"基板表面上の段差部を覆うように形成された形成膜にリソグラフィプロセスを通して形成される形成パターンから前記段差部までの距離と前記形成パターンの形状が前記段差部の影響により所定の条件を満たすことができなくなるような前記形成膜領域内のパターン形成不良領域となる可能性に関する不良情報との対応関係である対応関係情報と、前記段差部の形成に用いたレイアウトと、を用いて算出された前記パターン形成不良領域と、前記形成パターンのレイアウトと、を比較することによって前記形成パターンのレイアウトを評価する評価ステップと、前記形成パターンのうち前記パターン形成不良領域となるパターンを不良パターンとして抽出する抽出ステップと、を含み、前記対応関係情報は、前記段差部を形成する際の露光条件および/または第一のパターンに関するプロセス条件に基づいて作成されるとともに前記対応関係を示す関数であり、前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係情報の畳み込み演算を行うことによって算出されることを特徴とするパターンレイアウト評価方法。前記不良パターンをレイアウト補正することを特徴とする請求項1に記載のパターンレイアウト評価方法。前記不良パターンに基づいて、前記段差部の形成に用いたレイアウトを補正することを特徴とする請求項1に記載のパターンレイアウト評価方法。前記対応関係情報は、前記形成パターンを形成する際の露光条件および/または前記形成パターンに関するプロセス条件に基づいて作成された情報であることを特徴とする請求項1に記載のパターンレイアウト評価方法。前記不良パターンが無くなるよう、前記露光条件および/または前記プロセス条件を補正することを特徴とする請求項1に記載のパターンレイアウト評価方法。前記対応関係情報は、前記形成パターンに対応するフォトマスクを介して露光光を照射した場合に前記段差部の側面で反射される反射光に関する情報に基づいて作成された情報であることを特徴とする請求項1に記載のパターンレイアウト評価方法。基板表面上の段差部を覆うように形成された形成膜にリソグラフィプロセスを通して形成される形成パターンから前記段差部までの距離と前記形成パターンの形状が前記段差部の影響により所定の条件を満たすことができなくなるような前記形成膜領域内のパターン形成不良領域となる可能性に関する不良情報との対応関係である対応関係情報と、前記段差部の形成に用いたレイアウトと、を用いて算出された前記パターン形成不良領域と、前記形成パターンのレイアウトと、を比較することによって前記形成パターンのレイアウトを評価し、前記形成パターンのうち前記パターン形成不良領域となるパターンを不良パターンとして抽出する抽出ステップと、前記不良パターンのレイアウトを補正する補正ステップと、補正した前記不良パターンを用いて半導体デバイスを製造する製造ステップと、を含み、前記対応関係情報は、前記段差部を形成する際の露光条件および/または第一のパターンに関するプロセス条件に基づいて作成されるとともに前記対応関係を示す関数であり、前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係情報の畳み込み演算を行うことによって算出されることを特徴とする半導体デバイス製造方法。本発明が解決しようとする課題は、基板の段差部に起因するパターン形成不良領域を、段差部のレイアウト面内で正確かつ短時間に算出するパターンレイアウト評価方法および半導体デバイス製造方法を提供することである。実施形態によれば、パターンレイアウト評価方法が提供される。パターンレイアウト評価方法では、基板表面上の段差部を覆うように形成された形成膜にリソグラフィプロセスを通して形成される形成パターンから前記段差部までの距離と前記形成パターンの形状が前記段差部の影響により所定の条件を満たすことができなくなるような前記形成膜領域内のパターン形成不良領域となる可能性に関する不良情報との対応関係である対応関係情報と、前記段差部の形成に用いたレイアウトと、を用いて算出された前記パターン形成不良領域と、前記形成パターンのレイアウトと、を比較することによって前記形成パターンのレイアウトを評価する。そして、前記形成パターンのうち前記パターン形成不良領域となるパターンを不良パターンとして抽出する。前記形成パターンのレイアウトを評価する際の前記対応関係情報は、前記段差部を形成する際の露光条件および/または第一のパターンに関するプロセス条件に基づいて作成されるとともに前記対応関係を示す関数である。また、前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係情報の畳み込み演算を行うことによって算出される。以下に、本発明に係るパターンレイアウト評価方法および半導体デバイス製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、本実施の形態では、半導体回路の設計データ上のパターンレイアウトおよびマスクデータ上のパターンレイアウトを共にパターンレイアウトとして説明する。したがって、パターンレイアウトとしては、設計データ上のパターンレイアウトを用いてもよいし、マスクデータ上のパターンレイアウトを用いてもよい。実施の形態図1は、本発明の実施の形態に係るパターンレイアウト評価装置の機能ブロック図である。パターンレイアウト評価装置1は、段差起因のハレーションによって生じるホットスポット異常パターンとなる領域を抽出するとともに、抽出したホットスポットを用いて、以降のパターン形成に用いる露光マスクのパターンレイアウトを評価する装置である。パターンレイアウト評価装置1は、ホットスポットとしてレジストパターンの不良発生危険度異常発生の可能性に関するマップ不良発生危険度マップを作成し、パターンレイアウトの評価として、評価対象パターンのレジストパターンがパターン形成不良を起こすか否か評価対象パターンが所定の条件を満たすことができなくなるか否かを検証する。このとき、本実施の形態のパターンレイアウト評価装置1は、段差部を形成するパターンゲート電極などから所定の距離だけ離れた領域を、評価対象パターン形成時にホットスポットとなりうる領域として抽出する。パターンレイアウト評価装置1は、段差部情報入力部11、露光条件入力部12、反射光影響情報記憶部13、不良発生危険度マップ算出部14、第一層情報入力部15、露光不良パターン検出部16、レイアウト補正部17、結果出力部18、制御部19を有している。段差部情報入力部11は、ウェハー基板上で先に形成されるパターン段差パターンに関する情報段差部情報を入力する。ここでの段差パターンは、例えば下層側に形成される段差パターン、評価対象パターンと同じ高さの層に形成されるパターンなどであり、評価対象パターンを形成する前に形成されているパターンである。段差部情報には、段差パターンのパターンレイアウト設計レイアウトまたはマスクレイアウトに関する情報とプロセス条件に関する情報が含まれている。プロセス条件としては、例えば段差パターンの高さ、段差パターンの材料に関する情報例えば光学定数などがある。段差部情報入力部11は、段差部情報を不良発生危険度マップ算出部14へ送る。なお、段差部情報は、段差パターンに限らず、例えばウェハー基板に形成した埋め込み酸化膜STIのレイアウトに関する情報などであってもよい。露光条件入力部12は、段差パターンよりも後に形成される評価対象パターン以下、第一層パターンというを形成する際の露光条件に関する情報を入力する。露光条件には、露光量、露光波長、照明形状などの照明条件、レジスト材料の光学定数、BARCBottomAntireflectiveCoatingの有無に関する情報、BARCの光学特性に関する情報などが含まれている。露光条件入力部12は、露光条件を不良発生危険度マップ算出部14へ送る。反射光影響情報記憶部13は、第一層パターンのフォトマスクを介して露光光を照射した場合に段差パターンの側面凸形状の側面などで反射される反射光に関する情報反射光影響情報を記憶する。反射光影響情報は、反射光の干渉に関する情報を含んで構成され、露光条件やプロセス条件に基づいて作成される。反射光影響情報は、段差パターンからの距離と不良発生危険度ホットスポットの発生確率露光不良領域となる可能性に関する情報との対応関係を示す情報対応関係情報である。反射光影響情報は、これらの対応関係を示す関数であってもよいし、対応関係の分布モデルであってもよい。反射光影響情報は、例えば不良発生危険度が段差パターンから所定の距離反射光の影響が最大となる距離でピークを持つ関数として表される。不良発生危険度マップ算出部14は、反射光影響情報と、露光条件と、段差部情報とを用いて、不良発生危険度マップ露光不良領域を算出する。不良発生危険度マップは、段差パターンの段差側壁面などに起因して生じる第一層パターン形成時のホットスポット反射光の影響が最大化する領域を示すマップ第一のパターン形成不良領域数値分布である。不良発生危険度マップ算出部14は、段差パターンのパターンレイアウトに対して反射光影響情報の畳み込み演算を行うことによって不良発生危険度マップを算出する。第一層情報入力部15は、第一層パターンに関する情報第一層情報を入力する。第一層情報には、第一層パターンのパターンレイアウトに関する情報が含まれている。露光不良パターン検出部16は、第一層情報と、不良発生危険度マップとに基づいて、第一層パターンのうち、露光不良となるパターンを検出する。露光不良となるパターンとしては、例えばピラーパターンなどのレジストパターンが倒壊するパターン、所定寸法よりも太くなるパターン、所定寸法よりも細くなるパターンなどである。レイアウト補正部17は、露光不良パターンになると判定された第一層パターンのレイアウトを補正する。レイアウト補正部17は、レイアウトを補正した後の第一層パターンが露光不良パターンになると判定されないように第一層パターンのレイアウトを補正する。レイアウト補正部17は、第一層パターンの全体を補正してもよいし、露光不良パターンのみを補正してもよい。結果出力部18は、不良発生危険度マップ算出部14が算出した不良発生危険度マップ、露光不良パターン検出部16が検出した露光不良パターン、レイアウト補正部17が補正した第一層パターンのレイアウトを表示または外部出力する。制御部19は、段差部情報入力部11、露光条件入力部12、反射光影響情報記憶部13、不良発生危険度マップ算出部14、第一層情報入力部15、露光不良パターン検出部16、レイアウト補正部17、結果出力部18を制御する。図2は、実施の形態に係るパターンレイアウト評価装置のハードウェア構成を示す図である。パターンレイアウト評価装置1は、CPUCentralProcessingUnit91、ROMReadOnlyMemory92、RAMRandomAccessMemory93、表示部94、入力部95を有している。パターンレイアウト評価装置1では、これらのCPU91、ROM92、RAM93、表示部94、入力部95がバスラインを介して接続されている。CPU91は、パターンレイアウトの評価を行うコンピュータプログラムであるレイアウト評価プログラム97を用いて集積回路のパターンレイアウトの評価を行う。表示部94は、液晶モニタなどの表示装置であり、CPU91からの指示に基づいて、パターンレイアウトを評価する際の種々の情報段差部情報、第一層情報、露光条件、反射光影響情報、不良発生危険度マップ、露光不良パターン、補正した第一層パターンのレイアウトなどを表示する。入力部95は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報を入力する。入力部95へ入力された指示情報は、CPU91へ送られる。レイアウト評価プログラム97は、ROM92内に格納されており、バスラインを介してRAM93へロードされる。CPU91はRAM93内にロードされたレイアウト評価プログラム97を実行する。具体的には、パターンレイアウト評価装置1では、使用者による入力部95からの指示入力に従って、CPU91がROM92内からレイアウト評価プログラム97を読み出してRAM93内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。CPU91は、この各種処理に際して生じる各種データをRAM93内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。本実施の形態のパターンレイアウト評価装置1で実行されるレイアウト評価プログラム97は、前述の各部段差部情報入力部11、露光条件入力部12、反射光影響情報記憶部13、不良発生危険度マップ算出部14、第一層情報入力部15、露光不良パターン検出部16、レイアウト補正部17、結果出力部18、制御部19を含むモジュール構成となっており、上記各部が主記憶装置上にロードされ、上記各部が主記憶装置上に生成されるようになっている。なお、本実施形態のパターンレイアウト評価装置1で実行されるレイアウト評価プログラム97を、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、本実施形態のパターンレイアウト評価装置1で実行されるレイアウト評価プログラム97をインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。また、本実施形態のレイアウト評価プログラム97を、ROM等に予め組み込んでパターンレイアウト評価装置1に提供するように構成してもよい。つぎに、実施の形態に係るパターンレイアウト評価装置1の動作手順を説明する。図3は、パターンレイアウト評価装置の動作手順を示すフローチャートである。パターンレイアウト評価装置1の段差部情報入力部11へは、段差部情報が入力されるステップS10。ここでの段差部情報には、段差パターンのパターンレイアウトに関する情報、段差パターンのパターン高さに関する情報、段差パターンの材料に関する情報などが含まれている。段差部情報入力部11は、段差部情報を不良発生危険度マップ算出部14へ送る。また、露光条件入力部12へは、第一層パターンを形成する際の露光条件が入力されるステップS20。ここでの露光条件には、露光量、露光波長、照明条件、レジスト材料の光学定数などが含まれている。露光条件入力部12は、露光条件を不良発生危険度マップ算出部14へ送る。また、反射光影響情報記憶部13へは、反射光影響情報が入力されステップS30、反射光影響情報記憶部13は反射光影響情報を記憶しておく。この後、不良発生危険度マップ算出部14は、反射光影響情報と、露光条件と、段差部情報とを用いて、不良発生危険度マップの算出を開始する。ここで、不良発生危険度マップの算出対象となるウェハー基板の具体例について説明する。図4は、不良発生危険度マップの算出対象となるパターンレイアウトの一例を示す図である。図4では、不良発生危険度マップの算出対象となるパターンレイアウト段差の原因となるレイヤがゲートG1のパターンレイアウトである場合を示している。ゲートG1は、パターンレイアウト面内の縦方向および横方向にラインパターンとして配置され、この配置に従ってゲートG1がウェハー基板上に形成される。ゲートG1をウェハー基板上に形成した後、ゲートG1の上層部にレジストを塗布して第一層パターンの露光処理を行うと、ゲートG1の側壁面などで露光光が反射される。具体的には、ウェハー基板が段差を有した状態で第一層パターンのリソグラフィ工程を行うと、露光波長、照明条件、レジスト材料の光学定数、ゲート電極材料の光学定数などに依存して、露光光がゲート電極などの凸形状側面で反射する。そして、ウェハー基板上の領域のうち、露光マスクによって遮光された領域であっても、遮光されていない領域に近い露光光強度になり、その結果、第一層パターンで所望のパターンが形成されない場合がある。このような、パターン形成不良は、ウェハー基板段差パターンの断面形状凹凸に起因する露光光の反射によるものである。このため、凸形状の側面などでの反射光の干渉は、露光条件、プロセス条件、パターン配置に依存し、段差パターンから所定距離だけ離れた位置がホットスポットレジストが倒れやすくなる領域などとなりうる。換言すると、段差パターンでの反射光がゲートG1から所定の距離だけ離れた位置で集光して干渉することによって、第一層パターンにパターン不良が発生する場合がある。また、複数箇所の段差形状によって第一層パターン被露光マスクパターンの所定位置に反射光の影響を与える場合、反射光による影響は非常に顕著となる。従来、段差形状に起因するパターン不良は、プロセス上のホットスポットをレイアウトから抽出し、必要に応じてレイアウトを修正するかマスクを補正することで対処していた。この従来の方法では、段差直上の領域に対してホットスポットを抽出しているに過ぎず、反射光に起因するパターン不良に対応できなかった。そこで、本実施の形態では、段差パターンでの段差形状の影響が遠方位置に及ぶことによって第一層パターンでパターン不良が発生する領域を不良発生危険度マップとして作成する。不良発生危険度マップ算出部14は、段差パターンのパターンレイアウトに対して反射光影響情報の畳み込み演算を行うことによって不良発生危険度マップを算出するステップS40。換言すると、パターンレイアウト評価装置1は、下地構造から所定距離の位置で下地構造に起因して発生するホットスポットを求めるため、下地の形成に用いたマスクレイアウトとホットスポットの発生確率との対応関係を示す関数などの畳み込み演算をおこなう。図5は、反射光影響情報の一例を説明するための図である。図5では、反射光影響情報が、段差パターンからの距離と不良発生危険度プロセスへの影響度との対応関係を示す関数動径関数31である場合を示している。この動径関数31は、例えば図5に示すように、不良発生危険度が段差パターンから所定の距離0.5μmでピークを有している。このように、第一層パターンの露光時に露光光がハレーションをおこすことによって第一層の露光パターンに与える影響は、ゲートパターンから例えば0.5μm程度離れた位置で最も強くなる。このことは、事前の評価実験やFDTD法を用いたリソグラフィシミュレーションによって明らかになったものである。動径関数31に対応する不良発生危険度の分布情報分布関数32は、段差パターンからの距離に応じて変化する。ここでの分布情報32は、不良発生危険度の高さが同心円状に分布した円形分布である場合を示している。例えば、不良発生危険度マップの作成対象がピラーパターンの下層や同層である場合、動径関数31は、ピラーパターンのパターン倒壊関数段差パターンからの距離とピラーパターンの倒壊可能性との対応関係となる。図5に示した動径関数31、分布情報32は、例えば照明形状がノーマル照明である場合の分布情報である。ノーマル照明以外の照明形状としては、例えば輪帯照明、4つ目照明四極照明、ダイポール照明二極照明などがあり、本実施の形態では、照明形状に応じた動径関数31および分布情報32を用いて不良発生危険度マップを算出する。図6は、不良発生危険度マップの一例を示す図である。図6では、図4に示したパターンレイアウトに対して算出した不良発生危険度マップ21を示している。不良発生危険度マップ21は、第一層パターンを形成した際に不良発生の危険度ピラーパターンの倒壊可能性などが高くなる順番で、領域21a、領域21b、領域21c、領域21dのように示される。つぎに、第一層情報入力部15に第一層情報が入力されるステップS50。露光不良パターン検出部16は、第一層情報と、不良発生危険度マップとに基づいて、第一層パターンレジストパターンのうち、露光不良となるパターンを検出するステップS60。換言すると、露光不良パターン検出部16は、第一層パターンの露光用マスクレイアウトから、ホットスポットに該当する領域に配置されているパターンを抽出する。ここで、露光不良となるか否かの評価対象となる第一層パターンの具体例について説明する。図7~図9は、評価対象となる第一層パターンを説明するための図である。図7は、評価対象となる第一層パターンがピラーパターンである場合を示す図である。ここでのピラーパターンは、ゲート形成後のイオン注入の際に用いられるレジストパターンである。ウェハー基板B上に高さ約300nmのゲートG1のパターンを形成した後a、ゲートG1およびウェハー基板B上にレジスト第一の膜R1が塗布されるb。この後、ウェハー基板Bの露光処理が行われ、第一層パターン第一のパターンのレジストパターンとして、高さ約900nmのピラーパターンPが形成されるc。このピラーパターンPは、ゲートG1との距離が約400nmとなる位置に形成される。そして、ピラーパターンPおよびゲートG1をマスクとして、ウェハー基板Bへのインプライオン注入が行われるd。本実施の形態のパターンレイアウト評価装置1は、例えばcの処理で形成されるピラーパターンPを露光不良となるか否かの評価対象とする。具体的には、ピラーパターンPが倒壊するか否かを判定することによって、パターンレイアウトの評価を行う。また、評価対象となる第一層パターンとしては、2重露光プロセスの2回目に形成されるレジストパターン2ndレジストパターンがある。2重露光プロセスには、2回の露光処理と2回の加工処理エッチング処理とを含んだ第1の2重露光プロセスと、2回の露光処理と1回の加工処理エッチング処理とを含んだ第2の2重露光プロセスと、がある。図8は、評価対象となる第一層パターンが第1の2重露光プロセスで形成される2ndレジストパターンである場合を説明するための図である。ウェハー基板B上にゲートG1の膜が積層された後、ゲートG1の膜上に1回目のレジストパターンである1stレジストパターンレジストR1が形成されるa。この後、RelacsプロセスとしてレジストR1の加熱処理が行われ、これにより、レジストR1の外周部に熱硬化層Hが形成されるb。このレジストR1および熱硬化層Hをマスクとして、ゲートG1がパターニングされるc。ゲートG1およびウェハー基板B上に2回目のレジストとしてレジストR2が塗布される。この後、ウェハー基板Bの露光処理が行われ、第一層パターンに対応するレジストパターンとして、レジストR2のパターンが形成される。このとき、レジストR2のパターンは、ゲートG1の一部分を覆うとともに、ゲートG1の他の部分を露出させるようパターニングされるd。この後、RelacsプロセスとしてレジストR2の加熱処理が行われ、これにより、レジストR2の外周部に熱硬化層Hが形成されるe。このレジストR2および熱硬化層Hをマスクとして、再びゲートG1がパターニングされるf。本実施の形態のパターンレイアウト評価装置1は、例えばdの処理で形成されるレジストR2のパターンを露光不良となるか否かの評価対象とする。具体的には、レジストR2のパターン寸法が所定の寸法よりも細くなるか否か、または所定の寸法よりも太くなるかを判定することによって、パターンレイアウトの評価を行う。なお、bの処理で行ったRelacsプロセスは省略してもよい。図9は、評価対象となる第一層パターンが第2の2重露光プロセスで形成される2ndレジストパターンである場合を説明するための図である。ウェハー基板B上にゲートG1の膜が積層された後、ゲートG1の膜上に1回目のレジストパターンであるレジストR1のパターンが形成されるa。この後、レジストスリミングとして、例えばレジストR1の等方的ドライエッチングなどが行われ、これによりスリミング化したレジストスリミングレジストS1が形成されるb。さらに、ゲートG1の膜上に2回目のレジストパターンであるレジストR2が形成されるc。そして、レジストR2のレジストスリミングが行われ、これによりスリミング化したレジストスリミングレジストS2が形成されるd。この後、このスリミングレジストS1,S2をマスクとして、ゲートG1がパターニングされるe。本実施の形態のパターンレイアウト評価装置1は、例えばcの処理で形成されるレジストR2のパターンを露光不良となるか否かの評価対象とする。具体的には、レジストR2のパターン寸法が所定の寸法よりも細くなるか否か、または所定の寸法よりも太くなるかを判定することによって、パターンレイアウトの評価を行う。なお、bやdの処理で行ったレジストスリミングは省略してもよい。不良発生危険度マップ21上に第一層パターンの露光時に用いるマスク上でのパターンがあれば、そのパターンは該露光時においてレジストパターンの倒壊や欠損の可能性がある。そこで、露光不良パターン検出部16は、不良発生危険度マップ21に第一層パターンのレイアウトを重ね合わせて比較することによって、各第一層パターンが露光不良となるか否かを判断し、第一層パターンのうち露光不良となるパターン不良パターンを検出する。例えば、評価対象となる第一層パターンがピラーパターンPである場合、露光不良パターン検出部16は、ピラーパターンPのうち倒壊する確率が所定値よりも高いピラーパターンPを露光不良パターンとして検出し抽出する。露光不良パターン検出部16は、露光不良パターンの抽出の際に、例えば不良発生危険度マップ21の数値分布と、第一層パターンの露光用マスクレイアウトを2値化して得られる数値分布と、の積を評価値として算出する。そして、露光不良パターン検出部16は、この評価値が予め定めた基準閾値を超えるパターンを露光不良危険度の高いパターン露光不良パターンとして抽出する。また、露光不良パターン検出部16は、露光不良パターンの抽出の際に、不良発生危険度マップ21の数値分布を予め定めた基準閾値の等高線に変換するとともに、この等高線をレイアウト情報に変換してもよい。この場合、露光不良パターン検出部16は、等高線をレイアウト情報に変換したものと、第一層パターンのパターンレイアウトと、を図形処理によって比較し、比較結果に基づいて露光不良パターンを抽出する。露光不良パターン検出部16が露光不良パターンの抽出の際に用いる基準閾値は、例えば、事前の実験またはシミュレーションを行った際に露光不良パターンに該当したパターンが、露光不良パターン検出部16による露光不良パターンとして抽出されるよう設定しておく。図10は、ピラーパターンが倒壊するか否かの判定処理を説明するための図である。第一層パターンがピラーパターンPである場合、露光不良パターン検出部16は、ピラーパターンP毎にピラーパターンPが倒壊する確率を算出する。露光不良パターン検出部16は、ピラーパターンPのうち不良発生危険度マップ21と重なる面積の割合に基づいて、ピラーパターンPが倒壊する確率を算出する。このとき、露光不良パターン検出部16は、不良発生の危険度毎領域21a~21dに、重み付けをしてピラーパターンPが倒壊する確率を算出してもよい。露光不良パターン検出部16は、ピラーパターンPが倒壊する確率が所定値以上である場合に、ピラーパターンPが倒壊すると判定する。レイアウト補正部17は、露光不良パターンになると判定された第一層パターンのレイアウトを補正するステップS70。レイアウト補正部17は、レイアウトを補正した後の第一層パターンが露光不良パターンにならないと判定されるよう第一層パターンのレイアウトを補正する。図11は、パターンレイアウトの補正方法を説明するための図である。レイアウト補正部17は、例えばピラーパターンPの面積を大きくすることによって第一層パターンのレイアウトを補正する。これにより、ピラーパターンPは、ピラーパターンPよりも面積の大きなピラーパターンQに補正される。この後、補正された第一層パターンを用いて露光マスクが作成され、この露光マスクを用いて半導体デバイスが作製される。なお、本実施の形態では、段差部情報、露光条件、反射光影響情報の順番で、各情報をパターンレイアウト評価装置1に入力する場合について説明したが、これらの情報は何れの順番で入力してもよい。また、本実施の形態では、不良発生危険度マップ21を算出した後に、第一層情報をパターンレイアウト評価装置1に入力する場合について説明したが、第一層情報は不良発生危険度マップ21を算出する前にパターンレイアウト評価装置1に入力してもよい。この場合、段差部情報、露光条件、反射光影響情報、第一層情報は何れの順番でパターンレイアウト評価装置1に入力してもよい。また、本実施の形態では、レイアウト補正部17が段差パターンを補正する場合について説明したが、レイアウト補正部17は、第一層パターンを補正してもよい。また、本実施の形態では、パターンレイアウトを補正する場合について説明したが、露光条件などのプロセスを変更してもよい。また、評価対象となる段差パターンや第一層パターンは、図7~図9で説明した以外のレイヤであってもよい。例えば、段差パターンをSTIShallowTrenchIsolationとして不良発生危険度マップを作成し、第一層パターンをゲート電極としてレイアウト評価を行ってもよい。また、不良発生危険度マップの作成は1つの段差パターンに対して行う場合に限らず、複数の段差パターンに基づいて不良発生危険度マップを作成してもよい。また、段差部情報には、段差パターンの材料に関する情報とともに段差パターンと第一層パターンの間に積層される層間膜などの情報例えば光学定数を含めておいてもよい。また、不良発生危険度マップは、第一層パターンのレジストパターンが露光不良となるマップに限らず、エッチング後の第一層パターン自体がパターン異常となるマップであってもよい。また、本実施の形態では、パターンレイアウト評価装置1が不良発生危険度マップを算出して、第一層パターンのレイアウト補正を行う場合について説明したが、パターンレイアウト評価装置1は第一層パターンのレイアウト補正を行うことなく不良発生危険度マップの算出のみを行ってもよい。この場合、レイアウト評価プログラム97は、不良発生危険度マップの算出を行う。また、パターンレイアウト評価装置1は、予め作成された不良発生危険度マップを用いて第一層パターンのレイアウト補正を行ってもよい。この場合、レイアウト評価プログラム97は、第一層パターンのレイアウト補正を行う。このように実施の形態によれば、段差パターンのパターンレイアウトに基づいて不良発生危険度マップを算出するので、段差パターンに起因する第一層パターンでの露光不良領域を、段差パターンレイアウト面内半導体製品のレイアウト全体で正確かつ短時間に算出することが可能になる。また、段差パターンのパターンレイアウトに基づいて算出された不良発生危険度マップを用いて第一層パターンレイアウトの評価やレイアウト補正を行うので、段差パターンに起因して第一層パターンで露光不良領域が発生するか否かを正確かつ短時間で評価することが可能となる。また、段差パターンに起因した露光不良が発生しないよう第一層パターンをレイアウト補正することが可能となる。不良発生危険度マップは、第一層パターンを形成する際の露光条件、段差パターンに関するプロセス条件に基づいて算出されるので、段差パターンに起因する第一層パターンでの露光不良領域を正確に算出することが可能になる。"