"基板に形成されたエッチング対象膜上に、第1方向に沿ってライン形状で延在する第1パターン、前記第1パターンと離隔されて平行に配置される犠牲マスクパターン本体及び第2方向に沿って前記第1パターンと連結される連結部を具備する第2パターン及び前記第1及び第2パターンと離隔されて平行に配置される第3パターンを具備する犠牲マスクパターンを形成する段階と、前記第1~第3パターンの側壁に沿ってスペーサラインを形成して相互隣接したスペーサラインの間に前記第1方向に沿って延在し、前記エッチング対象膜を部分的に露出するスペーサ空間を形成する段階と、前記連結部の少なくとも一部を覆うマスクパターンを形成する段階と、前記犠牲マスクパターンを除去して前記スペーサライン及び前記マスクパターンを前記エッチング対象膜上に残留させる段階と、前記スペーサライン及び前記マスクパターンを用いて前記エッチング対象膜を部分的にエッチングして前記第1方向に沿って延在する第1開口及び前記第2方向に沿って延在し、互い分離された第2開口を形成する段階と、前記第1及び第2開口を充填して前記第1方向に沿って延在され、切断部を具備する少なくとも1つの第1ライン及び前記第1ラインと平行に配置されて前記切断部に向って突出された突出部を具備する第2ラインを形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記犠牲マスクパターン本体は前記第1方向に沿って不連続ライン形状に形成された一対の端部を具備し、前記連結部は前記各端部と前記第1パターンを相互連結する一対の水平バーapairofhorizontalbarsに形成され、前記第1及び第2パターンはギリシャの文字であるπ形状に連結されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記スペーサ空間は、前記第1及び第2パターンの間に配置される第1スペーサ空間と、前記第2及び第3パターンの間に配置される第2スペーサ空間と、前記第1及び第3パターンの間に配置される第3スペーサ空間とを含み、前記第1スペーサ空間は、前記連結部によって分離されて前記連結部及び前記第1パターンによって限定され、前記第2スペーサ空間と連結される分離空間separatedspaceを形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記マスクパターンは前記第1方向に沿って延在するライン形状に形成されていると共に前記連結部と交差するように配置されることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記マスクパターンは2FFはフォトリソグラフィー工程の最小解像度の幅及び前記第1スペーサ空間を限定するスペーサをカバーする長さを有し、前記第1パターンと整列する第1位置から前記第2パターンと整列する第2位置までの間に配置されることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記第1ラインは前記第1スペーサ空間及び前記犠牲パターン本体に対応する一対の分離ライン形状に形成され、前記第2ラインは前記第1ラインの左側及び右側にそれぞれ配置される一対の連続ライン形状に形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記マスクパターンは前記連結部の一側部と交差するように配置されて前記連続ラインのうち一方は前記第1方向に沿って延在する第1ライン本体及び前記一対の水平バーに対応して前記第1ライン本体から前記切断部に向かって突出された一対の第1突出部を具備し、前記連続ラインのうち他方は前記第1方向に沿って延在する第2ライン本体及び前記分離空間に対応して前記第2ライン本体から前記切断部に向かって突出された単一の第2突出部を有するように形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記犠牲パターン本体は前記第1方向に沿って連続ライン形状に形成されて、前記連結部は前記犠牲パターン本体と前記第1パターンとを互いに連結するように前記第2方向に沿って延在する単一の水平バーsinglehorizontalbarに形成されて、前記第1及び第2パターンは英文字H形状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。前記スペーサ空間は前記第1及び第2パターンの間に配置される第1スペーサ空間と、前記第2及び第3パターンの間に配置される第2スペーサ空間と、前記第1及び第3パターンの間に配置される第3スペーサ空間とを含み、前記マスクパターンは前記第1方向に沿って延在され、1Fの幅及び前記第1スペーサ空間を限定するスペーサをカバーする長さを有し、前記連結部と交差するライン形状に形成されることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子用パターン構造物の形成方法。基板に形成されたエッチング対象膜上に第1方向に沿ってライン形状に延在し、不連続部を具備する少なくとも1つの第1パターンと、前記第1パターンと平行して離隔され、前記第1方向に沿って連続的に延在する多数の第2パターンと、を具備する犠牲マスクパターンを形成する段階と、前記第1及び第2パターンの側壁に沿って、スペーサラインを形成して相互隣接したスペーサラインの間に前記第1方向に沿って延在するスペーサ空間を形成し、前記第1パターンの不連続部に対応して隣接した前記スペーサ空間を連結する連結空間を形成する段階と、前記連結空間の少なくとも一部を覆うマスクパターンを形成する段階と、前記犠牲マスクパターンを除去して前記スペーサラインを前記エッチング対象膜上に残留させる段階と、前記スペーサライン及び前記マスクパターンを用いて前記エッチング対象膜を部分的にエッチングして前記第1方向に沿って延在する垂直ライン型開口及び第2方向に沿って延在して互いに分離された水平ライン型開口を提供する段階と、前記垂直及び水平ライン型開口を充填して、前記第1方向に沿って延在され、切断部を具備する少なくとも1つの第1ラインと、前記第1ラインと平行に配置され前記切断部に向かって突出された突出部を具備する第2ラインとを形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子用パターン構造物の形成方法。本発明の目的は、一部領域が切断された形状を有する不連続ラインを形成する方法を提供することにある。前記目的を達成するための本発明の一実施形態に係るラインパターン構造物の形成方法であって、基板に形成されたエッチング対象膜上に、第1方向に沿ってライン形状で延在する第1パターン、前記第1パターンと離隔されて平行に配置される犠牲パターン本体及び第2方向に沿って前記第1パターンと連結される連結部を具備する第2パターン及び前記第1及び第2パターンと離隔されて平行に配置される第3パターンを具備する犠牲マスクパターンを形成する。前記第1~第3パターンの側壁に沿ってスペーサラインを形成して相互隣接したスペーサラインの間に前記第1方向に沿って延在し、前記エッチング対象膜を部分的に露出するスペーサ空間を形成する。前記連結部の少なくとも一部を覆うマスクパターンを形成し、前記犠牲マスクパターンを除去して前記スペーサライン及び前記マスクパターンを前記エッチング対象膜上に残留させる。前記スペーサライン及び前記マスクパターンを用いて前記エッチング対象膜を部分的にエッチングして前記第1方向に沿って延在する第1開口及び前記第2開口を充填して、前記第1方向に沿って延在され、切断部を具備する少なくとも1つの第1ライン及び前記第1ラインと平行に配置されて前記切断部に向って突出された突出部を具備する第2ラインを形成する。一実施形態として、前記犠牲マスクパターン本体は前記第1方向に沿って不連続ライン形状に形成された一対の端部を具備し、前記連結部は前記各端部と前記第1パターンを相互連結する一対の水平バーapairofhorizontalbarsに形成され、前記第1及び第2パターンはギリシャの文字であるπ形状に連結される。一実施形態として、前記第1ラインは偶数個のラインを有し、前記それぞれの第2犠牲マスクパターンが切断された形状を有する犠牲ライン及び前記犠牲ラインの切断された一端部から隣り合う前記第1犠牲マスクパターンを水平に連結させる水平連結ラインを含み、前記第1及び第2犠牲マスクパターンの連結部位でπ字形状を有するように形成してもよい。一実施形態として、前記スペーサ空間は前記第1及び第2パターンの間に配置される第1スペーサ空間と、前記第2及び第3パターンの間に配置される第2スペーサ空間と、前記第1及び第3パターンの間に配置される第3スペーサ空間とを含み、前記第1スペーサ空間は前記連結部によって分離されて前記連結部及び前記第1パターンによって限定されて前記第2スペーサ空間と連結される分離空間separatedspaceを形成する。一実施形態として、前記マスクパターンは前記第1方向に沿って延在するライン形状に形成されていると共に前記連結部と交差するように配置される。一実施形態として、前記マスクパターンは2FFはフォトリソグラフィー工程の最小解像度の幅及び前記第1スペーサ空間を限定するスペーサをカバーする長さを有し、前記第1パターンと整列する第1位置から前記第2パターンと整列する第2位置までの間に配置される。一実施形態として、前記犠牲マスクパターン、前記スペーサライン及び前記スペーサ空間はそれぞれFの幅を有するように形成されて前記連結部と交差する前記マスクパターンは1.5Fの整列誤差を有する。一実施形態として、前記第1ラインは前記第1スペーサ空間及び前記犠牲パターン本体に対応する一対の分離ライン形状に形成され、前記第2ラインは前記第1ラインの左側及び右側にそれぞれ配置される一対の連続ライン形状に形成される。一実施形態として、前記マスクパターンは前記連結部の一側部と交差するように配置されて前記連続ラインのうち一方は前記第1方向に沿って延在する第1ライン本体及び前記一対の水平バーに対応して前記第1ライン本体から前記切断部に向かって突出した一対の第1突出部を具備して前記連続ラインのうち他方は前記第1方向に沿って延在する第2ライン本体及び前記分離空間に対応して前記第2ライン本体から前記切断部に向かって突出した単一の第2突出部を有するように形成される。一実施形態として、前記マスクパターンは前記第1位置に正アライメントされるように配置されて前記連続ラインのうち一方は前記突出部なしで前記第1方向に沿って延在され、前記連続ラインのうち他方は前記第1方向に沿って延在するライン本体及び前記分離空間に対応して前記ライン本体から前記切断部に向かって突出した突出部を具備し、前記分離ラインのうち1つは前記第2方向に沿って隣接分離ラインの前記切断部に向かって折曲されて、前記突出部と並んで配置されるベンディング部を有するように形成される。一実施形態として、前記マスクパターンは前記第2位置に正アライメントされるように配置されて前記連続ラインのうち一方は前記突出部なしで前記第1方向に沿って延在され、前記連続ラインのうち他方は前記第1方向に沿って延在するライン本体及び前記一対の水平バーに対応して前記ライン本体から前記切断部に向かって突出した一対の突出部を具備する。一実施形態として、前記犠牲パターン本体は前記第1方向に沿って連続ライン形状に形成されて前記連結部は前記犠牲パターン本体と前記第1パターンとを互いに連結するように前記第2方向に沿って延在する単一の水平バーsinglehorizontalbar状に形成されて、前記第1及び第2パターンは英文字H形状に形成される。一実施形態として、前記スペーサ空間は前記第1及び第2パターンの間に配置される第1スペーサ空間と、前記第2及び第3パターンの間に配置される第2スペーサ空間と、前記第1及び第3パターンの間に配置される第3スペーサ空間とを含み、前記マスクパターンは前記第1方向に沿って延在され、1Fの幅及び前記第1スペーサ空間を限定するスペーサをカバーする長さを有し、前記連結部と交差するライン形状に形成される。一実施形態として、前記犠牲マスクパターン、前記スペーサライン及び前記スペーサ空間はそれぞれFの幅を有するように形成されて前記マスクパターンは1.0Fの整列誤差を有する工程によって形成される。一実施形態として、前記第1ラインは前記連結部によって分離した前記第1スペーサ空間に対応して単一の分離ライン形状に形成され、前記第2ラインは前記分離ラインの左側及び右側にそれぞれ配置される一対の連続ライン形状に形成され、前記一対の連続ラインは前記第1方向に沿って延在するライン本体及び前記連結部に対応して前記ライン本体から前記切断部に向かって突出した突出部をそれぞれ具備する。一実施形態として、前記第2パターンは前記犠牲パターン本体に対して前記第1パターンと対称的に配置される補助パターン及び前記水平バーと対称的に配置されて前記補助パターンと前記犠牲パターン本体を連結する補助連結部の補助水平バーをさらに具備して、前記第1及び第2パターンは英文字がHが重なるように配置される二重H字の形状に形成される。一実施形態として、前記スペーサ空間は前記第1パターン及び前記犠牲パターン本体の間に配置される第1スペーサ空間、前記犠牲パターン本体及び前記補助パターンの間に配置される補助スペーサ空間、前記第2及び第3パターンの間に配置される第2スペーサ空間及び前記第1及び第3パターンの間に配置される第3スペーサ空間を含み、前記マスクパターンは前記第1方向に沿って延在され4Fの幅を有し、前記犠牲パターン本体をカバーするように前記連結部及び補助連結部のうち少なくとも1つと交差するライン形状に形成される。一実施形態として、前記第1ラインは前記水平バーによって分離された前記第1スペーサ空間、前記補助連結部によって分離された前記補助スペーサ空間及び前記マスクパターンによって分離された前記犠牲パターン本体に対応する3つの分離ライン形状に形成され、前記第2ラインは前記第1ラインの左側及び右側にそれぞれ配置される一対の連続ライン形状に形成されて前記一対の連続ラインは前記第1方向に沿って延在するライン本体及び前記マスクパターンの位置により前記連結部、または、補助連結部に対応して選択的に前記ライン本体から前記切断部に向かって突出された突出部を具備する。前記目的を達成するための本発明の他の実施形態に係るラインパターン構造物の形成方法で、基板に形成されたエッチング対象膜上に第1方向に沿ってライン形状に延在し、不連続部を具備する少なくとも1つの第1パターンと、前記第1パターンと平行するように離隔され、前記第1方向に沿って連続的に延在する多数の第2パターンと、を具備する犠牲マスクパターンを形成する。前記第1及び第2パターンの側壁に沿って、スペーサラインを形成して相互隣接したスペーサラインの間に前記第1方向に沿って延在するスペーサ空間を形成して前記第1パターンの不連続部に対応して隣接した前記スペーサ空間を連結する連結空間を形成する。前記連結空間の少なくとも一部を覆うマスクパターンを形成して前記犠牲マスクパターンを除去して前記スペーサラインを前記エッチング対象膜上に残留させる。前記スペーサライン及び前記マスクパターンを用いて前記エッチング対象膜を部分的にエッチングして前記第1方向に沿って延在する垂直ライン型開口及び第2方向に沿って延在して互いに分離した水平ライン型開口を提供する。前記垂直及び水平ライン型開口を充填して、前記第1方向に沿って延在され、切断部を具備する少なくとも1つの第1ラインと、前記第1ラインと平行するように配置されて前記切断部に向かって突出した突出部を具備する第2ラインとを形成する。一実施形態として、前記スペーサ空間は、前記第1及び第2パターンの間に配置されて前記連結空間によって連結される第1スペーサ空間及び前記第2パターンの間に配置される多数の第2スペーサ空間を含み、前記マスクパターンは前記第1方向に沿って延在して1Fの幅を有し前記連結空間を交差するライン形状に形成される。前記目的を達成するための本発明のまた他の実施形態に係るラインパターン構造物の形成方法で、基板に形成されたエッチング対象膜上に予備マスクパターンを形成する。前記予備ハードマスクパターン及びエッチング対象膜上に第1方向に沿ってライン形状で延在して平行に離隔する一対の犠牲パターン本体及び前記犠牲パターン本体の間で前記予備マスクパターンと交差するように配置されて第2方向に沿って前記犠牲パターン本体を連結する連結部を具備する犠牲マスクパターンを形成する。前記第1~第3パターンの側壁に沿って配置されるスペーサライン及び前記第1及び第2パターンのうち少なくとも1つのパターンの下部に配置されるマスクパターンを自分の整列工程によって形成して、互いに隣接したスペーサラインの間に前記第1方向に沿って延在するスペーサ空間を提供する。前記犠牲マスクパターンを除去して前記スペーサラインの間で前記エッチング対象膜及び前記ハードマスクパターンを露出させる。前記スペーサライン及び前記ハードマスクパターンを用いて前記エッチング対象膜を部分的にエッチングして前記第1方向に沿って延在する垂直ライン型開口及び前記第2方向に沿って延在する水平ライン型開口を提供する。前記垂直及び水平ライン型開口を充填して前記第1方向に沿って延在して切断部を具備する少なくとも1つの第1ライン及び前記第1ラインと平行になるように配置されて前記切断部に向かって突出した突出部を具備する第2ラインを形成する。説明したように、本発明によると、ダブルパターニング工程を通じてノード分離ラインを含む微細ラインを形成するにあたって、ノード分離ラインを形成するためのマスクパターンのアライメントマージンが1.0F~1.5Fに増加する。これによって、微細線幅及び間隔を有するラインの一部領域を切断してノード分離ライン形状に形成する場合、前記マスクパターンのミスアライメントによってノード分離しなければならないラインが分離されなかったり、分離してはいけないラインが分離されたりするような工程不良を減少させることができる。前記マスクパターンは右側、または、左に1.0F~1.5Fの整列マージンの範囲内で犠牲マスクパターンの連結部と交差するように配置される。従って、ノード分離工程を遂行するためのマスクパターンは前記整列マージンの範囲内で多様に配置される。以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。本発明の各図面において、構造物の寸法は本発明の明確性を期するために実際より拡大して示したものである。第1、第2などの用語は多様な構成要素を説明するために使用することができるが、これらの構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は1つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用することができる。本明細書で使用する用語は単に特定の実施形態を説明するために使用するものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本明細書で、含む又は有する等の用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、1つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものなどの存在、又は付加の可能性を、予め排除しないことと理解すべきである。本発明において、各層膜、領域、電極、パターン、または、構造物が対象体、基板、各層膜、領域、電極、または、パターンの上に、上部にまたは、下部に形成されることで言及される場合には、各層膜、領域、電極、パターン、または、構造物が直接基板、各層膜、領域、または、パターン上に形成されたり、下に位置することを意味したり、他の層膜、他の領域、他の電極、他のパターン、または、他の構造物が対象体や基板上に追加的に形成される。本明細書で開示する本発明の実施形態に対して、特定の構造的又は機能的説明は単に本発明の実施形態を説明するための目的で例示したものであり、本発明の実施形態は多様な形態で実施され、本明細書で説明した実施形態に限定されるものと解釈してはならない。本発明は、多様な変更を加えることができ、様々な形態を有してもよいが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、或いは代替物を含むものとして理解せねばならない。実施形態1図1は本発明の実施形態1に係るパターン構造物を示した断面図である。図1を参照すると、本発明の一実施形態によるパターン構造物900は第1領域及び第2領域が区分される基板100上に備わる。例えば、前記パターン構造物900は前記基板100上に配置された第1~第3ライン114a、114b、114cを含む。前記第1ライン114aは切断部Cを具備し、前記第2ライン114bは前記第1ラインと隣接するように配置されて前記切断部を具備しない。前記基板100の第1領域は半導体素子のセル領域の一部としてノード分離領域が位置する。前記ノード分離領域は前記半導体素子の配線が延在方向に沿って一部切断した領域を含む。前記第3ライン114cは前記第2領域で前記第1及び第2ラインと平行するように配置されて前記切断部Cを具備しない。本実施形態で前記第2領域は基板上で前記第1領域を除いた領域として半導体素子のノード分離領域を除いたセル領域と周辺回路領域を含む。前記第3ラインは前記第2領域に均一な間隔で多数配置され、第1方向に沿って連続的に延在される。本実施形態において、前記第1ライン114aは前記第1領域で前記第1方向に沿って延在してラインの一部が除去されて切断部Cを具備する。例えば、一対の第1ラインが配置され、そのうち一方にはラインの延在方向である前記第1方向に沿って不連続ラインを形成する完全な切断部C1が配置され、他方には前記完全な切断部C1と連結される一部除去部C2が配置される。従って、前記一部除去部C2と隣接した前記第1ライン114aは他のライン114a、114b、114cと比較して薄い厚さを有する。前記第2ライン114bは前記第1ライン114aと隣接して配置されて前記切断部Cを具備しない。従って、前記第2ラインは前記第1領域で延在方向の前記第1方向に沿って連続的に配置される。一実施形態として、前記第2ライン114bは前記第1ラインの両側部にそれぞれ配置される一対の右側ライン及び左側ラインを含む。前記右側ライン及び左側ラインのそれぞれは前記第1方向に沿って延在するライン本体L3及び前記ライン本体から突出した延在部L4を含む。前記ライン本体L3は前記第1領域で前記第1方向に沿って延在して前記第1ライン114aと平行するように配置される。前記突出部L4は前記ライン本体L3から前記第1ライン114aの切断部Cに向かって突出されて配置される。前記突出部L4は前記ライン本体L3以外に他の隣り合うパターンと接触しない。また、前記右側及び左側ラインにそれぞれ含まれる前記突出部L4は相異なる位置に位置してもよい。従って、前記前記第2ライン114bの右側ライン及び左側ラインは相異なる形状を有してもよい。前記それぞれの右側及び左側ラインには同一な個数の突出部L4が含まれ、他の個数の突出部L4が含まれてもよい。本実施形態において、前記第2ライン114bのうち左側ラインは2つの突出部L4が配置され、右側ラインには1つの突出部L4が配置される。前記第2領域には、多数の前記第3ライン114cが前記第2ライン114bの両側部に配置される。前記第3ライン114cは前記切断部Cを具備せず均一な厚さを有し前記第1方向に沿って連続して延在される。一実施形態として、前記第1~第3ライン114a、114b、114cは前記第1ライン114aの一部除去部C2を除いては、互いに線幅を有し、互いに同じ間隔に配置される。例えば、前記第1~第3ラインは写真エッチング工程の最小解像度minimalmarginalresolutionofaphotolithographyprocessのFの線幅を有し前記最小解像度の間隔で離隔されて配置される。即ち、前記第3ライン114c、前記第2ライン114bのライン本体L3及び前記第1ラインは前記限界解像度Fに対応する同一な線幅を有し前記解像度Fに対応する間隔ほど離隔されて配置される。前記第1ライン114aの切断部Cには分離された形態のダミーパターン116がさらに具備されてもよい。前記第1~第3ラインとダミーパターンとの間にはエッチング対象膜パターン102aが具備される。前記エッチング対象膜パターン102aは絶縁物質、または、半導体物質を含んでもよい。前記第1~第3ライン114a~114c及びダミーパターン116を含むパターン構造物は導電物質を含んでもよい。この場合、前記パターン構造物は信号伝達のためのライン、例えば、ビットライン、ワードラインなどに用いられてもよい。これとは異なり、前記パターン構造物は絶縁物質を含んでもよい。この場合、前記パターン構造物は素子分離膜パターンで用いられてもよい。図2~図7は図1に示したパターン構造物の形成方法を示した平面図である。図8~図13は図1に示したパターン構造物の形成方法を示した断面図である。図8~図13は図2のI’I’部位を切断したときの面図である。図2及び図8を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板100を設ける。後述するような工程を通じて前記基板100の第1領域は前記切断部を具備する第1ライン114aと前記第1ラインの114aの両側部に位置する一対の第2ライン114bが形成され、前記第2領域には前記切断部Cを具備しない多数の前記第3ライン114cが形成される。前記第2領域は前記基板100の第1領域を除いた残りの領域を含む。例えば、前記第1領域は半導体素子のノード分離領域を含むセル領域の一部を含み、前記第2領域は前記第1領域を除いた残りのセル領域と周辺回路領域を含む。前記基板100上にエッチング対象膜102を形成する。前記エッチング対象膜102はシリコン酸化物、または、シリコン窒化物のような絶縁膜であってもよい。他の例としては、前記エッチング対象膜102が別途に形成されず、基板100自体がエッチング対象物となってもよい。前記基板自体がエッチング対象物102になる場合には、前記パターン構造物900をマスクで用いるエッチング工程によって、前記基板上に半導体素子の素子分離用トレンチが形成されてもよい。前記エッチング対象膜102上に犠牲マスク膜図示せずを形成する。前記犠牲マスク膜は、単一層に形成してもよく、2層以上の積層構造を有してもよい。前記犠牲マスク膜はスピンコーティングで形成される反射防止膜及びフォトレジスト膜であってもよい。前記犠牲マスク膜をパターニングすることによって、第1~第3犠牲マスクパターン104a、104b、104cをそれぞれ形成する。前記第1及び第2犠牲マスクパターン104a、104bは第1領域の基板100上に形成され、前記切断部Cを具備する第1ライン114a及び前記第1ライン114aと隣り合う第2ライン114bを形成するためのものである。また、前記第3犠牲マスクパターン104cは第2領域の基板100上に形成され、前記切断部Cを具備しない第3ラインを形成するためのものである。示されていないが、前記第3犠牲マスクパターン104cはライン及びスペースが繰り返された形態に配置される。このとき、最終的に形成しようとする第3ラインの線幅をFとすると、前記第3犠牲マスクパターン104cの線幅はFであり、前記第3犠牲マスクパターン104cの間隔は3Fとなるようにする。さらに、前記第1及び第2犠牲マスクパターンも同じくFの線幅と3Fの隔離距離を有するように形成される。また、前記第2及び第3犠牲マスクパターンも前記基板上で3Fの隔離距離を有するように形成される。従って、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a、104b、104cの間の離隔空間gapspaceは均一なサイズを有する。本発明において、前記第1及び第2犠牲マスクパターン104a、104bの組合は前記切断部Cを具備する第1ライン114aの形状と個数及び前記第1ライン114aの両側部に配置される前記第2ライン114bの形状を決める。従って、前記第1及び第2犠牲マスクパターン104a、104bの組合は前記第1ライン114a及び第2ライン114bの形状と個数によって相異なる形状を有してもよい。前記パターン構造物900は前記切断部Cを具備する一対の第1ライン114a及び前記第1ライン114aの両側部に配置される一対の第2ライン114bを具備するため、前記第1及び第2犠牲マスクパターン114a、104bの組合は前記エッチング対象膜102上にギリシャ文字πの形状で形成される。例えば、第1犠牲マスクパターン104aは前記第3犠牲マスクパターン104cと同一に前記第1方向に沿って連続に延在される連続ライン形状に形成される。しかし、前記第2犠牲マスクパターン104bは前記第1方向に沿って不連続的に延在して不連続部Dを具備する不連続ライン形状に形成される。前記第1ライン114aの切断部Cは、前記第2犠牲マスクパターン104bの不連続部Dに対応して形成される。本実施形態の場合、前記第2犠牲マスクパターン104bは前記第1犠牲マスクパターン104aと平行に前記第1方向に沿って延在する犠牲パターン本体L1及び前記犠牲パターン本体L1の端部から前記第1犠牲マスクパターン104aと連結されるように前記第1方向と垂直した第2方向に沿って延在する連結部L2を含む。前記連結部は、前記犠牲パターン本体の端部と前記第1犠牲マスクパターンを連結する一対の水平バーに形成される。従って、前記第1犠牲マスクパターン104a、前記連結部及び前記犠牲パターン本体L1は相互連結されてギリシャ文字のπのような形状を形成する。前記第2犠牲マスクパターン104bは前記第1犠牲マスクパターン104aの右側に具備される。前記第2犠牲マスクパターン104bの犠牲パターン本体L1と前記犠牲パターン本体L1と隣り合う第1犠牲マスクパターン104a間の間隔は3Fとなるようにする。前記第2犠牲マスクパターン104bの犠牲パターン本体L1と前記犠牲パターン本体L1と隣り合う第3犠牲マスクパターン104c間の間隔は3Fとなるようにする。また、前記第3犠牲マスクパターン104cと第1犠牲マスクパターン104a間の間隔も3Fとなるようにする。図3及び9を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cと前記エッチング対象膜102の表面に沿ってスペーサ膜図示せずを形成する。前記スペーサ膜は、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cと他のエッチング特性を有する物質からなる。例えば、前記スペーサ膜は、シリコン酸化物で形成されてもよい。前記スペーサ膜は、均一な厚さを有するように形成するためにALDatomiclayerdeposition工程を用いてもよい。前記スペーサ膜をエッチバックして、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cの側壁にはそれぞれのスペーサライン106を形成する。このとき、前記スペーサライン106の間にはスペーサ空間108が形成される。このとき、前記スペーサライン106の線幅と前記スペーサ108との幅はFであってもよい。ここで、前記スペーサ空間108と前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cが形成されている部位は前記第1~第3ラインの形成領域となる。前記犠牲マスクパターン104a、104b、104cと前記犠牲マスクの側壁に形成された前記スペーサライン106は前記第1方向に沿って延在するライン形状を有するため、互いに隣接する前記スペーサライン106の間に形成される前記スペーサ空間108も第1方向に沿って延在するライン形状に形成される。以下では前記第1及び第2犠牲マスクパターン104a、104bの間に位置するライン形状の前記スペーサ空間を第1スペーサ空間108aとして前記第2及び第3犠牲マスクパターン104b、104cの間に位置するライン形状の前記スペーサ空間を第2スペーサ空間108bとする。また、前記第1及び第3犠牲マスクパターン104a、104cの間に位置するライン形状の前記スペーサ空間を第1スペーサ空間108cとする。本実施形態において、前記第2犠牲マスクパターン104bの前記連結部L2が前記第1スペーサ空間108aを横切る第2方向に沿って延在されて隣接する前記第1犠牲マスクパターン104aと連結されるため、ライン形状の前記第1スペーサ空間108aは延在方向の前記第1方向に沿って切断された形状を有するように形成される。即ち、前記第2犠牲マスクパターン104bの連結部L2によって、前記第1スペーサ空間108aは前記第1方向に沿って不連続的に延在されて前記一対の連結部間に分離空間separatedspace,SSを形成する。前記分離空間SSは前記第2犠牲マスクパターン104bの不連続部Dと連結される。一方、前記第2犠牲マスクパターン104bと隣り合う第3犠牲マスクパターン104cの間に形成される第2ギャップ108bはライン形状を有しながら延在され、前記分離空間SSと連結される。これによって、前記第2スペーサ空間108bは前記分離領域程第2方向に沿って拡張される。前記第3スペーサ空間108cは第1方向に沿って連続的に延在するライン形状に形成される。特に、前記第3スペーサ空間108cは前記第1及び第3犠牲マスクパターン104a、104cの間に配置されるスペーサ空間だけでなく多数の第3犠牲マスクパターンの間で形成されるスペーサ空間まで含むことができる。スペーサライン、即ち、前記第1及び第2スペーサ空間を除いたスペーサ空間は前記第1方向に沿って連続的に延在するライン形状で形成されてもよい。図4及び10を参照すると、前記エッチング対象膜102上に前記スペーサライン106及び犠牲マスクパターン104a~104cを覆うマスク膜図示せずを形成する。前記マスク膜は、スピンコーティングによって形成される膜であってもよい。例えば、前記マスク膜は、スピンオンハードマスク膜SOH、または、フォトレジスト膜であってもよい。前記マスク膜はシリコン酸化物、または、窒化物のような蒸着によって形成されるハードマスク膜を用いなくてもよい。従って、前記マスク膜を形成する工程が非常に簡単である。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によってパターニングすることによって、前記基板100の第1領域にマスクパターン110を形成する。前記マスクパターン110は、この後の工程で前記第1及び第2ライン114a、114bの切断部Cの位置と形状を決定する。前記マスクパターン110は前記第2方向に沿って延在する連結部L2を横断するように前記第1方向に沿って延在するライン形状を有する。前記第1領域で形成されるラインは前記スペーサ空間108と犠牲マスクパターン104a、104b、104cに対応して形成され、前記第1及び第2犠牲マスクパターン104a、104bは前記連結部L2によって連結されているため、前記連結部L2が分離されなければ、第1犠牲マスクパターン104aに対応する配線ラインと前記第2犠牲マスクパターン104bに対応する配線ラインが互いに連結されてブリッジ不良が発生する。従って、前記マスクパターン110は前記連結部L2を交差するように形成し、後続の工程で前記第1及び第2犠牲マスクパターンに対応する配線ラインのブリッジ不良を防止する。これに伴い、前記マスクパターン110の大きさと位置によって前記断絶部Cの位置が変ってもよい。本実施形態の場合、前記第1スペーサ空間108aは既に前記分離空間SSによって前記ラインの延在方向の第1方向に沿って互いに分離しているため、前記第1スペーサ空間108aに対応して形成されるラインは断絶部Cを具備してノード分離ラインとして形成される。一方、前記マスクパターン110によって前記第1犠牲マスクパターン104a、または、第2犠牲マスクパターン104bに対応するラインに断絶部Cが形成されてノード分離されたラインとして形成される。前記マスクパターン110の位置と大きさは前記第1領域で断絶しなければならない前記パターン構造物900のライン個数numbersofnode-separatedlinesinthepatternstructureによって変わることができる。本実施形態において、前記第1スペース空間108a及び前記第2犠牲マスクパターン104bに対応して一対の前記第1ライン114aが形成されて前記第1犠牲マスクパターン104a及び前記第2スペーサ空間108bに対応して前記第2ライン114bが形成される。このとき、前記連結部L2は少なくとも3Fの長さを有するため、前記マスクパターン110はフォトリソグラフィー工程の最小ピッチの2Fの線幅を有する場合にも、十分に前記連結部L2にかかるように形成されてもよい。例えば、図1に示された通り前記第1スペーサ空間108a及び前記第2犠牲マスクパターン104bに対応する2つのラインをノード分離ラインで形成しようとする場合、前記第1犠牲マスクパターンの連続性を損ねずに、前記連結部L2を覆うことができる前記マスクパターン110の位置は左側部の正アライメント位置である第1位置Aから右側部の正アライメントは位置の第2位置Bまでの間の任意の位置に形成されてもよい。第1位置に配置された前記マスクパターン110は前記第1犠牲マスクパターン104aと前記第1スペーサ空間108aを限定するスペーサS1をカバーして前記第2位置に配置された前記マスクパターン110は前記第2犠牲マスクパターン104b及び前記第2スペーサ空間108bを限定するスペーサS2をカバーする。従って、前記マスクパターン110の正アライメント位置である前記第1及び第2位置A、Bは互いに3Fだけ離隔されているため、前記マスクパターン110は中心線を基準として左右にそれぞれ1.5F程度の工程マージンを有するようになる。即ち、ノード分離されるラインのブリッジ不良を防止するための前記マスクパターン110を形成するとき、1.5Fだけの整列マージンを確保することができる。前記連結部を具備しない従来の犠牲マスクパターンを用いて本願発明のように2つのラインをノード分離する場合には、0.5Fの整列マージンを有する工程によって4Fの幅を有するマスクパターンを形成することによって遂行された。従って、本願発明によってノード分離工程の整列マージンを約3倍だけ向上させる効果を得ることができる。図5及び11を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cを除去する。このとき、前記マスクパターン110によって覆われている第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cは除去されない。前記工程によって残っているスペーサライン106とマスクパターン110とは、前記エッチング対象膜をエッチングするための実質的なエッチングマスクの役割をする。本実施形態においては、ダマシン方式でパターン構造物を形成するので、スペーサライン106の間に露出している前記エッチング対象膜102部位にパターン構造物が形成される。即ち、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cが除去された部位と、前記マスクパターン110で覆われていない第1~第3ギャップ部位108a~108cにパターン構造物が形成される。図6及び図12を参照すると、前記スペーサライン106とマスクパターン110とをエッチングマスクとして用いて前記エッチング対象膜102をエッチングすることによって、開口部112を含むエッチング対象膜パターン102aを形成する。例えば、前記ライン形開口112は前記第1は方向に沿って、連続的に形成される垂直ライン形開口112a及び前記連結部L2に対応して前記第2方向に沿って不連続的に形成される水平形ライン開口112bに形成される。図7及び図13を参照すると、前記開口部112の内部を充填する充填膜図示せずを形成する。この後、前記エッチング対象膜パターン102aの上部面が露出するように前記充填膜を研磨することによって、パターン構造物114を形成する。前記充填膜は導電物質を含んでもよい。即ち、前記充填膜は通常のフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を通じて、エッチングされにくい金属物質を含んでもよい。例えば、前記充填膜は銅で形成されて前記第1~第3ラインは前記第1方向に沿って延在する銅配線を含んでもよい。これとは異なる形態で、前記充填膜は絶縁物質を含んでもよい。前記開口部内に絶縁物質が充填されることによって、素子分離用パターンが形成されてもよい。これとは異なる例としては、前記充填膜を形成せず、前記エッチング対象膜パターンをハードマスクで用いて、下部に形成された膜をエッチングしてもよい。前記工程を遂行して形成されるパターン構造物900は前記第1方向に沿って延在され、ノード分離領域で一部が切断された多数のライン114を有する。前記ライン114はノード分離領域の前記第1領域で分離されて切断部Cを具備する分離ラインの第1ライン114a、前記第1ライン114a両側にそれぞれ1つずつ配置されて前記切断部に向かって突出された突出部L4を具備して第1方向に沿って連続するように延在する連続ラインの第2ライン114b及び前記第2ラインの外郭に配置されて前記第1方向に沿って連続するように延在する連続ラインの第3ライン114cを含む。前記第1ライン114aは半導体素子のノード分離領域の前記第1領域に配置されて前記切断部が配置されて延在方向に沿って互いに切断されるように配置される。即ち、前記第1ライン114aは半導体素子のノード分離ラインとして機能する。前記第2ライン114bは第1ライン114aと同じ方向に延在され、切断部Cがないライン本体L3と前記ライン本体L3から第1ライン114aに向かう方向側に突出する突出パターンL4を含む。前記突出パターンL4は前記第1ライン114aの切断部Cと隣接するように配置される。このとき、前記突出パターンはアライメントマージンを充分にとるために第2犠牲マスクパターン104bに連結ラインL2が具備されることによって形成される。前記第3ライン114cはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。特に、前記第1~第3ライン114a、114b、114cは、全部フォトリソグラフィー工程の最小解像度Fに対応する厚さ及び間隔を有するが、ノード分離ラインを形成するための工程の整列マージンを顕著に向上することによって、微細線幅にもかかわらず、ノード分離ラインのブリッジ不良と同じ工程不良が生じることを防止することができる。また、前記第1ライン114aが切断部Cには分離された形状のダミーパターン116が形成されてもよい。前記ダミーパターン116は前記マスクパターン110と前記分離空間SSの相互位置によって選択的に形成されてもよい。前記説明したように、ダブルパターニング工程を通じてノード分離ラインを含む微細ラインを形成するにあたって、前記ノード分離ラインを形成するためのマスクパターン110のアライメントマージンが1.5Fに増加する。これによって、微細線幅及び間隔を有するラインの一部領域を切断して、ノード分離ラインで形成する場合、前記マスクパターンのミスアライメントによって、ノード分離しなければならないラインが分離されなかったり、分離してはいけないラインが分離されたりするような工程不良を減少させることができる。前記のように、前記マスクパターン110は右側、または、左に1.5Fの整列マージンの範囲内で前記第2犠牲マスクパターン104bの連結部L2と交差するように配置されてもよい。従って、前記マスクパターン110は前記整列マージンの範囲内で多様に配置される。前記マスクパターン110の位置によって前記パターン構造物900のラインは多様な形状を有してもよい。図14~図38を参照して前記パターン構造物900の多様な変形形態及びその形成方法を開示する。図14~図16は、マスクパターンが犠牲マスクパターンの連結部の左側に配置された場合、パターン構造物の第1変形形態を形成する方法を示した平面図である。図14を参照すると、図2及び3を参照で説明した工程を遂行した後、エッチング対象膜102上に前記スペーサライン106を覆うマスク膜図示せずを形成する。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によって前記マスクパターンの左側壁は、前記第1犠牲マスクパターン104aの右側壁と接するようにパターニングすることによって、前記基板100の第1領域にマスクパターン110aを形成する。図15を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cを除去する。前記除去工程は図4を参照して説明したものと同一である。この後、図5~図7を参照で説明したものと同一な工程を遂行することによって、図16に示したようなパターン構造物の第1変形形態910を形成する。図16を参照すると、前記パターン構造物の第1変形形態910は切断部Cを有する分離されたライン形状の第1ライン114aが具備される。前記第1ライン114a両側にそれぞれ1つずつ配置される第2ライン114b及び前記第2ラインの外郭に配置される連続ラインである第3ライン114cを含む。前記第1ライン114aは2つが具備される。前記第1ライン114aのうちの1つは端部で向い合う第1ライン114aの切断部に向って折曲されてベンディング部Bを具備する。前記ベンディング部Bは前記第2方向に沿って延在し、前記突出部L4と平行に配置される。前記第2ライン114bのうち右側に位置するのは第1ライン114aと同じ方向に延在され、切断部Cがないライン本体L3と、前記ライン本体L3から第1ライン114aに向かって突出される突出部L4を含む。また、左側に位置する左側の第2ライン114b2は前記突出部なしで延在される連続ライン形状を有する。前記第3ライン114cは、前記第2領域で同一な間隔Fで離隔されるように配置されて前記第2方向に沿って均一に配置される。図17~図19はマスクパターンが犠牲マスクパターンの連結部の最右側に配置された場合、パターン構造物の第2変形形態を形成する方法を示した平面図である。スペーサライン図17を参照すると、図2及び3を参照で説明した工程を遂行した後、エッチング対象膜102上に前記スペーサライン106を覆うマスク膜図示せずを形成する。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によって前記マスクパターンの左側壁は、前記第2犠牲マスクパターン104aの本体L1の右側壁と接するようにパターニングすることによって、前記基板100の第1領域にマスクパターン110bを形成する。図18を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cを除去する。前記除去工程は図4を参照で説明したものと同一である。この後、図5~図7を参照して説明したものと同じ工程を遂行することによって、図19に示したようなパターン構造物の第2変形形態920を形成する。図19を参照すると、前記パターン構造物の第2変形形態920は切断部Cを有するライン形状の第1ライン114aを含む。前記第1ライン114aの両側にそれぞれ1つずつ配置される第2ライン114b及び前記第2ライン114bの外郭に配置される第3ライン114cを含む。前記第1ライン114aは2つが前記第1領域に配置され、前記切断部Cは一部除去部を有することなく、完全な切断部C1のみ構成される。前記第2ライン114bのうち右側に位置する第2ライン114b2は第1ライン114aと同じ方向に延在され切断部Cがないライン本体L3と、前記ライン本体L3から第1ライン114aに向って突出される突出部L4を含む。左側に位置する左側第2ライン114b1は、前記突出部なしで延在される連続ライン形状を有する。前記第3ライン114cは前記第2領域で同一な間隔Fで離隔されるように配置されて前記第2方向に沿って均一に配置される。特に、前記突出部L4は一定な距離ほど離隔された一対が配置され、前記一対の突出部L4の間に分離された形状のダミーパターン116が形成される。説明したように、前記マスクパターンが前記連結部の左側、または、右側に形成されても、第1領域でブリッジの不良なしに断絶部Cを具備するノード分離ラインを形成してもよい。このとき、前記マスクパターンの位置によって前記パターン構造物の形状は多様に変形されてもよい。図20~22はマスクパターンが連結部の左側に配置される場合、パターン構造物の第3変形形態を形成する方法を示した平面図である。以下で説明するパターン構造物の形成方法は第1~第3犠牲マスクパターンを図2に示したものと左右の対称で配置することを除いては図2~図7を参照して説明したものと同一である。また、前記方法を通じて形成されるパターン構造物は図1に示したパターン構造物と左右対称の形状を有する。図20を参照すると、基板100上にエッチング対象膜を形成し、前記エッチング対象膜上に第1~第3犠牲マスクパターン104a’~104c’を形成する。前記第1犠牲マスクパターン104a’は前記第1領域の左側部に形成されて不連続の部分を有することなく延在されるライン形状に形成される。しかし、前記第2犠牲マスクパターン104b’は前記第2領域の右側部に形成され、前記第1方向に沿って不連続的に形成されて中間に不連続部Dを具備する不連続ライン形状に形成される。例えば、前記第2犠牲マスクパターン104b’は前記第1犠牲マスクパターンと平行するように前記第1方向に沿って延在する犠牲パターン本体L1及び前記犠牲パターン本体L1から前記第2方向に沿って延在する連結部L2を含む。前記犠牲パターン本体L1は前記不連続部によって分離され前記不連続部Dは前記第1ラインの切断部Cに対応して形成される。前記連結部L2は前記第2方向に沿って前記犠牲パターン本体L1の端部と隣接した前記第1犠牲マスクパターン104a’を互いに連結する。従って、前記第1及び第2犠牲マスクパターン104a’、104b’は前記連結部によってお互い連結されてギリシャ文字のπのような形状を形成する。前記第3犠牲マスクパターン104c’は前記第2方向に沿ってライン及びスペースが繰り返された形状を有する。特に、前記第2犠牲マスクパターン104b’の犠牲パターン本体L1と前記第1犠牲マスクパターンとの間の離隔空間は3Fの離隔距離を有するように形成される。前記第2犠牲マスクパターン104b’の犠牲パターン本体L1と前記犠牲パターン本体L1と隣り合う第3犠牲マスクパターン104c’との間の離隔空間は3Fの離隔距離を有するように形成する。また、前記第3犠牲マスクパターン104c’と第1犠牲マスクパターン104a’との間の離隔空間も3Fの離隔距離を有するように形成する。前記第1~第3犠牲マスクパターン104a’~104c’の側壁にスペーサライン106を形成する。前記スペーサライン106はFの幅を有するように形成されて3Fの離隔距離を有する前記離隔空間はFの離隔距離を有するスペーサ空間108に縮小される。前記エッチング対象膜、前記スペーサライン106及び犠牲マスクパターン104a’、104b、104c’上にマスクパターン110を形成する。前記マスクパターン110は2Fの幅を有し、前記第2犠牲マスクパターン104b’と第1犠牲マスクパターン104a’との間に形成される第1スペーサ空間108aまで延在する形状を有してもよい。図3を参照して説明したように、前記マスクパターン110は1.5Fの整列マージンを有し、前記連結部L2と交差するように形成されてもよい。図21を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a’~104c’を除去する。前記除去工程は図4を参照で説明したものと同一である。この後、図5~図7を参照で説明したものと同じ工程を遂行することによって、図22に示したようなパターン構造物を形成する。図22を参照すると、前記パターン構造物は図1に示したパターン構造物と左右対称された形状を有する。図23~26は連結部が具備されていない犠牲マスクパターンを用いてパターン構造物の第4変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は、単一のノード分離ラインを具備するパターン構造物を形成する方法を開示し、各平面図で矢印はノード分離ラインの第1ラインが形成される位置を示す。図23を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板を設ける。前記基板の第1領域は前記切断部を具備する切断ライン及び前記切断ラインの両側に隣り合う連続ラインである第2ラインを形成するための領域である。また、前記基板の第2領域は第1領域以外の残りの領域に連続ラインである多数の第3ラインが一定な間隔で配置される。前記基板上にエッチング対象膜を形成する。前記エッチング対象膜上に犠牲マスク膜を形成する。前記犠牲マスク膜をパターニングすることによって、第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bをそれぞれ形成する。ここで、前記第1犠牲マスクパターン204aは第1領域の基板上に形成され、切断部Cを具備する単一のノード分離ラインseparatedlineである第1ラインを形成するための鋳型moldとして機能する。前記第1ラインと隣り合う連続ラインである第2ラインは前記第1犠牲マスクパターン204aの離隔空間の形状に応じて前記基板の第1領域に形成される。前記第2犠牲マスクパターン204bは第2領域の基板100上に形成され、切断されずに延在される第3ラインを形成するための鋳型として機能する。前記第1犠牲マスクパターン204aは1つの第1ラインと隣り合う第2ラインを形成するために、不連続部Dを具備する不連続ライン形状に形成される。前記第2犠牲マスクパターン204bは、前記第1犠牲マスクパターンと並びに配置され、前記第1方向に沿って連続して延在する多数のライン形状に形成される。従って、前記第2犠牲マスクパターン204bはライン及びスペースが繰り返して配置される形状を有する。形成しようとする前記第1~第3ラインの線幅をFとすると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bの間の間隔は3Fとなる。また、前記第2犠牲マスクパターン204aの間の間隔も3Fとなる。続いて、前記第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bの側壁にスペーサライン206を形成する。このとき、前記スペーサライン206の間にはスペーサ空間208が形成される。このとき、前記スペーサライン206の線幅と前記スペーサ空間208の幅は同一であって、その幅はそれぞれFであってもよい。ここで、前記スペーサ空間208と前記第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bが形成されている部位は前記第1~第3ラインの形成領域となる。本実施形態においては、前記第1犠牲マスクパターン204aが不連続部Dを具備する単一の不連続ライン形状に形成され、前記第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bはライン形状に形成されるので、前記第1及び第2犠牲マスクパターンの間のスペーサ空間208は前記不連続部Dを通じて連結される。即ち、前記不連続部Dに対応する位置に前記第1犠牲マスクパターン204aと隣接した前記スペーサ空間を互いに連結する連結空間connectionspace,CSが形成される。従って、前記第1犠牲マスクパターン204aと隣接した前記スペーサ空間は前記連結空間によって連結されてH字形状を有する。図24を参照すると、前記エッチング対象膜102、スペーサライン106及び犠牲マスクパターン204a、204b上にマスク膜図示せずを形成する。前記マスク膜はスピンコーティングによって形成され得る膜であってもよい。例えば、前記マスク膜はスピンオンハードマスク膜SOH、または、フォトレジスト膜であってもよい。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によってパターニングすることによって前記基板の第1領域にマスクパターン210を形成する。前記マスクパターン210は前記第1方向に沿って延在するライン形状に形成されて前記空間CSの少なくとも一部と交差する。従って、マスクパターン210の端部は前記第1犠牲マスクパターン204aの端部と連結される。前記第1犠牲マスクパターン204aは既に分離されているが、前記第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bの間のスペーサ空間は前記連結空間によって連結されているので、前記マスクパターン210を用いてお互い分離させる。前記マスクパターン210は1Fの幅を有してもよい。従って、前記マスクパターン210が前記第1犠牲マスクパターン204aと正アライメントされている場合、前記第1犠牲マスクパターン204aに対応する単一のラインがノード分離ラインの第1ライン214aに形成される。しかし、前記マスクパターン210が前記第1犠牲マスクパターン204aと正アライメントされなくても前記連結空間CSと交差すれば、ブリッジの不良なしでノード分離ラインを形成できるので、前記マスクパターン210は正アライメント位置から左右に1Fほどの工程誤差を有してもよい。即ち、前記マスクパターン210は左右にそれぞれ1.0Fほどの整列マージンを有して形成されてもよい。図25を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bを除去する。このとき、前記マスクパターン210によって覆われている第1及び第2犠牲マスクパターン204a、204bは除去されない。前記除去工程は図4を参照で説明したものと同一である。この後、図5~図7を参照で説明したものと同じ工程を遂行することによって、図26に示したようなパターン構造物を形成する。前記エッチング対象膜202はライン形状を有する開口、または、トレンチ212を具備するエッチング対象膜パターン202aに形成される。前記ライン形状を有する開口212は第1方向に沿って連続ライン形状を有する第1開口212a及び第2方向に沿って不連続ライン形状を有する第2開口212bを含む。図26を参照すると、前記パターン構造物の第4変更形態940は単一の分離ラインを具備する第1ラインと前記第1ライン214aの両側にそれぞれ1つずつ配置される第2ライン214b及び前記第2ライン214bの外郭に配置される第3ライン214cを含む。前記第1ライン214aは前記第1犠牲マスクパターン204aが形成されていた部位に配置されて前記第2ライン214bは前記第1ラインと隣接したスペーサ空間及び連結空間に対応して配置される。前記第2ライン214bはそれぞれ第1ライン214aと同じ方向に延在され切断部がないライン本体L3と、前記ライン本体L3から第1ライン214aに向かって突出する突出部L4を含む。前記マスクパターン210が正アライメントされた場合には互いに向い合う第2ライン214bが互いに対称的な形状を有する。しかし、前記マスクパターン210が左右1.5Fの範囲内でミスアライメントされた場合には互いに向い合う第2ライン214bの突出パターンL4の幅が互いに異なる。前記第3ライン214cはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記で説明したように、ダブルパターニング工程を通じて単一の分離ラインを有する微細ラインパターン構造物を形成するにあたって、前記単一のノード分離ラインを形成するためのマスクパターン210のアライメントマージンが1.5Fに増加する。従って、前記マスクパターン210のミスアライメントによって前記微細ラインが切断されなかったり、延在されなければならないラインが切断されてしまったりするなどの不良が減少する。図27~30は不連続部が具備されていない犠牲マスクパターンを用いてパターン構造物の第5変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は単一のノード分離ラインを具備するパターン構造物を形成する方法に関するものであって、各平面図で矢印はノード分離ラインである第1ラインが形成される位置を示す。図27を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板100を設ける。前記基板100上にエッチング対象膜222を形成する。前記エッチング対象膜222上に犠牲マスク膜図示せずを形成する。前記犠牲マスク膜をパターニングすることによって、第1~第3犠牲マスクパターン224a、224b、224cをそれぞれ形成する。ここで、前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bは第1領域の基板上に形成され、切断部を具備する1つの第1ライン及び前記第1ラインと隣り合う第2ラインを形成するためである。また、前記第3犠牲マスクパターン224cは第2領域の基板上に形成され、切断部を具備せずに前記第1方向に沿って連続して延在される第3ラインを形成するためである。前記第1犠牲マスクパターン224aは前記第1方向に沿って連続して延在するライン形状に形成される。前記第2犠牲マスクパターン224bは前記第1方向と連続するように延在し、前記第1犠牲マスクパターン224aと平行するように離隔された犠牲パターン本体L1及び前記犠牲パターン本体L1と前記第1犠牲マスクパターン224aを連結する単一の連結部L2を含む。例えば、前記連結部L2は前記犠牲パターン本体L1から前記第1方向と垂直した前記第2方向に沿って延在され、前記第1犠牲マスクパターン224aと連結される単一の水平バーを含む。従って、前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bは英文字Hの形状に結合されて形成される。前記第3犠牲マスクパターン224cはH形状を有する前記第1及び第2犠牲マスクパターン結合体の両側に配置されて前記第1方向に沿って連続して延在する多数のライン形状に形成される。前記多数のラインは一定の幅と間隔を有するように形成されて前記第2方向に沿ってライン及びスペースが繰り返された形状を有する。例えば、前記第1~第3犠牲マスクパターンは全てFの線幅と3Fの間隔を有して配置されてもよい。続いて、前記第1及び第3犠牲マスクパターン224a、224b、224cの側壁にスペーサライン226を形成する。このとき、前記スペーサライン226の間にはスペーサ空間228が形成される。このとき、前記スペーサライン226の線幅と前記スペーサ空間228との幅は同一であってもよく、その幅はそれぞれFであってもよい。本実施形態の場合、前記スペーサ空間は前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bの間に位置する第2スペーサ空間228b及び前記第1及び第3犠牲マスクパターン224a、224cの間に位置する第3スペーサ空間228cを含む。図28を参照すると、前記エッチング対象膜、スペーサライン226及び犠牲マスクパターン224a、224b、224c上にマスク膜図示せずを形成する。前記マスク膜はスピンコーティングによって形成される膜であってもよい。例えば、前記マスク膜はスピンオンハードマスク膜SOH、または、フォトレジスト膜であってもよい。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によってパターニングすることによって前記基板の第1領域にマスクパターン230を形成する。前記マスクパターン230は前記第1方向に沿って延在するライン形状に形成され、前記第2犠牲マスクパターン224bの連結部L2を交差し両端が前記第1スペーサ空間228aと整列されるように配置される。これによって、H形状に互いに連結された前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bは前記マスクパターン230によってそれぞれ分離して前記第1犠牲マスクパターン224aと前記前記第2犠牲マスクパターン224bの犠牲パターン本体L1は互いに分離される。前記マスクパターン230は1Fの幅を有してもよい。従って、前記マスクパターン230が前記第1スペーサ空間228aと正アライメントされるように配置される場合、前記マスクパターン230は前記連結部L2の中央部を交差する。これによって、前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bに対応する第2ライン234bのブリッジの不良を十分に防止することができる。しかし、前記スペーサライン226、前記犠牲パターン本体L1及び前記第1犠牲マスクパターン224aは全部Fの幅を有するため、前記マスクパターン230は正アライメントされたときを基準として左右にある程度のミスアライメントが発生しても前記マスクパターン230と前記連結部L2とが交差するように配置される限り最終的に形成される第1ライン234aはノード分離ライン形状に形成されて第2ライン234bも互いに別個の一対のライン形状に形成されてもよい。従って、前記マスクパターン230は左右1.0Fのアライメントマージンalignmentmarginを有する。図29を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bを除去する。このとき、前記マスクパターン230によって覆われている第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bは除去されない。前記除去工程は図4を参照で説明したものと同一である。この後、図5~図7を参照で説明したものと同じ工程を遂行することによって、図30に示したようなパターン構造物を形成する。前記エッチング対象膜22はライン形状を有する開口、または、トレンチ232を具備するエッチング対象膜パターン222aに形成される。前記ライン形状の開口232は第1方向に沿って連続ライン形状を有する第1開口232a及び第2方向に沿って不連続ライン形状を有する第2開口232bを含む。図30を参照すると、前記パターン構造物の第5変形形態950は第1~第3ライン234a、234b、234cを具備する。前記第1ライン234aは前記断絶部を具備する単一のノード分離ラインを含み、第2ラインは前記第1ラインの両側に配置された一対の連続ラインを含む。前記第3ラインは前記第2ラインの外郭に配置されて前記第1方向に延在される多数の連続ラインを含む。前記パターン構造物の第5変形形態の形状は図26に示した第4変形形態の形状と同一なので、これ以上の詳細な説明は省略する。図31~34は連結部が具備されていない犠牲マスクパターンを用いてパターン構造物の第6変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は3つのノード分離ラインを具備するパターン構造物を形成する方法を開示して、各平面図で矢印は各ノード分離ラインが形成される位置を示す。図31を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板を設ける。前記基板の第1領域は前記切断部を具備する切断ラインである第1ライン254a及び前記切断ライン254aの両側に隣り合う連続ラインである一対の第2ライン254bを形成するための領域である。また、前記基板の第2領域は、第1領域以外の残りの領域に連続ラインである多数の第3ライン254cが一定な間隔で配置される。前記基板上にエッチング対象膜242を形成する。前記エッチング対象膜上に犠牲マスク膜図示せずを形成する。前記犠牲マスク膜をパターニングすることによって、第1及び第2犠牲マスクパターン244a、244bをそれぞれ形成する。前記第1犠牲マスクパターン244aは第1領域の基板上に形成され、切断部Cを具備する3つのノード分離ラインseparatedlineである第1ライン254aを形成するための鋳型moldとして機能する。前記第1ラインと隣り合う連続ラインである第2ライン254bは前記第1犠牲マスクパターン244aの離隔空間の形状に沿って前記基板100の第1領域に形成される。前記第2犠牲マスクパターン244bは第2領域の基板100上に形成され、切断されずに延在される第3ライン254cを形成するための鋳型として機能する。前記第1犠牲マスクパターン244aは3つの第1ライン254a及び第1ライン254aと隣り合う第2ライン254bを形成するために不連続部Dwoを不備する一対の不連続ライン形状に形成される。前記第2犠牲マスクパターン244bは前記第1犠牲マスクパターンと並んで配置され、前記第1方向に沿って連続して延在する多数のライン形状に形成される。従って、前記第2犠牲マスクパターン204bはラインおよびスペースが繰り返して配置される形状を有する。形成しようとする前記第1~第3ラインの線幅をFとすると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン244a、244b間の間隔は3Fとなり、前記第2犠牲マスクパターン244bの間の間隔も3Fとなるように形成する。続いて、前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bの側壁にスペーサライン246を形成する。これによって、前記犠牲マスクパターンの間の離隔空間は前記スペーサライン246の間に提供されるスペーサ空間248に縮小される。特に、前記スペーサライン246は前記スペーサ空間248の幅と同一な線幅を有するように形成される。前記スペーサ空間248と前記第1及び第2犠牲マスクパターン244a、244bが形成されている部位は前記第1~第3ラインの形成領域となる。本実施形態においては、前記第1犠牲マスクパターン204aは一対の不連続部Dを具備する一対の不連続ライン形状に形成され、前記第1及び第2犠牲マスクパターン244a、244bは平行するように互いに離隔されるライン形状に形成されるため、前記スペーサ空間248は前記第1犠牲マスクパターンを構成する一対の不連続ラインの間に形成されるノード分離スペーサ空間248a、前記第1及び第2犠牲マスクパターン248a、248bの間に形成される第1スペーサ空間248b及び前記第2犠牲マスクパターン248bの間に形成される第2スペーサ空間を具備する。特に、前記ノード分離スペーサ空間248a及び前記第1スペーサ空間248bは前記不連続部を通じて連結されることによって、前記不連続部に対応する空間は前記ノード分離スペーサ空間と前記第1スペーサ空間を互いに連結する第1及び第2連結空間CS1、CS2に形成される。従って、前記第1犠牲マスクパターン244aと隣接した前記スペーサ空間は前記第1及び第2連結空間CS1、CS2によって連結されて二重H字の形状を有する。図32を参照すると、前記エッチング対象膜242、スペーサライン246及び犠牲マスクパターン244a、244b上にマスク膜図示せずを形成する。前記マスク膜はスピンコーティングによって形成される膜であってもよい。例えば、前記マスク膜はスピンオンハードマスク膜SOH、または、フォトレジスト膜であってもよい。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によってパターニングすることによって前記基板の第1領域にマスクパターン250を形成する。前記マスクパターン250は前記第1方向に沿って延在するライン形状を有し、前記ノード分離空間248a及び前記第1及び第2連結空間CSの少なくとも一部と交差するように形成される。従って、マスクパターン250の端部は前記第1犠牲マスクパターン244aの端部と連結される。前記第1犠牲マスクパターン244aは前記不連続部Dによって既に分離されているが、前記第1及び第2犠牲マスクパターン244a、244bの間で二重H形状で互いに連結されたスペーサ空間は前記マスクパターン250によって相互分離される。前記マスクパターン250は4Fの幅を有してもよい。従って、マスクパターン250が前記ノード分離スペーサ空間248aと正アライメントされている場合、前記マスクパターン250の左側壁は前記第1犠牲マスクパターン244aの左側の不連続ラインの中心部と整列され、右側部は前記第1犠牲マスクパターン244aの右側不連続ラインの中心部と整列される。しかし、前記第1犠牲マスクパターンは不連続部によって既に分離されているため、前記マスクパターン250が正アライメントされなくても前記ノード分離空間をカバーして前記連結空間を交差できれば、ブリッジの不良なしに3つのノード分離ラインを形成することができる。従って、前記マスクパターン250は正アライメントの位置から左右に1.5F程度の工程誤差を有してもよい。即ち、マスクパターン250は左右にそれぞれ1.5Fほどの整列マージンを有して形成されてもよい。図33を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン244a、244bを除去する。このとき、前記マスクパターン250によって覆われている第1及び第2犠牲マスクパターン244a、244bは除去されない。前記除去工程は図4を参照して説明したものと同一である。この後、図5~図7を参照して説明したものと同じ工程を遂行することによって、図34に示したパターン構造物を形成する。前記エッチング対象膜242はライン形状を有する開口、または、トレンチ252を具備するエッチング対象膜パターン242aに形成される。前記ライン形状を有する開口252は第1方向に沿って連続ライン形状を有する第1開口252a及び第2方向に沿って不連続ライン形状を有する第2開口252bを含む。図34を参照すると、前記パターン構造物の変形形態960は3つの分離ライン254a1、254a2を具備する前記第1ライン254aと前記第1ライン254aの両側にそれぞれ1つずつ配置される第2ライン254b及び前記第2ライン254bの外郭に配置される第3ライン254cを含む。本実施形態において、前記第1ライン254aは完全な除去部C1を具備する中央ライン254a1と一部除去部C2とを具備する一対の周辺ライン254a2を含む。前記中央ラインは前記ノード分離スペーサ空間に対応して配置されて前記周辺ラインは前記第1犠牲マスクパターン244aに対応して配置される。前記第2ライン254bはそれぞれ第1ライン254aと同じ方向に延在され切断部がないライン本体L3と、前記ライン本体L3から第1ライン254aに向かって突出する突出部L4を含む。前記マスクパターン250が正アライメントされた場合には、互いに向い合う第2ライン254bが互いに対称的な形状を有する。しかし、前記マスクパターン250が左右1.5Fの範囲内でミスアライメントされた場合には互いに向い合う第2ライン254bの突出部L4の幅が相異なる。前記第3ライン254cはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記で説明したように、ダブルパターニング工程を通じて単一の分離ラインを有する微細ラインパターン構造物を形成するにあたって、前記単一のノード分離ラインを形成するためのマスクパターン250のアライメントマージンが1.5Fに増加する。従って、前記マスクパターン250のミスアライメントによって前記微細ラインパターンが切断されなかったり、延在されなければならないラインが切断されたりするなどの不良が減少する。図36~38は不連続部が具備されていない犠牲マスクパターンを用いてパターン構造物の第7変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は3つのノード分離ラインを具備するパターン構造物を形成する方法に関し、各平面図で矢印はノード分離ラインの位置を示す。図35を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板100を設ける。前記基板100上にエッチング対象膜262を形成する。前記エッチング対象膜262上に犠牲マスク膜図示せずを形成する。前記犠牲マスク膜をパターニングすることによって、第1犠牲マスクパターン264a、補助犠牲マスクパターンを含む第2犠牲マスクパターン264b、264b1及び第3犠牲マスクパターン264cをそれぞれ形成する。ここで、前記第1及び第2犠牲マスクパターン264a、264bは第1領域の基板上に形成され、切断部を具備する3つの第1ライン及び前記第1ラインと隣り合う第2ラインを形成するためである。また、前記第3犠牲マスクパターン264cは第2領域の基板上に形成され、切断されずに延在される第3ラインを形成するためである。前記第1犠牲マスクパターン264aは前記第1方向に沿って連続して延在するライン形状に形成される。前記第2犠牲マスクパターン264bは一対のパターン本体L1a、L1bと一対の第1及び第2連結部L2a、L2bに形成される。即ち、前記第2犠牲マスクパターン224bは前記第1方向と連続するように延在して前記第1犠牲マスクパターン224aと平行して一定の間隔で離隔された犠牲パターン本体L1a及び補助パターン本体L1bを具備する。前記第1連結部L2aは前記犠牲パターン本体L1aと前記第1犠牲マスクパターン224aを連結して前記第2連結部L2bは前記犠牲パターン本体L1aと前記補助パターン本体L1bマスクパターン224aを連結する。例えば、前記第1及び第2連結部L2a、L2bは前記第1方向と垂直した前記第2方向に沿って延在する単一の水平バーを含む。従って、前記第1及び第2犠牲マスクパターン264a、264bは英文字Hが重なった二重H字形状で形成される。前記第3犠牲マスクパターン264cは二重H形状を有する前記第1及び第2犠牲マスクパターン結合体の両側に配置されて前記第1方向に沿って連続するように延在する多数のラインで形成される。前記多数のラインは一定の幅と間隔を有するように形成されて前記第2方向に沿ってライン及びスペースが繰り返された形状を有する。例えば、前記第1~第3犠牲マスクパターンは全てFの線幅と3Fの間隔を有して配置されてもよい。続いて、前記第1及び第3犠牲マスクパターン264a、264b、264cの側壁にスペーサライン266を形成する。このとき、前記スペーサライン266の間にはスペーサ空間228が形成される。このとき、前記スペーサライン266の線幅と前記スペーサ空間228の幅は同一であって、その幅はそれぞれFであってもよい。本実施形態の場合、前記スペーサ空間は前記第1及び第2犠牲マスクパターン224a、224bの間に位置して補助スペーサ空間268a1を含む第1スペーサ空間228a、前記第2及び第3スペーサライン224b、224cの間に位置する第2スペーサ空間228b及び前記第1及び第3犠牲マスクパターン224a、224cの間に位置する第3スペーサ空間228cを含む。前記補助スペーサ空間268a1は前記犠牲パターン本体L1aと補助パターン本体L1bの間の空間に形成される。図36を参照すると、前記エッチング対象膜、スペーサライン266及び犠牲マスクパターン264a、264b、264c上にマスク膜図示せずを形成する。前記マスク膜はスピンコーティングによって形成され得る膜であってもよい。例えば、前記マスク膜はスピンオンハードマスク膜SOH、または、フォトレジスト膜であってもよい。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によってパターニングすることによって前記基板の第1領域にマスクパターン270を形成する。前記マスクパターン230は前記第1方向に沿って延在するライン形状に形成され、前記第2犠牲マスクパターンの第1及び第2連結部L2a、L2bを交差し、両端が前記犠牲パターンの本体L1aと整列されるように配置される。これによって、二重H形状で互い連結された前記第1及び第2犠牲マスクパターン264a、264bは前記マスクパターン270によって、それぞれ分離されて前記第1犠牲マスクパターン224a、前記第2犠牲マスクパターン224bの犠牲パターン本体L1a及び補助パターン本体L1bはそれぞれ分離される。前記マスクパターン270は4Fの幅を有してもよい。従って、前記マスクパターン270が前記犠牲パターン本体L1aと正アライメントされている場合、前記マスクパターン270の左側部は前記第1スペーサ空間268aの中心部と整列され、右側部は前記補助スペーサ空間268a1の中心部と整列される。しかし、前記第1及び補助スペーサ空間268a、268a1は前記第1及び第2連結部L2a、L2bによって、既に分離されているため、前記マスクパターン270が正アライメントされないとしても犠牲パターン本体をカバーして前記連結部を交差できれば、ブリッジ不良なしに3つのノード分離ラインを形成することができる。従って、前記マスクパターン270は正アライメントの位置から左右に1.5F程度の工程誤差を有してもよい。即ち、マスクパターン270は左右にそれぞれ1.5F程度の整列マージンを有して形成されてもよい。図37を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン264a、264b、264cを除去する。このとき、前記マスクパターン270によって覆われている第1及び第2犠牲マスクパターン264a、264bは除去されない。前記除去工程は図4を参照で説明したものと同一である。この後、図5~図7を参照して説明したものと同じ工程を遂行することによって、図38に示したようなパターン構造物を形成する。前記エッチング対象膜262はライン形状を有する開口、または、トレンチ272を具備するエッチング対象膜パターン262aで形成される。前記ライン形状を有する開口272は第1方向に沿って連続ライン形状を有する第1開口272a及び第2方向に沿って不連続ライン形状を有する第2開口272bを含む。図38を参照すると、前記パターン構造物の第7変形形態970は3つの分離ライン274a1、274a2を具備する第1ライン274aと前記第1ライン274aとの両側にそれぞれ1つずつ配置される第2ライン274b及び前記第2ライン274bの外郭に配置される第3ライン274cらを含む。本実施形態において、前記第1ライン274aは完全な除去部C1を具備する中央ライン274a1と一部除去部C2を具備する一対の周辺ライン274a2を含む。前記中央ラインは前記犠牲パターン本体L1aに対応して配置されて前記周辺ラインは前記第1スペーサ空間268a及び補助スペーサ空間268a1に対応して配置される。前記第2ライン274bはそれぞれ第1ライン274aと同じ方向に延在され切断部がないライン本体L3と、前記ライン本体L3から第1ライン274aに向かって突出する突出部L4を含む。前記マスクパターン270が正アライメントされる場合には互いに向い合う第2ライン274bが互いに対称的な形状を有する。しかし、前記マスクパターン270が左右1.5Fの範囲内でミスアライメントされる場合には互いに向い合う第2ライン274bの突出部L4の幅が相異なる。前記第3ライン274cはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記で説明したことと同じように、ダブルパターニング工程を通じて単一な分離ラインを有する微細ラインパターン構造物を形成するにあたって、前記単一なノード分離ラインを形成するためのマスクパターン270のアライメントマージンが1.5Fで増加する。従って、前記マスクパターン250のミスアライメントによって前記微細ラインパターンが切断されなかったりまたは延びなければならないラインが切断されたりするなどの不良が減少する実施形態2図39~図43は本発明の実施形態2に係るパターン構造物の形成方法を示した平面図である。図44~図50は図43に示したパターン構造物の形成方法を示した断面図である。図44~図50は図40のII‐II’部位を切断したとき見られる断面図である。本実施形態は一対のノード分離を具備するパターン構造物を自己アライメント工程selfalignedprocessによって形成する方法に関するものである。図39及び図44を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板300を設ける。前記基板300の第1領域は不連続の第1ライン及び不連続の第1ラインの両側の隣り合う第2ラインが形成されるための領域である。また、前記基板300の第2領域は第1領域以外の残りの領域でライン及びスペースlineandspaceが繰り返して形成される第3ラインが形成される領域である。前記基板300上にエッチング対象膜302を形成する。前記エッチング対象膜302はシリコン酸化物、または、シリコン窒化物と同じ絶縁膜であってもよい。これとは異なる例としては、前記エッチング対象膜302が別途に形成されず、基板300自体がエッチング対象物であってもよい。前記エッチング対象膜302上にハードマスク膜を形成する。前記ハードマスク膜は前記エッチング対象膜とエッチング選択比が高い物質で形成する。一例として、前記ハードマスク膜はシリコン窒化物、シリコン酸窒化膜、または、ポリシリコンで形成されることができる。本実施形態において、前記ハードマスク膜はシリコン窒化物で形成する。前記ハードマスク膜をパターニングして予備ハードマスクパターン304を形成する。前記予備ハードマスクパターン304はノード分離ラインを形成する位置である前記基板の第1領域に形成される。形成しようとする第1~第3ラインの線幅がFである場合、前記予備ハードマスクパターン304は4Fの幅を有する。図40及び図46を参照すると、前記予備ハードマスクパターン304が形成されたエッチング対象膜302上に犠牲マスク膜図示せずを形成する。前記犠牲マスク膜はスピンオン方式で形成されるハードマスクSOH、または、フォトレジストで形成されることができる。前記犠牲マスク膜をパターニングすることによって、第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bをそれぞれ形成する。ここで、前記第1犠牲マスクパターン306aは第1領域の基板300上に形成され、切断部を具備する第1ライン及び前記第1ラインの両側に配置される第2ラインを形成するためである。また、前記第2犠牲マスクパターン306bは第2領域の基板300上に形成され、切断されずに延在する第3ラインを形成するためである。前記第1犠牲マスクパターン306aは互いに向き合いながら平行の2つの延在ラインL1及び前記延在ラインL1の一部分を水平方向に連結する連結ラインL2を含む。前記第1犠牲マスクパターン306aは前記延在ラインL1及び連結ラインL2がH形状を有する。また、前記延在ラインL1は1Fの線幅を有し、前記延在ラインL1の間の間隔は3Fである。このとき、前記第1犠牲マスクパターン306aが正アライメントされた位置に置かれるためには、前記第1犠牲マスクパターン306aで左側の延在ラインL1が前記予備ハードマスクパターン304の中心部位に置かれる。しかし、前記第1犠牲マスクパターン306aは左右に1.5Fずつのアライメントマージンを有するので、前記アライメントマージン内の範囲で左右にミスアライメントされても不良が発生しない。前記第2犠牲マスクパターン306bはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記第2犠牲マスクパターン306bは1Fの線幅を有し、前記第2犠牲マスクパターン306bの間の間隔は3Fである。図41を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bと前記予備ハードマスクパターン304の表面に沿ってスペーサ膜図示せずを形成する。前記スペーサ膜は前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bと他のエッチング特性を有する物質からなる。例えば、前記スペーサ膜はシリコン酸化物で形成される。前記スペーサ膜は、均一な厚さを有するように形成するためにALDatomiclayerdeposition工程を用いることができる。前記スペーサ膜をエッチバックして前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bの側壁にはそれぞれスペーサライン308を形成する。続いて、前記スペーサライン308の両側に露出する前記予備ハードマスクパターン304をエッチングする。前記エッチング工程を遂行すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bと前記スペーサライン308との下にハードマスクパターン304aが形成される。前記予備ハードマスクパターン304が正位置に位置しなくても、前記スペーサライン308を形成した後に下部の予備ハードマスクパターン304を形成すると、前記スペーサライン308によって自己整列したハードマスクパターン304aを形成してもよい。従って、前記予備ハードマスクパターン304と前記第1犠牲マスクパターン306aとの間の整列マージンを増加させることができる。図42及び図48を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bを除去する。このとき、前記ハードマスクパターン304aは除去されずに残る。前記工程によって残っているスペーサライン308とハードマスクパターン304aとは前記エッチング対象膜をエッチングするための実質的なエッチングマスクの役割をする。本実施形態においては、ダマシン方式でパターン構造物を形成するので、前記エッチング対象膜302が露出している部位にパターン構造物が形成される。図43及び図49を参照すると、前記スペーサライン308とハードマスクパターン304aとをエッチングマスクで用いて前記エッチング対象膜302をエッチングすることによって、開口部310を含むエッチング対象膜パターン302aを形成する。前記エッチング対象膜パターン302aを形成した後、前記スペーサライン308及びハードマスクパターン304aを除去する。図44及び図50を参照すると、前記開口部310の内部を充填する充填膜図示せずを形成する。この後、前記エッチング対象膜パターン302aの上部面が露出するように前記充填膜を平坦化することによってパターン構造物を形成する。前記工程を遂行して形成される前記パターン構造物は切断部Cを有するライン形状の第1ライン312aと、前記第1ライン312aの両側にそれぞれ1つずつ配置される第2ライン313及び前記第2ライン313の外郭に配置される第3ライン312cを含む。前記第1ライン312aは2つが具備される。前記第2ライン313のうち一方は前記第1ライン312aと同じ方向に延在され切断部Cがない延在ラインL3と、前記延在ラインL3から第1ライン312aに向かう方向側に突出する突出パターンL4を含む。また、他方の第2ライン313は突出パターンなしに延在するライン形状を有する。しかし、前記第2ライン313は前記ハードマスクパターン304aのミスアライメントによってその形状が変わる。前記第3ライン312cはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。図51~図54は本発明の第2実施形態に係るパターン構造物の形成方法を示した平面図である。以下で説明するパターン構造物の形成方法は前記ハードマスクパターンの位置が第1犠牲マスクパターンの中心を基準として図39に示したものと左右対称するように配置されることを除いては図39~図44を参照で説明したものと同一である。また、前記方法を通じて形成されるパターン構造物は図50に示したものと左右対称の形状を有する。図51を参照すると、基板上にエッチング対象膜を形成し、前記エッチング対象膜上に予備ハードマスクパターン304’を形成する。前記予備ハードマスクパターン304’は前記エッチング対象膜とエッチング選択比が高い物質で形成する。一例として、前記予備ハードマスクパターン304’はシリコン窒化物、シリコン酸窒化膜、または、ポリシリコンで形成されてもよい。前記予備ハードマスクパターン304’は切断されたラインを形成するための部位に位置して、パッド形状を有する。形成しようとする第1~第3ラインの線幅がFである場合、前記予備ハードマスクパターン304’は4Fの幅を有する。前記予備ハードマスクパターン304’が形成されたエッチング対象膜上に第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bを形成する。前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bは図40に示したものと同じ形状を有する。しかし、図40とは異なり、前記第1犠牲マスクパターン306aが正アライメントされた位置に置かれるためには、前記第1犠牲マスクパターン306aから右側の延在ラインが予備ハードマスクパターン304’の中心部位に置かれる。しかし、前記第1犠牲マスクパターン306aは左右に1.5Fずつのミスアライメントマージンを有するので、前記ミスアライメントマージン内の範囲で左右にミスアライメントされても不良が発生しない。図52を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bの両側壁にスペーサライン308を形成する。続いて、前記スペーサライン308の両側に露出する前記予備ハードマスクパターン304’をエッチングする。前記エッチング工程を遂行すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bと前記スペーサライン308との下にハードマスクパターン304a’が形成される。前記工程は図41を参照で説明したものと同一である。図53を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bを除去する。このとき、前記ハードマスクパターン304a’は除去されずに残る。この後、図42~図44を参照して説明したものと同じ工程を遂行することによって、図54に示したようなパターン構造物を形成する。図54を参照すると、前記パターン構造物は図44に示したパターン構造物と左右対称された形状を有する。図55~58は本発明の第2実施形態に係るパターン構造物の第2変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は不連続ラインが1つのパターン構造物を形成する方法に関するものである。図55を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板を設ける。前記基板上にエッチング対象膜を形成する。前記エッチング対象膜上に予備ハードマスクパターン404を形成する。前記予備ハードマスクパターン404は不連続ラインを形成するための部位に位置して、パッド形状を有する。形成しようとする第1~第3ラインの線幅がFである場合、前記予備ハードマスクパターン404は4Fの幅を有する。前記予備ハードマスクパターン404上に不連続の切れた第1ライン及び前記第1ラインと隣り合う第2ラインを形成するための第1犠牲マスクパターン406aと、切断されずにライン及びスペースが繰り返された第3ラインを形成するための第2犠牲マスクパターン406bを形成する。本実施形態の場合、前記第1及び第2犠牲マスクパターン406a、406bは切断部分なしに延在するライン形状を有する。前記第1及び第2犠牲マスクパターン406a、406bは1Fの線幅を有し3Fの間隔で互いに離隔される。正アライメントされたとき、前記第1犠牲マスクパターン406aは前記予備ハードマスクパターン404の中心部位に位置する。しかし、前記予備ハードマスクパターン404は左右に1.5Fずつのミスアライメントマージンを有するので、前記ミスアライメントマージン内の範囲で左右にミスアライメントされても不良が発生しない。図56を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン406a、406bの側壁にスペーサライン408を形成する。続いて、前記スペーサライン408の両側に露出する前記予備ハードマスクパターン404をエッチングする。前記エッチング工程によって、前記スペーサライン408の下にハードマスクパターン404aが形成される。前記工程は図47で説明したものと同一である。前記予備ハードマスクパターン404が正位置に位置しなくても前記スペーサライン408を形成した後に下部の予備ハードマスクパターンが一部エッチングされるので、前記スペーサライン408によって自己整列したハードマスクパターン404aを形成してもよい。従って、前記予備ハードマスクパターン404と前記第1及び第2犠牲マスクパターン406a、406bとの間のアライメントマージンを増加させる。図57を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン406a、406bは除去される。このとき、前記ハードマスクパターン404aは除去されずに残る。前記工程は図48を参照で説明したものと同一である。続いて、図49及び50を参照で説明した工程を遂行して図58のパターン構造物を形成する。図58を参照すると、前記第1犠牲マスクパターン406aが除去された部位に不連続の第1ライン412aが形成される。前記第1ライン412aの両側には突出した部位なしに延在する第2ライン413が形成される。また、前記第2ライン413の両側にライン及びスペースが反復配置される第3ライン412cが具備される。本実施形態の場合、第2及び第3ライン413、412cが同じ形状を有する。図59~62は本発明の第2実施形態に係るパターン構造物の第2変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は不連続のラインが1つのパターン構造物を形成する方法に関するものである。図59を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板を設ける。前記基板上にエッチング対象膜を形成する。前記エッチング対象膜上に予備ハードマスクパターン424を形成する。前記予備ハードマスクパターン424は不連続のラインを形成するための部位に位置して、パッド形状を有する。形成しようとする第1~第3ラインの線幅がFである場合、前記予備ハードマスクパターン424はFの幅を有する。前記予備ハードマスクパターン424上に不連続の第1ライン及び前記第1ラインと隣り合う第2ラインを形成するための第1犠牲マスクパターン426aを形成する。また、連続したライン及びスペースが繰り返された第3ラインを形成するための第2犠牲マスクパターン426bを形成する。前記第1犠牲マスクパターン426aは図40に示した第1犠牲マスクパターンと同じ形状を有する。即ち、前記第1犠牲マスクパターン426aは互いに向い合う延在ラインL1及び前記延在ラインL1を水平連結する連結ラインL2が具備されて全体的にH字形状を有する。正アライメントされたとき、前記予備ハードマスクパターン424は前記第1犠牲マスクパターン426aの連結ラインL2の中心部位の下に位置し、前記連結ラインL2の底面を横切るように形成しなければならない。しかし、前記第1犠牲マスクパターン426aは左右に1.5Fずつのミスアライメントマージンを有するので、前記ミスアライメントマージン内の範囲で左右にミスアライメントされても不良が発生しない。前記第2犠牲マスクパターン426bはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記第2犠牲マスクパターン426bの線幅はFであって、前記第2犠牲マスクパターン426bの間の間隔は3Fである。図60を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン426a、426bの側壁にスペーサライン428を形成する。続いて、前記スペーサライン428の両側に露出する前記予備ハードマスクパターン424をエッチングする。前記エッチング工程によって、前記スペーサライン428及び第1犠牲マスクパターン426aの下にハードマスクパターン424aが形成される。前記工程は図47で説明したものと同一である。図61を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン426a、426bは除去される。このとき、前記ハードマスクパターン424aは除去されずに残る。前記工程は図48を参照で説明したものと同一である。続いて、49及び50を参照して説明した工程を遂行して図62に示したように第1~第3ライン432a、433、432cを含むパターン構造物を形成する。また、前記パターン構造物の間にはエッチング対象膜パターン422aが具備される。図62を参照すると、前記パターン構造物は図58のパターン構造物と同じ形状を有する。ただし、図62のパターン構造物で第1ライン432aは前記第1犠牲マスクパターン426aの延在ラインの間のギャップ部位に形成されることが図58のパターン構造物と異なる。図63~66は本発明の第2実施形態に係るパターン構造物の第3変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は不連続ラインが3つのパターン構造物を形成する方法に関するものである。図63を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板を設ける。前記基板上にエッチング対象膜を形成する。前記エッチング対象膜上に予備ハードマスクパターン444を形成する。前記予備ハードマスクパターン444は不連続ラインを形成するための部位に位置して、パッド形状を有する。形成しようとする第1~第3ラインの線幅がFである場合、前記予備ハードマスクパターン444は8Fの幅を有する。前記予備ハードマスクパターン444上に不連続の第1ライン及び前記第1ラインと隣り合う第2ラインを形成するための第1犠牲マスクパターン446aと、連続したライン及びスペースが繰り返された第3ラインを形成するための第2犠牲マスクパターン446bを形成する。前記第1犠牲マスクパターン446aは、図40に示した第1犠牲マスクパターンと同じ形状を有する。即ち、前記第1犠牲マスクパターン446aは互いに向い合う延在ラインL1及び前記延在ラインL1を水平連結する連結ラインL2が具備されて全体的にH字形状を有する。このとき、前記延在ラインL1の間の間隔は3Fとなるようにする。正アライメントされたとき、前記予備ハードマスクパターン444は前記第1犠牲マスクパターン446aの連結ラインL2の中心部位の下に位置しなければならない。しかし、前記第1犠牲マスクパターン446aは左右に1.5Fずつのミスアライメントマージンを有するので、前記ミスアライメントマージン内の範囲で左右にミスアライメントされても不良が発生しない。前記第2犠牲マスクパターン446bはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記第2犠牲マスクパターン446bの線幅はFであって、前記第2犠牲マスクパターン446bの間の間隔は3Fである。図64を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン446a、446bの側壁にスペーサライン448を形成する。続いて、前記スペーサライン448の両側に露出する前記予備ハードマスクパターン444をエッチングする。前記エッチング工程によって、前記スペーサライン448及び第1犠牲マスクパターン446aの下にハードマスクパターン444aが形成される。前記工程は図47で説明したものと同一である。図65を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン446a、446bを除去する。このとき、前記ハードマスクパターン444aは除去されずに残る。前記工程は図47を参照で説明したものと同一である。続いて、49及び50を参照で説明した工程を遂行して図66のパターン構造物452a~452cを形成する。図66を参照すると、前記パターン構造物は前記第1犠牲マスクパターン446aが除去された部位及び前記第1犠牲マスクパターン446aの延在ラインL1の間のギャップ部位に不連続の第1ライン452aが形成される。3つの前記第1ライン452aは各端部の位置が相異なってもよく、同一であってもよい。前記第1ライン452aの両側には突出された部位なく延在する第2ライン452bが形成される。また、前記第2ライン452bの両側にライン及びスペースが反復配置される第3ライン452cが具備される。本実施形態の場合、第2及び第3ライン452b、452cが同じ形状を有する。前記パターン構造物の間にはエッチング対象膜パターン442aが具備される。図67~70は本発明の第2実施形態に係るパターン構造物の第4変形形態を形成する方法を示した平面図である。本実施形態は不連続のラインが3つのパターン構造物を形成する方法に関するものである。図67を参照すると、第1領域及び第2領域が区分される基板を設ける。前記基板上にエッチング対象膜を形成する。前記エッチング対象膜上に予備ハードマスクパターン464を形成する。前記予備ハードマスクパターン464は不連続ラインを形成するための部位に位置して、パッド形状を有する。形成しようとする第1~第3ラインの線幅がFである場合、前記予備ハードマスクパターン464は4Fの幅を有する。前記予備ハードマスクパターン464が形成されたエッチング対象膜上に第1及び第2犠牲マスクパターン466a、466bを形成する。前記第1犠牲マスクパターン466aは図36に示した第1犠牲マスクパターンと同じ形状を有する。即ち、前記第1犠牲マスクパターン466aは互いに平行な3つの延在ラインL1及び前記延在ラインL1を水平連結する連結ラインL2が具備されて全体的に2つの付いているH字形状を有する。このとき、前記延在パターンL1の間の間隔は3Fとなるようにする。正アライメントされたとき、前記予備ハードマスクパターン464は前記第1犠牲マスクパターン466aの連結ラインL2の中心部位の下に位置しなければならない。しかし、前記第1犠牲マスクパターン466aは左右に1.5Fずつのミスアライメントマージンを有するので、前記ミスアライメントマージン内の範囲で左右にミスアライメントされても不良が発生しない。前記第2犠牲マスクパターン466bはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記第2犠牲マスクパターン466bの線幅はFであって、前記第2犠牲マスクパターン466bの間の間隔は3Fである。図68を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン466a、466bの側壁にスペーサライン468を形成する。続いて、前記スペーサライン468の両側に露出する前記予備ハードマスクパターン464をエッチングする。前記エッチング工程によって、前記スペーサライン468及び第1犠牲マスクパターン466aの下にハードマスクパターン464aが形成される。前記工程は図47で説明したものと同一である。図69を参照すると、前記第1及び第2犠牲マスクパターン466a、466bを除去する。このとき、前記ハードマスクパターン464aは除去されずに残る。前記工程は図48を参照で説明したものと同一である。続いて、49及び50を参照で説明した工程を遂行して図70のパターン構造物を形成する。前記パターン構造物の間にはエッチング対象膜パターン462aが具備される。図70を参照すると、前記パターン構造物は不連続の3つの第1ライン472aが形成される。前記第1ライン472aは前記第1犠牲マスクパターン466aの延在ラインL1の間のギャップ部位及び前記第1犠牲マスクパターン466aのうち中間に位置する犠牲パターン本体L1部位に位置する。3つの前記第1ライン472aは各端部の位置が相異なってもよく、同一であってもよい。前記第2ライン472bはそれぞれ前記第1ライン472aの延在方向に延在する延在ラインL3と前記延在ラインL3から前記第1ライン472a方向にそれぞれ突出される突出パターンL4を含む。前記ハードマスクパターン464aが正アライメントされた場合には互いに向い合う第2ライン472bが左右対称された形状を有する。しかし、前記ハードマスクパターン464aが左右1.5Fの範囲内でミスアライメントされた場合には互いに向い合う第2ライン472bの突出パターンの幅が相異なる。前記第3ライン472cはライン及びスペースが繰り返された形状を有する。前記説明したように、ライン及びスペースが繰り返されるラインの中間、または、終わりの部分に不連続ラインを含むラインパターン構造物を形成してもよい。以下では、前記ライン及びスペースが繰り返されたラインの中間、または、終わりの部分に不連続ラインを含むラインパターン構造物と、前記ラインより広い線幅を有するぺリフェラルライン、または、パッドを共に形成する方法に沿って説明する。前記ラインパターン構造物を形成する工程は各実施形態のうちいずれの1つの方法と同一に遂行されて、前記ラインパターン構造物を形成するうちにぺリフェラルライン、または、パッドも共に形成されるものである。実施形態3図71~図73は本発明の実施形態3に係るパターン構造物の形成方法を示した平面図である。図74~図76は図73に示したパターン構造物の形成方法を示した断面図である。本実施形態は不連続ラインが2つのパターン構造物を形成する方法に関するものであって、ぺリフェラル領域にぺリフェラルライン、または、パッドを追加的に形成するのを除いては図2~図7を参照して説明したものと同じ工程を通じて形成される。図71及び図74を参照すると、第1領域~第3領域が区分される基板100を設ける。前記基板100の第1領域及び第2領域はセル領域であって、前記第3領域はぺリフェラル領域であってもよい。前記第1領域は不連続ライン及び不連続ラインの両側の隣り合う1つのラインが形成されるための領域である。前記基板100の第2領域は第1領域以外のセル領域でライン及びスペースlineandspaceが繰り返して形成されるための領域である。前記基板100上にエッチング対象膜102を形成する。前記セル領域に位置するエッチング対象膜102上に第1~第3犠牲マスクパターン104a、104b、104cをそれぞれ形成する。前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cの側壁にスペーサラインを形成する。前記工程は図2及び図3を参照して説明したものと同一に遂行する。前記ぺリフェラル領域には犠牲マスクパターンが形成されない。前記エッチング対象膜102上に前記スペーサライン106及び犠牲マスクパターン104a~104cを覆うマスク膜を形成する。前記マスク膜はスピンコーティングによって形成され得る膜であってもよい。前記マスク膜をフォトリソグラフィー工程によってパターニングすることによって前記基板100のセル領域及びぺリフェラル領域にそれぞれ第1及び第2マスクパターン110a、110bを形成する。前記第1マスクパターン110aは不連続第1ライン及び前記第1ラインと隣り合う第2ラインを形成するために提供される。また、前記第2マスクパターンはぺリフェラルライン、または、パッドを形成するために提供される。前記第1マスクパターン110aは図4のマスクパターンと同じ形状を有するように形成する。また、第2マスクパターン110bはぺリフェラルライン、または、パッドが形成される部位を除いた残りの部位に形成する。図72及び75を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cを除去する。このとき、前記第1マスクパターン110aによって覆われている第1~第3犠牲マスクパターン104a~104cは除去されない。また、ぺリフェラル領域に形成されている第2マスクパターン110bは除去されない。続いて、図6及び図7を参照して説明した工程を遂行して図73に示したパターン構造物を形成する。図73及び76を参照すると、前記セル領域には図1に示したパターン構造物114a、114b、114cが形成される。また、前記ぺリフェラル領域には前記第2マスクパターン110bの間のギャップ部位にぺリフェラルライン114d、または、パッド114dが形成される。前記ぺリフェラルライン114dは前記セル領域に形成されるライン114a、114b、114cより広い線幅を有する。本実施形態によると、切断部Cを含む微細ラインだけでなく相対的に非常に広いぺリフェラルライン114d、または、パッド114dを同時に形成してもよい。実施形態11で説明したように、前記第1マスクパターン110aを形成する工程で前記ぺリフェラル領域に第2マスクパターン110bを共に形成することによってぺリフェラルライン114d、または、パッド114dを形成してもよい。前記方法は実施形態2~5にも同一に適用して、それぞれぺリフェラルライン114d、または、パッド114dを形成してもよい。前記方法は、実施形態2~5にも同一に適用して、それぞれペリフェラルライン114d、又は、パッド114dを形成してもよい。図77~図79は本発明の実施形態12に係るパターン構造物の形成方法を示した平面図である。図80~図82は図79に示したパターン構造物の形成方法を示した断面図である。本実施形態は不連続ラインが2つのパターン構造物を形成する方法に関するものであって、ぺリフェラル領域にぺリフェラルライン、または、パッドを追加的に形成するのを除いては図39~図44を参照して説明したものと同じ工程を通じて形成される。図77及び図80を参照すると、第1領域~第3領域が区分される基板300を設ける。前記基板300の第1領域及び第2領域はセル領域であり、前記第3領域はぺリフェラル領域である。前記第1領域は不連続ライン及び不連続ラインの両側の隣り合う1つのラインが形成されるための領域である。前記基板300の第2領域は第1領域以外のセル領域でライン及びスペースlineandspaceが繰り返して形成されるための領域である。前記基板300上にエッチング対象膜302を形成する。前記セル領域及びぺリフェラル領域のエッチング対象膜302上にそれぞれ第1予備ハードマスクパターン図示せず及び第2ハードマスクパターン304bを形成する。前記セル領域に形成される第1予備ハードマスクパターンは図39で説明したものと同一に形成する。また、前記ぺリフェラル領域に形成される第2ハードマスクパターン304bはぺリフェラルライン、または、パッドが形成される部位を除いた残りの部位に形成する。前記第1予備ハードマスクパターン及び第2ハードマスクパターン304bが形成されたエッチング対象膜302上に犠牲マスク膜を形成する。前記犠牲マスク膜をパターニングして、前記セル領域の基板上に第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bを形成する。また、前記ぺリフェラル領域全体を覆う第3犠牲マスクパターン306cを形成する。前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bは図40を参照で説明したものと同じ工程を通じて同じ形状で形成する。前記第1~第3犠牲マスクパターン306a~306cとエッチング対象膜上にスペーサ膜を形成し、これを異方性エッチングする。前記工程を通じて、前記第1及び第2犠牲マスクパターン306a、306bの側壁にスペーサライン308を形成する。また、前記異方性エッチング工程を遂行するとき、前記第3犠牲マスクパターン306c上に形成されたスペーサ膜は全て除去される。続いて、前記スペーサライン308の両側に露出している前記第1予備ハードマスクパターンを除去して第1ハードマスクパターン304aを形成する。図78及び図81を参照すると、前記第1~第3犠牲マスクパターン306a~306cを除去する。従って、前記エッチング対象膜302上にはスペーサライン308及び第1及び第2ハードマスクパターン304a、304bが残る。続いて、図43及び図44を参照して説明した工程を遂行して図79に示したパターン構造物を形成する。図79及び82を参照すると、前記セル領域には図43に示したパターン構造物が形成される。また、前記ぺリフェラル領域には前記第2ハードマスクパターン304bの間のギャップ部位にぺリフェラルライン312d、またはパッド312dが形成される。前記ぺリフェラルライン312dは前記セル領域に形成される第1~第3ライン312a、312b、312cより広い線幅を有する。本実施形態によると、切断部Cを含む微細ラインだけでなく相対的に非常に広い線幅のぺリフェラルライン312d、またはパッド312dを同時に形成してもよい。前記実施形態11で説明したように、前記第1ハードマスクパターンを形成する工程で前記ぺリフェラル領域に第2ハードマスクパターンを形成することによって、ぺリフェラルライン、または、パッドを形成してもよい。前記方法は実施形態7~9にも同一に適用してそれぞれぺリフェラルライン、または、パッドを形成してもよい。前記説明したパターン構造物は半導体素子の配線ライン、または、素子分離膜パターンなどで用いられてもよい。具体的に、前記パターン構造物はフラッシュメモリ素子のビットラインで用いられてもよい。特に、前記不連続の第1ラインはページバッファ部位に延在するビットラインで用いられてもよい。以下では、前記パターン構造物を含むフラッシュメモリ素子の製造方法を説明する。実施形態4図83は本発明の実施形態4に係るフラッシュメモリ素子の回路図である。図84はフラッシュメモリ素子でビットライン端部のレイアウトである。図85~図89は、本発明の実施形態4に係るフラッシュメモリ素子の製造方法を示した断面図である。図83及び図84を参照すると、一実施形態に係る不揮発性メモリ素子はセル領域とぺリフェラル回路領域とを含む基板上に具備される。セル領域では、第1方向に延在する活性領域が具備される。各活性領域にはセルトランジスタが直列連結されたセルストリングが具備される。セルストリング内にはセルトランジスタ、ワードラインWL1~WLn、ビットラインB/L1、B/L2、...、ソース選択ラインSSL、接地選択ラインGSL及び共通ソースラインCSLが具備されてもよい。前記ワードラインWL1~WLnは第1方向に垂直の第2方向に延在する形状を有する。前記それぞれのビットラインB/L1、B/L2、...は電圧制御部400を経て、それぞれのページバッファ402と連結される。前記ビットラインB/L1、B/L2、...はライン及びスペースが繰り返されたパターン形状を有する。前記ビットラインB/L1、B/L2、...は電圧制御部に含まれたそれぞれの高電圧トランジスタ400a、400bと連結される部位で切断された形状を有し、前記高電圧トランジスタ400a、400bの不純物領域と連結されてそれぞれのページバッファと連結される。前記各ビットラインB/L1、B/L2、...は切断部Cが相異なってもよい。前記ぺリフェラル領域には前記ビットラインより広い線幅のぺリフェラルライン図示せずが具備される。図84に示したように、前記ビットラインB/L1、B/L2、...のうち不連続ラインB/L4、B/L5は実施形態1の第1ラインと同じ形状を有する。また、前記ビットラインのうちライン及びスペースが反復されて切断部分なしに延在するラインB/L1~B/L3、B/L6、B/L7は実施形態1の第2ラインと同じ形状を有する。前記ビットライン及びぺリフェラルラインは導電物質からなってもよい。前記ビットライン及びぺリフェラルラインは低抵抗の金属を含んでもよく、一例として、銅を含んでもよい。図85を参照すると、基板500に素子分離工程を遂行して素子分離膜パターン502を形成する。前記素子分離膜パターン502は第1方向に延在するライン形状を有し、繰り返して形成される。前記基板500上にトンネル絶縁膜508、電荷保存膜パターン510及びブロッキング誘電膜512を形成する。トンネル絶縁膜508はシリコン酸化物、シリコン酸窒化物及び/または、金属酸化物などを用いて形成してもよい。前記電荷保存膜パターン510は電荷をトラップ、又は、フローティングさせる。前記電荷保存膜パターン510は、例えば、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、タンタリウム酸化物、ハフニウムアルミニウム酸化物、ハフニウムシリコン酸化物、ランタンハフニウム酸化物、ランタンアルミニウム酸化物、ハフニウム酸窒化物、ジルコニウム酸窒化物、ハフニウムシリコン酸窒化物、ハフニウムアルミニウム酸窒化物などのように電荷に対するトラップ密図trapdensityが高い絶縁物を含んだり、ナノクリスタル、または、量子ドットを含む絶縁物を含んでもよい。また、前記電荷保存膜パターン510はポリシリコンで形成することもできる。前記ブロッキング誘電膜512はアルミニウム酸化物、酸化物/窒化物/酸化物ONO、ランタンハフニウム酸化物、ランタンアルミニウム酸化物、ジスプロシウムスカンジウムなどのような高誘電率物質を含むように形成されてもよい。図86を参照するとセル領域を覆ってぺリフェラル領域を露出する第1マスク膜図示せずを形成する。第1マスク膜によって露出したぺリフェラル領域でブロッキング誘電膜512、電荷保存膜パターン510及びトンネル絶縁膜508を除去する。図87を参照すると、セル領域とぺリフェラル領域との基板500上にゲート絶縁膜520及び第1導電膜522を形成する。この後、セル領域に形成されたゲート絶縁膜520及び第1導電膜522を選択的に除去する。次に、セル領域とぺリフェラル領域に第2導電膜526を形成する。セル領域ではブロッキング誘電膜512上に第2導電膜526が形成され、ぺリフェラル領域では第1導電膜522上に第2導電膜526が形成される。図88を参照すると、前記第2導電膜526上に第2マスクパターン528を形成する。前記第2マスクパターン528は前記第1方向と垂直した第2方向に延在する形状を有してもよい。前記第2マスクパターン528をエッチングマスクで用いてセル領域とぺリフェラル領域に位置する第2導電膜526をパターニングして第2導電膜パターン526aを形成する。前記第2導電膜パターン526aの両側にスペーサ532を形成してもよい。前記ぺリフェラル領域の第2導電膜パターン526aの両側に不純物を注入してソース/ドレイン534を形成してもよい。このように、基板500のセル領域にはトンネル絶縁膜508、電荷保存膜パターン510、ブロッキング誘電膜512及び第2導電膜パターン526aを含む不揮発性メモリ素子の単位セルを形成してもよい。基板100のぺリフェラル領域にはゲート絶縁膜520、第1導電膜パターン522a及び第2導電膜パターン526bを含むゲート構造物を形成してもよい。図89を参照すると、前記ゲート構造物及び単位セルを覆う第1層間絶縁膜536を形成する。また、前記第1層間絶縁膜536を貫通して基板500のアクティブ領域の一部を露出させるコンタクトホールを形成する。前記コンタクトホールの内部に導電物質を詰め込んでコンタクトプラグ図示せずを形成する。前記コンタクトプラグが形成された第1層間絶縁膜536上に第2層間絶縁膜538を形成する。前記第2層間絶縁膜538はエッチング対象膜となる。この後、図71~図73を参照で説明したものと同じ工程を遂行して第1ライン、第2ライン及びぺリフェラルラインを含むパターン構造物540を形成する。このとき、前記第1ライン、第2ライン及びぺリフェラルラインは導電物質で形成する。即ち、前記エッチング対象膜に形成された開口部に充填される物質は導電物質であって、前記充填膜は金属物質を含んでもよい。例えば、前記充填膜は銅を含んでもよい。図90は本発明の実施形態に係る情報処理システムを簡略に示したブロック図である。図90を参照すると、情報処理システム1100は、本発明の実施形態に係るパターン構造物を含むメモリ素子1111を具備することができる。一例として、前記メモリ素子はフラッシュメモリ素子であってもよい。前記メモリ素子及びメモリコントローラはメモリシステムで提供される。情報処理システム1100はメモリシステム1110とそれぞれシステムバス1160に電気的に連結されたモデムMODEM1120、中央処理装置1130、ラムRAM1140、ユーザーインターフェイス1150を含む。前記メモリシステム1110には中央処理装置1130によって処理されたデータ、または、外部から入力されたデータが保存される。ここで、メモリシステム1110が半導体ディスク装置SSDで構成され、この場合情報処理システム1100は大容量のデータをメモリシステム1110に安定的に保存することができる。そして信頼性の増大によって、メモリシステム1110はエラ訂正に必要とされる資源を節減することができ、高速のデータ交換機能を情報処理システム1100に提供する。示していないが、本発明の実施形態に係る情報処理システム1100には応用チップセットApplicationChipset、カメライメージプロセッサCameraImageProcessor:CIS、モバイルディーラムDRAM、または、入出力装置などがさらに提供されてもよい。産業上利用の可能性前記説明したように、本発明によると不連続ラインを含むラインパターン構造物を形成してもよい。前記ラインパターン構造物は半導体素子のビットライン、ワードラインのような信号ラインで用いられてもよい。また、前記ラインパターン構造物は、素子分離膜パターンで用いられてもよい。前記ラインパターン構造物を用いて高集積度を有する半導体素子を製造することができる。"