"アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続され、高周波電圧を供給する送電回路を備えた送電装置から電力を受電する受電装置において、前記送電装置側結合電極に電気的に結合する受電装置側結合電極、および前記受電装置側結合電極に接続された受電回路を備え、前記受電回路は、前記受電装置側結合電極に接続された降圧トランスと、前記受電装置側結合電極の間に接続された放電型過電圧保護デバイスとを備えたことを特徴とする受電装置。前記放電型過電圧保護デバイスは、絶縁性セラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第1、第2放電電極と、前記空洞部内において前記第1,第2の放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたESD保護デバイスであって、前記放電補助電極は、表面が無機酸化物によりコーティングされた金属粒子と、半導体粒子とを含む、請求項1に記載の受電装置。アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続され、高周波電圧を供給する送電回路を備えた送電装置と、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成され、前記送電装置側結合電極と結合する受電装置側結合電極、前記受電装置側結合電極に接続された受電回路を備えた受電装置と、を備えた電力伝送システムにおいて、前記受電回路は前記受電装置側結合電極の間に接続された放電型過電圧保護デバイスを備え、前記送電装置側結合電極の電圧、または前記送電回路の入力電流を測定し、前記受電装置側結合電極の電圧が前記放電型過電圧保護デバイスの閾値電圧を超えて前記放電型過電圧保護デバイスが放電したことに伴う前記受電装置側結合電極のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極に誘導される電圧の不連続点を検出し、過電圧制御を行う過電圧制御手段を備えた、電力伝送システム。前記過電圧制御手段は、前記送電回路の出力電圧を低下させるかまたは電圧出力を停止する、請求項3に記載の電力伝送システム。電界結合型の非接触電力伝送システムにおいては、磁界結合型の非接触電力伝送システムに比べると、送電装置と受電装置が高インピーダンスで結合する。低損失な共振回路を使用しており、結合状態や負荷のインピーダンスの変動により受電装置側の結合電極に過電圧が発生する場合がある。ここで過電圧とは、異常電圧であり、結合電極に掛かる定格電圧を超える電圧である。本発明は電界結合型の非接触電力伝送システムにおいて過電圧の発生を防止して、結合電極に掛かる電圧が一定範囲内に抑えられるようにした受電装置および電力伝送システムを提供することを目的としている。1本発明の受電装置は、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続された高周波高電圧発生回路を備えた送電装置から電力を受電する装置であり、前記送電装置側結合電極に電気的に結合する受電装置側結合電極、および前記受電装置側結合電極に接続された負荷回路を備え、前記負荷回路は、前記受電装置側結合電極に接続された降圧トランスと、前記受電装置側結合電極と前記降圧トランスの一次コイルとの間に接続された放電型過電圧保護デバイスとを備えたことを特徴とする。2前記放電型過電圧保護デバイスは、絶縁性セラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第1、第2放電電極と、前記空洞部内において前記第1,第2の放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたESD保護デバイスであって、前記放電補助電極は、表面が無機酸化物によりコーティングされた金属粒子と、半導体粒子とを含むことが好ましい。3本発明の電力伝送システムは、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続された高周波高電圧発生回路を備えた送電装置から電力を受電する受電装置と、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成され、前記送電装置側結合電極と結合する受電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路とを有する送電装置とを備え、前記送電装置側結合電極の電圧、または前記高周波高電圧発生回路の入力電流を測定し、前記受電装置側結合電極の電圧が前記放電型過電圧保護デバイスの閾電圧を超えて前記放電型過電圧保護デバイスが放電したことに伴う結合電極のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極に誘導される電圧の不連続点を検出し、過電圧制御を行う過電圧制御手段を備えたことを特徴としている。4前記過電圧制御手段は、前記高周波高電圧発生回路の出力電圧を低下させるかまたは電圧出力を停止するものであることが好ましい。本発明によれば、受電装置側結合電極に誘導される電圧が、閾値電圧を超えると放電型過電圧保護デバイスが放電し短絡するので、受電装置側結合電極および送電装置側結合電極に異常な高電圧が発生するのを防止できる。特に、放電型過電圧保護デバイスを、ガラスセラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第1、第2放電電極と、空洞部内において前記第1,第2の放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたESD保護デバイスで構成すれば、静電容量が小さく、受電装置側の結合電極の浮遊容量を増大させないので、過電圧保護機能を持つことができるとともに、電力伝送効率を大きくすることができる。《第1の実施形態》図1は第1の実施形態の電力伝送システム401の外観斜視図である。この電力伝送システム401は送電装置101および受電装置で構成されている。この例では、端末10とその外周枠に被せられたジャケット201とで受電装置が構成されている。そして、外周枠にジャケット201が被せられた状態の端末10以下、ジャケット付き端末という。が送電装置101に載置される。後に詳述するが、ジャケット201内には受電回路が構成されていて、ジャケット201内のコネクタを介して受電回路に端末10が接続される。図2Aは、ジャケット付き端末の正面図、図2Bは送電装置101にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。図2Aに表れているように、端末10の下部に下部ジャケット201Bがスライド式に装着され、端末10の上部に上部ジャケット201Tがスライド式に装着される。下部ジャケットの内部にはコネクタのプラグ47が設けられていて、端末10に下部ジャケット201Bが装着されることによって、プラグ47は端末10の下部に設けられているレセプタクル11に接続される。図3は前記電力伝送システム401の等価回路図である。この図3において、送電装置101は、送電回路39、パッシブ電極31およびアクティブ電極32を備えている。このパッシブ電極31およびアクティブ電極32が送電装置側結合電極である。送電回路39は高周波電圧発生回路38、昇圧トランスTGおよびインダクタLG等で構成されている。高周波電圧発生回路38は例えば100kHz~数10MHzの高周波電圧を発生する。昇圧トランスTGおよびインダクタLGによる昇圧回路は、高周波電圧発生回路38の発生する電圧を昇圧してパッシブ電極31とアクティブ電極32との間に印加する。キャパシタCGはパッシブ電極31とアクティブ電極32とによる容量である。前記昇圧回路とキャパシタCGは共振回路を構成する。ジャケット201は、受電回路49、パッシブ電極41およびアクティブ電極42を備えている。このパッシブ電極41およびアクティブ電極42が受電装置側結合電極である。受電回路49は、負荷回路48、ESD保護デバイス43、降圧トランスTLとインダクタLLによる降圧回路等で構成されている。パッシブ電極41とアクティブ電極42との間には、降圧トランスTLおよびインダクタLLによる降圧回路が接続されている。キャパシタCLはパッシブ電極41とアクティブ電極42とによる容量である。前記降圧回路とキャパシタCLは共振回路を構成する。降圧トランスTLの二次側には負荷回路48が接続されている。例えば、送電装置に対する受電装置の載置位置が大きくずれた場合に、受電装置の共振状態が定常状態から大きくずれて、送電装置側結合電極31,32の間に過電圧が印加される状態になると、受電装置側結合電極41,42の間に掛かる電圧が上昇する。この受電装置側結合電極41,42の間に掛かる電圧がESD保護デバイス43の閾値電圧放電開始電圧を超えると、ESD保護デバイス43は素子内部で放電が生じる。ESD保護デバイス43が放電するとESD保護デバイス43のインピーダンスが非常に小さくなるので、負荷回路48への印加電圧の上昇が抑えられる。図4は電力伝送システム401の別の等価回路図である。この回路は後に示す実験用の回路図でもある。図3に示した結合容量Cmを図4ではキャパシタ素子で表している。これらのキャパシタCG,CL,Cmは、送電装置側パッシブ電極、送電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、受電置側アクティブ電極の立体的な構造に生じる電界分布から導出される容量成分により定まる。送電装置101のインダクタLGとキャパシタCGとによってLC共振回路LC1が構成されている。また、降圧トランスTLの1次側コイルとキャパシタCLとでLC共振回路LC2が構成されている。降圧トランスTLの2次側には、ダイオードブリッジDBとコンデンサCoによる整流平滑回路および二次電池等の負荷RLで構成される負荷回路が接続されている。図5は送電装置101のブロック構成図である。ここで駆動電源回路51は商用電源を入力して例えば一定の直流電圧例えばDC5Vを発生する電源回路である。制御回路52は次に述べる各部との間で信号を入出力して各部の制御を行う。駆動制御回路55は制御回路52から出力される信号に従ってスイッチング回路56のスイッチ素子をスイッチングする。スイッチング回路56は後に示すように昇圧回路37の入力部を交番駆動する。DCI検出回路53は、スイッチング回路56に流れる駆動電流すなわち、駆動電源回路51から昇圧回路37への供給電流量I1を検出する。制御回路52はこの検出信号VI1を読み取る。ACV検出回路58は、結合電極31,32間の電圧を容量分圧し、この分圧された交流電圧を整流した直流電圧を検出信号VV1として生成する。制御回路52はこの検出信号VV1を読み取る。図6は、図5に示した制御回路52の処理内容のうち、ESD保護デバイス43の作動による送電装置側の過電圧保護動作についての処理内容を示すフローチャートである。先ず、発生すべき高周波電圧の最適な周波数を検知して、その周波数の高周波電圧を発生するように周波数を定めるS11。その後、駆動電源回路51は定電圧の給電を開始するS12。続いて、ACV検出回路58の検出値V1およびDCI検出回路53の検出値I1を読み取るS13,S14。ACV検出回路58の検出値は送電装置側結合電極31,32の印加電圧V1に相当する電圧信号VV1である。この送電装置側結合電極31,32の印加電圧V1が所定の閾値V1thを超えるか否かを判定するS15。また、入力電流I1が所定の閾値I1thを超えるか否かを判定する。このように、受電装置側結合電極41,42間の電圧V2が放電型過電圧保護デバイスの閾値電圧を超えてESD保護デバイスが放電したことに伴う受電装置側結合電極41,42のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極31,32に誘導される電圧の不連続点を検出する。ESD保護デバイス43が作動放電すれば、送電装置側結合電極31,32の印加電圧V1は上昇し、且つスイッチング回路56に流れる駆動電流I1は増大する。V1>V1th且つI1>I1thの条件を満たせばESD保護デバイス43が作動放電したものと見なし、駆動制御回路55の駆動を停止することにより過電圧制御を行うS17。なお、ESD保護デバイス43が作動したことを検知して駆動制御回路55の駆動を停止すること以外に、駆動制御回路55によるスイッチング回路56のオンデューティ比を小さくして、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2の電圧上昇を抑制するようにしてもよい。図7A、図7Bは本発明の実施形態の電力伝送システムの動作を示す波形図であり、図8A、図8Bは比較例の電力伝送システムについての動作を示す波形図である。この比較例の電力伝送システムは前記ESD保護デバイスを設けないものである。いずれの図も縦軸は任意単位電圧である。図7A、図8Aは送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1を次第に上昇させたときの電圧波形図、図7B、図8Bはそのときの受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2の波形図である。図7Bは、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2が時刻toで閾値を超えたことを表している。図7Aに表れているように、時刻toで送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1が急激に上昇している。これは、図4に示したLC共振回路LC2のインピーダンスの変化による。すなわち、定常状態ではLC共振回路LC2のインピーダンスは高いが、ESD保護デバイス43がオンすることによりLC共振回路LC2のインピーダンスは低下し、インダクタLGと等価的に共振する容量値で構成される共振周波数が駆動周波数に近接し、そのことで送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1は不連続的に変化する。図7Aに示した例では電圧V1が急激に上昇したが、上記共振周波数が駆動周波数から遠ざかるように変化すると、逆に電圧V1が減少する方向へ不連続的に変化する場合も条件によってはあり得る。ESD保護デバイス放電型過電圧保護デバイスは、降圧トランスの二次コイルの端子間に接続することも考えられるが、受電装置側結合電極の間にESD保護デバイスを接続した方が受電装置側のインピーダンス変化を送電装置側で感度よく検出できるので、好ましい。また、受電装置側結合電極の間すなわち回路のインピーダンスが高い箇所にESD保護デバイスを接続した方が保護動作時に流れる電流が小さくて済むので、電流ストレスが軽減できるという点でも好ましい。なお、ESD保護デバイス43に対して直列に電流制限抵抗を挿入してもよい。なお、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2は交流電圧であるので、ESD保護デバイス43がオンするような電圧になった以降は、印加される交流電圧の瞬時電圧に応じて放電を断続または継続することになる。図7A、図7Bは実験状態での波形であるので、時刻to以降も送電装置側の電力送電は維持されて、図7Bにおいて電圧V2は0にならず、ESD保護デバイス43のほぼ閾値電圧を維持している。一方、前記ESD保護デバイスが無い場合には、図8Bに示すように、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2は時刻t1で過電圧状態となる。実験では、電圧V2を次第に上昇させているので、電圧V2はその後も過電圧状態を継続することになる。なお、図8Aと図8Bを比較すると、送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1より、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2の方が高くなっている。この例では、受電装置側のLC共振回路LC2の共振作用により、V1<V2の関係となっているためである。このようにして、電圧V2はESD保護デバイス43の閾値電圧を超えることがないので、負荷回路48内のICチップなどが過電圧から保護される。ここで、ESD保護デバイス43の構成について示す。図9はESD保護デバイス43の断面構造を表した模式図である。ガラスセラミックなどの絶縁性セラミック層17内に設けられた空洞部18内に露出して対向する第1、第2放電電極16、16が設けられている。第1,第2の放電電極16、16を電気的に接続するように放電補助電極19が設けられている。放電補助電極19は、絶縁性被膜により表面がコーティングされた粒子状の金属材料19Aと、粒子状の半導体材料19Bとからなる。ここでは、金属材料19AはCu粒子であり、半導体材料19BはSiC粒子である。また、絶縁性被膜はアルミナ被膜である。また、ガラス様物質20が、放電補助電極19A,19Bを囲むように形成されている。ガラス様物質20は作為的に形成したものではなく、絶縁性セラミック層17などの周辺部材由来の構成材料などの酸化等の反応によって形成されるものである。このESD保護デバイス43の製造方法は以下のとおりである。セラミック材料の準備絶縁性セラミック層17の材料となるセラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料を用いる。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、8001000°Cで仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエンエキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合しスラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを得る。また、放電電極を形成するための電極ペーストを作製する。平均粒径約2μmのCu粉80wtとエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、3本ロールで撹拌、混合することで電極ペーストを得る。空洞18を形成する樹脂ペーストとしてPETに対して有機溶剤を適宜の割合で含む樹脂ペーストを用意する。スクリーン印刷による電極、樹脂ペーストの塗布放電補助電極を形成するための混合ペーストは、表面に平均粒径数nm~数十nmのAl2O3粉末を付着してなる平均粒径約3μmのCu粉を用意する。このCu粉に平均粒形1μmのSiC粉末を所定の割合で配合する。この配合物に、バインダー樹脂と溶剤を添加し3本ロールで撹拌、混合することで混合ペーストを得る。先ず、混合ペーストを下地のグリーンシートに塗布する。その後、電極および樹脂ペーストを塗布する。積層、圧着セラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより積層体を構成する。カット、端面電極塗布次に、積層体を厚み方向に切断し、各素体に分離する。その後、素体14の端面に、焼成後に外部電極15となる電極ペーストCuペーストを塗布する。焼成次いで、N2雰囲気中で焼成し、ESD保護デバイスを得る。めっき次に、外部電極15の表面に電解NiSnめっきによりNiSnめっき膜を形成する。また、放電補助電極を形成するための金属/セラミックの混合材料は、ペーストとして形成するだけでなく、シート化して配置してもよい。なお、前記放電補助電極は、導電性粒子、絶縁性粒子および半導体粒子の全てを含んでいる必要はなく、導電性粒子とともに絶縁性粒子または半導体粒子を含んで構成されていてもよい。"