"下記一般式I;式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であるか、R1とR2、或いはR3とR4が一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基またはアルカジエニレン基を形成してもよいただし、R1、R2、R3及びR4が全て水素原子である場合と、R1とR3、或いはR2とR4がハロゲン原子である場合を除く。。で表されるジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、テトラカルボキシジイミド骨格を有する該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。該二座配位可能な有機配位子が、下記一般式II;式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13及びR14はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表される2,6-ジ4-ピリジル-ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ジピロール-1,3,5,72H,6H-テトロン誘導体である請求項1に記載の金属錯体。該二座配位可能な有機配位子が、下記一般式III;式中、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25及びR26はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表されるN,N’-ジ4-ピリジル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシジイミド誘導体である請求項1に記載の金属錯体。該二座配位可能な有機配位子が、下記一般式IV;式中、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41及びR42はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表される2,9-ジ4-ピリジル-アントラ[2,1,9-def:6,5,10-d’e’f’]ジイソキノリン-1,3,8,10-テトロン誘導体である請求項1に記載の金属錯体。該金属イオンが亜鉛イオンである請求項1~4のいずれかに記載の金属錯体。請求項1~5のいずれかに記載の金属錯体からなる吸着材。該吸着材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気を吸着するための吸着材である請求項6に記載の吸着材。請求項1~5のいずれかに記載の金属錯体からなる吸蔵材。該吸蔵材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気を吸蔵するための吸蔵材である請求項8に記載の吸蔵材。請求項1~5のいずれかに記載の金属錯体からなる分離材。該分離材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気を分離するための分離材である請求項10に記載の分離材。該分離材が、メタンと二酸化炭素、エチレンと二酸化炭素、水素と二酸化炭素、窒素と二酸化炭素、空気とメタン、メタンとエタン、エチレンとエタン、エチレンとアセチレン、エタンとプロパン、プロパンとプロペン、またはメタンとエタンとプロパンを分離するための分離材である請求項10に記載の分離材。ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、テトラカルボキシジイミド骨格を有する該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とを溶媒中で反応させ、金属錯体を析出させる、請求項1に記載の金属錯体の製造方法。したがって、本発明の目的は、従来よりも吸着量が大きいガス吸着材、従来よりも有効吸蔵量が大きいガス吸蔵材、或いは混合ガスの分離性能が優れるガス分離材として使用することができる金属錯体を提供することにある。本発明者は鋭意検討し、特定のジカルボン酸化合物と、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属のイオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体により、上記目的を達成することができることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明によれば、以下のものが提供される。1下記一般式I;式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であるか、R1とR2、或いはR3とR4が一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基またはアルカジエニレン基を形成してもよいただし、R1、R2、R3及びR4が全て水素原子である場合と、R1とR3、或いはR2とR4がハロゲン原子である場合を除く。。で表されるジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、テトラカルボキシジイミド骨格を有する該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。2該二座配位可能な有機配位子が、下記一般式II;式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13及びR14はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表される2,6-ジ4-ピリジル-ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ジピロール-1,3,5,72H,6H-テトロン誘導体である1に記載の金属錯体。3該二座配位可能な有機配位子が、下記一般式III;式中、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25及びR26はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表されるN,N’-ジ4-ピリジル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシジイミド誘導体である1に記載の金属錯体。4該二座配位可能な有機配位子が、下記一般式IV;式中、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41及びR42はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子である。で表される2,9-ジ4-ピリジル-アントラ[2,1,9-def:6,5,10-d’e’f’]ジイソキノリン-1,3,8,10-テトロン誘導体である1に記載の金属錯体。5該金属イオンが亜鉛イオンである1~4のいずれかに記載の金属錯体。61~5のいずれかに記載の金属錯体からなる吸着材。7該吸着材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気を吸着するための吸着材である6に記載の吸着材。81~5のいずれかに記載の金属錯体からなる吸蔵材。9該吸蔵材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気を吸蔵するための吸蔵材である8に記載の吸蔵材。101~5のいずれかに記載の金属錯体からなる分離材。11該分離材が、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気を分離するための分離材である10に記載の分離材。12該分離材が、メタンと二酸化炭素、エチレンと二酸化炭素、水素と二酸化炭素、窒素と二酸化炭素、空気とメタン、メタンとエタン、エチレンとエタン、エチレンとアセチレン、エタンとプロパン、プロパンとプロペン、またはメタンとエタンとプロパンを分離するための分離材である10に記載の分離材。13ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、テトラカルボキシジイミド骨格を有する該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とを溶媒中で反応させ、金属錯体を析出させる、1に記載の金属錯体の製造方法。本発明により、特定のジカルボン酸化合物と、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体を提供することができる。本発明の金属錯体は、各種ガスの吸着性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気などを吸着するための吸着材として使用することができる。また、本発明の金属錯体は、各種ガスの吸蔵性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気などを吸蔵するための吸蔵材としても使用することができる。さらに、本発明の金属錯体は、各種ガスの分離性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素、希ガス、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサン、水蒸気または有機蒸気などを分離するための分離材としても使用することができる。本発明に用いる金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンから選択される少なくとも1種の金属イオンと、テトラカルボキシジイミド骨格を有する該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとからなる。周期表の2族及び7~12族に属する金属のイオンとしては、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、マンガンイオン、鉄イオン、ルテニウムイオン、コバルトイオン、ロジウムイオン、ニッケルイオン、パラジウムイオン、銅イオン、亜鉛イオンまたはカドミウムイオンが好ましく、マグネシウムイオン、マンガンイオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、亜鉛イオンまたはカドミウムイオンがより好ましく、亜鉛イオンが特に好ましい。金属イオンは、単一の金属イオンを使用することが好ましいが、2種以上の金属イオンを含む混合金属錯体であってもよい。また、本発明の金属錯体は、単一の金属イオンからなる金属錯体を2種以上混合して使用することもできる。金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iと、周期表の2族及び7~12族に属する金属の塩から選択される少なくとも1種の金属塩と、テトラカルボキシジイミド骨格を有する該金属イオンに二座配位可能な有機配位子IIとを、常圧下、溶媒中で数時間から数日間反応させ、析出させて製造することができる。例えば、金属塩の水溶液または有機溶媒溶液と、ジカルボン酸化合物I及び二座配位可能な有機配位子を含有する有機溶媒溶液とを、常圧下で混合して反応させることにより得ることができる。本発明に用いられるジカルボン酸化合物Iは下記一般式I;で表される。式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、ホルミル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アシルアミノ基またはハロゲン原子であるか、R1とR2、或いはR3とR4が一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基またはアルカジエニレン基を形成してもよいただし、R1、R2、R3及びR4が全て水素原子である場合と、R1とR3、或いはR2とR4がハロゲン原子である場合を除く。。上記R1、R2、R3及びR4を構成することのできる置換基の内、アルキル基またはアルコキシ基の炭素原子数は1~5が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基などの直鎖または分岐を有するアルキル基が、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基が、アシロキシ基の例としては、アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基が、アルコキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基が、モノアルキルアミノ基の例としては、メチルアミノ基が、ジアルキルアミノ基の例としては、ジメチルアミノ基が、アシルアミノ基の例としては、アセチルアミノ基が、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、それぞれ挙げられる。また、該アルキル基等が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、モノアルキルアミノ基メチルアミノ基など、ジアルキルアミノ基ジメチルアミノ基など、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-O-CO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。アルキル基の置換基の数は、1~3個が好ましく、1個がより好ましい。上記アルキレン基の炭素数は、2が好ましい。アルキレン基の炭素数が2の場合、R1とR2、或いはR3とR4はそれらが結合している炭素原子と一緒になって4員環シクロブテンを構成する。このようなジカルボン酸化合物Iの例としては、置換基を有していてもよいジヒドロシクロブタ[1,2-b]テレフタル酸が挙げられる。上記アルカジエニレン基の炭素数は、4が好ましい。アルカジエニレン基の炭素数が4の場合、R1とR2、或いはR3とR4はそれらが結合している炭素原子と一緒になって6員環ベンゼンを構成する。このようなジカルボン酸化合物Iの例としては、置換基を有していてもよい1,4-ナフタレンジカルボン酸及び置換基を有していてもよい9,10-アントラセンジカルボン酸が挙げられる。また、該アルキレン基、アルカジエニレン基が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、モノアルキルアミノ基メチルアミノ基など、ジアルキルアミノ基ジメチルアミノ基など、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-O-CO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。ジカルボン酸化合物Iとしては、例えば、2-アミノテレフタル酸、2-メトキシテレフタル酸、2-メチルテレフタル酸、2-フルオロテレフタル酸、2-クロロテレフタル酸、2-ブロモテレフタル酸、2-ヨードテレフタル酸、2-ニトロテレフタル酸、ジヒドロシクロブタ[1,2-b]テレフタル酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸及び9,10-アントラセンジカルボン酸を使用することができ、中でも2-メチルテレフタル酸及び2-ニトロテレフタル酸が好ましく、2-ニトロテレフタル酸がより好ましい。金属錯体の製造に用いる金属塩としては、マグネシウム塩、カルシウム塩、アルミニウム塩、クロム塩、モリブデン塩、タングステン塩、マンガン塩、鉄塩、ルテニウム塩、コバルト塩、ロジウム塩、ニッケル塩、パラジウム塩、亜鉛塩及びカドミウム塩から選択される金属塩を使用することができ、マグネシウム塩、マンガン塩、コバルト塩、ニッケル塩、亜鉛塩及びカドミウム塩が好ましく、亜鉛塩がより好ましい。金属塩は、単一の金属塩を使用することが好ましいが、2種以上の金属塩を混合して用いてもよい。また、本発明の金属錯体は、単一の金属イオンからなる金属錯体を2種以上混合して使用することもできる。これらの金属塩としては、酢酸塩、ギ酸塩などの有機酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩などの無機酸塩を使用することができる。本発明に用いられるテトラカルボキシジイミド骨格を有する二座配位可能な有機配位子は下記一般式II、III及びIV;で表される。式中、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41及びR42はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子である。R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41及びR42を構成することのできる置換基の内、アルキル基の炭素原子数は1~5が好ましい。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基などの直鎖または分岐を有するアルキル基が、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、それぞれ挙げられる。また、該アルキル基が有していてもよい置換基の例としては、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基,n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基など、アミノ基、モノアルキルアミノ基メチルアミノ基など、ジアルキルアミノ基ジメチルアミノ基など、ホルミル基、エポキシ基、アシロキシ基アセトキシ基、n-プロパノイルオキシ基、n-ブタノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基など、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基など、カルボン酸無水物基-CO-O-CO-R基Rは炭素数1~5のアルキル基であるなどが挙げられる。アルキル基の置換基の数は、1~3個が好ましく、1個がより好ましい。二座配位可能な有機配位子としては、例えば、2,6-ジ4-ピリジル-ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ジピロール-1,3,5,72H,6H-テトロン、N,N’-ジ4-ピリジル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシジイミド及び2,9-ジ4-ピリジル-アントラ[2,1,9-def:6,5,10-d’e’f’]ジイソキノリン-1,3,8,10-テトロンを使用することができ、中でも2,6-ジ4-ピリジル-ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ジピロール-1,3,5,72H,6H-テトロン、或いはN,N’-ジ4-ピリジル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシジイミドが好ましい。ここで、二座配位可能な有機配位子とは非共有電子対で金属イオンに対して配位する部位を2箇所以上有する中性配位子を意味する。金属錯体を製造するときのジカルボン酸化合物Iと二座配位可能な有機配位子との混合比率は、ジカルボン酸化合物I:二座配位可能な有機配位子=1:5~8:1のモル比の範囲内が好ましく、1:3~6:1のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下し、副反応も増えるために好ましくない。金属錯体を製造するときの金属塩と二座配位可能な有機配位子の混合比率は、金属塩:二座配位可能な有機配位子=3:1~1:3のモル比の範囲内が好ましく、2:1~1:2のモル比の範囲内がより好ましい。これ以外の範囲では目的とする金属錯体の収率が低下し、また、未反応の原料が残留して得られた金属錯体の精製が困難になる。金属錯体を製造するための混合溶液におけるジカルボン酸化合物Iのモル濃度は、0.005~5.0mol/Lが好ましく、0.01~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。金属錯体を製造するための混合溶液における金属塩のモル濃度は、0.005~5.0mol/Lが好ましく、0.01~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では未反応の金属塩が残留し、得られた金属錯体の精製が困難になる。金属錯体を製造するための混合溶液における二座配位可能な有機配位子のモル濃度は、0.001~5.0mol/Lが好ましく、0.005~2.0mol/Lがより好ましい。これより低い濃度で反応を行っても目的とする金属錯体は得られるが、収率が低下するため好ましくない。また、これより高い濃度では溶解性が低下し、反応が円滑に進行しない。金属錯体の製造に用いる溶媒としては、有機溶媒、水またはそれらの混合溶媒を使用することができる。具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、塩化メチレン、クロロホルム、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、水またはこれらの混合溶媒を使用することができる。反応温度としては、253~423Kが好ましい。結晶性の良い金属錯体は、純度が高くて吸着性能が良い。反応が終了したことはガスクロマトグラフィーまたは高速液体クロマトグラフィーにより原料の残存量を定量することにより確認することができる。反応終了後、得られた混合液を吸引濾過に付して沈殿物を集め、有機溶媒による洗浄後、373K程度で数時間真空乾燥することにより、本発明の金属錯体を得ることができる。以上のようにして得られる本発明の金属錯体は、ジカルボン酸化合物Iのカルボキシレートイオンと金属イオンとからなるパドルホイール骨格中の金属イオンのアキシャル位に二座配位可能な有機配位子が配位して形成されるジャングルジム骨格が多重に相互貫入した三次元構造を有する。本明細書において、ジャングルジム骨格とは、ジカルボン酸化合物Iのカルボキシレートイオンと金属イオンとからなるパドルホイール骨格中の金属イオンのアキシャル位に二座配位可能な有機配位子が配位し、ジカルボン酸化合物Iと金属イオンとからなる二次元格子状シート間を連結することで形成されるジャングルジム様の三次元構造と定義する。本明細書において、ジャングルジム骨格が多重に相互貫入した構造とは、二以上のジャングルジム骨格が互いの細孔を埋める形で貫入し合った三次元集積構造と定義する。金属錯体がジャングルジム骨格が多重に相互貫入した構造を有することは、例えば単結晶X線構造解析、粉末X線結晶構造解析などにより確認することができる。本発明の金属錯体における三次元構造は、合成後の結晶においても変化できるため、その変化に伴って、細孔の構造や大きさも変化する。この構造が変化する条件は、吸着される物質の種類、吸着圧力、吸着温度に依存する。吸脱着に伴う構造変化の模式図を図1に示す。本発明では、一般式Iで表されるジカルボン酸化合物とテトラカルボキシジイミド骨格を有する二座配位可能な有機配位子を用いて細孔形状及び細孔表面の電荷密度を制御することで、高いガス吸着性能及び高いガス吸蔵性能が発現する。吸着された物質が脱着した後は、元の構造に戻るので、細孔の大きさも元に戻る。前記の吸着メカニズムは推定ではあるが、例え前記メカニズムに従っていない場合でも、本発明で規定する要件を満足するのであれば、本発明の技術的範囲に包含される。本発明の金属錯体は、各種ガスの吸着性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロペン、メチルアセチレン、プロパジエンなど、希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサンヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなど、水蒸気または有機蒸気などを吸着するための吸着材として好ましい。有機蒸気とは、常温、常圧で液体状の有機物質の気化ガスを意味する。このような有機物質としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類;トリメチルアミン、トリエチルアミンなどのアミン類;アセトアルデヒドなどのアルデヒド類;炭素数5~16の脂肪族炭化水素;ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素;アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類;塩化メチル、塩化メチレン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。また、本発明の金属錯体は、各種ガスの吸蔵性能に優れているので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロペン、メチルアセチレン、プロパジエンなど、希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど、硫化水素、アンモニア、水蒸気または有機蒸気などを吸蔵するための吸蔵材としても好ましい。有機蒸気とは、常温、常圧で液体状の有機物質の気化ガスを意味する。このような有機物質としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類;トリメチルアミンなどのアミン類;アセトアルデヒドなどのアルデヒド類;炭素数5~16の脂肪族炭化水素;ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素;アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類;塩化メチル、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。さらに、本発明の金属錯体は、各種ガスを選択的に吸着することができるので、二酸化炭素、水素、一酸化炭素、酸素、窒素、炭素数1~4の炭化水素メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロペン、メチルアセチレン、プロパジエンなど、希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなど、硫化水素、アンモニア、硫黄酸化物、窒素酸化物、シロキサンヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなど、水蒸気または有機蒸気などを分離するための分離材としても好ましく、特に、メタン中の二酸化炭素、エチレン中の二酸化炭素、水素中の二酸化炭素、窒素中の二酸化炭素、空気中のメタン、メタン中のエタン、エチレン中のエタン、エチレン中のアセチレン、エタン中のプロパン、プロパン中のプロペン、またはメタン中のエタンとプロパンなどを、圧力スイング吸着法や温度スイング吸着法により分離するのに適している。有機蒸気とは、常温、常圧で液体状の有機物質の気化ガスを意味する。このような有機物質としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類;トリメチルアミンなどのアミン類;アセトアルデヒドなどのアルデヒド類;炭素数5~16の脂肪族炭化水素;ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素;アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類;塩化メチル、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の実施例および比較例における分析および評価は次のようにして行った。1粉末X線回折パターンの測定粉末X線回折装置を用いて、回折角2θ=5~50°の範囲を走査速度1°/分で走査し、対称反射法で測定した。分析条件の詳細を以下に示す。<分析条件>装置:株式会社リガク製RINT2400X線源:CuKαλ=1.5418Å40kV200mAゴニオメーター:縦型ゴニオメーター検出器:シンチレーションカウンターステップ幅:0.02°スリット:発散スリット=0.5°受光スリット=0.15mm散乱スリット=0.5°2吸脱着等温線の測定ガス吸着量測定装置を用いて容量法で測定を行った。このとき、測定に先立って試料を373K、50Paで8時間乾燥し、吸着水などを除去した。分析条件の詳細を以下に示す。<分析条件>装置:日本ベル株式会社製BELSORP-18PLUS平衡待ち時間:500秒<合成例1>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物1.78g6.0mmol、2-ニトロテレフタル酸1.27g6.0mmol及びN,N’-ジ4-ピリジル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシジイミド1.26g3.0mmolを容量比でN,N-ジメチルホルムアミド:エタノール=1:1からなるN,N-ジメチルホルムアミドとエタノールの混合溶媒540mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体2.66g収率91を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図2に示す。<合成例2>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物1.78g6.0mmol、2-メチルテレフタル酸1.08g6.0mmol及びN,N’-ジ4-ピリジル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシジイミド1.26g3.0mmolを容量比でN,N-ジメチルホルムアミド:エタノール=1:1からなるN,N-ジメチルホルムアミドとエタノールの混合溶媒540mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体2.17g収率80を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図3に示す。<合成例3>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物2.81g9.5mmol、2-ニトロテレフタル酸2.00g9.5mmol及び2,6-ジ4-ピリジル-ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ジピロール-1,3,5,72H,6H-テトロン1.75g4.7mmolを容量比でN,N-ジメチルホルムアミド:エタノール=1:1からなるN,N-ジメチルホルムアミドとエタノールの混合溶媒800mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体4.13g収率95を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図4に示す。<比較合成例1>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物5.35g18mmol、テレフタル酸0.598g3.6mmol及びN,N’-ジ4-ピリジル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシジイミド1.51g3.6mmolをN,N-ジメチルホルムアミド1800mLに溶解させ、353Kで72時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体0.648g収率41を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図5に示す。<比較合成例2>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物5.03g17mmol、2-ニトロテレフタル酸3.57g17mmol及び1,2-ビス4-ピリジルエチン1.53g8.5mmolをN,N-ジメチルホルムアミド690mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体4.52g収率80を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図6に示す。<比較合成例3>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物4.37g15mmol、2-ニトロテレフタル酸3.10g15mmol及び1,4-ビス4-ピリジルベンゼン1.72g7.4mmolを容量比でN,N-ジメチルホルムアミド:ベンゼン=1:1からなるN,N-ジメチルホルムアミドとベンゼンの混合溶媒600mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体4.37g収率83を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図7に示す。<比較合成例4>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物2.81g9.5mmol、2-ニトロテレフタル酸2.00g9.5mmol及び4,4’-ビス4-ピリジルビフェニル1.44g4.7mmolを容量比でN,N-ジメチルホルムアミド:ベンゼン=1:1からなるN,N-ジメチルホルムアミドとベンゼンの混合溶媒380mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体2.72g収率71を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図8に示す。<比較合成例5>窒素雰囲気下、硝酸亜鉛六水和物2.81g9.5mmol、テレフタル酸1.57g9.5mmol及び2,6-ジ4-ピリジル-ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ジピロール-1,3,5,72H,6H-テトロン1.75g4.7mmolを容量比でN,N-ジメチルホルムアミド:ベンゼン=1:1からなるN,N-ジメチルホルムアミドとベンゼンの混合溶媒800mLに溶解させ、363Kで24時間攪拌した。析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで3回洗浄を行った。続いて、373K、50Paで8時間乾燥し、目的の金属錯体3.72g収率95を得た。得られた金属錯体の粉末X線回折パターンを図9に示す。<実施例1>合成例1で得た金属錯体について、195Kにおける二酸化炭素の吸着等温線を測定した。結果を図10に示す。<比較例1>比較合成例1で得た金属錯体について、195Kにおける二酸化炭素の吸着等温線を測定した。結果を図10に示す。図10より、本発明の金属錯体は二酸化炭素の吸着量が多いので、二酸化炭素の吸着材として優れていることは明らかである。<実施例2>合成例1で得た金属錯体について、195Kにおけるメタンの吸脱着等温線を測定した。結果を図11に示す。<実施例3>合成例2で得た金属錯体について、195Kにおけるメタンの吸脱着等温線を測定した。結果を図11に示す。<比較例2>比較合成例2で得た金属錯体について、195Kにおけるメタンの吸脱着等温線を測定した。結果を図12に示す。<比較例3>比較合成例3で得た金属錯体について、195Kにおけるメタンの吸脱着等温線を測定した。結果を図12に示す。<比較例4>比較合成例4で得た金属錯体について、195Kにおけるメタンの吸脱着等温線を測定した。結果を図12に示す。図11と図12の比較より、本発明の金属錯体はメタンの吸蔵量が多いので、メタンの吸蔵材として優れていることは明らかである。<実施例4>合成例1で得た金属錯体について、195Kにおける二酸化炭素とメタンの吸着等温線を測定した。結果を図13に示す。<比較例5>比較合成例1で得た金属錯体について、195Kにおける二酸化炭素とメタンの吸着等温線を測定した。結果を図14に示す。図13と図14の比較より、本発明の金属錯体は高い二酸化炭素選択吸着能を有するので、メタンと二酸化炭素の分離材として優れていることは明らかである。<実施例5>合成例3で得た金属錯体について、195Kにおけるメタンとエタンの吸脱着等温線を測定した。結果を図15に示す。<比較例6>比較合成例5で得た金属錯体について、195Kにおけるメタンとエタンの吸脱着等温線を測定した。結果を図16に示す。図15と図16の比較より、本発明の金属錯体は高いエタン選択吸着能を有するので、エタンとメタンの分離材として優れていることは明らかである。"