貫通孔を有する板部材と、前記貫通孔に絶縁性部材を介して固定され、前記板部材の一方の面から突出した突出部を含む金属柱と、前記突出部に固定された半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されたリードフレームと、前記半導体素子を覆うと共に、前記板部材、前記金属柱及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体とを備え、前記板部材の他方の面が前記外装体から露出した半導体装置。貫通孔を有する板部材と、前記貫通孔に絶縁性部材を介して固定され、前記板部材の一方の面から突出した突出部を含む金属柱と、前記突出部に固定された半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されたリードフレームと、前記板部材の他方の面に固定された放熱部材と、前記半導体素子を覆うと共に、前記板部材、前記金属柱、前記放熱部材及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体とを備え、前記放熱部材の一部が前記外装体から露出した半導体装置。請求項1又は2において、前記金属柱は、前記突出部の前記半導体素子と対向する面に凹部を有する半導体装置。請求項3において、前記凹部が、底面と、前記底面に対して傾斜した傾斜面から構成された半導体装置。請求項1~4のうちのいずれか1項において、前記板部材の一方の面における前記貫通孔の周縁部に、前記絶縁性部材のフィレットが形成された半導体装置。請求項1~5のうちのいずれか1項において、前記貫通孔の壁面と前記金属柱との接続部に、前記絶縁性部材のフィレットが形成された半導体装置。請求項1~6のうちのいずれか1項において、前記リードフレームは、絶縁性シートを介して前記板部材に固着された半導体装置。請求項1~6のうちのいずれか1項において、前記板部材は、ダイパッドである半導体装置。請求項1~8のうちのいずれか1項において、前記金属柱は1本であり、前記1本の金属柱に、1つの前記半導体素子が固定された半導体装置。板部材に形成された貫通孔に対して、絶縁性部材を介した金属柱を、前記板部材の一方の面から前記金属柱の一部が突出部として突出するように挿入する工程と、前記突出部に半導体素子を固定する工程と、前記半導体素子をリードフレームと電気的に接続する工程と、前記半導体素子を覆うと共に、前記板部材の他方の面が露出するように、前記板部材及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。板部材に形成された貫通孔に対して、絶縁性部材を介した金属柱を、前記板部材の一方の面から前記金属柱の一部が突出部として突出するように挿入する工程と、前記突出部に半導体素子を固定する工程と、前記板部材の他方の面に放熱部材を固定する工程と、前記半導体素子をリードフレームと電気的に接続する工程と、前記半導体素子を覆うと共に、前記放熱部材の一部が露出するように、前記板部材、前記放熱部材及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。請求項10又は11において、前記貫通孔に前記絶縁性部材を介して前記金属柱を挿入する工程において、先端に凸部を有する挿入ピンを用い、前記凸部を前記金属柱に当接させて前記金属柱を前記貫通孔に挿入する半導体装置の製造方法。請求項12において、前記挿入ピンの前記凸部の側面が傾斜面である半導体装置の製造方法。請求項10~13のうちのいずれか1項において、前記貫通孔に前記絶縁性部材を介して前記金属柱を挿入する工程において、前記貫通孔の開口面積よりも大きい面積の前記絶縁性部材を、前記金属柱と共に挿入する半導体装置の製造方法。請求項10~14のうちのいずれか1項において、前記貫通孔に前記絶縁性部材を介して前記金属柱を挿入する工程において、前記金属柱の一部が前記板部材の一方の面上の前記絶縁性部材よりも上側に位置するように、前記金属柱を前記貫通孔に挿入する半導体装置の製造方法。請求項10~15のうちのいずれか1項において、前記貫通孔に前記絶縁性部材を介して前記金属柱を挿入する工程において、前記板部材の一方の面における前記貫通孔の周縁部に、前記絶縁性部材のフィレットを形成する半導体装置の製造方法。請求項10~16のうちのいずれか1項において、前記貫通孔に前記絶縁性部材を介して前記金属柱を挿入する工程において、前記貫通孔の壁面と前記金属柱との接続部に、前記絶縁性部材のフィレットを形成する半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献5に提示された半導体装置は、半導体素子から発生した熱を、放熱部材と、金属基板の上面のほぼ全てに形成された絶縁層とを介して、半導体装置の外部に放熱する。このため、特許文献5に提示された半導体装置では、放熱の効果が低減する可能性がある。その結果、半導体装置の信頼性が低下する場合がある。すなわち、特許文献5に提示された半導体装置では、半導体素子の周辺に生じる熱応力を低減しようとすると、放熱効果をも低減することとなってしまう。本発明は、半導体素子から発生する熱により生じる応力を低減でき、放熱効果が高く、信頼性が高い半導体装置を得ることを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明に係る第1の半導体装置は、貫通孔を有する板部材と、前記貫通孔に絶縁性部材を介して固定され、前記板部材の一方の面から突出した突出部を含む金属柱と、前記突出部に固定された半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されたリードフレームと、前記半導体素子を覆うと共に、前記板部材、前記金属柱及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体とを備え、前記板部材の他方の面が前記外装体から露出したことを特徴とする。また、前記の目的を達成するために、本発明に係る第2の半導体装置は、貫通孔を有する板部材と、前記貫通孔に絶縁性部材を介して固定され、前記板部材の一方の面から突出した突出部を含む金属柱と、前記突出部に固定された半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されたリードフレームと、前記板部材の他方の面に固定された放熱部材と、前記半導体素子を覆うと共に、前記板部材、前記金属柱、前記放熱部材及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体とを備え、前記放熱部材の一部が前記外装体から露出したことを特徴とする。また、前記の目的を達成するために、本発明に係る第1の半導体装置の製造方法は、板部材に形成された貫通孔に対して、絶縁性部材を介した金属柱を、前記板部材の一方の面から前記金属柱の一部が突出部として突出するように挿入する工程と、前記突出部に半導体素子を固定する工程と、前記半導体素子をリードフレームと電気的に接続する工程と、前記半導体素子を覆うと共に、前記板部材の他方の面が露出するように、前記板部材及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体を形成する工程とを備えたことを特徴とする。また、前記の目的を達成するために、本発明に係る第2の半導体装置の製造方法は、板部材に形成された貫通孔に対して、絶縁性部材を介した金属柱を、前記板部材の一方の面から前記金属柱の一部が突出部として突出するように挿入する工程と、前記突出部に半導体素子を固定する工程と、前記板部材の他方の面に放熱部材を固定する工程と、前記半導体素子をリードフレームと電気的に接続する工程と、前記半導体素子を覆うと共に、前記放熱部材の一部が露出するように、前記板部材、前記放熱部材及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外装体を形成する工程とを備えたことを特徴とする。本発明に係る半導体装置及びその製造方法によると、半導体素子から発生する熱により生じる応力を低減でき、放熱効果が高く、信頼性が高い半導体装置を得ることができる。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について図1~図3を参照しながら説明する。図1及び図2に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、半導体素子12と、貫通孔15を有するダイパッド13を有するリードフレーム11と、貫通孔15に絶縁性部材17を介して嵌合された円柱状の金属柱16と、外装体14とによって少なくとも構成されている。ダイパッド13は、例えば銅及び銅合金からなり、その厚さが400μm~500μm程度の板部材である。ダイパッド13には、ダイパッド13の上面13aから下面13bまでを貫通する円柱状の貫通孔15が形成されている。貫通孔15には、絶縁性部材17を介して、銅及び銅合金等からなる円柱状の金属柱16が固定されている。金属柱16の固定は、例えば、貫通孔15に絶縁性部材17を介して金属柱16を嵌合して固定している。なお、金属柱16は、ダイパッド13の上面13aから突出している突出部を有する。金属柱16の突出部の上面突出面16aには、ろう材19を介して半導体素子12が固定されている。半導体素子12の固定は、例えば、金属柱16の突出部の上面16aにろう材19を介して半導体素子12を固着して固定している。以下、固定方法の一例として、固着を用いている。ろう材は、例えばスズSn-銀Ag-ビスマスBi系のはんだ材料である。また、金属柱16の突出部の上面突出面とは、半導体素子12と対向する面である。なお、板部材の一例であるダイパッド13の上面13aは、板部材の一方の面の一例であり、ダイパッド13の下面13bは、板部材の他方の面の一例である。ここで、図2及び図3に示すように、1つの半導体素子12は、その中央部において1本の金属柱16により支持されている。なお、図3では、図面の簡略化のために、ろう材19及び外装体14を省略している。半導体素子12の厚さは、例えば200μmであり、金属柱16の径は、例えば3mmである。半導体素子12には、ボンディングパッド図示せずが形成され、そのボンディングパッドと例えば銅からなるリードフレーム11とが、ワイヤ線である金属部材20により電気的に接続されている。半導体素子12及びダイパッド13を含むリードフレーム11の一部は、例えば封止樹脂である外装体14に封止され、ダイパッド13の下面13bは、外装体14から露出している。なお、絶縁性部材17は、例えば低融点ガラスとアルミナAl2O3粉末との混合物からなる。絶縁性部材17は、アルミナを含むため、通常の低融点ガラスと比較して熱伝導性が高い。金属部材20は、例えばアルミニウムワイヤである。また、アルミニウムワイヤでなく、アルミニウムリボン又は銅クリップを用いてもよい。アルミニウムリボン及び銅クリップは、アルミニウムワイヤと比較して断面積が大きく、配線抵抗値が小さくなるため、これらを用いることで、電力の損失を低減できる。外装体14は、例えばビフェニル系又はクレゾールノボラック系のエポキシ樹脂の熱硬化性樹脂からなる封止樹脂である。外装体14により半導体素子12、金属部材20及びリードフレーム11の一部が封止されることによって、リードフレーム11と半導体素子12とを一体化することができる。また、外装体14により、半導体素子12を保護することができる。半導体素子12には、例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタinsulatedgatebipolartransistor:IGBT、又はパワー金属酸化膜型電界効果トランジスタpowermetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor:パワーMOSFETを用いることができる。本実施形態では、半導体素子12は、ダイオードが内蔵された横型パワーMOSFETである。半導体素子12は、大電流を用いた高速のスイッチング動作により発熱し、その熱がダイパッド13に伝わり、ダイパッド13の温度が上昇する。半導体素子12を構成する珪素Si等の半導体材料と比較して、ダイパッド13を構成する銅等の金属材料の熱膨張係数は大きいため、ダイパッド13の熱変形量は、半導体素子12の熱変形量よりも大きい。その結果、半導体素子12とダイパッド13との接続部に大きな応力が発生する。本実施形態に係る半導体装置では、半導体素子12を支持する金属柱16の上面16aの表面積は、半導体素子12の裏面の表面積よりも小さい。すなわち、半導体素子12とダイパッド13とは、金属柱16を介して半導体素子12の一部とのみ接続しているため、半導体素子12とダイパッド13との接続部において発生する応力を低減できる。本実施形態に係る半導体装置において、半導体素子12とダイパッド13との間隙には、外装体14である封止樹脂が充填されている。このように封止樹脂を充填させることで、半導体素子12とダイパッド13との密着性を強固にし、外部からの水分等の浸入を防止できる。さらに、半導体素子12の上下を挟むように封止樹脂が形成されているため、封止樹脂を充填する際に半導体素子12に生じる圧力の均一性を確保できる。その結果、本実施形態に係る半導体装置では、半導体素子12に生じる残留歪を低減することができる。また、本実施形態では、金属柱16を1本だけ用いているため、半導体素子12とダイパッド13との間隙に封止樹脂を容易に充填させることができる。さらに、金属柱16は半導体素子12の中央部を支持するため、半導体素子12とダイパッド13との間隙に封止樹脂である外装体14が金属柱16を中心として充填される。その結果、半導体素子12に生じる圧力をより均一にすることが可能となる。本実施形態に係る半導体装置は、半導体素子12から生じた熱を、金属柱16及びアルミナを含む絶縁性部材17、並びに封止樹脂である外装体14を介してダイパッド13の下面側から放出できる。このため、従来の半導体装置のように基板の上面の全面に絶縁層が形成されている構成と比較して、本実施形態の半導体装置は高い放熱性を有する。以下に、第1の実施形態に係る半導体装置における半導体素子12と金属柱16との接続部分の構造について、詳細に説明する。図2に示すように、金属柱16は、ダイパッド13の貫通孔15に絶縁性部材17を介して嵌合され、その一部突出部がダイパッド13の上面13aから突出している。ここで、金属柱16の突出部の高さは、例えば70μm~100μmである。また、金属柱16の上面16aの反対側の下面16bは、ダイパッド13の下面13bよりも上に位置する。絶縁性部材17は、少なくとも金属柱16の上面16aが露出するように設けられている。すなわち、絶縁性部材17は、金属柱16の底面及び貫通孔15の壁面と金属柱16の側面との間に形成されることにより、金属柱16とダイパッド13とを電気的に絶縁している。これにより、本実施形態では、半導体素子12を大電流で動作させてもダイパッド13に電流が流れることがなく、半導体素子12の誤動作を防止することができる。金属柱16の下面16b側における絶縁性部材17と貫通孔15の壁面との接続部には、絶縁性部材17のフィレット22が形成されている。同様に、ダイパッド13の上面13aにおける貫通孔15の周縁部にも、絶縁性部材17のフィレット21が形成されている。これらフィレット21、22により、金属柱16とダイパッド13との接続強度をより強固にすることができる。ここで、フィレット22が貫通孔15の外部に流れ出ると、ダイパッド13の下面13bに段差が生じる。ダイパッド13の下面13bに段差が生じることで、本実施形態に係る半導体装置を他の装置等に搭載する際に、がたつき等の問題が生じることとなる。このため、前述の通り、金属柱16の下面16bをダイパッド13の下面13bよりも上側図2の紙面上側に配置すると共に、ダイパッド13の下面13bから金属柱16の下面16bを覆う絶縁性部材17の下面までの距離を約10μm以上とすることが好ましい。また、金属柱16の上面16aには、凹状の窪み部凹部が形成されていることが好ましい。この上面16aにおける窪み部の曲率半径は、例えば10mmであり、窪み部の深さは、例えば10μm~20μmである。このような窪み部により、ろう材19を溶融する際に、金属柱16の上面16aからダイパッド13にろう材19が流れ出ることを防止できる。また、仮に、ろう材19が金属柱16の上面16aから流れ出たとしても、金属柱16とダイパッド13の上面13aとの間に形成された絶縁性部材17のフィレット21により、半導体素子12とダイパッド13との短絡を防止できる。ここで、絶縁性部材17は、貫通孔15の周縁部を覆うように形成されている。なお、本実施形態の半導体装置では、ダイパッド13に貫通孔15が設けたものを用いているが、貫通孔15でなく凹部を形成してもよい。ただし、凹部に金属柱を嵌合すると、凹部内の空気により絶縁性部材17に気泡が形成されるおそれがあるため、ダイパッド13には貫通孔15が設けられることが望ましい。本実施形態に係る半導体装置によると、半導体素子12から発生する熱により生じる応力を低減でき、放熱効果が高く、信頼性が高い半導体装置を得ることができる。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図4~図6を参照しながら説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法には、リードフレーム形成工程、ダイパッド加工工程、ダイスボンド工程、ワイヤボンディング工程、モールド工程及びリード加工工程が含まれる。ここで、リードフレーム形成工程、ダイスボンド工程、ワイヤボンディング工程、モールド工程及びリード加工工程は、公知の方法であるため、これらの工程の説明を省略し、ダイパッド加工工程について詳細に説明する。まず、図4に示すように、円柱状の貫通孔15が形成された板部材であるダイパッド13の上面13aに、貫通孔15を覆うように絶縁性部材17を載置する。ここで、絶縁性部材17は、貫通孔15の開口径例えば3mmよりも大きい径を有する円板状の部材である。すなわち、絶縁性部材17の面積は、貫通孔15の開口面積よりも大きい。なお、絶縁性部材17の径は、貫通孔15の開口径と貫通孔15の深さダイパッド13の厚さとの和程度の大きさが望ましい。このような径の大きさの絶縁性部材17を用いることにより、後の工程において、金属柱16とダイパッド13との間に絶縁性部材17を確実に介在させることができる。続いて、例えば径が3mmである円柱状の金属柱16の下面16bを、貫通孔15に対して位置合わせを行う。ここで、金属柱16は、例えば打ち抜き加工によって作製されているため上面16a側にバリが生じており、上面16aに、その中央部が外周部よりも窪んだ窪み部凹部が形成されている。この上面16aにおける窪み部凹部の曲率半径は、例えば10mmであり、深さは、例えば10μm~20μmである。次に、図5に示すように、金属柱16の下面16bを絶縁性部材17に当接させ、絶縁性部材17を加熱すると共に、金属柱16を貫通孔15に挿入する。このとき、絶縁性部材17を、その軟化温度約300°C以上且つ溶融温度約350°C以下の温度に保持する。金属柱16を貫通孔15に挿入する際に、絶縁性部材17は湾曲しながら金属柱16と共に貫通孔15に挿入される。絶縁性部材17を加熱して軟化させる方法としては、例えば、絶縁性部材17にレーザを照射する方法、又はダイパッド13を加熱する方法が考えられる。このとき、絶縁性部材17を安定して変形させるために、金属柱16を加熱することにより、間接的に絶縁性部材17を加熱する方法が望ましい。ここで、金属柱16の貫通孔15への挿入は、金属柱16の上部が、ダイパッド13の上の絶縁性部材17よりも上側図5の紙面上側に位置した状態を維持させることが望ましい。すなわち、金属柱16の上部が、ダイパッド13の上面13a上の絶縁性部材17よりも下側図5の紙面下側の位置まで挿入されないことが望ましい。このように金属柱16を挿入することにより、後の工程において絶縁性部材17を溶融する際に、金属柱16の上面突出面16aの窪み部に絶縁性部材17が入り込むことを防ぐことができる。次に、図6に示すように、絶縁性部材17をその溶融温度約350°C以上に加熱して溶融させる。これにより、ダイパッド13の上面13aにおける貫通孔15の周縁部にフィレット21を形成し、金属柱16の下面16b側における絶縁性部材17と貫通孔15の壁面との接続部にフィレット22を形成し、貫通孔15に金属柱16を嵌合させる。以上の工程により、本実施形態に係る半導体装置のダイパッド13を加工する。この後に、ダイスボンド工程、ワイヤボンディング工程、モールド工程及びリード加工工程を行うことにより、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。なお、他の装置等と半導体素子12の裏面との導通部位が必要な場合は、中央に穴部が設けられた絶縁性部材17から金属柱16の一部を外装体14から露出突出させて、導通部位を形成してもよい。ただし、この場合は、露出させた金属柱16にも絶縁性部材17が固着している可能性が高いため、金属柱16の露出部の絶縁性部材17を取り除く工程を、別途行うことが望ましい。本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、半導体素子から発生する熱により生じる応力を低減でき、放熱効果が高く、信頼性が高い半導体装置を製造することができる。第1の実施形態の一変形例第1の実施形態では、予め上面16aに窪み部凹部が形成された金属柱16を貫通孔15に挿入したが、貫通孔15への挿入と同時に、金属柱16の上面に窪み部を形成してもよい。以下、挿入と同時に窪み部を形成する方法を用いる本発明の第1の実施形態の一変形例に係る半導体装置の製造方法について、図7~図9を参照しながら説明する。本変形例において、第1の実施形態と同一の工程については、説明を簡略又は省略し、異なる点については、詳細に説明する。図7に示すように、本変形例におけるダイパッド加工工程では、先端の中央部に凸部31を有している挿入ピン30を用いて、ダイパッド13の貫通孔15に金属柱26を挿入する。なお、凸部31の突出方向図7の紙面上下方向の長さは、例えば10μm~20μmであり、凸部31の頂面31aの径図7の紙面左右方向の長さは、例えば1mmである。また、凸部31の側面31bは頂面31aに垂直な方向に対して傾斜しており、その傾斜角は、例えば45°である。また、本変形例では、第1の実施形態と異なり、金属柱26の上面26aに凹状の窪み部が形成されている必要はなく、上面26aは平坦でもよい。まず、図7に示すように、ダイパッド13の貫通孔15を覆うように、ダイパッド13の上面13aに、絶縁性部材17を載置する。続いて、金属柱26の下面26bを貫通孔15に対して位置合わせをする。次に、図8に示すように、挿入ピン30に設けられた凸部31を金属柱26の上面26aに当接させ、絶縁性部材17を加熱すると共に金属柱26を貫通孔15に挿入する。このとき、絶縁性部材17を、その軟化温度約300°C以上且つ溶融温度約350°C以下の温度に保持する。金属柱26を貫通孔15に挿入する際に、絶縁性部材17は湾曲しながら金属柱26と共に貫通孔15に挿入される。次に、図9に示すように、絶縁性部材17を、溶融温度約350°C以上に加熱して溶融させる。これにより、ダイパッド13の上面13aにおける貫通孔15の周縁部にフィレット21を形成し、金属柱26の下面26b側における絶縁性部材17と貫通孔15の壁面との接続部にフィレット22を形成し、貫通孔15に金属柱26を嵌合させる。続いて、挿入ピン30を金属柱26から取り外すことにより、金属柱26の上面26aに中央部がその周辺部よりも窪んだ凹部32を形成する。ここで、凹部32の深さは、例えば10μm~20μmとなり、凹部32の底面の径は、例えば1mmとなる。また、凹部32の側面である傾斜面の傾斜角は、例えば45°となる。本変形例では、金属柱26の上面26aが平坦であっても、凸部31を有する挿入ピン30により、上面26aに凹部32を形成することができる。このため、上面が平坦な金属柱を用いる場合においても、ろう材19を溶融させる際に、金属柱26の上面26aからダイパッド13にろう材19が流れ出すことを防止できる。本変形例では、挿入ピン30の凸部31の側面の傾斜角を例えば45°としたが、この角度よりも大きい角度又は小さい角度であってもよく、ろう材19が凹部32から流れ出すことを防ぐことが可能な角度であればよい。本発明の第1の実施形態の一変形例に係る半導体装置の製造方法によると、上面が平坦な金属柱を用いた場合においても、半導体素子から発生する熱により生じる応力を低減でき、放熱効果が高く、信頼性が高い半導体装置を製造することができる。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について、図10を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。図10に示すように、第2の実施形態に係る半導体装置は、ダイパッドではなく放熱板53に貫通孔55が設けられ、その貫通孔55に金属柱16が嵌合されている点で、第1の実施形態に係る半導体装置と異なる。この構成によって、本実施形態に係る半導体装置は、より発熱量が大きい半導体素子を搭載することが可能となる。具体的に、本実施形態の半導体装置は、リードフレーム51と、半導体素子12と、貫通孔55を有する板部材である放熱板53と、貫通孔55に絶縁性部材17を介して嵌合された金属柱16と、外装体14とによって少なくとも構成されている。リードフレーム51は、熱伝導性が高い材料からなり、複数のリードを備えている。熱伝導性が高い材料からなるリードフレーム51は、例えば銅Cuからなる。また、外装体14に封止されたリードフレーム51の複数のリードの端部は、外装体14内から外方に突出している。放熱板53は、熱伝導性が高い金属からなる。熱伝導性が高い金属からなる放熱板53は、例えば銅Cu及びアルミニウムAlからなる。放熱板53の上には絶縁性シート61が形成され、リードフレーム51は、絶縁性シート61を介して、放熱板53に固着されている。本実施形態では、放熱板53の貫通孔55と絶縁性部材17を介して嵌合する金属柱16が設けられ、金属柱16の上面16aに半導体素子12が固着されている。また、半導体素子12、放熱板53及びリードフレーム51の一部は、外装体14に封止されており、放熱板53の下面53bは、外装体14から露出している。すなわち、放熱板53の一部は、外装体14から露出している。本実施形態では、第1の実施形態と同様に、半導体素子12を支持する金属柱16の上面16aの表面積は、半導体素子12の裏面の表面積よりも小さい。すなわち、半導体素子12と放熱板53とは、金属柱16を介して半導体素子12の一部と接続しているため、半導体素子12と放熱板53との接続部において発生する応力を低減できる。本発明の第2の実施形態では、熱伝導性が高い材料からなる放熱板53を用いているため、高い放熱性を有する半導体装置を得ることができる。なお、本実施形態に係る半導体装置の製造方法、特に放熱板の貫通孔に金属柱を嵌合する方法は、第1の実施形態におけるダイパッドの貫通孔に金属柱を嵌合する方法と同一の方法であるため、その説明を省略する。第3の実施形態以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置について、図11を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。図11に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、第1の実施形態に係る半導体装置と比較して、板部材であるダイパッド13の下面13bに、例えば銅又はアルミニウムからなる熱伝導性が高い放熱部材70が固着されている。また、本実施形態に係る半導体装置は、放熱部材70の下面図11の紙面下側の面70bが外装体14から露出している。ここで、放熱部材の下面70bは、ダイパッド13に固着された放熱部材70の上面図11の紙面上側の面70aの反対側の面である。本実施形態では、熱伝導性が高い放熱部材70が用いられているため、第1の実施形態よりも高い放熱効果を得ることができる。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図12を参照しながら説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と比較して、図12に示すように、ダイパッド13の下面13bに放熱部材70を固着させる工程が加えられている。この固着させる工程は、外装体14により半導体素子12等を封止する前に行われればよい。例えば、この固着させる工程は、図4~図6に示す貫通孔15に金属柱16を嵌合する工程の前に行ってもよく、また、貫通孔15に金属柱16を嵌合した後且つ外装体14による封止工程の前に行ってもよい。外装体14による封止工程では、放熱部材70の下面70bが露出するように、外装体14を形成する。