接合面に複数の基板接合パッドを有する基板と、ダイスタックを形成するように前記基板の前記接合面に積層された複数の半導体ダイであって、各ダイは、少なくとも1つの接合側縁部に沿って複数のダイ接合パッドを持っており、各ダイの残りの縁部が非接合側縁部である複数の半導体ダイと、各接合ワイヤが前記ダイ接合パッドの1つを前記基板接合パッドの1つに電気接続する複数の接合ワイヤと、それぞれが2枚の隣接する半導体ダイの間に配置されている少なくとも1つの熱伝導層と、前記少なくとも1つの熱伝導材料の層と熱接触する少なくとも1つの熱伝導側方部分であって、それぞれが前記ダイスタックの前記非接合側縁部に沿っている熱伝導側方部分と、を備える半導体デバイス。前記熱伝導層および前記熱伝導側方部分が主に導電材料で構成されており、前記少なくとも1つの熱伝導層と前記2枚の隣接する半導体ダイとの間に配置された誘電体層との間にその間の電気的分離を提供するために配置された誘電体層、をさらに備える請求項1に記載のデバイス。前記導電材料が金属および金属合金の1つである、請求項2に記載のデバイス。前記誘電体層が前記熱伝導層上の誘電体コーティングである、請求項3に記載のデバイス。前記基板が前記少なくとも1つの側方部分と熱接触する、請求項1に記載のデバイス。前記少なくとも1つの側方部分と熱接触する、前記スタックの最上位ダイ上に配置された熱伝導上層をさらに備える、請求項1に記載のデバイス。前記上層が、動作中にデバイスによって発生する熱を放散するためのヒートシンク部分を備える、請求項6に記載のデバイス。前記基板が前記少なくとも1つの側方部分と熱接触し、前記基板が、動作中にデバイスによって発生する熱を放散するためのヒートシンク部分をさらに備える、請求項1に記載のデバイス。前記少なくとも1つの熱伝導層が複数の熱伝導層である、請求項1に記載のデバイス。各ダイが熱伝導層と隣接する、請求項9に記載のデバイス。隣接するダイのあらゆる対の間に熱伝導層が配置されている、請求項10に記載のデバイス。前記複数の熱伝導層の第1の熱伝導層が前記複数の熱伝導層の第2の熱伝導層よりも厚い、請求項9に記載のデバイス。前記複数の熱伝導層の前記第1の熱伝導層が前記複数の熱伝導層の前記第2の熱伝導層よりも前記スタックの中心に近い、請求項12に記載のデバイス。前記熱伝導層のそれぞれが前記ダイの非接合側縁部を越えて延在する少なくとも1つの端部を有し、各側方部分が、少なくとも一部は、前記熱伝導層の少なくとも1つの端部によって形成されている、請求項9に記載のデバイス。各側方部分が前記熱伝導層の前記端部の間に配置された熱伝導樹脂を含む、請求項14に記載のデバイス。各側方部分が、少なくとも部分的に前記熱伝導層の前記端部を溶接することによって組み立てられる、請求項14に記載のデバイス。本発明の一目的は、先行技術の不都合点の1つまたは複数に対処することである。本発明の別の目的は、改善された熱放散を提供するための金属熱フレームを有するマルチチップパッケージを提供することである。本発明の別の目的は、半導体ダイと熱フレーム部品とを交互に積層させることによって形成された熱フレームを有するマルチチップパッケージを提供することである。本発明の別の目的は、各ダイが基板にワイヤ接合されている熱フレームを有するマルチチップパッケージを提供することである。一態様では、半導体デバイスが、基板の接合面に複数の基板接合パッドが配置されている基板を備える。基板の接合面には、複数の半導体ダイが積層されてダイスタックを形成している。各ダイには、その少なくとも1つの接合側縁部に沿って複数のダイ接合パッドが配置されている。各ダイの残りの縁部は非接合側縁部である。デバイスは複数の接合ワイヤを含む。各接合ワイヤは、ダイ接合パッドの1つを基板接合パッドの1つに電気接続する。デバイスは少なくとも1つの熱伝導層を含む。各熱伝導層は2枚の隣接する半導体ダイの間に配置されている。少なくとも1つの熱伝導側方部分が、少なくとも1つの熱伝導材料の層と熱接触する。各熱伝導側方部分は、ダイスタックの非接合側縁部に沿って配置されている。別の態様では、熱伝導層および熱伝導側方部分は、主に導電材料で構成されている。デバイスは、少なくとも1つの熱伝導層と2枚の隣接する半導体ダイとの間にその間の電気的分離を提供するために配置された誘電体層をさらに備える。別の態様では、導電材料は金属および金属合金の1つである。別の態様では、誘電体層は熱伝導層上の誘電体コーティングである。別の態様では、基板は少なくとも1つの側方部分と熱接触する。別の態様では、スタックの最上位ダイの上に熱伝導上層が配置されている。熱伝導上層は、少なくとも1つの側方部分と熱接触する。別の態様では、上層は動作中にデバイスによって発生する熱を放散するためのヒートシンク部分を備える。別の態様では、基板は少なくとも1つの側方部分と熱接触する。基板は、動作中にデバイスによって発生する熱を放散するためのヒートシンク部分をさらに備える。別の態様では、少なくとも1つの熱伝導層は複数の熱伝導層である。別の態様では、各ダイは熱伝導層に隣接する。別の態様では、隣接するダイのあらゆる対の間に熱伝導層が配置されている。別の態様では、複数の熱伝導層の第1の熱伝導層が複数の熱伝導層の第2の熱伝導層よりも厚い。別の態様では、複数の熱伝導層の第1の熱伝導層は複数の熱伝導層の第2の熱伝導層よりもスタックの中心に近い。別の態様では、熱伝導層のそれぞれが、各ダイの非接合側縁部を越えて延在する少なくとも1つの端部を有する。各側方部分は、少なくとも一部は、熱伝導層の少なくとも1つの端部によって形成されている。別の態様では、各側方部分は熱伝導層の端部間に配置された熱伝導樹脂を含む。別の態様では、各側方部分は、少なくとも一部は、熱伝導層の端部を溶接することによって組み立てられる。本発明の実施形態のさらに別の、および/または代替の特徴、態様、ならびに利点は、以下の詳細な説明、および添付の図面から明らかになるであろう。図3~図6を参照して、第1の実施形態による熱フレーム320を説明する。図3に、各ダイ302図5に最もよく示されているの間で、ダイスタック300の中へ延在するプレート322を有する熱フレーム320を示す。図3、図5、および図6を参照すると、フレーム320は、隣接するダイ302のあらゆる対の間に熱伝導層を有するように、半導体ダイ302が2枚の隣接するプレート322間の各凹みに収容されることを可能にするために垂直面324に沿って分割することができる。個々の用途の熱放散要件によっては、代わりに、プレート322間の凹みのいずれかまたはすべてに複数のダイ302が収容され得ることが企図されている。フレーム320に適切なサイズおよび数の凹みを設けることにより任意の数のダイ302が使用され得ることを理解すべきである。同じ凹み内に配置された2枚以上のダイ302は、バンプまたはビア不図示を使用して相互に接続することができる。フレーム320は熱伝導材料でできており、これは、例えばアルミニウムといった金属や金属合金などの導電材料とすることもできる。プレート322の厚さはダイ302の厚さと同等であってもよいが、この厚さは、所望の熱放散の程度によって変動し得ることが企図されている。特にフレーム320に導電材料が使用されるときには、熱伝導誘電体樹脂といった適切な絶縁体が、各ダイ302と隣接するプレート322との間に、ダイ302とフレーム320との間の電気的接触を妨げるために設けられていてよい。あるいは、プレート322が、組立て前に誘電体層で被覆されてもよい。誘電体コーティングは、フレーム210が熱放散を目的として主に導電性の熱伝導材料で構成されるように、薄いことが好ましい。フレーム320は、プレート322がダイスタック300内から外側の相対的により冷たいフレーム320の側方部分326の方へ熱を伝えるための熱伝導路を提供し、側方部分326から熱はさらに、図5に矢印で示すように、上面328とパッケージ基板308とに伝わる。外面の1つまたは複数が、周囲への熱の放散を助けるために、従来の外部ヒートシンク不図示を備えていてもよい。任意選択で、接合タブ330図3、図4、図5をフレーム320の基部に設け、基板308へのより強い機械的接続および熱接触の増強を得るためにフレーム320をパッケージ基板308に接合するのに使用することもできる。あるいは、接合タブ308は省かれてもよく図3、6、その結果、製造はより単純に、またはより安価になり得る。図4、図5および図6を参照すると、側方部分326は、接合ワイヤを各ダイの縁部に沿って位置する接合パッドに取り付けることを可能にするために、各ダイ302の接合側縁部332がフレームの端部から突出するように、ダイスタックの非接合側縁部334に沿って配置されている。ダイ302は、例えば図2と同様の配置で接合ワイヤ306が1つの辺でのみダイ302に結合される場合には、代わりにその1つの辺でのみ突出し得ることが企図されている。最下位ダイ302Aは、接合ワイヤ306Aの代わりに、または接合ワイヤ306Aに加えて、はんだバンプ307Aによって基板に電気接続されてもよい。接合ワイヤ306は各ダイ302が積層された後で各ダイ302に取り付けることもでき、または、例えば図2と同様の配置で、すべてのダイ302が積層された後で、すべての接合ワイヤ306を1つの製造ステップで追加することができるようにダイ302を積層することもできる。図7を参照して、第2の実施形態による熱フレーム720を説明する。フレーム720は、いくつかの点で図3のフレーム320と類似し、両実施形態に共通の特徴のいくつかには同様の参照番号が付されており、これらの詳細な説明は繰り返さない。追加された下部プレート736は、フレーム720と基板この実施形態では不図示との間により大きい熱接触面積を有する下面729を提供し、基板へのより強い機械的接続を可能にする。この実施形態では、最下位ダイを含むすべてのダイ不図示が、基板にワイヤ接合され得る。加えて、各プレート722は不均一な厚さを有する。スタックの中心のより近くやより多くの熱を発生すると予測されるダイの付近といった、より多くの熱放散が所望されるスタックの部分では、より大きな熱放散を可能にするために相対的に厚いプレート722が使用され、他の位置ではよりコンパクトな配置を可能にするために相対的に薄いプレート722が使用され得ることが企図されている。さらに、所望の熱放散量に応じて、フレーム720の上部728および/または下部736の厚さを変化させることもできる。図8および図9を参照して、第3の実施形態による熱フレーム820を説明する。フレーム820は、いくつかの点で前述の実施形態のフレームと類似し、共通の特徴のいくつかには同様の参照番号が付されており、これらの詳細な説明は繰り返さない。熱フレーム820は、それぞれが1枚または複数のダイ802を収容する寸法の凹みを有する、一連の入れ子式溝型部材838を使用して形成されている。2枚以上の隣接するダイ802が同じ溝型部材838に収容される場合、それらのダイ802は、バンプまたはビア不図示を使用して相互接続されてもよい。熱フレーム820は、ダイ802と適切な寸法の溝型部材838とを交互に積層させることにより組み立てられてよい。所望の枚数のダイ802に達すると、好ましくは溝型部材838の上縁部と熱接触する上部828を形成するために、スタック800の上にキャップ部材が置かれる。キャップ部材は、スタック800の最上位ダイ802とも熱接触してよい。溝型部材838のいくつかの代替構造が企図されている。最下位の部材838が、基板808と接触する下面829を有していてもよく図9、あるいは、はんだバンプ、接合ワイヤ、または他の任意の適切な方法によって基板802に直接接続される最下位ダイ802のための間隙を提供する凹んだ下部図8を有していてもよい。図8および図9には、図3の実施形態に示したのと同様の接合タブ830が示されているが、代替として接合タブ830を省くこともできる。溝型部材838は、連続する溝型部材838の各対が、フレーム820の側方部分826に沿って熱接触を形成するためにその側方部分間で摩擦嵌合を形成するような寸法とすることもでき、あるいは、任意選択で、キャップ部材を取り付ける前に熱伝導誘電体樹脂840で充てんされ得る部材間の間隙またはギャップを提供する寸法とすることもできる。先細り開口844を有する注入器842を使用して樹脂840で間隙またはギャップを充てんする一方法が図10に示されている。先細り開口844は、深いギャップで多くの樹脂840を提供するための広い端部と、浅いギャップで少ない樹脂840を提供するために狭い端部とを有し、その結果、より均一な充てんが行われる。図8および図9をさらに参照すると、溝型部材838はさらに、または代替として、部材間の機械的、熱的接続を形成するように一緒に溶接されてもよい。溝型部材838の水平部分は、好ましくは、例えば熱伝導誘電体樹脂などによって、隣接するダイ802との平面による熱接触を形成する。各溝型部材838の深さは、積層が完了するときに、すべての溝型部材838の上縁部が実質的に同一平面上にあり、キャップ部材828との熱接触を形成するような寸法とされ得る。各上縁部は、あるいは、部材間の良好な機械的、熱的接触を保証するために、積層後、上部部材828を取り付ける前に、均一な長さに切り揃えられてもよい。キャップ部材828は、例えば、熱伝導誘電体樹脂を使用する、溶接するなど、任意の適切な方法によって溝型部材838に接合されてよい。図11を参照すると、代替の実施形態では、溝型部分838は、溝型開口部が基板808の方を向くように反転されている。この実施形態では、別個のキャップ部材は不要となる。図12~図15を参照して、第4の実施形態による熱フレーム1220を説明する。フレーム1220は、いくつかの点で前述の実施形態のフレームと類似し、共通の特徴のいくつかには同様の参照番号が付されており、これらの詳細な説明は繰り返さない。この実施形態は、溝型部材1238が同様の、または等しい幅のものであり、そのため、各溝型部材1238の側方部分は下位の溝型部材1238の側方部分によって支持され、合わさって熱フレーム1220の側方部分1226を形成しているという点で、図8~図11の実施形態と異なる。最上位の部材1238は上部1228を形成している。この実施形態は、図14に示すように、前述の実施形態と同様に、少なくとも1枚のダイ1202が各溝型部材1238の凹みに収容されるようにダイ1202と溝型部材1238とを順次に積層させることによって組み立てられる。2枚以上の隣接するダイ1202が同じ溝型部材1238に収容される場合、それらのダイ1202は、バンプまたはビア不図示を使用して相互接続されてもよい。任意選択の下部部材1229図12および/または任意選択の接合タブ1230図13が設けられてもよい。各部材1238は、溶接などの任意の適切な手段によって、または誘電体樹脂などの適切な接着剤を用いて、任意の隣接する部材1238に接合されてよい。図15を参照すると、その他の実施形態の場合と同様に、各ダイ1202は、接合ワイヤ1206による基板1208へのワイヤ接合を可能にするために、少なくとも1つの接合側縁部に沿って少なくとも1つの方向に熱フレームから外側へ突出している。この実施形態は、下部部材1238、1229だけが任意選択で異なる形状である同一の溝型部材1238を使用して形成されてよく、それによって、製造工程が簡略化されることを理解すべきである。溝型部材1238は、その溝型の凹みが基板1208から離れる方を向くように反転されてもよく、その場合には、任意選択でスタックの上にキャップ部材不図示が使用され得ることが企図されている。図16~図18を参照して、第5の実施形態による熱フレーム1620を説明する。フレーム1620は、いくつかの点で前述の実施形態のフレームと類似し、共通の特徴のいくつかには同様の参照番号が付されており、これらの詳細な説明は繰り返さない。この実施形態では、熱フレーム1620は、間に半導体ダイ1602が入った何枚かのプレート1646で形成されており、プレート1646を相互接続し、合わさって側方部分1626を形成するようにダイ1602の側方に帯板strip、ストリップ1648が配置されている。帯板1648は、連続するプレート1646の各対の間に1枚または複数のダイ1602を収容するような寸法とすることができる。2枚以上の隣接するダイ1602が連続するプレート1646の同じ対の間に収容される場合、それらのダイ1602は、バンプまたはビア不図示を使用して相互接続されてもよい。最上位のプレート1646は上部1628を形成している。熱フレーム1620の様々な部分は、例えば熱伝導誘電体樹脂の使用や溶接など、任意の適切な方法で接合されてよい。任意選択で、接合タブ1630図16、図17または下部プレート部材1629図18が使用されてもよい。図19~図21を参照して、第6の実施形態による熱フレーム1920を説明する。フレーム1920は、いくつかの点で前述の実施形態のフレームと類似し、共通の特徴のいくつかには同様の参照番号が付されており、これらの詳細な説明は繰り返さない。この実施形態では、熱フレーム1920は、交互に重なる半導体ダイ1902と金属箔層1938によって形成されている。各金属箔層1938は、積層の前に適切な形状に予備成形されてもよく、積層工程の間にダイ1902の周りで所望の形状に形成されてもよい。金属箔層1938の側方部分は、熱フレーム1920の側方部分1926を形成するように、接着樹脂や溶接といった任意の適切な方法によって接合されてよい。例えば、外部ヒートシンク不図示との熱接触を改善する目的で、より平坦な、またはより硬い上面または側面を提供するために、側方帯板1950によって支持されるキャップ部材1928が、最上位の金属箔層1938の代わりに、またはこれに加えて設けられてもよい。側方帯板1950は、熱フレーム1920の側方部分1926の一部を形成し、金属箔層1938とキャップ部材1928との間の熱伝導路を提供する。例えば、スタック1900の中央の近くに、または電力消費の高いダイ1902の近くにより熱い層1938を設けてより多くの熱放散を可能にするために、異なる厚さの金属箔層1938が使用され得ることが企図されている。図22を参照すると、図20の実施形態を変更して、熱フレーム1920の連続する層1938の間に複数の半導体ダイ1902が収容されてもよい。このようにして、スタック1900全体の高さを低減することができ、任意選択で隣接するダイ1902を、バンプまたはビア不図示を使用して接続してもよい。熱フレーム1920の連続する層1938の間に代わりに不均一な数のダイ1902が使用され得ることが企図されている。例えば、スタック1900の上部または下部の近くでは熱フレーム1920の連続する層1938の間に2枚以上のダイ1902が配置され、スタック1900の中心の近くでは熱フレーム1920の連続する層1938の間に1枚のダイ1902が配置されてもよい。この配置は、コンパクトな配置を維持しつつ、スタック1900の中心の近くでより多くの熱放散を可能にする。さらに、前述のその他の実施形態も、熱フレームの連続する層の間のダイの枚数を変えることによって同様に変更され得ることも企図されている。本発明の上記実施形態の改変および改善は、当業者には明らかになるはずである。以上の説明は、限定ではなく例示のためのものである。