複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記反応管と前記加熱部との間に鉛直方向に延在するように設置され、温度検出素子が内蔵された温度検出管と、前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置であって、前記温度検出管の一端側が当該基板処理装置に固定されるとともに、前記温度検出管の他端側であって該温度検出管の周囲に、前記反応管との衝突を抑制するための第1の緩衝材が取り付けられている基板処理装置。請求項1に記載された基板処理装置であって、前記第1の緩衝材は、前記温度検出管のうち少なくとも1本の温度検出管の前記他端を覆う袋状部材を有する基板処理装置。本発明の目的は、地震発生時の振動等により温度検出管が破損することを防止できる基板処理装置を提供することにある。上記の課題を解決するため、本発明においては、温度検出管の上端に耐熱性の緩衝材を設けるものである。本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記反応管と前記加熱部との間に鉛直方向に延在するように設置され、温度検出素子が内蔵された温度検出管と、前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置であって、前記温度検出管の一端側が当該基板処理装置に固定されるとともに、前記温度検出管の他端側であって該温度検出管の周囲に、前記反応管との衝突を抑制するための第1の緩衝材が取り付けられている基板処理装置。上記の構成により、地震発生時の振動等により温度検出管が破損することを防止することができる。本発明を実施するための形態において、半導体装置IC等の製造工程の1工程としての熱処理による基板処理工程を実施する基板処理装置の構成例について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1、第2の各実施形態における基板処理装置の斜透視図である。図1に示すように、本発明の各実施形態に係る基板処理装置10は、筐体101を備え、シリコン等からなる基板であるウェハ200を筐体101内外へ搬送するために、ウェハキャリア基板収容器としてカセット110が使用される。筐体101の正面前方側にはカセットステージ基板収容器受渡し台105が設置されている。カセット110は、筐体101外の工程内搬送装置図示せずによって、カセットステージ105上に搬入、載置され、また、カセットステージ105上から筐体101外へ搬出される。筐体101内の前後方向における略中央部には、カセット棚基板収容器載置棚114が設置されている。カセット棚114は、複数段、複数列にて複数個のカセット110を保管する。カセット棚114の一部として、移載棚123が設けられ、移載棚123には、後述するウェハ移載機構112の搬送対象となるカセット110が収納される。カセットステージ105とカセット棚114との間には、カセット搬送装置基板収容器搬送装置115が設置されている。カセット搬送装置115は、カセットステージ105、カセット棚114、移載棚123の間で、カセット110を搬送する。カセット棚114の後方には、ウェハ移載機構基板移載機構112が設置されている。ウェハ移載機構112は、ウェハ200を水平姿勢で保持するツイーザ基板移載用保持具を備えており、ウェハ200を移載棚123上のカセット110内からピックアップして、後述するボート基板保持具217へ装填チャージングしたり、ウェハ200をボート217から脱装ディスチャージングして、移載棚123上のカセット110内へ収納したりすることができる。筐体101の後側上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ炉口開閉機構116により開閉可能なように構成されている。処理炉202の構成については後述する。処理炉202の下方には、ボート217を昇降させて処理炉202内外へ搬送する機構としてのボートエレベータ基板保持具昇降機構121が設置されている。ボートエレベータ121には、昇降台としてのアーム122が設置されている。アーム122上には、シールキャップ219が水平姿勢で設置されている。シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持するとともに、ボートエレベータ121によりボート217が上昇したときに、処理炉202の下端部を気密に閉塞する蓋体として機能するものである。ボート217の構成については後述する。基板処理装置の動作概要次に、本実施形態に係る基板処理装置10の動作概要について、図1を用いて説明する。なお、基板処理装置10は、後述するコントローラ280により制御されるものである。まず、カセット110が、図示しない工程内搬送装置によって、カセットステージ105上に載置される。カセットステージ105上のカセット110は、カセット搬送装置115によって、カセット棚114の指定された位置へ自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、再びカセット搬送装置115によって、前記カセット棚114の保管位置から移載棚123に搬送される。あるいは、カセットステージ105上のカセット110は、カセット搬送装置115によって、直接、移載棚123に搬送される。カセット110が移載棚123に搬送されると、ウェハ200は、ウェハ移載装置112によって、カセット110のウェハ出し入れ口からピックアップされ、ボート217に装填チャージングされる。ボート217にウェハ200を受け渡したウェハ移載装置112は、カセット110側に戻り、次のウェハ200をカセット110からピックアップしてボート217に装填する。予め指定された枚数のウェハ200がボート217に装填されると、処理炉202の下端部を閉じていた炉口シャッタ116が開放動作され、処理炉202の下端部の開口が開放される。続いて、ボート217を載置したシールキャップ219がボートエレベータ121によって上昇されることにより、処理対象のウェハ200群を保持したボート217が、処理炉202内へ搬入ボートローディングされる。ボートローディング後は、シールキャップ219により処理炉202の下端部開口が閉じられ、処理炉202にてウェハ200に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後は、ウェハ200およびカセット110は、上述の手順とは逆の手順で、筐体101の外部へ払い出される。すなわち、ボート217を載置したシールキャップ219がボートエレベータ121によって下降され、ボート217上のウェハ200がウェハ移載機構112によってピックアップされて、移載棚123上のカセット110へ受け渡される。移載棚123上のカセット110は、カセット搬送装置115によって、カセット棚114に一時的に保管された後、カセットステージ105に搬送されるか、あるいは、カセット搬送装置115によって、直接、カセットステージ105に搬送される。カセットステージ105上のカセット110は、工程内搬送装置により、筐体101の外部へ払い出される。処理炉の構成次に、本実施形態における処理炉202の構成について、図2を用いて説明する。図2は、本実施形態における基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。本実施形態においては、処理炉202は、バッチ式縦形ホットウオール形の熱処理炉として構成されている。反応管と均熱管処理炉202は、その内側に、縦形の反応管222を備えている。反応管222は、上端が閉塞され下端が開口された略円筒形状をしており、開口された下端が下方を向くように、かつ、筒方向の中心線が垂直になるように縦向きに配置されている。反応管222内には、基板保持具としてのボート217によって水平姿勢で多段に積層された複数枚のウェハ200を収容して処理する処理室204が形成される。反応管222の内径は、ウェハ200群を保持するボート217の最大外径よりも大きくなるように設定されている。反応管222は、本例では、石英SiO2や炭化シリコンSiC等の耐熱性の高い材料によって、略円筒形状に一体成形されている。反応管222の外側には、後述するヒータユニット208から反応管222へ輻射される熱の均一化を図る均熱管均熱管221が設けられている。均熱管221は、反応管222と同様に、上端が閉塞され下端が開口された略円筒形状をしており、開口された下端が下方を向くように、かつ、筒方向の中心線が垂直になるように縦向きに配置されている。均熱管221は、反応管222より大きく、かつ、反応管222と略相似形状であり、反応管222の外側を取り囲むように同心円状に被せられている。均熱管221の下端部は、筐体101の一部である金属製のベース209によって支えられている。均熱管221は、本例では、石英SiO2や炭化シリコンSiC等の耐熱性の高い材料によって、略円筒形状に一体成形されている。反応管222の下端部は、その水平断面が略円形リング形状であるマニホールド206によって気密に封止されている。反応管222は、その保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド206に着脱自在に取り付けられている。マニホールド206が筐体101に支持されることにより、反応管222は、筐体101に垂直に据え付けられた状態になっている。マニホールド206の下端開口は、ウェハ200群を保持したボート217を出し入れするための炉口205を構成している。基板保持具マニホールド206には、マニホールド206の下端開口を閉塞するシールキャップ219が、垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は反応管222の外径と同等以上の外径を有する円盤形状に形成されており、反応管222の外部に垂直に設備されたボートエレベータ121によって、前記円盤形状を水平姿勢に保った状態で垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ219上には、ウェハ200を保持する基板保持具としてのボート217が垂直に支持されるようになっている。ボート217は、上下で一対の端板と、両端板間に渡って垂直に設けられた複数本、本例では3本のウェハ保持部材ボート支柱とを備えている。端板及びウェハ保持部材は、例えば、石英SiO2や炭化珪素SiC等の耐熱性の高い材料から構成される。各ウェハ保持部材には、水平方向に刻まれた多数条の保持溝が、長手方向にわたって等間隔に設けられている。各ウェハ保持部材は、保持溝が互いに対向し、各ウェハ保持部材の保持溝の垂直位置垂直方向の位置が一致するように設けられている。ウェハ200の周縁が、複数本のウェハ保持部材における同一の段の保持溝内に、それぞれ挿入されることにより、複数枚例えば、50~150枚程度のウェハ200は、水平姿勢、かつ互いにウェハの中心を揃えた状態で垂直方向に多段に積層されて保持される。また、ボート217とシールキャップ219との間には、保温筒210が設けられている。保温筒210は、例えば、石英SiO2や炭化珪素SiC等の耐熱性材料から構成されている。保温筒210によって、後述するヒータユニット208からの熱が、マニホールド206側に伝わるのを抑止する。シールキャップ219の下側処理室204と反対側には、ボート217を回転させるボート回転機構237が設けられている。ボート回転機構237のボート回転軸は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持している。ボート回転軸を回転させることにより、処理室204内にてウェハ200を回転させることが可能となる。シールキャップ219は、上述のボートエレベータ121によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これにより、ボート217を処理室204内外に搬送することが可能となっている。ボート回転機構237及びボートエレベータ121は、制御部280に電気的に接続されている。制御部280は、ボート回転機構237及びボートエレベータ121が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。ヒータユニット均熱管221の外部には、反応管222内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータユニット208が、均熱管221を包囲するように設けられている。ヒータユニット208は、基板処理装置10の筐体101に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっており、例えば、カーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータにより構成されている。温度検出器均熱管221と反応管222の間には、温度測定素子である熱電対を内蔵する、温度検出器としての温度検出管81が設置されている。本実施形態では、温度検出管81は、石英SiO2や炭化シリコンSiC等の耐熱性の高い材料によって、略円筒形状に成形され、その長さは1200mm、外径は8mm、内径は6mmであり、上端は厚さ2mmの板で閉じられている。均熱管221と反応管222の間の空間は、大気が流通する大気雰囲気であり、処理室204内と気密に隔離されており、処理ガスが侵入することがなく、また、均熱管221と反応管222の間の空間の大気が、処理室204内に侵入することのない構造となっている。ヒータユニット208と熱電対は、制御部280に電気的に接続されている。制御部280は、処理室204内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、前記熱電対により検出された温度情報に基づいてヒータユニット208への通電量を制御する。本実施形態においては、図8に示すように、温度検出素子である熱電対が内蔵された温度検出管81を3本で構成し、温度検出管81の下部を、温度検出管固定具83により筐体101に固定している。詳しくは、3本の温度検出管8181a、81b、81cの下端が、温度検出管固定具83の上端に設けられた開口84に挿入されて、例えばアルミナ系の接着剤で接着され固定される。開口84は、温度検出管固定具83の垂直部83aの上端に、上向きに設けられている。温度検出管固定具83は、例えばアルミナ碍子であり、図8bに示すように、垂直方向に延びる垂直部83aと水平方向に延びる水平部83bを有する。水平部83bは、熱処理装置の筐体に固定するための取付け部83cを有し、取付け部83cが例えばステンレス製の螺子等により熱処理装置の筐体に固定される。さらに本実施形態においては、図8に示す構成に加え、図4に示すように、温度検出管81の上部であって温度検出管81の周囲に、反応管222や均熱管221との衝突を防止するための上側緩衝材30が取り付けられている。また、図6に示すように、温度検出管81の下部であって温度検出管81の周囲に、反応管222や均熱管221との衝突を防止するための下側緩衝材50が取り付けられている。図4は、本実施形態における上側緩衝材30を温度検出管81に取り付けた斜視図であり、図6は、本実施形態における下側緩衝材50を温度検出管81に取り付けた斜視図であるまず、上側緩衝材30について、図3を用いて説明する。図3は、本実施形態における上側緩衝材30の斜視図であり、図3bは図3aを180度反対側から見た図である。図3に示すように、上側緩衝材30は、一端上端が開放され他端下端が閉じられた筒状の袋状部材であるキャップ31と、柔軟性を有する布状部材であるクロス33と、キャップ31とクロス33を接続する柔軟性を有する接続ひも32と、複数の温度検出管81の間に挿入されて温度検出管81と温度検出管81の間を離間させ、複数の温度検出管同士が接触することを防止するための仕切り部材である2枚の仕切り板34と、結びひも35とから構成される。結びひも35は、上側緩衝材30を温度検出管81の上端に取り付けたときに、上側緩衝材30が温度検出管81から外れないように、上側緩衝材30を温度検出管81に固定するための固定用部材であり、柔軟性を有する。図3に示すように、キャップ31の開放端に接続ひも32の一端が取り付けられており、クロス33の一端に、仕切り板34と接続ひも32の他端が取り付けられている。仕切り板34と接続ひも32は、クロス33を挟んで背中合わせになるように取り付けられている。キャップ31、接続ひも32、クロス33、仕切り板34、結びひも35の材質は、いずれも、Al2O3が72、SiO2が28から構成されるアルミナ繊維である。キャップ31は、外径が17mm、内径が9mm、長さが20mmである。接続ひも32は、長さが65mm、幅が4mm、厚さが1.5mmである。クロス33は、横方向の長さが175mm、縦方向の幅が30mm、厚さが1.5mmである。結びひも35は、長さが65mm、幅が4mm、厚さが1.5mmである。仕切り板34は、縦方向の長さが30mm、奥行き方向の幅が10mm、厚さが5mmである。なお上記において、縦方向や横方向は、図3における縦方向や横方向を指す。図4に示すように、上側緩衝材30は、3本の温度検出管81の上端に取り付けられる。取り付け手順は、まず、キャップ31の開放端を、3本の温度検出管81のうち中央の温度検出管81bの上端に被せる。次に、接続ひも32が伸びた状態において、2枚の仕切り板34で温度検出管81bを挟むようにし、クロス33を3本の温度検出管81の周囲に巻き付ける。次に、結びひも35を用いて、クロス33を3本の温度検出管81の周囲に巻き付けた状態を固定する。このとき、図4に示すように、上側緩衝材30は、温度検出管81に内蔵された熱電対の熱電対位置82を覆わないように取り付けられている。したがって、熱電対の温度検出機能や温度検出応答性を低下させることなく、温度検出管81が破損することを防止することができる。このように上側緩衝材30を用いると、仕切り板34により、複数の温度検出管81同士が接触することを防止することが容易となる。また、キャップ31により、上側緩衝材30の位置が上側から下側へずれることを防止でき、また、キャップ31で覆った温度検出管81が隣接する温度検出管81と接触することを防止でき、また、キャップ31で覆った温度検出管81が反応管222や均熱管221と衝突することを防止できる。また、クロス33を温度検出管81の周囲に巻き付けるので、温度検出管81が反応管222や均熱管221と衝突することを防止できる。また、接続ひも32があるので、接続ひもがない構造に比べ、キャップ31を自在に動かすことができ、キャップ31で温度検出管81を覆うことが容易となる。また、結びひも35があるので、上側緩衝材30が温度検出管81から外れないように固定することが容易となる。なお、キャップ31は、上述の実施形態では3本の温度検出管81のうち中央の温度検出管81に被せたが、キャップ31を複数用意して、複数の温度検出管81のいずれか、又は全ての温度検出管81に被せるようにしてもよい。また、上側緩衝材30が温度検出管81から外れないように固定する固定用部材は、結びひも35に限られず、マジックテープ登録商標等の面ファスナーなど、他の部材を用いてもよい。次に、下側緩衝材50について、図5ないし図7を用いて説明する。図5は、本実施形態における下側緩衝材50の斜視図である。図6は、本実施形態における下側緩衝材50を温度検出管81に取り付けた斜視図である。図7は、本実施形態における下側緩衝材50を温度検出管81に取り付けた垂直断面図である。図5に示すように、下側緩衝材50は、クッション部51と、柔軟性を有する布状部材であるクロス52と、クッション部51に接続された柔軟性を有する第1の結びひも53と、クロス52に接続された柔軟性を有する第2の結びひも54とから構成される。第1の結びひも53と第2の結びひも54は、下側緩衝材50を温度検出管81の下端に取り付けたときに、下側緩衝材50が温度検出管81から外れないように、下側緩衝材50を温度検出管81に固定するための固定用部材である。図5に示すように、クッション部51は、クッション表部51aとクッション裏部51bとを有し、クッション表部51aとクッション裏部51bの間には、上下端が開放されたクッション部空間51cが形成される。クッション部空間51cは、図6に示すように、温度検出管81を収容するための空間である。クッション表部51aは、図5において水平方向に180度まで開くことができ、クッション表部51aとクッション裏部51bには、それぞれ2本の第1の結びひも53が取り付けられている。図5に示すように、クロス52は、垂直部52aと2本の水平部52bを有する。垂直部52aは、クッション裏部51bの下端と連続するように構成され、2本の水平部52bは、垂直部52aの下部からそれぞれ左右方向に延びている。2本の水平部52bの先端には、それぞれ1本の第2の結びひも54が取り付けられている。クッション部51は、クロス52よりも厚みのある布状部材であるブランケットを布状部材であるクロスで包み、アルミナ繊維の糸で縫合したものである。クッション部51の厚さは、クッション部51が均熱管221に略接触する程度の厚さである。クッション部51、クロス52、結びひも54の材質は、いずれも、Al2O3が72、SiO2が28から構成されるアルミナ繊維である。クッション部51の外形は、高さが100mm、幅が60mm、厚さが16mmであり、クッション部空間51cの水平断面は、32mm×10mmの長方形である。クロス52は、横方向の長さが260mm、高さが100mm、厚さが1.5mm、水平部52bは、縦方向の幅が20mm、横方向の長さが100mmである。結びひも54は、長さが100mmそのうち、クッション部51への縫合部が20mm、幅が4mm、厚さが1.5mmである。なお上記において、高さや縦方向や横方向は、図5における高さや縦方向や横方向を指す。このように、クッション部51の厚さはクロス52の厚さよりも厚く、クッション部51が均熱管221に略接触しているので、温度検出管81が反応管222や均熱管221に衝突することを、さらに抑制することができる。図6に示すように、下側緩衝材50は、3本の温度検出管81の下端に取り付けられる。取り付け手順は、まず、クッション表部51aを水平方向に180度開き、3本の温度検出管81をクッション部空間51cに取り込み、クッション表部51aを閉じる。次に、水平部52bを温度検出管固定具83の周囲に巻き付ける。次に、第1の結びひも53を用いて、クッション部51を3本の温度検出管81の周囲に取り付けた状態を固定し、第2の結びひも54を用いて、水平部52bを温度検出管固定具83の周囲に巻き付けた状態を固定する。このときの垂直断面図を図7に示す。図7に示すように、クッション部51が温度検出管81と均熱管221の間の空間に収容されるよう、下側緩衝材50は、温度検出管81の下端に取り付けられている。また、図7に示すように、温度検出管固定具83の上端の幅は、温度検出管81の幅よりも大きく、クッション部51の下端の一部は、温度検出管固定具83の上端の一部の上に載っているので、クッション部51、つまり下側緩衝材50位置が下側へずれることを防止できる。このように、上側緩衝材30に加えて下側緩衝材50を温度検出管81に取り付けることにより、3本の温度検出管81がバラバラに動くことを抑制でき、下側緩衝材50を取り付けない場合に比べて、地震発生時の振動等により温度検出管が破損することを、さらに抑制することができる。なお、下側緩衝材50が温度検出管81から外れないように固定する固定用部材は、結びひも54に限られず、マジックテープ登録商標等の面ファスナーなど、他の部材を用いてもよい。ガス供給系ガス供給系について、図2を用いて説明する。図2に示すように、処理室204内に処理ガスを供給するガスノズル224が、マニホールド206の側壁を貫通して設けられている。ガスノズル224には、処理ガス供給管225が接続されている。処理ガス供給管225には、処理ガス供給機構226が接続されている。処理ガス供給機構226は、上流から順に、処理ガスを供給する処理ガス供給源、流量制御装置としてのMFCマスフローコントローラ、及び開閉バルブを有する。主にガスノズル224、処理ガス供給管225、処理ガス供給機構226から処理ガス供給部が構成される。処理ガス供給機構226のMFCや開閉バルブは、制御部280に電気的に接続されている。制御部280は、処理室204内に供給するガスの種類が所望のタイミングにて所望のガス種となるよう、また、供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるよう、MFC及び開閉バルブを制御する。ガス排気系マニホールド206の側壁の一部には、処理室204内の雰囲気を排気する排気管231が接続されている。排気管231には、上流から順に、圧力検出器としての圧力センサ236、圧力調整器としてのAPCAutoPressureControllerバルブ232が設けられている。APCバルブ232の下流には、排気管233を介し、真空排気装置としての真空ポンプ234が接続されている。主に排気管231、APCバルブ232、真空ポンプ234から、反応管222内からガスを排気する排気部が構成される。APCバルブ232および圧力センサ236は、制御部280に電気的に接続されている。制御部280は、処理室204内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサ236により検出された圧力値に基づいてAPCバルブ232の開度を制御する。コントローラ制御部280は、図示しない操作部や入出力部を備え、基板処理装置10の各構成部と電気的に接続されており、基板処理装置10の各構成部を制御する。制御部280は、成膜等のプロセスの制御シーケンスを時間軸で示したレシピに基づく温度制御や圧力制御、流量制御および機械駆動制御を指令する。本実施形態に係る基板処理方法次に、本実施形態に係る基板処理方法を、ICの製造方法における成膜工程を例にして説明する。まず、ウェハチャージングステップにおいて、ウェハ200はボート217に装填される。複数枚のウェハ200は、ボート217におけるチャージング状態において、その中心を揃えられて互いに平行かつ水平、多段に積載され、整列されている。次に、ボートローディングステップにおいて、複数枚のウェハ200を積載、保持したボート217は、処理室204に搬入ボートローディングされる。続いて、減圧ステップにおいて、排気管231を介して真空ポンプ234により、反応管222の内部が所定の真空度に減圧されるとともに、昇温ステップにおいて、温度検出管81により測定した温度に基づき、ヒータユニット208により反応管222の内部が所定の温度に昇温される。次に、成膜ステップにおいて、ボート217が回転されつつ、所定の原料ガスが、ガスノズル224に供給され、処理室204に導入される。処理室204に導入された原料ガスは、反応管222内に流出して、マニホールド206に開設された排気管231から排気される。このようにして、ウェハ200の表面に接触しながら上下で隣合うウェハ200と10との間の空間を平行に流れて行く原料ガスによって、ウェハ200の表面が成膜される。以上のようにして所望の成膜処理がなされた後に、原料ガスの供給が停止され、不活性ガスにより、処理室204内が大気圧に復帰された後に、ボートアンローディングステップにおいて、シールキャップ219が下降されることによって処理室204の下端が開口され、ボート217に保持された状態で処理済みのウェハ200群が処理室204から外部に搬出ボートアンローディングされる。本実施形態においては、上述したように、温度検出管81が上側緩衝材30や下側緩衝材50により固定されるので、地震発生時の振動等により温度検出管81が反応管222や均熱管221と衝突し破損することを防止することができる。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。上述した実施形態では、緩衝材を温度検出管の上部と下部に取り付けるようにしたが、緩衝材を温度検出管の上部と下部のいずれか一方に取り付けるようにする形態も可能である。また、上述した実施形態では、処理がウェハに施される場合について説明したが、処理対象はウェハ以外の基板であってもよく、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクあるいは磁気ディスク等であってもよい。また、上述した実施形態では、反応管と均熱管を用いるバッチ式縦形ホットウオール形装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、均熱管を用いない基板処理装置にも適用することができる。また、本発明は、半導体製造装置だけでなく、LCD製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、CVD、PVD、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。本明細書には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、第1の発明は、複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記反応管と前記加熱部との間に鉛直方向に延在するように設置され、温度検出素子が内蔵された温度検出管と、前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置であって、前記温度検出管の一端側が当該基板処理装置に固定されるとともに、前記温度検出管の他端側であって該温度検出管の周囲に、前記反応管との衝突を抑制するための第1の緩衝材が取り付けられている基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、地震発生時の振動等により温度検出管が破損することを防止することができる。第2の発明は、第1の発明の基板処理装置であって、前記温度検出管を複数備え、前記第1の緩衝材は、前記複数の温度検出管同士が接触することを防止するための仕切り部材を有する基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、複数の温度検出管同士が接触することを防止することが容易となる。第3の発明は、第1の発明又は第2の発明の基板処理装置であって、前記第1の緩衝材は、前記温度検出管のうち少なくとも1本の温度検出管の前記他端を覆う袋状部材を有する基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、第1の緩衝材の位置が、例えば上側から下側へ移動することを防止できる。また、袋状部材で覆った温度検出管が反応管と衝突することを防止でき、また、袋状部材で覆った温度検出管が隣接する温度検出管と接触することを防止できる。第4の発明は、第3の発明の基板処理装置であって、前記第1の緩衝材は、前記温度検出管の周囲を覆う第1の布状部材を有し、前記袋状部材は、接続ひもにより前記第1の布状部材と接続されている基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、袋状部材で温度検出管を覆うことが容易となる。第5の発明は、第1の発明ないし第4の発明の基板処理装置であって、前記第1の緩衝材は、該第1の緩衝材を前記温度検出管に固定するための固定用部材を有する基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、第1の緩衝材を温度検出管に固定することが容易となる。第6の発明は、第1の発明ないし第5の発明の基板処理装置であって、前記温度検出管の一端側であって該温度検出管の周囲に、前記反応管との衝突を防止するための第2の緩衝材が取り付けられている基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、地震発生時の振動等により温度検出管が破損することを、さらに防止することができる。第7の発明は、第6の発明の基板処理装置であって、前記第2の緩衝材は、前記第2の緩衝材を温度検出管に取り付けるための第2の布状部材と、前記温度検出管の周囲を覆うクッション部材であって前記第2の布状部材よりも厚いクッション部材を有する基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、地震発生時の振動等により温度検出管が破損することを、さらに防止することができる。第8の発明は、第1の発明ないし第7の発明の基板処理装置であって、前記温度検出管の一端側は下側であり、他端側は上側である基板処理装置。第9の発明は、第1の発明ないし第8の発明の基板処理装置であって、前記第1の緩衝材は、前記温度検出管に内蔵された熱電対の位置を覆わないように取り付けられている基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、熱電対の機能を低下させることなく、温度検出管が破損することを防止することができる。第10の発明は、第1の発明ないし第9の発明の基板処理装置であって、前記反応管と前記加熱部との間に設置され、前記加熱部から前記反応管へ輻射される熱の均一化を図る均熱管を備え、前記温度検出管は、前記反応管と前記均熱管との間に鉛直方向に延在するように設置されている基板処理装置。このように基板処理装置を構成すると、地震発生時の振動等により温度検出管が均熱管と接触することを防止することができる。