化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーであって、支持体と、前記支持体の上層をなす接着層内に含められた砥粒であって、約90マイクロン未満の平均粒径を有する、砥粒と、を備え、前記CMPパッドコンディショナーが、約15マイクロン以下の平均表面粗さRaを有する上面を備える、CMPパッドコンディショナー。化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーであって、支持体と、前記支持体の上層をなす接着層内に含められた砥粒であって、炭化物を含む接着組成物が、前記砥粒の表面に存在する、砥粒と、を備え、前記CMPパッドコンディショナーが、約15マイクロン以下の平均表面粗さRaを有する上面を備える、CMPパッドコンディショナー。前記平均表面粗さRaが、約0.1マイクロン~約15マイクロンの範囲内である、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記CMPパッドコンディショナーの前記上面が、約100マイクロン以下の平均表面粗さRzを有する、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記平均表面粗さRzが、約1マイクロン~約100マイクロンの範囲内である、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記CMPパッドコンディショナーの前記上面が、約20マイクロン以下の平均表面粗さRrmsを有する、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記支持体が金属を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記支持体が鋼を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記支持体が、少なくとも約2のクロムを含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記支持体が、約2~約30の範囲内の量のクロムを含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記砥粒が、超砥粒材料を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記砥粒が、本質的にダイヤモンドからなる、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記砥粒が、約85マイクロン以下の平均粒径を有する、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記砥粒が、約1マイクロン~約90マイクロンの範囲内の平均粒径を有する、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、金属または金属合金を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、少なくとも1種類の遷移金属元素を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、Ni、Cr、Au、Ag、Pt、Pd、Rh、W、Ti、V、Co、Cu、Zn、Mo、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、NiおよびWを含む合金を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、互いに積層された一連の膜を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記各膜が金属元素を含む、請求項19に記載のCMPパッドコンディショナー。前記各膜が、隣接する膜の組成とは異なる組成を有することができる、請求項19に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、その全体積の約5体積以下の炭化物の結晶を含む、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、炭化物の結晶を本質的に含まない、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、炭化物の結晶を本質的に含まない、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記炭化物の結晶が、約50マイクロン以下の平均サイズを有する、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、前記砥粒の平均粒径の少なくとも約30の平均厚みを有する、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、前記砥粒の平均粒径の約30~約90の範囲内の平均厚みを有する、請求項1または2に記載のCMPパッドコンディショナー。化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーであって、支持体と、前記支持体の上層をなす接着層内に含められた砥粒であって、前記砥粒の外面が、炭化物を含む接着組成物を含み、前記砥粒が、露出された先端部を有し、前記露出された先端部の大部分が、導電性炭素膜を本質的に含まない、砥粒と、を備える、CMPパッドコンディショナー。前記砥粒の総数の少なくとも約80が、炭素膜を本質的に含まない露出された先端部を有する、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記CMPパッドコンディショナーの上面の平均表面粗さRaが、約15マイクロン以下である、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記CMPパッドコンディショナーの上面の平均表面粗さRaが、約0.1マイクロン~約15マイクロンの範囲内である、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。約100マイクロン以下の平均表面粗さRzを有する上面を備える、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記CMPパッドコンディショナーの上面の平均表面粗さRzが、約1マイクロン~約100マイクロンの範囲内である、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。約20マイクロン以下の平均表面粗さRrmsを有する上面を備える、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記CMPパッドコンディショナーの上面の平均表面粗さRrmsが、約0.1マイクロン~約20マイクロンの範囲内である、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記支持体が、少なくとも約2のクロムを含む、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記砥粒が、超砥粒材料を含む、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記砥粒が、本質的にダイヤモンドからなる、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記接着層が、炭化物の結晶を本質的に含まない、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。前記導電性炭素膜が多結晶である、請求項28に記載のCMPパッドコンディショナー。化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーを形成する方法であって、支持体の主面に砥粒を配置するステップと、前記砥粒の外面に接着組成物を形成するステップと、前記支持体の前記主面および前記砥粒の一部の上に接着層を堆積させて前記砥粒を前記支持体の前記主面に固定するステップと、を含む、方法。前記砥粒を前記支持体の主面に配置するステップの前に、前記支持体の前記主面に接着剤を配置するステップをさらに含む、請求項41に記載の方法。前記接着剤が有機材料を含む、請求項42に記載の方法。前記砥粒が、前記接着剤によって所定の位置に保持される、請求項42に記載の方法。前記堆積させるステップが、めっきするプロセスを含む、請求項41に記載の方法。前記堆積させるステップが、電気めっきするステップを含む、請求項45に記載の方法。前記堆積させるステップが、Ni、Cr、Au、Ag、Pt、Pd、Rh、W、Ti、V、Co、Cu、Zn、Mo、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属を含む接着層を電気めっきするステップを含む、請求項41に記載の方法。前記接着層を堆積させるステップの前に、前記砥粒および前記支持体の前記主面を洗浄するステップをさらに含む、請求項41に記載の方法。前記洗浄ステップが、プラズマ洗浄プロセスを含む、請求項48に記載の方法。前記洗浄ステップが、酸素、水素、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるプラズマ材料を含む、請求項49に記載の方法。前記洗浄ステップが、前記砥粒の前記表面の一部からの導電性炭素の薄膜の除去を含む、請求項48に記載の方法。前記形成するステップが、前記支持体および前記砥粒を加熱するステップを含む、請求項41に記載の方法。前記加熱するステップが、有機材料を接着剤から揮発させる、請求項52に記載の方法。前記加熱するステップが、化学反応を引き起こして前記接着組成物が形成される、請求項52に記載の方法。前記加熱するステップが、不活性雰囲気で行われる、請求項52に記載の方法。前記加熱するステップが、少なくとも約500°Cの加熱温度で行われる、請求項52に記載の方法。前記加熱するステップが、約700°C~約1200°Cの範囲内の加熱温度で行われる、請求項52に記載の方法。前記接着組成物が、前記砥粒と前記支持体との界面で形成される、請求項41に記載の方法。前記接着組成物が金属を含む、請求項41に記載の方法。前記接着組成物が遷移金属元素を含む、請求項59に記載の方法。前記接着組成物が炭化クロムを含む、請求項41に記載の方法。前記砥粒が、約300マイクロン以下の平均粒径を有する、請求項41に記載の方法。前記砥粒が、約1マイクロン~約90マイクロンの範囲内の平均粒径を有する、請求項41に記載の方法。前記接着層が、炭化クロムの結晶を本質的に含まない、請求項41に記載の方法。前記支持体が、金属または金属合金を含む、請求項41に記載の方法。前記支持体が、少なくとも約2のクロムを含む、請求項41に記載の方法。前記支持体が、約2~約30の範囲内の量のクロムを含む、請求項41に記載の方法。前記接着層を堆積させた後に、前記支持体を処理して前記砥粒と前記接着層との界面に第2の接着組成物を形成するステップをさらに含む、請求項41に記載の方法。前記処理するステップが、所定の温度に加熱して第2の接着組成物を形成するステップを含む、請求項68に記載の方法。したがって、産業界は、改善されたCMPパッドコンディショナーおよびその形成方法を要望し続けている。一態様によると、化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーを形成する方法は、支持体の主面に砥粒を配置するステップと、砥粒の外面に接着組成物を形成するステップと、支持体の主面および砥粒の一部の上に接着層を堆積させて砥粒を支持体の主面に固定するステップと、を含む。別の態様では、化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーは、支持体、およびこの支持体の上層をなす接着層内に含められた砥粒を備え、この砥粒が、約90マイクロン未満の平均粒径を有する。CMPパッドコンディショナーは、約15マイクロン以下の平均表面粗さRaを有する上面を備えている。なお別の実施形態では、化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーは、支持体、およびこの支持体の上層をなす接着層内に含められた砥粒を備えている。砥粒の外面は、炭化物を含む接着組成物を備え、砥粒は、露出された先端部を有し、この露出された先端部の大部分は、導電性炭素膜を本質的に含んでいない。別の態様によると、化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーは、支持体、およびこの支持体の上層をなす接着層内に含められた砥粒を備えている。炭化物を含む接着組成物が、砥粒の表面に存在する。CMPパッドコンディショナーは、約15マイクロン以下の平均表面粗さRaを有する上面を備えている。添付の図面を参照することにより、本開示をより良く理解することができ、本開示の様々な特徴および利点が、当業者には明らかになるであろう。異なる図面における同じ参照符号の使用は、同様または同一のアイテムを指す。以下の説明は、全体として単層研磨品に関し、より詳細には、金属材料を含む、結合層内に固定された砥粒を有する研磨品に関する。注目すべきことに、本明細書の実施形態の研磨品が、CMPパッドのコンディショニング用のエレクトロニクス産業で一般的に使用されている化学機械平坦化CMPパッドコンディショナーとして特に有用であり得る。一実施形態によると、CMPパッドコンディショナーを形成する方法は、砥粒を支持体の主面に配置するステップを含む。一般に、支持体は、砥粒を保持するのに適した大きさおよび形状を有することができる。特に、支持体は、砥粒を固定できる表面を提供するためのものである。一実施形態によると、支持体は、金属または金属合金材料から形成することができる。ある種の適した金属は、遷移金属元素、例えば、Fe、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、W、Zr、Ta、Cu、Zn、およびこれらの組み合わせを含み得る。一定の支持体は、鋼から形成することができる。特定の場合には、支持体は、少なくとも2のクロムを有する材料から形成することができ、クロムの特定の含有量が、形成プロセスの一定の態様を促進することができる。他の実施形態では、支持体は、より多くのクロム、例えば、少なくとも約5、少なくとも約8、または、さらには少なくとも約10のクロムを有することができる。特定の場合には、支持体は、約2~約30、例えば、約2~25、具体的には約10~20の範囲内のクロム含有量を有する材料から形成される。特に適した金属は、430ステンレス鋼、304ステンレス鋼、および440ステンレス鋼を含み得る。砥粒を支持体に配置する前に、支持体の主面を、砥粒の位置を一時的に保持することを目的とする組成物を用いて準備することができる。例えば、一実施形態によると、砥粒を支持体に配置する前に、接着剤を支持体の主面に配置することができる。接着剤は、テープ、層、または薄膜の形態で適用することができる。接着剤は、限定されるものではないが、印刷、吹き付け、スクリーニング、テープとして貼り付け、流延法、ブレーディング、およびこれらの組み合わせを含む様々な技術を用いて堆積させることができる。接着剤は、支持体の主面に対して砥粒を所定の位置に一時的に固定するのに適した厚みを有するように支持体の主面に適用することができる。一実施形態によると、接着剤は、有機材料を含み得る。適切な有機材料は、ポリマー、例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、アクリレート、ポリビニル、樹脂、エポキシ、およびこれらの組み合わせを含み得る。特定の一実施形態によると、接着剤は、大部分重量が水である水性接着剤とすることができる。特定の一実施形態によると、接着剤は、VittaCorporationが販売する感圧接着剤例えば、K4-2-4を含み得る。支持体の主面への砥粒の配置は、開口を有する形態すなわち、スクリーンが支持体上に配置され、砥粒がスクリーンに堆積されるスクリーニングプロセスを含み得る。砥粒は、スクリーンが開口を有する位置にある研磨層に配置されて接着される。特に、形成プロセスと配置プロセスの組み合わせにより、非常に微細な砥粒径例えば、90マイクロン未満を利用するCMPパッドコンディショナーの形成を容易にすることができる。砥粒は、特定のパターンを形成するように支持体の主面に配置することができる。例えば、砥粒は、短距離秩序も長距離秩序も有していないランダムな配置に接着層内に配置することができる。あるいは、砥粒の配置は、砥粒がパターンを有するように、さらには長距離秩序を有するパターン、例えば、格子例えば、面心立方パターン、立方パターン、六角形パターン、菱形パターン、螺旋パターン、ランダムパターン、およびこのようなパターンの組み合わせに配置されるように完成させることができる。特定の場合には、砥粒は、自己排除ランダム分布self-avoidingrandomdistributionすなわち、SARD商標パターンに配置されるように接着層内の特定の位置に配置することができる。砥粒は、少なくとも約1500kg/mm2のビッカース硬度を有し得るように、特に硬質の材料とすることができる。特定の場合には、砥粒は、材料、例えば、酸化物、ホウ化物、窒化物、炭化物、炭素系構造人工炭素系材料、例えば、フラーレンを含むを含み得る。一実施形態によると、砥粒は、超砥粒材料を含み得る。適切な超砥粒材料は、立方晶窒化ホウ素、ダイヤモンド、およびこれらの組み合わせを含み得る。特定の場合には、砥粒は、本質的に立方晶窒化ホウ素から構成することができる。なお、他の例では、砥粒は、本質的にダイヤモンドから構成することができる。一実施形態によると、CMPパッドコンディショナーに利用される砥粒は、約300マイクロン以下の平均粒径を有することができる。他の場合には、砥粒は、例えば、250マイクロン以下、200マイクロン以下、150マイクロン以下、または、さらには約100マイクロン以下の平均粒径を有することができる。一定のCMPパッドコンディションは、従来のCMPパッドコンディショナーに利用される砥粒よりも著しく小さい平均粒径を有する砥粒を利用することができる。例えば、砥粒径は、約90マイクロン以下、約85マイクロン以下、約80マイクロン以下、または、さらには約75マイクロン以下とすることができる。特定の場合には、CMPパッドコンディショナーは、約1マイクロン~約90マイクロン、例えば、約1マイクロン~約85マイクロン、または、さらには約1マイクロン~80マイクロンの範囲内の平均粒径を有する砥粒を利用することができる。支持体の主面に砥粒を配置した後、CMPパッドコンディショナーを形成する方法は、砥粒の外面に接着組成物すなわち、第1の接着組成物を形成するステップによって続けることができる。接着組成物を、砥粒と支持体との界面に形成して、砥粒と支持体の表面との間を接着することができる。接着組成物は、支持体の主面に対して各砥粒の位置を固定するのに十分な強度を有することができ、従って形成プロセスに亘って支持体の主面に対して砥粒を最初の位置に維持することが容易になる。注目すべきことに、このようなプロセスは、研磨粒子の最初の位置を移動させ得る他の従来のプロセスとは異なる。一実施形態によると、接着組成物を形成するプロセスは、支持体、接着剤、および砥粒を含むプリフォームを加熱するステップを含み得る。この加熱プロセスは、支持体の成分と砥粒の成分との間に化学反応を引き起こすことができ、結果として砥粒と支持体との界面に接着組成物が形成される。一実施形態によると、加熱プロセスは、少なくとも約500°Cの加熱温度で行うことができる。他の実施形態では、加熱温度は、より高温、例えば、少なくとも約600°C、700°C、または、さらには800°Cにすることができる。特定のプロセスは、約700°C~約1200°C、具体的には約800°C~1100°Cの範囲内の加熱温度を利用することができる。加熱プロセスは、特定の加熱時間で行うことができ、この間、プリフォームが加熱温度に維持される。加熱時間は、少なくとも約5分、少なくとも約10分、または、さらには少なくとも約15分とすることができる。一定の実施形態は、約5分~約90分、例えば、約5分~60分、または、さらには約10分~約40分の範囲内の加熱時間を利用することができる。接着組成物の形成中に、プリフォームを、不活性雰囲気を有するチャンバ内に配置することができる。特に、不活性ガスをチャンバ内に供給することができるため、不活性雰囲気を制御することができる。例えば、不活性ガスを、形成プロセス中に支持体の表面および砥粒の上に流して、砥粒および/または支持体の表面の酸化を防止することができる。他の場合には、チャンバ内の不活性雰囲気を減圧雰囲気にすることができるため、チャンバ内の不活性雰囲気を制御することができる。あるプロセスによると、プリフォームを含むチャンバは、周囲大気よりも低い圧力を有することができるため、形成プロセスを、低い酸素分圧を有する雰囲気で行うことができる。例えば、接着組成物の形成中のチャンバ内の圧力は、約10-1トル以下、例えば、約10-2トル以下、約10-3トル以下、または、さらには約10-4トル以下とすることができる。特定の実施形態は、約10-2トル~約10-6トルの範囲内のチャンバ内の圧力を利用することができる。形成プロセス中、特に加熱プロセス中に、支持体の主面上の接着剤を変化させることができる。例えば、加熱を、接着剤の成分が支持体の主面から揮発するのに十分な温度および雰囲気中で行うことができる。揮発は、接着剤の一定の化学成分を気相に変化させることを含むことを理解されたい。さらに、形成中にプリフォームを覆うチャンバ内の雰囲気は、揮発した化学種の雰囲気をパージするのに十分な速度で流れる気体を有することができる。例えば、少なくとも約5ml/分、例えば、少なくとも約50ml/分、少なくとも約100ml/分、特に約5ml/分~約500ml/分の範囲内の速度で気体を流すことができる。一実施形態によると、接着組成物は、金属材料を含み得る。特定の場合には、接着組成物は、少なくとも1種類の遷移金属元素を含み得る。具体的には、接着組成物は、炭化物、ホウ化物、窒化物を含む化合物を含み得る。特定の場合には、接着組成物は、炭化クロムを含み得、この炭化クロムは、支持体中に含まれるクロムと砥粒中に存在する炭素との間の化学反応によって形成される反応生成物とすることができる。特定の一実施形態によると、接着組成物は、本質的に炭化クロムからなる。砥粒の外面に接着組成物を形成した後、このプロセスは、任意の洗浄プロセスを行うことによって続けることができる。一実施形態によると、洗浄プロセスを行って、支持体の主面および砥粒の残留物、例えば、有機物および他の物質を除去することができる。洗浄作業は、支持体の主面および砥粒に高エネルギー粒子を衝突させるプラズマ洗浄プロセスを含み得る。一実施形態によると、プラズマ洗浄プロセスのために選択されるプラズマの材料は、例えば、酸素、水素、およびこれらの組み合わせを含む気体材料を含み得る。特定の場合には、洗浄プロセスは、砥粒の表面に形成される導電性皮膜の一定の成分を除去することができる。一定の形成プロセス中に、ダイヤモンドの砥粒を利用する調合物において、特にダイヤモンド砥粒の文脈では、導電性炭素膜を砥粒の表面に形成することができる。砥粒の先端部における導電性炭素膜の存在は、最終的に形成されるCMPパッドコンディショナーの性能を制限することがあり、さらに、高感度電子機器産業においては、コンディショナーの動作中に異物として作用し得る。本明細書の実施形態によると、CMPパッドコンディショナーは、砥粒の大部分すなわち、約50超が、本質的に導電性炭素膜を含まない露出された先端部を有するように形成することができる。例えば、砥粒の総数の少なくとも80が、本質的に導電性炭素膜を含まない露出された先端部を有し得る。他の場合には、砥粒の少なくとも95、または、さらには少なくとも約99が、本質的に導電性炭素膜を含まない露出された先端部を有する。導電性炭素膜は、一定のイメージング技術例えば、光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡によって確認することができ、多結晶形の炭素として存在し得ることを理解されたい。CMPパッドコンディショナーを形成する方法は、支持体の主面およびこの支持体の主面にある砥粒の一部の上に接着層を堆積することによって続けることができる。接着層は、持続的に接着して、砥粒の支持体の主面への永続的な固定を促進することができる。一実施形態によると、接着層は、金属または金属合金材料を含み得る。一定の場合には、接着層は、少なくとも1種類の遷移金属元素を含むように形成することができる。具体的には、接着層は、金属、例えば、Ni、Cr、Au、Ag、Pt、Pd、Rh、W、Ti、V、Co、Cu、Zn、Mo、およびこれらの組み合わせから形成することができる。ある特定のCMPパッドコンディショナーは、ニッケルとタングステンの合金を有する接着層を含む。一実施形態によると、接着層は、互いに積層された一連の膜から形成することができる。接着層は、複数の膜、具体的には、互いに接着された一連の金属膜を含み得る。例えば、接着層は、一連の膜から形成することができ、連続的な膜はそれぞれ、直接隣接するまたは当接する膜の組成とは異なる組成を有することができる。例えば、連続的な膜間の組成の差異は、2つの膜間の元素成分の少なくとも2の差異を含み得る。例えば、下側の膜は、ニッケルを99含むことができ、直接隣接した上側の膜は、97以下のニッケルの量を有することができ、異なる組成の膜と見なすことができる。接着層を堆積するプロセスは、めっきプロセスを含み得る。具体的には、めっきプロセスは、電気めっきプロセスとすることができ、砥粒および接着組成物を有する支持体を電気めっき環境すなわち、電気めっきタンク内に浸漬するステップを含み得る。接着層の堆積は、接着層の厚みが制御されるように行うことができる。例えば、接着層は、砥粒の平均粒径の少なくとも30である平均厚みを有するように形成することができる。他の場合には、接着層は、砥粒の平均粒径の少なくとも40、例えば、少なくとも50、または、さらには少なくとも約60の平均厚みを有することができる。特定の場合には、接着層は、砥粒の平均粒径の約30~90、例えば、約50~80、または、さらに具体的には約55~70の範囲内の平均厚みを有することができる。支持体の主面および砥粒の一部の上に接着層を堆積させた後、このプロセスは、第2の接着組成物を形成するステップを含む任意の処理で続けることができる。このような処理は、接着層を堆積させて第2の接着組成物を砥粒と接着層との界面に形成するステップの後にこのアセンブリを加熱するステップを含み得る。このような処理は、第2の接着組成物を形成するのに十分な温度まで加熱するステップを含み得、第2の接着組成物は、接着層、砥粒、および第1の接着組成物の少なくとも2種類の化学成分間の反応生成物とすることができる。例えば、第2の接着組成物は、接着層の砥粒の界面に形成される炭化組成物または窒化組成物を含み得る。具体的には、第2の接着組成物は、炭化タングステン材料を含み得る。第2の接着組成物としての炭化タングステン材料の形成を、接着層中のタングステンおよびダイヤモンドからなる砥粒の使用によって促進することができることを理解されたい。第2の接着組成物として形成することができる他の適切な材料は、炭化クロム、炭化チタン、および窒化チタンなどを含み得る。図1は、従来のCMPパッドコンディショナーの一部の上方からの画像を含む。例示されているように、従来のCMPパッドコンディショナーは、ろう付け材料101内に固定された砥粒103を含み得る。ろう付け材料は、砥粒間に非常に粗い表面を有する金属を含み得る。さらに、ろう付け材料101は、その体積中に分散された晶子105を含んでも良く、晶子105は、ろう付け材料101内の局部応力の領域を発生させ得る炭化クロム結晶である。図2は、一実施形態に従って形成されたCMPパッドコンディショナーの一部の上方からの画像を含む。例示されているように、CMPパッドコンディショナーは、接着層201内に固定された砥粒203を含む。接着層201は、炭化物の結晶が限られている。実際、接着層201は、炭化物の結晶が全接着層201の5体積以下となるように形成することができる。他の場合には、接着層201は、その全体積の約3体積以下、2体積以下の炭化物の結晶を有し得る。一定のCMPパッドコンディショナー201は、本質的に炭化物の結晶を接着層201内に含まなくても良い。図2の画像から分かるように、CMPパッドコンディショナーは、特定の表面形状を有する接着層201を備えている。注目すべきことに、本明細書の実施形態に開示されるプロセスの制御は、砥粒の制御された露出および接着層201のより均一な高さを有するCMPパッドコンディショナーの形成を容易にするため、表面形状の均一性が、従来通り形成されるCMPパッドコンディショナーと比較して改善される。したがって、接着層201の表面よりも上にある砥粒203の突出部の一貫性が、より良く制御されて、砥粒間でより均一である。これは、CMPパッドコンディショナーの上面の表面粗さによって証明されている。上面の平均表面粗さの測定は、接着層201の外面およびこの接着層201内に含められた砥粒203の測定を含む。例えば、CMPパッドコンディショナーは、約15マイクロン以下の平均表面粗さRaを有する上面を有することができる。平均表面粗さRaは、試料領域3mm×3mmに亘る平均線からの表面形状上の点の距離Vの算術平均である。試料を、Zygo3D表面形状測定装置Zygo3DSurfaceProfilometer白色光色収差技術を用いて調べた。パラメータを、ISO4287標準および/またはEUR15178EN報告書で正規化した。他の実施形態によると、CMPパッドコンディショナーは、約12マイクロン以下、例えば、約10マイクロン以下、約8マイクロン以下、約6マイクロン以下、または、さらには約4マイクロン以下の平均表面粗さRaを有する上面を有することができる。特定の実施形態では、CMPパッドコンディショナーの上面は、約0.1マイクロン~約15マイクロン、例えば、約0.1マイクロン~10マイクロン、具体的には約0.1マイクロン~約8マイクロンの範囲内の平均表面粗さRaを有することができる。さらに、CMPパッドコンディショナーは、Zygo3D表面形状測定装置を用いた測定で約100マイクロン以下の表面粗さRzを有する上面を有することができる。表面粗さRzは、試料領域3mm×3mm内の5つの最も高いピークと5つの最も低い谷との間の平均差であり、これらの高さは、表面形状に交差しない平均線に対して平行な線から測定される。一定のCMPパッドコンディショナーは、約90マイクロン以下、例えば、約80マイクロン以下、約70マイクロン以下、約60マイクロン以下、または、さらには約50マイクロン以下の表面粗さRzを有する上面を有することができる。一実施形態によると、CMPパッドコンディショナーは、約1マイクロン~約100マイクロン、例えば、約1マイクロン~約70マイクロン、具体的には約1マイクロン~約50マイクロンの範囲内の表面粗さRzを有する上面を有することができる。本明細書の実施形態のCMPパッドコンディショナーは、Zygo3D表面形状測定装置を用いた測定で約20マイクロン以下の表面粗さRrmsを有する上面をさらに備えることができる。この表面粗さRrmsは、試料領域3mm×3mm内の平均線からの表面形状の平均標準偏差Yと定義される。実際、CMPパッドコンディショナーは、約15マイクロン以下、例えば、約12マイクロン以下、または、さらには約10マイクロン以下の表面粗さRrmsを有することができる。特定の場合には、接着層201は、約0.1マイクロン~約20マイクロン、例えば、約0.1マイクロン~15マイクロン、または、さらには約0.1~10マイクロンの範囲内の表面粗さRrmsを有することができる。さらに、本明細書の実施形態のCMPパッドコンディショナーは、厚みのばらつきが改善された接着層を有することができる。例えば、接着層の厚みは、平均厚みからばらつきがあり得、このばらつきは、支持体に亘る接着層の全幅に沿った少なくとも約10点の測定平均から標準偏差として測定され、約50以下とすることができる。他の場合には、接着の厚みのばらつきは、約40以下、約30以下、約20以下、または、さらには約10以下とすることができる。さらに、図1に例示されているように、従来のろう付けCMPパッドコンディショナーは、支持体の表面全体に砥粒群107を有し得る。砥粒群107は、典型的には、高温プロセスによって形成され、この高温プロセスでは、接着材料が、高温で液体となり、ろう付け材料の流れが促進され、砥粒103の互いに対するおよび支持体の主面に対する移動がさらに促進され得る。砥粒群107は、CMPコンディションのコンディショニング性能を制限し得る。砥粒群107は、3つ以上の砥粒の群を表し、これらの群は、最初の意図した位置から著しい認識可能なずれた位置にあり、群内の砥粒間の平均間隔は、CMPコンディショナーの表面全体の砥粒間の平均間隔より少なくとも30少ない。砥粒の平均間隔は、1つの砥粒とその周囲の最も近い砥粒との間の平均距離として測定される。平均間隔は、CMPコンディショナーの表面全体に亘る少なくとも25のランダムな砥粒のサンプリングに基づいている。対照的に、図2のCMPパッドコンディショナーは、限られた砥粒群を示している。実際、1cm2のCMPパッドコンディショナーの特定の領域の比較において、図2のCMPパッドコンディショナーは、図1の従来のCMPパッドコンディショナーよりも少なくとも5少ない砥粒群を有する。本明細書の実施形態の形成プロセスは、砥粒の最初の位置、従って砥粒間の最初の間隔を維持することを容易にし、砥粒群を限定する。図3は、図1の一部の拡大画像を含む。例示されているように、拡大SEM画像に例示されている砥粒103は、接着層101の上に延在する暗い露出された先端部を有する。対照的に、図4を参照すると、図2のCMPパッドコンディショナーの一部の拡大SEM画像が示されている。注目すべきことに、図4の砥粒203の大部分は、例示されているように、接着層201上に延在する明るいまたは光った露出された先端部を有する。砥粒203の露出された先端部が明るいという性質は、露出された先端部が導電性炭素膜を本質的に含まないことを証明している。図3の砥粒の露出された先端部の暗い色は、砥粒103が、露出された先端部に相当な量の導電性炭素を有することを実証している。実施例1約16のクロムを有する430ステンレス鋼支持体を、VittaCorporationが販売する感圧接着剤K4-2-4で被覆する。この接着剤は、支持体の主面に貼り付けることができるテープの形態である。接着剤を貼り付けた後、151マイクロンの平均粒径を有するダイヤモンドの砥粒を、スクリーニングプロセスを用いて接着剤に配置する。砥粒が、接着剤の中に十分に埋め込まれてコンディショナープリフォームが形成された後に、このプリフォームを、チャンバ内に配置して、20分間、1020°Cに加熱する。加熱中、大気圧を、約10-5トルに減圧する。この加熱が、砥粒の表面および支持体と砥粒との間の界面に炭化クロムの接着層を形成すると共に、有機物および水を接着層から揮発させる。プリフォームの加熱の後に、プラズマ洗浄プロセスを、酸素プラズマを用いて行って残存有機物を除去し、砥粒を浄化する。次いで、プリフォームを電気めっきタンク内に入れてニッケルの接着層を形成する。この接着層は、約140マイクロンの平均厚みを有していた。表面形状は、本明細書の実施形態の記載に従ってZygo3D表面形状測定装置を用いて測定した。測定の試料領域は、3mm×3mmとした。平均表面粗さRa、表面粗さRz、表面粗さRrms、およびピークから谷までの平均の測定値を、実施例1の試料ならびに図1および図3に例示されている比較用の従来のCMPコンディショナーについて以下の表1に示す。上に示したように、実施例1のCMPパッドコンディショナーは、全ての項目において比較試料よりも改善された表面形状特性を有する。実際、一定の場合には、実施例1は、比較試料に対してほぼ10倍改善されている一定の表面特性の差異を実証している。本明細書に開示されるCMPパッドコンディショナーおよびその形成方法は、最先端技術からの進展を表している。具体的には、本明細書の実施形態に従ったCMPパッドコンディショナーを形成する方法は、砥粒のその最初の位置への固定、および形成プロセス全体に亘る砥粒の最初の位置への維持を容易にする。さらに、形成プロセスは、砥粒と支持体との界面における接着組成物の形成を容易にし、さらに、厚みのばらつきが制御され、CMPパッドコンディショナーの表面全体の砥粒の露出の制御が改善された接着層の形成を容易にする。さらに、本明細書の実施形態のCMPパッドコンディショナーは、砥粒間の間隔の制御の改善、砥粒の露出された先端部における導電性炭素膜の限定された存在、接着層の厚みおよび厚みのばらつきの制御、ならびに表面粗さおよび接着層内の炭化物の結晶の存在の制御を含む特徴の組み合わせを含む。前記説明において、特定の実施形態および一定の構成要素の接続についての言及は例示目的である。結合または接続されている構成要素についての言及が、本明細書に開示される方法を実施するための、前記構成要素間の直接的な接続または1つ以上の介在構成要素を介した間接的な接続を開示することを意図することを理解されたい。したがって、上記開示された主題は、制限ではなく例示目的と見なされるべきであり、添付の特許請求の範囲は、本発明の実際の範囲内であるこのような全ての変更、改良、および他の実施形態を含むことを意図するものである。したがって、法律が最大限許容する範囲内で、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲およびその等価物の許容され得る最も広い解釈によって決定されるべきであり、前述の詳細な説明を制限するものでも限定するものでもない。アブストラクトの開示は、特許法を遵守するために記載され、特許請求の範囲または趣旨を解釈するまたは限定するために使用されるものではないという理解の下で提出される。加えて、前述の図面の詳細な説明において、この開示を効率化することを目的として、様々な特徴を1つの実施形態にまとめるまたは記載することができる。この開示は、請求の対象となる実施形態が、各請求項に明示される特徴よりも多くの特徴を必要とするという考えを反映すると解釈されるべきものではない。むしろ、添付の特許請求の範囲が反映するように、発明の主題は、任意の開示される実施形態の全ての特徴よりも少なくなることもある。したがって、添付の特許請求の範囲は、図面の詳細な説明に組み入れられるものであり、それぞれの請求項は、個別に請求される主題を定義するものである。