"基板上に、金属を含有する細線電極と、該細線電極と電気的に接続する導電性ポリマー含有層とが形成された透明導電性基板において、該細線電極が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板上に付与した後、該導電性インクの焼成温度T0°Cより低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°CでS1分加熱された後に、焼成温度T0°CでS2分加熱され、かつ該焼成温度T0°Cと該溶剤の揮発温度よりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1>50°Cの関係を満たすことを特徴とする透明導電性基板。前記焼成温度T0°Cと導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1≧100°Cであることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性基板。前記S1分が2分以上、10分以下で、かつ前記S2分が、5分以上、20分以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電性基板。前記導電性ポリマー含有層が、水酸基を有する非導電性ポリマーを含有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の透明導電性基板。前記水酸基を有する非導電性ポリマーが、下記一般式1及び一般式2で表される構造単位を有するポリマーAであることを特徴とする請求項4に記載の透明導電性基板。式中、R1、R2は各々水素原子またはメチル基を表し、Q1、Q2は各々-C=OO-または-C=ONRa-を表す。Raは水素原子、アルキル基またはN原子と共にモルホリノ基を形成するための原子団を表し、A1、A2は各々置換または無置換のアルキレン基または-CH2CHRbOx-CH2CHRb-を表す。Rbは水素原子またはアルキル基を示し、xは平均繰り返しユニット数を表す。yは0または1を表す。Zは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、-O-C=O-Rc、-O-SO2-Rdまたは-O-SiRe3を表す。Rc、Rd、Reは各々アルキル基、パーフルオロアルキル基またはアリール基を表す。ポリマーA内の一般式1の構造単位の構成率をmmol、一般式2の構造単位の構成率をnmolとすると、mnの構成率molは、50≦mn≦100であり、m/mn≧0.2である。ただし、Q1、Q2がモルホリノ基を有する場合、yは0であり、Zは存在しない。基板上に、金属を含有する細線電極と、該細線電極と電気的に接続する導電性ポリマー含有層とを形成する透明導電性基板の製造方法において、該細線電極を、金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成し、該導電性インクを基板上に付与した後、該導電性インクの焼成温度T0°Cより低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°CでS1分加熱した後、焼成温度T0°CでS2分加熱し、かつ該焼成温度T0°Cと該溶剤の揮発温度よりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1>50°Cであることを特徴とする透明導電性基板の製造方法。前記焼成温度T0°Cと導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1≧100°Cであることを特徴とする請求項6に記載の透明導電性基板の製造方法。前記S1分が2分以上、10分以下で、かつ前記S2分が、5分以上、20分以下であることを特徴とする請求項6または7に記載の透明導電性基板の製造方法。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及び透明導電性基板の製造方法を提供することにある。本発明者らが上記課題に鑑み検討を進めた結果、単に、細線電極を低温焼成可能な導電性インクを用いて形成した場合、導電性ポリマー含有層と組み合わせた透明導電性基板の性能が所望の低抵抗特性を発現せず、有機EL素子や太陽電池の電極として用いた場合、十分な素子性能を示さない場合があることが明らかになった。その原因について詳細な検討を更に進めた結果、焼成温度の履歴により、細線電極の性質が変化し、その結果、導電性に違いが生じ、さらに素子の性能にも影響を及ぼしていることを見出した。特に、導電性ポリマー含有層との組み合わせによる透明導電性基板においては、細線電極と導電性ポリマー含有層の電気的接続に抵抗値以上の影響が生じていると推測され、その差が増幅されるという結論に至った。これらの課題を解消するために、鋭意検討した結果、焼成温度T0°Cに対し50°Cより低い温度、好ましくは100°C以上低い温度で所定時間加温した後に、焼成温度T0°Cで所定時間加熱する方法により、抵抗値を下げることに効果的であることを見出した。すなわち、本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。1.基板上に、金属を含有する細線電極と、該細線電極と電気的に接続する導電性ポリマー含有層とが形成された透明導電性基板において、該細線電極が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板上に付与した後、該導電性インクの焼成温度T0°Cより低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°CでS1分加熱された後に、焼成温度T0°CでS2分加熱され、かつ該焼成温度T0°Cと該溶剤の揮発温度よりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1>50°Cの関係を満たすことを特徴とする透明導電性基板。2.前記焼成温度T0°Cと導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1≧100°Cであることを特徴とする前記1に記載の透明導電性基板。3.前記S1分が2分以上、10分以下で、かつ前記S2分が、5分以上、20分以下であることを特徴とする前記1または2に記載の透明導電性基板。4.前記導電性ポリマー含有層が、水酸基を有する非導電性ポリマーを含有することを特徴とする前記1から3のいずれか1項に記載の透明導電性基板。5.前記水酸基を有する非導電性ポリマーが、下記一般式1及び一般式2で表される構造単位を有するポリマーAであることを特徴とする前記4に記載の透明導電性基板。式中、R1、R2は各々水素原子またはメチル基を表し、Q1、Q2は各々-C=OO-または-C=ONRa-を表す。Raは水素原子、アルキル基またはN原子と共にモルホリノ基を形成するための原子団を表し、A1、A2は各々置換または無置換のアルキレン基または-CH2CHRbOx-CH2CHRb-を表す。Rbは水素原子またはアルキル基を示し、xは平均繰り返しユニット数を表す。yは0または1を表す。Zは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、-O-C=O-Rc、-O-SO2-Rdまたは-O-SiRe3を表す。Rc、Rd、Reは各々アルキル基、パーフルオロアルキル基またはアリール基を表す。ポリマーA内の一般式1の構造単位の構成率をmmol、一般式2の構造単位の構成率をnmolとすると、mnの構成率molは、50≦mn≦100であり、m/mn≧0.2である。ただし、Q1、Q2がモルホリノ基を有する場合、yは0であり、Zは存在しない。6.基板上に、金属を含有する細線電極と、該細線電極と電気的に接続する導電性ポリマー含有層とを形成する透明導電性基板の製造方法において、該細線電極を、金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成し、該導電性インクを基板上に付与した後、該導電性インクの焼成温度T0°Cより低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°CでS1分加熱した後、焼成温度T0°CでS2分加熱し、かつ該焼成温度T0°Cと該溶剤の揮発温度よりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1>50°Cであることを特徴とする透明導電性基板の製造方法。7.前記焼成温度T0°Cと導電性インク成分の揮発温度ST°Cよりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1≧100°Cであることを特徴とする前記6に記載の透明導電性基板の製造方法。8.前記S1分が2分以上、10分以下で、かつ前記S2分が、5分以上、20分以下であることを特徴とする前記6または7に記載の透明導電性基板の製造方法。本発明により、簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及び透明導電性基板の製造方法を提供することができた。以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、基板上に、金属を含有する細線電極と、該細線電極と電気的に接続する導電性ポリマー含有層とが形成された透明導電性基板において、該細線電極が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板上に付与した後、該導電性インクの焼成温度T0°Cより低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度沸点ST°Cよりも高い温度T1°CでS1分加熱された後に、焼成温度T0°CでS2分加熱され、かつ該焼成温度T0°Cと該導電性インク成分の揮発温度よりも高い温度T1°Cとの差が、200°C>T0-T1>50°Cの関係を満たすことを特徴とする透明導電性基板により、簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板を実現できることを見出し、本発明に至った次第である。以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。透明導電性基板の構成図1は、本発明の透明導電性基板の概略構成の一例を示す断面図である。図1において、本発明の透明導電性基板1は、透明基板2上に細線電極3が形成され、さらに透明導電性ポリマー層4が細線電極3と透明基板2の表面を覆うように形成されている。細線電極図1に記載の細線電極3は、透明基板2上にパターン状に形成された電極で、導電性を付与する観点から金属材料により構成されていることが好ましい。適用可能な金属材料としては、導電性に優れていれば特に制限はなく、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム等の金属の他に、それらの合金であってもよい。特に、本発明に係る導電性インクにおいては、その取り扱い性と導電性の観点から銀を用いることが好ましい。形成する細線電極のパターン形状には特に制限はないが、例えば、ストライプ状平行線状、格子状、ハニカム状、あるいはランダムな網目状などが可能であるが、特にストライプ状、格子状、ハニカム状が、その形成方法や特性の点で好ましい。細線電極の線幅は、好ましくは10~200μmであり、さらに好ましくは10~100μmの範囲である。細線の線幅が10μm以上であれば、所望の導電性が得やすくなり、200μm以下であれば透明導電性基板としての透明性を維持することができる点で好ましい。ストライプ状、格子状のパターンにおいて、細線の間隔は0.5~4mmが好ましい。また、ハニカム状のパターンにおいては、一辺の長さが0.5~4mmが好ましい。細線の高さは、0.1~10μmが好ましい。細線の高さが0.1μm以上であれば、所望の導電性が得られやすく、また10μm以下とすることで有機電子デバイスの形成において、電流リークや機能層の膜厚分布不良の要因となることを防止できる。導電性インク本発明に係る細線電極3は、導電性インクを用いて形成される。導電性インクは、導電性を発現するための導電性の金属粒子と、バインダ、溶剤などによって形成される。本発明に係る導電性インクにおいては、金属粒子として、金属ナノ粒子を用いることが好ましい。本発明でいう金属ナノ粒子とは、平均粒子径が原子スケールからnmサイズの微粒子状の金属のことをいう。金属ナノ粒子の平均粒子径としては3~300nmが好ましく、5~100nmであることがより好ましい。本発明に係る金属ナノ粒子に用いられる金属としては、導電性の観点から銀または銅が好ましく、銀または銅単独でもよいし、それぞれの組み合わせでもよく、銀と銅の合金、銀または銅が一方の金属でめっきされている構造であってもよい。中でも、特に銀ナノ粒子が好ましく、更には平均粒子径が30nm以下の銀ナノ粒子が好ましい。この銀ナノ粒子を含有する導電性インクは、導電性を十分発現するための焼成温度が比較的低温に設定できることが知られている。また、各種印刷方式により所望のパターンを形成しやすいというメリットもある。導電性インクに適用可能なバインダや溶剤は、その目的に応じ適宜選択することができる。本発明に適用可能なバインダとしては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂などを挙げることができる。また、溶剤としては、例えば、テルピネオール等の極性溶媒、テトラデカン等の炭化水素系溶媒、水系溶媒、ケトン系溶媒などを挙げることができる。細線電極の形成本発明に係る細線電極のパターンは、金属粒子の分散液である導電性インクを用い、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法等の印刷法により形成できる。各印刷の方式は、一般的に電極パターン形成に使われる形成方法が本発明に関しても適用可能である。具体的な例として、グラビア印刷法については、例えば、特開2009-295980号公報、特開2009-259826号公報、特開2009-96189号公報、特開2009-90662号公報等に記載の方法が、フレキソ印刷法については、例えば、特開2004-268319号公報、特開2003-168560号公報に記載の方法等が、スクリーン印刷法については、例えば、特開2010-34161号公報、特開2010-10245号公報、特開2009-302345号公報に記載の方法等が挙げられる。導電性インクを用いた細線電極で十分な導電性を得るためには、導電性インクを十分に焼成することが必要である。特に、本発明の目的とする透明導電性基板としては、導電性インクに存在する溶剤やバインダなどの絶縁性である有機成分が十分除去されていることが望ましい。そのため、焼成温度T0°Cとしては、導電性インクの組成により詳細には異なるものの、概ね250°C以上が好ましく、より好ましくは300°C以上である。金属細線補助電極の細線部の表面比抵抗は、10Ω/□以下であることが好ましく、3Ω/□以下であることがより好ましい。表面比抵抗は、例えば、JISK6911、ASTMD257、等に準拠して測定することができ、また市販の表面抵抗率計を用いて簡便に測定することができる。図4に記載の様な断面構造を有する細線電極は、空間が多いため、導電性が低下する。更に、透明導電性ポリマー含有層をこの上に形成した場合、細線電極表面の開口部により透明導電性ポリマー含有層との接触も悪くなり、透明導電性基板としての導電性がさらに低下することが判明した。また、内部の空間には、非導電性の成分が取り残され、保存時にこれら残留成分が導電性ポリマー層側に溶出して、保存性が劣化することも判明した。特に残留した揮発性有機溶媒の影響が大であることが判明した。本発明者は、種々の加熱温度と時間とをパラメーターとして、適正な条件を検討した結果、第1ステップとして、焼成工程前に、導電性インク成分の揮発温度沸点ST°Cより高く、焼成温度T0°Cより低い温度T1°Cで先に加熱しておくことが有効であると判明した。この関係を模式図として図2に示す。図2は、本発明に係る加熱温度と加熱時間の関係の一例を示す図である。本発明においては、導電性インクの焼成温度T0°Cより低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度沸点ST°Cよりも高い温度T1°Cとしたとき、この温度T1°Cと焼成温度T0°Cとの温度差として、50°Cを超えて、200°C未満の温度の範囲とすることを特徴の1つとする。すなわち、200°C>T0-T1>50°Cの関係を満たすことを特徴とする。焼成温度T0°Cより50°C以内の比較的高温領域の温度で加熱した場合には、導電性インクの揮発成分である有機溶剤が十分に抜ける前に金属粒子同士の融着が起こってしまい、内部に有機溶剤が取り残される場合が発生しやすくなる。このため、T1°Cの上限としては、T0°Cとの温度差T0-T1°Cが50°Cを超えた領域の温度条件とする。また、T1°Cの下限としては、T0°Cとの温度差T0-T1°Cが200°C未満の範囲で決めることを特徴とする。また、焼成温度T0°Cとしては、所定の温度を超えてさらに高温とすることにあまり効果はなく、350°C以下の範囲で決めることが好ましい。本発明において、導電性インク成分の揮発温度沸点ST°Cを測定する際に、例えば、導電性インクの揮発成分である溶剤が2種以上混合されている場合、あるいは溶剤の種類が分からない場合には、導電性インクを基板上に塗布し、これを温度の異なるオーブンで加熱し、表面から導電性インクの揮発成分である溶剤の沸騰が確認される温度を導電性インク成分の揮発温度沸点ST°Cとして求めることができる。T1°Cでの加熱時間S1分は、導電性インクの揮発成分である溶媒の除去に十分な時間を設定する必要があり、これは、導電性インクの揮発成分である溶剤の沸騰が収まるまでの時間で決めることができる。また、焼成温度T1°Cにおける加熱時間S2分については、時間変化と導電性の変化を追い、低い導電性が得られる時間で決定できる。本発明者らが検討した結果、焼成に必要な温度S2分には上限がある場合も確認されている。図3には、細線電極の焼成時間と抵抗値の変化の一例を示す。図3に示す様に、焼成時間が長過ぎると、抵抗値が再び高くなり、導電率が低下することが判明した。これらの温度と時間は用いる導電性インクの種類によって異なるが、最も低い抵抗値Ωminの1.2倍の値になる時間までが好ましい範囲である。より好ましくは最も低い抵抗値Ωminの1.1倍の値になる時間までである。本発明においては、S1分としては2分以上、10分以下が好ましく、S2分としては、5分以上、20分以下であることが好ましい。本発明で規定する方法に従って形成した細線電極の断面写真を図5に示す。なお、本発明における加熱温度は、基板表面の温度ではなく、オーブンなどの加熱手段による雰囲気温度をいう。また、本発明においては、3段階以上で温度設定を変化させても良い。その際も、T1°Cでの加熱時間S1分が確保されていることが重要であり、T1°C以下での加熱がその前段階で含まれてもよい。特に、有機溶剤として沸点の異なる有機溶剤が併用されている導電性インクにおいては、T1°C以下でのプレ加熱処理を加えることが効果的となる。基板本発明では、基板としては、プラスチックフィルム、ガラスなどの透明基板を用いることができる。プラスチックフィルム、あるいはプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPENなどのポリエステル類、ポリエチレンPE、ポリプロピレンPP、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリサルホンPSF、ポリエーテルサルホンPES、ポリカーボネートPC、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロースTACなどを用いることができ、中でも好ましいのは、PET及びPENである。ガラス基板としては、特に限定は無いが、中でも無アルカリガラスが好ましく用いられる。上記各透明基板の中でも、軽量性と柔軟性の観点からは、透明プラスチックフィルムや、厚さが10~200μmのガラス基板薄膜ガラスともいうを用いることが好ましく、更には、厚さが50~120μmである薄膜ガラスが好ましい。細線電極および透明導電性層を高温焼成150°C以上が可能な点や、ガスバリヤ性に優れる点からは、ガラス基板がより好ましい。具体的には特開2010-132532号公報にガラスフィルムとして記載あるような薄膜ガラスを用いることができる。透明基板は、表面平滑性に優れているものが好ましい。表面の平滑性は算術平均粗さRaが5nm以下で、かつ最大高さRzが50nm以下であることが好ましく、Raが2nm以下で、かつRzが30nm以下であることがより好ましく、さらに好ましくはRaが1nm以下で、かつRzが20nm以下である。透明基板の表面は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等の下塗り層を設けて平滑化処理を施してもよいし、研磨などの機械加工によって平滑化にすることもできる。ここで、表面の平滑性は、原子間力顕微鏡AFM等による測定から、表面粗さ規格JISB0601-2001に従い、求めることができる。導電性ポリマー含有層:透明導電性層本発明の透明導電性基板を構成する導電性ポリマー含有層透明導電性層ともいうは、細線電極を被覆するように、導電性ポリマーを含有する分散液を、全面に塗布、乾燥して膜形成されたものである。通常使用されている金属酸化物でもある程度の透明導電性を有するものもあるが、細線電極の凹凸に応じた柔軟性の点で課題を抱えている。導電性ポリマー含有層の塗布は、導電性ポリマーインクを用いて、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法等の印刷方法に加えて、ロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、インクジェット法等の塗布法を用いることができる。透明導電性ポリマー本発明係る導電性ポリマー含有層を形成する透明性を有する導電性ポリマーとしては、種々提案されているが、特に共役系ポリマーが有効である。導電性を有するπ共役系ポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン基本のポリチオフェンを含む、以下同様類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類、の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、導電性、透明性、安定性等の観点からポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましい。ポリエチレンジオキシチオフェンが最も好ましい。π共役系導電性ポリマー前駆体モノマーπ共役系導電性ポリマーの形成に用いられる前駆体モノマーは、分子内にπ共役系を有し、適切な酸化剤の作用によって高分子化した際にもその主鎖にπ共役系が形成されるものである。例えば、ピロール類及びその誘導体、チオフェン類及びその誘導体、アニリン類及びその誘導体等が挙げられる。前駆体モノマーの具体例としては、ピロール、3-メチルピロール、3-エチルピロール、3-n-プロピルピロール、3-ブチルピロール、3-オクチルピロール、3-デシルピロール、3-ドデシルピロール、3,4-ジメチルピロール、3,4-ジブチルピロール、3-カルボキシルピロール、3-メチル-4-カルボキシルピロール、3-メチル-4-カルボキシエチルピロール、3-メチル-4-カルボキシブチルピロール、3-ヒドロキシピロール、3-メトキシピロール、3-エトキシピロール、3-ブトキシピロール、3-ヘキシルオキシピロール、3-メチル-4-ヘキシルオキシピロール、チオフェン、3-メチルチオフェン、3-エチルチオフェン、3-プロピルチオフェン、3-ブチルチオフェン、3-ヘキシルチオフェン、3-ヘプチルチオフェン、3-オクチルチオフェン、3-デシルチオフェン、3-ドデシルチオフェン、3-オクタデシルチオフェン、3-ブロモチオフェン、3-クロロチオフェン、3-ヨードチオフェン、3-シアノチオフェン、3-フェニルチオフェン、3,4-ジメチルチオフェン、3,4-ジブチルチオフェン、3-ヒドロキシチオフェン、3-メトキシチオフェン、3-エトキシチオフェン、3-ブトキシチオフェン、3-ヘキシルオキシチオフェン、3-ヘプチルオキシチオフェン、3-オクチルオキシチオフェン、3-デシルオキシチオフェン、3-ドデシルオキシチオフェン、3-オクタデシルオキシチオフェン、3,4-ジヒドロキシチオフェン、3,4-ジメトキシチオフェン、3,4-ジエトキシチオフェン、3,4-ジプロポキシチオフェン、3,4-ジブトキシチオフェン、3,4-ジヘキシルオキシチオフェン、3,4-ジヘプチルオキシチオフェン、3,4-ジオクチルオキシチオフェン、3,4-ジデシルオキシチオフェン、3,4-ジドデシルオキシチオフェン、3,4-エチレンジオキシチオフェン、3,4-プロピレンジオキシチオフェン、3,4-ブテンジオキシチオフェン、3-メチル-4-メトキシチオフェン、3-メチル-4-エトキシチオフェン、3-カルボキシチオフェン、3-メチル-4-カルボキシチオフェン、3-メチル-4-カルボキシエチルチオフェン、3-メチル-4-カルボキシブチルチオフェン、アニリン、2-メチルアニリン、3-イソブチルアニリン、2-アニリンスルホン酸、3-アニリンスルホン酸等が挙げられる。ポリ陰イオンπ共役系導電性ポリマーは、ポリ陰イオン併用することで溶媒への可溶性を増し、またポリ陰イオンはπ共役系導電性ポリマーのドーパントとしても機能し、π共役系導電性ポリマーの導電性と耐熱性を向上させる。このようなポリ陰イオンは、置換もしくは未置換のポリアルキレン、置換もしくは未置換のポリアルケニレン、置換もしくは未置換のポリイミド、置換もしくは未置換のポリアミド、置換もしくは未置換のポリエステル及びこれらの共重合体であって、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるものである。ポリ陰イオンのアニオン基としては、π共役系導電性高分子への化学酸化ドープが起こりうる官能基であればよいが、中でも、製造の容易さ及び安定性の観点からは、一置換硫酸エステル基、一置換リン酸エステル基、リン酸基、カルボキシ基、スルホ基等が好ましい。さらに、官能基のπ共役系導電性高分子へのドープ効果の観点より、スルホ基、一置換硫酸エステル基、カルボキシ基がより好ましい。ポリ陰イオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ-2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ-2-アクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、2種以上の共重合体であってもよい。また、化合物内にさらにFフッ素原子を有するポリ陰イオンであってもよい。具体的には、パーフルオロスルホン酸基を含有するナフィオンDupont社製、カルボン酸基を含有するパーフルオロ型ビニルエーテルからなるフレミオン旭硝子社製等を挙げることができる。これらのうち、スルホン酸を有する化合物を用いる場合には、導電性ポリマー含有層を塗布、乾燥することによって形成した後に、マイクロ波を照射する前に100~120°Cで5分以上の加熱乾燥処理を施してもよい。これにより架橋反応が促進するため、塗布膜の洗浄耐性や溶媒耐性が著しく向上することから、好ましい。さらに、これらの中でも、ポリスチレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸が好ましい。これらのポリ陰イオンは、ヒドロキシ基含有非導電性ポリマーとの相溶性が高く、また、得られる導電性ポリマーの導電性をより高くできる。ポリ陰イオンの重合度は、モノマー単位が10~100000個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、50~10000個の範囲がより好ましい。ポリ陰イオンの製造方法としては、例えば、酸を用いてアニオン基を有さないポリマーにアニオン基を直接導入する方法、アニオン基を有しないポリマーをスルホ化剤によりスルホン酸化する方法、アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法が挙げられる。アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法は、溶媒中、アニオン基含有重合性モノマーを、酸化剤または重合触媒の存在下で、酸化重合またはラジカル重合によって製造する方法が挙げられる。具体的には、所定量のアニオン基含有重合性モノマーを溶媒に溶解させ、これを一定温度に保ち、それに予め溶媒に所定量の酸化剤または重合触媒を溶解した溶液を添加し、所定時間で反応させる。その反応により得られたポリマーは溶媒によって一定の濃度に調整される。この製造方法において、アニオン基含有重合性モノマーにアニオン基を有さない重合性モノマーを共重合させてもよい。アニオン基含有重合性モノマーの重合に際して使用する酸化剤及び酸化触媒、溶媒は、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを重合する際に使用するものと同様である。得られたポリマーがポリ陰イオン塩である場合には、ポリ陰イオン酸に変質させることが好ましい。アニオン酸に変質させる方法としては、イオン交換樹脂を用いたイオン交換法、透析法、限外ろ過法等が挙げられ、これらの中でも、作業が容易な点から限外ろ過法が好ましい。導電性ポリマーに含まれるπ共役系導電性高分子とポリ陰イオンの比率、π共役系導電性高分子:ポリ陰イオンは質量比で1:1~1:20が好ましい。導電性、分散性の観点からより好ましくは1:2~1:10の範囲である。π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーをポリ陰イオンの存在下で化学酸化重合して、本発明に係る導電性ポリマーを得る際に使用される酸化剤は、例えばJ.Am.Soc.,85、4541963に記載されるピロールの酸化重合に適する、いずれかの酸化剤である。実際的な理由のために、安価でかつ取扱い易い酸化剤、例えば鉄III塩、例えば、FeCl3、FeClO43、有機酸及び有機残基を含む無機酸の鉄III塩、または過酸化水素、重クロム酸カリウム、過硫酸アルカリ例えば、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等またはアンモニウム、過ホウ酸アルカリ、過マンガン酸カリウム及び銅塩例えば四フッ化ホウ酸銅を用いることが好ましい。加えて、酸化剤として随時触媒量の金属イオン例えば鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン及びバナジウムイオンの存在下における空気及び酸素も使用することができる。過硫酸塩並びに有機酸及び有機残基を含む無機酸の鉄III塩の使用が腐食性でないために大きな応用上の利点を有する。有機残基を含む無機酸の鉄III塩の例としては、炭素数1~20のアルカノールの硫酸半エステルの鉄III塩、例えば、ラウリル硫酸;炭素数1~20のアルキルスルホン酸、例えば、メタンまたはドデカンスルホン酸;脂肪族炭素数1~20のカルボン酸、例えば、2-エチルヘキシルカルボン酸;脂肪族パーフルオロカルボン酸、例えば、トリフルオロ酢酸及びパーフルオロオクタノン酸;脂肪族ジカルボン酸、例えば、シュウ酸並びに殊に芳香族の、随時炭素数1~20のアルキル置換されたスルホン酸、例えば、ベンゼセンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸及びドデシルベンゼンスルホン酸のFeIII塩が挙げられる。この様な導電性ポリマーとして、一例として以下に記載する市販の材料も好ましく利用することができる。例えば、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマー以降、PEDOT-PSSと略すが、Heraeus社からCleviosシリーズとして、Aldrich社からPEDOT-PSSの483095、560596として、NagaseChemtex社からDenatronシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からORMECONシリーズとして市販されている。第2ドーパントとして、有機化合物を含有してもよい。本発明で用いることができる有機化合物には、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、酸素含有化合物が好適に挙げられる。該酸素含有化合物としては、酸素を含有する限り特に制限はなく、例えば、ヒドロキシ基含有化合物、カルボニル基含有化合物、エーテル基含有化合物、スルホキシド基含有化合物等が挙げられる。前記ヒドロキシ基含有化合物としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、1,4-ブタンジオール、グリセリン等が挙げられ、これらの中でも、エチレングリコール、ジエチレングリコールが好ましい。前記カルボニル基含有化合物としては、例えば、イソホロン、プロピレンカーボネート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン等が挙げられる。前記エーテル基含有化合物としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、等が挙げられる。前記スルホキシド基含有化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらの化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよいが、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、ジエチレングリコールから選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましい。添加剤本発明に係る導電性ポリマー含有層で用いることのできる添加剤としては、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤等の安定剤、界面活性剤、溶解促進剤、重合禁止剤、染料や顔料等の着色剤等が挙げられる。さらに、塗布性等の作業性を高める観点から、溶剤例えば、水や、アルコール類、グリコール類、セロソルブ類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、炭化水素類等の有機溶媒を含んでいてもよい。水酸基含有非導電性ポリマー本発明に係る導電性ポリマー含有層においては、水酸基を含有する非導電性ポリマーを更に含有することが好ましい。本発明に係る水酸基を有する非導電性ポリマーは、水溶性であることが好ましく、25°Cの水100gに0.001g以上溶解することが好ましい。溶解性は、ヘイズメーター、濁度計で測定することができる。水酸基を有する非導電性ポリマーとしては、例えば、ポリビニルアルコールPVA-203、PVA-224、PVA-420以上、クレハ社製、ヒドロキシプロピルメチルセルロース60SH-06、60SH-50、60SH-4000、90SH-100以上、信越化学工業社製、メチルセルロースSM-100信越化学工業社製、酢酸セルロースL-20、L-40、L-70以上、ダイセル化学工業社製、カルボキシメチルセルロースCMC-1160ダイセル化学工業社製、ヒドロキシエチルセルロースSP-200、SP-600以上、ダイセル化学工業社製、アクリル酸アルキル共重合体ジュリマーAT-210、AT-510以上、東亞合成社製、ポリヒドロキシエチルアクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレートなどを挙げることができる。本発明においては、特に水酸基を含有する非導電性ポリマーが、前記ポリマーAであることが好ましい態様である。ポリマーA本発明に係るポリマーAは、前記一般式1および一般式2で表される構造単位を有するポリマーである。一般式1、2において、R1、R2は各々水素原子またはメチル基を表し、Q1、Q2は各々-C=OO-または-C=ONRa-を表す。Raは水素原子、アルキル基またはN原子と共にモルホリノ基を形成するための原子団を表し、A1、A2は各々置換または無置換のアルキレン基または-CH2CHRbOx-CH2CHRb-を表す。Rbは水素原子またはアルキル基を示し、xは平均繰り返しユニット数を表す。yは0または1を表す。Zは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、-O-C=O-Rc、-O-SO2-Rdまたは-O-SiRe3を表す。Rc、Rd、Reは各々アルキル基、パーフルオロアルキル基またはアリール基を表す。ポリマーA内の一般式1の構造単位の構成率をmmol、一般式2の構造単位の構成率をnmolとすると、mnの構成率molは、50≦mn≦100であり、m/mn≧0.2である。ただし、Q1、Q2がモルホリノ基を有する場合、yは0であり、Zは存在しない。本発明においては、前記一般式1及び2で表される構造単位の成分の合計が80mol以上、100mol以下であることがより好ましい。また、本発明に係るポリマーAは、一般式1で表される構造単位と一般式2で表される構造単位以外に構造単位を有していても良い。また、ポリマーAにおける一般式1の構造単位の成分が20mol以上であることが、膜の安定性、水洗耐性の観点から好ましい。本発明において、一般式1で表される水酸基を有する構造単位において、R1は水素原子またはメチル基を表す。また、Q1は-C=OO-または-C=ONRa-を表し、Raは水素原子、アルキル基またはN原子と共にモルホリノ基を形成するための原子団を表す。アルキル基としては、例えば、炭素原子数1~5の直鎖、或いは分岐アルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基である。また、これらのアルキル基は置換基で置換されていても良い。これら置換基の例としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクロアルキル基、ヘテロアリール基、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルキルカルボンアミド基、アリールカルボンアミド基、アルキルスルホンアミド基、アリールスルホンアミド基、ウレイド基、アラルキル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、アルキルスルファモイル基、アリールスルファモイル基、アシルオキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等で置換されても良い。これらのうち好ましくは、水酸基、アルキルオキシ基である。上記ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が含まれる。上記置換基の例として、アルキル基は分岐を有していてもよく、炭素原子数は、1~20であることが好ましく、1~12であることがより好ましく、1~8であることが更に好ましい。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等が含まれる。上記シクロアルキル基の炭素原子数は、3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましく、3~8であることが更に好ましい。シクロアルキル基の例には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が含まれる。上記アルコキシ基は、分岐を有していてもよく、炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることがより好ましく、1~6であることが更に好ましく、1~4であることが最も好ましい。アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、2-メトキシエトキシ基、2-メトキシ-2-エトキシエトキシ基、ブチルオキシ基、ヘキシルオキシ基及びオクチルオキシ基が含まれ、好ましくはエトキシ基である。上記アルキルチオ基の炭素数は、分岐を有していてもよく、炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることがより好ましく、1~6であることが更に好ましく、1~4であることが最も好ましい。アルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基等が含まれる。上記アリールチオ基の炭素数は、6~20であることが好ましく、6~12であることが更に好ましい。アリールチオ基の例にはフェニルチオ基及びナフチルチオ基等が含まれる。上記シクロアルコキシ基の炭素原子数は、3~12であることが好ましく、より好ましくは3~8である。シクロアルコキシ基の例には、シクロプロポキシ基、シクロブチロキシ基、シクロペンチロキシ基及びシクロヘキシロキシ基が含まれる。上記アリール基の炭素原子数は6~20であることが好ましく、6~12であることが更に好ましい。アリール基の例にはフェニル基及びナフチル基が含まれる。上記アリールオキシ基の炭素原子数は6~20であることが好ましく、6~12であることが更に好ましい。アリールオキシ基の例にはフェノキシ基及びナフトキシ基が含まれる。上記ヘテロシクロアルキル基の炭素原子数は、2~10であることが好ましく、3~5であることが更に好ましい。ヘテロシクロアルキル基の例にはピペリジノ基、ジオキサニル基及び2-モルホリニル基が含まれる。上記ヘテロアリール基の炭素原子数は、3~20であることが好ましく、3~10であることが更に好ましい。ヘテロアリール基の例にはチエニル基、ピリジル基が含まれる。上記アシル基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アシル基の例にはホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基が含まれる。上記アルキルカルボンアミド基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アルキルカルボンアミド基の例にはアセトアミド基等が含まれる。上記アリールカルボンアミド基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アリールカルボンアミド基の例にはベンズアミド基等が含まれる。上記アルキルスルホンアミド基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アルキルスルホンアミド基の例にはメタンスルホンアミド基等が含まれる。上記アリールスルホンアミド基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アリールスルホンアミド基の例には、ベンゼンスルホンアミド基及びp-トルエンスルホンアミドが基含まれる。上記アラルキル基の炭素原子数は7~20であることが好ましく、7~12であることが更に好ましい。アラルキル基の例にはベンジル基、フェネチル基及びナフチルメチル基が含まれる。上記アルコキシカルボニル基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、2~12であることが更に好ましい。アルコキシカルボニル基の例にはメトキシカルボニル基が含まれる。上記アリールオキシカルボニル基の炭素原子数は7~20であることが好ましく、7~12であることが更に好ましい。アリールオキシカルボニル基の例にはフェノキシカルボニル基が含まれる。上記アラルキルオキシカルボニル基の炭素原子数は8~20であることが好ましく、8~12であることが更に好ましい。アラルキルオキシカルボニル基の例にはベンジルオキシカルボニル基が含まれる。上記アシルオキシ基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、2~12であることが更に好ましい。アシルオキシ基の例にはアセトキシ基及びベンゾイルオキシ基が含まれる。上記アルケニル基の炭素原子数は2~20であることが好ましく、2~12であることが更に好ましい。アルケニル基の例に、ビニル基、アリル基及びイソプロペニル基が含まれる。上記アルキニル基の炭素原子数は2~20であることが好ましく、2~12であることが更に好ましい。アルキニル基の例にはエチニル基が含まれる。上記アルキルスルホニル基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アルキルスルホニル基の例に、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基が含まれる。上記アリールスルホニル基の炭素原子数は6~20であることが好ましく、6~12であることが更に好ましい。アリールスルホニル基の例に、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基が含まれる。上記アルキルオキシスルホニル基の炭素原子数は1~20あることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アルキルオキシスルホニル基の例に、メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基が含まれる。上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は6~20であることが好ましく、6~12であることが更に好ましい。アリールオキシスルホニル基の例に、フェノキシスルホニル基、ナフトキシスルホニル基が含まれる。上記アルキルスルホニルオキシ基の炭素原子数は1~20であることが好ましく、1~12であることが更に好ましい。アルキルスルホニルオキシ基の例に、メチルスルホニルオキシ基、エチルスルホニルオキシ基が含まれる。上記アリールスルホニルオキシ基の炭素原子数は、6~20であることが好ましく、6~12であることが更に好ましい。アリールスルホニルオキシ基の例に、フェニルスルホニルオキシ基、ナフチルスルホニルオキシ基が含まれる。置換基は同一でも異なっていても良く、これら置換基が更に置換されても良い。本発明に係る一般式1で表される水酸基を有する構造単位において、A1は置換或いは無置換アルキレン基、または-CH2CHRbOx-CH2CHRb-を表す。アルキレン基は、例えば、炭素原子数1~5が好ましく、より好ましくはエチレン基、プロピレン基である。これらのアルキレン基は前述した置換基で置換されていても良い。また、Rbは水素原子、またはアルキル基を表す。アルキル基は、例えば、炭素原子数1~5の直鎖、或いは分岐アルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基である。また、これらのアルキル基は前述の置換基で置換されていても良い。更に、xは平均繰り返しユニット数を表し、0~100が好ましく、より好ましくは0~10である。繰り返しユニット数は分布を有しており、表記は平均値を示し、小数点以下1桁で表記しても良い。以下に、一般式1で表される構造単位の代表的具体例を示すが、本発明はこれらによって限定されるものではない。本発明に係る一般式2で表される構造単位において、R2、Q2、A2は一般式1におけるR1、Q1、A1で定義した内容と各々同義である。本発明に係る一般式2で表される構造単位において、yは0または1を表す。また、Zは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、-O-C=O-Rc、-O-SO2-Rdまたは-O-SiRe3を表し、アルキル基は、例えば、炭素原子数1~12の直鎖、或いは分岐アルキル基が好ましく、アルコキシ基としては、例えば、炭素原子数1~12が好ましく、より好ましくはメトキシ基、エトキシ基で、更に好ましくはメトキシ基である。これらのアルコキシ基は前述した置換基で置換されても良い。Rc、Rd、Reはアルキル基、パーフルオロアルキル基、またはアリール基を表し、アルキル基としては、例えば、炭素原子数1~12が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基で、更に好ましくはメチル基である。これらのアルキル基は、前述した置換基で置換されても良い。パーフルオロアルキル基としては、例えば、炭素原子数1~8が好ましく、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基で、更に好ましくはトリフルオロメチル基である。アリール基としては、例えば、フェニル基、トルイル基が好ましく、より好ましくはトルイル基である。更に、これらのアルキル基、パーフルオロアルキル基、アリール基は、前述した置換基で置換されても良い。以下に、一般式2で表される構造単位の代表的具体例を示すが、本発明はこれらによって限定されるものではない。ポリマーAは主たる共重合成分がそれぞれ一般式1、2で表される構造単位を形成するモノマー1、2の共重合で得ることができる。本発明に係るポリマーAは、汎用的な重合触媒を用いたラジカル重合により得ることができる。重合様式としては、塊状重合、溶液重合、懸濁重合、乳化重合等が挙げられ、好ましくは溶液重合である。重合温度は、使用する開始剤によって異なるが、一般に-10~250°C、好ましくは0~200°C、より好ましくは10~100°Cで実施される。ポリマーAの数平均分子量としては、3,000~2,000,000の範囲が好ましく、より好ましくは4,000~500,000、更に好ましくは5000~100000の範囲内である。ポリマーAの数平均分子量、分子量分布の測定は、一般的に知られているゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより行うことができる。使用する溶媒は、ポリマーAが溶解すれば特に限りはなく、THFテトラヒドロフラン、DMFジメチルホルムアミド、CH2Cl2が好ましく、より好ましくはTHF、DMFであり、更に好ましくはDMFである。また、測定温度も特に制限はないが40°Cが好ましい。また、ポリマーAは数平均分子量において、分子量1000以下の含有量が0~5質量以下であることが好ましい。低分子成分が少ないことで、導電層に対して垂直方向に電荷のやりとりがより良くなる。このポリマーAの数平均分子量において、分子量1000以下の含有量が0~5質量以下とする方法としては、再沈殿法、分取GPCに、リビング重合による単分散のポリマーを合成等により、低分子量成分を除去する、または低分子量成分の生成を抑制する方法を用いることができる。再沈殿法は、ポリマーが溶解可能な溶媒へ溶解し、ポリマーを溶解した溶媒より溶解性の低い溶媒中へ滴下することにより、ポリマーを析出させ、モノマー、触媒、オリゴマー等の低分子量成分を除去する方法である。また、分取GPCは、例えばリサイクル分取GPCLC-9100日本分析工業社製、ポリスチレンゲルカラムで、ポリマーを溶解した溶液をカラムに通すことにより分子量で分けることができ、所望の低分子量成分を除去することができる方法である。リビング重合は、開始種の生成が経時で変化せず、また停止反応等の副反応が少なく、分子量の揃ったポリマーが得られる。分子量はモノマーの添加量により調整できるため、例えば分子量を2万のポリマーを合成すれば、低分子量体の生成を抑制することができる。生産適性から、再沈殿法、リビング重合が好ましい。本発明に係るポリマーAの分子量分布は、1.01~1.30が好ましく、より好ましくは1.01~1.25である。分子量分布は重量平均分子量/数平均分子量の比で表す。分子量1000以下の含有量は、GPCにより得られた分布において、分子量1000以下の面積を積算し、分布全体の面積で割ることで割合を換算した。導電性ポリマーとポリマーAの比率は、導電性ポリマーを100質量部とした時、ポリマーAが30~900質量部であることが好ましく、ポリマーAの導電性アシスト効果、透明性の視点からは、ポリマーAが100~900質量部であることがより好ましい。導電性ポリマー含有層の乾燥膜厚は30nmから2000nmであることが好ましい。導電性ポリマー含有層の乾燥膜厚は、導電性の点からは100nm以上であることがより好ましく、電極の表面平滑性の点からは200nm以上であることがさらに好ましく、透明性の点からは1000nm以下であることがより好ましい。乾燥処理導電性ポリマー含有層を塗布した後、本発明で規定する条件に従って、加熱処理が施される。透明導電性基板の適用分野本発明の透明導電膜基板は、高い導電性と透明性を併せ持ち、液晶表示素子、有機発光素子、無機電界発光素子、電子ペーパー、有機太陽電池、無機太陽電池等の各種オプトエレクトロニクスデバイスや、電磁波シールド、タッチパネル等の分野において好適に用いることができる。その中でも、透明電極表面の平滑性が厳しく求められる有機エレクトロルミネッセンス素子や有機薄膜太陽電池素子の透明電極として特に好ましく用いることができる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において部あるいはの表示を用いるが、特に断りがない限り質量部あるいは質量を表す。実施例1《細線電極の作製》細線電極1の作製厚さ100μmのガラス基板上に、ナノ銀を使用した導電性インクANP-ICABOT社製を用いて、下記のスクリーン印刷により細線電極1を形成した。なお、導電性インクANP-Iを用いた細線電極形成における焼成温度T0は300°Cであり、下記の方法により測定した導電性インクANP-ICABOT社製が含有する成分の揮発温度ST°Cは80°Cであった。導電性インクANP-ICABOT社製成分の揮発温度の測定導電性インクANP-Iをガラス基板上に厚みが約1.5μmとなるよう塗布し、これを温度の異なるオーブンで加熱し、表面から導電性インク成分の沸騰が確認される温度を確認し、これを導電性インク成分の揮発温度ST°Cとして求めた。その結果、導電性インクANP-Iに含まれる成分の揮発温度沸点STは、80°Cであった。スクリーン印刷厚さ100μmで3.0cm×3.0cmのガラス基板の全面に、上記導電性インクANP-Iを用いて、線幅60μm、間隔2.0mm、高さ1.5μmになるように細線電極格子をスクリーン印刷方式で印刷した。印刷機は小型厚膜半自動印刷機STF-150IP東海商事社製により、線径13μmの版ソノコム社製を用いた。細線電極の加熱方法a下記の加熱方法aで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、300°C焼成温度T0に加温したオーブンに入れ、15分間の焼成処理S2:15分を施して、細線電極1を作製した。細線電極2の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法bに変更した以外は同様にして、細線電極2を作製した。細線電極の加熱方法b下記の加熱方法bで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、60°Cで20分加熱した後、5分かけて焼成温度T0である300°Cまで昇温し、焼成温度で10分間S2加熱した。次いで、室温まで自然冷却して、細線電極2を作製した。加熱方法bにおいては、第1段階での加熱温度が導電性インク成分の揮発温度ST80°C以下であるため、T0-T1は、存在しない。細線電極3の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法cに変更した以外は同様にして、細線電極3を作製した。細線電極の加熱方法c下記の加熱方法cで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、80°CT1のオーブンで5分間S1の加熱を行った後、その後30分で300°CT0まで昇温し、S2を1分とした後、直ちに室温まで自然冷却して、細線電極3を作製した。加熱方法cにおけるT0-T1は、220°Cである。細線電極4の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法dに変更した以外は同様にして、細線電極4を作製した。細線電極の加熱方法d下記の加熱方法dで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、250°CT1のオーブンで5分間S1加熱し、300°CT0のオーブンに移動させて10分間S2加熱した後、室温まで自然冷却して、細線電極4を作製した。加熱方法dにおけるT0-T1は、50°Cである。細線電極5の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法eに変更した以外は同様にして、細線電極5を作製した。細線電極の加熱方法e下記の加熱方法eで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、150°CT1のオーブンで5分間S1加熱し、300°CT0のオーブンに移動させて10分間S2加熱した後、室温まで自然冷却して、細線電極5を作製した。加熱方法eにおけるT0-T1は、150°Cである。細線電極6の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法fに変更した以外は同様にして、細線電極6を作製した。細線電極の加熱方法f下記の加熱方法fで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、150°CT1のオーブンで5分間S1加熱し、300°CT0のオーブンに移動させて20分間S2加熱した後、室温まで自然冷却して、細線電極6を作製した。加熱方法fにおけるT0-T1は、150°Cである。細線電極7の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法gに変更した以外は同様にして、細線電極7を作製した。細線電極の加熱方法g下記の加熱方法gで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、150°CT1のオーブンで5分間S1加熱し、300°CT0のオーブンに移動させて25分間S2加熱した後、室温まで自然冷却して、細線電極7を作製した。加熱方法gにおけるT0-T1は、150°Cである。細線電極8の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法hに変更した以外は同様にして、細線電極8を作製した。細線電極の加熱方法h下記の加熱方法hで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、230°CT1のオーブンで5分間S1加熱し、300°CT0のオーブンに移動させて10分間S2加熱した後、室温まで自然冷却して、細線電極8を作製した。加熱方法hにおけるT0-T1は、70°Cである。細線電極9の作製上記細線電極1の作製において、細線電極の加熱方法aに代えて、下記細線電極の加熱方法iに変更した以外は同様にして、細線電極9を作製した。細線電極の加熱方法i下記の加熱方法iで、細線電極に焼成処理を施した。ガラス基板上に細線電極格子を形成した上記試料を、50°Cのオーブンで5分間加熱した後、150°CT1のオーブンに移動させて5分間S1加熱、さらに300°CT0のオーブンに移動させて10分間S2加熱した後、冷風冷却して、細線電極9を作製した。加熱方法iにおけるT0-T1は、150°Cである。《細線電極の表面抵抗値の測定》上記作製した各細線電極について、抵抗率計ロレスタGPMCP-T610型:株三菱化学アナリテック製を用いて表面抵抗値Ω/□を測定し、得られた結果を表1に示す。表1に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する条件で作製した細線電極は、比較例に対し、優れた表面抵抗値を有していることが分かる。上記細線電極1~9の作製おいて、細線電極のパターンを、幅50μm、間隔1mmのストライプに変更した場合でも、ほぼ表1に記載の結果が得られた。また、導電性インクとして、ANP-ICABOT社製に代えて、PA010Inktec社製を用いて、上記と同様の方法で金属細線を作製したが、表1に記載したのと同様の傾向が確認された。実施例2《透明導電性基板の作製》透明導電性基板1の作製導電性ポリマー層1の形成導電性ポリマー層1塗布液の調製1000mlのイオン交換水に185g1molのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、80°Cで攪拌しながら、予め10mlの水に溶解した1.14g0.005molの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を20分間かけて滴下し、この溶液を12時間攪拌した。次いで、得られた溶液に10質量に希釈した硫酸を1000ml加え、限外ろ過法を用いて約1000mlの溶液を除去し、これに2000mlのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約2000mlの溶液を除去した。上記の限外ろ過操作を3回繰り返した後、得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形分を得た。続いて、得られた無色の固形分と、6.6g0.1molのピロールと18.5g0.15molのポリスチレンスルホン酸を2000mlのイオン交換水に溶解した溶液とを混合させた。この混合液を20°Cに保ち、攪拌しながら、200mlのイオン交換水に溶解した29.64g0.13molの過硫酸アンモニウムと、8.0g0.02molの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液をゆっくり加え、2時間攪拌して反応させた。得られた反応液に2000mlのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約2000ml溶液を除去した。この操作を3回繰り返して、得られた溶液に200mlのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約2000mlの溶液を除去した。この操作を5回繰り返し、約1.5質量の青色ポリスチレンスルホン酸ドープポリピロール溶液を得た。ポリアリルスルホン酸PSSに対して5モル当量のヒドロキシメチルアクリレートを添加し、均一に分散させて導電性ポリマー層塗布液1を得た。導電性ポリマー層の形成上記調製した導電性ポリマー層塗布液1を、実施例1で作製した細線電極1が形成されたガラス基板上に、乾燥膜厚が400nmとなる条件で塗布し、150°Cのオーブンで加熱硬化させて、導電性ポリマー層1を形成し、透明導電性基板1を得た。透明導電性基板2の作製上記透明導電性基板1の作製において、導電性ポリマー層塗布液1に代えて、下記導電性ポリマー層塗布液2を用いて導電性ポリマー層2を形成した以外は同様にして、透明導電性基板2を作製した。導電性ポリマー層塗布液2の調製水酸基含有非導電性ポリマーP-1の合成200ml三ツ口フラスコに、テトラヒドロフランTHF100mlを添加し10分間加熱還流させた後、窒素下で室温に冷却した。次いで、2-ヒドロキシエチルアクリレート5.8g、15mmol、分子量:116.05、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、0.8g、5mmol、分子量:164.11を加え、5時間加熱還流した。その後、還流条件下で、THFの30mlに溶解した酸無水物1CCl3-CO-O-CO-CCl3、1.2g、4mmol、分子量309を20分かけて滴下したのち、その後引き続き還流を3時間行った。室温に冷却した後、3000mlのメチルエチルケトンMEK中に反応溶液を滴下し、1時間攪拌した。MEKをデカンテーション後、沈殿物を100mlのMEKで3回洗浄後、THFでポリマーを溶解し、100mlフラスコへ移した。THFをロータリーエバポレーターにより減圧留去後、50°Cで3時間減圧乾燥した。その結果、数平均分子量34000の水酸基含有非導電性ポリマーP-1の5.7gを得た。なお、数平均分子量は、下記に示すGPCWaters2695、Waters社製で測定した。GPC測定条件装置:Wagers2695SeparationsModule検出器:Waters2414RefractiveIndexDetectorカラム:ShodexAsahipakGF-7MHQ溶離液:ジメチルホルムアミド20mMLiBr流速:1.0ml/min温度:40°C導電性ポリマー層塗布液の調製導電性ポリマー分散液CleviosPH510;Heraeus社製、固形分1.89質量17.6gに、上記調製した水酸基含有非導電性ポリマーP-1の水溶液固形分20質量を3.5g、ジメチルスルホキシドを1.0g添加し、均一に分散させて導電性ポリマー層塗布液2を調製した。導電性ポリマー層の形成上記調製した導電性ポリマー層塗布液2を、細線電極1が形成されたガラス基板上に、乾燥膜厚400nmとなるように塗布し、150°Cのオーブンで加熱硬化させて、導電性ポリマー層2を形成し、透明導電性基板2を得た。透明導電性基板3の作製上記透明導電性基板1の作製において、導電性ポリマー層塗布液1に代えて、下記導電性ポリマー層塗布液3を用いて導電性ポリマー層3を形成した以外は同様にして、透明導電性基板3を作製した。導電性ポリマー層塗布液3の調製導電性ポリマー分散液CleviosPH510;Heraeus製、固形分1.89質量の20.0gに、ジメチルスルホキシド0.8gを添加し、均一に分散させて導電性ポリマー層塗布液3を得た。導電性ポリマー層の形成上記調製した導電性ポリマー層塗布液3を、細線電極1が形成されたガラス基板上に、乾燥膜厚300nmとなるように塗布し、150°Cのオーブンで加熱硬化させて、導電性ポリマー層3を形成し、透明導電性基板3を得た。透明導電性基板4の作製上記透明導電性基板1の作製において、導電性ポリマー層塗布液1に代えて、下記導電性ポリマー層塗布液4を用いて導電性ポリマー層4を形成した以外は同様にして、透明導電性基板4を作製した。導電性ポリマー層塗布液4の調製導電性ポリマー分散液CLEVIOSPH510の15.9gに、ポリビニルアルコールPVAPVA-235クレハ製の固形分2.0質量水溶液を35.0g、ジメチルスルホキシドDMSOを2.0g添加し、均一に分散させて導電性ポリマー層塗布液4を得た。導電性ポリマー層の形成上記調製した導電性ポリマー層塗布液4を、細線電極1が形成されたガラス基板上に、乾燥膜厚300nmとなるように塗布し、150°Cのオーブンで加熱硬化させて、導電性ポリマー層4を形成し、透明導電性基板4を得た。透明導電性基板5~8の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極2が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板5~8を作製した。透明導電性基板9~12の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極3が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板9~12を作製した。透明導電性基板13~16の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極4が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板13~16を作製した。透明導電性基板17~20の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極5が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板17~20を作製した。透明導電性基板21~24の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極6が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板21~24を作製した。透明導電性基板25~28の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極7が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板25~28を作製した。透明導電性基板29~32の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極8が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板29~32を作製した。透明導電性基板33~36の作製上記透明導電性基板1~4の作製において、細線電極1が形成されたガラス基板に代えて、それぞれ実施例1で作製した細線電極9が形成されたガラス基板を用いた以外は同様にして、透明導電性基板32~36を作製した。《透明導電性基板の表面抵抗値の測定》上記作製した各透明導電性基板について、抵抗率計ロレスタGPMCP-T610型:株三菱化学アナリテック製を用いて表面抵抗値Ω/□を測定し、得られた結果を表2に示す。表2に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する条件で作製した細線電極を有する透明導電性基板は、比較例に対し、優れた表面抵抗値を有していることが分かる。実施例3《有機EL素子の作製》有機EL素子1の作製1陽極の形成実施例2で作製した透明導電膜基板1を用い、パターン辺長20mmの正方形タイル状透明パターン1個が中央に配置される様に30mm角に切り出し、これを第1電極陽極として用いて、以下の手順に従って有機EL素子1を作製した。2有機発光層の形成切り出した透明パターン電極を市販の真空蒸着装置内にセットし、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。次いで、以下の手順で有機発光層正孔輸送層,発光層,電子輸送層を形成した。まず、真空度1×10-4Paまで減圧した後、下記α-NPDの入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、30nmの正孔輸送層を設けた。下記Ir-1が13質量、下記Ir-14が3.7質量の濃度になるように、Ir-1、Ir-14及び下記化合物1-7を蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、発光極大波長が622nm、厚さ10nmの緑赤色燐光発光層を形成した。次いで、下記E-66が10質量になるように、E-66及び化合物1-7を蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、発光極大波長が471nm、厚さ15nmの青色燐光発光層を形成した。その後、下記M-1を膜厚5nmに蒸着して正孔阻止層を形成し、更にCsFを膜厚比で10になるようにM-1と共蒸着し、厚さ45nmの電子輸送層を形成した。各層形成に用いた化合物を下記に示す。3陰極の形成形成した電子輸送層の上に、透明導電膜基板を陽極とした陽極外部取り出し端子と、15mm×15mmの陰極形成用材料としてAlを5×10-4Paの真空下にてマスク蒸着し、厚さ100nmの陰極とを、形成した。4封止さらに、陰極及び陽極の外部取り出し端子が形成できるように、端部を除き陽極の周囲に接着剤を塗り、ポリエチレンテレフタレートを基材としAl2O3を厚さ300nmで蒸着した可撓性封止部材を貼合した後、熱処理で接着剤を硬化させ封止膜を形成し、発光エリア15mm×15mmの有機EL素子1を作製した。有機EL素子2~36の作製上記有機EL素子1の作製において、1陽極の形成に用いた透明導電膜基板1に代えて、それぞれ実施例2で作製した透明導電膜基板2~36を用いた以外は同様にして、有機EL素子2~36を作製した。《有機EL素子の評価》発光強度の測定上記作製した各有機EL素子に、2.50mA/cm2の電流を流し、発光強度cd/Vを、分光放射輝度計コニカミノルタ製CS-1000を用いて測定した。耐久性の評価上記作製した各有機EL素子を、80°C、30RHの環境下で100時間保存した後、上記と同様の方法で発光強度cd/Vを測定し、これを耐久性の尺度とした。以上により得られた結果を、表3に示す。表3に記載の結果より明らかなように、本発明の透明導電膜基板を陽極に用いた有機EL素子は、比較例に対し、発光強度並びに耐久性に優れていることが分かる。実施例4《有機光電変換素子の作製》有機光電変換素子1の作製実施例2で作製した透明導電性基板1上に、正孔輸送層HTLとして導電性高分子であるPEDOT/PSSBaytronP4083;Hereaus社製を30nmの膜厚でスピンコートした後、140°Cで大気中10分間加熱乾燥した。これ以降は、上記導電性高分子層を有する透明導電性基板1をグローブボックス中に持ち込み、窒素雰囲気下で作業した。まず、窒素雰囲気下で上記透明導電性基板1を120°Cで3分間加熱処理した。次に、クロロベンゼンにP3HTポリ-3-ヘキシルチオフェン、リーケメタル社製;Mn=45000、レジオレギュラータイプ、高分子p型半導体材料1.0質量、PCBMフロンティアカーボン:6,6-フェニル-C61-ブチリックアシッドメチルエステル、Mw=911、低分子n型半導体材料を1.0質量溶解した液を調製し、0.45μmのフィルタでろ過しながら500rpmで60秒、ついで2200rpmで1秒間のスピンコートを行い、室温で30分放置後、140°Cで30分加熱した。次に、上記一連の有機光電変換層を成膜した試料を真空蒸着装置内に設置した。1cm幅のシャドウマスクが透明電極と直交するように素子をセットし、10-3Pa以下に真空蒸着機内を減圧した後、蒸着速度2nm/秒で、フッ化リチウムを5nm、Alを80nm蒸着し、1cm角のサイズの有機光電変換素子1を得た。得られた有機光電変換素子1は、陽極第一の電極及び陰極第二の電極の外部取り出し端子が形成できるように端部を除き陰極の周囲に接着剤を塗り、ポリエチレンテレフタレートを基材とした可撓性封止部材を貼合した後、熱処理で接着剤を硬化させた。有機光電変換素子2~36の作製有機光電変換素子1の作製において、実施例2で作製した透明導電性基板1に代えて、それぞれ実施例2で作製した透明導電性基板2~36に変更した以外は同様にして、有機光電変換素子2~36を作製した。《有機光電変換素子の評価》エネルギー変換効率の測定上記方法で作製した各有機光電変換素子について、ソーラーシミュレーターを用いたAM1.5Gフィルタ、100mW/cm2の強度の光を照射し、マスクを受光部に重ね、I-V特性を評価し、特性値として、短絡電流密度JscmA/cm2及び開放電圧VocV、フィルファクターffから、下記式1を用いて、エネルギー変換効率ηを得た。式1エネルギー変換効率η=JscmA/cm2×VocV×ff耐久性の評価上記作製した各有機光電変換素子を、80°C、30RHの環境下で100時間保存した後、上記と同様の方法でエネルギー変換効率ηを測定し、これを耐久性の尺度とした。以上により得られた結果を、表4に示す。表4に記載の結果より明らかなように、本発明の透明導電膜基板を用いた有機光電変換素子は、比較例に対し、エネルギー変換効率並びに耐久性に優れていることが分かる。"