硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用ターゲットを焼結するための粉末であって、硫酸根量SO4が0.05~0.35wtである硫化亜鉛粉とケイ酸化物のメジアン粒径をそれぞれAμm、Bμmとし、ケイ酸化物の混合比をMmolとしたとき、0.1μm<A<10μm、0.5μm<B<15μm、15mol≦Mの範囲において、1.4≦B/Aを満たし、かつ比表面積がそれぞれCm2/g、Dm2/gであり、ケイ酸化物の混合比をMmolとしたとき、5m2/g≦C≦40m2/g、0.5m2/g≦D≦15m2/g、15mol≦Mの範囲において、3.5≦C/Dを満たし、さらに粒径A換算比表面積をEm2/gとしたとき15≦C/Eであり、粒径B換算比表面積をFm2/gとしたときD/F≦5である硫化亜鉛粉とケイ酸化物粉を均一混合分散した粉体であることを特徴とするスパッタリングターゲット焼結用粉末。ターゲットのバルク相中に存在するケイ酸化物の平均粒子径が10μm以下であり、相対密度98以上であることを特徴とする硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。本発明は、スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクル発塵やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり98以上の高密度を備えた硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とするスパッタリングターゲット焼結用粉末及びスパッタリングターゲット並びに該ターゲットを使用して硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得ることを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、硫化亜鉛に含有する硫酸根SO4の量と比表面積を調整することにより、空孔を低減させ、微細化しても容易に高密度化することが可能となり、保護膜としての特性も損なわず、さらにスパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減でき、膜厚均一性も向上できるとの知見を得た。本発明はこの知見に基づき、硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用ターゲットを焼結するための粉末であって、硫酸根量SO4が0.05~0.35wtである硫化亜鉛粉とケイ酸化物のメジアン粒径をそれぞれAμm、Bμmとし、ケイ酸化物の混合比をMmolとしたとき、0.1μm<A<10μm、0.5μm<B<15μm、15mol≦Mの範囲において、1.4≦B/Aを満たし、かつ比表面積がそれぞれCm2/g、Dm2/gであり、ケイ酸化物の混合比をMmolとしたとき、5m2/g≦C≦40m2/g、0.5m2/g≦D≦15m2/g、15mol≦Mの範囲において、3.5≦C/Dを満たし、さらに粒径A換算比表面積をEm2/gとしたとき15≦C/Eであり、粒径B換算比表面積をFm2/gとしたときD/F≦5である硫化亜鉛粉とケイ酸化物粉を均一混合分散した粉体であることを特徴とするスパッタリングターゲット焼結用粉末、及びターゲットのバルク相中に存在するケイ酸化物の平均粒子径が10μm以下であり、相対密度98以上であることを特徴とする硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット、を提供する。上記において、Aが0.1μm以下では凝集の発生及びかさ密度の低下等により生産性が低下し、またAが10μm以上であると目標とする高密度化が困難となるので、0.1μm<A<10μmとする。Bが0.5μm以下では目標とする高密度化を達成することが困難で、またBが15μm以上であるとパーティクルやノジュールの増加を生ずるので、5μm<B<15μmとする。Cが5m2/g未満では目標とする高密度化を達成することが困難であり、40m2/gを超えると凝集の発生やかさ密度の低下等により生産性が低下する。従って、5m2/g≦C≦40m2/gとする。Dが0.5m2未満ではパーティクルやノジュールの増加を生じ、また15m2/gを超えると目標とする高密度化を達成することが困難となる。従って、0.5m2/g≦D≦15m2/gの範囲とする。スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクル発塵やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ空孔が少なく結晶粒が微細であり、相対密度98以上の高密度を備えた硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とするスパッタリングターゲットを製造することができ、また保護膜としての特性も損なわずに、該ターゲットを使用して硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得ることができるという著しい効果を有する。本発明の硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とするスパッタリングターゲットを製造するための焼結用粉末は、上記の通り、硫酸根量SO4が0.05~0.35wtである硫化亜鉛粉とケイ酸化物のメジアン粒径をそれぞれAμm、Bμmとし、ケイ酸化物の混合比をMmolとしたとき、0.1μm<A<10μm、0.5μm<B<15μm、15mol≦Mの範囲において、1.4≦B/Aを満たし、かつ比表面積をそれぞれCm2/g、Dm2/gとし、ケイ酸化物の混合比をMmolとしたとき、5m2/g≦C≦40m2/g、0.5m2/g≦D≦15m2/g、15mol≦Mの範囲において、3.5≦C/Dを満たし、さらに粒径A換算比表面積をEm2/gとしたとき15≦C/Eであり、粒径B換算比表面積をFm2/gとしたときD/F≦5である硫化亜鉛粉とケイ酸化物粉を均一に分散するように混合したものであり、これを焼結してスパッタリングターゲットを作成するものである。これによって、相対密度98以上のスパッタリングターゲットが得られる。このような硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とするスパッタリングターゲットの密度の向上は、空孔を減少させ結晶粒を微細化し、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができるという著しい効果を有する。上記の結果、本発明の硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とするスパッタリングターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体の生産性が向上し、品質の優れた材料を得ることができる。また、ターゲットのバルク相中に存在するケイ酸化物の平均粒子径が10μm以下とすることによって、上記の特性をさらに改善することができる。硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法に際しては、前記硫化亜鉛粉とケイ酸化物粉をホットプレス又は熱間静水圧プレスにより製造することができる。ホットプレスに際しては、昇温中又は最高温度保持中の雰囲気を真空としてホットプレスすることにより、容易に高密度のターゲットを製造することができる。この場合、硫化亜鉛原料については、脱ガス等を目的とする300°C以上の熱処理を必要とせず、高密度で空孔の少ないターゲットを製造することができる。このように、硫化亜鉛の比表面積と原料中に含まれる硫酸根SO4を規定するという比較的簡単な方法により、ターゲットの品質結晶粒や結晶相などを変えずに、通常の量産性に富むホットプレスやHIPの条件温度、圧力、雰囲気で、高密度かつ空孔の少ないターゲットを作製できるという著しい効果がある。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1純度4N99.99であり、BET法による比表面積20m2/g粒径換算比表面積0.5m2/g、硫酸根SO4量0.2wt、粒径メジアン3μmである硫化亜鉛ZnS粉と、純度4N99.99、BET法による比表面積0.8m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、粒径メジアン10μmのケイ酸化物SiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイス型に充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1000°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は98.0であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は10μm以下であった。またZnSとSiO2間の表面に空隙は殆ど認められなかった。この結果、優れた高密度ZnS-SiO2相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。実施例2純度4Nであり、BET法による比表面積10m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、硫酸根SO4量0.11wt、粒径メジアン5μmである硫化亜鉛ZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積0.9m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、粒径メジアン10μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1000°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は98.5であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は10μm以下であった。またZnSとSiO2間の表面に空隙は殆ど認められなかった。この結果、優れた高密度ZnS-SiO2相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。実施例3純度4Nであり、BET法による比表面積30m2/g粒径換算比表面積1.5m2/g、硫酸根SO4量0.35wt、粒径メジアン1μmである硫化亜鉛ZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積0.9m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、粒径メジアン10μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1000°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は99.0であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は10μm以下であった。またZnSとSiO2間の表面に空隙は殆ど認められなかった。この結果、優れた高密度ZnS-SiO2相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。実施例4純度4Nであり、BET法による比表面積7m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、硫酸根SO4量0.15wt、粒径メジアン5μmであるZnS粉と純度4N、BET法による比表面積1.3m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、粒径メジアン9μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は98.5であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は10μm以下であった。またZnSとSiO2間の表面に空隙は殆ど認められなかった。この結果、優れた高密度ZnS-SiO2相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。実施例5純度4Nであり、BET法による比表面積10m2/g粒径換算比表面積0.5m2/g、硫酸根SO4量0.12wt、粒径メジアン3μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積2.5m2/g粒径換算比表面積0.5m2/g、粒径メジアン5μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は99.5であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は10μm以下であった。またZnSとSiO2間の表面に空隙は殆ど認められなかった。この結果、優れた高密度ZnS-SiO2相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。実施例6純度4Nであり、BET法による比表面積20m2/g粒径換算比表面積0.5m2/g、硫酸根SO4量0.22wt、粒径メジアン3μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積1.8m2/g粒径換算比表面積0.5m2/g、粒径メジアン6μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は98.5であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は10μm以下であった。またZnSとSiO2間の表面に空隙は殆ど認められなかった。この結果、優れた高密度ZnS-SiO2相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。実施例7純度4Nであり、BET法による比表面積30m2/g粒径換算比表面積1.5m2/g、硫酸根SO4量0.25wt、粒径メジアン1μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積0.7m2/g粒径換算比表面積0.2m2/g、粒径メジアン11μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は99.4であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は10μm以下であった。またZnSとSiO2間の表面に空隙は殆ど認められなかった。この結果、優れた高密度ZnS-SiO2相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットが得られた。実施例1~7のまとめ上記実施例1~7に示すように、硫酸根SO4量を調整し、かつ硫化亜鉛粉とケイ酸化物のメジアン粒径及び比表面積の双方を、本発明の範囲で規定することにより、相対密度98以上の高密度を備えた硫化亜鉛-ケイ酸化物を主成分とするスパッタリングターゲットを安定して製造することができる。これらの条件は、特に重要である。これらの結果については、表1に示す。比較例1純度4Nであり、BET法による比表面積10m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、硫酸根SO4量0.7wt本発明の範囲外、粒径メジアン5μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積0.5m2/g粒径換算比表面積0.1m2/g、粒径メジアン20μm本発明の範囲外のSiO2粉をZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1000°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は85.0であった。SiO2の結晶粒の平均粒径は20μmであった。またZnSとSiO2間の表面に多くの空隙が認められた。この結果、密度に劣るスパッタリングターゲットが得られた。表1に条件と結果を示す。比較例2純度4Nであり、BET法による比表面積8m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、硫酸根SO4量0.45wt本発明の範囲外、粒径メジアン5μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積0.7m2/g粒径換算比表面積0.2m2/g、粒径メジアン12μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は96.0であった。硫酸根SO4の量の増加は、密度の低下に大きな影響を与える。表1に条件と結果を示す。比較例3純度4Nであり、BET法による比表面積9m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、硫酸根SO4量0.21wt、粒径メジアン5μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積2.5m2/g粒径換算比表面積0.5m2/g、粒径メジアン5μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は94.0であった。表1に条件と結果を示す。比較例4純度4Nであり、BET法による比表面積4m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、硫酸根SO4量0.18wt、粒径メジアン5μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積1.6m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、粒径メジアン8μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は92.0であり、著しい低下があった。表1に条件と結果を示す。比較例5純度4Nであり、BET法による比表面積2.5m2/g粒径換算比表面積0.2m2/g、硫酸根SO4量0.2wt、粒径メジアン8μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積2.3m2/g粒径換算比表面積0.5m2/g、粒径メジアン5μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は88.0であり、著しい低下があった。表1に条件と結果を示す。比較例6純度4Nであり、BET法による比表面積20m2/g粒径換算比表面積0.3m2/g、硫酸根SO4量0.18wt、粒径メジアン5μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積5.0m2/g粒径換算比表面積0.4m2/g、粒径メジアン7μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は93.5であり、低密度であった。表1に条件と結果を示す。比較例7純度4Nであり、BET法による比表面積2.5m2/g粒径換算比表面積0.2m2/g、硫酸根SO4量0.17wt、粒径メジアン8μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積0.7m2/g粒径換算比表面積0.2m2/g、粒径メジアン12μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は93.1であり、低密度であった。表1に条件と結果を示す。比較例8純度4Nであり、BET法による比表面積30m2/g粒径換算比表面積1.5m2/g、硫酸根SO4量0.25wt、粒径メジアン1μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積8.8m2/g粒径換算比表面積1.8m2/g、粒径メジアン1.5μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は90.3であり、低密度であった。表1に条件と結果を示す。比較例9純度4Nであり、BET法による比表面積2.4m2/g粒径換算比表面積0.1m2/g、硫酸根SO4量0.11wt、粒径メジアン10μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積0.2m2/g粒径換算比表面積0.2m2/g、粒径メジアン14μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は95.5であり、低密度であった。表1に条件と結果を示す。比較例10純度4Nであり、BET法による比表面積45m2/g粒径換算比表面積0.2m2/g、硫酸根SO4量0.3wt、粒径メジアン6μmであるZnS粉と、純度4N、BET法による比表面積12.0m2/g粒径換算比表面積6.8m2/g、粒径メジアン0.4μmのSiO2粉を、ZnSに対し20molの比率で均一に混合した。この混合粉をグラファイトダイスに充填し、真空雰囲気中、面圧150kg/cm2、温度1100°Cの条件でホットプレスを行った。これによって得られたターゲットの相対密度は84.0であり、密度低下が著しかった。表1に条件と結果を示す。実施例と比較例のまとめ以上の実施例及び比較例に示すように、硫化亜鉛に含有する硫酸根SO4の量と硫化亜鉛粉とケイ酸化物のメジアン粒径及び比表面積の双方を本発明の範囲の条件とすることにより、空孔を低減させ、微細化しても容易に高密度化、すなわち相対密度98以上を達成することが可能となり、保護膜としての特性も損なわず、さらにスパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減でき、膜厚均一性も向上できる効果を有する。本発明の範囲から外れている比較例1~10においては、極端な密度低下があり、スパッタ時に発生するパーティクル発塵やノジュールが増加し、また相変化型光ディスク保護膜としての特性も損なわれるという問題がある。