"半導体装置を製造するために用いられるリードフレームであって、上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部と、先端部が前記半導体素子搭載部に対向するようにして、当該半導体素子搭載部の周囲に設けられてなる複数のリード部とを備え、前記半導体素子搭載部は、第1の肉厚部と、当該半導体素子搭載部の周縁において下面側から切り欠かれてなり、当該第1の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第1の肉薄部とを含み、前記各リード部は、第2の肉厚部と、前記先端部側において下面側から切り欠かれてなり、当該第2の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第2の肉薄部とを含むことを特徴とするリードフレーム。前記第1に肉薄部と前記第2の肉薄部とは、略同一の厚さを有することを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。前記第2の肉厚部を構成する壁部のうち、前記リード部の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部を含む平面と、前記第1の肉厚部を構成する壁部のうち、前記平面に対向する壁部とが、1mm以上離隔していることを特徴とする請求項1又は2に記載のリードフレーム。前記第2の肉薄部は、前記半導体素子搭載部の略中心に向かうようにして延在していることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のリードフレーム。請求項1~4のいずれかに記載のリードフレームの前記半導体素子搭載部の上面に搭載された半導体素子の複数の端子のそれぞれと前記第1の肉薄部及び前記第2の肉薄部のそれぞれとを接続するワイヤの一端部を、前記第1の肉薄部及び前記第2の肉薄部の下面側から加熱しながら、前記第1の肉薄部の上面及び前記第2の肉薄部の上面のそれぞれに接続する接続工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。図8及び図9に示す半導体装置を製造するために、ダイパッド200と、半導体装置における外部端子300に相当するリード部と、ダイパッド200の四隅に連続して当該ダイパッド200を支持する吊りリード400と、ダイパッド200、リード部及び吊りリード400を囲む格子状に配置され、リード部を支持するタイバーを有するリードフレームが用いられることがある。そして、かかるリードフレームにおけるダイパッド200上に搭載された半導体素子110の上面の端子と、リード部又はダイパッド200との間をワイヤ120で接続するために、一般に、ワイヤボンディング装置が用いられる。かかるワイヤボンディング装置としては、リードフレームを載置固定するためのヒートブロックと、ワイヤ120を接続するためのキャピラリーと、キャピラリーに超音波振動を伝えるための超音波ホーンとを備えるものを例示することができる。そして、図10に示すように、ダイパッド200の肉薄部220の下面側に当接し得る凸部を有するヒートブロックhb上にリードフレームLFを載置固定し、当該リードフレームLFにおけるダイパッド200の肉薄部220及びリード部を加熱しながら、キャピラリーを介して当該ボンディング領域に超音波振動を印加することで、ワイヤが接続されることになる。しかしながら、上記半導体装置においては、ダイパッド200の肉薄部220は、その周縁にハーフエッチング加工が施されることによりその他の部分よりも薄い厚さを有するものとして形成されているのに対し、それに対向するリード部の先端部側ダイパッド200側は、リードフレームLFと同一の厚さを有するため、ダイパッド200側においてワイヤボンディングされる領域肉薄部220と、リード部側においてワイヤボンディングされる領域との間で、ヒートブロックhbによる熱伝導性が異なることとなり、両領域に温度差が生じてしまう。その結果として、ワイヤ120の接続不良が生じるおそれがあるという問題がある。また、半導体装置がさらに小型化されたときに、従来のリードフレームLFをそのままスケールダウンさせていくと、リード部の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部300bを含む平面と、ダイパッド200の肉厚部210を構成する壁部のうち、上記平面に対向する壁部210bとの間隔dを狭小化せざるを得なくなる。このように当該間隔dが狭小化されると、ヒートブロックhbを作製する際に、ダイパッド200の肉薄部220の下面側に当接し得る凸部の加工が困難を極める。その結果として、ダイパッド200の肉薄部220の加熱が不十分となり、ワイヤ120の接続不良が生じるおそれがある。一方で、ヒートブロックhbの凸部の加工が容易な程度に上記間隔dを広げるべく、ダイパッド200の肉厚部210の壁部210bを当該ダイパッド200の中心側に移動させたとしても、ダイパッド200側においてワイヤボンディングされる領域肉薄部220と、リード部側においてワイヤボンディングされる領域との間で、ヒートブロックhbによる熱伝導性が異なることとなり、両領域に温度差が生じてしまう。その結果として、ワイヤ120の接続不良が生じるおそれがあるという問題がある。上記課題に鑑みて、本発明は、半導体装置を製造する際に半導体素子とリード部との間のワイヤ及び半導体素子と半導体素子搭載部との間のワイヤを、ともに高い信頼性をもって、かつ容易に接続することのできる半導体装置製造用リードフレーム、及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、半導体装置を製造するために用いられるリードフレームであって、上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部と、先端部が前記半導体素子搭載部に対向するようにして、当該半導体素子搭載部の周囲に設けられてなる複数のリード部とを備え、前記半導体素子搭載部は、第1の肉厚部と、当該半導体素子搭載部の周縁において下面側から切り欠かれてなり、当該第1の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第1の肉薄部とを含み、前記各リード部は、第2の肉厚部と、前記先端部側において下面側から切り欠かれてなり、当該第2の肉厚部よりも薄い厚さを有し、前記半導体素子と電気的に接続され得る第2の肉薄部とを含むことを特徴とするリードフレームを提供する発明1。上記発明発明1によれば、半導体素子搭載部の周縁に厚さの薄い第1の肉薄部と、それに対向するようにしてリード部先端側に厚さの薄い第2の肉薄部とを有することで、半導体素子の端子と、第1の肉薄部及び第2の肉薄部のそれぞれとをワイヤにより接続するに際し、第1の肉薄部及び第2の肉薄部に対して略同一の条件にて伝熱可能であるため、半導体素子の端子と第1の肉薄部及び第2の肉薄部のそれぞれとの間におけるワイヤによる接続信頼性を向上させることができる。上記発明発明1においては、前記第1の肉薄部と前記第2の肉薄部とは、略同一の厚さを有するのが好ましい発明2。かかる発明発明2によれば、第1の肉薄部におけるワイヤボンディング領域と第2の肉薄部におけるワイヤボンディング領域とに、略同一の条件で伝熱が可能であり、半導体素子の端子と第1の肉薄部及び第2の肉薄部のそれぞれとの接続信頼性をより向上させることができる。上記発明発明1,2においては、前記第2の肉厚部を構成する壁部のうち、前記リード部先端側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部を含む平面と、前記第1の肉厚部を構成する壁部のうち、前記平面に対向する壁部とが、1mm以上離隔しているのが好ましい発明3。リードフレームの下面側から見たときに、半導体素子搭載部の周縁の切り欠けと、リード部の先端側の切り欠けとにより、半導体素子搭載部の周縁を取り囲む凹状の溝が構成されることとなり、第1の肉薄部及び第2の肉薄部にワイヤを接続する際に、その凹状の溝にヒートブロックを当接させて加熱することになる。この場合において、その凹状の溝に遊嵌する形状を有するヒートブロックを用意する必要があるが、上記発明発明3によれば、凹状の溝の幅が1mm以上であることで、高精度に加工されたヒートブロックを容易に用意することができるため、第1の肉薄部及び第2の肉薄部のそれぞれのワイヤボンディング領域に、略同一条件で伝熱が可能であり、半導体素子の端子と第1の肉薄部及び第2の肉薄部のそれぞれとの接続信頼性をより向上させることができる。上記発明発明1~3においては、前記第2の肉薄部は、前記半導体素子搭載部の中心に向かう方向に延在しているのが好ましい発明4。また、本発明は、上記発明発明1~4に係るリードフレームの前記半導体素子搭載部の上面に搭載された半導体素子の複数の端子のそれぞれと前記第1の肉薄部及び前記第2の肉薄部のそれぞれとを接続するワイヤの一端部を、前記第1の肉薄部及び前記第2の肉薄部の下面側から加熱しながら、前記第1の肉薄部の上面及び前記第2の肉薄部の上面のそれぞれに接続する接続工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する発明5。本発明によれば、半導体装置を製造する際に半導体素子とリード部との間のワイヤ及び半導体素子と半導体素子搭載部との間のワイヤを、ともに高い信頼性をもって、かつ容易に接続することのできる半導体装置製造用リードフレーム、及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。リードフレーム図1は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを下面側から見た平面図であり、図2は、同実施形態に係るリードフレームを示す、図1におけるA-A線切断端面図であり、図3は、同実施形態におけるリード部のみの概略構成を示す斜視図であり、図4は、同実施形態におけるリード部の概略構成を示す部分拡大平面図である。本実施形態に係るリードフレーム1は、半導体素子が搭載される上面搭載面を有する略方形状の半導体素子搭載部2と、半導体素子搭載部2の周囲に設けられてなる複数本実施形態においては24個のリード部3と、半導体素子搭載部2の四隅のそれぞれに連続し、当該半導体素子搭載部2を支持する吊りリード4とを備える。なお、本実施形態に係るリードフレーム1は、多面付けにより多数の半導体素子搭載部2を有し、各リード部3は格子状に配置された複数のタイバー5により支持されているものであるが、図1及び図2においては1個の半導体素子搭載部2のみを示している。半導体素子搭載部2は、第1の肉厚部21と、第1の肉厚部21の周縁に連続し、下面側から切り欠かれてなる第1の肉薄部22とを有する。この第1の肉薄部22上面が、半導体素子搭載部2の搭載面に搭載された半導体素子の端子との間でワイヤボンディングされる搭載部側ボンディング領域を構成することとなる。また、第1の肉厚部21の下面21aは、本実施形態に係るリードフレーム1を用いて製造された半導体装置において外部に露出することとなるため、外部機器等と接続するための外部端子グランド端子としての役割を果たすこととなる。なお、第1の肉薄部22は、下面側からのハーフエッチング等により形成され得る。第1の肉薄部22の厚さは、第1の肉厚部21よりも薄い厚さであり、好ましくは第1の肉厚部21の厚さの略半分の厚さである。かかる第1の肉薄部22の厚さは、リードフレーム1を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常50~120μm程度である。リード部3は、半導体素子搭載部2の周囲を取り囲むように、かつ方形状の半導体素子搭載部2の各辺に沿って並列するようにして設けられており、第2の肉厚部31と、第2の肉厚部31の先端部半導体素子搭載部2側に連続して延在し、下面側から切り欠かれてなる第2の肉薄部32とを有する。第2の肉薄部32の上面は、半導体素子搭載部2の搭載面に搭載された半導体素子の端子との間でワイヤボンディングされるリード部側ボンディング領域を構成することになる。また、第2の肉厚部31の下面31aは、本実施形態に係るリードフレーム1を用いて製造された半導体装置において外部に露出することとなるため、外部機器等と接続するための外部端子としての役割を果たすこととなる。なお、第2の肉薄部32は、第1の肉薄部22と同様に、下面側からのハーフエッチング等により形成され得る。第2の肉厚部31は、タイバー5から半導体素子搭載部2に向けて、半導体素子搭載部2における当該第2の肉厚部31の対向する一辺に略直交するように設けられているが、第2の肉薄部32のそれぞれは、当該第2の肉薄部32の先端部が半導体素子搭載部2の略中心に向かうように、第2の肉厚部31の先端部側から連続して延在している。本実施形態に係るリードフレーム1を用いた半導体装置の製造工程において、第2の肉薄部32のリード部側ボンディング領域にワイヤを接続するに当たり、一般にワイヤボンディング装置が用いられるが、第2の肉薄部32の先端部が半導体素子搭載部2の略中心に向かって延在していることで、ワイヤボンディング装置によりリード部側ボンディング領域を容易に、かつ的確に検知認識することができるため、確実にワイヤを当該ボンディング領域に接続することができ、製造された半導体装置におけるワイヤの接続信頼性を向上させることができる。第2の肉薄部32の厚さは、第2の肉厚部31よりも薄い厚さであり、好ましくは第2の肉厚部31の略半分の厚さである。かかる第2の肉薄部32の厚さは、リードフレーム1を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常50~120μm程度である。この第2の肉薄部32の厚さは、半導体素子搭載部2の第1の肉薄部22の厚さと略同一であるのが好ましい。本実施形態に係るリードフレーム1を用いた半導体装置の製造工程において、第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32の各ボンディング領域にワイヤを接続するに当たり、第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32の下面にヒートブロックを当接させ、それらの下面側から加熱することになるが、これらの厚さが略同一であることで、これらの各ボンディング領域に略同一の条件にて伝熱可能となるため、製造された半導体装置におけるワイヤの接続信頼性を向上させることができる。本実施形態において、第2の肉厚部31を構成する壁部のうち、リード部3の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部31bを含む平面と、第1の肉厚部21を構成する壁部のうち、平面に対向する壁部21bとの間隔Dは、1mm以上であるのが好ましい。言い換えれば、本実施形態に係るリードフレーム1においては、第1の肉厚部21を取り囲むようにして、1mm以上の幅を有する溝が当該リードフレーム1の下面側に設けられているのが好ましい。当該間隔Dが1mm以上であることで、本実施形態に係るリードフレーム1を用いた半導体装置の製造工程において第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32の下面に当接させて用いられるヒートブロックを高精度で、かつ容易に作製することができるため、第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32の各ボンディング領域に略同一の条件にて伝熱可能となり、製造された半導体装置におけるワイヤの接続信頼性を向上させることができる。図4に示すように、本実施形態において、第2の肉薄部32における先端部の幅W1は、当該先端部に対向する端部の幅W2以下であるのが好ましいW2≧W1。近年、半導体素子の多ピン化や小型化に伴い、リードフレームにおけるリード部の数が増加するとともに、半導体素子搭載部のサイズが小さくなる傾向にある。このときに、半導体素子の各端子と各リード部3とを接続するワイヤ長を短くすることを目的として、第2の肉薄部32を半導体素子搭載部2の略中心に向けて延在させるようにしているが、このようにすることで、隣接するリード部3,3の先端部が接近することになる。この隣接するリード部3,3の先端部が接近しすぎると、第2の肉薄部32におけるボンディング領域にワイヤを接続するに際し、ワイヤボンディング装置によるボンディング位置の検出誤差が大きくなりやすく、接続不良が生じるおそれがある。しかしながら、本実施形態に係るリードフレーム1においては、上記のように各リード部3が構成されているW2≧W1ことで、リード部3の数が増大し、半導体素子搭載部2のサイズが縮小したことにより、第2の肉薄部32を半導体素子搭載部2の略中心に向けて延在させたとしても、隣接するリード部3,3の先端部が接近しすぎることなく、各リード部3を配置することができるため、ボンディング位置の検出誤差を小さくし、ワイヤを確実に接続することができる。また、第2の肉薄部32における先端部に対向する端部の幅W2は、当該部分における第2の肉厚部31の幅よりも大きく構成されている。本実施形態に係るリードフレーム1を用いて半導体装置を作製する過程において、第2の肉薄部32の下方には封止樹脂が充填される。そして、最終的に半導体素子ごとにダイシングされ、タイバー5から各リード部3が切り離されることになる。この場合において、第2の肉薄部32における先端部に対向する端部の幅W2が当該部分における第2の肉厚部31の幅よりも大きく構成されていることで、個片化された半導体装置においてリード部3が下方に抜け落ちるのを防止することができる。リードフレームの製造方法上述した本実施形態に係るリードフレーム1の製造方法について説明する。図5a~dは、本実施形態に係るリードフレーム1の製造工程を示す切断端面図図1におけるA-A線に相当する位置で切断した端面図である。まず、導電性基板40として、銅、銅合金、42合金Ni41のFe合金等の金属基板厚み100~250μmを用意する図5a参照。なお、導電性基板40は、その両面上面及び下面に脱脂処理、洗浄処理等を施したものを用いるのが好ましい。次に、導電性基板40の上面及び下面に感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所望のフォトマスクを介して露光した後に現像してレジストパターン51,52を形成する図5b参照。感光性レジストとしては、従来公知のものを用いることができる。なお、図5bにおいて、レジストパターン51aはリードフレーム1における半導体素子搭載部2の上面に相当する位置に、レジストパターン51bはリードフレーム1におけるリード部3の上面に相当する位置に、レジストパターン52aはリードフレーム1における第1の肉厚部21の下面に相当する位置に、レジストパターン52bはリードフレーム1における第2の肉厚部22の下面に相当する位置に形成されるものである。続いて、レジストパターン51,52をマスクとして、エッチング液を用いて導電性基板40にエッチング処理を施す図5c参照。エッチング処理に用いるエッチング液は、導電性基板40の材質に応じて適宜選択され得るものであり、例えば、導電性基板40として銅基板を用いる場合、一般に塩化第二鉄水溶液又は塩化銅水溶液をエッチング液として用い、導電性基板40の両面上面及び下面からエッチング処理を施す。このとき、少なくとも導電性基板40における第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32に相当する部分の下面側には、感光性レジストが設けられていないため、これらの部分は下面側から切り欠かれた状態、すなわちハーフエッチングされることになる。これにより、半導体素子搭載部2の周縁に、その下面側から切り欠かれてなり、第1の肉厚部21の厚さの略半分の厚さを有する第1の肉薄部22を形成することができるとともに、リード部3の先端部側において下面側から切り欠かれてなり、第2の肉厚部31の厚さの略半分の厚さを有する第2の肉薄部32を形成することができる。最後に、導電性基板40の両面上面及び下面に残存するレジストパターン51,52を剥離して除去する図5d参照。これにより、本実施形態に係るリードフレーム1を製造することができる。半導体装置の製造方法本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。図6a~dは、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図であり、図7は、本発明の一実施形態における製造方法により製造された半導体装置を示す平面図である。なお、図7において、半導体装置の構成の理解を容易にするために、後述する封止樹脂を省略している。まず、図5a~dに示す工程により作製されたリードフレーム1を準備し、当該リードフレーム1の半導体素子搭載部2の上面に、両面粘着テープ、Agペースト等のダイボンド材図示せず等により半導体素子11を固着する図6a参照。次に、半導体素子搭載部2に半導体素子11が搭載されたリードフレーム1を、ワイヤボンディング装置のヒートブロックHB上に載置する。そして、ヒートブロックHBにより第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32の下面側から、第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32の上面の表面温度が、例えば、180~280°C程度になるように同時に加熱するとともに、ワイヤボンディング装置のキャピラリーを介して超音波を印加しながら、半導体素子11の端子11aと第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32のそれぞれとをワイヤ金等の金属細線12で電気的に接続する図6b参照。このとき、第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32の厚さが略同一であることで、それらの上面に対して略同一の条件にて伝熱可能であるため、第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32のいずれにおいても確実にワイヤ12を接続することができ、半導体素子11の端子11aと第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32のそれぞれとの間におけるワイヤ12の接続信頼性を向上させることができる。このようにして、半導体素子11のすべての接続すべき端子11aと第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32のそれぞれとをワイヤ12により接続した後、当該リードフレーム1を成形金型内に収容し、第1の肉厚部21の下面21a及び第2の肉厚部31の下面31aを外部に露出させるようにして、半導体素子11、半導体素子搭載部2、リード部3、吊りリード4及びワイヤ12を封止樹脂13により封止する図6c参照。続いて、封止樹脂13により封止されたリードフレーム1を成形金型から取り出し、第2の肉厚部32におけるリード部3の先端部に対向する側面31cを外部に露出させるようにして、当該第2の肉厚部32と吊りリード4とを切断し、半導体装置10ごとに分離する。具体的には、半導体素子11ごとにタイバー5に沿ってダイシングすることにより、各リード部3の第2の肉厚部31及び各吊りリード4を切断し、タイバー5を除去する。このようにして、半導体素子搭載部2と、半導体素子搭載部2の上面に搭載された半導体素子11と、半導体素子搭載部2と電気的に独立するようにして当該半導体素子搭載部2の周囲に設けられてなる複数の外部端子30と、半導体素子11の各端子11aと各外部端子30の第2の肉薄部32又は半導体素子搭載部2の第1の肉薄部22とを電気的に接続するワイヤ12と、第1の肉厚部21の下面21a、第2の肉厚部31の下面31a及び外部端子30の先端部に対向する側面31cを外部に露出させるようにして、半導体素子搭載部2、各リード部3、吊りリード4、半導体素子11及びワイヤ12を封止する封止樹脂13とを備える半導体装置10を得ることができる図6d,図7参照。上述したように、本実施形態に係るリードフレーム1によれば、当該リードフレーム1を用いて半導体装置を製造するに際し、ヒートブロックHBを用いて第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32に対して略同一の条件にて伝熱可能であるため、半導体素子11の端子11aと第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32のそれぞれとの間におけるワイヤによる接続信頼性を向上させることができる。以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。実施例1導電性基材厚さ:200μm,縦500mm×横540mm,材質:EFTEC64Tを用意し、その両面に感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所望のフォトマスクを用いて露光現像することで、当該基材の両面のそれぞれに、レジストパターンを形成した。次に、当該レジストパターンが形成された基材を、エッチング液塩化第二鉄を用いた所定時間のスプレーエッチング処理に付した後に、当該レジストパターンを剥離除去し、図1~4に示す構成を有するリードフレーム1を作製した。なお、かかるリードフレーム1において、第2の肉厚部31を構成する壁部のうち、リード部3の先端部側に位置し、かつ厚さ方向に略平行な壁部31bを含む平面と、第1の肉厚部21を構成する壁部であって、当該平面に対向する壁部21bとの間隔Dが1mmとなるように、第1の肉薄部22及び第2の肉薄部32を形成した。"