"半導体基板10の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子20が複数形成され、前記半導体基板10における前記受光素子20の形成面上に、透光膜30を介して遮光膜40が形成され、前記遮光膜40に、前記受光素子20それぞれに対応した透光用の開口部41が形成された光センサであって、前記受光素子20として、光強度検出用の受光素子21と、光入射角度検出用の受光素子22とが前記半導体基板10に形成されており、前記光強度検出用の受光素子21の上方に位置する透光膜30、遮光膜40それぞれが除去されていることを特徴とする光センサ。前記光強度検出用の受光素子21の上方に位置する透光膜30、遮光膜40それぞれが除去される一方、前記光入射角度検出用の受光素子22の上方に位置する透光膜30、遮光膜40それぞれが残されていることを特徴とする請求項1に記載の光センサ。前記光強度検出用の受光素子21の受光面を底面とし、前記透光膜30と前記遮光膜40それぞれを側壁とする凹部50が構成されており、前記光強度検出用の受光素子21の上方に向うにしたがって、前記凹部50の開口面積が増大するように、前記凹部50の側壁が傾斜していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光センサ。前記光強度検出用の受光素子21の受光面積の方が、前記光入射角度検出用の受光素子22の受光面積よりも大きいことを特徴とする請求項1~3いずれか1項に記載の光センサ。前記半導体基板10の一面上に、前記受光素子20の受光面を保護する、透光性の保護膜が形成されており、前記透光膜30及び前記遮光膜40は、前記保護膜の上に形成されていることを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の光センサ。前記光入射角度検出用の受光素子22の出力信号に基づいて、前記半導体基板10に入射する光の角度を算出し、算出した光の角度と、前記光強度検出用の受光素子21の出力信号とに基づいて、光強度を算出する算出部を有することを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の光センサ。少なくとも3つの前記光入射角度検出用の受光素子22の中心と、各受光素子22に対応する前記開口部41の中心とを結ぶ仮想直線それぞれの仰角及び左右角の少なくとも一方が異なっていることを特徴とする請求項6に記載の光センサ。前記算出部は、少なくとも3つの前記光入射角度検出用の受光素子22の出力信号の比を算出することで、光の入射角度を算出することを特徴とする請求項7に記載の光センサ。前記遮光膜40は、前記透光膜30に多層に形成され、各層の遮光膜40に形成された開口部41によって、光の仰角が規定されていることを特徴とする請求項1~8いずれか1項に記載の光センサ。ところで、フォトセンサに入射する光の量光強度は、光の入射角度に依存するが、特許文献1に示される半導体装置では、光の入射角度を検出する機能を有していない。そのため、検出する光強度に、光の入射角度による強弱が含まれることとなり、光強度の検出精度に問題があった。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、光強度の検出精度が向上された光センサを提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、半導体基板10の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子20が複数形成され、半導体基板10における受光素子20の形成面上に、透光膜30を介して遮光膜40が形成され、遮光膜40に、受光素子20それぞれに対応した透光用の開口部41が形成された光センサであって、受光素子20として、光強度検出用の受光素子21と、光入射角度検出用の受光素子22とが半導体基板10に形成されており、光強度検出用の受光素子21の上方に位置する透光膜30、遮光膜40それぞれが除去されていることを特徴とする。このように本発明によれば、光強度検出用の受光素子21の上方に位置する透光膜30と遮光膜40それぞれが除去されている。これによれば、半導体基板10に入射する光の強度が微弱な場合でも、光強度を精度良く検出することができる。また、半導体基板10の一面上に形成された各層間での光の反射に起因する光の干渉効果が、光強度検出用の受光素子21の出力信号に含まれることが抑制される。更に、本発明では、光入射角度検出用の受光素子22を有する。これによれば、光強度検出用の受光素子21の出力信号と光入射角度検出用の受光素子22の出力信号とに基づいて、光強度を検出することができるので、検出する光強度に、光の入射角度による強弱が含まれることが抑制される。これにより、光強度の検出精度が向上される。なお、光入射角度検出用の受光素子22に入射する光の角度を規定するために、請求項2に記載のように、光強度検出用の受光素子21の上方に位置する透光膜30、遮光膜40それぞれが除去される一方、光入射角度検出用の受光素子22の上方に位置する透光膜30、遮光膜40それぞれが残された構成が採用される。請求項3に記載のように、光強度検出用の受光素子21の受光面を底面とし、透光膜30と遮光膜40それぞれを側壁とする凹部50が構成されており、光強度検出用の受光素子21の上方に向うにしたがって、凹部50の開口面積が増大するように、凹部50の側壁が傾斜した構成が好ましい。これによれば、光強度検出用の受光素子21に入射する光の量を増大することができる。請求項4に記載のように、光強度検出用の受光素子21の受光面積の方が、光入射角度検出用の受光素子22の受光面積よりも大きい構成が良い。これによれば、光強度検出用の受光素子21に入射する光の量を増大することができる。請求項5に記載のように、半導体基板10の一面上に、受光素子20の受光面を保護する、透光性の保護膜が形成されており、透光膜30及び遮光膜40が、保護膜の上に形成された構成が良い。これによれば、受光面が外部に晒されないので、受光素子20の耐久性が向上される。光強度を検出する構成としては、請求項6に記載のように、光入射角度検出用の受光素子22の出力信号に基づいて、半導体基板10に入射する光の角度を算出し、算出した光の角度と、光強度検出用の受光素子21の出力信号とに基づいて、光強度を算出する算出部を有する構成を採用することができる。請求項7に記載のように、少なくとも3つの光入射角度検出用の受光素子22の中心と、各受光素子22に対応する開口部41の中心とを結ぶ仮想直線それぞれの仰角及び左右角の少なくとも一方が異なった構成が良い。これによれば、光入射角度検出用の受光素子22によって、光の強度と角度とを含む、それぞれの値が異なる出力信号を、少なくとも3つ得ることができる。光の入射角度の算出としては、請求項8に記載のように、算出部は、少なくとも3つの光入射角度検出用の受光素子22の出力信号の比を算出することで、光の入射角度を算出する方法を採用することができる。請求項9に記載のように、遮光膜40は、透光膜30に多層に形成され、各層の遮光膜40に形成された開口部41によって、光の仰角が規定された構成が好ましい。これによれば、ある開口部から入射した光が、その開口部41と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制される。これにより、各受光素子20の出力信号に、外乱出力が含まれることが抑制される。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る光センサの概略構成を示す断面図である。図2は、光入射角検出用の受光素子と開口部それぞれの位置を説明するための平面図である。図3は、図2のIII-III線に沿う断面図である。なお、図2では、後述する光入射角度検出用の受光素子22を破線で示し、図3では、層30~40を簡略化している。また、図3では、光入射角度検出用の受光素子22の中心と、各受光素子22に対応する開口部41の中心とを結ぶ仮想直線を破線で示した。図1~図3に示すように、光センサ100は、要部として、半導体基板10と、受光素子20と、透光膜30と、遮光膜40と、を有する。半導体基板10の一面側に受光素子20が形成され、その受光素子20の形成面上に透光膜30が形成され、その透光膜30に遮光膜40が形成されている。そして、遮光膜40には、透光用の開口部41が形成されており、この開口部41を介して、光が受光素子20に入射するようになっている。受光素子20と算出部図示略とが電気的に接続されており、受光素子20の出力信号は、算出部にて処理される。算出部は、後述する受光素子21,22の出力信号に基づいて、光センサ100に入射する光の強度、仰角、及び左右角を算出する。以下においては、先ず、光センサ100の要部10~40の概略構成を示した後に、光センサ100の特徴点とその作用効果を説明する。半導体基板10は矩形状を成し、上記した受光素子20や、上記した算出部を構成する電子素子図示略が形成されている。これら電子素子は、半導体基板10に形成された配線パターン11を介して電気的に接続されている。受光素子20は、光を電気信号に変換するものであり、光強度検出用の受光素子21以下、強度受光素子21と示すと、光入射角度検出用の受光素子22以下、角度受光素子22と示すとが半導体基板10に形成されている。受光素子21,22それぞれは、PN接合を有するフォトダイオードであり、強度受光素子21の受光面積の方が、角度受光素子22の受光面積よりも大きくなっている。透光膜30は、光透過性と絶縁性とを有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えば酸化シリコンがある。図1に示すように、透光膜30は、半導体基板10の形成面上に、多層に形成されている。本実施形態では、4層の透光膜30が形成面上に形成されており、形成面の直上に位置する透光膜30が、特許請求の範囲に記載の保護膜に相当する。遮光膜40は、遮光性と導電性を有する材料から成る。このような性質を有する材料としては、例えばアルミニウムがある。図1に示すように、遮光膜40は、2層の透光膜30の間に形成されており、多層の遮光膜40が、透光膜30を介して半導体基板10の形成面上に形成されている。本実施形態では、3つの遮光膜40が透光膜30に形成されており、各層の遮光膜40それぞれに、受光素子21,22それぞれに対応した、開口部41が形成されている。本実施形態では、各遮光膜40に形成された開口部41の開口面積が等しくなっており、これら各層の開口部41によって、受光素子21,22それぞれの受光面に平行な直線と光の進行方向とによって形成される光の仰角が規定されている。図1に示すように、遮光膜40は、配線パターン11と電気的に接続されており、半導体基板10に形成された電子素子を電気的に接続する配線としての機能も果たしている。図2及び図3に示すように、角度受光素子22と開口部41とが、バツ印で記された基準点Pから放射状に延びる複数の仮想直線図示略上に位置しており、基準点Pから離れるにしたがって、角度受光素子22と開口部41との離間距離が長くなっている。この構成により、各角度受光素子22に対応する開口部41によって規定される仰角が異なり、仰角及び左右角の少なくとも一方が異なる9つの出力信号が得られる。算出部は、9つの出力信号に基づいて、光の角度仰角や左右角を検出し、検出した光の角度と、強度受光素子21の出力信号とに基づいて、光の強度を検出する。具体的に言えば、9つの角度受光素子22の出力信号の比を算出することで、光の入射角度を算出し、算出した光の入射角度と、強度受光素子21の出力信号とに基づいて、光強度を算出する。次に、本実施形態に係る光センサ100の特徴点とその作用効果を説明する。図1に示すように、光強度検出用の強度受光素子21の上方に位置する4層の透光膜30の内の3層と、3層全ての遮光膜40とが除去されており、強度受光素子21の受光面上に、1層の透光膜30だけが形成されている。これによれば、半導体基板10に入射する光の強度が微弱な場合でも、光強度を精度良く検出することができる。また、半導体基板10の形成面上に形成された各層間での光の反射に起因する光の干渉効果が、強度受光素子21の出力信号に含まれることが抑制される。また、本実施形態では、角度受光素子22の出力信号に基づいて光の入射角度を算出し、算出した光の入射角度と、強度受光素子21の出力信号とに基づいて、光強度を算出する。これによれば、光強度に、光の入射角度による強弱が含まれることが抑制され、光強度の検出精度が向上される。上記したように、受光素子21、22のうち、強度受光素子21のみが透光膜30が除去された状態となっている。つまり、角度受光素子22は、透光膜30が除去されていない状態である。角度受光素子22は、複数の角度受光素子22の各出力を比較して光の角度相対値を出力するものであるから、上述の光の干渉効果を受けても、全ての角度受光素子22が同様の影響を受けていれば出力にはなんら問題がない。そのため、角度受光素子22は、敢えて露出させず、透光膜30を残した状態としている。一方、強度受光素子21は、角度検出素子22のような相対値を出力するものではなく、絶対値を出力するものである。その為、光の干渉効果による影響は、光強度の検出精度の向上を阻害する。従って、本実施形態では、強度受光素子21のみが露出した状態としている。このように、本実施形態の特徴点は、複数の受光素子21,22を有する光センサ100において、単に任意の受光素子が露出する状態となっていることではなく、強度受光素子21のみが露出する状態となっていることにある。本実施形態では、強度受光素子21の受光面積の方が、角度受光素子22の受光面積よりも大きくなっている。これによれば、強度受光素子21に入射する光の量を増大することができる。受光素子21,22それぞれの受光面が、透光膜30によって被覆されている。これによれば、受光面が外部に晒されないので、受光素子21,22それぞれの耐久性が向上される。本実施形態では、透光膜30に遮光膜40が多層に形成され、隣接する開口部41の間に、多層の遮光膜40が形成されている。これにより、ある開口部41から入射した光が、その開口部41と対応する受光素子20以外の受光素子20に入射することが抑制される。この結果、各受光素子20の出力信号に、外乱出力が含まれることが抑制される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。図1に示すように、本実施形態では、強度受光素子21の受光面を底面とし、透光膜30と遮光膜40それぞれを側壁とする凹部50が構成されており、凹部50の開口面積が一定となっている。しかしながら、図4に示すように、凹部50の開口面積が、強度受光素子21の上方に向うにしたがって増大するように、凹部50の側壁が傾斜した構成を採用することもできる。これによれば、強度受光素子21に入射する光の量が増大される。図4は、光センサの変形例を説明するための断面図である。図1に示すように、本実施形態では、1つの強度受光素子21が半導体基板10に形成された例を示した。しかしながら、複数の強度受光素子21が半導体基板10に形成されていても良い。その際、保護膜としての機能を果たす、形成面の直上に位置する透光膜30の厚さを、複数の強度受光素子21にて異なるようにすることで、各強度受光素子21の分光感度特性を異ならせても良い。また、PN接合を有するフォトダイオードである強度受光素子21の拡散層の厚さを異なるようにすることで、各強度受光素子21の分光感度特性を異ならせても良い。本実施形態では、9つの角度受光素子22が半導体基板10に形成された例を示した。しかしながら、角度受光素子22の数としては、3つ以上であればよく、上記例に限定されない。本実施形態では、透光膜30が4層であり、遮光膜40が3層である例を示した。しかしながら、透光膜30及び遮光膜40それぞれの層数は上記例に限定されず、例えば、透光膜30が3層であり、遮光膜40が2層である構成を採用することもできる。本実施形態では、遮光膜40が、遮光性と導電性を有する材料から成る例を示した。しかしながら、遮光膜40によって、半導体基板10に形成された各電子素子を電気的に接続しなくとも良い場合、遮光膜40を、光を吸収する性質のみを有する材料によって形成しても良い。"