"基材層と、該基材層の少なくとも片面にガスバリア層とを有するガスバリアフィルムであって、前記基材層が、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3であるガスバリアフィルム。前記ガスバリア層を構成する材料が、ポリシラザン化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載のガスバリアフィルム。前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層にイオンが注入されて得られるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスバリアフィルム。前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項3に記載のガスバリアフィルム。前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入法により、イオンが注入されて得られるものであることを特徴とする請求項3又は4に記載のガスバリアフィルム。前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンであることを特徴とする請求項2~5のいずれかに記載のガスバリアフィルム。前記基材層が、ポリサルフォン系樹脂、ポリアリレート系樹脂及び脂環式炭化水素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を含むことを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載のガスバリアフィルム。ヘイズ値が8.0以下であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のガスバリアフィルム。請求項2~8のいずれかに記載のガスバリアフィルムの製造方法であって、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有するガスバリアフィルムの製造方法。ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する請求項9に記載のガスバリアフィルムの製造方法。ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスを、プラズマイオン注入法により、イオン注入する工程を有する請求項9に記載のガスバリアフィルムの製造方法。請求項1~8のいずれかに記載のガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材。請求項12に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、ガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性及び耐熱性の全てに優れるガスバリアフィルム、その製造方法、このガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、基材層と該基材層の少なくとも片面にガスバリア層を有するガスバリアフィルムであって、前記基材層が、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂からなり、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合、並びに膜密度が特定の値のものであるガスバリアフィルムは、ガスバリア性、透明性及び耐熱性の全てに優れることを見出した。また、このような特性を有するガスバリアフィルムは、基材上にポリシラザン化合物を含む層を形成した後、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入することにより、簡便かつ効率よく製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。かくして本発明の第1によれば、下記1~8のガスバリアフィルムが提供される。1基材層と、該基材層の少なくとも片面にガスバリア層とを有するガスバリアフィルムであって、前記基材層が、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3であるガスバリアフィルム。2前記ガスバリア層を構成する材料が、ポリシラザン化合物を含むことを特徴とする1に記載のガスバリアフィルム。3前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層にイオンが注入されて得られるものであることを特徴とする1又は2に記載のガスバリアフィルム。4前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする3に記載のガスバリアフィルム。5前記ガスバリア層が、ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入法により、イオンが注入されて得られるものであることを特徴とする3又は4に記載のガスバリアフィルム。6前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンであることを特徴とする2~5のいずれかに記載のガスバリアフィルム。7前記基材層が、ポリサルフォン系樹脂、ポリアリレート系樹脂及び脂環式炭化水素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂を含むことを特徴とする、1~6のいずれかに記載のガスバリアフィルム。8ヘイズ値が8.0以下であることを特徴とする、1~7のいずれかに記載のガスバリアフィルム。本発明の第2によれば、下記9~11のガスバリアフィルムの製造方法が提供される。9前記2~8のいずれかに記載のガスバリアフィルムの製造方法であって、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有するガスバリアフィルムの製造方法。10ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する9に記載のガスバリアフィルムの製造方法。11ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂からなる基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスを、プラズマイオン注入法により、イオン注入する工程を有する9に記載のガスバリアフィルムの製造方法。本発明の第3によれば、下記12の電子デバイス用部材が提供される。12前記1~8のいずれかに記載のガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材。本発明の第4によれば、下記13の電子デバイスが提供される。13前記12に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明のガスバリアフィルムは、優れた、ガスバリア性、透明性及び耐折り曲げ性に加えて、耐熱性にも優れる。従って、本発明のガスバリアフィルムは、太陽電池、タッチパネル、電子ペーパー、ディスプレイ等の電子デバイス用部材として好適に用いることができる。本発明の製造方法によれば、ガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性及び耐熱性の全てに優れる本発明のガスバリアフィルムを、簡便かつ効率よく製造することができる。また、無機膜成膜に比して低コストにて容易に大面積化を図ることができる。本発明の電子デバイス用部材は、優れた、ガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性及び耐熱性を有する本発明のガスバリアフィルムからなるものであるため、タッチパネル、電子ペーパー、有機無機ELのフレキシブルディスプレイ、太陽電池等の電子デバイス等に好適に用いることができる。以下、本発明を、1ガスバリアフィルム、2ガスバリアフィルムの製造方法、並びに、3電子デバイス用部材及び電子デバイスに項分けして詳細に説明する。1ガスバリアフィルム本発明のガスバリアフィルムは、基材層と、該基材層の少なくとも片面にガスバリア層とを有するガスバリアフィルムであって、前記基材層が、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成され、その表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、該表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3であることを特徴とする。基材層本発明のガスバリアフィルムは、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を含む基材層を有する。前記基材層の素材は、ガラス転移温度が130°C超130°Cより大きいの樹脂を含むものであれば、特に制限されない。前記基材層を構成する樹脂のガラス転移温度は、本発明のより優れた効果を得る観点から、135°C以上であるのが好ましく、150°C以上であるのがより好ましい。このようなガラス転移温度を有する樹脂を基材の素材として用いることで、優れた、ガスバリア性、透明性及び耐折り曲げ性に加えて、耐熱性にも優れるガスバリアフィルムを得ることができる。ガラス転移温度が130°C以下の場合、基材層が高温に晒される環境例えば、屋外でガスバリアフィルムが用いられる場合や、後述するガスバリア層の形成する際の加熱乾燥などにおいて基材層が白濁したり、透明性が極端に低下することがある。また、基材層が軟化することにより後述するガスバリア層を形成することが困難になったり、基材層が著しくカール、収縮したりすることがある。ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂としては、ガラス転移温度が130°C超のものであれば、特に制限されない。例えば、ポリサルフォン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリエステル樹脂、脂環式炭化水素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性及び透明性に優れ、汎用性があることから、ポリサルフォン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、脂環式炭化水素樹脂が好ましく、ポリサルフォン系樹脂、ポリアリレート系樹脂、脂環式炭化水素樹脂が特に好ましい。これらの樹脂は、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。前記基材層は、前記ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を、重量比で50以上含むのが好ましく、70以上含むのがより好ましく、85以上含むことがさらに好ましい。ポリサルフォン系樹脂は、下記のa~hのいずれかで表される繰り返し単位を有する高分子である。具体的には、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニルサルフォン、変性ポリサルフォンフィルム等が挙げられる。ポリアリレート系樹脂は、芳香族ジオールと芳香族ジカルボン酸又はそのクロライドとの反応により得られる高分子である。反応方法としては、特に制限されず、溶融重合法、溶液重合法、界面重合法のいずれであってもよい。芳香族ジオールとしては、例えば、ビス4-ヒドロキシフェニルメタンビスフェノールF、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス4’-ヒドロキシフェニルエタン、1,1-ビス3’-メチル-4’-ヒドロキシフェニルエタン、2,2-ビス4’-ヒドロキシフェニルプロパンビスフェノールA、2,2-ビス3’-メチル-4’-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス4’-ヒドロキシフェニルブタン、2,2-ビス4’-ヒドロキシフェニルオクタン等のビスヒドロキシフェニルアルカン類、1,1-ビス4’-ヒドロキシフェニルシクロペンタン、1,1-ビス4’-ヒドロキシフェニルシクロヘキサンビスフェノールZ、1,1-ビス4’-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン等のビスヒドロキシフェニルシクロアルカン類、ビス4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス2,6-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス2,3,6-トリメチル-4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス3-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス3-フェニル-4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス3-フルオロ-4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス3-ブロモ-4-ヒドロキシフェニルフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシフェニル-4-フルオロフェニルメタン、ビス3-フルオロ-4-ヒドロキシフェニル-4-フルオロフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシフェニル-4-クロロフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシフェニル-4-ブロモフェニルメタン、ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-4-フルオロフェニルメタン、1,1-ビス4’-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタンビスフェノールP、1,1-ビス3’-メチル-4’-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス3’-t-ブチル-4’-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス3’-フェニル-4’-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス4’-ヒドロキシフェニル-1-4’-ニトロフェニルエタン、1,1-ビス3’-ブロモ-4’-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス4’-ヒドロキシフェニル-1-フェニルプロパン、ビス4-ヒドロキシフェニルジフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシフェニルジベンジルメタン等のビスヒドロキシフェニルフェニルアルカン類、ビス4-ヒドロキシフェニルエーテル、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルエーテル等のビスヒドロキシフェニルエーテル類、ビス4-ヒドロキシフェニルケトン、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルケトン等のビスヒドロキシフェニルケトン類、ビス4-ヒドロキシフェニルスルフィド、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルスルフィド等のビスヒドロキシフェニルスルフィド類、ビス4-ヒドロキシフェニルスルホキシド、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルスルホキシド等のビスヒドロキシフェニルスルホキシド類、ビス4-ヒドロキシフェニルスルホンビスフェノールS、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルスルホン等のビスヒドロキシフェニルスルホン類、9,9-ビス4’-ヒドロキシフェニルフルオレン、9,9-ビス3’-メチル-4’-ヒドロキシフェニルフルオレン等のビスヒドロキシフェニルフルオレン類等が挙げられる。芳香族ジカルボン酸又はそのクロライドとしては、例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、4,4’-ジフェニルジカルボン酸、4,4’-ジフェノキシエタンジカルボン酸、4,4’-ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4’-ジフェニルスルホンジカルボン酸、1,5-ナフタレンジカルボン酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、及びそれらのクロライド等が挙げられる。脂環式炭化水素樹脂としては、単環の環状オレフィン系重合体、ノルボルネン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル三井化学社製のエチレン-シクロオレフィン共重合体、アートンJSR社製のノルボルネン系重合体、ゼオノア日本ゼオン社製のノルボルネン系重合体等が挙げられる。基材層には、本発明の目的、効果を損なわない範囲内で、他の成分が含まれていてもよい。他の成分としては、可塑剤;UV硬化型樹脂、エポキシ樹脂等のエネルギー硬化型樹脂;等が挙げられる。基材層の製造方法としては特に制約はない。公知の方法、例えば、上記樹脂のペレット、及び所望により他の成分を適当な溶媒に溶解して基材層形成用組成物を調製し、このものをポリエチレンテレフタレートPET等の適当な支持体上に塗布し、加熱乾燥した後、前記支持体から剥離する方法や、上記樹脂及び所望により他の成分を混合して得られる樹脂組成物を用いてフィルム状に押出成形する方法、インフレーション成形法などが挙げられる。また、市販品フィルムをそのまま基材層として用いてもよい。基材層の厚みとしては、特に限定されず、ガスバリアフィルムの目的に合わせて決定すればよいが、通常0.5~500μm、好ましくは1~100μmである。本発明においては、目的に合わせて基材層の厚みを薄くしても、ガスバリア層を形成する際の加熱乾燥時においても、カール、白濁、収縮等が生じたり、可塑剤等を用いた場合であっても、該可塑剤等がはみ出して透明性が低下することがない。ガスバリア層本発明のガスバリアフィルムは、前記基材層上にガスバリア層を有する。該ガスバリア層は、下記a~cの特徴を有する。a少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなる。b表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、好ましくは、60~72、より好ましくは、63~70、窒素原子の存在割合が0~10、好ましくは、0.1~8、より好ましくは、0.1~6、ケイ素原子の存在割合が25~35、好ましくは、27~35、より好ましくは、29~32である。c表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3である。前記ガスバリア層の表層部とは、ガスバリア層の表面、及び該表面から深さ方向に5nmまでの領域をいう。また、ガスバリア層の表面は、他の層として後述される層との境界面を含む意である。表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合は、実施例において説明する方法で測定される。膜密度は、X線反射率法を用いて算出することができる。X線は、基板上の薄膜に対して非常に浅い角度で入射させると全反射される。入射X線の角度が全反射臨界角以上になると、薄膜内部にX線が侵入し薄膜表面や界面で透過波と反射波に分かれ、反射波は干渉する。全反射臨界角を解析することで、膜の密度を求めることができる。なお、入射角度を変えながら測定を行い、光路差の変化に伴う反射波の干渉信号の解析から、薄膜の膜厚も求めることができる。膜密度は、以下の方法で測定することができる。一般に、X線に対する物質の屈折率n、及び屈折率nの実部部分のδは、以下の式1及び式2をみたすことが知られている。ここで、reは電子の古典半径2.818×10-15mを、N0はアボガドロ数を、λはX線の波長を、ρは密度g/cm3を、Zi、Mi、xiは、それぞれi番目の原子の原子番号、原子量及び原子数比モル比を、fi’はi番目の原子の原子散乱因子異常分散項を表す。また、全反射臨界角度θCは、吸収に関係するβを無視すると、式3で与えられる。従って、式2及び式3の関係から、密度ρは式4で求めることができる。ここで、θCはX線反射率より求めることのできる値であり、re、N0、λは定数であり、Zi、Mi、fi’はそれぞれ構成原子に固有の値となる。なお、xi:原子数比モル比に関しては、XPS測定から得られた結果を用いる。ガスバリア層の表層部における膜密度は、実施例において説明する方法で測定し、式4を用いて得られる。本発明において、ガスバリア層の厚みは、特に制限されないが、通常20nmから100μm、好ましくは30~500nm、より好ましくは40~200nmである。本発明においては、ガスバリ層がナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体を得ることができる。上記a~cの要件を満たすガスバリア層としては、ポリシラザン化合物を含む層以下、ポリシラザン層ということがある。に、イオンが注入されて得られる層以下、イオン注入層ということがある。を好ましく例示することができる。ポリシラザン層にイオンが注入されて得られる層は、ガスバリア層としての機能を有する。本発明に用いるポリシラザンは、分子内に、-Si-N-結合を含む繰り返し単位を有する高分子である。具体的には、式1で表される繰り返し単位を有する化合物が挙げられる。式1中、nは任意の自然数を表す。Rx、Ry、Rzは、それぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基又はアルキルシリル基等の非加水分解性基を表す。前記無置換若しくは置換基を有するアルキル基のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-へキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基等の炭素数1~10のアルキル基が挙げられる。無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロへプチル基等の炭素数3~10のシクロアルキル基が挙げられる。無置換若しくは置換基を有するアルケニル基のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基等の炭素数2~10のアルケニル基が挙げられる。前記アルキル基、シクロアルキル基及びアルケニル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。無置換又は置換基を有するアリール基のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等の炭素数6~10のアリール基が挙げられる。前記アリール基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1~6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリt-ブチルシリル基、メチルジエチルシリル基、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、メチルシリル基、エチルシリル基等が挙げられる。これらの中でも、Rx、Ry、Rzとしては、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又はフェニル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。前記式1で表される繰り返し単位を有するポリシラザン化合物としては、Rx、Ry、Rzが全て水素原子である無機ポリシラザン、Rx、Ry、Rzの少なくとも1つが水素原子ではない有機ポリシラザンのいずれであってもよい。無機ポリシラザンとしては、下記式中、aは任意の自然数を表す。で表される繰り返し単位を有する直鎖状構造を有し、690~2000の分子量を持ち、一分子中に3~10個のSiH3基を有するペルヒドロポリシラザン特公昭63-16325号公報、式A式中、b、cは任意の自然数を表し、Y1は、水素原子又は式B式中、dは任意の自然数を表し、は結合位置を表し、Y2は水素原子、又は前記Bで表される基を表す。で表される基を表す。で表される繰り返し単位を有する、直鎖状構造と分岐構造を有するペルヒドロポリシラザン、たとえば、式Cで表されるペルヒドロポリシラザン構造を有する、分子内に、直鎖状構造、分岐構造及び環状構造を有するペルヒドロポリシラザン等が挙げられる。有機ポリシラザンとしては、i-Rx’SiHNH-Rx’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。以下のRx’も同様である。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、ii-Rx’SiHNRz’-Rz’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、iii-Rx’Ry’SiNH-Ry’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、iv下記式で表される構造を分子内に有するポリオルガノヒドロシラザン、v下記式Rx’、Ry’は前記と同じ意味を表し、e、fは任意の自然数を表し、Y3は、水素原子又は式E式中、gは任意の自然数を表し、は結合位置を表し、Y4は水素原子、又は前記Eで表される基を表す。で表される基を表す。で表される繰り返し構造を有するポリシラザン等が挙げられる。上記有機ポリシラザンは、従来公知の方法により製造することができる。例えば、下記式2で表される無置換若しくは置換基を有するハロゲノシラン化合物と2級アミンとの反応生成物に、アンモニア又は1級アミンを反応させることにより得ることができる。式2中、mは2又は3を表し、Xはハロゲン原子を表し、R1は、前述した、Rx、Ry、Rz、Rx’、Ry’、Rz’のいずれかの置換基を表す。用いる2級アミン、アンモニア及び1級アミンは、目的とするポリシラザン化合物の構造に応じて、適宜選択すればよい。また、本発明においては、ポリシラザン化合物として、ポリシラザン変性物を用いることもできる。ポリシラザン変性物としては、例えば、金属原子該金属原子は架橋をなしていてもよい。を含むポリメタロシラザン、繰り返し単位がSiH2gNHh及びSiH2iO式中、g、h、iはそれぞれ独立して、1、2又は3である。で表されるポリシロキサザン特開昭62-195024号公報、ポリシラザンにボロン化合物を反応させて製造するポリボロシラザン特開平2-84437号公報、ポリシラザンとメタルアルコキシドとを反応させて製造するポリメタロシラザン特開昭63-81122号公報等、無機シラザン高重合体や改質ポリシラザン特開平1-138108号公報等、ポリシラザンに有機成分を導入した共重合シラザン特開平2-175726号公報等、ポリシラザンにセラミックス化を促進するための触媒的化合物を付加又は添加した低温セラミックス化ポリシラザン特開平5-238827号公報等、ケイ素アルコキシド付加ポリシラザン特開平5-238827号公報、グリシドール付加ポリシラザン特開平6-122852号公報、アセチルアセトナト錯体付加ポリシラザン特開平6-306329号公報、金属カルボン酸塩付加ポリシラザン特開平6-299118号公報等、上記ポリシラザン又はその変性物に、アミン類及び/又は酸類を添加してなるポリシラザン組成物特開平9-31333号公報、ペルヒドロポリシラザンにメタノール等のアルコール或いはヘキサメチルジシラザンを末端N原子に付加して得られる変性ポリシラザン特開平5-345826号公報、特開平4-63833号公報等が挙げられる。これらの中でも、本発明において用いるポリシラザン化合物としては、Rx、Ry、Rzが全て水素原子である無機ポリシラザン、Rx、Ry、Rzの少なくとも1つが水素原子ではない有機ポリシラザンが好ましく、入手容易性及び優れたガスバリア性を有する注入層を形成できる観点から、無機ポリシラザンがより好ましい。用いるポリシラザン化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、100~50,000であるのが好ましい。さらに、本発明においては、ポリシラザン化合物は、ガラスコーティング材等として市販されている市販品をそのまま使用することができる。ポリシラザン層は、ポリシラザン化合物の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、硬化剤、他の高分子、老化防止剤、光安定剤、難燃剤等が挙げられる。ポリシラザン層中の、ポリシラザン化合物の含有量は、優れたガスバリア性を有するイオン注入層を形成できる観点から、50重量以上であるのが好ましく、70重量以上であるのがより好ましい。ポリシラザン層を形成する方法としては、特に制約はなく、例えば、ポリシラザン化合物の少なくとも一種、所望により他の成分、及び溶剤等を含有する層形成用溶液を、前記基材層の上に塗布し、得られた塗膜を適度に乾燥して形成する方法が挙げられる。塗工装置としては、スピンコーター、ナイフコーター、グラビアコーター等の公知の装置を使用することができる。得られた塗膜の乾燥、ガスバリアフィルムのガスバリア性向上のため、塗膜を加熱することが好ましい。加熱は80~150°Cで、数十秒から数十分行う。本発明においては、前記のような高温で加熱乾燥しても、また、たとえ基材層の厚みが薄い場合であっても、基材層がカールしたり収縮したり、白濁したり、可塑剤等を用いた場合であっても可塑剤等がはみ出して透明性が低下することがない。また、ポリシラザン層は、ジメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン等の、プラズマ重合性シラザン化合物のガスを、プラスチックガスバリアフィルムと接触させて、プラズマ重合処理を施すことによって形成することもできる特開平9-143289号公報。形成されるポリシラザン層の厚みは、特に制限されないが、通常20nm~100μm、好ましくは30~500nm、より好ましくは40~200nmである。本発明においては、ポリシラザン層の厚みがナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを得ることができる。本発明のガスバリアフィルムにおいて、イオン注入層は、ポリシラザン化合物の少なくとも一種を含む層であることが好ましく、該層中にイオンが注入されてなるものであれば特に好ましい。イオンの注入量は、形成するガスバリアフィルムの使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。注入されるイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希ガスのイオン;フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン;メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類のイオン;エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類のイオン;ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類のイオン;アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類のイオン;ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類のイオン;シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類のイオン;シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類のイオン;炭化水素のイオン金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン;シランSiH4、有機ケイ素化合物等のケイ素化合物のイオン;等が挙げられる。有機ケイ素化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn-ブトキシシラン、テトラt-ブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルアルコキシシラン;ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアリールアルコキシシラン;ヘキサメチルジシロキサンHMDSO等のジシロキサン;ビスジメチルアミノジメチルシラン、ビスジメチルアミノメチルビニルシラン、ビスエチルアミノジメチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、テトラキスジメチルアミノシラン、トリスジメチルアミノシラン等のアミノシラン;ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン;テトライソシアナートシラン等のイソシアナートシラン;トリエトキシフルオロシラン等のハロゲノシラン;ジアリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン等のアルケニルシラン;ジ-t-ブチルシラン、1,3-ジシラブタン、ビストリメチルシリルメタン、テトラメチルシラン、トリストリメチルシリルメタン、トリストリメチルシリルシラン、ベンジルトリメチルシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルシラン;ビストリメチルシリルアセチレン、トリメチルシリルアセチレン、1-トリメチルシリル-1-プロピン等のシリルアルキン;1,4-ビストリメチルシリル-1,3-ブタジエン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン等のシリルアルケン;フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン等のアリールアルキルシラン;プロパルギルトリメチルシラン等のアルキニルアルキルシラン;ビニルトリメチルシラン等のアルケニルアルキルシラン;ヘキサメチルジシラン等のジシラン;オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン等のシロキサン;N,O-ビストリメチルシリルアセトアミド;ビストリメチルシリルカルボジイミド;等が挙げられる。これらのイオンは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。本発明においては、これらの中でも、より簡便に注入することができ、特に優れたガスバリア性と耐折り曲げ性を有するイオン注入層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましく、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンがより好ましい。イオンの注入量は、形成するガスバリアフィルムの使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。イオンを注入する方法は特に限定されず、例えば、ポリシラザン層を形成した後、該ポリシラザン層にイオンを注入する方法が挙げられる。イオンを注入する方法としては、電界により加速されたイオンイオンビームを照射する方法、プラズマ中のイオンを注入する方法等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便にガスバリア性のガスバリアフィルムが得られることから、後者のプラズマイオンを注入する方法が好ましい。プラズマイオン注入は、例えば、希ガス等のプラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、ポリシラザン層に負の高電圧パルスを印加することにより、該プラズマ中のイオン陽イオンを、ポリシラザン層の表面部に注入して行うことができる。イオン注入層が形成される部分の厚みは、イオンの種類や印加電圧、処理時間等の注入条件により制御することができ、ポリシラザン層の厚み、ガスバリアフィルムの使用目的等に応じて決定すればよいが、通常、10~1000nmである。イオンが注入されたことは、X線光電子分光分析XPSを用いて表面から10nm付近の元素分析測定を行うことによって確認することができる。本発明のガスバリアフィルムは、前記基材層及びガスバリア層のみからなるものであってもよいし、本発明の目的を損ねない範囲で、さらに他の層を含むものであってもよい。また、他の層は単層であっても、同種又は異種の2層以上であってもよい。他の層としては、例えば、無機薄膜層、導電体層、衝撃吸収層、プライマー層等が挙げられる。無機薄膜層は、無機化合物の一種又は二種以上からなる層である。無機化合物層を設けることで、ガスバリア性をさらに向上させることができる。無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。無機薄膜層の厚みは、通常10~1000nm、好ましくは20~500nm、より好ましくは20~100nmの範囲である。導電体層を構成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体的には、アンチモンをドープした酸化スズATO;フッ素をドープした酸化スズFTO;酸化スズ、ゲルマニウムをドープした酸化亜鉛GZO、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛インジウムIZO等の半導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これら金属と導電性金属酸化物との混合物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料;等が挙げられる。導電体層の形成方法としては特に制限はない。例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。導電体層の厚さはその用途等に応じて適宜選択すればよい。通常10nmから50μm、好ましくは20nmから20μmである。衝撃吸収層は、ガスバリア層に衝撃が加わった時に、ガスバリア層を保護するためのものである。衝撃吸収層を形成する素材としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、ゴム系材料等が挙げられる。また、粘着剤、コート剤、封止剤等として市販されているものを使用することもでき、特に、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤が好ましい。衝撃吸収層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、前記ポリシラン化合物を含む層の形成方法と同様に、前記衝撃吸収層を形成する素材粘着剤等、及び、所望により、溶剤等の他の成分を含む衝撃吸収層形成溶液を、積層すべき層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等して形成する方法が挙げられる。また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。衝撃吸収層の厚みは、通常1~100μm、好ましくは5~50μmである。プライマー層は、基材層とガスバリア層との層間密着性を高める役割を果たす。プライマー層を設けることにより、層間密着性及び表面平滑性に優れるガスバリアフィルムを得ることができる。プライマー層を構成する材料としては、特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ケイ素含有化合物;光重合性モノマー及び/又は光重合性プレポリマーからなる光重合性化合物、及び前記光重合性化合物に少なくとも可視光域の光でラジカルを発生する重合開始剤を含む光重合性組成物;ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂特にポリアクリルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等とイソシアネート化合物との2液硬化型樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール系樹脂、ニトロセルロース系樹脂等の樹脂類;アルキルチタネート;エチレンイミン;等が挙げられる。これらの材料は一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。プライマー層は、プライマー層を構成する材料を適当な溶剤に溶解又は分散してなるプライマー層形成用溶液を、基材層の片面又は両面に塗付し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により加熱することより形成することができる。プライマー層形成用溶液を支持体に塗付する方法としては、通常の湿式コーティング方法を用いることができる。例えばディッピング法、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、エアナイフコート、ロールナイフコート、ダイコート、スクリーン印刷法、スプレーコート、グラビアオフセット法等が挙げられる。プライマー層形成用溶液の塗膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。プライマー層の厚みは、通常、10~1000nmである。また、得られたプライマー層に、後述する、イオン注入層にイオンを注入する方法と同様な方法によりイオン注入を行ってもよい。プライマー層にもイオン注入を行うことにより、よりガスバリア性に優れるガスバリアフィルムを得ることができる。本発明のガスバリアフィルムが、基材層及びガスバリア層以外の他の層を含む積層体である場合、前記ガスバリア層の配置位置は特に限定されず、また、ガスバリア層は1層でも複数層であってもよい。前記他の層の配置位置は特に限定されず、ガスバリア層上、ガスバリア層と基材層の間、基材層上に配置されている。本発明のガスバリアフィルムの厚みは、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。本発明のガスバリアフィルムは、優れたガスバリア性を有し、透明性及び耐折り曲げ性、さらに耐熱性にも優れる。本発明のガスバリアフィルムが優れたガスバリア性を有していることは、本発明のガスバリアフィルムの水蒸気透過率が小さいことから確認することができる。水蒸気透過率は、40°C、相対湿度90雰囲気下で、通常0.50g/m2/day未満であり、好ましくは0.3g/m2/day以下であり、より好ましくは0.10g/m2/day以下であり、さらに好ましくは0.05g/m2/day以下である。なお、ガスバリアフィルムの水蒸気透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。本発明のガスバリアフィルムが耐折り曲げ性に優れ、折り曲げなどを行ってもガスバリア性を維持できることは、ガスバリアフィルムをふたつに折り曲げて圧力をかけ、再び開いた後においても、クラックの発生がなく、水蒸気透過率がほとんど低下しないことから確認することができる。本発明のガスバリアフィルムは、同じ厚みの無機膜に比較して、折り曲げ後もガスバリア性を維持することに優れている。本発明のガスバリアフィルムが優れた透明性を有していることは、ヘイズ値が小さいことから確認することができる。ヘイズ値は8.0以下であるのが好ましく、5.0以下であるのがより好ましく、3.0以下であるのがさらに好ましい。ヘイズ値は、公知のヘイズメーターにより測定することができる。本発明においては、実施例において説明する方法で測定される。また、本発明のガスバリアフィルムは、基材層にガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を用いることにより、耐熱性に優れるものとなっている。本発明のガスバリアフィルムは、高温にさらされても、ガスバリアフィルムがカールしたり収縮したり白濁することがなく、可塑剤等を使用した場合であっても可塑剤等がはみ出して透明性が低下することがない。2ガスバリアフィルムの製造方法本発明のガスバリアフィルムの製造方法は、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を含む基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する工程と、該ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する。ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を含む基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成する方法としては、前述のポリシラザン層を基材層上に形成する方法等が挙げられる。また、ガラス転移温度Tgが130°C超の樹脂を含む基材層上にポリシラザン化合物を含む層が形成された長尺状の成形物を、一定方向に搬送しながら、前記ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入してガスバリアフィルムを製造するのが好ましい。この製造方法によれば、例えば、長尺状の成形物を巻き出しロールから巻き出し、それを一定方向に搬送しながらイオンを注入し、巻き取りロールで巻き取ることができるので、イオンが注入されて得られるガスバリアフィルムを連続的に製造することができる。長尺状の成形物は、ポリシラザン層が表面部に形成されていれば、前記基材層以外の他の層を含むものであってもよい。他の層としては、上述したのと同様のものが挙げられる。成形物の厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、1μm~500μmが好ましく、5μm~300μmがより好ましい。ポリシラザン層にイオンを注入する方法は、特に限定されない。なかでも、プラズマイオン注入法により前記層の表面部にイオンを注入する方法が特に好ましい。プラズマイオン注入法は、プラズマ中に曝した、ポリシラザン層を表面に有する成形物に、負の高電圧パルスを印加することにより、プラズマ中のイオンを前記層の表面部に注入してイオンを注入する形成する方法である。プラズマイオン注入法としては、A外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法、又はB外部電界を用いることなく、前記層に印加する負の高電圧パルスによる電界のみで発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法が好ましい。前記Aの方法においては、イオン注入する際の圧力プラズマイオン注入時の圧力を0.01~1Paとすることが好ましい。プラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく均一なイオン注入層を形成することができ、透明性、ガスバリア性を兼ね備えたイオン注入層を効率よく形成することができる。前記Bの方法は、減圧度を高くする必要がなく、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮することができる。また、前記層全体にわたって均一に処理することができ、負の高電圧パルス印加時にプラズマ中のイオンを高エネルギーで層の表面部に連続的に注入することができる。さらに、radiofrequency高周波、以下、RFと略す。や、マイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、層に負の高電圧パルスを印加するだけで、層の表面部に良質のイオン注入層を均一に形成することができる。前記A及びBのいずれの方法においても、負の高電圧パルスを印加するとき、すなわちイオン注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましい。パルス幅がこのような範囲にあるときに、透明で均一なイオン注入層をより簡便にかつ効率よく形成することができる。また、プラズマを発生させるときの印加電圧は、好ましくは-1kV~-50kV、より好ましくは-1kV~-30kV、特に好ましくは-5kV~-20kVである。印加電圧が-1kVより大きい値でイオン注入を行うと、イオン注入量ドーズ量が不十分となり、所望の性能が得られない。一方、-50kVより小さい値でイオン注入を行うと、イオン注入時にガスバリアフィルムが帯電し、またガスバリアフィルムへの着色等の不具合が生じ、好ましくない。プラズマイオン注入するイオン種は、上述したのと同様のものが挙げられる。なかでも、より簡便にイオン注入することができ、透明で優れたガスバリア性を有するガスバリアフィルムを効率良く製造することができることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素が好ましく、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンがより好ましい。層の表面部にプラズマ中のイオンを注入する際には、プラズマイオン注入装置を用いる。プラズマイオン注入装置としては、具体的には、αポリシラザン層以下、イオン注入する層ということがある。に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオン注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置特開2001-26887号公報、βチャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオン注入する層周囲にプラズマが到達後、イオン注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオン注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置特開2001-156013号公報、γマイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、δ外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。これらの中でも、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮でき、連続使用に適していることから、γ又はδのプラズマイオン注入装置を用いるのが好ましい。以下、前記γ及びδのプラズマイオン注入装置を用いる方法については、国際公開WO2010/021326号公報に記載のものが挙げられる。前記γ及びδのプラズマイオン注入装置では、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を高電圧パルス電源によって兼用しているため、RFやマイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、負の高電圧パルスを印加するだけで、プラズマを発生させ、ポリシラザン層の表面部にプラズマ中のイオンを注入し、イオン注入層を連続的に形成し、表面部にイオン注入層が形成されたガスバリアフィルムを量産することができる。3電子デバイス用部材及び電子デバイス本発明の電子デバイス用部材は、本発明のガスバリアフィルムからなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高く、耐熱性に優れるので、タッチパネル、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のディスプレイ部材;太陽電池用バックシート;等として好適である。本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用部材を備える。具体例としては、タッチパネル、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、無機ELディスプレイ、電子ペーパー、太陽電池等が挙げられる。本発明の電子デバイスは、本発明のガスバリアフィルムからなる電子デバイス用部材を備えているので、優れたガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性及び耐熱性を有する。以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。用いたX線光電子分光測定装置、X線反射率法による膜密度測定方法、プラズマイオン注入装置、水蒸気透過率測定装置と測定条件、ヘイズの測定装置、耐折り曲げ試験方法は以下の通りである。なお、用いたプラズマイオン注入装置は外部電界を用いてイオン注入する装置である。X線光電子分光測定装置下記に示す測定条件にて、ガスバリア層イオン注入されて得られた層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合の測定を行った。測定装置:PHIQuanteraSXMアルバックファイ社製X線源:AlKαX線ビーム径:100μm電力値:25W電圧:15kV取り出し角度:45°真空度:5.0×10-8PaX線反射率法による膜密度の測定方法ガスバリア層の表層部における膜密度は、下記に示す測定条件にてX線の反射率を測定して全反射臨界角度θcを求め、その値から、前記式4を用いて算出した。測定装置と測定条件は以下の通りである。測定装置:薄膜評価用試料水平型X線回折装置SmartLab株式会社リガク製測定条件:X線源;Cu-Kα1波長:1.54059Å光学系;並行ビーム光学系入射側スリット系;Ge2202結晶、高さ制限スリット5mm、入射スリット0.05mm受光側スリット系;受光スリット0.10mm、ソーラースリット5°検出器;シンチレーションカウンター管電圧管電流;45kV-200mA走査軸;2θ/θ走査モード;連続スキャン走査範囲;0.1-3.0deg.走査速度;1deg./min.サンプリング間隔;0.002°/stepなお、原子数比xiは、X線光電子分光測定により得られたガスバリア層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合を用いた。プラズマイオン注入装置RF電源:日本電子社製、型番号RF56000高電圧パルス電源:栗田製作所社製、PV-3-HSHV-0835水蒸気透過率の測定水蒸気透過率測定装置:mocon社製、PERMATRAN-W3/33測定条件:相対湿度90、40°Cヘイズ値の測定ガスバリアフィルムおよび、ポリシラザン層を形成する前の基材層単体のヘイズ値は、JISK7105に準拠し、積分球式光線透過率測定装置日本電色工業社製,NDH-2000を用いて、拡散透過率Td及び全光線透過率Ttを測定した。また、ヘイズ値を、下記式にて算出した。結果を表1に示す。耐折り曲げ試験方法得られたガスバリアフィルムのイオンを注入した面比較例1はポリシラザン層側、比較例3は窒化ケイ素膜側を外側にし、中央部分で半分に折り曲げてラミネーターフジプラ社製、LAMIPACKERLPC1502の2本のロール間を、ラミネート速度5m/min、温度23°Cの条件で通した。尚、上記折り曲げ試験は、ガスバリアフィルムの内側に1mm厚の台紙を介在させて行った。実施例1i基材層の作製ポリサルフォン系樹脂のペレットBASF社製、製品名ウルトラゾーンS3010、Tg=187°Cを、1,3-ジオキソランに溶解し、30重量のポリサルフォン溶液を調製した。この溶液を、ポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡社製、製品名コスモシャインPET50A-4100、以下、PETフィルムという。の易接面と反対側の面に塗布し、形成された塗膜を60°Cで8時間、次いで150°Cで3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚60μmのポリサルフォンフィルム下記第1表中、フィルムAという。を得た。iiガスバリア層の作製作製したポリサルフォンフィルム上に、ペルヒドロポリシラザンを主成分とするコーティング剤製品名アクアミカNL110A-20、クラリアントジャパン社製をスピンコートにより塗布し、130°Cで1分間加熱して厚さ60nmのポリシラザン層下記第1表において、ポリシラザン層Aという。を形成して成形物を得た。得られた成形物を、プラズマイオン注入装置を用いてポリシラザン層の表面に、アルゴンArをプラズマイオン注入してガスバリアフィルム1を作製した。プラズマイオン注入の条件を以下に示す。ガス流量:100sccmDuty比:0.5繰り返し周波数:1000Hz印加電圧:-10kVRF電源:周波数13.56MHz、印加電力1000Wチャンバー内圧:0.2Paパルス幅:5μsec処理時間イオン注入時間:5分間搬送速度:0.2m/min実施例2実施例1において、成形物を得る際の130°Cでの加熱時間を1分間から5分間に変更した以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルム2を作製した。実施例3実施例2において、形成するポリシラザン層の厚さを60nmから100nmとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム3を作製した。実施例4実施例2において、形成するポリシラザン層の厚さを60nmから150nmとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム4を作製した。実施例5実施例1において、130°Cでの加熱時間を1分間から20分間に変更した以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルム5を作製した。実施例6実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて窒素N2を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム6を作製した。実施例7実施例2において、イオン注入を行う際の印加電圧を-10kVに変えて-5kVとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム7を作製した。実施例8実施例2において、イオン注入を行う際の印加電圧を-10kVに変えて-15kVとした以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム8を作製した。実施例9実施例2において、ポリシラザン層Aの変わりに、飽和炭化水素基を有するオルガノポリシラザン化合物の混合物を主成分とするコーティング材クラリアントジャパン社製、製品名tutoPromBrightを用いた以外は、実施例2と同様にしてポリシラザン層下記第1表において、ポリシラザン層Bという。を形成してガスバリアフィルム9を作製した。実施例10実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて水素H2を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム10を作製した。実施例11実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて酸素O2を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム11を作製した。実施例12実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてヘリウムHeを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム12を作製した。実施例13実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてネオンNeを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム13を作製した。実施例14実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてキセノンXeを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム14を作製した。実施例15実施例2において、プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてクリプトンKrを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム15を作製した。実施例16i基材層の作製ポリカーボネート樹脂のペレット出光興産社製、製品名タフロンLC1700、Tg=145°Cをジクロロメタンに溶解し、10重量のポリカーボネート溶液を調製した。この溶液を、PETフィルムに塗布し、形成された塗膜を60°Cで8時間、次いで130°Cで3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚50μmのポリカーボネートフィルム下記第1表中、フィルムBという。を得た。iiガスバリア層の作製実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えて上記ポリカーボネートフィルムを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム16を作製した。実施例17i基材層の作製ポリアリレート系樹脂のペレットユニチカ社製、製品名UポリマーU-1001A、Tg=195°Cをジクロロメタンに溶解し、15重量のポリアリレート溶液を調製した。この溶液をPETフィルムに塗布し、形成された塗膜を60°Cで8時間、次いで150°Cで3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚50ミクロンのポリアリレートフィルム下記第1表中、フィルムCという。を得た。iiガスバリア層の作製実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えて上記ポリアリレートフィルムを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム17を作製した。実施例18実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えて脂環式炭化水素樹脂フィルムゼオン化成社製、製品名ゼオノアZF16膜厚100μm、Tg=155°C、下記第1表中、フィルムDという。を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム18を作製した。比較例1実施例1において、イオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルムを作製した。すなわち、ポリサルフォンフィルム上にポリシラザン層を形成し、ガスバリアフィルム1rとした。比較例2実施例1において、ポリサルフォンフィルム上にポリシラザン層を形成しない以外は、実施例1と同様にしてガスバリアフィルムを作製した。すなわち、ポリサルフォンフィルムの表面にアルゴンをプラズマイオン注入してガスバリアフィルム2rとした。比較例3ポリサルフォンフィルムに、スパッタリング法により、厚さ60nmの窒化ケイ素SiNの膜を設け、ガスバリアフィルム3rを作製した。比較例4実施例2において、ポリシラザン層に、イオン注入する代わりに、アルゴンArをプラズマ生成ガスとして用いてプラズマ処理を行い、ガスバリアフィルム4rを作製した。プラズマ処理は、実施例で用いた装置の印加電圧を0kVとしてプラズマイオン注入が起きない状態で行った。比較例5実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えてポリエチレンテレフタレートフィルム東レ社製、製品名PET50T-61M、厚さ50μm、Tg=70°C、下記第1表中、フィルムEという。を用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム5rを作製した。比較例6i基材層の作製ポリメチルメタクリレート粉体アルドリッチ社製、Tg=110°Cをメチルエチルケトンとトルエンの混合溶媒重量比:50:50に溶解し、20重量のポリメチルメタクリレート溶液を調製した。この溶液をPETフィルムに塗布し、形成された塗膜を60°Cで8時間、次いで110°Cで3時間加熱乾燥した。その後、PETフィルムを剥離して膜厚55μmのポリメチルメタクリレートフィルム下記第1表中、フィルムFという。を得た。iiガスバリア層の作製実施例2において、基材としてポリサルフォンフィルムに変えてポリメチルメタクリレートフィルムを用いた以外は、実施例2と同様にしてガスバリアフィルム6rを作製した。実施例1~18及び比較例2,4,5,6で得られたガスバリアフィルムにつき、XPSアルバックファイ社製を用いて、表面から10nm付近の元素分析測定を行うことにより、イオンが注入されたことを確認した。下記第1表に、各実施例、比較例において用いた基材層の種類、成形物を得る際の加熱時間分、ポリシラザン層の種類、膜厚nm、用いたプラズマ生成ガス、印加電圧kVをまとめて記載する。さらに、得られたガスバリアフィルム1~18、1r~6rにつき、ガスバリア層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合、並びに膜密度を測定した。その結果を第1表に示す。実施例及び比較例のガスバリアフィルム1~18、1r~6rにつき、折り曲げ試験前後の水蒸気透過率を測定した。さらに、折り曲げ試験後のクラックの発生の有無を目視にて観察した。クラックの発生が見られた場合をあり、クラックの発生が見られなかった場合をなしと評価した。また、実施例及び比較例につき、ポリシラザン層形成前の基材層単体のヘイズ値、得られたガスバリアフィルム1~18、1r~6rのヘイズ値を測定した。その結果を下記第2表に示す。第2表から、実施例のガスバリアフィルム1~18は、比較例のガスバリアフィルム1r~6rに比して、水蒸気透過率が小さく、高いガスバリア性を有していた。さらに、折り曲げ試験後においてクラックの発生がみられず、無機膜窒化ケイ素膜を形成した比較例3のガスバリアフィルム3rに比して水蒸気透過率の上昇が少なく、耐折り曲げ性に優れていることがわかった。また、実施例1~18は、比較例5、6に比べて、ポリシラザン層の形成前と形成後においてヘイズ値の上昇が少なく、ポリシラザン層の形成する際の乾燥時の加熱においても基材層が白濁したりすることがなく、透明性に優れており、耐熱性があることがわかった。"