"以下の工程を含むことを特徴とするEUVL用マスクの製造方法:aEUV光を反射する多層膜とEUV光を吸収する複数の吸収体パターンとを有するEUVL用マスクに残存する位相欠陥を検出する工程;b前記位相欠陥のうち、前記複数の吸収体パターンを被転写体の主面上にパターン転写する際に許容値より大きな転写誤差を与える第1位相欠陥の位置座標を記憶する工程;c前記第1位相欠陥の周囲の吸収体パターンにおいて、局所的なレイアウト変更が可能であるか否かを判断する工程;d前記レイアウト変更が可能であると判断した場合は、前記第1位相欠陥に近接する第1吸収体パターンの形状を局所的に修正し、さらに、修正された前記第1吸収体パターンの形状に合わせて、前記第1吸収体パターンに隣接する前記第2吸収体パターンのレイアウトを局所的に変更する工程;e前記d工程の後、前記第1吸収体パターンおよび前記第2吸収体パターンを含むマスクパターンにおいて転写性の検証を行う工程。請求項1記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記d工程は、さらに以下の工程を含むことを特徴とするEUVL用マスクの製造方法;d1前記第1位相欠陥を一部に含む領域を非反射部とし、前記非反射部を前記第1吸収体パターンの一部に含める工程。請求項2記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記第1位相欠陥を一部に含む領域の表面に吸収体材料を付与する、または前記第1位相欠陥を一部に含む領域の前記多層膜を除去することにより、前記第1位相欠陥を一部に含む領域を前記非反射部とすることを特徴とするEUVL用マスクの製造方法。請求項1記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記d工程では、前記第1吸収体パターンまたは前記第2吸収体パターンを構成する吸収体材料を部分的に除去または部分的に付与することを特徴とするEUVL用マスクの製造方法。請求項1記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記d工程では、荷電ビームを用いて局所的にCVD膜を形成して、前記第1吸収体パターンまたは前記第2吸収体パターンを構成する吸収体材料を部分的に付与することを特徴とするEUVL用マスクの製造方法。請求項1記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記d工程では、荷電ビームを用いて局所的にエッチングをして、前記第1吸収体パターンまたは前記第2吸収体パターンを構成する吸収体材料を部分的に除去することを特徴とするEUVL用マスクの製造方法。請求項1記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記d工程では、前記多層膜を部分的に除去することにより、前記第1吸収体パターンの形状を局所的に修正し、前記第2吸収体パターンのレイアウトを変更することを特徴とするEUVL用マスクの製造方法。請求項1記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記c工程では、さらに、半導体デバイスの電気的特性が劣化するか否かを判断することを特徴とするEUVL用マスクの製造方法。請求項1記載のEUVL用マスクの製造方法において、前記c工程では、前記EUVL用マスクを用いて形成される第1レイヤーと、前記第1レイヤーの前工程で形成される第2レイヤー、前記第1レイヤーの後工程で形成される第3レイヤー、または前記第2レイヤーおよび前記第3レイヤーとの整合性の有無を判断することを特徴とするEUVL用マスクの製造方法。上記特許文献2に記載されたEUV光を用いる暗視野検出法では、マスクブランクに存在する位相欠陥を輝点として感度良く検出することができる。しかし、位相欠陥が検出された場合に、EUVL用マスクとして活用する方法については言及されていない。また、上記特許文献3に記載された検査手法では、マスクブランクに存在する位相欠陥の凹凸の区別の判定はできる。しかし、その後に吸収体パターンを形成してEUVL用マスクを製造する方法については示唆されていない。また、上記特許文献4には、吸収体パターンを形成した後に位相欠陥が残存しても、位相欠陥に起因する局所的な反射光の乱れを、その位相欠陥に近接する吸収体パターンの輪郭の修正により修復または相殺して、そのEUVL用マスクを良品として取り扱える方法が開示されている。しかし、位相欠陥に近接する吸収体パターンの輪郭の修正には適用限界があり、修正自体が困難となる場合がある。このように、上述した何れの方法においても、マスクブランクに位相欠陥が存在すると、位相欠陥に近接する吸収体パターンの局所的な輪郭の修正で対応できない場合には、製造されたEUVL用マスクは不良品として取り扱われ、処分されることになる。本発明の目的は、吸収体パターンを局所的にレイアウト変更することにより、実質的に位相欠陥の無いEUVL用マスクを製造することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。この実施の形態は、EUVL用マスクの製造方法であって、EUV光を反射する多層膜とEUV光を吸収する複数の吸収体パターンとを有するEUVL用マスクに残存する位相欠陥を検出する工程と、位相欠陥のうち、複数の吸収体パターンを被転写体の主面上にパターン転写する際に許容値より大きな転写誤差を与える第1位相欠陥の位置座標を記憶する工程と、第1位相欠陥の周囲の吸収体パターンにおいて、局所的なレイアウト変更が可能であるか否かを判断する工程と、レイアウト変更が可能であると判断した場合は、第1位相欠陥に近接する吸収体パターンの形状を局所的に修正し、さらに、その修正された吸収体パターンの形状に合わせて、これに隣接する他の吸収体パターンのレイアウトを局所的に変更する工程と、を有するものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。吸収体パターンを局所的にレイアウト変更することにより、実質的に位相欠陥の無いEUVL用マスクを製造することができる。以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態において、ウェハと言うときは、SiSilicon単結晶ウェハを主とするが、それのみではなく、SOISiliconOnInsulatorウェハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1本実施の形態1によるEUVL用マスクの検査方法の意義を明確にするために、まず、EUVL用マスクの構成およびEUV投影露光装置に備わる投影光学系縮小投影光学系、反射型露光光学系、反射型結像光学系、EUV光学系の構成について図1aおよびbならびに図2を用いて説明する。図1aはEUVL用マスクの吸収体パターンが形成された面の要部平面図、図1bは同図aのA-A線に沿った一部を拡大して示す要部断面図である。また、図2はEUV投影露光装置の概略図である。図1aに示すように、EUVL用マスクMの中央部には、半導体集積回路装置の回路パターンを有するデバイスパターンエリアMDEを有し、周辺部には、EUVL用マスクMの位置合わせのためのマークまたはウエハアライメントマークなどを含むアライメントマークエリアMA1,MA2,MA3,MA4が配置されている。また、図1bに示すように、EUVL用マスクMのマスクブランクは、石英ガラスまたは低熱膨張ガラスからなる基板MSと、基板MSの主面に形成されたモリブデンMoとシリコンSiとを交互に積層例えば各層が40層程度した多層膜MLと、多層膜ML上に形成されたキャッピング層CAPと、基板MSの裏面主面と反対側の面に形成されたEUVL用マスクMを静電チャックするためのメタル膜CFとにより構成されている。基板MSの厚さは、例えば7~8mm程度であり、多層膜MLの厚さは、例えば300nm程度である。さらに、キャッピング層CAP上にバッファ層BUFを介して吸収体パターンABSが形成されている。吸収体パターンABSの厚さは、例えば50~70nm程度である。次に、EUVL用マスクを用いるEUV投影露光装置について、その概念を示す図2を用いて説明する。図2に示すように、光源1から発する中心波長13.5nmのEUV光は、多層膜反射鏡からなる照明光学系2を介してEUVL用マスクMのマスクパターンが形成された面以下、パターン面というを照射する。パターン面からの反射光は多層膜反射鏡からなる縮小投影光学系3を通過して、ウェハ4の主面上にEUVL用マスクMのマスクパターンをパターン転写転写、投影、パターン投影する。ウェハ4はステージ5に搭載されており、ステージ5の移動とパターン転写の繰り返しにより、ウェハ4の主面上の所望の領域にEUVL用マスクMのマスクパターンを多数転写する。次に、EUVL用マスクのマスクブランクに生じる位相欠陥について図3aおよびbを用いて説明する。図3aは位相欠陥を有するマスクブランクの要部断面図、図3bは位相欠陥を有するマスクブランクに吸収体パターンおよびバッファ層が形成されたEUVL用マスクの要部断面図である。図3aに示したマスクブランクの要部断面図は、基板MS上に多層膜MLを被着させる際に、基板MSの主面に微細な窪みが存在したまま上記多層膜MLを被着させた結果、凹形状の位相欠陥PDが生じた一例を示している。この位相欠陥PDを残したままバッファ層BUFおよび吸収体パターンABSを形成すると、図3bに示すように、隣接する吸収体パターンABSの間にそのまま凹形状の位相欠陥PDが残存する。2~3nm程度の位相欠陥PDの窪みが存在すると、EUV投影露光装置を用いてウェハの主面上にパターン転写する投影像転写像が乱れて、投影像に許容値よりも大きい転写誤差、例えば規格値を越える寸法変化が生ずる。図3aおよびbでは、窪みの欠陥の一例を示したが、微小な突起の欠陥でも同様の位相欠陥となる。マスクブランクに位相欠陥が存在しても、その後に形成する吸収体パターンが位相欠陥を被覆すれば、EUVL用マスクの段階では位相欠陥ではなくなる。従って、EUVL用マスクにおいて問題とする位相欠陥は、マスクブランクを構成する多層膜に存在し、かつ、吸収体パターンに完全には被覆されずに一部または全てが露出した位相欠陥に限定される。このような実質的な位相欠陥は、例えば実際に吸収体パターンをウェハの主面上にパターン転写して得られる投影像からは欠陥部として認識され、かつ、通常のDUVDeepUltraViolet光または電子線を検査光とするマスクパターン欠陥検査手段では吸収体パターンの欠陥として見出せない部分として、その位置を特定することができる。また、EUVL用マスクの吸収体パターンを、EUV光を検査光とする検査装置と、DUVDeepUltraViolet光または電子線を検査光とする検査装置とで検査し、両者の結果を比較することにより位相欠陥を特定することもできる。次に、EUVL用マスクに残存する位相欠陥が検出された際に、このEUVL用マスクを位相欠陥の影響が実質的に無いEUVL用マスクとして取り扱えるように吸収体パターンを修正する方法について詳細に説明する。ここでは、位相欠陥に近接する吸収体パターンの修正方法について説明する。吸収体パターンに近接する位相欠陥とは、吸収体パターンとは接していないが吸収体パターンのすぐ近くにある位相欠陥、吸収体パターンとは接していないが吸収体パターンのすぐ近くにあり、実質的に接しているとみなされる位相欠陥、吸収体パターンと接している位相欠陥、吸収体パターンにその一部を覆われた位相欠陥が含まれる。本実施の形態1による吸収体パターンの第1の修正方法について図4を用いて説明する。図4は、吸収体パターンの輪郭を補正することにより位相欠陥に起因する局所的な反射光の乱れを修復する一例を説明する図である。図4aは吸収体パターンに近接して位相欠陥が存在するマスクパターンを示す要部平面図、図4bは同図aのマスクパターンをパターン転写した際のウェハ主面上における投影像を示す要部平面図、図4cは位相欠陥が近接する吸収体パターンに隣接する他の吸収体パターンに輪郭補正を施したマスクパターンを示す要部平面図、図4dは同図cのマスクパターンをパターン転写した際のウェハ主面上における投影像を示す要部平面図である。図4aは、吸収体パターンABS-1に近接して位相欠陥PDが存在するマスクパターンを示す要部平面図である。このようなマスクパターンを、EUV投影露光装置を用いてウェハの主面上にパターン転写すると、図4bに示すように、許容値よりも大きい転写誤差を有する投影像11が形成される。ここで、領域12は、位相欠陥PDの影響により、隣接する投影像11の間に形成された所望しない欠陥転写部である。そこで、図4cに示すように、吸収体パターンABS-1に隣接する吸収体パターンABSであって、かつ位相欠陥PDに近い位置にある吸収体パターンABS-2に輪郭補正を施す。領域13は、吸収体パターンABS-2の一部に接して新たな吸収体材料を付与した領域である。この吸収体材料の付与は、荷電ビームを用いて局所的にCVDChemicalVaporDeposition膜を形成することにより行われる。例えばフェナントレンガスの雰囲気内で加速電圧15kVのガリウムイオンビームを照射してカーボン膜を形成する。一方、領域14は、吸収体パターンABS-2の一部を除去した領域である。この除去は荷電ビームを用いて局所的に吸収体材料を除去することにより行われる。例えば加速電圧15kVのガリウムイオンビームを照射し、フッ化キセノンをアシストガスとして用い、吸収体パターンABS-2の所望領域をエッチングする。吸収体材料の付与の方法は上記のフェナントレンガスに限定されるものではなく、ナフタレンまたはピレンなどの他のカーボン材料、あるいはTEOSTetraEthylOrthoSilicate;SiOC2H54またはペンタエトキシタンタル等の有機金属系材料を用いてもよい。また、照射するイオンビームもガリウムイオンビームに限定されるものではなく、適切な加速電圧の電子線を用いてよく、あるいはヘリウムイオンビーム、ネオンイオンビーム、またはアルゴンイオンビームなどの希ガスイオンを用いてもよい。さらに、吸収体材料の付与と同等の効果は、局所的に多層膜を除去することによっても得られる。例えば加速電圧15kVのガリウムビームを照射してスパッタリングにより多層膜を除去することができる。一方、吸収体材料の除去の方法も、フッ化キセノンとガリウムイオンビームとの組み合わせに限定されるものではない。例えば荷電ビームに代えて電子線を用いてもよい。また、エッチングを行うためのアシストガスとして、各種ハロゲン系ガスが考えられる。さらに、AFM-Tip原子間力顕微鏡の探針を用いた加工により、吸収体材料を局所的に除去することも可能である。図4dは、図4cに示す吸収体パターンを、EUV投影露光装置を用いてウェハの主面上にパターン転写して得られる投影像を示す要部平面図である。吸収体パターンABS-2に輪郭補正を施したので、投影像には屈曲部分15が発生する。また、EUVL用マスクには位相欠陥PDが残存しているので、投影像には突起形状の部分16が形成される。しかし、このように投影像の形状は変わるが、図4bに示した領域12に発生した欠陥転写部は発生せず、問題の無いパターン転写を行うことができる。次に、本実施の形態1による吸収体パターンの第2の修正方法について図5を用いて説明する。図5は、位相欠陥に近接する吸収体パターンの形状の修正およびその修正された吸収体パターンに隣接する他の吸収体パターンのレイアウト変更により、位相欠陥に起因する局所的な反射光の乱れを修復する他の例を説明する図である。図5aは吸収体パターンに近接して位相欠陥が存在するマスクパターンを示す要部平面図、bは位相欠陥を一部に含む領域を吸収体材料により被覆したマスクパターンを示す要部平面図、cは位相欠陥が近接する吸収体パターンに隣接する他の吸収体パターンにおいて、局所的にレイアウトを変更する過程のマスクパターンを示す要部平面図、dは局所的に形状を修正した吸収体パターンおよび局所的にレイアウトを変更した吸収体パターンを含むマスクパターンを示す要部平面図である。前述した第1の修正方法では、位相欠陥が近接する吸収体パターン前述の図4の吸収体パターンABS-1に隣接する他の吸収体パターン前述の図4の吸収体パターンABS-2の輪郭を補正した。これに対し、第2の修正方法では、位相欠陥に近接する吸収体パターンの形状を修正し、修正した吸収体パターンの形状に合わせて、これに隣接する他の吸収体パターンのレイアウトを変更する。第2の修正方法でも吸収体材料の除去または付与が行われるが、その手法は前述した第1の修正方法において用いた吸収体パターンの修正手法と同じである。図5は、第1方向X方向、横方向に沿って延びる複数の吸収体パターンABSが互いに離間して、第1方向と直交する第2方向Y方向、縦方向に並ぶマスクパターンの要部平面図を示す。図5aに示すように、複数の吸収体パターンABSのなかの吸収体パターンABS-3に近接して位相欠陥PDが残存している。まず、ウェハ主面上に投影像をパターン転写する際の位相欠陥PDの影響および位相欠陥PDの周囲の回路パターンのレイアウト変更が可能か否かについて調べる。位相欠陥PDの影響を調べたところ、吸収体パターンABS-3の投影像と、吸収体パターンABS-3に隣接する吸収体パターンABS-4の投影像とが位相欠陥PDに起因して部分的に短絡することが予想された。一方、吸収体パターンABS-3,ABS-4の一部を局所的にレイアウト変更しても、半導体デバイスの電気的特性には著しい劣化が発生する等の問題が無いことが確認された。そこで、次に、図5bに示すように、位相欠陥PDを一部に含む領域21に、吸収体パターンABS-3に接して吸収体材料を付与し、遮光パターンを形成して、位相欠陥PDを一部に含む領域21を非反射部とする。非反射部にする方法は、多層膜を除去する方法を採用してもよい。次に、図5cに示すように、吸収体パターンABS-4のレイアウトを変更する。具体的には、まず、吸収体パターンABS-3に隣接し、非反射部を設けたことによりレイアウト変更が必要となった吸収体パターンABSを特定する。ここでは、吸収体パターンABS-4が特定される。続いて、領域21から所定の距離例えば最小加工寸法の領域に入る吸収体パターンABS-4の一部領域図5cに点線で囲む領域を領域23として特定する。続いて、領域23を除去した際に吸収体パターンABS-4が不連続とならないように、領域21,23を避けて、吸収体パターンABS-4の一部を構成する新たな局部パターンを形成する領域22を特定する。次に、図5dに示すように、吸収体パターンABS-4の領域23の吸収体材料を除去し、領域22に吸収体材料を付与する。この際、領域23の吸収体材料が除去されても、吸収体パターンABS-4は領域22に付与された吸収体材料によって一連の繋がった形状を有している。符号24で示す部分が、位相欠陥PDを覆うために吸収体パターンABS-3を修正した部分非反射部であり、符号25で示す部分が、吸収体パターンABS-3を修正したことにより、吸収体パターンABS-4をレイアウト変更した部分である。その結果、吸収体パターンABS-4は屈曲した形状となるが、半導体デバイスの電気的特性には問題が無いことは事前に確認されている。その後、吸収体パターンABS-3の修正および吸収体パターンABS-4のレイアウト変更を行ったEUVL用マスクの使用には支障がないことを確認する。本実施の形態1による前述の第2の修正方法を採用したマスク製造方法のフローを、図6に示す工程図を用いて説明する。<ステップS101>まず、EUV光を反射する多層膜およびEUV光を吸収する吸収体パターンから構成されることを基本とするEUVL用マスクを製作する。<ステップS102>EUV光またはDUV光を検査光とするEUVL用マスクの検査を行う。この検査によって、マスクパターンをウェハの主面上にパターン転写する際に許容値より大きな転写誤差を与え、吸収体パターンに被覆されずに残存する位相欠陥を特定し、その位相欠陥の位置座標を記憶する。<ステップS103>位相欠陥の検査結果に基づいて、位相欠陥が残存しているか否かを判定する。<ステップS104>ステップS103において、位相欠陥が残存していると判定した場合は、位相欠陥の周囲の吸収体パターンの局所的なレイアウト変更が可能であるか否かを判定する。<ステップS105>ステップS104において、位相欠陥の周囲の吸収体パターンの局所的なレイアウト変更が可能であると判定した場合は、位相欠陥を一部に含む領域を非反射部とする加工を行い、その非反射部を位相欠陥に近接する吸収体パターンの一部とする修正を行う。なお、検出された位相欠陥が小さく、周辺への影響が少ないと予測された場合は、非反射部とする加工を省略することもできる。<ステップS106>前述の図5を用いて説明したように、吸収体パターンに非反射部を設けたことにより、これに隣接する他の吸収体パターンのレイアウト変更が必要となった場合は、その他の吸収体パターンに対して局所的なレイアウト変更を行う。<ステップS107>EUV投影露光装置によるマスクパターンの転写評価、SEMScanningElectronMicroscopeを用いたマスク検査、あるいはDUV光または露光波長と同等の検査光を用いるマスク検査などにより吸収体パターンの加工部分の評価を行い、加工が妥当であるか否かを判定する。転写性に問題が無いと判定された場合はEUVL用マスクの製造を終了する。転写性に問題が有りと判定された場合は、再びステップS104に戻り、さらなる吸収体パターンの局所的なレイアウト変更が可能であるか否かを判定する。<ステップS108>ステップS104において、位相欠陥の周囲の吸収体パターンの局所的なレイアウト変更では位相欠陥の影響を除去できないと判定されたときは、EUVL用マスクを不良品として処理する。しかし、通常はマスクブランクに存在する位相欠陥は小さく、さらに、マスクブランクの段階で位相欠陥が残存する場合は、その位相欠陥を極力吸収体パターンによって被覆するので、大半の位相欠陥は吸収体パターンの局所的なレイアウト変更により、マスクパターンの転写性に問題の無い状態とすることができる。このように、本実施の形態1によれば、EUVL用マスクに位相欠陥が残存しても、吸収体パターンの輪郭を補正する第1の修正方法、または位相欠陥に近接する吸収体パターンの形状を修正し、修正した吸収体パターンの形状に合わせて、これに隣接する他の吸収体パターンのレイアウトを変更する第2の修正方法により、無欠陥EUVL用マスクと同等の効果を有するEUVL用マスクを製造することができる。従って、EUVL用マスクの製造歩留まりが向上して、EUVL用マスクの製造コストを低減することができる。さらに、これにより、リソグラフィ工程を繰り返して用いる半導体装置の製造におけるトータルコストの低減を図ることができる。実施の形態2本実施の形態2では、半導体装置の製造にあたり、互いに相対位置を整合させて複数のレイヤーを逐次形成していく過程において、複数のレイヤーにわたってマスクパターンのレイアウトを変更する一例について説明する。図7および図8はそれぞれ、半導体装置の多層配線の一部の構造、およびその構造を実現するためのリソグラフィ工程に用いるEUVL用マスクのマスクパターンの一例を説明する図である。図7は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール32-1,32-2,32-3を介して、第1層目の配線パターン31-1,31-2,31-3と第2層目の配線パターン33-1,33-2,33-3とをそれぞれ接続して形成した配線構造の例を示す要部平面図である。図8aは、第1層目の配線パターン群をウェハの主面上に投影するためのEUVL用マスクのマスクパターンを示す要部平面図である。ここで、符号34-1,34-2,34-3は、EUV光を反射する多層膜の上に形成された吸収体パターンである。吸収体パターン34-2に近接して位相欠陥PDが残存している。図8bは、コンタクトホール群をウェハの主面上に投影するためのEUVL用マスクのマスクパターンを示す要部平面図である。ここで、符号36は、EUV光を反射する多層膜の上に形成された吸収体パターンであり、符号35-1,35-2,35-3は、EUV光を反射する多層膜が露出したホールパターンである。図8cは、第2層目の配線パターン群をウェハの主面上に投影するためのEUVL用マスクのマスクパターンを示す要部平面図である。ここで、符号37-1,37-2,37-3は、EUV光を反射する多層膜の上に形成された吸収体パターンである。図8aに示すように、吸収体パターン34-2に近接して位相欠陥PDが残存している。そのため、位相欠陥PDを有するマスクパターンを、EUV投影露光装置を用いてウェハの主面上にパターン転写すると、隣接する投影像の間に所望しない欠陥転写部が形成される。そこで、前述の実施の形態1において説明した第2の修正方法を用いて、吸収体パターン34-2の形状修正位相欠陥を覆う遮光パターンの形成、および吸収体パターン34-2に隣接する吸収体パターン34-1のレイアウト変更を行う例えば前述の図5参照。図9aは、吸収体パターン34-1の形状を修正し、吸収体パターン34-2のレイアウトを変更した後のEUVL用マスクのマスクパターンを示す要部平面図である。ここで、吸収体パターン41-1,41-2はそれぞれ前述の図8aに示した吸収体パターン34-1,34-2に対応する。すなわち、吸収体パターン41-2は、吸収体パターン34-2に、位相欠陥を一部に含む領域を覆う非反射部を追加した形状のパターンであり、吸収体パターン41-1は、吸収体パターン41-2の形状を修正したことに合わせて吸収体パターン34-1のレイアウトを変更したパターンである。この場合、吸収体パターン34-3はレイアウト変更されずに維持される。しかし、このように第1層目の配線パターン群の形成に用いるEUVL用マスクのマスクパターンをレイアウト変更すると、第1層目の配線パターンとコンタクトホールとの位置関係がずれるので、コンタクトホール群の形成に用いるEUVL用マスクのマスクパターンもレイアウト変更する必要が生じる。図9bは、前述の図8bに示したホールパターン35-1のレイアウト変更を行った後のEUVL用マスクのマスクパターンを示す要部平面図である。図9bに示すように、ホールパターン35-1の位置をレイアウト変更して、EUVL用マスクにホールパターン42を形成する。ホールパターン35-1の位置をレイアウト変更するにあたっては、まず、第1層目の配線パターン群を形成するマスクパターンのレイアウトが、図9aに示すようにレイアウト変更が可能か否かを調べる。そして、レイアウト変更が可能であると判断されると、次に、ホールパターン群のレイアウト変更が可能であるか否かを調べる。その結果、ホールパターン35-1の位置の移動により、所望するホールパターン群のマスクパターンが形成できるという知見が得られて、レイアウト変更が可能であると判断されれば、その後、実際に吸収体パターン36の加工を行う。本来、コンタクトホール群をウェハの主面上に投影するためのEUVL用マスクには、位相欠陥がなく、ホールパターン35-1をレイアウト変更する必要はないが、第1層の配線パターン群との整合をとるために、吸収体パターン36に対して吸収体材料の付与および除去を行う。図10は、レイアウト変更を行った第1層の配線パターン群をウェハの主面上に投影するためのEUVL用マスク、およびレイアウト変更を行ったコンタクトホール群をウェハの主面上にパターン転写するためのEUVL用マスクを用いて形成した半導体装置の多層配線の一部の構造を示す要部平面図である。これを、前述の図7に示した半導体装置の多層配線の一部の構造を示す要部平面図と比較すると、第1層の配線パターン31-1,31-2は、それぞれ第1層の配線パターン51-1,51-2に置き換えられている。また、コンタクトホール32-1はコンタクトホール52に置き換えられている。このように、第1層目の配線パターンを局所的にレイアウト変更しても、第1層目の配線パターンと第2層目の配線パターンとの間の電気的導通特性の劣化は見られず、半導体装置の動作特性には問題は無い。このように、本実施の形態2によれば、上下レイヤーの整合性の判断に基づいて、位相欠陥が残存するEUVL用マスクのマスクパターンのレイアウト変更を行うことができる。吸収体パターンの局所的なレイアウト変更を行うことにより、無欠陥EUVL用マスクと同等の効果を有するEUVL用マスクを製造することができる。従って、EUVL用マスクの製造歩留まりが向上して、EUVL用マスクの製造コストを低減することができる。さらに、これにより、リソグラフィ工程を繰り返して用いる半導体装置の製造におけるトータルコストの低減を図ることができる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。"