活性層と、板状のスラブに該スラブと屈折率の異なる異屈折率領域が、両対角線が互いに平行であって、一方の対角線についてのみ長さが異なる第1の菱形状格子と第2の菱形状格子の各格子点上に形成されたフォトニック結晶層と、を有し、前記第1の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax1ay、前記第2の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax2ax2≠ax1ay、前記フォトニック結晶層に垂直な方向における該フォトニック結晶層の等価屈折率をnとしたとき、ax1ax2aynが以下の不等式を満たすことを特徴とするフォトニック結晶面発光レーザ。活性層と、板状のスラブに該スラブと屈折率の異なる異屈折率領域が第1の菱形状格子の格子点上に形成された第1フォトニック結晶層と、板状のスラブに異屈折率領域が、第1の菱形状格子と両対角線が平行であって、一方の対角線のみ長さが異なる第2の菱形状格子の格子点上に形成された第2フォトニック結晶層と、を有し、前記第1の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax1ay、前記第2の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax2ax2≠ax1ay、前記第1フォトニック結晶層及び前記第2フォトニック結晶層に垂直な方向における該第1フォトニック結晶層及び該第2フォトニック結晶層の等価屈折率をnとしたとき、ax1ax2aynが以下の不等式を満たすことを特徴とするフォトニック結晶面発光レーザ。前記第1フォトニック結晶層と前記第2フォトニック結晶層が、前記活性層の一方の側に設けられていることを特徴とする請求項2に記載のフォトニック結晶面発光レーザ。前記第1フォトニック結晶層と前記第2フォトニック結晶層が、前記活性層を挟むように設けられていることを特徴とする請求項2に記載のフォトニック結晶面発光レーザ。ax1ax2ayが以下の式を満たすことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のフォトニック結晶面発光レーザ。前記第1の菱形状格子及び/又は前記第2の菱形状格子における前記一方の対角線の長さが、該一方の対角線が延びる方向の位置によって異なり、前記活性層の一部にのみ電流を注入し、該方向に関する該電流の注入位置を変更することが可能である電流注入手段を備える、ことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のフォトニック結晶面発光レーザ。前記第1の菱形状格子及び/又は前記第2の菱形状格子が、前記一方の対角線の長さがそれぞれ異なる複数の異周期領域を有することを特徴とする請求項6に記載のフォトニック結晶面発光レーザ。前記第1の菱形状格子又は前記第2の菱形状格子の、前記一方の対角線の長さが連続的に異なることを特徴とする請求項6に記載のフォトニック結晶面発光レーザ。前記第1の菱形状格子及び/又は前記第2の菱形状格子における前記一方の対角線の長さ及び前記他方の対角線の長さが、該一方の対角線及び該他方の対角線のそれぞれの延びる方向の位置によって異なる複数の異周期領域と、前記活性層の一部にのみ電流を注入し、該方向に関する該電流の注入位置を変更することが可能である電流注入手段と、を備えることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のフォトニック結晶面発光レーザ。前記異周期領域毎の前記第1の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax1says、前記第2の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax2sax2s≠ax1says、外部に出射されたビームの出射角と波長をそれぞれθs、λとしたとき、以下の式を満たすことを特徴とする請求項9に記載のフォトニック結晶面発光レーザ。特許文献1では、2つのフォトニック結晶の格子配列に、正方格子と長方格子又は周期の異なる2つの長方格子を用いることを記載している。しかしながら、その後の研究によってこれらの格子配列の組み合わせでは、30°以上に設計すると、意図しないモードの光が出射することが判明した。また、30°以下の出射角で設計した場合でもレーザ発振の閾値が高く、高い電圧の印加が必要であった。本発明が解決しようとする課題は、傾斜ビームの出射角が30°以上になるように設計しても、設計通りに出射方向を傾けることができると共に、低閾値で安定してレーザ発振することのできるフォトニック結晶面発光レーザを提供することである。上記課題を解決するために成された第一発明は、活性層と、板状のスラブに該スラブと屈折率の異なる異屈折率領域が、両対角線が互いに平行であって、一方の対角線についてのみ長さが異なる第1の菱形状格子と第2の菱形状格子の各格子点上に形成されたフォトニック結晶層と、を有し、前記第1の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax1ay、前記第2の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax2ax2≠ax1ay、前記フォトニック結晶層に垂直な方向における該フォトニック結晶層の等価屈折率をnとしたとき、ax1ax2aynが以下の不等式を満たすことを特徴とする。また、上記課題を解決するために成された第二発明は、活性層と、板状のスラブに該スラブと屈折率の異なる異屈折率領域が第1の菱形状格子の格子点上に形成された第1フォトニック結晶層と、板状のスラブに異屈折率領域が、第1の菱形状格子と両対角線が平行であって、一方の対角線のみ長さが異なる第2の菱形状格子の格子点上に形成された第2フォトニック結晶層と、を有し、前記第1の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax1ay、前記第2の菱形状格子の前記一方の対角線の長さ及び他方の対角線の長さをそれぞれax2ax2≠ax1ay、前記第1フォトニック結晶層及び前記第2フォトニック結晶層に垂直な方向における該第1フォトニック結晶層及び該第2フォトニック結晶層の等価屈折率をnとしたとき、ax1ax2aynが以下の不等式を満たすことを特徴とする。なお、ここで言う菱形状格子とは、通常の菱形格子を拡張した概念を示すものである。まず、通常の菱形格子について説明する。菱形格子は菱形の単位格子を有し、2つの基本並進ベクトルprimitivetranslationvectorの長さが等しく、該2つの基本並進ベクトルの為す角ψが0°ψ180°内の任意の角度を有する格子である。菱形格子の単位格子の2つの対角線は直交し、それらの長さは全ての単位格子においてそれぞれ同じである。一方、本発明における菱形状格子は、上述した通常の菱形格子に加えて、単位格子の両対角線のうちのいずれか一方の長さが該一方の方向の位置に応じて異なるものを含む。なお、菱形格子以外の菱形状格子における単位格子は、菱形が歪んだ形状を有し、その形状が位置により異なるため、厳密には結晶学上の単位格子とは言えないが、本願では便宜上単位格子と呼ぶ。三角格子又は六方格子及び正方格子は菱形状格子の特別な場合に該当する。すなわち、菱形格子の2つの基本並進ベクトルの為す角ψが60°120°の場合には三角格子又は六方格子であり、ψ90°の場合には正方格子である。一方、長方格子は菱形状格子に含まれない。従って、本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザは、特許文献1に記載の正方格子と長方格子又は2つの長方格子を組み合わせたフォトニック結晶面発光レーザとは異なる構造を有する。また、特許文献1には2つの三角格子を用いることも記載されているが、この文献には三角格子において具体的にどのように2つの周期を変えるかという点は記載されていない。三角格子はその定義によれば格子の三角形の形状が正三角形であるものを指すため、本発明では一方の格子配列が三角格子であっても、もう一方の格子配列は三角格子でない。従って、本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザは、2つの三角格子を用いる特許文献1に記載のフォトニック結晶面発光レーザとは異なる構造を有する。本発明者が特許文献1に記載のフォトニック結晶面発光レーザを詳細に検討した結果、このフォトニック結晶面発光レーザでは2次の結合強度κフィードバック強度によりレーザ発振することが明らかになった。一般に、高次になればなるほど結合強度が小さくなり、それに伴ってレーザ発振の閾値が高くなったり、意図しないモードの光が生じたりするようになる。この観点のもとで、より大きい結合強度が得られる格子配列の組み合わせを検討した結果、本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザでは、1次の結合強度によりレーザ発振することを見出した。そして、実際に本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザを作製した結果、この構造では45°まで設計通りに出射方向を傾けることができることが実験により示された。また、特許文献1のフォトニック結晶面発光レーザに比べて低い閾値で発振すること、意図しないモードの出射を防ぐことができること、も示された。本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザにおいて、前記第1の菱形状格子及び/又は前記第2の菱形状格子における前記一方の対角線の長さが、該一方の対角線が延びる方向の位置によって異なり、前記活性層の一部にのみ電流を注入し、該方向に関する該電流の注入位置を変更することが可能である電流注入手段を備える、ようにしてもよい。これにより、活性層の一部分にのみ電流が注入され、その部分に対向するフォトニック結晶層の一部分においてレーザ発振が生じる。傾斜ビームは、そのレーザ発振部分における第1の菱形状格子及び第2の菱形状格子の対角線の長さに応じた出射角で出射する。そのため、このフォトニック結晶面発光レーザでは、電流の注入位置により異なる出射角で傾斜ビームが出射する。以下、このようなフォトニック結晶面発光レーザを出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザと呼ぶ。本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザでは、1次の結合強度を用いてレーザ発振させる。そのため、2次の結合強度を用いていた特許文献1のフォトニック結晶面発光レーザに比べて、レーザ閾値が低くなり、その結果、安定して最大45°の出射角でもってレーザビーム傾斜ビームを出射することができる。以下、本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザの実施例を説明する。なお、本発明は以下に述べる実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で変更可能なものである。本発明に係るフォトニック結晶面発光レーザの第1実施例を、図1~図6を用いて説明する。図1は本実施例のフォトニック結晶面発光レーザの斜視図である。このフォトニック結晶面発光レーザ10は、裏面電極11と、下部基板12と、第1クラッド層13と、フォトニック結晶層14と、活性層15と、第2クラッド層16と、上部基板17と、窓状電極18と、をこの順に積層したものである。本実施例のフォトニック結晶面発光レーザ10では、レーザビームは、窓状電極18の中央部に設けられた空洞窓181を通って、上部基板17の窓状電極18側の表面に対する垂線から出射角θだけ傾斜した方向に出射される。本実施例では、下部基板12にはp型半導体のガリウムヒ素GaAsを、第1クラッド層13にはp型半導体のアルミニウムガリウム砒素AlGaAsを、第2クラッド層16にはn型AlGaAsを、上部基板17にはn型GaAsを、それぞれ用いた。活性層15には、インジウムガリウム砒素/ガリウムヒ素InGaAsGaAsから成る多重量子井戸MultipleQuantumWellMQWを有するものを用いた。裏面電極11及び窓状電極18の材料には金を用いた。なお、これら各層の材料は上記のものには限定されず、従来のフォトニック結晶面発光レーザで用いられている各層の材料をそのまま用いることができる。また、上記各層の間には、スペーサ層などの他の層が介挿されていてもよい。フォトニック結晶層14は、板状のスラブ142内に空孔異屈折率領域141を、後述の格子点上に周期的に配置したものである。本実施例では、スラブ142の材料にはp型GaAsを用いる。空孔141の形状は、本実施例では正三角形であるが、円形などの他の形状を用いてもよい。なお、スラブ142の材料は上記のものには限られず、従来のフォトニック結晶面発光レーザで用いられているものを用いることができる。また、異屈折率領域には、空孔141の代わりに、スラブ142とは屈折率が異なる部材異屈折率部材を用いてもよい。空孔は容易に加工することができるという点において優れているのに対して、異屈折率部材は加工時の加熱などにより母材層が変形するおそれがある場合に有利である。図2を用いて、フォトニック結晶層14において空孔141が配置される格子点について説明する。本実施例では、第1菱形格子19A図2と第2菱形格子19B図2を重ね合わせた格子図2を用いる。これら第1菱形格子19A及び第2菱形格子19Bは、上述の菱形状格子のうち、通常の菱形格子に該当するなお、菱形格子以外の菱形状格子については第5及び第6実施例で説明する。第1菱形格子19Aは格子点191Aから成り、菱形の第1単位格子192Aを有する。以下では、菱形格子における単位格子の対角線を単に対角線と呼ぶ。また、一方の対角線が延びる方向をx方向、他方の対角線が延びる方向をy方向とする。ここで、第1単位格子192Aは菱形であることから、これら対角線は当然直交する。これら対角線の長さは、x方向ではax1、y方向ではayである。それに対して第2菱形格子19Bは格子点191Bから成り、対角線の向きが第1菱形格子19Aと等しい菱形の第2単位格子192Bを有する。第2菱形格子19Bにおける対角線の長さは、x方向では第1菱形格子19Aよりも長いax2であり、y方向では第1菱形格子19Aと同じayである。これらax1、ax2及びayの値は、後述の式を満たす。なお、菱形格子の形状は、本願では説明の都合上、上述のように対角線の長さで特定したが、単位格子の菱形の1辺の長さa及び隣接する2辺の角度ψを用いて特定するのが一般的である。そのような一般的な特定方法によれば、第1菱形格子19Aでは長さa1×05、角度ψ12arctanであり、第2菱形格子19Bでは長さa2×05、角度ψ22arctanである。また、菱形格子では、単位格子の菱形の対角線により囲まれる最小の長方形を、菱形のものとは異なる単位格子と規定することもできる図2及びに一点鎖線で示した長方形。この長方形の単位格子には、4つの角と中心に格子点が配置される。このような単位格子を有する格子を面心長方格子と呼ぶ。ただし、菱形格子と面心長方格子は、単位格子の取り方が異なるだけであり、物としては同じである。なお、特許文献1に記載の長方格子は中心に格子点がないため、面心長方格子ではない。以下、面心長方格子ではない長方格子を単純長方格子と呼ぶ。比較のために、図3に、特許文献1に記載の2次元フォトニック結晶レーザにおいて空孔が配置される格子点を示す。この比較例は、各々の単位格子のy方向の辺の長さが等しい正方格子と単純長方格子を重ねた例図3と、各々の単位格子のy方向の辺の長さが等しく、x方向の辺の長さが異なる2つの単純長方格子を重ねた例図3である。特許文献1に記載のように、本実施例と特許文献1のフォトニック結晶面発光レーザでは、x方向の格子定数差ax1ax2に起因する光の定在波の周波数差によるうなりを利用して傾斜ビームを出射する。次に、本実施例のフォトニック結晶面発光レーザが比較例よりも優れている点を、図4及び図5を参照して説明する。なお、図3の正方格子と単純長方格子の組み合わせは、図3の2つの単純長方格子の組み合わせの特殊なケースに過ぎないので、以下の比較例に関する議論は、2つの単純長方格子の組み合わせに対してのみ行う。図4及びは、本実施例図2と比較例図3及びの実格子に対応する逆格子空間であり、本実施例の2つの菱形格子あるいは比較例の2つの単純長方格子の各逆格子点を、原点を中心に重ねて描いたものである。各々の逆格子空間における逆格子ベクトルは、2つの格子のΓX2方向の逆格子ベクトルGyが等しいため、基本の逆格子ベクトルとしてGx1Gx2Gyの3つを用いることができる。すべての逆格子ベクトルは、これら3つの基本逆格子ベクトルの整数倍の足し合わせで表される。図4中のGx1Gx2も、上記の基本逆格子ベクトルを用いてGx1Gx1GyGx2Gx2Gyと表されるため、逆格子ベクトルである。次に、図4及びの逆格子空間において、レーザ発振の根本の原理である基本波の結合モデル図5及びについて述べる。これらの逆格子空間において基本波はそれぞれ4つ存在する。これらの基本波は、逆格子ベクトルGによって互いに結ばれる関係にあり、4つの基本波が互いに結合することで、レーザ発振に至る。そのときの基本波同士の結合強度フィードバック強度はκで表される。この結合強度κは、レーザ発振には必須のパラメータである。ここで、ΓX1方向はGx1とGx2又はGx2’を1回ずつ介する結合であるため、図5と図5は同程度の結合強度となる。一方、ΓX2方向の結合強度をみると、図5では1次の結合強度κ、図5では2次の結合強度κとなる。一般的に、2次より1次の方がκの値は大きくなるため、図5のように基本波が形成される本実施例の方が優れているといえる。例えば同一条件で計算した場合、比較例ではκ790cm1、本実施例ではκ1640cm1となる条件は、ax1125ayax21125ay、格子孔は充填率12の真円。結合強度が大きくなることは、閾値が低下することにつながり、意図したモードが安定に発振することを意味する。なお、本実施例と特許文献1のフォトニック結晶面発光レーザにおいて傾斜ビームが形成されるのは、上記のように、x方向の格子定数差ax1ax2に起因する光の定在波の周波数差によるうなりが生じるためである。より具体的には、x方向の波数ずれΔkGx1Gx22の成分を面内に持つビームが斜め方向に出射されることになる。ここで、傾斜ビームの傾斜が大きいとフォトニック結晶層14の内部でビームが全反射してしまい、フォトニック結晶層14の外部にビームが出ないことがある。これを防ぐには、以下の式を満たすように菱形格子のパラメータax1ax2ayを与えれば良い。なお、nはフォトニック結晶層14に垂直な方向における該フォトニック結晶層14の等価屈折率である。式は次のように導出される。フォトニック結晶層14と空気の間には、スネルの法則より、sinθn×sinθinが成り立つ。ここでθは空気側の屈折角、θinはフォトニック結晶層14側の屈折角である。フォトニック結晶層14の内部で形成された傾斜ビームが外部に放射される条件はsinθ≦1であるので、式よりn×sinθin≦1が成り立つ。ここで、フォトニック結晶層14の内部における傾斜ビームの波数をk、その面内方向の波数をΔkとすると、であるので、式より、で表される。一方、k及びΔkは以下の式で表されるため、式及び式を式に代入することにより、式が得られる。次に、図1及び図2に示した構造のフォトニック結晶面発光レーザ10を作製し、その性能を検証した結果を示す。図6は、出射角θの設計値が20°になるように格子定数をay590nm、ax1303nm、ax2384nmと定めて作製したフォトニック結晶面発光レーザ10から出射される傾斜ビームを測定した結果を示したものである。これらの格子定数は、出射角θの設計値、出射されるレーザの波長λ及びフォトニック結晶層の等価屈折率nを用いて、以下の式~により求められる。作製されたフォトニック結晶面発光レーザ10から出射された傾斜ビームの出射角の測定値は196°であり、設計値に近い値が得られた。また、比較例として、正方格子と単純長方格子を重ね合わせた格子の格子点に空孔を配置したフォトニック結晶面発光レーザを作製し、出射される傾斜ビームを測定した図6。この比較例では、正方格子の格子定数をax1ay295nm、単純長方格子の格子定数をax2372nm、ay295nmとした。これらの格子定数は出射角θの設計値が20°になるように定めたものであり、出射角θの実測値は199°であった。これら本実施例及び比較例において閾値を測定したところ、比較例では約110mAであったのに対して、本実施例では比較例よりも低い約70mAという値が得られた。これは、本実施例における結合強度が比較例よりも強くなっていることに起因すると考えられる。また、本実施例図6及び比較例図6において、出射角θの設計値の異なる複数のフォトニック結晶面発光レーザを作製し、得られた傾斜ビームを測定した。その結果、比較例では、出射角θの設計値が比較的小さい範囲においては実測値が設計値とよく一致しているのに対して、設計値が30°以上の範囲においては実測値が設計値よりも小さくなり、両者が一致していない。これは、設計値に対応する発振モードの閾値が高いため実際には発振せず、それとは別の不所望のモードが発振していることによると考えられる。また、設計値が30°以下であっても、設計値通りの傾斜角を有する傾斜ビームだけではなく、不所望の発振モードに起因する傾斜ビームが出射されてしまう。さらに、出射角の実測値が0°に近い不所望のモードの発振も見られる。それに対して本実施例では、0°~45°までの全範囲に亘って、設計値通りの出射角を有する傾斜ビームが実際に得られることが確認された。これは、本実施例では、所望のモードでの発振の閾値が比較例よりも小さくなったことによってその発振が生じやすくなったことによると考えられる。次に、図7及び図8を用いて、フォトニック結晶面発光レーザ10の製造方法を説明する。まず、上部基板17の上に、第2クラッド層16、活性層15及びスラブ142をこの順に、MOCVD法等により積層する図7。なお、スラブ142には未だ空孔141は形成されていない。次にスラブ142の上にレジスト21を塗布し、第1菱形格子と第2菱形格子を重ねた格子図8の格子点上に正三角形の孔22が配置されたレジストパターン図8を描画する。そして、CVD法などを用いて、孔22を通してスラブ142をエッチングすることにより、スラブ142に空孔141を形成する図7。これにより、フォトニック結晶層14が作製される。別途、第2基板121上に第1クラッド層13及びスラブ142と同じ材料から成る融着層143をこの順に積層する。そして、フォトニック結晶層14と融着層143を重ねて加熱することにより、両者を融着させる図7。次に、第2基板121を鏡面研磨することにより所定の厚さまで減厚する。減厚後の第2基板121は下部基板12となる。更に、下部基板12の表面に裏面電極11を、上部基板17の表面に窓状電極18を、それぞれ蒸着法などの方法を用いて形成することにより、フォトニック結晶面発光レーザ10が得られる図7。図9~図11を用いて第2実施例のフォトニック結晶面発光レーザ30を説明する。図9はフォトニック結晶面発光レーザ30の縦断面図である、このフォトニック結晶面発光レーザ30は、裏面電極31と、下部基板32と、第1クラッド層33と、第1フォトニック結晶層34と、活性層35と、第2フォトニック結晶層36と、第2クラッド層37と、上部基板38と、窓状電極39と、をこの順に積層したものである。このように、本実施例では第1フォトニック結晶層34と第2フォトニック結晶層36の2層のフォトニック結晶層を有する点が第1実施例と異なる。なお、本実施例では第1フォトニック結晶層34と第2フォトニック結晶層36は両者の間に活性層35を挟むように設けたが、第1フォトニック結晶層34と第2フォトニック結晶層36の双方を、活性層35から見て同じ側に設けてもよい。第1フォトニック結晶層34は空孔341を上述の第1菱形格子19Aの格子点191A上に配置したものであり、第2フォトニック結晶層36は空孔361を上述の第2菱形格子19Bの格子点191B上に配置したものである。これら2つのフォトニック結晶層の空孔をこれらの層に平行な平面に射影すると、空孔が配置された格子点は、第1実施例におけるフォトニック結晶層14の格子点図2と同様に配列される。上記裏面電極31、下部基板32、第1クラッド層33、活性層35、第2クラッド層37、上部基板38及び窓状電極39の材料にはそれぞれ、第1実施例における裏面電極11、下部基板12、第1クラッド層13、活性層15、第2クラッド層16、上部基板17及び窓状電極18の材料と同じものを用いることができる。また、第1フォトニック結晶層34におけるスラブ第1スラブ342及び第2フォトニック結晶層36におけるスラブ第2スラブ362には、第1実施例におけるスラブ142と同じ材料を用いることができる。さらには、第1フォトニック結晶層34における空孔341及び第2フォトニック結晶層36における空孔361の代わりに、異屈折率部材を用いることができる点も第1実施例と同様である。本実施例のフォトニック結晶面発光レーザ30は、上述のようにフォトニック結晶層の構成が異なるものの、その動作は第1実施例のフォトニック結晶面発光レーザ10と同様である。図10及び図11を用いて、フォトニック結晶面発光レーザ30の製造方法を説明する。図10は本製造方法を示す縦断面図であり、図11は本製造方法において使用するレジストに描画された状態を示す上面図である。まず、製造用基板41の上にエッチストップ層42、第1スラブ342、活性層35及び第2スラブ362をこの順に積層した第1積層体50を作製する図10。製造用基板41及びエッチストップ層42の材料などの説明は後述する。次に、第2スラブ362の上に第1レジスト431を塗布し、第1レジスト431の四隅に十字マーク47を描画図11した後、十字マーク251から積層体50をエッチングすることにより、積層体50を貫く位置合わせ用マーク44を形成する図10。続いて第1レジスト431を除去したうえで新たに第2レジスト432を塗布し、その第2レジスト432に、第2菱形格子19Bの格子点191Bに空孔361が配列された状態に対応する孔48パターンを描画する図11。そして、孔48から第2スラブ362をエッチングし、第2スラブ362に空孔341を形成することにより、第2フォトニック結晶層36を作製する図10。その後、第2レジスト432を除去する。別途、第2基板381上に第2クラッド層37、及び第2スラブ362と同じ材料から成る第2融着層363をこの順に形成することにより、第2積層体51を作製する。そして、第1積層体50の第2フォトニック結晶層36と第2積層体51の第2融着層363を重ねて、両者を熱融着する図10。次に、研磨法及びウエットエッチング法により製造用基板41を除去し、更にエッチング剤を変えてエッチストップ層42を除去する図10。ここで、エッチストップ層42には製造用基板41用のエッチング液ではエッチングされない材料であって、且つ、それ以外のエッチング液を用いて製造用基板41よりも低速でエッチングされるものを用いる。次に、製造用基板41及びエッチストップ層42の除去により露出した第1スラブ342の表面に第3レジスト433を塗布し、第3レジスト433を透過して見える位置合わせ用マーク44の位置を基準として、空孔361と空孔341のy方向の位置が一致するように、第1菱形格子19Aの格子点191Aに対応する位置の第3レジスト433に孔49を形成する図11。そして、孔49から第1スラブ342をエッチングして空孔341を形成することにより、第1フォトニック結晶層34を作製する図10。その後、第3レジスト433を除去する。別途、第1基板321上に第1クラッド層33、及び第1スラブ342と同じ材料から成る第1融着層343をこの順に形成した第3積層体を52を、第1融着層343と第1フォトニック結晶層34が重なるように第1フォトニック結晶層34の上に載置し、第1融着層343と第1フォトニック結晶層34を熱融着する図10。その後、第1基板321及び第2基板381を鏡面研磨により所定の厚さまで減厚し、第1基板321の表面に裏面電極31を、第2基板381の表面に窓状電極39を作製することにより、第2実施例のフォトニック結晶面発光レーザ30が得られる図10。図12を用いて、第3実施例のフォトニック結晶面発光レーザ60を説明する。本実施例のフォトニック結晶面発光レーザ60は、上述の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザの一例である。出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60は、裏面電極611、612、613、61SmaxSmaxは整数。裏面電極61Smaxは図示せず。と、下部基板62と、第1クラッド層63と、フォトニック結晶層64と、活性層65と、第2クラッド層66と、上部基板67と、透明電極68と、をこの順に積層したものである。フォトニック結晶層64は、1枚のスラブに第1異周期領域641、第2異周期領域642、第3異周期領域643第Smax異周期領域64Smax第Smax異周期領域64Smaxは図示せず。を有する。これら異周期領域の各々には、第1実施例のフォトニック結晶層14と同様に、x方向の対角線の長さが異なり、y方向の対角線の長さayが等しい単位格子を有する第1菱形格子及び第2菱形格子を重ね合わせた格子の格子点上に空孔が配置されている。そして、第1菱形格子及び第2菱形格子の各々において、単位格子のx方向の対角線長は、異周期領域毎に異なる。それら対角線長は、第S異周期領域64SS123Smaxではax1s及びax2sであり、ax1sとax2sは以下の式を満たす。ただし、Sの値が大きくなるほど、rの値も大きくなる。裏面電極611、612、613、、及び61Smaxは、第1異周期領域641、第2異周期領域642、第3異周期領域643、及び第Smax異周期領域64Smaxの直下に設けられている。本実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60では、裏面電極611、612、613、、61Smaxのうちの1つと透明電極68の間に電圧を印加することにより、その裏面電極の直上にある活性層の一部分に電流が注入され、その部分からの発光が、その部分の直上にある第S異周期領域64Sにおいて増幅される。これにより、その第S異周期領域64Sにおける2つの菱形格子のx方向の対角線長により定まる出射角θSで傾斜ビームが出射する。上述のように2つの菱形格子のx方向の対角線長が異周期領域毎に異なるため、この出射角θSは異周期領域毎、すなわち電流の注入に用いる裏面電極により異なることとなる。これにより、1個の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60から、出射角θの異なる傾斜ビームを得ることができる。本実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60は、第1実施例のフォトニック結晶面発光レーザ10と同様の方法により作製することができる。なお、上記実施例3では、第1菱形格子及び第2菱形格子におけるx方向の対角線の長さは式を満たすように定めたが、これには限定されない。例えばx方向の対角線の長さは、第1菱形格子及び第2菱形格子のうちのいずれか一方の菱形格子のみを異周期領域毎に異なる値とし、他方の菱形格子は全ての異周期領域で同じ値にしてもよい図13。また、y方向の対角線の長さは、異周期領域毎に異なる値としてもよい図14。ただし、1つの異周期領域内では、第1菱形格子のy方向の対角線と第2菱形格子のy方向の対角線は同じ長さとする。以下、第1菱形格子の第S異周期領域64S及び第2菱形格子の第S異周期領域66Sにおけるy方向の対角線の長さをaysとする。この場合において、ax1s、ax2s、ays及びrが、出射させようとする傾斜ビームの出射角θと波長λにより、以下の式~を満たすことが望ましい。これら式~を満たす場合には、電流が注入される位置に応じて、異なる出射角θで且つ同じ波長λを有する傾斜ビームを得ることができる。第3実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60では、第1実施例と同様に、2つの菱形格子を重ね合わせた格子を有するフォトニック結晶層を1層のみ設けたが、第2実施例と同様にフォトニック結晶層を2層設けてもよい。その例第4実施例を図15に示す。第4実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60Aは、活性層65の一方の側に第1フォトニック結晶層64Aを、他方の側に第2フォトニック結晶層66Aを、それぞれ有する。第1フォトニック結晶層64Aには、1枚のスラブに第1異周期領域641A、第2異周期領域642A、第3異周期領域643A第Smax異周期領域64SmaxA第Smax異周期領域64SmaxAは図示せずが設けられており、各異周期領域には、x方向の対角線の長さがax1s、y方向の対角線の長さがayである単位格子を有する菱形格子の格子点上に空孔が設けられている。第2フォトニック結晶層66Aには、1枚のスラブにおける、第1フォトニック結晶層64Aの各異周期領域の直上の位置に、第1異周期領域661A、第2異周期領域662A、第3異周期領域663A第Smax異周期領域66SmaxA第Smax異周期領域66SmaxAは図示せずが設けられており、各異周期領域には、x方向の対角線の長さがax2s、y方向の対角線の長さがayである単位格子を有する菱形格子の格子点上に空孔が設けられている。ax1sとax2sは上記式の関係、及びSの値が大きくなるほど式のrの値が大きくなるという関係を満たしている。なお、第3実施例と同様に、ax1s、ax2s及びayの関係は式のものには限られず、図13や図14に示したものなどを用いることもできる。第4実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60Aの動作は、第3実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60と同様である。また、第4実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60Aは、第2実施例のフォトニック結晶面発光レーザ30と同様の方法により作製することができる。図16を用いて、第5実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ70を説明する。本実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ70は、フォトニック結晶層74及び裏面電極71を除いて、第3実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ60と同じ構成を有する。これら第3実施例と同じ構成に関しては説明を省略する。フォトニック結晶層74は、第1菱形状格子741Aと第2菱形状格子741B図16を重ね合わせた格子741図16の格子点上に空孔を配置したものである。第1菱形状格子741Aでは、その全体に亘って、x方向の対角線の長さはax1、y方向の対角線の長さはayである。従って、第1菱形状格子741Aは通常の菱形格子である。一方、第2菱形状格子741Bでは、y方向の対角線の長さは格子の全体に亘ってayであるのに対して、x方向の対角線の長さは、正方向に向かって徐々に大きくなっている。そのため、第2菱形状格子741Bは、並進対称性がないうえに、菱形格子の単位格子に相当する4個の格子点で形成される四角形が菱形がx方向に歪んだ形状を有するため、菱形格子ではない。そのため、本実施例ではこの格子を菱形状格子とよんでいる。裏面電極71は、第3実施例における裏面電極よりもx方向の幅が狭い単位裏面電極711、712、713、714、を多数、x方向に並べたものである。本実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ70では、単位裏面電極のうち隣接する複数のものと透明電極68の間に電圧を印加することにより、それら単位裏面電極の直上にある活性層の一部分に電流が注入され、その部分からの発光が、フォトニック結晶層74の一部分において増幅される。その際、出射角θはフォトニック結晶層74の当該一部分における第1菱形状格子741Aの対角線の長さと第2菱形状格子741Bの対角線の長さの差により定まる出射角で傾斜ビームが出射する。そして、電流の注入に用いる単位裏面電極を変更することにより、電流が注入される活性層の一部分、及び光の増幅作用を生じるフォトニック結晶層74の一部分が移動するため、傾斜ビームの出射角も変更される。その際、複数並んだ単位裏面電極のうち、一方の端にある1個の単位裏面電極からの電流の注入を止め、新たに他方の端に隣接する1個の単位裏面電極から電流を注入することにより、電流が注入される領域をわずかに移動させることができる。これにより、出射角θを微調整することができる。例えば、図17に示すように、隣接する単位裏面電極711、712及び713と透明電極68の間に電圧を印加すると、それらの直上の領域65Aに電流が注入され、その領域中のフォトニック結晶層74において光が増幅される。次に、図17に示すように、単位裏面電極711と透明電極68の間の電圧印加を止め、新たに、単位裏面電極713とxの正方向に隣接する単位裏面電極714と透明電極68の間に電圧を印加すると、電流が注入される領域65Aが移動し、その領域65A中のフォトニック結晶層74において光が増幅される。これら2つの状態の間では、領域65A中におけるフォトニック結晶層74の対角線の長さが異なるため、出射される傾斜ビームの出射角が異なる。図18を用いて、第6実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ80を説明する。本実施例では、活性層65の下側に第1フォトニック結晶層84を、上側に第2フォトニック結晶層86を設けた点を除いて、第5実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ70と同じ構成を有する。第1フォトニック結晶層84には、第5実施例における第1菱形状格子741Aと同じ周期で空孔が配列され、第2フォトニック結晶層86には、第5実施例における第2菱形状格子741Bと同じ周期で空孔が配列されている。その他の第5実施例と同じ構成に関しては説明を省略する。また、本実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ80の動作は、第5実施例の出射方向可変フォトニック結晶面発光レーザ70と同様である。