"交流電源を整流する整流回路と;整流回路の出力に突入電流抑制用の限流抵抗を介して接続される平滑用の第1コンデンサと;第1コンデンサの正極に一端を接続される第1スイッチング素子と;第1コンデンサの負極に一端を接続される第2スイッチング素子と;第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の各他端に一端を接続される誘導性素子と;誘導性素子の他端と第1コンデンサの正極または負極との間に接続される負荷回路と;前記限流抵抗と並列に接続される半導体スイッチ素子とを備えるスイッチング電源回路において、前記半導体スイッチ素子の制御電極に第2コンデンサを接続され、第1スイッチング素子または第2スイッチング素子がオフされたときに前記誘導性素子に誘起される電圧を用いて第2コンデンサを充電することを特徴とするスイッチング電源回路。第2コンデンサの負極は第1コンデンサの正極に接続されており、誘導性素子の前記一端に負極を接続された第3コンデンサを備え、第1スイッチング素子の導通時に第3コンデンサの正極から第2コンデンサの正極に向けて電荷を転送する電流経路を備えることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源回路。第3コンデンサは第2スイッチング素子の導通時に誘導性素子の中間タップまたは第1スイッチング素子の両端電圧により充電されることを特徴とする請求項2記載のスイッチング電源回路。第1スイッチング素子は制御電極付きのスイッチング素子であり、前記制御電極に制御信号を与える制御回路を第3コンデンサの負極側に備え、第3コンデンサは前記制御回路に制御用電源電圧を与える制御用電源回路であることを特徴とする請求項2または3に記載のスイッチング電源回路。第2スイッチング素子は制御電極付きのスイッチング素子であり、前記制御電極に制御信号を与える制御回路と、該制御回路に制御用電源電圧を与える制御用電源回路を第1コンデンサの負極側に備え、第2スイッチング素子の導通時に制御用電源回路の正極から第3コンデンサの正極に充電電流を流す電流経路を備えることを特徴とする請求項2記載のスイッチング電源回路。第1及び第2のスイッチング素子のうち一方は、制御電極付きのスイッチング素子であり、他方は第1コンデンサの電圧を阻止する方向に接続されたダイオードであることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のスイッチング電源回路。請求項1~6のいずれかに記載のスイッチング電源回路において、負荷回路として半導体発光素子を備えることを特徴とする半導体発光素子の点灯装置。請求項7記載の半導体発光素子の点灯装置を備える照明器具。上述の特許文献1では、DC-DCコンバータは、トランスの1次巻線とスイッチング素子の直列回路を平滑コンデンサに並列接続した構成を有している。このため、誘導性素子であるトランスの1次巻線の一端を突入電流防止回路のサイリスタのカソードに接続することができ、1次巻線の中間タップからダイオードを介して充電したコンデンサの電圧をサイリスタのゲートカソード間に供給することが可能である。同様の構成は、昇圧チョッパ回路においても用いることが出来る。一方、DC-DCコンバータが降圧チョッパ回路である場合、誘導性素子であるインダクタは、一般的に入力直流電源としての平滑コンデンサに直接接続されることはなく、負荷回路またはスイッチング素子を介して入力直流電源に接続されることになる。なぜなら、仮に誘導性素子を入力直流電源に直接接続すると、降圧チョッパ回路では、誘導性素子と負荷回路及び回生ダイオードにより閉回路を構成する必要があるから、負荷回路は入力直流電源の電位から離れてしまう。その場合、負荷回路の電位が高周波的に変動することになるので、例えば、図5に例示するような電源別置型のLED点灯装置に用いる場合、高周波の輻射雑音の原因となる。したがって、このような用途では特に、負荷回路の一端を入力直流電源に直接接続して電位を安定させる必要があり、その結果、誘導性素子としてのインダクタL1は、図1~図3に例示するように、負荷回路またはスイッチング素子を介して入力直流電源に接続されることになる。このため、DC-DCコンバータが降圧チョッパ回路である場合には、特許文献1の構成をそのまま適用することは出来ない。本発明は上述のような点に鑑みてなされたものであり、スイッチング電源回路の誘導性素子が平滑コンデンサに直接接続されていない場合でも、突入電流防止回路の駆動電流を誘導性素子から供給可能とすることを課題とする。請求項1の発明は、上記の課題を解決するために、図1に示すように、交流電源を整流する整流回路DBと;整流回路DBの出力に突入電流抑制用の限流抵抗PTCを介して接続される平滑用の第1コンデンサC1と;第1コンデンサC1の正極に一端を接続される第1スイッチング素子Q1と;第1コンデンサC1の負極に一端を接続される第2スイッチング素子ダイオードD1と;第1スイッチング素子Q1及び第2スイッチング素子ダイオードD1の各他端に一端を接続される誘導性素子L1と;誘導性素子L1の他端と第1コンデンサC1の正極または負極との間に接続される負荷回路半導体発光素子4と;前記限流抵抗PTCと並列に接続される半導体スイッチ素子Q2とを備えるスイッチング電源回路において、前記半導体スイッチ素子Q2の制御電極に第2コンデンサC2を接続され、第1スイッチング素子Q1または第2スイッチング素子ダイオードD1がオフされたときに前記誘導性素子L1に誘起される電圧を用いて第2コンデンサC2を充電することを特徴とするものである。請求項2の発明は、請求項1記載のスイッチング電源回路において、図1に示すように、第2コンデンサC2の負極は第1コンデンサC1の正極に接続されており、誘導性素子L1の前記一端に負極を接続された第3コンデンサC3を備え、第1スイッチング素子Q1の導通時に第3コンデンサC3の正極から第2コンデンサC2の正極に向けて電荷を転送する電流経路ダイオードD2と抵抗R2を備えることを特徴とする。請求項3の発明は、請求項2記載のスイッチング電源回路において、図1に示すように、第3コンデンサC3は第2スイッチング素子ダイオードD1の導通時に誘導性素子L1の中間タップまたは第1スイッチング素子Q1の両端電圧により充電されることを特徴とする。請求項4の発明は、請求項2または3に記載のスイッチング電源回路において、図1に示すように、第1スイッチング素子Q1は制御電極付きのスイッチング素子であり、前記制御電極に制御信号を与える制御回路IC1を第3コンデンサC3の負極側に備え、第3コンデンサC3は前記制御回路IC1に制御用電源電圧を与える制御用電源回路であることを特徴とする。請求項5の発明は、請求項2記載のスイッチング電源回路において、図2に示すように、第2スイッチング素子は制御電極付きのスイッチング素子であり、前記制御電極に制御信号を与える制御回路IC1と、該制御回路IC1に制御用電源電圧を与える制御用電源回路コンデンサC5を第1コンデンサC1の負極側に備え、第2スイッチング素子の導通時に制御用電源回路の正極から第3コンデンサC3の正極に充電電流を流す電流経路ダイオードD3と抵抗R3を備えることを特徴とする。請求項6の発明は、請求項1~5のいずれかに記載のスイッチング電源回路において、第1及び第2のスイッチング素子のうち一方は、制御電極付きのスイッチング素子Q1であり、他方は第1コンデンサC1の電圧を阻止する方向に接続されたダイオードD1であることを特徴とする。請求項7の発明は、請求項1~6のいずれかに記載のスイッチング電源回路において、負荷回路として半導体発光素子4を備えることを特徴とする半導体発光素子の点灯装置である。請求項8の発明は、請求項7記載の半導体発光素子の点灯装置を備える照明器具である図5。本発明によれば、スイッチング電源回路の誘導性素子が平滑用の第1コンデンサに直接接続されていない場合でも、突入電流防止用の限流抵抗と並列に接続された半導体スイッチ素子の駆動電流を、第1または第2スイッチング素子のオンオフ動作を利用して誘導性素子から供給可能としたから、スイッチング動作が開始するまでは限流抵抗と並列に接続された半導体スイッチ素子をオフ状態に維持することができ、これにより突入電流を確実に抑制できる。実施形態1図1は本発明の実施形態1の回路図である。商用交流電源を全波整流する整流回路DBの直流出力端子には、限流抵抗としての正特性サーミスタPTCを介して平滑コンデンサC1が接続されている。正特性サーミスタPTCには、逆阻止三端子サイリスタQ2が並列接続されている。サイリスタQ2のゲートカソード間には、電荷蓄積用のコンデンサC2が並列接続されている。このコンデンサC2は電源投入初期には充電されていない。したがって、電源投入初期にはサイリスタQ2はオフされており、平滑コンデンサC1は正特性サーミスタPTCを介して充電される。これにより突入電流は抑制される。平滑コンデンサC1には、スイッチング素子Q1とダイオードD1、インダクタL1、平滑コンデンサC4よりなる降圧チョッパ回路が接続されている。平滑コンデンサC4には、発光ダイオードLEDの直列回路よりなる半導体発光素子4が並列接続されている。スイッチング素子Q1は制御回路IC1によりオンオフ制御される。制御回路IC1は高周波の矩形波電圧信号を出力する発振回路である。制御回路IC1の制御電源電圧は平滑コンデンサC3から供給される。平滑コンデンサC3は電源投入初期には、スイッチング素子Q1の両端電圧により抵抗R1を介して充電される。つまり、平滑コンデンサC1の正極→抵抗R1→平滑コンデンサC3→インダクタL1→平滑コンデンサC4→平滑コンデンサC1の負極の経路で電流が流れることにより、平滑コンデンサC3が充電される。平滑コンデンサC3の充電電圧が制御回路IC1の動作可能電圧に達すると、制御回路IC1の発振動作が開始し、スイッチング素子Q1が高周波でオンオフ制御される。スイッチング素子Q1がオンされると、平滑コンデンサC1の正極→スイッチング素子Q1→インダクタL1→平滑コンデンサC4→平滑コンデンサC1の負極の経路で電流が流れて、インダクタL1にエネルギーが蓄積される。スイッチング素子Q1がオフされると、インダクタL1の蓄積エネルギーがインダクタL1→平滑コンデンサC4→ダイオードD1の経路で回生電流として放出される。このとき、インダクタL1の中間タップからダイオードD3を介して平滑コンデンサC3にも回生電流が流れて、制御回路IC1の制御電源電圧が供給される。平滑コンデンサC3の電圧はツェナーダイオードZD1で規制される一定電圧となる。スイッチング素子Q1がオンのとき、平滑コンデンサC3の電圧によりダイオードD2と抵抗R2を介してコンデンサC2が充電される。これにより、コンデンサC2の電圧が逆阻止三端子サイリスタQ2の点弧電圧以上に上昇すると、サイリスタQ2はオン状態となる。その後は、正特性サーミスタPTCがサイリスタQ2により短絡された状態となるので、正特性サーミスタPTCによる無駄な電力ロスは生じない。なお、スイッチング素子Q1がオンのとき、平滑コンデンサC3の電圧は抵抗R1を介してスイッチング素子Q1にも流れるが、この抵抗R1は起動用の高抵抗であるので、差し支えない。また、必要であれば、図示しない逆流防止用のダイオードを抵抗R1に直列接続しておけば、抵抗R1を介するコンデンサC3の放電は阻止できる。本実施形態によれば、降圧チョッパ回路のインダクタL1の回生電流によりスイッチング素子Q1の制御回路IC1の制御電源電圧を確保すると共に、スイッチング素子Q1のオン時に制御電源電圧をコンデンサC2に転送することで、突入電流防止回路のサイリスタQ2を点弧することができる。したがって、サイリスタQ2がオン状態となるのは、平滑コンデンサC1、C3の電圧が立ち上がって、降圧チョッパ回路がスイッチング動作を開始した後であり、これにより電源投入初期の突入電流を確実に防止できる。なお、突入電流防止回路のサイリスタQ2は他の半導体スイッチ素子パワーMOSFETなどであっても良い。また、突入電流防止回路の正特性サーミスタPTCは突入電流を抑制できる抵抗値であれば通常の抵抗でも構わない。他の実施形態でも同様である。実施形態2図2は本発明の実施形態2の回路図である。スイッチング素子Q1が低電位側に配置されている点が実施形態1とは異なる。スイッチング素子Q1の制御回路IC1に制御電源電圧を供給する平滑コンデンサC5は、電源投入初期にはスイッチング素子Q1の両端電圧により抵抗R1を介して充電される。つまり、平滑コンデンサC1の正極→平滑コンデンサC4→インダクタL1→抵抗R1→平滑コンデンサC5→平滑コンデンサC1の負極の経路で電流が流れることにより、平滑コンデンサC5が充電される。平滑コンデンサC5の充電電圧が制御回路IC1の動作可能電圧に達すると、制御回路IC1の発振動作が開始し、スイッチング素子Q1が高周波でオンオフ制御される。スイッチング素子Q1がオンされると、平滑コンデンサC1の正極→平滑コンデンサC4→インダクタL1→スイッチング素子Q1→平滑コンデンサC1の負極の経路で電流が流れて、インダクタL1にエネルギーが蓄積される。スイッチング素子Q1がオフされると、インダクタL1の蓄積エネルギーがインダクタL1→ダイオードD1→平滑コンデンサC4の経路で回生電流として放出される。このとき、インダクタL1の2次巻線からダイオードD4を介して平滑コンデンサC5にも回生電流が流れて、制御回路IC1の制御電源電圧が供給される。平滑コンデンサC5の電圧はツェナーダイオードZD1で規制される一定電圧となる。スイッチング素子Q1がオンのとき、平滑コンデンサC5の電圧により抵抗R3とダイオードD3を介してコンデンサC3が充電される。また、スイッチング素子Q1がオフのとき、インダクタL1→平滑コンデンサC3→ダイオードD2→抵抗R2→コンデンサC2→平滑コンデンサC4→インダクタL1の経路で回生電流が流れることによりコンデンサC2が充電される。これにより、コンデンサC2の電圧が逆阻止三端子サイリスタQ2の点弧電圧以上に上昇すると、サイリスタQ2がオン状態となる。その後は、正特性サーミスタPTCがサイリスタQ2により短絡された状態となるので、正特性サーミスタPTCによる無駄な電力ロスは生じない。本実施形態によれば、降圧チョッパ回路のインダクタL1の2次巻線から制御回路IC1の制御電源電圧を確保すると共に、スイッチング素子Q1のオン時に制御電源電圧を電荷中継用のコンデンサC3に転送し、さらに、スイッチング素子Q1のオフ時ダイオードD1のオン時にコンデンサC3の電荷をコンデンサC2に転送することで、サイリスタQ2を点弧している。したがって、サイリスタQ2がオン状態となるのは、降圧チョッパ回路が高周波のオンオフ動作を開始した後であり、これにより突入電流を確実に防止できる。実施形態1、2では、スイッチング電源回路として降圧チョッパ回路を例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、ハーフブリッジ回路であっても良い。実施形態3図3は本発明の実施形態3に係る半導体発光素子の点灯装置の回路図である。本実施形態では、スイッチング素子Q1と直列に電流検出抵抗R4を備えているので、図1または図2の原理によりコンデンサC2を充電しようとすると、スイッチング電流の検出値に誤差が生じてしまう。そこで、本実施形態では、インダクタL1に独立した3次巻線n3を設けて、その出力によりサイリスタQ2の駆動電流を供給している。電源コネクタCON1には商用交流電源100V、50/60Hzが接続される。出力コネクタCON2には、発光ダイオードLEDのような半導体発光素子4が接続される。半導体発光素子4は複数個のLEDを直列または並列または直並列接続したLEDモジュールであっても良い。電源コネクタCON1には、電流フューズFUSEとフィルタ回路2aを介して直流電源回路2bが接続されている。フィルタ回路2aは、サージ電圧吸収素子ZNR、フィルタコンデンサCa,Cb及びコモンモードチョークコイルLFで構成されている。直流電源回路2bは、全波整流回路DBと平滑コンデンサC1、Coよりなる整流平滑回路で構成されている。全波整流回路DBの直流出力端子は、正特性サーミスタPTCを介して、平滑コンデンサC1に接続されている。正特性サーミスタPTCは、温度が高くなると抵抗値が高くなるサーミスタである。平滑コンデンサC1は例えば数十μF程度の容量を有している。平滑コンデンサC1に並列接続されたコンデンサCoは、高周波バイパス用の小容量のコンデンサである。電源投入直後は、全波整流回路DBの直流出力端子が充電前の平滑コンデンサC1で短絡されることになり、いわゆる突入電流が流れる。この突入電流を正特性サーミスタPTCにより制限している。一方、平滑コンデンサC1が充電された後は、正特性サーミスタPTCによる電流制限は不要となる。また、無駄な電力消費を生じることになる。そこで、正特性サーミスタPTCと並列に逆阻止三端子サイリスタSCRQ2を接続し、電源投入後、平滑コンデンサC1の充電が完了する頃には、サイリスタQ2がオンするように制御している。サイリスタQ2のゲート電圧を生成するために、本実施形態では、降圧チョッパ回路3のインダクタL1に設けた3次巻線n3からダイオードD2、抵抗R2を介して、電荷蓄積用のコンデンサC2を充電している。コンデンサC2には、放電用の抵抗R21が並列接続されている。抵抗R2、R21とコンデンサC2の時定数は、サイリスタQ2がオンされるまでの遅延時間を規定する。コンデンサC2の電圧が上昇すると、ダイオードD21,D22の並列回路、抵抗R22を介して、サイリスタQ2にゲート電圧が供給される。なお、サイリスタQ2のゲートカソード間に並列接続されたコンデンサC22は誤動作防止用である。以上の抵抗R2、R21、R22、コンデンサC2,C22、ダイオードD2、D21、D22、サイリスタQ2、正特性サーミスタPTC並びにインダクタL1の3次巻線n3よりなる回路は、突入電流防止回路2cを構成している。直流電源回路2bの出力端には、降圧チョッパ回路3が接続されている。降圧チョッパ回路3は、直流電流により点灯する半導体発光素子4に対して直列に接続されるインダクタL1と、前記インダクタL1と半導体発光素子4の直列回路と直流電源回路2bの出力との間に直列に接続されるスイッチング素子Q1と、前記インダクタL1と半導体発光素子4の直列回路と並列に接続されて、前記スイッチング素子Q1のオフ時に前記インダクタL1の蓄積エネルギーを前記半導体発光素子4に放出する方向に接続された回生ダイオードD1とを備えている。また、前記半導体発光素子4と並列にコンデンサC4が接続されている。このコンデンサC4は、前記スイッチング素子Q1のオンオフによる脈動成分を平滑化して前記半導体発光素子4に平滑化された直流電流が流れるように容量を設定されている。スイッチング素子Q1は制御用集積回路5により高周波でオンオフ駆動される。制御用集積回路5として、ここではSTマイクロエレクトロニクス社製のL6562を用いている。このチップL6562は、本来は、PFC回路力率改善制御用の昇圧チョッパ回路の制御用ICであり、内部に乗算回路など、降圧チョッパ回路の制御には余分な構成要素を含んでいる。その反面、入力電流の平均値を入力電圧の包絡線と相似形とする制御のために、入力電流のピーク値を制御する機能と、ゼロクロス制御機能を1チップ内に具備しており、これらの機能を降圧チョッパ回路の制御に転用している。図4は本実施形態に用いる制御用集積回路5の内部構成を簡略化して示している。1番ピンINVは内蔵の誤差増幅器エラーアンプEAの反転入力端子、2番ピンCOMPは誤差増幅器EAの出力端子、3番ピンMULTは乗算回路52の入力端子、4番ピンCSはチョッパ電流検出端子、5番ピンZCDはゼロクロス検出端子、6番ピンGNDはグランド端子、7番ピンGDはゲートドライブ端子、8番ピンVccは電源端子である。電源端子Vccとグランド端子GNDの間に所定電圧以上の制御電源電圧が供給されると、制御電源51により基準電圧Vref1、Vref2が生成されると共に、集積回路内部の各回路が動作可能となる。スタータ53により電源投入時にはフリップフロップFF1のセット入力端子Sにスタートパルスが供給されて、フリップフロップFF1のQ出力はHighレベルとなる。これにより駆動回路54を介して7番ピンゲートドライブ端子GDがHighレベルとなる。7番ピンゲートドライブ端子GDがHighレベルとなると、図3の抵抗R5、R7で分圧されたゲート駆動電圧がMOSFETよりなるスイッチング素子Q1のゲートソース間に印加される。抵抗R4は電流検出用の小抵抗であるので、ゲートソース間の駆動電圧には殆ど影響しない。スイッチング素子Q1がオンになると、コンデンサC1の正極からコンデンサC4、インダクタL1、スイッチング素子Q1、抵抗R4を介してコンデンサC1の負極へ電流が流れる。このとき、インダクタL1に流れるチョッパ電流iは、インダクタL1が磁気飽和しない限り略直線的に上昇する電流となる。この電流は抵抗R4により検出されて、制御用集積回路5の4番ピンCSに入力される。制御用集積回路5の4番ピンCSはチョッパ電流検出端子であり、その電圧は、IC内部の40KΩと5pFのノイズフィルタを介してコンパレータCP1の入力端子に印加される。コンパレータCP1の-入力端子には基準電圧が印加されている。この基準電圧は1番ピンINVの印加電圧と3番ピンMULTの印加電圧により決定される。チョッパ電流検出端子CSの電圧が基準電圧を超えると、コンパレータCP1の出力がHighレベルとなり、フリップフロップFF1のリセット入力端子Rにリセット信号が入力される。これによりフリップフロップFF1のQ出力はLowレベルとなる。このとき、駆動回路54は7番ピンゲートドライブ端子GDから電流を引き込むように動作するので、図3のダイオードD6がオンとなり、抵抗R6を介してスイッチング素子Q1のゲートソース間電荷が引き抜かれて、MOSFETよりなるスイッチング素子Q1は速やかにオフとなる。スイッチング素子Q1がオフすると、インダクタL1に蓄積されていた電磁エネルギーが回生ダイオードD1を介してコンデンサC4に放出される。このとき、インダクタL1の両端電圧はコンデンサC4の電圧Vc4にクランプされるので、インダクタL1の電流iは略一定の傾きdi/dt≒-Vc4/L1で減少して行く。コンデンサC4の電圧Vc4が高いときには、インダクタL1の電流iは急速に減衰し、コンデンサC4の電圧Vc4が低いときには、インダクタL1の電流iは緩慢に減衰する。したがって、インダクタL1に流れる電流のピーク値が一定であっても、インダクタL1の電流iが消失するまでの時間は変化する。その所要時間はコンデンサC4の電圧Vc4が高いほど短く、低いほど長い。インダクタL1に電流iが流れている期間中は、インダクタL1の2次巻線n2にはインダクタL1の電流iの傾きに応じた電圧が発生している。この電圧は、インダクタL1の電流iが流れ終わると、消失する。そのタイミングを5番ピンゼロクロス検出端子ZCDで検出する。5番ピンに接続された抵抗R9、コンデンサC9はフィルタ回路を構成している。制御用集積回路5の5番ピンゼロクロス検出端子ZCDには、ゼロクロス検出用のコンパレータCP2の-入力端子が接続されている。コンパレータCP2の入力端子にはゼロクロス検出用の基準電圧Vref2が印加されている。5番ピンゼロクロス検出端子ZCDに印加されていた2次巻線n2の電圧が消失すると、コンパレータCP2の出力がHighレベルとなり、ORゲートを介してフリップフロップFF1のセット入力端子Sにセットパルスが供給され、フリップフロップFF1のQ出力はHighレベルとなる。これにより駆動回路54を介して7番ピンゲートドライブ端子GDがHighレベルとなる。以下、同じ動作を繰り返す。以上の動作により、コンデンサC4にはコンデンサC1の電圧を降圧した直流電圧が得られる。この直流電圧は出力コネクタCON2を介して半導体発光素子4に供給される。半導体発光素子4として発光ダイオードLEDを用いた場合、LEDの順電圧をVf、直列個数をn個とすると、コンデンサC4の電圧Vc4は略n×Vfにクランプされる。LEDの直列個数nが多いとき、コンデンサC4の電圧Vc4は高いから、コンデンサC1の電圧Vc1との電圧差Vc1-Vc4は小さくなる。このため、スイッチング素子Q1のオン時にインダクタL1に分担される電圧は小さく、インダクタL1に流れる電流iの上昇速度di/dt=Vc1-Vc4/L1は遅くなる。結果的に、インダクタL1に流れる電流iが所定のピーク値に到達するまでの時間は長くなり、スイッチング素子Q1のオン時間は長くなる。スイッチング素子Q1のオフ時には、インダクタL1の両端に発生する逆起電力は、コンデンサC4の電圧Vc4=n×Vfにクランプされる。このため、LEDの直列個数nが多いとき、スイッチング素子Q1のオフ時にインダクタL1に印加される電圧は大きく、インダクタL1に流れる電流iの減衰速度di/dt=-Vc4/L1は速くなる。結果的に、インダクタL1に流れる電流iがゼロになるまでの時間は短くなり、スイッチング素子Q1のオフ時間は短くなる。LEDの直列個数nが少ないときは、上述の説明とは逆に、スイッチング素子Q1のオン時間は短くなり、オフ時間は長くなる。つまり、LEDの直列個数nが少ないときは、コンデンサC4の電圧Vc4は低いから、コンデンサC1の電圧Vc1との電圧差Vc1-Vc4は大きくなる。このため、スイッチング素子Q1のオン時にインダクタL1に分担される電圧は大きく、インダクタL1に流れる電流iの上昇速度di/dt=Vc1-Vc4/L1は速くなる。結果的に、インダクタL1に流れる電流iが所定のピーク値に到達するまでの時間は短くなり、スイッチング素子Q1のオン時間は短くなる。スイッチング素子Q1のオフ時には、インダクタL1の両端に発生する逆起電力は、コンデンサC4の電圧Vc4=n×Vfにクランプされる。このため、LEDの直列個数nが少ないとき、スイッチング素子Q1のオフ時にインダクタL1に印加される電圧は小さく、インダクタL1に流れる電流iの減衰速度di/dt=-Vc4/L1は遅くなる。結果的に、インダクタL1に流れる電流iがゼロになるまでの時間は長くなり、スイッチング素子Q1のオフ時間は長くなる。このように、本実施形態の点灯装置によれば、LEDの直列個数nが多くなると、自動的にスイッチング素子Q1のオン時間が長く、オフ時間が短くなり、LEDの直列個数nが少なくなると、自動的にスイッチング素子Q1のオン時間が短く、オフ時間が長くなる。したがって、LEDの直列個数nに関わらず、定電流特性を維持できる仕組みとなっている。本実施形態では、インダクタL1の2次巻線n2の電圧消失のタイミングを検出することで、インダクタL1に流れる電流が略ゼロになるタイミングを検出しているが、他の手段として、回生ダイオードD1の逆方向電圧の上昇を検出したり、スイッチング素子Q1の両端電圧の降下を検出する等、回生電流が消失するタイミングを検出できる手段であれば、具体的な手段は変更しても構わない。ここで、制御電源回路6の構成について説明する。本実施形態では、コンデンサC5とその電圧を規制するツェナーダイオードZD1を備えており、コンデンサC1の正極から充電抵抗R1を介してコンデンサC5の正極に充電電流を供給する構成であり、より効率の良い電源供給手段として、定常時にインダクタL1の2次巻線n2からコンデンサC5を充電する構成を併用している。コンデンサC1の電圧は、商用交流電源電圧100V、50/60Hzのピーク値付近の電圧約140Vとなる。このコンデンサC1から、降圧用の抵抗R1を介して制御電源電圧Vccを供給するためのコンデンサC5に充電電流を供給する。コンデンサC5の電圧が制御用集積回路5の動作可能電圧以上に上昇すると、スイッチング素子Q1のオンオフ動作が開始され、インダクタL1に高周波の三角波電流が流れるから、その2次巻線n2には高周波の矩形波電圧が発生する。スイッチング素子Q1のオン時にインダクタL1の2次巻線n2に発生する電圧によりダイオードD8、コンデンサC8、抵抗R8を介して電流が流れて、コンデンサC8が充電される。スイッチング素子Q1のオフ時にはインダクタL1の2次巻線n2に逆極性の電圧が発生するから、この電圧とコンデンサC8の充電電圧を加算させた電圧によりダイオードD4と抵抗R8を介してコンデンサC5に充電電流が流れる。これによりコンデンサC5の電圧はさらに上昇しようとするが、ツェナーダイオードZD1が並列接続されているので、そのツェナー電圧によりクランプされて一定の制御電源電圧Vccが生成される。なお、制御電源電圧Vccを供給するためのコンデンサC5の電圧は十数V程度である。コンデンサC5と並列に接続されたコンデンサC6は、ダイオードD4を介する充電電流の高周波成分をバイパスするための小容量のコンデンサである。制御電源電圧Vccは抵抗R11,R12により分圧されて、制御用集積回路5の1番ピンINVに印加される。この電圧は、上述のように、スイッチング素子Q1に流れる電流のピーク値を規定するために用いられる。制御用集積回路5の2番ピンCOMPと3番ピンMULTは、本実施形態では短絡させている。本実施形態の構成によれば、負荷が異なる場合であってもチョッパ電流の平均値は殆ど変化しない。したがって、チョッパ電流の脈動成分をコンデンサC4により平滑化して負荷に供給される出力電流の実効値は、負荷に関わらず略一定となる。この定電流制御を実現するために、本実施形態では、電流検出抵抗R4によりスイッチング素子Q1に流れる電流を検出している。このため、仮に図1や図2の原理により突入電流防止回路のコンデンサC2を充電しようとすると、スイッチング素子Q1のオン時にコンデンサC2の充電電流がスイッチング電流に重畳されることによりスイッチング電流のピーク値を正確に制御できなくなる。これに対して、図3の構成によれば、コンデンサC2の充電電流がスイッチング電流に重畳されることはないので、スイッチング電流のピーク値を正確に制御できる。また、本実施形態では、ダイオードD1に流れる回生電流がゼロになったタイミングでスイッチング素子Q1をオンさせることにより、スイッチング損失を低減すると共に、スイッチング電流のピーク値と負荷電流の平均値=ピーク値÷2を厳密に比例させている。仮に上述の図2の原理によりコンデンサC2を充電しようとすると、スイッチング素子Q1のオフ時にダイオードD1の回生電流を打ち消す方向にコンデンサC2の充電電流が流れることになり、インダクタL1の回生電流がゼロクロスするタイミングを正確に検出できなくなる。これに対して、図3の構成によれば、コンデンサC2の充電電流が回生電流を打ち消す方向に流れることは無いので、ゼロクロスのタイミングを正確に検出できる。このように、回生電流のゼロクロス検出によるスイッチング素子Q1のオン制御と、スイッチング電流のピーク検出によるスイッチング素子Q1のオフ制御とを組み合わせることにより定電流制御を実施する場合には、図1または図2の原理によりコンデンサC2を充電することは好ましくなく、図3のように独立した3次巻線n3を用いてコンデンサC2を充電する方式が優れていると言える。なお、本実施形態の一変形例として、図3の逆阻止三端子サイリスタQ2を制御電極付き双方向サイリスタトライアックに置き換えて、その制御電極を兼ねる主電極T1をコンデンサC5の負極に接続し、他方の主電極T2を全波整流回路DBの負極に接続し、主電極T1とゲート電極Gとの間にコンデンサC5の電圧を供給するように構成すれば、双方向サイリスタトライアックを第4象限でオンさせることが出来る。その場合、突入電流防止回路2cは大幅に簡素化でき、双方向サイリスタトライアックと正特性サーミスタPTCの並列回路で実現できる。実施形態4図5は本発明のLED点灯装置を用いた電源別置型LED照明器具の概略構成を示している。この電源別置型LED照明器具では、LEDモジュール40の筐体42とは別のケースに電源ユニットとしての点灯装置1を内蔵している。こうすることによってLEDモジュール40は薄型化することが可能となり、別置型の電源ユニットとしての点灯装置1は場所によらず設置可能となる。器具筐体42は、下端開放された金属製の円筒体よりなり、下端開放部は光拡散板43で覆われている。この光拡散板43に対向するように、LEDモジュール40が配置されている。41はLED実装基板であり、LEDモジュール40のLED4a~4dを実装している。器具筐体42は天井100に埋め込まれており、天井裏に配置された電源ユニットとしての点灯装置1からリード線44とコネクタ45を介して配線されている。電源ユニットとしての点灯装置1の内部には、図3に示すような回路が収納されている。LED4a~4dの直列回路LEDモジュール40が上述の半導体発光素子4に対応している。本実施形態では、電源ユニットとしての点灯装置1がLEDモジュール40とは別の筐体に収納される電源別置型LED照明器具を例示したが、LEDモジュール40と同じ筐体に電源ユニットを収納した電源一体型LED照明器具に本発明の点灯装置を用いても構わない。また、本発明の点灯装置は、照明器具に限らず、各種の光源、例えば、液晶ディスプレイのバックライトや、複写機、スキャナ、プロジェクタなどの光源として利用しても構わない。上述の各実施形態の説明では、半導体発光素子4として発光ダイオードを例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、有機EL素子や半導体レーザー素子などであっても良い。"