2種類の異なる電気抵抗値を有する第2導電型の不純物拡散層が受光面側に設けられた第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の受光面側に設けられた受光面側電極と、前記半導体基板の裏面側に設けられた裏面側電極とを備え、前記第2導電型の不純物拡散層が、表面が凹凸形状とされた第1不純物拡散層と、前記第1不純物拡散層よりも小さい電気抵抗値を有する第2不純物拡散層とを備える太陽電池において、前記受光面側電極が、前記第2不純物拡散層の領域および前記第2不純物拡散層に隣接する前記第1不純物拡散層の一部領域の2領域にまたがって接触して前記第1不純物拡散層および前記第2不純物拡散層に電気的に接続して設けられること、を特徴とする太陽電池。前記半導体基板の面内において前記第2不純物拡散層の面積が前記受光面側電極の面積よりも小であり、前記受光面側電極が、前記第2不純物拡散層の全ての領域を覆って設けられること、を特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記第2不純物拡散層の表面が平坦とされること、を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。前記第2不純物拡散層の表面が少なくとも部分的に凹凸形状とされること、を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。前記第2不純物拡散層がメッシュパターンで形成されること、を特徴とする請求項4に記載の太陽電池。前記受光面側電極が、細線形状を有するグリッド電極と、前記グリッド電極より太幅形状を有して前記グリッド電極に接続するバス電極とからなり、前記バス電極に覆われる領域のみに前記第2不純物拡散層が形成されること、を特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の太陽電池。前記第2不純物拡散層の輪郭が、前記第2不純物拡散層の延在方向において蛇行した形状を呈し、前記第1不純物拡散層のうち、前記第2不純物拡散層の幅方向において前記第2不純物拡散層に隣接して部分的に前記第2不純物拡散層側に膨らんだ領域は、前記受光面側電極に当接して前記受光面側電極で覆われ、前記第2不純物拡散層のうち、前記第2不純物拡散層の幅方向において前記第1不純物拡散層に隣接して部分的に前記第1不純物拡散層側に膨らんだ領域の端部近傍は、前記受光面側電極で覆われないこと、を特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の太陽電池。第1導電型の半導体基板の一面側に、表面が凹凸形状とされた第1不純物拡散層と、表面が平坦とされて前記第1不純物拡散層よりも小さい電気抵抗値を有する第2不純物拡散層とを形成する不純物拡散層形成工程と、前記第2不純物拡散層の領域および前記第2不純物拡散層に隣接する前記第1不純物拡散層の一部領域の2領域にまたがって接触して前記第1不純物拡散層および前記第2不純物拡散層に電気的に接続する受光面側電極を前記半導体基板の一面側に形成する受光面側電極形成工程と、前記半導体基板の裏面側に裏面側電極を形成する裏面側電極形成工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記半導体基板の面内における前記第2不純物拡散層の面積が前記受光面側電極の面積よりも小であり、前記受光面側電極が、前記第2不純物拡散層の全ての領域を覆って設けられること、を特徴とする請求項8に記載の太陽電池の製造方法。前記第2不純物拡散層の表面が平坦とされること、を特徴とする請求項8または9に記載の太陽電池の製造方法。前記第2不純物拡散層の表面が少なくとも部分的に凹凸形状とされること、を特徴とする請求項8または9に記載の太陽電池の製造方法。前記第2不純物拡散層がメッシュパターンで形成されること、を特徴とする請求項11に記載の太陽電池の製造方法。前記受光面側電極が、細線形状を有するグリッド電極と、前記グリッド電極より太幅形状を有して前記グリッド電極に接続するバス電極とからなり、前記バス電極に覆われる領域のみに前記第2不純物拡散層が形成されること、を特徴とする請求項8~12のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。前記不純物拡散層形成工程では、前記半導体基板の一面側の全面に前記第2不純物拡散層を形成する工程と、前記第2不純物拡散層上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜に前記第1不純物拡散層のパターンで微小孔を形成する工程と、前記微小孔を介して前記前記半導体基板の一面側をウエットエッチングすることにより前記第2不純物拡散層をパターニングするとともに前記半導体基板の一面側における前記第2不純物拡散層以外の領域に前記凹凸形状を形成する工程と、前記半導体基板の一面側における前記凹凸形状が形成された領域に前記第1不純物拡散層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項8~13のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。前記第2不純物拡散層の輪郭を、前記第2不純物拡散層の延在方向において蛇行した形状に形成し、前記第1不純物拡散層のうち、前記第2不純物拡散層の幅方向において前記第2不純物拡散層に隣接して部分的に前記第2不純物拡散層側に膨らんだ領域は、前記受光面側電極に当接させて前記受光面側電極で覆い、前記第2不純物拡散層のうち、前記第2不純物拡散層の幅方向において前記第1不純物拡散層に隣接して部分的に前記第1不純物拡散層側に膨らんだ領域の端部近傍は、前記受光面側電極で覆わないこと、を特徴とする請求項8~14のいずれか1つに記載の太陽電池の製造方法。請求項1~7のいずれか1つに記載の太陽電池の少なくとも2つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、を特徴とする太陽電池モジュール。しかしながら、上記従来の技術によれば、まず受光面全体にドーパントを高濃度に拡散して低抵抗拡散層を形成する。つぎに、最終的に低抵抗拡散層にする電極下部の部分をマスキングし、エッチングすることにより電極形成領域以外の低抵抗拡散層を除去する。そして、受光面全体にドーパントを低濃度に拡散して高抵抗拡散層を形成する。このような工程では、電極形成領域はマスキングされているためエッチングされず、表面形状はほぼ平坦な形状になる。このため、この電極形成領域低抵抗拡散層とこの上に形成する受光面側電極との密着面積が減少し、接触抵抗の増大による太陽電池の特性の劣化、および電極密着強度の低下に起因した電極剥離により長期信頼性を劣化させる原因となる、という問題があった。また、この場合の電極形成領域低抵抗拡散層は、受光面側電極の形成時における位置合わせのマージンを考慮して、最終的な電極幅よりも広い領域に設けられる。そして、低抵抗拡散層のうち電極が形成されていない領域は受光面として機能するが、低抵抗拡散層は少数キャリア寿命が短く光-電子変換効率が低いため、この領域で電流の損失が発生する、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光-電子変換効率および長期信頼性に優れた太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールを提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池は、2種類の異なる電気抵抗値を有する第2導電型の不純物拡散層が受光面側に設けられた第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の受光面側に設けられた受光面側電極と、前記半導体基板の裏面側に設けられた裏面側電極とを備え、前記第2導電型の不純物拡散層が、表面が凹凸形状とされた第1不純物拡散層と、前記第1不純物拡散層よりも小さい電気抵抗値を有する第2不純物拡散層とを備える太陽電池において、前記受光面側電極が、前記第2不純物拡散層の領域および前記第2不純物拡散層に隣接する前記第1不純物拡散層の一部領域の2領域にまたがって接触して前記第1不純物拡散層および前記第2不純物拡散層に電気的に接続して設けられること、を特徴とする。本発明によれば、受光面側電極と半導体基板との接触抵抗の低下および密着強度の向上が図られた、光-電子変換効率および長期信頼性の高い太陽電池が得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。実施の形態1.図1-1は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セルの概略構成を示す要部断面図である。図1-2は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セルの概略構成を示す要部平面図であり、図1-1は図1-2の線分A-Aにおける要部断面図である。なお、図1-2においては、反射防止膜および受光面側電極を透過して見ている。実施の形態1にかかる太陽電池セルは、半導体基板1としてp型の単結晶または多結晶のシリコン基板以下、シリコン基板1と呼ぶを用いている。なお、半導体基板1はこれに限定されるものではなく、n型のシリコン基板を用いてもよい。シリコン基板1の受光面側には、光を閉じ込めるためのテクスチャー構造を構成する微小凹凸5が10μm程度の深さで形成されている。シリコン基板1の受光面側の表層部にはn型不純物拡散層が形成されてpn接合部を形成している。n型不純物拡散層としては、2種類の層が形成されている。すなわち、微小凹凸5の表層部には、n型の不純物が低濃度に拡散された高抵抗拡散層低濃度不純物拡散層6が形成されている。また、シリコン基板1の受光面側において微小凹凸5が形成されず突出した領域の表層部には、n型の不純物が高濃度に拡散された低抵抗拡散層高濃度不純物拡散層2が形成されている。したがって、高抵抗拡散層6の電気抵抗値を第1電気抵抗値とし、低抵抗拡散層2の電気抵抗値を第2電気抵抗値とすると、第2電気抵抗値は、第1電気抵抗値よりも小さくなる。低抵抗拡散層2上および低抵抗拡散層2に隣接する高抵抗拡散層6の一部の上には、受光面側電極10が形成されている。すなわち、受光面側電極10は、低抵抗拡散層2および低抵抗拡散層2に隣接する高抵抗拡散層6の一部領域の2領域にまたがって接触して、低抵抗拡散層2および低抵抗拡散層2に電気的に接続している。受光面側電極10は、銀を含み、シリコン基板1の面内において略平行に配置された多数の細いグリッド電極と、これに直行して配置された数本の太いバス電極とを有している。受光面側電極10が形成されていない高抵抗拡散層6上には、入射する光の反射を低減して光利用率を向上するための反射防止膜7が形成されている。以上のように構成された実施の形態1にかかる太陽電池セルは、受光面における受光面側電極10の下部には電気抵抗の低い低抵抗拡散層2が厚い厚みで形成されてシリコン基板1と受光面側電極10間の電気的抵抗接触抵抗を小さくし、受光面におけるそれ以外の領域には電気抵抗の高い高抵抗拡散層6が薄い厚みで形成されて電子が発生し消滅する再結合速度を小さくするように構成されたセレクティブエミッタ構造を有する。この太陽電池セルにおいては、受光面側電極10の一部が低抵抗拡散層2と接合されることにより、受光面側電極10とシリコン基板1との導電性が良好とされる。また、この太陽電池セルにおいては、高抵抗拡散層6の表面は凹凸形状とされているため、受光面側電極10の一部が高抵抗拡散層6と接合されることにより受光面側電極10とシリコン基板1との接触面積が大きくなり、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上が図られている。シリコン基板1の受光面の面内において、低抵抗拡散層2の面積は、受光面側電極10の形成領域よりも小とされている。低抵抗拡散層2の面積が受光面側電極10の面積に対して40~80程度である場合にシリコン基板1との密着力が良好となる。低抵抗拡散層2の面積が受光面側電極10の面積の40以下の場合は、受光面側電極10とシリコン基板1低抵抗拡散層2との電気的抵抗が高くなり、導電率が低下するため電流の損失が発生する。また、低抵抗拡散層2の面積が受光面側電極10の面積の80以上の場合は、受光面側電極10とシリコン基板1低抵抗拡散層2との密着力が十分でなく、受光面側電極10が剥離しやすくなる。シリコン基板1の裏面には、裏面側電極としてアルミニウムを含むアルミニウム電極9と、銀を含む外部取り出し電極である裏面銀電極8が形成されている。シリコン基板1の裏面において、アルミニウム電極9の下部領域にはアルミニウムとシリコンとの合金層が形成され、その下部にはアルミニウムの拡散により設けられたp層であるBSFBackSurfaceField層が形成されている図示せず。以上のように構成された実施の形態1にかかる太陽電池セルにおいては、受光面側電極10はシリコン基板1の受光面において比較的平坦な低抵抗拡散層2と接合するとともに低抵抗拡散層2の領域からはみ出して低抵抗拡散層2よりも位置の低い高抵抗拡散層6の一部と接合して形成されている。高抵抗拡散層6の表面は凹凸形状とされているため、受光面側電極10とシリコン基板1との接触面積が大きくなり、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上が図られている。また、受光面側電極10と低抵抗拡散層2との接続部がこのような密着強度の大きい部分に囲まれるため、受光面側電極10と低抵抗拡散層2との接続部の強度を高めることができ、受光面側電極10の剥離を防止することができる。したがって、実施の形態1にかかる太陽電池セルによれば、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上が図られた、光-電子変換効率および長期信頼性の高い太陽電池セルが実現されている。つぎに、以上のように構成された実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法について図2-1~図2-7を参照して説明する。図2-1~図2-7は、実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法を説明する要部断面図である。まず、シリコン基板1としてたとえばp型単結晶シリコン基板を準備し、該シリコン基板1の表面を、インゴットからスライスした時の不純物やダメージ領域などの除去を行うために熱アルカリで表面を10μm厚程度エッチングし、フッ酸および純水で洗浄する。つぎに、表面の不純物を除去したシリコン基板1を熱拡散炉へ投入し、オキシ塩化リンPOCl3ガス中で加熱する。この工程により、気相拡散法によりシリコン基板1の表面に高温でリンPを高濃度に拡散させて、導電型を反転させた高濃度のn型不純物拡散層である低抵抗拡散層2をシリコン基板1の一面側受光面側に形成する図2-2。リンPの拡散は、たとえば低抵抗拡散層2のシート抵抗が20~50Ω/□の範囲になるようにする。このとき拡散させるリンPの濃度は、オキシ塩化リンPOCl3ガスの濃度および雰囲気温度、加熱時間により制御することが可能である。ここでは、850°Cで15分の熱拡散を行い、拡散後の低抵抗拡散層2のシート抵抗を測定すると30Ω/□となった。つぎに、シリコン基板1をたとえばフッ酸HFに浸漬することにより、リン拡散工程においてシリコン基板1の最表面に形成されたリンガラス層を除去し、洗浄する。その後、シリコン基板1を熱酸化炉に投入し、950°Cで10分の熱酸化を行い、低抵抗拡散層2の表面に100nm程度の膜厚の酸化膜3を形成する。そして、シリコン基板1の受光面となる基板面上において、後に受光面側電極が形成される受光面側電極形成領域にレジストパターン4を印刷法で形成する図2-3。形成するレジストパターン4は受光面側電極10のパターンよりも面積を狭く形成する。これにより、前述したように微小凹凸5の表層部の高抵抗拡散層6の一部上にも受光面側電極10が形成されるため、シリコン基板1と受光面側電極10との密着強度の向上効果が得られる。つぎに、レジストパターン4が形成されたシリコン基板1の受光面側を、たとえば1000番のアルミナ砥粒を使用してブラスト加工し、酸化膜3に無数の微小な穴微小孔を形成する。ここで、レジストパターン4で覆われた部分の酸化膜3には、微小孔は形成されない。その後、シリコン基板1を水酸化ナトリウム溶液に浸漬してレジストパターン4を除去する。つぎに、シリコン基板1の受光面に微小凹凸5を形成する。微小凹凸5の形成は、シリコン基板1を水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコールとの混合溶液に浸し、酸化膜3に形成された微小孔部分を介してシリコン基板1の表面をウエットエッチングすることにより行う。このエッチングでは、たとえばシリコン基板1の表面を厚み方向において10~20μmのエッチングを行い、受光面側の表面の微小凹凸5が10μmの深さになるまで行う。この結果、シリコン基板1の受光面において、微小孔部分を介してエッチングされた部分の低抵抗拡散層2が除去される。ここで、ブラスト加工による微小孔の形成時にレジストパターン4で覆われていた部分の酸化膜3は、微小孔が形成されていないためエッチングが行われず、低抵抗拡散層2がほぼ平坦な表面状態で残存する。その後、シリコン基板1をフッ酸に浸漬して酸化膜3を除去する図2-4。このエッチング処理により、低抵抗拡散層2は、シリコン基板1の受光面において突出した受光面側電極形成領域のみに残存する。つぎに、表面に微小凹凸5を形成したシリコン基板1を再度熱拡散炉へ投入し、オキシ塩化リンPOCl3ガス中で加熱する。この工程により、気相拡散法によりシリコン基板1の表面に高温でリンPを低濃度に拡散させて、導電型を反転させた低濃度のn型不純物拡散層である高抵抗拡散層6を微小凹凸5の表層に形成する図2-5。リンPの拡散は、たとえば高抵抗拡散層6のシート抵抗が80~120Ω/□の範囲になるようにする。このとき拡散させるリンPの濃度は、オキシ塩化リンPOCl3ガスの濃度および雰囲気温度、加熱時間により制御することが可能である。ここでは、800°Cで10分の熱拡散を行い、拡散後の高抵抗拡散層6のシート抵抗を測定すると100Ω/□となった。つぎに、高抵抗拡散層6上に反射防止膜7を形成する。反射防止膜7としては、たとえばシランとアンモニアとの混合ガスを用いたプラズマCVD法により膜厚60nm~80nmの窒化シリコン膜を形成する図2-6。なお、反射防止膜7は、シリコン基板1の受光面に形成してもよい。つぎに、表裏面の電極を形成する。電極の形成は、電極ペーストを印刷法により電極のパターンに印刷し、乾燥、焼成することにより行う。電極ペーストの印刷は、電極パターンに対応した開口部を有する樹脂膜が金属メッシュ上に形成された印刷マスクに、銀粒子またはアルミニウム粒子を含む電極ペーストをスキイジで押し込み、電極ペーストをマスクの開口部から透過させて行う。まず、銀粒子を含む電極ペーストを、外部との導通を取る外部取り出し電極である裏面銀電極8のパターンにシリコン基板1の裏面に印刷、乾燥する。つぎに、アルミニウム粒子を含む電極ペーストを、裏面銀電極8のパターンを除いたアルミニウム電極9のパターンにシリコン基板1の裏面に印刷する。つぎに、銀粒子を含む電極ペーストを、受光面側電極10のパターンにシリコン基板1の受光面側に印刷する。ここで、受光面側電極10のパターンの印刷は、シリコン基板1の受光面側に形成した低抵抗拡散層2に位置を合わせて行う。印刷の位置合わせは、たとえば先のレジストパターン4の印刷時に、印刷マスクに2点もしくはそれ以上の位置合わせマーカーを形成しておく。そして、受光面側電極10の印刷用の印刷マスクにもこれと同じ位置に位置合わせマーカーを形成するようにマスクを形成する。そして、この位置合わせマーカーの位置がレジストで形成したマーカーと一致するように手動で受光面側電極10の印刷用の印刷マスクの位置を調整する。また、画像処理装置でシリコン基板1の受光面側の画像を取り込み、低抵抗拡散層2のパターンに受光面側電極10の印刷位置を一致させることで精度の高い位置合わせが可能である。そして、印刷した電極ペーストを乾燥させた後、電極ペーストを焼成する。これにより、低抵抗拡散層2上および低抵抗拡散層2に隣接する高抵抗拡散層6の一部の上には、受光面側電極10が形成される。また、シリコン基板1の裏面には、裏面側電極としてアルミニウム電極9と裏面銀電極8が形成される。なお、低抵抗拡散層2上および高抵抗拡散層6上に反射防止膜7が形成されている部分では、いわゆるファイヤースルーにより受光面側電極10が低抵抗拡散層2および高抵抗拡散層6に接続し、導通する図2-7。以上の工程を実施することにより、図1-1および図1-2に示す実施の形態1にかかる太陽電池セルが得られる。以上のような実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法においては、シリコン基板1の受光面の面内において、受光面側電極10は、比較的平坦な低抵抗拡散層2を覆ってこれに接合されるとともに、低抵抗拡散層2の領域からはみ出して該低抵抗拡散層2よりも位置の低い高抵抗拡散層6の一部を覆ってこれに接合されて形成される。すなわち、受光面側電極10は、低抵抗拡散層2とこの低抵抗拡散層2に隣接する領域の高抵抗拡散層6の一部を覆って形成される。高抵抗拡散層6の表面は凹凸形状とされるため、受光面側電極10とシリコン基板1との接触面積が大きくなり、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上が図れる。また、受光面側電極10と低抵抗拡散層2との接続部がこのような密着強度の大きい部分に囲まれるため、受光面側電極10と低抵抗拡散層2との接続部の強度を高めることができ、受光面側電極10の剥離を防止することができる。したがって、実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上を図り、光-電子変換効率および長期信頼性の高い太陽電池セルを実現することができる。なお、上述した実施の形態1にかかる太陽電池セルの製造方法において、低抵抗拡散層2の形成前にシリコン基板1の受光面側の表面をエッチングして所定の大きさの凹凸形状を設けてもよい。その後に低抵抗拡散層2を形成することにより、低抵抗拡散層2の表面にも凹凸形状が形成されるため、受光面側電極10とシリコン基板1との接触面積が大きくなり、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上が図れる。実施の形態2.実施の形態2では、低抵抗拡散層2の形状について説明する。前述したように低抵抗拡散層2の面積を受光面側電極10の形成領域の面積よりも小とするには、たとえば低抵抗拡散層2の幅を狭くする、低抵抗拡散層2の形状を破線形状にする、低抵抗拡散層の形状を複数ライン形状にする、など低抵抗拡散層2の形状を変更する方法が考えられる。図3は、低抵抗拡散層2の形状の一例を示す太陽電池セルの受光面側の要部平面図である。図3においては、反射防止膜7および受光面側電極10を透過して見ている。図3は低抵抗拡散層2の形状をメッシュ形状に形成した例を示している。低抵抗拡散層2の形状をメッシュ形状にすることで、受光面の面方向において均等に凹凸部を形成することができ、受光面側電極10とシリコン基板1との間の密着力を面内において均等に増強することができる。これにより、受光面側電極10とシリコン基板1との間の全体の密着強度が向上し、受光面側電極10とシリコン基板1との間でより強い密着力を得ることが可能である。実施の形態3.実施の形態2で述べたように、低抵抗拡散層2に部分的に凹凸を設けることにより、低抵抗拡散層2と受光面側電極10との間でより強い密着力を得ることができる。低抵抗拡散層2に部分的に凹凸を設けるには、たとえばレジストパターン4で覆われた酸化膜3電極形成領域にブラスト痕を部分的に付けてエッチングする。印刷法によるレジストパターン4の形成では、たとえば290メッシュ、乳剤厚15μmの条件の印刷マスクを用いてレジスト材料を印刷すると、膜厚12μmのレジスト膜が形成される。このような膜からなるレジストパターン4に1000番のアルミナ砥粒、圧力0.25Paでブラスト処理すると、レジストパターン4で覆われた酸化膜3電極形成領域にはブラスト痕は残らない。ここで、ブラスト圧力を変えると微小凹凸5の形成状態が変わるので好ましくない。このため、印刷膜厚を薄くすることが好ましい。たとえば400メッシュ、乳剤厚3μmの条件の印刷マスクを用いることで、レジスト膜の膜厚は8μmになる。このようなレジストパターン4を酸化膜3上に形成して前記ブラスト条件でブラスト加工を行うと、レジストパターン4で覆われた酸化膜3電極形成領域にも部分的に微小孔が形成される。この状態で実施の形態1の場合と同様に微小孔を介してシリコン基板1の受光面のエッチングを行うと、レジストパターン4で覆われていた領域の酸化膜3電極形成領域にも微小凹凸が形成される。これにより、低抵抗拡散層2の表面に部分的に凹凸を設けることができ、低抵抗拡散層2と受光面側電極10との間でより強い密着強度を得ることができる。なお、この凹凸は、低抵抗拡散層2の表面における全面に設けてもよい。また、この凹凸は、低抵抗拡散層2の表面における一分的に設けられ、残りの部分が平坦とされてもよい。実施の形態4.シリコン基板1と受光面側電極10のうちの細いグリッド電極との密着強度を上げるためには、たとえば図4に示すようにレジストパターン4を電流が多く流れるバス電極に対応した形状にのみ形成し、バス電極に対応した形状の低抵抗拡散層2aを形成する方法がある。この場合、グリッド電極は表面状態が凹凸形状とされた高抵抗拡散層6上に形成されるため、シリコン基板1とグリッド電極との密着強度を向上させることができる。図4は、低抵抗拡散層2の形状の一例を示す太陽電池セルの受光面側の要部平面図である。ただし、この場合はグリッド電極を高抵抗拡散層6上に形成することになるので、電流の抵抗が大きくなり特性を劣化させてしまう原因になる恐れがある。そこで、このときの高抵抗拡散層6のシート抵抗を60~100Ω/□にすることで、電流の流れを妨げることなくグリッド電極とシリコン基板1との密着強度を向上させることができる。実施の形態5.実施の形態5では低抵抗拡散層の形状を変更した変形例について説明する。実施の形態1で説明したように、低抵抗拡散層2と受光面側電極10とはともに印刷法によりパターンを形成している。しかし、それぞれのパターン再現性または位置合わせ精度が低いと、図5に示すように受光面側電極10が低抵抗拡散層2を覆わない部分が発生する。この場合は、低抵抗拡散層2と受光面側電極10との接触面積を大きくする効果が十分に得られないため接触抵抗の低減効果を十分に得られない。その結果、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上の効果が十分に得られない。図5は、低抵抗拡散層2と受光面側電極10との位置関係の一例を示す太陽電池セルの受光面側の要部平面図である。そこで、本実施の形態では、図6に示すように延在方向長手方向において輪郭外形形状が蛇行した低抵抗拡散層21を形成する。図6は、実施の形態5にかかる低抵抗拡散層21と受光面側電極10との位置関係の一例を示す太陽電池セルの受光面側の要部平面図である。図6では、低抵抗拡散層21と受光面側電極10との間の位置関係が想定した標準の位置関係にある場合を示している。これにより、例えば図7に示すように、低抵抗拡散層21と受光面側電極10との間の位置関係が想定した標準の位置関係図6参照からズレて位置ズレが生じても、低抵抗拡散層21と受光面側電極10との接触面積はこれらが標準の位置関係にある場合図6参照と同等とすることが可能であり、受光面側電極10とシリコン基板1との間で低い接触抵抗および強い密着強度を維持可能である。図7は、実施の形態5にかかる低抵抗拡散層21と受光面側電極10との位置関係の一例を示す太陽電池セルの受光面側の要部平面図である。図7では、低抵抗拡散層21と受光面側電極10との間に位置ズレが生じた場合を示している。図7に示すように、高抵抗拡散層6のうち、低抵抗拡散層21の幅方向において低抵抗拡散層21に隣接して部分的に低抵抗拡散層21側に膨らんだ領域は、受光面側電極10に当接して受光面側電極10で覆われる。これにより、高抵抗拡散層6と受光面側電極10との接触面積が大きくなり、受光面側電極10とシリコン基板1との間で強い密着強度を維持可能である。また、低抵抗拡散層21のうち、低抵抗拡散層21の幅方向において高抵抗拡散層6に隣接して部分的に高抵抗拡散層6側に膨らんだ領域の端部近傍は、受光面側電極10で覆われない。しかしながら、全体としては低抵抗拡散層21のうち図6に示した場合と同等の面積が受光面側電極10で覆われるため低抵抗拡散層21と受光面側電極10との接触面積が大きく、受光面側電極10とシリコン基板1との間で低い接触抵抗を維持可能である。したがって、上述した実施の形態1~実施の形態4において、低抵抗拡散層の外形形状を延在方向長手方向において蛇行させることにより、低抵抗拡散層21と受光面側電極10との間の位置ズレが生じた場合でも、受光面側電極10とシリコン基板1との接触抵抗の低下および密着強度の向上が図られた、光-電子変換効率および長期信頼性の高い太陽電池セルが実現可能である。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する太陽電池セルを複数形成し、隣接する太陽電池セル同士を直列または並列に電気的に接続することにより、良好な光閉じ込め効果を有し、光電変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、たとえば隣接する太陽電池セルの一方の受光面側電極10と他方の裏面銀電極8とを電気的に接続すればよい。