"下記式Iで示される液晶化合物。式中、R1およびR2は、互いに独立してそれぞれ、H、ハロゲン、ハロゲン化もしくは無置換の炭素数1~15のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、但し、この基において1または2以上のCH2基は、O原子同士が直接結合しないことを条件として、-C≡C-、-CH=CH-、-O-、-CO-O-または-O-CO-で置換されていても良く、ここで、基R1およびR2の1つは、CN、OCN、SCN、NCSまたはSF5を表してもよく、A1、A2、A3およびA4は、互いに独立してそれぞれ、を表し、Z1、Z2およびZ3は、互いに独立してそれぞれ、-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH24-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF=CF-、-CH=CH-、-C≡C-または単結合を表し、a、bおよびcは、互いに独立してそれぞれ、0、1、2または3を表し、ここでabc≦3である。下記式IAで示される液晶化合物。式中、R1、R2、a、bおよびcは、請求項1で示した意味を有し、ここでab=1または2であり、L1およびL2はそれぞれ、互いに独立してHまたはFを示す。a=1およびb=0、またはa=0およびb=1であることを特徴とする請求項1または2記載の液晶化合物。L1がフッ素を示し、L2がフッ素または水素を示すことを特徴とする請求項2記載の液晶化合物。L1およびL2がフッ素を示すことを特徴とする請求項2記載の液晶化合物。式I1~I31で示される液晶化合物。式中、R1は請求項1に示した意味を有し、XはR2の意味を有する。請求項1の液晶化合物の少なくとも1つを含有することを特徴とする少なくとも2つのメソーゲン性化合物を含む液晶媒体。一般式II~IXからなる群より選ばれる1種または2種以上の化合物を含有することを特徴とする請求項7記載の液晶媒体。式中、R0は、それぞれ炭素数9までのn-アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル、アルケニルオキシまたはアルケニルを表し、X0は、F、Cl、それぞれ炭素数7までのハロゲン化アルキル、ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アルケニルオキシまたはハロゲン化アルコキシを表し、Z0は、-CH=CH-、-C2H4-、-CH24-、-C2F4-、-CH2O-、-OCH2-、-CF=CF-、-CF2O-、-OCF2-または-COO-を表し、Y1、Y2、Y3およびY4は、互いに独立して、それぞれHまたはFを表し、rは、0または1である。請求項7または8の液晶媒体の電気光学目的のための使用。請求項7または8の液晶媒体を含有する電気光学液晶ディスプレイ。本発明は、特に、前述の不都合を有していないか、有していたとしてもより少ない程度であるような媒体、特にMLC、IPS、TNまたはSTNディスプレイ用の媒体であって、好ましくは同時に非常に高い比抵抗値、および低しきい電圧を有するものを提供することを目的とする。この目的は、高い透明点および低い回転粘度を有する液晶化合物を必要とする。この目的は、本発明の液晶化合物を使用することにより達成されることが見出された。本発明は、式Iの液晶化合物に関する。ここで、R1およびR2は、互いに独立してそれぞれ、H、ハロゲン、ハロゲン化もしくは無置換の炭素数1~15のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、但し、この基において1または2以上のCH2基は、O原子同士が直接結合しないことを条件として、-C≡C-、-CH=CH-、-O-、-CO-O-または-O-CO-で置換されていても良く、ここで、基R1およびR2の1つは、CN、OCN、SCN、NCSまたはSF5を表してもよく、A1、A2、A3およびA4は、互いに独立してそれぞれ、を表し、Z1、Z2およびZ3は、互いに独立してそれぞれ、-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH24-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF=CF-、-CH=CH-、-C≡C-または単結合を表し、a、bおよびcは、互いに独立してそれぞれ、0、1、2または3を表し、ここでabc≦3である。本発明はさらに、式Iの化合物の液晶媒体中での使用に関する。式Iの化合物は、広い範囲の用途を有する。置換基の選択により、これらの化合物複数は、液晶媒体の大部分がそれで構成されるベース材料として使用することができる。しかし、この化合物を、他のクラスからの液晶ベース材料に、このタイプ誘電体の誘電および/または光学異方性を変更するために、および/またはそのしきい電圧および/または粘度を最適化するために、添加することも可能である。純粋な状態では、式Iの化合物は無色であり、電気光学の使用のために好ましい温度範囲で液晶中間相を形成する。特に本発明の化合物は、その広いネマチック相範囲により特徴付けられる。液晶混合物中において、本発明の物質は、スメクチック相を抑制し、その結果として低温保存安定性が際立って改良されている。それらは化学的、熱的に安定であり、また光に対して安定である。本発明は、特に、式IにおいてR1がアルキルまたはアルケニル、R2がハロゲンまたはOCF3である化合物に関する。ハロゲンは、好ましくはF、さらにはClである。特に好ましいものは、式Iにおいて、a=0、さらにはa=1である化合物である。Z1、Z2および/またはZ3は好ましくは単結合を表し、さらには-CF2O-、-OCF2-、-C2F4-、-CH2O-、-OCH2-または-COO-を表す。A1、A2、A3およびA4は、好ましくは、を表す。A4は特に、を表す。特に好ましいものは式IAの化合物である。ここで、aおよびbは、0、1または2を示し、ab=1または2である。好ましくは、a=1およびb=0、またはa=0およびb=1である。好ましくは、L1=FおよびL2=Hまたはフッ素であり、特にL1=L2=フッ素である。R1は好ましくは、アルキル、アルコキシ、アルケニルまたはアルケニルオキシを表す。R2は好ましくは、F、Cl、OCF3、OCHF2、OCHFCF3、OCF2CHFCF3、CN、SF5、NCSまたはSCNであり、特にFまたはOCF3であり、そしてR1は好ましくは直鎖アルキルまたはアルケニルを表す。L1およびL2はそれぞれ互いに独立して、HまたはFを表す。特に、X=L1=L2=フッ素である化合物、さらにはX=OCF3およびL1=L2=Fである化合物が好ましい。式Iの化合物の特に好ましいものは、式I1~I31の化合物である。ここで、R1は、上述のとおりである。Xは、R2と同じ意味を有する。式Iの化合物は、ラセミ体を、例えばカイラルHPLCカラムを通すことにより非常に容易に鏡像体に分離することができる。従って、本発明は、ラセミ体および鏡像体のどちらの形態の式Iの化合物にも関するものである。式Iの化合物は、方法自身が公知である方法で合成される例えば一般的文献、HoubenWeylMethodenderOrganischenChemieMethodsofOrganicChemistryGeorgThiemeVerlagStuttgart等。正確にはこのような合成に知られており適した条件が選ばれる。また、ここにはより詳しくは述べないが、それ自身公知の異なる方法によることもできる。式Iの化合物は例えば次のように合成することができる。本発明は、またこのタイプの液晶媒体を含む電気光学ディスプレイ特に、セル、各ピクセルをスイッチングするための外板上の集積非線形素子、および正の誘電異方性および高比抵抗のネマチック液晶混合物を、外枠と共に構成する2つの平行の外板を有するSTNまたはMLCディスプレイに関し、またこれらの媒体の電気光学目的への使用に関する。本発明の液晶混合物により、利用可能なパラメーター範囲を著しく広げることが可能である。透明点、低温での粘度、熱およびUV安定性、および誘電異方性の達成可能な組み合わせは、先行技術の従来材料よりはるかに優れている。高い透明点、低温でのネマチック相および高い正のΔεに対する要求は、従来は不十分な程度までしか達成できなかった。例えばMS99295MerckKGaA、ダルムシュタット、Germanyは、匹敵する透明点と低温安定性を有するけれども、比較的高いΔn値および約≧1.7Vという高いしきい電圧を有している。他の混合物系では、同等の粘度とΔε値を有しているが、60°Cの領域に透明点を有しているに過ぎない。本発明の液晶混合物は、-20°C、好ましくは-30°Cまで、特に好ましくは-40°Cまでネマチック相を保持しながら、80°Cを超える、好ましくは90°Cを超える、特に好ましくは100°Cを越える透明点、同時にΔε≧4好ましくは≧6の誘電異方性値、および高い比抵抗値を可能にして、優れたSTNおよびMLCディスプレイを達成可能とする。特に、この混合物は、低電圧駆動によって特徴づけられる。TNしきい値は、1.5V未満であり、好ましくは1.3V未満である。言うまでもなく、本発明の混合物成分の適切な選択により、他の有利な性質を保持しながら、より高いしきい電圧でより高い透明点が達成されるか、またはより低いしきい電圧でより低い透明点が達成されることも可能である。粘度の上昇をわずかにとどめながら、より大きなΔεと従ってより低いしきい電圧の達成も同じように可能である。本発明のMLCディスプレイは、好ましくはグーチタリーの第1次透過極小で動作させることが好ましいCHGoochandHATarryElectronLett10241974CHGoochandHATarryApplPhysVol8157515841975。ここで、例えば特性曲線の急峻性およびコントラストの低視野角依存性のような特に好ましい電気光学特性ドイツ特許3022818に加えて、より小さな誘電異方性でも、第2次透過極小での類似のディスプレイと同じしきい電圧にするのに十分である。これにより、第1次透過極小で本発明の混合物を使用することにより、シアノ化合物を含む混合物の場合に比べて、極めて高い比抵抗値を達成することができる。個々の成分とその量の適切な選択を通して、当業者は簡単なルーチンの方法によりMLCのあらかじめ指定された層の厚さに必要な複屈折率を定めることができる。20°Cにおける流動粘度ν20は、好ましくは60mm2s-1未満であり、特に好ましくは50mm2s-1未満である。ネマチック相範囲は、少なくとも90度あることが好ましく、さらに少なくとも100度あることが好ましい。この範囲は少なくとも-30°Cから80°Cにわたることが好ましい。20°Cにおける回転粘度γ1は、好ましくは200mPas未満であり、特に好ましくは180mPas未満であり、特に160mPas未満である。キャパシティ保持率HRの測定SMatsumotoetalLiquidCrystals51320KNiwaetalProcSIDConferenceSanFranciscoJune1984p304GWeberetalLiquidCrystals51381により、式Iの化合物を含有する本発明の混合物は、式:のシアノフェニルシクロヘキサン類や、式:のエステル化合物類を式Iの化合物の代わりに含有する混合物に比べて、高い温度でもHRの低下が著しく小さいことが示された。本発明の混合物のUV安定性は極めて優れている。即ち、それらはUV照射によってもHRの低下が著しく小さい。本発明による媒体は、好ましくは複数の好ましくは2、3またはそれより多くの式Iの化合物に基づく。即ち、これらの化合物の割合は、5~95、好ましくは10~60、特に好ましくは15~40の範囲である。本発明の媒体に使用される式IからIXのおよびそのサブ式の化合物のそれぞれは、公知であるからまたは公知化合物に類似する方法により合成することができる。好ましい実施形態を以下に示す。-媒体は、好ましくは1、2または3種の式Iの同族化合物を含有し、同族化合物のそれぞれが最大で10の量で混合物中に存在する。-媒体は、さらに一般式II~IXからなる群より選ばれる1種または2種以上の化合物を含有する。式中、各基は次の意味を有する。R0は、それぞれ炭素数9までのn-アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル、アルケニルオキシまたはアルケニルを表し、X0は、F、Cl、それぞれ炭素数7までのハロゲン化アルキル、ハロゲン化アルケニル、ハロゲン化アルケニルオキシまたはハロゲン化アルコキシを表し、Z0は、-CH=CH-、-C2H4-、-CH24-、-C2F4-、-CH2O-、-OCH2-、-CF=CF-、-CF2O-、-OCF2-または-COO-を表し、Y1、Y2、Y3およびY4は、互いに独立して、それぞれHまたはFを表し、rは、0または1である。式IVの化合物は、好ましくはである。-媒体は、好ましくは、式:式中、R0およびY2は、前述の意味を有する。の化合物の1または2以上を含有する。-媒体は、好ましくは式H1からH19n=1~7からなる群より選ばれる化合物の同族化合物の1、2、3または4種を含有する。-媒体は、さらに一般式XからXVからなる群より選ばれる化合物の1種またはそれより多くの種類を含有する。ここで、R0、X0、Y1、Y2、Y3およびY4はそれぞれ、互いに独立して請求項8に示した意味を有する。X0は好ましくはF、Cl、CF3、OCF3またはOCHF2を表す。R0は好ましくはアルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル、アルケニルまたはアルケニルオキシを表す。-式IからIXの化合物の割合は合わせて、混合物全体の少なくとも50重量である。-式Iの化合物の割合は、混合物全体の中で、5から50重量である。-式IIの化合物の割合は、混合物全体の中で、3から40重量である。-式IIからIXの化合物の割合は、混合物全体の中で、30から70重量である。は、好ましくは、-媒体は、式II、III、IV、V、VI、VII、VIIIおよび/またはIXの化合物を含有する。-R0は、炭素数2~7の直鎖アルキルもしくはアルケニルである。-媒体は、実質的に式I~XVの化合物からなる。-媒体は、5~40重量の式H17および/または18の化合物を含有する。-媒体は、好ましくは、次の一般式XVIからXXなる群より選ばれる化合物をさらに含有する。ここで、R0およびX0は上述のとおりの意味を有し、1,4-フェニレン環は、CN、塩素またはフッ素で置換されていてもよい。1,4-フェニレン環は、好ましくはフッ素原子でモノ-またはポリ置換されている。-媒体は、好ましくは次の式RIからRIXからなる群より選ばれる化合物をさらに含有する。ここで、R0はそれぞれ9個までの炭素原子を有するn-アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル、アルケニルオキシまたはアルケニルを表し、dは、0、1または2を表し、Y1は、HまたはFを表し、alkylまたはalkylはそれぞれ、互いに独立して、1~9個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキルを表し、alkenylまたはalkenylはそれぞれ、互いに独立して、9個までの炭素原子を有する直鎖または分岐アルケニルを表す。-媒体は、好ましくは下記式の化合物の1種または2種以上を含有する。式中、nおよびmはそれぞれ、1~9の整数を表す。-I:IIIIIIVVVIVIIVIIIIXの重量比は、好ましくは1:10から10:1である。-媒体は、実質的に一般式I~XVからなる群より選ばれる化合物からなる。従来の液晶材料しかし、特に式II、III、IV、V、VI、VII、VIIIおよび/またはIXの1種または2種以上の化合物に対して、式Iの化合物の比較的少量の混合ですら、しきい電圧の低下および低複屈折率の達成にきわめて効果があり、しかも広いネマチック相であって同時に低いスメクチック-ネマチックの遷移温度が観察され、貯蔵安定性が改善されることが見出された。式I~IXの化合物は無色で、安定で、互いにおよび他の液晶材料と容易に混和する。用語アルキルalkylまたはアルキルalkylは、炭素数1~9を有する直鎖および分岐のアルキル基を包含し、特に直鎖基のメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルおよびヘプチルである。炭素数2~5を有する基が一般に好ましい。用語アルケニルalkenylまたはアルケニルalkenylは、炭素数9までの直鎖および分岐アルケニル基を含み、特に直鎖基である。特に好ましいアルケニル基は、C2-C7-1E-アルケニル、C4-C7-3E-アルケニル、C5-C7-4-アルケニル、C6-C7-5-アルケニルおよびC7-6-アルケニル、特にC2-C7-1E-アルケニル、C4-C7-3E-アルケニルおよびC5-C7-4-アルケニルである。好ましいアルケニルとしては、ビニル、1E-プロペニル、1E-ブテニル、1E-ペンテニル、1E-ヘキセニル、1E-ヘプテニル、3-ブテニル、3E-ペンテニル、3E-ヘキセニル、3E-ヘプテニル、4-ペンテニル、4Z-ヘキセニル、4E-ヘキセニル、4Z-ヘプテニル、5-ヘキセニル、6-ヘプテニル等を挙げることができる。5までの炭素原子を有する基が一般に好まれる。用語フルオロアルキルは、好ましくは、末端フッ素を有する直鎖基、即ち、フルオロメチル、2-フルオロエチル、3-フルオロプロピル、4-フルオロブチル、5-フルオロペンチル、6-フルオロヘキシルおよび7-フルオロヘプチルを含む。しかしながら、フッ素のその他の置換位置を除外するものではない。用語オキサアルキルは、好ましくは式CnH2n1-O-CH2mの直鎖基を含む。但し、nおよびmは互いに独立してそれぞれ1~6である。好ましくは、n=1であり、mは1~6である。R0とX0の意味の適切な選択により、アドレス時間、しきい電圧、透過特性曲線の急峻性等を所望の様式に修正することができる。例えば、1E-アルケニル基、3E-アルケニル基、2E-アルケニルオキシ基などを使用すると、アルキルまたはアルコキシ基と比較して、一般により短いアドレス時間、ネマチック性向の改善、および弾性定数k33ベンドとk11スプレイのより高い比率を達成することができる。4-アルケニル基、3-アルケニル基等は、アルキルおよびアルコキシ基と比較して、一般に低しきい電圧およびより小さなk33/k11値を与える。Z1および/またはZ2における-CH2CH2-基は、単結合の場合と比較して、一般により高いk33/k11値を与える。k33/k11がより高いと、例えば90°ねじれのTNセルにおいてよりなだらかな透過曲線グレイスケールを達成するためとすることが容易になり、STN、SBEおよびOMIセルにおいては、より急峻な透過曲線より大きな時分割駆動が容易になり、また逆も可能である。式IとIIIIIIVVVIVIIVIIIIXの化合物の最適な混合比は、実質上望まれる特性、式I、II、III、IV、V、VI、VII、VIIIおよび/またはIXの成分の選択、およびさらに存在しているかもしれないその他の成分の選択に依存する。前述の与えられた範囲内での適切な混合比は、場合ごとに容易に決めることができる。本発明の混合物で、式I~XVの化合物の合計量は、決定的なものではない。したがって、混合物は、様々な特性の最適化のためにさらに1種または2種以上の成分を含むことができる。しかしながら、アドレス時間およびしきい電圧に対する観察される効果は、一般に式I~XVの化合物の合計濃度がより大きい方がより大きい。特に好ましい実施形態において、本発明の媒体は、X0が、OCF3、OCHF2、F、OCH=CF2、OCF=CF2、OCF2CHFCF3またはOCF2-CF2Hである式II~IX好ましくはIIおよび/またはIIIの化合物を含む。式Iの化合物との好ましいシナジー効果により特に有利な特性が得られる。偏光板、電極基板および表面処理電極を伴う本発明のMLCディスプレイの構成は、このタイプのディスプレイの従来の構成に対応する。従来の構成という用語は、ここでは広い意味で用いられ、MLCディスプレイに関するすべての誘導変形を含み、特にポリ-SiTFTまたはMIMに基づくマトリックスディスプレイ素子を含む。しかしながら、本発明のディスプレイと従来のツイストネマチックセルに基づくディスプレイの大きな相違点は、液晶層の液晶パラメーターの選択にある。本発明に従って使用できる液晶混合物は、それ自体公知の方法で合成される。一般に、より少ない量で使用される成分が、主要な組成を構成する成分中で、好ましくは加温されて溶解される。さらに、例えばアセトン、クロロホルムまたはメタノール等の有機溶媒の液晶成分溶液を混合して、完全に混合した後、例えば蒸留によって溶媒を再度除去することも可能である。誘電体は、例えば安定剤および酸化防止剤のような当業者に公知で文献記載の添加剤をさらに含んでもよい。例えば0~15で、多色性染料またはキラルドーパントを加えることができる。Cは結晶相、Sはスメクチック相、SCはスメクチックC相、SBはスメクチックB相、Nはネマチック相およびIは等方性相を表す。V10は、10の透過基板表面に垂直な視角の電圧を表す。tonおよびtoffは、V10の2倍に対応する動作電圧におけるスイッチオン時間およびスイッチオフ時間を表す。Δnは光学異方性を表し、noは屈折率である。Δεは、誘電異方性Δε=ε∥-ε⊥、ここでε∥は分子軸に平行な誘電率、ε⊥は垂直の誘電率を表す。を表わす。電気光学のデータは、特に別に述べない限り20°Cで、TNセルにおいて第1次透過極小ですなわち、0.5μmのdΔn値で測定した。本出願および以下に示す例において、液晶化合物の構造は頭文字で示されており、その化学式への変換は下記表AおよびBに従って行われる。基CnH2n1およびCmH2m1は全部が、n個またはm個の炭素原子をそれぞれ有する直鎖状アルキル基である。ここでnおよびmは互いに独立して、それぞれ1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14または15である。表Bのコードは、それ自体で明らかである。表Aには、親構造にかかわる頭文字のみが示されている。それぞれの場合において、この親構造の頭文字の後に、ダッシュにより分離されて、置換基R1、R2、L1およびL2のためのコードが続く。好ましい成分を表AおよびBに示す。表C:表Cは、本発明の混合物に一般に0.1から10重量の量で添加される使用可能なドーパントを示す。表D:例えば本発明の混合物に添加することができる安定剤を下に示す。下記の例は、制限することなく、本発明を説明するものである。上および下において、パーセンテージは重量パーセントである。温度はすべて摂氏で示される。m.p.は融点を表わし、cl.p.は透明点を表わす。さらにまた、C=結晶状態、N=ネマティック相、S=スメクティック相、およびI=アイソトロピック相である。これらの記号間のデータは相転移温度である。Δnは光学異方性を表わし589nm、20°C、Δεは誘電異方性1kHz、20°Cを表わし、および流動粘度ν20mm2/sは20°Cで測定した。回転粘度γ1mPasは同様に20°Cで測定した。常法による処理とは、必要により水を追加し、混合物をジクロロメタン、ジエチルエーテル、メチルt-ブチルエーテルまたはトルエンで抽出し、相を分離し、有機相を乾燥し蒸発させ、そして生成物を減圧下で蒸留するかまたは結晶化するか、および/またはクロマトグラフィにかけるか、により精製することを意味する。次は、使用される略語である。n-BuLi:ヘキサン中n-ブチルリチウム1.6モル溶液DMAP:4-ジメチルアミノピリジンTHF:テトラヒドロフランDCC:N,N’-ジシクロヘキシルカルボジイミドLDA:リチウムジメチルアミドRT:室温例1ステップ1.1Bは、文献aR.Baker,A.L.Boyes,C.J.Swain,J.Chem.Soc.PerkinTrans.1,1990,1415-1421;文献bH.Hagiwara,T.Okabe,H.Ono,V.P.Kamat,T.Hoshi,T.Suzuku,M.Ando,J.Chem.Soc.PerkinTrans.1,2002,895-900に類似の方法で合成される。ステップ1.2ジエチルエーテル250ml中に1,4-ジブロモベンゼン207mmolを含む溶液に、BuLi207mmolヘキサン中15を、-50°Cにて滴下して添加した。ジエチルエーテル50ml中にB170mmolを含む溶液を、同じ温度で滴下し、さらに30分間撹拌した。0°Cになったところで、常法の水による処理を行った。粗生成物51gを400mlのCH2Cl2に溶解し、400mmolのトリエチルシランを-75°Cにて添加した。温度が-70°Cより上がらないようにしながら、400mmolの3フッ化ホウ素エーテラートを滴下した。混合物を-10°Cなるまでそのままにして、飽和NaHCO3溶液で加水分解し、常法の水による処理を行った。粗生成物は、トランス/シスアイソマーを9:1の比率で含んでいた。生成物は-20°Cにてペンタンから再結晶した。ステップ1.373mmolのCを、THF200mlに溶解し、-70°Cに冷やした。まず、BuLi73mmolヘキサン中15、次いでTHF50ml中のトリメチルボレート73mmolを、滴下した。混合物を、-20°Cまで放置し、2NHClの添加によりpH=2に調節し、常法の水による処理を行った。粗生成物を、熱ヘプタンに溶解し、0°Cで結晶化した。ステップ1.460mmolのD、トルエン300ml、NaOH120mmol、水50ml、および30mlの30H2O2の混合物を45°Cにて2時間撹拌した。混合物を10のHClを使用して、pH=2に調節し、常法の水による処理を行った。粗生成物を、ヘプタンから再結晶した。ステップ1.522mmolのEを、5のPd/C触媒1.5gの存在下、キシレン100ml中で、27.5時間5バール、130°Cで水素化した。常法による処理の結果、無色のオイルを得た。ステップ1.6THF75ml中17mmolの2-トリメチルシリル-1,3-ジチアン溶液に、-70°Cにて、17mmolのBuLiヘキサン中15を添加した。混合物を0°Cになるまで4時間放置し、それから再度-70°Cまで冷却し、25mlTHF中17mmolのFを滴下した。この混合物を室温になるまで放置し、18時間撹拌し、常法の水による処理を行った。粗生成物はヘプタンから結晶化し、無色の結晶を得た。ステップ1.76.27mmolのトリフルオロメタンスルホン酸を、-20°Cにて、50mlのCH2Cl2中6.12mmolのG溶液に滴下した。混合物を室温まで30分間放置し、それから-70°Cに冷却した。まず、20LのCH2Cl2中9.1mmolの3,4,5-トリフルオロフェノールおよび10.1mmolのトリエチルアミン溶液、そして5分後に31mmolのトリエチルアミントリスヒドロフルオリドを添加した。さらに5分後、31.5mmolのDBH1,3-ジブロモ-5,5-ジメチルヒダントイン懸濁液をすこしづつ添加し、そして混合物を-70°Cにてさらに1時間かき混ぜた。反応混合物を-10°Cになるまで放置し、そして、400mlの氷冷したNaOHの中に注いだ。混合物を常法の水による処理を行い、そして粗生成物をシリカゲル上ヘプタン/トルエン3:2クロマトグラフで精製した。そして-70°Cでヘプタンから結晶化して、無色の結晶を得たC35N66.3I;Δn=0.0570;Δε=13.4。式:の下記の化合物は同じように合成される。例2ステップ2.150mmolのI、50mmolのJ、2.5mmolのPdPPh34、300mlのトルエンおよび300mlのホウ酸ナトリウム緩衝剤pH=9の混合物を80°Cにて18時間撹拌した。混合物を500mlの0.1NHClに注ぎ、そして生成物をCH2Cl2で抽出し、Na2SO4で乾燥し、ロータリーエバポレイターにより乾燥するまで蒸発させた。粗生成物をシリカゲル上ヘプタンでクロマトグラフにかけ、その後n-ヘプタンから-20°Cにて再結晶した。C78N93.1I;Δn=0.1493;Δε=27.3であった。式:の下記の化合物は同じように合成される。例3ステップ3.162.7mmolのトリフルオロメタンスルホン酸を、-20°Cにて、500mlのCH2Cl2中61.2mmolのLの溶液に滴下した。混合物を30分間室温まで放置し、それから-70°Cまで冷却した。まず、200mlのCH2Cl2中91mmolの4-ブロモ-3-フルオロフェノールおよび101mmolのトリエチルアミン溶液、5分後に310mmolのトリエチルアミントリスヒドロフルオリドを添加した。さらに5分後315mmolの1,3-ジブロモ-5,5-ジメチルヒダントイン懸濁液をすこしづつ添加し、そして混合物を-70°Cにてさらに1時間かき混ぜた。反応混合物を-10°Cになるまで放置し、そして、氷冷したNaOHの中に注いだ。混合物を常法の水による処理を行い、そして粗生成物をシリカゲル上ヘプタン/MTBエーテル4:1クロマトグラフで精製し、そして-20°Cでエタノールから結晶化した。ステップ3.250mmolのM、50mmolの3,4,5-トリフルオロベンゼンホウ酸、2.5mmolのPdPPh34、300mlのトルエンおよび300mlのホウ酸ナトリウム緩衝剤pH=9の混合物を80°Cにて18時間撹拌した。混合物を500mlの0.1NHClに注ぎ、そして生成物をCH2Cl2で抽出し、Na2SO4で乾燥し、ロータリーエバポレイターにより乾燥するまで蒸発させた。粗生成物をシリカゲル上ヘプタンでクロマトグラフにかけ、その後n-ヘプタンから-20°Cにて再結晶した。C61N191.8I;Δn=0.1220;Δε=19.1であった。式:の下記の化合物は同じように合成される。例4ステップ4.162.7mmolのトリフルオロメタンスルホン酸を、-20°Cにて、500mlのCH2Cl2中61.2mmolのNの溶液に滴下した。混合物を30分間室温まで放置し、それから-70°Cまで冷却した。まず、200mlのCH2Cl2中91mmolの4-ブロモ-3-フルオロフェノールおよび101mmolのトリエチルアミン溶液、5分後に310mmolのトリエチルアミントリスヒドロフルオリドを添加した。さらに5分後315mmolの1,3-ジブロモ-5,5-ジメチルヒダントイン懸濁液をすこしづつ添加し、そして混合物を-70°Cにてさらに1時間かき混ぜた。反応混合物を-10°Cになるまで放置し、そして、氷冷したNaOHの中に注いだ。混合物を常法の水による処理を行い、そして粗生成物をシリカゲル上ヘプタン/MTBエーテル4:1クロマトグラフで精製し、そして-20°Cでエタノールから結晶化した。ステップ4.250mmolのO、50mmolの3,4,5-トリフルオロベンゼンホウ酸、2.5mmolのPdPPh34、300mlのトルエンおよび300mlのホウ酸ナトリウム緩衝剤pH=9の混合物を80°Cにて18時間撹拌した。混合物を500mlの0.1NHClに注ぎ、そして生成物をCH2Cl2で抽出し、Na2SO4で乾燥し、ロータリーエバポレイターにより乾燥するまで蒸発させた。粗生成物をシリカゲル上ヘプタンでクロマトグラフにかけ、その後n-ヘプタンから-20°Cにて再結晶した。C60SB81N206.6I;Δn=0.1291;Δε=15.7であった。式:の下記の化合物は同じように合成される。例5ステップ5.180mlのジクロロメタン中の、98mmolのQおよび16.3mlのトリエチルアミン117mmolの混合物を、-70°Cに冷却した100mlのジクロロメタン中の65mmolのPに、撹拌しながら滴下した。添加が終了したときに、混合物をさらに1時間-70°Cにて撹拌した。325mmolのトリエチルアミントリスヒドロフルオリドを、同じ温度にて引き続き滴下した。引き続き325mmolの臭素を-70°Cにて滴下した。-70°Cにて1時間撹拌後、反応混合物を暖めて-10°Cまでした後、500mlの氷水と95mlの32水酸化ナトリウム溶液の混合物に注いだ。相分離を行い、水相をジクロロメタンで抽出した。あわせた有機相を常法による処理を行った。ステップ5.260mlのトルエン中の10mmolのSおよび10mmolの2,6-ジフルオロ-4-トランス-5’-プロピルテトラヒドロピラニル-2-フェニルホウ酸、60mlのホウ酸ナトリウム緩衝剤pH=9を、0.5mmolのPdPPh34とともに、80°Cに加温して18時間撹拌した。冷却後、2相の反応混合物を、撹拌しながら100mlの0.1NHClに注ぎ、有機相を分離した。水相は2回トルエンで抽出した。あわせたトルエン相を乾燥し、エバポレートし、残さをシリカゲルヘプタン/メチルtert-ブチルエーテルを通してろ過した。最後に、生成物を最初にエタノールから、つきにn-ヘプタンから再結晶した。C115N197.7I;Δε=35.4;Δn=0.1706であった。式:の下記の化合物は同じように合成される。例6下記式のエナンチオマーの分離:エナンチオマーを分離すために、8.7gのTを、合成のエナンチオ-HPLCカラムを通した。2つの分画を得た後、それぞれをエタノールから再結晶し、その旋光度を決定した。318genantioHPLC9968旋光度29.0°374genantioHPLC9825旋光度-28.0°次のラセミ体を同様の方法により、エナンチオマーに分離した。混合物例"