ペリクル膜と、フレーム状をなし、その一方の表面に、前記ペリクル膜の側部近傍領域が貼り付けられたペリクルフレームと、フォトマスクと、その一方の表面に、前記フォトマスクと前記ペリクルフレームとが固定されたステージとを含むフォトマスクユニットであって、前記ペリクルフレームが、前記フォトマスクが固定されたステージの領域よりも外側で、前記ステージに固定されていることを特徴とするフォトマスクユニット。前記ペリクルフレームが金属製であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクユニット。前記ペリクルフレームが、静電チャックによって、前記ステージの一方の表面上に固定されたことを特徴とする請求項1または2に記載のフォトマスクユニット。前記ペリクルフレームが、機械的手段によって、前記ステージの一方の表面上に固定されたことを特徴とする請求項1または2に記載のフォトマスクユニット。前記ペリクルフレームが、粘着剤によって、前記ステージの一方の表面上に固定されたことを特徴とする請求項1または2に記載のフォトマスクユニット。ペリクル膜と、フレーム状をなし、その一方の表面に、前記ペリクル膜の側部近傍領域が貼り付けられたペリクルフレームと、フォトマスクと、その一方の表面に、前記フォトマスクと前記ペリクルフレームとが固定されるステージとを備えたフォトマスクユニットの製造方法であって、前記ステージの一方の表面に、前記フォトマスクを固定し、前記フォトマスクが固定された前記ステージの領域よりも外側で、前記ステージに、前記ペリクルフレームの他方の面を固定することを特徴とするフォトマスクユニットの製造方法。前記ペリクルフレームが金属製であることを特徴とする請求項6に記載のフォトマスクユニットの製造方法。前記ペリクルフレームが、静電チャックによって、前記ステージの一方の表面上に固定されることを特徴とする請求項6または7に記載のフォトマスクユニットの製造方法。前記ペリクルフレームが、機械的手段によって、前記ステージの一方の表面上に固定されることを特徴とする請求項6または7に記載のフォトマスクユニットの製造方法。前記ペリクルフレームが、粘着剤によって、前記ステージの一方の表面上に固定されることを特徴とする請求項6または7に記載のフォトマスクユニットの製造方法。従来のi線波長365nmを用いた露光、KrFエキシマレーザ光波長248nmを用いた露光、フッ化アルゴンArFエキシマレーザ光波長193nmを用いた露光においては、ペリクル膜が貼り付けられたペリクルフレームを、有機物質で構成される粘着剤を介して、フォトマスク上に装着するように構成されているが、EUV露光技術を使用して、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する場合には、露光チャンバー内を真空に保持する必要があり、有機物質で構成される粘着剤を用いると、アウトガスが発生するため、ペリクルフレームを有機物質で構成される粘着剤を用いてフォトマスク上に装着することは困難であり、フォトマスクの近傍で、有機物質で構成される粘着剤を用いることも極力避ける必要がある。また、EUV露光技術を用いて、フォトレジスト膜に微細なパターンを形成するためには、フォトマスクが高い平坦度を有していることが要求されるが、ペリクルフレームを、有機物質で構成される粘着剤を介して、フォトマスク上に装着すると、フォトマスクの平坦度が悪化するという問題もあった。したがって、本発明は、ペリクルと、ペリクルが取り付けられたフォトマスクを備えたフォトマスクユニットであって、EUV露光技術を使用して、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成するのに適し、フォトマスクの平坦度が悪化することを確実に防止することができるフォトマスクユニットを提供することを目的とするものである。また、本発明の別の目的は、ペリクルと、ペリクルが取り付けられたフォトマスクを備えたフォトマスクユニットであって、EUV露光技術を使用して、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成するのに適し、フォトマスクの平坦度が悪化することを確実に防止することができるフォトマスクユニットの製造方法を提供することにある。本発明のかかる目的は、ペリクル膜と、フレーム状をなし、その一方の表面に、前記ペリクル膜の側部近傍領域が貼り付けられたペリクルフレームと、フォトマスクと、その一方の表面に、前記フォトマスクと前記ペリクルフレームとが固定されたステージとを含むフォトマスクユニットであって、前記ペリクルフレームが、前記フォトマスクが固定された前記ステージの領域よりも外側で、前記ステージに固定されていることを特徴とするフォトマスクユニットによって達成される。本発明によれば、その一方の表面に、ペリクル膜の側部近傍領域が貼り付けられたペリクルフレームが、フォトマスクが固定されたステージの領域の外側で、ステージに固定されており、ペリクルフレームのステージへの取り付け部が、フォトマスクの露光パターン部から離れているから、EUV露光技術を使用して、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する際に、有機物質よりなる粘着剤からアウトガスが発生した場合でも、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイに形成されたフォトレジスト膜の露光に悪影響が生ずることを効果的に防止することが可能になる。さらに、本発明によれば、ペリクルフレームは、フォトマスクが固定されたステージの領域の外側で、ステージに固定され、従来のように、フォトマスク上に固定されてはいないから、フォトマスクの平坦度が悪化することを確実に防止することが可能になる。本発明において、前記ペリクルフレームが金属製であることが好ましい。本発明の好ましい実施態様においては、前記ペリクルフレームが、静電チャックによって、前記ステージの一方の表面上に固定されている。本発明の好ましい実施態様によれば、ペリクルフレームが、静電チャックによって、ステージの一方の表面上に固定されているから、EUV露光技術を使用して、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する際に、ペリクルフレームのステージへの取り付け部からアウトガスが発生することを確実に防止することが可能になる。本発明の別の好ましい実施態様においては、前記ペリクルフレームが、機械的手段によって、前記ステージの一方の表面上に固定されている。本発明の別の好ましい実施態様によれば、ペリクルフレームが、クランプ、ネジなどの機械的手段によって、ステージの一方の表面上に固定されているから、EUV露光技術を使用して、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する際に、ペリクルフレームのステージへの取り付け部からアウトガスが発生することを確実に防止することが可能になる。本発明の他の好ましい実施態様においては、前記ペリクルフレームが、粘着剤によって、前記ステージの一方の表面上に固定されている。本発明の前記目的はまた、ペリクル膜と、フレーム状をなし、その一方の表面に、前記ペリクル膜の側部近傍領域が貼り付けられたペリクルフレームと、フォトマスクと、その一方の表面に、前記フォトマスクと前記ペリクルフレームとが固定されるステージとを備えたフォトマスクユニットの製造方法であって、前記ステージの一方の表面に、前記フォトマスクを固定し、前記フォトマスクが固定された前記ステージの領域よりも外側で、前記ステージに、前記ペリクルフレームの他方の面を固定することを特徴とするフォトマスクユニットの製造方法によって達成される。本発明によれば、その一方の表面に、ペリクル膜の側部近傍領域が貼り付けられたペリクルフレームを、フォトマスクが固定されたステージの領域よりも外側で、ステージに固定するように構成されており、ペリクルフレームのステージへの取り付け部が、フォトマスクの露光パターン部から離れているから、EUV露光技術を使用して、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する際に、有機物質よりなる粘着剤からアウトガスが発生した場合でも、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイに形成されたフォトレジスト膜の露光に悪影響が生ずることを効果的に防止することが可能になる。さらに、本発明によれば、ペリクルフレームをフォトマスクの外側で、ステージに固定するように構成されており、従来のように、フォトマスク上に固定されてはいないから、フォトマスクの平坦度が悪化することを確実に防止することが可能になる。本発明の好ましい実施態様においては、前記ペリクルフレームが、静電チャックによって、前記ステージの一方の表面上に固定される。本発明の好ましい実施態様によれば、ペリクルフレームを、静電チャックによって、ステージの一方の表面上に固定するように構成されているから、EUV露光技術を使用して、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する際に、ペリクルフレームのステージへの取り付け部からアウトガスが発生することを確実に防止することが可能になる。本発明の別の好ましい実施態様においては、前記ペリクルフレームが、機械的手段によって、前記ステージの一方の表面上に固定される。本発明の別の好ましい実施態様によれば、ペリクルフレームを、クランプ、ネジなどの機械的手段によって、ステージの一方の表面上に固定するように構成されているから、EUV露光技術を使用して、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する際に、ペリクルフレームのステージへの取り付け部からアウトガスが発生することを確実に防止することが可能になる。本発明の他の好ましい実施態様においては、前記ペリクルフレームが、粘着剤によって、前記ステージの一方の表面上に固定される。上述した本発明の目的および特徴は、添付図面を引用した以下の説明から明らかになるであろう。本発明によれば、フォトマスクと、フォトマスクに取り付けられたペリクルを備えたフォトマスクユニットであって、EUV露光技術を使用して、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成するのに適し、フォトマスクの平坦度が悪化することを確実に防止することができるフォトマスクユニットを提供することが可能になる。また、本発明によれば、フォトマスクと、フォトマスクに取り付けられたペリクルを備えたフォトマスクユニットであって、EUV露光技術を使用して、フォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成するのに適し、フォトマスクの平坦度が悪化することを確実に防止することができるフォトマスクユニットの製造方法を提供することが可能になる。図3は、フォトマスクと、フォトマスクに取り付けられたペリクルを備えた本発明の好ましい実施態様にかかるフォトマスクユニットの略透視平面図であり、図4は、図3のフォトマスクユニットのB-B線に沿った略断面図である。図3および図4に示されるように、本実施態様にかかるフォトマスクユニット1は、フォトマスク2と、フォトマスク2が固定されるフォトマスクステージ3と、ペリクル膜6と、その一方の面にペリクル膜6が貼り付けられたフレーム状のペリクルフレーム7を備え、ペリクル膜6とペリクルフレーム7とによって、ペリクル5が形成されている。本実施態様においては、ペリクルフレーム7はアルミニウムによって形成されている。図3および図4に示されるように、ペリクルフレーム7のサイズは、フォトマスク2のサイズよりも大きく、ペリクルフレーム7は、フォトマスク2が固定されたフォトマスクステージ3の領域よりも外側で、フォトマスクステージ3上に固定されており、フォトマスク2は、ペリクル膜6とペリクルフレーム7とによって形成された閉空間内に収容されている。本実施態様においては、フォトマスク2は、静電チャック図示せずによって、フォトマスクステージ3上に固定されている。一方、本実施態様においては、ペリクルフレーム7は、静電チャックによって、フォトマスクステージ3上に固定されているが、クランプ、ネジなどの機械的手段図示せずを用いて、ペリクルフレーム7をフォトマスクステージ3上に固定してもよく、さらには、シリコーン粘着剤などの有機物質からなる粘着剤を用いて、ペリクルフレーム7をフォトマスクステージ3上に固定することもできる。こうして、作製されたフォトマスクユニット1は、露光チャンバー図示せず内にセットされ、半導体ウエハーあるいは液晶用原版に塗布されたフォトレジスト膜に、フォトマスク2を介して、露光用の光が照射されて、フォトマスク2のパターンが転写され、半導体ウエハーあるいは液晶用原版のパターンが形成される。本実施態様によれば、フォトマスク2とペリクルフレーム7はフォトマスクステージ3上に、静電チャックによって固定されているが、ペリクルフレーム7のサイズは、フォトマスク2のサイズよりも大きいため、ペリクルフレーム7は、静電チャックによって、フォトマスク2が固定されたフォトマスクステージ3の領域よりも外側で、フォトマスクステージ3上に固定されているから、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、EUV光を用いて、半導体ウエハーあるいは液晶用原版図示せずのフォトレジスト膜を露光しても、アウトガスが発生する余地はなく、したがって、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、半導体ウエハーあるいは液晶用原版に塗布されたフォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する場合にも、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることが可能になる。また、本実施態様によれば、ペリクルフレーム7は、フォトマスク2が固定されたフォトマスクステージ3の領域よりも外側で、フォトマスクステージ3上に固定されており、従来のように、フォトマスク2の表面に固定されてはいないから、ペリクル5の装着によるフォトマスク2の平坦度の悪化を最小限に抑制することが可能になる。図5は、本発明の別の好ましい実施態様にかかるペリクルがフォトマスクに取り付けられたフォトマスクユニットの略透視平面図であり、図6は、図5のフォトマスクユニットのC-C線に沿った略断面図である。図5および図6に示されるように、本実施態様にかかるフォトマスクユニット1は、前記実施態様と同様に、フォトマスク2と、フォトマスク2が固定されるフォトマスクステージ3と、ペリクル膜6と、その一方の面に、ペリクル膜6が貼り付けられたフレーム状のペリクルフレーム7を備え、ペリクル膜6とペリクルフレーム7によって、ペリクル5が形成されている。本実施態様においても、ペリクルフレーム7はアルミニウムによって形成されている。図5および図6に示されるように、ペリクルフレーム7のサイズは、フォトマスク2のサイズよりも大きく、ペリクルフレーム7は、フォトマスク2が固定されたフォトマスクステージ3の領域よりも外側で、フォトマスクステージ3上に固定されている。本実施態様においても、フォトマスク2は、静電チャックによって、フォトマスクステージ3上に固定されている。図5および図6に示されるように、本実施態様にかかるフォトマスクユニット1においては、ペリクルフレーム7は、機械式クランプ9によって、フォトマスクステージ3上に固定されている。こうして、作製されたフォトマスクユニット1は、露光チャンバー図示せず内にセットされ、半導体ウエハーあるいは液晶用原版に塗布されたフォトレジスト膜に、フォトマスク2を介して、露光用の光が照射されて、フォトマスク2のパターンが転写され、半導体ウエハーあるいは液晶用原版のパターンが形成される。本実施態様によれば、ペリクルフレーム7のサイズは、フォトマスク2のサイズよりも大きく、ペリクルフレーム7は、フォトマスク2が固定されたフォトマスクステージ3の領域よりも外側で、機械式クランプ9によって、フォトマスクステージ3上に固定されているから、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、EUV光を用いて、半導体ウエハーあるいは液晶用原版図示せずのフォトレジスト膜を露光しても、アウトガスが発生する余地はなく、したがって、露光チャンバー内を真空に保持しつつ、半導体ウエハーあるいは液晶用原版に塗布されたフォトレジスト膜に32nm以下の微細なパターンを形成する場合にも、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイの歩留まりを向上させることが可能になる。また、本実施態様によれば、ペリクルフレーム7は、フォトマスク2が固定されたフォトマスクステージ3の領域よりも外側で、フォトマスクステージ3上に固定されており、従来のように、フォトマスク2の表面に固定されてはいないから、ペリクル5の装着によるフォトマスクの平坦度の悪化を最小限に抑制することが可能になる。以下、本発明の効果を明らかにするため、実施例および比較例を掲げる。一辺の長さが152mmの正方形状をなし、厚さが6mmの石英製のフォトマスク基板の一方の面に、クロム膜を蒸着し、フォトマスク基板の他方の面を、静電チャックによって、フォトマスクステージ上に固定した。次いで、その内枠の一辺の長さが160mmで、その外枠の一辺の長さが166mmの長方形のフレーム形状をなし、3mmの厚さを有するアルミニウム製のペリクルフレームを、静電チャックによって、フォトマスク基板が固定されたフォトマスクステージの領域よりも外側で、フォトマスクステージに固定して、フォトマスクユニットを作製した。次に、実際の製造ラインでフォトマスクユニットが受ける高速スキャン運動のシミュレーションとして、フォトマスクステージに約5Gの加速度が加わるように、フォトマスクステージを10分間にわたって、振動させたが、ペリクルフレームを、静電チャックのみによって、フォトマスクステージ上に固定したにもかかわらず、ペリクルフレームの初期位置からの変位は観察されなかった。さらに、フォトマスクユニットに13.5nmの波長を有するEUV光を、断続的に合計で3分間にわたって照射し、EUV光の照射後のフォトマスクの反射率を測定した。こうして測定されたフォトマスクの反射率を、EUV光の照射前の反射率と比較したところ、反射率の低下は観察されなかった。一辺の長さが152mmの正方形状をなし、厚さが6mmの石英製のフォトマスク基板の一方の面に、クロム膜を蒸着し、フォトマスク基板の他方の面を、静電チャックによって、フォトマスクステージ上に固定した。次いで、フォトマスク基板が固定されたフォトマスクステージの領域よりも外側で、その内枠の一辺の長さが160mmで、その外枠の一辺の長さが166mmの長方形のフレーム形状をなし、3mmの厚さを有するアルミニウム製のペリクルフレームを、機械式クランプによって、フォトマスクステージに固定して、フォトマスクユニットを作製した。次に、実際の製造ラインでフォトマスクユニットが受ける高速スキャン運動のシミュレーションとして、フォトマスクステージに約5Gの加速度が加わるように、フォトマスクステージを10分間にわたって、振動させたが、ペリクルフレームを、機械式クランプのみによって、フォトマスクステージ上に固定したにもかかわらず、ペリクルフレームの初期位置からの変位は観察されなかった。さらに、フォトマスクユニットに13.5nmの波長を有するEUV光を断続的に合計で3分間にわたって照射し、EUV光の照射後のフォトマスクの反射率を測定した。こうして測定されたフォトマスクの反射率を、EUV光の照射前の反射率と比較したところ、反射率の低下は観察されなかった。一辺の長さが152mmの正方形形状をなし、厚さが6mmの石英製のフォトマスク基板の一方の面に、クロム膜を蒸着し、フォトマスク基板の他方の面を、静電チャックによって、フォトマスクステージ上に固定した。次いで、その内枠の一辺の長さが160mmで、その外枠の一辺の長さが166mmの長方形のフレーム形状をなし、3mmの厚さを有するアルミニウム製のペリクルフレームを、シリコーン粘着剤を用いて、フォトマスク基板が固定されたフォトマスクステージの領域よりも外側で、フォトマスクステージに固定して、フォトマスクユニットを作製した。次に、実際の製造ラインでフォトマスクユニットが受ける高速スキャン運動のシミュレーションとして、フォトマスクステージに約5Gの加速度が加わるように、フォトマスクステージを10分間にわたって、振動させたが、ペリクルフレームをシリコン粘着剤のみによって、フォトマスクステージ上に固定したにもかかわらず、ペリクルフレームの初期位置からの変位は観察されなかった。さらに、フォトマスクユニットに13.5nmの波長を有するEUV光を断続的に合計で3分間にわたって照射し、EUV光の照射後のフォトマスクの反射率を測定した。こうして測定されたフォトマスクの反射率を、EUV光の照射前の反射率と比較したところ、反射率の低下は観察されなかった。