少なくとも、銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物からなる光吸収層を備える光電変換素子。前記銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物が、CuxZnySzx=2;y=1.5~2.5;z=2.5~3.5;xyz=7の組成を有する、請求項1に記載の光電変換素子。前記光吸収層が、スプレー法により形成される、請求項1又は2に記載の光電変換素子。さらに、前記光吸収層の上に、インジウム及び硫黄を含む化合物からなるバッファー層、及び金属酸化物半導体層を順次備える、請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記インジウム及び硫黄を含む化合物が、In2S3である、請求項4に記載の光電変換素子。前記光吸収層と前記バッファー層との界面に、前記光吸収層から前記バッファー層にかけて、前記光吸収層及び前記バッファー層を構成する元素の組成比が連続的に変化する相互溶融層を有する、請求項4又は5に記載の光電変換素子。前記バッファー層が、スプレー法により形成される、請求項4~6のいずれかに記載の光電変換素子。金属酸化物半導体層が、多孔質構造である、請求項4~7のいずれかに記載の光電変換素子。前記金属酸化物半導体層は、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物及びチタン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項4~8に記載の光電変換素子。さらに、前記金属酸化物半導体層の上に、透光性導電層を備える、請求項4~9のいずれかに記載の光電変換素子。前記透光性導電層が、フッ素ドープ錫酸化物、インジウムドープ錫酸化物、ガリウムドープ亜鉛酸化物、アルミニウムドープ錫酸化物及びニオブドープチタン酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも1種の透明導電性酸化物からなる、請求項10に記載の光電変換素子。さらに、前記透光性導電層の上に透光性基板を備え、且つ、前記光吸収層の上に背面電極を備える、請求項10又は11に記載の光電変換素子。前記透光性基板が、ガラス又はプラスチックからなる、請求項12に記載の光電変換素子。前記背面電極が、モリブデン、金、銀、アルミニウム、カーボン及び白金よりなる群から選ばれる少なくとも1種からなる、請求項12又は13に記載の光電変換素子。少なくとも、噴霧表面が250~350°Cに調整された基材上に、CuCl2、ZnNO32及びCSNH22を含む原料溶液を、空気中で噴霧して光吸収層を形成する工程を備える、請求項1~14のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。少なくとも、噴霧表面が150~400°Cに加熱された金属酸化物半導体層上に、InCl3及びCSNH22を含む原料溶液を、空気中で噴霧してバッファー層を形成する工程を備える、請求項4~14のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。そこでIn等のレアメタルの使用量を低減でき、太陽電池材料として機能する新規で低コストな化合物半導体の探索が重要である。また、真空プロセスに頼らずに、安価且つ大面積化可能な製膜方法として、電着法、スクリーン印刷法、スプレー熱分解法等が挙げられる。スプレー熱分解法は、大面積エリアの製膜方法として知られており、太陽電池作製に応用できれば、発電コストを大幅に減らせる魅力的な製膜方法である。しかし、CIS太陽電池には、光吸収層及びバッファー層の双方にInが使用されているため、In等のレアメタルを低減したCIS太陽電池の報告はこれまで無かった。非特許文献1には、スプレー熱分解法を製造法に用いたCIS太陽電池について、変換効率は9が報告されているだけである。また、非特許文献1には、詳細な最適化についての記述もなされていない。本発明は、In等のレアメタルの使用量を低減できるとともに、製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、高い光電変換効率が得られる、化合物半導体からなる太陽電池等に適した光電変換素子を提供することを目的とする。上記目的に鑑み、鋭意検討した結果、本発明者らは、Cu-In-SeCIS、Cu-In-Ga-SeCIGS等のI-III-VI族化合物だけでなく、Cu-Zn-S化合物も、光吸収層に用いることで太陽電池として機能し、且つ、In等のレアメタルの使用量を低減できるとともに、その製造方法も、製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、スプレー法で高い光電変換効率が得られることを見出した。このような知見に基づき、本発明者らは、さらに研究を重ね、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の構成を包含する。項1.少なくとも、銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物からなる光吸収層を備える光電変換素子。項2.前記銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物が、CuxZnySzx=2;y=1.5~2.5;z=2.5~3.5;xyz=7の組成を有する、項1に記載の光電変換素子。項3.前記光吸収層が、スプレー法により形成される、項1又は2に記載の光電変換素子。項4.さらに、前記光吸収層の上に、インジウム及び硫黄を含む化合物からなるバッファー層、及び金属酸化物半導体層を順次備える、項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。項5.前記インジウム及び硫黄を含む化合物が、In2S3である、項4に記載の光電変換素子。項6.前記光吸収層と前記バッファー層との界面に、前記光吸収層から前記バッファー層にかけて、前記光吸収層及び前記バッファー層を構成する元素の組成比が連続的に変化する相互溶融層を有する、項4又は5に記載の光電変換素子。項7.前記バッファー層が、スプレー法により形成される、項4~6のいずれかに記載の光電変換素子。項8.金属酸化物半導体層が、多孔質構造である、項4~7のいずれかに記載の光電変換素子。項9.前記金属酸化物半導体層は、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物及びチタン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる少なくとも1種である、項4~8に記載の光電変換素子。項10.さらに、前記金属酸化物半導体層の上に、透光性導電層を備える、項4~9のいずれかに記載の光電変換素子。項11.前記透光性導電層が、フッ素ドープ錫酸化物、インジウムドープ錫酸化物、ガリウムドープ亜鉛酸化物、アルミニウムドープ錫酸化物及びニオブドープチタン酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも1種の透明導電性酸化物からなる、項10に記載の光電変換素子。項12.さらに、前記透光性導電層の上に透光性基板を備え、且つ、前記光吸収層の上に背面電極を備える、項10又は11に記載の光電変換素子。項13.前記透光性基板が、ガラス又はプラスチックからなる、項12に記載の光電変換素子。項14.前記背面電極が、モリブデン、金、銀、アルミニウム、カーボン及び白金よりなる群から選ばれる少なくとも1種からなる、項12又は13に記載の光電変換素子。項15.少なくとも、噴霧表面が250~350°Cに調整された基材上に、CuCl2、ZnNO32及びCSNH22を含む原料溶液を、空気中で噴霧して光吸収層を形成する工程を備える、項1~14のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。項16.少なくとも、噴霧表面が150~400°Cに加熱された金属酸化物半導体層上に、InCl3及びCSNH22を含む原料溶液を、空気中で噴霧してバッファー層を形成する工程を備える、項4~14のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。本発明によれば、光吸収層にIn等のレアメタルを使用しないため、In等のレアメタルの使用量を低減できるとともに、製造コストの高い真空プロセスに頼らずに、高い光電変換効率が得られる、化合物半導体からなる太陽電池等に適した光電変換素子を提供することができる。1.光電変換素子本発明の光電変換素子は、少なくとも、銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物からなる光吸収層を備える。これにより、高い光電変換効率を実現できる。<光吸収層>本発明では、光吸収層は、銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物からなるものである。銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物としては、Cu-Zn-S系の化合物半導体が好ましく、CuxZnySzx=2;y=1.5~2.5;z=2.5~3.5;xyz=7の組成を有する化合物半導体がより好ましい。この組成の化合物半導体を使用することで、再現性よく高い光電変換効率を実現できる。なお、本発明において、使用できる銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物としては、銅、亜鉛及び硫黄のみからなる化合物に限られることはなく、Sn、In等を含んでいてもよいが、光電変換素子全体のレアメタル使用量を低減できるため、In等のレアメタルを含まないことが好ましい。その好ましい組成は、構成する元素の価数等に応じて適宜設定すればよい。銅、亜鉛及び硫黄を含む化合物としては、具体的には、例えば、Cu2Zn2S3、CuZnSnS2等が挙げられるが、Cu2Zn2S3が好ましい。光吸収層の形成方法は、電着法、スクリーン印刷法、スプレー法等、特に制限されないが、製造コストを低減するために、真空プロセスを使用しないことが好ましい。特に、スプレー法により形成されることが好ましい。光吸収層の厚みは、色素増感太陽電池よりも薄くすることができ、0.2~2.5μm程度が好ましく、0.3~1.0μm程度がより好ましい。光吸収層の厚みを上記範囲内とすることにより、光吸収層にピンホールを発生させず、一定の強度を保てるとともに、より効率よく光を吸収できる。次に、光吸収層のスプレー法による製造方法について、典型例であるCu2Zn2S3からなる光吸収層の場合を例にとって説明すると、噴霧表面が250~350°C、好ましくは270~290°Cに調整された基材具体的には後述するバッファー層上に、CuCl2、ZnNO22及びCSNH22を含む原料溶液を、空気中で噴霧して光吸収層を形成すればよい。この際、基材の噴霧表面温度が低すぎると、充分な熱分解反応が得られないために短絡電流密度Jsc及び開放電圧Vocが低下する。また、基材の噴霧表面積が高すぎると、光吸収層中のCuがバッファー層に拡散する。その結果、バッファー層を構成する化合物がI2S3である場合にはCuInS2となるため、バッファー層が侵食され、短絡電流密度Jsc及び開放電圧Vocが低下する。このため、基材の噴霧表面温度は、蒸気範囲内に調整することが好ましい。なお、使用するCuCl2は、水和物CuCl22H2O、ZnNO32は水和物ZnNO326H2O又はZnCl2、CSNH22はCSNHCH32であってもよい。なお、原料溶液中の各成分の濃度は、それぞれCuCl2:1mM~500mM特に10mM~50mM、ZnNO32:1mM~500mM特に10mM~50mM、及びCSNH22:1mM~1000mM特に50mM~300mM程度が好ましい。特に、原料溶液中のCuとZnの原子比率Cu/Znが0.5~2、特に0.8~1.2となるように調整することが好ましい。Cu/Znを前記範囲内とすることにより、短絡電流密度Jscを向上させることにより、光電変換効率を向上させることができる。ここでは、光吸収層の製造方法について一例を示したが、これに限定されることはなく、様々な組成及び条件で作製することができる。<バッファー層>本発明では、前記光吸収層の上に、さらに、バッファー層を形成することが好ましい。このバッファー層を構成する化合物は、インジウム及び硫黄を含むものが好ましい。このようなインジウム及び硫黄を含む化合物としては、具体的には、例えば、InS、In2S3等が挙げられるが、光電変換効率の点からIn2S3が好ましい。また、光吸収層を構成している元素や光吸収層にドーピングを行う元素がバッファー層に拡散していてもよい。バッファー層の材質としては、CdS等も挙げられるが、安全性の懸念に加え、光吸収では青色領域のスペクトル応答に減少がみられるため、本発明では、インジウム及び硫黄を含む化合物を使用することが好ましい。バッファー層の形成方法は、電着法、スクリーン印刷法、スプレー法等、特に制限されないが、製造コストを低減するために、真空プロセスを使用しないことが好ましい。特に、スプレー法により形成されることが好ましい。バッファー層の厚みは、光吸収層まで透過光を到達させて光電変換効率を向上させるとともに、再現性の高い光電変換効率を得るために、0.1~1.0μm、特に0.3~0.5μmが好ましい。なお、後述の金属酸化物半導体層として、多孔質の金属酸化物半導体層を採用する場合には、金属酸化物半導体層の上に、0.1~1.0μmの厚みのバッファー層を形成する態様に限られず、例えば、粒状体、線状体線状体:針状、チューブ状、柱状等等の金属酸化物半導体の表面に0.1~1.0μmの厚みのインジウム及び硫黄を含有する化合物層を形成し、それが集合してなるものを、金属酸化物半導体層及びバッファー層としてもよい。次に、バッファー層のスプレー法による製造方法について、典型例であるI2S3からなるバッファー層の場合を例にとって説明すると、噴霧表面が100~450°C、好ましくは150°C~400°Cに調整された、後述の金属酸化物半導体層上に、InCl3及びCSNH22を含む原料溶液濃度は、それぞれInCl3:1mM~500mM、及びCSNH22:1mM~500mMを、空気中で噴霧してバッファー層を形成すればよい。この際、基材の噴霧表面温度が低すぎると、充分な熱分解反応が得られない。また、最終的に得られる光電変換素子の光電変換効率が著しく悪化する。なお、使用するCSNH22はCSNHCH32であってもよい。ここでは、バッファー層の製造方法について一例を示したが、これに限定されることはなく、様々な組成及び条件で作製することができる。なお、上述した光吸収層を構成する元素がバッファー層中に拡散する場合は、前記光吸収層と前記バッファー層との界面に、前記光吸収層から前記バッファー層にかけて、前記光吸収層及び前記バッファー層を構成する元素の組成比が連続的に変化する相互溶融層を有することが好ましい。<金属酸化物半導体層>本発明では、前記バッファー層の上光吸収層とは反対側に、さらに、金属酸化物半導体層を形成することが好ましい。金属酸化物半導体層は、平滑構造であってもよいし、多孔質構造であってもよい。多孔質構造とは、特に制限されるわけではないが、粒状体、線状体線状体:針状、チューブ状、柱状等等の金属酸化物半導体が集合してなるものであればよい。金属酸化物半導体層を多孔質構造とすれば、ナノスケールであるため、スプレー法により形成する後述の光吸収層の活性表面積を著しく増加させ、光電変換効率を向上させるとともに、電子収集に優れる金属酸化物半導体層とすることができる。また、金属酸化物半導体層に使用される金属酸化物半導体としては、バンドギャップが2~5eV程度のn型半導体であれば特に制限はない。例えば、チタンTi、亜鉛Zn、スズSn、ニオブNb、インジウムIn、イットリウムY、ランタンLa、ジルコニウムZr、タンタルTa、ハフニウムHf、ストロンチウムSr、バリウムBa、バナジウムV、タングステンW等の金属元素よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む金属酸化物が好ましい。また、窒素N、炭素C、弗素F、硫黄S、塩素Cl、リンP等の非金属元素よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含有していてもよい。具体的には、チタン酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、チタン酸ストロンチウム等がより好ましく、チタン酸化物がさらに好ましい。特に、電子エネルギー準位においてその伝導帯がバッファー層に使用されるインジウム及び硫黄を含む化合物の伝導帯よりも低いn型半導体が好ましい。なお、金属酸化物半導体として、ペロブスカイト型の酸化物半導体を使用する場合には、ドナーがドープされていてもよい。これらの金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層を形成することで、該金属酸化物半導体層が、後述する光吸収層に光を導入するための窓層となり、且つ、バッファー層からの電子を収集する役割を担うn型半導体層とすることができる。なお、これらの金属酸化物半導体は、単独で用いてもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。金属酸化物半導体層に使用される金属酸化物半導体として、チタン酸化物を採用する場合には、結晶構造はアナターゼ型のものを用いることが好ましい。金属酸化物半導体層の厚みは、10~2000nm程度が好ましく、20~300nm程度がより好ましい。金属酸化物半導体層の厚みをこの程度とすることにより、より確実にリーク電流を抑制し、且つ、バッファー層からの電子を収集することができる。金属酸化物半導体層の形成方法は特に制限はなく、CVD法、スパッタリング法、スプレー法等により形成すればよい。製造コスト、大面積化が容易なこと、品質が安定していることを考慮すると、スプレー法が好ましい。なお、スプレー法で形成する場合には、噴霧表面が室温~700°C、好ましくは300~500°Cに調整された基材具体的には後述の透光性導電層上に、金属酸化物半導体特にチタン酸化物を含む原料溶液を、空気中で噴霧して金属酸化物半導体層を形成すればよい。金属酸化物半導体としてチタン酸化物を使用する場合には、上記温度範囲内に調整することで、チタン酸化物の結晶性を向上させ、絡電流密度Jsc及び開放電圧Vocを改善できるため、光電変換効率を向上させることができる。<透光性導電層>本発明では、前記金属酸化物半導体層の上バッファー層とは反対側に、透光性導電層を備えることが好ましい。透光性導電層は、例えば、透明導電性酸化物からなるものとすればよく、例えば、フッ素ドープ錫酸化物FTO、インジウムドープ錫酸化物ITO、ガリウムドープ亜鉛酸化物、アルミニウムドープ亜鉛酸化物、ニオブドープチタン酸化物等からなるものが好ましく、なかでも、ITOからなるものがより好ましい。これにより、透光性導電層が、光吸収層に導入するための窓層となり、且つ、光吸収層から得られた電力を効率よく取り出すことができる。透光性導電層の厚みは、0.01~10.0μm程度が好ましく、0.3~1.0μm程度がより好ましい。透光性導電層の厚みを上記範囲内とすることにより、シート抵抗を低減し、結果として光電変換装置のシリーズ抵抗を低減できるため、フィルファクター特性を維持できる。<透光性基板>本発明では、前記透光性導電層の上金属酸化物半導体層とは反対側に、透光性基板を備えることが好ましい。透光性基板としては、特に制限されないが、例えば、ガラス、プラスチック等から構成すればよい。これにより、光を光吸収層に導入するための窓層になり得る。透光性基板の厚みは、特に限定されないが、0.1~5.0mm程度とすればよい。なお、例えば、ITO膜付きガラス、FTO膜付きガラス等の透明導電膜付き基板を、透光性基板及び透光性導電層としてもよい。<背面電極>本発明では、前記光吸収層の上バッファー層とは反対側に、背面電極を備えることが好ましい。背面電極としては、特に制限されないが、例えば、金属電極、特にモリブデン、金、銀、アルミニウム、カーボン、白金等が好ましい。また、これらの金属の合金等も好ましく用いられる。背面電極の厚みは、特に制限されないが、0.1~2.0μm程度とすればよい。<具体的な態様>上記で説明した本発明の光電変換素子の具体的な態様について、図面を参照してさらに詳細に説明する。図1は、金属酸化物半導体層が平滑構造を有する場合の本発明の光電変換素子の一態様を示す模式断面図である。光電変換素子1は、例えば、スーパーストレート構造で形成することができ、一主面として下面側に、透光性基板2が配置され、その上に、透光性導電層3、平滑な金属酸化物半導体層4、バッファー層5、光吸収層6及び背面電極7がこの順に積層されている。このような構成を採用することにより、再現性よく高い光電変換効率を実現できる。透光性基板2、透光性導電層3、平滑な金属酸化物半導体層4、バッファー層5、光吸収層6及び背面電極7について、材質、厚み等は上記したとおりである。透光性導電層3は、透光性基板2上に、CVD法、スパッタリング法、スプレー法等により形成すればよい。製造コスト、大面積化が容易なこと、品質が安定していることを考慮すると、スプレー法が好ましい。また、市販の透明導電膜付きガラス等を、透光性基板2及び透光性導電層3として使用することもできる。平滑な金属酸化物半導体層4は、透光性導電層3上に、CVD法、スパッタリング法、スプレー法等により形成すればよい。製造コスト、大面積化が容易なこと、品質が安定していることを考慮すると、スプレー法が好ましい。バッファー層5は、平滑な金属酸化物半導体層4上に、スプレー法により形成されることが好ましい。例えば、噴霧表面が150~400°Cに加熱された平滑な金属酸化物半導体層4上に、InCl3及びCSNH22を含む原料溶液濃度は、それぞれInCl3:1mM~500mM、及びCSNH22:1mM~500mMを、空気中で噴霧してバッファー層を形成すればよい。この際、平滑な金属酸化物半導体層4の噴霧表面が低すぎると、充分な熱分解反応が得られず、目的とするバッファー層5が得られない。また、平滑な金属酸化物半導体層4の噴霧表面が高すぎると、バッファー層5の厚みを厚くするのが困難となる。光吸収層6は、バッファー層5上に、スプレー法により形成される。例えば、噴霧表面が250~350°C、好ましくは270~290°Cに加熱されたバッファー層5上に、CuCl2、ZnNO22及びCSNH22を含む原料溶液濃度は、それぞれCuCl2:1mM~500mM、ZnNO32:1mM~500mM、及びCSNH22:1mM~1000mMを、空気中で噴霧して光吸収層6を形成すればよい。この際、バッファー層5の噴霧表面が低すぎると、充分な熱分解反応が得られない。また、バッファー層5の光電変換効率が著しく悪化する。なお、使用するCuCl2は、水和物CuCl22H2O、ZnNO32は水和物ZnNO326H2Oまたは、ZnCl2、CSNH22はCSNHCH32であってもよい。なお、上記では、バッファー層5及び光吸収層6の形成方法について、一例を示したが、これに限定されることはなく、様々な組成及び条件で作製することができる。背面電極7は、光吸収層層6上に、CVD法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等により形成すればよい。一方、図2は、金属酸化物半導体層が多孔質構造を有する場合の本発明の光電変換素子の一態様を示す模式断面図である。図2では、一主面として下面側に、透光性基板2が配置され、その上に、透光性導電層3、平滑な金属酸化物半導体層4及び背面電極7がこの順に積層されており、さらに、平滑な金属酸化物半導体層4と背面電極7との間に、酸化チタン微粒子8がバッファー層の材料であるIn2S39により被覆され、その空隙に光吸収層の材料であるCu2Zn2S3が入り込んでいる層が形成されている。この構成の光電変換素子1は、例えば、以下の方法により作製できる。透光性基板2、透光性導電層3及び平滑な金属酸化物半導体層4を、上記図1の態様と同様に形成する。次に、金属酸化物半導体層4の上に、半導体微粒子8からなる多孔質半導体層を形成する。例えば、多孔質半導体層が酸化チタンからなる場合、アナターゼ型酸化チタンにアセチルアセトン、酢酸、クエン酸等のキレート剤を添加した後、脱イオン水とともに混練し、トリトンX-100等の界面活性剤を加えて攪拌することで安定化させた酸化チタンのペーストを用いて、スピンコート法、スクリーン印刷法等で塗布し、大気中で300~600°C、好ましくは400~500°Cで、10~60分、好ましくは20~40分加熱処理することにより、簡便に多孔質半導体層を形成できる。具体的な組成としては、これに限定されるわけではないが、アナターゼ型酸化チタン6g、アセチルアセトン0.2mL、脱イオン水8mL、トリトンX-100和光純薬工業株式会社0.2mLである。なお、トリトンX-100とは、化合物名:ポリオキシエチレン=オクチルフェニルエーテル化学式:C2H4OXC14H22Oメーカー:ロシュダイアグノスティックス株式会社である。また、形成された多孔質半導体層の表面に、例えば、TiCl4処理、つまり、TiCl4水溶液に、多孔質半導体層が形成された積層体を5~95°C程度で1~100分程度浸漬し、水洗した後、300~650°C程度で1~100分程度焼成処理を施せば、より伝導性を向上させ、光電変換効率を向上させることができる。その後、上記図1の態様と同様に、バッファー層5の原料溶液、光吸収層6の原料溶液を順にスプレーする。これにより、酸化チタン微粒子9がバッファー層の材料であるIn2S310により被覆され、その空隙に光吸収層の材料であるCu2Zn2S3が入り込んでいる層が形成される。これにより、光吸収層6の活性面積を大きくし、光電変換効率を向上させることができる。そして、さらにその上に、背面電極を、上記図1の態様と同様に形成すればよい。2.光電変換素子の用途本発明の光電変換素子を、発電手段として用い、発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成した構成とすることで、様々な用途に適用可能である。具体的には、本発明の光電変換素子、本発明の光電変換素子から出力された直流電流を交流電流に変換するインバータ装置、電気モーター、照明装置等の負荷等を有する構成の光電変換装置とすることができる。その用途としては、例えば、建築物の屋根、壁面等に設置されるCIS型太陽電池等として使用することができる。実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらのみに限定されるものではない。なお、実施例で作製した光電変換素子の製造方法の概略を図3に示す。実施例1透光性導電層3を具備した透光性基板2として、シート抵抗10Ω/□スクエアの厚み0.5μm程度のSnO2:F層フッ素ドープSnO2層からなる透光性導電層が一主面に形成されたガラス基板の上に、酸化チタンからなる金属酸化物半導体層4を厚み200nm程度積層させた。積層法としてはスプレー法を用い、透光性導電層3の表面温度は375°Cとし、プリカーサー溶液としてTAA溶液チタンIVイソプロポキシドとアセチルアセトン=1:2モル比の溶液を10倍に希釈したエタノール溶液を30ml用い、30分間噴霧し、金属酸化物半導体層4として酸化チタン層を積層させた。この金属酸化物半導体層4上に、スプレー法により厚み0.3μm程度のバッファー層5を形成した。金属酸化物半導体層4の表面温度は180°C程度とし、プリカーサー溶液として10mMのInCl3と20mMのCSNH22を混合した水溶液を50ml用い、50分間噴霧した。次に、このバッファー層5上に、スプレー法により光吸収層6を厚み400nm程度積層させた。その際、バッファー層5上の表面温度は277°C程度にし、プリカーサー溶液としては、20mMのCuCl22H2O、30mMのZnNO32と150mMのCSNH22を混合した水溶液を30ml用い、60分間噴霧したCu/Zn比率は0.67。最後に、光吸収層6上に、背面電極7としてカーボンをスクリーン印刷法で厚み6~20μm程度に堆積させ、125°Cのホットプレートで余分な溶剤を除去してカーボン電極とし、実施例1の光電変換素子1を作製した。なお、この光電変換素子1は5mm角=25mm2とした。実施例1の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約1.45であった。実施例2光吸収層6のプリカーサー溶液中のCuCl22H2Oの濃度を30mMとすること以外は実施例1と同様に、実施例2の光電変換素子1を作製した光吸収層6のCu/Zn比率は1.0。試験例1と同様に、実施例2の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約2.30であった。実施例3光吸収層6のプリカーサー溶液中のCuCl22H2Oの濃度を30mMとし、ZnNO32の濃度を20mMとすること以外は実施例1と同様に、実施例3の光電変換素子1を作製した光吸収層6のCu/Zn比率は1.5。試験例1と同様に、実施例3の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約1.25であった。実施例4光吸収層6を形成する際のバッファー層5上の表面温度を259°Cとすること以外は実施例2と同様に、実施例4の光電変換素子1を作製した。試験例1と同様に、実施例4の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約0.38であった。実施例5光吸収層6を形成する際のバッファー層5上の表面温度を269°Cとすること以外は実施例2と同様に、実施例5の光電変換素子1を作製した。試験例1と同様に、実施例5の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約0.59であった。実施例6光吸収層6を形成する際のバッファー層5上の表面温度を285°Cとすること以外は実施例2と同様に、実施例6の光電変換素子1を作製した。試験例1と同様に、実施例6の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約2.23であった。実施例7光吸収層6を形成する際のバッファー層5上の表面温度を294°Cとすること以外は実施例2と同様に、実施例7の光電変換素子1を作製した。試験例1と同様に、実施例7の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約1.12であった。実施例8光吸収層6を形成する際のバッファー層5上の表面温度を304°Cとすること以外は実施例2と同様に、実施例8の光電変換素子1を作製した。試験例1と同様に、実施例8の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約0.36であった。実施例9金属酸化物半導体層4を形成する際の透光性導電層3上の表面温度を450°Cとすること以外は実施例2と同様に、実施例9の光電変換素子1を作製した。試験例1と同様に、実施例9の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約3.12であった。実施例1020mMのCuCl22H2O、30mMのZnNO32及び150mMのCSNH22を混合したプリカーサー溶液30mlを2時間かけてスプレー噴霧して光吸収6を積層させたこと以外は実施例9と同様に光電変換素子1を作製した。試験例1と同様に、実施例10の光電交換素子について、AM1.5のソーラーシミュレータの光100mW/cm2を照射し、光電特性の測定を行った。その結果、光電変換効率は約4.97であった。実施例10の光電変換素子1の試料断面について、EPMA分析した結果を図4に示す。金属酸化物半導体層4の上に、バッファー層5があり、さらにその上に光吸収層6が観察されているのがわかる。さらに、IPC分析を行ない、Cu/Zn/Sの元素比を測定した。その結果、Cu/Zn/S=3.9/3.8/5.9の比であることが分った。