シリコンSi基板上にシリコンゲルマニウムSiGe膜を化学気相堆積法でエピタキシャル成長させる第1のステップと、前記SiGe膜に700乃至1200°Cの温度範囲で熱処理を施すステップであって、該熱処理により前記SiGe膜の転位を前記Si基板との界面近傍に集める第2のステップと、前記SiGe膜の表面側から該SiGe膜中の所定の深さに水素イオンを注入する第3のステップと、前記SiGe膜および支持基板の少なくとも一方の主面に表面活性化処理を施す第4のステップと、前記SiGe膜と前記支持基板の主面同士を貼り合わせる第5のステップと、前記SiGe膜と前記支持基板の貼り合わせ界面に外部衝撃を付与して前記SiGe膜の水素イオン注入界面に沿ってSiGe結晶を剥離して前記支持基板の主面上にSiGe薄膜を形成する第6のステップと、を備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。前記SiGe膜のGe含有量がモル比で10以上である請求項1に記載の半導体基板の製造方法。前記第3のステップは、前記水素イオンの注入前に、前記SiGe膜の表面粗さをRms値で0.5nm以下とする表面処理工程を備えている請求項1又は2に記載の半導体基板の製造方法。前記表面処理工程は、CMP研磨で実行される請求項3に記載の半導体基板の製造方法。前記第5のステップの貼り合わせは、100°C以上400°C以下の温度範囲で実行される請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体基板の製造方法。前記支持基板は、酸化膜付きシリコンウェーハ、石英、ガラス、サファイア、炭化珪素SiC、アルミナ、窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の半導体基板の製造方法。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、比較的簡便な手法により、高品質なGe系エピタキシャル膜を大面積で得る半導体基板の製造方法を提供することにある。このような課題を解決するために、本発明の半導体基板の製造方法は、シリコンSi基板上にシリコンゲルマニウムSiGe膜を化学気相堆積法でエピタキシャル成長させる第1のステップと、前記SiGe膜に700乃至1200°Cの温度範囲で熱処理を施すステップであって、該熱処理により前記SiGe膜の転位を前記Si基板との界面近傍に集める第2のステップと、前記SiGe膜の表面側から該SiGe膜中の所定の深さに水素イオンを注入する第3のステップと、前記SiGe膜および支持基板の少なくとも一方の主面に表面活性化処理を施す第4のステップと、前記SiGe膜と前記支持基板の主面同士を貼り合わせる第5のステップと、前記SiGe膜と前記支持基板の貼り合わせ界面に外部衝撃を付与して前記SiGe膜の水素イオン注入界面に沿ってSiGe結晶を剥離して前記支持基板の主面上にSiGe薄膜を形成する第6のステップと、を備えていることを特徴とする。好ましくは、前記SiGe膜のGe含有量がモル比で10以上である。また、好ましくは、前記第3のステップは、前記水素イオンの注入前に、前記SiGe膜の表面粗さをRms値で0.5nm以下とする表面処理工程を備えている。前記表面処理工程は、例えば、CMP研磨で実行される。前記第5のステップの貼り合わせは、100°C以上400°C以下の温度範囲で実行されることが好ましい。前記支持基板は、例えば、酸化膜付きシリコンウェーハ、石英、ガラス、サファイア、炭化珪素SiC、アルミナ、窒化アルミニウムである。本発明によれば、大口径基板が得られるシリコンウェーハ等をエピタキシャル成長用基板として用い、この基板上にGe系結晶をエピタキシャル成長させて得られた膜を絶縁性の支持基板上に貼り合わせ法で転写することとしたので、低コストのGeOI基板やSGOI基板の提供が可能となる。以下に、図面を参照して、本発明の半導体基板製造プロセス例について説明する。なお、以下の実施例においては支持基板を主面に酸化膜を設けたシリコンウェーハとして説明するが、これに限らず、石英基板、ガラス基板、サファイア基板、炭化珪素SiC基板、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板などであってもよい。GeOI基板図1A乃至Cおよび図2A乃至Dは、本発明の半導体基板の製造プロセス例を説明するための図で、本実施例では、GeOI基板の製造プロセス例について説明する。これらの図中、符号10はゲルマニウムGeを化学気相堆積法CVD法でエピタキシャル成長させるためのシリコンSi基板である。このSi基板10は、例えば、CZ法チョクラルスキ法により育成された一般に市販されているSi基板であり、その導電型や比抵抗率などの電気特性値や結晶方位や結晶径は、本発明の方法で製造されるGeエピタキシャル膜が供されるデバイスの設計値やプロセス等に依存して適宜選択される。このSi基板10の主面上に、水素ガスをキャリアガスとして、真空雰囲気中にゲルマンGeH4の高純度ガスを導入してGeの膜をCVD法でエピタキシャル成長させる。このGeエピタキシャル膜11中にはSi基板10との界面から高密度の欠陥貫通転位12が導入されるが図1A、このような貫通転位を含むGeエピタキシャル膜11に適当な熱処理を施して貫通転位12が運動するためのエネルギを付与すると、貫通転位12はSi基板界面近傍のループ転位状欠陥に変化する現象が知られている非特許文献2参照。そこで、本発明では、Geエピタキシャル膜11中の転位をSi基板10との界面近傍に集める図中の符号12 ́ために、650乃至900°C好ましくは、700乃至900°Cの温度範囲で熱処理を施すこととしている図1B。なお、この熱処理時の雰囲気ガスは、窒素やアルゴンなどの不活性ガスまたは酸素ガスの何れか、若しくはこれらの混合ガスとする。続いて、Geエピタキシャル膜11の表面側から水素イオンを注入し、Si基板10との界面近傍領域に水素イオン注入層を形成する図1C。この水素イオン注入により、Geエピタキシャル膜11の表面から所定の深さ平均イオン注入深さLにイオン注入層ダメージ層が形成され、イオン注入界面13が形成される。この際のイオン注入条件は、どの程度の厚さのGe薄膜を剥離させるかに依存して決定されるが、例えば、平均イオン注入深さLを0.5μm以下とし、イオン注入条件を、ドーズ量1×1016~5×1017atoms/cm2、加速電圧50~100keVなどとする。なお、Si基板10上にGeをエピタキシャル成長するに先立ち、予め膜厚50nm以下のSiGe混晶のバッファ層を成長させておくこととすると、更に低欠陥レベルのGe膜を得ることが可能である。このようなバッファ層は、Geエピタキシャル膜がコヒーレント成長するように、例えばGe0.88Si0.12などの組成とする。また、上記水素イオンの注入に先立ち、Geエピタキシャル膜11の表面粗さをRms値で0.5nm以下となるようにCMP研磨などの手法により表面処理を施しておくと、後の工程での貼り合わせの密着性が高まり好ましい。このようにしてイオン注入層を形成したGeエピタキシャル膜11と、後にハンドルウエーハとなる絶縁性の支持基板20の少なくとも一方の主面接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施す図2A。なお、このような表面処理は、接合面となる表面の有機物除去や表面上のOH基を増大させて表面活性化を図るなどの目的で行われるものであり、Geエピタキシャル膜11と支持基板20の双方の接合面に処理を施す必要は必ずしもなく、何れか一方の接合面にのみ施すこととしてもよい。このような表面処理が施されたGeエピタキシャル膜11と支持基板20の主面を接合面として密着させて貼り合わせる図2B。上述したように、Geエピタキシャル膜11と支持基板20の少なくとも一方の主面接合面は、プラズマ処理やオゾン処理などにより表面処理が施されて活性化しているために、室温の貼り合わせでも後工程での機械的剥離や機械研磨に十分耐え得るレベルの接合強度を得ることができる。従って、いわゆるSOITEC法などで必要とされる高温熱処理1000°C前後を施す必要がない。尤も、より高い貼り合せ強度をもたせたいような場合には、100°C以上400°C以下の温度で貼り合わせることとしてもよく、一旦室温で貼り合わせた後に100°C以上400°C以下の温度範囲での加熱処理を施すこととしてもよい。本発明で上記の熱処理温度が400°C以下と設定される理由は、400°Cを超える温度で熱処理を施すと、水素イオン注入界面でマイクロキャビティと呼ばれる微小な空洞が発生し、剥離後のGe薄膜の表面荒れにつながるためである。なお、支持基板20が石英基板である場合には、この熱処理温度の上限値を350°Cとすることが好ましい。これは、Siと石英との熱膨張係数差と当該熱膨張係数差に起因する歪量、およびこの歪量とSi基板10ならびに石英基板の厚みを考慮したものである。Si基板10と石英基板の厚みが概ね同程度である場合、Siの熱膨張係数2.33×10-6と石英の熱膨張係数0.6×10-6の間に大きな差異があるために、350°Cを超える温度で熱処理を施した場合には、両基板間の剛性差に起因して、熱歪によるクラックや接合面における剥離などが生じたり、極端な場合にはSi基板や石英基板が割れてしまうということが生じ得る。このため、熱処理温度の上限を350°Cと選択し、より好ましくは100~300°Cの温度範囲で熱処理を施す。続いて、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面13に沿ってGeエピタキシャル膜の剥離を行ってGe薄膜14を得図2C、さらにこのGe薄膜14の表面に最終表面処理CMP研磨等を施して水素イオン注入起因のダメージを除去すれば、Ge薄膜14をその表面に有するGeOI基板が得られる図2D。SGOI基板本実施例は、SGOI基板の製造方法のプロセス例である。なお、基本的なプロセスは実施例1と同様であるので、再度、図1A乃至Cおよび図2A乃至Dを参照しつつ説明する。本実施例では、図中の符号11はシリコンゲルマニウムSiGeを化学気相堆積法CVD法でエピタキシャル成長させて得られたSiGeエピタキシャル膜である。このSiGeエピタキシャル膜11中にも、Si基板10との界面から高密度の欠陥貫通転位12が導入されるが図1A、SiGeエピタキシャル膜11中の転位をSi基板10との界面近傍に集める図中の符号12 ́ために、650乃至1200°C好ましくは、700乃至1200°Cの温度範囲で熱処理を施すこととしている図1B。なお、この熱処理時の雰囲気ガスは、窒素やアルゴンなどの不活性ガスまたは酸素ガスの何れか、若しくはこれらの混合ガスとする。続いて、SiGeエピタキシャル膜11の表面側から水素イオンを注入してSi基板10との界面近傍領域に水素イオン注入層を形成し図1C、SiGeエピタキシャル膜11の表面から所定の深さ平均イオン注入深さLにイオン注入界面13を形成する。なお、Si基板10との界面近傍領域での転位発生レベルを低く抑えるために、SiGeエピタキシャル膜の組成をGe含有量がモル比で10以上となるように設定することが好ましい。また、既に実施例1で説明したように、上記水素イオンの注入に先立ち、SiGeエピタキシャル膜11の表面粗さをRms値で0.5nm以下となるようにCMP研磨などの手法により表面処理を施しておくと、後の工程での貼り合わせの密着性が高まり好ましい。このようにしてイオン注入層を形成したSiGeエピタキシャル膜11と、後にハンドルウエーハとなる絶縁性の支持基板20の少なくとも一方の主面接合面に、表面清浄化や表面活性化などを目的としたプラズマ処理やオゾン処理を施し図2A、主面同士を密着させて貼り合わせる図2B。なお、より高い貼り合せ強度をもたせたいような場合には、100°C以上400°C以下の温度で貼り合わせることとしてもよく、一旦室温で貼り合わせた後に100°C以上400°C以下の温度範囲での加熱処理を施すこととしてもよいことは上述のとおりである。続いて、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面13に沿ってSiGeエピタキシャル膜の剥離を行ってSiGe薄膜14を得図2C、さらにこのSiGe薄膜14の表面に最終表面処理CMP研磨等を施して水素イオン注入起因のダメージを除去すれば、SiGe薄膜14をその表面に有するSGOI基板が得られる図2D。