それぞれがオーバーフロードレイン構造を持つ複数の光電変換素子であって、2次元マトリックス状に配置された複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子のうち、同一の列に配置された光電変換素子から読み出された信号電荷を転送する垂直電荷転送部と、を有する固体撮像素子と、前記垂直電荷転送部における電荷の転送動作を制御する制御手段と、前記撮像素子を遮光状態または非遮光状態にするシャッタと、を有し、前記垂直電荷転送部は、前記制御手段により設定された駆動周波数で電荷を転送し、前記制御手段は、前記撮像素子から信号電荷を読み出す前に前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、撮像装置における撮影時の設定、撮像装置の動作環境、またはプレビュー画像の情報に応じて変更することを特徴とする撮像装置。前記制御手段は、撮像装置における撮影時の設定、撮像装置の動作環境、またはプレビュー画像の情報に応じて、前記固体撮像素子における信号電荷の飽和容量を拡大する必要がある場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を相対的に低くし、そうでない場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を相対的に高く設定することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記制御手段は、前記固体撮像素子の感度の設定が所定の設定値よりも高感度の設定である場合、又は、フレームレートの設定が所定の設定値よりも高フレームレートの設定である場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高い第1の周波数に設定し、前記固体撮像素子の感度の設定が所定の設定値を下回る低感度の設定である場合、又は、撮影された画像の画質の設定が所定の設定値よりも高画質の設定である場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高く、且つ、前記第1の周波数を下回る第2の周波数に設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。前記制御手段は、前記固体撮像素子の温度が所定値を下回る場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高い第1の周波数に設定し、前記固体撮像素子の温度が所定値よりも高い場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高く、且つ、前記第1の周波数を下回る第2の周波数に設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。前記制御手段は、プレビュー画像において飽和していると見なせる領域が所定値を下回り狭い場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高い第1の周波数に設定し、プレビュー画像において飽和していると見なせる領域が所定値よりも広い場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高く、且つ、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数に設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。それぞれがオーバーフロードレイン構造を持つ複数の光電変換素子であって、2次元マトリックス状に配置された複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子のうち、同一の列に配置された光電変換素子から読み出された信号電荷を転送する垂直電荷転送部と、を有する固体撮像素子と、前記撮像素子を遮光状態または非遮光状態にするシャッタと、を有する撮像装置の制御方法であって、前記垂直電荷転送部における電荷の転送動作を制御する制御工程を有し、前記垂直電荷転送部は、前記制御工程により設定された駆動周波数で電荷を転送し、前記制御工程は、前記撮像素子から信号電荷を読み出す前に前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、撮像装置における撮影時の設定、撮像装置の動作環境、またはプレビュー画像の情報に応じて変更することを特徴とする撮像装置の制御方法。前記制御工程は、撮像装置における撮影時の設定、撮像装置の動作環境、またはプレビュー画像の情報に応じて、前記固体撮像素子における信号電荷の飽和容量を拡大する必要がある場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を相対的に低くし、そうでない場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を相対的に高く設定することを特徴とする請求項6に記載の撮像装置の制御方法。前記制御工程は、前記固体撮像素子の感度の設定が所定の設定値よりも高感度の設定である場合、又は、フレームレートの設定が所定の設定値よりも高フレームレートの設定である場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高い第1の周波数に設定し、前記固体撮像素子の感度の設定が所定の設定値を下回る低感度の設定である場合、又は、撮影された画像の画質の設定が所定の設定値よりも高画質の設定である場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高く、且つ、前記第1の周波数を下回る第2の周波数に設定することを特徴とする請求項6又は7に記載の撮像装置の制御方法。前記制御工程は、前記固体撮像素子の温度が所定値を下回る場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高い第1の周波数に設定し、前記固体撮像素子の温度が所定値よりも高い場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高く、且つ、前記第1の周波数を下回る第2の周波数に設定することを特徴とする請求項6又は7に記載の撮像装置の制御方法。前記制御工程は、プレビュー画像において飽和していると見なせる領域が所定値を下回り狭い場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高い第1の周波数に設定し、プレビュー画像において飽和していると見なせる領域が所定値よりも広い場合には、前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、前記信号電荷を排出する際の周波数よりも高く、且つ、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数に設定することを特徴とする請求項6又は7に記載の撮像装置の制御方法。しかしながら、このように垂直転送レジスタ垂直CCD23から偽信号電荷を高速に掃き出すように垂直転送レジスタを駆動すると、これと同時に基板ポテンシャル基板電位を揺することとなる。これにより、オーバーフローバリアの電位も揺れる結果となる図7に示す電位の揺れの部分を参照。このため、図7に示すように、フォトダイオード22で蓄積された信号電荷の一部が、オーバーフロードレインにこぼれる図7に示す黒丸で示す部分を参照。また、垂直転送電極68を高周波で駆動すると、より顕著にポテンシャル電位が揺れる。図6に示すPウェル62に存在する空乏層が容量を持っているため、垂直転送電極68の電位が切り替わるたびに充放電を繰り返すことになるからである。すなわち、周波数が高くなるほど短時間で充放電が行われることによって、Pウェル62の電位の揺れが大きくなる。以上の理由により、垂直転送レジスタ垂直CCD23から偽信号電荷を高速に掃き捨てる際に、オーバーフローバリアの電位が揺れることにより、フォトダイオード22で蓄積された信号電荷が、オーバーフロードレイン側に漏れ出る。このため、フォトダイオード22の電荷飽和容量の低下を招いている。本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、垂直転送レジスタの電荷の掃き出し駆動を行う際に発生する、撮像素子のポテンシャル電位の揺れ量を軽減し、撮像素子の信号電荷の飽和容量が減少することを抑制することを目的とする。本発明の撮像装置は、それぞれがオーバーフロードレイン構造を持つ複数の光電変換素子であって、2次元マトリックス状に配置された複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子のうち、同一の列に配置された光電変換素子から読み出された信号電荷を転送する垂直電荷転送部と、を有する固体撮像素子と、前記垂直電荷転送部における電荷の転送動作を制御する制御手段と、前記撮像素子を遮光状態または非遮光状態にするシャッタと、を有し、前記垂直電荷転送部は、前記制御手段により設定された駆動周波数で電荷を転送し、前記制御手段は、前記撮像素子から信号電荷を読み出す前に前記垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を、撮像装置における撮影時の設定、撮像装置の動作環境、またはプレビュー画像の情報に応じて変更することを特徴とする。本発明によれば、撮像装置における撮影時の設定、撮像装置の動作環境、またはプレビュー画像の情報に応じて、垂直電荷転送部に存在する偽信号電荷を排出する際の当該垂直電荷転送部の駆動周波数を変更するようにした。よって、光電変換部で蓄積した信号電荷の飽和容量の低下を抑制したいときに、信号電荷のオーバーフロードレイン側への漏れを抑制することができ、ダイナミックレンジの拡大を得ることができる。次に、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。第1の実施形態まず、第1の実施形態について説明する。図1は、固体撮像装置の概略構成の一例を示す図である。本実施形態では、撮像装置がデジタルスチルカメラである場合を例に挙げて説明する。図1に示すように、撮像装置は、光学系11、固体撮像素子12、AFEアナログフロントエンド13、デジタル信号処理回路14、及びカメラ制御部15を有する。更に、撮像装置は、ヒューマンI/Fインターフェース制御部16、ユーザインターフェース17、タイミングジェネレータ18、及び光学系駆動回路19を有する。光学系11は、被写体図示せずからの入射光を固体撮像素子12の撮像面上に結像するレンズ11aと、撮像素子12の撮像エリアへの入射光を制御して固体撮像素子12を遮光状態または非遮光状態にするメカニカルシャッタ11bとを有する。固体撮像素子12は、光学系11を通して入射した光を光電変換して電気信号として出力する。AFE13は、アナログ信号処理回路である。AFE13は、撮像素子12から出力されるアナログ信号に対して、S/Hサンプル/ホールドやAGC自動利得制御等の信号処理を行う。その後、AFE13は、信号処理を行ったアナログ信号をA/Dアナログ/デジタル変換する。デジタル信号処理回路14は、AFE13から供給されるデジタル信号に対して、カメラ制御部15からの指示に従って各種の信号処理を行う。デジタル信号処理回路14内で行われる各種の信号処理とは、例えば、ホワイトバランス処理ガンマ処理色差処理等の所謂カメラ信号処理や、カメラ制御用の検波データ明るさコントラスト色合い等の画面内の情報を示すデータの計算処理を指す。カメラ制御部15は、例えばマイクロコンピュータによって構成される。カメラ制御部15は、デジタル信号処理回路14から送られてきた検波データ等を基に、現在の入力画像の状態を判定し、判定した結果に基づいて、ヒューマンI/F制御部16を経由して送られてくる各種設定モードに応じたカメラ制御を行う。例えば、カメラ制御部15は、カメラ画制御用データをデジタル信号処理回路14に送信する。また、カメラ制御部15は、レンズ制御データやメカニカルシャッタ制御データを光学系駆動回路19に送信する。また、カメラ制御部15は、タイミング制御データをタイミングジェネレータ18に送信する。また、カメラ制御部15は、ゲイン制御データをAFE13に送信する。デジタル信号処理回路14、光学系駆動回路19、タイミングジェネレータ18及びAFE13は、カメラ制御部15から送られてきた制御値に応じた処理を行う。デジタル信号処理回路14は、デジタル信号処理を行い、光学系駆動回路19は、光学系11の駆動処理を行い、タイミングジェネレータ18は、タイミング発生処理を行い、AFE13は、ゲイン処理を行う。固体撮像素子12は、タイミングジェネレータ18が発生する各種のタイミング信号に基づいて、画素アレイ部から任意の領域の信号を順次取り出してAFE13へ出力する。ユーザによって行われるメニュー操作等は、ユーザインターフェース17を介してヒューマンI/F制御部16で制御される。ヒューマンI/F制御部16は、例えばマイクロコンピュータによって構成される。ヒューマンI/F制御部16は、ユーザが現在どのような撮影モードを選択しているのか、或いはどのような制御を望んでいるのか等を検知し、カメラ制御部15に対してユーザ指示情報を送信する。カメラ制御部15は、被写体距離F値シャッタースピード倍率等のカメラ制御情報を、ヒューマンI/F制御部16に送信することにより、ユーザインターフェース17を介して、現在のカメラの情報をユーザに知らせる。このとき、ユーザは、ユーザインターフェース17を用いることによって、固体撮像素子12の感度をはじめとする撮影時の設定をすることができる。図2は、撮像素子12の構成の一例を示す図である。図2において、複数のフォトダイオード22は、2次元マトリックス状に配列されて、撮像エリア24を形成する。各フォトダイオード22は、入射光をその光量に応じた信号電荷に変換光電変換して蓄積する光電変換素子である。各フォトダイオード22は、例えばPN接合のフォトダイオードからなり、それぞれがオーバーフロードレイン構造を有する。読み出しゲート部21に読み出しパルスが印加されることにより、垂直列をなす複数のフォトダイオード22に蓄積された信号電荷は、それら複数のフォトダイオード22に対応して配置された垂直CCD23垂直転送レジスタに読み出される。垂直CCD23は、垂直電荷転送部の一例であり、フォトダイオード22の垂直列毎に設けられる。垂直CCD23は、自身に対応する同一の列に配置された各フォトダイオード22から読み出しゲート部21を介して読み出された信号電荷を垂直方向に転送して水平CCD25に出力する。インターライントランスファーIT方式の固体撮像素子の場合、各垂直CCD23には、例えば4相の垂直転送クロックφV1~φV4によって信号電荷を転送するための垂直転送ゲート電極が繰り返し配置される。フォトダイオード22から読み出された信号電荷は、順に垂直方向に転送される。これにより、水平ブランキング期間において、1走査線1ライン分の信号電荷が、複数の垂直CCD23から水平CCD25に出力される。4相の垂直転送クロックφV1~φV4のうち、2相目と4相目の垂直転送クロックφV2、φV4は、信号電荷を垂直方向へ転送するためのローレベルとミドルレベルの2値をとり得る。これに対して、1相目と3相目に対応する垂直転送ゲート電極は、読み出しゲート部21の読み出しゲート電極も兼用している。よって、1相目と3相目の垂直転送クロックφV1、φV3は、ローレベル、ミドルレベル、及びハイレベルの3値をとり得る。この3値目のハイレベルのパルスは、読み出しゲート部21に与えられる読み出しパルスとなる。水平CCD25は、水平ブランキング期間において複数の垂直CCD23から転送された1ライン分の信号電荷を1水平走査期間内で順次水平方向に転送し、出力アンプ26を介して出力する。この水平CCD25は、例えば2相の水平転送クロックφH1、φH2によって駆動され、複数本の垂直CCD23から移された1ライン分の信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。出力アンプ26は、水平CCD25によって水平方向に転送されてきた信号電荷を順次電圧信号に変換して出力する。基板バイアス電圧制御部29は、基板バイアス電圧Vsubを発生し、トランジスタQ1を介して基板27に印加する。この基板バイアスVsubは、VsubCont信号の制御の下で、トランジスタQ2がオフのときには第1のバイアス電圧に、トランジスタQ2がオンのときには、第1のバイアス電圧よりも低電圧の第2のバイアス電圧に設定される。固体撮像素子12は、半導体基板以下の説明では基板と呼ぶ27上に形成される。基板27には、フォトダイオード22に蓄積された信号電荷を基板27へ掃き出すための基板シャッターパルスφSUB等の各種のタイミング信号が印加される。尚、基板シャッターパルスφSUBによる基板シャッタ機能は電子シャッタとも呼ばれる。次に、本実施形態の特徴の一つであるタイミングジェネレータ18で生成される垂直転送パルスのタイミングチャートの詳細を説明する。図3は、タイミングジェネレータ18で生成される垂直転送パルスのタイミングチャートである。具体的に図3Aは、タイミングジェネレータ18により従来から通常なされる固体撮像素子12の駆動タイミングの一例を説明するタイミングチャートである。図3Bは、低感度や高画質等のダイナミックレンジを必要とする場合にタイミングジェネレータ18によりなされる固体撮像素子12の駆動タイミングの一例を説明するタイミングチャートである。図3Aにおいて、カメラ制御部15は、シャッタが閉じて露光期間が終了した後、垂直CCD23に存在する余剰電荷やスミア電荷等の偽信号電荷を排出するため、垂直CCD23における電荷の転送動作のタイミングをタイミングジェネレータ18に指示する。すなわち、カメラ制御部15は、信号電荷を垂直CCD23に読み出す前に、信号電荷を転送するときよりも高周波で垂直転送パルスを駆動することをタイミングジェネレータ18に指示する。その後、垂直転送パルスとして読み出しパルスを与えると、フォトダイオード22に蓄積された信号電荷は、垂直CCD23に順次転送される。図3Bにおいても、カメラ制御部15は、シャッタが閉じて露光期間が終了した後、垂直CCD23に存在する偽信号電荷を排出するため、垂直CCD23における電荷の転送動作のタイミングをタイミングジェネレータ18に指示する。すなわち、カメラ制御部15は、信号電荷を垂直CCD23に読み出す前に、信号電荷を転送するときよりも高周波で垂直転送パルスを駆動することをタイミングジェネレータ18に指示する。ただし、このときの垂直転送パルスの垂直転送周波数第2の周波数を、図3Aにおける垂直転送パルスの垂直転送周波数第1の周波数を下回る低くなるようにする図3Aの時間t1<図3Bの時間t2。このようにすることにより、信号電荷がオーバーフロードレイン側へこぼれることを軽減することができる。本実施形態では、ダイナミックレンジを必要とするときには、垂直CCD23に存在する偽信号電荷を排出するための垂直CCD23の駆動周波数が、ダイナミックレンジを必要としないときを下回り、且つ、信号電荷を転送するときよりも高くなるようにした。このようにすることにより、フォトダイオード22に蓄積した信号電荷が、基板27側へこぼれることを抑制することができる。よって、画像のダイナミックレンジの拡大を図ることができ、高画質な画像を得る撮像装置を実現することができる。尚、以下の説明では、図3Aに示すタイミングで垂直CCD23を駆動する駆動モードをAモードと称し、図3Bに示すタイミングで垂直CCD23を駆動する駆動モードをBモードと称する。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態を説明する。本実施形態では、撮像装置における撮影時の設定撮像モードに応じて、Aモード及びBモードの何れで垂直CCD23を駆動するのかを、予めテーブルに記憶しておく。そして、撮影時の設定を検出すると、その撮影時の設定に対応する垂直CCD23の駆動モードをテーブルから読み出し、読み出した駆動モードで垂直CCD23を駆動する。このように本実施形態と第1の実施形態とは、Aモード及びBモードの何れかを採用する際の処理の一部が主として異なる。よって、本実施形態の説明において、第1の実施形態で説明した部分と同一の部分については、図1~図3に付した符号と同一の符号を付す等して詳細な説明を省略する。図4は、ユーザインターフェース17で設定される撮影モードと、固体撮像素子12の駆動モードとの対応関係を表すテーブルの一例を示す図である。ユーザが撮影モードを切り替えた際、カメラ制御部15は、撮影モードを判定し、図4に示すテーブルに記憶されている内容に従い、固体撮像素子12垂直CCD23の駆動モードとして、Aモード及びBモードの何れかを選択する。高感度の撮影やフレームレートを重視する撮影等が撮影モードとして選択された場合には、固体撮像素子12における信号電荷の飽和容量として、それほど大きな容量を必要としない。よって、垂直CCD23から相対的に高速で電荷を掃き出すAモードが選択されるようにテーブルを構成する図4に示す高感度撮影モードとフレームレート重視モードの欄を参照。Aモードで固体撮像素子12を駆動すると、オーバーフローバリアの電位が揺れるため、電荷は、基板27側に漏れやすくなる。しかしながら、これらの撮影モードのときには、フレームレートを高速にすることを重視する。よって、これらの撮影モードのときには、Aモードにて固体撮像素子12を駆動する。一方、低感度の撮影や高画質での撮影等が撮影モードとして選択された場合には、画像のダイナミックレンジとして大きなダイナミックレンジを必要とする。このため、垂直CCD23から相対的に低速で電荷を掃き出すBモードが選択されるようにテーブルを構成する図4に示す低感度撮影モードと高画質モードの欄を参照。Bモードで固体撮像素子12を駆動すると、垂直CCD23での電荷の掃き出し駆動によって、基板27側へ電荷がこぼれることを低減することができるので、画像のダイナミックレンジを拡大することができる。以上のように本実施形態では、ISO感度等の撮影の感度の設定が所定の設定値よりも高感度の設定であるとき、及びフレームレートの設定が所定の設定値よりも高フレームレートの設定であるときには、Aモードで固体撮像素子12垂直CCD23を駆動する。一方、撮影の感度の設定が所定の設定値を下回る低感度の設定であるとき、及び画像の画質の設定が所定の設定値よりも高画質の設定であるときには、Bモードで固体撮像素子12垂直CCD23を駆動する。よって、撮像装置に設定された撮像条件に適したモードで固体撮像素子12垂直CCD23を駆動することができる。第3の実施形態次に、本発明の第3の実施形態を説明する。本実施形態では、固体撮像素子12の温度に応じて、Aモード及びBモードの何れで垂直CCD23を駆動するのかを、予めテーブルに記憶しておく。そして、固体撮像素子12の温度を検出すると、その温度に対応する垂直CCD23の駆動モードをテーブルから読み出し、読み出した駆動モードで垂直CCD23を駆動する。このように本実施形態と第1、第2の実施形態とは、Aモード及びBモードの何れかを採用する際の処理の一部が主として異なる。よって、本実施形態の説明において、第1、第2の実施形態で説明した部分と同一の部分については、図1~図4に付した符号と同一の符号を付す等して詳細な説明を省略する。図5は、固体撮像装置の概略構成の一例を示す図である。図5に示すように、本実施形態の撮像装置は、図1に示した第1の実施形態の撮像装置に対して、撮像素子12の温度をモニターする温度センサ50が追加されたものである。カメラ制御部15は、温度センサ50により測定された温度の情報を入力し、その温度に応じて撮像素子12の駆動方法を切り替えている。固体撮像素子12の信号電荷の飽和容量には温度依存性があり、固体撮像素子12の温度の変化により、フォトダイオード22における信号電荷の飽和容量の低下が著しくなる。このため、温度テーブルを予め用意して撮像装置に記憶させておく。例えば、固体撮像素子12の温度が所定値より高い場合に、Bモードで固体撮像素子12が駆動し、そうでない場合にAモードで固体撮像素子12が駆動するように温度テーブルを構成する。このようにすることにより、固体撮像素子12の温度が相対的に高い場合には、画像のダイナミックレンジを拡大させることができる。一方、固体撮像素子12の温度が相対的に低い場合には、フレームレートを高速にすることができる。このように、撮像装置の動作環境の一例である固体撮像素子12の温度に応じて、固体撮像素子12の駆動モードを変更することができる。尚、固体撮像素子12の温度を反映する、撮像装置の内部の温度を測定していれば、必ずしも固体撮像素子12の温度そのものを測定する必要はない。第4の実施形態次に、本発明の第4の実施形態を説明する。第3の実施形態では、固体撮像素子12の温度をモニターし、その温度に基づいて、固体撮像素子12の駆動モードを切り替える場合を例に挙げて説明した。これに対し、本実施形態では、撮像装置で得られるプレビュー画像に基づいて、固体撮像素子12の駆動モードを切り替えるようにする。このように、本実施形態と第1~第3の実施形態とでは、Aモード及びBモードの何れかを採用する際の処理の一部が主として異なる。よって、本実施形態の説明において、第1~第3の実施形態で説明した部分と同一の部分については、図1~図5に付した符号と同一の符号を付す等して詳細な説明を省略する。カメラ制御部15は、プレビュー画像のデータにおいて、被写体の中の飽和している領域、又は飽和に近いレベルの領域が、所定の範囲よりも広い場合に、画像のダイナミックレンジを拡大するBモードで本撮影する。一方、プレビュー画像のデータにおいて、被写体の中の飽和している領域、又は飽和に近いレベルの領域が、所定の範囲を下回り狭い場合、カメラ制御部15は、Aモードで本撮影する。このようにすることにより、ダイナミックレンジが広いことが望まれる画像を本撮影する際に、ダイナミックレンジが向上するように固体撮像素子12を駆動することで、ダイナミックレンジの高い画像が得られる。このように、本実施形態では、プレビュー画像で飽和していると見なせる領域の面積に応じて、固体撮像素子12の駆動モードを変更することができる。尚、前述した実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。その他の実施例本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、まず、以上の実施形態の機能を実現するソフトウェアコンピュータプログラムを、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給する。そして、そのシステム或いは装置のコンピュータ又はCPUやMPU等が当該コンピュータプログラムを読み出して実行する。