基板の上に、下部バリア膜を形成する工程と、前記下部バリア膜の上にシード膜を形成する工程と、前記シード膜の一部の領域上に、導電部材を形成する工程と、前記導電部材をエッチングマスクとして、前記シード膜をエッチングし、前記導電部材の形成されていない領域において、前記下部バリア膜を露出させる工程と、前記下部バリア膜の表面には堆積しない条件で、前記導電部材の表面に選択的に上部バリア膜を成長させる工程と、前記上部バリア膜をエッチングマスクとして、前記下部バリア膜をエッチングする工程とを有する半導体装置の製造方法。前記下部バリア膜をエッチングする工程において、反応性イオンエッチングを用いる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記上部バリア膜は、P、W、及びBの少なくとも1つの元素とCoとを含む合金、またはCoで形成されている請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記上部バリア膜は、P、W、及びBの少なくとも1つの元素とNiとを含む合金、またはNiで形成されている請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記下部バリア膜をエッチングした後、さらに、前記上部バリア膜及び前記基板の上に、絶縁膜を形成する工程を有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。金属部材とレジスト膜との界面に隙間を形成する工程では、例えば反応性イオンエッチングが適用される。このエッチングは、金属部材とレジスト膜との界面近傍のレジスト膜のみならず、レジスト膜の上面もエッチングする。このため、金属部材とレジスト膜との間に所望の隙間を再現性よく形成することが困難である。金属部材の表面に、再現性よくバリア膜を形成する技術が望まれている。本発明の一観点によると、基板の上に、下部バリア膜を形成する工程と、前記下部バリア膜の上にシード膜を形成する工程と、前記シード膜の一部の領域上に、導電部材を形成する工程と、前記導電部材をエッチングマスクとして、前記シード膜をエッチングし、前記導電部材の形成されていない領域において、前記下部バリア膜を露出させる工程と、前記下部バリア膜の表面には堆積しない条件で、前記導電部材の表面に選択的に上部バリア膜を成長させる工程と、前記上部バリア膜をエッチングマスクとして、前記下部バリア膜をエッチングする工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。導電部材を、再現性よく、下部バリア膜及び上部バリア膜で覆うことができる。図1A~図1Oを参照して、実施例による半導体装置の製造方法について説明する。図1Aに示すように、支持基板10の上面に、複数の半導体チップ11が搭載されている。半導体チップ11の間に、樹脂等の充填部材12が充填されている。半導体チップ11には、トランジスタ等の電子素子が形成されており、半導体チップ11の上面に、複数の電極パッド13が露出している。以下、支持基板10、半導体チップ11、及び充填部材12をまとめて。単に基板15ということとする。図1Bに示すように、基板15の上に、下部バリア膜20及びシード膜21を、例えばスパッタリングにより形成する。下部バリア膜20には、例えば厚さ20nmのTi膜が用いられる。下部バリア膜20は、その上に形成する導電プラグ内の銅の拡散を防止する機能を有する。第1のバリア膜20の材料として、高融点金属、高融点金属を含む合金、高融点金属の窒化物、または高融点金属を含む合金の窒化物を用いてもよい。Ti以外の高融点金属として、例えばCr、Zr、Mo、Ru、Hf、Ta、W等が挙げられる。さらに、これらの異なる材料からなる膜を積層してもよい。例えば、下部バリア膜20を、Ti膜とTiN膜との積層構造としてもよい。シード膜21には、例えば厚さ100nmのCu膜が用いられる。図1Cに示すように、シード膜21の上に、感光性レジスト膜23を形成する。感光性レジスト膜23に、フォトリソグラフィにより、開口24を形成する。開口24は、半導体チップ11の電極パッド13に対応する位置に配置される。開口24の底に、シード膜21が露出する。図1Dに示すように、開口24の底に露出しているシード膜21を核として、電解めっき法により、銅を選択的に成長させる。これにより、開口24内が、銅からなる導電部材25で埋め込まれる。なお、導電部材25に銅合金を用いてもよい。導電部材25の上面の高さは、感光性レジスト膜23の上面の高さと等しいか、またはそれよりも低くする。導電部材25を形成した後、感光性レジスト膜23を除去する。図1Eに、感光性レジスト膜23を除去した後の断面図を示す。導電部材25が形成されていない領域に、シード膜21が露出している。図1Fに示すように、露出しているシード膜21図1Eをエッチングする。シード膜21のエッチングには、例えば硫酸、または硫酸を主成分とする薬液を用いることができる。これにより、シード膜21と導電部材25とからなる導電プラグ27が形成される。導電プラグ27が配置されていない領域には、下部バリア膜20が露出する。導電プラグ27の側面及び上面に、パラジウムPd触媒を用いた活性化処理を施す。図1Gに示すように、活性化処理された導電プラグ27の側面及び上面に、無電解めっき法を用いてバリアメタルを成長させる。これにより、導電プラグ27の側面及び上面が上部バリア膜28で覆われる。上部バリア膜28は、導電プラグ27内の銅の拡散を防止する。上部バリア膜28には、例えばCoWPが用いられ、その厚さは20nm~100nmの範囲内である。Tiからなる下部バリア膜20の表面には、バリアメタルは成長しない。上部バリア膜28として、活性化処理された導電プラグ27の表面に、無電解めっき法により成長させることができる他の導電材料を用いてもよい。例えば、P、W、及びBの少なくとも1つの元素とCoとを含む合金、またはCoを用いてもよいし、P、W、及びBの少なくとも1つの元素とNiとを含む合金、またはNiを用いてもよい。また、導電プラグ27を構成しているシード膜21及び導電部材25に、銀Agまたは銀合金を用いてもよい。下部バリア膜20には、導電プラグ27の活性化処理の雰囲気に晒された後も、無電解めっき法により下部バリア膜20の表面にバリアメタルが成長しない材料が用いられる。図1Hに示すように、上部バリア膜28をエッチングマスクとして、露出している下部バリア膜20図1Gをエッチングする。下部バリア膜20のエッチングには、例えばハロゲンを主成分とするガス、例えばCF4とCHF3とを含むガスを用いた反応性イオンエッチングRIEが適用される。これにより、導電プラグ27が配置されていない領域に、基板15が露出する。RIE後に、薬液処理を行うことにより、基板15及び上部バリア膜28の表面を清浄化する。導電プラグ27は、その下に残った下部バリア膜20を介して、電極パッド13に接続されている。図1Iに示すように、基板15及び上部バリア膜28の上に、層間絶縁膜29を形成する。層間絶縁膜29には、絶縁性樹脂、例えばフェノールノボラック系樹脂が用いられる。図1Jに示すように、上部バリア膜28の上面が露出するまで、層間絶縁膜29を研磨する。図1Kに示すように、層間絶縁膜29及び上部バリア膜28の上に、2層目の下部バリア膜30及びシード膜31を形成する。シード膜31の一部の領域上に、銅または銅合金からなる導電部材35を形成する。導電部材35は、図1C~図1Eを参照して説明した導電部材25の形成方法と同一の方法で形成される。図1Lに示すように、導電部材35が形成されていない領域のシード膜31をエッチングし、下部バリア膜30を露出させる。導電部材35と、その下のシード膜31とにより、配線37が形成される。配線37の表面に、Pd触媒を用いた活性化処理を施す。図1Mに示すように、配線37の側面及び上面を、上部バリア膜38で被覆する。図1Nに示すように、上部バリア膜38をエッチングマスクとして、配線37が形成されていない領域の下部バリア膜30をエッチングする。配線37は、下部バリア膜30、1層目の上部バリア膜28、導電プラグ27、及び下部バリア膜20を介して、電極パッド13に接続される。下部バリア膜30、配線37、及び上部バリア膜38は、1層目の下部バリア膜20、導電プラグ27、及び上部バリア膜28と同一の材料で形成される。下部バリア膜30、配線37、及び上部バリア膜38の形成方法については、具体的な説明を省略したが、これらの形成には、1層目の下部バリア膜20、導電プラグ27、及び上部バリア膜28の形成方法と同一の方法を適用することができる。図1Oに示すように、配線38の間を、層間絶縁膜39で埋め込む。層間絶縁膜39は、図1I及び図1Jに示した層間絶縁膜29の形成方法と同一の方法で形成される。図1Bに示した下部バリア膜20の形成から、図1Oに示した層間絶縁膜39の形成までの工程を繰り返すことにより、多層配線層を形成する。最上層に、電極パッド40を形成する。電極パッド40が形成されていない領域に、パッシベーション膜41を形成する。上記実施例による方法を採用すると、導電プラグ27の底面に下部バリア膜20が配置され、側面及び上面に上部バリア膜28が配置される。また、配線37の底面に下部バリア膜30が配置され、側面及び上面に上部バリア膜38が配置される。このため、導電プラグ27及び配線37内の銅が、層間絶縁膜29、39内へ拡散することを抑制することができる。さらに、層間絶縁膜29、39等に含浸されている水分等による導電プラグ27及び配線37の腐蝕を抑制することができる。図2A~図2Cに、比較例1による製造方法の製造途中段階における半導体装置の断面図を示す。図2A~図2Cの各構成部分には、図1A~図1Oの対応する構成部分と同一の参照符号が付されている。図2Aに示すように、導電プラグ27をエッチングマスクとして、下部バリア膜20をエッチングする。このエッチングには、RIEが適用される。導電プラグ27の側面にイオンが衝突するため、導電プラグ27の側面がスパッタリングされる。スパッタリングされた銅の一部は基板15の表面に付着し、付着物50が形成される。導電プラグ28の側面及び上面に、バリア膜を選択成長させるために、導電プラグ28の表面に形成されている自然酸化膜をウェットエッチングにより除去する。このウェットエッチング時にも、エッチングされた銅によって基板15の表面が汚染される。導電プラグ27に損傷を与えることなく、銅の付着物50を除去することは困難である。図2Bに示すように、導電プラグ27の側面及び上面に、無電解めっき法により上部2バリア膜28を選択的に成長させる。このとき、付着物50からも上部バリア膜28と同一材料の異物51が成長する。図2Cに示すように、導電プラグ27の間を層間絶縁膜29で埋め込む。付着物50及び異物51は、基板15と層間絶縁膜29との密着性を低下させる。本来、基板15と層間絶縁膜29との界面は、リーク電流が発生し易い箇所である。リーク電流が発生しやすい箇所に付着物50及び異物51が残存していると、イオンマイグレーション現象が生じやすくなる。これにより、リーク電流のパスが形成されやすくなる。上記実施例による方法では、図1Fに示したように、シード膜21のエッチングに、ウェット処理が適用される。このため、銅等の付着物が下部バリア膜20の表面に付着しにくい。これにより、図1Gに示した上部バリア膜28を選択成長させる工程において、予期しない領域に異物が成長することを防止できる。また、図1Hに示したように、下部バリア膜20をエッチングする工程において、導電プラグ27が既に上部バリア膜28で覆われている。導電プラグ27の側面がRIE時のイオンの衝突によってスパッタリングされないため、導電プラグ27を構成する金属元素で基板表面が汚染されることを防止できる。図1Iに示した基板15と層間絶縁膜29との界面に、導電性の付着物や異物が残存しにくい。このため、基板15と層間絶縁膜29との密着性の低下を防止することができる。さらに、イオンマイグレーション現象が生じにくいため、イオンマイグレーションに起因する絶縁性の低下を防止することができる。同様に、図1Oに示した層間絶縁膜29と層間絶縁膜39との密着性の低下を防止することができる。さらに、イオンマイグレーションに起因する配線37の間の絶縁性の低下を防止することができる。図3A~図3Cに、比較例1による方法の製造途中段階における導電プラグの断面図を示す。図3A~図3Cの各構成部分には、図1A~図1Oの対応する構成部分と同一の参照符号が付されている。図3Aは、図2Aに示した下部バリア膜20及び導電プラグ27の構造を拡大したものである。この状態で、硫酸を用いた自然酸化膜除去処理、及びPd触媒を用いた活性化処理を行うと、図3Bに示したように、銅を主成分とする導電プラグ27の表層部分が溶解する。このため、配線27の側面が、下部バリア膜20の端面よりも後退する。図3Cに示すように、導電プラグ27の側面及び上面に上部バリア膜28を選択成長させる。上部バリア膜28の側面は、下部バリア膜20の端面よりも後退している。すなわち、下部バリア膜20の端部が、上部バリア膜28の側面よりも外側に向かって突出した構造が得られる。この突出した部分20Aに電界が集中するため、隣の導電プラグ27との絶縁性が低下する。実施例による方法では、図1Hに示したように、上部バリア膜28を形成した後に、上部バリア膜28をエッチングマスクとして、下部バリア膜20がエッチングされる。このため、下部バリア膜20の端面の位置が、上部バリア膜28の側面の位置に整合する。すなわち、図3Cに示したような突出部分20Cは形成されない。従って、比較例1のような絶縁性の低下は生じない。また、図1Nに示した配線37においても、上部バリア膜38の側面から下部バリア膜30の端面が突出することはない。図4A及び図4Bに、比較例2による半導体装置の製造方法の製造途中段階における装置の断面図を示す。図4A及び図4Bの各構成部分には、図1A~図1Oの対応する構成部分と同一の参照符号が付されている。図4Aに示すように、基板15の上に、下部バリア膜20及び導電プラグ27が形成されている。基板15及び導電プラグ27の表面を、絶縁性バリア膜60で覆う。絶縁性バリア膜60には、例えば窒化シリコンが用いられる。図4Bに示すように、絶縁性バリア膜60の上に、層間絶縁膜29を形成する。無機材料からなる絶縁性バリア膜60と、有機材料からなる層間絶縁膜29とは、密着性が悪いため、絶縁性バリア膜60と層間絶縁膜29との界面で、剥離61が生じやすい。さらに、絶縁性バリア膜60と層間絶縁膜29との熱膨張係数の相違に起因して、クラック62が発生しやすい。また、図1Oに示した層間絶縁膜29と層間絶縁膜39との間に、無機材料の絶縁性バリア膜60に相当するバリア膜を配置した構造では、層間絶縁膜29内に水分が侵入すると、絶縁性バリア膜が水分の脱離を阻害することになる。上記実施例では、無機材料からなる絶縁性バリア膜を使用していないため、剥離やクラックは生じ難い。また、層間絶縁膜に侵入した水分の脱離が、バリア膜によって阻害されることもない。上記実施例では、マルチチップモジュールの多層配線を形成する工程を例に取り上げて説明した。上記多層配線の形成方法は、他の半導体装置やインターポーザの多層配線の形成工程に適用することも可能である。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。