"真空空間内に形成された電子放出源、ゲート電極及び蛍光体層を備えた反射型フィールドエミッションランプにおいて、前記電子放出源は、透光性部材の表面に形成され、前記ゲート電極は、前記電子放出源に対して間隙を空けて覆うように形成され、前記蛍光体層は、前記ゲート電極に対向するように配置された導電性部材の表面に形成され、前記電子放出源は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、電子線を放出し、前記蛍光体層は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、前記電子線が衝突することにより励起発光し、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に前記発光光線を通過させるスペースを形成するように配置され、該発光光線は該スペースを通過して外部に取り出される、フィールドエミッションランプ。請求項1に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記透光性部材は、前記真空空間を包囲する容器の一部である、フィールドエミッションランプ。請求項1に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記透光性部材は、前記真空空間を包囲する容器とは別個に、該真空空間内に配置されている、フィールドエミッションランプ。請求項1~3のいずれか一項に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に、円環状、枠形状フレーム形状又は楕円環形状に形成され、その内側に前記発光光線通過のためのスペースを形成している、フィールドエミッションランプ。請求項1~3のいずれか一項に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に、相互に間隔を空けたライン状に形成され、該間隔は前記発光光線通過のためのスペースとなっている、フィールドエミッションランプ。請求項1~5のいずれか一項に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記電子放出源は、ワイヤの表面に電子材料を塗布して形成されている、フィールドエミッションランプ。請求項1~5のいずれか一項に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記電子放出源は、カーボンナノチューブにより形成されている、フィールドエミッションランプ。請求項1~7のいずれか一項に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記導電性部材は、金属基板から成り、前記蛍光体層は、該金属基板の表面に成膜されている、フィールドエミッションランプ。請求項1~8のいずれか一項に記載のフィールドエミッションランプにおいて、前記電子放出源は、一定のサイズを有して形成されているのに対して、前記蛍光体層は、点状サイズに形成されている、フィールドエミッションランプ。図2に示すランプ型デバイス100は、電子線80から発光140に至るルートが蛍光体60を透過するため透過型FELと称される。透過型FELは、蛍光体膜60の表面にアルミ薄膜70が存在するため、これを通過する際に電子線のエネルギーロスが発生する。また、蛍光体膜60は、電子線80の衝突によりかなり発熱するが、蛍光体膜60の裏面は熱伝導性の悪いガラス160であり、更にガラス160の裏面は大気曝露の対流冷却であるため、蛍光体膜60の冷却効率は悪い等の問題がある。従って、本発明は、一層効率の良い新規なFELを提供することを目的とする。上記目的に鑑みて、本発明に係る反射型フィールドエミッションランプは、真空空間内に形成された電子放出源、ゲート電極及び蛍光体層を備えた反射型フィールドエミッションランプであって、前記電子放出源は、透光性部材の表面に形成され、前記ゲート電極は、前記電子放出源に対して間隙を空けて覆うように形成され、前記蛍光体層は、前記ゲート電極に対向するように配置された導電性部材の表面に形成され、前記電子放出源は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、電子線を放出し、前記蛍光体層は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、前記電子線が衝突することにより励起発光し、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に前記発光光線を通過させるスペースを形成するように配置され、該発光光線は該スペースを通過して外部に取り出される。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記透光性部材は、前記真空空間を包囲する容器の一部であってよい。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記透光性部材は、前記真空空間を包囲する容器とは別個に、該真空空間内に配置されていてもよい。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に、円環状、枠形状フレーム形状又は楕円環形状に形成され、その内側に前記発光光線通過のためのスペースを形成していてもよい。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に、相互に間隔を空けたライン状に形成され、該間隔は前記発光光線通過のためのスペースとなっていてもよい。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記電子放出源は、ワイヤの表面に電子材料を塗布して形成されていてもよい。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記電子放出源は、カーボンナノチューブにより形成されていてもよい。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記導電性部材は、金属基板から成り、前記蛍光体層は、該金属基板の表面に成膜されていてもよい。更に、上記反射型フィールドエミッションランプでは、前記電子放出源は、一定のサイズを有して形成されているのに対して、前記蛍光体層は、点状サイズに形成されていてもよい。本発明によれば、一層効率の良い新規なFELを提供することが出来る。以下、本発明に係る反射型フィールドエミッションランプ反射型FELの実施形態に関して、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中、同じ又は対応する要素に対しては同じ符号を付与して、重複した説明を省略する。また、本実施形態は、本発明を説明するための例示であって、本発明の技術的範囲を何等限定するものではないことを承知されたい。[第1実施形態]図3Aは、第1実施形態に係る反射型FEL20-1の構造を示す模式図であり、図3Bは、この反射型FEL20-1の電子放出源2-1と蛍光体層蛍光体膜あるいは発光体ともいう。6-1の関係を説明する図である。反射型FEL20-1は、前面を透光性部材16で形成した容器12の内部空間12aに、円環状の陰極の電子放出源2-1、この電子放出源を覆う円環状のゲート電極4及びアノード電極としての蛍光体基板6-1,18-1が収納されている。容器12の内部空間12aは、真空に維持されている。透光性部材16は、典型的には耐熱ガラス例えば、パイレックス登録商標である。しかし、この透光性部材16は、その他のガラス或いは気密封止が可能な他の透光性部材であってもよい。容器12は、典型的には透光性部材16と同じ材料又はこれと熱膨張率の近い材料であり、気密封止が可能な剛性部材である。陰極の電子放出源2-1は、典型的には、20mmφのリング状であり、基板ワイヤ径05mmの表面に電子放出源の材料を塗布して形成した。しかし、図2のFEL100と同様に、透光性部材16の表面に、典型的にはスクリーン印刷法で円環状に形成された多層カーボンナノチューブ多層CNT陰極としてもよい。しかし、電子放出源2-1は、その他の効率良く電子の電界放出が可能な陰極を使用してもよい。電子放出源2-1の形状は、円環形状に限定されない。後述するように、円環形状の目的は、蛍光体層からの発光光線14を邪魔しないスペース部分を形成するためであり、例えば、三角、四角、その他の多角形の枠形状フレーム形状、円環形状を変形した楕円環形状等であってもよい。図示の電子放出源2-1の円環形状は、1個の電子放出源であるが、これに限定されない。複数個の円弧状アーク状の電子放出源をつなげて円環状に配置して電子放出源を形成してもよい。更に、電子放出源の個々は、矩形、円形等の任意の形状の小片で形成し、これら多数の小片を円環状等に配置して電子放出源を形成してもよい。ゲート電極4-1は、典型的には銅製の網目部材メッシュ又は格子部材グリッドである。しかし、ゲート電極4-1の形状に関しては、その他の多孔形状、スリット形状等の電子を効率良く通過させる任意の形状であってよい。ゲート電極4-1の形状及び配置は、電子放出源2-1のサイズに対応して決められる。ゲート電極4-1の材質に関しては、その他の金属等の導電性部材、又は表面を導電処理した絶縁体であってもよい。アノード電極の蛍光体基板6-1,18-1は、板厚05mmのニッケルNi基板18-1の表面に蛍光体層6-1をスクリーン印刷法により形成している。蛍光体層の寸法は、3mmφの円形である。しかし、基板18-1の板厚及び材質は、これに限定されず、任意所望の板厚でよく、材質も電気導電性を有する部材、例えば、他の種類の金属基板、又は表面を導電処理した絶縁体であってよい。蛍光体層6-1は、従来から知られており、電子線が衝突すると電子線励起によって発光する。基板18-1に対する蛍光体層6-1の形成方法に関しては、スクリーン印刷法に限定されず、真空蒸着等により成膜してもよい。電子放出源2-1とゲート電極4-1の間隔は、約05~10mm、両者間に印加される電圧は約1~2kVであり、強い電界が形成されている。また、ゲート電極4-1と蛍光体層6-1の間隔は、数ミリ、両者間に印加される電圧は約8kVである。夫々の印加電圧をパルス電圧として、電子線の均一化、発光の均一化を図ってもよい。ここに示した間隔および電圧の値は典型例であり、別の適切な値であってもよい。図3の反射型FEL20-1の発光は、陰極電子放出源2-1とゲート4-1の間に正電圧Vkを印加し、陰極電子放出源2-1に強電界を発生すると、電子8が飛び出す。電子放出源2-1から放出された電子8の一部はゲート4-1に補足されるが、大半は真空空間12aで加速され、正電圧Vaが印加されたNi基板18-1の表面の蛍光体膜6-1に衝突し、蛍光体層6-1は電子線励起により発光し、この発光光線14は透光性部材16の円環形状電子放出源の内側のスペース部分を通って外部を照射する。発光14は、一般に、可視光線であるが、これに限定されない。発光14は、不可視光線である紫外線等であってもよい。変形例図3に示す反射型FEL20-1では、容器12の前面の透光性部材16に電子放出源2-1を形成している。しかし、これに限定されない。電子放出源2-1は、容器12の内部空間12aに配置された別個の透光性部材に形成してもよい。図3に示す反射型FELの特徴等次に、図3に示す反射型FEL20-1の有する特徴について、図4~9を参照しながら説明する。図2に示す透過型FEL100の構造と比較すると、図3に示すFEL20-1は、反射型であり、蛍光体の構造具体的には、アルミ薄膜が存在しないこと、有効な冷却構造が存在すること等で相違する。反射型に関しては、図4に示す透過型FELと図5に示す反射型FELとを比較して説明する。図4に示すように、透過型FEL100-1では、電子線8から発光14に至るルートが蛍光体層6を透過する構造である。これに対して、図5の反射型FEL20-2では、電子線8から発光14に至るルートが蛍光体層6で反射して、発光14は透光性部材17を通して外部へ向かう構造である。次に、蛍光体基板の構造に関しては、図4に示す透過型FEL100-1では、蛍光体層6は、ガラスの表面図示せず。図2の符号160参照に形成され、蛍光体層6の表面にアルミ薄膜メタルバック層7が形成されている。これに対して、図5に示す反射型FEL20-2では、蛍光体層6は、Ni基板18の表面に形成されている。蛍光体層6は導電性のNi基板18に形成されているため、別途、チャージアップを回避し蛍光体層の電位を保持するための新たなアルミ薄膜は必要としない。従って、電子放出源2から飛び出した電子8は、アルミ薄膜通過によるエネルギーロスを受けることなく、直接、蛍光体層6に衝突することができる。更に、透過型FEL100-1では、電子線8が蛍光体層6に衝突して発生した発光光線14が、蛍光体層6を透過して光放出面側に到達するまでに光線透過ロスが存在するが、反射型FEL20-2にはそのような光線透過ロスは無い。また、電子8が蛍光体層6に衝突すると蛍光体層6は発熱するが、図4に示す透過型FEL100-1では蛍光体層6の裏面はガラス図示せず。であり、ガラスは熱伝導性が悪い。これに対して、図5の反射型FEL20-2では、蛍光体層6の裏面はNi基板18であり、Ni基板は熱伝導性が良いため、良好な冷却効果が得られる。更に、必要に応じて、Ni基板18の裏面に、電子線8又は発光光線14を遮蔽することなく、適当な冷却手段冷却フィン,クーラー等を設けることも出来る。これに対して、図4に示す透過型FEL100-1では、ガラスの裏面に、発光光線14を遮蔽することなく冷却手段を設けることは難しい図2参照。上述の通り、透過型FEL100-1と比較して、反射型FEL20-2は幾つかの利点を有しているため、図3に示す第1実施形態では反射型FELを採用している。反面、透過型FEL100-1に比較して、反射型FEL20-2が有する欠点もある。図6に示すように、反射型FEL20-2では、蛍光体層6からの発光14の一部は、電子放出源2及びゲート4に遮蔽され、上方の発光範囲のうち、角度θの範囲は影になる欠点を有している。この欠点を回避するため、図3に示すように、第1実施形態に係る反射型FEL20-1では、電子放出源2-1及びゲート電極4-1の形状を、各々、円環状にして、角度θの範囲を外して大きく隙間を設けることで、蛍光体層6-1からの発光14を電子放出源2-1及びゲート電極4-1が遮蔽せず、円環状の内側スペース部分を通過するようにしている。これにより、発光を遮蔽して影を作る欠点が無くなる。電子放出源2を円環形状等とすることにより、電子放出源2が発光14の一部を遮蔽する欠点は解消できる。しかし、図3Bに示すように、電子線8が蛍光体層6-1に対して斜め入射する構成にも欠点がある。図7は、電子線の斜め照射の欠点を説明する図である。なお、図7~9に関しては、図を簡単にして分かり易くするため、電子放出源と蛍光体層のみを図示し、ゲート電極を省略してあることを承知されたい。図7に示すように、一定の距離を置いて配置された注、この一定の距離とは、電子放出源である陰極と蛍光体層が形成された陽極との距離である。、一定のサイズを有する電子放出源2-1と、一定のサイズを有する蛍光体層6-1との間に電圧を印加して両者間に電界を形成した場合、理想的には、電子放出源全面から蛍光体層全面に向かって均一な電界が形成され、両方の面の間に破線8iに示すような均一な電子線が向かうことが望ましい。しかし、現実には、蛍光体層6-1の内で、電子放出源2-1に一番近い点Pの電界が集中して、電子放出源2-1からの電子線8は蛍光体層の点Pに集中し、点Pの発光体のみが発光することとなる。電子線8が蛍光体層の一点に集中する欠点を回避するため、図8に示すように、蛍光体層6-2を微小なサイズの蛍光体層点状蛍光体層とする構成が好ましい。蛍光体層6-2の寸法は、典型的には、3mmφの円形である。図3に示す第1実施形態に係る反射型FEL20-1では、発光体6-1を点状発光体としている。しかし、図8に示すように、反射型FEL20-3では、一定のサイズの電子放出源2-2からの電子線8が、微小サイズの蛍光体層6-2に過度に集中する欠点も有する。この欠点を回避するためには、図9に示す反射型FEL20-4では、微小なサイズの電子放出源2-3と微小なサイズの発光体6-3にする構成であってもよい。電子放出源2-3及び発光体6-3の寸法は、各々、典型的には、3mmφの円形である。第1実施形態に係る反射型FEL20-1では、円環形状等の電子放出源2-1を多数の小片で形成し、これに対応して発光体6-1も円環形状等に配置された多数の小片で形成してもよい。第2実施形態図10Aは、第2実施形態に係る反射型FEL20-4の構造を示す模式図であり、図10B及びCは、この反射型FEL20-4の電子放出源2-4と蛍光体層6-4の関係を説明する図である。ここで、図10Bは図10Aと同じ側面図であり、図10Cは平面図である。図10B及びCに示すように、第2実施形態に係る反射型FEL20-4では、複数本のライン状電子放出源2-4と、複数本のライン状発光体6-4との組み合わせの構成を採択している。第2実施形態に係る反射型FEL20-4は、図3に示す反射型FEL20-1と比較すると、反射型FEL20-1図3では、電子放出源及びゲートは、発光を遮蔽しない領域に形成されているのに対して、反射型FEL20-4図10では、発光を遮蔽する領域に位置決めされているが、発光を有効に透過する隙間が設けてられている点、反射型FEL20-1では、電子放出源2-1及び蛍光体層6-1が、いずれも円環状に形成されているのに対して、反射型FEL20-4図10では、電子放出源2-4及び蛍光体層6-4が、いずれも複数本のライン状形状に形成される点で相違する。他の構成要素に関しては、図3に示す反射型FEL20-1のそれらと同じである。ライン状蛍光体層6-4は、発光面を広く確保できるので、蛍光体層への電流密度が比較的低く抑えることが出来、発光効率が上がることが期待される。図10Bに示すように、複数本のライン状電子放出源2-4が相互に間隔を空けて配置され、同様に複数本のライン状発光体6-4が相互に間隔を空けて配置されている。図10Cの平面図に示すように、ライン状電子放出源2-4とライン状発光体6-4とは、各々の間隔に合致するように互い違いに配置されている。蛍光体層6-4からの発光は、隣接するライン状電子放出源2-4の隙間スペース部分から、外部に向けられる。第1実施形態で説明した変形例、代替例等は、第2実施形態に係る反射型FEL20-4にも適用される。例えば、電子放出源2-1を透光性部材6とは別個の透光部材に形成する形成すること、電子放出源2-1及び蛍光体層6-1を夫々多数の小片をライン状に配置して形成すること等である。第3実施形態図11に示す第3実施形態に係る反射型FEL20-5は、図10に示す反射型FEL20-4と比較すると、隣接するライン状電子放出源2-6の間隔スペース部分が広く、同様に隣接するライン状発光体6-6の間隔が広い点で相違する。なお、他の構成要素に関しては、図10に示す反射型FEL20-4のそれらと同じである。第1実施形態で説明した変形例、代替例等は、第3実施形態に係る反射型FEL20-5にも適用される。例えば、電子放出源2-1を透光性部材6とは別個の透光部材に形成する形成すること、電子放出源2-1及び蛍光体層6-1を夫々多数の小片をライン状に配置して形成すること等である。[本実施形態の利点効果]本実施形態の主な利点効果は次の通りである。反射型FELを採用することにより、電子線のメタルバック層によるエネルギーロス、発光光線の蛍光体層通過による光線透過ロスが無くなる。反射型FELを採用することにより、蛍光体層を導電部材の表面に形成でき、蛍光体層の良好な冷却効果が得られる。更に、追加の冷却手段を設けることも可能になる。第1実施形態では、円環状電子放出源等を採用することにより、発光光線に影の発生を無くすことができる。第2実施形態では、蛍光体層の電流密度を比較的低く抑えることが出来、発光効率を上げることが出来る。第3実施形態では、更に、隣接するライン状電子放出源の間隔を広くしているため、発光光線の影の発生を減少することができる。以上、本発明に係る反射型フィールドエミッションランプの実施形態について説明したが、これらは例示であり、本発明の範囲を何等制限するものではない。本実施形態に対して当業者が容易に成し得る追加削除変更改良等は、本発明の範囲内である。本発明の技術的範囲は、添附の特許請求の範囲の記載に基づいて定められる。"