"アルカリ金属原子が封入された原子セルと、前記アルカリ金属原子に電磁誘起透過現象を発現させるための第1の共鳴光、及び第2の共鳴光を含んだ円偏光の光を発生する光源と、前記アルカリ金属原子に所定の強度の直流磁場を与える直流磁場発生手段と、前記直流磁場の強度に応じた所定の周波数の交流磁場を前記アルカリ金属原子に与える交流磁場発生手段と、前記アルカリ金属原子に電磁誘起透過現象を発現させるように、前記第1の共鳴光と前記第2の共鳴光との周波数差を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする原子発振器。前記直流磁場の強度を検出する直流磁場検出手段を備え、前記交流磁場発生手段は、前記直流磁場検出手段が検出した前記直流磁場の強度に基づき、所定の周波数の交流磁場を前記アルカリ金属原子に与えることを特徴とする請求項1に記載の原子発振器。前記交流磁場発生手段は、前記直流磁場検出手段が検出した前記直流磁場の強度に基づいて周波数制御信号を生成する周波数制御手段と、前記周波数制御信号に従い周波数が制御される電圧制御発振器と、前記電圧制御発振器の出力信号が入力されることにより前記交流磁場を発生するコイルと、を備えたことを特徴とする請求項2に記載の原子発振器。前記周波数制御手段は、前記直流磁場検出手段が検出した前記直流磁場の強度に対応した周波数情報を記憶する記憶手段を備え、該記憶手段から読み出された周波数情報に基づいて前記周波数制御信号を生成することを特徴とする請求項3に記載の原子発振器。上記の説明により、それぞれの磁気量子数mFに対するアルカリ金属原子が存在する確率に偏りが生じることになる。アルカリ金属原子がF=4の基底準位になっているか、或いはF=3の基底準位になっているかは確率的にほぼ同じである。しかしながら、円偏光を照射しても、依然として磁気量子数mF=1,2,3,4といったmF=0以外の基底準位にアルカリ金属原子が存在することになり、これ以上EIT現象の発現確率を高めることができないといった問題点がある。本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、磁気量子数mF=0以外の磁気量子数mFに存在するアルカリ金属原子の数をmF=0の基底準位に遷移させて、磁気量子数mF=0におけるEIT信号のピーク値を高くした原子発振器を提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]アルカリ金属原子が封入された原子セルと、前記アルカリ金属原子に電磁誘起透過現象を発現させるための第1の共鳴光、及び第2の共鳴光を含んだ円偏光の光を発生する光源と、前記アルカリ金属原子に所定の強度の直流磁場を与える直流磁場発生手段と、前記直流磁場の強度に応じた所定の周波数の交流磁場を前記アルカリ金属原子に与える交流磁場発生手段と、前記アルカリ金属原子に電磁誘起透過現象を発現させるように、前記第1の共鳴光と前記第2の共鳴光との周波数差を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。アルカリ金属原子に直流磁場を与えると、ゼーマン分裂を起こす。ゼーマン分裂されたEIT信号は、夫々の基底準位に配分されているために、mF=0の基底準位でのアルカリ金属原子が存在する確率が低くなり、EIT信号のレベルが低くなる。そこで、mF=0の基底準位でのアルカリ金属原子が存在する確率を高めるために、円偏光の光をアルカリ金属原子に照射する。その結果、例えば、右円偏光の光の照射を受けたアルカリ金属原子はF=4の基底準位第2基底準位34に対しては、9つの磁気量子数mF=-4、-3、-2、-1、0、1、2、3、4の中で5つの磁気量子数mF=0、1、2、3、4に偏って存在する確率が高くなる。或いは、F=3の基底準位第1基底準位33に対しては4つの磁気量子数mF=0、1、2、3に原子が偏って存在する確率が高くなる。しかし、この状態では、直線偏光に比べてmF=0でのEIT信号のレベルは高くなるが、それ以外のmFでのレベルも高いため、必ずしも効率よくmF=0でのEITレベルを高くできない。そこで本発明では、直流磁場の強度に応じた所定の周波数の交流磁場をアルカリ金属原子に与える交流磁場発生手段を備える。これにより、磁気量子数mF=0以外の磁気量子数mFに存在するアルカリ金属原子の数をmF=0の基底準位に遷移させて、磁気量子数mF=0におけるEIT信号のピーク値を高くすることができる。[適用例2]前記直流磁場の強度を検出する直流磁場検出手段を備え、前記交流磁場発生手段は、前記直流磁場検出手段が検出した前記直流磁場の強度に基づき、所定の周波数の交流磁場を前記アルカリ金属原子に与えることを特徴とする。直流磁場をアルカリ金属原子に与えるとゼーマン分裂を起こす。そのとき、磁気量子数mFが互いに異なるエネルギー差ΔEと、そのエネルギー差に相当する周波数差ΔFを生じる。そして、直流磁場と、円偏光の共鳴光と、ΔFに等しい交流磁場を与えると、磁気量子数mF=1のゼーマン準位にあったアルカリ金属原子は磁気量子数mF=0の状態へと遷移する。これにより、磁気量子数mF=0のゼーマン準位にあるアルカリ金属原子の数を多くすることができる。[適用例3]前記交流磁場発生手段は、前記直流磁場検出手段が検出した前記直流磁場の強度に基づいて周波数制御信号を生成する周波数制御手段と、前記周波数制御信号に従い周波数が制御される電圧制御発振器と、前記電圧制御発振器の出力信号が入力されることにより前記交流磁場を発生するコイルと、を備えたことを特徴とする。直流磁場は、直流電源からコイルに電流を流して生成する。しかし、電源電圧が変動するとコイルに流れる電流が変化するため、直流磁場の強度が変動する。交流磁場は直流磁場の強度に対応した周波数により磁場を発生する必要がある。そこで本発明では、直流磁場の強度を検出して、その強度に応じた制御信号を電圧制御発振器に与える。これにより、直流磁場の変動に追従して交流磁場の周波数を制御することができる。[適用例4]前記周波数制御手段は、前記直流磁場検出手段が検出した前記直流磁場の強度に対応した周波数情報を記憶する記憶手段を備え、該記憶手段から読み出された周波数情報に基づいて前記周波数制御信号を生成することを特徴とする。直流磁場の強度と交流磁場の周波数の関係は、連続的に変化させても良いが、回路を簡略化するために、直流磁場の強度に対応する交流磁場の周波数情報をテーブルに記憶しておき、検出した直流磁場の強度に対応する周波数情報をテーブルから読み出して出力する。これにより、回路構成を簡略化することができる。以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。本発明の特徴はアルカリ金属原子に強い直流磁場約3ガウスを与え、直流磁場の強度に応じた周波数の交流磁場をアルカリ金属原子に与えた構成にある。図1は、量子数F=4とF=3における周波数差と磁場強度の関係を示す図である。図1aは量子数F=4のときの周波数差と磁場強度の関係を示す図、図1bは量子数F=3のときの周波数差と磁場強度の関係を示す図、図1cはゼーマン分裂したときの基底準位のエネルギーレベルを示す図である。例えば、図1cに示すセシウム原子の量子数F=3の基底準位第1基底準位33を例として説明すると、磁気量子数mF=-3、-2、-1、0、1、2、3について、磁気量子数mFが互いに1だけ異なる基底準位のエネルギー差を、それぞれΔE-3、-221、ΔE-2、-122、ΔE-1、023、ΔE0、124、ΔE1、225、ΔE2、326とし、それぞれのΔEに相当する周波数差をΔF-3、-2、ΔF-2、-1、ΔF-1、0、ΔF0、1、ΔF1、2、ΔF2、3とすると、アルカリ金属原子に強い磁場をかけた場合、ΔFはそれぞれ互いに異なる値を有することに本発明者等は着目した図1bの直線21~26のそれぞれの間隔が異なる。尚、アルカリ金属原子に弱い直流磁場をかけた場合は、それぞれのΔFはほぼ等しくなる。そこで、ΔFがそれぞれ異なった値を有する特徴を利用して、例えば、アルカリ金属原子に、共鳴光と平行な強い直流磁場と、右円偏光の共鳴光と、ΔF0、1に等しい周波数の交流磁場とを与えると、磁気量子数mF=1のゼーマン準位にあったアルカリ金属原子は磁気量子数mF=0の状態へと遷移することになる図1cの矢印。2重共鳴法におけるマイクロ波照射と同じ考えこのとき、もともと磁気量子数mF=0のゼーマン準位にあったアルカリ金属原子はmF=-1のゼーマン準位に遷移しない。なぜならば、交流磁場をアルカリ金属原子に与えても、ΔF0、1とΔF-1、0とは異なる値を有するため、mF=1→0への遷移のみが生じ、mF=0→mF=-1への遷移は生じないからである。このようにして、F=3の基底準位第1基底準位33において、磁気量子数mF=0に存在する原子数を増やすことができ、EIT現象の発現確率を十分に高めることができる。尚、mF=1→0の遷移のみならず、mF=2→0、mF=3→0のいずれかの遷移が起こるように、交流磁場の周波数を制御しても良い。また、セシウム原子のF=4の基底準位についても、F=3の基底準位の例と同様である。図2は本発明の第1の実施形態に係る原子発振器の構成を示すブロック図である。本発明の原子発振器100は、アルカリ金属原子にEIT現象を発現させるための第1の共鳴光、及び第2の共鳴光を発生する半導体レーザー光源1と、半導体レーザー1から発生した共鳴光1aを円偏光するλ/4波長板2と、アルカリ金属原子が封入された原子セル3と、原子セル3から出射した共鳴光3aの強度を検出する光検出手段5と、アルカリ金属原子に所定の強度の直流磁場を与える直流磁場発生手段4と、直流磁場の強度に応じた所定の周波数の交流磁場をアルカリ金属原子に与える交流磁場発生手段8と、光検出手段5から出力された共鳴光の中心波長を制御する中心波長制御手段9と、アルカリ金属原子にEIT現象を発現させるように、第1の共鳴光と第2の共鳴光との周波数差を制御する制御手段10と、を備えて構成されている。尚、交流磁場発生手段8は、交流磁場の周波数を発振する発振器7と、発振器7の出力信号が入力されることにより交流磁場を発生するコイル6と、を備えている。アルカリ金属原子に直流磁場を与えると、ゼーマン分裂を起こす。ゼーマン分裂されたEIT信号は、夫々の基底準位に配分されているために、mF=0の基底準位でのアルカリ金属原子が存在する確率が低くなり、EIT信号のレベルが低くなる。そこで、mF=0の基底準位でのアルカリ金属原子の存在確率を高めるために、円偏光の光2aをアルカリ金属原子に照射する。その結果、例えば、右円偏光の光の照射を受けたアルカリ金属原子は量子数F=4の基底準位第2基底準位34に対しては、9つの磁気量子数mF=-4、-3、-2、-1、0、1、2、3、4の中で5つの磁気量子数mF=0、1、2、3、4に偏って存在する確率が高くなる。或いは、量子数F=3の基底準位第1基底準位33に対しては4つの磁気量子数mF=0、1、2、3に原子が偏って存在する確率が高くなる。しかし、この状態では、直線偏光に比べてmF=0でのEIT信号のレベルは高くなるが、それ以外のmFでのレベルも高いため、必ずしも効率よくmF=0でのEITレベルを高くできない。そこで本実施形態では、直流磁場の強度に応じた所定の周波数の交流磁場をアルカリ金属原子に与える交流磁場発生手段8を備える。これにより、磁気量子数mF=0以外の磁気量子数mFに存在するアルカリ金属原子の数をmF=0の基底準位に遷移させて、磁気量子数mF=0におけるEIT信号のピーク値を高くすることができる。図3は本発明の第2の実施形態に係る原子発振器の構成を示すブロック図である。本発明の原子発振器110が図2と異なる点は、直流磁場発生手段4の直流磁場の強度を検出する直流磁場検出手段11と、交流磁場発生手段14に、直流磁場検出手段11が検出した直流磁場の強度に基づいて周波数制御信号を生成する周波数制御手段12と、周波数制御信号に従い周波数が制御される電圧制御発振器13と、を更に備えたところである。直流磁場をアルカリ金属原子に与えるとゼーマン分裂を起こすことは前記したが、そのとき、磁気量子数mFが互いに異なるエネルギー差ΔEと、そのエネルギー差に相当する周波数差ΔFを生じる。そして、直流磁場と、円偏光の共鳴光2aと、ΔFに等しい交流磁場を与えると、磁気量子数mF=1のゼーマン準位にあったアルカリ金属原子は磁気量子数mF=0の状態へと遷移する。これにより、磁気量子数mF=0のゼーマン準位にあるアルカリ金属原子の数を更に多くすることができる。また、直流磁場は、直流電源からコイルに電流を流して生成する。しかし、電源電圧が変動するとコイルに流れる電流が変化するため、直流磁場の強度が変動する。交流磁場は直流磁場の強度に対応した周波数により磁場を発生する必要がある。そこで本実施形態では、直流磁場の強度を検出して、その強度に応じた制御信号を電圧制御発振器13に与える。これにより、直流磁場の変動に追従して交流磁場の周波数を制御することができる。図4aは本発明の周波数制御手段の一実施形態を示すブロック図である。例えば、本実施形態の周波数制御手段12は、増幅器12aと、増幅器12aの出力を反転入力にフィードバックさせる可変抵抗器R2と、反転入力を接地する抵抗器R1と、を備え、抵抗器R1とR2の比により増幅率を決定する。直流磁場検出手段11は、検出した磁場の強度に対応する検出電圧を出力する図4b。その検出電圧を周波数制御手段12の増幅器12aの非反転入力で受信し、抵抗R1とR2の比で決まる増幅率により磁場の強度を制御電圧に変換して電圧制御発振器13に出力する図4c。電圧制御発振器13は、制御電圧に対応した発振周波数で電圧制御発振器13を発振させる図4d。図5は本発明の周波数制御手段の他の実施形態を示すブロック図である。例えば、周波数制御手段12は、アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器12aと、直流磁場の強度の検出電圧に対応した周波数値の制御電圧を記憶する不揮発性メモリ12bと、不揮発性メモリ12bから読み出された制御電圧のデジタル値をアナログ電圧に変換するD/A変換器12cと、を備えている。直流磁場検出手段11により検出された磁場の強度に対応する検出電圧をA/D変換器12aでデジタル信号に変換し、この検出電圧に対応する不揮発性メモリ12bに記憶されたデジタル電圧値を読み出す。そのデジタル電圧値はD/A変換器12cによりアナログ値に変換されて電圧制御発振器13に出力する。電圧制御発振器13は、アナログ値に変換された制御電圧に対応した発振周波数で電圧制御発振器13を発振させる。"