"ハードマスク膜を2階調またはポジ型或いはネガ型の感光性にする方法であって、そのハードマスク膜が、ハードマスク膜の樹脂分子の縮合反応を触媒することが可能な触媒であり、その縮合反応が分子内結合及び分子間結合を形成し、その結合が分子ネットワークを形成し、容易に光発生酸によって失活し、失活触媒が縮合反応を促進する能力を喪失する触媒と、照射に露光すると酸を生成することが可能な化合物であり、その酸が、触媒を失活することが可能であり、ハードマスク膜の樹脂分子の縮合反応を触媒することが可能であり、照射の波長が400nm以下である光酸発生剤と、を備えることを特徴とする方法。触媒に対する光酸発生剤のモル比が、2階調及びネガ型に関しては1より大きく、ポジ型に関しては約1である請求項1に記載の方法。縮合反応が、60~120°Cでハードマスク膜中に発生する請求項1に記載の方法。分子ネットワークが、ハードマスク膜が有機溶媒またはアルカリ性水溶液に溶解することと、分散することとを防ぐ請求項1に記載の方法。縮合反応が、2階調及びポジ型のハードマスク膜が照射されない場合に発生し、触媒によって触媒される請求項1に記載の方法。縮合反応が、2階調及びネガ型のハードマスク膜が十分に照射される場合に発生し、光発生酸によって触媒される請求項1に記載の方法。縮合反応が、2階調のハードマスク膜が半照射される場合には発生せず、触媒が光発生酸によって失活する請求項1に記載の方法。縮合反応が、ポジ型のハードマスク膜が十分に照射される場合には発生せず、触媒が光発生酸によって失活する請求項1に記載の方法。縮合反応が、ネガ型のハードマスク膜が照射されない場合には発生せず、触媒が縮合反応を発生させるのに十分なほどには組成物にない請求項1に記載の方法。多階調の感光性ハードマスク組成物であって、次式式中、Rは、水素及びC1-C4アルキルから成る群から選択され、R1はアルキル、アリール、アルケン、脂環式基、エポキシ-アルキル及びエポキシ-シクロアルキルから成る群から選択されるの分子構造からなるモノマーから生成され、重合が有機溶媒中で触媒の存在下で80~110°Cでモノマーに対して実施され、揮発性のアルカノールが生成されて除去され、次式式中、Rは水素及びC1-C4アルキルから成る群から選択され、R1はアルキル、アリール、アルケン、脂環式基、エポキシ-アルキル及びエポキシ-シクロアルキルから成る群から選択されるの分子構造を有するポリシロキサン及びポリシルセスキオキサンが生成されるポリマー樹脂と、その樹脂の縮合反応を触媒することが可能な化合物の群から選択され、その化合物は第四級アンモニウム塩とアミンを含み、光発生酸によって容易に失活し、組成物に0.005~0.2重量含まれる触媒と、公知の光酸発生剤から選択され、その光酸発生剤が、トリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドを含むオニウム塩を含み、触媒に対する光酸発生剤のモル比が、0.6~10である光酸発生剤と、ハードマスク膜の拡散経路を抑制することが可能であり、樹脂の30重量を超えない膜改質剤と、アルカリ性化合物から選択され、そのアルカリ性化合物が光発生酸を中和することが可能であり、n-boc-ピペリジン、t-ブチル4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート、トリエタノールアミン、1-ピペリジンエタノール、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムを含み、光酸発生剤に対する消光剤のモル比が0.2~10である消光剤と、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びエチルラクテートを含む溶媒またはその混合物と、を含むことを特徴とする組成物。ポリマー樹脂及び他の固体化学物質が、組成物全体の最大20を構成する請求項10に記載の組成物。多階調の感光性ハードマスクが、30~41のシリコンを含む乾燥膜から成る請求項10に記載の組成物。触媒に対する光酸発生剤のモル比が、2階調及びネガ型に関しては1より大きく、ポジ型に関しては約1である請求項10に記載の組成物。中間層とともに多階調の感光性ハードマスクを使用して前駆体構造を半導体基板に形成する方法であって、組成物をスピンコーティングすることによって半導体基板上に中間層を形成することであり、その組成物が、少なくとも1つの炭化水素樹脂と1つの溶媒を含み、半導体基板が、ポリシリコン、誘電体及び金属を含み、表面が平坦または構造化されることと、高温表面で中間層を硬化させることであり、硬化した中間層が厚さ50~500nmであることと、請求項10に記載の組成物をスピンコーティングすることによって、中間層上に多階調のハードマスク膜を形成することと、ホットプレート表面で多階調の感光性ハードマスク膜を乾燥させることであり、ホットプレート表面が25~100°Cであり、乾燥した多階調の感光性ハードマスク膜が、厚さ20~100nmであることと、画像コントラストの照射に多階調の感光性ハードマスク膜を露光させることであり、照射が波長400nm未満であることと、加熱表面で露光した多階調の感光性ハードマスク膜をコンディショニングすることであり、加熱表面が60~120°Cであることと、有機溶媒またはアルカリ性水溶液によって多階調の感光性ハードマスク膜の非架橋部分を除去することであり、アルカリ性水溶液が水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を含み、除去の方法が、浸漬することと噴霧することを含み、除去処理によって多階調の感光性ハードマスク膜に画像を得ることと、プラズマによって多階調感光性ハードマスクの画像のない領域の下の中間層の部分を除去することであり、プラズマが、酸素、塩素、臭化水素及びフッ素化炭化水素などのガスを含み、除去処理によって中間層に画像を得ることと、プラズマによって多階調感光性ハードマスクの画像のない領域の下の基板の部分を除去することであり、プラズマが、酸素、塩素、臭化水素及びフッ素化炭化水素などのガスを含み、除去処理によって基板に構造を得ること、とを含むことを特徴とする方法。薄膜反射防止コーティングとともに多階調の感光性ハードマスクを使用して前駆体構造を半導体基板に形成する方法であって、組成物をスピンコーティングすることによって半導体基板上に薄膜反射防止コーティングを形成することであり、半導体基板が、ポリシリコン、誘電体及び金属を含み、表面が平坦または構造化されていることと、加熱表面で薄膜反射防止コーティングを硬化させることであり、硬化した薄膜反射防止コーティングが厚さ20~80nmであることと、請求項10に記載の組成物をスピン塗布することによって、薄膜反射防止コーティング上に多階調のハードマスク膜を形成することと、加熱表面で多階調の感光性ハードマスク膜を乾燥させることであり、加熱表面が25~100°Cであり、乾燥した多階調の感光性ハードマスク膜が、厚さ20~100nmであることと、画像コントラストの照射に多階調の感光性ハードマスク膜を露光させることであり、照射が波長400nm未満であることと、加熱表面で露光した多階調の感光性ハードマスク膜をコンディショニングすることであり、加熱表面が60~120°Cであることと、有機溶媒またはアルカリ性水溶液によって、非架橋の多階調の感光性ハードマスク膜の部分を除去することであり、アルカリ性水溶液が水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を含み、除去の方法が、浸漬することと噴霧することを含み、除去処理によって多階調の感光性ハードマスク膜に画像を得ることと、プラズマによって多階調感光性ハードマスクの画像のない領域の下の基板とともに反射防止コーティングの部分を除去し、プラズマが、酸素、塩素、臭化水素及びフッ素化炭化水素などのガスを含み、除去処理によって基板に構造を得ること、とを含むことを特徴とする方法。本発明の多階調の感光性ハードマスク組成物中の膜形成樹脂は、ポリシロキサン及びポリシルセスキオキサンから成り、分子式A、B及びCのモノマーから生成される。式A、B及びC中、Rは水素及びC1-C4アルキルから成る群から選択され、R1はアルキル、アリール、アルケン、脂環式基、エポキシ-アルキル及びエポキシ-シクロアルキルから成る群から選択される。樹脂は、分子式A、B及びCのモノマーを重合することによって生成される。多階調のハードマスクに適した樹脂をそれぞれ生成するために、さまざまなR基及びR1基を含む複数のモノマーが必要である。重合は、触媒下の縮合反応である。酢酸は適切な触媒の1つである。揮発性アルカノールが縮合反応から生成される。この反応は、有機溶媒媒体中で発生する。好適な溶媒の中には、プロピレングリコールメチルエーテルPGME及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEAがある。反応温度は、好ましくは80~110°C、さらに好ましくは90~100°Cに制御される。反応が進むと、アルカノールは反応器から留出される。留出物には、触媒、水及び溶媒も含まれうる。反応器に安定した窒素気流を導入し、蒸留を促進する。蒸留が完了すると、重合が停止する。反応時間は通常、2~8時間である。合成されたポリシロキサンとポリシルセスキオキサンの重量平均分子量は、好ましくは50,000g/mol未満であり、さらに好ましくは10,000g/mol未満である。ポリシロキサンとポリシルセスキオキサンの樹脂は、線形構造D及び網目構造Eから成る。式D及びE中、Rは水素及びC1-C4アルキルから成る群から選択され、R1はアルキル、アリール、アルケン、脂環基、エポキシ-アルキル及びエポキシ-シクロアルキルから成る群から選択される。構造D及びEは、ポリマー分子を表す簡単な式である。ポリシロキサンとポリシルセスキノキサンの分子構造の複雑性及び多様性のため、このような簡単な式を正確なテンプレートとしてみなし、樹脂ポリマーの選択性を制限してはならない。ポリマーは、モノマー組成物と重合過程の情報とともに構造D及びEによって定義する必要がある。ポリマーから生成された薄膜は、多くの有機溶媒とアルカリ性湿式現像剤に可溶である。膜は、120°Cもの高温で、触媒非存在下でベークした場合でも、可溶性を維持する。ポリシロキサンとポリシルセスキオキサンの樹脂のほか、多階調のハードマスク組成物の他の必須成分には、膜改質剤、触媒、光酸発生剤、消光剤及び溶媒が挙げられる。膜改質剤の機能は、膜の触媒、光酸発生剤及び消光剤の拡散長を制御することである。膜改質剤の分子は、膜の細孔を埋め、他の小分子の拡散経路を抑制する。好適な膜改質剤は、ポリマー、オリゴマーまたは非ポリマー化合物から選択される。ポリマー及びオリゴマーの重量平均分子量は、好ましくは5,000g/mol未満であり、さらに好ましくは2,000g/mol未満である。膜改質剤は炭化水素化合物であってよく、好ましくはケイ素含有化合物である。各膜改質剤分子には、少なくとも1つの水酸基を必要とする。水酸基は、分離過程で膜樹脂の縮合反応にかかわる。典型的な炭化水素膜改質剤には、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン及びペンタエリスリトールなどのポリオールが挙げられる。典型的なシリコン系改質剤には、ジフェニルシランジオールなどのシラノールが挙げられる。膜改質剤は、樹脂の30重量、さらに好ましくは10重量を超えてはならない。組成物中に含まれる膜改質剤は、拡散長を制御するのに使用される。1つの組成物に複数の膜改質剤を使用してもよい。触媒は、1ポリシロキサンとポリシルセスキオキサンの縮合反応を触媒でき、2光発生酸によって容易に失活するという2つの基準を満たす必要がある。失活触媒は触媒能力を喪失する。ポリシロキサン及びポリシルセスキオキサンに対する触媒としてさまざまな化合物が適している。触媒として、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムBTEAC、塩化テトラメチルアンモニウムTMAC、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHなどの第四級アンモニウム塩が効果的であることがわかっている。トリエタノールアミンなどのアミンも好適な触媒である。感光性ハードマスク組成物には、触媒を好ましくは樹脂の0.1~6重量で混ぜる。従来技術と異なり、光酸発生剤の機能は、多階調のハードマスク膜中で、架橋反応を触媒するだけでなく、触媒を失活することである。失活は、塩基と酸の間の中和などの急速な完全反応によって実施される。光酸発生剤は、所望の波長の照射に露光すると酸を放出する化合物である。フォトレジスト組成物を脱保護するあらゆる公知の光酸発生剤が、多階調のハードマスクにほぼ適している。ポリシロキサン膜及びポリシルセスキオキサン膜中の光酸発生剤の拡散方向を考慮する必要がある。好適な光酸発生剤には、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などのオニウム塩が挙げられる。スルホニウム塩は、スルホニウムカチオンとスルホネートまたはメチドの化合物である。典型的なスルホニウムカチオンには、トリフェニルスルホニウム及びトリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウムが挙げられる。典型的なスルホネートには、トリフルオロメタンスルホネート及びペルフルオロ-1-ブタンスルホネートが挙げられる。典型的なメチドには、トリストリフルオロメチルメチドが挙げられる。ヨードニウム塩は、ヨードニウムカチオンとスルホネートの化合物である。典型的なヨードニウムカチオンは、ジフェニルヨードニウム及びビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムなどのアリールヨードニウムカチオンである。典型的なスルホネートには、トリフルオロメタンスルホネート及びペルフルオロ-1-ブタンスルホネートが挙げられる。トリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドは、多階調の感光性ハードマスク組成物に用いる特に重要な光酸発生剤である。多階調の感光性ハードマスク組成物中の消光剤には、2つの機能がある。ひとつは、望ましくない光発生酸を中和することによって、光速度を妥当な水準で制御することである。もう一方は、光酸発生剤の拡散を防ぐことである。多階調のハードマスクには、さまざまなアミンが好適な消光剤である。試験確認した消光剤には、n-boc-ピペリジン、t-ブチル4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート、トリエタノールアミン、1-ピペリジンエタノール、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムが挙げられる。多階調の感光性ハードマスク組成物に適した溶媒には、プロピレングリコールメチルエーテルPGME、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA及びエチルラクテートELが挙げられるが、これに限定されない。多階調の感光性ハードマスク組成物は、撹拌下で成分を混合することによって生成される。固形分がすべて溶解すると、組成物は細孔が0.02μmの膜によって濾過される。2階調のハードマスク組成物の固形分は1~20である。多階調の感光性ハードマスク組成物は、好ましくはスピンコーティングによって基板に塗布して均質膜を形成する。スピン速度は、1500~5000rpmにすることができる。スピン形成された多階調のハードマスク膜は、好ましくは25~120°Cで好ましくは30~120秒間、ホットプレート表面で乾燥させる必要がある。乾燥した多階調のハードマスク膜は、有機溶媒またはアルカリ性水溶液に可溶である。ケイ素元素は、乾燥した多階調のハードマスク膜の30~42重量、さらに一般に35~41重量を構成する。参考として、純二酸化ケイ素は46.7のシリコンを含む。シリコンが豊富な2階調のハードマスクは、酸素、塩素及びHBrプラズマに対する抵抗性が高い。組成物の粘度及びスピンコーティングの速度に応じて、膜厚を調節することができる。フォトリソグラフィパターン化工程では、膜厚は10~500nm、さらに一般には40~100nmである。膜の屈折率nは、1.4~1.9である。膜の吸光係数kは、0.01~0.4である。多階調の感光性ハードマスクは、塗布後ベーク直後に照射露光できる状態になっている。露光に適した照射源は、発明分野で一般に使用される365nm、248nm、193nm及び13.5nmなどの波長のものであってよい。一般に、波長が400nm未満の照射が好ましい。所望のクロムパターンを有するフォトマスクは、照射源と感光性ハードマスクの表面との間に配置される。フォトマスクパターンの画像は、ハードマスクの表面に投影される。この画像は、肉眼で見えないと考えられるが、暗領域、明領域及び灰色領域から成る照射コントラストから成る。露光直後に、ホットプレート表面でベークすることが必要とされる。適切なベーク温度は、好ましくは30~120秒間で好ましくは60~120°C、さらに好ましくは80~100°Cである。露光後ベークPEBは、樹脂の架橋反応及び触媒の失活反応を促進する。2階調組成物では、酸が十分生成されず、露光の暗領域の触媒を失活する。触媒は、ポリシロキサンとポリシルセスキオキサン樹脂の縮合反応を触媒することができる。縮合反応は周囲温度で開始してもよいが、露光後ベーク後に完了する。縮合反応は、-Si-O-形式の分子内結合及び分子外結合を形成する。このため、暗領域の膜は、架橋し、現像液に不溶となる。言い換えれば、2階調のハードマスクは、照射に露光しない場合は可溶性でない。膜はポジ型で作用する。2階調組成物では、照射から十分な酸が生成されると、触媒全体を失活するだけでなく、露光の明領域の膜樹脂で架橋反応を触媒する。本願明細書の失活は、酸と塩基の間の中和を含むあらゆる反応に用いる共通用語であり、触媒機能を無効にする。このような反応は、急速な完全反応となりうる。失活反応は、水分または揮発性副生成物を生成することがある。失活反応及び架橋反応は、周囲温度で開始し、露光後ベークの温度で完了してもよい。酸触媒架橋反応によって、膜が現像液に不溶となる。言い換えれば、2階調のハードマスクは、照射に露光する場合は不溶性になる。膜は、ネガ型で照射に反応する。2階調組成物には、架橋反応を引き起こすほど照射から生成される過剰量の酸がないが、露光の灰色領域の触媒を失活させるために十分な酸がある。このため、触媒及び光発生酸が不足しているため、膜樹脂には架橋反応が発生しない。この領域の膜は、初期膜に似ており、依然として現像液に可溶である。この領域の膜が溶解することによって、明領域及び暗領域の膜を分離する。パターンが分割される。画像分解能は、2倍となる。露光の灰色情報は、常に存在するが、従来のフォトレジストによって利用されていない。ポジ型組成物では、酸が十分生成されず、露光の暗領域の触媒を失活する。このため、露光後ベーク時の触媒による触媒反応下で、膜樹脂に対して架橋反応が発生する。好適なPEB温度は、周囲温度~120°Cである。暗領域の膜は、現像液に不溶であり、現像工程で保持される。ポジ型組成物では、照射から酸が十分生成され、露光の明領域の触媒を部分的に失活させるか、全体的に失活させる。同時に、縮合反応を触媒する過剰量の酸はない。このため、膜樹脂には架橋反応が発生しない。明領域の膜は、現像液に可溶であり、現像工程で除去される。ネガ型組成物には、露光の暗領域で縮合反応を促進するほど十分な触媒がない。膜樹脂は架橋せず、依然として現像液に可溶である。暗領域の膜は、現像工程で除去される。ネガ型組成物では、たとえあったとしても触媒がほとんどない。照射から十分な酸が生成され、触媒全体を失活するだけでなく、露光の明領域の膜樹脂で縮合反応を触媒する。触媒は消光剤として光発生酸に作用する。膜は明領域で架橋し、現像液に不溶となる。多階調のハードマスクに適した現像液は、有機溶媒であってもよく、アルカリ性水溶液であってもよい。後者の方が好ましい。好ましい有機溶媒には、プロピレングリコールメチルエーテルPGME、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、エチルラクテートEL及びシクロヘキサノンが挙げられるが、これに限定されない。好ましいアルカリ性の現像液は、有機塩基または無機塩基の水溶液であってよく、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムが挙げられる。最も好ましい現像液は、濃度が2.5~25g/lの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である。本発明の多階調の感光性ハードマスクは中間層の有無によらず半導体基板に前駆体構造を形成することができる。中間層は、厚さが50~500nmの有機ポリマーのコーティングである。プラズマエッチングから基板を保護するマスクとして、中間層が作用する。また、反射防止膜としても機能する。中間層が必要でない場合、基板からの照射反射を制御するために薄膜反射防止コーティングが使用される。反射防止膜は、厚さが20~80nmである。この薄膜層は、エッチングマスクではない。図5Aは、2階調の感光性ハードマスクを中間層とともに使用した一実施形態の膜積層を示す。中間層53は、エッチングストップ層51上のポリシリコン基板52に組成物をスピンコーティングすることによって形成した。膜のキャリアはシリコンウエハ50である。基板層は、ICの製造に使用されるポリシリコン、誘電体、金属などのよくみられる材料のいずれかにすることができる。基板は、平坦な表面または地形学的な表面を有してよい。中間層53を、60秒間200°Cのホットプレート表面で硬化させた。中間層53の厚さは320±10nmであった。中間層53上で、2階調の感光性ハードマスク組成物をスピンコートし、次に90秒間60°Cのホットプレート表面でベークした。2階調のハードマスク54は、厚さが56±5nmであった。図5Bは、フォトマスク55を用い、照射に露光している2階調のハードマスク54を示す。2階調のハードマスク54の表面に、フォトマスク55の線パターンを投影した。照射は、波長が193nmであった。露光後、90秒間100°Cのホットプレート表面でベークした。次に、ウエハを、現像するために濃度が4.7g/lの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液中に浸漬した。2階調のハードマスクの半露光部分が現像液に溶解した。2階調のハードマスク54の分割パターンが形成された図5C。図5Dは、酸素含有プラズマによって、中間層53に2階調のハードマスク54のパターンが転写されたことを示す。プラズマに曝した中間層53の部分を除去した。2階調のハードマスク54によって保護された中間層53の部分は損なわれなかった。残りの2階調ハードマスク54を、依然として目視することができた。図5Eは、塩素が豊富なプラズマによって、ポリシリコン基板52に中間層53のパターンが転写されたことを示す。プラズマに曝したポリシリコン基板52の部分を除去した。中間層53によって保護された基板52の部分は損なわれなかった。残りの中間層53を、依然として目視することができた。図6Aは、2階調の感光性ハードマスクを薄膜反射防止コーティングARCとともに使用した別の実施形態の膜積層を示す。反射防止コーティング63は、エッチングストップ層61のポリシリコン基板62に組成物をスピンコーティングすることによって形成した。膜のキャリアはシリコンウエハ60であった。基板層は、集積回路ICの製造に使用されるポリシリコン、誘電体、金属などのよくみられる材料のいずれかにすることができる。基板は、平坦な表面または地形学的な表面を有してよい。反射防止コーティングは、60秒間200°Cのホットプレート表面で硬化させた。反射防止膜63は、厚さが32±2nmであり、この厚さは反射率を制御するために最適化したものであった。薄膜反射防止コーティング63はエッチングマスクとして機能しなかった。反射防止コーティング63上で、2階調の感光性ハードマスク組成物をスピンコートし、次に90秒間60°Cのホットプレート表面でベークした。2階調のハードマスク膜64は、厚さが56±5nmであった。図6Bは、フォトマスク65を用い、照射に露光している2階調のハードマスク64を示す。2階調のハードマスク64の表面に、フォトマスク65の線パターンを投影した。照射は、波長が193nmであった。露光後、90秒間100°Cのホットプレート表面でベークした。ウエハを、現像するために濃度が4.7g/lの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液中に浸漬した。2階調のハードマスクの半照射部分が現像液に溶解した。2階調のハードマスク64の分割パターンが形成された図6C。図6Dは、酸素含有プラズマによって、基板62に2階調のハードマスク64のパターンが転写されたことを示す。プラズマに曝した反射防止コーティング63及びポリシリコン基板62の部分を除去した。感光性ハードマスク64によって保護された反射防止コーティング63及びポリシリコン基板62の部分は損なわれなかった。反射防止膜63は、厚さが薄く、エッチング速度が速いため、プラズマによって貫通した状態であった。残りの感光性ハードマスク63は依然として目視することができた。以下の実施例は、本発明による好ましい方法に関して説明する。しかし、このような実施例は説明目的のものであり、本発明の全体範囲を限定するものとしてみなすべきでないことが理解される。ポリシロキサンとポリシルセスキオキサンの樹脂Iの合成法:表1ポリシロキサンとポリシルセスキオキサン樹脂Iの合成のためのモノマー表1のモノマーと、80gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートSigmaAldrich社製ミルウォーキー、ウィスコンシン州とを500mLの3口丸底フラスコで混合した。蒸留コンデンサー、温度計及び窒素導入管をフラスコに装着した。窒素フローは200ml/分に設定した。撹拌しながら、フラスコ内の混合物の温度を油浴で95°Cに上昇させた。次に、50gの3N酢酸をゆっくりフラスコに添加した。縮合反応を開始した。揮発性の副産物をフラスコから留出し、回収した。4時間後に蒸留を終了した。蒸留終了直後に加熱を停止した。全体として96gの蒸留物を回収した。このフラスコに164gの未使用のプロピレングリコールメチルエーテルアセテートをすぐに添加し、温度を下げた。多階調の感光性ハードマスク組成物に、フラスコの最終内容物を、さらなる処理なしに、樹脂Iとして使用した。ポリシロキサンとポリシルセスキオキサンの樹脂IIの合成法:表2ポリシロキサンとポリシルセスキオキサンの樹脂IIの合成のためのモノマー表2のモノマーと、80gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートSigmaAldrich社製ミルウォーキー、ウィスコンシン州とを500mLの3口丸底フラスコで混合した。蒸留コンデンサー、温度計及び窒素導入管をフラスコに装着した。窒素フローは200ml/分に設定した。撹拌しながら、フラスコ内の混合物の温度を油浴で95°Cに上昇させた。次に、50gの3N酢酸をゆっくりフラスコに添加した。縮合反応を開始した。揮発性の副産物をフラスコから留出し、回収した。4時間後に蒸留を終了した。蒸留終了直後に加熱を停止した。全体として102gの蒸留物を回収した。このフラスコに164gの未使用のプロピレングリコールメチルエーテルアセテートをすぐに添加し、温度を下げた。多階調の感光性ハードマスク組成物に、フラスコの最終内容物を、さらなる処理なしに、樹脂IIとして使用した。2階調の感光性ハードマスク組成物I:表32階調の感光性ハードマスク組成物Iの成分表3の成分を混合して2階調の組成物Iを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまり1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタンは、樹脂の2.7重量である。触媒、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムに対する光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドのモル比は、1.42である。混ぜた触媒は総重量の0.014である。表42階調組成物Iのフォトリソグラフィ条件露光後ベーク後の2階調組成物Iの膜には、36重量超のシリコンが含まれる。2階調の感光性ハードマスク組成物II:表52階調の感光性ハードマスク組成物IIの成分表5の成分を混合して2階調の組成物IIを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまり1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタンは、樹脂の2.7重量である。触媒、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムに対する光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドのモル比は、1.89である。混ぜた触媒は総重量の0.014である。表62階調組成物IIのフォトリソグラフィ条件露光後ベーク後の2階調組成物IIの膜には、36重量超のシリコンが含まれる。2階調の感光性ハードマスク組成物III:表72階調の感光性ハードマスク組成物IIIの成分表7の成分を混合して2階調の組成物IIIを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまり1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタンは、樹脂の2.7重量である。触媒、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムに対する光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリフラートのモル比は、2.21である。混ぜた触媒は総重量の0.014である。表82階調組成物IIIのフォトリソグラフィ条件露光後ベーク後の2階調組成物IIIの膜には、36重量超のシリコンが含まれる。2階調の感光性ハードマスク組成物IV:表92階調の感光性ハードマスク組成物IVの成分表9の成分を混合して2階調の組成物IVを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまり1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタンは、樹脂の2.7重量である。触媒、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムに対する光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドのモル比は、1.42である。混ぜた触媒は総重量の0.014である。表102階調組成物IVのフォトリソグラフィ条件露光後ベーク後の2階調組成物IVの膜には、38重量超のシリコンが含まれる。ポジ型感光性ハードマスク組成物I:表11ポジ型感光性ハードマスク組成物Iの成分表11の成分を混合してポジ型組成物Iを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまり1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタンは、樹脂の2.7重量である。光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドに対する触媒、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムのモル比は、1である。混ぜた触媒は組成物の総重量の0.014である。表12ポジ型組成物Iのリソグラフィ条件露光後ベーク後のポジ型組成物Iの膜には、36重量超のシリコンが含まれる。ポジ型感光性ハードマスク組成物II:表13ポジ型感光性ハードマスク組成物IIの成分表13の成分を混合してポジ型組成物IIを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまり1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタンは、樹脂の2.7重量である。光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリフラートに対する触媒、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムのモル比は、3~2である。混ぜた触媒は組成物の総重量の0.014である。表14ポジ型組成物IIのリソグラフィ条件露光後ベーク後のポジ型組成物IIの膜には、36重量超のシリコンが含まれる。ネガ型感光性ハードマスク組成物I:表15ネガ型感光性ハードマスク組成物Iの成分表15の成分を混合してネガ型組成物Iを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまりジフェニルシランジオールは樹脂の5重量である。消光剤、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムに対する光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドのモル比は、4~3である。混ぜた光酸発生剤は組成物の総重量の0.029である。表16ネガ型組成物Iのリソグラフィ条件露光後ベーク後のネガ型組成物Iの膜には、36重量超のシリコンが含まれる。ネガ型感光性ハードマスク組成物II:表17ネガ型感光性ハードマスク組成物IIの成分表17の成分を混合してネガ型組成物IIを生成した。固形分がすべて溶解してから、細孔が0.02μmの膜を用いて組成物を濾過した。組成物中の膜改質剤、つまり1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタンは、樹脂の2.5重量である。消光剤、つまり塩化ベンジルトリエチルアンモニウムに対する光酸発生剤、つまりトリフェニルスルホニウムトリストリフルオロメチルメチドのモル比は、4~3である。混ぜた光酸発生剤は組成物の総重量の0.029である。表18ネガ型組成物IIのリソグラフィ条件露光後ベーク後のネガ型組成物IIの膜には、36重量超のシリコンが含まれる。"