"発光層と、該発光層を挟んで形成される第1伝導型の半導体層および第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層とからなるIII族窒化物半導体積層体と、該III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、前記III族窒化物半層体積層体の、光取出し側の第1表面とは反対側の第2表面上に、反射電極部と、AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなるコンタクト部との混在層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。前記混在層は、前記反射電極部および前記コンタクト部の少なくとも一方が、前記第2表面上で複数の島状領域を形成するように設けられ、他方が前記複数の島状領域間に少なくとも位置するよう設けられる請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記第2表面を構成する半導体層がp型であり、前記反射電極部が、Rh,Pt,Ir,Ru,Mo、およびこれらを含有する合金のいずれかからなる請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記第1電極および第2電極のうち、前記第2表面を構成する半導体層側の電極が、前記反射電極部および/または前記コンタクト部上に形成される請求項1乃至3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記III族窒化物半導体積層体の前記第2表面は、厚さ5nm以下で形成されたAlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなる半導体層で構成される請求項1乃至4のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記コンタクト部が前記反射電極部よりも厚い請求項1乃至5のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記コンタクト部が、前記反射電極部を覆うように形成される請求項6に記載のIII族窒化物半導体発光素子。基板上にバッファ層を形成する工程と、該バッファ層上に第1伝導型の半導体層、発光層、および前記第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層を順に形成してIII族窒化物半導体積層体を形成する工程と、該III族窒化物半導体積層体の、前記第2伝導型半導体層側の面上の一部領域に反射電極部を形成する工程と、少なくとも前記一部領域以外の領域に、AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなるコンタクト部を形成する工程と、前記III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側に、それぞれ第1電極および第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記III族窒化物半導体積層体の、前記反射電極部およびコンタクト部が設けられる側の面に、AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなる半導体層を厚さ5nm以下で形成する工程をさらに有する請求項8に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記反射電極部を形成する前記工程の後、前記反射電極部上に保護層を設ける工程をさらに有し、その後前記コンタクト層を形成する前記工程を行い、その後前記保護層を除去する工程をさらに有する請求項8または9に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。III族窒化物半導体発光素子の特性としては、例えば発光効率や順方向電圧が挙げられ、これらの特性をバランスよく向上させることが重要である。反射電極層を形成した上記発光素子の場合、反射電極層とAlGaN系薄膜からなるp型半導体層との接触抵抗が高く、良好なオーミック接触を得ることが難しい。そのため、反射電極層により発光層から発生した光の反射性を高めたとしても、そもそも十分なキャリアを発生させることができず、全体としては十分な発光効率が得られず、順方向電圧も高くなってしまうという問題がある。そこで本発明者らは、AlGaN系薄膜からなるp型半導体層上に、Al含有量が少ないAlGaN層またはAlを含まないGaN層からなるp型コンタクト層を形成し、その上にp側電極を形成した素子の特性を検討した。このp型コンタクト層は、p型半導体層と格子整合が良く、また、p型半導体層が直接p側電極と接触するに比べて、p型コンタクト層がp側電極と接触する場合のほうが接触抵抗を低くすることができ、良好なオーミック接触を得ることができる。しかしながら、上記コンタクト層は、紫外光、特に波長365nm以下の光を吸収する特性がある。可視光を発光するこれまでの一般的な発光素子であれば、該可視光がコンタクト層に吸収されることはなく、反射電極層で可視光が反射される結果、良好なオーミック接触を得つつ、高い反射性を得ることができた。しかし、上記のとおり近年注目されている紫外LEDのように、発光層が波長365nmよりも短波長の例えば350nm以下の光を発生するIII族窒化物半導体発光素子の場合、発光層で発生した光が反射電極層に到達する前に、p型コンタクト層で吸収される。本発明者らは、上記検討により、p型コンタクト層を形成した発光素子では、電極と半導体層との良好なオーミック接触が得られていても、反射電極層の機能を十分に発揮させることができないため、やはり全体として発光効率が低下することが判明した。そこで本発明は、上記課題に鑑み、電極と半導体層との良好なオーミック接触と反射電極層の機能を十分に発揮させることとの両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく、発光効率を向上させることが可能なIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。上記課題に鑑み、本発明の要旨構成は以下の通りである。1発光層と、該発光層を挟んで形成される第1伝導型の半導体層および第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層とからなるIII族窒化物半導体積層体と、該III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、前記III族窒化物半層体積層体の、光取出し側の第1表面とは反対側の第2表面上に、反射電極部と、AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなるコンタクト部との混在層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。2前記混在層は、前記反射電極部および前記コンタクト部の少なくとも一方が、前記第2表面上で複数の島状領域を形成するように設けられ、他方が前記複数の島状領域間に少なくとも位置するよう設けられる上記1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。3前記第2表面を構成する半導体層がp型であり、前記反射電極部が、Rh,Pt,Ir,Ru,Mo、およびこれらを含有する合金のいずれかからなる上記1または2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。4前記第1電極および第2電極のうち、前記第2表面を構成する半導体層側の電極が、前記反射電極部および/または前記コンタクト部上に形成される上記1乃至3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。5前記III族窒化物半導体積層体の前記第2表面は、厚さ5nm以下で形成されたAlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなる半導体層で構成される上記1乃至4のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。6前記コンタクト部が前記反射電極部よりも厚い上記1乃至5のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。7前記コンタクト部が、前記反射電極部を覆うように形成される6に記載のIII族窒化物半導体発光素子。8基板上にバッファ層を形成する工程と、該バッファ層上に第1伝導型の半導体層、発光層、および前記第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層を順に形成してIII族窒化物半導体積層体を形成する工程と、該III族窒化物半導体積層体の、前記第2伝導型半導体層側の面上の一部領域に反射電極部を形成する工程と、少なくとも前記一部領域以外の領域に、AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなるコンタクト部を形成する工程と、前記III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側に、それぞれ第1電極および第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。9前記III族窒化物半導体積層体の、前記反射電極部およびコンタクト部が設けられる側の面に、AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなる半導体層を厚さ5nm以下で形成する工程をさらに有する上記8に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。10前記反射電極部を形成する前記工程の後、前記反射電極部上に保護層を設ける工程をさらに有し、その後前記コンタクト層を形成する前記工程を行い、その後前記保護層を除去する工程をさらに有する上記8または9に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。本発明によれば、III族窒化物半層体積層体の、光取出し側とは反対側の表面上に、反射電極部とコンタクト部との混在層を形成したことにより、電極と半導体層との良好なオーミック接触と反射電極層の機能を十分に発揮させることとの両立を図ることができる。その結果、順方向電圧をさほど上昇させることなく、発光効率を向上させることが可能となる。以下、図面を参照しつつ本発明をより詳細に説明する。なお、実施形態ごとに共通する構成要素には、原則として下2桁が同一の参照番号を付し、説明は省略する。また、発光素子の模式断面図においては、説明の便宜上、各層を基板に対して実状とは異なる比率で誇張して示す。実施形態1本発明の一実施形態であるIII族窒化物半導体発光素子100は、図1に示すとおり、基板101上に、バッファ層102と、III族窒化物半導体積層体106と、反射電極部109とコンタクト部110との混在層111と、をこの順に有している。III族窒化物半導体積層体106は、発光層104と、この発光層を挟んで形成される第1伝導型の半導体層としてのn型半導体層103および第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層としてのp型半導体層105とからなる。本実施形態では、バッファ層102側からn型半導体層103、発光層104、p型半導体層105の順に形成される。第1電極としてのn側電極112は、III族窒化物半導体積層体106のn型半導体層103側に形成される。n側電極112は、図1においては、n型半導体層103と電気的に接続されていることを模式的に示しているにすぎないが、典型的には、発光素子の一部の領域において混在層111およびIII族窒化物半導体積層体106の一部を除去して、n型半導体層103の表面を露出させ、露出したn型半導体層103上にn型電極を設ける。これを一般にラテラルlateral型発光素子という。第2電極としてのp型電極113は、III族窒化物半導体積層体106のp型半導体層105側に形成され、本実施形態では、混在層111を介してp型半導体層105と電気的に接続されている。基板101としては、III族窒化物半導体積層体106のエピタキシャル成長の温度に耐性のある基板を用いるのが好ましく、例えばサファイア基板やAlN単結晶層をサファイアなどの基板上に形成したAlNテンプレートが使用できる。バッファ層102としては、MOCVD法、MOVPE法、HVPE法、MBE法等の既知の手法を用いて基板101上にエピタキシャル成長させた、例えば厚さ20~1500nm、好ましくは500~1500nm、より好ましくは800~1000nmのAlNからなる層を用いることができる。バッファ層102は、基板101とn型半導体層103との歪緩衝層として機能する。また、後述する実施例に用いる超格子歪緩衝層とすることもできる。n型半導体層103およびp型半導体層105は、AlxGa1-xN材料0<x≦1を、MOCVD法など既知の手法を用いてエピタキシャル成長させることにより形成することができる。なお、所望の発光波長での吸収が問題にならないのであれば、III族元素として、B,Inが含まれていても良く、V族元素として、Asが含まれていても良い。p型不純物としては、Be,Mg、n型不純物としては、Si,Geが例示できる。発光層104は、AlInGaN/AlInGaNの多重量子井戸構造をMOCVD法などにより成長させて形成することができる。各層の厚みは、例えばn型半導体層103は1000~5000nm、発光層104は10~100nm、p型半導体層105は50~300nmとすることができる。ここで本発明の特徴的構成である混在層111について説明する。まず、III族窒化物半層体積層体106の、光取出し側図1矢印の第1表面107とは反対側の第2表面108上の一部領域に、反射電極部109を形成する。反射電極部109は、発光層104で発生する紫外光に対して高い反射率例えば60以上を有する金属であれば特に限定されず、例えば、ロジウムRh,白金Pt,イリジウムIr,ルテニウムRu,モリブデンMo,タングステンW,タンタルTa、およびこれらを含有する合金を例示できる。中でもRh,Ru,Moがより好ましい。一方、AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなるコンタクト部110を、反射電極部109を形成した第2表面108上の一部領域以外の領域に形成する。本実施形態では、図1および図2に示すように、反射電極部109を複数列の縞状に形成し、その間を埋めるように、複数列の縞状のコンタクト部110を形成する。すなわち、反射電極部およびコンタクト部が、交互に線状互いに縞状となるように形成されている。本実施形態において、上記コンタクト部110は、Al含有量が少ない、または、Alを含まないため、p型半導体層105と格子整合が良く、また、p側電極113との接触抵抗がp型半導体層105よりも低い。また、コンタクト部110の伝導型は、第2表面を構成する半導体層と同じとする。本実施形態では、p型半導体層105が第2表面108を構成するため、コンタクト部110はp型とする。また、x>0.05の場合、Al含有量が多すぎてキャリア密度が大幅に減少してしまうため、本発明では0≦x≦0.05とする。第2表面108上の反射電極部109を形成した領域では、コンタクト部110を構成するAlxGa1-xN0≦x≦0.05にほとんど吸収されることなく、発光層104で発生した紫外光を反射することができる。一方で、第2表面108上のコンタクト部110を形成した領域では、p側電極113と良好なオーミックコンタクトを得ることができる。このように本発明では、光取出し側とは反対側の第2表面108上に、反射電極部109とコンタクト部110との混在層111を形成したため、電極と半導体層との良好なオーミック接触と反射電極層の機能を十分に発揮させることとの両立を図ることができる。その結果、順方向電圧をさほど上昇させることなく、発光効率を向上させることが可能となる。ここで、反射電極部109とコンタクト部110との位置関係は、第2表面108上に両者が混在していれば、特に図2には限定されない。例えば、混在層111は、反射電極部109およびコンタクト部110の少なくとも一方が、第2表面108上で複数の島状領域を形成するように設けられ、他方がこの複数の島状領域間に少なくとも位置するよう設けられる。例えば、コンタクト部110が複数の島状領域を形成する例としては、図2と同様の上面視で、反射電極部109に矩形または円形などの所定形状の開口部が規則的または不規則に点在しており、その開口部をコンタクト部が埋めるような構成が挙げられる。また、反射電極部109が複数の島状領域を形成する例としては、図2と同様の上面視で、矩形または円形など所定形状の反射電極部が規則的にまたは不規則に点在しており、その間をコンタクト部が埋めるような構成が挙げられる。図2に示した縞状の構成は、反射電極部109およびコンタクト部110がともに複数の島状領域を形成するように設けられ、互いに他方が形成された島状領域の間を埋めるように配置されている例である。このような例としては、反射電極部109およびコンタクト部110が、図2と同様の上面視で市松模様を形成する構成も挙げられる。ここで、良好なオーミック接触と高い光反射率との両立をより十分に図る観点から、第2表面上の反射電極部を設けた面積S1とコンタクト部を設けた面積S2との比S1/S2が、0.1~10の範囲であることが好ましく、0.25~1.5の範囲がより好ましい。S1/S2が0.1以上であれば、反射電極部109による光の反射効率が不十分となることがなく、また、10以下であれば、電極と半導体層とのオーミック接触が不十分となることもないからである。ここで、p側のキャリアの移動について説明する。p側電極113からコンタクト部110へ移動したキャリアは、そのままp型半導体層105へと移動する。一方、p側電極113から反射電極部109へ移動したキャリアは、隣接するコンタクト部110との障壁の方が、p型半導体層105との障壁よりも低いため、コンタクト部110へと移動した後、p型半導体層105へと移動する経路が優先されると考えられる。しかし、反射電極部109から直接p型半導体層105へと移動するキャリアも存在すると考えられるため、反射電極部109は、いわゆる電流狭窄層として機能するものではない。そして、第2表面108を構成する半導体層がp型である本実施形態においては、反射電極部を、Rh,Pt,Ir,Ru,Mo、およびこれらを含有する合金のいずれかから構成することが好ましい。これらの金属は、p型半導体層105と比較的良好なオーミック接触を形成しうる。このため、コンタクト部110のみならず、反射電極部109においてもp型半導体層105との良好なオーミック接触を形成して、よりキャリア密度を高めることができる。また、これらの金属は、反射電極部109を形成した後、コンタクト部110を形成する工程時に、p型半導体層105へ拡散しにくく、p型半導体層105に転位を生じさせにくい点でも好ましい。本実施形態のように、コンタクト部110が反射電極部109よりも厚いことが好ましい。コンタクト部110を厚く形成することにより、十分な量のホールを供給することができるからである。そして、反射電極部109の膜厚は、5nm~200nmの範囲とすることが好ましい。5nm以上の膜厚であれば発光層104で発生した紫外光をより確実に反射することができ、200nm以下の膜厚であれば、反射電極部から生じる応力が素子に影響を及ぼすおそれがないためである。コンタクト部110の膜厚は、20nm~300nmの範囲とすることが好ましい。コンタクト部20nm以上の膜厚であればホールを十分に供給でき、300nm以下の膜厚であれば電子線照射やアニール処理によって、ホールを十分活性化できるからである。コンタクト部110は、反射電極部109上の一部または全部を被覆しても良い。n側電極112としては、n型半導体層103との接触抵抗が低いという理由から、たとえば真空蒸着法によりTi含有膜およびAl含有膜を順次蒸着させたTi/Al電極を用いることができる。p側電極113としては、p型半導体層105との接触抵抗が低いという理由から、たとえば真空蒸着法によりNi含有膜およびAu含有膜を順次蒸着させたNi/Au電極、およびNi/Pt電極を用いることができる。第2表面108を構成する半導体層側の電極であるp側電極113は、本実施形態のように、反射電極部109およびコンタクト部110混在層111上に直接形成されることが好ましい。また、III族窒化物半導体積層体106の第2表面108、すなわち第2伝導型半導体層105の表面は、厚さ5nm以下で形成されたAlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなる半導体層で構成されることが好ましい。つまり、本実施形態では、p型半導体層105の最上層が上記半導体層で構成されることになる。p型半導体層105を形成した後、反射電極部109を形成するにあたり、一旦基板を成膜炉から取り出すため、p型半導体層105のAlが酸化されてコンタクト部110の結晶成長が困難となる可能性があるが、上記半導体層を形成すれば、Alの酸化を抑制することができる。なお、厚さ5nm以下としたのは、5nmを超えて上記半導体層を設けると、発光層104から発生した紫外光を該半導体層が吸収してしまうことで、発光効率が低下するためである。これまで、本発明における第1伝導型をn型、第2伝導型をp型として、III族窒化物半導体発光素子100を説明したが、本発明はこれに限定されず、第1伝導型をp型、第2伝導型をn型としても良いことは勿論である。この場合、反射電極部109の材料としては、n型半導体層であるn-AlGaNと比較的良好なオーミック接触を形成するTi/Al,Mo/Al,W/Alなどの金属とすることが好ましい。製造方法次に、III族窒化物半導体発光素子100の製造方法の一例を、図3を用いて説明する。まず、図3aに示すように、例えばMOCVD法を用いて、基板101上にAlNからなるバッファ層102を形成する。次に、図3bに示すように、バッファ層102上に第1伝導型であるn型の半導体層103、発光層104、および第1伝導型とは異なる第2伝導型であるp型の半導体層105を順にエピタキシャル成長させて、III族窒化物半導体積層体106を形成する。これも同様にMOCVD法で行うことができる。ここで、後の工程で反射電極部およびコンタクト部を設ける側の、III族窒化物半導体積層体106の面108、すなわち、p型半導体層105を構成する最上層部には、p型AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなる半導体層を厚さ5nm以下で形成することが好ましい。これにより、上記の通り、次の工程で基板を制膜炉から取り出すにあたり、p型半導体層105のAlの酸化を抑制することができる。次に、図3cに示すように、III族窒化物半導体積層体106の、p型半導体層105側の面108上の一部領域に反射電極部109を形成する。これは例えば、フォトリソグラフ法により所望パターンにレジストを形成し、反射電極部を構成する材料をスパッタ法、真空蒸着法などにより製膜した後、レジストを除去することで形成することができる。p型半導体層105のAlの酸化を抑制できれば、反射電極部となる金属を製膜後にレジストを形成してエッチングにより反射電極部を形成してもよい。次に、図3dに示すように、反射電極部109上に保護層116を形成することが好ましい。これは、次工程でコンタクト部をエピタキシャル成長させる際、反射電極部109がアンモニア雰囲気中にさらされて窒化されることを抑制するためである。反射電極部109が窒化されると、発光層104から発生した光の反射率が減少するため、好ましくない。この場合、反射電極部109を形成する際に用いたレジストを除去するのは、保護層116を形成した後とする。保護層としては、上記のように反射電極部の変質防止を達成できるものであれば限定されないが、SiO2,SiNxなどを例示できる。保護層116の形成後、図3eに示すように、例えばMOCVD法を用いて、少なくとも反射電極部109間にp型AlxGa1-xN0≦x≦0.05よりなるコンタクト部110を形成する。その後、図3fに示すように、例えばBHFなどの薬液により、保護層116を除去することが好ましい。その後、図3gに示すように、III族窒化物半導体積層体106のn型半導体層103およびp型半導体層105側に、それぞれn側電極112およびp側電極113を形成する。n側電極112は、例えば研磨またはウェットエッチングなどにより、発光素子の一部の領域において混在層111およびIII族窒化物半導体積層体106の一部を除去して、n型半導体層103の表面を露出させ、露出したn型半導体層103上に、スパッタ法または真空蒸着法などにより形成することができる。p側電極113は、同じくスパッタ法または真空蒸着法などにより、混在層111上に直接形成することができる。ここで、反射電極部109とコンタクト部110とで膜厚が異なる場合、図示したとおり、p側電極113の表面形状は、混在層111の表面凹凸に追随する傾向がある。このようにして、ラテラル型のIII族窒化物半導体発光素子100を製造することができる。実施形態2本発明の他の実施形態であるIII族窒化物半導体発光素子200について、図4を用いて説明する。この実施形態では、混在層211において、コンタクト部210が反射電極部209よりも薄い点以外は、実施形態1と同様である。201は基板、202はバッファ層、203はn型半導体層、204は発光層、205はp型半導体層、206はIII族窒化物半導体積層体、212はn側電極、213はp側電極である。本実施形態は、p側電極の面抵抗を低減できる点で好ましい。実施形態3本発明の他の実施形態であるIII族窒化物半導体発光素子300について、図5を用いて説明する。この実施形態では、混在層311において、コンタクト部310が、反射電極部309を覆うように形成される点以外は、実施形態1と同様である。実施形態1よりもコンタクト部310のエピタキシャル成長を長時間行うと、コンタクト部310は反射電極部309上で横方向成長して、図5に示すような平坦な表面を有するコンタクト部310が形成される。反射電極部309のない部位でのコンタクト部310の膜厚は、100nm~500nmの範囲とすることが好ましい。301は基板、302はバッファ層、303はn型半導体層、304は発光層、305はp型半導体層、306はIII族窒化物半導体積層体、312はn側電極、313はp側電極である。なお、本実施形態では、反射電極部309の形成後、反射電極部309上にSiO2,SiNxなどからなる保護層不図示を形成し、それを除去することなくコンタクト部310を形成することが、反射電極部の窒化を抑制する観点から好ましい。実施形態4本発明の一実施形態として、垂直Vertical型のIII族窒化物半導体発光素子400を製造する工程を、図6により説明する。混在層411を形成する工程までは、実施形態1の製造方法として図3fで示した工程と同様である。図6aに示すように、その後、混在層411上に順次、p側電極413、接続金属層414、サポート基板415を形成する。まず、p側電極413は、スパッタ法または真空蒸着法などにより、混在層411上に直接形成する。接続金属層414は、接合によりサポート基板と接続する場合は、Au含有材料とするのが好ましく、より好ましくはAuまたはAuSnとする。めっき法によりサポート基板と接続する場合はAu、Pt、Pdなどの貴金属やNi、Cuのいずれかを含む材料とするのが好ましい。また、ケミカルリフトオフ法により基板401を剥離する際に使用するエッチング液に対して耐性を持つ金属を選択することが望ましい。接続金属層414からのAuの拡散を止めるバリア層として、接続金属層414とp側電極413との間に、Pt含有材料からなるバリア層さらに形成してもよい。サポート基板415は、放熱性の良い材料からなるものとすることができ、例えば導電性Si基板やMo、W、Ni、Cuおよびこれらの合金を材料とする基板を用いるのが好ましい。ただし、その後のケミカルリフトオフのエッチング液に対する耐性により基板を選択する。また、図6には示されていないが、サポート基板415を接続する工程図6aは、サポート基板415上に、Pt含有材料からなるバリア層およびAu含有材料からなるサポート基板側接続層を順に形成し、このサポート基板側接続層と、接続金属層414とを接合することを含むのが好ましい。続いて図6bに示すように、バッファ層402をエッチングなどにより除去し、III族窒化物半導体積層体106から基板401を剥離する。そして、この剥離により露出したn型半導体層403上にn側電極412を形成する。このようにして、垂直型のIII族窒化物半導体発光素子400を製造することができる。なお、垂直型の場合、このようにバッファ層402を除去する必要があるため、バッファ層402は、ケミカルリフトオフが可能な金属材料例えばクロム、ハフニウムHf、ジルコニウムなど、または、これらの金属窒化物で構成することが好ましい。上述したところはいずれも代表的な実施形態の例を示したものであって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。また、以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。実施例1サファイア基板面上にAlNエピタキシャル層を有するAlNテンプレートの上に、MOCVD法により、初期層としてAlN層厚さ27nmを積層後、超格子歪緩衝層、n型窒化物半導体層、発光層、p型窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長させ、エピタキシャル積層体を形成した。ここまでの積層構造を表1に示す。表1に示すとおり、p型窒化物半導体層の最上部には、酸化防止層として厚さ3nmのp-GaNを形成した。なお、AlNエピタキシャル層は厚さが800nmであり転位密度が1×1010cm-2以下のものを使用した。p型窒化物半導体層上に、フォトリソグラフ法によりレジストのパターンを形成し、厚さ10nmのRuをスパッタ法により形成後、レジストを除去によりレジスト上のRuを除去して、5μm幅5μm間隔の短冊状のRuからなる反射電極部を形成した。アッシングによる表面洗浄の後、p型窒化物半導体層上に、コンタクト部として、p-GaNをエピタキシャル成長させて厚さ50nmとした。厚さ50nmの場合、コンタクト部は反射電極部上に横方向成長しなかった。このようにして混在層を形成した。その後、ドライエッチング法によりn型窒化物半導体層の表面を一部露出させ、n側電極Ti/Alをn型窒化物半導体層上に形成し、p側電極Ni/Auを上記混在層上に形成した。550°Cでアニール後、p側電極、n側電極それぞれにパット電極を形成した。このようにして、図1に示す実施形態1のIII族窒化物半導体発光素子100を作製した。実施例2反射電極部の厚さを30nm、コンタクト部の厚さを20nmとしたこと以外は、実施例1と同様の方法で、図4に示す実施形態2のIII族窒化物半導体発光素子200を作製した。実施例3反射電極部のない部位でのコンタクト部の厚さを200nmとした結果、コンタクト部は反射電極部上に横方向成長して、コンタクト部が厚さ10nmの反射電極部を覆うように形成された。この点以外は、実施例1と同様の方法で、図5に示す実施形態3のIII族窒化物半導体発光素子300を作製した。実施例4Ru膜の形成後にさらにスパッタ法によりRu膜上にSiO2保護膜厚さ10nmを形成し、レジストの除去によりレジスト上の保護膜およびRuを除去して、5μm幅5μm間隔の短冊状のRuからなる反射電極部を形成としたこと、および、コンタクト部としてp-GaNを形成後に、BHFを用いてSiO2保護膜を除去したこと以外は、実施例1と同様の方法で、図1に示す実施形態1のIII族窒化物半導体発光素子100を作製した。比較例1表1において最上部の酸化防止層を形成しない点以外は、表1と同様の積層構造でp型窒化物半導体層までを形成した。その後、p型窒化物半導体層の最上部の全面に、p型コンタクト層p-GaN:厚さ20nm、反射電極層Ru:厚さ10nmを順に形成した。p側電極およびn側電極は、実施例1と同様に形成した。このようにして、図7に示すIII族窒化物半導体発光素子500を作製した。なお、501は基板、502はバッファ層、503はn型半導体層、504は発光層、505はp型半導体層、506はIII族窒化物半導体積層体、510はp型コンタクト層p-GaN、509は反射電極層、512はn側電極、513はp側電極である。比較例2比較例1のp型コンタクト層p-GaNを形成しなかった点以外は比較例1と同様の方法で、図8に示すIII族窒化物半導体発光素子600を作製した。なお、601は基板、602はバッファ層、603はn型半導体層、604は発光層、605はp型半導体層、606はIII族窒化物半導体積層体、609は反射電極層、612はn側電極、613はp側電極である。比較例3表1において最上部の酸化防止層を形成しない点以外は、表1と同様の積層構造でp型窒化物半導体層までを形成した。その後、p型窒化物半導体層の最上部の全面に、p型コンタクト層p-GaN:厚さ20nmを形成し、その後、実施例1と同様に短冊状の反射電極部Ru:厚さ10nmを形成した。そして、反射電極部および露出したp型コンタクト層の上に、p側電極としてNi/Auを形成した。このようにして図9に示すIII族窒化物半導体発光素子700を作製した。なお、701は基板、702はバッファ層、703はn型半導体層、704は発光層、705はp型半導体層、706はIII族窒化物半導体積層体、710はp型コンタクト層、709は反射電極層、712はn側電極、713はp側電極である。評価方法得られた発光素子に定電流電圧電源を用いて20mAの電流を流したときの順方向電圧Vfおよび積分球による発光出力Poを測定し、比較例1における値を1として指数表示した。結果を表2に示す。Poについては、指数が大きいほど発光出力が大きく優れた特性いることを示す。Vfについては、指数が小さいほど順方向電圧が小さく優れた特性であることを示す。評価結果表2に示すとおり、実施例1~4は、順方向電圧Vfが比較例1と同等以上で、発光出力Poが比較例1よりも格段に大きくなった。特に実施例4では、SiO2によりRuの窒化が確実に防止できた結果、最も高い発光出力を得ることができた。一方、比較例2は、p型コンタクト層p-GaNを形成しなかったため、十分なキャリア密度を得ることができず、比較例1よりもVfは大きく、Poは小さくなり、両特性とも比較例1よりさらに劣っていた。また比較例3は、比較例1よりもVfは小さいものの、Poが小さかった。なお、今回の実施例では、反射電極の形状が短冊状の場合を示したが、反射電極部の中にドット形状の開口部を形成し、該開口部にp型コンタクト層を再成長させた場合でも、同様の効果を得ることができた。また、反射電極がRuの場合を示したが、Mo、Rhでも類似の効果を得ることができた。"