"第1メインローラと、該第1メインローラから所定距離を隔てて配置された第2メインローラと、前記第1メインローラと前記第2メインローラとの間で複数列に平面状に張られた、表面に砥粒が固着されているワイヤーとを備えており、前記第1メインローラに前記ワイヤーを供給しながら、前記第2メインローラから前記ワイヤーを送出するワイヤーソー装置を用いて、下面が平面状の第1面と該第1面の反対側に位置する第2面とを有する被加工物を、前記第1メインローラと前記第2メインローラとの間で平面状に張られた前記ワイヤーの上に、前記第1面が前記ワイヤーと対向するように配置して、前記被加工物を前記第1面から前記第2面に向かう方向に切断する被加工物の切断方法であって、前記被加工物の切断開始時に、無負荷状態における複数列の前記ワイヤーを含む仮想平面に対して、前記被加工物の前記第1メインローラ側に位置する前記第1面の第1端部が前記仮想平面から上方へ離れる方向に該第1面を傾斜させるとともに、前記被加工物の前記第2メインローラ側に位置する前記第1面の第2端部を前記ワイヤーに最初に接触させて切断を行なう被加工物の切断方法。前記被加工物の切断終了前に、前記被加工物の前記第1メインローラ側に位置する前記第2面の第1端部よりも、前記被加工物の前記第2メインローラ側に位置する前記第2面の第2端部を、前記ワイヤーに先に接触させて切断を行なう請求項1に記載の被加工物の切断方法。前記被加工物の前記第2面の中心位置を、前記第1メインローラと前記2メインローラとの間の中央位置よりも前記第1メインローラ側に位置させて切断を行なう請求項1または2に記載の被加工物の切断方法。前記被加工物の前記第1面の前記第2端部を、前記第1メインローラと前記2メインローラとの間の中央位置よりも前記第2メインローラ側に位置させて切断を行なう請求項1乃至3のいずれかに記載の被加工物の切断方法。しかしながら、固着砥粒タイプのワイヤーソー装置において、ブロックを単に傾斜させてスライスしても、微小なクラックの発生を低減することはできなかった。本発明は、上述のような問題に鑑みてなされたものであり、被加工物であるブロックに発生するクラックを低減することのできる被加工物の切断方法を提供することを主たる目的とする。本発明に係る被加工物の切断方法は、第1メインローラと、該第1メインローラから所定距離を隔てて配置された第2メインローラと、前記第1メインローラと前記第2メインローラとの間で複数列に平面状に張られた、表面に砥粒が固着されているワイヤーとを備えており、前記第1メインローラに前記ワイヤーを供給しながら、前記第2メインローラから前記ワイヤーを送出するワイヤーソー装置を用いて、下面が平面状の第1面と該第1面の反対側に位置する第2面とを有する被加工物を、前記第1メインローラと前記第2メインローラとの間で平面状に張られた前記ワイヤーの上に、前記第1面が前記ワイヤーと対向するように配置して、前記被加工物を前記第1面から前記第2面に向かう方向に切断する被加工物の切断方法であって、前記被加工物の切断開始時に、無負荷状態における複数列の前記ワイヤーを含む仮想平面に対して、前記被加工物の前記第1メインローラ側に位置する前記第1面の第1端部が前記仮想平面から上方へ離れる方向に該第1面を傾斜させるとともに、前記被加工物の前記第2メインローラ側に位置する前記第1面の第2端部を前記ワイヤーに最初に接触させて切断を行なう被加工物の切断方法である。上記被加工物の切断方法によれば、被加工物にクラックが発生するのを十分に低減することができる。以下に本発明に係るワイヤーソーの一実施形態について図面を参照しながら説明する。図1に示すように、本実施形態のワイヤーソー装置Sは、表面に砥粒が固着され、平均直径Dのワイヤー3が複数の溝を表面に有するメインローラ5第1メインローラ5a,第2メインローラ5b,第3メインローラ5cに巻きつけられており、ワイヤー3の上部には加工液を供給する供給ノズル4を備えている。ワイヤーソー装置Sにおいて、第1メインローラ5aと第2メインローラ5bとは所定距離を隔てて配置さており、ワイヤー3は、これらメインローラ間で複数列に平面状に張られている。ワイヤーソー装置Sは第1メインローラ5aにワイヤー3を供給しながら、第2メインローラ5bからワイヤー3を送出するが、メインローラ間でワイヤー3は往復走行させる。被加工物1は、図2等に示すように、下面が平面状の第1面1aとこの面の反対側に位置する第2面1bとを有する。被加工物1は、第1メインローラ5aと第2メインローラ5bとの間で平面状に張られたワイヤー3の上に、第1面1aがワイヤー3と対向するように配置する。このようにして、ワイヤーソー装置Sは、被加工物1を第1面1aから第2面1bに向かう方向に切断する。本実施形態では、図2,図3bに示すように、被加工物1の切断開始時に、無負荷状態における複数列のワイヤー3を含む仮想平面12に対して、被加工物1の第1メインローラ5a側に位置する第1面1aの第1端部21が仮想平面12から上方へ離れる方向に第1面1aを傾斜させるとともに、被加工物1の第2メインローラ5b側に位置する第1面1aの第2端部22をワイヤー3に最初に接触させて切断を行なう。また、被加工物1の切断終了前には、図3a,図4に示すように、被加工物1の第1メインローラ5a側に位置する第2面1bの第1端部23よりも、被加工物1の第2メインローラ5b側に位置する第2面1bの第2端部24を、ワイヤー3に先に接触させて切断を行なう。ここで、被加工物1の切断の際には、被加工物1の第2面1bの中心位置を、第1メインローラ5aと第2メインローラ5bとの間の中央位置よりも第1メインローラ5a側に位置させて切断を行なうとよい。また、被加工物1の第1面1aの第2端部22を、第1メインローラ5aと第2メインローラ5bとの間の中央位置よりも第2メインローラ5b側に位置させて切断を行なうとよい。このようなワイヤーソー装置Sにより、複数のメインローラ5間を走行するワイヤー3に切断対象である被加工物1を押し当て切断することによって、基板を製造する。以下に、被加工物1およびワイヤーソー装置Sの構成要素について具体的に説明する。被加工物1は、例えば、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等からなるインゴット、またはインゴットの端部等を切断して形成されるブロックが用いられる。より具体的には、単結晶シリコンのインゴットを用いる場合、そのインゴットは一般的に円柱形状である。また、多結晶シリコンのインゴットは一般的に略直方体であり、複数本のシリコンブロックを取り出すことができる大きさを有しており、シリコンブロックは断面形状が矩形正方形状を含むであって、例えば156mm×156mm×300mmの直方体に形成される。被加工物1は、カーボン材、ガラス、シリコンまたは樹脂等の材質からなるスライスベース2上に接着剤などによって接着される。この接着剤としては熱硬化型二液性のエポキシ系、アクリル系、リアクレート系またはワックスなどの接着剤からなり、スライス後、基板をスライスベース2から剥離しやすくするために、温度を上げることで接着力が低下する接着剤が用いられる。スライスベース2とベースプレート10とは接着またはクランプ等で保持される。ベースプレート10はネジまたはクランプにより装置固定部11に固定されて、被加工物1はワイヤーソー装置S内に1本またはワイヤーの走行方向に対して垂直方向に長くなるように複数本配置される。一般的にスライスベース2は10~30mmの厚さを有しており、ベースプレート10は10~30mmの厚さを有している。なお、以下、説明を容易にするために、被加工物1を完全な直方体とみなした場合に、ワイヤー3と対向する面を第1面1aとし、スライスベース2と対向する面を第2面1bとし、ワイヤー3供給側第1メインローラ5a側に位置し第1面1aと第2面1bとを接続する面を第3面1cとし、ワイヤー3供給側との反対側に位置し第1面1aと第2面1bとを接続する面を第4面1dとする。また、ワイヤー3は往復運動を行なう。以下、新線が供給される側をワイヤー供給側と称することとする。ワイヤー3は、供給リール7から供給されて、巻取リール8に巻き取られる。ワイヤー3は、供給リール7と巻取リール8との間において、少なくとも両端に設置された複数のメインローラ5第1メインローラ5a,第2メインローラ5b,第3メインローラ5cに巻かれ、これらメインローラ間に複数本に張られ、複数の列を形成している。ワイヤー3は、例えば鉄または鉄合金を主成分とするピアノ線からなり、線径は60μm以上150μm以下、より好ましくは80μm以上130μm以下である。本実施形態において、ワイヤー3は、ワイヤーの周囲にダイヤモンドまたは炭化珪素からなる砥粒が、ニッケルもしくは銅クロムによるメッキ、またはエポキシ樹脂、フェノール樹脂もしくはポリウレタン樹脂等の樹脂にて固着された砥粒固着ワイヤーである。この場合、砥粒の平均粒径は、5μm以上30μm以下とした方がよく、平均直径Dは70μm以上210μm以下となり、より好ましくは平均直径Dを90μm以上170μm以下とする。ワイヤー3には、供給ノズル4の複数の開口部からワイヤー3および被加工物1を冷却するクーラント液の役割を果たす加工液が供給される。加工液は、例えばグリコール等の水溶性溶剤または油性溶剤とからなり、水で上記溶剤を希釈してもよい。供給ノズル4に供給する加工液の供給流量は被加工物の大きさによって適宜設定される。また、加工液を循環して使用してもよく、その際に加工液中に含まれるワイヤー3から脱落した砥粒や切屑等を除去して使用される。供給ノズル4より供給された加工液は被加工物1の切断部分およびその近傍に供給される。メインローラ5は、例えば、エステル系、エーテル系もしくは尿素系のウレタンゴム、またはニューライト等の樹脂からなり、直径150以上500mm以下、長さ200mm以上1000mm以下程度である。メインローラ5の表面には、供給リール7から供給されたワイヤー3を所定間隔に配列させるための複数の溝が設けられている。この溝の間隔とワイヤー3の直径との関係によって、基板の厚みが定まり、基板の厚みは250μm以下に形成される。ワイヤー3の下方には、切断時に発生する被加工物の切屑や加工液の回収を目的としてディップ槽6が設けられる。供給リール7および巻取リール8は、スチール等からなるボビン形状の表面に砥粒固着ワイヤー3が巻きつけられている。また、ワイヤーソー装置Sは、供給リール7および巻取リール8を所定の速度で回転させるためのモーターと、ワイヤー3を所定の位置に巻きつけるために案内するトラバーサを有する。複数のガイドローラ9は、ワイヤー3を供給リール7からメインローラ5、またメインローラ5から巻取リール8へと案内する役割を有する。それぞれのガイドローラ9は、ワイヤー3が走行する溝を有する。このようなガイドローラ9は、例えば、エステル系、エーテル系もしくは尿素系のウレタンゴムからなり、特にエーテル系のウレタンゴムを使用することによって、同様の硬度を用いたエステル系よりもガイドローラ9の磨耗を低減することができる。また、ワイヤーソー装置Sは、供給リール7および巻取リール8に巻きつけるワイヤー3の張力を調整する手段とワイヤー3に加えられている張力を検出するセンサとを備えている。以下に、本実施形態のワイヤーソー装置Sを用いたスライス方法について具体的に説明する。ワイヤー3は供給リール7から供給され、ガイドローラ9によりメインローラ5に案内され、ワイヤー3をメインローラ5に巻きつけて所定間隔に配列している。メインローラ5を所定の回転速度で回転させることによって、ワイヤー3の長手方向にワイヤー3を走行させることができる。そして、高速に走行しているワイヤー3は被加工物1を切断し、巻取リール8に巻きつけられる。また、メインローラ5の回転方向を変化させることによりワイヤー3を往復運動させる。このとき、供給リール7からワイヤー3を供給する長さの方が巻取リール8からワイヤー3を供給する長さよりも長くし、新線を第1メインローラ5aに供給するようにする。図2に示すように、被加工物1の第1面1aは第4面1d側第2端部22が先にワイヤー3と接触するように、被加工物1の第1面1aを上述した仮想平面12図3bを参照に対して傾斜させる。なお、仮想平面12は第1メインローラ5aの上縁部と第2メインローラ5bの上縁部とを結んだ線を含む平面としてもよい。被加工物1の切断は、高速に走行しているワイヤー3に向かって供給ノズル4から加工液を供給しながら被加工物1を下降させて、ワイヤー3に被加工物1を相対的に押圧することによりなされる。被加工物1は、例えば厚さ200μm以下の複数枚の基板に分割される。このとき、ワイヤー3の張力、ワイヤー3が走行する速度走行速度、被加工物を下降させる速度フィード速度は適宜制御されている。例えば、ワイヤー3の最大走行速度は、500m/分以上1500m/分以下に設定して、最大フィード速度は350μm/分以上1100μm/分以下に設定する。このとき、ワイヤー3が往復運動する際に、ワイヤーの走行速度が変化するのに合わせて、フィード速度も変化する。被加工物1を傾斜させることによって、切断初期にワイヤー3が通過する被加工物1の距離が短くなるため、切り始めに生じる欠け,クラックの発生を低減することができる。これにより、切断初期におけるフィード速度を従来に比べて速くすることができる。例えば、従来において切断初期のフィード速度が切断中期のフィード速度よりも遅い場合は、被加工物1を傾斜させることによって、切断初期のフィード速度を切断中期のフィード速度と同等にすることができる。また、一度使用したワイヤー3を用いて新たな被加工物1をスライスする場合においても、砥粒が摩耗して切削力が低下していても、フィード速度を低下させずにスライスすることができる。さらに、被加工物1の第1面1aをスライスする際には、ワイヤー3を第3面1cから第4面に向かって供給し、第4面1d側が先にワイヤー3と接触させるようにする。つまり、第1面1aの第3面側1c第1端部21がワイヤー3から上方へ離れることにより、第1面1aとワイヤー3との間に加工液が供給されやすくなり、摩耗した砥粒を有するワイヤー3であっても加工液を多く含んだ状態でスライスすることができるため、砥粒の摩耗を低減してスライスすることができ、欠け,クラックの発生を低減することができる。被加工物1を傾斜させる方法としては、例えば、ベースプレート10の厚みにおいて第4面1d側を第3面1c側よりも大きくすることによって、被加工物1が接着されたスライスベース2をベースプレート10に取り付けると被加工物1は傾斜して設置される。また、図3に示すように、被加工物1の第2面1bは第3面1c側第1端部23よりも第4面1d側第2端部24が先にワイヤー3と接触するような角度で傾斜させてもよい。つまり、ワイヤー3とスライスベース2との接触は第4面1d側が第3面1c側より先に行われる。そして、被加工物1の第3面1c側においては被加工物1をスライスし続けて、第4面1d側から第3面1c側に向けて随時スライスベース2がスライスされる。通常、スライス時にワイヤー3が撓むことにより、第3面1c側および第4面1d側においてワイヤー3がスライスベース2をスライスして、中央部分においてワイヤー3が被加工物1をスライスすることになる。この際、被加工物1とスライスベース2の硬度が異なることから、被加工物1側の切り遅れによりワイヤー3にぶれが生じて、被加工物1の第2面1bにおいて微小なクラックが発生する可能性がある。そこで、第4面1d側においてワイヤー3がスライスベース2をスライスし、それ以外の第3面1c側および中央部分においてワイヤー3が被加工物1をスライスすることによって、微小なクラックの発生を低減することができる。ワイヤー供給側からワイヤー3が供給される場合、摩耗していないまたは摩耗の少ない砥粒を有するワイヤー3が先に被加工物1に入り込む。そして、スライスベース2をスライスする時点において、ワイヤー3は被加工物1を通過したことによって、砥粒が摩耗し切削能力が低下しているためワイヤー3のぶれが生じにくくなり、クラックの発生を低減できたと考えられる。さらに、ワイヤー3の往復走行によりワイヤー供給側の反対側からワイヤー3が供給される場合、摩耗した砥粒を有するワイヤー3によって切削能力が低下しているため、被加工物1とスライスベース2との切削能力の差が小さくなり、ワイヤー3のぶれが生じにくくなると考えられる。図3bに示す仮想平面12との角度Bは0.3~2.5度に形成される。また、図4に示すように、被加工物1の第2面1bの中心位置1eが第1メインローラ5aと第2メインローラ5bとの間の中央位置5dよりもワイヤー3供給側第1メインローラ5a、つまり第3面1c側に位置させることによって、第1メインローラ5aと被加工物1との距離が短くなり、ワイヤー3の撓み量を小さくすることができる。これにより、第3面1c側および第4面1d側においてワイヤー3がスライスベース2をスライスすることをより低減することができる。その結果、被加工物1の第2面1bにおいて微小なクラックの発生を低減することができる。また、被加工物1の第1面1aの第4面1d側第2端部22が第1メインローラ5aと第2メインローラ5bとの間の中央位置5dよりもワイヤー3供給側の反対側第2メインローラ5b側、つまり第4面1d側に位置させることにより、第1メインローラ5aと第2メインローラ5bとの間の距離を短くすることができるため、ワイヤー3の距離も短くなり撓み量を小さくすることができる。そして、被加工物1をスライスすると同時に、スライスベース2も2mm以上5mm以下程度に切断されて、切断された基板はスライスベース2に接着された状態で次工程の洗浄工程に投入される。洗浄工程では、洗浄液としてアルカリ液または中性液を用いることによって、基板に付着した水溶性クーラントおよび汚れが洗浄されて、その後、洗剤を水で洗い流す。そして熱風またはエアーなどによって、基板の表面を完全に乾燥させて、スライスベース2から剥離することで基板が完成する。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。例えば、インゴットを切断してブロックにすることなく、インゴットを被加工物としてそのままスライス工程を行っても構わない。また、被加工物は太陽電池素子等の半導体材料に限定されるものではなく、例えばその他の金属またはセラミックス等でもよい。以下、より具体的な実施例について説明する。まず、図1等に示すように、カーボンからなるスライスベースにエポキシ系接着剤を塗布して、サイズが156mm×156mm×300mmの直方体の多結晶シリコンからなる被加工物をスライスベースに設置し接着剤を硬化させた。次に、1本のスライスベースに接着したシリコンブロックを、ベースプレートを介して装置固定部に設置した。そして、ダイヤモンドの砥粒をアクリル樹脂で固着したワイヤー線径=100μm、砥粒粒径=15μm、平均直径D=130μmを双方向に走行させながら、スライスベースに接着したシリコンブロックをスライスして、平均厚み200μmのシリコン基板を作製した。ここで、シリコンブロックの第4面側が先にワイヤーと接触するように、シリコンブロックの第1面を仮想平面12に対して0.7度傾斜させている条件1、シリコンブロックにおいてワイヤーの第3面側が先にワイヤーと接触するように、図3bに示す仮想平面12に対して0.7度傾斜させている条件2、シリコンブロックを傾斜させない条件3において、得られたシリコン基板のクラック発生率を評価した。表1に示すように、条件1~3の結果から、条件1においてクラック発生率が比較例である条件2、3に比べて大きく改善した。なお、条件1においては、シリコンブロックの第2面は第3面側よりも第4面側が先にワイヤー3と接触し、スライスを続けることで第4面側から第3面側に向けて随時接触することが確認できた。"