"少なくとも、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板であって、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した樹脂含浸繊維基材と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有するものであることを特徴とする繊維含有樹脂基板。前記樹脂含浸繊維基材のX-Y方向の膨張係数が3ppm以上15ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の繊維含有樹脂基板。前記未硬化樹脂層の厚みが20ミクロン以上200ミクロン以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の繊維含有樹脂基板。前記未硬化樹脂層が、50°C未満で固形化し、かつ50°C以上150°C以下で溶融するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びエポキシシリコーン混成樹脂のいずれかを含むものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の繊維含有樹脂基板。封止後半導体素子搭載基板であって、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子搭載基板。封止後半導体素子形成ウエハであって、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子形成ウエハ。半導体装置であって、請求項5に記載の封止後半導体素子搭載基板、又は請求項6に記載の封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化したものであることを特徴とする半導体装置。半導体装置を製造する方法であって、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い繊維含有樹脂基板を提供することを目的とする。また、該繊維含有樹脂基板により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、該封止後半導体素子搭載基板及び該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記繊維含有樹脂基板を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、少なくとも、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板であって、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した樹脂含浸繊維基材と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有するものであることを特徴とする繊維含有樹脂基板を提供する。このように、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した樹脂含浸繊維基材と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する繊維含有樹脂基板であれば、膨張係数の非常に小さな樹脂含浸繊維基材が、封止硬化時の未硬化樹脂層の収縮応力を抑制することができるため、大径ウエハや金属等の大径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い繊維含有樹脂基板となる。また、前記樹脂含浸繊維基材のX-Y方向の膨張係数が3ppm以上15ppm以下であることが好ましい。このように、前記樹脂含浸繊維基材のX-Y方向の膨張係数が3ppm以上15ppm以下であれば、前記半導体素子を搭載した基板又は前記半導体素子を形成したウエハとの膨張係数の差が小さくなり、そのため封止される基板又はウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離をより確実に抑制することができるため好ましい。また、前記未硬化樹脂層の厚みが20ミクロンμm以上200ミクロンμm以下であることが好ましい。このように、前記未硬化樹脂層の厚みが20ミクロン以上であれば半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止するのに充分であり、薄すぎることによる充填性の不良が生じることを抑制できるため好ましく、200ミクロン以下であれば封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが厚くなり過ぎることを抑制できるため好ましい。さらに、前記未硬化樹脂層が、50°C未満で固形化し、かつ50°C以上150°C以下で溶融するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びエポキシシリコーン混成樹脂のいずれかを含むものであることが好ましい。このように、前記未硬化樹脂層が、50°C未満で固形化し、かつ50°C以上150°C以下で溶融するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びエポキシシリコーン混成樹脂のいずれかを含むものであれば、膨張係数の非常に小さな樹脂含浸繊維基材がこれら樹脂を含む未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができるため、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離をより確実に抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止できる繊維含有樹脂基板となり、かつこれら樹脂を含む未硬化樹脂層を有する繊維含有樹脂基板であれば、特に封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板となる。また、本発明では、封止後半導体素子搭載基板であって、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子搭載基板を提供する。このように、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止された封止後半導体素子搭載基板であれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板となる。さらに、本発明では、封止後半導体素子形成ウエハであって、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子形成ウエハを提供する。このように、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止された封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子形成ウエハとなる。また、本発明では、半導体装置であって、前記封止後半導体素子搭載基板、又は前記封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化したものであることを特徴とする半導体装置を提供する。このように、前記繊維含有樹脂基板により封止された前記封止後半導体素子搭載基板、又は前記封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化した半導体装置であれば、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、かつ反りが抑制された基板やウエハから半導体装置を製造できるため、高品質な半導体装置となる。また、本発明では半導体装置を製造する方法であって、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。このような半導体装置の製造方法であれば、被覆工程においては前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により簡便に、充填不良なく半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆することができる。また、前記繊維含有樹脂基板を使用するので、樹脂含浸繊維基材が未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制できるため、封止工程においては該半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を一括封止することができ、薄型で大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハを得ることができる。さらに、個片化工程においては耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、かつ反りが抑制された該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハから半導体装置をダイシングし、個片化することができるため、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法となる。以上説明したように、本発明の繊維含有樹脂基板であれば、樹脂含浸繊維基材が硬化封止時の未硬化樹脂層の収縮応力を抑制することができるので、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることを抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い繊維含有樹脂基板となる。また、該繊維含有樹脂基板により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハは、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることが抑制されたものとなる。さらに、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、かつ反りが抑制された該封止後半導体素子搭載基板及び該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置は高品質なものとなる。また、前記繊維含有樹脂基板を用いた半導体装置の製造方法により、高品質な半導体装置を製造することができる。以下、本発明の繊維含有樹脂基板、該繊維含有樹脂基板により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、該封止後半導体素子搭載基板及び該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記繊維含有樹脂基板を用いた半導体装置の製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。前述のように、半導体素子を搭載した金属等の大口径基板や半導体素子を形成した大口径ウエハを封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることが抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる汎用性の高い封止材が求められていた。本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意検討を重ねた結果、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した樹脂含浸繊維基材と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する繊維含有樹脂基板であれば、膨張係数の非常に小さな樹脂含浸繊維基材が未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができることを見出し、この収縮応力の抑制作用により、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制できることを見出し、本発明の繊維含有樹脂基板を用いれば半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い封止材となることを見出して、本発明の繊維含有樹脂基板を完成させた。また、本発明者らは、前記繊維含有樹脂基板により一括封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハとなることを見出し、さらに、このように反りや半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハを個片化することで、高品質の半導体装置が得られることを見出し、本発明の封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、及び半導体装置を完成させた。さらに、本発明者らは、前記繊維含有樹脂基板を用いることで簡便に半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆することができることを見出し、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層を加熱、硬化することで該半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を一括封止することができることを見出し、さらに、このように封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、反り、半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、高品質な半導体装置を製造することができることを見出して、本発明の半導体装置の製造方法を完成させた。本発明は、少なくとも、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板であって、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した樹脂含浸繊維基材と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有するものであることを特徴とする繊維含有樹脂基板を提供する。<樹脂含浸繊維基材>本発明の繊維含有樹脂基板は樹脂含浸繊維基材を有する。該樹脂含浸繊維基材は、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化したものである。樹脂含浸繊維基材は膨張係数が非常に小さく、後に詳述する未硬化樹脂層を硬化させた時の収縮応力を抑制することができるため、本発明の繊維含有樹脂基板により大径ウエハや金属等の大径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制できるものとするものである。[繊維基材]前記繊維基材として使用することができるものとしては、例えば炭素繊維、ガラス繊維、石英ガラス繊維、金属繊維等の無機繊維、芳香族ポリアミド繊維、ポリイミド繊維、ポリアミドイミド繊維等の有機繊維、さらには炭化ケイ素繊維、炭化チタン繊維、ボロン繊維、アルミナ繊維等が例示され、製品特性に応じていかなるものも使用することができる。また、最も好ましい繊維基材としてはガラス繊維、石英繊維、炭素繊維等が例示される。中でも絶縁性の高いガラス繊維や石英ガラス繊維が繊維基材として好ましい。前記繊維基材の形態としては、例えば長繊維フィラメントを一定方向に引きそろえたロービング、繊維クロス、不織布等のシート状のもの、更にはチョップストランドマット等が例示されるが、積層体を形成することができるものであれば特に制限はされない。[熱硬化性樹脂]前記熱硬化性樹脂としては、下記に例示するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂が例示されるが、通常半導体素子の封止に使用される熱硬化性の樹脂であれば特に制限はされない。[樹脂含浸繊維基材の作製方法]前記繊維基材に前記熱硬化性樹脂を含浸させる方法としては、溶剤法とホットメルト法のいずれの方法でも実施できる。溶剤法とは前記熱硬化性樹脂を有機溶剤に溶解した樹脂ワニスを調整し、該樹脂ワニスを前記繊維基材に含浸させ、その後、有機溶剤を揮散除去する方法であり、ホットメルト法とは固形の前記熱硬化性樹脂を加熱して溶かし前記繊維基材に含浸させる方法である。前記繊維基材に含浸した前記熱硬化性樹脂を半硬化する方法としては、特に制限はされないが、前記繊維基材に含浸した前記熱硬化性樹脂を加熱により脱溶媒等して半硬化する方法等が例示される。前記繊維基材に含浸した前記熱硬化性樹脂を硬化する方法としては、特に制限はされないが、前記繊維基材に含浸した前記熱硬化性樹脂を加熱により硬化する方法等が例示される。繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した樹脂含浸繊維基材の厚みは使用する繊維クロス等の繊維基材の厚みによって決まり、厚い樹脂含浸繊維基材を作製する場合は繊維クロス等の繊維基材の使用枚数を多くし、積層して作製する。本発明において半硬化とは、JISK6800接着剤接着用語に定義されているようなB-ステージ熱硬化性樹脂の硬化中間体、この状態での樹脂は加熱すると軟化し、ある種の溶剤に触れると膨潤するが、完全に溶融、溶解することはない状態をいうものである。前記樹脂含浸繊維基材の厚みは、繊維基材に含浸させた熱硬化性樹脂を半硬化及び硬化したいずれの場合も50ミクロン~1mmであることが好ましく、より好ましくは50ミクロン~500ミクロンのものが望ましい。50ミクロン以上であれば薄すぎて変形しやすくなることを抑制できるため好ましく、また1mm以下であれば半導体装置そのものが厚くなることを抑制できるため好ましい。また、前記樹脂含浸繊維基材のX-Y方向の膨張係数は3ppm以上15ppm以下であることが好ましく、5以上10ppm以下であることがより好ましい。前記樹脂含浸繊維基材のX-Y方向の膨張係数が3ppm以上15ppm以下であれば半導体素子を搭載した基板又は半導体素子を形成したウエハとの膨張係数の差が大きくなることを抑制でき、そのためこれら基板又はウエハの反りをより確実に抑制することができる。なお、X-Y方向とは前記樹脂含浸繊維基材の面方向をいう。また、X-Y方向の膨張係数は、前記樹脂含浸繊維基材の面方向に任意にX軸、Y軸をとって測定した膨張係数をいう。前記樹脂含浸繊維基材は半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止したあとの反りを低減させ、一個以上の半導体素子を配列、接着させた基板を補強するために重要である。そのため、硬くて剛直な樹脂含浸繊維基材であることが望ましい。<未硬化樹脂層>本発明の繊維含有樹脂基板は未硬化樹脂層を有する。該未硬化樹脂層は、前記樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなるものである。未硬化樹脂層は、封止するための樹脂層となる。前記未硬化樹脂層の厚みは20ミクロン以上200ミクロン以下であることが好ましい。20ミクロン以上であれば半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止するのに充分であり、薄すぎることによる充填性の不良が生じることを抑制できるため好ましく、200ミクロン以下であれば封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが厚くなり過ぎることが抑制できるため好ましい。前記未硬化樹脂層は、特に制限はされないが、通常半導体素子の封止に使用される液状エポキシ樹脂や固形のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はエポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂からなる未硬化樹脂層であることが好ましい。特に、前記未硬化樹脂層は、50°C未満で固形化し、かつ50°C以上150°C以下で溶融するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びエポキシシリコーン混成樹脂のいずれかを含むものであることが好ましい。[エポキシ樹脂]前記エポキシ樹脂としては、特に制限はされないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、3,3’,5,5’-テトラメチル-4,4’-ビフェノール型エポキシ樹脂又は4,4’-ビフェノール型エポキシ樹脂のようなビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、及びフェノールジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂の芳香環を水素化したエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など室温で液状や固体の公知のエポキシ樹脂が挙げられる。また、必要に応じて、上記以外のエポキシ樹脂を本発明の効果を損なわない範囲で一定量併用することができる。前記エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。イオン交換水50mlに試料10gを添加し、密封して120°Cのオーブン中に20時間静置した後、加熱抽出する120°Cでの抽出でいずれのイオンも10ppm以下であることが望ましい。エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層にはエポキシ樹脂の硬化剤を含めることができる。該硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、各種アミン誘導体、酸無水物や酸無水物基を一部開環させカルボン酸を生成させたものなどを使用することができる。なかでも本発明の繊維含有樹脂基板を用いて製造される半導体装置の信頼性を確保するためにフェノールノボラック樹脂が望ましい。特に、前記エポキシ樹脂と該フェノールノボラック樹脂の混合比をエポキシ基とフェノール性水酸基の比率が1:0.8~1.3となるように混合することが好ましい。更に、前記エポキシ樹脂と前記硬化剤の反応を促進するため、反応促進剤としてイミダゾール誘導体、フォスフィン誘導体、アミン誘導体、有機アルミニウム化合物などの金属化合物等を使用しても良い。エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、ワックス類、ハロゲントラップ剤等の添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。[シリコーン樹脂]前記シリコーン樹脂としては、熱硬化性のシリコーン樹脂等が使用可能である。特に、シリコーン樹脂からなる未硬化樹脂層は付加硬化型シリコーン樹脂組成物を含むことが望ましい。該付加硬化型シリコーン樹脂組成物としては、A非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物、Bオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及びC白金系触媒を必須成分とするものが特に好ましい。以下、これらA~C成分について説明する。A成分:非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物前記A非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物としては、一般式1:R1R2R3SiO-R4R5SiOa-R6R7SiOb-SiR1R2R3式中、R1は非共役二重結合含有一価炭化水素基を示し、R2~R7はそれぞれ同一又は異種の一価炭化水素基を示し、a及びbは0≦a≦500、0≦b≦250、かつ0≦ab≦500を満たす整数である。で示されるオルガノポリシロキサンが例示される。上記一般式1中、R1は非共役二重結合含有一価炭化水素基であり、好ましくは炭素数2~8、特に好ましくは炭素数2~6のアルケニル基で代表される脂肪族不飽和結合を有する非共役二重結合含有一価炭化水素基である。上記一般式1中、R2~R7はそれぞれ同一又は異種の一価炭化水素基であり、好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。また、このうちR4~R7は、より好ましくは脂肪族不飽和結合を除く一価炭化水素基であり、特に好ましくはアルケニル基等の脂肪族不飽和結合を持たないアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。さらに、このうちR6、R7は芳香族一価炭化水素基であることが好ましく、フェニル基やトリル基等の炭素数6~12のアリール基等であることが特に好ましい。上記一般式1中、a及びbは0≦a≦500、0≦b≦250、かつ0≦ab≦500を満たす整数であり、aは10≦a≦500であることが好ましく、bは0≦b≦150であることが好ましく、またabは10≦ab≦500を満たすことが好ましい。上記一般式1で示されるオルガノポリシロキサンは、例えば、環状ジフェニルポリシロキサン、環状メチルフェニルポリシロキサン等の環状ジオルガノポリシロキサンと、末端基を構成するジフェニルテトラビニルジシロキサン、ジビニルテトラフェニルジシロキサン等のジシロキサンとのアルカリ平衡化反応によって得ることができるが、この場合、アルカリ触媒特にKOH等の強アルカリによる平衡化反応においては、少量の触媒で不可逆反応で重合が進行するため、定量的に開環重合のみが進行し、末端封鎖率も高いため、通常、シラノール基及びクロル分は含有されない。上記一般式1で示されるオルガノポリシロキサンとしては、具体的に下記のものが例示される。上記式において、k、mは、0≦k≦500、0≦m≦250、かつ0≦km≦500を満足する整数であり、好ましくは5≦km≦250、かつ0≦m/km≦0.5を満足する整数である。A成分としては、上記一般式1で示される直鎖構造を有するオルガノポリシロキサンの他、必要に応じて、3官能性シロキサン単位、4官能性シロキサン単位等を含む三次元網目構造を有するオルガノポリシロキサンを併用することもできる。A非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物は1種単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。A非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物中の非共役二重結合を有する基Si原子に結合する二重結合を有する一価炭化水素基の量は、全一価炭化水素基Si原子に結合する全ての一価炭化水素基のうち1~50モルであることが好ましく、より好ましくは2~40モル、特に好ましくは5~30モルである。非共役二重結合を有する基の量が1モル以上であれば硬化させたときに良好な硬化物を得ることができ、50モル以下であれば硬化させたときの機械的特性が良いため好ましい。また、A非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物は芳香族一価炭化水素基Si原子に結合する芳香族一価炭化水素基を有することが好ましく、芳香族一価炭化水素基の含有量は、全一価炭化水素基Si原子に結合する全ての一価炭化水素基の0~95モルであることが好ましく、より好ましくは10~90モル、特に好ましくは20~80モルである。芳香族一価炭化水素基は樹脂中に適量含まれた方が、硬化させたときの機械的特性が良く製造もしやすいという利点がある。B成分:オルガノハイドロジェンポリシロキサン前記B成分としては、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子SiH基を2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが好ましい。一分子中にケイ素原子に結合した水素原子SiH基を2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであれば、架橋剤として作用し、B成分中のSiH基とA成分のビニル基、アルケニル基等の非共役二重結合含有基とが付加反応することにより、硬化物を形成することができる。また、Bオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、芳香族一価炭化水素基を有することが好ましい。このように、芳香族一価炭化水素基を有するBオルガノハイドロジェンポリシロキサンであれば、前記A成分との相溶性を高めることができる。Bオルガノハイドロジェンポリシロキサンは1種単独で用いても2種以上を混合して用いてもよく、例えば、芳香族炭化水素基を有するBオルガノハイドロジェンポリシロキサンをB成分の一部又は全部として含ませることができる。Bオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、これに限られるものではないが、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリスジメチルハイドロジェンシロキシメチルシラン、トリスジメチルハイドロジェンシロキシフェニルシラン、1-グリシドキシプロピル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,5-グリシドキシプロピル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1-グリシドキシプロピル-5-トリメトキシシリルエチル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサンメチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサンメチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサンジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサンジフェニルシロキサンジメチルシロキサン共重合体、トリメトキシシラン重合体、CH32HSiO1/2単位とSiO4/2単位とからなる共重合体、CH32HSiO1/2単位とSiO4/2単位とC6H5SiO3/2単位とからなる共重合体等が挙げられる。また、下記構造で示される単位を使用して得られるオルガノハイドロジェンポリシロキサンも用いることができる。また、Bオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては下記のものが挙げられる。Bオルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、一分子中のケイ素原子の数又は重合体の場合は重合度は2以上が好ましく、より好ましくは2~1,000、特に好ましくは2~300程度のものを使用することができる。Bオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、A成分のアルケニル基等の非共役二重結合を有する基1個当たりB成分中のケイ素原子結合水素原子SiH基が0.7~3.0個となる量であることが好ましい。C成分:白金系触媒前記C成分には、白金系触媒が用いられる。C白金系触媒としては、例えば塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、キレート構造を有する白金錯体等が挙げられる。これらは1種単独でも、2種以上の組み合わせでも使用することができる。C白金系触媒の配合量は、硬化有効量であり所謂触媒量でよく、通常、前記A成分及びB成分の総質量100質量部あたり、白金族金属の質量換算で0.1~500ppmであることが好ましく、特に0.5~100ppmの範囲であることが好ましい。前記シリコーン樹脂からなる未硬化樹脂層は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。通常、120°Cでの抽出でいずれのイオンも10ppm以下であることが望ましい。[エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂]前記混成樹脂に含まれるエポキシ樹脂とシリコーン樹脂としては、前述のエポキシ樹脂と前述のシリコーン樹脂が挙げられる。前記混成樹脂からなる未硬化樹脂層は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。通常、120°Cでの抽出でいずれのイオンも10ppm以下であることが望ましい。[無機充填剤]本発明に係る未硬化樹脂層には無機充填剤を配合することができる。配合される無機充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミノシリケート、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。特にエポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層に添加する前記無機充填剤としては、エポキシ樹脂と無機充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。このようなカップリング剤としては、例えば、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N-βアミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン等を用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。前記シリコーン樹脂組成物からなる未硬化樹脂層に添加する場合も、前記無機質充填材の表面を上記のようなカップリング材で処理したものを配合しても良い。前記無機充填剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物やシリコーン樹脂組成物中の樹脂の総質量100質量部に対し、100~1300質量部が好ましく、特に200~1000質量部が好ましい。100質量部以上であれば十分な強度を得ることができ、1300質量部以下であれば増粘による流動性の低下が抑制され、流動性低下による充填性の不良が抑制され、結果としてウエハに形成された半導体素子及び基板上に配列搭載された半導体素子を良好に封止することができる。なお、この無機充填剤は、未硬化樹脂層を構成する組成物全体の50~95質量、特に60~90質量の範囲で含有することが好ましい。<繊維含有樹脂基板>本発明の繊維含有樹脂基板の断面図の一例を図1に示す。本発明の繊維含有樹脂基板10は、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化した上述の樹脂含浸繊維基材1と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる上述の未硬化樹脂層2とを有するものである。[繊維含有樹脂基板の作製方法]繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化した樹脂含浸繊維基材を使用して本発明の繊維含有樹脂基板を作製する場合は、樹脂含浸繊維基材の片面上に、減圧又は真空下で、印刷やディスペンス等で熱硬化性の液状エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を更に塗布し、加熱することで、50°C以下で固形な未硬化樹脂層を形成し、繊維含有樹脂基板を作製する。繊維基材に含浸させる熱硬化性樹脂として熱硬化性エポキシ樹脂を用い、該熱硬化性樹脂を半硬化した樹脂含浸繊維基材を使用して本発明の繊維含有樹脂基板を作製する場合、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成される未硬化の熱硬化性樹脂もエポキシ樹脂であることが好ましい。このように、樹脂含浸繊維基材に含浸させて半硬化とした熱硬化性樹脂と、未硬化樹脂層の熱硬化性樹脂とが同種の熱硬化性樹脂であれば、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するときに同時に硬化をさせることができ、それにより一層強固な封止機能が達成されるため好ましい。繊維基材に含浸させる熱硬化性樹脂としてシリコーン樹脂を用いた場合も同様に、未硬化の熱硬化性樹脂がシリコーン樹脂であることが好ましい。前記繊維基材に前記熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を硬化した樹脂含浸繊維基材を使用して本発明の繊維含有樹脂基板を作製する場合は、該樹脂含浸繊維基材の片面上に未硬化の熱硬化性樹脂をプレス成形、印刷するなど、従来のエポキシ熱硬化性樹脂やシリコーン熱硬化性樹脂等で用いられてきた各種の方法で未硬化樹脂層を形成することができる。形成後、通常では180°C程度の温度で4~8時間ポストキュアさせることが好ましい。その他、前記樹脂含浸繊維基材の片面上に未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成する方法としては、室温で固体のエポキシ熱硬化性樹脂やシリコーン熱硬化性樹脂等を加熱しながら加圧する方法やエポキシ樹脂組成物にアセトン等の極性溶剤を適量添加することで液状化し印刷などで薄膜を形成し、溶剤を減圧下で加熱するなどの方法で除去することで均一に樹脂含浸繊維基材の片面上に未硬化樹脂層を形成することができる。いずれの方法でも樹脂含浸繊維基材の片面上に、ボイドや揮発成分のない、厚みが30~500ミクロン程度の未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成することができる。[半導体素子を搭載した基板及び半導体素子を形成したウエハ]本発明の繊維含有樹脂基板は半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、及び半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板である。半導体素子を搭載した基板としては、例えば図2a中の一個以上の半導体素子3を接着剤4で無機、金属あるいは有機基板5上に搭載した基板が挙げられる。また、半導体素子を形成したウエハとしては、例えば図2b中のウエハ7上に半導体素子6が形成されたウエハが挙げられる。なお、前記半導体素子を搭載した基板とは、半導体素子を搭載し配列等した半導体素子アレイを含むものである。<封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ>本発明の繊維含有樹脂基板により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハの断面図の一例を図2a及びbに示す。本発明の封止後半導体素子搭載基板11は、前記繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2図1参照により半導体素子3を搭載した基板5の半導体素子搭載面を被覆し、該未硬化樹脂層2図1参照を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層2’とし、前記繊維含有樹脂基板10により一括封止されたものである図2a。また、本発明の封止後半導体素子形成ウエハ12は、前記繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2図1参照により半導体素子6を形成したウエハ7の半導体素子形成面を被覆し、該未硬化樹脂層2図1参照を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層2’とし、前記繊維含有樹脂基板10により一括封止されたものである図2b。このように、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとなる。<半導体装置>本発明の半導体装置の一例を図3a、bに示す。本発明の半導体装置13は前記封止後半導体素子搭載基板11図2参照又は前記封止後半導体素子形成ウエハ12図2参照をダイシングして、個片化したものである。このように、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、かつ基板やウエハの反り、基板からの半導体素子3の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板11図2参照又は封止後半導体素子形成ウエハ12図2参照をダイシングし、個片化して作製された半導体装置13、14は高品質な半導体装置となる。前記封止後半導体素子搭載基板11図2a参照をダイシングして個片化した場合、半導体装置13は基板5上に接着剤4を介して半導体素子3が搭載され、その上から硬化後の樹脂層2’と樹脂含浸繊維基材1からなる繊維含有樹脂基板10により封止された半導体装置となる図3a。また、前記封止後半導体素子形成ウエハ12図2b参照をダイシングして個片化した場合、半導体装置14はウエハ7に半導体素子6が形成され、その上から硬化後の樹脂層2’と樹脂含浸繊維基材1からなる繊維含有樹脂基板10により封止された半導体装置となる図3b。<半導体装置の製造方法>本発明は、半導体装置を製造する方法であって、前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。以下、図4を用いて本発明の半導体装置の製造方法について説明する。[被覆工程]本発明の半導体装置の製造方法に係る被覆工程は、樹脂含浸繊維基材1と未硬化樹脂層2を有する繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2により、接着剤4を介して半導体素子3を搭載した基板5の半導体素子搭載面、又は半導体素子不図示を形成したウエハ不図示の半導体素子形成面を被覆する工程である図4A。[封止工程]本発明の半導体装置の製造方法に係る封止工程は、前記繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2を加熱、硬化して硬化後の樹脂層2’とすることで、前記半導体素子3を搭載した基板5の半導体素子搭載面又は前記半導体素子不図示を形成したウエハ不図示の半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板11又は封止後半導体素子形成ウエハ不図示とする工程である図4B。[個片化工程]本発明の半導体装置の製造方法に係る個片化工程は、前記封止後半導体素子搭載基板11又は前記封止後半導体素子形成ウエハ不図示をダイシングし、個片化することで、半導体装置13、14図3b参照を製造する工程である図4C、D。以下、より具体的に説明する。前記被覆工程、封止工程においては、ソルダーレジストフィルムや各種絶縁フィルム等のラミネーションに使用されている真空ラミネータ装置等を使用することで、ボイドも反りもない被覆、封止を行うことができる。ラミネーションの方式としてはロールラミネーションやダイアフラム式真空ラミネーション、エアー加圧式ラミネーション等いずれの方式も使用することができる。なかでも、真空ラミネーションとエアー加圧式の併用が好ましい。ここでは例として、ニチゴーモートン社製の真空ラミネーション装置を用いて、厚み50ミクロンのガラスクロス繊維基材にシリコーン樹脂を含浸したシリコーン樹脂含浸繊維基材と片面に厚み50ミクロンの未硬化の熱硬化性シリコーン樹脂からなる未硬化樹脂層を有する繊維含有樹脂基板で、厚み250ミクロン、直径300mm12インチのシリコンウエハを封止する場合について説明する。上下にヒーターが内蔵され150°Cに設定されたプレートのうち、上側プレートにはダイアフラムラバーが減圧された状態でヒーターと密着している。下側プレート上に300mm12インチのシリコンウエハをセットし、その上に片面に前記繊維含有樹脂基板を未硬化樹脂層面をシリコンウエハの半導体形成面に合わせてセットする。その後、下側プレートが上昇し、下側プレート上にセットされたシリコンウエハを囲むように設置されたOリングにより上下のプレートが密着して真空チャンバーが形成され、該真空チャンバー内が減圧される。真空チャンバー内が十分に減圧されたら、上側プレートのダイアフラムラバーとヒーターの間から真空ポンプにつながる配管の弁を閉じ、圧縮空気を送り込む。それにより、上側のダイアフラムラバーが膨張しシリコンウエハと繊維含有樹脂基板を上側のダイアフラムラバーと下側のプレートで挟み、真空ラミネーションを行うと同時に熱硬化性シリコーン樹脂の硬化が進行し、封止が完了する。硬化時間としては3~20分程度あれば十分である。真空ラミネーションが完了したら真空チャンバー内を常圧に戻し、下側プレートを下降させ、封止したシリコンウエハを取り出す。上記工程によりボイドや反りのないウエハの封止を行うことができる。取り出したシリコンウエハは通常、150~180°Cの温度で1~4時間ポストキュアすることで電気特性や機械特性を安定化させることができる。上記の真空ラミネーション装置を用いた被覆、封止工程は例示したシリコーン樹脂に限らず、エポキシ樹脂やエポキシとシリコーンの混成樹脂の場合にも用いることができる。このような半導体装置の製造方法であれば、被覆工程においては前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により簡便に、充填不良なく半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆することができる。また、前記繊維含有樹脂基板を使用するので、樹脂含浸繊維基材が未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制できるため、封止工程においては該半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を一括封止することができ、薄型の大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハを得ることができる。さらに、個片化工程においては耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、かつ反りが抑制された該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハから半導体装置をダイシングし、個片化することができるため、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法となる。以下、本発明の繊維含有樹脂基板の熱硬化性樹脂として用いるシリコーン樹脂の合成例と、本発明の繊維含有樹脂基板を用いた半導体装置の製造方法について実施例及び比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。[非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物の合成]<合成例1>-非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物A1-PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiOMe2SiO33SiMe2Cl:1mol、MeViSiCl2:3molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物A1を合成した。この化合物は、構成する単位の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-Me2SiO33-SiMe2O-]0.01[MeViSiO2/2]0.03で示される。この化合物の重量平均分子量は62,000、融点は60°Cであった。なお、ここで組成式中のMeはメチル基を示し、Phはフェニル基を示し、Viは-CH=CH2で示されるビニル基を示す以下、同様。。[オルガノハイドロジェンポリシロキサンの合成]<合成例2>-オルガノハイドロジェンポリシロキサンB1-PhSiCl3で示されるオルガノシラン:27mol、ClMe2SiOMe2SiO33SiMe2Cl:1mol、MeHSiCl2:3molをトルエン溶媒に溶解後、水中に滴下し、共加水分解し、更に水洗、アルカリ洗浄にて中和、脱水後、溶剤をストリップし、オルガノハイドロジェンポリシロキサンB1を合成した。この樹脂は、構成する単位の構成比が式:[PhSiO3/2]0.27[-SiMe2O-Me2SiO33-SiMe2O-]0.01[MeHSiO2/2]0.03で示される。この樹脂の重量平均分子量は58,000、融点は58°Cであった。[実施例1][樹脂含浸繊維基材の作製]合成例1で得られた非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物A1:189g、合成例2で得られたオルガノハイドロジェンポリシロキサンB1:189g、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2g、塩化白金酸の1質量オクチルアルコール溶液:0.1gを加え、60°Cに加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌してベース組成物を得た。このベース組成物に、溶剤としてトルエンを400g加え、さらに無機充填剤としてシリカ商品名:アドマファインE5/24C、平均粒子径:約3μm、株アドマテックス製を378g加えて、シリコーン樹脂組成物のトルエン分散液を調製した。このシリコーン樹脂組成物のトルエン分散液に繊維基材として石英ガラスクロス信越石英製、厚さ:50μmを浸漬することにより、該トルエン分散液を該ガラスクロスに含浸させた。該ガラスクロスを60°Cで2時間放置することによりトルエンを揮発させた。トルエンを揮発させた後の石英ガラスクロスの両面には、室温25°Cで固体の皮膜が形成されていた。該ガラスクロスを熱プレス機にて150°Cで10分間加圧成型して成型品を得、更にこれを150°Cで1時間2次硬化させて、含浸させた熱硬化性樹脂を硬化させたシリコーン樹脂含浸繊維基材I-aを得た。また、前記シリコーン樹脂組成物のトルエン分散液に繊維基材として石英ガラスクロス信越石英製、厚さ:50μmを浸漬することにより、該トルエン分散液を該ガラスクロスに含浸させて、該ガラスクロスを60°Cで2時間放置することによりトルエンを揮発させて、含浸させた熱硬化性樹脂を半硬化させたシリコーン樹脂含浸繊維基材II-aを得た。トルエンを揮発させた後の石英ガラスクロスの両面には、室温25°Cで固体の皮膜が形成されていた。[未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成するための組成物の作製]前述の非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物A1:50質量部、オルガノハイドロジェンポリシロキサンB1:50質量部、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2質量部、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液:0.1質量部を加えた組成物に対して、さらに平均粒径5μmの球状シリカを350質量部加え60°Cに加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物I-bを調製した。この組成物は、室温25°Cで固体であった。[繊維含有樹脂基板の作製]該シリコーン樹脂組成物I-bを、前記含浸させた熱硬化性樹脂を硬化させたシリコーン樹脂含浸繊維基材I-a膨張係数:x-y軸方向10ppmとフッ素樹脂コートしたPETフィルム剥離フィルムとの間に挟み、熱プレス機を用いて80°Cで5tの圧力下で5分間圧縮成型を行い、厚さ50μmの未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層をシリコーン樹脂含浸繊維基材I-aの片面上に形成した繊維含有樹脂基板I-cを作製した。その後、直径300mm12インチの円板状に切断した。[半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止]次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を130°Cに設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm12インチで厚みが125ミクロンのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した繊維含有樹脂基板I-cの未硬化樹脂層であるシリコーン樹脂組成物I-b面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、繊維含有樹脂基板I-cにより封止されたシリコンウエハを更に150°Cで2時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハI-dを得た。[実施例2][未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成するための組成物の作製]前述の非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物A1:50質量部、オルガノハイドロジェンポリシロキサンB1:50質量部、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2質量部、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液:0.1質量部を加えた組成物に対して、さらに平均粒径5μmの球状シリカを350質量部加え60°Cに加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物II-bを調製した。この組成物は、室温25°Cで固体であった。[繊維含有樹脂基板の作製]該シリコーン樹脂組成物II-bを、前記含浸させた熱硬化性樹脂を半硬化させたシリコーン樹脂含浸繊維基材II-a膨張係数:x-y軸方向10ppmとフッ素樹脂コートしたPETフィルム剥離フィルムとの間に挟み、熱プレス機を用いて80°Cで5tの圧力下で5分間圧縮成型を行い、厚さ50μmの未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層をシリコーン樹脂含浸繊維基材II-aの片面上に形成した繊維含有樹脂基板II-cを作製した。成形後、直径300mm12インチの円板状に切断した。[半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止]次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を130°Cに設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm12インチで厚みが125ミクロンのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した繊維含有樹脂基板II-cの未硬化樹脂層であるシリコーン樹脂組成物II-b面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、繊維含有樹脂基板II-cにより封止されたシリコンウエハを150°Cで2時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハII-dを得た。[実施例3][樹脂含浸繊維基材の作製]繊維基材としてガラスクロスを含み、粒径が0.3ミクロンの球状シリカを添加し膨張係数x、y軸を7ppmに調整した厚み70ミクロンのBTビスマレイミドトリアジン樹脂基板ガラス転移温度185°Cを樹脂含浸繊維基材III-aとして準備した。[未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成するための組成物の作製]クレゾールノボラック型エポキシ樹脂EOCN1020日本化薬製60質量部、フェノールノボラック樹脂H-4群栄化学製30質量部、球状シリカ龍森製平均粒径7ミクロン400質量部、触媒TPPトリフェニルホスフィン北興化学工業製0.2質量部、シランカップリング材KBM403信越化学工業製0.5質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物III-bを得た。[繊維含有樹脂基板の作製]樹脂含浸繊維基材III-aを減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物III-bの顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を80°Cにし、上金型にはフッ素樹脂コートしたPETフィルム剥離フィルムをセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが80ミクロンになるように3分間圧縮成形して繊維含有樹脂基板III-cを作製した。成形後、直径300mm12インチの円板状に切断した。[半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止]次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を170°Cに設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm12インチで厚みが125ミクロンのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した繊維含有樹脂基板III-cの未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物III-b面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、170°Cで4時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハIII-dを得た。[実施例4][半導体素子が搭載された基板]直径200mm8インチで厚みが500ミクロンの金属基板上に、高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である400個のシリコンチップ形状:5mm×7mm厚み125ミクロンを整列し搭載した。[半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止]この金属基板をニチゴーモートン社製のプレート温度を170°Cに設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに上記金属基板をセットし、その上に実施例3と同様にして作製した繊維含有樹脂基板IV-cを、直径200mm8インチの円板状に切断した。剥離フィルムを除去し、該繊維含有樹脂基板IV-cの未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物IV-b面を金属基板上の半導体素子搭載面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することでシリコンチップ上の樹脂厚みが50ミクロン厚みになるように硬化封止した。硬化封止後、170°Cで4時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板IV-dを得た。[比較例1]前述の非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物A1:50質量部、オルガノハイドロジェンポリシロキサンB1:50質量部、反応抑制剤としてアセチレンアルコール系のエチニルシクロヘキサノール:0.2質量部、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液:0.1質量部を加えた組成物に対して、さらに平均粒径5μmの球状シリカを350質量部加え60°Cに加温したプラネタリーミキサーでよく撹拌し、シリコーン樹脂組成物V-aを調製した。この組成物は、25°Cで固体であった。[封止用シートの作製]上記シリコーン樹脂組成物V-aを、PETフィルム加圧用ベースフィルムとフッ素樹脂コートしたPETフィルム剥離フィルムとの間に挟み、熱プレス機を用いて80°Cで5tの圧力下で5分間圧縮成型を行い、厚さ50μmのフィルム状に成形し、シリコーン樹脂組成物V-aのみからなる封止用シートV-cを作製した。成形後、直径300mm12インチの円板状に切断した。[半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止]次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を130°Cに設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm12インチで厚みが125ミクロンのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去したシリコーン樹脂組成物V-aのみからなる封止用シートV-cを積層した。その後、PETフィルム加圧用ベースフィルムも剥離した後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、150°Cで2時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハV-dを得た。[比較例2][半導体素子が搭載された基板]直径300mm8インチで厚みが500ミクロンの金属基板上に、高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である400個のシリコンチップ形状:5mm×7mm厚み125ミクロンを整列し搭載した。[半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止]この基板を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上に実施例3と同様にして作製したエポキシ樹脂組成物VI-bの顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を170°Cにし、上金型にはフッ素樹脂コートしたPETフィルム剥離フィルムをセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが50ミクロンになるように3分間圧縮成形し、硬化封止した。硬化封止後、170°Cで4時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板VI-dを得た。以上、実施例1~4、比較例1~2において封止された封止後半導体素子形成ウエハI-d~III-d、V-d、及び封止後半導体素子搭載基板IV-d、VI-dの反り、外観、樹脂と基板の接着状態、金属基板からの半導体素子の剥離の有無を調査した。その結果を表1に示す。ここで、外観についてはボイド、未充填の有無をしらべ、これらがなければ良好とした。また、接着状態については成型時に剥離がなければ良好とした。また、上記実施例1~4、及び比較例1~2の封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化し以下の耐熱性試験と耐湿性試験を行った。耐熱性試験では、この試験片に対してヒートサイクル試験-25°Cで10分保持、125°Cで10分保持を1000サイクル繰り返すを行い、試験後にも導通がとれるかを評価した。また、耐湿性試験では、この試験片に対して温度85°C、相対湿度85の条件下で回路の両極に10Vの直流電圧を印加し、マイグレーションテスターIMV社製、MIG-86を用いて短絡が生じるかを評価した。その結果、実施例1~4、及び比較例1~2では差異はなく優れた耐熱性、耐湿性を有することが明らかとなった。以上より、本発明に係る樹脂含浸繊維基材を用いない比較例1~2において示されるように、これら比較例において半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止した場合には、作製される封止後半導体素子形成ウエハV-d、及び封止後半導体素子搭載基板VI-dの反りは大きく、また基板からの半導体素子の剥離があることが明らかとなった表1。一方で、実施例において示されるように、本発明の繊維含有樹脂基板を用いて封止された、封止後半導体素子形成ウエハI-d~III-d、及び封止後半導体素子搭載基板IV-dは、基板の反りが著しく抑制されており、外観、接着状態が良好でボイドや未充填なども生じないことが明らかとなった。以上により、本発明に係る樹脂含浸繊維基材は未硬化樹脂層を硬化させた時の収縮応力を抑制することができ、それにより基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離が抑制されることが示された。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"