複数の加工工程において各加工工程でそれぞれ異なる角度に設定されたノッチ角度でウエハを加工処理する複数の加工装置と、前記各加工工程において加工処理された前記ウエハの面内位置に対応する加工特性を測定する加工特性測定ユニットと、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性を測定するデバイス特性測定ユニットと、前記複数の加工装置、前記加工特性測定ユニット、及び前記デバイス特性測定ユニットの制御を行う制御サーバーと、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する加工特性及び前記ノッチ角度と、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性と、を含む位置特性データを記憶するデータベースを有するデータサーバーと、前記位置特性データに基づき、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する前記加工特性と前記デバイス特性との相関を求め、前記各加工工程の前記相関に基づいて前記ウエハの面内における前記デバイス特性のばらつきの原因となる原因工程を特定する解析サーバーと、を備えることを特徴とする半導体装置の製造システム。前記ノッチ角度は、0-360の乱数を発生させることによりランダムに設定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造システム。前記解析サーバーは前記加工特性と前記デバイス特性との相関から相関順位を見積もり、前記原因工程を特定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造システム。前記ノッチ角度は、前記加工工程における処理ロット内のウエハごとに異なる角度となるように設定されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造システム。ノッチ角度を、複数の加工工程において各加工工程でそれぞれ異なる角度に設定し、設定された前記ノッチ角度を記憶し、前記各加工工程において、設定された前記ノッチ角度で加工処理を行った後、前記ウエハの面内位置に対応する加工特性を測定し、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性を測定し、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する加工特性及び前記ノッチ角度と、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性と、を含む位置特性データ基づき、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する前記加工特性と前記デバイス特性との相関を求め、前記各加工工程の前記相関に基づいて、前記ウエハの面内における前記デバイス特性のばらつきの原因となる原因工程を特定する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、半導体装置の製造工程におけるデバイス特性のばらつきに影響を与える工程を特定することができ、デバイス特性のばらつきを抑え、歩留りを向上させることが可能な半導体装置の製造システム及び製造方法を提供することである。本発明の実施形態によれば、半導体装置の製造システムが提供される。この半導体装置の製造システムにおいては、複数の加工工程において各加工工程でそれぞれ異なる角度に設定されたノッチ角度でウエハを加工処理する複数の加工装置と、前記各加工工程において加工処理された前記ウエハの面内位置に対応する加工特性を測定する加工特性測定ユニットと、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性を測定するデバイス特性測定ユニットと、前記複数の加工装置、前記加工特性測定ユニット、及び前記デバイス特性測定ユニットの制御を行う制御サーバーと、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する加工特性及び前記ノッチ角度と、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性と、を含む位置特性データを記憶するデータベースを有するデータサーバーと、前記位置特性データに基づき、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する前記加工特性と前記デバイス特性との相関を求め、前記各加工工程の前記相関に基づいて前記ウエハの面内における前記デバイス特性のばらつきの原因となる原因工程を特定する解析サーバーと、を備えることを特徴とする。また、本発明の実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法においては、ノッチ角度を、複数の加工工程において各加工工程でそれぞれ異なる角度に設定し、設定された前記ノッチ角度を記憶し、前記各加工工程において、設定された前記ノッチ角度で加工処理を行った後、前記ウエハの面内位置に対応する加工特性を測定し、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性を測定し、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する加工特性及び前記ノッチ角度と、前記ウエハの面内位置に対応するデバイス特性と、を含む位置特性データ基づき、前記各加工工程における前記ウエハの面内位置に対応する前記加工特性と前記デバイス特性との相関を求め、前記各加工工程の前記相関に基づいて、前記ウエハの面内における前記デバイス特性のばらつきの原因となる原因工程を特定する、ことを特徴とする。以下、実施形態の半導体装置の製造システム及び製造方法について、図面を参照して説明する。実施形態1図1に、本実施形態の半導体装置の製造システムのブロック図を示す。本システムにおいて、ウエハに、成膜処理、熱処理、エッチング処理などの加工処理を行う加工装置11と、各加工工程で加工処理されたウエハの面内位置ごとの膜厚、抵抗、寸法形状などの加工特性をそれぞれ測定する装置から構成される加工特性測定ユニット12、デバイス形成後のウエハの面内位置チップごとの閾値電圧、歩留りなどのデバイス特性を測定する装置から構成されるデバイス特性測定ユニット13と、が設けられている。そして、ウエハをソートし、ノッチ角度を設定された角度とするためのウエハ移載装置14が配置されている。そして、これら加工装置11、加工特性測定ユニット12、デバイス特性測定ユニット13、ウエハ移載装置14などを制御する制御サーバー15と、加工特性測定ユニット12及びデバイス特性測定ユニット13からの測定結果、ノッチ角度などの位置特性データや、通常のロット番号、ウエハ番号などの情報を記憶するデータベースを有するデータサーバー16が設けられている。これら制御サーバー15とデータサーバー16より、CIMComputerIntegratedManufacturingシステムが構成されている。このようなシステムを用いて、以下のようにして半導体装置の製造工程における、デバイス特性のばらつきの原因となる原因工程が特定される。ここで、先行ロットにおいて、図2に示すような閾値電圧のウエハ面内分布を有し、図3に示すような加工特性のウエハ面内分布ノッチ角度はランダムを有する加工工程A~Hが選択され、これらのいずれかが、閾値電圧に影響を与える可能性のある、と考えられる場合を例に挙げて説明する。図4に、フローチャートを示す。先ず、加工工程A~Hの各加工工程で異なる角度となるように、制御サーバー15において、加工装置に対するノッチ角度を任意に設定するAct1-1。例えば、図5に示すように、加工工程A~Hでノッチ角度の差がそれぞれ45度となるように0~315度で変動させる。次いで、設定された加工工程A~Hにおけるノッチ角度を、データサーバー16においてデータベースに記憶するAct1-2。そして、先ずFOUP中に収納された1ロットのウエハが、ウエハ移載装置14において、加工工程Aのノッチ角度である0度となるようにアライメント処理した後、FOUP内に収納される。次いで、加工工程Aにおいて用いられる加工装置11Aに、ノッチ角度0度となるようにウエハを搬入し、加工処理aを行うAct1-3。そして、加工処理aが行われたウエハについて、加工特性測定ユニット12において、ウエハの面内位置に対応する加工特性aを測定するAct1-4。そして、測定結果をデータサーバー16においてデータベースに記憶するAct1-5。加工工程B~Hについても、同様に、それぞれウエハが設定されたノッチ角度となるようにアライメント処理した後、加工装置に搬入し、加工処理b~hを行いAct1-3、加工特性測定ユニット12において、ウエハの面内位置に対応する加工特性b~hを測定するAct1-4。そして、測定結果をデータサーバー16においてデータベースに記憶するAct1-5。このとき、あらかじめ、似たようなデバイス特性ばらつきもつことが予想される工程間では、それぞれの設定角度の差が大きくなるように設定する。このように設定することで、原因工程の特定をより容易に行うことができる。そして、全ての加工工程が完了し、形成されたチップについて、デバイス特性測定ユニット13において、ウエハの面内位置に対応する閾値電圧を測定するAct1-6。そして、ウエハの面内位置に対応する閾値電圧を、加工工程A~Hにおいて設定されたノッチ角度及びウエハの面内位置に対応する加工特性a~hとともに、位置特性データとしてデータサーバー16においてデータベースに記憶するAct1-7。次いで、このように記憶された位置特性データに基づき、加工工程A~Hにおける加工特性a~hの分布と閾値電圧の分布との相関を求めるAct1-8。加工工程A~Hにおける加工特性のウエハ面内分布は、ノッチ位置を合せると、図6に示すようになる。これを図2に示す閾値電圧の面内分布と比較すると、加工工程Cの加工特性分布との相関が高いことがわかる。閾値電圧の面内分布の相関が高い工程が、ばらつきの原因となる原因工程であるといえ、閾値電圧のばらつきの原因工程は、加工工程Cであると特定されるAct1-9。加工特性のばらつきは、その加工工程に用いられる加工装置固有の特徴的な分布を持つことが多い。そのため、原因工程であると特定された加工工程Cにおいて、ウエハ面内の加工特性のばらつきを抑えるように、加工装置の改善を行うAct1-10。或いは、加工レシピの改善を行うことによっても、ウエハ面内の加工特性のばらつきの抑制は可能である。また、このとき、別途原因工程の加工特性分布と相補的分布を有する加工工程を、必要に応じて複数抽出しAct1-11a、加工特性のばらつきをキャンセルするように加工工程間のノッチ角度差を調整するAct1-11bことにより、デバイス特性のばらつきを小さくすることも可能である。このようにして、原因工程におけるウエハ面内の加工特性のばらつきに起因する閾値電圧のばらつきを抑えることができる。なお、本実施形態において、加工特性と相関を有するデバイス特性として、閾値電圧を例に挙げたが、このようなデバイス特性は閾値電圧に限定されるものではなく、例えば、ゲートリーク電流、ドレイン電流、ゲート絶縁膜容量、抵抗等を挙げることができる。本実施形態によれば、半導体装置の製造工程において、各加工工程で異なるノッチ角度として、これを記憶し、ノッチ位置を合わせた上で、加工特性とデバイス特性の面内分布の相関を取ることにより、デバイス特性のばらつきの原因工程を特定することができる。そして、原因工程における加工特性のばらつきによる影響を抑えることにより、デバイス特性のばらつきを抑え、歩留りを向上させることが可能となる。実施形態2本実施形態においては、実施形態1と同様の構成であるが、ノッチ角度の設定方法と、加工特性とデバイス特性の面内分布の相関を、サーバーにおいて相関係数を用いて解析する点で異なっている。図7に本実施形態の半導体装置の製造システムのブロック図を示す。本システムにおいて、実施形態1と同様に、加工処理を行う加工装置21と、加工特性測定ユニット22、デバイス特性測定ユニット23と、が設けられている。そして、ウエハ移載装置24が配置されている。そして、これら加工装置21、加工特性測定ユニット22、デバイス特性測定ユニット23、ウエハ移載装置24を制御するとともに、各加工工程におけるノッチ角度を生成する制御サーバー25と、位置特性データを記憶するデータベースを有するデータサーバー26が設けられ、CIMシステムが構成されている。さらに、位置特性データに基づき解析を行う解析サーバー27が設けられている。このようなシステムを用いて、以下のようにして半導体装置の製造工程における、デバイス特性のばらつきの原因となる原因工程が特定される。図8に、フローチャートを示す。先ず、CIMシステム上で、各加工工程で異なる角度となるように、制御サーバー25において、自動的に発生させた0~360の乱数を用いてノッチ角度を設定しAct2-1、データサーバー26においてデータベースに記憶するAct2-2。なお、ノッチ角度を、各加工工程において、加工装置21内や、ウエハ移載装置24内で自動的に発生させた乱数を用いて設定してもよい。この場合、各加工工程で設定したノッチ角度を、その都度CIMシステム上のデータサーバー26において、データベースに記憶する。そして、実施形態1と同様に、加工工程毎に設定されたノッチ角度となるように、アライメント処理した後、各加工装置21で各加工処理を行いAct2-3、加工特性測定ユニット22において、ウエハの面内位置に対応する各加工特性を測定しAct2-4、その結果をCIMシステム上のデータサーバー26においてデータベースに記憶するAct2-5。さらに、全ての加工工程が完了し、形成されたチップについて、デバイス特性測定ユニット23において、ウエハの面内位置に対応する閾値電圧を測定するAct2-6。そして、ウエハの面内位置に対応する閾値電圧を、各加工工程において設定されたノッチ角度及び各ウエハの面内位置に対応する加工特性とともに、位置特性データとしてCIMシステム上のデータサーバー26においてデータベースに記憶するAct2-7。次いで、このように記憶された位置特性データに基づき、解析サーバー27において、先ず各加工工程のウエハの面内位置について、各ノッチ角度に基づき、ノッチ位置を基準とした座標に変換しAct2-8a、各加工工程における加工特性の分布と閾値電圧の分布との相関係数を求めるAct2-8b。そして、相関係数の順位より、原因工程を特定するAct2-9。図6を用いて、具体的に説明すると、各加工工程の相関係数の順位は、上からC、E、H、A、F、B、D、Gとなり、原因工程は工程Cとなる。そして、原因工程の加工装置、或いは加工レシピの改善や、加工工程間のノッチ角度差の調整などを行いAct2-10、原因工程における加工特性のばらつきに起因するデバイス特性のばらつきを抑えて歩留りを向上させることが可能となる。本実施形態によれば、デバイス特性のばらつきの原因である可能性がある加工工程について、自動的にノッチ角度を設定するとともに、自動的に加工特性とデバイス特性の相関を求めることが可能である。そして、実施形態1と同様の効果を得ることができる。なお、これら実施形態において、加工工程ごとに異なるノッチ角度を設定しているが、さらに、処理ロット内のウエハごとに異なるノッチ角度を設定することもできる。このように、加工工程のみならず、ウエハごとにも異なるノッチ角度を設定することにより、デバイス特性のばらつきの原因となる可能性がある加工工程が多数の場合であっても、原因工程の特定精度を向上させることが可能となる。また、これら実施形態において、特定の加工工程を抽出した後、その中から原因工程を特定しているが、予め可能性のある加工工程を抽出することにより、原因工程の特定の速度及び精度を向上させることが可能となる。しかしながら、必ずしも加工工程の抽出を行う必要はなく、全工程より原因工程を特定することも可能である。以上述べた少なくとも一つの実施形態の半導体装置の製造システム及び製造方法によれば、半導体装置の製造工程におけるデバイス特性のばらつきに影響を与える工程を特定することができ、デバイス特性のばらつき歩留りを抑え、歩留りを向上させることが可能となる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。