"窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、N:30~43at、O:9~27atを含有し、残部がTiおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm3以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。請求項1に記載のスパッタリングターゲットにおいて、前記O/Ti原子比が2未満の酸化チタンが、Ti3O5を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲットを製造する方法であって、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、前記酸化チタン粉の少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。請求項3に記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、前記酸化チタン粉を、少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。上記従来の技術には、以下の課題が残されている。すなわち、従来の窒化チタンターゲットは、密度が低いために強度が低く、加工性も良くないため、機械加工や、スパッタ時の割れが発生しやすくなるという不都合があった。このため、スパッタリングターゲットの密度および強度の改善が求められている。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高密度および高強度を有し、窒化チタン系の膜を成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、窒化チタン系のスパッタリングターゲットについて研究を進めたところ、窒化チタンに酸化チタン粉とO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とを適量加えて真空中でホットプレスすることにより、密度と強度とを向上させることができると共に、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタすることにより、従来の窒化チタン膜と同等またはより優れた膜特性も得ることができることを見出した。したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のスパッタリングターゲットは、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、N:30~43at、O:9~27atを含有し、残部がTiおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm3以上であることを特徴とする。このスパッタリングターゲットでは、上記含有量範囲で窒化チタンおよび酸素を含有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm3以上であるので、高密度および高強度であると共に機械加工性も向上する。また、ターゲットの導電性も維持するため良好なDCスパッタが可能になる。O:9~27atとした理由は、Oの含有量が9at未満であると、十分な密度および強度の改善効果を得ることができないためであり、27atを超えるとターゲットの強度および導電性が低下してしまうためである。また、焼結体の密度を4.4g/cm3以上とした理由は、密度が4.4g/cm3未満であると、機械強度の急激な低下、粒界抵抗の増加によりターゲット導電性の低下が起こるためである。また、本発明のスパッタリングターゲットは、前記O/Ti原子比が2未満の酸化チタンが、Ti3O5を含むことを特徴とする。すなわち、このスパッタリングターゲットでは、O/Ti原子比が2未満の他の酸化チタンよりも比較的安定したTi3O5を含有しているので、ターゲット面内の酸素含有量の分布にばらつきが少なく、膜組成のズレを抑えてより均一な成膜が可能になる。なお、Ti3O5含有の有無は、X線回折によりTi3O5に由来する回折ピークが焼結体に観察されるか否かで判断される。本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、上記発明のスパッタリングターゲットを製造する方法であって、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、前記酸化チタン粉の少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合することを特徴とする。すなわち、このスパッタリングターゲットの製造方法では、窒化チタン粉と混合する酸化チタン粉の少なくとも一部を、O/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結するので、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンにより窒化チタン粉の酸化した表面を還元して、高密度で良好な焼結体を得ることができる。また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、前記酸化チタン粉を、O/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とすることを特徴とする。すなわち、このスパッタリングターゲットの製造方法では、酸化チタン粉を、少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とするので、容易にO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉が得られ、上記混合粉末とすることができる。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係るスパッタリングターゲットによれば、上記含有量範囲で窒化チタンおよび酸素を含有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm3以上であるので、高密度および高強度が得られると共に機械加工性も向上し、さらに良好な導電性が得られる。また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法によれば、窒化チタン粉と混合する酸化チタン粉の少なくとも一部を、O/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結するので、高密度および高強度を有する低抵抗化されたターゲットを得ることができる。したがって、本発明のスパッタリングターゲットを用いることで、機械加工やスパッタ時に割れが生じ難く、生産性に優れ、良好に窒化チタン系の膜をスパッタすることができる。以下、本発明のスパッタリングターゲットおよびその製造方法の一実施形態を説明する。本実施形態のスパッタリングターゲットは、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、N:30~43at、O:9~27atを含有し、残部がTiおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm3以上である。また、上記O/Ti原子比が2未満の酸化チタンが、Ti3O5を含むことが好ましい。この本実施形態のスパッタリングターゲットを製造する方法は、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、酸化チタン粉の少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合する。また、酸化チタン粉は、少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とする。この製法の一例について詳述すれば、まず窒化チタン粉<75μmおよび酸化チタン粉<10μmを、上記各元素が上記含有量範囲内で所定の比率になるように秤量する。酸化チタン粉は、市販のO/Ti原子比が2未満である導電性の酸化チタン粉とする。特に、この酸化チタン粉としてはTi3O5が好ましい。なお、前処理還元処理として例えば酸化チタン粉を真空中で加熱することで、O/Ti原子比が2未満とした導電性の酸化チタン粉を用いても構わない。この秤量した窒化チタン粉および酸化チタン粉とジルコニアボール直径5mmとをポリ容器ポリエチレン製ポットに入れ、例えば乾式ボールミル装置にて3時間、所定の回転数で混合する。次に、得られた混合粉末を、1200°C~1600°Cにて2~5時間、150~350kgf/cm2、例えば2時間、350kgf/cm2の圧力にて真空中でホットプレスし、スパッタリングターゲットとする。このようにして得られた本実施形態のスパッタリングターゲットでは、上記含有量範囲で窒化チタンおよび酸素を含有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm3以上であるので、高密度および高強度であると共に機械加工性も向上する。また、ターゲットの導電性も維持するため良好なDCスパッタが可能になる。特に、O/Ti原子比が2未満の他の酸化チタンよりも比較的安定したTi3O5を含有しているので、ターゲット面内の酸素含有量の分布にばらつきが少なく、膜組成のズレを抑えてより均一な成膜が可能になる。また、本実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法では、窒化チタン粉と混合する酸化チタン粉の少なくとも一部を、O/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結するので、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンにより窒化チタン粉の酸化した表面を還元して、高密度で良好な焼結体を得ることができる。また、酸化チタン粉を、少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とするので、容易にO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉が得られ、上記混合粉末とすることができる。上記本実施形態に基づいて実際に作製したスパッタリングターゲットおよびその製造方法の実施例について、評価を行った結果を説明する。[実施例1]窒化チタン粉と酸化チタン粉とを、含有の比率が窒化チタン:酸化チタン=70:30molになるように秤量した。なお、窒化チタン粉は、最大粒径が75μm以下のものを使用した。また、酸化チタン粉としては、市販のTiO2を真空中で加熱することでO/Ti原子比が2未満である導電性の酸化チタン粉としたものを用いた。なお、O/Ti原子比が2未満である酸化チタン粉もTiO2として秤量した。これらの秤量した原料粉末とジルコニアボール直径5mmとをポリ容器に入れ、乾式ボールミル装置にて3時間、回転数97rpmで混合した。次に、得られた混合粉末を、1600°Cにて2時間、350kgf/cm2の圧力にて真空中でホットプレスし、実施例1のスパッタリングターゲットを得た。得られたターゲットは平面研削盤により表面加工を行った。[実施例2,3]窒化チタン粉と酸化チタンとを、含有の比率が窒化チタン:酸化チタン=80:20molになるように秤量し、他の工程は上記実施例1と同様にして作製することで、実施例2のスパッタリングターゲットを得た。同様に、窒化チタン:酸化チタン=90:10molになるように秤量し、実施例3のスパッタリングターゲットを得た。[比較例1~3]本発明の比較例として、酸化チタン粉を添加せず、窒化チタン粉のみで、他の工程は上記実施例と同様にして作製することで、比較例1のスパッタリングターゲットを得た。また、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを、含有の比率が窒化チタン:酸化チタン=60:40molになるように秤量し、他の工程は上記実施例1と同様にして作製することで、比較例2のスパッタリングターゲットを得た。さらに、O/Ti原子比が2未満の導電性酸化チタン粉の代わりにO/Ti原子比が2の酸化チタンのみを用いた以外は、上記実施例2と同様にして、比較例3のスパッタリングターゲットを得た。なお、上記実施例および比較例のスパッタリングターゲットは、全て直径50mmとした。<評価>これらの実施例および比較例について、組成、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンであるTi3O5に由来する回折ピークの有無、加工後の相対密度、比抵抗、抗折強度破断点およびビッカース硬度について測定、評価した結果を表1に示す。組成は、焼結前の混合粉の重量分析法によるTiの定量と、LECO社のガス分析装置を用いたN,Oの分析値とから求めた。なお、作製したターゲットを粉砕し、同様の分析を行ってもよい。下記の条件によりX線回折の測定を実施し、20.8度付近のTi3O5相201面からのX線回折ピーク強度が10カウント以上である場合をTi3O5があると判断し、10カウント以下の場合をTi3O5がないと判断した。試料の準備:試料はSiC-Papergrit180にて湿式研磨、乾燥の後、乳鉢で粉砕後250μm以下の粉を測定試料とした。装置:理学電気社製RINT-Ultima/PC管球:Cu管電圧:40kV管電流:50mA走査範囲2θ:5°~80°スリットサイズ:発散DS2/3度、散乱SS2/3度、受光RS08mm測定ステップ幅:2θで002度スキャンスピード:毎分2度試料台回転スピード:30rpm相対密度は、ターゲットの寸法から得た体積と重量から計算した焼結体の嵩密度を理論密度で割り、算出した。尚理論密度は以下のようにして求めた。比抵抗は、三菱ガス化学製四探針抵抗測定計ロレスターで測定することによって求めた。抗折強度破断点については、3×4×35mmの試験片を作成し、島津製作所製オートグラフ:AG-Xを用いて、押し込み速度0.5mm/minで応力曲線を測定し、弾性領域の最大点応力を測定することで求めた。また、ビッカース硬度は、試験片の表面を研磨した後、アカシ微小硬度計を用い、荷重100g、荷重保持時間10秒という条件にて測定した。この結果からわかるように酸化チタン粉を添加せずに窒化チタン粉のみで作製した比較例のスパッタリングターゲットに比べて、本発明の実施例はいずれも加工後の密度が100以上と高いと共に抗折強度も平均が126N/mm2以上と高く、さらにビッカース硬度も高く、高密度および高強度が得られている。また、本発明の実施例は、いずれも比抵抗が2.67×10-4Ωcm以下と低く、良好な導電性が得られている。[実施例4,5]また、本発明の実施例のスパッタリングターゲットについて、X線回折XRDによる分析結果を図1に示す。このX線回折では、いずれの実施例も、ホットプレス保持時間:2時間、圧力350kgf/cm2とし、ホットプレス温度を1600°Cとしたスパッタリングターゲット上記実施例1と、ホットプレス温度を1400°Cとしたスパッタリングターゲット実施例4と、1200°Cとしたスパッタリングターゲット実施例5とを2つずつ作製し、X線回折により分析した。なお、図1において、上から実施例1、実施例4、実施例5の順にそれぞれ2つずつ図示している。このX線回折の結果から、本発明の実施例はいずれもO/Ti原子比が2未満であるTi3O5に由来する回折ピークが観察されており、真空ホットプレスによる焼結によって酸化チタンが還元してTi3O5が生じていることがわかる。次に、本発明の実施例のスパッタリングターゲットについて、その組織観察をEPMAフィールドエミッション型電子線プローブマイクロアナライザーを用い、反射電子像CPおよび各元素の組成分布を示す元素分布像を観察した。なお、実施例1のスパッタリングターゲットにおける反射電子像および元素分布像を図2及び図3に示す。ここで、EPMAによる元素分布像は、本来カラー像であるが、白黒像に変換して記載しているため、濃淡の淡い部分比較的白い部分が所定元素の濃度が高い部分となっている。これら画像から、実施例1のスパッタリングターゲットは、窒化チタン相と酸化チタン相O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含むとが混在した組織を有していることがわかる。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態および上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。"