"結晶シリコン基板の受光面側において、前記シリコン基板と逆の導電型を有するドーパントが添加されたエミッタ層が形成され、前記シリコン基板の表面にパッシベーション膜が形成され、光生成された電荷をシリコン基板から取出す取出し電極と、前記取出し電極に少なくとも部分的に接し、前記取出し電極で集められた電荷を集める集電極が形成された太陽電池において、前記取出し電極は、シリコンに導電性を付与するドーパントを含有した導電性ペーストの焼結体である第1電極を含み、少なくとも前記第1電極が前記パッシベーション層を貫通するように形成され、前記集電極は、前記第1電極より高い導電性を持つ第2電極を含むことを特徴とする太陽電池。前記シリコン基板のエミッタ層と前記第1電極の接触面に、前記第1電極に含有された前記ドーパントが前記焼成工程を経て拡散されたセルフドーピング領域が形成されている請求項1記載の太陽電池。前記セルフドーピング領域の抵抗率は、前記セルフドーピング領域に隣接するエミッタ層の抵抗率よりも低い請求項1又は2記載の太陽電池。前記第1電極は、ドーパントとしてB、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又はこれらの化合物、あるいはその組合せを含有し、Agを主成分とする導電性ペーストで形成される請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池。前記第1電極は、第2電極と部分的に接触しているか、又は全体が重なり合っている請求項1乃至4のいずれか1項記載の太陽電池。取出し電極が第1電極と第2電極の積層構造からなり、集電極が第2電極のみの単層構造からなる請求項1乃至5のいずれか1項記載の太陽電池。取出し電極及び集電極がそれぞれ第1電極と第2電極の積層構造からなる請求項1乃至5のいずれか1項記載の太陽電池。取出し電極が第1電極からなり、集電極が第2電極からなる請求項1乃至5のいずれか1項記載の太陽電池。前記パッシベーション膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンのいずれか又はその組み合わせからなる請求項1乃至8のいずれか1項記載の太陽電池。結晶シリコン基板の非受光面において、パッシベーション膜が形成され、光生成された電荷をシリコン基板から取出す取出し電極と、前記取出し電極に少なくとも部分的に接し、前記取出し電極で集められた電荷を集める集電極が形成された太陽電池において、前記取出し電極は、シリコンに導電性を付与するドーパントを含有した導電性ペーストの焼結体である第1電極を含み、少なくとも前記第1電極が前記パッシベーション層を貫通するように形成され、前記集電極は、前記第1電極より高い導電性を持つ第2電極を含むことを特徴とする太陽電池。前記シリコン基板と前記第1電極の接触面に、前記第1電極に含有された前記ドーパントが前記焼成工程を経て拡散されたセルフドーピング領域が形成されている請求項10記載の太陽電池。前記セルフドーピング領域の抵抗率は、前記セルフドーピング領域に隣接するセルフドーピング非形成領域の抵抗率よりも低い請求項10又は11記載の太陽電池。前記第1電極は、B、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又はこれらの化合物、あるいはその組合せを含有し、Agを主成分とする導電性ペーストで形成される請求項10乃至12のいずれか1項記載の太陽電池。前記第1電極は、第2電極と部分的に接触しているか、又は全体が重なり合っている請求項10乃至13のいずれか1記載の太陽電池。取出し電極が第1電極と第2電極の積層構造からなり、集電極が第2電極のみの単層構造からなる請求項10乃至14のいずれか1項記載の太陽電池。取出し電極及び集電極がそれぞれ第1電極と第2電極の積層構造からなる請求項10乃至14のいずれか1項記載の太陽電池。取出し電極が第1電極からなり、集電極が第2電極からなる請求項10乃至14のいずれか1項記載の太陽電池。前記パッシベーション膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンのいずれか又はその組み合わせからなる請求項10乃至17のいずれか1項記載の太陽電池。請求項1乃至18のいずれか1項記載の太陽電池を電気的に接続してなることを特徴とする太陽電池モジュール。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、シリコン基板と取出し電極との電気的接触が良好で、かつ電極配線抵抗損が低減され、高い電池特性を有する太陽電池及び太陽電池モジュールを提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、取出し電極としてシリコン導電性を付与するドーパントを含有した導電性ペーストの焼結体によって形成した第1電極を用いると共に、集電極として前記第1電極より高導電性の第2電極を用いることが、シリコン基板と取出し電極との接触抵抗損及び電極抵抗での抵抗損が低減され、太陽電池特性の大幅向上が可能になることを知見し、本発明をなすに至った。従って、本発明は下記太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。[1]:結晶シリコン基板の受光面側において、前記シリコン基板と逆の導電型を有するドーパントが添加されたエミッタ層が形成され、前記シリコン基板の表面にパッシベーション膜が形成され、光生成された電荷をシリコン基板から取出す取出し電極と、前記取出し電極に少なくとも部分的に接し、前記取出し電極で集められた電荷を集める集電極が形成された太陽電池において、前記取出し電極は、シリコンに導電性を付与するドーパントを含有した導電性ペーストの焼結体である第1電極を含み、少なくとも前記第1電極が前記パッシベーション層を貫通するように形成され、前記集電極は、前記第1電極より高い導電性を持つ第2電極を含むことを特徴とする太陽電池。[2]:前記シリコン基板のエミッタ層と前記第1電極の接触面に、前記第1電極に含有された前記ドーパントが前記焼成工程を経て拡散されたセルフドーピング領域が形成されている[1]記載の太陽電池。[3]:前記セルフドーピング領域の抵抗率は、前記セルフドーピング領域に隣接するエミッタ層の抵抗率よりも低い[1]又は[2]記載の太陽電池。[4]:前記第1電極は、ドーパントとしてB、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又はこれらの化合物、あるいはその組合せを含有し、Agを主成分とする導電性ペーストで形成される[1]~[3]のいずれかに記載の太陽電池。[5]:前記第1電極は、第2電極と部分的に接触しているか、又は全体が重なり合っている[1]~[4]のいずれかに記載の太陽電池。[6]:取出し電極が第1電極と第2電極の積層構造からなり、集電極が第2電極のみの単層構造からなる[1]~[5]のいずれかに記載の太陽電池。[7]:取出し電極及び集電極がそれぞれ第1電極と第2電極の積層構造からなる[1]~[5]のいずれかに記載の太陽電池。[8]:取出し電極が第1電極からなり、集電極が第2電極からなる[1]~[5]のいずれかに記載の太陽電池。[9]:前記パッシベーション膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンのいずれか又はその組み合わせからなる[1]~[8]のいずれかに記載の太陽電池。[10]:結晶シリコン基板の非受光面において、パッシベーション膜が形成され、光生成された電荷をシリコン基板から取出す取出し電極と、前記取出し電極に少なくとも部分的に接し、前記取出し電極で集められた電荷を集める集電極が形成された太陽電池において、前記取出し電極は、シリコンに導電性を付与するドーパントを含有した導電性ペーストの焼結体である第1電極を含み、少なくとも前記第1電極が前記パッシベーション層を貫通するように形成され、前記集電極は、前記第1電極より高い導電性を持つ第2電極を含むことを特徴とする太陽電池。[11]:前記シリコン基板と前記第1電極の接触面に、前記第1電極に含有された前記ドーパントが前記焼成工程を経て拡散されたセルフドーピング領域が形成されている[10]記載の太陽電池。[12]:前記セルフドーピング領域の抵抗率は、前記セルフドーピング領域に隣接するセルフドーピング非形成領域の抵抗率よりも低い[10]又は[11]記載の太陽電池。[13]:前記第1電極は、B、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又はこれらの化合物、あるいはその組合せを含有し、Agを主成分とする導電性ペーストで形成される[10]~[12]のいずれかに記載の太陽電池。[14]:前記第1電極は、第2電極と部分的に接触しているか、又は全体が重なり合っている[10]~[13]のいずれかに記載の太陽電池。[15]:取出し電極が第1電極と第2電極の積層構造からなり、集電極が第2電極のみの単層構造からなる[10]~[14]のいずれかに記載の太陽電池。[16]:取出し電極及び集電極がそれぞれ第1電極と第2電極の積層構造からなる[10]~[14]のいずれかに記載の太陽電池。[17]:取出し電極が第1電極からなり、集電極が第2電極からなる[10]~[14]のいずれかに記載の太陽電池。[18]:前記パッシベーション膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンのいずれか又はその組み合わせからなる[10]~[17]のいずれかに記載の太陽電池。[19]:[1]~[18]のいずれかに記載の太陽電池を電気的に接続してなることを特徴とする太陽電池モジュール。太陽電池の電極としてセルフドーピング電極と高導電率電極をそれぞれ取出し電極と集電極に用いることで、シリコンと電極の接触抵抗損と電極抵抗での抵抗損が低減されると同時に、エミッタ層における光学的及び電気的な損失を低減することが可能になり、太陽電池特性を大幅に向上させることができる。また、工程は従来のスクリーン印刷技術等で実現可能であり、コスト削減に極めて有効である。以下、本発明の一実施形態について図2以下を参照して説明する。なお、以下の図において、同一構成部分については同一の参照符号を付し、その説明を省略することがある。図2は、本発明の一実施例を示す太陽電池であり、この太陽電池は、結晶シリコン基板201上に、少なくとも前記シリコン基板と逆の導電型を付与するドーパントが添加されたエミッタ層202が形成され、前記エミッタ層202の表面にパッシベーション膜203が形成され、導電性ペーストの印刷と焼成の工程を経て、光生成された電荷をシリコン基板201から取出す取出し電極と前記取出し電極で集められた電荷を集める集電極が形成される太陽電池において、前記取出し電極は、シリコンにエミッタ層と同じ導電型を付与するドーパントを含有した電極ペーストの焼結体である第1電極204を含み、前記第1電極204が前記パッシベーション層203を貫通するように形成され、同時に第1電極204に含まれるドーパントが第1電極204の直下に高濃度拡散されたセルフドーピング領域208を形成することにより、第1電極204とシリコン基板201の良好な電気的接触を実現しつつ、エミッタ層202のドーパント濃度あるいはエミッタ層深さを低減することが可能になり、エミッタ層におけるキャリア再結合とフリーキャリア吸収による太陽電池特性の低下を改善することが可能となる。更に前記集電極は、第1電極204より高い導電性を持つ第2電極205を含むことで、配線抵抗による太陽電池の出力電力損失を大幅に軽減させることが可能になる。なお、206は電界層であり、207は裏面電極である。次に、本発明の太陽電池の作製方法の一例を以下に述べる。但し、本発明はこの方法で作製された太陽電池に限られるものではない。高純度シリコンにBあるいはGaのようなIII族元素をドープし、抵抗率0.1~5Ωcmとしたアズカット単結晶{100}p型シリコン基板表面のスライスダメージを、濃度5~60質量の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ、もしくは、フッ酸と硝酸の混酸等を用いてエッチングする。単結晶シリコン基板は、CZ法、FZ法いずれの方法によって作製されてもよい。引き続き、基板表面にテクスチャとよばれる微小な凹凸形成を行う。テクスチャは太陽電池の反射率を低下させるための有効な方法である。テクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等のアルカリ溶液濃度1~10質量、温度60~100°C中に10~30分程度浸漬することで容易に作製される。上記溶液中に、所定量の2-プロパノールを溶解させ、反応を制御することが多い。テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等、もしくはこれらの混合液の酸性水溶液中で洗浄する。コスト的及び特性的観点から、塩酸中での洗浄が好ましい。清浄度を向上するため、塩酸溶液中に、0.5~5質量の過酸化水素水を混合させ、60~90°Cに加温して洗浄してもよい。この基板上に、オキシ塩化リンを用いた気相拡散法によりエミッタ層を形成する。エミッタ層のP濃度と深さは、エミッタ層を流れる電流に対する抵抗と、表面パッシベーションの効果の兼ね合い等で決定されるものである。一般的には、4探針法で測定したエミッタ層のシート抵抗が50~400Ω/□になるようにするのがよい。一般的なシリコン太陽電池は、PN接合を受光面にのみ形成する必要があり、これを達成するために基板同士を2枚重ね合わせた状態で拡散したり、片面の拡散層をアルカリ水溶液等でエッチングしたりして、裏面にPN接合ができないような工夫を施す必要がある。拡散後、表面にできたガラスをフッ酸等で除去する。次に、受光面の反射防止パッシベーション膜を形成する。成膜には化学気相堆積装置を用い窒化シリコン膜等を80~125nm、通常約100nm程度成膜する。反応ガスとして、モノシランSiH4及びアンモニアNH3を混合して用いることが多いが、NH3の代わりに窒素を用いることも可能であり、また、H2ガスによる成膜種の希釈やプロセス圧力の調整、反応ガスの希釈を行い所望の屈折率を実現する。窒化シリコンに限らず、化学気相堆積法のほか、熱処理や原子層堆積等の方法による酸化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタン等を替わりに用いてもよい。次いで上記エミッタ層上に第1電極を形成する。第1電極には、例えばAg粉末とガラスフリット及びドーパントを有機バインダーで混合したAgペーストを使用する。本例におけるエミッタ層の導電型はn型であるので、ドーパントとしてはP、In、SbいずれかのV族元素の単体、あるいはこれらの化合物やこれらを組合せたものを用いる。またその配合割合は、太陽電池の構造や種類等により調整が必要であるが、例えば5酸化2リンを用いる場合の一般的な配合割合は0.1~30質量程度、好ましくは2~15質量である。有機バインダーの種類、量は公知の通りである。このペーストをスクリーン印刷し、この後、焼成熱処理により電極とシリコンを導通させるが、これはAgペーストの焼成時に窒化シリコン膜等がガラスフリットと反応し、分解され、Ag粉が窒化シリコン膜等を貫通して基板と電気的に接触するという、所謂ファイアースルーによる。ファイアースルー技術は、結晶シリコン太陽電池の製造方法として一般的に広く用いられているものである。Agペースト中のドーパントは、一般的な電極焼成の温度帯である700~800°C程度の熱処理でも一部がシリコン基板へ拡散し、セルフドーピングが行われるが、より効果的なセルフドーピング領域の形成には、AgとSiの共融点である835°C以上で焼成を行うのがよい。この温度以上で焼成することにより、シリコンがAgと反応して融解し、添加不純物を取り込んで再結晶化することでより高濃度のドーピングが実現し、Agの焼結体とシリコンのより良好な電気的接触が得られる。シリコンと電極の電気的接触抵抗は、シリコン表面のキャリア濃度、即ちドーパント濃度と電極材料に関係し、一般的な印刷Ag電極においてシリコンと電気的接触をとる場合、シリコン表面のドーパント濃度は少なくとも1×1019cm3以上が必要であり、好ましくは5×1019cm3以上が必要といわれる。ドーパント濃度を直接計測する方法としては二次イオン質量分析法等があるが、この定量方法は試料の準備が煩わしく、しかも測定には習熟した技術が必要であることから生産現場で使用されることはほとんどない。そこで、より簡便な方法として、広がり抵抗法が利用されている。具体的には、2本の金属探針をシリコン基板に当て、これら2点間において電流を流したときに生じる電圧降下を測定する。広がり抵抗は、このときの電圧降下を電流値で割った値として求められる。この方法によれば、電圧降下は原理的に探針の接触点近傍の微小な領域で起こるため、特に微小領域の評価が可能であり、更に探針とシリコン基板の接触面積を把握することによりシリコン表面のドーパント濃度に対する抵抗率を知ることができる。セルフドーピング領域を好適に機能させるためには、この領域の表面における抵抗率を少なくとも10mΩcm以下、好ましくは2mΩcm以下にするのがよい。なお、その下限は特に制限されないが、通常0.5mΩcm以上である。これに対し、受光部に形成されるエミッタ層表面の抵抗率は、先述の光学的損失とキャリア再結合損失を抑制する観点ではなるべく高くしたほうがよいが、一方で光起電力を高めるためにはある程度低くした方がよい。即ちエミッタ層表面の抵抗率にはある程度最適な領域が存在する。この最適領域は太陽電池の構造にもよるが、5~50mΩcmである。しかし一方で、2重ドーピング構造の効果を最大限引き出すために、エミッタ層表面の抵抗率がセルフドーピング領域のそれに比べて高くなるように設計、制御されなければならない。このように第1電極を形成した後、第1電極の上に、第2電極をスクリーン印刷し、焼成する。第2電極には、シリコン基板から第1電極に取り出された電荷が集電極へ流れる際の配線抵抗損失を抑えるため、第1電極より高い導電性を持たせるようにする。このような電極は、例えばAg粒子配合割合を高くしたAgペーストを使用することで得られる。また、このときの第2電極の抵抗率は低いほどよいが、高くとも5μΩcm以下、好ましくは3μΩcm以下であることが望ましい。第1電極と第2電極の焼成手順は、上記のように第1電極の印刷及び焼成と第2電極の印刷及び焼成を分けて行ってもよいし、第1電極の印刷及び乾燥後に第2電極を印刷し、1回の熱処理で両者を同時に焼成してもよい。取出し電極と集電極は、図2に示すように取出し電極を第1電極と第2電極の積層構造とし、集電極を第2電極のみの単層構造にしてもよいし、図3に示すように取出し電極と集電極をそれぞれ第1電極及び第2電極の単層構造としてもよい。また図4に示すように取出し電極と集電極の両方を第1電極と第2電極の積層構造にしてもよい。これらの電極構造は、例えば電極ペーストのスクリーン印刷において、第1電極は図5aに示すような取出し電極のみのパターン又は図5cに示すような取出し電極と集電極両方のパターニングがされているもので印刷し、第2電極は図5c又は図5bのように集電極のみのパターンで印刷することで作製が可能である。また電極の形成方法は、スクリーン印刷に限らず、インクジェット、ディスペンサー、凹版印刷、又はエアゾル堆積等でも可能である。また図4のような構造の場合、第1電極をシードとして第2電極を金属めっきすることでも作製可能である。金属めっきは、電気めっき法や無電解めっき法、又は光めっき法でも適用可能である。集電極を第2電極の単層構造にする場合、第2電極は図2、3に示すように、例えばファイアースルーによりパッシベーション層203を貫通してエミッタ層202に接していてもよいし、図6のようにパッシベーション層203を貫通しなくてもよい。図6の場合、集電極の直下にあるパッシベーション膜がそのまま残るので、この部分のシリコン表面におけるキャリアの再結合を抑制し、太陽電池の特性を改善することが可能である。電極ペーストのパッシベーション膜貫通性は、低軟化点ガラスフリットの添加量で調整される。従って、この場合の第2電極の形成には、ガラスフリット添加量が比較的少ないか、あるいは全く含有しない高温焼成型ペーストや、低温硬化型の樹脂ペースト等が用いられる。裏面電極は、Al粉末を有機物バインダーで混合したペーストをスクリーン印刷して形成する。印刷後、5~30分間700~900°Cの温度で焼成して、裏面電極と電界層が形成される。なお、電界層の形成には例えば臭化ホウ素の気相拡散等により行うことも可能である。この場合には、配線抵抗を抑制する観点から、裏面電極形成にはAgペーストを使用するのが好ましい。裏面電極及び受光面電極の焼成は一度に行うことも可能である。また各面の電極を形成する順番は入れ替えてもよい。≪裏に適用する場合≫本発明による第1電極と第2電極の組合せで構成される電極は、太陽電池の非受光面に適用することも可能である。図7は本発明の電極を受光面と非受光面の両方に適用した場合の一例である。p型シリコン太陽電池では、シリコン基板401の導電型がp型であるのに対して、例えば非受光面側第1電極404bの直下に形成されるセルフドーピング領域407bの導電型をp型にし、かつ受光面側セルフドーピング領域407aはn型にする。このため受光面側第1電極404aにはV族元素を含有したセルフドーピングペーストを用い、非受光面側第1電極404bにはIII族元素を含有したセルフドーピングペーストを用いる。なお、402はエミッタ層、403aはパッシベーション層である。また、405a,405bは集電極である。非受光面をこのような構造にすることで、非電極形成面を電界層406とパッシベーション膜403bで覆うことができ、光生成キャリアの収集効率を上げることができる。尚、パッシベーション効果が十分高いパッシベーション膜が得られる場合には、電界層406は形成しなくてもよい。非受光面の第1電極404bと非受光面の第2電極405bの形状や構成は、図2~6の受光面電極と同様にすることができる。即ち、非受光面において取出し電極を第1電極と第2電極の積層構造とし、集電極を第2電極のみの単層構造にしてもよいし、取出し電極と集電極をそれぞれ第1電極及び第2電極の単層構造としてもよいし、取出し電極と集電極の両方を第1電極と第2電極の積層構造にしてもよい。また、図7のように非受光面集電極を第2電極405bの単層構造にする場合、第2電極405bは図7に示すようにパッシベーション層403bを貫通して電界406あるいはシリコン基板401に接していてもよいし、パッシベーション層を貫通しなくてもよい。非受光面には、基板を透過した光を再度取り込むために反射材を設けることが好ましい図不示。反射材には、真空蒸着等で成膜されるAlやAg等を用いてもよいが、付加的な処理を行わず、太陽電池モジュールに白色バックシート等を用いるだけでも十分に効果は得られる。一方、反射材を用いずに、裏面からも散乱光等を入射させて発電することも可能で、更には上記非受光面を受光面側になるように太陽電池を配置して発電させることも可能である。≪n型基板の場合≫以上、p型シリコン基板を用いた場合を例に挙げて本発明の太陽電池についての実施形態を説明したが、本発明は、n型シリコン基板を用いた太陽電池に適用することもできる。この場合には、図7を例に説明すると、シリコン基板401、電界層406及び非受光面側セルフドーピング領域407bをn型とし、エミッタ層402と受光面側セルフドーピング領域407aをp型にする。ここでシリコン基板401には、一般には高純度シリコンにPあるいはSbのようなV族元素をドープし、抵抗率0.1~5Ωcmとしたn型結晶シリコンを用いる。またエミッタ層402は、例えば臭化ホウ素を用いた気相拡散法によりBをドーピングすることにより形成でき、また電界層はオキシ塩化燐を用いた気相拡散法等により形成することができる。受光面側セルフドーピング層407aはB、Al、Ga、InいずれかのIII族元素の単体、あるいはこれらの化合物やこれらを組合せたものを含有するセルフドーピングペーストを使用して形成され、非受光面側セルフドーピング領域407bはP、As、SbいずれかのV族元素の単体、あるいはこれらの化合物やこれらを組合せたものを含有するセルフドーピングペーストを使用して形成される。本発明に係る太陽電池は、その複数を電気的に接続して太陽電池モジュールとして使用することができる。この場合、その接続方法としては公知の方法が採用し得る。以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[実施例、比較例]本発明の有効性を確認するため、一般的な電極構造の太陽電池と、本発明の電極構造の太陽電池の発電性能比較を行った。拡散厚さ250μm、125mm角、比抵抗1Ωcmの、ボロンドープ{100}p型アズカットシリコン基板90枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2-プロパノール水溶液中に浸漬しテクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、オキシ塩化リン雰囲気下、870°Cで裏面同士を重ねた状態で熱処理し、受光面にリンを高濃度ドーピングしてシート抵抗90Ω/□のPN接合を形成した。この後、非受光面の拡散層をフッ硝酸でエッチング除去し、フッ酸にてリンガラスを除去し、純水洗浄の後、乾燥させた。この後、パッシベーション膜として、プラズマCVD装置を用いて窒化シリコン膜を受光面の試料全面に形成した。ここで、上記基板を、1、2、3の3組各30枚に分け、受光面電極として以下のように異なるAgペーストを、図5cにあるような取出し電極と集電極が同一スクリーンにパターニングされた製版を用いて印刷した。また、電極ペーストの印刷条件については予め条件だしを行い、各条件とも焼成後に同等の線幅と断面積が得られるように印圧やスキージ角度等の印刷条件を制御した。条件1は従来技術による比較例の一つであり、第1電極として一般的なファイアースルー型高温焼成ペーストペーストAをスクリーン印刷及び乾燥した後、第2電極として高導電性AgペーストペーストBを第1電極と完全に重なるようにスクリーン印刷した。この後、最適化された条件である830°Cの焼成を大気雰囲気で行った。条件2は従来技術による他の比較例であり、第1電極として、セルフドーピング領域の抵抗率が2mΩcmになるようにリン化合物を添加した、ファイアースルー型のセルフドーピングAgペーストペーストCをスクリーン印刷及び乾燥した後、第2電極として再度ペーストCを用いて第1電極と完全に重なるように再度スクリーン印刷した。この後、最適化された条件である880°Cの焼成を大気雰囲気で行った。条件3は本発明の適用例であり、第1電極としてペーストCをスクリーン印刷及び乾燥した後、第2電極としてペーストBを第1電極と完全に重なるように再度スクリーン印刷した。この後、最適化された条件である880°Cの焼成を大気雰囲気で行った。次に上記全ての太陽電池の裏面にAlペーストを試料全面に塗付し、この後、最適化された条件である780°Cの焼成を大気雰囲気で行った。上記3条件の太陽電池について、受光面電極の形状を確認するため、各条件から5試料を抽出し、試料面内9箇所の取出し電極線幅と断面積をレーザー顕微鏡により測定した。表1は各条件における測定値の平均値を示しており、全条件で同等の電極形状が得られていることが確認できた。次に、全ての太陽電池を、エアマス1.5の擬似太陽光を用いた電流電圧測定機で特性測定を行った。表2は各条件における太陽電池特性の平均値を示したものであるが、本発明を実施した条件3において最も高い太陽電池特性が得られた。次に、各条件からそれぞれ15枚を抽出し、シリコン基板と電極の接触抵抗と配線抵抗を測定した。接触抵抗定量はラダー法で行い、配線抵抗定量は取出し電極部分を太陽電池から部分的に切り出した試料において、電極両端に探針を置いたときの電流電圧値から求めた。図8は各条件に対する各抵抗の相対値を示したもので、条件1の平均値を1とした。本発明における電極構造である条件3では、接触抵抗が低くなっていることが判る。従って、表2において条件3が最も高い曲線因子となったのは、接触抵抗と配線抵抗が抑制された結果であるといえる。"