基板と、前記基板上に設けられ湿度に応じて静電容量が変化するセンサ部とを有する湿度検出センサであって、前記センサ部は、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極と対向して設けられた上部電極と、前記下部電極と前記上部電極の間に少なくとも形成され湿度に応じて誘電率が変化する感湿膜と、前記上部電極を覆うように設けられた保護膜と、を具備し、前記上部電極及び前記保護膜は、前記感湿膜が部分的に外界に露出する開口部を有し、前記開口部において、前記感湿膜は、少なくとも前記保護膜の下面の位置より高い位置まで設けられていることを特徴とする湿度検出センサ。前記感湿膜が前記開口部を充填し且つ前記保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の湿度検出センサ。前記上部電極に形成される開口部が前記保護膜に形成される開口部より大きく、且つ前記保護膜が前記上部電極の側面を被覆し一部が前記感湿膜と接して設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の湿度検出センサ。前記感湿膜がポリイミド、セルロース、PVAのいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の湿度検出センサ。前記基板上に設けられ、前記センサ部に設けられた前記感湿膜と同じ材料で形成された感湿膜を一対の電極で挟持してなり、湿度にかかわらず静電容量が変化しない基準部をさらに有し、前記センサ部と前記基準部との間の容量差分を電圧に変換して出力することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の湿度検出センサ。基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に湿度に応じて誘電率が変化する第1の感湿膜を形成する工程と、前記第1の感湿膜上に前記下部電極と対向する上部電極を形成する工程と、前記上部電極に前記第1の感湿膜を露出させる第1の開口部を形成する工程と、前記上部電極上及び前記第1の感湿膜の露出部に保護膜を形成する工程と、前記保護膜に前記第1の感湿膜を露出させる第2の開口部を形成する工程と、前記第2の開口部において、少なくとも前記保護膜の下面と前記第1の感湿膜の上面が接する界面の位置より高い位置まで第2の感湿膜を形成する工程と、を有することを特徴とする湿度検出センサの製造方法。前記第2の感湿膜を前記保護膜上にまで形成することを特徴とする請求項6に記載の湿度検出センサの製造方法。前記第1の感湿膜と前記第2の感湿膜の材料を同一とすることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の湿度検出センサの製造方法。前記第2の開口部を前記第1の開口部より小さく形成することを特徴とする請求項6から請求項8のいずれかに記載の湿度検出センサの製造方法。特許文献1に開示されているように湿度検出センサの構造としては、同一平面上に対向する一対の櫛歯状電極を設け、当該一対の櫛歯状電極上に感湿膜を設ける構造、又は、基板上に形成された下部電極と当該下部電極上に対向して設けられた上部電極上下電極の間に感湿膜を設ける構造がある。上下電極の間に感湿膜を設ける構造は、下部電極、感湿膜及び上下電極を順に積層して形成するため、同一平面上に設けられた櫛歯状電極に感湿膜を設ける場合と比較して、感湿膜の膜厚や平坦性の制御を容易に行うことができる。一方で、感湿膜を上下電極ではさむ平行平板構造とする場合には、上部電極が外部にさらされた構造となり、水分等により上部電極が腐食する等の耐湿性の問題が生じる。この解決法としてセンサ部の上部電極に保護膜を形成する方法が考えられる。しかし、特許文献1に記載されているように、上下電極の間に感湿膜を設ける平行平板構造において、上部電極を部分的に除去して感湿膜を部分的に露出させ水分子を円滑に感湿膜に供給する構成とする場合、保護膜を全面に形成すると外界の水分子を円滑に感湿膜に供給できなくなる。一方、保護膜を選択的に上部電極上だけに形成する方法が考えられるが、この場合には、露出した上部電極の側面から腐食する問題が考えられる。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、感湿膜を下部電極と上部電極で挟持する構造を有する湿度検出センサにおいて、外界の水分子を円滑に感湿膜に供給すると共に上部電極の耐湿性を向上させることを目的の一とする。本発明の湿度検出センサは、基板と、基板上に設けられ湿度に応じて静電容量が変化するセンサ部とを有する湿度検出センサであって、センサ部は、基板上に設けられた下部電極と、下部電極と対向して設けられた上部電極と、下部電極と上部電極の間に少なくとも形成され湿度に応じて誘電率が変化する感湿膜と、上部電極を覆うように設けられた保護膜とを具備し、上部電極及び保護膜は、感湿膜が部分的に外界に露出する開口部を有し、開口部において、感湿膜は、少なくとも保護膜の下面の位置より高い位置まで設けられていることを特徴とする。この構成によれば、上部電極を覆うように保護膜を設け且つ感湿膜を部分的に露出させる開口部を設ける場合であっても、保護膜の下面と感湿膜が接する界面が外界に露出しない構成とすることができるため、界面から水分子や腐食成分が浸入することを抑制し、上部電極の耐湿性を効果的に向上することができる。本発明の湿度検出センサにおいて、感湿膜が開口部を充填し且つ保護膜上に形成されていることが好ましい。本発明の湿度検出センサにおいて、上部電極に形成される開口部が保護膜に形成される開口部より大きく、且つ保護膜が上部電極の側面を被覆し一部が感湿膜と接して設けられていることが好ましい。本発明の湿度検出センサにおいて、感湿膜がポリイミド、セルロース、PVAポリビニルアルコールのいずれかであることが好ましい。本発明の湿度検出センサにおいて、基板上に設けられ、センサ部に設けられた感湿膜と同じ材料で形成された感湿膜を一対の電極で挟持してなり、湿度にかかわらず静電容量が変化しない基準部をさらに有し、センサ部と基準部との間の容量差分を電圧に変換して出力することが好ましい。本発明の湿度検出センサの製造方法は、基板上に下部電極を形成する工程と、下部電極上に湿度に応じて誘電率が変化する第1の感湿膜を形成する工程と、第1の感湿膜上に下部電極と対向する上部電極を形成する工程と、上部電極に第1の感湿膜を露出させる第1の開口部を形成する工程と、上部電極上及び第1の感湿膜の露出部に保護膜を形成する工程と、保護膜に第1の感湿膜を露出させる第2の開口部を形成する工程と、第2の開口部において、少なくとも保護膜の下面と第1の感湿膜の上面が接する界面の位置より高い位置まで第2の感湿膜を形成する工程とを有することを特徴とする。本発明の湿度検出センサの製造方法において、第2の感湿膜を保護膜上にまで形成することが好ましい。本発明の湿度検出センサの製造方法において、第1の感湿膜と第2の感湿膜の材料を同一とすることが好ましい。本発明の湿度検出センサの製造方法において、第2の開口部を第1の開口部より小さく形成することが好ましい。本発明の湿度検出センサの一態様によれば、感湿膜を上下電極で狭持する平行平板構造において、上部電極を覆うように保護膜を設け且つ感湿膜を部分的に露出させる開口部を設けると共に、開口部において、感湿膜を少なくとも保護膜の下面より高い位置まで設けることにより、当該保護膜の下面と感湿膜が接する界面から水分子や腐食成分が浸入することを抑制することができる。これにより、外界の水分子を円滑に感湿膜に供給すると共に上部電極の耐湿性を効果的に向上することが可能となる。本発明者らは、湿度検出センサのセンサ部を、上下電極で感湿膜を挟持する平行平板構造とする際に、上部電極上に外界との水分授受を遮断する保護膜を設ける構造に着目した。上下電極で感湿膜を挟持する構成とする場合、水分子を円滑に感湿膜の内部に通過できる構成とするため、感湿膜上に形成された電極及び保護膜を部分的に除去しセンサ部の感湿膜を外界に露出させる必要がある。この方法としては、感湿膜上に開口部を有する上部電極を形成した後に上部電極を覆う保護膜を形成し、当該保護膜をミリング加工などのドライエッチング法で部分的に除去する方法が考えられる。これにより、上部電極53上に保護膜54を設けると共に、下部電極51と上部電極53に挟持された感湿膜52を開口部55において部分的に露出させた構造を得ることができる図6参照。また、本発明者らは、この方法において、保護膜54に形成する開口部55を上部電極53に形成する開口部より小さくすることにより、上部電極53の端部を保護膜54で被覆することができ、上部電極53の耐湿性を向上させることができることを見出した。また、本発明者らがさらに検討を行ったところ、感湿膜52が露出する開口部55において、感湿膜52と保護膜54の密着性や、上部電極53の側面から開口部55までの距離によっては、感湿膜52と保護膜54の界面から水分子や腐食成分が浸入し、上部電極53が腐食するおそれがあることを見出した。そこで、本発明者らは上部電極の耐湿性のさらなる向上について検討した結果、下部電極と上部電極で感湿膜を挟持する構造を有するセンサ部において、外界の水分子を円滑に感湿膜に供給すると共に、より効果的に上部電極の耐湿性を向上できる湿度検出センサを着想した。以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図3は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサの一構成例を示すブロック図である。図3に示す湿度検出センサは、基板10上に、湿度によって静電容量C20が変化するセンサ部20と、湿度によらず一定の静電容量C30を保持する基準部30と、このセンサ部20と基準部30とに電気的に接続し、該センサ部20と基準部30との間の容量差分ΔC=C20-C30を電圧に変換して外部回路に出力する回路部40とを有している。回路部40には、外部回路との接続用パッド40aが設けられている。パッド40aを介して湿度検出センサに接続された外部回路において、湿度検出センサの出力容量差分ΔCに対応する電圧から湿度変化相対湿度を検出する。図1は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサのセンサ部20の構成を示す図である。図1において、図1aはセンサ部20の平面模式図を示し、図1bは図1aにおけるA-A間の断面模式図を示している。また、図1aにおいては、基板10と保護膜24を省略している。センサ部20は、基板10上に下部電極21、感湿膜22、上部電極23及び保護膜24が積層された構造を有し、上部電極23及び保護膜24に、感湿膜22が部分的に外界に露出する開口部25が設けられている。また、保護膜24は上部電極23を覆うように形成されており、開口部25において、感湿膜22が少なくとも保護膜24の下面の位置より高い位置まで設けられている。これにより、保護膜24の下面と感湿膜22が接する界面が露出しない構成とすることができる。なお、ここでいう位置とは、基板10の表面に垂直方向における位置をいう。このように、感湿膜22を上下電極で狭持する平行平板構造において、上部電極23を覆うように保護膜24を設け且つ感湿膜22を部分的に露出させる開口部25を設ける際に、保護膜24の下面と感湿膜22が接する界面が外界に露出しないように開口部25内に感湿膜22を設けることにより、当該界面から水分子や腐食成分が浸入することを抑制することができる。その結果、外界の水分子を円滑に感湿膜22に供給させると共に上部電極23の耐湿性を効果的に向上することが可能となる。また、センサ部20において、上部電極23の耐湿性をより効果的に向上させる観点からは、感湿膜22で開口部25を充填すると共に、保護膜24上にも感湿膜22を設けた構成とすることが好ましい図2a参照。この場合、開口部25が設けられる領域において保護膜24の表面を感湿膜22で覆う構成とすることができるため、保護膜24と感湿膜22の界面から浸入する水分子や腐食成分が上部電極23に及ぼす影響を効果的に低減することができる。基板10としては、表面が絶縁体で保護された基板例えば、シリコン基板などを用いることができる。下部電極21及び上部電極23を構成する材料としては、例えば、Al、AlCu、Ta、Ti、NiFe、Ni等の金属薄膜を用いることができる。感湿膜22を構成する材料としては、例えば、ポリイミド、セルロース、PVAポリビニルアルコールなどの高分子感湿膜を用いることができる。また、保護膜24としては、例えば、窒化シリコンSiNx膜、SiO2膜、Al2O3/SiO2積層膜、SiO2/SiN積層膜などを用いることができる。上部電極23及び保護膜24には、感湿膜22を部分的に外界に露出させる1以上の開口部25が形成されている。上部電極23と保護膜24にはそれぞれ開口部が形成され、上部電極23に形成される開口部と、保護膜24に形成される開口部は少なくとも一部が重畳するように設けられる。また、開口部25は、図1に示すように、左右上下方向に所定間隔をあけて並設した構成とすることができ、開口部25の数、平面形状及び形成位置は任意である。また、本実施の形態において、開口部25の形状は感湿膜22を露出させる形状であればよく、櫛歯形状等のパターン形状も含んでいる。また、上部電極23に形成される開口部と、保護膜24に形成される開口部の形状として、上部電極23に形成される開口部25aを保護膜24に形成される開口部25bより大きくする図2b参照。これにより、感湿膜22を部分的に外界に露出する開口部25を設ける場合であっても、上部電極23の端部側面を保護膜24で覆う構成とすることができる。なお、この場合、感湿膜22が外界に露出する開口部25の大きさは保護膜24に形成される開口部25bの大きさとなる。図4は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサのセンサ部20及び基準部30を示す模式図である。図4aは湿度検出センサの平面模式図を示し、図4bは図4aにおけるB-B間の断面模式図を示している。また、図4において、右側がセンサ部20であり、左側が基準部30である。また、図4aにおいては、基板10と保護膜24を省略している。センサ部20及び基準部30は、下部電極、感湿膜、上部電極及び保護膜が積層された構造を有する。すなわち、センサ部20及び基準部30は、湿度に応じて誘電率が変化する感湿膜を一対の電極下部電極及び上部電極で挟持してなる平行平板構造を有する。湿度により静電容量が変化するセンサ部20は、上述したように、基板10上に絶縁膜を介して下部電極21が形成されている。下部電極21上には、湿度に応じて誘電率が変化する感湿膜22が形成されており、感湿膜22上には、部分的に上部電極23が形成され、上部電極23を保護するための保護膜24が形成されている。さらに、上部電極23と保護膜24には開口部25が形成されており、当該開口部25を充填すると共に保護膜24上に接して感湿膜22が設けられている。湿度にかかわらず静電容量が変化しない基準部30においては、基板10上に下部電極21が形成されている。下部電極21上には、下部電極21全体を覆うようにして感湿膜32が形成されている。感湿膜32上には、感湿膜32全体を覆うようにして上部電極33が形成されている。基準部30全体には、上部電極33を保護するための保護膜24が形成されている。本実施の形態に係る湿度検出センサにおいては、図4に示すように、下部電極21をセンサ部20と基準部30とで共通に設けた構成とすることができる。この場合、下部電極21に対して、センサ部20と基準部30との間のほぼ中間の位置から下部電極配線が引き出され、この下部電極配線が回路部40の電極パッド40aに接続する構成とすることが好ましい。このように下部電極配線をセンサ部20と基準部30との間のほぼ中間の位置から引き出すことにより、センサ部20と基準部30の電気的な対称性が良くなり、センサ容量C20と基準容量C30のばらつきを低減させることができる。上部電極33を構成する材料としては、上部電極23と同じ材料を用いことができ、例えば、Al、AlCu、Ta、Ti、NiFe、Ni等を用いることができる。また、上部電極23と上部電極33は、同一プロセスで同時に形成することが好ましい。また、図4では、上部電極33に開口部を設けていない場合を示しているが、上部電極33に対してセンサ部20の上部電極23と同じように開口部を設けた構成としてもよい。感湿膜32を構成する材料としては、感湿膜22と同じ材料を用いることができ、例えば、パターニングが容易なポリイミドなどの高分子感湿膜を用いることができる。また、感湿膜22、32及び上部電極23、33は、図4に示すように、センサ部20と基準部30とで個別に設けられている。上部電極23、33には、上部電極23、33と回路部40の電極パッド40aとを接続する上部電極配線がそれぞれ設けられている。上部電極配線は、一対の上部電極23、33からそれぞれ一定の幅寸法で延在する配線パターンであって、その幅寸法は、センサ部20と基準部30で生じる寄生容量が同一になるように調整されている。これにより、寄生容量によるセンサ容量C20と基準容量C30のばらつきを低減させることができる。上記構成を有する湿度検出センサにおいては、次のようにして湿度を検出する。まず、センサ部20では、開口部25を介して感湿膜22が外界に露出している。このため、感湿膜22は、雰囲気中の湿度水分量に応じて吸収又は放出する水分量が変化し、誘電率εが変化する。これにより、下部電極21と上部電極23との間の静電容量C20が変化する。一方、基準部30では、感湿膜32が外界に露出しないので、雰囲気中の湿度水分量が変化しても感湿膜32中の水分量は変化せず、誘電率εも変化しない。このため、下部電極21と上部電極33との間には一定の静電容量C30が保持される。そして、センサ部20の静電容量C20と基準部30の静電容量C30との間の容量差分を求めることにより、湿度により変化した静電容量差分値を測定することができる。本実施の形態における湿度検出センサにおいては、この差分値を電圧に変換して出力するように構成されている。次に、湿度検出センサの製造方法について説明する。図5a~eは、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサの製造方法を説明するための断面図である。まず、図5aに示すように、基板10を覆う絶縁層図示せず上に、下部電極21を形成する。下部電極21は、例えば、基板10の全面にAlCu等の電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。具体的には、成膜した電極材料上にレジスト層を形成した後、当該レジスト層をパターニングしてマスクとし、そのマスクを介して電極材料をエッチングする。下部電極21は、センサ部20及び基準部30で共通とすることができる。なお、この下部電極21を形成する際に、回路部40の配線導体とパッド40aを同時に形成してもよい。次に、図5bに示すように、下部電極21上に、当該下部電極21を覆うように感湿膜22aを形成する。この際、同時に基準部30の下部電極21上にも感湿膜図4における感湿膜32を形成する。感湿膜22aは、例えば、基板10の全面に高分子材料例えば、ポリイミド、セルロース、PVAポリビニルアルコール等を塗布して熱処理により硬化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。具体的には、硬化後の高分子材料上にレジスト層を形成した後、当該レジスト層をパターニングしてマスクとし、そのマスクを介して高分子材料をエッチングする。なお、感湿膜は、センサ部20及び基準部30でそれぞれ個別に形成する。次に、図5cに示すように、感湿膜22a上に、当該感湿膜22aを覆うように上部電極23を形成する。この際、同時に基準部30の感湿膜32上にも上部電極図4における上部電極33を形成する。上部電極23は、例えば、基板10の全面にAl、AlCu、Ta、Ti、NiFe、Ni等の電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。具体的には、成膜した電極材料上にレジスト層を形成した後、当該レジスト層をパターニングしてマスクとし、そのマスクを介して電極材料をエッチングする。また、この際に上部電極33に開口部を形成する。なお、上部電極は、センサ部20及び基準部30でそれぞれ個別に形成する。基準部30における上部電極33は、開口部を設けない構造としてもよいし、上部電極23と同一の開口部を設けた構造としてもよい。次に、図5dに示すように、上部電極23上に、当該上部電極23を覆うように保護膜24を選択的に形成する。この際、同時に基準部30の上部電極23上にも保護膜24を形成する。保護膜24は、例えば、基板10の全面に窒化シリコンSiNx膜、SiO2膜、Al2O3/SiO2積層膜、SiO2/SiN積層膜等の絶縁材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。具体的には、成膜した絶縁材料上にレジスト層を形成した後、当該レジスト層をパターニングしてマスクとし、そのマスクを介して電極材料をエッチングする。また、この際に保護膜の領域の中で上部電極23の開口部と重畳する領域をエッチングして開口部25を形成する。開口部25を形成する場合に、ミリング加工を用いる場合には、上部電極23のみを除去することができず、図6に示すように感湿膜22aも一部除去される場合がある。また、保護膜24に形成する開口部を上部電極23に形成する開口部より小さく形成することにより、上部電極23の端部を保護膜24で覆う構成とする。なお、基準部30の上部電極33上に設ける保護膜には、開口部を設けない。次に、図5eに示すように、開口部25内に感湿膜22bを形成する。感湿膜22bは、少なくとも開口部25において、保護膜24の下面と感湿膜22aの上面が接する界面の位置より高い位置まで形成する。また、湿度検出センサの感度ばらつきを低減する観点から、感湿膜22bの材料として、感湿膜22aと同一の材料を用いることが好ましい。この場合、例えば、基板10の全面に高分子材料例えば、ポリイミド、セルロース、PVAポリビニルアルコール等を塗布して熱処理により硬化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。なお、感湿膜22aと感湿膜22bを同一材料で形成することにより、感湿膜22a及び感湿膜22bを一つの感湿膜22と見ることができる。また、図5eにおいて、上部電極23の耐湿性をより効果的に向上させる観点からは、上記図2aに示したように感湿膜22bが開口部25を充填すると共に保護膜24上にも設けられる構成とすることが好ましい。なお、基準部30の保護膜上には、感湿膜22bを設けた構成としてもよいし設けない構成としてもよい。このように、感湿膜22aを上下電極で狭持する平行平板構造において、上部電極23上に保護膜24を設け且つ感湿膜22aを部分的に露出させる開口部25を設ける場合であっても、保護膜24の下面と感湿膜22aの上面が接する界面が外界に露出しないように感湿膜22bを別途設けることにより、当該界面から水分子や腐食成分が浸入することを抑制し、上部電極23の耐湿性を効果的に向上することが可能となる。本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。上記実施の形態においては、センサ部と基準部とを備えた湿度検出センサについて説明しているが、本発明はこれに限定されず、センサ部のみで構成された湿度検出センサにも同様に適用することができる。また、上記実施の形態における材料、各層の配置位置、厚さ、大きさ、製法などは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。本出願は、2010年10月4日出願の特願2010-224660に基づく。この内容は、全てここに含めておく。