"式1の化合物ここで、前記化合物は、式2の部分MLnを含み、ここで、Mは、窒素原子Nおよび炭素原子Cを介して任意の所望の二座配位子Lに結合しており、ここで、A、BおよびDは、任意の所望の芳香族またはヘテロ芳香族環を表し、第1のB環q=1は、任意の所望の可能な様式でA環と縮合しており、複数のB環が出現する場合q>1、後続のB環は、任意の所望の可能な様式で直接A環にまたはそれぞれの先行のB環に縮合しており、B環は、それらがq回出現する場合、互いに独立に、同一であるかまたは異なっていてもよく、式中、使用された記号および添え字には以下が適用される:Mは、イリジウム、ロジウム、白金およびパラジウムからなる群から選択される金属であり;L’は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、任意の所望の共配位子であり;Wは、式3に等しく、ここで、Tは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、-CR12、-SiR12、N、-NR1、-O,-S、-C=O、-S=O、-SO2、-CF2、-SF4、-P、-P=OR1、-PF2、-P=SR1、-As、-As=O、-As=S、-Sb、-Ge、-Si、-Sb=O、-CR12-CR12-、および-Sb=Sからなる群から選択され;Qは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、R1C=CR1、R1C=N、O、S、SeまたはNR1であり;Xは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、CR1またはNであり;qは、1以上の整数であり、pは、0または1であり、ここで、p=0については、式3における中央の環は5員環を形成し;nは、イリジウムまたはロジウムに等しいMについては1、2または3であり、白金またはパラジウムに等しいMについては1または2であり;mは、0、1、2、3または4であり;R1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、H、D、F、Cl、Br、I、NR22、CN、NO2、SiR23、BOR22、C=OR2、P=OR22、S=OR2、S=O2R2、OSO2R2、1~40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基または2~40個のC原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または3~40個のC原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシまたはチオアルコキシ基これらのそれぞれは、1個以上のラジカルR2で置換されていてもよく、ここで、1個以上の隣接しないCH2基は、R2C=CR2、C≡C、SiR22、GeR22、SnR22、C=O、C=S、C=Se、C=NR2、P=OR2、SO、SO2、NR2、O、SまたはCONR2によって置きかえられていてもよく、1個以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNまたはNO2によって置きかえられていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系これは、それぞれの場合において、1個以上のラジカルR2で置換されていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基これは、1個以上のラジカルR2で置換されていてもよい、または10~40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基またはアリールヘテロアリールアミノ基これは、1個以上のラジカルR2で置換されていてもよい、またはこれらの基の2種以上の組合せであり;2個以上のラジカルR1は、互いに単環式または多環式、脂肪族、芳香族および/または、ベンゾ縮合環系を形成してもよく;R2は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、H、D、F、Cl、Br、I、NR32、CN、NO2、SiR33、BOR32、C=OR3、P=OR32、S=OR3、S=O2R3、OSO2R3、1~40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基または2~40個のC原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または3~40個のC原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシまたはチオアルコキシ基これらのそれぞれは、1個以上のラジカルR3で置換されていてもよく、ここで、1個以上の隣接しないCH2基は、R3C=CR3、C≡C、SiR32、GeR32、SnR32、C=O、C=S、C=Se、C=NR3、P=OR3、SO、SO2、NR3、O、SまたはCONR3によって置きかえられていてもよく、1個以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CNまたはNO2によって置きかえられていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系これは、それぞれの場合において、1個以上のラジカルR3で置換されていてもよい、または5~60個の芳香族環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基これは、1個以上のラジカルR3で置換されていてもよい、または10~40個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基またはアリールヘテロアリールアミノ基これは、1個以上のラジカルR3で置換されていてもよい、またはこれらの基の2種以上の組合せであり;2個以上の隣接したラジカルR2は、互いに単環式または多環式、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく;R3は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、H、D、Fまたは1~20個のC原子を有する脂肪族、芳香族および/またはヘテロ芳香族環炭化水素ラジカルここで、さらに、1個以上のH原子は、Fで置きかえられていてもよいであり;2個以上の置換基R3は、互いに、単環式または多環式、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく;添え字nおよびmは、金属の配位数が、イリジウムまたはロジウムに等しいMについては6に一致し、白金またはパラジウムに等しいMについては4に一致するように選択され;複数個の配位子Lは、互いに結合し、またはLは、任意の所望の架橋Zを介してL’に結合し、三座、四座、五座または六座配位子系を形成してもよい。式1の化合物が、式4~9ここで、請求項1からの定義は、使用された記号および添え字に適用されるを有する部分MLnを含有することを特徴とする、請求項1に記載の化合物。式1の化合物が、式11~16を有する部分MLnを含有することを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。部分MLnが、式17~22から選択されることを特徴とする、請求項1~3の何れか一項に記載の化合物。部分MLnが、式23~28から選択されることを特徴とする、請求項1~4の何れか一項に記載の化合物。mが、1、2、3、または4であることを特徴とする、請求項1~5の何れか一項に記載の化合物。m=0であり、MLnが、式29~34から選択されることを特徴とする、請求項1~5の何れか一項に記載の化合物。ラジカルWが、式47~55ここで、線は、ラジカルWの配位子への結合が起こる位置を示し、使用された記号は、請求項1で定義された記号と一致するによって与えられることを特徴とする、請求項1~7の何れか一項に記載の化合物。部分MLnが、式71~85から選択されることを特徴とする、請求項1~8の何れか一項に記載の化合物。R1が、出現する毎に同一であるかまたは異なり、-H、-NH2または式86~224のラジカルここで前記ラジカルは、さらに、ラジカルR3これは、それらが2回以上出現する場合、同一であるかまたは互いに独立であってもよいで一置換または多置換されていてもよいであることを特徴とする、請求項1~9の何れか一項に記載の化合物。Mが、イリジウムに等しいことを特徴とする、請求項1~10の何れか一項に記載の化合物。対応する遊離配位子と、式282の金属アルコキシド、式283の金属ケトケトナートまたは式284の金属ハロゲン化物ここで、記号M、nおよびR1は、上に示された意味を有し、Hal=F、Cl、BrまたはIであるとの反応による、請求項1~11の何れか一項に記載の化合物の調製方法。請求項1~11の何れか一項に記載の少なくとも1種の化合物と少なくとも1種の溶媒とを含む配合物。電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイスOLED、PLED、有機集積回路O-IC、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機発光トランジスタO-LET、有機太陽電池O-SC、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイスO-FQD、発光電気化学セルLECまたは有機レーザーダイオードO-レーザーからなる群から選択される電子デバイスにおける請求項1~11の何れか一項に記載の化合物の使用。請求項1~11の何れか一項に記載の少なくとも1種の化合物を含む電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイスOLED、PLED、有機集積回路O-IC、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機発光トランジスタO-LET、有機太陽電池O-SC、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイスO-FQD、発光電気化学セルLECまたは有機レーザーダイオードO-レーザーからなる群から選択される電子デバイス。請求項1~11の何れか一項に記載の化合物が、好ましくはマトリックス材料との組み合わせで、一つ以上の発光層において発光化合物として使用されることを特徴とする、請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記マトリックス材料は、好ましくは、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、インデノカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、双極性マトリックス材料、シラン、アザボロール、ボロン酸エステル、トリアジン誘導体、亜鉛錯体、ジアザ-もしくはテトラアザシロール誘導体またはジアザホスホール誘導体あるいはこれらのマトリックス材料の混合物からなる群から選択される有機エレクトロルミネッセンスデバイス。疾患および/または美容上の状態の治療、予防および/または診断のための請求項1~11の何れか一項に記載の化合物または請求項15もしくは16に記載のデバイス。[実施例]以下の合成は、他に指示がない限り、無水溶媒中において保護ガス雰囲気下で実施される。出発材料IVおよびXIおよび使用された溶媒は、例えばALDRICHから市販されている。化合物IおよびXは、WO02/068435と同様に調製することができる。化合物IIは、Synthesis、2005、1619-1624に従って調製することができる。化合物VIは、Chem.Ber.、1984、117、2703-2713に従って調製することができる。化合物VIIIは、Bioorg.Med.Chem.Lett.2007、17、3014-3017に従って調製することができる。例1化合物IIIの調製化合物IIIの調製のための合成手順7.0g6.7mmolの化合物I、13.1g53.8mmolの化合物IIおよび57g269mmolのK3PO4を、850mlのp-キシレン中に懸濁する。45mg0.20mmolのPdOAc2および2.7mlの1Mトリ-tert-ブチルホスフィン溶液を、この懸濁液に添加する。この反応混合物を、還流下で42時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、125mlの水で3回洗浄し、続いて蒸発乾固する。残留物をエタノールで洗浄し、トルエンから再結晶させ、最後に減圧下で乾燥する。収量は6.3g4.1mmolであり、理論値の61.3に相当する。例2化合物Vの調製化合物Vの調製のための合成手順6.2g6.0mmolの化合物Iを使用して化合物IIIと同様に合成を実施し、ここで、例1からの化合物IIは、15.21g47.6mmolの3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール化合物IVで置きかえられている。収量は7.2g4.1mmolであり、理論値の68.8に相当する。例3化合物VIIの調製化合物VIIの調製のための合成手順5.8g5.6mmolの化合物Iを使用して化合物IIIと同様に合成を実施し、ここで、例1からの化合物IIは、10.6g44.5mmolの2,7,9,9-テトラメチル-9,10-ジヒドロアクリジン化合物IVで置きかえられている。収量は4.5g3.0mmolであり、理論値の53.5に相当する。例4化合物IXの調製化合物IXの調製のための合成手順6.2g6.0mmolの化合物Iを使用して化合物IIIと同様に合成を実施し、ここで、例1からの化合物IIは、13.1g47.6mmolの3-フェニル-10H-フェノチアジンで置きかえられている。収量は5.7g3.5mmolであり、理論値の58.9に相当する。例5化合物XIIの調製化合物XIIの調製のための合成手順化合物IIIと同様に合成を実施し、ここで、化合物Iは、8.5g8.2mmolの化合物Xで置きかえられており、化合物IIは、12.0g65.3mmolの10H-フェノキサジン化合物XIで置きかえられている。収量は6.9g5.1mmolであり、理論値の62.7に相当する。例6~10本発明による化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造および特徴づけ本発明による化合物T-1~T-5、TMM1DE102008036982.9に従って合成されたおよびTMM-2DE102008017591.9に従って合成されたの構造が、明確に以下に描かれている。発光体の構造マトリックスの構造本発明による材料は、溶液から使用することができ、ここで、それらは、良好な性質を有する単一のデバイスをもたらす。このような部品の生産は、ポリマー発光ダイオードPLEDの生産に基づき、これは、既に文献例えばWO2004/037887にに度々記載されている。本発明の場合、本発明による化合物T-1~T-5をトルエンに溶解する。本明細書におけるようにデバイスの80nmの一般的な層厚さがスピンコーティングを用いて達成される場合、このような溶液の一般的な固形成分含有量は、16~25g/lである。使用されるPLEDデバイスは、次の構造を示す。ITO/PEDOT:PSS/中間層/EML/カソード、ここでEMLは、発光層を表す。本発明による化合物T-1~T-5それぞれ4重量の濃度で存在するの他に、発光層EMLは、それぞれ48重量の濃度で即ちTMM-1:TMM2=1:1マトリックス材料TMM-1およびTMM-2を含む。構造化されたITO基板およびいわゆる緩衝層PEDOT、実際はPEDOT:PSSの材料は市販されているITOはTechnoprint他から、PEDOT:PSSはCleviosBaytronP水性分散液としてH.C.Starckから。使用される中間層は、正孔注入に役立ち、この場合、MerckからのHIL-012を使用した。発光層は、不活性ガス雰囲気で本発明の場合、アルゴンスピンコーティングによって付着し、120°Cにおいて10分間加熱することにより乾燥する。最後に、バリウムおよびアルミニウムカソードを、真空気相堆積法によって付着する。正孔遮断層および/または電子輸送層も、発光層およびカソードの間に気相堆積法によって付着することができ、中間層は、1種以上の層によって置きかえられてもよく、この層は、溶液からの発光層の堆積の後続処理ステップによって再び引き離されることがないという条件を単に満たせばよい。デバイスは標準の方法によって特徴づけられ、記載されたOLEDの例は、未だ最適化されていない。表1は得られたデータを要約している。処理されたデバイスの場合、本発明による材料は、効率および/または寿命において従来得られるものに対して優れていることは本明細書で明らかである。"