基板と、前記基板上に順次形成されたn型半導体層、活性層及びp型半導体層と、前記p型半導体層の一側エッジ上に形成されたp型電極パッドと、前記p型電極パッドに連結されたp型補助電極と、を含むp型電極と、前記p型電極パッドの反対側で前記n型半導体層の他側エッジ上に形成されたn型電極パッドと、前記n型電極パッドに連結されたn型補助電極と、を含むn型電極と、を含み、前記n型補助電極は、前記p型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記p型補助電極は、前記n型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、前記p型電極が前記n型電極を取り囲むことを特徴とする半導体発光素子。前記p型補助電極と前記p型電極パッドとを連結するために、前記一側エッジに向かって突出している曲線型p型連結電極と、前記n型補助電極と前記n型電極パッドとを連結するために、前記他側エッジと並んでいるn型連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記p型連結電極の突出している部分は、曲線、または曲線と直線との組み合わせであることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。前記n型補助電極と前記p型補助電極とは斜線状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。横x軸、縦y軸を持つ方形平面状の半導体発光素子であって、基板と、前記基板上に順次形成されたn型半導体層、活性層及びp型半導体層と、前記p型半導体層の縦方向の一側エッジ上に形成されたp型電極パッドと、前記p型電極パッドに連結されたp型補助電極と、を含むp型電極と、前記p型電極パッドの反対側で前記n型半導体層の縦方向の他側エッジ上に形成されたn型電極パッドと、前記n型電極パッドに連結されたn型補助電極と、を含むn型電極と、を含み、前記n型補助電極は、前記p型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記p型補助電極は、前記n型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、横方向エッジと平行せずに斜線に傾いていることを特徴とする半導体発光素子。前記n型補助電極とp型補助電極とが傾いている角度は、横方向に対して0°より大きくて、45°より小さいかまたは同一であることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。前記p型補助電極は、横方向の一側エッジに形成された第1p型補助電極と、横方向の他側エッジに形成された第2p型補助電極と、前記第1及び第2p型補助電極の間に形成された第3p型補助電極とを含み、前記n型補助電極は、前記第1p型補助電極と第3p型補助電極との間に形成された第1n型補助電極と、前記第3p型補助電極と第2p型補助電極との間に形成された第2n型補助電極とを含むことで、前記p型電極が前記n型電極を取り囲みつつ互いにかみ合う構造で形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。前記第1p型補助電極と第3p型補助電極とを連結するための第1p型連結電極、前記第3p型補助電極と第2p型補助電極とを連結するための第2p型連結電極、前記第1n型補助電極と第1n型補助電極とを連結するためのn型連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体発光素子。前記第1及び第2p型連結電極は、前記一側エッジに向かって突出している曲線型であり、前記n型連結電極は、前記他側エッジと並んでいることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子。前記第1及び第2p型連結電極の突出している部分は、曲線、または曲線と直線との組み合わせであることを特徴とする請求項9に記載の半導体発光素子。前記n型電極パッドは、前記第1n型補助電極とn型連結電極との連結部位の内側で、前記第1n型補助電極とn型連結電極とに内接して位置し、前記p型電極パッドは、第2p型補助電極と第2p型連結電極との連結部位の外側で、第2p型補助電極と第2p型連結電極とに外接して位置することを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子。前記第1p型補助電極は、前記n型電極パッドに向かう端部が前記他側エッジとほぼ平行に終わる曲線形状を持ち、前記第3p型補助電極は、前記n型電極パッドに近づくほど、前記n型電極パッドとの距離が前記第2n型補助電極との距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度がさらに大きくなることを特徴とする請求項11に記載の半導体発光素子。前記n型電極パッドは、前記第2n型補助電極とn型連結電極との連結部位の外側で、前記第2n型補助電極に外接して位置し、前記p型電極パッドは、前記第3p型補助電極と第2p型連結電極との連結部位の内側で、前記第3p型補助電極と第2p型連結電極とに内接して位置することを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子。前記第1p型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が、前記第1n型補助電極と前記半導体発光素子の角との間の空間を取り囲んで横方向エッジ側で終わる形状を持つように、部分的に直線と曲線との連結形態を持ち、前記第2n型補助電極は、前記p型電極パッドに近づくほど前記p型電極パッドとの距離が前記第2p型補助電極との距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度が変化することを特徴とする請求項13に記載の半導体発光素子。前記n型電極パッドは、前記第1n型補助電極とn型連結電極との連結部位の外側で、前記第1n型補助電極に外接して位置し、前記p型電極パッドは、第2p型連結電極に外接して位置することを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子。前記第1p型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が前記n型電極パッドとの間隔が一定になるように曲線形状を持ち、前記第2p型補助電極は、その端部が横方向のエッジに近づけば横方向エッジと平行に一部延び出す部分を持つことを特徴とする請求項15に記載の半導体発光素子。横x軸、縦y軸を持つ方形平面状の半導体発光素子であって、基板と、前記基板上に順次形成されたn型半導体層、活性層及びp型半導体層と、前記p型半導体層の縦方向の一側エッジ上に形成された複数のp型電極パッドと、前記p型電極パッドに連結されたp型補助電極と、を含むp型電極と、前記p型電極パッドの反対側で、前記n型半導体層の縦方向の他側エッジ上に形成された複数のn型電極パッドと、前記n型電極パッドに連結されたn型補助電極と、を含むn型電極と、を含み、前記n型補助電極は、前記p型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記p型補助電極は、前記n型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、前記p型電極が前記n型電極を取り囲み、前記p型電極パッド同士では連結されているが、前記n型電極パッド同士では連結されていないことを特徴とする半導体発光素子。前記p型補助電極は、横方向の一側エッジに形成された第1p型補助電極と横方向の他側エッジに形成された第2p型補助電極と、前記第1及び第2p型補助電極の間に形成された第3p型補助電極と、を含み、前記n型補助電極は、第1n型電極パッドから延び出し、前記第1p型補助電極と第3p型補助電極との間に形成された第1n型補助電極と、第2n型電極パッドとから延び出し、前記第3p型補助電極と第2p型補助電極との間に形成された第2n型補助電極とを含むことで、前記p型電極と前記n型電極とが互いにかみ合う構造で形成されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体発光素子。前記第1p型補助電極と第3p型補助電極とを連結するための第1p型連結電極、前記第3p型補助電極と第2p型補助電極とを連結するための第2p型連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体発光素子。前記第1及び第2p型連結電極は、前記一側エッジに向かって突出している曲線型であることを特徴とする請求項19に記載の半導体発光素子。前記p型電極パッドは、前記第1p型連結電極に外接して前記半導体発光素子の角側に位置している第1p型電極パッドと、前記第2p型連結電極に外接して前記半導体発光素子の角側に位置している第2p型電極パッドと、を含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体発光素子。前記第1p型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が前記第1n型電極パッドとの間隔が一定になるように曲線形状を持ち、前記第2p型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が前記第2n型電極パッドとの間隔が一定になるように曲線形状を持つことを特徴とする請求項18に記載の半導体発光素子。本発明は従来の問題点を解決するためになされたものであって、本発明が解決しようとする課題は、電流密度分布を均一に形成して光出力特性及び光変換効率などを向上させ、かつ高輝度化を達成できる電極構造を持つ半導体発光素子を提供することである。前記課題を解決するための本発明による半導体発光素子は、基板と、前記基板上に順次形成されたn型半導体層、活性層及びp型半導体層と、前記p型半導体層の一側エッジ上に形成されたp型電極パッドと、前記p型電極パッドに連結されたp型補助電極と、を含むp型電極と、前記p型電極パッドの反対側で前記n型半導体層の他側エッジ上に形成されたn型電極パッドと、前記n型電極パッドに連結されたn型補助電極と、を含むn型電極と、を含み、前記n型補助電極は、前記p型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記p型補助電極は、前記n型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、前記p型電極が前記n型電極を取り囲む。本発明において、前記基板と前記n型半導体層との間及び前記p型半導体層と前記p型電極との間のうち少なくともいずれか一つに導電層をさらに含むことができる。前記基板と前記n型半導体層との間の導電層はバッファ層、前記p型半導体層と前記p型電極との間の導電層は透明電極でありうる。また、本発明の半導体発光素子において、前記活性層は、前記n型半導体層上に形成されるが、前記n型半導体層の四方エッジから所定間隔入り込んで形成されたことが望ましい。これは、前記n型電極パッドからp型電極に伝えられる電流のフローをn型半導体層を通じて円滑にするためである。本発明によれば、発光素子の全面にわたって電流が均一に効率的に分布する電極を持つ。これにより、発光素子内の電流密度分布をさらに均一にする。n型電極を発光素子の内部に位置させ、その周辺をp型電極で取り囲むことでn型電極の周辺に流れる電流を均一に保持して、光変換効率を高めて駆動電圧を低める。また電極パッドが複数である場合、電極パッド同士で全部連結する必要はないため、不要な電極を最小化し、実際的な発光面をさらに広く増大させて光変換効率を高めることができる。以下、添付した図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。後述する実施例は色々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例に限定されるものではない。本発明の実施例は当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状はさらに明確な説明を強調するために誇張されたものであり、図面上で同じ符号で表示された要素は同じ要素を意味する。また、いずれかの層が他の層または基板の上にあると記載される場合に、前記いずれかの層は、前記他の層または基板に直接接触して存在でき、または、その間に第3の層が介在されうる。図3は、本発明による半導体発光素子の断面図である。図3を参照すれば、本発明による半導体発光素子は、基板100上にn型半導体層120、活性層130及びp型半導体層140を少なくとも含むエピ層142を含んで発光構造物をなしている。p型半導体層140上にはp型電極160が形成されており、n型半導体層120上にはn型電極170が形成されている。図示のように、基板100とn型半導体層120との間、及びp型半導体層140とp型電極160との間のうち少なくともいずれか一つに導電層をさらに含むことができる。基板100とn型半導体層120との間の導電層はバッファ層110、p型半導体層140とp型電極160との間の導電層は透明電極150である。エピ層142の一部、例えば、活性層130とp型半導体層140、そして透明電極150の一部はメサエッチングで除去されて、底面に形成されたn型半導体層120の一部上面を露出させている。n型電極170は、メサエッチングされて露出されたn型半導体層120上に形成される。この時、活性層130のエッジは、n型半導体層120の四方エッジから所定間隔入り込んで形成することもあるが、これは、窒化物系半導体発光素子の駆動時、電流のフローを活性層130の全面、すなわち、発光面積全体に均一に拡散させるためである。そして透明電極150も、p型半導体層140の四方エッジから所定間隔入り込んで形成できる。基板100は、窒化物半導体単結晶を成長させるのに適した基板であって、望ましくは、サファイアを含む透明な材料を利用して形成され、サファイア以外に酸化亜鉛zincoxide、ZnO、窒化ガリウムgalliumnitride、GaN、SiC及び窒化アルミニウムAlNで形成できる。バッファ層110は、基板100上にn型半導体層120を成長させる前に基板100との格子整合を向上させるための層であって、AlN/GaNで形成できる。バッファ層110は、本発明による発光素子の必須的な構成要素ではなく、発光素子の特性及び工程条件によって省略できる。エピ層142のn型半導体層120と活性層130及びp型半導体層140は、InXAlYGa1-X-YN組成式ここで、0≦X、0≦Y、XY≦1を持つ半導体物質からなりうる。さらに具体的に、n型半導体層120は、n型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層からなり、n型不純物としては、例えば、Si、Ge、Snなどを使用し、望ましくはSiを主に使用する。また、p型半導体層140は、p型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層からなり、p型不純物としては、例えば、Mg、Zn、Beなどを使用し、望ましくはMgを主に使用する。そして、活性層130は、光を生成して放出するための層であって、通常InGaN層をウェルとし、GaN層を壁層として多重量子ウェルを形成することでなる。活性層130は、一つの量子ウェル層またはダブルヘテロ構造で構成されることもできる。バッファ層110、n型半導体層120、活性層130及びp型半導体層140は、MOCVD、MBEまたはHVPEなどの蒸着工程を通じて形成される。透明電極150は、ITOIndiumTinOxideなどの導電性金属酸化物だけでなく、発光素子の発光波長に対して透過率が高いならば、導電性が高くてコンタクト抵抗の低い金属薄膜でも形成されうる。透明電極150も、本発明による発光素子の必須的な構成要素ではなく、発光素子の特性及び工程条件によって省略できる。<実施例1>図3及び図4を参照して本発明による半導体発光素子の電極構造について詳細に説明する。図4は、本発明の第1実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図4のIII-III’線に沿って切断すれば図3に対応し、図4には、図3の透明電極150は省略してp型電極160とn型電極170とを示した。図4から分かるように、p型電極160は、ワイヤーボンディングが行われる領域であるp型電極パッド152を備える。p型電極パッド152は、透明電極図3の150のエッジで一部領域をエッチングしてp型半導体層図3の140を露出させた位置に形成されるか、または透明電極150上にそのまま形成される。いかなる場合でも、p型電極パッド152は、透明電極150下のp型半導体層140のエッジ上に形成される。p型電極パッド152は、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦y横xサイズが8001000任意の単位比率の長方形平面状の半導体発光素子である場合、なるべくp型電極パッド152をy軸に沿う縦方向の一側エッジ第1エッジに形成し、図4に示す半導体発光素子の左側下端コーナーに近く配する。n型電極170は、p型電極パッド152が載置された縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジ第2エッジに、n型半導体層図3の120上に形成されたn型電極パッド162を備える。n型電極パッド162は、p型電極パッド152が位置するコーナーと対角線に置かれたコーナーにさらに近く配する。n型電極パッド162とp型電極パッド152とから、互いに逆になる極性の補助電極154a、154b、154c、164a、164bが延び出して互いに平行に載置される。補助電極154a、154b、154c、164a、164bは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向のエッジと平行でなく斜線に傾いており、ほぼ線形である。傾いている角度は、横方向に対して0°より大きくて、45°より小さいかまたは同じ角θをなすことができる。n型電極パッド162から延び出した第1及び第2n型補助電極164a、164bは、反対側のp型電極パッド152が置かれた縦方向の一側エッジに向かい、p型電極パッド152から延び出した第1ないし第3p型補助電極154a、154b、154cは、反対側のn型電極パッド162が置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第1p型補助電極154aは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の一側エッジ第3エッジに形成され、第3p型補助電極154cは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の他側エッジ第4エッジに形成され、第2p型補助電極154bは、第1p型補助電極154aと第3p型補助電極154cとの間に形成される。第1n型補助電極164aは、第1p型補助電極154aと第2p型補助電極154bとの間に形成され、第2n型補助電極164bは、第2p型補助電極154bと第3p型補助電極154cとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極154a、154b、154c、164a、164bの間の距離が一定に平行な構造を持ち、第1及び第2n型補助電極164a、164bは、第1ないし第3p型補助電極154a、154b、154cの間に配され、p型電極160とn型電極170とは互いにかみ合う構造で形成されている。第1及び第2n型補助電極164a、164bとn型電極パッド162とを連結するためにn型連結電極166が必要であり、第1ないし第3p型補助電極154a、154b、154cとp型電極パッド152とを連結するために第1及び第2p型連結電極156a、156bが必要である。第1及び第2p型連結電極156a、156bは、縦方向の一側エッジに向かって突出している曲線型に形成される。n型連結電極166は、縦方向の他側エッジに沿って直線型に形成される。本実施例でn型電極パッド162は、第1n型補助電極164aとn型連結電極166との連結部位の内側で、第1n型補助電極164aとn型連結電極166とに内接して位置する。p型電極パッド152は、第3p型補助電極154cと第2p型連結電極156bとの連結部位の外側で、第3p型補助電極154cと第2p型連結電極156bとに外接して位置する。第1p型補助電極154aはほぼ線形であるが、n型電極パッド162に向かう端部は、図4に示した半導体発光素子の右側上端コーナーを取り囲んでn型電極パッド162が置かれる縦方向の他側エッジとほぼ平行に終わる曲線形状を持つ。第2p型補助電極154bもほぼ線形であるが、n型電極パッド162に近づくほどn型電極パッド162との距離が第2n型補助電極164bとの距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度がさらに大きくなる。p型電極パッド152とn型電極パッド162との形態やサイズは同一にすることができ、補助電極154a、154b、154c、164a、164bと連結電極156a、156b、166との線幅も同一にすることができる。線幅が大きい場合には電流を効果的に拡散させることができるが、光をさらに多く吸収するか、または遮断する。同様に、補助電極154a、154b、154c、164a、164b間の間隔を短くするほど電流拡散が良くなるが、光吸収及び遮断が増大する。したがって、適正な線幅と間隔とを維持せねばならない。実際製造に当たっては、基板図3の100上にエピ層142を形成して透明電極150を形成した後、透明電極150上にフォトレジストを利用したリフトオフ方式で金属を蒸着した後、剥離してp型電極160を形成する。次いで、活性層130、p型半導体層140及び透明電極150をエッチングして、n型電極170の形状に溝を掘ってn型電極170を形成する。p型電極160とn型電極170との厚さを増大させれば抵抗は低減するが、コストアップ及び光吸収の問題があって、やはり適正な厚さを持つようにせねばならない。本実施例によれば、図1及び図2を参照して説明した既存の発光素子1とは異なってp型電極160がn型電極170を包んでおり、p型電極160とn型電極170との距離がほぼ均一である。このような構造を通じて電流密度がさらに均一になりうる。p型電極160は、活性層130全体を通じて均一にn型電極170に電流を流して、活性層130の内部に電子及び正孔がほぼ均一に注入されうる。したがって、電子及び正孔が活性層130の内部で再結合してほぼ均一かつ高効率的に光を生成でき、発光面積全体にわたって電流の均一な拡散を図ることができる。本発明によれば、不要な電極部位なしに実際的な発光面をさらに広げて発光効率をさらに向上させることができるという利点があり、かつ電流拡散に優れ、これにより動作電圧が低くなって発光効率が良くなる。<実施例2>図5は、本発明の第2実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図5に示したp型電極260とn型電極270とは、図4に図示したp型電極160とn型電極170とを代替して図3の半導体発光素子に適用できる。図5に示したように、p型電極260は、ワイヤーボンディングが行われる領域であるp型電極パッド252を備える。p型電極パッド252は、透明電極図3の150のエッジで一部領域をエッチングしてp型半導体層図3の140を露出させた位置に形成されるか、または透明電極150上にそのまま形成される。いかなる場合でもp型電極パッド252は、透明電極150下のp型半導体層140エッジ上に形成される。p型電極パッド252は、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦y横xサイズが8001000任意の単位比率の長方形平面状を持つ半導体発光素子である場合、なるべくp型電極パッド252をy軸に沿う縦方向の一側エッジに形成しつつほぼ中央に配する。n型電極270は、p型電極パッド252が置かれた縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジに、n型半導体層図3の120上に形成されたn型電極パッド262を備える。n型電極パッド262は、図5に示す半導体発光素子の右側下端コーナーにさらに近く配する。n型電極パッド262とp型電極パッド252とから、互いに逆になる極性の補助電極254a、254b、254c、264a、264bが延び出して互いに平行に置かれる。補助電極254a、254b、254c、264a、264bは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向エッジと平行せずに斜線に傾いており、線形である。n型電極パッド262から延び出した第1及び第2n型補助電極264a、264bは、反対側のp型電極パッド252が置かれた縦方向の一側エッジに向かい、p型電極パッド252から延び出した第1ないし第3p型補助電極254a、254b、254cは、反対側のn型電極パッド262が置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第1p型補助電極254aは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の一側エッジに形成され、第3p型補助電極254cは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の他側エッジに形成され、第2p型補助電極254bは、第1p型補助電極254aと第3p型補助電極254cとの間に形成される。第1n型補助電極264aは、第1p型補助電極254aと第2p型補助電極254bとの間に形成され、第2n型補助電極264bは、第2p型補助電極254bと第3p型補助電極254cとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極254a、254b、254c、264a、264b間の距離が一定に平行な構造を持ち、第1及び第2n型補助電極264a、264bは第1ないし第3p型補助電極254a、254b、254cの間に配され、p型電極260とn型電極270とは互いにかみ合う構造で形成されている。第1及び第2n型補助電極264a、264bとn型電極パッド262とを連結するために、n型連結電極266が必要であり、第1ないし第3p型補助電極254a、254b、254cとp型電極パッド252とを連結するために、第1及び第2p型連結電極256a、256bが必要である。第1及び第2p型連結電極256a、256bは、縦方向の一側エッジに向かって突設される。第1及び第2p型連結電極256a、256bの形態は互いに異なる。突設部分が曲線型である場合もあり、曲線と直線との組み合わせである場合もある。n型連結電極266は、縦方向の他側エッジに沿って直線型に形成される。本実施例でn型電極パッド262は、第2n型補助電極264bとn型連結電極266との連結部位の外側で、第2n型補助電極264bに外接して位置する。p型電極パッド252は、第2p型補助電極254bと第2p型連結電極256bとの連結部位の内側で、第2p型補助電極254bと第2p型連結電極256bとに内接して位置する。第1p型補助電極254aは、ほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、第1n型補助電極264aと図5に示す半導体発光素子の右側上端コーナーとの間の空間を取り囲んで横方向のエッジで終わる形状を持つように、部分的に直線と曲線との連結形態を持つ。第2n型補助電極264bは第2p型補助電極254bとほぼ平行であるが、p型電極パッド252に近づくほどp型電極パッド252との距離が第3p型補助電極254cとの距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度が変化する。第3p型補助電極254cは、第2n型補助電極264bとほぼ平行を維持できるように形成される。<実施例3>図6は、本発明の第3実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図6に示したp型電極360とn型電極370とは、図4に図示したp型電極160とn型電極170とを代替して図3の半導体発光素子に適用できる。図6に示したように、p型電極360は、ワイヤーボンディングが行われる領域であるp型電極パッド352を備える。p型電極パッド352は、透明電極図3の150のエッジで一部領域をエッチングしてp型半導体層図3の140を露出させた位置に形成されるか、または透明電極150上にそのまま形成される。いかなる場合でも、p型電極パッド352は、透明電極150下のp型半導体層140エッジ上に形成される。p型電極パッド352は、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦y横xサイズが8001000任意の単位比率の長方形平面状を持つ半導体発光素子である場合、なるべくp型電極パッド352をy軸に沿う縦方向の一側エッジに形成し、ほぼ中央に配する。n型電極370は、p型電極パッド352が置かれた縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジに、n型半導体層図3の120上に形成されたn型電極パッド362を備える。n型電極パッド362は、図6に示す半導体発光素子の右側上端コーナーにさらに近く配する。n型電極パッド362とp型電極パッド352とから、互いに逆になる極性の補助電極354a、354b、354c、364a、364bが延び出して互いに平行に置かれる。補助電極354a、354b、354c、364a、364bは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向エッジと平行せずに斜線に傾いており、ほぼ線形である。n型電極パッド362から延び出した第1及び第2n型補助電極364a、364bは、反対側のp型電極パッド352が置かれた縦方向の一側エッジに向かい、p型電極パッド352から延び出した第1ないし第3p型補助電極354a、354b、354cは、反対側のn型電極パッド362が置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第1p型補助電極354aは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の一側エッジに形成され、第3p型補助電極354cは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の他側エッジに形成され、第2p型補助電極354cは、第1p型補助電極354aと第3p型補助電極354cとの間に形成される。第1n型補助電極364aは、第1p型補助電極354aと第2p型補助電極354cとの間に形成され、第2n型補助電極364bは、第2p型補助電極354cと第3p型補助電極354cとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極354a、354b、354c、364a、364b間の距離が一定に平行な構造を持ち、第1及び第2n型補助電極364a、364bは第1ないし第3p型補助電極354a、354b、354cの間に配され、p型電極360とn型電極370とは互いにかみ合う構造で形成されている。第1及び第2n型補助電極364a、364bとn型電極パッド362とを連結するために、n型連結電極366が必要であり、第1ないし第3p型補助電極354a、354b、354cとp型電極パッド352とを連結するために、第1及び第2p型連結電極356a、356bが必要である。第1及び第2p型連結電極356a、356bは、縦方向の一側エッジに向かって突設される。第1及び第2p型連結電極356a、356bの形態は互いに異なっている。突出している部分が曲線型である場合もあり、曲線と直線との組み合わせである場合もある。n型連結電極366は、縦方向の他側エッジに沿って直線型に形成される。本実施例でn型電極パッド362は、第1n型補助電極364aとn型連結電極366との連結部位の外側で第1n型補助電極364aに外接して位置する。p型電極パッド352は、第2p型連結電極356bに外接して位置する。第1p型補助電極354aはほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、n型電極パッド362との間隔が一定になるように曲線形状を持つ。これと類似した形態で第3p型連結電極356cが、図6に示した半導体発光素子の左側下端コーナーに形成される。第3p型補助電極354cの端部が横方向エッジに近づけば、図4の第3p型補助電極154cのように縦断されてもよいが、図6に図示したように横方向エッジと平行に一部延び出す部分を持ってもよい。<実施例4>図7は、本発明の第4実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図7に示したp型電極460とn型電極470とは、図4に図示したp型電極160とn型電極170とを代替して図3の半導体発光素子に適用できる。図7に示したように、p型電極460は、ワイヤーボンディングが行われる領域である第1及び第2p型電極パッド452a、452bを備える。第1及び第2p型電極パッド452a、452bは、透明電極図3の150のエッジで一部領域をエッチングしてp型半導体層図3の140を露出させた位置に形成されるか、または透明電極150上にそのまま形成される。いかなる場合でも第1及び第2p型電極パッド452a、452bは、透明電極150下のp型半導体層140エッジ上に形成される。第1及び第2p型電極パッド452a、452bは、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦y横xサイズが8001000任意の単位比率の長方形平面状を持つ半導体発光素子である場合、なるべく第1及び第2p型電極パッド452a、452bをy軸に沿う縦方向の一側エッジに形成し、それぞれコーナーに配する。n型電極470は、第1及び第2p型電極パッド452a、452bが置かれた縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジに、n型半導体層図3の120上に形成された第1及び第2n型電極パッド462a、462bを備える。第1及び第2n型電極パッド462a、462bは、図7に示したように両コーナーよりは中央にさらに近く配する。第1及び第2n型電極パッド462a、462bと第1及び第2p型電極パッド452a、452bとから、互いに逆になる極性の補助電極454a、454b、454c、464a、464bが延び出して互いに平行に置かれる。補助電極454a、454b、454c、464a、464bは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向エッジと平行し、ほぼ線形である。第1及び第2n型電極パッド462a、462bから延び出した第1及び第2n型補助電極464a、464bは、反対側の第1及び第2p型電極パッド452a、452bが置かれた縦方向の一側エッジに向かい、第1及び第2p型電極パッド452a、452bから延び出した第1ないし第3p型補助電極454a、454b、454cは、反対側の第1及び第2n型電極パッド462a、462bが置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第1p型補助電極454aは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の一側エッジに形成され、第3p型補助電極454cは、半導体発光素子のx軸に沿う横方向の他側エッジに形成され、第2p型補助電極454bは、第1p型補助電極454aと第3p型補助電極454cとの間に形成される。第1n型補助電極464aは、第1p型補助電極454aと第2p型補助電極454bとの間に形成され、第2n型補助電極464bは、第2p型補助電極454bと第3p型補助電極454cとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極454a、454b、454c、464a、464b間の距離が一定に平行な構造を持ち、第1及び第2n型補助電極464a、464bは第1ないし第3p型補助電極454a、454b、454cの間に配され、p型電極460とn型電極470とは互いにかみ合う構造で形成されている。本実施例では、第1及び第2n型電極パッド462a、462bを互いに連結するためのn型連結電極がない。第1ないし第3p型補助電極454a、454b、454cと第1及び第2p型電極パッド452a、452bとを連結するために、第1及び第2p型連結電極456a、456bが必要である。第1及び第2p型連結電極456a、456bは、縦方向の一側エッジに向かって突設される。第1及び第2p型連結電極456a、456bの形態は互いに異なっている。突出している部分が曲線型である場合もあり、曲線と直線との組み合わせである場合もある。本実施例で第1及び第2p型電極パッド452a、452bは、第1及び第2p型連結電極456a、456bに外接して両コーナーにそれぞれ位置する。第1p型補助電極454aはほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、第1n型電極パッド462aとの間隔が一定になるように曲線形状を持つ。これと類似した形態で第3p型補助電極454cもほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、第2n型電極パッド462bとの間隔が一定になるように曲線形状を持つ。本実施例では電極パッドが複数であるが、第1及び第2p型電極パッド452a、452b同士で連結されており、第1及び第2n型電極パッド462a、462b同士では連結されていない。電極パッド同士で全部連結することはしないことで不要な電極を最小化して、実際的な発光面をさらに広げて光変換効率を高めることができる。コンピューターシミュレーションによれば、実施例1の駆動電圧Vfは約3.25Vであり、光出力Poは約143mWであり、実施例2及び3の駆動電圧と光出力もこれら値とほぼ同一である。駆動電圧は従来技術に比べて非常に低い。したがって、光変換効率光出力/入力電流が従来技術に比べてさらに高い。実施例1と実施例2との差は、p型電極パッドとn型電極パッドとの位置選定である。すなわち、実施例1の場合、p型電極パッドがコーナーにあってn型電極パッドがほぼ中央にあるが、実施例2の場合はそれと逆に、n型電極パッドがコーナーにあってp型電極パッドがほぼ中央にある構造である。実施例1及び2で駆動電圧と光出力とがほぼ同一であることから、実施例1及び2のような電極構造の場合、p型電極パッドとn型電極パッドとの位置選定は互いに変わっても、半導体発光素子特性はほとんど変化がないと判断される。一方、実施例1ないし3で基板100の厚さをさらに薄くすれば、光出力値が約140mWになって放熱特性が改善される。実施例4の場合は、放熱特性を改善するために基板100の厚さは実施例1ないし3と同一に維持する代わりに、p型電極パッドとn型電極パッドとを2個ずつ備えたことである。この場合、駆動電圧は約3.20Vとさらに低くなり、光出力は約133mWになる。一方、実施例では半導体発光素子が長方形平面状を持つ場合を挙げて説明したが、横及び縦サイズの同じ正方形平面状の半導体発光素子にも、本発明による電極構造を利用できる。以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想内で当業者によって色々な多くの変形が可能であるということはいうまでもない。本発明の実施例は例示的かつ非限定的にあらゆる観点で考慮され、これは、詳細な説明よりは特許請求の範囲と、その特許請求の範囲の均等範囲及び手段内のあらゆる変形例とにより現れた本発明の範ちゅうを含めようとすることである。