"2つの半導体スイッチング素子を直列接続した半導体モジュールの複数個を、直流端子間に並列接続して形成される電力変換装置であって、前記直流端子間にそれぞれ並列に接続された第1の半導体モジュールと第2の半導体モジュールと、前記第1の半導体モジュールの第1の端子に接続される第1の導体板と、前記第2の半導体モジュールの第1の端子に接続される第2の導体板と、前記第1及び第2の半導体モジュールの第2の端子に接続される第3の導体板を備え、前記第1~第3の導体板が積層されて対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板を、前記第2の導体板に電気的に接続するための第1の接続端子と、前記第2の導体板を、前記第1の導体板に電気的に接続するための第2の接続端子とを、前記第1~第3の導体板における他のどの端子間の距離よりも近接させて配置したことを特徴とする電力変換装置。2つの半導体スイッチング素子を直列接続した半導体モジュールの複数個を、直流端子間に並列接続して形成される電力変換装置であって、前記直流端子間にそれぞれ並列に接続された第1の半導体モジュールと第2の半導体モジュールと、前記第1の半導体モジュールの第1の端子に接続される第1の導体板と、前記第2の半導体モジュールの第1の端子に接続される第2の導体板と、前記第1及び第2の半導体モジュールの第2の端子に接続される第3の導体板を備え、前記第1~第3の導体板が積層されて対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板と前記第2の導体板とを電気的に接続し、かつ前記直流端子の一方へ接続する引出し部となる接続端子を、前記第3の導体板から前記直流端子の他方へ接続する引出し部となる2つの接続端子の間に配置したことを特徴とする電力変換装置。請求項1または2において、前記直流端子間に接続された平滑コンデンサを備え、前記第1の導体板と前記第2の導体板とを電気的に接続し、かつ前記直流端子の一方へ接続する引出し部となる接続端子は、前記平滑コンデンサの一端への引出し導体板の端子に接続され、前記第3の導体板は、前記平滑コンデンサの他端の引出し導体板への第3および第4の接続端子を有し、前記第1~第4の接続端子は、前記第1~第3の導体板が対向する面とほぼ平行な面上に、間隔を置いて並べて配置され、前記第1の接続端子と前記第2の接続端子の間隔は、これらと前記第3または第4の接続端子との間隔よりも近接していることを特徴とする電力変換装置。請求項3において、前記第1の接続端子と前記第3の接続端子の間隔は、前記第2の接続端子と前記第4の接続端子の間隔とほぼ等しいことを特徴とする電力変換装置。請求項1または2において、前記第1の接続端子と第2の接続端子は、直接接触するように重ねて接続されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1~5のいずれかにおいて、前記第1の導体板と第2導体板は、同じ形状であることを特徴とする電力変換装置。2つの半導体スイッチング素子を直列接続した半導体モジュールの複数個を、直流端子間に並列接続して形成される電力変換装置であって、前記直流端子間にそれぞれ並列に接続された第1の半導体モジュールと第2の半導体モジュールと、前記第1の半導体モジュールの第1の端子に接続される第1の導体板と、前記第2の半導体モジュールの第1の端子に接続される第2の導体板と、前記第1及び第2の半導体モジュールの第2の端子に接続される第3の導体板とを備え、前記第1~第3の導体板が、積層され対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板と前記第2の導体板および前記直流端子の一方とを電気的に接続する直流第1端子と、前記第3の導体板から前記直流端子の他方へ接続する直流第2端子とを、前記第1~第3の導体板が対向する平面とほぼ平行な方向に、間隔を置いて並べて配置したことを特徴とする電力変換装置。請求項1~7のいずれかにおいて、前記第1および第2の導体板は前記直流端子の正極に接続され、前記第3の導体板は前記直流端子の負極に接続されることを特徴とする電力変換装置。請求項1~8のいずれかにおいて、前記第1及び第2の半導体モジュールの端子間に、それぞれコンデンサを直接接続したことを特徴とする電力変換装置。請求項1~9のいずれかを複数組合せて構成されることを特徴とする電力変換装置。前述したクランプコンデンサを用いた場合、クランプコンデンサが配線導体板で並列に接続されているため、微小抵抗のLC回路となりコンデンサ電圧に差が生じた場合に振動電流が発生する可能性がある。並列接続されたクランプコンデンサ間の回路のインダクタンスが大きいと、両クランプコンデンサ間で電圧差が生じた際の振動電流を抑制できないため、この回路におけるインダクタンスの低減が必要である。特許文献1及び2においては、クランプコンデンサ間に構成される回路のインダクタンスを考慮しておらず、インダクタンスの低減が不十分である。本発明が解決しようとする課題は電力変換装置において、並列接続された半導体スイッチング素子の端子間で構成される回路の配線インダクタンスを低減することである。上記の課題を解決するために、本発明はその一面において、2つの半導体スイッチング素子を直列接続した半導体モジュールの複数個を、直流端子間に並列接続して形成される電力変換装置であって、前記直流端子間にそれぞれ並列に接続された第1の半導体モジュールと第2の半導体モジュールと、前記第1の半導体モジュールの第1の端子に接続される第1の導体板と、前記第2の半導体モジュールの第1の端子に接続される第2の導体板と、前記第1及び第2の半導体モジュールの第2の端子に接続される第3の導体板を備え、前記第1~第3の導体板が積層されて対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板を前記第2の導体板に電気的に接続するための第1の接続端子と、前記第2の導体板を前記第1の導体板に電気的に接続するための第2の接続端子とを、前記第1~第3の導体板における他のどの端子間の距離よりも近接させて配置したことを特徴とする。本発明は他の一面において、2つの半導体スイッチング素子を直列接続した半導体モジュールの複数個を、直流端子間に並列接続して形成される電力変換装置であって、前記直流端子間にそれぞれ並列に接続された第1の半導体モジュールと第2の半導体モジュールと、前記第1の半導体モジュールの第1の端子に接続される第1の導体板と、前記第2の半導体モジュールの第1の端子に接続される第2の導体板と、前記第1及び第2の半導体モジュールの第2の端子に接続される第3の導体板を備え、前記第1~第3の導体板が積層されて対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板と前記第2の導体板とを電気的に接続し、かつ前記直流端子の一方へ接続する引出し部となる接続端子を、前記第3の導体板から前記直流端子の他方へ接続する引出し部となる2つの接続端子の間に配置したことを特徴とする。本発明の望ましい実施態様によれば、並列接続された半導体スイッチング素子の端子間で構成される回路の配線インダクタンスを低減することができる。このため、前記第1及び第2の半導体モジュールの端子間に、それぞれコンデンサを直接接続し、クランプコンデンサを構成した場合には、並列接続されたクランプコンデンサ間で電圧差が生じた際の振動電流を抑制することができる。本発明のその他の目的と特徴は、以下に述べる実施例の中で明らかにする。図13は、本発明を適用したエレベータにおける駆動系の概略構成図である。電源ここでは三相電源とした81からコンバータ1で整流して平滑コンデンサ3で平滑した直流電力をインバータ2により可変周波数可変電圧の交流電力に変換してエレベータの駆動モータ9に供給し、エレベータを駆動している。すなわち、モータ9で綱車91を回転させ、ロープ94で吊るされている乗りかご92及び釣合いおもり93を昇降駆動している。電源への高調波を低減したり、昇圧などのために、電源81とコンバータ1との間にはリアクトル82が接続されることが多い。なお、この他にフィルタ回路等が接続されることが一般的であるが、本発明に直接関係しないので図では省略した。コンバータ1は、三相のレグ11~13から構成され、各相は半導体スイッチング素子ここではIGBTを例にして説明すると環流ダイオードFWDと称するとの並列体例えば1101,1102が、上下一対で構成される。IGBTとFWDは別々の半導体チップで構成されるが、ここでは1つの並列体例えば1101として符号をつけた。インバータ2も、同様に三相のレグ21~23で構成されている。電力変換装置の大容量化のために、半導体スイッチング素子を並列接続することがある。図14は、本発明を適用したエレベータにおける駆動系の主回路を構成する半導体モジュールの並列構成図である。図に示す例では、IGBT及びFWDが上下一対1111と1112内蔵された半導体モジュール111と、同じく1121と1122とが内蔵された半導体モジュール112とが並列接続されている。また、各半導体モジュール111及び112には、スイッチング時の電圧跳ね上がりを抑制するためのクランプコンデンサ41及び42が接続されている。図14において、スイッチング時の電圧跳ね上がりを抑制するために、図示していない平滑コンデンサと半導体モジュールとで構成される一巡回路L1のインダクタンスを低減することが必要である。また、半導体モジュール111と112の電流分担均等化のために、両モジュールのインダクタンスが均等であることが必要であり、これについては、特許文献1の構成で実現できている。一方、前述したように、並列接続されたクランプコンデンサ41及び42間の回路L2のインダクタンスが大きいと、クランプコンデンサ41と42との間で電圧差が生じた際の振動電流を抑制できない。このため、この回路L2におけるインダクタンスを低減することが必要となる。特許文献1及び2においては、図14に示すIGBT並列回路において、図示していない平滑コンデンサとの回路図14中の破線L1に関しては、インダクタンス低減を図るとともに、並列間のインダクタンスを均等化しているが、クランプコンデンサ41と42とで構成される回路図14中の点線L2のインダクタンスを考慮しておらず、クランプコンデンサ41と42との間で電圧差が生じた際の振動電流を抑制することはできない。例えば、特許文献1の図11,12及び14の導体板の構成では、並列クランプコンデンサ間の回路本願図14の点線L2は、直流正極端子P1から、導体板CP1の接続部a2から導体板接続部a3を介して導体板PCに接続され、導体板PCにより、導体板CP2の接続部b3に接続され、導体板CP2の接続部b2により、もう一方のクランプコンデンサに接続される。コンデンサの負極は、直流負極導体板Nの端子c2とc3が、導体板Nで繋がっておりこの部分のインダクタンスは低いが、導体板CP1とCP2との接続部a3とb3とが離れているためインダクタンス低減には向いていない。同様に、特許文献1の図23~24の構成でも、導体板CP1に接続される部分と導体板CP2に接続される部分が離れているためインダクタンス低減には不適である。以下に、並列接続された半導体スイッチング素子の端子間で構成される回路の配線インダクタンスを低減する本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。なお、各図及び各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。図1は、本発明の実施例1による電力変換装置の導体板構造を示す斜視図であり、図2は、その積層導体板の分解斜視図である。特許文献1と同様に、正極P1及び負極N1が片辺に並んで配置された半導体モジュール111及び112を、端子が近付くように配置して並列接続した実装例を示している。配線用の導体板としては、正極側の導体板として、直流正極端子P1に接続される第1の導体板51と、直流正極端子P2に接続される第2の導体板52がある。負極側の導体板としては、直流負極端子N1及び直流負極端子N2とに接続される導体板53がある。これらの3つの導体板が手前から51,53,52の順で、図示は省略した絶縁部を介して積層されている。まず、第1の導体板51は、半導体モジュール111の直流正極端子P1に直接接続される端子511と、平滑コンデンサ3の正極に繋がる導体板61の端子611に接続するための端子512とを備えている。また、第2の導体板52は、半導体モジュール112の直流正極端子P2に直接接続される端子521と、平滑コンデンサ3の正極に繋がる導体板61の端子612に接続するための端子522とを備えている。さらに、第3の導体板53は、半導体モジュール111の直流負極端子N1に直接接続される端子531と、半導体モジュール112の直流負極端子N2に直接接続される端子532とを備えている。これらの端子の様子は、図2の分解斜視図によって、明確に確認できる。ここで、第1の導体板51の、平滑コンデンサ3の正極に繋がる導体板61の端子611に接続するための端子512と、第2の導体板52の、平滑コンデンサ3の正極に繋がる導体板61の端子612に接続するための端子522とが、近接するように中央付近に配置される。すなわち、図1に示す間隔d1と間隔d2の関係は、d1<d2である。端子512と611の接続部と、端子522と612の接続部は、いずれも直流正極であり、一方、端子533と534は、導体板62を介して直流負極に繋がる異なる電位であるため絶縁距離を確保する必要がある。なお、端子512と522は、同電位であるため、絶縁距離は不要である。そのため、前述したように、異なる電位間の接続部の間隔d2に対して同電位の接続部の間隔d1は小さくて良い。同電位であるため間隔d1は零でも良いが、導体板の間に負極導体板53及び絶縁部があるため同じ平面ではない。このため、導体板61が端子512と522に接続される部分は、分ける必要があり、製造誤差を考慮すると数[mm]程度ある方が製造し易い。図3は、本発明の実施例1の効果を説明するための導体板構造の比較を示す斜視図である。図3Aは本発明の実施例1を示しており、同図Bは特許文献1の図12,図14を応用した比較例で、同図Cは特許文献1の図23,図24を応用した比較例である。図14に示したクランプコンデンサ間の回路L2における、正極間を接続した部分を図3において破線で示した。なお、負極間の接続に関してはいずれの場合にも負極側の導体板53を介して接続される。図3BおよびCに示した比較例では、端子512と522とが離れた配置になっていて、回路L2が囲む面積が広くなっているのに対して、図3Aでは、端子512と522とが近接しているためインダクタンスを低減できる。このように、本発明の実施例1によれば、並列接続されたクランプコンデンサ間のインダクタンスの低減により、振動電流を抑制できる。また、図3Cの比較例では、正極側に接続される2つの導体板51及び52は異なる形状となるが、本発明の実施例1では、同じ形状とすることができる。なお、図1~3において、導体板61と62は、正極側導体板61を上側に配置したが、逆に負極側導体板62を上側に配置しても効果は変わらない。また、図1,図2及び図3Aの例では、第1の端子512を図面の右下側に配置して、第2の端子522を図面の左上側に配置したが、両端子の配置を逆に入れ替えても、全く同様に、回路L2の面積を低減し、インダクタンスを低減することができる。図4は、本発明におけるクランプコンデンサの実装構造例を示す斜視図である。これまでの説明において、半導体モジュールの端子及び導体板形状を分かり易くするために省略していたクランプコンデンサ41及び42の実装例を示す。このように半導体モジュール111,112の端子に直接接続することで、低インダクタンス化を図っている。なお、これまでの例では、図14に示すように、クランプコンデンサ41及び42が接続されている場合を前提に説明したが、IGBT自体もオフ状態では静電容量を有しており、スイッチングのタイミングがずれた時などは、これらの間の振動電流が発生する可能性がある。この振動電流を抑制するにはインダクタンスを低減する必要があり、クランプコンデンサを接続しない場合でも本発明は効果がある。以上の実施例1においては、2つの半導体スイッチング素子を直列接続した半導体モジュール111,112,...の複数個を、直流端子間に並列接続して形成される電力変換装置であって、前記直流端子P1,P2-N1,N2間にそれぞれ並列に接続された第1の半導体モジュール111と第2の半導体モジュール112と、前記第1の半導体モジュール111の第1の端子P1に接続される第1の導体板51と、前記第2の半導体モジュール112の第1の端子P2に接続される第2の導体板52と、前記第1及び第2の半導体モジュール111,112の第2の端子N1,N2に接続される第3の導体板53を備え、前記第1~第3の導体板51~53が積層されて対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板51を、前記第2の導体板52に電気的に接続するための第1の接続端子512と、前記第2の導体板52を、前記第1の導体板51に電気的に接続するための第2の接続端子522とを、前記第1~第3の導体板51~53における他のどの端子間の距離よりも近接させて間隔d1配置している。また、言い換えると、前記第1~第3の導体板51~53が積層されて対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板51と前記第2の導体板52とを電気的に接続し、かつ前記直流端子の一方へ接続する引出し部となる接続端子512および/または522を、前記第3の導体板53から前記直流端子の他方へ接続する引出し部となる2つの接続端子533と534の間に配置している。図5は、本発明の実施例2による電力変換装置の導体板構造を示す斜視図であり、図6はその積層導体板の分解斜視図である。ここで、負極側の導体板53および62については、図1及び図2に示す実施例1と同じ構造である。正極側については、第1の接続端子512と第2の接続端子522とが直接接触して電気的に接続されるとともに、導体板61の接続端子611とも直接接続される構造になっている。このような構成とすることによって、より一層、クランプコンデンサ間の回路が囲む面積を低減できるため、インダクタンス低減の効果が大きい。一方、図6に示すように、正極側の導体板51及び52は同じ形状ではあるが、接続部を曲げ加工する必要があるとともに、接続部付近の絶縁確保にも留意する必要がある。図7は本発明の実施例3による電力変換装置の導体板構造を示す斜視図であり、図8はその積層導体板の分解斜視図である。接続端子512及び522を直接接触させることによって電気的に接続している点は、実施例2と同様である。ここでは、負極側の接続端子533を分割せずに1箇所とした。このため、接続端子の絶縁確保のための空隙が1箇所で良いため、接続端子の導体部の幅を広げることが可能である。ただし、接続端子533が直流負極端子N1に近く、もう1つの直流負極端子N2には遠くなるため、平滑コンデンサ3へ負極側の導体板62を介して流れる電流が不均等になる可能性はある。この実施例3においては、2つの半導体スイッチング素子を直列接続した半導体モジュール111,112,...の複数個を、直流端子間に並列接続して形成される電力変換装置であって、前記直流端子P1,P2-N1,N2間にそれぞれ並列に接続された第1の半導体モジュール111と第2の半導体モジュール112と、前記第1の半導体モジュール111の第1の端子P1に接続される第1の導体板51と、前記第2の半導体モジュール112の第1の端子P2に接続される第2の導体板52と、前記第1及び第2の半導体モジュール111,112の第2の端子N1,N2に接続される第3の導体板53とを備え、前記第1~第3の導体板51,52,53が積層され対向する部分を持つ構造を有する電力変換装置において、前記第1の導体板51と前記第2の導体板52および前記直流端子の一方とを電気的に接続する直流第1端子512,522,611と、前記第3の導体板53から前記直流端子の他方へ接続する直流第2端子532,621とを、前記第1~第3の導体板51~53が対向する平面とほぼ平行な方向に、間隔を置いて並べて配置している。図9は本発明の実施例4による電力変換装置の導体板構造を示す斜視図であり、図10はその積層導体板の分解斜視図である。ここでは、図13におけるコンバータ1の1相分を構成する半導体モジュール11とインバータ2の1相分を構成する半導体モジュール21とを1つのユニットとして、3つのユニットで三相を構成した場合であり、そのときの1相分のユニットを示している。また、半導体モジュール11及び21としては、正極端子P1,P2、負極端子N1,N2、並びに交流端子ACが、モジュールの中央に一列に配置されている標準的な構造のものを用いた。半導体モジュールの正極及び負極間は並列に接続されるが、交流は別に接続され、スイッチング動作も同時ではない。正極と負極間にクランプコンデンサを接続した場合に、どちらかの半導体モジュールがスイッチングした際には、そのモジュールに接続したコンデンサの電圧が変動するため、もう一方のクランプコンデンサとの間に振動電流が発生する可能性がある。この振動電流を早く抑制するにはインダクタンスの低減が必要である。そのために、実施例1と同じように、接続端子512と522とを近接させた配置とした。図11は、本発明の実施例5による電力変換装置の導体板構造を示す斜視図である。この実施例5は、半導体モジュール4個111,112,113及び114を並列接続した構成である。2並列ずつは実施例1と同じ構成となっており、導体板61及び62は4並列に対応した構造となっている。この場合でも、接続部512と522が近接し、全く同様の構成が右下部にも存在する構成であるため、これまでの実施例と同様に、インダクタンスを低減できる。図12は、本発明の実施例6による電力変換装置の導体板構造を示す斜視図である。この実施例も、4個が並列接続された場合であるが、半導体モジュール111の正極P1と半導体モジュール113の正極P3とは同じ導体板51で接続されている。図では隠れているが、同様に、半導体モジュール112の正極P2と半導体モジュール114の正極P4とが同じ導体板52で接続されている。また、4つの半導体モジュールの負極N1,N2,N3及びN4は、1つの導体板53で接続されている。図11では、分かれていた導体板を一体とすることで、並列間のインダクタンスを一層低減できる。"