半導体素子と、一方面と前記一方面とは反対側の他方面とを有し、かつ前記他方面に前記半導体素子が実装されたベース材と、前記ベース材との間で前記半導体素子を囲む内部空間を構成するように前記ベース材の前記他方面に取り付けられ、かつ前記他方面に前記内部空間を挟んで向かい合う対向面を有し、かつ前記対向面に設けられた貫通孔を有する蓋材と、前記貫通孔に挿入され、前記内部空間において前記対向面側から前記他方面側に向かって延びる延在部を有する電極部材と、前記半導体素子を覆うように前記内部空間を封止する封止樹脂とを備え、前記蓋材は、前記内部空間において、前記封止樹脂と接するように配置され、前記延在部の前記対向面側から前記他方面側に向かって延びる面同士の交差する角部に対向するように前記貫通孔の形状に沿って配置され、かつ前記対向面側から前記他方面側に向かって延びるリブ部を含む、半導体装置。前記リブ部は、前記貫通孔の角に沿う湾曲形状を有している、請求項1に記載の半導体装置。前記リブ部の前記湾曲形状は、前記角部を受け入れるように構成されている、請求項2に記載の半導体装置。前記リブ部は、前記対向面から前記他方面に向かって前記延在部以上の高さを有している、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記封止樹脂は、前記半導体素子を覆うように前記内部空間を封止するゲル状樹脂と、前記ゲル状樹脂を覆う硬化樹脂とを含み、前記リブ部は、前記硬化樹脂を貫通し、前記リブ部の前記他方面側の端部が前記ゲル状樹脂に接するように構成されている、請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。上記公報に記載の半導体装置では、たとえば温度サイクル試験などにおいて熱ストレスが加えられることによって封止樹脂にクラックが発生する。本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、封止樹脂のクラックの発生を抑制することができる半導体装置を提供することである。本発明の半導体装置は、半導体素子と、一方面と一方面とは反対側の他方面とを有し、かつ他方面に半導体素子が実装されたベース材と、ベース材との間で半導体素子を囲む内部空間を構成するようにベース材の他方面に取り付けられ、かつ他方面に内部空間を挟んで向かい合う対向面を有し、かつ対向面に設けられた貫通孔を有する蓋材と、貫通孔に挿入され、内部空間において対向面側から他方面側に向かって延びる延在部を有する電極部材と、半導体素子を覆うように内部空間を封止する封止樹脂とを備えている。蓋材は、内部空間において、封止樹脂と接するように配置され、延在部の対向面側から他方面側に向かって延びる面同士の交差する角部に対向するように貫通孔の形状に沿って配置され、かつ対向面側から他方面側に向かって延びるリブ部を含んでいる。本発明の半導体装置によれば、リブ部が延在部の角部に対向するように貫通孔の形状に沿って配置されているため、リブ部によって延在部の角部の周囲に配置される封止樹脂を低減できる。これにより、延在部の角部を起点とする封止樹脂のクラックの発生を抑制することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1最初に本発明の実施の形態1の半導体装置の構成について説明する。図1を参照して、本実施の形態の半導体装置10は、たとえばパワーモジュールであり、高絶縁性半導体装置である。図2および図3を参照して、半導体装置10は、半導体素子1と、ベース材2と、蓋材3と、電極部材4と、封止樹脂5とを主に有している。半導体素子1は、たとえばIGBTである。ベース材2は、一方面2aと一方面2aとは反対側の他方面2bとを有している。ベース材2の他方面2bに半導体素子1が実装されている。ベース材2の材料は、たとえば銅、アルミニウムなどの金属が用いられ得る。蓋材3は、ベース材2との間で半導体素子1を囲む内部空間ISを構成するようにベース材2の他方面2bに取り付けられている。つまり、ベース材2と蓋材3とによって内部空間ISが構成されている。蓋材3は、他方面2bに内部空間ISを挟んで向かい合う対向面3aを有している。蓋材3の材料は、たとえば樹脂が用いられ得る。図3および図4を参照して、蓋材3は、対向面3aに設けられた貫通孔3bを有している。電極部材4は、貫通孔3bに挿入されて蓋材3に固定されている。電極部材4は、内部空間ISにおいて対向面3a側から他方面2b側に向かって延びる延在部4aを有している。延在部4aは角部CPを有している。角部CPは、対向面3a側から他方面2b側に向かって延びる面同士の交差する部分である。電極部材4は、半導体素子1と図示しない金属ワイヤなどにより電気的に接続されている。電極部材4は、コレクタ電極部材4Cとエミッタ電極部材4Eとを有している。コレクタ電極部材4Cとエミッタ電極部材4Eとはアウトサートによって蓋材3に取り付けられている。図5を参照して、コレクタ電極部材4Cの一端が蓋材3の貫通孔3bから上面側に突出して上面に沿って折り曲げられることで蓋材3に取り付けられるようにコレクタ電極部材4Cは構成されている。エミッタ電極部材4Eも同様に構成されている。図2に示すように、平面視においてコレクタ電極部材4Cとエミッタ電極部材4Eとは互いの一部同士が重なるように取り付けられている。再び図3および図4を参照して、内部空間ISには封止樹脂5が充填されている。封止樹脂5は、半導体素子1を覆うように内部空間ISを封止している。封止樹脂5は、ゲル状樹脂5aと硬化樹脂5bとを有している。ゲル状樹脂5aは半導体素子1を覆うように内部空間ISを封止している。ゲル状樹脂5aは電極部材4の延在部4aに接しないように延在部4aの下方まで内部空間ISを封止している。硬化樹脂5bはゲル状樹脂5aを覆うように内部空間ISを封止している。硬化樹脂5bは電極部材4の延在部4aを覆うように内部空間ISを封止している。ゲル状樹脂5aはたとえばシリコンゲルである。硬化樹脂5bはたとえばエポキシ樹脂である。蓋材3は、対向面3aに設けられたリブ部6を有している。リブ部6は、内部空間ISにおいて、封止樹脂5と接するように配置されている。リブ部6は、延在部4aの対向面3a側から他方面2b側に向かって延びる面同士の交差する角部CPに対向するように配置されている。リブ部6は、内部空間ISにおいて、対向面3a側から他方面2b側に向かって延びるように構成されている。リブ部6は、対向面3aから他方面2bに向かって延在部4a以上の高さを有していてもよい。リブ部6は、延在部4aの角部CPに封止樹脂5が接しないように角部CPに近接して配置されていてもよい。リブ部6は、硬化樹脂5bを貫通し、リブ部6の他方面2b側の端部がゲル状樹脂5aに接するように構成されている。なお、リブ部6の他方面2b側の端部は、ゲル状樹脂5aに挿入されていてもよい。つまり、リブ部6の他方面2b側の端部は、ゲル状樹脂5aの内部に位置していてもよい。図6および図7を参照して、リブ部6は、電極部材4の延在部4aの角部CPに近接して配置されている。リブ部6と電極部材4との距離は、たとえば1.0±0.3mmに設定されている。なお、蓋材3は開口部OPを有している。この開口部OPは、開口部OPから内部空間ISに封止樹脂5が封止されるように構成されている。図8および図9を参照して、リブ部6は、平面視において貫通孔3bの形状に沿って配置されている。リブ部6は、延在部4aの長手方向と交差するように配置されている。リブ部6は、長方形状を有している。本実施の形態では、リブ部6と延在部4aとは略同じ高さに形成されている。次に、本実施の形態の半導体装置の作用効果について比較例と比較して説明する。図10を参照して、本実施の形態の半導体装置10では、リブ部6が電極部材4の延在部4aの角部CPに対向するように配置されている。なお、図10では、本実施の形態の半導体装置10の電極部材4のうち延在部4aのみ図示されている。一方、図11および図12を参照して、比較例の半導体装置では、リブ部6が設けられていない。図11および図12に示すように、比較例の半導体装置では、封止樹脂5のクラック20は延在部4aの角部CPの他方面2b側の先端を起点として発生する。そして、クラック20は、延在部4aの角部CPの他方面2b側の先端から一方向に延びるように形成される。なお、クラック20の方向は、半導体素子1全体の歪により決まると考えられる。半導体素子1全体の歪の方向は一定であるため、クラック20の方向も一定であると考えられる。また、クラック20は、延在部4aの角部CPの先端から封止樹脂5の厚さ方向に高さを有して形成されることもある。したがって、このクラック20の方向にリブ部6が設けられることで、クラック20の発生を抑制することができる。また、クラック20が発生した場合でも、リブ部6がクラック20の方向に配置されることで、クラック20が延びるようにさらにクラック20が発生することを抑制できる。本実施の形態の半導体装置10によれば、リブ部6が延在部4aの角部CPに対向するように貫通孔3bの形状に沿って配置されているため、リブ部6によって延在部4aの角部CPの周囲に配置される封止樹脂5を低減できる。これにより、延在部4aの角部CPを起点とする封止樹脂5のクラック20の発生を抑制することができる。よって、半導体装置10の歩留まりを向上させることで生産性を向上することができる。また、本実施の形態の半導体装置10によれば、リブ部6は、対向面3aから他方面2bに向かって延在部4a以上の高さを有しているため、リブ部6によって延在部4aの他方面2b側の端部が封止樹脂5と接触することを抑制することができる。これにより、他方面2b側の端部に位置する延在部4aの角部CPを起点とする封止樹脂5のクラック20の発生を抑制することができる。また、本実施の形態の半導体装置10によれば、リブ部6は、硬化樹脂5bを貫通し、リブ部6の他方面2b側の端部がゲル状樹脂5aに接するように構成されているため、硬化樹脂5bにリブ部6の他方面2b側の端部が接しない。これにより、他方面2b側の端部に位置する延在部4aの角部CPを起点とする硬化樹脂5bのクラックの発生をさらに抑制することができる。実施の形態2本発明の実施の形態2では、実施の形態1と比較して、リブ部の形状が異なっている。図13および図14を参照して、リブ部6は、貫通孔3bの角に沿う湾曲形状を有している。リブ部6の湾曲形状は、湾曲形状の内側湾曲部分で延在部4aの角部CPを受け入れるように構成されている。コレクタ電極部材4Cの延在部4aの角部CPに対向するリブ部6と、エミッタ電極部材4Eの角部CPに対向するリブ部6とは、互いに分離して設けられている。図15および図16を参照して、延在部4aの長手方向と交差するように配置されたリブ部6の湾曲形状の一部は、延在部4aの短手方向の長さ延在部4aの厚みより大きい寸法を有している。本実施の形態でも、リブ部6と延在部4aとは略同じ高さに形成されている。図17を参照して、本実施の形態の半導体装置10では、延在部4aの角部CPがリブ部6の湾曲形状に覆われている。なお、図17では、本実施の形態の半導体装置10の電極部材4のうち延在部4aのみ図示されている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成は、上述した実施の形態1の構成と同一であるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態の半導体装置10によれば、リブ部6は、貫通孔3bの角に沿う湾曲形状を有しているため、リブ部6の湾曲形状によって延在部4aの角部CPの周囲に配置される封止樹脂5をさらに低減できる。これにより、延在部4aの角部CPを起点とする封止樹脂5のクラック20の発生をさらに抑制することができる。また、封止樹脂5およびリブ部6の少なくともいずれかを調整することにより、リブ部6によって延在部4aの角部CPに封止樹脂5が接しないようにすることができる。この場合には、延在部4aの角部CPに封止樹脂5が接しないため、応力発生ポイントをなくすことができる。これにより、延在部4aの角部CPを起点とする封止樹脂5のクラック20の発生を防止できる。また、本実施の形態の半導体装置10によれば、リブ部6の湾曲形状は、延在部4aの角部CPを受け入れるように構成されているため、リブ部6の湾曲形状によって延在部4aの角部CPの周囲に充填される封止樹脂5をより一層低減できる。これにより、延在部4aの角部CPを起点とする封止樹脂5のクラック20の発生をより一層抑制することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。