"入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板、および当該第1基板に積層され、入射された放射線を放射線画像に変換する第2基板を有する放射線検出器と、前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する生成手段と、前記生成手段による動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記生成手段によって前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御する制御手段と、を備えた放射線画像撮影装置。前記予め定められたタイミングは、前記生成手段により前記動画像の生成を開始した直後の第1タイミング、当該動画像の生成を終了する直前の第2タイミング、および前記第1タイミングと前記第2タイミングの間の第3タイミングの少なくとも1つのタイミングである請求項1記載の放射線画像撮影装置。前記第1基板および前記第2基板は、前記放射線画像をインタレース読み出しによって読み出すものであり、前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域は、前記第1画像情報における奇数行の画像情報に対応する領域で、かつ前記第2画像情報における偶数行の画像情報に対応する領域か、または前記第1画像情報における偶数行の画像情報に対応する領域で、かつ前記第2画像情報における奇数行の画像情報に対応する領域である請求項1または請求項2記載の放射線画像撮影装置。前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域は、前記第1画像情報により示される第1画像および前記第2画像情報により示される第2画像を、互いに共通する境界線で部分領域に分割した場合の、前記第1画像と前記第2画像とで互いに異なる部分領域である請求項1または請求項2記載の放射線画像撮影装置。前記リセット処理は、リセット処理の対象とする基板が間接変換方式のものである場合における当該基板の各画素に対して光を照射することによる第1リセット処理、リセット処理の対象とする基板の各画素に対するバイアス電圧の供給状態を制御することによる第2リセット処理、およびリセット処理の対象とする基板の各画素に蓄積された電荷を放出させることによる第3リセット処理の少なくとも1つである請求項1から請求項4の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第1基板は、入射された放射線を電荷に直接変換する直接変換方式のものであり、前記第2基板は、入射された放射線を光に変換した後、当該光を電荷に変換する間接変換方式のものである請求項1から請求項5の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第2基板は、前記第1基板の放射線が入射される面とは反対側の面に積層されている請求項6記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記リセット処理を実行している際の放射線画像の撮影に用いる放射線の照射量を、前記リセット処理を実行していない場合の放射線画像の撮影に用いる放射線の照射量より多くするように制御する請求項1から請求項7の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。前記第1基板および前記第2基板は、互いに同一の解像度とされている請求項1から請求項8の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。コンピュータを、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板、および当該第1基板に積層され、入射された放射線を放射線画像に変換する第2基板を有する放射線検出器における前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する生成手段と、前記生成手段による動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記生成手段によって前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御する制御手段と、として機能させるためのプログラム。入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板、および当該第1基板に積層され、入射された放射線を放射線画像に変換する第2基板を有する放射線検出器における前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する生成工程と、前記生成工程による動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記生成工程によって前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御する制御工程と、を有する放射線画像撮影方法。ところで、放射線画像撮影装置によって動画撮影透視画撮影を行う際には、ある程度の撮影回数でリセット処理を実行しないと、上記残像が放射線画像に重畳する可能性がある。そこで、放射線を間欠的に照射しつつ動画撮影を行う場合には、放射線の非照射時にリセット処理を実行することが考えられる。しかしながら、動画撮影のフレームレートが高くなって撮影間隔が短くなると、放射線の非照射時にリセット処理を実行することが困難となり、放射線の照射中にリセット処理を実行せざるを得ない。これに対し、上記特許文献1~特許文献3に開示されているリセット処理では、何れも放射線検出器に蓄積された電荷を読み出してグランドに放出させるというものであり、このようなリセット処理が任意のフレームにおける放射線の照射中に実行されると、当該フレームにおいて所望の動画像を取得することができなくなる、という問題点があった。そのため、例えば、作業者が動画像を見ながら所定の作業を行う場合例えば、医師が動画像を見ながら患者にカテーテルを挿入する手術を行う場合に、任意のフレームにおける放射線の照射中にリセット処理が実行されると、次の動画像が取得されるまで、当該作業を中断せざるを得ない。本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、動画像の撮影を継続しつつ、リセット処理を実行することができる放射線画像撮影装置、プログラムおよび放射線画像撮影方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1記載の放射線画像撮影装置は、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板、および当該第1基板に積層され、入射された放射線を放射線画像に変換する第2基板を有する放射線検出器と、前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する生成手段と、前記生成手段による動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記生成手段によって前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御する制御手段と、を備えている。請求項1に記載の放射線画像撮影装置によれば、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板、および当該第1基板に積層され、入射された放射線を放射線画像に変換する第2基板を有する放射線検出器により、放射線画像の撮影が行われる。また、本発明では、生成手段により、前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像が生成される。ここで、本発明では、制御手段により、前記生成手段による動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記生成手段によって前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御される。このように、請求項1に記載の放射線画像撮影装置によれば、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板および第2基板の2枚の基板を備え、前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する一方、当該動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御しているので、動画像の撮影を継続しつつ、リセット処理を実行することができる。なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記予め定められたタイミングが、前記生成手段により前記動画像の生成を開始した直後の第1タイミング、当該動画像の生成を終了する直前の第2タイミング、および前記第1タイミングと前記第2タイミングの間の第3タイミングの少なくとも1つのタイミングとしてもよい。これにより、動画像の用途や、動画像を参照する人の好み等に応じた適切なタイミングでリセット処理を実行することができる。また、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記第1基板および前記第2基板が、前記放射線画像をインタレース読み出しによって読み出すものであり、前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域を、前記第1画像情報における奇数行の画像情報に対応する領域で、かつ前記第2画像情報における偶数行の画像情報に対応する領域か、または前記第1画像情報における偶数行の画像情報に対応する領域で、かつ前記第2画像情報における奇数行の画像情報に対応する領域としてもよい。これにより、インタレース読み出しを行う場合において、適切にリセット処理を実行することができる。また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域を、前記第1画像情報により示される第1画像および前記第2画像情報により示される第2画像を、互いに共通する境界線で部分領域に分割した場合の、前記第1画像と前記第2画像とで互いに異なる部分領域としてもよい。これによっても、適切にリセット処理を実行することができる。また、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記リセット処理を、リセット処理の対象とする基板が間接変換方式のものである場合における当該基板の各画素に対して光を照射することによる第1リセット処理、リセット処理の対象とする基板の各画素に対するバイアス電圧の供給状態を制御することによる第2リセット処理、およびリセット処理の対象とする基板の各画素に蓄積された電荷を放出させることによる第3リセット処理の少なくとも1つとしてもよい。これにより、適用したリセット処理によって効果的に残像の影響を抑制することができる。例えば、アモルファスシリコンa-Siからなるフォトダイオードが光検出素子である場合、光可視光から変換された電荷電子の一部がa-Siの不純物準位欠陥に一旦捕捉され、その後、動画撮影のような長時間の撮影による前記フォトダイオードの温度上昇等に起因して前記電荷が再放出されると、暗電流等の不要な電流が発生し、放射線画像動画像に対するノイズ残像の原因となる場合がある。そこで、前記第1リセット処理により前記フォトダイオードに光リセット光を照射して、前記不純物準位に電荷を予め埋めておき、その後、放射線の照射時に可視光から変換された電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにすることで、残像の発生を効果的に抑制することができる。また、上記光検出素子がMISMetalInsulatorSemiconductor構造のフォトダイオードである場合には、前記第2リセット処理により、前記フォトダイオードに供給するバイアスの極性を反転するか、または前記フォトダイオードへのバイアスの供給を停止することにより、当該フォトダイオードに対するリセット処理を実行することが好ましい。この場合には、第2リセット処理の終了後、次のフレームの動画像を取得するために、前記バイアスの極性を元に戻すか、または前記バイアスの供給を再開する処理が必要となるため、前記フォトダイオードが安定した動作状態に復帰するまで多少の時間はかかるが、残像の発生を効果的に抑制することができる。さらに、上記リセット処理として第3リセット処理を適用する場合にも、各画素における残像の発生を効果的に抑制することができる。ところで、一般に、直接変換方式の放射線検出器は放射線の低エネルギー成分を吸収して電荷に変換する一方、間接変換方式の放射線検出器は放射線の高エネルギー成分を吸収し、吸収したエネルギー成分を光に一旦変換して、当該光を電荷に変換している。ここで、放射線の低エネルギー成分とは、放射線を射出する放射線源の管電圧が比較的低電圧である場合での当該低電圧に応じた放射線のエネルギー成分であり、被撮影体のマンモ、軟部組織、腫瘍等に吸収されやすい。また、放射線の高エネルギー成分とは、放射線源の管電圧が比較的高電圧である場合での当該高電圧に応じた放射線のエネルギー成分であり、被撮影体の骨部等に吸収されやすい。そこで、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記第1基板が、入射された放射線を電荷に直接変換する直接変換方式のものであり、前記第2基板が、入射された放射線を光に変換した後、当該光を電荷に変換する間接変換方式のものとしてもよい。これにより、より効果的に放射線画像を得ることができる。特に、請求項6に記載の発明は、請求項7に記載の発明のように、前記第2基板が、前記第1基板の放射線が入射される面とは反対側の面に積層されていてもよい。これにより、より効果的に放射線画像を得ることができる。また、本発明は、請求項8に記載の発明のように、前記制御手段が、前記リセット処理を実行している際の放射線画像の撮影に用いる放射線の照射量を、前記リセット処理を実行していない場合の放射線画像の撮影に用いる放射線の照射量より多くするように制御してもよい。これにより、放射線画像の画質を、より向上させることができる。さらに、本発明は、請求項9に記載の発明のように、前記第1基板および前記第2基板が、互いに同一の解像度とされていてもよい。これにより、前記第1基板および前記第2基板が、互いに異なる解像度とされている場合に比較して、より簡易に画像の合成を行うことができる。一方、上記目的を達成するために、請求項10記載のプログラムは、コンピュータを、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板、および当該第1基板に積層され、入射された放射線を放射線画像に変換する第2基板を有する放射線検出器における前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する生成手段と、前記生成手段による動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記生成手段によって前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御する制御手段と、として機能させるためのものである。従って、請求項10に記載の発明によれば、コンピュータを請求項1に記載の放射線画像撮影装置と同様に作用させることができるので、当該放射線画像撮影装置と同様に、動画像の撮影を継続しつつ、リセット処理を実行することができる。さらに、上記目的を達成するために、請求項11に記載の放射線画像撮影方法は、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板、および当該第1基板に積層され、入射された放射線を放射線画像に変換する第2基板を有する放射線検出器における前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する生成工程と、前記生成工程による動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記生成工程によって前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御する制御工程と、を有している。従って、請求項11に記載の発明によれば、請求項1に記載の放射線画像撮影装置と同様に作用するので、当該放射線画像撮影装置と同様に、動画像の撮影を継続しつつ、リセット処理を実行することができる。本発明に係る放射線画像撮影装置、プログラムおよび放射線画像撮影方法によれば、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板および第2基板の2枚の基板を備え、前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する一方、当該動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御しているので、動画像の撮影を継続しつつ、リセット処理を実行することができる、という効果を奏することができる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。[第1の実施の形態]まず、本実施の形態に係る放射線検出器20の構成について説明する。図1は、本発明の一実施の形態である放射線検出器20の3つの画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。同図に示すように、この放射線検出器20は、絶縁性の基板1上に、信号出力部14、センサ部13、および透明絶縁膜7を順に形成することにより構成されたTFT基板30Aと、シンチレータ8と、接着層22と、TFT基板30Aと同様の構成とされたTFT基板30Bとが、この順に積層しており、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの信号出力部14、センサ部13により画素部が構成されている。画素部は、基板1上に複数配列されており、各画素部における信号出力部14とセンサ部13とが重なりを有するように構成されている。なお、本実施の形態に係る放射線検出器20では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの解像度が同一とされており、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの対応する画素部同士が放射線の入射方向に対して重なるように、TFT基板30AおよびTFT基板30Bが積層されている。シンチレータ8は、センサ部13上に透明絶縁膜7を介して柱状結晶により形成されており、上方TFT基板30B側から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ8を設けることで、被写体およびTFT基板30Bを透過した放射線を吸収して発光することになる。シンチレータ8が発する光の波長域は、可視光域波長360nm~830nmであることが好ましく、この放射線検出器20によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。シンチレータ8に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウムCsIを含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが、例えば、420nm~700nmにあるCsI:Tlを用いることが特に好ましい。なお、CsI:Tlの可視光域における発光ピーク波長は565nmである。また、本実施の形態では、一例として図2に示すように、シンチレータ8を、放射線入射側TFT基板30B側に柱状結晶71Aからなる柱状部が形成され、シンチレータ8の放射線入射側とは反対側に非柱状結晶71Bからなる非柱状部が形成された構成としており、シンチレータ8としてCsIを含む材料を用い、当該材料をTFT基板30Aに直接蒸着させることで、柱状部および非柱状部が形成されたシンチレータ8を得ている。なお、本実施の形態に係るシンチレータ8は、柱状結晶71Aの平均径が柱状結晶71Aの長手方向に沿っておよそ均一とされている。上記のように、シンチレータ8を柱状部が形成された構成にすることで、シンチレータ8で発生された光は柱状結晶71A内を進行し、非柱状結晶71Bを介してTFT基板30Aへ射出され、TFT基板30A側へ射出される光の拡散が抑制されることで、結果的に得られる放射線画像の鮮鋭度の低下が抑制される。また、シンチレータ8の柱状結晶71Aの先端部側に進行した光はTFT基板30Bに射出され、TFT基板30Bによる受光量の増加に寄与する。なお、非柱状部の空隙率を0零に近づけることにより、当該非柱状部による光の反射を抑制することができ、好ましい。また、非柱状部はできるだけ薄く10μm程度することが好ましい。なお、本実施の形態では、シンチレータ8の放射線照射面側にTFT基板30Bが配置されているが、シンチレータ8とTFT基板30Bとをこのような位置関係で配置する方式は表面読取方式ISS:IrradiationSideSamplingと称する。シンチレータは放射線入射側がより強く発光するので、シンチレータの放射線入射側にTFT基板を配置する表面読取方式ISSは、シンチレータの放射線入射側とは反対側にTFT基板を配置する裏面読取方式PSS:PenetrationSideSamplingよりもTFT基板とシンチレータの発光位置とが接近することから、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高く、また、TFT基板の受光量が増大することで、結果として放射線画像の感度が向上する。一方、センサ部13は、上部電極6、下部電極2、および該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有し、光電変換膜4は、シンチレータ8が発する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。上部電極6は、シンチレータにより生じた光を光電変換膜4に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータの発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物TCOTransparentConductingOxideを用いることが好ましい。なお、上部電極6としてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を90以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO2、TiO2、ZnO2等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはITOが最も好ましい。なお、上部電極6は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。光電変換膜4は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ8から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜4であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光以外の電磁波が光電変換膜4に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜4で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ8で発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータの発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータの発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータから発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータの放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物およびフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ8の材料としてCsI:Tlを用いれば、上記ピーク波長の差を10nm以内にすることが可能となり、光電変換膜4で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。次に、本実施の形態に係る放射線検出器20に適用可能な光電変換膜4について具体的に説明する。本実施の形態に係る放射線検出器20における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電極2,6と、該電極2,6間に挟まれた有機光電変換膜4を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、および層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合により形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体化合物であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。有機n型半導体化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体化合物であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。この有機p型半導体および有機n型半導体として適用可能な材料、および光電変換膜4の構成については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。光電変換膜4の厚みは、シンチレータ8からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜4の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜4に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。なお、図1に示す放射線検出器20では、光電変換膜4は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。下部電極2は、画素部毎に分割された薄膜とする。下部電極2は、透明又は不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。下部電極2の厚みは、例えば、30nm以上300nm以下とすることができる。センサ部13では、上部電極6と下部電極2の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜4で発生した電荷正孔、電子のうちの一方を上部電極6に移動させ、他方を下部電極2に移動させることができる。本実施の形態の放射線検出器20では、上部電極6に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極6に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜4で発生した電子が上部電極6に移動し、正孔が下部電極2に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。各画素部を構成するセンサ部13は、少なくとも下部電極2、光電変換膜4、および上部電極6を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜3および正孔ブロッキング膜5の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。電子ブロッキング膜3は、下部電極2と光電変換膜4との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極2から光電変換膜4に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。電子ブロッキング膜3には、電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜3に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数Wfより1.3eV以上電子親和力Eaが大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料のイオン化ポテンシャルIpと同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光電変換膜4は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。電子ブロッキング膜3の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。正孔ブロッキング膜5は、光電変換膜4と上部電極6との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極6から光電変換膜4に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。正孔ブロッキング膜5には、電子受容性有機材料を用いることができる。正孔ブロッキング膜5の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。実際に正孔ブロッキング膜5に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数Wfより1.3eV以上イオン化ポテンシャルIpが大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料の電子親和力Eaと同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光電変換膜4で発生した電荷のうち、正孔が上部電極6に移動し、電子が下部電極2に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5の位置を逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。各画素部の下部電極2下方の基板1の表面には信号出力部14が形成されている。図3には、信号出力部14の構成が概略的に示されている。下部電極2に対応して、下部電極2に移動した電荷を蓄積するコンデンサ9と、コンデンサ9に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタThinFilmTransistor、以下、単に薄膜トランジスタという。10が形成されている。コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域は、平面視において下部電極2と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における信号出力部14とセンサ部13とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器20画素部の平面積を最小にするために、コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域が下部電極2によって完全に覆われていることが望ましい。コンデンサ9は、基板1と下部電極2との間に設けられた絶縁膜11を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極2と電気的に接続されている。これにより、下部電極2で捕集された電荷をコンデンサ9に移動させることができる。薄膜トランジスタ10は、ゲート電極15、ゲート絶縁膜16、および活性層チャネル層17が積層され、さらに、活性層17上にソース電極18とドレイン電極19が所定の間隔を開けて形成されている。活性層17は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層17を構成する材料は、これらに限定されるものではない。活性層17を構成可能な非晶質酸化物としては、In、GaおよびZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物例えばIn-O系が好ましく、In、GaおよびZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物例えばIn-Zn-O系、In-Ga-O系、Ga-Zn-O系がより好ましく、In、GaおよびZnを含む酸化物が特に好ましい。In-Ga-Zn-O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3ZnOmmは6未満の自然数で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。なお、活性層17を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。活性層17を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009-212389号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。薄膜トランジスタ10の活性層17を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部14におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。また、活性層17をカーボンナノチューブで形成した場合、薄膜トランジスタ10のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低い薄膜トランジスタ10を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層17を形成する場合、活性層17に極微量の金属性不純物が混入するだけで、薄膜トランジスタ10の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離抽出して形成する必要がある。ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板1としては、半導体基板、石英基板、およびガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。また、基板1には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために,透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITOIndiumTinOxideやガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板1を形成してもよい。バイオナノファイバは、バクテリア酢酸菌、AcetobacterXylinumが産出するセルロースミクロフィブリル束バクテリアセルロースと透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を60-70も含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数3-7ppmを有し、鋼鉄並の強度、高弾性で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板1を形成できる。一方、本実施の形態に係るTFT基板30Bは、TFT基板30Aと同様に構成されているため、当該構成についての図示および説明は省略するが、基板1とは反対側の面光電変換膜4側の面がシンチレータ8のTFT基板30Aとは反対側の面に積層されている。なお、前述したように、本実施の形態に係る放射線検出器20では、シンチレータ8をTFT基板30A上に直接蒸着により形成する一方、シンチレータ8のTFT基板30Aが設けられている面とは反対側の面にTFT基板30Bを、接着層22を介して接着することにより構成しているが、これに限らず、例えば、シンチレータ8をTFT基板30B上に直接蒸着により形成する一方、シンチレータ8のTFT基板30Bが設けられている面とは反対側の面にTFT基板30Aを、接着層22を介して接着することにより構成する方法等、他の方法により構成してもよいことは言うまでもない。また、本実施の形態に係る放射線検出器20では、シンチレータ8の各柱状部の先端部は、できるだけ平坦になるように制御することが好ましい。具体的には、蒸着終了時の被蒸着基板の温度を制御することで実現できる。例えば、蒸着終了時の被蒸着基板の温度を110°Cとすれば先端角度がおよそ170度となり、蒸着終了時の被蒸着基板の温度を140°Cとすれば先端角度がおよそ60度となり、蒸着終了時の被蒸着基板の温度を200°Cとすれば先端角度がおよそ70度となり、蒸着終了時の被蒸着基板の温度を260°Cとすれば先端角度がおよそ120度となる。なお、この制御については、特開2010-25620号公報において詳細に説明されているため、これ以上の説明を省略する。一方、TFT基板30AおよびTFT基板30Bには、図4に示すように、上述のセンサ部13、コンデンサ9、薄膜トランジスタ10を含んで構成される画素32が一定方向図4の行方向および当該一定方向に対する交差方向図4の列方向に2次元状に複数設けられている。また、放射線検出器20には、上記一定方向行方向に延設され、各薄膜トランジスタ10をオンオフさせるための複数本のゲート配線34と、上記交差方向列方向に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ10を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線36と、が各々TFT基板30AおよびTFT基板30Bに対応して2組分設けられている。放射線検出器20は、平板状で平面視において外縁に4辺を有する四辺形状をしている。具体的には矩形状に形成されている。次に、この放射線検出器20を内蔵し、放射線画像を撮影する可搬型の放射線画像撮影装置以下、電子カセッテという。40の構成について説明する。図5には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成を示す斜視図が示されている。同図に示すように、この電子カセッテ40は、放射線を透過させる材料からなる平板状の筐体41を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。筐体41の内部には、放射線Xが照射される筐体41の照射面側から、被写体を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、および放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板43が順に配設される。筐体41は、平板状の一方の面の放射線検出器20の配設位置に対応する領域が放射線を検出可能な四辺形状の撮影領域41Aとされている。放射線検出器20は、図6に示すように、TFT基板30Bが撮影領域41A側となるように配置されており、撮影領域41Aを構成する筐体41内側に貼り付けられている。また、筐体41の内部の一端側には、放射線検出器20と重ならない位置撮影領域41Aの範囲外に、後述するカセッテ制御部58や電源部70等を収容するケース42が配置されている。図7には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。同図に示すように、TFT基板30A、30Bは、それぞれ隣り合う2辺の一辺側にゲート線ドライバ52が配置され、他辺側に信号処理部54が配置されている。以下、2つのTFT基板30A、30Bに対応して設けられたゲート線ドライバ52および信号処理部54を区別する場合、TFT基板30Aに対応するゲート線ドライバ52および信号処理部54に符号Aを付し、TFT基板30Bに対応するゲート線ドライバ52および信号処理部54に符号Bを付して説明する。TFT基板30Aの個々のゲート配線34はゲート線ドライバ52Aに接続され、TFT基板30Aの個々のデータ配線36は信号処理部54Aに接続されており、TFT基板30Bの個々のゲート配線34はゲート線ドライバ52Bに接続されており、TFT基板30Bの個々のデータ配線36は信号処理部54Bに接続されている。また、筐体41の内部には、画像メモリ56と、カセッテ制御部58と、無線通信部60と、バイアス電源72と、を備えている。TFT基板30A、30Bの各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ52A、52Bからゲート配線34を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ10によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線36を伝送されて信号処理部54A、54Bに入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。なお、バイアス電源72は、TFT基板30AおよびTFT基板30Bにおいて、シンチレータ8により生じた光を電荷に変換するために必要なバイアス電圧直流電圧を光電変換膜4に印加するものである。ここで、本実施の形態に係る信号処理部54Aおよび信号処理部54Bの構成について説明する。図8には、本実施の形態に係る信号処理部54Aの構成を示す回路図が示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る信号処理部54Aは、TFT基板30Aのデータ配線36の各々に対応して、可変ゲインプリアンプチャージアンプ82と、サンプルホールド回路86と、が備えられている。可変ゲインプリアンプ82は、正入力側が接地されたオペアンプ82Aと、オペアンプ82Aの負入力側と出力側との間に、それぞれ並列に接続されるコンデンサ82Bと、リセットスイッチ82Cとを含んで構成されており、リセットスイッチ82Cは、カセッテ制御部58により切り換えられる。また、本実施の形態に係る信号処理部54Aは、マルチプレクサ88およびA/Dアナログ/デジタル変換器89が備えられている。なお、サンプルホールド回路86のサンプルタイミング、およびマルチプレクサ88に設けられたスイッチ88Aによる選択出力も、カセッテ制御部58により切り換えられる。放射線画像を検出する際に、カセッテ制御部58は、まず、可変ゲインプリアンプ82のリセットスイッチ82Cを所定期間オン状態とすることにより、コンデンサ82Bに蓄積されていた電荷を放電する。一方、放射線Xが照射されることによってTFT基板30Aの各画素32の各々のコンデンサ9に蓄積された電荷は、接続されている薄膜トランジスタ10がオン状態とされることにより電気信号として接続されているデータ配線36を伝送され、データ配線36を伝送された電気信号は、対応する可変ゲインプリアンプ82により、予め定められた増幅率で増幅される。一方、カセッテ制御部58は、上述した放電を行った後、サンプルホールド回路86を所定期間駆動させることより、可変ゲインプリアンプ82によって増幅された電気信号の信号レベルをサンプルホールド回路86に保持させる。そして、各サンプルホールド回路86に保持された信号レベルは、カセッテ制御部58による制御に応じてマルチプレクサ88により順次選択され、A/D変換器89によってA/D変換されることにより、撮影された放射線画像を示す画像データが生成される。一方、信号処理部54Aには画像メモリ56が接続されており、信号処理部54AのA/D変換器89から出力された画像データは画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ56に順次記憶される。一方、図9には、本実施の形態に係る信号処理部54Bの構成を示す回路図が示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る信号処理部54Bは、信号処理部54Aと同様に、TFT基板30Bのデータ配線36の各々に対応して、可変ゲインプリアンプチャージアンプ92と、サンプルホールド回路96と、が備えられている。可変ゲインプリアンプ92は、正入力側が接地されたオペアンプ92Aと、オペアンプ92Aの負入力側と出力側との間に、それぞれ並列に接続されるコンデンサ92Bと、リセットスイッチ92Cとを含んで構成されており、リセットスイッチ92Cは、カセッテ制御部58により切り換えられる。また、本実施の形態に係る信号処理部54Bもまた、信号処理部54Aと同様に、マルチプレクサ98およびA/Dアナログ/デジタル変換器99が備えられている。なお、サンプルホールド回路96のサンプルタイミング、およびマルチプレクサ98に設けられたスイッチ98Aによる選択出力も、カセッテ制御部58により切り換えられる。放射線画像を検出する際に、カセッテ制御部58は、まず、可変ゲインプリアンプ92のリセットスイッチ92Cを所定期間オン状態とすることにより、コンデンサ92Bに蓄積されていた電荷を放電する。一方、放射線Xが照射されることによってTFT基板30Bの各画素32の各々のコンデンサ9に蓄積された電荷は、接続されている薄膜トランジスタ10がオン状態とされることにより電気信号として接続されているデータ配線36を伝送され、データ配線36を伝送された電気信号は、対応する可変ゲインプリアンプ92により、予め定められた増幅率で増幅される。一方、カセッテ制御部58は、上述した放電を行った後、サンプルホールド回路96を所定期間駆動させることより、可変ゲインプリアンプ92によって増幅された電気信号の信号レベルをサンプルホールド回路96に保持させる。そして、各サンプルホールド回路96に保持された信号レベルは、カセッテ制御部58による制御に応じてマルチプレクサ98により順次選択され、A/D変換器99によってA/D変換されることにより、撮影された放射線画像を示す画像データが生成される。一方、信号処理部54Bにも画像メモリ56が接続されており、信号処理部54BのA/D変換器99から出力された画像データもまた画像メモリ56に順に記憶される。なお、図8および図9に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、バイアス電源72としてバイアス電源72A~バイアス電源72Dの4系統が設けられている。バイアス電源72Aは、TFT基板30Aの奇数ラインに対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。また、バイアス電源72Bは、TFT基板30Aの偶数ラインに対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。また、バイアス電源72Cは、TFT基板30Bの奇数ラインに対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。さらに、バイアス電源72Dは、TFT基板30Bの偶数ラインに対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。このように、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、TFT基板30Aの奇数ラインに対応する画素32、TFT基板30Aの偶数ラインに対応する画素32、TFT基板30Bの奇数ラインに対応する画素32およびTFT基板30Bの偶数ラインに対応する画素32で、各々独立してバイアス電圧を印加することができる。ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ40には、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各画素32に蓄積された電荷を放出することにより、TFT基板30AおよびTFT基板30Bに対してリセット処理以下、電気リセット処理という。を実行する電気リセット機能が搭載されている。TFT基板30Aに対して電気リセット機能を働かせる際に、カセッテ制御部58は、ゲート線ドライバ52Aを制御してTFT基板30Aに設けられている奇数ラインまたは偶数ラインの全ての画素32の薄膜トランジスタ10を所定期間オン状態にすると共に、信号処理部54Aの対応する全ての可変ゲインプリアンプ82のリセットスイッチ82Cを所定期間オン状態とすることにより、当該可変ゲインプリアンプ82のコンデンサ82Bに蓄積されていた電荷を、コンデンサ82Bおよびリセットスイッチ82Cで構成される閉回路により放電すると共に、奇数ラインまたは偶数ラインの各画素32のコンデンサ9に蓄積されていた電荷を、対応する薄膜トランジスタ10、リセットスイッチ82C、およびオペアンプ82Aを介してグランドに放電する。また、TFT基板30Bに対して電気リセット機能を働かせる際にも、同様に、カセッテ制御部58は、ゲート線ドライバ52Bを制御してTFT基板30Bに設けられている奇数ラインまたは偶数ラインの全ての画素32の薄膜トランジスタ10を所定期間オン状態にすると共に、信号処理部54Bの対応する全ての可変ゲインプリアンプ92のリセットスイッチ92Cを所定期間オン状態とすることにより、当該可変ゲインプリアンプ92のコンデンサ92Bに蓄積されていた電荷を、コンデンサ92Bおよびリセットスイッチ92Cで構成される閉回路により放電すると共に、奇数ラインまたは偶数ラインの各画素32のコンデンサ9に蓄積されていた電荷を、対応する薄膜トランジスタ10、リセットスイッチ92C、およびオペアンプ92Aを介してグランドに放電する。一方、図7に示すように、画像メモリ56はカセッテ制御部58と接続されている。カセッテ制御部58はマイクロコンピュータによって構成され、CPU中央処理装置58A、ROMReadOnlyMemoryおよびRAMRandomAccessMemoryを含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備えており、電子カセッテ40全体の動作を制御する。また、カセッテ制御部58には無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、IEEEInstituteofElectricalandElectronicsEngineers802.11a/b/g/n等に代表される無線LANLocalAreaNetwork規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線撮影全体を制御するコンソールなどの外部装置と無線通信が可能とされており、コンソールとの間で各種情報の送受信が可能とされている。また、電子カセッテ40には、電源部70が設けられており、上述した各種回路や各素子ゲート線ドライバ52A、52B、信号処理部54A、54B、画像メモリ56、無線通信部60やカセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ等は、電源部70から供給された電力によって作動する。電源部70は、電子カセッテ40の可搬性を損なわないように、バッテリ充電可能な二次電池を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路素子へ電力を供給する。なお、図7では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。また、図7では、バイアス電源72とTFT基板30AおよびTFT基板30Bの各画素32とを接続する配線も省略している。ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、静止画像の撮影の他、動画像の撮影も行うことができるものとして構成されている。そして、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線画像の撮影を行う場合、撮影領域41Aを上とし、図6に示すように、放射線を発生する放射線発生装置80と間隔を空けて配置され、撮影領域上に患者の撮影対象部位Bが配置される。放射線発生装置80は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Xを射出する。なお、本実施の形態では、動画像の撮影を行う場合は、比較的低線量で、かつ予め定められた周期で間欠的に放射線Xを照射所謂パルス照射し、静止画像の撮影を行う場合には、比較的高線量本実施の形態では、動画撮影時の100倍程度で、かつ単発的に放射線Xを照射する。放射線発生装置80から照射された放射線Xは、撮影対象部位Bを透過した後に電子カセッテ40に到達する。これにより、電子カセッテ40に内蔵された放射線検出器20の各センサ部13には照射された放射線Xの線量に応じた電荷が発生し、コンデンサ9にはセンサ部13で発生した電荷が蓄積される。一方、カセッテ制御部58は、静止画像の撮影を行う場合には、ゲート線ドライバ52Bを制御し、ゲート線ドライバ52BからTFT基板30Bの各ゲート配線34に1ラインずつ順にオン信号を出力させて画像情報の読み出しを行う。これにより、放射線検出器20のTFT基板30Bから読み出された画像情報は、信号処理部54Bを経た後に画像データ以下、静止画像データという。として画像メモリ56に記憶されるので、カセッテ制御部58は、当該静止画像データを画像メモリ56から読み出し、無線通信部60を介してコンソールに送信する。コンソールは、受信した静止画像データを予め定められた記憶装置に記憶すると共に、当該画像データにより示される静止画像をディスプレイ装置により表示させる。これに対し、カセッテ制御部58は、動画像の撮影を行う場合には、ゲート線ドライバ52Aおよびゲート線ドライバ52Bを制御し、ゲート線ドライバ52Aおよびゲート線ドライバ52BからTFT基板30AおよびTFT基板30Bの各ゲート配線34に1ラインずつ順にオン信号を出力させて画像情報の読み出しを行うことを、動画撮影の際に放射線発生装置80から間欠的に照射される放射線Xの照射の周期に応じて予め定められたフレームレート本実施の形態では、30フレーム/秒に応じた速度で繰り返し実行する。これにより、放射線検出器20のTFT基板30AおよびTFT基板30Bから読み出された画像情報は、信号処理部54Aおよび信号処理部54Bを各々経た後に画像データ以下、動画像データという。として画像メモリ56に順次記憶されるので、カセッテ制御部58は、当該動画像データを画像メモリ56から連続的に読み出し、TFT基板30Aから読み出された動画像データと、TFT基板30Bから読み出された動画像データとを同一画素同士で合算することにより合成した後、無線通信部60を介してコンソールにリアルタイムで送信する。コンソールは、電子カセッテ40から受信した動画像データにより示される動画像をディスプレイ装置によってリアルタイムで表示することにより、動画像透視画像の表示を行う。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、TFT基板30Aから読み出された動画像データとTFT基板30Bから読み出された静止画像データとを、各々画像メモリ56の異なる記憶領域に記憶するものとされている。次に、図10を参照して、動画撮影を行う際の本実施の形態に係る電子カセッテ40の作用について詳細に説明する。なお、図10は、動画像透視画像の撮影開始を指示する指示情報がコンソールから受信された際に電子カセッテ40のカセッテ制御部58におけるCPU58Aにより実行される撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ58BのROMに予め記憶されている。同図のステップ100では、放射線発生装置80による放射線Xの照射量を、通常の動画撮影時より多くする本実施の形態では、通常の動画撮影時の2倍ことを指示する指示情報を、コンソールを介して放射線発生装置80に送信する。これに応じて、放射線発生装置80は、照射量を通常の動画撮影時より多くした状態で放射線Xのパルス照射を開始する。これにより、電子カセッテ40の放射線検出器20には、患者の撮影対象部位を透過した放射線Xが入射され、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各コンデンサ9には照射された放射線Xの線量に応じた電荷が蓄積される。そこで、次のステップ102では、インタレース読み出しにより、TFT基板30Aの奇数ラインの動画像データを読み出すと共に、TFT基板30Bの偶数ラインの動画像データを読み出し、次のステップ104では、TFT基板30Aの偶数ラインに対応する画素32およびTFT基板30Bの奇数ラインに対応する画素32に対して前述した電気リセット処理を実行する。これにより、TFT基板30Aの偶数ラインに対応する画素32およびTFT基板30Bの奇数ラインに対応する画素32に各々対応する可変ゲインプリアンプ82,92のコンデンサ82B,92Bに蓄積された電荷、およびこれらの画素32におけるコンデンサ9に蓄積された電荷が放電される。次のステップ106では、上記ステップ102の処理によって読み出したTFT基板30Aの奇数ラインの動画像データと、TFT基板30Bの偶数ラインの動画像データとを、結果的に1枚の放射線画像を構成するように合成し、次のステップ108にて、当該合成によって得られた画像データをコンソールに送信する。次のステップ110では、インタレース読み出しにより、TFT基板30Aの偶数ラインの動画像データを読み出すと共に、TFT基板30Bの奇数ラインの動画像データを読み出し、次のステップ112では、TFT基板30Aの奇数ラインに対応する画素32およびTFT基板30Bの偶数ラインに対応する画素32に対して前述した電気リセット処理を実行する。これにより、TFT基板30Aの奇数ラインに対応する画素32およびTFT基板30Bの偶数ラインに対応する画素32に各々対応する可変ゲインプリアンプ82,92のコンデンサ82B,92Bに蓄積された電荷、およびこれらの画素32におけるコンデンサ9に蓄積された電荷が放電される。次のステップ114では、上記ステップ110の処理によって読み出したTFT基板30Aの偶数ラインの動画像データと、TFT基板30Bの奇数ラインの動画像データとを、結果的に1枚の放射線画像を構成するように合成し、次のステップ116にて、当該合成によって得られた画像データをコンソールに送信する。次のステップ118では、予め定められたフレーム数本実施の形態では、2フレーム分の動画像について上記ステップ102~ステップ116の処理が終了したか否かを判定し、否定判定となった場合は上記ステップ102に戻る一方、肯定判定となった時点でステップ120に移行する。ステップ120では、放射線発生装置80による放射線Xの照射量を、通常の動画撮影時の照射量とすることを指示する指示情報を、コンソールを介して放射線発生装置80に送信する。これに応じて、放射線発生装置80は、放射線Xの照射量を通常の動画撮影時の照射量とする。次のステップ122では、インタレース読み出しにより、TFT基板30Aの奇数ラインの動画像データを読み出すと共に、TFT基板30Bの偶数ラインの動画像データを読み出し、次のステップ124では、インタレース読み出しにより、TFT基板30Aの偶数ラインの動画像データを読み出すと共に、TFT基板30Bの奇数ラインの動画像データを読み出す。次のステップ126では、上記ステップ122および上記ステップ124の処理によって読み出した各画像データを、結果的に1枚の放射線画像を構成するように合成し、次のステップ128にて、当該合成によって得られた画像データをコンソールに送信する。次のステップ130では、本撮影処理プログラムを終了するタイミングが到来したか否かを判定し、否定判定となった場合は上記ステップ122に戻る一方、肯定判定となった時点で本撮影処理プログラムを終了する。なお、本実施の形態では、上記ステップ130の処理において実行する撮影処理プログラムを終了するタイミングが到来したか否かの判定を、撮影終了を指示する指示情報がコンソールから受信されたか否かを判定することにより行っているが、これに限るものでないことは言うまでもない。電子カセッテ40から合成された画像データを受信すると、コンソールは、受信した画像データを、予め定められた記憶装置に記憶すると共に、予め定められたディスプレイ装置により、受信した順にリアルタイムで表示することにより、動画像透視画像を表示する。以上の撮影処理プログラムにより、一例として図11に示すように、TFT基板30Aの偶数ラインの画素に対してリセット処理を実行すると共に、TFT基板30Bの奇数ラインの画素に対してリセット処理を実行する一方、リセット処理を実行していないTFT基板30Aの奇数ラインの画像情報とTFT基板30Bの偶数ラインの画像情報とを合成しているので、撮影時の放射線Xの照射量によっては合成後の画像データの最大値ダイナミックレンジが低下する場合はあるものの、解像度を維持した状態でリセット処理を実行することができる。また、本撮影処理プログラムでは、次のフレームにて、上記奇数ラインと偶数ラインとを逆にした状態で、前のフレームと同様のリセット処理および画像情報の合成を行っているので、動画像の撮影を継続しつつ、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの全ての画素についてリセット処理を実行することができる。ところで、本実施の形態に係る放射線検出器20では、シンチレータ8に非柱状部を設けているため、TFT基板30Aとの密着性を高くすることができる。但し、非柱状部は必須ではなく、非柱状部を設けない形態としてもよい。また、本実施の形態に係る放射線検出器20は、光電変換膜4を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜4で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器20は、ISSの構成により放射線XがTFT基板30Bを透過するが、当該TFT基板30Bの光電変換膜4による放射線の吸収量が少ないため、放射線Xに対する感度の低下を抑えることができる。ISSでは、放射線XがTFT基板30Bを透過してシンチレータ8に到達するが、このように、TFT基板30Bの光電変換膜4を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜4での放射線Xの吸収が殆どなく放射線Xの減衰を少なく抑えることができるため、ISSに適している。また、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板1を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板1は放射線の吸収量が少ないため、ISSにより放射線XがTFT基板30Bを透過する場合でも、放射線Xに対する感度の低下を抑えることができる。また、本実施の形態によれば、図6に示すように、放射線検出器20をTFT基板30Bが撮影領域41A側となるように筐体41内の撮影領域41A部分に貼り付けているが、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体の剛性が高いため、筐体41の撮影領域41A部分を薄く形成することができる。また、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体が可撓性を有するため、撮影領域41Aに衝撃が加わった場合でも放射線検出器20が破損しづらい。以上詳細に説明したように、本実施の形態では、入射された放射線を放射線画像に変換する第1基板本実施の形態では、TFT基板30Aおよび第2基板本実施の形態では、TFT基板30Bの2枚の基板を備え、前記第1基板によって得られた放射線画像を示す第1画像情報、および前記第2基板によって得られた放射線画像を示す第2画像情報を同一の画像領域同士で合成して1枚の画像を生成することを連続的に行うことにより動画像を生成する一方、当該動画像の生成の際の予め定められたタイミングで、前記1枚の画像を生成する際に用いる前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域に対応する前記第1基板および前記第2基板の各領域に対してリセット処理を実行するように制御しているので、動画像の撮影を継続しつつ、リセット処理を実行することができる。また、本実施の形態では、前記予め定められたタイミングとして、前記動画像の生成を開始した直後のタイミングを適用しているので、動画像の撮影開始直後の参照される可能性が比較的低い画像の撮影時にリセット処理を実行する結果、より好適なタイミングでリセット処理を実行することができる。また、本実施の形態では、前記第1基板および前記第2基板を、前記放射線画像をインタレース読み出しによって読み出すものとし、前記第1画像情報と前記第2画像情報とで互いに異なる画像領域を、前記第1画像情報における奇数行の画像情報に対応する領域で、かつ前記第2画像情報における偶数行の画像情報に対応する領域、および前記第1画像情報における偶数行の画像情報に対応する領域で、かつ前記第2画像情報における奇数行の画像情報に対応する領域としているので、インタレース読み出しを行う場合において、適切にリセット処理を実行することができる。また、本実施の形態では、前記リセット処理を、リセット処理の対象とする基板の各画素に蓄積された電荷を放出させることによるリセット処理本実施の形態では、電気リセット処理としているので、効果的に残像の影響を抑制することができる。また、本実施の形態では、前記リセット処理を実行している際の放射線画像の撮影に用いる放射線の照射量を、前記リセット処理を実行していない場合の放射線画像の撮影に用いる放射線の照射量より多くするように制御しているので、放射線画像の画質を、より向上させることができる。さらに、本実施の形態では、前記第1基板および前記第2基板が、互いに同一の解像度とされているので、前記第1基板および前記第2基板が、互いに異なる解像度とされている場合に比較して、より簡易に画像の合成を行うことができる。[第2の実施の形態]上記第1の実施の形態では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bに対するリセット処理として電気リセット処理を適用した場合の形態例について説明したが、本第2の実施の形態では、上記リセット処理として、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各画素に対するバイアス電圧の供給状態を制御することによるリセット処理以下、バイアスリセット処理という。を適用した場合の形態例について説明する。本第2の実施の形態に係る電子カセッテ40では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各画素に対するバイアス電圧の供給状態を制御することによりバイアスリセット処理を実行するバイアスリセット機能が搭載されている。すなわち、光電変換膜4がMIS構造のフォトダイオードである場合、バイアス電源72を制御して当該フォトダイオードに対するバイアスリセット処理を実行させることができる。この場合、バイアス電源72から光電変換膜4に供給されるバイアス電圧の極性を反転するか、または光電変換膜4へのバイアス電圧の供給を停止することにより、光電変換膜4に蓄積された電荷を消滅させるか、または放出させる。従って、このバイアスリセット処理の終了後、次のフレームの動画像を取得するために、バイアス電源72から光電変換膜4に供給されるバイアス電圧の極性を元に戻すか、または当該バイアス電圧の供給を再開する処理が必要となるため、光電変換膜4が安定した動作状態に復帰するまで多少の時間はかかるが、残像の発生等を効果的に抑制することができる。本第2の実施の形態では、バイアスリセット処理として、バイアス電源72から光電変換膜4に供給されるバイアス電圧の極性を反転した後に、当該バイアス電圧の極性を元に戻す処理を実行する処理を適用している。なお、本第2の実施の形態に係る電子カセッテ40の構成は、上記第1の実施の形態に係る電子カセッテ40と略同一であるため、ここでの説明は省略する。次に、図12を参照して、動画撮影を行う際の本第2の実施の形態に係る電子カセッテ40の作用について詳細に説明する。なお、図12は、動画像透視画像の撮影開始を指示する指示情報がコンソールから受信された際に電子カセッテ40のカセッテ制御部58におけるCPU58Aにより実行される撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ58BのROMに予め記憶されている。また、同図における図10と同一の処理を実行するステップについては図10と同一のステップ番号を付して、その説明を省略する。同図のステップ104’では、TFT基板30Aの偶数ラインに対応する画素およびTFT基板30Bの奇数ラインに対応する画素に対して上記バイアスリセット機能を働かせることによってバイアスリセット処理を実行する。これにより、TFT基板30Aの偶数ラインの画素32、およびTFT基板30Bの奇数ラインの画素32の各光電変換膜4に蓄積された電荷が消滅される。その後、ステップ112’では、TFT基板30Aの奇数ラインに対応する画素32およびTFT基板30Bの偶数ラインに対応する画素32に対して上記バイアスリセット機能を働かせることによってバイアスリセット処理を実行する。これにより、TFT基板30Aの奇数ラインの画素32、およびTFT基板30Bの偶数ラインの画素32の各光電変換膜4に蓄積された電荷が消滅される。本第2の実施の形態においても、上記第1の実施の形態と同様の効果を奏することができる。[第3の実施の形態]上記第1の実施の形態では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bに対するリセット処理として電気リセット処理を適用し、上記第2の実施の形態では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bに対するリセット処理としてバイアスリセット処理を適用した場合の形態例について説明したが、本第3の実施の形態では、上記リセット処理として、上記バイアスリセット処理に加えて、TFT基板30Aの各画素に対して光を照射することによるリセット処理以下、光リセット処理という。を適用した場合の形態例について説明する。図13には、本第3の実施の形態に係る電子カセッテ40における放射線検出器20’の構成が示されている。なお、同図における、上記第1の実施の形態に係る放射線検出器20と同様の構成部位には当該放射線検出器20と同一の符号を付して、その説明を極力省略する。同図に示すように、本実施の形態に係る放射線検出器20’は、シンチレータ8とTFT基板30Bとの間にアモルファスセレンa-Seからなる放射線変換層8’が積層されると共に、TFT基板30Aのシンチレータ8が設けられている面とは反対側の面に複数本実施の形態では、2つのリセット光源50が設けられている点が、上記第1の実施の形態に係る放射線検出器20と異なっている。本実施の形態に係る放射線検出器20’では、TFT基板30A側については放射線をシンチレータ8によって光に変換した後に、光電変換膜4によって当該光を電荷に変換する間接変換方式を採用する一方、TFT基板30B側については、アモルファスセレンからなる放射線変換層8’により放射線を電荷に直接変換して当該電荷をTFT基板30Bにより読み出す直接変換方式を採用している。ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、TFT基板30Aの各画素に対して光を照射することによりTFT基板30Aに対して光リセット処理を実行する光リセット機能が搭載されている。リセット光源50は、この光リセット機能のために設けられたものであり、本実施の形態に係るリセット光源50は、エッジライト方式のバックライト光源であり、TFT基板30Aの底面に導光板50Bを配置し、放射線Xの非照射領域である導光板50Bの側部に冷陰極管50Aを配置している。導光板50BとTFT基板30Aとの間には拡散シート50Cが介挿されている。リセット光源50における拡散シート50Cの箇所以外の外表面には、導光板50Bおよび冷陰極管50Aを取り囲むように反射シート50Dも配置されている。本実施の形態に係る電子カセッテ40では、TFT基板30Aによる撮像面が予め定められた複数本実施の形態では、2つの部分領域に分割されており、各部分領域に対して1つずつリセット光源50が設けられている。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、上記2つの部分領域として、TFT基板30Aからの画像情報の読み出し方向行方向に対して、上流側および下流側の2つの領域に均等に分割した領域を適用している。以下では、上流側の部分領域を上半分領域といい、下流側の部分領域を下半分領域という。ただし、上記部分領域の数や分割の方向は、これに限らず、3以上の部分領域を適用したり、分割の方向として列方向や、行方向および列方向の組み合わせを適用したりする形態としてもよい。ここで、カセッテ制御部58の制御により冷陰極管50Aが駆動して、当該冷陰極管50Aから導光板50Bに光が入射すると、導光板50Bに入射した光は、当該導光板50B内部で拡散シート50Cおよび反射シート50Dとの間で表面反射を繰り返した後、拡散シート50CからTFT基板30Aにリセット光50Eとして出射される。図13では、1つのリセット光源50について1本のリセット光50Eのみ図示されているが、実際に冷陰極管50Aから導光板50Bに入射した光は、表面反射を繰り返して導光板50B全体に広がり、拡散シート50Cから面発光のリセット光50Eとして出射される。従って、バックライト方式のリセット光源50は、面発光光源として機能し、複数のリセット光源50によりTFT基板30Aに対して均一にリセット光50Eを照射することになる。これにより、TFT基板30Aに含まれる各画素32の光電変換膜4に対して、残像の発生等を抑制するためのリセット処理光リセット処理を行うことができる。前述したように、例えば、a-Si等からなる光電変換膜4の場合、光可視光から変換された電荷電子の一部がa-Siの不純物準位欠陥に一旦捕捉され、その後、動画撮影のような長時間の撮影による光電変換膜4の温度上昇等に起因して電荷が再放出されると、暗電流等の不要な電流が発生し、放射線画像動画像に対するノイズ残像の原因となる場合がある。そこで、光リセット処理を行って、光電変換膜4にリセット光50Eを照射することにより、不純物準位に電荷を予め埋めておいて、その後、放射線Xの照射時に可視光から変換された電荷が不純物準位に捕捉されないようにすれば、残像の発生等を効果的に抑制することができる。なお、図13では、一例として、エッジライト方式のバックライト光源で構成されるリセット光源50を図示したが、これに限るものではなく、行列状に配置された画素32の光電変換膜4に対して、確実にリセット光50Eを照射して、光リセット処理を実行できるものであればよい。従って、TFT基板30Aの底面に、発光素子のアレイ、またはエレクトロルミネッセンス光源を配置することで、リセット光源50を構成してもよい。ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線検出器20’の構成に加え、バイアス電源72によるバイアス電圧の供給経路についても、上記第1,第2の実施の形態に係る電子カセッテ40と異なっている。すなわち、本実施の形態に係る電子カセッテ40でも、上記第1,第2の実施の形態と同様に、バイアス電源72A~バイアス電源72Dの4系統が設けられている。但し、バイアス電源72Aは、TFT基板30Aの上半分領域に対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。また、バイアス電源72Bは、TFT基板30Aの下半分領域に対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。また、バイアス電源72Cは、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける上半分領域に対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。さらに、バイアス電源72Dは、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける下半分領域に対応する画素32に接続されており、当該画素32に共通のバイアス電圧を印加する。このように、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各領域別に、各々独立してバイアス電圧を印加することができる。次に、図14を参照して、動画撮影を行う際の本実施の形態に係る電子カセッテ40の作用について詳細に説明する。なお、図14は、動画像透視画像の撮影開始を指示する指示情報がコンソールから受信された際に電子カセッテ40のカセッテ制御部58におけるCPU58Aにより実行される撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ58BのROMに予め記憶されている。同図のステップ200では、放射線発生装置80による放射線Xの照射量を、通常の動画撮影時より多くする本実施の形態では、通常の動画撮影時の2倍ことを指示する指示情報を、コンソールを介して放射線発生装置80に送信する。これに応じて、放射線発生装置80は、照射量を通常の動画撮影時より多くした状態で放射線Xのパルス照射を開始する。これにより、電子カセッテ40の放射線検出器20には、患者の撮影対象部位を透過した放射線Xが入射され、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各コンデンサ9には照射された放射線Xの線量に応じた電荷が蓄積される。そこで、次のステップ202では、TFT基板30Aの上半分領域に対応する動画像データを読み出すと共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける下半分領域に対応する動画像データを読み出し、次のステップ204では、TFT基板30Aの下半分領域に対応するリセット光源50を用いて前述した光リセット機能を働かせることにより光リセット処理を実行すると共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける上半分領域に対応する画素32に対して前述したバイアスリセット処理を実行する。これにより、TFT基板30Aの下半分領域に対応する画素32に対して光リセット処理が実行されると共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける上半分領域に対応する画素32の各光電変換膜4に蓄積された電荷が消滅される。次のステップ206では、上記ステップ202の処理によって読み出したTFT基板30Aの上半分領域に対応する動画像データと、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける下半分領域に対応する動画像データとを、結果的に1枚の放射線画像を構成するように合成し、次のステップ208にて、当該合成によって得られた画像データをコンソールに送信する。次のステップ210では、TFT基板30Aの下半分領域に対応する動画像データを読み出すと共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける上半分領域に対応する動画像データを読み出し、次のステップ212では、TFT基板30Aの上半分領域に対応するリセット光源50を用いて前述した光リセット機能を働かせることにより光リセット処理を実行すると共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける下半分領域に対応する画素32に対して前述したバイアスリセット処理を実行する。これにより、TFT基板30Aの上半分領域に対応する画素32に対して光リセット処理が実行されると共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける下半分領域に対応する画素32の各光電変換膜4に蓄積された電荷が消滅される。次のステップ214では、上記ステップ210の処理によって読み出したTFT基板30Aの下半分領域に対応する動画像データと、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける上半分領域に対応する動画像データとを、結果的に1枚の放射線画像を構成するように合成し、次のステップ216にて、当該合成によって得られた画像データをコンソールに送信する。次のステップ218では、予め定められたフレーム数本実施の形態では、2フレーム分の動画像について上記ステップ202~ステップ216の処理が終了したか否かを判定し、否定判定となった場合は上記ステップ202に戻る一方、肯定判定となった時点でステップ220に移行する。ステップ220では、放射線発生装置80による放射線Xの照射量を、通常の動画撮影時の照射量とすることを指示する指示情報を、コンソールを介して放射線発生装置80に送信する。これに応じて、放射線発生装置80は、放射線Xの照射量を通常の動画撮影時の照射量とする。次のステップ222では、TFT基板30Aの上半分領域に対応する動画像データを読み出すと共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける下半分領域に対応する動画像データを読み出し、次のステップ224では、TFT基板30Aの下半分領域に対応する動画像データを読み出すと共に、TFT基板30BのTFT基板30Aにおける上半分領域に対応する動画像データを読み出す。次のステップ226では、上記ステップ222および上記ステップ224の処理によって読み出した各画像データを、結果的に1枚の放射線画像を構成するように合成し、次のステップ228にて、当該合成によって得られた画像データをコンソールに送信する。次のステップ230では、本撮影処理プログラムを終了するタイミングが到来したか否かを判定し、否定判定となった場合は上記ステップ222に戻る一方、肯定判定となった時点で本撮影処理プログラムを終了する。なお、本実施の形態でも、上記ステップ230の処理において実行する撮影処理プログラムを終了するタイミングが到来したか否かの判定を、撮影終了を指示する指示情報がコンソールから受信されたか否かを判定することにより行っているが、これに限るものでないことは言うまでもない。電子カセッテ40から合成された画像データを受信すると、コンソールは、受信した画像データを、予め定められた記憶装置に記憶すると共に、予め定められたディスプレイ装置により、受信した順にリアルタイムで表示することにより、動画像透視画像を表示することは、上記第1の実施の形態と同様である。本実施の形態においても、上記第1、第2の実施の形態と略同様の効果を奏することができると共に、前記第1画像情報TFT基板30Aから読み出される画像データと前記第2画像情報TFT基板30Bから読み出される画像データとで互いに異なる画像領域を、前記第1画像情報により示される第1画像および前記第2画像情報により示される第2画像を、互いに共通する境界線で部分領域に分割した場合の、前記第1画像と前記第2画像とで互いに異なる部分領域としているので、適切にリセット処理を実行することができる。また、本実施の形態では、前記第1基板が、入射された放射線を電荷に直接変換する直接変換方式のものであり、前記第2基板が、入射された放射線を光に変換した後、当該光を電荷に変換する間接変換方式のものであるものとしているので、より効果的に放射線画像を得ることができる。さらに、本実施の形態では、前記第2基板が、前記第1基板の放射線が入射される面とは反対側の面に積層されているので、より効果的に放射線画像を得ることができる。以上、本発明を各実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記各実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。また、上記の各実施の形態は、クレーム請求項にかかる発明を限定するものではなく、また各実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した各実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。たとえば、上記各実施の形態では、本発明を可搬型の放射線画像撮影装置である電子カセッテ40に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、据置型の放射線画像撮影装置に適用してもよい。また、上記各実施の形態では、放射線検出器として、図1に示したように、TFT基板30A、シンチレータ8、TFT基板30Bを、この順で積層したもの、および図13に示したように、TFT基板30A、シンチレータ8、放射線変換層8’、TFT基板30Bを、この順で積層したものを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図15に示した構成のものを放射線検出器として適用する形態としてもよい。図15Aに示す放射線検出器は、上記第1の実施の形態に係る放射線検出器20におけるシンチレータ8に代えてアモルファスセレンにより構成された放射線変換層8’を適用した場合の形態例が示されている。また、図15B~図15Dには、放射線感応層として2つのシンチレータ8Aおよびシンチレータ8Bが備えられている場合の形態例が示されている。また、図15E~図15Gには、放射線感応層として2つのアモルファスセレンにより構成された放射線変換層8A’および放射線変換層8B’が備えられている場合の形態例が示されている。さらに、図15H~図15Jには、放射線感応層として1つのシンチレータ8Bと1つのアモルファスセレンにより構成された放射線変換層8A’が備えられている場合の形態例が示されている。これらの形態においても、上記各実施の形態と同様の効果を奏することができる。また、上記各実施の形態では、電気リセット処理、光リセット処理、およびバイアスリセット処理を各々単独で実行する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらのリセット処理の2つ以上の組み合わせを実行する形態としてもよい。また、上記第1の実施の形態では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの双方に対して電気リセット処理を実行し、上記第2の実施の形態では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの双方に対してバイアスリセット処理を実行し、さらに上記第3の実施の形態では、TFT基板30Aに対して光リセット処理を実行する一方、TFT基板30Bに対してバイアスリセット処理を実行する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光リセット処理については間接変換型のTFT基板であれば適用することができ、電気リセット処理およびバイアスリセット処理については、間接変換型のTFT基板でも直接変換型のTFT基板でも適用することができる。また、上記各実施の形態では、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各々の解像度が同一である場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの各解像度が異なっている形態としてもよい。また、上記各実施の形態では、リセット処理を動画撮影の開始直後に実行する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、動画撮影の終了直前や、動画撮影の最中にリセット処理を実行する形態としてもよい。また、上記第3の実施の形態では、直接変換方式の放射線感応層としてCsIを含んで構成されたものを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、CsBr等の他の柱状結晶を含むものを適用する形態としてもよい。また、上記各実施の形態では、電子カセッテ40の筐体41の内部にカセッテ制御部58や電源部70等を収容したケース42と放射線検出器とを重ならないように配置した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器とカセッテ制御部58や電源部70を重なるように配置してもよい。また、上記各実施の形態では特に言及しなかったが、TFT基板30AおよびTFT基板30Bの少なくとも一方がフレキシブル基板であることが好ましい。これにより、シンチレータ8の柱状結晶の先端部の位置が揃っていない場合でも、シンチレータ8と、当該シンチレータ8に積層されるTFT基板との密着性を向上させることができる。なお、この場合、適用するフレキシブル基板として、近年開発されたフロート法による超薄板ガラスを基材として用いたものを適用することが、放射線の透過率を向上させるうえで好ましい。なお、この際に適用できる超薄板ガラスについては、例えば、旭硝子株式会社、フロート法による世界最薄0.1ミリ厚の超薄板ガラスの開発に成功、online、平成23年8月20日検索、インターネット<URL:httpwwwagccomnews20110516pdf>に開示されている。また、放射線検出器20のセンサ部13として、光電変換膜4を、有機光電変換材料を含む材料で構成した有機CMOSセンサを用いてもよく、放射線検出器20のTFT基板30A、30Bとして、薄膜トランジスタ10としての有機材料を含む有機トランジスタを、可撓性を有するシート上にアレイ状に配列した有機TFTアレイシートを用いてもよい。上記の有機CMOSセンサは、例えば、特開2009-212377号公報に開示されている。また、上記の有機TFTアレイシートは、例えば日本経済新聞、東京大学、ウルトラフレキシブルな有機トランジスタを開発、online、平成23年5月8日検索、インターネット<URL:httpwwwnikkeicomtechtrendarticleg96958A9C93819499E2EAE2E0E48DE2EAE3E3E0E2E3E2E2E2E2E2E2E2p9694E0E7E2E6E0E2E3E2E2E0E2E0>に開示されている。各放射線検出器のセンサ部13としてCMOSセンサを用いる場合、高速に光電変換を行うことができる利点や、基板を薄くすることができる結果、ISS方式を採用した場合に放射線の吸収を抑制することができると共に、マンモグラフィによる撮影にも好適に適用することができる利点がある。これに対し、各放射線検出器のセンサ部13としてCMOSセンサを用いる場合の欠点として、結晶シリコン基板を用いた場合において放射線に対する耐性が低いことが挙げられる。このため、従来は、センサ部とTFT基板との間にFOPファイバ光学プレートを設ける等といった対策を行う技術もあった。この欠点を踏まえて、放射線に対する耐性の高い半導体基板として、SiC炭化ケイ素基板を用いる技術が適用できる。SiC基板を用いることにより、ISS方式として用いることができる利点や、SiCはSiと比較して内部抵抗が小さく、発熱量が少ないため、動画撮影を行う際の発熱量の抑制、CsIの温度上昇に伴う感度低下を抑制することができる利点がある。このように、SiC基板等の放射線に対する耐性が高い基板は一般にワイドキャップ~3eV程度なので、一例として図16に示すように、吸収端が青領域に対応する440nm程度である。よって、この場合は、緑領域で発光するCsI:Tlや、GOS等のシンチレータを用いることができない。なお、図16は、有機光電変換材料としてキナクリドンを用いた場合の各種材料のスペクトルである。これに対し、アモルファスシリコンの感度特性から、これらの緑領域で発光するシンチレータの研究が盛んに行われてきたため、当該シンチレータを用いることの要望が高い。このため、光電変換膜4を緑領域での発光を吸収する有機光電変換材料を含む材料で構成することにより、緑領域で発光するシンチレータを用いることができる。光電変換膜4を、有機光電変換材料を含む材料により構成し、薄膜トランジスタ10を、SiC基板を用いて構成した場合、光電変換膜4と薄膜トランジスタ10との感度波長領域が異なるので、シンチレータによる発光が薄膜トランジスタ10のノイズとならない。また、光電変換膜4として、SiCと有機光電変換材料を含む材料とを積層させれば、CsI:Naのような、主として青領域の発光を受光することに加えて、緑領域の発光も受光することができる結果、感度の向上に繋がる。また、有機光電変換材料は放射線の吸収が殆どないため、ISS方式に好適に用いることができる。なお、SiCが放射線に対する耐性が高いのは、放射線が当たっても原子核が弾き飛ばされにくいためであり、この点は、例えば、日本原子力研究所、宇宙や原子力分野などの高放射線環境下で長く使える半導体素子を開発、online、平成23年5月8日検索、インターネット<URL:httpwwwjaeagojpjarijpnpublish01ffff36sichtml>に開示されている。また、SiC以外の放射線に対する耐性が高い半導体材料として、Cダイヤモンド、BN、GaN、AlN、ZnO等が挙げられる。これらの軽元素半導体材料が耐放射線性が高いのは、主としてワイドギャップ半導体であるがために電離電子-正孔対形成に要するエネルギーが高く、反応断面積が小さいことや、原子間のボンディングが強く、原子変位生成が起こりにくいことに起因する。なお、この点については、例えば、電子技術総合研究所、原子力エレクトロニクスの新展開、online、平成23年5月8日検索、インターネット<URL:httpwwwaistgojpETLjpresultsbulletinpdf6210to11kobayashi150pdf>や、酸化亜鉛系電子デバイスの耐放射線特性に関する研究、平成21年度財若狭湾エネルギー研究センター公募型共同研究報告書,平成22年3月等に開示されている。また、GaNの耐放射線性については、例えば、東北大学、窒化ガリウム素子の放射線耐性評価、online、平成23年5月8日検索、インターネット<URL:httpcycgw1cyrictohokuacjpsakemiws2007wspdfnaritapdf>に開示されている。なお、GaNは青色LED以外の用途として熱伝導性がよいことと、絶縁耐性が高いことから、パワー系の分野でIC化が研究されている。また、ZnOは、主に青~紫外線領域で発光するLEDが研究されている。ところで、SiCを用いる場合、バンドギャップEgがSiの約1.1eVから約2.8eVとなるため、光の吸収波長λが短波長側にシフトする。具体的には、波長λ=1.24/Eg×1000であるので、440nm程度までの波長に感度が変化する。よって、SiCを用いる場合、一例として図17に示すように、シンチレータも緑領域で発光するCsI:Tlピーク波長:約565nmよりも青領域で発光するCsI:Naピーク波長:約420nmの方が発光波長として適していることになる。蛍光体としては青発光がよいので、CsI:Naピーク波長:約420nm、BaFX:EuXはBr,I等のハロゲン、ピーク波長:約380nm、CaWO4ピーク波長:約425nm、ZnS:Agピーク波長:約450nm、LaOBr:Tb、Y2O2S:Tb等が適している。特に、CsI:NaとCRカセッテ等で用いられているBaFX:Eu、スクリーンやフイルム等で用いられているCaWO4が好適に用いられる。一方、放射線に対する耐性が高いCMOSセンサとして、SOISiliconOnInsulatorによりSi基板/厚膜SiO2/有機光電変換材料の構成を用いてCMOSセンサを構成してもよい。なお、この構成に適用可能な技術としては、例えば、宇宙航空研究開発機構JAXA宇宙科学研究所、民生用最先端SOI技術と宇宙用耐放射線技術の融合により耐放射線性を持つ高機能論理集積回路の開発基盤を世界で初めて構築、online、平成23年5月8日検索、インターネット<URL:httpwwwjaxajppress20101120101122soijhtml>が挙げられる。なお、SOIにおいては膜厚SOIの放射線耐性が高いため、高放射線耐久性素子としては、完全分離型厚膜SOI、部分分離型厚膜SOI等が例示される。なお、これらのSOIについては、例えば、特許庁、SOISiliconOnInsulator技術に関する特許出願技術動向調査報告、online、平成23年5月8日検索、インターネット<URL:httpwwwjpogojpshiryoupdfgidouhoukokusoipdf>に開示されている。また、放射線検出器20の薄膜トランジスタ10等が光透過性を有しない構成例えば、アモルファスシリコン等の光透過性を有しない材料で活性層17を形成した構成であっても、この薄膜トランジスタ10等を、光透過性を有する基板1例えば合成樹脂製の可撓性基板上に配置し、基板1のうち薄膜トランジスタ10等が形成されていない部分は光が透過するように構成することで、光透過性を有する放射線検出器20を得ることは可能である。光透過性を有しない構成の薄膜トランジスタ10等を、光透過性を有する基板1上に配置することは、第1の基板上に作製した微小デバイスブロックを第1の基板から切り離して第2の基板上に配置する技術、具体的には、例えばFSAFluidicSelfAssemblyを適用することで実現できる。上記のFSAは、例えば富山大学、微少半導体ブロックの自己整合配置技術の研究、online、平成23年5月8日検索、インターネット<URL:httpwww3utoyamaacjpmaezawaResearchFSAhtml>に開示されている。"