ガイドピンと第1の光ファイバ及び第2の光ファイバとを整列収容するための複数のV溝を有するV溝基板と、前記V溝基板を保持するステージと、前記第1の光ファイバ及び前記第2の光ファイバを押さえつけて前記V溝に収容するための押さえ板と、前記押さえ板を保持する押さえ板保持アームと、前記押さえ板保持アームを前記ステージに対して開閉させるためのヒンジ機構回転軸と、前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを突き合わせた部分にレーザを照射するレーザ発振部とを備える光ファイバ融着接続装置を用いて光ファイバを融着接続する方法であって、前記ヒンジ機構回転軸により前記押さえ板保持アームを閉じて、前記V溝に収容された前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを突き合わせて位置合わせする工程と、前記レーザ発振部によって前記突き合わせた部分にCOレーザを照射することによって前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを融着する工程とを備え、前記COレーザの集光位置は、前記突き合わせた部分であることを特徴とする方法。前記融着する工程は、前記第1の光ファイバを前記第2の光ファイバ側に向けて突き進ませることにより前記第1の光ファイバに座屈が発生した状態で実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。ガイドピンと第1の光ファイバ及び第2の光ファイバとを整列収容するための複数のV溝を有するV溝基板と、前記V溝基板を保持するステージと、前記第1の光ファイバ及び前記第2の光ファイバを押さえつけて前記V溝に収容するための押さえ板と、前記押さえ板を保持する押さえ板保持アームと、前記押さえ板保持アームを前記ステージに対して開閉させるためのヒンジ機構回転軸と、前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを突き合わせた部分にレーザを照射するレーザ発振部とを備え、前記ヒンジ機構回転軸により前記押さえ板保持アームを閉じることよって、前記V溝に収容された前記ガイドピンと前記押さえ板とが接触し、前記V溝に収容された前記第1の光ファイバが前記押さえ板の底面と前記第1の光ファイバ上面との間の間隙内に保持され、前記V溝に収容された前記第2の光ファイバ及び前記第2の光ファイバが前記押さえ板の底面と前記第2の光ファイバ上面との間の間隙内に保持され、前記第1の光ファイバを前記第2の光ファイバ側に向けて突き進ませることにより前記第1の光ファイバに座屈が発生した状態で前記レーザ発振部によって前記突き合わせた部分にレーザ照射することにより、前記光ファイバを融着する光ファイバ融着接続装置であって、前記レーザ発振部は、COレーザを発振し、前記COレーザの集光位置は、前記突き合わせた部分であることを特徴とする光ファイバ融着接続装置。図2に示されるようなオンボード光ファイバの融着接続において、回路基板上における光ファイバの余長を短縮し且つV溝基板の劣化を低減することにより、低接続損失分布で良好な機械強度品質を有する融着光ファイバを得る点が課題である。上述のような問題を解決するために、本発明の請求項1に係る方法は、ガイドピンと第1の光ファイバ及び第2の光ファイバとを整列収容するための複数のV溝を有するV溝基板と、前記V溝基板を保持するステージと、前記第1の光ファイバ及び前記第2の光ファイバを押さえつけて前記V溝に収容するための押さえ板と、前記押さえ板を保持する押さえ板保持アームと、前記押さえ板保持アームを前記ステージに対して開閉させるためのヒンジ機構回転軸と、前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを突き合わせた部分にレーザを照射するレーザ発振部とを備える光ファイバ融着接続装置を用いて光ファイバを融着接続する方法であって、前記ヒンジ機構回転軸により前記押さえ板保持アームを閉じて、前記V溝に収容された前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを突き合わせて位置合わせする工程と、前記レーザ発振部によって前記突き合わせた部分にCOレーザを照射することによって前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを融着する工程とを備え、前記COレーザの集光位置は、前記突き合わせた部分であることを特徴とする。本発明の請求項2に係る方法は、請求項1に係る方法において、前記融着する工程は、前記第1の光ファイバを前記第2の光ファイバ側に向けて突き進ませることにより前記第1の光ファイバに座屈が発生した状態で実行されることを特徴とする。本発明の請求項3に係る光ファイバ融着接続装置は、ガイドピンと第1の光ファイバ及び第2の光ファイバとを整列収容するための複数のV溝を有するV溝基板と、前記V溝基板を保持するステージと、前記第1の光ファイバ及び前記第2の光ファイバを押さえつけて前記V溝に収容するための押さえ板と、前記押さえ板を保持する押さえ板保持アームと、前記押さえ板保持アームを前記ステージに対して開閉させるためのヒンジ機構回転軸と、前記第1の光ファイバと前記第2の光ファイバとを突き合わせた部分にレーザを照射するレーザ発振部とを備え、前記ヒンジ機構回転軸により前記押さえ板保持アームを閉じることよって、前記V溝に収容された前記ガイドピンと前記押さえ板とが接触し、前記V溝に収容された前記第1の光ファイバが前記押さえ板の底面と前記第1の光ファイバ上面との間の間隙内に保持され、前記V溝に収容された前記第2の光ファイバ及び前記第2の光ファイバが前記押さえ板の底面と前記第2の光ファイバ上面との間の間隙内に保持され、前記第1の光ファイバを前記第2の光ファイバ側に向けて突き進ませることにより前記第1の光ファイバに座屈が発生した状態で前記レーザ発振部によって前記突き合わせた部分にレーザ照射することにより、前記光ファイバを融着する光ファイバ融着接続装置であって、前記レーザ発振部は、COレーザを発振し、前記COレーザの集光位置は、前記突き合わせた部分であることを特徴とする。回路基板上に布線された光ファイバに対して一方向からのレーザ照射によって光ファイバ融着接続が実現可能であって、さらに一方向からのレーザ照射においてレーザ光をディフォーカスせずに、V溝基板の劣化を抑えながら融着界面に均一な光ファイバのレーザ加熱が可能となり、安定した機械強度を有する融着光ファイバの実現が可能となる。図8を用いて、本発明の実施例に係るCOレーザ照射による光ファイバ融着接続の手法を説明する。図8は、光ファイバ融着接続のためのCOレーザ照射の光学実験系を示す。図8には、ステージ51と、V溝基板52と、押さえ板53-a及び53-bと、押さえ板保持アーム54-a及び54-bと、ヒンジ機構回転軸55と、磁力調整ネジ56と、ガイドピン57を備えたレーザ融着治具80と、COレーザ82を発振するCOレーザ発振装置81とが示されている。図8に示される光学実験系は、従来技術の例として述べた図5の光学実験系と同様であり、レーザ融着治具を用いた実験手順については説明を省略する。図8aは、レーザ融着治具80において光ファイバ1及び2を収容した部分のy-z断面と、上方z軸方向に設けられたCOレーザ発振装置81から光ファイバ1及び2の融着界面9にCOレーザ82が照射されている様子を示す。図8aに示されるように、本発明の実施例に係る光ファイバ融着接続においては、COレーザ発振装置81により発振されるCOレーザを用いて光ファイバのレーザ融着を行う。COレーザはCO2レーザに比べて波長が短いため、COレーザを使用する場合はCO2レーザを使用する場合よりもビームスポット径を小さくすることが可能である。また、従来のようにCO2レーザを用いて石英材料で構成された光ファイバに対してレーザ照射する場合、CO2レーザの石英材料に対する吸収係数が371cm1であるため、典型的には外径が125μmである光ファイバに対して、照射による熱エネルギーが光ファイバ表面から50μm程度の深さまで侵入して消費される。そのため、従来のCO2レーザ照射では、石英材料は光ファイバ表面から蒸散することが支配的であり、CO2レーザを大きくディフォーカスする必要があるため、CO2レーザが進むにすれてビームスポット径が拡大していき、CO2レーザがV溝基板にも照射され、V溝基板の劣化が生じる。それに対して、石英材料で構成された光ファイバに対してCOレーザを用いてレーザ照射する場合、COレーザの石英材料に対する吸収係数が129cm1であるため、ビームスポット径を小さく絞り込んだCOレーザ82を光ファイバに照射する場合であっても、光ファイバ外径125μmに対して照射による熱エネルギーが光ファイバ表面から100μm程度の深さまで侵入して消費される。そのため、COレーザによる光ファイバへの照射では、COレーザをディフォーカスせずに、光ファイバ同士を突き合わせた部分に集光した場合であっても、光ファイバ外径125μmの大部分にあたる融着界面9にCOレーザにより吸収された熱エネルギーが伝播され、融着界面9全域に亘って均一に加熱することができる。従って、図8bのレーザ照射位置の拡大図に示されるように、COレーザをディフォーカスする必要がなく、COレーザの集光位置であるビームウエスト位置83を、光ファイバ同士を突き合わせた部分に設定することができるため、光ファイバの融着接続点におけるCOレーザのビームスポット径を、レーザ照射位置におけるV溝基板52間の間隙典型的には1mmよりも充分に小さくすることができる。そのため、レーザ融着時にビームウエスト位置83周辺におけるV溝基板52へのCOレーザ照射量を低減することができ、V溝基板52の劣化損傷を抑えることが可能となる。その結果、レーザ融着時に光ファイバ4及び5の精密保持を安定して行うことができ、また融着界面9へのV溝基板材料の溶け込みが防止することができ、融着光ファイバの機械強度の安定化を図ることができる。また、V溝基板の当初設計寸法精度を保持することができるため、融着光ファイバの低接続損失分布を得ることも可能となる。以上、実施例とともに詳しく説明したように、本発明に係るCOレーザ照射によるファイバ融着によれば、従来技術によって実現を図ってきたCO2レーザ照射による光ファイバ融着に比べて、同波長での石英材料に対してレーザの表面吸収率が低いため、石英材料に対する熱エネルギーの侵入長を引き伸ばすことができる。そのため、光ファイバの融着接続点に照射するCOレーザのビームスポット径を小さくすることができ、その結果、例えばV溝基板など、石英材料で構成された光ファイバ以外の部分へのレーザ光の照射を低減することが可能となり、レーザ融着治具の構成要素の損傷を低減することができる。また、前述のように、COレーザ光吸収による熱エネルギーの侵入長は約100μmであり典型的な光ファイバの外径は125μmであるため、レーザ光をディフォーカスせずに同等外径を有する光ファイバの融着界面全体を均一に加熱することが可能となる。その結果、安定した融着接続及び機械強度が期待でき、高品質な融着光ファイバを実現することが可能となる。