"基板上に配置され、屈折率の異なる複数の絶縁膜を含み、前記複数の絶縁膜のうち少なくとも一つは同一面上で異なる厚さで形成されたバッファ層と、前記バッファ層の厚い領域に形成された薄膜トランジスタの活性層と、前記バッファ層の薄い領域に形成された画素電極と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記活性層に接続された前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光層を介して、前記画素電極に対向配置される対向電極と、を備える、有機発光ディスプレイ装置。前記複数の絶縁膜のうち異なる厚さで形成された膜は、前記バッファ層に含まれる前記複数の絶縁膜のうちの最上層膜である、請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記バッファ層の最上層膜は、前記最上層下部膜より水素含有量が小さい、請求項2に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記活性層は多結晶シリコンを含み、前記バッファ層の最上層下部膜は、前記多結晶シリコンの欠陥サイトに充填されて前記欠陥を治す、請求項3に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記バッファ層の最上層膜、及び前記最上層下部膜は、それぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンである、請求項3に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記バッファ層の厚い領域の端部と前記活性層のエッチング面の端部との形状が同一である、請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記複数の絶縁膜は、互いに隣接した膜の屈折率が異なる、請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記ゲート絶縁膜は、屈折率の異なる複数の膜を含む、請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記ゲート絶縁膜の複数の膜のうち前記活性層に接触する膜は、前記活性層に接触しない他の膜より水素含有量が小さい、請求項8に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記活性層は多結晶シリコンを含み、前記活性層に接触しない膜は、前記多結晶シリコンの欠陥サイトに充填されて前記欠陥を治す、請求項8に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記ゲート絶縁膜の複数の膜のうち前記活性層に接触する膜及び前記活性層に接触しない膜は、それぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンである、請求項8に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記画素電極は透明電極であり、前記対向電極は反射電極である、請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記活性層と同一層に形成され、かつ前記バッファ層の厚い領域に形成されたキャパシタの下部電極と、前記ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタの上部電極と、をさらに備える、請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記下部電極の端部と前記バッファ層の厚い領域の端部とのエッチング面の形状が同一である、請求項13に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記下部電極は多結晶シリコンを含み、前記ゲート絶縁膜の複数の膜のうち前記下部電極に接触する膜は、前記下部電極に接触しない他の膜より水素含有量が小さい、請求項13に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記下部電極に接触する膜及び前記下部電極に接触しない膜は、それぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンである、請求項15に記載の有機発光ディスプレイ装置。基板上に屈折率の異なる複数の絶縁膜を含むバッファ層を形成し、前記バッファ層上に半導体層を形成した後、前記半導体層をパターニングして活性層を形成し、前記活性層が形成される領域のバッファ層の厚さを、前記活性層が形成されていない領域の厚さより厚く形成し、前記活性層を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上の前記バッファ層の薄い領域に画素電極を形成し、前記ゲート絶縁膜を介して前記活性層上にゲート電極を形成し、層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜に前記活性層及び画素電極の一部が露出されるように開口を形成し、前記活性層に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極及びドレイン電極を覆って、前記画素電極を露出させる開口を持つ画素定義膜を形成する有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記基板上に屈折率の異なる複数の絶縁膜を含むバッファ層を形成する時、前記バッファ層に含まれる前記複数の絶縁膜のうちの最上層の膜を他の膜よりさらに厚く形成する、請求項17に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記バッファ層の最上層膜を厚さが同一面上で異なるように形成する、請求項18に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記活性層を遮蔽マスクとして利用して、前記バッファ層の厚さが異なるようにエッチングする、請求項19に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記活性層の形成時、非晶質シリコンを結晶化する工程が共に伴われる、請求項17に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記ゲート絶縁膜は、屈折率の異なる複数の膜で形成される、請求項17に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記活性層と同一層に前記活性層と同一物質を含むキャパシタ下部電極を同時に形成し、前記ゲート電極と同一層に前記ゲート電極と同一物質を含むキャパシタ上部電極を形成する、請求項17に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記下部電極を遮蔽マスクとして利用して、前記バッファ層の厚さが異なるようにエッチングする、請求項23に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記ソース電極及びドレイン電極の形成時、前記上部電極の一部を除去して前記下部電極にイオン不純物をドーピングする、請求項23に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。本発明は、光特性及び素子特性に優れ、製造工程の単純な有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板上に配置され、屈折率の異なる複数の絶縁膜を含み、前記複数の絶縁膜のうち少なくとも一つは同一面上で異なる厚さで形成されたバッファ層と、前記バッファ層の厚い領域に形成された薄膜トランジスタの活性層と、前記バッファ層の薄い領域に形成された画素電極と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記活性層に接続された前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光層を介して、前記画素電極に対向配置される対向電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置が提供される。前記複数の絶縁膜のうち異なる厚さで形成された膜は、前記バッファ層に含まれる前記複数の絶縁膜のうちの最上層膜であってもよい。前記バッファ層の最上層膜は、前記最上層下部膜より水素含有量が小さくてもよい。前記活性層は多結晶シリコンを含み、前記バッファ層の最上層下部膜は、前記多結晶シリコンの欠陥サイトに充填されて前記欠陥を治してもよい。前記バッファ層の最上層膜、及び前記最上層下部膜は、それぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンであってもよい。前記バッファ層の厚い領域の端部と前記活性層のエッチング面の端部との形状が同一であってもよい。前記複数の絶縁膜は、互いに隣接した膜の屈折率が異なってもよい。前記ゲート絶縁膜は、屈折率の異なる複数の膜を含んでもよい。前記ゲート絶縁膜の複数の膜のうち前記活性層に接触する膜は、前記活性層に接触しない他の膜より水素含有量が小さくてもよい。前記活性層は多結晶シリコンを含み、前記活性層に接触しない膜は、前記多結晶シリコンの欠陥サイトに充填されて前記欠陥を治してもよい。前記ゲート絶縁膜の複数の膜のうち前記活性層に接触する膜及び前記活性層に接触しない膜は、それぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンであってもよい。前記画素電極は透明電極であり、前記対向電極は反射電極であってもよい。前記有機発光ディスプレイ装置は、前記活性層と同一層に形成され、かつ前記バッファ層の厚い領域に形成されたキャパシタの下部電極と、前記ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタの上部電極と、をさらに備えてもよい。前記下部電極の端部と前記バッファ層の厚い領域の端部とのエッチング面の形状が同一であってもよい。前記下部電極は多結晶シリコンを含み、前記ゲート絶縁膜の複数の膜のうち前記下部電極に接触する膜は、前記下部電極に接触しない他の膜より水素含有量が小さくてもよい。前記下部電極に接触する膜及び前記下部電極に接触しない膜は、それぞれ酸化シリコン及び窒化シリコンであってもよい。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板上に屈折率の異なる複数の絶縁膜を含むバッファ層を形成し、前記バッファ層上に半導体層を形成した後、前記半導体層をパターニングして活性層を形成し、前記活性層が形成される領域のバッファ層の厚さを、前記活性層が形成されていない領域の厚さより厚く形成し、前記活性層を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上の前記バッファ層の薄い領域に画素電極を形成し、前記ゲート絶縁膜を介して前記活性層上にゲート電極を形成し、層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜に前記活性層及び画素電極の一部が露出されるように開口を形成し、前記活性層に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極及びドレイン電極を覆って、前記画素電極を露出させる開口を持つ画素定義膜を形成する有機発光ディスプレイ装置の製造方法が提供される。前記基板上に屈折率の異なる複数の絶縁膜を含むバッファ層を形成する時、前記バッファ層に含まれる前記複数の絶縁膜のうちの最上層の膜を他の膜よりさらに厚く形成してもよい。前記バッファ層の最上層膜を厚さが同一面上で異なるように形成してもよい。前記活性層を遮蔽マスクとして利用して、前記バッファ層の厚さが異なるようにエッチングしてもよい。前記活性層の形成時、非晶質シリコンを結晶化する工程が共に伴われてもよい。前記ゲート絶縁膜は、屈折率の異なる複数の膜で形成されてもよい。前記活性層と同一層に前記活性層と同一物質を含むキャパシタ下部電極を同時に形成し、前記ゲート電極と同一層に前記ゲート電極と同一物質を含むキャパシタ上部電極を形成してもよい。前記下部電極を遮蔽マスクとして利用して、前記バッファ層の厚さが異なるようにエッチングしてもよい。前記ソース電極及びドレイン電極の形成時、前記上部電極の一部を除去して前記下部電極にイオン不純物をドーピングしてもよい。以上説明したように本発明によれば、光特性及び素子特性に優れ、製造工程の単純な有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することが可能となる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。先ず、図1~図8を参照して、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置1及びその製造方法を説明する。図1~図8は、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置1の製造過程を概略的に示す断面図で、図9は前記製造方法により形成された有機発光ディスプレイ装置1を概略的に示す断面図である。図1を参照すれば、基板10上に屈折率の異なる複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3を含むバッファ層11及び半導体層12が順次形成される。基板10は、光の透過できる透明材質のガラス材やプラスチック材で形成できる。基板10上には、屈折率の異なる複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3が順次形成されてバッファ層11が形成される。図1には、バッファ層11で3層の膜が形成されたと図示されているが、これは一例示であるだけで、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、基板10上には、屈折率の異なる最小2つ以上の膜が形成されうる。複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3のうち最上層膜11-3の厚さを、最上層下部の膜11-1、11-2の厚さよりさらに厚く形成してもよい。これは後述するが、最上層膜11-3をエッチングして、同一面上で画素領域PXL、トランジスタ領域TFT、及びキャパシタ領域CAPの少なくともいずれかを異なる厚さで形成するためである。このようなバッファ層11は、全体的に基板10からの不純元素の侵入を防止し、基板10の表面を平坦化する。また、バッファ層11は、屈折率の異なる複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3で形成されることで、発光層118図9参照から放出された光が基板10を透過する時、共振効果を極大化する絶縁ブラッグ反射DielectricBraggReflector:DBRの役割を行うことで、色再現率を向上させることができる。この時、複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3はいずれも屈折率が異なる必要はなく、隣接した絶縁膜同士の屈折率が相異なることで十分である。また、バッファ層11は、半導体層12がパターニングされて形成される薄膜トランジスタの活性層212図3参照の電気的特性に関連する。これについては後述する。前記のような役割を行うために、バッファ層11を形成する複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3は多様な物質で形成できる。一例として、前記バッファ層11は酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどで形成できる。バッファ層11上に半導体層12を形成する。バッファ層11及び半導体層12は、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeosition法、APCVDAtmosphericPressureCVD法、LPCVDLowPressureCVD法など多様な蒸着方法により蒸着できる。半導体層12は、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンでありうる。この時、多結晶シリコンは、非晶質シリコンを結晶化して形成されることもある。非晶質シリコンを結晶化する方法は、RTARapidThermalAnnealing法、SPCSolidPhaseCrystallization法、ELAExcimerLaserAnnealing法、MICMetalInducedCrystallization法、MILCMetalInducedLateralCrystallization法、SLSSequentialLateralSolidification法などの多様な方法により結晶化できる。図2を参照すれば、半導体層12上にフォトレジスタPを塗布し、光遮断部M11及び光透過部M12を備える第1フォトマスクM1を利用した第1マスク工程を実施する。前記図面には詳細に図示されていないが、露光装置図示せずで第1フォトマスクM1に露光後、現像及びエッチング工程を経る。図3を参照すれば、第1フォトマスク工程の結果で半導体層12はエッチングされて、薄膜トランジスタの活性層212、及びキャパシタの下部電極312にパターニングされる。この時、活性層212及び下部電極312上に残存するフォトレジスタP’と、前記活性層212及び下部電極312とを遮蔽マスクとして、バッファ層11の最上層膜11-3の厚さを異ならせてエッチングする。すなわち、活性層212に直接接触したバッファ層11の最上層膜11-3と、下部電極312に直接接触したバッファ層11の最上層膜11-3との厚さd2を、画素領域PXLの最上層膜11-3の厚さd1より厚く形成する。一方、活性層212を形成する半導体層が多結晶シリコンである場合、高解像度のディスプレイ具現が可能である。これは、多結晶シリコンが非晶質シリコンよりキャリア移動度が高いからである。しかし、多結晶シリコンは、結晶粒界にダングリングボンドdanglingbondなどの不完全な欠陥があり、この欠陥は薄膜トランジスタのしきい電圧Vthなどの素子の電気的特性を低下させる。かかる欠陥は、活性層の欠陥サイトに水素が提供されることで治り得る。前記のような問題を解決するために、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置1では、活性層212と下部電極312との下部に位置するバッファ層11を形成する複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3のうち少なくとも一つの膜に、水素含有量の高い絶縁膜が提供される。しかし、水素含有量の高い絶縁膜は、活性層212及び下部電極312と直接接触する膜には形成されていない。本実施形態では、バッファ層11の最上層膜11-3よりその下部膜11-2の水素含有量が大きい。例えば、最上層膜11-3は酸化シリコンで形成され、下部膜11-2は窒化シリコンで形成される。窒化シリコンのように水素含有量の高い物質は、多結晶シリコンの欠陥サイトを治してしきい電圧を低めることができるが、一方、不純物が多くて多孔性であるため、活性層212に直接接触する場合にしきい電圧の安定性に悪影響をおよぼす恐れがある。したがって、窒化シリコンと活性層212との間に保護膜が必要であり、保護膜として、窒化シリコンより水素含有量の少ない酸化シリコンを使用できる。このような保護膜は適切な厚さに形成されねばならず、少なくとも1000以上の厚さに形成されて初めて保護膜としての役割を行える。実験例として、同一条件でバッファ層11の最上層膜11-3を、厚さがそれぞれ700Å及び3000Åの酸化シリコンで形成し、その下部に窒化シリコンを形成してしきい電圧の変化量を測定した時、酸化シリコンの厚さが厚い側が薄い側よりしきい電圧の変化量が2倍ほど低減し、これにより素子特性が安定することが分かった。前述したように本実施形態では、酸化シリコンを含むバッファ層11の最上層膜11-3の厚さを、トランジスタ領域TFTとキャパシタ領域CAPとでは厚く形成し、DBRの役割が必要な画素領域PXLでは最上層膜11-3の厚さを薄く形成することで、ディスプレイ装置の色再現率問題と素子の電気的特性問題とを一挙に解決できる。前記の通りに最上層膜11-3の厚さを、活性層212と下部電極312とを遮蔽マスクとして利用してエッチングするため、最上層膜11-3をエッチングするのに別途のマスク工程が加わらない。また、最上層膜11-3と活性層212、及び最上層膜11-3と下部電極312とのエッチング面の端部形状が同一に形成される。バッファ層11に対するエッチング工程後、活性層212及び下部電極312上に残存するフォトレジスタP’は、ストリッピングまたはアッシングなどの一連の工程により除去される。一方、本実施形態では、バッファ層11の最上層膜11-3をエッチングして厚さを調節したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、必要に応じて最上層膜11-3ではない膜をエッチングしてバッファ層11の厚さを調節できる。ただし、この場合、活性層212と下部電極312との形成前にバッファ層11をエッチングせねばならないので、別途のマスク工程が加わりうる。図4は、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置1の第2マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図4を参照すれば、図3の第1マスク工程の結果物上にゲート絶縁膜13が積層され、ゲート絶縁膜13上に透明導電物及び金属を含む層図示せずが順に積層された後、透明導電物及び金属を含む層が同時にパターニングされる。パターニング結果、ゲート絶縁膜13上の画素領域PXLには、透明導電物を含む第1画素電極114及び金属を含む第2画素電極115が順次形成される。すなわち、バッファ層11の最上層膜11-3の厚さの薄い領域に第1及び第2画素電極114、115が形成される。また、トランジスタ領域TFTには、透明導電物を含む第1ゲート電極214及び金属を含む第2ゲート電極215が順次形成され、キャパシタ領域CAPには、透明導電物を含むキャパシタの第1上部電極314及び金属を含む第2上部電極315が同時に形成される。ゲート絶縁膜13は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選択された一つ以上の物質を含むことができ、ゲート絶縁膜13はキャパシタの誘電膜の役割を行う。第1画素電極114、第1ゲート電極214及びキャパシタの第1上部電極314は同じ透明導電物で形成される。透明導電物としては、酸化インジウムスズindiumtinoxide:ITO、酸化インジウム亜鉛indiumzincoxide:IZO、酸化亜鉛zincoxide:ZnO、酸化インジウムindiumoxide:In2O3、酸化インジウムガリウムindiumgaliumoxide:IGO、及び酸化アルミニウム亜鉛aluminiumzincoxide:AZOを含むグループから選択された少なくとも一つ以上を含むことができる。第2画素電極115、第2ゲート電極215、及び第2上部電極315は同じ金属材料で形成され、前記透明導電物とエッチング率の異なる金属として、アルミニウムAl、白金Pt、パラジウムPd、銀Ag、マグネシウムMg、金Au、ニッケルNi、ネオジムNd、イリジウムIr、クロームCr、ニッケルLi、カルシウムCa、モリブデンMo、チタンTi、タングステンW、銅Cuから選択された一つ以上の金属で単層または複数層で形成されうる。前記のような構造物上にイオン不純物がドーピングされる。イオン不純物としては、BまたはPイオンをドーピングできるが、1×1015atoms/cm2以上の濃度で薄膜トランジスタの活性層212をターゲットとしてドーピングD1する。この時、第1及び第2ゲート電極214、215をセルフアラインマスクとして使用して、活性層212にイオン不純物をドーピングすることで、活性層212は、イオン不純物がドーピングされたソース及びドレイン領域212a、212bと、その間にチャンネル領域212cを備えるようになる。すなわち、第1及び第2ゲート電極214、215をセルフアラインマスクとして使用することで、別途のフォトマスクを追加せずにソース及びドレイン領域212a、212bを形成できる。図5は、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置1の第3マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図5を参照すれば、図4の第2マスク工程の結果物上に層間絶縁膜16が積層され、層間絶縁膜16をパターニングして第1及び第2画素電極114、115を露出させる第1及び第2コンタクトホールC1、C2、活性層212のソース領域212a及びドレイン領域212bの一部を露出させる第3及び第4コンタクトホールC3、C4、キャパシタの第1及び第2上部電極314、315を露出させる第5コンタクトホールC5が形成される。図6及び図7は、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置1の第4マスク工程を概略的に示す断面図である。図6を参照すれば、図5の第3マスク工程の結果物上にソース及びドレイン電極の材料になる金属層17を形成し、金属層17上にフォトレジスタPを順次形成する。そして、光遮断部M41及び光透過部M42を備える第4フォトマスクM4を利用した第4マスク工程を行う。図7を参照すれば、層間絶縁膜16上にソース及びドレイン電極217a、217bが形成される。ソース及びドレイン電極217a、217bを形成する金属は、アルミニウムAl、白金Pt、パラジウムPd、銀Ag、マグネシウムMg、金Au、ニッケルNi、ネオジムNd、イリジウムIr、クロームCr、ニッケルLi、カルシウムCa、モリブデンMo、チタンTi、タングステンW、銅Cuから選択された一つ以上の金属で単層または複数層で形成されうる。ソース及びドレイン電極217a、217bの形成時、第2画素電極115と第2上部電極315とが共にエッチングされる。この時、ソース及びドレイン電極217a、217bを形成する金属と、第2画素電極115及び第2上部電極315を形成する金属とが同一材料である場合には、同じエッチング液を利用した一回のエッチング工程でソース及びドレイン電極217a、217bをパターニングできる。もし、ソース及びドレイン電極217a、217bを形成する金属と、第2画素電極115及び第2上部電極315を形成する金属とが相異なる材料である場合には、1次エッチング液でソース及びドレイン電極217a、217bを形成する金属をエッチングしてドレイン電極217a、217bパターンを形成し、2次エッチング液で第2画素電極115及び第2上部電極315を除去する。前述したエッチング工程後、キャパシタ下部電極312をターゲットとしてイオン不純物がドーピングされる。キャパシタは、ドーピング前には、MOSMetalOxideSemiconductorCAP構造であるが、ドーピング後には、MOSCAP構造より静電容量の大きいMIMMetal-Insulator-MetalCAP構造を形成するため、静電容量を極大化させることができる。したがって、MIMCAP構造はMOSCAP構造より小さな面積でも同じ静電容量を具現できるので、キャパシタの面積を縮められるマージンが高くなる分、第1画素電極114を大きく形成して開口率を高めることができる。図8は、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置1の第5マスク工程の結果を概略的に示す断面図である。図8を参照すれば、図7の第4マスク工程の結果物上に絶縁層18が積層され、絶縁層18をパターニングして第1画素電極114の上部を露出させる開口C6が形成される。前記開口C4は発光領域を定義する役割以外に、第1画素電極114のエッジと対向電極119図9参照との間隔を広げて、第1画素電極114のエッジに電界が集中する現象を防止することで、第1画素電極114と対向電極119との短絡を防止する役割を行う。図9は、前記製造方法により形成された有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。図9を参照すれば、第1画素電極114上に発光層118が形成される。発光層118は、低分子有機物または高分子有機物でありうる。発光層118が低分子有機物である場合、発光層118を中心にホール輸送層holetransportlayer:HTL、ホール注入層holeinjectionlayer:HIL、電子輸送層electrontransportlayer:ETL及び電子注入層electroninjectionlayer:EILなどが積層されうる。それ以外にも必要に応じて多様な層が積層できる。この時、使用可能な有機材料として銅フタロシアニンCuPc:copperphthalocyanine、N’-ジナフタレン-1-イル-N、N ́-ジフェニル-ベンジジンNPB、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3などをはじめとして多様に適用できる。一方、発光層118が高分子有機物である場合、発光層118以外にホール輸送層HTLが含まれうる。ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェンPEDOT:poly-2,4-ethylene-dihydroxythiopheneや、ポリアニリンPANIなどを使用できる。この時、使用可能な有機材料として、PPVPoly-Phenylenevinylene系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を使用できる。発光層118上には、共通電極として対向電極119が蒸着される。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置1の場合、第1画素電極114はアノードとして使われ、対向電極119はカソードとして使われる。もちろん電極の極性は逆に適用してもよい。対向電極119は、反射物質を含む反射電極で構成できる。この時、前記対向電極119は、Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca、及びLiF/Alから選択された一つ以上の物質を含むことができる。対向電極119が反射電極で備えられることで、発光層118から放出された光は対向電極119に反射されて、透明導電物で構成された第1画素電極114を透過して基板10側に放出される。この時、前述したように、第1画素電極114の下部に形成された、屈折率の異なる複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3を備えるバッファ層11は、DBRの役割を行うことで共振構造を形成する。一方、共振効果を極大化するためにDBRの役割を行う複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3のそれぞれの厚さは、最大700Åを超えないことが良い。しかし、前述したように、多結晶シリコンで形成された活性層212及び下部電極312の素子特性を向上させるために、水素含有量の高い窒化シリコンが活性層212及び下部電極312と直接接触しない膜11-2に形成され、これに対する保護膜として、トランジスタ領域TFTとキャパシタ領域CAPとで活性層212及び下部電極312に直接接触する最上層膜11-3に、水素含有量の少ない酸化シリコンを少なくとも1000Å以上厚く形成せねばならない。したがって、本実施形態のように、画素領域PXLとトランジスタ領域TFT及びキャパシタ領域CAPの厚さを異ならせて形成することで、バッファ層11は、ディスプレイ装置のDBRの役割及び保護層の役割を行える。これにより、ディスプレイ装置の色再現率問題と素子の電気的特性問題とを一気に解決できる。図10は、本発明の他の実施形態による有機発光ディスプレイ装置2を概略的に示す断面図である。以下、前述した実施形態との差異点を中心に説明する。図10を参照すれば、基板10上に複数の絶縁膜11-1、11-2、11-3を含むバッファ層11が形成され、バッファ層11の最上層膜11-3の厚さは、トランジスタ領域TFT及びキャパシタ領域CAPでは厚くて、画素領域PXLでは薄く形成される。画素領域PXLでは少なくとも700以下の厚さに形成されることが望ましく、トランジスタ領域TFT及びキャパシタ領域CAPでは少なくとも1000以上の厚さに形成されることが望ましい。バッファ層の最上層膜11-3上に活性層312とキャパシタ下部電極312とが形成され、これを覆うように複数の膜13-1、13-2を含むゲート絶縁膜13が形成される。本実施形態でゲート絶縁膜13は、屈折率の異なる複数の膜13-1、13-2を含む。これにより、第1画素電極114の下部に屈折率の異なる複数の膜13-1、13-2を含むゲート絶縁膜13、及び屈折率の異なる複数の膜11-1、11-2、11-3を含むバッファ層11が共に備えられることで、共振構造のDBRの役割が加えられて色再現率をさらに向上させることができる。一方、前記図面には、ゲート絶縁膜13で2層の膜が形成されたと図示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。しかし、ゲート絶縁膜13の厚さがあまりにも厚い場合にチャンネルを形成し難く、ゲート絶縁膜13はキャパシタの誘電膜の役割を行うため、ゲート絶縁膜13の厚さがあまりにも厚くなれば静電容量が低減しうるので、ゲート絶縁膜13の全体厚さはあまりにも厚く形成しないことが望ましい。本実施形態でゲート絶縁膜13のうち活性層212に接触する膜13-1は、前記活性層212に接触しない膜13-2より水素含有量が少なく形成する。例えば、活性層212に直接接触する膜13-1は酸化シリコンで、活性層212に直接接触しない膜13-2は窒化シリコンで形成することで、窒化シリコンは多結晶シリコンで形成された活性層212の欠陥を治し、酸化シリコンは窒化シリコンに対する保護膜の役割を行える。以上説明したように本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、画素電極及び活性層下部のバッファ層の厚さを画素領域とトランジスタ領域別に異なって形成することで、共振効果による色再現率及び結晶粒界の欠陥治癒による素子特性を向上させることできる。また、活性層パターンのためのマスク工程で、別途のマスク工程の追加なしにバッファ層をエッチングすることで製造工程を単純化させることができる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。"