微細で低嵩密度のニッケル粉末を生成する方法であって、a少なくとも1種の還元性ニッケル塩の粒子を、炉投入物の浅い固定床を形成するように炉内に投入すること;及びb前記炉投入物を、水素含有ガスにより、300°C~500°Cの範囲の温度で還元することを含み、前記炉投入物の固定床が、前記水素含有ガスを前記固定床の中に通過させ、硬質の凝集体の形成を最小限にするように浅くなっており、それにより微細で低嵩密度のニッケル粉末を得るニッケル粉末を生成する方法。c微細で低嵩密度の前記ニッケル粉末を回収すること、及びd微細で低嵩密度の前記ニッケル粉末をふるい分けすることをさらに含む、請求項1に記載のニッケル粉末を生成する方法。ふるい分けが100メッシュのふるいの上で行われる、請求項2に記載のニッケル粉末を生成する方法。還元の工程の間、前記水素含有ガスが過剰である、請求項1に記載のニッケル粉末を生成する方法。微細で低嵩密度の金属ニッケル粉末は、還元性ニッケル塩を水素含有ガスで約300°C~約500°Cの範囲の温度で処理することでして生成することができ、同時に、新たに生成された金属ニッケル粉末の動く範囲と平均運動エネルギーを最小限にすることが見出された。この方法は、ニッケル凝集体の形成を著しく低減することが見出された。還元反応中において、穏やかな撹拌が用いられるならば、軟質の凝集体が生成されうることも見出された。一部の先行技術の方法で生成される硬質の凝集体と対照的に、これら軟質の凝集体は砕けやすく、後で容易に粉砕して粉末にすることができ、大部分は生成物のふるい分けの間に分解することができる。より具体的には、本発明は、微細で低嵩密度のニッケル粉末を生成する方法であって、a少なくとも1種の還元性ニッケル塩の粒子を、炉投入物の移動床を形成するように炉内に投入すること、及び、b炉投入物を、水素含有ガスにより、約300°C~約500°Cの範囲の温度で還元することを含み、炉投入物の床を、硬質の凝集体の形成を最小限にするように穏やかに動かし、それにより微細で低嵩密度のニッケル粉末を得る方法に関する。本発明は、また、微細で低嵩密度のニッケル粉末を生成する方法であって、a少なくとも1種の還元性ニッケル塩の粒子を、炉投入物の浅い固定床を形成するように炉内に投入すること、及びb炉投入物を、水素含有ガスにより、約300°C~約500°Cの範囲の温度で還元することを含み、炉投入物の固定床が、還元ガスを固定床の中に通過させ、硬質の凝集体の形成を最小限にするように浅くなっており、それにより微細で低嵩密度のニッケル粉末を得る方法に関する。本発明の他の目的、利点及び特徴は、以下の好ましい実施態様の非限定的な記載を、一例としてのみ作成された添付の図面を参照して読むことにより、より明白となる。本発明を、以下の非限定的な例により、更に詳細に説明する。一般論として、本発明は、新たに還元された粒子の平均運動エネルギーが最小限となるように、静止するか又は穏やかに動いている炉投入物を、水素含有ガス中で還元する、微細で低嵩密度の、凝集しないか又は砕けやすい金属ニッケル粉末を生成する方法に関する。供給物又は生成物のいずれかに言及するとき、粒子という用語は、本明細書では粉末のような流動性物質の、任意の小片又は部分を示す。凝集体という用語は、本明細書では一緒に付着して軟質又は硬質の塊を形成する、個々の粒子の群を意味する。ニッケル粉末に言及するとき、微細という用語は、本明細書では粉末の少なくとも約45が100メッシュ149ミクロンのふるいを通過し、100メッシュ画分の硬質の凝集体が本質的に残らないことを意味する。本発明で生成されるニッケル粉末に言及するとき、低嵩密度という用語は、本明細書では4g/cc以下の嵩密度を意味する。好ましくは、本発明で生成されるニッケル粉末は、約0.5~約2g/ccの範囲の嵩密度を有する。最も好ましくは、本発明で生成されるニッケル粉末は、約0.5~約1.6g/ccの範囲の嵩密度を有する。炉投入物の移動床に言及するとき、浅いという用語は、本明細書では還元ガスを固定床の中に通過させる、粉末の投入物の深さを意味する。通常、こうした浅い固定床は、約2.5cm以下の深さを有する。数値又は百分率に言及するとき、約という用語は、本明細書では値又は百分率を決定するために用いられる方法、統計的分散及び人為的過誤による変動を含む。更に、本明細書における各数値パラメーターは、少なくとも、報告される有効桁の数字の観点から解釈され、かつ通常の四捨五入の手法が適用されていると解釈されるべきである。許容される還元率及び許容される還元生成物を得ることを求めるとき、炉の回転速度を最小限にすることは、この行為が、気体-固体の相互作用と投入量の割合との両方を制限するので、全く直感に反したことである。しかし、予想外のことに、還元反応中に炉の回転速度を低減すると、ひいては炉の周速度を低減すると、凝集が少なくなり、微細なニッケル粉末生成物が増えることが発見された。種々のふるいを通過するニッケル粉末生成物の量に対する、10.2cmの内径を有する炉の回転速度を下げる効果が、図1で示されている。例えば、回転速度を2rpmから0.8rpmに低減すると、直径150ミクロンを超える100メッシュ画分の割合が約72から約53に低減し、回転速度を2rpmから0.2rpmに低減すると、100メッシュ画分の割合を約72から約48に低減させる。65及び100メッシュのふるいを通過するニッケル粉末の量における、10.2cmの内径を有する炉の回転速度を変える効果をそれぞれ示す図2及び3において、同様のデータを別の角度から見ることができる。本明細書で言及するふるい分け測定は、周知のRo-Tap登録商標器械で行われ、そこでふるいが振られて叩かれた。ふるい分け時間は通常20分間であった。本発明の方法は、静止するか又はゆっくりと動く炉投入物を用いる。方法自体は、連続的に又はバッチ的に行うことができる。還元温度は、約300°C~約500°C、好ましくは約350°C~約450°Cの範囲である。特定の実施態様において、還元ガスは容量比で少なくとも20の水素を含有する。別の特定の実施態様において、水素含有ガスは炉に入る前に予熱される。なお別の特定の実施態様において、還元性ニッケル塩の供給物は、窒素又は他の不活性ガスの雰囲気中、約300~約350°Cの範囲の温度で仮焼される。これは、炉の最初の区画又は別個の炉で行われる。供給物のそのような仮焼は、供給物中の炭酸ニッケルから二酸化炭素を出し、それにより別個のスクラビング及び二酸化炭素の除去を可能にする。このことは、還元工程からのオフガスの洗浄を容易にし、未使用の水素の再利用を可能にする。ガスの予熱及び仮焼の両方が、本発明の方法の同じ特定の実施態様内で起こりうることを理解するべきである。本発明の一つの好ましい実施態様が、図4で示されている。還元性ニッケル塩からなる乾燥した自由流動性粉末1は、窒素ガス2が存在する第1炉で仮焼される。仮焼のオフガス4は、本質的にCO2、CO、H2O及びN2を含有する。次に高温の仮焼物3を、炉投入物の床を形成するように、第2炉すなわち還元炉に移す。水素ガス5が静止するか又はゆっくりと動く炉投入物の床の中を有利に通過し、過剰量の水素が有利に用いられる。そのような方法は、微細で低嵩密度のニッケル粉末6を得ることを可能にする。別個の仮焼工程のおかげで、還元炉のオフガスは、H2及びH2Oしか含有せず、そのことは容易な水素の再利用を可能にする。本発明の方法で用いられる還元性ニッケル塩の供給物の正確な組成は、当然のことながら、ニッケル粉末生成物の最終嵩密度及び微細性に影響を与えることがある。事実、ニッケル粉末生成物の嵩密度は、供給材料中の不活性不純物の総量が減少すると増加することが見出された。不活性不純物は、典型的には種々の量のナトリウム/マグネシウム/カルシウムの炭酸塩/塩化物塩/硫酸塩である。このことは、下記の表1に示されている。すなわち、ニッケル粉末生成物の嵩密度は、不活性不純物の総量が約10重量十分に洗浄された炭酸ニッケルから約30重量不十分に洗浄された炭酸ニッケルに増加すると、1.2g/ccから0.5g/ccに減少した。初めに、本明細書で言及する供給材料及びニッケル粉末生成物の嵩密度は、メスシリンダーに既知の容量の粉末を充填し、それからシリンダーを秤量することにより測定した。調製中にシリンダーを3回軽くたたいて粉末を固めることによって、再現性のある結果が得られた。続いて、供給材料及びニッケル粉末生成物の嵩密度を、ASTM標準法B329-98を採用するScottVolumeterによって測定した。上述のように、供給物の組成も、下記の表2で示されるように、金属ニッケル粉末生成物の微細性に影響を与える。表2は、炭酸ニッケルの洗浄度が減少し、そのために不活性不純物の含有量が増加すると、本発明の方法で得られたニッケル粉末はより微細になることを示す。事実、不十分に洗浄された炭酸ニッケル供給物約30重量の不活性不純物から得られた最終生成物の少なくとも99が、100メッシュのふるいを通過する。本発明の方法で用いられる還元性ニッケル塩は、好ましくは炭酸ニッケル、酸化ニッケル、水酸化ニッケル、シュウ酸ニッケルである。当業者は、500°C未満の水素ガスで金属状態に還元される、他のいかなる微細で低嵩密度のニッケル化合物をも用いられることを理解する。例えば、塩化ニッケルを用いてもよい。しかしながら、水和されているか若しくは水和されていない塩化ニッケル、又は500°C未満で図らずも溶融するか若しくは粘り出す他の還元性ニッケル塩は、上記の範疇にある少なくとももう一種の還元性ニッケル塩、例えば好ましいとして言及した塩などと組み合わせて用いられる場合にのみ、本発明の方法において供給物として用いることができる。他の多くの動作パラメーター及び加工条件は、本発明の方法から逸脱することなく当業者により容易に変えられることを理解すべきである。そのようなパラメーター及び条件は、還元ガスの流量及び組成、炉の動作における並流又は向流、炉の長さ及び炉投入物の残留時間、並びにニッケル粉末生成物と新たな供給物との逆混合であるがこれらに限定されない。微細で低嵩密度のニッケル粉末を、約10.2cm4インチの内径の回転炉の中で、本発明の方法に従って調製した。バッチ法において、300~500gの炭酸ニッケルからなる投入物を用いた。還元温度は450°Cであり、2lpmの水素ガス流を、周速度6.4cm/分下記の式を参照することに相当する0.2rpmで回転する炉の中の供給物に与えた。炉の中での供給物の残留時間は31/2~4時間であった。本実施例で用いられた炭酸ニッケル供給物及び生成されたニッケル粉末の図が、図5及び6それぞれの電子顕微鏡写真で提供されている。本実施例で使用される回転炉で生成されたニッケル粉末の嵩密度は、下記の表3で示されるように、0.46から1.58g/ccまで異なっていた。微細で低嵩密度のニッケル粉末を、約30.5cm12インチの内径の回転炉の中で、本発明の方法に従って調製した。バッチ法において、3.5kgの炭酸ニッケルからなる投入物を用いた。還元温度は450°Cであり、3lpmの水素ガス流を、周速度6.7cm/分に相当する0.07rpmで回転する炉の中の供給物に与えた。炉の中での供給物の残留時間は6~7時間であった。微細で低嵩密度のニッケル粉末を、約61cm24インチの内径の回転炉の中で本発明の方法に従って調製した。連続法において、1時間当たり7~8kgの炭酸ニッケルを炉に供給した。還元温度は、炉の前半では350~400°Cであり、炉の後半では450°Cであった。水素及び窒素ガスを、周速度23.9cm/分に相当する0.125rpmで回転する炉の中に、それぞれ85及び42.5lpmで与えた。炉の中での供給物の残留時間は20時間であった。内径61cmを有する炉で用いられた周速度は、より小さい直径の炉実施例1及び2で用いられたものよりも高く、それによって、許容される経済的な粉末の生成速度を達成することができた。本実施例では、ニッケル粉末を、炉を通過する2つの経路を使用して生成した。第1の経路の間では、窒素ガス中での予熱を、供給材料の炭酸ニッケルから二酸化炭素を出すために使用した。炉を通過する第2の経路では、炉投入物を水素ガスで還元して、低嵩密度のニッケル粉末にした。予熱工程のための典型的な炉条件は以下であった:炉の回転速度0.22rpm、炉の傾斜0.014フィート/フィート、炉の外側の温度供給端:330°C、生成端:450~460°C、窒素ガス流毎分100リットル、オフガス中のCO222容量、供給速度16~17kg/時間。本発明を好ましい実施態様により本明細書の上記で記載してきたが、添付の請求項で定義されている対象発明の精神及び性質から逸脱することなく、変更することができる。