チャンバ内に設けられ、ウェハを支持するサセプタと、前記サセプタに連結し、前記チャンバの内部から外部にかけて設けられ、前記サセプタを回転する回転部と、前記サセプタに振動を与える振動発生部と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。前記振動発生部は、前記チャンバの外部の前記回転部に接し、振動を発生する振動子を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記回転部とは離間し、給電回路と給電コイルを有する給電カプラが設けられる給電部を更に具備し、前記給電部は前記振動発生部に設けられる受電部に電力を供給することを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。前記チャンバの外部の前記回転部に装着され、ケーブルを介して電力を前記振動発生部に伝えるスリップリングと、前記チャンバの外部の前記回転部と離間し、前記スリップリングとはすべり接点で接触し、電力を前記スリップリングに伝えるブラシホルダーと、を更に具備することを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。前記振動子は、前記サセプタの回転によって発生する振動数よりも高い振動数を前記サセプタに与えることを特徴とする請求項2項に記載の半導体製造装置。前記半導体製造装置は、枚葉式或いはバッチ式エピタキシャル成長装置であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。本発明は、サセプタへのウェハ固着を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。一つの実施形態によれば、半導体製造装置は、サセプタ、回転部、及び振動発生部が設けられる。サセプタは、チャンバ内に設けられ、ウェハを支持してウェハの成膜中に回転する。回転部は、サセプタに連結し、チャンバの内部及び外部に設けられ、サセプタを回転する。振動発生部は、成膜中にサセプタに振動を与える。以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態まず、本発明の第1の実施形態に係る半導体製造装置について、図面を参照して説明する。図1は半導体製造装置としてのエピタキシャル成長装置を示す概略断面図である。本実施形態では、エピタキシャル成長中にサセプタを振動させてウェハ固着を防止している。図1に示すように、エピタキシャル成長装置90には、チャンバ1、サセプタ2、回転部3、反応室4、ガス供給部5、排気部6、ヒータ7、振動発生部8、温度計測部9、電極10、ウェハ11、及び電源20が設けられる。枚葉式のエピタキシャル成長装置90は、例えばシリコンパワーデバイスの厚膜の結晶成長に適用される。ここでは、厚膜の結晶成長とは、例えば数μmから数百μmの範囲をいう。エピタキシャル成長装置90は、チャンバ1で形成される反応室4でエピタキシャル成長が行われる。チャンバ1の上部には、加熱されたウェハ11例えば、シリコンウェハの表面にエピタキシャル層を成長するために使用される原料ガスを供給するガス供給部5が設けられる。例えば、シリコンウェハの場合、原料ガスとしてトリクロロシランSiHCL3ガス等が用いられ、キャリアガスとして水素H2ガス等が用いられる。反応温度は、例えば1100°C~1200°Cの範囲に設定される。チャンバ1の上部には、ガス供給部5に隣接してウェハ11の表面温度を測定する温度計測部9が設けられる。温度計測部9には、例えば放射温度計が用いられる。チャンバ1の両下端部には、反応後の原料ガスを排気する排気部6が設けられる。排気された反応後の原料ガスは、図示しない排気機構に排出される。排気機構は、反応室4内の圧力を所定の値に調節する。チャンバ1の内部には、ウェハ11を支持する支持部材としてのサセプタ2が設けられる。サセプタ2は、回転部3に連結している。サセプタ2は、例えば高純度の炭化ケイ素SiCから構成される。回転部3はウェハ11及びサセプタ2を回転し、チャンバ1の内部及び外部に設けられる。回転部3は、例えば化ケイ素SiC或いは炭化ケイ素SiCをコートしたカーボンC材から構成される。ウェハ11及びサセプタ2直下には、ウェハ11を加熱するヒータ7が設けられる。ヒータ7は、例えば炭化ケイ素SiCから構成される。ヒータ7は、電極10から電力が供給される。チャンバ1の外部の回転部3には、サセプタ2を振動させる振動発生部8が装着される。振動発生部8が装着される回転部3の温度は、チャンバ1内部とは異なり比較的低温、例えば100°C以下に保持されている。振動発生部8には受電部32及び振動子33が設けられる。受電部32には、給電コイルを有する受電カプラと受電回路が設けられる。振動発生部8は、受電部32で電力を受電し、その電力をもとにして回転部3に接する振動子33で振動を発生する。振動子33は、例えば数kHz以上の超音波振動をサセプタ2に伝える。電源20は、チャンバ1の外部の回転部3と離間して固定位置に配置され、振動発生部10とは所定距離を保ちながら近接配置される。電源20には、給電部31が設けられる。給電部31には、給電回路と給電コイルを有する給電カプラが設けられる。電源20は、給電部31で発生した電力を受電部32へ非接触で供給する。所定距離とは、給電部31と受電部32の間隔であり、例えば100mm以内に保たれる。エピタキシャル成長装置90は、ウェハ11を高速回転させながらエピタキシャル成長を行っている。ウェハ11を例えば数百rpm以上高速回転させながらエピタキシャル成長を行うと反応室4内の原料ガスの輸送効率が増大し、ウェハ11表面に到達する原料ガス濃度を上げることが可能となる。このため、原料ガスの使用量を増加させることなく時間当たりのエピタキシャル成長速度を増大することができる。次に、ウェハ固着の防止について図2及び図3を参照して説明する。図2はエピタキシャル成長中のサセプタとウェハの関係を説明する図、図2aはサセプタ振動なしの場合、図2bはサセプタ振動有の場合である。図3は、回転数と振動数の関係を示す図である。図2aに示すように、ウェハ11を高速回転させながらエピタキシャル成長を行うエピタキシャル成長装置90では、回転の高速化に伴う遠心力により、ウェハ11がサセプタ2側へ動くことで接触し、成長種によりウェハ11とサセプタ2がエピ層12を介して互いに固着する可能性がある。エピ層12の厚さが増大するほど固着の可能性が増大する。また、ウェハ11を低速回転させながらエピタキシャル成長を行う場合でも固着の可能性がある。このような固着は、エピタキシャル成長後の搬送のシャフトによる突上げの際、強制的に剥がされることで、ウェハ11のクラックやチッピング、ウェハ11の割れといった問題を高確率で発生させ、歩留まり低下の原因となる。図2bに示すように、本実施形態のエピタキシャル成長装置90では、振動発生部8を用いて、エピタキシャル成長中にサセプタ2に振動を与えている。この振動によりエピタキシャル成長中でのウェハ11とサセプタ2の固着を防止している。ここで、サセプタ2への振動及び固着防止について詳述する。回転中心から距離eはなれた位置で回転運動している質量mの物体にかかる遠心力Fは、Fm×ω2×e式1と表される。ここでωは角速度である。ウェハ11とサセプタ2の接触を一時的に離すためには、遠心力Fより大きい力が必要となる。今、サセプタ2の回転によるウェハ11の振動数をfw、サセプタ2に与える振動数をf、振幅をx、ウェハ11とサセプタ2を離間させる力をFrとすると、Fw×1/2<Fr式2で表される。即ち、サセプタ2に与える振動数fをサセプタ2の回転によるウェハ11の振動数fwよりも高周波に設定すればウェハ11とサセプタ2の固着が防止できることになる。一例として、図3に示すように、ウェハ11を回転させる回転数が500rpmのとき、サセプタ2の回転によるウェハ11の振動数fwが70Hzであるので、例えばサセプタ2に与える振動数fを15KHzという超音波に設定すればよい。ウェハ11を回転させる回転数が700rpmのとき、サセプタ2の回転によるウェハ11の振動数fwが100Hzであるので、例えばサセプタ2に与える振動数fを16KHzという超音波に設定すればよい。ウェハ11を回転させる回転数が1000rpmのとき、サセプタ2の回転によるウェハ11の振動数fwが140Hzであるので、例えばサセプタ2に与える振動数fを17.7KHzという超音波に設定すればよい。図3では、偏心量が0.35mm、振幅が5μmの場合である。サセプタ2に超音波振動を与えることにより、ウェハ11のチッピングやクラック等の発生、ウェハ11の割れを防止することができる。上述したように、本実施形態の半導体製造装置では、チャンバ1、サセプタ2、回転部3、反応室4、ガス供給部5、排気部6、ヒータ7、振動発生部8、温度計測部9、電極10、ウェハ11、及び電源20が設けられる。振動発生部8は、チャンバ1の外部の回転部3に装着され、サセプタ2の回転によるウェハ11の振動数fwよりも高周波な振動数fをサセプタ2に伝える。このため、エピタキシャル成長中にウェハ11とサセプタ2との接触することを防ぎ、固着を防止することができる。ウェハ11のチッピングやクラック等の発生、ウェハ11の割れを防止することができる。したがって、エピタキシャル成長装置90を用いて生産されるシリコンパワーデバイスなどの半導体素子やIC/LSIなどの半導体集積回路の生産性向上及び歩留改善を達成することができる。なお、本実施形態では、枚葉式のエピタキシャル成長装置90に適用したが必ずしもこれに限定されるものではない。例えば図4に示す変形例のバッチ式エピタキシャル成長装置91にも適用することができる。具体的には、回転部3に連結するサセプタ2aに複数枚のウェハ11を載置してエピタキシャル成長を実行してもよい。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体製造装置について、図面を参照して説明する。図5は半導体製造装置を示す概略断面図である。本実施形態では、振動発生部への電力の供給方法を変更している。以下、実施例1と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。図5に示すように、エピタキシャル成長装置92には、チャンバ1、サセプタ2、回転部3、反応室4、ガス供給部5、排気部6、ヒータ7、振動発生部8a、温度計測部9、電極10、ウェハ11、電源20a、スリップリング41、ブラシホルダー42、及びケーブル43が設けられる。枚葉式のエピタキシャル成長装置92は、例えばシリコンパワーデバイスの厚膜の結晶成長に適用される。電源20aは、エピタキシャル成長装置92近傍に固定設置される。ブラシホルダー42は、回転部3と離間して固定設置される。ブラシホルダー42は、電源20aから電力が供給され、すべり接点で接触するスリップリング41に電力を伝える。スリップリング41は、チャンバ1の外部の回転部3に装着される。ここでは、スリップリング41は、振動発生部8a直下に配置される。スリップリング41は、ブラシホルダー42から供給される電力を回転部3に固定されるケーブル43を介して振動発生部8aに伝える。ここで、スリップリング41とブラシホルダー42は、すべり接点で接触しているので回転部3の回転により摩耗する。このため、所定の摩耗量に到達した時点でスリップリング41とブラシホルダー42を交換するのが好ましい。振動発生部8aは、チャンバ1の外部の回転部3に装着され、サセプタ2を振動する。振動発生部8aが装着される回転部3の温度は、チャンバ1内部とは異なり比較的低温、例えば100°C以下に保持されている。振動発生部8aには振動子33が設けられる。振動発生部8aは、ケーブル43を介して電力が供給され、回転部3に接する振動子33で振動を発生する。上述したように、本実施形態の半導体製造装置では、チャンバ1、サセプタ2、回転部3、反応室4、ガス供給部5、排気部6、ヒータ7、振動発生部8a、温度計測部9、電極10、ウェハ11、電源20a、スリップリング41、ブラシホルダー42、及びケーブル43が設けられる。振動発生部8aは、ブラシホルダー42、スリップリング41、及びケーブル43を介して電力が供給される。振動発生部8aは、チャンバ1の外部の回転部3に装着され、サセプタ2の回転によるウェハ11の振動数よりも高周波な振動数をサセプタ2に伝える。このため、エピタキシャル成長中にウェハ11とサセプタ2との接触することを防ぎ、固着を防止することができる。ウェハ11のチッピングやクラック等の発生、ウェハ11の割れを防止することができる。したがって、エピタキシャル成長装置92を用いて生産されるシリコンパワーデバイスなどの半導体素子やIC/LSIなどの半導体集積回路の生産性向上及び歩留改善を達成することができる。なお、実施形態ではシリコンパワーデバイスパワーMOSトランジスタやIGBTに適用しているが、CMOSやバイポーラなどのシリコン系IC/LSIにも適用でき、GaN、GaAs、或いはSiC等の化合物系電子デバイスなどにも適用することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。