"対向配置された第1の基板と第2の基板の間に負の誘電率異方性を有する液晶が封入され、前記第1の基板または/および前記第2の基板の外側面には、偏光板が設けられてなり、前記偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することにより表示を行い、電圧無印加時に黒色に表示されるノーマリブラック型の液晶表示装置において、前記第1の基板となる一方の支持基板の対向面側に、行列状に配列された複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された電極配線と、前記複数の薄膜トランジスタ及び前記電極配線を覆い、前記薄膜トランジスタ及び前記電極配線に起因する凹凸を緩和する平坦化絶縁膜と、前記平坦化絶縁膜上に形成され前記平坦化絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動用の画素電極と、前記画素電極上に形成されたラビング処理が施されていない垂直配向膜と、が設けられ、前記第2の基板となる他方の支持基板の対向面側に、液晶駆動用の共通電極と、前記共通電極中の前記画素電極に対向する領域内に設けられた配向制御部と、前記画素電極間の領域に対向し、かつ、前記画素電極間の領域よりも小さい遮光膜と、前記共通電極上に形成されたラビング処理が施されていない垂直配向膜と、が設けられ、前記配向制御部によって、液晶の配向方向を制御することを特徴とする液晶表示装置。前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加することによって前記画素電極の端部と前記共通電極間に斜め方向電界を発生させ、前記斜め方向電界と前記配向制御部との合同作用によって、液晶の配向方向を制御することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記画素電極の形状は矩形であり、前記画素電極の端部と前記共通電極間に生じる前記斜め方向電界によって制御される液晶の配向方向は、前記画素電極の各辺から前記画素電極の内側に向かうことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加することによって前記画素電極の端部と前記共通電極間に斜め方向電界を発生させ、前記斜め方向電界によって制御される液晶の配向方向と、前記配向制御部によって制御される液晶の配向方向とが、同一、あるいは、45°以内に収められることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記平坦化絶縁膜は、前記薄膜トランジスタの半導体層を覆って形成される層間絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース電極が前記層間絶縁膜上に形成されるとともに、前記層間絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタの半導体層に接続され、前記画素電極は前記平坦化絶縁膜上に形成されるとともに、前記平坦化絶縁膜の開口部を介して前記ソース電極に接続されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の液晶表示装置。前記他方の支持基板の対向面上には、カラーフィルター層が設けられ、前記共通電極は、前記カラーフィルター層上に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の液晶表示装置。前記カラーフィルター層上には保護膜が形成され、前記共通電極は前記保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。前記保護膜は、前記カラーフィルター層に起因する凹凸を緩和する平坦化膜であることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。前記平坦化絶縁膜は、厚みが1μm以上であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の液晶表示装置。前記遮光膜は、さらに前記薄膜トランジスタの形成領域に対向した領域に形成されることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の液晶表示装置。負の誘電率異方性を有する液晶は電界方向に対して配向方向が電界方向と垂直になるように配向を変化する。この時、液晶は電界に抗する作用を発生するが、このような液晶の垂直配向からの変化は、一般にTN等の正の誘電率異方性を有する液晶が平行配向から変化する場合よりも、安定性が悪い。特に、TFTやカラーフィルター層の段差に起因した配向膜71,72との接触界面における凹凸は、配向変化に影響を及ぼし、表示品位の悪化を招く。また、図15および図16に示すように、従来では、垂直配向膜71,72にラビング処理を施すことにより、図14に示すように、液晶の初期配向にプレチルトθを付与しているため、電圧印加時には、全ての液晶分子81はプレチルトの方向図14では右方向に傾斜する。このため、例えば、図14の右上方向からの視認と、左上方向からの視認の場合とでは、光路に対する液晶分子81の傾斜角度が相対的に異なり、透過率が変化して見える。このため、輝度あるいはコントラスト比が視る方向によって変化する、いわゆる視角依存性の問題がある。また、対向基板60側に形成されたブラックマトリクス61BMは、画素電極59間の領域を漏れなく覆わなければならないため、TFT基板50側との貼り合わせ時のずれを考慮して、大きめに形成されている。このため、有効表示領域が縮小し、開口率が低下する問題もあった。更に、TFT基板側の垂直配向膜71を形成するためのラビング処理は、TFTの静電破壊を招き、表示不良となり、歩留まり低下の原因となっていた。本発明はこの課題を解決するために成され、対向配置された第1の基板と第2の基板の間に負の誘電率異方性を有する液晶が封入され、前記第1の基板または/および前記第2の基板の外側面には、偏光板が設けられてなり、前記偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することにより表示を行い、電圧無印加時に黒色に表示されるノーマリブラック型の液晶表示装置において、前記第1の基板となる一方の支持基板の対向面側に、行列状に配列された複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された電極配線と、前記複数の薄膜トランジスタ及び前記電極配線を覆い、前記薄膜トランジスタ及び前記電極配線に起因する凹凸を緩和する平坦化絶縁膜と、前記平坦化絶縁膜上に形成され前記平坦化絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動用の画素電極と、前記画素電極上に形成されたラビング処理が施されていない垂直配向膜と、が設けられ、前記第2の基板となる他方の支持基板の対向面側に、液晶駆動用の共通電極と、前記共通電極中の前記画素電極に対向する領域内に設けられた配向制御部と、前記画素電極間の領域に対向し、かつ、前記画素電極間の領域よりも小さい遮光膜と、前記共通電極上に形成されたラビング処理が施されていない垂直配向膜と、が設けられ、前記配向制御部によって、液晶の配向方向を制御する構成である。これにより、前記第2の基板は、少なくとも前記画素電極および前記画素電極間に対応する領域が透光性であり、前記画素電極間に対応する領域の少なくとも一部は、前記液晶と前記偏光板とにより遮光される構成である。これにより、第1の基板と第2の基板の貼り合わせのずれを考慮して画素電極間よりも遮光膜よりも大きく形成する必要が無くなり、有効表示領域が拡大され、開口率が上昇する。以上の説明から明らかな如く、本発明で、電界制御による良好な画素分割が行われ、視角依存性が低減し、表示品位が向上した。また、ラビング処理工程が削除されたので、製造コストが削減されるとともに、静電気の発生が防がれ、歩留まりが向上した。更に、遮光膜が不要とされたので、開口率が上昇した。図1は、本発明の第1の実施の形態にかかるLCDの表示画素部の平面図であり、図2はそのA-A線に沿った断面図である。基板10上に、Cr、Ti、Ta等のゲート電極11が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜12が形成されている。ゲート絶縁膜12上には、p-Si膜53が、ゲート電極11の上方を通過するように、島状に形成されている。p-Si膜13は、ゲート電極11の直上領域がノンドープのチャンネル領域CHとされ、チャンネル領域CHの両側は、燐等のN型不純物が低濃度にドーピングされたLDlightlydoped領域LD、更にその外側は、同じ不純物が高濃度にドーピングされたソース領域NS及びドレイン領域NDとなっており、LDD構造とされている。チャンネル領域CHの上には、LD領域LDを形成する際に、イオン注入時のマスクとして用いられた注入ストッパー14が残されている。p-Si膜13を覆って層間絶縁膜15が形成され、層間絶縁膜15上にはドレイン電極16及びソース電極17が形成され、各々層間絶縁膜15に開口されたコンタクトホールを介して、p-Si膜13のドレイン領域ND及びソース領域NSに接続されている。これらドレイン電極16およびソース電極17を覆って、SOG、BPSG、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜18が形成され、この平坦化絶縁膜18上にはITOindiumtinoxide、あるいは、Alからなる画素電極19が形成され、平坦化絶縁膜18に開口されたコンタクトホールを介してソース電極17に接続されている。この上には、ポリイミド等の垂直配向膜31が形成されている。このTFT基板10に対向する位置には、間に液晶層40を挟んで対向基板となる基板20が配置されている。基板20上には、フィルムレジストからなるR、G、Bのカラーフィルター21が形成され、各々の画素電極19に対応する位置に設けられている。また、TFTに対向する領域には、非透光性のフィルムレジストからなる遮光膜21BLが形成され、カラーフィルター21間に位置している。これらカラーフィルター21及び遮光膜21BL上には、アクリル樹脂等の平坦化絶縁膜からなる保護膜22が形成され、更に、保護膜22の上にはITO等の共通電極23が形成されている。共通電極23中には、ITOの不在により形成された配向制御窓24が設けられている。配向制御窓24は、図1に示されているように、画素の中央部を縦断するとともに、そこから45°程度の角度をもって二股に別れて画素の角部へ向かった形状とされている。共通電極23上には、基板10側と同じ垂直配向膜32が設けられている。本発明では、TFT基板側の平坦化絶縁膜18及び対向基板側の平坦化保護膜22は、各々画素電極19及び共通電極23の下地として平坦性を高める働きをしている。特に、負の誘電率異方性を有する液晶が垂直配向から変化する際、電界との相互作用、即ち、電界に抗する作用を発生する時に、良好な配向変化を促す。また、高精細LCDにあって、TFTあるいはカラーフィルター層21の凹凸が相対的に大きくなることを考慮して、これらの段差を緩和することで、液晶層80との接触界面の平坦性を高め、配向の均一性を改善して、表示品位を向上している。更に、垂直配向膜31,32には、ラビング処理が施されておらず、図2に示されているように、プレチルト角は1°以内、理想的には0°とされている。即ち、微小範囲内の平均的な配向を示す配向ベクトルは、初期状態において法線方向に一致するか、または、1°の範囲内にある。従って、電圧印加時においても、表示画素間では、液晶分子41は法線方向、または、法線方向から1°の範囲内に向いている。この構成で、電圧を印加すると、画素電極19と共通電極23間に電界42が形成され、液晶分子41は傾斜するが、画素電極19の端部では、電界42は、画素電極19から共通電極23側へ向かって斜めに傾いた形状になる。このため、液晶分子41は、最短で電界42から傾斜するように配向を変化する。即ち、従来の如くプレチルトにより付与された指向性に依ることなく、斜め電界の作用により画素電極19の内側方向に向かって傾斜する。図1に示されるように、画素電極19の4辺について同様に内側に向かって傾斜する。また、配向制御窓24では、共通電極23が不在であるので電圧印加によっても電界が形成されず、配向制御窓24の領域内では、液晶分子41は初期配向状態に固定される。画素電極19の4辺にて制御された配向は、液晶の連続体性のため、画素電極19の中央領域にまで及ぶが、これら液晶の配向が異なる領域の境界は配向制御窓24上で固定される。即ち、図1において、配向制御窓24により仕切られた表示画素内の各小領域では、液晶の配向は各々異なる4つの方向に向いており、いわゆる画素分割が行われている。従って、一つの表示画素に関して、透過率の異なる各小領域が平均化されて認識されるので、あらゆる視角に対しても一定の輝度で視認され、視角依存性の問題が解決される。特に、本発明の構造では、画素電極19の下地として平坦化絶縁膜18を用いているので、初期状態における液晶の配向は、高い均一性をもって法線方向、あるいは、法線方向から1°の範囲内に収められる。また、平坦化絶縁膜18は膜厚が1μm程度と厚く形成されており、液晶は、その下のTFTおよびその電極ライン1,2,16,17の電界の影響を受けにくく、前述の如く、画素電極19の端部における斜め方向電界42、および、配向制御窓24における無電界との合同作用による画素分割が極めて良好に行われる。ここで、配向制御窓24の幅を十分に大きくすることで、図2に示すように配向制御窓24の端部においても斜め方向電界42が生じる。この場合、図1に示すような配向制御窓24の形状においては、画素電極19の端部における液晶分子41の傾斜方向と、配向制御窓24の端部における液晶分子41の傾斜方向とは、任意の領域について同一、あるいは、少なくとも45°以内に収められており、画素電極19の端部における配向制御作用と配向制御窓24の端部における配向制御作用とは概ね同一となり、制御性が向上される。即ち、配向制御窓24にて仕切られた表示画素の各小領域では、画素電極19端部および配向制御窓24端部から同様の配向制御を受け、高い均一性をもって配向が揃えられる。一方、対向基板20側には、従来の図13および図14に示すような画素間の全域を覆うようなブラックマトリクス61BMは設けられていない。これは、本発明において、液晶分子41が、初期状態において法線方向あるいは法線方向から1°以内にあるので、画素間においてプレチルト角による光抜けが抑えられ、完全に遮光されるためである。しかしながら、本発明では、TFTへの光入射によるリーク電流を抑えるため、TFT上のみ遮光膜21BLを設けている。このため、対向基板20側に、貼り合わせずれを考慮した大きめのブラックマトリクスを形成する必要が無くなるので、遮光膜により有効表示領域が縮小して開口率が低下することが防がれる。ここに挙げたTFTは、能動層に用いる半導体層として、それまで多用されてきた非晶質シリコンa-Siの代わりに多結晶シリコンp-Siを用いている。このp-SiTFTはオン電流が大きく、TFTサイズの小型化が図られ、開口率の向上や高精細化が達成される。また、p-SiTFTは動作速度が速く、画素部のみならず、周辺の駆動回路ドライバーをも同一基板上に一体形成することが可能となり、ドライバー内蔵型LCDが作製されるに至っている。なお、周辺ドライバー部は、図2と同じ構造のTFTのN-chとP-chからなるCMOSが構成されてなる。ただし、P-chTFTについては、LD領域LDは形成されない。図3に、ドライバー内蔵型LCDの構成を示す。中央部には、ゲート電極11に接続されたゲートライン1と、ドレイン電極16に接続されたドレインライン2が交差配置され、その交差部には、TFT3及びTFT3に接続された画素電極4が形成され、画素部となっている。画素部の周辺にはゲートライン1に走査信号を供給するゲートドライバー5、及び、ドレインライン2に画素信号を供給するドレインドライバー6が形成されている。これら画素部、ゲートドライバー5およびドレインドライバー6は、同一の基板上に形成されている。一方、液晶を間に挟んだ別の基板上には共通電極7が形成されている。これら共通電極7および液晶が画素電極4により区画される形で、表示画素が構成されている。図4から図7に本発明の実施の形態にかかるLCDのTFT基板の製造方法を示す。まず、図4aの工程において、基板10上にCrをスパッタリングにより成膜し、これをエッチングすることにより、ゲート電極11を形成する。図4bの工程において、ゲート電極11を覆って全面に、プラズマCVDによりSiNx及びSiO2からなるゲート絶縁膜12を形成し、引き続き、連続してプラズマCVDによりアモルファスシリコンa-Si13aを成膜する。a-Si13aは、材料ガスであるモノシランSiH4、あるいは、ジシランSi2H4を400°程度の熱及びプラズマにより分解堆積することで形成される。図4cの工程において、レーザーアニールを行うことにより、a-Si13aを結晶化して、p-Si13を形成する。レーザーアニールは、例えばパルスレーザーのラインビーム走査により行われるが、基板温度が600°C以下の比較的低温で行うことができるので、基板10として比較的安価な無アルカリガラス基板を用いることがき、低コストのプロセスが実現される。図5dの工程において、p-Si13が形成された基板上に、SiO2を成膜し、これを裏面露光法を用いてエッチングすることにより、ゲート電極11の上方に注入ストッパ14を形成する。裏面露光は、SiO2の上にレジストを塗布し、これを基板10の下方から露光を行うことにより、ゲート電極11を影を利用した形状に感光し、現像することで行われる。この注入ストッパ14をマスクとして、p-Si13に対して、N型の導電形を示す燐Pのイオン注入を、10の13乗程度の低ドーズ量に行い、注入ストッパー14が形成された領域以外を低濃度にドーピングするN。この時、注入ストッパ14直下即ちゲート電極11の直上領域は真性層に維持され、TFTのチャンネル領域CHとなる。注入ストッパ14をエッチングしたときのレジストはイオン注入時には残しておき、イオン注入後に剥離してもよい。図5eの工程において、ゲート電極11よりも少なくともチャンネル長方向に大きなレジストRSを形成し、これをマスクとして、p-Si13に対する燐Pのイオン注入を、10の15乗程度の高ドーズ量に行い、レジストRS以外の領域を高濃度にドーピングするN。この時、レジストRSの直下領域には、低濃度領域N及びチャンネル領域CHが維持されている。これにより、チャンネル領域CHの両側に各々低濃度のLD領域LDを挟んで高濃度のソース及びドレイン領域NS、NDが位置したLDD構造が形成される。レジストRSの剥離後、不純物イオンのドーピングを行ったp-Si膜の結晶性の回復と、不純物の格子置換を目的として、加熱、あるいはレーザー照射等の活性化アニールを行う。図6fの工程において、このp-Si13をエッチングすることによりTFTの必要領域にのみ残し島状化した後、SiNx等からなる層間絶縁層15を形成し、ソース及びドレイン領域NS、NDに対応する部分をエッチングで除去することによりコンタクトホールCTを形成し、p-Si13を一部露出させる。図6gの工程において、Al/Moをスパッタリングにより成膜し、これをエッチングすることにより、各々コンタクトホールCTを介してソース領域NSに接続するソース電極17、及び、ドレイン領域NDに接続するドレイン電極16を形成する。TFTはここで完成する。更に図7hの工程において、TFTを覆って感光性のアクリル樹脂を被覆して平坦化絶縁膜18を形成し、これを露光および現像することにより、表示画素部にコンタクトホールを形成してソース電極17の上方を露出した後、ITOをスパッタリングにより成膜して、これをエッチングすることでソース電極17に接続された画素電極19を形成する。図7iの工程において、ポリイミドを印刷により液状に成膜し、80°、10分でプリベークを行い、引き続き、180°、30分で本ベークを行って乾燥することにより垂直配向膜31を形成する。以上の工程により、TFT基板が完成する。続いて、図8および図9を用いて対向基板側の製造方法を説明する。まず、図8aの工程において、基板20上に、R、G、Bのカラーフィルター21R,21G,21Bを形成する。Rのカラーフィルター21Rは、まず、感光性のRのフィルムレジストを貼り付け、これをRの表示画素に対応した形状に感光して現像することにより形成する。Gのカラーフィルター21G、および、Bのカラーフィルター21Bを同様に形成する。図8bの工程で、非透光性のフィルムレジストを貼り付ける。図8cの工程で、フィルムレジストをTFTに対向する領域のみ画素間に対応した形状に感光して現像することにより、例えばカラーフィルター21R,21Bの間隙に遮光膜21BLを形成する。図9dの工程において、これらカラーフィルター21R,21G,21B及び遮光膜21BLを覆って、アクリル樹脂を形成することで、これらカラーフィルター21R,21G,21Bの保護膜22を形成する。保護膜22は共通電極23の下地の平坦化膜も兼ねている。図9eの工程において、ITOをスパッタリングにより成膜し、これをエッチングすることにより、共通電極23および共通電極23中に電極不在部である配向制御窓24を形成する。図9fの工程で、ポリイミドを印刷により液状に成膜し、80°で10分のプリベークを行い、引き続き、180°で30分の本ベークを行って乾燥することにより、垂直配向膜32を形成する。以上の工程により、対向基板が完成される。次に、本発明の第2の実施の形態を説明する。なお、重複する説明は割愛する。図10は、表示画素部の平面図である。図10のA-A線に沿った断面構造は図2と同じである。本実施の形態では、対向基板側には、TFT領域を覆うとともに、画素電極19間をやや小さめに覆うブラックマトリクス21BMを設けている。前述の如く、液晶はプレチルト角が与えられていないので、画素間の領域において光漏れは殆ど無いが、場合によっては、パネル内部における光の回り込み等により少々の光抜けが生じることがある。このため、TFTのみならず画素間領域をも覆うようにブラックマトリクス21BMを形成することで、画素間を完全に遮光し、コントラスト比を更に向上することができる。ただし、このブラックマトリクス21BMは、貼り合わせ時のずれによりブラックマトリクス21BMが画素電極19上に割り込むことが無いように、画素間よりもやや小さめに形成されている。図11及び図12に本実施の形態にかかる対向基板側の製造方法を示す。まず、図11aの工程において、基板20上に、R、G、Bのカラーフィルター21R,21G,21Bを、各々対応する画素電極19よりもやや大きく形成する。図11bの工程で、非透光性のフィルムレジストを貼り付ける。図11cの工程で、フィルムレジストをTFTに対向する領域、及び、画素間の領域に対応した形状に感光して現像することにより、例えばカラーフィルター21R,21Bの間隙にブラックマトリクス21BMを形成する。図12dの工程において、これらカラーフィルター21R,21G,21B及びブラックマトリクス21BMを覆って、アクリル樹脂を形成することで、これらカラーフィルター21R,21G,21Bの保護膜22を形成する。保護膜22は共通電極23の下地の平坦化膜も兼ねている。図12eの工程において、ITOをスパッタリングにより成膜し、これをエッチングすることにより、共通電極23および共通電極23中に電極不在部である配向制御窓24を形成する。図12fの工程で、ポリイミドを印刷により液状に成膜し、80°で10分のプリベークを行い、引き続き、180°で30分の本ベークを行って乾燥することにより、垂直配向膜32を形成する。本発明では、前述の如く、TFT基板10製造の図7iの工程、即ち、垂直配向膜31の形成工程、および対向基板20製造の図9f及び図12fの工程、即ち、配向膜32の形成工程において、ラビング処理を行っていない。このため、液晶は、初期配向においてプレチルトを有することなく、法線方向、あるいは、法線方向から1°以内の範囲内に収められる。特に、TFT基板側のラビング処理を行わないことで、TFTの静電破壊が防がれる。このため、ドライバー内蔵型にあって、ドライバー部5,6にTFTが密集し、画素部に比べて格段に多い構造でも、TFTの静電破壊を招くことが防がれ、歩留まりを向上することができる。また、対向基板20製造の図8c及び図11cの工程において、遮光膜21BL及びブラックマトリクス21BMの形成は、図1及び図10に示されているようにTFTに対応する領域及び画素間の狭い領域のみであり、画素間の全域には形成していない。即ち、画素間では、液晶と偏光板との組み合わせにより遮光を行っている。このため、ブラックマトリクスを大きくすることによる有効表示領域の損失が無くされ、開口率が上昇した。"