第1導電型無機半導体層と、前記第1導電型無機半導体層の表面に部分的に設けられた貴金属膜と、前記貴金属膜に接し、硫黄原子を含む第1導電型有機半導体ピラーと、前記第1導電型無機半導体層に接し、硫黄原子を含まない第2導電型有機半導体ピラーとを含む光電変換層とを備えることを特徴とする光電変換素子。前記貴金属膜は、金、銀、白金、パラジウムからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光電変換素子。前記第1導電型無機半導体層は、p型無機半導体層であり、前記第1導電型有機半導体ピラーは、p型有機半導体ピラーであり、前記第2導電型有機半導体ピラーは、n型有機半導体ピラーであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光電変換素子。前記p型無機半導体層は、酸化モリブデンVI、酸化ニッケルII、酸化銅I、酸化バナジウムV、酸化タングステンVIからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項3に記載の光電変換素子。前記p型有機半導体ピラーは、ポリN9’ヘプタデカニル27カルバゾールalt55、ポリ3アルキルチオフェン25ジイル、ポリ264Hシクロペンタ21b34bジチオフェンalt47、ポリベンゾジチオフェン26ジイルカルボニルチエノチオフェンジイルからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項3又は4に記載の光電変換素子。前記n型有機半導体ピラーは、66フェニルC71酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸メチルエステル、フラーレンC60、C70、C84、C60インデン二付加体、ジフェニルC62ビス酪酸メチルエステル、ジフェニルC72ビス酪酸メチルエステル、ポリ2メトキシ514、ポリaltcoからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項3~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記第1導電型無機半導体層は、n型無機半導体層であり、前記第1導電型有機半導体ピラーは、n型有機半導体ピラーであり、前記第2導電型有機半導体ピラーは、p型有機半導体ピラーであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光電変換素子。前記n型無機半導体層は、酸化亜鉛、酸化チタン、アルミニウムドープ酸化亜鉛、炭酸セシウムからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項7に記載の光電変換素子。前記n型有機半導体ピラーは、66フェニルC61酪酸エステル、1プロピル1チエニル66メタノフラーレン、66フェニルC61酪酸エステル、ポリaltcoからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項7又は8に記載の光電変換素子。前記p型有機半導体ピラーは、ポリ2エチルヘキシロキシメトキシ14フェニレン12エテンジイル、ポリ14フェニレンビニレンからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項7~9のいずれか1項に記載の光電変換素子。第1導電型無機半導体層の表面に部分的に貴金属膜を形成し、前記貴金属膜が形成された前記第1導電型無機半導体層の表面に、硫黄原子を含む第1導電型有機半導体材料と硫黄原子を含まない第2導電型有機半導体材料とを含む混合液を塗布し、乾燥させて、前記貴金属膜に接し、硫黄原子を含む第1導電型有機半導体ピラーと、前記第1導電型無機半導体層に接し、硫黄原子を含まない第2導電型有機半導体ピラーとを含む光電変換層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記貴金属膜は、金、銀、白金、パラジウムからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項11に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1導電型無機半導体層は、p型無機半導体層であり、前記第1導電型有機半導体ピラーは、p型有機半導体ピラーであり、前記第2導電型有機半導体ピラーは、n型有機半導体ピラーであることを特徴とする、請求項11又は12に記載の光電変換素子の製造方法。前記p型無機半導体層は、酸化モリブデンVI、酸化ニッケルII、酸化銅I、酸化バナジウムV、酸化タングステンVIからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項13に記載の光電変換素子の製造方法。前記p型有機半導体ピラーは、ポリN9’ヘプタデカニル27カルバゾールalt55、ポリ3アルキルチオフェン25ジイル、ポリ264Hシクロペンタ21b34bジチオフェンalt47、ポリベンゾジチオフェン26ジイルカルボニルチエノチオフェンジイルからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項13又は14に記載の光電変換素子の製造方法。前記n型有機半導体ピラーは、66フェニルC71酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸メチルエステル、フラーレンC60、C70、C84、C60インデン二付加体、ジフェニルC62ビス酪酸メチルエステル、ジフェニルC72ビス酪酸メチルエステル、ポリ2メトキシ514、ポリaltcoからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項13~15のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1導電型無機半導体層は、n型無機半導体層であり、前記第1導電型有機半導体ピラーは、n型有機半導体ピラーであり、前記第2導電型有機半導体ピラーは、p型有機半導体ピラーであることを特徴とする、請求項11又は12に記載の光電変換素子の製造方法。前記n型無機半導体層は、酸化亜鉛、酸化チタン、アルミニウムドープ酸化亜鉛、炭酸セシウムからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項17に記載の光電変換素子の製造方法。前記n型有機半導体ピラーは、66フェニルC61酪酸エステル、1プロピル1チエニル66メタノフラーレン、66フェニルC61酪酸エステル、ポリaltcoからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項17又は18に記載の光電変換素子の製造方法。前記p型有機半導体ピラーは、ポリ2エチルヘキシロキシメトキシ14フェニレン12エテンジイル、ポリ14フェニレンビニレンからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むことを特徴とする、請求項17~19のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。ところで、バルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池は、pn接合において一旦分離されたキャリアが、光電変換層中で再結合する割合が高く、光電変換効率が低いという課題がある。例えば、光電変換層の厚さを増加させて光吸収率を増やそうとしても、膜厚の増加に伴って光電変換効率が急速に低下するという実験結果もある。また、キャリアの再結合確率を低下させるためには、p型有機半導体材料及びn型有機半導体材料の各材料中のキャリア輸送効率を上げることが有効である。このため、各材料を、光電変換層の表面に対して垂直なピラー形状とすることが提案されているものの、着想だけで、このようなピラー形状を持つ光電変換層を実現する実用的な手段がなかった。そこで、p型有機半導体材料及びn型有機半導体材料がピラー形状になっている光電変換層を実現し、キャリア輸送効率を向上させ、光電変換効率を向上させたい。本光電変換素子は、第1導電型無機半導体層と、第1導電型無機半導体層の表面に部分的に設けられた貴金属膜と、貴金属膜に接し、硫黄原子を含む第1導電型有機半導体ピラーと、第1導電型無機半導体層に接し、硫黄原子を含まない第2導電型有機半導体ピラーとを含む光電変換層とを備えることを要件とする。本光電変換素子の製造方法は、第1導電型無機半導体層の表面に部分的に貴金属膜を形成し、貴金属膜が形成された第1導電型無機半導体層の表面に、硫黄原子を含む第1導電型有機半導体材料と硫黄原子を含まない第2導電型有機半導体材料とを含む混合液を塗布し、乾燥させて、貴金属膜に接し、硫黄原子を含む第1導電型有機半導体ピラーと、第1導電型無機半導体層に接し、硫黄原子を含まない第2導電型有機半導体ピラーとを含む光電変換層を形成することを要件とする。したがって、本光電変換素子及びその製造方法によれば、p型有機半導体材料及びn型有機半導体材料がピラー形状になっている光電変換層を容易に実現することができ、キャリア輸送効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光電変換素子及びその製造方法について、図1~図7を参照しながら説明する。本実施形態にかかる光電変換素子は、例えば有機薄膜型太陽電池、具体的には、バルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池として用いられる。本光電変換素子は、図1に示すように、基板1と、下部電極2と、p型無機半導体層3と、貴金属膜4と、p型有機半導体ピラー5と、n型有機半導体ピラー6とを含む光電変換層7と、上部電極8とを備える。なお、p型無機半導体層3を、第1導電型無機半導体層ともいう。また、p型有機半導体ピラー5を、第1導電型有機半導体ピラーともいう。また、n型有機半導体ピラー6を、第2導電型有機半導体ピラーともいう。また、光電変換層7を、光電変換膜ともいう。ここで、基板1は、入射する光を透過する透明基板であり、例えばガラス基板である。下部電極2は、基板1上に設けられ、入射する光を透過する透明電極であり、例えばITOIndiumTinOxide;酸化インジウムスズ電極である。ここでは、下部電極2は正極である。p型無機半導体層3は、下部電極2上に設けられ、ホール輸送層として機能するバッファ層であり、その表面に部分的に貴金属膜4が設けられている。つまり、バッファ層は、表面が貴金属膜4によって被覆されている領域と、表面が貴金属膜4によって被覆されていない領域とを有するp型無機半導体層3である。なお、表面が貴金属膜4によって被覆されている領域を、表面に貴金属4が付着した領域ともいう。また、表面が貴金属膜4によって被覆されていない領域を、表面に貴金属4が付着していない領域ともいう。また、p型無機半導体層3は、例えば酸化モリブデンVI層である。なお、p型無機半導体層3は、酸化モリブデンVI、酸化ニッケルII、酸化銅I、酸化バナジウムV、酸化タングステンVIからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものであれば良い。なお、バッファ層を無機半導体層としているのは、次の理由による。つまり、有機半導体をバッファ層に用いると、光電変換層7に用いるp型及びn型の各有機半導体材料の組み合わせによっては、光電変換層7の内部のp型及びn型の各有機半導体材料とバッファ層の材料との親和性が高くなりすぎ、貴金属膜4を用いたピラー形成が困難になる。このため、ここでは、バッファ層を無機半導体層としている。貴金属膜4は、例えば金の膜である。なお、貴金属膜4は、金、銀、白金、パラジウムからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものであれば良い。光電変換層7は、表面に部分的に貴金属膜4が設けられているp型無機半導体層3上に設けられている。ここでは、光電変換層7は、p型有機半導体材料とn型有機半導体材料の両方を含み、これらがそれぞれ凝集してピラー形状になっているバルクヘテロ接合型の光電変換層である。p型有機半導体ピラー5は、貴金属膜4に接し、その上方にp型無機半導体層3の表面に対して垂直に伸びるピラー形状ピラー構造のp型有機半導体材料である。つまり、p型有機半導体ピラー5は、光電変換層7の表面に対して垂直なピラー形状を有するp型有機半導体材料である。また、p型有機半導体ピラー5は、硫黄原子を含むp型有機半導体ピラーである。つまり、p型有機半導体材料は、硫黄原子を含むp型有機半導体材料であり、例えば、以下の化学式1に示すポリN9’ヘプタデカニル27カルバゾールalt55PCDTBT;polyN9’heptadecanyl27carbazolealt55である。なお、硫黄原子を含むp型有機半導体材料は、ポリN9’ヘプタデカニル27カルバゾールalt55、ポリ3アルキルチオフェン25ジイルPoly3alkylthiophene25diyl例えば、以下の化学式2で示すポリ3ヘキシルチオフェン25ジイルP3HT;Poly3hexylthiophene25diyl、なお、側鎖が多い、あるいは、長い類似化合物を含む。、以下の化学式3で示すポリ264Hシクロペンタ21b34bジチオフェンalt47PCPDTBT;poly264Hcyclopenta21b34bdithiophenealt47、以下の化学式4で示すポリベンゾジチオフェン26ジイルカルボニルチエノチオフェンジイルPTB1;polybenzodithiophene26diylcarbonylthienothiophenediylからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものであれば良い。n型有機半導体ピラー6は、p型無機半導体層3に接し、その上方にp型無機半導体層3の表面に対して垂直に伸びるピラー形状ピラー構造のn型有機半導体材料である。つまり、n型有機半導体ピラー6は、光電変換層7の表面に対して垂直なピラー形状を有するn型有機半導体材料である。また、n型有機半導体ピラー6は、硫黄原子を含まないn型有機半導体ピラーである。つまり、n型有機半導体材料は、硫黄原子を含まないn型有機半導体材料であり、例えば、以下の化学式5で示す66フェニルC71酪酸メチルエステルPC71BM;66PhenylC71butyricacidmethylester及び66フェニルC61酪酸メチルエステルPC61BM;66PhenylC61butyricacidmethylesterが挙げられる。なお、硫黄原子を含まないn型有機半導体材料は、66フェニルC71酪酸メチルエステル、66フェニルC61酪酸メチルエステル、以下の化学式6で示すフラーレンC60、C70、C84FullereneC60C70orC84、以下の化学式7で示すC60インデン二付加体ICBA;indeneC60bisadduct、以下の化学式8で示すジフェニルC62ビス酪酸メチルエステル、ジフェニルC72ビス酪酸メチルエステルC62PCBMbis、以下の化学式9で示すポリ2メトキシ514Poly2methoxy514、以下の化学式10で示すポリaltcoPolyaltcoからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものであれば良い。上部電極8は、光電変換層7上に設けられた金属電極であり、例えばアルミニウム電極である。ここでは上部電極8は負極である。次に、本実施形態にかかる光電変換素子の製造方法について説明する。まず、基板1透明基板上に下部電極2透明電極を形成する。例えば、ガラス基板1上の全面に、膜厚約200nmのITO電極2を形成する。次いで、下部電極2上に、バッファ層としてp型無機半導体層3を形成する。例えば、下部電極2上の全面に、膜厚約6nmの酸化モリブデンVI層3を真空蒸着によって形成する。次に、p型無機半導体層3の表面に部分的に貴金属膜4を形成する。例えば、p型無機半導体層3上に、膜厚名目膜厚が約0.8nmになるように金を真空蒸着することによって、p型無機半導体層3の表面に部分的に金の膜4薄膜を形成する。つまり、膜厚が小さくなるように金を真空蒸着することで、p型無機半導体層3の表面に金粒子が分散した状態で付着するようにして、p型無機半導体層3の表面に部分的に金の膜4を形成する。このように、p型無機半導体層3の表面に、金の膜4によって被覆された領域と、金の膜4によって被覆されていない領域との両方が存在するように、金を成膜する。なお、金の膜4は、理想的には、励起子拡散長例えば約30nm程度と同程度の縦横のサイズを有する正方形状の形状になっているのが好ましいが、例えば縦横のサイズの一方がこれよりも大きくなっていても良い。また、金の膜4のサイズ及び形状は均一である必要はない。このようにして、下部電極2上に、バッファ層として、表面に部分的に貴金属膜4を有するp型無機半導体層3が形成される。つまり、下部電極2上に、バッファ層として、表面が貴金属膜4によって被覆されている領域と、表面が貴金属膜4によって被覆されていない領域とを有するp型無機半導体層3が形成される。次に、表面に貴金属膜4が形成されたp型無機半導体層3上に、p型有機半導体ピラー5とn型有機半導体ピラー6とを含む光電変換層7を形成する。つまり、貴金属膜4が形成されたp型無機半導体層3の表面に、硫黄原子を含むp型有機半導体材料と硫黄原子を含まないn型有機半導体材料とを含む混合液混合溶液を塗布し、乾燥させることによって、p型有機半導体ピラー5とn型有機半導体ピラー6とを含む光電変換層7を形成する。例えば、上述のようにして貴金属膜4を有するバッファ層3までを形成したガラス基板1を、窒素を内部に満たしたグローブボックスに移し、硫黄原子を含むp型有機半導体材料としてのポリN9’ヘプタデカニル27カルバゾールalt55PCDTBTと、硫黄原子を含まないn型有機半導体材料としての66フェニルC71酪酸メチルエステルPCBMとを、重量比1:3で含むモノクロロベンゼン溶液濃度2重量をスピンコート成膜し、乾燥させて、光電変換層7を形成する。ここでは、上述のように、光電変換層7を形成する下地層となるバッファ層3の表面に貴金属膜4が形成されており、光電変換層7を形成するためのp型有機半導体材料が硫黄原子を含む。この場合、硫黄原子には、金などの貴金属との間に強い配位結合を形成する性質があるため、硫黄原子を含むp型有機半導体材料は、貴金属膜4の表面に強く吸着し、そこを基点としてp型有機半導体材料が凝集し、その上方に垂直に伸びてピラー形状となる。なお、硫黄原子を含む有機化合物が、貴金属に対して吸着する現象については、例えば、TakahiroIidaetalChemicalAdsorptionofPolyonAuUsingSelfAssemblingTechniqueJapaneseJournalofAppliedPhysicsVol46No46ppL1126L11282007を参照。一方、上述のように、光電変換層7を形成する下地層となるバッファ層としてp型無機半導体層3が形成されており、これは、光電変換層7を形成するためのn型有機半導体材料と異なる導電型反対の導電型;逆極性を持っている。この場合、n型有機半導体材料は、n型有機半導体材料に対して電子過剰系であるp型無機半導体材料との電子的な相互作用によって、貴金属膜4によって覆われておらず、露出しているp型無機半導体層3の表面に吸着し、そこを基点としてn型有機半導体材料が凝集し、その上方に垂直に伸びてピラー形状となる。この場合、光電変換層7を形成するためのn型有機半導体材料は、硫黄原子を含まないため、貴金属膜4の表面には吸着しない。これに対し、光電変換層7を形成するためのp型有機半導体材料は、硫黄原子を含むため、貴金属膜4の表面に優先的に堆積する。一方、光電変換層7を形成するためのn型有機半導体材料は、電子不足系であるため、電子過剰系であるp型無機半導体材料上に優先的に堆積する。このため、p型無機半導体層3の表面に部分的に貴金属膜4を形成しておくことで、p型無機半導体層3上に、p型有機半導体ピラー5とn型有機半導体ピラー6とを、簡便、かつ、容易に、それぞれ別個に作り分けることができる。このようにして、p型無機半導体層3の表面に形成された貴金属膜4の上方に、p型有機半導体ピラー5が形成され、p型無機半導体層3の上方、即ち、貴金属膜4で覆われておらず、露出している表面の上方に、n型有機半導体ピラー6が形成される。つまり、貴金属膜4に接し、硫黄原子を含むp型有機半導体ピラー5と、p型無機半導体層3に接し、硫黄原子を含まないn型有機半導体ピラー6とを含む光電変換層7が形成される。その後、光電変換層7上に上部電極8を形成する。例えば、上述のようにして光電変換層7を形成した後、熱処理を行なうことなく、光電変換層7上に膜厚約150nmのアルミニウム電極8を真空蒸着によって形成する。そして、例えば窒素雰囲気中で封止して、光電変換素子が完成する。したがって、本実施形態にかかる光電変換素子及びその製造方法によれば、p型有機半導体材料及びn型有機半導体材料がピラー形状になっている光電変換層7を実現することができ、キャリア輸送効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができるという利点がある。ここで、図2は、上述の実施形態の製造方法によって製造された光電変換素子の断面を、走査型透過電子顕微鏡STEM;ScanningTransmissionElectronMicroscopeで観察した結果を示している。図2中、光電変換層7の内部に明暗の領域が縦方向に走っているが、これは有機半導体材料の密度差によって現れたもので、より低密度のPCDTBTが明るく、より高密度のPCBMが暗く表示されている。つまり、光電変換層7中に、その表面膜面に垂直な方向にp型有機半導体ピラー5及びn型有機半導体ピラー6が形成されていることを示している。また、図3は、上述の実施形態の製造方法によって製造された光電変換素子の断面を、STEM及び電子エネルギー損失分光EELS;ElectronEnergyLossSpectroscopyを用いて、より高倍率で観察した結果を示している。なお、図3中、左側がSTEM像、右側が硫黄原子を観測対象としたEELS像である。図3中、左側のSTEM像の下方にある、明るい領域の上端に、灰色の層の中に、粒径約2~3nmの粒子が散在する領域があるが、この灰色の層が酸化モリブデンVI、粒子は金である。金は、名目膜厚平均膜厚約0.8nmとなるように真空蒸着して成膜したものであるが、蒸着による金属膜成長の初期過程である、結晶核を基点とする三次元成長の段階に留まっているために、略球形の粒子が、酸化モリブデンVI表面に分散した状態となっている。なお、金粒子が酸化モリブデンVI層中に分散しているように見えるが、これは酸化モリブデンVI層の表面に高さ数nmの凹凸があるため、断面像では両者が重なって見えているのであり、金が酸化モリブデンVI層中に浸透しているわけではない。図3中、片括弧で示した領域は、酸化モリブデンVI層3上の金粒子4が特に疎である少ないために、左側のSTEM像では周囲の酸化モリブデンVI層3よりも暗く表示されている領域である。右側のEELS像で該当箇所を見ると、その上の光電変換層7中には、硫黄原子が少ない周囲よりも暗い領域が形成されていることがわかる。硫黄原子は、p型有機半導体材料であるPCDTBTに含まれ、n型有機半導体材料であるPCBMには含まれていないため、この観測結果は、酸化モリブデンVI層3上に形成された金粒子4の密度が低い領域の上方には、主にPCBMからなる領域が、また、金粒子4の密度が高い領域の上方には、主にPCDTBTからなる領域が形成されることを示している。つまり、図3に示されるピラー形状は、酸化モリブデンVI層3上に付着した金粒子4の粗密に対応し、金粒子4が疎な領域ではPCBMが、密な領域ではPCDTBTが、それぞれ優先的に凝集した結果、形成されたものである。図4は、上述の実施形態の製造方法によって製造された光電変換素子の、白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図4に示すように、白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.69V、短絡電流密度Jscは約21.9μA/cm2、曲線因子FFは約0.48、最大出力密度Pmaxは約7.26μW/cm2で、光電変換効率は約8.19であった。なお、曲線因子は、Pmax/Voc×Jscで定義される。また、光電変換効率は、光電変換効率=Voc×Jsc×FF/入射光の放射照度×100という式によって求めることができる。図5は、上述の実施形態の製造方法によって製造された光電変換素子の、擬似太陽光AMエアマス1.5放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図5に示すように、擬似太陽光AM1.5放射照度100mW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.82V、短絡電流密度Jscは約5.25mA/cm2、曲線因子FFは約0.40で、光電変換効率は約1.72であった。これに対し、比較例として、バッファ層3の表面上に金の膜4を形成せずに、そのほかは上述の実施形態の製造方法と同様にして、光電変換素子を作製した。ここでは、図6は、比較例の光電変換素子の白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図6に示すように、白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.71V、短絡電流密度Jscは約15.7μA/cm2、曲線因子FFは約0.52で、光電変換効率は約6.54であった。図7は、比較例の光電変換素子の擬似太陽光AM1.5放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図7に示すように、擬似太陽光AM1.5放射照度100mW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.87V、短絡電流密度Jscは約3.90mA/cm2、曲線因子FFは約0.42で、光電変換効率は約1.43であった。このように、上述の実施形態の製造方法によって光電変換素子を製造することで、p型有機半導体材料及びn型有機半導体材料がピラー形状になっている光電変換層7を実現できることが確認できた。このようなピラー構造を有する光電変換層7では、光電変換層7内でのキャリア輸送効率が向上するために、光電変換特性としては、特に短絡電流密度Jscが向上し、その結果、約20余りの光電変換効率の向上が得られることが確認できた。なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。例えば、バッファ層としてのp型無機半導体層3の表面上に部分的に貴金属膜4を形成する方法は、上述の実施形態の製造方法において具体例として挙げたものに限られるものではなく、例えば、以下の2つの方法を用いても良い。第1の方法では、まず、酸化モリブデンVI層3の表面上に堆積させる金の膜4の膜厚平均膜厚を約5nmとし、上述の実施形態の製造方法の具体例における微粒子の状態から均一な膜へと変化させる。そして、EBElectronbeam露光によるリソグラフィーを用いて、金の膜4を約30×約30nmの格子からなる市松模様にエッチングし、エッチング対象領域では酸化モリブデンVI層3を露出させる。ここでは、金の膜4の大きさを約30×約30nmにし、励起子拡散長約30nmと同程度にしている。このようにして、酸化モリブデンVI層3の表面上に部分的に金の膜4を形成するようにしても良い。この場合、金の膜4の膜厚及び表面被覆率が上がり、光電変換層7への光入射量が低下したにもかかわらず、理想に近いピラー配置によって、上述の実施形態の製造方法によって製造したものと同程度の光電変換率が得られた。第2の方法では、例えば酸化モリブデンVI層3の表面上に、粒径約3~約5nmの金ナノ粒子のトルエン分散液2w/v、Aldrich社製をスピンコートする。次いで、約150°C、約30分の加熱処理を行なう。続いて、約10分間のオゾン表面処理を行なうことで、酸化モリブデンVI層3の表面上に金ナノ粒子4を付着させた清浄な表面を得る。このようにして、酸化モリブデンVI層3の表面上に部分的に金の膜4を形成するようにしても良い。また、例えば、上述の実施形態では、バッファ層をp型無機半導体層3とし、硫黄原子を含む有機半導体ピラーをp型有機半導体ピラー5とし、硫黄原子を含まない有機半導体ピラーをn型有機半導体ピラー6としているが、これに限られるものではない。例えば、図8に示すように、バッファ層をn型無機半導体層3Xとし、硫黄原子を含む有機半導体ピラーをn型有機半導体ピラー5Xとし、硫黄原子を含まない有機半導体ピラーをp型有機半導体ピラー6Xとしても良い。なお、n型無機半導体層3Xを、第1導電型無機半導体層という。また、n型有機半導体ピラー5Xを、第1導電型有機半導体ピラーという。また、p型有機半導体ピラー6Xを、第2導電型有機半導体ピラーという。この場合、n型無機半導体層3Xは、酸化亜鉛ZnO、酸化チタンTiOx、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、炭酸セシウムCsCO3からなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものとすれば良い。なお、ZnO層、TiOx層、AZO層は、例えば、HyunchulOhetalComparisonofvarioussolgelderivedmetaloxidelayersforinvertedorganicsolarcellsSolarEnergyMaterialsSolarCellsVol95pp219421992011に記載されている方法で形成することができ、CsCO3層は、例えば、HuaHsienLiaoetalHighlyefficientinvertedpolymersolarcellbylowtemperatureannealingofCs2CO3interlayerAppliedPhysicsLettersVol921733032008に記載された方法で形成することができる。また、n型有機半導体ピラー5Xは、硫黄原子を含むn型有機半導体ピラーである。つまり、n型有機半導体材料は、硫黄原子を含むn型有機半導体材料であり、例えば、以下の化学式11で示す66フェニルC61酪酸エステル66PhenylC61butyricacidesterである。なお、硫黄原子を含むn型有機半導体材料は、66フェニルC61酪酸エステル、以下の化学式12で示す1プロピル1チエニル66メタノフラーレンThCBM;1propyl1thienyl66methanofullerene、以下の化学式13で示す66フェニルC61酪酸エステル66PhenylC61butyricacidester、以下の化学式14で示すポリaltcoF8BT;Polyaltcoからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものであれば良い。また、p型有機半導体ピラー6Xは、硫黄原子を含まないp型有機半導体ピラーである。つまり、p型有機半導体材料は、硫黄原子を含まないp型有機半導体材料であり、例えば、以下の化学式15で示すポリ2エチルヘキシロキシメトキシ14フェニレン12エチレンジイルMEHPPV;Polyoxymethoxy14phenylene12ethenediylである。なお、硫黄原子を含まないp型有機半導体材料は、ポリ2エチルヘキシロキシメトキシ14フェニレン12エテンジイル、以下の化学式16で示すポリ14フェニレンビニレンMDMOPPV;Poly14phenylenevinyleneからなる群から選ばれるいずれか一種の材料を含むものであれば良い。なお、その他の構成及び製造方法は、上述の実施形態の場合と同様にすれば良いが、以下、このように構成される光電変換素子の製造方法の具体例について説明する。例えば、まず、ガラス基板1透明基板上の全面に、膜厚約200nmのITO電極2下部電極;透明電極を形成する。次に、ITO電極2上の全面に、n型無機半導体層3として、膜厚約30nmの酸化亜鉛ZnO層を形成する。ここで、ZnO層3の成膜は、例えばSolarEnergyMaterialsSolarCellsvol95pp21942011に記載されている方法に準じて、酢酸亜鉛の水酸化カリウムによる水酸化で生成するZnOナノ粒子の塗布によって行なえば良い。続いて、n型無機半導体層3上に、膜厚名目膜厚約0.8nmになるように金を真空蒸着することによって、n型無機半導体層3の表面に部分的に金の膜4貴金属膜を形成する。このようにして、ITO電極2上に、バッファ層として、表面に部分的に金の膜4を有するn型無機半導体層3が形成される。次に、上述のようにして金の膜4を有するバッファ層3までを形成したガラス基板1を、窒素を内部に満たしたグローブボックスに移し、硫黄原子を含まないp型有機半導体材料としてのポリ2エチルヘキシロキシメトキシ14フェニレン12エチレンジイルMEHPPVと、硫黄原子を含むn型有機半導体材料としての66フェニルC61酪酸エステルとを、重量比1:3で混合したモノクロロベンゼン溶液濃度2重量からスピンコート成膜し、乾燥させて、光電変換層7を形成する。これにより、上述の実施形態の場合と同様に、n型無機半導体層3Xの表面に形成された金の膜4の上方に、n型有機半導体ピラー5Xが形成され、n型無機半導体層3Xの上方、即ち、金の膜4で覆われておらず、露出している表面の上方に、p型有機半導体ピラー6Xが形成される。つまり、貴金属膜4に接し、硫黄原子を含むn型有機半導体ピラー5Xと、n型無機半導体層3Xに接し、硫黄原子を含まないp型有機半導体ピラー6Xとを含む光電変換層7が形成される。このようにして光電変換層7を形成した後、熱処理を行なうことなく、光電変換層7上に膜厚約100nmの銀電極8上部電極;金属電極を真空蒸着によって形成する。そして、例えば窒素雰囲気中で封止して、光電変換素子が完成する。ここで、図9は、このような製造方法によって製造された光電変換素子の、白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2におけるI-V曲線を示している。図9に示すように、白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2において、開放電圧Vocは約0.46V、短絡電流密度Jscは約17.2μA/cm2、曲線因子FF約0.50で、光電変換効率は約4.47であった。図10は、上述のような製造方法によって製造された光電変換素子の、擬似太陽光AM1.5放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図10に示すように、擬似太陽光AM1.5放射照度100mW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.58V、短絡電流密度Jscは約4.09mA/cm2、曲線因子FFは約0.42で、光電変換効率は約1.00であった。これに対し、比較例として、バッファ層3の表面上に金の膜4を形成せずに、そのほかは上述のような製造方法と同様にして、光電変換素子を作製した。ここでは、図11は、比較例の光電変換素子の白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図11に示すように、白色蛍光灯光照度380Lux、放射照度88.6μW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.47V、短絡電流密度Jscは約12.9μA/cm2、曲線因子FFは約0.51で、光電変換効率は約3.49であった。図12は、比較例の光電変換素子の擬似太陽光AM1.5放射照度100mW/cm2下におけるI-V曲線を示している。図12に示すように、擬似太陽光AM1.5放射照度100mW/cm2下において、開放電圧Vocは約0.57V、短絡電流密度Jscは約3.29mA/cm2、曲線因子FFは約0.41で、光電変換効率は約0.77であった。このように、上述のような製造方法によって光電変換素子を製造することで、p型有機半導体材料及びn型有機半導体材料がピラー形状になっている光電変換層7を実現でき、光電変換層7内でのキャリア輸送効率が向上するために、光電変換特性としては、特に短絡電流密度Jscが向上し、その結果、約20余りの光電変換効率の向上が得られることが確認できた。また、上述の実施形態及び変形例では、光電変換素子を有機薄膜型太陽電池に用いる場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えばカメラなどの撮像装置のセンサなどに用いることもできる。