"荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置で前記主偏向器に使用される偏向アンプの評価方法であって、前記主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、前記主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、前記下地と前記マークの両方にかかる位置に前記荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、前記電流値の変動量を基に前記偏向アンプを評価することを特徴とする偏向アンプの評価方法。前記主偏向領域の所定位置から、前記下地と前記マークの両方にかかる位置までの距離を変えて、前記反射荷電粒子を電流値として検出することを特徴とする請求項1に記載の偏向アンプの評価方法。前記所定時間を変えて、前記反射荷電粒子を電流値として検出することを特徴とする請求項1に記載の偏向アンプの評価方法。荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、前記主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、前記主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、前記下地と前記マークの両方にかかる位置に前記荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、前記電流値の変動量が一定となってから前記所定のパターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。前記主偏向領域の所定位置から、前記下地と前記マークの両方にかかる位置までの距離を変えて、前記反射荷電粒子を電流値として検出し、前記電流値からセトリング時間を決定することを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子ビーム描画方法。このような電子ビームの偏向制御は、詳しくは、上述した偏向器と偏向アンプによって行われる。偏向アンプは、偏向器と同様に、偏向の種類によって複数設けられている。そして、電子ビームを所望の位置に偏向させるには、偏向アンプの出力電圧の安定性が不可欠である。従来法における主偏向アンプの評価法には、主偏向アンプを実機に搭載して描画結果を評価する方法と、主偏向アンプ単体に実機と同等の負荷をかけてオシロスコープで出力波形を評価する方法とがある。前者の方法、すなわち、実際の描画結果を基に行う方法によれば、主偏向アンプの安定性を最も確実に評価できる。しかし、この場合には、描画、プロセス、解析の1回の評価に数時間から数十時間の描画時間がかかる上に、高価な評価用マスクを必要とする。そこで、後者の方法、すなわち、主偏向アンプから主偏向器への出力信号をオシロスコープでモニタして主偏向アンプを評価する方法がとられる。ところで、電子ビームのショットは、高速且つ連続に出力される。したがって、このようなビームショットを制御する主偏向アンプを評価するには、高精度の測定機器が必要になる。しかし、オシロスコープを用いた測定では、オシロスコープの入力回路が飽和して正確な波形を観測できないという問題があった。また、この方法においても、オシロスコープの接続のために、数時間程度の装置のダウンタイムが発生するという問題もあった。さらに、オシロスコープによる評価結果と、描画による評価結果とが一致しないことがあった。これは、主偏向アンプ単体での評価は、電子ビームを用いた状態で行うことができないためと推測される。本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供することにある。また、本発明の目的は、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。本発明の第1の態様は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて荷電粒子ビームを偏向し所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置で主偏向器に使用される偏向アンプの評価方法であって、主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、下地とマークの両方にかかる位置に荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に偏向アンプを評価することを特徴とするものである。本発明の第1の態様では、主偏向領域の所定位置から、下地とマークの両方にかかる位置までの距離を変えて、反射荷電粒子を電流値として検出することが好ましい。これにより、距離による適切なセトリング時間を求めることができる。また、ファラデーカップによって荷電粒子ビームの電流値を検出する方法に比べて測定時間が短いので、距離を変えての測定を行っても全体の測定に長時間を要しない。本発明の第1の態様では、所定時間を変えて、反射荷電粒子を電流値として検出することが好ましい。これにより、適切なセトリング時間を求めることができる。また、ファラデーカップによって荷電粒子ビームの電流値を検出する方法に比べて測定時間が短いので、所定時間、すなわち、セトリング時間を変えての測定を行っても全体の測定に長時間を要しない。本発明の第2の態様は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域の所定位置に荷電粒子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなるマークに対し、下地とマークの両方にかかる位置に荷電粒子ビームを照射して反射荷電粒子を電流値として検出し、電流値の変動量が一定となってから所定のパターンを描画することを特徴とするものである。本発明の第2の態様では、主偏向領域の所定位置から、下地と前記マークの両方にかかる位置までの距離を変えて、反射荷電粒子を電流値として検出し、電流値からセトリング時間を決定することが好ましい。ファラデーカップによって荷電粒子ビームの電流値を検出する方法に比べて測定時間が短いので、距離を変えての測定を行っても全体の測定に長時間を要さず、適切なセトリング時間を決定することができる。本発明によれば、主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法が提供される。また、本発明によれば、主偏向アンプの安定性を正確に評価できるので、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法が提供される。図1は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。図1に示すように、電子ビーム描画装置は、試料に電子ビームで描画する描画部と、描画を制御する制御部とを有する。試料室1内には、試料2が設置されるステージ3が設けられている。ステージ3は、ステージ駆動回路4により、X方向紙面における左右方向とY方向紙面における垂直方向に駆動される。ステージ3の移動位置は、レーザ干渉計等を用いた位置回路5により測定される。また、試料室1の上方には、電子ビーム光学系10が設置されている。この光学系10は、電子銃6、各種レンズ7、8、9、11、12、ブランキング用偏向器13、成形偏向器14、ビーム走査用の主偏向器15、ビーム走査用の副偏向器16、および、2個のビーム成形用アパーチャ17、18などから構成されている。図2は、電子ビームによる描画方法の説明図である。この図に示すように、試料2上に描画されるパターン51は、短冊状のフレーム領域本明細書では、主偏向領域とも言う。以下に同じ。52に分割されている。電子ビーム54による描画は、ステージ3が一方向例えば、X方向に連続移動しながら、フレーム領域52毎に行われる。フレーム領域52は、さらにサブフィールド副偏向領域53に分割されており、電子ビーム54は、サブフィールド53内の必要な部分のみを描画する。尚、フレーム領域52は、主偏向器15の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールド53は、副偏向器16の偏向幅で決まる単位描画領域である。サブフィールドの基準位置の位置決めは、主偏向器15で行われ、サブフィールド53内での描画は、副偏向器16によって制御される。すなわち、主偏向器15によって、電子ビーム54が所定のサブフィールド53に位置決めされ、副偏向器16によって、サブフィールド53内での描画位置が決められる。また、成形偏向器14とビーム成形用アパーチャ17、18によって、電子ビーム54の形状と寸法が決められる。そして、ステージ3を一方向に連続移動させながら、サブフィールド53内を描画し、1つのサブフィールド53の描画が終了したら、次のサブフィールド53を描画する。フレーム領域52内の全てのサブフィールド53の描画が終了したら、ステージ3を連続移動させる方向と直交する方向例えば、Y方向にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、フレーム領域52を順次描画して行く。試料2には、主偏向アンプの安定性を評価するための評価用マークが設けられている。この評価用マークは、試料面とは反射率の異なる材料で形成される。尚、本実施の形態においては、試料面ではないが試料面のできるだけ近くに評価用マークを設けてもよい。評価用マークは、例えば、シリコン基板の上にタングステン膜を設け、このタングステン膜をエッチング加工し格子状としたものとすることができる。タングステン膜に代えて、他の重金属からなる膜を用いることもできる。評価用マークとその下地との組み合わせは、両者の反射率の差が大きく、且つ、一方の反射率の値が小さいほどよい。これにより、後述する偏向アンプの安定性の程度を捉えやすくなる。評価用マーク100と主偏向領域200との関係は、図3に示すようになる。この図から分かるように、1つの主偏向領域200の外周は、評価用マーク100によって囲まれる範囲の内側に位置する。尚、この例において、評価用マーク100は、シリコン基板からなる下地の上に形成されたタングステン膜からなるとする。図4を用いて、本実施の形態における主偏向アンプの評価方法について説明する。図4は、図3の評価用マークと主偏向領域との境界付近を拡大した図である。本実施の形態の主偏向アンプの評価方法では、まず、任意の座標x1,y1に電子ビームを照射する。すなわち、座標x1,y1に電子ビームが照射されるように、主偏向アンプに電圧を印加する。図の符号301は、この座標に照射された電子ビームのショットを表しており、この例では、電子ビームは、正方形の形状に成形されている。次に、所定のセトリング時間の後、主偏向アンプに電圧を印加して、座標x1,y2に電子ビームを偏向させる。このとき、座標x1,y2は、電子ビームのショットの一部が評価用マークにかかる位置にあるようにする。主偏向アンプの出力電圧が安定しないと、電子ビームを所望の位置に偏向させることができない。すなわち、電子ビームの照射位置を、座標x1,y1から座標x1,y2に移動させようとしても、主偏向アンプの出力電圧が安定していない状態では、電子ビームは、座標x1,y2からずれた位置に照射される。図の符号303は、座標x1,y2に電子ビームが偏向された直後の電子ビームショットを表しており、このショットは、座標x1,y2からずれた位置座標x1,y3にある。その後、出力電圧が安定するまで照射位置は、点線の矩形で示すように変動し、出力電圧が安定した以降は、座標x1,y2に固定される。図の符号302は、この座標に照射された電子ビームのショットを表している。尚、照射位置は、図4の例では矢印の方向Y方向に変動しているが、-Y方向へ変動する場合もあり、いずれの方向へ変動するかは、主偏向アンプの特性による。ところで、電子ビームを試料2に照射すると、試料2で電子が反射されて反射電子が発生する。ここで、タングステン膜に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量と、シリコン基板に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量とは異なる。具体的には、前者の方が後者より多い。図4の例では、主偏向アンプの出力電圧が安定するまで、電子ビームの照射位置は変動する。そして、この変動に伴って、電子ビームの照射領域におけるタングステン膜の面積とシリコン基板の面積とは相対的に変化する。図4では、最初に座標x1,y3にショットされ、その後Y方向へ移動した後、座標x1,y2に固定される。したがって、電子ビームの照射領域におけるタングステン膜の面積は次第に小さくなり、代わってシリコン基板の面積が次第に大きくなる。タングステン膜に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量と、シリコン基板に電子ビームが照射されて発生した反射電子の量とは異なるので、反射電子全体の量を測定することにより、照射領域内でのタングステン膜とシリコン基板との相対面積の変化を知ることができる。そして、反射電子量が一定となれば、電子ビームの照射位置は固定され、主偏向アンプの出力電圧が一定となったことが分かる。反射電子の量は電流値として測定することができる。図4の例では、反射電子の量が次第に小さくなる結果、測定電流値も次第に小さくなる。そして、偏向アンプの出力電圧が安定化した以降は、測定電流値も一定となる。尚、電子ビームが、最初の照射位置から-Y方向へ移動する場合には、この移動に伴って、タングステン膜の面積が次第に大きくなる。その結果、反射電子の量が次第に大きくなり、測定電流値も次第に大きくなる。図1において、電子ビームを試料2に照射すると、試料2で電子が反射されて反射電子が発生する。試料室1の上方には、評価用マークに電子ビームが照射されて発生した反射電子を電流値として検出する検出器32が設けられている。尚、検出器32は、反射電子の他に2次電子を電流値として検出してもよい。検出器32から出力された電気信号は、検出部33に入力される。そして、検出部33で増幅された後、A/D変換部34に入力される。A/D変換部34は、検出部33からのアナログ信号をデジタル信号に変換する。変換されたデジタル信号は、制御計算機19に送られる。ここで、A/D変換部34は、検出部33からのデータを蓄積できるので、1回の測定毎に制御計算機19にデータを転送する必要がない。したがって、通信時間によるサンプリングタイムの長期化を低減できる。制御計算機19に送られたデータは、制御計算機19内において、電流値の変動が飽和するまでの時間が求められる。この際、測定値を補間するために、例えば、指数関数フィッティングが用いられる。得られた飽和時間から主偏向アンプの性能を評価できる。かかる評価は、電子ビーム描画装置の起動前や定期点検の際に行うことができる。ところで、電子ビームの電流量は、ファラデーカップによっても検出可能である。しかし、主偏向アンプの出力電圧は、例えば1ミリ秒程度の時間で安定化するのに対し、ファラデーカップでは、10Hz程度の周期、すなわち、100ミリ秒程度の時間間隔でしか変動を検出できない。一方、本実施の形態の方法によれば、照射位置の変動量を1MHzの周期、すなわち、1マイクロ秒程度の時間間隔で検出することが可能である。本実施の形態によれば、実際の描画工程における適切なセトリング時間を容易に把握することができる。この点について、以下に詳細に説明する。偏向アンプで偏向器を駆動する際には、その負荷に応じた出力電圧のセトリング時間整定時間が必要になる。すなわち、目標とする偏向位置に整定するには、所定のセトリング時間を要する。一方、実際の描画工程における電子ビームの移動距離、すなわち、主偏向アンプの偏向量は一定ではなく、描画されるパターンの配置によって様々な値をとる。したがって、電子ビームの移動距離とセトリング時間との関係を把握することにより、移動距離に応じた適切なセトリング時間を設定することが可能となる。ここで、本実施の形態によれば、測定時間が短くて済むので、セトリング時間毎に測定を行わなくても、1回の測定で複数のセトリング時間における照射位置の変動量を知ることができる。例えば、図4において、座標x1,y1から座標x1,y2への移動距離y1-y2を変えて、電子ビームの照射位置の変動を観測する。具体的には、電子ビームの電流値を測定する。電流値が変化しなくなるまでの時間が最適なセトリング時間であるので、上記測定を行うことにより、移動距離に応じた最適なセトリング時間が求められる。上記では、電子ビームを座標x1,y1から座標x1,y2に移動させる例について述べたが、座標x1,y1から座標x2,y1に移動させてもよい。この場合は、主偏向アンプの特性に応じて、主偏向アンプの出力電圧が安定するまで、X方向または-X方向へ電子ビームが移動する。しかしながら、電子ビーム描画装置では、主偏向器に故障が起きることによって、電子ビームが所望の位置に偏向されないことがある。以下では、この場合の主偏向アンプの評価方法について述べる。主偏向器は、例えば、4極または8極等の複数の電極によって構成される。各電極には、それぞれ少なくとも1つのDACデジタルアナログコンバータアンプユニット主偏向アンプが接続され、偏向制御部は、主偏向器を制御するための複数のデジタルデータをDACアンプユニットに同期をとりながら送信する。デジタルデータは、主偏向器を構成する複数の電極への指示電圧信号デジタル信号である。各電極に対応して設けられた各DACアンプユニットは、偏向制御部から受信したデジタルデータをDA変換し、DA変換後のアナログデータを増幅し、さらにその増幅されたアナログデータを対応する電極に送信する。図5は、8極の電極130a~130hと、各電極にアナログデータを印加する8個のDACアンプユニット232を示す図である。8個の電極130a~130hは、対向する4対の電極からなっており、それぞれ対応するDACアンプユニット232a~232hからアナログ電圧が印加される。図5において、電極130aには、DACアンプユニット232aから電圧yが印加され、電極130aの対極となる電極130eには、DACアンプユニット232eから電圧-yが印加される。また、電極130bには、DACアンプユニット232bから電圧xy/21/2が印加され、電極130bの対極となる電極130fには、DACアンプユニット232fから電圧-x-y/21/2が印加される。また、電極130cには、DACアンプユニット232cから電圧xが印加され、電極130cの対極となる電極130gには、DACアンプユニット232gから電圧-xが印加される。さらに、電極130dには、DACアンプユニット232dから電圧x-y/21/2が印加され、電極130dの対極となる電極130hには、DACアンプユニット232hから電圧-xy/21/2が印加される。偏向制御部230から、主偏向器130の各電極130a~130h制御用のデジタルデータが、各DACアンプユニット232a~232hに送信されると、各DACアンプユニット232a~232hから、各電極130a~130hに、アナログ電圧が印加される。尚、図5においては、4対8個の電極で構成された主偏向器130を示しているが、この主偏向器130を2対4個の電極で構成してもよい。図5の主偏向器130について、8極の各静電偏向器に上記の電圧を加えた場合、電子ビームの位置変動は印加電圧に比例することから、位置Xと位置Yは、それぞれ下記式で表される。尚、下記式でαは偏向感度である。例えば、主偏向アンプの故障により、図5の電極130cが0Vに固定されたとする。この場合の位置Xと位置Yは、それぞれ下記式のようになる。このように、主偏向アンプが正常である場合の位置Xは4αxであるのに対し、電極130cが0Vに固定されると位置xは3αxとなる。つまり、所望とする偏向量の3/4程度しか電子ビームを偏向できなくなる。そこで、かかる場合の主偏向アンプの評価方法について、図6および図7を用いて説明する。図6では、まず、座標x1,y1の位置に電子ビームを照射する。具体的には、座標x1,y1に電子ビームが照射されるように、主偏向アンプに電圧を印加する。次に、所定のセトリング時間の後、主偏向アンプに電圧を印加して、座標x1,y2に電子ビームを偏向させる。このとき、座標x1,y2は、電子ビームのショットの一部が評価用マークにかかる位置にあるようにする。主偏向アンプの出力電圧が安定しないと、電子ビームを所望の位置に偏向させることができない。すなわち、電子ビームの照射位置を、座標x1,y1から座標x1,y2に移動させようとしても、主偏向アンプの出力電圧が安定していない状態では、電子ビームは、座標x1,y2からずれた位置に照射される。その後、出力電圧が安定するまで照射位置は変動し、出力電圧が安定した以降は変動を停止する。図6の例では、座標x1,y1から座標x1,y2に移動させようとして、主偏向アンプに電圧を印加すると、偏向アンプの出力電圧が安定化するまでは、Y方向に照射位置を変動させるが、出力電圧が安定した以降は、目標とする座標x1,y2に固定された。しかしながら、図6の例では、点線の矩形と矢印で示すように、Y方向だけでなく、-X方向にも照射位置を変動させている。そして、最終的に固定される座標はx2,y3となっている。このことは、図5で説明したように、主偏向アンプに故障が生じており、所望とする偏向量で偏向できないことを示している。例えば、図5で電極130cが不良であるとする。このときの電圧のエラー量をδVとすると、δVが空間に作り出す電場δEx,yによって、電子ビームは、eδEx,yの力を受けて曲げられる。ここで、δEx,yの方向が、電極130c-電極130gであるとすると、電子ビームは、の方向へ曲げられる。この曲げられた電子ビームの傾きに、ステージ面までの距離を乗ずると、電子ビームの照射位置の変動量が分かる。一方、目標とする座標x1,y2に対して、実際の偏向位置がx2,y3である場合、これらの座標位置の変化量は、位置ベクトルの変化量によって表される。このことを図7を用いて説明する。図7において、ベクトルAは、初期位置x1,y1から目標位置x1,y2への変化量を表している。一方、ベクトルBは、初期位置x1,y1から実際の照射位置x2,y3への変化量を表している。したがって、ベクトルAとベクトルBを比較することで、目標とする偏向量と実際の偏向量との比較ができる。本実施の形態では、試料2で反射されて発生した反射電子の量を電流値として測定することで、電子ビームの照射位置の変動量を求めることができる。この変動量は、ベクトルAとベクトルBの差に対応している。したがって、この値から上記の関係を用いて、故障を起こしている電極を特定することが可能である。次に、図1の電子ビーム描画装置における制御部について、詳しく説明する。図1で、符号20は入力部であり、記憶媒体である磁気ディスクを通じて電子ビーム描画装置に、試料2の描画データが入力される部分である。入力部20から読み出された描画データは、主偏向器15によって偏向可能なフレーム領域主偏向領域52毎に、パターンメモリ21に一時的に格納される。パターンメモリ21に格納されたフレーム領域52毎のパターンデータ、すなわち、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、描画データ補正部31で補正された後、データ解析部であるパターンデータデコーダ22と描画データデコーダ23に送られる。描画データ補正部31では、元々の設計値のデータに対してドリフト補正が行われる。具体的には、A/D変換部34から制御計算機19に入力されたデータに基づいて、ドリフト補正用の補正値が演算される。そして、設計値のデータと補正値のデータとが加算されて合成される。描画データ補正部31では、ドリフト補正がされた設計値のデータに対してさらにステージ3上での位置補正が行われる。すなわち、位置回路5で測定されたステージ3の位置データは、描画データ補正部31に送られて、ドリフト補正がされた設計値のデータに加算される。合成されたデータは、パターンデータデコーダ22と描画データデコーダ23に送られる。パターンデータデコーダ22からの情報は、ブランキング回路24とビーム成形器ドライバ25に送られる。具体的には、パターンデータデコーダ22で上記データに基づいたブランキングデータが作成され、ブランキング回路24に送られる。また、所望とするビーム寸法データも作成されて、ビーム成形器ドライバ25に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ25から、電子光学系10の成形偏向器14に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54の寸法が制御される。図1の偏向制御部30は、セトリング時間決定部29に接続し、セトリング時間決定部29は、サブフィールド偏向量算出部28に接続し、サブフィールド偏向量算出部28は、パターンデータデコーダ22に接続している。また、偏向制御部30は、ブランキング回路24と、ビーム成形器ドライバ25と、主偏向器ドライバ26と、副偏向器ドライバ27とに接続している。描画データデコーダ23の出力は、主偏向器ドライバ26と副偏向器ドライバ27に送られる。そして、主偏向器ドライバ26から、電子光学系10の主偏向器15に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54が所定の主偏向位置に偏向走査される。また、副偏向器ドライバ27から、副偏向器16に所定の副偏向信号が印加されて、サブフィールド53内での描画が行われる。次に、電子ビーム描画装置による描画方法について説明する。まず、試料室1内のステージ3上に試料2を載置する。次いで、ステージ3の位置検出を位置回路5により行い、制御計算機19からの信号に基づいて、ステージ駆動回路4によりステージ3を描画可能な位置まで移動させる。次に、電子銃6より電子ビーム54を出射する。出射された電子ビーム54は、照明レンズ7により集光される。そして、ブランキング用偏向器13により、電子ビーム54を試料2に照射するか否かの操作を行う。第1のアパーチャ17に入射した電子ビーム54は、第1のアパーチャ17の開口部を通過した後、ビーム成形器ドライバ25により制御された成形偏向器14によって偏向される。そして、第2のアパーチャ18に設けられた開口部を通過することにより、所望の形状と寸法を有するビーム形状になる。このビーム形状は、試料2に照射される電子ビーム54の描画単位である。電子ビーム54は、ビーム形状に成形された後、縮小レンズ11によって縮小される。そして、試料2上における電子ビーム54の照射位置は、主偏向器ドライバ26によって制御された主偏向器15と、副偏向器ドライバ27によって制御された副偏向器16とにより制御される。主偏向器15は、試料2上のサブフィールド53に電子ビーム54を位置決めする。また、副偏向器16は、サブフィールド53内で描画位置を位置決めする。試料2への電子ビーム54による描画は、ステージ3を一方向に移動させながら、電子ビーム54を走査することにより行われる。具体的には、ステージ3を一方向に移動させながら、各サブフィールド53内におけるパターンの描画を行う。そして、1つのフレーム領域52内にある全てのサブフィールド53の描画を終えた後は、ステージ3を新たなフレーム領域52に移動して同様に描画する。上記のようにして、試料2の全てのフレーム領域52の描画を終えた後は、新たなマスクに交換し、上記と同様の方法による描画を繰り返す。次に、制御計算機19による描画制御について説明する。制御計算機19は、入力部20で磁気ディスクに記録された試料2の描画データを読み出す。読み出された描画データは、フレーム領域52毎にパターンメモリ21に一時的に格納される。パターンメモリ21に格納されたフレーム領域52毎の描画データ、つまり、描画位置や描画図形データ等で構成されるフレーム情報は、描画データ補正部31で上記のようにして補正された後、データ解析部であるパターンデータデコーダ22と描画データデコーダ23を介して、サブフィールド偏向量算出部28、ブランキング回路24、ビーム成形器ドライバ25、主偏向器ドライバ26、副偏向器ドライバ27に送られる。パターンデータデコーダ22では、描画データに基づいてブランキングデータが作成されてブランキング回路24に送られる。また、描画データに基づいて所望とするビーム形状データが作成されてサブフィールド偏向量算出部28とビーム成形器ドライバ25に送られる。サブフィールド偏向量算出部28は、パターンデータデコーダ22により作成したビーム形状データから、サブフィールド53における、1ショットごとの電子ビームの偏向量移動距離を算出する。算出された情報は、セトリング時間決定部29に送られ、副偏向による移動距離に対応したセトリング時間が決定される。セトリング時間決定部29で決定されたセトリング時間は、偏向制御部30へ送られた後、パターンの描画のタイミングを計りながら、偏向制御部30より、ブランキング回路24、ビーム成形器ドライバ25、主偏向器ドライバ26、副偏向器ドライバ27のいずれかに適宜送られる。ビーム成形器ドライバ25では、光学系10の成形偏向器14に所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54の形状と寸法が制御される。描画データデコーダ23では、描画データに基づいてサブフィールド53の位置決めデータが作成され、このデータは主偏向器ドライバ26に送られる。次いで、主偏向器ドライバ26から主偏向器15へ所定の偏向信号が印加されて、電子ビーム54は、サブフィールド53の所定位置に偏向走査される。描画データデコーダ23では、描画データに基づいて、副偏向器16の走査のための制御信号が生成される。制御信号は、副偏向器ドライバ27に送られた後、副偏向器ドライバ27から副偏向器16に所定の副偏向信号が印加される。サブフィールド53内での描画は、設定されたセトリング時間が経過した後、電子ビーム54を繰り返し照射することによって行われる。本実施の形態の電子ビーム描画方法によれば、主偏向アンプの安定性を正確に評価したうえで描画できるので、高い精度での描画が可能である。尚、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。"