"アズレンを有する下記一般式1で表される化合物からなる有機半導体材料。式1中、置換基R1~R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2-b]チオフェン環、2,1,3-ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。前記一般式1で表される化合物が、下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする請求項1記載の有機半導体材料。アズレンを有する下記一般式3で表される化合物からなる有機半導体材料。式3中、置換基R1~R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2-b]チオフェン環、2,1,3-ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。前記一般式3で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物であることを特徴とする請求項3記載の有機半導体材料。アズレンを有する下記一般式5で表される化合物からなる有機半導体材料。式5中、置換基R1~R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2-b]チオフェン環、2,1,3-ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。前記一般式5で表される化合物が、下記一般式6で表される化合物であることを特徴とする請求項5記載の有機半導体材料。請求項1~6のいずれか1項に記載の有機半導体材料が用いられていることを特徴とする有機電子デバイス。しかしながら、上記の有機トランジスタにおける単一材料のナローバンドギャップ材料では、理想的なアンバイポーラ素子に必要な高い電荷移動度が得られていないのが現状である。また、有機太陽電池における上記の高分子材料は、平面性を取りづらいため、結晶性が低く、また、分子量が一定でないため、高い電荷移動度を得ることが難しい。このため、高純度かつ高移動度の材料を得るには、低分子系材料であることが望ましい。したがって、有機トランジスタや有機太陽電池等の電子デバイスにおいては、低分子系であり、高い電荷移動度を有するナローバンドギャップ材料が求められている。そこで、本発明者らは、ナフタレンの構造異性体であるアズレンに着目して研究を重ねた結果、アズレンを有する化合物からなるナローバンドギャップである新規有機半導体材料を見出した。すなわち、本発明は、低分子系で、高い電荷移動度が得られ、かつ、長波長吸収特性を有するナローバンドギャップ材料として、アズレンを有する化合物からなる新規の有機半導体材料及びそれを用いた有機電子デバイスを提供することを目的とする。本発明に係る第1の態様の有機半導体材料は、アズレンを有する下記一般式1で表される化合物からなる。前記式1中、置換基R1~R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2-b]チオフェン環、2,1,3-ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。前記有機半導体材料の一般式1で表される化合物は、特に、下記一般式2で表される化合物であることが好ましい。本発明に係る第2の態様の有機半導体材料は、アズレンを有する下記一般式3で表される化合物からなる。前記式3中、置換基R1~R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2-b]チオフェン環、2,1,3-ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。前記一般式3で表される化合物は、特に、下記一般式4で表される化合物であることが好ましい。本発明に係る第3の態様の有機半導体材料は、アズレンを有する下記一般式5で表される化合物からなる。前記式5中、置換基R1~R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2-b]チオフェン環、2,1,3-ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。前記一般式5で表される化合物は、下記一般式6で表される化合物であることが好ましい。また、本発明によれば、上記のいずれかの有機半導体材料が用いられている有機電子デバイスが提供される。本発明によれば、低分子系で、高い電荷移動度が得られ、かつ、長波長吸収特性を有するナローバンドギャップ材料である有機半導体材料を提供することができる。したがって、本発明に係る有機半導体材料を用いることにより、有機トランジスタにおける高い電荷移動度や、有機太陽電池における高い変換効率が得られる等、有機電子デバイスの性能の向上が期待される。以下、本発明について、より詳細に説明する。本発明に係る有機半導体材料は、アズレンを基本骨格に有するものである。アズレンは、ナフタレンの構造異性体であり、7員環と5員環が縮合した形をしており、各環が芳香族化して安定化する。このため、大きな双極子モーメント1.0Dを発現し、分子間電荷移動CT相互作用によって青色を呈するという特徴を有している。本発明は、この特異的な性質を有するアズレンに、電子的特性に優れた含硫黄π電子系構造を有するオリゴチオフェンやチエノチオフェン、電子受容性の強いベンゾチアジアゾール等を組み込むことにより、高い電荷移動度かつ長波長吸収特性が得られる新規の有機半導体材料を見出したことに基づくものである。本発明に係る第1の態様の有機半導体材料は、前記一般式1で表される化合物からなり、また、第2の態様の有機半導体材料は、前記一般式3で表される化合物からなり、また、第3の態様の有機半導体材料は、アズレンを有する前記一般式5で表される化合物からなる。前記式1、式3、式5中、置換基R1~R14は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Arは、ビチオフェン環、チエノ[3,2-b]チオフェン環、2,1,3-ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ[1,2-c:4,5-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。上記のように、本発明に係る有機半導体材料の骨格構造は、アズレンを両端に有しているが、中心のArとアズレンとは、アズレンの7員環と5員環のいずれと結合するものであってもよい。また、アズレンを修飾する置換基R1~R14は、電子供与性向上等の観点から、上記のような各種置換基を導入することができるが、合成の容易性や低分子であること等を考慮した場合は、R1~R14のいずれもが水素原子であり、アズレンの基本骨格のままの状態であることが好ましい。すなわち、前記一般式1で表される化合物は、特に、前記一般式2で表される化合物であることが好ましい。また、前記一般式3で表される化合物は、特に、前記一般式4で表される化合物であることが好ましい。また、前記一般式5で表される化合物は、前記一般式6で表される化合物であることが好ましい。本発明に係る有機半導体材料の具体例としては、下記に示すものが代表として挙げられる。化13、化14、化15は、ビチオフェンの両端をアズレンで修飾したアズレン-ビチオフェン誘導体略称:DABT、2,6-DABT、6-DABTである。化16は、チエノチオフェンの両端をアズレンで修飾したアズレン-チエノチオフェン誘導体略称:DATTである。化17は、ベンゾチアジアゾールの両端をアズレンで修飾したアズレン-ベンゾチアジアゾール誘導体略称:DABTDである。上記のような本発明に係る有機半導体材料の合成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、下記実施例に示すような方法により合成することするができる。上記の本発明に係る有機半導体材料は、低分子であり、高い電荷移動度かつ長波長吸収特性が得られることから、有機電子デバイスに適用することにより、例えば、有機トランジスタにおいては電荷移動度の増大が図られ、また、有機太陽電池においては変換効率の向上が図られる等、デバイス性能の向上が期待される。図1,2に、前記有機デバイスのうち、有機トランジスタ素子の構成の例を示す。図1はトップコンタクト型、図2はボトムコンタクト型である。図1,2に示すように、有機トランジスタ素子は、活性層3に接したソース電極4及びドレイン電極5の2つの電極を備えており、前記電極4,5間を流れる電流を、ゲート絶縁膜2を介して設けられたもう1つの電極であるゲート電極1に電圧を印加することにより制御するものである。上記の本発明に係る有機半導体材料は、単層又は複数層の有機薄膜層からなる活性層3のいずれにも適用することができ、これらの少なくともいずれか1層に用いられる。各層の構成材料は、有機トランジスタ素子において通常用いられているものでよく、特に限定されないが、電極材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミ、チタン、ITO、PEDOT/PSS等が挙げられる。また、ゲート絶縁膜2の構成材料としては、例えば、ポリアミド、ポリイミド、酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ等が挙げられる。なお、電極ゲート絶縁膜2の活性層3側の表面に、ヘキサメチルジシラザン略称:HMDS、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等の表面処理剤を用いることが好ましく、これにより、電荷移動度等の特性をより向上させることができる。また、図3,4に、有機太陽電池素子の構成の例を示す。図3,4に示すように、有機太陽電池素子は、仕事関数の異なる2つの電極陽極11と陰極15間に、p型半導体材料とn型半導体材料から構成される活性層13が挟まれた構造からなる。図3はp-nヘテロ接合型であり、活性層13はp型半導体層13aとn型半導体層13bとが積層されている。一方、図4はp-nバルクヘテロ接合型であり、活性層13は、p型半導体材料とn型半導体材料との混合層である。上記の本発明に係る有機半導体材料は、単層又は複数層の有機薄膜層からなる活性層3のいずれにも適用することができ、これらの少なくともいずれか1層に用いられる。なお、図3,4においては、陽極11と活性層13との間、陰極15と活性層13との間にそれぞれバッファー層12,14を備えている。各層の構成材料は、有機太陽電池素子において通常用いられるものでよく、特に限定されないが、電極材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミ、チタン、ITO、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリエチレンスルフォネート略称:PEDOT/PSS等が挙げられる。また、バッファー層には、例えば、PEDOT/PSS、カルシウム、フッ化リチウム、BCP等が挙げられる。通常、陽極側のバッファー層12には、PEDOT/PSS、陰極側のバッファー層15にはフッ化リチウムが用いられるが、バッファー層15,16の材料は特に限定されるものではなく、また、バッファー層を形成しない場合もある。以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。本発明に係る有機半導体材料を下記のようにして合成した。合成例1まず、窒素雰囲気下、50ml二口フラスコに、トルエン9ml、2-ヨードアズレン化合物11.12g、化合物21.22g、2M炭酸ナトリウム水溶液4.5ml、エタノール2.2ml、PdPPh34155mgを加え、30分間加熱還流を行った。その後、水100mlに注ぎ、反応を停止させた。クロロホルムにより抽出を行い、有機層を、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させた。その後、ロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した後、ヘキサンとトルエンの混合溶媒による再結晶を行い、化合物3の青色結晶を得た786mg、収率73。得られた化合物3の1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR500MHz,CDCl3δppm8.202H,d,J=9.6Hz,Ar-H,7.491H,dd,J=9.6Hz,J=9.6Hz,Ar-H,7.432H,s,Ar-H,7.331H,d,J=4.0Hz,Ar-H,7.152H,dd,J=9.6Hz,J=9.6Hz,Ar-H,6.931H,d,J=4.0Hz,Ar-H次に、窒素雰囲気下、50ml二口フラスコに、塩化ニッケル400mg、トリフェニルホスフィン3.25g、無水DMF20mlを加え、50°Cで1時間加熱撹拌した。その後、化合物3750mgを加え、さらに50°Cで1時間加熱撹拌した。反応溶液を5EDTA水溶液200mlに加え、反応を停止させた後、析出した固体を濾取した。ヘキサン、メタノール、トルエンで洗浄した後、昇華精製300~330°Cして、化合物4DABTの緑色結晶を得た381mg、収率60。得られた化合物4の元素分析の結果を以下に示す。元素分析C28H18S2計算値:C,80.34;H,4.33;S,15.32測定値:C,80.41;H,4.34;S,15.34合成例2窒素雰囲気下、10ml二口フラスコに、トルエン6ml、2-ヨードアズレン化合物1800mg、化合物5590mg、2M炭酸ナトリウム水溶液3ml、エタノール1.5ml、PdPPh34107mgを加え、45分間加熱還流を行った。その後、水100mlに注ぎ、反応を停止させた。析出した固体を濾取し、水、エタノール、ヘキサン、クロロホルムで洗浄した後、昇華精製340°Cして、化合物6DATTの緑色結晶を得た233mg、収率40。得られた化合物4の元素分析の結果を以下に示す。元素分析C26H16S2計算値:C,79.55;H,4.11;S,16.34測定値:C,79.63;H,4.34;S,16.21合成例3窒素雰囲気下、10ml二口フラスコに、トルエン7ml、6-ヨードアズレン化合物7479mg、化合物8376mg、2M炭酸ナトリウム水溶液2ml、エタノール1ml、PdPPh3472mgを加え、30分間加熱還流を行った。その後、水100mlに注ぎ、反応を停止させた。析出した固体を濾取し、水、エタノール、ヘキサン、クロロホルムで洗浄して、化合物96-DABTの緑色粉末を得た。180mg、収率48。合成例4まず、窒素雰囲気下、30ml二口フラスコに、トルエン5ml、6-ヨードアズレン化合物7632mg、化合物10940mg、2M炭酸ナトリウム水溶液2.5ml、エタノール1.5ml、PdPPh3490mgを加え、30分間加熱還流を行った。その後、水100mlに注ぎ、反応を停止させた。クロロホルムにより抽出を行い、有機層を、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させた。その後、ロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した後、トルエンによる再結晶を行い、化合物11の青色結晶を得た705mg、収率87。得られた化合物9の1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR500MHz,CDCl3δppm8.302H,d,J=10.8Hz,Ar-H,7.841H,dd,J=3.6Hz,J=3.6Hz,Ar-H,7.512H,d,J=10.8Hz,Ar-H,7.421H,d,J=4.1Hz,Ar-H,7.362H,d,J=3.6Hz,Ar-H,7.121H,d,J=4.0Hz,Ar-H,7.011H,d,J=4.1Hz,Ar-H,6.871H,d,J=4.0Hz,Ar-H次に、窒素雰囲気下、10ml二口フラスコに、ジオキサン10ml、化合物11327mg、化合物12280mg、炭酸セシウム391mg、Pt-Bu30.1mol/l、350μl、Pd2dba314mgを加え、90°Cにて9時間加熱撹拌した。その後、水100mlに注ぎ、反応を停止させた。析出した固体を濾取し、水、エタノール、ヘキサン、クロロホルムで洗浄したところ、緑色粉末を得た171mg、粗収率41。また、化合物11377mgを用いて上記と同様の操作を行い、緑色粉末を得た。186mg、粗収率39。得られたすべての緑色粉末357mgを昇華精製380°Cし、化合物13の緑色結晶129mgを得た。得られた化合物13の元素分析の結果を以下に示す。元素分析C28H18S2計算値:C,80.34;H,4.33;S,15.32測定値:C,80.24;H,4.38;S,15.58合成例5窒素雰囲気下、50ml二口フラスコに、トルエン4ml、化合物12127mg、化合物1473mg、PdPPh34107mg、炭酸カリウム203mgを水300μlに溶かして加え、24時間加熱還流を行った。その後、水25mlに注ぎ、反応を停止させた。クロロホルムにより抽出を行い、有機層を、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させた。その後、ロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィージクロロエタン及びトルエンによる再結晶を行い、化合物15DABTDの緑色結晶を得た66mg、収率69。得られた化合物15の1H-NMRの測定結果を以下に示す。1H-NMR500MHz,CDCl3δppm8.414H,d,J=9.4Hz,Ar-H,8.332H,s,Ar-H,8.324H,s,Ar-H,7.562H,dd,J=9.6Hz,J=9.6Hz,Ar-H,7.214H,dd,J=9.6Hz,J=9.6Hz,Ar-H上記において合成した本発明に係る有機半導体材料である化合物4,6,9,13,15のうち、化合物4DABT、化合物6DATT、化合物15DABTDを代表例として、以下の実施例において各種評価を行った。実施例1DABT、DATTについて、大気下で光電子分光法によりHOMOを測定したところ、それぞれ、-5.30eV、-5.41eVであった。また、薄膜の紫外-可視吸収スペクトルを測定し、HOMO-LUMOエネルギーギャップを算出したところ、それぞれ、1.94eV、1.66eVであった。これらの結果から、DABT、DATTは、ナローバンドギャップな材料であると言える。実施例2DABTDについて、紫外可視吸収スペクトルを測定したところ、クロロホルム溶液中で極大吸収波長が462nmモル吸光係数ε=74600であり、550nm付近から低波長側にアズレン骨格特有のCT吸収帯が観測された。比較として、両端がナフタレンである下記に示す化合物DNBTDについても同様に測定したところ、極大吸収波長が396nmε=11500であった。これらの結果から、DABTDは、DNPTDに比べて66nm長波長側にシフトし、モル吸光係数εは約6.5倍に増大していることが確認された。実施例3DABT又はDATTをp型半導体として、真空蒸着法により、n-Si/SiO2基板上にDABT又はDATTの薄膜を形成し、トップコンタクト型の有機トランジスタ素子を作製した。素子構造は、n-Si/SiO2/HMDS/DABTorDATT60nm/Au30nmとした。これらの素子のトランジスタ特性を測定したところ、電荷移動度は、それぞれ、0.027cm2/Vs、0.051cm2/Vsであった。また、ON/OFF比は、それぞれ、2.8×106、2.0×106であり、いずれも良好な電荷移動度と高いON/OFF比が得られた。実施例4DABTをp型半導体として、pnヘテロ接合型の有機太陽電池素子を作製した。素子構造は、ITO/PEDOT:PSS50nm/DABT30nm/C6040nm/Alとした。この素子に、AM1.5Gの擬似太陽光100mW/cm2を照射し、太陽電池特性を測定したところ、短絡電流密度:1.24mA/cm2、開放電圧:0.30V、FF:49.1、変換効率:0.18の素子特性が得られた。"