半導体素子と該半導体素子が接合された電極板とが電気絶縁性樹脂から成るモールド内に包含され封止された半導体装置であって、前記電極板に近い側の前記モールドの外面に於いて、前記半導体素子にて発生した熱を放出するための放熱用のコルゲートフィンが、前記モールドの前記外面の前記電気絶縁性樹脂が前記コルゲートフィンの一方の面の溝内に充填された状態にて接着され、且つ、前記コルゲートフィンの一方の面の前記電気絶縁性樹脂が充填された溝の幅が前記コルゲートフィンの他方の面の前記電気絶縁性樹脂が充填されていない溝の幅よりも広いことを特徴とする装置。請求項1の装置であって、冷媒が前記コルゲートフィンの前記他方の面の溝の表面に接触した状態にて前記コルゲートフィンの前記他方の面の溝内を流通することを特徴とする装置。請求項1の装置であって、前記電気絶縁性樹脂が流動状態にて半導体素子と該半導体素子が接合された電極板とを包含し且つ前記電極板と前記コルゲートフィンの前記一方の面との間に流し込まれた後に硬化されることを特徴とする装置。請求項1の装置であって、前記半導体素子の両側に前記電極板を有し、前記半導体素子と前記両側の前記電極板とが前記電気絶縁性樹脂から成るモールド内に包含され封止され、前記両側の前記電極板に隣接する前記モールドの外面の各々に於いて、前記コルゲートフィンが接着されていることを特徴とする装置。請求項4の装置であって、冷媒が前記コルゲートフィンの前記他方の面の溝の表面に接触した状態にて前記コルゲートフィンの前記他方の面の溝内を流通することを特徴とする装置。図6Aに例示の構造の場合、両面から冷やすことで、比較的高性能な冷却が実現される。しかしながら、樹脂Mにて封止されたモジュール半導体素子と銅電極とから成る組立体と冷却器とが別体して構成され、両者を接触させる面に於いてグリースが必要になるところ、かかるグリースの熱抵抗は比較的大きく、また、全体の構造が比較的複雑で、コストも比較的高い。また、冷却器に天板22aが存在しているため、その分、熱抵抗が大きくなり、冷却性能の向上の障害となっている。図6Bに例示の構造に於いては、組立工程の簡素化、低コスト化が実現可能であるが、封止樹脂の熱伝導性が非常に悪く、銅電極と放熱板との間の絶縁の熱抵抗の大きさが冷却性能の向上の障害となっている。この点に関し、熱抵抗を低減するためには、放熱板-電極間の距離を絶縁性が確保できる最小隙に設定すればよいところ、樹脂流れ性樹脂のモールド時の流動性を考慮すると、最小隙は、1mm程度より短くすることは困難であり、特に、セラミックフィラーなどを含んだ樹脂を使用する場合には、更に、放熱板-電極間の距離を増大せざるをえなくなる。また、図6Cに例示の構造の場合には、放熱板に溝を設けるために、溝の深さだけ、放熱板を厚くなるとともに、溝の存在領域は、熱抵抗が特に増大し、熱拡散の障害と成り得る。特許文献4に提案されている如く、銅電極と半導体素子が配置される領域直下の放熱板に溝が存在しない構造の場合には、放熱板と銅電極及び半導体素子の組立体の距離を近接させることは可能であるが、半導体素子の寸法が比較的大きい場合や、電極が厚く電極部での熱拡散量が大きくなるような構造では、樹脂厚を最小化すべき面積が増大することとなり、樹脂のモールド時に、放熱板と銅電極との間に確実に樹脂を流し込むことが困難であるとともに、放熱板上に部分的に溝を形成しなければならないため、押し出し加工での製作が難しく、切削加工などのコストの高い加工が必要となり得る。かくして、本発明の主な課題は、上記の如く半導体素子が樹脂にて封止される形式樹脂封止型の半導体装置であって、従前の構造に比して、冷却性能の向上が可能な新規な構造を提供することである。また、本発明のもう一つの課題は、上記の如き樹脂封止型の半導体装置であって、電極と放熱板との間を封止樹脂により絶縁する構造で、且つ、放熱板を直接冷媒により冷却する構造において、電極と放熱板との間に確実に封止樹脂を流し込むことができるようにしつつ、電極と放熱板との間の距離を最小化して熱抵抗の低減を図ることである。更に、本発明のもう一つの課題は、上記の如き樹脂封止型の半導体装置であって、廉価に製作することが可能な装置を提供することである。本発明によれば、上記の課題は、半導体素子と該半導体素子が接合された電極板とが電気絶縁性樹脂から成るモールド内に包含され封止された半導体装置であって、電極板に近い側のモールドの外面に於いて、半導体素子にて発生した熱を放出するための放熱用のコルゲートフィンが、モールドの前記の外面の電気絶縁性樹脂がコルゲートフィンの一方の面の溝内に充填された状態にて接着され、且つ、コルゲートフィンの一方の面の電気絶縁性樹脂が充填された溝の幅がコルゲートフィンの他方の面の電気絶縁性樹脂が充填されていない溝の幅よりも広いことを特徴とする装置によって達成される。なお、かかる構成に於いて、コルゲートフィンとは、一枚の銅製、アルミ製又はその他の金属製或いはその他の高熱伝導性の板状部材を、多数の線状のひだ又は波型を成すように、例えば、プレス加工などにより成形した物であってよい。即ち、コルゲートフィンは、一方の面の凹部分が他方の面の凸部分を成すよう形成された板状部材である。また、モールド成型物を構成する電気絶縁性樹脂は、この分野で半導体素子の樹脂封止のために使用される任意の樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂であってよい。電気絶縁性樹脂は、典型的には、流動状態にて半導体素子と該半導体素子が接合された電極板とを包含し且つ電極板とコルゲートフィンの一方の面との間に流し込まれた後に硬化される。上記の本発明の装置は、基本的な構成に於いて、例えば、特許文献3、4に例示されている如き装置と同様に、樹脂封止型の半導体装置しばしば、樹脂封止型の半導体パッケージと称される。であり、半導体素子と該半導体素子が接合された電極板とが電気絶縁性樹脂から成るモールド内に完全に包含され封止された状態の構造を有する。しかしながら、本発明の装置の場合には、上記の如く、半導体素子にて発生した熱を放出するための放熱板として、コルゲートフィンが採用され、コルゲートフィンは、その一方の面に於いて、溝内に、半導体素子と該半導体素子が接合された電極板とを包含する電気絶縁性樹脂が充填される態様にて、電気絶縁性樹脂のモールドと一体的に接着される。その際、コルゲートフィンは、一方の面の溝の幅が他方の面の溝の幅より広い形状のものが採用され、溝の幅の広い側に電気絶縁性樹脂が充填されるよう接着される。かかる構成によれば、コルゲートフィンに於いて、広い溝内へ電気絶縁性樹脂が良好に流れ込むことが可能となり、これにより、コルゲートフィンと電極板との間の距離を短縮してもコルゲートフィンと電極板との間に電気絶縁性樹脂を良好に流入させることが可能となると共に、樹脂によってコルゲートフィンと電極板とを互いに強固に固定することが可能となる。即ち、コルゲートフィンの電気絶縁性樹脂の充填される側の溝の幅が電気絶縁性樹脂の充填されない側の溝の幅よりも広くなった構成を採用することによって、コルゲートフィンと電極板との間の距離が、従前の構造に比して、より短縮可能となることが期待され、従って、コルゲートフィンと電極板との間の樹脂厚が、絶縁状態を担保した状態で狭まり、それらの間の熱抵抗の低減及び冷却性能の向上が達成されることとなる。また、上記の本発明の構成に於いて、好適には、コルゲートフィンのモールドと接触しない側の面、即ち、電気絶縁性樹脂が充填されない側の溝に於いて、冷媒が、該溝の表面に接触した状態にて流通するようになっていてよい。かかる構成によれば、コルゲートフィンの電気絶縁性樹脂の充填されない側の凹部、即ち、電極板が近接した電気絶縁性樹脂の充填される側の凸部まで熱を奪う冷媒が到達することとなるので、冷却性能の更なる向上が期待されることとなる。実施の形態に於いて、半導体素子及び電極板を包含するモールドに接着されるコルゲートフィンは、半導体素子の片側又は両側に設けられてよい。特に、半導体素子の両側に電極板を有し、半導体素子と両側の電極板とが電気絶縁性樹脂から成るモールド内に包含され封止される形式の装置に於いては、両側の電極板に隣接するモールドの外面の各々に於いて、コルゲートフィンが、溝内に、半導体素子と該半導体素子が接合された電極板とを包含する電気絶縁性樹脂が充填される態様にて接着されてよい。その場合も、コルゲートフィンは、電気絶縁性樹脂の充填された溝の幅が電気絶縁性樹脂の充填されていない溝の幅よりも広くなるよう構成される。また、コルゲートフィンがモールドの両面に接着される場合にも、かかる両面のコルゲートフィンの電気絶縁性樹脂の充填されていない溝には、好適には、冷媒が溝の表面に接触した状態にて流通され、冷却性能が向上されるようになっていてよい。かくして、上記の本発明によれば、半導体素子及び電極板が完全に電気絶縁性樹脂から成るモールド内に完全に包含され封止される形式の樹脂封止型の半導体装置に於いて、放熱板として、コルゲートフィンをモールドに一体的に接着し、尚且つ、コルゲートフィンに於いて電気絶縁性樹脂の充填された溝の幅が電気絶縁性樹脂の充填されていない溝の幅よりも広くなるようにすることによって、コルゲートフィンと電極板との間の絶縁状態を確実に保持した状態で、両者の距離を短縮し、これにより、冷却性能の更なる向上が図られる。なお、この点に関し、コルゲートフィンに於いて電気絶縁性樹脂の充填された溝の幅が電気絶縁性樹脂の充填されていない溝の幅よりも広くなると、コルゲートフィンと電極板との間の樹脂の総量が増大し、電気絶縁性樹脂の充填された溝の幅と電気絶縁性樹脂の充填されていない溝の幅とが等しい場合と比較して、冷却性能が低下する。しかしながら、実際には、電気絶縁性樹脂の充填された溝の幅が電気絶縁性樹脂の充填されていない溝の幅よりも広くすることにより、コルゲートフィンと電極板との間の距離を短縮することが可能となり、その結果、冷却性能の向上が為されることとなる後述の実施形態の欄参照。また、コルゲートフィンは、一枚の銅製又はアルミ製の板状部材から、プレス加工などにより簡単に製作することが可能であり、コルゲートフィンが直接モールドに一体的に接着されるという構成によれば、部品点数が少なく、装置全体の構成も簡単化されるので、装置の製造を廉価で済ませることが可能であり、製造の手間労力の軽減も期待される。本発明のその他の目的及び利点は、以下の本発明の好ましい実施形態の説明により明らかになるであろう。以下に添付の図を参照しつつ、本発明を幾つかの好ましい実施形態について詳細に説明する。図中、同一の符号は、同一の部位を示す。本発明の半導体装置の構成図1は、本発明による半導体装置の一つの実施形態の断面を模式的に表したものである。同図を参照して、本発明による半導体装置10は、基本的には、従来の樹脂封止型の半導体装置と同様に、銅製又はアルミニウム製或いはその他の金属製の板状部材である電極板14上にはんだ層16を介して接合された半導体素子12が、電極板14と、ワイヤボンディング20を介して半導体素子12又は電極板14に電気的に接続されたリードフレーム18と共に、電気絶縁性の樹脂から成るモールドM内に完全に包含され封止された構造を有している。半導体素子12は、既に触れた如く、ハイブリッドカー、電気自動車、その他の大型の機械などの電機に流通する大電流を制御するためのIGBT、サイリスタ、パワーMOSFETなどのパワートランジスタ、パワーダイオード、パワー半導体或いはシリコンカーバイド或いは窒化ガリウムなどのシリコン以外の材料を使用した素子などの、一辺が約1~数cmの平板状の素子である。また、モールドMを形成する封止用樹脂としては、典型的には、電気絶縁性を有するエポキシ樹脂であってよい例えば、信越化学工業株式会社のKMC-180、KMC-520や京セラ株式会社のKE-870にて市販されているエポキシ樹脂が利用可能である。。なお、図示の如く、リードフレーム18典型的には、金属製の板状部材は、外部と半導体素子12との電気的接続を達成するために、一部がモールドMの外部に突出して配置される。上記の如き半導体装置10に於いて、その動作中に、半導体素子12には比較的大きな電流が流通するので、半導体素子12は、相当量の熱を発する。そこで、従前より、半導体装置の構造に於いては、半導体素子12の熱を外部に放出して半導体素子12及び装置全体を冷却するための機構が設けられる。かかる冷却機構として、本発明の構造に於いては、特に、図示の如く、コルゲ一トフィン22、即ち、多数の線状のひだ又は波型が形成された板状部材銅製、アルミ製又はその他の金属製或いはその他の高熱伝導性材料製であってよい。が、モールドMの樹脂がコルゲ一トフィン22の溝に充填される態様にてモールドMの外面に接着される。そして、コルゲ一トフィン22の外側の面モールドMの外面と反対側の面には、更に、容積を有する底板24が、Oリング26等のシール材をコルゲ一トフィン22の周縁部に取り付けられた天板22aと底板24との間に狭持した状態にてボルト締結などにより固定されて、コルゲ一トフィン22と底板24との間に冷媒が流通する流路が画定される。かかる構成によれば、まず、コルゲ一トフィン22の電極板14に近い側の溝に封止用樹脂が充填されることにより、電極板14とコルゲ一トフィン22との間には電気的絶縁状態が確実に達成されることとなる。そして、コルゲ一トフィン22の冷媒流路側の面に於ける溝内に冷媒が流通するようにすることによって、コルゲ一トフィン22は、フィンひだ又は波型の形状の形成により表面積が拡大された放熱板として機能し、半導体素子にて発生した熱を装置の外部へ放出する冷却器として機能することとなる。また、上記の構造の更なる特徴的な構造として、コルゲ一トフィン22に於いて、モールドM側の溝の幅w1が、冷媒側の溝の幅w2よりも広くなるよう設計され、これにより、モールドM内に於ける電極板-コルゲートフィン間の距離hの短縮が可能となる。既に触れた如く、モールドMは、典型的にはエポキシ樹脂等の電気絶縁性樹脂にて形成される。かかるモールドMの成型時には、流動状態の樹脂にて半導体素子12、電極14等を包含するとともに、電極14と放熱板本発明の場合は、コルゲートフィン22との間に流動状態の樹脂を流入させる。その際、流動状態の樹脂を確実に流し込むためには、典型的には、1mm程度以上の隙間が必要となる。即ち、コルゲートフィン22の溝内に樹脂を確実に充填させるためには、コルゲートフィン22のモールドM側の凹部溝の幅は、好適には、1mm以上確保する必要があり、また、モールドM側の凸部冷媒側の溝の幅が比較的広い場合には、電極14とコルゲートフィン22のモールドM側の凸部との間の隙間hを1mm以上確保することが必要となる。しかしながら、かかる隙間が広がると、その分、電極14からコルゲートフィン22までの距離hが増大し、これにより、熱抵抗が増大するので一般にエポキシ樹脂の熱伝導率は、金属等に比して低い。、良好な冷却性能が得難くなる。そこで、本発明に於いては、上記の如く、コルゲ一トフィン22に於いて、モールドM側の溝の幅w1が冷媒側の溝の幅w2よりも広くなるよう設定される。かかる構成によれば、モールドM側の凹部の幅が広がるとともに、モールドM側の凸部の幅が相対的に狭まるので、樹脂がモールドM側の凹部内と電極14-モールドM側凸部間の隙間に流れ込み易くなる。そうすると、電極14とコルゲートフィン22のモールドM側の凸部との間の隙間hを1mm未満に、例えば、0.5mm程度まで低減しても、電極14とコルゲートフィン22との間には樹脂が確実に流れ込み、これにより、電気的絶縁状態を確実に達成しながら、電極14とコルゲートフィン22と近接して、熱抵抗の低減及び冷却性能の向上が達成されることとなる。なお、典型的には、コルゲ一トフィン22のモールドM側の凹部、即ち、溝の幅は、例えば、2mm程度であってよい。また、コルゲ一トフィン22の冷媒側の溝の幅は、冷媒の目詰まりが生じないように、例えば、1mm程度であってよい。更に、図1に例示されている如きコルゲートフィン22を採用した冷却構造は、図2Aに模式的に描かれている如く、モールドMの両側に設けられてもよい。図2Aの装置10aの場合には、半導体素子12の下面は、はんだ層16を介して、電極14lに接合され、半導体素子12の上面は、はんだ層16とスペーサ部材13銅製、アルミニウム製又はその他の金属製であってよい。を介して電極14uに接合されるリードフレーム18は、電極14u、lの各々に直接接合されていてよい。。そして、半導体素子12と電極14u、lとから成る組立体は、図1の場合と同様に封止樹脂のモールドM内に包含され封止されるとともに、モールドMの上面と下面には、それぞれ、図1に於いて説明されたコルゲートフィン22、天板22a及び底板24を用いた冷却構造と同様の冷却構造が形成される。かかる構成によれば、半導体素子12にて発生した熱は、その両側から冷媒へ放出されることとなるので、冷却性能の更なる向上が期待される。更に又、図1に例示されている如きコルゲートフィン22を採用した冷却構造を更に発展させて、図2Bに模式的に描かれている如く、モールドMに接着されたコルゲートフィン22の冷媒側に更にもう一つのコルゲートフィン22が重ねられてもよい。かかる装置10bの構成によれば、コルゲートフィン22から冷媒へ伝達する熱量が更に増大し、冷却性能の更なる向上が期待される。コルゲートフィンの構成の効果樹脂封止型の半導体装置の冷却構造に於ける放熱板として上記に説明したコルゲートフィンを採用した場合の冷却効果について、熱CAEComputerAidedEngineeringのシミュレーションを用いて確認した。図3~4は、熱CAEに於いて用いた電極板-放熱板間の構造のモデルと、その温度分布のシミュレーション結果を示している。シミュレーションに於いては、モデルとして、いずれの場合も、3mm厚の銅電極熱伝導率350W/mKと、種々の溝構造を有するアルミ製放熱板熱伝導率200W/mKとの間に封止樹脂熱伝導率1W/mKを充填させた構造を用い、銅電極に50W/cm2の熱を与えるとともに図中、黒太矢印、冷媒接触面モデルの図中、太実線の領域の温度を25°Cとして10000W/m2Kの熱伝達率を有する構造を設定した。上記のシミュレーションに於いて、まず、図3Aに例示された従来の技術の構造の例図6Cに例示されている如き、上面に溝が形成されたアルミ製放熱板の平坦な下面に冷媒が接触した構造に於ける温度分布の算出結果図3Bと、図3Cに示された本発明に於いて採用されているコルゲートフィンの如く、上面に溝が形成されたアルミ製放熱板に於いて、溝の間の凸部内に冷媒が接触した構造に於ける温度分布の算出結果図3Dとを比較すると、図3Aと図3Cとでは、銅電極と封止樹脂部分の構成は、同一であるが、従来の技術に対応する図3Aの構造に於ける最高温度が569°Cであったのに対し、本発明の構造に対応する図3Cの構造に於ける最高温度が538°Cであった。即ち、本発明の構造によれば、その温度は、従来の技術の構造の場合よりも全体的に低減し、最高温度で比較すると、5.6程度の温度低減効果を有すると算出された。このことは、本発明の如く放熱板としてコルゲートフィンを採用し、モールド側と反対側の溝内に冷媒を流通することにより、有意な冷却効果の向上が達成されることを示唆している。また、シミュレーションに於いて、放熱板としてコルゲートフィンを採用し、モールド側と反対側の溝内に冷媒を流通させる構造に関して、図4Aの如く放熱板の樹脂側の溝幅と冷媒側の溝幅とが等しいが、電極-放熱板間の距離が1mmである構造に於ける温度分布の算出結果図4Bと、図4Cの如く放熱板の樹脂側の溝幅が冷媒側の溝幅よりも広いが、電極-放熱板間の距離が0.5mmである構造に於ける温度分布の算出結果図4Dとを比較すると、図4Aの構造に於ける最高温度が592°Cであったのに対し、図4Cの構造に於ける最高温度が404°Cであった。即ち、図4Aの構造と図4Cの構造との比較に於いて、モールド側の溝幅を拡張する代わりに、電極-放熱板間の距離を短縮することによれば、その温度が全体的に低減し、最高温度で比較すると、33程度の温度低減効果を有すると算出された。そこで更に、電極-放熱板間の距離及びモールド側の溝幅の最高温度に対する影響を調べるべく、種々の電極-放熱板間の距離と種々のモールド側の溝幅の場合について最高温度を算出すると、図5に示す関係が得られた。同図を参照して明らかな如く、最高温度は、溝幅を広げると上昇するが、電極-放熱板間の距離を短縮すると、低減することが理解される。即ち、このことは、モールド側の溝幅を増大すると、冷却性能が低下するが、モールド側の溝幅の増大により、電極-放熱板間の距離の短縮が可能となり、これにより、冷却性能の向上が達成されることを示唆している。実際、図5を参照して、溝幅が1mmのときには、電極-放熱板間の距離を1mmより小さくすることは困難であるが、溝幅が2mmのときには、電極-放熱板間の距離を0.5mm程度まで低減可能であり、その場合には、最高温度は、溝幅が1mmの場合よりも低減できることが理解されるであろう。換言すれば、モールド側の溝幅の増大と引き換えに電極-放熱板間の距離の短縮を行うことによって、有意な冷却効果の向上が達成されることとなる。かくして、上記の本発明では、樹脂封止型の半導体装置に於いて、放熱板として、コルゲートフィンをモールド表面に接着する際、かかるコルゲートフィンに於いて、モールドに接着される側の溝幅w1をその反対側の溝幅w2よりも広くすることにより、コルゲートフィンとモールド内に内包される電極板との間の隙間hに確実に樹脂を流し込みつつ、かかる隙間hを短縮することが可能となり、電極板からコルゲートフィンまでの熱抵抗の低減が図られる。また、コルゲートフィンの外側に於いて冷媒を流通させ、その外表面を冷媒に接触させることにより、冷却性能の向上が図られることとなる。即ち、モールドに接着される側の溝幅w1をその反対側の溝幅w2よりも広くなったコルゲートフィンを放熱板として採用するとともに、冷媒をコルゲートフィンの外側に流通させるという構成によれば、電極板からコルゲートフィンまでの熱抵抗の低減とコルゲートフィンへの冷媒の接触により、放熱性能及び冷却性能の大幅な改善が期待される。また、上記の本発明の構成によれば、放熱性能及び冷却性能の改善により、半導体装置の更なる小型化が達成可能となるとともに、その構造が比較的簡単であることから、製造のための労力や費用の低減が可能となる。実際、本発明で採用されるコルゲートフィンは、一枚の金属板をプレス加工等により簡単に製作可能であるので、放熱板に多数の溝を切削する場合に比して、労力や費用が軽減される。以上の説明は、本発明の実施の形態に関連してなされているが、当業者にとつて多くの修正及び変更が容易に可能であり、本発明は、上記に例示された実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の概念から逸脱することなく種々の装置に適用されることは明らかであろう。