"X線用に用いられるX線用回折格子の製造方法であって、格子状に凹凸構造を形成した基板における前記凹凸構造の凹部を、超臨界化学堆積法によって前記X線に作用する金属で埋める金属埋設工程を備え、前記格子状の凹凸構造は、前記金属埋設工程によって前記凹部が前記金属で埋められた場合に、X線に対する回折条件を満たすことを特徴とするX線用回折格子の製造方法。前記金属埋設工程は、溶媒を超臨界流体に相変位させる超臨界流体化工程と、前記超臨界流体の溶媒に、前記金属の元素を含む金属化合物を溶質として溶解する溶解工程と、前記超臨界流体の溶媒に溶解した前記金属化合物を前記凹凸構造の凹部内に導入する導入工程と、前記凹凸構造の凹部内に導入した前記金属化合物から前記金属を析出させる析出工程とを備えることを特徴とする請求項1に記載のX線用回折格子の製造方法。前記超臨界流体化される溶媒原料は、二酸化炭素であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のX線用回折格子の製造方法。前記金属は、金または白金であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のX線用回折格子の製造方法。前記超臨界流体化された溶媒原料に溶解される溶質原料は、ダイメチルアセチルアセトネート金Dimethylgold、Au2または1,5-シクロオクタジエンダイメチルプラチナ15cyclooctadieneDimethylplatinum、[Pt2]であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のX線用回折格子の製造方法。前記基板の元となる元基板の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層を前記格子状にパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層を除去するパターニング工程と、ドライエッチング法によって前記レジスト層を除去した部分に対応する前記元基板をエッチングして前記凹凸構造の基板を形成するエッチング工程とをさらに備えることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のX線用回折格子の製造方法。前記元基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のX線用回折格子の製造方法。前記ドライエッチング法は、RIEであることを特徴とする請求項6または請求項7に記載のX線用回折格子の製造方法。前記ドライエッチング法は、ボッシュプロセスであることを特徴とする請求項6ないし請求項8のいずれか1項に記載のX線用回折格子の製造方法。X線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計に用いられるX線用回折格子を製造する請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の回折格子の製造方法。請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の回折格子の製造方法によって製造されたX線用回折格子。X線を放射するX線源と、前記X線源から放射されたX線が照射されるタルボ干渉計またはタルボロー干渉計と、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計によるX線の像を撮像するX線撮像素子とを備え、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計は、請求項11に記載のX線用回折格子を含むことを特徴とするX線撮像装置。そこで、近年、アスペクト比の高い孔や凹部あるいは溝等の内部に超臨界流体を用いて導電体を選択的に設ける超臨界化学堆積法が開発され、例えば、特許文献2に提案されている。この特許文献2に開示の導電体の選択形成方法は、導電体を設ける凹部が形成された被処理体および前記導電体の主成分となる金属を含む金属化合物を超臨界流体を含む雰囲気下に配置するとともに、前記金属化合物の少なくとも一部を前記超臨界流体中に溶解させ、前記超臨界流体中に溶解した前記金属化合物を前記被処理体の表面に接触させて前記凹部内に選択的に導入するとともに、前記凹部内に導入された前記金属化合物を前記凹部内で凝集させて前記金属化合物から前記金属を析出させ、前記凹部内に析出した前記金属を固化させることにより前記凹部内に前記導電体を設ける方法である。ところで、前記特許文献2に開示の導電体の選択形成方法は、集積回路等のマイクロエレクトロニクス素子における配線形成用溝、プラグ形成用孔あるいは電極形成用凹部等の内部に金属を充填することを想定して開発された技術であり、X線用として10μmオーダー以上あるいは100μmオーダー以上の深さを有する高アスペクト比の周期構造を有する格子状の凹凸構造に対する超臨界化学堆積法の適用は、検討されておらず、示唆もされていない。本発明は、上述の事情に鑑みて為された発明であり、その目的は、超臨界化学堆積法を用いたX線用回折格子の製造方法ならびにこの製造方法によって製造されたX線用回折格子およびこのX線用回折格子を用いたX線撮像装置を提供することである。本発明者は、種々検討した結果、上記目的は、以下の本発明により達成されることを見出した。すなわち、本発明の一態様にかかるX線用回折格子の製造方法は、X線用に用いられるX線用回折格子の製造方法であって、格子状に凹凸構造を形成した基板における前記凹凸構造の凹部を、超臨界化学堆積法によって前記X線に作用する金属で埋める金属埋設工程を備え、前記格子状の凹凸構造は、前記金属埋設工程によって前記凹部が前記金属で埋められた場合に、X線に対する回折条件を満たすことを特徴とする。そして、このX線用回折格子の製造方法において、好ましくは、前記金属埋設工程は、溶媒を超臨界流体に相変位させる超臨界流体化工程と、前記超臨界流体の溶媒に、前記金属の元素を含む金属化合物を溶質として溶解する溶解工程と、前記超臨界流体の溶媒に溶解した前記金属化合物を前記凹凸構造の凹部内に導入する導入工程と、前記前記凹凸構造の凹部内に導入した前記金属化合物から前記金属を析出させる析出工程とを備えることを特徴とする。ここで、X線に作用するとは、格子を構成する金属の部分と残余の部分とを比較した場合に、残余部分に対し金属部分が当該回折格子の使用目的に応じて有意にX線を吸収する吸収作用、当該回折格子の使用目的に応じて有意にX線の位相を変化させる位相変化作用、および、当該回折格子の使用目的に応じて有意にX線を反射する反射作用をいい、X線に作用する金属とは、当該回折格子の使用目的に応じて吸収作用、位相変化作用および反射作用のうちのいずれかの作用を持つ金属をいう。この構成によれば、超臨界化学堆積法を用いてX線用回折格子を製造することができる。このため、このような構成のX線用回折格子の製造方法は、前記凹凸構造の凹部内に、より緻密に金属を埋め込むことができ、いわゆるボイドが生じ難い。特に、前記凹凸構造の凹部が、X線用として10μmオーダー以上、好ましくは100μmオーダー以上の深さを有する高アスペクト比であっても、さらには例えばCVD法や電鋳法めっき法によって金属を埋め込み難い微細構造の高アスペクト比であっても、このような構成のX線用回折格子の製造方法は、前記凹凸構造の凹部内に、より緻密に金属を埋め込むことができる。また、他の一態様では、これら上述のX線用回折格子の製造方法において、前記超臨界流体化される溶媒原料は、二酸化炭素であることを特徴とする。このような構成のX線用回折格子の製造方法では、前記超臨界流体化される溶媒原料が二酸化炭素CO2であるので、超臨界流体化条件は、温度が約31°C以上であって圧力が約7.4MPa以上という比較的達成容易な条件となる。このため、このような構成のX線用回折格子の製造方法は、比較的容易に実現することができる。また、他の一態様では、これら上述のX線用回折格子の製造方法において、前記金属は、金または白金であることを特徴とする。そして、好ましくは、これら上述のX線用回折格子の製造方法において、前記超臨界流体化された溶媒原料に溶解される溶質原料は、ダイメチルアセチルアセトネート金Dimethylgold、Au2、または、1,5-シクロオクタジエンダイメチルプラチナ15cyclooctadieneDimethylplatinum、[Pt2]である。このような構成のX線用回折格子の製造方法では、X線用回折格子の金属部分がX線に対し好適な金Auまたは白金Ptとなる。このため、このような構成のX線用回折格子の製造方法は、X線用回折格子の金属部分の厚さをより薄くすることができ、高アスペクト比の中でも、他の金属でX線用回折格子の金属部分を形成する場合に較べて、アスペクト比をより低くすることができる。このため、このような構成のX線用回折格子の製造方法は、比較的容易に実行することができる。また、他の一態様では、これら上述のX線用回折格子の製造方法において、前記基板の元となる元基板の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層を前記格子状にパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層を除去するパターニング工程と、ドライエッチング法によって前記レジスト層を除去した部分に対応する前記元基板をエッチングして前記凹凸構造の基板を形成するエッチング工程とをさらに備えることを特徴とする。この構成によれば、元基板から、前記凹凸構造を有する前記基板を形成することができる。また、他の一態様では、これら上述のX線用回折格子の製造方法において、前記元基板は、シリコン基板であることを特徴とする。このような構成のX線用回折格子の製造方法は、前記元基板がシリコン基板であるので、技術的に確立された既存のシリコン加工技術を用いることができ、このため、高精度な凹凸構造を形成することができる。また、他の一態様では、これら上述のX線用回折格子の製造方法において、前記ドライエッチング法は、RIEReactiveIonEtching、反応性イオンエッチングであることを特徴とする。このような構成のX線用回折格子の製造方法は、RIEによって異方性エッチングを行うことができるので、深さ方向主面表面に垂直な方向に沿って元基板をエッチングすることができ、比較的容易に前記凹部を形成することができる。また、他の一態様では、これら上述のX線用回折格子の製造方法において、前記ドライエッチング法は、ボッシュプロセスであることを特徴とする。このような構成のX線用回折格子の製造方法は、ボッシュプロセスによって元基板がドライエッチングされるので、前記凹部の側面がより平坦となり、高精度にX線用回折格子を形成することができる。また、他の一態様では、これら上述のX線用回折格子の製造方法は、X線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計に用いられるX線用回折格子を製造する場合に用いられる。上述したように、X線では、高アスペクト比が求められるが、これら上述のX線用回折格子の製造方法を用いることによって、高アスペクト比の金属部分を備えたX線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計に用いられる回折格子やマルチスリット板のX線用回折格子を製造することができる。そして、本発明の他の一態様にかかる回折格子は、これら上述のいずれかのX線用回折格子の製造方法によって製造される。これら上述のX線用回折格子の製造方法によって製造されるX線用回折格子は、高アスペクト比の金属部分を備えることができる。このため、このような構成のX線用回折格子は、例えば、X線タルボ干渉計またはX線タルボロー干渉計により好適に用いることができる。また、本発明の他の一態様にかかるX線撮像装置は、X線を放射するX線源と、前記X線源から放射されたX線が照射されるタルボ干渉計またはタルボロー干渉計と、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計によるX線の像を撮像するX線撮像素子とを備え、前記タルボ干渉計またはタルボロー干渉計は、上述のX線用回折格子を含むことを特徴とする。このような構成のX線撮像装置は、タルボ干渉計またはタルボロー干渉計を構成する回折格子に、上述のX線用回折格子を用いるので、より確実に回折され、より鮮明なX線の像を得ることができる。本発明におけるX線用回折格子の製造方法は、超臨界化学堆積法を用いてX線用回折格子を製造することができる。そして、本発明は、この製造方法によって製造されたX線用回折格子およびこのX線用回折格子を用いたX線撮像装置を提供することができる。以下、本発明にかかる実施の一形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、適宜、その説明を省略する。また、本明細書において、総称する場合には添え字を省略した参照符号で示し、個別の構成を指す場合には添え字を付した参照符号で示す。回折格子図1は、実施形態における金属格子の構成を示す斜視図である。本実施形態の金属格子DGは、図1に示すように、第1シリコン層11と、第1シリコン層11上に形成された格子12とを備えて構成される。第1シリコン部分11は、図1に示すようにDxDyDzの直交座標系を設定した場合に、DxDy面に沿った板状または層状である。格子12は、所定の厚さH格子面DxDyに垂直なDz方向格子面DxDyの法線方向の長さを有して一方向Dxに線状に延びる複数の第2シリコン部分12aと、前記所定の厚さHを有して前記一方向Dxに線状に延びる複数の金属部分12bとを備え、これら複数の第2シリコン部分12aと複数の金属部分12bとは、前記一方向Dxに直交する方向Dyに交互に、前記方向Dyを法線とするDxDz面に平行に、配設される。このため、複数の金属部分12bは、前記一方向Dxと直交する方向Dyに所定の間隔を空けてそれぞれ配設される。言い換えれば、複数の第2シリコン層12aは、前記一方向Dxと直交する方向Dyに所定の間隔を空けてそれぞれ配設される。この所定の間隔ピッチPは、本実施形態では、一定とされている。すなわち、複数の金属部分12b複数の第2シリコン部分12aは、前記一方向Dxと直交する方向Dyに等間隔Pでそれぞれ配設され、周期構造となっている。第2シリコン部分12aは、前記DxDy面に直交するDxDz面に沿った板状または層状である。これら第1シリコン層11および複数の第2シリコン部分12aは、X線を透過するように機能し、複数の金属部分12bは、X線に作用するように機能する。このため、金属格子DGは、一態様として、金属部分12bを形成する金属としてX線に作用する金属を選択するとともに、X線に対する回折条件を満たすように、前記所定の間隔PをX線の波長に応じて適宜に設定することにより、回折格子として機能する。金属部分12bの金属は、一態様として、X線を吸収するものが好適に選択され、例えば、原子量が比較的重い元素の金属や貴金属、より具体的には、例えば、金Auおよびプラチナ白金、Pt等である。また、金属部分12bは、例えば仕様に応じて充分にX線を吸収することができるように、適宜な厚さHとされている。この結果、金属部分12bにおける幅Wに対する厚さHの比アスペクト比=厚さ/幅は、例えば、5以上の高アスペクト比とされている。金属部分12bの幅Wは、前記一方向長尺方向Dxに直交する方向幅方向Dyにおける金属部分12bの長さであり、金属部分12bの厚さは、前記一方向Dxとこれに直交する前記方向Dyとで構成される平面の法線方向深さ方向Dzにおける金属部分12bの長さである。このような金属部分12bを備える金属格子DGは、X線用の金属格子DGを製造するための製造装置を用い、格子状に凹凸構造を形成した基板における前記凹凸構造の凹部を、超臨界化学堆積法によって前記X線に作用する金属で埋める金属埋設工程を備えるX線用回折格子の製造方法で製造される。前記凹部は、1次元格子では、例えば、周期的に配列されたスリット溝であり、また2次元格子では、周期的に配列された柱状穴柱状孔等である。以下、まず、X線用金属格子の製造装置について説明し、次に、前記凹部がスリット溝である前記X線用金属格子DGの製造方法について、詳述する。なお、凹部が例えば柱状穴等の他の形状であっても同様である。図2は、実施形態における、X線用金属格子を製造するための製造装置の全体構成を示す図である。図3は、図2に示す実施形態の製造装置における耐圧反応容器の内部構成を示す断面図である。図2および図3において、本実施形態におけるX線用金属格子の製造装置Sは、第1および第2ボンベ21、24と、送液用ポンプ22と、第1および第2圧力調整機構付きバルブ23、25と、耐圧反応容器26と、第1ないし第3バルブ27、28、29とを備えている。第1ボンベ21は、超臨界流体化される超臨界流体の原料を貯蔵する容器である。第1ボンベ21は、送液用ポンプ22、圧力調整機構付きバルブ23、第1バルブ27および第2バルブ28を介設した第1供給系統を介して耐圧反応容器26に接続される。超臨界流体supercriticalfluidは、臨界点criticalpoint以上の温度および圧力下にある物質の状態であって、気液の差がなくなり液体でも気体でもない流体の状態である。超臨界流体は、気体の拡散性および液体の溶解性を持つ。超臨界流体の原料は、例えば、二酸化炭素CO2等である。CO2は、超臨界流体になると、表面張力がほぼ0となり、高拡散性を持ち、また、他の物質を溶解する能力溶媒能が高く、様々な物質をよく溶解する。しかも、臨界点以下にすると、CO2は、気化するため、溶質のみが残る。このため、X線用金属格子を製造する際の超臨界化学堆積法の溶媒として、CO2は、好適である。そして、CO2の臨界点は、臨界温度が304.1Kであって、臨界圧力が7.38MPa72.8atmである。このため、CO2は、温度が約31°C以上であって圧力が約7.4MPa以上で超臨界流体となり、CO2の臨界流体化条件物質を超臨界流体化させる条件は、常温に近く比較的低圧であり、比較的達成容易な条件となる。第2ボンベ24は、後述する金属化合物Mから金属を析出させる作用を促進するための原料析出促進原料を貯蔵する容器である。第2ボンベ24は、圧力調整機構付きバルブ25、第1バルブ27および第2バルブ28を介設した第2供給系統を介して耐圧反応容器26に接続される。なお、第1バルブ27および第2バルブ28を介設した系統部分は、第1および第2供給系統で共通に用いられている。析出促進原料は、金属化合物Mに応じて適宜に選択される。本実施形態では、後述するように、前記金属として金Auが用いられる場合には、金属化合物Mとして、ダイメチルアセチルアセトネート金Dimethylgold、Au2が用いられ、また、前記金属として白金Ptが用いられる場合には、金属化合物Mとして、1,5-シクロオクタジエンダイメチルプラチナ15cyclooctadieneDimethylplatinum、[Pt2]が用いられる。このため、本実施形態では、析出促進原料は、例えば、還元作用を持つ水素H2等である。なお、H2は、この析出促進作用を持つだけでなく、超臨界流体に対する金属化合物の飽和溶解度を高める作用エントレーナ効果も持つ。送液用ポンプ22は、第1ボンベ21から流出する超臨界流体の原料を超臨界流体となる圧力まで昇圧し、圧力調整機構付きバルブ23、第1バルブ27および第2バルブ28を介して耐圧反応容器26へ送るためのポンプである。圧力調整機構付きバルブ23、25は、流体の通過または遮断するように流体の流通を制御し、流通する流体の圧力を調整するためのバルブである。第1ないし第3バルブ27、28、29は、流体の通過または遮断するように流体の流通を制御するためのバルブである。第3バルブ29は、第1バルブ27および第2バルブ28に接続され、排気系統に用いられている。なお、第1および第2ボンベ21、24は、上述したように、ボンベで供給される、本製造装置で用いられる原料を貯蔵する容器であり、本実施形態では、このような原料が超臨界流体の原料および析出促進原料の2個であることから、本実施形態の製造装置は、2個の第1および第2ボンベ21、24を備えたが、ボンベで供給される、本製造装置で用いられる原料の個数に応じた適宜な個数のボンベおよびそれに付属する供給系統を備えてよい。耐圧反応容器26は、超臨界流体の原料に対応した臨界点以上の耐圧性能および耐熱性能を持ち、格子状に凹凸構造を形成した基板における凹凸構造の凹部を、超臨界化学堆積法によってX線に作用する金属で埋める金属埋設工程を行うための容器である。このような耐圧反応容器26は、例えば、図3に示すように、容器本体261と、前記基板SBを支持する台座262と、容器本体261内を加熱する図略のヒータとを備えている。台座262は、容器本体261内に設けられる。前記金属埋設工程を行う場合には、前記金属化合物Mは、容器本体261内に収容され、基板SBは、前記凹凸構造の凹部における開口を開放するように、かつ、前記凹凸構造の凹部における開口から底に向かう方向に重量が作用するように、台座262に載置され、容器本体261内に収容される。次に、X線用金属格子の製造方法について説明する。図4および図5は、実施形態におけるX線用金属格子の製造方法を説明するための図である。図6は、実施形態のX線用金属格子の製造方法における超臨界化学堆積工程を説明するための図である。本実施形態におけるX線用回折格子の製造方法は、大略、格子状に凹凸構造を形成した基板を作製する基板作製工程と、前記基板作製工程によって作製された前記基板における前記凹凸構造の凹部を、超臨界化学堆積法によって前記X線に作用する金属で埋める金属埋設工程とを備えている。前記基板作製工程は、前記基板の元になる元基板ブランク基板の主面上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層を前記格子状にパターニングして前記パターニングした部分の前記レジスト層を除去するパターニング工程と、ドライエッチング法によって前記レジスト層を除去した部分に対応する前記元基板をエッチングして前記凹凸構造の基板を形成するエッチング工程と備えている。そして、前記金属埋設工程は、溶媒を超臨界流体に相変位させる超臨界流体化工程と、前記超臨界流体の溶媒に、前記金属の元素を含む金属化合物を溶質として溶解する溶解工程と、前記超臨界流体の溶媒に溶解した前記金属化合物を前記凹凸構造の凹部内に導入する導入工程と、前記前記凹凸構造の凹部内に導入した前記金属化合物から前記金属を析出させる析出工程とを備えている。基板作製工程について、より具体的に説明すると、本実施形態の金属格子DGを製造するために、まず、元基板ブランク基板として、シリコン基板30が用意される図4A。このように元基板としてシリコン基板30を用いることによって、技術的に確立された既存のシリコン加工技術を用いることができ、このため、高精度な高アスペクト比のスリット溝SDを比較的容易に形成することができる。次に、シリコン基板30の主面上にレジスト層33が形成されレジスト層形成工程、図4B、このレジスト層40をパターニングして前記パターニングした部分のレジスト層40が除去されるパターニング工程、図4C、図5A。レジスト層とは、エッチングの際に、該エッチングに抗して保護膜として機能する層である。例えば、レジスト層40は、次のエッチング工程のエッチング処理に対し耐性のある材料であってよい。耐性のあるとは、エッチング処理において、全くエッチングされないという意味である必要はなく、比較的エッチングされ難いという意味であり、エッチングすべきエッチング対象部分がエッチングされる間、エッチングすべきではない非エッチング対象部分を保護する保護膜として機能するという意味である。このようなレジスト層40は、例えば、リソグラフィーにおいて使用され、光可視光だけでなく紫外線等も含むや電子線等によって溶解性等の物性が変化する材料であり、例えば、感光性樹脂や電子線露光用樹脂等である。本実施形態では、例えば、レジスト層40に、感光性樹脂層40aが用いられる。この場合では、より具体的には、まず、レジスト層形成工程として、シリコン基板30の主面上に感光性樹脂層40aが例えばスピンコート等によって形成される図4B。次に、フォトリソグラフィー工程として、感光性樹脂層40aにリソグラフィーマスク41を押し当てて、感光性樹脂層40aにリソグラフィーマスク41を介して紫外線42が照射され、感光性樹脂層40aがパターン露光され、現像される図4C。そして、露光されなかった部分あるいは露光された部分の感光性樹脂層40aが除去される図5A。なお、上述では、レジスト層40は、感光性樹脂層40aであったが、他の材料で形成された層であってもよい。例えば、レジスト層40は、例えば、次のエッチング工程のエッチング処理に対し耐性を有するシリコン酸化膜二酸化シリコンSiO2膜40b、金属酸化膜40cおよび金属膜40d等であってよい。このような金属酸化膜40cは、例えば、アルミナ膜Al2O3膜等であり、また、このような金属膜40dは、例えば、アルミニウム膜Al膜等である。このようなレジスト層4040b、40c、40dは、種々の方法によって形成することができる。より具体的には、例えば、レジスト層40がシリコン酸化膜40bである場合には、このシリコン酸化膜40bは、例えば、公知の常套手段である熱酸化法、化学気相成長法ChemicalVaporDeposition、CVD、陽極酸化法およびスパッタ法等の種々の成膜方法によって形成される。また例えば、レジスト層40が金属酸化膜40cである場合には、この金属酸化膜40cは、例えば、化学気相成長法およびスパッタ法等の成膜方法によって成膜される。また例えば、レジスト層40が金属膜40dである場合には、この金属膜40dは、例えば、真空蒸着法およびスパッタ法等の成膜方法によって成膜される。これらシリコン酸化膜40b、金属酸化膜40cおよび金属膜40d等がパターニングされたレジスト層40として用いられる場合には、これらシリコン酸化膜40b、金属酸化膜40cおよび金属膜40d等をパターニングするために、感光性樹脂層フォトレジスト膜が用いられる。すなわち、まず、シリコン基板30に形成されたシリコン酸化膜40b、金属酸化膜40cおよび金属膜40d等のレジスト層40上に感光性樹脂層が例えばスピンコート等によって形成され、続いて、フォトリソグラフィー工程として、前記感光性樹脂層にリソグラフィーマスクが押し当てられ、前記感光性樹脂層に前記リソグラフィーマスクを介して紫外線が照射され、前記感光性樹脂層がパターン露光され、現像される。そして、露光されなかった部分あるいは露光された部分の前記感光性樹脂層が除去される。そして、パターニングされた前記感光性樹脂層をマスクに、エッチングによって前記感光性樹脂層の除去された部分における、シリコン酸化膜40b、金属酸化膜40cおよび金属膜40d等のレジスト層40が除去されてこのレジスト層40がパターニングされる。例えば、レジスト層40がシリコン酸化膜40bである場合には、例えば、CHF3ガスの反応性リアクティブエッチングRIEによってシリコン酸化膜40bがパターニングされる。また例えば、フッ酸のウェットエッチングによってシリコン酸化膜40bがパターニングされる。このパターニング工程におけるレジスト層40としてのシリコン酸化膜40bのエッチングは、他のエッチング方法であってもよい。また例えば、レジスト層40が金属酸化膜40cの一例のアルミナ膜40cである場合には、塩素ガスを用いたRIEによってこのアルミナ膜40cがパターニングされる。また例えば、レジスト層40が金属膜40dの一例のアルミニウム膜40dである場合には、塩素ガスを用いたRIEによってこのアルミニウム膜40dがパターニングされる。そして、次に、ドライエッチング法によってレジスト層40を除去した部分に対応するシリコン基板30が、前記法線方向Dzに第1の所定の深さHまでエッチングされる。これによってスリット溝SDが形成される図5B、エッチング工程。なお、図7には、エッチング工程後におけるシリコン基板30の一構造例が示されており、この場合では、図5Bには、図7に示すAA’線でのこのシリコン基板30の断面が示されている。より具体的には、パターニングされた感光性樹脂層40をマスクとして、シリコン基板30における表面から所定の深さHまで、ICPInductivelyCoupledPlasmaドライエッチングでシリコン基板30がエッチングされる。このICPドライエッチングは、好ましくは、ICP装置によるASEプロセスである。このASEAdvancedSiliconEtchプロセスとは、SF6プラズマ中のFラジカルとFイオンによるRIE反応性イオンエッチングによってシリコン基板のエッチングを行う工程と、C4F8プラズマ中のCFxラジカルおよびそれらのイオンの重合反応によって、テフロン登録商標に近い組成を有するポリマー膜を壁面に堆積させて保護膜として作用させる工程とを繰り返し行うものである。また、高アスペクト比でより垂直なエッチングができるため、より好ましくは、ボッシュBoschプロセスのように、SF6プラズマがリッチな状態と、C4F8プラズマがリッチな状態とを交互に繰り返すことで、側壁保護と底面エッチングとを交互に進行させてもよい。なお、ドライエッチング法は、ICPドライエッチングに限定するものではなく、他の手法であってもよい。例えば、いわゆる、並行平板型リアクティブイオンエッチングRIE、磁気中性線プラズマNLDドライエッチング、化学支援イオンビームCAIBエッチングおよび電子サイクロトロン共鳴型リアクティブイオンビームECRIBエッチング等のエッチング技術であってもよい。このような各工程を実施することによって、前記基板SBとして、格子状に凹凸構造を形成したシリコン基板30が作製される。なお、X線用回折格子としてX線用回折格子DGを製造する場合には、前記格子状の凹凸構造は、次の金属埋設工程によってスリット溝SDが所定の金属で埋められた場合にX線に対する回折条件を満たすように、X線の波長に応じて適宜に設定される。一例を挙げると、スリット溝SDの幅Wが2μmで、その深さが100μmで、そして、ピッチPが4μmである周期的な凹凸構造を持つシリコン基板30SBが作製された。ここで、このエッチングされてDxDz面に沿って残ったシリコン基板30の板状部分層状部分、壁部32が第2シリコン部分12aとなり、このエッチングされてDxDy面に沿って残ったシリコン基板30の板状部分基部31が第1シリコン部分11となる。次に、金属埋設工程が実施される。この金属埋設工程では、まず、耐圧反応容器26の容器本体261内における台座262上に、格子状に凹凸構造を形成したシリコン基板30が載置され、そして、金属化合物Mが容器本体261内に配置される。金属化合物Mは、金属部分12bを形成する金属を含む化合物であって、超臨界流体化された溶媒原料本実施形態ではCO2に溶解される溶質原料であり、金属部分12bの元になる。金属化合物Mは、製造装置の簡易化や低コスト化の観点から、融点が比較的低温であって製造工程を比較的低温で実施することができることが好ましい。例えば、金属部分12bを金で形成する場合には、金属化合物Mは、例えば、比較的低温の約60°C以上で製造工程を実施可能であるダイメチルアセチルアセトネート金Au2等の、金を含む化合物である。また例えば、金属部分12bを白金で形成する場合には、金属化合物Mは、例えば、比較的低温の約60°C以上で製造工程を実施可能である約60°Cである1,5-シクロオクタジエンダイメチルプラチナ[Pt2]等の、白金を含む化合物である。次に、超臨界流体の原料、本実施形態では、CO2が第1ボンベ21から前記第1供給系統を介して耐圧反応容器26内に供給されるとともに、析出促進原料、本実施形態では、H2が第2ボンベ24から前記第2供給系統を介して耐圧反応容器26内に供給される。この場合において、送液用ポンプ22は、第1ボンベ21から放出されたCO2を臨界圧力以上の圧力になるまで昇圧し、第1および第2圧力制御機構付きバルブ23、25、ならびに、第1および第2バルブ27、28は、開操作され、第3バルブ29は、閉操作される。そして、圧力制御機能付きバルブ23、25の圧力制御機構によって、耐圧反応容器26の容器本体261内におけるCO2およびH2は、CO2の臨界圧力以上である約7.4MPa以上に維持される。そして、図略の前記ヒータによって耐圧反応容器26の容器本体261内が臨界温度以上である約31°C以上に加熱される。これによって耐圧反応容器26の容器本体261内が超臨界流体化条件、例えば圧力約7.4MPaおよび温度約31°Cになると、CO2は、超臨界流体に相変位する超臨界流体化工程。次に、図略の前記ヒータによって耐圧反応容器26の容器本体261内が金属化合物Mの融点温度以上に加熱される。これによって耐圧反応容器26の容器本体261内では、金属化合物Mが融解し、固体から液体へ相変位する。そして、この液体化した金属化合物Mが溶質として超臨界流体化した溶媒原料に溶解し、混合する溶解工程。本実施形態では、耐圧反応容器26の容器本体261内は、前記ヒータによってAu2に対応する約60°C以上に加熱され、これによって固体Au2が液体Au2となり、この液体Au2の一部が分子状となって超臨界流体のCO2中に溶解し、超臨界流体のCO2と混合する。ここで、H2のエントレーナ効果によって金属化合物Mは、過飽和状態となっているが、次の析出工程に金属をより容易に析出されるために、この溶解工程では、金属化合物Mがさらに過飽和状態になるまで超臨界流体化した溶媒原料に溶解することが好ましい。例えば、耐圧反応容器26の容器本体261内の圧力や温度を適宜に揺動させることによって、超臨界流体化したCO2の密度にゆらぎが生じ、金属化合物Mの溶解度を増加させることができる。すなわち、さらなる前記過飽和状態が実現できる。これによって、溶質の金属化合物Mがより高い過飽和状態で溶媒の超臨界流体化CO2中に溶解されるので、次の析出工程で金属をより容易に析出させることができる。そして、このような金属化合物Mが超臨界流体の溶媒原料に溶解した状態では、この溶解した金属化合物Mは、超臨界流体の高拡散性により、スリット溝SDが周期構造を有し微細な高アスペクト比であっても、さらには、スリット溝SDが周期構造を有しX線用として10μmオーダー以上あるいは100μmオーダー以上の深さを有する微細な高アスペクト比であっても、シリコン基板30基板SBのスリット溝SD内に導入される導入工程。より具体的には、本実施形態では、前記状態では、分子化したAu2、超臨界流体のCO2およびH2が共存する雰囲気中に、異質な物体としてシリコン基板30が存在すると、その親和力によってAu2は、シリコン基板30に引き寄せられ、シリコン基板30の表面に接触し、吸着または付着する。ここで、Au2は、表面張力が略0である超臨界流体のCO2に溶解しているため、流動性に富んだ高密度な状態となっており、シリコン基板30の表面に沿って滑らかに流動し、スリット溝SDが周期構造を有し微細な高アスペクト比であっても、前記表面より低い位置にあるスリット溝SDの内部に入り込む。そして、前記溶解した金属化合物Mは、図6に示すように、シリコン基板30のスリット溝SD内に導入されると図6A、超臨界流体のCO2に溶解していた金属化合物Mが遊離し図6B、液体の金属化合物Mがスリット溝SDの底部に析出する。そして、析出促進原料の析出促進作用により、この析出した液体の金属化合物から金属が析出する図6C析出工程。より具体的には、本実施形態では、前記溶解したAu2は、シリコン基板30のスリット溝SD内に導入されると、シリコン基板30の表面付近において、耐圧反応容器26の容器本体261内の雰囲気に密度のゆらぎが生じ、超臨界流体のCO2の密度は、容器本体261内の上部では高く、その下部では低い状態となる。このような状態になると、超臨界流体のCO2に過飽和状態で溶解、好ましくはより高い過飽和状態で溶解していた、前記分子化した分子化したAu2は、液化して液体のAu2となり、液体のAu2がスリット溝SDの底部に析出する。この析出した液体のAu2は、析出促進原料のH2の還元作用により、還元され、金Auがスリット溝SDの底部に析出する。このような金の析出は、スリット溝SDの底部から開口に向けて順次に隙間無く液体のAu2が充填され満たされることに平行して、スリット溝SDの底部から開口に向けて順次に隙間無く進行する。このため、シリコン基板30のスリット溝SDには、いわゆるボイドの発生が防止されつつ、より緻密な金属が形成される。そして、シリコン基板30のスリット溝SDの開口まで金属が析出した頃合いを見計らって、図略の前記ヒータによる加熱が停止され、第1および第2圧力制御機構付きバルブ23、25、ならびに、第1および第2バルブ27、28は、閉操作され、第1および第2圧力制御機構付きバルブ23、25の圧力制御機構が操作される。これによって耐圧反応容器26の容器本体261内の温度または圧力が低下し、容器本体261内は、超臨界流体化条件を満たさなくなり、金属の析出が終了する。その後、第3バルブ29が開操作され、容器本体261内のCO2やH2が排気される。このような各製造工程を経ることによって、図1に示す構成の金属格子DGが製造される。このような製造方法は、超臨界化学堆積法を用いてX線用金属格子DGを製造することができる。このため、このような製造方法は、シリコン基板30基板SBのスリット溝SD内に、より緻密に金属を埋め込むことができ、いわゆるボイドが生じ難い。スリット溝SDが周期構造を有し高アスペクト比であっても、特に、スリット溝SDがX線用として10μmオーダー以上、好ましくは100μmオーダー以上の深さを有する微細な高アスペクト比であっても、さらには例えばCVD法や電鋳法めっき法によって金属を埋め込み難い微細構造の高アスペクト比であっても、超臨界流体の高拡散性により、このような製造方法は、スリット溝SD内に、より緻密に金属を埋め込むことができる。特に、X線タルボ干渉計およびX線タルボロー干渉計に用いられる回折格子は、金属部分12bの高いアスペクト比が求められるが、本実施形態の製造方法は、上述のように、このような高アスペクト比、例えば5倍以上、好ましくは10倍以上、より好ましくは20倍以上に対応することができ、しかもより緻密な金属部分12bを形成することができ、X線タルボ干渉計およびX線タルボロー干渉計に用いられる回折格子の製造方法として好適である。また、上述の製造方法は、溶質の金属化合物M、本実施形態ではAu2やPt2がより高い過飽和状体で溶媒の超臨界流体化CO2に溶解されるので、前記析出工程で金属化合物をより容易に析出させることができる。また、上述の製造方法では、前記超臨界流体化される溶媒原料が二酸化炭素CO2であるので、超臨界流体化条件は、温度が約31°C以上であって圧力が約7.4MPa以上という比較的達成容易な条件となる。このため、このような製造方法は、比較的容易に実現することができる。また、上述の製造方法では、金属部分12bは、金Auまたは白金Ptであり、そのために、上述の製造方法では、前記超臨界流体化された溶媒原料に溶解される溶質原料は、ダイメチルアセチルアセトネート金Dimethylgold、Au2、または、1,5-シクロオクタジエンダイメチルプラチナ15cyclooctadieneDimethylplatinum、[Pt2]である。したがって、このような製造方法では、X線用金属格子DGの金属部分12bがX線に対し好適な金Auまたは白金Ptとなる。このため、このような製造方法は、X線用金属格子DGの金属部分12bの厚さをより薄くすることができ、高アスペクト比の中でも、他の金属でX線用金属格子DGの金属部分12bを形成する場合に較べて、アスペクト比をより低くすることができる。この結果、このような製造方法は、比較的容易に実行することができる。さらに、上記の溶媒原料では、比較的低温で金属埋設工程を実現することができ、この観点からも、このような製造方法は、比較的容易に実行することができる。また、上述の製造方法は、前記元基板がシリコン基板30であるので、技術的に確立された既存のシリコン加工技術を用いることができ、このため、高精度なスリット溝SDを形成することができ、高精度な凹凸構造を形成することができる。また、上述の製造方法は、RIEによって異方性エッチングを行うことができるので、深さ方向主面表面に垂直な方向に沿って元基板をエッチングすることができ、比較的容易にスリット溝SDを形成することができる。また、上述の製造方法は、ボッシュプロセスによって元基板がドライエッチングされるので、スリット溝SDの側面がより平坦となり、高精度にX線用金属格子DGを形成することができる。特に、X線用金属格子DGが回折格子として機能する場合には、入射面あるいは出射面がより平坦となるので、好ましい。また、上述の実施形態では、X線用金属格子DGは、一次元周期構造であったが、これに限定されるものではない。X線用金属格子DGは、例えば、二次元周期構造の金属格子であってもよい。例えば、二次元周期構造のX線用金属格子DGは、格子部材となるドットが線形独立な2方向に所定の間隔を空けて等間隔に配設されて構成される。このような二次元周期構造の金属格子は、平面に高アスペクト比の穴を二次元周期で空け、上述と同様に、その穴を金属で埋める、あるいは、平面に高アスペクト比の円柱を二次元周期で立設させ、上述と同様に、その周りを金属で埋めることによって形成することができる。タルボ干渉計およびタルボロー干渉計上記実施形態の金属格子DGは、高アスペクト比で金属部分12bを形成することができるので、X線用のタルボ干渉計およびタルボロー干渉計に好適に用いることができる。この金属格子DGを用いたX線用タルボ干渉計およびX線用タルボロー干渉計について説明する。図8は、実施形態におけるX線用タルボ干渉計の構成を示す斜視図である。図9は、実施形態におけるX線用タルボロー干渉計の構成を示す上面図である。実施形態のX線用タルボ干渉計100Aは、図8に示すように、所定の波長のX線を放射するX線源101と、X線源101から照射されるX線を回折する位相型の第1回折格子102と、第1回折格子102により回折されたX線を回折することにより画像コントラストを形成する振幅型の第2回折格子103とを備え、第1および第2回折格子102、103がX線タルボ干渉計を構成する条件に設定される。そして、第2回折格子103により画像コントラストの生じたX線は、例えば、X線を検出するX線画像検出器105によって検出される。そして、このX線用タルボ干渉計100Aでは、第1回折格子102および第2回折格子103の少なくとも一方は、前記金属格子DGである。タルボ干渉計100Aを構成する前記条件は、次の式1および式2によって表される。式2は、第1回折格子102が位相型回折格子であることを前提としている。l=λ/a/LZ1Z2式1Z1=m1/2×d2/λ式2ここで、lは、可干渉距離であり、λは、X線の波長通常は中心波長であり、aは、回折格子の回折部材にほぼ直交する方向におけるX線源101の開口径であり、Lは、X線源101から第1回折格子102までの距離であり、Z1は、第1回折格子102から第2回折格子103までの距離であり、Z2は、第2回折格子103からX線画像検出器105までの距離であり、mは、整数であり、dは、回折部材の周期回折格子の周期、格子定数、隣接する回折部材の中心間距離、前記ピッチPである。このような構成のX線用タルボ干渉計100Aでは、X線源101から第1回折格子102に向けてX線が照射される。この照射されたX線は、第1回折格子102でタルボ効果を生じ、タルボ像を形成する。このタルボ像が第2回折格子103で作用を受け、モアレ縞の画像コントラストを形成する。そして、この画像コントラストがX線画像検出器105で検出される。タルボ効果とは、回折格子に光が入射されると、或る距離に前記回折格子と同じ像前記回折格子の自己像が形成されることをいい、この或る距離をタルボ距離Lといい、この自己像をタルボ像という。タルボ距離Lは、回折格子が位相型回折格子の場合では、上記式2に表されるZ1となるL=Z1。タルボ像は、Lの奇数倍=2m1L、mは、整数では、反転像が現れ、Lの偶数倍=2mLでは、正像が現れる。ここで、X線源101と第1回折格子102との間に被検体Sが配置されると、前記モアレ縞は、被検体Sによって変調を受け、この変調量が被検体Sによる屈折効果によってX線が曲げられた角度に比例する。このため、モアレ縞を解析することによって被検体Sおよびその内部の構造が検出される。このような図8に示す構成のタルボ干渉計100Aでは、X線源101は、単一の点光源であり、このような単一の点光源は、単一のスリット単スリットを形成した単スリット板をさらに備えることで構成することができ、X線源101から放射されたX線は、前記単スリット板の前記単スリットを通過して被写体Sを介して第1回折格子102に向けて放射される。前記スリットは、一方向に延びる細長い矩形の開口である。一方、タルボロー干渉計100Bは、図9に示すように、X線源101と、マルチスリット板104と、第1回折格子102と、第2回折格子103とを備えて構成される。すなわち、タルボロー干渉計100Bは、図8に示すタルボ干渉計100Aに加えて、X線源101のX線放射側に、複数のスリットを並列に形成したマルチスリット板104をさらに備えて構成される。このマルチスリット板104は、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造された格子であってよい。マルチスリット板104を、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造することによって、X線をスリット前記複数の第2シリコン部分12aによって透過させるとともにより確実に前記複数の金属部分12bによって遮断することができるので、X線の透過と非透過とをより明確に区別することができるから、マルチスリット板104は、X線源101から放射されたX線を、より確実にマルチ光源とすることができる。そして、タルボロー干渉計100Bとすることによって、タルボ干渉計100Aよりも、被写体Sを介して第1回折格子102に向けて放射されるX線量が増加するので、より良好なモアレ縞が得られる。このようなタルボ干渉計100Aやタルボロー干渉計100Bに用いられる第1回折格子102、第2回折格子103およびマルチスリット板104の一例を挙げると、諸元は、次の通りである。なお、これらの例では、第2シリコン部分12aと金属部分12bとは、同幅に形成され、金属部分12bは、金によって形成される。一例として、X線源101またはマルチスリット板104から第1回折格子102までの距離R1が1.1mであって、X線源101またはマルチスリット板104から第2回折格子103までの距離R2が1.4mである場合では、第1回折格子102は、そのピッチPが5.0μmであり、その金属部分12bの厚さが6μmであり、第2回折格子103は、そのピッチPが3.0μm=1.5μm×2であり、その金属部分12bの厚さが100μmでありアスペクト比=100/1.5、そして、マルチスリット板104は、そのピッチPが12.9μmであり、その金属部分12bの厚さが100μmである。本実施形態の製造方法は、このような微細なX線用金属格子DGも製造可能であり、この結果、タルボ干渉計100Aやタルボロー干渉計100Bにおけるより一層の小型化が可能となる。X線撮像装置前記金属格子DGは、種々の光学装置に利用することができるが、高アスペクト比で金属部分12bを形成することができるので、例えば、X線撮像装置に好適に用いることができる。特に、X線タルボ干渉計を用いたX線撮像装置は、X線を波として扱い、被写体を通過することによって生じるX線の位相シフトを検出することによって、被写体の透過画像を得る位相コントラスト法の一つであり、被写体によるX線吸収の大小をコントラストとした画像を得る吸収コントラスト法に較べて、約1000倍の感度改善が見込まれ、それによってX線照射量が例えば1/100~1/1000に軽減可能となるという利点がある。本実施形態では、前記金属格子DGを用いたX線タルボ干渉計を備えたX線撮像装置について説明する。図10は、実施形態におけるX線用タルボ干渉計を用いたX線撮像装置の構成を示す説明図である。図11は、実施形態のX線撮像装置における形成画像を説明するための図である。図12は、実施形態におけるX線用タルボロー干渉計を用いたX線撮像装置の一部構成を示す説明図である。図10において、X線用タルボ干渉計を用いたX線撮像装置200Aは、X線撮像部201と、第2回折格子202と、第1回折格子203と、X線源204とを備え、さらに、本実施形態では、X線源204に電源を供給するX線電源部205と、X線撮像部201の撮像動作を制御するカメラ制御部206と、本X線撮像装置200の全体動作を制御する処理部207と、X線電源部205の給電動作を制御することによってX線源204におけるX線の放射動作を制御するX線制御部208とを備えて構成される。X線源204は、X線電源部205から給電されることによって、X線を放射し、第1回折格子203へ向けてX線を照射する装置である。X線源204は、例えば、X線電源部205から供給された高電圧が陰極と陽極との間に印加され、陰極のフィラメントから放出された電子が陽極に衝突することによってX線を放射する装置である。第1回折格子203は、X線源204から放射されたX線によってタルボ効果を生じる透過型の回折格子である。第1回折格子203は、例えば、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造された回折格子である。第1回折格子203は、タルボ効果を生じる条件を満たすように構成されており、X線源204から放射されたX線の波長よりも充分に粗い格子、例えば、格子定数回折格子の周期dが当該X線の波長の約20以上である位相型回折格子である。なお、第1回折格子203は、このような振幅型回折格子であってもよい。第2回折格子202は、第1回折格子203から略タルボ距離L離れた位置に配置され、第1回折格子203によって回折されたX線を回折する透過型の振幅型回折格子である。この第2回折格子202も、第1回折格子203と同様に、例えば、上述した実施形態における金属格子DGの製造方法によって製造された回折格子である。これら第1および第2回折格子203、202は、上述の式1および式2によって表されるタルボ干渉計を構成する条件に設定されている。X線撮像部201は、第2回折格子202によって回折されたX線の像を撮像する装置である。X線撮像部201は、例えば、X線のエネルギーを吸収して蛍光を発するシンチレータを含む薄膜層が受光面上に形成された二次元イメージセンサを備えるフラットパネルディテクタFPDや、入射フォトンを光電面で電子に変換し、この電子をマイクロチャネルプレートで倍増し、この倍増された電子群を蛍光体に衝突させて発光させるイメージインテンシファイア部と、イメージインテンシファイア部の出力光を撮像する二次元イメージセンサとを備えるイメージインテンシファイアカメラなどである。処理部207は、X線撮像装置200の各部を制御することによってX線撮像装置200全体の動作を制御する装置であり、例えば、マイクロプロセッサおよびその周辺回路を備えて構成され、機能的に、画像処理部271およびシステム制御部272を備えている。システム制御部272は、X線制御部208との間で制御信号を送受信することによってX線電源部205を介してX線源204におけるX線の放射動作を制御すると共に、カメラ制御部206との間で制御信号を送受信することによってX線撮像部201の撮像動作を制御する。システム制御部272の制御によって、X線が被写体Sに向けて照射され、これによって生じた像がX線撮像部201によって撮像され、画像信号がカメラ制御部206を介して処理部207に入力される。画像処理部271は、X線撮像部201によって生成された画像信号を処理し、被写体Sの画像を生成する。次に、本実施形態のX線撮像装置の動作について説明する。被写体Sが例えばX線源204を内部背面に備える撮影台に載置されることによって、被写体SがX線源204と第1回折格子203との間に配置され、X線撮像装置200のユーザオペレータによって図略の操作部から被写体Sの撮像が指示されると、処理部207のシステム制御部272は、被写体Sに向けてXを照射すべくX線制御部208に制御信号を出力する。この制御信号によってX線制御部208は、X線電源部205にX線源204へ給電させ、X線源204は、X線を放射して被写体Sに向けてX線を照射する。照射されたX線は、被写体Sを介して第1回折格子203を通過し、第1回折格子203によって回折され、タルボ距離L=Z1離れた位置に第1回折格子203の自己像であるタルボ像Tが形成される。この形成されたX線のタルボ像Tは、第2回折格子202によって回折され、モアレを生じてモアレ縞の像が形成される。このモアレ縞の像は、システム制御部272によって例えば露光時間などが制御されたX線撮像部201によって撮像される。X線撮像部201は、モアレ縞の像の画像信号をカメラ制御部206を介して処理部207へ出力する。この画像信号は、処理部207の画像処理部271によって処理される。ここで、図11に示すように、被写体SがX線源204と第1回折格子203との間に配置されているので、被写体Sを通過したX線には、被写体Sを通過しないX線に対し位相がずれる。このため、第1回折格子203に入射したX線には、その波面に歪みが含まれ、タルボ像Tには、それに応じた変形が生じている。このため、タルボ像Tと第2回折格子202との重ね合わせによって生じた像のモアレ縞は、被写体Sによって変調を受けており、この変調量が被写体Sによる屈折効果によってX線が曲げられた角度に比例する。したがって、モアレ縞を解析することによって被写体Sおよびその内部の構造を検出することができ、検出画像を得ることができる。また、被写体Sを複数の角度から撮像することによってX線位相CTcomputedtomographyにより被写体Sの断層画像が形成可能である。そして、本実施形態の第2回折格子202では、高アスペクト比の金属部分12bを備える上述した実施形態における金属格子DGであるので、良好なモアレ縞が得られ、高精度な被写体Sの画像が得られる。また、金属格子DGがボッシュプロセスによってシリコン基板30の板状部分32第2シリコン部分12aがドライエッチングされるので、スリット溝SDの側面がより平坦となり、高精度に第2回折格子202を形成することができる。このため、より良好なモアレ縞が得られ、より高精度な被写体Sの画像が得られる。なお、上述のX線用タルボ干渉計を用いた線撮像装置200Aは、X線源204、第1回折格子203および第2回折格子202によってタルボ干渉計を構成したが、図12に示すように、X線源204のX線放射側にマルチスリット209としての上述した実施形態における金属格子DGをさらに配置することで、タルボロー干渉計を構成してもよい。なお、図12では、X線電源部205、カメラ制御部206、処理部207およびX線制御部208は、その図示が省略されている。このようなX線用タルボロー干渉計を用いたX線撮像装置200Bとすることで、単スリットの場合よりも被写体Sに照射されるX線量を増加することができ、より良好なモアレ縞が得られ、より高精度な被写体Sの画像が得られる。また、上述のX線撮像装置200A、200Bでは、X線源204と第1回折格子203との間に被写体Sが配置されたが、第1回折格子203と第2回折格子202との間に被写体Sが配置されてもよい。また、上述のX線撮像装置200A、200Bでは、X線の像がX線撮像部201で撮像され、画像の電子データが得られたが、X線フィルムによって撮像されてもよい。本発明を表現するために、上述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更および/または改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態または改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態または当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。"