基板の上に配置された第1の電極層と、前記第1の電極層の上に配置され、第1のバリア層、及び該第1のバリア層内に分布し、該第1のバリア層より狭いバンドギャップを有する複数の第1の量子ドットを含む第1の活性層と、前記第1の活性層の上に配置された第2の電極層と、前記第2の電極層の上に配置され、第2のバリア層、及び該第2のバリア層内に分布し、該第2のバリア層より狭いバンドギャップを有する複数の第2の量子ドットを含む第2の活性層と、前記第2の活性層の上に配置された第3の電極層とを有し、前記第1の量子ドットは前記第2の量子ドットより大きい光検知素子。前記基板の表面に平行な仮想平面に、前記第1の量子ドットを垂直投影した像の面積の平均が、前記第2の量子ドットを垂直投影した像の面積の平均の2倍以上である請求項1に記載の光検知素子。前記第1の量子ドットの基底量子準位と前記第1のバリア層の伝導帯下端とのエネルギ差に対応する前記第1の活性層の光吸収スペクトルのピークの面積をS1、前記第2の量子ドットの基底量子準位と前記第2のバリア層の伝導帯下端とのエネルギ差に対応する前記第2の活性層の光吸収スペクトルのピークの面積をS2、前記第1の活性層の前記光吸収スペクトルのピークと前記第2の活性層の前記光吸収スペクトルのピークとの重なり部分の面積をS3としたとき、S3≦0.1×S1、かつS3≦0.1×S2である請求項1または2に記載の光検知素子。さらに、前記第3の電極層の上に配置され、第3のバリア層、及び該第3のバリア層内に分布し、該第3のバリア層より狭いバンドギャップを有する複数の第3の量子ドットを含む第3の活性層と、前記第3の活性層の上に配置された第4の電極層とを有し、前記第2の量子ドットは、前記第3の量子ドットより大きい請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光検知素子。基板の上に、第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層の上に、複数の第1の量子ドットを含む第1の活性層を形成する工程と、前記第1の活性層の上に第2の電極層を形成する工程と、前記第2の電極層の上に、複数の第2の量子ドットを含む第2の活性層を形成する工程と、前記第2の活性層の上に第3の電極層を形成する工程とを有し、前記第1の活性層を形成する工程において、前記第1のバリア層の一部となる第1の繰返し単位層の形成と、前記第1の繰返し単位層の上に前記第1の量子ドットを形成する工程とを繰り返し、前記第2の活性層を形成する工程において、前記第2のバリア層の一部となる第2の繰返し単位層の形成と、前記第2の繰返し単位層の上に前記第2の量子ドットを形成する工程とを繰り返し、前記第2の量子ドットを形成するときの基板温度が前記第1の量子ドットを形成するときの基板温度よりも低い光検知素子の製造方法。前記第2の量子ドットを形成するときの成長速度が、前記第1の量子ドットを形成するときの成長速度より速くなる条件で原料を供給する請求項5に記載の光検知素子の製造方法。前記第1の繰返し単位層を形成する工程において、前記第1の繰返し単位層の成長中に、基板温度を、前記第1の量子ドット形成時の基板温度から上昇させ、その後前記第1の量子ドット形成時の基板温度まで低下させ、前記第2の繰返し単位層を形成する工程において、前記第2の繰返し単位層の成長中に、基板温度を、前記第2の量子ドット形成時の基板温度から上昇させ、その後前記第2の量子ドット形成時の基板温度まで低下させる請求項5または6に記載の光検知素子の製造方法。物体から放射された電磁波は、物体からの距離が遠くなるに従って、強度が弱くなる。すなわち、物体から放射される電磁波のある波長成分の強度は、物体の温度と、物体からの距離との両方に依存する。従って、物体からの距離が不明確である場合には、電磁波の強度のみに基づいて物体の温度を高精度に推定することが困難である。以下に説明する本願の実施例においては、物体から放射される電磁波を検知することにより、物体の温度を推定することが可能な光検知素子及びその製造方法が示される。本発明の一観点によると、基板の上に配置された第1の電極層と、前記第1の電極層の上に配置され、第1のバリア層、及び該第1のバリア層内に分布し、該第1のバリア層より狭いバンドギャップを有する複数の第1の量子ドットを含む第1の活性層と、前記第1の活性層の上に配置された第2の電極層と、前記第2の電極層の上に配置され、第2のバリア層、及び該第2のバリア層内に分布し、該第2のバリア層より狭いバンドギャップを有する複数の第2の量子ドットを含む第2の活性層と、前記第2の活性層の上に配置された第3の電極層とを有し、前記第1の量子ドットは前記第2の量子ドットより大きい光検知素子が提供される。本発明の他の観点によると、基板の上に、第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層の上に、複数の第1の量子ドットを含む第1の活性層を形成する工程と、前記第1の活性層の上に第2の電極層を形成する工程と、前記第2の電極層の上に、複数の第2の量子ドットを含む第2の活性層を形成する工程と、前記第2の活性層の上に第3の電極層を形成する工程とを有し、前記第1の活性層を形成する工程において、前記第1のバリア層の一部となる第1の繰返し単位層の形成と、前記第1の繰返し単位層の上に前記第1の量子ドットを形成する工程とを繰り返し、前記第2の活性層を形成する工程において、前記第2のバリア層の一部となる第2の繰返し単位層の形成と、前記第2の繰返し単位層の上に前記第2の量子ドットを形成する工程とを繰り返し、前記第2の量子ドットを形成するときの基板温度が前記第1の量子ドットを形成するときの基板温度よりも低い光検知素子の製造方法が提供される。第1の活性層に含まれる第1の量子ドットと、第2の活性層に含まれる第2の量子ドットとの大きさを異ならせることにより、波長が異なる2つの成分の光強度を検知することが可能になる。これにより、物体からの距離の影響を排除し、物体の温度を推定することが可能になる。基板側に配置される量子ドットを相対的に大きくすることにより、量子ドットが受ける熱履歴の影響を低減させることができる。[実施例1]図1に、実施例1による光検知素子の断面図を示す。半導体基板10の上に、第1の電極層11が形成されている。半導体基板10は、例えば半絶縁性のGaAsで形成される。第1の電極層11は、例えばn型GaAsで形成され、その厚さは1000nmである。n型不純物としてSiが用いられ、第1の電極層11のn型不純物濃度は、例えば1×1018cm-3である。第1の電極層11の一部の領域上に第1の活性層15が配置されている。第1の活性層15は、第1のバリア層13と、第1のバリア層13内に分布する複数の第1の量子ドット14とで構成される。第1の量子ドット14は、第1のバリア層13よりも狭いバンドギャップを有する。第1のバリア層13は、複数の第1の繰返し単位層13Aが積層された構造を有する。第1の量子ドット14は、積層方向に隣り合う第1の繰返し単位層13Aの界面に分布している。第1の繰返し単位層13Aは、例えば、Al組成比が0.2のノンドープのAlGaAsで形成される。第1の繰返し単位層13Aの各々の厚さは、例えば50nmである。第1の量子ドット14は、例えばInAsで形成される。第1のバリア層13は、例えば11層の第1の繰返し単位層13Aを含む。第1の活性層15の上に、第2の電極層17が形成されている。第2の電極層17の材料、不純物濃度、及び厚さは、第1の電極層11の材料、不純物濃度、及び厚さと同一である。第2の電極層17の一部の領域上に、第2の活性層20が配置されている。第2の活性層20は、第2のバリア層18と、第2のバリア層18内に分布する複数の第2の量子ドット19とで構成される。第2の量子ドット19は、第2のバリア層18よりも狭いバンドギャップを有する。第2のバリア層18は、複数の第2の繰返し単位層18Aが積層された構造を有する。第2の量子ドット19は、積層方向に隣り合う第2の繰返し単位層18Aの界面に分布している。また、第2の量子ドット19の体積は、第1の量子ドット14の体積よりも小さい。第2の繰返し単位層18Aの各々の材料及び厚さは、第1の繰返し単位層13Aの材料及び厚さと同一である。第2の量子ドット19の材料は、第1の量子ドット14の材料と同一である。第2の繰返し単位層18Aの積み重ね層数は、第1の繰返し単位層13Aの積み重ね層数と同一である。第2の活性層20の上に、第3の電極層22が形成されている。第3の電極層22の材料、不純物濃度、及び厚さは、第1の電極層11の材料、不純物濃度、及び厚さと同一である。第1の電極層11、第2の電極層17、及び第3の電極層22に、それぞれ第1の電極25、第2の電極26、及び第3の電極27がオーミック接触している。第1~第3の電極25~27は、例えばAuGe層とAu層とが積層された2層構造を有する。第1の直流電圧源30が、第2の電極26に対して第1の電極25に正の電圧を印加する。これにより、第1の活性層15に厚さ方向の電流が流れる。第2の直流電圧源31が、第2の電極26に対して第3の電極27に正の電圧を印加する。これにより、第2の活性層20に厚さ方向の電流が流れる。第1の電流計35によって、第1の活性層15に流れる電流が測定され、第2の電流計36によって、第2の活性層20に流れる電流が測定される。次に、図2A、図2B、図3を参照して、実施例1による光検知素子の製造方法について説明する。図2Aに、各半導体層成膜後の断面図を示し、図3に、各半導体層の成膜時の基板温度の時間変化を示す。図3の横軸は、経過時間を表し、横軸に付された参照符号は、その時間帯に成膜される半導体層図2Aに対応する。図3の縦軸は、基板温度を表す。各半導体層の成膜には、例えば、分子線エピタキシMBEが適用される。基板温度を室温から温度TBまで上昇させる。温度TBは、例えば600°Cである。基板温度を600°Cに維持し、半導体基板10の上に、n型GaAsからなる第1の電極層11を形成する。さらに、ノンドープのAlGaAsからなる第1の繰返し単位層13Aを形成する。繰返し単位層13Aの形成中に、基板温度をTBからTQ1まで低下させる。基板温度TQ1は、例えば500°Cである。基板温度をTQ1に維持した状態で、成長速度が0.1モノレイヤ/sとなる条件で、2.5モノレイヤ分のInAs原料を基板上に供給する。InAs原料の供給過程で、成長モードが2次元成長から3次元成長に遷移し、自己組織的に第1の量子ドット14が形成される。第1の量子ドット14を形成した後、AlGaAs原料を供給することにより、第1の繰返し単位層13Aを形成する。第1の繰返し単位層13Aの成膜中に、基板温度をTQ1からTBまで上昇させた後、再度、基板温度をTQ1まで低下させる。その後、第1の量子ドット14の形成と、第1の繰返し単位層13Aの形成とを、9回繰返し実行する。最も上の第1の繰返し単位層13Aの成膜過程では、基板温度をTQ1からTBまで上昇させた後、基板温度をTBに維持したまま、第2の電極層17を形成する。第2の電極層17を形成した後、第2の繰返し単位層18Aを形成する。第2の繰返し単位層18Aの成膜中に、基板温度をTBからTQ2まで低下させる。基板温度TQ2は、第1の量子ドット14を形成したときの基板温度TQ1よりも低く、例えば460°Cである。基板温度をTQ2に維持した状態で、成長速度が0.2モノレイヤ/sとなる条件で、2.0モノレイヤ分のInAs原料を基板上に供給する。InAs原料の供給過程で、成長モードが2次元成長から3次元成長に遷移し、自己組織的に第2の量子ドット19が形成される。第2の量子ドット19の形成時には、第1の量子ドット14の形成時よりも基板温度が低い。このため、In原子及びAs原子の凝集が抑制される。また、InAs原料の供給速度成膜速度が速いことによっても、In原子及びAs原子の凝集が抑制される。さらに、第2の量子ドット19の形成時は、第1の量子ドット14の形成時よりも原料の供給量が少ない。これらの要因により、第2の量子ドット19が第1の量子ドット14よりも小さくなる。ここで、小さいとは、体積が小さいこと、及び基板面に平行な仮想平面への垂直投影像の面積が小さいことを意味する。上述の条件では、第1の量子ドット14及び第2の量子ドット19の、基板面に平行な仮想平面への垂直投影像が、直径30nm及び15nmの円形で近似される形状になる。なお、厳密には、量子ドットの斜面には、成長速度が相対的に遅いミラー指数の結晶面が現れ、垂直投影像は多角形になるが、この多角形は、ほぼ円形で近似することができる。第2の量子ドット19を形成した後、AlGaAs原料を供給することにより、第2の繰返し単位層18Aを形成する。第2の繰返し単位層18Aの成膜中に、基板温度をTQ2からTBまで上昇させた後、再度、温度TQ2まで低下させる。その後、第2の量子ドット19の形成と、第2の繰返し単位層18Aの形成とを、9回繰返し実行する。最も上の第2の繰返し単位層18Aの成膜過程では、基板温度をTQ2からTBまで上昇させた後、基板温度をTBに維持したまま、第3の電極層22を形成する。ここまでで、半導体層の成膜工程が終了する。図2Bに示すように、一般的なフォトリソグラフィ及びドライエッチングを用いて、第1の電極層11の上面までエッチングすることにより、第1の電極層11の一部を露出させる。さらに、他の領域を第2の電極層17の上面までエッチングすることにより、第2の電極層17の一部を露出させる。図1に示したように、第1の電極層11の露出した上面、第2の電極層17の露出した上面、及び第3の電極層22の上面に、それぞれ第1の電極25、第2の電極26、及び第3の電極27を、金属蒸着法及びリフトオフにより形成する。次に、実施例1による光検知素子の動作について説明する。第1の量子ドット14の伝導帯の基底量子準位と、第1のバリア層13の伝導帯下端とのエネルギ差が、赤外域の波長に相当する。同様に、第2の量子ドット19の伝導帯の基底量子準位と、第2のバリア層18の伝導帯下端とのエネルギ差も、赤外域の波長に相当する。量子ドットを含む活性層に、量子ドットの基底量子準位とバリア層の伝導帯下端とのエネルギ差に相当する波長の赤外線が入射すると、赤外線が吸収されて、量子ドットの基底量子準位に捕獲されていた電子が、バリア層の伝導帯まで励起される。伝導帯まで励起された電子は、活性層に印加されている電界により正の電極層まで輸送される。量子ドットに捕獲されていた電子が電極層まで輸送されることにより、活性層の負極性の空間電荷密度が低下する。これにより、伝導帯下端の、電子に対するポテンシャルが低下する。活性層の伝導帯下端のポテンシャルは、活性層を厚さ方向に輸送される電子に対して、ポテンシャル障壁となっている。このポテンシャル障壁が低くなることにより、活性層に流れる電流が増加する。この電流増加分を、光電流という。相対的に大きな第1の量子ドット14の基底量子準位は、相対的に小さな第2の量子ドット19の基底量子準位より深い。このため、第1の活性層15内の量子ドットの基底量子準位とバリア層の伝導帯下端とのエネルギ差は、第2の活性層20内のそれよりも大きい。従って、第1の活性層15の赤外線吸収スペクトルのピークは、第2の活性層20の赤外線吸収スペクトルのピークよりも短波長側に現れる。図4Aに、第1及び第2の活性層15、20の赤外線吸収スペクトルの一例を示す。第1の活性層14による吸収ピークp1のピーク波長はλ1であり、第2の活性層20による吸収ピークp2のピーク波長はλ2である。ここで、λ1<λ2が成立する。第1の活性層15及び第2の活性層20の光電流を別々に計測することにより、光検知素子に入射する赤外線の、波長λ1及び波長λ2の成分の強度を検知することができる。物体から放射される赤外線の2つの波長の成分の強度の比は、物体の温度によって異なる。この2つの波長の成分の強度を計測することにより、物体からの距離、すなわち赤外線の減衰の影響をほとんど受けることなく、物体の温度を推定することができる。赤外線の2つの波長の強度を別々に検知するためには、図4Aに示したように、第1の活性層15の吸収ピークp1と、第2の活性層20の吸収ピークp2とが明確に分離されていることが好ましい。図4Bに示すように、吸収ピークp1と吸収ピークp2とが、裾の部分で重なっていても、その重なり量が僅かであれば、2つの異なる波長の成分の強度を、別々に計測することが可能であるといえる。吸収ピークp1及び吸収ピークp2の面積を、それぞれS1、S2とし、両者が重なっている領域の面積をS3としたとき、S3≦0.1×S1、かつS3≦0.1×S2となるように、第1の活性層15及び第2の活性層20を設計することが好ましい。第1の量子ドット14の、基板面に平行な仮想平面への垂直投影像の面積の平均が、第2の量子ドット19のそれの2倍以上であれば、2つの吸収ピークp1とp2とが、明確に分離される。なお、第1の量子ドット14の、基板面に平行な仮想平面への垂直投影像の面積の平均が、第2の量子ドット19のそれの1.5倍以上であっても、十分なピークの分離が可能である。次に、図5A及び図5Bを参照して、第1の量子ドット14を第2の量子ドット19より大きくすることの効果について説明する。図5Aに示すように、第1の量子ドット14及び第1の繰返し単位層13Aを形成した後、第2の電極層17、第2の繰返し単位層18A、及び第2の量子ドット19を形成する。図3に示したように、第1の量子ドット14を形成した後、第1の量子ドット14は、その上の半導体層の形成時の熱履歴の影響を受ける。この熱履歴により、第1の量子ドット14内のInが繰返し単位層13A内に拡散する。これにより、第1の量子ドット14が、破線で示すように小さくなってしまう。第2の量子ドット19が受ける熱履歴は、第1の量子ドット14が受ける熱履歴よりも少ない。ここで、熱履歴は、温度と時間との積の累積値を意味する。図5Bに、第1の量子ドット14を第2の量子ドット19より小さくした比較例による光検知素子の部分断面図を示す。この比較例においても、第1の量子ドット14が、その後の熱履歴により小さくなる。図5A及び図5Bに示した例において、Inの拡散距離は、ほぼ同一になると考えられる。そうすると、図5Aに示した実施例1による第1の量子ドット14の体積の減少率は、図5Bに示した比較例による第1の量子ドット14の体積の減少率よりも小さい。ここで、形成直後の第1の量子ドット14の体積をV0、体積減少後の第1の量子ドット14の体積をV1としたとき、体積の減少率は、V0-V1/V0で表される。量子ドットの体積の減少、Inが拡散することによる伝導帯下端のポテンシャル形状の崩れ等により、基底量子準位の深さが変化してしまう。実施例1では、第1の量子ドット14の体積の減少率を低減させることにより、基底量子準位の深さの変動を抑制し、光吸収ピークが現れる波長の変動を抑制することができる。これにより、所望の検知特性を有する光検知素子を得ることができる。[実施例2]図6に、実施例2による光検知素子の断面図を示す。以下、図1に示した実施例1による光検知素子との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例2においては、第3の電極層22の上に、さらに第3の活性層42及び第4の電極層43が形成されている。第3の活性層42は、第1の活性層15、第2の活性層20と同様に、第3のバリア層40及び第3の量子ドット41を含む。第3のバリア層40は、複数の第3の繰返し単位層40Aで構成されている。第3の量子ドット41は、第2の量子ドット19よりも小さい。第4の電極層43の上面に、第4の電極45がオーミック接触している。第3の直流電圧源46が、第3の電極27と第4の電極45との間に、直流電圧を印加する。この電圧によって、第3の活性層42に厚さ方向の電流が流れる。第3の電流計が、第3の活性層42に流れる電流を計測する。第3の活性層42の光吸収スペクトルのピーク波長は、第2の活性層20のそれよりも長い。実施例2による光検知素子は、赤外線の3つの波長の成分の強度を検知することができる。これにより、物体の温度の推定精度を高めることができる。この場合、例えば、第2の量子ドット19を、基板面に平行な仮想平面に垂直投影した像の面積を、第3の量子ドット41を、基板面に平行な仮想平面に垂直投影した像の面積の1.5倍以上とすることが好ましい。[実施例3]図7に、実施例3による撮像装置の概略断面図を示す。半導体基板10の表面に、複数の光検知素子50が配置されている。光検知素子50の各々は、図1に示した実施例1による光検知素子と同一の構成を有する。図7において、光検知素子50の各構成部分に、図1に示した実施例1による光検知素子の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。光検知素子50は、1次元的または2次元的に分布している。第1の電極25、第2の電極26、及び第3の電極27に、それぞれ、突起電極バンプ51が形成されている。半導体基板10の、光検知素子50が形成された面に対向するように、集積回路基板60が配置されている。集積回路基板60には、図1に示した第1及び第2の直流電圧源30、31、第1及び第2の電流計35、36に相当するCMOS回路が形成されている。集積回路基板60の表面のうち、第1~第3の電極25~27に対応する位置に、電極パッド61が形成され、その上に突起電極62が形成されている。突起電極51、62は、例えばインジウムInで形成される。光検知素子50に接続された突起電極51と、集積回路基板60に形成された突起電極62とが、相互に固着されている。集積回路基板60の表面に、さらに、複数の電極端子63が形成されている。電極端子63を通して、集積回路基板60に形成されたCMOS回路に、制御信号が入力される。また、光検知素子50で検知された画像信号が、電極端子63を通して外部に出力される。半導体基板10の前方集積回路基板60が配置されていない方の空間にレンズ65が配置されている。物点から放射された赤外線が、レンズ65により集光されることにより、光検知素子50が配列する直線または平面上に赤外線像が形成される。光検知素子50に、上記実施例1による素子と同一の構造のものが用いられているため、赤外線の波長域の2つの波長の成分の強度を検知することができる。上記実施例1~実施例3では、赤外線用の光検知素子を示したが、実施例1~実施例3の構成は、赤外線以外の波長域の光検知素子に適用することも可能である。また、上記実施例1~3では、第1の活性層15、第2の活性層20、第3の活性層42の半導体材料をノンドープとしたが、n型の導電性を付与してもよい。これにより、素子抵抗を低減させることができる。また、第1の電極層11、第2の電極層17、第3の電極層22、及び第4の電極層43の導電型をp型としてもよい。この場合には、赤外線を吸収することにより、量子ドットの価電子帯側の基底量子準位に捕獲された正孔が、バリア層の価電子帯まで励起される。電極層をp型にする場合には、オーミック電極としてAuZnが用いられる。また、上記実施例1~3では、バリア層にAlGaAsを用い、量子ドットにInAsを用いたが、量子ドットのバンドギャップがバリア層のバンドギャップより狭くなるという条件の下で、他の化合物半導体を用いてもよい。例えば、量子ドット及びバリア層に、InAs、GaAs、AlAs、またはこれらの化合物半導体の混晶を用いてもよい。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。