第1の面及び該第1の面と反対側の第2の面を有する基板と、前記基板の第1の面に固着された半導体素子と、前記基板の第1の面から第2の面までを貫通するように形成された第1の透明樹脂部と、前記基板の第2の面側における前記第1の透明樹脂部の上に形成されたアライメントパターンとを備えていることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子の上に形成された電極パッドと、前記基板の第1の面から第2の面までを貫通するように形成された貫通ビアと、前記基板の第1の面上に形成され、前記貫通ビアと接続された第1の電極ランドと、前記基板の第2の面上に形成され、前記貫通ビアと接続された第2の電極ランドと、前記電極パッドと前記第1の電極ランドとの間を電気的に接続する導電体とをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記貫通ビアは、前記基板の第1の面から第2の面までを貫通するように形成された貫通ビアホールに充填されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記貫通ビアの内部に形成された第2の透明樹脂部をさらに備えていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記第1の透明樹脂部と第2の透明樹脂部とは、同一の材料からなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記基板の第2の面上に前記アライメントパターンを覆うように形成され、前記第2の電極ランドの少なくとも一部を露出する開口部を含む保護膜をさらに備えていることを特徴とする請求項2~5のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記基板の第1の面上に前記半導体素子を覆うように形成された保護部材をさらに備えていることを特徴とする請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記保護部材は、可視光に対して透明な樹脂からなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。前記保護部材は、可視光に対して非透光性を有する樹脂からなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。前記保護部材は、側壁と蓋体とからなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。前記導電体はワイヤであり、前記半導体素子の前記電極パッドが形成された面と反対側の面は、接着材により前記基板の第1の面に固着されていることを特徴とする請求項1~10のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記導電体はバンプであり、前記半導体素子の前記電極パッドが形成された面は、前記バンプを介して前記電極パッドと前記第1の電極ランドとが電気的に接続するように、前記基板の第1の面に固着されていることを特徴とする請求項1~10のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。実装基板と、前記実装基板の上に固着された請求項1~12のうちのいずれか1項に記載の半導体装置を備えていることを特徴とする半導体装置の実装体。第1の面及び該第1の面と反対側の第2の面とを有する複数の基板に、該基板の第1の面から第2の面までを貫通する複数の第1の貫通ビアホールを形成する工程aと、前記複数の第1の貫通ビアホールにそれぞれ透明樹脂を充填することにより複数の透明樹脂部を形成する工程bと、前記基板の第2の面側における前記複数の透明樹脂部の上にアライメントパターンをそれぞれ形成する工程cと、前記基板の第1の面に複数の半導体素子を固着する工程dと、前記基板を個片化する工程eとを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記基板の第1の面から第2の面までを貫通する複数の第2の貫通ビアホールを形成する工程fと、前記複数の第2の貫通ビアホールに、それぞれ金属膜を形成することにより複数の貫通ビアを形成すると共に、前記基板の第1の面上及び第2の面上に前記貫通ビアと接続するように複数の第1の電極ランド及び第2の電極ランドをそれぞれ形成する工程gと、前記半導体素子の上に電極パッドを形成する工程hと、前記電極パッドと前記第1の電極ランドとを導電体により電気的に接続する工程iとをさらに備え、前記工程cを、前記工程gと共に行うことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の第2の貫通ビアホールに透明樹脂を部分的に充填する工程jをさらに備え、前記工程jを、前記工程bと共に行うことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。前記工程d及びeを、前記工程cよりも後に行い、且つ、前記アライメントパターンを用いて行うことを特徴とする請求項14~16のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記導電体はワイヤであり、前記工程dにおいて、前記半導体素子の前記電極パッドが形成された面と反対側の面を前記基板に固着することを特徴とする請求項14~17のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記導電体はバンプであり、前記工程dにおいて、前記半導体素子の前記電極パッドが形成された面を、前記バンプを介して前記電極パッドと前記第1の電極ランドとが電気的に接続するように、前記基板の第1の面に固着することにより、前記工程iを共に行うことを特徴とする請求項14~17のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、前記従来の半導体装置のように、アライメントパターンが形成され、正確に1次実装がなされたとしても、2次実装の際に半導体素子が目的の位置に対してずれるおそれがある。これは、層間ずれと呼ばれ、基板の主面パターンと裏面パターンとがずれていることにより生じる。通常、基板の主面パターンと裏面パターンとの位置合わせは、基板を厚さ方向に貫通する位置合わせ穴を用いて行われる。しかしながら、位置合わせ穴の加工ばらつきが生じることにより基板の表裏の位置合わせにずれが生じる。一般に、基板にビルドアップ工法を用いた場合は、基板を多層に積層するほど、ずれの量が大きくなる。このようなずれが生じるため、精度良く半導体素子を1次実装しても半導体装置の2次実装の際に、半導体素子が所望の位置からずれてしまう。例えば、極めて高い実装精度が要求される光ピックアップでは、半導体素子の位置ずれが生じると、ディスクのデータを正確に読み取ることができない等の不良が起こることとなる。また、そのようなずれは、ダイボンディング工程のみならず、基板のダイシング工程においても問題となる。基板のダイシング工程において、基板の主面側に形成されたアライメントパターンを用いると、半導体装置の2次実装の際に半導体素子が所望の位置からずれてしまう。さらに、個片化後の半導体装置において、半導体装置の中心から端面までの距離が設計値からずれることもある。前記の問題の他に、金属めっきからなるアライメントパターンを基板の主面側に形成する場合には、信頼性が低下する問題がある。一般に、金属めっきと封止樹脂との密着性は極めて低い。2次実装の際のリフロー等の熱処理により半導体デバイスに応力が発生し、封止樹脂と基板の主面に形成された金属めっきからなるアライメントパターンとが密着している面積が大きいほど、半導体装置の内部で界面剥離が生じやすくなり、半導体装置の信頼性が低下する。本発明は前記の問題に鑑み、その目的は、半導体素子を実装する際に、位置ずれが生じることを防ぎ、信頼性が高い半導体装置が得られるようにすることにある。前記の目的を達成するために、本発明は半導体装置を、基板の第1の面に固着された半導体素子と基板を貫通する透明樹脂部に形成されたアライメントパターンとを含み、該アライメントパターンは半導体素子が固着された面と反対側の面に形成された構成とする。具体的に、本発明に係る半導体装置は、第1の面及び該第1の面と反対側の第2の面を有する基板と、基板の第1の面に固着された半導体素子と、基板の第1の面から第2の面までを貫通するように形成された第1の透明樹脂部と、基板の第2の面側における第1の透明樹脂部の上に形成されたアライメントパターンとを備えている。本発明に係る半導体装置によると、基板の第1の面から第2の面までを貫通するように形成された第1の透明樹脂部と、基板の第2の面側における第1の透明樹脂部の上に形成されたアライメントパターンとを備えている。このため、半導体素子を基板にダイボンディングする際に、基板の半導体素子が固着された側と反対側の面である第2の面側に形成されたアライメントパターンを基板の第1の面側から透明樹脂部を介して認識することができるので、精度良く半導体素子が実装された半導体装置を得ることができる。また、基板の第2の面側にアライメントパターンが形成されているため、基板の層間ずれを防止できる。その結果、2次実装の際の半導体素子のずれを防ぐことができる。ビルドアップ工法を用いた場合は、基板を多層に積層するほどずれの量が大きくなるため、本発明によるずれの発生を防止する効果は顕著となる。このため、本発明の半導体装置を光ピックアップ及びイメージセンサ等のオプトデバイスに用いる場合には、2次実装の後に、光を受光するための所望の位置がずれることを防止できる。また、半導体素子が所望の位置に対して精度良く実装され、樹脂封止の後の応力のバランスの変化による半導体装置の反りを防ぐことができるため、2次実装の信頼性を向上することができる。このような効果は、オプトデバイスの他に、BGAballgridarray等のデバイスにおいても期待できる。さらに、基板の第2の面側に形成されたアライメントパターンをダイシング工程にも用いることにより、2次実装の際の半導体素子のずれを防ぐことができる。加えて、個片化後の半導体装置において、半導体装置の中心から端面までの距離が設計値からずれることを防止できる。さらに、金属めっきからなるアライメントパターンを基板の第1の面側に形成する場合に比べて、基板の第1の面に形成された金属パターンの量を低減できる。封止樹脂と基板の第1の面に形成された金属パターンとが密着している面積が大きいほど、半導体装置の内部で界面剥離が生じやすくなるため、基板の第1の面に形成された金属パターンが少ないほど、半導体装置の信頼性を向上できる。本発明に係る半導体装置は、半導体素子の上に形成された電極パッドと、基板の第1の面から第2の面までを貫通するように形成された貫通ビアと、基板の第1の面上に形成され、貫通ビアと接続された第1の電極ランドと、基板の第2の面上に形成され、貫通ビアと接続された第2の電極ランドと、電極パッドと第1の電極ランドとの間を電気的に接続する導電体とをさらに備えていることが好ましい。このようにすると、外部端子と半導体素子とを導通することができ、また、基板の第1の主面と第2の主面との間を十分に導通できる。この場合、貫通ビアは、前記基板の第1の面から第2の面までを貫通するように形成された貫通ビアホールに充填されていてもよい。また、貫通ビアの内部に形成された第2の透明樹脂部をさらに備えていてもよい。さらに、この場合、第1の透明樹脂部と第2の透明樹脂部とは、同一の材料からなることが好ましい。このようにすると、第1の透明樹脂部と第2の透明樹脂部とを同一工程で形成することができ、工程を削減できるため、製造コストを低減することができる。本発明に係る半導体装置は、基板の第2の面上にアライメントパターンを覆うように形成され、第2の電極ランドの少なくとも一部を露出する開口部を含む保護膜をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、アライメントパターンを保護することができる。本発明に係る半導体装置は、基板の第1の面上に前記半導体素子を覆うように形成された保護部材をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、半導体素子を外乱から保護することができる。この場合、保護部材は、可視光に対して透明な樹脂からなることが好ましい。このようにすると、半導体素子は光を受光することができる。本発明に係る半導体装置において、保護部材は、可視光に対して非透光性を有する樹脂からなっていてもよい。本発明に係る半導体装置において、保護部材は、側壁と蓋体とからなっていてもよい。本発明に係る半導体装置において、導電体はワイヤであり、半導体素子の電極パッドが形成された面と反対側の面は、接着材により基板の第1の面に固着されていてもよい。本発明に係る半導体装置は、導電体はバンプであり、半導体素子の電極パッドが形成された面は、バンプを介して電極パッドと第1の電極ランドとが電気的に接続するように、基板の第1の面に固着されていてもよい。本発明に係る実装体は、実装基板と、実装基板の上に固着された前記の本発明に係る半導体装置を備えている。本発明に係る実装体によると、前記の半導体装置を備えているため、本発明に係る半導体装置と同様の効果を得ることができ、信頼性が高い実装体を得ることができる。本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1の面及び該第1の面と反対側の第2の面とを有する複数の基板に、該基板の第1の面から第2の面までを貫通する複数の第1の貫通ビアホールを形成する工程aと、複数の第1の貫通ビアホールにそれぞれ透明樹脂を充填することにより複数の透明樹脂部を形成する工程bと、基板の第2の面側における複数の透明樹脂部の上にアライメントパターンをそれぞれ形成する工程cと、基板の第1の面に複数の半導体素子を固着する工程dと、基板を個片化する工程eとを備えている。本発明に係る半導体装置の製造方法によると、複数の基板に、該基板の第1の面から第2の面までを貫通する複数の第1の貫通ビアホールを形成し、複数の第1の貫通ビアホールにそれぞれ透明樹脂部を形成し、基板の第2の面側における複数の透明樹脂部の上にアライメントパターンをそれぞれ形成する。このため、半導体素子を基板にダイボンディングする際に、基板の半導体素子が固着された側と反対側の面である第2の面側に形成されたアライメントパターンを基板の第1の面側から透明樹脂部を介して認識することができるので、精度良く半導体素子が実装された半導体装置を得ることができる。さらに、基板の第2の面側に形成されたアライメントパターンをダイシング工程にも用いることにより、ダイシング工程に起因するずれを防ぐことができる。また、基板の第2の面側にアライメントパターンを形成するため、基板の層間ずれを防止でき、信頼性が高い半導体装置を得ることができる。本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の第1の面から第2の面までを貫通する複数の第2の貫通ビアホールを形成する工程fと、複数の第2の貫通ビアホールに、それぞれ金属膜を形成することにより複数の貫通ビアを形成すると共に、基板の第1の面上及び第2の面上に貫通ビアと接続するように複数の第1の電極ランド及び第2の電極ランドをそれぞれ形成する工程gと、半導体素子の上に電極パッドを形成する工程hと、電極パッドと第1の電極ランドとを導電体により電気的に接続する工程iとをさらに備え、工程cを、工程gと共に行ってもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の第2の貫通ビアホールに透明樹脂を部分的に充填する工程jをさらに備え、工程jを、工程bと共に行ってもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法において、工程d及びeを、工程cよりも後に行い、且つ、前記アライメントパターンを用いて行うことが好ましい。本発明に係る半導体装置の製造方法において、導電体はワイヤであり、工程dにおいて、半導体素子の電極パッドが形成された面と反対側の面を基板に固着してもよい。本発明に係る半導体装置の製造方法において、導電体はバンプであり、工程dにおいて、半導体素子の電極パッドが形成された面を、バンプを介して電極パッドと第1の電極ランドとが電気的に接続するように、基板の第1の面に固着することにより、工程iを共に行ってもよい。本発明に係る半導体装置、その製造方法及びそれを備えた実装体によると、半導体素子の実装の際のずれを防ぎ、信頼性が高い半導体装置及びそれを備えた実装体を得ることができる。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその実装体について図1及び図2を参照しながら説明する。本実施形態に係る半導体装置において、図1aに示すように、基板14の第1の面主面14aに接着材13を介して半導体素子11が固着され、半導体素子11の上には電極パッド12が形成されている。半導体素子11の上には、電極パッド12の他に、回路パターン図示せずが形成されている。また、本実施形態の半導体装置が光ピックアップ及びイメージセンサ等のオプト製品に用いられる場合には、半導体素子11の上に光を電気信号に変換するフォトダイオードがさらに形成されていてもよい。基板14には、その第1の面14aから第2の面裏面14bまでを貫通する透明樹脂部15及び貫通ビア16が形成されている。ここで、透明樹脂部15及び貫通ビア16は、基板14の第1の面14aから第2の面14bまでを貫通する第1の貫通ビアホール15A及び第2の貫通ビアホール16Aに、それぞれ透明樹脂及び金属膜が埋め込まれることにより形成されている。基板14の第2の面14b側における透明樹脂部15の上には、アライメントパターン17が形成されている。基板14の第1の面14a上には、貫通ビア16と接続された第1の電極ランド18aが形成され、基板14の第2の面14b上に貫通ビア16と接続された第2の電極ランド18bが形成されている。第1の電極ランド18aと電極パッド12とは、導電体であるワイヤ19により電気的に接続されている。基板14の第2の面14bには、アライメントパターン17を覆い、第2の電極ランド18bの少なくとも一部を露出する開口部を有する保護膜20が形成されている。基板14の第1の面14aには、半導体素子11を覆うように封止樹脂である保護部材21が形成されている。また、図1bに示すように、本実施形態に係る半導体装置が、実装基板22の上に固着されることによって本実施形態に係る実装体が形成され得る。半導体素子11は、シリコンSiからなることが望ましい。また、半導体素子11は、Siの他に炭化シリコンSiC、シリコンゲルマニウムSiGe、ヒ化ガリウムGaAs及び窒化ガリウムGaN等からなってもよく、その機能に応じて選択され得る。電極パッド12は、ワイヤ19に対して十分な密着性を有する金属からなることが好ましく、より好ましくはアルミニウムAl及び金Auからなり、また、不純物を含む合金からなっても構わない。接着材13は、半導体素子11を固着するのに十分な接着強度を有していればよく、導電性又は絶縁性を有していてもよい。導電性の接着材13は、主剤のエポキシ樹脂の中に銀Agフィラーを分散させたAgペーストであることが好ましい。また、コストの低減のために、Agフィラーの代わりにCu合金フィラーが分散されていてもよい。絶縁性の接着材13は、主剤のエポキシ樹脂の中にシリカフィラーを分散させたペーストであることが望ましい。また、本実施形態の半導体装置がBlu-ray用の光ピックアップ、及びLEDLightEmittingDiode等の強度の高い光を扱う装置に用いられる場合には、接着材13に耐光性のある主剤が用いられることが望ましく、具体的にはシリコーンである。基板14は、基材が2層以上積層された基板であってもよい。また、基板14は、ガラスエポキシ基板、セラミック基板又はハロゲンフリー基板であることが望ましく、特にガラスエポキシ基板を用いるとコストを低減できる。また、積層された基板14の内部には、半導体素子11からの信号を基板14を介して外部端子に伝達できるパターンが銅Cu箔等により形成されていてもよい。第1の電極ランド18aは、積層された複数の金属層により構成されていることが望ましい。積層される金属は、ワイヤ19と安定に接続できる金属であればよい。具体的に、第1の電極ランド18aは、Cu膜の上に、ニッケルNi膜、鉛Pb膜及びAu膜か、Ni膜及びAu膜か、又はNi膜及びAg膜が順次積層されていることが好ましい。ワイヤ19は、電極パッド12及び第1の電極ランド18と安定に接続され得る金属からなればよく、Au、Al及びCu等の金属からなることが好ましい。また、本実施形態の半導体装置がLEDのような白色に発光するデバイスに用いられる場合は、発光効率を向上するために、ワイヤ19はAgからなることが好ましい。アライメントパターン17は、図1bに示すように、半導体素子11よりも外側に位置することが好ましい。また、アライメントパターン17は、半導体素子11を挟むように、その対角のそれぞれの近傍領域に設けられることが好ましい。さらに、図2aに示すように、アライメントパターン17は、特異な形状のパターンであることが望ましく、例えば基板14の第1の面14a側から見て十字形又はL字形である。アライメントパターン17の中心から端部までの寸法は50μm以上であることが好ましく、例えば75μmである。アライメントパターン17は、Au、Ni、Ag及びCu等からなることが好ましい。また、アライメントパターン17は、積層された複数の金属からなってもよく、好ましくは、めっき法により形成されたCu膜、Ni膜及びAu膜を含む多層膜である。図2aに示すように、例えば、アライメントパターン17が十字形の場合は、十字の交差部分の大きさよりも、透明樹脂部15は十分に大きい径を有することが好ましく、例えばその径は200μm以上である。透明樹脂部15は、可視光に対して透明であることが好ましく、その屈折率は1.4~1.6であることがより好ましい。透明樹脂部15の主成分は、基板14の基材の主成分と同一であることが好ましい。このようにすると、透明樹脂部15と基板14との密着強度を高めることができる。貫通ビア16は、金属膜が第2の貫通ビアホール16Aに完全に充填された構成であってもよいし、完全に充填されていなくてもよい。また、その金属膜の材料は複数であってもよい。また、貫通ビア16の内部には、樹脂図示せずが含まれていてもよい。一般に、樹脂の弾性率は金属よりも低いため、貫通ビア16の内部に樹脂を含むことにより、貫通ビア16に発生する応力を吸収することができる。また、貫通ビア16に用いられる金属膜の量を低減できるため、コストを低減できる。保護膜20は、ソルダーレジスト膜であることが望ましい。ソルダーレジスト膜の色は、ダイボンディング、ワイヤボンディング及びダイシング等の工程に用いる装置が認識する照明の色に対して補色であることが好ましい。保護部材21は、主成分がエポキシ樹脂であり、可視光に対して非透光性を有するように黒色に着色され、カーボンブラックを含んでいてもよい。ここで、透明樹脂部15と保護部材21との主成分が同一であることが好ましい。これにより、透明樹脂部15と保護部材21との密着強度を高めることができる。本実施形態に係る半導体装置がオプトデバイスに用いられる場合には、保護部材21は可視光に対して透明な樹脂からなることが好ましい。また、透明樹脂部15及び保護部材21が所定の光に対して透明となるように、透明樹脂部15及び保護部材21の含有物の種類及び量を適宜調整してもよい。また、本実施形態に係る半導体装置がBlu-ray用ピックアップ及びLED等の強度の高い光を扱う装置に用いられる場合には、透明樹脂部15及び保護部材21に耐光性のある主剤が用いられることが望ましく、具体的にはシリコーンである。本発明の第1の実施形態に係る半導体装置によると、半導体素子11を基板14にダイボンディングする際に、基板14の第2の面14b側に形成されたアライメントパターン17を基板14の第1の面14a側から透明樹脂部15を介して認識することができるため、精度良く半導体素子11を実装することができる。また、本実施形態に係る半導体装置を実装基板22に2次実装する際に、基板14の第2の面14b側に形成されたアライメントパターン17を用いると、位置ずれを防止でき、所望の位置に半導体装置が実装された実装体を得ることができる。ビルドアップ工法を用いた基板14の場合は、多層に積層するほどずれ量が拡大するため、本実施形態に係る半導体装置による前記の効果は顕著となる。このため、本実施形態に係る半導体装置が光ピックアップ及びイメージセンサ等のオプトデバイスに用いられる場合には、光を受光する所望の位置がずれることを防ぐことができるので、信頼性が高い半導体装置の実装体を得ることができる。それらの効果の他に、本実施形態に係る半導体装置では、半導体素子11を所望の位置に精度良く実装することができるため、封止後の応力のバランスの変化による半導体デバイスの反りを防止することができ、2次実装の信頼性を向上できる。また、基板14の第2の面14b側に形成されたアライメントパターン17をダイシング工程にも用いることにより、2次実装の際の半導体素子11のずれを防止することができる。さらに、個片化後の半導体装置において、半導体装置の中心から端面までの距離が設計値からずれることを防止できる。また、基板14の第2の面14b側にアライメントパターン17が形成されていることにより、金属めっきからなるアライメントパターン17を基板14の第1の面14a側に形成する場合と比べて、基板14の第1の面14aに形成される金属パターンの量を低減できる。一般に、金属めっきと封止樹脂からなる保護部材21との密着性は極めて低い。2次実装の際のリフロー等の熱処理により半導体デバイスに応力が発生する。このとき、保護部材21と基板14の第1の面14aに形成された金属パターンとの密着面積が大きいほど、半導体装置の内部において界面剥離が生じやすくなる。このため、基板14の第1の面14a側に金属めっきからなるアライメントパターン17が形成されている場合と比べて、基板14の第1の面14aに形成された金属パターンの量を低減できるので、半導体装置の信頼性を向上することができる。次に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板14を形成する際に、透明樹脂部15を基板14に形成するという点が公知の方法と異なる。具体的に、まず、複数の基板14を用意する。ここで、用意される基板14は、後に半導体素子が固着される複数のボンディング領域を有する個片化前の基板である。基板14を用意した後、透明樹脂部15及び貫通ビア16を形成したい領域に基板14の第1の面14aから第2の面14bまでを貫通する複数の第1の貫通ビアホール15A及び第2の貫通ビアホール16Aをそれぞれ形成する。その後、公知の方法で、複数の第1の貫通ビアホール15Aにそれぞれ透明樹脂を充填して複数の透明樹脂部15を形成する。また、複数の第2の貫通ビアホール16Aにそれぞれ金属膜を形成して複数の貫通ビア16を形成すると共に、基板14の第1の面14a上に複数の第1の電極ランド18aを形成し、第2の面14b上に複数の第2の電極ランド18bを形成する。具体的に、図2bに示すように、基板14の第1の面14a上における第2の貫通ビアホール16Aの周辺部にCu箔23を形成し、めっき法により第2の貫通ビアホール16AをCuめっき24により埋め込むことによって貫通ビア16を形成することが好ましい。また、Cuめっき24の上に、めっき法によりNiめっき25及びAuめっき26を順次形成することが好ましい。ここで、第1の電極ランド18a及び第2の電極ランド18bを、貫通ビア16と同一の材料を用いてめっき法により形成してもよく、また、貫通ビア16と同一の工程により、貫通ビア16と一体となるように形成してもよい。図2bでは、貫通ビア16と同様に、Cu箔23を用いて形成されたCuめっき24と、Cuめっき24上に順次形成されたNiめっき25及びAuめっき26とにより構成されている第2の電極ランド18bを示している。また、透明樹脂部15の第2の面14b側に、例えば金属からなるアライメントパターン17を形成する。ここで、貫通ビア16をアライメントパターン17と共に形成することが好ましい。ここで、図2bでは、第2の貫通ビアホール16Aの壁面が基板14の第1の面14a及び第2の面14bに対して垂直でなく、傾斜しているが、図1aに示すように、垂直となるように形成されても構わない。前記のように基板14を加工した後に、基板14に複数の半導体素子11を固着するダイボンディング工程を行う。具体的に、半導体素子11の上に電極パッド12を形成し、電極パッド12が形成された面と反対側の面を、接着材13により基板14の第1の面14aに固着する。この工程は、アライメントパターン17を用いて行われる。続いて、電極パッド12と第1の電極ランド18aとをワイヤ19により接続し、半導体素子11を覆うように、例えば封止樹脂である保護部材21を基板14の第1の面14a上に形成する。その後、基板14を個片化するダイシング工程を行う。この工程は、基板14の第2の面14b側に形成された複数のアライメントパターン17を用いて行われる。本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、半導体素子11を基板14に固着するダイボンディング工程の際に、基板14の第2の面14b側に形成されたアライメントパターン17を基板14の第1の面14a側から透明樹脂部15を介して認識することができるため、精度良く半導体素子11を実装することができる。また、そのアライメントパターン17により、基板14の層間ずれを防止することができるため、2次実装の際の半導体素子11のずれを防止することができる。ビルドアップ工法を用いた基板14であって、多層に基板14を積層する場合には、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によるずれを防止する効果は顕著となる。このため、光ピックアップ及びイメージセンサ等のオプトデバイスにおいて、プリント基板等に2次実装した後に、光の受光する所望の位置がずれることを防止でき、信頼性が高い半導体装置の実装体を得ることができる。また、半導体素子11が所望の位置に対して精度良く実装することができるため、封止後の応力のバランスの変化による半導体デバイスの反りを防止することができ、2次実装の信頼性を向上することができる。また、基板14の裏面のアライメントパターン17をダイシングにも応用することにより、2次実装の際の半導体素子11のずれを防止することができる。さらに、個片化後の半導体デバイスにおいて、半導体デバイスの中心から端面までの距離が設計値からずれることを防止できる。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について図3を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の部分については説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。図3aに示すように、第2の実施形態に係る半導体装置は、第1の貫通ビアホール15Aに第1の透明樹脂部15aが形成され、第2の貫通ビアホール16Aに貫通ビア16が形成され、貫通ビア16の内部に第2の透明樹脂部15bが形成されている。具体的に、本実施形態では、第2の貫通ビアホール16Aの壁面に、例えばCuめっきが形成され、第2の透明樹脂部15bが第2の貫通ビアホール16Aに充填されている。第2の透明樹脂部15bは、第1の透明樹脂部15aと同一の材料からなることが好ましく、このようにすると、それらを同一の工程で形成することができる。また、第2の透明樹脂部15bの第1の面14a側及び第2の面14b側を覆うように、例えばCuめっき蓋めっきが形成されている。なお、蓋めっきの上にNiめっき及びAuめっきが順次形成されていることが好ましい。また、第1の貫通ビアホール15Aの壁面に、Cuめっきが形成されていてもよい図示せず。但し、基板14の第1の面14a側からアライメントパターン17が見えるように第1の透明樹脂部15aには、蓋めっきが形成されていないことが好ましい。本発明の第2の実施形態に係る半導体装置によると、第1の実施形態と同様の効果に加え、第2の貫通ビアホール16Aにも第2の透明樹脂部15bを形成するため、金属膜の量を低減でき、コストを低減することができる。次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1の実施形態と比較して、貫通ビア16の形成方法が異なる。本実施形態では、第1の貫通ビアホール15Aと第2の貫通ビアホール16Aを形成し、少なくとも第2の貫通ビアホール16AにCuめっきを形成した後、透明樹脂を第1の貫通ビアホール15Aと第2の貫通ビアホール16Aとに充填する。具体的に、図3bに示すように、基板14の第1の面14a上及び第2の面14b上における第2の貫通ビアホール16Aの周辺部にCu箔23を形成し、Cu箔23を用いためっき法により第2の貫通ビアホール16Aの壁面にCuめっき24を形成する。その後に、第2の貫通ビアホール16Aに、透明樹脂を充填することにより第2の透明樹脂部15bを形成する。この際に、第1の貫通ビアホール15Aにも透明樹脂を充填することにより第1の透明樹脂部15aを形成することが好ましい。これにより、工程を削減でき、製造コストを低減することができる。その後に、第2の透明樹脂部15bの第1の面14a側及び第2の面14b側を覆うようにCuめっき蓋めっき27を形成し、形成した蓋めっき27の上にNiめっき25及びAuめっき26を順次形成することが好ましい。本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法によると、第1の実施形態と同様の効果に加え、第2の貫通ビアホール16Aにも第2の透明樹脂部15bを形成するため、金属膜の量を低減でき、コストを低減することができる。上述の各実施形態では、半導体素子11における電極パッド12が形成された面と反対側の面が、接着材13を介して基板14に固着され、電極パッド12と第1の電極ランド18aとが導電体であるワイヤ19によって接続された半導体装置について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、半導体素子11における電極パッド12が形成された面が、導電体であるバンプを介して基板14に固着されると共に、電極パッド12と第1の電極ランド18aとが前記バンプを介して接続された、いわゆるフリップチップ型の半導体装置であっても構わない。また、各実施形態では、半導体素子11が保護部材21により樹脂封止された半導体装置について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、側壁と蓋体とからなる保護部材、又はキャップ体である保護部材によって基板14の第1の面14a上の半導体素子11が覆われている半導体装置であってもよい。また、保護部材を設けず、半導体素子11が露出していてもよい。また、各実施形態では、1つの半導体素子11が基板14の第1の面14aに固着された半導体装置について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、複数の半導体素子11が積層されている半導体装置であってもよい。また、各実施形態で用いた数字は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。また、上記で示した各構成要素の材料は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。また、各実施形態で示した半導体装置の構成は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、本発明に係る半導体装置は、上記構成の全てを必ずしも備える必要はない。言い換えると、本発明に係る半導体装置は、本発明の効果を発揮できる最小限の構成のみを備えていればよい。