表面が平坦な基板と、該基板の前記表面に設けられた、断面が矩形状の凸部と凹部とからなる凹凸面を有する下部電極層と、該下部電極上に設けられた、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた、該光吸収層とは異なる導電型の半導体層と、該半導体層上に設けられた上部電極層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層と前記半導体層との界面は、断面が前記下部電極層の前記凹凸面に対応した凹部と凸部とからなる形状であるとともに、前記光吸収層は、凸部における厚さよりも、凹部における厚さの方が厚い光電変換素子。前記半導体層と前記上部電極層との界面は、断面が前記下部電極層の前記凹凸面に対応した凹部と凸部とからなる形状であり、前記光吸収層と前記半導体層との界面における凸部と凹部との平均の高低差よりも、前記半導体層と前記上部電極層との界面における凸部と凹部との平均の高低差の方が小さい請求項1記載の光電変換素子。前記下部電極層は、凹部の幅の方が凸部の幅よりも広い請求項1または2に記載の光電変換素子。しかしながら特許文献1では、凸部上に形成された光吸収層の厚さと、凹部上に形成された光吸収層の厚さが同じであるが、凸部上の光吸収層は凹部上の膜のように入射光が多重反射しないので、凸部上の光吸収層は多重反射による光電変換効率への寄与が見込めない場合が多かった。また、光吸収層とバッファ層との界面に凹凸形状が反映されると、入射光が光吸収層とバッファ層との界面で反射され易く例えば図10aの点線内を参照、光電変換効率が向上しない場合があった。上記に鑑みて本発明の光電変換素子は、表面が平坦な基板と、該基板の前記表面に設けられた、断面が矩形状の凸部と凹部とからなる凹凸面を有する下部電極層と、該下部電極上に設けられた、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた、該光吸収層とは異なる導電型の半導体層と、該半導体層上に設けられた上部電極層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層と前記半導体層との界面は、断面が前記下部電極層の前記凹凸面に対応した凹部と凸部とからなる形状であるとともに、前記光吸収層は、凸部における厚さよりも凹部における厚さの方が厚いことを特徴とするものである。本発明の光電変換素子によれば、多重反射にあまり寄与しない凸部上の光吸収層の厚さよりも、多重反射に寄与する凹部上の光吸収層の厚さの方を厚くすることで、下部電極層の表面が成す凹部内での多重反射の光路を長くすることができる例えば、図10bの点線内を参照。これによって、光吸収層に入射光を閉じ込めて、光電変換効率を向上することができる。さらに、光吸収層と半導体層との界面が成す凹凸の高低差を小さくすることで、光吸収層と半導体層との界面での反射を減らすことができる。これによって、光電変換効率をさらに向上することができる。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。<光電変換素子の概略構成>図1において光電変換素子1は、基板2上に下部電極層3と、光吸収層4と、半導体層5と、上部電極層6と、電極7とを主として備える。<基板>基板2は、複数の光電変換素子1を支持するためのものである。基板2に用いられる材料としては、ガラス、セラミックス、樹脂、および金属などが挙げられる。ここでは、基板9として、厚さ1~3mm程度の青板ガラスソーダライムガラスが用いられているものとする。<下部電極層>下部電極層3は、基板2の一主面上に設けられた、Mo、Al、Ti、Ta、またはAuなどの金属、あるいはこれらの金属の積層構造体からなる導体である。下部電極層2は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成方法を用いて、0.2~1μm程度の厚みに形成される。<光吸収層>光吸収層4は、下部電極層3の上に設けられた、カルコパイライト系以下CIS系とも言うのI-III-VI族化合物を含む、p型の導電型を有する半導体層である。この光吸収層4は、1~3μm程度の厚みを有している。ここで、I-III-VI族化合物とは、I-B族元素と、III-B族元素とVI-B族元素換言すれば、11族元素、13族元素、16族元素ともいうとの化合物であり、本実施形態としては、CuIn、GaSe2以下、CIGSとも言うなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。このような光吸収層4については、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能である他、光吸収層4の構成元素を含む溶液を下部電極層3の上に塗布し、その後、乾燥熱処理を行う、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。<半導体層>半導体層5は、光吸収層4の上に設けられた、該光吸収層4の導電型とは異なるn型の導電型を有するものであって、II-B族元素、III-B族元素の少なくとも1つを含む化合物半導体を有する場合に、光吸収層4とヘテロ接合する。光電変換素子1では、このヘテロ接合を構成する光吸収層4と半導体層5とにおいて光電変換が生じることから、光吸収層4と半導体層5とが光電変換層となっている。また、本実施形態においては、半導体層5はCBD法ケミカルバス成膜法によって、例えば、In2S3系、ZnS系、CdS系等の組成で構成され、5~70nmの厚みに形成されることが好ましいが、可能であれば薄膜法、メッキ法などの他の手段によって形成されても構わない。さらに、半導体層よりも高抵抗の酸化亜鉛i-ZnOなどを形成することで、リーク電流の発生が抑制してもよい。<上部電極層>上部電極層6は、半導体層5の上に設けられた、n型の導電型を有する透明導電膜である。上部電極層6は、光電変換層において生じた電荷を半導体層5を介して取り出す電極として設けられている。また、上部電極層6は半導体層5よりも低い抵抗率を有する物質、例えば錫を含んだ酸化インジウムITOなどによって構成されるものであり、上部電極層6は、スパッタリング法、蒸着法などによって形成される。なお、半導体層5、上部電極層6は、光吸収層4が吸収する光の波長領域に対して光透過性を有する物質によって構成されることが好ましく、また、半導体層5、上部電極層6は、絶対屈折率が略同一であることが好ましく、これらにより、光吸収層4までの光の吸収効率の低下が抑制される。<電極>図2に示されるように、電極7はAgなどの金属からなる集電部7aと連結部7bとからなり、光電変換素子10において発生して上部電極層7において取り出された電荷を集電する役割を担う。これにより上部電極層7の薄層化が可能となる。電極7は、導電性と、光吸収層4への光透過性との両立を考慮すると、50~400μmの幅を有することが好ましい。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態では、表面が平坦な基板と、該基板の前記表面に設けられた、断面が矩形状の凸部と凹部とからなる凹凸面を有する下部電極層と、該下部電極上に設けられた、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた、該光吸収層とは異なる導電型の半導体層と、該半導体層上に設けられた上部電極層とを有する光電変換素子であって、前記光吸収層と前記半導体層との界面は、断面が前記下部電極層の前記凹凸面に対応した凹部と凸部とからなる形状であるとともに、前記光吸収層は、凸部における厚さよりも、凹部における厚さの方が厚い。すなわち、多重反射にあまり寄与しない凸部上の光吸収層4の厚さよりも、多重反射に寄与する凹部上の光吸収層4の厚さの方を厚くしたものである。これによって、下部電極層3の表面が成す凹部内での多重反射によって、光吸収層4に入射光を閉じ込めて、光電変換効率を向上することができる。例えば本実施形態である図10bにおいて、aが光吸収層4の凸部における厚さ、bが光吸収層4の凹部における厚さであり、図10aの比較例に比べると本実施形態の方がb値が大きいので、凹部内点線内を長い光路で光の閉じ込めができ、光電変換効率を向上することができる。さらに、光吸収層4と半導体層5との界面が成す凹凸の高低差を小さくすることで、光吸収層4と半導体層5との界面での反射を減らすことができ、光電変換効率をさらに向上することができる。なお、光吸収層4と半導体層5との界面での反射に影響しない範囲で、光吸収層4と半導体層5とのpn接合している面積すなわち、光吸収層4と半導体層5との界面がなす面積を増やすことで、光電変換効率をさらに向上することもできる。光吸収層4の凸部に対応した厚さaは、例えば下部電極層3の凹部内への光を遮蔽しないように1~2μmとすることが好ましい。光吸収層4の凹部に対応した厚さbは、例えば下部電極層3の凹部内に光を閉じ込めることができるように2~3μmが好ましい。さらに本実施形態では、前記半導体層と前記上部電極層との界面は、断面が前記下部電極層の前記凹凸面に対応した凹部と凸部とからなる形状であり、前記光吸収層と前記半導体層との界面における凸部と凹部との平均の高低差よりも、前記半導体層と前記上部電極層との界面における凸部と凹部との平均の高低差の方が小さいことが好ましい。例えば後述する図7、8において、cが光吸収層4と半導体層5との界面における凸部と凹部との平均の高低差、dが半導体層5と上部電極層6との界面における凸部と凹部との平均の高低差であり、c>dの関係となっていることで、半導体層5と上部電極層6との界面での無用な反射を抑えることができる。すなわち、下部電極層3での凹凸が、半導体層5と上部電極層6との界面にまで顕著に反映されてしまうと、表面で乱反射が生じてしまい透過率が低下して、光吸収層4内部に光が到達されにくくなるためである。光吸収層4と半導体層5との界面における凸部と凹部との平均の高低差cは、光吸収層4と半導体層5との界面におけるpn接合面積が極力増えるように、例えば200~400nmとすることが好ましい。半導体層5と上部電極層6との界面における凸部と凹部との平均の高低差dは、半導体層5と上部電極層6との界面における反射を低減するように、例えば40~200nmとすることが好ましい。さらに本実施形態では、前記下部電極層は、凹部の幅の方が凸部の幅よりも広いことが好ましい。例えば図8において、w1が下部電極層3の凹部の幅、w2が下部電極層3の凸部の幅であり、w1>w2となっていることで、凹部内の光吸収層4に入る入射光量を増やすことができる。下部電極層3の凹部の幅W1は、凹部内の光吸収層4への光の入射を増やすために、100~1000μmとすることが好ましい。下部電極層3の凸部の幅W2は、基板2上にpn接合する面を多く設けることができるように、10~100μmとすることが好ましい。<光電変換装置の概略構成>さらに本実施形態は、前記光電変換素子を用いた光電変換装置を提供するものである。これにより、さらに高い光電変換効率を実現する光電変換装置を提供することを容易にする。図2のように光電変換素子1を光電変換装置10に用いたことにより、従来よりもさらに高い光電変換効率を提供することが容易になる。なお、本発明の光電変換装置10は上記のような一実施形態に限られたものではない。<光電変換装置の製造方法>以下においては、光電変換素子の製造方法における概略の説明であり、I-III-VI族化合物半導体からなる光吸収層4例えば、Cu、In、GaおよびSeを含むCIGS等が塗布法を用いて形成され、さらに、半導体層5以降が形成される場合を例として説明する。まず、洗浄された基板2の略全面に、スパッタリング法でMoからなる下部電極層3が成膜される。下部電極層3上に光吸収層4と第1半導体層5とが順次形成される。下部電極層3が形成された後、光吸収層4を形成するための溶液が下部電極層3の表面に塗布され、乾燥によって被膜が形成された後、該被膜が熱処理されることで光吸収層4が形成される。光吸収層4を形成するための溶液は、カルコゲン元素含有機化合物と塩基性有機溶剤とを含む溶媒に、I-B族金属およびIII-B族金属を直接溶解することで作成され、I-B族金属およびIII-B族金属の合計濃度が10重量以上の溶液とされる。なお、溶液の塗布にはスピンコーター、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、ダイコータなど様々な方法の適用が可能である。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、カルコゲン元素としては、VI-B族元素のうちのS、Se、Teを指し、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、セレノール、テルノール等が挙げられる。金属を混合溶媒に直接溶解させるというのは、単体金属または合金の地金を、直接、混合溶媒に混入し、溶解させることを指す。乾燥は、還元雰囲気下で行われることが望ましく、乾燥温度は、例えば、50~300°Cである。熱処理は、酸化防止のために水素雰囲気や窒素雰囲気などの還元雰囲気下で行われることが望ましく、熱処理温度は、例えば、400~600°Cである。光吸収層4が形成された後、半導体層5はCBD法ケミカルバス成膜法によって形成されるが、後工程で上部電極層6をスパッタリング法で形成する場合には、光吸収層4をダメージから保護できる程度の厚みであることが好ましい。以下、本発明の製造方法の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態の製造方法は、図3のように基板の表面上をマスキング材8でマスクして下部電極層前駆体3を形成する第1工程と、図4のようにマスキング材8を外してからさらに下部電極膜を成膜することで、凹凸面を有する下部電極層3を形成する第2工程と、図5のように光吸収層4を形成するための溶液を下部電極層3の表面に塗布、乾燥して被膜4を形成する第3工程、該被膜が熱処理されることで図6のように凹凸を有する光吸収層前駆体4が形成される第4工程とを有する。さらに図9のような後工程のSeドープ処理において、光吸収層前駆体4を溶融させて凸部上から凹部上へと流入させることによって、凸部上における光吸収層4の厚さaよりも、凹部上における光吸収層4の厚さbの方が厚くなるようにすることができる。その結果としてSeドープ処理の加熱前後で、凹部の光吸収層4の厚さbは厚くなり、凸部の光吸収層4の厚さaは薄くなる。以下、上記第1~第4工程について更に詳細に説明する。まず、図3の第1工程では、基板2の表面上をストライプ状のスリットが形成されたSUS板マスキング材8でマスキングし、Moターゲットを1~10Pa、DC200Wの条件でスパッタリングすることで、基板2の表面にMo電極膜下部電極層前駆体3を厚さ0.2~0.4μmに形成する。マスキングすることに関しては、基板2に対して直接スクライブ等の処理をすることがないので、基板2の抗折強度を維持することができる点、また、スタンパーや印刷等で基板2の表面に凹凸を設けるよりも、微細な凹凸加工を施すことができる点で有効である。次に、図4の第2工程では、上記マスキング材8を外した後に、さらにスパッタリング法でMo電極膜を厚さ0.2~0.4μm形成することで、凹凸面を有する下部電極層3を形成することができる。そして次に、図5のように光吸収層4を形成するための溶液が、下部電極層3の表面に塗布、乾燥され被膜4が形成された後、該被膜4が熱処理されることで、図6のように凹部内に被膜4が充填されて光吸収層4が形成される。ここで被膜4は乾燥された状態では、まだ凹部に殆ど充填されておらず、Seをドープする際に、被膜4が一度に加熱溶融され、被膜4が凸部から凹部へと流れて、凹部の光吸収層4の厚さbの方が、凸部の光吸収層4の厚さaよりも厚くなる。例えば図9はaは凸部上の光吸収層前駆体4の一部が溶融して凹部内に流入している様子であり、図9bのSeドープ処理後の段階ではa<bとなる。すなわち、光吸収層4の凸部に対応した厚さa<光吸収層4の凹部に対応した厚さbの関係とすることができる。なお、光吸収層4と半導体層5との界面における凸部と凹部との平均の高低差、半導体層5と上部電極層6との界面における凸部と凹部との平均の高低差については、半導体層5の厚さを厚くするほど、光吸収層4と半導体層5との界面における凸部と凹部との平均の高低差c>半導体層5と上部電極層6との界面における凸部と凹部との平均の高低差dの関係とすることができる。また、下部電極層3の凸部と凹部の各幅については、ストライプ状のスリットが形成されたSUS板マスキング材8のスリット幅とそのピッチとによって下部電極層の凹部の幅W1>下部電極層の凸部の幅W2に設定できる。