"下記式1-1~1-3のいずれかで表される基を有する繰り返し単位a1を含み、さらにフッ素原子を含む重合体[A]と、感放射線性酸発生剤[B]と、を含有する感放射線性樹脂組成物。式1-1~1-3において、RPは、1価の有機基である。式1-3において、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式1-1において、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式1-3において、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式1-1において、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。は結合手を示す。電子求引性基を有する1価の有機基である前記Q0は、下記式Q0-1で表される基であることを特徴とする請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。上記式Q0-1において、Qは1価の電子求引性基である。Gは、単結合又はa1価の連結基である。aは、Gが単結合である場合は1であり、Gが単結合ではない場合は1~4の整数であり、aが2~4の整数である場合、同一のGに結合する複数のQはそれぞれ独立して上記定義を有する。前記重合体[A]は、前記繰り返し単位a1として、下記式1p~3pで表される繰り返し単位のうち少なくとも1種を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の感放射線性樹脂組成物。式1p~3pにおいて、RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。LBは単結合又はb1価の連結基である。RPは、1価の有機基である。式3pにおいて、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式1pにおいて、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式3pにおいて、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式1pにおいて、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP、Z2及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。前記繰り返し単位a1は、前記Q0として、エステル基に対してα位の炭素原子に直接結合する電子求引性基但し、フッ素原子及びフッ素置換炭化水素基を除く。を少なくとも1つ有する請求項1乃至3のいずれか1に記載の感放射線性樹脂組成物。前記重合体[A]は、前記繰り返し単位a1として、下記式1p-1~1p-3及び2pで表される繰り返し単位のうち少なくとも1種を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の感放射線性樹脂組成物。式1p-1~1p-3及び2p中、RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。LBは単結合又はb1価の連結基である。RPは、1価の有機基である。式1p-1~1p-3中、Q0は、水素原子又は1価の基である。式1p-3中、Q1は、水素原子又は1価の炭化水素基である。bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP、Q0及びQ1はそれぞれ独立して上記定義を有する。前記RPが、フッ素原子を有する1価の炭化水素基であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載の感放射線性樹脂組成物。前記RPが、フッ素原子を有してもよい1価の芳香族炭化水素基であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載の感放射線性樹脂組成物。前記重合体[A]よりもフッ素原子含有率の小さい重合体[C]をさらに含有し、当該重合体[C]が酸解離性基を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1に記載の感放射線性樹脂組成物。フッ素原子を有するとともに、下記式P-1~P-3で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種を有することを特徴とする重合体。式P-1及びP-2中、Lはb1価の連結基であり、式P-3中、LBは単結合又はb1価の連結基である。式P-1~P-3中、RPは1価の有機基である。式P-3において、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式P-1において、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式P-3において、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式P-1において、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。式P-1及びP-2において、bは1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式P-3において、bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP、Z2及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式P-1~P-3中、RMは下記式のいずれかを表す。RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。REは置換基であり、dは0~4の整数である。また、dが2~4の場合、複数のREはそれぞれ独立して上記定義を有する。eは0又は1である。1は、L又はLBに結合する結合手を示す。フッ素原子を有するとともに、下記式M-1~M-3のいずれかで表されることを特徴とする化合物。式M-1及びM-2中、Lはb1価の連結基であり、式M-3中、LBは単結合又はb1価の連結基である。式M-1~M-3中、RTは水素原子又は1価の有機基である。式M-3において、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式M-1において、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式M-3において、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式M-1において、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。式M-1及びM-2において、bは1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RT及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式M-3において、bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RT、Z2及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式M-1~M-3中、R0は下記式のいずれかを表す。RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。REは置換基であり、dは0~4の整数である。また、dが2~4の場合、複数のREはそれぞれ独立して上記定義を有する。eは0又は1である。3は、L又はLBに結合する結合手を示す。ここで、本発明者らが検討したところ、上記現像欠陥の発生を抑制するためには、上記フッ素含有重合体の疎水性の低下が速やかに行われる必要があることが分かった。しかしながら、上記特許文献1や上記特許文献2に示されたフッ素含有重合体では、かかる反応速度が十分に高いとは言えず、未だ改良の余地がある。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、液浸露光時において被膜表面の疎水性を高くしつつ、液浸露光後における疎水性の低下に要する時間の短縮を図ることが可能な感放射線性樹脂組成物、当該組成物の構成成分として好適な重合体、及び当該重合体のモノマーとして好適な化合物を提供することにある。本発明者らは、上述の目的を達成すべく鋭意検討した結果、特定の基を有するフッ素含有重合体を感放射線性樹脂組成物の構成成分とすることによって、上記課題を解決可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明によれば、下記式1-1~1-3のいずれかで表される基を有する繰り返し単位a1を含み、さらにフッ素原子を含む重合体[A]と、感放射線性酸発生剤[B]と、を含有する感放射線性樹脂組成物が提供される。式1-1~1-3において、RPは、1価の有機基である。式1-3において、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式1-1において、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式1-3において、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式1-1において、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。は結合手を示す。重合体[A]は、エステル基に対してα位の炭素式1-3の場合、Z1に電子求引性基を有するユニットが結合されている。そのため、重合体[A]では、エステル基の反応性が高く、酸の存在下又はアルカリ条件下において、-RPが速やかに解離してカルボン酸が生成される。これにより、重合体[A]を有する本組成物によれば、レジスト被膜を形成した際には、重合体[A]の有するフッ素原子によりレジスト被膜の表面に疎水性が付与されるとともに、酸の存在下又はアルカリ条件下に晒されたときに速やかにカルボン酸が生成される。よって、-RPが酸解離性基であれば、露光後の現像液溶解性が優れたものとなり、露光部の現像残りが生じにくく、その結果、ライン同士の繋がりブリッジ欠陥等といった欠陥を好適に抑制できる。その一方、-RPがアルカリ解離性基であれば、アルカリ現像時において、現像残渣などの不純物が被膜表面に付着しにくくなる。また、アルカリ現像液との接触時において、レジスト被膜表面では現像液が速やかに広がるため、現像を好適に行うことができる。したがって、本発明の組成物によれば、現像欠陥の発生をできるだけ抑制できるレジスト被膜を形成することができる。電子求引性基を有する1価の有機基である前記Q0には、下記式Q0-1で表される基が含まれる。上記式Q0-1において、Qは1価の電子求引性基である。Gは、単結合又はa1価の連結基である。aは、Gが単結合である場合は1であり、Gが単結合ではない場合は1~4の整数であり、aが2~4の整数である場合、同一のGに結合する複数のQはそれぞれ独立して上記定義を有する。前記重合体[A]は、前記繰り返し単位a1として、下記式1p~3pで表される繰り返し単位のうち少なくとも1種を有していることが好ましい。式1p~3pにおいて、RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。LBは単結合又はb1価の連結基である。RPは、1価の有機基である。式3pにおいて、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式1pにおいて、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式3pにおいて、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式1pにおいて、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP、Z2及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。この場合、レジストパターン形成方法における露光工程においてArFエキシマレーザーが用いられる場合の光の吸収性を低下させることが可能となり、さらには製造の容易化が図られる。なお、LBをb1価の連結基とすることにより、RPが重合体[A]の主鎖から一定距離離れるので、当該RPが解離する場合の反応性を高めることが可能となる。また、前記繰り返し単位a1は、前記Q0として、エステル基に対してα位の炭素原子に直接結合する電子求引性基但し、フッ素原子及びフッ素置換炭化水素基を除く。を少なくとも1つ有していることが好ましい。α位の炭素原子に電子求引性基が直接結合されていることにより、エステル基の反応性をより高めることができる。また、前記重合体[A]は、前記繰り返し単位a1として、下記式1p-1~1p-3及び2pで表される繰り返し単位のうち少なくとも1種を有していることが好ましい。式1p-1~1p-3及び2p中、RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。LBは単結合又はb1価の連結基である。RPは、1価の有機基である。式1p-1~1p-3中、Q0は、水素原子又は1価の基である。式1p-3中、Q1は、水素原子又は1価の炭化水素基である。bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP、Q0及びQ1はそれぞれ独立して上記定義を有する。この場合、エステル基の反応性を好適に高めることが可能となる。RPが解離した場合における疎水性の低下を大きなものとする上では、前記RPがフッ素原子を有する1価の炭化水素基であることが好ましい。特に、RPがアルカリ解離性基である場合に、RPがフッ素原子を有する1価の炭化水素基であることにより、RPが解離する場合の反応性を高めながら、RPが解離した場合における疎水性の低下を大きなものとすることが可能となる。また、アルカリ条件下においてRPを解離し易くする上では、当該RPがフッ素原子を有してもよい1価の芳香族炭化水素基であることが好ましい。前記感放射線性樹脂組成物は、前記重合体[A]よりもフッ素原子含有率の小さい重合体[C]をさらに含有し、当該重合体[C]が酸解離性基を有することが好ましい。これにより、形成されたレジスト被膜において、前記繰り返し単位a1及びフッ素原子が被膜表面側に偏在することとなり、レジストパターンの形成を良好に行えるようにしながら、液浸露光時にはレジスト被膜表面に疎水性を付与することができる。また、酸の存在下又はアルカリ条件下において-RPが速やかに解離してカルボン酸が生成されるため、既に説明したとおり、現像欠陥を好適に抑制できる。本発明の重合体は、フッ素原子を有するとともに、下記式P-1~P-3で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種を有する。式P-1及びP-2中、Lはb1価の連結基であり、式P-3中、LBは単結合又はb1価の連結基である。式P-1~P-3中、RPは1価の有機基である。式P-3において、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式P-1において、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式P-3において、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式P-1において、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。式P-1及びP-2において、bは1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式P-3において、bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP、Z2及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式P-1~P-3中、RMは下記式のいずれかを表す。RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。REは置換基であり、dは0~4の整数である。また、dが2~4の場合、複数のREはそれぞれ独立して上記定義を有する。eは0又は1である。1は、L又はLBに結合する結合手を示す。本発明の化合物は、フッ素原子を有するとともに、下記式M-1~M-3のいずれかで表される。式M-1及びM-2中、Lはb1価の連結基であり、式M-3中、LBは単結合又はb1価の連結基である。式M-1~M-3中、RTは水素原子又は1価の有機基である。式M-3において、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式M-1において、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式M-3において、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式M-1において、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。式M-1及びM-2において、bは1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RT及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式M-3において、bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RT、Z2及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。また、式M-1~M-3中、R0は下記式のいずれかを表す。RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。REは置換基であり、dは0~4の整数である。また、dが2~4の場合、複数のREはそれぞれ独立して上記定義を有する。eは0又は1である。3は、L又はLBに結合する結合手を示す。本明細書において、電子求引性基とは、水素原子と比べて、結合原子側から電子を引きつけ易い置換基のことである。また、酸解離性基とは、例えばヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基をいう。また、アルカリ解離性基とは、例えばヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリ条件下例えば、23°Cのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量水溶液中で解離する基をいう。また、単に炭化水素基という場合には、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基が含まれる。この炭化水素基は飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。また、鎖状炭化水素基とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基を意味し、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の双方を含むものとする。脂肪族炭化水素基とは、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味し、直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基及び脂環式炭化水素基の全てを含むものとする。脂環式炭化水素基とは、環構造としては脂環式炭化水素の構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味する。但し、脂環式炭化水素の構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。芳香族炭化水素基とは、環構造として、芳香環構造を含む炭化水素基を意味する。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環式炭化水素の構造を含んでいてもよい。本発明の感放射線性樹脂組成物は、重合体成分の一部として、フッ素原子を含有する重合体[A]を含有する。また、本組成物は、酸発生剤[B]を含有する。また、他の重合体成分として、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、重合体[A]よりもフッ素原子含有率が小さい重合体[C]を含有する。また、本組成物は、好適な任意成分として、酸拡散抑制剤[D]、溶媒[E]及び添加剤[F]等を含んでいてもよい。以下、各構成成分について順に説明する。<重合体[A]><繰り返し単位a1>本発明における重合体[A]は、下記の一般式1-1~1-3のいずれかで表される基を有する繰り返し単位a1を備えている。式1-1~1-3において、RPは、1価の有機基である。式1-3において、Z1は炭素原子であり、Z2はZ1とともに環状炭化水素基を形成する3価の基である。式1-1において、Q0は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の基を示し、少なくとも1個のQ0は電子求引性基を有する1価の有機基であり、式1-3において、Q0は、電子求引性基を有する1価の有機基である但し、式1-1において、全てのQ0がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合を除く。は結合手を示す。上記式1-1及び1-3において、電子求引性基を有する1価の有機基であるQ0として具体的には、下記式Q0-1で表される基を挙げることができる。上記式Q0-1において、Qは1価の電子求引性基である。Gは、単結合又はa1価の連結基である。aは、Gが単結合である場合は1であり、Gが単結合ではない場合は1~4の整数であり、aが2~4の整数である場合、同一のGに結合する複数のQはそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式1-1及び1-3のQ0に上記式Q0-1を適用した場合において1価の電子求引性基であるQとしては、少なくとも1個はフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基以外であることが好ましく、具体的には、-CCl3、-NO2、-CN、-CO-Q1、-COO-Q1、-SO2-Q1、-NQ23、-SO3H、Cl、Br、I、-CH2Cl、-CH=CHNO2等を挙げることができる。電子求引性基の少なくとも1個がフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基以外であることにより、電子求引性基の全てがフッ素原子及びフッ素置換炭化水素基のいずれかである場合に比べて、RPが解離した後の現像液との親和性を高くすることが可能となる。但し、1価の電子求引性基であるQを複数有する場合には、その一部がフッ素原子又はフッ素置換炭化水素基であってもよく、具体的には、-CFQ12、-CF2-Q1、-CF3、Fを挙げることができる。なお、Q1は、水素原子又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基である。この置換基を有していてもよい1価の炭化水素基として好ましくは、フッ素原子を有する炭素数1~6の鎖状炭化水素基又はフッ素原子を有する炭素数3~10の脂環式炭化水素基である。Q1として好ましくは水素原子である。また、Q2は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭化水素基である複数のQ2がそれらの結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。Q2として好ましくは、水素原子である。電子求引性基を有することにより、エステル基の反応性を高めることができる。この場合に、電子求引性基として好ましくは、-NO2、-CN、-CO-Q1、-COO-Q1のいずれかである。これらは電子の求引性が高いため、結果的にエステル基の反応性を高めることが可能となる。また、より好ましくは、フッ素原子を有していないものである。この場合、エステル基に対してα位の炭素式1-3の場合、Z1である。なお、以下の説明ではα位の特定炭素ともいうに、フッ素原子を有していないこととなり、RPが解離した後の現像液との親和性をより高くすることが可能となる。これにより、現像欠陥の低減が図られるとともに、アルカリ現像液に対する溶解性が向上することで現像後のレジストパターン形状が良好なものとなる。エステル基の反応性を高める上では、-NO2、-CNが好ましく、さらにエステル基の安定性を適度なものとする上では、-CNがより好ましい。上記式Q0-1においてGは、単結合又はa1価の連結基である。Gがa1価の連結基である場合、具体的には、a1価の鎖状炭化水素基、a1価の脂環式炭化水素基及びa1価の芳香族環式基を挙げることができる。Gがa1価の鎖状炭化水素基である場合、炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素からa1個の水素原子を除いた基を挙げることができる。好ましくは、炭素数1~6であり、より好ましくは炭素数1~3である。Gがa1価の脂環式炭化水素基である場合、炭素数3~30の脂環式炭化水素からa1個の水素原子を除いた基を挙げることができる。好ましくは、炭素数3~12であり、具体的には、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカンといったポリシクロアルカンからa1個の水素原子を除いた基である。より好ましくは、シクロペンタン基、シクロヘキサン基からa1個の水素原子を除いた基である。また、脂環式炭化水素を炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基によって置換したものであってもよく、かかる鎖状炭化水素基が上記α位の特定炭素とQとの間に存在し、その鎖状炭化水素基から脂肪族環が分岐していてもよい。Gがa1価の芳香族環式基である場合、炭素数6~30の芳香族炭化水素からa1個の水素原子を除いた基を挙げることができる。好ましくは、炭素数6~10であり、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環からa1個の水素原子を除いた基である。また、芳香族炭化水素を炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基や、炭素数3~10の1価の脂環式炭化水素基によって置換したものであってもよく、これら鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基が上記α位の特定炭素とQとの間に存在し、その鎖状炭化水素基から芳香環が分岐していてもよい。ここで、上記α位の特定炭素と電子求引性基であるQとの間に脂肪族炭化水素基が存在する場合、Qの電子求引性基としての作用をエステル基に対して好適に生じさせる上では、その脂肪族炭化水素基における上記α位の特定炭素とQとの連結部分の炭素数は1~2が好ましい。以下に、電子求引性基であるQと結合したa1価の連結基であるGの具体例を示す。Gが単結合ではない場合、aは1又は2が好ましく、1がより好ましい。また、エステル基の反応性の向上を図る上では、Gは単結合が好ましい。上記式1-1においてQ0が1価の電子求引性基を有していない1価の基である場合、当該Q0としては、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基等の1価の有機基を形成するものを挙げることができる。また、これら1価の炭化水素基は置換されていてもよい。この置換基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基等を挙げることができる。また、上記置換基を1種単独で1個以上有していてもよく、複数種を各1個以上有していてもよい。電子求引性基ではない1価の基であるQとして、好ましくは炭素数1~10のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基であり、更に好ましくは、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基などの炭素数1~3のアルキル基である。上記式1-1において、反応性を高める上では、2個のQ0が共に電子求引性基を有していることが好ましい。その一方、安定性を適度なものとしながら、製造の容易化を図る上では、一方のQ0が電子求引性基を有しており、他方のQ0が電子求引性基を有していないことが好ましく、より好ましくは後者のQ0は水素原子である。上記式1-3におけるZ1及びZ2を用いて形成される環状炭化水素基としては、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよい。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロナフタレン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロヘキサン、スピロ[4,4]ノナン、若しくはスピロ[4,5]デカン、又はそれらの誘導体から3個の水素原子を除いた基を挙げることができる。これのうち、好ましくは、炭素数3~12の脂環式炭化水素基であり、具体的には、ノルボルナン若しくはその誘導体から3個の水素原子を除いた基、又はシクロヘキサン若しくはその誘導体から3個の水素原子を除いた基が好ましい。上記式1-1~1-3のRPについて、1価の有機基としては、酸解離性基又はアルカリ解離性基を挙げることができる。RPが酸解離性基の場合には、後述するレジストパターン形成方法における露光工程において露光された部分のアルカリ現像液に対する溶解性を高くすることができる点で好ましい。RPがアルカリ解離性基の場合には、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させられるとともに、現像後におけるレジスト被膜表面の疎水性をより低下させられる点で好ましい。RPにおける酸解離性基として具体的には、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等を挙げることができる。なお、アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシル基としては、例えば、炭素数1~4のアルコキシル基がある。また、アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基がある。また、RPにおける酸解離性基としては、下記式RP-1で表される基が好ましい。式RP-1中、RP1は炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基であり、RP2及びRP3はそれぞれ独立に炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。又は、RP2及びRP3は相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成する。上記式RP-1中、RP1~RP3として表される基のうち、炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。また、RP1~RP3として表される基のうち炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基、又はRP2及びRP3が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに形成される炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格や、シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する基;これらの基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状のアルキル基又は脂環式炭化水素基の1種又は1個以上で置換した基が挙げられる。これらの中でも、現像後のレジストパターンの形状をより改善させることができる点でシクロアルカン骨格を有する基が好ましい。上記式RP-1で表される基の具体例としては、下記式RP-1-1~RP-1-4で表されるものを挙げることができる。式中、gはそれぞれ独立に1~3の整数である。RPにおけるアルカリ解離性基の具体例としては、下記式Z-1~Z-3で表されるものを挙げることができる。式Z-1中、は芳香族炭化水素基を示し、Aは単結合又は-CH2-である。式Z-1及びZ-2中、RP4はフッ素原子を有していてもよい置換基であり、複数存在する場合は同一でも異なっていてもよい。C1は0~5の整数であり、C2は0~4の整数である。また、C1が2~5の場合又はC2が2~4の場合、複数のRP4はそれぞれ独立して上記定義を有する。式Z-3中、RP5及びRP6は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有していてもよい炭素数1~10のアルキル基を示し、RP5及びRP6が互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基を形成してもよく、さらにこの脂環式炭化水素基がフッ素原子を有していてもよい。上記式Z-1中のについて、芳香族炭化水素基の環骨格としては、炭素数6~15であるのが好ましく、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環等が挙げられる。このような芳香環を有することで、エステル基から脱離したカルボカチオンが安定化され、これにより、その脱離反応の反応性を高めることができる。上記の環骨格のうち、反応性の観点からするとベンゼン環が好ましい。上記式Z-1及び式Z-2中、RP4で表される置換基としては、例えば、-RP41、-RP42-O-RP41、-RP42-CO-RP41、-RP42-CO-ORP41、-RP42-O-CO-RP41、-RP42-OH、-RP42-CN、又は-RP42-COOHを挙げることができる。RP41は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基であり、これらの基を1種単独で1個以上置換したものや、複数種で各1個以上置換したものであってもよい。当該置換基としては、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はハロゲン化アルキル基が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。RP42は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂環式飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基であり、これらの基を1種単独で1個以上置換したものや、複数種で各1個以上置換したものであってもよい。当該置換基としては、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はハロゲン化アルキル基が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。上記式Z-1~式Z-3のうち、RPのアルカリ解離性基としては、製造の容易化を鑑みると上記式Z-1又は上記式Z-3が好ましい。これらのうち、上記式Z-1である場合、好ましくはフッ素原子を有する置換フェニル基又はフッ素原子を有する置換ベンジル基である。フッ素原子を有していることにより、液浸露光時には疎水性を高めながら、RPが解離した際に疎水性を大きく低下させることが可能となる。フッ素原子を有する置換フェニル基としては、フェニル基の1個の水素原子を-CF3に置換したものが好ましく、-CF3がパラ位に結合しているものがより好ましい。フッ素原子を有する置換ベンジル基としては、メチレン基の水素原子ではなくベンゼン環の置換基としてフッ素原子を有するものが好ましい。これにより、上記式1-1~1-3中における上記α位の特定炭素に対して電子求引性基を有するユニットを結合することでエステル基の反応性を高めながらも、その反応性が高くなり過ぎるのを抑制することができ、液浸露光時においてRPが解離してしまうことを抑制する上で好適であるとともに、保存安定性を向上させる上でも好適である。また、より好ましくは、ベンゼン環の1個の水素原子を-CF3に置換したものであり、-CF3がパラ位に結合しているものが更に好ましい。一方、上記式Z-3である場合、好ましくは炭素数1~10のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基等が挙げられる。上記式Z-3としては、炭素数1~3のアルキル基であることが更に好ましい。また、当該アルキル基がフッ素原子を有していることが好ましく、これにより上記のとおり液浸露光時には疎水性を高めながら、RPが解離した際に疎水性を大きく低下させることが可能となる。また、フッ素原子を有している場合、上記のとおり反応性が高くなり過ぎるのを抑制する上では、炭素数が2以上であって、α位以外の炭素にフッ素原子が結合していることが好ましい。上記式1-1~1-3のいずれかで表される基を有する繰り返し単位a1として具体的には、下記式P-1~P-3で表されるものを挙げることができる。式P-1~P-3中、RMは下記式のいずれかを表す。RM1は、水素原子、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基である。REは置換基であり、dは0~4の整数である。また、dが2~4の場合、複数のREはそれぞれ独立して上記定義を有する。eは0又は1である。1は、LBに結合する結合手を示す。LBは単結合又はb1価の連結基である。bは、LBが単結合である場合は1であり、LBが単結合ではない場合は1~5の整数であり、bが2~5の整数である場合、RP、Z2及びQ0はそれぞれ独立して上記定義を有する。RP、Q0、Z1及びZ2の定義は上記式1-1~1-3と同じである。REとして表される置換基としては、上記RP4と同様のものが挙げられる。dは、製造の容易化を鑑みると、好ましくは0~2の整数であり、0がより好ましい。これらのうち、後述するレジストパターン形成方法における露光工程においてArFエキシマレーザーが用いられる場合の光の吸収性及び製造の容易化を鑑みると、好ましくは、下記式1p~3pで表されるものである。RM1、LB、Q0、Z1、Z2、b及びRPの定義は上記式P-1~式P-3と同じである。上記式中、RM1は、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。上記式1p及び3pとして具体的には、下記式1p-1~式1p-5及び式3p-1~3p-4で表されるものを挙げることができる。上記式1p-3中、Q1は、水素原子又は1価の炭化水素基であり、具体的には既に説明したものと同じである。上記式1p-4及び1p-5中、fは1~5の整数であり、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。RM1、Q0、RP、LBの定義は、上記式1p~3pと同じである。上記式中、LBで表されるb1価の連結基Lとしては、例えば、炭素数1~20のb1価の炭化水素基が挙げられる。この場合、炭素数1~20のb1価の炭化水素基は、メチレン基が、酸素原子、硫黄原子、-NR’-但し、R’は水素原子又は1価の有機基である。、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-に置換されていてもよい。また、LBにおいてラクトン構造を有していてもよい。LBにおけるb1価の炭化水素基は、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。また、飽和及び不飽和のいずれであってもよい。上記式1p及び2p由来のものにおいては、上記LBは単結合よりもb1価の連結基Lであることが好ましい。これにより、RPが重合体[A]の主鎖から一定距離離れるので、当該RPが解離する場合の反応性を高めることが可能となる。また、2価の連結基Lである場合、主鎖側の酸素原子と、末端側のエステル基に対してα位の炭素とを連結する炭素の数は1~6個が好ましく、より好ましくは1~3個である。このような炭素数であれば、重合体[A]の主鎖からRPまでの距離が長くなり過ぎることが抑えられ、重合体[A]のガラス転移温度Tgが必要以上に低くなってしまうことが抑えられる。この場合、リソグラフィ性能が好適に高められる。なお、LBが2価の連結基である場合について好ましくは、炭素数1~6の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~6の脂肪族飽和炭化水素基であり、更に好ましくは、メタンジイル基、エタンジイル基、n-プロパンジイル基、i-プロパンジイル基などの炭素数1~3のアルカンジイル基である。その一方、上記式3p由来のものにおいては、上記LBは単結合が好ましい。上記式3p由来のものにおいては、エステル基と主鎖との間に環状炭化水素基が存在しているため、LBを単結合とすることで、重合体[A]の主鎖からRPまでの距離が長くなり過ぎることが抑えられる。上記式1p-1~1p-5、式2p及び式3p-1~3p-4のうち、エステル基の反応性の向上及び製造の容易化を図る上で、より好ましくは式1p-1~式1p-3及び式2pである。上記式1p~3p、式1p-1~1p-5、式2p及び式3p-1~3p-4中において、bは、1~2が好ましく、より好ましくは1である。bが1であり且つLBとして好ましい構造を有する繰り返し単位a1の具体例としては、下記式1p-1-1~式1p-1-7、式1p-2-1~式1p-2-7、式1p-3-1~式1p-3-3、式2p-1~式2p-3、式3p-1-1及び式3p-3-1で表されるものを挙げることができる。RM1及びRPの定義は、上記式1p~3pと同じである。これらのうちエステル基の反応性を向上させる上では、式1p-1-1~式1p-1-6及び式1p-2-6が好ましい。これら式1p-1-1~式1p-1-5及び式1p-2-6について、RPがアルカリ解離性基である場合の具体例としては、下記のものを挙げることができる。RM1の定義は、上記式1p~3pと同じである。上記重合体[A]において、繰り返し単位a1の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する上記繰り返し単位a1の総量が、20~100モルが好ましく、30~100モルがより好ましい。このような含有率とすることにより、RPが酸解離性基である場合には露光部の重合体[A]においてカルボン酸ユニットが十分に形成され、その結果、露光部の重合体[A]を現像液に対して十分に溶解させることができる。また、RPがアルカリ解離性基である場合には、液浸露光時においてレジスト被膜表面に対して適度な疎水性を付与することができるとともに、現像に際してレジスト被膜表面の疎水性を速やかに低下させることができる。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a1を、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。上記繰り返し単位a1を与える単量体としては、下記式M-1~M-3で表されるものを挙げることができる。式M-1~M-3中、R0は下記式のいずれかを表す。3は、LBに結合する結合手を示す。また、式M-1~M-3中、RTは、水素原子又は1価の有機基である。RM1、LB、Q0、Z1、Z2、b、RE、d及びeの定義は上記式P-1~P-3と同じである。上記式M-1~M-3中、RTが1価の有機基である場合、上記RPと同様のものを挙げることができる。また、RTが水素原子である場合のカルボン酸化合物は、RTが1価の有機基である場合の前駆体として用いることができる。また、繰り返し単位a1によりレジスト被膜に対して液浸露光時における疎水性を付与する上では上記単量体がフッ素原子を含有していることが好ましく、さらには当該繰り返し単位a1の反応性を高める上では上記LBがb1価の連結基Lであることが好ましい。重合体[A]は、既に説明したとおり、液浸露光時におけるレジスト被膜表面の疎水性を高めるべく、フッ素原子を含有している必要がある。この場合に、上記繰り返し単位a1がフッ素原子を有していてもよく、上記繰り返し単位a1がフッ素原子を有していなくてもよい。但し、上記繰り返し単位a1がフッ素原子を有していない場合、以下に示すフッ素含有の繰り返し単位a2~a6のいずれかを有している必要がある。また、上記繰り返し単位a1がフッ素原子を有している場合であっても、下記フッ素含有の繰り返し単位a2~a6のいずれかを有していてもよい。さらにまた、後述する他の繰り返し単位a7~a9のいずれかを有していてもよい。以下、繰り返し単位a2~a9を説明する。<フッ素含有の繰り返し単位><繰り返し単位a2>上記重合体[A]は、繰り返し単位a2として、下記式2で表される繰り返し単位を有していてもよい。式2中、Rは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R1は、n1価の連結基である。Rfは、フッ素原子を有する1価の炭化水素基である。nは1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfはそれぞれ独立して上記定義を有する。繰り返し単位a2においては、上記式2における-CO-Rfがアルカリ解離性基として働く。したがって、重合体[A]が繰り返し単位a2を有すると、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させられるとともに、現像後におけるレジスト被膜表面の疎水性をより低下させられる点で好ましい。上記式2のR1で表されるn1価の連結基としては、上記式1p~3p中におけるLBがb1価の連結基Lである場合と同様のものを挙げることができる。上記式2のRfで表されるフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基としては炭素数1~30の鎖状炭化水素基の水素原子のうち例えば1~10個がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。上記式2のRfで表されるフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂環式炭化水素基としては、炭素数3~30の脂環式炭化水素基の水素原子のうち例えば1~10個がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。Rfで表される基としては、これらの中でも、形成されるレジスト被膜表面の現像前の後退接触角が大きい観点から、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基、炭素数2~5のモノパーフルオロアルキルメチル基又は炭素数3~5のジパーフルオロアルキルメチル基が好ましく、その中でも、トリフルオロメチル基又はパーフルオロプロピル基が特に好ましい。上記繰り返し単位a2の具体例としては、下記式2-1~2-6で表されるものを挙げることができる。式2-1~2-6中、R、Rf及びnの定義は、上記のとおりである。Xは、2価の連結基であり、RSは置換基である。nsは0~3の整数である。Xとしては、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の脂肪族環状炭化水素基、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基、又はこれらとエーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基、若しくはアミド基を組み合わせた2価の基を挙げることができる。また、上記2価の連結基は置換基を有していてもよい。このような置換基として具体的には、上記式Z-1及び式Z-2中のRP4と同様のものを挙げることができる。RSとしては、上記式Z-1及び式Z-2中のRP4と同様のものを挙げることができる。上記式2-1~2-6の具体例としては、下記式2p-1~2p-8で表されるものを挙げることができる。式2p-1~2p-8中、Rの定義は上記式2-1と同じである。上記重合体[A]において、繰り返し単位a2の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対して、繰り返し単位a2の総量が、0~50モルであることが好ましく、0~30モルであることがさらに好ましく、0~20モルが特に好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a2を1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。<繰り返し単位a3>上記重合体[A]は、繰り返し単位a3として、下記式3で表される繰り返し単位を有していてもよい。式3中、R、R2の定義は、上記式2のR、Rfと同じである。上記式3中のR2の具体例としては、上記式2中のRfと同様のものを挙げることができる。R2として好ましくは、フッ素原子を有する炭素数1~6の鎖状炭化水素基又はフッ素原子を有する炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。繰り返し単位a3の具体例としては、特開2007-304537号公報[0214]~[0215]段落に記載のもの、及び下記式で表されるものを挙げることができる。式中、Rの定義は上記式3と同じである。上記重合体[A]において、繰り返し単位a3の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a3の総量が、0~50モルが好ましく、0~30モルがさらに好ましく、0~25モルが特に好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a3を1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。<繰り返し単位a4>上記重合体[A]は、繰り返し単位a4として、下記式4で表される繰り返し単位を有していてもよい。式4中、Rの定義は、上記式2のRと同じである。R3は、m1価の連結基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する2価の連結基である。R4は水素原子又は1価の有機基である。mは1~3の整数である。但し、mが2又は3の場合、複数のX2及びR4はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式4中、R3の具体例としては、上記式2中、R1と同様のものを挙げることができる。また、それ以外にも、R3が炭化水素基である場合において、当該R3のX2側の末端に酸素原子、硫黄原子、-NR’-但し、R’は水素原子又は1価の有機基である。、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-が結合された構造であってもよい。上記式4中、R4が水素原子である場合には重合体[A]のアルカリ現像液に対する溶解性を向上させることができる点で好ましい。また、上記式4中、R4として表される1価の有機基としては、酸解離性基、アルカリ解離性基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基を挙げることができる。酸解離性基の具体例は、上記式1-1~1-3中のRPと同様のものを挙げることができる。アルカリ解離性基の具体例としては、下記式W-1で表されるものを挙げることができる。式W-1中、Rfの定義は上記式2と同じである。上記式4中、X2としては、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基が好ましい。その具体例としては下記式X2-1~X2-6で表されるものを挙げることができる。上記X2としては、上記式X2-1で表されるものが好ましい。なお、上記式4中、mは1~3の整数である。従って、繰り返し単位a4にはR4が1~3個導入される。mが2又は3の場合、R4及びX2はそれぞれ独立である。すなわち、mが2又は3の場合、複数のR4は同じ構造のものであってもよいし異なる構造のものであってもよい。また、mが2又は3の場合、複数のX2がR3の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記繰り返し単位a4の具体例としては、特開2007-204385号公報特に、[0040],[0041],[0061]及び[0077]段落に記載の単量体由来の繰り返し単位に記載のものを挙げることができる。具体的には、以下のものを挙げることができる。式中、Rの定義は上記式4と同じである。上記重合体[A]において、繰り返し単位a4の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a4の総量が、0~50モルが好ましく、5~40モルがさらに好ましく、0~30モルが特に好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a4を1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<繰り返し単位a5>上記重合体[A]は、繰り返し単位a5として、下記式5で表される繰り返し単位を有していてもよい。式5中、Rの定義は、上記式2のRと同じであり、X51、R52の定義は、上記式2のX2、R4と同じである。R51は、q1価の連結基である。qは1~3の整数である。但し、qが2又は3の場合、複数のX51及びR52はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式5中、R51の具体例としては、上記式4中、R3と同様のものを挙げることができる。また、上記式5中、R52として表される1価の有機基としては、酸解離性基、アルカリ解離性基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基を挙げることができる。酸解離性基の具体例としては、上記式1-1~1-3中のRPと同様のものを挙げることができる。この場合、上記式RP-1で表される基であることが好ましい。アルカリ解離性基の具体例としては、上記式1-1~1-3中のRPの場合と同様である。上記式5中、R52としては、水素原子が好ましい。この場合、重合体[A]のアルカリ現像液に対する溶解性を向上させることができる点で好ましい。上記式5中、X51の具体例としては、上記式4中のX2の場合と同様のものを挙げることができる。また、X51としては、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基が好ましく、上記式X2-2~X2-6で表されるもののうちのいずれか1種であることがより好ましく、上記式X2-2で表されるものであることがさらに好ましい。なお、上記式5中、qは1~3の整数である。従って、繰り返し単位a5にはR52が1~3個導入される。qが2又は3の場合、R52及びX51はそれぞれ独立である。すなわち、qが2又は3の場合、複数のR52は同じ構造のものであってもよいし異なる構造のものであってもよい。また、qが2又は3の場合、複数のX51がR51の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記繰り返し単位a5の具体例としては、特開2009-019199号公報に記載のもの、特開2009-074085号公報に記載のもの、下記式5-1a及び5-1bで表される繰り返し単位等を挙げることができる。式5-1a中、R53は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状もしくは環状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基である。X51、R52及びqの定義は上記式5と同じである。qが2又は3である場合、複数のX51及びR52はそれぞれ独立である。上記式5-1a及び5-1bの具体例としては、下記式5p-1~5p-7で表される化合物を挙げることができる。式5p-1~5p-7中、Rの定義は上記式5と同じである。上記重合体[A]において、繰り返し単位a5の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a5の総量が、0~70モルが好ましく、0~60モルがさらに好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a5を1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<繰り返し単位a6>上記重合体[A]は、繰り返し単位a6として、下記式6で表される繰り返し単位を有していてもよい。式6中、R、R62の定義は、上記式2のR、Rfと同じである。R61は、t1価の連結基である。tは1~3の整数である。但し、tが2又は3の場合、複数のR62はそれぞれ独立して上記定義を有する。上記式6中、R61の具体例としては、上記式4中のR3と同様のものを挙げることができる。上記式6中、R62の具体例としては、上記式2中のRfと同様のものを挙げることができる。R62として好ましくは、フッ素原子を有する炭素数1~6の鎖状炭化水素基又はフッ素原子を有する炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。繰り返し単位a6においては、R62がアルカリ解離性基として働く。したがって、重合体[A]が繰り返し単位a6を有すると、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させられるとともに、現像後におけるレジスト被膜表面の疎水性をより低下させられる点で好ましい。なお、上記式6中、tは1~3の整数である。従って、繰り返し単位a6にはR62が1~3個導入される。tが2又は3の場合、R62はそれぞれ独立である。すなわち、tが2又は3の場合、複数のR62は同じ構造のものであってもよいし異なる構造のものであってもよい。また、tが2又は3の場合、複数の-COO-R62がR61の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記繰り返し単位a6の具体例としては、特開2010-032994号公報特に、[0152]段落のc-1-3並びに[0155]及び[0159]~[0162]段落に記載のもの、特開2008-111103号公報[0063]~[0071]段落に記載のもの、下記式6-1a及び6-1bで表される繰り返し単位等を挙げることができる。式6-1a中、R63は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状もしくは環状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基である。R62及びtの定義は上記式6と同じである。tが2又は3である場合、複数のR62はそれぞれ独立である。上記式6-1a及び6-1bの具体例としては、下記式6p-1~6p-7で表されるものを挙げることができる。式6p-1~6p-7中、Rの定義は上記式6と同じである。上記重合体[A]において、繰り返し単位a6の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a6の総量が、0~50モルが好ましく、0~40モルがさらに好ましく、0~30モルが特に好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a6を1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<その他の繰り返し単位><繰り返し単位a7>上記重合体[A]は、下記式7で表される繰り返し単位a7を有していてもよい。式7中、Rの定義は、上記式2のRと同じである。Yは酸解離性基である。Yとしては、上記式RP-1で表される基を挙げることができ、上記繰り返し単位a7の具体例としては、下記式7-1~7-4で表されるものを挙げることができる。式7-1~7-4中、Rの定義は上記式7と同じである。R6~R8の定義は、上記式RP-1-1~RP-1-4におけるRP1~RP3と同じであり、それぞれ独立である。R7及びR8は相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成していてもよい。rはそれぞれ独立に1~3の整数である。上記重合体[A]において、繰り返し単位a7の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a7の総量が、50モル以下が好ましく、0~40モルがさらに好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a7を、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<繰り返し単位a8>上記重合体[A]は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位a8を有していてもよい。繰り返し単位a8におけるアルカリ可溶性基は、現像液に対する溶解性向上の観点から、pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。このような官能基として、具体的には、下記式8s-1~8s-3で表される官能基等を挙げることができる。式8s-1中、R9は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基である。上記式8s-1中、R9として表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基は、炭素数1~10の炭化水素基における一部又は全部の水素原子がフッ素原子に置換されたものであれば特に限定されない。例えば、トリフルオロメチル基等が好ましい。上記繰り返し単位a8の具体例としては、メタアクリル酸由来の構造単位、国際公開第2009/041270号パンフレット[0018]~[0022]段落に記載のもの、同[0034]段落に記載のもの、国際公開第2006/035790号パンフレット[0015]段落に記載のものを挙げることができる。上記重合体[A]において、繰り返し単位a8の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a8の総量が、通常50モル以下であり、0~30モルが好ましく、0~20モルがさらに好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a8を、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<繰り返し単位a9>上記重合体[A]は、下記式9で表される繰り返し単位a9を有していてもよい。重合体[A]が繰り返し単位a9を含むことにより、現像液に対する親和性を向上させることができる。上記式9において、Rの定義は、上記式2のRと同じである。RL1は単結合又は2価の連結基を示す。RLcはラクトン構造を有する1価の有機基又は環状カーボネート構造を有する1価の有機基を示す。上記式9における2価の連結基RL1の具体例としては、例えば、上記繰り返し単位a2における2価の連結基Xの例などが挙げられる。上記式9中、RLcとして表されるラクトン構造を有する1価の有機基としては下記式Lc-1~Lc-6で表されるものを挙げることができる。式Lc-1~Lc-6中、RLc1はそれぞれ独立に酸素原子又はメチレン基である。RLc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1はそれぞれ独立に0又は1である。nLc2は0~3の整数である。は上記式9中のRL1に結合する結合手を示す。また、式Lc-1~Lc-6で表される基は置換基を有していてもよい。上記式Lc-1~Lc-6で表される基が有する置換基としては、例えば、上記式1におけるRCが有する置換基の例を挙げることができる。繰り返し単位a9の具体例としては、特開2007-304537号公報[0054]~[0057]段落に記載のもの、特開2008-088343号公報[0086]~[0088]段落に記載のもの、下記式9-1a~9-1jで表されるものを挙げることができる。式9-1a~9-1j中、Rは上記式9と同じである。なお、上記繰り返し単位a9は1種単独で又は2種以上が組み合わされて含まれていてもよい。上記繰り返し単位a9を与える好ましい単量体としては国際公開第2007/116664号パンフレット[0043]段落に記載のものを挙げることができる。上記繰り返し単位a9のうち、環状カーボネート構造を有する繰り返し単位としては、例えば、下記式9-2aで表される繰り返し単位が挙げられる。式9-2a中、Rは上記式9の定義と同じである。Dは、炭素数1~30の3価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の3価の脂環式炭化水素基、又は炭素数6~30の3価の芳香族炭化水素基である。Dは、その骨格中に酸素原子、カルボニル基、-NH-を有していてもよい。また、Dは置換基を有していてもよい。Dが有していてもよい置換基としては、例えば、上記式Z-1及び式Z-2中のRP4と同様のものを挙げることができる。上記式9-2aで表される繰り返し単位を与える単量体は、例えば、TetrahedronLetters,Vol.27,No.32p.37411986、OrganicLetters,Vol.4,No.15p.25612002等に記載された、従来公知の方法により合成することができる。上記式9-2aで表される繰り返し単位の特に好ましい例としては、特開2010-066503号公報[0020]段落に記載のもの挙げられ、より好ましくは下記式9-2a-1又は9-2a-2で表される構造単位が挙げられる。上記式9-2a-1及び9-2a-2中、Rは上記式9と同義である。上記重合体[A]において、繰り返し単位a9の含有率は、重合体[A]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a9の総量が通常50モル以下であり、0~40モルが好ましく、0~20モルがさらに好ましい。なお、重合体[A]は、繰り返し単位a9を、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。感放射線性樹脂組成物中、重合体[A]の含有量は、当該組成物を構成する全組成物に対して、0.1質量以上20質量以下が好ましい。重合体[A]の含有量が0.1質量以上であると、当該組成物から得られるレジスト被膜の表面に上記繰り返し単位a1が均一に分散されやすくなり、その結果、液浸露光時には該表面に対して疎水性を均一に付与でき、アルカリ現像時には表面濡れ性を均一に付与できる。また、重合体[A]の含有量が20質量以下であると、パターン形成を行う上で好適である。より好ましくは、1質量以上10質量以下であり、更に好ましくは、3.0質量以上8.0質量以下である。また、後述する重合体[C]との関係においては、重合体[C]100重量部に対して重合体[A]の含有量が20質量部以下であることが好ましく、より好ましくは0.1~10質量部である。重合体[A]のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwともいう。は、特に限定しないが、1,000~50,000であるのが好ましい。重合体[A]のMwが1,000以上であると、耐ドライエッチング性が良好となり、50,000以下であると、レジスト溶媒に溶解させやすくなる。より好ましくは、2,000~30,000であり、更に好ましくは、5,000~15,000である。また、上記重合体[A]のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnともいう。に対するMwの比Mw/Mnは、1.0~5.0であるのが好ましく、1.0~3.0であるのがより好ましく、1.0~2.0であるのが更に好ましい。重合体[A]中におけるフッ素原子の比率であるフッ素原子含有率[質量]は、重合体[A]の質量に対して、1質量以上40質量以下であるのが好ましい。1質量以上であると、液浸露光時において、レジスト被膜表面における疎水性を良好にすることができ、40質量以下であると、パターン形状を行う上で好適である。より好ましくは、1.5質量以上30質量以下であり、更に好ましくは、2.0質量以上28質量以下である。<繰り返し単位a1に係る単量体の製造方法>上記式1-1~式1-3のいずれかで表される基を有する単量体は、例えば、従来公知の方法を用いて製造することができる。例えば、下記式V-1で表される化合物V1と、下記式V-2で表される化合物V2とを反応させることにより製造できる。式V-1は、上記式M-1~M-3においてRTが水素原子である化合物の当該水素原子を脱離基Xhで置換したものである。化合物V1及び化合物V2の入手経路は特に限定せず、市販のものであっても合成したものであってもよい。反応に使用される溶媒としては、化合物V1及び化合物V2を溶解できるものであれば特に限定せず、例えば、テトラヒドロフランTHF、アセトン、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドDMSO、アセトニトリル、ジクロロメタン等が挙げられる。塩基としては、例えば、トリエチルアミン、4-ジメチルアミノピリジンDMAP、ピリジン等の有機塩基;水素化ナトリウム、K2CO3、Cs2CO3等の無機塩基等が挙げられる。縮合剤としては、例えばエチルジイソプロピルアミノカルボジイミド塩酸塩EDCI、ジシクロヘキシルカルボキシイミドDCC、ジイソプロピルカルボジイミド、カルボジイミダゾール等のカルボジイミド試薬やテトラエチルピロホスフェイト、ベンゾトリアゾール-N-ヒドロキシトリスジメチルアミノホスホニウムヘキサフルオロリン化物塩Bop試薬等が挙げられる。これらの縮合剤は、単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。化合物V1及び化合物V2の添加量は、化合物V1に対する化合物V2のモル比が、1モル倍量以上3モル倍量以下が好ましく、1モル倍量以上2モル倍量以下がより好ましい。反応温度は、各種反応方法等に応じて決定すればよいが、-20°C~40°Cが好ましく、0°C~30°Cがより好ましい。反応時間は、反応性や反応温度等の種々の条件によって異なるが、30分~8時間が好ましく、60分~6時間がより好ましい。<重合体[A]の製造方法>重合体[A]は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。例えば、1単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;2単量体を含有する溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;3各々の単量体を含有する、複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;等の方法で合成することが好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常、30~150°Cであり、40~150°Cが好ましく、50~140°Cが更に好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、30分~8時間が好ましく、1~6時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~12時間であり、45分~12時間が好ましく、1~10時間が更に好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート、4,4’-アゾビス4-シアノバレル酸V-501等のアゾ系ラジカル開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤等を挙げることができる。また、これらのラジカル開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。好ましくは、AIBN、V-501である。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば使用することができる。例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステルラクトン類、ニトリル類及びその混合溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の重合体を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合体を回収することもできる。<酸発生剤[B]>本発明の感放射線性樹脂組成物を構成する酸発生剤[B]としては、スルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物を挙げることができる。酸発生剤[B]の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸発生剤の形態でも、重合体[A]や後述する重合体[C]等他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。このような酸発生剤[B]の好適な具体例としては、例えば、特開2009-134088号公報の段落[0080]~[0113]に記載されている化合物などを挙げることができる。酸発生剤[B]としては、具体的には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニル-ジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-アダマンタン-1-イル-1,1-ジフルオロエタン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム6-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロヘキサン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートが好ましい。酸発生剤[B]は、単独で又は2種以上を混合して使用できる。酸発生剤[B]の配合量は、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、0.1~30質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがさらに好ましい。この場合、酸発生剤の配合量が0.1質量部未満では、感度及び現像性が低下する傾向があり、一方、30質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンが得られ難くなる傾向がある。<重合体[C]>当該感放射線性樹脂組成物は、重合体[A]とは別に、酸解離性基を有する重合体[C]を含有することが好ましい。このような酸解離性基を有する重合体は酸の作用前はアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性で、酸発生剤[B]等から発生する酸の作用により酸解離性基が脱離するとアルカリ可溶性となる。重合体がアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であるとは、当該感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ条件下で、レジスト被膜に代えてこのような重合体のみを用いた膜厚100nmの被膜を現像した場合に、被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。なお、感放射線性樹脂組成物に含有される重合体[A]が酸解離性基を有しない場合、当該組成物が重合体[C]を含有することにより、その組成物を用いて形成したレジスト被膜からレジストパターンを形成可能になる。本発明の感放射線性樹脂組成物においては、重合体[A]の方が上記重合体[C]よりもフッ素原子含有率が大きいことが好ましい。この場合、重合体[C]及び重合体[A]を含む感放射線性樹脂組成物によって形成されたレジスト被膜において、重合体[A]がその表層に偏在化する傾向がより強くなる。なお、このフッ素原子含有率は13C-NMRにより測定することができる。ここで、重合体[C]との関係において重合体[A]のフッ素原子含有率として好ましいのは、重合体[C]がフッ素原子を含有しないのであれば、重合体[A]のフッ素原子含有率として既に説明した具体例のとおりである。また、重合体[C]がフッ素原子を含有するのであれば、重合体[A]のフッ素原子含有率/重合体[C]のフッ素原子含有率は、1.1以上5.0以下であるのが好ましい。1.1以上であると、液浸露光時において、レジスト被膜表面における疎水性を良好にすることができ、5.0以下であると、耐ドライエッチング性が良好であり、パターン形成を行う上で好適である。より好ましくは、1.2以上4.5以下であり、更に好ましくは、1.5以上4以下である。重合体[C]は、上述のような性質を有する重合体である限り、その具体的な構造は特に限定されるものではない。重合体[C]の有する繰り返し単位として具体的には、重合体[A]についての上記式9で表される繰り返し単位a9を有することが好ましい。また、上記式4で表される繰り返し単位a4又は上記式8で表される繰り返し単位8をさらに有している構造も好ましい。上記重合体[C]中、繰り返し単位a4の含有率は、重合体[C]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a4の総量が、0~30モルが好ましく、0~15モルがより好ましい。上記重合体[C]中、繰り返し単位a8の含有率は、重合体[C]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a8の総量が、0~30モルが好ましく、0~15モルがより好ましい。上記重合体[C]中、繰り返し単位a9の含有率としては、重合体[C]を構成する全繰り返し単位に対する繰り返し単位a9の総量が、5~75モルが好ましく、15~65モルがより好ましく、25~55モルが更に好ましい。含有率が5モル以上であることにより、レジストとして基板との密着性を十分なものとすることが可能となり、それに伴ってパターンが剥がれてしまうおそれが低下する。一方、含有率が75モル以下であることにより、溶解した後のコントラストが損なわれにくくなり、パターン形状を良好なものとすることが可能となる。重合体[C]は、上記フッ素原子含有率を有する限り、繰り返し単位a4、繰り返し単位a8及び繰り返し単位a9以外の他の繰り返し単位を有するものであってもよい。他の繰り返し単位を構成する重合性不飽和単量体としては、国際公開第2007/116664号[0065]~[0085]段落に開示されている単量体を挙げることができる。他の繰り返し単位としては、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、又はメタアクリル酸3-ヒドロキシプロピルに由来する繰り返し単位が好ましい。重合体[C]のMwは、通常、3,000~300,000であり、好ましくは4,000~200,000であり、更に好ましくは4,000~100,000である。Mwが3,000未満であると、レジストとしての耐熱性が低下するおそれがある。一方、Mwが300,000を超えると、レジストとしての現像性が低下するおそれがある。また、重合体[C]のMw/Mnは、1.0~5.0であるのが好ましく、1.0~3.0であるのがより好ましく、1.0~2.0であるのが更に好ましい。<酸拡散制御剤[D]>本発明の感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて、[D]成分として、酸拡散制御剤を含有することができる。酸拡散制御剤[D]としては、例えば、下記式11で表される化合物以下、含窒素化合物Iという。、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物IIという。、窒素原子を3個以上有する化合物以下、含窒素化合物IIIという。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。酸拡散制御剤を含有すると、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度を向上させることができる。酸拡散制御剤[D]の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸拡散制御剤の形態でも、重合体[A]や重合体[C]等他の重合体の一部として組み込まれた酸拡散制御基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。式11中、R12~R14は、それぞれ独立に、水素原子、置換されていてもよい直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。含窒素化合物Iとしては、例えばn-ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン等のトリアルキルアミン類;アニリン等の芳香族アミン類等を挙げることができる。含窒素化合物IIとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン等を挙げることができる。含窒素化合物IIIとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等を挙げることができる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げることができる。含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン等のピリジン類の他、ピラジン、ピラゾール等を挙げることができる。また上記含窒素有機化合物として、酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。このような酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えば、N―t-ブトキシカルボニルピペリジン、N―t-ブトキシカルボニルイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジエタノールアミン、N―t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジフェニルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等を挙げることができる。また、酸拡散制御剤としては、下記式12で表される化合物を用いることもできる。XZ-12上記式12中、Xは、下記式12-1-1又は12-1-2で表されるカチオンである。Z-は、OH-、RD1-COO-で表されるアニオン、RD1-SO3-で表されるアニオン、又はRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンである但しこれらの式中、RD1は、置換されていてもよいアルキル基、1価の脂環式炭化水素基又はアリール基である。RD2は一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基もしくは1価の脂環式炭化水素基である。。式12-1-1中、RD3~RD5は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子である。上記式12-1-2中、RD6及びRD7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子である。上記化合物は、露光により分解して酸拡散制御性を失う酸拡散制御剤以下、光分解性酸拡散制御剤ともいう。として用いられるものである。この化合物を含有することによって、露光部では酸が拡散し、未露光部では酸の拡散が制御されることにより露光部と未露光部のコントラストが優れる即ち、露光部と未露光部の境界部分が明確になるため、特に本発明の感放射線性樹脂組成物のLWRLineWidthRoughness、MEEFMaskErrorEnhancementFactorの改善に有効である。上記式12中のXは、上述したように一般式12-1-1又は12-1-2で表されるカチオンである。そして、上記式12-1-1中のRD3~RD5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、これらの中でも、上記化合物の、現像液に対する溶解性を低下させる効果があるため、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子であることが好ましい。また、上記式12-1-2中のRD6及びRD7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、これらの中でも水素原子、アルキル基、ハロゲン原子であることが好ましい。上記式12中のZ-は、OH-、RD1-COO-で表されるアニオン、RD1-SO3-で表されるアニオン、又は式RD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンである。但し、これらの式中のRD1は、置換されていてもよいアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基であり、これらの中でも、上記化合物の、現像液に対する溶解性を低下させる効果があるため、脂環式炭化水素基又はアリール基であることが好ましい。上記式12における置換されていてもよいアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基等の置換基を1種以上有する基等を挙げることができる。これらの中でも、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基が好ましい。上記式12における置換されていてもよい脂環式炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシシクロペンタン、ヒドロキシシクロヘキサン、シクロヘキサノン等のシクロアルカン骨格;1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オンカンファー等の有橋脂環式炭化水素骨格等の脂環式炭化水素由来の1価の基等を挙げることができる。これらの中でも、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基が好ましい。上記式12における置換されていてもよいアリール基としては、例えばフェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルシクロヘキシル基等を挙げることができ、これらの化合物を、ヒドロキシル基、シアノ基等で置換したもの等を挙げることができる。これらの中でも、フェニル基、ベンジル基、フェニルシクロヘキシル基が好ましい。上記式12中のZ-は、下記式12-2-1で表されるアニオンすなわち、RD1がフェニル基であるRD1-COO-で表されるアニオン、下記式12-2-2で表されるアニオンすなわち、RD1が1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基であるRD1-SO3-で表されるアニオン又は下記式12-2-3で表されるアニオンすなわち、RD1がブチル基であり、RD2がトリフルオロメチル基であるRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンであることが好ましい。上記光分解性酸拡散制御剤は、一般式12で表されるものであり、具体的には、上記条件を満たすスルホニウム塩化合物又はヨードニウム塩化合物である。上記スルホニウム塩化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのスルホニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記ヨードニウム塩化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのヨードニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、酸拡散制御剤[D]は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。酸拡散制御剤[D]の含有量は当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、5質量部以下がさらに好ましい。酸拡散制御剤[D]が過剰に含有されると、形成したレジスト被膜の感度が著しく低下するおそれがある。<溶媒[E]>本発明の感放射線性樹脂組成物は通常、溶媒を含有する。用いられる溶媒は、少なくとも重合体[A]、酸発生剤[B]、及び所望により含有される重合体[C]等を溶解可能な溶媒であれば、特に限定されるものではない。このような溶媒[E]として、例えば、直鎖状又は分岐状のケトン類;環状のケトン類;プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセタート類;2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3-アルコキシプロピオン酸アルキル類等を使用することができる。これらの中でも、直鎖状又は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセタート類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-アルコキシプロピオン酸アルキル類等が好ましく、その中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、シクロヘキサノンがさらに好ましい。これらの溶媒は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。<添加剤[F]>本発明の感放射線性樹脂組成物には、上記の他、必要に応じ添加剤[F]として、偏在化促進剤、界面活性剤、脂環族化合物、増感剤、架橋剤等を配合することができる。偏在化促進剤偏在化促進剤は、重合体[A]を、より効率的にレジスト被膜表面に偏析させる効果を有するものである。当該感放射線性樹脂組成物にこの偏在化促進剤を含有させることで、重合体[A]の添加量を従来よりも少なくすることができる。従って、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本特性を損なうことなく、レジスト被膜から液浸液への成分の溶出をさらに抑制したり、高速スキャンにより液浸露光をより高速に行うことが可能になり、結果としてウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制するレジスト被膜表面の疎水性を向上させることができる。このような偏在化促進剤として用いることができるものとしては、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物を挙げることができる。このような化合物としては、具体的には、ラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。上記ラクトン化合物の具体例としては、例えばγ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等を挙げることができる。上記カーボネート化合物の具体例としては、例えばプロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等を挙げることができる。上記ニトリル化合物の具体例としては、例えばスクシノニトリル等を挙げることができる。上記多価アルコールの具体例としては、例えばグリセリン等を挙げることができる。本発明の感放射線性樹脂組成物において、上記偏在化促進剤の含有量は、重合体の総量を100質量部とした場合に、10~500質量部であり、より好ましくは30~300質量部である。上記偏在化促進剤としては、1種類のみ含有されていてもよいし、2種以上含有されていてもよい。界面活性剤界面活性剤は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名で、KP341信越化学工業社製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学社製、エフトップEF301、同EF303、同EF352トーケムプロダクツ社製、メガファックF171、同F173大日本インキ化学工業社製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム社製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106旭硝子社製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。界面活性剤の含有量は、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、通常、2質量部以下である。脂環式骨格化合物脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環式骨格含有化合物としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等を挙げることができる。これらの脂環式骨格含有化合物は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。脂環式骨格化合物の配合量は、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、通常、50質量部以下であり、好ましくは30質量部以下である。増感剤増感剤は、酸発生剤[B]に吸収される放射線のエネルギー以外のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを例えばラジカルのような形で酸発生剤[B]に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これらの増感剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。架橋剤本発明の感放射線性樹脂組成物をネガ型感放射性樹脂組成物として用いる場合においては、アルカリ現像液に可溶な重合体を、酸の存在下で架橋しうる化合物以下、架橋剤という。を配合しても良い。架橋剤としては、例えば、アルカリ現像液に可溶な重合体との架橋反応性を有する官能基以下、架橋性官能基という。を1種以上有する化合物を挙げることができる。上記架橋性官能基としては、例えば、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等を挙げることができる。架橋剤としては、例えば、国際公開第2009/51088号の[0169]~[0172]段落に記載のものを挙げることができる。上記架橋剤としては、特に、メトキシメチル基含有化合物、より具体的には、ジメトキシメチルウレア、テトラメトキシメチルグリコールウリル等が好ましい。上記ネガ型感放射線性樹脂組成物において、架橋剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。架橋剤の使用量は、アルカリ現像液に可溶な重合体100質量部に対して、好ましくは5~95質量部、さらに好ましくは15~85質量部、特に好ましくは20~75質量部である。この場合、架橋剤の使用量が5質量部未満では、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向があり、一方95質量部を超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。添加剤[F]としては、上記のもの以外に、染料、顔料、接着助剤等を用いることもできる。例えば、染料或いは顔料を用いることによって、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。また、接着助剤を配合することによって、基板との接着性を改善することができる。他の添加剤としてはアルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。なお、添加剤[F]は、以上説明した各種添加剤1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。<感放射線性樹脂組成物溶液の調製>本発明の感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際して、全固形分濃度が1~50質量、好ましくは3~25質量となるように溶媒に溶解した後、例えば孔径0.02μm程度のフィルターでろ過することによって組成物溶液として調製される。当該感放射線性樹脂組成物は、ハロゲンイオン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ないと、レジスト被膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに向上させることができる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物に含有させる上記重合体[A]や重合体[C]は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等によって精製することが好ましい。ここで、当該樹脂組成物は、後述するレジスト被膜を形成する工程の後において、少なくとも被膜表面側に上記繰り返し単位a1を有し、且つフッ素原子含有率が、後述する基板側よりも被膜表面側の方が高くなるように調製されていることが好ましい。これにより、液浸露光時においてはレジスト被膜表面の疎水性を向上させることができるとともに、酸の存在下やアルカリ条件下で疎水性が低下する場合の反応性を向上させることができる。なお、ここでいう被膜表面側とは、レジスト被膜中における重合体[A]の分布範囲を示し、具体的には、例えばレジスト被膜の厚みに対して、被膜表面から1~5の深さまでの部分を示す。一方、基板側とは、レジスト被膜中における重合体[B]の分布範囲を示し、具体的には、上記被膜表面側よりも基板側の部分、例えば、レジスト被膜の厚みに対して、基板表面レジスト被膜裏面から1~20の高さまでの部分を示す。<フォトレジストパターンの形成方法>本発明のレジストパターンの形成方法は、1感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にフォトレジスト被膜を形成する工程以下、工程1ともいう。と、2上記レジスト被膜上に液浸露光用液体を配置し、上記液浸露光用液体を介して上記レジスト被膜を液浸露光する工程以下、工程2ともいう。と、3液浸露光された上記レジスト被膜を現像してレジストパターンを形成する工程以下、工程3ともいう。と、を備える方法である。このような形成方法によれば、良好なパターン形状のレジストパターンを形成することができる。上記工程1では、本発明の感放射線性樹脂組成物の溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜が形成される。具体的には、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるように感放射線性樹脂組成物溶液を塗布したのち、プレベークPBすることにより塗膜中の溶剤を揮発させ、レジスト被膜が形成される。上記レジスト被膜の厚みは特に限定されないが、10~5000nmであることが好ましく、10~2000nmであることがさらに好ましい。また、プレベークの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、30~200°C程度であることが好ましく、より好ましくは50~150°Cである。上記工程2では、工程1で形成されたレジスト被膜上に液浸露光用液体を配置し、液浸露光用液体を介して、放射線を照射し、レジスト被膜を液浸露光する。上記液浸露光用液体としては、例えば、純水、長鎖又は環状の脂肪族化合物等を用いることができる。上記放射線としては、使用される酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選定されて使用されるが、ArFエキシマレーザー波長193nm或いはKrFエキシマレーザー波長248nmで代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー波長193nmが好ましい。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定することができる。本発明においては、露光後に加熱処理PEBを行うことが好ましい。このPEBにより、樹脂成分中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行させることができる。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜調整されるが、通常、30~200°C、好ましくは50~170°Cである。本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6-12452号公報特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。さらに、液浸露光においてレジスト被膜からの酸発生剤等の流出を防止するため、例えば、特開2005-352384号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に液浸用保護膜を設けることもできる。また、これらの技術は併用することができる。なお、液浸露光によるレジストパターン形成方法においては、レジスト被膜上に、上述の保護膜上層膜を設けることなく、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて得られるレジスト被膜のみにより、レジストパターンを形成することができる。このような上層膜フリーのレジスト被膜によりレジストパターンを形成する場合、保護膜上層膜の製膜工程を省くことができ、スループットの向上を期待することができる。上記工程3では、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所定のレジストパターンが形成される。この現像工程に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。上記アルカリ性水溶液の濃度は、10質量以下であることが好ましい。アルカリ性水溶液の濃度が10質量を超える場合、非露光部も現像液に溶解するおそれがある。また、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、有機溶媒を添加することもできる。上記有機溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。この有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液100体積部に対して、100体積部以下であることが好ましい。有機溶媒の使用量が100体積部を超える場合、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。<レジスト被膜>本発明のレジスト被膜は、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて形成される。当該感放射線性樹脂組成物は、既に説明したような繰り返し単位a1を有するフッ素含有の重合体[A]を含んでいる。かかる重合体[A]は、重合体[C]よりもフッ素原子含有率が大きい場合に、基板上に形成されたレジスト被膜において表面に偏在化する傾向が強く、これにより、被膜表面と水滴との接触角が良好な値を示す。具体的には、例えば、レジスト被膜を傾斜させた際のレジスト被膜と水滴との接触角動的接触角の一つである後退接触角が70°以上である。この後退接触角は、水滴の移動方向後方の端点におけるレジスト被膜との接触角であり、被膜表面の疎水性が高いほど大きな値となる。重合体[A]は、エステル基の炭素に対してα位の炭素に電子求引性基を有するユニットが結合されている。そのため、重合体[A]では、エステル基の反応性が高く、酸の存在下又はアルカリ条件下において、-RPが速やかに解離してカルボン酸が生成される。よって、重合体[A]を有する本組成物によれば、レジスト被膜を形成した際には、重合体[A]の有するフッ素原子によりレジスト被膜の表面に疎水性が付与されるとともに、酸の存在下又はアルカリ条件下に晒されたときに速やかにカルボン酸が生成される。よって、-RPが酸解離性基であれば、露光後の現像液溶解性が優れたものとなり、露光部の現像残りが生じにくく、その結果、ライン同士の繋がりブリッジ欠陥等といった欠陥を好適に抑制できる。その一方、-RPがアルカリ解離性基であれば、アルカリ現像時において、現像残渣などの不純物が被膜表面に付着しにくくなる。また、アルカリ現像液との接触時において、レジスト被膜表面では現像液が速やかに広がるため、現像を好適に行うことができる。したがって、本発明の組成物によれば、現像欠陥の発生をできるだけ抑制できるレジスト被膜を形成することができる。<アルカリ解像液に対する反応速度の評価>重合体[A]とアルカリ現像液との反応速度加水分解速度は、例えば、水との接触角、具体的には、水平状態のレジスト被膜と水滴との接触角である静的接触角や、レジスト被膜を傾斜させた際のレジスト被膜と水滴との接触角である動的接触角などを指標として評価することができる。これらの接触角を用いて加水分解速度を評価するには、例えば、重合体[A]を含むレジスト被膜をアルカリ現像液に接触させ、その接触開始からの接触角の時間変化を指標として行うことができる。上記の接触角のうち、転落角や前進接触角、後退接触角といった動的接触角を用いるのが好ましく、後退接触角を用いるのがより好ましい。ここで、転落角は、水滴が移動し始めたときの接触角であり、前進接触角は、水滴の移動方向前方の端点におけるレジスト被膜との接触角である。また、後進接触角は、水滴の移動方向後方の端点におけるレジスト被膜との接触角である。これらの接触角においては、レジスト被膜の疎水性が高いほど、前進接触角や後退接触角が大きくなり、転落角が小さくなる。つまり、重合体[A]とアルカリ現像液との反応速度が高いほど、前進接触角及び後退接触角の低下量が大きくなり、転落角の増加量が大きくなる。次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。各種物性値の測定方法を以下に示す。<ポリスチレン換算重量平均分子量Mw>東ソー社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した。<ポリスチレン換算数平均分子量Mn>東ソー社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した。<単量体の合成><単量体M-18の合成><合成例1>エチル2-シアノ-3-ヒドロキシプロパノアートの合成アセチルアセトナトジカルボニルロジウム0.26g、トリフェニルホスフィン0.52g2mmol、テトラヒドロフランTHF200mLを反応器内に加え、窒素雰囲気下で10分攪拌後、37ホルムアルデヒド水溶液10.54g130mmol、続いてエチル2-シアノアセテート11.31g100mmolを滴下してから、25°Cで16時間、攪拌しながら反応させた。反応後、反応液を減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=10/1で精製することにより、下記式M-18’で表されるエチル2-シアノ-3-ヒドロキシプロパノアートを9.16g得た収率64。M-18’<合成例2>2-シアノ-3-エトキシ-3-オキソプロピルメタクリレートの合成上記化合物M-18’14.31g100mmolと、テトラヒドロフラン200mlとを反応器内に加え、窒素雰囲気下にて0°Cに冷却しながら、トリエチルアミン12.1g120mmol及び塩化メタアクリロイル12.5g120mmolを順次滴下した後、20°Cで2時間、攪拌下に反応させた。得られた懸濁液を減圧ろ過し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=20/1で精製することにより、下記式M-18で表される2-シアノ-3-エトキシ-3-オキソプロピルメタクリレートを17.31g得た収率82。M-18<単量体M-19の合成><合成例3>エチル2-ニトロ-3-ヒドロキシプロパノアートの合成上記<合成例1>において、出発物質としてエチル2-シアノアセテート11.31gの代わりに、エチル2-ニトロアセテート13.30g100mmolを用いた以外は、上記<合成例1>と同様にして、下記式M-19’で表されるエチル2-ニトロ-3-ヒドロキシプロパノアートを5.87g得たトータル収率36。M-19’<合成例4>2-ニトロ-3-エトキシ-3-オキソプロピルメタクリレートの合成上記<合成例2>において、出発物質として上記化合物M-18’14.31gの代わりに、上記化合物M-19’16.31g100mmolを用いた以外は、上記<合成例2>と同様にして、下記式M-19で表される2-ニトロ-3-エトキシ-3-オキソプロピルメタクリレートを17.57g得たトータル収率76。M-19<単量体M-20の合成><合成例5>2-ブロモエチルメタクリレートの合成2-ブロモエタノール12.50g、テトラヒドロフランTHF100mLを窒素雰囲気下0°Cで反応器内に加え、続いてメタクリル酸クロライド10.45g100mmol、続いてトリエチルアミン11.13g110mmolを滴下してから、25°Cで30分、攪拌しながら反応させた。反応後、反応液を減圧濃縮して得られた残渣を蒸留にて精製することにより、下記式M-20’で表される2-ブロモエチルメタクリレートを17.30g得た収率90。M-20’<合成例6>エチル2-シアノ-4-メタクリロイルオキシブタノアートの合成炭酸水素カリウム13.82g100mmol、上記化合物M-20’19.30g、シアノ酢酸エチル11.31g100mmol、DMF500mLを窒素雰囲気下で反応器内に加え、100°Cで8時間、攪拌しながら反応させた。得られた懸濁液を減圧ろ過し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=20/1で精製することにより、下記式M-20で表されるエチル2-シアノ-4-メタクリロイルオキシブタノアートを11.35g得た収率50。M-20<単量体M-21の合成><合成例7>2-シアノ-3-メタクリロイルオキシプロピオン酸の合成上記<合成例1>及び上記<合成例2>において、出発物質としてエチル2-シアノアセテート11.31gの代わりに、2-シアノ酢酸8.50g100mmolを用いた以外は、上記<合成例1>及び上記<合成例2>と同様にして、下記式M-21’で表される2-シアノ-3-メタクリロイルオキシプロピオン酸を5.13g得たトータル収率28。M-21’<合成例8>2-シアノ-3-オキソ-3-2,2,2-トリフルオロエトキシプロピルメタクリレートの合成上記化合物M-21’18.32g100mmol、トルエン200mLを反応器内に加え、窒素雰囲気下にて0°Cに冷却しながら、オキザリルクロリド13.96g110mmolをトルエン200mLに溶解したものを滴下した後、DMFを1mL加えて25°Cで1時間、攪拌下に反応させた。その後0°Cに冷却後、2,2,2-トリフルオロエタノール20.00g200mmol、次いでトリエチルアミン20.24g200mmolを加えて0°Cで2時間攪拌下に反応させた。得られた懸濁液を減圧ろ過し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=20/1で精製することにより、下記式M-21で表される2-シアノ-3-オキソ-3-2,2,2-トリフルオロエトキシプロピルメタクリレートを17.31g得た収率82。M-21<単量体M-22の合成><合成例9>2-シアノ-3-オキソ-3-[3-トリフルオロメチルフェノキシ]プロピルメタクリレートの合成上記合成例8において、出発物質として2,2,2-トリフルオロエタノール20.00gの代わりに、3-トリフルオロメチルフェノール16.21g100mmolを用いた以外は、上記合成例8と同様にして、下記式M-22で表される2-シアノ-3-オキソ-3-[3-トリフルオロメチルフェノキシ]プロピルメタクリレートを25.42g得た収率78。M-22<単量体M-23の合成><合成例10>2-シアノ-3-オキソ-3-フェノキシプロピルメタクリレートの合成上記合成例8において、出発物質として2,2,2-トリフルオロエタノール20.00gの代わりに、フェノール9.41g100mmolを用いた以外は、上記合成例8と同様にして、下記式M-23で表される2-シアノ-3-オキソ-3-フェノキシプロピルメタクリレートを24.23g得た収率71。M-23<単量体M-24の合成><合成例11>2-シアノ-3-オキソ-3-[4-トリフルオロメチルベンゾイルオキシ]プロピルメタクリレートの合成上記合成例8において、出発物質として2,2,2-トリフルオロエタノール20.00gの代わりに、[4-トリフルオロメチルフェニル]メタノール17.61g100mmolを用いた以外は、上記合成例8と同様にして、下記式M-24で表される2-シアノ-3-オキソ-3-[4-トリフルオロメチルベンゾイルオキシ]プロピルメタクリレートを23.88g得た収率70。M-24<単量体M-25の合成><比較合成例1>2-メタクリロイルオキソ酢酸の合成特開2010-32994号公報の段落0269欄に記載されている合成方法により、下記式M-25’で表される2-メタクリロイルオキソ酢酸を26g得た収率95。M-25’<比較合成例2>2-オキソ-2-2,2,2-トリフルオロエトキシエチルメタクリレートの合成特開2010-32994号公報の段落0320欄に記載されている合成方法により、上記化合物M-25’を用いて、下記式M-25で表される2-オキソ-2-2,2,2-トリフルオロエトキシエチルメタクリレートを25g得た。M-25<重合体[A]の合成>上記のように得た単量体M-18~M-25及び下記の単量体M-1~M-17の中から選択される化合物をそれぞれ用い、下記各実施例の方法により、重合体[A]である重合体A-1~A-20を合成した。<実施例1>温度計、還流管を取り付けた3つ口フラスコに、合成例8で合成した化合物M-2110g37.7mmol、メチルエチルケトン20gを入れ、撹拌溶解した。その溶解液に重合開始剤アゾビスイソブチロニトリル和光純薬製を0.32g1.96mmol加え、溶解させた。この溶液を、窒素雰囲気下にて80°Cで5時間の加熱撹拌により重合反応を行った後、反応液を室温まで冷却した。その後、重合反応液を減圧濃縮後、150gのノルマルヘキサンへゆっくり投入し、析出した固体をヘキサンで3回洗浄したのち、減圧乾燥することにより固体を得た。この重合体をA-1とした。重合体A-1は、Mwが6,900であり、Mw/Mnが1.44であった。また、フッ素含有割合は、21.49質量であった。<実施例2~20>単量体の総モル数が同じ37.7mmolになるようにし、各々の配合量モル比を表1記載の通りとした以外は実施例1と同様にして、重合体A-2~A-20を調製した。重合体A-1~A-20の組成、Mw、Mw/Mn、及びフッ素原子含有率を表2に示す。<比較合成例3~8>また、単量体M-18~M-24を用いず、表1記載の通りの化合物を用い、実施例1と同様にして、重合体a-1~a-6を調製した。重合体a-1~a-6の組成、Mw、Mw/Mn、及びフッ素原子含有率も表2に示す。<重合体[C]の合成><合成例12~16>表3に記載した通りの単量体を用い、実施例1と同様にして、重合体[C]である重合体C-1~C-5を調製した。重合体C-1~C-5の組成、Mw、Mw/Mn、及びフッ素原子含有率を表3に示す。<感放射線性樹脂組成物の調製>上記実施例及び合成例にて合成した重合体A-1~A-17、a-1~a-6及びC-1~C-5以外の感放射線性樹脂組成物を構成する各成分酸発生剤[B]、酸拡散制御剤[D]及び溶剤[E]について以下に示す。酸発生剤[B]酸拡散制御剤[D]溶媒[E]E-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートE-2:シクロヘキサノン添加剤[F]F-1:γ-ブチロラクトン<実施例21>実施例1で調製した重合体A-15質量部、酸発生剤B-19.9質量部、合成例13で調製した重合体C-2100質量部、酸拡散制御剤D-11.5質量部、添加剤[F]としてγ-ブチロラクトン100質量部、及び溶媒E-11500質量部、E-2650質量部を混合して感放射線性樹脂組成物の組成物溶液を調製した。<実施例22~46、比較例1~6表4に示す配合処方にしたこと以外は実施例21と同様にして各感放射線性樹脂組成物の組成物溶液を調製した。<レジスト被膜の調製及び評価>実施例21~46、比較例1~6の感放射線性樹脂組成物について以下のようにレジスト被膜を形成し、形成したレジスト被膜のそれぞれについて、アルカリ現像液に対する反応速度及び現像欠陥の評価を行った。反応速度の評価は、アルカリ現像液との接触時における後退接触角の時間変化を見ることにより行った。また、現像欠陥については、Blob欠陥数を測定することにより行った。以下に、その詳細を示す。<レジスト被膜の調製>感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に被膜を形成した。基板は、後退接触角の測定に際しては8インチシリコンウェハとし、Blob欠陥数の測定に際しては、下層反射防止膜日産化学社、ARC66を形成した12インチシリコンウェハとした。被膜の膜厚は110nmとした。<後退接触角の測定>形成した被膜について、室温23°C、湿度45、常圧の環境下で、KRUS社のDSA-10を用いて以下の手順で後退接触角を測定した。DSA-10の針を測定前にアセトンとイソプロピルアルコールで洗浄した後、針に水を注入するとともに、ウェハステージ上にウェハをセットした。次いで、ウェハ表面と針の先端の距離が1mm以下になるようステージの高さを調整した。針から水を排出してウェハ上に25μLの水滴を形成した後、針によって水滴を10μL/分の速度で180秒間吸引するとともに、接触角を毎秒計180回測定した。この場合に、かかる測定は、被膜形成後、120°Cで50秒間ソフトベークSBを行った後に行うとともに、SB後にアルカリ現像液を接触させ、その接触開始から10秒後又は30秒後に行った。そして、それぞれの測定において、接触角が安定した時点から計20点の接触角について平均値を算出し、各測定条件の後退接触角°とした。アルカリ現像については、上記条件でSBを行った後、東京エレクトロン株式会社製、クリーントラックACT8の現像装置のGPノズルによって2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により10秒間又は30秒間現像し、その後、15秒間純水によりリンスした。リンス後、2,000rpmで液振り切り乾燥し、その乾燥後の基板の後退接触角をそれぞれ10秒現像後の後退接触角、30秒現像後の後退接触角とした。<Blob欠陥>被膜形成後、120°Cで50秒間SBを行い、この被膜についてArFエキシマレーザー液浸露光装置NIKON社、NSRS610Cを用い、NA=1.3、ratio=0.800、Dipoleの条件により、ターゲットサイズが幅45nmのラインアンドスペース1L/1Sのマスクパターンを介して露光した。露光後、95°Cで50秒間プレベークPEBを行った。PEBの後、東京エレクトロン株式会社製、クリーントラックACT8の現像装置のGPノズルによって2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により10秒間現像し、15秒間純水によりリンスし、2,000rpmで液振り切り乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、幅45nmの1L/1Sを形成する露光量を最適露光量とした。この最適露光量にてウェハ全面に線幅45nmの1L/1Sを形成し、欠陥検査用ウェハとした。なお、測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、CC-4000を用いた。その後、欠陥検査用ウェハ上の欠陥数を、KLA-Tencor社、KLA2810を用いて測定した。更に、同社KLA2810にて測定された欠陥を、レジスト由来と判断されるものと外部由来の異物とに分類した。上記各評価結果を、表4に示す。先ず、SB後の水に対する後退接触角については、表4に示すように、実施例21~46及び比較例1~6のいずれにおいても高い値を示した。このことから、実施例21~46のレジスト被膜は、液浸露光時において十分に高い疎水性を示すことが分かった。次に、現像後の後退接触角を比較すると、比較例1~4については、現像後10秒ではほとんど変化せず、現像後30秒においてもSB後に対して1~3°程度しか低下しなかった。また、比較例5~6では、現像後10秒では89°から70°、及び86°から80°までと僅かしか変化せず、更に、現像後30秒においても60°以上であった。これに対して、実施例21~46では、いずれも、現像後10秒で73~88°から54°未満まで大きく低下した。このことから、重合体[A]を含む本組成物を用いて形成されたレジスト被膜は、アルカリ現像液との接触時において、その膜表面における疎水性→親水性表面濡れ性の変化が速やかに行われることが分かった。つまり、アルカリ現像液に対する反応速度が高いことが分かった。これは、重合体[A]の有する疎水性基がアルカリ条件下で速やかに解離し、親水性基であるCOOH基が膜表面に偏在したことによるものと考えられる。また、Blob欠陥について比較すると、比較例1~6では欠陥数が60個以上であったのに対して、実施例21~46では、欠陥数が0個であった。このことから、実施例21~46では、比較例1~6に比べて、アルカリ現像液に対する反応速度が高く、これにより、現像残渣などの不純物が膜表面に付着するのを抑制できることが示唆された。"