"n型のIII族窒化物半導体からなるn型半導体領域と、III族窒化物半導体からなり、前記n型半導体領域上に設けられた活性層と、p型のIII族窒化物半導体からなり、前記活性層上に設けられた第1のp型半導体領域と、前記第1のp型半導体領域上に設けられ、所定のレーザ共振方向に延びる開口を有する電流狭窄層と、p型のIII族窒化物半導体からなり、前記電流狭窄層の前記開口の形成後に前記第1のp型半導体領域上及び電流狭窄層上に再成長された第2のp型半導体領域とを備え、前記第1のp型半導体領域における前記第2のp型半導体領域との界面が、当該III族窒化物半導体の半極性面を含んでおり、前記第1及び第2のp型半導体領域のうち少なくとも一方が、前記第1のp型半導体領域と前記第2のp型半導体領域との界面を構成し且つ1×1020cm-3以上のp型不純物濃度を有する高濃度p型半導体層を有することを特徴とする、III族窒化物半導体レーザ素子。前記高濃度p型半導体層の厚さが10nm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のIII族窒化物半導体レーザ素子。前記高濃度p型半導体層が、前記第1のp型半導体領域にのみ設けられていることを特徴とする、請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体レーザ素子。前記活性層の前記第1のp型半導体領域側の界面と、前記高濃度p型半導体層の前記活性層側の界面との距離が200nm以上であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体レーザ素子。レーザ発振の共振波長が500nm以上であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のIII族窒化物半導体レーザ素子。上述した構成を備えるIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する際、電流狭窄層の開口は、例えば電流狭窄層にエッチングを施すことによって形成される。このとき、電流狭窄層の開口から露出した半導体の表面すなわち、p型クラッド層との再成長界面には、n型ドーパントとなる酸素やシリコンといった不純物の付着パイルアップが発生する。通常、有機金属原料を用いたCVDによって半導体層を成長させる場合、H2若しくはNH3等を用いた1000°C以上での表面クリーニングを成長界面に対して実施する。そして、このクリーニングによって、上述したような不純物は好適に除去される。しかしながら、電流狭窄層を有する構成においてこのような高温でのクリーニングを行うと、電流狭窄層が結晶化し、再成長層p型クラッド層の結晶品質が低下してしまう。したがって、p型クラッド層の再成長工程の前にこのような高温でのクリーニングを行うことは難しい。したがって、n型不純物が残留する再成長界面上にp型クラッド層を成長させることとなるので、該界面においてn型不純物による非発光再結合が発生し、電流の損失が生じる。これにより、半導体レーザ素子の閾値電流密度が上昇してしまう。また、再成長界面の活性層側にもp型半導体層が存在する場合には、局所的なpnp構造が形成されるので、半導体レーザ素子の動作電圧が上昇してしまう。このような現象は、p型クラッド層の再成長界面が半極性面である場合に特に顕著となる。例えば青色光を発生するIII族窒化物半導体レーザ素子においては、III族窒化物半導体のc面を主面とする基板が多く用いられる。この場合、p型クラッド層の再成長界面もc面となる。しかし、緑色光を発生するIII族窒化物半導体レーザ素子においては、活性層におけるピエゾ電界を低減する為に、III族窒化物半導体の半極性面を主面とする基板が用いられることがある。この場合、p型クラッド層の再成長界面も半極性面となる。そして、本発明者の知見によれば、半極性面においてはダングリングボンド原子における未結合手が多く露出するので、c面、a面、或いはm面といった低面指数面と比較して、n型不純物の取り込みが多くなってしまう。その結果、上述した閾値電流密度の上昇、及び動作電圧の上昇が顕著となる。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、開口を有する電流狭窄層上にp型クラッド層が再成長された構成を備えるIII族窒化物半導体レーザ素子において、半極性の再成長界面に存在するn型不純物による影響を低減することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明によるIII族窒化物半導体レーザ素子は、n型のIII族窒化物半導体からなるn型半導体領域と、III族窒化物半導体からなり、n型半導体領域上に設けられた活性層と、p型のIII族窒化物半導体からなり、活性層上に設けられた第1のp型半導体領域と、第1のp型半導体領域上に設けられ、所定のレーザ共振方向に延びる開口を有する電流狭窄層と、p型のIII族窒化物半導体からなり、電流狭窄層の開口の形成後に第1のp型半導体領域上及び電流狭窄層上に再成長された第2のp型半導体領域とを備え、第1のp型半導体領域における第2のp型半導体領域との界面が、当該III族窒化物半導体の半極性面を含んでおり、第1及び第2のp型半導体領域のうち少なくとも一方が、第1のp型半導体領域と第2のp型半導体領域との界面を構成し且つ1×1020cm-3以上のp型不純物濃度を有する高濃度p型半導体層を有することを特徴とする。このIII族窒化物半導体レーザ素子では、第1のp型半導体領域における第2のp型半導体領域との界面が、当該III族窒化物半導体の半極性面を含んでいる。このような構成は、活性層がIII族窒化物半導体の半極性面上に成長された場合に主に実現されるので、活性層のIn組成が高い緑色発光半導体レーザ素子を好適に実現できる。また、このIII族窒化物半導体レーザ素子では、第1及び第2のp型半導体領域のうち少なくとも一方が、第1のp型半導体領域と第2のp型半導体領域との界面を構成する高濃度p型半導体層を有している。すなわち、第1のp型半導体領域の高濃度p型半導体層は第2のp型半導体領域に接し、第2のp型半導体領域の高濃度p型半導体層は第1のp型半導体領域に接する。更に、この高濃度p型半導体層は、1×1020cm-3以上のp型不純物濃度を有している。前述したように、第1のp型半導体領域上に第2のp型半導体領域を再成長させる際、第1のp型半導体領域の表面にはn型ドーパントとなる酸素やシリコンといった不純物の付着パイルアップが発生する。しかしながら、このIII族窒化物半導体レーザ素子では、高濃度p型半導体層のp型不純物が拡散してn型不純物を補償するので、n型不純物による影響閾値電流密度が上昇や動作電圧の上昇が抑えられる。すなわち、このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、半極性の再成長界面に存在するn型不純物による影響を低減することができる。また、III族窒化物半導体レーザ素子は、高濃度p型半導体層の厚さが10nm以下であることを特徴としてもよい。本発明者の知見によれば、再成長界面に存在するn型不純物の厚さ方向分布の半値幅は10nm程度であり、高濃度p型半導体層の厚さがこの値を超えないことによって、III族窒化物半導体レーザ素子の良好な動作特性を保持することができる。また、III族窒化物半導体レーザ素子は、高濃度p型半導体層が、第1のp型半導体領域にのみ設けられてもよい。このような構成によれば、上述した効果を好適に奏するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供できる。また、III族窒化物半導体レーザ素子は、活性層の第1のp型半導体領域側の界面と、高濃度p型半導体層の活性層側の界面との距離が200nm以上であることを特徴としてもよい。このように活性層と高濃度p型半導体層との間隔を広くすることによって、高濃度p型半導体層のp型不純物による光吸収作用を抑え、レーザ発振効率の低下を抑制することができる。また、p型不純物の光吸収特性が500nm以上の波長域において顕著となることから、レーザ発振の共振波長は500nm以上であることが好ましい。本発明によれば、開口を有する電流狭窄層上にp型クラッド層が再成長された構成を備えるIII族窒化物半導体レーザ素子において、半極性の再成長界面に存在するn型不純物による影響を低減することができる。以下、添付図面を参照しながら本発明によるIII族窒化物半導体レーザ素子の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子10の構成を示す断面図であって、レーザ共振方向に垂直な断面を示している。この半導体レーザ素子10は、500nm以上540nm以下の発振波長の緑色レーザ光を出力するIII族窒化物半導体レーザ素子である。半導体レーザ素子10は、支持基板としての半導体基板12と、n型半導体領域14と、活性層16と、第1のp型半導体領域18と、電流狭窄層20と、第2のp型半導体領域22と、アノード電極24と、カソード電極26とを備えている。半導体基板12は、III族窒化物半導体からなり、一実施例ではn型GaNからなる。半導体基板12は、III族窒化物半導体結晶の半極性面を含む主面12a及び裏面12bを有する。すなわち、半導体基板12を構成するIII族窒化物のc軸は、主面12aの法線軸に対して傾斜している。半導体基板12の主面12aの傾斜角は、主面12aの法線ベクトルとc軸との成す角度によって規定される。この角度は、10度以上80度以下の範囲にあることができ、或いは100度以上170度以下の範囲にあることができる。半導体基板12が例えばGaNである場合、この角度範囲によればGaNの半極性の性質を提供できる。さらに、傾斜角は63度以上80度以下の範囲にあることが好ましく、或いは100度以上117度以下の範囲にあることが好ましい。この角度範囲によれば、500nm以上の発光のための活性層16後述に好適なIn組成のInGaN層を提供できる。また、半導体基板12を構成するIII族窒化物のc軸は、m軸の方向に傾斜していることが好ましい。更に、半導体基板12を構成するIII族窒化物のc軸は、主面12aに対して略75度の傾斜角でもってm軸の方向に傾斜していると尚好ましい。典型的な主面12aの面方位は、{20-21}である。n型半導体領域14は、n型のIII族窒化物半導体からなる。n型半導体領域14は、半導体基板12の主面12a上に設けられており、主面12aの法線方向に積層された一又は複数の半導体層からなる。本実施形態のn型半導体領域14は、主面12a上に順に積層されたn型クラッド層14a、第1の下部光ガイド層14b、及び第2の下部光ガイド層14cを有する。n型クラッド層14a、第1の下部光ガイド層14b、及び第2の下部光ガイド層14cは、n型のIII族窒化物半導体からなる。一実施例では、n型クラッド層14aはn型AlGaN、n型InAlGaN等からなることができ、第1の下部光ガイド層14bはn型GaNからなることができ、第2の下部光ガイド層14cはn型InGaNからなることができる。第2の下部光ガイド層14cのIn組成は例えば0.025である。これらn型クラッド層14a、第1の下部光ガイド層14b、及び第2の下部光ガイド層14cそれぞれの厚さは、例えば1200nm、250nm、150nmである。また、これらn型クラッド層14a、第1の下部光ガイド層14b、及び第2の下部光ガイド層14cのn型不純物は例えばSiであり、その濃度は、例えば2×1018cm-3である。活性層16は、単一層からなることができ、或いは量子井戸構造単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造を有することができる。なお、図1には、単一量子井戸構造のための井戸層16aおよびバリア層16bが示されている。井戸層16aはInGaN等からなることができ、バリア層16bはGaN又はInGaN等からなることができる。一実施例では、井戸層16aの厚さは例えば2.5nmであり、バリア層16bの厚さは例えば10nmである。活性層16の発光波長は、井戸層16aのバンドギャップやIn組成、その厚さ等によって制御される。一実施例では、井戸層16aのIn組成は0.20であり、このようなIn組成は、波長510nmといった緑色の発光を井戸層16aに生じさせることができる。第1のp型半導体領域18は、p型のIII族窒化物半導体からなる。第1のp型半導体領域18は、活性層16上に設けられており、主面12aの法線方向に積層された一又は複数の半導体層からなる。本実施形態の第1のp型半導体領域18は、活性層16上に順に積層された第2の上部光ガイド層18b及び第1の上部光ガイド層18aを有する。なお、第2の上部光ガイド層18bと活性層16との間には、アンドープの第3の上部光ガイド層19が設けられている。前述したように、半導体基板12の主面12aは、III族窒化物半導体の半極性面を含んでいる。したがって、その結晶軸方向に成長するn型半導体領域14、活性層16、及び第1のp型半導体領域18の各表面もまた、III族窒化物半導体の半極性の性質を有する。すなわち、第1のp型半導体領域18の表面後述する第2のp型半導体領域22との界面は、III族窒化物半導体の半極性面を含む。第2の上部光ガイド層18b及び第1の上部光ガイド層18aは、p型のIII族窒化物半導体からなる。一実施例では、第2の上部光ガイド層18bはp型InGaNからなることができ、第1の上部光ガイド層18aはp型GaNからなることができる。第2の上部光ガイド層18bのIn組成は例えば0.025である。これら第2の上部光ガイド層18b及び第1の上部光ガイド層18aの各厚さは、例えばそれぞれ40nm、200nmである。また、これら第2の上部光ガイド層18b及び第1の上部光ガイド層18aのp型不純物は例えばMgである。第1の上部光ガイド層18aのp型不純物濃度は、例えば5×1017cm-3以上3×1018cm-3以下の範囲内であり、好適には1×1018cm-3である。また、第3の上部光ガイド層19は、アンドープのIII族窒化物半導体からなり、一実施例ではInGaNからなることができる。第3の上部光ガイド層19のIn組成は例えば0.025である。第3の上部光ガイド層19の厚さは、例えば80nmである。電流狭窄層20は、第1のp型半導体領域18上に堆積した多結晶若しくはアモルファス状のIII族窒化物半導体例えばAlNから成る層である。このような電流狭窄層20は、III族窒化物半導体を低温例えば500°Cにて成長させることによって好適に得られる。電流狭窄層20は、所定のレーザ共振方向に延びる開口20aを有しており、III族窒化物半導体レーザ素子10に供給された電流に該開口20aを通過させることにより、電流狭窄を行う。なお、所定のレーザ共振方向と直交する方向における開口20aの幅W1は例えば2μmであり、所定のレーザ共振方向における開口20aの長さは例えば600μmである。また、電流狭窄層20の厚さは、例えば10nmである。第2のp型半導体領域22は、p型のIII族窒化物半導体からなる。第2のp型半導体領域22は、電流狭窄層20の開口20aを埋め込むように電流狭窄層20上及び第1のp型半導体領域18上に設けられており、電流狭窄層20の開口20aが形成された後に、第1のp型半導体領域18上及び電流狭窄層20上に再成長された領域である。第2のp型半導体領域22は、主面12aの法線方向に積層された一又は複数の半導体層からなる。本実施形態の第2のp型半導体領域22は、電流狭窄層20上及び第1のp型半導体領域18上に順に積層されたp型クラッド層22a、下部コンタクト層22b、及び上部コンタクト層22cを有する。p型クラッド層22a、下部コンタクト層22b、及び上部コンタクト層22cは、p型のIII族窒化物半導体からなる。一実施例では、p型クラッド層22aはp型AlGaN、p型InAlGaN等からなることができ、下部コンタクト層22bはp型GaNからなることができ、上部コンタクト層22cは高濃度p型GaNからなることができる。これらp型クラッド層22a、下部コンタクト層22b、及び上部コンタクト層22cそれぞれの厚さは、例えば400nm、40nm、10nmである。また、これらp型クラッド層22a、下部コンタクト層22b、及び上部コンタクト層22cのp型不純物は例えばMgである。p型クラッド層22aにおけるp型不純物濃度は、例えば5×1018cm-3以上2×1019cm-3以下の範囲内であり、好適には1×1019cm-3である。なお、上述したように、電流狭窄層20が多結晶若しくはアモルファス状のIII族窒化物半導体例えばAlNから成るので、その上に成長するp型クラッド層22aの結晶性は良好となり、また、p型クラッド層22a内部におけるクラックの発生が低減される。アノード電極24は、第2のp型半導体領域22の上部コンタクト層22c上に設けられており、上部コンタクト層22cとオーミック接触を成している。アノード電極24は、例えばPdが上部コンタクト層22c上に蒸着されて成り、その厚さは例えば100nmである。カソード電極26は、半導体基板12の裏面12b上に設けられており、半導体基板12とオーミック接触を成している。カソード電極26は、例えばTi/Alが裏面12bに蒸着されて成る。ここで、本実施形態の第1のp型半導体領域18は、高濃度p型半導体層18cを更に有する。高濃度p型半導体層18cは、第1のp型半導体領域18の最上層に位置することによって、第1のp型半導体領域18と第2のp型半導体領域22との界面を構成する。換言すれば、高濃度p型半導体層18cは、第1の上部光ガイド層18a上に設けられており、p型クラッド層22a及び電流狭窄層20と第1の上部光ガイド層18aとの間に挟まれている。高濃度p型半導体層18cは、p型のIII族窒化物半導体からなる。一実施例では、高濃度p型半導体層18cはp型GaN等からなることができる。高濃度p型半導体層18cは、1×1020cm-3以上3×1020cm-3以下といった比較的高いp型不純物濃度を有する。このようなp型不純物濃度は、高濃度p型半導体層18cに隣接する第1の上部光ガイド層18aやp型クラッド層22aのp型不純物濃度よりも格段に大きい数値であり、これらの層のp型不純物濃度よりも例えば一桁ないし二桁程度大きい数値である。高濃度p型半導体層18cのp型不純物は例えばMgである。高濃度p型半導体層18cの厚さは10nm以下であることが好ましい。以上の構成を備える半導体レーザ素子10は、例えば以下のようにして作製される。図2~図5は、半導体レーザ素子10の作製方法の一例における各工程を示す断面図であって、レーザ共振方向に垂直な断面を示している。なお、以下の説明において、半導体の成長にはNH3、TMG、TMA、TMI等の有機金属原料が使用される。また、n型ドーパントSiの原料としてはシランガスが、p型ドーパントMgの原料としてはCp2Mgが、それぞれ用いられる。まず、GaNの{20-21}面を主面12aに含む半導体基板12n型GaNを用意する。次に、この半導体基板12の主面12aに対し、NH3雰囲気下で1100°Cといった高温にて熱処理を行う。続いて、図2aに示されるように、半導体基板12の主面12a上に、n型半導体領域14、活性層16、第3の上部光ガイド層19図2では図示せず、及び第1のp型半導体領域18を順にエピタキシャル成長させる。このとき、n型半導体領域14のn型クラッド層14an型InAlGaN及び第1の下部光ガイド層14bn型GaNの成長温度を例えば900°Cとし、第2の下部光ガイド層14cn型InGaNの成長温度を例えば870°Cとする。また、活性層16の井戸層16aアンドープInGaNの成長温度を例えば700°Cとし、バリア層16bアンドープGaNの成長温度を例えば800°Cとする。また、第1のp型半導体領域18の第2の上部光ガイド層18bp型InGaNの成長温度を例えば800°Cとし、第1の上部光ガイド層18ap型GaNの成長温度を例えば900°Cとし、高濃度p型半導体層18c高濃度p型GaNの成長温度を例えば900°Cとする。その後、電流狭窄層20のためのAlN層30を第1のp型半導体領域18上に成長堆積させる。このとき、AlN層30の成長堆積温度を例えば500°Cとする。こうして、n型半導体領域14、活性層16、第1のp型半導体領域18、及びAlN層30を有する基板生産物32が作製される。続いて、基板生産物32を成長炉から取り出し、図2bに示されるように、フォトレジスト34をAlN層30上に塗布する。そして、図2cに示されるように、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて、フォトレジスト34に開口34aを形成し、このフォトレジスト34を介してAlN層30に対しエッチングを行うことにより、アライメントマークのための開口30aを形成する。続いて、図3aに示されるように、基板生産物32上の全面に、アライメントマークの材料となるZrO2のイオンビーム蒸着を行うことにより、フォトレジスト34上、及び開口30a内の第1のp型半導体領域18上に、ZrO2膜36を形成する。その後、図3bに示されるように、フォトレジスト34の上に蒸着されたZrO2膜36をフォトレジスト34と共に除去するリフトオフ。こうして、ZrO2から成るアライメントマーク38が形成される。続いて、図3cに示されるように、フォトレジスト40をAlN層30上及びアライメントマーク38上に塗布する。そして、図4aに示されるように、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて、フォトレジスト40に開口40aを形成し、このフォトレジスト40を介してAlN層30に対しエッチング好ましくはKOH溶液を用いたウェットエッチングを行うことにより、AlN層30に開口を形成する。これにより、電流狭窄のための開口20aを有する電流狭窄層20が形成される。その後、図4bに示されるように、フォトレジスト40を除去する。こうして、電流狭窄層20を有する基板生産物42が作製される。続いて、基板生産物42を再び成長炉内に投入し、図4cに示されるように、電流狭窄層20上、および開口20a内の第1のp型半導体領域18上に、第2のp型半導体領域22をエピタキシャル成長させる。このとき、第2のp型半導体領域22のp型クラッド層22ap型InAlGaNの成長温度を例えば800°Cとし、下部コンタクト層22bp型GaN及び上部コンタクト層22c高濃度p型GaNの成長温度を例えば900°Cとする。こうして、第2のp型半導体領域22を有する基板生産物44が作製される。続いて、図5に示されるように、基板生産物44の第2のp型半導体領域22上にアノード電極24Pdを蒸着し、アライメントマーク38を用いて、後述するスクライブを行う領域上のアノード電極24をエッチングにより除去する。続いて、半導体基板12の裏面12b上にカソード電極26Ti/Alを蒸着する。そして、所定のレーザ共振方向と交差する面にて基板生産物44を劈開することにより共振端面を形成するとともに、レーザ共振方向に沿った切断面にて切断スクライブを行うことによって、チップ化を行う。こうして、図1に示された構成を備える半導体レーザ素子10が完成する。なお、本実施形態に係る作製方法により実際に半導体レーザ素子10を作製したところ、閾値電流が58mA、閾値電圧が5.9Vとなり、発振波長は510nmであった。以上の構成を備える本実施形態の半導体レーザ素子10によって得られる効果について、従来の半導体レーザ素子が抱える課題とともに説明する。ここで、図6は、比較例としてのIII族窒化物半導体レーザ素子100の構成を示す断面図であって、レーザ共振方向に垂直な断面を示している。この半導体レーザ素子100は、支持基板としての半導体基板112、n型クラッド層113、第1の下部光ガイド層114、第2の下部光ガイド層115、活性層116、第3の上部光ガイド層117、第2の上部光ガイド層118、第1の上部光ガイド層119、電流狭窄層120、p型クラッド層122、p型コンタクト層123、アノード電極124、及びカソード電極126を備えている。半導体基板112は、例えばn型GaNといったIII族窒化物半導体からなる。半導体基板112は、III族窒化物半導体結晶のc面{0001}面を含む主面112a及び裏面112bを有する。すなわち、半導体基板112を構成するIII族窒化物のc軸は、主面112aの法線軸と略一致している。このような主面112aによれば、500nm未満の発光のための活性層116後述に好適なIn組成のInGaN層が提供される。n型クラッド層113及び第1の下部光ガイド層114は、n型のIII族窒化物半導体からなり、半導体基板112の主面112a上に順に積層されている。n型クラッド層113は例えばn型Al0.04Ga0.96Nからなり、第1の下部光ガイド層114は例えばn型GaNからなる。n型クラッド層113及び第1の下部光ガイド層114それぞれの厚さは、例えば2300nm、50nmである。また、これらn型クラッド層113及び第1の下部光ガイド層114のn型不純物は例えばSiであり、その濃度は例えば2×1018cm-3である。第2の下部光ガイド層115は、アンドープIII族窒化物半導体からなり、第1の下部光ガイド層114上に設けられている。第2の下部光ガイド層115は例えばIn0.04Ga0.96Nからなり、その厚さは例えば50nmである。活性層116は、複数の井戸層116aおよびバリア層116bが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。なお、図6には、3層の井戸層116aを含む活性層116が示されている。井戸層116aはInGaN等からなり、バリア層116bはGaN又はInGaN等からなる。井戸層116aの厚さは例えば3nmであり、バリア層116bの厚さは例えば15nmである。第3の上部光ガイド層117は、アンドープIII族窒化物半導体からなり、活性層116上に設けられている。第3の上部光ガイド層117は例えばIn0.04Ga0.96Nからなり、その厚さは例えば50nmである。また、第2の上部光ガイド層118は、p型III族窒化物半導体からなり、第3の上部光ガイド層117上に設けられている。第2の上部光ガイド層118は例えばp型GaNからなり、その厚さは例えば50nmである。また、第1の上部光ガイド層119は、p型のIII族窒化物半導体からなり、第2の上部光ガイド層118上に設けられている。第1の上部光ガイド層119は例えばp型Al0.18Ga0.82Nからなり、その厚さは例えば20nmである。なお、これら第1ないし第3の上部光ガイド層117~119のp型不純物は例えばMgである。第1の上部光ガイド層119のp型不純物濃度は例えば1×1018cm-3である。前述したように、半導体基板112の主面112aは、III族窒化物半導体のc面を含んでいる。したがって、その結晶軸方向に成長する第1の上部光ガイド層119の表面後述するp型クラッド層122との界面もまた、III族窒化物半導体の極性面の性質を有する。電流狭窄層120は、第1の上部光ガイド層119上に堆積した多結晶若しくはアモルファス状のIII族窒化物半導体例えばAlNから成る層である。なお、この電流狭窄層120の構成は、開口120aの形状を含め、前述した電流狭窄層20図1を参照と同様である。p型クラッド層122及びp型コンタクト層123は、p型のIII族窒化物半導体からなる。p型クラッド層122は、電流狭窄層120の開口120aを埋め込むように電流狭窄層120上及び第1の上部光ガイド層119上に設けられており、電流狭窄層120の開口120aが形成された後に、電流狭窄層120上及び第1の上部光ガイド層119上に再成長された層である。p型クラッド層122は例えばp型Al0.06Ga0.94Nからなり、p型コンタクト層123は例えば高濃度p型GaNからなる。p型クラッド層122及びp型コンタクト層123それぞれの厚さは、例えば500nm、50nmである。また、p型クラッド層122及びp型コンタクト層123のp型不純物は例えばMgであり、p型クラッド層122における不純物濃度は例えば1×1018cm-3である。アノード電極124は、p型コンタクト層123上に設けられており、p型コンタクト層123とオーミック接触を成している。カソード電極126は、半導体基板112の裏面112b上に設けられており、半導体基板112とオーミック接触を成している。図7は、以上の構成を備える半導体レーザ素子100の厚さ方向における、二次イオン質量分析の結果を示すグラフである。なお、図7では、横軸が半導体レーザ素子100の厚さ方向位置原点はp型コンタクト層123の表面位置を示しており、縦軸が二次イオン強度すなわち原子濃度を示している。図7において、グラフG11はAlの分布を示しており、グラフG12はInの分布を示している。また、グラフG13はp型不純物であるMgの分布を示しており、グラフG14はn型不純物であるSiの分布を示している。図7のグラフG14を参照すると、比較例としての半導体レーザ素子100では、深さ位置0.55μm付近すなわち、p型半導体領域内部の第1の上部光ガイド層119とp型クラッド層22aとの界面付近において、n型不純物であるSiの濃度が高くなっていることがわかる。その濃度は、n型クラッド層113や第1の下部光ガイド層114のSi濃度と同等か若しくはそれより大きい。このようなSi濃度のピークの原因は、次のようなものであると考えられる。上述した構成を備える半導体レーザ素子100を作製する際、電流狭窄層120の開口120aは、電流狭窄層120にエッチングを施すことによって形成される。このとき、電流狭窄層120の開口120aから露出した第1の上部光ガイド層119の表面すなわち、p型クラッド層122との再成長界面には、n型ドーパントとなる酸素やシリコンといった不純物の付着パイルアップが発生する。通常、有機金属原料を用いたCVDによって半導体層を成長させる場合、H2若しくはNH3等を用いた1000°C以上での表面クリーニングを成長界面に対して実施する。そして、このクリーニングによって、上述したような不純物は好適に除去される。しかしながら、電流狭窄層120を有する構成においてこのような高温でのクリーニングを行うと、アモルファス状である電流狭窄層120が結晶化し、再成長層p型クラッド層122の結晶品質が低下してしまう。したがって、p型クラッド層122の再成長工程の前にこのような高温でのクリーニングを行うことは難しい。したがって、n型不純物が残留する再成長界面上にp型クラッド層122を成長させることとなる。ここで、図8a及び図8bは、半導体レーザ素子100のバンド構造を示す図である。なお、図8a及び図8bにおいて、BG1は井戸層116aにおけるバンドギャップを示しており、一点鎖線Aは第1の上部光ガイド層119とp型クラッド層122との再成長界面を示している。図8aに示されるように、第1の上部光ガイド層119とp型クラッド層122との再成長界面にn型不純物が残留すると、残留したn型不純物によるエネルギー準位ELが再成長界面Aに生じる。そして、このエネルギー準位ELを介して伝導帯の電子eと価電子帯の正孔hとの非発光再結合が生じ、電流の損失が生じる図中の矢印L。これにより、半導体レーザ素子100の閾値電流密度が上昇してしまう。また、再成長界面Aの活性層116側にもp型半導体領域第1の上部光ガイド層119が存在するので、図8bに示されるように、局所的なpnp構造図中のB部分が形成されてしまい、半導体レーザ素子100の動作電圧が上昇してしまう。図1に示された本実施形態の半導体レーザ素子10においても、電流狭窄層20の開口20aは、電流狭窄層20にエッチングを施すことによって形成される図4a及び図4bを参照。したがって、開口20aから露出した第1のp型半導体領域18の表面には、n型ドーパントとなる酸素やシリコンといった不純物の付着パイルアップが発生する。また、このようなパイルアップは、本実施形態のように再成長界面が半極性面である場合に特に顕著となる。すなわち、緑色光を発生する半導体レーザ素子10においては、活性層16におけるピエゾ電界を低減する為に、III族窒化物半導体の半極性面を主面12aとする半導体基板12が用いられている。このような場合、再成長界面も半極性面となる。そして、半極性面ではダングリングボンド原子における未結合手が多く露出するので、c面、a面、或いはm面といった低面指数面と比較して、n型不純物の取り込みが多くなってしまう。このような問題点に対し、本実施形態の半導体レーザ素子10では、第1のp型半導体領域18が、第1のp型半導体領域18と第2のp型半導体領域22との界面を構成する高濃度p型半導体層18cを有している。すなわち、第1のp型半導体領域18の高濃度p型半導体層18cは第2のp型半導体領域22に接している。更に、この高濃度p型半導体層18cは、1×1020cm-3以上といった極めて高いp型不純物濃度を有している。前述したように、第1のp型半導体領域18上に第2のp型半導体領域22を再成長させる際、第1のp型半導体領域18の表面にはn型ドーパントとなる酸素やシリコンといった不純物の付着パイルアップが発生する。しかしながら、この半導体レーザ素子10では、高濃度p型半導体層18cのp型不純物が拡散してn型不純物を補償するので、n型不純物による影響閾値電流密度が上昇や動作電圧の上昇が抑えられる。すなわち、この半導体レーザ素子10によれば、半極性の再成長界面に存在するn型不純物による影響を低減することができる。また、本実施形態のように、高濃度p型半導体層18cの厚さは10nm以下であることが好ましい。本発明者の知見によれば、再成長界面に存在するn型不純物の厚さ方向分布の半値幅は10nm程度であり、高濃度p型半導体層18cの厚さがこの値を超えないことによって、過剰なp型不純物濃度を有する領域がn型不純物のパイルアップ領域よりも広くなることを防ぎ、半導体レーザ素子10の良好な動作特性を保持することができる。また、本実施形態のように、高濃度p型半導体層18cは、第1のp型半導体領域18にのみ設けられてもよい。このような構成によれば、上述した効果を好適に奏する半導体レーザ素子10を提供できる。なお、本実施形態に拘わらず、高濃度p型半導体層は、第2のp型半導体領域22に設けられても良い。具体的には、高濃度p型半導体層は、第1のp型半導体領域18上に第2のp型半導体領域22を再成長させる際に、p型クラッド層22aの前に成長されても良い。或いは、高濃度p型半導体層は、第1及び第2のp型半導体領域18,22の双方に設けられても良い。これらの高濃度p型半導体の配置によっても、上述した効果を好適に奏する半導体レーザ素子10を提供できる。また、本実施形態のように、活性層16の第1のp型半導体領域18側の界面と、高濃度p型半導体層18cの活性層16側の界面との距離は200nm以上であることが好ましい。このように活性層16と高濃度p型半導体層18cとの間隔を広くすることによって、高濃度p型半導体層18cのp型不純物による光吸収作用を抑え、レーザ発振効率の低下を抑制することができる。なお、本実施形態では、上記距離は第3の上部光ガイド層19、第2の上部光ガイド層18b、及び第1の上部光ガイド層18aの合計厚さに相当し、一実施例では320nmである。また、p型不純物の光吸収特性は、500nm以上の波長域において特に顕著となる。したがって、高濃度p型半導体層18cのp型不純物による光吸収作用を抑え、レーザ発振効率の低下を更に抑制する為には、レーザ発振の共振波長は500nm以上であることが好ましい。好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。"