"支持体上に、Iフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aと、電子線を照射することにより直接又は間接的に酸を発生し、-SO3-又は-SO3-で表されるスルホン酸構造及び、該スルホン酸構造に直接結合する炭素原子、該スルホン酸構造に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくは該スルホン酸構造に直接結合する芳香環を有し、該スルホン酸構造に直接結合する前記炭化水素原子、前記不飽和炭化水素基、若しくは前記芳香環にフッ素原子が結合していない酸発生剤Bとを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であるネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜と、II帯電防止膜とを少なくとも備える、レジスト帯電防止膜積層体。前記酸発生剤Bが、下記式1~4のいずれかで表される、請求項1に記載のレジスト帯電防止膜積層体。化学式1中、R1は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数1~12の直鎖状アルコキシ基、炭素数3~12の分岐状アルコキシ基、炭素数3~12の環状アルコキシ基、炭素数1~12のアシル基、炭素数1~12のスルフィド基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子である。又R1が相互に結合して環状構造を形成していてもよい。nは0~2の整数である。mは0~9の整数である。R2は同一でも異なっていてもよく、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、置換されてもよいフェニル基、又はナフチル基であり、さらにR2同士で互いに直接又は異種原子を介して結合して炭素数2~13の環状構造を形成してもよい。R3は、炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。前記R1、R2及びR3はさらに置換基を有していても良く、前記R3の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式2中、R4は同一でも異なっていてもよく、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、置換されてもよいフェニル基、ナフチル基、アントラセン基でありさらにR4同士で互いに直接又は異種原子を介して結合して炭素数2~13の環状構造を形成してもよい。但しR4の内、少なくともいずれか一方はアリール構造を有している。R5は、炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。前記R4及びR5はさらに置換基を有していても良く、前記R5の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式3中、Xは炭素数1~12のアルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又は炭素数1~12のアルキレンオキシ基-R’-O-、但し、R’は炭素数1~12のアルキレン基であり、R6は炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。R6は、さらに置換基を有していても良く、炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式4中、R7は、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基である。R8は、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。R7及びR8は、さらに置換基を有していても良く、前記R8の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。前記フェノール性化合物Aのガラス転移温度Tgが60°C以上である、請求項1又は2に記載のレジスト帯電防止膜積層体。前記フェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に3個以上有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のレジスト帯電防止膜積層体。前記フェノール性化合物Aが、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して23°Cで5重量以上の溶解性を有しているものである、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のレジスト帯電防止膜積層体。前記ネガ型レジスト組成物は、更に有機塩基性化合物Cを含有する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のレジスト帯電防止膜積層体。請求項1乃至6のいずれか一項に記載のレジスト帯電防止膜積層体を電子線で描画する工程と、電子線で描画したレジスト帯電防止膜積層体の前記帯電防止膜を除去する工程と、前記帯電防止膜を除去後又は除去と同時に積層体のレジスト膜を現像する工程とを含むレリーフパターンの製造方法。前記電子線で描画する工程と、前記現像する工程の間に加熱処理を行う、請求項7に記載のレリーフパターンの製造方法。請求項1乃至6のいずれか一項に記載のレジスト帯電防止膜積層体を用いて製造された電子部品。発明者らは、特に電子線で描画を行う場合に、化学増幅レジストを帯電防止膜と組み合わせて用いると、描画後の時間経過により感度変化が生じ、所望の加工寸法が得られない又は全くパターン形成されない場合があるとの知見を得た。特に電子線を直接基板上に走査させ描画を行う、いわゆる電子線直接描画方式の場合には、描画工程に長時間必要なため、描画から現像までの放置時間が、基板内の描画箇所ごとに異なることとなり、1つの基板上でも感度差が生じ、設計通りの寸法のパターンを得ることは極めて困難であった。本発明は、このような状況下になされたものであり、電子線で描画を行う場合に、チャージアップ現象を回避し、レジスト膜の描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能であり、且つ、アルカリ現像性を有しながら、高感度、高解像力で、低ラインエッジラフネスの微細なレリーフパターンを得ることができる、レジスト帯電防止膜積層体、及び当該レジスト帯電防止膜積層体を用いた電子部品を提供することを目的とする。また本発明は、微細なパターンであっても寸法誤差がなく、設計通りのパターンを得ることができるレリーフパターンの製造方法を提供することを目的とする。発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、後述する特定の酸発生剤を用いることにより、化学増幅レジストと帯電防止膜を組み合わせて用いた場合であっても、描画後の感度変化を抑えて、良好なレリーフパターンが形成できることを見出した。更に発明者らは、レジスト基質となる特定のフェノール性化合物に特定の架橋性基を導入して、架橋性及びアルカリ現像性を有するレジスト基質を用いることにより、同様のフェノール性化合物と架橋剤の2成分を混合して用いた場合に比べてラインエッジラフネスが低減することを見出した。本発明は、係る知見に基づいて完成したものである。本発明は、支持体上に、Iフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aと、電子線を照射することにより直接又は間接的に酸を発生し、-SO3-又は-SO3-で表されるスルホン酸構造及び、該スルホン酸構造に直接結合する炭素原子、該スルホン酸構造に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくは該スルホン酸構造に直接結合する芳香環を有し、該スルホン酸構造に直接結合する前記炭化水素原子、前記不飽和炭化水素基、若しくは前記芳香環にフッ素原子が結合していない酸発生剤Bとを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であるネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜と、II帯電防止膜とを少なくとも備える、レジスト帯電防止膜積層体である。本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体においては、前記酸発生剤Bが、下記式1~4のいずれかで表されることが、描画後の感度変化を抑え、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。化学式1中、R1は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数1~12の直鎖状アルコキシ基、炭素数3~12の分岐状アルコキシ基、炭素数3~12の環状アルコキシ基、炭素数1~12のアシル基、炭素数1~12のスルフィド基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子である。又R1が相互に結合して環状構造を形成していてもよい。nは0~2の整数である。mは0~9の整数である。R2は同一でも異なっていてもよく、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、置換されてもよいフェニル基、又はナフチル基であり、さらにR2同士で互いに直接又は異種原子を介して結合して炭素数2~13の環状構造を形成してもよい。R3は、炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。前記R1、R2及びR3はさらに置換基を有していても良く、前記R3の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式2中、R4は同一でも異なっていてもよく、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、置換されてもよいフェニル基、ナフチル基、アントラセン基でありさらにR4同士で互いに直接又は異種原子を介して結合して炭素数2~13の環状構造を形成してもよい。但しR4の内、少なくともいずれか一方はアリール構造を有している。R5は、炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。前記R4及びR5はさらに置換基を有していても良く、前記R5の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式3中、Xは炭素数1~12のアルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又は炭素数1~12のアルキレンオキシ基-R’-O-、但し、R’は炭素数1~12のアルキレン基であり、R6は炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。R6は、さらに置換基を有していても良く、炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式4中、R7は、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基である。R8は、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。R7及びR8は、さらに置換基を有していても良く、前記R8の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体においては、前記フェノール性化合物Aのガラス転移温度Tgが60°C以上であることが、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体においては、前記フェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に3個以上有することが、架橋性が高くなり、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体においては、前記フェノール性化合物Aが、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して23°Cで5重量以上の溶解性を有しているものであることが、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明において前記ネガ型レジスト組成物が、有機塩基性化合物Cを更に含有することが、レリーフパターン形状を良好とし、保管状態での経時安定性を向上させる点から好ましい。本発明に係るレリーフパターンの製造方法は、前記本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体を電子線で描画する工程と、電子線で描画した前記レジスト帯電防止膜積層体の前記帯電防止膜を除去する工程と、前記帯電防止膜を除去後又は除去と同時に積層体のレジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とする。本発明に係るレリーフパターンの製造方法においては、前記電子線で描画する工程と、前記現像する工程の間に加熱処理を行うことが、寸法誤差がなく、設計通りのパターンを得ることができる点から好ましい。また、本発明によれば、寸法誤差がなく、設計通りのパターンが形成された電子部品を提供することができる。本発明によれば、チャージアップ現象を回避し、レジスト膜の電子線描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能であり、且つ、アルカリ現像性を有しながら、高感度、高解像力で、低ラインエッジラフネスの微細なレリーフパターンを得ることができる、レジスト帯電防止膜積層体、並びに、当該レジスト帯電防止膜積層体を用いた電子部品を提供することができる。また本発明によれば、微細なパターンであっても寸法誤差がなく、設計通りのパターンを得ることができるレリーフパターンの製造方法を提供することができる。以下、本発明のレジスト帯電防止膜の各構成について順に詳細に説明する。また、本発明における基原子団の表記において、置換及び非置換を記していない表記は、置換基を有さないものとともに置換基を有するものをも包含する。例えば、炭化水素基とは、置換基を有さない炭化水素基のみならず、置換基を有する炭化水素基をも包含する。アルキレン基の2価の結合は、異なる炭素原子からの場合例えば、-CH2CH2-の他、同一の炭素原子からの2価の結合も含む例えば、-CH2-。また、炭化水素基は、飽和炭化水素の他、二重結合、三重結合等を有する不飽和炭化水素を含む。シクロアルキル基等の環状構造は、単環式の他、2環性、3環性等の縮合多環も含む。I.レジスト帯電防止膜積層体本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体は図1のように、支持体10上に、レジスト膜20と、帯電防止膜30とを備える。特定の酸発生剤を含むレジスト膜上に帯電防止膜を積層することにより、電子線を用いたリソグラフィーにおいて、電子線描画時の電荷の蓄積が抑えられるため、チャージアップ現象が起こらず、レジスト膜の電子線描画後の感度変化を抑えることができるため、設定通りの寸法を有する微細なパターンを効率よく形成できる。なお、本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体は、支持体と、後述する特定のレジスト膜と、帯電防止膜とを必須の構成として備えるものであり、必要に応じて、更に他の層を備えていても良い。以下、レジスト帯電防止膜積層体を構成する、支持体、レジスト膜、帯電防止膜を順に説明する。1.支持体本発明に用いる支持体とは、レジスト膜を支持し、当該レジスト膜を所定パターン状に電子線で描画し、現像することによって微細なレリーフパターンを製造できるものであれば、特に限定されず、用途に応じて適宜選択される。また、微細レリーフパターンは、支持体を加工するための機能膜、又はマスクとして形成されるものであってもよく、例えば、半導体素子の製造には、シリコン基板を支持体として用い、本発明により、レリーフパターンを形成した後、当該レリーフパターンの開口部に回路を形成することができる。尚、支持体上にレジスト塗布に先んじて他の膜を形成させてもよい。例えば基板の種類によりレジストが感度低下、プロファイル悪化などの悪影響がある場合に、これを回避するために熱硬化膜などが支持体上に設けられ、当該熱硬化膜上にレジスト膜が設けられる。本発明に用いる支持体としては、例えば、半導体素子の製造には、シリコン基板を用いることができる。又、半導体回路作製用の所謂フォトマスク作製用としては石英ガラス、アルミノシリケートガラス等の透光性基板上にCr、CrON、CrN、MoSi、Ta化合物等の遮光膜が形成されたもの、MEMS加工に用いられるSi、SiO2基板、他に化合物半導体作製に用いられるGaAs、GaN、AlGaAs、InP、InAs、AlGaSb等の基板、酸化物半導体としてITO、MgO等の基板が挙げられる。2.レジスト膜本発明のレジスト帯電防止膜積層体を構成するレジスト膜は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400~2500のフェノール性化合物Aと、電子線を照射することにより直接又は間接的に酸を発生し、-SO3-又は-SO3-で表されるスルホン酸構造及び、該スルホン酸構造に直接結合する炭素原子、該スルホン酸構造に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくは該スルホン酸構造に直接結合する芳香環を有し、該スルホン酸構造に直接結合する前記炭化水素原子、前記不飽和炭化水素基、若しくは前記芳香環にフッ素原子が結合していない酸発生剤Bとを含有するネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物Aの含有量が70重量以上であるネガ型レジスト組成物からなることを特徴とする。上記特定のネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜を用いることにより、チャージアップ現象を回避し、レジスト膜の電子線描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能であり、且つ、アルカリ現像性を有しながら、高感度、高解像力で、低ラインエッジラフネスの微細なレリーフパターンを得ることができるレジスト帯電防止膜積層体を得ることができる。上記特定のネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成することにより、上記のような効果を発揮する作用としては以下のように推定される。化学増幅型レジスト組成物からなるレジスト膜に電子線が照射された場合、当該レジスト膜中に含有する酸発生剤が分解し、水素イオンと、該酸発生剤のスルホン酸構造の組み合わせが、化学増幅反応の触媒として働くと推定される。レジスト帯電防止膜積層体の場合、当該酸発生剤のスルホン酸構造の酸性度が、後述する帯電防止膜に含まれるアルキルスルホン酸よりも強い場合、後述する帯電防止膜に含まれるアルキルスルホン酸、又はアリールスルホン酸は相対的に弱い酸となる。この場合、レジスト膜と帯電防止膜の接触部では、前記レジスト膜内で発生した水素イオンが、前記アルキルスルホン酸に取り込まれ、反応性が低下すると推定される弱酸遊離反応。従来、化学増幅レジストに用いられる酸発生剤は、発生する酸の酸性度の高いものが用いられているが、このような発生する酸の酸性度が高いものは、このような弱酸遊離反応の影響が大きく、発生した水素イオンの失活を通じて感度低下が生じていると推定される。一方、本発明に用いる酸発生剤はS原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していない、酸性度が低いものを敢えて選択しているため、このような弱酸遊離反応による酸濃度の減少がないか、若しくはわずかであり、感度低下が小さいものと推定される。また、ネガ型レジスト組成物中に多数の成分を用いると、各成分の相溶性の問題から、特定の成分が凝集しやすかったり、相分離しやすかったりする場合がある。このような場合には、均一なレジスト膜を作製することはできず、ラインエッジラフネスは悪化する。また、レジスト基質としてポリマーを用いる場合、解像力に劣り、また膨潤し易いため、低ラインエッジラフネスのパターン形成は困難である。また、レジスト基質に架橋剤を混合してレジスト組成物とする場合、相溶性の点から架橋剤の含有量には限界があるため、感度を向上し難いという問題がある。これに対して、本発明に用いられるネガ型レジスト組成物は、分子量400~2500という比較的低分子の特定のフェノール性化合物に、架橋性基として、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基やアルコキシメチル基等を置換した化合物をレジスト基質として用い、当該レジスト基質のレジスト組成物の固形分中含有量を高くしている。当該レジスト基質は架橋剤としても機能し、従来のネガ型レジスト組成物と比較して、ネガ型レジスト組成物中に含まれる成分数を減らすことができるため、作製されるレジスト膜の均一性が向上し、高解像力で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができるものと推定される。更に、レジスト基質としてポリマーを用いた場合と比較して、解像力に優れ、膨潤しにくいため、低ラインエッジラフネスのパターン形成が可能となるものと推定される。上記ネガ型レジスト組成物は、レジストパターン形成時に電子線の照射により酸発生剤Bから酸が発生すると、当該酸が作用して、上記フェノール化合物A同士で、フェノール性水酸基のオルト位に存在するヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基の存在により架橋結合が形成され、アルカリ不溶性となる。そのため、レジストパターン形成において、当該ネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜を選択的に電子線を照射すると、或いは電子線照射に加えて照射後加熱すると、照射部はアルカリ不溶性となる一方、未照射部はアルカリ可溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりネガ型のレジストパターンを形成することができる。本発明のネガ型レジスト組成物は、このように化学増幅型のレジスト組成物であるため、高感度を達成できる。また、本発明のネガ型レジスト組成物は、レジスト基質が架橋剤としても機能するため、架橋性基の量を適宜調整することにより高感度を達成でき、ポリフェノール化合物に架橋剤を混合する場合に相溶性の点から架橋剤の含有量に限界があり、感度を向上し難いという問題を解決できる。本発明において用いられるネガ型レジスト組成物は、特定のフェノール性化合物Aと特定の酸発生剤Bを必須成分とするものであり、必要に応じて他の成分を含んでいても良いものである。以下、当該ネガ型レジスト組成物の各成分について順に説明する。<フェノール性化合物A>本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する、分子量400~2500の化合物である。当該フェノール性化合物Aの分子量を上記範囲内とすることにより、高解像で低ラインエッジラフネスが図れる。なお、本発明において、フェノール性水酸基とは、ベンゼン等の芳香環に直接結合された水酸基を意味する。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有すればよく、1分子中のフェノール性水酸基の数は特に限定されない。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、下記を基準としたアルカリ可溶性を有するように、適宜選択されることが好ましい。濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに対する現像速度が0.5nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましく、更に1.0nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましい。当該アルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像速度を上記範囲内とすることにより、パターン形状の向上及び高感度化が図れる。濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに対する現像速度は、例えば、上記フェノール性化合物Aを単独で用いて、例えば5重量の溶液とし、シリコンウエハ上に乾燥後の膜厚が300nmとなるように塗膜を形成後、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに浸漬し、塗膜が完全に溶解するまでの時間を測定し、算出することができる。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有すれば良い。フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基は、フェノール性化合物の架橋基として機能する。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を、1分子中に2個以上有することが、更に1分子中に3個以上有することが、より更に1分子中に4個以上有することが、架橋性を高くする点から好ましい。アルコキシメチル基としては、アルコキシ基の炭素数が1~6であるものが好ましく、具体的には、メトキシメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、sec-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基、各種ペンチルオキシメチル基等が挙げられる。アルコキシメチル基としては、中でも、メトキシメチル基、エトキシメチル基が、感度が良好になる点から好ましい。架橋基としては、中でも、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、及びエトキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基であることが、反応性が高く、感度が良好になる点から好ましい。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、分子量が400~2500である化合物を選択して用いる。分子量が下限値未満だと、レジスト膜を形成する能力やパターンを形成する能力が劣ってしまう。一方、分子量が上限値を超えると、レジスト組成物に用いられる溶剤によって膨潤しやすくなり、パターン倒れが起こりやすく、また、パターンの形状が悪くなる恐れがある。ここでの分子量は、その分子を構成する原子の原子量の和をいう。また、分子量分布を有するオリゴマーである場合には、GPCポリスチレン換算を用いた重量平均分子量で表される。本発明において用いられるフェノール性化合物Aの分子量としては、中でも、500~2500であることが好ましく、更に600~2000であることが、成膜性および解像性の点から好ましい。本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、ガラス転移温度Tgが60°C以上、更に90°C以上であることが好ましい。ガラス転移温度が60°C以上であると、塗膜を形成する際に、脱濡れ現象dewettingが起こり難くなり、均一な膜が得られやすくなる。なお、脱濡れ現象とは、塗り広げた塗膜がプリベーク時に溶解して、はじきが生じ、均一に膜が形成されない現象をいう。通常、レジスト組成物用の溶剤としては、低沸点の溶剤を用いるとレジスト膜が急激に乾燥して均一な膜が得られないことから、スピンコート法などで塗布する際に均一なレジスト膜を得るために、沸点が90~180°Cの溶剤が使用される。スピンコート法で形成されたレジスト膜は多くの残留溶媒を含んでいるため、この溶剤を除き安定なレジスト膜を形成するため、レジスト基板をホットプレートを用いて90°C以上の温度で加熱するプリベーク。ところが、ガラス転移温度が60°C未満のフェノール性化合物を用いると、プリベーク工程においてレジスト膜の脱濡れ現象が起こり、均一な膜が得られなくなる恐れがある。それに対し、ガラス転移温度が60°C以上のフェノール性化合物を用いる場合には、高温でのプリベークが可能となり、均一な膜が得られるほか、環境耐性ポストコーティングディレイ:PCDに優れたレジスト膜が得られる。更に、電子線によるパターン形成時に生じるパターンの粗密依存を抑制することができる。また、レジストパターン形成後のドライエッチング工程において、エッチング耐性エッチング中の高温によるパターンの溶融を防止可能に優れたパターンが得られる。なお、ここでのガラス転移温度は、示差走査熱量計DSCにより測定したものである。また、本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して、23°Cで5重量以上の溶解性を有していることが好ましい。このような場合には、スピンコート時に急激なレジスト膜の乾燥を防ぐことが可能となり、均一なレジスト膜が得られるというメリットがある。沸点が80~180°Cの有機溶剤の代表例としては、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、2-ヘプタノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1-エトキシ-2-プロパノール等が挙げられる。中でも、本発明において用いられるフェノール性化合物Aは、ガラス転移温度Tgが60°C以上であり、且つ、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して、23°Cで5重量以上の溶解性を有していることが好ましい。上記フェノール性化合物Aとしては、例えば、下記化学式5及び化学式7で表される化合物が挙げられる。[化学式5中、R11は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び下記化学式6に示す基からなる群より選ばれる基であり、R11に含まれるアリール基は、水酸基及びヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を含んでいても良い。化学式6中、R14及びR15は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基であり、Qは、アリール基又はシクロアルキル基であり、mは1又は2を表す。R12は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基であり、複数あるR12のうち、1分子中少なくとも2個は水素原子である。R13は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれる基である。n1は1~3の整数、n2は0~2の整数を表す。但し、n1n2≦4となる組み合わせをn1及びn2の数値範囲から選択するものとする。x1は3~12の整数を表す。但し、R11及び/又はR13において、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する。また、化学式5に含まれる同一符号で表される基は、互いに同じでも異なっていてもよい。]化学式7中、R16、R17、R18及びR19は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基、或いは、これらの組み合わせからなる基を表す。複数のR16が結合して環を形成してもよい。複数のR17が結合して環を形成してもよい。複数のR18が結合して環を形成してもよい。複数のR19が結合して環を形成してもよい。また、複数あるR16、R17、R18及びR19は互いに同じであっても異なっていても良い。R20及びR21は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表し、複数あるR20及びR21は互いに同じであっても異なっていても良い。また、複数あるR20及びR21のうち少なくとも2つは水素原子である。更に、R16、R17、及び/又はR19において、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する。Wは単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、又は、ヘテロ原子を含んでいてもよい、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基、或いは、これらの任意の組み合わせからなる基を表す。複数あるWは互いに同じであっても異なっていても良い。x2は正の整数を表す。y1は0以上の整数を表し、Wが単結合の場合、y1は0である。y2は0以上の整数を表し、y3は正の整数を表す。zは0以上の整数を表す。vは0以上の整数を表す。k1及びk4は正の整数を表す。k2、k3、及びk5は各々独立して0以上の整数を表す。但し、k1k2z=5、k3v=3、k4k5=5、k2k5≧2を満たす。上記化学式5で表される化合物において、R11のアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~18のアルキル基が好ましい。当該アルキル基は、直鎖でも、分岐状でも良い。例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、ヘキサデシル基等が挙げられる。また、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していても良い。アルキル基が有する置換基としては、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。R11のシクロアルキル基としては、特に制限はなく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。また、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していてもよく、単環性、多環性のどちらでもよい。シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が好ましい。シクロアルキル基が有する置換基としては、特に制限はないが、例えば、炭素数1~5のアルキル基、水酸基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。炭素数1~5のアルキル基としては、直鎖又は分岐状のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。分岐状アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基等が挙げられる。また、アルコキシ基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシアルキル基が好ましく、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲノアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のハロゲノアルキル基が好ましく、例えば、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1-クロロエチル基、1-ブロモエチル基、1-フルオロエチル基、1,2-ジクロロエチル基、1,1,2,2-テトラクロロエチル基等が挙げられる。R11のアリール基としては、特に制限はないが、好ましくは炭素数6~14、更に好ましくは炭素数6~10であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。また、アリール基が有する置換基としては、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基、シクロアルキル基、炭素数1~5のアルキル基、水酸基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。アリール基が有する置換基としてのシクロアルキル基は、上記のシクロアルキル基と同様のものが挙げられる。また、当該シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基、アルコキシ基等が挙げられる。炭素数1~5のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、i-プロピル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基等が挙げられる。アリール基が有する置換基としての炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基、及びアルコキシメチル基は、上記で示したとおりである。上記化学式6中、R14及びR15は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基である。炭素数1~3のアルキル基としては、直鎖又は分岐状のいずれでもよいが、中でもメチル基、エチル基が、エッチング耐性の点から好ましい。mが2の場合、2つのR14及びR15はそれぞれ、同一であっても異なっていても良い。上記化学式6中、R14及びR15のいずれも水素原子である場合が好適に用いられる。上記化学式6中のQのアリール基としては、上記アリール基と同様のものが挙げられる。Qのアリール基が有する置換基は、上記アリール基が有する置換基と同様のものが挙げられ、水酸基及びヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を含んでいても良い。また、上記化学式6中のQのシクロアルキル基としては、上記シクロアルキル基と同様のものが挙げられる。Qのシクロアルキル基が有する置換基は、上記シクロアルキル基が有する置換基と同様のものが挙げられる。R12の1価の有機基としては、特に制限はないが、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基が挙げられる。R12のアルキル基としては、上記R11と同様のものが挙げられる。R12のアルキル基の有する置換基としては、上記R11のものと同様のものが挙げられる。また、R12のシクロアルキル基、及びシクロアルキル基の有する置換基としては、上記R11のものと同様のものとすることができる。更に、R12のアリール基、及びアリール基が有する置換基としては、上記R11のものと同様のものとすることができる。R13のアルコキシメチル基は、上記で示したとおりである。R13のハロゲン原子、アルキル基としては、上記R11と同様のものが挙げられる。R13としてのアルキル基が有する置換基は、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。R13のシクロアルキル基、及びシクロアルキル基の有する置換基としては、上記R11のものと同様のものとすることができる。R13のアリール基、及びアリール基が有する置換基としては、上記R11のものと同様のものとすることができる。また、R13のアルコキシ基としては、上記R11と同様のものが挙げられる。R13のアシル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアシル基が好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。x1は3~12の整数、好ましくは4~12の整数、より好ましくは4~8の整数である。前記化学式5で表される化合物は、1分子中に、フェノール性水酸基を2つ以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1個以上有すれば、各繰り返し単位の同一符号で示される置換基はそれぞれ、同じであっても異なっていても良い。各繰り返し単位におけるOR12及びR13の位置が同じであっても異なっていても良い。上記化学式5で表される化合物においては、高感度、且つ、高解像力で形状が良好なパターンを得る点から、中でも、x1が4で、n1が2であることが好ましく、更にx1が4で、n1が2の、8個のR12のうち水素原子が4~8個のカリックスレゾルシンアレン誘導体であって、且つ、R12が水素原子であるオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有することが好ましい。また、上記化学式5で表される化合物においては、高感度、且つ、高解像力で形状が良好なパターンを得る点から、中でも、x1が4で、n1が2であることが好ましく、更にx1が4で、n1が2の、8個のR12のうち水素原子が0~8個のカリックスレゾルシンアレン誘導体であって、且つ、R11に、フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を含むアリール基を有することが好ましい。一方、上記化学式7で表される化合物において、R16、R17、R18及びR19におけるアルキル基は、直鎖でも分岐状でもよく、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘキシル基、オクチル基等の炭素数1~10個のものが挙げられる。R16、R17、R18及びR19におけるシクロアルキル基としては、単環、多環どちらでもよい。例えば、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6~30個が好ましく、特に炭素数7~25個が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基等を挙げることができる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。R16、R17、R18及びR19におけるアリール基としては、上記R11と同様であって良い。また、R16、R17、R18及びR19におけるヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基としては、上記と同様であって良い。なお、上記化学式7で表される化合物において、R16はx2が2以上の整数の場合はx2価となる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基が有してよい置換基としては、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基等を挙げることができる。R20及びR21における1価の有機基とは、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミド基、シアノ基等を挙げることができる。アルキル基は、炭素数1~10個のアルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等を挙げることができる。アリール基は、炭素数6~14のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等を挙げることができる。アラルキル基は、炭素数6~12個のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等を挙げることができる。アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基に於けるアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基等を挙げることができる。Wにおけるアルキレン基は、直鎖でも分岐状でもよく、炭素数1~10のものが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基等が挙げられる。Wにおけるシクロアルキレン基は、単環、多環どちらでもよく、環を形成するアルキレン基としては、例えば炭素数3~8個のシクロアルキレン基例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基を挙げることができる。Wにおけるアルキレン基及びシクロアルキレン基は、さらに置換基を有していてよく、置換基としては、アルキル基好ましくは炭素数1~10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。また、アルキレン鎖又はシクロアルキレン鎖は、アルキレン鎖中に-O-、-OC=O-、-OC=OO-、-NR-C=O-、-NR-C=OO-、-S-、-SO-、-SO2-を含んでいても良い。ここでRは水素原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等である。Wにおける環状のアリーレン基としては、好ましくはフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数6~15個のものが挙げられる。以下にフェノール性化合物Aの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。1分子中のフェノール性水酸基が2個以上存在し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有すれば、以下の具体例のフェノール性水酸基は、有機基で保護されているものであっても良い。また、下記式中、Lは、各々独立に、水素原子、又は、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基であり、1分子中少なくとも1つのLは、フェノール性水酸基のオルト位に存在するヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基である。また、分子量は、400~2500を満たすものとする。本発明に用いられるフェノール性化合物Aは、フェノール性化合物の母核化合物において、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を導入することに得ることができる。上記架橋基として機能する置換基をフェノール性化合物の母核化合物に導入する方法としては、例えば、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物と、ホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、ゲル化などの副反応を防ぐために、反応温度を50°C以下で行うことが好ましい。また、アルコキシメチル基を有する各種ビスフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するビスフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、ゲル化などの副反応を防ぐために、反応温度を100°C以下で行うことが好ましい。前記フェノール性化合物Aの母核化合物は、例えば本州化学工業株、旭有機材工業株式会社などから市販されており、これを用いることができる。また、各種フェノール化合物と各種アルデヒド、ケトンの縮合により合成することもできる。本発明に係るネガ型レジスト組成物において、フェノール性化合物Aは、上述した化合物のうち、1種単独で用いても良いし、2種以上を混合して用いても良い。しかしながら、本発明に係るネガ型レジスト組成物において、フェノール性化合物Aは、構造式が同じ化合物の純度が90重量以上であることが、低ラインエッジラフネスを向上する点から好ましい。フェノール性化合物Aは、構造式が同じ化合物の純度が90重量以上であることが更に好ましく、95重量以上であることが更に好ましい。フェノール性化合物Aとして、構造式が同じ化合物の純度が高いものを用いると、現像の進行が均一となるため、ラインエッジラフネスが低減されると推定される。但し、フェノール性化合物Aは、構造式が同じ化合物の純度が90重量未満であっても、不純物の構造がフェノール性化合物Aに類似しており、相溶性が良好な場合には好適に用いることができる。従って、本発明で用いられるフェノール性化合物としては、分子量分布を有しない方が好ましい。本発明で用いられるフェノール性化合物としては、分子量分布を有するものであっても、分子量分布が小さいものが好ましく、分子量分布重量平均分子量<Mw>と数平均分子量<Mn>の比<Mw>/<Mn>が1.0~1.1であることが好ましい。当該フェノール性化合物Aの含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、70重量以上であり、75重量以上であることが好ましく、更に80重量以上であることが好ましい。また、少なくとも後述する酸発生剤Bを含有することから、上限は、レジスト組成物の全固形分に対して、98重量以下であることが好ましい。なお、本発明において、固形分とは、ネガ型レジスト組成物中に含まれうる成分のうち有機溶剤以外のものを意味する。<酸発生剤B>本発明に用いられる酸発生剤は、電子線を照射することにより直接又は間接的に酸を発生し、-SO3-又は-SO3-で表されるスルホン酸構造及び、該スルホン酸構造に直接結合する炭素原子、該スルホン酸構造に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくは該スルホン酸構造に直接結合する芳香環を有し、該スルホン酸構造に直接結合する前記炭化水素原子、前記不飽和炭化水素基、若しくは前記芳香環にフッ素原子が結合していない化合物である。このような酸発生剤Bを用いることにより、後述する帯電防止膜と組み合わせて用いた場合であっても、露光後の感度変化を抑え、設計通りの寸法の微細パターン形成が可能となる。酸発生剤Bにおいて、スルホン酸構造に直接結合する炭素原子とは、例えば下記化学式8において、aで示される炭素原子をいう。スルホン酸構造に直接結合する炭素原子にフッ素原子が結合していない酸発生剤Bとは、例えば下記化学式8のような構造を有する酸発生剤が含まれないことを意味する。酸発生剤Bにおいて、スルホン酸構造に直接結合する不飽和炭化水素基とは、例えば下記式9において、b又はcで示されるような不飽和炭化水素基をいう。スルホン酸構造に直接結合する不飽和炭化水素基にフッ素原子が結合していない酸発生剤Bとは、例えば下記化学式9のような構造をもつ酸発生剤が含まれないことを意味する。酸発生剤Bにおいて、スルホン酸構造に直接結合する芳香環とは、例えば下記式10において、dで示される芳香環をいう。スルホン酸構造に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していない酸発生剤Bとは、例えば下記化学式10のような構造を有する酸発生剤が含まれないことを意味する。本発明において用いられる酸発生剤Bは、上記以外の位置にフッ素原子を有していてもよく、例えば、下記式11で表わされる構造を有する酸発生剤は、本発明に好適に用いることができる。本発明に用いられる酸発生剤Bの酸解離定数pKaは、-5.0~0.0ゼロが好ましく、-4.0~-1.0がより好ましい。酸解離定数がこの範囲より小さいと感度変化が生じやすく、この範囲より大きいと感度が悪くなるからである。また、前記酸発生剤Bは、オニウム塩型化合物であってもよいし、非イオン型化合物であってもよい。前記酸発生剤Bとしては、中でも、レジスト膜の電子線描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能とする点から、下記化学式1~4で表わされる化合物からなる群から選択される少なくとも1種類を用いることが好ましい。化学式1中、R1は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数1~12の直鎖状アルコキシ基、炭素数3~12の分岐状アルコキシ基、炭素数3~12の環状アルコキシ基、炭素数1~12のアシル基、炭素数1~12のスルフィド基、ヒドロキシル基、又はハロゲン原子である。又R1が相互に結合して環状構造を形成していてもよい。nは0~2の整数である。mは0~9の整数である。R2は同一でも異なっていてもよく、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、置換されてもよいフェニル基、又はナフチル基であり、さらにR2同士で互いに直接又は異種原子を介して結合して炭素数2~13の環状構造を形成してもよい。R3は、炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。前記R1、R2及びR3はさらに置換基を有していても良く、前記R3の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式2中、R4は同一でも異なっていてもよく、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、置換されてもよいフェニル基、ナフチル基、アントラセン基でありさらにR4同士で互いに直接又は異種原子を介して結合して炭素数2~13の環状構造を形成してもよい。但しR4の内、少なくともいずれか一方はアリール構造を有している。R5は、炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。前記R4及びR5はさらに置換基を有していても良く、前記R5の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式3中、Xは炭素数1~12のアルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又は炭素数1~12のアルキレンオキシ基-R’-O-、但し、R’は炭素数1~12のアルキレン基であり、R6は炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、又は炭素数6~14のアリール基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。R6は、さらに置換基を有していても良く、炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。化学式4中、R7は、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基である。R8は、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基であって、S原子に直接結合する炭素原子、S原子に直接結合する不飽和炭化水素基、若しくはS原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合していないものである。R7及びR8は、さらに置換基を有していても良く、前記R3の炭素骨格中に酸素原子を有していてもよい。ここで、上記化学式1~4におけるR1~R8等が有する置換基は、アルキル基等の炭化水素基、アルコキシ基、アシル基等の異種原子を含む炭化水素基、或いは、水酸基、スルフィド基等の炭素原子を含まない基のいずれでもよい。また置換基は、反応活性を有する官能基、或いは、反応活性を有しない単なる残基のいずれでもよい。置換基の大きさは特に制限されないが、当該置換基が結合する基本構造の部分と比べて、当該置換基が大きすぎないことが望ましい。例えば、置換基を構成する原子のうち水素以外の原子の合計数は、当該置換基が結合する基本構造の部分を構成する原子のうち水素以外の原子の合計数以下であることが好ましい。化学式1におけるR1の炭素数1~12の直鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等が挙げられ、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していてもよく、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等の置換基を有してもよい。R1の炭素数3~12の分岐状炭化水素基としては、例えば、sec-ブチル基、i-ブチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられ、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していてもよく、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等の置換基を有してもよい。R1の炭素数3~12の環状炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられ単環性、多環性のどちらでもよく、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していてもよく、置換基を有してもよい。環状炭化水素基が有する置換基としては、特に制限はないが、例えば、炭素数1~5のアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基、シアノ基等が挙げられる。環状炭化水素基が有する置換基としての炭素数1~5のアルキル基は、直鎖又は分岐状のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。分岐状アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基等が挙げられる。R1の炭素数1~12の直鎖状アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。R1の炭素数3~12の分岐状アルコキシ基としては、例えば、2-エチルヘキシルオキシ基、t-ブトキシ基等が挙げられる。R1の炭素数3~12の環状アルコキシ基としては、例えば、フェノキシ基、シクロへキシルオキシ基、ベンジルオキシ基、1-ナフチルオキシ基等が挙げられる。R1の炭素数1~12のアシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。R1の炭素数1~12のスルフィド基としては、例えば、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、フェニルスルフィド基等が挙げられる。R1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。R1が相互に結合して環状構造を形成しているものとしては、特に限定されないが、炭素数1~12のアルキレン基等が挙げられ、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられ、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等の置換基を有してもよい。R2の炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基はR1と同様のものとすることができる。R2の置換されてもよいフェニル基、又はナフチル基の置換基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基、シアノ基等が挙げられる。炭素数1~5のアルキル基としては、直鎖又は分岐状のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。分岐状アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基等が挙げられる。R2同士で互いに直接又は異種原子を介して結合した炭素数2~13の環状構造とは、特に限定されないが、例えば、当該環状構造を有する酸発生剤Bとして以下の化学式12であらわされるものが挙げられる。R3の炭素数1~12の炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基としては、例えばR1と同様のものが挙げられる。ただし、S原子に直接結合する炭素原子にフッ素原子が結合するものは除く。R3の炭素数6~14のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。また、アリール基が有する置換基としては、シクロアルキル基、炭素数1~5のアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。ただし、S原子に直接結合する芳香環にフッ素原子が結合するものは除く。また、R3は炭素骨格中に酸素原子を有していても良いし、置換基として酸素原子を有してもよい。このようなものとして例えば、エーテル結合を有するもの、カルボニル基を有するもの、エステル結合を有するもの等が挙げられ、具体的には、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシフェニル基、アセチルエチル基、アセチルフェニル基、エトキシカルボニルメチル基、フェノキシカルボニルメチル基等が挙げられる。上記化学式1で表される化合物としては、例えば、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムp-トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニル-p-トルエンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。上記化学式2中、R4は、置換されてもよいアントラセン基であっても良い以外は、前記R2と同様のものとすることができる。上記化学式2中、R5は前記R3と同様のものとすることができる。上記化学式2で表される化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。上記化学式3中、Xの炭素数1~12のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられ、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等の置換基を有してもよい。Xの炭素数6~12のアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、シクロアルキル基、炭素数1~5のアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等の置換基を有してもよい。R6は前記R3と同様のものとすることができる。上記化学式3で表される化合物としては、例えば、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシナフチルイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシナフチルイミド等が挙げられる。上記化学式4中、R7の炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の分岐状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基はR1と同様のものとすることができる。R7の炭素数6~12のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、等が挙げられる。また、アリール基が有する置換基としては、シクロアルキル基、炭素数1~5のアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。R7の炭素数3~12のヘテロアリール基としては、ピリジル基、キノリル基等が挙げられる。R7の炭素数7~12のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。R8は前記R3及びR7と同様のものとすることができる。上記化学式4で表される化合物としては、例えば、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-4-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-ブロモフェニルアセトニトリル等が挙げられる。上記化学式1~化学式4において、R3、R5、R6、及びR8はそれぞれ、上記環状炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、又はアラルキル基であることが、立体的に嵩高い構造にすることで発生酸の拡散性を抑制することができ、解像性の高いパターンを得ることが出来る点から、好ましい。これらの酸発生剤Bは1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。酸発生剤Bの配合量は特に限定されないが、前記フェノール化合物A100重量部に対し、通常1~40重量部用いられる。中でも、均一なレジスト膜を作成でき、ネガ型レジスト組成物の保存安定性を高め、電子線描画後の感度変化を抑え、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から前記フェノール化合物A100重量部に対し酸発生剤Bが1~30重量部であることが好ましく、5~20重量部であることがより好ましい。<有機塩基性化合物C>本発明において用いられるネガ型レジスト組成物は、レジストパターン形状、保管状態での経時安定性などを向上させるために、更に有機塩基性化合物Cを用いることが好ましい。有機塩基性化合物Cは、公知の有機塩基性化合物の中から任意のものを選択して使用することができる。上記有機塩基性化合物Cとしては、含窒素有機化合物が挙げられ、例えば、窒素原子を有する含窒素化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環式化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの含窒素有機化合物に、エーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、カーボネート結合、スルフィド結合、スルホン結合、等の極性基を鎖中に含む化合物や、エステル基、アセタール基、シアノ基、アルコキシ基、水酸基、等の極性基を置換基として含む化合物も好適に用いられる。含窒素有機化合物としては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、n-ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、メチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、ジメチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、1-ナフチルアミン等の芳香族アミン類;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ポリエチレンイミン、2,2-フェニルイミノジエタノール、ポリアリルアミン、N-2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、トリス2-t-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-t-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-2-メトキシエトキシエチル]アミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ジエタノールアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-アセトキシエチルアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-ホルミルオキシエチルアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-メトキシエチルアミン、3,3’-[2-メチルスルホニルエチル]イミノジプロピオン酸ジメチル、N-テトラヒドロフルフリルビス[2-メチルスルホニルエチル]アミン、3-[ビス2-メトキシエチルアミノ]プロピオン酸t-ブチル、3-[ビス2-アセトキシエチルアミノ]プロピオン酸t-ブチル等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環式化合物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、4,5-ジフェニルイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;及び、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、14-ジメチルピペラジン、14-ジアザビシクロ2.2.2オクタン、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピロリジン、1-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、1-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-メトキシメトキシエチル]モルホリン、4-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン1-2’,3’-ジヒドロキシルプロピル-2-メチルイミダゾール、1,3-ジ2’-メチル-1’-イミダゾイルメチルベンゼン、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジルイミダゾール、酢酸2-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル、酢酸2-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル、3-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イルプロピオン酸メチル、1-[2-1,3-ジオキソラン-2-イルエチル]1H-ベンズイミダゾール、4-1H-ベンズイミダゾール-1-イルブチロニトリル、3-モルホリノプロピオン酸t-ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸t-ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸1-エチルシクロペンチル、3-ピペリジノプロピオン酸1-エチル2-ノルボルニル等が挙げられる。これらの有機塩基性化合物Cは、単独であるいは2種以上組み合わせて用いることができる。有機塩基性化合物Cの配合量は、前記フェノール性化合物A100重量部に対し、0.01~10重量部、好ましくは0.1~5重量部である。0.01重量部未満ではその添加の効果が得られない。一方、10重量部を超えると感度の低下や未露光部の現像性が悪化する傾向がある。<その他の成分>本発明のネガ型レジスト組成物は、上記特定のフェノール性化合物Aを用いるため、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基を有しないフェノール性化合物を含む必要がない。ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基を有しないフェノール性化合物等、本願の上記フェノール性化合物Aに該当しないフェノール性化合物は、本発明の効果を損なわない範囲で含んでも良いが、低ラインエッジラフネスの点から含まないことが好ましい。また、本発明のネガ型レジスト組成物は、上記特定のフェノール性化合物Aを用いるため、従来用いられていた架橋剤を別途含む必要がない。しかしながら、本発明の効果が損なわれない範囲内で少量添加して、高感度化やパターン強度の向上に伴う解像力の改善を行っても良い。このような架橋剤の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、10重量以下、より好ましくは5重量以下を目安にすることができる。このような架橋剤は、低ラインエッジラフネスの点からは含まないことが好ましい。上記特定のフェノール性化合物Aに該当しない架橋剤としては、特に限定されず、従来の化学増幅型のネガ型レジスト組成物において使用されている公知の架橋剤の中から任意に選択して用いることができる。例えば、4,4’-メチレンビス2,6-ビスヒドロキシメチルフェノールMBHP、4,4’-メチレンビス2,6-ビスメトキシメチルフェノールMBMP、2,3-ジヒドロキシ-5-ヒドロキシメチルノルボルナン、2-ヒドロキシ-5,6-ビスヒドロキシメチルノルボルナン、シクロヘキサンジメタノール、3,4,8又は9-トリヒドロキシトリシクロデカン、2-メチル-2-アダマンタノール、1,4-ジオキサン-2,3-ジオール、1,3,5-トリヒドロキシシクロヘキサン等のヒドロキシル基又はヒドロキシアルキル基あるいはその両方を有する脂肪族環状炭化水素又はその含酸素誘導体が挙げられる。また、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、アルキレン尿素系架橋剤、グリコールウリルを用いたものをグリコールウリル系架橋剤であっても良い。また、本発明のネガ型レジスト組成物には、本発明の効果が損なわれない範囲内で、レジスト膜の性能を改良するためのオリゴマー又はポリマー成分を添加しても良い。オリゴマー又はポリマー成分を添加することにより、レジスト膜中に網目構造を導入することにより、パターン強度の向上による解像性の改善、パターン形状ラインエッジラフネスの改善ができる場合がある。このようなオリゴマー又はポリマー成分の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、5重量以下、より好ましくは3重量以下であることが好ましい。オリゴマー又はポリマー成分としては、i線、KrFやArF用のネガ型レジスト組成物に従来用いられてきたアルカリ現像可能な樹脂である、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン誘導体、アクリル酸やメタクリル酸から誘導されるアクリル系共重合体が挙げられる。これらのオリゴマー又はポリマー成分は反応性官能基を有していても良い。オリゴマー又はポリマー成分の重量平均分子量は、2000~30000であることが好ましく、更に2000~20000であることが好ましい。ここでの重量平均分子量は、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定されたポリスチレン換算値をいう。本発明のネガ型レジスト組成物には、本発明の効果を損なわない限り、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。<ネガ型レジスト組成物の調製>本発明において用いられるネガ型レジスト組成物は、通常、有機溶剤に上記のフェノール性化合物A、酸発生剤B、及び必要に応じてその他の添加剤を均一に混合することにより調製される。有機溶剤としては、化学増幅型レジストの溶剤として一般に用いられているものが使用できる。例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2-メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用することができる。さらにイソプロピルアルコール、エチルアルコール、メチルアルコール、n-ブチルアルコール、s-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、2-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、1-エトキシ-2-プロパノール、1-メトキシ-2-プロパノールなどのアルコールや、トルエン、キシレンなどの芳香族溶媒が含有されていても構わない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルやシクロヘキサノン、シクロペンタノン、1-エトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。レジスト組成分中の溶剤量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的には、溶剤は、レジスト組成物の固形分濃度が好ましくは0.5~20重量、より好ましくは0.5~15重量の範囲内となる様に用いられる。3.帯電防止膜本発明に用いる帯電防止膜は、公知のスルホン酸構造を有する導電性化合物例えば、特許文献1~3に記載の導電性化合物を用いることができ、前記導電性化合物を溶剤に溶かした後、前記レジスト帯電防止膜積層体の製造方法により、前記支持体上に形成したレジスト膜上に形成される。帯電防止膜を積層することによりチャージアップ現象を防ぎ、パターンの位置ずれや寸法誤差がなくなり、所望のレジストパターンが得られる。本発明の帯電防止膜に用いる導電性化合物は、スルホン酸構造を有するものであれば特に限定されないが、例えば下記化学式15に示す構成単位を有する、スルホン化ポリアニリンや、下記化学式16に示すイソチアナフテニレン構造を有するものが挙げられる。化学式15中、R30は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、メトキシ基、メチル基、エチル基、ヒドロキシ基又は-SO3Mを表わし、Mは同一であっても異なってもよく、それぞれ独立に水素イオン、アルカリ金属イオン、4級アンモニウムのカチオンを表わす。kは0~1の任意の値を表わす。化学式16中、R31は同一であっても異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状の飽和若しくは不飽和アルキル、アルコキシ又はアルキルエステル基、ハロゲン、-SO3M、ニトロ基、シアノ基、1級~3級アミノ基、トリハロメチル基、フェニル基及び置換フェニル基を表わす。Mは同一であっても異なっていてもよく、それぞれ独立に水素イオン、アルカリ金属イオン、4級アンモニウムのカチオンを表わす。前記導電性化合物の重量平均分子量は特に限定されないが、通常2000~100000のものが用いられる。なお、重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーGPCによって求められる。前記導電性化合物をレジスト膜上に塗布する際に用いられる溶剤は、特に限定されず、レジスト膜を溶解し、かつレジスト膜に影響を与えない溶剤を適宜選択することができる。例えば、水の他、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール類;アセトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類;メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ類;メチルプロピレングリコール、エチルプロピレングリコールなどのプロピレングリコール類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド類;N-メチルピロリドン、N-エチルピロリドンなどのピロリドン類などが好ましく用いられる。これらは、それぞれ単独で用いてもよく、また複数の溶剤を任意の割合で混合して用いることができる。導電性化合物溶液には、帯電防止膜の導電性を妨げない範囲で任意の成分を含んでいてもよく、例えば、導電性化合物溶液のpHを調製するためにアミン類や、四級アンモニウム塩類を添加してもよい。前記導電性化合物の溶剤に対する割合は、通常、溶剤100質量部に対して、0.1~20重量部であり、好ましくは0.5~15重量部である。導電性化合物の割合が上記範囲未満では、形成される帯電防止膜にピンホールが発生したり、導電性が劣ることとなり、上記範囲を超えると帯電防止膜の平坦性が悪くなるからである。帯電防止膜の厚さは特に限定されないが、通常20nm~100nmであり、好ましくは20nm~60nmである。4.レジスト帯電防止膜積層体の製造方法本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体の製造方法は、特に限定されず、従来公知の方法で製造することができる。例えば、まず、支持体上に、レジスト膜を形成する。通常レジスト膜は、レジスト組成物を塗布して形成する。塗布方法は、支持体上に当該レジスト組成物を均一に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、スプレー法、ロールコート法、スリットコート法、回転塗布等の各種方法を用いることができる。次に、当該基板上に塗布したレジスト組成物にプリベークPABを行い、有機溶剤を除去して、レジスト膜を形成する。プリベークの温度は、当該レジスト組成物の成分、配合割合、有機溶剤の種類等により適宜決めればよく、通常、70~160°C、好ましくは90~130°Cであり、プリベーク時間は通常、30秒から15分程度である。次に、前記支持体上に形成されたレジスト膜上に前記帯電防止膜用組成物を塗布し、積層体を形成する。塗布方法は、当該帯電防止膜用組成物を均一に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、スプレー法、ロールコート法、スリットコート法、回転塗布等の各種方法を用いることができる。但しレジスト組成物とインターミキシングを起こさないために帯電防止膜用組成物は水、もしくは低級なアルコールを混合させたものを溶媒として用いているので、帯電防止膜組成物を塗布する装置はレジスト組成物を塗布するものとは分けた方が望ましい。次に、必要な場合は、帯電防止膜用組成物の塗膜をベークしてもよい。ベークの条件は、用いる帯電防止膜用組成物の組成等により適宜決められ、温度は通常、60~200°C、好ましくは60~130°Cであり、時間は通常30秒~15分程度である。II.レリーフパターンの製造方法本発明に係るレリーフパターンの製造方法は、前記本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体を電子線で描画する工程と、電子線で描画したレジスト帯電防止膜積層体の前記帯電防止膜を除去する工程と、前記帯電防止膜を除去後又は除去と同時に積層体のレジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とする。本発明に係るレリーフパターンの製造方法によれば、微細なパターンであっても寸法誤差がなく、設計通りのパターンを得ることができる。以下、各工程について図2を用いて説明する。i前記本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体を電子線で所定パターン状に描画する工程当該工程は、図2aのように、まず、電子線描画装置を用いて電子線の直接照射による描画により、前記レジスト膜20を選択的に露光する。加速電圧、電流値は任意に設定してよい。本工程によりレジスト膜の電子線照射部21では、酸発生剤Bから酸が発生する図2b。電子線で所定パターン状に描画を行う場合、その描画には時間を要し、本工程の初期に描画した部分と、終期に描画した部分では、その描画後経過時間に大きな差が生じる場合がある。この場合、レジスト膜20の電子線照射部21の感度変化により所望のレジストパターンが得られないといった問題が生じる。これに対し、本発明のレジスト帯電防止膜積層体を用いた場合には、電子線照射部の安定性が高く、電子線描画後の感度変化が小さいため、所望のレジストパターンが得られる。ii電子線で描画したレジスト帯電防止膜積層体の前記帯電防止層を除去する工程電子線描画後に帯電防止膜30の除去を行う。これは通常、純水を用いたリンスにより行われ、リンス時間は30秒~10分程度である。純水以外のリンス液を用いることに制限はなく、従来レジストの現像に用いられている現像液はいずれも好適に用いることができる。本工程により帯電防止膜30は除去され、レジスト帯電防止膜積層体は図2cのようになる。なお、本工程は前記電子線で描画する工程iの次に行わなくともよく、後述する現像工程iiiにおいて、現像液を用いて、レジストパターンの形成と同時に帯電防止膜の除去を行ってもよい。iii前記帯電防止層を除去した積層体のレジスト膜を現像する工程次に、前記支持体を、アルカリ現像液を用いて現像処理し、電子線未照射部分を除去する図2d。現像方法としては、スプレー法、スリット法、液盛り法、ディッピング法、揺同浸漬法等が挙げられる。また、本発明のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n‐プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ‐n‐ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジメチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらのアルカリ現像液の中で、好ましくは第四級アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンの水溶液である。また、アルカリ現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いる場合、当該テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度は、0.1~5であることが好ましく、更に好ましくは0.5~3であり、特に好ましくは1.19~2.38である。2.38濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液は、一般に半導体産業において最も入手しやすい。また、当該テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度が0.1より薄い場合、空気中の二酸化炭素により現像液が中和されてしまい、感度が変動して安定的に製品を得る事が困難となる。現像処理した後、リンス処理を行い、基板上のアルカリ現像液及び当該アルカリ現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流し、乾燥させて、レジストパターンを得る。前記電子線で描画する工程iと前記現像する工程iiiの間に加熱処理露光後加熱PostExposureBake、PEBを行うことが好ましい。加熱により、レジスト膜の電子線照射部と未照射部の溶解度の差が大きくなる。PEB処理の条件は、通常70~160°C、好ましくは90~130°Cで、0.1~15分程度である。本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体は、半導体集積回路のゲート層作成用、ガラス基板上に形成されるマスクパターン加工用などの微細化された電子部品を製造するためのマイクロリソグラフィプロセスに好適に用いることができる。本発明は、少なくとも一部分が本発明に係るレジスト帯電防止膜積層体を用いて製造されている、電子部品をも提供する。本発明に係る電子部品としては、例えば、MEMSマイクロ電気機械装置部品、マイクロ機械部品、マイクロ流体工学部品、μ-TASマイクロ前分析装置部品、インクジェットプリンター部品、マイクロ反応器部品、電気伝導性層、金属バンプ接続部、LIGAリソグラフィー電鋳成形部品及び押型、精密印刷用スクリーン又はステンシル、MEMS及び半導体パッケージ用部品、及びプリント配線基板等が挙げられる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、本発明について実施例を示して具体的に説明する。これらの記載により本発明を制限するものではない。なお、製造例における、構造及び物性の確認は以下の装置を用いて行った。MALDI-TOFMSBRUKER社製REFLEXIIを用いて、以下の条件マトリックス:1,8,9-トリヒドロキシアントラセンにより測定を行った。1H‐NMR:日本電子製、JEOLJNM-LA400WB高速液体クロマトグラフィーHPLCは、島津製作所製LC-10ADvpを用いて、以下の条件温度:40°C、流速:0.5mL/分、カラム:VP-ODS4.7mm×150mm、検出器SPD-M10Avp、移動相:アセトニトリル/水により測定を行った。フェノール性化合物<合成例1>10重量水酸化カリウム水溶液20mLとエタノール20mLからなる溶液に、下記化学式17で表されるフェノール性化合物母核化合物:Pre-1TekOC-4HBPA:本州化学工業株式会社6.3g10mmolを加え、室温で攪拌、溶解した。この溶液に37ホルマリン水溶液7.0mL80mmoLを室温下でゆっくりと加えた。更に、窒素雰囲気下、40°Cで24時間攪拌した後、ビーカー中の水200mLに投入した。これを氷浴にて冷却しながら2.0wt酢酸水溶液をpH5.0になるまでゆっくりと加えた。析出物をろ別し、十分に水洗浄した後、乾燥し、ヒドロキシメチル基が導入されたフェノール性化合物の混合物を得た。精製は、高速液体クロマトグラフィーにて行い、下記化学式18で表されるフェノール性化合物1A-01を5.8g得た。得られたフェノール性化合物1A-01の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例2>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン3.5g10mmolを用いた以外は、合成例1と同様にして、下記化学式19で表されるフェノール性化合物3A-03を合成した。その結果、白色の化合物を3.9g得た。得られたフェノール性化合物2A-02の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例3>前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式20で表されるフェノール性化合物Pre-3TEOC-DF:旭有機材工業株式会社4.5g10mmolを用いた以外は、合成例1と同様にして、下記化学式21で表されるフェノール性化合物3A-03を合成した。その結果、白色の化合物を4.3g得た。得られたフェノール性化合物3A-03の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例4>上記化学式21で表わされるフェノール性化合物3A-035.7g1.0mmolをメタノール250mLに加え、加熱攪拌して、溶解した。この溶液に濃硫酸0.25mLを加え、15時間加熱還流した。反応終了後、反応液を冷却し、炭酸カリウム1.0gを加えた。この溶液を濃縮した後、酢酸エチルを300mL加えた。この溶液を3回水洗した後、濃縮することにより、下記化学式22で表されるフェノール性化合物4A-04の白色化合物を4.9g得た。得られたフェノール性化合物4A-04の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<合成例5>窒素雰囲気下、300mL三口フラスコ中、レゾルシノール11.0g0.1molをエタノール400mLに溶解した。これにベンズアルデヒド10.2mL0.1molを加え、次いで、濃塩酸20mLをゆっくりと滴下し、75°Cで12時間反応させた。反応後、反応溶液を氷浴にて冷却し、析出した結晶をろ別後、中性になるまで蒸留水で洗浄、乾燥し、淡黄色の下記化学式23で表されるフェノール性化合物Pre-5を9.2g得た。前記合成例1において、フェノール性化合物Pre-1を用いる代わりに、下記化学式23で表されるフェノール性化合物Pre-050.8g1mmolを用い、37ホルマリン水溶液の添加量を0.7mL8mmoL、反応温度を5°Cに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記化学式24で表されるフェノール性化合物5A-05を合成した。その結果、薄黄色の化合物を0.7g得た。得られたフェノール性化合物5A-05の構造確認は、1H‐NMRスペクトル及びMALDI-TOFMSより行った。ガラス転移温度は、示差走査熱量測定より求めた。分析結果を表1に示す。<フェノール性化合物の溶剤溶解性の評価>上記合成例1~5で得られたフェノール性化合物A-01~A-05を代表的な下記レジスト用溶剤に23°Cで1wtの濃度、又は5wtの濃度になるよう加え、攪拌を行った。23°Cで5wtの濃度で溶解したものを◎、1wtの濃度で溶解したものを○、不溶であったものを×として評価した。なお、結果を表2に示す。D-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルD-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD-3:シクロペンタノン酸発生剤<酸発生剤P-1>下記化学式25で表される酸発生剤P-1は、製品名Diphenyl-2,4,6-Trimethylphenylsulfoniump-toluenesulfonateとして、和光純薬工業株式会社から入手した。<酸発生剤P-2>下記化学式26で表される酸発生剤P-2は、製品名TPS-TIPBSとして、東洋合成工業株式会社から入手した。<酸発生剤P-3>下記化学式27で表される酸発生剤P-3は、製品名WPAG-567として、和光純薬工業株式会社から入手した。<酸発生剤P-4>下記化学式28で表される酸発生剤P-4は、製品名DPI-201として、みどり化学株式会社から入手した。<酸発生剤P-5>下記化学式29で表される酸発生剤P-5は、製品名NAI-101として、みどり化学株式会社から入手した。<酸発生剤P-6>下記化学式30で表される酸発生剤P-6は、製品名PAI-101として、みどり化学株式会社から入手した。<酸発生剤P-7>ジクロロメタン20ml、水10mLにベンゼンスルホン酸ナトリウム0.72g4mmolを溶解させ、これにジフェニルヨードニウムクロライド1.27g4mmol、を加え、この懸濁溶液を窒素雰囲気下、室温23°Cで12時間攪拌した。攪拌後、ジクロロメタン相を分離、残った水相をさらにジクロロメタンで3回抽出した上で得られたジクロロメタンを合わせて硫酸ナトリウムで乾燥後に乾固させた。得られた結晶を少量のジクロロメタンで溶解させてジエチルエーテル中に滴下、析出した結晶を濾過、得られた結晶を再びジクロロメタンに溶解させて少量のジエチルエーテルを加え静置して再結晶を行った。得られた結晶を濾過、乾燥し、下記化学式31で表される白色の酸発生剤P-7化合物を得た。得られた酸発生剤P-7の純度と構造の確認は、1H‐NMRスペクトルより行った。1H‐NMR400MHz,DMSO-d6,TMS:δppm7.29-7.33m,4H,Aromatic-H、7.51-7.55t,4H,aromatic-H、7.58-7.60dd,2H,aromatic-H、7.65-7.69t,2H,aromatic-H、8.24-8.26d,2H,aromatic-H<酸発生剤P-8>前記酸発生剤P-7の合成において、ベンゼンスルホン酸ナトリウムの代わりに3-ニトロベンゼンスルホン酸ナトリウム0.88g4mmolを用いた以外は、前記合成法に従って、下記化学式32で表される白色の酸発生剤P-8化合物を得た。得られた酸発生剤P-8の純度と構造の確認は、1H‐NMRスペクトルより行った。1H‐NMR400MHz,DMSO-d6,TMS:δppm7.51-7.55t,4H,aromatic-H、7.64-7.69m,3H,aromatic-H、8.01-8.03d,1H,aromatic-H、8.19-8.21dd,1H,aromatic-H、8.24-8.26d,4H,aromatic-H、8.34m,1H,aromatic-H<酸発生剤P-9>前記酸発生剤P-7の合成において、ベンゼンスルホン酸ナトリウムの代わりに4―クロロベンゼンスルホン酸ナトリウム0.81g4mmolを用いた以外は、前記合成法に従って、下記化学式33で表される白色の酸発生剤P-9化合物を得た。得られた酸発生剤P-9の純度と構造の確認は、1H‐NMRスペクトルより行った。1H‐NMR400MHz,DMSO-d6,TMS:δppm7.36-7.38d,2H,aromatic-H7.51-7.55t,4H,aromatic-H、7.58-7.60d,2H,aromatic-H、7.65-7.69t,2H,aromatic-H、8.24-8.26d,4H,aromatic-H<比較酸発生剤RP-1>下記化学式34で表される比較酸発生剤RP-1は、製品名DPI-105として、みどり化学株式会社から入手した。<比較酸発生剤RP-2>下記化学式35で表される比較酸発生剤RP-2は、製品名TPS-105として、みどり化学株式会社から入手した。<比較酸発生剤RP-3>下記化学式36で表される比較酸発生剤RP-3は、製品名TPS-109として、みどり化学株式会社から入手した。<比較酸発生剤RP-4>下記化学式37で表される比較酸発生剤RP-4は、製品名TPS-300として、みどり化学株式会社から入手した。<比較酸発生剤RP-5>下記化学式38で表される比較酸発生剤RP-5は、製品名NDI-105として、みどり化学株式会社から入手した。実施例1~15及び比較例1~5表3のように、フェノール化合物AとしてA-01~A-05、酸発生剤化合物Bとして酸発生剤化合物P-1~P-9、比較酸発生剤化合物RP-1~RP-5、塩基性化合物Cとしてトリ-n-オクチルアミンC-1を、有機溶剤DプロピレングリコールモノメチルエーテルD-1、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD-2、又はシクロペンタノンD-3に表3に記載の配合量で添加して均一溶液にし、各試料溶液を0.1μmのテフロン登録商標フィルターでろ過して、実施例1~15及び比較例1~5のネガ型レジスト組成物を調製した。なお、酸発生剤の重量部が異なるのは、実施例及び比較例に用いる酸発生剤のモル数を合わせたためである。<レジストパターンの作成及び評価方法>上記実施例1~15及び比較例1~5で得られたレジスト組成物を用いて、以下に示す方法でレジストパターンを作成し、評価を行った。なお、結果を表4に示す。1レジストの塗布各レジスト組成物を、6インチシリコン基板上にスピンナーを用いて、均一に塗布し、100°Cで60秒間プリベーク処理PABを行い、膜厚50nmのレジスト膜を形成した。良好なレジスト膜が形成されたものを○、はじきなどにより良好な膜形成が困難であったものを×とした。2帯電防止膜の塗布レジスト組成物を塗布した後の基板に三菱レイヨン株式会社製の帯電防止膜aquaSAVE57xsをスピンナーを用いて均一に塗布、70°Cで90秒間ベーク処理を行いレジスト膜上に膜厚40nmの帯電防止膜層が形成されたレジスト/帯電防止膜積層体を得た。3レジストパターンの形成上記のレジスト帯電防止膜積層体に対し、電子線描画装置加速電圧100KVを用いて描画を行った。描画終了後、純水によるリンスを60秒間行い帯電防止膜層を溶解、除去した後に100°Cで60秒間ベーク処理PEBを施し、2.38のTMAH水溶液23°Cで60秒間現像処理し、さらに純水にて60秒間リンス処理を行い、ラインアンドスペースL/Sパターンを形成した。<評価>1感度、解像力、ラインエッジラフネス感度及びラインエッジラフネスLERは、走査型電子顕微鏡SEMホロン社製により測定した。感度は100nmのL/Sパターンが1:1に形成される最少照射量を感度としてμC/cm2単位で測定した。また、その照射量における限界解像力ライン及びスペースが分離解像を解像力とした。LERは、100nmのL/Sパターンの長手方向のエッジ0.7μmの範囲について、ライン幅を500ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。2真空中の露光後線幅安定性レジストパターンを形成する際に、電子線描装置にてパターンを描画後、電子線描画装置内で高真空下5.0×10-6Pa3時間、各レジスト組成物を放置する工程を加える以外は上記レジストパターンの作成と同様の方法でレジストパターンを形成した。高真空下で3時間放置する前の各レジスト組成物を用いて上記感度及び解像力の方法により求めた最小照射量と同一の照射量で、設計線幅が100nmのL/Sパターンの線幅を測定した。高真空下で3時間放置する前の各レジスト組成物で得られたパターン線幅に対し、高真空下3時間放置後の各レジスト組成物で得られたパターン線幅の変化が、1以内であるものを○、1を超えるものを×とした。<結果のまとめ>実施例1~15の本発明のレジスト帯電防止膜積層体では、チャージアップ現象を回避し、レジスト膜の電子線描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能であり、且つ、アルカリ現像性を有しながら、高感度、高解像力で、低ラインエッジラフネスの微細なレリーフパターンを得ることができることが明らかにされた。一方、スルホン酸構造に直接結合する炭化水素原子、不飽和炭化水素基、若しくは芳香環にフッ素原子が結合している酸発生剤を用いた比較例1~5のレジスト帯電防止膜積層体では、露光後線幅安定性が悪く、ラインエッジラフネスも劣り、設計通りの寸法のパターン形成ができなかった。"