n側窒化物半導体層と、p側窒化物半導体層と、前記p側窒化物半導体層上に形成された透光性電極と、を有する窒化物半導体発光素子であって、前記透光性電極が、GeとSiを含む酸化インジウムからなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。前記透光性電極が、前記p側窒化物半導体層に含まれているp型窒化物半導体層と接していることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記透光性電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを0.1重量パーセント以上5.0重量パーセント以下含有し、酸化珪素を0.1重量パーセント以上5.0重量パーセント以下含有する請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光素子。前記p側窒化物半導体層に含まれているp型窒化物半導体層は、GaNからなる請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記p側窒化物半導体層に含まれているp型窒化物半導体層は、p型不純物としてMgを含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記透光性電極は、膜厚が500Å以上、5000Å以下である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。n側窒化物半導体層と、p側窒化物半導体層と、前記p側窒化物半導体層上に形成された透光性電極と、を有する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記n側窒化物半導体層と前記p側窒化物半導体層とを形成する半導体形成工程と、前記p側窒化物半導体層の上に、前記透光性電極を形成する透光性電極形成工程と、を含み、前記透光性電極形成工程が、GeとSiを含む酸化インジウム層を成膜する成膜過程と、前記酸化インジウム層を成膜した前記窒化物半導体発光素子をアニールするアニール過程とを含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。前記成膜過程において、GeとSiを含む酸化インジウムを有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより、前記酸化インジウム層を成膜することを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記成膜過程において、不活性ガス雰囲気下で成膜することを特徴とする請求項7又は8に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記アニール過程において、アニール温度が500°C以上であることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記アニール過程において、アニール温度が525°C以上であることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記アニール過程において、減圧下でアニールすることを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記アニール過程において、1kPa~30kPaの減圧下でアニールすることを特徴とする請求項7乃至12のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、p型窒化物半導体層上に透光性電極を有する窒化物半導体発光素子において、p型窒化物半導体層と透光性電極との間が良好にオーミックコンタクトすることができ、一枚のウエハから得られる複数の発光素子の間での順方向電圧Vfのばらつきを小さくすることのできる、新規な透光性電極を備えた窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の窒化物半導体発光素子は、n側窒化物半導体層と、p側窒化物半導体層と、前記p側窒化物半導体層上に形成された透光性電極と、を有する窒化物半導体発光素子であって、前記透光性電極が、GeとSiを含む酸化インジウムからなることを特徴とする。また、本発明の窒化物半導体発光素子は、以下の1以上の要件を備えていることが好ましい。1前記透光性電極が、前記p側窒化物半導体層に含まれているp型窒化物半導体層と接している。2前記透光性電極は、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを0.1重量パーセント以上5.0重量パーセント以下含有し、酸化珪素を0.1重量パーセント以上5.0重量パーセント以下含有する。3前記p型窒化物半導体層は、GaNからなる。4前記p型窒化物半導体層は、p型不純物としてMgを含む。5前記透光性電極は、膜厚が500Å以上、5000Å以下である。また、本発明は、上記の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、前記n側窒化物半導体層とp側窒化物半導体層とを形成する半導体形成工程と、前記p側窒化物半導体層の上に、前記透光性電極を形成する透光性電極形成工程と、を含み、前記透光性電極形成工程が、GeとSiを含む酸化インジウム層を成膜する成膜過程と、前記酸化インジウム層を成膜した前記窒化物半導体発光素子をアニールするアニール過程とを含むことを特徴とする。本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法によれば、低い順方向電圧Vfを有し、かつ、一枚のウエハから製造される複数の発光素子の間での順方向電圧のばらつきの小さい窒化物半導体発光素子を得ることができる。以下、本発明に係る窒化物半導体発光素子について、図面を用いて説明する。図1は本発明に係る実施形態の窒化物半導体発光素子の模式的上面図であり、図2は図1のA-A’断面における模式的断面図である。図1および図2に示す窒化物半導体発光素子は、基板101の上に、n側窒化物半導体層102、発光層103、p側窒化物半導体層104が順に積層された層構成を有する。またp側窒化物半導体層104の表面には、透光性電極105と、透光性電極105の表面の一部にはp側パッド電極106とを有し、n型窒化物半導体層102の一部切り欠き面の上にn側電極107を有する。さらにp側パッド電極とn側パッド電極の一部を開口して絶縁性膜108を有する。ここで、n側窒化物半導体層102とは、発光素子のn型半導体層として機能する窒化物半導体層を意味している。よって、n側窒化物半導体層102がn型半導体層としての機能を発揮できるのであれば、n側窒化物半導体層102を、n型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層以外の層例えば、p型窒化物半導体層などとを含む多層構造体から構成することもできる。同様に、p側窒化物半導体層104とは、発光素子のp型半導体層として機能する窒化物半導体層を意味している。よって、p側窒化物半導体層104がp型半導体層としての機能を発揮できるのであれば、p側窒化物半導体層104を、p型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層以外の層例えば、n型窒化物半導体層などとを含む多層構造体から構成することもできる。本発明において、透光性電極105の材料としてGeとSiを含む酸化インジウムを用いると、p型窒化物半導体層とのコンタクト抵抗が低く、順方向電圧Vfが低く、そして光出力の高い発光素子が得られる。それらの効果が得られる理由は定かではないが、従来の透光性電極用材料であるITOに含まれるSnと比べて、Geが水素原子との結合エネルギーが大きいためであると考えられる。窒化物半導体の導電型は、通常はn型であり、窒化物半導体にp型ドーパントを導入し、さらにアニーリングなどのエネルギーを付加することによって、p型の窒化物半導体が得られる。このp型の窒化物半導体は水素を含んでおり、この水素は、p型窒化物半導体の電気抵抗の上昇、及びp型窒化物半導体と透光性電極とのコンタクト抵抗の上昇の原因となっていると考えられている。本発明では、p側窒化物半導体層104の上に形成される透光性電極105にSnよりも水素との結合エネルギーが大きいGeが含まれているため、Geが水素を吸蔵すると考えられる。そのため、p側窒化物半導体層104を構成するp型窒化物半導体層の表面から表面近傍にかけての水素が減少し、p型窒化物半導体と透光性電極とのコンタクト抵抗が低くなったと考えられる。また、透光性電極105に含まれるGaが、p型窒化物半導体層の内部に含まれる水素までも吸蔵したために、p型窒化物半導体層の電気抵抗も低くなったものと考えられる。Gaによる水素吸蔵のメカニズムを考慮すると、p型窒化物半導体層の表面から水素を吸蔵する効果を高めるためには、透光性電極105は、p型窒化物半導体層の表面に接しているのが好ましい。p側窒化物半導体層104が多層構造体から成る場合には、多層構造体の最上層がp型窒化物半導体層であるのが好ましい。しかしながら、p型窒化物半導体層と透光性電極105との間に別の層例えばノンドープ窒化物半導体層やn型窒化物半導体層が存在する場合であっても、当該別の層を介してGeがp型窒化物半導体層から水素吸蔵を吸蔵できる場合例えば、別の層が薄い場合などには、p側窒化物半導体層104の多層構造体の最上層が、当該別の層であっても、本発明の目的を達成することができる。よって、本発明の窒化物半導体発光素子には、p型窒化物半導体層と透光性電極105との間に別の層が存在する形態も含まれると理解されるべきである。本発明の窒化物半導体発光素子では、透光性電極105は、GeとSiを含む酸化インジウムから形成されている。特に、酸化インジウムを主成分とし、酸化ゲルマニウムを0.1重量パーセント以上5.0重量パーセント以下含有し、酸化珪素を0.1重量パーセント以上5.0重量パーセント以下含有する酸化インジウムから、透光性電極105を形成するのが好ましい。また、p側窒化物半導体層104は、InαAlβGa1-α-βN0≦α、0≦β、αβ≦1から形成するが好ましい。p側窒化物半導体層104が多層構造体から成る場合には、p側窒化物半導体層104の最上層を、InαAlβGa1-α-βN0≦α、0≦β、αβ≦1から形成するが好ましい。特に、p側窒化物半導体層104多層構造体の場合には、p側窒化物半導体層104の最上層をGaNつまり、α=0、β=0から形成すると、結晶性のよいp側窒化物半導体層が形成でき、p側窒化物半導体層104と透光性電極105との間に良好なオーミックコンタクトが得られるので、特に好ましい。p側窒化物半導体層104に含有されるp型ドーパントとしては、Be、Zn、Mn、Cr、Mg、Caなどのp型不純物を用いることができるが、なかでもMgを用いるのが好ましい。またp型窒化物半導体層に含有されるp型不純物の濃度は、1×1018/cm3以上、5×1021/cm3以下が好ましい。透光性電極105は、膜厚が500Å以上、5000Å以下であるのが好ましい。膜厚が500Å未満であると、透光性電極105のシート抵抗が高すぎて、電流を十分に広げることができない。また、膜厚が5000Åを超えると、透光性電極105の透光性が低すぎて、光取出し効率が低下する。基板101は、n側窒化物半導体層102を構成する半導体を基板101上にエピタキシャル成長させることが可能になるように、当該半導体と格子整合性を有する材料で構成される。基板101の面積および厚さ等は特に制限されない。基板101を構成する材料としては、例えば、サファイア、スピネル等の絶縁性材料、炭化ケイ素、SiO2、ZnS、ZnO、Si、GaAs、ダイヤモンド、ニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物材料などが挙げられる。基板101の上に形成されるn側窒化物半導体層102は、半導体材料からなる層にn型ドーパントをドープして形成される。また、n側窒化物半導体層102の上部に発光層103を介して形成されるp側窒化物半導体層104は、半導体材料からなる層にp型ドーパントをドープして、p型の半導体層を形成される。このn側およびp側窒化物半導体層102、104を構成する半導体材料の具体例としては、InαAlβGa1-α-βN0≦α、0≦β、αβ≦1のIII-V族窒化物半導体、又は、当該III-V族窒化物半導体の一部を別の元素に置換した混晶例えば、III族元素の一部若しくは全部をBに置換し、及び/又はV族元素Nの一部をP、As、Sbなどに置換した混晶などが挙げられる。また、半導体材料にドープされるn型ドーパントn型不純物としては、Si、Ge、Sn、S、O、Ti、Zr等のIV族、若しくはVI族元素が挙げられ、p型ドーパントp型不純物としては、Be、Zn、Mn、Cr、Mg、Caなどが挙げられる。また、これらのn側窒化物半導体層102およびp側窒化物半導体層104は、それぞれ多層構造に形成されていてもよい。このように多層構造で形成されている場合、n側窒化物半導体層102が発光素子としてのn型、そしてp側窒化物半導体層104が発光素子としてのp型として機能する限りにおいては、n側窒化物半導体層102の一部にp型の窒化物半導体層が含まれていても、p側窒化物半導体層104の一部にn型の窒化物半導体層が含まれていてもよい。また、基板101とn側窒化物半導体層102との間に、バッファ層を形成してもよい。発光層103は、n型またはp型の窒化物半導体層である。発光層103には、n側窒化物半導体層102から電子が、p側窒化物半導体層104から正孔がぞれぞれ注入され、それらが再結合して生成するエネルギーが、光として放出される。発光層103は、井戸層と障壁層とを含む量子井戸構造を有するのが好ましい。なお、n側窒化物半導体層102とp側窒化物半導体層104が直接当接して発光する発光素子であれば、発光層103省略することもできる。次に、本発明の窒化物半導体発光素子を製造する方法について説明する。窒化物半導体発光素子の製造方法は、前記n側窒化物半導体層とp側窒化物半導体層とを形成する半導体形成工程と、前記p側窒化物半導体層の上に、前記透光性電極を形成する透光性電極形成工程と、を含んでいる。前記透光性電極形成工程は、GeとSiを含む酸化インジウム層を成膜する成膜過程と、前記酸化インジウム層を成膜した前記窒化物半導体発光素子をアニールするアニール過程とを含んでいる。アニール過程熱処理工程は、p側窒化物半導体層104上に本発明の透光性電極105を形成する成膜過程の後で行われる。アニール過程により、p側窒化物半導体層104と透光性電極105との間に良好なオーミックコンタクトが得られる。p側窒化物半導体層104上にGeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105を成膜する成膜過程では、一般に知られている物理蒸着や化学蒸着法などの成膜技術例えば、スパッタリング法、蒸着法、レーザアブレーション法、またスピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法などを用いることができる。特に、GeとSiを含む酸化インジウムを含むターゲットを用いたスパッタリング法が好ましい。スパッタリング装置内の雰囲気について、従来のITO透光性電極では、スパッタリング装置に酸素ガスを導入しながらつまり、酸素含有雰囲気下でITO膜を成膜していた。スパッタリングで成膜したITOは、スパッタリング中に酸素離脱が起こるため、酸素含有量が理論値よりも著しく低くなる。そこで、酸素含有雰囲気下でスパッタリングすることにより、成膜したITOの酸素含有量を理論値に近づけることができる。このように成膜されたITO透光性電極は、窒化物半導体とのオーミックコンタクトも良好であるとされている。しかしながら、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105では、酸素を含有する雰囲気下でスパッタリング成膜すると、p側窒化物半導体層104とのオーミックコンタクトを取りにくくなることがわかった。よって、本発明では、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105は、酸素を含まない雰囲気下不活性ガスの雰囲気下で形成するのが好ましい。不活性ガス雰囲気下で成膜した透光性電極105は、p側窒化物半導体層104とのオーミックコンタクトが良好である。なお、不活性ガス雰囲気とは、酸素を全く含まない不活性ガスの雰囲気だけでなく、酸素含有による影響を実質的に受けない程度の低濃度の酸素具体的には、不活性ガスに対して体積比0.2よりも小さい酸素濃度を含む不活性ガスの雰囲気も含むものと理解されるべきである。アニール過程におけるアニール温度及びアニール圧力について、従来のITO透光性電極では、アニール温度=300°C~475、アニール圧力=常圧、の条件でアニールしていた。この温度及び圧力の条件でアニールすると、ITO透光性電極は、シート抵抗が低下し、そしてp側窒化物半導体層とのオーミックコンタクトが良好になるとされている。しかしながら、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105では、常圧下、アニール温度300°C~475°Cの条件でアニール処理すると、透光性電極105のシート抵抗は多少下がるものの、p側窒化物半導体層104とのオーミックコンタクトは取れない。アニール温度を500°C以上まで上昇させると、オーミックコンタクトは取れるようになるが、透光性電極105のシート抵抗は上昇してしまう。通常、シート抵抗の上昇はVfの上昇につながるため、500°C以上のアニーリング温度は不適切であると考えられた。ところが、驚くべきことに、500°C以上でアニールした本発明の窒化物半導体発光素子の順方向電圧Vfを実際に測定すると、Vfが低下することがわかった。なぜVfが低下するのか正確な理論は不明であるが、透光性電極105に含まれるGeがp型窒化物半導体層から水素を吸蔵する作用が、500°C以上でより効果的に発揮されると考えられる。この結果から、本発明のように、GeとSiを含む酸化インジウムから成る透光性電極105を用いた窒化物半導体層発光素子では、オーミックコンタクト及びVfの低下を考慮すると、アニール温度を500°C以上にするのが好ましいと考えられる。すなわち、本発明の窒化物半導体発光素子では、500°C以上でアニールすることにより、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とのオーミックコンタクトが良好になる効果と、透光性電極105のシート抵抗が上昇するにも拘わらず透光性電極105のVfが低下する効果とが得られる。さらに、コンタクト抵抗に着目すると、アニール温度を525°C以上にするのが好ましい。アニール温度を525°C以上では、透光性電極105と窒化物半導体発光素子とのコンタクト抵抗を下げることができる。なお、アニール過程の最中に、窒化物半導体発光素子の温度を直接測定することはできない。そのため、アニール過程中の温度管理は、アニール処理装置内のヒータ温度の測定値に基づいている。よって、本明細書では、アニール処理装置内のヒータの温度をアニール温度とする。また、アニール圧力については、従来のITO透光性電極と同様に常圧0.1MPaでアニールした場合、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105ではシート抵抗が高い。一方、高真空下10-4~1Paでアニールすると、透光性電極105のシート抵抗は低下するが、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトしない恐れがあることがわかった。ところが、1kPa~30kPaの減圧下でアニールすると、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトし、シート抵抗及び順方向電圧Vfが常圧アニールに比べて低下することが明らかになった。この結果から、本発明のように、GeとSiを含む酸化インジウムから成る透光性電極105を用いた窒化物半導体層発光素子では、オーミックコンタクト及びシート抵抗を考慮すると、減圧下でアニールするのが好ましいと考えられる。すなわち、本発明の窒化物半導体発光素子では、減圧下でアニールすることにより、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とのオーミックコンタクトが良好になる効果と、透光性電極105のシート抵抗が低下する効果と、窒化物半導体発光素子のVfを低下する効果とが得られる。なお、本発明において減圧とは、1kPa~30kPaの範囲の圧力を指すものとする。本発明の窒化物半導体発光素子において、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105を用いた効果を調べるために、以下の方法で発光素子を評価した。1Vfのばらつきの評価同時に作成された複数の窒化物半導体発光素子において、順方向電圧Vfのばらつきを評価する。1枚のウエハ内に、p側窒化物半導体層104の上にGeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105を形成した窒化物半導体発光素子サンプル素子Sを複数個作成する。そして、n個のサンプル素子Sを抽出して、Vfを測定する。比較のために、1枚のウエハ内に、p側窒化物半導体層の上にITO透光性電極を形成した複数の比較用素子SITOを作成し、そこからn個の比較用素子SITOを抽出して、VfITOを測定する。Vfのばらつきは、標準偏差σの3倍3σの値で評価する。3σの値が小さいほど、Vfのばらつきが小さい。標準偏差σの求め方は、次の手順a~cの通りである。a抽出したn個の発光素子のVfの測定値をt1、t2、tnとする。また、それらのVfの測定値t1、t2、tnの平均値をtaとする。bVfの測定値t1、t2、tnの各々からtaを減算して2乗する。得られた全ての値を加算した後に、nで除算する。c除算で得られた値の正の平方根が、標準偏差σである。これらの手順a~cは、下記の式[1]で表すことができる。2Vfの評価p側窒化物半導体層104の上に、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105を形成した窒化物半導体発光素子サンプル素子Sを作成し、順方向電圧Vfsを測定する。比較のために、p側窒化物半導体層の上にITO透光性電極を形成した比較用素子SITOを作成し、順方向電圧VfITOを測定する。Vfs≦VfITOのときに、サンプル素子Sは、Vfが良好であると判断する。3オーミックコンタクトの評価p側窒化物半導体層104の上に、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105を形成した窒化物半導体発光素子サンプル素子Sを作成し、-5V~5Vの電圧を印加したときの電流を測定して、V-Iカーブを作成する。V-Iカーブが直線の場合に、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトしていると判断する。4コンタクト抵抗の評価p側窒化物半導体層104の上に、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105を形成した窒化物半導体発光素子サンプル素子Sを作成し、コンタクト抵抗ρcsを測定する。比較のために、p側窒化物半導体層の上にITO透光性電極を形成した比較用素子SITOを作成し、コンタクト抵抗ρcITOを測定する。ρcs≦ρcITOのときに、サンプル素子Sは、コンタクト抵抗が良好であると判断する。5シート抵抗の評価ダミー基板ガラス基板の上に、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極を作成し、シート抵抗Rsを測定する。比較のために、ダミー基板ガラス基板の上にITO透光性電極を形成し、シート抵抗RITOを測定する。Rs≦RITOのときに、GeとSiを含む酸化インジウムから成る透光性電極は、シート抵抗が良好であると判断する。Vfのばらつきの評価を行うために、複数のサンプル素子Sを同時に作成した。2インチのサファイア基板101の上に、AlGaNバッファ層を介して、n型窒化物半導体層102と活性層103とp側窒化物半導体層104とを積層する。n型窒化物半導体層102は、アンドープGaN1.5μm、SiドープGaN4.2μm、アンドープGaN0.15μm、SiドープGaN0.01μm、アンドープGaN0.15μm、SiドープGaN0.03μm、アンドープGaN5nm、GaNとInGaNとを繰り返し20回積層し最後にGaNをこの順に積層した超格子層120nmから形成されている。活性層103は、GaN8nmとInGaN3nmとを繰り返し6回積層し、最後にGaN8nmが形成されている。なお、最初に積層されるGaN層はSiがドープされており、最後に積層されるGaN層はアンドープである。p側窒化物半導体層104としては、MgドープAlGaNとMgドープInGaNとを繰り返し3回積層し、最後にMgドープAlGaNを積層した超格子層24nm、アンドープGaN0.11μm、MgドープGaN0.11μmが順に形成されている。n側窒化物半導体層102の一部の領域においては、その上に積層された活性層103及びp側半導体層104が除去され、さらにn側窒化物半導体層102自体の厚さ方向の一部が除去されて露出しており、その露出したn側窒化物半導体層上にn側パッド電極107が形成されている。n側パッド電極107は、Ti/Rh/W/Auが順に2nm/100nm/50nm/550nmの膜厚で積層された積層構造体から形成されている。p側窒化物半導体層104の表面には、略全面に透光性電極105が形成され、この透光性電極105の表面の一部にはp側パッド電極106が形成されている。p側パッド電極106は、n側パッド電極107と同じ積層構造体から形成されている。さらにp側パッド電極106とn側パッド電極107との一部を除く窒化物半導体発光素子の表面に、絶縁性膜108が形成されている。透光性電極105は、GeとSiを含む酸化インジウムのターゲットを用いて、スパッタリング法により、170nmの膜厚で形成されている。透光性電極105の成膜後に、窒化物半導体発光素子をアニールする。アニール条件は、アニール温度:525°C、アニール雰囲気:N2ガス雰囲気、アニール圧力:3kPaである。Vfのばらつきの評価は、分割前の状態ウエハの状態にある多数の窒化物半導体発光素子から、130個の発光素子サンプル素子Sを無作為に抽出して行われた。この130個の窒化物半導体発光素子の順方向電圧Vfを測定し、式[1]を用いてVfの標準偏差σを算出し、そしてσを3倍して3σを求めた。この操作を3回3枚のウエハに相当行った。3枚のウエハの各々から求められたサンプル素子Sの3σの値は、0.100、0.100、及び0.062であった。さらにウエハから個々の発光素子に個片化した発光素子の平均値で特性を評価したところ、20mAの電流投入で、Vfが3.18V、光出力が24.0mWであった。また比較のために、サンプル素子Sの透光性電極をITOに変更した発光素子比較用素子SITOを作成した。ITO透光性電極は、ITOターゲットを用いて、スパッタリング法により、170nmの膜厚で形成されている。この比較用素子SITOのVfのばらつきの評価のために、分割前の状態ウエハの状態にある多数の窒化物半導体発光素子から、130個発光素子を無作為に抽出して、順方向電圧Vfを測定した。これらのVfの測定値から、式[1]を用いてVfの標準偏差σを算出し、そしてσを3倍してばらつき3σを算出した。3枚のウエハから得られた3σの値は、0.280、0.337及び0.156であった。サンプル素子Sの3σの値0.100、0.100、及び0.062と、比較用素子SITOの3σの値0.280、0.337及び0.156を比較すると、本発明の窒化物半導体発光素子は、従来のITO透光性電極を有する窒化物半導体発光素子に比べて、Vfのばらつきが顕著に小さいことがわかった。またウエハから個々の発光素子に個片化した発光素子の平均値で特性を評価したところ、20mAの電流投入で、Vfが3.24V、光出力が21.9mWであった。つまり本発明の発光素子は、従来のITO透光性電極を有する窒化物半導体発光素子に比べて、Vfが0.05V低下した。また光出力が約10パーセント向上した。透光性電極105のアニール条件が、順方向電圧Vfに与える影響を評価する。本実施例では、ウエハをチップ化した後に測定を行う点で、実施例1と異なる。それ以外については、実施例1と同様である。実施例1と同様にn型窒化物半導体層102、活性層103及びp側窒化物半導体層10を積層した後、透光性電極105を成膜する。透光性電極105は、GeとSiを含む酸化インジウムのターゲットを用いて、スパッタリング法により、Ar雰囲気下で170nmの膜厚に成膜される透光性電極105の成膜後に、窒化物半導体発光素子をアニールする。アニール条件アニール温度、アニール雰囲気及びアニール圧力は表1及び表2の通りである。アニール後に、実施例1と同様に、n側パッド電極107、p側パッド電極106及び絶縁性膜108を作成し、さらに各発光素子に分割して、サンプル素子Sを得る。GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極を形成した窒化物半導体発光素子サンプル素子Sの順方向電圧Vfsを測定する。比較のために、ITO透光性電極を形成した比較用素子SITOを作成し、順方向電圧VfITOを測定する。測定結果を表1及び表2に示す。Vfs≦VfITOのときに、サンプル素子Sは、Vfが良好であると判断する。Vfの比較は、同じスパッタリング装置で成膜したサンプル素子S及び比較用素子SITOの間で行うこととした。表1の6つのサンプル素子SNo1~6及び1つのSITONo7は、同じスパッタリング装置を用いている。また、表2の4つのサンプル素子SNo8~11及び1つのSITONo12は、同じスパッタリング装置を用いている。IGS:透光性電極105をGeとSiを含む酸化インジウム膜から形成ITO:透光性電極をITO膜から形成比較サンプルpGaN:p側窒化物半導体層IGS:透光性電極105をGeとSiを含む酸化インジウム膜から形成ITO:透光性電極をITO膜から形成比較サンプルpGaN:p側窒化物半導体層透光性電極105の成膜条件及びアニール条件が、オーミックコンタクトに与える影響を評価する。本実施例では、透光性電極105の成膜条件が、実施例1と異なる。また、本実施例では、ウエハをチップ化した後に測定を行う点で、実施例1と異なる。それ以外については、実施例1と同様である。実施例1と同様にn型窒化物半導体層102、活性層103及びp側窒化物半導体層10を積層した後、透光性電極105を成膜する。透光性電極105は、GeとSiを含む酸化インジウムのターゲットを用いて、スパッタリング法により、170nmの膜厚に成膜される。このとき、成膜時のスパッタリング装置内の雰囲気の異なるサンプルを作成する。各サンプルの雰囲気は、ArのみサンプルNo13、16~19、ArとO2Ar流量:60sccm、O2流量:027sccmサンプルNo14、及びArとO2Ar流量:60sccm、O2流量:06sccmサンプルNo15である。透光性電極105の成膜後に、窒化物半導体発光素子をアニールする。アニール条件アニール温度、アニール雰囲気及びアニール圧力は表3の通りである。アニール後に、実施例1と同様に、n側パッド電極107、p側パッド電極106及び絶縁性膜108を作成し、さらに各発光素子に分割して、6つのサンプル素子Sを得る。6つのサンプル素子Sに、-5V~5Vの電圧を印加したときの電流を測定して、V-Iカーブを作成した。V-Iカーブが直線の場合には、オーミックコンタクトが良好○であり、V-Iカーブが湾曲例えば、s字状に湾曲した場合には、オーミックコンタクトが不良×であると評価した。評価結果を表3に示す。IGS:透光性電極105をGeとSiを含む酸化インジウム膜から形成pGaN:p側窒化物半導体層104透光性電極105のアニール条件が、コンタクト抵抗に与える影響を評価する。本実施例では、ウエハをチップ化した後に測定を行う点で、実施例1と異なる。それ以外については、実施例1と同様である。実施例1と同様にn型窒化物半導体層102、活性層103及びp側窒化物半導体層10を積層した後、透光性電極105を成膜する。透光性電極105は、GeとSiを含む酸化インジウムのターゲットを用いて、スパッタリング法により、Ar雰囲気下で170nmの膜厚に成膜される透光性電極105の成膜後に、窒化物半導体発光素子をアニールする。アニール条件アニール温度、アニール雰囲気及びアニール圧力は表4の通りである。アニール後に、実施例1と同様に、n側パッド電極107、p側パッド電極106及び絶縁性膜108を作成し、さらに各発光素子に分割して、サンプル素子Sを得る。GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極を形成した窒化物半導体発光素子サンプル素子Sのコンタクト抵抗ρcsを測定する。比較のために、ITO透光性電極を形成した比較用素子SITOを作成し、コンタクト抵抗ρcITOを測定する。測定結果を表4に示す。ρcs≦ρcITOのときに、サンプル素子Sは、コンタクト抵抗が良好であると判断する。IGS透光性電極105をGeとSiを含む酸化インジウム膜から形成ITO:透光性電極をITO膜から形成比較サンプルpGaN:p側窒化物半導体層104透光性電極105のアニール条件が、シート抵抗に与える影響を評価する。本実施例では、ダミー基板ガラス基板の上に、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105を作成する。透光性電極105は、GeとSiを含む酸化インジウムのターゲットを用いて、スパッタリング法により、Ar雰囲気下で170nmの膜厚に成膜される透光性電極105の成膜後に、窒化物半導体発光素子をアニールする。アニール条件アニール温度、アニール雰囲気及びアニール圧力は表5の通りである。ダミー基板ガラス基板の上に形成したGeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105のシート抵抗Rsを測定する。比較のために、ダミー基板ガラス基板の上にITO透光性電極を形成し、シート抵抗RITOを測定する。測定結果を表5に示す。Rs≦RITOのときに、GeとSiを含む酸化インジウムから成る透光性電極は、シート抵抗が良好であると判断する。IGS透光性電極105をGeとSiを含む酸化インジウム膜から形成ITO:透光性電極をITO膜から形成比較サンプル表3のサンプルNo13~15の結果から、酸素を含む雰囲気下で成膜した透光性電極105は、p側窒化物半導体層104とオーミックコンタクトしながった。その一方、酸素を含まない不活性ガス雰囲気下で成膜した透光性電極105は、p側窒化物半導体層104とオーミックコンタクトすることがわかった。表5のサンプルNo24~26の結果から、常圧アニールにおいて、アニール温度が上昇すると500°C→550°C→600°C、シート抵抗が上昇することがわかった。また、表5のサンプルNo27、28の結果から、真空アニールにおいて、アニール温度が上昇すると500°C→600°C、シート抵抗が上昇することがわかった。表3のサンプルNo16~18の結果から、常圧アニールでは、アニール温度500°C以上でアニールすると、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトすることがわかった。そして、表1のサンプルNo1~6の結果から、減圧アニール3kPaでは、アニール温度500°C以上でアニールすると、窒化物半導体発光素子のVfが、従来のITO窒化物半導体発光素子サンプルNo7のVfよりも低くなることがわかった。これらの結果から、本発明の窒化物半導体発光素子では、アニール温度を500°C以上まで上昇させると、透光性電極105のシート抵抗は上昇してしまうが、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトするようになり、そして順方向電圧Vfが低下することがわかった。表4のサンプルNo20~22の結果から、アニール温度525°C以上でアニールすると、窒化物半導体発光素子のコンタクト抵抗ρcが、従来のITO窒化物半導体発光素子サンプルNo23のコンタクト抵抗ρcよりも低くなることがわかった。表3のサンプルNo19の結果から、高真空下でアニールすると、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトできないことがわかった。また、表3のサンプルNo13、18から、525°Cでは、常圧でも減圧3kPaでも、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトすることがわかった。表5のサンプルNo27、28の結果から、高真空下でアニールすると、GeとSiを含む酸化インジウムからなる透光性電極105のシート抵抗Rが、従来のITOから成る透光性電極サンプルNo30のシート抵抗Rよりも低くなることがわかった。また、減圧下でアニールした透光性電極105サンプルNo29は、常圧下でアニールした透光性電極105サンプルNo26よりも、シート抵抗が低くなることがわかった。表2のサンプルNo8~11の結果から、アニール圧力60kPaでアニールしたサンプル素子SサンプルNo10のVfは、常圧でアニールしたサンプル素子SNo11のVfよりも高いことがわかった。一方、減圧下でアニールしたサンプル素子SサンプルNo8、9のVfは、常圧でアニールしたサンプル素子SサンプルNo11のVfよりも低くなることがわかった。アニール圧力1kPaでアニールしたサンプル素子SサンプルNo8のVfは、従来のITO窒化物半導体発光素子サンプルNo12と同等であった。また、アニール圧力3kPaでアニールしたサンプル素子SサンプルNo9のVfは、従来のITO窒化物半導体発光素子サンプルNo12よりも僅かに高いものの、十分に良好なVf値であった。これらの結果から、アニール圧力を1k~30kPaとすることにより、半導体発光素子にとって重要な特性オーミックコンタクト、透光性電極のシート抵抗、及び順方向電圧Vfの全てにおいて、好ましい結果が得られることがわかった。すなわち、1k~30kPaの減圧下でアニールした窒化物半導体発光素子は、透光性電極105とp側窒化物半導体層104とがオーミックコンタクトすることができ、透光性電極105のシート抵抗を常圧アニールに比べて低くでき、そして順方向電圧Vfを常圧アニールに比べて低くできる。