複数の強磁性層と、複数の非磁性層と、を含む磁気サブストラクチャであって、前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層と交互にされていて、前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層と混合せず且つ前記複数の非磁性層に対して化学的に安定であり、前記複数の強磁性層が、磁気的に死んだ層を生成する前記複数の非磁性層との相互作用を実質的に有さず、前記複数の非磁性層が前記複数の強磁性層内で垂直異方性を誘導し、前記磁気サブストラクチャを介して書き込み電流が流れる際に、前記磁気サブストラクチャが複数の安定磁気状態間で切り替え可能であるように構成されていることを特徴とする、磁気デバイスで使用するための磁気サブストラクチャ。前記複数の非磁性層が、Al、AlN、酸化アルミニウム、Au、Cr、結晶性Mgo、Cu、ドープされたMgO、インジウムスズ酸化物、Mg、Mo、NiO、Pd、Pt、Ru、RuO2、酸化ケイ素、SiN、Ta、TaN、Ti、TiN、V、W、Yのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の非磁性層が少なくとも一つの酸化物を含むことを特徴とする請求項2に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層がNi、Co及びFeのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層が、少なくとも一つの酸化物を含むことを特徴とする請求項4に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層が、CoFe及びCoFeBのうち少なくとも一つを含み、複数の前記非磁性層はCr及びCrのうち少なくとも一つを含み、前記サブストラクチャが少なくとも100emu/cc以上且つ1300emu/cc以下の磁化を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の磁性層がそれぞれ、実質的に等しい厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の磁性層の少なくとも一部が、異なる厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の非磁性層がそれぞれ、実質的に等しい厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の非磁性層の少なくとも一部が、異なる厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の非磁性層がそれぞれ、単一成分を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の前記非磁性層の少なくとも一部が、異なる成分を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の非磁性層の少なくとも一部が、不連続であることを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層がそれぞれ、前記複数の非磁性層のうち隣接する非磁性層よりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層がそれぞれ、前記複数の非磁性層のうち隣接する非磁性層よりも少なくとも3倍厚いことを特徴とする請求項12に記載の磁気サブストラクチャ。前記サブストラクチャが、2nm以上且つ4nm以下の総厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。厚さが少なくとも3nmであることを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層を介して強磁性的に結合されるように、前記複数の非磁性層が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層を介して反磁性的に結合されるように、前記複数の非磁性層が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層が双極子結合する層間相互作用を前記複数の強磁性層が実質的に有しないように、前記複数の非磁性層が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。前記複数の強磁性層の第一部分が前記複数の非磁性層を介して強磁性的に結合され、且つ前記複数の強磁性層の第二部分が前記複数の非磁性層を介して反磁性的に結合されるように、前記複数の非磁性層が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。垂直異方性が垂直異方性エネルギーに対応し、前記磁気サブストラクチャが面外消磁エネルギーを有し、前記垂直異方性エネルギーが前記面外消磁エネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の磁気サブストラクチャ。ピンド層と、非磁性スペーサ層と、自由層と、を含む磁気素子であって、前記非磁性層スペーサ層が前記自由層と前記ピンド層との間に存在し、前記磁気素子が少なくとも一つの磁気サブストラクチャを含み、前記少なくとも一つの磁気サブストラクチャのそれぞれが複数の強磁性層及び複数の非磁性層を含み、前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層と交互配置されていて、前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層と混合しない且つ前記複数の非磁性層に対して化学的に安定であり、前記複数の強磁性体層が、磁気的に死んだ層を生成する前記複数の非磁性層との相互作用を実質的に有さず、前記複数の非磁性層が前記複数の強磁性層内で垂直異方性を誘導し、且つ、前記磁気素子を介して書き込み電流が流れる際に、前記自由層が複数の安定磁気状態間を切り替え可能であるように、前記磁気素子が構成されていることを特徴とする、磁気デバイスで使用するための磁気素子。前記自由層及び前記ピンド層のうち少なくとも一つが、前記少なくとも一つの磁気サブストラクチャのうち一つの磁気サブストラクチャを含むことを特徴とする請求項23に記載の磁気素子。前記少なくとも一つの磁気サブストラクチャのうち一つの磁気サブストラクチャが、前記非磁性スペーサ層と前記自由層との間に存在することを特徴とする請求項23に記載の磁気素子。前記自由層が、面外消磁エネルギー及び前記面外消磁エネルギーより大きい垂直異方性エネルギーを有することを特徴とする請求項25に記載の磁気素子。前記自由層が、面外消磁エネルギー及び前記面外消磁エネルギー未満の垂直異方性エネルギーを有することを特徴とする請求項25に記載の磁気素子。前記磁気素子の磁気サブストラクチャが、前記非磁性スペーサ層と前記ピンド層との間に存在することを特徴とする請求項23に記載の磁気素子。前記ピンド層が、面外消磁エネルギー及び前記面外消磁エネルギーより大きい垂直異方性エネルギーを有することを特徴とする請求項28に記載の磁気素子。前記ピンド層が、面外消磁エネルギー及び前記面外消磁エネルギー未満の垂直異方性エネルギーを有することを特徴とする請求項28に記載の磁気素子。追加のスペーサ層及び追加のピンド層をさらに含み、前記追加のスペーサ層が前記自由層と前記ピンド層との間に存在することを特徴とする請求項23に記載の磁気素子。前記自由層、前記ピンド層及び前記追加のピンド層のうち少なくとも一つが、前記少なくとも一つの磁気サブストラクチャのうち一つの磁気サブストラクチャを含むことを特徴とする請求項31に記載の磁気素子。前記追加のスペーサ層及び前記スペーサ層のうち少なくとも一つが、絶縁トンネリング障壁層であることを特徴とする請求項31に記載の磁気素子。複数の磁気ストレージセルを含み、前記複数の磁気ストレージセルのそれぞれが少なくとも一つの磁気素子を含み、前記少なくとも一つの磁気素子がピンド層、非磁性スペーサ層及び自由層を含み、前記非磁性スペーサ層が前記自由層と前記ピンド層との間に存在し、前記磁気素子が少なくとも一つの磁気サブストラクチャを含み、前記少なくとも一つの前記磁気サブストラクチャのそれぞれが複数の強磁性層及び複数の非磁性層を含み、前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層と交互にされていて、前記複数の強磁性層が前記複数の非磁性層と混合しない且つ前記複数の非磁性層に対して化学的に安定であり、前記複数の強磁性層が、磁気的に死んだ層を生成する前記複数の非磁性層との相互作用を実質的に有さず、前記複数の非磁性層が前記複数の強磁性層内で垂直異方性を誘導し、前記磁気素子を介して書き込み電流が流れる際に、前記自由層が複数の安定磁気状態間を切り替え可能であるように、前記少なくとも一つの磁気素子が構成されていることを特徴とする磁気メモリ。前記自由層及び前記ピンド層のうち少なくとも一つが、前記少なくとも一つの磁気サブストラクチャのうち一つの磁気サブストラクチャを含むことを特徴とする請求項34に記載の磁気メモリ。前記少なくとも一つの磁気サブストラクチャのうち一つの磁気サブストラクチャが、前記非磁性スペーサ層と前記自由層との間に存在することを特徴とする請求項34に記載の磁気メモリ。前記自由層が、面外消磁エネルギー及び前記面外消磁エネルギーより大きい垂直異方性エネルギーを有することを特徴とする請求項34に記載の磁気メモリ。前記磁気サブストラクチャのうち一つの磁気サブストラクチャが、前記非磁性スペーサ層と前記ピンド層との間に存在することを特徴とする請求項34に記載の磁気メモリ。前記少なくとも一つの磁気素子のそれぞれが、追加のスペーサ層及び追加のピンド層をさらに含み、前記追加のスペーサ層が前記自由層と前記追加のピンド層との間に存在することを特徴とする請求項34に記載の磁気メモリ。従って、要求されているのは、スピントランスファートルクベースのメモリのスケーリングを改善し得る方法及びシステムである。本願で説明される方法及びシステムはこうした要求に向けられている。例示的な実施形態は、磁気デバイス内で使用可能な磁気サブストラクチャ、並びにサブストラクチャを用いる磁気素子及びメモリを提供する方法及びシステムを提供する。磁気サブストラクチャは、複数の強磁性層及び複数の非磁性層を含む。強磁性層は、複数の非磁性層と交互にされる。強磁性層は、複数の非磁性層と混合せず、且つ化学的に安定である。強磁性層が、複数の非磁性層と相互作用して磁気的に死んだ層を生成することは実質的にない。さらに、非磁性層は、複数の強磁性層内で垂直異方性を誘導する。磁気サブストラクチャは、磁気サブストラクチャに書き込み電流が流れる際に、複数の安定磁気状態間で切り替え可能であるように構成される。例示的な実施形態は、磁気メモリなどの磁気デバイスで使用可能な磁気素子、及びこのような磁気素子を用いたデバイスに関する。以下の説明は、当業者が本発明を作製して利用できるようにするためのものであり、特許出願の文脈及びその要求において提供されるものである。本願で説明される例示的な実施形態及び一般原理及び特徴に対する多様な修正は容易に明らかになるものである。例示的な実施形態は、特定の実施において提供される特定の方法及びシステムに関して主に説明される。しかしながら、その方法及びシステムは、他の実施においても有効に動作する。例示的な実施形態、一実施形態、他の一つの実施形態などの用語は、同一の又は異なる実施形態を指称するものであり得て、また複数の実施形態を指称するものであり得る。実施形態は、特定の構成要素を有するシステム及び/又はデバイスに関して説明される。しかしながら、そのシステム及び/又はデバイスは、図示されるものよりも多い又は少ない構成要素を含み得て、配置及び構成要素の種類の変更が、本発明の範囲から逸脱することなく、為され得る。また、例示的な実施形態は、特定のステップを有する特定の方法の文脈において説明される。しかしながら、その方法及びシステムは、例示的な実施形態に調和する他のステップ及び/又は追加のステップ及び順番の異なるステップを有する他の方法に対して有効に動作する。従って、本発明は示される実施形態に限定されるものではなく、本願で説明される原理及び特徴に調和する最も広範な範囲によるものである。磁気サブストラクチャ並びに磁気サブストラクチャを用いる磁気素子及び磁気メモリの提供方法及びシステムが説明される。磁気サブストラクチャは、複数の強磁性層及び複数の非磁性層を含む。強磁性層は、非磁性層と交互にされる。強磁性層は、複数の非磁性層と混合しない、且つ化学的に安定である。強磁性層は実質的に、複数の非磁性層と相互作用して磁気的に死んだ層を生成することはない。さらに、非磁性層は、強磁性層内で垂直異方性を誘導する。磁気サブストラクチャは、磁気サブストラクチャを介して書き込み電流が流れる際に、複数の安定磁気状態間で切り替え可能であるように構成される。例示的な実施形態は、特定の構成要素を有する特定の磁気サブストラクチャ、磁気素子及び磁気メモリの文脈において説明される。本発明が、本発明と調和する他の構成要素及び/又は追加の構成要素及び/又は他の特徴を有する磁気素子及び磁気メモリの使用と調和するものであることは当業者には明らかである。本方法及びシステムは、スピントランスファー現象、層構造内での磁気異方性、及び他の物理現象における現状の理解の文脈においても説明される。従って、方法及びシステムの挙動の理論的説明が、スピントランスファー、磁気異方性、及び他の物理現象の現状の理解に基づいて為されるものであることは当業者には容易に認識されるものである。しかしながら、本願で説明される方法及びシステムは特定の物理的説明に依拠するものではない。本方法及びシステムは、基板に対して特定の関係を有する構造の文脈において説明されることも当業者には容易に認識されるものである。しかしながら、本方法及びシステムが他の構造と調和するものであることは当業者には容易に認識されるものである。さらに、本方法及びシステムは、合成の及び/又は単一の特定の層の文脈において説明される。しかしながら、層が他の一つの構造体を有することができることは当業者には容易に認識されるものである。さらに、本方法及びシステムは、特定の層を有する磁気素子及び/又はサブストラクチャの文脈において説明される。しかしながら、本方法及びシステムと調和する追加の層及び/又は異なる層を有する磁気素子及び/又はサブストラクチャも使用可能であることは当業者には容易に認識されるものである。さらに、特定の構成要素は、磁性、強磁性、フェリ磁性であると説明される。本願において、磁性という用語は、強磁性、フェリ磁性、又はそのような構造を含み得る。従って、本願において、磁性や強磁性という用語は、強磁性体、フェリ磁性体を含むが、それらに限定されるものではない。本方法及びシステムは、単一の素子及びサブストラクチャの文脈においても説明される。しかしながら、本方法及びシステムは、複数の素子を有し且つ複数のサブストラクチャを用いる磁気メモリの使用と調和することは当業者には容易に認識されるものである。さらに、本願において、面内とは、磁気素子の一以上の層の実質的に面内にあるか、平行なことである。逆に、垂直は、磁気素子の一以上の層に実質的に垂直な方向に対応する。上述された現象に加えて、特定のキャッピング層22が、従来の自由層20内でPPMAを誘導し得ることがわかっている。例えば、MgOキャッピング層22は、従来の自由層20でPPMAを誘導し得る。このような一部磁気素子では、自由層20の磁化は、面内であり得る。他の異方性と組み合わされたとき、PPMAは面に垂直な従来の磁化21になり得る。部分的な垂直磁気異方性と呼ばれるが、PPMAは実質的に完全に垂直磁化になり得る。PPMAを用いる面内及び面に垂直な両方の磁気素子にとって、PPMAは、高いメモリ密度に拡張しなくなり得る。磁気素子10が高密度に拡張される場合、熱的安定性を提供するために自由層20はより厚く作製される。このような場合、より厚い自由層21に対する他の効果によってPPMAは支配され得ることが分かっている。さらに、MgOキャップの使用は、従来の磁気素子10の抵抗の増加部分である寄生抵抗を有し得る。従って、特に自由層に垂直異方性を提供するためにPPMAの使用が望まれる場合、スケーリングは問題となり得る。他の解決法が可能であるが、このような解決法は一般的に欠点を有する。例えば、これらの問題の一部を扱う磁気素子は、複数のスパッタリングターゲット及び困難であり得る他のプロセスを必要とし得る多くの材料を含み得る。図2は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る磁気素子などの磁気デバイス内での磁気サブストラクチャ100の利用の例示的な実施形態を示す。磁気サブストラクチャ100は、非磁性層104と交互にされた強磁性層102を含む。強磁性層102及び非磁性層104は、一以上の二重層110-iに組み合わされると考えられ得る。示される実施形態では、n個の二重層110-1、110-2、110-nがある。示される実施形態では、任意の非磁性層101及び任意の強磁性層106が示される。層101及び106のどちらか1つ又は両方が省略され得る。磁気サブストラクチャ100が用いられることになるデバイスに応じて、最下層及び最上層は、最下層及び最上層が強磁性で、最下層及び最上層どちらも非磁性で、最下層のみ磁性で、又は最上層のみ磁性であることが望まれ得る。従って、層101及び106は、磁気サブストラクチャ100を所望の用途に調整するために使用され得る。さらに、強磁性層106及び非磁性層101は、強磁性層102及び非磁性層104それぞれと調和することが望まれる。従って、層102及び104に関する以下の議論は、層106及び101それぞれにも適用され得る。強磁性層102及び非磁性層104は、互いに混合しない、且つ化学的に安定である。従って、強磁性層102で用いられる磁性材料は、非磁性層104で用いられる非磁性材料と混合しない傾向にある。さらに、強磁性層102は、非磁性層104と化学的に相互作用することで他の化合物を形成することはない。代わりに、強磁性層102及び非磁性層104は綺麗な界面を形成する。言い換えると、強磁性層102及び非磁性層104は、一つの合金よりも別々の構造体を形成する。さらに、一部実施形態では、隣接する非磁性層との界面又はその付近で、強磁性層102内に磁気的に死んだ層が形成されない。このような実施形態では、強磁性層102は、界面又はその付近で、このような死んだ層の形成を引き起こす非磁性層104との相互作用をしない。他の実施形態では、磁気サブストラクチャを利用する自由層が減少した磁化を有するような強磁性層102の磁化の低下を提供することが望まれ得る。このような実施形態の一部では、磁気的に死んだ層の混合及び形成が許容される。しかしながら、ドーピングなどの他のメカニズムが、減少した磁化を有する強磁性層102を提供するためにも用いられ得る。図2では明確な層として示されているが、一部実施形態では、非磁性層104は不連続であり得る。例えば、非磁性層104はピンホールを有し得る。他の実施形態では、ホールは十分に大きく、非磁性層104は事実上粒状だと考えられ得る。従って、非磁性層104はアイランドを形成し得る。このような実施形態の一部では、このようなアイランドの厚さは、例えばz方向に10オングストローム以下であることが望まれる。さらに、一部実施形態では、このようなアイランドの厚さは、例えばz方向に8オングストローム以下であり得る。このような実施形態では、強磁性層102の一部は、非磁性層104を通って、強磁性層102が互いに物理的にコンタクトし得る。しかしながらこのような実施形態では、非磁性層アイランドの密度は、強磁性層102に対応する磁気サブストラクチャ100の一部の領域内でゼロまで下がるであろう。磁気ストラクチャ100が上述の特性を有するように非磁性層104に使用され得る材料は、Al、AlN、酸化アルミニウム、Au、Cr、結晶性MgO、Cu、ドープされたMgO、インジウムスズ酸化物、Mg、Mo、NiO、Pd、Pt、Ru、RuO2、酸化ケイ素、SiN、Ta、TaN、Ti、TiN、V、W、Yなどの一以上の材料を含み得る。加えて、非磁性層104は、導電性例えば金属性又は絶縁性例えば酸化物であり得る。例えば、結晶性MgOは、一以上の非磁性層104に用いられ得る。絶縁性非磁性層104が用いられる実施形態において、非磁性層104の抵抗を減少するために、非磁性層104を不連続にすることが好まれ得る。磁気ストラクチャ100が上述の特性を有するような強磁性層102に使用され得る材料は、Co、Fe及びNiのうち一つ以上を含む。さらに、強磁性層102は、合金又は酸化物であり得る。一部実施形態では、所望の化学量論のCoFe及び/又はCoFeBが、強磁性層に使用され得る。磁性層102で用いられるCo、Fe及びNiの合金又は酸化物は、他の材料を含み得る。例えば、一部実施形態では、磁気サブストラクチャ100は、100emu/cc以上1300emu/cc以下の磁化を有し得る。このような実施形態では、CoFeBの化学量論及び非磁性層104に用いられるCr及び/又はVの厚さは、上述の特性に加えて所望の磁化を達成するために調節され得る。加えて、選択された材料は、他の特性のために選択され得ることもある。例えば、一部実施形態では、層102及び104のために選択された材料は、結晶性MgO障壁層などの層のための所望の成長テンプレートを提供し得る。加えて、層102及び104のための材料、並びに層102及び104の厚さは、磁気サブストラクチャ100が高い磁気抵抗を有し、及び/又はスピントランスファートルクを用いて切り替え可能なように選択され得る。同一に示されるが、強磁性層102は成分及び厚さにおいて同一、又は異なり得る。同様に、非磁性層104は、成分及び厚さにおいて同一、又は異なり得る。しかしながら、一般的に、強磁性層102は非磁性層104よりも厚いことが望まれる。一部実施形態では、例えば、それぞれの強磁性層102は、隣接する非磁性層104よりも少なくとも3倍の厚さである。さらに、強磁性層102及び非磁性層104の厚さ、及び数又は繰り返しnは、所望の総厚さの磁気サブストラクチャ100を提供するために調節され得る。強磁性層102及び非磁性層104の厚さ、及び数又は繰り返しnもまた、磁気サブストラクチャ100の所望の磁化などの他の特性を提供するために調節され得る。一部実施形態では、磁気サブストラクチャ100の総厚さは、2nm以上4nm以下であることが望まれる。このような厚さは、x-y面に平行な面内のより小さなサイズで磁気サブストラクチャの熱的安定を可能にする。面内の更に小さなサイズのために、磁気サブストラクチャの厚さは、さらに増加され得る。磁気サブストラクチャ100、特に非磁性層104はまた、強磁性層102間に所望の相互作用を提供するために構成され得る。例えば、非磁性層104がより薄ければ、特に非磁性層104がピンホールを含み、及び/又は不連続であるならば、強磁性層は、強力に強磁性的に結合され得る。このような実施形態では、磁気サブストラクチャの強磁性層102は、本質的に単一層として機能し得る。他の実施形態では、非磁性層104は、強磁性層102が反磁性的に結合されるように構成され得る。他の実施形態では、非磁性層104は、連続的であり得るが、強磁性層102は強磁性的に結合され得る。さらに他の実施形態では、非磁性層104は、さらにより厚く作製され得、強磁性層102は単に双極子結合しただけになる。さらに、非磁性層104の厚さは、強磁性層102の一部が強磁性結合、反強磁性結合、及び/又は双極子結合の混合を有するように変化され得る。例えば、強磁性層104間のRKKY結合は、非磁性層104の厚さの変化に対して反磁性結合及び強磁性結合間で振動する。非磁性層104の厚さを変化することによって、単一構造体100又は異なる構造体における強磁性層102間の結合は、強磁性又は反強磁性になり得る。加えて、双極子結合は、非磁性層104の厚さの大部分で支配的である。従って、非磁性層104の厚さは、強磁性層102間の磁気結合を調節するために使用され得る。強磁性層102は、非磁性層104と交互に並ぶので、磁気サブストラクチャ100は減少したモーメントを有し得る。例えば、CoFe、CoFeB、CoFeを含む合金、及び/又はCoFeBを含む合金を、Cr及び/又はVなどの非磁性層と交互に並べることによって、磁気サブストラクチャは所望の磁気モーメントを有し得る。例えば、サブストラクチャのためのより低いモーメントが達成され得る。下記のように、磁気素子の自由層のための切り替え電流を減少するために、低いモーメントが望まれる。加えて、強磁性層102は、まだ磁気的に単一層として機能するかもしれない。上記で同定された特性に加えて、磁気サブストラクチャ100もPPMAを示し得ることもわかる。さらに具体的には、非磁性層104と交互にされた強磁性層の組み合わせは、隣接する強磁性層102で垂直異方性を誘導し得る。強磁性層102は、垂直異方性に対する追加の寄与を有し得る。従って、面外消磁エネルギーが垂直異方性を超えるならば、磁気サブストラクチャの磁気モーメントは、面内であり得る。他の実施形態では、強磁性層で誘導された垂直異方性は、磁気サブストラクチャ100の磁気モーメントが面に垂直な例えばz方向ようになり得る。従って、磁気サブストラクチャ100は、z方向に平行な容易軸を有し得る。このような実施形態では、PPMAが寄与する、磁気サブストラクチャ100のための垂直異方性は、磁気サブストラクチャ100のための面外消磁エネルギーを超える垂直異方性エネルギーに対応する。従って、熱的に安定で厚い例えば、2nm以上の厚さ磁気サブストラクチャが提供され、一方磁気サブストラクチャ100に大きな異方性を提供するためにPPMAを維持する。結果として、磁気サブストラクチャ100は、垂直異方性により可能なスピントランスファートルクのための切り替え電流密度の減少を示し得る。さらに、磁気サブストラクチャ100は、より低いダンピングを示し得る。従って、磁気サブストラクチャ100は、より高密度に向けたSTT-RAM技術のスケーリングにおいて使用される。これらの利点は、処理の観点からかなり単純に達成され得る。例えば、全ての強磁性層102のために同一の強磁性材料が用いられ、且つ全ての非磁性層104のために同一の非磁性材料が用いられるならば、サブストラクチャ100は、たった2つの堆積物ターゲットによって製造され得る。加えて、高い堆積温度、例えば400°Cを超える温度を用いない必要がある。従って、磁気サブストラクチャ100は、トンネリング障壁層として結晶性MgOを用いる磁気トンネリング接合などの磁気デバイスと調和し得る。最終的に、層の厚さ及び材料が磁気サブストラクチャ100全体で調節され得るので、磁気サブストラクチャ100の特性を調節するための改善能力があり得る。図3は、磁気サブストラクチャ100’の他の一つの例示的な実施形態を示す。磁気サブストラクチャ100’は磁気サブストラクチャ100に類似する。従って、磁気サブストラクチャ100’の同様の部位は、磁気サブストラクチャ100と同様にラベル付けされている。従って、磁気サブストラクチャ100’は、任意の非磁性層101、強磁性層102、非磁性層104及び任意の強磁性層106それぞれに対応する、任意の非磁性層101’、強磁性層102’、非磁性層104’及び任意の強磁性層106’を含む。従って、二重層110-1’、110-2’、110-n’はそれぞれ、二重層110-1、110-2、110-nに対応する。磁気サブストラクチャ100’の強磁性層102’及び非磁性層104’はそれぞれ、強磁性層102及び非磁性層104に用いられる材料及び厚さに類似の材料及び類似の厚さを含み得る。強磁性層102’は同一の厚さを有するように示されるが、異なる厚さでもあり得る。同様に、非磁性層104’は、同一の厚さを有するように示されるが、異なる厚さであり得る。最後に、連続層として示されるが、特に非磁性層104’は、ピンホール及び不連続な層であり得る。このような不連続性は、所与の非磁性サブ層の両側の磁性サブ層間で直接交換結合を確保し得る。強磁性層102’及び非磁性層104’は、磁気サブストラクチャ100’内で強力な垂直異方性が誘導されるように構成される。より具体的には、強磁性層102’及び非磁性層104’の交互配置は、面外消磁エネルギーを超える面に垂直な例えばz方向磁気異方性の任意の他の構成要素と組み合わされる層内で、PPMAを誘導する。従って、図3に示されるように、磁気サブストラクチャ100’の容易軸は、例えばz方向である。このような異方性を達成するために、層102’及び104’の材料及び厚さが調節され得る。例えば、強磁性層102’は、CoFeBを含み得、非磁性層102’はCr及び/又はVを含み得る。例えば、Co20Fe60B20が使用され得る。さらに、非磁性層104’の厚さは、隣接する磁性層102’の3分の1以下であり得る。強磁性層102’及び非磁性層104’のこのような調節は、厚い磁気サブストラクチャ100’にさえ所望の垂直異方性を提供し得る。例えば、一部実施形態では、磁気サブストラクチャ100’の厚さ例えばz方向の寸法は、2nm以上である。加えて、一部実施形態では、他の垂直異方性が、強磁性層104’内で誘導され得、及び/又は磁気異方性の面内構成要素が減少し得る。従って、磁気サブストラクチャ100’の容易軸従って、磁気サブストラクチャ100’は、面に垂直な容易軸を有し得る。結果として、磁気サブストラクチャ100’は磁化が面に垂直であるように所望される磁気デバイス内で使用され得る。例えば、磁気サブストラクチャは、スピントランスファートルクを用いる書き込み可能な磁気トンネリング接合の自由層内で使用され得る。従って、より低い書き込み電流密度などの、磁気サブストラクチャ100の特定の利点は達成され得る。加えて、垂直異方性は事実上界面であり得るが、層102’及び104’の交互配置は、より厚く、熱的に安定な、より小さな面内寸法を有する磁気サブストラクチャ100’内に異方性が存在し得ることを可能にし得る。従って、磁気サブストラクチャ100’を用いる磁気素子は、より高密度、且つそれ故、より小さな面内サイズに拡張可能であり得る。さらに、磁気サブストラクチャ100’は、より高い磁気抵抗などの、磁気サブストラクチャ100の一以上の残りの利点を共有し得る。図4は、磁気サブストラクチャ100’’の他の一つの例示的な実施形態を示す。磁気サブストラクチャ100’’は、磁気サブストラクチャ100に類似する。従って、磁気サブストラクチャ100’’の同様の部分は、磁気サブストラクチャ100と同様にラベル付けされている。従って、磁気サブストラクチャ100’’は、任意の非磁性層101、強磁性層102、非磁性層104及び任意の強磁性層106にそれぞれ対応する、任意の非磁性層101’’、強磁性層102-1、102-2、102-n、非磁性層104-1、104-2、104-n及び任意の強磁性層106’’を含む。従って、二重層110-1’’、110-2’’、110-n’’はそれぞれ、二重層110-1、110-2、110-nに対応する。磁気サブストラクチャ100’’の強磁性層102’’及び非磁性層104’’は、強磁性層102、非磁性層104それぞれに用いられる材料と類似の材料を含み得る。示される実施形態では、強磁性層102-1、102-nの厚さ、及び非磁性層104-1、104-nの厚さは変化する。しかしながら、他の実施形態では、強磁性層102-1、102-nの厚さのみが変化する。さらに、他の実施形態では、非磁性層104-1、104-nの厚さのみが変化する。さらに、層102-1、102-n及び104-1、104-nの厚さは、特定の方法で変化するものとして示される。しかしながら、層102-1、102-n及び104-1、104-nの厚さは、他の一つの方法で変化し得る。さらに、磁気サブストラクチャ100’’内で用いられる材料は、磁気サブストラクチャ100及び100’内で用いられる材料と類似であり得る。層102-1、102-nの厚さ、及び/又は層104-1、104-nの厚さを変化することによって、磁気サブストラクチャ100’の様々な特性は調節され得る。より具体的には、磁性層102-1、102-n間の結合、磁気異方性、磁気抵抗、磁気モーメント、中間層磁気相互作用、及び/又は磁気サブストラクチャ100’の他の特徴は、所望の用途に適合され得る。さらに、上記で議論されたように、一以上の強磁性層102-1、102-n及び非磁性層104-1、104-nに用いられる材料は変更もされ得る。結果として、磁気サブストラクチャが所望の特性を有するように構成する能力は向上され得る。図5は、磁気サブストラクチャ100’’’の他の一つの例示的な実施形態を示す。磁気サブストラクチャ100’’’は、磁気サブストラクチャ100に類似である。従って、磁気サブストラクチャ100’’’の同様の部分は、磁気サブストラクチャ100と同様にラベル付けされている。従って、磁気サブストラクチャ100’’’は、任意の非磁性層101、強磁性層102、非磁性層104及び任意の強磁性層106にそれぞれ対応する、任意の非磁性層101’’’、強磁性層102’’、非磁性層104’’及び任意の強磁性層106’’を含む。従って、二重層110-1’’’、110-2’’’、110-n’’’はそれぞれ、二重層110-1、110-2、110-nに対応する。サブストラクチャ100’’’は、連続な非磁性層104-n’を含むように示されるが、他の実施形態では、全ての非磁性層104-i’は不連続である。他の実施形態では、異なる数の非磁性層104-i’が不連続である。磁気サブストラクチャ100’’’の強磁性層102’’’及び非磁性層104-1’、104-n’は、強磁性層102/102’/102-1、102-n及び非磁性層104/104’/104-1、104-nそれぞれに用いられる材料に類似する材料を含み得る。同様に、磁気サブストラクチャ100’’’の強磁性層102’’’及び非磁性層104-1’、104-n’は、強磁性層102/102’/102-1、102-n及び非磁性層104/104’/104-1、104-nそれぞれの上述の厚さと類似の厚さを有し得る。しかしながら、図5に示されるように、少なくとも一部の非磁性層104-1’、104-n’は不連続である。同様に、連続であるように示されるが、他の実施形態では、一以上の強磁性層102’’は、不連続であり得る。示される実施形態では、少なくとも一つの非磁性層104-n’は連続である。しかしながら、他の実施形態では、異なる数の非磁性層104-1’、104-n’は不連続であり得る。さらに、不連続層104-1’及び104-2’は、小さなピンホール、大きな穴を有すことがあり、又は非磁性のアイランドで構成され得る。一部実施形態では、アイランドは、平坦で、パンケーキ形状が望まれるであろう。他の実施形態では、アイランドのアスペクト比は、異なり得る。しかしながら、示される実施形態では、アイランドの密度は、層104-1’及び104-2’に対応する領域内で増加するが、強磁性層102’’に対応する領域内では減少する、又はゼロになる。アイランドは、厚さ10オングストローム以下であることが望まれる。さらに、一部実施形態では、このようなアイランドの厚さが、例えばz方向に、8オングストローム以下であり得る。強磁性層102’’は不連続層104-1’及び104-2’を通り抜けるため、強磁性層102’’間の結合は、向上され得る。従って、強磁性層102’’は、単一の強磁性層により類似したやり方で機能し得る。この特徴は、磁気素子100’’’が用いられることを望まれる一部の用途で望ましいことがある。従って、層102’’及び104-1’、104-n’の厚さ及び連続性は、磁気ストラクチャ100’’’を最適化するためにも用いられ得る。図6は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子200の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図6は縮尺通りではない。磁気素子200は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子200は、ピンド層220、非磁性スペーサ層230及び自由層240を含む。任意のピニング層210もまた示され、ピンド層220の磁化図示せずを固定するために使用され得る。一部実施形態では、任意のピニング層210は、交換バイアス相互作用によってピンド層220の磁化図示せずをピン止めするAFM層である。しかしながら、他の実施形態では、任意のピニング層210は、省略され得る。さらに、磁気素子200は、シード及び/又はキャッピング層などの、他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子200は、磁気素子240を介して書き込み電流が流れる際に、自由層が安定磁気状態間で切り替えられるようにも構成される。従って、自由層240は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。ピンド層220及び自由層240は磁性であり、従ってNi、Fe及びCoのうち一つ以上を、特に合金状で含み得る。単一層として図示されているが、ピンド層220は、複数の層を含み得る。例えば、ピンド層220は、Ruなどの薄層を介して反磁性的に又は強磁性的に結合された磁性層を含むSAFであり得る。このようなSAFでは、Ru又は他の材料の薄層と交互にされた複数の磁性層が使用され得る。スペーサ層230は非磁性である。一部実施形態では、スペーサ層230は絶縁体、例えばトンネリング障壁である。このような実施形態では、スペーサ層230は、結晶性MgOを含み得、磁気素子のトンネリング磁気抵抗TMRを強化し得る。他の実施形態では、スペーサ層は銅などの導体であり得る。代替実施形態では、スペーサ層230は他の一つの構造体、例えば絶縁マトリクス内で導電性チャネルを含む粒状の層を有し得る。自由層240は、スピントランスファーで切り替えられ得る変更可能な磁化図示せずを有する。自由層240は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを含む。明確性のため、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は示されない。一部実施形態では、自由層240は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’から成る。他の実施形態では、自由層は他の層を含み得る。例えば自由層は、一以上の強磁性層としての磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を含むSAFであり得る。或いは、自由層240は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’に隣接する強磁性層又は多層を含み得る。こうして、自由層240は、強磁性層と互いに混合せず、化学的に安定である非磁性層と交互にされた強磁性層を含み得、且つ強磁性層内で磁気的に死んだ層を作り出すであろう相互作用が実質的にない。さらに、下記のように、垂直異方性は、強磁性層、つまりは、自由層240内で誘導され得る。自由層240内での/としての磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用は、複数の利点を提供し得る。自由層240は、垂直異方性を有し得る。少なくとも垂直異方性の一部は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内のPPMAによって誘導され得る。一部実施形態では、全体の垂直異方性は、自由層240の容易軸が面に垂直な例えば、z方向ものである。従って、自由層240は、垂直異方性エネルギー未満の面外消磁エネルギーを有し得る。他の実施形態では、自由層240は、その垂直異方性エネルギー以上の面外消磁エネルギーを有し得る。自由層240の容易軸は、面内であり得る。より高い垂直異方性の結果として、スピントランスファートルクのための切り替え電流密度が減少され得る。この垂直異方性は、厚い磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’に起因して、自由層240がかなり厚い場合でさえ、少なくともある程度はPPMAで提供され得る。一部実施形態では、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’、つまりは自由層240は、少なくとも厚さ2nmであり得る。このような実施形態の一部では、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’、つまりは自由層は、厚さ4nmまであり得る。従って、自由層240は、より小さい面内寸法で熱的に安定であり得、且つ減少した切り替え電流密度で垂直異方性をいまだに維持する。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’、つまりは自由層240の材料及び層の厚さは、磁気素子200の性能を強化するためにも選択され得る。材料は、TMRを改善するために選択され得る。例えば、CoFe、Co20Fe60B20などのCoFeB及び/又はそのような強磁性材料は、結晶性MgO非磁性スペーサ層230と調和する微細構造を提供するために、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内で使用され得る。従って、所望の障壁層は、非磁性スペーサ層230のために使用され得る。400°Cを超える堆積温度を、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’、つまりは自由層240を製造するために用いる必要がないので、所望のトンネリング障壁層は、磁気素子200の製造を乗り切り得る。さらに、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、より低いモーメントを有し得、磁気素子200用の切り替え電流密度をさらに減少し得る。例えば、非磁性層は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内に導入されるので、モーメントは減少し得る。加えて、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の強磁性層間の磁気結合は、調節され得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の強磁性層は、強磁性的に結合、反磁性的に結合、又は主として双極子結合し得る。反磁性的に結合した場合、自由層240のモーメントは減少し得る。これらの構成は、比較的少ない材料を用いて、且つ高温で堆積することなく達成され得る。さらに、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、より低いダンピングを有するように構成され得る。加えて、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用を選択することでMgOなどの絶縁キャッピング層が省略され得る際に、磁気素子250の一部の寄生抵抗は減少し得る。従って、磁気素子250の性能は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用を介して強化され得る。従って、自由層290に隣接する磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を用いる磁気素子250は、より小さな面内サイズ、つまりはより高いSTT-RAM密度のために望まれるように機能し得る。図7は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子200’の他の一つの例示的な実施形態を示す。明確にするために、図7は縮尺通りではない。磁気素子200’は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子200’は、磁気素子200に類似であり、つまりは同様の構造体を含む。磁気素子200’は、任意のピニング層210、ピンド層220、非磁性スペーサ層230及び自由層240に類似の、任意のピニング層210’、ピンド層220’、非磁性スペーサ層230’及び自由層240’を含む。層210’、220’、230’及び240’は、層210、220、230及び240それぞれと類似の構造体及び機能を有する。しかしながら、示される実施形態では、自由層240’よりもピンド層220’が、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を含む。さらに、磁気素子200’は、シード及び/又はキャッピング層などの、他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子200は、磁気素子240を介して書き込み電流が流れる際に、自由層240’が安定磁気状態間を切り替え可能なようにも構成される。従って、自由層240’は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。自由層240’は磁性であり、従って、Ni、Fe及びCoのうち一つ以上を、特に合金状で含み得る。さらに、自由層240’は、スピントランスファーを用いて切り替え可能である変更可能な磁化を有する。単一層として図示されているが、自由層240’は、複数の層を含み得る。例えば、自由層240’は、Ruなどの薄層を介して反磁性的に又は強磁性的に結合された磁性層を含むSAFであり得る。このようなSAFにおいて、Ru又は他の材料の薄層と交互にされた複数の磁性層が使用され得る。スペーサ層230’は、スペーサ層230に類似である。ピンド層220’は、特定の方向に固定される磁化図示せずを有する。ピンド層220’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャも含む。明確性のため、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は示されない。一部実施形態では、ピンド層220’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’から成る。他の実施形態では、ピンド層220’は、他の層を含み得る。例えば、ピンド層220’は、一以上の強磁性層として磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を含むSAFであり得る。代わりに、ピンド層220’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’に隣接する強磁性層又は多層を含み得る。こうして、ピンド層220’は、強磁性層と互いに混合せず、化学的に安定な非磁性層と交互にされた強磁性層を含み得、且つ強磁性層内で磁気的に死んだ層を作り出すであろう相互作用が実質的にない。さらに、下記のように、垂直異方性は、強磁性層、つまりはピンド層220’内で誘導され得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の特徴、並びに磁気素子200’の利点は、磁気素子200で上述されたものに類似し得る。特に、ピンド層220’内での/としての磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用は、例えば磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内でPPMAによって誘導される垂直異方性をピンド層220’が有することを可能にし得る。一部実施形態では、垂直異方性は、ピンド層220’の容易軸が面に垂直例えばz方向である。一部実施形態では、垂直異方性は、面に垂直な例えばz方向ピンド層220’の磁化のピニングを改善する。従って、垂直配向の利点は、磁気素子200’で達成され得る。例えば、切り替え電流密度の減少が達成され得る。図8は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子200’’の他の一つの例示的な実施形態を示す。明確にするため、図8は縮尺通りではない。磁気素子200’’は、STT-RAMなどの磁気メモリで使用され得る。磁気素子200’’は、磁気素子200及び200’と類似し、つまりは同様の構造体を含む。磁気素子200’’は、任意のピニング層210/210’、ピンド層220/220’、非磁性層スペーサ層230/230’及び自由層240/240’に類似する、任意のピニング層210’’、ピンド層220’’、非磁性スペーサ層230’’及び自由層240’’を含む。層210’’、220’’、230’’及び240’’は、層210/210’、220/220’、230/230’及び240/240’それぞれに類似の構造体及び機能を有する。しかしながら、示される実施形態では、ピンド層220’’は、参照層226、スペーサ層224及びピンド層222を含む。こうして、ピンド層220’’は、SAFであり得る。示される実施形態では、参照層226及び/又はピンド層222は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を含む。従って、磁気素子200’で上述された利点は、達成され得る。図9は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子200’’’の他の一つの例示的な実施形態を示す。明確にするために、図9は、縮尺通りではない。磁気素子200’’’は、STT-RAMなどの磁気メモリで使用され得る。磁気素子200’’’は、磁気素子200、200’及び200’’に類似し、つまりは同様の構造体を含む。磁気素子200’’’は、任意のピニング層210/210’/210’’、ピンド層220/220’/220’’、非磁性スペーサ230/230’/230’’及び自由層240/240’/240’’に類似の、任意のピニング層210’’’、ピンド層220’’’、非磁性スペーサ層230’’’及び自由層240’’’を含む。層210’’’、220’’’、230’’’及び240’’’は、層210/210’/210’’、220/220’/220’’、230/230’/230’’及び240/240’/240’’それぞれに類似の構造体及び機能を有する。別々に示されていないが、ピンド層220’’’は、例えばピンド層220’’’に類似の、複数の磁気ストラクチャ100/100’/100’’/100’’を含み得る。代わりに、ピンド層220’’’は、例えばピンド層220’に類似の単一の磁気ストラクチャ100/100’/100’’/100’’を含み得る。自由層240’’’も、一以上の磁気ストラクチャ100/100’/100’’/100’’を含む。従って、磁気素子200、200’及び/又は200’’で上述された利点は、達成され得る。図10は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子250の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図10は縮尺通りではない。磁気素子250は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子250は、ピンド層270a、非磁性スペーサ層280及び自由層290を含む。任意のピニング層260もまた示され、ピンド層270の磁化図示せずを固定するために使用され得る。一部実施形態では、任意のピニング層260は、交換バイアス相互作用によってピンド層270の磁化図示せずをピン止めするAFM層である。しかしながら、他の実施形態では、任意のピニング層260は省略され得る。さらに、磁気素子250は、シード及び/又はキャッピング層などの、他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子250は、磁気素子250を介して書き込み電流が流れる際に、自由層290が安定磁気状態間を切り替え可能であるようにも構成される。従って、自由層290は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。スペーサ層280は、非磁性である。一部実施形態では、スペーサ層280は、絶縁体、例えばトンネリング障壁である。このような実施形態では、スペーサ層280は、結晶性MgOを含み得、磁気素子のトンネリング磁気抵抗TMRを強化し得る。他の実施形態では、スペーサ層は、銅などの導体であり得る。代替実施形態では、スペーサ層280は、他の一つの構造体を例えば絶縁マトリクス内に導電性チャネルを含む粒状の層を有し得る。ピンド層270及び自由層290は、磁性であり、従って、Ni、Fe及びCoのうち一つ以上を特に合金状で含み得る。単一層として図示されているが、ピンド層270及び/又は自由層290は、複数の層を含み得る。例えば、ピンド層270及び/又は自由層290は、Ruなどの薄層を介して反磁性的に又は強磁性的に結合された磁性層を含むSAFであり得る。このようなSAFでは、Ru又は他の材料の薄層と交互にされた複数の磁性層が使用され得る。さらに、ピンド層270及び/又は自由層290は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’図示せずを含み得る。しかしながら、ピンド層270と異なり、自由層240は、スピントランスファーで切り替えられ得る変更可能な磁化図示せずを有する。示される実施形態では、自由層290は、面に垂直な例えばz方向容易軸を有する。しかしながら、他の実施形態では、自由層290は、完全に又は部分的に面内の容易軸を有し得る。同様に、ピンド層270の磁化は、垂直方向にピン止めされているとして示される。しかしながら、他の実施形態では、ピンド層270の磁化は、面内を含む他の一つの方向内であり得る。また、磁気素子250は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを含む。こうして、磁気素子250は、強磁性層と混合せず、互いに化学的に安定な非磁性層と交互にされた強磁性層を含み得、且つ少なくとも一部の実施形態においては、強磁性層内で磁気的に死んだ層を作り出すであろう相互作用が実質的にない。さらに、下記のように、垂直異方性は、強磁性層、つまりは自由層240内で誘導され得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、自由層290と非磁性層スペーサ層との間で界面層として使用され得る。そのようなものとして、自由層240は、複数の利点を提供し得る。さらに具体的には、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、例えば磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内でPPMAによって誘導され得る垂直異方性を有し得る。この垂直異方性は、自由層290の垂直異方性を強化し得る。垂直異方性の結果として、スピントランスファートルクのための切り替え電流密度は、磁気素子250で減少し得る。一部実施形態では、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’並びに自由層240は、少なくとも厚さ2nmであり得る。このような実施形態の一部では、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’並びに自由層は、厚さ4nmになり得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、自由層240と強力に強磁性的に結合され得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’、つまりは自由層240は、より小さな面内寸法で熱的に安定であり得る。また、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’のための材料及び層の厚さは、磁気素子250の性能を強化するために選択され得る。材料は、TMRを改善するために選択され得る。例えば、CoFe、Co20Fe60B20などのCoFeB及び/又はそのような強磁性材料が、結晶性MgO非磁性スペーサ層280と調和する微細構造を提供するために、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内で使用され得る。従って、所望の障壁層は、非磁性スペーサ層280のために使用され得る。400°Cを超える堆積温度は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を製造するために必要とされないので、所望のトンネリング障壁層は、磁気素子250の製造を乗り切りえる。さらに、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、より低いモーメントを有し得、自由層290が磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’と磁気的に結合され得るにつれて、磁気素子250のための切り替え電流密度をさらに減少し得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の所望の構成は、比較的少数の材料を用いて、且つ高温堆積なしで達成され得る。さらに、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、より低いダンピングを有するように構成され得る。加えて、MgOなどの絶縁キャッピング層は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用を選択することで省略され得る際に、磁気素子250の一部の寄生抵抗が減少し得る。従って、磁気素子250の性能は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用を通じて強化され得る。従って、自由層290に隣接する磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を用いる磁気素子250は、より小さな面内サイズ、つまりはより高いSTT-RAM密度のために望まれるように機能し得る。図11は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子250’の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図11は縮尺通りではない。磁気素子250’は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子250’は、任意のピニング層260、ピンド層270、非磁性スペーサ層280及び自由層290それぞれに類似の、任意のピニング層260’、ピンド層270’、非磁性スペーサ層280’及び自由層290’を含む。さらに、磁気素子250’は、シード及び/又はキャッピング層などの、他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子250’は、磁気素子250’を介して書き込み電流が流れる際に、自由層290’が安定磁気状態間を切り替え可能なようにも構成され得る。従って、自由層290’は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。磁気素子250’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャも含む。こうして、磁気素子250’は、強磁性層と混合せず、互いに化学的に安定な非磁性層と交互にされた強磁性層を含み得、且つ少なくとも一部の実施形態において、強磁性層内で磁気的に死んだ層を作り出すであろう相互作用が実質的にない。しかしながら、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、自由層290’の代わりにピンド層270’に隣接する。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、ピンド層270’と非磁性スペーサ層280’との間で界面層として使用され得る。そのようなものとして、ピンド層270’は、複数の利点を提供し得る。例えば、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、例えば磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内でPPMAによって誘導される垂直異方性を有し得る。この垂直異方性は、ピンド層270’の垂直異方性を強化し得る。一部実施形態では、ピンド層270’磁化の少なくとも一部は、面内のままであり得る。このような実施形態では、ピンド層270’の面外消磁エネルギーは、垂直異方性エネルギー以下である。図11で示される実施形態を含む他の実施形態では、ピンド層270’の磁化は、面に垂直であり得る。このような実施形態において、面外消磁エネルギーは、垂直異方性エネルギー未満である。こうしてピンド層270’は、垂直磁気素子250’内でより機能することが可能になり得る。垂直異方性の結果として、スピントランスファートルクのための切り替え電流密度は、磁気素子250’のために減少し得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’のための材料及び層の厚さは、磁気素子250の性能を強化するためにも選択され得る。材料は、TMRを改善するために選択され得る。例えば、結晶性MgO非磁性スペーサ層280’と調和する微細構造を提供するために、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’内で、CoFe、CoFeB及び/又はそのような強磁性材料が使用され得る。従って、所望の障壁層は、非磁性スペーサ層280’のために使用され得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の所望の構成は、比較的少数の材料を用いて、且つ高温堆積なしで達成され得る。さらに、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、より低いダンピングを有するように構成され得る。加えて、MgOなどの絶縁キャッピング層が磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用を選択することで省略され得る際に、磁気素子250’の一部の寄生抵抗が減少し得る。従って、磁気素子250’の性能は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の使用を通じて強化され得る。従って、ピンド270’に隣接する磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を用いる磁気素子250’は、より小さな面内サイズ、つまりはより高いSTT-RAM密度に望まれるように機能し得る。図12は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子250’’の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図12は縮尺通りではない。磁気素子250’’は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子250’’は、任意のピニング層260/260’、ピンド層270/270’、非磁性スペーサ280/280’及び自由層290/290’それぞれに類似の、任意のピニング層260’’、ピンド層270’’、非磁性スペーサ層280’’及び自由層290’’を含む。さらに、磁気素子250’’は、シード及び/又はキャッピング層などの、他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子250’’は、磁気素子250’’を介して書き込み電流が流れる際に、自由層290’’が安定磁気状態間を切り替え可能なようにも構成される。従って、自由層290’’は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。磁気素子250’’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャも含む。こうして、磁気素子250’’は、強磁性層と混合せず、互いに化学的に安定な非磁性層と交互にされた強磁性層を含み得、且つ少なくとも一部の実施形態において、強磁性層内で磁気的に死んだ層を作り出すであろう相互作用が実質的にない。第一磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、ピンド層270’’に隣接し、一方第二磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、自由層290’’に隣接する。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、ピンド層270’’と非磁性スペーサ層280’’との間、及び自由層290’’と非磁性スペーサ層280’’との間で界面層として使用され得る。そのようなものとして、磁気素子250及び/又は250’の利点は達成され得る。図13は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子300の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図13は縮尺通りではない。磁気素子300は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子300は、第一ピンド層320、第一非磁性スペーサ層330、自由層340、第二非磁性スペーサ層350及び第二ピンド層360を含む。任意のピニング層310及び370も示され、ピンド層320及び360の磁化をそれぞれ固定するために使用され得る。一部実施形態では、任意のピニング層310及び370は、交換バイアス相互作用によってピンド層320及び360の磁化図示せずをピン止めするAFM層である。しかしながら、他の実施形態では、任意のピニング層320及び370は省略され得る。さらに、磁気素子300は、シード及び/又はキャッピング層などの他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子300は、磁気素子300を介して書き込み電流が流れる際に、自由層340が安定磁気状態間を切り替え可能なようにも構成される。従って、自由層340は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。スペーサ層330及び350は非磁性である。一部実施形態では、スペーサ層330は絶縁体、例えばトンネリング障壁である。このような実施形態では、スペーサ層330及び/又は350は、結晶性MgOを含み得、磁気素子のトンネリング磁気抵抗TMRを強化し得る。他の実施形態では、スペーサ層330及び/又は350は、銅などの導体であり得る。代替実施形態では、スペーサ層330及び/又は350は、他の一つの構造体、例えば絶縁マトリクス内に導電性チャネルを含む粒状の層を有し得る。一部実施形態では、スペーサ層330及び350が両方とも絶縁トンネリング障壁である。しかしながら、他の実施形態では、スペーサ層330又は350の一つだけが絶縁トンネリング障壁である。他のスペーサ層350又は330はそれぞれ、導電性であり得る。ピンド層320及び360並びに自由層340は、磁性であり、従って、Ni、Fe及びCoのうち一つ以上を特に合金状で含み得る。単一層として図示されているが、ピンド層320及び360は、複数の層を含み得る。例えば、一以上のピンド層320及び360は、Ruなどの薄層を介して反磁性的に又は強磁性的に結合された磁性層を含むSAFであり得る。このようなSAFにおいて、Ru又は他の材料の薄層と交互にされた磁性層が使用され得る。ピンド層320及び370の磁化は、垂直方向であり得る。しかしながら、他の実施形態では、ピンド層320及び370の磁化は、部分的に又は完全に面内であることを含む他の一つの方向であり得る。さらに、自由層340は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’別々に示されていないを含み得る。自由層340は、スピントランスファーで切り替えられ得る変更可能な磁化図示せずも有する。自由層340は、面に垂直な例えばz方向容易軸を有し得る。しかしながら、他の実施形態では、自由層340は、完全に又は部分的に面内の容易軸を有し得る。自由層340は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’から構成され得、又は他の層も含み得る。従って、自由層340は、自由層240に類似であり得る。従って、磁気素子200で達成されたものに類似の利点は、磁気素子300で達成され得る。加えて、二重磁気トンネリング接合又は単一障壁磁気トンネリング接合などの、一つの非磁性スペーサ層が障壁層であり、且つ他が導電性である二重磁気構造体の利点が達成され得る。図14は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子300’の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図14は縮尺通りではない。磁気素子300’は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子300’は、磁気素子300に類似である。こうして、磁気素子300’は、第一ピンド層320、第一非磁性スペーサ層330、自由層340、第二非磁性スペーサ層350、及び第二ピンド層360それぞれに類似の、第一ピンド層320’、第一非磁性スペーサ層330’、自由層340’、第二非磁性スペーサ層350’及び第二ピンド層360’を含む。任意のピニング層310及び370それぞれに類似の任意のピニング層310’及び370’も示される。しかしながら、他の実施形態では、任意のピニング層320’及び/又は370’は省略され得る。さらに、磁気素子300’は、シード及び/又はキャッピング層などの他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子300’は、磁気素子300’を介して書き込み電流が流れる際に、自由層340’が安定磁気状態間を切り替え可能なようにも構成される。従って、自由層340’は、スピントランスファーを用いて切り替え可能である。磁気素子300と異なり、自由層340’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を含まないことがある。しかしながら、自由層390’は、複数の層を含み得る。例えば、自由層340’は、Ruなどの薄層を介して反磁性的に又は強磁性的に結合された磁性層を含むSAFであり得る。このようなSAFにおいて、Ru又は他の材料の薄層と交互にされた複数の磁性層が使用され得る。自由層340’の磁化は、垂直方向であり得る。しかしながら、他の実施形態では、自由層340’の磁化は、部分的に又は完全に面内であることを含む他の一つの方向であり得る。ピンド層320’及び/又はピンド層360’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’別々に示されていないを含み得る。ピンド層320’及び/又はピンド層360’は、面に垂直な例えばz方向容易軸を有し得る。しかしながら、他の実施形態では、ピンド層320’及び/又はピンド層360’は、完全に又は部分的に面内である容易軸を有し得る。ピンド層320’及び/又はピンド層360’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’から構成され得、他の層も含み得る。従って、ピンド層320’及び/又はピンド層360’は、ピンド層220’又は220’’に類似し得る。従って、磁気素子200’及び/又は200’’で達成されるものに類似する利点が、磁気素子300’で達成され得る。加えて、二重磁気トンネリング接合又は単一障壁磁気トンネリング接合などの、一つの非磁性スペーサ層が障壁層であり、且つ他が導電性である二重磁気構造体の利点が達成され得る。図15は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子300’’の例示的な実施形態を示す。明確にするために、図15は縮尺通りではない。磁気素子300’’は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子300’は、磁気素子300及び300’と類似である。こうして、磁気素子300’’は、第一ピンド層320/320’、第一非磁性スペーサ層330/330’、自由層340/340’、第二非磁性スペーサ層350/350’及び第二ピンド層360/360’それぞれに類似の、第一ピンド層320’’、第一非磁性スペーサ層330’’、自由層340’’、第二非磁性スペーサ層350’’及び第二ピンド層360’’を含む。任意のピニング層310/310’及び370/370’それぞれに類似の、任意ピニング層310’’及び370’’も示される。しかしながら、他の実施形態では、任意のピニング層310’’及び/又は370’’は省略され得る。さらに、磁気素子300’’は、シード及び/又はキャッピング層などの、他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子300’’は、磁気素子300’’を介して書き込み電流が流れる際に、自由層340’’が安定磁気状態間で切り替え可能なようにも構成される。従って、自由層340’’は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。自由層340’’並びに一以上のピンド層320’’及び/又は360’’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’別々に示されないを含み得る。自由層340’’、ピンド層320’’及び/又はピンド層360’’は、面に垂直なz方向の容易軸を有し得る。しかしながら、他の実施形態では、自由層340’’、ピンド層320’’及び/又はピンド層360’’は、完全に又は部分的に面内の容易軸を有し得る。自由層340’’、ピンド層320’’及び/又はピンド層360’’は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’から構成され得、又は他の層を含み得る。従って、自由層340’’、ピンド層320’’及び/又はピンド層360’’は、自由層240/240’’’及び/又はピンド層220’/220’’/220’’’に類似し得る。従って、磁気素子200、200’、200’’及び/又は200’’で達成されたものに類似の利点は、磁気素子300’’で達成され得る。加えて、二重磁気トンネリング接合又は単一障壁磁気トンネリング接合などの、一つの非磁性スペーサ層が障壁層であり、且つ他が導電性である二重磁気構造体の利点が達成され得る。図16は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子400の他の一つの例示的な実施形態を示す。明確にするために、図16は縮尺通りではない。磁気素子400は、STT-RAMなどの磁気メモリ内で使用され得る。磁気素子400は、第一ピンド層420、第一非磁性スペーサ層430、自由層440、第二非磁性スペーサ層450及び第二ピンド層460を含む。ピンド層420及び460の磁化図示せずをそれぞれ固定するために使用され得る任意のピニング層410及び470も示される。一部実施形態では、任意のピニング層410及び470は、交換バイアス相互作用によってピンド層420及び460の磁化図示せずをピン止めするAFM層である。しかしながら、他の実施形態では、任意のピニング層420及び/又は470は省略され得る。さらに、磁気素子300は、シード及び/又はキャッピング層などの、他の及び/又は追加の層を含み得る。磁気素子400は、磁気素子400を介して書き込み電流が流れる際に、自由層440が安定磁気状態間で切り替え可能なようにも構成される。従って、自由層440は、スピントランスファートルクを用いて切り替え可能である。スペーサ層430及び450は非磁性である。一部実施形態では、スペーサ層430は、絶縁体、例えばトンネリング障壁である。このような実施形態では、スペーサ層430及び/又は450は、結晶性MgOを含み得、磁気素子のトンネリング磁気抵抗TMRを強化し得る。他の実施形態では、スペーサ層430及び/又は450は、銅などの導体であり得る。代替実施形態では、スペーサ層430及び/又は450は、他の一つの構造体、例えば絶縁層内に導電性チャネルを含む粒状の層を有し得る。一部実施形態では、スペーサ層430及び450は両方とも絶縁トンネリング障壁である。しかしながら、他の実施形態では、スペーサ層430又は450は一つだけ絶縁トンネリング障壁である。他のスペーサ層450又は430はそれぞれ導電性であり得る。ピンド層420及び460並びに自由層440は磁性であり、従って、Ni、Fe及びCoのうち一つ以上を、特に合金状で含み得る。単一層としてい図示されているが、層420、460及び/又は440は、複数の層を含み得る。例えば、一以上の層420、460及び/又は440は、Ruなどの薄層を介して反磁性的に又は強磁性的に結合された磁性層を含むSAFであり得る。このようなSAFにおいて、Ru又は他の材料の薄層と交互にされた複数の磁性層が使用され得る。層420、460及び/又は440の磁化は、垂直方向であり得る。しかしながら、他の実施形態では、層420、460及び/又は440の磁化は、部分的に又は完全に面内であることを含む他の一つの方向であり得る。さらに、単純な層として示されているが、一以上の自由層440、ピンド層420及び/又はピンド層460は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’別々に示されないを含み得る。自由層440、ピンド層420及び/又はピンド層460は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’から構成され得、並びに他の層も含み得る。自由層440は、スピントランスファーで切り替えられ得る変更可能な磁化図示せずも有する。自由層440は、面に垂直な例えばz方向容易軸を有し得る。しかしながら、他の実施形態では、自由層440は、完全に又は部分的に面内の容易軸を有し得る。同様に、ピンド層420及び/又は460は、面に垂直な例えば、z方向容易軸を有し得る。しかしながら、他の実施形態では、420及び/又は460は、完全に又は部分的に面内の容易軸を有し得る。磁気素子400は、一以上の任意の磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’も含む。このような任意の磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は、非磁性スペーサ層430とピンド層420との間、自由層440と非磁性スペーサ層430との間、自由層440と非磁性スペーサ450との間、及び/又はピンド層460と非磁性スペーサ層450との間、の一以上の上記の場所に存在し得る。従って、磁気素子400は、一以上の磁気素子250、250’及び/又は250’’に類似し得る。従って、磁気素子400で達成されたものと類似の利点は、磁気素子250、250’及び/又は250’’で達成され得る。加えて、二重磁気トンネリング接合又は単一障壁磁気トンネリング接合などの、一つの非磁性スペーサ層が障壁層であり、且つ他が導電性である二重磁気構造体の利点が達成され得る。磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を用いる様々な磁気素子200、200’、200’’、200’’’、205、250’、250’’、300、300’、300’’及び400が開示された。留意すべきことは磁気素子200、200’、200’’、200’’’、205、250’、250’’、300、300’、300’’及び400の様々な特徴は組み合わされ得ることである。同様に、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の一部又は全ての特徴は、組み合され得る。従って、大きな厚さにさえある垂直異方性、熱的安定性、高い磁気抵抗、調節可能な磁気モーメント、調節され得る磁気相互作用、減少した寄生抵抗、スピントランスファーのためのより低い書き込み電流密度、及び/又はより低いダンピングなどの、サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の一以上の利点が達成され得る。さらに、サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’などの磁気サブストラクチャを用いる磁気素子は、磁気メモリ内で使用され得る。図17は、ひとつのこのようなメモリ500の例示的な実施形態を示す。磁気メモリ500は、読み込み/書き込みコラム選択ドライバ502及び506、並びにワードライン選択ドライバ504を含む。留意すべきことは、他の及び/又は異なる構成要素が提供され得ることである。メモリ500のストレージ領域は、磁気ストレージセル510を含む。磁気ストレージセルはそれぞれ、少なくとも一つの磁気素子512及び少なくとも一つの選択デバイス514を含む。一部実施形態では、選択デバイス514はトランジスタである。磁気素子512は、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’を含む。従って、磁気素子512は、磁気素子200、200’、200’’、200’’’、205、250’、250’’、300、300’、300’’、400又はこれらの組み合わせであり得る。そのようなものとして、磁気メモリ500は、熱的安定性及び低い書き込み電流密度などの、上述の利点を享受し得る。図18は、磁気サブストラクチャを製造するための方法600の例示的な実施形態を示す。明確性のため、一部段階は省略、又は組み合され得る。方法600は、磁気サブストラクチャ100の文脈で説明される。しかしながら、方法600は、サブストラクチャ100’、100’’及び100’’’などの他の磁気サブストラクチャにおいても使用され得る。さらに、方法600は、磁気素子200、200’、200’’、200’’’、205、250’、250’’、300、300’、300’’、400及び/又は512などの磁気素子の製造内に組み込まれ得る。従って、方法600は、STT-RAM又は他の磁気メモリの製造で使用され得る。方法600は、下層の非磁性層101が必要に応じて提供された後に開始され得る。強磁性層102は、段階602で提供される。段階602は、CoFeBを含む合金などの所望の材料を、強磁性層102の所望の厚さまで堆積することを含み得る。他の実施形態では、強磁性層102の一部は、所望の厚さを達成するために除去され得る。一部実施形態では、強磁性層は、全面に堆積され得る。他では、フォトリソグラフィーが、強磁性層の堆積を特定の領域に限定し得る。非磁性層104は、段階604で提供される。段階604は、Cr及びVを含むがこれらに限定されない、所望の非磁性材料の堆積を含み得る。加えて、所望の厚さの材料が、段階602で堆積され得る。一部実施形態では、非磁性層104は、全面に堆積され得る。他では、フォトリソグラフィーが、非磁性層の堆積を特定の領域に限定し得る。この強磁性-非磁性二重層の形成は、n-1回繰り返され、形成される構造体は、n個繰り返された二重層を含む。従って、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’は形成される。その後、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’の製造が、段階608で完成され得る。例えば、磁気サブストラクチャ100、100’、100’’及び/又は100’’’が用いられる磁気素子が明確化され得る。方法600を用いて、その結果、磁気素子100、100’、100’’及び/又は100’’’が製造され得る。従って、磁気素子の利点が達成され得る。磁気サブストラクチャ、その磁気サブストラクチャを用いる磁気メモリ素子、及びその磁気メモリ素子/磁気サブストラクチャを用いて製造されたメモリを説明してきた。本方法及びシステムは、図示された例示的な実施形態に従って説明されているが、当業者は、それら実施形態にはバリエーションが存在し得て、あらゆるバリエーションが本方法及びシステムの精神及び範囲内にあることを容易に認識するものである。従って、多様な修正が、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲から逸脱することなく、当業者によって為され得る。