPA-BFME膜を作製した。このTFPA-BFME膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図28に示す。このとき開放電圧及び短絡電流を測定したところ、0.15V及び0.04μA/cm2であった。実施例131組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶にテレフタルアルデヒド4.0mgとフラーレン単位を有するチオフェン化合物[6,6]-フェニル-C61酪酸3-エチルチオフェンエステル60.4mg及びスチレンスルホン酸0.5mgを入れ、シクロヘキサノン3500mgに溶解した。この液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2有機半導体膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、基材にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、100°Cで1時間熱処理を行うことにより、有機半導体膜以下TFA-PCBTを得た。3有機半導体膜の構造3-1有機溶剤に対する溶解性基材としてシリコンウェハー又はガラス板を用いて、上記2の方法によりTFA-PCBT膜を作製した。この膜は、シクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。3-2バンドギャップ基材としてガラス板を用いて、上記2の方法によりTFA-PCBT膜を作製した。TFA-PCBT膜のUV-Visスペクトル測定を行い、吸収端からバンドギャップを求めた。なお、比較対象として、テレフタルアルデヒドと[6,6]-フェニル-C61酪酸3-エチルチオフェンエステルのバンドギャップを求めた。その結果、TFA-PCBT膜のバンドギャップがより小さくなっていることから、得られたTFA-PCBT膜は架橋構造により共役系が広がった構造であることを確認した。3-3HOMO、LUMO値の測定上記2の方法により白金板をTFA-PCBT膜で被覆した。この白金板を作用極としてサイクリックボルタンメトリービーエーエス社製、AL600Aによる酸化還元電位HOMO値測定を行ったところ、5.7eVであった。得られた値からバンドギャップ値を引くことでLUMO値を算出したところ、3.5eVであった。4電気特性ダイオード特性評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法によりTFA-PCBT膜を作製した後、各々のTFA-PCBT膜上に直径1mm、厚み700nmのアルミニウム電極を真空蒸着形成することでpn接合型の整流素子を得た。この整流素子に電圧を印加し整流性の確認を行ったところ、図29に見られるように明確な整流特性が得られた。このため、作製したTFA-PCBT膜は有機半導体であることを確認した。5光電変換評価基材としてp型シリコンウェハーを用いて、上記2の方法により、厚み50nmのTFA-PCBT膜を作製した。このTFA-PCBT膜上にスパッタリング法によりITO膜を形成することにより光電変換素子を作製した。この素子の光応答特性を図30に示す。このとき開放電圧及び短絡電流を測定したところ、0.55V及び0.15μA/cm2であった。"