"光源と、ケーシングと、電気接続部とを有するオプトエレクトロニクス半導体装置であって、前記光源は、一次放射を放射し、前記一次放射のピーク波長は420~460nmの範囲にあり、前記一次放射は、420nmを下回る範囲まで延びている前記一次放射の立ち上がり部分を有している、オプトエレクトロニクス半導体装置において、前記立ち上がり部分の範囲における放射、又は、前記立ち上がり部分の範囲の一部における放射を、追加的な蛍光物質によって可視放射に変換する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体装置。前記追加的な蛍光物質は、380~420nmの範囲における放射を、少なくとも部分的に、有利にはできるだけ効率的に、可視放射に変換する、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。前記追加的な蛍光物質は、特に430~565nmにおける青色から黄色のスペクトル範囲において、自身の放射のピークを有する、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。前記光源は、主たる蛍光物質を有する変換LEDである、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。前記追加的な蛍光物質は、チップの上、及び/又は、前記ケーシングの側壁の上に被着されている、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。前記追加的な蛍光物質は、主たる蛍光物質の前にチップの上に被着されているか、又は、主たる蛍光物質と混合されている、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。前記追加的な蛍光物質は、M10PO46Cl2:Eu但し、M=Sr,Ba,Ca単独又は組み合わせ、BaxEu1-xMgAl10O17但し、x=0.3~0.5、Sr1-x-yCexLiy2Si5N8、からなるグループから選択されている、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。本発明の課題は、請求項1の上位概念に記載のオプトエレクトロニクス半導体装置において、材料のUV耐性の欠如という問題に対して改善された解決方法を発見することである。この課題は、請求項1の特徴部分に記載の構成によって解決される。特に有利な実施形態は、従属請求項に記載されている。本発明は、欠点を利点に変換することによって上記課題を解消している。これにより、LEDの有機コンポーネント又は構成部材に対するUV保護の改善だけではなく、主放射が420nmを上回るチップのためのLEDにおける効率の増加も達成することができる。典型的には、放射の最大値は、例えば約440nm例えば図2を参照にある。この場合、420nmを下回る波長を有する短波のUV放射も若干の割合約10で発生し、このUV放射が、C-C;C-H;C-O-O-Hのような有機結合を分解して、不所望な変色をもたらす。このUV部分を適当な光学フィルタ例えばコーティングによって遮断する、つまり吸収することによって、プラスチックを保護することが可能である。本発明によれば、光学的に利用できない、不所望な加熱を引き起こすだけの420nmを下回る短波のUV放射、特に380~420nmの範囲の短波のUV放射を、フィルタによって遮断しないことが提案される。その代わりにこの放射を、上記範囲における吸収率が比較的高い適当な蛍光物質によって可視光に変換することができ、こうすることによって発生する熱が少なくなるだけではなく、効率も改善される。有利には、特に、量子効率及び吸収率が50を上回る、有利には70を上回る、理想的には80を上回るという特性を備えた、380~420nmにおいて効率的に励起される蛍光物質が使用される。この蛍光物質が、可視範囲>420nmにおいて、チップと同様に放射すると理想的である。白色LEDの場合には、これは、例えば公知のYAG:Ce又は別のガーネットのような主たる蛍光物質コンポーネント光変換に関してに加えた、追加的な蛍光物質コンポーネントである。追加的な蛍光物質コンポーネントは、チップの色チップ色で、つまり青色で放射することができる。適当な蛍光物質は、例えばBAM又はSCAPである。しかしながら、追加的な蛍光物質は、主たる蛍光物質コンポーネントの色、又は、他の色で放射することも可能である。このことは例えば、黄色又は緑色を放射するケイ酸塩又は酸窒化物を使用した場合に生じる。複数の追加的な蛍光物質コンポーネントの混合も考えられる。追加的な付加的な蛍光物質コンポーネントは、層として、反射器及び/又は基板の上に被着させることができる。追加的な蛍光物質コンポーネントは、チップの色チップ色、つまり青色で放射することができる。適当な蛍光物質は、例えばBAM又はSCAPである。しかしながら、追加的な蛍光物質は、主たる蛍光物質コンポーネントの色、又は、他の色で放射することも可能である。このことは例えば、黄色又は緑色を放射するケイ酸塩又は酸窒化物を使用した場合に生じる。複数の追加的な蛍光物質コンポーネントの混合も考えられる。追加的な付加的な蛍光コンポーネントは、層として、反射器及び/又は基板の上に被着させることができる。420nmを上回る主放射、例えば約440nmの主放射を有するチップ放射の場合には、特に380~420nmの範囲における、回避できずに発生する短波のUV放射の部分を、追加的な蛍光物質コンポーネントによってより大きい波長の利用可能な放射に変換することができる。これにより可視光がより多くなるので効率が上昇し、相応して熱発生はより僅かになる。さらにこの場合には、基本的により数多くのプラスチックが使用可能となる。これに加えて、オプションとして、LEDの放射特性が改善される。本発明は、全変換であれ部分変換であれ、変換LEDのためだけに適しているのではなく、純粋なLED、特に青色LEDのためにも適している。特に良好に適した追加的な蛍光物質、乃至、効率を改善する単一の蛍光物質の純粋なLEDの場合における追加的な蛍光物質は、M10PO46Cl2:Eu但し、M=Sr,Ba,Ca単独又は組み合わせである。特に適当なのは、Sr10PO46Cl2:Euである。ドーパントのEuによって、部分的にこれの格子サイト上にあるM、有利にはSrが置き換えられる。有利なドーパントは、3~6molのEuである。本発明の本質的な特徴を、番号を付した箇条書きの形態で記載する:[請求項1]光源と、ケーシングと、電気接続部とを有するオプトエレクトロニクス半導体装置であって、前記光源は、一次放射を放射し、前記一次放射のピーク波長は420~460nmの範囲にあり、前記一次放射は、420nmを下回る範囲まで延びている前記一次放射の立ち上がり部分を有している、オプトエレクトロニクス半導体装置において、前記立ち上がり部分の範囲における放射、又は、前記立ち上がり部分の範囲の一部における放射を、追加的な蛍光物質によって可視放射に変換する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体装置。[請求項2]前記追加的な蛍光物質は、380~420nmの範囲における放射を、少なくとも部分的に、有利にはできるだけ効率的に、可視放射に変換する、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。[請求項3]前記追加的な蛍光物質は、特に430~565nmにおける青色から黄色のスペクトル範囲において、自身の放射のピークを有する、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。[請求項4]前記光源は、主たる蛍光物質を有する変換LEDである、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。[請求項5]前記追加的な蛍光物質は、チップの上、及び/又は、前記ケーシングの側壁の上に被着されている、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。[請求項6]前記追加的な蛍光物質は、主たる蛍光物質の前にチップの上に被着されているか、又は、主たる蛍光物質と混合されている、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。[請求項7]前記追加的な蛍光物質は、M10PO46Cl2:Eu但し、M=Sr,Ba,Ca単独又は組み合わせ、BaxEu1-xMgAl10O17但し、x=0.3~0.5、Sr1-x-yCexLiy2Si5N8、からなるグループから選択されている、ことを特徴とする請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体装置。以下本発明を、複数の実施例に基づいてより詳細に説明する。図1は、変換LEDKonversionsLEDにおいて一次放射源として使用可能なLEDの、典型的な放射スペクトルを示す。多くの場合、InGaN型のLEDである。動作電流は、典型的には10~40mA曲線1:10mA、曲線2:20mA、曲線3:30mA、曲線4:40mAであり、動作電流が増加するにつれて、一次放射のピークはより短い波長の方向へとシフトする。それと同時に、420nmより下の放射の短波の立ち上がり部分における一次放射の割合が増加する。本発明の意義は、420nmを下回る範囲、特に380~420nmの範囲を利用可能にすることである。種類及び動作電流に応じて、上記範囲における割合が約10となることがある。この割合が少なくとも1である場合には、本発明の使用が意義深い。LEDのケーシングに衝突するこの放射の割合は、チップの種類、及び、場合によっては使用されている変換技術に強く依存している。薄膜チップとして構成されていない青色を放射するチップの場合、つまり特に、発光層がサファイア基板上に被着された、体積から放射するチップの場合には、この割合が非常に高くなっている。図2は、UVを青色に変換する適当な蛍光物質の実施例を示す。これはSr0.96Eu0.0410PO46Cl2である。このハロりん酸塩は、まさに380~420nmの範囲において強力に吸収し、青色で、実質的には430~490nmの範囲において放射する。図3は、LED1の概略原理図を示す。LEDは、ケーシング2を有し、ケーシング2の中には、青色を放射するピークは約440~450nmInGaN型のチップ3が収容されている。LEDのケーシング2は、基板4と、反射性の側壁5とを有する。チップの上には、主たる蛍光物質、特にYAG:Ceか、又は、他のガーネット、オルトケイ酸塩、又は、シオン、窒化シリケート、サイアロン等が直接被着されている。側壁5の内側には、上述したハロりん酸のような追加的な蛍光物質が被着されている。さらなる別の蛍光物質として、特に、EA1-x-yCexLiy2Si5N8但し、EA=Sr,Ba,Ca、BaxEu1-xMgAl10O17高いEu濃度x=0.3~0.5を有する、又は、Sr1-xEuxAl12O19のような、近紫外線で励起可能なアルミン酸塩が可能である。図4によれば、追加的な蛍光物質が、チップ3の上にも被着されている。この追加的な蛍光物質は、有利には、別個の層8として主コンポーネント6の下に位置している。しかしながら、この追加的な蛍光物質を、単一の層10において、主コンポーネント6と混合させることも可能である。図5を参照のこと。追加的な蛍光物質は、パウダー層として存在することができるか、又は、マトリクス内に固定させることができる。このマトリクスは、有機又は無機とすることができ、有利にはUV安定的である。適当なのは、例えばシリコーン又はガラスである。若干の加熱によってプラスチック反射器の表面に固定させることも可能である。被着は、例えばスプレー、シルクスクリーン、ディスペンス等、又は、場合によっては適当な熱処理のような、当業者にも公知の従来通りの方法のうちの1つによって実施される。白色LEDにおいて、追加的なコンポーネントとして青色を放射する蛍光物質が選択された場合には、しばしば発生するイエローリングを、反射器からの青色の放射と混合することによって少なくとも部分的に白色光に変換し、これによって緩和させることができる。追加的な蛍光物質コンポーネントが、反射器材料に類似した反射特性を有する場合には、この反射器材料を、追加的な蛍光物質コンポーネントによって完全に又は部分的に置き換えることが可能である。追加的な蛍光物質の中に、光を反射する及び/又は散乱させる粒子を混合させることも可能である。理想的には、80を上回る、有利には90を上回る高い量子効率を有する、380~420nmの範囲の放射を変換する追加的な蛍光物質UVコンバータが使用される。さらに、高い変換効率を達成するために、380~420nmの波長範囲におけるコーティングの吸収率をできるだけ高くするべきである。変換LEDの場合には、関連するUVコンバータによる、LEDの有効放射の範囲420nmから場合によって780nmまでにおける吸収ができるだけ少ないと、LEDの効率にとって有利である。UV部分を青色光に変換するための追加的なコンバータの実施例は、例えば、Ba0.4Eu0.6MgAl10O17,Sr0.96Eu0.0410PO46Cl2型の高効率蛍光物質である。UV部分を黄色光に変換するための追加的なコンバータの実施例は、例えば、Sr1-x-yCexLiy2Si5N8である。特にここでのx及びyは、それぞれ0.1~0.01の範囲にある。x=yである蛍光物質Sr1-x-yCexLiy2Si5N8が、特に適当である。図6は、いわゆるイエローリングを回避するLED1の実施例を図示している。ここでも、チップ3の上又は前にも、層6の中に、特に黄色を放射する主たる蛍光物質が設けられている。正面に向かって、青色の一次放射と黄色の二次放射との混合によって、白色光が放出される矢印a。変換層から側方には、白色光ではなく、黄色に近い光が放出される矢印b。なぜなら蛍光物質、乃至、蛍光物質を含むマトリクスの散乱特性及び放射特性が異なるからである。この黄色に近い光は、主として側壁5へと放出され、側壁5に被着された層7から放出された追加的な蛍光物質の青色光と混合され、これによって外側のリング範囲矢印cにおいても、不所望なイエローリングは発生せず、白色光が放射されることとなる。図7は、光源として主たる蛍光物質を有さない純粋なInGaNチップ2が使用されるLED1の実施例この構成要素は基本的にレーザとすることもできるを図示している。このチップは、図1に図示したのと同様に青色を放射する。チップに前置して、追加的な蛍光物質7が、ここではBAMが、より詳細にはいかなる主たる蛍光物質も有さずに直接接続されており、この追加的な蛍光物質7が、一次放射の立ち上がり部分の範囲を青色の放射に変換するので、特に効率的な青色LEDが実現されている。ここでは側壁には、公知のように簡単に反射性のコーティング15が設けられている。本発明の重要な点は、オプトエレクトロニクス半導体装置が、一次放射源の放射の420nmを下回る立ち上がり部分の範囲を可視放射に変換する追加的な蛍光物質を使用するということである。特に以下のことが当てはまる。チップ放射は、420nmを上回る、特に425~450nm、例えば約440nmの主放射を有する。発生した、420nmを下回る短波のUV、有利には380~420nmの短波のUVを、フィルタによって遮断するのではなく、光に変換する。これにより可視光がより多くなるので効率が上昇し、これによって熱発生はより僅かになる。380~420nmにおいてできる限り効率的に励起され、かつ、チップと同様に放射する、青色を放射する追加的な蛍光物質、特にSr0.96Eu0.0410PO46Cl2が有利である。380~420nmにおいて効率的に励起される、他の追加的な蛍光物質色、特に黄色を放射する蛍光物質も適当である。これらは単独の形態として、又は、青色の追加的な蛍光物質と組み合わせて適当である。420nmを下回る、特に380~420nmの範囲における一次放射を回避又は低減することを目標とする。なぜなら上記のような一次放射は、有機結合C-C;C-H;C-O-O-Hを最も効果的に分解してしまうので、これを回避すべきだからである。これによって、使用可能なプラスチックのケーシングに対する選択肢が非常に多岐にわたるようになり、場合によってコスト的に有利なプラスチックを使用することができるようになる。このようなプラスチックは、特に基板として使用可能とすることができる。択一的に、これによりLEDの寿命がより長くなる。青色及び/又は黄色を放射する追加的な蛍光物質は、特に基板の反射器領域にて、単独で、又は、図3のように反射器材料例えばTiO2と組み合わせて施与される。6番目の点に補足して、青色及び/又は黄色を放射する追加的な蛍光物質は、チップの上に、又は、図4のように主たる蛍光物質例えばYAGの下側に、又は、図5のように主たる蛍光物質の中に、施与することができる。さらには図6のように、反射器からの青色の放射によってイエローリングを低減又は回避することができる。青色及び/又は黄色を放射する追加的な蛍光物質が、反射器材料に類似した反射特性を有する場合には、この反射器材料を、追加的な蛍光物質によって完全又は部分的に置き換えることができる。"