OSF欠陥も、Aスワール欠陥も、30nmより大きなサイズを有するCOP欠陥も有しない、酸素又はドーパントの成長縞の半径方向プロフィールを有するシリコン半導体ウェハにおいて、水平線と成長縞に接する接線との間の傾き角θは、傾き角θがr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で測定される場合その際、rは接線が成長縞に接する半径方向位置であり、rmaxは半導体ウェハの半径を表すに、不等式θ<-17xr/rmaxにより記載される角度で表される数値範囲にある、シリコン半導体ウェハ。傾き角θはr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で例外なくθ<-17xr/rmaxの数値範囲にある、請求項1記載の半導体ウェハ。傾き角θはr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で例外なく前記数値範囲の部分領域にあり、その際、前記部分領域は不等式-50xr/rmax<θ<-17xr/rmaxにより記載される、請求項1又は2記載の半導体ウェハ。炭素、窒素及び水素の元素により形成される元素のグループからの少なくとも1種の元素の添加を有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の半導体ウェハ。2.0×1013~1.0×1015原子/cm3の窒素濃度を有する、請求項4記載の半導体ウェハ。5×1017原子/cm3~6.5×1017原子/cm3の酸素濃度を有する、請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体ウェハ。従って、本発明の課題は、経済的に行われる方法を提供することによりこの状況を改善することであった。本発明は、ルツボ中に含まれる融液から界面で成長する単結晶を引き上げ、前記の引き上げられた単結晶から半導体ウェハを切り分けるシリコン半導体ウェハの製造方法において、引き上げの間に熱を界面の中心に供給し、かつ界面に対して垂直方向の温度勾配であるG及び単結晶を融液から引き上げる引き上げ速度であるVを用いて、界面の中心から縁部までの比V/Gの半径方向プロフィールを制御し、かつ、その際、前記界面に接する単結晶中の熱機械応力場thermomechanicalstressfieldsの効果を内因性点欠陥の発生に関して補償するように比V/Gの前記半径方向プロフィールを制御する、シリコン半導体ウェハの製造方法に関する。集中的な研究により、発明者は、熱機械応力場が、この実験的所見を理解可能に説明できる可能な原因であると確認した。熱機械応力場は、意外にも内因性点欠陥の濃度に、ひいては欠陥形成に直接的に著しく影響を及ぼすことができる。発明者の認識によると、特に、無欠陥の半導体ウェハを供給する少なくとも300mmの直径を有する単結晶を経済的に引き上げるために、熱機械応力場の強度は減少させなければならず、その作用をV/Gの半径方向プロフィールの構成で補償しなければならない。KTanahashi及びNInoueJournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics10359363は、結晶化するシリコン中での熱機械応力場及び内因性点欠陥の拡散率及び溶解性に関するその作用に取り組んでいる。前記文献は、引っ張り応力の領域内ではシリコン格子間原子の形成が、圧縮応力の領域内では空孔の形成が熱力学的に促進されるが、そのモデル計算は前記欠陥形成に特別な影響を及ぼさないことも示すとする結論に達している。しかしながら、本願発明の発明者は、前記熱機械応力場の影響は著しくなることがあることを認識し、かつ本発明は応力場の強度を制限しなければならないことを教示する。さらに、内因性点欠陥の発生に関してその影響を補償しなければならない。これは、単結晶の圧縮応力の下で生じかつ界面の中心領域に接する領域中の温度勾配Gは、界面の縁部領域に接しかつ単結晶の縁部にまで延びる、引っ張り応力の下で生じる領域中の温度勾配Gよりも大きく維持されることにより有利に生じる。圧縮応力の領域中でのより大きな温度勾配により、より多数のシリコン格子間原子が提供され、これは圧縮応力のために付加的に存在する空孔を消失させる。引張応力の領域中でのより小さな温度勾配により、より多数の空孔が提供され、これは引張応力のために付加的に存在するシリコン格子間原子を消失させる。結果として、空孔とシリコン格子間原子とのバランスのとれた関係が得られ、これは、無欠陥半導体ウェハの製造のための重要な前提条件であるために望ましい。比V/Gに関して、本発明は、V/Gの可能な限り均一な半径方向プロフィールを達成しようとするのではなく、圧縮応力の領域内での界面での、臨界比より小さなV/Gを有し、かつ引っ張り応力の領域内での界面での、臨界比より大きなV/Gを有する不均一な半径方向プロフィールを達成しようとすることを教示する。前記臨界比は、平坦な界面の場合にボロンコフモデルに従う前提条件である比V/Gであり、それにより欠陥形成する過剰量の点欠陥は生じない。図2には、比V/Gは熱機械応力場の領域内で、前記熱機械応力場の強度の増加と共に、臨界比から次第に大きく相違することを示す。期待すべき圧縮応力及び引っ張り応力は、シミュレーション計算により予想することができる。この計算のために、市販のプログラム、例えばSemiconductorTechnologyResearchInc社のFlowModuleプログラムを利用することができる。図3は、特に、圧縮応力の領域内のV/Gと引っ張り応力の領域内のV/Gとの比が重要であることを示す。V/Gの半径方向プロフィールを、有利にV/Gt/V/Gcが少なくとも1.5より大きく、より有利に1.8より大きく、さらに有利に2より大きくなるように制御し、その際、V/Gcは圧縮応力の下の領域内での最低の比V/Gであり、V/Gtは引っ張り応力の下の領域内での最高の比V/Gである。もっぱらボロンコフモデルに合わせた、例えばDE10339792A1に記載されたような手法は、均一でかつ可能な限り臨界比から相違しないV/Gの半径方向プロフィールを達成しようとしている。さらに、シリコン格子間原子の半径方向の拡散率を考慮しかつ例えばUS6869478B2に記載されたような手法は、比V/Gt/V/Gcが未だに明らかに1.5を下回り、従ってほぼ均一であることを示すV/Gの半径方向プロフィールを開示している。最後に挙げた手法を用いて、最近の見方により無欠陥であると見なされるシリコン半導体ウェハを製造することはできるが、あまり経済的ではないと見なさなければならない方法によって製造できるにすぎない。本発明は、それというのも本発明による方法により、少なくとも300mmの直径を有しかつ少なくとも0.5mm/minの速度で経済的に引き上げられる単結晶から無欠陥のシリコンウェハを得ることもできるため、前記の欠点を克服している。エピタキシャル半導体ウェハ及びSOIウェハの製造のための基板としても適している半導体ウェハは、公知のように引き上げられた単結晶から得られた無欠陥のシリコン半導体ウェハとは、特に酸素ストライプ又はドーパントストライプの傾き角θの半径方向プロフィールに関して簡単に区別することができる。このボロンコフモデルは、無欠陥の半導体ウェハ用の単結晶は、基本的に温度勾配Gを上昇させた場合にだけ極めて急速に引き上げることができることを予測している。こうして、引き上げ速度Vを高めることができかつ同時に臨界比V/Gを維持することができる。この上昇する熱供給は、界面が単結晶に対して凸型に湾曲する面の形を取る結果となる。この湾曲の程度は、高さhにより表すことができる。この高さは、融液の表面と界面の中心との間の距離と同じである。本発明により引き上げられる単結晶の場合に、界面の湾曲は著しい。この界面は等温面と解釈することもでき、つまり、同じ温度の位置により形成される面である。酸素及びドーパント、例えばホウ素、リン、ヒ素又はアンチモンが単結晶中に取り入れられる濃度は、界面の領域での温度に敏感に依存する。不可避な温度変動により、時間経過において界面の軸方向位置は僅かな程度変動するだけでなく、時間経過において変動する単結晶中への酸素及びドーパントの取り込みも変動する。この元素の多様な濃度は、界面のプロフィールにより形成される成長縞の形で見ることができる半導体ウェハを上から見た図では、前記成長縞はリングとして現れ、前記半導体ウェハの断面又は単結晶の部分の縦方向の断面を横から見た図では湾曲した線として現れる。前記の線の傾き角θのプロフィールは、単結晶の引き上げ時の界面の湾曲に関する情報を提供する。このような傾き角のプロフィールを有する単結晶は、これが無欠陥のシリコン半導体ウェハを提供する限り、本発明による方法でだけ製造することができるため、傾き角θのプロフィールは本発明による方法の適用についての明確な指標である。従って、本発明は、OSF欠陥も、Aスワール欠陥も、30nmより大きなサイズを有するCOP欠陥も有しない、酸素又はドーパントの成長縞の半径方向プロフィールを有するシリコン半導体ウェハにおいて、水平線と成長縞に接する接線との間の傾き角θは、傾き角θがr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で測定される場合その際、rは接線が成長縞に接する半径方向位置であり、rmaxは半導体ウェハの半径を表すに、不等式θ<-17xr/rmaxにより記載される角度で表される数値範囲にある、シリコン半導体ウェハにも関する。つまり半導体ウェハは、r/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内に少なくとも1つの傾き角θが存在し、その値が前記不等式により設定された数値範囲にある限り、本発明による半導体ウェハである。前記傾き角θがr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で完全に前記の数値範囲内に留まる場合が有利である。この有利な定義によると、半導体ウェハは、つまりr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で全ての傾き角θが前記不等式により設定された数値範囲内にある場合に本発明による半導体ウェハである。傾き角θがr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で完全に、変更された不等式-50xr/rmax<θ<-17xr/rmaxにより記載される数値範囲にとどまる場合が特に有利である。この特に有利な定義によると、半導体ウェハは、つまりr/rmax=0.1~r/rmax=0.9の範囲内で全ての傾き角θが前記の変更された不等式により設定された数値範囲内にある場合に本発明による半導体ウェハである。図4では、本発明による半導体ウェハが先行技術による半導体ウェハとどのように異なるかをグラフにより示す。傾き角θを半導体ウェハの半径にわたりプロットした場合、本発明による半導体ウェハの場合にだけ、前記の特定の不等式で記載された範囲内で明らかな曲線を生じる。この範囲は0.1~0.9の半径方向位置r/rmaxに限定される、それというのも境界を接する範囲中の傾き角θは不正確に測定できるにすぎないためである。比較のために、図4には、US6869478B2又はDE10339792A1に記載された方法により製造された半導体ウェハについて生じる傾き角θのプロフィールも記載する。本発明による半導体ウェハは、酸素及び少なくとも1種のドーパントの他に、有利に少なくとも1種の代表的な元素の炭素、窒素及び水素も含有する。窒素が存在する場合に、その濃度は有利に2.0×1013~1.0×1015原子/cm3である。炭素、窒素又は両方の元素の存在は、BMDの形成を促進し、従って、ゲッター能力を改善する。これは酸素濃度が比較的低い場合に特に有利である。水素の存在は、OSF欠陥の形成を抑制する。従って、これは酸素濃度が比較的高い場合に特に有利である。比V/Gの半径方向プロフィールを本発明により制御するために、基本的に、前記パラメータの一つに影響を及ぼすことが知られている全ての処置が挙げられる。可能な限り経済的に、従って可能な限り速く引き上げなければならないという条件に従って、引き上げ速度を変更する許容範囲は僅かであるため、大抵の措置は、温度勾配Gの半径方向プロフィールを、特に圧縮応力及び引っ張り応力の領域内で、本発明の基準に従って調節することに向けられる。これは、単結晶の近傍の周辺領域、いわゆるホットゾーンの適切な形成及び影響によって、ひいては単結晶への熱の供給及び単結晶からの熱の搬出の適切な措置によっても最適に達成される。例えばDE10339792A1に既に比V/Gの制御のために記載された措置が特に有利である。前記措置はこの文献の言及により、本発明の明らかな要素としても通用する。特に挙げられる例は熱源の使用であり、前記熱源により特別な程度で熱を界面の中心に輸送することができ、これは特にルツボ中心の下方に配置されかつルツボと共に上昇及び加工することができるヒーターの形態である。このようなヒーターは、ルツボ底部で、ルツボ底部の中心で明らかな温度最大値を有する半径方向の温度プロフィールを生じさせる場合に、特に有利である。付加的に、前記ルツボ底部は、ルツボの下方に固定配置され、従って単結晶の引き上げ時にルツボと一緒に引き上げられない熱源を用いて加熱することができる。ルツボを取り囲む通常の側面加熱器と一緒に、有利に3つの経路で熱は融液に供給される。界面の中心に向かう有利な熱輸送は、ルツボと単結晶との同じ向きの回転によって、それにより達成されるGの上昇があまり明らかでない場合でも生じさせることができる。磁場、特に水平磁界又はCUSP磁界又は移動磁界の付加的な使用によって、単結晶中の酸素濃度が制限できるばかりでなく、熱輸送に影響を及ぼすことができる。特別にCUSP磁界は、界面の中心に上方向に向かって熱を輸送する融液流を集束するための手段として適している。この作用は、CUSP磁界の中立面が軸対称の水平磁界と同様であり、融液の表面からの距離が少なくとも50mmである場合に特に明らかである。温度勾配Gを高めるための更なる機器は、単結晶を取り囲みかつ単結晶から熱を有効に搬送する冷却器である。同様に、温度勾配Gを制御し、さらに単結晶中の熱機械応力を低減させるために、界面に接する単結晶の縁部を加熱する熱源が適していて、これは融液の表面付近で単結晶を取り囲む環状ヒーターの形態であるのが特に有利である。環状ヒーター及び冷却器は、有利に、単結晶の表面での軸方向温度プロフィールが、少なくとも1つの変曲点を有する曲線によって描くことができるように運転され、つまり少なくとも3つの次数の多項式により近似することができ、従って、US6869478B2に記載された放物線状の温度プロフィールとは異なっている。有利な軸方向の温度プロフィールは図5に図示されている。この単結晶は、有利に、界面の中心と融液の表面との間の高さhよりも長い、融液表面からの距離まで冷却しない。図6aと6bとは、大きな単結晶を急速に引き上げる際に、一方でV/Gの半径方向プロフィールを可能な限り均質にかつ臨界比付近に保持する手法図6aで処理し、他方で本発明による手法図6bで処理する場合の、温度勾配Gの半径方向プロフィール及び熱機械応力場の強度を比較して示す。V/Gの半径方向プロフィールが均一である場合に、単結晶中で、界面の中心領域に接する極めて明らかな圧縮応力を有する領域と、単結晶の縁部領域及び界面に接する極めて明らかな引っ張り応力を有する領域とが形成される。これは、臨界比に調節された比V/Gがこの両方の領域で、内因性点欠陥の欠陥形成する過剰量を抑制するために必要な値から明らかに相違する結果となる。これに対して、図6bでは等温線の異なる間隔が示され、本発明による方法を用いて比V/Gのこのような不利な調節は行われない。圧縮応力の領域ではより高い温度勾配Gが調節され、引っ張り応力の領域ではより低い温度勾配Gが調節され、その結果、内因性点欠陥の欠陥形成する過剰量が生じることは抑制される。図6bは、さらに、環状ヒーターの使用により応力場の強度は弱まり、従ってV/Gの半径方向プロフィールを本発明に適合させることにより欠陥形成へのその影響に対向することがより容易となることを示す。この高さhは有利に少なくとも20mmである。単結晶中の酸素濃度は、有利に同様に制御され、OSF欠陥の形成を促進するような条件で単結晶を引き上げた場合であってもOSF欠陥を生じさせない。他方で、有利に十分な酸素が存在し、それにより酸素析出物BMDについての十分な核形成中心が存在しているのも好ましい。ASTM規格F121-83による濃度は5×1017原子/cm3から6.5×1017原子/cm3の範囲内に調節するのが有利である。この酸素濃度は、有利に、電磁コイルにより作成される電界強度、引き上げ装置中の圧力、及び不活性ガス、例えばアルゴンが引き上げ装置を通過するように導入される時間単位当たりの流量又はこれらの制御機器の組合せによって制御される。単結晶中の酸素濃度は融液流に依存する。単結晶とルツボとが同じ向きで回転する場合、例えばルツボ回転を高めることにより高い酸素含有量が生じる。融液中で少なくとも10mT7960A/m~80mT63700A/mの引き上げ軸の範囲内での電界強度、並びに0.004~0.03mbar/l/hの圧力-流量比が特に有利である。比較例:可能な限り多くの無欠陥半導体ウェハを得ることを目的として、シリコン単結晶を0.65mm/minの速度で引き上げることを試験した。この目的を達成するために、比V/Gの半径方向プロフィールを、DE10339792A1に記載されたできる限り均一にかつ臨界比にある半径方向プロフィールを得る手法に従って制御した。臨界比との最大の相違は、実際に9よりも大きくなかった。しかしながら、この手法を用いて、無欠陥の半導体ウェハを得ることはできなかった。実施例:本発明による半導体ウェハを製造するために、比較例の場合と同じ装置を使用した。図7に示された装置は、融液を含有するルツボ8と、前記ルツボを取り囲む側面ヒーター6、並びに熱シールド2を有する。さらに、CUPS磁界を作成する2つの相互に向かい合う電磁場コイル5と、成長する単結晶9の界面の中心に向かって熱を搬送するための前記ルツボと一緒に引き上げ可能な底部ヒーター10を有する。この引き上げ装置の他の特徴は、固定式底部ヒーター7、単結晶を取り囲む、水で冷却されかつ内面が黒色化された冷却器1、並びに環状ヒーター3である。このホットゾーンについて、シミュレーション計算を用いて、単結晶中で熱機械応力場を表したマップを作成した。シミュレーションプログラムとして、弾性応力を二次元的に軸対称でかつ等方性に計算する、既に記載したプログラムFlowModuleを使用した。この計算は、シリコンのヤング率E=150GPa、ポアソン比ν=0.25及び線形膨張係数α=2.6×106/Kに基づく。図8に示すように、圧縮応力の領域内で-26MPaまでの熱機械応力が見られ、引っ張り応力の領域内で7.53MPaまでの熱機械応力が見られた。この知見を考慮するために、V/Gの半径方向プロフィールを変更し、図3のグラフに応じて、約1.93の比V/Gt/V/Gc、0.7のV/Gc/V/Gcrit及び1.35のV/Gt/V/Gcrit及び臨界比としてV/Gcritで調節した。この条件下で0.6mm/minの速度で引き上げた単結晶から、300mmの直径を有する無欠陥のシリコン半導体ウェハを高い歩留まりで得ることができた。この半導体ウェハに関して、Aスワール欠陥も、FPDも、OSF欠陥も検出できなかった。COP欠陥に関する試験は、MitsuiMining社のタイプMO-4の散乱レーザー光測定器を用いて、例えばNakaietal著、JapJournalofAppliedPhysicsVol43No4A2004pp12471253に記載されている適用を行った。30nmより大きな直径を有するCOP欠陥が見られなかった。図9a及び9bは、ドーパント縞のプロフィールを表したフォトスキャニングの結果を示す。この方法の場合に、電荷キャリアをレーザー光により励起させ、電気的に検出する。図9aは、引き上げられた単結晶の80mmの長さの片の板状の縦断面の側面図を示す。図9bには、どのような傾き角θの半径方向プロフィールが半導体ウェハの断面の側面図の評価により確認されたかを示す。実施例中で確認された傾き角θの半径方向プロフィールは、図4に示されたプロフィールに相当する。傾き角θの半径方向プロフィールは、これとは別に又はドーパント縞のプロフィール評価のため補足して、酸素縞の同様の評価によって確認することができる。この酸素縞は、熱処理による酸素の析出後に断片をエッチングしかつUV光の斜めからの入射の下で評価することにより表される。