"発光素子が固着された第1のフレームと、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤで接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する半導体発光装置の製造方法であって、複数の前記第1のフレームと、複数の前記第2のフレームと、が交互に配置された金属プレートの表面に、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂を成形する工程と、前記第1の樹脂を含む前記樹脂パッケージの外周に沿った溝を、前記金属プレートの上に形成する工程と、前記溝の内部に第2の樹脂を充填する工程と、前記第2の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第1の樹脂の外縁を前記第2の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記第1の樹脂の表面に犠牲シートを貼着する工程と、前記溝に充填された前記第2の樹脂を残し、前記第1の樹脂の上に形成された前記第2の樹脂を前記犠牲シートと共に除去する工程と、をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置の製造方法。前記第2の樹脂は、前記発光素子が放射する光を反射する反射材を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の樹脂および前記第2の樹脂は、同じ材料を含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の樹脂および前記第2の樹脂は、シリコーン樹脂を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の樹脂の少なくとも一部をダイシングブレードで切断することにより前記溝を形成することを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。第1のフレームと、前記第1のフレームに固着された発光素子と、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤを介して電気的に接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂と、前記第1の樹脂の外縁を覆い前記発光素子が放出する光を反射する第2の樹脂と、を含む樹脂パッケージと、を備え、前記第1フレームにおける前記発光素子が固着された表面の反対側の裏面と、前記第2のフレームにおける前記金属ワイヤが接続された表面の反対側の裏面と、が前記樹脂パッケージの1つの主面に露出し、前記主面に交差する複数の側面に、前記第1のフレームの端面および前記第2のフレームの端面が露出し、前記第1のフレームの前記端面の厚さは、前記発光素子が固着された部分の厚さよりも薄く、前記第2のフレームの前記端面の厚さは、前記金属ワイヤが接続された部分の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体発光装置。第1のフレームと、前記第1のフレームに固着された発光素子と、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤを介して電気的に接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂と、前記第1の樹脂の外縁を覆い前記発光素子が放出する光を反射する第2の樹脂と、を含む樹脂パッケージと、を備え、前記第1のフレームの前記発光素子が固着された表面の反対側の裏面と、前記第2のフレームの前記金属ワイヤが接続された表面の反対側の裏面と、が前記樹脂パッケージの一つの主面に露出し、前記主面に平行な平面視において、前記第1のフレームおよび前記第2のフレームは、前記樹脂パッケージの外縁の内側に位置することを特徴とする半導体発光装置。実施形態は、配光制御を低コストで実現し、広い用途に適合可能な半導体発光装置、および、その製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、発光素子が固着された第1のフレームと、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤで接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する半導体発光装置の製造方法である。そして、複数の前記第1のフレームと、複数の前記第2のフレームと、が交互に配置された金属プレートの表面に、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂を成形する工程と、前記第1の樹脂を含む前記樹脂パッケージの外周に沿った溝を、前記金属プレートの上に形成する工程と、前記溝の内部に第2の樹脂を充填する工程と、前記第2の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第1の樹脂の外縁を前記第2の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備える。以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。また、本明細書では、便宜上、各図中に示すXYZ直交座標系に基づいて、半導体発光装置の構成を説明する。[第1の実施形態]図1は、第1の実施形態に係る半導体発光装置1を例示する斜視図である。半導体発光装置1は、発光素子14と、第1のフレームであるリードフレーム11と、第2のフレームであるリードフレーム12と、樹脂パッケージ18と、を備える。図1に示すように、半導体発光装置1は、発光素子14として、LED14aと、LED14bと、を搭載する。そして、リードフレーム11の表面には、LED14aおよび14bが固着される。リードフレーム12は、リードフレーム11からX方向に離間して配置され、LED14aおよび14bの電極14tと、それぞれ金属ワイヤ17bおよび17dにより接続される。リードフレーム11および12は、例えば、同一平面に並列配置された平板であり、同じ導電性材料からなる。リードフレーム11および12は、例えば、銅板であり、その表面および裏面に銀めっきが施される。これにより、LED14aおよび14bの放射する光を反射する。樹脂パッケージ18は、LED14a、LED14b、リードフレーム11およびリードフレーム12を覆う第1の樹脂19aと、第1の樹脂19aの外縁を覆う第2の樹脂19bと、を含む。第1の樹脂19aは、LED14aおよび14bの放射する光を透過する透明樹脂であり、第2の樹脂19bは、LED14aおよび14bの光を反射する材料を含む。第2の樹脂19bには、例えば、反射材として酸化チタンの微粉末を含む白色の樹脂を用いることができる。上記の構成により、LED14aおよび14bから放射される光は、第2の樹脂19bの内面19c、および、リードフレーム11および12の表面で反射され、Z方向に放出される。すなわち、第2の樹脂19bは、半導体発光装置1の配光特性を制御する外囲器として機能する。例えば、第2の樹脂に含まれる反射材の量を制御することにより反射率を変化させ、配光特性を変えることができる。また、X方向、Y方向における第2の樹脂19bの厚さを変えて、配光特性を制御しても良い。第1の樹脂19aと第2の樹脂19bとの間の密着度を高くするために、第1の樹脂19aと第2の樹脂19bとが同じ材料を含むことが好ましい。例えば、第1の樹脂19aおよび第2の樹脂19bの主成分としてシリコーン樹脂を用いることができる。なお、本明細書において、覆うとは、覆うものが覆われるものに接触している場合と接触していない場合の双方を含む概念である。例えば、LED14aおよび14bと、それらを覆う第1の樹脂19aと、の間に、他の材料が介在しても良い。本実施形態に用いるLED14aおよび14bは、例えば、サファイア基板上に積層された窒化ガリウムGaN等を含む半導体層を材料とする。そのチップ形状は、例えば、直方体であり、その上面に電極14sおよび14tが設けられる。LED14aおよび14bは、電極14sと電極14tとの間に駆動電流を流すことにより、例えば、青色の光を放射する。図1に示すように、LED14aおよび14bは、リードフレーム11の表面に被着されたダイマウント材13aおよび13bを介して固着される。本実施形態に係るLED14aおよび14bでは、活性領域発光部と、チップの裏面と、の間が、絶縁性基板サファイア基板により電気的に分離されている。したがって、ダイマウント材13aおよび13bは導電性であっても絶縁性であっても良い。ダイマウント材13aおよび13bには、例えば、銀ペースト、半田または共晶半田を用いることができる。また、ダイマウント材13aおよび13bとして、例えば、透明樹脂ペーストからなる接着剤を用いても良い。LED14aおよび14bの電極14tは、金属ワイヤ17bおよび17dを介してリードフレーム12に接続される。一方、電極14sは、金属ワイヤ17aおよび17cを介してリードフレーム11に電気的に接続される。これにより、リードフレーム11とリードフレーム12との間に駆動電流を流し、LED14aおよび14bを発光させることができる。また、リードフレーム11には、表面から裏面側に向けて窪んだ溝11mが設けられる。溝11mは、リードフレーム11の表面に塗布されるダイマウント材13のX方向、Y方向における広がりを制限する。これにより、溝11mを跨いでボンディングされる金属ワイヤ17aおよび17bのボンディング面の汚染を防ぎ、金属ワイヤ17aおよび17bと、リードフレーム11と、の間のボンディング強度を向上させる。リードフレーム11に固着される発光素子の数は、上記の例における2個に限らず、1個でも良いし、2個以上であっても良い。発光波長が同じ複数の素子を搭載することにより、光出力を向上させることができる。また、赤R、緑G、青Bの光を放射する3つの発光素子を搭載することにより、白色光を出射させることもできる。さらに、第1の樹脂19aに蛍光体を分散させ、LED14aおよび14bから放射される光の波長を変換することもできる。例えば、第1の樹脂19aにシリケート系の蛍光体を分散させることにより、LED14aおよび14bから放射される青色の光の一部を吸収させ、黄色の蛍光を放射させることができる。これにより、半導体発光装置1は、LED14aおよび14bが放射した青色の光と、蛍光体20から放射された黄色の光と、が混合された白色光を出射する。次に、図2~図4を参照して、半導体発光装置1の製造方法について説明する。図2a~図3dは、半導体発光装置1の製造過程を模式的に例示する断面図である。図4a~cは、真空成形の過程を模式的に例示する断面図である。まず、金属プレート23の表面に、LED14と、リードフレーム11と、リードフレーム12と、を覆う第1の樹脂19aを成形する。金属プレート23には、複数のリードフレーム11と、複数のリードフレーム12と、が交互に配置される図12参照。図2aに示す例では、リードフレーム11と、リードフレーム12になる部分と、が一体に形成され、後の工程において、リードフレーム11と、リードフレーム12とに分離される。リードフレーム11の表面には、LED14が固着され、その電極と、リードフレーム12になる部分とが、金属ワイヤ17により電気的に接続される。次に、例えば、図4に示す真空成形法を用いて、金属プレート23の表面に第1の樹脂19aを形成する。図4aに示すように、金属プレート23の裏面に、ポリイミドからなる補強シート24を貼付し、補強シート24を介して上金型102の係合面下面に取り付ける。一方、上金型102に対応する下金型101は、係合面上面に直方体形状の凹部101aを有する。そして、その凹部101aに、第1の樹脂19aとなる樹脂材料26を充填する。樹脂材料26には、所定の蛍光体を分散させることができる。例えば、透明なシリコーン樹脂に蛍光体を混合し撹拌することにより、液状または半液状の蛍光体を含む樹脂材料26を調製する。蛍光体を透明なシリコーン樹脂に混合する場合、チキソトロープ剤を用いて均一に分散させる。そして、凹部101aの中に、ディスペンサを用いて蛍光体が分散された樹脂材料26を充填する。次に、図4bに示すように、上金型102と下金型101とを型締めする。これにより、金属プレート23の表面に樹脂材料26が付着する。この際、LED14、金属ワイヤ17、リードフレーム11および12を樹脂材料26が隙間無く均一に覆うように、上金型102と下金型101との間は真空排気される。続いて、金型の温度を上昇させて樹脂材料26を硬化させる。次に、図4cに示すように、上金型102と、下金型101と、を開き、第1の樹脂19aを凹部101aから離型させる。続いて、金属プレート23を上金型102から外し、その裏面から補強シート24を引き剥がす。これにより、金属プレート23の表面に第1の樹脂19aが形成される。次に、図2bに示すように、第1の樹脂19aの表面に犠牲シート27を貼着する。犠牲シート27には、例えば、ダイシングシート34よりも粘着力が弱い耐熱シートを用いる。紫外線の照射により粘着力が低下するUVシートを用いても良い。続いて、図2cに示すように、第1の樹脂19aを含む樹脂パッケージ18の外周に沿った溝25を、金属プレート23の上に形成する。溝25は、例えば、ダイシングブレードを用いて、第1の樹脂19aの少なくとも一部を切断することにより形成する。次に、例えば、図4bに示す真空成型法を用いて、第1の樹脂19aを覆う第2の樹脂19bを形成する。これにより、溝25の内部にも第2の樹脂19bが充填される。第2の樹脂19bを形成する樹脂材料26には、例えば、酸化チタンの微粉末が分散される。続いて、金属プレート23をダイシングシート35に貼り付け、ダイシングブレードにより、第2の樹脂19bを溝25に沿って分断する。この際、ダイシングブレードは、溝25を形成したダイシングブレードよりも幅の狭いものを用いる。これにより、第2の樹脂19bを分断した溝37の幅が溝25の幅よりも狭くなり、第1の樹脂19aの外縁側面を覆う第2の樹脂19bを形成することができる。溝37は、金属プレート23を切断し、ダイシングシート35に至る深さに形成する。これにより、リードフレーム11と、リードフレーム12とが分離される。次に、図3bに示すように、第2の樹脂19bの上面に粘着シート39を貼着する。粘着シート39には、犠牲シート27よりも粘着力の大きなものを用いる。そして、第2の樹脂19bの上面に貼り付いた粘着シートを引き剥がすことにより、第1の樹脂19aの上面に形成された第2の樹脂19aを犠牲シート27と共に取り除く。これにより、図3cに示すように、第1の樹脂19aの外縁を第2の樹脂19bで覆った樹脂パッケージ18を形成することができる。第2の樹脂19bの厚さは、図2cに示す工程で使用するダイシングブレードの刃の厚さで調整することができる。図3dは、ダイシングシート35から取り外された半導体発光装置1を示している。半導体発光装置1は、同図に示すZ方向にLED14の光を放出し、樹脂パッケージ18における発光面18aの反対側の1つの主面18bに、リードフレーム11の裏面およびリードフレーム12の裏面が露出する。リードフレーム11および12の裏面には、例えば、回路基板にボンディングする際に使用されるハンダ材に馴染み易いAgメッキ面が施される。さらに、主面18bに交差する複数の側面には、リードフレーム11の端面、および、リードフレーム12の端面が露出する。ダイシングブレードで切断された各端面には、リードフレーム11および12の芯材、例えば、銅Cuが露出する。図5a~dは、半導体発光装置1の別の製造過程を模式的に例示する断面図である。同図に示す製造方法では、第1の樹脂19aの上に形成される第2の樹脂19bの除去過程が、図2a~図3dに示す製造方法と相違する。図5aに示すように、本実施形態では、第1の樹脂19aの表面に犠牲シート27を貼着せずにダイシングを行い溝25を形成する。続いて、図5bに示すように、第1の樹脂19aの上に第2の樹脂19bを成形し、第2の樹脂19bを溝25に充填する。次に、第2の樹脂19bの表面を研磨もしくは研削し、図5cに示すように、第1の樹脂19aの表面を露出させる。続いて、溝25の延在方向に沿って、第2の樹脂19bと金属プレート23とを切断する。これにより、図5dに示すように、第1の樹脂19aの外縁を第2の樹脂19bで覆った樹脂パッケージ18を形成することができる。図6は、第1の実施形態の変形例に係る半導体発光装置2および3を模式的に例示する断面図である。図6aに示す半導体発光装置2では、樹脂パッケージ18の外縁におけるリードフレーム11および12の端部の厚さW2が、リードフレーム11の発光素子14がボンディングされた部分の厚さW1、および、リードフレーム12の金属ワイヤ17がボンディングされた部分の厚さW1よりも薄くなっている。このような構造は、例えば、図2cに示す溝25を形成する工程において、リードフレーム11および12をハーフカットすることにより形成することができる。例えば、半導体発光装置2を回路基板にボンディングする際には、リードフレーム11および12の裏面と、回路基板のランドパターンと、をハンダ付けする。この際、ハンダ材は、リードフレーム11および12の裏面に広がるだけでなく、端面11uおよび12uに沿って這い上がる。そこで、リードフレーム11および12の端部を薄く加工して段差を設けることにより、端面11uおよび12uを這い上がったハンダが段差より奥へ侵入することを抑制する。図6bに示す半導体発光装置3では、第1の樹脂19aの外縁を覆う第2の樹脂19bと、リードフレーム11および12と、の間に、第1の樹脂19aが介在する。例えば、図2cに示す工程において、ダイシング深さを浅く設定することにより、第2の樹脂19bと、リードフレーム11および12と、の間に、第1の樹脂19aを残した部分41を形成することができる。リードフレーム11および12の端面を這い上がるハンダの侵入を防ぐために、リードフレーム11および12と、樹脂パッケージ18と、の間の密着度が大きいことが望ましい。すなわち、半導体発光装置3は、リードフレーム11および12と、第1の樹脂19aと、の間の密着度が、リードフレーム11および12と、第2の樹脂19bと、の間の密着度よりも高い場合に有利であり、ハンダの侵入を抑制することができる。上記の通り、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法では、第1の樹脂19aと、その外縁を覆う第2の樹脂19bと、を含む樹脂パッケージ18を容易に形成することができる。そして、第2の樹脂19bの厚さ、および、第2の樹脂に分散する反射材の量を変えることにより、配光特性を制御することができる。このように、本実施形態によれば、配光制御を低コストで実現し、広い用途に適合可能な半導体発光装置を提供することができる。[第2の実施形態]図7a~図8cは、第2の実施形態に係る半導体発光装置4の製造過程を模式的に例示する断面図である。図8cに示すように、本実施形態に係る半導体発光装置4では、第1の樹脂19aの外縁とリードフレーム11および12の端面が第2の樹脂19bにより覆われる点で、第1の実施形態に係る半導体発光装置1~3と相違する。本実施形態に係る製造方法では、第1の樹脂19aが形成された金属プレート23を、例えば、ダイシングシート35に貼り付ける。そして、図7aに示すように、ダイシングブレードを用いて、第1の樹脂19aの表面からダイシングシート35に至る深さまで切断し、溝25を形成する。続いて、図7bに示すように、ダイシングシート35を、X方向およびY方向に拡張し、溝25の幅を広げる。次に、図7cに示すように、例えば、真空成形法を用いて、第1の樹脂19aの表面を覆う第2の樹脂19bを形成する。続いて、図8aに示すように、第2の樹脂19bの上面を研磨もしくは研削し、第1の樹脂19aを露出させる。次に、図8bに示すように、第2の樹脂19bを溝25の延在方向に沿って切断する。この場合も、溝25の内部に充填された第2の樹脂19bを、例えば、溝25の幅よりも薄いダイシングブレードを用いて切断する。図8cは、ダイシングシート35から取り外した1つの半導体発光装置4を示す断面図である。同図に示すように、半導体発光装置4では、第2の樹脂19bが、第1の樹脂19aの外縁と、リードフレーム11および12の端面とを覆う。そして、リードフレーム11および12の裏面のみが、樹脂パッケージ18の1つの主面に露出する。言い換えれば、その主面に平行な平面視において、リードフレーム11および12は、樹脂パッケージ18の外縁の内側に位置する。本実施形態に係る製造方法では、ダイシングシート35をX方向およびY方向に拡張することにより、第1の樹脂19aの外縁を覆う第2の樹脂19bの厚さを変えることができる。これにより、配光特性を変化させることができる。また、本実施形態に係る製造方法により製作された半導体発光装置4では、樹脂パッケージ18の側面にリードフレームが露出しない。このため、ダイシングによりリードフレーム11および12の端面に生じるバリなどが樹脂パッケージ18の表面に出ることがない。したがって、外形不良を低減することができる。さらに、リードフレーム11および12の端部を絶縁性樹脂で覆うことにより、電界による異物のマイグレーションを抑制し信頼度を向上させることができる。[第3の実施形態]図9は、第3の実施形態に係る半導体発光装置5を例示する斜視図である。同図に示すように、半導体発光装置5では、前述の第1の実施形態に係る半導体発光装置1~4と比較して、LED14aおよび14bが、上下導通型の構造である点が相違する。すなわち、LED14aおよび14bには、発光面側の上面電極14uおよび裏面電極図示せずが設けられている。このため、図1に示す金属ワイヤ17aおよび17cは設けられない。この場合、ダイマウント材13aおよび13bは、導電性の材料を含む。また、リードフレーム11の表面において、金属ワイヤ17aおよび17cのボンディング面をダイマウント材13aおよび13bの塗布領域から区画するための溝11mが設けられない。本実施形態における上記以外の構成、製造方法および作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。[第4の実施形態]図10は、第4の実施形態に係る半導体発光装置6を例示する斜視図である。図11a~dは、半導体発光装置6の詳細な構造を例示する模式図である。半導体発光装置6では、前述の第1の実施形態に係る半導体発光装置1の構成に加えて、ツェナーダイオード16が設けられている点で相違する。ツェナーダイオード16は、LED14aおよび14bを電圧サージから保護するために設けられる。ツェナーダイオード16と、リードフレーム11と、の間は、金属ワイヤ17eにより電気的に接続される。このため、リードフレーム11には、LED14aおよび14bを固着するダイマウント材13aおよび13bが塗布される領域と、金属ワイヤ17eのボンディング面と、を区画する溝11nが設けられる。さらに、リードフレーム12には、ツェナーダイオード16を固着するためのダイマウント材15を塗布する領域と、金属ワイヤ17bおよび17dのボンディング面を区画するための溝12mが設けられている。図11aは、Z方向から見た半導体発光装置6の平面図である。図11bは、図11aにおけるA-A’断面の構造を示す模式図であり、図11dは、図11aにおけるB-B’断面の構造を示す模式図である。図11cは、発光面18aの反対側の裏面を示す底面図である。図11a、b、dに示すように、第1の樹脂19aは、LED14a、14b、金属ワイヤ17a~17eを覆い、リードフレーム11および12の上面および側面を覆うように形成される。そして、第1の樹脂19aの外縁側面を覆う第2の樹脂19bが設けられる。そして、第1の樹脂19aは、LED14aおよび14bが放射する光、および、蛍光体20が発する蛍光以下、出射光と総称を透過する。第1の樹脂19aは、例えば、透明なシリコーン樹脂によって形成される。ここで、透明とは、半透明も含む。第2の樹脂19bは、出射光に対する透過率が第1の樹脂19aにおける透過率よりも低い。例えば、白色のシリコーン樹脂によって形成される。そして、第2の樹脂19bの表面における出射光の反射率は、第1の樹脂19aの表面における出射光の反射率よりも高い。具体的には、第1の樹脂19aは、例えば、ジメチル系シリコーン樹脂によって形成される。第2の樹脂19bもジメチル系シリコーン樹脂によって形成され、反射材を含有する。反射材には、例えば、酸化チタンを主成分とする微粉末を用いる。これにより、可視光および近紫外領域例えば、波長800~350nmの領域において、例えば、80以上の反射率を実現することができる。第1の樹脂19aの内部には、蛍光体20を分散させることができる。蛍光体20は粒状であり、LED14aおよび14bから出射された光を吸収し、その光よりも長波長の蛍光を発する。例えば、LED14aおよび14bが出射する青色の光の一部を吸収し、黄色の蛍光を発する蛍光体20を分散させる。これにより、半導体発光装置6は、LED14aおよび14bから出射し蛍光体20に吸収されなかった青色の光と、蛍光体20の黄色の蛍光と、が混合された白色光を出射する。なお、便宜上、図11bおよびdにおいて、蛍光体20は、実際よりも低濃度で、且つ、大きなサイズに描いている。また、図10の斜視図、および、図11aの平面図では、蛍光体20を省略している。蛍光体20として、例えば、黄緑色、黄色またはオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体を使用することができる。シリケート系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。2-x-ySrOxBau,CavO1-a-b-c-dSiO2aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2但し、0<x、0.005<y<0.5、xy≦1.6、0≦a、b、c、d<0.5、0<u、0<v、uv=1である。また、黄色蛍光体として、YAG系の蛍光体を使用することもできる。YAG系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。RE1-xSmx3AlyGa1-y5O12:Ce但し、0≦x<1、0≦y≦1、REはYおよびGdから選択される少なくとも1種の元素である。蛍光体20として、サイアロン系の赤色蛍光体および緑色蛍光体を混合して使用することもできる。すなわち、蛍光体20は、LED14aおよび14bから出射された青色の光を吸収して緑色の光を発光する緑色蛍光体、および青色の光を吸収して赤色の光を発光する赤色蛍光体とすることができる。サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。M1-x,Rxa1AlSib1Oc1Nd1但し、MはSiおよびAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、CaおよびSrの少なくとも一方であることが望ましい。Rは発光中心元素であり、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7である。このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。Sr2Si7Al7ON13:Eu2サイアロン系の緑色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。M1-x,Rxa2AlSib2Oc2Nd2但し、MはSiおよびAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、CaおよびSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、Euが望ましい。ここで、x、a2、b2、c2、d2は、0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11である。このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。Sr3Si13Al3O2N21:Eu2次に、本実施形態に係るリードフレームについて説明する。リードフレーム11および12は、裏面側において、凸部11pと凸部12pとを有する図12参照。そして、リードフレーム11は、凸部11pの外周に、薄板部11tと、薄板部11tの周りに延出する吊ピン11b~11gと、を有する。同様に、リードフレーム12は、凸部12pの外周に、薄板部12tと、薄板部12tの周りに延出する吊ピン12b~12fと、を有する。図11cに示すように、リードフレーム11の裏面11lのうち、凸部11pの表面は、樹脂パッケージ18の裏面に露出する。そして、吊ピン11b~11gの先端面は、樹脂パッケージ18の側面に露出する図10参照。一方、リードフレーム11の上面11hの全体、裏面11lのうち、凸部11p以外の部分、すなわち、各吊ピンおよび薄板部11tの裏面、並びに、側面のうちの吊ピンの先端面以外の部分、すなわち、凸部11pの側面、ベース部11aの端面および吊ピンの側面は、樹脂パッケージ18第1の樹脂19aによって覆われている。これにより、リードフレーム11と第1の樹脂19aとの密着性が強化される。同様に、リードフレーム12の凸部12pの表面は樹脂パッケージ18の裏面に露出しており、吊ピン12b~12fの先端面は樹脂パッケージ18の側面に露出している。一方、リードフレーム12の上面12hの全体、裏面12lのうち凸部12p以外の部分、すなわち、各吊ピンおよび薄板部12tの裏面、並びに、側面のうち吊ピンの先端面以外の部分、すなわち、凸部12pの側面、ベース部12aの端面および吊ピンの側面は、樹脂パッケージ18第1の樹脂19aによって覆われている。これにより、リードフレーム12と第1の樹脂19aとの密着性も強化される。樹脂パッケージ18の形状は、例えば、Z方向から見て矩形であり、凸部11pおよび12pの表面が樹脂パッケージ18の裏面に露出し電極パッドとなる。そして、リードフレーム11および12にそれぞれ設けられた複数本の吊ピンの先端面は、樹脂パッケージ18の相互に異なる3つの側面に露出する。図12a~cは、半導体発光装置6のリードフレームを例示する図である。図12aに示すように、リードフレーム11においては、Z方向から見て矩形のベース部11aが設けられており、このベース部11aから6本の吊ピン11b、11c、11d、11e、11f、11gが延出している。吊ピン11bおよび11cは、ベース部11aの1つの端縁11xからY方向に延出している。吊ピン11dおよび11eは、端縁11xの反対側の端縁から-Y方向に向けて延出している。X方向における吊ピン11bおよび11dの位置は相互に同一であり、吊ピン11cおよび11eの位置は相互に同一である。吊ピン11fおよび11gは、ベース部11aの端縁11yから-X方向に向けて延出している。このように、吊ピン11b~11gは、ベース部11aの相互に異なる3辺3つの端縁からそれぞれ延出している。一方、リードフレーム12は、リードフレーム11と比較して、X方向の長さが短く、Y方向の長さは同じである。リードフレーム12では、Z方向から見て矩形のベース部12aが設けられており、このベース部12aの端縁から4本の吊ピン12b、12c、12d、12eが延出している。吊ピン12bは、ベース部12a端縁12xの中央部からY方向に向けて延出している。吊ピン12cは、端縁12xの反対側の端縁の中央部から-Y方向に向けて延出している。吊ピン12dおよび12eは、ベース部12aの端縁12yからX方向に向けて延出している。このように、吊ピン12b~12eは、ベース部12aの相互に異なる3辺からそれぞれ延出している。リードフレーム11の吊ピン11gおよび11fの幅は、リードフレーム12における吊ピン12dおよび12eの幅と同一でもよく、異なっていてもよい。但し、吊ピン11dおよび11eの幅と吊ピン12dおよび12eの幅とを異ならせれば、アノードとカソードの判別が容易になる。図12aおよびbに示すように、リードフレーム11の裏面11lにおけるベース部11aの中央部には、凸部11pが形成されている。このため、リードフレーム11の厚さは2水準の値をとり、ベース部11aの中央部、すなわち、凸部11pが形成されている部分は相対的に厚い厚板部11sとなっており、ベース部11aの外周部および吊ピン11b~11gは相対的に薄い薄板部11tとなっている。図12bおよびcに示すように、リードフレーム12の裏面12lにおけるベース部12aの中央部には、凸部12pが形成されている。これにより、リードフレーム12の厚さも2水準の値をとり、ベース部12aの中央部は凸部12pが形成されているため相対的に厚い厚板部12sとなっており、ベース部12aの外周部および吊ピン12b~12eは相対的に薄い薄板部12tとなっている。換言すれば、ベース部11aおよび12aの外周部の下面には切欠が形成されている。このように、凸部11pおよび12pは、リードフレーム11および12における相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、これらの端縁を含む領域は、薄板部11tおよび12tとなっている。リードフレーム11の上面11hとリードフレーム12の上面12hは同一平面上にあり、リードフレーム11の凸部11pの下面とリードフレーム12の凸部12pの下面は同一平面上にある。また、Z方向における各吊ピンの上面の位置は、リードフレーム11および12の上面の位置と一致している。従って、各吊ピンは同一のXY平面上に配置されている。リードフレーム11の上面11hにおける端縁11y側の領域には、Y方向に延びる溝11mが形成されている。また、上面11hの中心からX方向およびY方向側にずれた領域には、Y方向に延びる溝11nが形成されている。さらに、リードフレーム12の上面12hにおける中央部には、X方向に延びる溝12mが形成されている。溝11m、11nおよび12mは、いずれも厚板部11sまたは12s、すなわち、凸部11pまたは12pの直上域の内側に形成されており、厚板部の外縁には達しておらず、また、Z方向においてもリードフレームを貫通していない。図13aは、第4の実施形態における金属プレート23を例示する平面図であり、図13bは、この金属プレート23の一部を拡大した平面図である。図13aに示すように、金属プレート23では、例えば、3つのブロックBが設定されており、各ブロックBには、例えば、1000個程度のペアフレームPが形成される。また、図13bに示すように、ペアフレームPは、マトリクス状に配列されており、隣り合うペアフレームPの間は格子状のダイシング領域Dとなっている。このようなフレームパターンは、例えば、金属プレート23を選択エッチングすることにより製作することができる。各ペアフレームPには、相互に離隔したリードフレーム11および12が配置されている。すなわち、複数のリードフレーム11と、複数のリードフレーム12とが、X方向に交互に配置された基本パターンが形成されている。ダイシング領域Dでは、隣り合うペアフレームPが、連結部吊ピンにより接続されている。リードフレーム11とリードフレーム12とは相互に離隔し、1つのペアフレームPに含まれるリードフレーム11は、このペアフレームPから見て-X方向に位置する隣のペアフレームPのリードフレーム12に連結部23aおよび23bを介してつながっている。一方、Y方向では、隣り合うペアフレームPに含まれるリードフレーム11が、連結部23cおよび23dを介してつながっている。同様に、Y方向において、隣り合うペアフレームPに含まれるリードフレーム12は、連結部23eを介してつながっている。このように、ペアフレームPの外縁から内側に離隔したベース部11aおよび12aから、それぞれ3方向に向けて、ダイシング領域Dを通過し隣のペアフレームPに至る連結部23a~23eが設けられている。さらに、金属プレート23の下面側からハーフエッチングすることにより、リードフレーム11および12の下面に、それぞれ凸部11pおよび12pを形成する図12参照。なお、本実施形態において詳細に説明した金属プレート23、および、蛍光体20は、他の実施形態にも適用できることは言うまでもない。[第5の実施形態]図14は、第5の実施形態に係る半導体発光装置7を例示する斜視図である。同図に示すように、半導体発光装置7では、前述の第4の実施形態に係る半導体発光装置6図13参照と比較して、樹脂パッケージ18における第1の樹脂19aおよび第2の樹脂19bの配置が相違する。本実施形態では、第2の樹脂19bが樹脂パッケージ18のX方向長手方向にのみ延在し、Y方向短手方向には設けられていない。すなわち、第2の樹脂19bは、第1の樹脂19aの外縁を囲む枠状ではなく、X方向に延在し、Y方向において第1の樹脂19aを挟む2本のストライプ状に設けられる。そして、第2の樹脂19aは、樹脂パッケージ18のX方向の全長にわたって設けられる。樹脂パッケージ18の最下層部、すなわち、リードフレーム11および12の上面よりも下方に位置する部分には、第1の樹脂19aが充填される。このような樹脂パッケージ18は、図2cまたは図5aに示す溝25の形成工程において、例えば、第1の樹脂をX方向にのみダイシングすることにより形成できる。半導体発光装置7では、Y方向における指向性が高く、X方向では広い放射角で光が放出される。本実施形態における上記以外の構成、製造方法および作用効果は、第4の実施形態に係る半導体発光装置6と同じである。[第6の実施形態]図15~図17は、第6の実施形態に係る半導体発光装置8を例示する模式図である。図15は、半導体発光装置8を示す斜視図である。図16a~dは、半導体発光装置8の詳細な構造を例示する模式図である。図16aは、Z方向から見た平面図である。図16bは、図16aに示すA-A’断面の構造を示している。図16cは、底面図である。図16dは、図16aに示すB-B’断面の構造を示している。図17は、半導体発光装置8のリードフレームを例示する模式図である。図17aは、上面図であり、図17bは、図17aに示すC-C’断面であり、図17cは、図17aに示すD-D’断面図である。半導体発光装置8では、前述の第4の実施形態に係る半導体発光装置6図10~図12参照と比較して、リードフレーム11がX方向において2枚のリードフレーム31および32に分割されている点が相違する。リードフレーム32は、リードフレーム31とリードフレーム12との間に配置される。図17に示すように、本実施形態では、前述の第4の実施形態に係る半導体発光装置6におけるリードフレーム11のベース部11a図12参照が、リードフレーム31および32のベース部31aおよび32bに相当する。そして、リードフレーム11の吊ピン11b~11gは、リードフレーム31および32の吊ピン31b、32c、31d、32e、31fおよび31gに相当する。さらに、リードフレーム11の凸部11pは、リードフレーム31の凸部31pおよびリードフレーム32の凸部32pに分割される。Z方向から見て、凸部31pおよび32pは、それぞれ、ベース部31aおよび32aの中央部に形成される。そして、図15および図16aに示すように、金属ワイヤ17aおよび17cの一端は、リードフレーム31の上面にボンディングされる。なお、前述の第4の実施形態と同様に、金属ワイヤ17bおよび17dの一端は、リードフレーム12にボンディングされる。また、本実施形態では、ツェナーダイオード16図10参照は配置されておらず、ダイマウント材15および金属ワイヤ17eも設けられない。したがって、溝11m、11n、12mは、形成されない。本実施形態では、リードフレーム31および12を介して、LED14aおよび14bに外部から駆動電流を供給する。一方、リードフレーム32は、電気的に中性であっても良く、ヒートシンクとして機能する。例えば、複数の半導体発光装置8を1つの回路基板に搭載する場合に、リードフレーム32を共通のヒートシンクに接続し、放熱性を向上させることができる。なお、リードフレーム32は、接地電位でも良く、浮遊電位としてもよい。また、半導体発光装置8を回路基板に実装する際に、リードフレーム31、32および12に、それぞれ半田ボールを接合することにより、所謂マンハッタン現象を抑制することができる。マンハッタン現象とは、複数個の半田ボール等を介して回路基板にデバイスを実装するときに、リフロー工程における半田ボールの融解のタイミングがずれ、半田の表面張力に起因してデバイスが起立してしまう現象であり、実装不良の原因となる。本実施形態によれば、半田ボールをX方向に密に配置することにより、マンハッタン現象を抑制することができる。本実施形態では、リードフレーム31が、吊ピン31b、31d、31f、31gによって3方向から支持される。このため、金属ワイヤ17aおよび17cのボンディングが容易となる。同様に、リードフレーム12は、吊ピン12b~12eによって3方向から支持されるため、金属ワイヤ17のボンディングも容易となる。本実施形態に係る半導体発光装置8は、図13に示す金属プレート23において、各ペアフレームPのパターンを変更することにより、前述の第1の実施形態の製造方法を用いて製作することができる。本実施形態における上記以外の構成、作用効果は、前述の第4の実施形態に係る半導体発光装置6と同じである。[第7の実施形態]図18は、第7の実施形態に係る半導体発光装置9を例示する斜視図である。図19a~cは、半導体発光装置9の詳細な構造を例示する模式図である。図19aは、Z方向から見た平面図である。図19bは、図19aに示すA-A’断面の構造を示し、図19cは、図19aに示すB-B’断面の構造を示している。半導体発光装置9では、前述の第4の実施形態に係る半導体発光装置6図10~図12参照と比較して、第1の樹脂19aの外縁を覆う第2の樹脂19bの形状が相違する。また、樹脂パッケージ18の側面にリードフレーム11および12の端面が露出しない点で相違する。本実施形態に係る第2の樹脂19bは、図19bおよびcに示すように、そのX方向およびY方向における幅が、Z方向に狭くなるように設けられる。すなわち、第1の樹脂19aを囲む内面19cがZ方向に開く形状に設けられる。これにより、LED14aおよび14bから放射される光をZ方向に反射し、Z方向の指向性を高めることができる。図20a~図21cは、半導体発光装置9の製造過程を模式的に例示する断面図である。本実施形態では、金属プレート23の裏面側からダイシングを行い、第2の樹脂19bを充填する溝を形成する点で第1実施形態に係る製造方法図5参照と相違する。まず、図20aに示すように、第1の樹脂19aが形成された金属プレート23をダイシングシート35に貼着する。同図に示すように、第1の樹脂19aの上面をダイシングシート35に接着させ、さらに、犠牲シート27を金属プレート23の裏面に貼着する。続いて、図20bに示すように、金属プレート23の裏面側から、金属プレート23および第1の樹脂19aを切断し、溝45を形成する。この際、ダイシングブレードは、ブレードの根本から刃先にかけてテーパ状に幅が狭くなるものを用いる。これにより、金属プレート23の裏面から第1の樹脂19aの上面の方向Z方向に幅が狭くなる溝45を形成することができる。次に、図20cに示すように、金属プレート23の上に第2の樹脂19bを成形し、溝45の内部に第2の樹脂19bを充填する。この際、ダイシングシートをX方向およびY方向に拡張し、溝45の幅を広げても良い。次に、図21aに示すように、溝45の延在方向に沿って第2の樹脂19bを切断する。続いて、図21bに示すように、第2の樹脂19bの上面に粘着シート49を貼り付け、さらに、引き剥がすことにより、犠牲シート27と共に、リードフレーム11および12の裏面に形成された第2の樹脂19bを除去する。これにより、図21cに示すように、第1の樹脂19aの外縁と、リードフレーム11および12の外縁とを、第2の樹脂19bで覆った樹脂パッケージ18を形成することができる。上記の通り、本実施形態に係る半導体発光装置9では、第1の樹脂19aを囲む第2の樹脂19bの内面がZ方向に開く形状に設けられ、LED14aおよび14bの放射光、および、第1の樹脂19aに分散された蛍光体20の蛍光をZ方向に反射する。これにより、出射光の指向性を向上させることができる。本実施形態における上記以外の構成、作用効果は、前述の第4の実施形態に係る半導体発光装置6と同じである。[第8の実施形態]図22は、第8の実施形態に係る半導体発光装置10を例示する斜視図である。図23a~cは、半導体発光装置10の詳細な構造を例示する模式図である。図23aは、Z方向から見た平面図である。図23bは、図23aに示すA-A’断面の構造を示し、図23cは、図23aに示すB-B’断面の構造を示している。図22および図23に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置10は、前述の第7の実施形態に係る半導体発光装置9図18および図19参照と比較して、第2の樹脂19bのY方向に延在する部分の高さが、X方向に延在する部分の高さよりも低く設けられている点が異なっている。本実施形態に係る樹脂パッケージ18は、例えば、図20bに示す溝45を形成する工程において、Y方向におけるダイシングの深さを浅くすることにより形成することができる。例えば、リードフレーム11および12の上面を基準として、第2の樹脂19bのY方向に延在する部分の高さを、X方向に延在する部分の高さの約半分にする。これにより、半導体発光装置10のY方向における指向性を高くし、X方向における指向性を下げて光の出射角をY方向よりも広げることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法および作用効果は、前述の第7の実施形態に係る半導体発光装置9と同様である。以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"