"陽極と陰極の聞に、前記陰極に接する電子注入層と、発光層を含む複数の構成層とを有する有機エレクトロニクス素子であって、当該電子注入層と接する構成層に下記一般式1で表される化合物を含有し、当該発光層にリン光発光性の有機金属錯体を含有し、当該電子注入層中に周期表第1族に属する元素の金属又は金属化合物を含有し、かつ当該元素の金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3Vvs.SHEよりも大きいことを特徴とする有機エレクトロニクス素子。式中、X1~X4は、それぞれ、CR又は窒素原子Nを表し、X1~X4のうち一つが窒素原子Nである。Rは、水素原子又は置換基を表す。さらに、X1=Nのとき、X2=CR2であり、R2は置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基である。X2=Nのとき、X1=CR1及びX3=CR3であり、R1及びR3のち少なくとも一つが、無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。X3=Nのとき、X2=CR2及びX4=CR4であり、R2及びR4のち少なくとも一つが、無置換のアリール基又はヘテロアリーレン基である。X4=Nのとき、X3=CR3であり、R3は置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基である。また、Yは、O、S、NR、CR2、又はSiR2を表す。Z1及びZ2は、それぞれ、CRを表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。前記一般式1で表される化合物が、下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクス素子。式中、X1及びX2は、それぞれ、CRを表す。Arは、置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Yは、O、S、NR、CRR’、又はSiRR’を表す。Z1及びZ2は、それぞれ、CRを表す。R及びR’は、それぞれ、水素原子又は置換基を表す。前記一般式2で表される化合物が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロニクス素子。式中、X1~X2及びX5~X8は、それぞれ、CRを表す。Arは、置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Yは、O、S、NR、CRR’、又はSiRR’を表す。R及びR’は、それぞれ、水素原子又は置換基を表す。前記一般式1~3で表される化合物が、電子輸送層に含有されていることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。前記周期表第1族に属する元素が、ナトリウム、カリウム、又はセシウムであることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。前記リン光発光性の有機金属錯体が、イリジウムIr錯体であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。前記有機エレクトロニクス素子が、白色光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子が、具備されていることを特徴とする表示装置。請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子が、具備されていることを特徴とする照明装置。本発明は、上記問題状況にかんがみてなされたものであり、その解決課題は、発光効率が高く、発光寿命が長く、駆動電圧が低く、かつ低電流駆動時の電圧変化の小さい有機エレクトロニクス素子を提供することである。また、当該有機エレクトロニクス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討の結果、アルカリ金属を含む電子注入材料と、隣接層材料の部分構造との、組み合わせが、有機ELデバイスの性能に大きく寄与することを発見した。さらに、特にカリウムセシウムなどのアルカリ金属を用いた際に、隣接層材料として窒素N含有芳香族複素環のNのα位の炭素に、置換基として芳香族環あるいは芳香族複素環を導入したものを用いることにより、特異的に有機ELデバイス性能が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。1.陽極と陰極の聞に、前記陰極に接する電子注入層と、発光層を含む複数の構成層とを有する有機エレクトロニクス素子であって、当該電子注入層と接する構成層に下記一般式1で表される化合物を含有し、当該発光層にリン光発光性の有機金属錯体を含有し、当該電子注入層中に周期表第1族に属する元素の金属又は金属化合物を含有し、かつ当該元素の金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3Vvs.SHEよりも大きいことを特徴とする有機エレクトロニクス素子。式中、X1~X4は、それぞれ、CR又は窒素原子Nを表し、X1~X4のうち一つが窒素原子Nである。Rは、水素原子又は置換基を表す。さらに、X1=Nのとき、X2=CR2であり、R2は置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基である。X2=Nのとき、X1=CR1及びX3=CR3であり、R1及びR3のち少なくとも一つが、無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。X3=Nのとき、X2=CR2及びX4=CR4であり、R2及びR4のち少なくとも一つが、無置換のアリール基又はヘテロアリーレン基である。X4=Nのとき、X3=CR3であり、R3は置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基である。また、Yは、O、S、NR、CR2、又はSiR2を表す。Z1及びZ2は、それぞれ、CRを表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。2.前記一般式1で表される化合物が、下記一般式2で表される化合物であることを特徴とする前記第1項に記載の有機エレクトロニクス素子。式中、X1及びX2は、それぞれ、CRを表す。Arは、置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Yは、O、S、NR、CRR’、又はSiRR’を表す。Z1及びZ2は、それぞれ、CRを表す。R及びR’は、それぞれ、水素原子又は置換基を表す。3.前記一般式2で表される化合物が、下記一般式3で表される化合物であることを特徴とする前記第2項に記載の有機エレクトロニクス素子。式中、X1~X2及びX5~X8は、それぞれ、CRを表す。Arは、置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Yは、O、S、NR、CRR’、又はSiRR’を表す。R及びR’は、それぞれ、水素原子又は置換基を表す。4.前記一般式1~3で表される化合物が、電子輸送層に含有されていることを特徴とする前記第1項から第3項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。5.前記周期表第1族に属する元素が、ナトリウム、カリウム、又はセシウムであることを特徴とする前記第1項から第4項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。6.前記リン光発光性の有機金属錯体が、イリジウムIr錯体であることを特徴とする前記第1項から第5項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。7.前記有機エレクトロニクス素子が、白色光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする前記第1項から第6項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子。8.前記第1項から第7項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子が、具備されていることを特徴とする表示装置。9.前記第1項から第7項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロニクス素子が、具備されていることを特徴とする照明装置。本発明の上記手段により、発光効率が高く、発光寿命が長く、駆動電圧が低く、かつ低電流駆動時の電圧変化の小さい有機エレクトロニクス素子を提供することができる。また、当該有機エレクトロニクス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。本発明の効果の発現機構は、必ずしも解明されていないが、当該機構に関連する背景事情本発明の経緯については、下記のとおりである。電子注入材料としては、仕事関数の小さいフッ化リチウムに代表されるアルカリ金属やアルカリ土類金属がよく知られているが、本発明に係る一般式1~3で表される化合物との組み合わせについて、本発明者らが詳細に検討したところ、周期表第1族に属する元素であって、Mn/M系の標準電極電位が-3Vvs.SHEよりも大きい元素の金属又は金属化合物錯体や塩を含む。を併用することによって、特異的に有機エレクトロニクス素子性能を向上させることができた。これは、酸化還元電位が小さい元素に比較して大きい元素は電子を受け取りやすいため、還元され金属の状態になりやすく、そういった元素が、本発明に係る一般式1~3で表される化合物と、おそらく特異的な相互作用をするためと考えられる。つまり、隣接層材料としてN含有芳香族複素環のNのα位の炭素に置換基として芳香族環あるいは芳香族複素環を導入した材料と、酸化還元電位の大きいアルカリ金属元素との組み合わせが、有機エレクトロニクス素子、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の性能を著しく向上させることを発見し、本発明に至った。本発明の手段により、高い発光輝度を示し、半減寿命が長く、駆動電圧が低く、かつ低電流駆動時の電圧変化の小さい有機エレクトロニクス素子、及び当該素子を用いた表示装置及び照明装置を提供することが可能となった。本発明の有機エレクトロニクス素子は、陽極と陰極の聞に、前記陰極に接する電子注入層と、発光層を含む複数の構成層とを有する有機エレクトロニクス素子であって、当該電子注入層と接する構成層に前記一般式1で表される化合物を含有し、当該発光層にリン光発光性の有機金属錯体を含有し、当該電子注入層中に周期表第1族に属する元素の金属又は金属化合物を含有し、かつ当該元素の金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3Vvs.SHEよりも大きいことを特徴とする。この特徴は、請求項1から請求項9までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記一般式1が、前記一般式2で表される態様であることが好ましい。さらに、前記一般式2が、前記一般式3で表されることが好ましい。本発明においては、前記一般式1~3で表される化合物が、電子輸送層に含有されていることが好ましい。また、前記周期表第1族に属する元素が、ナトリウム、カリウム、又はセシウムであることが好ましい。さらに、前記リン光発光性の有機金属錯体が、イリジウムIr錯体であることが好ましい。本発明の実施態様としては、前記有機エレクトロニクス素子が、白色光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。本発明の有機エレクトロニクス素子は、表示装置及び照明装置に好適に具備され得る。以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態態様について詳細な説明をする。なお、本願において、~は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。一般式1~3で表される化合物一般式1で表される化合物本発明の有機エレクトロニクス素子は、電子注入層と接する構成層に下記一般式1で表される化合物を含有することを特徴とする。一般式1において、X1~X4は、それぞれ、CR又は窒素原子Nを表し、X1~X4のうち一つが窒素原子Nである。Rは、水素原子又は置換基を表す。さらに、X1=Nのとき、X2=CR2であり、R2は置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基である。X2=Nのとき、X1=CR1及びX3=CR3であり、R1及びR3のち少なくとも一つが、無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。X3=Nのとき、X2=CR2及びX4=CR4であり、R2及びR4のち少なくとも一つが、無置換のアリール基又はヘテロアリーレン基である。X4=Nのとき、X3=CR3であり、R3は置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基である。また、Yは、O、S、NR、CR2、又はSiR2を表す。Z1及びZ2は、それぞれ、CRを表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。前記置換基としては、例えば、はアルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シク口アルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、エチニル基、プ口パルギル基等、芳香族炭化水素基芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-ク口口フェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等、芳香族複素環基例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピ口リル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、力ルバゾリル基、力ルボリニル基、ジアザ力ルバゾリル基前記力ルボリニル基の力ルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ビリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等、複素環基例えば、ピ口リジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等、アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シク口アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フエノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シク口アルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、アシル基例えば、アセチル基、エチル力ルボニル基、フロピル力ルボニル基、ペンチル力ルボニル基、シクロヘキシル力ルボニル基、オクチル力ルボニル基、2-エチルヘキシル力ルボニル基、ドデシル力ルボニル基、フェニル力ルボニル基、ナフチル力ルボニル基、ピリジル力ルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチル力ルボニルオキシ基、ブチル力ルボニルオキシ基、オクチル力ルボニルオキシ基、ドデシル力ルボニルオキシ基、フェニル力ルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチル力ルボニルアミノ基、エチル力ルボニルアミノ基、ジメチル力ルボニルアミノ基、プロピル力ルボニルアミノ基、ペンチル力ルボニルアミノ基、シクロヘキシル力ルボニルアミノ基、2-エチルヘキシル力ルボニルアミノ基、オクチル力ルボニルアミノ基、ドデシル力ルボニルアミノ基、フェニル力ルボニルアミノ基、ナフチル力ルボニルアミノ基等、力ルバモイル基例えば、アミノ力ルボニル基、メチルアミノ力ルボニル基、ジメチルアミノ力ルボニル基、プロピルアミノ力ルボニル基、ペンチルアミノ力ルボニル基、シクロヘキシルアミノ力ルボニル基、オクチルアミノ力ルボニル基、2-エチルヘキシルアミノ力ルボニル基、ドデシルアミノ力ルボニル基、フェニルアミノ力ルボニル基、ナフチルアミノ力ルボニル基、2-ピリジルアミノ力ルボニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフイニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ビリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等、フッ化炭化水素基例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオ口エチル基、ペンタフルオ口フェニル基等、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メル力プト基、シリル基例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等、ホスホノ基等が挙げられる。また、これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。前記アリール基としては、上述の置換基で示した芳香族炭化水素基があげられる。前記ヘテロアリール基としては、上述の置換基で示した芳香族複素環基があげられる。また、以下の一般式2及び3においても、置換基、アリール基、及びヘテロアリール基は、同様のものが挙げられるが、一般式1~3において、ここに挙げたものは代表例でありこれらに限るものではない。一般式2で表される化合物本発明においては、前記一般式1で表される化合物が、下記一般式2で表される化合物であることが好ましい。一般式2において、X1及びX2は、それぞれ、CRを表す。Arは、置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Yは、O、S、NR、CRR’、又はSiRR’を表す。Z1及びZ2は、それぞれ、CRを表す。R及びR’は、それぞれ、水素原子又は置換基を表す。一般式3で表される化合物本発明においては、前記一般式2で表される化合物が、下記一般式3で表される化合物であることが好ましい。一般式3において、X1~X2及びX5~X8は、それぞれ、CRを表す。Arは、置換若しくは無置換の、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Yは、O、S、NR、CRR’、又はSiRR’を表す。R及びR’は、それぞれ、水素原子又は置換基を表す。また、前記一般式1~3で表される化合物は、発光層と電子注入層の間のバッファー層に含まれることが好ましく、特に電子輸送層に含まれることが好ましい。また、電子注入層は、周期表第1族に属する元素の金属又は金属化合物を含有し、当該元素の金属イオンMn/金属M系の標準電極電位が-3Vvs.SHEよりも大きいことが好ましく、前記周期表第1族に属する元素はナトリウム、カリウム、セシウムなどがあげられ、更に好ましくは、カリウム、及びカルシウムである。以下、本発明の有機エレクトロニクス素子用材料である一般式1で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。以下、本発明の有機エレクトロニクス素子用材料である一般式2で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。以下、本発明の有機エレクトロニクス素子用材料である一般式3で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。有機エレクトロニクス素子本発明の有機エレクトロニクス素子の態様としては、種々の態様を採り得るが、有機エレクトロルミネッセンスEL素子、有機薄膜太陽電池、有機トランジスタ等が好ましい態様例として挙げられる。以下においては、代表的例として、有機エレクトロルミネッセンスEL素子について詳細な説明をする。《有機EL素子の製造方法》有機EL素子の製造方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層電子注入層/陰極からなる素子の製造方法について説明する。まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10~200nmの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。薄膜の形成方法としては乾式法と湿式法に大別されるが、乾式法としては、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられ、湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、真空蒸着法、及びダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロールツーロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50~200nmの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を、陰極を-の極性として電圧2V~40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。本発明の有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。《有機EL素子の構成層》本発明に係る有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。i陽極/発光層/電子輸送層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極v陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極vi陽極//正孔輸送層/陽極バッファー層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極vii陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極発光層は、ユニットを形成して発光層ユニットにすることもある。さらに、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよく、中間層は電荷発生層を含んでいてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。《発光層》本発明に係る発光層は、電極又は電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層ないであっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2~200nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは5~100nmの範囲に調整される。本発明の有機EL素子の発光層には、ホスト化合物発光ホストともいうとゲスト材料としての発光ドーパントの少なくとも一種を含有することが好ましく、ホスト化合物と3種以上の発光ドーパントを含有することが更に好ましい。以下に発光層に含まれるホスト化合物と発光ドーパント発光ドーパント化合物ともいうについて説明する。ホスト化合物と発光性ドーパントホスト化合物本発明において、ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での含有率質量が20以上であり、かつ室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくは、リン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での含有率質量が20以上であることが好ましい。ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物蒸着重合性発光ホストでもよい。本発明に係る前記一般式1で表される化合物は、本発明に係るホスト化合物として好ましく用いられる。本発明に係る前記一般式1で表される化合物をホスト化合物として用いられる場合、好ましくはAr2で表される6員の芳香族環はベンゼン環から導出される基である。併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。以下、本発明の有機EL素子の発光層のホスト化合物として用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。発光性ドーパント発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント蛍光性化合物ともいう。、リン光発光性ドーパントリン光発光体、リン光性化合物、リン光ドーパント等ともいう。を用いることができる。蛍光発光性ドーパント蛍光発光性ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等や、レーザ色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。リン光発光性ドーパント本発明に係るリン光発光性ドーパントとは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温25°Cにてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25°Cにおいて0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率0.01以上が達成されればよい。リン光発光性ドーパントの発光は原理としては二種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光発光性ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光発光性ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光性ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光発光性ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。リン光発光性ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に係るリン光発光性ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で8~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。以下、本発明において、好ましく用いることのできるリン光発光性ドーパントの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。《電荷輸送層:電子輸送層、正孔輸送層》本発明に係る電荷輸送層としては、電子輸送層、正孔輸送層等が挙げられる。以下、本発明に係る電子輸送層、正孔輸送層について詳細に説明する。《電子輸送層》電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。電子輸送層に用いられる従来公知の材料以下電子輸送材料という。の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、を含むアザカルバゾール誘導体等が挙げられる。従来、電子輸送層に用いられる電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、アザカルバゾール誘導体等が挙げられる。上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。電子輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をゲスト材料としてドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。以下、本発明の有機EL素子の電子輸送層の形成に用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。《正孔輸送層》正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huanget.al.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については、5nm~5μmの範囲であることが好ましく、更に好ましくは、5~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層の形成に用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは、広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、前述の電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。本発明に係る有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ピリジン誘導体等を含有することが好ましい。また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、最短波層と当該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、当該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO最高被占分子軌道レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。1米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98Gaussian98、RevisionA.11.4,M.J.Frisch,etal,Gaussian,Inc.,PittsburghPA,2002.を用い、キーワードとしてB3LYP/6-31Gを用いて構造最適化を行うことにより算出した値eV単位換算値の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。2イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置ModelAC-1を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3~100nmであり、更に好ましくは5~30nmである。《電荷注入層:電子注入層、正孔注入層》本発明に係る電荷注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。また、陽極バッファー層及び陰極バッファー層に用いられる材料は、他の材料と併用して用いることも可能であり、例えば正孔輸送層や電子輸送層中に混合して用いることも可能である。《陽極》有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムティンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに、膜厚は材料にもよるが、10~1000nmの範囲が好ましく、更に好ましくは10~200nmの範囲である。《陰極》陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する。、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。本発明では、これらの電極物質導電性材料ともいうを導電性ペーストとして用いて湿式法により薄膜を形成させ陰極を作製する。陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は、10nm~5μmの範囲が好ましく、更に好ましくは、50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。《基板》本発明に係る有機EL素子に用いることのできる基板以下、基体、基材、支持基板、支持体等ともいう。としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートCAP、セルロースアセテートフタレートTAC、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホンPES、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン商品名JSR社製あるいはアペル商品名三井化学社製といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが0.01g/m224h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/m224hMPa以下、水蒸気透過度が、10-5g/m224h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに、当該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。本発明に係る有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色に蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。《封止》本発明に用いられる有機EL素子の封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。本発明においては、有機EL素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/m2/24h以下、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが、1×10-3ml/m2/24h以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型二液混合を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80°Cまでに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。また、有機層を挟み基板と対向する側の電極の外側に当該電極と有機層を被覆し、基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、当該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに、当該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等、硫酸塩例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等、金属ハロゲン化物例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等、過塩素酸類例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。《保護膜、保護板》有機層を挟み基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。《光取り出し》有機EL素子は、空気よりも屈折率の高い屈折率が1.7~2.1程度層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15から20程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面透明基板と空気との界面に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法米国特許第4,774,435号明細書、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法特開昭63-314795号公報、有機EL素子の側面等に反射面を形成する方法特開平1-220394号公報、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法特開昭62-172691号公報、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法特開2001-202827号公報、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法特開平11-283751号公報等がある。本発明においては、これらの方法を本発明に係る有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた有機EL素子を得ることができる。透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましく、更に好ましくは1.35以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚さは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中透明基板内や透明電極内に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては前述のとおり、いずれかの層間もしくは媒質中透明基板内や透明電極内でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。《集光シート》本発明に係る有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルムBEF等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、株きもと製拡散フィルムライトアップ等を用いることができる。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置家庭用照明、車内照明、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング社製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。また、本発明に係る有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度が、X=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。《表示装置》本発明に係る表示装置は、本発明の有機EL素子を具備したものである。本発明に係る表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を、陰極を-の極性として電圧2V~40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が、陰極が-の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクスパッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。発光光源としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。制御部Bは表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。図2は、表示部Aの模式図である。表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。図においては、画素3の発光した光が白矢印方向下方向へ取り出される場合を示している。配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示していない。画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。次に、画素の発光プロセスを説明する。図3は、画素の模式図である。画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。ここで、有機EL素子10の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ13の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。《照明装置》本発明に係る照明装置は、上記有機EL素子を有する。本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。また、本発明の有機EL素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置ディスプレイとして使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクスパッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を二種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。また、本発明の有機EL材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CFカラーフィルター特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。《本発明の照明装置の一態様》本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラックストラックLC0629Bを適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図5及び図6に示すような照明装置を形成することができる。図5は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子101はガラスカバー102で覆われているなお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス純度99.999以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った。。図6は、照明装置の断面図を示し、図6において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。以下、実施例により本発明を説明するが本発明はこれにより限定されるものではない。実施例1一般式3ET-3-3の合成方法窒素雰囲気下、化合物A30mmolと化合物B10mmolをジメチルスルホキシドDMSO;100mlに溶解し、PdCl2dppf2.5molとK2CO340mmolを加え、80°Cで12時間撹拌した。その後、室温に戻し、酢酸エチル500mlと純水100mlを加え撹拌した。有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥終了後、溶媒を減圧下で流去し、約50mlのトルエンで洗浄し、更に100mlのトルエン加熱溶解し、室温で一晩放置し再結晶を行った。目的物であるET-3-3を6mmol、収率60を白色固体として得た。化合物の同定はNMR、Massで行い、純度はHPLCで測定し、>99であることを確認した。本発明で用いられる他の化合物も前記と同様にして、比較的容易に合成が可能であった。実施例2有機EL素子1-13の作製陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムティンオキシド:錫ドープ酸化インジウムを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、H.C.スタルク社製、CLEVIOPVPAI4083を純水で70に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートにCSi-7を100mg入れ、真空蒸着装置に装着した。同様にして、α-NPD、CBP、Irppy3、Alq3の各100mgをボートに入れ、装着した。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの第2正孔輸送層を設けた。さらに、発光ホストCBPとIrppy3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して40nmの発光層を設けた。さらに、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚30nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1-13を作製した。電子輸送材料とET材料を表1に示した材料に変更した以外は全く同様にして、有機EL素子1-1~1-12、1-14~1-24を作製した。また、1-17~1-24に使用したET材料の構造を以下に示す。有機EL素子1-1~1-24に用いた電子輸送材料及び電子注入材料を表1に示す。《有機EL素子1-1~1-24の評価》得られた有機EL素子1-1~1-24を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、ガラスカバーと有機EL素子が作製されたガラス板とが接触するガラスカバー側の周囲にシール剤としてエポキシ系光硬化型接着剤東亞合成社製ラクストラックLC0629Bを適用し、これを上記陰極側に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して硬化させ、封止して、上記の図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の測定評価を行った。外部取り出し量子効率有機EL素子を室温約23°C~25°C、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度L[cd/m2]を測定することにより、外部取り出し量子効率ηを算出した。ここで、発光輝度の測定はCS-1000コニカミノルタセンシング製を用いた。駆動電圧有機EL素子を室温約23°C~25°C、2.5mA/cm2の定電流条件下により駆動したときの電圧を各々測定した。発光寿命有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続発光を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間τ1/2を測定した。なお、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光寿命は有機EL素子1-13を100と設定する相対値で表した。定電流下での電圧変化有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続発光を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間τ1/2に達した時の電圧を、初期電圧と比較し、その変化量上昇値を、1-13を100と設定する相対値で表した。上記測定評価により得られた結果を表2に示す。表2に示した結果から明らかなように、本発明の有機EL素子は、比較例に対し、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光寿命、及び定電流下での電圧変化において優れていることが分かる。実施例3青色発光有機EL素子青色発光有機EL素子として、実施例2で作製した有機EL素子1-4の作製において、Irppy3をD-26に変更した以外は同様して、青色素子発光有機EL素子2-1Bを作製した。緑色発光有機EL素子緑色発光有機EL素子として、実施例2で作製した有機EL素子1-4を用いた。赤色発光有機EL素子実施例2の有機EL素子1-4の作製において、Irppy3をD-10に変更した以外は同様にして、赤色発光有機EL素子3-1Rを作製した。上記の赤色、緑色及び青色発光有機EL素子を同一基板上に並置し、図1に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。すなわち、同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示せず。。前記複数の画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。当該フルカラー表示装置を駆動することにより、発光効率が高い発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。実施例4白色発光照明装置の作製実施例3で作製した有機EL素子2-1Bの作製において、D-26をIrppy3、D-10、D-26の三種混合に変更した以外は同様して、白色発光有機EL素子4-1Wを作製した。得られた有機EL素子4-1Wを前記実施例と同様に、非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。"