"複数の誘電体層と、該誘電体層間に埋設されたCuを主成分とする内部電極と、該内部電極の一端に電気的に接続された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層が、CaZrO3系化合物からなる主成分と、Mn、B、SiおよびLiを含む副成分を含有し、前記誘電体層には、前記主成分からなる主相、Caと前記副成分の少なくとも一つを含む偏析相、及び少なくともCaとZrとを含有する2次相とが形成されており、該2次相におけるZrに対するCaの比が前記主相におけるZrに対するCaの比よりも小さく、かつ、前記内部電極に挟まれた前記誘電体層の断面における前記2次相は、その直径が100nm以上のものをカウントした場合、10μm平方あたりに換算して、平均して30個以下であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。前記誘電体層において、前記CaZrO3系化合物からなる主成分をCaxZrO3とし、前記誘電体層の組成をCaxZrO3aMnbLicBdSia~dはCaxZrO3100molに対するmol数で表した場合において、CaxZrO3但し、1.00<x≦1.15100molに対して、0.5≦a≦5.0molを含有し、かつxを縦軸とし、bcdを横軸とした際に、xとbcdの関係が、下記のA-B-C-Dで囲まれる四角形の領域内線上を含むに入ることを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。A:x,bcd=1.00,6B:x,bcd=1.06,15C:x,bcd=1.1615D:x,bcd=1.01,6前記誘電体層にMgが不純物として含まれる場合において、Mgの含有量がモル比でSi含有量の1/2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層セラミックコンデンサ。前記誘電体層に不純物として含有したMgの少なくとも一部はSiと共に前記偏析相の一部に局在していることを特徴とする請求項3に記載の積層セラミックコンデンサ。CaZrO3系化合物からなる主成分原料に、副成分原料として少なくともMn、B、SiおよびLiを、酸化物やガラス或いはその他の化合物などの形態で含むセラミックス原料を準備する工程と、該セラミックス原料を用いてセラミックグリーンシートを形成するシート形成工程と、該セラミックグリーンシートにCuを主成分とする内部電極パターンを印刷する印刷工程と、該印刷工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程と、該積層体を内部電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る裁断工程と、該裁断工程で得られたチップ状の積層体を1080°C以下の温度で還元性雰囲気にて焼成することで焼結体を得る焼成工程と、該焼結体の両端部に該内部電極と電気的に接続するように外部電極用導電性ペーストを塗布して焼付け処理を施す外部電極形成工程をこの順に備え、前記の原料を準備する工程において、セラミックス原料にCaCO3を含まないようにすることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。CaZrO3系化合物からなる主成分原料に、副成分原料として少なくともMn、B、SiおよびLiを、酸化物やガラス、その他の化合物などの形態で含むセラミックス原料を準備する工程と、該セラミックス原料を用いてセラミックグリーンシートを形成するシート形成工程と、該セラミックグリーンシートにCuを主成分とする内部電極パターンを印刷する印刷工程と、該印刷工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程と、該積層体を内部電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る裁断工程と、該裁断工程で得られたチップ状の積層体の両端部に該内部電極と電気的に接続するように外部電極用導電性ペーストを塗布する外部電極形成工程と、該外部電極形成工程で得られたチップ状の積層体を1080°C以下の温度で還元性雰囲気にて焼成する焼成工程をこの順に備え、前記の原料を準備する工程において、セラミックス原料にCaCO3を含まないようにすることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。上記の特許文献5に記載された発明は、CaxZrO3aMnbLicBdSiで表され、CaxZrO3但し、1.00≦x≦1.10100molに対して、0.5≦a≦4.0mol、6.0≦bcd≦15.0molを含有し、0.15≦b/cd≦0.55、0.20≦d/c≦3.30であることを特徴とする誘電体磁器組成物を用いることにより、内部電極としてCuを主成分とする金属を用いた積層セラミックコンデンサの寿命特性を向上させるものである。しかしながら、本発明者等が鋭意研究を続けた結果、該誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサにおいて、寿命特性を更に改善する余地があることが判明した。すなわち、本発明の目的は、上記のCaZrO3を主成分とする誘電体磁器を用い、1000°C以下で焼成させた場合の寿命特性を更に改善することで、比誘電率及び容量の温度係数が低く、寿命特性に優れた、内部電極としてCuを用いた積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。本発明者等は、CaZrO3系化合物を主成分とし、Cuを内部電極として用いた積層セラミックコンデンサにおいて、Cu内部電極の融点である1080°C以下、さらに望ましくは、1030°C以下の低温で焼成させた場合の更なる寿命の改善について検討し、前記誘電体組成の副成分として、SiやBやLiなどを添加した系において、主成分であるCaZrO3系化合物から焼成過程において、Caアルカリ土類金属が、副成分として添加したSiやB、Liによって形成されると考えられる液相に溶出する為に、Zrが過剰な状態で存在する2次相が生成し、そのことが寿命特性の劣化に寄与することが判明した。特にMn添加量が5.0mol以下の少量である場合、特許文献4に示されている様なMn-Cu-Oの偏析物の存在よりも、Zrが過剰な状態で存在する2次相の存在が寿命劣化により大きな影響を与える。すなわち、本発明においては、前記2次相前記主成分よりもZr含有量の多い2次相の存在量を抑制することにより、比誘電率及び容量の温度係数を低く維持したまま、寿命特性を向上させることができることを見出した。また、前記誘電体層にMgが含まれていると寿命特性を大きく低下させることから、Mgが含まれていないことが望ましく、MgOに換算した場合において、その不純物として含有が許容される量は、モル比でSi含有量の1/2以下であることを見いだした。不純物として含有されるMgの量がモル比でSi含有量の1/2以下であればMgはSiと偏析相に局在する事で、誘電体層内で安定に存在し、寿命を劣化させない。本発明は、これらの知見に基づいて完成に至ったものであり、以下のとおりのものである。[1]複数の誘電体層と、該誘電体層間に埋設されたCuを主成分とする内部電極と、該内部電極の一端に電気的に接続された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層が、CaZrO3系化合物からなる主成分と、Mn、B、SiおよびLiを含む副成分を含有し、前記誘電体層には、前記主成分からなる主相、Caと前記副成分の少なくとも一つを含む偏析相、及び少なくともCaとZrとを含有する2次相とが形成されており、該2次相におけるZrに対するCaの比が前記主相におけるZrに対するCaの比よりも小さく、かつ、前記内部電極に挟まれた前記誘電体層の断面における前記2次相は、その直径が100nm以上のものをカウントした場合、10μm平方あたりに換算して、平均して30個以下であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。[2]前記誘電体層において、前記CaZrO3系化合物からなる主成分をCaxZrO3とし、前記誘電体層の組成をCaxZrO3aMnbLicBdSia~dはCaxZrO3100molに対するmol数で表した場合において、CaxZrO3但し、1.00<x≦1.15100molに対して、0.5≦a≦5.0molを含有し、かつxを縦軸とし、bcdを横軸とした際に、xとbcdの関係が、下記のA-B-C-Dで囲まれる四角形の領域内線上を含むに入ることを特徴とする上記[1]の積層セラミックコンデンサ。A:x,bcd=1.00,6B:x,bcd=1.06,15C:x,bcd=1.1615D:x,bcd=1.01,6[3]前記誘電体層にMgが不純物として含まれる場合において、Mgの含有量がモル比でSi含有量の1/2以下であることを特徴とする上記[1]又は[2]の積層セラミックコンデンサ。[4]前記誘電体層に不純物として含有したMgの少なくとも一部はSiと共に前記偏析相の一部に局在していることを特徴とする上記[3]の積層セラミックコンデンサ。[5]CaZrO3系化合物からなる主成分原料に、副成分原料として少なくともMn、B、SiおよびLiを、酸化物やガラス或いはその他の化合物などの形態で含むセラミックス原料を準備する工程と、該セラミックス原料を用いてセラミックグリーンシートを形成するシート形成工程と、該セラミックグリーンシートにCuを主成分とする内部電極パターンを印刷する印刷工程と、該印刷工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程と、該積層体を内部電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る裁断工程と、該裁断工程で得られたチップ状の積層体を1080°C以下の温度で還元性雰囲気にて焼成することで焼結体を得る焼成工程と、該焼結体の両端部に該内部電極と電気的に接続するように外部電極用導電性ペーストを塗布して焼付け処理を施す外部電極形成工程をこの順に備え、前記の原料を準備する工程において、セラミックス原料にCaCO3を含まないようにすることを特徴とする上記[1]~[4]のいずれかの積層セラミックコンデンサの製造方法。[6]CaZrO3系化合物からなる主成分原料に、副成分原料として少なくともMn、B、SiおよびLiを、酸化物やガラス、その他の化合物などの形態で含むセラミックス原料を準備する工程と、該セラミックス原料を用いてセラミックグリーンシートを形成するシート形成工程と、該セラミックグリーンシートにCuを主成分とする内部電極パターンを印刷する印刷工程と、該印刷工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程と、該積層体を内部電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る裁断工程と、該裁断工程で得られたチップ状の積層体の両端部に該内部電極と電気的に接続するように外部電極用導電性ペーストを塗布する外部電極形成工程と、該外部電極形成工程で得られたチップ状の積層体を1080°C以下の温度で還元性雰囲気にて焼成する焼成工程をこの順に備え、前記の原料を準備する工程において、セラミックス原料にCaCO3を含まないようにすることを特徴とする上記[1]~[4]のいずれかの積層セラミックコンデンサの製造方法。本発明によれば、内部電極としてCuを用いた積層セラミックコンデンサにおいて、1080°C以下で焼成させた場合においても、比誘電率及び容量の温度係数が低く、耐電圧性および寿命特性に優れた内部電極としてCuを用いた積層セラミックコンデンサを作ることが可能となる。また、本発明の製造方法によれば、セラミックス原料中に、CaCO3を含まないようにすることにより、10μm平方あたりの2次相の個数が30個を上回わらないようにでき、所望の加速寿命を得ることができる。さらに、本発明において、誘電体層の組成をCaxZrO3aMnbLicBdSiで表した場合において、CaxZrO3但し、1.00<x≦1.15100molに対して、0.5≦a≦5.0molを含有し、かつxとbcdの関係を特英することにより、Zr含有量の多い2次相の生成が抑制される。さらにまた、本発明の誘電体層に不純物として含まれるMgの含有量が、モル比でSi含有量の1/2以下であれば、Mgの少なくとも一部はSiと共に前記偏析相の一部に局在することで、寿命特性の低下を抑制することができる。図1は、本発明の一実施形態を模式的に示す図である。図1に示すように、本発明の積層セラミックコンデンサ1は、セラミックスの焼結体からなる誘電体層2とCuを主成分とした内部電極層3とが交互に積層された構成を有すると共に、該積層セラミックコンデンサ1の両端部には、該誘電体層2の内部で交互に配置された該内部電極層3と各々電気的に接続されている一対の外部電極4が形成されている。該積層セラミックコンデンサ1の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。本発明の積層セラミックコンデンサ1は、前記誘電体層2が、CaZrO3系化合物からなる主成分と、Mn、B、SiおよびLiを含む副成分を含有し、該誘電体層には、主に主成分によって形成されている主成分相7、Ca、Mn、B、SiおよびLiの少なくとも一つを含む偏析相8が形成されていると共に、前記偏析相とは別に、前記主成分相よりもZr含有量の多い2次相9が形成されており、前記内部電極層3に挟まれた前記誘電体層2の断面における前記2次相9は、その直径が100nm以上の物をカウントした場合、10μm平方あたりに換算して、平均して30個以下であることを特徴とするものである。本発明において、前記2次相の量が、10μm平方あたりに換算して、平均して30個を上回った場合、高温負荷試験における該積層セラミックコンデンサの寿命が大幅に低下する傾向にある。本発明では、後述する実施例で例証されるように、誘電体層2の組成を、CaxZrO3aMnbLicBdSiで表した場合において、CaxZrO3但し、1.00<x≦1.15100molに対して、0.5≦a≦5.0mol含有し、かつ、xとbcdの関係が、下記の表1、及び該表を図にした図2の四角形の範囲線上を含むに入る場合において、本発明の作用効果を得ることができるものである。言い換えると、図2において、x=1.00、bcd=6である点をA、x=1.06、bcd=15である点をB、x=1.16、bcd=15である点をC、x=1.01、bcd=6である点をDとした時、xとbcdの関係が、上記A-B-C-Dで囲まれる四角形の領域内線上を含むに入る場合に、本発明の作用効果を得ることができるものである。以下、この範囲について詳述する。x<1の場合、該誘電体層2に含まれる前記2次相の存在量が増加するために、高温負荷試験における該積層セラミックコンデンサの寿命が大幅に低下する傾向にあることから、x>1.00の範囲が望ましい。また、x>1.15になると、1080°C以下の低温焼成において、焼結性が低下するために、Cu内部電極との同時焼成が難しくなることから、x≦1.15の範囲が望ましい。Mnは、前記誘電体層に耐還元性を付与する為に副成分として添加するものであるが、a<0.5になると十分な効果を得難い傾向にある為、a≧0.5が望ましい。また、図2=表1に示す範囲においては、a>5になると過剰なMnの存在が逆に寿命を低下する傾向にある為、a≦5が望ましい。Li、B、Siは、CaZrO3系化合物を1080°C以下の低温で焼結させるために添加しており、bcd<6.0になると1080°C以下の焼成温度において、誘電体層を十分に緻密化することが難しくなるため、bcd≧6.0が望ましい。また、bcd>15.0になると前記2次相の存在状態が不均一になり、高温負荷試験における該積層セラミックコンデンサの寿命が低下する傾向にあるため、bcd≦15.0以下が望ましい。更に、xとbcdの関係が、図2=表1の範囲線上を含むを外れ、xが、図2=表1の範囲を上回った場合、焼結性が低下する為に1080°C以下の焼成温度において、誘電体層を十分に緻密化する事が難しくなる。また、xが、図2=表1の範囲を下回った場合、該誘電体層2に含まれる前記2次相9の存在量が増加するために、高温負荷試験における該積層セラミックコンデンサの寿命が大幅に低下する。以上のことから、xとbcdの関係が図2=表1の範囲線上を含むに入ることが望ましい。更に、前記誘電体層にMg化合物が不純物として含まれると、寿命特性の悪化を招くことから、Mgは含まれないことが望ましいが、Mgは、粉砕工程に使われる部材等に含まれていることがあり、不純物として含有しやすい。本発明においては、前記誘電体層に不純物として含まれるMgの含有量がモル比でSi含有量の1/2以上になると顕著な寿命特性の低下が見られることから、不純物として含まれるMgの含有量は、モル比でSi含有量の1/2以下であることが望ましい。モル比でSi含有量の1/2以下であれば、MgはSiと偏析相に共存することで、寿命特性の悪化が抑制される。本発明においては、以上のように誘電体層を設計することにより、静電容量の温度変化率がJIS規格のCG特性を満足し、またQ値は10000以上を確保した状態のまま、寿命特性を従来よりも向上させる事が可能である。その結果、比誘電率及び容量の温度係数を低く維持したまま、耐電圧性および寿命特性を向上させた信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができ、特に温度補償用に適したものとなる。なお、本発明の目的を妨げない限り、他の元素が含有されていても構わない。また、該誘電体層の主成分を構成するCaZrO3系化合物には、不可避的にHfが不純物として含まれる。次に、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法について記載する。本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、1CaZrO3系化合物からなる主成分原料に、副成分原料として少なくともMn、B、SiおよびLiを、酸化物やガラス、その他の化合物などの形態で含むセラミックス原料を準備する原料工程と、2該セラミックス原料を用いてセラミックグリーンシートを形成するシート形成工程と、3該セラミックグリーンシートにCuを主成分とする内部電極パターンを印刷する印刷工程と、4該印刷工程を経たセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する積層工程と、5該積層体を内部電極パターン毎に裁断してチップ状の積層体を得る裁断工程と、6該裁断工程で得られたチップ状の積層体を1080°C以下、好ましくは1030°C以下の温度で還元性雰囲気にて焼成する事で焼結体を得る焼成工程と、7該焼結体の両端部に該内部電極と電気的に接続するように外部電極用導電性ペーストを塗布して焼付け処理を施す外部電極形成工程を備え、前記2のセラミックス原料を準備する工程において、未反応なCaCO3を含まないようにすることを特徴とするものである。後述する実施例で明らかにするとおり、セラミックス原料中に、未反応なCaCO3が存在していたり、副成分としてCaCO3を添加した場合、セラミック焼結体におけるCa/Zr比は、xに換算して、前記の所定範囲内となるが、10μm平方あたりの2次相の個数は30個を上回ってしまい、所望の加速寿命を得ることができない。したがって、CaZrO3系化合物を主成分とした場合において、CaCO3等の原料は完全に反応させておく必要があり、また、xの調整の為に副成分としてCaCO3を添加することも望ましくない。さらに、7の外部電極形成工程は、該裁断工程で得られたチップ状の積層体の両端部に該内部電極と電気的に接続するように外部電極用導電性ペーストを塗布した後に、1080°C以下、好ましくは1030°C以下の温度で還元性雰囲気にて焼成することで、外部電極形成工程と焼成工程を同時に行なうことも可能である。以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。実施例1主成分を構成するセラミックス原料として、CaCO3、ZrO2を表2に示す割合と成るように所定量秤量した。次に、これらの秤量された前記秤量物をセラミックボールと共にポットミルに入れ、湿式で混合粉砕し、その後、ステンレスバットに入れて、熱風式乾燥器を用い、150°Cで乾燥した後に大気雰囲気下、900~1200°Cで約2時間仮焼処理を行ない、CaxZrO3を得た。得られたCaxZrO3粉末は、XRD分析を行い未反応なCaCO3が残っていないかを確認した。CaxZrO3粉末のXRD分析においてCaCO3が検出された物を▲印として表2に示す。次に、上記のように合成したCaxZrO3に対して、副成分としてMnO2、Li2CO3、B2O3、SiO2を表3にある所定の組成が得られるように秤量した。また、比較例としてCaCO3またはMgOを添加した物も合わせて準備した。秤量した原料のうち、先に副成分のみをエタノールと共に湿式混合し、その後、乾燥した後に大気雰囲気下、600°Cで約1時間仮焼処理し、副成分仮焼物を得る。その後、これらの原料CaxZrO3粉末および副成分仮焼物を再びエタノールと共に湿式で混合粉砕し、乾燥することで、誘電体粉末を得た。なお、これら主成分、副成分のためのセラミックス原料は、熱処理により酸化物に変化するものであれば良く、炭酸化物や酸化物でなくてもよい。得られた誘電体粉末は、XRF分析によってMgO不純物濃度molを確認した。その結果を表3に示す。また、焼結性について確認する為の先行実験として、得られた誘電体粉末を、ポリビニルアルコール等を用いて造粒した後、所定の金型に入れて一軸成形し、水蒸気を含んだN2:98-H2:2ガス雰囲気下において、任意の焼成温度で2時間保持することによりセラミック焼成体を得た。得られたセラミック焼成体については、JIS-R1634に従って、その開気孔率を測定し、開尾気孔率が2.5以下になった温度を緻密化温度とした。各試料の緻密化温度を表3に示す。なお、1080°C以下で緻密化しなかったものは、×印で表記した。次に、上記のようにして得た誘電体粉末のうち、1080°C以下で緻密化したものに関して、PVBバインダー又はアクリルバインダー、可塑剤、溶媒となる有機溶剤を適宜添加して、セラミックスラリーを作製した後、このセラミックスラリーを、リバースロールコーター等を使用して、ポリエステルフィルム上に厚み5~50μmのグリーンシートを加工した。その後、所定寸法に切断して矩形状のセラミックグリーンシートを得た。得られた矩形状のセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法等を用いてCuを主成分とする内部電極用ペーストを印刷し、導電パターンを形成した。なお、内部電極用ペーストには、Cuを主成分とする金属微粒子と有機バインダーを溶剤に溶かした有機ビヒクル等と一緒に混練して調整した物を用いた。次に、導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層した。この際、隣接する上下のセラミックグリーンシートにおいて、その印刷面が内部電極パターンの長手方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物の上下両面に内部電極パターンを印刷してない保護層用のセラミックグリーンシートを積層し圧着した。その後、所定の形状に切り出してセラミック積層体を作製する。その後、Cuが酸化されない程度の不活性雰囲気下、300~600°Cで脱バインダー処理を行った後、水蒸気を含んだN2:98-H2:2ガス雰囲気下において、所定の焼成温度940~1030°Cになるまで、300°C/hrの速度にて昇温した。焼成温度到達後は、2時間保持し、その後、300°C/hrの速度にて冷却することにより内部電極3が埋設された積層セラミック焼結体を得た。次に、この積層セラミック焼結体をバレル研磨して焼結体端面から内部電極2を露出させ、その後、両端部に外部電極用ペーストを塗布し、乾燥させた後、N2ガス雰囲気において所定の温度700~900°Cで焼付け処理を行ない、外部電極4を形成した。なお、外部電極ペーストにはCuを主成分とする金属微粒子と有機ビヒクルおよび少量のフリット等を一緒に混練して調整した物を用いたが、これに限定するものではなく、NiやAg等を外部電極として用いることも可能である。そして、このようにして作製した積層セラミックコンデンサを内部電極が積層している断面方向にカットし、FE-SEM電界放出形走査電子顕微鏡を用いて内部電極に挟まれた誘電体層2から任意に選択した5箇所において、1万倍の倍率で組成像観察を行った所、全ての試料において、白く観察される箇所、灰色に観察される箇所、黒く観察される箇所と色彩の異なる3つの相3形態から形成されている事が確認された。ここで、各相を主成分相7灰色に観察される箇所、偏析相8黒く観察される箇所、2次相9白く観察される箇所として定義する。この時、観察箇所が集中しない様に、内部電極が交互に積層してなる誘電体積層部分のうち、上下端、左右端、中央の5箇所が含まれる様に、かつ選択箇所が重複しないように注意しながら、選択するように配慮した。組成像観察の代表例を図3に示す。各相の組成を同定する為にFE-SEM付属のEDX装置エネルギー分散型X線分析を用いて、各相の組成分析を行い、ZAF定量法を用いて、各相におけるCa/Zratm比を算出した。より詳細な方法としては、主成分相7は、先に倍率1万倍で観察した組成像5枚から主成分で形成された任意の点をそれぞれ2箇所、合計10箇所を選択し、EDSを用いてスポット分析を行い、ZAF定量法を用いてCa/Zratm比を算出した各点の平均値を算出した。これに対して、偏析相8についても、先に倍率1万倍で観察した組成像5枚から偏析相8で形成された任意の点を最高10箇所選択し、EDSを用いてスポット分析を行い観察範囲に見られた偏析相8が10箇所未満の場合は全ての箇所を選択した。また、各箇所から出来るだけ均等になるように偏析相を抽出した。、ZAF定量法を用いてCa/Zratm比を算出した各点の平均値を算出した。この結果、主成分相7のCa/Zrの平均値<偏析相8のCa/Zrの平均値となることが示唆された。また、偏析相8のEDS分析箇所の内の幾つかからはSiやMnのピークを確認することが出来た。FE-SEMを用いた組成像観察において、軽元素を含む箇所は黒く、重元素を含む箇所は白く観察される事が分かっている。LiやBは検出感度が低い事から、EDS分析において殆ど検出される事は無いが、組成像において偏析相が暗く写っていることと合わせて考えれば、LiやBも偏析相のいずれかに存在していると考えて矛盾しない。偏析相8におけるSi含有の有無を調べた結果、約半数にてSiの存在を確認することができたことから、偏析相8のうちの約半数がSiを含む偏析相であり、その他の偏析相はBおよび/またはLiを中心とした偏析相であると考えられる。また、Ca/Zratm比の分析結果を合わせて考えるとCaZrO3化合物からなる主成分相の一部からCaが偏析相に溶出している事が示唆される。更に、偏析相8のEDS分析箇所の一部からは、Mgのピークも検出されたが、Mgの検出された箇所からはSiのピークも検出されており、MgとSiは偏析相8に共存していることが示唆された。次に、2次相9についても、先に倍率1万倍で観察した組成像5枚から2次相9で形成された任意の点を最高10箇所選択し、EDSを用いてスポット分析を行い観察範囲に見られた2次相9が10箇所未満の場合は全ての箇所を選択した。また、各箇所から出来るだけ均等になるように2次相9を抽出した。、ZAF定量法を用いてCa/Zratm比を算出した各点の平均値を算出した。この結果、主成分相7のCa/Zrの平均値>2次相9のCa/Zrの平均値となることが示唆された。このことから、2次相9は主成分相7から偏析相8にCaが溶出した結果、局所的に発生したZr含有量の多い相であることが示唆された。また、先に述べたようにFE-SEMを用いた組成像観察において、重元素を含む箇所は白く写る事が分かっている事から、本検討系の組成像観察において、白く写っている箇所は全てZr含有量の多い2次相9であると考えて良い。なお、観察およびEDS分析の際の加速電圧は15kVeとし、主成分相7、偏析相8、2次相9のスポット分析においては、EDSの分析感度を考慮して各相の最大径が100nm以上の物を選択するようにした。また、100nm以下の微細な2次相に関しては、その作用は十分に小さいと考えられる。そこで、次に各試料の2次相存在量を検証するために、前記、組成像観察エリアにおいて、その最大径が100nm以上の2次相9の個数を全て数え上げた。更に、同組成像観察エリアから電極部分を差し引いた誘電体層部分の総面積を算出し、そこから10μm平方単位面積あたりの2次相9の個数を計算した。ここで、電極部分を取り除く手間を省く為に、相互に積層した内部電極層3の間隔が10μm以上ある場合は、内部電極層3を含まない様にして組成像を観察する事が望ましい。また、相互に積層した内部電極層3の間隔が10μm以下である場合は、内部電極層3を含まないようにして最大限に大きく長方形状に誘電体層2を切り出してから、その最大径が100nm以上の2次相9の個数を全て数え上げてもよい。表4に各試料の10μm平方あたりの2次相9の個数、および比誘電率、静電容量の温度依存性、および加速寿命試験における寿命時間について示す。ここで、自動ブリッジ式測定器を使用し、周波数1MHz、実効電圧AC1Vrms、温度25°Cの条件で静電容量C及びQ値を測定し、静電容量C及び試料寸法から比誘電率を算出した。また、静電容量の温度依存性に関しては、-55°C~150°Cの温度範囲において、JISのCG規格の範囲内に入る物を○、それ以外を×とした。更に、加速寿命試験においては、150°Cに加熱した恒温槽内に設置した試料に、相互に積層された内部電極間の誘電体層にかかる電圧を電界強度換算で40V/μmにした場合において、絶縁破壊に至るまでの平均加速寿命が100時間以上の物を○、それ以下の物を×とした。表4に示したように、x≦1とした試料201では、10μm平方あたりの2次相の個数が30個を越えているために、所定の加速寿命が得られない。これは、焼成過程において、主成分から偏析相へのCa成分の溶出がある為であると考えられる。したがって、主成分原料は、Ca成分の溶出を考慮して、x>1とする事が望ましい。また、表3に示した様に、試料214、216、219、220は、1080°C以下で緻密化させることができなかった。このように、図2=表1の最適範囲に対して、xが過剰な側に外れた場合、1080°C以下での緻密化が困難となるために望ましくない。また、表4に示した様に、試料202、203、204、206では、10μm平方あたりの2次相の個数が30個を越えているために、所望の加速寿命が得られない。このように、図2の最適範囲に対して、xが不足した場合、2次相の生成を抑制することができず、所望の加速寿命が得られなくなる。また、試料221の様に、未反応なCaCO3が存在していたり、試料222の様に副成分としてCaCO3を添加した場合、セラミック焼結体におけるCa/Zr比は、xに換算して、1.08、1.15となるが、10μm平方あたりの2次相の個数は30個を上回ってしまい、所望の加速寿命を得ることが出来ない。したがって、CaZrO3系化合物を主成分とした場合において、CaCO3等の原料は完全に反応させておく必要があり、また、xの調整の為に副成分としてCaCO3を添加することも望ましくない。また、MgOの不純物量の影響を見る為に準備した試料223~226及び試料227において、Mg/Siモル比が0.5を上回った場合、所望の加速寿命が得られなくなることが確認された。先に述べた様に、不純物として入ったMgは焼成過程において、少なくともその一部はSiと共存することで、製品寿命に与える影響が抑えられていると考えられるが、Mg/Siモル比が0.5を上回った場合、Siと共存出来ないMgの割合が増えるために、寿命が劣化すると考えられた。そのために、Mg/Siモル比は0.5以下であることが望まれる。実施例2主成分を構成するセラミックス原料として、CaCO3、ZrO2を表5に示す割合となるように所定量秤量した。次に、これらの秤量された前記秤量物をMgの混入がないように選定した部材ジルコニアボール等を用いて、その他は実施例1と同様に湿式混合粉砕、仮焼処理を行ない、CaxZrO3を得た。得られたCaxZrO3粉末は、XRD分析を行い未反応なCaCO3が残っていないかを確認したが、表5に示す条件においては、未反応なCaCO3の存在は確認されなかった。次に上記のように合成したCaxZrO3に対して、副成分としてMnO2、Li2CO3、B2O3、SiO2を表6にある所定の組成が得られるように秤量した。秤量した原料のうち、先に副成分のみをエタノールと共に湿式混合し、その後、乾燥した後に大気雰囲気下、600°Cで約1時間仮焼処理し、副成分仮焼物を得る。その後、これらの原料CaxZrO3粉末および副成分仮焼物を再びエタノールと共に湿式で混合粉砕し、乾燥することで、誘電体粉末を得た。その後、はやりMgの混入がないように選定した部材を用いて、これらの原料を湿式混合し、乾燥することで、誘電体粉末を得た。得られた誘電体粉末は、XRF分析によってMgOが不純物として含まれていない事を確認した。その結果を表6に示す。上記のようにして得た誘電体粉末に、PVBバインダー又はアクリルバインダー、可塑剤、溶媒となる有機溶剤を適宜添加して、セラミックスラリーを作製した後、このセラミックスラリーを、リバースロールコーター等を使用して、ポリエステルフィルム上に厚み5~50μmのグリーンシートを加工した。その後所定寸法に切断して矩形状のセラミックグリーンシートを得た。得られた矩形状のセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法等を用いてCuを主成分とする内部電極用ペーストを印刷し、導電パターンを形成した。次に、導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層した。この際、隣接する上下のセラミックグリーンシートにおいて、その印刷面が内部電極パターンの長手方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物の上下両面に内部電極パターンを印刷してない保護層用のセラミックグリーンシートを積層し圧着した。その後、所定の形状に切り出してセラミック積層体を作製する。次に、切り出したセラミック積層体のうち内部電極2が露出している端面に予め外部電極用ペーストを塗布し、乾燥させた後、Cuが酸化されない程度の不活性雰囲気下、300~600°Cで脱バインダー処理を行い、その後、水蒸気を含んだN2ガス雰囲気下において、所定の焼成温度940~1030°Cになるまで、300°C/hrの速度にて昇温し、焼成温度到達後は、2時間保持し、その後、300°C/hrの速度にて冷却することにより、積層セラミックの焼結と外部電極4の形成を同時に行なった。得られた積層セラミックコンデンサに関しては、実施例1と同様にして評価を行いその結果を表7に示した。この様に、外部電極の形成を積層セラミックの焼成と同時に行なっても、積層セラミックコンデンサを得ることが可能である。また、表7の試料231~238の評価結果に示すように、工程におけるMgの混入の有無に関わらず、0.5≦a≦5および図2=表1を満足させる範囲において、2次相の生成を抑制する事が出来、加速寿命試験において所望の寿命特性を得ることができる。一方で、試料239、240に示す様に、bcd>15になると、加速寿命試験における平均寿命が減少する傾向が見られた。偏析相を形成する成分を多く添加した場合、主成分からのCaの溶出に局所的なバラツキが起こり易くなることが考えられる。その為に、平均的には10μm平方あたりの2次相9の個数が30個以下であっても、2次相の析出が局所的に多くなっている箇所が存在するため、そのことが寿命低下に寄与すると考えられる。したがって、bcd≦15の範囲が望ましい。また、本組成系においては、耐還元性を付与する為にMnを添加しているが、試料241に示すように、Mnを添加しない場合、十分な耐還元性を与える事が出来ず、所望の寿命を確保出来ない。また、試料242に示すように、Mnを過剰に添加しても、逆に信頼性を低下させる事になる事が確認された。したがって、本組成系の範囲においては、Mn添加量を0.5≦a≦5.0の範囲にする事が望ましい。以上のように、複数の誘電体層と、該誘電体層間に埋設されたCuを主成分とする内部電極と、該内部電極の一端に電気的に接続された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層が、CaZrO3系化合物からなる主成分と、Mn、B、SiおよびLiを含む副成分を含有し、前記誘電体層には、前記主成分からなる主相と、Caと前記副成分の少なくとも一つを含む偏析相が形成されており、更に、前記偏析相とは別に前記主成分よりもZr含有量の多い2次相が形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサであり、前記内部電極に挟まれた前記誘電体層の断面における前記2次相は、その直径が100nm以上の物をカウントした場合、10μm平方あたりに換算して、平均して30個以下に制御することで、CaZrO3を主成分とする誘電体磁器を用い、1080°C以下で焼成させた場合においても、比誘電率及び容量の温度係数が低く、耐電圧性および寿命特性に優れた内部電極としてCuを用いた積層セラミックコンデンサを作ることが可能となることを確認した。また、前記誘電体層の組成をCaxZrO3aMnbLicBdSiで表した場合において、CaxZrO3但し、1.00<x≦1.15100molに対して、0.5≦a≦5.0molを含有し、かつxとbcdの関係が、図2=表1の範囲線上を含むに入る場合において、特に、Zr含有量の多い2次相の生成が抑制されることを確認した。さらに、前記誘電体層に不純物として含まれるMgの含有量がモル比でSi含有量の1/2以下であれば、Mgの少なくとも一部はSiと共に前記偏析相の一部に局在することで、寿命特性の低下を抑制することを確認した。"