"直接ボンディングプロセスによって両面が金属とされたセラミック基板を製造する方法であって、第1及び第2の金属板と、前記第1の金属板と前記第2の金属板との間に配置されたセラミック基板と、からなる構成体を保持体の上に置き、前記保持体の上に置かれ、前記第1及び第2の金属板と前記セラミック基板とからなる前記構成体を加熱によって接合し、前記両面が金属とされたセラミック基板を得る方法において、前記保持体は、前記第1及び第2の金属板と前記セラミック基板とからなる前記構成体に面する上面に、前記構成体が前記保持体上に置かれる接触点が複数個形成されるように構成され、前記保持体は、前記第1及び第2の金属板と前記セラミック基板とからなる前記構成体に面する前記上面に、前記第1及び第2の金属板と前記セラミック基板とからなる前記構成体に向けて先細りする形状の、複数の突状集合体を有することを特徴とする方法。前記突状集合体は、前記第1及び第2の金属板と前記セラミック基板とからなる前記構成体の方向に、端部まで延びている、請求項1に記載の方法。前記突状集合体は円錐体である、請求項1または2に記載の方法。前記突状集合体はピラミッド体である、請求項1または2に記載の方法。前記突状集合体は半球体である、請求項1または2に記載の方法。前記突状集合体は、前記第1及び第2の金属板と前記セラミック基板とからなる前記構成体に面する前記保持体の上面に、一定の間隔で分散して位置している、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。前記保持体または前記保持体の少なくとも一部は、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ジルコニウム、炭化ケイ素、及び黒鉛からなる群から選択される少なくとも1つの化合物を含んでいる、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。前記第1及び第2の金属板は、前記セラミック基板上に置かれる前に酸化させられる、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。前記第1及び第2の金属板として銅板が使用される、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。前記第1の金属板と前記第2の金属板の少なくともいずれかは、前記セラミック基板上に配置される前に穿孔される、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。前記第1の金属板と前記第2の金属板の少なくともいずれかは、前記セラミック基板上に配置される前に、直径が0.1mmから1mmの間、好ましくは0.4mmから0.6mmの間の複数の穴が設けられる、請求項10に記載の方法。前記穴は、複数の列をなすように、かつ、好ましくは一定の間隔をもって配置される、請求項10または11に記載の方法。本発明は、直接ボンディングプロセスによる、両面が金属とされた金属-セラミックの基板の製造方法であって、単純で経済的に実施可能な製造方法を提供することを目的とする。この課題は、請求項1の特徴を有する発明によって解決される。本発明の好ましい実施態様は従属請求項がその対象としている。本発明の方法によれば、1回のプロセスシーケンスのみで、少なくとも1枚のセラミック基板の上面及び下面にそれぞれ、金属板または金属箔を接合することができる。この接合プロセスは液相接合である。本発明によれば、この接合は、接合すべき複合材料が、特別に構成された保持体の上に置かれることによって実現される。本発明によれば、この保持体は、その上面が、多数の接触点が形成されるように構成されていることを特徴とする。保持体は、1つの部分だけで構成されてもよいし、いくつかの部分で構成されてもよい。本発明の唯一の重要な要素は、保持体の上面が上記の通りに構成されることである。本発明によれば、第1及び第2の金属板とセラミック基板とからなる構成体が保持体の上に置かれる。本発明による保持体の特殊な構造のために、接合プロセスの後、2つの金属板とセラミック基板との複合材料を残留物無しに保持体から分離することができ、必要に応じて洗浄後に、保持体を再使用できる、という状況が実現される。本発明による保持体は、保持体上に先に積層しておく必要があったであろう追加的な分離層を不要とする、という利点をもたらす。保持体と構成体との間の中間スペースによって、炉で加熱する際の良好な熱伝達が確保される。このようにして、両面が金属とされた金属-セラミックの基板の製造方法が簡略化される。接触点の数及び大きさは、金属板とセラミック基板とからなる構成体が保持体に適切に支持されるとともに、構成体と保持体との間に適切な中間スペースが設けられるような数及び大きさとするのがよい。集合体の高さは100mm未満、好ましくは50mm未満、特に好ましくは10mm未満であることが好ましい。保持体は、第1及び第2の金属板とセラミック基板とからなる構成体に面する上面に、複数の突状集合体を有している。突状集合体は構成体に向けて先細りになっている。突状集合体は構成体の方向に、端部まで延びていることが好ましい。従って、これによって複数の小さい接触点が形成される。端部まで延びる上面の集合体は、複数の端部として形成される接触面の存在を含意している。この複数の端部は例えば、1つの集合体当たり1mm2から3mm2の間、特には2mm2であってよい。これは、生産上の技術的理由に基いており、実用的には、より小さい接触面を作製することは困難であり、または相当の経費を伴い、またはそれらの両方の不利益を伴う。接触面の大きさをさらに小さくすることは不要であり、かつ望ましくない。接触面をさらに小さくすると基板が損傷するおそれがある。保持体上の突状集合体全体によって形成される接触面の面積は、接合すべき表面の面積に比例しており、好ましくはその0.1から0.5の間であり、特に0.3である。突状集合体としては、円錐体またはピラミッド体を使用することが特に好ましい。しかし、突状集合体は円筒形であってもよい。突状集合体は、正方形、矩形、楕円、長円のいずれか、またはこれらを組み合わせた断面を有してもよい。唯一の重要な要素は、構成体がその全面で突状集合体に接触せず、下面の全表面積に対して非常に小さい表面積で接触することである。複数の突状集合体は、複数の列をなして、好ましくは一定距離の間隔をおいて、上面全体にわたって分散して配置されることが好ましい。保持体は、耐高温性能を備えた金属など、接合プロセスに対して反応速度が遅く、及び/または可溶性を有さない材料で構成されるのがよい。それによって、保持体を必要に応じて、洗浄後に再使用することができる。保持体は、様々なプロセス雰囲気反応性雰囲気及び不活性雰囲気で使用できる材料で構成するのがよい。保持体または保持体の一部は、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ジルコニウム、炭化ケイ素、及び黒鉛からなる群から選択される少なくとも1つの化合物を含むことが好ましい。本発明による方法では、気泡の形成は、第1及び/または第2の金属板を、セラミック基板上に配置する前に穿孔することによって効果的に回避される。金属板、好ましくは両方の金属板を穿孔することによって、接合プロセス中に金属板とセラミックとの境界面に形成される気泡を抜くことができる。これによって、接合が行われる表面が広くなる。2つの金属板の少なくとも一方を穿孔することは、それ自体、特許性を有する重要な要件である。両面が金属とされた金属-セラミックの基板の製造方法では、本発明による構造を備えた保持体と、本発明によって穿孔された金属板または金属箔と、を共に使用することが好ましい。しかし、本発明によって穿孔された金属板のみを使用し、本発明による保持体を使用しないことも、原理的には可能である。2つの金属板の少なくとも一方に、抜き効果を確保するのに十分大きくかつ金属板が適度な大きさの通電容量を有する程度に小さい直径を有する複数の穴を設けることが好ましい。穴の直径は、0.1~1mm、好ましくは0.4~0.6mmである。穴は、複数の列をなして、好ましくは一定距離の間隔をおいて、配置されることが好ましい。しかし、穴は基本的には、金属板上に任意の所望の状態で分散させることができる。本発明の実施形態について、図面を参照して以下に詳しく説明する。図1は、第1の頂部金属板1と第2の底部金属板3とからなり、これらの間にセラミック基板2が配置された、DCBパッケージとして形成された構成体を示している。2つの金属板1,3はいずれも、銅板または銅箔である。セラミック基板は酸化セラミック基板であり、特に酸化アルミニウムのセラミックで形成されている。酸化金属板1,3をセラミック基板2に接合する直接ボンディングプロセスと呼ばれる方法は、明示的に引用される特許文献2に詳しく記載されている。本発明による方法は、DCBパッケージが、特別な構成の保持体4図2の上に置かれることを特徴としている。保持体4は、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ジルコニウム、炭化ケイ素、及び黒鉛からなる群から選択される少なくとも1つの化合物でできたプレートである。このプレートは、DCBパッケージ1,2,3に面する上面に複数の突状集合体4Aを有している。突状部の高さHは、0<H≦20mmであることが好ましい。実施例では、突状集合体4Aは高さが約10mmの円錐体であり、先端部4Bが外側を向いている。円錐体4Aの先端部4Bは、DCB基板1,2,3が保持体4に置かれる端部である、複数の接触点を形成している。円錐体4Aは、複数の列をなし、一定距離の間隔で配置されている。第1の実施例では、厚さ0.38mm、大きさ138mm×190mmのAl2O3製セラミック基板の両面に、厚さ0.3mmの銅製の金属箔を接合した。接合プロセスの前に、両面の銅箔1,3を公知の方法で酸化させた。2つの金属箔1,3及びセラミック基板2から、図1に示すDCBパッケージを組み立てた。次に、DCBパッケージ1,2,3を図2に示す保持体の上に置き、連続炉のコンベアベルト上に配置した。連続炉内で、保持体4の上に置かれ一定速度で搬送されるDCBパッケージ1,2,3を、1065°Cから1083°Cの間の温度、例えば1071°Cまで加熱し、炉の加熱ゾーンを通過した後、室温に冷却した。この接合プロセスの後、金属-セラミックの基板1,2,3を保持体4から分離し、公知のDCB製造技術に従って処理した。接合プロセスの後、保持体4を次の接合プロセスで再び利用できるように洗浄した。金属箔が保持体に付着するおそれはなく、底部金属箔3の下面と保持体4との間で追加的な分離層を省略できることが分かった。DCBパッケージ1,2,3の金属箔1,3を、金属-セラミックの基板2上に配置する前に穿孔した。穿孔にはレーザを使用し、それによって直径0.5mmの穴5を、複数の列状に、かつ距離20mmの間隔で銅箔に設けた。穿孔後、接合プロセスを始める前に、銅箔を酸化させた。穿孔され酸化させられた銅箔1,3を、接合プロセスの前にセラミック基板2上に配置した。この複合材料を連続炉のコンベアベルト上に配置し、一定の搬送速度下で、1065°Cから1083°Cの間の温度、例えば1071°Cまで加熱し、炉の加熱ゾーンを通過した後、室温まで冷却した。銅箔とセラミック基板との間に気泡の形成は認められなかった。図4は、DCBパッケージ1,2,3の保持体4の、他の実施形態を示している。保持体4は、横方向帯状部7を有する矩形フレーム6として構成されている。横方向帯状部7の上面に、列7A~7Eをなして、複数の突状集合体が配置されている。突状集合体は複数の四角錐台8として構成体されている。しかし、四角錐台の代わりに、側面の数が4つより多いかまたは少ないピラミッド形の部材を設けることができる。ピラミッドの平坦な先端部は、DCB基板が置かれる表面を形成する。図5は、DCBパッケージ1,2,3の保持体4の、他の実施形態を示している。図5の実施形態は、突状集合体の構成だけが図4の実施形態と異なっている。従って、互いに対応する部分には同じ参照番号が使用されている。保持体は、この場合も横方向帯状部7を有する矩形フレーム6として構成されている。横方向帯状部7の上面に、列7A~7Eをなして、半球体9として構成された突状集合体が配置されている。円形断面を有する部材の代わりに、楕円断面または長円断面を有する部材を設けることもできる。"