"複数の半導体素子と、一端が前記複数の半導体素子の主電極にそれぞれ接続され他端が共通に接続される複数のボンディングワイヤと、前記複数の半導体素子の温度をそれぞれ検出する複数の温度センサと、前記複数の半導体素子を駆動制御する制御回路とを有し、前記複数の温度センサのうちの一つの温度センサが過電流による温度上昇を検出するとし、前記複数の半導体素子の全てに前記制御回路を通してオフ信号を伝送することを特徴とする半導体装置。前記温度センサは短絡破壊で生じる過電流による温度上昇を検出するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記一つの温度センサが過電流による温度上昇を検出しなくなっても前記オフ信号を伝送し続けることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。外部よりの指示があると、前記オフ信号の伝送を解除することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記複数の半導体素子と、前記制御回路および前記複数の温度センサが同一半導体基板に形成されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の半導体装置。前記半導体素子が分離層で囲まれることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の半導体装置。前記温度センサがpnダイオードからなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記複数の半導体素子および前記制御回路がそれぞれ個別の半導体基板に形成され、前記半導体素子および前記制御回路が導電パターン付絶縁基板に固着されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の半導体装置。前記温度センサが前記半導体素子上の層間絶縁膜上に配置されることを特徴とする請求項1,2,3,4,8のいずれか一項に記載の半導体装置。前記半導体素子が、MOSFETもしくはIGBTであることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の半導体装置。しかし、パワーMOSFET50の図示しない外部導出端子にヒューズを接続すると、材料費および工数が共にアップしてコストが増大する。また、パワーMOSFET50にヒューズを内蔵させるとパワーMOSFET50が大型化する。前記の特許文献1において、保護回路の出力でパワーMOSFETをオフしてパワーMOSFETを保護するということは、パワーMOSFETが正常動作することを前提としている。パワーMOSFETが短絡破壊した場合には、外部からの制御信号ではパワーMOSFETをオフできない。また、特許文献2、3で示すように、ヒューズを使用すれば、パワーMOSFETが短絡破壊した場合でも電流を遮断できる。しかし、ヒューズを設けると、上述のように材料費および工数が共にアップしてコストが増大し、さらに半導体装置が大型化する。この発明の目的は、前記の課題を解決して、半導体素子が短絡破壊したとき、ヒューズを設けることなく、半導体素子に流れる電流を遮断できる半導体装置を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、複数の半導体素子と、一端が前記複数の半導体素子の主電極にそれぞれ接続され他端が共通に接続される複数のボンディングワイヤと、前記複数の半導体素子の温度をそれぞれ検出する複数の温度センサと、前記複数の半導体素子を駆動制御する制御回路とを有し、前記複数の温度センサのうちの一つの温度センサが過電流による温度上昇を検出するとし、前記複数の半導体素子の全てに前記制御回路を通してオフ信号を伝送する構成とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記温度センサは短絡破壊で生じる過電流による温度上昇を検出するものであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1または2に記載の発明において、前記一つの温度センサが過電流による温度上昇を検出しなくなっても前記オフ信号を伝送し続けるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、請求項3に記載の発明において、外部よりの指示があると、前記オフ信号の伝送を解除するとよい。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の発明において、前記複数の半導体素子と、前記制御回路および前記複数の温度センサが同一半導体基板に形成されるとよい。また、特許請求の範囲の請求項6に記載の発明によれば、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の発明において、前記半導体素子が分離層で囲まれるとよい。また、特許請求の範囲の請求項7に記載の発明によれば、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の発明において、前記温度センサがpnダイオードからなるとよい。また、特許請求の範囲の請求項8に記載の発明によれば、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の発明において、前記複数の半導体素子および前記制御回路がそれぞれ個別の半導体基板に形成され、前記半導体素子および前記制御回路が導電パターン付絶縁基板に固着されているとよい。また、特許請求の範囲の請求項9に記載の発明によれば、請求項1,2,3,4,8のいずれか一項に記載の発明において、前記温度センサが前記半導体素子上の層間絶縁膜上に配置されるとよい。また、特許請求の範囲の請求項10に記載の発明によれば、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の発明において、前記半導体素子が、MOSFETもしくはIGBTであるとよい。この発明によると、半導体装置を構成するパワー半導体素子を小さな半導体素子に分割し、この小さな半導体素子にそれぞれ個別のボンディングワイヤの一端を接続し、他端を共通接続する。一つの小さな半導体素子が短絡破壊したとき、制御回路から全ての小さな半導体素子にオフ信号を与えて短絡した小さな半導体素子に電流を集中させ、当該小さな半導体素子に接続するワイヤヒューズの役割をさせるを溶断させることにより、半導体装置が短絡破壊したとき、ヒューズを設けることなく、主電流を遮断することができる。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1は、この発明の実施の形態に係る半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは活性領域の要部断面図である。ここでは、半導体装置100は半導体素子である複数個の小さなパワーMOSFET1以下、単に小さなMOSFETと称す、制御回路30および小さなMOSFET1ごとに設けられた温度センサ31が同じn型半導体基板2に構成された例に挙げた。また、この小さなMOSFET1を図示しない多数のセルで構成するようにしてもよい。半導体装置100では、6個の小さなMOSFET1が並列接続され、一つのパワーMOSFET101として動作する。各小さなMOSFET1はそれぞれ分離層13で囲まれ互いが電気的に絶縁されている。小さなMOSFET1自体の耐圧構造が耐圧を十分確保できればこの分離層13は必ずしも必要としない。各小さなMOSFET1の主電極であるソース電極パッド9にはそれぞれ1本のボンディングワイヤ17以下、単にワイヤと称すの一端が接続し、それぞれのワイヤ17の他端は共通電極パッド18に接続し、この共通電極パッド18はGNDパッド19に直接または別のパッドを介してワイヤ35で接続する。また、温度センサ31はpnダイオード32で形成され、上述のように各小さなMOSFET1にそれぞれ設けられている。この温度センサ31は制御回路30に配線パターン33で接続されている。また、このpnダイオード32は前記のn型半導体基板2に形成され、制御回路30への配線34は、図2に示すように、各pnダイオード32のアノードとカソードに接続され、配線パターン33を構成する配線34の総本数は12本になる。すなわち、配線34は層間絶縁膜11上の12本の配線パターン33として形成される。制御回路30は6個の小さなMOSFET1を制御駆動する機能を有する。半導体装置100がモジュールの一部部品となる場合は、前記した6個の小さなMOSFET1で構成されるパワーMOSFET101が複数個ケース内に収納され、これら複数のパワーMOSFET101を制御駆動する図示しない主制御回路もケース内に収納される。この場合、前記の制御回路30はこの主制御回路の一部を構成することになる。前記GNDパッド19は、ワイヤ35で、例えば図示しないバッテリーの陰極に、外部導出端子を介して接続される。この外部導出端子はケースに固着している。各小さなMOSFET1のゲート電極7はゲート電極パッド10に接続し、このゲート電極パッド10は制御回路30と配線パターン36を介して接続する。この配線パターン36は、各ゲート電極パッド10と制御回路30とを共通に接続する少数本のパターン、もしくは個別に接続するパターンであり、層間絶縁膜8上に形成される。Vccパッド37は制御回路30の高電位側端子であり、GNDパッド19は制御回路30の低電位側端子である。Vccパッド37はワイヤ38で例えば図示しないバッテリーの陽極に接続する。前記のゲート電極パッド10を形成せずに、分離層13上に形成した例えばLOCOS酸化膜などの層間絶縁膜上に配線パターンを形成してゲート電極7と制御回路30を直接接続する場合もある。図3は、図1の小さなMOSFET1の詳細な断面図である。小さなMOSFET1は、n型半導体基板2の第1主面の表面層に選択的にpウェル層3を形成し、このpウェル層3を貫通しn型半導体基板2に達するトレンチ4を形成する。このトレンチ4の側壁に接しpウェル層3の表面層にnソース層5を形成する。トレンチ4の内壁にゲート酸化膜6を形成し、このゲート酸化膜6上にトレンチ4を充填するゲート電極7を形成する。ゲート電極7上とnソース層5上を層間絶縁膜8で被覆し、この層間絶縁膜8にコンタクトホールを開けて、nソース層5に接するソース電極9を形成する。また、図1に示す半導体装置と同様に、層間絶縁膜8上にゲート電極7と接続する図示しないゲート電極パッド10を形成する。このゲート電極パッド10と離れてソース電極9上の保護膜11を開口しソース電極パッド12を形成する。n型半導体基板2の第2主面の表面層にnドレイン層14を形成し、その上に図3では下側にドレイン電極15を形成する。上述の説明いおいて、小さなMOSFET1はnチャネル型で示したが、pチャネル型の場合もある。図4は、図1の小さなMOSFET1を含む全体の回路図である。Vccパッド37とGNDパッド19は制御回路30内に配置され、各小さなMOSFET1のゲートは制御回路30に接続される。なお、これは、各ゲートと制御回路30とを個別に接続する場合の図である。また、温度センサ31は各小さなMOSFET1に近接して設けられ、その配線は制御回路30に接続される。各ソース電極パッド12は各小さなMOSFET1のソースに接続され、各ドレインはドレイン電極15に共通に接続されている。つぎに、この半導体装置の動作を説明する。図1で説明したように、図6のパワーMOSFET50を6分割して半導体素子である小さなMOSFET1を6個作成する。各小さなMOSFET1のソース電極パッド12にはそれぞれ1本のワイヤ17の一端が接続し、そのワイヤ17の他端は共通電極パッド18に共通に接続されている。また、各小さなMOSFET1にはそれぞれ温度センサ31が近接されて形成されている。尚、共通電極パッド18を設けないで図示しない外部導出端子にワイヤ17の他端を接続する場合もある。小さなMOSFET1に何らかの原因負荷短絡、誤動作などで過電流が流れて温度センサ31が動作すると、各小さなMOSFET1のゲート電極パッド10に伝達される全てのゲート信号が小さなMOSFET1のオフ遮断を指示するオフ信号となり、全ての小さなMOSFET1をオフさせる。その後、小さなMOSFET1の温度が下がっても、ゲート信号はオフの状態を維持し、全ての小さなMOSFET1をオフ状態に保持する。このオフ状態は制御回路30や小さなMOSFET1に電力を供給する例えばバッテリーを回路から外さない限り継続するように設計する。もしくは、図示しない外部回路からオフ状態解除を指示する信号が入力されると、オフ状態を解除するようにしてもよい。前記のワイヤ17は、小さなMOSFET1が短絡破壊を起こさない範囲では溶断しないようにし、短絡破壊して小さなMOSFET1の定格電流の数倍の電流が流れたとき溶断するように、設計する。ここで、小さなMOSFET1の一つが短絡破壊を起こした場合を例に挙げて説明する。6個の小さなMOSFET1の一つが短絡破壊を起こすと、短絡破壊した小さなMOSFET1に過電流が流れて温度センサ31が動作する短絡したことを示す出力を制御回路30に伝達する動作温度に上昇する。その動作温度に達すると、温度センサ31の出力により制御回路30が短絡が生じた場合の動作に移行し、各小さなMOSFET1のゲート電極パッド10にオフのゲート信号が与えられて、健全な全ての小さなMOSFET1は一斉にオフ状態となる。これにより短絡破壊した小さなMOSFET1に電流が集中し、大きな電流が流れる。この大きな電流が小さなMOSFET1の定格電流の数倍に達するとこの小さなMOSFET1のソース電極パッド12に接続するワイヤ17が溶断する。ワイヤ17が溶断すると短絡破壊した小さなMOSFET1は回路から切り離されオープンになり、短絡電流は遮断される。短絡破壊した小さなMOSFET1の温度が低下しても健全な全ての小さなMOSFET1に与えられるオフのゲート信号は維持されるように回路設計をする。また、前記した温度センサ31が正常動作時には作動しないように、動作温度を200°C以上に設定する。温度センサ31が検出温度動作温度に到達した際は、ゲートにオフ信号を与え、温度が下がっても、オフ状態を継続するように制御回路30を構成する。前記のように、小さなMOSFET1を並列に複数個設けて、その小さなMOSFET1に接続するワイヤ17を最適に設計することで、小さなMOSFET1の1つが短絡破壊した際に、他の健全な小さなMOSFET1を確実にオフ状態にすることができる。このワイヤ17の太さの設計は、例えば、小さなMOSFET1が短絡破壊を起こす電流サージ電流:定格電流の2倍など以上で溶断するようにして、定格電流が流れている間は溶断しないように設計するとよい。場合によっては、1つの小さなMOSFET1に対するワイヤ17を複数本のワイヤで構成するようにしてもよい。このように構成することで、6個の小さなMOSFET1を有する半導体装置100は、ヒューズを設けることなく過電流が流れた場合、負荷に流れる電流を確実に遮断できる。従来のようにヒューズを設ける必要がないため、低コストで小型の半導体装置100とすることができる。つぎに、前記の6個の小さなMOSFET1を、それぞれ小さな半導体基板チップに製作した場合について説明する。前記の複数の小さなMOSFET1で構成されるパワーMOSFET101の代わりに、図示しない複数の小さなIGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタで構成されるパワーIGBTとしても構わない。図5は、この発明の第2実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは活性領域の要部断面図である。この半導体装置200と図1の半導体装置100との違いは、6個の小さなMOSFETを一つのn型半導体基板2に形成せずに、個別のn型半導体基板チップ2aに小さなMOSFET1aとして形成した点である。短絡破壊した小さなMOSFET1aとその他の健全な小さなMOSFET1aを電気的に分離するために、それぞれの小さなMOSFET1aが形成されたチップ2aの間に隙間を設ける。前記の小さなMOSFET1aおよび制御回路30a図1の制御回路30に相当するは導電パターン付絶縁基板40DCBDirectCopperBondling基板やプリント基板などに固着してハイブリッド型の半導体装置を構成する。図中の符号15aはドレイン電極である。また、小さなMOSFET1aの代わりに、小さなIGBTを用いて構わない。本半導体装置200は、図1に示す半導体装置100に比べれて寸法は大きくなるが、ヒューズを設けた半導体装置500に比べれば、小型で製造コストを低減できる。また、温度センサ31,31aはチップ2,2a内に形成してもよいが、図3の層間絶縁膜8に相当する層間絶縁膜上にポリシリコンなどで形成しても構わない。また、図2で示すpnダイオード32以外の構成のものでも構わない。また、主電極はドレイン電極パッドであってもより。"