"SOI基板のエッチング方法であって、Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板の前記Si基板の自由面を、フッ硝酸HFaHNO3bH2Ocここで、a、b及びcは、濃度を表す数値であり、その単位はwtである。abc=100である。に、前記SiO2層の少なくとも一部が露出するまで晒すステップを含み、前記フッ硝酸の組成は、ab≧50を満たすことを特徴とするエッチング方法。前記SiO2層は、化学量論組成比のSiO2層であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。前記フッ硝酸の組成は、19≦a≦42を満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング方法。前記フッ硝酸の組成は、23≦a≦40をさらに満たすことを特徴とする請求項3に記載のエッチング方法。前記フッ硝酸の組成は、27≦a≦37をさらに満たすことを特徴とする請求項4に記載のエッチング方法。Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板と、前記表面Si層に設けられた複数の光電変換素子を有する光電変換部とを備える裏面照射型光電変換モジュールであって、前記Si基板は、前記SiO2層を露出する開口部を有し、前記開口部は、前記光電変換部に光が入射する入射面であることを特徴とする裏面照射型光電変換モジュール。前記SiO2層は、化学量論組成比のSiO2層であることを特徴とする請求項6に記載の裏面照射型光電変換モジュール。Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板の前記表面Si層に複数の光電変換素子を有する光電変換部が設けられたプレ光電変換モジュールを作製するステップと、前記プレ光電変換モジュールの前記Si基板の自由面を、請求項1から5のいずれかに記載のエッチング方法によりエッチングするステップとを含み、前記SiO2層を露出する開口部は、前記光電変換部に光が入射する入射面であることを特徴とする裏面照射型光電変換モジュールの作製方法。しかしながら、本発明者らが、上述のSOI基板上の光電変換モジュールの作製にあたり、非特許文献1に記載されたフッ硝酸を使用してSi基板の裏面をエッチングし、Si基板の裏面薄化を行うと、エッチングされた表面にはランダムな凹凸マイクロラフネスが無数に形成されていた。当該表面は、裏面照射において光電変換部に光を導入するための光入射面であり、このような凹凸は、入射光の散乱や乱反射を引き起こし、外部光を光電変換部に効率的に取り入れることが難しいことが分かった。凹凸の大きさは、フッ酸と硝酸の濃度を調整してエッチングレートを上げると大きくなり、かつ、凹凸の大きさ分布が広がる傾向があることも分かった。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その第1の目的は、SOI基板のエッチング方法であって、Si基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供することにある。また、本発明の第2の目的は、SOI基板上の裏面照射型光電変換モジュールであって、Si基板による入射光の吸収を抑制し、かつ、裏面照射の光入射面の平坦性を向上した裏面照射型光電変換モジュールを提供することにある。また、本発明の第3の目的は、そのような裏面照射型光電変換モジュールの作製方法を提供することにある。このような目的を達成するために、本発明の第1の態様は、SOI基板のエッチング方法であって、Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板の前記Si基板の自由面を、フッ硝酸HFaHNO3bH2Ocここで、a、b及びcは、濃度を表す数値であり、その単位はwtである。abc=100である。に、前記SiO2層の少なくとも一部が露出するまで晒すステップを含み、前記フッ硝酸の組成は、ab≧50を満たすことを特徴とするエッチング方法である。また、本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記SiO2層が化学量論組成比のSiO2層であることを特徴とする。また、本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様において、前記フッ硝酸の組成が19≦a≦42を満たすことを特徴とする。また、本発明の第4の態様は、第3の態様において、前記フッ硝酸の組成が23≦a≦40をさらに満たすことを特徴とする。また、本発明の第5の態様は、第4の態様において、前記フッ硝酸の組成が27≦a≦37をさらに満たすことを特徴とする。また、本発明の第6の態様は、Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板と、前記表面Si層に設けられた複数の光電変換素子を有する光電変換部とを備える裏面照射型光電変換モジュールであって、前記Si基板は、前記SiO2層を露出する開口部を有し、前記開口部は、前記光電変換部に光が入射する入射面であることを特徴とする。また、本発明の第7の態様は、第6の態様において、前記SiO2層が化学量論組成比のSiO2層であることを特徴とする。また、本発明の第8の態様は、Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板の前記表面Si層に複数の光電変換素子を有する光電変換部が設けられたプレ光電変換モジュールを作製するステップと、前記プレ光電変換モジュールの前記Si基板の自由面を、第1から第5のいずれかの態様のエッチング方法によりエッチングするステップとを含み、前記SiO2層を露出する開口部は、前記光電変換部に光が入射する入射面であることを特徴とする裏面照射型光電変換モジュールの作製方法である。本発明のエッチング方法によれば、Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板のSi基板の自由面を、フッ硝酸HFaHNO3bH2Ocここで、a、b及びcは、濃度を表す数値であり、その単位はwtである。abc=100である。に、SiO2層の少なくとも一部が露出するまで晒すステップを含み、フッ硝酸の組成がab≧50を満たすことにより、Si基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることができる。また、本発明の裏面照射型光電変換モジュールによれば、Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板と、表面Si層に設けられた複数の光電変換素子を有する光電変換部とを備え、Si基板がSiO2層を露出する開口部を有し、当該開口部は光電変換部に光が入射する入射面であることにより、Si基板による入射光の吸収を抑制し、かつ、裏面照射の光入射面の平坦性を向上した裏面照射型光電変換モジュールを提供することができる。また、本発明の裏面照射型光電変換モジュールの作製方法によれば、Si基板と表面Si層との間にSiO2層が挿入されたSOI基板の表面Si層に複数の光電変換素子を有する光電変換部が設けられたプレ光電変換モジュールを作製するステップと、プレ光電変換モジュールのSi基板の自由面を、本発明に係るエッチング方法によりエッチングするステップとを含むことにより、生産効率を飛躍的に向上させることができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。本発明に係るエッチング方法本発明に係るエッチング方法は、高濃度フッ硝酸により、SOI基板が有するSi基板をウェットエッチングする。フッ硝酸は、一般にHFaHNO3bH2Ocここで、a、b及びcは濃度を表す数値であり、その単位はwtである。abc=100である。と書くことができる。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるSiO2層のエッチングレートがSi基板のエッチングレートと比較して著しく低くなることに見出し、Si基板を、SiO2層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Si基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにSiO2層をエッチングするものであっても、Si基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にSiO2層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するSiO2層が露出する。ここで、高濃度フッ硝酸の高濃度とは、後述するようにフッ酸濃度と硝酸濃度の合計abが50wt以上であることを言う。なお、以下の説明では特に言及しないが、本発明に係るエッチング方法で用いる高濃度フッ硝酸HFaHNO3bH2Ocには、エッチングレートに実用上の悪影響がない範囲で、目的に応じて必要な添加物を添加してもよい。そのような添加物としては、酢酸が挙げられる。酢酸は、エッチング液の濡れ性を増し、シリコン面の平滑性を向上させる目的で添加される。本発明において、酢酸を添加する際の添加量は、水の割合の一部としてカウントする。本発明における酢酸の添加量は、好ましくは、10数wt位までが望ましい。より好ましくは、10wt以下が望ましい。図1に、フッ硝酸の組成を変えてSi基板をエッチングした実験結果当該実験を以下実験1とも呼ぶ。を示し、表1に実験結果のデータを示す。市販のフッ酸ステラケミファ社製の50wtフッ化水素酸と硝酸三菱化学製のELグレードの70wt硝酸を準備し、必要に応じて、超純水18.25MΩ以上の電子産業用を加えて、フッ酸および硝酸の各濃度が表1に示す値であるフッ硝酸の試料液No.1~21を調合した。Siウェーハチップ10mm×30mm、厚さ725μmのP型Siウェーハチップの試料No.1~21を用意し、これらの試料No.1~21に試料液No.1~21をそれぞれ使用して、各酸濃度のフッ硝酸のエッチングレートを求めた。チップ試料は、試料液中で1.5秒/1往復の速度で、3cmから5cmの範囲でチップ試料の平坦面方向に揺動させた。エッチングレートは、1分間当たりの片面でのエッチング量とした。エッチング前後の厚みの計測には、ウェーハレーザ厚み測定機ポシブル製PLT-1315を使用した。図1から読み取れるように、フッ酸濃度と硝酸濃度の合計abが50wt以上の高濃度フッ硝酸を用いると、400μm/min以上の高速なウェットエッチングが可能である。より具体的には、ab≧50、19≦a≦42で近似的に表される範囲の組成を選択することで、400μm/min以上のエッチングレートが得られることが実験的に分かった。さらに、20≦a≦40では600μm/min以上、27≦a≦37では800μm/min以上のエッチングレートが得られることが分かった。図2に、高濃度フッ硝酸によりSiO2層をエッチングした実験結果を示す当該実験を以下実験2とも呼ぶ。。SiO2層としては、溶融石英基板を使用した。試料の形状はシリコンチップの試料と実質的に同じにした。エッチング液薬液は、HF30wtHNO328wtH2O42wtの組成を使用した。これは、表1の試料液No.2と同じであり、シリコンのエッチング速度が800μm/minの能力のエッチング液である。サンプルチップを薬液に晒し、エッチングを行った。その時間は5、10及び15分間とした。サンプルチップはエッチング液中で1.5秒/1往復の速度で、3cmから5cmの範囲でチップ試料の平坦面方向に揺動させた。エッチングレートは1分間当たりの片面でのエッチング量とした。エッチング前後の厚みの計測は、マイクロメーターを使用した。図2から分かるように、当該組成の高濃度フッ硝酸によるSiO2層のエッチングレートは、0.97μm/minであり、Si基板のエッチングレートの1/800以下であるので、ほとんどエッチングされていないと言える。このように、組成を適切に選択することで高濃度フッ硝酸によるSi基板の選択的エッチングが可能となる。ここで、フッ硝酸とSi及びSiO2との反応について説明する。フッ硝酸は、フッ酸HFと硝酸HNO3の混合液である。硝酸がシリコンSiを酸化し、フッ酸が酸化シリコンSiO2と反応して溶解する。より具体的には、フッ化水素分子のごく一部が、当該混合液の中で、HF→HFと解離し、生成されたFイオンは、中性のHF分子と結合してHF2イオン二フッ化水素イオンが生成される。化学量論組成比のSiO2はHF2イオンによりエッチングされ、中性のHF分子ではエッチングされないが、HNO3とSiの反応に形成される酸化シリコンSiO2xは酸素欠損型であり、中性のHF分子によってもエッチングされる。高濃度フッ硝酸によるSiの高速エッチングはこのように理解することができる。反応式は、次式で表される。3Si4HNO318HF→3H2SiF64NO8H2O1原子のシリコンをエッチングするのに、1.33分子のHNO3と6分子のHFが使われ、反応生成物として、1分子のH2SiF6、1.33分子のNO、2.66分子のH2Oが発生する。SOI基板が有するSi基板をエッチングしていくとSiO2層に達するが、当該SiO2層は化学量論組成比であり、HF2イオンのみによりエッチングされる。フッ酸は部分解離のため、HF2イオンの濃度は、中性のHF分子の濃度と比べて1/1000程度であり、HF2イオンは、フッ酸の解離平衡状態ではほんの僅かしか存在しない。したがって、HF2イオンによる化学量論組成比のSiO2層のエッチングの進行は、フッ硝酸によるSi基板のエッチングの進行と比べると無視しても差し支えない程僅かである。換言すると、SOI基板が有するSi基板に対するSiO2層のエッチングレート比は極めて小さい。本発明に係る裏面照射型光電変換モジュール本発明に係る裏面照射型光電変換モジュールについて説明する。SiO2層上に設けた、厚さ5μmのSi半導体層表面Si層に、画素受光面サイズ1.8μm角のCMOS型光電変換素子を2次元的に配した、有効画素数450万画素の光電変換部を形成した第1のSOI基板を用意した。この第1のSOI基板の裏面側Si層Si基板を本発明に係る高速エッチング液で一分間、エッチングしたところ、エッチングはSiO2層で完全に止まっており、SiO2層表面が露出されていた。露出したSiO2層表面の平滑性は極めて良いものであった。SOI基板のエッチングの際には、光電変換素子が形成された表面側をエッチング装置の基板に接着し、表面に超高速エッチングを行うエッチング液をノズルから供給してエッチングした。次いで、このエッチング処理した第1の基板と、予め用意してあった、Si半導体基板の表面領域に光電変換部の各光電変換素子を駆動するための駆動回路を設けた第2の基板とを、マイクロバンプ技術で貼り合わせた。貼り合わせに際しては、エッチングされた第1の基板のSi半導体層表面Si層の自由表面と、駆動回路が設けられた表面領域の自由表面とが対面するようにして、貼り合わせた。このようにしてプレ光電変換モジュールを形成した。次いで、このプレ光電変換モジュールのSiO2層表面に、一般的な方法で各画素に合わせてマイクロレンズを設けた。このマイクロレンズを設けたプレ光電変換モジュールを所定のセラミックパッケージに収納し光電変換モジュールとした。この光電変換モジュールを市販品を実験用に改造したビデオカメラに搭載し、5分間動画撮影した。HDTVモニターで撮影動画を見ると、従前の表面照射型の同系の光電変換モジュール搭載のビデオカメラで撮影した画像と比べて極めて鮮明で明るい画像であった。鮮明さにおいても従前のタイプと遜色なく光感度の点で優れていることが明らかとなった。現状では、Siウェーハを薄くする際には、研磨砥粒を用いた機械的研磨でウェーハを研削するため反対側の光電変換素子が作り込まれた領域に大量のダメージが生じ、暗電流が大きくなってしまう。本発明では、すべてウェットエッチングで行うので、ダメージはまったく起こらずかつ短時間でウェーハの薄化ができる。本実施例で使用した超高速エッチング液の組成は、以下の通りである。HFHNO3H2Oこのエッチング液は、Siに対して800μm/minのエッチング速度を有するが、Siに対して800μm/minのエッチング速度を有するエッチング液は、図1から分かるように広範囲に存在する。本実施例では、第2の基板にバルク型Si基板を用いたが、SOI基板も用いることができる。また、本実施例では、プレ光電変換モジュールにおいて、駆動回路をSOI基板とは別個の第2の基板に設けているが、SOI基板の表面Si層に光学変換部および駆動回路を集積してもよい。本発明に係るエッチング方法を実施するための装置図3に、エッチング処理チャンバー100の模式的な全体図図6aのB-B線に沿った断面図を示す。シリコン基板10を保持するステージ11、ステージ11を回転させる回転機構12、シリコン基板10の処理を行う裏面の反対側の表面側10aに薬液の回り込み防止としてガスを供給するライン13がある。シリコン基板10の処理面である裏面に薬液を供給する四本のアームがあり、複数の薬液供給ノズルが設けられている。アームはノズルからシリコン基板10処理面への薬液供給が適切な位置に行えるための上下機構旋回機構14を持っている。また供給ライン25には薬液と超純水の供給と停止を行うバルブが設けられており、このバルブには供給される薬液と超純水の供給時のWaterHummerを防止する、WaterHummer防止機能が設けられている。バルブの開閉を速く正確に行うためには電気二重層キャパシタ内蔵の電動弁が必要である。WaterHummerは非圧縮性流体を用いた場合に、特にバルブを閉にするときバルブの内部の体積が小さくなることにより生じるが、上述のWaterHummer防止機能としては具体的には,開閉時にバルブ内の体積が変化しないバルブを用いている。シリコン基板10処理面に供給され、シリコン基板のエッチングに使用された薬液を排出するためのカップ15と廃液ライン16と回収部17およびエッチング処理により発生するガスを排出するための排気ライン18が連通されている。廃液と排気は気液分離機能19により分離され、排出される。エッチング処理チャンバー100内の圧力を計測する圧力計測機能20、圧力を制御するコントローラ21、チャンバー100内からの反応生成ガス等の排気のためのガスクリーンな空気を供給するとともにそのガスの供給量を調整する流量調整機能22が設けられ、排気ラインにはエッチング処理により発生するガスを除外する除外部23とエッチング処理チャンバー100から速やかにガスを排出するための排気調整機能24ex.ポンプが設けられている。図4に、エッチング処理チャンバー100の圧力コントロールの例が示される。本発明に於いては、エッチングにより大量のNOガスが発生する。これをチャンバー外に速やかに排出することが必要となる。そのため、チャンバーの排気ラインにポンプを設ける。エッチング開始前にポンプを稼動し、チャンバー内への空気供給量を待機時の量からエッチング時の量に変更した後に、エッチングを開始する。エッチング終了後、ポンプの作動を停止し、チャンバーへの空気供給量も待機時の量に戻す。図5aは超高速エッチング処理、図5bは超純水洗浄液供給と廃液処理に関して、図6aのB―B線に沿った断面において説明するための模式的な断面図である。エッチング処理チャンバー100に設けられた廃液および排気を導くためのカップ15は2段構造となっており内側のカップ15aは超高速エッチング処理で使用し、外側カップ15bは超純水洗浄処理で使用する。カップ15aと15bの切り替えは、カップ上下動作にて必要なカップのみ開放し、待機中は両カップとも閉じている。超高速エッチング処理に使用された薬液はカップ15aより回収装置17へ供給され、エッチング薬液の再利用を行うことも可能となる。また、超純水洗浄処理に使用された液は廃液ライン16に流す。このカップ15a,15bの薬液が接触するテーパ形状になされた表面41は凹凸処理がなされ、薬液が液滴やミストとして跳ね返りシリコン基板10面上やエッチング処理チャンバー100に飛散することを防止している。図6aはエッチング処理チャンバー100の薬液供給アームとノズルの例を説明するための模式図であり、bはaのA-A線に沿った断面図である。ウェーハへ薬液を吐出する薬液供給ノズルは複数本設ける。ノズルはアームに設置される。ノズルは複数本設けることにより、ウェーハ面上の複数の箇所に、供給する薬液の量や供給する薬液の組成を、夫々の箇所毎に適切に、異なった供給を行うことが出来る。アームとして、略々90度ずつ角度が異なる4本が設けられている。アームは回転軸中心を持つ旋回機能と、上下動作機能を備えており、供給する薬液が設置されたアームを薬液供給位置へ移動させ処理を行う。処理が終了したらシリコン基板10の上から速やかに待機位置へ移動する。アーム51,アーム52は待機位置55へ、アーム53,アーム54は待機位置56に待機する。各ノズルはシリコン基板10への液供給角度を調整する機能を持っている。固定ボルト70を緩め、丸棒形状のノズルシャフトを中心としてノズルの角度を調整する。これにより薬液がシリコン基板10に供給された後の薬液の流れを調整し、飛散を防止することができる。中心近傍中心から20mm程度にエッチング液を供給する1本目のノズル61はシリコン基板処理面に略々垂直に、エッチング液を供給する。その液量は約1リットル/min程度であり、エッチング液を供給するノズルの内径は4.2mm程度1/4インチ相当である。2本目のノズル62は、1本目のノズル61が設置されたアーム51の反対側略々180度の角度差のアーム53に設置される。中心からの距離は略々50mm程度であり、供給するエッチング液の流量は1リットル/min程度である。角度は30度程度、シリコン基板10の回転方向に傾いている。3本目のノズル63はノズル61とノズル62の間90度の角度のアーム52に設置され、中心から75mm程度の距離であり角度は45度程である。供給するエッチング液流量は1.2リットル/min程度である。さらに4本目のノズル64は、3本目のノズル63の反対側のアーム54に設置される。その中心からの位置は95mm程度であり、供給される液量は2リットル/min程度である。角度は45度程度である。5本目のノズル65は2本目のノズルが設置されているアーム53に設置され、中心から115mm程度の距離であり、角度は60度程度、供給するエッチング液流量は3リットル/min程度である。6本目のノズル66は1本目のノズル61が設置されたアーム51に取付けられ、中心からの距離は約135mm程度、角度は60度であり、供給するエッチング液流量は4リットル/min程度である。エッチング停止後に超純水を供給するノズル67は、1本目のノズル61が設置されたアーム51の略々中心に据えられる。供給する超純水の流量は3リットル/min~10リットル/minである。エッチング液を供給するノズルは、設置される位置によって外周部のノズル程、供給するエッチング液量は多くなる。液の吹き出し流速が略々等しくなるように、外周部のノズル吹出部程、ノズル内径が太くなされている。図7に、ノズル位置中心からの距離と回転方向の関係を示す。シリコン基板中心からの距離が互いに近い、2つの異なるノズルより液を供給する場合、それぞれ小さい角度差の位置で供給すると液の流れが干渉し合う場合がある。この問題を防ぐため、例えば図中の1,2および5,6で示すように、シリコン基板中心からの距離が互いに近いノズル同士は液の流れが最も干渉しない、180度の角度差の位置関係で供給する。また、1,2および5,6の中間付近に位置する3,4は1,2に対して90度の角度差を設け、かつ、3,4同士は180度の角度差の位置関係にて供給する。図8に、厚さ725μm、直径200mmのシリコン基板のエッチング結果が示されている当該実験を以下実験3とも呼ぶ。。200mm径、厚さ725μmのP型シリコンウェーハを用意し、平滑性の測定について次のような実験をした。ウェーハ全面を短時間で均一にエッチングするために、図3乃至図7に示す枚葉洗浄装置リアライズAT社製の枚葉装置を改良した装置によるスピンエッチングを用いた。この装置は、薬液供給用ノズルを4本、エッチングを停止させるための超純水用ノズルを1本有する。超純水供給用ノズルはウェーハの中心に配置し、4本の薬液供給用ノズルは中心から周辺に配置できるようにした。また薬液同士の干渉を防止するため、90度毎にずらして配置できるようにした。さらに液跳ねを防止する目的で、ウェーハの回転方向にノズルを傾斜可能にした。実験に際しては、混酸薬液として、HNO328wt/HF30wt/H2O42wtを使用した。各ノズルの位置は、以下の通りとした。1本目のノズルの位置:中心から20.5mm2本目のノズルの位置:中心から52.5mm1本目のノズルとウェーハ中心を介して正反対の位置に設置3本目のノズルの位置:中心から72mm1本目と2本目のノズルの間、すなわちそれから90度ずれた位置に設置4本目のノズルの位置:中心から85mm3本目のノズルとウェーハ中心を介して正反対の位置に設置各薬液用ノズルから吐出される薬液量は、1本目のノズル:1リットル/min、2本目のノズル:1リットル/min、3本目のノズル:1.2リットル/min、4本目のノズル:2リットル/min回転数は850rpmとして40秒間エッチングした後、各ノズルからの薬液供給をやめると同時に、中心部のノズルから3リットル/minの超純水を供給して、エッチングを停止した。エッチング量は、図1を参照して説明した実験1で使用したウェーハレーザ厚み測定機ポシブル製PLT-1315を使用した。図8に結果を示す。図示されているように、直径180mmの幅においてほぼ均一にエッチングされていることが分かる。また、ウェーハのエッチング表面の全域から万遍なくランダムに300点を選択し、それらの点のエッチング量を測定したところ、測定値は、±5μm内に収まっていた。ウェーハエッチング表面の平滑性が優れていることが確認された。平滑性に関して、さらに次の実験をした当該実験を以下実験4とも呼ぶ。。以下に示す条件手順以外は、図8を参照して説明した上記実験3と同様に行った。各ノズルの位置は、以下の通りとした。1本目のノズルの位置:中心から20mm2本目のノズルの位置:中心から50mm1本目のノズルとウェーハ中心を介して正反対の位置に設置3本目のノズルの位置:中心から52mm1本目と2本目のノズルの間のアームに設置4本目のノズルの位置:中心から85mm3本目のノズルとウェーハ中心を介して正反対の位置に設置各薬液供給用ノズルから吐出される薬液量は、1本目のノズル:1リットル/min、2本目のノズル:1リットル/min、3本目のノズル:1.4リットル/min、4本目のノズル:1.0リットル/min回転数は850rpmとして15秒間エッチングした後、各ノズルからの薬液供給をやめると同時に、中心部のノズルから3リットル/minの超純水を供給してエッチングを停止しスピン乾燥した。次いで、最初と同様の条件でエッチング、スピン乾燥を行った。その後、8秒間のエッチング時間以外は先の工程と同様の工程を実施した。実験3と同様に、エッチング量は、実験1で使用したウェーハレーザ厚み測定機ポシブル製PLT-1315を使用した。結果は、実験3の場合より良好な結果を得た。"