ウェーハ中のCu濃度の最大値が、50×1013~50×1015atomscm3であることを特徴とする、多結晶ウェーハ。前記Cu濃度の最大値が、50×1014~10×1015atomscm3であることを特徴とする、請求項1に記載の多結晶ウェーハ。チャンバの誘導コイル内に、軸方向の少なくとも一部が周方向で複数に分割された無底の銅の冷却モールドを配置し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により、前記冷却モールド内に多結晶材料の融液を溶製し、前記融液を凝固させつつ下方へ引き抜く、多結晶材料の鋳造方法において、前記誘導コイルの出力電力は、300~400kWであることを特徴とする、多結晶材料の鋳造方法。前記誘導コイルの出力電力は、350~380kWである、請求項3に記載の多結晶材料の鋳造方法。請求項3又は4に記載の多結晶材料の鋳造方法により得られた多結晶インゴットを切断して、多結晶ブロックに分割し、該多結晶ブロックをスライスすることを特徴とする、多結晶ウェーハの製造方法。本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。また、かような多結晶ウェーハを得るための、多結晶材料の鋳造方法を提供することも目的とする。発明者らは前記課題を解決すべく、鋭意究明を重ねた。その結果、多結晶ウェーハ中のCu濃度に太陽電池の変換効率を向上させることのできる好適範囲があることを新規に知見した。また、多結晶ウェーハ中のCu濃度を上記の範囲とするためには、電磁鋳造法において、誘導コイルの出力電力値を制御することが有効であることを併せて見出した。本発明は、上記の知見に立脚するものであり、その要旨構成は、以下の通りである。ウェーハ中のCu濃度の最大値が、50×1013~50×1015atomscm3であることを特徴とする、多結晶ウェーハ。前記Cu濃度の最大値が、50×1014~10×1015atomscm3であることを特徴とする、上記に記載の多結晶ウェーハ。チャンバの誘導コイル内に、軸方向の少なくとも一部が周方向で複数に分割された無底の銅の冷却モールドを配置し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により、前記冷却モールド内に多結晶材料の融液を溶製し、前記融液を凝固させつつ下方へ引き抜く、多結晶材料の鋳造方法において、前記誘導コイルの出力電力は、300~400kWであることを特徴とする、多結晶材料の鋳造方法。前記誘導コイルの出力電力は、350~380kWである、上記に記載の多結晶材料の鋳造方法。上記又はに記載の多結晶材料の鋳造方法により得られた多結晶インゴットを切断して、多結晶ブロックに分割し、該多結晶ブロックをスライスすることを特徴とする、多結晶ウェーハの製造方法。本発明の多結晶材料の鋳造方法によれば、所望のCu濃度を有する多結晶インゴットを得ることができる。また、本発明の多結晶ウェーハの製造方法によれば、上記多結晶インゴットを切断して、多結晶ブロックに分割し、該多結晶ブロックをスライスすることにより、所望のCu濃度を有する多結晶ウェーハを製造することができる。この多結晶ウェーハは、表面に異物のない高品質の多結晶ウェーハであり、また、このウェーハを基板として用いることにより、変換効率の高い太陽電池を実現することができる。以下、本発明を導くに至った経緯について詳述する。発明者は、多結晶ウェーハ中のCu濃度と該多結晶ウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率との関係及び、多結晶ウェーハ中のCu濃度とウェーハ表面における異物の発生との関係についての知見を得ようと考えた。そのため、まず発明者は、様々なCu濃度の多結晶ウェーハを得るべく、多結晶ウェーハ中のCu濃度を制御する方法について検討した。その結果、電磁鋳造法において、誘電コイルの出力電力を制御することにより、上述した、融液が受ける径方向内側への力を制御して、融液と冷却モールドとの接触状態を調整することができることの新規知見を得た。すなわち、融液と冷却モールドとの接触状態を調整して、冷却モールドからシリコン融液へのCuの混入量を制御できることを見出したものである。以下、誘電コイルの出力電力と多結晶ウェーハ中のCu濃度との関係性について評価した試験について説明する。図1に示す電磁鋳造装置を用いて、ドーパントとしてボロンを添加したシリコン材料を用い、上述のようにシリコン材料の鋳造を行った。ここで、誘電コイルの出力電力は、300kW~400kWの範囲で変化させた。なぜなら、300kW未満とすると、融液中にシリコン原料の溶け残りが発生し、鋳造の継続が困難となるからであり、一方で、400kWより大きくすると、Cuモールドの下方の結晶固化部分が溶けてしまい、湯漏れが発生するからである。鋳造したシリコンインゴットを切断して、多結晶ブロックに分割し、該多結晶ブロックをスライスして、p型の多結晶ウェーハを複数枚製造した。なお、これらのウェーハの抵抗率は15Ωcmとした。製造した10枚のウェーハに対し、多結晶ウェーハ中のCu濃度の最大値を原子吸光分析法によって測定した。ここで、Cu濃度は、ウェーハ面内で分布があり、インゴットの外周部で高くなる傾向がある。そこで、以下、ウェーハ中のCu濃度の最大値を、ウェーハの外周部の4点、及び中心部の1点の計5点のCu濃度を測定した際の、当該5点の中でのCu濃度の最大値とする。ここで、上記5点の測定位置について、ウェーハ中心からの距離に関しては、ウェーハの外周部とは、ウェーハ外周から径方向内側に10mm以下の領域をいい、中心部とは外周部より径方向内側の領域をいうものとする。また、上記外周部の4点の測定位置について、当該4点のウェーハ中心からの方向に関しては、当該4点を、ウェーハの円周を4等分した4方向から1点ずつ選ぶものとする。図2は、誘電コイルの出力電力と多結晶ウェーハ中のCu濃度との関係を示すグラフである。図2におけるCu濃度は、上記10枚のウェーハのそれぞれ面内5点を測定し、その最大値の平均値をとった値である。図2に示すように、コイルの出力電力を300~400kWの範囲で制御することにより、多結晶シリコンウェーハ中のCu濃度を50×1013~50×1015atomscm3の範囲に制御することができることがわかる。なお、上記のp型多結晶ウェーハの製造方法と同様にして、ドーパントとしてリンを添加したシリコン材料を用いて、n型多結晶ウェーハを製造して行った試験においても、コイルの出力を300~400kWの範囲で制御することにより、p型ウェーハの場合と同様に、多結晶シリコンウェーハ中のCu濃度を50×1013~50×1015atomscm3の範囲に制御することができることがわかった。次に、多結晶ウェーハ中のCu濃度と該ウェーハ表面の異物の個数との関係及び、多結晶ウェーハ中のCu濃度と該多結晶ウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率との関係を評価する試験を行った。まず、上述した本発明の方法により、ウェーハ中のCu濃度が上記50×1013~10×1016atomscm3の範囲にあるp型及びn型の多結晶シリコンウェーハを複数枚製造した。また、比較の対象として、従来のキャスト法により製造した、ウェーハ中のCu濃度が15×1012~10×1013atomscm3の範囲にあるp型及びn型の多結晶シリコンウェーハを複数枚用意した。なお、上記p型及びn型ウェーハの抵抗率は、15Ωcmとした。そして、最初に、これらのウェーハの表面の異物の個数を評価した。この評価は、光学顕微鏡により表面観察することにより行った。次に、上記の多結晶シリコンウェーハを用いて、太陽電池を製造し、変換効率を評価した。ここでいう、変換効率は、太陽電池のセル単位面積当たりに照射した光エネルギーE1とセル単位面積当たりから取り出される変換後の電気エネルギーE2との比×100で定義される。これらの評価結果を表1、2及び図3に示す。なお、表1、2及び図3において、変換効率及び異物の個数は、5つのサンプルの平均値をとったものである。また、図3において、横軸は対数で表示している。また、ウェーハのCu濃度とは、上述の定義に基づく、ウェーハのCu濃度の最大値である。図3は、表1、2をもとに、p型及びn型多結晶シリコンウェーハ中のCu濃度と、該ウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率との関係を示す図である。図3に示すように、p型多結晶ウェーハについて、ウェーハ中のCu濃度の最大値が、50×1013~50×1015atomscm3の範囲にて、160以上の高い変換効率を有し、特に、50×1014~10×1015atomscm3の範囲にて、162以上とさらに変換効率が高くなることが判明した。また、n型多結晶ウェーハについては、ウェーハ中のCu濃度の最大値が、50×1013~50×1015atomscm3の範囲にて、170以上の高い変換効率を有し、特に、50×1014~10×1015atomscm3の範囲にて、172以上とさらに変換効率が高くなることが判明した。これは、p型、n型のいずれであっても、多結晶ウェーハ中に10×1014atomscm3以上のCuを含有することにより、多結晶の粒界にCuが偏析し、この偏析したCuにより、シリコン粒間の界面の界面準位が低下して、光励起が容易になるからである。一方で、Cu濃度の最大値が75×1015atomscm3より大きくなると、小さな異物によって、pn接合のシャント抵抗が低くなって、変換効率が低下するからである。以上のことより、ウェーハ中のCu濃度の最大値が50×1013~50×1015atomscm3の範囲にて、p型及びn型多結晶ウェーハを太陽電池の基板として用いることにより、変換効率を向上させることができることがわかる。特に、ウェーハ中のCu濃度の最大値が50×1014~10×1015atomscm3の場合に変換効率がさらに向上することがわかる。多結晶ウェーハのCu濃度の最大値を50×1013~50×1015atomscm3の範囲とするには、電磁鋳造法において、誘導コイルの出力電力を300~400kWとすればよい。また、多結晶ウェーハのCu濃度の最大値を50×1014~10×1015atomscm3の範囲とするには、電磁鋳造法において、誘導コイルの出力電力を350~380kWとすればよい。