透明基板及び前記透明基板上に配置された透明電極上に、第1P型有機半導体と、前記第1P型有機半導体を酸化できる酸化剤を含む溶剤を塗布及び乾燥させ、前記第1P型有機半導体を前記酸化剤によって酸化させることにより、ホール注入層を形成する工程と、前記ホール注入層上にN型有機半導体及び第2P型有機半導体を含む溶剤を塗布、乾燥させて光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に金属層を形成し、金属電極を形成する工程と、を備える光電変換素子の製造方法。前記第1P型有機半導体と、前記第2P型有機半導体とは、主鎖が同一であることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子の製造方法。前記第1P型有機半導体及び前記第2P型有機半導体は第3位に側鎖を有するポリチオフェンであることを特徴とする請求項2記載の光電変換素子の製造方法。前記酸化剤は、塩化第1鉄、塩化第2鉄、フッ素、塩素、臭素.ヨウ素のいずれかであることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極と、前記透明基板及び前記透明電極上に形成され、第1P型有機半導体と、前記第1P型有機半導体を酸化できる酸化剤を含むホール注入層と、前記ホール注入層上に形成され、N型有機半導体と、前記第1P型有機半導体と主鎖が同一な第2P型有機半導体を含む光電変換層と、前記光電変換層上に形成され、金属からなる金属電極と、を備える光電変換素子。低光量領域において、開放電圧Voc又は曲線因子FFが高い、有機薄膜からなる光電変換膜を含む光電変換素子の製造方法及び光電変換素子を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、発明の一観点によれば、透明基板及び前記透明基板上に配置された透明電極上に、第1P型有機半導体と、第1P型有機半導体を酸化できる酸化剤を含む溶剤を塗布及び乾燥させ、第1P型有機半導体を前記酸化剤によって酸化させることにより、ホール注入層を形成する工程と、ホール注入層上にN型有機半導体及び第2P型有機半導体を含む溶剤を塗布、乾燥させて光電変換層を形成する工程と、光電変換層上に金属層を形成し、金属電極を形成する工程と、を備える光電変換素子の製造方法が提供される。低光量領域において、開放電圧Voc又は曲線因子FFが高い、有機薄膜からなる光電変換膜を含む光電変換素子を提供することができる。以下において、発明を実施するための形態を説明する。図1A、図1Bは本実施形態における光電変換素子の製造工程を示す素子の断面図である。図1Aは光電変換素子のガラス基板上に形成された透明電極ITO40の断面図を示す。ITO40の膜厚は約200nmである。図1BはITO40上にポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60を含むo-ジクロロベンゼン溶液を、スピンコートによって塗布したところを示す断面図である。図2A、図2Bは本実施形態における光電変換素子の製造工程を示す素子の断面図である。図2Aは、o-ジクロロベンゼン溶液からスピンコートによって作成されたポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60の薄膜に、塩化第二鉄FeCl370イソプロパノール溶液を重ねて塗布したところを示す断面図である。図2Bはポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60および塩化第二鉄FeCl370を含む薄膜を約150°Cでアニール処理をし、塩化第二鉄FeCl370がドープされたポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60からなる約5nmの下地層35を得たところを示す断面図である。下地層35には、黒の太線で示した、凝集したポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と、白丸で示した、その隙間にドーパントである塩化第二鉄FeCl370が存在する。ここで、塩化第二鉄FeCl370はポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60に対して酸化剤としての役割を示す。ところで、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と塩化第2鉄からなる、下地層35は、一般的な光電変換素子の下地層35に用いられるPEDOTポリエチレンジオキシチオフェンとPSSポリスチレンスルホン酸に比較し、透明度が低い。そうすると、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と塩化第2鉄からなる下地層35がホール注入層30として用いられた場合、入射光が吸収されないためには10nm程度以下であることが望ましい。図3A、図3Bは本実施形態における光電変換素子の製造工程を示す素子の断面図である。図3Aは上記の下地層35の表面をイソプロパノールで洗浄し、乾燥した後にポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBMphenyl-C61-butyric-acid-methylester50を溶解したoジクロロベンゼン溶液を塗布したところを示す断面図である。図3Bはポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBMphenyl-C61-butyric-acid-methylester50を溶解したoジクロロベンゼン溶液の薄膜を乾燥させ、光電変換層20を得たところを示す断面図である。ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBMphenyl-C61-butyric-acid-methylester50を溶解したo-ジクロロベンゼン溶液から、o-ジクロロベンゼン溶液が蒸発するとともに、下地層35の表面に表出しているポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60を種として、凝集したポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60が主成分である領域が、乾燥後にできた光電変換層20内に成長する。下地層35側のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60は酸化剤、塩化第二鉄FeCl370の作用により、相対的に、電子が不足している状態となっている。一方、光電変換層20となるポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBM50を溶解したo-ジクロロベンゼン溶液中のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60は、P型半導体本来の性質により、相対的に電子過剰な状態にある。従って、下地層35中のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と、光電変換層20側のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60は分子軌道の重なりを通じて、引力となる相互作用が働くため、下地層35の表面に表出しているポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60を基点として、光電変換層20側のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60が凝集する。なお、光電変換層20中に含まれる、P型有機半導体ポリマーとして、上記ではポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60としたが、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と主鎖を同一とし、側鎖に異なる基が結合しているポリチオフェンの誘導体であってもよい。下地層35に含まれるポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTに対して、ポリ-チオフェンの誘導体は、同様に、分子軌道の重なりを通じて、電子共有型の引力となる相互作用が働くためである。なお、塩化第二鉄FeCl370は、一般的にポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTの主鎖であるチオフェン重合体の形成に際し、チオフェン環を酸化することによって、チオフェン同士の重合反応を進行させる役割を果たすことが知られている。図4は本実施形態における光電変換素子の製造工程を示す素子の断面図である。光電変換層20上に、蒸着法によって約150nm厚のアルミニウム上部電極10を形成し、約170°Cでのアニール処理を約5分間行ったところを示す断面図である。なお、下地層35はホール注入層30として作用するので、図4においては、下地層35の代わりに、ホール注入層30として表示した。なお、ホール注入層はバルクヘテロ接合型の光電変換膜と、透明電極との間にあって、電子又はホールの授受を容易にするための層である。以上より、光電変換素子100は、ITO透明電極40と、ITO透明電極40上に設けられた酸化剤とP型有機半導体ポリマーポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60を含むホール注入層30と、ホール注入層30上に設けられ、N型有機半導体とホール注入層30中に含まれるP型有機半導体ポリマーポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と少なくとも主鎖が同一のP型有機半導体ポリマーポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60からなる光電変換層20と、を備える有機薄膜光電変換素子である。そして、上記の酸化剤はP型有機半導体ポリマーポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60を、酸化によって電子不足状態とする能力を持つ酸化剤である。また、上記の有機薄膜光電変換素子の製造方法は、ITO透明電極40上に酸化剤とP型有機半導体からなるホール注入層30を形成する工程の後、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBM50を溶解したo-ジクロロベンゼン溶液の薄膜を形成する工程を含む。従って、図3で説明したように、ホール注入層30の表面に表出しているポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60を基点として、光電変換層20側のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60が凝集する。これに伴って、ホール注入層30と光電変換層20の界面にも、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60が凝集するので、光電変換層20内のN型有機半導体が接触する面積が減少する。その結果、ホール注入層30内部のホールとN型有機半導体から発生した電子とが結合することによるリーク電流が減少する。そこで、受光量が低下し、キャリヤが減少した場合において、有機太陽電池内部におけるリーク電流が減少するので、有機太陽電池の開放電圧Voc及び曲線因子FFが向上する。ところで、図2A、2Bで説明したように、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と塩化第2鉄を含むホール注入層30の透明度は、一般的なホール注入層に含まれるPEDOTポリエチレンジオキシチオフェンとPSSポリエチレンスルホン酸を含む層に比較し、低い。そこで、ホール注入層30としてポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と塩化第2鉄からなる層を用いる際には、その膜厚をうすくすること例えば5nmとすることにより、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60と塩化第2鉄FeCl370からなるホール注入層30に入射光が吸収されることを抑制している。実施例1実施例1の光電変換素子100は、以下のような工程により作成される。まず、透明電極として膜厚200nmのITO40を形成したガラス基板上に、P型半導体ポリマーである、ポリ-3-ヘキシルチオフェンの0.1重量oジクロロベンゼン溶液を、スピンコートによって塗布した。得られたポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60の薄膜上に、塩化第二鉄の0.2重量イソプロパノール溶液を塗布し、150°Cでのアニール処理を行うことで、塩化第二鉄がドープされたポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTからなる、厚さ5nmのホール注入層30を形成した。ホール注入層30表面をイソプロパノールで洗浄し、乾燥した後に、重量比1:1のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBM50を、それぞれ1重量の割合で溶解したoジクロロベンゼン溶液を、スピンコートによって塗布した。溶媒を蒸発させた後、蒸着によって150nm厚のAl上部電極膜を作成し、170°Cでのアニール処理を5分間行った。得られたポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBM50を含む光電変換層20の膜厚は、100nmであった。なお、図5はポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBM50の化学式を示す。ポリ-3-ヘキシルチオフェンは、チオフェンの重合体を主鎖とし、チオフェンの3位の位置にヘキシル基C6H13構造式:CH3CH2CH2CH2CH2CH2が結合しているP型有機半導体ポリマーである。PCBM50は、C60のフラーレンに酪酸メチルエステルが結合しているN型有機半導体であり、有機溶媒に溶解可能な物質である。実施例2実施例2の光電変換素子20は、以下のような光電変換素子である。まず、実施例1におけるホール注入層30に用いるP型半導体ポリマーが、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60からpoly-3-hexyloxythiopheneに変更されている。厚さ100nmの光電変換層20は実施例1と同様の方法条件において、重量比1:1のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBM50を含むように形成された。なお、図6はチオフェンの重合体を主鎖とし、3位にヘキシル基以外のR基が結合しているチオフェン重合体及び、上記のR基としてヘキロキシ基が結合しているチオフェン重合体を示す。また、poly-3-hexyloxythiopheneはP型有機半導体である。比較例比較例の光電変換素子は、以下のような光電変換素子である。比較例はホール注入層の材料として一般なPEDOTポリエチレンジオキシチオフェンおよびPSSポリエチレンスルホン酸を用いた光電変換素子である。すなわち、比較例のホール注入層は実施例1におけるポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT及び塩化第2鉄FeCl3の代わりに、PEDOTポリエチレンジオキシチオフェン及びPSSポリエチレンスルホン酸膜厚40nmを含む。なお、厚さ100nmの光電変換層は、実施例1と同様の方法条件で、重量比1:1のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60とPCBM50を含むように形成された。なお、図7にPEDOTポリエチレンジオキシチオフェン及びPSSポリスチレンスルホン酸を示す。PEDOTポリエチレンジオキシチオフェンはPSSポリスチレンスルホン酸をドープするとP型導伝性を示す有機半導体である。図8A、図8B、及び、図8Cにより、実施例1の光電変換素子、実施例2の光電変換素子、及び、比較例の光電変換素子に対する蛍光灯光下でのI-V曲線グラフを示す。いずれのグラフにおいても、横軸は発生電圧Vを示し、縦軸は電流密度mA/cm2を示す。また、いずれの光電変換素子に対しても、放射照度89μW/cm2の蛍光灯白色光を照射した。図8Aは実施例1の光電変換素子についてのI-V曲線グラフである。図8Aのグラフより、実施例1の光電変換素子において、開放電圧Vocは0.45V、短絡電流密度Jscは16.0μA/cm2であった。また、曲線因子FFは0.63であり、光電変換効率は5.02であった。なお、曲線因子FFは最大出力0.013×0.35/開放電圧0.45/短絡電流密度0.016で与えられる。また、光電変換効率は開放電圧0.45×短絡電流密度0.016×曲線因子FF0.63/放射照度0.089/100で与えられる。さらに、素子の直列抵抗RSは44.7オームcm2であり、並列抵抗Rshは3.28×105オームcm2であった。なお、並列抵抗Rshと直列抵抗RSは測定により求めた。また、図8Aにおいて、I-V曲線から、実施例1の光電変換素子は、バイアス電圧0.3Vにおいて、電流密度14μA/cm2が保たれている。ここで、開放電圧Vocは、電流密度0のときの電圧である。短絡電流密度は発生電圧0Vのときの電流密度である。曲線因子FFは、I-V曲線グラフにおける、最大出力と、開放電圧Vocと短絡電流密度Jscとの積との比である。従って、光電変換効率は開放電圧Voc×短絡電流密度Jsc×曲線因子FF/入射光の放射照度で与えられる。図8Bは実施例2の光電変換素子についてのI-V曲線グラフである。図8Bのグラフより、実施例2の光電変換素子において、開放電圧Vocは0.407V、短絡電流密度Jscは17.0μA/cm2であった。また、曲線因子FFは0.61であり、光電変換効率は4.79であった。さらに、素子の直列抵抗RSは19.1オームcm2であり、並列抵抗Rshは3.49×105オームcm2であった。また、図8Bにおいて、I-V曲線から、実施例2の光電変換素子は、バイアス電圧0.3Vn時点において、電流密度14μA/cm2が保たれている。図8Cは比較例の光電変換素子についてのI-V曲線グラフである。図8Cのグラフより、比較例の光電変換素子において、開放電圧Vocは0.391V、短絡電流密度Jscは18.2μA/cm2であった。また、曲線因子FFは0.41であり、光電変換効率は3.27であった。さらに、素子の直列抵抗RSは670オームcm2であり、並列抵抗Rshは4.51×104オームcm2であった。また、図8Cにおいて、I-V曲線から、比較例の光電変換素子は、バイアス電圧0.3Vにおいて、電流密度は10μA/cm2と、実施例1、2と比較して大きく低下している。図9は、実施例1、実施例2、及び、比較例について、その特徴及び電気的な特性についてまとめた表を示す。実施例1の光電変換素子の直列抵抗は比較例の光電変換素子の直列抵抗と比較し、1/15に低下した。実施例1の光電変換素子の並列抵抗は比較例の光電変換素子の並列抵抗と比較し、約7倍に向上した。実施例1の光電変換素子の開放電圧は比較例の光電変換素子の開放電圧と比較し、約1.15倍に向上した。実施例1の光電変換素子の曲線因子は比較例の光電変換素子の曲線因子と比較し、約1.54倍に向上した。実施例1の光電変換素子の変換効率は比較例の光電変換素子の変換効率と比較し、約1.54倍に向上した。図10は、実施例1の光電変換素子の断面図の模式図、及び、その断面図に対応する光電変換素子の断面写真を示す。断面写真はにおいて、明るく観測されている領域は、密度が低いポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60であると考えられる。ここで、明るく観測されている領域は、ホール注入層30から突出した柱状の形状をしている。そこで、実施例1の光電変換層内において、ホール注入層から突出した柱状領域内に、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60が凝集していることが推測される。すなわち、ホール注入層30と光電変換層20との界面にポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60が凝集していると推測される。その結果、光電変換層20中のPCBM50とホール注入層30中のポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT60の接触が抑制される。そうすると、ホール注入層30と光電変換層20界面でのリーク電流が減少する。