"一般式KmNbnO3で表される第一の相と、一般式BaαTiβO3で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする誘電体磁器組成物。前記KmNbnO3で表される第一の相の占める割合をaとし、前記BaαTiβO3で表される第二の相の占める割合をbとしたとき、1.2<a/b<5.7の関係を満足することを特徴とする請求項1に記載の誘電体磁器組成物。前記KmNbnO3のKの一部をLiおよびNaで置換したこと、及び、Nbの一部をTaで置換したことを特徴とする請求項1、2に記載の誘電体磁器組成物。前記BaαTiβO3のBaの一部をCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類で置換したこと、及び、Tiの一部をZrHfCoVTaCrMoW,Mgの中から選択される少なくとも1種類で置換したこと特徴とする請求項1~3に記載の誘電体磁器組成物。誘電体と電極とを有する電子部品であって、前記誘電体が、請求項1~6のいずれかに記載の誘電体磁器組成物より成ることを特徴とする電子部品。本発明は、上記のような観点から、広範囲な温度領域例えば、-55~400°Cにおいて静電容量変化率例えば、ΔC/C=±22以内が小さく、400°C付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供することを課題とする。本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、特定組成の誘電体磁器組成物を用いることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、上記課題を解決する本発明に係る誘電体磁器組成物は、一般式KmNbnO3で表される第一の相と、一般式BaαTiβO3で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。前記KmNbnO3で表される第一の相の占める割合をaとし、前記BaαTiβO3で表される第二の相の占める割合をbとしたとき、1.2<a/b<5.7の関係を満足することが望ましい。前記KmNbnO3のKの一部をLiおよびNaで置換したこと、及び、Nbの一部をTaで置換することが望ましい。前記BaαTiβO3のBaの一部をCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類で置換したこと、及び、Tiの一部をZrHfCoVTaCrMoW,Mgの中から選択される少なくとも1種類で置換することが望ましい。また、これらの前記誘電体磁器組成物を用いて誘電体磁器コンデンサや圧電素子などの電子部品として利用することが望ましい。本発明によれば、その主成分に、Pb、Bi、Sbなどの環境に負荷を及ぼす重金属元素を使用することなく広範囲な温度領域例えば、-55~400°Cにおける静電容量変化率が±22以内に平坦化でき良好な温度特性と高い比誘電率を示すことができる。さらに、本発明によれば、広範囲の温度領域で高い比誘電率を示すことができ、例えば25°Cにおける比誘電率が500以上の特性を有する誘電体磁器組成物が得られる。したがって、本発明にかかわる誘電体磁器組成物としては、高温領域での使用が求められる車載用途や、さらにより高温領域まで求められている、SiCやGaN系の半導体を用いたパワーデバイス用の平滑用のコンデンサや、自動車のエンジンルーム内のノイズ除去に用いる電子部品として最適である。また、本発明に関わる誘電体磁器組成物は、EIA規格X8S特性-55°C~150°CにおけるΔC/C=±22以内満足できるため、X8S特性のコンデンサとしても利用することができる。以下、本発明を実施形態に基づき説明する。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、KmNbnO3で表される第一の相と、一般式BaαTiβO3で表される第二の相とで混晶体、つまり、コンポジット構造を形成し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴としている。前記のm/nとα/βとが同時に1を取らないことで、第一の相と第二の相との混晶状態の制御が容易になる。これにより、温度範囲の両端である-55°C及び400°Cにおける静電容量の変化率を改善することが可能となる。前記のm、nは、KとNbの組成比を示している。m/n<0.990では、KmNbnO3の斜方晶から正方晶への転移、つまり、150°Cから200°C付近における比誘電率のピークが顕著に生じるため、150°C付近の静電容量の変化率が±22以内を満足しない。m/n>1.005では、カリウムが第二の相のBaαTiβO3に拡散しやすくなり、室温付近の容量が大きくなるため、125°C以降の静電容量の変化率が±22以内を満足しなくなると共に、緻密な焼結体を得るのが困難になってしまう。従って、m、nは0.990≦m/n≦1.005、好ましくは0.995≦m/n≦1.002であるの範囲を満足することが好ましい。α、βは、BaとTiの組成比を示しており、α/β<0.995では、BaαTiβO3が粒成長を起こし易く、25°C付近の比誘電率ピークが顕著に生じるため、200°C以降の静電容量の変化率が±22以内を満足しない。α/β>1.010では、BaαTiβO3の125°C以下の温度領域での容量が低下してしまい、200°C以降の静電容量の変化率が±22以内を満足しない。また、BaαTiβO3の焼結温度が高くなるため、第一の相であるKmNbnO3が析出しやすくなる。従って、α、βが0.995≦α/β≦1.010、好ましくは0.997≦α/β≦1.005の範囲を満足することが好ましい。前記KmNbnO3で表される第一の相の占める割合をaとし、前記BaαTiβO3で表される第二の相の占める割合をbとしたとき、a/bが1.2以下の場合には、BaαTiβO3で表される第二の相の占める割合が多くなり、BaαTiβO3の150°C以降の常誘電体への転移により、容量低下が顕著になる。このため、150°C以降の容量温度特性の悪化が著しく、静電容量の変化率が±22以内を満足しない。逆に、a/bが5.7以上のときには、BaαTiβO3で表される第二の相の占める割合が少なくなり、200°C以降のKmNbnO3の斜方晶から正方晶への転移、400°C付近の正方晶から立方晶への転移による比誘電率のピークが顕著に生じるため、150°C以上の温度領域での容量温度特性の悪化が著しく、静電容量の変化率が±22以内を満足しない。従って、第一の相の占める割合aと、第二の相の占める割合bは、1.2<a/b<5.7の関係を満足することが好ましい。第一の相であるKmNbnO3のKの一部をLiおよびNaから選択される少なくとも1種類で適量置換することや、Nbの一部をTaで適量置換することで、容量温度特性をより制御することが可能となり、良好な温度特性を得ることができる。第二の相であるBaαTiβO3のBaの一部をCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類で適量置換することや、Tiの一部をZrHfCoVTaCrMoW,Mgの中から選択される少なくとも1種類で適量置換することで、容量温度特性をより制御することが可能となり、良好な温度特性を得ることができる。本発明に係る電子部品は、誘電体と電極とを有する電子部品であって、前記記載の誘電体磁器組成物で構成して成る誘電体層と、内部電極層とを有している積層型の電子部品。あるいは上記記載の誘電体磁器組成物を用いた電子部品としては、特に限定されないが、セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装SMDチップ型電子部品が例示される。尚、本実施形態に係る誘電体磁器組成物に、副成分を含有させることにより、焼成温度の低下や寿命の改善することができる。このような副成分としては、特に限定されないが、例えば、焼成温度させる効果を有する化合物として二酸化珪素、酸化アルミニウムが挙げられる。さらに、寿命を改善させる効果を有する化合物として酸化マグネシウムのようなアルカリ金属化合物、酸化マンガン、希土類元素酸化物、酸化バナジウム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。その含有量も組成等に応じて適宜決定すればよい。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、KmNbnO3で表される第一の相と、BaαTiβO3で表される第二の相とを特定の割合で設定したコンポジット構造を取ることで、比誘電率500以上を示し、-55~400°Cという広い温度範囲において、静電容量変化率が±22を満足する。上記のように、本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、高温領域において良好な特性を示すため、SiCやGaN系のパワーデバイスの使用温度域たとえば200~250°Cにおいて好適に用いることができる。また、自動車のエンジンルームなど、過酷な環境下において、ノイズ除去用などの電子部品として好適に用いられる。次に、本実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法の一例を説明する。まず、誘電体磁器組成物を構成する各成分の原料を準備する。本実施形態では、KmNbnO3及びBaαTiβO3の原料を準備する。これらの準備については、例えば市販の水熱合成法、蓚酸塩法、ゾル-ゲル法等を用いて作製したBaαTiβO3の粉体を用いても良い。さらに、KmNbnO3の粉体は、K2CO3,Nb2O5を原料として、混合、仮焼き、粉砕を行う、固相合成法を用いて作製した粉体を用いても良い。予めKmNbnO3の粉体と、BaαTiβO3の粉体を前述の方法にて準備し、焼成条件を調整することにより、本発明の誘電体磁器組成物は一般式KmBaαNbnTiβO12で表されるような固溶体の生成を極力少なく制御することができる。また、本実施形態に係る誘電体磁器組成物が、上記の副成分を含有する場合には、副成分の原料も準備する。副成分の原料としては、特に限定されず、上記した各成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。準備した原料を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、たとえば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。得られた原料混合物は、バインダ樹脂を添加し造粒して、造粒物としてもよいし、バインダ樹脂や溶剤とともにペースト化して、スラリーとしてもよい。また、造粒物やスラリーとする前に、原料混合物を仮焼してもよい。造粒物やスラリーを成形する方法としては特に制限されず、たとえば、シート法、印刷法、乾式成形、湿式成形、押出成形などが挙げられる。本実施形態では、乾式成形を採用し、造粒物を金型に充填して圧縮加圧プレスすることにより成形する。成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよいが、本実施形態では円盤状の成形体とする。得られた成形体は、必要に応じて、脱バインダ処理した後、焼成される。焼成条件は、組成等に応じて適宜決定すればよいが、焼成温度は、好ましくは900~1200°C、保持時間は、好ましくは1~24時間である。焼成後、必要に応じて、アニール処理を行い、焼結体としての誘電体磁器組成物を得る。本発明には必ずしも前記アニール処理を行う必要はないが、アニール処理条件を調整することにより、KmNbnO3とBaαTiβO3との固溶体の生成する量を制御可能である。次いで、得られた誘電体磁器組成物に端面研磨を施し、電極を形成する。このようにして製造された本実施形態の誘電体磁器組成物は、セラミックコンデンサなどの電子部品に好適に使用される。なお、上記では、本実施形態に係る誘電体磁器組成物として、円盤状の誘電体磁器組成物を例示したが、シート法などにより、積層型の電子部品の誘電体層を構成する誘電体磁器組成物としてもよい。また、本実施形態の誘電体磁器組成物は、良好な圧電特性例えば、圧電定数:d33=40pC/Nも有しているため、圧電体素子にも好適に使用される。さらに、本発明に係る誘電体磁器組成物は、単板型のコンデンサ等の電子部品に用いてもよいし、積層型のコンデンサ等の電子部品に用いてもよい。あるいは、圧電体素子に用いてもよい。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。なお、以下の実施例および比較例において、各種物性評価は、以下のように行った比誘電率εsコンデンサ試料に対し、基準温度25°Cにおいて、アジレントテクノロジー社製4294Aを用いて、周波数1kHz、測定電圧1Vとし、静電容量Cを測定した。そして、比誘電率εs単位なしを、誘電体磁器組成物の厚みと、有効電極面積と、測定の結果得られた静電容量Cとに基づき算出した。本実施例では、εsが500以上を良好とした。静電容量温度特性コンデンサ試料をDespatch社製恒温槽内に載置し、-55~500°Cの温度範囲で1Vの電圧での静電容量を測定し、25°Cでの静電容量C25に対する静電容量誘電率の変化率ΔC/Cを、ΔC/C={C-C25/C25}×100の式より算出した。本実施例では、静電容量変化率が±22の範囲にあるものを良好としたS特性。画像解析による第一の相及び第二の相の領域の評価焼成して得られた誘電体磁器組成物に対して、FIB集束イオンビームを用いてマイクロ-サンプリングを行い、TEM試料を作製した。この試料に対しJEM2200FSを用いSTEM像観察を行いSTEM-EDSマッピング行った。観察視野は、3.0μm×3.0μmとし、各試料に対し5視野以上観察を行った。これらの方法で得られた組成マップを用いて、第一の相の元素であるK、Nbと第二の相の元素であるBa、Tiの領域を特定し、各5視野以上の結果の平均面積を用いて、a/bの割合を算出した。本実施例では、良好な容量の温度特性を得るために、1.2<a/b<5.7の範囲に制御した。実施例1まず、出発粉として平均粒径が500nmのKmNbnO3m/n比が0.985から1.010、および平均粒径が200nmのBaαTiβO3α/β比が0.990から1.015を準備し、表1の組合せおよび配合比になるように、それぞれ秤量し、分散媒としての水を用いでボールミルにより17時間湿式混合した。その後、得られた混合物を乾燥して原料粉末を得た。表1に示している実験No.1~6はKmNbnO3と、BaαTiβO3の少なくともどちらか一方を化学量論比にしたものである。なお、※のついたものは比較例である。実験No.7※はm/n=1、α/β=1の場合の比較例である。得られた原料粉末に対し、バインダ樹脂としてPVBを2重量添加し、250MPaの圧力で成形することにより、直径10mm、厚さ約1mmの円盤状のグリーン成形体を得た。これを空気中で、700°C、10時間加熱して脱バインダ処理を行った。次いで、得られた脱バインダ後の成形体を、空気中で、1100~1200°C、10時間、焼成することにより、円盤状の焼結体を得た。得られた円盤状の焼結体は、KmNbnO3とBaαTiβO3との固溶体相の生成量を調整するため、さらにアニール処理を行った。アニール条件は、空気中で、825°C、30分間、熱処理を行った。さらに、得られた焼結体を研磨し、その主表面にAg電極を塗布し、空気中、650°Cで20分間焼付け処理を行うことによって、円盤状のセラミックコンデンサの試料を得た。各サンプルについて上記した特性の評価を行った。結果を表2に示す。また、表中の斜体で表した数値は本発明の目的物性の範囲を外れる数値を示している。表2に示すように、KmNbnO3と、BaαTiβO3のm/n、及び、α/βが同時に1を取らないことで、比較例であるm/n=1、α/β=1の実験No.7※と比べて、-55°C及び400°Cにおける静電容量の変化率が改善されていることが確認できる。また、比較例である実験No.8※~11※は、静電容量の変化率が±22以内を満足していない。実施例2まず、出発粉として平均粒径が500nmのK0.995NbO3および平均粒径が200nmのBaTiO3を準備し、表3に示す配合比になるように、それぞれ秤量し、分散媒としての水を用いでボールミルにより17時間湿式混合した。その後、得られた混合物を乾燥して原料粉末を得た。表3に示している実験No.12~14は本実施例の範囲内のサンプルであり、実験No.15※~16※は比較例である。得られた原料粉末に対し、バインダ樹脂としてPVBを2重量添加し、250MPaの圧力で成形することにより、直径10mm、厚さ約1mmの円盤状のグリーン成形体を得た。これを空気中で、700°C、10時間加熱して脱バインダ処理を行った。次いで、得られた脱バインダ後の成形体を、空気中で、1100~1200°C、10時間、焼成することにより、円盤状の焼結体を得た。得られた円盤状の焼結体は、KmNbnO3とBaαTiβO3との固溶体相の生成量を調整するため、さらにアニール処理を行った。アニール条件は、空気中で、825°C、30分間、熱処理を行った。さらに、得られた焼結体を研磨し、その主表面にAg電極を塗布し、空気中、650°Cで20分間焼付け処理を行うことによって、円盤状のセラミックコンデンサの試料を得た。各サンプルについて上記した特性の評価を行った。結果を表4に示す。また、表中の斜体で表した数値は本発明の目的物性の範囲を外れる数値を示している。表4に示すように第一の相であるKmNbnO3と、第二の相であるBaαTiβO3の割合を、本実施例の範囲内、1.2<a/b<5.7の範囲にすることにより、静電容量の変化率を±22以内に制御できることが確認できる。比較例である実験No.15※~16※は、静電容量の変化率が±22以内を満足していない。実施例3まず、出発粉として平均粒径が500nmのKの一部をNaで置換したK0.75Na0.250.995NbO3およびKの一部をLiで置換したK0.75Li0.250.995NbO3、Nbの一部をTaで置換したK0.995Nb0.90Ta0.10O3と、平均粒径が200nmのBaTiO3を準備し、表5に示す配合比になるように、それぞれ秤量し、分散媒としての水を用いでボールミルにより17時間湿式混合した。その後、得られた混合物を乾燥して原料粉末を得た。次に、出発粉として平均粒径が500nmのK0.995NbO3と、平均粒径が200nmのBaの一部をCa,Sr,Mgで置換したBa0.75Ca0.25TiO3、Ba0.75Sr0.25TiO3、Ba0.75Mg0.25TiO3及び、Tiの一部をZr,Co,Moで置換したBaTi0.90Zr0.10O3、BaTi0.90Co0.10O3、BaTi0.90Mo0.10O3を準備し、表5に示す組合せ、配合比になるようにそれぞれ秤量し、分散媒としての水を用いでボールミルにより17時間湿式混合した。その後、得られた混合物を乾燥して原料粉末を得た。表5に示している実験No.17は置換していないサンプルを示している。実験No.18~20は、K0.995NbO3のK及びNbを一部置換したサンプルである。また、実験No.21~26は、BaTiO3のBa及びTiを一部置換したサンプルである。得られた原料粉末に対し、バインダ樹脂としてPVBを2重量添加し、250MPaの圧力で成形することにより、直径10mm、厚さ約1mmの円盤状のグリーン成形体を得た。これを空気中で、700°C、10時間加熱して脱バインダ処理を行った。次いで、得られた脱バインダ後の成形体を、空気中で、1100~1200°C、10時間、焼成することにより、円盤状の焼結体を得た。得られた円盤状の焼結体は、KmNbnO3とBaαTiβO3との固溶体相の生成量を調整するため、さらにアニール処理を行った。アニール条件は、空気中で、825°C、30分間、熱処理を行った。さらに、得られた焼結体を研磨し、その主表面にAg電極を塗布し、空気中、650°Cで20分間焼付け処理を行うことによって、円盤状のセラミックコンデンサの試料を得た。各サンプルについて上記した特性の評価を行った。結果を表6に示す。表6に示すように、置換していない実験No.17に対し、K及びNbを一部置換した実験No.18~20、また、BaTiO3のBa及びTiを一部置換した実験No.21~26でも、静電容量の変化率を±22以内に制御できることが確認できる。"