偏光方向がそれぞれ異なる第1直線偏光、第2直線偏光を含む照明光を生成する照明光生成手段と、前記第1直線偏光と前記第2直線偏光とを分離する分離手段と、前記第1直線偏光を第1方向に分割して第1のビーム及び第2のビームを生成する第1分割手段と、前記第2直線偏光を前記第1方向と異なる第2方向に分割して第3ビームと第4ビームを生成する第2分割手段とを含むビーム整形部と、前記第1分割手段、前記第2分割手段により生成された第1、第2、第3、第4ビームを合成してパターン基板に照射する光学系と、前記第1、第2ビームによる前記パターン基板からの光を検出する第1検出器と、前記第3、第4ビームによる前記パターン基板からの光を検出する第2検出器と、を備えるパターン基板検査装置。前記第1直線偏光の偏光方向と前記第2ビームの偏光方向とは直交していることを特徴とする請求項1に記載のパターン検査装置。前記第1方向と前記第2方向とは直交していることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン検査装置。前記第1、第2ビームにより前記第1方向の偏光ダイポール照明が構成され、前記第3、第4ビームにより前記第2方向の偏光ダイポール照明が構成されることを特徴とする請求項1、2又は3に記載のパターン検査装置。前記パターン基板は、X方向、Y方向に延びるパターンを有し、前記第1方向は前記X方向に略平行であり、前記第2方向は前記Y方向に略平行であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン検査装置。前記ビーム整形部は、前記光学系の瞳位置に配置されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン検査装置。前記ビーム整形部における前記第1直線偏光と、前記第2直線偏光の光路長は略等しいことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン検査装置。前記第1、第2の分割手段は、ルーフプリズムであることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン検査装置。前記照明光生成手段は、前記パターン基板と共役な位置に配置され、入射する光の一部の偏光状態を変化させる1/2波長板であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン検査装置。前記1/2波長板は、前記照明光の断面の半分の位置まで挿入されている請求項9に記載のパターン検査装置。偏光方向がそれぞれ異なる第1直線偏光、第2直線偏光を含む照明光を生成し、前記第1直線偏光と前記第2直線偏光とを分離し、第1直線偏光を第1方向に分割して第1のビーム及び第2のビームを生成し、前記第2直線偏光を前記第1方向と異なる第2方向に分割して第3ビームと第4ビームを生成し、生成された第1、第2、第3、第4ビームを合成してパターン基板に照射し、前記第1、第2ビームによる前記パターン基板からの光を検出し、前記第3、第4ビームによる前記パターン基板からの光を検出するパターン検査方法。前記第1直線偏光の偏光方向及び前記第2直線偏光の偏光方向が、前記パターン基板に設けられたパターンに平行であることを特徴とする請求項11に記載のパターン検査方法。請求項11又は12に記載の検査方法によりマスクを検査し検査されたマスクの欠陥を修正し、欠陥修正されたマスクを介して基板を露光し、前記露光された基板を現像する現像するパターン基板の製造方法。偏光ダイポール照明では、ダイポール照明を構成する斜め方向の直線偏光がS波としてウエハに入射する場合に、解像性が高くなる。特徴としては、偏光方向に平行な方向のラインパターンは綺麗に結像するが、偏光方向に垂直な方向のラインパターンの結像性は悪いとされている。検査感度を向上させるために、露光装置における偏光ダイポール照明をマスクのパターン検査装置に適用すると、偏光方向に平行な方向のパターンは感度良く検査できるものの、偏光方向に垂直な方向のパターンでは検査感度が悪くなる。本発明は、上記の事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、互いに異なる方向のパターンに対しても高感度で検査することができるパターン検査装置及びパターン検査方法、及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供することである。本発明の第1の態様に係るパターン検査装置は、偏光方向がそれぞれ異なる第1直線偏光、第2直線偏光を含む照明光を生成する照明光生成手段と、前記第1直線偏光と前記第2直線偏光とを分離する分離手段と、前記第1直線偏光を第1方向に分割して第1のビーム及び第2のビームを生成する第1分割手段と、前記第2直線偏光を前記第1方向と異なる第2方向に分割して第3ビームと第4ビームを生成する第2分割手段とを含むビーム整形部と、前記第1分割手段、前記第2分割手段により生成された第1、第2、第3、第4ビームを合成してパターン基板に照射する光学系と、前記第1、第2ビームによる前記パターン基板からの光を検出する第1検出器と、前記第3、第4ビームによる前記パターン基板からの光を検出する第2検出器とを備える。これにより、互いに異なる方向のパターンのいずれに対しても高感度で検査することができる。本発明の第2の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記第1直線偏光の偏光方向と前記第2ビームの偏光方向とは直交していることを特徴とする。本発明の第3の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記第1方向と前記第2方向とは直交していることを特徴とする。これにより、直交する2方向のパターンを有するパターン基板の検査を高感度で行うことが可能となる。本発明の第4の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記第1、第2ビームにより前記第1方向の偏光ダイポール照明が構成され、前記第3、第4ビームにより前記第2方向の偏光ダイポール照明が構成されることを特徴とする。本発明の第5の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記パターン基板は、X方向、Y方向に延びるパターンを有し、前記第1方向は前記X方向に略平行であり、前記第2方向は前記Y方向に略平行であることを特徴とする。これにより、X方向、Y方向のいずれの方向においても高感度で検査を行うことが可能となる。本発明の第6の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記ビーム整形部は、前記光学系の瞳位置に配置されていることを特徴とする。本発明の第7の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記ビーム整形部における前記第1直線偏光と、前記第2直線偏光の光路長は略等しいことを特徴とする。第1直線偏光と第2直線偏光の光学距離が等しいため、2種類の照明光の照明状態がパターン基板のパターン面において異なることがない。これにより、より高感度に欠陥の検出を行うことが可能となる。本発明の第8の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記第1、第2の分割手段は、ルーフプリズムであることを特徴とする。本発明の第9の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記照明光生成手段は、前記パターン基板と共役な位置に配置され、入射する光の一部の偏光状態を変化させる1/2波長板であることを特徴とする。本発明の第10の態様に係るパターン検査装置は、上記の検査装置において、前記1/2波長板は、前記照明光の断面の半分の位置まで挿入されている。本発明の第11の態様に係るパターン検査方法は、偏光方向がそれぞれ異なる第1直線偏光、第2直線偏光を含む照明光を生成し、前記第1直線偏光と前記第2直線偏光とを分離し、第1直線偏光を第1方向に分割して第1のビーム及び第2のビームを生成し、前記第2直線偏光を前記第1方向と異なる第2方向に分割して第3ビームと第4ビームを生成し、生成された第1、第2、第3、第4ビームを合成してパターン基板に照射し、前記第1、第2ビームによる前記パターン基板からの光を検出し、前記第3、第4ビームによる前記パターン基板からの光を検出する。これにより、互いに異なる方向のパターンのいずれに対しても高感度で検査することができる。本発明の第12の態様に係るパターン検査方法は、上記の検査方法において、前記第1直線偏光の偏光方向及び前記第2直線偏光の偏光方向が、前記パターン基板に設けられたパターンに平行であることを特徴とする。本発明の第13の態様に係るパターン基板の製造方法は、上記記載の検査方法によりマスクを検査し、検査されたマスクの欠陥を修正し、欠陥修正されたマスクを介して基板を露光し、前記露光された基板を現像する現像する。本発明によれば、互いに異なる方向のパターンのいずれに対しても高感度で検査することができるパターン検査装置及びパターン検査方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。本発明は、半導体製造工程で利用されるフォトマスクあるいはレチクルとも呼ばれるが、ここでは単にマスクと呼ぶ。における欠陥を検出する際に利用されるパターン検査装置に関する。本発明に係るパターン検査装置は、偏光ダイポール照明を用いて、互いに直行するいずれの方向のパターンに対しても高感度で検査を行うことができる。実施の形態1.本発明の実施の形態1に係るパターン検査装置について、図1~3を用いて説明する。実施の形態1では、EUVマスクのパターン検査を行う検査装置を例として説明を行う。図1は、実施の形態1に係るパターン検査装置100の照明光学系全体の構成を示す図である。図2は、パターン検査装置100で用いられるビーム整形部の構成を示す図である。図3は、パターン検査装置100による照明光の照射状態を説明するための図である。図1に示すように、パターン検査装置100は、レンズ101a、101b、101c、101d、ホモジナイザー102、ハーフミラー104、対物レンズ105、ミラー107a、107b、投影レンズ108、空間分割ミラー109、ビーム整形部110、TDIカメラ120a、120b、1/2波長板130を備えている。図示しないレーザ装置から直線偏光のレーザ光L1が出射される。レーザ光L1は、レンズ101aによって集光され、ホモジナイザー102に入射し、この内部で全反射を繰り返しながら進む。ホモジナイザー102の出射面では、均一な光強度分布のビームが形成される。ホモジナイザー102から出射されたレーザ光L1は、レンズ101bを通る。これにより、レーザ光L1は平行ビームに戻される。平行ビームとなったレーザ光L1はレンズ101cを通り集光される。すなわち、レンズ101bとレンズ101cとによって、ホモジナイザー102の出射端での像がレンズ101cの集光部に投影される。レンズ101cの集光部の位置には、1/2波長板130が配置されている。すなわち、1/2波長板130は、ホモジナイザー102の出射面と共役な位置に配置される。1/2波長板130は、レンズ101cの集光部におけるビーム断面の半分の位置まで挿入されている。すなわち、レンズ101cにより集光されるレーザ光L1の半分が1/2波長板130を通過する。本実施の形態では、1/2波長板130が、ビーム断面の下半分に配置された例を示している。ビーム断面の下半分が1/2波長板130を通過し、上半分は通過しない。その結果、ビーム断面の上半分と下半分とで異なる直交する2つの方向の直線偏光を含む反射照明光103aが生成される。反射照明光103aは、レンズ101dを通って平行ビームに戻される。レンズ101dを通過した反射照明光103aは、ミラー107aに当たって折り返され、ビーム整形部110に入射する。ただし、反射照明光103aはレンズ101dを経由しているため、ビーム整形部110への入射直前の反射照明光103bの偏光状態は、そのビーム断面内でほぼ平均化されている。ビーム整形部110は、1/2波長板130をEUVマスク106上に投影する照明光学系を構成する対物レンズ105の瞳位置に設けられる。ただし、ビーム整形部110はある程度の光路長を有するため、厳密な瞳位置は、ビーム整形部110のほぼ中心になっている。このビーム整形部110の詳細は図2を用いて後述する。ビーム整形部110から出射する反射照明光103cはハーフミラー104で反射して、反射照明光103dのように下方に進む。反射照明光103dは、対物レンズ105に入射してEUVマスク106上の微小領域に集光される。EUVマスク106において、反射照明光103dが照射される領域内に検査領域が設定される。この検査領域から発生する光は、パターン情報を有する回折光である。回折光の内、対物レンズ105を通る回折光D11はハーフミラー104に入射する。ハーフミラー104を通過する回折光D12は、ミラー107bで折り返され、投影レンズ108を通過する。投影レンズ108を通過した回折光D13は空間分割ミラー109の位置に到達する。空間分割ミラー109は、回折光D13を構成するビームの半分のみが入射するように挿入されている。空間分割ミラー109に当たらない半分の回折光D13はTDIカメラ120aのセンサー面121aに到達する。空間分割ミラー109に当たる残りの半分の回折光D13は、TDIカメラ120bのセンサー面121bに当たる。EUVマスク106のパターン面において、反射照明光103dが照射される検査領域が対物レンズ105と投影レンズ108とで構成される投影光学系によって、センサー面121aあるいはセンサー面121bに投影される。ここで、図1に示されたビーム整形部110に関して、図2を用いて説明する。図2に示すように、ビーム整形部110は、PBS偏光ビームスプリッタ111a、111b、ミラー112a、112b、ルーフプリズムペア113a、113bを備えている。ビーム整形部110に入射する反射照明光103bのビーム断面形状は略円形である。反射照明光103bは、互いに直行する2方向の直線偏光を含む。この互いに直行する2方向の直線偏光を、それぞれP波、S波とする。なお、ここでは、P波、S波という表現を用いるが、偏光方向が直行する2つの光を区別するために用いている。反射照明光103bはPBS111aに入射することで、これを透過するP波と反射するS波とに分離される。ルーフプリズムペア113a、113bは、それぞれ2つのルーフプリズムからなる。ルーフプリズムペア113aを構成する2つのルーフプリズムは、これらの稜線が向き合うように配置されている。一方のルーフプリズムの稜線は、他方のルーフプリズムの稜線と平行である。本実施の形態では、これらの稜線は紙面に垂直な方向に伸びる。P波は、ルーフプリズムペア113aを通過することで、断面形状が半円状の2本のビームA1、A2に分割される。本実施の形態では、P波は紙面に平行な上下方向に分割される。ビームA2の断面形状は、ビームA1の断面形状を上下に反転させた形状となっている。ビームA1の断面形状における円弧部は、ビームA2の断面形状にける円弧部と対向している。これらのビームA1、A2はミラー112aに当たって折り返され、PBS111bに入射する。ルーフプリズムペア113bを構成する2つのルーフプリズムは、これらの稜線が向き合うように配置されている。一方のルーフプリズムの稜線は、他方のルーフプリズムの稜線と平行である。本実施の形態では、これらの稜線は紙面に平行な上下方向に伸びる。すなわち、ルーフプリズムペア113bのルーフプリズムの稜線の伸びる方向は、ルーフプリズムペア113aのルーフプリズムの稜線が伸びる方向と直行する。つまり、ルーフプリズムペア113bは、ルーフプリズムペア113aを光軸方向周りに90度回転した向きに配置されている。PBS111aで反射したS波はミラー112bに当たって折り返され、ルーフプリズムペア113bを通過する。S波は、ルーフプリズムペア113bで半円状の2本のビームB1、B2に分割される。本実施の形態では、S波は紙面に垂直な方向に2分割される。ビームB2の断面形状は、ビームB1の断面形状を左右に反転させた形状となっている。ビームB1の断面形状における円弧部は、ビームB2の断面形状における円弧部と対向している。これらのビームB1、B2は、PBS111bに入射する。このように、ビーム整形部110によって、1本のビームが分割されて4本のビームが形成される。ビームA1、A2の偏光方向は同じであり、ビームB1、B2の偏光方向は同じである。ビームA1、A2の偏光方向とビームB1、B2の偏光方向とは、互いに直行する。1/2波長板130の光学的な位置は、EUVマスク106のパターン面と共役な位置になっている。すなわち、互いに直交した偏光方向の直線偏光を含む反射照明光103aが生成される位置が、対物レンズ105と、レンズ101dとで形成される投影光学系によってパターン面に投影される。1/2波長板130の配置される位置は、一般的に視野絞りが配置される位置である。従って、本実施の形態のパターン検査装置100では、直交する2つの方向の直線偏光の照明光がEUVマスク106における対物レンズ105の視野内に照射される。ここで、照明光の照射状態について、図3を参照して説明する。図3において、ビームB1、B2が分割されている方向をX方向、ビームA1、A2が分割されている方向をY方向、EUVマスク106のパターン面に垂直な方向をZ方向とする。図3に示すように、P波であるビームA1、A2からなる偏光ダイポール照明と、S波であるビームB1、B2からなる偏光ダイポール照明により、EUVマスク106のパターン面の対物レンズ105の視野105aが照明される。ただし、EUVマスク106に対して斜めから照射されるビームA1、A2、B1、B2の偏光方向に関してEUVマスク106のパターン面に対して定義する場合は、全てS波となる。図3に示す例では、ビームA1、A2は、Z-Y平面において、EUVマスク106の法線に対して略等しい角度で、EUVマスク106に照射される。ビームA1、A2の偏光方向は、EUVマスク106のパターン面のX方向に対して平行である。ビームB1、B2は、X-Z平面において、EUVマスクの法線に対して略等しい角度で、EUVマスク106に照射される。ビームB1、B2の偏光方向は、EUVマスク106のパターン面のY方向に対して平行である。すなわち、パターン検査装置100では、X方向の偏光ダイポール照明と、Y方向の偏光ダイポール照明とが実現できる。照明領域中の検査領域がTDIカメラ120a、120bにそれぞれ投影される。異なる2台のTDIカメラの一方ではX方向のパターンが検出され、他方ではY方向のパターンが検出される。そして、TDIカメラ120a、120bによって取得された画像に基づいて欠陥検査が行われる。通常、EUVマスク106のパターンは、直交する縦方向と横方向のパターンで構成されることが多い。パターン検査装置100では、それぞれのパターンに平行な方向の偏光方向の偏光ダイポール照明により、検査を行うことが可能となる。これにより、パターンの方向に依存せず、偏光方向に平行なパターン、偏光方向に垂直なパターンのいずれに対しても、高感度で検査を行うことが可能となる。図2に示すように、パターン検査装置100で用いられるビーム整形部110においては、反射照明光103bのビーム整形部110への入射方向と、ビーム整形部110からの反射照明光103cの出射方向が直交している。P波とS波による光路は、矩形状となっている。矩形状の光路において、一方の対向する2つの角にはそれぞれPBS111a、111bが配置され、他方の対向する2つの角にはそれぞれミラー112a、112bが配置される。PBS111aで反射照明光103bがP波とS波とに分けられ、PBS111bで再び合体するまでの間に、P波はミラー112aを経由し、S波はミラー112bを経由する。従って、P波の光路長とS波の光路長とは等しい。このように、ビーム整形部110におけるP波とS波の光学距離が等しいため、P波とS波の2種類の照明光の照明状態がEUVマスク106のパターン面において異なることがない。これにより、EUVマスク106におけるパターンの方向に依存せず、高い感度で欠陥検出を行うことが可能になる。なお、図4に示すように、入射光と出射光とが直交せずに、平行になるように光学備品を配置したビーム整形部310を用いてもよい。図4に示すビーム整形部310では、P波とS波による光路は、矩形状となっている。矩形状の光路において、P波の光路に沿った一方の隣接する2つの角にはそれぞれPBS311a、311bが配置され、S波の光路に沿った2つの角にはそれぞれミラー312a、312bが配置される。すなわち、一方の対向する2つの角にはPBS311a、ミラー312bがそれぞれ配置され、他方の対向する2つの角には、PBS311b、ミラー312aがそれぞれ配置される。図4に示すビーム整形部310では、PBS311aで光路が曲げられたS波が、PBS311bで再びP波と合体するまでの間に、ミラー312a、312bを経由する。すなわち、S波の光路が、迂回することとなる。従って、P波の光路長とS波の光路長とは異なり、図4に示す例では、S波の光路がP波の光路よりも長くなる。実施の形態2.本発明の実施の形態2に係るパターン検査装置について、図5を用いて説明する。図5は、実施の形態2に係るパターン検査装置200の照明光学系全体の構成を示す図である。パターン検査装置200は通常のフォトマスクを検査する装置である。パターン検査装置200はフォトマスクに対して透過照明を行う。図5に示すように、パターン検査装置200は、レンズ201a、201b、201c、201d、ホモジナイザー202、コンデンサレンズ204、対物レンズ205、ミラー207a、207b、投影レンズ208、空間分割ミラー209、ビーム整形部110、TDIカメラ220a、202b、1/2波長板230を備えている。図示しないレーザ装置から直線偏光のレーザ光L2が出射される。レーザ光L2は、レンズ201aによって集光され、ホモジナイザー202に入射し、この内部で全反射を繰り返しながら進む。ホモジナイザー202の出射面では、均一な光強度分布のビームが形成される。ホモジナイザー202から出射されたレーザ光L2は、レンズ201bを通る。これにより、レーザ光L2は平行ビームに戻される。平行ビームとなったレーザ光L1は、ミラー207aで折り返され、レンズ201cを通り集光される。すなわち、レンズ201bとレンズ201cとによって、ホモジナイザー202の出射端での像がレンズ201cの集光部、すなわち、視野絞りの位置に投影される。レンズ201cの集光部の位置には、1/2波長板230が配置されている。すなわち、1/2波長板230は、ホモジナイザー202の出射面と共役な位置に配置される。1/2波長板230は、レンズ201cの集光部におけるビーム断面の半分の位置まで挿入されている。すなわち、レンズ201cにより集光されるレーザ光L1の半分が1/2波長板230を通過する。本実施の形態では、1/2波長板230が、ビーム断面の下半分に配置された例を示している。ビーム断面の下半分が1/2波長板230を通過し、上半分は通過しない。その結果、ビーム断面の上半分と下半分とで異なる直交する2つの方向の直線偏光を含む透過照明光203aが生成される。透過照明光203aは、レンズ201dを通って平行ビームに戻される。平行ビームに戻された透過照明光203bは、ビーム整形部110に入射する。ただし、透過照明光203bはレンズ201dを経由しているため、ビーム整形部110へ入射直前の透過照明光203の偏光状態は、そのビーム断面内でほぼ平均化されている。ビーム整形部110としては、実施の形態1において用いられるものと同じ図2に示すものが用いられる。ビーム整形部110から出射される透過照明光203cは、コンデンサレンズ204を通過することで、フォトマスク206上の微小領域に集光する。フォトマスク206において、透過照明光203cが照射される領域内に検査領域が設定される。この検査領域から発生する光は、パターン情報を有する回折光である。回折光の内、対物レンズ205を通る回折光D21は、ミラー207bで折り返され、投影レンズ208を通過する。投影レンズ208を通過した回折光D22は空間分割ミラー209の位置に到達する。空間分割ミラー209は、回折光D22を構成するビームの半分のみが入射するように挿入されている。空間分割ミラー209に当たらない半分の回折光D22はTDIカメラ220aのセンサー面221aに到達する。空間分割ミラー209に当たる残りの半分の回折光D22は、TDIカメラ220bのセンサー面221bに当たる。フォトマスク206のパターン面において、透過照明光203cが照射される検査領域が対物レンズ205と投影レンズ208とで構成される投影光学系によって、センサー面221aあるいはセンサー面221bに投影される。実施の形態2においても、実施の形態1と同様に、ビーム整形部110が用いられている。従って、パターン検査装置200では、直交する2つの方向の直線偏光の照明光がフォトマスク206におけるコンデンサレンズ204の視野内に照射される。すなわち、パターン検査装置200では、X方向の偏光ダイポール照明と、Y方向の偏光ダイポール照明とが実現できる。照明領域中の検査領域がTDIカメラ220a、220bにそれぞれ投影される。異なる2台のTDIカメラの一方ではX方向のパターンが検出され、他方ではY方向のパターンが検出される。直交する縦方向と横方向のパターンで構成されるフォトマスク206を、それぞれのパターンに平行な方向の偏光方向の偏光ダイポール照明により、検査を行うことが可能となる。これにより、パターンの方向に依存せず、いずれの方向のパターンに対しても、高感度で検査を行うことが可能となる。ここで、本発明に係るパターン検査装置で用いられるビーム整形部110の代案であるビーム整形部410の構成について、図6を用いて説明する。図6は、ビーム整形部410の構成を示す図である。ビーム整形部410は、図1に示したパターン検査装置100又は図4に示したパターン検査装置200において用いることができる。図6に示す例では、ビーム整形部410をパターン検査装置100に適用した例について説明する。図6に示すように、ビーム整形部410は、PBS411a、411b、ミラー412a、412b、空間分割ミラー413a413bを備えている。ビーム整形部410では、半円状のビームを形成する際に、空間分割ミラー413a、413bが用いられる。ビーム整形部410に入射する反射照明光103bのビーム断面形状は略円形である。反射照明光103bは、互いに直行する2方向の直線偏光を含む。この互いに直行する2方向の直線偏光を、それぞれP波、S波とする。反射照明光103bはPBS411aに入射することで、これを透過するP波と反射するS波とに分離される。PBS411aを透過したP波は、空間分割ミラー413aに到達する。空間分割ミラー413aは、P波の半分のみが入射するように挿入されている。空間分割ミラー413aに当たらない半分のP波は直進し、空間分割ミラー413aに当たる残りの半分のP波は光路が曲げられる。これにより、P波が断面形状は半円状の2つのビームに分割される。本実施の形態では、P波は紙面に平行な上下方向に分割される。これらの分割されたビームをA1、A2とする。ビームA1、A2の断面形状は同一であり、ビームの直進方向からみて円弧部が上側を向いた半円となっている。空間分割ミラー413aに当たらず直進したビームは、ミラー412eで折り返され、PBS411bに入射する。空間分割ミラー413aに当たって光路が曲げられたビームは、ミラー412c、412eで折り返され、PBS411bに入射する。PBS411aで反射されたS波は、ミラー412bで折り返され、空間分割ミラー413bに到達する。空間分割ミラー413bは、S波の半分のみが入射するように挿入されている。空間分割ミラー413bに当たらない半分のS波は直進し、空間分割ミラー413bに当たる残りの半分のS波は光路が曲げられる。これにより、S波が断面形状は半円状の2つのビームに分割される。本実施の形態では、S波は紙面に垂直な方向に分割される。これらの分割されたビームをB1、B2とする。ビームB1、B2の断面形状は同一であり、ビームの直進方向からみて円弧部が左側を向いた半円となっている。空間分割ミラー413bに当たらず直進したビームは、PBS411bに入射する。空間分割ミラー413bに当たって光路が曲げられたビームは、図示しないミラーで折り返され、PBS411bに入射する。このように、ビーム整形部410によって、1本のビームが分割されて4本のビームが形成される。P波から生成される2つのビームの偏光方向は同じであり、S波から生成される2つのビームの偏光方向は同じである。P波から生成される2つのビームが分割される方向とS波から生成される2つのビームが分割される方向は直交している。すなわち、実施の形態2においても、ビームA1、A2からなるY方向の偏光ダイポール照明と、ビームB1、B2からなるX方向の偏光ダイポール照明が実現できる。以上説明したように、実施の形態2にかかるパターン検査装置200では、直交する縦方向と横方向のそれぞれのパターンに平行な方向の偏光方向の偏光ダイポール照明により、検査を行うことが可能となる。これにより、パターンの方向に依存せず、偏光方向に平行なパターン、偏光方向に垂直なパターンのいずれに対しても、高感度で検査を行うことが可能となる。上記のパターン検査装置を用いてマスクを検査し、マスクの欠陥を検出する。そして、マスクの欠陥を修正することによって、欠陥のないマスクが製造される。これにより、マスクの生産性を向上することができる。このような欠陥のないマスクを用いて、感光性樹脂を有する基板を露光する。そして、露光された基板を現像液で現像する。これにより、感光性樹脂を精度よくパターニングすることができる。よって、感光性樹脂がパターニングされたパターン基板を生産性よく製造することができる。さらに、感光性樹脂がレジストである場合、パターニングされた感光性樹脂を介して導電膜や絶縁膜をエッチングする。これにより、配線基板、回路基板などのパターン基板の生産性を向上することができる。なお、上述の実施の形態では、P波、S波をそれぞれ分割して4本のビームを形成する光学部材として、ルーフプリズムペア又は空間分割ミラーを用いた例について説明したが、これに限定されるものではない。これらの代わりにアパーチャーを用いることも可能である。また、上述の検査装置はEUVマスクやフォトマスクの検査に限らず、パターンを有するパターン基板であれば利用することができる。検査の対象となる試料としては、例えば、カラーフィルタ基板などを挙げることができる。また、実施の形態1で説明した反射照明を実現する照明光学系と実施の形態2で説明した透過照明を実現する照明光学系を組み合わせて、両方の照明方法を実現できるパターン検査装置とすることも可能である。