"1エピクロルヒドリンに由来する構成単位として10~40mol、2アルキレンオキサイドに由来する構成単位として60~90mol、3エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として0~10molを有するゴム組成物において、該ゴム組成物の100°Cにおけるメルトフローレートが3×10-2cm3/秒以上であり、該組成物の重量平均分子量が80万以上である半導電性ゴム組成物。メルトフローレートが5×10-2cm3/秒以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導電性エピクロルヒドリン系ゴム組成物。メルトフローレートが7×10-2cm3/秒以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導電性エピクロルヒドリン系ゴム組成物。重量平均分子量が100万以上であることを特徴とする請求項1~3いずれかに記載の半導電性ゴム組成物。重量平均分子量が100万以上150万以下であることを特徴とする請求項1~4いずれかに記載の半導電性ゴム組成物。2アルキレンオキサイドに由来する構成単位がエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイドから選択されるアルキレンオキサイドに由来する構成単位である請求項1~5いずれかに記載の半導電性ゴム組成物。3エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位がアリルグリシジルエーテルに由来する構成単位である請求項1~6いずれかに記載の半導電性ゴム組成物。請求項1~7いずれかに記載の半導電性ゴム組成物を加硫してなる半導電性ゴム材料。請求項1~7いずれかに記載の半導電性ゴム組成物を用いて押出成形又はインジェクション成形で成形し、加硫してなる半導電性ゴム材料。請求項8又は請求項9に記載の半導電性ゴム材料を用いた半導電性ゴムロール又はベルト。請求項1~7いずれかに記載された半導電性ゴム組成物を用いて押出成形又はインジェクション成形により成形することを特徴とする半導電性ゴム材料の製造方法。本発明は、かかる事情を背景としてなされたものであり、コピー機、プリンター等に使用される電子写真プロセスの帯電、現像、転写などの半導電性ゴムロール及び半導電性ベルトに用いられる半導電性ゴム組成物及びその加硫物を提供することを目的とする。本発明者らは、1エピクロルヒドリンに由来する構成単位として10~40mol、2アルキレンオキサイドに由来する構成単位として60~90mol、3エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として0~10molを有するゴム組成物において、該ゴム組成物の100°Cにおけるメルトフローレートが3×10-2cm3/秒以上であり、該組成物の重量平均分子量が80万以上である半導電性ゴム組成物が上記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。本発明により得られた半導電性ゴム加硫物はこれまで帯電ロール、現像ロール、転写ロール等に使用されてきたゴムと同様に半導電性を持ち、かつ加工性及び成形性に優れているため押出及びインジェクション成形における生産性が良好であり、その加硫物はコピー機、プリンター等の半導電性ゴムロール及びベルト等に非常に有用である。以下に、本発明について詳細に説明する。本発明の半導電性ゴム組成物は、1エピクロルヒドリンに由来する構成単位として10~40mol、2アルキレンオキサイドに由来する構成単位として60~90mol、3エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として0~10molを有するゴム組成物において、該ゴム組成物の100°Cにおけるメルトフローレートが3×10-2cm3/秒以上であり、該組成物の重量平均分子量が80万以上である半導電性ゴム組成物である。本発明の半導電性ゴム組成物は、単独のゴム、又は2種以上のブレンドゴムとして1エピクロルヒドリンに由来する構成単位として10~40mol、2アルキレンオキサイドに由来する構成単位として60~90mol、3エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として0~10molを有する半導電性ゴム組成物であればよい。本発明の半導電性ゴム組成物においては、1エピクロルヒドリンに由来する構成単位として10~40モルを有するが好ましく、10~35モルを有することがより好ましく、15~30モルを有することが特に好ましい。本発明の半導電性ゴム組成物においては、2アルキレンオキサイドに由来する構成単位として60~90molを有するが好ましく、60~80モルを有するがより好ましく、65~80モルを有することが特に好ましい。また、アルキレンオキサイドに由来する構成単位はエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイドから選択されるアルキレンオキサイドに由来する構成単位であることが好ましく、半導電性の観点からエチレンオキサイドに由来する構成単位であることが特に好ましい。本発明の半導電性ゴム組成物においては、3エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として0~10molであることが好ましく、2~10モル有することが好ましく、3~7モル有することが特に好ましい。また、エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位はアリルグリシジルエーテルに由来する構成単位であることが好ましい。本発明の半導電性ゴム組成物の好ましい具体例としては、エピクロルヒドリン-エチレンオキサイド共重合体及び/又はエピクロルヒドリン-エチレンオキサイド-アリルグリシジルエーテル共重合体が例示され、エピクロルヒドリン-エチレンオキサイド共重合体及び/又はエピクロルヒドリン-エチレンオキサイド-アリルグリシジルエーテル共重合体とエピクロルヒドリン単独重合体及び/又はエピクロルヒドリン-アリルグリシジルエーテル共重合体とのブレンドであってもよい。メルトフローレート本発明における半導電性ゴム組成物のメルトフローレートは3×10-2cm3/秒以上であり、5×10-2cm3/秒以上であることが好ましく、7×10-2cm3/秒以上であることが特に好ましい。メルトフローレートの上限は特に限定されないが、5.0×10-1cm3/秒以下であることが好ましい。メルトフローレートはJISK7210のB法に準拠して測定することができる。重量平均分子量本発明における半導電性ゴム組成物の重量平均分子量は80万以上であり、90万以上であることが好ましく、100万以上であることが特に好ましい。重量平均分子量の上限は150万以下であることが好ましく、145万以下であることが特に好ましい。重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いてポリスチレン換算により測定することができる。加硫剤本発明の半導電性ゴム組成物を加硫するために用いられる加硫剤は、塩素原子の反応性を利用する公知の加硫剤が使用できる。例示すると、例えば、ポリアミン系加硫剤、チオウレア系加硫剤、チアジアゾール系加硫剤、メルカプトトリアジン系加硫剤、ピラジン系加硫剤、キノキサリン系加硫剤、ビスフェノール系加硫剤等である。また、側鎖二重結合の反応性を利用する公知の加硫剤としては硫黄系加硫剤、有機酸化物系加硫剤等があげられる。ポリアミン系加硫剤としては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンテトラミン、p-フェニレンジアミン、クメンジアミン、N,N’-ジシンナミリデン-1,6-ヘキサンジアミン、エチレンジアミンカーバメート、ヘキサメチレンジアミンカーバメート等があげられる。チオウレア系加硫剤としては、エチレンチオウレア、1,3-ジエチルチオウレア、1,3-ジブチルチオウレア、トリメチルチオウレア等があげられる。チアジアゾール系加硫剤としては、2,5-ジメルカプト-1,3,4-チアジアゾール、2-メルカプト-1,3,4-チアジアゾール-5-チオベンゾエート等があげられる。メルカプトトリアジン系加硫剤としては、2,4,6-トリメルカプト-1,3,5-トリアジン、2-メトキシ-4,6-ジメルカプトトリアジン、2-ヘキシルアミノ-4,6-ジメルカプトトリアジン、2-ジエチルアミノ-4,6-ジメルカプトトリアジン、2-シクロヘキサンアミノ-4,6-ジメルカプトトリアジン、2-ジブチルアミノ-4,6-ジメルカプトトリアジン、2-アニリノ-4,6-ジメルカプトトリアジン、2-フェニルアミノ-4,6-ジメルカプトトリアジン等があげられる。ピラジン系加硫剤としては、2,3-ジメルカプトピラジン誘導体等があげられ、2,3-ジメルカプトピラジン誘導体を例示すると、ピラジン-2,3-ジチオカーボネート、5-メチル-2,3-ジメルカプトピラジン、5-エチルピラジン-2,3-ジチオカーボネート、5,6-ジメチル-2,3-ジメルカプトピラジン、5,6-ジメチルピラジン-2,3-ジチオカーボネート等があげられる。キノキサリン系加硫剤としては、2,3-ジメルカプトキノキサリン誘導体等があげられ、2,3-ジメルカプトキノキサリン誘導体を例示すると、キノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、6-メチルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、6-エチル-2,3-ジメルカプトキノキサリン、6-イソプロピルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート、5,8-ジメチルキノキサリン-2,3-ジチオカーボネート等があげられる。ビスフェノール系加硫剤としては、4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4’-ジヒドロキシジフェニルスルホンビスフェノールS、1,1-シクロヘキシリデン-ビス、2-クロロ-1,4-シクロヘキシレン-ビス、22-イソプロピリデン-ビスビスフェノールA、ヘキサフルオロイソプロピリデン-ビス4-ヒドロキシベンゼンビスフェノールAFおよび2-フルオロ-1,4-フェニレン-ビス等があげられる。硫黄系加硫剤としては、硫黄、モルホリンジスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、N,N’-ジメチル-N,N’-ジフェニルチウラムジスルフィド、ジペンタンメチレンチウラムテトラスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド、ジペンタメチレンチウラムヘキサスルフィドが挙げられる。有機酸化物系加硫剤としては、tert-ブチルヒドロパーオキサイド、p-メンタンヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、tert-ブチルパーオキサイド、1,3-ビスtert-ブチルパーオキシイソプロピルベンゼン、2,5-ジメチル-2,5-ジtert-ブチルパーオキシヘキサン、ベンゾイルパーオキサイド、tert-ブチルパーオキシベンゾエートが挙げられる。加硫剤の配合量は、本発明における半導電性ゴム組成物100重量部に対して0.1~10重量部であることが好ましく、0.1~5重量部であることがより好ましい。加硫促進剤また、加硫剤と共に用いられる公知の促進剤即ち、加硫促進剤を本発明の半導電性ゴム組成物に、そのまま用いることができる。前記加硫促進剤の例としては、チアゾール系加硫促進剤、スルフェンアミド系加硫促進剤、チウラム系加硫促進剤等を挙げることができる。例示するならば、チアゾール系促進剤の例としては、ジ-2-ベンゾチアゾリルジスルフィド、2-メルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、2-メルカプトベンゾチアゾールの亜鉛塩等が挙げられる。スルフェンアミド系加硫促進剤の具体例としては、N-エチル-2-ベンゾチアジルスルフェンアミド、N-t-ブチル-2-ベンゾチアジルスルフェンアミド、N,N-ジ-イソプロピル-2-ベンゾチアジルスルフェンアミド、N,N-ジ-シクロヘキシル-2-ベンゾチアジルスルフェンアミド、N-オキシ-ジ-エチレン-2-ベンゾチアジルスルフェンアミド等が挙げられる。チウラム系加硫促進剤の具体例としては、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド等が挙げられる。加硫促進剤の配合量は本発明における半導電性ゴム組成物100重量部に対して0.1~5重量部であることが好ましく、0.3~3重量部であることがより好ましい。受酸剤本発明で用いられる受酸剤としては、公知の受酸剤を使用できるが、好ましくは金属化合物および/または無機マイクロポーラスクリスタルである。金属化合物としては、周期表第II族2族および12族金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、亜リン酸塩、周期表III族3族および13族金属の酸化物、水酸化物、カルボン酸塩、ケイ酸塩、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、周期表第IV族4族および14族金属の酸化物、塩基性炭酸塩、塩基性カルボン酸塩、塩基性亜リン酸塩、塩基性亜硫酸塩、三塩基性硫酸塩等の金属化合物が挙げられる。前記金属化合物の具体例としては、マグネシア、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、生石灰、消石灰、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、フタル酸カルシウム、亜リン酸カルシウム、亜鉛華、酸化錫、リサージ、鉛丹、鉛白、二塩基性フタル酸鉛、二塩基性炭酸鉛、ステアリン酸錫、塩基性亜リン酸鉛、塩基性亜リン酸錫、塩基性亜硫酸鉛、三塩基性硫酸鉛等を挙げることができ、炭酸ナトリウム、マグネシア、水酸化マグネシウム、生石灰、消石灰、ケイ酸カルシウム、亜鉛華等が好ましい。前記無機マイクロポーラスクリスタルとは、結晶性の多孔体を意味し、無定型の多孔体、例えばシリカゲル、アルミナ等とは明瞭に区別できるものである。このような無機マイクロポーラスクリスタルの例としては、ゼオライト類、アルミノホスフェート型モレキュラーシーブ、層状ケイ酸塩、合成ハイドロタルサイト、チタン酸アルカリ金属塩等が挙げられる。特に好ましい受酸剤としては、合成ハイドロタルサイトが挙げられる。前記ゼオライト類は、天然ゼオライトの外、A型、X型、Y型の合成ゼオライト、ソーダライト類、天然ないしは合成モルデナイト、ZSM-5などの各種ゼオライトおよびこれらの金属置換体であり、これらは単独で用いても2種以上の組み合わせで用いても良い。また金属置換体の金属はナトリウムであることが多い。ゼオライト類としては酸受容能が大きいものが好ましく、A型ゼオライトが好ましい。前記合成ハイドロタルサイトは下記一般式1で表される。MgXZnYAlZOH2XY3Z-2CO3wH2O1[式中、xとyはそれぞれxy=1~10の関係を有する0~10の実数、zは1~5の実数、wは0~10の実数をそれぞれ示す。]前記一般式1で表されるハイドロタルサイト類の例として、Mg45Al2OH13CO33.5H2O、Mg45Al2OH13CO3、Mg4Al2OH12CO33.5H2O、Mg6Al2OH16CO34H2O、Mg5Al2OH14CO34H2O、Mg3Al2OH10CO31.7H2O、Mg3ZnAl2OH12CO33.5H2O、Mg3ZnAl2OH12CO3等を挙げることができる。受酸剤の配合量は本発明における半導電性ゴム組成物100重量部に対して0.2~50重量部であることが好ましく、1~20重量部であることがより好ましい。本発明の半導電性ゴム組成物に対しては、本発明の効果を損なわない限り、上記以外の配合剤、例えば、滑剤、老化防止剤、充てん剤、補強剤、可塑剤、加工助剤、難燃剤、顔料等を任意に配合し、半導電性ゴム材料用組成物としてもよい。さらに本発明の特性が失われない範囲で、当該技術分野で通常行われている、ゴム、樹脂等のブレンドを行うことも可能である。加工方法本発明の半導電性ゴム組成物又は半導電性ゴム材料用組成物の加工方法としては、従来ポリマー加工の分野において利用されている任意の手段、例えばミキシングロール、バンバリーミキサー、各種ニーダー類等を用いることができる。成型方法成型方法としては、金型による圧縮成型、押出成型、インジェクション成型等が例示できるが、本発明の半導電性ゴム組成物を用いた押出成型、インジェクション成型することが好ましい。加硫方法本発明の半導電性ゴム組成物を用いた加硫物は、前記半導電性ゴム組成物に所定の加硫剤等を加えて、通常100~200°Cに加熱する事で得られ、加硫時間は温度により異なるが、0.5~300分の間で行われるのが通常である。実施例、比較例以下において、代表的な例として実施例を挙げるが本発明はこれに限定されるものではない。重合触媒の合成温度計および攪拌装置を伏した三ツ口フラスコにジブチル錫オキシド10.0g、トリブチルホスフェート23.4gをいれ、窒素気流下に攪拌しながら260°Cで15分間加熱して留出物を留去させ、残留物として固体状の縮合物質を得た。この縮合物質を触媒として以下の重合を行った。実施例1内容量20LのSUS反応器温度計および攪拌装置付きの内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒7.2g、水分10ppm以下のノルマルヘキサン4500g、エピクロルヒドリン560g、エチレンオキサイド820gの60量、アリルグリシジルエーテル120g、ノルマルブタノール0.12gを仕込み35°Cにて20時間反応させた。なお反応時間1.5時間目と2.5時間目におのおのエチレンオキサイドの25量、15量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下60°Cにて8時間乾燥し、ゴム組成物を得た。実施例2内容量20LのSUS反応器温度計および攪拌装置付きの内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒7.2g、水分10ppm以下のノルマルヘキサン4500g、エピクロルヒドリン560g、エチレンオキサイド820gの60量、アリルグリシジルエーテル120g、ノルマルブタノール0.06gを仕込み35°Cにて20時間反応させた。なお反応時間1.5時間目と2.5時間目におのおのエチレンオキサイドの25量、15量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下60°Cにて8時間乾燥し、ゴム組成物を得た。実施例3内容量20LのSUS反応器温度計および攪拌装置付きの内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒7.2g、水分10ppm以下のノルマルヘキサン4500g、エピクロルヒドリン560g、エチレンオキサイド820gの60量、アリルグリシジルエーテル120g、ノルマルブタノール0.03gを仕込み35°Cにて20時間反応させた。なお反応時間1.5時間目と2.5時間目におのおのエチレンオキサイドの25量、15量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下60°Cにて8時間乾燥し、ゴム組成物を得た。比較例1内容量20LのSUS反応器温度計および攪拌装置付きの内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒7.2g、水分10ppm以下のノルマルヘキサン4500g、エピクロルヒドリン560g、エチレンオキサイド820gの60量、アリルグリシジルエーテル120g、ノルマルブタノール0.24gを仕込み35°Cにて20時間反応させた。なお反応時間1.5時間目と2.5時間目におのおのエチレンオキサイドの25量、15量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下60°Cにて8時間乾燥し、ゴム組成物を得た。比較例2ダイソー株式会社製のエピクロルヒドリン-エチレンオキサイド-アリルグリシジルエーテル三元共重合体EPION-301を比較例2とした。重合体の分析得られたゴム組成物の共重合組成について、塩素含有量及びヨウ素価により求める。塩素含有量はJISK7229に記載の方法に従い、電位差滴定法によって求めた。電位差滴定は電極に複合銀電極C-878を備えた京都電子工業株式会社製AT-420N電位差滴定装置を用いて行い、得られた塩素含有量からエピクロルヒドリンに由来する構成単位のモル分率を算出する。ヨウ素価はJISK6235に準じた方法で測定した。共栓付きフラスコにサンプル約0.70gとクロロホルム80mLを加えて40°Cに加熱してサンプルを溶解させた後、ウィイス試薬20mLと酢酸ナトリウム水溶液10mLを加えてよく振り混ぜ、暗所で20分間静置する。次に20ヨウ化カリウム水溶液5mLを加えてよく振り混ぜる。その後、微量複合白金電極酸化還元滴定を備えた自動滴定装置を用いて0.1N-チオ硫酸ナトリウム水溶液で電位差滴定を行い、得られたヨウ素価からエチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位のモル分率を算出する。アルキレンオキサイドのモル分率は、エピクロルヒドリンに由来する構成単位のモル分率、エチレン性不飽和基含有モノマーユニットのモル分率より算出する。重量平均分子量の測定分子量の測定方法としては、ゴムを溶剤であるテトラヒドロフランTHFに溶解させてゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いてポリスチレン換算により数平均分子量及び重量平均分子量を測定した。すなわち、株式会社島津製作所製GPC装置RID-6A、Shodex社製カラムKF-801、KF-802、KF-803、KF-804、KF-806Lを用いて、流量1.0mL/min、濃度を30mgポリマー/THF10mLとし、注入量200μL、カラム温度40°Cで測定を行った。重量平均分子量の測定結果を表1に組成とともに示した。メルトフローレートメルトフローレートはJISK7210のB法に準拠して測定した。すなわち、株式会社島津製作所製CFT500Cを用いて、ピストン断面積1cm2、ダイ穴径1mm、ダイ長さ10mmの装置において、予熱時間300秒、試料温度を100°C、シリンダー圧力を200kgf/cm2、フローレート測定位置を3mm~7mmとしてメルトフローレートcm3/秒を測定した。測定結果を表1に示した。加工性評価加工性は二本ロールでの作業性で評価した。具体的には蒸気を用いて70~80°Cに加熱した二本ロールへ各実施例及び比較例に示すゴムを投入し、ロールへの粘着性を観察し、以下の基準で評価した。結果を表1に示す。○:粘着性がなく作業性が良い×:粘着性があり作業性が悪い押出性評価押出性はメルトフローレート測定時の押出肌で評価した。具体的にメルトフローレート測定後に押し出したサンプルの表面を観察し、以下の基準で評価した。結果を表1に示す。○:押出表面がなめらか×:押出表面が荒い表1の各種ゴムを表2に示す各材料とともにオープンロールで混練し、未加硫ゴムシートを作製した。得られた未加硫ゴムシートを用い、170°Cで15分プレス加硫した。得られた架橋シートを23°C50RH環境下にて状態調整を行った後、JISK6271に準拠し、二重リング電極を用いた三菱油化株式会社製ハイレスタを用いて、10V印加、1分後の体積抵抗率を測定した。測定値を表3に示した。以下に実施例、比較例で用いた配合剤を示す。※1ダイソー株式会社製エピクロルヒドリン-エチレンオキサイド-アリルグリシジルエーテル三元共重合体EPION-301※2大内新興化学株式会社製チアゾール系加硫促進剤ノクセラーDM※3大内新興化学株式会社製チウラム系加硫促進剤ノクセラーTS表1に示すように、実施例1~3及び比較例1~2はそれぞれ1エピクロルヒドリン2エチレンオキサイド3アリルグリシジルエーテルを含んだ組成物である。その加工性において、比較例1は分子量が低すぎるためにロールへの粘着が起こり混練りできず、加工性が悪い。また、押出性についてはメルトフローレートが本発明に記載された範囲ではない比較例2は押出表面が荒い。一方、重量平均分子量が80万以上であり、メルトフローレートが3×10-2cm3/秒以上である実施例1~3は加工性、押出性とも良好であった。また、本発明のゴム組成物を用いた半導電性ゴム材料である実施例4~6は表3に示すように23°C/50RHでの体積抵抗率が1.1×107と半導電性を維持していた。"