溶融材料が送り込まれる金型10と、プラズマを発生させるためのプラズマ電極12、13とを備え、前記金型10には、前記プラズマ電極12、13と対をなす電極の間で発生した前記プラズマを前記金型10の内部空間11に照射するためのプラズマ照射口101a、102aが設けられていることを特徴とする成形装置。前記金型10から成形品を離型させる離型ピン12、13と、前記離型ピン12、13が挿入されるピン穴101a、102aとを備え、前記プラズマ照射口は、前記ピン穴101a、102aで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の成形装置。前記プラズマ電極は、前記離型ピン12、13で構成されていることを特徴とする請求項2に記載の成形装置。前記離型ピン12、13を駆動するピン駆動手段14、15を備え、前記ピン駆動手段14、15は、前記離型ピン12、13が前記ピン穴101a、102aを開くプラズマ照射位置、前記離型ピン12、13が前記ピン穴101a、102aを塞ぐ成形位置、および前記離型ピン12、13が前記ピン穴101a、102aよりも前記内部空間11側に突出する離型位置に、前記離型ピン12、13を調整可能になっていることを特徴とする請求項2または3に記載の成形装置。前記金型10は、前記プラズマ電極12、13と対をなす電極を構成していることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の成形装置。請求項1ないし5のいずれか1つに記載の成形装置を用いて成形品を製造する成形方法であって、前記金型10を閉めた状態で、前記プラズマ照射口101a、102aから前記内部空間11に前記プラズマを照射するプラズマ照射工程を含むことを特徴とする成形方法。前記プラズマ照射工程は、前記金型10の表面を改質するための金型改質用プラズマを照射する金型改質工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の成形方法。前記プラズマ照射工程は、前記内部空間11にセットされたインサート部品1を反応活性にするための反応活性用プラズマを照射する反応活性工程を含むことを特徴とする請求項6または7に記載の成形方法。前記プラズマ照射工程は、前記金型10の表面を改質するための金型改質用プラズマを照射する金型改質工程と、前記内部空間11にセットされたインサート部品1を反応活性にするための反応活性用プラズマを照射する反応活性工程とを含み、前記反応活性工程では、前記反応活性用プラズマを、前記金型改質用プラズマに比べて集中照射することを特徴とする請求項6に記載の成形方法。前記プラズマ照射工程は、前記金型10の表面を改質するための金型改質用プラズマを照射する金型改質工程と、前記内部空間11にセットされたインサート部品1を反応活性にするための反応活性用プラズマを照射する反応活性工程とを含み、前記反応活性工程では、前記反応活性用プラズマによって生成されるラジカルの活性寿命を、前記金型改質用プラズマによって生成されるラジカルの活性寿命に比べて短くすることを特徴とする請求項6に記載の成形方法。しかしながら、この従来技術によると、金型が開かれた状態で上型と下型との間にプラズマトーチが進入するので、型開き量を大きくする必要があり、成形装置全体が大型化してしまう問題がある。また、この従来技術によると、金型が開かれた状態でプラズマによるフッ化処理を行うので、プラズマトーチから噴射されたフッ素ラジカルが金型の外部に拡散してしまい、フッ化処理の効率が良くないという問題もある。本発明は上記点に鑑みて、金型が閉められた状態で金型表面にプラズマを照射できる成形装置および成形方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、溶融材料が送り込まれる金型10と、プラズマを発生させるためのプラズマ電極12、13とを備え、金型10には、プラズマ電極12、13と対をなす電極の間で発生したプラズマを金型10の内部空間11に照射するためのプラズマ照射口101a、102aが設けられていることを特徴とする。これによると、プラズマ電極12、13と対をなす電極の間で発生したプラズマを、金型10に設けられたプラズマ照射口101a、102aから金型10の内部空間11に照射するので、金型10が閉められた状態で金型表面にプラズマを照射することができる。請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の成形装置において、金型10から成形品を離型させる離型ピン12、13と、離型ピン12、13が挿入されるピン穴101a、102aとを備え、プラズマ照射口は、ピン穴101a、102aで構成されていることを特徴とする。これにより、既存のピン穴101a、102aを利用してプラズマを照射することができるので、構成を簡素化できる。請求項3に記載の発明では、請求項2に記載の成形装置において、プラズマ電極は、離型ピン12、13で構成されていることを特徴とする。これにより、既存の離型ピン12、13を利用してプラズマを発生することができるので、構成を簡素化できる。具体的には、請求項4に記載の発明のように、請求項2または3に記載の成形装置において、離型ピン12、13を駆動するピン駆動手段14、15を備え、ピン駆動手段14、15は、離型ピン12、13がピン穴101a、102aを開くプラズマ照射位置、離型ピン12、13がピン穴101a、102aを塞ぐ成形位置、および離型ピン12、13がピン穴101a、102aよりも金型10の内部空間11側に突出する離型位置に、離型ピン12、13を調整可能になっていればよい。また具体的には、請求項5に記載の発明のように、請求項2ないし4のいずれか1つに記載の成形装置において、金型10は、プラズマ電極12、13と対をなす電極を構成することができる。請求項6に記載の発明では、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の成形装置を用いて成形品を製造する成形方法であって、金型10を閉めた状態で、プラズマ照射口101a、102aから金型10の内部空間11にプラズマを照射するプラズマ照射工程を含むことを特徴とする。これにより、上記した請求項1に記載の発明と同様の作用効果を得ることができる。具体的には、請求項7に記載の発明のように、請求項6に記載の成形方法において、プラズマ照射工程は、金型10の表面を改質するための金型改質用プラズマを照射する金型改質工程を含むようにすればよい。また、具体的には、請求項8に記載の発明のように、請求項6または7に記載の成形方法において、プラズマ照射工程は、金型10の内部空間11にセットされたインサート部品1を反応活性にするための反応活性用プラズマを照射する反応活性工程を含むようにしてもよい。請求項9に記載の発明では、請求項6に記載の成形方法において、プラズマ照射工程は、金型10の表面を改質するための金型改質用プラズマを照射する金型改質工程と、金型10の内部空間11にセットされたインサート部品1を反応活性にするための反応活性用プラズマを照射する反応活性工程とを含み、反応活性工程では、反応活性用プラズマを、金型改質用プラズマに比べて集中照射することを特徴とする。これにより、金型10の改質、およびインサート部品1の反応活性化の両方を効果的に行うことができる。請求項10に記載の発明では、請求項6に記載の成形方法において、プラズマ照射工程は、金型10の表面を改質するための金型改質用プラズマを照射する金型改質工程と、金型10の内部空間11にセットされたインサート部品1を反応活性にするための反応活性用プラズマを照射する反応活性工程とを含み、反応活性工程では、反応活性用プラズマによって生成されるラジカルの活性寿命を、金型改質用プラズマによって生成されるラジカルの活性寿命に比べて短くすることを特徴とする。これによっても、金型10の改質、およびインサート部品1の反応活性化の両方を効果的に行うことができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態以下、第1実施形態を説明する。図1は、本実施形態におけるインサート成形装置成形装置の概略を示す断面図である。インサート成形装置は金型10を備えている。金型10は、上型101と下型102とでキャビティ11成形品の形状を有する内部空間を形成するものである。図1では図示を省略しているが、金型10には、溶融樹脂溶融材料に圧力を加えてキャビティ11内に送り込むためのプランジャが接続されている。また、金型10には、溶融樹脂をキャビティ11内に導入するゲートと、キャビティ11の温度を調整するヒーターとが備えられている。上型101および下型102にはそれぞれ離型ピン12、13が挿入されるピン穴101a、102aが形成されている。離型ピン12、13としては、上型101用の払い出しピン12、および下型102用のエジェクタピン13とが設けられている。離型ピン12、13およびピン穴101a、102aは、キャビティ11の全体に対して満遍なく多数個配置されている。離型ピン12、13は、ピン駆動機構14、15ピン駆動手段によって駆動される。上型101および下型102にはそれぞれ、離型ピン12、13をプラズマ電極とするプラズマチャンバー16、17が設けられている。離型ピン12、13にはプラズマ用電源18の一方の極が接続されている。プラズマ用電源18の他方の極は金型10に接続されている。プラズマチャンバー16、17は、金型10と電気的に接続されている。すなわち、金型10は、プラズマ電極離型ピン12、13と対をなす電極を構成している。プラズマチャンバー16、17と離型ピン12、13との摺動部には絶縁シール19、20が設けられている。プラズマチャンバー16、17のプラズマ照射口は、ピン穴101a、102aで構成されている。そのために、ピン穴101a、102aは、キャビティ11側では内径が離型ピン12、13の先端部の外径と同一にされ、キャビティ11の反対側では離型ピン12、13の先端部の外径よりも拡径された形状に形成されている。上型101のプラズマチャンバー16にはガス配管21が接続され、不活性ガス本例ではArガス、金型改質用ガス本例ではCF4ガス、および反応活性用ガス本例ではH2ガスが所望の流量で導入されるようになっている。図示を省略しているが、下型102のプラズマチャンバー17にもガス配管が接続され、不活性ガス、金型改質用ガスおよび反応活性用ガスが所望の流量で導入されるようになっている。ピン駆動機構14、15は、離型ピン12、13の位置をプラズマ照射位置、成形位置および離型位置の3つの位置に調整可能になっている。プラズマ照射位置では、離型ピン12、13の先端面がキャビティ面金型表面よりも引っ込んだ位置になり、ピン穴101a、102aプラズマ照射口が開けられる。成形位置では、離型ピン12、13の先端面がキャビティ面金型表面とほぼ同じ位置になり、離型ピン12、13がピン穴101a、102aプラズマ照射口を塞ぐ。離型位置では、離型ピン12、13の先端面がキャビティ面金型表面よりも突出した位置になる。プラズマ用電源18は、大気圧プラズマ発生用のナノマイクロパルス電源が望ましい。もし型閉め後にキャビティ内を真空に引くことができるのであれば、直流電源や交流電源など真空プラズマ発生用の電源でもかまわない。図2は、上記成形装置を用いた成形方法を示すフロー図である。上記成形装置を用いた成形方法では、離型ピン12、13がプラズマ照射位置にある状態において、まず金型10を閉める型閉め工程。次いで金型改質用プラズマを照射する金型改質工程、プラズマ照射工程。具体的には、プラズマチャンバー16、17の内部に不活性ガスとしてのArガスを導入しながら離型ピン12、13にプラズマ用電源18によって電界を加える。これにより大気圧プラズマが発生する。大気圧プラズマの発生が安定した後、Arガスに加えて、金型改質用ガスとしてのCF4ガスも導入する。これによりフッ素ラジカルが生成される。フッ素ラジカルがピン穴101a、102aプラズマ照射口を通じてキャビティ11内の全体に拡散することによりキャビティ面金型表面がフッ化処理される。このとき、プラズマによってフッ素ラジカルが生成されて金型の主成分である鉄元素がフッ化されればよいので、金型改質用ガスの成分は必ずしもCF4でなくともよい。例えば金型改質用ガスとして、C2F6、C3F8等のフッ化炭素系のガス、HFのフッ化水素、CHF系のフッ化炭化水素ガス、SF6、SiF4などのフッ化化合物ガス、またはNF3などのフッ化窒素ガスなどを用いてもよい。また、このときフッ化鉄の反応を促進させるため、金型10の温度を100~600°C程度に加熱してもよい。プラズマ照射時間は樹脂材料、金型形状にもよるが、生産効率上、プランジャ内部に樹脂タブレットを設置し温度を安定化させるための待機時間中に10秒以下、さらに望ましくは3秒以下でプラズマ処理してしまうのが良い。また成型を1回行う毎に金型改質用のプラズマを照射することが望ましいが、金型改質用プラズマを1回照射することによる離型効果が複数回の成形にわたって持続するようであればその限りでない。次いで金型10を開き、図3aに示すように金型10内にインサート部品1をセットし、金型10を再度閉じるインサート部品セット工程。次いで反応活性用プラズマを照射する反応活性工程、プラズマ照射工程。具体的には、プラズマチャンバー16、17の内部に不活性ガスとしてのArガスを導入しながら離型ピン12、13にプラズマ用電源18によって電界を加える。これにより大気圧プラズマが発生する。大気圧プラズマの発生が安定した後、Arガスに加えて、反応活性用ガスとしてのH2ガスも導入する。これにより、インサート部品1の表面が還元処理される。このとき、インサート部品1の表面が反応活性になればよいので、反応活性用ガスの成分は必ずしもH2でなくともよい。例えば、金属と樹脂との密着性を上げるために部品表面の還元が望ましければH2の他にアンモニアNH3、N2、H2、N2H4、NHCH32またはN2H3CH3などを反応活性用ガスとして用いてもよい。金属と樹脂との間にカップリング効果を持たせる場合には、反応活性用ガスとしてSiH3CH3などのシラン系ガスが好適である。次いで、離型ピン12、13を成形位置に移動させて成形を行う成形工程。具体的には、図3bに示すようにプランジャ22で溶融樹脂に圧力を加えてキャビティ11内に送り込み、キャビティ11内で溶融樹脂を硬化させる。次いで図3cに示すように型を開き、離型ピン12、13を離型位置に移動させて成形部品を離型させる離型工程。次いで離型ピン12、13をプラズマ照射位置に移動させる。上記工程を繰り返すことによって、インサート成形品の製造を繰り返し行うことができる。本実施形態によると、ピン穴101a、102がプラズマ照射口を兼ねているので、金型10が閉められた状態でキャビティ面金型表面にプラズマを照射することができる。このため、上記従来技術と比較して、型開き量を小さくして成形装置を小型化できるとともに、プラズマによって生成されたラジカルが金型10の外部に拡散することを抑制して金型表面改質の効率およびインサート部品反応活性化の効率を向上できる。また、金型表面改質およびインサート部品反応活性化を成形の直前に行うことができるので、金型表面改質およびインサート部品反応活性化の効果を高めることができる。さらに、離型ピン12、13がプラズマ電極を兼ねているので、プラズマ電極専用の部材を設ける場合に比べて構成を簡素化できる。ちなみに、プラズマ照射口から照射されるプラズマは、キャビティ面金型表面およびインサート部品1に直接当たらないことが好ましい。プラズマを照射した場合、反応を促進するためのラジカルだけでなく、イオンも多く発生する。そのため、特にインサート成形部品が電子部品である場合、イオンが電子部品に与えるダメージを抑制するために、電子部品に直接プラズマが照射されないようにプラズマ照射口を配置するのが好ましい。また、金型表面改質およびインサート部品反応活性化の両方を効果的に行うために、プラズマ用電源18に加える電界や導入ガスの圧力等を適宜調整してプラズマの立て方やラジカルの持続時間活性寿命を適宜コントロールするのが好ましい。例えば、金型表面改質を行う場合にはプラズマを拡散照射し、インサート部品を反応活性化する場合にはプラズマを集中照射スポット照射するのが好ましい。また、金型表面改質を行う場合にはラジカルの活性寿命を長くし、インサート部品を反応活性化する場合にはラジカルの活性寿命を短くするのが好ましい。第2実施形態本第2実施形態では、誘電体バリア放電無声放電を用いたプラズマ発生系としている。誘電体バリア放電無声放電とは、絶縁体に電界を加えて電荷を蓄積させ、電位差が生じたところで放電させる現象のことであり、常時電流が流れないので、高温プラズマにはならず、化学的反応を促進する大気圧プラズマの発生方法として知られている。本実施形態では、プラズマ用電源18は一般的な高周波電源でよく、直流パルスのような特殊な電源でなくともよい。図4に示すように、本実施形態では、プラズマ電極をなす離型ピン12、13を、石英、アルミナなどの絶縁体20、21で覆う必要がある。他の実施形態なお、上記各実施形態では、離型ピン12、13のピン穴101a、102をプラズマ照射口として利用しているが、これに限定されるものではなく、例えばスライドコア用の穴をプラズマ照射口として利用しても良い。また、金型10にプラズマ照射専用の穴を設けても良い。また、上記各実施形態では、型内表面をフッ化処理することによって離型性を向上させているが、これに限定されるものではない。例えば、フッ化処理の他、シリコーン塗布によるシロキサン処理がある。シロキサン処理はその表面がメチル基で被覆されているために表面自由エネルギーが低く、他の物質との化学結合を抑制する効果がある。シリコーン塗布以外にシロキサン処理をする場合は、トリメチルシラン、テトラメチルシランなどを原料としたプラズマCVD処理で形成が可能である。