本体ケースと、この本体ケース内に設けられたディスク駆動部と、このディスク駆動部で駆動される光ディスクから情報を読み取る光ピックアップと、この光ピックアップに接続された制御部と、この制御部に接続されたメモリとを備え、前記制御部は、前記光ピックアップによる光ディスクからの情報を読み取り前あるいは、情報読み取り時にチルト補正を行うチルト補正モードを有し、このチルト補正モードにおいて、前記光ディスクが最下記録層、中間記録層、最上記録層の少なくとも三層以上の記録層を有するものであった場合に、まず最下記録層と最上記録層のチルト補正データを取得するとともに、最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式を算出し、次に前記最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を算出し、これらの最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を前記メモリに記憶させる構成とした光ディスク再生装置。前記制御部に、温度センサを接続した請求項1に記載の光ディスク再生装置。前記制御部は、前記温度センサが検出した前記本体ケース内温度が所定値を超えると、再度、最下記録層と最上記録層のチルト補正データを取得するとともに、最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式を算出し、次に前記最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を算出し、これらの最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を前記メモリに記憶させる構成とした請求項2に記載の光ディスク再生装置。上記従来例においては、単一層もしくは二層の記録層からなる光ディスクを再生する際、チルト補正モード時において、まず前記制御部は、前記光ピックアップによる光ディスクからの情報を読み取り前あるいは、情報読み取り時に、光ディスク中の記録層ごとのディスクチルトと、光ピックアップチルトをそれぞれ計測する。この上記計測データから各記録層のチルト補正データを取得するとともに、各記録層のチルト補正式を算出し、前記チルト補正式を前記メモリに記憶させる構成となっていた。つまり、単一層もしくは二層の記録層からなる光ディスクの再生時においては、適切なチルト補正が行われ、これにより適切な再生が行われるようになっていた。しかしながら、近年登場した三層以上の記録層を有する光ディスクに対して、従来のようなチルト補正を適用した場合には、光ディスクの表面に一番近い記録層以下、最下記録層と称すと一番遠い記録層以下、最上記録層と称すのみのチルト補正データを取得し、その間の中間記録層においては、最上記録層と最下記録層のチルト補正データを利用して補間する方法が採られているが、この場合には適切な再生が行えないことがあった。この問題は、例えば車内等の温度変化が大きな環境下で使用される光ディスク再生装置において、温度変化によってディスクチルト、及び光ピックアップチルトが大きく変化することに起因する。このとき、前記ディスクチルトの変化量は記録層ごとに異なるため、最下記録層と最上記録層のチルト補正式から補間して算出される中間記録層チルト補正式と、実測して得られる中間記録層の補正式とは大きく異なることがあり、その結果として中間記録層の最適なチルト補正が行えず、これにより適切な再生が行えなくなるものであった。そこで本発明は、適切な再生が行えるようにすることを目的とする。そして、この目的を達成するために本発明は、光ディスク再生装置が起動中あるいは再生中において、制御部がチルト補正を行うチルト補正モードを有し、このチルト補正モードにおいて、光ディスクが最下記録層、中間記録層、最上記録層の少なくとも三層以上の記録層を有するものであった場合に、まず最下記録層と最上記録層のチルト補正データを取得するとともに、最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式を算出し、次に前記最下記録層チルト補正式と前記最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を算出し、これらの最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を前記メモリに記憶させるという構成を有するものである。また、再生途中に大きな温度が生じた場合には、前記チルト補正を再実施するものである。また、中間記録層の再生中にRF信号振幅が起動時の振幅に対して所定の割合以上に低下する、もしくはRF信号のジッタが所定量以上に悪化する等の再生性能の劣化が生じたと判断した場合には、その前記中間記録層において、そのとき再生を行っていた半径位置と最内外周でディスクチルトの計測を行い、チルト補正量を算出した後にチルト補正式を算出し、メモリに格納されているチルト補正式を更新する。その際、チルト補正を行った中間記録層以外の中間記録層に関しては、チルト補正式を更新した前記中間記録層と、最下記録層もしくは最上記録層のチルト補正式から各記録層のチルト補正式を補完し、更新する。これにより所期の目的を達成するものである。以上のように、本発明は光ディスク再生装置が起動中あるいは再生中において、制御部がチルト補正を行うチルト補正モードを有し、このチルト補正モードにおいて、光ディスクが最下記録層、中間記録層、最上記録層の少なくとも三層以上の記録層を有するものであった場合に、まず最下記録層と最上記録層のチルト補正データを取得するとともに、最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式を算出し、次に前記最下記録層チルト補正式と前記最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を算出し、これらの最下記録層チルト補正式と最上記録層チルト補正式から中間記録層チルト補正式を前記メモリに記憶させるという構成としたので、適切な再生を行うことができる。また、中間記録層で局所的にディスクチルトが発生し、再生性能が劣化した場合においても、前記中間記録層でのディスクチルトを計測してチルト補正式を算出し、更にその他の各中間記録層に関しても、チルト補正済みの前記中間記録層のチルト補正式と、最下記録層または最上記録層のチルト補正式に基づき、記録層ごとにチルト補正式が更新され、前記メモリに記憶させるという構成としたため、精度の高いチルト補正がなされ、その結果として適切な再生を行うことができる。以下、本発明の実施の形態を添付図面を用いて説明する。実施の形態1図1において、1は車両を示し、この車両1の車内2の前方にはハンドル3が設けられている。また、このハンドル3の左手前方には、光ディスク再生装置4の本体ケース5が設けられている。図2は、光ディスク再生装置4を示し、本体ケース5内には、ディスク駆動部図示せずと、このディスク駆動部で駆動される光ディスク6から情報を読み取る光ピックアップ7と、この光ピックアップ7に接続された制御部8と、この制御部8に接続されたメモリ9とを備えている。前記光ピックアップ7の構造は、上記特許文献1で詳細に説明されているので、ここでは簡単に説明すると、三軸アクチュエータ10、レンズ11、レーザー12、受光素子13等で構成されている。つまり、レーザー12から出力されるレーザー光はレンズ11を介して光ディスク6に照射され、その反射光が受光素子13で受光され電気信号に変換され、アンプ14を介して制御部8に供給される。また、制御部8は受光素子13からの出力信号をもとに光ディスク6の記録情報であるRF信号を生成し、各種信号処理を施された後に音声映像データとしてスピーカ図示せずやディスプレイ図示せずに出力される。また、光ディスク6に対する光ピックアップ7のチルト補正は、制御部8からの出力で三軸アクチュエータ制御部15、三軸アクチュエータドライバ16を介して三軸アクチュエータ10を駆動することにより行われる。なお、本体ケース5の光ピックアップ7の近傍には温度センサ17が配置され、その出力はアンプ18を介して制御部8に供給されるようになっている。また、本体ケース5内にはGセンサ19も設けられその出力はアンプ20を介して制御部8に供給されるようになっている。さて、本実施形態に用いる光ディスク6は、図3に示すように最上記録層L0から最下記録層Ln-1までの3層以上の記録層記録層数をnとするを持ったものであり、このような3層以上の記録層を持ったものに対するチルト補正を行うことが本実施形態における特徴点の一つである。まず、光ディスク再生装置4の起動時にこのチルト補正を行う場合、図4に示すように、まず光ピックアップ7のレーザー12を発光し図6のS1、最上記録層L0にフォーカス引き込みを行い、レーザー光が最上記録層L0面上に集光されるようレンズ11の高さを制御する。続いて、前記最上記録層L0の最内周、中周、最外周の予め設定された3箇所の半径位置にレーザー光を移動するため光ピックアップ7を移動し、それぞれの半径位置で三軸アクチュエータ10に入力されるフォーカス駆動信号を取得する。前記フォーカス駆動信号から得られるレンズ11の高さ方向の変位と前記最上記録層の半径位置の変位の関係から、前記最上記録層L0のディスクチルトを算出する図6のS2。次に、最下記録層Ln-1に関してフォーカス引き込みを行い前記最下記録層Ln-1面上にレーザー光を集光し、前記最上記録層L0と同様にディスクチルトを計測する。続いて、図5に示すように、光ピックアップチルトを計測するため、最上記録層L0もしくは最下記録層Ln-1のどちらもでよいにフォーカス引き込みを行った後に、光ピックアップ7を最内周部に移動し、三軸アクチュエータ10のチルトアクチュエータを駆動し、レンズ11を傾けて予め設定したチルト量を発生させ、受光素子13の出力信号をもとに制御部8で生成されるRF信号振幅を測定する。更にレンズ11を傾け、予め設計した複数のチルト量で同様にRF信号振幅を測定し、最後にその全ての測定結果から再生性能が一番良化するRF信号振幅が最大となるときのチルト量を算出する図6のS3。以下、図6のS3の処理を最良チルト探索と称す。なお、前記最良チルト探索において、RF信号振幅の代わりにRF信号のジッタを計測し、前期ジッタが最小となるチルト量を算出しても先の結果とは大きな差はなく、問題ない。図6のS3の最良チルト探索で得られる結果は、通常、光ディスク6の反り量であるディスクチルトと光ピックアップ7自体の傾きである光ピックアップチルトの総和となる。しかし、記録層の内周部で光ピックアップチルトを測定することで、光ディスクの最内周部はターンテーブルにクランプされるため、各記録層の内周部のディスクチルトは極めて小さく、すなわち水平と見なすことができるためである。そのため、先に得られた前記最良チルト探索の結果は、ディスクチルトの影響が小さく無視できるものとし、光ピックアップ7のみに起因するチルト量、すなわち光ピックアップチルトと見なすことができる。続いて、制御部は図4の処理で得られた最上記録層L0及び最下記録層Ln-1の内周部から外周部まで半径位置ごとのディスクチルトと、図5の処理で得られた光ピックアップチルトを加算し図6のS4、最上記録層L0及び最下記録層Ln-1の各半径位置でのチルト補正データを算出する。ここで、チルト補正データを算出する方法として、各記録層で図6のS3のような最良チルトを複数点実施する方法も考えられるが、このような最良チルト探索はチルトアクチュエータを駆動しながら3箇所以上でのRF信号振幅もしくはジッタの計測が必要となるため、処理に要する時間が長く、本実施形態においては、図6のS2、S3、及びS4とディスクチルトと光ピックアップチルトを段階的に計測することでチルト補正モードに要する時間を短縮している。続いて、図6のS4で算出したチルト補正データと半径位置の関係を二次式で近似し、チルト補正式としてメモリ9に記憶させる図6のS5。その後、光ディスク6の最下記録層L0から最上記録層Ln-1までの間にある全ての中間記録層中間記録層L1からLn-2において、前記最下記録層チルト補正式及び前記最上記録層補正式の結果から、前記最下記録層L0と前記最上記録層Ln-1からの距離に比例して、中間記録層チルト補正式を算出し、メモリ9に記憶させる図6のS6。最後に、本体ケース5内の温度を温度センサ17で検出し、起動時のチルト補正処理時の温度としてメモリ9に記憶させる図6のS7。以上、起動時のチルト補正処理の流れである。さて、図7は、図1図2に示す光ディスク再生装置4が車内2で光ディスク6を再生している状況において、その再生中にRF信号振幅が起動時の信号振幅に対して所定の割合以上に低下する、もしくは再生ジッタが所定量以上に悪化する等の再生性能が劣化した時の制御部8の動作を説明するものである。この図7に示すように再生性能の劣化が発生すると、まず制御部8は、そのときの本体ケース5内の温度を温度センサ17で検出図7のS1し、次にこの検出温度が前回のチルト補正式の算出時の温度と比較して、予め設定した所定の変化量以上か否かを判定する図7のS2。このとき、温度変化量が予め設計した所定量以上の場合には、前回のチルト補正式算出時と比較して、光ディスク6は熱膨張あるいは熱収縮によるディスクチルトが大きく変化していると推定される。加えて、この温度変化の影響で、光ピックアップ7の光学部品を固定する接着剤が熱膨張及び熱収縮を生じ、光学部品の位置ズレが発生し、結果として光ピックアップチルトが大きく変化していると推定される。この温度変化による光ディスク6のディスクチルト変化と光ピックアップ7の光ピックアップチルトを補正するため、再度上述した図3~図6に示す起動時と同様のチルト補正を実施し、チルト補正式を算出し、メモリ9のチルト補正式の値を更新する図7のS3。そして、この更新したチルト補正式を用いてチルト補正を行って光ディスク6の再生を継続する図7のS4。一方、図7のS2において、温度変化量が予め設計した所定量未満の場合には、現在再生中の中間記録層及びその近傍の記録層、もしくは現在の再生中の半径位置及びその近傍の半径位置で局所的にディスクチルトが発生していると推定され、以下の処理を施す。まず、再生性能が劣化したと判断されたときに再生していた記録層が、中間記録層か否かを制御部8は判定する図7のS5。この判定に基づき、中間記録層にて再生性能の劣化が発生したときには、制御部8はこの中間記録層において、再生性能が劣化と判断したときの半径位置とその記録層の内周、及び外周を含む3点以上でディスクチルトの計測を実施する図7のS6。次にこのディスクチルトに光ピックアップチルトを加算し、前記中間記録層のチルト補正データを算出し、前記中間記録層チルト補正データと半径位置の関係から中間記録層チルト補正式二次式を算出し、メモリに格納されたチルト補正式の値を更新する図7のS7。更に、その他の中間記録層に関して、起動時に学習した最下記録層L0もしくは最上記録層Ln-1からの距離と、先に算出した前記中間記録層からの距離に比例して、チルト補正式を再補完し、メモリ9に格納されている中間記録層チルト補正式を更新する図7のS8。そして、再設定したチルト補正式に基づきチルト補正を行って、光ディスク6の再生を継続する図7のS4。また、図7のS5において、再生性能劣化と判定された記録層が中間記録層でない場合つまり、最下記録層または最上記録層の場合には、起動時もしくは温度変化が大きいと判断された時図7のS2から、光ディスク6のディスクチルト及び光ピックアップ7の光ピックアップチルトは大きく変化していないと推定されるため、チルト変化以外の別要因で再生性能が劣化していると判断され、チルト補正は実施されない。この場合の再生劣化の要因については、光ディスク6の表面の局所的な汚れ、傷等の外的な要因、または記録系ディスクにおいては局所的に書き込み品質が劣化しているなどの内的な要因が考えれ、別途処置が必要となるが、本稿では割愛する。なお、本体ケース5内に設けたGセンサはチルト補正時に過大な衝撃が加わったか否かを判定するものであり、過大な衝撃が加わったときには、チルト補正は中断状態にする。