チタンを含有する金属化合物の膜を含む被処理基板を、フッ素を含有するガスを用いてエッチング処理するエッチング処理室内をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法において、前記プラズマクリーニングは、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いて、前記エッチング処理室内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物を除去するプラズマクリーニングであることを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記プラズマクリーニングは、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いたプラズマにさらにシリコンを供給して、前記エッチング処理室内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物を除去するプラズマクリーニングであることを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記プラズマクリーニングは、前記被処理基板を前記エッチング処理室内の試料台に載置した状態で行うことを特徴とするプラズマ処理方法。請求項1記載のプラズマ処理方法において、前記プラズマクリーニングは、前記エッチング処理室内の試料台に載置した前記被処理基板へ高周波電源を印加して行うことを特徴とするプラズマ処理方法。また、アルミニウム以外の例えばチタンを含む金属化合物をフッ素系ガス雰囲気でエッチングする際も、上述のフッ化アルミニウムと同様に、フッ化チタンの反応生成物が生成され、フッ化チタンの除去も困難である。図1の被処理基板102となる図3の製品ウエハのTiN膜203をエッチング処理することで飛散したフッ化チタンの堆積物がエッチング処理室101内に付着する。図1の処理室101内に付着したフッ化チタン堆積物はパーティクルやプラズマ変動の要因となる。このため処理室101内に付着したメタル系堆積物を除去することが必要である。しかし、上述した従来のプラズマクリーニングでのフッ化チタンの除去は不十分である。このため、この課題を鑑みて、本発明は、チタンを含有する金属化合物の膜を含むウエハをフッ素を含有するガスを用いてエッチングする処理室をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法を提供する。この課題は半導体製品ウエハ処理の前後にメタル系反応生成物の除去に有効なプロセスガスを用いRF-Biasを印加しながら、且つSiウエハを使用するプラズマクリーニングを施すことにより達成できる。実験の結果、メタル系反応生成物除去に効果的なプロセスガスはCl2、CHF3又はCl2、HBr等の組み合わせが有効で、RF-Biasを印加するのが望ましく、プラズマ生成中にSiウエハから供給されるSiも除去効率に大きな影響があることが分かった。本発明のプラズマ処理方法は、チタンを含有する金属化合物の膜を含む被処理基板を、フッ素を含有するガスを用いてエッチング処理するエッチング処理室内をプラズマクリーニングするプラズマ処理方法であって、前記プラズマクリーニングは、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いて、前記エッチング処理室内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物を除去するプラズマクリーニングであることを特徴とする。また、本発明のプラズマ処理方法は、更に、前記プラズマクリーニングは、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いたプラズマにさらにシリコンを供給して、前記エッチング処理室内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物を除去するプラズマクリーニングであることが望ましい。また、本発明のプラズマ処理方法は、更に、前記プラズマクリーニングは、前記被処理基板を前記エッチング処理室内の試料台に載置した状態で行うことが望ましい。また、本発明のプラズマ処理方法は、更に、前記プラズマクリーニングは、前記エッチング処理室内の試料台に載置した前記被処理基板へ高周波電源を印加して行うことが望ましい。本発明によれば、フッ化チタンをプラズマクリーニングによって除去することができる。以下、本発明の実施例を図1~図4を用いて説明する。図1は、プラズマ処理装置のプラズマ生成部に関する詳細を示しており、プラズマを形成する手段にマイクロ波と磁界を利用した、マイクロ波プラズマエッチング装置を示している。この装置ではエッチング処理室101にガス導入手段104から多孔構造の例えば、石英からなる透過窓105を介してエッチングガスが供給される。また、マイクロ波発生器図示しないから発振されたマイクロ波を整合器106及び導波管107を通しマイクロ波導入窓108よりエッチング処理室101に伝送して前記エッチングガスをプラズマ化する。高効率放電のため磁場発生用のソレノイドコイル109をエッチング処理室101の周辺に配置し、電子サイクロトロン共鳴を用いて高密度プラズマを発生させる。エッチング処理室101には試料台103があり、この上に被処理基板102を載置して、マイクロ波により生成されたガスプラズマによりエッチングする。被処理基板102を載置する試料台103には高周波電源113が接続され、400kHzから13.56MHzの高周波バイアスを印加できる構造となっている。試料台103の表面には、静電吸着電源110より直流電圧を印加することにより静電吸着力が発生し、被処理基板102が静電チャックにより、試料台103に吸着される。また、試料台103の表面には溝が形成され、吸着された被処理基板102の裏面間に形成される流路図示しないに、冷却ガス供給口112からHeの冷却ガスを供給し、流路内を所定圧力に維持できる構造となっている。被処理基板102の表面の温度上昇は、流路におけるガス伝熱と接触面からの熱伝導にて、試料台103の表面へ熱伝達され、一定温度に維持される。被処理基板102を一定温度に維持するため、試料台103の内部に埋設された冷媒循環経路は、内側と外側からなる2冷媒構造となっており、チラーユニット111により内側と外側で個別に指定された温度が制御された冷媒が循環される。なお、エッチング処理室101に導入されたエッチングガスは、エッチング完了後、ターボ分子ポンプ114、ドライポンプ115及び排気配管によりエッチング処理室101の外に排気される。次に、本発明のエッチング方法の具体的な実施例を以下、説明する。下記に製品ウエハの処理フローを説明する。図4に製品ウエハ及びプラズマクリーニングの処理フローを示す。処理フローとしては、第1にエッチング処理室101内に被処理基板102となる製品ウエハを搬送手段図示せずにより搬入S01し、これを試料台103に搭載する。第2に被処理基板102となる製品ウエハの処理S02を行う。図2及び図3に被処理基板102となる製品ウエハの膜構造を示す。上から第1の膜のレジスト膜201、第2の膜の有機膜202、第3の膜の窒化チタン以下、TiNと称する。のTiN膜203、第4の膜のLow-k膜204があり、これらの膜を上から順番に各々違うエッチング条件を設定し、図2に示すように、第2の膜である有機膜202の処理には、第1の膜であるレジスト膜201をマスクとして、例えば、CHF3ガス、SF6ガスからなる混合ガスを使用してエッチング処理を行い、図3に示すように、第3の膜のTiN膜203の処理には第1の膜であるレジスト膜201と第2の膜である有機膜202をマスクとしてArガス、Cl2ガス、CHF3ガスからなる混合ガスを使用してエッチング処理を行う。上記処理が終了したところで、第3に搬送手段図示せずにより、被処理基板102となる製品ウエハ搬出S03を行う。被処理基板102となる製品ウエハ搬入S01から製品ウエハ搬出S03までのフローを25枚分の被処理基板102について繰り返した後に、以下に示すプラズマクリーニングを行う。処理フローとしては、第1にエッチング処理室101内に被処理基板102となる製品クリーニングウエハを搬入S05、これを試料台103に搭載する。第2に被処理基板102となるクリーニングウエハの処理S06を表1の条件にて行う。上記処理が終了したところで、第3に被処理基板102となるクリーニングウエハ搬出S06を行う。下記に本発明の実施結果を説明する。上記クリーニングフローで、試料台103に搭載した被処理基板102となるクリーニングウエハの処理S06としてTiNウエハを使用し、これのウエハ中心部でのエッチングレートの速さにより処理室101内のメタル系堆積物除去速度の指標とした。被処理基板102となるクリーニングウエハの処理S06を行う条件としては、表1に示すように、ガスをCl2ガス100ml/min、CHF3ガス20ml/min、処理圧力を0.3Pa、マイクロ波電源出力を800W、被処理基板102へ印加する高周波電源113を0W、処理時間を100sとした。被処理基板102にシリコンSi膜露出面積率0のTiNウエハを用い、これを試料台103に載置し、TiN膜エッチングレート確認を行ったところ、表2に示すように、リファレンス条件では3.0nm/minの除去速度であり、一方、本発明では7.9nm/minの除去速度であり、本発明はリファレンス条件と比べ除去速度が約2.5倍速い結果となった。次に上記条件と同様に、ガスをCl2ガス100ml/min、CHF3ガス20ml/min、処理圧力を0.3Pa、マイクロ波電源出力を800W、被処理基板102へ印加する高周波電源113の出力を0W、処理時間クリーニング時間を100sとした条件で、被処理基板102にSi露出面積率を25、50、95とSi面積率を大きくしたTiN膜203のウエハを用い、これを試料台103に載置し、TiN膜203のエッチングレート確認を行ったところ、表2に示すように、Si面積率25の場合、リファレンス条件では4.0nm/minの除去速度、一方、本発明では30.3nm/minの除去速度、Si面積率50の場合、リファレンス条件では5.5nm/minの除去速度、本発明では47.6nm/minの除去速度、Si面積率95の場合、リファレンス条件では7.7nm/minの除去速度、一方、本発明では117.8nm/minの除去速度とリファレンス条件に比べ除去速度に極めて顕著な効果を奏することができる。この結果は、フッ化チタン系の反応生成物の除去に、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いたプラズマクリーニングが有効であることを示す。また、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスにシリコンを供給したプラズマによるクリーニングは、フッ化チタン系の反応生成物を更に除去できることを示す。次に表2に示す条件のうち被処理基板102へ印加する高周波電源113の印加の変更について検討した。条件としては、ガスをCl2ガス100ml/minとCHF3ガス20ml/minの混合ガス、処理圧力を0.3Pa、マイクロ波電源出力を800W、被処理基板102へ印加する高周波電源113の電力を80W、処理時間を100sとした。被処理基板102にSi膜の露出面積率を0、25、50、95とSiの露出面積率を大きくしたTiNウエハを用い、これを試料台103に載置し、TiN膜のエッチングレート確認を行ったところ、表3に示すようにSi面積率0の場合、リファレンス条件2では12.0nm/minの除去速度、一方、本発明では332.5nm/minの除去速度、Si面積率25の場合、リファレンス条件2では17.0nm/minの除去速度、一方、本発明では125.0nm/minの除去速度、Si面積率50の場合、リファレンス条件2では21.0nm/minの除去速度、一方、本発明では196.9nm/minの除去速度、Si面積率95の場合、リファレンス条件2では30.0nm/minの除去速度、一方、本発明では270.0nm/minの除去速度であり、リファレンス条件2に比べ除去速度に極めて顕著な効果を奏することができる。以上の結果より、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用い、高周波電源113を試料台103に80W印加した場合、被処理基板102のSi露出面積率が大きいほど、TiN膜203の除去速度は増加する。このことは、フッ化チタン系の堆積物除去にプラズマ中へのシリコン供給が効果的であることを示す。このため、Siの供給方法としては、SiF4、SiCl4、SiHCl3等のシリコン含有ガスを用いてシリコンを供給しても良い。以上、本発明であるCl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いたプラズマによるプラズマクリーニングにより、フッ化チタン系の反応生成物を十分に除去できる。また、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いたプラズマにシリコンを供給したプラズマクリーニングにより、フッ化チタン系の反応生成物の除去の効果が更に向上する。尚、本発明のCl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いたプラズマへのシリコンの供給方法は、シリコンウエハを試料台103に載置させた状態でのCl2ガスとCHF3ガスの混合ガスを用いたプラズマクリーニング、または、Cl2ガスとCHF3ガスの混合ガスにシリコンを含有したガスを添加したプラズマクリーニングの少なくとも一方を用いるとする。また、本実施例は、窒化チタン膜を用いた実施例であるが、チタン含有金属化合物の膜でも、本実施例と同様の効果が得られる。また、本実施例は、製品ウエハを25枚エッチング処理した後に本発明のプラズマクリーニングを実施した例であるが、本発明のプラズマクリーニングを実施した後に製品ウエハを25枚エッチング処理しても良い。また、製品ウエハの任意の枚数毎に、本発明のプラズマクリーニングを実施しても良い。本発明によれば、半導体製品ウエハのエッチング処理過程でエッチング処理室内に蓄積されるフッ化チタン系反応生成物の除去を効率的に行い、エッチングチャンバー内における異物の低減、エッチング形状不良エッチング阻害の低減、チャンバー大気解放を伴う清掃頻度の低減ができ、装置の稼働率の向上を図ることができる。以上、上記実施形態を述べたが、この発明はこの形態に限られるものではなく、例えば、本実施例ではマイクロ波ECRプラズマエッチング装置を用いたが、本発明の圧力範囲が使用可能なプラズマエッチング装置であれば磁場を用いない容量結合型や誘導結合型等、種々のプラズマエッチング装置に適用できるものである。