特に電気回路又はモジュール用の金属-セラミック基板であって、金属-セラミック1、1a~1fの第1の表面側を形成する少なくとも1つの第1の外側金属層4を備え、前記金属-セラミック基板1、1a~1fの1つの第2の表面側を形成する少なくとも1つの第2の外側金属層5を備え、前記外側金属層4、5が、2次元的接合により平板様基板本体の表面側にそれぞれ接合されており、前記基板本体が、機械的、熱的、及び電気的特性の向上を達成するために、少なくとも2つのセラミック層2と、これら前記セラミック層2間に設けられており前記セラミック層を互いに隔てる少なくとも1つの中間層3、3a~3fとからなり、前記中間層が、少なくとも1つの内部金属層3.1、3.3を備え、接合により前記セラミック層2と2次元的に接続されていることを特徴とする金属-セラミック基板。単一の中間層3、3a~3fが、少なくとも2つの前記セラミック層2の間にあり、中間層3、3a.3fが、前記中間層に隣接する前記セラミック層2の表面側全体又は本質的に全体にわたって伸長していることを特徴とする、請求項1に記載の金属-セラミック基板。前記中間層3、3a~3fの層厚d3、d3a~d3fが、前記外側金属層4、5の層厚d4、d5と少なくとも等しいが、好ましくは、前記外側金属層4、5の層厚d4、d5より大きいか、及び/又はセラミック層2の少なくとも1つの層厚d2より大きいことを特徴とする、請求項1又は2に記載の金属-セラミック基板。前記中間層3a~3fが、少なくとも2つの内部金属層3.1~3.3、及び/又は少なくとも1つの内部金属層3.1、3.2、及び1つの内部絶縁層16、例えば1つの内部セラミック層を備える多重層設計を有し、多重層中間層3a~3fを形成する前記内部層3.1~3.3、16が、接合により互いに2次元的に接続されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の金属-セラミック基板。前記中間層3fが、2つの内部金属層3.1、3.2間に設けられている1つの内部絶縁層16を備えることを特徴とする、請求項1又は2に記載の金属-セラミック基板。前記中間層3c~3fが、少なくとも1つの陥凹部10、好ましくは、接合中に放出されるガス成分及び/又は蒸気成分及び/又は液体成分を受容するための、また特に接合中に使用される過剰な接合剤を受容するためのチャネル又はチャンバーを形成するための少なくとも1つの陥凹部を備え、前記少なくとも1つの陥凹部が、好ましくは前記金属-セラミック基板1c~1fの少なくとも1つの周囲側で開口していることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の金属-セラミック基板。前記多重層中間層3c~3fが、少なくとも2つの前記内部金属層3.1、3.2を備え、少なくとも1つの前記陥凹部10が、これらの前記金属層3.1、3.2の少なくとも1つに設けられていることを特徴とする、請求項6に記載の金属-セラミック基板。少なくとも1つの前記陥凹部10又はその内部空間が、少なくとも1つの前記内部金属層3.1、3.2の1つの側で開口しており、そこでは、この前記内部金属層3.1、3.2が、1つの更なる層3.2、3.1、16と2次元的に接合されて、前記多重層中間層3c~3fを形成することを特徴とする、請求項7に記載の金属-セラミック基板。少なくとも1つの前記陥凹部10又はその内部空間が、前記内部金属層3.1、3.2により形成された底部25により、隣接する前記セラミック層2から隔てられていることを特徴とする、請求項7又は8に記載の金属-セラミック基板。その層厚が、前記中間層3、3a~3fにより互いに隔てられている2つの前記セラミック層2の層厚d2の合計と等しい単一セラミック層の破壊強度より大きい破壊強度を有することを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の金属-セラミック基板。少なくとも、前記中間層3、3a~3fを形成する前記金属層3.1~3.3又はそれらの材料が、75未満の、好ましくは40未満のブリネル硬度を有することを特徴とする金属-セラミック基板。少なくとも、前記中間層3、3a~3fを形成する前記内部金属層3.1、3.2が、10N/mmを超える接着強度又は剥離強度を有するそれぞれの隣接するセラミック層2と接合されていることを特徴とする、請求項1~11のいずれか一項に記載の金属-セラミック基板。互いに隔てられている前記セラミック層2の少なくとも1つに、この前記セラミック層2上に設けられてい前記る外側金属層4又はこの前記外側金属層4の金属層区域4.1を、機械的に、熱的に、及び/又は電気的に1つの内部金属層3.1と接続する少なくとも1つのスルーホール接点14が設けられていることを特徴とする、請求項1~12のいずれか一項に記載の金属-セラミック基板。少なくとも18kV/mmの耐電圧及び絶縁耐力を有することを特徴とする、金属-セラミック基板。前記セラミック層2、16が、Al2O3、Al2O3-ZrO2、AlN、Si3N4、又はこれらセラミックスの組み合わせの層であることを特徴とする、請求項1~14のいずれか一項に記載の金属-セラミック基板。相互に隣接する前記層2、3.1~3.3、4、5、16間の接続が、DCB接合により、及び/又は活性ろう付け、及び/又は硬ろう付けにより、及び/又は接着剤、例えば合成基剤又はエポキシ樹脂基剤を有する、例えば繊維を有する接着剤を使用して、及び/又は導電性接着剤を使用して製造されることを特徴とする、請求項1~15のいずれか一項に記載の金属-セラミック基板。機械的、熱的、及び電気的特性が向上された金属-セラミック基板1、1a~1fを製造するために、少なくとも2つのセラミック層2の両表面側に、例えばDCB接合又は活性ろう付けにより、金属層3.1、4、3.2、5が設けられ、このように製造されたサブ基板が、例えば硬ろう付けにより、活性ろう付けにより、DCB接合により、及び/又は接着接合により、金属層3.1、3.2上でそれぞれ互いに2次元的に接続されることを特徴とする、平板状基板本体に設けられる外側金属層4、5を備える金属-セラミック基板を製造するための方法。前記サブ基板の前記金属層3.1、3.2、4が、例えば、前記金属-セラミック基板1c~1fの外部側の金属層区域4.1~4.3を形成するために、及び/又は前記セラミック層2を互いに隔てる前記中間層3c~3fに又はそこに設けられる金属層3.1、3.2に陥凹部10を形成するために、これらサブ基板を接合する前に組み立てられることを特徴とする、請求項17に記載の方法。本発明の目的は、機械的、熱的、及び電気的特性が向上された金属-セラミック基板を提供することである。この目的は、請求項1に記載の金属-セラミック基板により達成される。金属-セラミック基板を製造するための方法は、請求項17の主題である。本発明による金属-セラミック基板は、好ましい実施形態では、中間層により互いに隔てられている少なくとも2つのセラミック層を備え、それらセラミック層は、例えばAl2O3、A12O3-ZrO2、AlN、及び/又はSi3N4で作られており、中間層により互いに隔てられており、中間層は、両セラミック層に隣接する少なくとも1つの内部金属層、又は1つのセラミック層にそれぞれ隣接する少なくとも2つの内部金属層を備える。それぞれの内部金属層は、高い曲げ強度及び破壊強度を達成するために、内部金属層と隣接セラミック層との接着強度又は剥離強度が10N/mmを超える結果となるように、セラミック層と接続されている。また、特に温度変化により歪が生じる場合に、それぞれの隣接セラミック層における損傷又は亀裂を防止するために、内部金属層の金属は、75未満のブリネル硬度、好ましくは40未満のブリネル硬度を有する。その後、このように形成された金属-セラミック基板は、好ましくは、本発明による基板の2つの隔てられているセラミック層の層厚と等しい層厚を有する単一セラミック層の破壊強度より実質的に大きいが、少なくとも1.5倍だけより大きな破壊強度を有する。更に、本発明による金属-セラミック基板は、その層厚が、本発明による基板の2つの隔てられているセラミックス層の層厚の合計と等しい1つのみのセラミックス層を有する基板の耐電圧又は絶縁耐力より実質的に大きいが、少なくとも1.4倍だけより大きな耐電圧又は絶縁耐力を有する。本発明による基板では、絶縁破壊が生じる前に、少なくとも18kV/mmの電界強度が、およそ0.3mmの層厚を有するセラミックス層内で可能である。本発明の更なる実施形態、利点、及び応用は、例示的な実施形態及び図面に関する以下の説明の中でも開示されている。単独で又は任意の組み合わせで記述及び/又は図示されている特徴は全て、それらが特許請求の範囲において要約又は参照されているかどうかに関わらず、本発明の主題である。特許請求の範囲の内容も、説明の不可分な部分である。図1では一般的に1と指定されている、機械的、熱的、及び電気的特性が向上された金属-セラミック基板は、2つの平坦な板状セラミック層2;これらセラミックス層2間に設けられており、セラミック層の相互に対向する表面側とそれぞれ2次元的に接続されている単一内部金属層3.1の形態の中間層3;及び互いに対向しないセラミック層2の表面側に適用された金属層4及び5の形態の2つの外側金属被膜から本質的になる。金属層3、4、及び5は、好ましくは、銅又は銅合金又はアルミニウムの金属ホイル及び/又は金属層である。セラミック層2は、金属-セラミック基板に好適なセラミック、例えば、Al2O3、Al2O3-ZrO2、AlN、及び/又はSi3N4からなる。セラミック層2の表面側に対して平行な、これら層間の中間に伸長する基板中間平面に対して、金属-セラミック基板1を少なくとも熱的に対称的に設計することを達成するために、したがって、金属-セラミック基板1に対して熱負荷がある場合のバイメタル効果を防止するために、セラミック層2は、好ましくは同じ層厚d2を有する同じセラミックである。更に、外側金属層4及び5は、それぞれ隣接するセラミック層2と対向しないそれらの表面側と、金属-セラミック基板1の上部側金属層4及び底部側金属層5を形成し、好ましくは、同じ厚さd4及びd5d4=d5を有する。しかしながら、特に基板中間平面に対して金属-セラミック基板1を対称的に設計することが望ましくない及び/又は必要でない場合、原理的に他の実施形態も考えられる。セラミック層2は、好ましくはいわゆるDCBプロセスを使用して、つまりDCB接合により及び/又は活性ろう付けにより、金属層3.1、4、及び5と接続される。製造は、好ましくは、2つのセラミック層2、内部金属層3.1、並びに2つの外側金属層4及び5からなる積層が、DCB接合により又は活性ろう付けにより金属-セラミック基板1と接続される単一の加工ステップでなされる。原理的には、金属-セラミック基板1は、例えば、第1の加工ステップでは、各セラミック層2に、例えばDCB接合又は活性ろう付けにより1つの表面側にのみ金属層4及び5が設けられ、その後更なる加工ステップでは、2つのセラミック層2は、それぞれ金属層4及び5と対向しないそれらの表面側を中間金属層3.1と接触させ、例えばDCB接合又は活性ろう付けによりこの層と接続されるという様式で、幾つかの時間的に連続する加工ステップで製造することもできる。2つのセラミック層2及び内部金属層3.1は、外側金属層4及び5の厚さd4及びd5と比較して実質的により厚く、セラミック層2の厚さd2の2倍及び中間金属層3.1の厚さd3.1の合計と等しい厚さを有する基板本体を形成する。セラミック層2の層厚d2は、例えば、およそ0.2~1.3mmである。内部金属層3の層厚d3.1は、およそ0.1~0.8mmであり、外側金属層3及び4の層厚d4及びd5は、例えば同様に、およそ0.1~0.8mmである。しかしながら、層厚d4及びd5は、すなわち金属-セラミック基板1のそれぞれの応用にも依存して、これから逸脱する場合もある。実際には、少なくとも上部金属層4は、互いに電気的に絶縁された金属層区域を形成するために、つまり電気接点表面及び/又はストリップ導体及び/又は接続を形成するために、例えば機械的加工により及び/又は当業者に公知のマスクキング及びエッチング技術を使用して、当業者に公知の方法で組み立てられる。図1に示されており、上述されている構築の結果として、金属-セラミック基板1は、驚くべきことに、両側に金属被膜を有する単一セラミック層からなる従来の金属-セラミック基板と比較して、機械的、熱的、及び電気的特性が実質的に向上した。例えば、金属-セラミック基板1は、セラミック層2のうちの1つの破壊強度と比較して、少なくとも1.5倍だけより高い曲げ強度及び向上された破壊強度を有する。破壊強度sは、図2に模式的に示されている3点負荷試験で決定される。この試験では、上から見た場合矩形であり、例えば2つのセラミック層2又は金属-セラミック基板1自体のうちの1つである試験片6は、両端で、つまりその短辺の近位で、それぞれ試験片6の縦辺に対して垂直に伸長し、互いに隔てられている支持体7上に設置される。その後、力Fが、更なる支持体7又はくさび状押型により、支持体7間の中央の試験片6の上部側に適用される。その後、比破壊強度sが、下記式に基づいて決定される:s=1.5×F×L/B×d6式中、Fは、試験片6の初期弾性変形後に試験片の破壊が生じる際の、ニュートンで表された力であり、Lは、より低い支持体7から試験片6の縦方向の、ミリメートルで表された2つの支持区域の距離であり、Bは、その縦伸長に対して垂直な、ミリメートルで表された試験片6の幅であり、d6は、ミリメートルで表された試験片6の厚さである。純粋なセラミックの比破壊強度は、400N/mm2を超えており、これは、両側に適用された金属層が、比破壊強度の増大にわずか最小限にしか寄与しないため、1つのみのセラミック層を有する従来の金属-セラミック基板の破壊強度にも相当する。測定により、金属-セラミック基板1の比破壊強度は、その層厚が層厚d2の合計と等しい1つのみのセラミック層を有する金属-セラミック基板の比破壊強度より実質的に、つまり少なくとも1.5倍だけより高いことが確認された。比破壊強度の増大を達成するためには、本発明の基本原理によると、少なくとも内部金属層3.1と隣接セラミック層2との接続が、十分に高い接着強度又は剥離強度で実施されることが、必要であるか又は少なくとも好都合である。セラミック層2及びこのセラミック層に接合された金属層3.1からなる試験片8に対する接着強度又は剥離強度は、図3に示されている様式で、すなわち金属層3.1が、セラミック層2の表面側の平面に対して垂直な軸方向の力Fで剥離されるという様式で測定される。金属層3.1は、幅50mm及び厚さ0.5mmのストリップ状である。接着強度又は剥離強度は、セラミック層2から金属層3.1を取り外すために必要な最小限の力FNでの及び金属層3の幅mmでのから得られる係数である。上述されている金属-セラミック基板1の破壊強度s1の増大を達成するためには、本発明の基本原理によると、10N/mmを超える接着強度又は剥離強度が必要である。更に、金属-セラミック基板1は、熱特性も向上されている。これら特性は、金属-セラミック基板1が温度変化に対して耐性であるという特徴を持つという事実に、部分的に起因する。金属-セラミック基板は、温度が高頻度で高度に又は極端に変化する場合でも安定しており、つまり金属-セラミック基板1の特性を損ない、特に機械的及び電気的特性特に耐電圧を損なわないであろう損傷、例えばセラミック層2における亀裂は、すなわちセラミック及び金属又は銅の熱膨張係数が異なるにもかかわらず、特に生じない。金属-セラミック基板1の高頻度で極端な温度変化は、特に、この基板が、高電力の電気回路又はモジュール用の、例えばスイッチドライブ又は他の高電力消費部品用の基材又は基板として使用される場合に生じる。この高い熱安定性を達成するために、本発明は、ある応用で使用される場合、金属層3.1、4、及び5の金属のブリネル硬度が75未満であり、好ましくは特にアルミニウムで使用される場合40未満であることを提供する。金属-セラミック基板1の熱特性の向上は、驚くべきことに、内部金属層3が熱拡散体として機能するという事実によっても達成される。より良好に理解するためには、ある応用で使用される場合に、上部金属層4は、この金属層の金属層区域が、図1に矢印Wで示されているように作動中に熱を散逸する電気的又は電子的電力部品用の接点又は取付表面を形成するように組み立てられることが留意される。この散逸される熱Wは、上部セラミック層2により内部金属層3.1へと更に移動し、そこでは、散逸される熱の側方分配又は拡散が、図1に矢印W’で示されているように生じる。したがって、散逸された熱は、金属層3.1の表面全体又はほぼ全体から、大きな断面で下部セラミック層2を介して、下部金属層5又はこの金属層に少なくとも熱的に接続されている冷却器非表示へと更に移動する。更に、金属-セラミック基板1は、電気的特性も向上されている。金属層3、4、及び5の金属硬度をそれに応じて選択することにより、温度が変化する場合のセラミック層2の熱関連欠陥又は亀裂が回避されること、及びそのような欠陥による金属-セラミック基板の耐電圧の低減が回避されることは、既に記述した。活性ろう付けの場合でもそうであるが、特にDCB接合の場合、接合後に高いプロセス温度およそ1025°C~1083°C、又は活性ろう付けの場合は、およそ800°C~1000°Cから周囲温度まで金属-セラミック基板を冷却する間に、金属層3、4、及び5の硬度が低減されることにより、金属-セラミック基板の耐電圧に影響を及ぼすセラミック層2における熱関連亀裂が生じないため、金属層3.1、4、及び5の硬度が低いことが主要な利点であることも示された。更に、驚くべきことに、金属-セラミック基板1の構造に起因して、この基板の耐電圧は、実質的に増加され、すなわち層厚d2の合計と等しい層厚を有するセラミック層により示される耐電圧より実質的に大きい値になり得ることが示された。この点で、耐電圧は、金属層4及び5に印加される外部電気直流電圧の場合、ちょうど絶縁破壊がまだ起らない、つまり特に部分放電が依然として事前規定の閾値未満でセラミック層2に存在する電界強度を意味する。およそ0.64mmの層厚を有する単一セラミック層の場合、耐電圧又は絶縁耐力を規定するこの電界強度は、少なくとも10kV/mmである。金属-セラミック基板1においてそれぞれ0.32mmの層厚を有する2つのセラミック層2が使用される場合、耐電圧又は破壊強度を規定する電界強度は、少なくとも18kV/mmである。これは、セラミック層2の総厚が等しい場合、金属-セラミック基板1の耐電圧が、セラミック層2の層厚d2の2倍を有する1つのみのセラミック層を有する金属-セラミック基板と比較して、少なくとも1.4倍だけより大きいことを意味する。しかしながら、厚さd2の2倍を有する単一セラミック層のみを有する金属-セラミック基板と比較した金属-セラミック基板1の破壊強度の増大は、2つのセラミック層2を互いに隔てる中央中間層3に起因する。この中間層の層厚は、少なくとも1.5倍だけ増大される金属-セラミック基板1の破壊強度がもたらされるように選択される。図4は、更なる実施形態として、中間層3に対応する中央中間層3aが多重層である、すなわち金属層3.1及び更なる金属層3.2からなるという点で、図1の金属-セラミック基板1と本質的に異なる金属-セラミック基板1aを示す。すなわちDCB接合又は活性ろう付けにより、金属層3.1が、図4の上部セラミック層2の底部側と接続されており、金属層3.2が、図4の下部セラミック層2の上部側と接続されている2つの金属層3.1及び3.2は、接続層9により互いに2次元的に接続されている。接続層9は、例えば硬ろう、例えば300°Cより高い融点を有する硬ろうで作られている。2つの金属層3.1及び3.2はそれぞれ両方とも、金属-セラミック基板1aの2つのセラミック層2が、金属-セラミック基板1におけるよりも互いに更により隔てられるように、例えば層厚d3を有する。この結果、金属-セラミック基板1aは、金属-セラミック基板1と比較して、更により高い曲げ剛性及び破壊強度を有する。多重層中間層3aの層厚は、中間層3と比較してより大きいため、熱拡散効果も向上される。金属-セラミック基板1aの製造は、好ましくは、2つのセラミック層2の両側に、例えばDCBプロセス及び/又は活性ろう付けプロセスを使用して、金属被膜3.1及び4、3.2及び5がそれぞれ設けられ、その後、このように製造されたサブ基板が、接続層9により金属層3.1及び3.2上で互いに接続されるという様式で達成される。図5は、更なる実施形態として、2つのセラミック層2を互いに隔てる多重層中間層3bを形成する2つの金属層3.1及び3.2が、DCB結合により互いに接続され、そのため接続層9が除去されるという点でのみ、金属-セラミック基板1aと本質的に異なる金属-セラミック基板1bを示す。図6は、更なる実施形態として、最初に、2つのセラミック層2を互いに隔てる中間金属層3cが3つの層を有し、すなわち金属層3.1、3.2、及び3.3からなり、それらは同様にDCB接合、活性ろう付け、及び/又は硬ろう付けにより互いに接続されており、すなわちそれぞれDCB接合又は活性ろう付けにより、金属層3.1が図6の中の上部セラミック層2の底部側に接続されており、金属層3.2が図6の下部セラミック層2の上部側に接続されているという点で、金属-セラミック基板1bと異なる金属-セラミック基板1cを示す。図6に示されているように、金属層3.1及び3.2は、チャンバー又はチャネル又は陥凹部10が、すなわち接続又は接合中に放出されるガス成分及び/又は蒸気成分及び/又は液体成分を受容するために、例えば過剰な接続又は接合材料、例えばろうを受容するために、これらの金属層内に形成されるように組み立てられる。金属-セラミック基板lcの機械的特性及び熱特性を損なわないために、つまり金属-セラミック基板1cの上部側と底部側との間の所望の高破壊強度及び所望の低熱耐性を損なわないために、金属層3.1及び3.2に設けられている陥凹部10は、互いにずらされており、つまりそれらが重なり合わないように配置されている。金属層3.3は、連続しているように、つまり陥凹部10がないものとして示されている。無論、対応する陥凹部は、この層にも設けることもできる。この実施形態では、上部金属層4は、つまり互いに電気的に絶縁されている金属層区域4.1及び4.2を形成するように組み立てられる。金属-セラミック基板1cの製造は、例えば、最初に、セラミック層2の表面側に、金属層3.1及び4並びに3.2及び5が、例えばDCB接合又は活性ろう付けにより設けられ、その後、それらの金属層3.1及び3.2を有するその結果生じたサブ基板は、例えば好適な接合媒体、例えば硬ろうを使用して金属層3.3により互いに接続されるようにして達成される。金属層3.1及び3.2を金属層3.3と接続するためには、他の接合プロセス、例えばDCB接合及び/又は活性ろう付けも可能である。図7は、更なる実施形態として、2つのセラミック層2を互いに隔てる中央中間層3dが、同様に、2次元的に互いに接続されている2つの金属層3.1及び3.2により形成される金属-セラミック基板1dを示す。セラミック層2の、中間層3dと対向していない表面側には、金属層4及び5が設けられている。これまでのところ、金属-セラミック基板1dは、金属-セラミック基板1bに相当する。しかしながら、金属-セラミック基板1dの場合、金属層3.1及び3.2は、同様に陥凹部10を形成するように組み立てられており、陥凹部10は、接合中に蓄積する対応するガス成分及び/又は蒸気成分及び/又は液体成分を受容するための、例えば過剰な接合媒体を受容するための役割も果たす。更に、金属-セラミック基板1dの上部側の金属層4は、互いに電気的に絶縁されている金属層区域4.1、4.2、及び4.3を形成するように組み立てられており、金属層区域4.1は、電気的又は電子的電力部品又はモジュール11用の取付表面としての役割を果たし、モジュール11は、例えばIGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、InsulatedGateBipolarTransistorであり、金属層区域4.1と少なくとも熱的に接続されている。金属層区域4.2及び4.3には、更なる電気的又は電子的部品12及び13が設けられ、それらは、同様にこれらの金属層区域と少なくとも熱的に、しかし好ましくは電気的にも接続されている。部品12及び13は、例えば、アクチュエーター、又は駆動回路、又はモジュール、ダイオード、抵抗器などである。図8は、拡大部分的図で示されている金属-セラミック基板1eの断面を示し、金属-セラミック基板1eは、金属-セラミック基板1dと本質的に同一であるが、第1に、基板の上部側の金属層区域4.1が、上部セラミック層2の開口部を介して及びこの開口部を介して形成されたスルーホール接点14により金属層3.1と、及び後者を介して金属層3.2とも、機械的に、熱的に、及び電気的に接続されているという違いがある。スルーホール接点14は、金属材料からなり、好ましくは少なくとも金属層3.1及び4の材料からなるが、また好ましくは金属層3.1、3.2、4、及び5全ての材料からなる。図8に更に示されているように、2つの金属層3.1及び3.2は、後者が金属層3.1と3.2との接続平面まで伸長するものの、それぞれの隣接するセラミック層2に直接的に伸長しないように、つまり各陥凹部10が、実質的に低減された厚さを有する対応する金属層3.1又は3.2の区域により形成され、したがって隣接するセラミック層2からそれぞれの陥凹部10の内部空間を隔てる底部15を有するように陥凹部10を形成するように設計されている。好ましくは他の金属-セラミック基板も、チャネル又はチャンバー又は陥凹部10に関して、例えば金属-セラミック基板1e及び1dに関しても、このように設計される。金属-セラミック基板1eの製造は、好ましくは、最初に、2つのサブ基板が、それぞれセラミック層2、並びに金属層3.1及び4並びに3.2及び5からなり、すなわち少なくとも1つのスルーホール接点14を有し、その後、チャネル又はチャンバー10を形成するための金属層3.1及び3.2の組み立て、並びに金属層区域4.1、4.2、及び4.3などを形成するための少なくとも金属層4の組み立てが、すなわち好適な技術、例えばエッチング及びマスクキングを使用して及び/又は機械的加工によりなされるという形態で同様に達成される。その後、このようにして製造されたサブ基板は、例えば、DCB接合、活性ろう付け、又は硬ろう付けにより、又は別の好適な接合手段を使用して、金属層3.1及び3.2上で互いに接続される。陥凹部10は、これらサブ基板の金属-セラミック基板1eへの接続が生じるサブ基板の表面側に開口している。図9は、更なる実施形態として、2つのセラミック層2を互いに隔てる中央多層中間層3fが、2つの金属層3.1及び3.2に加えて、絶縁層16、図示されている実施形態では、これら金属層間に設けられている薄い絶縁層を備えているという点でのみ、金属-セラミック基板1eと異なる金属-セラミック基板を1f示す。絶縁層16は、例えば同様にセラミック層である。図示されている実施形態では、陥凹部10は、絶縁層16に直接的に隣接している。金属-セラミック基板1fの製造は、金属-セラミック基板1eの製造に類似した様式で、すなわち同様に、最初に、2つのサブ基板が、スルーホール接点14を有するセラミック層2、並びに金属層3.1及び4並びに3.2及び5から製造され、その後、すなわち好適な技術、例えばエッチング及びマスキングを使用して、及び/又は機械的加工により、陥凹部10及び金属層区域4.1、4.2、4.3などを形成するように組み立てられるという形態で達成される。その後、絶縁層16によるサブ基板とそれらのサブ層3.1及び3.2の接続が、好適な接合プロセス、例えばDCB接合、活性ろう付けを使用してなされる。陥凹部10は、同様に、絶縁層16によるこれらサブ基板の金属-セラミック基板1fへの接続がなされるサブ基板の表面側に開口している。金属-セラミック基板1、1a~1dの中間層3、3a~3dは、単に2つのセラミック層2を隔てる役割を果たすに過ぎず、中間層3e及び3fは、少なくとも1つのスルーホール接点14に起因する電気的機能も有し、つまり中間層3e及び中間層3fの金属層3.1は、例えば接続又は電気的接続として機能する。金属-セラミック基板1a~1fのセラミック層2のセラミックは、同様に好ましくは、Al2O3、Al2O3-ZrO2、AlN、又はSi3N4であり、例えばおよそ0.2mm~1.3mmの層厚d2を有する。金属層3.1、3.2、3.3、4、及び5は、例えば銅又は銅合金のそのような層である。これら金属層については、他の金属素材も、好ましくはアルミニウム又はアルミニウム合金も原理的に可能である。金属層3.1及び3.2の層厚d3.1及びd3.2は、例えば0.1mm~0.8mmであり、例えば金属層3.3の層厚d3.3並びに/又は外側金属層3及び4の層厚d4及びd5も同様である。金属-セラミック基板1a~1fにおいて、2つのセラミック層2を互いに隔てる中間層3a~3fの総厚は、それぞれの金属-セラミック基板1a~1fが、その層厚が2つのセラミック層2の層厚d2の合計と等しい単一セラミック層の破壊強度より実質的に、すなわち少なくとも1.5倍だけ大きい、必要とされる曲げ強度並びに破壊強度を有するように選択される。更に、少なくとも金属-セラミック基板1a~1fにおける、それぞれのセラミック層2と、隣接する金属層3.1又は3.2との接続の接着強度又は剥離強度は、同様に少なくとも10N/mmであり、すなわち少なくとも金属層3.1及び3.2の金属硬度、好ましくは金属層3.3、4、及び5の金属硬度も低減されており、つまりブリネル硬度が75未満、好ましくは40未満である。金属-セラミック基板1a~1fは、金属-セラミック基板1について記述されているもの、つまり高い曲げ強度及び破壊強度、中間層3a~3fにおける高い熱拡散、温度変化に対する高い耐性金属層の金属硬度の低減によっても増強される、並びに特に耐電圧及び絶縁耐力に関する電気的特性の向上と同じ機械的、熱的、及び電気的特性の向上を示す。これは、同様に、その層厚がセラミック層2の層厚d2の合計に相当する単一セラミック層を有する金属-セラミック基板と比較して、少なくとも1.4倍だけより良好である。金属-セラミック基板1a-1fでは、金属層4及び5は、同様に、それぞれの隣接するセラミック層2と対向しないそれらの表面側で、金属-セラミック基板1の上部側金属層4及び底部側金属層5を形成する。また金属-セラミック基板1a~1fは、好ましくは、少なくとも熱特性に関して、温度変化の場合には基板を弓形に変形させるバイメタル効果が生じないように、基板上部側と基板底部側との中間に伸長し、これらの側と平行に伸長する基板中間平面に対して対称的であるか又は本質的に対称的である。好ましくは、金属-セラミック基板1a~1fは、同様に、層の数及びタイプ、層厚、並びに層に使用される材料に関して、基板中間平面に対して対称的であるか又は本質的に対称的である。本発明を、例示的な実施形態に基づいて上述した。本発明が基づく根本的な発明観念を放棄せずに、多数の改変及び変異が可能であることは言うまでもない。上記の説明では、例えば、様々な金属層3.1、3.2、3.3、4、5の互いの、又は隣接するセラミック層2との接続又は接合は、DCB接合、活性ろう付け、及び/又は硬ろう付けにより達成されると仮定した。原理的には、合成接着剤を使用した、例えばエポキシ樹脂基剤を有する接着剤を使用した粘着接続又は接着技術を接合に使用することができ、すなわち特に繊維強化接着剤は、その後、例えばそれらが繊維を含有するため、隣接する金属層の熱膨張を低減し、したがって例えば温度変化に対する耐性を更に向上させる。これに好適な接着剤は、特に、炭素繊維及び/又は炭素ナノ繊維及び/又はカーボンナノチューブを含有する接着剤、並びに/又は良好な熱伝導性の及び/若しくは導電性の接続が可能な接着剤である。好ましくは、構成部品を基板又はプリント回路基板に接合するために使用されるろう付け温度、例えば350°Cで少なくとも5分間安定している合成材料例えば、エポキシ樹脂が接着剤に使用される。しかしながら、それぞれのろう付け温度は、ろう付中に一時的にしか適用されないため、ろう付け温度より低い、例えば350°Cより低い、接合材料として使用される接着剤の温度耐性が、例えば少なくとも220°Cの温度耐性が、原理的には十分である。上述されている金属-セラミック基板1a~1fの場合、それぞれの中間層3、3a~3fは、連続するように設計されている。これが好ましい実施形態である場合でさえ、セラミック層を隔てる中間層が、幾つかの区域又は区間からなる実施形態も考えられる。