"基板上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスク上に第1のレジストを塗布し、前記ハードマスクの上面の一部が露出するように前記第1のレジストに第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記ハードマスクを前記基板表面が露出するまでエッチングし、前記ハードマスクに第1のハードマスクパターンを形成する工程と、前記第1のレジストを除去する工程と、前記ハードマスク上及び前記基板上に第2のレジストを塗布し、前記ハードマスクが存在する領域上の前記第2のレジストを電子ビームで描画する工程と、前記電子ビームが描画された位置の前記第2のレジストを前記ハードマスクが露出するようにエッチングすることで前記第2のレジストに第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記ハードマスクをエッチングし、前記ハードマスクに第2のハードマスクパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。基板上に第1のハードマスクを形成する工程と、前記第1のハードマスク上に第1のレジストを塗布し、前記第1のハードマスクの上面の一部が露出するように前記第1のレジストに第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記第1のハードマスクを前記基板表面が露出するまでエッチングし、前記第1のハードマスクに第1のハードマスクパターンを形成する工程と、前記第1のレジストを除去する工程と、前記第1のハードマスク上及び前記基板上に第2のレジストを塗布し、前記基板の領域上の前記第2のレジストを電子ビームで描画する工程と、前記電子ビームが描画された位置の前記第2のレジストを前記基板が露出するようにエッチングすることで前記第2のレジストに第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターン上及び前記基板上に第2のハードマスクを成膜して前記第2のレジストを除去し、第2のハードマスクパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。前記基板は絶縁性材料から成る基板であって、前記電子ビームで描画する工程では、前記第2のレジスト上に更に導電膜を成膜した後に電子ビームの描画を行うことを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。基板上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスク上に第1のレジストを塗布し、前記ハードマスクの上面の一部が露出するように前記第1のレジストに第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記ハードマスクを前記導電膜表面が露出するまでエッチングし、前記ハードマスクに第1のハードマスクパターンを形成する工程と、前記第1のレジストを除去する工程と、前記ハードマスク上及び前記導電膜上に第2のレジストを塗布し、前記ハードマスクが存在する領域上の前記第2のレジストを電子ビームで描画する工程と、前記ハードマスクが露出するように前記電子ビームが描画された位置の前記第2のレジストをエッチングすることで前記第2のレジストに第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記ハードマスクをエッチングし、前記ハードマスクに第2のハードマスクパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。基板上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に第1のハードマスクを形成する工程と、前記第1のハードマスク上に第1のレジストを塗布し、前記第1のハードマスクの上面の一部が露出するように前記第1のレジストに第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記第1のハードマスクを前記導電膜表面が露出するまでエッチングし、前記第1のハードマスクに第1のハードマスクパターンを形成する工程と、前記第1のレジストを除去する工程と、前記第1のハードマスク上及び前記導電膜上に第2のレジストを塗布し、前記導電膜が存在する領域上の前記第2のレジストを電子ビームで描画する工程と、前記電子ビームが描画された位置の前記第2のレジストを前記導電膜が露出するようにエッチングすることで前記第2のレジストに第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターン上及び前記導電膜上に第2のハードマスクを成膜して前記第2のレジストを除去し、第2のハードマスクパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。前記第2のハードマスクパターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。円盤状のパターンドメディア原盤のパターンを形成する請求項1乃至請求項5のいずれか1つに記載のパターン形成方法であって、前記第1のレジストパターンを形成する工程では、前記パターンドメディア原盤のデータを記録するためのパターンと、前記パターンドメディア原盤の各セクター識別パターンに共通する線状パターンとを含む原盤をインプリントすることによって第1のレジストパターンを形成し、前記電子ビームを描画する工程では、前記セクター識別パターンに応じて前記パターンドメディア原盤の半径方向に前記電子ビームを描画することを特徴とするパターン形成方法。前記線状パターンは、半径方向に離間して複数本が平行に配置され、前記電子ビームを描画する工程では、電子ビームを半径方向に走査することにより同一セクターの各線状パターンの同じ周方向位置上のレジストパターンに切れ目を入れることを特徴とする請求項7記載のパターン形成方法。請求項7または8に記載された方法により製造されたパターンドメディア用原盤を用いたインプリントにより、スタンパを形成する工程と、支持基板上に磁性体層を形成し、該磁性体層上にレジストを形成した基板に対し、前記スタンパを用いたインプリントにより前記レジストにパターンを形成する工程と、前記レジストに形成されたパターンをマスクに前記磁性体層を選択エッチングすることにより、磁性体のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。請求項1に記載された方法により製造されたインプリント用原盤を用いたインプリントにより、スタンパを形成する工程と、前記スタンパを用いたリソグラフィー工程を含むことを特徴とするLSIの製造方法。本発明が解決しようとする課題は、パターンの形成にかかる時間を短縮するパターン形成方法、磁気記録媒体の製造方法を提供することである。本発明の一態様は、基板上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスク上に第1のレジストを塗布し、前記ハードマスクの上面の一部が露出するように前記第1のレジストに第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記ハードマスクを前記基板表面が露出するまでエッチングし、前記ハードマスクに第1のハードマスクパターンを形成する工程と、前記第1のレジストを除去する工程と、前記ハードマスク上及び前記基板上に第2のレジストを塗布し、前記ハードマスクが存在する領域上の前記第2のレジストを電子ビームで描画する工程と、前記電子ビームが描画された位置の前記第2のレジストを前記ハードマスクが露出するようにエッチングすることで前記第2のレジストに第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをマスクとして前記露出した前記ハードマスクをエッチングし、前記ハードマスクに第2のハードマスクパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。第1の実施形態図1は、インプリント原盤の製造プロセスに先立って実行されるファザー原盤の製造プロセスを示す図である。まず、図1aに示すように、基板31例えばSi基板上にPMMAレジスト等のポジ型レジスト32を塗布した試料を用意し、電子ビーム描画装置により所望パターンを描画する。その後、レジスト32を現像することにより、図1bに示すように、レジストパターンを形成する。続いて、図1cに示すように、レジスト32の表面及び基板の露出面にNi膜33をスパッタで形成した後、図1dに示すように、Ni膜34をメッキで形成し表面を平坦化する。次いで、Ni膜34を支持板図示せずに接着した後、図1eに示すように、Ni膜33,34をレジスト32及び基板31から引き剥がす。これにより、ファザー原盤30が作製される。なお、以降では、ファザー原盤を用いて熱インプリントを行うとして説明するが、ファザー原盤30として紫外光を透過するガラス等の材料を用い、紫外光硬化性を有する材料を用いた、UVインプリントを使用することも可能である。係る場合、例えばNiがガラスに置き換わる。図2~図3は、第1の実施形態に係わるパターン形成方法を示す図である。まず、図2aに示すように、基板41の表面にハードマスク42を成膜し、さらにその上に例えばPMMAPolymethylmethacrylateレジスト等のポジ型レジストの特性を有する材料膜であるレジスト43を塗布したものを用意しておく。基板41は、不純物をドープしたシリコン基板等の有限抵抗を持つ材料から成る導電体基板である。また、ハードマスク42は基板41との選択比を考慮して、例えばチタニウムTiの薄膜例えば10nm厚を用いる。このハードマスク42とレジスト43とが積層された基板41に対して、ファザー原盤30を用いて熱インプリント法によりインプリントする。これにより、図2bに示すように、ファザー原盤30に形成された凹凸がレジスト43に転写され、レジストパターンを形成する。このとき、ファザー原盤30の凸部によって押圧された箇所は、ハードマスク42が露出する場合もあるが、ハードマスク42上にレジスト43が残渣として残る場合もある。そこで、このレジスト43の残渣を除去してファザー原盤30の凸部に相当する箇所のハードマスク42の表面を露出させるために、アッシングを行っても良い。アッシングの際には、ファザー原盤30の凹部に対応してレジスト43に形成された凸形状が消えないように調整して実行する。アッシングには、例えば酸素アッシングを用いる。なお、レジスト43の残渣を除去するプロセスと後のハードマスク42をエッチングするプロセスを続けて行っても良い。次に、レジスト43をマスクとしてハードマスク42をエッチングし、その後、レジスト43を除去する図2c。ハードマスク42としてチタニウムを使用している場合、エッチングには、CF4と酸素との混合ガスを用いたドライエッチングを使用することができる。また、レジスト43は、酸素アッシングやウェットプロセスによって除去する。この工程が終了すると、ファザー原盤30に形成された凹凸形状に対応する形状がハードマスク42に形成された状態となる。このように形成されたパターンを有するハードマスク42から、一部のハードマスクをエッチングしてハードマスクパターンを変更する。そのために、まず、ハードマスク42と基板41とを覆うように電子ビーム描画用のレジスト44を塗布する。レジスト44が塗布された状態を図2dに示す。インプリント用のレジストと電子ビーム描画用のレジストは、同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。例えば、電子ビーム描画用のレジストとして、インプリント用のレジストよりも感度の高い材料を用いると、後述する電子ビームを照射する工程に必要な時間を短くすることができる。次に、図2eに示すように、電子ビーム描画装置を用いて、エッチングを行うハードマスク42の上部に位置するレジスト44に電子ビームを照射する。その後、現像プロセスを経ることにより、図3fに示すようなレジストパターンが形成される。この工程によってハードマスク42の一部が露出した状態となる。電子ビームの照射は、エッチングすべきハードマスクの上部にのみ照射するならば厳しい精度が必要となるため、エッチングすべきハードマスクの上部よりも広い領域に対して行っても良い。この広い領域とは、エッチングを行わないハードマスクパターンには電子ビームが照射されない程度の広さであれば良い。図4は、電子ビームを照射する領域を説明するための図である。図4は、図3fのようにレジストパターンが形成された基板41の一部を上部から眺めた状態を図示している。この例では、エッチングすべきハードマスク42aと、それを取り囲むようにエッチングを行わないハードマスク42bが形成されている。なお、ハードマスク42bは、レジスト44に覆われているが、説明のために図示している。このような場合に、エッチングすべきハードマスク42aを露出させるために電子ビームを照射可能な領域は、エッチングを行わないハードマスク42bに電子ビームが照射されないような領域Aとなる。図3fは、エッチングを行うハードマスク上の領域よりも広い範囲に電子ビームを照射した場合の例であり、ハードマスク42の一部だけでなく、基板41の一部も露出した状態を示している。図3fのようにレジストパターンが形成された後、レジスト44をマスクとして露出したハードマスク42をエッチングし図3g、レジスト44を除去する図3h。これによって、インプリント原盤のハードマスクパターンの一部を変更することができる。次に、図3iに示すようにハードマスク42をマスクとして基板41をエッチングすることで、基板41にパターン構造を形成する。基板41のエッチングには、例えばCF4等のフッ素系のエッチングガスを用いる。その後、図3jに示すようにハードマスク42を除去し、図3kに示すように、金属皮膜Ni膜45をスパッタすることにより、金属皮膜を形成する。これによって、インプリント原盤40を作製することができる。なお、図3jに示したハードマスク42を除去する工程と、図3kに示した金属皮膜を形成する工程は、省略しても良い。最終的に図3iの様に基板エッチングの後でハードマスクを残しておき、UVインプリントでの遮光膜として使用することも出来る。本実施形態に係るパターン形成方法によれば、ファザー原盤のパターンとしてインプリント原盤に含まれる繰り返しパターンを形成し、このファザー原盤を反復的にインプリントするならば、インプリント原盤全体を電子ビームの描画によってパターン形成するよりも、インプリント原盤作製にかかる時間を短縮することができる。また、本実施形態に係るパターン形成方法によれば、図2cのようにハードマスクパターンが形成された基板を予め作製しておくことができる。そのため、例えばインプリント原盤のパターンを変更する場合には、予め作成した図2cのような基板を用いて、図2d~図3hで説明したようにハードマスクの任意の箇所をエッチングして所望のハードマスクパターンを得ることができ、パターン変更後のインプリント原盤を容易に作製することができる。第2の実施形態図5~図6は、第2の実施形態に係わるパターン形成方法を示す図である。第2の実施形態は、絶縁性材料である基板例えば石英基板を使用した場合の製造プロセスである。基板として絶縁性材料を用いた場合には、電子ビーム照射の際に表面が帯電しないように、ハードマスクの下層にハードマスク材料とエッチング選択比の大きい材料で出来た導電膜を形成しておくことが望ましい。例えば、ハードマスクとしてチタニウム、導電膜として不純物をドープして導電率を高めたシリコンを用いることができる。以降では、図5、図6を用いて第2の実施形態に係るパターン形成方法を説明する。ただし、第2の実施形態に係るパターン形成方法のa~hの工程は、絶縁体基板とハードマスクとの間に導電膜が形成されているという違いがあるものの、第1の実施形態と同様の工程であるため、詳細な説明を省略する。また、レジストはPMMAレジスト等のポジ型レジストを用いるとして説明する。第2の実施形態のパターン形成方法では、図5aに示すような絶縁体基板51上に、導電膜52、ハードマスク42、レジスト43が積層されている試料を用いる。この絶縁体基板51に対して、ファザー原盤30を用いてインプリントすると、図5bに示すようにレジストパターンが形成される。ここで、第1の実施形態にて説明したように、レジスト43の残渣を除去するためのアッシングを行っても良い。そして、レジスト43をマスクとしてハードマスク42をエッチングしてレジストを除去すると、図5cに示すように導電膜52上にハードマスクパターンが形成される。そして、導電膜52とハードマスクパターンとの上に電子ビーム描画用のレジスト53を塗布し図5d、電子ビーム描画装置を用いて特定のパターンをレジスト53に描画する図5e。このとき、絶縁体基板51上に導電膜52が形成されているため、電子ビームを照射したとしても、絶縁体基板51の表面が帯電するのを防ぐことができる。次に、現像プロセスを通して図6fのようなレジストパターンを形成し、レジスト53をマスクとしてハードマスクエッチングを行って図6g、レジスト53にマスクされていないハードマスク42を除去する。その後、レジスト53を除去する図6h。ハードマスク42としてチタニウムを使用している場合、エッチングには、CF4と酸素との混合ガスを用いたドライエッチングを使用することができる。また、レジスト43は、酸素アッシングやウェットプロセスによって除去する。そして、図6iに示すようにハードマスク42をマスクとして導電膜52および絶縁体基板51をエッチングすることで、絶縁体基板51にパターン構造を形成する。基板51のエッチングには、例えばCF4等のフッ素系のエッチングガスを用いる。その後、図6jに示すように導電膜52およびハードマスク42を除去し、図6kに示すように、Ni膜45を絶縁体基板51にスパッタすることにより、金属皮膜を形成する。これによって、インプリント原盤50を作製することができる。なお、図6jに示した導電膜52およびハードマスク42を除去する工程と、図6kに示した金属皮膜を形成する工程は、省略しても良い。最終的に図6iの様に基板エッチングの後でハードマスク42或いは導電膜52を残しておき、UVインプリントでの遮光膜としてハードマスク42或いは導電膜52を使用することも出来る。本実施形態に係るインプリント原盤の製造プロセスでは、基板として絶縁体基板を用いたとしても、繰り返しパターンを有するインプリント原盤の作製にかかる時間を短縮することができるとともに、図5cのようにハードマスクパターンが形成された基板を予め作製しておくことが可能であるため、インプリント原盤のパターンを変更することが容易である。第3の実施形態第3の実施形態に係るパターン形成方法では、絶縁性材料である基板例えば石英基板を使用するが、基板上に導電膜を設けるのではなく、電子ビーム描画の際使用するレジスト表面に帯電防止膜を塗布することで基板表面の帯電を避ける。帯電防止膜の材料は、例えば水溶性の導電ポリマーである。第3の実施形態では、ハードマスクにはクロムを用い、ハードマスクエッチングには塩素ガスを用い、絶縁体基板のエッチングにはCF4と酸素の混合ガスを用いる。図7~図8は、第3の実施形態に係わるパターン形成方法を示す図である。本実施形態に係わるパターン形成方法では、図7aに示すように絶縁体基板51上に、ハードマスク56とPMMAレジスト等のポジ型レジストの特性を有するレジスト43とが成膜された試料を用いる。この絶縁体基板51上にハードマスク56とレジスト43とが成膜された試料に対して、ファザー原盤30を用いて熱インプリント法によりインプリントすると、図7bに示すように、ファザー原盤30に形成された凹凸がレジスト43に転写され、レジストパターンを形成する。ここで、第1の実施形態にて説明したように、レジスト43の残渣を除去するためのアッシングを行っても良い。そして、レジスト43をマスクとしてハードマスク56をエッチングする。ハードマスクエッチングには塩素ガスを用いる。ハードマスクエッチングによって図7cのように絶縁体基板上にハードマスクパターンが形成された後に、電子ビーム描画用のレジスト53を塗布し、その上に帯電防止膜54を塗布する図7d。そして、帯電防止膜54上から特定のパターンの位置に電子ビームを照射する図7e。その後、帯電防止膜54を例えば純水によるリンスにより除去する。このように、電子ビーム描画の際に帯電防止膜54を塗布することによって、絶縁体基板51表面への帯電を防ぎつつ、図8fに示すようにレジストパターンを形成することができる。第1の実施形態にて説明したように、電子ビーム描画の際には、エッチングすべきハードマスクの幅よりも広い幅に対して描画して良い。図8fに示すようなレジストパターン形成後、塩素ガスを用いたハードマスクエッチングを行い図8g、レジスト53を除去する図8h。これによって、ハードマスクパターンの一部を変更することができる。次に、図8iに示すようにハードマスク56をマスクとして基板51をエッチングすることで、基板51にパターン構造を形成する。基板51のエッチングには、例えばCF4と酸素の混合ガスを用いる。その後、図8jに示すようにハードマスク56を除去し、図8kに示すように、Ni膜45をスパッタすることにより、金属皮膜を形成する。これによって、インプリント原盤50を作製することができる。なお、図8jに示したハードマスク56を除去する工程と、図8kに示した金属皮膜を形成する工程は、省略しても良い。本実施形態に係るパターン形成方法では、基板として絶縁体基板を用い、予め導電膜を絶縁体基板に成膜していなかったとしても、電子ビーム描画時に絶縁体基板表面へ帯電することを防ぐことができ、第2の実施形態にて説明したパターン形成方法と同様の効果を得ることができる。第4の実施形態図9~図10は、第4の実施形態に係わるパターン形成方法を示す図である。第4の実施形態では、電子ビームリソグラフィーによるレジストパターン形成の後で、ハードマスクを成膜することにより所望の位置にハードマスクパターンを追加する。ここでは、絶縁性材料である基板例えば石英基板を使用し、導電膜52、ハードマスク42が成膜された絶縁体基板51に対してファザー原盤30を用いたインプリントプロセスを実行するとする。また、ハードマスクとしてチタニウム、導電膜としてシリコンを用いるとする。図9a~dと図10i~jに示したプロセスは、第2の実施形態に係るパターン形成方法と同様であるため、詳細な説明を省略する。第4の実施形態では、図9dのようにパターンが形成されたハードマスク42と導電膜52とを覆うようにレジスト53が塗布された後に、ハードマスクを追加する位置に電子ビームを照射する図9e。そして、現像プロセスを通して図10fのようなレジストパターンを形成する。次に、スパッタ等によりハードマスク42を成膜し図10g、レジスト53を除去すると、レジスト53上のハードマスク42はレジスト53とともに除去され、導電膜52上のハードマスク42は除去されない。そのため、図10hのように所望の位置にハードマスク42を追加したハードマスクパターンを形成することができる。このように、第4の実施形態に係るパターン形成方法では、所望の位置にハードマスクを追加することでハードマスクパターンを変更することができる。なお、第4の実施形態の説明では、絶縁体基板上に導電膜が形成されている場合を例として説明したが、第1の実施形態で説明したように導電体基板を用いても良いし、第3の実施形態で説明したように電子ビーム描画の際使用するレジスト表面に帯電防止膜を塗布しても良い。また、第4の実施形態にて説明したハードマスクの成膜プロセスと第1~第3の実施形態にて説明したハードマスクのエッチングプロセスは組み合わせて実施することも可能である。ハードマスクの成膜プロセスとエッチングプロセスを組み合わせることで、ハードマスクパターンが形成された状態例えば図9のcや図10hに示す状態の基板を予め用意しておけば、ハードマスクパターンを自由に変更することができる。円盤状のパターンドメディア製造への適用例第1~第5の実施形態に係わるインプリント原盤の製造方法は、円盤状のパターンドメディア製造に適用することができる。一例として、第1の実施形態に係わるパターン形成方法をパターンドメディア製造に適用する場合の製造プロセスについて説明する。図11は、パターンドメディアを用いたハードディスクドライブ磁気記録再生装置150の構成の一例を示す斜視図である。図11に示すように、磁気記録再生装置150は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。同図において、記録用媒体ディスク磁気記録媒体180は、スピンドルモータ160に装着され、駆動装置制御部図示せずからの制御信号に応答するモータ図示せずにより矢印Aの方向に回転する。本実施形態に係る磁気記録再生装置は、複数の記録用媒体ディスク180を備えたものとしても良い。記録用媒体ディスク180が回転すると、サスペンション154による押付け圧力とヘッドスライダーの媒体対向面ABSともいうで発生する圧力とがつりあい、ヘッドスライダーの媒体対向面は、記録用媒体ディスク180の表面から所定の浮上量をもって保持される。サスペンション154は、駆動コイル図示せずを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム155の一端に接続されている。アクチュエータアーム155の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ156が設けられている。ボイスコイルモータ156は、アクチュエータアーム155のボビン部に巻き上げられた駆動コイル図示せずと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び対向ヨークからなる磁気回路とから構成することができる。アクチュエータアーム155は、軸受部157の上下2箇所に設けられたボールベアリング図示せずによって保持され、ボイスコイルモータ156により回転摺動が自在にできるようになっている。その結果、磁気記録ヘッドを記録用媒体ディスク180の任意の位置に移動できる。このような構成の磁気記録再生装置150においては、図12に示すように磁気ヘッドの軌道は円弧を描くため、各セクターの境界も円弧の一部となる。図12において、R1は記録用媒体ディスク180の外径、R2は記録用媒体ディスク180の内径、R3は磁気ヘッドの回転半径である。また、ヘッドが半径方向となす角度が半径によって異なるため、記録パターンも半径方向位置によって、図13a~cに示すように、半径方向に対して異なる傾きを持つ。図13において、上側が記録用媒体ディスク180の外側領域ディスク中心からの距離が長い領域、下側が記録用媒体ディスク180の内側領域ディスク中心からの距離が短い領域である。便宜上、以下では、セクターの形状を単純な扇形の一部として説明を進める。図14は、本例に係わる円盤状パターンドメディアの概略構成を示す平面図である。円盤状の記録用媒体ディスク180は円周方向に複数のセクターに分割される。例えば、sector0からsector255の256のセクターに分割される。セクター境界の形状は、信号検出のヘッドの軌道の関係で円弧状になっているのが普通であるが、以下簡単のため、直線状として説明を進める。図15は、隣接するセクターの境界付近を拡大して示すものであり、セクター内のサーボデータ部と記録データ部の配置関係を示す図である。セクター200はサーボパターンが形成されたサーボデータ領域210と記録データを保存するための記録データ領域220とに分けられ、更にサーボデータ領域210は回転制御のためのプリアンブルパターン211、セクター識別のためのセクター識別パターン212、半径方向にトラックを識別するためのトラック情報パターン213、及びトラックの位置を合わせるためのバーストパターン214とに分けられる。記録データ領域220が連続したトラックの場合、いわゆるディスクリートトラック媒体となり、ビット毎に分割された形状の場合、いわゆるビットパターンド媒体となる。本実施形態は何れの媒体にも適用可能である。次に、本例に係るパターンドメディア用原盤の製造方法について、図16のフローチャートを参照して説明する。半導体プロセスにおいては、ある決まったパターンを繰り返しSiウェハー上に形成することがあり、そのような場合にはユニットとなるパターンを複数回転写する、いわゆるステップアンドリピートと呼ばれる方式が知られている。しかしながら、この手法をそのままパターンドメディアに適用することはできない。何故ならば、各セクターのパターンは類似しているが、アドレス部分が異なるため、単純に適用するとなるとセクターの数の分だけ分割パターンが必要であり、上記のプロセス短縮時間のメリットは得にくい。そこで、アドレス部分は各セクターで共通する部分と追加工する部分とに分離し、またその追加工部分をできる限り少なくして時間を大幅に短縮する。まず、電子ビームリソグラフィーにより、セクター1個又は複数個に相当する共通セクター用インプリントファザー原盤を作製するステップS101。即ち、パターンドメディアパターンのうち、1セクター部分のパターンデータを用意する。具体的には、インプリント基板にレジストを塗布し、電子ビーム描画装置を用いて描画を行う。この際、電子ビーム描画装置としてはXYステージを使用したベクタースキャン方式の描画装置を使用することが望ましい。これは、1軸並行移動と回転ステージを有する装置ではパターンが存在しない領域も電子ビーム描画可能領域を通過するために無駄時間が発生するためである。レジストとしてはポジ型レジストを使う。電子ビーム描画装置を用いて描画するパターンは、各セクターの共通部分が形成されたパターンであり、各セクターに共通しないセクター識別に用いられるパターン以降では、セクター識別パターンと称するについては、各セクター識別パターンの共通部分のみが形成されたパターンとしておく。例えば、図17aに示すように、切れ目の無いパターンとしておく。このように決められたパターンを共通セクターパターンと呼ぶ。以下、図1を用いて説明したファザー原盤製作のプロセスを経て、共通セクターパターンを有する共通セクター用インプリントファザー原盤が作製される。ドット構造の形成にあたっては、電子ビーム描画に限らず、例えば自己組織化材料を用いたプロセスを使用することが可能である。次いで、パターン作製用基板上に共通セクター用インプリントファザー原盤を用いて円周方向にインプリントを繰り返し、全てのセクターに共通セクターパターンを形成するS102。インプリントの際には、ファザー原盤とパターン作製用基板のそれぞれに設けられたマークを用いて位置合わせを行う。図18は、共通セクター用インプリントファザー原盤を示す平面図である。Niからなる共通セクター用インプリントファザー原盤230には、扇型の領域に1セクター分の共通セクターパターン236が形成されている。また、原盤230の周辺部には、円周方向及び半径方向の位置合わせのためのマーク237が少なくとも2箇所に設けられており、円盤状の基板にインプリントを行う際の位置合わせを行うことが可能となっている。また、隣り合うセクターとの接続部に例えばワーニアパターン等の位置合わせパターンを形成しておくことも位置合わせ精度を高める上で有効である。図19は、パターン作製用基板を示す図である。パターン作製用基板241には、共通セクター用インプリントファザー原盤230の位置合わせのマーク237に対応するように位置合わせマーク290を設けている。このマーク290はインプリントの際の位置合わせマークとして使用する他、セクター識別用パターン形成のための電子ビーム描画や集束イオンビーム加工、エッチング、インプリントの際の位置合わせマークとして使用される。位置合わせには、光学的な位置合わせ技術を用いればよい。これにより、ファザー原盤230とパターン作製用基板241の各セクターとの位置合わせを高精度に行うことができる。なお、本実施形態では、各セクターにマーク290を3個ずつ配置しているが、最低2個あれば良い。パターン作製用基板上へのインプリントの後、図2a~cにて説明したように、形成されたレジストパターンをマスクとして、ハードマスクのエッチングを行って、レジストを除去すると、基板上に共通セクターパターンのハードマスクパターンが形成される。この共通セクターパターンを形成した基板を多量に作っておいて保管し、必要に応じて、次のプロセスを行うことにすれば、原盤製造プロセスの為のインプリント装置の占有時間を短く出来、インプリント装置を製品製造に使用する時間を長く取れる。続いて、図16のステップS103では、セクター毎に異なるセクター識別用パターンを形成してマザー原盤パターンドメディア用原盤301を作製する。ステップS102が完了すると、図17aに示すような、セクター識別用のパターン形成箇所を切れ目の無いパターンとした共通セクターパターンのハードマスクパターンが基板上に形成される。この共通セクターパターンに対して図17cに示すように一定の規則に従って切れ目を入れることにより、セクター毎に異なるセクター識別用パターンを形成する。ハードマスクパターンに切れ目を入れるには、図2d~図3hにて説明したように、インプリント用レジストを除去した後に電子ビームリソグラフィー用のレジストを基板に塗布し、セクター識別情報を形成する箇所に電子ビームを照射して現像プロセスを通すことによりレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、ハードマスクのエッチングを行う。次いで、図16のステップS104では、マザー原盤301を用いてインプリントすることにより、複数のメディア用原盤スタンパを作製する。図20は、本例のスタンパの作製プロセスを示す図である。まず、図20lに示すように、円盤状の基板341に例えばPMMAレジスト等のポジ型レジストの特性を有するレジスト342を塗布したものを用意し、マザー原盤301を用いて熱インプリント法によりインプリントすることにより、図20mに示すようなパターンを形成する。次いで、図20nに示すように、レジスト342の表面及び基板341の露出面にNi膜343をスパッタで形成した後、図20oに示すように、Ni膜344をメッキし表面を平坦化する。次いで、Ni膜344に支持板図示せずを接着した後、図20pに示すように、Ni膜343,344をレジスト342及び基板341から引き剥がす。これにより、パターンドメディアの原盤スタンパ350が複製される。なお、マザー原盤からスタンパを作製するには、インプリント法に限らず電鋳法を用いることも可能である。スタンパが作製されると、このスタンパを用いてインプリントすることにより、多数のメディア磁気記録媒体を作製することができる図16のステップS105。図21は、本例の磁気記録媒体の作製プロセスを示す図である。図21qに示すように、基板361上に磁性体膜362を形成し、更にその上にレジスト膜363を形成した試料に対し、スタンパ350を用いてインプリントすることにより、図21rに示すようなレジストパターンを形成する。次いで、図21sに示すように、レジスト363のパターンをマスクに磁性体膜362をRIEReactiveIonEtching法で選択エッチングした後に、図21tに示すように、レジスト膜363を除去する。その後、図21uに示すように、保護膜364を形成して表面を平坦化することにより、磁気記録媒体360を作製する。このように本実施形態によれば、1つのセクターのパターンを有するインプリント原盤を用いたインプリントを円周方向に繰り返して円盤状のパターンドメディアのパターンを形成した後、各セクター識別領域の線状パターンに、半径方向に切れ目を入れてセクター識別用パターンを形成することにより、パターンドメディア用原盤を作製することができる。そしてこの場合、電子ビームリソグラフィー等によるパターン形成時間を短縮することができ、パターンドメディア原盤の作製に要する製造時間及び製造コストの低減をはかることができる。ここで、前記図17cに示すようにセクター識別用パターンとして線に切れ目を入れたものを用いる場合、図17bに示すように電子ビームは決められた角度で直線を描画するだけで良いので、描画時の位置精度の要求を大幅に低減できる。セクター識別用パターンの円周方向パターンを形成せずに、独立して電子ビーム描画で形成する場合は、それ以外のパターンと半径方向位置を合わせて描画するには極めて高い描画位置精度が必要となる。図17で述べる方法では、半径方向の線は予め形成されており、電子ビームの露光は半径方向に直線状に行うので良いから、容易に高いパターン形成精度が得られる。セクター識別用パターンとしては様々なものが考えられる。256種類を識別するのであれば最低8箇所に切れ目があるか無いか、つまり8ビットのパターンで識別できるが、切れ目を入れる箇所を増やして識別信号のビット数を増やし必要に応じて誤り修正機能を持つパターンとすることもできる。本例によるとサーボ信号の品質を向上させることができる。従来方法では、シリコン表面にレジストを塗布された円盤状の試料を回転と1軸平行移動が可能なステージ上の台座に載せ、台座を一定の回転速度で回転させながら一定の速度で平行に移動させ、電子ビームの照射位置に試料面上の電子ビームを照射する位置が来た時に電子ビームを照射する。この後、試料を現像することにより、円盤上にほぼ同心円状にパターンを形成することができる。その上に、例えばNi膜をスパッタ法で成膜した上にニッケル層をメッキして、支持板に接着した後レジストパターンから剥離して、レジスト残渣を除去するプロセスを行うことにより、ニッケルのファザー原盤を作製できる。このファザー原盤を用いてインプリントプロセスを行うことにより凹凸が反転したマザー原盤を作り、更に、インプリントを用いることでそれぞれについてメディア用原盤の複製を多数作ることができる。ここで、円盤全面にパターンを形成するのに必要な時間は、パターンを形成する領域の面積と、電子ビームを照射する位置の位置決め単位以下ピクセルと呼ぶの面積と、電子ビーム電流密度と、レジスト感度でほぼ決まる。ピクセルを一片の長さがLの正方形とすると、ピクセルの面積はL2であるから、Lの微細化と共にピクセルの数はLの2乗に反比例して増加する。例えば、レジスト感度を30μC/cm2、正方形のピクセルの一辺の長さを30nm、電流密度を1000A/cm2、パターンを形成すべき領域を直径5cmとすると、面積は約78.5cm2でピクセル数は8.7×1012個。1ピクセル当りの電子ビームの照射時間は30nsであるから、照射時間は少なくとも約72時間を必要とする。ピクセルの一辺の長さが20nmとなると、この2倍以上の時間が必要である。通常、スパッタ時間とメッキ時間とを加えても高々数時間であるから、上記の工程の中で大部分の時間は電子ビーム描画の時間となる。電子ビーム描画装置はレンズ電源、電子銃、アンプ類、ステージ系等の多くの要素から構成されており、従来方法による72時間という長時間の描画においては、これら全てに高い安定性が求められる。このことは、精度の劣化ということにとどまらずパターンエラー等の欠陥の発生する確率を高めることに通じる。特に、パターンが微細化すると描画精度の向上が求められる一方で、描画時間が増大することから、困難が増加する。これに対して、本実施形態で述べた方法であれば、電子ビームによる原盤のパターン描画は遥かに短い時間であるので、電子ビーム描画装置の安定性の要求を大きく低減できる。逆に、同じ装置であれば極めて高い安定性が得られる。特に、サーボ部分は共通パターンで得られたものに直交するパターンを描画するだけであるから、半径方向の精度要求を遥かに低減でき、トラック部のパターン形成精度を大幅に高めることができる。以上述べたように、本例に従い、特にセクター識別信号の形成に電子ビームリソグラフィーを用いる方法はトラッキングの信頼性を高める点でも有効である。今後の高密度HDDHardDiskDrive媒体としてパターンドメディアを用いる場合には、特に100nmよりも小さいトラックピッチにおいて本発明の効果は大きくなるものと思われる。なお、本例では、電子ビームリソグラフィーによるレジストパターン形成の後で、ハードマスクをエッチングしたが、第4の実施形態にて説明したように、レジストパターン形成後にハードマスク材料をスパッタ等により成膜し、レジストを除去することで、所望の位置にハードマスクパターンを形成することも可能である。セクター識別部のパターンを後から形成する場合は例えば50kV~100kVの高加速の電子ビーム描画装置を用いることが望ましい。高加速電子ビームを用いることで、レジスト中の電子ビームの散乱を抑えることができ、形成されるパターンの形状をより垂直に近くできる。インプリントを行う場合にUV硬化型の樹脂を用いて光インプリントを用いて共通セクターパターンを形成することもできる。電子ビームリソグラフィーによらない識別パターンの形成方法として、集束イオンビームによるハードマスクのスパッタ或いはガスアシストエッチングを用いてセクター識別用パターンを形成することも可能である。集束イオンビームによるスパッタの場合には、再付着が起きやすい、ダメージを及ぼす場合がある、等の問題もあるが、現像が不要でパターン描画ができる利点がある。ガスアシストエッチングを用いる場合には、ガスの処理を要する、ガスのコンタミネーションといった問題があるが、ダメージの少ない加工ができる利点がある。また、上記の集束イオンビームによるスパッタリングではなく、イオンビームリソグラフィーを用いることも可能である。この場合は、イオンが基板にダメージを与える可能性を考慮しなければならない。また、X線リソグラフィー、EUVリソグラフィー、光リソグラフィーを電子ビームリソグラフィーの代わりに利用することもできる。但し、何れも高精度のマスクを用意することやリソグラフィー装置そのものが極めて大掛かりなものとなる。さらに、電子ビームリソグラフィーに比べると分解能に劣るという問題がある。従って、電子ビームリソグラフィーが最も適している。また、セクター識別パターン専用のステンシルマスクを用いてハードマスクをイオンビームによってエッチングすることで識別パターンを形成することも可能である。ここで、ステンシルマスクには、各セクターに対応して、各々のセクター識別領域にセクター識別用パターンが形成されている。このため、全てのセクターに対して一括でセクター識別用パターンを形成できるので、製造時間及び製造コストの低減をはかることができる。ステンシルマスクを用いる場合には、プロセス時間を飛躍的に短くできる利点があるが、ステンシルマスク形成のコストや高精度のマスク位置制御が要求されるといった課題がある。何れの手法を用いるかは磁気記録媒体の仕様用途によって決めるものであり、何れの手法でも本発明の効果は得られる。また、セクター識別パターンの形成にインプリントを用いることもできる。識別パターン形成用の円板状インプリント原盤を作成しておき、これを用いて、共通セクターパターン形成の後で、レジストを再び塗布し、インプリント法によりセクター識別用パターンを形成する。また、一つのセクターパターンを電子ビーム描画で形成する時間が許容できる程度に短い場合には共通セクターパターンには複数のセクターを含むように構成することも可能である。例えば、512セクターから構成される場合で、一つの共通セクターパターンが4つのセクターを含むとしても、電子ビーム描画の時間は128分の1に短縮できる。このようにすることで、電子ビーム描画の時間は伸びるが、インプリントの回数は減らすことができる。全体の製造工程短縮の点で最適なセクター数を選択することが望ましい。複数のセクターを含む場合には、その配置は角度方向に隣り合わせに並べるだけでなく、例えばセクター総数が偶数であれば互いに180度離れた位置に2個配置したり、4の倍数であれば90度おきに4個配置したり、6の倍数であれば60度おきに6個配置したりというように、様々な配置が考えられる。このようにした場合には、共通セクターパターンを有するファザーマスクの中心とマザーマスク基板の中心とを機械的に一致させることが容易となる。なお、ファザー原盤インプリント原盤に形成するセクターパターンの数は、1,2,4,6に限るものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。LSIのパターン形成への適用例第1~第4の実施形態に係わるパターン形成方法は、LSIの微細な半導体パターンを形成する場合にも適用することができる。まず、第4の実施形態に係わるパターン形成方法を適用して、インプリントプロセス等によって形成されたパターンを接続するLSIのパターン形成について説明する。近年LSIパターンの微細化と高密度化が進んでいるが、メモリー素子の様に同じパターンの繰り返しが存在する。従って、繰り返しパターン用小スタンパを予め用意しておいて、これを用いて、LSIチップ1個分のインプリント原盤製造プロセスに使用すればインプリント原盤形成に要する電子ビーム描画の時間を大幅に短縮出来る。例えば、インプリントプロセスにより、図22aに示すように、基板上にブロック1とブロック2が隣接するパターンを形成したとする。ブロックとは、電子回路の構成である。このとき、ブロック1とブロック2とを接続するために、それぞれのブロックの接続すべき導線の端部の幅図22aのWを広くしたハードマスクパターンを形成しておく図22aの斜線部。その後、この基板上に電子ビームリソグラフィー用のレジストを塗布し、ブロック1とブロック2の接続すべき導線をつなぐように電子ビームを照射する図22b。そして、現像プロセスを通してレジストパターンを形成し、スパッタ等によってハードマスクを成膜する。その後、レジストを除去すると、図22cのようにブロック1とブロック2とが接続された状態となる。このように、繰り返しパターンについては小型スタンパを反復的にインプリントすると、一つのLSI領域のインプリント原盤全体を電子ビーム描画によってパターン形成する場合よりも短い時間でインプリント原盤を作製することができる。そして、繰り返しパターンを形成後に所望の位置にハードマスクを追加することができるため、単位領域を容易に接続することができる。さらに、単位領域の接続パターンを電子ビーム描画によって行う場合、電子ビーム描画には非常に高い位置精度が求められるが、接続すべき導線の端部の幅を広くしたハードマスクパターンを形成しておくことにより、電子ビーム描画に必要な精度要求を緩和することができる。第1~第4の実施形態に係わるインプリント原盤の製造方法を用いれば、回路の変更も容易である。全体回路の中に複数の回路ブロックが形成されていて、その回路ブロックの接続により動作を決定する場合がある。図23は、所望の回路接続を実現するプロセスを示す図である。図23には、9個のブロックが示されている。9個のそれぞれのブロックは導線で接続されている。この場合、予めすべての接続が形成されたインプリント原盤を作成しておき、それをファザー原盤としてハードマスクとレジストが積層された基板にインプリントを行い、レジストをマスクとしてハードマスクをエッチングすることでハードマスクパターンを形成する。このハードマスクパターンは、図23aの様に、想定されるすべての接続を施したハードマスクパターンである。第1の実施形態において説明したように、このハードマスクパターン上に電子ビームリソグラフィー用のレジストを塗布し、図23bに示す様に不要な接続部に電子ビームリソグラフィーを行う。そして、現像プロセスを行った後に、レジストパターンをマスクとしてハードマスクをエッチングする。これにより、図23cに示す様に不要な接続部のハードマスクが除去されて、所望の接続がなされた回路を得ることができる。この方式を用いる場合、図23aの段階の原盤を多数用意しておき、設計に応じて、修正を加えた原盤を用意に作ることが出来る。ブロック間の接続は1本のみに限らず複数の接続、即ち、複数の入出力が用いられる場合にも適用可能なのは言うまでもない。作られたインプリント原盤をカスタムLSIの製造プロセスに適用することで、新規に原盤を作る場合に比べて、カスタムLSIを製造するコストの低減が可能となる。変形例なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものではない。ハードマスクのエッチングプロセスと成膜プロセスを組み合わせて、エッチングプロセスを行った後で成膜プロセスを行うことや、成膜プロセスを行った後でエッチングプロセスを行うことも可能である。インプリントプロセスはいずれの場合も熱インプリントUVインプリントのいずれを使うことも可能である。また、基板やその上に形成される被インプリント膜、更にはスパッタやメッキ等で形成されるハードマスクや導電膜の材料や厚さも、仕様に応じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。"