チップ面に設けられたチップ側電極を有する半導体チップと、前記半導体チップが実装される基板とを具備し、前記基板は、内部配線と、前記チップ側電極に接続される基板側電極と、前記基板側電極が配置される面と反対の面に配置される引き出し電極とを備え、前記チップ側電極は、前記半導体チップ内部の回路に接続される回路接続用電極と、前記回路から独立に設けられた第1検査用電極と、前記回路から独立に設けられ、前記第1検査用電極に短絡された第2検査用電極とを備え、前記基板側電極は、前記回路接続用電極に対応する位置に配置される回路接続用基板側電極と、前記第1検査用電極に対応する位置に配置される第1検査用基板側電極と、前記第2検査用電極に対応する位置に配置される第2検査用基板側電極とを備え、第2検査用電極は、前記半導体チップと前記基板とが正常に接続されるとき、前記第2検査用基板側電極と電気的に絶縁する位置に配置される半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記内部配線を介して前記回路接続用基板側電極に接続される回路接続用基板側電極と、前記内部配線と独立に設けられた検査用配線を介して前記第1検査用基板側電極に接続される第1検査用引き出し電極と、前記内部配線と独立に設けられた検査用配線を介して前記第2検査用基板側電極に接続される第2検査用引き出し電極とを備える半導体装置。請求項1または2に記載の半導体装置において、前記第1検査用電極は、前記チップ面からの高さが第1高さとなるように形成され、前記第2検査用電極は、前記チップ面からの高さが第1高さよりも低い第2高さとなるように形成される半導体装置。請求項1または2に記載の半導体装置において、前記基板側電極が配置される前記面を基準面としたとき、前記第1検査用基板側電極は、前記基板側電極が配置される前記面に配置され、前記第2検査用基板側電極は、前記基準面より低い位置に配置される半導体装置。フリップチップボンダーで半導体チップをBGA基板へ搭載し、加圧と過熱によってそれぞれを接続するときに、アンダーフィルがフリップチップボンダーのボンディングヘッドに付着してしまうことがある。ボンディングヘッドに付着したアンダーフィルは、時間の経過とともに固形化する。半導体チップをBGA基板へマウントする場合に、固形化したアンダーフィルが付着したままのボンディングヘッドは、通常よりも過度に半導体チップを押さえつけることがあった。過度に抑えつけられることによって、パッケージ内部の半導体チップが、BGA基板に接触してしまうなどの不具合が生じることがあった。このような不具合をチェックするには、断面観察やモールド開封などを実行し半導体チップの押し傷を確認する必要があった。パッケージ内部の半導体チップが、BGA基板に接触しているか否かを、簡単に把握することができる技術が求められる。以下に、[発明を実施するための形態]で使用される番号を用いて、[課題を解決するための手段]を説明する。これらの番号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための形態]との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。上記の課題を解決するために、チップ面に設けられたチップ側電極41112を有する半導体チップ2と、半導体チップ2が実装される基板3とを具備する半導体装置1を構成する。基板3は、内部配線と、チップ側電極41112に接続される基板側電極52122と、基板側電極52122が配置される面と反対の面に配置される引き出し電極72324とを備えることが好ましい。チップ側電極41112は、半導体チップ2内部の回路に接続される回路接続用電極4と、回路から独立に設けられた第1検査用電極11と、回路から独立に設けられ、第1検査用電極11に短絡された第2検査用電極12とを備えることが好ましい。基板側電極52122は、回路接続用電極4に対応する位置に配置される回路接続用基板側電極5と、第1検査用電極11に対応する位置に配置される第1検査用基板側電極21と、第2検査用電極12に対応する位置に配置される第2検査用基板側電極22とを備えることが好ましい。第2検査用電極12は、半導体チップ2と基板3とが正常に接続されるとき、第2検査用基板側電極22と電気的に絶縁する位置に配置されることが好ましい。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、パッケージ内部の半導体チップが、BGA基板に接触しているか否かを、簡単に把握することが可能となるという効果がある。[第1実施形態]以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するための図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。図1は、本願発明の半導体装置1の第1実施形態の構成を例示する断面図である。図1は、本実施形態の半導体装置1が適正に形成されている状態を例示している。図1に示されているように、半導体装置1は、半導体チップ2と、BGA基板3とを備えている。その半導体チップ2とBGA基板3とは、フリップチップ接続によって接続されている。なお、以下に述べる実施形態では、本願発明の理解を容易にするために、半導体チップ2とBGA基板3との間に充填される樹脂に関する説明を省略する。半導体チップ2には、複数のAuバンプ4が形成されている。なお、以下の実施形態において、Auバンプ4などのバンプがAu金である場合を例示しているが、これは、本願発明におけるバンプの構成を制限するものではない。半導体チップ2は、Auバンプ4と同じ高さの第1検査バンプ11を備えている。また、半導体チップ2は、第1検査バンプ11よりも小さい第2検査バンプ小バンプ12を備えている。第1検査バンプ11と第2検査バンプ小バンプ12は、半導体チップ2に設けられた検査用チップ配線13を介して互いに接続されている。その検査用チップ配線13は、半導体チップ2の回路に接続されている内部配線とは、独立して設けられている。BGA基板3は、複数のランド5を備えている。また、BGA基板3は、第1検査バンプ11に対応する第1検査用ランド21と、第2検査バンプ小バンプ12に対応する第2検査用ランド22とを備えている。BGA基板3のランド5が形成される面と反対の面には、複数の半田ボール7が配置されている。本実施形態の半導体装置1において、ランド5と半田ボール7とは、内部配線図示されずを介して接続されている。半田ボール7が形成される面には、第1検査用半田ボール23と第2検査用半田ボール24とが配置されている。第1検査用半田ボール23は、接続領域25と第1検査用基板内配線26とを介して第1検査用ランド21に接続されている。第2検査用半田ボール24は、接続領域27と第2検査用基板内配線28とを介して第2検査用ランド22に接続されている。第1検査用基板内配線26と接続領域27は、BGA基板3の内部配線とは、独立して設けられている。図1には、半導体チップ2が適切にBGA基板3に実装された場合の半導体装置1が例示されている。フリップチップ接続によって半導体チップ2をBGA基板3に接続する場合、まず半導体チップ2のボンディングPAD図示されずにAuバンプ4を形成する。また、BGA基板3のランド5の上に、アンダーフィルを塗布する。その後、フリップチップボンダー図示されずで半導体チップ2をBGA基板3へ搭載し、加圧と過熱を行って接続を行う。図1に示されているように、半導体チップ2が適切にBGA基板3に実装された場合、第2検査バンプ小バンプ12と第2検査用ランド22の間には、微小な隙間h1が形成される。フリップチップボンダーで半導体チップ2をBGA基板3へ搭載し、押し下げと過熱を行って接続を行うときに、適正な押し下げ量を超えてしまうと、第2検査バンプ小バンプ12は、第2検査用ランド22よりも低い位置まで押されてしまう。第2検査バンプ小バンプ12と第2検査用ランド22が接触すると、第1検査用半田ボール23から→接続領域25→第1検査用基板内配線26→第1検査バンプ11→検査用チップ配線13→第2検査バンプ小バンプ12→第2検査用ランド22→第2検査用基板内配線28→接続領域27→第2検査用半田ボール24という接続経路が形成されてしまう。この接続経路が形成されてしまった場合、半導体チップ2とBGA基板3とが接触した状態になっていることになる。第1検査用半田ボール23と第2検査用半田ボール24とが通電するか否かを、テスターにて確認することで、半導体装置1が適切に製造されたか否かを確認することが出来る。[比較例]以下に、本願発明に対する比較例について説明を行う。図2は、比較例の半導体パッケージ101の構成を例示する断面図である。図2は、半導体装置101が適正に形成されている状態を例示している。図2に示されているように、半導体装置101は、半導体チップ102と、BGA基板103とを備えている。その半導体チップ102とBGA基板103とは、フリップチップ接続によって接続され、樹脂120で封止されている。半導体チップ102には、複数のAuバンプ104が形成されている。BGA基板103は、複数のランド105が形成されている。また、BGA基板103のランド105が形成される面と反対の面に、複数の半田ボール107が配置されている。半導体チップ102とBGA基板103の間の領域には、アンダーフィル106が充填されている。図3は、比較例の半導体装置101を製造するときに、フリップチップボンダーによる押し下げ量が適正な量を超えてしまった場合の半導体装置101の構成を例示する断面図である。図3に示されているように、接触領域121において、半導体チップ102とBGA基板103とが接触していまっている。このように、本実施形態の半導体装置1のような構成を備えていない場合、金Auのような硬度が低い材料のバンプでは、半導体チップ102とBGA基板103が直接接触してしまう問題が生じていた。図3のような不具合をチェックするには、断面観察やモールドを開封し、チップの押し傷を確認する必要があった。本実施形態の半導体装置1は、この接触に関しての確認を電気的テスターに容易に実施することができる。[第2実施形態]以下に、図面を参照して本願発明の第2実施形態について説明を行う。図4は、本願発明の半導体装置1の第2実施形態の構成を例示する断面図である。第2実施形態の半導体装置1は、第1実施形態の半導体装置1と異なり、検査用バンプ12aを備えている。その検査用バンプ12aは、Auバンプ4や第1検査バンプ11と同じ大きさで形成されている。図4には、半導体チップ2が適切にBGA基板3に実装された場合の半導体装置1が例示されている。図4に示されているように、第2実施形態の半導体装置1のBGA基板3は、Auバンプ4や第1検査用ランド21が形成される面よりも低い位置に設けられた第2検査用ランド22を備えている。第2検査用ランド22を形成する位置を、他のランドAuバンプ4や第1検査用ランド21よりも低くなっているため、半導体チップ2が適切にBGA基板3に実装された場合、第2検査バンプ小バンプ12と第2検査用ランド22の間には、微小な隙間h2が形成される。半導体チップ2とBGA基板3とが接触した状態だと、第1検査用半田ボール23と第2検査用半田ボール24とが通電してしまう。したがって、第1検査用半田ボール23と第2検査用半田ボール24とが接続されているか否かを、テスターにて確認することで、半導体装置1が適切に製造されたか否かを確認することが出来る。なお、上述の複数の実施形態では、半導体チップ2とBGA基板3とを接続し、パッケージ化する工程においては、従来の工程をなにも変更することなく半導体装置1を製造することが可能である。以上、本願発明の実施の形態を具体的に説明した。本願発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。また、上述の複数の実施形態は、その構成動作に矛盾が生じない範囲において組み合わせて実施することが可能である。