金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素:フッ化アンモニウム=1:7~1:80であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が0.01~10質量であり、フッ化アンモニウム濃度が0.8~80質量であることを特徴とする湿式エッチング溶液。前記金属シリサイド膜が、WSix膜、TiSix膜、MoSix膜、NiSix膜、TaSix膜、CuSix膜、および、CoSix膜ここで、xは任意の数のうちいずれか1種である請求項1記載の湿式エッチング溶液。50質量フッ化水素酸溶液および40質量フッ化アンモニウム溶液を、体積混合比で、50質量フッ化水素酸溶液:40質量フッ化アンモニウム溶液=1:10~1:100の割合で混合してなる請求項1または2記載の湿式エッチング溶液。請求項1~3のいずれか一項記載の湿式エッチング溶液を用いてシリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とする、金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板の湿式エッチング方法。基板のシリコン表面が水素終端化される請求項4記載の湿式エッチング方法。請求項1~3のいずれか一項記載の湿式エッチング溶液によりシリコン基板をエッチングする工程を備えることを特徴とする、金属シリサイド電極をもつシリコン基板またはシリコン半導体デバイスのショットキーバリアハイト測定用試料作製方法。金属シリサイドS/D構造は、通常、シリコンウエハー上に形成したシリコン酸化膜をマスクとして作製される。すなわち、シリコンウエハー上にシリコン酸化膜を形成し、これにフォトリソグラフィーによるパターニングを施すことによって開口を作製する。その開口部分にシリサイド形成のための金属を堆積した後、適当な温度でアニールすることによって金属シリサイド化反応を促進させ、金属シリサイドS/Dを形成する。以上の工程によって作製されたウエハーは、図1に示すように、シリサイド化反応において余剰となった未反応の金属と、シリコン酸化膜マスクに覆われている。このウエハーをSTM測定用試料に加工し、測定に供する。STMを用いたSBH測定は、デバイスを作製したウエハーの表面から行う場合とウエハー断面において行う場合があるが、その両者に共通する問題が存在する。ウエハー表面からSTM測定を行う場合、未反応の金属材料およびシリコン酸化膜を除去し、金属シリサイドS/D領域とシリコンチャネル領域が露出した表面を用意しなければならない。上記工程は、まず未反応の金属のみを除去し、次に、シリコン酸化膜を除去する、という2段階の処理により行う。未反応の金属材料を除去するには、例えば、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いる。この溶液は、未反応の金属層は除去するが、金属シリサイドに対しては表面を薄く酸化するのみで、エッチングすることはほとんど無い。シリコン酸化膜は、従来、希フッ酸溶液を用いて除去していた。この際、シリコン酸化膜が除去された後に現れるシリコン表面は、希フッ酸溶液中の水素により終端化されるため、シリコン表面はSTM測定に適した表面状態を持つようになる。この工程において、希フッ酸溶液は金属シリサイドをエッチングするが、シリコン酸化膜を除去した後に現れるシリコン領域はエッチングしない。このため、希フッ酸溶液を用いると、金属シリサイド領域とシリコン領域との間に段差ができる、という問題が発生する。金属シリサイド領域とシリコン領域との間に概ね5nm以上の段差が存在すると、その接合領域をSTM測定した際、STM探針が段差の高さ変化に追随することができず、段差に接触して探針を壊したり、意図しない大きなトンネル電流が流れることによって測定誤差が生じる。ウエハー断面のSTM測定を行う場合には、金属シリサイドを形成したウエハーを切断した後に化学機械研磨するか、またはウエハーをへき開することによって平坦な断面を作製する。これらの工程において作製された断面は、周囲の水分や酸素の影響により、厚さ1nm未満のシリコン酸化膜で覆われているため、この酸化膜を除去し、シリコン表面を水素終端化しなければならない。この場合も、シリコン酸化膜を希フッ酸溶液を用いて除去すると、金属シリサイド領域のみがエッチングされ、シリコン領域との間に段差が形成される、という問題が発生する。したがって、当該表面のSBH測定を精度よく行うためには、金属シリサイド領域とシリコン領域との間に段差を形成しないような表面処理法が必要となる。そこで本発明の目的は、金属シリサイド領域とシリコン領域との間に段差を形成することなくシリコン酸化膜を除去することのできる湿式エッチング溶液を提供することにある。上述の課題は、シリコン酸化膜に対して大きなエッチングレートをもつ一方で、金属シリサイドおよびシリコンについては十分小さなエッチングレートをもち、かつ、シリコン表面を水素終端化できるフッ酸系のエッチング溶液を調製することによって解決される。そのため、本発明者らは、フッ酸を含むエッチング溶液の組成を鋭意検討した結果、フッ酸とフッ化アンモニウム溶液を適切な混合比で混合した薬液が効果的であることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は以下の[1]~[6]にかかる湿式エッチング溶液、湿式エッチング方法である。[1]金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素:フッ化アンモニウム=1:7~1:80であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が0.01~10質量であり、フッ化アンモニウム濃度が0.8~80質量であることを特徴とする湿式エッチング溶液。[2]前記金属シリサイド膜が、WSix膜、TiSix膜、MoSix膜、NiSix膜、TaSix膜、CuSix膜、および、CoSix膜ここで、xは任意の数のうちいずれか1種である[1]の湿式エッチング溶液。[3]50質量フッ化水素酸溶液および40質量フッ化アンモニウム溶液を、体積混合比で、50質量フッ化水素酸溶液:40質量フッ化アンモニウム溶液=1:10~1:100の割合で混合してなる[1]または[2]の湿式エッチング溶液。[4][1]~[3]のいずれかの湿式エッチング溶液を用いてシリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とする、金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板の湿式エッチング方法。[5]基板のシリコン表面が水素終端化される[4]の湿式エッチング方法。[6][1]~[3]のいずれかの湿式エッチング溶液によりシリコン基板をエッチングする工程を備えることを特徴とする、金属シリサイド電極をもつシリコン基板またはシリコン半導体デバイスのショットキーバリアハイト測定用試料作製方法。本発明によれば、金属シリサイド領域とシリコン領域との間に大きな段差を形成することなくシリコン酸化膜を除去することのできる湿式エッチング溶液を提供することができる。また、本発明の湿式エッチング溶液を金属シリサイドS/D構造をもつ半導体デバイスのSTM測定用試料作製に用いた場合には、表面に残留するシリコン酸化物を簡単かつ迅速に除去しながら、金属シリサイド/シリコン界面に大きな段差を形成することなくシリコン表面を水素終端化することが可能となる。これにより、観察面の平坦性が確保できるため、半導体デバイスのSBH測定を精度よく迅速に実施することが可能となる。本発明の湿式エッチング溶液は、金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素:フッ化アンモニウム=1:7~1:80であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が0.01~10質量であり、フッ化アンモニウム濃度が0.8~80質量であることを特徴とするものである。このような質量比の混合液は、例えば、50質量フッ化水素酸溶液水溶液および40質量フッ化アンモニウム溶液水溶液を、体積混合比で、50質量フッ化水素酸溶液:40質量フッ化アンモニウム溶液=1:10~1:100の割合で混合することにより、作製することができる。また、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比は、好ましくは、質量比で、フッ化水素:フッ化アンモニウム=1:8~1:80であり、より好ましくは質量比で、フッ化水素:フッ化アンモニウム=1:20~1:80である。質量比で、フッ化水素:フッ化アンモニウム=1:20~1:80の範囲では、金属シリサイドとシリコン界面の段差が小さいのみならず、金属シリサイド領域の方が、シリコン領域よりも高くなるため、走査トンネル顕微鏡法による測定上好ましい。また、好ましくは、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が0.1~5質量であり、フッ化アンモニウム濃度が30~50質量である。本発明の湿式エッチング溶液の適用対象となるシリコン基板シリコンウェハーは、シリコン基板上に、シリコン酸化膜および金属シリサイド膜を備えるものである。本発明の湿式エッチング溶液が適用されるシリコン基板が備える金属シリサイドとしては、例えば、WSix膜、TiSix膜、MoSix膜、NiSix膜、TaSix膜、CuSix膜、および、CoSix膜ここで、xは任意の数が挙げられる。xとしては、1、2、3、4が好ましく、2がより好ましい。金属シリサイドの中でもNiダイシリサイドNiSi2が特に好ましい。本発明の湿式エッチング溶液による処理時間は、シリコン酸化膜の厚さなどの対象となる基板の構造、フッ化水素およびフッ化アンモニウムの濃度等に応じて、適宜決定することができる。また、例えば、基板の裏側に処理対象となる側と同じ厚さのシリコン酸化膜を構成しておき、裏側のシリコン酸化膜が除去されて撥水状態を示すまで処理するということもできる。本発明の湿式エッチング溶液は、金属シリサイド電極をもつシリコン基板またはシリコン半導体デバイスの、ショットキーバリアハイト測定に適した試料作製用湿式エッチング溶液として好適である。ショットキーバリアハイト測定には、走査型プローブ顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡STM等を用いることができる。本発明の湿式エッチング溶液でシリコン基板を処理することにより、シリコン表面のダングリングボンドが水素原子により終端されるため、STM測定に適した表面が形成できる。本発明の湿式エッチング溶液を用いてエッチングを行う場合、金属シリサイドを形成する過程で残存した未反応の金属が、対象となる基板上にある場合は、それを除いてからエッチングを行うのが好ましい。未反応金属の除去には、公知の方法を用いることができ、例えば、硫酸や、硫酸および過酸化水素の混合液などで処理する方法が挙げられる。以下、本発明の湿式エッチング溶液および湿式エッチング方法について、実施例を用いて詳細に説明する。図1は、実施例で用いた、金属シリサイドS/D構造をもつ半導体デバイスを作製したウエハーの構造を示す模式図断面図である。NiSi2S/D構造を作製したウエハーは、この図に示すように、未反応のNiおよびシリコン酸化膜に覆われている。STM測定を行うために、まず、ウエハーをSTM測定に適した大きさのチップに切り出し、硫酸96質量:過酸化水素水30質量=1:1体積比の混合液に浸漬して未反応のNi層を除去した。図2は、Ni層を除去した後の試料構造を示す模式図aと、この試料表面を観察した原子間力顕微鏡AFM測定結果bである。AFM像の下に示したグラフは、像中の白線で示した位置での高さプロファイルを示す。図2bの上部のAFM像から明らかなように、チップ表面にはNiSi2のラインスペース構造が形成されており、シリコン領域の上は8nm厚さのシリコン酸化膜が覆っている。この試料は、8μm×8μmの大きさであり、NiSi2領域の厚さは、10nmであった。NiSi2の形成過程において、Ni原子はSi結晶中の原子間位置に侵入してNiSi2を形成するため、この段階でNiSi2領域とSi領域の間に段差はほとんど無い。図3は、1質量希フッ酸溶液を用いてシリコン酸化膜を除去した試料のAFM測定結果である。1質量希フッ酸溶液処理の時間は、試料裏面に存在する同じ厚さのシリコン酸化膜が除去されて撥水状態を示すまでとした。この時間は、約2分間であった。AFM像の下に示したグラフは、像中の黒線で示した位置での高さプロファイルを示す。図3に示す高さプロファイルから明らかなように、シリコン酸化膜を除去したにもかかわらず、Si領域がNiSi2領域に比べ8nm高かった。これは、1質量希フッ酸溶液処理によってNiSi2領域がエッチングされ、Si領域との間に8nmの段差が発生したことを示している。次に、40質量フッ化アンモニウム溶液を用いてシリコン酸化膜を除去することを行った。この結果を図4に示す。図4は、40質量フッ化アンモニウム溶液を用いてシリコン酸化膜を除去した試料のAFM測定結果である。処理時間は、約22分間であった。図4に示す高さプロファイルは、1質量希フッ酸溶液を用いた場合と反対に、Si領域がNiSi2領域に比べ40nmも低いことを示している。これは、40質量フッ化アンモニウム溶液処理によってSi領域がエッチングされたことを示している。なお、40質量フッ化アンモニウム溶液によってNiSi2領域がエッチングされていないことは、この表面のオージェ電子分光測定においてNiの信号が観測されることから確認した。以上の結果から、1質量希フッ酸溶液を用いると、NiSi2領域のみがエッチングされるが、40質量フッ化アンモニウム溶液処理ではSi領域のみがエッチングされることが明らかとなった。図5は、1質量希フッ酸溶液、50質量フッ酸溶液と40質量フッ化アンモニウム溶液を種々の体積比で混合した溶液、および、40質量フッ化アンモニウム溶液を用いてシリコン酸化膜を除去した試料のAFM測定結果をまとめたグラフである。ここでは、NiSi2領域の高さを基準とし、Si領域の相対高さを示している。なお、各溶液による処理時間は、すべてシリコン酸化膜が除去されてシリコン表面が撥水状態を示すまでとした。図5から明らかなように、50質量フッ酸溶液の体積を1とし、40質量フッ化アンモニウム溶液の体積を10から100の割合で混合した溶液を用いてシリコン酸化膜を除去することにより、NiSi2領域とSi領域の高さの差を5nm以下にすることができた。さらに、体積混合比で、50質量フッ化水素酸溶液:40質量フッ化アンモニウム溶液=1:25~1:100の割合では、NiSi2領域がSi領域よりも高かった。NiSi2領域がSi領域よりも高い方が、NiSi2領域とSi領域との境界により近い位置のポテンシャル分布の測定が可能になる為好ましい。図6に、50質量フッ酸:40質量フッ化アンモニウム=1:50の溶液により処理した試料のAFM測定結果を示す。図6に示す高さプロファイルは、Si領域がNiSi2領域に比べ0.8nmだけ低いことを示しており、STM測定を安定に行うために十分な平坦性が確保されていることがわかる。以上、本願発明によれば、金属シリサイドS/D構造をもつ半導体デバイスのSTM測定用試料作製において、表面に残留するシリコン酸化物を除去しながら、金属シリサイド/シリコン界面に5nm以上の段差を形成することなく、シリコン表面を水素終端化してSTM測定に適した表面状態を持つ試料を作製することができる。これにより、半導体デバイスのSBH測定を精度よく迅速に実施することが可能となる。