"下記式1A又は下記式1B:[式中、R1はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を表し、Xはそれぞれ独立に炭素原子数1乃至10の連結基を表し、Zはそれぞれ独立に炭素原子数1乃至10のアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を表し、前記Xは少なくとも1つの酸素原子又は硫黄原子を主鎖に含んでいてもよく、前記Zがアルキル基を表す場合該アルキル基の少なくとも1つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。]で表されるシラン化合物及び有機溶剤を含む、単分子層又は多分子層形成用組成物。さらに水及び有機酸を含む請求項1に記載の単分子層又は多分子層形成用組成物。さらに下記式2:[式中、R2はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を表し、Yは置換基を有してもよい炭素原子数1乃至5のアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。]で表されるシラン化合物を含む請求項1又は請求項2に記載の単分子層又は多分子層形成用組成物。請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の組成物を用いて半導体基板上に単分子層又は多分子層を形成する工程、該単分子層又は多分子層上にフォトレジスト膜を形成する工程、該単分子層又は多分子層と該フォトレジスト膜とで被覆された半導体基板を露光する工程、及び該露光後に該フォトレジスト膜を現像する工程を含む、フォトレジストパターンの形成方法。前記半導体基板は表面に段差が形成されている、請求項4に記載のフォトレジストパターンの形成方法。本発明は、たとえ段差を有する基板表面上であっても、ボトム形状が裾引き形状にならない所望のフォトレジストパターンを形成することができる、当該フォトレジストパターンを形成する基板の表面処理に使用し、当該基板上に単分子層又は多分子層を形成するための新規な組成物を提供するものである。本発明に係る組成物を用いて基板上に単分子層又は多分子層を形成し、その上にフォトレジストパターンを形成することで、該フォトレジストパターンのボトム形状を調整できることを見出した。すなわち、本発明の第1態様は、下記式1A又は下記式1B:[式中、R1はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を表し、Xはそれぞれ独立に炭素原子数1乃至10の連結基を表し、Zはそれぞれ独立に炭素原子数1乃至10のアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を表し、前記Xは少なくとも1つの酸素原子又は硫黄原子を主鎖に含んでいてもよく、前記Zがアルキル基を表す場合該アルキル基の少なくとも1つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。]で表されるシラン化合物及び有機溶剤を含む、単分子層又は多分子層形成用組成物である。上記単分子層又は多分子層形成用組成物はさらに下記式2:[式中、R2はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を表し、Yは置換基を有してもよい炭素原子数1乃至5のアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。]で表されるシラン化合物を含むことができる。前記炭素原子数1乃至5のアルキル基が置換基を有する場合、該置換基として例えばアミノ基、イミダゾリル基、ピリジル基、メルカプト基、スルホ基が挙げられる。ここで、アミノ基-NH2はその窒素原子上の水素原子の少なくとも1つがアルキル基、例えばメチル基で置換されていてもよい。前記フェニル基が置換基を有する場合、該置換基として例えばメチル基が挙げられる。本発明の第2態様は、本発明の第1態様に係る組成物を用いて半導体基板上に単分子層又は多分子層を形成する工程、該単分子層又は多分子層上にフォトレジスト膜を形成する工程、該単分子層又は多分子層と該フォトレジスト膜とで被覆された半導体基板を露光する工程、及び該露光後に該フォトレジスト膜を現像する工程を含む、フォトレジストパターンの形成方法である。上記半導体基板としては、表面に段差が形成されている基板を使用することができる。当該段差は、例えば半導体素子のゲート電極及びゲート配線に起因する。本発明に係る組成物は、基板の表面上、特に段差が形成されている基板の表面上に単分子層又は多分子層を形成することができる。この単分子層又は多分子層は、その上に形成されるフォトレジストパターンのボトム形状を調整することができ、例えば裾引き形状とならないように調整できる。本発明に係る組成物は、前述の式1A又は式1Bで表されるシラン化合物を含む。シラン化合物がこれらの式で表される構造を有することで、酸と反応し、新たに酸が発生する。例えば、式1Bで表されるシラン化合物がトシル基を有する場合、酸と反応してp-トルエンスルホン酸が発生する。この発生した酸によりさらに反応が促進され、酸が増殖的に発生する。式1A又は式1Bにおいて、Xで表される炭素原子数1乃至10の連結基として、例えばアルキレン基、フェニレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。該連結基が炭素原子数3以上のアルキレン基である場合、その主鎖は分岐状であってもよい。式1A又は式1Bにおいて、Zが置換基を有するフェニル基を表す場合、該置換基として例えばメチル基が挙げられる。また、Zが炭素原子数3以上のアルキル基を表す場合、該アルキル基はイソプロピル基、t-ブチル基のような分岐状のアルキル基であるのが好ましい。本発明に係る組成物は、式1A又は式1Bで表されるシラン化合物に加えて、式2で表されるシラン化合物を含むことによって、基板上に形成される単分子層又は多分子層表面の疎水性を制御することができる。式2で表されるシラン化合物は、1種のみ用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。式1A又は式1Bで表されるシラン化合物と式2で表されるシラン化合物との総和に対して、式2で表されるシラン化合物の割合は、例えば1質量乃至99質量、又は5質量乃至95質量であり、また、例えば10質量以上95質量未満である。本発明に係る組成物は、上記シラン化合物以外に水及び有機酸を含有することができる。水及び有機酸を含むことにより、本発明に係る組成物の保存安定性を高めると共に、当該組成物を基板上に塗布し、ベークして単分子層又は多分子層を形成する際にシラン化合物の縮合反応を促進させることができる。有機酸としては、例えば酢酸、マレイン酸、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸のようなカルボン酸が挙げられる。本発明に係る組成物は界面活性剤を含有することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ登録商標EF301、同EF303、同EF352三菱マテリアル電子化成株旧株式会社ジェムコ製、メガファック登録商標F171、同F173、同R30DIC株製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム株製、アサヒガード登録商標AG710、サーフロン登録商標S-382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明に係る組成物の全成分中、通常0.2質量以下、好ましくは0.1質量以下である。これらの界面活性剤は1種類を添加してもよいし、2種以上の組合せで添加することもできる。本発明に係る組成物は、上記の各成分を適当な有機溶剤に溶解させることによって調製でき、均一な溶液状態で用いられる。そのような有機溶剤として、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドンが挙げられる。これらの有機溶剤は単独又は2種以上の組合せで使用することができる。本発明に係る組成物から有機溶剤を除いた水及び有機酸を含む場合はこれらも除いた固形分の割合は、例えば0.001質量乃至10質量、好ましくは0.1質量乃至5質量である。以下、本発明に係る組成物の使用について説明する。半導体基板例えば、ゲート電極が形成されているシリコンウェハー、該シリコンウェハーは酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜で被覆されていてもよい。の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明に係る組成物を塗布し、その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークする。ベーク条件としては、ベーク温度80°C乃至180°C、ベーク時間0.3分乃至10分間の中から適宜選択される。半導体基板にかえて、窒化珪素基板、石英基板、ガラス基板無アルカリガラス、低アルカリガラス、結晶化ガラスを含む、ITO膜が形成されたガラス基板を用いてもよい。その後、半導体基板上に残留する過剰なシラン化合物を溶剤で除去し、乾燥させることによって、単分子層又は多分子層が形成される。本発明に係る組成物を用いて形成される層は極めて薄く、その厚さを測定することは困難である。さらに当該層が単分子層、多分子層のいずれであるか特定することも困難である。上記過程を経て半導体基板上に形成された単分子層又は多分子層の上に、フォトレジスト膜を形成する。フォトレジスト膜の形成は一般的な方法、例えば、フォトレジスト溶液の塗布及びベークによって行なうことができる。フォトレジスト溶液としては、露光光に感光するものであれば特に限定はされない。ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとを含むポジ型フォトレジスト、水酸基を含むポリマーと、アミノプラスト架橋剤と、光酸発生剤とを含む系で酸によって架橋してアルカリ溶解速度を下げるネガ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤とを含む化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とを含む化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤とを含む化学増幅型フォトレジストなどがある。電子線又はEUV極端紫外線に感応するレジストを用いてもよい。フォトレジストパターンを形成する際、露光は所定のパターンを形成したフォトマスクレチクルを通して行なわれる。露光には、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV、電子線等を使用することができる。露光後、必要に応じて露光後加熱PostExposureBakeが行なわれる。露光後加熱の条件としては、加熱温度80°C乃至150°C、加熱時間0.3分乃至60分間の中から適宜選択される。フォトレジスト膜が形成された半導体基板に対して、フォトマスクを通して露光を行い、その後アルカリ性現像液により現像する。アルカリ性現像液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液等のアルカリ性水溶液を例として挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、現像温度5°C乃至50°C、現像時間10秒乃至300秒から適宜選択される。本発明のレジスト下層膜形成組成物から形成されるレジスト下層膜は、フォトレジストの現像に汎用されている2.38質量の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、室温で容易に現像を行なうことができる。以下、本発明に係る組成物の具体例を説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。合成例1マグネチックスターラーを備えた300mL四口フラスコに、4-ペンテン-2-オール18.00g及びピリジン108.00gを仕込み、室温にて攪拌した。次に、p-トルエンスルホニルクロリドTsCl37.90gを加え、室温にて15時間攪拌した。Tsは、トシル基パラトルエンスルホニル基を表す。反応終了後、反応液を酢酸エチル200gで希釈し、有機相を純水100gで3回、飽和食塩水100gで1回洗浄した。さらに、硫酸ナトリウム18.00gを有機相に加え、乾燥させた。その後、硫酸ナトリウムをろ過して除き、ろ液を濃縮乾燥し、上記化合物1を41.73g得た収率88。合成例2マグネチックスターラーを備えた100mL四口フラスコに、上記合成例1で得た化合物1を5.00g及びトルエン30.00gを仕込み、室温にて攪拌した。次に、カルステッドKarstedt触媒白金0-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体0.1Mキシレン溶液2080μLを添加した後、トリエトキシシランEtO3SiH12.5mLを滴下し、40°Cにて8時間攪拌した。反応終了後、反応液に特性白鷺活性炭日本エンバイロケミカルズ株製0.25gを加え、40°Cにて1時間攪拌した。その後、活性炭をろ過して除き、ろ液を濃縮乾燥し、前述の式1Bで表されるシラン化合物に該当する上記化合物2を8.41g得た収率100。合成例3マグネチックスターラーを備えた200mL四口フラスコに、4-ペンテン-1-オール10.00g、トリエチルアミンEt3N11.75g、ピリジン10.00g及びテトラヒドロフラン以下、本明細書ではTHFと略称する。60.00gを仕込み、室温にて攪拌した。次に、メタンスルホニルクロリドMsCl12.63gを加え、室温にて18時間攪拌した。Msは、メシル基メタンスルホニル基を表す。反応終了後、反応液を酢酸エチル150gで希釈し、析出した塩をろ過して除いた。次に、ろ液を純水70gで2回洗浄し、有機相を濃縮乾燥し、粗物を得た。これを、シリカゲルカラム展開溶媒:酢酸エチルにて精製し、上記化合物3を16.99g得た収率94。合成例4マグネチックスターラーを備えた200mL四口フラスコに、上記合成例3で得た化合物3を10.00g及びトルエン60.00gを仕込み、室温にて攪拌した。次に、Karstedt触媒白金0-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体0.1Mキシレン溶液1220μLを添加した後、トリメトキシシランMeO3SiH8.5mLを滴下し、室温にて18時間攪拌した。反応終了後、反応液に特性白鷺活性炭日本エンバイロケミカルズ株製0.5gを加え、40°Cにて30分攪拌した。その後、活性炭をろ過して除き、ろ液を濃縮乾燥し、前述の式1Bで表されるシラン化合物に該当する上記化合物4を17.44g得た収率76。合成例5マグネチックスターラーを備えた200mL四口フラスコに、エチレングリコールモノアリルエーテル12.34g、トリエチルアミン12.23g、ピリジン12.34g及びTHF74.00gを仕込み、室温にて攪拌した。次に、メタンスルホニルクロリド12.63gを加え、室温にて1時間攪拌した。反応終了後、反応液を酢酸エチル150gで希釈し、析出した塩をろ過して除いた。次に、ろ液を純水100gで2回洗浄し、有機相を濃縮乾燥し、粗物を得た。これを、シリカゲルカラム展開溶媒:酢酸エチルにて精製し、上記化合物5を19.55g得た収率95。合成例6マグネチックスターラーを備えた100mL四口フラスコに、上記合成例5で得た化合物5を3.00g及びトルエン18.00gを仕込み、室温にて攪拌した。次に、Karstedt触媒白金0-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体0.1Mキシレン溶液333μLを添加した後、トリエトキシシラン3.3mLを滴下し、室温にて16時間攪拌した。反応終了後、反応液に特性白鷺活性炭日本エンバイロケミカルズ株製0.15gを加え、40°Cにて30分攪拌した。その後、活性炭をろ過して除き、ろ液を濃縮乾燥し、粗物を得た。これを、減圧蒸留にて、外温155~172°C/圧力0.5~0.6torrの条件で留出させ、前述の式1Bで表されるシラン化合物に該当する化合物6を3.99g得た収率70。合成例7マグネチックスターラーを備えた500mL四口フラスコに、トリエチルアミン34.13g及びエタノールEtOH200gを仕込み、0°Cにて攪拌した。次に、氷浴下、2-クロロエタンスルホニルクロリド25.28gを1,2-ジクロロエタン75gで希釈した溶液を滴下し、0~10°Cにて4時間攪拌した。反応終了後、反応液を酢酸エチル500gで希釈し、有機相を純水200gで2回、飽和食塩水200gで1回洗浄した。有機相に、トリエチルアミン2滴とBHT2,6-ジ-tert-ブチル-p-クレゾールを少量加えた後、濃縮乾燥し、上記化合物7を16.79g得た収率80。合成例8マグネチックスターラーを備えた200mL四口フラスコに、上記合成例7で得た化合物7を8.00g、トリエチルアミン0.060g及びジクロロメタンDCM40.00gを仕込み、室温にて攪拌した。次に、氷浴下、メルカプトプロピルトリエトキシシラン11.91gをジクロロメタン24.00gで希釈した溶液を滴下し、室温にて24時間攪拌した。反応終了後、反応液を濃縮乾燥し、前述の式1Aで表されるシラン化合物に該当する化合物8を15.91g得た収率100。実施例1乃至実施例8下記表1に示す、シラン化合物、水、酢酸及びPGMEプロピレングリコールモノメチルエーテルを用い、溶液を作製した。その後、孔径0.03μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、単分子層又は多分子層形成用組成物を調製した。表1において、PhTMSはフェニルトリメトキシシラン東京化成工業株製を表し、pTTMSはトリメトキシp-トリルシランGelest社製を表し、ImTESはN-3-トリエトキシシリルプロピル-4,5-ジヒドロイミダゾールGelest社製を表す。パターニング試験実施例1乃至8で調製した各組成物を、シリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレート上において100°Cで1分間ベークした。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル70質量及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート30質量からなるOK73シンナー東京応化工業株製に1分間浸漬させ、スピンドライ後、100°Cで30秒間乾燥させ、シリコンウェハー上に単分子層又は多分子層を形成した。この層の上に、市販のフォトレジスト溶液JSR株製、商品名:V146Gをスピナーにより回転数950rpmで塗布し、ホットプレート上で110°Cにて1分間加熱してフォトレジスト膜膜厚0.375μmを形成した。次いで、株ニコン製NSR-S205C、KrFスキャナー波長248nm、NA:0.75、ANNULARを用い、現像後にフォトレジストパターンのライン幅及びそのライン間の幅が0.16μmになるよう設定されたマスクを通して、露光を行った。その後、ホットプレート上110°Cで1分間露光後加熱を行なった。冷却後、現像液として0.26規定のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像した。現像後、得られた各フォトレジストパターンの断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した。実施例1及び実施例2で調製した組成物を用いた結果をそれぞれ図1に示す。実施例1で調製した組成物を用いた場合、得られたフォトレジストパターンの形状はストレート形状であることが観察された。実施例2で調製した組成物を用いた場合、得られたフォトレジストパターンの形状は、アンダーカット形状を有していることが観察された。一方、比較例として、ヘキサメチルジシラザンHMDSによってシリコンウェハーの表面を処理し、当該表面上に上記と同様の方法によりフォトレジストパターンを形成した。その結果、得られたフォトレジストパターンの形状はストレート形状であった。すなわち、本発明に係る組成物を用いてシリコンウェハー上に単分子層又は多分子層を形成することによって、この層の上に形成されるフォトレジストパターンのボトム形状を変化させることができた。フォトレジスト膜中に含まれる光酸発生剤から発生した酸が、酸増殖効果を持つ上記単分子層又は多分子層と反応することにより、スルホン酸などの酸が増殖するため、当該酸の作用によりフォトレジストパターンのボトム形状を変化させることができたと考えられる。"