"基板に対して所定の処理が行われる複数の処理室を備えた基板処理装置において、前記処理室の内部をコンディショニングする方法であって、前記複数の処理室は、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第1及び第2の処理室を含み、前記第1の処理室では、基板の処理に関連して設定される第1の積算値が設定値N1に達した場合にコンディショニングが実行され、前記第1の処理室のコンディショニングの開始により前記一連の工程が中断されたときに、前記第2の処理室は待機状態となり、かつ、少なくとも、前記第2の処理室において基板の処理に関連して設定される第2の積算値が設定値N2以上であることを条件に、前記第2の処理室において第3の積算値のカウントを開始し、該第3の積算値が設定値N3を超えた場合に前記第2の処理室のコンディショニングが実行されることを特徴とするコンディショニング方法。前記一連の工程は、前記第1の処理室において基板に対して所定の処理が行われる工程と、前記第2の処理室において、前記第1の処理室において所定の処理が行われた基板に対して、前記第1の処理室とは異なる処理が行われる工程とを含み、前記第1の積算値は、前記第1の処理室における基板の処理に伴って積算され、且つ前記第1の処理室のコンディショニングを行うことによって0になる値であり、前記第2の積算値は、前記第2の処理室における基板の処理に伴って積算され、且つ前記第2の処理室のコンディショニングを行うことによって0になる値であり、前記第2の処理室は、前記第2の積算値が設定値N4に達した場合に、前記第1の処理室とは独立してコンディショニングが実行されるように設定されており、かつ、前記設定値N4は、前記設定値N1よりも大きい値である請求項1に記載のコンディショニング方法。前記第1の積算値は、前記第1の処理室において前回のコンディショニング終了後に処理を行った基板の積算枚数であり、前記第2の積算値は、前記第2の処理室において前回のコンディショニング終了後に処理を行った基板の積算枚数である請求項2に記載のコンディショニング方法。前記設定値N2は、前記設定値N4から前記設定値N1を引いた値と等しい請求項3に記載のコンディショニング方法。前記第3の積算値は、前記第2の処理室の待機状態における経過時間である請求項1から4のいずれか1項に記載のコンディショニング方法。前記第1の処理室のコンディショニングに要する時間は、前記第2の処理室のコンディショニングに要する時間よりも長いことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のコンディショニング方法。前記設定値N3は、前記第1の処理室のコンディショニングに要する時間から、前記第2の処理室のコンディショニングに要する時間を引いた時間と同じか、それより短い請求項6に記載のコンディショニング方法。前記設定値N3は、前記第1の処理室のコンディショニングに要する時間から、前記第2の処理室のコンディショニングに要する時間を引いた時間よりも、前記第1の処理室において行われる1枚の基板に対する所定の処理に要する時間の分だけ長い請求項6に記載のコンディショニング方法。前記第3の積算値のカウントを開始する前に、少なくとも前記第2の積算値を前記設定値N2と比較して前記第2の処理室のコンディショニングを行うか否かを判定する請求項1から8のいずれか1項に記載のコンディショニング方法。前記第3の積算値が設定値N3を超えたか否かによって、前記第2の処理室のコンディショニングを行うか否かを判定する請求項1から8のいずれか1項に記載のコンディショニング方法。前記コンディショニングは、前記処理室内の付着物を除去するクリーニングと、前記処理室内に薄膜を堆積させるプリコートと、の少なくともいずれか一方を含む処理である請求項1から10のいずれか1項に記載のコンディショニング方法。コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、基板に対して所定の処理が行われる複数の処理室を備えた基板処理装置において、前記処理室の内部をコンディショニングするコンディショニング方法を行うように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させるものであり、前記複数の処理室は、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第1及び第2の処理室を含み、前記第1の処理室は、基板の処理に関連して設定される第1の積算値が設定値N1に達した場合にコンディショニングが実行されるように設定されており、前記コンディショニング方法は、前記第1の処理室のコンディショニングの開始により前記一連の工程が中断されたときに、前記第2の処理室を待機状態にするステップと、少なくとも、前記第2の処理室において基板の処理に関連して設定される第2の積算値が設定値N2以上であるか否かを判定するステップと、前記第2の積算値が設定値N2以上である場合に、前記第2の処理室において、第3の積算値のカウントを開始するステップと、前記第2の処理室について、前記第3の積算値が設定値N3を超えた場合にコンディショニングを実行するステップと、を備えていることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。基板に対して所定の処理が行われる複数の処理室と、前記複数の処理室における動作を制御する制御部とを備え、処理室の内部が周期的にコンディショニングされる基板処理装置であって、前記複数の処理室は、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第1及び第2の処理室を含み、前記制御部は、前記第1の処理室において、基板の処理に関連して設定される第1の積算値が設定値N1に達した場合にコンディショニングを実行し、前記第1の処理室のコンディショニングの開始により前記一連の工程が中断されたときに、前記第2の処理室を待機状態とし、かつ、少なくとも、前記第2の処理室において基板の処理に関連して設定される第2の積算値が設定値N2以上であることを条件に、前記第2の処理室において第3の積算値のカウントを開始し、該第3の積算値が設定値N3を超えた場合に前記第2の処理室のコンディショニングを実行するように制御することを特徴とする基板処理装置。前記複数の処理室は、更に、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第3及び第4の処理室を含み、前記第3及び第4の処理室において、前記第1及び第2の処理室と同じ制御でコンディショニングを実行する請求項13に記載の基板処理装置。成膜やエッチング等の処理が行われる処理室の内壁や部品には、処理が繰り返されるごとに反応生成物が付着して堆積していく。このような付着物は、剥離するとパーティクルとなって基板に付着し、製品の品質を低下させる原因となる。上記の付着物を除去するためには、処理室の内部をクリーニングする必要がある。成膜処理が行われる処理室のクリーニングは、例えば、処理室内の温度を所定の温度に保持した後、処理室内にClF3ガス、NF3ガス、Cl2ガス等のクリーニングガスを供給することによって行われる。また、クリーニングを実施した後は、後続プロセスの1枚目のウエハと2枚目以降のウエハとで処理条件を揃える目的で、処理室内に薄膜を堆積させるプリコート処理が行なわれる。このようなクリーニングやプリコートを含め、処理室内の環境を整備する処理をコンディショニングという。このようなコンディショニングを定期的に行うことによって、パーティクルの発生を防止することができる。コンディショニングが行われる周期は、成膜条件やエッチング条件によって変化する。複数の処理室を備えたマルチチャンバタイプの基板処理装置では、各処理室において、それぞれのタイミングでコンディショニングが行われる。各処理室においてコンディショニングが行われるタイミングは、必ずしも一致しない。特に、成膜条件が異なる複数の処理室を組み合わせることによって、種類の異なる複数の成膜工程を連続して行う場合には、処理室毎にコンディショニングが行われる周期が異なるため、各処理室においてコンディショニングが行われるタイミングが一致しなくなる。種類の異なる複数の成膜工程を連続して行う場合であって、各処理室においてコンディショニングが行われるタイミングが一致しない場合には、以下のような問題が発生する。この場合、先に成膜処理が行われる処理室以下、先の処理室と言う。においてコンディショニングが行われている間、後に成膜処理が行われる処理室以下、後の処理室と言う。では、先の処理室から基板が搬入されてこないため、基板の成膜処理を行うことができなくなる。また、後の処理室においてコンディショニングが行われている間、先の処理室では、後の処理室に基板を搬送することができないため、次の基板の成膜処理を行うことができなくなる。このように、複数の処理室のうち、いずれかの処理室においてコンディショニングが行われていると、コンディショニングが行われている処理室に関係する他の処理室では、基板の成膜処理を行うことができなくなる。そのため、各処理室のスループット単位時間内に処理できる基板の枚数は、その処理室におけるコンディショニングに必要な時間に加えて、他の処理室におけるコンディショニングに必要な時間の分だけ低下する。その結果、基板処理装置全体のスループットが低下する。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、基板に対して所定の処理が行われる複数の処理室を備えた基板処理装置において、処理室の内部を周期的にコンディショニングする方法であって、基板処理装置のスループットを向上させることができるようにしたコンディショニング方法、この方法に用いるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体及び基板処理装置を提供することにある。本発明のコンディショニング方法は、基板に対して所定の処理が行われる複数の処理室を備えた基板処理装置において、前記処理室の内部をコンディショニングする方法である。本発明のコンディショニング方法において、前記複数の処理室は、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第1及び第2の処理室を含み、前記第1の処理室では、基板の処理に関連して設定される第1の積算値が設定値N1に達した場合にコンディショニングが実行される。本発明のコンディショニング方法は、前記第1の処理室のコンディショニングの開始により前記一連の工程が中断されたときに、前記第2の処理室は待機状態となり、かつ、少なくとも、前記第2の処理室において基板の処理に関連して設定される第2の積算値が設定値N2以上であることを条件に、前記第2の処理室において第3の積算値のカウントを開始し、該第3の積算値が設定値N3を超えた場合に前記第2の処理室のコンディショニングが実行される。本発明のコンディショニング方法において、前記一連の工程は、前記第1の処理室において基板に対して所定の処理が行われる工程と、前記第2の処理室において、前記第1の処理室において所定の処理が行われた基板に対して、前記第1の処理室とは異なる処理が行われる工程とを含み、前記第1の積算値は、前記第1の処理室における基板の処理に伴って積算され、且つ前記第1の処理室のコンディショニングを行うことによって0になる値であり、前記第2の積算値は、前記第2の処理室における基板の処理に伴って積算され、且つ前記第2の処理室のコンディショニングを行うことによって0になる値であり、前記第2の処理室は、前記第2の積算値が設定値N4に達した場合に、前記第1の処理室とは独立してコンディショニングが実行されるように設定されており、かつ、前記設定値N4は、前記設定値N1よりも大きい値であってもよい。本発明のコンディショニング方法において、前記第1の積算値は、前記第1の処理室において前回のコンディショニング終了後に処理を行った基板の積算枚数であり、前記第2の積算値は、前記第2の処理室において前回のコンディショニング終了後に処理を行った基板の積算枚数であってもよい。本発明のコンディショニング方法において、前記設定値N2は、前記設定値N4から前記設定値N1を引いた値と等しくてもよい。本発明のコンディショニング方法において、前記第3の積算値は、前記第2の処理室の待機状態における経過時間であってもよい。本発明のコンディショニング方法において、前記第1の処理室のコンディショニングに要する時間は、前記第2の処理室のコンディショニングに要する時間よりも長くてもよい。本発明のコンディショニング方法において、前記設定値N3は、前記第1の処理室のコンディショニングに要する時間から、前記第2の処理室のコンディショニングに要する時間を引いた時間と同じか、それより短くてもよい。あるいは、設定値N3は、前記第1の処理室のコンディショニングに要する時間から、前記第2の処理室のコンディショニングに要する時間を引いた時間よりも、前記第1の処理室において行われる1枚の基板に対する所定の処理に要する時間の分だけ長くてもよい。本発明のコンディショニング方法は、前記第3の積算値のカウントを開始する前に、少なくとも前記第2の積算値を前記設定値N2と比較して前記第2の処理室のコンディショニングを行うか否かを判定してもよい。あるいは、前記第3の積算値が設定値N3を超えたか否かによって、前記第2の処理室のコンディショニングを行うか否かを判定してもよい。本発明のコンディショニング方法において、前記コンディショニングは、前記処理室内の付着物を除去するクリーニングと、前記処理室内に薄膜を堆積させるプリコートと、の少なくともいずれか一方を含む処理であってもよい。本発明のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたものである。このコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記制御プログラムは、基板に対して所定の処理が行われる複数の処理室を備えた基板処理装置において、前記処理室の内部をコンディショニングするコンディショニング方法を行うように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させるものである。本発明のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記複数の処理室は、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第1及び第2の処理室を含み、前記第1の処理室は、基板の処理に関連して設定される第1の積算値が設定値N1に達した場合にコンディショニングが実行されるように設定されている。本発明のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記コンディショニング方法は、前記第1の処理室のコンディショニングの開始により前記一連の工程が中断されたときに、前記第2の処理室を待機状態にするステップと、少なくとも、前記第2の処理室において基板の処理に関連して設定される第2の積算値が設定値N2以上であるか否かを判定するステップと、前記第2の積算値が設定値N2以上である場合に、前記第2の処理室において、第3の積算値のカウントを開始するステップと、前記第2の処理室について、前記第3の積算値が設定値N3を超えた場合にコンディショニングを実行するステップと、を備えている。本発明の基板処理装置は、基板に対して所定の処理が行われる複数の処理室と、前記複数の処理室における動作を制御する制御部と、を備え、処理室の内部が周期的にコンディショニングされる基板処理装置であって、前記複数の処理室は、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第1及び第2の処理室を含み、前記制御部は、前記第1の処理室において、基板の処理に関連して設定される第1の積算値が設定値N1に達した場合にコンディショニングを実行し、前記第1の処理室のコンディショニングの開始により前記一連の工程が中断されたときに、前記第2の処理室を待機状態とし、かつ、少なくとも、前記第2の処理室において基板の処理に関連して設定される第2の積算値が設定値N2以上であることを条件に、前記第2の処理室において第3の積算値のカウントを開始し、該第3の積算値が設定値N3を超えた場合に前記第2の処理室のコンディショニングを実行するように制御することを特徴とする。本発明の基板処理装置において、前記複数の処理室は、更に、組み合わされて基板に対して一連の工程が行われる第3及び第4の処理室を含み、前記第3及び第4の処理室において、前記第1及び第2の処理室と同じ制御でコンディショニングを実行してもよい。本発明のコンディショニング方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体または基板処理装置では、第2の処理室のコンディショニングを、第1の処理室のコンディショニングに関連付けて行うことができる。そのため、本発明によれば、第2の処理室においてコンディショニングが行われる時間を、第1の処理室においてコンディショニングが行われる時間に合わせることが可能になる。第1の処理室においてコンディショニングが行われている間に、第2の処理室のコンディショニングを実行することによって、基板処理のスループットを向上させることが可能になる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず図1を参照して、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の概略の構成を示す平面図である。本実施の形態に係る基板処理装置1は、連続する複数の動作を伴って、例えば半導体デバイス製造用の基板Wに対して、成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の所定の処理を施す装置である。基板処理装置1は、基板Wに対して所定の処理が行われる複数のプロセスモジュールを備えている。本実施の形態では、基板処理装置1は、4つのプロセスモジュール10A,10B,10C,10Dを備えている。プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dは、それぞれ、その内部空間を所定の減圧雰囲気真空状態に維持できるように構成された処理室と、各処理室内で行われる処理のための装置とを有している。プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dの構成については、後で詳しく説明する。基板処理装置1は、更に、第1の搬送室11と、2つのロードロック室12A,12Bとを備えている。本実施の形態では、第1の搬送室11は、6つの側面を有している。プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dとロードロック室12A,12Bは、それぞれ第1の搬送室11の各側面に隣接するように配置されている。図1に示した例では、プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dとロードロック室12A,12Bは、第1の搬送室11を囲むように、プロセスモジュール10A,10B,10C,10D及びロードロック室12B,12Aの順に、図1における時計回り方向に並ぶように配置されている。第1の搬送室11は、プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dの各処理室と同様に、所定の減圧雰囲気に保持できるように構成されている。ロードロック室12A,12Bは、その内部空間を、大気圧状態と真空状態とに切り替えられるように構成されている。ロードロック室12A内には、基板Wを載置する基板載置台13Aが配備されている。ロードロック室12B内には、基板Wを載置する基板載置台13Bが配備されている。基板処理装置1は、更に、ゲートバルブG1A,G1B,G1C,G1D,G2A,G2Bを備えている。ゲートバルブG1Aは、第1の搬送室11とプロセスモジュール10Aの処理室との間に配置されている。ゲートバルブG1Bは、第1の搬送室11とプロセスモジュール10Bの処理室との間に配置されている。ゲートバルブG1Cは、第1の搬送室11とプロセスモジュール10Cの処理室との間に配置されている。ゲートバルブG1Dは、第1の搬送室11とプロセスモジュール10Dの処理室との間に配置されている。ゲートバルブG2Aは、第1の搬送室11とロードロック室12Aとの間に配置されている。ゲートバルブG2Bは、第1の搬送室11とロードロック室12Bとの間に配置されている。ゲートバルブG1A~G1D,G2A,G2Bは、いずれも、隣接する2つの空間を仕切る壁に設けられた開口部を開閉する機能を有している。ゲートバルブG1A~G1Dは、閉状態でプロセスモジュール10A,10B,10C,10Dの各処理室を気密にシールすると共に、開状態で各処理室と第1の搬送室11との間で基板Wの移送を可能にする。ゲートバルブG2A,G2Bは、閉状態で第1の搬送室11の気密性を維持すると共に、開状態で第1の搬送室11とロードロック室12A,12Bとの間で基板Wの移送を可能にする。基板処理装置1は、更に、第2の搬送室14を備えている。第2の搬送室14は、水平方向の断面が一方向図1における左右方向に長い矩形形状を有し、第1の搬送室11との間にロードロック室12A,12Bを挟むように配置されている。第2の搬送室14の1つの側面は、ロードロック室12A,12Bに隣接している。図示しないが、第2の搬送室14は、例えば窒素ガスや清浄空気をその内部空間にダウンフローで供給する循環設備を有している。基板処理装置1は、更に、ゲートバルブG3A,G3Bを備えている。ゲートバルブG3Aは、ロードロック室12Aと第2の搬送室14との間に配置されている。ゲートバルブG3Bは、ロードロック室12Bと第2の搬送室14との間に配置されている。ゲートバルブG3A,G3Bは、いずれも、隣接する2つの空間を仕切る壁に設けられた開口部を開閉する機能を有している。ゲートバルブG3A,G3Bは、閉状態でロードロック室12A,12Bの気密性を維持すると共に、開状態でロードロック室12A,12Bと第2の搬送室14との間で基板Wの移送を可能にする。基板処理装置1は、更に、基板Wの位置合わせを行う装置であるオリエンタ15を備えている。オリエンタ15は、第2の搬送室14の長手方向の一方の端部に連結されている。オリエンタ15は、図示しない駆動モータによって回転される回転板16と、この回転板16の外周位置に設けられ、基板Wの周縁部を検出するための光学センサ17とを有している。基板処理装置1は、更に、複数のロードポートを備えている。図1に示した例では、基板処理装置1は、3つのロードポート18A,18B,18Cを備えている。ロードポート18A,18B,18Cは、ロードロック室12A,12Bに隣接する側面とは反対側の第2の搬送室14の側面に隣接するように配置されている。ロードポート18A,18B,18Cには、それぞれ、カセット容器19A,19B,19Cを載置できるようになっている。各カセット容器19A,19B,19C内には、基板Wを、上下に間隔を空けて多段に配置できるようになっている。基板処理装置1は、更に、第1の搬送室11内に配置された第1の搬送装置21と、第2の搬送室14内に配置された第2の搬送装置25とを備えている。第1の搬送装置21は、プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dの各処理室とロードロック室12A,12Bの間で基板Wの搬送を行うための装置である。第2の搬送装置25は、ロードポート18A,18B,18Cの各カセット容器19A,19B,19Cと、ロードロック室12A,12Bと、オリエンタ15との間で基板Wの搬送を行うための装置である。第1の搬送装置21は、基部22と、この基部22に連結され、互いに対向するように配置された一対の搬送アーム部23a,23bと、搬送アーム部23aの先端に設けられたフォーク24aと、搬送アーム部23bの先端に設けられたフォーク24bとを有している。搬送アーム部23a,23bは、それぞれ、基部22の回転軸を中心として、屈伸及び旋回可能に構成されている。フォーク24a,24bは、基板Wを載置して保持する保持部材として機能する。第1の搬送装置21は、フォーク24a,24bに基板Wを載置した状態で、基板Wの搬送を行う。第2の搬送装置25は、第2の搬送室14内に配備されたガイドレール28に沿って、第2の搬送室14の長手方向図1における左右方向に移動可能に構成されている。また、第2の搬送装置25は、上下2段に配置された一対の搬送アーム部26a,26bと、搬送アーム部26aの先端に設けられたフォーク27aと、搬送アーム部26bの先端に設けられたフォーク27bとを有している。搬送アーム部26a,26bは、それぞれ、屈伸及び旋回可能に構成されている。フォーク27a,27bは、基板Wを載置して保持する保持部材として機能する。第2の搬送装置25は、フォーク27a,27bに基板Wを載置した状態で、基板Wの搬送を行う。基板処理装置1は、更に、基板処理装置1の各構成部が接続されると共に、各構成部を制御する制御部70を備えている。制御部70の構成については、後述する。次に、図2を参照して、プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dの構成について詳しく説明する。図2は、本実施の形態におけるプロセスモジュールの構成を示す断面図である。プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dでは、基板Wに対して、成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の所定の処理が行われる。本実施の形態では、プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dのうち、少なくとも2つのプロセスモジュールでは、互いに異なる内容の処理が行われる。また、本実施の形態では、プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dは、同じ構造を有している。以下、任意のプロセスモジュールに関しては、符号10を付して表す。プロセスモジュール10は、基板Wに対して所定の処理が行われる処理室30と、この処理室30に連結された排気室40とを備えている。プロセスモジュール10Aの処理室30は、本発明における第1の処理室に対応する。プロセスモジュール10Bの処理室30は、本発明における第2の処理室に対応する。プロセスモジュール10Cの処理室30は、本発明における第3の処理室に対応する。プロセスモジュール10Dの処理室30は、本発明における第4の処理室に対応する。処理室30は、板状の天井部31及び底部33と、天井部31と底部33とを連結する側壁部32とを有している。処理室30は、例えば、略円筒形状をなしている。図示しないが、プロセスモジュール10の側壁部32には、第1の搬送室11図1参照との間で基板Wの搬入出を行うための搬入出口が形成されている。プロセスモジュール10の処理室30と第1の搬送室11との間に配置されたゲートバルブ図1参照を開状態にすることにより、この搬入出口を通して、基板Wの搬入出が可能になる。底部33の中央には開口部33aが形成されている。排気室40は、開口部33aを覆うように、底部33に連結されている。排気室40は、環状のフランジ部41と、板状の底部43と、フランジ部41と底部43とを連結する側壁部42とを有している。フランジ部41は、処理室30の底部33に接合されている。側壁部42には排気孔44が形成されている。処理室30と排気室40は、その内部空間を所定の減圧雰囲気真空状態に維持できるように構成されている。処理室30と排気室40との接合部分、ならびに、処理室30及び排気室40を構成する各部材の接合部分には、接合部分の気密性を確保するために、シール部材としてのOリングが配備されている。図2に示した例では、処理室30と排気室40との接合部分、すなわち、処理室30の底部33と排気室40のフランジ部41との接合部分には、環状のOリング35が配備されている。また、処理室30の天井部31と側壁部32との接合部分には、環状のOリング36が配備されている。プロセスモジュール10は、更に、処理室30及び排気室40の外部に配置された排気装置51と、排気孔44と排気装置51とを接続する排気管52と、排気管52の途中に設けられたバルブ53とを備えている。バルブ53は、閉状態で処理室30及び排気室40の気密性を維持すると共に、開状態で排気装置51による処理室30及び排気室40の減圧を可能にする。処理室30及び排気室40は、排気装置51を作動させることによって、その内部空間が所定の真空度まで減圧される。プロセスモジュール10は、更に、処理室30内に配置されたサセプタ55と、処理室30内及び排気室40内においてサセプタ55を支持する支持部材56とを備えている。サセプタ55は、基板Wを水平に支持する基板載置台である。サセプタ55は、基板Wが載置される基板載置面Sと、その反対側の下面とを有している。サセプタ55の下面の中央部には、支持部材56の一端部が固定されている。支持部材56の他端部は、排気室40の底部43に固定されている。図示しないが、サセプタ55は、基板載置面Sに対して突没可能に設けられた複数の支持ピンを有している。複数の支持ピンは、任意の昇降機構により上下に変位し、上昇位置において、第1の搬送装置21との間で基板Wの受け渡しを行うことができるように構成されている。プロセスモジュール10は、更に、ヒーター57と、ヒーター電源58と、熱電対図2ではTCと記す。59とを備えている。ヒーター57と熱電対59の測温部分59aは、サセプタ55に埋設されている。ヒーター電源58は、処理室30及び排気室40の外部に配置されている。ヒーター57は、例えば、支持部材56の内部を通る配線を介してヒーター電源58に接続されている。ヒーター電源58は、ヒーター57に対して、サセプタ55に載置された基板Wを所定の温度に加熱するための電気的出力を供給する。サセプタ55の温度は、熱電対59によって計測される。プロセスモジュール10は、更に、処理室30の天井部31に設けられたシャワーヘッド61を備えている。シャワーヘッド61は、その内部に形成されたガス拡散空間61aと、ガス拡散空間61aからサセプタ55に向かって貫通するように形成された複数のガス吐出孔61bとを有している。プロセスモジュール10は、更に、シャワーヘッド61における複数のガス吐出孔61bとは反対側に設けられ、ガス拡散空間61aに連通するガス導入管62と、処理室30及び排気室40の外部に配置されたガス供給源63と、ガス導入管62とガス供給源63とを接続するガス配管64と、ガス配管64の途中に設けられたMFCマスフローコントローラ65及び図示しないバルブとを備えている。ガス供給源63は、シャワーヘッド61に対して、成膜処理に用いられる成膜原料ガス、処理室30内及び排気室40内をクリーニンするためのクリーニングガス、処理室30内及び排気室40内の雰囲気を置換するためのパージガス等を供給する。これらのガスは、ガス配管64及びガス導入管62を介してガス拡散空間61aに供給され、複数のガス吐出孔61bから処理室30内に吐出される。プロセスモジュール10は、更に、処理室30及び排気室40の外部に配置された高周波電源66と、シャワーヘッド61と高周波電源66とを接続する配線67と、配線67の途中に設けられた整合器68とを備えている。高周波電源66は、シャワーヘッド61に対して、処理室30内に供給された成膜原料ガスをプラズマ化するための高周波電力を供給する。以上のような構成のプロセスモジュール10では、基板Wの表面に対して、例えば化学的気相成長法以下、CVD法と記す。によって、Ti膜、TiN膜等の所定の薄膜を成膜することが可能である。ここで、薄膜の成膜方法の一例について説明する。この方法では、まず、処理室30内及び排気室40内を真空状態にする。次に、サセプタ55に基板Wを載置する。次に、ヒーター57によって基板Wを加熱する。次に、シャワーヘッド61ガス吐出孔61bから基板Wに向けて原料ガスを供給する。このようにして、基板Wの表面に薄膜が形成される。なお、成膜反応を促進するために、高周波電源66からシャワーヘッド61に対して高周波電力を供給してもよい。この場合、シャワーヘッド61を介して処理室30内に供給された原料ガスをプラズマ化して成膜することが可能になる。図3及び図4は、基板処理装置1における制御系統の概略構成を示している。基板処理装置1における全体の制御や、処理室としてのプロセスモジュール10を構成する各構成部すなわちエンドデバイス201の制御は、制御部70によって行われる。ここで、エンドデバイス201としては、例えば図2に示したプロセスモジュール10におけるヒーター電源58、MFC65、高周波電源66、排気装置51などを挙げることができる。図3に示したように、制御部70は、主要な構成として、プロセスモジュール10に対応して設けられた個別の制御部である4つのMCモジュールコントローラ401A,401B,401C,401D以下、モジュールコントローラをMC401と記すことがあると、基板処理装置1全体を制御する統括制御部であるEC装置コントローラ;EquipmentController301と、EC301に接続されたユーザーインターフェース501とを備えている。なお、MC401は、プロセスモジュール10だけでなく、例えば、ロードロック室12A,12Bなどにも配備することが可能であり、これらもEC301の下で統括されるが、ここでは図示及び説明を省略する。EC301と各MC401は、システム内LANLocalAreaNetwork503により接続されている。システム内LAN503は、スイッチングハブHUB505を有している。このスイッチングハブ505は、EC301からの制御信号に応じてEC301の接続先としてのMC401の切り替えを行う。EC301は、各MC401を統括して基板処理装置1全体の動作を制御する統括制御部である。EC301は、CPU中央演算装置303と、揮発性メモリとしてのRAM305と、記憶部としてのハードディスク装置HDD307とを有している。なお、記憶部としては、ハードディスク装置307に限らず、他の不揮発性メモリを用いることもできる。また、EC301は、LAN601を介して基板処理装置1が設置されている工場全体の製造工程を管理するMESManufacturingExecutionSystemとしてのホストコンピュータ603に接続されている。ホストコンピュータ603は制御部70と連携して工場における種々の工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム図示省略にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。また、EC301には、ユーザーインターフェース501も接続されている。ユーザーインターフェース501は、工程管理者が基板処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ、EC301に指令を行うメカニカルスイッチ等を有している。EC301は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体以下、単に記憶媒体と記す。507に対して情報を記録し、また記憶媒体507より情報を読み取ることができるようになっている。上記の制御プログラム及びレシピは、例えば、記憶媒体507に格納された状態のものを記憶部としてのハードディスク装置307にインストールすることによって利用することが可能になる。記憶媒体507としては、例えば、CD-ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、DVD等を使用することができる。また、上記のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用することも可能である。EC301では、ユーザーインターフェース501においてユーザ等によって指定された基板Wの処理方法に関するレシピを含むプログラムソフトウェアをCPU303がハードディスク装置307や記憶媒体507から読み出す。そして、EC301から各MC401にそのプログラムを送信することにより、プロセスモジュール10A~10Dでの処理を制御できるように構成されている。MC401は、各プロセスモジュール10A~10Dの動作を制御する個別の制御部として設けられている。MC401Aはプロセスモジュール10Aを、MC401Bはプロセスモジュール10Bを、MC401Cはプロセスモジュール10Cを、MC401Dはプロセスモジュール10Dを、それぞれ個別に制御する。MC401は、例えば図4に示したように、CPU403と、RAMなどの揮発性メモリ部405Aと、不揮発性メモリ部405Bと、カウンタ部407と、I/O制御部409と、スイッチ部SW410とを有している。MC401の不揮発性メモリ部405Bは、例えばSRAM、MRAM、EEPROM、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリにより構成されている。不揮発性メモリ部405Bには、各プロセスモジュール10A~10Dにおける種々の履歴情報、例えば基板Wの処理枚数、ガス供給源63からの各処理ガス毎の累計の供給量などが保存される。カウンタ部407は、後述するように、各プロセスモジュール10のエンドデバイス201を待機状態に維持したまま、第3の積算値としての時間の経過をカウントする。MC401のI/O制御部409は、後述するI/Oモジュール413に種々の制御信号を送出したり、I/Oモジュール413から各エンドデバイス201に関するステータス情報などの信号を受け取ったりする。MC401による各エンドデバイス201の制御は、I/O入出力モジュール413を介して行われる。I/Oモジュール413は、各エンドデバイス201への制御信号及びエンドデバイス201からの入力信号の伝達を行う。各MC401は、ネットワーク411を介してそれぞれI/Oモジュール413に接続されている。各MC401に接続されるネットワーク411は、例えばチャンネルCH0,CH1,CH2のような複数の系統を有している。I/Oモジュール413は、プロセスモジュール10A~10Dを構成する各エンドデバイス201に接続された複数のI/Oボード415図3では4つのみ図示を有している。I/Oモジュール413におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力の制御は、これらのI/Oボード415において行われる。なお、図3では、説明の便宜上、一部のエンドデバイス201とI/Oボード415との接続のみを代表的に図示している。I/Oボード415において管理される入出力情報は、デジタルインプット情報DI、デジタルアウトプット情報DO、アナログインプット情報AI、アナログアウトプット情報AOの4種を含んでいる。デジタルインプット情報DIは、制御系統の下位に位置する各エンドデバイス201から制御系統の上位に位置するMC401へインプットされるデジタル情報に関する。デジタルアウトプット情報DOは、制御系統の上位に位置するMC401から制御系統の下位に位置する各エンドデバイス201へアウトプットされるデジタル情報に関する。アナログインプット情報AIは、各エンドデバイス201からMC401へインプットされるアナログ情報に関する。アナログアウトプット情報AOは、MC401から各エンドデバイス201へアウトプットされるアナログ情報に関する。デジタルインプット情報DI及びアナログインプット情報AIには、例えば各エンドデバイス201のステータスに関する情報が含まれている。デジタルアウトプット情報DO及びアナログアウトプット情報AOには、例えば各エンドデバイス201への設定プロセス条件等に関する指令コマンドが含まれている。なお、デジタル情報としては、ヒーター電源58のON/OFF、MFC65のバルブ図示せずの開閉、高周波電源66のON/OFF、排気装置51のON/OFFや排気系統におけるバルブ図示せずの開閉などの情報が例示される。また、アナログ情報としては、ヒーター57の設定温度、MFC65における設定流量などの情報が例示される。以上の構成を有する制御部70では、複数のエンドデバイス201に接続されたI/Oボード415がモジュール化されてI/Oモジュール413を構成している。そして、このI/Oモジュール413がMC401及びスイッチングハブ505を介してEC301に接続されている。このように、複数のエンドデバイス201がEC301に直接接続されることなく、I/Oモジュール413及びMC401を介在させて接続した構成によって、制御系統の階層化が実現されている。次に、図5を参照して、基板処理装置1の動作について説明する。図5は、基板処理装置1の動作を示す説明図である。図5において、符号P1,P2,P3,P4,P5,P6を付した矢印は、基板Wの経路を示している。本実施の形態では、基板Wに対する一連の工程は、プロセスモジュール10A,10Bを組み合わせることによって行われる。また、基板Wに対する一連の工程は、プロセスモジュール10C,10Dを組み合わせることによっても行われる。本実施の形態では、プロセスモジュール10C,10Dにおける一連の工程は、プロセスモジュール10A,10Bにおける一連の工程と同じである。以下の説明では、これらの一連の工程を代表して、プロセスモジュール10A,10Bにおける一連の工程について説明する。また、基板Wに対する一連の工程として、基板Wの表面に対して、CVD法によって、Ti膜及びTiN膜を連続して成膜する工程を例にとって説明する。基板Wに対する一連の工程は、プロセスモジュール10Aにおいて基板Wに対してTi膜を成膜する成膜処理以下、第1の成膜処理と言う。が行われる工程と、プロセスモジュール10Bにおいて、プロセスモジュール10Aにおいて第1の成膜処理が行われた後の基板Wに対して、TiN膜を成膜する成膜処理以下、第2の成膜処理と言う。が行われる工程とを含んでいる。図5に例示したように、この一連の工程では、まず、第2の搬送装置25図1参照によって、カセット容器19Aから1枚の基板Wを取り出し、続けて、基板Wをオリエンタ15に搬入する経路P1。次に、オリエンタ15において、基板Wの位置合わせを行う。次に、第2の搬送装置25によって、基板Wをオリエンタ15から搬出し、続けて、基板Wをロードロック室12Aに搬入する経路P2。基板Wは、基板載置台13Aに載置される。次に、第1の搬送装置21図1参照によって、基板載置台13Aに載置された基板Wをロードロック室12Aから搬出し、続けて、基板Wをプロセスモジュール10Aの処理室30に搬入する経路P3。基板Wは、プロセスモジュール10Aのサセプタ55に載置される。次に、プロセスモジュール10Aにおいて、基板Wに対して第1の成膜処理を行う。次に、第1の搬送装置21によって、基板Wをプロセスモジュール10Aの処理室30から搬出し、続けて、基板Wをプロセスモジュール10Bの処理室30に搬入する経路P4。基板Wは、プロセスモジュール10Bのサセプタ55に載置される。次に、プロセスモジュール10Bにおいて、基板Wに対して第2の成膜処理を行う。次に、第1の搬送装置21によって、基板Wをプロセスモジュール10Bの処理室30から搬出し、続けて、基板Wをロードロック室12Aに搬入する経路P5。基板Wは、基板載置台13Aに載置される。次に、第2の搬送装置25によって、基板載置台13Aに載置された基板Wをロードロック室12Aから搬出し、続けて、基板Wをカセット容器19Aに格納する経路P6。なお、プロセスモジュール10C,10Dでは、プロセスモジュール10A,10Bにおける上記の一連の工程と並行して、この一連の工程と同じ工程を他の基板Wに対して行うことが可能である。次に、本実施の形態に係るコンディショニング方法について説明する。本実施の形態に係るコンディショニング方法は、プロセスモジュール10の処理室30の内部を、間隔をあけて好ましくは所定の周期ごとに繰返しコンディショニングする場合に、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始され、一連の工程が中断されたときに、一連の工程の組をなすプロセスモジュール10Bについて適切なタイミングでコンディショニングを行う方法以下、関連コンディショニングと記すことがあるである。ここでは、一連の工程として、プロセスモジュール10Aにおいて、基板Wに対して前述の第1の成膜処理が行われ、プロセスモジュール10Bにおいて、基板Wに対して前述の第2の成膜処理が行われる場合を例にとって説明する。なお、プロセスモジュール10A又はプロセスモジュール10Bにおいて、それぞれ、あるコンディショニングの後、次のコンディショニングまでの間にコンディショニングを行わずに処理した基板Wの枚数を連続処理枚数とする。プロセスモジュール10のクリーニングは、成膜処理によって、処理室30及び排気室40の内壁や、処理室30内及び排気室40内に配置された各部材に付着した反応生成物を除去するために行われる。処理室30及び排気室40の内部のクリーニングは、例えば、処理室30内及び排気室40内の温度を所定の温度に保持した後、処理室30内及び排気室40内に対して、シャワーヘッド61ガス吐出孔61bからClF3ガス等のクリーニングガスを供給することによって行われる。クリーニングを実施した後は、後続プロセスの1枚目の基板Wと2枚目以降の基板Wとで処理条件を揃える目的で、処理室30内に薄膜を堆積させるプリコートが行なわれる。プリコートはシャワーヘッド61ガス吐出孔61bから成膜原料ガスを供給することによって行われる。このようなクリーニングとプリコートからなるコンディショニングは、複数枚の基板Wを処理した後に、間隔をあけて行われる。通常のコンディショニングは、基板Wの処理に関連して設定される値、例えば基板Wの処理枚数、処理ガスの累計の流量などを目安に、その間隔が設定されている。[積算値、設定値]ここで、プロセスモジュール10A,10Bのコンディショニングに関する積算値と設定値について説明する。本実施の形態において、プロセスモジュール10A,10Bのコンディショニングに関して、第1~第3の積算値と、4つの設定値N1~N4が規定されている。第1の積算値は、プロセスモジュール10Aにおいて、基板Wの処理に関連して設定される値である。第2の積算値は、プロセスモジュール10Bにおいて、基板Wの処理に関連して設定される値である。本実施の形態において基板Wの処理に関連して設定される値としては、例えば、基板Wの処理枚数、複数の基板Wの処理に使用するガスの累計流量、複数の基板W上への成膜の累計膜厚などを挙げることができる。なお、一連の工程がエッチング処理を含む場合には、基板Wの処理に関連して設定される値として、例えば複数の基板Wに対する累計のエッチング量を用いることもできる。本実施の形態では、第1の積算値及び第2の積算値は、それぞれ前回のコンディショニングから連続して処理された基板Wの枚数によって規定される。例えば、第1の積算値は、プロセスモジュール10Aにおいて、1枚の基板Wを処理する毎に積算され、且つプロセスモジュール10Aのコンディショニングを行うことによって0になる。第2の積算値は、プロセスモジュール10Bにおいて、1枚の基板Wを処理する毎に積算され、且つプロセスモジュール10Bのコンディショニングを行うことによって0になる。なお、第1の積算値、第2の積算値に関する情報は、例えばMC401の不揮発性メモリ部405Bに保存されている。設定値N1は、第1の積算値に対応するものであり、基板Wの処理に関連して設定される値である。プロセスモジュール10Aにおいて、第1の積算値が設定値N1に達した場合にコンディショニングが実行される。本実施の形態において、設定値N1は、プロセスモジュール10Aにおいて、あるコンディショニングと次のコンディショニングとの間に処理される基板Wの枚数に相当する。設定値N2は、第2の積算値に対応するものであり、基板Wの処理に関連して設定される値である。設定値N2は、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始され、一連の工程が中断されたときに、プロセスモジュール10Bにおいて、適切なタイミングで関連コンディショニングを行うために使用される。具体的には、第2の積算値が設定値N2以上であることを条件に、プロセスモジュール10Bにおいてコンディショニングを実行するための予備段階として、第3の積算値のカウントが開始される。ここで、設定値N2は、プロセスモジュール10Aのコンディショニング周期とプロセスモジュール10Bのコンディショニング周期が大幅にずれることがないようにするために、設定値N1と同じ値であることが好ましいN2=N1。第3の積算値は、プロセスモジュール10Bにおいて、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始され、一連の工程が中断されたときに、プロセスモジュール10Bがアイドル状態待機状態となっている間にカウントされる経過時間の積算値である。第3の積算値のカウントは、例えばMC401のカウンタ部407において行われる。設定値N3は、第3の積算値に対応するものであり、経過時間に関する値である。設定値N3は、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始され、一連の工程が中断されたときに、プロセスモジュール10Bにおいて、適切なタイミングで関連コンディショニングを行うために使用される。第3の積算値が設定値N3を超えた場合にプロセスモジュール10Bにおいてコンディショニングが実行される。設定値N4は、第2の積算値に対応するものであり、基板Wの処理に関連して設定される値である。プロセスモジュール10Bにおいて、第2の積算値が設定値N4に達した場合に、プロセスモジュール10Aのコンディショニングとは独立して、コンディショニングが実行される。本実施の形態において、設定値N4は、プロセスモジュール10Bにおいて、プロセスモジュール10Aのコンディショニングとは独立してコンディショニングを実行する場合に、あるコンディショニングと次のコンディショニングとの間に処理される基板Wの枚数に相当する。上記のとおり、本実施の形態では、プロセスモジュール10Aのコンディショニングは、基板Wの処理に関連して設定される第1の積算値が設定値N1に達した場合に実行される。また、本実施の形態では、プロセスモジュール10Bのコンディショニングは、二つのタイプに区別されている。第1のタイプは、プロセスモジュール10Aにおけるコンディショニングが開始され、一連の工程が中断されたときに、前記第2及び第3の積算値並びに設定値N3を使用して適切なタイミングで行われる関連コンディショニングである。第2のタイプは、前記第2の積算値及び設定値N4を使用して行われる通常のコンディショニングである。なお、本実施の形態のコンディショニング方法は、プロセスモジュール10Aにおいて、コンディショニングを行わずに処理される基板Wの枚数である設定値N1が、プロセスモジュール10Bにおいて、コンディショニングを行わずに処理される基板Wの枚数である設定値N4よりも小さいN1<N4場合に好ましく適用される。例えば、プロセスモジュール10Aの設定値N1は500枚であり、プロセスモジュール10Bの設定値N4は1000枚である場合を挙げることができる。また、本実施の形態では、設定値N2として、プロセスモジュール10Bの設定値N4から、プロセスモジュール10Aの設定値N1を引いた値を用いることが好ましい。上記例に従えば、設定値N2は、500枚[N41000枚-N1500枚]である。なお、設定値N2を、プロセスモジュール10Bの設定値N4から、プロセスモジュール10Aの設定値N1を引いた値と等しくする理由については後述する。次に、プロセスモジュール10Bにおいて関連コンディショニングを行うか否かの判定について具体的に説明する。ここでは、プロセスモジュール10Aの設定値N1が500枚であり、プロセスモジュール10Bの設定値N4が1000枚である場合について説明する。前述のように、プロセスモジュール10Bにおいて関連コンディショニングを行うか否かの判定は、制御部70によって行われる。図6は、プロセスモジュール10A,10Bの処理の流れを模式的に示す説明図である。図6において、aは、プロセスモジュール10Aの処理の流れを示している。図6において、bは、プロセスモジュール10Bの処理の流れを示している。符号81a,81bは、プロセスモジュール10Aにおいて、複数の基板Wに対して繰り返し第1の成膜処理が行われている期間を示している。符号82a,82bは、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが行われている期間を示している。符号83a,83bは、プロセスモジュール10Bにおいて、複数の基板Wに対して繰り返し第2の成膜処理が行われている期間を示している。符号84a,84bは、プロセスモジュール10Bのコンディショニングが行われている期間を示している。図6において、第1及び第2の成膜処理、ならびにコンディショニングが行われていない期間は、プロセスモジュール10Aまたはプロセスモジュール10Bがアイドル状態待機状態となっている期間である。プロセスモジュール10Aにおいて、1回のコンディショニングに要する時間以下、第1のコンディショニング時間Pc1と記すは、第1の成膜処理の成膜条件等によって変化する。同様に、プロセスモジュール10Bにおいて、1回のコンディショニングに要する時間以下、第2のコンディショニング時間Pc2と記すは、第2の成膜処理の成膜条件等によって変化する。第1の成膜処理が行われるプロセスモジュール10Aでは、第1のコンディショニング時間Pc1は、例えば6.5時間となる。また、第2の成膜処理が行われるプロセスモジュール10Bでは、第2のコンディショニング時間Pc2は、例えば3.5時間となる。このように、本実施の形態では、第1のコンディショニング時間Pc1は第2のコンディショニング時間Pc2よりも長くなる。この場合、プロセスモジュール10Bのコンディショニングは、少なくとも、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始され一連の工程が中断された時点から、第1のコンディショニング時間Pc1から第2のコンディショニング時間Pc2を引いた時間Pc1-Pc2だけ経過した時点T1から実行されることが好ましい。上記の例では、プロセスモジュール10Bのコンディショニングは、少なくとも、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始された時点から3時間だけ経過した時点で実行されることが好ましい。その結果、プロセスモジュール10A,10Bのコンディショニングを、ほぼ同時に完了させることができるため、コンディショニング後の次の成膜処理に滞りなく移行することができる。プロセスモジュール10Aの連続処理枚数が、例えば設定値N1に到達した時点で、図6に示したように、プロセスモジュール10Aではコンディショニング符号82aが開始される。制御部70はプロセスモジュール10Aのコンディショニングの開始を検知すると、一連の工程の組をなす他のプロセスモジュールであるプロセスモジュール10Bをアイドル状態とする。プロセスモジュール10Bでは、少なくともプロセスモジュール10Bの連続処理枚数が設定枚数設定値N2以上であることを条件に、アイドル状態が所定の時間上記の例では3時間継続すると、プロセスモジュール10Bのコンディショニング符号84aが開始される。プロセスモジュール10A,10Bのコンディショニングが完了した後、プロセスモジュール10Aでは次のサイクルの第1の成膜処理符号81bが開始され、ほぼ同期して、プロセスモジュール10Bでは次のサイクルの第2の成膜処理符号83bが開始される。次に、プロセスモジュール10Aの連続処理枚数が設定値N1に到達した時点で、プロセスモジュール10Aではコンディショニング符号82bが開始され、制御部70はプロセスモジュール10Bをアイドル状態とする。プロセスモジュール10Bではアイドル状態が所定の時間継続する。この所定の時間が経過した後、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が設定枚数設定値N2以上の場合、プロセスモジュール10Bのコンディショニング符号84bが開始される。プロセスモジュール10Bにおいて関連コンディショニングが実行されるタイミングは、以下のようにして、制御部70によって決定される。図7は、プロセスモジュール10Bにおいて行われる関連コンディショニングを含む処理の手順を示すフローチャートである。前提として、上記第1の積算値と設定値N1とを用い、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始される。この情報を元に、EC301は、プロセスモジュール10Aと組をなすプロセスモジュール10Bを認識し、プロセスモジュール10Bについて、モジュールのステータスをアイドル状態に変更するようにMC401Bに指令を送出する。STEP1では、MC401Bは、EC301からの指令を受け、プロセスモジュール10Bをアイドル状態にするアイドル制御。この処理は、基板処理装置1において既定の設定となっており、ここでは詳細を省略する。次に、STEP2で、MC401Bは、関連コンディショニングを実行するための条件関連コンディショニング実行条件を満たしているかどうかを判定する。ここで、関連コンディショニング実行条件には、少なくとも、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が設定枚数設定値N2以上であるか否か、の判断が含まれている。好ましい態様においては、関連コンディショニング実行条件は、以下に例示する項目のうち、1を必須として2つ以上を含み、より好ましい態様では、1~5のすべてを含むことができる。1プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が設定枚数設定値N2以上であること。2プロセスモジュール10Bがアイドル状態であること。3プロセスモジュール10Aがコンディショニング中であること。4関連コンディショニングの機能が有効ONであること。5プロセスモジュール10Bの処理室30内が、コンディショニングを必要としない状態清浄状態でないこと。ここで、清浄状態としては、例えば基板Wを処理する前のプリコートが完了された状態を挙げることができる。上記関連コンディショニング実行条件を満たしたYesの場合、MC401Bは、STEP3でプロセスモジュール10Bのコンディショニングを開始するまでの経過時間として第3の積算値のカウントを開始する。第3の積算値のカウントを行うことにより、プロセスモジュール10Bの関連コンディショニングの開始時点を遅らせ、好ましくは、プロセスモジュール10Aのコンディショニングの終了と、プロセスモジュール10Bのコンディショニングの終了とを、ほぼ同期させることができる。従って、プロセスモジュール10A及び10Bにおいて、コンディショニング後の成膜処理を滞りなく開始させることができる。また、プロセスモジュール10Aのコンディショニングの終了と、プロセスモジュール10Bのコンディショニングの終了とを同期させない場合であっても、第3の積算値のカウント及び設定値N3の値によって、プロセスモジュール10Bにおけるコンディショニングの開始及び終了のタイミングを任意に調節できるため、プロセスモジュール10Bにおけるコンディショニングの時間管理を適切に行うことができる。例えば、プロセスモジュール10Bにおけるコンディショニングの終期を、プロセスモジュール10Aでの1枚の基板Wの処理に要する時間の分だけ遅らせることで、プロセスモジュール10Bのコンディショニングが終了する時間と、プロセスモジュール10Aにおけるコンディショニング後の1枚目の基板Wへの処理が終了する時間とを合わせることができる。さらに、先にコンディショニングが開始されたプロセスモジュール10Aで、万一エラーが発生し、コンディショニングが中断した場合に、第3の積算値のカウントが止まることにより、プロセスモジュール10Bで無駄なコンディショニングを行わなくてすむというメリットもある。このSTEP3の処理は、MC401Bのカウンタ部407において行われる。なお、STEP3において、既に第3の積算値のカウントが進行している場合は、そのままカウントを継続する。一方、STEP2で関連コンディショニング実行条件を満たしていないNoの場合、STEP6でMC401Bは、プロセスモジュール10Bのアイドル状態を継続させる。この場合、第3の積算値に関するカウンタ部407のカウンタ図示せずを0ゼロにリセットする。上記関連コンディショニング条件1を満たしていない場合には、プロセスモジュール10Bは、例えば前回のコンディショニング実施後の基板Wの処理枚数が少なく、コンディショニングを必要としない状態であると考えられる。従って、この段階では関連コンディショニングを実施しないことにより、クリーニングガスや消費電力などの無駄を省くことができる。次に、STEP4で、MC401Bは、経過時間に対応する第3の積算値が、所定の設定値N3を超えているか否かを判定する。ここで、設定値N3は、上記のとおり第1のコンディショニング時間Pc1と第2のコンディショニング時間Pc2とを考慮して任意の時間に設定することができるが、第1のコンディショニング時間Pc1から第2のコンディショニング時間Pc2を引いた時間Pc1-Pc2と同じに設定することが好ましい[N3=Pc1-Pc2]。このように設定値N3を決めることによって、プロセスモジュール10A,10Bのコンディショニングを、ほぼ同時に終了させることができる。また、設定値N3を第1のコンディショニング時間Pc1から第2のコンディショニング時間Pc2を引いた時間よりも短く設定することによって、プロセスモジュール10Bのコンディショニングをプロセスモジュール10Aのコンディショニングより先に完了させることができる。また、逆に、設定値N3を第1のコンディショニング時間Pc1から第2のコンディショニング時間Pc2を引いた時間よりも、プロセスモジュール10Aでの1枚の基板Wの処理に要する時間の分だけ長く設定することで、プロセスモジュール10Bのコンディショニングの終了と、プロセスモジュール10Aでのコンディショニング後の1枚目の基板Wの処理の終了とを一致させることもできる。STEP4で第3の積算値が設定値N3を超えたYes場合、制御部70はSTEP5でプロセスモジュール10Bにおけるコンディショニングを実行させるコンディショニング実行制御。このSTEP5の処理は、基板処理装置1において既定の設定となっており、ここでは詳細を省略するが、例えば以下の手順で行うことができる。まず、制御部70のMC401Bは、プロセスモジュール10Bのコンディショニングの実行要求をEC301に送出する。これを受け、EC301は、コンディショニング条件を含むレシピを記憶部としてのハードディスク装置307から読み出し、コンディショニング実行の許可指令とともにMC401Bに対して送出する。MC401Bは、読み出されたレシピに従って、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを実行する。この時点が、プロセスモジュール10Bのコンディショニングが実行されるタイミングとなる。一方、STEP4で第3の積算値が設定値N3を超えていないNoの場合、第3の積算値が設定値N3を超えるまで、上記STEP2~STEP4が繰り返される。本実施の形態のコンディショニング方法では、コンディショニングを行うか否かの最終的な判定は、STEP2の判断の時点で行ってもよいし、STEP4の判断の時点で行ってもよい。STEP2でコンディショニング実行条件を満たしたYesことを、コンディショニングを行うか否かの最終的な判定とする場合は、STEP4における第3の積算値が設定値N3を超えたか否かの判断は、形式的なものと位置づけることができる。一方、STEP4で第3の積算値が設定値N3を超えたYesことを、コンディショニングを行うか否かの最終的な判定とする場合は、STEP2のコンディショニング実行条件を満たしたか否かの判断は、予備的なものと位置づけることができる。ここで、プロセスモジュール10Bの関連コンディショニングを行うか否かの基準となる設定値N2が、プロセスモジュール10Bの設定値N4からプロセスモジュール10Aの設定値N1を引いた枚数、すなわち500枚である場合を例に挙げて、関連コンディショニングについて、より具体的に説明する。関連コンディショニングの機能が有効とされている状態では、初めてプロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行される際には、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数は500枚となり、設定値N2と等しくなることから、制御部70は、プロセスモジュール10Bの関連コンディショニングを行うと判定する。また、次にプロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行される際には、再び、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数は500枚となり、設定値N2と等しくなることから、制御部70は、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを行うと判定する。この例では、プロセスモジュール10Bのコンディショニングは、プロセスモジュール10Aのコンディショニングと同じ周期で行われる。上述の例では、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数は、基本的には、プロセスモジュール10Aの連続処理枚数と一致する。しかし、何らかの原因によって、これらの枚数が一致しなくなる場合がある。その原因としては、例えば本実施の形態に係る関連コンディショニング方法を、プロセスモジュール10A,10Bで一連の処理を繰り返し行っている途中から採用した場合を挙げることができる。つまり、関連コンディショニングを適用する以前に、プロセスモジュール10Aでは、第1の積算値と設定値N1により通常のコンディショニングが実施され、それとは独立して、プロセスモジュール10Bでは、第2の積算値と設定値N4によって通常のコンディショニングが実施されていた場合である。また、プロセスモジュール10Aにおいて第1の成膜処理が行われている間に何らかの異常が発生し、プロセスモジュール10Aにおいて処理された基板Wが、プロセスモジュール10Bに搬送されない場合を挙げることもできる。この場合、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数は、プロセスモジュール10Aの連続処理枚数よりも少なくなる。その結果、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行される際には、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数は500枚よりも少なくなる。例えば、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行される際のプロセスモジュール10Bの連続処理枚数が475枚の場合、連続処理枚数が設定値N2よりも少ないことから、制御部70は、プロセスモジュール10Bにおいて関連コンディショニングを実行させない。しかし、次にプロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行されるまでの間に、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数は、この間に処理した基板Wの枚数例えば、500枚が積算されて、設定値N2よりも多くなる例えば、975枚。そのため、次にプロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行される際には、制御部70は、プロセスモジュール10Bにおいて関連コンディショニングを実行させる。ここで、上記の設定値N2を、プロセスモジュール10Bの設定値N4から、プロセスモジュール10Aの設定値N1を引いた枚数と等しくすることが好ましい理由について説明する。制御部70がプロセスモジュール10Bのコンディショニング以下、1回目のコンディショニングと言う。を行わないと判定した場合、プロセスモジュール10Aの次のコンディショニング以下、2回目のコンディショニングと言う。が行われるまでの間に、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が、プロセスモジュール10Bの設定値N4を超過しないようにする必要がある。プロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行される前に、プロセスモジュール10Bの設定値N4を超えると、プロセスモジュール10Aのコンディショニングとは独立してプロセスモジュール10Bの通常のコンディショニングが実施されてしまう。プロセスモジュール10Bのコンディショニングの間は、プロセスモジュール10Aで処理した基板をプロセスモジュール10Bで処理できないため、プロセスモジュール10Aもアイドル状態になり、スループットが低下する。制御部70がプロセスモジュール10Bのコンディショニングを行わないと判定した時点のプロセスモジュール10Bの連続処理枚数は、当然、設定値N2よりも少ない。ここで、この時点での連続処理枚数を記号nB1で表すと、連続処理枚数nB1と設定値N2との関係は、下記の式1で表される。nB1<N2...1また、この時点から2回目のコンディショニングが行われるまでの間に、プロセスモジュール10Bが処理する基板Wの枚数は、プロセスモジュール10Aの設定値N1以下になる。ここで、2回目のコンディショニングが行われる時点でのプロセスモジュール10Bの連続処理枚数を記号nB2で表す。設定値N1及び連続処理枚数nB1,nB2の関係から、下記の式2が得られる。nB2≦nB1N1nB1≧nB2-N1...2式1,2から、下記の式3が得られる。nB2-N1≦nB1<N2...3ここで、設定値N2は、プロセスモジュール10Bの設定値N4から、プロセスモジュール10Aの設定値N1を引いた枚数と等しいものと仮定する。設定値N2と設定値N1,N4との関係は、下記の式4で表される。N2=N4-N1...4式3に、式4を代入すると、下記の式5が得られる。nB2-N1≦nB1<N4-N1nB2≦nB1N1<N4...5式5から理解されるように、設定値N2を、プロセスモジュール10Bの設定値N4からプロセスモジュール10Aの設定値N1を引いた枚数と等しくすると、連続処理枚数nB2を、最大処理枚数N4よりも小さくすることができる。連続処理枚数nB2が設定値N2以上の場合には、制御部70は、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを行うと判定する。また、連続処理枚数nB2が設定値N2未満の場合には、制御部70は、再び、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを行わないと判定する。この場合、式1ないし5を参照した上記の説明と同じ理由によって、プロセスモジュール10Aの3回目のコンディショニングが行われる時点でのプロセスモジュール10Bの連続処理枚数は、設定値N4よりも小さくなる。このように、設定値N2を、プロセスモジュール10Bの設定値N4から、プロセスモジュール10Aの設定値N1を引いた枚数と等しくすることにより、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が、プロセスモジュール10Bの設定値N4を超過することを防止することができる。これにより、プロセスモジュール10Bにおいてコンディショニングが実行されるときに、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが実行されないことがなくなり、基板処理装置1におけるスループットを向上させることができる。なお、式1ないし5を参照した上記の説明は、設定値N1の代りに、設定値N1よりも少ない任意の枚数を用いた場合にも当てはまる。従って、上記の説明は、プロセスモジュール10Aの連続処理枚数が、プロセスモジュール10Aの設定値N1よりも小さい場合についても当てはまる。次に、本実施の形態に係る基板処理装置1及びコンディショニング方法の効果について説明する。本実施の形態に係る基板処理装置1は、それぞれ、基板Wに対して所定の処理が行われるプロセスモジュール10A,10B,10C,10Dと、プロセスモジュール10A,10B,10C,10Dの動作を制御する制御部70と、を備えている。プロセスモジュール10A,10Bは、組み合わされて基板Wに対して一連の工程が行われるものである。プロセスモジュール10C,10Dは、組み合わされて基板Wに対して一連の工程が行われるものである。ところで、プロセスモジュール10Bにおいてコンディショニングが行われている間、プロセスモジュール10Aでは、プロセスモジュール10Bに基板Wを搬送することができないため、次の基板Wに対して第1の成膜処理を行うことができなくなる。従って、仮に、一連の工程の組をなすプロセスモジュール10Aとプロセスモジュール10Bのコンディショニングが、全く無関係に実行されるとすれば、プロセスモジュール10Aのスループットは、プロセスモジュール10Aのコンディショニングに起因する時間に加えて、プロセスモジュール10Bのコンディショニングに起因する時間の分だけ低下する。そこで、本実施の形態の関連コンディショニングでは、プロセスモジュール10Bと一連の工程の組をなすプロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始され、一連の工程が中断された場合に、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを行うか否かの判定を行うこととした。そのため、本実施の形態によれば、プロセスモジュール10Bにおいてコンディショニングが行われる期間を、プロセスモジュール10Aにおいてコンディショニングが行われる期間に合わせることが可能になる。すなわち、関連コンディショニングでは、プロセスモジュール10Aとプロセスモジュール10Bのコンディショニングの期間を重複させることが可能になるため、プロセスモジュール10Aにおいてコンディショニングが行われている間に、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを実行することが可能になる。その結果、プロセスモジュール10Aにおいて、第1の積算値が設定値N1に達するまで、プロセスモジュール10Bのコンディショニングによって中断されることなく、一連の工程による基板Wの処理を連続して行うことができる。これにより、プロセスモジュール10A及び10Bのスループットを向上させることができる。このように、本実施の形態によれば、プロセスモジュール10A及び10Bのスループットを向上させることによって、基板処理装置1のスループットを向上させることが可能になる。また、本実施の形態では、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを行うか否かの判定は、プロセスモジュール10Bにおける基板Wの処理に伴って積算され、且つプロセスモジュール10Bのコンディショニングを行うことによって0になる第2の積算値を用いて行われる。具体的には、プロセスモジュール10Bのコンディショニングは、上記の第2の積算値が予め決められた設定値N2以上の場合に行われる。従って、プロセスモジュール10Bの処理枚数が少なく、処理室30内がコンディショニングの必要がない清浄な状態である場合には、関連コンディショニングは実行されない。これにより、比較的高価なクリーニングガスの使用量を抑制することができる。また、本実施の形態では、上記の第2の積算値は、プロセスモジュール10Bにおいて処理された基板Wの枚数の積算値であり、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを行うか否かの判定は、第2の積算値と設定値N2を用いて行われる。ここで、設定値N2は、プロセスモジュール10Bにおいてコンディショニングを行わずに処理される基板Wの枚数である設定値N4から、プロセスモジュール10Aにおいてコンディショニングを行わずに処理される基板Wの枚数である設定値N1を引いた値と等しくすることが好ましい。これにより、本実施の形態によれば、式1ないし5を参照して説明した理由によって、プロセスモジュール10Bにおいてコンディショニングを行わずに処理される基板Wの枚数連続処理枚数が、プロセスモジュール10Bの設定値N4を超過することつまり、プロセスモジュール10Bで独立して通常のコンディショニングが実行されることを防止することができる。また、本実施の形態では、プロセスモジュール10Aのコンディショニングに要する時間である第1のコンディショニング時間Pc1は、プロセスモジュール10Bのコンディショニングに要する時間である第2のコンディショニング時間Pc2よりも長い。そのため、本実施の形態によれば、プロセスモジュール10Aにおいてコンディショニングが行われている間に、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを実行することによって、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが完了するまでの間に、プロセスモジュール10Bのコンディショニングを完了させることが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、プロセスモジュール10Bのみのコンディショニングに起因するアイドル時間を実質的に0にすることが可能になる。また、本実施の形態では、プロセスモジュール10Bのコンディショニングは、少なくとも、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが開始された時点から、第3の積算値が設定値N3を超過した時点以降に実行される。設定値N3を第1のコンディショニング時間Pc1から第2のコンディショニング時間Pc2を引いた時間と同じか、それよりも短く、若しくは長く設定することによって、プロセスモジュール10Bのコンディショニングをプロセスモジュール10Aのコンディショニングの終了とほぼ同時か、あるいはその前後の所望の時点で終了させることができる。このように、本実施の形態によれば、上記のプロセスモジュール10Bのコンディショニングに起因するスループットの低下を0にすることができる。また、好ましくはプロセスモジュール10Aのコンディショニングが完了するタイミングと、プロセスモジュール10Bの関連コンディショニングが完了するタイミングとを合わせることができる。従って、プロセスモジュール10A及び10Bを、次に行われる第1の成膜処理と第2の成膜処理に滞りなく移行させることが可能になり、スループットの低下を防ぐことができる。なお、上述のプロセスモジュール10A,10Bについての説明は、プロセスモジュール10C,10Dにも当てはまる。また、本実施の形態では、プロセスモジュール10C,10Dにおける一連の工程は、プロセスモジュール10A,10Bにおける一連の工程と同じである。そのため、本実施の形態によれば、プロセスモジュール10A,10Bのコンディショニングが行われている間に、プロセスモジュール10C,10Dによって、基板Wに対して一連の工程を行うことができる。これにより、本実施の形態によれば、基板処理装置1のスループットを向上させることができる。次に、比較例のコンディショニング方法と比較しながら、本実施の形態に係るコンディショニング方法の効果について更に詳しく説明する。図8は、比較例におけるプロセスモジュール10A,10Bでの処理の流れを模式的に示す説明図である。図8において、aは、プロセスモジュール10Aの処理の流れを示している。図8において、bは、プロセスモジュール10Bの処理の流れを示している。符号91a,91b1,91b2は、プロセスモジュール10Aにおいて第1の成膜処理が行われている期間を示している。符号92a,92bは、プロセスモジュール10Aのコンディショニングが行われている期間を示している。符号93a1,93a2,93b1は、プロセスモジュール10Bにおいて第2の成膜処理が行われている期間を示している。符号94aは、プロセスモジュール10Bのコンディショニングが行われている期間を示している。図8において、第1及び第2の成膜処理、ならびにコンディショニングが行われていない期間は、プロセスモジュール10Aまたはプロセスモジュール10Bがアイドル状態待機状態となっている期間である。比較例では、プロセスモジュール10Aのコンディショニングは、プロセスモジュール10Aの連続処理枚数が、プロセスモジュール10Aの設定値N1例えば、500枚に到達した場合に行われる。また、プロセスモジュール10Bのコンディショニングは、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が、プロセスモジュール10Bの設定値N4例えば、1000枚に到達した場合にのみ行われる通常のコンディショニング。プロセスモジュール10Aの連続処理枚数が設定値N1に到達した時点で、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が設定値N4以下例えば、975枚の場合、図8に示したように、プロセスモジュール10Aではコンディショニング符号92aが開始され、プロセスモジュール10Bでは第2の成膜処理符号93a1が停止する。プロセスモジュール10Aがコンディショニングされている間、プロセスモジュール10Bはアイドル状態になる。プロセスモジュール10Aのコンディショニングが完了した後、プロセスモジュール10Aでは次のサイクルの第1の成膜処理符号91b1が開始され、プロセスモジュール10Bでは第2の成膜処理符号93a2が再開される。次に、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が設定値N4に到達した時点では、プロセスモジュール10Aの連続処理枚数が設定値N1以下例えば、25枚の場合であっても、プロセスモジュール10Aでは第1の成膜処理符号91b1が停止し、プロセスモジュール10Bではコンディショニング符号94aが開始される。プロセスモジュール10Bがコンディショニングされている間、プロセスモジュール10Aはアイドル状態になる。プロセスモジュール10Bのコンディショニングが完了した後、プロセスモジュール10Aでは第1の成膜処理符号91b2が再開され、プロセスモジュール10Bでは次のサイクルの第2の成膜処理符号93b1が開始される。次に、プロセスモジュール10Aの連続処理枚数が設定値N1に到達した時点で、プロセスモジュール10Bの連続処理枚数が設定値N4以下例えば、475枚の場合、プロセスモジュール10Aではコンディショニング符号92bが開始され、プロセスモジュール10Bでは第2の成膜処理符号93b1が停止する。このように、比較例のコンディショニング方法では、プロセスモジュール10Bのコンディショニングの期間をプロセスモジュール10Aのコンディショニングの期間に合わせることができない。そのため、比較例のコンディショニング方法では、プロセスモジュール10Aがコンディショニングされている間、プロセスモジュール10Bはアイドル状態になり、プロセスモジュール10Bがコンディショニングされている間、プロセスモジュール10Aはアイドル状態になる。その結果、スループットが低下する。これに対し、本実施の形態では、図6を参照して説明したように、プロセスモジュール10Aがコンディショニングされている間に、プロセスモジュール10Bのコンディショニングも実行される。その結果、本実施の形態によれば、比較例のコンディショニング方法に比べて、プロセスモジュール10Aおよびプロセスモジュール10Bのスループットを向上させることができる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、基板処理装置1が4つのプロセスモジュール10を備えた場合について説明したが、プロセスモジュール10の数は2以上であればよい。また、基板Wに対する一連の工程は、3つ以上のプロセスモジュール10を組み合わせて行われるものであってもよい。また、プロセスモジュール10C,10Dにおける一連の工程は、プロセスモジュール10A,10Bにおける一連の工程とは異なっていてもよい。また、実施の形態では、基板Wに対する一連の工程がプロセスモジュール10A,10Bの順に行われる場合について説明したが、基板Wに対する一連の工程は、プロセスモジュール10B,10Aの順に行われるものであってもよい。また、基板Wに対する一連の工程は、成膜処理以外の処理を含むものであってもよい。また、本発明は、図1に示した構成の基板処理装置1に限らず、種々の構成の基板処理装置に適用することができる。また、基板処理装置1で処理対象とする基板Wとしては、半導体デバイス製造用の基板に限らず、例えばフラットパネルディスプレイ製造用のガラス基板、太陽電池パネル製造用の基板等でもよい。"