"有機膜が設けられた機能領域と、前記機能領域を囲うガードリングとを備えた固体撮像装置。前記機能領域の周囲の周辺領域に設けられたボンディングパッドと、前記ボンディングパッドに対向する位置に設けられた開口部とを備えた請求項1記載の固体撮像装置。前記ガードリングは、前記機能領域を囲い、かつ前記開口部を含まない領域に設けられた第1ガードリングを含む請求項2記載の固体撮像装置。前記ガードリングは、前記開口部を囲う第2ガードリングと、チップ外周に沿った第3ガードリングとを含む請求項2記載の固体撮像装置。前記第2ガードリングは複数の開口部にまたがって設けられている請求項4記載の固体撮像装置。前記ガードリングは、水分および酸素を透過しない材料膜により構成されている請求項1記載の固体撮像装置。前記ガードリングは、前記機能領域の周囲に一層以上の金属層を積層した構成を有する請求項1記載の固体撮像装置。前記金属層は、アルミニウム,タングステン,チタン,モリブデン,タンタル,銅、あるいはこれらの合金膜、または、これらの金属膜にシリコンあるいは酸素を含有させた膜により構成されている請求項7記載の固体撮像装置。パッシベーション膜を備え、前記パッシベーション膜は、前記ガードリングを構成する最上層の金属層の直上に直接被着されている請求項7記載の固体撮像装置。前記機能領域の周囲に絶縁膜を備え、前記ガードリングは、前記絶縁膜に設けられた溝の内部に埋め込まれた埋込み層により構成されている請求項1記載の固体撮像装置。前記埋込み層は、金属膜またはシリコン窒化膜により構成されている請求項10記載の固体撮像装置。前記金属膜は、アルミニウム,タングステン,チタン,モリブデン,タンタル,銅、あるいはこれらの合金膜、または、これらの金属膜にシリコンあるいは酸素を含有させた膜により構成されている請求項11記載の固体撮像装置。前記機能領域の上面および前記絶縁膜の上面を覆うパッシベーション膜を備え、前記パッシベーション膜は、前記埋込み層の直上に直接被着されている請求項10記載の固体撮像装置。前記機能領域の周囲に設けられた絶縁膜と、前記機能領域の上面および前記絶縁膜の上面を覆うパッシベーション膜とを備え、前記ガードリングは、前記絶縁膜に設けられた溝の内部に被着されたパッシベーション膜により構成されている請求項1記載の固体撮像装置。前記パッシベーション膜は、水分および酸素を透過しない材料膜により構成されている請求項9記載の固体撮像装置。前記パッシベーション膜は、シリコン窒化膜,シリコン酸窒化膜あるいは酸化アルミニウム膜、またはこれらの積層膜により構成されている請求項15記載の固体撮像装置。前記機能領域が主面側に設けられた半導体基板と、前記半導体基板内に設けられた電荷伝送部と、前記半導体基板の前記主面とは反対面側に設けられ、前記ボンディングパッドに接続された多層配線とを備え、前記電荷伝送部は、前記有機膜で光電変換された信号電荷、あるいは信号電荷に対応した電位を、前記多層配線を介して前記ボンディングパッドに伝送する請求項1記載の固体撮像装置。半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成する工程と、前記機能領域の周囲に一層以上の金属層を積層することにより、前記機能領域を囲うガードリングを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成すると共に、前記機能領域の周囲に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を設け、前記溝の内部に金属膜またはシリコン窒化膜よりなる埋込み層を形成することにより、前記機能領域を囲うガードリングを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成すると共に、前記機能領域の周囲に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を設け、前記溝の内部にパッシベーション膜を被着することにより、前記機能領域を囲うガードリングを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。特許文献1に記載された従来の保護層は、固体撮像装置上面からの水分やガス特に、酸素の浸入を抑えることはできる。しかしながら、チップをダイシングしたときに形成された端面やボンディングパッドを露出させるための開口部の側面など、横方向から水分やガスが浸入した場合には、特許文献1に記載された従来の保護層ではこれを防ぐことができず、有機膜よりなる光電変換膜の特性が劣化してしまうという問題があった。本開示の目的は、チップ端面やボンディングパッド上の開口部の側面など、横方向からの水分やガスの浸入を抑えることが可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供することにある。本開示による固体撮像装置は、有機膜が設けられた機能領域と、機能領域を囲うガードリングとを備えたものである。本開示の固体撮像装置では、有機膜を有する機能領域が、ガードリングで囲われている。よって、チップ端面やボンディングパッド上の開口部の側面など、横方向から浸入してきた水分やガスは、ガードリングによって遮断される。本開示による第1の固体撮像装置の製造方法は、以下のA~Cの工程を含むものである。A半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成する工程B機能領域の周囲に一層以上の金属層を積層することにより、機能領域を囲うガードリングを形成する工程本開示による第2の固体撮像装置の製造方法は、以下のA~Cの工程を含むものである。A半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成すると共に、機能領域の周囲に絶縁膜を形成する工程B絶縁膜に溝を設け、溝の内部に金属膜またはシリコン窒化膜よりなる埋込み層を形成することにより、機能領域を囲うガードリングを形成する工程本開示による第3の固体撮像装置の製造方法は、以下のA,Bの工程を含むものである。A半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成すると共に、機能領域の周囲に絶縁膜を形成する工程B絶縁膜に溝を設け、溝の内部にパッシベーション膜を被着することにより、機能領域を囲うガードリングを形成する工程本開示の固体撮像装置によれば、有機膜を有する機能領域を、ガードリングで囲うようにしている。よって、チップ端面やボンディングパッド上の開口部の側面など、横方向からの水分やガスの浸入を抑えることが可能となる。本開示の第1の固体撮像装置の製造方法によれば、機能領域の周囲に一層以上の金属層を積層することにより、機能領域を囲うガードリングを形成するようにしている。本開示の第2の固体撮像装置の製造方法によれば、機能領域の周囲の絶縁膜に溝を設け、溝の内部に金属膜またはシリコン窒化膜よりなる埋込み層を形成することにより、機能領域を囲うガードリングを形成するようにしている。本開示の第3の固体撮像装置の製造方法によれば、機能領域の周囲の絶縁膜に溝を設け、溝の内部にパッシベーション膜を被着することにより、機能領域を囲うガードリングを形成するようにしている。よって、上記本開示の固体撮像装置を容易に製造することが可能となる。以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態機能領域を囲い、かつ開口部を含まない領域に第1ガードリングを設ける例。機能領域の周囲に一層以上の金属層を積層することによりガードリングを形成する例。2.第2の実施の形態機能領域の周囲の絶縁膜に溝を設け、溝の内部に金属膜またはシリコン窒化膜よりなる埋込み層を形成することによりガードリングを形成する例3.第3の実施の形態機能領域の周囲の絶縁膜に溝を設け、溝の内部にパッシベーション膜を被着することによりガードリングを形成する例4.第4の実施の形態開口部を囲う第2ガードリング、およびチップ外周に沿った第3ガードリングを設ける例5.第5の実施の形態第1ガードリング,第2ガードリングおよび第3ガードリングの全部を併用する例6.第6の実施の形態第2ガードリングを複数の開口部にまたがって設ける例7.第7の実施の形態下部透明電極とボンディングパッドとの接続構成の例8.変形例第1の実施の形態図1は、本開示の第1の実施の形態に係る固体撮像装置の一つのチップの平面構成を表したものである。図2は、図1のII-II線における断面構成の一例を表したものである。この固体撮像装置1は、カメラ等の電子機器に用いられるものであり、矩形のチップ10の中央部に、光電変換を行う機能領域光電変換領域11を有している。機能領域11には、光電変換膜である有機膜11Aが設けられていると共に、この有機膜11Aを有する固体撮像素子よりなる画素が複数個マトリクス状行列状に配置されている。機能領域11の周囲の周辺領域12には、複数のボンディングパッド13が機能領域11を取り囲んで配置されている。これらのボンディングパッド13上には、各々開口部14が設けられている。有機膜11Aは、有機光電変換膜により構成されている。緑の波長光で光電変換する有機光電変換膜は、例えば、ローダミン系色素、メラシアニン系色素、キナクリドン等を含む有機光電変換材料により構成されている。赤の波長光で光電変換する有機光電変換膜は、例えば、フタロシアニン系色素を含む有機光電変換材料により構成されている。青の波長光で光電変換する有機光電変換膜は、例えば、クマリン系色素、トリス-8-ヒドリキシキノリンアルミニウムAlq3、メラシアニン系色素等を含む有機光電変換材料により構成されている。有機膜11Aは、下部透明電極画素電極11Bと上部透明電極対向電極11Cとの間に挟まれている。下部透明電極11Bは、機能領域11内の複数の画素の各々に対して分断されている。図2では、例えば三つの画素の下部透明電極11Bを表しているが、必要に応じて画素数を任意に設定できることは言うまでもない。下部透明電極11Bは、図示しない配線を介してボンディングパッド13に接続されている。この下部透明電極11Bとボンディングパッド13との接続については、第7の実施の形態で一例を挙げて説明する。上部透明電極11Cは,機能領域11内の複数の画素のすべての共通電極である。下部透明電極11Bおよび上部透明電極11Cは例えばITOIndiumTinOxide;酸化インジウムスズなどの透明導電材料により構成されている。機能領域11は、シリコンSi基板などの半導体基板21の主面光入射面側に設けられている。機能領域11の周囲側方および下方には、シリコン酸化膜SiO2などよりなる絶縁膜22A,22B,22C以下、絶縁膜22と総称する。が設けられている。チップ10の上面、具体的には機能領域11の上面および絶縁膜22の上面は、パッシベーション膜30により全面にわたって覆われている。パッシベーション膜30は、チップ10の上面から水分やガスが機能領域11に浸入するのを抑えるための保護膜としての機能を有するものであり、水分および酸素を透過しない材料膜により構成されていることが好ましい。具体的には、パッシベーション膜30は、シリコン窒化膜,シリコン酸窒化膜あるいは酸化アルミニウム膜、またはこれらの積層膜により構成されていることが好ましい。一方、チップ10の四方の端面10Aは、ダイシング切断により形成されたものであり、絶縁膜22等の切断面が露出している。また、図1に示した開口部14の側面にも、絶縁膜22等の切断面が露出している。そこで、この固体撮像装置1は、機能領域11を囲うガードリング40を有している。このガードリング40は、具体的には、水分および酸素を透過しない材料膜により構成されている。これにより、この固体撮像装置1では、チップ10の端面10Aや、ボンディングパッド13上の開口部14の側面など、横方向からの水分やガスの浸入を抑えることが可能となっている。ガードリング40の平面形状としては、機能領域11を囲い、かつ開口部14を含まない領域に設けられた第1ガードリング41を含むことが好ましい。換言すれば、第1ガードリング41は、機能領域11よりも外側、かつ開口部14よりも内側に配置されていることが好ましい。開口部14が第1ガードリング41で囲まれた領域内に入っている場合には、その開口部14の側面から機能領域11に至る水分やガスの浸入経路ができてしまうからである。具体的には、第1ガードリング41は、図1に示したように、機能領域11の外形線に沿って、開口部14を除外して配置されている。ガードリング40の断面構成としては、半導体基板21の主面側において、機能領域11の周囲に一層以上の金属層を積層した構成を有していることが好ましい。具体的には、ガードリング40は、例えば図2に示したように、半導体基板21側から順に、第1の金属プラグ40A,第1の金属配線40B,第2の金属プラグ40Cおよび第2の金属配線40Dと、4層の金属層を縦に積層した構成を有している。これらの金属層は、例えば、下部透明電極11Bと半導体基板21とを接続するプラグ図示せずや、下部透明電極11Bおよび上部透明電極11Cに電圧を印加するための配線図示せずなど、固体撮像装置1にもともと設けられている金属配線層を流用して、これらと同層に、同一工程で形成することが可能である。ガードリング40を構成する金属層は、例えば、アルミニウム,タングステン,チタン,モリブデン,タンタル,銅、あるいはこれらの合金膜、または、これらの金属膜にシリコンあるいは酸素を含有させた膜により構成されていることが好ましい。上記の金属膜にシリコンを含有させた膜としては、例えば、シリコン含有アルミニウムAlSi、タングステンシリサイドWSiX、チタンシリサイドTiSixが挙げられる。上記の金属膜に酸素を含有させた膜としては、例えば酸化アルミニウム膜Al2O3が挙げられる。ガードリング40を構成する最下層の金属層すなわち、図2では第1の金属プラグ40Aは、半導体基板21に接続されていることが望ましい。水分等の浸入を確実に遮断することが可能となるからである。パッシベーション膜30は、ガードリング40を構成する最上層の金属層すなわち、図2では第2の金属配線40Dの直上に直接被着されていることが好ましい。パッシベーション膜30とガードリング40との間に絶縁膜22などのシリコン酸化膜が挟まっている場合には、そのシリコン酸化膜を介して水分等の浸入経路ができてしまうからである。なお、ガードリング40は、少なくとも、有機膜11Aと同層有機膜11Aの真横に一層あれば、有機膜11Aへの水分やガスの浸入を抑えることが可能となる。しかしながら、ガードリング40は、上述したように一層以上の金属層を積層した構成を有するほうが望ましい。絶縁膜22を構成するシリコン酸化膜は水分などを透過しやすいので、ガードリング40を積層構造とすることにより、絶縁膜22を介した水分等の伝播を確実に抑えることが可能となる。また、ガードリング40を積層構造とすることにより、チップ10の上面の凹凸や段差を小さくすることが可能となり、この後の製造工程平坦化膜形成,カラーフィルタおよびオンチップレンズ形成を容易にすることが可能となる。この固体撮像装置1は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、半導体基板21に、上述した材料よりなる絶縁膜22Aを形成する。絶縁膜22Aに開口を設け、この開口内に、ガードリング40の最下層となる第1の金属プラグ40Aを形成する。これと同時に、必要に応じて、図示しない金属プラグまたは金属配線を形成する。次いで、絶縁膜22Aの上に、上述した材料よりなる絶縁膜22Bを形成する。絶縁膜22Bに開口を設け、第1の金属プラグ40Aの上に、ガードリング40の第2層目となる第1の金属配線40Bを重ねる。これと同時に、必要に応じて、図示しない金属プラグまたは金属配線を形成する。続いて、絶縁膜22Bの上に、上述した材料よりなる下部透明電極11Bを形成する。そののち、下部透明電極11Bの隙間および周囲に、上述した材料よりなる絶縁膜22Cを形成する。絶縁膜22Cに開口を設け、第1の金属配線40Bの上に、ガードリング40の第3層目となる第2の金属プラグ40Cを積層する。これと同時に、必要に応じて、図示しない金属プラグまたは金属配線を形成する。そののち、下部透明電極11Bの上に有機膜11Aおよび上部透明電極11Cを形成する。これにより、有機膜11Aを間にして下部透明電極11Bおよび上部透明電極11Cを有する機能領域11が形成される。また、第2の金属プラグ40Cの上に、ガードリング40の最上層となる第2の金属配線40Dを積層する。これにより、機能領域11の周囲に、4層の金属層を積層したガードリング40が形成される。これと同時に、必要に応じて、図示しない金属プラグまたは金属配線を形成する。続いて、機能領域11の上面および絶縁膜22の上面に、上述した材料よりなるパッシベーション膜30を全面にわたって形成する。このとき、パッシベーション膜30を、ガードリング40を構成する最上層の金属層すなわち、図2では第2の金属配線40Dの直上に直接被着することが好ましい。また、図示しないが、機能領域11の周囲にボンディングパッド13を形成する。絶縁膜22または半導体基板21の、ボンディングパッド13に対向する位置に開口部14を設け、開口部14の底部にボンディングパッド13を露出させる。以上により、図1および図2に示した固体撮像装置1が完成する。この固体撮像装置1では、有機膜11Aに光が入射すると電荷が発生する。下部透明電極11Bと上部透明電極11Cとの間には所定の電圧が印加されており、この電圧により発生した電界により、信号電荷は下部透明電極11Bに収集され、更に図示しない電荷出力部へと移送され、図示しない多層配線およびボンディングパッド13を介して、チップ10の外部へと出力される。ここでは、有機膜11Aを有する機能領域11を囲うように、ガードリング40が設けられている。このガードリング40は、機能領域11を囲い、かつ開口部14を含まない領域に設けられた第1ガードリング41を含んでいる。よって、チップ10の端面10Aや、ボンディングパッド13上の開口部14の側面など、横方向から浸入してきた水分やガスは、ガードリング40によって遮断され、有機膜11Aの特性劣化が抑えられる。このように本実施の形態では、有機膜11Aを有する機能領域11を、ガードリング40で囲うようにしたので、チップ10の端面10Aやボンディングパッド13上の開口部14の側面など、横方向からの水分やガスの浸入を抑えることが可能となる。また、ガードリング40を、機能領域11の周囲に一層以上の金属層金属プラグ40A,40Cおよび金属配線40B,40Dを積層した構成としたので、固体撮像装置1にもともと設けられている金属配線層を流用してガードリング40を形成することが可能となり、上記本実施の形態の固体撮像装置1を容易に製造することが可能となる。なお、上記実施の形態では、ガードリング40の断面構成として、二層の金属配線40B,40Dを二層の金属プラグ40A,40Cにより半導体基板21に接続した場合について説明した。しかしながら、固体撮像装置1に設けられている金属配線層の数に応じて、ガードリング40を構成する金属層の数を変更してもよいことは言うまでもない。また、必ずしも、固体撮像装置1が有するすべての金属プラグまたは金属配線層を用いてガードリング40を構成する必要はなく、任意の配線層を用いてガードリング40を構成することが可能である。第2の実施の形態図3は、本開示の第2の実施の形態に係る固体撮像装置の断面構成を表したものである。この固体撮像装置1Aは、ガードリング40の断面構成において第1の実施の形態と異なるものである。すなわち、ガードリング40は、絶縁膜22に設けられた溝23の内部に埋め込まれた埋込み層40Eにより構成されている。このようにガードリング40専用の埋込み層40Eを設けることにより、埋込み層40Eの材料や厚みを自由に設定することが可能となる。特に、水分やガスの透過を抑制する機能を有さないITOなどの透明電極層のみで配線層を形成している場合に好適である。ガードリング40を構成する埋込み層40Eは、金属膜またはシリコン窒化膜により構成されていることが好ましい。更に、金属膜は、例えば、アルミニウム,タングステン,チタン,モリブデン,タンタル,銅、あるいはこれらの合金膜、または、これらの金属膜にシリコンあるいは酸素を含有させた膜により構成されていることが好ましい。上記の金属膜にシリコンを含有させた膜としては、例えばシリコン含有アルミニウムAlSi、タングステンシリサイドWSiX、チタンシリサイドTiSixが挙げられる。上記の金属膜に酸素を含有させた膜としては、例えば酸化アルミニウム膜Al2O3が挙げられる。溝23は、半導体基板21に到達していることが望ましい。水分等の浸入を確実に遮断することが可能となるからである。パッシベーション膜30は、ガードリング40を構成する埋込み層40Eの直上に直接被着されていることが好ましい。パッシベーション膜30と埋込み層40Eとの間に絶縁膜22などのシリコン酸化膜が挟まっている場合には、そのシリコン酸化膜を介して水分等の浸入経路ができてしまうからである。この固体撮像装置1Aは、例えば、次のようにして製造することができる。まず、半導体基板21に、上述した材料よりなる絶縁膜22A,絶縁膜22Bを形成する。これと同時に、必要に応じて、図示しない金属プラグまたは金属配線を形成する。続いて、絶縁膜22Bの上に、上述した材料よりなる下部透明電極11Bを形成する。そののち、下部透明電極11Bの隙間および周囲に、上述した材料よりなる絶縁膜22Cを形成する。そののち、下部透明電極11Bの上に有機膜11Aおよび上部透明電極11Cを形成する。これにより、有機膜11Aを間にして下部透明電極11Bおよび上部透明電極11Cを有する機能領域11が形成される。機能領域11を形成したのち、パッシベーション膜30を被着する前に、絶縁膜22に溝23を設け、この溝23の内部に上述した材料よりなる埋込み層40Eを埋め込む。これにより、機能領域11の周囲に、絶縁膜22に設けられた溝23の内部に埋め込まれた埋込み層40Eよりなるガードリング40が形成される。続いて、機能領域11の上面および絶縁膜22の上面に、上述した材料よりなるパッシベーション膜30を全面にわたって形成する。このとき、パッシベーション膜30を、ガードリング40を構成する埋込み層40Eの直上に直接被着することが好ましい。また、図示しないが、機能領域11の周囲にボンディングパッド13を形成する。絶縁膜22または半導体基板21の、ボンディングパッド13に対向する位置に開口部14を設け、開口部14の底部にボンディングパッド13を露出させる。以上により、図1および図3に示した固体撮像装置1Aが完成する。この固体撮像装置1Aの動作および作用は第1の実施の形態と同様である。このように本実施の形態では、ガードリング40を、絶縁膜22に設けられた溝23の内部に埋め込まれた埋込み層40Eにより構成するようにしたので、第1の実施の形態の効果に加えて、埋込み層40Eの材料や厚みを自由に設定することが可能となる。特に、水分やガスの透過を抑制する機能を有さないITOなどの透明電極層のみで配線層を形成している場合に好適である。第3の実施の形態図4は、本開示の第3の実施の形態に係る固体撮像装置の断面構成を表したものである。この固体撮像装置1Bは、ガードリング40の断面構成において第1の実施の形態と異なるものである。すなわち、ガードリング40は、絶縁膜22に設けられた溝23の内部に被着されたパッシベーション膜30により構成されている。このようにパッシベーション膜30がガードリング40を兼ねるようにすることにより、ガードリング40形成用の金属膜を用いる必要がなくなり、ガードリング40を更に容易に形成することが可能となる。パッシベーション膜30は、第1の実施の形態と同様に、水分および酸素を透過しない材料膜により構成されている。具体的には、パッシベーション膜30は、シリコン窒化膜,シリコン酸窒化膜あるいは酸化アルミニウム膜、またはこれらの積層膜により構成されていることが好ましい。溝23は、半導体基板21に到達していることが望ましい。水分等の浸入を確実に遮断することが可能となるからである。パッシベーション膜30は、図4に示したように溝23の内面に沿っていてもよいが、溝23を完全に埋め込んでいることが望ましい。チップ10の上面の凹凸や段差が小さくなり、この後の製造工程平坦化膜形成,カラーフィルタおよびオンチップレンズ形成が容易になるからである。この固体撮像装置1Bは、例えば、次のようにして製造することができる。まず、半導体基板21に、上述した材料よりなる絶縁膜22A,絶縁膜22Bを形成する。これと同時に、必要に応じて、図示しない金属プラグまたは金属配線を形成する。続いて、絶縁膜22Bの上に、上述した材料よりなる下部透明電極11Bを形成する。そののち、下部透明電極11Bの隙間および周囲に、上述した材料よりなる絶縁膜22Cを形成する。そののち、下部透明電極11Bの上に有機膜11Aおよび上部透明電極11Cを形成する。これにより、有機膜11Aを間にして下部透明電極11Bおよび上部透明電極11Cを有する機能領域11が形成される。機能領域11を形成したのち、パッシベーション膜30を被着する前に、絶縁膜22に溝23を設ける。そののち、機能領域11の上面および絶縁膜22の上面に、上述した材料よりなるパッシベーション膜30を全面にわたって形成すると共に、溝23の内部にパッシベーション30を埋め込む。これにより、機能領域11の周囲に、絶縁膜22に設けられた溝23の内部に埋め込まれたパッシベーション膜30よりなるガードリング40が形成される。また、図示しないが、機能領域11の周囲にボンディングパッド13を形成する。絶縁膜22または半導体基板21の、ボンディングパッド13に対向する位置に開口部14を設け、開口部14の底部にボンディングパッド13を露出させる。以上により、図1および図4に示した固体撮像装置1Bが完成する。この固体撮像装置1Bの動作および作用は第1の実施の形態と同様である。このように本実施の形態では、ガードリング40を、絶縁膜22に設けられた溝23の内部に埋め込まれたパッシベーション膜30により構成するようにしたので、第1の実施の形態の効果に加えて、ガードリング40を更に容易に形成することが可能となる。第4の実施の形態図5は、本開示の第4の実施の形態に係る固体撮像装置の平面構成を表したものである。この固体撮像装置1Cは、ガードリング40の平面形状において第1の実施の形態と異なるものである。すなわち、ガードリング40は、開口部14を囲う第2ガードリング42と、チップ10の外周に沿った第3ガードリング43とを含んでいる。具体的には、第2ガードリング42は開口部14の外形線に沿って設けられ、一つの第2ガードリング42が一つの開口部14を囲んでいる。第3ガードリング43は、チップ10の外形線に沿って、機能領域11および開口部14の全体を囲んでいる。これにより、本実施の形態では、ガードリング40が機能領域11から離れた箇所に配置され、機能領域11の周囲にレイアウトの制約なしに周辺回路部を配置することが可能となり、信号伝達の遅延などを抑制した最適な周辺回路のレイアウトを実現することが可能となる。ガードリング40の断面構成については、上記第1,第2または第3の実施の形態のいずれを採用することも可能である。この固体撮像装置1Cは、ガードリング40の断面構成に合わせて上記第1,第2または第3の実施の形態と同様にして製造することができる。本実施の形態では、ガードリング40が機能領域11から離れた箇所に配置されているので、製造工程において機能領域11上にカラーフィルタやオンチップレンズとなる材料膜を回転塗布により形成する際に、ガードリング40の段差に起因した膜むらなどを引き起こしにくくなる。よって、機能領域11の端部においてカラーフィルタやオンチップレンズの形状むらを抑えることが可能となる。この固体撮像装置1Cでは、有機膜11Aに光が入射すると電荷が発生し、この電荷は、第1の実施の形態と同様にして下部透明電極11Bに収集され、更に図示しない電荷出力部へと移送され、図示しない多層配線およびボンディングパッド13を介して、チップ10の外部へと出力される。ここでは、ガードリング40が、開口部14を囲う第2ガードリング42と、チップ10の外周に沿った第3ガードリング43とを含んでいる。よって、第1の実施の形態と同様に、チップ10の端面10Aや、ボンディングパッド13上の開口部14の側面など、横方向から浸入してきた水分やガスは、第2ガードリング42および第3ガードリング43によって遮断され、有機膜11Aの特性劣化が抑えられる。このように本実施の形態では、ガードリング40が、開口部14を囲う第2ガードリング42と、チップ10の外周に沿った第3ガードリング43とを含むようにしたので、第1の実施の形態の効果に加えて、信号伝達の遅延などを抑制した最適な周辺回路のレイアウトを実現することが可能となる。第5の実施の形態図6は、本開示の第5の実施の形態に係る固体撮像装置の平面構成を表したものである。この固体撮像装置1Dは、ガードリング40の平面形状に関して、第1および第4の実施の形態を組み合わせたものである。すなわち、ガードリング40は、機能領域11を囲い、かつ開口部14を含まない領域に設けられた第1ガードリング41と、開口部14を囲う第2ガードリング42と、チップ10の外周に沿った第3ガードリング43とを含んでいる。これにより、本実施の形態では、チップ10の端面10Aや、ボンディングパッド13上の開口部14の側面などから機能領域11に至る水分やガスの浸入経路が、第2ガードリング42および第3ガードリング43と、第1ガードリング41とによって二段階で遮断され、固体撮像装置1Dの信頼性を更に高めることが可能となる。ガードリング40の断面構成については、上記第1,第2または第3の実施の形態のいずれを採用することも可能である。この固体撮像装置1Dは、ガードリング40の断面構成に合わせて上記第1,第2または第3の実施の形態と同様にして製造することができる。この固体撮像装置1Dでは、有機膜11Aに光が入射すると電荷が発生し、この電荷は、第1の実施の形態と同様にして下部透明電極11Bに収集され、更に図示しない電荷出力部へと移送され、図示しない多層配線およびボンディングパッド13を介して、チップ10の外部へと出力される。ここでは、ガードリング40が、機能領域11を囲い、かつ開口部14を含まない領域に設けられた第1ガードリング41と、開口部14を囲う第2ガードリング42と、チップ10の外周に沿った第3ガードリング43とを含んでいる。よって、チップ10の端面10Aから横方向に浸入してきた水分やガスは、第3ガードリング43と第1ガードリング41とによって二段階で遮断される。ボンディングパッド13上の開口部14の側面から横方向から浸入してきた水分やガスは、第2ガードリング42と第1ガードリング41とによって二段階で遮断される。従って、有機膜11Aの特性劣化が更に確実に抑えられる。このように本実施の形態では、ガードリング40が、機能領域11を囲い、かつ開口部14を含まない領域に設けられた第1ガードリング41と、開口部14を囲う第2ガードリング42と、チップ10の外周に沿った第3ガードリング43とを含むようにしたので、第1の実施の形態の効果に加えて、チップ10の端面10Aやボンディングパッド13上の開口部14の側面など、横方向からの水分やガスの浸入を更に確実に抑えることが可能となる。第6の実施の形態図7は、本開示の第6の実施の形態に係る固体撮像装置の平面構成を表したものである。この固体撮像装置1Eは、ガードリング40の平面形状において第1の実施の形態と異なるものである。すなわち、ガードリング40は、第4の実施の形態と同様に、開口部14を囲う第2ガードリング42と、チップ10の外周に沿った第3ガードリング43とを含んでいる。第2ガードリング42は、複数の開口部14にまたがって設けられている。これにより、本実施の形態では、ボンディングパッド13間の距離パッドピッチの縮小が、ガードリング40によって妨げられるおそれが小さくなる。よって、パッドピッチを狭くして、チップ10全体のサイズを小さくすることが可能となり、小型化およびコスト削減に有利となる。ガードリング40の断面構成については、上記第1,第2または第3の実施の形態のいずれを採用することも可能である。この固体撮像装置1Eは、ガードリング40の断面構成に合わせて上記第1,第2または第3の実施の形態と同様にして製造することができる。この固体撮像装置1Eの動作、作用および効果は第4の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態において、ガードリング40が、機能領域11を囲い、かつ開口部14を含まない領域に設けられた第1ガードリング41を更に含むことも可能であることは言うまでもない。第7の実施の形態図8は、本開示の第7の実施の形態に係る固体撮像装置の断面構成を表したものである。本実施の形態は、ガードリング40を設けた場合における下部透明電極11Bとボンディングパッド13との接続構成の一例に関するものであり、上記第1ないし第6のすべての実施の形態に適用可能である。なお、図8では、ガードリング40が第1の実施の形態と同様の平面形状図1参照。および第2の実施の形態と同様の断面構成図3参照。を有している場合を表している。しかしながら、ガードリング40の平面形状は、第4ないし第6の実施の形態と同様とすることも可能であり、また、ガードリング40の断面構成は、第1または第3の実施の形態と同様にすることも可能である。すなわち、この固体撮像装置1Fは、半導体基板21内の電荷伝送部電荷移送部51と、半導体基板21の反対面側の多層配線52とを有している。電荷伝送部50は、半導体基板21の主面から反対面に貫通して設けられ、有機膜11Aで光電変換された信号電荷、あるいは信号電荷に対応した電位を、多層配線52を介してボンディングパッド13に伝送するものである。具体的には、電荷伝送部51の主面側の端部は、金属プラグ24を介して下部透明電極11Bに接続されている。電荷伝送部51の反対面側の端部は、多層配線52を介してボンディングパッド13に接続されている。多層配線52は、例えば、電荷伝送部51側から、第1金属プラグ52A,金属配線52Bおよび第2金属プラグ52Cを含んでいる。多層配線52およびボンディングパッド13は、シリコン酸化膜などの絶縁膜53A~53Eにより絶縁されている。なお、図8では電荷伝送部51を抽象化して表しており、電荷伝送部51の構成は特に限定されるものではない。また、金属プラグ24および多層配線52の積層数や構成も特に限定されない。この固体撮像装置1Fでは、有機膜11Aにより光電変換された信号電荷は、下部透明電極11Bに収集され、更に半導体基板21中に設けられた電荷伝送部51により、半導体基板21の光入射面と反対側に設けられた第1金属プラグ52A,金属配線52B,更に第2金属プラグ52Cを介してボンディングパッド13へと移送され、外部へと出力される。なお、本実施の形態では、有機膜11Aにより光電変換した信号を直接ボンディングパッド13まで伝達する構成を示しているが、ボンディングパッド13からの信号取り出しまでの過程で電荷から電圧へ変換するなど、一般的にイメージセンサで取られている様々な信号出力方法を取ることが可能である。また、図8では、ボンディングパッド13が半導体基板21の主面光入射面と反対面の側に設けられている場合を表しているが、ボンディングパッド13は、半導体基板21の主面の側に形成してもよい。その場合には、一度半導体基板21の反対面側に配した金属配線に信号電荷、あるいは、信号電圧を伝達してから、ボンディングパッド13の下部に設けた半導体基板21を貫通する電荷移送部、あるいは、電圧移送部により、半導体基板21の主面に形成したボンディングパッド13に接続する構成とすることもできる。以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記第1の実施の形態では、半導体基板21と第1の金属配線40Bとの間に第1の金属プラグ40Aが一本設けられている場合について説明したが、第1の金属プラグ40Aは、図9に示したように二本以上設けられていてもよい。他の金属プラグについても同様である。また、上記実施の形態では、第1ガードリング41,第2ガードリング42および第3ガードリング43をそれぞれ一重に設ける場合について説明したが、例えば、図10に示したように、第1ガードリング41を二重に設けることも可能である。第2ガードリング42および第3ガードリング43についても同様である。更に、例えば、上記実施の形態では、下部透明電極11Bが画素ごとに分断され、上部透明電極11Cが共通電極である場合について説明したが、上部透明電極11Cが画素ごとに分断され、下部透明電極11Bが共通電極である構成をとることも可能である。この場合には、光電変換された信号電荷は、上部透明電極11Cへと収集され、上部透明電極11Cに接続された電荷出力部図示せずを介してチップ10の外部へと出力される。加えて、例えば、上記実施の形態では、固体撮像装置1,1A~1Fの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。1有機膜が設けられた機能領域と、前記機能領域を囲うガードリングとを備えた固体撮像装置。2前記機能領域の周囲の周辺領域に設けられたボンディングパッドと、前記ボンディングパッドに対向する位置に設けられた開口部とを備えた前記1記載の固体撮像装置。3前記ガードリングは、前記機能領域を囲い、かつ前記開口部を含まない領域に設けられた第1ガードリングを含む前記2記載の固体撮像装置。4前記ガードリングは、前記開口部を囲う第2ガードリングと、チップ外周に沿った第3ガードリングとを含む前記2または3記載の固体撮像装置。5前記第2ガードリングは複数の開口部にまたがって設けられている前記4記載の固体撮像装置。6前記ガードリングは、水分および酸素を透過しない材料膜により構成されている前記1ないし5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。7前記ガードリングは、前記機能領域の周囲に一層以上の金属層を積層した構成を有する前記1ないし6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。8前記金属層は、アルミニウム,タングステン,チタン,モリブデン,タンタル,銅、あるいはこれらの合金膜、または、これらの金属膜にシリコンあるいは酸素を含有させた膜により構成されている前記7記載の固体撮像装置。9パッシベーション膜を備え、前記パッシベーション膜は、前記ガードリングを構成する最上層の金属層の直上に直接被着されている前記7または8記載の固体撮像装置。10前記機能領域の周囲に絶縁膜を備え、前記ガードリングは、前記絶縁膜に設けられた溝の内部に埋め込まれた埋込み層により構成されている前記1ないし6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。11前記埋込み層は、金属膜またはシリコン窒化膜により構成されている前記10記載の固体撮像装置。12前記金属膜は、アルミニウム,タングステン,チタン,モリブデン,タンタル,銅、あるいはこれらの合金膜、または、これらの金属膜にシリコンあるいは酸素を含有させた膜により構成されている前記11記載の固体撮像装置。13前記機能領域の上面および前記絶縁膜の上面を覆うパッシベーション膜を備え、前記パッシベーション膜は、前記埋込み層の直上に直接被着されている前記10ないし12のいずれか1項に記載の固体撮像装置。14前記機能領域の周囲に設けられた絶縁膜と、前記機能領域の上面および前記絶縁膜の上面を覆うパッシベーション膜とを備え、前記ガードリングは、前記絶縁膜に設けられた溝の内部に被着されたパッシベーション膜により構成されている前記1ないし6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。15前記パッシベーション膜は、水分および酸素を透過しない材料膜により構成されている前記9,13および14のいずれか1項に記載の固体撮像装置。16前記パッシベーション膜は、シリコン窒化膜,シリコン酸窒化膜あるいは酸化アルミニウム膜、またはこれらの積層膜により構成されている前記15記載の固体撮像装置。17前記機能領域が主面側に設けられた半導体基板と、前記半導体基板内に設けられた電荷伝送部と、前記半導体基板の前記主面とは反対面側に設けられ、前記ボンディングパッドに接続された多層配線とを備え、前記電荷伝送部は、前記有機膜で光電変換された信号電荷、あるいは信号電荷に対応した電位を、前記多層配線を介して前記ボンディングパッドに伝送する前記1ないし16のいずれか1項に記載の固体撮像装置。18半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成する工程と、前記機能領域の周囲に一層以上の金属層を積層することにより、前記機能領域を囲うガードリングを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。19半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成すると共に、前記機能領域の周囲に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を設け、前記溝の内部に金属膜またはシリコン窒化膜よりなる埋込み層を形成することにより、前記機能領域を囲うガードリングを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。20半導体基板の主面側に、有機膜が設けられた機能領域を形成すると共に、前記機能領域の周囲に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を設け、前記溝の内部にパッシベーション膜を被着することにより、前記機能領域を囲うガードリングを形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。"