"第1導電型のシリコン粉末を準備し、前記粉末を層状に配置してシリコン粉末層を形成し、シリコンの融点以上に加熱することで、前記粉末層を溶融し、冷却することで、第1導電型のシリコン層を形成し、第2導電型のシリコン粉末を準備し、前記粉末を前記第1導電型のシリコン層上に層状に配置して第2導電型のシリコン粉末層を形成し、シリコンの融点以上に加熱することで、前記粉末層を溶融し、冷却することで、第2導電型のシリコン層を形成する、太陽電池セルの製造方法。絶縁箔に接合した電極箔上に前記シリコン粉末層を形成し、プレート内部に水冷配管と真空吸着配管とを備え、該真空吸着配管により前記絶縁箔と前記電極箔を吸着しつつ、前記水冷配管中の冷却水により前記絶縁箔と前記電極箔を冷却しつつ、前記シリコン粉末層の加熱を前記プレート上で行う、請求項1に記載の太陽電池セルの製造方法。前記加熱はヒータを用いて前記粉末層を予備加熱し、さらにレーザ照射により溶融する、請求項1に記載の太陽電池セルの製造方法。第1のシリコン粉末を準備し、前記粉末を層状に配置してシリコン粉末層を形成し、熱と圧力を加えることで、前記粉末層を圧縮しつつ焼成し、第1導電型のシリコン層となし、第2のシリコン粉末を準備し、前記粉末を前記第1導電型のシリコン層上に層状に配置して第2のシリコン粉末層を形成し、熱と圧力を加えることで、前記粉末層を圧縮しつつ焼成し、第2導電型のシリコン層となす、太陽電池セルの製造方法。前記シリコン粉末の粒子は0.1-10μmの粒径を有する、請求項4に記載の太陽電池セルの製造方法。前記熱はヒータを用いて発生し、前記粉末層を600-1200°Cに加熱する、請求項4に記載の太陽電池セルの製造方法。前記圧力は圧延ローラを用いて発生し、熱を加えた状態の前記粉末層を加圧しつつ焼成する、請求項4に記載の太陽電池セルの製造方法。前記粉末のシリコン粒子は予めP型またはN型にドープしたものである、請求項4に記載の太陽電池セルの製造方法。前記粉末のシリコン粒子はノンドープであり、ドーパントを加えて加圧焼成の過程で、P型またはN型にドープする、請求項4に記載の太陽電池セルの製造方法。現在、地球温暖化防止の観点等から、太陽電池の普及が要請されているが、そのコスト低減が課題であることは周知のとおりである。本発明は、簡素なプロセスで且つ低コストで太陽電池セルを量産可能な、太陽電池セルの製造方法を提供することを目的とする。本発明の太陽電池セルの製造方法は、第1導電型のシリコン粉末を準備し、前記粉末を層状に配置してシリコン粉末層を形成し、シリコンの融点以上に加熱することで、前記粉末層を溶融し、冷却することで、第1導電型のシリコン層を形成し、第2導電型のシリコン粉末を準備し、前記粉末を前記第1導電型のシリコン層上に層状に配置して第2導電型のシリコン粉末層を形成し、シリコンの融点以上に加熱することで、前記粉末層を溶融し、冷却することで、第2導電型のシリコン層を形成する、ことを特徴とする。また、本発明の太陽電池セルの製造方法は、第1のシリコン粉末を準備し、前記粉末を層状に配置してシリコン粉末層を形成し、熱と圧力を加えることで、前記粉末層を圧縮しつつ焼成し、第1導電型のシリコン層となし、第2のシリコン粉末を準備し、前記粉末を前記第1導電型のシリコン層上に層状に配置して第2のシリコン粉末層を形成し、熱と圧力を加えることで、前記粉末層を圧縮しつつ焼成し、第2導電型のシリコン層となす、ことを特徴とする。本発明によれば、シリコン粉末から太陽電池セルを製造可能である。第1導電型のシリコン粉末層を形成し、熱を加えることで、粉末層を溶融し、冷却することで、第1導電型のシリコン層を形成し、該シリコン層上に第2導電型のシリコン粉末層を形成し、熱を加えることで、該粉末層を溶融し、冷却することで、第2導電型のシリコン層を形成するので、PN接合を備えた太陽電池セルを連続的に簡易なプロセスで製造できる。また、熱と圧力を加えることで、前記粉末層を圧縮しつつ焼成するようにしてもよい。以下、本発明の第1実施例について、図1を参照して説明する。まず、P型シリコン粉末11およびN型シリコン粉末12を準備する。これら粉末11,12のシリコン粒子は略球形であり、0.1-10μm程度の粒径を有し、太陽電池級7ナインレベルの純度を有する。これら粉末11,12は、本発明者等の回転ルツボを用いた高純度シリコンの製造方法特願2010-35714等により量産が可能である。P型シリコン粉末11は貯留部21に収容され、N型シリコン粉末12は貯留部22に収容される。貯留部21,22の下側には透明絶縁箔13とこれに接合した透明電極箔14とが一定速度でローラ23,24,25,26および耐熱金属ベルト27によりプレート35上を図中の矢印方向に送られる。貯留部21,22の下側には開口21a,22aを備え、開口21aからP型シリコン粉末11を透明絶縁箔13上に接合した透明電極箔14上に層状に配置する。透明電極箔14上に層状に配置したP型シリコン粉末層11aは、図中の矢印方向に送られ、ヒータ28の直下で熱が加えられ、シリコンの融点1412°Cよりも低い600-1350°Cに加熱される。そして、圧延ローラ29により圧力が加えられ、熱を加えた状態のP型シリコン粉末層11aを加圧しつつ焼成する。このように、熱と圧力を加えることで、P型シリコン粉末層11aを圧縮しつつ焼成し、P型シリコン粉末層11aは加圧燒結したP型シリコン層11bとなる。P型シリコン層11bでは、0.1-10μm程度の粒径を有するシリコン粒子が相互に拡散接合で接合され、電気的にも機械的にも強固な接合状態が形成される。P型シリコン層11bが貯留部22の下に移動すると、N型シリコン粉末12がP型シリコン層11bの上に配置され、開口22aを通過すると、N型シリコン粉末層12aがP型シリコン層11b上に層状に形成される。そして、ヒータ30の直下で熱が加えられ、600-1350°Cに加熱され、圧延ローラ31により圧力が加えられる。これにより、N型シリコン粉末層12aは圧縮しつつ焼成され、加圧燒結したN型シリコン層12bになり、シリコン粒子が相互に拡散接合で接合される。同時に、P型シリコン層11bのシリコン粒子とも拡散接合で接合し、両層の界面にPN接合が形成される。N型シリコン層12bの上面側には電極箔アルミ箔または銅箔等15が配置され、ヒータ32で加熱することで、N型シリコン層12bの上面と接合する。これにより、P型シリコン層11bとN型シリコン層12bとの間にPN接合が形成され、両層11b,12bが2層の電極箔13,15の間に挟まれ、透明絶縁箔13上に固定した太陽電池セルが連続的に形成される。従って、これを適当な寸法で切り出すことで、太陽電池パネルを量産することができる。この太陽電池パネルの厚みを全体で40μm以下程度とすることで、軽量で且つフレキシブルな太陽電池パネルとすることができる。上記太陽電池の製造工程は真空またはAr等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。なお、上記実施例は、原料として予めドーピングしたP型シリコン粉末11およびN型シリコン粉末12を用いている。しかしながら、原料としてノンドープのシリコン粉末を用い、ドーパント注入口33,34からドーパントを加え、加圧焼成の過程でP型またはN型にドープするようにしてもよい。また、P型シリコン層11bとN型シリコン層12bとの間にノンドープのシリコン粉末を加圧焼結したI型シリコン層を設け、PIN型の接合としてもよい。次に、本発明の第2実施例について、図2を参照して説明する。P型シリコン粉末11およびN型シリコン粉末12を準備し、これらを収容した貯留部21,22の下側には透明絶縁箔13とこれに接合した透明電極箔14とが一定速度でローラ23,24,25,26およびベルト27によりプレート35上を図中の矢印方向に送られることは第1実施例と同様である。従って、開口21aからP型シリコン粉末層11aが透明絶縁箔13上に接合した透明電極箔14上に層状に形成され、開口22aからN型シリコン粉末層12aがP型シリコン層11b上に層状に形成される。P型シリコン粉末層11aがヒータ41の下に入ると、粉末層11aは1300-1400°Cに予備加熱され、レーザ照射装置42によるレーザ加熱によりシリコンの融点1420°C以上の温度である1500°C以上に加熱される。これにより、粉末層11aは予備加熱により緩やかに温度上昇し、気泡等が取り除かれ、レーザ照射により融点を超え溶融し液相状態となる。そして、液体窒素または水冷却ロール43により冷却され、固相のP型シリコン層11bとなる。P型シリコン層11bではシリコンは単結晶または多結晶或いは非晶質をなしている。次に、N型シリコン粉末12の貯留部22にてN型シリコン粉末層12aがP型シリコン層11b上に層状に形成される。そして、上述と同様に、ヒータ44により予備加熱し、レーザ照射装置45のレーザ照射により溶融し液相状態となり、冷却ロール46により冷却され、固相のN型シリコン層12bとなる。同時に、P型シリコン層12aとN型シリコン層12bとの界面にはPN接合が形成される。プレート35は内部に水冷配管35aと真空吸着配管35bとを備え、該真空吸着配管35bにより絶縁箔13と電極箔14を吸着しつつ、水冷配管35a中の冷却水により絶縁箔13と電極箔14を冷却する。従って、絶縁箔13に接合した電極箔14上にシリコン粉末層11a,12aを形成し、シリコン粉末層11a,12aの加熱をレーザ照射で1500°C以上の温度で行っても、絶縁箔13と電極箔14の温度は冷却水の温度に保たれ、これらは損傷することがない。このため、N型シリコン層12bの形成後電極箔15をその上部に配置し、ヒータ32で加熱することで、電極箔15をN型シリコン層12bに密着固定することができ、電極箔14,15間にP型とN型のシリコン層11b,12bを備えた太陽電池セルを簡素なプロセスで形成できる。これまで本発明の一実施例について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。"