パルス光の照射に応じて、電磁波パルスを発生させる電磁波発生素子であって、p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されており、前記空乏層形成体から発生する前記電磁波の波長に対応した形成間隔で等間隔に並列された複数の並行電極部を含む受光面電極と、前記空乏層形成体の他方の面に形成されている裏面電極と、を備える電磁波発生素子。請求項1に記載の電磁波発生素子において、前記受光面電極および前記裏面電極を介して、前記空乏層を逆バイアス状態とする電圧を印加する逆バイアス電圧印加回路、をさらに備える電磁波発生素子。請求項1または2に記載の電磁波発生素子において、前記受光面電極は、前記並行電極部に交差するとともに、前記形成間隔に一致する間隔で等間隔に並列された複数の交差電極部、をさらに含む電磁波発生素子。請求項1から3までのいずれか1項に記載の電磁波発生素子において、前記裏面電極が、前記並行電極部と対向するとともに、相互に間隔をあけて形成される複数の対向電極部を含む電磁波発生素子。請求項1から4までのいずれか1項に記載の電磁波発生素子において、前記形成間隔が、0.3mm以上30mm以下である電磁波発生素子。請求項1から4までのいずれか1項に記載の電磁波発生素子において、前記形成間隔が、0.6mm以上3mm以下である電磁波発生素子。平面状に電磁波を発生させる電磁波発生装置であって、p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されており、前記空乏層形成体から発生する前記電磁波の波長に対応した形成間隔で等間隔に並列された複数の並行電極部を含む受光面電極と、前記空乏層形成体の他方の面に形成されている裏面電極と、を有する電磁波発生素子と、前記電磁波発生素子に向けてパルス光を照射する光照射部と、前記受光面電極と前記裏面電極とを介して、前記空乏層形成体に形成された空乏層を逆バイアス状態とするための電圧を印加する逆バイアス電圧印加回路と、を備える電磁波発生装置。請求項7に記載の電磁波発生装置において、前記光照射部は、前記パルス光を前記電磁波発生素子に対して走査させる走査部、を備える電磁波発生装置。請求項8に記載の電磁波発生装置において、前記走査部は、複数の前記並行電極部のそれぞれに沿う位置に前記パルス光を照射するとともに、前記形成間隔と一致する間隔毎に、所要時間の間、前記パルス光を照射する電磁波発生装置。平面状に電磁波を発生させる電磁波発生方法であって、パルス光を出射するステップと、前記光を、p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されている受光面電極と、他方の面に形成されている裏面電極と、を備える電磁波発生素子に対して照射して、前記電磁波発生素子から電磁波を平面状に発生させるステップと、を含み、前記ステップは、前記受光面電極と前記裏面電極とを介して、前記空乏層形成体に形成された空乏層を逆バイアス状態とするための電圧を印加するステップ、を含む電磁波発生方法。請求項10に記載の電磁波発生方法において、前記ステップは、前記電磁波発生素子に対して、前記パルス光を走査させるステップ、を含む電磁波発生方法。請求項11に記載の電磁波発生方法において、前記ステップは、複数の前記並行電極部のそれぞれに沿う位置に前記パルス光を照射するとともに、前記形成間隔と一致する間隔毎に、所要時間の間、前記パルス光を照射するステップである電磁波発生方法。しかしながら、電磁波発生素子としてDAST結晶は非常に高価である。また、数mm以上の大きさを持つ大サイズのDAST結晶を製造することは、技術的に不可能ではないものの、容易に得ることが困難という問題もある。したがって、DAST結晶を用いて広範囲にわたって電磁波を平面状に発生させことは、事実上困難となっている。本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、安価でかつ広範囲にわたって電磁波を平面状に発生させることのできる技術を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、第1の態様は、パルス光の照射に応じて、電磁波パルスを発生させる電磁波発生素子であって、p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されており、前記空乏層形成体から発生する前記電磁波の波長に対応した形成間隔で等間隔に並列された複数の並行電極部を含む受光面電極と、前記空乏層形成体の他方の面に形成されている裏面電極とを備える。また、第2の態様は、第1の態様に係る電磁波発生素子において、前記受光面電極および前記裏面電極を介して、前記空乏層を逆バイアス状態とする電圧を印加する逆バイアス電圧印加回路、をさらに備える。また、第3の態様は、第1または第2の態様に係る電磁波発生素子において、前記受光面電極は、前記並行電極部に交差するとともに、前記形成間隔に一致する間隔で等間隔に並列された複数の交差電極部、をさらに含む。また、第4の態様は、第1から第3の態様までのいずれか1態様に係る電磁波発生素子において、前記裏面電極が、前記並行電極部と対向するとともに、相互に間隔をあけて形成される複数の対向電極部を含む。また、第5の態様は、第1から第4の態様までのいずれか1態様に係る電磁波発生素子において、前記形成間隔が、0.3mm以上30mm以下である。また、第6の態様は、第1から第4の態様までのいずれか1態様に係る電磁波発生素子において、前記形成間隔が、0.6mm以上3mm以下である。また、第7の態様は、平面状に電磁波を発生させる電磁波発生装置であって、p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されており、前記空乏層形成体から発生する前記電磁波の波長に対応した形成間隔で等間隔に並列された複数の並行電極部を含む受光面電極と、前記空乏層形成体の他方の面に形成されている裏面電極とを有する電磁波発生素子と、前記電磁波発生素子に向けてパルス光を照射する光照射部と、前記受光面電極と前記裏面電極とを介して、前記空乏層形成体に形成された空乏層を逆バイアス状態とするための電圧を印加する逆バイアス電圧印加回路とを備える。また、第8の態様は、第7の態様に係る電磁波発生装置において、前記光照射部は、前記パルス光を前記電磁波発生素子に対して走査させる走査部、を備える。また、第9の態様は、第8の態様に係る電磁波発生装置において、前記走査部は、複数の前記並行電極部のそれぞれに沿う位置に前記パルス光を照射するとともに、前記形成間隔と一致する間隔毎に、所要時間の間、前記パルス光を照射する。また、第10の態様は、平面状に電磁波を発生させる電磁波発生方法であって、パルス光を出射するステップと、前記光を、p型半導体層とn型半導体層とが平面状に積層されることによって空乏層を形成する空乏層形成体と、前記空乏層形成体の一方の面に形成されている受光面電極と、他方の面に形成されている裏面電極とを備える電磁波発生素子に対して照射して、前記電磁波発生素子から電磁波を平面状に発生させるステップとを含み、前記ステップは、前記受光面電極と前記裏面電極とを介して、前記空乏層形成体に形成された空乏層を逆バイアス状態とするための電圧を印加するステップ、を含む。また、第11の態様は、第10の態様に係る電磁波発生方法において、前記ステップは、前記電磁波発生素子に対して、前記パルス光を走査させるステップ、を含む。また、第12の態様は、第11の態様に係る電磁波発生方法において、前記ステップは、複数の前記並行電極部のそれぞれに沿う位置に前記パルス光を照射するとともに、前記形成間隔と一致する間隔毎に、所要時間の間、前記パルス光を照射するステップである。第1の態様に係る電磁波発生素子によると、平面状に広がる空乏層に対して、パルス光を照射することにより、電磁波を平面状に発生させることができる。また、電磁波発生素子を比較的安価な材料で構成することができ、かつ、容易に大サイズ化することができる。また、空乏層形成体を挟む受光面電極と裏面電極に所要の電圧を印加することによって、空乏層に逆バイアスをかけることができる。これにより、電極近辺の空乏層から受光に応じて発生する電磁波の強度を高めることができる。また、複数の並行電極部は、発生する電磁波の波長、すなわち、電磁波の分解能に合わせて、等間隔に設けられている。このため、電磁波固有の分解能に適合し、かつ、高強度で均一な平面状の電磁波を発生させることができる。第2の態様に係る電磁波発生素子によると、空乏層を逆バイアス状態とすることができるため、発生する電磁波の強度を高めることができる。第3の態様に係る電磁波発生素子によると、交差電極部を設けることによって、電極に近接する領域を拡大することができる。したがって、パルス光を照射する位置設定の自由度を高めることができる。第4の態様に係る電磁波発生素子によると、空乏層形成体内の空乏層で発生した電磁波を、受光面とは反対側にある対向電極部の隙間から出射させやすくなる。第5の態様に係る電磁波発生素子によると、波長が約0.3mm以上30mm以下の電磁波すなわち、周波数が0.01THz~1THzの電磁波固有の分解能にあわせて、平面状の電磁波を高強度で発生させることができる。第6の態様の態様に係る電磁波発生素子によると、波長が0.6mm以上3mm以下の電磁波すなわち、周波数が0.1THz~0.5THzの電磁波固有の分解能にあわせて、平面状の電磁波を高強度で発生させることができる。第7の態様に係る電磁波発生装置によると、電磁波発生素子が持つ平面状に広がる空乏層に対して、光を照射することにより、電磁波を平面状に発生させることができる。また、電磁波発生素子を比較的安価な材料で構成することができ、かつ、容易に大サイズ化することができる。第8の態様に係る電磁波装置によると、走査部によってパルス光を走査させることで、電磁波発生素子から平面上に電磁波を発生させることができる。第9の態様に係る電磁波発生装置によると、電磁波の分解能に適合するように、平面状の電磁波を発生させることができる。第10の態様に係る電磁波発生方法によると、電磁波発生素子が持つ平面状に広がる空乏層に対して、パルス光を照射することにより、電磁波を平面状に発生させることができる。また、電磁波発生素子を比較的安価な材料で構成することができ、かつ、容易に大サイズ化することができる。第11の態様に係る電磁波発生方法によると、パルス光を走査させることで、電磁波発生素子から平面上に電磁波を効率的に発生させることができる。第12の態様に係る電磁波発生装置によると、電磁波の分解能に適合するように、平面状の電磁波を発生させることができる。以下、添付の図面を参照しながら、実施形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。<1.第1実施形態><電磁波発生装置100>図1は、電磁波発生装置100および検出装置40を示すブロック図である。電磁波発生装置100は、受光した光に応じて電磁波を発生させる電磁波発生素子10、パルス光を出射するフェムト秒レーザ20、パルス光を二次元走査させる二次元走査部30、および、電磁波発生装置100の全体の動作を制御する制御部80を備えている。電磁波発生装置100は、主にテラヘルツ領域の電磁波パルス具体的には、周波数帯域が0.01~1THzのサブテラヘルツ領域の電磁波パルスを、二次元平面に広がる電磁波発生素子10から面単位で発生させる。検出装置40は、電磁波発生装置100にて発生した電磁波パルスの強度を検出する。具体的に、検出装置40においては、テラヘルツ時間領域分光法THz-TDSまたはショットキーバリアダイオードなどを利用して電磁波強度の検出が行われる。この検出装置40には、従来と同様の構成またはこれに類似する構成を利用することができる。フェムト秒レーザ20は、例えば、ファイバレーザなどで構成されており、中心波長が1~1.5μmマイクロメートル付近、周期が数kHzキロヘルツ~数百MHzメガヘルツ、パルス幅が10~150fsフェムト秒程度の直線偏光のパルス光LP1を出射する。なお、フェムト秒レーザ20としては、波長が400nmナノメートル以上1.5μmマイクロメートル以下の可視光領域または近赤外領域のパルス光を出射するものを利用できる。また、フェムト秒レーザ20から波長が800nmのパルスレーザを出射させる場合には、チタンサファイヤレーザが好適である。二次元走査部30は、フェムト秒レーザ20から出射されたパルス光LP1を電磁波発生素子10に対して二次元走査させる装置である。二次元走査部30は、例えば、ガルバミラー、ポリゴンミラー、音響光学変調素子、または、これらを組み合わせたもので構成されている。この二次元走査部30による二次元的な走査によって、電磁波発生素子10から、平面状に電磁波パルスが発生する。本実施形態では、フェムト秒レーザ20および二次元走査部30によって、電磁波発生素子10に向けてパルス光LP1を照射する光照射部200が構成されている。<電磁波発生素子10>図2は、電磁波発生素子10の受光面10Aを示す平面図である。また、図3は、電磁波発生素子10の裏面10Bを示す平面図である。また、図4は、電磁波発生素子10の概略断面図である。電磁波発生素子10は、平板矩形状に形成された素子であり、パルス光LP1を受光する受光面10Aと、その反対側の面である裏面10Bとを有している。なお、電磁波発生素子10の形状は、例えば、円形状楕円形状を含む。に形成されることも考えられる。また、電磁波発生素子10は、平面状ではなく、曲面状に形成されることも考えられる。受光面10A側には、受光面電極12が形成されており図2参照、裏面10Bには、薄膜状の裏面電極13が形成されている図3参照。受光面電極12、裏面電極13は、例えば、アルミニウム電極、または、透明電極ITOIndiumtinoxideまたはSnO2酸化スズなどで構成されている。図2に示したように、受光面電極12は、短冊状に並行する複数の並行電極部121を有している。並行電極部121は、電磁波発生素子10における、パルス光LP1が照射される領域すなわち、電磁波を発生させる領域電磁波発生領域を横断するように設けられる直線状の部材である。並行電極部121の幅は、例えば0.2mm程度とされるが、これは適宜変更可能である。また、各並行電極部121は、隣どうしの間隔が、形成間隔P1となるように、等間隔に形成されている。この形成間隔P1については、後に詳述する。また、全ての並行電極部121は、並行電極部121の延在方向に直交する方向に延びる電極部によって、電気的に接続されている。裏面電極13は、電磁波発生素子10の裏面10Bの全面にわたって設けられており、少なくとも、並行電極部121と対向する部分を占有している。なお、以降の説明において、並行電極部121が延びる方向を水平方向と称し、水平方向に直交する方向ここでは、並行電極部121が並列されている方向を垂直方向と称する場合がある。また、図4に示したように、電磁波発生素子10は、裏面10B側から順に、裏面電極13と、p型シリコン層14と、n型シリコン層15と、反射防止膜16とが平面状に積層された積層構造を有している。ここで、p型シリコン層14は、p型半導体の一例であり、n型シリコン層15は、n型半導体の一例である。p型シリコン層14およびn型シリコン層15は、例えば太陽電池で一般に利用されている、単結晶シリコン、多結晶シリコン、または、アモルファスシリコンなどが好適である。反射防止膜16は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸化チタンなどが好適である。p型シリコン層14とn型シリコン層15との接合部分は、二次元平面状に広がる空乏層が形成されるpn接合部17となっている。pn接合部17においては、電子と正孔とが互いに拡散して結びつく拡散電流が生じる。このため、pn接合部17付近には、電子と正孔とが少ない空乏層が形成される。つまり、p型シリコン層14およびn型シリコン層15との積層体によって、空乏層形成体90が形成されている。なお、p型シリコン層14とn型シリコン層15との間に、真性intrinsic半導体層を挟み込んだ、いわゆるpin接合が形成されたものを空乏層形成体としてもよい。空乏層においては、電子と正孔をそれぞれn型、p型領域に引き戻す力が生じており、電界内部電界が生じている。このpn接合部に禁制帯幅を超えるエネルギーを持つ光が照射されると、内部電界によって光電子がn型半導体側に移動し、取り残された正孔がp型半導体へ移動する。例えば、太陽電池などのフォトデバイスでは、光電子の移動がn型半導体およびp型半導体のそれぞれに取り付けた電極を介して、外部に取り出される。このように、フォトデバイスにおいては、pn接合部の空乏層に光が照射されたときに生じる自由電子と自由正孔の移動が直流電力として利用される。ここで、光励起キャリア発生領域である空乏層に対して、パルス光LP1が照射された場合、光励起キャリアが内部電界により加速されて移動する。これにより、パルス状の電流が発生することとなる。電流に時間変化が生じた場合、Maxwellの方程式にしたがって、電磁波が発生する。つまり、電磁波発生素子10にパルス光LP1が照射されると、空乏層におけるパルス光を受光した部分から電磁波パルスが発生することとなる。例えば、可視光400nmから近赤外1.5μm付近のパルス光を電磁波発生素子10に照射した場合、主に0.01THz~1THzの周波数域を含む電磁波パルス以下、電磁波パルスLT1とも称する。が発生する。電磁波発生素子10の受光面10Aは、光の反射損失を抑えるために、所要のテクスチャー構造を有している。具体的には、図4に示したように、異方性エッチングなどにより形成される数μm~数十μmの凹凸、または、機械的方法によるV字状の溝などが形成されている。このように、電磁波発生素子10の受光面10Aは、効率良く採光できるように構成されている。したがって、所定波長のパルス光LP1が照射されたときに、該パルス光LP1はpn接合部17に到達しやすくなっている。例えば、波長が400nm~1μmの可視光などであれば、pn接合部17に容易に到達する。二次元走査部30は、パルス光LP1の光軸が、電磁波発生素子10の受光面10Aに対して、斜めに入射するようにパルス光LP1を照射する。本実施形態では、入射角度が45度となるように照射角度が設定されている。ただし、入射角度はこのような角度に限定されるものではなく、0度から90度の範囲で適宜変更することができる。なお、電磁波発生素子10から発生する電磁波パルスLT1の多くは、裏面電極13にSnO2またはITOなどの透明電極を適用することで、裏面電極13にて反射させることができる。この場合、受光面10Aに対して垂直にパルス光LP1を照射させることで、裏面電極13にて反射した電磁波パルスLT1を受光面10A側に反射させることができる。制御部80は、CPU、ROM、RAMなどの一般的なコンピュータとしての構成を備えており、記憶部ハードディスクなどのストレージや、可搬性のあるメディアCD-ROMなどの他、RAMなどの一時的に情報を記憶するものも含む。に格納されたプログラムをRAM上に展開して実行することにより、電磁波発生装置100の構成要素フェムト秒レーザ20、二次元走査部30または逆バイアス電圧印加回路11などの動作を制御する。ただし、電磁波発生装置100の構成要素の一部は、手動で制御されるようにしてもよい。図1に示したように、電磁波発生素子10には、逆バイアス電圧印加回路11が接続されている。逆バイアス電圧印加回路11は、DC電源図示せずを備えており、受光面電極12および裏面電極13を介して、空乏層を逆バイアス状態とする電圧を印加する。好適には、逆バイアス電圧印加回路11は、5~10Vの電圧を印加する。空乏層が逆バイアス状態とされると、空乏層の電界が大きくなり、パルス光LP1が照射されたときに、より多くの光励起キャリアを移動させることができる。このため、発生する電磁波パルスの電界強度を、相対的に大きくすることができる。なお、空乏層のうちの並行電極部121に近い部分ほど、電界が大きくなるため、発生する電磁波パルスの強度も大きくなる。このように空乏層を逆バイアス状態とすることで、従来のテラヘルツ波発生素子例えば光伝導スイッチと同程度の強度の電磁波を、電磁波発生素子10から発生させることができる。図5は、受光面電極12の一部である複数の並行電極部121を示す部分平面図である。また、図6は、電磁波発生素子10の受光面10Aを示す平面図である。なお、図6では、パルス光LP1が照射される位置を図示している。上述したように、隣どうしにある並行電極部121が所要の形成間隔P1をあけるようにして、複数の並行電極部121が等間隔に形成されている。この形成間隔P1は、パルス光LP1の照射に応じて電磁波発生素子10から発生する電磁波パルスLT1の波長に対応する大きさとされる。ここで、発生する電磁波パルスの波長に対応する間隔とは、電磁波発生素子10の空乏層で発生する電磁波の波長領域のうちの、特定波長の長さに一致する間隔をいう。例えば、本実施形態の電磁波発生素子10の場合、上述したように、主に0.01~1THzの電磁波パルスが発生する。この場合の波長領域は、主に約0.3mm~約30mmとなるので、形成間隔P1の値は、この範囲内から選択される。なお、本実施形態の電磁波発生素子10から発生する電磁波パルスの周波数領域のうち、最も強度が高い部分は、0.1THz波長約3mm付近である。したがって、この周波数の電磁波パルスが主に利用される場合には、形成間隔P1が3mmに設定されていることが望ましい。また、0.1THz~30THzのテラヘルツ帯の電磁波は、光波の直進性と電波の透過性を兼ね備えているが、より好適な周波数帯は、0.1THz~0.5THz波長約0.6mm~3mmである。したがって、このような周波数帯の電磁波パルスが利用される場合には、形成間隔P1は、0.6mm以上3mm以下の範囲に設定されていることが望ましい。ここで、並行電極部121の形成間隔P1を電磁波パルスLT1の波長に対応させる理由について説明する。本実施形態では、平面状に電磁波パルスLT1を発生させるが、各電磁波パルスの分解能は、各電磁波パルスLT1の波長に依存する。このため、波長よりも小さい間隔で電磁波パルスLT1を発生させたとしても、検出装置40においては、分解能の面でほとんど有意ではない。一方で、本実施形態では、図5に示したように、並行電極部121に近接した位置にパルス光LP1をスポット状レーザスポットSPに照射することで、逆バイアス状態の空乏層から高強度の電磁波パルスLT1を発生させる。したがって、発生する電磁波パルスLT1の波長よりも短い形成間隔で並行電極部121を設けた場合、材料費などのコストが必要以上にかかってしまい、また、パルス光LP1の照射できる位置も狭められてしまう。そこで、電磁波パルスLT1の波長に適合する形成間隔P1で各並行電極部121を設けることによって、平面から発生する電磁波パルスLT1の分解能に適合させつつ、並行電極部121の形成に必要なコストを抑制できる。また、パルス光LP1の照射位置も広く確保することができるため、パルス光LP1の照射制御が容易となる。なお、二次元走査部30は、図5に示したように、電磁波発生素子10上の1つの照射位置レーザスポットSPに対応する位置に対して、一定時間の間、パルス光LP1を照射する。これが完了すると、二次元走査部30は、水平方向に形成間隔P1と一致する長さ分ずらして、次のレーザスポットSPにてパルス光LP1を照射する。これを繰り返し行うことで、1つの並行電極部121に沿って、パルス光LP1を水平走査させる。これにより、1つの並行電極部121に沿った位置に、パルス光LP1が照射されることとなる。また、1つの並行電極部121に沿ったパルス光LP1の照射が完了すると、二次元走査部30は、垂直方向に形成間隔P1と一致する長さ分偏向して、隣にある並行電極部121に沿って、パルス光LP1を水平走査させる。このようにして、パルス光LP1お水平走査と、垂直方向への偏向とが交互に繰り返して行われることによって、図6に示したように、全ての並行電極部121のそれぞれに沿った位置に、パルス光LP1が照射される。これにより、垂直方向および水平方向のそれぞれに関して、形成間隔P1をあけた格子点状に、電磁波パルスLT1が発生する。このようにして、電磁波発生素子10から電磁波パルスLT1が平面状に出射される。なお、p型シリコン層14またはn型シリコン層15が単結晶シリコンで構成した場合には、結晶構造が均一であるため、電磁波発生素子10の各位置で発生する電磁波パルスLT1の強度のバラツキを小さくすることができる。これに対して、p型シリコン層14、n型シリコン層15が多結晶シリコンで構成されている場合、結晶の状態に応じて、発生する電磁波パルスLT1の強度が僅かに変化する虞がある。そのため、二次元走査部30にGLVGratingLightValve素子などの光学変調素子を設けてもよい。この光学変調素子によって、電磁波発生素子10上の位置毎に、パルス光LP1の強度を調整することで、電磁波発生素子10の位置毎に発生する電磁波パルスLT1の強度を均一化することができる。<電磁波パルス発生の流れ>次に、図7を参照しつつ、電磁波パルス発生の流れについて説明する。なお、以下に説明する電磁波パルス発生の流れは、一例であり、適宜変更可能である。図7は、電磁波発生装置100において、電磁波パルスLT1を発生させる流れ図である。あらかじめ、電磁波発生装置100には、電磁波発生素子10が設置される。このとき、逆バイアス電圧印加回路11によって、電磁波発生素子10に所要の電圧が印加されることによって、空乏層が逆バイアス状態とされる。このような状態で、電磁波発生素子10に対するパルス光LP1の照射が開始されるステップS1。ステップS1においては、複数ある並行電極部121の近傍である任意の位置に、パルス光LP1が照射される。そして、検出装置40によって、電磁波発生装置100から出射された電磁波パルスLT1の強度が検出されるステップS2。このステップS2では、所望の強度を超える電磁波パルスLT1が出射されているかどうかを確認するために行われる。電磁波パルスLT1の強度が十分でない場合は、逆バイアス電圧印加回路11が印加する電圧の調整、または、パルス光LP1の強度を強める調整などが適宜行われる。次に、二次元走査部30は、パルス光LP1を、電磁波発生素子10上で走査させる。具体的には、図5において説明したように、1つの並行電極部121に沿って、並行電極部121の一方の端部から出発して、形成間隔P1毎にパルス光LP1を水平方向に偏向していくことで、他方の端部までパルス光LP1を水平走査させるステップS3。水平走査が並行電極部121の他方の端部まで到達すると、二次元走査部30は、パルス光LP1を垂直方向に、形成間隔P1と一致する分だけ偏向させるステップS4。これにより、パルス光LP1の照射位置が、垂直方向に関して隣にある並行電極部121の近傍に変更される。そして、水平走査がさらに必要かどうか、判定されるステップS5。このステップS5では、二次元走査部30を制御する制御部80によって判定される。水平走査が必要な場合はステップS5においてNO、ステップS3に戻り、二次元走査部30によって、水平走査が行われる。水平走査が不要な場合はステップS5においてYES、二次元走査部30は、動作を終了する。以上のように、二次元走査部30がステップS3~S5を繰り返し行うことによって、電磁波発生素子10から電磁波パルスLT1を面単位で発生させることができる。以上のように、電磁波発生素子10は、p型半導体層とn型半導体層との積層により形成される空乏層から、電磁波を発生させるものであり、従来の太陽電池などのフォトデバイスの製造技術を利用することができる。したがって、製造コストは比較的安価であり、かつ、電磁波発生素子10を大きなサイズで形成することが容易である。したがって、電磁波発生装置100によると、安価でかつ広範囲にわたって電磁波を平面状に発生させることができるようになる。<2.第2実施形態>図8は、第2実施形態に係る電磁波発生素子10aの受光面10aA示す部分平面図である。なお、以下の説明において、第1実施形態の場合と同様の機能を有する要素については同一符号を付してその説明を省略する。本実施形態に係る電磁波発生素子10aの受光面10aAには、垂直方向に形成間隔P1をあけて等間隔に並列された複数の並行電極部121と、並行電極部121の延在方向に交差する方向ここでは、垂直方向に延びる複数の交差電極部123とを有する受光面電極12aが形成されている。各交差電極部123は、並行電極部121の形成間隔P1と一致する間隔で等間隔に形成されている。このような交差電極部123を設けた場合、受光面10aA上において、電極に近接する領域を拡大することができる。したがって、図8に示したように、高強度の電磁波パルスLT1を得るために照射するパルス光LP1の照射位置レーザスポットSPの位置の設定自由度を高めることができる。なお、隣どうしにある交差電極123の間隔は、必ずしも形成間隔P1に一致していなくてもよい。しかしながら、均一な強度の電磁波パルスLT1を平面状に発生させるためには、パルス光LP1を照射する間隔ここでは、形成間隔P1に合わせて交差電極部123が等間隔に形成されていることが望ましい。<3.第3実施形態>図9は、第3実施形態に係る電磁波発生素子10bの概略を示す部分側面図である。本実施形態では、裏面電極13bが、複数の対向電極部131を有している。各対向電極部131は、並行電極部121と対向する位置に設けられており、相互に間隔をあけて形成されている。なお、図示を省略するが、各々の対向電極部131は、他の位置にある電極部分によって電気的に接続されている。各対向電極部131は、隣どうしにあるものの間隔が、並行電極部121の形成間隔P1と一致するように形成されている。したがって、図9に示した様に、並行電極部121の近傍に向けて、パルス光LP1を垂直に入射させた場合、反対側の裏面10Bbにおいて、隣どうしの対向電極部131の隙間を通じて、電磁波パルスLT1を出射させることができる。なお、隣どうしにある対向電極部131の間隔は、必ずしも形成間隔P1と一致していなくてもよく、適宜変更可能である。<4.変形例>以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では、二次元走査部30は、各並行電極部121が延在する方向に沿って順番にパルス光LP1照射するようにしている。しかしながら、各並行電極部121の並ぶ方向に沿って順番にパルス光LP1を照射するようにしてもよい。また、上記実施形態に係る電磁波発生素子10は、並行電極部121が形成されている受光面10A側からパルス光LP1を照射し、同じ受光面10A側に出射される電磁波パルスLT1を利用する反射型の電磁波発生素子としている。しかしながら、電磁波発生素子10を透過型の電磁波発生素子としてもよい。この場合、裏面10Bから、並行電極部121の形成されている部分にパルス光LP1が照射される。パルス光LP1は、シリコンの透過率の高い波長1~1.5μmであることが好ましいが、波長800nmであってもよい。また、この場合、裏面電極13には、透明電極が適用される。さらに上記実施形態および変形例にて説明した各構成は、互いに矛盾の生じない限り、適宜組み合わせたり、または省略したりすることができる。