"入射光量に応じて電荷を発生する光電変換部と、電荷を一時的に保持する半導体領域と、前記光電変換部と前記半導体領域との間の電荷の転送を制御するゲート電極と、前記半導体領域に一時的に保持された電荷を外部に読み出す読み出し回路と、を有する複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記ゲート電極の、前記光電変換部側の側壁を覆って配置された遮光部材とを有することを特徴とする固体撮像装置。入射光量に応じて電荷を発生する光電変換部と、前記電荷が転送される半導体領域と、前記光電変換部と前記半導体領域との間の電荷の転送を制御するゲート電極と、前記半導体領域に接続された電極と、前記半導体領域の電荷を外部に読み出す読み出し回路と、を有する複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記ゲート電極の、前記光電変換部側の側壁を覆って配置された遮光部材とを有することを特徴とする固体撮像装置。前記遮光部材は、前記ゲート電極の側壁から前記光電変換部の上に延在していることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記遮光部材は、複数の金属層を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の金属層のうち、前記ゲート電極側に配された金属層は、バリアメタルにより構成されていることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。前記遮光部材と前記ゲート電極は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記遮光部材と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有することを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記絶縁膜に、前記遮光部材と前記ゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールを設けたことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。前記コンタクトホールを前記ゲート電極のアクティブ領域外の上に開口したことを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置。前記半導体領域と直接コンタクトを取っているポリシリコン電極を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記ポリシリコン電極よりも上に、それぞれ配線を含む複数の配線層を有し、該複数の配線層の内、最も前記光電変換部側にある配線層の配線が前記半導体領域の上部に配されていることを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。前記ゲート電極の下部であって、前記光電変換部と前記半導体領域との間に、前記電荷に対してポテンシャル障壁となる領域が配されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記半導体領域の下部に、前記電荷に対してポテンシャル障壁となる領域が配されていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の固体撮像装置。前記光電変換部を覆う絶縁膜を更に有し、前記遮光部材が、前記光電変換部を覆う絶縁膜と接するように延在していることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の画素は複数の行を構成するように配列され、前記複数の行の全ての行において同時に転送パルスをオンにすることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。上記特許文献2の構成では、遮光性は期待できるが、微細な画素において遮光部材の側面だけに残すプロセスは困難を極める上に、遮光部材と第一層配線1006、第二層配線1007と絶縁するために横方向のマージンも必要となり、実際の開口は極めて狭くなり、感度を低下させるので、現実的な対策とはならない。本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、MOS型固体撮像装置のフローティングディフュージョン部の遮光性を向上することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、入射光量に応じて電荷を発生する光電変換部と、電荷を一時的に保持する半導体領域と、前記光電変換部と前記半導体領域との間の電荷の転送を制御するゲート電極と、前記半導体領域に一時的に保持された電荷を外部に読み出す読み出し回路と、を有する複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記ゲート電極の、前記光電変換部側の側壁を覆って配置された遮光部材とを有する。本発明によれば、MOS型固体撮像装置のフローティングディフュージョン部の遮光性を向上することができる。以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。ただし、本形態において例示される構成部品の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、本発明がそれらの例示に限定されるものではない。図1は、本実施の形態における、固体撮像装置を用いたデジタルカメラの構成を示すブロック図である。図1において、101はシャッター、102は撮影レンズであり、シャッター101は撮影レンズ102の手前に配置されて露出を制御する。シャッター101及び撮影レンズ102を通過した光は、絞り103により必要に応じてその光量が制御されて、固体撮像装置104上に結像される。固体撮像装置104から入射した光量に応じて出力された電気信号は、アナログ信号処理回路105で処理された後、A/D変換器106によりアナログ信号からディジタル信号に変換される。変換されたディジタル信号はさらにデジタル信号処理部107で演算処理され、メモリ110に蓄えられたり、外部I/F113を通して外部の機器に送られる。固体撮像装置104、アナログ信号処理回路105、A/D変換器106、デジタル信号処理部107の処理タイミングはタイミング発生部108により制御される他、システム全体は全体制御演算部109により制御される。なお、A/D変換器106から出力されるディジタル信号を記録媒体112に記録する場合には、全体制御演算部109により制御される記録媒体制御I/F部111を通して、記録される。次に、図1の固体撮像装置104の概略構成について、図2を参照して説明する。図2は固体撮像装置104として、NMOSトランジスタを、画素を構成するトランジスタとする撮像装置の一部を示す図である。図2に示すように、従来例において図11を参照して説明したものと同様の構成を有する画素が2次元配置される。図2では構成をわかりやすく示すために2×2の4画素分のみを示しているが、実際には数十万~数百万個の画素が2次元配置される。また、PMOSトランジスタを用いることも可能である。各画素100は、PD1、転送MOSトランジスタ2、FD部3、リセットMOSトランジスタ4,選択MOSトランジスタ5、ソースフォロワ-MOSトランジスタ6を有している。同じ行の選択MOSトランジスタ5のゲートは、選択線SELiに、リセットMOSトランジスタ4のゲートはリセット線RESiに、そして転送MOSトランジスタ5のゲートは転送線TXiにそれぞれ接続されている。そして、垂直走査回路120により走査選択される。同じ列の出力線7には電流源8が接続されており、出力線7の電位をソースフォロワー動作で読み出すことができる。123は光信号転送MOSトランジスタで、ゲートが光信号読み出し線TSに接続され、出力線7に光信号が現れているときに光信号読み出し線TSを介してゲートがONして、出力線7上の光信号を電荷蓄積部128に転送する。また、124はノイズ信号転送MOSトランジスタで、ゲートがノイズ信号読み出し線TNに接続され、画素100のリセット後、出力線121に光信号が現れる前に、出力線7上の信号ノイズを電荷蓄積部128に転送する。電荷蓄積部128に蓄積された光信号及びノイズ信号は、水平走査回路127で順次走査読み出され、不図示の差動増幅回路により、光信号とノイズ信号との差分を取って出力される。なお、図2に示す回路では、PD1、転送MOSトランジスタ2、ソースフォロワーMOSトランジスタ6の他に選択MOSトランジスタ5、リセットMOSトランジスタ4などが記載されている。このうち、リセットMOSトランジスタ4と選択MOSトランジスタ5は一つのトランジスタにより構成される場合がある。あるいは、複数の画素により、ソースフォロワーMOSトランジスタ6、選択MOSトランジスタ5、リセットMOSトランジスタ4の少なくともいずれか1つを共有する場合もある。次に、図2に示す構成を有する固体撮像装置104における全画素同時蓄積動作制御について、図3のタイミング図を参照して説明する。なお、図3においては、図2に示す信号線に与えられる信号をΦを用いて示している。まず、全画素のPD1をリセットするために、全行のリセットパルスΦRESと、全行の転送パルスΦTXを同時にONする。これらの両パルスをOFFにした瞬間から、全画面で同時にPD1による光電変換が行われ、蓄積動作が始まる。所望の時間だけ蓄積を行った後、全行の転送パルスΦTXをONし、再びOFFすることで、各画素の信号電荷が一斉に各画素のFD部3に転送される。次に、行ごとに選択パルスをON/OFFさせることにより、FD部3に転送された電荷が、行ごとに順次読み出される。ここで読み出された信号は、光信号とノイズ信号とから成るSN信号で、図2の電荷蓄積部128に蓄えられ、水平走査回路127による操作に応じて、順次読み出される。全ての行の画素に蓄えられた電荷が読み出されると、信号蓄積読み出し期間の終了となる。次に、全行のリセットパルスをONとすることで、全画素のFD部3が一斉にリセットされる。リセットパルスをOFFとしたのち、各行のFD部3の電位を順次読み出す。読み出された信号はノイズ信号であり、N信号として、電荷蓄積部128にSN信号用の容量部と併設された容量部に蓄えられる。蓄えられたSN信号とN信号を不図示の差動増幅器の入力とすることにより、S信号を取り出す。この動作ではFD部3に電荷が保持される時間が行ごとに異なるので、従来の構造では、保持時間が短い行この場合は第一行に比して、保持時間が長い行この場合は最終行はFD部3に入り込む偽信号により、出力電位がシェーディングする。本発明ではFD部3に流入するが抑制されるので、このようなシェーディングは出ないか、あるいは問題にならないレベルとなる。<第1の実施形態>次に、上記構成を有する撮像装置などで用いられる、第1の実施形態にかかる固体撮像装置の各画素の詳細構成について説明する。図4は、本第1の実施形態における画素回路のレイアウトを示す。なお、上述した図12と同様の構成には同じ参照番号を付し、説明を省略する。図4において、73は転送MOSトランジスタ2のゲート電極の遮光部材である。遮光部材73は転送MOSトランジスタ2のゲート電極のポリシリコンを、チャネル長方向に対してはポリシリコン21を覆うようにレイアウトし、またチャネル幅方向にはFD部3直下に入射光が入らないように、チャネル幅より若干大きくレイアウトしてある。ここで、遮光膜のチャネル長方向のゲート電極からの延在する長さ、チャネル幅方向の延在する長さに関して述べる。チャネル長方向には、PD部、FD部が配され、遮光膜がPD部側に延在する量が大きい場合には、PDの開口率が下がり、同様にFD側においても、FD部からのコンタクトを形成するのが困難となる。それに対して、チャネル幅方向は、チャネル長方向に比べて自由度が高い。したがって、延在する長さはチャネル長方向に比べてチャネル幅方向に大きくするのが良い。図5は、図4のAA’断面を示す図である。なお、上述した図13と同様の構成には同じ参照番号を付し、ここでは説明を省略する。本実施形態においては、ゲート電極304上を被覆するように、薄いシリコン酸化膜328a、シリコン酸化膜側壁328bを介して、遮光部材327a、327bを配していることを特徴とする。遮光部材327a、327bはゲート電極304を構成するポリシリコンよりも薄い膜厚であることが望ましく、また薄い膜厚でも十分に遮光できる必要がある。更に、光を反射しない素材であることが好ましい。好適な材料としてはタングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、タンタル、タンタル合金、モリブデン、モリブデン合金などがある。その中でもタングステンが遮光性、材料の安定性、加工性に優れている。またこれらの材料とゲート電極を形成するポリシリコンとのシリサイドを遮光材として用いることもできる。表面から入射した光のうち、転送MOSトランジスタ2のゲート電極304近傍に入射した光は遮光部材327a、327bによって遮られるので、FD部3N型高濃度領域308近傍には電荷を発生させない。このように、本実施形態によれば、転送MOSトランジスタ2のゲート電極304に遮光部材327a、327bを設けることで、FD部3の遮光性を向上することができ、偽信号の影響を排除することができる。また、暗時のシェーディングが無く、ダイナミックレンジ、S/Nを高くすることができるため、全画素同時蓄積型の電子シャッター制御による画像読み出しをした場合にも、高画質な画像を得ることができる。次に、ゲート電極304を形成後、シリコン酸化膜309を形成するまでの製造方法について説明する。ゲート電極304を形成後、酸化性ガス雰囲気中でゲート電極304を酸化して表面を薄い絶縁膜で覆う。その後、CVD法またはスパッタリング法で遮光部材を全面に堆積した後、パターニングにより、所望の個所だけ遮光部材を残す。タングステンの場合、膜厚は50nm~250nmが好適である。あまり薄いと遮光性が損なわれ、あまり厚いとフォトダイオードへの光入射量が低下し、感度を落とすことになる。また図5のように側壁部分の被覆性をよくするためにはスパッタリング法よりCVD法の方が好適である。その後、CVD法によりシリコン酸化膜309を堆積する。充分な膜厚を堆積したのち、表面をCMPChemicalMechanicalPolishing法により平坦化する。シリコン酸化膜309は、熱リフロー性を有するBPSGBoronPhosphorusSilicateGlassを使用してもよい。この場合はCVD後に850°C以上の熱を加え、BPSG膜をリフローさせたのち、CMP法で表面を研磨する。リフローをした方が、CMPによりシリコン絶縁膜表面の平坦化が容易である。なお、各構成の導電型を全て反転することにより、ホール蓄積型画素を構成した場合にも本発明を適用できることは言うまでもない。<第2の実施形態>図6は本発明の第2の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図6において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。図6に示すように、本実施形態における遮光部材427a、427bの形状は、上記第1の実施形態で図5に示す遮光部材327a、327bの形状と異なる。本実施形態においてもゲート電極304上を被覆するように、薄いシリコン酸化膜328a、328bを介して遮光部材427a、427bを配している。しかしゲート電極304のうち、PD1に面した側は側面及び上面は遮光部材427a、427bで覆い、FD部3に面した側の側面及び上面は遮光部材で覆わない。これは、遮光部材が必要なのは光が入射するPD1側であり、FD部3は電極を引き出す必要上、遮光部材により覆われていない方が都合がよいからである。このように、転送MOSトランジスタ2のチャネル長方向に対して左右非対称に遮光部材を設けることで、より小さな画素に適した遮光構造を提供することができる。なお、本実施形態では、ゲート電極304の内、PD1に面した側の側面及び上面を遮光部材で覆うものとしているが、PD1に面した側の側面だけを覆った場合にも、相当の遮光効果を得ることができる。<第3の実施形態>図7は本発明の第3の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図7において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。本実施形態においては、第2の実施形態で示した非対称な遮光部材427a、427bの形状において、図6に示すようなゲート電極304上を被覆する薄いシリコン酸化膜328aが無く、ゲート電極304と遮光部材527a、527bが側面及び上面で直に接している例を示している。本実施形態では、図7に示すように遮光部材527a、527bは2層の金属より成り、ゲート電極304と直接接する層527bには、もう一層527aの金属原子がゲート電極304のポリシリコンに拡散することを防止できるバリアメタルを使用している。遮光部材527aの一例としてタングステンを用いた場合、チタンシリサイドまたはチタンシリサイドとチタンを積層したものがバリアメタル527bとして好適である。また、このようにポリシリコンを金属で裏打ちすることにより、ポリシリコンの抵抗を著しく小さくすることができる。一行あたりの画素数が増大したり、画素寸法が小さくなることによりゲート線の幅が小さくなるにつれ、転送MOSトランジスタ2のゲート遅延は各画素からの信号読み出し時間を長くする要因となるので、低抵抗化により、より微細な画素にも高速で動作する固体撮像装置を提供することができる。また、バリアメタルにより、遮光部材527aとして使用されている重金属が熱処理によりポリシリコンのゲート電極304に拡散することを防止できる。したがって、低抵抗化しても転送トランジスタの仕事関数に影響を与えたり、拡散した重金属がゲート絶縁膜を通して、シリコン中に侵入することによる点欠陥の増大を防止することができる。<第4の実施形態>図8は本発明の第4の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図8において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。本実施形態においては、2層の金属より成る遮光部材627a、627bとゲート電極304との間にシリコン酸化膜328を設け、シリコン酸化膜328にコンタクト孔629を構成し、このコンタクト孔629を介して遮光部材627a、627bがゲート電極304に接続するように構成したところが、上述した第3の実施形態と異なる。この時の平面レイアウトを図9に示す。図9において、図4と同様の構成には同じ参照番号を付している。図9においては、コンタクト孔774はフィールド酸化膜上に開口されている。本実施形態のように、ポリシリコンから成るゲート電極304と遮光部材627aの接続をアクティブ領域上で行わないことにより、バリアメタルがない場合でも重金属の拡散による転送MOSトランジスタ2のしきい値変化を最低限に抑えることができる。しかしながら微細な画素故に、コンタクト孔774とアクティブ領域の距離がとれない場合は本実施形態のように、遮光部材627aの下にはバリアメタルを敷くことが望ましい。このように、本実施形態によれば、第3の実施形態と同様の効果に加え、遮光部材の重金属の半導体基板への拡散を最小限にすることができる。<第5の実施形態>図10は本発明の第5の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図10において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。本実施形態では、転送MOSトランジスタ2のゲート電極を遮光部材827で遮光するとともに、転送MOSトランジスタ2下近傍で発生した電荷がFD部3に拡散しないようにするためのポテンシャル障壁をシリコン内部に設ける。また同時に、FD部3からの電極引き出しをポリシリコンからの直接引き出しとすることにより、FD部3の直上をメタル第一層で遮光しているので、FD部3の遮光性を総合的により高めた構造を提供することが可能となっている。図10において、802は埋め込みP型高濃度層、803aはN型エピタキシャル層、804a、804b、804cはP型分離層、805a、805b、805cはP型ウエル層である。また、806a、806bはフィールド酸化膜下のチャンネルストップP型層である。814はPD1からFD部3への電荷転送路を規定し、転送MOSトランジスタ2直下のポテンシャル障壁を形成するためのフィールドストップ層、812はN型高濃度領域と直接コンタクトをとっているポリシリコン引き出し電極、827は遮光部材である。本実施形態では、転送MOSトランジスタ2のゲート電極304のうち、PD1側の側壁及びPD1の表面の一部を遮光すると同時に、P型分離層804b、P型ウエル層805b、フィールドストップ層814を設けている。これによって、斜め入射光831aによりPD1端部で発生した電子ホール対831bのうち、電子がFD部3側に拡散せずにPD1のN型カソード305に集まるようにしている。このように本実施形態では、シリコン内部からのFD部3へ拡散を抑制することができる。このように本実施形態では、遮光部材とポテンシャル障壁の組み合わせにより、より効果的に偽信号を排除できる。"