"セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に接合された複数の金属回路板と、前記セラミック基板の上面に接合されており、前記複数の金属回路板に対応する複数の開口部を有している拘束金属板とを備えていることを特徴とするセラミック回路基板。前記拘束金属板が、前記セラミック基板の前記上面の端まで設けられていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック回路基板。請求項1または請求項2に記載されたセラミック回路基板と、該セラミック回路基板の前記複数の金属回路板に実装された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。しかしながら、図6に示す例のようにすると、厚みの厚い第1の金属板15の下面に第2のセラミック基板19と第2の金属板20を形成することで、回路基板の厚みが厚くなると共に構造が複雑になり、コストも上昇するという問題があった。本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、大きな電流を流すために金属回路板を厚くしたり、動作温度が高くなったりしても、金属回路板の接合されているセラミック基板にクラックが生じる可能性の低減されており、高い温度サイクル信頼性をもつセラミック回路基板および電子装置を提供することにある。本発明のセラミック回路基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板の上面に接合された複数の金属回路板と、前記セラミック基板の上面に接合されており、前記複数の金属回路板に対応する複数の開口部を有している拘束金属板とを備えていることを特徴とするものである。本発明のセラミック回路基板は、前記拘束金属板が、前記セラミック基板の前記上面の端まで設けられていることを特徴とするものである。本発明の電子装置は、本発明のセラミック回路基板と、該セラミック回路基板の前記複数の金属回路板に実装された電子部品とを備えていることを特徴とするものである。本発明のセラミック回路基板は、セラミック基板と、セラミック基板の上面に接合された複数の金属回路板と、セラミック基板の上面に接合されており、複数の金属回路板に対応する複数の開口部を有している拘束金属板とを備えている。このことから、金属回路板によってセラミック基板に加わる応力を拘束金属板によって緩和することで、セラミック基板にクラックが生じる可能性の低減された温度サイクル信頼性の高いセラミック回路基板となる。本発明のセラミック回路基板は、拘束金属板が、セラミック基板の上面の端まで設けられていることから、拘束金属板の外周部が接合されているセラミック基板の引っ張り応力が加わる部分がないので、拘束金属板の外周部においてもセラミック基板にクラックが生じる可能性が低減されるために、より温度サイクル信頼性の高いセラミック回路基板となる。本発明の電子装置は、本発明のセラミック回路基板と、セラミック回路基板の複数の金属回路板に実装された電子部品とを備えていることから、より温度サイクル信頼性の高い電子装置とすることができる。本発明の実施形態におけるセラミック回路基板および電子装置について図面を参照しつつ詳細に説明する。図1~図3において、1はセラミック基板、2は金属回路板、3は拘束金属板、4はろう材、5は放熱板、6は電子部品、7はボンディングワイヤである。本実施形態のセラミック回路基板は、図1に示す例のように、セラミック基板1と、セラミック基板1の上面に接合された複数の金属回路板2と、セラミック基板1の上面に接合されており、複数の金属回路板2に対応する複数の開口部を有している拘束金属板3とを備えている。このような構成としたことから、電気伝導率の高い銅やアルミニウム等の金属でできている金属回路板2の熱膨張係数はセラミック基板1の熱膨張係数より大きく、セラミック基板1に対し金属回路板2は縮むように応力が加わるので、金属回路板2の外周部が接合されているセラミック基板1表面には内側に引っ張る応力が働く。それに対し、拘束金属板3は開口部が縮まるようにセラミック基板1に内側への圧縮応力を加えるので、結果として金属回路板2の外周部が接合されているセラミック基板1表面に加わっている引っ張り応力が緩和されることとなり、セラミック基板1にクラックが発生し難くなり温度サイクル信頼性の高いセラミック回路基板となる。図1a、bに平面図および断面図で示す例では、セラミック回路基板はセラミック基板1の上面には外部回路と接続するための6つの金属回路板2と電子部品6を搭載するための1つの金属回路板2がろう材4で接合され、それらの金属回路板2を取り囲むように拘束金属板3がろう材4で接合されている。拘束金属板3は、金属回路板2よりもひと回り大きい開口部を有しており、この開口部に金属回路板2が配置されている。セラミック基板1の下面には、電子部品6で発生した熱を外部回路基板や冷却体へ伝導するための放熱板5がろう材4で接合されている。図1aに平面図で示すように、金属回路板2と拘束金属板3間の隙間がセラミック回路基板内でほぼ同じ寸法となっている場合は、金属回路板2の外周端部付近のセラミック基板1に加わる引っ張り応力の値が拘束金属板3で各部位で同程度緩和されるために、どの部分でも大きくは異ならない値となるので、特定部分でクラックが発生することが減少し、セラミック回路基板の温度サイクル信頼性がより向上するので好ましい。セラミック基板1は絶縁性のセラミック材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス,ムライト質セラミックス,炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,窒化ケイ素質セラミックス等のセラミックスからなる。これらの中では熱伝導性放熱性の点からは炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点からは窒化ケイ素質セラミックスや炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。また、セラミック基板1が窒化ケイ素質セラミックスのように強度の高いセラミックスであると、より厚みの厚い金属回路板2および放熱板5を使用してもセラミック基板1にクラックが入り難くなるので、より大電流を流すことができるセラミック回路基板となるので好ましい。開口部の角部分には丸みが付けられていることによって、角部分に丸みが付けられていない構造に比べてセラミック基板1に生じる応力が低減されている。セラミック基板1の厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよいが、セラミック回路基板の大きさや用いる材料の熱伝導率や強度に応じて選択すればよく、01mm~1mm程度である。セラミック基板1は、例えば窒化ケイ素質セラミックスから成る場合であれば、窒化ケイ素,酸化アルミニウム,酸化マグネシウム,酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー,可塑剤,溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシートセラミック生シートを形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒化雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600~2000°Cの温度で焼成することによって製作される。金属回路板2、拘束金属板3および放熱板8は、銅やアルミニウム等の金属から成り、例えば銅のインゴット塊に圧延加工法や打ち抜き加工法等の機械的加工やエッチング等の化学的加工のような従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば厚さが005~1mmの平板状で、所定パターンに形成される。このとき、金属回路板2および拘束金属板3は、予め所定パターン形状に形成したものを用いてもよいし、後述するように、セラミック基板1と同程度の大きさおよび形状の金属板をセラミック基板1に接合した後にエッチングで所定パターン形状に加工してもよい。金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5が銅から成る場合は、無酸素銅で形成するのが好ましい。無酸素銅で形成すると、セラミック基板1と金属回路板2、拘束金属板3または放熱板5との接合を行なう際に、銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく、ろう材4との濡れ性が良好となるので、接合が強固となる。上記各部材をろう材4で接続するには、各部材の接合面の少なくとも一方にスクリーン印刷等でろう材ペーストを例えば30~50μmの厚さで所定パターンに印刷塗布するとともに、所定の構造となるように挟んで載置した後、金属板に5~10kPaの荷重をかけながら真空中または水素ガス雰囲気や水素窒素ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気中で780°C~900°C、10~120分間加熱し、ろう材ペーストの有機溶剤や溶媒分散剤を気体に変えて発散させるとともにろう材2を溶融させることによって行なわれる。金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5が銅から成る場合は、ろう材ペーストは、銀および銅粉末,銀-銅合金粉末,またはこれらの混合粉末から成る銀ろう材例えば、銀:72質量-銅:28質量粉末に対してチタン,ハフニウム,ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を銀ろう材に対して2~5質量添加混合し、適当なバインダーと有機溶剤溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5がアルミニウムから成る場合は、銀ろう材に換えてアルミニウムろう材例えば、アルミニウム:88質量-シリコン:12質量を用いればよい。この場合も同様にしてろう材ペーストを作製して、同様にして接合すればよい。アルミニウムろう材4を使用した場合には、銅より低温の約600°Cで接合することができる。活性金属を含まない、通常のろう材ペーストで金属回路板2または拘束金属板3、あるいは放熱板5をセラミック基板1に接合するには、セラミック基板1上にメタライズ層を形成しておき、メタライズ層と金属回路板2または拘束金属板3、あるいは放熱板5との間にろう材ペーストを配置すればよい。セラミック基板1上のメタライズ層は、セラミック基板1を作製する際に、セラミックグリーンシート上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布しておき、焼成することによって形成しておくか、セラミック基板1を作製した後に、セラミック基板1上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布して焼き付けることによって形成すればよい。メタライズペーストは、タングステンW,モリブデンMo,マンガンMnまたはこれらの混合粉末から成る金属粉末と、適当なバインダーと有機溶剤溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。また、金属回路板2は、セラミック基板1に接合した後に、その表面にニッケルから成る、良導電性で、かつ耐蝕性およびろう材との濡れ性が良好な金属をめっき法により被着させておくと、金属回路板2に半導体素子等の電子部品6を半田を介して強固に接着させることができるとともに、金属回路板2と外部電気回路との電気的接続を良好なものとすることができる。この場合は、内部に燐を8~15質量含有させてニッケル-燐のアモルファス合金としておくと、ニッケルから成るめっき層の表面酸化を良好に防止してろう材との濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。ニッケルに対する燐の含有量が8質量未満となると、あるいは15質量を超えると、ニッケル-燐のアモルファス合金を形成するのが困難となってめっき層に半田を強固に接着させることが困難となりやすい。このニッケルから成るめっき層は、その厚みが15μm未満の場合には、表層金属回路板3の表面を完全に被覆することができず、表層金属回路板3の酸化腐蝕を有効に防止することができなくなる傾向がある。また、10μmを超えると、特にセラミック基板の厚さが300μm未満の薄いものになった場合には、めっき層の内部に内在する内在応力が大きくなってセラミック基板に反りや割れ等が発生しやすくなってしまう。また、放熱板5にも同様のニッケル金属層を形成しておくと、外部回路基板や冷却体への接合が良好になるのでよい。セラミック基板1の上面および下面に金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5をあらかじめ所定パターンに形成して接合する場合は、以下のようにすればよい。まず、セラミック基板1を準備する。また、金属板をプレス加工や、エッチング加工等を用い、金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5を所定パターン形状に加工する。次にセラミック基板1と金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5が相対する接合部の少なくとも一方に、接合後にろう材4となる活性金属入りのろう材ペーストを所定形状にスクリーン印刷等で塗布する。各部材を所定の位置に配置し、位置がずれないように治具等を用いて荷重をかけながら真空中でろう材4が溶融する温度まで昇温し各部材を接合することで、セラミック回路基板となる。セラミック基板1の上面および下面に、セラミック基板1と同程度の大きさおよび形状の金属板をセラミック基板1に接合した後に、金属板をエッチングで金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5の所定パターン形状に加工する場合は、例えば以下のようにする。セラミック基板1の上に接合された金属板の表面にエッチングレジストインクをスクリーン印刷法等の技術を採用して所定パターン形状に印刷塗布してレジスト膜を形成した後、例えば金属板が銅板である場合であれば、塩化第2鉄,塩化第2銅溶液等のエッチング液に浸漬したり、エッチング液を吹き付けたりして金属回路板2、拘束金属板3および放熱板5の所定パターン以外の部分を除去し、レジスト膜を除去すればよい。図2に要部拡大図で示すように、金属回路板2と拘束金属板3の間の隙間dは03~2mmであることが好ましい。隙間dが03mm未満であると、絶縁性が低下しやすい傾向がある。また、隙間dが2mmより大きいと金属回路板2の外周部が接合されているセラミック基板1表面に加わる引っ張り応力を緩和する効果が小さくなると共に、無駄に基板が大きくなることになる。また、本実施形態のセラミック回路基板は、図3に要部拡大図で示すように、拘束金属板3が、セラミック基板1の上面の端まで設けられていることから、拘束金属板3の外周部でセラミック基板1に引っ張り応力が加わる部分がないので、拘束金属板3の外周部においてもセラミック基板1にクラックが生じる可能性が低減されるために、より温度サイクル信頼性の高いセラミック回路基板となる。このときに、図3に示す例のように、裏面の放熱板5も、セラミック基板1の下面の端まで設けられていると、下面においても外周部でセラミック基板1に引っ張り応力が加わる部分がないのでより好ましい。拘束金属板3が、セラミック基板1の上面の端まで設けられている場合には、拘束金属板3の外周部でセラミック基板1にクラックが生じる可能性が低減されるため、拘束金属板3は金属回路板2よりヤング率の大きな材料を用いたり、厚みが厚い材料を用いたりした場合には、金属回路板2の外周部付近のセラミック基板1へ加わる引っ張り応力より拘束金属板3の開口部付近のセラミック基板1へ加わる圧縮応力のほうが大きくなることで、金属回路板2によるセラミック基板1にクラックが生じる可能性が低減されるので回路基板の温度サイクル信頼性が高くなり好ましい。なお、本実施形態のセラミック回路基板は、図4a、bに平面図および断面図で示すように、例えば、金属回路板2間を電気的に接続するように抵抗やコンデンサーのような第2の電子部品8を配置する場合に拘束金属板3は2つ以上の金属回路板2を含む開口部を有した構造であってもかまわない。なお、金属回路板2同士を第2の電子部品8を介して電気的に接続する部分には金属回路板2間には部分的に拘束金属板3を形成しない構造とすると、金属回路板2の設計の自由度が狭まらないので好ましい。また、図5に示す例のように、金属回路板2と拘束金属板3の間の隙間dに、シリコーン樹脂やポリアミド樹脂等の絶縁体9を充填すると、隙間dが狭くなったとしても、絶縁性が低下し難いので好ましい。またシリコーン樹脂やポリアミド樹脂は耐熱性があり、柔軟性があるため、温度サイクルが加わっても樹脂にクラック等が発生しにくいため絶縁信頼性も高いものとなる。なお、絶縁体9の熱膨張係数はセラミック基板1より大で且つ金属回路板2より大であることが好ましい。この様な構成とすることで、絶縁体9を充填後に室温より高い例えば150°C程度の温度で硬化させたとすれば、絶縁体9によっても隙間dの部分のセラミック基板1に圧縮応力が加わるので、セラミック基板1に加わる引っ張り応力を緩和させることができるようになるからである。上記のような本実施形態の回路基板に電子部品6を搭載し、電気的に接続することで本実施形態の電子装置となる。本実施形態の電子装置によれば、上記各構成の本実施形態のセラミック回路基板と、セラミック回路基板の複数の金属回路板1に実装された電子部品6とを備えていることから、より温度サイクル信頼性の高い電子装置となる。電子部品6としては、トランジスタ,CPUCentralProcessingUnit用のLSILargeScaleIntegratedcircuit,IGBTInsulatedGateBipolarTransistorやMOS-FETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor等の半導体素子が挙げられる。電子部品6は、半田やAu-Si合金等の金属接合材あるいは導電性樹脂で固定されて回路基板に搭載され、ボンディングワイヤ7により電気的に接続される。なお、上述の例では活性金属接合法等によって得られる基板について説明しているが、本発明はDBC基板にも適用され得る。"