"複数の吐出手段を備え、前記吐出手段を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、前記複数の吐出手段は、基板の中心から周縁に向けて延びる直線上に並べて配置されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段は、基板に対して不要物を除去するための薬液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段は、基板に対してリンス液を吐出する、基板処理装置。複数の吐出手段を備え、前記吐出手段を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、前記複数の吐出手段は、基板の周辺から内側に向かう方向に沿って並べて配置されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段は、基板に対して不要物を除去するための薬液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段は、基板に対してリンス液を吐出する、基板処理装置。基板の表面において、リンス液が供給される領域は、薬液が供給される領域よりも広い、請求項1または2に記載の基板処理装置。相対的に外側に配置された吐出手段から吐出される薬液は、相対的に内側に配置された吐出手段から吐出されて基板の表面を流れるリンス液の領域内に供給される、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記リンス液が純水である、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記複数の吐出手段を、基板の中心から離れる方向に傾斜させて指向させた、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記複数の吐出手段から基板に供給された流体の飛散を防止する遮断板を備え、前記複数の吐出手段が前記遮断板に設けられている、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。基板上面に近接した位置と基板上面から離れた位置との間で相対的に移動する遮断板を備えている、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記遮断板と基板との間に不活性ガスを吐出する、請求項9に記載の基板処理装置。基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する吐出手段を備えている、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。基板の周辺から内側に向かう方向に並べて配置された複数の吐出手段を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、前記複数の吐出手段から基板の周縁部にそれぞれ異なる流体を供給して、基板上の不要物を除去するにあたり、相対的に内側に配置された吐出手段から基板に供給されたリンス液の領域内に、相対的に外側に配置された吐出手段から不要物を除去するための薬液を供給して、当該薬液を基板の中心から離れる方向に押し流す、基板処理方法。前記リンス液が純水である、請求項12に記載の基板処理方法。前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項12または13に記載の基板処理方法。基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する、請求項12~14のいずれか一項に記載の基板処理方法。ところが、最近になって、デバイス形成領域を覆っている純水が、デバイス形成領域に作り込まれているデバイスにダメージを与えるおそれがあることが判ってきた。そこで、この発明の目的は、基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、複数の吐出手段122を備え、前記吐出手段を基板Wの周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、前記複数の吐出手段は、基板の中心から周縁に向けて延びる直線上に並べて配置されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段122aは、基板に対して不要物を除去するための薬液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段122bは、基板に対してリンス液を吐出する、基板処理装置である。また、請求項2に記載の発明は、複数の吐出手段122を備え、前記吐出手段を基板Wの周縁部に沿って相対的に移動させつつ、基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、前記複数の吐出手段は、基板の周辺から内側に向かう方向に沿って並べて配置されており、前記複数の吐出手段のうち、相対的に外側に配置された吐出手段122aは、基板に対して不要物を除去するための薬液を吐出し、相対的に内側に配置された吐出手段122bは、基板に対してリンス液を吐出する、基板処理装置である。これらの構成によれば、薬液が基板の中央部に向けて流れることを防止しつつ、基板上における薬液供給位置よりも外側の領域にむらなく薬液を供給することができ、基板上の不要物を良好に除去することができる。請求項3記載の発明は、基板の表面において、リンス液が供給される領域は、薬液が供給される領域よりも広い、請求項1または2に記載の基板処理装置である。請求項4記載の発明は、相対的に外側に配置された吐出手段から吐出される薬液は、相対的に内側に配置された吐出手段から吐出されて基板の表面を流れるリンス液の領域内に供給される、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。これらの構成によれば、リンス液の流れにより、リンス液の供給位置よりも外側の位置に供給された薬液が押し流されるので、薬液が基板の中央部に向けて流れることを一層防止できる。請求項5に記載のように、前記リンス液が純水であってもよい。請求項6に記載の発明は、前記複数の吐出手段を、基板の中心から離れる方向に傾斜させて指向させた、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板上に供給された薬液および純水が基板の中央部に向けて流れることを良好に防止できる。請求項7に記載の発明は、前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、リンス液の流れにより、リンス液の供給位置よりも外側の位置に供給された薬液が押し流されるので、薬液が基板の中央部に向けて流れることを一層防止できる。請求項8に記載のように、前記基板処理装置は、前記複数の吐出手段から基板に供給された流体の飛散を防止する遮断板23を備え、前記複数の吐出手段が前記遮断板に設けられていてもよい。また、請求項9に記載のように、前記基板処理装置は、基板上面に近接した位置と基板上面から離れた位置との間で相対的に移動する遮断板23を備えていてもよい。請求項10に記載の発明は、前記遮断板と基板との間に不活性ガスを吐出する、請求項9に記載の基板処理装置である。請求項11に記載の発明は、基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する吐出手段122cを備えている、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理装置である。これらの構成によれば、薬液のミストが発生しても、そのミストを不活性ガスによって基板の外方へと吹き飛ばすことができる。よって、基板の中央部が薬液のミストによる腐食を受けるおそれがない。さらに、基板の中央部にリンス液が供給されないので、その中央部がリンス液によるダメージを受けるおそれがない。請求項12に記載の発明は、基板の周辺から内側に向かう方向に並べて配置された複数の吐出手段122を基板の周縁部に沿って相対的に移動させつつ、前記複数の吐出手段122aから基板の周縁部にそれぞれ異なる流体を供給して、基板上の不要物を除去するにあたり、相対的に内側に配置された吐出手段122bから基板に供給されたリンス液の領域内に、相対的に外側に配置された吐出手段から不要物を除去するための薬液を供給して、当該薬液を基板の中心から離れる方向に押し流す、基板処理方法である。この方法によれば、請求項2に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。請求項13に記載のように、前記リンス液が純水であってもよい。請求項14に記載の発明は、前記複数の吐出手段において、相対的に内側に配置された吐出手段は、相対的に外側に配置された吐出手段よりも早いタイミングで流体を吐出するように制御される、請求項12または13に記載の基板処理方法である。この方法によれば、請求項7に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。請求項15に記載の発明は、基板の表面において、リンス液が供給される領域よりも内側に不活性ガスを供給する、請求項12~14のいずれか一項に記載の基板処理方法である。この方法によれば、請求項11に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この発明の一実施形態第1の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、ほぼ円形の基板であるウエハWの表面および端面に金属薄膜たとえば、銅薄膜が形成された後、そのウエハWの表面の周縁部および端面に形成されている不要な金属薄膜を除去するための装置である。この基板処理装置には、バキュームチャック11が備えられている。バキュームチャック11は、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸111と、このチャック軸111の上端にほぼ水平に固定された円板状の吸着ベース112とを含む。チャック軸111は、たとえば、円筒状に形成されることによって吸気路113を内部に有しており、この吸気路113の上端は、吸着ベース112の内部に形成された吸着路を介して、吸着ベース112の上面に形成された吸着口に連通されている。また、チャック軸111には、モータなどを含む回転駆動機構114から回転力が入力されるようになっている。これにより、バキュームチャック11は、吸着ベース112上にウエハWが表面デバイス形成面を上方に向けて載置された状態で、吸気路113の内部を排気することにより、ウエハWの裏面非デバイス形成面を真空吸着してほぼ水平に保持することができる。そして、この状態で、回転駆動機構114からチャック軸111に回転力を入力することにより、吸着ベース112で吸着保持したウエハWを、そのほぼ中心を通る鉛直軸線チャック軸111の中心軸線Oまわりに回転させることができる。バキュームチャック11の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板12と、この遮断板12の傾斜面を洗浄するための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル13とが配置されている。遮断板12は、バキュームチャック11に対向する下面121がウエハWとほぼ同じ径の円形平面になっており、この下面121がバキュームチャック11に保持されたウエハWの上面とほぼ平行をなして対向するように設けられている。また、遮断板12は、昇降可能に設けられており、バキュームチャック11に対するウエハWの搬入出時には上方に大きく退避され、ウエハWに対する処理時にはウエハWに近接した位置まで下降される。遮断板12の下面121には、図2に示すように、その下面121の中心CEを中心とする3重の同心円周C1,C2,C3とその中心CEから半径方向に放射状に延びる複数本の直線との各交点に、たとえば円形の小さな開口122が形成されている。同心円周C1,C2,C3は、下面121の周縁部に設定されていて、下面121の中央部には、開口122は形成されていない。遮断板12の内部には、ウエハWに供給すべきエッチング液、純水および窒素ガスがそれぞれ流通するエッチング液供給路123、純水供給路124および窒素ガス供給路125が形成されている。エッチング液供給路123は、遮断板12の下面121の半径方向外方に向かうにつれて下方に傾斜した傾斜部123aを有しており、この傾斜部123aの先端で、同心円周C1,C2,C3のうちで最も径の大きな円周C1上に配置された開口122aに連通している。傾斜部123aの傾斜角度は、開口122aから傾斜部123aと平行に延ばした直線が、ウエハWの表面の中央部のデバイス形成領域を取り囲むウエハ周縁領域たとえば、ウエハWの周縁から幅3mm程度の部分上であって、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円周上に設定されたエッチング液供給位置Peで、バキュームチャック11に保持されたウエハWの表面に交差するような角度に設定されている。これにより、エッチング液供給路123を流通するエッチング液は、開口122aからエッチング液供給路123の傾斜部123aの傾斜方向ウエハWの回転半径外方に向かうにつれてウエハWに近づくように傾斜した方向に吐出されて、ウエハWの表面のエッチング液供給位置Peに供給される。純水供給路124は、エッチング液供給路123の傾斜部123aとほぼ平行に傾斜した傾斜部124aを有しており、この傾斜部124aの先端で、円周C1の次に大きな径の円周C2上に配置された開口122bに連通している。これにより、純水供給路124を流通する純水は、開口122bからエッチング液の吐出方向と平行な方向に吐出されて、上記ウエハ周縁領域上であって、ウエハWの表面のエッチング液供給位置PeよりもウエハWの回転軸線Oに近い純水供給位置Pdに供給される。純水供給位置Pdは、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円周上に設定されている。また、窒素ガス供給路125は、エッチング液供給路123の傾斜部123aとほぼ平行に傾斜した傾斜部125aを有しており、この傾斜部125aの先端で、最も径の小さな円周C3上に配置された開口122cに連通している。これにより、窒素ガス供給路125を流通する純水は、開口122cからエッチング液の吐出方向と平行な方向に吐出されて、ウエハWの表面の純水供給位置PdよりもウエハWの回転軸線Oに近い窒素ガス供給位置Pnに供給される。窒素ガス供給位置Pnは、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円周上に設定されている。図3は、この基板処理装置における処理について説明するための図解図である。処理対象のウエハWは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてきて、バキュームチャック11に受け渡される。このとき、遮断板12図1参照は、ウエハWの搬入を阻害しないように上方に大きく退避している。バキュームチャック11にウエハWが保持されると、遮断板12がウエハWの表面に近づけられ、バキュームチャック11すなわち、ウエハWが予め定める回転速度で回転され始める。その後、図3に示すように、開口122cから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハWの表面の窒素ガス供給位置Pnに斜め上方から窒素ガスが供給される。また、窒素ガスの吐出が開始された後、つづいて、図3に示すように、開口122bから純水の吐出が開始され、ウエハWの表面の純水供給位置Pdに斜め上方から純水が供給される。さらに、純水の吐出が開始された後、図3に示すように、開口122aからエッチング液の吐出が開始され、ウエハWの表面のエッチング液供給位置Peに斜め上方からエッチング液が供給される。ウエハWの表面への窒素ガス、純水およびエッチング液の供給が予め定める時間にわたって続けられると、図3に示すように、まず、開口122aからのエッチング液の吐出が停止される。つづいて、図3に示すように、開口122bからの純水の吐出が停止され、その後、図3に示すように、開口122cからの窒素ガスの吐出が停止される。これでウエハWの周縁部および端面から不要な金属薄膜を除去するための処理は終了であり、この処理後のウエハWは、遮断板12が上方に退避した後、図示しない搬送ロボットによって、ウエハWの裏面から不要な金属イオンを除去するための装置に向けて搬出される。以上のように、この実施形態に係る基板処理装置では、ウエハWの表面の周縁部および端面から金属薄膜を除去するためのエッチング液が、回転しているウエハWの表面のエッチング液供給位置Peに、そのエッチング液供給位置Peよりも上方であって、ウエハWの回転半径方向内方に配置された開口122aから供給される。これにより、エッチング液供給位置Peに供給されたエッチング液がウエハWの中央部に向けて流れることを防止しつつ、エッチング液供給位置PeよりもウエハWの回転半径方向外方の領域ウエハWの表面の金属薄膜を除去すべき領域EAにむらなくエッチング液を供給することができ、この領域EAおよび端面に形成されている金属薄膜を良好に除去することができる。また、窒素ガス、純水およびエッチング液の供給吐出開始および停止が上述のような順序で行われることにより、エッチング液供給位置Peにエッチング液が供給されている間、エッチング液供給位置PeよりもウエハWの回転半径方向内方に設定された純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnにそれぞれ純水および窒素ガスが供給されている。純水供給位置Pdに供給された純水は、純水供給位置PdからウエハWの周縁に向けて流れ、この純水の流れにより、純水供給位置PdよりもウエハWの回転半径方向外方のエッチング液供給位置Peに供給されたエッチング液は押し流されるので、エッチング液がウエハWの中央部に向けて流れることを一層防止できる。さらに、エッチング液がエッチング液供給位置Peに入射する際にエッチング液のミストが発生しても、そのエッチング液のミストは窒素ガスによってウエハWの外方へと吹き飛ばされるので、ウエハWの中央部デバイス形成領域の薄膜がエッチング液のミストによる腐食を受けるおそれがない。さらにまた、ウエハWの中央部のデバイス形成領域に純水が供給されないので、デバイス形成領域に作り込まれているデバイスが純水によるダメージを受けるおそれがない。図4は、この発明の他の実施形態第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この実施形態に係る基板処理装置は、上述の実施形態に係る基板処理装置においてウエハWの表面の周縁部および端面に形成されている不要な金属薄膜が除去された後、そのウエハWの裏面から不要な金属イオン金属汚染または金属薄膜を除去するためのものである。この基板処理装置には、スピンチャック21が備えられている。スピンチャック21は、ほぼ鉛直に配置されたチャック軸211と、このチャック軸211の上端にほぼ水平に固定されたスピンベース212と、スピンベース212上に立設された複数本のチャックピン213とを有している。スピンベース212は、たとえば、平面視において放射状に延びた複数本たとえば、6本のアームを有しており、各アームの先端にチャックピン213が立設されている。たとえば、一本おきのアームたとえば、全部で3本のアームの先端には、ウエハWの裏面の周縁部を受ける水平面と、ウエハWの端面に対向してウエハWの移動を規制する鉛直面とを有する固定チャックピン213が固定されている。そして、残余の一本おきのアームたとえば、全部で3本のアームの先端には、鉛直軸まわりに回転自転可能な可動チャックピン213が取り付けられている。この可動チャックピン213は、ウエハWの裏面の周縁部を受ける水平面と、この水平面から立ち上がり、ウエハWの端面に当接して、対向する固定チャックピン213と協働してウエハWを挟持する第1鉛直面と、同じく当該水平面から立ち上がり、第1鉛直面よりもウエハWの半径方向外方に後退してウエハWの端面を規制可能な第2鉛直面とを有している。したがって、可動チャックピン213を、鉛直軸まわりに回転させることにより、第1鉛直面または第2鉛直面をウエハWの端面に対向させることができ、これにより、ウエハWを挟持したり、ウエハWの挟持を弛めたりすることができる。また、チャック軸211には、たとえばモータなどの駆動源を含む回転駆動機構214が結合されている。これにより、複数本のチャックピン213でウエハWを狭持した状態で、回転駆動機構214によってチャック軸211を回転させることにより、ウエハWを水平面内で回転させることができる。さらに、チャック軸211は、円筒状に形成されており、その内部には、裏面リンス配管22が非回転状態に挿通されている。裏面リンス配管22の先端は、チャック軸211の先端で開口していて、これにより、チャック軸211の先端に、チャックピン213で挟持されたウエハWの裏面中央にエッチング液を供給するための裏面リンスノズル221が形成されている。スピンチャック21の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板23と、この遮断板23の傾斜面を洗浄するための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル24とが配置されている。遮断板23は、図1に示す遮断板12から、エッチング液を供給するための開口122aおよびエッチング液供給路123を省略した構成であり、その下面231がスピンチャック21に保持されたウエハWの上面とほぼ平行をなして対向するように設けられている。なお、図4および後述する図5において、遮断板23と図1に示す遮断板12とで共通する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示している。また、その同一の参照符号を付した部分についての説明は省略する。図5は、この第2の実施形態に係る基板処理装置における処理について説明するための図解図である。処理対象のウエハWは、上述の図1に示す基板処理装置において表面の周縁部および端面に形成された金属薄膜を除去するための処理を受けた後、その図1に示す基板処理装置から搬入されてきて、スピンチャック21に表面を上方に向けた状態で受け渡される。このとき、遮断板23図4参照は、ウエハWの搬入を阻害しないように上方に大きく退避している。スピンチャック21にウエハWが保持されると、遮断板23がウエハWの表面に近づけられ、スピンチャック21すなわち、ウエハWが予め定める回転速度で回転され始める。その後、図5に示すように、開口122cから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハWの表面の窒素ガス供給位置Pnに斜め上方から窒素ガスが供給される。また、窒素ガスの吐出が開始された後、つづいて、図5に示すように、開口122bから純水の吐出が開始され、ウエハWの表面の純水供給位置Pdに斜め上方から純水が供給される。さらに、純水の吐出が開始された後、図5に示すように、裏面リンスノズル221からエッチング液の吐出が開始され、ウエハWの裏面中央にエッチング液が供給される。ウエハWの表面への窒素ガス、純水およびエッチング液の供給が予め定める時間にわたって続けられると、図5に示すように、まず、裏面リンスノズル221からのエッチング液の吐出が停止される。つづいて、図5に示すように、開口122bからの純水の吐出が停止され、その後、図5に示すように、開口122cからの窒素ガスの吐出が停止される。これでウエハWの裏面から金属イオンまたは金属薄膜を除去するための処理は終了であり、その後は、ウエハWの裏面に純水が供給されて、ウエハWの裏面に付着したエッチング液が洗い流される。ウエハWの裏面を水洗するための純水は、裏面リンスノズル221にエッチング液または純水を切り替えて供給できるように構成して、裏面リンスノズル221からウエハWの裏面に供給するようにしてもよいし、裏面リンスノズル221とは別に設けられたノズルからウエハWの裏面に供給するようにしてもよい。この水洗処理後のウエハWは、遮断板23が上方に退避した後、図示しない搬送ロボットによって搬出される。以上のように、この第2の実施形態に係る基板処理装置では、ウエハWの裏面に付着している金属イオンまたは金属薄膜を除去するためのエッチング液が、回転しているウエハWの裏面中央に供給される。これにより、ウエハWの裏面全域にまんべんなくエッチング液を供給することができ、このエッチング液により、ウエハWの裏面から金属イオンまたは金属薄膜を良好に除去することができる。また、窒素ガス、純水およびエッチング液の供給吐出開始および停止が上述のような順序で行われることにより、ウエハWの裏面にエッチング液が供給されている間、ウエハWの表面の純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnにそれぞれ純水および窒素ガスが供給されている。純水供給位置Pdに供給された純水は、ウエハWの表面を純水供給位置PdからウエハWの周縁へ向かって流れて、ウエハWの周縁から流下するので、裏面リンスノズル221からウエハWの裏面に供給されたエッチング液がウエハWの表面に回り込むおそれがない。さらに、スピンチャック21のチャックピン213がウエハWの裏面を伝って側方に飛散するエッチング液を横切ることによってエッチング液のミストが発生しても、そのエッチング液のミストは窒素ガスによってウエハWの外方へと吹き飛ばされるので、ウエハWの中央部デバイス形成領域の薄膜がエッチング液のミストによる腐食を受けるおそれがない。さらにまた、ウエハWの中央部のデバイス形成領域に純水が供給されないので、デバイス形成領域に作り込まれているデバイスが純水によるダメージを受けるおそれがない。以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の第1の実施形態では、遮断板12の下面121に円形の小さな開口122a,122b,122cが形成され、これらの開口122a,122b,122cからそれぞれエッチング液、純水および窒素ガスが吐出されるとしたが、遮断板12の下面121に、その下面121の中心CEを中心とする3つの同心円環状の開口が形成され、この3つの環状開口からそれぞれエッチング液、純水および窒素ガスが吐出されてもよい。また、これと同様な変形を上述の第2の実施形態に施してもよい。また、上述の第1の実施形態では、開口122a,122b,122cはそれぞれ複数個形成されているが、開口122a,122b,122cはそれぞれ、少なくとも1つ形成されていればよい。たとえば、開口122a,122b,122cがそれぞれ1つずつだけ形成される場合には、下面121の中心CEを通る下面121上の直線に沿うように、開口122a,122b,122cが形成されるのが好ましい図2の二点鎖線で囲う開口群A。これによると、窒素ガス供給位置Pn、エッチング液供給位置Pe、および純水供給位置PdはウエハWの回転中心を通る直線に沿って設けられる。あるいは、エッチング液が吐出される開口122aが1つだけ形成され、純水および窒素ガスが吐出される開口122bおよび122cが複数個形成されるようにしてもよい。この場合、複数の開口122bおよび122cは、中心CEから見て1つの開口122aを覆うように設けられるのが好ましい。これによれば、ウエハの回転中心から見て、エッチング液供給位置Peは、純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnで覆われることとなる図2の二点鎖線で囲う開口群B。さらにまた、遮断板12の中心付近に開口が形成され、この開口から窒素ガスが供給されるようにしてもよい。さらには、遮断板12,23の開口122cからウエハWの表面に窒素ガスが供給されるとしたが、窒素ガス以外の不活性ガスたとえば、ヘリウムガスまたはアルゴンガスがウエハWの表面に供給されてもよい。さらには、基板の一例として半導体ウエハを取り上げたが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板に対して処理を施すための装置にも適用することができる。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。"