"エネルギーを放出する1又は複数のエネルギー発生体と、前記エネルギー発生体を包囲するように配置され、前記エネルギー発生体から放出されるエネルギーを吸収して発熱し、少なくとも表面の全域へ熱伝達すると共に、外部に熱放射する黒体材料からなる盤状加熱板部材と、前記盤状加熱板部材の表面に被覆されて、前記盤状加熱板部材の表面から放出される放出ガスを封じ込めるコーティング層と、を備えるプレート型ヒーター。前記エネルギー発生体は、ランプ又はシーズヒーターから構成されている請求項1に記載のプレート型ヒーター。前記盤状加熱板部材は、カーボン、Si、SiC又はSiを含む黒体材料から形成されている請求項1又は2に記載のプレート型ヒーター。前記コーティング層は、ガラスコーティング層である請求項1から3のいずれか1項に記載のプレート型ヒーター。前記盤状加熱板部材は、裏面の全域へも熱伝達して、表裏両面から外部に向けて熱放射し、前記コーティング層は、前記盤状加熱板部材の裏面に被覆されて、前記盤状加熱板部材の裏面から放出される放出ガスを封じ込める請求項1から4のいずれか1項に記載のプレート型ヒーター。前記盤状加熱板部材の内部に、前記エネルギー発生体を冷却するための不活性ガスを流動させるガス導入路が、設けられている請求項1から5のいずれか1項に記載のプレート型ヒーター。しかし、特許文献1、2に記載のランプ加熱装置においては、ランプ加熱装置から放射される熱エネルギーの多くが被加熱物から外部に逃げてしまう。この熱エネルギーのロスによって、加熱効率を十分に上げることができず、タクトタイムの短縮化を図ることができないと共に、被加熱物を均一に加熱昇温することが難しい。また、熱エネルギーのロスの分、ランプ加熱装置に掛かる負荷も大きくなりやすい。また、特許文献3に記載の加熱装置においては、均熱板の使用により被加熱物の全体を均一に加熱することが可能であるものの、抵抗加熱ヒーターからの輻射熱が一旦均熱板に吸収され、その均熱板に吸収された熱が被加熱物に伝達される。そのため、抵抗加熱ヒーターが生成する熱エネルギーの一部が均熱板に吸収されずに外部に逃げたり、均熱板に伝わった熱エネルギーが均熱板の周辺部から外部に逃げたりすることがあって、熱エネルギーのロスが非常に大きい。そのため、特許文献3に記載の加熱装置においても、特許文献1、2に記載のランプ加熱装置と同様に、高い加熱効率の確保が難しく、タクトタイムの短縮化に自ずと限界がある。また、装置のコストアップを招きやすい。本発明は、供給エネルギーをロスなく有効に熱エルネギーに変換してタクトタイムの短縮化が図り得ると共に、被加熱物全体を熱歪みのないよう均一に加熱昇温することができ、しかも、被加熱物の品質を良好に維持することができるプレート型ヒーターを提供することを目的とする。本発明は、エネルギーを放出する1又は複数のエネルギー発生体と、前記エネルギー発生体を包囲するように配置され、前記エネルギー発生体から放出されるエネルギーを吸収して発熱し、少なくとも表面の全域へ熱伝達すると共に、外部に熱放射する黒体材料からなる盤状加熱板部材と、前記盤状加熱板部材の表面に被覆されて、前記盤状加熱板部材の表面から放出される放出ガスを封じ込めるコーティング層と、を備えるプレート型ヒーターに関する。前記エネルギー発生体は、ランプ又はシーズヒーターから構成されていることが好ましい。また、前記盤状加熱板部材は、カーボン、Si、SiC又はSiを含む黒体材料から形成されていることが好ましい。また、前記コーティング層は、ガラスコーティング層であることが好ましい。また、前記盤状加熱板部材は、裏面の全域へも熱伝達して、表裏両面から外部に向けて熱放射し、前記コーティング層は、前記盤状加熱板部材の裏面に被覆されて、前記盤状加熱板部材の裏面から放出される放出ガスを封じ込めるよう構成されていることが好ましい。更に、前記盤状加熱板部材の内部に、前記エネルギー発生体を冷却するための不活性ガスを流動させるガス導入路が、設けられていることが好ましい。本発明によれば、供給エネルギーをロスなく有効に熱エルネギーに変換してタクトタイムの短縮化が図り得ると共に、被加熱物全体を熱歪みのないよう均一に加熱昇温することができ、しかも、被加熱物の品質を良好に維持することができるプレート型ヒーターを提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図1から図3を参照して、本実施形態に係るプレート型ヒーター1の全体構造を説明する。図1は、本実施形態に係るプレート型ヒーター1の外観を示し、Aは平面図、Bは側面図、Cは正面図である。図2は、図1に示すX-X線に沿った拡大断面図である。図3は、図1に示すY-Y線に沿った拡大断面図である。図1及び図2に示すように、本実施形態のプレート型ヒーター1は、光エネルギーを放出するエネルギー放出体としての複数のランプ2と、複数のランプ2の略全周を包囲するように配置される盤状加熱板部材3と、盤状加熱板部材3の表面に被覆されるコーティング層4と、を備える。ランプ2は、8つの管状のランプであって、同一水平面内に所定の等間隔で互いに平行に並列して、配置されている。各ランプ2は、同一の長さを有する。ランプ2の長さ方向の両端部は、細径部2aを形成している。複数のランプ2の発光は、それぞれ独立して制御されることが好ましい。盤状加熱板部材3は、8つのランプ2の上方部領域を覆う上部加熱板部材3Aと、8つのランプ2の下方部領域を覆う下部加熱板部材3Bと、を有する。上部加熱板部材3Aの下面部及び下部加熱板部材3Bの上面部には、断面視で半円状の下向き凹溝5A及び上向き凹溝5Bが形成されている。上部加熱板部材3Aの下向き凹溝5Aと下部加熱板部材3Bの上向き凹溝5Bとの間にランプ2を収容すると共に、支持部材不図示を介して各ランプ2の両端の細径部2aを盤状加熱板部材3に支持させる。上述のようにランプ2を収容し、両端の細径部2aを支持した状態で、盤状加熱板部材3の周辺部の複数個所において、上部加熱板部材3Aと下部加熱板部材3Bとは、図3に示すように、SiC炭化ケイ素又はセラミック材料製の連結ボルト6と下部加熱板部材3Bに形成された雌ネジとにより固定されて、連結されている。なお、図面上では、連結ボルト6が設けられるのは、6箇所であるが、角部の4箇所でもよく、8箇所でもよい。盤状加熱板部材3は、例えば、カーボン、Siシリコン=ケイ素、SiC又はSiを含む黒体材料から形成されている。黒体材料からなる盤状加熱板部材3は、ランプ2から放出される光エネルギーを吸収して発熱し、上部加熱板部材3Aの表面及び下部加熱板部材3Bの裏面の全域へ熱伝達すると共に、表裏両面から外部に向けて熱放射する。コーティング層4は、盤状加熱板部材3における上部加熱板部材3Aの下向き凹溝5Aの内面を含む全表面、及び、下部加熱板部材3Bの上向き凹溝5Bの内面を含む全表面に被覆されて、形成されている。コーティング層4は、石英ガラスSiO2コーティング層であって、盤状加熱板部材3の表裏両面から放出される放出ガスを封じ込める。例えば、盤状加熱板部材3がカーボンやSiCで形成されている場合において、盤状加熱板部材3が炭素の共有結合温度以上に加熱昇温したときには、炭素結合C-C結合が切れて、炭素ガスを放出することになるが、ガラスコーティング層4は、炭素ガスの外部への放出を防止する。なお、コーティング層4は、窒化アルミコーティング層であってもよい。図2に示すように、盤状加熱板部材3の内部には、ガス導入路7が設けられている。ガス導入路7は、ランプ2の外側の空間であって、上部加熱板部材3Aの下向き凹溝5Aと下部加熱板部材3Bの上向き凹溝5Bとの間の空間に、形成される。ランプ2の長手方向一端部の近傍の下部加熱板部材3Bには、ガス導入ポート8が形成されている。ガス導入路7内には、ガス導入ポート8から、Heヘリウム、Arアルゴン、N2窒素等の不活性ガスが導入される。ガス導入路7に導入された不活性ガスは、図2中の矢印に示すように流動し、これにより、ランプ2を冷却すると共に、ランプ2から放射される光エネルギーの減衰を抑制する。特に、プレート型ヒーター1を大気中で用いる場合に、ガス導入路7に不活性ガスを導入する流通させることが効果的である。これにより、ガス導入路7の内部に存在する光エネルギーの減衰作用が比較的大きい大気をガス導入路7から排除して、光エネルギーの減衰抑制効果を、更に向上させることができる。以上のように構成された本実施形態のプレート型ヒーター1は、盤状加熱板部材3における上部加熱板部材3Aの表面上に載置される半導体基板等の被加熱物不図示を直接的に加熱するように、用いられる。このとき、ランプ2から放射される全ての波長の光エネルギーは、黒体材料からなる盤状加熱板部材3により吸収されて、熱エネルギーに転換される。そして、熱エネルギーは、盤状加熱板部材3が有する優れた熱伝導特性により、盤状加熱板部材3における上部加熱板部材3Aの表面に伝達され、上部加熱板部材3Aの表面の全域は、均等に且つ急速に昇温される。複数のランプ2の発光をそれぞれ独立して制御することにより、盤状加熱板部材3の均一な昇温を、一層容易に実現することができる。これにより、上部加熱板部材3Aの表面上に載置された半導体基板等の被加熱物を、熱ロスを少なく、急速に加熱して、タクトタイムの短縮化が図り得ると共に、被加熱物の全体を熱歪みのないよう均一に加熱昇温することができる。また、盤状加熱板部材3が炭素の共有結合温度以上に加熱昇温されることに伴って、炭素結合C-C結合が切れて、炭素ガスを発生することになる。ところが、その炭素ガスは、上部加熱板部材3Aの表面に被覆されたガラスコーティング層4により封じ込められており、外部へ放出されることがない。そのため、半導体基板等の被加熱物が、炭素ガスにより汚染されたり、性能や品質を劣化されたりすることがない。これによって、被加熱物の性能や品質を良好に維持することができる。更に、ランプ2の外周部のガス導入路7に不活性ガスを導入して流動させることにより、ランプ2を冷却してランプ2の過熱損傷による寿命の低下を抑制できると共に、ランプ2から放射される光エネルギーの減衰を抑制して、常に高い加熱効率を確保することができる。次に、図4から図6を参照して、上述した本実施形態のプレート型ヒーター1を応用して構成される多段式加熱装置について説明する。図4は、多段式加熱装置10の全体を外観的に示す斜視図である。図5は、図4に示す多段式加熱装置10の包囲部材11の一部を取り外した状態の斜視図である。図6は、多段式加熱装置10の拡大正面図である。図4及び図5に示すように、多段式加熱装置10は、盤状で、表裏両面から熱放射が可能な複数のプレート型ヒーター1と、これら複数のプレート型ヒーター1の全外周部を取り囲む筺状の包囲部材11と、被加熱物の出し入れ用開口12と、を備える。プレート型ヒーター1は、図1から図3を用いて前述した通りの構成を有する。このプレート型ヒーター1の6つを、図6に示すように、上下方向に間隔を置いて平行に多段に配置すると共に、各プレート型ヒーター1をそれらの周辺部において脚部材13を介して支持する。これにより、上下に隣接するプレート型ヒーター1,1の対向面、即ち、盤状加熱板部材3における下部加熱板部材3Bの裏面と上部加熱板部材3Aの表面との間にそれぞれ加熱処理室14が形成される。筺状の包囲部材11は、図6に示すように、多段に積み重ね配置されたプレート型ヒーター1の全外周部を取り囲むことにより、上下に複数の加熱処理室14の周囲を包囲する。筺状の包囲部材11は、例えば、SUSの反射板から構成されている。このように構成されることで、包囲部材11は、プレート型ヒーター1から加熱処理室14に向けて放射される熱エネルギーの外部への漏れ出しを防ぐと共に、周辺へ放射される熱エネルギーを加熱処理室14側に反射させる熱反射機能を有する。また、各加熱処理室14には、各加熱処理室14の加熱温度を個別に制御可能とするための熱電対15が設けられている。また、被加熱物の出し入れ用開口12は、筺状の包囲部材11の前面板部材16を着脱自在に構成することにより、開閉可能とされている。上述のように構成された多段式加熱装置10においては、半導体基板等の複数の被加熱物不図示を、各加熱処理室14内に挿入して、プレート型ヒーター1の上面に載置する。これにより、複数の被加熱物を一挙に、そして、急速に且つ均一に加熱処理することが可能となり、タクトタイムの大幅な短縮化が図れると共に、各被加熱物を熱歪みのない高い品質のものに熱処理することができる。以上、本発明の好適な実施形態及び応用形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、種々の形態で実施して応用することができる。例えば、前述の実施形態においては、盤状加熱板部材3における上部加熱板部材3A及び下部加熱板部材3Bの表裏両面が共に加熱面であるとして説明したが、これに制限されない。下部加熱板部材3Bの下部に断熱層を形成して、上部加熱板部材3Aの表面のみを加熱面としてもよい。また、前述の実施形態においては、エネルギー発生体として、複数の管状ランプ2を並列配置したが、複数のシーズヒーターを並列配置してもよい。複数のシーズヒーターの発熱は、それぞれ独立して制御されることが好ましい。また、単一のランプ2又はシーズヒーターを用いてもよい。"