上端と下端との間にくびれた部分を有する芯材を、下地層上に形成する工程と、前記芯材の側壁に、前記芯材とは異なる材料であって、前記芯材の高さ方向に圧縮する圧縮応力を有する側壁材を形成する工程と、前記芯材を除去して、前記側壁材を前記下地層上に残す工程と、を備え、前記芯材を形成する工程は、前記下地層上で芯材膜のパターンをスリミングすると共に、上端と下端との間がくびれた形状にする工程を有し、前記芯材の前記側壁における前記上端と前記下端とを結ぶ方向の長さは、前記芯材の高さよりも大きく、前記側壁材を前記芯材の前記側壁に形成している途中または形成した後に、前記側壁材の少なくとも一部が前記側壁から剥離し、前記側壁材と前記側壁との間に空隙が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。上端と下端との間にくびれた部分を有する芯材を、下地層上に形成する工程と、前記芯材の側壁に、前記芯材とは異なる材料の側壁材を形成する工程と、前記芯材を除去して、前記側壁材を前記下地層上に残す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記芯材の前記側壁における前記上端と前記下端とを結ぶ方向の長さは、前記芯材の高さよりも大きいことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。前記側壁材を前記芯材の前記側壁に形成している途中または形成した後に、前記側壁材の少なくとも一部が前記側壁から剥離し、前記側壁材と前記側壁との間に空隙が形成されることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。前記側壁材は、前記芯材の高さ方向に圧縮する圧縮応力を有することを特徴とする請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。実施形態によれば、芯材除去後の側壁材の倒れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、上端と下端との間にくびれた部分を有する芯材を、下地層上に形成する工程を備えている。また、半導体装置の製造方法は、前記芯材の側壁に、前記芯材とは異なる材料の側壁材を形成する工程を備えている。また、半導体装置の製造方法は、前記芯材を除去して、前記側壁材を前記下地層上に残す工程を備えている。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。実施形態の半導体装置の製造方法は、下地層を所望のパターン例えばラインアンドスペースパターン、島状パターンなどに加工する工程を有する。図1a~図3bは、そのパターン形成工程を示す模式断面図である。図1aに示すように、下地層10は、例えば、基板11とその上に形成された被加工膜12とを含む。被加工膜12上には、芯材膜13が形成される。芯材膜13として、例えば、カーボン膜、シリコン酸化膜、TEOStetraethoxysilane膜、アモルファスシリコン膜、シリコン窒化膜などを用いることができる。これらは、例えば、CVDchemicalvapordeposition法、塗布法などで形成することができる。芯材膜13上には、マスク14として、例えばシリコン酸化膜が形成される。あるいは、芯材膜13にシリコン酸化膜やTEOS膜を使った場合には、マスク14にはシリコン酸化膜以外の材料が用いられる。マスク14上にはレジスト15が形成され、その後レジスト15はリソグラフィによりパターニングされる。レジスト15は、例えばラインアンドスペースパターンにパターニングされる。なお、マスク14とレジスト15との間には、リソグラフィにおける露光光の反射を抑える反射防止膜が必要に応じて形成される。次に、パターニングされたレジスト15をマスクにして、マスク14を例えばドライエッチングし、図1bに示すように、マスク14をパターニングする。さらに、パターニングされたマスク14をマスクにして、芯材膜13を例えばドライエッチングする。これにより、図1cに示すように、例えばフィン状の複数の芯材膜13のパターンが被加工膜12上に選択的に残される。また、芯材膜13は、上記エッチングによってパターニングされると共に、図2aに示すように、スリミングもされる。あるいは、パターニング後に、別の処理としてドライエッチングまたはウェットエッチングをして、フィン状の芯材膜13をスリミングし、図2aに示す芯材20を形成してもよい。すなわち、芯材膜13を、そのパターニング時に所望のサイズにスリミングしてもよいし、パターニング後に別の処理で所望のサイズにスリミングしてもよい。あるいは、芯材膜13を、パターニング時にスリミングし、且つパターニング後の処理でさらにスリミングする2段階のスリミング処理で所望のサイズにしてもよい。図4aに、芯材膜13のパターンをスリミングして得られた芯材20の1つを抽出して表す。芯材20は、上端及び下端よりも幅の細いくびれた部分を上端と下端との間に有する。例えば、図4aに示す芯材20では、側壁の高さ方向の中間部分がへこむように、側壁が湾曲している。したがって、芯材20の側壁における上端と下端とを結ぶ方向の長さaは、芯材20の高さhよりも大きい。このような芯材20のくびれた形状は、スリミング途中に形成される。あるいは、スリミングが終わった後に、スリミングとは別の処理によって、芯材20にくびれた形状を形成してもよい。図1cに示すスリミング前の芯材膜13上に残っているマスク14を、スリミング時や、くびれた形状にする処理時のマスクに用いることができる。例えば、エッチング中に芯材20の側壁に堆積物を生じさせる種類のガスの量を比較的少なめにした条件、もしくはそのガスを使わない条件で、等方的なドライエッチングをすると、芯材20の側壁に対するエッチングが促進され、図4aに示すような側壁が湾曲したくびれ形状になりやすい。例えば、酸素を含むガスを処理室内に導入してプラズマ化させ、これにより発生した酸素ラジカルによる化学的作用を主に利用してエッチングすることで、等方性のエッチングをすることができる。このプラズマエッチングにおいて、基板11側に印加するバイアスは、図1cに示す芯材膜13を加工するときに基板11側に印加するバイアスよりも低くすることが好ましい。これにより、基板11側に加速されるイオンの衝撃による異方性のエッチング作用を弱めて、等方的なエッチングを実現できる。その後、マスク14を例えばウェットエッチングによって除去する。ここで、図2aに示すスリミング後の芯材20間の間隔は、図1cに示すスリミング前の芯材膜13間の間隔よりも拡がる。次に、図2bに示すように、被加工膜12上に側壁材16を形成する。側壁材16は、芯材20の側壁を隙間なく覆う。また、芯材20の上面上にも側壁材16が形成される。側壁材16は、隣り合う芯材20間のスペースを完全には埋めず、芯材20の形状に沿って形成される。側壁材16として、例えば、シリコン酸化膜、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜を用いることができる。ただし、側壁材16は、芯材20とは異なる材料にする。側壁膜16は、例えばCVD法で形成することができる。また、側壁材16は、材料自体の特性、あるいはその成膜時の条件などによって、芯材20の高さ方向に圧縮する圧縮応力を持つ。側壁材16の成膜工程について、図4b~図4dを参照して、さらに詳しく説明する。図4bは、側壁材16の成膜初期の状態を表す。側壁材16は、図4bにおいて矢印で表すように、芯材20の高さ方向に縮もうとする圧縮応力を有する。この成膜初期では、側壁材16の膜厚はまだ薄く、圧縮応力も小さい。側壁材16の成膜が進み、図4cに示すように、側壁材16の膜厚が厚くなると、圧縮応力も増大する。芯材20の側壁は高さ方向の途中でへこむように湾曲し、芯材20の側壁の長さaは芯材20の高さhよりも大きい。芯材20の高さhは、芯材20の側壁が被加工膜12の表面に対して垂直な場合の側壁長さに対応する。そのような芯材20の湾曲した側壁に形成された側壁材16は、芯材20の高さ方向に縮もうとする圧縮応力により、自身をより低く短くする状態になろうとし、すなわち被加工膜12の表面に対して垂直になろうとする。これは、側壁材16を芯材20の側壁に形成している途中または形成した後に、湾曲した芯材20の側壁からの側壁材16の剥離を生じさせる。芯材20の側壁にへこんだ部分があることで、側壁材16が芯材20の側壁から剥離すると、図4dに示すように、側壁材16と、芯材20の側壁との間に空隙50が生じる。本発明者等が実験したところ、特に芯材16の下端付近に空隙50ができやすいことを確認できた。少なくとも側壁材16の一部が、芯材20の側壁から剥離することで、側壁材16の残留応力が緩和される。これにより、後述する工程で芯材20を除去した後の側壁材16の倒れを防ぐことができる。ここで、図5bは、比較例の芯材100を表す。この芯材100は上端から下端にいたるまでほぼ同じ幅で形成され、くびれがない。芯材100の側壁は、被加工膜12の表面に対して垂直である。したがって、芯材100の側壁の上端と下端とを結ぶ方向の長さは、芯材100の高さhと同じである。この芯材100の側壁に、高さ方向に縮もうとする圧縮応力を有する側壁材16を形成すると、側壁材16は芯材100の側壁に沿って縮もうとする。しかし、側壁材16が縮もうとする方向と、芯材100の側壁が高さ方向に延びている方向とが同じであるため、側壁材16が芯材100の側壁から剥離する力が生じにくい。側壁にへこんだ部分が生じるように芯材がくびれていると、芯材の高さ方向に圧縮応力を持つ側壁材16を芯材の側壁から剥離させて、側壁材16の応力を緩和させることができる。そのような芯材の形状の一例として、前述した図4aに示す芯材20が挙げられる。芯材20の側壁はへこむように湾曲している。あるいは、図5aに示すように、芯材21における上部21aと下部21bとの間のくびれた部分の幅が、上端よりは細く下端とは略同じとされた形状でもよい。この芯材21は、側壁が逆テーパ状の上部21aと、その上部21aの下に設けられ、側壁が被加工膜12の表面に対してほぼ垂直な下部21bとを有し、上部21aと下部21bとの間がくびれている。この芯材21の側壁の上端と下端とを結ぶ方向の長さbcは、芯材21の高さhよりも大きい。その側壁に形成された側壁材16は、芯材21の高さ方向に縮もうとする圧縮応力により、自身をより低く短くする状態になろうとし、図4dに示す場合と同様に、芯材21のくびれた形状の側壁からの側壁材16の剥離を生じさせる。側壁材16が芯材21の側壁から剥離することで、側壁材16の残留応力が緩和され、後の工程で芯材21を除去した後の側壁材16の倒れを防ぐことができる。例えば、エッチングガスに、芯材21の側壁に堆積物を生じさせる種類のガスを含有させることで、芯材21の側壁を図5aに示す形状にしやすい。さらに、基板11側に印加するバイアスを、前述した図4aに示す形状にする等方性エッチングのときよりも高くして、イオン衝撃による作用を強める。これにより、芯材21上に形成されたマスクをイオンが叩き、そのマスク材が保護膜として、特にマスクに近い上部21aの側壁に付着する。その保護膜によって、上部21aの側壁のエッチングが、下部21bに比べて抑制され、図5aに示す形状が形成されやすくなる。図2bの工程で側壁材16を形成した後、側壁材16を例えばエッチバックする。これにより、図2cに示すように、芯材20の上面及び被加工膜12の表面が露出される。側壁材16は、芯材20の側壁に残る。その後、図3aに示すように、芯材20を例えばアッシングにより除去する。これにより、被加工膜12上に側壁材16が残される。図6aの上面図に示すように、側壁材16は、芯材20が除去されたスペース40を閉ループ状に囲んでいる。この後、図6bに示すように、側壁材16における長手方向の端部16a以外の領域をマスク70で覆って、端部16aをエッチングにより除去する。これにより、図6cに示すように、上面視でラインアンドスペースパターンの側壁材16のパターンが得られる。側壁材16間のピッチは、図1aに示すレジスト15間のピッチよりも小さい。その後、側壁材16をマスクにして被加工膜12をエッチングし、図3bに示すように、被加工膜12をパターニングする。側壁材16をマスクにして加工される被加工膜12間のピッチも、図1aに示すレジスト15間のピッチよりも小さい。すなわち、リソグラフィの解像限界を超えた微細パターンが得られる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。