少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体チップ2と、前記半導体チップ2が上に配置されている接続領域53を有する接続キャリア5と、を備えている半導体部品1であって、-反射層4が前記接続キャリア5の上に形成されており、-範囲制限構造3が、前記接続キャリア5の上に形成されており、横方向において前記半導体チップ2の周囲の少なくとも一部分に延在しており、-前記反射層4の少なくとも一部分が、横方向において前記半導体チップの側面21と前記範囲制限構造3との間に延在している、半導体部品1。前記反射層が、前記半導体チップの少なくとも一部分に直接隣接している、請求項1に記載の半導体部品。前記反射層が電気絶縁性として具体化されている、請求項1または請求項2に記載の半導体部品。前記反射層が、前記半導体部品の平面視において、完全に前記範囲制限構造の内側に配置されている、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体部品。前記半導体チップが、垂直方向において前記範囲制限構造よりも突き出している、請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体部品。前記接続領域が接続領域層530によって形成されており、前記範囲制限構造が、前記接続領域層のうち前記接続領域から隔てられている部分領域531によって形成されている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体部品。前記範囲制限構造が、前記接続キャリア上の隆起部32によって形成されている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体部品。前記隆起部が、結合層35によって前記接続キャリアに固定されている、請求項7に記載の半導体部品。前記範囲制限構造が、前記接続キャリアにおける凹部34によって形成されている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体部品。前記範囲制限構造が前記接続キャリア上の領域33によって形成されており、前記領域33が、前記接続キャリアに面している面における、前記反射層に隣接している材料よりも、前記反射層の材料に対する低い濡れ性を有する、請求項1から請求項9のいずれかに記載の半導体部品。半導体部品を製造する方法であって、a接続領域53を有する接続キャリア5を形成するステップと、b前記接続キャリアの上に範囲制限構造3を配置するステップと、c接続領域53の上に半導体チップ2を配置するステップと、d反射層4を形成するステップであって、前記反射層4の少なくとも一部分が、前記半導体チップ2と前記範囲制限構造3との間に延在している、ステップと、を含んでいる、方法。前記反射層がディスペンサによって形成される、請求項11に記載の方法。前記範囲制限構造が、局所的に濡れ性を小さくすることによって形成される、請求項11または請求項12に記載の方法。前記反射層が形成された後に、前記範囲制限構造が除去される、請求項11または請求項12に記載の方法。請求項1から請求項10のいずれかに記載の半導体部品が製造される、請求項11から請求項13のいずれかに記載の方法。本発明の1つの目的は、吸収損失が減少した半導体部品を開示することである。さらに、本発明の目的は、このような半導体部品の製造方法であって、効率的な半導体部品を高い費用効率および高い信頼性で製造することのできる方法、を開示することである。この目的は、独立請求項に記載されている半導体部品および方法によって達成される。従属請求項は、構造形態および発展形態に関する。一実施形態によると、半導体部品は、少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体チップと、半導体チップが上に配置されている接続領域を有する接続キャリアと、を備えている。接続キャリア上に反射層が形成されている。さらに、接続キャリア上に範囲制限構造delimitingstructureが形成されており、横方向において半導体チップの周囲の少なくとも一部分に延在している。反射層は、少なくとも一部分が、横方向において半導体チップの側面と範囲制限構造との間に延在している。横方向とは、本明細書においては、接続キャリアの主延在面に沿って延びる方向を意味するものと理解されたい。反射層の横方向の範囲は、少なくとも部分的に、範囲制限構造によって制限されている。範囲制限構造は、製造時、反射層の材料が横方向に流れることを防止する目的で、または反射層の材料が横方向に少なくとも流れにくいように、設けられている。したがって範囲制限構造によって、あらかじめ正確に定義された領域において、反射層を接続キャリアに形成することができる。範囲制限構造は、半導体部品の平面視において、半導体チップの好ましくは周囲全体に延在している。したがって、範囲制限構造は、独立した構造selfcontainedstructureを備えていることができる。一例として、範囲制限構造は、半導体部品の平面視において、フレーム状に具体化することができる。半導体チップは、接続キャリアとは反対側の面に、放射通過領域を有することが好ましい。放射通過領域の少なくとも一部分には、反射層が存在していないことが好ましい。特に、放射通過領域は、反射層の材料がまったく存在しないように具体化することができる。半導体チップは、接続キャリア上に直接的にすなわちパッケージングされずに配置されていることが好ましく、さらには、接続キャリアに固定されていることが好ましい。したがって、本半導体部品は、垂直方向にすなわち接続キャリアの主延在面に垂直な方向に特にコンパクトに具体化することができる。接続キャリアは、平面状に具体化されていることが好ましい。さらに、半導体チップは、接続キャリア上に平面状に、好ましくは直接的に実装されていることが好ましい。すなわち、反射体のように成形された空洞中に半導体チップが配置されるが、接続キャリアには存在しない。好ましい一構造形態においては、反射層は、半導体チップの側面を少なくとも部分的に覆っている。したがって、放射例えば半導体チップにおいて生成される放射のうち横方向に放出される部分、または後方に反射した後に再び半導体チップに入射する部分が、半導体チップから横方向に出ることを、反射層によって防止することが可能である。したがって、放射通過領域を通じて放出される全体的な放射出力radiationpowerが増大する。さらなる好ましい構造形態においては、反射層は、半導体チップの少なくとも一部分に直接隣接している。特に、反射層は、製造時に半導体チップの側面全体に隣接するように形成することができる。したがって、反射層の側面は、その形状に関して、オプトエレクトロニクス半導体チップの側面に従う。さらなる好ましい構造形態においては、反射層は、電気絶縁性として具体化されている。したがって、電気的短絡の危険性が減少する。さらに、反射層は、拡散反射性として具体化されていることが好ましい。反射層は、例えば、ポリマー材料を含んでいることができ、オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて生成される放射、または受信される放射に対して、反射性であるように具体化することができる。一例として、反射率を高める粒子を反射層に含めることができる。さらなる好ましい構造形態においては、反射層は、半導体部品の平面視において、その全体が範囲制限構造の内側に配置されている。したがって、反射層の横方向の範囲は、範囲制限構造によって決まる。したがって、範囲制限構造は、製造時に反射層の材料が横方向に流れることを防止する、または反射層の材料が横方向に少なくとも流れにくいようにする。さらなる好ましい構造形態においては、半導体チップは、垂直方向において範囲制限構造よりも突き出している。したがって、本半導体部品は、特に小さい厚さを特徴とすることができる。さらなる好ましい構造形態においては、接続領域は、接続領域層によって形成されている。接続領域層は、導電性として具体化されていることが好ましい。接続領域層には、一例として、金属または金属合金を含んだ層が適している。構造形態の1つのバリエーションにおいては、範囲制限構造は、接続領域層のうち接続領域から隔てられている部分領域によって形成されている。したがって、製造時、接続領域と、範囲制限構造の少なくとも一部分とを、共通の層から形成することができる。構造形態のさらなるバリエーションにおいては、範囲制限構造は、接続キャリア上の隆起部によって形成されている。この隆起部は、接続キャリア上に直接形成することができる。この変形形態として、範囲制限構造特に隆起部をあらかじめ作製しておき、結合層によって接続キャリアに固定することができる。構造形態のさらなるバリエーションにおいては、範囲制限構造は、接続キャリアにおける凹部によって形成されている。凹部と反射層は、本半導体部品の製造時に反射層の材料が凹部の中に浸入することが、反射層の材料の表面張力によって妨げられる、好ましくは少なくとも大幅に阻止されるように、互いに調整されていることが好ましい。さらなる構造形態においては、範囲制限構造は、接続キャリア上の領域によって形成されており、この領域は、反射層に面している接続キャリアの面における、反射層に隣接している材料よりも、反射層の材料に対する低い濡れ性を有する。低い濡れ性を有する、接続キャリア上の領域は、接続キャリア自体の表面によって、または接続キャリア上に形成される層によって、形成することができる。低減した濡れ性を有する、接続キャリア上の領域は、接続領域に直接隣接していることができる。さらに、接続領域と、低い濡れ性を有する領域は、同じ厚さを有することができ、したがって、接続領域と、低い濡れ性を有する領域は、全体として平坦な領域を形成している。言い換えれば、範囲制限構造と、低い濡れ性を有する領域は、垂直方向において互いに同じ高さとすることができる。範囲制限構造は、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの周囲に延在していることもできる。さらに、範囲制限構造の内側に、オプトエレクトロニクス半導体チップのみならず、さらなる電子部品放射を生成する、または放射を受信する目的では設けられていないを配置することも可能である。さらなる電子部品は、一例として、静電放電ESDに対して保護する半導体チップとして、設けることができる。このような半導体チップは、反射層によって完全に覆うことができ、これにより、さらなる半導体チップにおいて光が吸収される危険性が最大限に減少する。一実施形態による、半導体部品の製造方法においては、接続領域を有する接続キャリアを形成する。接続キャリアの上に、範囲制限構造を配置する。接続領域の上に、半導体チップを配置する。反射層を形成し、反射層は、少なくとも一部分が、半導体チップと範囲制限構造との間の領域に延在するする。この製造方法は、必ずしも上に列挙した順序で行う必要はない。一例として、接続領域と範囲制限構造を、共通の製造ステップにおいて共通の接続領域層から形成することができる。さらには、接続領域の上に半導体チップを配置した後に、接続キャリア上に範囲制限構造を配置することも考えられる。範囲制限構造は、例えば、ディスペンサによって、スタンピングによって、印刷例えばスクリーン印刷によって、成形法によって、またはリソグラフィパターニングによって、接続キャリア上に形成することができる。これに代えて、またはこれに加えて、範囲制限構造は、局所的に濡れ性を小さくすることによって形成することができる。これは、例えば、プラズマ処理によって、またはコーティングによって行うことができる。このようなコーティングは、特に低い濡れ性を有する材料、例えばフッ素化ポリマー材料例:ポリテトラフルオロエチレンPTFEを含んでいることが好ましい。範囲制限構造を半導体部品内に残す形態に代えて、反射層を形成した後に範囲制限構造を除去することもできる。一例として、範囲制限構造を、反射層を形成するための特に、再利用可能なあらかじめ作製される構造として、一時的に配置することができる。あらかじめ作製される構造に代えて、範囲制限構造を接続キャリア上に形成し、その後に除去することができる。好ましい一構造形態においては、反射層をディスペンサによって形成する。このような方法は、特に、ポリマー材料を正確に計量して高い費用効率で塗布する場合に適している。上述した方法は、前述した半導体部品を製造するのに特に適している。したがって、本方法に関して記載されている特徴は、半導体部品にもあてはまり、逆も同様である。以下では、例示的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。さらなる特徴、構造形態、および有用性は、以下の説明から理解されるであろう。図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素の互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素特に層の厚さを、誇張した大きさで示してある。図1は、本半導体部品の第1の例示的な実施形態を断面図として概略的に示している。この半導体部品1は、接続キャリア5の接続領域53の上に配置されている半導体チップ2を備えている。半導体チップは、結合層6によって接続領域に固定されている。したがって、半導体チップは、平面状の配置構造において、パッケージングされずに、平面状の接続キャリアに固定されている。半導体チップ2は、ルミネセンスダイオード半導体チップとして具体化されており、半導体チップの活性領域23は、放射を生成する目的で設けられている。しかしながら、この変形形態として、放射を受信する目的で設けられたオプトエレクトロニクス半導体チップを採用することもできる。半導体チップ2の横方向の境界は、側面21によって形成されている。接続キャリア5は、垂直方向には、半導体チップの側の第1の主面51と、半導体チップ2とは反対側の第2の主面52との間に延在している。接続領域層530は、第1の主面51の上に形成されており、半導体チップ2の領域において接続領域53を形成している。接続領域層530のうち接続領域53から隔てられている部分領域531は、範囲制限構造3を形成している。したがって、製造時、範囲制限構造と接続領域とを共通の層から形成することができる。接続領域層530には、特に、導電性材料例えば金属または金属合金が適している。反射層4は、接続キャリア5の上に形成されており、横方向には半導体チップ2の側面21から範囲制限構造3まで延在している。したがって、範囲制限構造3は、横方向において反射層4の範囲を制限している。側面21を覆っている反射層4は、本半導体部品の動作時に活性領域23において生成される放射が側面21を通じて半導体チップ2から放出されることを防止するために使用されている。これにより、半導体チップ2の放射通過領域20接続キャリア5とは反対側の面に形成されているを通じて放出される全体的な放射出力が増大する。さらに、反射層4は、半導体部品1からすでに放出された放射が、後方散乱した後に接続キャリア5に入射することと、その少なくとも一部が接続キャリア5に吸収されることを防止する目的で使用することができる。したがって、全体として利用できる放射出力が、さらに増大する。したがって、反射層4は、放射が接続キャリア5に入射することを防止する。結果として、接続キャリアを、その光学特性を考慮せずに選択する、または具体化することができる。接続キャリアとしては、一例として、回路基板例えばプリント基板PCBが適している。回路基板は、高剛性または可撓性として具体化することができる。熱伝導率を高める目的で、回路基板に金属コアを設けることができる。たとえ半導体チップ2が接続キャリア5の上に直接的にすなわちパッケージングされておらず、半導体チップ2を囲む空洞なしに配置されている場合にも、後方散乱した放射が接続キャリア5において吸収される危険性が、反射層4によって最小になる。反射層4の横方向の範囲は、製造時に反射層の材料を塗布する前に、範囲制限構造3によって正確に定義することができる。放射通過領域20には反射層4が存在していないことが好ましい。したがって、放射通過領域20に入射する放射は、反射層4によって妨げられることなく半導体チップ2から放出される。しかしながら、図示した実施形態の変形形態として、反射層4のうち、側面21の近傍の、製造によって決まる部分領域に、反射層の材料が存在していてもよい。範囲制限構造は、半導体部品1の平面視において、半導体チップ2の周囲にフレーム状に配置されていることが好ましい。範囲制限構造は、半導体チップの周囲全体にわたり延在していることが好ましい。これによって、横方向における反射層4の範囲が、全周にわたり簡単な方法で制限される。反射層4は、拡散反射性として具体化されていることが好ましい。一例として、反射層4は、ポリマー材料例えば、シリコーン、エポキシド、あるいはシリコーンまたはエポキシドからなる混合物を含んでいることができる。反射率を高める目的で、ポリマー材料に二酸化チタン粒子を含めることができる。これに代えて、またはこれに加えて、酸化アルミニウム粒子または酸化ジルコニウム粒子を採用することもできる。反射層の反射率は、粒子の濃度に応じて、85以上、好ましくは90以上例えば95とすることができる。さらに、反射層4は、電気絶縁性として具体化されている。これにより、金属の反射層と比較して、半導体チップ2が側面21の領域において反射層4によって短絡する危険性が減少する。反射層は、半導体部品1の平面視において、接続領域53を部分的に覆っている。特に、反射層4は、接続領域のうち半導体チップ2よりも横方向に突き出している部分において、接続領域に直接隣接している。したがって、接続領域による放射の吸収が、簡単な方法で回避される。半導体チップ2は、垂直方向において範囲制限構造3よりも突き出している。結果として、半導体部品1の厚さは、実質的に接続キャリア5の厚さと半導体チップ2の厚さとによって決まり、したがって、半導体部品1を特にコンパクトに製造することができる。半導体チップ2、特に、活性領域23は、III-V族化合物半導体材料を含んでいることが好ましい。III-V族化合物半導体材料は、紫外スペクトル領域AlxInyGa1-x-yNから、可視スペクトル領域特に青色~緑色の放射の場合にはAlxInyGa1-x-yN、特に黄色~赤色の放射の場合にはAlxInyGa1-x-yP、さらに赤外スペクトル領域AlxInyGa1-x-yAsまでの放射を生成するのに特に適している。いずれの場合も、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1が成り立ち、特に、x≠1、y≠1、x≠0、y≠0の少なくとも1つが成り立つ。特に上に挙げた材料系のIII-V族半導体材料を使用する場合、さらに、放射の生成時に高い内部量子効率を得ることができる。図2は、半導体部品1の第2の例示的な実施形態を断面図として概略的に示しており、この実施形態は、図1に関連して説明した第1の例示的な実施形態と実質的に同一である。第1の例示的な実施形態と異なる点として、範囲制限構造3が多層として具体化されている。範囲制限構造3のうち接続キャリア5の側の層は、第1の例示的な実施形態と同様に接続領域層530によって形成されている。範囲制限構造3は、この接続領域層530の上に、範囲制限層31delimitinglayerを有する。範囲制限構造3の厚さは、接続領域層530の厚さとはほぼ無関係に、範囲制限層31の厚さによって設定することができる。したがって、範囲制限構造3の厚さを大きくする場合、接続領域層530を厚くする必要がない。したがって、材料の必要量を低減することができる。半導体部品1の製造時に反射層4の材料が範囲制限構造3を超えて流れる危険性は、範囲制限構造3が厚いほど小さい。範囲制限層31は、例えば、電解法で補強することによってelectrolyticreinforcement具体化することができる。図3は、第3の例示的な実施形態を断面図として概略的に示しており、この実施形態は、図1に関連して説明した第1の例示的な実施形態と実質的に同一である。第1の例示的な実施形態と異なる点として、範囲制限構造3が隆起部32によって形成されている。したがって、この場合、接続領域53とはまったく無関係に範囲制限構造3を具体化することができる。特に、接続領域53には適さない、電気絶縁性である材料を、範囲制限構造に採用することもできる。隆起部には、一例として、プラスチック例:シリコーン、エポキシド、またはレジストが適している。このような範囲制限構造3は、例えば、ディスペンサによって、スタンピングによって、成形法例:射出成形法またはトランスファ成形法によって、または印刷によって、接続キャリア5に形成することができる。図4は、半導体部品1の第4の例示的な実施形態を示しており、この実施形態は、図3に関連して説明した第3の例示的な実施形態と実質的に同一である。第3の例示的な実施形態と異なる点として、範囲制限構造3が、あらかじめ作製された後に接続キャリア5に固定される隆起部32によって形成されている。この固定は、隆起部32と接続キャリアの第1の主面51との間に形成されている結合層35例えば接着層によって行われる。この場合、範囲制限構造の材料を、幅広い範囲の材料から選択することができる。一例として、金属例えばスタンピングされた金属板の形として、セラミック、またはプラスチックを採用することができる。図5は、本半導体部品の第5の例示的な実施形態を断面図として概略的に示しており、この実施形態は、図3に関連して説明した第3の例示的な実施形態と実質的に同一である。第3の例示的な実施形態と異なる点として、範囲制限構造3が、接続キャリア5の上の領域33に形成されたコーティングによって形成されている。このコーティングは、反射層4を形成するときに、領域33が反射層4の材料によって濡れないように、または少なくとも、このようなコーティングが施されない接続キャリアの露出した主面と比較して、わずかに濡れるのみであるように、形成されている。したがって、領域33は、接続キャリアのコーティングによって形成されている。このコーティングは、例えば、接続キャリアの第1の主面の濡れ性を低下させるプライマー材料を含んでいることができる。低い濡れ性を有する材料としては、一例として、フッ素化ポリマー材料例:PTFEが適している。コーティングの層厚は、場合によっては、さらに小さい厚さ例えば20nm~200nmの範囲内両端値を含むで十分である。しかしながら、場合によっては、1μm以上の層厚が好ましい。したがって、この例示的な実施形態においては、反射層を形成するとき、反射層4の横方向の範囲が、主として、異なる濡れ性に基づいて制御される。このようなコーティングは、他の例示的な実施形態に関連して説明した範囲制限構造に加える形で採用することもできる。一例として、範囲制限構造を、濡れ性を低下させるコーティングを備えた隆起部とすることができる。図示した例示的な実施形態の変形形態として、領域33を、接続キャリア5の第1の主面51に直接形成することもできる。一例として、反射層4の材料に対する濡れ性が低下するように、第1の主面51を、領域33におけるプラズマ処理によって局所的に修正することができる。図6は、半導体部品の第6の例示的な実施形態を示しており、この実施形態は、図5に関連して説明した第5の例示的な実施形態と実質的に同一である。第5の例示的な実施形態と異なる点として、範囲制限構造3を形成している領域33が、接続領域53に直接隣接している。したがって、接続領域53を有する接続キャリア5を、領域33におけるコーティングによって、同じ高さにすることができる。接続領域53と、領域33におけるコーティングとが、垂直方向において互いに同じ高さであり、したがって平坦な表面が生じている。異なる濡れ特性すなわち領域33における低い濡れ性の効果として、製造時、横方向における反射層4の範囲が範囲制限構造3によって制限される。図7は、第7の例示的な実施形態を示しており、この実施形態は、図3に関連して説明した第3の例示的な実施形態と実質的に同一である。第3の例示的な実施形態と異なる点として、範囲制限構造3が隆起部によってではなく、凹部34によって形成されている。凹部の大きさは、反射層4の材料が横方向に凹部34を超えて流れないように、反射層4の材料に合わせて特に、反射層4の材料の表面張力に基づいて、設定される。凹部34は、例えば、機械的に例:スクライビングまたはソーイングによって、またはコヒーレント放射によって、形成することができる。これに代えて、化学的方法例えば湿式化学法または乾式化学法を採用することもできる。したがって、第3の例示的な実施形態とは異なり、放射通過領域20の方向にキャリアの第1の主面51よりも突き出す隆起部を使用せずに、範囲制限構造3を形成することができる。上述した例示的な実施形態それぞれにおいては、範囲制限構造3によって囲まれている1個の半導体チップ2のみを示してあるが、これは図を簡潔にすることを目的としているにすぎない。しかしながら、この変形形態として、範囲制限構造の内側に複数の半導体チップを配置することもできる。これらの半導体チップは、放射を生成または放射を受信する目的で設けられているオプトエレクトロニクス半導体チップとする、あるいは、電子部品とすることができる。電子部品は、放射の吸収を回避する目的で、接続キャリア5とは反対側の電子部品の表面も反射層によって覆うことができるように、反射層4の中に完全に埋め込むことができる。電子部品は、例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ2のためのESD保護ダイオードとして具体化することができる。図8A~図8Cは、半導体部品の製造方法について、中間ステップに基づいて概略的に示している。ここでは、単なる一例として、第2の例示的な実施形態に従って実施される半導体部品図2の製造方法を示してある。接続キャリア5を形成し、接続キャリア5の上に接続領域層530を形成する。接続領域層530を、互いに隔てられた2つの部分領域に分割し、一方の部分領域が接続領域53を形成し、さらなる部分領域531接続領域53の周囲に延在しているは、範囲制限構造を形成する目的で設けられる図8A。図8Bに示したように、部分領域531に範囲制限層31を形成する。このステップは、例えば、部分領域531を電解法で補強することによって行うことができる。これに代えて、またはこれに加えて、蒸着またはスパッタリングによって範囲制限層31を堆積させることができる。放射を生成する目的で設けられた活性領域23を有する半導体チップ2を、結合層6例えば、はんだ、または導電性接着剤によって、接続領域53に固定する。オプトエレクトロニクス半導体チップ2を固定した後、図8Cに示したように、反射層4を、半導体チップ2の側面21から横方向に範囲制限構造3の方に延在するように形成することが可能である。範囲制限構造3を使用することで、製造時に反射層4が横方向に流れることを、簡単かつ高い信頼性で防止することができる。したがって、反射層の材料の量が事前に定義される場合、横方向における反射層の範囲と、反射層の厚さとが、いずれも範囲制限構造3によって決まる。したがって、反射層4を、特に簡単かつ再現可能に形成することができる。反射層は、一例として、ディスペンサによって形成することができる。説明した例示的な実施形態の変形形態として、反射層4を形成した後、範囲制限構造3を除去することもできる。一例として、範囲制限構造3は、接続キャリア5の上に一時的に配置される、あらかじめ作製される構造として具体化することができる。このような範囲制限構造は、例えば、スクリーン印刷法のための構造として具体化することができ、製造時、複数の半導体部品において再利用することができる。これに代えて、除去するとき、一時的な範囲制限構造3を、例えば化学的に例:エッチングによって、または溶剤によって破壊することができる。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010031945.7号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。