最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成方法において、基板上にレジスト膜を形成し、可変成形電子線により前記レジスト膜に描画パターンを描画した後、前記レジスト膜のレジスト非溶解部の膜減り率が20以下となるように、前記レジスト膜にパドル現像を実施することを特徴とするレジストパターンの形成方法。前記パドル現像の現像時間が15~60sであることを特徴とする請求項1に記載のレジストパターンの形成方法。前記パドル現像の現像液の希釈濃度が20~90であることを特徴とする請求項1または2に記載のレジストパターンの形成方法。前記パドル現像時の温度が2~20°Cであることを特徴とする請求項1から3いずれかに記載のレジストパターンの形成方法。前記パドル現像の現像液が活性剤を含有しないものであることを特徴とする請求項1から4いずれかに記載のレジストパターンの形成方法。前記レジストが、下記構造式1で表される化合物または下記構造式2で表される化合物を含有するものであることを特徴とする請求項1から5いずれかに記載のレジストパターンの形成方法。構造式1:構造式2:請求項1から6いずれかに記載の方法により基板上のレジスト膜にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンが形成された前記レジスト膜をマスクとして前記基板をエッチングすることにより、前記レジストパターンに対応した凹凸パターンを前記基板の表面に形成することを特徴とするパターン化基板の製造方法。しかしながら、特許文献1の方法では、スポット電子線描画装置と可変成形電子線描画装置とを切り替える必要があり、それぞれの描画装置で描画する描画パターンの重ね合わせ精度が低い場合には、この切り替え作業に起因して描画パターンが設計からずれてしまうという問題が生じる可能性がある。さらに、場合によっては描画パターンが断線する可能性もある。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することを可能とするレジストパターンの形成方法を提供することを目的とするものである。さらに本発明は、レジストパターンをマスクとしてエッチングするパターン化基板の製造において、当該レジストパターンに対応した凹凸パターンの加工精度を向上させることを可能とするパターン化基板の製造方法を提供することを目的とするものである。上記課題を解決するために、本発明に係るレジストパターンの形成方法は、最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成方法において、基板上にレジスト膜を形成し、可変成形電子線によりレジスト膜に描画パターンを描画した後、レジスト膜のレジスト非溶解部の膜減り率が20以下となるように、レジスト膜にパドル現像を実施することを特徴とするものである。本明細書において、最小線幅とは、パターンレイアウトの中で最小の線幅を意味する。レジスト非溶解部とは、ポジ型レジストの場合、描画用の電子線の影響を全く受けない領域にあるレジスト膜の部分を意味し、ネガ型レジストの場合は、描画用の電子線の影響を受ける領域にあるレジスト膜の部分を意味する。膜減り率とは、レジスト膜のレジスト非溶解部の現像前における厚さに対する、同じ場所の現像後における厚さ差分の割合を意味する。そして、本発明に係るレジストパターンの形成方法において、パドル現像の現像時間は15~60sであることが好ましい。そして、本発明に係るレジストパターンの形成方法において、パドル現像の現像液の希釈濃度は20~90であることが好ましい。そして、本発明に係るレジストパターンの形成方法において、パドル現像時の温度は2~20°Cであることが好ましい。そして、本発明に係るレジストパターンの形成方法において、パドル現像の現像液は活性剤を含有しないものであることが好ましい。そして、本発明に係るレジストパターンの形成方法において、レジストは、下記構造式1で表される化合物または下記構造式2で表される化合物を含有するものであることが好ましい。構造式1:構造式1において、R01、R02及びR03は、各々独立に、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ar1は、例えば、芳香環基を表す。なお、R03とAr1とがアルキレン基であり、両者が互いに結合することにより、-C-C-鎖と共に、5員又は6員環を形成していてもよい。n個のYは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは酸の作用により脱離する基を表す。nは、1~4の整数を表し、1~2が好ましく、1がより好ましい。構造式2:構造式2中、Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Rは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。aは1~3の整数を表す。bは0~3-aの整数を表す。さらに、本発明に係るパターン化基板の製造方法は、上記に記載の方法により基板上にレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されたレジスト膜をマスクとして基板をエッチングすることにより、レジストパターンに対応した凹凸パターンを基板の表面に形成することを特徴とするものである。本発明に係るレジストパターンの形成方法は、最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成方法において、基板上にレジスト膜を形成し、可変成形電子線によりレジスト膜に描画パターンを描画した後、レジスト膜のレジスト非溶解部の膜減り率が20以下となるように、レジスト膜にパドル現像を実施するものである。本発明者は、レジスト膜のレジスト非溶解部の膜減り率が20以下である場合には、裾野領域電子線の強度プロファイルが裾を引く領域の電子線により描画されたレジスト膜の部分が現像により完全に除去されることを防止できることを見出した。したがって、本発明に係るレジストパターンの形成方法によれば、最小線幅が100nm以下のレイアウトを含む描画パターンを可変成形電子線により描画しても所望の線幅のレジストパターンを形成することができる。この結果、スポット電子線描画装置と可変成形電子線描画装置とを切り替える必要がなく、可変成形電子線描画装置のみで描画パターンを描画することができるため、最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することが可能となる。また、本発明に係るパターン化基板の製造方法は、上記に記載の方法により基板上にレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されたレジスト膜をマスクとして基板をエッチングすることにより、レジストパターンに対応した凹凸パターンを基板の表面に形成するものである。したがって、レジスト膜を描画する際、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することができる。この結果、レジストパターンをマスクとしてエッチングするパターン化基板の製造において、当該レジストパターンに対応した凹凸パターンの加工精度を向上させることが可能となる。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。レジストパターンの形成方法まず、レジストパターンレジストからなる凹凸パターンの形成方法の実施形態について説明する。図1は、電子線の強度プロファイルとレジスト膜の描画との関係を説明する概略断面図である。本実施形態のレジストパターン形成方法は、基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、可変成形電子線によりレジスト膜に最小線幅が100nm以下のレイアウトを含む描画パターンを描画し、その後、レジスト膜のレジスト非溶解部の膜減り率が20以下となるようにレジスト膜にパドル現像を実施するものである。基板3は、表面に凹凸パターンが形成されるパターン化基板の基となる基板である。基板3は、後述するパターン化基板の製造方法によりパターン化されてパターン化基板となる。基板3は、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。基板3の凹凸パターン形成面が、レジストが塗布される面となる。例えば基板3は、6インチシリコンウエハでもよく、6025マスクブランクスであってもよい。構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、シリコン、ニッケル、アルミニウム等の金属材料、石英等のガラス材料、および樹脂などが挙げられる。これらの基板材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。基板3の厚さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。基板3はそのレジストが塗布される面に1層以上のマスク層を有することが好ましい。この場合基板3は、図1に示されるように、支持基板3aおよびマスク層3bから構成される。マスク層3bは、後述するように支持基板3aがエッチングされる際のマスクとして機能する。マスク層3bの材料は、支持基板3aに対するマスク層3bのエッチング選択比が小さくなるような材料から選択される。マスク層3bの材料は、特にクロム、タングステン、チタン、ニッケル、銀、白金、金などの金属材料、および酸化クロム、酸化タングステン、酸化チタンなどの金属酸化物材料が好ましい。さらにマスク層3bは、クロムおよび/または酸化クロムを含有する層を少なくとも1層有することが好ましい。また、基板3の表面は、レジストとの接着性を高めるために、シランカップリング剤やHMDSヘキサメチルジンラザン等により表面処理が施されてもよい。レジスト膜2は、電子線の照射により現像液に可溶となる化学増幅型レジストから構成される。レジスト膜2は、例えば基板3上にレジスト液をスピンコートする等により形成される。上記のようなレジストは、特に限定されるものではないが、特に、富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製PRL009商品名、下記構造式1で表される化合物および下記構造式2で表される化合物等を含有する樹脂を好適に用いることができる。構造式1:構造式1において、R01、R02及びR03は、各々独立に、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ar1は、例えば、芳香環基を表す。なお、R03とAr1とがアルキレン基であり、両者が互いに結合することにより、-C-C-鎖と共に、5員又は6員環を形成していてもよい。n個のYは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは酸の作用により脱離する基を表す。nは、1~4の整数を表し、1~2が好ましく、1がより好ましい。構造式2:構造式2において、Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Rは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表し、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。aは1~3の整数を表す。bは0~3-aの整数を表す。描画パターンの描画は可変成形電子線描画装置を用いて実施する。可変成形電子線描画装置は、電子銃エミッタから発せられる電子線を成形アパーチャーと呼ばれる矩形の穴を透過させることにより電子線形状を矩形に変え、x-yステージの移動に同期させながら矩形状の電子線を連続照射してパターン描画を行う装置である。可変成形電子線描画装置では、成形アパーチャーの穴の透過面積を変更することにより様々な形状の電子線照射範囲の調整が可能である。可変成形電子線描画装置は、スポット電子線描画装置に比べ描画の処理能力がおよそ100倍と非常に高いため、可変成形電子線描画装置のみを用いて描画処理を実施することにより描画処理全体としての処理能力を大幅に向上させることができる。レジスト膜は、描画パターンの各地点における線幅の設計通りの幅に合わせて成形された電子線によって描画される。このような可変成形電子線描画装置としては、例えば株式会社ニューフレアテクノロジー社製のEBM-6000という描画装置を使用することができる。レジストの現像はパドル現像により実施する。このパドル現像は、基板上のレジスト膜の表面に現像液を供給し、その表面張力を利用して現像液でレジスト膜の表面全体を覆った後、現像液の供給を停止し、当該基板を静止させて、または現像液がレジスト膜から飛散しない程度の低速度で当該基板を回転させながら、レジスト膜の現像処理を行う方法である。なおパドル現像後、純水等でリンス処理を施すことにより現像液は除去される。また、上記パドル現像において、現像液の供給は複数回行ってもよい。具体的には、現像液がレジスト膜の表面全体を覆うように当該表面上で現像液の供給手段の1回目の走査を実施し、その後所定の時間経過した後に同様に2回目の走査を実施するようにしてもよい。ここで、走査回数は特に限定されない。パドル現像は、1現像液の使用量を少なくすることができる、2現像欠陥を抑制できるため、浸漬法に比べて現像のコストおよび性能劣化を抑制することが可能になる、等の利点を有する。このようなパドル現像装置としては、例えばHamaTech社製のMaskTrackという現像装置を使用することができる。本発明では、レジスト膜のレジスト非溶解部の現像における膜減り率が20以下となるようにパドル現像を実施する。この膜減り率とは、前述したように、レジスト膜のレジスト非溶解部の現像前における厚さに対する、同じ場所の現像後における厚さ差分の割合を意味する。つまり、レジスト膜のレジスト非溶解部の現像前における厚さをA、同じ場所のレジスト非溶解部の現像後における厚さをBとしたとき、上記膜減り率はA-B/Aで表される。膜減り率は、パドル現像における条件を適宜調整することにより調整される。パドル現像における条件とは、例えば現像時間レジストを現像液に暴露する時間、現像液の濃度および現像液中の活性剤の有無、現像時の液温度、並びに現像液を供給する供給手段の走査回数等である。膜減り率が低下する方向に調整したい場合には、例えば現像時間を短縮し、現像液の濃度を低くし、現像液中の活性剤を使用せず、現像時の温度を下げ、または現像液を供給する走査回数を減らす等の調整を行う。例えば、現像液として水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH2.38アルカリ現像液を使用する場合には、東京応化工業社製の活性剤入りの現像液NMD-Wよりも活性剤なしの現像液NMD-3を使用することが好ましく、現像時間は15~60sであることが好ましく、現像液の希釈濃度は20~90であることが好ましく、パドル現像時の現像液温度は2~20°Cであることが好ましい。また、現像液を供給する供給手段の走査回数は、後述するように現像液を静的な状態に維持しながら現像することが好ましいため、1回または2回であることが好ましい。以下、本発明の作用を説明する。可変成形電子線EBは、成型アパーチャーによって矩形状に成形されるが、電子線EBの強度プロファイルは矩形状の外側の領域に若干の裾野を有している図1。したがって、レジスト膜2は、強度プロファイルが比較的均一な成形領域Raの電子線EBaと裾野領域Rbの電子線EBbとにより描画される。通常、成形領域Raの幅が描画パターンの線幅に合わせて設計されるため、成形領域Raの電子線EBaによって描画されたレジスト膜2の部分2aが描画パターンの所望の線幅となる。そのため、可変成形電子線EBを使用して設計通りの描画パターンを得るためには、裾野領域Rbの電子線EBbによって描画されたレジスト膜2の部分2bを残すように現像することが重要となる。そこで、本発明者は、鋭意検討を行った結果、レジスト膜2のレジスト非溶解部2cの膜減り率が現像の進行度合いを表す指標として有効であることを見出した。そして、その膜減り率が20以下となるように現像を行えば、レジスト膜2の裾野領域Rbの電子線EBbによって描画された部分2bが現像により完全に除去されることを防止できることが確認された。なお、実際にパドル現像を実施する場合には、予め描画されていないレジスト膜を用いて膜減り率と現像条件との関係を取得しておく。以上より、本発明に係るレジストパターンの形成方法によれば、最小線幅が100nm以下のレイアウトを含む描画パターンを可変成形電子線により描画しても所望の線幅のレジストパターンを形成することができる。この結果、スポット電子線描画装置と可変成形電子線描画装置とを切り替える必要がなく、可変成形電子線描画装置のみで描画パターンを描画することができるため、最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することが可能となる。さらに、本発明に係るレジストパターンの形成方法によれば、描画処理の処理能力の高い可変成形電子線描画装置で描画するから、描画処理全体としての処理能力も特許文献1の方法に比してより向上させることができる。パターン化基板の製造方法次に、本発明のパターン化基板の製造方法の実施形態について説明する。本実施形態では、前述したレジストパターンの形成方法を用いてパターン化基板の製造を行う。まず、前述したレジストパターンの形成方法を用いて、所定の凹凸パターンが形成されたレジスト膜を基板上に形成する。次に、パターン形成されたレジスト膜をマスクにして基板のエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを基板上に形成して、所定の凹凸パターンを表面に有するパターン化基板を得る。例えば、パターン化基板は、それ自身がナノインプリント用のモールドとして使用されたり、そのようなモールドを製造するための原盤として使用されたりする。一方、基板3が積層構造を有しており表面上にマスク層3bを含む場合には、前述したレジストパターンの形成方法を用いて、所定の凹凸パターンが形成されたレジスト膜2をマスク層3b付きの基板3上に形成する。次に、レジスト膜2をマスクにしてドライエッチングを行い、レジスト膜2に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを当該マスク層3bに形成し、そのマスク層3bをエッチストップ層にして基板3にさらにドライエッチングを行い、凹凸パターンを基板3上に形成して、所定の凹凸パターンを表面に有するパターン化基板を得る。ドライエッチングとしては、基板に凹凸パターンを形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、反応性イオンエッチングRIE、イオンミリング法、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、反応性イオンエッチングRIE、イオンミリング法が特に好ましい。RIEのエッチャントとしては、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いることができる。以上のように、本発明に係るパターン化基板の製造方法によれば、レジストを描画する際、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することができる。この結果、レジストパターンをマスクとしてエッチングするパターン化基板の製造において、当該レジストパターンに対応した凹凸パターンの加工精度を向上させることが可能となる。上記のような製造方法により得られるモールド1は、例えば図2Aおよび図2Bに示すように、支持部12と、支持部12の表面上に形成された微細な凹凸パターン13とから構成される。支持部12の材料は、例えばシリコン、ニッケル、アルミニウム、クロム、鉄、タンタルおよびタングステン等の金属材料、並びにそれらの酸化物、窒化物および炭化物とすることができる。具体的には、支持部12の材料としては、酸化シリコン、酸化アルミニウム、石英ガラス、パイレックス登録商標ガラスおよびソーダガラス等を挙げることができる。凹凸パターン13の形状は、特に限定されず、ナノインプリントの用途に応じて適宜選択される。例えば典型的なパターンとして図2Aおよび図2Bに示すようなラインスペースパターンである。そして、ラインスペースパターンの凸部の長さ、凸部の幅W1、凸部同士の間隔W2および凹部底面からの凸部の高さ凹部の深さHは適宜設定される。例えば、凸部の幅W1は10~100nm、より好ましくは20~70nmであり、凸部同士の間隔W2は10~500nm、より好ましくは20~100nmであり、凸部の高さHは10~500nm、より好ましくは30~100nmである。また、凹凸パターン13の形状は、その他、矩形、円および楕円等の断面を有するドットが配列したような形状でもよい。本発明のレジストパターンの形成方法の実施例を以下に示す。<現像条件と膜減り率の関係>まず、現像条件を変えて、レジストが上記構造式1で表される化合物Aである場合の膜減り率を算出した。図3は現像条件と膜減り率との関係を示すグラフである。当該グラフ中、項目パドル現像4回は、現像手法がパドル現像であって現像液の供給回数が4回のものであり、現像液が活性剤入りのTMAH2.38であり、現像液の温度が23°Cである場合のデータである。項目パドル現像2回は、現像手法がパドル現像であって現像液の供給回数が2回のものであり、現像液が活性剤入りのTMAH2.38であり、現像液の温度が23°Cである場合のデータである。項目パドル現像1回は、現像手法がパドル現像であって現像液の供給回数が1回のものであり、現像液が活性剤入りのTMAH2.38であり、現像液の温度が23°Cである場合のデータである。項目NMD-3は、現像手法がパドル現像であって現像液の供給回数が1回のものであり、現像液が活性剤無しのTMAH2.38であり、現像液の温度が23°Cである場合のデータである。項目10°Cは、現像手法がパドル現像であって現像液の供給回数が1回のものであり、現像液が活性剤入りのTMAH2.38であり、現像液の温度が10°Cである場合のデータである。項目1:1希釈は、現像手法がパドル現像であって現像液の供給回数が1回のものであり、現像液が、活性剤入りのTMAH2.38の現像液と純水のリンス液を等量で混合した希釈現像液であり、現像液の温度が23°Cである場合のデータである。<実施例1>基板上にレジストを塗布し、可変成形電子線VSBを使用して所定のラインスペースパターンを描画し、その後レジスト膜を現像した。そして、当該条件でどこまでの解像度実用的に好ましいパターンが形成できた時のラインスペースパターンの最小線幅が得られるのかを検討した。本実施例において、レジストは上記構造式1で表される化合物A、現像液は活性剤入りのTMAH2.38、現像手法は現像液の供給回数が1回のパドル現像、現像液の温度は23°C、現像時間は30secである。<実施例2>現像時間が15secである点以外は実施例1と同様である。<実施例3>現像液が活性剤を含有しない点以外は実施例2と同様である。<実施例4>現像液の温度が10°Cである点以外は実施例2と同様である。<実施例5>現像液におけるTMAHの濃度が1.19でありかつ現像時間が30secである点以外は実施例2と同様である。<比較例1>パドル現像における現像液の供給回数が4回でありかつ現像時間が60secである点以外は実施例1と同様である。<比較例2>現像手法がスプレー現像である点以外は比較例1と同様である。<比較例3>レジストが前述したPRL009である点以外は比較例2と同様である。<結果>下記表1は、上記実施例1から5および比較例1から3の現像条件および解像度を示す。この結果、レジスト膜のレジスト非溶解部の膜減り率が20以下となる現像条件の場合には、可変成形電子線のみで最小線幅が100nm以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成が可能であることが確認された。