グラファイトと、例えばTiB2などの硬質材料とを含む複合層を含み、当該硬質材料が、単峰性の粒度分布で存在し、d50が、10と20μmとの間であり、特に、12と18μmとの間であり、特に、14と16μmとの間であることを特徴とする、アルミニウム電解セル用のカソードブロック。上記硬質材料のd90は、20と40μmとの間であり、特に、25と30μmとの間であることを特徴とする、請求項1に記載のカソードブロック。上記硬質材料のd10は、2と7μmとの間であり、特に、3と5μmとの間であることを特徴とする、請求項1または2に記載のカソードブロック。上記硬質材料粉末の粒度分布のスパン=d90-d10/d50は、0.65と3.80との間であり、特に、1.00と2.25との間であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載のカソードブロック。上記複合体層が、カソードブロック全体を形成していることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載のカソードブロック。上記カソードブロックは、少なくとも2つの層を有し、このとき、上記複合体層は上記カソードブロックの上側の層を形成することを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載のカソードブロック。上記カソードブロックは、上側の層よりも少ない硬質材料粉末を含むか、または硬質材料粉末を含まない、少なくとも1つのさらなる層を有していることを特徴とする、請求項6に記載のカソードブロック。上記上側の層は、上記カソードブロックの全高の、10から50、特に、15から45の高さを有することを特徴とする、請求項6または7に記載のカソードブロック。上記カソードブロックの少なくとも1つの層における嵩密度が、炭素成分に関して、1.68g/cm3より大きいことを特徴とする、請求項1から8のいずれか1項に記載のカソードブロック。上記嵩密度は、1.71g/cm3より大きいことを特徴とする、請求項9に記載のカソードブロック。カソードブロック、特に請求項1から10のいずれか1項に記載のカソードブロックの製造方法であって、コークスおよび場合によってはさらなる炭素含有材料、並びに、例えばTiB2‐粉末などの硬質材料粉末を含む出発原料の用意と、当該出発原料の混合と、カソードブロックの成形と、炭化およびグラファイト化と、冷却と、の工程を含み、単峰性の粒度分布を有し、d50が10と20μmとの間であり、特に、12と18μmとの間であり、特に、14と16μmとの間である硬質材料粉末が使用されることを特徴とする、方法。d90が、20と40μmとの間であり、特に、25と30μmとの間である硬質材料粉末が使用されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。d10が、2と7μmとの間であり、特に、3と5μmとの間である硬質材料粉末が使用されることを特徴とする、請求項11または12に記載の方法。その粒度分布のスパン=d90-d10/d50が、0.65と3.80との間であり、特に、1.00と2.25との間である硬質材料粉末が使用されることを特徴とする、請求項11から13のいずれか1項に記載の方法。使用される上記コークスは、炭化、および/またはグラファイト化、および/または冷却の間に、異なる体積変化の挙動を示す2種類のコークスを含むことを特徴とする、請求項11から14のいずれか1項に記載の方法。炭素成分の嵩密度が、1.68g/cm3より大きく、特に、1.71g/cm3より大きいカソードブロックが得られることを特徴とする、請求項15に記載の方法。