"アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1~10molの範囲で含むことを特徴とする誘電体膜。ペロブスカイト型の結晶構造を有することを特徴とする請求項1に記載の誘電体膜。アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、不純物としてアルカリ土類金属の炭酸塩を0.1~10molの範囲で添加した非晶質の誘電体膜を形成した後に、熱処理を行うことによって、この誘電体膜を結晶化させることを特徴とする誘電体膜の製造方法。電極の間に誘電体膜が挟持されてなるキャパシタであって、前記誘電体膜として、請求項1又は2に記載の誘電体膜、又は、請求項3に記載の方法により製造された誘電体膜を用いることを特徴とするキャパシタ。ところで、本発明者は、SrTiO3STOを誘電体膜として用いたキャパシタの製造を試みたところ、以下の課題があることを見出した。例えば、スパッタ法でSrTiO3膜を形成した場合、形成面上の温度が低いと成膜後にアモルファス状態となる。このため、下部電極上に厚み20nmのSrTiO3膜を形成した後、ランプアニーラを用いてN2雰囲気中で650°Cで加熱しながら1分間の熱処理を行い、SrTiO3膜を結晶化させた。そして、このSrTiO3膜をTEMで観察した。図5は、このSrTiO3膜の平面TEM写真であり、図6は、このSrTiO3膜の断面TEM写真であり、bはa中の囲み部分を拡大したものである。図5及び図6a,bに示すように、厚み方向に貫通する平らなタイル状のグレインが形成され、クラックらしき部分も観察された。その後、SrTiO3膜上に上部電極を形成し、キャパシタを作製した。そして、このキャパシタについて、比誘電率を測定したところ、約110の値を示した。また、リーク電流を測定したところ、1Vで3E-6A/cm2の値を示した。このため、結晶化させた誘電体膜は、リーク電流が大きいという課題があることがわかった。また、この現象は、誘電体膜の物理的な膜厚が50nm以下で特に顕著な傾向を示すことが認められた。さらに、この誘電体膜を貫通する結晶粒界が電流のリークパスとなっていることを本発明者は見出した。本発明に係る誘電体膜は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1~10molの範囲で含むことを特徴とする。また、本発明に係る誘電体膜の製造方法は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、不純物としてアルカリ土類金属の炭酸塩を0.1~10molの範囲で添加した非晶質の誘電体膜を形成した後に、熱処理を行うことによって、この誘電体膜を結晶化させることを特徴とする。以上のように、本発明によれば、結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制できるため、リーク電流の少ない高性能なキャパシタを得ることが可能である。以下、本発明を適用した誘電体膜及びその製造方法、並びにキャパシタについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。本発明を適用した誘電体膜は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1~10molの範囲で含むことを特徴とする。また、この誘電体膜は、ペロブスカイト型の結晶構造を有している。また、本発明を適用した誘電体膜の製造方法は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、不純物としてアルカリ土類金属の炭酸塩を0.1~10molの範囲で添加した非晶質の誘電体膜を形成した後に、熱処理を行うことによって、この誘電体膜を結晶化させることを特徴とする。図1は、誘電体膜を非晶質状態aから熱処理により結晶化させた状態bを模式的に示す断面図である。本発明では、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物からなる誘電体膜に、不純物としてアルカリ土類金属の炭酸塩を添加することで、この誘電体膜を結晶化させた際に、炭酸塩が結晶粒界に偏析し、結晶粒が過渡に成長するのを抑制すると共に、ストレスを緩和することができる。その結果、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生が抑制されたリーク電流の少ない高性能なキャパシタを得ることが可能である。本発明で用いられるアルカリ土類金属と遷移金属との酸化物としては、例えばSrTiO3STOやTiO3等を挙げることができ、アルカリ土類金属の炭酸塩としては、SrCO3やBaCO3等を挙げることができる。また、誘電体膜中における炭酸塩の濃度は、最終的に0.1~10molの範囲であればよい。一方、誘電体膜中における炭酸塩の濃度が0.1mol未満では、上述した炭酸塩を添加したことによる十分な効果を得ることができない。また、誘電体膜中における炭酸塩の濃度が10molを超えると、炭酸塩を過剰に添加したことによる誘電率の低下を招くことなる。また、炭酸塩の偏析も顕著なる。また、例えばスパッタ法でSrTiO3とSrCO3とを含む誘電体膜を形成する際は、SrTiO3とSrCO3とのターゲットを用いて、RFパワー比などを調整することで、SrTiO3とSrCO3との組成比を任意に調整することができる。また、誘電体膜の形成方法としては、スパッタ法に限らず、例えばCVDChemicalVaporDeposition法やALD法などを用いることができ、CO2ガスを反応ガスとして添加することによってSrCO3を含む膜を形成することもできる。図2は、本発明を適用したキャパシタの一例であり、本発明の誘電体膜をデカップリングキャパシタに適用した場合を例示している。このデカップリングキャパシタは、基板1の上に層間絶縁膜2を介して形成された下部電極3と、この上に形成された本発明の誘電体膜4と、この上に形成された上部電極5とを備え、下部電極3と上部電極5との間で誘電体膜4が挟持された構造を有している。また、上部電極5の上には、層間絶縁膜6を介してメタル配線7と、このメタル配線7を覆う層間絶縁膜8とが形成されている。そして、このキャパシタは、下部電極3が層間絶縁膜2に形成されたコンタクトプラグ9を介して基板1と電気的に接続され、上部電極5が層間絶縁膜6に形成されたスルーホールプラグ10を介してメタル配線7と電気的に接続された構造を有している。本発明を適用したキャパシタでは、誘電体膜4に上記本発明の誘電体膜を用いることで、リーク電流の少ない高性能なキャパシタとすることが可能である。なお、本発明の誘電体膜は、このようなデカップリングキャパシタに限らず、DRAM用のキャパシタなどにも適用可能である。以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。本実施例では、例えばスパッタ法でSrTiO3とSrCO3とを含む誘電体膜を形成するのに、ALD法を用いた。具体的には、Srプリカーサ前駆体に、ビスペンタメチルシクロペンタジエニルストロンチウムを用い、Tiプリカーサ前駆体に、メチルシクロペンタジエニルトリスジメチルアミノチタンを用いて、これらプリカーサを加熱したバブリングユニットで気化させた。また、反応室のプロセス温度を280°Cとし、酸化剤として、市販のオゾナイザーを用いたオゾンO3/O2conq180g/m3を添加した。さらに、SrCO3の形成を促進するためのCO2を添加し、このCO2の添加量でSrCO3の成膜量を調整した。SrO膜を形成する際のALDシーケンスシーケンスAは、以下の1~4の手順で行った。1Srプリカーサ:ドーズ10秒2Srプリカーサ:パージ10秒3O3/O2/CO2:ドーズ10秒3O3/O2/CO2:パージ15秒一方、TiO2膜を形成する際のALDシーケンスシーケンスBは、以下の1~1Tiプリカーサ:ドーズ10秒2Tiプリカーサ:パージ10秒3O3/O2:ドーズ10秒3O3/O2:パージ15秒そして、所望の膜厚のSrTiO3にSrCO3を添加した非晶質膜が得られるまで、これらシーケンスAとシーケンスBをある回数比Sr/Tiの組成比が1.0~1.2となるように合わせ込む。で繰り返した。すなわち、本実施例では、シーケンスA、B、A、B、Aの順で繰り返し、これを1単位として、所望の膜厚の非晶質膜が得られるまでシーケンスを繰り返した。本実施例では、Ru膜からなる下部電極上に、上記形成方法を用いて、SrTiO3/SrTiO3SrCO3=1[mol]の非晶質膜を20nmの膜厚で形成した後、ランプアニーラを用いてN2雰囲気中で650°Cで加熱しながら1分間の熱処理を行い、SrTiO3とSrCO3とを含む誘電体膜を結晶化させた。そして、このSrTiO3膜をTEMで観察した。図3は、このSrTiO3膜の平面TEM写真であり、図4は、このSrTiO3膜の断面TEM写真であり、bはa中の囲み部分を拡大したものである。図3及び図4a,bに示すように、粒径が5nm程度のSrTiO3STOのクリスタルが形成され、柱状の結晶構造の形成が抑制されていることがわかった。そして、この上にRu膜からなる上部電極を形成し、キャパシタを作製したところ、比誘電率が80程度まで低下したものの、リーク電流は1Vで5E-8A/cm2まで抑制されることがわかった。"