基板上にn型半導体およびp型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるIII族元素による少なくとも2つのターゲットを、V族元素を含むガスによりスパッタリングして、III-V族の化合物半導体の膜を、当該化合物半導体の組成比に対応させて前記基板の温度を設定し、当該基板上に形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。前記化合物半導体は、前記少なくとも2つのターゲットのそれぞれに供給されるスパッタリング電力により当該化合物半導体の組成比が設定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記基板の温度は、X線回折において、前記少なくとも2つのターゲットのそれぞれ一方のターゲットをスパッタリングして形成されたそれぞれの化合物半導体の回折ピークが得られる回折角の範囲において、当該少なくとも2つのターゲットをスパッタリングして形成された化合物半導体から組成比により決まる回折ピークのみが得られる上限の温度より、予め定められた値だけ低く設定されることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。前記III族元素はインジウムInとガリウムGaとであって、前記V族元素は窒素Nであって、前記化合物半導体はInxGa1-xN0<x<1であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。前記予め定められた値は、100°C以上且つ150°C以下であることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。前記InxGa1-xNの膜の形成における前記基板の温度の上限値Tuは、Tu°C=500×1-x300であることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体素子の製造方法。前記InxGa1-xNの膜の形成における前記基板の温度の下限値Tlは、Tl°C=500×1-x100であることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。所望のインジウムInの組成比xの前記化合物半導体を得るために、前記インジウムInのターゲットに供給されるスパッタリング電力P1および前記ガリウムGaのターゲットに供給されるスパッタリング電力P2は、当該化合物半導体の当該インジウムInの組成比xと当該インジウムInのターゲットに供給されるスパッタリング電力P1および当該ガリウムGaのターゲットに供給されるスパッタリング電力P2との間にある近似的な関係式から設定されることを特徴とする請求項4ないし7のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。前記基板は、前記少なくとも2つのターゲットのそれぞれに対向する位置に交互に設置されることにより、前記化合物半導体の膜が形成されることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。前記基板は、サファイア、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaN、酸化亜鉛ZnO、石英または非晶質固体ガラスのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。前記少なくとも2つのターゲットの間に、当該少なくとも2つのターゲットのいずれかのターゲットから飛来する粒子が他のターゲットに付着するのを抑制する遮蔽部材を備えることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。前記半導体素子が、半導体発光素子または半導体受光素子であることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。ところで、基板上に結晶性に優れた任意の組成比の化合物半導体の膜を形成することができることが好ましい。特に、Inを含む化合物半導体の膜においては、高いIn濃度を有する化合物半導体の膜が形成できることが好ましい。しかし、特許文献1では、InNの膜の形成が示されているのみであり、特許文献2では、Gaをターゲットに用いたGaNの膜およびGa-75Inのターゲットを用いたInGaNの膜の形成が示されているのみである。バンドギャップを広い範囲で制御するためには、Inの組成比がより広い範囲の膜が形成できることが好ましい。本発明は、広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。かかる目的のもと、本発明が適用される半導体素子の製造方法は、基板上にn型半導体およびp型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるIII族元素による少なくとも2つのターゲットを、V族元素を含むガスによりスパッタリングして、III-V族の化合物半導体の膜を、化合物半導体の組成比に対応させて基板の温度を設定し、基板上に形成する工程を含むことを特徴としている。なお、半導体素子には、半導体発光素子や半導体受光素子等が挙げられる。この化合物半導体は、III族元素の少なくとも2つのターゲットのそれぞれに供給されるスパッタリング電力により化合物半導体の組成比が設定されることを特徴とすることができる。また、基板の温度は、X線回折において、少なくとも2つのターゲットのそれぞれ一方のターゲットをスパッタリングして形成されたそれぞれの化合物半導体の回折ピークが得られる回折角の範囲において、少なくとも2つのターゲットをスパッタリングして形成された化合物半導体から組成比により決まる回折ピークのみが得られる上限の温度より、予め定められた値だけ低く設定されることを特徴とすることができる。さらに、III族元素はインジウムInとガリウムGaとであって、V族元素は窒素Nであって、化合物半導体はInxGa1-xN0<x<1であることを特徴とすることができる。さらにまた、化合物半導体は、化合物半導体中のインジウムInの組成比xとインジウムInのスパッタリング電力P1およびガリウムGaのスパッタリング電力P2とから0.15<x<0.85の範囲で実験的に得られた近似的な関係式から、好ましくはInxGa1-xN0.15<x<0.85であることを特徴とすることができる。そして、予め定められた値は、100°C以上且つ150°C以下であることを特徴とすることができる。そしてまた、InxGa1-xNの膜の形成における基板の温度の上限値Tuは、Tu°C=500×1-x300であることを特徴とすることができる。さらに、InxGa1-xNの膜の形成における基板の温度の下限値Tlは、Tl°C=500×1-x100であることを特徴とすることができる。さらにまた、インジウムInのターゲットに供給されるスパッタリング電力P1およびガリウムGaのターゲットに供給されるスパッタリング電力P2は、化合物半導体のインジウムInの組成比xとインジウムInのターゲットに供給されるスパッタリング電力P1およびガリウムGaのターゲットに供給されるスパッタリング電力P2との間にある近似的な関係式から、設定されることを特徴とすることができる。そして、半導体素子の基板は、少なくとも2つのターゲットのそれぞれに対向する位置に交互に設置されることにより、化合物半導体の膜が形成されることを特徴とすることができる。そしてまた、基板は、サファイア、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaN、酸化亜鉛ZnO、石英または非晶質固体ガラスのいずれかであることを特徴とすることができる。さらに、異なるIII族元素による少なくとも2つのターゲットの間に、少なくとも2つのターゲットのいずれかのターゲットから飛来する粒子が他のターゲットに付着するのを抑制する遮蔽部材を備えることを特徴とすることができる。半導体素子は、半導体発光素子または半導体受光素子であることを特徴とすることができる。本発明によれば、広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子が製造できる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本実施の形態が適用される半導体素子の製造方法に用いられるスパッタリングスパッタ装置1の一例の断面構成を示す図である。また、図2は、図1に示すスパッタリング装置1のII-II断面図である。このスパッタリング装置1は、基板110と、基板110上に成膜される膜の原料となるターゲット第1ターゲット21、第2ターゲット22とが対向して配置された平行平板型の構成を有している。なお、本実施の形態では、ターゲットを2個設けたマルチターゲットとしたが、さらに多数のターゲットを備えていてもよい。また、スパッタリング装置1は、平行平板型に限らず、多角形筒型の基板ホルダを用い、垂直な回転軸の周りを回転しながら膜形成を行うカルーセル型であってもよい。スパッタリング装置1は、内部が減圧状態に維持されてプラズマ放電が形成されるチャンバ10と、チャンバ10内に設置され、第1ターゲット21および第2ターゲット22を保持する第1カソード51および第2カソード52と、基板110を保持し基板110が第1ターゲット21または第2ターゲット22に対向するように基板110を回転させる基板ホルダ60とを備えている。これらのうち、チャンバ10は、円筒状の形状を有し上方に向かう開口が形成されるとともにその内部に第1ターゲット21、第2ターゲット22を収容する収容部11と、円板状の形状を有しこの収容部11の上部に取り付けられ、基板ホルダ60を保持する蓋部12とを備えている。ここで、収容部11および蓋部12は、ステンレス等の金属にて構成されている。また、蓋部12は、収容部11に対して開閉自在に取り付けられており、収容部11に対して閉じられた場合には、収容部11とともにチャンバ10を形成する。なお収容部11と蓋部12とが対向する部位には、図示しないOリング等のシール材が取り付けられている。なお、収容部11および蓋部12は接地されて、電位の基準となっている。また、蓋部12の中央部には、基板ホルダ60の回転軸64を貫通させるための貫通孔が形成されている。そして、この貫通孔と基板ホルダ60の回転軸64との間には、基板ホルダ60を、外気の流入なく回転自在に保持するためのOリング等による軸シール63が設けられている。基板ホルダ60は回転軸64を中心に矢印Aで示す方向に回転するようになっている。さらに、蓋部12の中央部から偏倚した位置には、外部に設けられたガス供給部70からチャンバ10内部にガスを供給するための貫通孔が形成されている。一方、収容部11の底面には、チャンバ10を排気するため、排気管14が貫通形成されている。また、排気管14には、排気速度を調節するため排気速度調整弁81が設けられている。そして、収容部11の底面には、第1ターゲット21および第2ターゲット22を取り付けるための貫通孔が設けられている。第1ターゲット21および第2ターゲット22は、それぞれが第1カソード51および第2カソード52にそれぞれ設けられたターゲットホルダ不図示に固定されている。また、ターゲットホルダと収容部11とは、電気的に絶縁されるとともに、減圧状態が維持できるようOリング等によるシール材を介して固定されている。また、収容部11から延伸して第1ターゲット21および第2ターゲット22の周辺部を覆うシールド部材15が設けられている。シールド部材15は、収容部11の電位に保持され、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の周辺部にプラズマ放電が生じ、ターゲット以外収容部11やターゲットホルダの構成材が膜に混入するのを抑制している。なお、シールド部材15は、収容部11と一体となっている必要はなく、別の部材から構成されていてもよい。さらに、収容部11の側面には、外部から反応室内部を観察するための貫通孔図示せずも形成されている。基板ホルダ60は、膜を形成する面が図1において下側になるように基板110を搭載できるようになっている。第1カソード51および第2カソード52は、高周波RFスパッタリングの場合には、高周波電力がターゲットに効率よく供給されるように、ターゲットホルダに接続されたコイルおよび可変コンデンサ等からなるインピーダンスマッチング回路を備えている。そして、インピーダンスマッチング回路に電力が供給されるようになっている。一方、直流DCスパッタリングの場合には、第1カソード51および第2カソード52のターゲットホルダに直接電力が供給されるようになっている。また、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の近傍に磁界を発生させることにより電子をマグネトロン運動させて高密度なプラズマ放電を形成するマグネトロン方式の場合には、第1カソード51または/および第2カソード52に永久磁石マグネットのモジュールが設けられていてもよい。そして、スパッタリング装置1は、第1ターゲット21および第2ターゲット22のそれぞれに電力を供給する第1電源91および第2電源92を備えている。また、スパッタリング装置1は、基板ホルダ60に電力を供給する第3電源93を備えている。第3電源93は、基板110表面にイオン衝撃を与える逆スパッタリング逆スパッタを可能にする。前述したように、高周波スパッタリングの場合には、これらの電源第1電源91、第2電源92、第3電源93に高周波電源を用いることになる。一方、直流スパッタリングの場合には、これらの電源第1電源91、第2電源92、第3電源93に直流電源を用いることになる。なお、第1電源91を高周波電源とし、第2電源92を直流電源とするように、高周波電源と直流電源とを混在して用いてもよい。これらは形成する膜に応じて選択すればよい。前述したように、スパッタリング装置1の収容部11および蓋部12は接地されている。よって、収容部11および蓋部12と各電源第1電源91、第2電源92、第3電源93との間に、高周波または直流の電圧が印加される。また、スパッタリング装置1は、基板ホルダ60を回転軸64の周りで回転させるための基板ホルダ回転部62を備えている。基板ホルダ回転部62はモータ等で構成されており、回転速度を調整することができるようになっている。さらに、スパッタリング装置1は、基板110の温度を制御する基板加熱/冷却部61を備えている。基板加熱/冷却部61は、中空状の基板ホルダ60の内部に、水等の冷媒を循環させて基板110を冷却するようになっている。また、基板加熱/冷却部61は、基板ホルダ60と蓋部12との間に設けられたハロゲンランプ等のヒータ65により、基板ホルダ60を加熱し、基板ホルダ60を介して基板110を加熱するようになっている。そして、スパッタリング装置1は、供給管13からガスをチャンバ10に供給するガス供給部70を備えている。本実施の形態では、ガス供給部70は、Ar源71から供給されるアルゴンと、N2源72から供給されるV族元素の一例としての窒素との混合ガスを供給するようになっている。なお、アルゴンは不活性ガスであるため、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の材料とは化合物を生成しないが、窒素はターゲット第1ターゲット21および/または第2ターゲット22の材料と反応して窒化物を生成する。なお、窒化物はプラズマ内で生成し、窒化物が粒子として基板110の表面に飛来し、付着すると考えられる。窒化物等の化合物を生成させるスパッタリングは反応性スパッタリングリアクティブスパッタリングと呼ばれる。さらにまた、スパッタリング装置1は、第1ターゲット21の表面を覆う位置後述する図2のBと覆わない位置後述する図2のCとに移動できるように設けられた第1シャッタ41を備えている。同様に、第2ターゲット22に対して第2シャッタ42を備えている。そして、スパッタリング装置1は、第1シャッタ駆動部43および第2シャッタ駆動部44を備えている。第1シャッタ駆動部43および第2シャッタ駆動部44は、それぞれ第1シャッタ41および第2シャッタ42を第1ターゲット21および第2ターゲット22の表面を覆う位置Bから覆わない位置Cへ、また覆わない位置Cから覆う位置Bへと移動させる。また、スパッタリング装置1は、第1ターゲット21と第2ターゲット22との間に、遮蔽部材の一例としての遮蔽板45を備えている。遮蔽板45は、第1ターゲット21に第2ターゲット22からスパッタされた飛び出した粒子原子、分子が付着するのを抑制するようになっている。同様に、第2ターゲット22に第1ターゲット21からスパッタされた飛び出した粒子原子、分子が付着するのを抑制するようになっている。なお、第1シャッタ41または第2シャッタ42を遮蔽部材として、第1ターゲット21によりスパッタリングをしている間、第2シャッタ42を閉じて第2ターゲット22に第1ターゲット21からスパッタされた粒子が付着するのを抑制し、第2ターゲット22によりスパッタリングをしている間、第1シャッタ41を閉じて第1ターゲット21に第2ターゲット22からスパッタされた粒子が付着するのを抑制してもよい。このときは、遮蔽板45を設けなくともよい。スパッタリング装置1は、第1ターゲット加熱/冷却部53および第2ターゲット加熱/冷却部54を備え、第1ターゲット21および第2ターゲット22の温度を、第1カソード51および第2カソード52内の水等の冷媒循環またはヒータ加熱により、個別に設定することができるようになっている。そして、スパッタリング装置1は、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、オイル拡散ポンプなどの真空ポンプを有する排気部80を備え、排気管14を介してチャンバ10の排気を行うことができるようになっている。そして、スパッタリング装置1は、上述した第1シャッタ駆動部43、第2シャッタ駆動部44、第1ターゲット加熱/冷却部53、第2ターゲット加熱/冷却部54、基板加熱/冷却部61、基板ホルダ回転部62、ガス供給部70、排気部80、第1電源91、第2電源92および第3電源93の動作を制御する制御部95を備えている。本実施の形態では、排気速度調整弁81による排気部80の排気速度の制御とガス供給部70のガス供給量の制御とにより、チャンバ10内が予め定められたガス圧に設定されるようになっている。図2は、図1に示すスパッタリング装置1のII-II断面図であって、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22を取り付けた状態における収容部11の底面を見た図である。そして、シャッタ第1シャッタ41および第2シャッタ42が、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の表面を覆わない位置Cシャッタ開の状態に移動した状態を示している。シャッタ第1シャッタ41および第2シャッタ42はターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の表面を覆う位置Bシャッタ閉の状態から覆わない位置Cシャッタ開の状態へ、また覆わない位置Cシャッタ開の状態から覆う位置Bシャッタ閉の状態へと軸Dを中心に矢印E方向に移動することができるようになっている。なお、シャッタ第1シャッタ41および第2シャッタ42は、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22部分に発生したプラズマ放電が安定するまで、基板110に膜が形成されないようにターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22と基板110とを隔てる役割を有している。ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の周囲は、収容部11の底面に接続され、収容部11の底面から設けられたシールド部材15に覆われている。図3は、図1に示すスパッタリング装置1の基板ホルダ60の表面図である。図3では、基板ホルダ60を、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22から見上げた状態で示している。本実施の形態では、基板ホルダ60は、円板状の形状を有し、その外周に近い位置に8枚の基板110を保持できるようになっている。しかし、保持する基板110の枚数や位置は適宜変更してよい。そして、基板ホルダ60は、回転軸64を中心にして、回転するようになっている。基板110上に均一な膜を形成するためには、基板110の中心が、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の中心を通過するように、基板110とターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22との位置関係を設定することが好ましい。また、基板110上に均一な膜を形成するためには、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の直径が、基板110の直径より大きいことが好ましい。なお、本実施の形態では、基板ホルダ60は、矢印Aの方向に回転する。さらに、基板110が自転する機構を設けて、基板110が遊星回転するようにしてもよい。図4は、スパッタリング装置1を用いて製造される半導体素子の一例としての半導体発光素子LCの断面構造を示す図である。この半導体発光素子LCは化合物半導体を用いている。なお、半導体発光素子LCを構成する化合物半導体としては、特に限定されるものではなく、例えば、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、IV-IV族化合物半導体等が挙げられる。本実施の形態では、III-V族化合物半導体が好ましく、中でも、III族窒化物化合物半導体が好ましい。そして、以下では、III族窒化物化合物半導体を有する半導体発光素子LCを例として説明する。なお、例として図4に示す半導体発光素子LCは、青色光を出力する半導体発光素子LCである。この半導体発光素子LCは、基板110と、基板110上に形成された下地層130と、下地層130上に形成されたn型半導体層140と、n型半導体層140上に形成された発光層150と、発光層150上に形成されたp型半導体層160とを備えている。ここで、n型半導体層140は、下地層130側に設けられるn型コンタクト層140aと発光層150側に設けられるn型クラッド層140bとを有している。また、発光層150は、障壁層150aと井戸層150bとが交互に積層され、2つの障壁層150aによって1つの井戸層150bを挟み込んだ構造を有している。さらに、p型半導体層160は、発光層150側に設けられるp型クラッド層160aと最上層に設けられるp型コンタクト層160bとを有する。なお、以下の説明においては、n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160を、まとめて積層半導体層100と称する。半導体発光素子LCにおいては、p型半導体層160のp型コンタクト層160b上に透明正極170が積層され、さらにその上に正極ボンディングパッド180が形成されている。さらに、n型半導体層140のn型コンタクト層140aに形成された露出領域140cに負極ボンディングパッド190が積層されている。基板110基板110は、III族窒化物化合物半導体とは異なる材料から構成され、基板110上にIII族窒化物化合物半導体結晶がエピタキシャル成長される。基板110を構成する材料としては、例えば、サファイア、炭化珪素シリコンカーバイド:SiC、窒化ガリウムGaN、酸化亜鉛ZnO、シリコン、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン、溶融石英石英などの非晶質固体ガラス等が挙げられる。これらの中でも、サファイア、炭化珪素が好ましい。下地層130下地層130に用いる材料としては、Gaを含むIII族窒化物GaN系化合物半導体が用いられ、特に、InxGa1-xN0<x<1InGaN系化合物半導体を好適に用いることができる。下地層130の膜厚は0.1μm以上、好ましくは0.5μm以上、さらに好ましくは1μm以上である。n型半導体層140n型半導体層140は、n型コンタクト層140aおよびn型クラッド層140bから構成される。ここで、n型コンタクト層140aとしては、下地層130と同様にInGaN系化合物半導体が用いられる。また、下地層130およびn型コンタクト層140aを構成するInGaN系化合物半導体は同一組成であることが好ましく、これらの合計の膜厚を0.1μm~20μm、好ましくは0.5μm~15μm、さらに好ましくは1μm~12μmの範囲に設定することが好ましい。一方、n型クラッド層140bは、AlGaN、GaN、InGaN等によって形成することが可能である。また、これらの構造をヘテロ接合したものや複数回積層した超格子構造を採用してもよい。n型クラッド層140bとしてInGaN系化合物半導体を採用した場合には、そのバンドギャップを、発光層150のInGaN系化合物半導体のバンドギャップよりも大きくすることが望ましい。n型クラッド層140bの膜厚は、好ましくは5nm~500nm、より好ましくは5nm~100nmの範囲である。発光層150発光層150は、GaN系化合物半導体からなる障壁層150aと、InGaN系化合物半導体からなる井戸層150bとが交互に繰り返して積層され、且つ、n型半導体層140側及びp型半導体層160側にそれぞれ障壁層150aが配される順で積層して形成される。本実施の形態において、発光層150は、6層の障壁層150aと5層の井戸層150bとが交互に繰り返して積層され、発光層150の最上層及び最下層に障壁層150aが配され、各障壁層150a間に井戸層150bが配される構成となっている。井戸層150bには、InGaN系化合物半導体として、例えば、InyGa1-yN0<y<1等を用いることができる。また、障壁層150aとしては、井戸層150bよりもバンドギャップエネルギーが大きいAlcGa1-cN0≦c≦0.3等のGaN系化合物半導体を好適に用いることができる。井戸層150bの膜厚としては、特に限定されないが、量子効果の得られる程度の膜厚であることが好ましい。p型半導体層160p型半導体層160は、p型クラッド層160aおよびp型コンタクト層160bから構成される。p型クラッド層160aとしては、好ましくは、AldGa1-dN0<d≦0.4のものが挙げられる。p型クラッド層160aの膜厚は、好ましくは1nm~400nmであり、より好ましくは5nm~100nmである。一方、p型コンタクト層160bとしては、AleGa1-eN0≦e<0.5を含んでなるGaN系化合物半導体層が挙げられる。p型コンタクト層160bの膜厚は、特に限定されないが、10nm~500nmが好ましく、より好ましくは50nm~200nmである。透明正極170透明正極170を構成する材料としては、例えば、ITOIn2O3-SnO2、AZOZnO-Al2O3、IZOIn2O3-ZnO、GZOZnO-Ga2O3等の従来公知の材料が挙げられる。また、透明正極170の構造は特に限定されず、従来公知の構造を採用することができる。透明正極170は、p型半導体層160上のほぼ全面を覆うように形成しても良く、格子状や樹形状に形成しても良い。正極ボンディングパッド180透明正極170上に形成される電極としての正極ボンディングパッド180は、例えば、従来公知のAu、Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Ta、Ni、Cu等の材料から構成される。正極ボンディングパッド180の構造は特に限定されず、公知の構造を採用することができる。正極ボンディングパッド180の厚さは、例えば100nm~2000nmの範囲内であり、好ましくは300nm~1000nmの範囲内である。負極ボンディングパッド190負極ボンディングパッド190は、基板110上に成膜された下地層130の上にさらに成膜された積層半導体層100n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160において、n型半導体層140のn型コンタクト層140aに接するように形成される。このため、負極ボンディングパッド190を形成する際は、p型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140の一部を除去し、n型コンタクト層140aの露出領域140cを形成し、この上に負極ボンディングパッド190を形成する。負極ボンディングパッド190の材料としては、正極ボンディングパッド180と同じ組成構造でもよく、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。半導体発光素子LCの製造方法まず、予め定められた直径と厚さとを有するサファイア製の基板110を、図1に示すスパッタリング装置1にセットする。そして、スパッタリング装置1にて、基板110上に、III族窒化物化合物半導体からなる下地層130を形成する。続いて、下地層130が形成された基板110上に、図示しないMOCVD装置により、n型コンタクト層140aを形成し、n型コンタクト層140aの上にn型クラッド層140bを形成する。さらに、n型クラッド層140bの上に発光層150すなわち障壁層150aと井戸層150bとを交互に形成し、発光層150の上にp型クラッド層160aを形成し、p型クラッド層160aの上にp型コンタクト層160bを形成する。さらに、p型コンタクト層160b上に透明正極170を積層し、その上に正極ボンディングパッド180を形成する。また、エッチング等を用いてn型コンタクト層140aに露出領域140cを形成し、この露出領域140cに負極ボンディングパッド190を設ける。その後、基板110の下地層130の形成面とは反対の面を、予め定められた厚さになるまで研削及び研磨する。そして、基板110の厚さが調整されたウェハを、例えば350μm角の正方形に切断することにより、半導体発光素子LCを得る。なお、サファイア製の基板110を用いた半導体発光素子LCにおいては、サファイア製の基板110と下地層130との間に、格子定数の違いを緩和するためにAlNやAlGaNの中間層が設けられることがある。しかし、本実施の形態では、結晶性に優れた下地層130が基板110上に直接形成できることから、中間層を設けていない。では、上述した半導体発光素子LCの製造方法におけるスパッタリング装置1の動作について説明する。スパッタリング装置1の動作図5は、基板110上に下地層130を形成する方法を説明するためのフローチャートである。以下では、図1を参照しつつ、図5に示す基板110上に下地層130を形成するためのフローチャートを説明する。まず、第1ターゲット21として板状のIII族元素の一例としての金属インジウムInが第1カソード51のターゲットホルダに取り付けられ、第2ターゲット22として板状のIII族元素の一例としての金属ガリウムGaが第2カソード52のターゲットホルダに取り付けられる。金属ガリウムGaは、融点が29.8°Cであるので、スパッタリング中の温度上昇により溶融しやすい。そこで、溶融による流出を抑制するため、銅Cuなどで造られたシャーレ状の容器に入れて第2カソード52のターゲットホルダに設置するのが好ましい。そして、予め定められた直径と厚さとを有するサファイア製の8枚の基板110を、スパッタリング装置1の蓋部12を開けて、基板ホルダ60上に設置するステップ201。このとき、下地層130を形成する面が基板ホルダ60の外側を向くように設置する。なお、サファイア製の基板110としては、例えば、表面がサファイア結晶のC面に対して0.35°のオフセット角を設けたものを使用しうる。その後、蓋部12を閉じて、収容部11と蓋部12とを密着させる。そして、排気部80により、スパッタリング装置1のチャンバ10が予め定められた真空度になるまで排気される。基板ホルダ回転部62により基板ホルダ60の回転が開始される。すると、基板ホルダ60が図1に示す矢印A方向に回転する。回転速度は、例えば5rpm以上である。第1ターゲット加熱/冷却部53および第2ターゲット加熱/冷却部54により、第1ターゲット21および第2ターゲット22がそれぞれ予め定められた温度に設定されるステップ202。第1ターゲット21と第2ターゲット22とは異なる温度に設定されてもよい。ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の温度としては、例えば、20°C、40°C等が用いうる。金属ガリウムGaの第2ターゲット22は、20°Cとすれば、固体状態が保たれるが、40°Cとすれば、液体状態になっている。さらに、基板加熱/冷却部61により、基板110の温度が予め定められた温度に設定されるステップ203。基板110の温度としては、形成されるInxGa1-xN0<x<1からなる化合物半導体の組成によって設定する。基板110の温度については後述する。なお、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22および基板110の温度は、ターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の近傍および基板ホルダ60に取り付けられた熱電対などの温度計測手段によって計測され、それぞれの温度が第1ターゲット加熱/冷却部53、第2ターゲット加熱/冷却部54、基板加熱/冷却部61によって、予め定められた温度範囲に制御される。ガス供給部70により、予め定められた流量の窒素がチャンバ10に供給される。そして、排気速度調整弁81により排気速度を調整して、チャンバ10内が予め定められたガス圧に調整される。次に、基板110表面の吸着ガスや汚れ等を除去するため、第3電源93により基板ホルダ60に高周波電力が供給され、予め定められた時間、基板ホルダ60上の基板110の表面がスパッタリング逆スパッタリングされるステップ204。なお、逆スパッタリングにおいては、基板110表面が荒れるのを抑制するため、質量の大きなアルゴンを混合せず、窒素のみで行うのが好ましい。ついで、ガス供給部70により、予め定められた流量のアルゴンと窒素とがチャンバ10に供給される。そして、排気速度調整弁81により排気速度を調整して、チャンバ10内が予め定められたガス圧に調整される。例えば、アルゴンの流量を2sccm、窒素の流量を50sccm~100sccmとすることができる。窒素の流量は上記の逆スパッタリングの時と同じでなくともよい。なお、窒素は、III族窒化物化合物半導体を形成するための反応ガスなので、0とすることはできないが、100としてもよい。そして、第1シャッタ41および第2シャッタ42を共にシャッタ閉の状態で、第1ターゲット21および第2ターゲット22のそれぞれに第1電源91および第2電源92から予め定められた高周波電力または直流電力を供給して、第1ターゲット21および第2ターゲット22の表面近傍にプラズマ放電を発生させる。プラズマ放電が安定したところで、第1シャッタ41および第2シャッタ42をシャッタ開の位置に移動させて、基板110表面に下地層130を形成するステップ205。本実施の形態では、回転する基板ホルダ60上の基板110は、第1ターゲット21と第2ターゲット22とに対向する位置を交互に通過する。したがって、第1ターゲット21から飛来した粒子と第2ターゲット22から飛来した粒子とが交互に積層されていき、これらの粒子が混合した膜が形成される。そして、第1ターゲット21から飛来する粒子と第2ターゲット22から飛来する粒子との割合はそれぞれのターゲットに供給される電力により調整することができるようになっている。すなわち、III族窒化物化合物半導体の膜の組成比例えば、後述するInxGa1-xN0<x<1のIn濃度xおよびGa濃度1-xが、第1ターゲット21に供給される第1スパッタリング電力P1後述する図6参照と第2ターゲット22に供給される第2スパッタリング電力P2後述する図6参照とによって決められる。そして、予め定められた膜厚の下地層130が形成されたら、第1シャッタ41および第2シャッタ42をそれぞれシャッタ閉の位置に移動させて、膜の形成を終了する。下地層130の膜厚は、予め行なった膜形成における膜厚と形成時間との関係から、膜形成時間シャッタ開からシャッタ閉までの時間により制御すればよい。この後、プラズマ放電を停止するとともに、チャンバ10からガスを排気する。次に、基板110の温度およびターゲット第1ターゲット21および第2ターゲット22の温度が、チャンバ10内を大気圧に戻してよい状態になるまで待つ。そして、ガス供給部70により窒素をチャンバ10内に供給する等により大気圧に戻し、蓋部12を開けて、下地層130が形成された基板110を取り出す。以上のようにして、スパッタリング装置1により、基板110上にIII族窒化物である下地層130が形成される。そして、前述した半導体発光素子LCの製造方法を経て、図4に示す半導体発光素子LCが製造される。なお、上述した半導体発光素子LCの製造方法では、スパッタリング装置1を用いて基板110上に下地層130の形成を行っている。これに引き続く、n型半導体層140、発光層150、p型半導体層160についても、スパッタリング装置1を用いて、上述したと同様の手順により形成することができる。一方、本発明では、前述したスパッタリング装置1を用いて製造される半導体素子の他の一例として、半導体受光素子太陽電池図示しないを挙げることができる。そして、半導体受光素子では、一例として化合物半導体を用いることができる。なお、半導体受光素子を構成する化合物半導体としては、特に限定されるものではなく、例えば、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、IV-IV族化合物半導体等が挙げられる。本実施の形態では、III-V族化合物半導体が好ましく、中でも、III族窒化物化合物半導体が好ましい。そして、III族窒化物化合物半導体を有する半導体受光素子の例としては、特開2008-235878号公報に記載された断面構造や平面図例えば図1~図4を採用することができる。また、半導体受光素子の製造方法でも、予め定められた直径と厚さとを有する基板110例えば、サファイアを、図1に示すスパッタリング装置1にセットする。そして、スパッタリング装置1にて、基板110上に、III族窒化物化合物半導体からなる膜を形成する。このようなIII族窒化物化合物半導体からなる膜としては、InxGa1-xN0<x<1であることを特徴とすることができる。このように、半導体受光素子の製造方法においても、前述の半導体発光素子LCの製造方法で述べた方法を好ましく採用することができる。次に、スパッタリング装置1を用いて形成した化合物半導体InxGa1-xNについて説明する。ここでは、第1ターゲット21をInのターゲットInターゲットとし、第2ターゲット22をGaのターゲットGaターゲットとした。そして、Inターゲット第1ターゲット21に供給される第1スパッタリング電力P1とGaターゲット第2ターゲット22に供給される第2スパッタリング電力P2との比率を異ならせて膜の形成を行った。図6は、スパッタリング装置1を用いて形成した化合物半導体InxGa1-xNの膜におけるInの組成比In濃度xと、スパッタリング電力比P1/P1P2図6では、P1In/P1InP2Gaと表記する。との関係を示す図である。図6の横軸がスパッタリング電力比P1In/P1InP2Ga、縦軸がIn濃度xである。スパッタリング電力比P1In/P1InP2Gaは、Inターゲットに供給される第1スパッタリング電力P1およびGaターゲットに供給される第2スパッタリング電力P2から求めた。InxGa1-xNにおけるInの組成比In濃度xは、X線回折における回折角2θから求めた。なお、Inの組成比In濃度xをInの組成比xと表記することがある。図6から分かるように、Inの組成比In濃度xとスパッタリング電力比P1In/P1InP2Gaとの関係は、0.15<x<0.85の範囲において、一つの直線で近似できる。そして、この直線関係式は、x=1.21×P1In/P1InP2Gaで表される。このことから、化合物半導体InxGa1-xN膜のInの組成比In濃度xは、上記の式に基づいてInターゲット第1ターゲット21に供給される第1スパッタリング電力P1とGaターゲット第2ターゲット22に供給される第2スパッタリング電力P2とを調整することにより、任意に設定できる。なお、スパッタリング装置1と異なる構成のスパッタリング装置であっても、上記のスパッタリング電力比が同じであれば、同様なInの組成比In濃度xのInxGa1-xNの膜が形成されうる。では次に、本発明の実施例について説明を行うが、本発明は実施例に限定されない。本発明者は、図1に示すスパッタリング装置1を用いて、図5に示すフローチャートによって、サファイア製の基板110上にIII族窒化物化合物半導体の膜下地層130の形成を行った。そして、膜の結晶性および膜の平坦性について検討を行った。なお、膜の結晶性は、CuのKα線CuKα波長0.15418nmを用いたX線回折XD:X-rayDiffractionにより評価し、膜の平坦性は、透過型電子顕微鏡TEMによる断面観察断面像で評価した。また、膜の組成比In濃度xおよびGa濃度1-xは、X線回折による回折ピークが現れる位置回折角2θから求めた。実施例1、2、比較例1~6図7は、実施例1、2および比較例1~6における各種製造条件と評価結果との関係を示す図である。サファイア製の基板110は直径2インチ約50mmのものを、InターゲットおよびGaターゲットはそれぞれ直径4インチ約100mmのものを用いた。ここで、図7には、製造条件として、金属インジウムInの第1ターゲット21Inターゲットに供給される第1スパッタリング電力P1InW、金属ガリウムGaの第2ターゲット22Gaターゲットに供給される第2スパッタリング電力P2GaW、基板110の温度基板温度Ts°C、膜形成時間分を記載している。また、評価結果として、膜中の組成比を表すGa濃度1-xおよびIn濃度x、表面平坦性を示す表面凹凸の程度、そしてX線回折XDデータにおける回折ピークの半値幅およびInピークの有無を示している。実施例1、2および比較例1~4では、Inターゲット第1ターゲット21に第1スパッタリング電力P1を供給するとともに、Gaターゲット第2ターゲット22に第2スパッタリング電力P2を供給した。このため、基板110上にInターゲット第1ターゲット21から飛来する粒子と、Gaターゲット第2ターゲット22から飛来する粒子とが堆積するように、基板ホルダ60を5rpmで回転させた。一方、比較例5では、Inターゲット第1ターゲット21に第1スパッタリング電力P1を供給し、Gaターゲット第2ターゲット22には電力を供給していない。このため、基板ホルダ60を回転させないで、基板110がInターゲット第1ターゲット21に対向するようにし固定した。同様に、比較例6では、Gaターゲット第2ターゲット22に第2スパッタリング電力P2を供給し、Inターゲット第1ターゲット21には電力を供給していない。このため、基板ホルダ60を回転させないで、基板110がGaターゲット第2ターゲット22に対向するように固定した。なお、膜の形成は、チャンバ10内にN2を100sccmおよびArを2sccm供給するとともに、ガス圧が2Paになるように制御して行った。基板温度Tsは、実施例1では300°Cに、実施例2、比較例2~4および比較例6では600°Cに設定した。そして、比較例1では500°Cに、比較例5では200°Cに設定した。実施例1、2および比較例1~4の膜形成時間は10分または20分とした。成膜された膜厚は、膜形成時間が10分では約10nm、20分では約20nmである。一方、比較例5、6では基板ホルダ60を回転させていないので、膜形成時間は5分とした。なお、Gaターゲット第2ターゲット22の温度第2カソード52の温度は、実施例1および比較例1~4、5では20°Cとし、実施例4では40°Cに設定した。Gaは融点が29.8°Cであるので、Gaターゲットは、温度が20°Cのときは固体状態を保っているが、40°Cのときは液体状態になっている。なお、Gaターゲット第2ターゲット22を20°Cに設定しても、40°Cに設定しても、結果に差はなかった。図7に示すように、実施例1、2および比較例1~6では、Inターゲット第1ターゲット21とGaターゲット第2ターゲット22とを用いる成膜するとともに、これらのターゲットに供給する電力の比P1/P2を異ならせてInxGa1-xN0<x<1の化合物半導体の膜を形成している。一方、比較例5では、Inターゲット第1ターゲット21のみで成膜しているので、InNの膜が形成されている。同様に、比較例6では、Gaターゲット第2ターゲット22のみで成膜しているので、GaNの膜が形成されている。膜の組成比Ga濃度1-xおよびIn濃度x、膜の表面の平坦性を示す表面凹凸および膜の結晶性を示すX線回折XDにおける回折ピークの半値幅、Inの回折ピークInピークについては、後述する図8~図11の説明において詳述する。図8~図11は、実施例1、2および比較例1~6の膜のX線回折データとTEMによる膜の断面写真断面像を示している。図8は、実施例1、2、図9は比較例1、2、図10は比較例3、4、図11は比較例5、6のX線回折データとTEMによる断面写真を示す図である。比較例1を除いて、X線回折データを左に断面写真を右に、それぞれ組にして示している。比較例1ではX線回折データのみを示している。なお、X線回折データは、回折角2θで20°から40°の範囲を示している。InNは六方晶系のウルツァイト構造a=0.548nm、c=0.576nmを有している。六方晶系では、c軸の中間にも格子面を有している。よって、InNでは、X線回折において、0002面から回折角2θ31.2°の位置に回折ピークが現れる。一方、InNと同様のウルツァイト構造を有するGaN結晶a=0.3186nm、c=0.5176nmでは、X線回折において、0002面から回折角2θが34.5°の位置に回折ピークが現れる。そして、組成が一様で結晶性が良いInxGa1-xNの化合物半導体の膜では、31.2°と34.5°との間に、0002面からの回折ピークを1つ有するX線回折データが得られる。一方、析出しやすいInが析出すると、金属相のInが混在して、InxGa1-xNからの回折ピークとInからの回折ピーク回折角2θが33°とが現れる。また、膜の結晶性が優れていると、回折ピークの半値幅は狭く、膜の結晶性が劣ると、回折ピークの半値幅が広くなる。さらに、膜がアモルファス状態であると、明瞭な回折ピークは得られない。このように、X線回折データにより、膜の結晶性が判断できる。一方、TEMにより膜の断面断面像を観察すれば、膜の表面の平坦性に関わる凹凸の程度が判断できる。図8に示す実施例1、2について説明する。図8aに示す実施例1の膜では、32°に1つの回折ピークが見られる。この回折角から、実施例1の膜の組成比はGa濃度1-xが0.21、In濃度xが0.79であると算出される。そして、31.2°と34.5°との間の回折ピークが1つであって、回折ピークの半値幅半分のピーク強度における回折角の差が0.27°と小さいことから、結晶性に優れた膜が形成されていると判断できる。さらに、TEMによる膜の断面像から、緻密で表面の凹凸が少なく、表面の平坦性に優れた膜となっていることが分かる。同様に、図8bに示す実施例2の膜では、33.9°に1つの回折ピークが見られる。この回折角から、実施例2の膜の組成比はGa濃度1-xが0.80、In濃度xが0.20であると算出される。そして、31.2°と34.5°との間の回折ピークが1つであって、回折ピークの半値幅が0.27°と小さいことから、結晶性に優れた膜が形成されていると判断できる。また、TEMによる膜の断面像から、緻密で表面の凹凸が少なく、表面の平坦性に優れた膜となっていることが分かる。次に、図9に示す比較例1、2について説明する。図9aに示す比較例1の膜では、31.3°と33°とに2つの回折ピークが見られる。33°の回折ピークは、析出したInからの回折ピークである。そして、31.3°の回折角から、比較例1の膜の組成比は、Ga濃度1-xが0.10、In濃度xが0.90であると算出できる。析出した金属相のInからの回折ピークが見られることから、比較例1では、InxGa1-xNの一様な膜が形成されているとは言えない。また、31.3°の回折ピークの半値幅は、0.45°であって、実施例1、2に比べて大きくなっている。図9bに示す比較例2の膜では、32.2°に1つの回折ピークが見られる。この回折角から、比較例2の膜の組成比は、Ga濃度1-xが0.35、In濃度xが0.65と算出される。そして、31.2°と34.5°との間の回折ピークが1つであることから、一見結晶性に優れた膜が形成されているように見える。しかし、回折ピークの半値幅は0.43°と、実施例1、2に比べて大きくなっている。そして、TEMによる膜の断面像を見ると、膜が柱状に成長し、その柱間に隙間が生じた状態歯抜け状態になっている。すなわち、比較例2の膜は、X線回折データからは結晶性に優れた膜のように見えるが、TEMによる膜の断面像から、表面に凹凸を有する膜であって表面の平坦性に劣ることが分かる。膜の表面の平坦性が劣ると、その膜の上にさらに半導体層をエピタキシャル成長させて、半導体素子を形成することを困難にしてしまう。次に、図10に示す比較例3、4について説明する。図10aに示す比較例3の膜では、32.7°に1つの回折ピークが見られる。この回折角から、比較例3の膜の組成比は、Ga濃度1-xが0.45、In濃度xが0.55と算出される。そして、31.2°と34.5°との間の回折ピークが1つであることから、一見結晶性に優れた膜が形成されているように見える。しかし、回折ピークの半値幅は0.40°と、実施例1、2に比べて大きくなっている。そして、TEMによる膜の断面像を見ると、比較例3と同様に、膜が柱状に成長し、その柱間に隙間が生じた状態歯抜け状態になっている。すなわち、比較例3の膜は、X線回折データでは結晶性に優れた膜のように見えるが、TEMによる膜の断面像から、表面に凹凸を有する膜であって表面の平坦性に劣ることが分かる。図10bに示す比較例4の膜では、32.8°に1つの回折ピークが見られる。この回折角から、比較例4の膜の組成比は、Ga濃度1-xが0.53、In濃度xが0.47と算出される。そして、31.2°と34.5°との間に回折ピークが1つであることから、一見結晶性に優れた膜が形成されているように見える。しかし、回折ピークの半値幅は0.47°と、実施例1、2に比べて大きくなっている。そして、TEMによる膜の断面像を見ると、比較例1、2と同様に、膜が柱状に成長し、その柱間に隙間が生じた状態歯抜け状態になっている。すなわち、比較例4の膜は、X線回折データでは結晶性に優れた膜のように見えるが、TEMによる膜の断面像からは、表面に凹凸を有する膜であって表面の平坦性に劣ることが分かる。さらに、図11に示す比較例5、6について説明する。図11aに示す比較例5の膜は、Inターゲット第1ターゲット21のみで膜が形成されているので、InNの膜である。よって、回折角2θ31.2°に1つの回折ピークを有している。また、半値幅は0.27°である。そして、TEMによる膜の断面像を見ると、実施例1、2と同様に、緻密で表面の凹凸が少なく、表面の平坦性に優れた膜となっていることが分かる。同様に、図11bに示す比較例6の膜は、Gaターゲット第2ターゲット22のみで膜が形成されているので、GaNの膜である。よって、回折角2θ34.5°に1つの回折ピークを有している。また、半値幅は0.33°である。そして、TEMによる膜の断面像を見ると、実施例1、2と同様に、緻密で表面の凹凸が少なく、平坦性に優れた膜となっていることが分かる。すなわち、InNである比較例5の膜、GaNである比較例6の膜は、結晶性に優れるとともに、緻密で表面の凹凸が少なく、表面の平坦性に優れた膜である。なお、図7には、以上説明した実施例1、2および比較例1~6のそれぞれの膜の平坦性を示す表面の凹凸表面凹凸およびX線回折データXDにおける半値幅およびInの回折ピークInピークの有無についての評価結果を示している。図12は、実施例1、2および比較例1~6について、Ga濃度1-xと基板110の温度基板温度Tsとの関係を示す図である。図12では、Ga濃度1-xと基板110の温度基板温度Tsとの関係において、5つの領域α、β、γ、δ、εに分けている。α領域は、境界線ITs°C=500×1-x420より基板温度Tsが大きい領域である。β領域は、境界線Iと境界線IITs°C=500×1-x300とで挟まれた基板温度Tsの領域である。γ領域は、境界線IIと境界線IIITs°C=500×1-x100とで挟まれた基板温度Tsの領域である。δ領域は、境界線IIIと境界線IVTs°C=100~150とで挟まれた領域である。そして、ε領域は、境界線IVよりも基板温度Tsが低い領域である。前述したように、X線回折データから判断される結晶性およびTEMによる断面像による表面の平坦性が良好な実施例1、2および比較例5、6は、境界線IIと境界線IIIとの間のγ領域にある。これに対し、X線回折データからは結晶性が良好に見えるが、TEMによる断面像による表面の平坦性が劣る比較例2~4は、境界線Iと境界線IIとの間のβ領域にある。そして、X線回折データにおいて、金属相のInからの回折ピークが見られる比較例1は、境界線Iより上のα領域にある。以上のことから、膜の結晶性および表面の平坦性は、基板温度Tsおよび膜の組成比Ga濃度1-xおよびIn濃度xに依存して設定された、上記の5つの領域によって異なると考えられる。すなわち、α領域では、金属相のInが出現し、一様なInxGa1-xNの膜が得られない領域である。一般に、金属相のInの出現は、400°C以上において見られるとされているが、図12に示すように、金属相のInが出現する温度の下限値は、膜の組成比によって変化し、Ga濃度1-xが高いほど、すなわちIn濃度xが低いほど、高くなっていく。また、金属相のInが出現するとともに、InxGa1-xNからの回折ピークの半値幅もγ領域の膜に比べ大きく具体的には、半値幅≧0.4°、InxGa1-xNの結晶性も劣っている。次に、β領域では、結晶の成長する方向が基板110に垂直な方向であって、柱状に結晶が形成される。そして、柱間に隙間が生じた状態歯抜け状態になる。このため、膜の表面は凹凸が多く、この上に半導体層をエピタキシャル成長させる膜としては好ましくない。なお、析出した金属相のInによる回折ピークは見られないが、InxGa1-xNからの回折ピークの半値幅はγ領域の膜に比べ大きく具体的には、半値幅≧0.4°、InxGa1-xNの結晶性も劣っている。そして、γ領域では、結晶の成長する方向が、基板110に垂直な方向および基板110に並行な方向であって、隙間がなく連続した緻密な結晶膜が得られる。このため、回折ピークの半値幅はもっとも小さくなる具体的には、半値幅<0.4°。そして、金属相の析出物による回折ピークも見られない。このため、γ領域の膜は、表面の凹凸も少なく、この上に半導体層をエピタキシャル成長させる膜として好ましい。さらに、δ領域では、膜の表面は連続で平坦性がよいが、基板温度Tsが低いために、基板110上でスパッタされた粒子の移動マイグレーションが小さく、結晶が大きく成長しにくい。よって、膜は、微細な結晶が集合した状態になる。よって、回折ピークの半値幅は、γ領域の膜に比べ大きく具体的には、半値幅≧0.4°なる。このため、δ領域の膜は、この上に半導体層をエピタキシャル成長させる膜として好ましくない。加えて、ε領域では、基板温度Tsが低いために、基板110上でスパッタされた粒子のマイグレーションがさらに小さく、結晶が成長しにくい。このため、膜はアモルファス状態になる。すなわち、X線回折データにおいて、回折ピークはブロードか、明瞭な回折ピークを示さない。このため、ε領域の膜は、この上に半導体層をエピタキシャル成長させる膜として好ましくない。以上説明したように、X線回折データにおいて、いずれか一方のターゲットのみで形成した化合物半導体InNとGaNの膜からそれぞれ得られる回折ピークの回折角2θの間において、β領域の膜のように、化合物半導体InxGa1-xNの回折ピークのみが見られても、その膜が結晶性とともに表面の平坦性においても優れていると判断できない。前述したように、β領域では、基板温度Tsが高いために、結晶の成長する方向が基板110に対して垂直な方向となって、膜の表面に凹凸を生じてしまっている。これに対して、β領域の上限の温度境界線Iより、120°C低い基板温度Tsを上限の温度境界線IIとするδ領域においては、結晶性および表面の平坦性に優れた膜が形成できている。このことから、化合物半導体InxGa1-xNの成膜において、化合物半導体InxGa1-xNの回折ピークのみが見られる基板110の上限の温度より、120°Cより低い温度を上限とすることが好ましい。境界線Iと境界線IIとの差を一例として120°Cとしたが、100°C以上且つ150°C以下であればよい。そして、窒化インジウムInNと窒化ガリウムGaNとの化合物である化合物半導体InxGa1-xNの性質は、それぞれの化合物の性質と組成比Ga濃度1-x、In濃度xとによって変化する。In濃度xが高いとインジウムInと窒素Nとが解離する温度が低く、Ga濃度1-xが高いとインジウムInと窒素Nとが解離する温度が高くなる。インジウムInが解離すると金属相が出現し、金属相のインジウムInからの回折ピークがX線回折データで測定されるようになる。インジウムInの金属相があるかないかの境界を境界線Iに示す。そして、金属相が混じっていない状態でも基板温度Tsが高いと、比較的エネルギーの高い結晶面である0002面が優先的に成長するため、横方向の成長が抑制され、表面が凹凸状態の膜が形成される。このような表面形状を呈するか呈しないかの境界が境界線IIとなり、これより低い基板温度Tsでは平滑な面を示し、インジウムInの金属相も示さない。境界線IIIより低い基板温度Tsでは結晶性も悪くなり、さらに境界線IVより基板温度Tsが低いとアモルファス化が進み、半導体の材料としての特性を示すことがなくなる。そして、この基板温度Tsに対する境界線I、II、IIIは、Ga濃度1-xに対して、図12に示したように、直線で近似できる。よって、結晶性および表面の平坦性に優れたInxGa1-xNの化合物半導体の膜を形成するには、境界線IIと境界線IIIとの間の基板温度Ts境界線IIおよび境界線IIIの温度を含む。を用いるのが好ましい。すなわち、基板温度Tsの上限値Tuは、Tu°C=500×1-x300であって、基板温度Tsの下限値Tlは、Tl°C=500×1-x100である。なお、ここでは、基板ホルダ60を回転させて、第1ターゲット21Inターゲットと第2ターゲット22Gaターゲットとからの粒子を基板110上に交互に堆積した。しかし、第1ターゲット21Inターゲットと第2ターゲット22Gaターゲットとを基板110に近接して配置し、2つのターゲットInターゲットおよびGaターゲットからの粒子を同時に基板110上に堆積コスパッタリングしてもよい。本実施の形態では、半導体素子の一例として、半導体発光素子LCについて主に述べたが、特開2008-235878号公報に記載のさまざまなIn濃度xInxGa1-xNからなる化合物半導体膜において、0<x<1の範囲を有する半導体受光素子も製造することができる。特に、本実施の形態では、In濃度xが0.7以上を含む範囲においても化合物半導体膜を任意の異種基板上に大面積かつ低コストで形成することができる。さらに、本発明は電子デバイスに適用することも可能である。