"必須成分として、a下記式Iで表される構造を0.6mmol/g以上含有する有機化合物と、b有機溶剤とを含有する膜形成用組成物。有機化合物aがエポキシ系化合物、アクリル系化合物、フェノール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、イミド系化合物、シアネート系化合物、ポリオルガノシロキサン系化合物のいずれか1つである請求項1に記載の膜形成用組成物。有機溶剤bが、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも1種を含む請求項1または2に記載の膜形成用組成物。有機化合物aが、硬化性を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。有機化合物aが、光硬化性を有する請求項1~4のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。有機化合物aが、カチオン重合、ヒドロシリル化反応のうち少なくとも1種の反応により硬化する化合物である請求項1~5のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。前記有機化合物aが、下記式X1またはX2で表される構造を有する請求項1~6のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。式中R1は水素原子以外の元素を表し、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよい有機化合物aが、α1分子中にSiH基との反応性を有する炭素-炭素二重結合を有する化合物と、βSiH基を有するオルガノシロキサン化合物とのヒドロシリル化反応生成物であることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の膜形成用組成物化合物αが、Si-CH=CH2基を有する化合物である請求項8または9に記載の膜形成用組成物。化合物βが、下記一般式II式中R2、R3は炭素数1~10の有機基を表し同一であっても異なっても良く、nは1~10、mは0~10の数を表すで表されるSiH基を有する環状ポリオルガノシロキサン化合物である、請求項9~10のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。有機化合物aが、α、βと、γ1分子中に光重合成官能基と、SiH基との反応性を有する炭素―炭素二重結合を有する化合物のヒドロシリル化反応物を含有する請求項9~10のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。請求項1~11のいずれか一項に記載の膜形成用組成物によって得られる薄膜トランジスタ。上記事情から本発明の目的は、有機半導体素子の製造プロセス適応性に優れる膜形成用組成物および該組成物を用いた薄膜トランジスタを提供することである。上記事情に鑑み、本発明者らが鋭意検討した結果、以下の構成を有するもので、上記課題が解決できることを見いだした。すなわち、本願発明は以下の構成を有するものである。1.必須成分として、a下記式Iで表される構造を0.6mmol/g以上含有する有機化合物と、b有機溶剤とを含有する膜形成用組成物。2.有機化合物aがエポキシ系化合物、アクリル系化合物、フェノール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、イミド系化合物、シアネート系化合物、ポリオルガノシロキサン系化合物のいずれか1つである1に記載の膜形成用組成物。3.有機溶剤bが、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも1種を含む1または2に記載の膜形成用組成物。4.有機化合物aが、硬化性を有する1~3のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。5.有機化合物aが、光硬化性を有する1~4のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。6.有機化合物aが、カチオン重合、ヒドロシリル化反応のうち少なくとも1種の反応により硬化する化合物である1~5のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。7.前記有機化合物aが、下記式X1またはX2で表される構造を有する1~6のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。式中R1は水素原子以外の元素を表し、それぞれのR1は異なっていても同一であってもよい8.有機化合物aが、α1分子中にSiH基との反応性を有する炭素-炭素二重結合を有する化合物と、βSiH基を有するオルガノシロキサン化合物とのヒドロシリル化反応生成物であることを特徴とする、1~7のいずれか一項に記載の膜形成用組成物9.化合物αが、Si-CH=CH2基を有する化合物である8または9に記載の膜形成用組成物。10.化合物βが、下記一般式II式中R2、R3は炭素数1~10の有機基を表し同一であっても異なっても良く、nは1~10、mは0~10の数を表すで表されるSiH基を有する環状ポリオルガノシロキサン化合物である、9~10のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。11.有機化合物aが、α、βと、γ1分子中に光重合成官能基と、SiH基との反応性を有する炭素―炭素二重結合を有する化合物のヒドロシリル化反応物を含有する9~10のいずれか一項に記載の膜形成用組成物。12.1~11のいずれか一項に記載の膜形成用組成物によって得られる薄膜トランジスタ。本発明によれば、有機半導体素子の製造プロセス適応性に優れる膜形成用組成物および該組成物を用いた薄膜トランジスタを与えうる。本発明の膜形成用組成物は、a式Iで表される構造を0.6mmol/g以上含有する有機化合物と、b有機溶剤とを含有することが特徴であるが、特に式Iで表される構造を0.6mmol/g以上有する有機化合物を用いることにより、有機半導体素子の絶縁膜等に使用する際に、有機半導体膜へのダメージを最小にし、電気特性に優れる素子を作成することができる。有機化合物aは膜を形成する成分であり、式Iで表される構造を0.6mmol/g以上有するものであればその組成は特に限定されず、単一物質でも良いし、複数の物質からなるものであってもよい。有機化合物a中の式Iで表される構造の含有量は0.6~5.0mmol/gが好ましく、0.8~4.0mmol/gがより好ましく、1.5~3.5mmol/gが特に好ましい。含有量が少ないと本発明の効果が十分に得難くなり、含有量が多すぎると膜形成用組成物の成膜性が悪化する。また式Iで表される構造が有するイソシアヌル環構造は、安定性にも優れており、有機化合物aがこの構造を有することで絶縁性、耐熱性に優れる膜を得ることができる。さらに式Iで表される構造に加えて、式X1、X2で表される構造も含有することによって、より絶縁性、耐熱性に優れる膜を得ることができるので好ましい。式X1、X2で表される構造は式I1molに対して、0.1~3.0mol含有することが好ましい。このような有機化合物aとしては、エポキシ系化合物、アクリル系化合物、フェノール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、イミド系化合物、シアネート系化合物、ポリオルガノシロキサン系化合物等をあげることができる。このなかでも絶縁性、熱、光に対する安定性の観点から特にポリオルガノシロキサン系化合物が好ましい。ポリオルガノシロキサン系化合物とは、シロキサン単位Si-O-Siおよび、構成元素としてC、H、N、O、Sからなる有機基Xとから構成される化合物であれば特に限定はなく、これらのうちエポキシ基、イミド基などの官能基を有するものもポリオルガノシロキサン化合物とする。これら化合物中のシロキサン単位のうち、構成成分中T単位XSiO32、またはQ単位SiO42の含有率が高いものほど得られる膜は硬度が高くより耐熱信頼性に優れ、またM単位X3SiO12、またはD単位X2SiO22の含有率が高いものほど膜はより柔軟で低応力なものが得られるので好ましい。式Iで表される構造のポリオルガノシロキサンの導入法としては、SiH基を有するポリシロキサン化合物と、モノアリルイソシアヌレートとをヒドロシリル化反応させることによって得ることができる。式2で表される構造のポリオルガノシロキサンの導入法としては、SiH基を有するポリシロキサン化合物と、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリス2-メタアクリロイルオキシエチルイソシアヌレートなどのヒドロシリル化反応性を有する2重結合を構造中に有するイソシアヌル環含有化合物とをヒドロシリル化反応させることによって得ることができる。また、SiH基を有するポリシロキサン化合物としては、IIで表されるSiH基を有する環状ポリオルガノシロキサン化合物が好適に用いることができる。本発明の膜形成用組成物を用いて作成する膜の膜厚は10nm以上20μm以下が好ましく、20nm以上10μm以下がより好ましい。本発明の有機化合物aとしては、熱や、光などの外部エネルギーにより、架橋反応が進行する硬化性組成物を使用しても良い。この場合、高密度な架橋構造に基づく高度な絶縁性、安定性を有する膜を得ることができる。架橋反応形式としては特に限定されるものではないが、カチオン重合反応、ラジカル重合反応、ヒドロシリル化反応、重縮合反応などが挙げることができ、小さなエネルギーで効率的に架橋反応が進めることができるという観点より、カチオン重合反応、ヒドロシリル化反応が好ましい。また、これらのうち2つ以上の架橋形式を有するものであってもよい。カチオン重合反応が進行する硬化性組成物としては、分子内に少なくとも1個のカチオン重合性官能基を有する重合性化合物が用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基、オキセタニル基、架橋性シリコン基、ビニルエーテル基、エピスルフィド基、エチレンイミン基等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する化合物が好適に用いられる。エポキシ基のなかでも安定性の観点より、脂環式エポキシ基やグリシジル基が好ましく、特に重合性に優れる点では、脂環式エポキシ基が好ましい。ヒドロシリル化反応が進行する硬化性組成物としては、炭素―炭素二重結合を有する化合物と、SiH基を有する化合物の組み合わせが用いられる。炭素-炭素二重結合を有する化合物は一分子中に少なくとも炭素-炭素二重結合を少なくとも1個以上有するものであれば特に限定されるものではなく、ポリシロキサン化合物、有機化合物にかかわらず特に限定なく使用することができる。具体的にはトリアリルイソシアヌレート、ジアリルイソシアヌレート、モノアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリス2-メタアクリロイルオキシエチルイソシアヌレートなどが好適に使用できる。本発明の有機化合物aとして、上記硬化性組成物を用いる場合、膜形成用組成物には、硬化性組成物の架橋形式に応じた重合開始剤もしくは、触媒を用いることができる。カチオン重合させる場合の重合開始剤としては、活性エネルギー線によりカチオン種又はルイス酸を発生する、活性エネルギー線カチオン重合開始剤、又は熱によりカチオン種又はルイス酸を発生する熱カチオン重合開始剤を用いることができる。特に好ましい活性エネルギー線カチオン重合開始剤には、アリールスルホニウム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウムまたはヨードニウム塩並びにII族、V族およびVI族元素の芳香族オニウム塩が包含される。これらの塩のいくつかは、FX-5123M社製、UVR-6990およびUVR-6974ユニオンカーバイド社製、UVE-1014およびUVE-1016ゼネラルエレクトリック社製、KI-85デグッサ社製、SP-152およびSP-172旭電化社製並びにサンエイドSI-60L、SI-80LおよびSI-100L三新化学工業社製、WPI113およびWPI116和光純薬工業社製、RHODORSILPI2074ローディア社製、BBI-103みどり化学社製として商品として入手できる。ラジカル重合させる場合の重合開始剤としては、活性エネルギー線によりラジカル種を発生する、活性エネルギー線ラジカル重合開始剤を用いることができる。ヒドロシリル化反応させる場合の触媒としては、例えば次のようなものを用いることができる。白金の単体、アルミナ、シリカ、カーボンブラック等の担体に固体白金を担持させたもの、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体、白金-オレフィン錯体例えば、PtCH2=CH22PPh32、PtCH2=CH22Cl2、白金-ビニルシロキサン錯体例えば、PtViMe2SiOSiMe2Vin、Pt[MeViSiO4]m、白金-ホスフィン錯体例えば、PtPPh34、PtPBu34、白金-ホスファイト錯体例えば、Pt[POPh3]4、Pt[POBu3]4式中、Meはメチル基、Buはブチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を表し、n、mは、整数を示す。、ジカルボニルジクロロ白金、カールシュテトKarstedt触媒、また、アシュビーAshbyの米国特許第3159601号及び3159662号明細書中に記載された白金-炭化水素複合体、ならびにラモローLamoreauxの米国特許第3220972号明細書中に記載された白金アルコラート触媒が挙げられる。更に、モディックModicの米国特許第3516946号明細書中に記載された塩化白金-オレフィン複合体も本発明において有用である。特に硬化性組成物の中で、光により架橋反応が進行する光硬化性組成物は、硬化反応が短時間で行えることから有用である。このような光硬化組成物の架橋形式は特に限定されず、上記硬化性組成物と同様なものが使用可能であり、上記重合開始剤、触媒のうち光により活性化し、ラジカル、またはカチオン種を発生する光重合開始剤と組み合わせることにより光硬化性を付与することができる。また、本発明の有機化合物aは式Iで表される構造を有することにより、アルカリ現像性を有し得る。そのため光硬化性を付与することにより、工業的に有用なリソグラフィー性を有することができる。本発明の有機化合物aとして、ポリオルガノシロキサン系化合物を用いる場合、好適なものとして、次の態様が挙げられる。下記化合物αとβ、さらに必要に応じてγのヒドロシリル化反応生成物:αSiH基との反応性を有する炭素-炭素二重結合を有する有機化合物。βSiH基を有するオルガノシロキサン化合物。γ、光重合性官能基と、SiH基との反応性を有する炭素-炭素二重結合とを有する化合物以下、ポリオルガノシロキサン系化合物の好ましい態様につき、説明する。これら化合物α、β、γはそれぞれに対応する1種の化合物を用いてもよいし、必要に応じて複数種の化合物を用いてもよい。化合物αについて説明する。化合物αは、SiH基との反応性を有する炭素-炭素二重結合を有する化合物であれば限定されるものではない。特に式Iで表される構造を有する化合物をこの化合物αとして用い、有機化合物aに導入することが好ましい。入手性の観点より、具体的にはモノアリルイソシアヌル酸が挙げられる。また得られる膜の耐熱性、絶縁性に優れるという観点より、式X1、X2で表される構造を有する化合物も併用することが好ましい。入手性の観点より、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリス2-メタアクリロイルオキシエチルイソシアヌレートなどが具体的に挙げられる。また得られる膜が透明性に優れる観点より、アルケニル基を有するポリシロキサン化合物との併用が好ましく、特に入手性の観点より、ジメチルビニルシリル基で末端が封鎖されたポリもしくはオリゴシロキサン、具体的に1,3,5,7-ビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1-プロピル-3,5,7-トリビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,5-ジビニル-3,7-ジヘキシル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5-トリビニル-トリメチルシクロシロキサン、1,3,5,7,9-ペンタビニル-1,3,5,7,9-ペンタメチルシクロシロキサン、1,3,5,7,9,11-ヘキサビニル-1,3,5,7,9,11-ヘキサメチルシクロシロキサン等の環状シロキサン化合物が好ましい。化合物βについて説明する。化合物βについては1分子中に少なくとも2個のSiH基を有するオルガノポリシロキサン化合物であれば特に限定されず、例えば、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有するもの等が使用できる。これらのうち、入手性および化合物α、γとの反応性が良いという観点からは、さらに、IIで表される、1分子中に少なくとも3個のSiH基を有する環状オルガノポリシロキサンが好ましい。一般式IIで表される化合物中の置換基R2、R3は、炭素数1~10の有機基であればよいが炭化水素基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。一般式IIで表される化合物としては、入手容易性及び反応性の観点からは、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンであることが好ましい。上記した各種化合物βは単独もしくは2種以上のものを混合して用いることが可能である。化合物γについて説明する。化合物γは、1分子中に光重合性官能基を少なくとも1個と、SiH基との反応性を有する炭素-炭素二重結合を少なくとも1個有する化合物であれば特に限定されない。光重合性官能基としては、エポキシ基、アルコキシシリル基、ビニルエーテル基、メタアクリロイル基、オキセタニル基、等があげられるが、反応性化合物の安定性の観点より、光重合性官能基の少なくとも1個は、エポキシ基が好ましい。光重合性官能基としてエポキシ基を有する化合物γの具体例としては、ビニルシクロヘキセンオキシド、アリルグリシジルエーテル、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等が挙げられ、光重合反応性に優れている観点より、脂環式エポキシ基を有する化合物であるビニルシクロヘキセンオキシドが特に好ましい。またヒドロシリル化反応の際、光重合性官能基の種類を問わず、2種以上の化合物γを併用することもできる。このような光重合性官能基はポリオルガノシロキサン系化合物中に、0.1~50mmol/g含有することが好ましく、0.3~30mmol/g含有することがより好ましい。含有量が少ないと、硬化が不十分となり、含有量が多すぎると膜形成用組成物の安定性が悪化する。ヒドロシリル化触媒これら化合物α、化合物βおよび化合物γを用いて、ヒドロシリル化反応によりポリオルガノシロキサン系化合物を合成する際の触媒には、膜形成液に添加するヒドロシリル化触媒と同様のものが使用できる。化合物α、化合物βおよび化合物γの反応本発明の光硬化性組成物に使用できるポリオルガノシロキサン系化合物としては、上述したとおり、化合物α、化合物β、および化合物γの反応をヒドロシリル化触媒の存在下で反応させることにより得られる化合物が挙げられる。化合物α、化合物β、および化合物γを反応させる際、過剰の化合物αと化合物βとを、もしくは、過剰の化合物βと化合物αとをヒドロシリル化反応させた後、一旦、未反応の化合物αもしくは化合物βを除き、得られた反応物と化合物γをヒドロシリル化反応させると低分子量体を含有しにくいという観点から好ましい。反応温度としては種々設定できるが、この場合好ましい温度範囲の下限は30°C、より好ましくは50°Cであり、好ましい温度範囲の上限は200°C、より好ましくは150°Cである。反応温度が低いと十分に反応させるための反応時間が長くなり、反応温度が高いと実用的でない。反応は一定の温度で行ってもよいが、必要に応じて多段階あるいは連続的に温度を変化させてもよい。反応時間、反応時の圧力も必要に応じ種々設定できる。ヒドロシリル化反応の際に酸素を使用できる。反応容器の気相部に酸素を添加することで、ヒドロシリル化反応を促進できる。酸素の添加量を爆発限界下限以下とする点から、気相部の酸素体積濃度は3以下に管理する必要がある。酸素添加によるヒドロシリル化反応の促進効果が見られるという点からは、気相部の酸素体積濃度は01以上が好ましく、1以上がより好ましい。ヒドロシリル化反応の際に溶媒を使用してもよい。使用できる溶剤はヒドロシリル化反応を阻害しない限り特に限定されるものではなく、具体的に例示すれば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、14-ジオキサン、1,3-ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、12-ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を好適に用いることができる。溶媒は2種類以上の混合溶媒として用いることもできる。溶媒としては、トルエン、テトラヒドロフラン、1,3-ジオキソラン、クロロホルムが好ましい。使用する溶媒量も適宜設定できる。化合物α、化合物βおよび化合物γをヒドロシリル化反応させた後に、溶媒及び/又は未反応の化合物を除去することもできる。これらの揮発分を除去することにより、得られる反応物が揮発分を有さないため、該反応物を用いて硬化物を作成する場合に、揮発分の揮発によるボイド、クラックの問題が生じにくい。除去する方法としては、例えば、減圧脱揮が挙げられる。減圧脱揮する場合、低温で処理することが好ましい。この場合の好ましい温度の上限は100°Cであり、より好ましくは80°Cである。高温で処理すると増粘等の変質を伴いやすい。本発明のカチオン重合性化合物としてのオルガノポリシロキサン系化合物の上記製造方法では、目的によって種々の添加剤を使用できる。本発明の有機溶剤bは単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。膜形成液中の有機溶剤bの量は、膜形成液全体100重量部中、好ましくは10~90重量部、より好ましくは30~80重量部である。有機溶剤bが少ないと、膜形成用組成物の粘度が高くなり、成膜性が悪化する。溶剤の種類は特に限定されないが、具体的に例示すれば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、14-ジオキサン、1,3-ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテル-2-アセテートPGMEA、エチレングリコールジエチルエーテル等のグリコール系溶剤、クロロホルム、塩化メチレン、12-ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、炭酸プロピレン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルを好適に用いることができる。この中でも有機半導体素子の絶縁膜等に使用する際に、有機半導体膜へのダメージをより小さくできるという点で。炭酸プロピレン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルが特に好ましい。これら3種の有機溶剤と他の有機溶剤とを併用する場合、有機半導体膜へのダメージの観点から、他の有機溶剤の含有量は3種の有機溶剤に対し、20重量部以下が好ましく、10重量部以下がより好ましい。本発明の膜形成用組成物の調製方法は特に限定されず、種々の方法で調製可能である。各種成分を成膜直前に混合調製しても良く、全成分を予め混合調製した一液の状態で低温貯蔵しておいても良い。本発明の膜形成用組成物は、基材の状態に合わせ適宜、溶剤による粘度調整、界面活性剤による表面張力調整を行っても良い。また本発明の有機化合物aを、光照射により架橋反応を進行させて硬化物させる場合、光硬化させるための光源としては、使用する重合開始剤や増感剤の吸収波長を発光する光源を使用すればよく、通常200~450nmの範囲の波長を含む光源、例えば、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ハイパワーメタルハライドランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ、発光ダイオードなどを使用できる。露光量は特に制限されないが、好ましい露光量の範囲は1~1000mJ/cm2、より好ましくは1~500mJ/cm2であり、さらに好ましくは1~300mJ/cm2である。露光量が少ないと表面荒れや、膜厚の減少、パターンエッジ部の欠けが生じる。露光量が多いと急硬化のために変色することがある。成膜後、溶媒の蒸発、硬化反応の促進等の点から加熱することが好ましい。その加熱温度は特に限定されるものではないが、周辺の耐熱性の低い部材への影響が小さいという観点より、200°C以下であることが好ましく、特に樹脂基板などを用いる場合には、寸法安定性等を考慮すると180°C以下であることが好ましい。また本発明の有機化合物aについて、アルカリ現像により微細パターニングすることも可能である。そのパターニング形成について特に限定される方法はなく、一般的に行われる浸漬法やスプレー法等の現像方法により未露光部を溶解除去し所望のパターン形成させることができる。現像液については、一般に使用するものであれば特に限定なく使用することができ、具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液やコリン水溶液等の有機アルカリ水溶液や、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液などの無機アルカリ水溶液やこれら水溶液に溶解速度等の調整のためにアルコールや界面活性剤などを添加したもの等を挙げることができる。また現像液の水溶液濃度に関しては、露光部と未露光部のコントラストがつきやすいという観点より、25重量部以下であることが好ましく、より好ましくは10重量部以下、更に好ましくは5重量部以下であることが好ましい。添加剤について本発明の膜形成用組成物には、必要に応じて種々の添加剤を添加することができる。増感剤本発明の膜形成用組成物には、有機化合物bを光エネルギーで硬化させる場合には、光の感度向上のおよびg線436nm、h線405nm、i線365nmと言われるような高波長の光に感度を持たせるために、適宜、増感剤を添加する事ができる。添加する化合物には、アントラセン系化合物、チオキサントン系化合物などが挙げることができる。アントラセン系化合物の具体例としては、アントラセン、2-エチル-9,10-ジメトキシアントラセン、9,10-ジメチルアントラセン、9,10-ジブトキシアントラセン、9,10-ジプロポキシアントラセン、9,10-ジエトキシアントラセン、1,4-ジメトキシアントラセン、9-メチルアントラセン、2-エチルアントラセン、2-tert-ブチルアントラセン、2,6-ジ-tert-ブチルアントラセン、9,10-ジフェニル-2,6-ジ-tert-ブチルアントラセン等が挙げられ、特に入手しやすい観点より、アントラセン、9,10-ジメチルアントラセン、9,10-ジブトキシアントラセン、9,10-ジプロポキシアントラセン、9,10-ジエトキシアントラセン等が好ましい。チオキサントン系の具体例としては、チオキサントン、2-クロロチオキサントン、2,5-ジエチルジオキサントン等が挙げられる。硬化物の透明性に優れる観点からはアントラセンが好ましく、硬化性組成物との相溶性に優れる観点からは9,10-ジブトキシアントラセン、9,10-ジプロポキシアントラセン、9,10-ジエトキシアントラセン等が好ましい。またこれらの増感剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。増感剤の添加量は、硬化時間、膜中の増感剤残存の点、着色性等の点から有機化合物b100重量部に対して、01~10重量部であることが好ましく、01~5重量部であることがより好ましい。接着性改良剤本発明の膜形成用組成物には、接着性改良剤を添加することもできる。接着性改良剤としては一般に用いられている接着剤の他、例えば種々のカップリング剤、エポキシ化合物、オキセタン化合物、フェノール樹脂、クマロン-インデン樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペン-フェノール樹脂、α-メチルスチレン-ビニルトルエン共重合体、ポリエチルメチルスチレン、芳香族ポリイソシアネート等を挙げることができる。カップリング剤としては例えばシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、分子中に有機基と反応性のある官能基と加水分解性のケイ素基を各々少なくとも1個有する化合物であれば特に限定されない。有機基と反応性のある基としては、取扱い性の点からエポキシ基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビニル基、カルバメート基から選ばれる少なくとも1個の官能基が好ましく、硬化性及び接着性の点から、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基が特に好ましい。加水分解性のケイ素基としては取扱い性の点からアルコキシシリル基が好ましく、反応性の点からメトキシシリル基、エトキシシリル基が特に好ましい。好ましいシランカップリング剤としては、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、2-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン等のエポキシ官能基を有するアルコキシシラン類:3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキシシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラン等のメタクリル基あるいはアクリル基を有するアルコキシシラン類が例示できる。シランカップリング剤の添加量としては種々設定できるが、有機化合物b100重量部に対して、好ましくは01~20重量部、より好ましくは03~10重量部、さらに好ましくは05~5重量部である。添加量が少ないと接着性改良効果が表れず、添加量が多いと膜の物性に悪影響を及ぼす場合がある。これらのカップリング剤、シランカップリング剤、エポキシ化合物等は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。リン化合物本発明の有機化合物aを光又は熱により硬化させ、特に膜が透明性を要求される用途で使用する場合は、光又は熱による硬化後の色相を改善するために、膜形成用組成物にリン化合物を添加するのが好ましい。リン化合物の具体例としては、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、ジイソデシルペンタエリスリトールジホスファイト、トリス2,4-ジ-t-ブチルフェニルホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビスオクタデシルホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス2,4-ジ-t-ブチルフェニルホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェニルホスファイト、ビス2-t-ブチル-6-メチル-4-{2-オクタデシルオキシカルボニルエチル}フェニルヒドロゲンホスファイト等のホスファイト類から選ばれる酸化防止剤、又は、9,10-ジヒドロ-9-オキサ-10-ホスファフェナントレン-10-オキサイド、10-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル-9,10-ジヒドロ-9-オキサ-10-ホスファフェナントレン-10-オキサイド、10-デシロキシ-9,10-ジヒドロ-9-オキサ-10-ホスファフェナントレン-10-オキサイド等のオキサホスファフェナントレンオキサイド類から選ばれる着色防止剤が好ましく使用される。リン化合物の使用量は、有機化合物b100重量部に対して、好ましくは001~10重量部、より好ましくは01~5重量部である。リン化合物の使用量が少ないと、色相の改善効果が少なくなる。使用量が多くなると、膜の物性に悪影響を及ぼす場合がある。充填材本発明の膜形成用組成物には必要に応じて充填材を添加してもよい。充填材としては各種のものが用いられるが、例えば、石英、ヒュームシリカ、沈降性シリカ、無水ケイ酸、溶融シリカ、結晶性シリカ、超微粉無定型シリカ等のシリカ系充填材、窒化ケイ素、銀粉、アルミナ、水酸化アルミニウム、酸化チタン、ガラス繊維、炭素繊維、マイカ、カーボンブラック、グラファイト、ケイソウ土、白土、クレー、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、無機バルーン等の無機充填材をはじめとして、エポキシ系等の従来の封止材の充填材として一般に使用或いは/及び提案されている充填材等を挙げることができる。老化防止剤本発明の膜形成用組成物には老化防止剤を添加してもよい。老化防止剤としては、ヒンダートフェノール系等一般に用いられている老化防止剤の他、クエン酸やリン酸、硫黄系老化防止剤等が挙げられる。ヒンダートフェノール系老化防止剤としては、チバスペシャリティーケミカルズ社から入手できるイルガノックス1010をはじめとして、各種のものが用いられる。硫黄系老化防止剤としては、メルカプタン類、メルカプタンの塩類、スルフィドカルボン酸エステル類や、ヒンダードフェノール系スルフィド類を含むスルフィド類、ポリスルフィド類、ジチオカルボン酸塩類、チオウレア類、チオホスフェイト類、スルホニウム化合物、チオアルデヒド類、チオケトン類、メルカプタール類、メルカプトール類、モノチオ酸類、ポリチオ酸類、チオアミド類、スルホキシド類等が挙げられる。これらの老化防止剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。ラジカル禁止剤本発明の膜形成用組成物にはラジカル禁止剤を添加してもよい。ラジカル禁止剤としては、例えば、2,6-ジ-t-ブチル-3-メチルフェノールBHT、2,2’-メチレン-ビス4-メチル-6-t-ブチルフェノール、テトラキスメチレン-33,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネートメタン等のフェノール系ラジカル禁止剤や、フェニル-β-ナフチルアミン、α-ナフチルアミン、N,N’-第二ブチル-p-フェニレンジアミン、フェノチアジン、N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン等のアミン系ラジカル禁止剤等が挙げられる。これらのラジカル禁止剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。紫外線吸収剤本発明の膜形成用組成物には紫外線吸収剤を添加してもよい。紫外線吸収剤としては、例えば22’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-t-ブチルフェニルベンゾトリアゾール、ビス2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジンセバケート等が挙げられる。これらの紫外線吸収剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。その他添加剤本発明の膜形成用組成物には、その他、着色剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、界面活性剤、消泡剤、乳化剤、レベリング剤、はじき防止剤、アンチモン-ビスマス等のイオントラップ剤、チクソ性付与剤、粘着性付与剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、反応性希釈剤、酸化防止剤、熱安定化剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、熱伝導性付与剤、物性調整剤等を本発明の目的および効果を損なわない範囲において添加することができる。薄膜トランジスタについて本発明で得られる硬化性組成物を絶縁膜として得られる薄膜トランジスタとは、電界効果トランジスタFETを示し、ソース、ドレイン、ゲート電極から形成されている3端子型、およびバックゲートを含む4端子型のトランジスタのことであり、ゲート電極に電圧印加することで発生するチャネルの電界によりソース/ドレイン間の電流を制御する薄膜型のトランジスタを示す。薄膜トランジスタ構造としては、ゲート電極の配置に関してボトムゲート型、トップゲート型、さらにはソース/ドレイン電極の配置に関し、ボトムコンタクト型、トップコンタクト型など適用する表示デバイス構造に応じて様々な組み合わせ、配置で設計可能であり、特にはその構造は限定されない。薄膜トランジスタの半導体層種として様々な形態のものが提案されており、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンμ-cSi等のシリコン系半導体、ZnO、InGaZnOなどの酸化物系半導体やペンタセン、オリゴチオフェン、フタロシアニンなどの化合物を用いる有機半導体、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン等を用いる炭素系半導体などが代表的なものとして挙げられ、特に限定されず適用できる。その中でも低温プロセスでありプラスチックフィルム上で形成しやすいという観点から、有機半導体を用いるものが好ましい。また半導体層の形成方法に関しては、CVD法、スパッタリング、蒸着、塗布など様々な工法が提案されており、特に限定されない。低温プロセスでプラスチックフィルム上での形成がしやすいという観点よりスパッタ、蒸着、塗布法で形成できることが好ましく、印刷プロセスのような簡便なプロセスを用いて量産できることよりコストメリットの観点から塗布法で形成できるものがより好ましい。電極材料に関しては、特に限定せず使用することができるが、簡便に入手できるAu、Al、Pt、Mo、Ti、Cr、Ni、Cu、ITO、PEDOT/PSS等の導電性高分子、導電ペースト、メタルインクなどが好適に用いられる。抵抗が低く、高い導電性を得られることよりAl、Mo、Ti、Cr、Ni、Cuなどが好ましく、また透明性が必要な箇所に適用できる観点からは、ITO、PEDOT/PSSが好ましく、電極表面が酸化されにくくの安定性に優れるという観点からは、Au、Ptが好ましく、印刷プロセスにより形成できることよりPEDOT/PSS等の導電性高分子、導電ペースト、メタルインクが好ましく用いられる。本発明の膜形成用組成物を用いる絶縁膜の代表的な適用部位としては、ゲート電極と半導体との間に形成されるゲート絶縁膜、素子全体を覆うように形成されるパッシベーション膜が挙げることができる。絶縁膜の形成方法本発明の膜形成用組成物を用いる絶縁膜はCVD、スパッタなどに比べ製造工程が簡便であり、コストの面で有利な塗布法で形成することができる。具体的にはスピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、スクリーンコーティング、スプレーコーティング、スピンキャスティング、フローコーティング、スクリーン印刷、インクジェットまたはドロップキャスティングなどの方法で成膜することができる。また成膜する基材の状態に合わせ適宜、溶剤による粘度調整、界面活性剤による表面張力調整を行っても良い。一般に有機半導体を用いて薄膜トランジスタを作成する場合、ボトムゲート構造ではパッシベーション膜が、トップゲート構造ではゲート絶縁膜がそれぞれ有機半導体膜上に形成される。これらの絶縁膜形成用組成物を塗布法にて有機半導体膜上に塗布すると、有機半導体への構造変化などのダメージが生じ、トランジスタ特性が大きく低下することがある。そのため特性が良好な薄膜トランジスタを得るには、絶縁膜形成用組成物の塗布前後で有機半導体膜の構造変化を小さくすることが重要である。本発明の膜形成用組成物を用いて製造される薄膜トランジスタは、アクティブマトリクス型のフラットパネルディスプレイにおける画素トランジスタとして用いることができる。この際、ディスプレイを安定的に駆動させるためトランジスタの特性として、閾値電圧、ON/OFF比が重要特性として挙げられる。ここで言う閾値電圧とは、トランジスタがON状態となり半導体層に電流が流れ始める電圧値を示し、トランジスタの電流伝達特性においてソース/ドレイン間に流れる電流Id、ゲート印加電圧Vgとした際のId1/2とVg間のグラフにおいて線形部分の延長線とVg軸との交点より算出される。トランジスタの駆動にかかる消費電力が小さくなるという観点より、-14~14Vであることが好ましく、さらに-12~12Vであることが好ましい。ON/OFF電流比とは、トランジスタの電流伝達特性におけるソース/ドレイン間に流れる電流Idの最大電流値と最小電流値の比Ion/Ioffで表され、大きければ大きいほどスイッチとしての機能に優れることを示し、駆動に大電流を要する方式の駆動も可能となることより1.0×102以上であることが好ましく、5.0×102以上であることがさらに好ましい。以下に、本発明の実施例および比較例を示すが、本発明は以下によって限定されるものではない。有機半導体膜構造変化の評価実施例1~4、比較例1のように調整した膜形成用組成物を有機半導体膜上に塗布した際の構造変化を、UVスペクトルによって評価した。ガラス基板に6.13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPSペンタセン溶液0.5クロロホルム溶液をスピンコートにより塗布、100°Cのホットプレート上で10分間加熱し、有機半導体膜を形成させ、その上に膜形成用組成物を2000rpm、20secの条件でスピンコートにより塗布し、150°Cのホットプレート上で1時間加熱し、絶縁膜を形成した。UVスペクトルは紫外可視分光光度計日本分光社製JASCOJSV560により、空気中での250~800nmの光線透過率を測定した。TIPSペンタセン膜上に実施例1~4、比較例1の膜形成用組成物を塗布し、150°Cのホットプレート上で1時間加熱した後にUVスペクトルを測定し、TIPSペンタセン膜の極大ピークのある波長335nmでの吸収強度の減少率を算出した。なお、実施例1~4、比較例1の膜形成用組成物をガラス上に塗布し加熱して得られた膜にはほとんど吸収が認められなかった。TIPSペンタセン膜のUVスペクトルを図1に、波長335nmでの吸収強度の減少率の算出結果を表1に示す。この結果からわかるように、本発明の膜形成用組成物を用いることにより、有機半導体膜上に絶縁膜を設ける際のダメージを低減することができる。薄膜トランジスタの製作ガラス基板にアルミAlを用いて厚さ500Åのゲート電極を形成し、その上にポリイミド樹脂をスピンコートにより塗布し、厚さ1μmのゲート絶縁膜を形成した。さらに蒸着により500Åの厚さにペンタセンの有機半導体膜を形成させ、その上にチャネル長さ100μm、チャネル幅5mmのマスクを用いて蒸着によって厚さ300Åのソース/ドレインAu電極を形成した。さらにその上から膜形成用組成物を2000rpm、20secの条件でスピンコートにより塗布し、65°Cのホットプレート上で5分加熱し、露光装置高圧水銀ランプ、マスクアライメント装置MA-10ミカサ社製を用い、50μm角のパターンマスクを通して、200mJ/cm2で露光しプロキシミティ露光、ギャップ12μm、65°Cのホットプレート上で2分加熱し、アルカリ性現像液TMAH2.38水溶液に60秒浸漬後、60秒水洗して、50μm角コンタクトホールを形成した。さらに150°Cでポストベイクして厚さ2.0μmのパッシベーション膜を形成し、薄膜トランジスタを製作した。トランジスタ特性評価本発明の膜形成用組成物を用いて上記のように作成した薄膜トランジスタについて、半導体パラメーターアナライザーAgilent4156を用い電流伝達特性を評価した。ソース/ドレイン間に-40Vの電圧を印加した状態で、ゲート電極に20~-40Vで印加した際のソース/ドレイン間電流量Idをプロットし伝達特性とした。得られた電流伝達特性の曲線からトランジスタ特性を下記の方法によって算出した結果を表1に示す。この結果から、本発明の膜形成用組成物により、電流特性に優れる薄膜トランジスタが得られることがわかる。閾値電圧電流伝達特性の曲線においてソース/ドレイン間に流れる電流Id、ゲート印加電圧Vgとした際のId1/2とVg間の曲線より線形領域の延長線とVg軸との交点より算出した。ON/OFF電流比オン時の電流Ionは、電流伝達特性の曲線において飽和領域での最大電流値とし、オフ時の電流Ioffは、オフ状態の最小電流から求めた。ON/OFF電流比Ion/Ioffは、オン状態の最大電流値とオフ状態の最小電流値との比から算出した。製造例1500mL四つ口フラスコにトルエン80g、1,4-ジオキサン20g、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン50gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105°Cで加熱、攪拌した。モノアリルイソシアヌレート14.1g、1,4-ジオキサン700g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00163gの混合液を30分かけて滴下した。滴下終了から1時間後に1H-NMRでアリル基の反応率が95以上であることを確認し、冷却により反応を終了した。未反応の1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,4-ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体反応物B1を得た。100mL四つ口フラスコにトルエン20g、1,4-ジオキサン5g、反応物B110gを入れ、気相部を窒素置換した後内温105°Cで加熱し、ここにビニルシクロヘキセンオキシド3.0gおよびトルエン3.0gの混合液を加え、添加3時間後に1H-NMRでビニル基の反応率が95以上であることを確認した。反応液を冷却した後、1,4-ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、反応物1を得た。1H-NMRの測定により、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でSiH基を6.1mmol/g、エポキシ基2.5mmol/gおよび、式Iで表される構造を1.8mmol/g有するポリオルガノシロキサン化合物であることを確認した。製造例2500mL四つ口フラスコにトルエン80g、1,4-ジオキサン20g、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン50gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105°Cで加熱、攪拌した。モノアリルイソシアヌレート14.1g、1,4-ジオキサン700g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00163gの混合液を30分かけて滴下した。滴下終了から1時間後に1H-NMRでアリル基の反応率が95以上であることを確認し、冷却により反応を終了した。未反応の1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,4-ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体反応物B2を得た。100mL四つ口フラスコにトルエン20g、1,4-ジオキサン10g、反応物B210gを入れ、気相部を窒素置換した後内温105°Cで加熱し、ここに、ジアリルイソシアヌレート4.9g、トルエン14.9g添加3時間後に1H-NMRでビニル基の反応率が95以上であることを確認した後、さらにビニルシクロヘキセンオキシド3.8gおよびトルエン3.0gの混合液を加え、添加3時間後に1H-NMRでビニル基の反応率が95以上であることを確認した。反応液を冷却した後、1,4-ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、反応物2を得た。1H-NMRの測定により標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でSiH基を3.0mmol/g、エポキシ基1.5mmol/gおよび、式Iで表される構造を1.0mmol/g、X1で表される構造を0.5mmol/g有するポリオルガノシロキサン化合物であることを確認した。製造例3500mL四つ口フラスコにトルエン80g、1,4-ジオキサン20g、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン50gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105°Cで加熱、攪拌した。モノアリルイソシアヌレート20.1g、ジアリルイソシアヌレート12.4g、1,4-ジオキサン700g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00163gの混合液を30分かけて滴下した。滴下終了から1時間後に1H-NMRでアリル基の反応率が95以上であることを確認し、冷却により反応を終了した。未反応の1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,4-ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体反応物B3を得た。100mL四つ口フラスコにトルエン20g、1,4-ジオキサン10g、反応物B310gを入れ、気相部を窒素置換した後内温105°Cで加熱し、ここに、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン2g、トルエン4.0g添加3時間後に1H-NMRでビニル基の反応率が95以上であることを確認した後、さらにビニルシクロヘキセンオキシド1.8gおよびトルエン2.0gの混合液を加え、添加3時間後に1H-NMRでビニル基の反応率が95以上であることを確認した。反応液を冷却し後、1,4-ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、反応物3を得た。1H-NMRの測定により標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でSiH基を3.5mmol/g、エポキシ基1.8mmol/gおよび、式Iで表される構造を1.3mmol/g、X1で表される構造を0.6mmol/g有するポリオルガノシロキサン化合物であることを確認した。製造例4500mL四つ口フラスコにトルエン80g、1,4-ジオキサン20g、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン50gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105°Cで加熱、攪拌した。トリアリルイソシアヌレート3.8g、ジアリルイソシアヌレート5.0g、1,4-ジオキサン700g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液白金として3wt含有00163gの混合液を30分かけて滴下した。滴下終了から1時間後に1H-NMRでアリル基の反応率が95以上であることを確認し、冷却により反応を終了した。未反応の1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体反応物B4を得た。100mL四つ口フラスコにトルエン30g、反応物B410gを入れ、気相部を窒素置換した後内温105°Cで加熱し、ここにビニルシクロヘキセンオキシド3.0gおよびトルエン3.0gの混合液を加え、添加3時間後に1H-NMRでビニル基の反応率が95以上であることを確認した。反応液を冷却し後、1,4-ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、反応物4を得た。1H-NMRの測定により、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でSiH基を3.5mmol/gおよび、エポキシ基を2.0mmol/g、X1で表される構造を0.5mmol/g、X2で表される構造を1.0mmol/g有するポリオルガノシロキサン化合物であることを確認した。なお、式Iで表される構造は有していない。実施例1有機化合物bとしての反応物15g、炭酸プロピレン10g、BBI-103ミドリ化学製、カチオン重合開始剤0.02g、9,10-ジプロポキシアントラセン0.01gを用いて膜形成組成物を調整した。実施例2~4、比較例1有機溶剤aと、有機化合物bを表1のように変更した以外は、実施例1と同様に膜形成用組成物を調整した。なお、PGMEAはプロピレングリコール-1-モノメチルエーテル-2-アセテートの、DMSOはジメチルスルホキシドのそれぞれの略である。"