"温度センサにより温度を測定する方法であって、以下の工程a~cを具備する:前記温度センサを準備する工程a、ここで、前記温度センサは、下部電極群、強誘電体層、半導体層、および上部電極群を具備しており、前記下部電極群、前記強誘電体層、前記半導体層、および前記上部電極群は、この順で積層されており、前記下部電極群は、第1の下部電極および第2の下部電極を具備しており、前記上部電極群は、第1の上部電極、第2の上部電極、および第3の上部電極を具備しており、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれており、前記第1の下部電極と前記第1の上部電極との間に、前記強誘電体層の第1強誘電体部分が挟まれ、前記第2の下部電極と前記第3の上部電極との間に、前記強誘電体層の第2強誘電体部分が挟まれ、前記第2強誘電体部分は、前記第1強誘電体部分の分極方向とは逆の分極方向を有し、前記第1の上部電極と前記第2の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第1チャネルが形成されており、前記第2の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第2チャネルが形成されており、前記第1の上部電極および前記第3の上部電極に、それぞれ電圧VDDおよび0Vを印加し、第2の上部電極からの出力電圧VOUTを測定する工程b、以下の等式2から温度Tを算出する工程cここで、Rd1は、強誘電体層の温度TがT1の時の前記第1チャネルの抵抗値を表し、Ru1は、強誘電体層の温度TがT1の時の第2チャネルの抵抗値を表し、Rd2は、強誘電体層の温度TがT2の時の第1チャネルの抵抗値を表し、そしてRu2は、強誘電体層の温度TがT2の時の第2チャネルの抵抗値を表す。前記第1チャネルは、幅W1および長さL1を有しており、前記第2チャネルは、幅W2および長さL2を有しており、以下の等式1によって表されるチャネルサイズ比αが30以上である、請求項1に記載の方法。α=W1/L1/W2/L21前記強誘電体層が40nm以上の厚みを有する、請求項1に記載の方法。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項1に記載の方法。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項3に記載の方法。前記強誘電体層が40nm以上の厚みを有する、請求項2に記載の方法。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項2に記載の方法。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項6に記載の方法。以下を具備する温度センサ:前記温度センサは、下部電極群、強誘電体層、半導体層、および上部電極群を具備しており、前記下部電極群、前記強誘電体層、前記半導体層、および前記上部電極群は、この順で積層されており、前記下部電極群は、第1の下部電極および第2の下部電極を具備しており、前記上部電極群は、第1の上部電極、第2の上部電極、および第3の上部電極を具備しており、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれており、前記第1の下部電極と前記第1の上部電極との間に、前記強誘電体層の第1強誘電体部分が挟まれ、前記第2の下部電極と前記第3の上部電極との間に、前記強誘電体層の第2強誘電体部分が挟まれ、前記第2強誘電体部分は、前記第1強誘電体部分の分極方向とは逆の分極方向を有し、前記第1の上部電極と前記第2の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第1チャネルが形成されており、前記第2の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第2チャネルが形成されている。前記第1チャネルは、幅W1および長さL1を有しており、前記第2チャネルは、幅W2および長さL2を有しており、以下の等式1によって表されるチャネルサイズ比αが30以上である、請求項9に記載の温度センサ。α=W1/L1/W2/L21前記強誘電体層が40nm以上の厚みを有する、請求項9に記載の温度センサ。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項9に記載の温度センサ。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項11に記載の温度センサ。前記強誘電体層が40nm以上の厚みを有する、請求項10に記載の温度センサ。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項10に記載の温度センサ。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項14に記載の温度センサ。以下を具備する温度測定装置:前記温度測定装置は、温度センサおよび演算装置を備え、前記温度センサは、下部電極群、強誘電体層、半導体層、および上部電極群を具備しており、前記下部電極群、前記強誘電体層、前記半導体層、および前記上部電極群は、この順で積層されており、前記下部電極群は、第1の下部電極および第2の下部電極を具備しており、前記上部電極群は、第1の上部電極、第2の上部電極、および第3の上部電極を具備しており、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれており、前記第1の下部電極と前記第1の上部電極との間に、前記強誘電体層の第1強誘電体部分が挟まれ、前記第2の下部電極と前記第3の上部電極との間に、前記強誘電体層の第2強誘電体部分が挟まれ、前記第2強誘電体部分は、前記第1強誘電体部分の分極方向とは逆の分極方向を有し、前記第1の上部電極と前記第2の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第1チャネルが形成されており、前記第2の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第2チャネルが形成されており、前記演算装置は、処理部、記憶部、出力部、および入力部を具備し、前記入力部には前記第2の上部電極からの出力電圧VOUTが入力され、前記記憶部は、定数Rd1、定数Ru1、定数Rd2、定数Ru2を記憶しており、前記処理部は、前記記憶部を参照しながら以下の等式2に基づいて温度Tを算出し、前記出力部は、算出された前記温度Tを出力する。前記出力電圧Voutは、前記第1の上部電極および前記第3の上部電極に、それぞれ電圧VDDおよび0Vを印加したときに第2の上部電極から出力される電圧であり、Rd1は、強誘電体層の温度TがT1の時の前記第1チャネルの抵抗値を表し、Ru1は、強誘電体層の温度TがT2の時の第2チャネルの抵抗値を表し、Rd2は、強誘電体層の温度TがT2の時の第1チャネルの抵抗値を表し、そしてRu2は、強誘電体層の温度TがT2の時の第2チャネルの抵抗値を表す、請求項17に記載の温度測定装置。前記第1チャネルは、幅W1および長さL1を有しており、前記第2チャネルは、幅W2および長さL2を有しており、以下の等式1によって表されるチャネルサイズ比αが30以上である、請求項17に記載の温度測定装置。α=W1/L1/W2/L21前記強誘電体層が40nm以上の厚みを有する、請求項17に記載の温度測定装置。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項17に記載の温度測定装置。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項20に記載の温度測定装置。前記強誘電体層が40nm以上の厚みを有する、請求項19に記載の温度測定装置。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項19に記載の温度測定装置。前記半導体層が70nm以下の厚みを有する、請求項23に記載の温度測定装置。しかし、特許文献1によれば、薄膜トランジスタの増幅特性を超える効果が得られない。さらに、ドレイン電流量の検出は、複雑な外部回路を必要とする。本発明の目的は、より高い感度を有する小型の焦電型温度センサを用いて温度を測定する方法を提供することである。本発明は、温度センサを用いて温度を測定する方法を提供する。当該方法は、以下の工程を具備する:前記温度センサを準備する工程、ここで、前記温度センサは、下部電極群、強誘電体層、半導体層、および上部電極群を具備しており、前記下部電極群、前記強誘電体層、前記半導体層、および前記上部電極群は、この順で積層されており、前記下部電極群は、第1の下部電極および第2の下部電極を具備しており、前記上部電極群は、第1の上部電極、第2の上部電極、および第3の上部電極を具備しており、前記第2の上部電極は、前記第1の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれており、前記第1の下部電極と前記第1の上部電極との間に、前記強誘電体層の第1強誘電体部分が挟まれ、前記第2の下部電極と前記第3の上部電極との間に、前記強誘電体層の第2強誘電体部分が挟まれ、前記第1強誘電体部分の分極方向は、前記第2強誘電体部分の分極方向とは逆であり、前記第1の上部電極と前記第2の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第1チャネルが形成されており、前記第2の上部電極と前記第3の上部電極との間に挟まれる前記半導体層の部分に第2チャネルが形成されており、前記第1の上部電極および前記第3の上部電極に、それぞれ電圧VDDおよび0Vを印加し、第2の上部電極からの出力電圧VOUTを測定する工程、以下の等式2から温度Tを算出する工程ここで、Rd1は、強誘電体層の温度TがT1の時の前記第1チャネルの抵抗値を表し、Ru1は、強誘電体層の温度TがT1の時の第2チャネルの抵抗値を表し、Rd2は、強誘電体層の温度TがT2の時の第1チャネルの抵抗値を表し、そしてRu2は、強誘電体層の温度TがT2の時の第2チャネルの抵抗値を表す。上記の温度センサもまた、本発明の趣旨に包含される。上記の温度センサおよび演算装置を備えた温度測定装置も本発明の趣旨に包含される。ここで、前記演算装置は、処理部、記憶部、出力部、および入力部を具備し、前記入力部には前記第2の上部電極からの出力電圧VOUTが入力され、前記記憶部は、定数Rd1、定数Ru1、定数Rd2、および定数Ru2を記憶しており、前記処理部は、前記記憶部を参照しながら上記の等式2に基づいて温度Tを算出し、前記出力部は、算出された前記温度Tを出力する。本発明は高感度な焦電型温度センサを用いて温度を測定する方法を提供する。図面を参照しながら、本発明の実施の形態が以下、説明される。実施の形態1図1は、実施の形態1による焦電型温度センサを示す。図1に示されるように、本焦電型温度センサ1は、基板2、支持膜3、下部電極群56、強誘電体層7、半導体層9、上部電極群111315を具備する。下部電極群56、強誘電体層7、半導体層9、および上部電極群111315は、この順で積層されている。下部電極群は、第1の下部電極5および第2の下部電極6を具備している。上部電極群は、第1の上部電極11、第2の上部電極13、および第3の上部電極15を具備している。第2の上部電極13は、第1の上部電極11と第3の上部電極15との間に挟まれている。第1の下部電極5と第1の上部電極11との間に、強誘電体層7の第1強誘電体部分7aが挟まれている。第2の下部電極6と第3の上部電極15との間に、強誘電体層7の第2強誘電体部分7bが挟まれている。第2強誘電体部分7bは、第1強誘電体部分7aの分極方向とは逆の分極方向を有している。第1の上部電極11と第2の上部電極13との間に挟まれる半導体層9の部分に第1チャネル21が形成されている。第1強誘電体部分7aは、第1チャネル21の下に位置している。第2の上部電極13と第3の上部電極15との間に挟まれる半導体層9の部分に第2チャネル23が形成されている。第2強誘電体部分7bは、第2チャネル23の下に位置している。図1、図3、図4、および図5における矢印は、分極17の方向を表す。本明細書では、当該矢印の先端に正の電荷が偏っていることが定義される。本明細書では、矢印の先端が半導体層9に向いている場合には、分極17は上向きであると定義される。一方、矢印の先端が支持膜3を向いている場合には、分極17は下向きであると定義される。図1において、出力電圧Voutは、電圧計81によって測定される第2上部電極13の電位を表す。図2は、実施の形態1による焦電型温度センサの上面図を示す。図1は、図2のA-A’断面図である。第1上部電極11および第2上部電極13は、それぞれ、第1チャネル21のドレイン電極およびソース電極として機能する。第2上部電極13および第3上部電極15は、それぞれ、第2チャネル23のドレイン電極およびソース電極として機能する。第1チャネル21は、W1の幅およびL1の長さを有する。第2チャネル23は、W2の幅およびL2の長さを有する。チャネルサイズ比αは以下の等式1により定義される。α=W1/L1/W2/L21図3は、焦電型温度センサの初期状態における断面図を示す。図3に示されるように、初期状態においては、分極17の方向は、しばしば、決められていない。図4は、分極17の方向を決める方法を示す。図4に示されるように、第1上部電極11、第2上部電極13、および第3上部電極15を接地しながら、第1下部電極5および第2下部電極6に、それぞれ負の電圧および正の電圧が印加される。その後、電圧を除去する。このようにして、分極17は図4に示されるように決定される。すなわち、第1チャネル21の下に位置する強誘電体層7の第1強誘電体部分7aにおける分極17の向きは下向きになるように決定される。一方、第2チャネル23の下に位置する強誘電体層7の第2強誘電体部分7bにおける分極17の向きは上向きになるように決定される。その後、第1チャネル21および第2チャネル23の抵抗値が測定される。図5aおよび図5bは、それぞれ第1チャネル21および第2チャネル23の抵抗値を測定する方法を示す。図5aに示されるように、第2上部電極13、第1下部電極5、および第2下部電極6が接地されながら、第1上部電極11に正の電圧が印加され、第1チャネル21を流れる電流値を測定する。さらに、加熱手段図示せずを用いて焦電型温度センサ1の温度を変化させることによって、第1チャネル21の抵抗値と温度との関係が得られる。図5bに示されるように、第3上部電極15、第1下部電極5、および第2下部電極6が接地されながら、第2上部電極13に正の電圧が印加され、第2チャネル23を流れる電流値を測定する。図5aと同様に、加熱手段図示せずを用いて焦電型温度センサ1の温度を変化させることによって、第2チャネル23の抵抗値と温度との関係が得られる。このようにして、抵抗値Rd1、Ru1、Rd2、およびRu2が得られる。Rd1は、強誘電体層7の温度TがT1の時の第1チャネル21の抵抗値を表す。Ru1は、強誘電体層7の温度TがT1の時の第2チャネル23の抵抗値を表す。Rd2は、強誘電体層7の温度TがT2の時の第1チャネル21の抵抗値を表す。Ru2は、強誘電体層7の温度TがT2の時の第2チャネル23の抵抗値を表す。次に、温度を測定する方法が説明される。図1に示されるように、電源電圧VDDが第1の上部電極11に印加される。当該電源電圧VDDは、第1チャネル21の抵抗値Rdおよび第2チャネル23の抵抗値Ruに従って分配され、そして第2の上部電極13の電位が出力電圧Voutとして出力される。温度Tの変化に従って抵抗値Rdおよび抵抗値Ruが変化する。これは、出力電圧Voutが変化することをもらたす。本発明者らは、出力電圧Vout、抵抗値Rd1、抵抗値Ru1、抵抗値Rd2、および抵抗値Ru2を含む以下の等式2から、強誘電体層7の温度T°Cを測定できることを見出した。図7に示されるように、本発明者らは、チャネルの抵抗値が当該チャネルの温度に比例することを見出した。さらに、本発明者らは、強誘電体層7における分極の向きが反転されると、当該比例の傾きも反転するという関係も見出した。すなわち、下向きの分極17を有する第1強誘電体部分7aに接する第1チャネル21の温度が上昇すると、当該第1チャネル21の抵抗値は低下する。当該第1チャネル21の抵抗値の低下は、当該温度の上昇に比例する。一方、上向きの分極17を有する第2強誘電体部分7bに接する第2チャネル23の温度が上昇すると、当該第2チャネル23の抵抗値は上昇する。当該第2チャネル23の抵抗値の上昇は、当該温度の上昇に比例する。言うまでもないが、下向きの分極を有する第1強誘電体部分7aに接する第1チャネル21の温度が低下すると、当該第1チャネル21の抵抗値は上昇する。当該第1チャネル21の抵抗値の上昇は、当該温度の低下に比例する。一方、上向きの分極を有する第2強誘電体部分7bに接する第2チャネル23の温度が低下すると、当該第2チャネルの抵抗値は低下する。当該第2チャネル23の抵抗値の低下は、当該温度の低下に比例する。本発明の焦電型温度センサは、150°C以下の温度測定に用いられ得る。温度が150°Cを超える場合、分極が不安定になり得る。本発明の焦電型温度センサは、-20°C以上の温度測定に用いられることが好ましい。当該関係のため、従来の焦電型温度センサと比較して、本発明の焦電型温度センサは、温度に対するより高い感度を有する。本発明の温度測定装置は、上記の焦電型温度センサおよび演算装置を備える。図15に示されるように、演算装置は、処理部、記憶部、出力部、および入力部を具備する。第2の上部電極13からの出力電圧VOUTが入力部に入力される。記憶部は、定数Rd1、定数Ru1、定数Rd2、定数Ru2を記憶している。これらの定数は、工場において量産された当該温度測定装置が当該工場から出荷されるまでに、記憶部に記憶される。すなわち、工場出荷時においてこれらの定数が記憶された温度測定装置は、本発明の趣旨に包含される。本発明の温度測定装置のユーザは、そのユーザがその温度を知りたい物体に温度センサを触れさせる。処理部は、記憶部を参照しながら上記の等式2に基づいて温度Tを算出する。そして、出力部は、算出された温度Tを出力する。このようにして、当該ユーザは当該物体の温度Tを知る。当該物体は、気体、液体、または固体であり得る。実施例以下の実施例は本発明をより詳細に説明する。実施例1図6は、焦電型温度センサを製造する方法を示す。a700°Cの温度下にて、MgO100単結晶基板2の上に、パルスレーザ堆積法以下、PLD法により、150nmの厚みを有するSrTiO3薄膜が堆積され、支持膜3を形成した。基板2の温度を400°Cに設定した後、200nmの厚みを有する白金膜がPLD法で堆積された。レジスト図示せずが塗布され、かつパターニングされ、エッチングマスクを形成した。CF4ガスを用いた反応性イオンエッチング法により白金膜がエッチングされた。その後、レジストを除去し、図6aに示すように、第1下部電極5および第2下部電極6が形成された。b基板2の温度を600°Cに設定した後、500nmの厚みを有するPbLaTiO3膜PLT膜がPLD法により堆積された。このようにして、図6bに示すように、強誘電体層7が堆積された。PLT膜のPb:La比は9:1に設定された。基板2の温度を400°Cに設定した後、PLD法により、30nmの厚みを有するZnO膜を堆積し、半導体層9を形成した。cレジスト図示せずが塗布され、かつパターニングされた。さらにEB蒸着を用いて50nmの厚みを有する白金膜を堆積した。レジストを除去するリフトオフ法を用いて、図6cに示すように、第1上部電極11、第2上部電極13、および第3上部電極15を形成した。本実施例1では、第1チャネル21の幅W1および長さL1、ならびに第2チャネル23の幅W2および長さL2は、それぞれ、1000μm、1μm、10μm、および10μmであった。チャネルサイズ比αは1000であった。dMgO100単結晶基板2の下面にレジスト図示せずが塗布され、そしてパターニングされた。その後、80°Cに加熱した燐酸を用いて、MgO100単結晶基板2の中央部分が溶解された。レジストに保護されない部分のMgOは燐酸によって溶解された。支持膜3は溶解されなかった。図6dに示される構造は熱容量を大幅に低減するため、強誘電体層7の温度変化がより敏感に出力電圧VOUTに反映され得る。その後、レジストが除去され、焦電型温度センサを得た。当該焦電型温度センサが20°Cの恒温槽図示せずに配置され、第1チャネル21の抵抗値Rd1および第2チャネル23の抵抗値Ru1を測定した。Rd1は45メガオーム、Ru1は0.86メガオームであった。次に、恒温槽の温度を30°C、40°C、50°C、60°C、および70°Cに変更し、第1チャネル21の抵抗値および第2チャネル23の抵抗値を測定した。最後に、恒温槽の温度を80°Cに変更し、第1チャネル21の抵抗値Rd2および第2チャネル23の抵抗値Ru2を測定した。Rd2は16メガオーム、Ru2は1.0メガオームであった。図7aは、上記測定により得られた、温度と第1チャネル21の抵抗値との間の関係を示す。図7bは、温度と第2チャネル23の抵抗値との間の関係を示す。電源電圧VDDは100mVであった。図8は、恒温槽の温度と出力電圧から等式2に基づいて算出された温度とを比較した表を示す。図8に示されるように、実際の温度は算出された温度に一致した。実施例2図9は、横軸がチャネルサイズの比αを表し、縦軸が出力電圧変化を表すグラフを示す。当該出力電圧変化は、20°Cから80°Cへ温度が上昇した際の焦電型温度センサの出力電圧の変化を意味する。図9に示すように、αの上昇に伴い出力変化が大きくなる。電圧変化の検出下限が0.1mVであったので、αが30以上である場合に検出可能な出力電圧変化が得られる。1mV以上の出力電圧変化が得られるため、好ましくは、αは300以上である。実施例3図10aは、強誘電体層7において異なる材料が用いられた場合における、温度と第1チャネル21の抵抗値との間の関係を示す。図10bは、強誘電体層7において異なる材料が用いられた場合における、温度と第2チャネル23の抵抗値との間の関係を示す。第1チャネル21および第2チャネル23は、実施例1のそれらと同じサイズを有する。実施例3では、PLTに代えて、0.4:0.6のZr:Ti比を有するPbZr,TiO3PZTおよびPbTiO3PTOが用いられた。強誘電体層7がPZTからなる場合、Rd1、Ru1、Rd2、およびRu2は、それぞれ、43メガオーム、0.75メガオーム、14メガオーム、および0.87メガオームであった。強誘電体層7がPTOである場合、Rd1、Ru1、Rd2、およびRu2は、それぞれ、48メガオーム、0.94メガオーム、16メガオーム、および1.1メガオームであった。実施例3では、実施例1と同様、恒温槽の温度が20°Cの場合にRd1およびRu1は得られた。恒温槽の温度が80°Cの場合に、Rd2およびRu2は得られた。図11は、恒温槽の温度と出力電圧から等式2に基づいて算出された温度とを比較した表を示す。図11に示されるように、実際の温度は算出された温度に一致した。実施例4実施例4では、強誘電体層7の厚みを変化させたときの焦電型温度センサの出力電圧を測定した。図12は、強誘電体層7の厚みと、20°Cから80°Cへ温度が上昇した際の焦電型温度センサの出力電圧変化との関係を示す。図12に示されるように、強誘電体層7の厚さが薄くなると、出力電圧変化が小さくなった。特に強誘電体層7の厚さが70nm未満になると出力電圧変化が急速に低下した。安定な検出の観点から、出力電圧変化は1mV以上であることが好ましい。図12から理解されるように、1mV以上の出力電圧変化を得るためには、強誘電体層7は40nm以上の厚みを有することが好ましい。実施例5実施例5では、半導体層9の厚みを変化させたときの焦電型温度センサの出力電圧を測定した。図13は、半導体層9の厚みと、20°Cから80°Cへ温度が上昇した際の焦電型温度センサの出力電圧変化との関係を示す。図13に示されるように、半導体層9の厚さが厚くなると、出力電圧が小さくなった。特に半導体層9の厚さが70nmを超えると出力電圧変化が検出下限0.1mV以下になる。従って、図13から理解されるように、半導体層9は70nm以下の厚みを有することが好ましい。"