"グラフェン膜の導電性を増大させるための方法であって、1又は複数のグラフェンシートから前記グラフェン膜を形成するステップと、前記グラフェンシートをドープしてその導電性を増大させるように構成された一電子酸化剤を含む溶液に前記グラフェンシートを曝露し、これにより前記膜の全体の導電性を増大させるステップと、を含む方法。前記グラフェン膜を形成するステップは、前記グラフェンシートを前記一電子酸化剤溶液に曝露するステップの前に行われる、請求項1に記載の方法。前記グラフェンシートを前記一電子酸化剤溶液に曝露するステップは、前記グラフェン膜を形成するステップの前に行われる、請求項1に記載の方法。溶媒中の前記一電子酸化剤の溶液を調製するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記一電子酸化剤が完全に溶解するまで前記溶液を撹拌するステップをさらに含む、請求項4に記載の方法。前記一電子酸化剤は、トリエチルオキソニウムヘキサクロロアンチモン酸を含む、請求項4に記載の方法。前記溶媒は、塩化メチレン、ジメチルホルミアミド、クロロホルム及びアセトンのうちの1つ又は複数を含む、請求項4に記載の方法。前記溶液中の前記一電子酸化剤に前記グラフェンシートを曝露するステップは、前記溶液中に前記シートを浸すステップを含む、請求項1に記載の方法。前記シートは、30分間、前記溶液中に浸される、請求項8に記載の方法。前記溶液中に前記シートを浸すステップが行われた後、前記シートを溶媒ですすぐステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記溶媒はアセトンを含む、請求項10に記載の方法。基板上に前記グラフェンシートを堆積させて前記グラフェン膜を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記グラフェンシートは、リフトオフ技術を用いて前記基板上に堆積される、請求項12に記載の方法。前記基板は光起電デバイスの少なくとも一部分を含む、請求項12に記載の方法。請求項1の方法により調製された、導電性が増大したグラフェン膜。グラフェン膜から光起電デバイス上に透明電極を製造する方法であって、1又は複数のグラフェンシートからグラフェン膜を形成するステップと、前記グラフェンシートをドープしてその導電性を増大させるように構成された一電子酸化剤を含む溶液に前記グラフェンシートを曝露し、これにより前記膜の全体の導電性を増大させるステップと、を含む方法。前記グラフェン膜を形成するステップは、前記グラフェンシートを前記一電子酸化剤溶液に曝露するステップの前に行われる、請求項16に記載の方法。前記グラフェンシートを前記一電子酸化剤溶液に曝露するステップは、前記グラフェン膜を形成するステップの前に行われる、請求項16に記載の方法。本発明は、化学ドーピングによってグラフェン膜の導電性を増大させるための技術を提供する。1つの態様において、グラフェン膜の導電性を増大させるための方法は、以下のステップを含む。1又は複数のグラフェンシートからグラフェン膜を形成する。グラフェンシートをドープしてその導電性を増大させるように構成された一電子酸化剤を有する溶液にグラフェンシートを曝露し、それにより膜の全体の導電性を増大させる。グラフェンシートを一電子酸化剤溶液に曝露する前に、グラフェン膜を形成することができる。代替的に、グラフェン膜を形成する前に、グラフェンシートを一電子酸化剤溶液に曝露することもできる。グラフェン膜から光起電デバイス上に透明電極を製造する方法も提供される。本発明のより完全な理解、並びに本発明のさらなる特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面を参照することにより得られるであろう。本明細書において、グラフェンを高濃度ドープする溶液化学を用い、それによって透明グラフェン膜のシート抵抗を約1/2乃至約1/4に低減させるための技術が提供される。図1は、例えば、透明グラフェン膜の導電性を増大させるための例示的な方法100を示す図である。ステップ102において、グラフェンシートが、従来のプロセスを用いて調製される。ほんの一例として、金属すなわち箔基板の上への化学気相成長CVDを用いて、グラフェンシートを形成することができる。例えば、これらの各々の内容が引用により本明細書に組み入れられる非特許文献6及び非特許文献7を参照されたい。化学剥離を用いて、グラフェンシートを形成することもできる。これらの技術は当業者には周知であり、従って、本明細書でさらに説明されない。上で強調されたように、調製されたままのグラフェンシートは、典型的には、製造プロセスに応じて、約250オーム/スクエアohm/sq乃至約4,000ohm/sqのシート抵抗を有する。当業者には周知であるように、シート抵抗と導電性は互いに反比例し、すなわち、シート抵抗が低減すると、導電性が増大し、逆もまた同様である。有利なことに、本教示は、これらのグラフェンシートから形成された膜のシート抵抗を低減させる/導電性を増大させるための技術を提供する以下を参照されたい。ステップ104において、グラフェンシートが膜に形成される。例示的な実施形態によれば、従来のリフトオフ技術を用いて例えば、非特許文献6及び非特許文献7を参照されたい、グラフェンシートを所与の基板、例えば光起電デバイス上に堆積することによって、膜が形成される。一般に、シートを順に重ねて堆積させ、膜を形成する。従って、ほんの一例として、グラフェン膜は、5つのグラフェンシートの積層体層とも呼ばれるを含むことができる。基板という用語は、一般に、グラフェン膜をその上に堆積することを望む、任意の好適な基板を指すために用いられる。ほんの一例として、基板は、その上にカーボンナノチューブ膜が透明電極材料として堆積される光起電デバイスとすることができる。ステップ106において、溶媒中に一電子酸化剤を含有する溶液が調製される。例示的な実施形態において、一電子酸化剤は、トリエチルオキソニウムヘキサクロロアンチモン酸である。好適な溶媒は、これらに限定されるものではないが、塩化メチレン、ジメチルホルムアミドDMF、クロロホルム及びアセトンのうちの1つ又は複数を含む。典型的な調製は、10ミリグラムmgの一電子酸化剤を10ミリリットルmlの溶媒に添加することを含む。一電子酸化剤が完全に溶液中に溶解するまで、溶液が撹拌又は超音波処理される。ステップ108において、透明グラフェン膜が、一電子酸化剤溶液に曝露される。例示的な実施形態によれば、少なくとも約10分間、例えば約30分間、膜が一電子酸化剤溶液中に浸される。ほんの一例として、膜が光起電デバイスのための透明電極材料として用いられる場合、まず膜をデバイス上に堆積させ、膜を有するデバイスを一電子酸化剤溶液に曝露する例えば、浸すことができる。適度な時間、膜を一電子酸化剤溶液に曝露し、その中に浸した後、該膜をそのまま溶液から取り出し、アセトンのような適切な溶媒ですすぐ。膜を一電子酸化剤溶液に曝露することは、グラフェンをドープする働きをする。グラフェン膜を一電子酸化剤溶液に曝露することにより、グラフェンのフェルミ準位がディラックポイントからさらに離れるようにシフトされ、共役ネットワークを妨害することなく、大幅な導電性の増大及びシート抵抗の低減がもたらされる。ドーパントは、シート抵抗を少なくとも1/2、すなわち約1/2乃至約1/4に低減させる。ほんの一例として、本技術の1つの例示的な実装形態においては、550ナノメートルnmにおいて83パーセントの透明度及び460ohm/sqのシート抵抗を有する石英基板上の5シート層厚のグラフェン膜が、トリエチルオキソニウムヘキサクロロアンチモン酸の溶液中に浸漬された。グラフェンのドーピングにより、シート抵抗は120ohm/sqまで降下したが、透明度は同じ状態のままであった。さらに、有利なことに、他のドーピング方法と比較すると、ドープ膜の安定性が高まった。例えば、本技術により調製されたドープ膜は、数か月後も安定した状態を保つ。実際には、特に、例えば本発明のドープ膜を含む光起電デバイスがある種のポリマー内にカプセル化された場合、このプロセスは無限に継続するはずである。金属塩はグラフェンとの電荷移動錯体を形成し、これは逆行しにくいので、本方法はより安定している。代替的に、これらを膜に形成する前にグラフェンシートをドープし、同じ結果を得ることができる。つまり、ステップ110において、一電子酸化剤溶液、例えば、塩化メチレン、DMF、クロロホルム、及び/又はアセトン中のトリエチルオキソニウムヘキサクロロアンチモン酸が調製される。一電子酸化剤溶液を調製するためのプロセスは、上記に詳述された。ステップ112において、グラフェンシートが、一電子酸化剤溶液に曝露される。例示的な実施形態によれば、シートは、少なくとも約10分間、例えば約30分間、一電子酸化剤溶液中に浸される。上述のように、シートを一電子酸化剤溶液に曝露することは、グラフェンをドープする働きをする。ステップ114において、グラフェンシート今やドープされたは膜に形成される。有利なことに、グラフェン膜を生成するのに化学剥離が用いられる場合上記を参照されたい、本技術は、完全に溶液ベースであり、これは光起電力の製造において莫大な費用面での優位性を有する。つまり、本プロセスに用いられる原料はより安く炭素対インジウム上記を参照されたい、このプロセスは完全に溶液によるものであり、高価な真空堆積技術上記を参照されたいの必要性がない。さらに、ドーピング手順は、用いられるグラフェン膜堆積方法とは独立している。図2及び図3は、透明グラフェン膜から光起電デバイス上に透明電極を製造するための例示的な方法を示す図である。一般的な光起電デバイスが、図2に示される。光起電デバイスは、下部電極202と、第1の光活性層204と、第2の光活性層206とを含む。ほんの一例として、第1及び第2の光活性層は、例えば一方がp型ドーパントでドープされ、他方がn型ドーパントでドープされるなど、互いに反対の極性を有するようにドープすることができる。本例では、2つの光活性層の間にpn接合が形成される。こうした一般的な光起電デバイスは当業者には明らかであり、従って、本明細書ではさらに説明されない。さらに、当業者には明らかであるように、可能な多数の異なる光起電デバイス構成があり、図2に示される構成は、導電性が増大したグラフェン膜から光起電デバイス上に透明電極を製造するための本技術を例証するためにのみ与えられるものである。図3に示されるように、透明電極として働くグラフェン膜208が、光起電デバイスの表面上に、本例においては第2の光活性層206の表面上に形成される。上述のように、個々のシートをすなわち膜を形成する前に又は膜として曝露することにより、グラフェンを、一電子酸化剤例えば、トリエチルオキソニウムヘキサクロロアンチモン酸を含有する溶液に曝露してグラフェンをドープすることによって、グラフェン膜の導電性を増大させることができる。ほんの一例として、膜が上に形成された光起電デバイスを一電子酸化剤溶液に曝露する例えば、その中に浸すことができる。上で強調されたように、多数の異なる方法で、光起電デバイスの表面上に、グラフェン膜208を形成することができる。ほんの一例として、湿式化学を用いて、グラフェンシートを光起電デバイスの表面上に堆積させることによって、グラフェン膜208を形成することができる。本発明の例示的な実施形態がここで説明されたが、本発明は、これらの正確な実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲から逸脱することなしに、当業者により種々の他の変更及び修正を行い得ることが理解される。"