SiC原料を収容するルツボ及び前記SiC原料に対向するように種基板が取り付けられる上蓋からなる成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けられた温度測定用の穴を通して、前記ルツボ内の温度を測定する温度測定器と、前記SiC原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記SiC原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にSiCを結晶成長させるSiC成長装置であって、前記ルツボの底部の下面の少なくとも一部が、該下面から下方に突出した側壁を有し、前記断熱材に設けられた温度測定用の穴が、前記ルツボの底部の下面にまで貫通しているものであることを特徴とするSiC成長装置。前記ルツボの高さLと前記側壁の高さTとが、T/L≧0.02を満たすものであることを特徴とする請求項1に記載のSiC成長装置。前記ルツボの下面から下方に突出した側壁の外径が、前記ルツボの外径よりも小さいものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のSiC成長装置。しかし、特許文献3のような方法では、温度測定器107による温度測定を、断熱材108の温度を測定することにより行う必要がある。これでは、実際の成長容器内の温度を正確に検出することはできず、温度制御の精度が悪化する。このため、成長させるSiCの結晶性や生産性も悪くなる。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、精度良く温度測定を行うことができ、かつ、原料の未昇華を防止し、結晶性の良いSiCを生産性良く成長させることができるSiC成長装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、SiC原料を収容するルツボ及び前記SiC原料に対向するように種基板が取り付けられる上蓋からなる成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けられた温度測定用の穴を通して、前記ルツボ内の温度を測定する温度測定器と、前記SiC原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記SiC原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にSiCを結晶成長させるSiC成長装置であって、前記ルツボの底部の下面の少なくとも一部が、該下面から下方に突出した側壁を有し、前記断熱材に設けられた温度測定用の穴が、前記ルツボの底部の下面にまで貫通しているものであることを特徴とするSiC成長装置を提供する。このように、ルツボの底部の下面に上記のような側壁を有することで、ルツボ底部での発熱量を容易に増すことができ、温度測定用の穴が設けられている位置での温度低下を抑制できるため、原料の未昇華を防止できる。また、温度測定用の穴が貫通しているのでルツボの底部の下面の温度を直接的に検出することができ、ルツボ底部の正確な温度を求めて、精度の良い温度制御を容易に行うことができる。このため、正確な温度測定により、ルツボ内の温度を精度良く制御して、結晶性の良いSiC結晶を生産性良く成長させることができる装置となる。このとき、前記ルツボの高さLと前記側壁の高さTとが、T/L≧0.02を満たすものであることが好ましい。ルツボと側壁がこのような高さの関係であれば、ルツボ底部での温度低下を効果的に抑制して、ルツボ内の温度をより効率的に制御できる装置となる。このとき、前記ルツボの下面から下方に突出した側壁の外径が、前記ルツボの外径よりも小さいものであることが好ましい。このような側壁であれば、局所的に発熱量をより多くできるため、より効率良くルツボ内温度を制御できる装置となる。以上のように、本発明によれば、ルツボの温度を正確に測定し、かつ、原料の未昇華を防止できるため、結晶性の良いSiC結晶を生産性良く成長させることができる装置となる。以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1は、本発明のSiC成長装置の一例を示す概略図である。図1に示す本発明のSiC成長装置10は、SiC原料22を収容するルツボ15及びSiC原料22に対向するように種基板12が取り付けられる上蓋14からなる成長容器18と、成長容器18を囲う断熱材16と、断熱材16に設けられた温度測定用の穴19を通して、ルツボ15内の温度を測定する温度測定器17と、SiC原料22を加熱するヒーター21とを備えている。成長容器18を構成するルツボ15と上蓋14は、例えば耐熱性のあるグラファイトで形成される。また、結晶成長の際には、不図示の石英管又はチャンバー内に成長容器18をセットして、真空排気しながらAr等の不活性ガスを供給することにより、不活性ガス雰囲気の減圧下で結晶成長を行う。断熱材16は、炭素繊維の成形材で形成でき、この断熱材16により、温度測定用の穴19以外のルツボ15と上蓋14の外表面は全て囲われていることが好ましい。ヒータ21は、RH抵抗加熱又はRF高周波加熱を行うものを用いることができる。また、温度測定器17としては、パイロメーターを用いることで、ルツボ15の外部から、断熱材16の温度測定用の穴19を通して、非接触で温度測定を精度良く行うことができる。そして、本発明の装置10は、ルツボ15の底部の下面20の少なくとも一部が、下面20から下方に突出した側壁11を有し、断熱材16に設けられた温度測定用の穴19が、ルツボ15の底部の下面20にまで貫通しているものである。このような側壁11を形成することで、例えば高周波加熱コイル等のヒーター21からの磁束や熱を側壁11が受けて、ルツボ15の下部がヒーター21により効率的に加熱される。これにより、断熱材16に、温度測定用の穴19をルツボ15の底部の下面20まで貫通するように形成して多少の熱が漏れたとしても、側壁11の存在によりルツボ15底部の温度低下を効果的に抑制できる。従って、SiC原料22が未昇華のまま残ってしまうこともなく、また、SiC原料22のほとんど全てを所望の温度で昇華させることができるので、生産性良く結晶性の良いSiC結晶13を成長させることができる。この際、ヒーター21はルツボ15底部での発熱を特に高くする等の特別な制御を行う必要が無いため、温度制御が容易である。また、特許文献3のようなルツボ底部の断熱性を向上させる方法では、断熱材の温度を測定して間接的にルツボの温度を求める必要があり、温度測定の精度が下がってしまう。しかし、本発明のように、ルツボ15底部の発熱量を上げる装置とすれば、ルツボ15底部の温度を直接的に温度測定するために、温度測定用の穴19を貫通させても、ルツボ15底部の温度低下を効果的に抑制できる。また、温度測定用の穴19を、ルツボ15の底部側ではなく、上蓋14側のみに設けた場合では、やはりルツボ15底部の温度を正確に検出できず、原料22の未昇華が生じてしまう。以上より、本発明の装置10であれば、ルツボ15底部でのSiC原料22の未昇華を防止でき、さらに、ルツボ15内、特に底部での温度を正確に測定できるため精度良く温度制御でき、結晶性の良いSiC結晶13を成長させることができる。側壁11は、例えばルツボ15と同じグラファイトで作製することができ、ルツボ15の底部の下面20を囲むように円周方向に途切れなく形成されれば、効率的にルツボ15底部の温度を維持できるため好ましい。この場合、側壁11の全体形状としては、特に限定されず、例えば、ルツボ15と同じ円筒形状であっても、中空の角柱形状であってもよい。また、図1及び図2aのように、側壁11をルツボ15底部の下面20全体を囲むように形成しても良いが、例えば、図2bのように、側壁11’の外径が、ルツボ15の外径よりも小さいもので、下面20の一部を囲むように形成することが好ましい。なお、図2abは、本発明の装置に用いることができるルツボと側壁を示す概略図である。上記のような外径であれば、特に温度低下する温度測定用の穴19を近くで囲むように側壁11を形成できるため、ルツボ15底部の温度低下をより効果的に抑制できる。また、図1に示すように、ルツボ15の高さLと側壁11の高さTとが、T/L≧0.02を満たすものであることが好ましい。このような側壁11の高さであれば、ルツボ15の底部をより効果的に熱することができ、ルツボ15底部の温度低下をより効率的に防止できる。また、図1に示す装置10には、温度測定用の穴19はルツボ15の底部側にのみ形成されているが、さらに断熱材16の上蓋14側にも形成してルツボ15の上下両側の温度を測定すれば、より精度良くルツボ15内の温度を検出することができる。このような図1に示す本発明のSiC成長装置10を用いて、以下のような昇華法によるSiC結晶成長を行うことができる。まず、SiC原料22としてSiCの粉末原料をルツボ15に収容し、SiC単結晶の種基板12を上蓋14に配置し、上蓋14を閉じる。そして、成長容器18を不図示の石英管内にセットし、高真空状態にして、例えばArガスを供給することでAr雰囲気にする。昇華速度を上げるために、真空排気とArガスの供給を制御して、成長容器18内を減圧状態に保つ。そして、ヒーター21で加熱して2000°C以上の温度にまで昇温して、温度測定用の穴19を通して温度測定器17によりルツボ15の底部の下面20の温度を測定してルツボ15内の温度を検出しながら、該測定結果を基にヒーター21の出力を制御して温度を調節する。この高温により、SiC原料を昇華させて、種基板12上にSiC結晶13を成長させる。当該結晶成長時には、ルツボ15内でも種基板12の温度がSiC原料22の温度より低くなるように温度制御する。以上の工程により、精度の良い温度測定、温度制御で、結晶性の良いSiC結晶を成長でき、成長後には原料の未昇華も無いため、生産性がよい。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例図1に示すようなSiC成長装置を用いて、昇華法によりSiC結晶成長を行った場合のルツボ内の温度分布をシミュレーションした。側壁は円筒状で、ルツボと同じグラファイト製のものとした。温度測定用の穴は、図1に示すように断熱材のルツボ底部の下面中央に相当する位置に穴を貫通させて形成したものとした。温度分布のシミュレーション結果を図3aに示す。比較例図4に示すようなSiC成長装置を用いた以外は実施例と同様に、昇華法によりSiC結晶成長を行った場合のルツボ内の温度分布をシミュレーションした。温度測定用の穴も同じ位置に形成したものとした。温度分布のシミュレーション結果を図3bに示す。図3aでは、ルツボ底部での温度低下が図3bよりも小さいことがわかる。これにより、本発明であれば、ルツボ底部の下面に側壁を有することで、温度測定用の穴から熱が漏れることによるルツボ底部の温度低下を効果的に抑制できることがわかる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。