被加工物に分割起点を形成するための加工方法であって、光源に備わるオシレータが発振する発振パルス光を前記光源内に備わる増幅器において増幅し、増幅光であるパルスレーザー光を前記光源から出射させる出射工程と、前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工物の被加工面において離散的に形成されるように前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射することによって、前記被照射領域同士の間で前記被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、前記被加工物に分割のための起点を形成する照射工程と、を備え、前記出射工程においては、前記増幅器からの前記パルスレーザー光の取り出しタイミングを調整することで、前記パルスレーザー光を、前記単位パルス光の出射周期に比べて短い時間間隔にて遅延する一方で前記照射工程において前記被照射領域が実質的に同一となる2つパルス光として前記被加工物に照射されるように、前記光源から出射させる、ことを特徴とする被加工物の加工方法。請求項1に記載の被加工物の加工方法であって、前記出射工程においては、前記増幅器からの前記増幅光の取り出しを、前記増幅光の一部のみが前記増幅器から抜き出される第1の時間と、前記第1の時間の経過後、前記増幅光の残りが前記増幅器において増幅を受けた後の第2の時間とに分けて行うことにより、前記2つのパルス光を前記光源から出射させる、ことを特徴とする被加工物の加工方法。請求項1に記載の被加工物の加工方法であって、前記出射工程においては、前記オシレータから2つの前記発振パルス光を発振させ、kを自然数とするときに、先に発振された前記発振パルス光のk次またはk1次の増幅光と、後に発振された前記パルス光のk次の増幅光とをこの順に前記2つのパルス光として前記光源から出射させる、ことを特徴とする被加工物の加工方法。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の被加工物の加工方法であって、前記増幅器からの前記パルスレーザー光の取り出しタイミングを調整することによって前記2つのパルス光のパルスエネルギーの比を調整する、ことを特徴とする被加工物の加工方法。特許文献1に開示されている加工手法劈開/裂開加工は、具体的には、100psec以下のパルス幅を有する単位パルス光を4μm~50μm程度の間隔で離散的に照射し、個々の被照射領域の中心部分にて物質の変質溶融蒸発除去などを生じさせることにより、被照射領域の間に結晶面に沿った劈開/裂開あるいはさらにそれらよりも巨視的な現象であるクラックを進展させる手法である。それゆえ、被照射領域にて必要以上の加工がなされる必要はなく、むしろ、被照射領域から確実に劈開/裂開を進展させることが求められる。例えば、ピークパワー密度が大きくパルス幅が小さい単位パルス光を照射した場合、被照射領域に与えるエネルギーが過剰となって被照射領域に必要以上のダメージを与える一方で、劈開/裂開が好適に進展しないことが起こり得る。これは、照射された単位パルス光のエネルギーが、劈開/裂開の進展に十分に振り向けられないためである。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、エネルギー利用効率が高く、より確実に分割起点を形成することが出来るレーザー加工方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、被加工物に分割起点を形成するための加工方法であって、光源に備わるオシレータが発振する発振パルス光を前記光源内に備わる増幅器において増幅し、増幅光であるパルスレーザー光を前記光源から出射させる出射工程と、前記パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が前記被加工物の被加工面において離散的に形成されるように前記パルスレーザー光を前記被加工物に照射することによって、前記被照射領域同士の間で前記被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、前記被加工物に分割のための起点を形成する照射工程と、を備え、前記出射工程においては、前記増幅器からの前記パルスレーザー光の取り出しタイミングを調整することで、前記パルスレーザー光を、前記単位パルス光の出射周期に比べて短い時間間隔にて遅延する一方で前記照射工程において前記被照射領域が実質的に同一となる2つパルス光として前記被加工物に照射されるように、前記光源から出射させる、ことを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1に記載の被加工物の加工方法であって、前記出射工程においては、前記増幅器からの前記増幅光の取り出しを、前記増幅光の一部のみが前記増幅器から抜き出される第1の時間と、前記第1の時間の経過後、前記増幅光の残りが前記増幅器において増幅を受けた後の第2の時間とに分けて行うことにより、前記2つのパルス光を前記光源から出射させる、ことを特徴とする。請求項3の発明は、請求項1に記載の被加工物の加工方法であって、前記出射工程においては、前記オシレータから2つの前記発振パルス光を発振させ、kを自然数とするときに、先に発振された前記発振パルス光のk次またはk1次の増幅光と、後に発振された前記パルス光のk次の増幅光とをこの順に前記2つのパルス光として前記光源から出射させる、ことを特徴とする。請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の被加工物の加工方法であって、前記増幅器からの前記パルスレーザー光の取り出しタイミングを調整することによって、前記2つのパルス光のパルスエネルギーの比を調整する、ことを特徴とする。請求項1ないし請求項4の発明によれば、ダブルパルス化されたレーザー光にて被加工物に対し加工予定線に沿った劈開/裂開加工を行うようにすることで、エネルギー利用効率が高い劈開/裂開加工が可能となる。すなわち、劈開/裂開による分割起点の形成をより確実に行えるようになる。<加工の原理>本発明の実施の形態において実現される加工の基本的な原理は、特許文献1に開示された加工の原理と同様である。それゆえ、以下においては、概略のみを説明する。本発明において行われる加工は、概略的に言えば、パルスレーザー光以下、単にレーザー光とも称するを走査しつつ被加工物の上面被加工面に照射することによって、個々のパルスごとの被照射領域の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせていき、それぞれにおいて形成された劈開面もしくは裂開面の連続面として分割のための起点分割起点を形成するものである。なお、本実施の形態において、裂開とは、劈開面以外の結晶面に沿って被加工物が略規則的に割れる現象を指し示すものとし、当該結晶面を裂開面と称する。なお、結晶面に完全に沿った微視的な現象である劈開や裂開以外に、巨視的な割れであるクラックがほぼ一定の結晶方位に沿って発生する場合もある。物質によっては主に劈開、裂開もしくはクラックのいずれか1つのみが起こるものもあるが、以降においては、説明の煩雑を避けるため、劈開、裂開、およびクラックを区別せずに劈開/裂開などと総称する。さらに、上述のような態様の加工を、単に劈開/裂開加工などとも称することがある。以下においては、被加工物が六方晶の単結晶物質であって、そのC面内において互いに120°ずつの角度をなして互いに対称の位置にあるa1軸、a2軸、およびa3軸の各軸方向が劈開/裂開容易方向であり、かつ、加工予定線が、a1軸方向、a2軸方向、a3軸方向のいずれかと垂直な場合を例に説明する。より一般的にいえば、これは、相異なる2つの劈開/裂開容易方向に対して等価な方向2つの劈開/裂開容易方向の対称軸となる方向が加工予定線の方向となる場合である。なお、以下においては、個々のパルスごとに照射されるレーザー光を単位パルス光と称する。図1は、劈開/裂開加工による加工態様を模式的に示す図である。図1においては、a1軸方向と加工予定線Lとが直交する場合を例示している。図1aは、係る場合のa1軸方向、a2軸方向、a3軸方向と加工予定線Lとの方位関係を示す図である。図1bは、レーザー光の1パルス目の単位パルス光が加工予定線Lの端部の被照射領域RE1に照射された状態を示している。一般に、単位パルス光の照射は、被加工物の極微小領域に対して高いエネルギーを与えることから、係る照射は、被照射面において単位パルス光のレーザー光のの被照射領域相当もしくは被照射領域よりも広い範囲において物質の変質溶融蒸発除去などを生じさせる。ところが、単位パルス光の照射時間つまりはパルス幅を極めて短く設定すると、レーザー光のスポットサイズより狭い、被照射領域RE1の略中央領域に存在する物質が、照射されたレーザー光から運動エネルギーを得ることでプラズマ化されたり気体状態などに高温化されたりして変質しさらには被照射面に垂直な方向に飛散する一方、係る飛散に伴って生じる反力を初めとする単位パルス光の照射によって生じる衝撃や応力が、該被照射領域の周囲、特に、劈開/裂開容易方向であるa1軸方向、a2軸方向、a3軸方向に作用する。これにより、当該方向に沿って、見かけ上は接触状態を保ちつつも微小な劈開もしくは裂開が部分的に生じたり、あるいは、劈開や裂開にまでは至らずとも熱的な歪みが内在される状態が生じる。換言すれば、超短パルスの単位パルス光の照射が、劈開/裂開容易方向に向かう上面視略直線状の弱強度部分を形成するための駆動力として作用しているともいえる。図1bにおいては、上記各劈開/裂開容易方向において形成される弱強度部分のうち、加工予定線Lの延在方向に近い-a2方向およびa3方向における弱強度部分W11a、W12aを破線矢印にて模式的に示している。続いて、図1cに示すように、レーザー光の2パルス目の単位パルス光が照射されて、加工予定線L上において被照射領域RE1から所定距離だけ離れた位置に被照射領域RE2が形成されると、1パルス目と同様に、この2パルス目においても、劈開/裂開容易方向に沿った弱強度部分が形成されることになる。例えば、-a3方向には弱強度部分W11bが形成され、a2方向には弱強度部分W12bが形成され、a3方向には弱強度部分W11cが形成され、-a2方向には弱強度部分W12cが形成されることになる。ただし、この時点においては、1パルス目の単位パルス光の照射によって形成された弱強度部分W11a、W12aがそれぞれ、弱強度部分W11b、W12bの延在方向に存在する。すなわち、弱強度部分W11b、W12bの延在方向は他の箇所よりも小さなエネルギーで劈開または裂開が生じ得るエネルギーの吸収率の高い箇所となっている。そのため、実際には、2パルス目の単位パルス光の照射がなされると、その際に生じる衝撃や応力が劈開/裂開容易方向およびその先に存在する弱強度部分に伝播し、弱強度部分W11bから弱強度部分11aにかけて、および、弱強度部分W11bから弱強度部分W11aにかけて、完全な劈開もしくは裂開が、ほぼ照射の瞬間に生じる。これにより、図1dに示す劈開/裂開面C11a、C11bが形成される。なお、劈開/裂開面C11a、C11bは、被加工物の図面視垂直な方向において数μm~数十μm程度の深さにまで形成され得る。なお、劈開/裂開面C11a、C11bにおいては、強い衝撃や応力を受けた結果として結晶面の滑りが生じ、深さ方向に起伏が生じる。そして、図1eに示すように、その後、加工予定線Lに沿ってレーザー光を走査することにより被照射領域RE11、RE12、RE13、RE14に順次に単位パルス光を照射していくと、その照射の際に生じる衝撃や応力によって、図面視直線状の劈開/裂開面C11aおよびC11b、C12aおよびC12b、C13aおよびC13b、C14aおよびC14bが加工予定線Lに沿って順次に形成されていくことになる。係る態様にて劈開/裂開面を連続的に形成するのが、本実施の形態における劈開/裂開加工である。別の見方をすれば、単位パルス光の照射によって熱的エネルギーが与えられることで被加工物の表層部分が膨張し、被照射領域RE11、RE12、RE13、RE14のそれぞれの略中央領域よりも外側において劈開/裂開面C11aおよびC11b、C12aおよびC12b、C13aおよびC13b、C14aおよびC14bに垂直な引張応力が作用することで、劈開/裂開が進展しているともいえる。すなわち、図1に示した場合においては、加工予定線Lに沿って離散的に存在する複数の被照射領域と、それら複数の被照射領域の間に形成された劈開/裂開面とが、全体として、被加工物を加工予定線Lに沿って分割する際の分割起点となる。係る分割起点の形成後は、所定の治具や装置を用いた分割を行うことで、加工予定線Lに概ね沿う態様にて被加工物を分割することができる。なお、図1に示した場合においては、加工予定線が、a1軸方向、a2軸方向、a3軸方向のいずれかと垂直となるように、単位パルス光が照射されているが、これに代わり、加工予定線がa1軸方向、a2軸方向、a3軸方向のいずれかと平行となるように単位パルス光が照射される態様であってもよいし、あるいは、個々の被照射領域が、加工予定線Lを挟む2つの劈開/裂開容易方向に交互に沿う態様にて千鳥状にジグザグに形成されるように、それぞれの被照射領域を形成する単位パルス光が照射される態様であってもよい。以上のような劈開/裂開加工を実現するには、パルス幅の短い、短パルスのレーザー光を照射する必要がある。具体的には、パルス幅が100psec以下のレーザー光を用いることが必要である。例えば、1psec~50psec程度のパルス幅を有するレーザー光を用いるのが好適である。一方、単位パルス光の照射ピッチ被照射スポットの中心間隔は、4μm~50μmの範囲で定められればよい。これよりも照射ピッチが大きいと、劈開/裂開容易方向における弱強度部分の形成が劈開/裂開面を形成し得るほどにまで進展しない場合が生じるため、上述のような劈開/裂開面からなる分割起点を確実に形成するという観点からは、好ましくない。なお、走査速度、加工効率、製品品質の点からは、照射ピッチは大きい方が好ましいが、劈開/裂開面の形成をより確実なものとするには、4μm~30μmの範囲で定めるのが望ましく、4μm~20μm程度であるのがより好適である。いま、レーザー光の繰り返し周波数がRkHzである場合、1/Rmsecごとに単位パルス光がレーザー光源から発せられることになる。被加工物に対してレーザー光が相対的に速度Vmm/secで移動する場合、照射ピッチΔμmは、Δ=V/Rで定まる。従って、レーザー光の走査速度Vと繰り返し周波数は、Δが数μm程度となるように定められる。例えば、走査速度Vは50mm/sec~3000mm/sec程度であり、繰り返し周波数Rが1kHz~200kHz、特には10kHz~200kHz程度であるのが好適である。VやRの具体的な値は、被加工物の材質や吸収率、熱伝導率、融点などを勘案して適宜に定められてよい。レーザー光は、約1μm~10μm程度のビーム径にて照射されることが好ましい。係る場合、レーザー光の照射におけるピークパワー密度はおおよそ0.1TW/cm2~数10TW/cm2となる。なお、レーザー光の照射エネルギーパルスエネルギーは0.1μJ~50μJの範囲内で適宜に定められてよい。ただし、本実施の形態においては、後述する態様にて照射エネルギーの効率的利用を行うことから、0.1μJ~10μJの範囲で十分に好適な加工が可能である。<レーザー加工装置の概要>次に、上述した劈開/裂開加工を実現可能なレーザー加工装置について、その概要を説明する。図2は、係る加工を実現可能なレーザー加工装置50の構成を概略的に示す模式図である。レーザー加工装置50は、被加工物以下、基板ともいう10をその上に載置するステージ7と、レーザー加工装置50の種々の動作観察動作、アライメント動作、加工動作などを行うコントローラ1とを主として備え、ステージ7に載置された被加工物10に対しレーザー光LBを照射することによって被加工物10を加工することができるように構成されている。ステージ7は、移動機構7mによって水平方向に移動可能とされてなる。移動機構7mは、図示しない駆動手段の作用により水平面内で所定のXY2軸方向にステージ7を移動させる。これにより、レーザー光照射位置の移動などが実現されてなる。なお、移動機構7mについては、所定の回転軸を中心とした、水平面内における回転θ回転動作も、水平駆動と独立に行えるようになっている。また、レーザー加工装置50においては、図示しない撮像手段を通じて、該被加工物10をレーザー光が照射される側これを表面と称するから直接に観測する表面観察や、ステージ7に載置された側これを裏面と称するから該ステージ7を介して観察する裏面観察などを行えるようになっている。ステージ7は、上述したように、石英など透明な部材で形成されているが、その内部には、被加工物10を吸着固定するための吸気通路となる図示しない吸引用配管が設けられてなる。吸引用配管は、例えば、ステージ7の所定位置を機械加工により削孔することにより設けられる。被加工物10をステージ7の上に載置した状態で、例えば吸引ポンプなどの吸引手段11により吸引用配管に対し吸引を行い、吸引用配管のステージ7載置面側先端に設けられた吸引孔に対し負圧を与えることで、被加工物10および透明基板保護シート4がステージ7に固定されるようになっている。なお、図2においては、加工対象である被加工物10が透明基板保護シート4に貼り付けられている場合を例示しているが、透明基板保護シート4の貼付は必須ではない。より詳細にいえば、レーザー加工装置50においては、レーザー光源SLからレーザー光LBを発し、図示を省略する鏡筒内に備わるダイクロイックミラー51にて反射させた後、該レーザー光LBを、ステージ7に載置された被加工物10の被加工部位にて合焦するよう集光レンズ52にて集光し、被加工物10に照射する。係るレーザー光LBの照射と、ステージ7の移動とを組み合わせることによって、レーザー光LBを被加工物10に対して相対的に走査させつつ被加工物10の加工を行えるようになっている。例えば、被加工物10を分割するために、被加工物10の表面に溝加工スクライビングを施す加工などが行える。レーザー光源SLとしては、Nd:YAGレーザーを用いるのが好適な態様である。あるいは、Nd:YVO4レーザーやその他の固体レーザーを用いる態様であってもよい。レーザー光源SLの構成の詳細については後述する。また、レーザー光源SLから発せられるレーザー光LBの出射制御や、パルスの繰り返し周波数、パルス幅の調整などは、コントローラ1の照射制御部23により実現される。加工モード設定データD2に従った所定の設定信号が加工処理部25から照射制御部23に対し発せられると、照射制御部23は、該設定信号に従って、レーザー光LBの照射条件を設定する。本実施の形態においては、レーザー光源SLとしては、波長が500nm~1600nmのものを用いる。また、上述した加工パターンでの加工を実現するべく、レーザー光LBのパルス幅は1psec~50psec程度である必要がある。また、繰り返し周波数Rは10kHz~200kHz程度、レーザー光の照射エネルギーパルスエネルギーは0.1μJ~50μJ程度であるのが好適である。係る場合レーザー光LBの照射におけるピークパワー密度はおおよそ0.1TW/cm2~数10TW/cm2となる。コントローラ1は、上述の各部の動作を制御し、後述する種々の態様での被加工物10の加工処理を実現させる制御部2と、レーザー加工装置50の動作を制御するプログラム3pや加工処理の際に参照される種々のデータを記憶する記憶部3とをさらに備える。制御部2は、例えばパーソナルコンピュータやマイクロコンピュータなどの汎用のコンピュータによって実現されるものであり、記憶部3に記憶されているプログラム3pが該コンピュータに読み込まれ実行されることにより、種々の構成要素が制御部2の機能的構成要素として実現される。具体的には、制御部2は、移動機構7mによるステージ7の駆動や集光レンズ52の合焦動作など、加工処理に関係する種々の駆動部分の動作を制御する駆動制御部21と、図示しない撮像手段による被加工物10の撮像を制御する撮像制御部22と、レーザー光源SLからのレーザー光LBの照射を制御する照射制御部23と、吸引手段11によるステージ7への被加工物10の吸着固定動作を制御する吸着制御部24と、与えられた加工位置データD1および加工モード設定データD2に従って加工対象位置への加工処理を実行させる加工処理部25とを、主として備える。記憶部3は、ROMやRAMおよびハードディスクなどの記憶媒体によって実現される。なお、記憶部3は、制御部2を実現するコンピュータの構成要素によって実現される態様であってもよいし、ハードディスクの場合など、該コンピュータとは別体に設けられる態様であってもよい。なお、レーザー加工装置50に対してオペレータが与える種々の入力指示は、コントローラ1において実現されるGUIを利用して行われるのが好ましい。例えば、加工処理部25の作用により加工処理用メニューがGUIにて提供される。また、以上のような構成を有するレーザー加工装置50は、レーザー光源SLからのレーザー光LBの照射条件とステージ7を移動させることによる被加工物10に対するレーザー光LBの走査条件との組合せを違えることで、種々の加工モードを選択的に行えるようになっているのが好ましい。例えば、上述の劈開/裂開加工に適した加工条件で加工を行うモードのほか、被加工領域が連続的に形成されるような加工条件での加工が行うモードが選択可能であるのが好適である。加工モードは、例えば、加工処理部25の作用によりコントローラ1においてオペレータに利用可能に提供される加工処理メニューに従って選択できるのが好適である。コントローラ1の記憶部3には、被加工物における加工予定位置を記述した加工位置データD1が記憶されるとともに、個々の加工モードにおけるレーザー加工の態様に応じた、レーザー光の個々のパラメータについての条件やステージ7の駆動条件あるいはそれらの設定可能範囲などが記述された加工モード設定データD2が記憶されている。加工処理部25は、加工位置データD1を取得するとともに選択された加工モードに対応する条件を加工モード設定データD2から取得し、当該条件に応じた動作が実行されるよう、駆動制御部21や照射制御部23その他を通じて対応する各部の動作を制御する。<レーザー光源>図3は、レーザー加工装置50が備えるレーザー光源SLの構成を示す図である。本実施の形態において用いるレーザー光源SLは、チャープパルス増幅CPA法により高強度で超短パルスのレーザー出力が可能となっている。係るレーザー光源SLは、オシレータ101と、パルス伸長器102と、第1偏光子103と、ファラデー回転子104と、出力増幅器105と、パルス圧縮器106とを備える。図3に示すように、オシレータ101と、パルス伸長器102と、第1偏光子103と、ファラデー回転子104と、出力増幅器105とは、第1光路OP1上にこの順に配置されてなる。また、パルス圧縮器106は、第1偏光子103から分岐する第2光路OP2上に配置されてなる。オシレータ101は、あらかじめ設定された繰り返し周波数Rの逆数である出力周期で、フェムト秒fsecオーダーもしくはピコ秒psecオーダーのパルス幅のパルス光第1パルス光PL1を出力するレーザー発振器である。オシレータ101は、モード同期レーザー発振器からなるのが好適な一例である。なお、以下においては、オシレータ101内部におけるパルスの発振周期をXnsecとする。パルス伸長器102は、オシレータ101から出力された第1パルス光PL1のパルス幅を、該第1パルス光PL1のスペクトル幅を利用して拡張し、第1パルス光PL1の103倍~105倍程度のパルス幅を有する第2パルス光PL2として出射する。パルス伸長器102は、例えばバルク型の回折格子対グレーティングペアやファイバーなどからなる。第1偏光子103は、パルス伸長器102とファラデー回転子104との間に設けられ、パルス伸長器102から出射された第2パルス光PL2を第1光路OP1上のファラデー回転子104に向けて透過させる一方で、出力増幅器105から出射されてファラデー回転子104を通った第3パルス光PL3は第2光路OP2へと反射させる。ファラデー回転子104は、パルス伸長器102から第1偏光子103を経て入射した第2パルス光PL2を偏光させて第3パルス光PL3として出力増幅器105に向けて出射する一方、出力増幅器105から入射した第4パルス光PL4を偏光させて第5パルス光PL5として第1偏光子103に向けて出射する。出力増幅器105は、ファラデー回転子104から入射した第3パルス光PL3を内部で増幅し、これにより得られた増幅光である第4パルス光PL4を所定のタイミングで出射する。より詳細には、出力増幅器105は、第1増幅ミラー105aと、第2増幅ミラー105bと、増幅媒体105cと、ポッケルスセルポッケルス結晶105dと、第2偏光子105eと、中間ミラー105fとを備える。出力増幅器105においては、第2偏光子105eと、ポッケルスセル105dと、第1増幅ミラー105aとが、第1光路OP1上にファラデー回転子104に続いてこの順に配置されてなる。また、第2偏光子105eから分岐する第3光路OP3上に、中間ミラー105fと、増幅媒体105cと、第2増幅ミラー105bとがこの順に配置されてなる。なお、以降においては、便宜上、第1光路OP1と重複する第1増幅ミラー105aから第2偏光子105eに至る部分も含めて、第1増幅ミラー105aから第2増幅ミラー105bまでを第3光路OP3と称することとする。係る構成を有する出力増幅器105においては、概略、ファラデー回転子104から入射し、第2偏光子105eおよびポッケルスセル105dを経た第3パルス光PL3が、矢印AR1にて示すように第1増幅ミラー105aと第2増幅ミラー105bとの間で繰り返し反射される度に、増幅媒体105cにおいて増幅されるようになっている。第3パルス光PL3は、例えば、パルスエネルギーが1010倍程度となる程度に増幅される。なお、以下においては、第1増幅ミラー105aと第2増幅ミラー105bとの間におけるパルス光の往復周期第3光路OP3を往復するのに要する時間をYnsecとする。増幅媒体105cは、レーザー光源SLから出射しようとするレーザー光LBの波長に応じて選択されればよい。例えば、上述のようにレーザー光源SLをNd:YAGレーザーとして構成する場合であれば、ネオジウムNdを添加したY3Al5O12結晶Nd:YAG結晶を増幅媒体105cとして用いる態様であってもよい。なお、増幅媒体105cにおける増幅は、照射制御部23の制御のもと、図示しない励起源による励起によって行われる。また、ポッケルスセル105dと第2偏光子105eとは、出力増幅器105からの第4パルス光PL4の出射を制御するために設けられてなる。ポッケルスセル105dは、KDPKH2PO4結晶などからなり、印加される電圧に応じて光の偏光状態を変化させる機能を有する。係るポッケルスセル105dへの電圧印加は、照射制御部23によって制御される。第2偏光子105eは、ファラデー回転子104から出射された第3パルス光PL3を第1増幅ミラー105aに向けて透過させる一方で、第1増幅ミラー105aで反射されてポッケルスセル105dを通った第3パルス光PL3は、ポッケルスセル105dで与えられる偏光状態に応じて透過もしくは反射させる。より詳細には、ポッケルスセル105dは、ファラデー回転子104から出射され、第2偏光子105eを透過した第3パルス光PL3、および、第2増幅ミラー105bで反射されて第3光路OP3上を進んできた第3パルス光PL3が入射するタイミングにおいては、これらの光をそのまま透過させるようにその印加電圧が制御される。一方、第1増幅ミラー105aで反射された第3パルス光PL3もしくはその増幅光である第4パルス光PL4が入射するタイミングでは、これを外部へと出射させずさらに増幅させる場合であれば、ポッケルスセル105dへの印加電圧は、第3パルス光PL3もしくは第4パルス光PL4が第2偏光子105eで反射される偏光状態となるように制御される。一方で第4パルス光PL4を出力増幅器105の外部へと出射させる場合であれば、ポッケルスセル105dへの印加電圧は、第4パルス光PL4が第2偏光子105eを透過可能な偏光状態となるように制御される。なお、以降においては、第4パルス光PL4を出力増幅器105の外部へと出射させることを、パルス光を抜き出すとも称する。また、第4パルス光PL4が出力増幅器105から抜き出される場合のポッケルスセル105dへの印加電圧を抜き出し電圧と称し、第4パルス光PL4が出力増幅器105内で増幅される場合のポッケルスセル105dへの印加電圧を増幅電圧と称する。中間ミラー105fは、出力増幅器105のサイズ上の制約等のために、第3光路OP3の向きを変化させるべく設けられてなる。出力増幅器105が中間ミラー105fを備えることは必須の態様ではない。あるいは、図3においては1つの中間ミラー105fを備える態様を例示しているが、出力増幅器105においては、さらに多くの中間ミラー105fが、第1光路OP1上あるいは第3光路OP3に設けられる態様であってもよい。出力増幅器105から出射された抜き出された第4パルス光PL4は、上述のようにファラデー回転子104において再び偏光されて、第5パルス光PL5となる。第5パルス光PL5は、第1偏光子103において反射され、第2光路OP2上を進んでパルス圧縮器106に入射する。パルス圧縮器106は、入射した第5パルス光PL5のパルス幅を圧縮して第5パルス光PL5の1/10倍~1/105倍程度のパルス幅を有する超短パルスの第6パルス光PL6として出射する。パルス圧縮器106は、パルス伸長器102と同様に、例えばバルク型の回折格子対グレーティングペアなどからなる。以上のような構成を有するレーザー光源SLにおいては、概略、オシレータ101から出力されたパルスエネルギーの小さい超短パルス光が、パルス伸長器102にてパルス幅を伸長され、出力増幅器105にて増幅されたうえで、パルス圧縮器106でパルス幅を圧縮されたうえで、レーザー光LBとして外部へと出射されるようになっている。例えば、オシレータ101から100fsecのパルス幅と100nJのパルスエネルギーとを有して出射されたパルス光について、パルス伸長器102でパルス幅を1nsecに伸長した後、出力増幅器105でパルスエネルギーを10Jに増幅し、さらにはパルス圧縮器106でパルス幅を再び100fsecに圧縮すれば、超短パルスでかつパルスエネルギーの非常に大きなレーザー光LBを出射することが可能となる。なお、レーザー光LBを、Nd:YAGレーザーの3倍高調波のような高調波として出力する場合であれば、パルス圧縮器106から出射された光を図示しない非線形光学結晶に入射させ、その波長を変換するようにすればよい。<ダブルパルス化によるパルスエネルギーの利用効率向上>上述した原理で実現される劈開/裂開加工は、上述したように、個々の被照射領域の中心部分にて物質の変質溶融蒸発除去などを生じさせることにより、被照射領域間に劈開/裂開を進展させる手法である。それゆえ、被照射領域にて必要以上の加工がなされる必要はなく、むしろ、被照射領域から劈開/裂開容易方向に対して確実に劈開/裂開を進展させることが求められる。例えば、パルスエネルギーが大きくパルス幅が小さい単位パルス光を照射した場合、被照射領域に与えるエネルギーが過剰となって被照射領域に必要以上のダメージを与える一方で、劈開/裂開が好適に進展しないことが起こり得る。これは、照射された単位パルス光のエネルギーが、劈開/裂開の進展に十分に振り向けられないためである。より詳細にいえば、電子系のエネルギー吸収から当該エネルギーによる分子系の振動への遷移には10psec程度の時間を要すると考えられている。従って、照射された単位パルス光のエネルギーを、物質の変質溶融蒸発除去等による弱強度部分の形成とその後の劈開/裂開の進展とに適切に振り分けることができれば、レーザー光のエネルギー利用効率が高まることになる。本実施の形態においては、このようなエネルギー利用効率の向上を、レーザー光源SLからのパルス光の取り出し態様を工夫し、繰り返し周波数Rの逆数である個々の単位パルス光の本来の出射周期が到来する度に、当該出射周期に比して極めて短時間で2つの超短パルスを連続的に出射させ、これら2つの超短パルスを実質的に同一の被照射領域に照射させることによって実現する。これにより、被加工物に対してより確実に劈開/裂開を生じさせることができる。以降、係る態様でのレーザー光LBの出射態様を、ダブルパルス化と称する。図4は、ダブルパルス化されたレーザー光LBの単位パルス光PLのプロファイル時間変化を模式的に示す図である。図4に示す場合においては、レーザー光LBがダブルパルス化されることで、単位パルス光PLが、ある時刻t1で出射される先パルス光PLαと、その後ある時刻t2で出射される後パルス光PLβとから構成されてなる。例えば、劈開/裂開加工におけるレーザー光LBの繰り返し周波数Rは上述のように1kHz~200kHzであることから、その逆数である単位パルス光PLの本来の出射周期Tは5μsec~1msec程度であるところ、先パルス光PLαと後パルス光PLβの出射間隔t2-t1は、これに比べて極めて短い数nsec~数十nsecオーダーとなっている。より詳細には、先パルス光PLαで物質の変質溶融蒸発除去等を生じさせて弱強度部分を形成し、該弱強度部分が瞬間的な高温状態にあるタイミングで後パルス光PLβを照射させることで該弱強度部分から劈開/裂開を進展させるようにする。係る場合において、先パルス光PLαと後パルス光PLβとを、それぞれの役割に必要十分なパルスエネルギーで照射させることで、エネルギー利用効率の高い劈開/裂開加工が実現されることになる。さらにいえば、先パルス光PLαのパルスエネルギーよりも後パルス光PLβのパルスエネルギーを大きくした方が、より効率的な劈開/裂開加工が可能となる。なお、確認的にいえば、本実施の形態においては、上述のように、レーザー光を50mm/sec~3000mm/sec程度の走査速度で相対的に走査しつつ加工を行うので、厳密にいえば、先パルス光PLαと後パルス光PLβとが同一の被照射領域に照射されることはあり得ないことになる。なぜならば、先パルス光PLαが照射された後、後パルス光PLβが照射されるまでの間も、レーザー光源SLと被加工物とは相対移動しているため、先パルス光PLαと後パルス光PLβとによる被照射領域の形成位置は異なるはずだからである。しかしながら、例えば、レーザー光LBの走査速度が3000mm/sec=3m/secであり、先パルス光PLαと後パルス光PLβとの出射間隔が若干大きめの100nsecである場合を想定しても、両位置の計算上のずれは、300nmに過ぎない。一方で、レーザー光のビーム径は約1μm~10μm程度であり、劈開/裂開加工に際して被加工物10に形成される被照射領域同士の間隔は4μm~50μmである。300nmという値は後者の約1/100~1/1000程度であって十分に誤差の範囲内とみなせる。ゆえに、加工を行う上において先パルス光PLαと後パルス光PLβとは実質的に同一の被照射領域に照射されるとしても、何ら差し支えはない。このことは、先パルス光PLαと後パルス光PLβとの出射を、事実上、1つの単位パルス光PLの出射として取り扱えることを意味している。<ダブルパルス化の第1の態様>次に、ダブルパルス化の具体的態様について詳説する。本実施の形態では、2通りの態様を説明する。図5は、出力増幅器105におけるパルス光の増幅と出力増幅器105からのパルス光の抜き出しについて説明するための図である。図5aは、ダブルパルス化を行わない通常の場合の様子を示している。図5bは、ダブルパルス化の第1の態様の様子を模式的に示している。より詳細には、図5a、bに示すプロファイルは、第1増幅ミラー105aの側からポッケルスセル105dに入射する第3パルス光PL3もしくはその増幅光である第4パルス光PL4のパルスエネルギーの時間変化を示している。上述のように、出力増幅器105には、オシレータ101から出力された第1パルス光PL1を伸長および偏光させてなる第3パルス光PL3が、繰り返し周波数Rで定まる周期ごとに入射する。入射したそれぞれの第3パルス光PL3は、出力増幅器105の内部で増幅される。具体的には、ポッケルスセル105dに増幅電圧が与えられることで、第3パルス光PL3が、第3光路OP3を往復周期Ynsecで繰り返し往復し、増幅媒体105cを通過する度に増幅される。それゆえ、図5aに示すように、ポッケルスセル105dには、Ynsecごとに、第3パルス光PL3もしくはその増幅光である第4パルス光PL4が入射する。ダブルパルス化を行わない場合、第3パルス光PL3が所定のパルスエネルギーの第4パルス光PL4となるまで増幅された時点で図5aの場合は4次の増幅を受けた時点で、図5aに示すように、第4パルス光PL4がポッケルスセル105dを通過する時間Δtの間、ポッケルスセル105dへの印加電圧が、増幅電圧から抜き出し電圧へと切り替えられる。これによって、第4パルス光PL4は第2偏光子105eを透過し、出力増幅器105から出射される。係る態様での第4パルス光PL4の出射は、繰り返し周波数Rで定まるタイミングで第3パルス光PL3が出力増幅器105に入射する都度、行われる。出射された第4パルス光PL4は上述のように圧縮されたうえで最終的には第6パルス光PL6となって出射されるので、結果として、レーザー光源SLからは繰り返し周波数Rという照射条件でレーザー光LBが出射されることになる。これに対し、ダブルパルス化する場合は、図5bに示すように、第3パルス光PL3の増幅は上述の場合と同様に行われるものの、ポッケルスセル105dに対し抜き出し電圧が与えられる時間Δt1が、ダブルパルス化を行わない場合の時間Δtよりも短く定められる。すると、第4パルス光PL4はその全エネルギー成分のうち、この時間Δt1内にポッケルスセル105dを通過した分については出力増幅器105から抜き出される。これが、パルス圧縮器106を経た後、先パルス光PLαとしてレーザー光源SLから出射される。一方、第4パルス光PL4の全エネルギー成分のうち、時間Δt1内にポッケルスセル105dを通過しなかった残りについては、第2偏光子105eを透過できないため、再び第3光路OP3を往復して増幅を受けることとなる。そして、係る増幅の後、この残り成分が増幅分も含めて再びポッケルスセル105dを通過する時間Δt2の間、ポッケルスセル105dへの印加電圧が増幅電圧から抜き出し電圧へと切り替えられる。これにより、残り成分についても出力増幅器105から出射される。これが、パルス圧縮器106を経た後、後パルス光PLβとしてレーザー光源SLから出射される。すなわち、ダブルパルス化の第1の態様は、概略的にいえば、オシレータ101から発振された1つのパルス光を伸長後、出力増幅器105内でこれを分離し、時間遅延を生じさせることでダブルパルス化を実現するものであるともいえる。なお、係る第1の態様において、先パルス光PLαと後パルス光PLβとの出射間隔t2-t1は、およそYnsecである。なお、図5bにおいては図示の都合上、ポッケルスセル105dに対し時間Δt1の間だけ抜き出し電圧が設定されて、第4パルス光PL4の一部が抜き出された後、次の周期で時間Δt2の間抜き出し電圧が設定されるようになっているが、これは必須の態様ではない。すなわち、先の抜き出しが行われた後の増幅は、さらに多く繰り返されてもよい。第1の態様の場合、Δt1の値と、後からの抜き出しのタイミングとを適宜に定めることで、先パルス光PLαと後パルス光PLβとのエネルギー配分を調整することができ、係る調整を好適に行うことによって、エネルギー利用効率の高い劈開/裂開加工を行うことが可能となる。<ダブルパルス化の第2の態様>上述したダブルパルス化の第1の態様は、オシレータ101より発振された1つのパルス光を出力増幅器105内で分離し、時間遅延を生じさせることでダブルパルス化を実現するものであったが、以下に示す第2の態様は、これとは異なる原理でダブルパルス化を実現するものである。図6は、ダブルパルス化の第2の態様について説明するための図である。図6aは、オシレータ101におけるパルス発振の様子を模式的に示している。図6bは、出力増幅器105におけるパルス光の増幅と出力増幅器105からのパルス光の抜き出しの様子を模式的に示している。より詳細には、図6bに示すプロファイルは、第1増幅ミラー105aの側からポッケルスセル105dに入射する第3パルス光PL3もしくはその増幅光である第4パルス光PL4のパルスエネルギーの時間変化を示している。上述したように、オシレータ101の内部では、発振周期Xnsecでパルスが発振されている。ダブルパルス化を行わない場合、あるいは、上述の第1の態様の場合、オシレータ101からは、繰り返し周波数Rの逆数である出射周期Tごとに、第1パルス光PL1が出力される。これに対して、第2の態様では、図6aに示すように、繰り返し周波数Rの逆数である出射周期Tごとに、オシレータ101において時間間隔Xnsecで続けて発振された2つのパルス光を第1パルス光PL1とみなして取り出すようにする。以降、2つのパルス光のうち時間的に先に発振された方を先発振光PL1αと称し、後に発振された方を後発振光PL1βとも称する。係る態様にてオシレータ101から出力された第1パルス光PL1は、第1光路OP1上を進み伸長等を受け、やがて第3パルス光PL3となって出力増幅器105に入射する。より詳細には、図6bおよび図6cに示すように、先発振光PL1αに由来する先入射光PL3αと、後発振光PL1βに由来する後入射光PL3βとが、Xnsecの時間間隔で出力増幅器105に入射する。なお、図6bおよび図6cにおいては、図示の都合上、ベースラインおよび先入射光PL3αのプロファイルは実線で、後入射光PL3βのプロファイルは破線にて示している。先入射光PL3αと後入射光PL3βとは出力増幅器105においてそれぞれに増幅されるが、増幅が始まった後の振る舞いは、先入射光PL3αに対する後入射光PL3βの遅延時間Xnsecと出力増幅器105内におけるパルス光の往復周期Ynsecとの大小関係に応じて異なるものとなる。X>Yの場合は、図6bに示すように、先入射光PL3αがk1次の増幅を受けてから、時間X-Ynsecが経過した後に、後入射光PL3βがk次の増幅を受けるという関係が繰り返される。一方、X<Yの場合は、図6cに示すように、先入射光PL3αがk次の増幅を受けた後、時間Xnsecが経過した後に、後入射光PL3βがk次の増幅を受けるという関係が繰り返されるkは自然数。第2の態様では、この関係を利用して、レーザー光源SLから出射するレーザー光LBのダプルパルス化を実現する。具体的には、X>Yをみたすようにしたうえで、先入射光PL3αのk1次増幅光と後入射光PL3βのk次増幅光とがポッケルスセル105dを通過する時間Δt3の間だけ、ポッケルスセル105dへの印加電圧を増幅電圧から抜き出し電圧へと切り替えるようにする。すると、出射間隔X-Ynsecで2つのパルス光が連続して出射されることになる。これら2つのパルス光の前者を先抜き出し光PL4αとし、後者を後抜き出し光PL4βとすると、先抜き出し光PL4αは、パルス圧縮器106を経た後、先パルス光PLαとしてレーザー光源SLから出射される。後抜き出し光PL4βは、パルス圧縮器106を経た後、後パルス光PLβとしてレーザー光源SLから出射される。すなわち、結果として、t2-t1=X-Yからなる出射間隔で、ダブルパルス化が実現されてなる。一方、X<Yをみたすようにし、図6cに示すように、先入射光PL3αのk次増幅光と後入射光PL3βのk次増幅光とがポッケルスセル105dを通過する時間Δt4の間だけ、ポッケルスセル105dへの印加電圧を増幅電圧から抜き出し電圧へと切り替えるようにした場合には、同じパルスエネルギーの先抜き出し光PL4αと後抜き出し光PL4βとを出射間隔Xnsecで出射するダブルパルス化が実現される。以上のように、ダブルパルス化の第2の態様は、概略的にいえば、オシレータ101から発振された2つのパルス光をそれぞれに増幅した後、出力増幅器105からの抜き出しタイミングを調整することで、ダブルパルス化を実現するものであるといえる。加えて、オシレータ101から発振する先発振光PL1αと後発振光PL1βとのパルスエネルギー比を違えた場合、X>YであるかX<Yであるかを問わず、先抜き出し光PL4αと後抜き出し光PL4βのパルスエネルギー比を任意に変えることが可能となる。これにより、先抜き出し光PL4αのパルスエネルギーと後抜き出し光PL4βのパルスエネルギーとの比率を、所望の値に調整することが可能となる。例えば、先発振光PL1αのパルスエネルギーよりも後発振光PL1βのパルスエネルギーを大きくした場合、X<Yの場合であっても、先抜き出し光PL4αのパルスエネルギーよりも後抜き出し光PL4βのパルスエネルギーを大きくすることが出来る。従って、先発振光PL1αと後発振光PL1βとのパルスエネルギー比の調整を適宜に行うことで、第1の態様と同様、第2の態様においても、エネルギー利用効率の高い劈開/裂開加工が可能となる。以上、説明したように、本実施の形態によれば、ダブルパルス化されたレーザー光にて被加工物に対し加工予定線に沿った劈開/裂開加工を行うようにすることで、エネルギー利用効率が高い劈開/裂開加工が可能となる。すなわち、劈開/裂開による分割起点の形成をより確実に行えるようになる。実施例として、第1の態様にてダブルパルス化したレーザー光LBを用いてC面サファイア基板の表面に劈開/裂開加工を行った。また、比較例として、ダプルパルス化を行わない点を除いて実施例と同様の条件で劈開/裂開加工を行った。具体的には、レーザー光LBの個々の単位パルス光の照射ピッチΔが15μmとなるように、繰り返し周波数Rを13.3kHz、走査速度Vを200mm/secと設定した。また、実施例における先パルス光PLαと後パルス光PLβとのパルスエネルギーの和を5μJとし、比較例においては、1つのパルス光のパルスエネルギーがこれと同じになるようにした。さらには、実施例における先パルス光PLαと後パルス光PLβとのパワー比が1:2となるように、Δt1、およびΔt2を設定した。図7は、実施例と比較例についての、加工後のC面サファイア基板表面の落射照明と透過照明とによる光学顕微鏡像である。落射照明による像では実施例と比較例とに差異がないようにもみられる、透過照明による像からは、実施例の場合のみ、図1eに示した図面視直線状の劈開/裂開面C11a、C11b、C12a、C12b、C13a、C13b、C14a、C14bと同様の加工痕が明瞭に観察される。係る結果は、ダブルパルス化が、劈開/裂開加工において劈開/裂開をより確実に生じさせる効果があることを示している。