基板上に、ソース電極とドレイン電極を配置し、該ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体層を有する有機トランジスタの製造方法であって、前記有機半導体層は、インクジェット法によって、有機半導体材料を溶媒に溶解した有機半導体溶液を塗布して形成され、塗布された前記有機半導体溶液の縁部が、前記ソース電極と前記ドレイン電極間に配置されるように、前記ソース電極と前記ドレイン電極間のちょうど中間位置よりずらした位置に、塗布領域の中心が位置するように、前記有機半導体溶液を塗布することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。前記ソース電極が配置されている位置、又は前記ドレイン電極が配置されている位置に、塗布領域の中心が位置するように、前記有機半導体溶液を塗布することを特徴とする請求項1に記載の有機トランジスタの製造方法。前記ドレイン電極又は前記ソース電極の長手方向に沿って、前記有機半導体溶液を連続して塗布することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機トランジスタの製造方法。前記ドレイン電極又は前記ソース電極の長手方向に沿って、前記有機半導体溶液をドット状に塗布することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機トランジスタの製造方法。しかしながら、従来の技術では、塗布位置を精度良く制御する必要があったり、隔壁を設けるなど新たな工程が必要であったりと、必ずしも効率よく制御されているとはいえなかった。そこで、本発明は、有機トランジスタにおける有機半導体層の形成方法にインクジェット方法が適用された場合に、電気的特性が均一な有機トランジスタを容易に、かつ効率よく製造する方法を提供するものである。基板上に、ソース電極とドレイン電極を配置し、ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体層を有する有機トランジスタの製造方法であって、有機半導体層は、インクジェット法によって、有機半導体材料を溶媒に溶解した有機半導体溶液を塗布して形成され、塗布された有機半導体溶液の縁部が、ソース電極とドレイン電極間に配置されるように、ソース電極とドレイン電極間のちょうど中間位置よりずらした位置に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布することを特徴とする。また、ソース電極が配置されている位置、又はドレイン電極が配置されている位置に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布することを特徴とする。さらに、ドレイン電極又はソース電極の長手方向に沿って、有機半導体溶液を連続して塗布することを特徴とする。又は、ドレイン電極又はソース電極の長手方向に沿って、有機半導体溶液をドット状に塗布することを特徴とする。本発明によれば、均一な膜厚の有機半導体層を形成することができ、電気的特性が均一な有機トランジスタを製造することができる。以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。最初に一般的な有機トランジスタの製造方法について、同じく図4を用いて説明する。最初に、基板2にゲート電極3を形成する。基板2は、ガラス、シリコン、などの無機材料、あるいはポリカーボネート、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリイミドPI、ポリエチレンテレフタレートPETなどの耐熱性高分子材料から構成することができる。ゲート電極3は、金属及び導電性有機材料の少なくとも一種を用いて形成すればよい。金属膜を形成する場合には、蒸着やスパッタリング等の既存の真空成膜法を用いればよく、マスク成膜法やフォトリソグラフ法等により電極形状の形成を行うことができる。このとき用いる電極形成用の材料としては、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ニッケル等の金属、これら金属を用いた合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO等の無機材料が挙げられる。また、これらの材料は2種以上を併用してもよい。また、導電性有機材料を用いて電極を形成する場合には、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性インキを塗布して電極とすることができる。この場合の電極の形成は、有機材料を基材上に塗布、乾燥させることで行うことができるため、安価で簡便に行うことができる。塗布する方法としては、スピンコート法、キャスト法、引き上げ法、転写法、インクジェット法等が挙げられる。次いで、ゲート電極3を覆うようにしてゲート絶縁層4を形成する。ゲート絶縁層4は、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレートなどの溶液をスピンコートまたはフレキソ印刷法などで塗布した後、電子オーブンなど加熱硬化して形成する。このように溶液を塗布して形成する方法を以下、溶液法と称する。また、ポリパラキシリレンなど、化学蒸着法によりゲート絶縁層を形成しても良い。次に、ゲート絶縁層4の上にソース電極5及びドレイン電極6を形成する。有機半導体層7に用いられる公知の電極であれば特に限定されずに用いることができるが、ほとんどの有機半導体が、電荷を輸送するキャリアがホールであるp型半導体であることから、半導体層とオーミック接触をとるために、仕事関数の大きい金属で形成されることが好ましい。具体的には、例えば、金、白金が挙げられる。ここでいう仕事関数とは、固体中の電子を外部に取り出すのに必要な電位差であり、真空準位とフェルミ準位のエネルギー差を電荷量で割った値として定義される。また、半導体層表面にドーパントを高密度にドープした場合は、金属/半導体間をキャリアがトンネルすることが可能となり、金属の材質によらなくなるため、ゲート電極で挙げた金属材料又は導電性有機材料も用いることができる。ソース電極5およびドレイン電極6の形状について、図4aでは櫛型電極を示したが、櫛型電極に限定されるものではない。次に有機半導体層7を形成する方法について説明する。有機半導体層7は、公知の有機半導体材料を用いて形成された層であればよく、この有機半導体材料としては、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物、電荷移動錯体等の材料からなるのが好ましい。具体的な材料としては、ペンタセン、中心ベンゼン環の間にビシクロ環を導入したペンタセン誘導体、テトラセン、アントラセン、チオフェンオリゴマー誘導体、フェニレン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シアニン色素等が挙げられるが、これらの材料に限定されるものではない。第1の実施形態本発明の第1の実施形態について、図1を用いて詳細に説明する。有機半導体層7を形成する前までの工程、つまり、ソース電極5及びドレイン電極6の形成までは、一般的な有機トランジスタの製造方法を採用することが出来る。ソース電極5及びドレイン電極6の間に配置する有機半導体層7の形成は、インクジェット法を用いて行う。有機半導体層7の形成は、先に記載した有機半導体材料を溶媒に溶かした有機半導体溶液をソース電極とドレイン電極上にノズルから噴出し塗布して行われる。具体的には、塗布された有機半導体溶液の縁部71有機半導体層7の周囲が、ソース電極5とドレイン電極6の間に配置されるように、ソース電極5とドレイン電極のちょうど中間位置よりずらした位置にノズルを配置し有機半導体溶液を塗出する。ソース電極5のちょうど真上にノズルを配置させ、図1に図示するように、塗布領域の中心が、ソース電極5の幅方向の中心に位置するように、つまり、ドレイン電極6と対向しているソース電極5と重なるように、ソース電極5の長手方向に沿ってノズルを制御し有機半導体溶液を連続して塗布する。そして、有機半導体溶液を乾燥して溶媒を除去し、有機半導体層7を形成する。乾燥することによって、有機半導体溶液を塗布した領域の中心部72では、ほとんど有機半導体層が形成されず、主に縁部71に配置される。縁部71は有機半導体材料の結晶性が大きい層であるため、有機トランジスタの電気的特性が良好に示されるようになる。このように、有機半導体溶液を乾燥させても、縁部71で有機半導体材料が必ず残り、ソース電極5とドレイン電極6との間で有機半導体層がほぼ均一の膜厚に形成され、有機トランジスタは、電気的特性が均一で良好であることが確認された。本形態では、ソース電極5にのみ重なるように有機半導体溶液を塗布したが、ドレイン電極6にのみに重なるように有機半導体溶液を塗布しても構わない。そのように塗布しても、同様な効果が得られる。第2の実施形態次に、本発明の別の実施形態について図2を用いて説明する。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、有機半導体溶液の塗布位置、つまり塗布パターンである。本形態においても、塗布された有機半導体溶液の縁部71有機半導体層7の周囲が、ソース電極5とドレイン電極6間に配置されるように、ソース電極5とドレイン電極のちょうど中間位置よりずらした位置にノズルを配置し、有機半導体溶液を塗出する。本実施形態では、図2に図示するように、ソース電極5とドレイン電極6の両方において、ちょうど真上にノズルを配置させ、塗布領域の中心が、ソース電極5及びドレイン電極6の幅方向の中心に位置するように、つまり、ドレイン電極6とソース電極5とそれぞれに重なるように、各電極の長手方向に沿ってノズルを制御し有機半導体溶液を塗布する。その後、先の実施形態と同じように有機半導体溶液を乾燥して溶媒を除去し、有機半導体層7を形成する。得られた有機半導体層7は、主に縁部71に配置され、主にソース電極5及びドレイン電極6間に配置される。縁部71は有機半導体材料の結晶性が大きい層であるため、有機トランジスタの電気的特性が良好に示されるようになる。このように、ソース電極5とドレイン電極6との間で有機半導体層がほぼ均一の膜厚に形成され、得られた有機トランジスタは、電気的特性が均一で良好であることが確認された。第3の実施形態次に、本発明の別の実施形態について図3を用いて説明する。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、有機半導体溶液の塗布位置、つまり塗布パターンである。本実施形態では、先の実施形態では、電極の長手方向に沿って連続して塗布したが、本実施形態では、ドット状に塗布する。本形態においても、塗布された有機半導体溶液の縁部71有機半導体層7の周囲が、ソース電極5とドレイン電極6間に配置されるように、ソース電極5とドレイン電極のちょうど中間位置よりずらした位置にノズルを配置し、有機半導体溶液を塗出する。本実施形態では、図3に図示するように、ソース電極5とドレイン電極6の両方において、ちょうど真上にノズルを配置させ、塗布領域の中心が、ソース電極5及びドレイン電極6の幅方向の中心に位置するように、つまり、ドレイン電極6とソース電極5とそれぞれに重なるように、各電極の長手方向に沿ってノズルを制御し、ドット上に有機半導体溶液を塗布する。その後、先の実施形態と同じように有機半導体溶液を乾燥して溶媒を除去し、有機半導体層7を形成する。得られた有機半導体層は、主に縁部71に配置され、主にソース電極5及びドレイン電極6間に配置される。縁部71は有機半導体材料の結晶性が大きい層であるため、有機トランジスタの電気的特性が良好に示されるようになる。このように、ソース電極5とドレイン電極6との間で有機半導体層がほぼ均一の膜厚に形成され、得られた有機トランジスタは、電気的特性が均一で良好であることが確認された。以上、各実施形態で示したように、本発明によって製造された有機トランジスタは液晶表示装置、電子ペーパーなどのメモリー性表示装置、または有機電気発光装置等の表示装置等に使用されることができる。有機電気発光装置は電気的な信号を受けて発光する有機物を利用した自発光型素子である。有機電気発光装置には陰極層画素電極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陽極層対向電極が積層されている。本発明による有機トランジスタ基板のドレイン電極は陰極層と電気的に連結されてデータ信号を印加することができる。