"少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材との間に、前記第1金属および/または前記第2金属よりも融点の低い低融点金属を含む接合材料を配置する工程と、前記低融点金属の融点以上の温度で前記接合材料を加熱する工程とを備え、前記接合材料を加熱する工程において、前記低融点金属と前記第1金属および/または前記第2金属との反応により金属間化合物が生成され、溶融した前記低融点金属中で前記金属間化合物が剥離、分散しながら反応を繰り返すことを特徴とする接合方法。前記接合材料を加熱する工程において、前記低融点金属をすべて金属間化合物とすることを特徴とする請求項1記載の接合方法。少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを備えた電子装置の製造方法であって、前記第1金属部材と、前記第2金属部材とを、請求項1または2記載の接合方法により接合する工程を備えていることを特徴とする電子装置の製造方法。少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを、前記第1金属および/または前記第2金属よりも融点の低い低融点金属を主たる成分とする接合材料を介して接合するための接合方法であって、前記接合材料を構成する前記低融点金属を、SnまたはSnを70重量以上含む合金とし、前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方を、前記接合材料を構成する前記低融点金属との間に金属間化合物を生成する金属または合金であって、前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方の表面に生成する金属間化合物との格子定数差が50以上である金属または合金とし、かつ、前記第1金属部材と第2金属部材との間に前記接合材料を配置した状態で、前記接合材料を構成する前記低融点金属が溶融する温度で熱処理し、前記第1金属部材と前記第2金属部材とを前記接合材料を介して接合する熱処理工程を備えていることを特徴とする接合方法。前記低融点金属はSnまたはSnを85重量以上含む合金であることを特徴とする請求項4記載の接合方法。前記接合材料を構成する前記低融点金属と、前記第1金属および前記第2金属のうちの前記格子定数差が50以上のものとの合計量に対する、後者の割合が30体積以上の状態で、前記熱処理工程を実施することを特徴とする請求項4または5記載の接合方法。前記接合材料を構成する前記低融点金属が、Sn単体、または、Cu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、Ge、Al、Co、Mn、Fe、Cr、Mg、Mn、Pd、Si、Sr、Te、Pからなる群より選ばれる少なくとも1種と、Snとを含む合金であることを特徴とする請求項4~6のいずれかに記載の接合方法。前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方が、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金であることを特徴とする請求項4~7のいずれかに記載の接合方法。前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方が、Mnを5~30重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを5~30重量の割合で含有するCu-Ni合金であることを特徴とする請求項8記載の接合方法。前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方が、Mnを10~15重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを10~15重量の割合で含有するCu-Ni合金であることを特徴とする請求項8記載の接合方法。少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを備えた電子装置の製造方法であって、前記第1金属部材と、前記第2金属部材とを請求項4~9のいずれかに記載の接合方法により接合する工程を備えていることを特徴とする電子装置の製造方法。第1金属部材と、第2金属部材とが、接合部を介して接合された接合構造であって、前記接合部中には、少なくともCu-M-SnMはNiおよび/またはMn金属間化合物が分散しており、前記第1金属部材および前記第2金属部材との界面の少なくとも一方には、金属間化合物層であるCu3Sn層およびCu6Sn5層のどちらもが形成されていないことを特徴とする接合構造。前記接合部中には、前記第1金属部材および前記第2金属部材との界面のいずれにも、金属間化合物層であるCu3Sn層およびCu6Sn5層のどちらもが形成されていないことを特徴とする、請求項12記載の接合構造。少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とが、接合部を介して接合された電子装置であって、前記第1金属部材と前記第2金属部材の接合部が、請求項12または13記載の接合構造を有していることを特徴とする電子装置。SnまたはSnを70重量以上含む合金からなる低融点金属を含む接合材料による接合に供される電極を備えた電子部品であって、前記接合材料に接する前記電極の表面が、前記低融点金属との間に金属間化合物を生成する金属または合金であって、前記低融点金属との反応により前記電極の表面に生成する金属間化合物との格子定数差が50以上である金属または合金によって形成されていることを特徴とする電子部品。前記接合材料に接する前記電極の表面が、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金によって形成されていることを特徴とする、請求項15記載の電子部品。前記接合材料に接する前記電極の表面が、Mnを5~30重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを5~30重量の割合で含有するCu-Ni合金によって形成されていることを特徴とする、請求項16記載の電子部品。前記接合材料に接する前記電極の表面が、Mnを10~15重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを10~15重量の割合で含有するCu-Ni合金によって形成されていることを特徴とする、請求項16記載の電子部品。本発明は、上記課題を解決するものであり、十分な接合強度を確保しつつ、第1金属部材と第2金属部材を接合することが可能で、かつ、温度階層接続における再リフローなどの段階での接合材料の流れ出しを抑制、防止することが可能な接合方法、接合構造、電子装置、電子装置の製造方法、電子部品を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の接合方法は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材との間に、前記第1金属および/または前記第2金属よりも融点の低い低融点金属を含む接合材料を配置する工程と、前記低融点金属の融点以上の温度で前記接合材料を加熱する工程とを備え、前記接合材料を加熱する工程において、前記低融点金属と前記第1金属および/または前記第2金属との反応により金属間化合物が生成され、溶融した前記低融点金属中で前記金属間化合物が剥離、分散しながら反応を繰り返すことを特徴としている。上記の接合方法においては、前記接合材料を加熱する工程において、前記低融点金属をすべて金属間化合物とすることが好ましい。また、本発明の電子部品の製造方法は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを備えた電子装置の製造方法であって、前記第1金属部材と、前記第2金属部材とを、請求項1または2記載の接合方法により接合する工程を備えていることを特徴としている。また、本発明の接合方法は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを、前記第1金属および/または前記第2金属よりも融点の低い低融点金属を主たる成分とする接合材料を介して接合するための接合方法であって、前記接合材料を構成する前記低融点金属を、SnまたはSnを70重量以上含む合金とし、前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方を、前記接合材料を構成する前記低融点金属との間に金属間化合物を生成する金属または合金であって、前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方の表面に生成する金属間化合物との格子定数差が50以上である金属または合金とし、かつ、前記第1金属部材と第2金属部材との間に前記接合材料を配置した状態で、前記接合材料を構成する前記低融点金属が溶融する温度で熱処理し、前記第1金属部材と前記第2金属部材とを前記接合材料を介して接合する熱処理工程を備えていることを特徴としている。また、本発明の接合方法においては、前記低融点金属がSnまたはSnを85重量以上含む合金であることが好ましい。また、本発明の接合方法においては、前記接合材料を構成する前記低融点金属と、前記第1金属および前記第2金属のうちの前記格子定数差が50以上のものとの合計量に対する、後者の割合が30体積以上の状態で、前記熱処理工程を実施することが好ましい。また、本発明の接合方法においては、前記接合材料を構成する前記低融点金属が、Sn単体、または、Cu,Ni,Ag,Au,Sb,Zn,Bi,In,Ge,Al,Co,Mn,Fe,Cr,Mg,Mn,Pd,Si,Sr,Te,Pからなる群より選ばれる少なくとも1種と、Snとを含む合金であることが好ましい。また、前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方が、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金であることが好ましい。また、前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方が、Mnを5~30重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを5~30重量の割合で含有するCu-Ni合金であることが好ましく、特に、Mnを10~15重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを10~15重量の割合で含有するCu-Ni合金であることが好ましい。また、本発明の電子部品の製造方法は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを備えた電子装置の製造方法であって、前記第1金属部材と、前記第2金属部材とを請求項4~9のいずれかに記載の接合方法により接合する工程を備えていることを特徴としている。また、本発明の接合構造は、第1金属部材と、第2金属部材とが、接合部を介して接合された接合構造であって、前記接合部中には、Cu-M-SnMはNiおよび/またはMn金属間化合物が分散しており、前記第1金属部材および前記第2金属部材との界面の少なくとも一方には、金属間化合物層であるCu3Sn層およびCu6Sn5層のどちらもが形成されていないことを特徴としている。なお、本発明の接合構造においては、前記接合部中には、前記第1金属部材および前記第2金属部材との界面のいずれにも、金属間化合物層が形成されていないことが好ましい。また、本発明の電子装置は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とが、接合部を介して接合された電子装置であって、前記第1金属部材と前記第2金属部材の接合部が、請求項11または12記載の接合構造を有していることを特徴としている。また、本発明の電子部品は、SnまたはSnを70重量以上含む合金からなる低融点金属を含む接合材料による接合に供される電極を備えた電子部品であって、前記接合材料に接する前記電極の表面が、前記低融点金属との間に金属間化合物を生成する金属または合金であって、前記低融点金属との反応により前記電極の表面に生成する金属間化合物との格子定数差が50以上である金属または合金によって形成されていることを特徴としている。また、本発明の電子部品は、前記接合材料に接する前記電極の表面が、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金によって形成されていることが好ましい。特に、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金は、Mnを5~30重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを5~30重量の割合で含有するCu-Ni合金であることが好ましく、さらに好ましくは、Mnを10~15重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを10~15重量の割合で含有するCu-Ni合金である。本発明の接合方法は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材との間に、第1金属および/または第2金属よりも融点の低い低融点金属を含む接合材料を配置し、前記低融点金属の融点以上の温度で接合材料を加熱するようにして、この接合材料を加熱する工程で、低融点金属と第1金属および/または第2金属との反応により金属間化合物を生成させるとともに、溶融した低融点金属中で金属間化合物が剥離、分散しながら反応を繰り返すようにしている。その結果、第1金属および/または第2金属の低融点金属への相互拡散が飛躍的に進行し、より高融点の金属間化合物への変化が促進されるため、耐熱強度が大きく、かつ、十分な接合強度、耐衝撃性を備えた接合を行うことが可能になる。また、前記接合材料を加熱する工程において、低融点金属をすべて金属間化合物とすることにより、さらに耐熱強度が大きく、かつ、十分な接合強度、耐衝撃性を備えた接合を行うことが可能になる。また、本発明の電子部品の製造方法は、前記第1金属部材と、前記第2金属部材とを、請求項1または2記載の接合方法により接合する工程を備えているので、第1金属部材と、第2金属部材とが、接合材料を介して確実に接合された信頼性の高い電子部品を効率よく製造することができる。本発明の接合方法は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを、第1金属および/または第2金属よりも融点の低い低融点金属を主たる成分とする接合材料を介して接合するにあたり、接合材料を構成する低融点金属を、SnまたはSnを70重量以上含む合金とし、第1金属および第2金属の少なくとも一方を、接合材料を構成する低融点金属との間に金属間化合物を生成する金属または合金であって、第1金属および第2金属の少なくとも一方の表面に生成する金属間化合物との格子定数差が50以上である金属または合金としているので、本発明の方法で接合することにより得られる接合体を再リフローした場合にも、接合材料が再溶融することを抑制、防止して、接合強度、耐衝撃性を向上させることが可能になる。すなわち、本発明によれば、第1金属および第2金属の少なくとも一方に、低融点金属との間に金属間化合物を生成する金属または合金であって、第1金属および第2金属の少なくとも一方の表面に生成する金属間化合物との格子定数差が50以上である金属または合金を用いているので、第1金属および/または第2金属の低融点金属への相互拡散が飛躍的に進行し、より高融点の金属間化合物への変化が促進されるため、耐熱強度が大きく、かつ、十分な接合強度、耐衝撃性を備えた接合を行うことが可能になる。なお、本発明において格子定数差とは、第1金属または第2金属と、低融点金属との金属間化合物の格子定数から、第1金属または第2金属の格子定数を差し引いた値を、第1金属または第2金属の格子定数で除した数値の絶対値を100倍した数値と定義される。すなわち、この格子定数差は、第1金属および/または第2金属との界面に新たに生成する金属間化合物の格子定数が、第1金属および/または第2金属の格子定数に対してどれだけ差があるかを示すものであり、いずれの格子定数が大きいかを問わないものである。なお、格子定数差は、下記の式で表される。格子定数差={/第1金属または第2金属の格子定数}×100......また、本発明の接合方法において、第1金属部材と第2金属部材との間に接合材料を配置した状態で、接合材料を構成する低融点金属が溶融する温度で熱処理することにより、第1金属部材と第2金属部材の接合が行われるが、このような接合熱処理が行われる具体的な状態としては、例えば、1第1金属および第2金属が、互いに接合させるべき第1金属部材電極本体と第2金属部材電極本体を構成する金属材料であって、そのうちの少なくとも一方が、上記金属間化合物との格子定数差が50以上である金属材料であり、低融点金属がソルダペーストや板状はんだなどとして、第1金属部材と第2金属部材の間に供給されている状態や、2第1金属および第2金属が、互いに接合させようとしている第1金属部材電極本体と第2金属部材電極本体の表面に形成されためっき膜を構成する金属材料であって、そのうちの少なくとも一方が、上記金属間化合物との格子定数差が50以上である金属材料であり、低融点金属がソルダペーストや板状はんだなどとして、めっき膜を備えた第1金属部材と第2金属部材の表面間に供給されている状態などが挙げられる。また、本発明の接合方法において、接合材料を構成する低融点金属と、第1金属および第2金属のうちの上記格子定数差が50以上のものとの合計量に対する、後者の割合が30体積以上の状態で、熱処理工程を実施することにより、第1金属と第2金属のうち格子定数差が50以上であるものの、接合材料を構成する低融点材料への拡散が十分に進行して、より高融点の金属間化合物への変化が促進され、低融点金属成分がほとんど残留しなくなるため、さらに耐熱強度の大きい接合を行うことが可能になる。また、......後者の割合が30体積以上である状態とは、例えば、第1金属および第2金属がいずれも、上記格子定数差が50以上のものである場合、下記の式で表される状態をいう。[第1金属第2金属/{低融点金属第1金属第2金属}]×100≧30......また、本発明の接合方法においては、接合材料を構成する低融点金属が、Sn単体であるか、または、Cu,Ni,Ag,Au,Sb,Zn,Bi,In,Ge,Al,Co,Mn,Fe,Cr,Mg,Mn,Pd,Si,Sr,Te,Pからなる群より選ばれる少なくとも1種と、Snとを含む合金である場合、格子定数差が50以上である第1金属および第2金属の少なくとも一方との間で金属間化合物を形成しやすくすることが可能になる。また、第1金属および第2金属の少なくとも一方を、Cu-Mn合金またはCu-Ni合金とした場合、より低温、短時間で、低融点金属との金属間化合物を生成させることが可能になり、その後のリフロー工程でも溶融しないようにすることが可能になる。また、前記第1金属および前記第2金属の少なくとも一方を、Mnを3~30重量の割合で含有するCu-Mn合金、特に、Mnを10~15重量の割合で含有するCu-Mn合金、または、Niを5~30重量の割合で含有するCu-Ni合金、特に、Niを10~15重量の割合で含有するCu-Ni合金とすることにより、さらに確実に、低温、短時間で、低融点金属との金属間化合物を生成させることが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。また、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とを備えた電子装置を製造するにあたって、第1金属部材と第2金属部材とを、上述の接合方法請求項4~9のいずれかに記載の接合方法により接合することにより、第1金属部材と、第2金属部材とが、接合材料を介して確実に接合された信頼性の高い電子装置を効率よく製造することができる。また、本発明の接合構造は、第1金属部材と第2金属部材とを接合する接合部中に、少なくともCu-M-SnMはニッケルおよび/またはMn金属間化合物が分散しており、金属間化合物化していない未反応Sn成分の接合材料全体に対する割合が30体積以下であるため、耐熱強度に優れ、再リフローなどの工程で接合材料が再溶融して流れ出すことがなく、第1金属部材と第2金属部材との接合強度を大きくすることができる。また、接合部中において、第1金属部材および第2金属部材との界面の少なくとも一方には、層状の金属間化合物金属間化合物層が形成されない。そのため、熱応力等の応力集中に起因するクラック等が発生しにくく、熱衝撃に対する第1金属部材と第2金属部材との接合強度を大きく、信頼性の高い接合構造を提供することができる。なお、接合部中において、第1金属部材および第2金属部材との界面のいずれにも、金属間化合物層であるCu3Sn層およびCu6Sn5層のどちらもが形成されていない構造とすることにより、さらに信頼性の高い接合構造を提供することができる。また、本発明の電子装置は、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材と、少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材とが、接合部を介して接合された電子装置であって、第1金属部材と第2金属部材の接合部が、請求項11または12記載の接合構造を備えるようにしているので、第1金属部材と第2金属部材の接合部が、高い耐熱強度、十分な接合強度および耐衝撃性を備えた電子部品を提供することができる。また、本発明の電子部品は、SnまたはSnを70重量以上含む合金からなる低融点金属を含む接合材料による接合に供される電極を備えた電子部品であって、接合材料に接する電極の表面が、低融点金属との間に金属間化合物を生成する金属または合金であって、前記低融点金属との反応により電極の表面に生成する金属間化合物との格子定数差が50以上である金属または合金によって形成されているので、本発明の接合方法に供するのに適した電子部品を提供することができる。以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この実施例では、図1~に示すように、第1金属からなる第1金属部材11aと、第2金属からなる第2金属部材11bとを、第1金属および第2金属よりも融点の低い低融点金属を主たる成分とする接合材料10を用いて接合した。この実施例においては、接合材料を構成する低融点金属として、表1A,表1Bに示すように、Sn-3Ag-0.5Cu,Sn,Sn-3.5Ag,Sn-0.75Cu,Sn-0.7Cu-0.05Ni,Sn-5Sb,Sn-2Ag-0.5Cu-2Bi,Sn-57Bi-1Ag,Sn-3.5Ag-0.5Bi-8In,Sn-9Zn,Sn-8Zn-3Bi,Sn-10Bi,Sn-20Bi,Sn-30Bi,Sn-40Biを使用した。なお、上記の接合材料を構成する低融点金属の表記において、例えば、Sn-3Ag-0.5Cuは、低融点金属材料が、Agを3重量、Cuを0.5重量含有し、残部をSnとする合金であることを示している。よって、上記の低融点材料のうち、Sn-40BiはSnまたはSnを70重量以上含む合金という本発明の要件を満たさない比較例のものである。また、第1金属部材および第2金属部材としては、表1A、表1Bに示すように、Cu-10Ni,Cu-10Mn,Cu-12Mn-4Ni,Cu-10Mn-1P,Cu,Cu-10Znからなるものを用いた。また、表1Bの試料番号16,17では、第1金属材料と第2金属材料において互いに異なる材料を用いている。すなわち、試料番号16では、第1金属材料上側金属材料にCu-10Ni、第2金属部材下側金属部材にCu-10Mnを用い、試料番号17では、第1金属部材上側金属部材にCu,第2金属部材下側金属部材にCu-10Mnを用いた。なお、この実施例では、上述のような第1金属部材と第2金属部材を、低融点金属を主たる成分とする接合材料により接合するにあたって、板状に成形された接合材料を、第1金属部材と第2金属部材の間に配置し、荷重をかけながら、250°C、30分の条件でリフローすることにより、第1金属部材と第2金属部材とを接合した。ここで、図1~を参照しつつ、この実施例における接合方法を説明すると以下のようになる。まず、図1に示すように、第1金属部材11a、第2金属部材11bの間に板状に成形された接合材料10を位置させる。次に、この状態で、荷重をかけながら、250°C、15分の条件でリフローし、図1に示すように、接合材料10を構成する低融点金属SnまたはSn合金を溶融させる。そして、さらに所定時間15分間、加熱を続けるすなわち、250°C、30分の条件でリフローすることにより、接合材料10を構成する低融点金属を溶融させるとともに、低融点金属と、第1金属部材11a、第2金属部材11bを構成する第1金属および/または第2金属とを反応させて金属間化合物12図1を生成させる。これにより、リフロー後に凝固した、金属間化合物を含む接合材料により、第1金属部材と第2金属部材とが接合された接合体が得られる。なお、本発明の接合方法によれば、接合材料中に、Cu-M-SnMはニッケルおよび/またはMn金属間化合物が分散して存在することが確認されている。特性の評価上述のようにして得た接合体を試料として、以下の方法で特性を測定し、評価した。≪接合強度≫接合強度については、得られた接合体のシアー強度を、ボンディングテスタを用いて測定し、評価した。シアー強度の測定は、横押し速度:0.1mms1、室温および260°Cの条件下で行った。そして、シアー強度が20Nmm2以上のものを◎優、2Nmm2以下のものを×不可と評価した。表1A、表1Bに、各試料について調べた接合強度室温、260°Cと評価結果を併せて示す。≪残留成分評価≫リフロー後に凝固した、金属間化合物を含む接合材料反応生成物を約7mg切り取り、測定温度30°C~300°C、昇温速度5°C/min、N2雰囲気、リファレンスAl2O3の条件で示差走査熱量測定DSC測定を行った。得られたDSCチャートの低融点金属成分の溶融温度における溶融吸熱ピークの吸熱量から、残留した低融点金属成分量を定量化し、残留低融点金属含有率体積を求めた。そして、残留低融点金属含有率が0~3体積の場合を◎優、3体積を超え、30体積以下の場合を○良、30体積より大きい場合を×不可と評価した。表1A、表1Bに、残留低融点金属含有率と評価結果を併せて示す。≪流れ出し不良率≫得られた接合体をエポキシ樹脂で封止して相対湿度85の環境に放置し、ピーク温度260°Cのリフロー条件で加熱して、接合材料が再溶融して流れ出す、流れ出し不良の発生割合を調べた。そして、その結果から流れ出し不良発生率を求め、評価した。接合材料の流れ出し不良率が0~10の場合を◎優、10を超え、50以下の場合は○良、50より大きい場合を×不可と評価した。表1A、表1Bに、流れ出し不良発生率と評価結果を併せて示す。≪熱衝撃試験後のクラック有無,接合強度≫得られた接合体試料を、-40°C/85°Cのそれぞれの温度条件で各30分間保持するサイクルを1000回行った後の各試料について、クラック発生状態を観察した。そして、クラック発生の有無を評価した。また、熱衝撃試験後の各試料について、接合強度を、上記と同様に評価した。そして、シアー強度が20Nmm2以上のものを◎優、10Nmm2以上、20Nmm2より小さいものを○良、10Nmm2より小さいものを×不可と評価した。表1A,表1Bに、熱衝撃試験後のクラック有無,接合強度を併せて示す。なお、クラックの発生については、それ自体が問題というわけではなく、接合強度を低下させる要因となるために評価している。また、表1A,表1Bには、接合材料を構成する低融点金属の種類組成、第1金属部材と第2金属部材を構成する金属第1金属および第2金属の組成表1A、表1Bの試料番号1~15では第1金属および第2金属は同一金属、試料番号16,17では異種金属とその格子定数、接合材料を構成する低融点金属と、第1および/または第2金属の反応により生成する金属間化合物の種類とその格子定数この実施例において、格子定数はa軸を基に評価している、金属間化合物の格子定数と、第1および/または第2金属の格子定数の差である格子定数差、接合部中における、格子定数差が50以上の金属からなる第1金属部材および/または第2金属部材と、リフロー後に凝固して、第1金属部材と第2金属部材を接合している接合部金属間化合物を含む接合材料の界面に形成されるCu3SnおよびCu6Sn5の層状の金属間化合物の有無を併せて示す。表1A、表1Bに示すように、室温における接合強度については、試料番号1~17の本発明の要件を備えた実施例の試料と、試料番号18~20の本発明の要件を備えていない比較例の試料ともに、20Nmm2以上の接合強度を示し、実用強度を備えていることが確認された。一方、260°Cにおける接合強度についてみると、試料番号18~20の比較例の試料では2Nmm2以下と接合強度が不十分であったのに対して、試料番号1~17の実施例の試料では10Nmm2以上を保持しており、実用強度を備えていることが確認された。また、残留低融点金属含有率残留成分評価については、試料番号18~20の比較例の試料の場合には、残留低融点金属含有率が30体積より大きかったのに対して、試料番号1~17の実施例の試料の場合、いずれも残留低融点金属含有率が30体積以下にすることができ、特に低融点金属としてSnまたはSnを85重量以上含む合金を用いた試料番号1~9,11~17の実施例の試料の場合、いずれも残留低融点金属含有率が0体積であることが確認された。また、接合材料の流れ出し不良率については、試料番号18~20の比較例の試料の場合、流れ出し不良率が70以上であったのに対して、試料番号1~17の実施例の試料では、流れ出し不良率がいずれも20以下であり、特に低融点金属としてSnまたはSnを85重量以上含む合金を用いた試料番号1~9,11~17の実施例の試料の場合、いずれも流れ出し不良率が0と高い耐熱性を有していることが確認された。また、試料番号1~17の実施例の試料においては、低融点金属の種類に関係なく同様の高耐熱性を備えていることが確認された。また、本発明の要件を満たす試料番号1~17の実施例の試料には、試料番号1~16の試料のように、第1金属部材および第2金属部材を構成する金属が互いに同一金属であって、Cu-Mnをベースとする金属Cu-12Mn-4NiやCu-10Mn-1Pなどである試料、試料番号16のように、第1金属部材と第2金属部材が異なる金属からなり、そのいずれものが上述の格子定数差が50以上のものである試料、試料番号17のように、第1金属部材と第2金属部材が異なる金属からなり、その一方が、上述の格子定数差が50未満である試料が含まれているが、それらのいずれの場合にも、同様に高耐熱性を備えていることが確認された。また、熱衝撃試験後における試料観察において、試料番号18~20の比較例の試料では、1000サイクル試験終了後にクラックの発生が認められた。なお、クラックは、主として、接合材料と第1および/または第2金属部材との界面に形成されているCu3Sn層やCu6Sn5層金属間化合物層の内部、金属間化合物層と第1および/または第2金属部材との界面、金属間化合物層と接合材料の界面に発生していた。これに対し、試料番号1~9,11~16の実施例の試料では、上述のようなクラックの発生は認められなかった。一方、試料番号10の実施例の試料では、低融点金属のSn量が70重量であるため、最初に生成する金属間化合物はCu2MnSnであったものの、その拡散速度が遅い。そのため、接合材料と第1および/または第2金属部材との界面には、層状ではないものの、Cu6Sn5やCu3Snといった金属間化合物が界面の一部に偏析していた。その結果、熱衝撃後には界面に微小なクラックが発生し、接合強度がやや低下した。また、試料番号18の実施例の試料では、第1金属としてCuを用いたため、接合材料と第1金属との界面に層状の金属間化合物が形成された。その結果、接合材料と第1金属との界面にのみクラックが発生し、接合強度がやや低下した。その結果、耐熱衝撃性については、格子定数差などに関する本発明の要件を満たさない試料番号18~20の比較例の試料では、熱衝撃試験後の接合強度がそれぞれ5Nmm2試料番号18、7Nmm2試料番号19、8Nmm2試料番号20と低かったが、本発明の要件を満たす試料番号1~17の各試料においては、熱衝撃試験後の接合強度が比較例の場合に比べて、大幅に向上することが確認された。詳しくは、試料番号1~9,11~16の各試料においては、熱衝撃試験後の接合強度が20Nmm2以上であること、試料番号10の試料低融点金属のSn量が70重量である試料では、熱衝撃後の接合強度が17Nmm2、試料番号17の試料第1金属部材上側金属部材がCu,第2金属部材下側金属部材がCu-10Mnである試料では、熱衝撃試験後の接合強度が15Nmm2と試料番号1~9,11~16の試料によりは低かったが、十分に実用可能なレベルであることが確認された。なお、試料番号17の試料の場合、第1金属部材を構成するCuは、上側の金属間化合物との格子定数差が50未満であるが、下側の第2金属部材を構成するCu-10Mnは、金属間化合物との格子定数差が50を超える金属であることから、接合材料中の低融点金属であるSnまたはSn合金との反応が速いため、Cu-10Mn側第2金属側の金属間化合物生成が支配的になり、Cu側第1金属側の接合界面にCu3SnやCu6Sn5の層状の金属間化合物が生成したとしても非常に薄く、衝撃試験後の接合強度に与える影響が少なかったことによるものと考えられる。なお、接合部には、金属間化合物との格子定数差が50を超える金属Cu-10Mnからなる第2金属部材との界面には、Cu3SnやCu6Sn5の層状の金属間化合物が形成されないことが確認されている。また、試料番号1~17の本発明の要件を備えた実施例の試料の場合、接合部に低融点金属SnまたはSn合金が残留しないため、リフロー後に得られる接合体について、さらに熱衝撃試験を行っても金属間化合物層が成長せず、クラックの発生がなく接合強度が維持されたものと考えられる。このように、本発明の要件を満たす試料番号1~17の試料が高耐熱性を備えているのは、第1金属部材および第2金属部材を構成する第1金属および第2金属の少なくとも一方に、接合材料を構成する低融点金属との間に形成される金属間化合物Cu2MnSnおよびCu2NiSnとの格子定数差が50以上であるCu-MnおよびCu-Ni系合金を用いていることによるものであると考えられる。すなわち、生成した金属間化合物と、第1金属部材を構成する第1金属および/または第2金属部材を構成する第2金属の間の格子定数差が大きいと,溶融した低融点金属中で金属間化合物が剥離、分散しながら反応を繰り返すため金属間化合物の生成速度が飛躍的に進行するとともに、界面に層状の金属間化合物が形成されないことによるものと考えられる。Snを低融点金属とする接合材料を用い、それぞれCu-10Mnからなる第1金属部材および第2金属部材を接合した表2の試料番号21~27の試料。同じく、Snを低融点金属とする接合材料を用い、それぞれCu-10Niからなる第1金属部材および第2金属部材を接合した表2の試料番号28~30の試料。なお、第1金属部材および第2金属部材の厚さは0.1mmとした。また、接合材料としては、表2に示すように、厚さを0.266mmから1.327mmまで変化させた板状の接合材料を用いた。その他は上記実施例1の場合と同様の条件で第1金属部材および第2金属部材の接合を行った。それから、得られた接合体について、上記実施例1の場合と同様にして、特性の測定および評価を行った。具体的には、接合強度の測定、残留成分評価、流れ出し評価、熱衝撃試験後のクラック有無および接合強度の測定などを行った。なお、この実施例2では、接合強度の評価にあたって、シアー強度が20Nmm2以上のものを◎優、2Nmm2以上で20Nmm2未満のものを○良、2Nmm2以下のものを×不可と評価した。また、残留第1金属成分率については、0~3体積の場合を◎優、3体積を超え、30体積以下の場合を○良、30体積より大きい場合を×不可と評価した。また、接合材料の流れ出し不良率については、0~10の場合を◎優、10を超え、50以下の場合は○良、50より大きい場合を×不可と評価した。また、熱衝撃試験後のクラック発生有無については、クラックの発生の有無を評価した。表2に、各接合体の接合強度室温、260°C、残留低融点金属含有率、流れ出し不良率、熱衝撃試験後のクラック発生の有無および接合強度を表2に示す。なお、表2において、第1および第2金属の欄の[割合は、第1金属部材Cu-10Mnと第2金属部材Cu-10Mnの厚みの合計試料番号21の場合、0.1mm×2=0.2mmと、接合材料Snの厚み試料番号21の場合、0.266mmを合わせた値0.466mmに対する、第1金属部材Cu-10Mnと第2金属部材Cu-10Mnの厚みの合計0.2mmの割合を示している。表2に示すように、室温における接合強度については、試料番号21~30のいずれの試料も20Nmm2以上を示し、十分な接合強度を備えていることが確認された。また、260°Cにおける接合強度についても、試料番号21~30の各試料は7~26Nmm2と、2Nmm2以上の接合強度を有しており、実用可能な接合が行われていることが確認された。特に、第1および第2金属がCu-10Mnである場合、その割合が30体積以上である試料番号21~23,28,29の試料では、23Nmm2以上の接合強度を示し、高い耐熱強度を備えていることが確認された。また、残留低融点金属含有率については、試料番号21~30の各試料とも、30体積以下であり、特にCu-10Mnの割合が30体積以上である試料番号21~23,Cu-10Niの割合が30体積以上である試料番号28,29の試料の場合、残留低融点金属含有率が0体積になることが確認された。また、接合材料の流れ出し不良率についても、試料番号21~30の各試料とも50以下であり、特にCu-10Mnの割合が30体積以上である試料番号21~23,Cu-10Niの割合が30体積以上である試料番号28,29の試料の場合、流れ出し不良率が0となり、高い耐熱性が得られることが確認された。表3の試料番号31~35に示すような金属Cu-Mn系合金からなる第1金属部材と第2金属部材とを、Snを低融点金属とする接合材料を用いて接合した。また、表3の試料番号36~39に示すような金属Cu-Ni系合金からなる第1金属部材と第2金属部材とを、Snを低融点金属とする接合材料を用いて接合した。なお、第1金属部材および第2金属部材の厚さは0.3mmとした。また、接合材料としては、厚さを0.1mmの板状の接合材料を用いた。その他は上記実施例1の場合と同様の条件で第1金属部材および第2金属部材の接合を行った。それから、得られた接合体について、上記実施例1の場合と同様にして、特性測定および評価を行った。具体的には、接合強度の測定、残留成分評価、流れ出し評価、熱衝撃試験後のクラック有無および接合強度の測定などを行った。なお、接合強度の評価および、残留低融点金属含有率の評価、流れ出し不良率の評価にあたっては、実施例2の場合と同様の基準で評価した。表3に、各接合体の接合強度室温、260°C、残留低融点金属含有率、流れ出し不良率、熱衝撃試験後のクラック発生の有無および接合強度を示す。表3に示すように、室温における接合強度については、試料番号31~39のいずれの試料も20Nmm2以上を示し、十分な接合強度を備えていることが確認された。また、260°Cにおける接合強度についても、試料番号31~39の各試料は5~26Nmm2と、2Nmm2以上の実用可能な接合強度を有していることが確認された。特に、試料番号第32,33の試料のように、第1金属と第2金属がCu-10Mnである場合と、Cu-15Mnである場合、試料番号第37,38の試料のように、第1金属および第2金属がCu-10Niである場合と、Cu-15Niである場合には、24Nmm2以上の接合強度を示し、高い耐熱強度を備えていることが確認された。また、残留低融点金属含有率については、試料番号31~39の各試料とも、30体積以下であり、さらに試料番号第32,33の試料のように、第1金属と第2金属がCu-10Mnである場合と、Cu-15Mnである場合、試料番号第37,38の試料のように、第1金属および第2金属がCu-10Niである場合と、Cu-15Niである場合には、残留低融点金属含有率が0体積になることが確認された。また、接合材料の流れ出し不良率についても、試料番号31~39の各試料はいずれも35体積以下であり、さらに試料番号第32,33の試料のように、第1金属と第2金属がCu-10Mnである場合と、Cu-15Mnである場合、試料番号第37,38の試料のように、第1金属および第2金属がCu-10Niである場合と、Cu-15Niである場合には、流れ出し不良率が0となり、高い耐熱性が得られることが確認された。上記の実施例1~3では、低融点金属を含む接合材料として、板状の接合材料を用いたが、この実施例4では、フラックスと低融点金属Sn-3Ag-0.5Cu粉末を配合したソルダペーストを用い、Cuからなる第1金属部材と、Cu-10Mnからなる第2金属部材を接合した。接合するにあたっては、Cuからなる第1金属部材上に、上述のソルダペーストを印刷し、その上にCu-10Mnからなる第2金属部材を重ね合わせた後、250°C、30分の条件でリフローすることにより、第1金属部材と第2金属部材とを接合した。それから、得られた接合体について、上記実施例1の場合と同様にして、特性測定および評価を行った。具体的には、接合強度の測定、残留成分評価、流れ出し評価、熱衝撃試験後のクラック有無および接合強度の測定を行い、特性を評価した。その結果、上記実施例1~3の本発明の要件を備えた各試料の場合と同等の特性を備えた接合体が得られることが確認された。なお、上記の各実施例では、第1金属部材の全体が第1金属から構成されており、第2金属部材の全体が第2金属から形成されている場合を例にとって説明したが、第1金属および第2金属が、互いに接合させるべき第1金属部材電極本体と第2金属部材電極本体の表面に形成されためっき膜を構成する金属材料であって、そのうちの少なくとも一方が、金属間化合物との格子定数差が50以上である金属材料であるような構成とすることも可能である。この実施例5では、フラックスと低融点金属Sn-3Ag-0.5Cu粉末を配合したソルダペーストを用い、ガラスエポキシ基板上のCuからなるランド電極本発明における第1金属部材と、チップコンデンサ電子部品および弾性表面波フィルタSAWフィルタ電子部品のCu-10Mnからなる外部電極本発明における第2金属部材を接合することにより、ガラスエポキシ基板上に、チップコンデンサと弾性表面波フィルタが搭載された構造を有する電子装置を製造した。すなわち、この電子装置は、上記第1金属部材と、上記第2金属部材とが、本発明の要件を備えた接合材料を介して接合された構造を有する電子装置である。上記ランド電極第1金属部材に上記外部電極第2金属部材を接合するにあたっては、ガラスエポキシ基板のCuからなる第1金属部材上に、上述のソルダペーストを印刷し、その上にチップコンデンサおよびSAWフィルタのCu-10Mnからなる外部電極第2金属部材を重ね合わせた後、250°C、30分の条件でリフローすることにより、第1金属部材と第2金属部材とを接合した。なお、第1金属部材の厚さは0.05mm、第2金属部材の厚さは0.05mmとした。また、ソルダペーストは、厚さ0.05mmのメタルマスクを用いて上記ランド電極上に印刷した。得られた接合体について、上記実施例1の場合と同様にして、特性測定および評価を行った。具体的には、接合強度の測定、残留成分評価、流れ出し評価、熱衝撃試験後のクラック有無および接合強度の測定を行い、特性を評価した。なお、接合強度の評価および、残留低融点金属含有率の評価、流れ出し不良率の評価にあたっては、上記実施例2の場合と同様の基準で評価した。表4に、各接合体の接合強度室温、260°C、残留低融点金属含有率、流れ出し不良率、熱衝撃試験後のクラック発生の有無および接合強度を示す。表4に示すように、この実施例5においても、上記実施例1~4の本発明の要件を備えた各試料の場合と同等の特性を備えた接合体が得られることが確認された。なお、第1金属および第2金属が、互いに接合させるべき第1金属部材電極本体と第2金属部材電極本体の表面に形成されためっき膜を構成する金属材料であって、そのうちの少なくとも一方が、金属間化合物との格子定数差が50以上である金属材料であるような構成とすることも可能である。本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、接合材料を構成する低融点金属の種類や組成、少なくとも表面が第1金属からなる第1金属部材および少なくとも表面が第2金属からなる第2金属部材を構成する材料の種類や組成などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。また、本発明を適用して接合すべき接合対象物の種類や、接合工程における条件などに関しても、種々の応用、変形を加えることが可能である。本発明はさらにその他の点においても、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。"