絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板にイオン注入しp型不純物層を形成させ、次いで熱処理することを特徴とするp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。注入されるイオンが、アルミニウムイオンであることを特徴とする請求項1記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。熱処理が、レーザアニールを用いて行われることを特徴とする請求項1又は2記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。熱処理が、レーザー照射0.2~0.7J/cm2の範囲の条件下で行われることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。請求項1~4のいずれか1項記載の製造方法によって得られた、p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板。従って、本発明の課題は、絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である、低抵抗p型不純物層を形成するための工業的な方法を提案することにある。本発明の特徴とするところは、絶縁層埋め込み型SiC基板にイオン注入によりアクセプターとなり得る元素をドーピングし、その後に熱処理することでp型層を形成することにある。具体的には、請求項1に記載された発明は、絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板にイオン注入しp型不純物層を形成させ、次いで熱処理することを特徴とするp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法である。請求項2に記載された発明は、注入されるイオンが、アルミニウムイオンであることを特徴とする請求項1記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法である。請求項3に記載された発明は、熱処理が、レーザアニールを用いて行われることを特徴とする請求項1又は2記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法である。請求項4に記載された発明は、熱処理が、レーザー照射0.2~0.7J/cm2の範囲の条件下で行われることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法である。そして、請求項5に記載された発明は、請求項1~4のいずれか1項記載の製造方法によって得られた、p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板である。一般に炭化珪素基板の価格は、シリコン基板価格の10~100倍もするが、本発明では、小消費電力用半導体として使用されているSOISi膜/SiO2膜/Si基板を利用し、そのSi層を炭化してSiC膜/SiO2膜/Si基板とすることによって、炭化珪素半導体を廉価で提供することができる。具体的には、本発明の方法、例えば、SiC膜/SiO2膜/Si基板にアルミニウムイオンを注入した後の熱処理として、ヒータを用いたアニールを実施するのではなく、集光レーザ光を走査することによって基板を熱処理することにより、p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板を製造することができる。本発明によって得られた、p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板は、高性能炭化珪素デバイス作製に道を開くものであり、将来的なデバイス作製プロセスにおいても重要な位置づけになる。本発明は、絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、イオン注入によりアクセプタとなり得る元素をドーピング注入し、その後、格子欠陥を消滅させるために熱処理を行ない、p型不純物層を形成するものである。絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板は、市販のSOISilicononinsulator、Si膜/SiO2膜/Si基板基板を用いて、例えば、特許文献1又は2に記載の方法で好ましく製造することができるが、本発明において用いられる絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板は、その他公知のアチソン法、昇華法、CVD法、エピタキシャル法等種々の製造方法で製造されたものでも使用できる。特許文献1の方法は、表面シリコン層の膜厚が10nm以下で埋め込み絶縁物を有するSOI基板を加熱炉成膜室内に設置し、加熱炉内に水素ガスと炭化水素系ガスとの混合ガスを供給しつつ、加熱炉内の雰囲気温度を上昇させて、前記SOI基板の表面シリコン層を単結晶炭化シリコン薄膜に変成させる第1の工程と、前記第1の工程を過剰に行って炭素薄膜を前記単結晶炭化シリコン薄膜の上に堆積させる第2の工程と、前記混合ガスを所定の割合で酸素ガスが混合された不活性ガスで置換し、前記SOI基板を550°C以上に加熱して前記炭素薄膜をエッチングで除去する第3の工程と、前記酸素ガスが混合された不活性ガスを酸素ガスが混合されない純粋な不活性ガスで置換し、加熱炉内の雰囲気温度を所定の温度にまで上昇させる第4の工程と、前記所定の雰囲気温度を維持した状態で、水素ガスとシラン系ガスとを加熱炉内に供給して前記SOI基板の表面の単結晶炭化シリコン薄膜の上に新たな単結晶炭化シリコン薄膜を成長させる第5の工程とを備えた方法である。第5の工程のシラン系ガスとしては、例えば、メチルシランガスが用いられる。このメチルシランガスが分解されることによって生成されるシリコンと、単結晶炭化シリコン薄膜中の炭素とが反応することで、単結晶炭化シリコン薄膜の上にさらなる単結晶炭化シリコン薄膜が形成される。特許文献2に記載の方法は、基本的に特許文献1の方法と同じであるが、特許文献1の方法が加熱炉全体の雰囲気を、抵抗加熱方式や誘導加熱方式で昇温させるのに対し、特許文献2の方法では、SOI基板の表面シリコン層に向けて赤外線を照射し、照射部分のみを加熱し、これにより表面シリコン層を単結晶炭化シリコン薄膜に変成させるのに必要な温度に上昇させる等、加熱手段として赤外線を用いることを特徴とする方法である。いずれの方法で得られた絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板でも、本発明の方法において使用することができる。本発明において用いられる絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板において、炭化珪素としては六方晶2H、4H、6H等、菱面体晶15R等のアルファ炭化珪素、あるいは立法晶3C等のベータ炭化珪素等のいずれでも良いが、特に3C-SiCは、シリコンとプロセス互換性に優れているので好ましい。前記p型不純物層を形成するために炭化珪素表面層SiC膜にイオン注入されるp型不純物としては、アルミニウムイオン、ホウ素イオン、ガリウムイオン、インジウムイオンの群から選ばれた1種のイオン、あるいは2種以上のイオンの混合物を用いることができるが、好ましいのはアルミニウムイオンである。p型不純物層の厚さは、トランジスタ等のp型不純物層としてソースドレイン等の要素機能を果たすのに必要且つ十分な厚さであれば良く、特に制限はないが、好ましくは50nmから0.5μm程度の厚さが良い。前記p型不純物であるアルミニウムイオン等のイオンを注入するための装置としては、半導体中に注入する不純物原子をイオン化するイオンビーム発生装置と、イオンビームを加速する加速装置と、イオンビーム発生装置によって発生したイオンビームを集光し、イオン注入される試料半導体基板が保持された試料室に導き、試料面上でイオンビームを走査して試料面に不純物イオンを注入することができる手段と、試料を1400°C程度まで加熱保持できる装置とを有する、公知の高温イオン注入装置を用いることができる。前記イオン注入装置によって注入するアルミニウムイオン等のイオンの加速電圧は、炭化珪素中に所望の深さのp型不純物層が形成できるだけの加速電圧で、通常20~400keVが用いられる。アルミニウムイオン等のイオンの注入の後に行う熱処理工程は、イオンの注入において発生した格子欠陥を最大限に減少させるために行うもので、本発明においては、これをレーザアニール条件下に行うのが好ましい。レーザアニールとは、レーザーを使って表面改質を行う技術であり、例えば、ガラス基板表面に成膜されたアモルファスシリコンに、レーザーを照射することにより瞬間的な熱を発生させ、ポリシリコンに改質することができる。レーザーの照射条件によって、シリコンが結晶になる程度が決定される。パワーが高すぎると、膜がアブレーションされて飛んでしまうこともあるが、膜表面だけに瞬時に熱を加えれば安価なガラス基板を利用でき、かつ大きな基板サイズにも対応できるという特徴がある。前記熱処理は真空中で行って良く、あるいは不活性雰囲気ガス中で行っても良い。不活性ガスとしては、高純度のアルゴンガスが好ましい。そこで、本発明では、アルミニウムイオン等をドーピングした後、例えば、YAGレーザーを用いて、表面のみ照射、パルス、走査することによって、低抵抗化を実現することができる。アルミニウムイオンをドープしてアニールするには、1800°C付近の温度が必要である。SiC単結晶を用いるのであれば、1800°C付近の高温でのアニールは特に問題ないが、SiC単結晶は気相成長法で作成すので大変高価で、大型無欠陥の単結晶の製造は非常に困難であるという問題がある。本発明では、汎用のSi単結晶を用いて安価に製造できるSi単結晶/SiO2/Si表面基板の表面Siを炭化したSiC/SiO2/Si基板を用いるので、安価で、大型化が容易という利点がある。しかし欠点として、Siの融点は1414°Cなので、50ナノ秒という瞬間的にレーザーを当てて、Siを溶融させることなく、表面のSiCをアニールする必要がある。本発明者の検討結果によると、後述の図1に示したように、SiC/SiO2/Si基板のシート抵抗は、エネルギー密度的に、0.2~0.7J/cm2、好ましくは、0.35~0.55J/cm2位の間で、低抵抗化できる。以下、実施例により本発明を具体的に説明する。熱処理後の表面炭化珪素層の抵抗率は、四深針抵抗測定法により測定した。実験市販のSOISilicononinsulator、Si膜/SiO2膜/Si基板基板の表面Siを薄層化し、その極薄Si層を炭化処理によりSiC層に変性した。その上に、SiCエピタキシャル膜を、CVD化学気相成長法により厚膜成長させた。膜厚100nmの3C-SiC有する絶縁層埋め込み型SiC基板に、アルミニウムイオンを、エネルギー10、20、30、および50keVにおいて、それぞれドーズ量5.0×、1.0×、1.0、及び0.6×1014/cm2注入した。その後、YAGレーザ波長:355nmを未照射、0.09、0.14、0.20、0.23、0.26、0.28、0.33、0.38、0.49、及び0.62J/cm2エネルギーで、表面のみ照射したサンプルを用意した。その後、当該サンプル表面に対して四探針測定装置を用いることにより、SiC層のシート抵抗を測定した。[結果]得られた結果は図1に示した。図より明らかなように、当該SiC層のシート抵抗は、レーザ照射がなされない状態や、レーザ照射エネルギー密度が0.2J/cm2程度以下では、数十kΩ/□という非常に高い値を示すのに対して、レーザ照射エネルギー密度が0.2J/cm2以上にすることでシート抵抗が減少し始め、0.4J/cm2程度で最小値が得られた。また、0.4J/cm2程度以上のレーザ照射エネルギー密度のサンプルに対しては、逆にシート抵抗が増大する傾向が得られた。この結果は、Alをイオン注入したSiC層において、エネルギー密度が0.2~0.7J/cm2、好ましくは、0.35~0.55J/cm2位のレーザ照射を行うことで、SiC半導体にて、Alがアクセプターとして活性化していることを示すものである。この結果、SiC表面層のシート抵抗が小さくなったと考えられる。