流体投与装置のエラストマー表面処理方法であって、前記流体投与装置のうち、少なくとも流体と接触する部分の1以上の処理対象エラストマー表面を、多重荷電かつ多重エネルギのイオンビームを用いたイオン注入によって変化させる処理から成り、変化させられた後の前記処理対象エラストマー表面は、製造段階及び組立段階の一方又は両方においてエラストマー表面同士の付着を防止し、前記多重荷電イオンは、ヘリウムHe、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeの中から選択され、イオン注入は0μmから3μmの深さまで実施されること、を特徴とする表面処理方法。前記多重エネルギイオンは同じ抽出電圧で同時に注入されること、を特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。多重エネルギヘリウムイオンHe、He2が同時に注入されること、を特徴とする請求項1又は2に記載の表面処理方法。率RHe、RHe=He/He2は、HeおよびHe2を原子百分率として表した場合、100以下であり、例えば20未満であり、かつ1より大きい値であること、を特徴とする請求項3に記載の表面処理方法。処理中のエラストマー表面の温度は100°C未満であり、50°C未満が好ましいこと、を特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記変更させられた後のエラストマー表面は静電防止特性を有すること、を特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の表面処理方法。ソリッドなポリマー製部品の1以上の表面に対し、イオンを用いて行われる表面処理を含み、多重エネルギイオンX及びX2によって構成されるイオンビームを用いてイオン衝撃を与える処理を含み、Xは、ヘリウムHe、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、そして、キセノンXeから成る一覧から選択されるイオンの原子記号であり、X及びX2を原子百分率で表して、率RX=X/X2の値は100以下、例えば20未満とし、ビームの移動速度は直前の処理において決定され、当該直前の処理では、105ミリバールの圧力上昇に形で表れるポリマーの熱劣化を生じさせることのないビームの最低移動速度が特定されること、を特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の表面処理方法。イオンX及びX2は、電子サイクロトロン共鳴イオン源ECRによって同時に生成されること、を特徴とする請求項7に記載の表面処理方法。率RXは1以上であること、を特徴とする請求項7又は8に記載の表面処理方法。多重エネルギイオンX及びX2の注入を可能にする電子サイクロトロン共鳴イオン源の抽出電圧は、10kVから400kVの範囲にあり、例えば、20kV以上又は100kV以下であること、を特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の表面処理方法。多重エネルギイオンXおよびX2の量は、5×1014ions/cm2から1018ions/cm2の範囲であり、例えば、1015ions/cm2以上及び/又は5×1017ions/cm2以下、更には、5×1015イオンions/cm2以上及び/又は1017ions/cm2以下であること、を特徴とする請求項7乃至10のいずれか一項に記載の表面処理方法。多重エネルギイオンX及びX2の量に応じた、ソリッドなポリマー製部品の表面の変化の特性の変化量、例えば、処理対象部品の特性の変化量を表すポリマー材料の表面の電気抵抗ρを直前の処理において求めることで、イオン量の範囲が求められ、ここで、選択された特性の変化量は、効果を表し、前記イオン量範囲を構成する3つの連続的なイオン量領域において異なる形で変化するものであり、第1領域における変化は1ヵ月未満の期間にわたって直線的かつ可逆的であり、第2領域における変化は1ヶ月超の期間にわたって直線的かつ安定しており、最後に、第3領域における変化は1ヶ月超の期間にわたって一定かつ安定しており、イオン量の第3領域における多重エネルギイオンX及びX2の量がソリッドなポリマー製部品の処理のために選択されること、を特徴とする請求項7乃至11のいずれか一項に記載の表面処理方法。電子サイクロトロン共鳴イオン源及び、ポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、ポリマー製部品の処理対象表面の面積速度が、05cm2/秒から1000cm2/秒の範囲、例えば1cm2/秒以上及び/又は100cm2/秒以下となるように調整されること、を特徴とする請求項7乃至12のいずれか一項に記載の表面処理方法。電子サイクロトロン共鳴イオン源及び、ポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、注入イオン量が5×1014ions/cm2から1018ions/cm2の範囲、例えば5×1015ions/cm2及び/又は1017ions/cm2となるように調整されること、を特徴とする請求項7乃至13のいずれか一項に記載の表面処理方法。電子サイクロトロン共鳴イオン源及びポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、ポリマー製部品の処理対象表面のイオン侵入深さが005μmから3μmの範囲、例えば01μm以上及び/又は2μm以下となるように調整されること、を特徴とする請求項7乃至14のいずれか一項に記載の表面処理方法。電子サイクロトロン共鳴イオン源及びポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、ポリマー製部品の処理対象表面の処理中の温度が100°C以下、例えば50°C以下となるように調整されること、を特徴とする請求項7乃至15のいずれか一項に記載の表面処理方法。処理対象のポリマー製部品は、5m/分から100m/分の範囲の速度で処理装置を通過すること、を特徴とする請求項7乃至16のいずれか一項に記載の表面処理方法。ポリマー製部品の処理対象表面からのイオン注入の実行には、複数のイオン源が発生させるX及びX2イオンの複数の多重エネルギビームが用いられること、を特徴とする請求項7乃至17のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記処理対象エラストマー表面に1以上の追加の特性を与えるためのイオン注入処理を更に有し、当該追加の特性とは、変化させられた後のエラストマー表面と流体との間の相互反応の軽減であり、当該相互反応とは抽出物の浸出であること、を特徴とする請求項1乃至18のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記流体投与装置は、流体を格納する貯蔵器と、前記貯蔵器に装着されるポンプ又は弁である投与部材と、投与開口部を備えて前記投与部材の駆動に用いられる投与ヘッドと、を有すること、を特徴とする請求項1乃至19のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記エラストマー表面は、ポンプ又は弁である投与部材の、ネックガスケット又は弁ガスケットであること、を特徴とする請求項1乃至20のいずれか一項に記載の表面処理方法。前記流体は、点鼻又は経口の形で噴霧及び/又は吸引される医薬流体であること、を特徴とする請求項1乃至21のいずれか一項に記載の表面処理方法。流体投与装置の組立ラインにおいて連続的に実行されること、を特徴とする請求項1乃至22のいずれか一項に記載の表面処理方法。本発明は、上記の問題を軽減すること、具体的には、ソリッドなエラストマーポリマー製部品の表面抵抗を大幅に下げると共に、体積弾性を維持し、健康に有害な化学成分の使用を回避すること、を目的とする。そこで、本発明が提供するのは、ソリッドなエラストマーポリマー製部品の表面のうち1つ以上を、ヘリウムイオンを用いて処理する処理方法であって、多重エネルギイオンX及びX2が同時に注入され、Xは、ヘリウムHe、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、そして、キセノンXeから成るリストに属するものであり、率RX=X/X2であって、X及びX2は、原子百分率で表して100以下であり、例えば、20未満であること、を特徴とするものである。例証として、発明者は、He及びHe2イオンを同時に用いた場合、He又はHe2イオンの一方のみを注入する公知の処理と比較して、エラストマーポリマーの静電防止表面特性を非常に大幅に向上できることを確認した。発明者は、RHeが100以下例えば20以下の場合に大幅な向上が見られることを立証することができた。留意すべき点として、本発明を用いれば、ソリッドなエラストマーポリマー部品の表面抵抗の低下、及び、ちり等の付着の削減の少なくとも一方が可能であり、更には、OHやCOOHなどの高分極の化学基を除去することで、表面分極を抑えることも可能である。これらの官能基はファンデルワールス力を誘起するものであり、ファンデルワールス力には、ポリマー表面に周囲の化学分子を結合させる作用がある。また、本発明を用いれば、例えば、浸透に対する障壁を設けることで、ポリマーの化学的安定性を高めることができる。これにより、以下のうち少なくとも1つが可能となる。すなわち、ポリマー内部への周囲の酸素の伝播を遅らせること、ポリマーに含まれる成分の外部への拡散を抑制してポリマーを化学物質から保護すること、ポリマーに含まれる有害な成分の外部への浸出を防止すること。更に、効果的な点として、本発明を用いれば、化学成分又はフィラーを追加する処理が不要となり、その代わりに、いかなる種類のポリマーにも適用できて、材料及びエネルギの消費に関するコストも低い物理的方法を用いることができる。本発明において、ソリッドという用語は、例えば、押し出し成形、型成形その他の、ポリマーブロックの加工に適した技術によって、材料のブロックを機械的又は物理的に変形させることで製造されたポリマー製部品であることを意味する。本発明の方法では、はるかに深くまで処理することができ、その結果として、化学安定性は高まり、表面の電気的特性静電防止、静電荷散逸が維持される期間は非常に長くなる。産業上の必要条件から考えても、処理時間は長くはならないことが確認された。更に、本方法は低エネルギ、低コストであって、環境への影響なしに産業上の利用が可能である。エラストマーポリマー製部品は、多重エネルギ、多重電荷のイオンを同時に注入する手法で処理される。これらイオンは、具体的には、単一の抽出電圧を用いた電子サイクロトロン共鳴イオン源ECR源のプラズマ室で生成される単一電荷及び多重電荷のイオンを抽出する、という方法で得られる。前記イオン源によって生成される個々のイオンはそれぞれ、その電荷状態に比例したエネルギを有する。このことの結果として、最高の電荷状態すなわち、最大のエネルギを有するイオンが、ポリマー製部品の最も深い位置まで注入されることになる。ECR源を用いた注入は、イオン源が高い抽出電圧を必要としないため、高速かつ安価である。実際問題として、イオンの注入エネルギを高める手段としては、抽出電圧を高めるよりも電荷状態を高める方が、経済的に好ましい。留意すべき点として、プラズマ浸漬又はフィラメント注入装置によってイオン注入を実現する場合に用いられるような従来のイオン源では、比率RXが100以下である多重エネルギイオンX、X2の同時注入を目的としたビームを得ることはできない。それどころか、こうしたイオン源では、上記の率は通常1000以上となる。発明者は、本発明の方法を用いればバルク弾性特性を変えることなしに、エラストマーポリマー製部品を表面処理が実現可能であることを確認した。本発明の1つの実施の形では、イオン源は電子サイクロトロン共鳴イオン源であり、50°C未満の温度で部品に注入される多重エネルギイオンを生成する。注入ビームから出るイオンは、イオン源の抽出電圧に従って深さを制御されながら、同時に注入される。特定の科学的理論に拘束されるものではないが、本発明の方法では、イオンは、それらが通過する際にポリマーの電子を励起すると考えられ、その結果、共有結合が破壊された後直ちに再結合することで、架橋として知られるメカニズムによって、主に炭素原子で構成された高密度の共有化学結合が得られる。より軽い水素や酸素などの元素は、気体除去の間にポリマーから排出される。このように、高密度化でカーボンリッチな共有結合を得る場合、表面導電率を高める効果、そして、付着の原因となるファンデルワールス力の発生源において、表面の極性基を低減し、又は完全に除去する効果がある。イオンが軽い場合、架橋プロセスは一層効果的である。よって、発射体projectileとして効果的なものはヘリウムとなる。ヘリウムが好ましい理由は以下の通りである。共有結合の電子の速度と比較した場合、非常に高速であり、従って、当該電子の励起には非常に効果的である。その結果として、当該電子に軌道を変更する時間を与えない。マイクロメートル単位で相当な深さにまで進入する。危険性がない。希ガスであるため、ポリマーの化学組成への影響がない。健康への危険なしに容易に使用できる他の種類のイオンを考えることもでき、そうしたイオンとしては、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeがある。本発明の方法について考えられる好ましい実施の形は様々であり、組み合わせも可能である。好ましい実施の形の一例は、以下の組み合わせである。率RHeRHe=He/He2、He及びHe2は原子百分率で表されるを1以上とする。多重エネルギイオンHe、He2注入のためのイオン源の抽出電圧は、10kVキロボルトから400kVの範囲にあり、例えば、20kV以上及び/又は100kV以下とする。多重エネルギイオンHe、He2の量を、5×1014ions/cm2から1018ions/cm2の範囲とし、例えば、1015ions/cm2以上及び/又は5×1017ions/cm2以下、あるいは、更に5×1015ions/cm2以上及び/又は1017ions/cm2以下とする。多重エネルギイオンHe及びHe2の量に応じた、ソリッドなポリマー製部品の表面の変化の特性の変化量、例えば、処理対象部品を表すポリマー材料のポリマーの表面抵抗を直前の処理において求めることで、イオン量の範囲が求められ、ここで、選択された特性の変化量は、効果を表し、前記イオン量範囲を構成する3つの連続的なイオン量領域において異なる形で変化するものであり、第1領域における変化は1ヵ月未満の期間にわたって直線的かつ可逆的であり、第2領域における変化は1ヶ月超の期間にわたって直線的かつ安定しており、最後に、第3領域における変化は1ヶ月超の期間にわたって一定かつ安定しており、イオン量の第3領域における多重エネルギイオンHe及びHe2の量がソリッドなポリマー製部品の処理のために選択される。用語可逆変化第1領域とは、いったん下がった抵抗値が再び上昇して当初の値を回復することを意味する。この現象は注入後も遊離基が存続することから生じる。こうした遊離基は周囲の空気中の酸素と再結合し、それによって表面抵抗の上昇を生じさせる。イオン源及び、ポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、ポリマー製部品の処理対象表面の表面処理速度が、05cm2/秒[平方センチメートル/秒]から1000cm2/秒の範囲、例えば1cm2/秒以上及び/又は100cm2/秒以下の範囲となるように調整される。イオン源及び、ポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、注入イオン量が5×1014ions/cm2から1018ions/cm2の範囲、例えば5×1015ions/cm2及び/又は1017ions/cm2となるように調整される。イオン源及びポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、ポリマー製部品の処理対象表面のヘリウムの侵入深さが005μmから3μmの範囲、例えば01μm以上及び/又は2μm以下となるように調整される。イオン源及びポリマー製部品の処理対象表面の移動に関するパラメータは、処理中のポリマー製部品の表面温度が100°C以下、例えば50°C以下となるように調整される。処理対象の部品は、例えば形状加工した帯材stripであり、5m/分[メートル/分]から100m/分の範囲の速度で処理装置を通過する。一例として、当該処理対象の部品は縦方向に移動する。部品の処理対象表面からのヘリウム注入の実行には、複数のイオン源が発生させるHe及びHe2イオンの複数の多重エネルギビームが用いられる。一例として、複数のイオン源を処理対象の部品が移動する方向に配置する。イオン源同士の間には間隔を置く。2本のイオンビームの間の距離は、連続したイオン注入処理の間に部品を冷却させるのに充分な大きさとするのが好ましい。前記イオン源は、処理するトラックの幅に適合した径を有するイオンビームを発生させる。ビームの径を、例えば5mmミリメートルまで小さくすることで、イオン源と処理室との間に非常に効果的な差圧真空システムを配置することができる。これは、イオン源抽出システム内の真空を106mbarとする一方で、ポリマーは102mbarミリバールで処理できることを意味する。本発明はまた、ヘリウム注入の深さが50nmナノメートル以上例えば、200nm以上であって、表面抵抗ρが1014Ω/□以下例えば、109Ω/□以下、更には105Ω/□以下である、という部品に関する。表面抵抗の計測にあたっては、IEC規格60093を参照しなければならない。本発明が提供するのは、流体投与装置のエラストマー表面処理方法であって、前記流体投与装置の1以上の処理対象エラストマー表面を、多重荷電かつ多重エネルギのイオンビームを用いたイオン注入によって変化させる処理から成り、変化させられた後の前記処理対象エラストマー表面は、製造段階及び組立段階の一方又は両方においてエラストマー表面同士の付着を防止し、前記多重荷電イオンは、ヘリウムHe、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeの中から選択され、イオン注入は0μmから3μmの深さまで実施される、という表面処理方法である。従属請求項には、効果的な実施の形が記載されている。具体的には、前記方法は、ソリッドなエラストマーポリマー製部品の1以上の表面に対し、イオンを用いて行われる表面処理を含み、多重エネルギイオンX及びX2によって構成されるイオンビームを用いてイオン衝撃を与える処理を含み、Xは、ヘリウムHe、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、そして、キセノンXeから成る一覧から選択されるイオンの原子記号であり、X及びX2を原子百分率で表して、率RX=X/X2の値は100以下、例えば20未満とし、ビームの移動速度は直前の処理において決定され、当該直前の処理では、105ミリバールの圧力上昇に形で表れるポリマーの熱劣化を生じさせることのないビームの最低移動速度が特定される。本発明の上記ならびにその他の特徴及び効果は、非限定的な例として示す添付図面を具体的に参照しながら以下に述べる詳細な説明を読むことで、一層明らかになるであろう。本発明は、具体的に言えば、特許文献1に記載されたものと類似した方法を用いながら、金属材料の表面を1μm程度の深さにわたって構造的に変化させることで、当該金属材料に特定の物理的特性を与えるものである。上記特許文献1はイオン注入方法に関するものであり、より具体的に言えば、多重電荷、多重エネルギのイオンビームの用法に関するものである。当該注入方法は、特に、プラスチック材料製部品を大量生産するための型に使用されるアルミニウム合金から製造される部品の処理に用いられてきた。驚くべきことに、この種の方法は、特に流体投与装置のガスケット製造中に、エラストマー表面同士の付着を防止する、という目的にも適していることがわかった。当該イオン注入方法にこうした用途があることは、これまで認識されていなかった。これにより、流体投与装置用のガスケットの製造及び組立中に通常必要とされているタルクかけの作業が不要となる。特許文献1の記述は、その全体が、参照の目的で本明細書の組み込まれるものとする。エラストマー表面は、医薬品を投与する投与装置のネックガスケット又は弁ガスケットとするのが好ましい。ガスケットは何らかの適当なエラストマー材料から作られる。そうした材料としては、エチレンプロピレンテルポリマーゴムEPDM、クロロプレン、ニトリルゴム、水素化ニトリルブタジエンゴムHNBRなどがある。要約して言えば、本方法は、電子サイクロトロン共鳴源ECR源と呼ばれるなど、1又は複数のイオン源を使用する処理である。このECR源は、例えば、20kVから200kVの範囲の抽出電圧において、約10mA[ミリアンペア]全電荷あわせての全電流で、多重エネルギイオンの初期ビームを発する能力がある。ECR源は調整手段に向けてイオンビームを発し、当該調整手段は、ECR源から発せられた初期ビームを集中及び調整して注入イオンビームに変え、当該注入イオンビームは処理対象の部品に当てられる。用途及び処理対象の材料に応じて、イオンは、ヘリウム、ホウ素、炭素、窒素、酸素、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンから選択される。また、処理対象の部品の最高温度も、その性質に応じて異なる。通常の注入深さは、0μmから3μmの範囲にあり、処理対象の表面だけでなく、向上させようとする特性にも依存する。ECRイオン源の特殊性は、主に、単一電荷および多電荷のイオンを発生させるという点にあり、これは、複数の多重エネルギイオンを同じ抽出電圧で同時に注入できることを意味する。従って、処理すべき厚み全体にわたって同時に、適正に分布した注入プロフィールを得ることができる。これによって、表面処理の品は向上する。本方法は、真空ポンプで排気した室chamberの中で実行するのが効果的である。このように真空にするのは、残留気体によってビームが遮断されること、そして、同じ気体によってイオン注入時に部品表面が汚染されること、を防止するためである。また、特に特許文献1に記載されているように、上述した調整手段は、効果的な構成として、以下の構成要素を、ECR源から処理対象の部品までの間の位置に有している。電荷および質量に応じてイオンをフィルタリングすることの可能な質量分析装置。ただし、高純度気体例えば、高純度窒素ガスN2を入れる場合には、こうした分析装置は必須ではない。分析計により、イオン源が生成した単一電荷イオンおよび多電荷イオンの全てを回収して、多重エネルギイオンビームを得ることができる。イオンビームを所定の形状、例えば、所定の半径を有する円筒の形状で提供する1又は複数のレンズ。初回注入時に垂直断面のビーム強度を解析するプロフィーラprofiler。イオンビームの強度を連続的に、当該イオンビームと交差することなしに計測する強度変換器。本器具の主な働きは、イオンビームの中断を検知すること、処理中のイオンビームの強度変化の記録を可能にすることである。特定のタイミング例えば、部品の処理を行うことなく移動している間においてイオンの軌跡を遮るシャッター例えば、ファラデー箱。効果的な実装の形では、処理対象の部品をECR源に対して移動させる。部品は、例えば、NC数値制御式:numericallycontrolled機械による制御の下で用いられる可動支持体に搭載しておけばよい。処理対象の部品の移動は、以下に従って計算される。すなわち、ビームの径、処理対象領域の外輪郭および内輪郭、表面に対するビームの角度に応じた固定又は可変の移動速度、そして実行済みの経路の数。本処理方法の可能な実行形の1つを以下に述べる。先ず、処理対象の部品を、処理室の中で適当な支持体に取り付ける。その後、処理室を閉じ、真空ポンプを用いて強度の真空とする。真空状態に達すると直ちに、イオンビームの発射を開始し、調整を行う。前記ビームの調整が終わると、シャッターを上げ、NC機械を起動する。その後、当該NC機械は、1又は複数の経路でビームに当てられる処理対象部品の位置及び移動速度を制御する。必要な経路の数に達すると、シャッターが落とされ、ビームは遮断される。その後、ビームの放射が終わり、処理室を外気に対して開き、真空状態は解消される。問題がなければ、冷却回路を切り、処理対象部品を処理室から取り出す。処理対象部品の所定の個所において、イオンビームの通過に関連して上昇する温度を下げるためには、ビームの半径を大きくする1cm2あたりのパワーを下げる、又は、移動速度を上げる、というやり方が考えられる。部品が小さすぎて、処理に起因する熱を放射だけでは解消できない場合には、ビームのパワーを下げてもよいしそうすると、処理時間は長くなる、あるいは冷却回路を働かせてもよい。特にエラストマーに関しては、多重エネルギヘリウムイオンHe、He2を同時に注入するのが効果的である。これは、具体的には、特許文献2に記載されている。特許文献2は引用によって本明細書に組み入れられる。より具体的に言えば、当該文献は、自動車のフロントガラス用のワイパブレードの処理に関する。率RHeRHe=He/He2、HeおよびHe2は原子百分率として表されるは100以下とするのが効果的であり、例えば20未満であり、1より大きい値が好ましい。HeイオンおよびHe2イオンは、1つのECR源によって同時に発生させるのが効果的である。イオン源の抽出電圧は、多重エネルギHe、He2イオンの注入を可能にするためには、10kVから400kVの範囲、例えば20kV以上及び/又は100kV以下とする。また、多重エネルギHe、He2イオンの量は、1014~1018ions/cm2に範囲とするのが効果的であり、例えば、1015ions/cm2以上及び/又は1017ions/cm2以下、更には、1015ions/cm2以上及び/又は1016ions/cm2以下とする。注入深さは、005μmから3μmの範囲が効果的であり、例えば、01μmから2μmとする。処理中のエラストマー表面の温度は100°C未満が効果的であり、50°C未満が好ましい。本発明の効果的な実施の形では、同じ1つの処理対象エラストマー表面に異なるイオンを注入することで、当該処理対象エラストマー表面に複数の特性を生じさせるというものがある。それでも、エラストマー表面、そして特に、上述したガスケットは、流体と相互反応例えば、抽出物の流体への浸出によるものを生じる可能性があり、そうした相互反応は前記流体に悪影響を及ぼすおそれがある。本発明を用いれば、イオン注入によってエラストマー表面を変化させることで、エラストマー表面と流体との相互反応を防止できる、という効果が得られる。更に、イオン注入によってエラストマー表面を変化させて減摩擦特性を持たせることも考えられる。これにより、具体的には、ガスケット内でのピストンや弁部材の移動をより容易にすることができる。また、それ以外の補完的な処理も考えられる。具体的には、酸化、摩耗、及び/又は擦れに耐える能力を高めるための処理である。これらの追加の表面処理は、連続したイオン注入の間に施すこともできる。留意すべき点として、これらの連続したイオン注入は、いかなる順序で実行してもよい。また、変形例として、同じ1回のイオン注入ステップの間に、同じ処理対象表面に対して複数種類の特性を与えることも可能であろう。本発明の方法は、化学物質を必要としないため、汚染が生じない。また、本方法は乾燥状態で実行されるため、液体を用いる処理方法の場合に必要となる、比較的長い乾燥期間が不要となる。また、真空室の外に無菌環境を設ける必要もなく、従って、本方法は、どのような場所でも実行できる。本方法がとりわけ効果的であるのは、流体投与装置の組立ラインに組み込んで、そのラインの中で中断なしに行える、という点である。このように本処理方法を生産ツールに組み込めば、製造及び組立のプロセスは全体として単純化及び高速化される。よって、本方法はコストの点で有用な効果を有する。図1乃至5は、本発明の効果的な実施の形に関するものである。図1は、注入深度を横軸にして、本発明を用いた場合のポリカーボネートへのヘリウムの注入分布の一例を概略的に示す図である。以下の説明は、エラストマーポリマー全般に等しくあてはまる。曲線101はHeの分布を示し、曲線102はHe2の分布を示す。100keVのエネルギの場合、10eV/Å[電子ボルト/オングストローム]の平均イオン化エネルギに対して、He2は平均距離で約800nmにまで達すると推計される。50keVのエネルギの場合、Heは4eV/Åの平均イオン化エネルギに対して平均距離で約500nmにまで達する。イオンのイオン化エネルギは当該イオンの架橋力crosslinkingpowerと関連している。He/He2の値が100以下である時の最大処理厚みは、数千nm1nmは1マイクロメートルであると推計することができる。これらの推計値は、電子顕微鏡検査法によって実施した観測の結果とも一致する。この観測では、抽出電圧が40kV、総量5×1015ions/cm2、He/He2=10という条件によるビームの場合、約750nmから850nmの架橋層が観察される、という結果が得られた。図2は、材料の静電的性質を定める抵抗値を示しており、これは、DODHDBK263規格に準じている。ポリマーは、表面抵抗値が1014Ω/□を上回る範囲帯域Iの絶縁特性を備え、表面抵抗値が1014Ω/□から109Ω/□の範囲帯域Aの静電防止特性を備える。静電荷散逸特性は、表面抵抗値が105Ω/□から109Ω/□の範囲帯域Dにある場合に表れ、105Ω/□未満の範囲帯域Cでは導電性が表れる。図3は、ポリカーボネートの表面抵抗について、実験で得られた変化を示している。横軸は時間であり、複数の異なるヘリウム量について示している。ヘリウム量は、1015ions/cm2曲線1、25×1015ions/cm2曲線2、5×1015ions/cm2曲線3、25×1016ions/cm2曲線4である。なお、図3では、He/He2=10であり、抽出電圧は約40kVである。抵抗値の計測はIEC規格60093に従って行った。ここで採用した抵抗値計測手法では、1015Ω/□を上回る抵抗値領域Nに対応を計測することはできなかった。つまり、1015Ω/□が上限となっている。横座標は、サンプルが処理されてからその表面抵抗値が計測されるまでの時間である。縦座標は表面抵抗の計測値であり、単位はΩ/□である。1015ions/cm2以下の量を第1の領域と見ることができ、表面抵抗は、1ヵ月未満の期間でおよそ3桁減少し15×1016Ω/□から5×1012Ω/□、その後、当初の値である約15×1016Ω/□を回復した曲線1。当該領域では、静電防止特性は短期間しか持続せず、遊離基がなお存在して、環境空気中の酸素と再結合する。第2の領域では、表面抵抗がイオン量に応じて低下するのが見られる。25×1015ions/cm2、5×1015ions/cm2、25×1016ions/cm2の範囲にわたって、表面抵抗は1011Ω/□から5×109Ω/□まで低下する。低下は飽和による平坦域に達するまで続くが、その値は約15×108Ω/□程度と推計される。静電防止特性曲線2、3は強化され、静電荷散逸が可能となる曲線4。これらのイオン量に対し、表面抵抗は、140日超にわたって一定の値を保った。25×1016ions/cm2を上回るイオン量で第3の領域に達し、ここでは、イオン量に応じて抵抗値の変化が飽和する。その値は約108Ω/□と推計され、この値は140日超にわたって安定している。図4は、実験で得られたポリカーボネートPCの表面抵抗の経時変化を、3種類のイオンについて示している。イオンの種類は、He曲線1、N曲線2、Ar曲線3である。イオン量は1015ions/cm2、5×1015ions/cm2、25×1016ions/cm2、He/He2=10、N/N2=2、Ar/Ar2=18。ビーム径は15mmとし、電流は0225mAとした。抽出電圧は約35kVであった。横座標は単位表面積あたりのイオン量であり、1015ions/cm2で表す。縦座標は表面抵抗値を表し、単位はΩ/□である。抵抗値の測定はIEC規格60093に従って行った。同じイオン量でも、最も重いイオンが、表面抵抗を下げるうえで最も効果的であった。窒素で処理されたPCの表面抵抗値は、ヘリウムで処理したPCに比べて10分の1以下となった。アルゴンで処理したPCの表面抵抗値は、ヘリウムで処理されたPCに比べて10分の1以下となった。発明者は、より重いキセノンなどのイオンを用いて、ポリカーボネートの表面抵抗を更に下げることを勧める。図5は、実験で得られたポリカーボネートの表面抵抗の経時変化を示す。同じ種類のイオンを用い、2種類の異なるビーム移動速度で実験した。すなわち、80mm/秒の移動速度曲線1、40mm/秒の移動速度曲線2である。イオン量は、1015ions/cm2、5×1015ions/cm2、25×1016ions/cm2であり、N/N2=2とした。ビーム径は約15mmとし、電流は0150mAとした。抽出電圧は約35kVとした。横座標は単位表面積あたりのイオンであり、1015ions/cm2で表す。縦座標は表面抵抗を表しており、単位はΩ/□である。抵抗値の測定はIEC規格60093に従って行った。これらの曲線からは、速度を2分の1に下げれば、PCの表面抵抗を10分の1に下げる効果が得られることが分かる。特定の科学的理論に拘束されるものではないが、ビーム速度を下げることによって、PCの表面温度が上昇すると考えられる。この温度上昇は、遊離基同士の再結合を大幅に増加させ、同時に、アモルファス炭素の高密度かつ導電性のフィルムの形成にも都合がよい。また、加熱には、イオン衝撃によって誘起される切断/架橋メカニズムで生じる残留気体の放出という効果もある。発明者は、本実験から以下の通り推論した。すなわち、公知の径及びパワーのビームで処理する場合、いかなるポリマーについても、発生する熱の影響でポリマーを劣化させることなくポリマーの表面抵抗を最大限下げることが可能な、最低ビーム移動速度が存在する。ポリマーの熱劣化は、ECR源の抽出システムにおける相当量の気体放出と、その後の圧力上昇とから認識される。こうした圧力上昇は電気的な故障として表れる。抽出システムの働きは、ECR源のプラズマからイオンを抽出してビームを形成することである。これは2つの電極から成り、一方の電極は接地されており、もう一方の電極は、5×106mbar好ましくは2×106mbarを下回る真空状態で、数十kVキロボルトの高電圧とされる。気圧が上記値を越えると、アークが発生する。この現象は、ポリマーの熱劣化と同時に生じる。よって、こうした圧力上昇は極めて速やか検知する必要があり、そのためには、ビーム移動速度を徐々に下げながら抽出システム内の圧力の変化を監視する。このビーム移動速度の決定のための手法として、発明者は、ビーム速度を徐々に下げながら、それ以外の下記の特性は維持する、という手順のテストを推奨する。ビーム特性:径及びパワー、言い換えると、強度及び抽出電圧。動的な特性:移動幅、前進速度。ポリマーが熱の作用を受けて熱的に劣化する時、圧力は数秒以下の短い時間で105mbar急上昇する。当該圧力上昇は、抽出システム及び処理室の両方に配置された計器で計測される。こうした場合、テストは直ちに中止して、前回テストにおけるビームの移動速度を保存する。数秒以下の短時間で105mbarという急上昇が生じた場合、それは、ポリマーに熱劣化が生じたことを示唆する。いくつかの特徴化方法では、本発明は、特に際立った効果を示すことができる。下に示す例では、ヘリウムイオンHe、He2の注入によるソリッドなポリマー製部品の1以上の表面の処理を、ECR源から同時に発せられる多重エネルギHe、He2イオンを用いて実行した。処理対象のポリマーは、具体的には、ポリプロピレンPP、ポリメチルアクリレートPMMAである。処理を行ったサンプルに小さな紙片をふりかけて行った、静電防止特性に関する比較テストからは、5×1015ions/cm2を上回るイオン量で静電防止特性が表れることが示された。このイオン量で処理したサンプルをひっくり返すと、紙片は離れて落ちた。しかし、5×1015ions/cm2未満のイオン量では、こうした事態は起こらなかった。ポリプロピレンの場合、1015ions/cm2及び5×1015ions/cm2のイオン量で、IEC規格60093に従って行った計測では、1014Ω/□の表面抵抗値が得られた。2×1016ions/cm2のイオン量では、5×1011Ω/□の抵抗値を計測することができた。これは、上記の静電防止特性が生じたことを示す。1つの実施の形では、ポリマー表面の静電防止特性は、イオン量が5×1015ions/cm2を超えたところから大幅に向上すると推定された。このときの処理速度は約15cm2/秒であり、9mAのHeイオン及び1mAのHe2イオンによって構成されたヘリウムビームを用いた。ヘリウムイオンの同時注入は、処理対象の部品の要件及び形状に応じて、様々な深さで行われる。これらの深さは、具体的には、注入ビームのイオン注入エネルギに依存する。例えば、ポリマーの場合は、01μmから約3μmである。付着防止特性が必要とされる用途では、例えば、注入の厚みは1マイクロメートル未満でも充分であり、その場合は、例えば処理時間も更に短縮される。1つの実施の形では、He及びHe2イオンの注入条件は、ポリマー製部品のバルク弾性特性が維持されるように選択され、そのために、当該ポリマー製部品を50°C未満の処理温度に保つ。こうした結果を得るための具体的な条件として、4mmの径のビームに対し、60μAの全電流を送り、40kVの抽出電圧を用い、100mmの移動幅を40mm/秒で移動させる。当該ビームの単位表面積あたりのパワーは20W/cm2であるW/cm2:1平方センチメートルあたりのワット数。抽出電圧及び単位表面積あたりのパワーを同一として、バルク弾性特性を保持しながらビームの強度を高める場合については、以下のような経験則がたてられる。すなわち、60μA[マイクロアンペアで割った所望の電流の平方根に対応した比率で、ビームの径を大きくし、移動速度を上げ、移動幅を大きくする。例えば、6ミリアンペアすなわち、60マイクロアンペアの100倍の電流の場合、単位表面積あたりのパワーを20W/cm2に保つためには、ビームの径を40mmとすべきである。こうした条件では、速度を10倍、移動幅を10倍に上げると、移動速度は40cm/秒、移動幅は1mとなる。経路の数についても同じ係数で増やせば、最終的には、ions/cm2の単位で表される処理量は同じとなる。継続して走らせる場合、例えば、ベルトの経路に配置されるマイクロアクセラレータの数は、同じ比率で増やせばよい。更に、本発明による処理を施すことで、他の表面特性にも大幅な改善が見られる。他の技術では得られなかったと思われる性能が達成される。本発明は、上述した種類の実施の形には限定されず、非限定的に解釈されるべきである。本発明には、あらゆる種類のポリマーの処理が含まれる。同様に、本発明の方法は、ECR源を使用するものには限定されない。他のイオン源では効果が劣ると考えられる場合でも、本発明の方法は、単イオン源又は他の多イオン源を用いて実行することができる。ただし、他のイオン源を用いる場合は、ヘリウムHe、窒素N、酸素O、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeから成るリストに属する多重エネルギイオンの同時注入を行える構成を有することが条件となる。当業者であれば、添付の特許請求の範囲において定義された本発明の範囲から逸脱しない形で、様々な変更を考案することが可能なはずである。