金属テープの端部同士を突き合わせ溶接して一体化した基材と、該基材の上方に設けられた配向層と酸化物超電導層と保護層とを備えた酸化物超電導導体であって、前記金属テープの端部同士の突き合わせ溶接部分表面が段差20nm以下の平坦面とされたことを特徴とする接合部を有する酸化物超電導導体。金属テープの端部同士を突き合わせ溶接して接合し、前記金属テープの端部同士の突き合わせ溶接部分に形成された凹凸部を除去するように表面を研磨あるいは平坦化膜により平坦化して前記突き合わせ溶接部分表面に段差20nm以下の平坦面を形成してから配向層と酸化物超電導層と保護層を形成することを特徴とする接合部を備えた酸化物超電導導体の製造方法。先の特許文献1に開示されている酸化物超電導導体の接続構造において、後付けで形成した接続用酸化物超電導層と基材上に既に形成されている酸化物超電導層は、完全な超電導接合にはならないので、わずかな抵抗が発生する問題がある。しかし、長尺の金属テープ基材は、製造会社によっても異なるが、長いものでも長さ1~2km程度であり、それ以上の長さの金属テープ基材は特別に発注する必要があり、製造コストが高くなる問題がある。このため、送電用途など、より長い酸化物超電導導体を製造する場合、基材も含めて酸化物超電導導体を接合する必要があるので、酸化物超電導層の部分が常電導部分を介する接合状態となり、接合部分が超電導接合にはならない問題がある。本発明は、以上のような従来の実情に鑑みなされたものであり、単長として長さに限界のある金属テープの基材を用いても、より長い一続きの金属テープの基材として提供できる技術を実現することにより、金属テープの接合部分上において良好な超電導接合を実現できる酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体とその製造方法の提供を目的とする。本発明の接合部を備えた酸化物超電導導体は、金属テープの端部同士を突き合わせ溶接して一体化した基材と、該基材の上方に設けられた酸化物超電導層と保護層とを備えた酸化物超電導導体であって、前記金属テープの端部同士の突き合わせ溶接部分表面が段差20nm以下の平坦面とされたことを特徴とする。金属テープ同士の端部を溶接し、より長尺の金属テープ基材を構成する場合、金属テープ同士の突き合わせ溶接部分表面を段差20nm以下の平坦面にすると、1本の連続した金属テープの基材の場合と同様に、この平坦面の上方に形成される各層の結晶配向性、膜質、特性などを良好な状態にできるので、接合部分の上に形成される酸化物超電導層に良好な特性の酸化物超電導層を生成できる。よって、複数の金属テープを接合した基材を備えていても、接合部分の上の酸化物超電導層には常電導接合部分を有していない一続きとしての酸化物超電導導体を提供できる。本発明の製造方法は、金属テープの端部同士を突き合わせ溶接して接合し、前記金属テープの端部同士の突き合わせ溶接部分に形成された凹凸部を除去するように表面を研磨あるいは平坦化膜により平坦化して前記突き合わせ溶接部分表面に段差20nm以下の平坦面を形成してから配向層と酸化物超電導層と保護層を形成することを特徴とする。溶接部分の段差を20nm以下としてから配向層と酸化物超電導層を形成するならば、金属テープの接合部分の上においても良好な結晶配向性の配向層と酸化物超電導層を形成できるので、金属テープの接合部分の上において良好な超電導接合を実現させた一続きの酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を提供できる。本発明により、金属テープの溶接部分の上に抵抗発生部分を生じていない酸化物超電導層を有することができ、溶接部分上を含めて全長に渡り超電導状態を維持できる酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体とその製造方法を提供できる。以下、本発明に係る酸化物超電導導体の実施形態について図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る第1実施形態の酸化物超電導導体1を模式的に示す概略断面図である。この例の酸化物超電導導体1において、端部同士を突き合わせ溶接により接合した金属テープ2A、2Bからなる長尺の基材2の上に、金属テープ2A、2Bの上に連続するように下地層3と配向層4とキャップ層5と酸化物超電導層6と保護層7と安定化層8をこの順に積層して酸化物超電導積層体9が形成され、この酸化物超電導積層体9の周面を絶縁被覆層10で覆って酸化物超電導導体1が構成されている。なお、図1では積層構造を見易くするために下地層3と配向層4とキャップ層5と酸化物超電導層6と保護層7と安定化層8を部分断面として位置ずれさせて示したが、これらの層は金属テープ2A、2Bの長さ方向全域に積層されている。前記金属テープ2A、2Bは、通常の酸化物超電導導体の基材として使用することができ、高強度で表面を無配向状態とした金属テープであれば良く、長尺の導体とするためにテープ状であることが好ましく、耐熱性の金属テープが好ましい。例えば、ハステロイ等のニッケル合金、ステンレス鋼等の各種耐熱性金属材料等が挙げられる。各種耐熱性金属の中でも、ニッケル合金が好ましい。なかでも、市販品であれば、ハステロイ米国ヘインズ社製商品名が好適であり、ハステロイとして、モリブデン、クロム、鉄、コバルト等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等のいずれの種類も使用できる。基材2の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は、10~500μmの範囲とすることができる。なお、金属テープ2A、2Bは表面の結晶の配向性については無秩序で良く、特に表面の結晶配向性については問わないが、表面の結晶配向性を良好とした配向性金属テープを用いても良い。この結晶配向性金属テープについては後の例において説明する。また、各金属テープ2A、2Bにおいては、予め表面粗さを10nm以下、望ましくは2~9nmに研磨しておき、表面を平滑面としたものを用いることが好ましい。前記金属テープ2Aの一端側の端部と金属テープ2Bの一端側の端部は溶接により一体化され、金属テープ2Aと金属テープ2Bの境界位置2Cを有するとともに、金属テープ2Aの境界位置2C側の表面が平坦面2A1とされ、金属テープ2Bの境界位置2C側の表面が平坦面2B1とされている。これらは研磨されて平坦面とされ、金属テープ2Aの端部と金属テープ2Bの端部の間に形成されている段差が20nm以下になるように研磨加工されている。この段差の値が20nmを超えるようであると、この段差部分に上に形成される配向層4とキャップ層5と酸化物超電導層6に対し、段差による影響が生じてこれら各層の膜質、結晶配向性が整わなくなる結果として接続部分上における酸化物超電導層6の臨界電流値が低下し、良好な超電導接続ができなくなる。段差部分を含む接続部分の上において、酸化物超電導層6の臨界電流値の低下割合を小さくするためには、段差20nm以下である必要があり、段差10μm以下であることがより好ましい。下地層3は、以下に説明する拡散防止層とベッド層の複層構造あるいは、これらのうちどちらか1層からなる構造とすることができる。下地層3として拡散防止層を設ける場合、拡散防止層は構成元素拡散を防止する目的あるいはその上に形成される他の層の膜質を改善するために形成されたもので、窒化ケイ素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、アルミナとも呼ぶ、あるいは、GZOGd2Zr2O7等から構成される単層構造あるいは複層構造の層であることが望ましく、厚さは例えば10~400nmである。拡散防止層の厚さが10nm未満となると、拡散防止層のみでは基材2の構成元素の拡散を十分に防止できなくなる虞がある。一方、拡散防止層の厚さが400nmを超えると、拡散防止層の内部応力が増大し、これにより、他の層を含めて全体が基材2から剥離しやすくなる虞がある。また、拡散防止層の結晶性は特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すれば良い。下地層3としてベッド層を設ける場合、ベッド層は、耐熱性が高く、界面反応性を低減するためのものであり、その上に配される膜の配向性を得るために用いる。このようなベッド層は、例えば、イットリアY2O3などの希土類酸化物であり、組成式α1O22xβ2O31-xで示されるものが例示できる。より具体的には、Er2O3、CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Ho2O3、La2O3等を例示することができ、これらの材料からなる単層構造あるいは複層構造でも良い。ベッド層は、例えばスパッタリング法等の成膜法により形成され、その厚さは例えば10~100nmである。また、ベッド層の結晶性は特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すれば良い。なお、下地層3は拡散防止層とベッド層の2層構造でも、これらのどちらかからなる単層構造でも良く、場合によっては下地層3を略しても良い。下地層3を略する場合は、基材2上に直接、以下に説明する配向層4が形成される。配向層4は、単層構造あるいは複層構造のいずれでも良く、その上に積層されるキャップ層5の結晶配向性を制御するために以下に説明するIBAD法により成膜され、2軸配向した結晶配向性の良好な薄膜から形成される。一例として配向層4は、複数の結晶粒が粒界を介し接合された多結晶薄膜として構成され、各結晶粒の内部においては、それら結晶粒を構成する結晶が、それらの結晶軸のc軸を基材2の表面あるいは下地層3の表面に対し個々に垂直に向け、結晶軸のa軸をほぼ一方向に揃えて例えば結晶軸の分散の角度を所定の範囲に揃えて配置されている。この配向層4をIBADIonBeamAssistedDeposition法により良好な結晶配向性で成膜するならば、その上に形成するキャップ層5の結晶配向性を良好な値とすることができ、これによりキャップ層5の上に成膜する酸化物超電導層6の結晶配向性を良好なものとして、より優れた超電導特性を発揮できる酸化物超電導層6を得るようにすることができる。なお、IBAD法を用いて配向層4を成膜しようとしたとして、その下地となる基材2の接合部分の段差が大きいと、配向層4の結晶配向性が部分的に乱れ、この配向層4の結晶配向性が乱れた部分の上に積層されるキャップ層5、酸化物超電導層6のいずれも結晶配向性の乱れが反映されるので、先に説明したように金属テープ2A、2Bの接合部分の段差は20nm以下が望ましい。前記キャップ層5は、前記配向層5の表面に対してエピタキシャル成長し、その後、横方向面方向に粒成長オーバーグロースして、結晶粒が面内方向に選択成長するという過程を経て形成されたものが好ましい。このようなキャップ層5は、前記配向層4よりも高い面内配向度が得られる可能性がある。キャップ層5の材質は、上記機能を発現し得るものであれば特に限定されないが、好ましいものとして具体的には、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等が例示できる。キャップ層5の材質がCeO2である場合、キャップ層は、Ceの一部が他の金属原子又は金属イオンで置換されたCe-M-O系酸化物を含んでいても良い。キャップ層5は、PLD法パルスレーザ蒸着法、スパッタリング法等で成膜することができるが、大きな成膜速度を得られる点でPLD法を用いることが好ましい。PLD法によるCeO2層の成膜条件としては、基材温度約500~1000°C、約0.6~100Paの酸素ガス雰囲気中で行うことができる。CeO2のキャップ層5の膜厚は、50nm以上であればよいが、十分な配向性を得るには100nm以上が好ましい。但し、厚すぎると結晶配向性が悪くなるので、50~5000nmの範囲、より好ましくは100~5000nmの範囲とすることができる。酸化物超電導層6は通常知られている組成の酸化物超電導体からなるものを広く適用することができ、REBa2Cu3O7-xREはY、La、Nd、Sm、Er、Gd等の希土類元素を表すなる材質のもの、具体的には、Y123YBa2Cu3Oy又はGd123GdBa2Cu3Oyを例示することができる。また、その他の酸化物超電導体、例えば、Bi2Sr2Can-1CunO42nδなる組成等に代表される臨界温度の高い他の酸化物超電導体からなるものを用いても良いのは勿論である。酸化物超電導層6は、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、電子ビーム蒸着法等の物理的蒸着法PVD法;化学気相成長法CVD法;塗布熱分解法MOD法等で積層できる。酸化物超電導層6の厚みは、0.5~5μm程度であって、均一な厚みであることが好ましい。酸化物超電導層6の上面を覆うように形成されている保護層7は、Agからなり、スパッタ法などの物理的蒸着法PVD法により成膜されている。保護層7の厚さは1~30μm程度とされている。この保護層7が緻密なAgの薄膜である場合、アニールしても再結晶化し難く、表面の荒れやボイドの生成が抑制される。安定化層8は、良導電性の金属材料からなり、酸化物超電導層6が超電導状態から常電導状態に遷移しようとした時に、Agの保護層7とともに、酸化物超電導層6の電流が転流するバイパスとして機能する。安定化層8を構成する金属材料としては、良導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、銅、黄銅Cu-Zn合金、Cu-Ni合金等の銅合金、ステンレス等の比較的安価な材質からなるものを用いることが好ましく、中でも高い導電性を有し、安価であることがら銅合金製が好ましい。なお、酸化物超電導導体1を超電導限流器に使用する場合、安定化層8は高抵抗金属材料より構成され、Ni-Cr等のNi系合金などを使用できる。安定化層8の厚さは特に限定されず、適宜調整可能であるが、10~300μmとすることが好ましい。前記被覆層10は、樹脂絶縁層からなり、酸化物超電導積層体9の外周面に絶縁テープを巻回するなどの手段により酸化物超電導積層体9の全周を覆うように形成されている。前記金属テープ2A、2Bを図1に示すように一体化するには、図2aに示すように金属テープ2A、2Bの端部同士を対向させて突き合わせ溶接により一体化する。突き合わせ溶接を行うには、接合しようとする金属テープ2A、2Bの端部同士を突き合わせて、その部分をレーザーにより溶融させて一体化するレーザー溶接法を適用することができる。金属テープ2A、2Bの突き合わせ部分をレーザー溶接すると、溶接後の金属テープ2A、2Bの突き合わせ部分には突き合わせ部分の溶融と凝固に起因して大径部2Dが図2cに示すように形成される。この大径部2Dが存在する場合は、その上に成膜しても良質の膜は生成できないので、大径部2Dを粗研磨加工と仕上研磨加工により図2dに示すように平坦面2A1、2B1に加工して段差20nm以下になるように平坦化する。粗研磨加工には、平均粒径3μmのダイヤモンド砥粒や平均粒径3μmのアルミナAl2O3砥粒を用いた研磨加工を行うことで段差を少なくし、更に平均粒径0.5μmのダイヤモンド砥粒や平均粒径1.0μmのアルミナAl2O3砥粒を用いた仕上研磨加工を行うことで段差20nm以下で連続した平坦面2A1、2B1を得ることができる。前述のように金属テープ2A、2Bを研磨して粗さ20nm以下としたならば、図2fに示すように下地層3、配向層4を形成し、更に図2hに示すようにキャップ層5、酸化物超電導層6、保護層7、安定化層8を形成することにより、図1に示す酸化物超電導積層体9を得ることができる。なお、金属テープ2A、2Bの溶接部分を研磨して段差を20nm以下とする代わりに、図2eに示すように、溶接部分の上に平坦化膜2Eを形成し、この平坦化膜2Eの上に下地層3と配向層4を成膜し、更に、キャップ層5、酸化物超電導層6、保護層7、安定化層8を形成して酸化物超電導導体を製造することもできる。以下に下地層3と配向層4を含めてこれら各層の形成方法について説明する。前記配向層4は、例えばターゲットにイオンビームを照射してターゲットの構成粒子を叩き出すか蒸発させて基材上に飛来させて堆積させるとともに、基材に対し所定の入射角度でアシスト用のイオンビームを照射するイオンビームアシストスパッタ装置で形成できる。基材2が長尺のテープ状の場合は、イオンビームアシストスパッタ装置の内部において基材2を供給リールから巻取リール側に移動させている間に上述のイオンビームアシストスパッタ装置により成膜することができる。このため、上述の如く複数本の金属テープを溶接して一体化し、研磨して段差を小さくした長尺の基材2を用いることで長尺の酸化物超電導導体1を製造できるようになる。前記下地層3の表面に、ターゲットの構成粒子を堆積させつつ、所定の入射角度でイオン照射を行うことにより、形成されるスパッタ膜の特定の結晶軸がイオンの入射方向に固定され、結晶のc軸が金属基板の表面に対して垂直方向に配向するとともに、結晶のa軸どうしあるいはb軸どうしが面内において一定方向に配向する2軸配向する中間薄膜としての配向層4を得ることができる。このため、IBAD法によって下地層3上に形成された配向層4は、高い面内配向度、例えば結晶軸の分散角度10~18 ゚を示す。上述のIBAD法により結晶配向度の高い配向層4を生成する場合、金属テープ2A、2Bの接合部分に大きな段差があると、段差部分における結晶の配向性が乱れ、結晶配向度の高い配向層4を得ることができなくなる。この点において先に説明した如く溶接部分の段差を20nm以下に研磨して平坦化しているならば、十分に高い結晶配向度の配向層4を得ることができる。次に、前述のように、良好な配向性を有する配向層4の上にキャップ層5を形成していると、キャップ層5は自己配向効果により単結晶に近い良好な配向性を示すようになり、この上に形成される酸化物超電導層6もキャップ層5の配向性に整合するように結晶化する。この結果、得られた酸化物超電導層6は、十分に高い臨界電流値を発揮できるようになる。よってキャップ層5も結晶配向性に優れた酸化物超電導層6を得るための配向層の一部とみなすことができる。以上説明の如く形成された酸化物超電導導体1は、段差20nm以下の小さな段差の金属テープ2A、2Bの接合部分上に下地層3を介し、IBAD法により成膜された結晶配向性に優れた配向層4を備え、その上にキャップ層5と酸化物超電導層6を備えているので、接合部分の上方において抵抗発生部分を生じることなく、一続きの連続した酸化物超電導層を有する優れた超電導特性を発揮する。また、前記構造の酸化物超電導導体1は、金属テープ2A、2Bを溶接して溶接部分を含む接合部分の段差を小さくした基材として利用するので、金属テープを必要本数接合して基材を構成することにより、任意の長さの基材を得ることができる。従って、長尺の酸化物超電導導体1を製造する場合、従来は基材の長さにより長さの限界が制限されていた課題を解決でき、より長尺の酸化物超電導導体1の提供が可能となる。前記の如く得られる酸化物超電導導体1に対し、図3eに示すように平坦化膜20Eを適用して段差を20nm以下にした基材を用いて酸化物超電導導体を製造する場合、平坦化膜として、ゾルゲル法ないしMOD法によりイットリアY2O3の薄い膜を塗布してから焼成し、平坦化膜を形成する方法を採用できる。この平坦化膜の形成により溶接部分の段差を20nm以下とすることができる。例えば、ディップ法として、厚さ100nmになるように塗布後、Ar雰囲気中において500°Cで熱処理するという工程を繰り返し行い、最終的には厚さ1μm程度として平坦化膜を形成する方法を採用することができる。なお、上述の例では金属テープ2A、2Bを接合した例について説明したが、金属テープは何本でも上述のように突き合わせ溶接して一体化できるので、必要な長さの基材を得ようとする場合に、目的の長さの基材よりも短い複数本の金属テープを溶接し、研削、研磨することにより、目的の長さの基材を得ることができる。例えば、500mの長さの超電導導体を製造しようとする場合に100mの長さの金属テープを5本接合するならば、500mの超電導導体の製造が可能となり、1500mの長さの超電導導体を製造しようとする場合に500mの長さの金属テープを3本接合するならば、1500mの超電導導体の製造が可能となる。また、金属テープはボビンなどに巻回されて基材製造会社から搬入され、金属テープの長さについて、種々の長さが提供されているが、1~2kmが通常の上限であるので、上述の方法を用いることで、一続きの基材としての接合が可能となるので、数km~数10kmあるいは数100kmに及ぶ自由な長さの基材を得ることができる。先に説明した実施形態では、表面の結晶が無配向性の金属テープ2A、2Bを溶接して基材2を形成したが、図3に示すように表面の結晶を配向性とした金属テープ20A、20Bを用いて基材20を形成し、この基材20を用いて酸化物超電導導体を製造することもできる。表面の結晶を配向性とした金属テープ20A、20Bとは、例えば、Ni合金に集合組織を導入した圧延材として知られている2軸配向Ni-W合金のテープ基材を適用することができる。前記配向性の金属テープ20A、20Bを一体化するには、図3aに示すように金属テープ20A、20Bの端部同士を対向させて突き合わせ溶接により一体化する。突き合わせ溶接は、接合しようとする金属テープ20A、20Bの突き合わせ部分にレーザーを照射し、加熱して図3bに示すように溶融一体化させる方法である。このため、溶接後の金属テープ20A、20Bの突き合わせ部分には大径部20Dが図3cに示すように形成される。この大径部20Dが存在する内はその上に成膜しても良質の膜は生成できないので、大径部20Dを粗研磨加工と仕上研磨加工により図3dに示すように平坦面20A1、20B1として段差20nm以下になるように平坦化する。前述のように金属テープ20A、20Bを研磨して段差20nm以下としたならば、基材20を得ることができるので、この基材20上に図3fに示すようにキャップ層5を形成し、更に図3gに示すように酸化物超電導層6、保護層7、安定化層8を形成することにより、図1に示す酸化物超電導積層体9と同様な酸化物超電導層を備えた酸化物超電導積層体を得ることができる。なお、酸化物超電導積層体9においてキャップ層5は酸化物超電導層6の直の下地として酸化物超電導層6の配向性を整える配向層としての機能も奏する。なお、金属テープ20A、20Bの溶接部分を研磨して段差を20nm以下とする代わりに、図3eに示すように、溶接部分の上に平坦化膜20Eを形成し、この平坦化膜20Eの上にキャップ層5、酸化物超電導層6、保護層7、安定化層8を形成して酸化物超電導積層体を製造することができ、この酸化物超電導積層体から酸化物超電導導体を得ることができる。ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ150mmのテープ状の表面平滑な金属テープを複数本用意した。金属テープは表面の粗さRa10nm以下のものを用意した。2枚の金属テープを突き合わせ、レーザー溶接機により溶接した。突き合わせ溶接後、溶接部分の表面を粒径3μmのアルミナ砥粒を用いて粗研磨し、次いで粒径1μmのアルミナ砥粒を用いて仕上研磨した。なお、研磨する際、研磨後の溶接部分の段差を50μmとして得られた試料と、研磨後の溶接部分の段差を40μmとして得られた試料と、研磨後の溶接部分の段差を30μmとして得られた試料と、研磨後の溶接部分の段差を20μmとして得られた試料と、研磨後の溶接部分の段差を10μmとして得られた試料をそれぞれ作製した。研磨後に金属テープの表面を洗浄してからイオンビームスパッタ法を用い、100nm厚のAl2O3層、20nm厚のY2O3層を形成した。次に、イオンビームアシストスパッタ法を用い、5nm厚のMgO配向層を形成したアシストイオンビームの照射角度45 ゚上に、パルスレーザー蒸着法PLD法により500nm厚のCeO2キャップ層を成膜した。次いでCeO2層上にPLD法により1.0μm厚のGdBa2Cu3O7-x酸化物超電導層を形成した。次に、Agのターゲットを用い、酸化物超電導層上に厚さ10μmのAgの保護層を形成し、酸素雰囲気中において500°Cでアニールして酸化物超電導導体を得た。得られた酸化物超電導導体の各試料について、金属テープの接合部分を挟んで4端子法により臨界電流値を測定した。また、金属テープの接合部分から5cm離れた部分であって、接合部分を含まない領域の臨界電流値を正常部として求め、正常部に対して接合部を含む領域の臨界電流値の低下割合を測定した。その結果を以下の表1に示す。表1試料No溶接部分表面の段差正常部に対する接続部分の臨界電流値150nm40240nm60330nm70420nm90510nm95表1に示す結果から、溶接部分表面の段差の値が50~30nmの範囲では、臨界電流値の低下割合が大きく、溶接部分表面の段差がこの範囲であると、良好な結晶配向性の酸化物超電導層が生成されず、溶接部分の上方において一部抵抗を発生する部分非超電導層部分が生じ、これが原因となって臨界電流値の低下を引き起こしたものと推定できる。この結果から、金属テープを溶接して接合し、該溶接部分を研磨して溶接部分表面の段差を20nm以下とすることにより、抵抗発生部分の少ない良好な結晶配向性の酸化物超電導層を生成できことが判明した。また、溶接部分の段差については、10nm以下とすることがより好ましい結果となった。