表面を有する基板と、前記表面上にあり、前記表面と接触している本質的にケイ素SiからなるSi層と、前記Si層上にあり、前記Si層と接触している金Au層と、を含み、前記Au層は、前記Au層の平面に対し全体的に平行である111平面を伴う実質的に面心立方fcc結晶構造を有する二層シード構造と、前記Au層上の上部層と、を含むフィルムスタック。前記上部層が、前記Au層の111平面に対して実質的に垂直に配向された[111]方位を伴うfcc結晶構造を有する材料、および前記Au層の111平面に対して実質的に垂直に配向されたc軸を伴う六方最密充填hcp結晶構造を有する材料から選択される、請求項1に記載のフィルムスタック。前記Si層が0.3~5nmの厚みを有する、請求項1に記載のフィルムスタック。前記Au層が1~10nmの厚みを有する、請求項1に記載のフィルムスタック。前記二層シード構造が5nm未満の厚みを有する、請求項1に記載のフィルムスタック。前記Si層が、本質的に非晶質Siからなる層である、請求項1に記載のフィルムスタック。前記基板の表面がスパッタエッチングされた表面である、請求項1に記載のフィルムスタック。前記上部層が粒状Co合金層である、請求項1に記載のフィルムスタック。前記上部層が強磁性粒状CoPt合金の層である、請求項8に記載のフィルムスタック。前記上部層が多重層の最下位層であり、前記多重層がCo/Pt、Co/PdおよびCo/Ni多重層から選択される、請求項1に記載のフィルムスタック。前記基板が、CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFeB、およびCoZrNbの合金からなる群から選択される透磁性材料の下層である、請求項1に記載のフィルムスタック。前記基板が、強磁性粒状CoPt合金の第1層であって、前記第1層の平面に対して実質的に垂直に配向されたc軸を伴うhcp結晶構造を有する第1層であり、前記上部層が、強磁性粒状CoPt合金の第2層であって、前記Au層の111平面に対して実質的に垂直に配向されたc軸を伴うhcp結晶構造を有する第2層であり、前記二層シード構造が、前記第1層および前記第2層を磁気的にデカップリングするために前記第1層および前記第2層の間にあり、これらの層と接触しているスペーサ層である、請求項1に記載のフィルムスタック。前記基板が、Co/Pt、Co/PdおよびCo/Ni多重層から選択される第1の多重層の最上位層であり、前記上部層が、Co/Pt、Co/PdおよびCo/Ni多重層から選択される第2の多重層の最下位層であり、前記二層シード構造が、前記第1の多重層および第2の多重層を磁気的にデカップリングするために前記第1の多重層および第2の多重層の間にあるスペーサ層である、請求項1に記載のフィルムスタック。表面を有する基板と、前記基板の表面上にある透磁性材料の下層と、垂直磁気記録層と、前記垂直磁気記録層と前記下層を磁気的にデカップリングするために前記垂直磁気記録層と前記下層との間にある交換遮断層であって、前記下層上にあり、前記下層と接触しているケイ素Si層と、前記Si層上にあり、前記Si層と接触している金Au層と、を含み、前記Au層がその平面に対し全体的に平行である111平面を伴う実質的に面心立方fcc結晶構造を有する粒子を含む交換遮断層と、を含む垂直磁気記録ディスク。前記垂直磁気記録層が、前記Au層の111平面に対して実質的に垂直に配向された[111]方位を伴うfcc結晶構造を有する材料、および前記Au層の111平面に対して実質的に垂直に配向されたc軸を伴う六方最密充填hcp結晶構造を有する材料から選択される、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記垂直磁気記録層が強磁性粒状CoPt合金層を含む、請求項15に記載の垂直磁気記録ディスク。前記垂直磁気記録層が、Co/Pt、Co/PdおよびCo/Ni多重層から選択される多重層を含む、請求項15に記載の垂直磁気記録ディスク。前記垂直磁気記録層が、垂直磁気記録材料の離隔されたビットにパターン化される、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記垂直磁気記録層が前記Au層と直接接触している、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記Au層および前記垂直磁気記録層の間にあり、これらの層と接触している中間層をさらに含み、前記中間層が、前記Au層の111平面に対して実質的に垂直に配向された[111]方位を伴うfcc結晶構造を有する材料、および前記Au層の111平面に対して実質的に垂直に配向されたc軸を伴う六方最密充填hcp結晶構造を有する材料から選択される、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記中間層が、Pd、Pt、Cu、Ag、Ir、Rh、Ru、Y、Zr、TiおよびZn、およびこれらの元素のうちの1つ以上の合金から選択される、請求項20に記載の垂直磁気記録ディスク。前記下層の透磁性材料が、CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFeB、およびCoZrNbの合金からなる群から選択される、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記透磁性材料の下層が、非磁性フィルムにより分離された多数の透磁性フィルムの積層体である、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記積層体中の前記非磁性フィルムが、前記積層体中の前記透磁性フィルムの反強磁性カップリングを実現する、請求項23に記載の垂直磁気記録ディスク。前記Si層が、本質的に非晶質Siからなる層である、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記Si層が0.3~5nmの厚みを有する、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記Au層が1~10nmの厚みを有する、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。前記交換遮断層が、1.3nm以上の厚みを有する、請求項14に記載の垂直磁気記録ディスク。図1は、本発明の二層シード構造を概略的に示す薄膜スタックの断面図である。二層シード構造20は、下部層10と上部層30との間に位置設定されている。二層シード構造20は、層10の表面12上に形成されたケイ素Si層22と、Si層22上の金Au層24を含む。全体的に平らな表面12をもつ層10は基板として機能し、その上にSi層22が被着される。Si層22は好ましくは非晶質Siであるが、結晶構造、例えば111または100単結晶、面内111または100平面および一般に無作為配位の他の2つの平面を伴う結晶、または多結晶の構造を有していてもよい。層10は、磁気記録ディスク基板などの剛性基板であってよいが、剛性基板上に形成される下部フィルムスタックの最上位層である確率が高い。下部層10は結晶構造であっても、または結晶構造を有していてもよい。上部層30は、上部フィルムスタックの最下位層であってよい。図1中の層10および30内に波状破線で示されているように、下部層10は、結晶質であってよい構造を有し、上部層30は異なる結晶構造、好ましくは面心立方fccまたは六方最密充填hcp結晶構造を有する。Au層24がSi層22上に被着されている場合、2層が遭遇する領域23として図1に概略的に表わされているSi/Au界面は、下部層10の構造をリセットし、面内配位された111平面をもつfcc結晶構造を伴うAu層24の成長を開始させる。Au層24内の波状破線は、平面に対する法線である、すなわち表面12に対する法線である[111]軸を伴うfcc晶子を表わす。Au層24は、上部層30の成長のための鋳型として機能する。上部層30がfcc材料である場合、その[111]方位は、Au層24の111平面に対し実質的に垂直に配位され、上部層30がhcp材料である場合、そのc軸はAu層30の111平面に対して実質的に垂直に配位されている。その結果、側方で独立した微細構造をもつ無相関の薄層10および30を伴うフィルムスタックが得られる。本発明の二層シード構造は磁気記録ディスクなどの磁気デバイスにおいて応用され、磁気記録ディスクなどの磁気デバイスはフィルムの物理的特性をより良く制御するために明確な結晶アライメントを伴うより複雑な重層構造またはフィルムスタックの内部に高品質の薄膜を製造することが必要である。非晶質であっても結晶質であってもよい基板の平担な表面から出発した場合、スタック内にある特定のフィルム内部に表面法線と同一の晶子方向で晶子を配向することは困難であることが多い。本発明の二層シード構造は、所望の結晶構造を伴うフィルムの成長を可能にするように基板の構造をリセットできるようにする。1つの利用分野は、垂直磁気記録PMR媒体内の軟質下層SULと媒体層または記録層RLの間の交換遮断層EBLである。EBLは、SULおよびRLを磁気的にデカップリングするようにも作用しながらRLの結晶配向をセットしなければならない。別の利用分野は、互いに磁気的にデカップリングされていなければならない少なくとも2つの別個の記録層でRLが構成されている積層PMR媒体内の非磁性スペーサ層SLである。2つの記録層内の磁気微細構造は、2つの記録層からの信号の独立した平均化を得るために相関性を削除しなければならず、こうしてリードバック信号対雑音比SNRを増大させることができる。本発明のSi/Au二層シード構造においては、Si層は、好ましくは0.3~5nmの範囲内、そしてより好ましくは0.3~1.2nmの範囲内の厚みを有し、好ましくは非晶質構造を有する薄いスパッタ被着層である。後続してスパッタ被着されたAu層は、下部層の平担な表面に対して実質的に平行なまたは面内配向された111平面を伴う明確な面外fcc結晶構造を急速に発達させる。Au層は好ましくは1~10nmの範囲内の厚みを有する。こうして、Si/Auシード構造は、新たに開始したAu111表面をなおも提供しながら、フィルムスタック内のそれより上にある層からそれより下にある層の晶子アライメントを有効にデカップリングする。結晶配位をリセットするために必要なSi/Auシード構造の合計厚みは、5nm未満、好ましくはわずか約1.3~4.2nmにすぎず、したがって、RLおよびSULなどの磁気フィルムおよびPMR媒体内の2つの積層記録層をデカップリングするために非常に魅力的である。本発明のSi/Auシード構造においては、マグネトロンスパッタリングされたSiが、室温で基板上への被着時点で非晶質構造を形成する。Auが非晶質Si層上に被着されると、界面Au-Si合金が形成され、これが、Siの上面に形成しつつあるAu層内部においてfcc結晶アライメントを誘発する。Au層構造を多結晶の構造から面内配位されたAu111平面を有するfcc晶子を伴う構造へと完全に変化させるのには、非常に薄いSi層0.3~1.2nmで充分である。図2は、0~23ÅのSi層tsiの厚みについてのガラスディスク上のSitsi/Au30Å/Pd200Å層フィルムスタックの一連のブラッグX線回折走査である。図2は同様に、比較を目的として、ガラスディスクライン100およびSi層無しのAu30Å/Pd200Å構造ライン101のブラッグ走査をも示している。ガラスディスクは下部層10として役立ち、fcc結晶構造を有するパラジウムPdは上部層30として役立つ図1を参照。Pd111平面のためのブラッグピーク強度は、検出器角度つまりブラッグ散乱角2θ=40度に対応する格子面間隔にあり、2.3Åライン102から5.5Åライン103のSi層に移った時点で最も劇的に増大する図2は、同様に、検出器角度2θ=38度に対応する格子面間隔においてAu111平面についてのブラッグピークを示している。5.5Åライン103から8Åライン104~23Åライン105のSi層までピーク強度の有意な付加的増加は存在しない。ライン106は、Si層のスパッタ被着に先立ちArイオンを用いたスパッタエッチングによりガラスディスク基板の表面を最初に清浄した、23ÅのSi層を伴う構造についてのブラッグ走査である。同様に、SiおよびAuについての被着速度も2分の1に減速した。その結果、ブラッグ走査は、基板をスパッタ清浄せずにより高い被着速度で行った類似の構造全体ライン105に比べ、ピーク強度の改善を示す。図3は、最大Pd-ブラッグピーク強度で試料を揺動させることすなわち検出器角度を2θ=40度で一定に保つことによって測定された図2の試料についての試料角度Ωの関数としての回折されたX線強度の対応するロッキングカーブを示し、こうして面外成長方向との関係における晶子アライメント分布を示している。半値全幅振幅FWHMにおけるピークの揺動幅は、揺動プロファイルにガラス曲線をフイットさせることにより抽出された。Si厚みが2.3Åの場合、Pd層はなおも多結晶曲線202であるが、一方5.5Åの場合には曲線203、5度の揺動幅が得られる。8Å曲線204から23ÅのSi曲線205層までは、値の有意な付加的減少が存在する。曲線206は、ガラスディスク基板の表面を最初にスパッタエッチングして、より低い被着速度2分の1を使用した、23ÅのSi層を伴う構造についてのロッキングカーブである。これは、Pd[111]面外整列晶子の2.65度という非常に狭い揺動幅を示している。ちなみに、従来のPMR媒体については、CoPtCrのRLのFWHMによる揺動幅は、約10nmの厚みをもつルテニウムRuEBLで約3.5度である。図2および3に示した結果は、ガラス基板上および200ÅのPd層の下のSi/Au30Åシード構造について、Si層の厚みの関数としてのピーク揺動幅Δθを示す図4の中にまとめられている。約5ÅというSi層の厚みおよび約30ÅというAu層厚みは、ガラス基板の平滑な表面から面内配向された111平面を伴うAu層を得るのに充分なものである。図5は、SUL310とRL330の間のEBL320としての本発明のSi/Auシード構造を示すPMRディスクの断面図である。ハードディスク基板300は全体として平坦な表面301を有し、この上に、典型的にはスパッタリングにより代表的な層が被着される。RL330は垂直な、すなわち基板表面301に対して全体的に垂直な磁気異方性を有する。SUL310は、ディスクドライブ書込みヘッドからの書込み磁場のための磁束リターンパスとして役立つ。PMRディスクは同様に、RL330上の保護膜340をも含み、これは典型的には非晶質炭素、例えばダイアモンドライクカーボンDLC、または、約1~3nmの厚みまでスパッタ被着された主にSi3N4などの窒化ケイ素SiNフィルムである。ハードディスク基板300は、市販されているあらゆるガラス基板であってよいが、NiP表面コーティングを伴う従来のアルミニウム合金、またはケイ素、カナサイトまたは炭化ケイ素などの代替的基板であってもよい。SUL310成長用の接着層またはオンセット層OL305は、基板表面301上に被着された約2~10nmの厚みを有するAlTi合金または類似の材料であってよい。SUL310は、CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFeB、およびCoZrNbの合金などの透磁性材料で形成された軟質磁気材料である。SUL310は同様に、AlまたはCoCrの導電性フィルムなどの非磁性フィルムにより分離された多数の軟質磁気フィルムで形成された積層または多層SULであってもよい。SUL310はまた、Ru、IrまたはCrまたはその合金などの反強磁性カップリングを媒介する層間フィルムによって分離された多数の軟質磁気フィルムで形成された積層または多層SULであってもよい。このタイプのSULは、特許文献1および特許文献2中に記載されている。SUL310は典型的に約5~50nmの範囲内の厚みを有する。EBL320は、SUL310の上面に位置設定され、RL330およびSUL310の透磁性フィルムの間の磁気交換カップリングを遮断するように作用し、またRL330のエピタキシャル成長を助長するのに役立つ。EBL320のSi層322は好ましくは、スパッタ被着された本質的に非晶質のSiである。それは、SUL310の表面312の上に直接被着され、Au層324はSi層322上にスパッタ被着される。SUL310の表面312をArイオンでスパッタエッチングして、Si層322の被着に先立って汚染物質および未変性酸化物を除去してよく、こうして、Si/Auシード構造上にその後被着されるRL330層の結晶配位が改善される。Si層322の厚みは0.3~5nmの間にあり、Au層324の厚みは1~10nmの間にある。こうしてEBLの合計厚みは約1.3~15nmの間にある。しかしながら、可能なかぎり薄いEBLを得ることが望ましいことから、Si/Au二層シード構造は、1.3nmという薄いものであってよいが、好ましくは少なくとも2.5nmである。RL330は、垂直な磁気異方性を示す公知の結晶材料および構造のいずれかの単一層または多重層であってよい。こうして、RL330は、Au層324の111平面に対し実質的に垂直に配位されたc軸を伴う六方最密充填hcp結晶構造を有する、CoPtまたはCoPtCr合金などの粒状コバルト合金の層であってよい。粒状コバルト合金RL330は同様に、適切な分離物質segregant、例えばSi、Ta、Ti、Nb、Cr、VおよびBのうちの1つ以上の酸化物を含んでいてもよい。RL300は同様に、上述のものなどの適切な分離物質を伴ってまたは伴わずに、Co/Pt、Co/PdおよびCo/Ni多重層などの、垂直磁気異方性を伴う多重層で構成されていてもよい。このような多重層においては、Au層324上に被着された最下位層は好ましくは、fcc結晶構造を有する材料であるPd、PtまたはNi層である。しかしながら、Au層324上に被着された最下位層は同様に、hcp結晶構造を有するCo層であってもよい。こうしてPd、PtまたはNi層は、[111]方位がAu層324の111平面に対して実質的に垂直に配向された状態で成長し、または最下位層がCoである場合には、それはそのc軸がAu層324の111平面に対して実質的に垂直に配位された状態で成長する。多層RLの一例においては、RL330は、1つの最下位Pd30Å層および最下位Pd層上の8組のCo2.8Å/Pd9Å層を含む多重層であってよい。RL330の合計厚みは典型的には約5~25nmの範囲内にある。再び図5を参照すると、Au層324とRL330の間に位置設定された任意の中間層ILを有することも可能である。ILは好ましくは、Au層324の111平面に対し実質的に垂直に配向された[111]方位を伴うfcc結晶構造を有する材料、またはAu層324の111平面に対して実質的に垂直に配向されたc軸を伴う六方最密充填hcp結晶構造を有する材料である。こうして、ILに適した材料としては、fccであるPd、Pt、Cu、Ag、Ir、RhおよびhcpであるRu、Y、Zr、Ti、Znそしてこれらの元素の1つ以上の合金が含まれる。図6は、積層タイプのPMRディスク内の下部RL410と上部RL430の間の非磁性スペーサ層SL420として本発明のSi/Auシード構造を示すPMRディスクの一部分の断面図である。PMRディスクも同様に、上部RL430上の従来の保護膜440を含む。図6では、RL410の下のPMRディスク構造は描かれていないが、典型的には従来のディスク基板およびSULそしてEBLを含むと考えられ、このEBLは、従来のEBLまたは図5に関して記述された通りの本発明に係るもののようなEBLであってよい。積層媒体を用いて改良型媒体SNRを達成できるということは公知である。積層媒体内において、単一の磁気RLは、離隔され非磁性スペーサ層SLにより磁気的にデカップリングされた2つ以上の別個のRLの積層品で置換される。この発見は、非特許文献1により水平または長手磁気記録媒体のためになされたものであり、特許文献3として特許を受けている。2つのデカップリングされたRLが存在することにより、一領域あたりの磁気結晶粒の数は倍増され、SNRの改善が導かれる。図6のRL410および430中に矢印で示されているように、異なる磁化領域中の2つのRLの磁化は互いに平行であり、したがって、両方のRLがリードバック信号に寄与する。RL410および430は、図5について上述したPMRディスク内のRLに関して同じ材料であってよい。RLとして多重層が使用される場合には、好ましくは、RL410の最上位層およびRL430の最下位層は、それぞれ、Co/Pt、Co/PdまたはCo/Ni多重層のPt、PdまたはNi層である。本発明のSi/Auシード構造は、非磁性SL420として機能する。Si層422は好ましくは、下部RL410の表面412上にスパッタ被着された本質的に非晶質のSiである。Au層424は、非晶質Si層422上にスパッタ被着され、結果として、面内すなわち表面412に対して実質的に平行な111平面を伴うfcc構造を有する晶子が得られる。非晶質Si層は、これがなければRL410のfccまたはhcp構造とAu層424のfcc構造の間に発生し得るあらゆるエピタキシャル成長を遮断するように作用し、こうして2つのRL410、430の間のあらゆる磁気カップリングを遮断する。しかしながら、Si層422は同様に、結晶構造例えば111または100単晶、面内111または100平面および全体として無作為に配向された他の2つの平面を伴う結晶、または多結晶の構造を有していてよい。Si/Au界面は同様に、これがなければRL410のfccまたはhcp構造とAu層424のfcc構造の間に発生し得るあらゆるエピタキシャル成長を遮断するようにも作用する。Si/Auシード構造は同様に、2つの磁気RL410、430の結晶粒のあらゆる相関をも遮断し、これはSNRの改善を達成するために重要である。しかしながら、Si/Au界面は、Au層424のfcc構造が急速に発達できるようにし、こうして、RL430がその[111]軸fccRL材料の場合またはc軸hcpRL場合がAu層424の111平面に対し法線である状態で成長できるようにする。SL420として使用される場合、Si層422の厚みが約0.3~1nm、Au層424の厚みが約1~2nmで、合計SL厚みは約1.3nmという薄さになるべきである。図5および6に示されたPMRディスクは、従来の連続媒体CMディスクを示しており、ここで単層または多層RL図5または積層RL図6は、書込みヘッドが磁気材料上に書込みを行なった時点で磁気的に記録されたデータビットを含む同心データトラックの形に形成された状態となる磁気材料の連続層である。しかしながら、データ密度を増大させるためにビットパターンド媒体BPMが提案されてきた。BPMディスク内では、ディスク上のRLの磁化可能材料は、小さい孤立したデータアイランドの形にパターン化され、こうして、各アイランドまたはビット内に単一磁気ドメインが存在するようになっている。単一磁気ドメインは、単一結晶粒であるかまたは、単一磁気体積として一斉に磁気状態を切換える数個の強くカップリングされた結晶粒で構成され得る。これは、単一ビットがドメイン壁により分離された多数の磁気ドメインを有していてよい従来のCMディスクと対照的である。パターン化されたアイランドに必要とされる磁気分離を生成するためには、アイランド間の空間の磁気モーメントを破壊または実質的に削減してこれらの空間を本質的に非磁性にしなければならない。1つのタイプのBPMディスクにおいては、データアイランドは非磁性トレンチまたはリセスにより分離されている離隔した隆起ピラーである。BPMに付随する1つの問題点は、個々の磁気アイランド間の保磁力の変動幅が比較的広いということにある。この変動は、スイッチング磁場すなわち磁気アイランドの磁化を一方の状態からもう一方の状態に切換えるのに必要とされる書込み磁場の広い分布によって特徴づけられている。理想的には、スイッチング磁場分布SFD幅はゼロと考えられ、これはすなわち、全てのビットが同じ書込み磁場強度で切換わることを意味している。EBLとしてまたはSLとしての本発明のSi/Auシード構造も同様に、BPMPMRディスクに完全に適用可能である。図7は、離散的ビットとして機能するRL材料の離隔した離散的アイランド331を形成するためのリソグラフィパターン化およびエッチングの後の図5のPMRディスクのデータトラックに沿って切取られた断面図である。エッチングは、典型的には、イオンミリングまたは反応性イオンエッチングRIEのような真空エッチングプロセスである。エッチングの後、隆起したRL材料アイランド331およびリセス332が形成される。アイランド331は、保護膜340が上に被着される上部表面を有する。図7に示された実施例において、エッチングは、RL材料の全ておよびEBL材料の一部分、具体的にはAu層324の一部分が除去されるような深さまで実施された。しかしながら、代替的には、RL材料の一部分だけが除去されるような深さまでエッチングを実施することが可能である。リセス332をSiO2または窒化ケイ素のような非磁性充填材料で充填してもよく、その後ディスクは例えば化学的機械研磨CMPにより平担化され、こうしてリセス332内の充填材料は全体的に保護膜340の上部表面と同一平面にあることになる。図7のBPMPMRディスクは、RL材料の単一層または多重層で形成されたアイランド331を伴って示されているものの、これらのアイランドはその代りに、図6にあるような2つのRLの間のSLとして機能する本発明のSi/Auシード構造を伴う積層RLのアイランドであってもよい。BPM内のEBLまたはSLとしての本発明のSi/Auシード構造は、アイランド内のRL内に明確な結晶構造を作り出し、結果として狭いSFD幅がもたらされる。本発明について好ましい実施形態を基準にして詳細に示し、記述してきたが、当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形状および細部にさまざまな変更を加えてよいということを理解するものである。したがって、開示された発明は、単に例示を目的としたものであり、添付のクレーム中に規定されている通りにのみ範囲を限定されるものとみなされるべきである。