"カルコゲナイド相変化合金基板のケミカルメカニカルポリッシングのためのケミカルメカニカルポリッシング組成物であって、水と、コロイダルシリカ砥粒0.1~30重量と、ハロゲン化合物0.05~5重量、フタル酸0.05~5重量、無水フタル酸0.05~5重量、ならびにそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも1種の研磨剤と、を含み、2以上7未満のpHを有する、ケミカルメカニカルポリッシング組成物。ハロゲン塩を0.05~5重量含む、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。フタル酸を0.05~5重量含む、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。酸化剤を含まない、請求項3記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。前記カルコゲナイド相変化合金が、ゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金であり;前記ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機でプラテン速度93rpm、キャリア速度87rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、及び名目ダウンフォース2.5psi17.2kPaで、400Å分以上のゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金除去速度を示し、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含む、請求項1記載の組成物。カルコゲナイド相変化合金基板のケミカルメカニカルポリッシングのためのケミカルメカニカルポリッシング組成物であって、水と、コロイダルシリカ砥粒0.2~20重量と、ハロゲン化合物0.1~4重量、フタル酸0.1~4重量、無水フタル酸0.1~4重量、ならびにそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも1種の研磨剤と、を含み、2.5~6のpHを有する、ケミカルメカニカルポリッシング組成物。ハロゲン塩を0.1~4重量含む、請求項6記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。フタル酸を0.1~4重量含む、請求項6記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。酸化剤を含まない、請求項8記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。前記カルコゲナイド相変化合金が、ゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金であり;前記ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機でプラテン速度93rpm、キャリア速度87rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、及び名目ダウンフォース2.5psi17.2kPaで、500Å分以上のゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金除去速度を示し、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含む、請求項6記載の組成物。選択的カルコゲナイド相変化材料スラリーの初期の例が、JongYoungKimへの米国特許第7,682,976号である。このスラリーにより、ゲルマニウム-アンチモン-テルルGST及びTEOS誘電体除去速度を調節する成分が多様になる。Kimの配合剤では、砥粒濃度が高いほどTEOS除去速度が上昇する。アゾールインヒビターの非存在下では、過酸化水素が増加すれば、GST除去速度が上昇する。このスラリーでは、TEOS除去速度に関するGSTの選択比が調節されるが、窒化ケイ素除去速度に関するGST除去速度が調節されることの開示は含まれない。PRAMデバイスの製造のために窒化ケイ素及び誘電体に関してカルコゲナイド相変化合金をバランス良く、又は非選択的に除去することが可能なケミカルメカニカルポリッシングCMP組成物が求められている。最初、選択的スラリーが、最小限の窒化ケイ素及び誘電体除去速度で、許容しうる相変化合金除去速度を提供する。その後、非選択的スラリーが、相変化合金除去速度と窒化ケイ素及び誘電体除去速度とをバランス良く組み合わせて、個々の統合スキームを適合させなければならない。発明の提示STATEMENTOFTHEINVENTION本発明の態様は、水と、コロイダルシリカ砥粒0.1~30重量と、ハロゲン化合物0.05~5重量、フタル酸0.05~5重量、無水フタル酸0.05~5重量、ならびにそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも1種の研磨剤と、を含み、2以上7未満のpHを有する、カルコゲナイド相変化合金基板のケミカルメカニカルポリッシングのためのケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。本発明の別の態様は、水と、コロイダルシリカ砥粒0.2~20重量と、ハロゲン化合物0.1~4重量、フタル酸0.1~4重量、無水フタル酸0.1~4重量、ならびにそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも1種の研磨剤と、を含み、2.5~6のpHを有する、カルコゲナイド相変化合金基板のケミカルメカニカルポリッシングのためのケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。詳細な説明本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法は、カルコゲナイド相変化合金を含む基板を研磨するのに有用である。本発明の方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、高いカルコゲナイド相変化合金除去速度を提供し、基板上の追加の材料、例えば、パターン付き半導体ウェーハに含まれるものなどへのバランス良い選択性又は非選択性を有する。ケミカルメカニカルポリッシングのための本発明の方法での使用に適した基板は、カルコゲナイド相変化合金を含む。好ましくはカルコゲナイド相変化合金は、ゲルマニウム-テルル相変化合金及びゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金から選択される。最も好ましくはカルコゲナイド相変化合金は、ゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金である。ケミカルメカニカルポリッシングのための本発明の方法での使用に適した基板は、場合により更に、リンケイ酸塩ガラスPSG、ホウリンケイ酸塩ガラスBPSG、非ドープケイ酸塩ガラスUSG、スピンオンガラスSOG、テトラエチルオルトケイ酸塩から製造された誘電体TEOS、プラズマ強化TEOSPETEOS、流動性酸化物FOx、高密度プラズマ化学蒸着HDP-CVD酸化物、及び窒化ケイ素例えば、Si3N4から選択される追加の材料を含む。好ましくは基板は、更にSi3N4及びTEOSから選択される追加の材料を含む。研磨スラリーは、ハロゲン化合物、フタル酸及びそれらの混合物の少なくとも1種を用いたカルコゲナイド相変化合金のための速度を得る。スラリーは、存在するならばハロゲン化合物を0.05~5重量含む。他に明記されていなければ、組成物の量は全て、重量を指す。スラリーは、存在するならばハロゲン化合物を好ましくは0.1~4重量含む。スラリーは、存在するならばハロゲン化合物を好ましくは0.2~3重量含む。ハロゲン化合物は、好ましくは臭化物、塩化物、ヨウ化物及びそれらの混合物から選択される少なくとも1種である。例の化合物としては、臭化アンモニウム、臭化カリウム、塩化アンモニウム、塩化カリウム、ヨウ化アンモニウム、ヨウ化カリウムならびにそれらの塩、誘導体及び混合物が挙げられる。カルコゲナイド相変化合金にとって、好ましいその化合物は、カリウム塩であり、そして好ましいハロゲンは、ヨウ化物である。あるいは研磨スラリーは、フタル酸、無水フタル酸塩、それらの誘導体及び混合物、例えば、フタル酸0.05~5重量又は無水フタル酸0.05~5重量を含んでいてもよい。フタル酸含有又は無水フタル酸含有スラリーの場合、酸化物を含まないことが可能である。好ましくはスラリーは、存在するならばフタル酸0.1~4重量又は無水フタル酸0.1~4重量を含む。最も好ましくはスラリーは、存在するならばフタル酸0.2~2重量又は無水フタル酸0.2~2重量を含む。実際には、フタル酸化合物、例えばフタル酸水素カリウムの分解によりフタル酸を添加することが可能である。フタル酸化合物及びフタル酸誘導体の別の具体的例は、フタル酸水素アンモニウムである。有利にはスラリーは、ハロゲン化合物と、フタル酸又は無水フタル酸との両方を含む。本発明のバランス良い選択性のスラリーの使用に適した砥粒としては、沈殿又は凝集されたコロイダルシリカ砥粒が挙げられる。本発明の幾つかの実施態様において、砥粒は、400nm以下の平均粒径を有するコロイダルシリカである。これらの実施態様の幾つかの態様において、コロイダルシリカは、2~300nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様において、コロイダルシリカは、5~250nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様において、コロイダルシリカは、5~100nmの平均粒径を有する。これらの実施態様の幾つかの態様において、コロイダルシリカは、100~250nmの平均粒径を有する。本発明の幾つかの実施態様において、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、砥粒を0.1~30重量含む。好ましくはその組成物は、砥粒を0.2~20重量含む。最も好ましくはその組成物は、砥粒を0.5~10重量含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物に含まれる水は、不可避不純物を制限するため、好ましくは脱イオン及び蒸留の少なくとも一方を施されている。典型的な配合剤は、バランスウォーターbalancewaterを含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、場合により更に、pH滴定剤、分散剤、界面活性剤、緩衝剤及び殺生物剤から選択される追加の添加剤を含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、2以上7未満のpHで有効性を提供する。好ましくはpHは、2.5~6であり、最も好ましくはpHは、3~5である。ケミカルメカニカルポリッシング組成物のpHを調整するための使用に適した酸としては、例えば、硝酸、硫酸及び塩酸が挙げられる。好ましくはpH調整剤は、塩酸である。pH調整のための適切な塩基としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム及び重炭酸テトラメチルアンモニウムが挙げられる。本発明の幾つかの実施態様において、カルコゲナイド相変化合金は、ゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金であり、砥粒は、コロイダルシリカであり、そして基板は、更にSi3N4を含む。これらの実施態様において、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、Si3N4除去速度を超える、又は超えないゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金除去速度を示す。例えばこれらの非選択的実施態様において、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、0.1:1~10:1の、Si3N4に対するゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金の除去速度選択比を示す。好ましくはそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、0.2:1~5:1の、Si3N4に対するゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金の除去速度選択比を示す。最も好ましくはそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、0.3:1~3:1の、Si3N4に対するゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金の除去速度選択比を示す。本発明の幾つかの実施態様において、カルコゲナイド相変化合金は、ゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金であり、砥粒は、コロイダルシリカであり、そして基板は、更にTEOSを含む。これらの実施態様において、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、TEOS除去速度を超える、又は超えないゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金除去速度を示す。例えばこれらの非選択的実施態様において、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、0.1:1~10:1の、TEOSに対するゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金の除去速度選択比を示す。好ましくはそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、0.2:1~5:1の、TEOSに対するゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金の除去速度選択比を示す。最も好ましくはそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、0.3:1~3:1の、TEOSに対するゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金の除去速度選択比を示す。本発明の幾つかの実施態様において、カルコゲナイド相変化合金は、ゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金であり、砥粒は、コロイダルシリカであり、そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物は、200mm研磨機例えば、AppliedMaterialsMirra200mm研磨機でプラテン速度93rpmrevolutionperminute、キャリア速度87rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、及び名目ダウンフォースnominaldownforce2.5psi17.2kPaで、400Å分以上、好ましくは500Å分以上、最も好ましくは1,000Å分以上のゲルマニウム-アンチモン-テルル相変化合金除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含む。ここに、本発明の幾つかの実施態様を、以下の実施例において詳細に記載する。実施例ケミカルメカニカルポリッシング組成物試験されたケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を、表1に記載する。ケミカルメカニカルポリッシング組成物A~Cは、比較用の配合剤であり、請求された発明の範囲に含まれない。実施例1全ての配合剤が、バランス脱イオン水を含んでおり、pH調整にHCl又はKOHを使用した。コロイダルシリカは、50nmの平均粒径を有するAZElectronicMaterials製のKlebosol登録商標II150150であった。アルミナは、230nmの平均粒径を有するSaintGobainInc製の多結晶アルミナであった。用いられた酸化セリウムは、130nmの平均粒径を有するNanophaseTechnologiesCorporation製のNanoTekSG3であった。研磨試験表1に記載されたケミカルメカニカルポリッシング組成物を、IC1010商標ポリウレタン研磨パッドRohmandHaasElectronicMaterialsCMPIncから市販を用いたISRM検出装置を具備したAppliedMaterialsIncMirra200mm研磨機を利用して、ダウンフォース2.5psi17.2kPa、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、プラテン速度93rpm及びキャリア速度87rpmの下で試験した。SKWAssociatesIncのゲルマニウム-アンチモン-テルルGSTブランケットウェーハを、特記された条件下で研磨した。重量減少測定により、及びJordanValleyJVX5200T計測ツールを用いたXRR測定により、表2に報告されたGST除去速度データを測定した。ATDFのSi3N4及びTEOSブランケットウェーハを、特記された条件下で研磨した。表2に報告されたSi3N4及びTEOS除去速度は、KLATencorFX200膜厚測定装置を用いて測定した。研磨試験の結果を、表2に示す。比較用のスラリーAは、カルコゲナイド相変化合金にとって許容しうる除去速度を提供したが、パターン付き半導体ウェーハに適した研磨を提供しなかった。加えて、アルミナ含有の比較用スラリーBは、Si3N4に対するGe-Sb-Teの選択比約80:1、及びTEOSに対するGe-Sb-Teの選択比約38:1を提供した。同様に、セリア含有の比較用スラリーCは、Si3N4に対するGe-Sb-Teの選択比約48:1、及びTEOSに対するGe-Sb-Teの選択比約26:1を提供した。残りの本発明のスラリーは、パターン付きウェーハに適したカルコゲナイド相変化合金に関してバランス良い、又は非選択的なものを提供した。詳細には、コロイダルシリカを含むスラリー1~5は、Si3N4に対するGe-Sb-Teの選択比約0.7:1~3.6:1、及びTEOSに対するGe-Sb-Teの選択比約1:1~3.1:1の範囲内の非選択的スラリーを提供した。実施例2表3全ての配合剤が、バランス脱イオン水を含んでおり、pH4への調整にHCl又はKOHを使用した。1アルミナは、230nmの平均粒径を有するSaintGobainInc製の多結晶A9225アルミナであった。2コロイダルシリカは、172nmの平均粒径を有するAZElectronicMaterials製のKlebosol登録商標1686であった。3コロイダルシリカは、平均一次粒径24nm及び平均二次粒径48nmを有するFusoChemicalCorporation製のFUSOPL2であった。4コロイダルシリカは、平均一次粒径35nm及び平均二次粒径70nmを有するFusoChemicalCorporation製のFUSOPL3であった。5コロイダルシリカは、平均一次粒径75nm及び平均二次粒径125nmを有するFusoChemicalCorporation製のFUSOPL7であった。表3のスラリーの研磨結果を、以下の表4に示す。上記データから、本発明の研磨配合剤が複数の型のコロイダルシリカ粒子によって効果的になることが示された。具体的には、その配合剤が、無機ケイ酸塩から製造された従来のコロイダルシリカ及び3種の寸法の繭形コロイダルシリカについて、非選択的結果を提供した。その繭形コロイダルシリカは、有機化合物で合成されたFusoChemicalCorporation製の、1個の二次粒子に結合した2個の一次粒子を含んでいた。上記配合剤から、様々な統合スキームで操作するカルコゲナイド相変化合金研磨スラリーを提供することが可能である。例えば、カルコゲナイド相変化合金を一段階で研磨するバランス良い配合剤又は非選択的配合剤を使用することが可能である。あるいは、二段階で研磨するカルコゲナイド相変化合金を提供することが可能である。例えば、幾つかの統合スキームでは、最初の選択的スラリーを用いて、カルコゲナイド相変化合金を除去し、そして誘電体、例えばTEOS上で停止させることができる。これらの統合スキームでは、その後、カルコゲナイド相変化合金及び誘電層を除去することにより、バランス良いスラリー又は非選択的スラリーが研磨を終了させる。"