放電槽と、前記放電槽内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、前記放電槽の所定の壁と対向して設けられ、プラズマからイオンビームを引き出すための引出し電極と、前記放電槽内に設けられ、かつ回転可能であって、回転軸に対して非対称形状の部材と、前記部材を回転させる駆動手段と、を備え、前記プラズマ発生手段および前記駆動手段を作動して、前記放電槽内にプラズマを発生させながら、前記部材を所定時間回転することにより、時間平均したプラズマ密度分布が均一化されることを特徴とするイオンビーム発生装置。前記非対称形状の部材は、前記引出し電極と非平行な傾斜面を有することを特徴とする請求項1に記載のイオンビーム発生装置。前記非対称形状の部材は、前記回転軸の付近に設けられた凸部を有することを特徴とする請求項1に記載のイオンビーム発生装置。前記部材の側壁を覆うためのシールドが設けられている請求項1に記載のイオンビーム発生装置。前記駆動手段は、前記非対称形状の部材を前記回転軸方向に移動させることができることを特徴とする請求項1に記載のイオンビーム発生装置。しかしながら、従来のイオンビーム発生装置では、プラズマの分布を調べ、その分布の偏りに合わせて、プラグの表面にエクステンションを配置しなければならない。また、プラグを移動したり、引出し電極への電圧を変化させたりした場合、プラズマ密度分布も変化してしまう恐れがあるので、それに合わせて、このエクステンションの位置も変える必要がある。真空処理装置においては、エクステンションの位置を変更する作業を行う度に、放電槽を大気開放した後、再度排気しなおさなければならず、大変な手間がかかってしまう。そこで、本発明の目的は、従来とは全く異なる構成で、均一なプラズマを生成可能で、処理分布を改善したイオンビーム発生装置を提供するものである。上述した課題を解決するため、本発明のイオンビーム発生装置は、放電槽と、前記放電槽内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、前記放電槽の所定の壁と対向して設けられ、プラズマからイオンビームを引き出すための引出し電極と、前記放電槽内に設けられ、かつ回転可能であって、回転軸に対して非対称形状の部材と、前記部材を回転させる駆動手段と、を備え、前記プラズマ発生手段および前記駆動手段を作動して、前記放電槽内にプラズマを発生させながら、前記部材を所定時間回転することにより、時間平均したプラズマ密度分布が均一化されることを特徴とする。本発明によれば、均一性の高いプラズマを生成可能で、より均一な処理が可能なイオンビーム発生装置を提供することができる。以下に、本発明の代表的な実施形態を添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態に係るイオンビーム発生装置1の全体概略図である。第1実施形態図1に示すように、イオンビーム発生装置1は、プラズマを閉じ込める放電槽3を備えている。放電槽3は、円柱状の筐体であり、円状後壁3aおよび円状前壁3cと、それらの間に設けられた円筒状の石英ベルジャー2及び側壁3bとから構成されている。放電槽3は、不図示の排気手段により、その内部圧力を、通常、約1×104Paから約1×102Paの範囲に維持することができる。放電槽3の外部には、誘電結合プラズマを発生させるプラズマ発生手段として、気体に高電圧をかけることによってプラズマを発生させるRFアンテナ5が設けられている。RFアンテナ5は、高周波電源50に接続されている。不図示のガス導入手段から放電槽3内に、不活性ガスアルゴンなどが導入される。高周波電源50は、RFアンテナ5に高周波電力を供給すると、石英ベルジャー誘電体窓2を介して放電槽3の不活性ガスに、高周波電磁界が導入され、放電槽3内にプラズマが生成する。なお、請求項に記載の放電槽内にプラズマを発生させるためのプラズマ生成手段は、アンテナ5、高周波電源50、石英ベルジャー2に相当する。図2に本例におけるアンテナ5の形状を示す。図2に示すように、アンテナ5は、完全な円形ではなく、整合器15を介して高周波電源50と接続するための入力端部と出力端部を有するため、非対称形状となっている。制御部70は、イオンビーム発生装置1の各構成要素高周波電源、排気手段、ガス導入手段、回転駆動手段などを制御する。なお、図示していないが、イオンビーム発生装置1は、基板ホルダーを備えた真空用チャンバに装着され、基板ホルダーに載せられた基板をエッチング処理可能になっている。図1に示すように、放電槽3の前壁3cには、円状の開口部を有し、該開口部には、放電槽3内に形成されたプラズマからイオンを引出し、イオンビームの形で放電槽3から出てくるイオンを加速する引出し電極7が配置されている。引出し電極7は、通常、放電槽3側から、正電圧例えば、100~1000Vが印加された第1の電極、負電圧例えば、-1000~-3000が印加された第2の電極、及び接地電位に維持された第3の電極から構成されている。引出し電極7は、イオンビームが照射される多数の微細孔が形成されたグリッド構造を備えている。引出し電極7によって引き出されたイオンビームは、基板に向かって照射され、エッチング処理を施すことができる。次に本発明の特徴部分であるブロックについて説明する。図1に示すように、放電槽3の内部には、ブロック部材4が配置されている。ブロック4は、引出し電極7に対向した放電槽3の後壁3aを貫通して設けられたシャフト回転軸8により軸支されている。回転軸8は、後壁3a及び引出し電極7の表面に対して、垂直に配置されている。シャフト8は、回転駆動手段11に接続され、ブロック4とともに回転可能に構成されている。図1bに示すように、上面から見たブロック4は、回転軸9と同軸同心の円形である。しかしながら、図1aの断面図に示すように、ブロック4は、回転軸8に対して非対称な形状である。即ち、ブロック4は、引出し電極7のグリッド面に対して、非平行な傾斜面を有する。ブロック4は、耐熱性のある材質であり、Alなどの金属でもよいし、石英のような絶縁体でもよい。なお、ブロック4を絶縁体にすることにより、ブロック4をフローティング電位にすることができる。本発明の動作原理を説明する。まず、制御部70は、排気手段不図示を作動して、放電槽内部の圧力を約1×104Paから約1×102Paの範囲までに減圧する。次に、制御部70は、ガス導入手段を作動して、放電槽内にアルゴンガスを供給する。続いて、制御部70は、回転駆動手段11を作動して、部材4を所定の回転速度約80~200rpmで回転する。こうした状態で、制御部は、引出し電極7に前述したように電圧を印加することで、放電槽内のプラズマからイオンビームが引き出される。詳細は後述するが、このような非対称なブロック4を用いることで、ブロック4を静止した状態で、RFアンテナ5に高周波電力を印加すると、放電槽3の内部に非対称なプラズマが発生する。続いて、回転駆動手段11によりブロック4を所定の回転速度約80~200rpmで所定時間回転することで、所定時間例えば、30秒における時間平均化したプラズマ密度分布を均一化することができる。結果的に、均一なイオンビームを生成することができ、基板に対して、均一性の高い処理を実現することができる。なお、放電槽の容積、放電槽内の圧力などの条件によっては、30秒以上でプラズマ密度分布が均一化することもあり、その場合は、30~700秒間の任意の時間を採用することができる。なお、本発明は、基板を回転できる機構を備えることができない基板処理装置において、特に有効である。放電槽3の後壁3aには、ブロック4の側壁に沿って延設された円筒状のシールド6が設けられている。シールド6は、石英やアルミナなどの絶縁体から構成されている。また、放電槽3内のプラズマ密度を均一化するために、シールド6も、回転軸8と同軸同心の円筒形状であることが好ましい。このシールド6は、イオンビームによって引出し電極7が叩かれて、発生したパーティクルがシャフト8等に付着するのを防止するためのものである。ブロック4とシールド6の間隔は、デバイ長以下例えば、1mm以下とすることが望ましい。第2実施形態図3に本実施形態のイオンビーム発生装置1の全体概略図である。本実施形態のイオンビーム発生装置1は、図1に示したイオンビーム発生装置1と基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。図3に示すように、本実施形態のイオンビーム発生装置1は、図1に示したイオンビーム発生装置1とは異なり、シャフト8が引出し電極7に向かって、伸縮可能になっており、ブロック4を回転軸方向に前後移動することができる。こうすることで、放電槽3内のプラズマ密度を調整することができる。さらに、イオンビーム発生装置1は、放電槽3の後壁3aの近傍で、かつ大気側に設けられた電磁石12と、放電槽3の側壁3bの近傍で、かつ大気側に設けられた永久磁石10を備えている。電磁石12は、回転軸8と同軸同心の円形のコイルであり、ブロック4の径より大きな径を有する。つまり、ブロック4の外側と放電槽3の側壁3bとの間に、電磁石12が設けられている。DC電源80は、電磁石12へ電流を供給することができる。さらに、制御部70は、DC電源80のONとOFFを制御することができる。図3bに示すように、電磁石12から出た磁力線12aは、永久磁石10に向かって閉じている。また、電磁石12から出た磁力線12bと、永久磁石10からでた磁力線10aは任意の位置13で磁場がゼロとなる。電磁石12に流れる電流を調整する事で、ゼロ磁場が発生する位置13を移動させる事ができ、放電槽の側壁付近のプラズマ密度を調整することができる。図4は、本発明の実施形態のイオンビーム発生装置と比較例のイオンビーム発生装置を比較した場合の、グリッド側からみたプラズマ密度分布の違いを模式的に示した図である。なお、プラズマ密度は、基板におけるイオンエッチング分布に基づいて、放電槽内のプラズマ密度分布を推定することもできるが、放電槽内に直接、プローブを挿入して測定してもよい。図4Aでは、比較例として、放電槽内にブロックなどを何も設けていない、通常のイオンビーム発生装置を用いた。この場合、図4aに示すように、放電槽内のプラズマ密度は、放電槽の中央部で高くなる傾向がある。図4Bでは、比較例として、放電槽3の内部に中央に、対称な円柱状ブロックを配置し、さらにブロックの内部にプラズマ調整用の電磁石12を用いた。このようにブロック内部に設けた電磁石12を用いて、プラズマ密度を均一にしようとしても、磁力線の形成により、図4bに示すように、プラズマ密度が局所的に高くなる部分が存在してしまうことがある。また、ブロックの底面中央部では、プラズマが外側に発散してしまい、プラズマ密度が低くなってしまうことがある。そのため、比較例では、ある程度までしかプラズマ密度60を均一化できない。一方、図4Cでは、図3で示した実施形態のイオンビーム発生装置を用いた。傾斜部を有するブロック4を放電槽3の内部に配置することで、図4cに示すように、ブロック4の傾斜部に沿って傾斜されたプラズマ密度分布を強制的に形成できる。さらに、図4Dに示すように、回転軸を中心にブロック4を所定時間回転することで、傾斜されたプラズマ密度分布が所定時間において平均化され、図4dに示すように、均一なプラズマを形成できる。変形例図5に、ブロック4の変形例を示す。図5に示す変形例では、図1に示したブロック4の中央部に、略半球体4aが追加して設けられている。放電槽3の容積、放電槽内の圧力、ガスの種類などの条件によっては、図1で前述した傾斜ブロック4だけでは、中央部分に偏在する高いプラズマ密度を、フラットに傾斜したプラズマ密度にすることは困難な場合がある。具体的には誘電結合プラズマICP装置では、放電槽内の圧力が低圧1Pa以下のとき、電子が放電槽の中央部に向かって、加速し集中する傾向があり、放電槽の中央部においてプラズマが高くなることがある。この場合に、本変形例のように、ブロック4の回転軸に合わせて、引出し電極7に向けて、略半球体4aなどの凸部を設けるようにすればよい。こうすることで、放電槽の中央部において、プラズマが発生する空間を減らすことにより、中央部分のプラズマ密度を低減し、プラズマを均一化することができる。以上のように、実際に、エッチング分布から推定する方法や、放電槽内に直接、プローブを挿入する方法などによってプラズマ密度を測定し、その結果、プラズマ密度分布が高い部分に対応して、ブロック4の一部に適宜凸部を追加してもよい。凸部は、ブロック4と一体で設けてもよいし、別体として付加してもよい。また、逆にプラズマ密度分布が低い部分に対応して、ブロック4の一部に適宜凹部を形成したりしてもよい。以上のように、非対称のブロックは、装置の仕様に応じて、その形状を適宜変更することができる。以上、添付図面を参照して本願の好ましい実施形態、実施例を説明したが、本発明はかかる実施形態、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲のおいて種々の形態に変更可能である。