"物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる工程と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して前記物体を照明し、前記物体の像を撮像して画像情報を生成する工程と、光量計測手段を用いて計測した光強度に応じて前記画像情報を補正する工程と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記画像情報に基づいて、前記投影光学系の焦点位置を検出する工程と、を有することを特徴とする焦点位置検出方法。複数のマークが刻まれている物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる工程と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して、順次前記複数のマークを照明し、前記複数のマークの像を撮像して画像情報を生成する工程と、光量計測手段を用いて計測した光強度に応じて前記画像情報を補正する工程と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記画像情報に基づいて、前記投影光学系の焦点位置を検出する工程と、を有することを特徴とする焦点位置検出方法。複数のマークが刻まれている物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる工程と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して、順次前記複数のマークを照明し、前記複数のマークの像を撮像して画像情報を生成する工程と、撮像された前記複数のマークの像のコントラスト値を算定する工程と、物体における光量の実測値を用いて前記コントラスト値の補正を行う工程と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記コントラスト値に基づいて前記投影光学系の焦点位置を検出する工程と、を有することを特徴とする焦点位置検出方法。前記コントラスト値の補正を行う工程では、前記複数のマークの像のコントラスト値について、[コントラスト値]/[撮像時の光量]によって補正コントラスト値を算出することを特徴とする請求項3に記載の焦点位置検出方法。前記ステージの各移動位置での撮像時の光強度が予め設定された範囲外であった場合、再度焦点位置検出をし直すことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の焦点位置検出方法。前記ステージの初期位置で撮像と光強度計測を繰り返し、光強度のばらつきが予め設定されている範囲内に収束してから焦点位置検出を開始することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の焦点位置検出方法。物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる手段と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して前記物体を照明し、前記平板状物体の像を撮像して画像情報を生成する手段と、撮像時の光強度を計測する光量計測手段と、前記光量計測手段で計測された光強度に応じて前記画像情報を補正する手段と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記画像情報に基づいて、前記投影光学系の焦点位置を検出する手段とを有することを特徴とする焦点位置検出装置。複数のマークが刻まれている物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる手段と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して、順次前記複数のマークを照明し、前記複数のマークの像を撮像して画像情報を生成する手段と、撮像時の光強度を計測する光量計測手段と、前記光量計測手段で計測されたに応じて前記画像情報を補正する手段と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記画像情報に基づいて、前記投影光学系の焦点位置を検出する手段と、を有することを特徴とする焦点位置検出装置。複数のマークが刻まれている物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる手段と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して、順次前記複数のマークを照明し、前記複数のマークの像を撮像して画像情報を生成する手段と、撮像された前記複数のマークの像のコントラスト値を算定する手段と、前記平板状物体部分における光量の実測値を用いて前記コントラスト値の補正を行う手段と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記コントラスト値に基づいて前記投影光学系の焦点位置を検出する手段と、を有することを特徴とする焦点位置検出装置。前記コントラスト値の補正を行う手段は、前記複数のマークの像のコントラスト値について、[コントラスト値]/[撮像時の光量]によって補正コントラスト値を算出するものであることを特徴とする請求項9に記載の焦点位置検出装置。前記ステージの各移動位置での撮像時の光強度が予め設定された範囲外であった場合、再度焦点位置検出をし直すことを特徴とする請求項7~10のいずれかに記載の焦点位置検出装置。前記ステージの初期位置で撮像と光強度計測を繰り返し、光強度のばらつきが予め設定されている範囲内に収束してから焦点位置検出を開始することを特徴とする請求項7~10のいずれかに記載の焦点位置検出装置。請求項1~6のいずれかに記載の焦点位置検出方法を用いることを特徴とする露光装置。請求項7~12のいずれかに記載の焦点位置検出装置を備えることを特徴とする露光装置。請求項13または14に記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。上記焦点位置検出方法は、精密な焦点位置検出を必要とする装置において有効な方法である。しかし、図3aのようにステージの複数の位置で基準マークを撮像する際、照明光強度intensityは一定でなく、僅かながら画像蓄積時間storagetime内の時間経過とともに強度が変化したり、振動したりする場合もある図3b。このような場合、コントラストが光強度の変化により影響を受け、Z軸位置対コントラスト値グラフを正しく作成することが出来なくなる。その結果、検出焦点位置にもずれが生じる。これの対策として、光源の安定性を上げる方法と、照明系内に光量をモニタするシステムを加える方法がある。しかし、光源の安定性を上げるためには照明系の精度を上げなければならず、システムが複雑で高価なものになってしまう。光量をモニタする方法はマーク撮像カメラとこれに加えて光量モニタの構成を行わなければならないのと、同一タイミングで測定しなくてはならない点で計測システムが複雑なものになってしまう。これらのことから、本発明は、複数のステージ位置で基準マークを撮像する際に、照明光強度が変化しても、焦点位置検出に与える影響を小さくし、かつ複雑でなく簡易に測定することができる焦点位置検出方法及び焦点位置検出装置を提供することを目的とする。上記課題を解決する為に、本発明に係る焦点位置検出方法は、物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる工程と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して前記物体を照明し、前記物体の像を撮像して画像情報を生成する工程と、光量計測手段を用いて計測した光強度に応じて前記画像情報を補正する工程と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記画像情報に基づいて、前記投影光学系の焦点位置を検出する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明に係る焦点位置検出装置は、物体を載置したステージを投影光学系の光軸方向に移動させる手段と、前記ステージの複数の移動位置にて前記投影光学系を介して前記物体を照明し、前記平板状物体の像を撮像して画像情報を生成する手段と、撮像時の光強度を計測する光量計測手段と、前記光量計測手段で計測された光強度に応じて前記画像情報を補正する手段と、前記ステージの複数の移動位置毎の補正された前記画像情報に基づいて、前記投影光学系の焦点位置を検出する手段とを有することを特徴とする。以上述べたように、本発明によれば、基準マーク撮像時の照明光強度変化が焦点計測に与える影響を小さくすることができ、より正確な焦点位置を検出することが可能となる。さらに、本発明は、同じ信号列からコントラストと光量を求めていることから、他の外乱を受けにくく、正確なコントラストの補正が可能となるという効果を奏する。また、半導体製造用露光装置においても、同様の効果が期待できる。第1の参考例半導体製造用露光装置における本発明の第1の参考例について説明する。図1において、RSはレチクルステージ、Rはレチクル、RMはレチクルマーク、Wは平板状物体としての露光基板であるウエハ、1は投影光学系である。また、Sは焦点位置検出用光学系であり、2は焦点位置検出照明手段、3はビームスプリッタ、4と5は結像光学系、6は撮像手段である。7はA/D変換手段、8は積算手段、9はコントラスト計算手段、10はステージ駆動手段、11は3次元に移動可能なステージである。12と13は結像光学系であり、14はZ軸位置計測照明手段、15は撮像手段であり、16はA/D変換手段、17は積算手段、18はZ軸位置計測手段である。これら結像光学系12からZ軸位置計測手段18まではZ軸位置計測に用いる。19は光量計測手段、20はコントラスト補正手段である。次に、焦点位置検出手順について説明する。まず、ステージ11上の焦点位置検出用マークを観測できる位置にステージを移動させる。最初に、露光光を照射する焦点位置検出照明手段2から照射した光束により、ビームスプリッタ3、レチクルR及び投影光学系1を介して、焦点位置検出用マーク以降基準マークSMと称するを照明する。図2は基準マークSMを示したものであり、同一形状のパターンを複数配置したものである。基準マークSMから反射した光束は、再度投影光学系1、レチクルRを介してビームスプリッタ3に到達し、ここで反射して結像光学系5を介して撮像手段6の撮像画面Wp上に基準マークSMの像を形成する。この基準マークSMの像は撮像手段6において光電変換が行われる。撮像された基準マークSMは、その後、A/D変換手段7において、2次元のデジタル信号列に変換される。図1における8は、積算手段であって、図2aに示すY方向に積算処理を行い、図2bに示すように2次元信号を1次元のデジタル信号列Sxに変換する。その変換されたデジタル信号列を用いて、コントラストがコントラスト計算手段9にて基準マークSM部分の基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲で計測される。コントラスト値は、例えば基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲内の微分最大値でよい。また、光量計測手段19にて基準マークSM部分の基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲で撮像時の光強度情報として光量を求める。光量はデジタル信号列Sxの基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲内の最大値、あるいは最大値から最小値を引いたものでもよい。さらに、信頼性を上げるために最大値最小値付近の数画素で平均を取って計算してもよい。そして、先に求めたコントラスト値は、コントラスト補正手段20にて光量で、例えば以下の式1を用いて規格化を行う。この規格化によって、補正コントラスト値が算出される。[SxのWSM内の微分最大値]/[WSM内の最大値-最小値]......式1この作業を投影光学系の焦点が存在すると思われるZ軸範囲内で複数回で行い、横軸に既に求めていた撮像Z軸位置をとり、縦軸に基準マーク補正コントラスト値をとってプロットし、コントラスト値が最大となる周辺で曲線近似や重心計算等の手段を用いて、コントラスト値の最も大きくなるZ軸位置を求め、その点を投影光学系の焦点位置bestfocusとする。なお、ステージ11の各移動位置での撮像時光量のバラツキの範囲、あるいは分散σを求め、この値が設定範囲内である時のコントラストを求め、そうでない時は再度ステージ11の位置を駆動し、画像を撮像し直してもよい。さらには、ステージ11を焦点位置検出範囲内の初期位置から動かさず、基準マークSMの撮像と光量計測を繰り返し、撮像時光量のバラツキ及び分散が設定された範囲内に入ってから、焦点位置の検出を行ってもよい。第2の参考例半導体製造用露光装置における本発明の第2の参考例について説明する。図1において、RSはレチクルステージ、Rはレチクル、RMはレチクルマーク、Wは平板状物体としての露光基板であるウエハ、1は投影光学系である。また、Sは焦点位置検出用光学系であり、2は焦点位置検出照明手段、3はビームスプリッタ、4と5は結像光学系、6は撮像手段である。7はA/D変換手段、8は積算手段、9はコントラスト計算手段、10はステージ駆動手段、11は3次元に移動可能なステージである。12と13は結像光学系であり、14はZ軸位置計測照明手段、15は撮像手段であり、16はA/D変換手段、17は積算手段、18はZ軸位置計測手段である。これら結像光学系12からZ軸位置計測手段18まではZ軸位置計測に用いる。19は光量計測手段、20はコントラスト補正手段である。次に、焦点位置検出手順について説明する。まず、ステージ11上の焦点位置検出用マークを観測できる位置にステージを移動させる。最初に、露光光を照射する焦点位置検出照明手段2から照射した光束により、ビームスプリッタ3、レチクルR及び投影光学系1を介して、焦点位置検出用マーク以降基準マークSMと称するを照明する。図2は基準マークSMを示したものであり、同一形状のパターンを複数配置したものである。基準マークSMから反射した光束は、再度投影光学系1、レチクルRを介してビームスプリッタ3に到達し、ここで反射して結像光学系5を介して撮像手段6の撮像画面Wp上に基準マークSMの像を形成する。この基準マークSMの像は撮像手段6において光電変換が行われる。撮像された基準マークSMは、その後、A/D変換手段7において、2次元のデジタル信号列に変換される。図1における8は、積算手段であって、図2aに示すY方向に積算処理を行い、図2bに示すように2次元信号を1次元のデジタル信号列Sxに変換する。その変換されたデジタル信号列を用いて、コントラストがコントラスト計算手段9にて基準マークSM部分の基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲で計測される。コントラスト値は例えば基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲内の微分最大値でよい。また、本実施形態では、ウエハW以外のマーク撮像光学系と位置関係が実質的に同じのレチクルマークRM部分からの反射光が利用される。つまり、光量計測手段19にてレチクルマークRM部分のレチクルマーク計測ウィンドウWRMの範囲で撮像時の光強度情報として光量を求める。光量はデジタル信号列Sxのレチクルマーク計測ウィンドウWRMの範囲内の最大値、あるいは最大値から最小値を引いたものでもよい。さらに、信頼性を上げるために最大値最小値付近の数画素で平均を取って計算してもよい。そして、先に求めたコントラスト値は、コントラスト補正手段20にて光量で、例えば以下の式2を用いて規格化を行う。この規格化によって、補正コントラスト値が算出される。[SxのWSM内の微分最大値]/[WRM内の最大値-最小値]......式2レチクルマークRM、投影光学系1、焦点位置検出用光学系Sの位置関係は焦点位置走査中に変わることがないので、より一層正確に撮像時の光量が評価できる。この作業を投影光学系の焦点が存在すると思われるZ軸範囲内で複数回で行い、横軸に既に求めていた撮像Z軸位置をとり、縦軸に基準マーク補正コントラスト値をとってプロットし、コントラスト値が最大となる周辺で曲線近似や重心計算等の手段を用いて、コントラスト値の最も大きくなるZ軸位置を求め、その点を投影光学系の焦点位置bestfocusとする。なお、ステージ11の各移動位置での撮像時光量のバラツキの範囲、あるいは分散σを求め、この値が設定範囲内である時のコントラストを求め、そうでない時は再度ステージ11の位置を駆動し、画像を撮像し直してもよい。さらには、ステージ11を焦点位置検出範囲内の初期位置から動かさず、基準マークSMの撮像と光量計測を繰り返し、撮像時光量のバラツキ及び分散が設定された範囲内に入ってから、焦点位置の検出を行ってもよい。上記参考例において、コントラスト値を求め焦点位置検出に使用すると書いたが、この発明はコントラスト値に限らず、例えばデジタル信号列Sxの微分最大値などを使用することも可能である。実施形態半導体製造用露光装置における本発明の実施形態について説明する。本実施形態において詳述しない箇所については上記参考例と同様であるものとする。図5において、RSはレチクルステージ、Rはレチクル、RMはレチクルマーク、Wは露光基板であるウエハ、1は投影光学系である。また、Sは焦点位置検出用光学系であり、2は焦点位置検出照明手段、3はビームスプリッタ、4と5は結像光学系、6は撮像手段である。7はA/D変換手段、8は積算手段、9はコントラスト計算手段、10はステージ駆動手段、11は3次元に移動可能なステージである。12と13は結像光学系であり、14はZ軸位置計測照明手段、15は撮像手段であり、16はA/D変換手段、17は積算手段、18はZ軸位置計測手段である。これら結像光学系12からZ軸位置計測手段18まではZ軸位置計測に用いる。20はコントラスト補正手段である。21はステージ11上に設けられた光量計測センサである。この光量計測センサ21は、撮像時のウエハW上の基準マークSMにおる光強度を計測するためのものである。次に、焦点位置検出手順について説明する。まず、ステージ11上の焦点位置検出用マークSMを観測できる位置にステージを移動させる。最初に、露光光を照射する焦点位置検出照明手段2から照射した光束により、ビームスプリッタ3、レチクルR及び投影光学系1を介して、焦点位置検出用マーク以降基準マークSMと称するを照明する。図2は基準マークSMを示したものであり、同一形状のパターンを複数配置したものである。基準マークSMから反射した光束は、再度投影光学系1、レチクルRを介してビームスプリッタ3に到達し、ここで反射して結像光学系5を介して撮像手段6の撮像画面Wp上に基準マークSMの像を形成する。撮像手段6において基準マークSMの像は光電変換が行われる。撮像された基準マークSMの像はその後、A/D変換手段7において、2次元のデジタル信号列に変換される。図5中の8は、積算手段であって、図2aに示すY方向に積算処理を行い、図2bに示すように2次元信号を1次元のデジタル信号列Sxに変換する。その変換されたデジタル信号列を用いて、コントラストがコントラスト計算手段9にて基準マーク部分の基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲で計測される。コントラスト値は、例えば基準マーク計測ウィンドウWSMの範囲内の微分最大値でよい。また、ステージ11上に設けられた光量計測センサ21にて撮像時の光量の実測値を求めておく。そして、先に求めたコントラスト値は、コントラスト補正手段20にて光量で、例えば以下の式3を用いて規格化を行う。この規格化によって、補正コントラスト値が算出される。[SxのWSM内の微分最大値]/[光量計測センサで求めた光量]......式3この作業を投影光学系1の焦点が存在すると思われるZ軸範囲内で複数回で行い、横軸に既に求めていた撮像Z軸位置をとり、縦軸に基準マーク補正コントラスト値をとってプロットし、コントラスト値が最大となる周辺で曲線近似や重心計算等の手段を用いて、コントラスト値の最も大きくなるZ軸位置を求め、その点を投影光学系1の焦点位置とする。なお、ステージ11の各移動位置での撮像時光量のバラツキの範囲、あるいは分散σを求め、この値が設定範囲内である時のコントラストを求め、そうでない時は再度ステージ11の位置を駆動し、画像を撮像し直してもよい。さらには、ステージ11を焦点位置検出範囲内の初期位置から動かさず、基準マークSMの撮像と光量計測を繰り返し、撮像時光量のバラツキ及び分散が設定された範囲内に入ってから、焦点位置の検出を行ってもよい。上記実施形態において、コントラスト値を求め焦点位置検出に使用すると書いたが、この発明はコントラスト値に限らず、例えばデジタル信号列Sxの微分最大値などを使用することも可能である。半導体生産システムの実施形態次に、本発明に係る装置を用いた半導体デバイスICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。図7は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、101は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ装置供給メーカの事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等や後工程用機器組立て装置、検査装置等を想定している。事業所101内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム108、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワークLAN109を備える。ホスト管理システム108は、LAN109を事業所の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。一方、102~104は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場102~104は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等であっても良い。各工場102~104内には、夫々、複数の製造装置106と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワークLAN111と、各製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム107とが設けられている。各工場102~104に設けられたホスト管理システム107は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のLAN111からインターネット105を介してベンダの事業所101側のホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管理システム108のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット105を介して、各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報例えば、トラブルが発生した製造装置の症状を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータや、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場102~104とベンダの事業所101との間のデータ通信及び各工場内のLAN111でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコルTCP/IPが使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワークISDNなどを利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。さて、図8は本実施形態の全体システムを図7とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ半導体デバイス製造メーカの製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置202、レジスト処理装置203、成膜処理装置204が導入されている。なお図8では製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ210、レジスト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ装置供給メーカの各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム211,221,231を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム205と、各装置のベンダの管理システム211,221,231とは、外部ネットワーク200であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット200を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図9に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種401、シリアルナンバー402、トラブルの件名403、発生日404、緊急度405、症状406、対処法407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410~412を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイドヘルプ情報を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図10は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1回路設計では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2マスク製作では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3ウエハ製造ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4ウエハプロセスは前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5組み立ては後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディング、パッケージング工程チップ封入等の組立て工程を含む。ステップ6検査ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷ステップ7する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。図11は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11酸化ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12CVDではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13電極形成ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14イオン打込みではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15レジスト処理ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16露光では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17現像では露光したウエハを現像する。ステップ18エッチングでは現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19レジスト剥離ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。"