光電変換部と、前記光電変換部の一主面の上に配されており、多数キャリアを収集する第1の電極と、前記光電変換部の一主面の上に配されており、少数キャリアを収集する第2の電極と、を備え、前記第1の電極の面積をS1とし、前記第2の電極の面積をS2としたときに、0.3≦S2/S1<1となる、太陽電池。前記第1の電極は、線状の第1のフィンガー部を含み、前記第2の電極は、線状の第2のフィンガー部を含み、前記第1のフィンガー部の幅をW1とし、前記第2のフィンガー部の幅をW2としたときに、0.3≦W2/W1<1となる、請求項1に記載の太陽電池。前記光電変換部は、一の導電型を有する半導体材料からなる基板と、前記基板の一主面の上に配されており、一の導電型を有する第1の半導体層と、前記基板の一主面の上に配されており、他の導電型を有する第2の半導体層とを有し、前記第1の電極は、前記第1の半導体層の上に配されており、前記第2の電極は、前記第2の半導体層の上に配されている、請求項2に記載の太陽電池。前記第1の電極と前記第2の電極の直列抵抗の和が、0.12Ωcm2以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載の太陽電池。前記第1の電極と前記第2の電極の直列抵抗の和が、0.08Ωcm2以下である、請求項1~4のいずれか一項に記載の太陽電池。前記太陽電池の光電変換効率が20以上である、請求項1~5のいずれか一項に記載の太陽電池。前記太陽電池の光電変換効率が21以上である、請求項1~5のいずれか一項に記載の太陽電池。近年、太陽電池の出力特性をさらに改善したいという要望がある。本発明の太陽電池は、光電変換部と、第1の電極と、第2の電極とを備える。第1の電極は、光電変換部の一主面の上に配されている。第1の電極は、多数キャリアを収集する。第2の電極は、光電変換部の一主面の上に配されている。第2の電極は、少数キャリアを収集する。第1の電極の面積をS1とし、第2の電極の面積をS2としたときに、0.3≦S2/S1<1となる。本発明によれば、改善された出力特性を有する太陽電池を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。図1及び図2に示される太陽電池1は、裏面接合型の太陽電池である。太陽電池1は、光電変換部10を備えている。光電変換部10は、第1及び第2の主面10a、10bを有する。太陽電池1は、主として第2の主面10bにおいて受光する。このため、第2の主面10bを受光面といい、第1の主面10aを裏面ということがある。具体的には、本実施形態では、光電変換部10は、半導体材料からなる基板11を有する。基板11は、一の導電型を有する。以下、基板11がn型である例について説明するが、半導体材料からなる基板はp型であってもよい。基板11は、例えば、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板などの結晶性シリコン基板などにより構成することができる。基板11は、第1及び第2の主面11a、11bを有する。第2の主面11bの上には、実質的に真性な半導体層であるi型半導体層16iと、n型半導体層16nとがこの順番で配されている。i型半導体層16iは、例えば、水素を含む実質的に真性なアモルファスシリコンにより構成することができる。n型半導体層16nは、例えば、水素を含むn型アモルファスシリコンにより構成することができる。n型半導体層16nの上には、保護層が配されていてもよい。第1の主面11aの一部分の上には、n型半導体層12nが配されている。n型半導体層12nは、基板11と同じ導電型を有する。n型半導体層12nは、例えば、水素を含むn型のアモルファスシリコンにより構成することができる。第1の主面11aのn型半導体層12nが配されていない部分の少なくとも一部には、p型半導体層13pが配されている。p型半導体層13pは、基板11と異なる導電型を有する。p型半導体層13pは、例えば、水素を含むp型のアモルファスシリコンにより構成することができる。n型半導体層12nと第1の主面11aとの間には、実質的に発電に寄与しない程度の厚みの、実質的に真性なi型半導体層が配されていてもよい。p型半導体層13pと第1の主面11aとの間には、実質的に発電に寄与しない程度の厚みの、実質的に真性なi型半導体層が配されていてもよい。これらのi型半導体層は、それぞれ、例えば水素を含む実質的に真性なアモルファスシリコンにより構成することができる。光電変換部10の上には、n側電極14n及びp側電極15pが配されている。より具体的には、n側電極14nは、n型半導体層12nの上に配されている。p側電極15pは、p型半導体層13pの上に配されている。n側電極14nは、多数キャリアである電子を収集する。n側電極14n及びp側電極15pのそれぞれは、例えば、Ag、Cuなどの金属やそれらの金属の少なくとも一方を含む合金などにより構成されている。n側電極14n及びp側電極15pのそれぞれは、めっき膜により構成されていてもよいし、導電性ペースト層により構成されていてもよい。n側電極14nは、線状のn側フィンガー部14naを含む。p側電極15pは、線状のp側フィンガー部15paを含む。本実施形態では、n側電極14nの面積S1と、p側電極15pの面積S2とは0.3≦S2/S1<1の関係を満たす。具体的には、n側フィンガー部14naの幅W1と、p側フィンガー部15paの幅W2とは、0.3≦W2/W1<1の関係を満たす。n側電極14nは、n側フィンガー部14naと電気的に接続されたn側バスバー部14nbを含む。p側電極15pは、p側フィンガー部15paと電気的に接続されたp側バスバー部15pbを含む。n側電極14n及びp側電極15pは、それぞれn側バスバー部14nb及びp側バスバー部15pbを含まなくてもよい。高い光電変換効率を得る観点からは、少数キャリアの再結合による消失を抑制することが重要と考えられる。この観点からは、少数キャリアが少数キャリアを収集する側の電極のフィンガー部に到達するまでの距離を短くすることが好ましいと考えられる。そのためには、多数キャリアを収集する側の電極のフィンガー部の幅を、少数キャリアを収集する側の電極のフィンガー部の幅より狭くすればよいと考えられる。ところが、本発明者が検討した結果、多数キャリアである電子を収集するn側電極14nの線状のフィンガー部14naの幅W1と、p側電極15pの線状のフィンガー部15paの幅W2とが、0.3≦W2/W1<1となる場合に、太陽電池の出力特性が改善されることを見いだした。このような場合に太陽電池の出力特性が改善される機構の詳細は定かではないが、例えば次のように考えることができる。多数キャリアを収集する側の電極のフィンガー部の幅が、少数キャリアを収集する電極のフィンガー部の幅より広くなると、少数キャリアを収集する電極の総面積が狭くなる。このような場合、太陽電池が発電する際には、少数キャリアを収集する側の電極における電流密度が高くなる。本実施形態では、少数キャリアを収集するp側電極15pは、n型である基板11とp型半導体層13pとがpn接合した界面の上に設けられており、pn接合の性質上、電流密度が高くなると、電圧が高くなる。このため、少数キャリアを収集するp側電極15pのp側フィンガー部15paの幅が狭くなると、電圧が高くなり、結果として、太陽電池1の出力が大きくなる。このような特性は、少数キャリアの再結合による消失を低減させることが可能な光電変換効率の高い太陽電池において得られる。太陽電池1においては、一般にセル変換効率といわれる太陽電池の光電変換効率が20以上である場合、太陽電池1の出力特性がより改善され、光電変換効率が21以上である場合、太陽電池1の出力特性がさらに改善される。一方、少数キャリアを収集する電極の面積が、多数キャリアを収集する電極の面積よりも大幅に狭くなると、太陽電池全体としての抵抗が高くなる。例えば、本実施形態において、W2/W1<0.3となる場合、太陽電池1全体の抵抗上昇による出力抑制効果が大きくなり、出力が低下する場合がある。n側電極14nとp側電極15pの直列抵抗の和が、0.12Ωcm2以下である場合、太陽電池の出力特性がより改善される。n側電極14nとp側電極15pの直列抵抗の和が、0.08Ωcm2以下である、太陽電池の出力特性がさらに改善される。図3~8は、本発明の一実施形態に係る太陽電池1のn側電極14nの線状のフィンガー部14naの幅W1とp側電極15pの線状のフィンガー部15paの幅W2の比W2/W1と、太陽電池1の光電変換効率との関係を示すグラフである。具体的には、図3は、p側電極15pの直列抵抗Rpが0.037Ωcm2、n側電極14nの直列抵抗Rnが0.037Ωcm2である場合3-1、p側電極15pの直列抵抗Rpが0.05Ωcm2、n側電極14nの直列抵抗Rnが0.025Ωcm2である場合3-2、p側電極15pの直列抵抗Rpが0.025Ωcm2、n側電極14nの直列抵抗Rnが0.05Ωcm2である場合3-3のそれぞれについて、W2/W1=1における太陽電池1の光電変換効率が22.76となる場合を基準としたときのグラフである。図3~図8に示す光電変換効率は、次の式を用いて求めた。電流I=I0{expqV’/nkT-1}V’Rsh-IL電圧V=V’-IRsここで、I0は飽和電流、qは電気素量、V’は内部起電力、kはBoltzmann定数、nはダイオード因子、Rshはシャント抵抗、Tは測定温度、ILは光誘起電流、Rsは直列抵抗である。また、直列抵抗Rsは、p電極直列抵抗Rp、n電極直列抵抗Rnを用いて、次のように表せる。Rs=Rp/p電極面積Rn/n電極面積IL=40mA/cm2、I02.7×10-10Acm2、n1.44、Rsh17kΩcm2とし、p電極面積及びn電極面積を変化させたときのI-V特性から、それぞれの光電変換効率を求めた。図4は、Rpが0.02Ωcm2、Rnが0.02Ωcm2である場合4-1、Rpが0.025Ωcm2、Rnが0.015Ωcm2である場合4-2、Rpが0.015Ωcm2、Rnが0.025Ωcm2である場合4-3のそれぞれについて、W2/W1=1における太陽電池1の光電変換効率が22.92となる場合を基準としたときのグラフである。図5は、Rpが0.038Ωcm2、Rnが0.038Ωcm2である場合5-1、Rpが0.05Ωcm2、Rnが0.025Ωcm2である場合5-2、Rpが0.025Ωcm2、Rnが0.05Ωcm2である場合5-3のそれぞれについて、W2/W1=1における太陽電池1の光電変換効率が23.09となる場合を基準としたときのグラフである。なお、図5では、飽和電流はI05.5×10-11Acm2とし、ダイオード因子はn1.33とした。図6は、Rpが0.022Ωcm2、Rnが0.022Ωcm2である場合6-1、Rpが0.03Ωcm2、Rnが0.015Ωcm2である場合6-2、Rpが0.015Ωcm2、Rnが0.03Ωcm2である場合6-3のそれぞれについて、W2/W1=1における太陽電池1の光電変換効率が23.24となる場合を基準としたときのグラフである。なお、図6では、飽和電流はI05.5×10-11Acm2とし、ダイオード因子はn1.33とした。図7は、Rpが0.038Ωcm2、Rnが0.038Ωcm2である場合7-1、Rpが0.05Ωcm2、Rnが0.025Ωcm2である場合7-2、Rpが0.025Ωcm2、Rnが0.05Ωcm2である場合7-3のそれぞれについて、W2/W1=1における太陽電池1の光電変換効率が23.39となる場合を基準としたときのグラフである。なお、図7では、なお、図7では、飽和電流はI01.1×10-11Acm2とし、ダイオード因子はn1.24とした。図8は、Rpが0.022Ωcm2、Rnが0.022Ωcm2である場合8-1、Rpが0.03Ωcm2、Rnが0.015Ωcm2である場合8-2、Rpが0.015Ωcm2、Rnが0.03Ωcm2である場合8-3のそれぞれについて、W2/W1=1における太陽電池1の光電変換効率が23.54となる場合を基準としたときのグラフである。なお、図8では、飽和電流はI01.1×10-11Acm2とし、ダイオード因子はn1.24とした。図3~8のいずれの場合においても、0.3≦W2/W1<1となる場合に、太陽電池1の出力特性が改善されることが分かる。また、図3~8に示される結果から、n側電極14nとp側電極15pの直列抵抗の和が、0.12Ωcm2以下である場合、太陽電池1の出力特性がより改善されることが分かる。なお、図3~8に示した光電変換効率を求める際、電流I及び電圧Vを示す式において用いた飽和電流I0及びダイオード因子nは次のようにして求めた。まず、図1及び図2に示す光電変換部10を2種類作成し、それらのI-V特性を測定した。一方の光電変換部10は、pn接合における欠陥が少ないものであり、もう一方の光電変換部10はpn接合における欠陥が多いものである。このとき、n側電極14nの線状のフィンガー部14naの幅W1とp側電極15pの線状のフィンガー部15paの幅W2とを等しくした。pn接合における欠陥が多い光電変換部10のI-V特性に、上述の電流I及び電圧Vの式をフィッティングさせた結果、I02.7×10-10Acm2、n1.44、Rp=Rn=0.038Ωcm2の値が得られた。これらの値は、図3~5に示したグラフを求める際に使用した。また、pn接合における欠陥が少ない光電変換部10のI-V特性に、上述の電流Iおよび電圧Vの式をフィッティングさせた結果、I05.5×10-11Acm2、n1.33、Rp=Rn=0.037Ωcm2の値が得られた。これらの値は、図6~8に示したグラフを求める際に使用した。変形例上記の実施形態では、光電変換部10が基板11と半導体層12n、13pを有する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。光電変換部は、p型ドーパント拡散領域と、n型ドーパント拡散領域とが設けられた半導体材料からなる基板を有していてもよい。以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されず、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。