"溶融ガラスから略円環状を有するガラス基板を得る円盤加工工程と、前記円盤加工工程によって得られたガラス基板に熱を加えて形状を矯正する第1アニール工程と、前記第1アニール工程によって得られたガラス基板の表面を研削する第1ラッピング工程と、前記第1ラッピング工程によって得られたガラス基板に再度熱を加えて形状を矯正する第2アニール工程と、前記第2アニール工程によって得られたガラス基板の表面を研削する第2ラッピング工程と、を備える磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記第2アニール工程において加えられる熱の温度は、ガラス転移温度Tgより20~50°C低いことを特徴とする請求項1に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記第1ラッピング工程において、ガラス基板が研削される取り代は50~150μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記第2ラッピング工程後のガラス基板において、当該ガラス基板の複数箇所における複屈折量の最小値が最大値に対して50以上であることを特徴とする請求項1に記載の磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、その解決すべき課題は、優れた耐衝撃性及び平坦性を備え、かつ光学歪みのない磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、本発明者らは、磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造工程におけるアニール工程の施すべき時期及び回数に着目し、鋭意検討を行った。この結果、円盤加工工程と第1ラッピング工程の間に第1アニール工程を、前記第1ラッピング工程と第2ラッピング工程の間に第2アニール工程を施すことによって、光学歪みのない光学磁気情報記録媒体用ガラス基板を製造し得ることを見出した。さらに、このような製造方法によって得られた磁気情報記録媒体用ガラス基板であれば、化学強化工程を施さなくても十分な耐衝撃性を備えることができ、優れた平坦性を得られることを見出した。本発明に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、溶融ガラスから略円環状を有するガラス基板を得る円盤加工工程と、前記円盤加工工程によって得られたガラス基板に熱を加えて形状を矯正する第1アニール工程と、前記第1アニール工程によって得られたガラス基板の表面を研削する第1ラッピング工程と、前記第1ラッピング工程によって得られたガラス基板に再度熱を加えて形状を矯正する第2アニール工程と、前記第2アニール工程によって得られたガラス基板の表面を研削する第2ラッピング工程と、を備える磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法である。前記第2アニール工程において加えられる熱の温度は、ガラス転移温度Tgより20~50°C低いことが好適である。このような構成であれば、基板の平坦度や表面状態を悪化させることなく応力を除去することができる。前記第1ラッピング工程において、ガラス基板が研削される取り代は50~150μmであることが好ましい。このような構成であれば、基板の平坦度や反りを除去することができる。前記第2ラッピング工程後のガラス基板において、当該ガラス基板の複数箇所における複屈折量の最小値が最大値に対して50以上であることが好適である。このような構成によれば、光学歪みのないガラス基板を得ることができる。本発明によれば、優れた耐衝撃性及び平坦性を備え、かつ光学歪みのない磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することができる。以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、溶融ガラスから略円環状を有するガラス基板を得る円盤加工工程と、前記円盤加工工程によって得られたガラス基板に熱を加えて形状を矯正する第1アニール工程と、前記第1アニール工程によって得られたガラス基板の表面を研削する第1ラッピング工程と、前記第1ラッピング工程によって得られたガラス基板に再度熱を加えて形状を矯正する第2アニール工程と、前記第2アニール工程によって得られたガラス基板の表面を研削する第2ラッピング工程と、を備えることを特徴とする。また、本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、円盤加工工程と第1ラッピング工程の間に第1アニール工程を備え、かつ、前記第1ラッピング工程と第2ラッピング工程の間に第2アニール工程を備えていること以外は、特に限定されず、従来公知の製造方法であればよい。磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法としては、例えば、円盤加工工程、アニール工程、第1ラッピング工程、形状加工工程、第2ラッピング工程、粗研磨工程1次研磨工程、精密研磨工程2次研磨工程、洗浄工程、等を備える方法等が挙げられる。そして、前記各工程を、この順番で行うものであってもよいし、精密研磨工程2次研磨工程と洗浄工程の順番が入れ替わったものであってもよい。さらに、これら以外の工程を備える方法であってもよい。例えば、ラッピング工程と粗研磨工程1次研磨工程との間に、端面研磨工程を行うものを備えてもよい。特に、洗浄工程については、粗研磨工程の後に行っても、精密研磨工程の後に行ってもよく、さらに粗研磨工程及び精密研磨工程の後にそれぞれ一度ずつ行ってもよい。<円盤加工工程>前記円盤加工工程は、所定の組成のガラス素材から板状に成形したガラス素板から、図1に示すように、内周及び外周が同心円となるように、中心部に貫通孔10aが形成された円盤状のガラス素板10に加工する工程である。具体的には、ダイレクトプレス法が取り得る。例えば、溶融ガラスをプレス成形型の下型成形面上に供給し、下型成形面とこの成形面に対向する上型成形面とによりプレスしてガラスブランクを成形した後、ガラスブランクを下型成形面上に載置した状態で上型成形面から離型し、冷却した後にプレス成形型より取り出される。ガラス基板の材料としては、例えば、SiO2、Na2O、CaOを主成分としたソーダライムガラス;SiO2、Al2O3、R2OR=K、Na、Liを主成分としたアルミノシリケートガラス;ボロシリケートガラス;Li2O-SiO2系ガラス;Li2O-Al2O3-SiO2系ガラス;R’O-Al2O3-SiO2系ガラスR’=Mg、Ca、Sr、Baなどを使用することができる。中でも、アルミノシリケートガラスやボロシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるため特に好ましい。プレス成形したガラス基板前駆体は、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で中心部に孔を開けることで得られる。この円盤加工工程で、例えば、外径r1が2.5インチ約64mm、1.8インチ約46mm、1インチ約25mm、0.8インチ約20mm等で、厚みが2mm、1mm、0.63mm等の円盤状のガラス素板に加工される。また、外径r1が2.5インチ約64mmのときは、内径r2が0.8インチ約20mm等に加工される。<第1アニール行程>第1アニール工程は、研削工程である第1ラッピング工程の前に施す。この第1アニール工程は、セッター治具に情報記録媒体用ガラス基板を挟み、熱処理炉にて加熱する工程であり、本アニール工程を入れることにより、平坦度を修正することができる。また、特にガラス溶融され、プレスにより成形される工程においては、ガラスの冷却温度が均一でないため、ガラス内部に応力歪みを生じる。この応力歪みが原因となり、アニール工程を行わずに、ラッピングやポリッシングを行うと歪みに応じて微小なクラックが生じる。このクラックの内部に研磨材や異物等が入り込み、高精度の研磨を繰り返しても凸部が発生し、不良品となる。このガラス内部の応力歪みを、円盤加工工程直後にアニール処理することにより開放することができ、その後にラッピングやポリッシングを行ってもクラックの発生がなく不良品の発生を減少させることができる。第1アニール工程の温度は、ガラス転移温度Tgより30~70°C高いことが好ましい。上記範囲より低い温度だと、平坦度の補正が行えなくなってしまう。また、上記範囲より高い温度だと、軟化点に近い温度になりガラスとアニールを行う冶具などがくっついたり、逆に平坦度が悪くなったりする。また、アニール温度での保持時間は、120分以上1440分未満が好ましい。また、除冷スピードが早く行うと急冷、別の反りが発生するため、除冷スピードは遅い方が好ましい。セッター部材の材質としては、ステンレスオーステナイト系、マルテンサイト系、鋳物FC系、FCD系、耐熱合金Co系やNi系、セラミックスSiC、SiCN3等を使用することができる。また、押圧部材表面に、硬度が高く酸化しにくいCRメッキ、Ni-P無電解メッキ等の処理を行うこともできる。押圧面の形状は、上下面とも平坦でかつ、上下面が互いに平行なものを使用することが望ましい。セッター面の形状は、温度によって変形するため、使用温度や型材料の膨張特性などを考慮し、ガラス基板主表面を加圧する際に所望の形状になるように配慮して決定される。<第1ラッピング行程>ラッピング工程とは、前記ガラス素板を所定の板厚に加工する工程である。具体的には、ガラス素板の両面を研削ラッピング加工する工程等が挙げられる。このように加工することによって、ガラス素板の平行度、平坦度及び厚みを調整することができる。また、このラッピング工程は、1回であってもよいし、2回以上であってもよい。例えば、2回行う場合、1回目のラッピング工程第1ラッピング工程で、ガラス素板の平行度、平坦度及び厚みを予備調整し、2回目のラッピング工程第2ラッピング工程で、ガラス素板の平行度、平坦度及び厚みを微調整することが可能となる。より具体的には、前記第1ラッピング工程としては、ガラス素板の表面全体が略均一の表面粗さとなるようにする工程等が挙げられる。その際、例えば、ガラス素板の算術平均粗さRaを複数個所測定した際に、得られたRaの最小値と最大値との差が0.01~0.4μm程度にすることが好ましい。また、前記第1ラッピング工程において、ガラス基板が研削される取り代は50~150μmであり、70~120μmであることが好ましい。取り代が50μmより小さいと平坦度が除去しきれなくなり、150μmより大きいと加工時間が長くなり、結果製造方法の効率が悪くなる。<形状加工工程>形状加工工程は、前記第1ラッピング工程の後に、ガラス基板の外周端面および内周端面を、例えば鼓状のダイヤモンド等の研削砥石により研削することで内外径加工する工程である。ガラス基板の内周、外周の端面は、内周及び外周端面加工工程でブラシ研磨によるポリッシング加工を行う。ブラシは、φ0.2からφ0.3mm程度のナイロン、ポリプロピレン等を使用するのが好ましい。また、研磨液は、粒径が数μm程度の酸化セリウムが好ましい。ブラシ研磨の結果、内周、外周の端面の面粗さは、Rmaxが0.2~0.4μmで、Raが0.02~0.04μm程度とするのが好ましい。形状加工工程を経たガラス基板の端面の形状は、主表面と端面とが成す角部が取り除かれ、外周端面から0.2mmから0.5mm程度の位置から主表面よりダレた状態となる。<第2アニール行程>第2アニール工程は、研削工程である第2ラッピング工程の前に施す。この第2アニール工程についても、情報記録媒体用ガラス基板を加熱する工程であり、前述の第1ラッピング工程及び形状加工工程において生じたガラス基板内部の歪みを開放することができる。第2アニール工程の温度についても、ガラス転移温度Tgより20~50°C低いことが好ましい。上記範囲より低い温度だと、ガラスの内部応力の開放が不十分となり、微小クラックが発生し異物が埋まってしまう。また、上記範囲より高い温度だと、ガラスの転移温度に近くなり、表面に凹凸ムラが生じやすくなる。<第2ラッピング行程>また、前記第2ラッピング工程としては、粗面化されたガラス基板の主表面を、さらに固定砥粒研磨パッドを用いて研削する行程等が挙げられる。この第2ラッピング工程においては、例えば、粗面化されたガラス基板をラッピング装置にセットし、ダイヤモンドタイルDiamondTileのような表面模様付きの三次元固定研磨物を用いることで、ガラス基板の表面をラッピングすることができる。前記第2ラッピング行程を施すと、後述する粗研磨行程にて行われる研磨を効率良く行うことができる。また、第2ラッピング行程によって施された研磨工程に用いるガラス素板ガラス素板の表面粗さRaは0.10μm以下であることが好ましく、0.05μm以下であることがより好ましい。<粗研磨工程>前記粗研磨工程1次研磨工程は、前記ラッピング工程が施されたガラス素板の表面に粗研磨を施す工程である。この粗研磨は、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、下記の研磨方法を用いて実施する。なお、前記粗研磨工程で研磨する表面は、主表面及び/又は端面である。主端面とは、ガラス素板の面方向に平行な面である。端面とは内周端面と外周端面とからなる面のことである。また、内周端面とは、内周側の、ガラス素板の面方向に垂直な面及びガラス素板の面方向に対して傾斜を有する面である。また、外周端面とは、外周側の、ガラス素板の面方向に垂直な面及びガラス素板の面方向に対して傾斜を有する面である。粗研磨工程で用いる研磨装置は、ガラス基板の製造に用いる研磨装置であれば、特に限定されない。具体的には、図3に示すような研磨装置1が挙げられる。なお、図3は、本実施形態に係る磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法における粗研磨工程や精密研磨工程で用いる研磨装置1の一例を示す概略断面図である。図3に示すような研磨装置11は、両面同時研削可能な装置である。また、この研磨装置11は、装置本体部11aと、装置本体部11aに研磨液を供給する研磨液供給部11bとを備えている。装置本体部11aは、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13とを備えており、それらが互いに平行になるように上下に間隔を隔てて配置されている。そして、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13とが、互いに逆方向に回転する。この円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13との対向するそれぞれの面にガラス素板10の表裏の両面を研磨するための研磨パッド15が貼り付けられている。この粗研磨工程で使用する研磨パッド15は、粗研磨工程で用いられる研磨パッドであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ポリウレタン製の硬質研磨パッド等が挙げられる。また、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13との間には、回転可能な複数のキャリア14が設けられている。このキャリア14は、複数の素板保持用孔51が設けられており、この素板保持用孔51にガラス素板10をはめ込んで配置することができる。キャリア14としては、例えば、素板保持用孔51を100個有していて、100枚のガラス素板10をはめ込んで配置できるように構成されていてもよい。そうすると、一回の処理1バッチで100枚のガラス素板10を処理できる。研磨パッドを介して定盤12、13に挟まれているキャリア14は、複数のガラス素板10を保持した状態で、自転しながら定盤12,13の回転中心に対して下定盤13と同じ方向に公転する。なお、円盤状の上定盤12と円盤状の下定盤13とは、別駆動で動作することができる。このように動作している研磨装置11において、研磨スラリー16を上定盤12とガラス素板10との間、及び下定盤13とガラス素板10との間、夫々に供給することでガラス素板10の粗研磨を行うことができる。研磨スラリー供給部11bは、液貯留部110と液回収部120とを備えている。液貯留部110は、液貯留部本体110aと、液貯留部本体110aから装置本体部11aに延ばされた吐出口110eを有する液供給管110bとを備えている。液回収部120は、液回収部本体120aと、液回収部本体120aから装置本体部11aに延ばされた液回収管120bと、液回収部本体120aから研磨スラリー供給部11bに延ばされた液戻し管120cとを備えている。そして、液貯留部本体110aに入れられた研磨スラリー7は、液供給管110bの吐出口110eから装置本体部11aに供給され、装置本体部11aから液回収管120bを介して液回収部本体120aに回収される。また、回収された研磨スラリー16は、液戻し管120cを介して液貯留部110に戻され、再度、装置本体部11aに供給可能とされている。ここで用いる研磨液16は、研磨剤を水に分散させた状態の液体、すなわち、スラリー液である。また、ここで用いる研磨パッド15は、ウレタンやポリエステル等の合成樹脂の発泡体に、酸化セリウム研磨剤を含有させたものである。酸化セリウムの含有量が多い研磨剤を用いると、研磨速度を高め、研磨後のガラス素板の平滑性を充分に高めることができる理由としては、以下のような理由によると考えられる。まず、研磨の際にガラス素板の表面に圧力が加わった状態で、ガラス素板と酸化セリウムとが接触すると、ガラス素板の表面で主な組成であるSi-Oの結合が、Ce-Oの結合に置き換わると考えられる。そして、この結合は、容易に分解するが、Siとの結合が再度形成されにくいと考えられる。よって、酸化セリウムの含有量が多い研磨剤を用いると、研磨速度を高め、研磨後のガラス素板の平滑性を充分に高めることができると考えられる。なお、前記研磨剤を水に分散させた状態の研磨液を用いて研磨する際、前記水にアルカリ土類金属が含有されていても、アルカリ土類金属が溶解しているため、ガラス素板の表面に付着しにくく、研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が、ガラス素板の表面に付着しやすいと考えられる。よって、アルカリ土類金属の少ない研磨剤を用いることによって、研磨後のガラス素板に対するアルカリ土類金属の付着を充分に抑制できると考えられる。また、酸化セリウムの含有量は、高ければ高いほど好ましい。すなわち、研磨剤に含有する希土類酸化物が、全て酸化セリウムであることが好ましい。このことは、酸化セリウムがガラス素板の研磨性に最も影響することによると考えられる。また、アルカリ土類金属の含有量は、低ければ低いほど好ましい。また、前記研磨液は、前記研磨剤を水に分散させた状態のものであり、酸化セリウムの含有量が、前記研磨液全量に対して、3~15質量であることが好ましい。そうすることによって、耐衝撃性に優れた情報記録媒体用ガラス基板を製造でき、さらに、研磨速度をより高めることができ、平滑性のより高い情報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。また、前記研磨剤を水に分散させた状態の研磨液の場合、上述したように、前記水にアルカリ土類金属が含有されていても、アルカリ土類金属が溶解しているため、ガラス素板の表面に付着しにくく、研磨剤に含まれるアルカリ土類金属が、ガラス素板の表面に付着しやすいと考えられる。よって、前記研磨剤として、アルカリ土類金属の少ないものを用いることによって、研磨後のガラス素板に対するアルカリ土類金属の付着を充分に抑制できると考えられる。また、前記研磨剤が、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における最大値が3.5μm以下であり、レーザ回折散乱法で測定された粒度分布における累積50体積径D50が0.4~1.6μmであることが好ましい。前記研磨剤の粒径が小さすぎると、研磨速度が低下する傾向がある。前記研磨剤の粒径が大きすぎると、研磨によってガラス素板上に形成されうる傷が発生しやすくなる。<精密研磨工程2次研磨工程>精密研磨工程は、前記粗研磨工程で得られた平坦平滑な主表面を維持しつつ、例えば、主表面の表面粗さRmaxが6nm程度以下である平滑な鏡面に仕上げる鏡面研磨処理である、この精密研磨工程は、例えば、上記粗研磨工程で使用したものと同様の研磨装置を用い、研磨パッドを硬質研磨パッドから軟質研磨パッドに取り替えて行われる。なお、前記精密研磨工程で研磨する表面は、前記粗研磨工程で研磨する表面と同様、主表面である。また、精密研磨工程で用いる研磨剤としては、粗研磨工程で用いた研磨剤より、研磨性が低くても、傷の発生がより少なくなる研磨剤が用いられる。具体的には、例えば、粗研磨工程で用いた研磨剤より、粒子径が低いシリカ系の砥粒コロイダルシリカを含む研磨剤等が挙げられる。このシリカ系の砥粒の平均粒子径としては、20nm程度であることが好ましい。そして、前記研磨剤を含む研磨スラリー液をガラス素板に供給し、研磨パッドとガラス素板とを相対的に摺動させて、ガラス素板の表面を鏡面研磨する。<洗浄工程>前記洗浄工程は、前記粗研磨工程が施されたガラス素板を洗浄する工程である。前記粗研磨工程による粗研磨後のガラス素板は、洗浄工程によって洗浄することが好ましい。洗浄工程としては、特に限定されない。具体的には、例えば、以下のような洗浄工程が挙げられる。まず、pH13以上のアルカリ洗剤を用いて、ガラス素板の洗浄を行い、ガラス素板にリンスを行う。次に、pH1以下の酸系洗剤を用いて、ガラス素板の洗浄を行い、ガラス素板にリンスを行う。また、各洗浄の後にリンス槽を用いることが好ましい。これらの洗剤には、場合によって界面活性剤、分散材、キレート剤、還元材などを添加しても良い。また、各洗浄槽には、超音波を印加し、それぞれの洗剤には脱気水を使用することが好ましい。そして、最後に、ガラス素板を取り出し、純水でリンスを行い、IPA乾燥させる。また、この粗研磨後のガラス素板の洗浄は、ガラス素板表面の酸化セリウム量が0.125ng/cm2以下となるように行なわれる。ガラス素板表面の酸化セリウム量が多すぎると、ガラス素板の平坦度を良好にできない傾向がある。以上の工程を経て製造された磁気情報記録媒体用ガラス基板は、内部応力のばらつきが取り除かれたものであり、光学歪みの小さいものである。この内部応力のばらつきは、具体的には、ガラス基板の複数箇所における複屈折量の測定を行うことによって確かめることができる。なお、複屈折量とは、物質内を光が単位長さ通過したときの、二つの屈折光の位相差のことである。通常、ガラスの光学歪みはこの複屈折量として定義される。前記複屈折量は、PA-100フォトニックラティス社製等を用いて測定される。本発明の製造方法によって得られた磁気情報記録媒体用ガラス基板は、複数箇所において測定した複屈折量の最小値が最大値に対して50以上であるため、光学歪みの小さいガラス基板であるといえる。上記複屈折量の最小値が最大値に対して50未満であると、応力値のバランスが悪く、光学歪みの大きいものであるといえる。さらに、本発明の製造方法によって得られた磁気情報記録媒体用ガラス基板は、耐衝撃性に優れる。つまり、ガラス基板の耐衝撃性は、硬度や微小クラックの多さだけでなく、基板内部の残留応力によっても決定される。ガラス基板の硬度はガラスの組成、微小クラックの多さは表面Raによって起因するが、基板内部の残留応力はガラス基板のプレス成形時にその値が決まり、その後の化学強化によって上昇させることができる。しかしながら、化学強化工程を行うと、基板の平坦度が悪くなることが知られており、たとえ化学強化工程を行ったとしてもなお、強度に劣る基板が生じていた。これは、化学強化によって内部応力の全体量は上昇するが、局所的に内部応力の弱い箇所は、化学強化工程によってそれほど上昇させることができないからである。したがって、本発明の工程を備えた製造方法であれば、化学強化工程を経ずに、光学歪みをなくすだけでなく、耐衝撃性の高い基板を得ることができる。成膜工程図4は、本実施形態に係る製造方法により製造された磁気情報記録媒体用ガラス基板を用いた磁気記録媒体の一例である磁気ディスクを示す一部断面斜視図である。この磁気ディスクDは、円形の磁気情報記録媒体用ガラス基板101の主表面に形成された磁性膜102を備えている。磁性膜102の形成には、公知の常套手段による形成方法が用いられる。例えば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を磁気情報記録媒体用ガラス基板101上にスピンコートすることによって磁性膜102を形成する形成方法スピンコート法や、磁気情報記録媒体用ガラス基板101上にスパッタリングによって磁性膜102を形成する形成方法スパッタリング法や、磁気情報記録媒体用ガラス基板101上に無電解めっきによって磁性膜102を形成する形成方法無電解めっき法等が挙げられる。磁性膜102の膜厚は、スピンコート法による場合では、約0.3~1.2μm程度であり、スパッタリング法による場合では、約0.04~0.08μm程度であり、無電解めっき法による場合では、約0.05~0.1μm程度である。薄膜化および高密度化の観点から、スパッタリング法による膜形成が好ましく、また、無電解めっき法による膜形成が好ましい。磁性膜102に用いる磁性材料は、公知の任意の材料を用いることができ、特に限定されない。磁性材料は、例えば、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金等が好ましい。より具体的には、Coを主成分とするCoPt、CoCr、CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCr、CoNiPt、CoNiCrPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa、CoCrPtB、CoCrPtSiO等が挙げられる。磁性膜102は、ノイズの低減を図るために、非磁性膜例えば、Cr、CrMo、CrV等で分割された多層構成例えば、CoPtCr/CrMo/CoPtCr、CoCrPtTa/CrMo/CoCrPtTa等であってもよい。磁性膜102に用いる磁性材料は、上記磁性材料の他、フェライト系や鉄-希土類系であってもよく、また、SiO2、BN等からなる非磁性膜中にFe、Co、FeCo、CoNiPt等の磁性粒子を分散した構造のグラニュラー等であってもよい。また、磁性膜102への記録には、内面型および垂直型のいずれかの記録形式が用いられてよい。また、磁気ヘッドの滑りをよくするために、磁性膜102の表面には、潤滑剤が薄くコーティングされてもよい。潤滑剤として、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテルPFPEをフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。さらに必要により磁性膜102に対し下地層や保護層が設けられてもよい。磁気ディスクDにおける下地層は、磁性膜102に応じて適宜に選択される。下地層の材料として、例えば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等の非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。例えば、Coを主成分とする磁性膜102の場合には、下地層の材料は、磁気特性向上等の観点からCr単体やCr合金であることが好ましい。また、下地層は、単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造であってもよい。このような複数層構造の下地層は、例えば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層が挙げられる。磁性膜102の摩耗や腐食を防止する保護層として、例えば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層等が挙げられる。これら保護層は、下地層および磁性膜102と共にインライン型スパッタ装置で連続して形成することができる。また、これら保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる複数層構成であってもよい。なお、上記保護層上に、あるいは、上記保護層に代えて、他の保護層が形成されてもよい。例えば、上記保護層に代えて、Cr層の上にSiO2層が形成されてもよい。このようなSiO2層は、Cr層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成することによって形成される。このような本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板101を基体とした磁気記録媒体は、磁気情報記録媒体用ガラス基板101が上述した組成により形成されるので、情報の記録再生を長期に亘り高い信頼性で行うことができる。なお、上述では、本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板101を磁気記録媒体に用いた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、本実施形態における磁気情報記録媒体用ガラス基板101は、光磁気ディスクや光ディスク等にも用いることが可能である。以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。下記で記載したような工程を経た後、各工程の順序を変更したガラス基板、第1ラッピング工程における取り代を変更したガラス基板の製造を行った。円盤加工工程まず、ガラス素材を溶融させることにより溶融ガラスを準備した。この溶融ガラスを下型に流し入れて、上型および胴型を用いてダイレクトプレスすることにより、直径66mmφ、厚さ1.2mmの円盤状のガラス基板前駆体を得た。上記のガラス素材としては、アルミノシリケートガラスを用いた。次に、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリルでガラス基板前駆体の中心部を研削することにより穴を開けた。このようにして外径が65mmのガラス基板前駆体の中心部に20mmの内径の孔中心部の孔1Hの直径を開けた。第1アニール工程第1アニール工程の温度は、ガラス転移温度Tgより30°C高い温度で行った。アニール温度での保持時間は、600分行った。第1ラッピング工程次に、ガラス基板前駆体を両面ラッピング装置にセットして、400粒径約40~60μmの粒度のアルミナ砥粒を用いて、アルミナ上定盤の荷重を100kg程度に設定して、ガラス基板前駆体の表裏面を研磨した。このようにしてキャリア内に収納したガラス基板前駆体は、その両面の面精度が0μm~1μmであり、表面粗さRmaxが6μm程度であった。内外加工工程次に、上記のガラス基板前駆体の外周端面および内周端面の面取り加工を行なった。これによりガラス基板前駆体の端面の面粗さは、Rmaxで2μm程度となった。端面研磨工程続いて、研磨砥粒として酸化セリウム砥粒を含むスラリー遊離砥粒を用いて、ブラシ研磨方法により、ガラス基板前駆体を回転させながらガラス基板前駆体の外周端面および内周端面を研磨した。ここでは、ガラス基板前駆体の外周端面および内周端面の表面粗さがRmaxで0.4μm、Raで0.1μm程度になるまで研磨を行なった。上記の内周側端面に対し、さらに磁気研磨法による研磨を行なうことにより、パーティクル等の発塵を防止する鏡面状態に加工した。そして、このようにして内周端面を研磨した後に、ガラス基板前駆体の主表面を水で洗浄した。第2アニール工程第2アニール工程の温度は、ガラス転移温度Tgより20°C低い温度で行った。アニール温度での保持時間は、600分行った。第2ラッピング工程次いで、精ラッピング工程では、上記のガラス基板前駆体の表裏の両面を遊星歯車機構を利用した両面研削機にセットした。そして、ダイヤモンドシートを用いて、ガラス基板前駆体に加わる定盤の加重を60g/cm2から120g/cm2として、定盤の回転数を10rpmから30rpmとし、上の定盤の回転数を下の定盤回転数より30から40程度遅くして、ガラス基板前駆体の表裏を研磨した。このようにしてガラス基板前駆体の主表面の表面粗さRaが0.1μm以下で、平坦度を7μm以下となるまでラッピングを行なった。粗研磨工程まず、上述した両面研磨装置を用いて精ラッピング工程で残留した傷や歪みを除去するための粗研磨工程を行なった。この粗研磨工程においては、ポリッシャがスウェードパッドである研磨パッドを用いて、以下の条件でガラス基板前駆体の表裏を研磨した。研磨液:酸化セリウム平均粒径1.3μm水荷重:80~100g/cm2研磨時間:30分~50分除去法:35μm~45μm精密研磨工程続いて、精密研磨工程を行なうことにより、ガラス基板前駆体に対し、軟質ポリッシャスウェードである研磨パッドを用いて、ガラス基板前駆体の表裏を研磨し、ガラス基板前駆体の主表面から1μmの厚みを除去した。なお、精密研磨工程で用いる研磨剤としては、粗研磨工程で用いた酸化セリウムよりも微細なシリカ砥粒を用いた。最終洗浄工程上記研磨処理を終えたガラス基板前駆体に対し、中性洗剤および純水にて洗浄し乾燥させた。<実施例1>上記製造方法の順序において、第1アニール工程はアニール温度をTg30°C、第2アニール工程はアニール温度をTg-20°C、各アニール工程の時間をそれぞれ600分間行った。第1ラッピング工程においては、取り代が100μmとなるようにガラス基板の研削を行った。<比較例1>上記実施例1において、円盤加工工程、第1アニール工程、第1ラッピング工程、次いで第2ラッピング工程、以下実施例1と同様の順序としたものを比較例1とした。アニール工程の温度、工程時間の条件は実施例1と同様とした。<比較例2>上記実施例1における第2アニール工程を省いてガラス基板を製造したものを比較例2とした。その他条件は実施例1と同様とした。割れ試験評価各基板を製膜後、ハードディスクドライブに組み込み割れ試験を行った。この割れ試験とはHDDに対して1000G1G:9.80665m/s2の衝撃が与えられるように、複数のHDDを落下させた。その際、HDDに内蔵される磁気ディスク10が割れたか否かを目視で確認し、割れた割合を計算した。割れ試験評価割れた割合が30未満◎割れた割合が10以上20未満○割れた割合が20以上30未満△割れた割合が30以下×表1の結果から明らかなように、第2アニール工程を施さなかった比較例2のガラス基板は、割れ試験に劣る結果を示した。また、第2アニール工程を第1ラッピング工程の前に施した比較例1のガラス基板についても、割れ試験に劣る結果を示した。一方で、第1アニール工程の後に第1ラッピング工程、その後に第2アニール工程の順序にて製造したガラス基板は、割れに強いものを得られることが分かった。次に、第1ラッピング工程における取り代について検討した。<実施例2>第1ラッピング工程において、取り代が50μmとなるようにガラス基板の研削を行ったものを実施例2とし、その他の条件は実施例1と同様とした。<実施例3>第1ラッピング工程において、取り代が150μmとなるようにガラス基板の研削を行ったものを実施例3とした。<実施例4>第1ラッピング工程において、取り代が30μmとなるようにガラス基板の研削を行ったものを実施例4とした。<実施例5>第1ラッピング工程において、取り代が200μmとなるようにガラス基板の研削を行ったものを実施例5とした。以上の実施例2~5の各ガラス基板において上記の割れ試験評価、及び平坦度測定による評価を行った。平坦度測定は第2ラッピング工程の前に行い、Nidec社製のFT-17にて計測した。計測値を以下のような評価とした。なお、平坦度測定を第2ラッピング工程の後に行うのは、ラッピング工程とアニール工程による影響がもっとも出やすいタイミングであって、第2ラッピング工程以前に平坦度が良好であると、後にあらゆる工程を経たとしても、依然として平坦度が良好のままであるからである。平坦度測定評価平坦度が0~10μmの場合○平坦度が10~20μmの場合△平坦度が20μmより大きい場合×表2の結果から、第1ラッピング工程による取り代が150μmである実施例3は、平坦度、割れ試験ともに優れた結果を示した。また、取り代が50μmである実施例2については、平坦度について前記実施例3に比べてやや劣るが品質に問題のないものとなり、さらに割れ試験評価については非常に優れたものとなった。また、前記取り代がそれぞれ30μm、200μmである実施例4,5についても、平坦度、割れ試験ともに品質に問題のない範囲であり、第2アニール工程を施さない前記比較例2に比べて良好なガラス基板が得られた。"