"入射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜を備えた有機光電変換素子であって、前記有機光電変換膜の一方の面に設けられた第1電極と、前記有機光電変換膜の他方の面に配列された複数の第2電極とを備え、隣り合う第2電極同士の間の隙間が3μm以下であることを特徴とする有機光電変換素子。前記第1電極が光透過性を有する単一の対向電極で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機光電変換素子。前記複数の第2電極が画素領域ごとに配置された画素電極であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機光電変換素子。前記第2電極が信号電荷を読み出し、出力部へ転送する読み出し回路に接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。ところで、上記特許文献2及び3に示す有機光電変換膜を用いた固体撮像素子においては、1画素ごとに区画された画素電極を構築し、その上に有機光電変換膜および対向電極を全画素共通で積層する。この場合、隣接する画素電極間の隙間ギャップでは、画素電極上に比べて電界強度が小さいため、ギャップで発生した信号電荷が読み出されるまでに時間を要し、残像になるという問題点があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、信号電荷を効率的に読み出すことができ、残像の発生を抑制することができる有機光電変換素子を提供することにある。本発明者は、鋭意検討の結果、画素電極同士の間の隙間を所定の寸法以下とすることで、残像の発生を、実用上問題のないレベルまで抑制することができることがわかった。すなわち、本発明の上記目的は、下記構成によって達成される。1入射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜を備えた有機光電変換素子であって、前記有機光電変換膜の一方の面に設けられた第1電極と、前記有機光電変換膜の他方の面に配列された複数の第2電極とを備え、隣り合う第2電極同士の間の隙間が3μm以下であることを特徴とする有機光電変換素子。2前記第1電極が光透過性を有する単一の対向電極で構成されていることを特徴とする上記1に記載の有機光電変換素子。3前記複数の第2電極が画素領域ごとに配置された画素電極であることを特徴とする上記1又は2に記載の有機光電変換素子。4前記第2電極が信号電荷を読み出し、出力部へ転送する読み出し回路に接続されていることを特徴とする上記1から3のいずれか1つに記載の有機光電変換素子。本発明によれば、信号電荷を効率的に読み出すことができ、残像の発生を抑制することができる有機光電変換素子を提供できる。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。図1は、本実施形態の有機光電変換素子の概略的な構成を示す断面図である。図2は、画素電極の配置を示す平面図である。図1に示すように、有機光電変換素子10は、入射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜101を備えている。有機光電変換膜101の一方の面に対向電極102が設けられ、他方の面に複数の画素電極100が設けられている。本実施形態では、有機光電変換膜101の図中における上側面から入射光が照射され、有機光電変換膜101で生成された信号電荷が有機光電変換膜101の図中における下側面から信号電荷が読み出される構成である。なお、画素電極100及び対向電極102は、撮像時に有機光電変換膜101内に電界を発生させることができれば特に限定されず、有機光電変換膜101の一方の面に第1電極を設け、他方の面に配列された複数の第2電極を設けることができる。対向電極102と有機光電変換膜101と一つの画素電極100との3層によって画素が構成されている。対向電極102は、光透過性の電極材料で構成され、全画素領域に対して共通の膜状であって、単一の部材によって構成されている。対向電極102は、図示しない電圧供給手段に電気的に接続されており、撮像時に、電圧が印加され電位V2に設定される。対向電極102は、光学的に透明又は光吸収が少ない材料によって構成され、例えば、ITOなどのような金属化合物や非常に薄い金属膜などによって構成されている。画素電極100は、対向電極102に対して平行な2次元平面において画素電極100同士が所定の間隔をおいて画素ごとに分離して形成されている。画素電極100は、金属や金属化合物などの導電性材料から構成されている。図2に示すように、各画素電極100は平面視において、略正方形状を有している。なお、各画素電極100の周縁端部には必要に応じてテーパーが形成されていてもよい。有機光電変換膜101は、光が照射されると光電変換によって、入射光に応じた信号電荷を生成する有機材料から構成されている。有機光電変換膜101には、必要に応じて、正孔や電子の通過を防止するブロッキング層や輸送層が形成されていてもよい。有機光電変換膜101としては、メロシアニン、フタロシアニン、4Hピラン、キナクリドンなどの固有の分光感度を有する材料が用いられる。本実施形態においては、有機光電変換膜101は、全画素に対して共通に1枚の膜状に形成されている。信号電荷は、電子/ホール正孔のいずれを用いてもよい。移動度の高いキャリアを用いることが望ましい。本実施形態では、信号電荷としてホールを用いている。各画素電極100は、電荷読み出し時に信号電荷を読み出して出力部へ転送する読み出し回路に配線層やプラグなどによって電気的に接続されている。読み出し回路は、半導体基板にMOS型トランジスタを備えた構成とすることができる。また、読み出し回路は、電荷結合素子を用いて電荷転送出力方式、薄膜トランジスタを用いた電流出力方式などいずれでもよい。本発明にかかる有機光電変換素子は、読み出し回路の構成にかかわらず、後述する効果を得ることができる。本実施形態において、図1及び図2に示すように、隣り合う画素電極100同士の間の隙間をaとし、画素電極100の幅本実施形態のように正方形状の電極の場合、その周縁の一辺の長さをdとし、画素電極100の配置のピッチをpとし、有機光電変換膜101の厚さをtとした。また、有機光電変換膜101中における画素電極100上の電界をEとし、画素電極100同士の間の隙間における電界をE’とした。さらに、有機光電変換膜101の信号電荷の移動度をuとした。なお、電界E,E’はそれぞれ下記式で表すことができる。一般に有機光電変換膜101中におけるキャリアの移動に要する時間τは、有機光電変換膜101におけるキャリア移動度uを用いて、下記式によって表される。ここで、lは移動距離を示し、Eは電界強度を表している。したがって、画素電極100直上における対向電極近傍で発生したキャリアが、画素電極に到達するまでに要する時間T1は下記式になる。一方、ギャップの中央最も電界強度が弱い箇所の有機光電変換膜101の最表面において発生した信号電荷が画素電極100に到達するまでに要する時間T2は下記式になる。残像が発生しないためには、T1、T2のいずれもが1フレーム期間Tよりも短いことが必要になる。T1T2より、T2Tの関係を満たせば、残像は発生しない。T33msecとし、V2V110Vとし、有機光電変換膜101が移動度u1x106cm2Vsec、t200nmの場合、a10μmを満たせば、理論上は残像が発生しないことになる。しかし、本発明者の研究によれば、実際に有機光電変換素子10を作った場合には上述の理論のような結果は得られず、隙間aを更に小さくしなければ依然として残像が発生することがわかった。この要因の一つとしては、有機光電変換膜101におけるいキャリアの振る舞いが上記の数式では表せない挙動を示していることが考えられる。そこで、本発明者は、各構成を変化させた場合において、有機光電変換素子に残像がどの程度生じるかを確認するため、下記のような実験を行った。図3は、有機光電変換膜を構成する光電変換材料にメロシアニンを用いた場合の、有機光電変換素子の消灯時の残像の発生の比率を示すグラフである。図4は、図3の有機光電変換素子の隙間Gapを変化させた場合の、1フレーム後の残像の発生の比率を示すグラフである。図5は、有機光電変換膜を構成する光電変換材料にフタロシアニンを用いた場合の、有機光電変換素子の残像の発生の比率を示すグラフである。図6は、図5の有機光電変換素子の隙間Gapを変化させた場合の、1フレーム後の残像の発生の比率を示すグラフである。図7は、有機光電変換膜を構成する光電変換材料に4Hピランを用いた場合の、有機光電変換素子の残像の発生の比率を示すグラフである。図8は、図7の有機光電変換素子の隙間Gapを変化させた場合の、1フレーム後の残像の発生の比率を示すグラフである。なお、図3,5,7に示すグラフにおいて、縦軸がフレーム数に対する残像の発生の比率Sigを示し、横軸がフレーム数を示している。ここで、各光電変換素子の測定の際には、0フレーム目に同期して光源を消灯した。また、図4,6,8に示すグラフにおいて、縦軸が1フレーム後の残像の発生の比率Sigを示し、横軸が隙間の寸法μmを示している。図3に示す有機光電変換素子において、画素電極同士の間の隙間を5μm,4μm,3μm,2μmと変化させて、それぞれ残像の発生の程度を比較した。すると、隙間を5μm及び4μmとした場合には、1~3フレームで残像が発生が認められたが、隙間を3μm及び2μmとした場合には残像はフレーム数にかかわらず、実用上問題のないレベルに抑制できたことがわかった。また、図4に示すように隙間を3μm以下とした場合、1フレーム後の残像の発生をほぼゼロに抑制することができることがわかった。図5に示す有機光電変換素子において、画素電極同士の間の隙間を6μm,4.5μm,3μm,1.5μmと変化させて、それぞれ残像の発生の程度を比較した。すると、隙間を6μm及び4.5μmとした場合には、1~4フレームで残像が発生が認められたが、隙間を3μm及び1.5μmとした場合には残像はフレーム数にかかわらず、実用上問題のないレベルに抑制できたことがわかった。また、図6に示すように隙間を3μm以下とした場合、1フレーム後の残像の発生をほぼゼロに抑制することができることがわかった。図7に示す有機光電変換素子において、画素電極同士の間の隙間を5.5μm,4μm,3μm,2.5μmと変化させて、それぞれ残像の発生の程度を比較した。すると、隙間を5μm及び4μmとした場合には、1~4フレームで残像が発生が認められたが、隙間を3μm及び2.5μmとした場合には残像はフレーム数にかかわらず、実用上問題のないレベルに抑制できたことがわかった。また、図8に示すように隙間を3μm以下とした場合、1フレーム後の残像の発生をほぼゼロに抑制することができることがわかった。このように、有機光電変換膜に各光電変換材料メロシアニン、フタロシアニン、4Hピランを用いた構成において、光電変換材料にかかわらず、画素電極同士の隙間を3μm以下とした場合に残像が問題にならないレベルまで低減でき、一方で隙間を4μm以上とした場合には残像が顕著に現れることがわかった。次に、画素電極の面積及び対向電極に印加する電圧を変化させた場合に、フレームに対する残像を測定した。なお、本測定では、光電変換材料としてメロシアニンを使用した。図9は、画素電極の電極面積を変化させた場合の、フレーム数に対する残像の発生の比率の相関を示すグラフである。ここで、電極面積を5μm×5μm、10μm×10μm、15μm×15μmとした構成においてそれぞれの相関を測定した。また、本測定では、画素電極同士の隙間を3μmとし、対向電極に印加する電圧を10Vとした。この結果、画素電極同士の隙間を3μmのとき、電極面積にかかわらず、フレーム数ごとの残像の発生を抑制できることができた。図10は、対向電極の電圧を変化させた場合の、フレーム数に対する残像の発生の比率の相関を示すグラフである。ここで、対向電極の電圧V2を5V、7V、10Vとした構成においてそれぞれの相関を測定した。また、本測定では、画素電極同士の隙間を3μmとし、画素電極の電極面積を10μm×10μmとした。この結果、画素電極同士の隙間を3μmのとき、対向電極の電圧にかかわらず、フレーム数ごとの残像の発生を抑制できることができた。上記測定を検証すると、有機光電変換素子は、画素電極の電極面積や対向電極の電圧に依存することなく、画素電極同士の隙間によって残像に影響があることがわかった。つまり、画素電極同士の隙間を3μm以下とすることで、画素電極の電極面積や対向電極の電圧にかかわらず、残像の発生を抑制することができる。本発明にかかる有機光電変換素子は、画素電極同士の間の隙間を3μm以下とする構成であるため、残像の発生を抑制することができ、有機光電変換膜で生成された信号電荷が膜中に残存することを抑制することで、信号電荷を効率的に読み出すことができる。"