"ネジ止めされる方形状の金属製ベース板の第1主面には、発熱性の半導体素子を実装した絶縁基板が接合される半導体装置であって、上記金属製ベース板は、ネジ止め用貫通穴と、溝とを備え、ネジ止め用貫通穴は、金属製ベース板の対向する二辺にそれぞれ隣接して設けられ、第1主面を含み金属製ベース板を貫通する穴であり、溝は、凹状であり、第1主面における絶縁基板以外の空き領域において、一方のネジ止め用貫通穴と絶縁基板との間に設けられ、金属製ベース板の対向する二辺に沿った絶縁基板の一辺に沿って延在する、ことを特徴とする半導体装置。複数の金属製ベース板を有し、それぞれの金属製ベース板における上記溝は、複数の金属製ベース板を通してほぼ一直線状に配置される、請求項1記載の半導体装置。各金属製ベース板における四隅部近傍にネジ止め用貫通穴を設けた、請求項2記載の半導体装置。各金属製ベース板は長方形状であり、それぞれの金属製ベース板は、各短辺を一直線状に配置して配列され、ネジ止め用貫通穴は、隣接する金属製ベース板において隣接する長辺上の両端部に位置して、隣接する金属製ベース板同士で半分ずつ共有して設けられる、請求項2記載の半導体装置。特許文献1に開示されるような、ネジ止め用の各貫通穴の周囲に溝を形成した金属ベース板を用いた構造では、絶縁基板に作用する応力は緩和されるものの、金属ベース板として比較的柔らかいアルミニウム材を用いた場合や、比較的薄い金属ベース板を用いた場合には、溝部で金属ベース板自体が撓んでしまう。その結果、金属ベース板とヒートシンクとの間に介在させる放熱グリースが厚くなり、金属ベース板とヒートシンクとの接触熱抵抗が大きくなる傾向にあった。昨今、電力用半導体素子の発熱密度が増加しており、放熱グリース部分での熱抵抗を低減する必要があることから、放熱グリースが厚くなりやすい構造は、避けねばならない。本発明は、絶縁基板の割れを防止し、かつ従来に比べて放熱性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。即ち、本発明の一態様における半導体装置は、ネジ止めされる方形状の金属製ベース板の第1主面には、発熱性の半導体素子を実装した絶縁基板が接合される半導体装置であって、上記金属製ベース板は、ネジ止め用貫通穴と、溝とを備え、ネジ止め用貫通穴は、金属製ベース板の対向する二辺にそれぞれ隣接して設けられ、第1主面を含み金属製ベース板を貫通する穴であり、溝は、凹状であり、第1主面における絶縁基板以外の空き領域において、一方のネジ止め用貫通穴と絶縁基板との間に設けられ、金属製ベース板の対向する二辺に沿った絶縁基板の一辺に沿って延在する、ことを特徴とする。本発明の一態様における半導体装置によれば、金属製ベース板に設けたネジ止め用貫通穴の一方と絶縁基板との間に溝を設けたことから、金属製ベース板がネジ止めされるときに撓んでしまう場合でも、金属製ベース板は溝部分を中心にして撓むことができる。この溝は、絶縁基板以外の領域に位置し絶縁基板の一辺に沿って延在することから、金属製ベース板が撓んだ場合でも絶縁基板の割れを防止することができ、かつ、金属製ベース板がネジ止めされる際に、グリースを金属製ベース板における一方向、つまり溝の延在方向に対して直角又はほぼ直角な方向へ流動させることができる。さらに、金属製ベース板が溝部分に対応して撓むことで、溝に対応する部分でグリース厚を相対的に厚くし絶縁基板に対応する部分でグリース厚を相対的に薄くすることができる。したがって、金属製ベース板の放熱性を向上させることができる。また、金属製ベース板に溝が形成されていることで、金属製ベース板に絶縁基板を接合するときや、金属製ベース板に樹脂ケースを設けるときに、溝をその目印に使用することもできる。よって、作業の視認性を向上させ、作業時間を短縮し、また作業ミスを削減することも可能となる。本発明の実施形態である半導体装置、特に電力用半導体装置について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。また、以下に説明するように、本発明の実施形態における半導体装置の構造は放熱性に優れることから、特に電力用半導体装置に有効である。しかしながら、電力用半導体装置に限定することなく、本発明は、一般的に半導体装置に適用することが可能である。実施の形態1.図1には、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置110の断面図が示されている。電力用半導体装置110は、ネジ止めされる方形状の金属製ベース板に、発熱性の半導体装置を実装した絶縁基板を接合した半導体装置であり、その基本的構成部分としては、金属製ベース板100、絶縁基板2、半導体装置下記のIGBT5、FWDI6が相当を有する。また、図2は、絶縁基板2を接合した金属製ベース板100における下記溝102の位置関係を示した平面図である。金属製ベース板100は、方形状の金属製の板材からなり、放熱部材に相当する下記のヒートシンク11にネジ止めされる部材である。本実施の形態1では、金属製ベース板100は、30mm×100mm×厚さ3mmの長方形でアルミニウム製の板材であり、金属製ベース板100の第1主面100aには、絶縁基板2が接合される。以下で説明するように本実施の形態1の電力用半導体装置110は高放熱性を達成する観点から、金属製ベース板100は、本実施形態1におけるように長方形状が好ましいが、これに限定するものではなく、方形状であればよく例えば正方形であってもよい。また、金属製ベース板100は、2つのネジ止め用貫通穴101a,101b総称して101と記す場合もある、及び、本実施形態1の電力用半導体装置110において特徴的構成の一つである溝102を有する。溝102については、以下で詳しく説明する。また、金属製ベース板100がアルミニウム製のヒートシンク11にネジ止めされた後、金属製ベース板100の外周縁部分には、枠状の樹脂ケース3が接着される。樹脂ケース3の上端部分には、外部電極4が固定されている。絶縁基板2は、本実施の形態1では窒化アルミニウムAlNからなり、その上下面には銅パターン2aが貼付されている。金属製ベース板100の第1主面100aに対して、絶縁基板2の下面の銅パターン2aが、はんだ13にてはんだ付けされ、絶縁基板2は、金属製ベース板100の第1主面100aに接合される。一方、絶縁基板2の上面の銅パターン2aには、電力用半導体素子であるIGBT5及びFWDI6における各裏面電極がはんだ付けされる。IGBT5及びFWDI6における各表面電極には、アルミニウムワイヤ7が超音波ワイヤボンディングにより接合され、アルミニウムワイヤ7は、樹脂ケース3の外部電極4に接続される。また、絶縁基板2の上面の銅パターン2aと外部電極4ともアルミニウムワイヤ7で接続される。さらに、アルミニウムワイヤ7によるボンディングの終了後、樹脂ケース3の内側には、シリコーンゲル8が充填され、金属製ベース板100の第1主面100a上の絶縁基板2、IGBT5、FWDI6、アルミニウムワイヤ7等がシリコーンゲル8にて封止され、絶縁の確保及び異物の侵入防止がなされる。さらにシリコーンゲル8の表面は、蓋9で覆われる。このように構成される電力用半導体装置110では、IGBT5及びFWDI6で発生する熱を外部へ放熱する必要があるため、第1主面100aに対向する金属製ベース板100の第2主面とヒートシンク11との間には放熱グリース10が塗布され、金属製ベース板100に設けたネジ止め部である貫通穴101にネジ12を挿通して、金属製ベース板100とヒートシンク11とはネジ止めされる。よって、電力用半導体装置110の動作中では、IGBT5及びFWDI6で発生した熱は、ヒートシンク11より外部へ放散される。尚、樹脂ケース3にもネジ止め用の穴を設けて、樹脂ケース3とともに金属製ベース板100をヒートシンク11にネジ止めする構成を採ることもできる。次に、金属製ベース板100における、2つのネジ止め用貫通穴101及び第1主面100aに形成した溝102について説明する。各ネジ止め用貫通穴101a,101bは、金属製ベース板100において対向する二辺100b,100c図2にそれぞれ隣接して一つずつ形成され、第1主面100aを含み金属製ベース板100を貫通している。本実施形態1では、対向する二辺100b,100cは、長方形状の金属製ベース板100における短辺に対応する。溝102は、金属製ベース板100の第1主面100aにおける絶縁基板2以外の空き領域100dにおいて、一方のネジ止め用貫通穴101aと絶縁基板2との間に位置する凹状の溝であり、金属製ベース板100の対向する二辺100b、100cに沿って配置される、絶縁基板2の一辺2bに沿って平行で一直線状に延在する。このような溝102は、例えばV字形状、U字形状等の形状を有し、V字形状は例えばプレス加工にて、U字形状は例えばエッチング加工にて形成可能である。また、本実施形態1では、溝102は、1本であるが、空き領域100dに複数本が互いに隣接して平行に形成されてもよい。また、本実施形態1では、溝102は、金属製ベース板100の外形をプレス加工で打ち抜く前に、機械加工によって形成される。また、図1に示すように本実施形態1では、溝102は、第1主面100aに形成しているが、第1主面100aに対向する、金属製ベース板100の第2主面において溝102と同位置に形成しても良い。溝102の設置理由、及びその位置の選定理由について説明する。上述したように特許文献1には、金属ベース板の四隅に配置されるそれぞれのネジ止め用貫通穴の周囲に溝を形成することが開示されている。このように溝を配置することにより、金属ベース板を放熱フィンにネジ止めする際、ネジ止め用の全ての貫通穴の周囲が溝によって撓むことが可能となり、絶縁基板へ作用する応力は緩和される。しかしながら、金属ベース板と放熱フィンとの間に塗布した放熱グリースは、金属ベース板の四隅で囲い込まれる形態となる。よって、金属ベース板の四隅における各ネジ止め用貫通穴の周囲に溝を形成する構成は、金属ベース板の面外への放熱グリースの流動を阻害し、その結果、絶縁基板に対応する箇所において放熱グリースが厚くなりやすく、放熱性の低下を招来する。このような問題を解決するために、本実施形態1の電力用半導体装置110は、上述のように、一方のネジ止め用貫通穴101aと絶縁基板2との間に、絶縁基板2の一辺2bに沿って平行で一直線状で一箇所に溝102を設けた。溝102を設けることで、従来と同様に、金属製ベース板100をヒートシンク11にネジ止めする際に生じる応力を溝102に集中させることができ、絶縁基板2の割れを防止することができる。さらに、溝102を設けた構成において、溝102を形成した近傍の貫通穴101aからネジ止めを行うことで、対向する貫通穴101bをネジ止めする際には、金属製ベース板100の長辺100eが延在する方向100fへ放熱グリース10を流動させることが可能となる。このとき、溝102に対応して金属製ベース板100が撓んだ場合には、溝102を中心とした撓み厚さ分まで、放熱グリース10が流動可能である。このように放熱グリース10が厚くなる部分が絶縁基板2の外側となる。その結果、絶縁基板2に対応する箇所では、放熱グリース10は相対的に薄くなり熱伝達の抵抗が小さくなることから、従来に比べて放熱性が向上する。図3を参照して説明すると、放熱グリース10の厚みは、発熱するIGBT5及びFWDI6が搭載された絶縁基板2の領域外に形成した溝102の直下部分における厚みが相対的に厚くなり、絶縁基板2に対応した部分では相対的に薄くなる。よって、IGBT5及びFWDI6の実質的な熱抵抗を低減することが可能となり、放熱性に優れた電力用半導体装置110を提供することが可能となる。また、余分な冷却装置が不要となることから、省エネルギーにも寄与する。尚、樹脂ケース3は、金属製ベース板100に樹脂接着されており、かつ樹脂ケース3自体も靭性を有するため、金属製ベース板100の変形に追従することができ、問題は生じない。また、溝102は、以下のような効果も生じさせる。即ち、溝102を設けることにより、金属製ベース板100は、その長辺100eの垂直2等分線を対称軸としたときに非対称な形状となる。この形状にすることによって、絶縁基板2を金属製ベース板100にはんだ付けする際、及び、樹脂ケース3を金属製ベース板100に接着する際に、溝102は取り付け方向を決定する目印となる。よって、はんだ付け際にジグが必要な場合等において、視認性が向上するため、作業性及び生産性が向上する。特に、金属製ベース板100への樹脂ケース3の接着では、その方向を間違えると修正も困難であることから、作業ミスの軽減による生産性の向上を図ることができる。よって、電力用半導体装置110の構成は、製品の歩留まりの向上にも寄与する。金属製ベース板100の材質として、本実施の形態1ではアルミニウムを例に採ったが、銅を用いることもできる。銅は、一般的にアルミニウムに比べると硬いことから、上述した溝102を有する構造がより有効となる。また、溝102の加工方法としては、機械加工の他、エッチングによっても形成することが可能である。また、絶縁基板2に関して、本実施の形態1でははんだ付けしているが、ろう付けなど一体化されていても同様の効果が発揮される。実施の形態2.図2に示すように、実施の形態1では、電力用半導体装置110が一つである構成について説明した。本実施の形態2では、複数の電力用半導体装置を設けた構成について説明を行う。図4は、本発明の実施の形態2における電力用半導体装置110-2における金属製ベース板100及び絶縁基板2の配置を示した平面図であり、図4では、金属製ベース板100を含む図2に示す構成を3つ配列した構成を示している。3つの、金属製ベース板100及び絶縁基板2の構成は、図1を参照して説明した構成と同じであるので、ここでの説明は省略する。電力用半導体装置110-2では、それぞれの金属製ベース板100における短辺に相当する辺100b、100cが一直線となるようにして3つの金属製ベース板100を配列している。よって、溝102は、3つの金属製ベース板100を通して一直線又はほぼ一直線に延在する。このように配列された3つの金属製ベース板100に対して、これら全てをカバーするように一つの樹脂ケース3が設置され、電力用半導体装置110-2を構成する。また、3つの金属製ベース板100に対して、これらを載置するように一つのヒートシンク11が設けられる。例えば、特許文献1に開示されるような金属ベース板を複数配列して電力用半導体装置を構成した場合、実施の形態1でも説明したように、金属ベース板を放熱フィンにネジ止めする際、複数の金属ベース板の内、内側に配置された金属ベース板側へ放熱グリースが流動する。よって、内側の金属ベース板の直下での放熱グリースが厚くなりやすく、熱抵抗が大きくなりやすい。そこで、図4に示す本実施の形態2における電力用半導体装置110-2のように、一方のネジ止め用貫通穴101aと絶縁基板2との間に、絶縁基板2の一辺2bに沿って平行で一直線状で一箇所に溝102を設ける。この結果、本実施の形態2における電力用半導体装置110-2においても、実施の形態1における電力用半導体装置110が奏する効果と同一の効果を奏することができる。即ち、金属製ベース板100をネジ止めする際、放熱グリース10を金属製ベース板100の長辺100eの方向100fに流動させ、絶縁基板2に対応する箇所で放熱グリース10の厚みを相対的に薄くすることが可能となる。よって、放熱性に優れた電力用半導体装置110-2を提供することが可能となる。また、溝102を目印に用いることもでき、視認性の向上により作業性及び生産性が向上する。実施の形態3.本実施の形態3における電力用半導体装置においても複数の電力用半導体装置を設けた構成を有する。図5に示すように、本実施の形態3における電力用半導体装置110-3と、実施の形態2における電力用半導体装置110-2との相違点は、絶縁基板2を接合した金属製ベース板100の数が相違する他に、絶縁基板2を接合した一つの金属製ベース板100において、その四隅部分にネジ止め用貫通穴101a、101bを配置した点で相違する。即ち、一つの金属製ベース板100において、一方の短辺に相当する辺100bの近傍で、金属製ベース板100における2つの角部のそれぞれには、ネジ止め用貫通穴101aが形成され、他方の短辺に相当する辺100cの近傍で、金属製ベース板100における2つの角部のそれぞれには、ネジ止め用貫通穴101bが形成される。また、本実施の形態3では、絶縁基板2を接合した一つの金属製ベース板100の大きさは、60mm×130mm×厚さ3mmのアルミニウムであり、短辺に相当する辺100b、100cが一直線となるようにして5つの金属製ベース板100を配列している。よって、溝102は、5つの金属製ベース板100を通して一直線又はほぼ一直線に延在する。尚、それぞれの、絶縁基板2を接合した金属製ベース板100における構成は、実施の形態1で説明したものに同じであり、ここでの説明は省略する。このように配列された5つの金属製ベース板100に対して、これら全てをカバーするように一つの樹脂ケース3が設置され、電力用半導体装置110-3を構成する。また、5つの金属製ベース板100に対して、これらを載置するように一つのヒートシンク11が設けられる。一般的に、一つの金属ベース板の面積が大きくなると、短辺側の各1点のみでは、ヒートシンクに対して金属ベース板を十分に固定することができず、例えば図5に示すように、金属ベース板の角部4ヶ所にそれぞれネジ止め用の貫通穴を設けてネジ止めすることが多い。このような構成では、ネジの位置が金属ベース板の長辺100eの近傍となるため、ネジ止めを行う際の、放熱グリースの流動が長辺方向100fではなく、対角方向となる。一方、実施の形態2の説明で述べた通り、中央部に配置される金属ベース板では、放熱グリースが金属ベース板の短辺方向に流動した場合には、隣接する金属ベース板からの流入により、放熱グリースが厚くなってしまう。そこで、図5に示す本実施の形態3における電力用半導体装置110-3のように、各金属製ベース板100において、その短辺に相当する辺100bに隣接して2つのネジ止め用貫通穴101aを設け、かつこれらのネジ止め用貫通穴101aと絶縁基板2との間に溝102を設けて、それぞれの金属製ベース板100を通して溝102を一直線状に配置した。このように構成することで、各金属製ベース板100では、その四隅でネジ止めする構造であっても、上述した実施の形態1の場合と同様に、溝102を形成した近傍の貫通穴101aからネジ止めすることで、金属製ベース板100の長辺100eが延在する方向100fに放熱グリース10を流動させることが可能となる。その結果、絶縁基板2に対応する箇所では放熱グリース10が薄くなり、熱伝達の抵抗が小さくなるので放熱性が向上する。また、絶縁基板2への応力の軽減を図ることもできる。一方、並列設置する金属製ベース板100の数が多くなると、ネジ止めする数が増加し、金属製ベース板100をヒートシンク11に固定するための作業量が増加する。そこで、図6に示す電力用半導体装置110-4のように、ネジ止め用貫通穴101a、101bを、それぞれの金属製ベース板100において、方向100fにおける長辺100e上の両端部に位置させて、隣接する金属製ベース板100同士で半分ずつ共有するように配置することもできる。つまり、それぞれの金属製ベース板100では、ネジ止め用貫通穴101a、101bは、半円状の切欠きとなり、半円状の切欠きは、金属製ベース板100の長辺100e同士が対向して隣接することで、ネジ止め用貫通穴101a、101bとして機能する。このように構成することで、電力用半導体装置110-4では、電力用半導体装置110-3に比べてネジ止めする数をほぼ半分とすることができ、作業工程を削減することが可能となる。また、電力用半導体装置110-3、110-4においても、実施の形態1,2で述べたように、溝102を目印として用いることも可能であり、樹脂ケース3を接着するときの金属製ベース板100の方向視認性が向上し、作業性及び生産性を向上させることができる。特に、電力用半導体装置110-3、110-4のように、金属製ベース板100の数が増えると、樹脂ケース3の接着工程における作業ミスが発生した場合には、その修正作業は非常に煩雑となる。よって、溝102を用いた視認性の向上による作業性の向上は、重要なポイントになり、電力用半導体装置110-3、110-4では、溝102は非常に有効な手段となる。"