"処理物を収容すると共に、外側面から内部方向に向かう穴を有する型と、前記型内の処理物を加圧する加圧部材と、前記型内の処理物を加熱する加熱部とを備えた焼結装置。前記穴は、前記処理物が前記型に収納されたときに、前記型の高さ方向において前記処理物の収納位置と異なる位置に設けられている請求項1記載の焼結装置。前記型は、外型と、前記外型の中に前記処理物の平面形状を規定する内型とを有し、前記穴は、前記外型の外側面から内側面まで設けられている請求項1記載の焼結装置。前記穴は、前記穴において露出している前記内型の外側面の温度を測定できるように設けられている請求項3記載の焼結装置。一端に閉端面を有する閉端管を備え、前記閉端管は、前記閉端面を前記内型の外側面に接触させて前記穴に嵌め込まれている請求項3記載の焼結装置。前記穴または前記閉端管の直径と奥行きとの比は、1:10以上である請求項5記載の焼結装置。前記閉端管は、酸化アルミニウム,酸化ジルコニウム,酸化ハフニウムあるいはこれらの複合材料、炭化ケイ素、またはそれらをによりカーボングラファイトに塗布をコーティングあるいは被覆した材料により構成されている請求項5記載の焼結装置。前記加熱部は、前記型の外側面を誘導加熱する高周波誘導コイルを有する請求項1記載の焼結装置。処理物を型に収容し、前記型内の処理物を加圧および加熱することにより前記処理物を焼結する焼結体の製造方法であって、前記型の外側面から内部方向に向かって設けられている穴の奥の端面における第1の温度を計測する焼結体の製造方法。前記型は、外型と、前記外型の中に前記処理物の平面形状を規定する内型とを有し、前記穴は、前記外型の外側面から内側面まで設けられている請求項9記載の焼結体の製造方法。前記穴は、前記穴において露出している前記内型の外側面の温度を測定できるように設けられている請求項10記載の焼結体の製造方法。一方の端面に閉端面を有する閉端管が、前記閉端面を前記内型の外側面に接触させて前記穴に嵌め込まれており、前記第1の温度として前記閉端面の温度を計測する請求項10記載の焼結体の製造方法。前記型内の処理物を加圧する加圧部材の側面、または前記型の上面あるいは下面における第2の温度を計測し、前記第1の温度および前記第2の温度の計測結果に基づいて前記処理物の加圧または加熱を制御する請求項9記載の焼結体の製造方法。前記第1の温度が目標値に達したのち、前記第2の温度が飽和した状態で前記処理物の追加加圧、または焼結時間のカウント開始を行う請求項13記載の焼結体の製造方法。前記穴は、前記処理物が前記型に収納されたときに、前記型の高さ方向において前記処理物の収納位置と異なる位置に設けられている請求項9記載の焼結体の製造方法。しかしながら、開放型の場合には、ダイス外表面が酸化により変質し、温度計測が不安定になるという問題があった。このため、加熱中は随時ダイス表面を清浄化する処理が必要となり、たびたび加熱を中断する必要があった。なお、ちなみに、特許文献3では、放射温度計に代えてシース熱電対を使用することが可能な場合もあることが記載されている。しかし、例えば加熱方式に高周波誘導加熱を採用している場合には、高周波が熱電対に重畳してしまうので、シース熱電対を使用することはできなかった。本開示の目的は、型の外表面の変質の影響を抑え、安定した温度計測を行うことが可能な焼結装置およびこれを用いた焼結体の製造方法を提供することにある。本開示による焼結装置は、処理物を収容すると共に、外側面から内部方向に向かう穴を有する型と、型内の処理物を加圧する加圧部材と、型内の処理物を加熱する加熱部とを備えたものである。本開示の焼結装置では、型内の処理物は、加圧部材により加圧されると共に加熱部により加熱される。ここでは、型の外側面から内部方向に向かって穴が設けられているので、この穴の奥の端面における温度を計測することが可能となる。本開示による焼結体の製造方法は、処理物を型に収容し、型内の処理物を加圧および加熱することにより処理物を焼結するものであって、型の外側面から内部方向に向かって設けられている穴の奥の端面における第1の温度を計測するようにしたものである。本開示の焼結体の製造方法によれば、型の外側面から内部方向に向かって穴が設けられており、この穴の奥の端面における第1の温度を計測するようにしている。よって、従来のように型の外表面の温度、または型と外部ヒータとの間の雰囲気温度を計測する場合に比べて、型の外表面の変質の影響を抑え、安定した温度計測を行うことが可能となる。本開示の焼結装置によれば、型の外側面から内部方向に向かって穴を設けるようにしたので、上記本開示の焼結体の製造方法を容易に行うことが可能となる。以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態型の外側面から内部方向に向かう穴を設ける例2.第2の実施の形態穴を、型の高さ方向において処理物と異なる位置に設ける例第1の実施の形態焼結装置図1は、本開示の第1の実施の形態に係る焼結装置の断面構成を表し、図2は、図1に示した焼結装置を上方から見た平面構成を表したものである。この焼結装置1は、処理物10すなわち焼結しようとする粉体を収容する型20と、この型20内の処理物10を加圧するパンチ加圧部材30と、型20内の処理物10を加熱する加熱部40とを有する一軸加圧型のホットプレス装置である。処理物10は、例えば、セラミック系材料のスパッタリングターゲットの原料である粉体、またはその焼成物焼結体である。型20は、例えば、ダイス外型22の中に、処理物10の平面形状を規定するインサートダイス内型21を有している。ダイス22は例えば円筒状の部材であり、パンチ30による圧力を閉じ込めるための等圧容器としての機能を有している。インサートダイス21は、ダイス22内に着脱可能に嵌め込まれる複数の部材の組み合わせにより構成されており、処理物10の形状寸法に応じてさまざまな形状寸法のものが用意されている。インサートダイス21およびダイス22は、例えばカーボンにより構成されている。パンチ30は、型20のインサートダイス21内に嵌め込まれた下部パンチ31および上部パンチ32を有しており、これらの間に処理物10が挟み込まれて上下方向図1および図2におけるz軸方向に加圧されるようになっている。下部パンチ31および上部パンチ32は、例えば、型20と同様にカーボンにより構成されている。下部パンチ31は、台座33上に載せられている。上部パンチ32の上には加圧ラム34が設けられている。加熱部40は、例えば、型20のダイス22の外側面20Aを誘導加熱する高周波誘導コイル41を有している。すなわち、この焼結装置1は、大気焼成誘導加熱方式の開放型ホットプレス装置である。この焼結装置1では、型20の外側面20Aから内部方向に向かって、温度計測用の穴23が設けられている。これにより、この焼結装置1では、この穴23の奥の端面23Aにおける第1の温度T1を放射温度計51で計測することにより、型20の外表面の変質の影響を抑え、安定した温度計測を行うことが可能となっている。すなわち、温度計測は、処理物10により近い部位で行うことが望ましいが、パンチ30やインサートダイス21など、追加加圧によって可動する部材の定点測定は困難である。また、開放型ホットプレス装置の場合には、ダイス22の外側面20Aは酸化によって表面や周縁部の状態が変化するので、より安定した測定部位が求められる。このようなことから、ダイス22に穴23を開孔し、型20の内部で、かつインサートダイス21に最も近い部位で温度計測を行うことが望ましい。すなわち、穴23は、穴23において露出しているインサートダイス21の外側面21Aの温度を測定できるように設けられていることが好ましい。ただし、ダイス22に対して加圧方向z軸方向に穴23を設けた場合には、穴23の長さ奥行きが長くなり、強度的に不利になる。また、ダイス22の上下方向には構造物が多いことから、放射温度計51による測定に際しては反射ミラー等の測定光軸路を屈曲させるなどの構造物が必要となり、装置構成が複雑になると共に測定精度の問題も生じるおそれがある。従って、型20の外側面20Aから中心に向かって、加圧方向z軸方向に垂直な方向型20の直径方向に、型20の厚み方向の一部に穴23を設けることが、装置構成の簡素さ、ダイス22の強度保持、温度測定の精度向上のいずれの観点でも有利である。具体的には、穴23は、ダイス22の外側面20Aから内側面20Bまで設けられていることが好ましい。言い換えれば、穴23はダイス22を貫通しているが、ダイス22とインサートダイス21とに連通してはいないことが好ましい。穴23が型20の全体を貫通している場合には、加圧に伴って処理物10が穴23から外部に出てきてしまうおそれがあるからである。また、穴23がダイス22とインサートダイス21とに連通している場合には、加圧しているうちにダイス22内の穴23とインサートダイス21内の穴23とがずれてしまうおそれがあるからである。なお、穴23の周方向における位置は特に限定されないが、例えば、インサートダイス21の比較的厚みが大きい位置に設けられていることが望ましい。また、この焼結装置1は、一端に閉端面24Aを有し、他端が開放された閉端管24を有している。閉端管24は、閉端面24Aをインサートダイス21の外側面21Aに接触させて穴23に嵌め込まれている。その理由は以下の通りである。密閉型の場合には、真空または不活性ガス中で焼結を行うので、穴23の奥の端面23Aにおける第1の温度T1を放射温度計51で計測することが可能である。これに対して、開放型の場合には、大気雰囲気によって焼結のたびに穴23の最外周入口近傍が拡大し、あるいは穴23そのものが拡大してしまうおそれがある。穴23に閉端管24を嵌め込むことにより、穴23の内部が酸化によって劣化するのを抑え、長期的に安定した温度計測を行うことが可能となる。穴23または閉端管24の直径rと奥行き長さdとの比は、例えば、概ね1:10以上であることが好ましい。これにより、穴23または閉端管24内部を擬似的な黒体空洞とみなすことができ、温度計測における絶対値精度を向上させることが可能となる。なお、図1および図2では、直径rおよび奥行きdを閉端管24の直径rおよび奥行きdとして表している。このような閉端管24は、耐酸化性を有する材料により構成されていることが好ましい。具体的には、閉端管24の構成材料としては、例えば、酸化アルミニウムアルミナ,酸化ジルコニウムジルコニア,酸化ハフニウムハフニアあるいはこれらの複合材料例えば、サイアロン,コージライト、炭化ケイ素シリコンカーバイドが挙げられる。また、上記の材料によりカーボングラファイトをコーティングまたは被覆した材料でもよい。この焼結装置1は、例えば次のようにして製造することができる。まず、閉端管24のサイズを求めるため、放射温度計51とインサートダイス21の外側面21Aまでの測定距離を設定する。ここでは例えば1mとする。例えば、放射温度計51にチノー製IR-SAS11Nを用いた場合、測定エリアはφ10mmとなる。この結果から多少の面積マージンを加味し、再結晶アルミナ保護管PT-0三晃電気工業製、内径φ13mm、外径φ17mmのものを選択する。次いで、ダイス22の外側面20Aに、ダイス22を直径方向に貫通する穴23を設ける。ダイス22、インサートダイス21、下部パンチ31および上部パンチ32には、耐久性、熱伝導性などの観点から等方性カーボンを材料に選択することが好ましい。ダイス22に穴23を設ける場合、ダイス22と閉端管24との熱膨張による干渉を考慮する必要がある。ダイス22よりも閉端管24の熱膨張率が大きい場合は、その分、穴23を大きめに開口しておく必要がある。上述したアルミナ製の閉端管24の熱膨張係数は7.6ppm/°C、焼結温度範囲を1300°Cまでと見込むと、単純化したバルク換算で約0.17mm直径方向に膨張する。このため、約0.2mmのマージンを設定し、φ17.2mmの穴23を形成する。穴23の形成は、通常のダイス22にドリルなどで開孔してもかまわないが、ダイス22形成時に予め貫通孔を設けておいてもかまわない。閉端管24の長さは、基本的にはダイス22厚と同等とすることが好ましいが、ダイス22表面を断熱材で覆った状態で焼結を行う場合は、その断熱材の厚さ分長くしてもよい。なお、閉端管24および穴23の設計は、測定点と放射温度計51との距離および放射温度計51の仕様によって最適に設定することが可能である。このようにして形成したダイス22の穴23に、閉端管24を挿入する。以上により、図1および図2に示した焼結装置1が完成する。焼結体の製造方法次に、この焼結装置1を用いた焼結体の製造方法について説明する。すなわち、処理物10すなわち焼結しようとする粉体を型20に収容し、下部パンチ31および上部パンチ32で処理物10を挟み込み、圧力を印加する。次いで、高周波誘導コイル41に電流を印加し、型20の外側面20Aへの誘導加熱を開始する。昇温レートは5°C/minとし、目標の温度に到達したのち、その温度を保つよう制御を行う。このとき、穴23の奥の端面23A穴23に閉端管24が嵌め込まれている場合には、閉端管24の内側の閉端面24Aにおける第1の温度T1を、放射温度計51により計測する。更に、その計測結果に基づいて高周波誘導コイル41に流す高周波電流を調整することにより第1の温度T1を制御する。このようにして高周波誘導コイル41の電流をクローズドループで制御することにより、型20の外側面20Aの状態や消耗度合いなどの影響を抑え、安定した温度計測を行うことが可能となり、安定して且つ再現性の良い処理物10の温度制御が可能となる。これに対して従来では、例えば図3に示したように、ダイス122の外表面120Aの温度T101を計測するようにしていたので、開放型の場合には、ダイス122の外表面120Aが酸化により変質し、温度計測が不安定になっていた。このため、加熱中は随時ダイス122の外表面120Aを清浄化する処理が必要となり、たびたび加熱を中断する必要があった。なお、図3では、図1および図2に対応する構成要素には100番台の同一の符号を付して表している。図4は、図3に示した従来の温度計測方法によるダイス122の外表面120Aの温度T101の測定結果を表したものである。図4から分かるように、清浄化処理の直前と直後とではダイス122の表面状態が異なるので、表示上の温度を一定に制御しようとすると、実温が鋸歯状になっていた。なお、特許文献3に記載されたようなシース熱電対を用いた温度計測方法は、本実施の形態または図3のような誘導加熱方式の場合には採用できない。また、本実施の形態では、穴23の奥の端面23A穴23に閉端管24が嵌め込まれている場合には、閉端管24の内側の閉端面24Aにおける第1の温度T1を、放射温度計51により計測するようにしたので、処理物10により近い部位の温度計測結果に基づいて昇温制御を行うことが可能となる。よって、図3のようにダイス122の外表面120Aの温度を計測する従来の方法に比べて、型20の内部温度の上昇特性が向上する。よって、第1の温度T1を、より速く設定温度または飽和温度に到達させることが可能となる。更に、高周波誘導によるダイス22の外周部の発熱は、下記の数1で表される渦電流浸透深さに依存する。数1δ=5.03×√ρμf式中、δは電流浸透深さ、ρはダイス22の抵抗率、μは比透磁率、fは周波数をそれぞれ表す。このため、ダイス22の外側面20Aの酸化の進行に伴って、数1の式中のρがダイス22の直径方向に変化し、これに起因して発熱部位の内部進行が発生する。これにより、ダイス22の外側面20Aの放射温度計51による計測温度よりも、内部温度すなわち実温が高くなってしまうという問題が生じていた。この問題に対し、従来では経験や回数管理などで出来るだけ再現良く焼成するよう努力を重ねてきたが、厳しい温度及び時間管理を要求するような焼成に対しては対応し切れず、製品の出来上がりにばらつきが生じていた。一方、本実施の形態では、穴23の奥の端面23A穴23に閉端管24が嵌め込まれている場合には、閉端管24の内側の閉端面24Aにおける第1の温度T1を、放射温度計51により計測するようにしている。よって、加熱部40に高周波誘導加熱方式を採用している場合にも、ダイス22の外側面20Aの変質に起因する発熱部位の内部進行の影響を受けることなく、安定した、型20の内部温度をより反映した精度の高い温度計測が可能となる。図5は、上述のようにして第1の温度T1を計測および制御するのと並行して、図6に示したように、上部パンチ32の側面30Aにおける第2の温度T2を放射温度計52により計測した結果を表したものである図5の白丸;閉端管制御。また、図5には、図3に示したように、型120の外表面120Aの温度T101を計測および制御するのと並行して、上部パンチ132の側面130Aの温度T102を放射温度計152により計測した結果を併せて示す図5の黒菱形;ダイス外周部制御。なお、図5において、縦軸は上にいくほど高温であり、一目盛り10度に相当する。横軸は右にいくほど高温であり、一目盛り20度に相当する。図5から分かるように、型120の外表面120Aの温度T101を計測および制御した場合には、型120の外表面120Aの設定温度と上部パンチ132の側面130Aの温度T102との相関が見られないほど温度ばらつきが大きくなった。これに対して、閉端管24の内側の閉端面24Aにおける第1の温度T1を計測および制御した場合には、第1の温度T1の設定温度と上部パンチ32の側面30Aにおける第2の温度T2との間に相関が得られていた。また、型120の外表面120Aの温度T101を計測および制御した場合よりも、閉端管24の内側の閉端面24Aにおける第1の温度T1を計測および制御した場合のほうが、全般的に温度測定値が高めになった。これは、閉端管24の内側の閉端面24Aにおける第1の温度T1を計測および制御した場合には、よりダイス22内部に近い温度を測定し、制御した結果である。すなわち、型20の外側面20Aから内部方向に向かう穴23を設け、この穴23の奥の端面23Aにおける第1の温度T1を放射温度計51により計測するようにすれば、型20の外側面20Aの状態や消耗度合いなどの影響を抑え、安定した温度計測を行うことが可能となると共に、処理物10により近い部位の温度を計測することが可能となることが分かる。図7は、第1の温度T1が目標値設定温度に到達した時点を起点として、上部パンチ32の側面30Aにおける第2の温度T2を放射温度計52により計測した結果図7の実線;閉端管内部制御を表したものである。また、図7には、図3において型120の外表面120Aの温度T101が目標値設定温度に到達した時点を起点として、上部パンチ132の側面130Aの温度T102を放射温度計152により計測した結果図7の点線;ダイス外周制御を併せて示す。なお、図7において、縦軸は上にいくほど高温であり、一目盛り10度に相当する。横軸は左から右に向かって時間が経過し、第1の温度T1または型120の外表面120Aの温度T101が目標値設定温度に到達した時間を0として、一目盛り20分に相当する。図7から分かるように、閉端管24の内側の閉端面24Aにおける第1の温度T1を計測および制御した場合には、上部パンチ32の側面30Aにおける第2の温度T2、すなわち内部温度の立ち上がりが早く、更に、一度平衡に達したあとは一定温度に保たれていた。これは、ダイス22の外側面20Aの表面状態などの影響を受けないため、温度の安定性が改善されるからであると考えられる。一方、型120の外表面120Aの温度T101を計測および制御した場合には、上部パンチ132の側面130Aの温度T102の上昇が遅く、飽和温度に達したあとも脈動が見られた。この脈動は、図3および図4を参照して説明した鋸歯状の温度変動と同様の原因で生じるものである。すなわち、型20の外側面20Aから内部方向に向かう穴23を設け、この穴23の奥の端面23Aにおける第1の温度T1を放射温度計51により計測するようにすれば、温度制御性および安定性が向上すると共に、型20の内部すなわち処理物10により近い部位の温度上昇が改善され、焼結時間の短縮に寄与することが可能となることが分かる。加えて、本実施の形態では、図6に示したように、パンチ30の側面30Aにおける第2の温度T2を放射温度計52により計測し、第1の温度T1および第2の温度T2の計測結果に基づいて処理物10の加圧および加熱を制御することが好ましい。具体的には、第1の温度T1が目標値に達したのち、第2の温度T2が飽和した状態で処理物10の追加加圧、あるいは焼結時間のカウント開始、またはその両方を行うことが好ましい。これにより、処理物10の内部の温度均一性を改善することが可能となる。ここで、第2の温度T2は、図6に示したようにパンチ30の側面30Aにおいて計測することも可能であるし、あるいは、型20具体的にはインサートダイス21の上面あるいは下面において計測することも可能である。すなわち、ダイス22の外周部から加熱する場合の一般的な問題として、直径方向の温度分布が挙げられる。これは熱伝導率および熱容量に起因した現象で、従来では、多くの場合、焼成材料や焼成量、サイズ、形状に応じて最適な焼成結果を得るよう条件確認を繰り返し行い、温度の上昇速度や再加圧までの待機時間等を調整することにより適切な条件を導出していた。その他、上述した特許文献1のように高度な計算により基礎データを元にモデル化を行い、最適条件を求める例もあった。しかしながら、いずれの方法も、時間を要することが問題であった。本開示者らは、検討を重ねる中で、パンチ30またはインサートダイス21の表面温度の変化状態は、内部の処理物10の温度状態を示す指標になり得ることを見出した。パンチ30は処理物10と直接的に、場合によっては間接的に接し、処理物10の温度状態を反映すると考えられる。更に、パンチ30の側面30Aの温度と第1の温度T1との間には相関がある図5参照。。これらのことから、パンチ30の側面30A温度、もしくは類似した場所としてインサートダイス21の上面もしくは下面における第2の温度T2をモニターし、その様子に基づいて焼成を行うことが可能となる。具体的には、ある一定の条件下でダイス22、インサートダイス21、パンチ30等の蓄熱、放熱が平衡状態になったとき、パンチ30またはインサートダイス21の表面温度が平衡状態になる。パンチ30の側面30A、または型20具体的にはインサートダイス21の上面あるいは下面における第2の温度T2の絶対値は、加熱温度が一定であっても、処理物10である焼結材料やその充填量、パンチ30や型20の熱容量に依って変化するが、熱バランスの飽和に伴う温度変化は概略一定となる。このことから、図6に示したように、上述した第1の温度T1の計測および制御に加えて、パンチ30の側面30Aにおける第2の温度T2を計測するための放射温度計52を追加し、第1の温度の計測および制御と、第2の温度T2のモニタリングとを同時に行い、第2の温度T2が飽和した時点を基点に、追加加圧再加圧タイミングの決定、あるいは焼結時間のカウント開始、またはその両方を行う。このようにすることにより、条件確認の繰り返しや高度な計算を不要として、上述した直径方向の温度分布の問題を解消し、処理物10の内部の温度均一性を改善することが可能となる。図8は、上述のようにして第1の温度T1を計測および制御して第1の温度T1を所定の温度に昇温すると共に図8の実線;閉端管内部温度、これと並行して、上部パンチ32の側面30Aにおける第2の温度T2を放射温度計52により計測した図8の点線;パンチ側面温度結果を表したものである。なお、図8において、縦軸は上にいくほど高温であり、一目盛り50度に相当する。横軸は左から右に向かって時間が経過し、一目盛り20分に相当する。図8から、第1の温度T1が設定値1300°Cに到達したのち、約20min遅れて第2の温度T2が飽和していることが分かる。上部パンチ32の側面30Aの温度飽和は、処理物10への加熱と上部パンチ32からの放熱との均衡がとれたことを示しており、この系における温度飽和状態と見なすことができる。この熱平衡がとれた時点をトリガーとして追加加圧、あるいは焼結時間のカウント開始、またはその両方を行うことで、温度分布の再現性良い焼結を行うことが可能となる。例えば図8において、熱平衡がとれた後、マージンなども加味して例えばその10分後から追加加圧、あるいは焼結時間のカウント開始、またはその両方を開始することで、温度分布的に再現性良く焼結を行うことができる。なお、温度分布が完全に無くなるわけではない。以上のように、型20内の処理物10を、加熱部40の高周波誘導コイル41を用いて加熱すると共にパンチ30により加圧することにより、処理物10が焼結されて焼結体が形成される。このように本実施の形態では、型20の外側面20Aから内部方向に向かう穴23の奥の端面23Aにおける第1の温度T1を放射温度計51により計測するようにしたので、以下の効果を得ることが可能となる。1型20の外表面の状態や消耗度合いなどの影響を抑え、安定した温度計測を行うことが可能となる。よって、安定して且つ再現性の良い処理物10の温度制御が可能となる。2型20の外側面20Aの清浄化処理が不要となり、加熱を中断する必要がなくなる。3処理物10により近い部位の温度計測結果に基づいて昇温制御を行うことが可能となり、型20の内部温度の上昇特性が向上する。よって、第1の温度T1を、より速く設定温度または飽和温度に到達させることが可能となり、処理物10の昇温特性を改善することが可能となる。4加熱部40に高周波誘導加熱方式を採用している場合にも、ダイス22の外側面20Aの変質に起因する発熱部位の内部進行の影響を受けることなく、安定した、型20の内部温度をより反映した精度の高い温度計測が可能となる。また、本実施の形態では、パンチ30の側面30A、または型20具体的にはインサートダイス21の上面あるいは下面における第2の温度T2を放射温度計52により計測し、第1の温度T1および第2の温度T2の計測結果に基づいて処理物10の加圧および加熱を制御するようにしている。具体的には、第1の温度T1が目標値に達したのち、第2の温度T2が飽和した状態で処理物10の追加加圧、あるいは焼結時間のカウント開始、またはその両方を行うようにしている。これにより、条件確認の繰り返しや高度な計算を不要として、直径方向の温度分布の問題を解消し、処理物10の内部の温度均一性を改善することが可能となる。更に、一端に閉端面24Aを有する閉端管24を、その閉端面24Aをインサートダイス21の外側面21Aに接触させて穴23に嵌め込むようにしたので、穴23の内部が酸化によって劣化するのを抑え、長期的に安定した温度計測を行うことが可能となる。第2の実施の形態図9は、本開示の第2の実施の形態に係る焼結装置1Aの断面構成を表したものである。この焼結装置1Aは、穴23を、処理物10が型20に収納されたときに、型20の高さ方向z軸方向において処理物10の収納位置と異なる位置に設けるようにしたことを除いては、上記第1の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。従って、同一の構成要素については適宜説明を省略する。穴23は、上述したように、処理物10が型20に収納されたときに、型20の高さ方向z軸方向において処理物10の収納位置からずらした位置に設けられている。換言すれば、穴23は、処理物10の収納位置の直径方向延長線上を回避して設けられている。これは、応力シミュレーションの結果から、処理物10の焼結時にインサートダイス21およびダイス22に及ぼす応力が、処理物10の直径方向外方に集中することが分かったからである。このように穴23をz軸方向において処理物10の収納位置とは異なる高さに設けることにより、処理物10からの応力が穴23に直接加わるのを回避することが可能となる。なお、穴23は、図6に示したようにz方向において処理物10の収納位置よりも下低い位置に設けてもよいし、図示しないがz方向において処理物10の収納位置よりも上高い位置に設けてもよい。この焼結装置1Aを用いた焼結体の製造方法は、上記第1の実施の形態と同様である。このように本実施の形態では、穴23を、処理物10が型20に収納されたときに、型20の高さ方向において処理物10の収納位置と異なる位置に設けるようにしたので、焼結時に処理物10からの応力が穴23に直接加わるのを回避することが可能となる。以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、処理物10の充填量が一段である場合について説明したが、本開示は、処理物10が一段充填されている場合に限ったことではなく、処理物10を複数段充填した場合にも適用可能である。その場合、第2の実施の形態における穴23の位置は処理物10の充填位置や間隔に応じて変更する必要がある。また、上記実施の形態では、処理物10に下部パンチ31および上部パンチ32が直接接する場合について説明したが、処理物10と下部パンチ31または上部パンチ32との間に、同じ材料で構成されたカーボンペーパーやスペーサ板などが挟まれていてもよい。更に、上記実施の形態では、第2の温度T2の計測をパンチ30の側面30Aなどで行う場合について説明したが、パンチ30と加圧ラム34との間に熱伝導率および強度が高い部材図示せずを挿入して、その部材の側面の温度を計測することも可能である。加えて、例えば、上記実施の形態では、焼結装置1,1Aの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。本開示は、主としてセラミック系材料のスパッタリングターゲット用焼結装置およびこれを用いた焼結体の製造方法について有効であり、ターゲット材料を限定するものではない。なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。1処理物を収容すると共に、外側面から内部方向に向かう穴を有する型と、前記型内の処理物を加圧する加圧部材と、前記型内の処理物を加熱する加熱部とを備えた焼結装置。2前記穴は、前記処理物が前記型に収納されたときに、前記型の高さ方向において前記処理物の収納位置と異なる位置に設けられている前記1記載の焼結装置。3前記型は、外型と、前記外型の中に前記処理物の平面形状を規定する内型とを有し、前記穴は、前記外型の外側面から内側面まで設けられている前記1または2記載の焼結装置。4前記穴は、前記穴において露出している前記内型の外側面の温度を測定できるように設けられている前記3記載の焼結装置。5一端に閉端面を有する閉端管を備え、前記閉端管は、前記閉端面を前記内型の外側面に接触させて前記穴に嵌め込まれている前記3または4記載の焼結装置。6前記穴または前記閉端管の直径と奥行きとの比は、1:10以上である前記5記載の焼結装置。7前記閉端管は、酸化アルミニウム,酸化ジルコニウム,酸化ハフニウムあるいはこれらの複合材料、炭化ケイ素、またはそれらをによりカーボングラファイトに塗布をコーティングあるいは被覆した材料により構成されている前記5または6記載の焼結装置。8前記加熱部は、前記型の外側面を誘導加熱する高周波誘導コイルを有する前記1ないし7のいずれか1項に記載の焼結装置。9処理物を型に収容し、前記型内の処理物を加圧および加熱することにより前記処理物を焼結する焼結体の製造方法であって、前記型の外側面から内部方向に向かって設けられている穴の奥の端面における第1の温度を計測する焼結体の製造方法。10前記型は、外型と、前記外型の中に前記処理物の平面形状を規定する内型とを有し、前記穴は、前記外型の外側面から内側面まで設けられている前記9記載の焼結体の製造方法。11前記穴は、前記穴において露出している前記内型の外側面の温度を測定できるように設けられている前記10記載の焼結体の製造方法。12一方の端面に閉端面を有する閉端管が、前記閉端面を前記内型の外側面に接触させて前記穴に嵌め込まれており、前記第1の温度として前記閉端面の温度を計測する前記10または11記載の焼結体の製造方法。13前記型内の処理物を加圧する加圧部材の側面、または前記型の上面あるいは下面における第2の温度を計測し、前記第1の温度および前記第2の温度の計測結果に基づいて前記処理物の加圧または加熱を制御する前記9ないし12のいずれか1項に記載の焼結体の製造方法。14前記第1の温度が目標値に達したのち、前記第2の温度が飽和した状態で前記処理物の追加加圧、または焼結時間のカウント開始を行う前記13記載の焼結体の製造方法。15前記穴は、前記処理物が前記型に収納されたときに、前記型の高さ方向において前記処理物の収納位置と異なる位置に設けられている前記9ないし14のいずれか1項に記載の焼結体の製造方法。"