"シリカ、塩基性物質、キレート剤及び水を含むシリコンウェーハ用研磨組成物において、前記キレート剤がエチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類であることを特徴とするシリコンウェーハ用研磨組成物。前記シリカの窒素吸着法による平均一次粒子径が、3~1000nmであることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記シリカの窒素吸着法による平均一次粒子径が、5~500nmであることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記シリカの濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準にして0.05~30質量であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記シリカがコロイダルシリカであることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記キレート剤の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準にして0.001~5質量であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記塩基性物質の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準にして0.01~10質量であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記塩基性物質が、アルカリ金属の無機塩、アンモニウム塩及びアミン類からなる群より選ばれる少なくとも1種類であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記塩基性物質が、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム及び炭酸水素カリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類のアルカリ金属の無機塩であることを特徴とする請求項8に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記塩基性物質が、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸テトラメチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸テトラエチルアンモニウム、炭酸水素テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、水酸化モノメチルトリエタノールアンモニウム、炭酸モノメチルトリエタノールアンモニウム、炭酸水素モノメチルトリエタノールアンモニウム及び塩化モノメチルトリエタノールアンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類の前記アンモニウム塩であることを特徴とする請求項8に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記塩基性物質が、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、N-メチル-1,3-ジアミノプロパン、3-アミノメチルピペリジン、1,3-ジアミノプロパン、1,2-ジアミノプロパン、N,N-ジエチルエチレンジアミン、N-エチルエチレンジアミン、ジプロピレントリアミン、モノエタノールアミン、2-2-アミノエチルアミノエタノールアミン及びピペラジンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の前記アミン類であることを特徴とする請求項8に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。さらに、水溶性高分子化合物及びアルコール性水酸基を有する化合物を含むことを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記水溶性高分子化合物が、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びプルランからなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項12に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記水溶性高分子化合物が、重量平均分子量10万~100万のヒドロキシエチルセルロースであることを特徴とする請求項13に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記水溶性高分子化合物の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物全量の質量を基準にして0.01~2.0質量であることを特徴とする請求項12~14のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記アルコール性水酸基を有する化合物が、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、アセチレングリコール、グリセリンからなる群から選ばれる少なくとも1種類であることを特徴とする請求項12~15のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。前記アルコール性水酸基を有する化合物の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物全量の質量を基準にして0.001~5.0質量であることを特徴とする請求項12~16のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物。請求項1~17のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いることを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。請求項1~11のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いて、1次研磨を行うことを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。請求項12~17のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いて、1次研磨後の仕上げ研磨を行うことを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。本発明はシリコンウェーハの研磨において、研磨組成物としての性能を維持しつつ、銅、鉄、クロム、ニッケル、アルミニウムなどの金属汚染を効果的に防止することが可能なシリコンウェーハ用研磨組成物を提供することを目的とする。本発明は、第1観点として、シリカ、塩基性物質、キレート剤及び水を含むシリコンウェーハ用研磨組成物において、前記キレート剤がエチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類であるシリコンウェーハ用研磨組成物、第2観点として、前記シリカの窒素吸着法による平均一次粒子径が、3~1000nmである第1観点に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第3観点として、前記シリカの窒素吸着法による平均一次粒子径が、5~500nmである第1観点に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第4観点として、前記シリカの濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準にして0.05~30質量である第1観点~第3観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第5観点として、前記シリカが、コロイダルシリカである第1観点~第4観点のいずれか一つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第6観点として、前記キレート剤の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準にして0.001~5質量である第1観点~第5観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第7観点として、前記塩基性物質の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準にして0.01~10質量である第1観点~第6観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第8観点として、前記塩基性物質が、アルカリ金属の無機塩、アンモニウム塩及びアミン類からなる群より選ばれる少なくとも1種類である第1観点~第7観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第9観点として、前記塩基性物質が、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム及び炭酸水素カリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類のアルカリ金属の無機塩である第8観点に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第10観点として、前記塩基性物質が、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸テトラメチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸テトラエチルアンモニウム、炭酸水素テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、水酸化モノメチルトリエタノールアンモニウム、炭酸モノメチルトリエタノールアンモニウム、炭酸水素モノメチルトリエタノールアンモニウム及び塩化モノメチルトリエタノールアンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類の前記アンモニウム塩である第8観点に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第11観点として、前記塩基性物質が、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、N-メチル-1,3-ジアミノプロパン、3-アミノメチルピペリジン、1,3-ジアミノプロパン、1,2-ジアミノプロパン、N,N-ジエチルエチレンジアミン、N-エチルエチレンジアミン、ジプロピレントリアミン、モノエタノールアミン、2-2-アミノエチルアミノエタノールアミン及びピペラジンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の前記アミン類である第8観点に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第12観点として、さらに、水溶性高分子化合物及びアルコール性水酸基を有する化合物を含む第1観点~第11観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第13観点として、前記水溶性高分子化合物が、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びプルランからなる群から選ばれる少なくとも一種である第12観点に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第14観点として、前記水溶性高分子化合物が、重量平均分子量10万~100万のヒドロキシエチルセルロースである第13観点に記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第15観点として、前記水溶性高分子化合物の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物全量の質量を基準にして0.01~2.0質量である第12観点~第14観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第16観点として、前記アルコール性水酸基を有する化合物が、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、アセチレングリコール、グリセリンからなる群から選ばれる少なくとも1種類である第12観点~第15観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第17観点として、前記アルコール性水酸基を有する化合物の濃度が、シリコンウェーハ用研磨組成物全量の質量を基準にして0.001~5.0質量である第12観点~第16観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物、第18観点として、第1観点~第17観点のいずれか一つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いるシリコンウェーハの研磨方法、第19観点として、第1観点~第11観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いて、1次研磨を行うシリコンウェーハの研磨方法、第20観点として、第12観点~第17観点のいずれか1つに記載のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いて、1次研磨後の仕上げ研磨を行うシリコンウェーハの研磨方法である。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、高濃度の原液として調製して貯蔵又は輸送などを行うことができ、また研磨装置で使用する際には純水を加えて、希釈して使用することもできる。希釈倍率は4~100倍、好ましくは10~50倍である。シリコンウェーハを研磨するときの研磨装置には、片面研磨方式と両面研磨方式があり、いずれの装置にも本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いることができる。本発明によれば、シリカを含有するシリコンウェーハ用研磨組成物にエチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類のキレート剤を含有させることによって、良好な研磨速度や、ヘイズ抑制効果、粒子汚染防止等の研磨組成物としての性能を維持しつつ、シリコンウェーハ表面及び内部への金属汚染、特に銅汚染を抑制することができるという効果が得られる。特に、アミン類を含有するシリコンウェーハ用研磨組成物おいても効果があることより、高い研磨速度を維持しつつ、銅汚染を抑制することができる。また、純度の特別高い原材料を使用する必要が無いため、安価に金属汚染を抑制できるシリコンウェーハ用研磨組成物を得ることができる。本発明の実施形態を説明する。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、シリカ、塩基性物質、キレート剤及び水を含むものであって、キレート剤がエチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類であるものである。そして、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、詳しくは後述する1次研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物、及び、仕上げ研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物である。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物においては、砥粒としてシリカ二酸化ケイ素を用いる。シリコンウェーハを研削或いは研磨するための研磨組成物として、セリアやアルミナによる加工が有効であることは知られているが、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物の砥粒として使用するものは、シリカを好適とする。また、シリカとしては、シリカゾル、フュームドシリカ、沈殿法シリカ或いはその他形態の異なるシリカが知られており、これらのいずれも使用することが可能であるが、特に半導体シリコンウェーハ表面を高精度に研磨するためには、粒子径分布の揃った、しかも平均一次粒子径がコロイド次元ナノ次元のコロイダルシリカを用いることが好ましい。コロイダルシリカの粒子径は、特に限定されないが、例えば、1次研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物の場合は、窒素吸着法BET法による比表面積から換算される平均一次粒子径として、3~1000nmであり、好ましくは5~500nmであり、最も好ましくは10~500nmである。また、仕上げ研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物の場合は、窒素吸着法BET法による比表面積から換算される平均一次粒子径として、5~100nmであり、好ましくは20~50nmである。好ましいコロイダルシリカの形態としては、コロイダルシリカが安定に水に分散したシリカゾルである。砥粒としてのシリカは、単一の粒子径分布を有するシリカを用いても、又は異なる複数の粒子径分布のシリカを混合して使用してもよい。また、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物におけるシリカの含有量は、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準として、0.05~30質量であり、好ましくは0.1~10質量であり、更に好ましくは0.2~5質量である。0.05質量未満では十分な研磨速度研磨レートを得られず、30質量を越えると表面の微小欠陥が増え、平坦度が下がるなど、シリコンウェーハの無傷性、平滑性が悪化するため好ましくない。特に仕上げ研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物の場合は、0.05~30質量の範囲外ではヘイズが悪化して好ましくない。本発明においてキレート剤として用いられるエチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸は、エチレンジアミン骨格にフェニル基を含んだ酢酸系キレート剤である。1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸は、エチレンジアミンが環状に4個連結した酢酸系のキレート剤である。これらはエチレンジアミン4酢酸以下EDTAというに代表される多座キレート剤の1種である。本発明では、エチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類を必須成分とする。これらの塩としては、アンモニウム塩、有機アミン塩、アルカリ金属塩などが挙げられる。このように、エチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類を用いることにより、EDTA等他のキレート剤のみではできなかった、良好な研磨速度やヘイズ抑制効果、粒子汚染防止等の研磨組成物としての性能を維持しつつシリコンウェーハ表面及び内部への金属汚染を抑制するという効果を発揮することができる。また、エチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類を用いることにより、EDTA等他のキレート剤を用いた場合と比較して、顕著に金属汚染を抑制することができる。また本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物においては、他のキレート剤と併用することも可能である。併用することが可能な他のキレート剤は、例えば、ニトリロ3酢酸NTA、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸HIDA、エチレンジアミン4酢酸EDTA、ヒドロキシエチルエチレンジアミン3酢酸EDTA-OH、1,3-ジアミノプロパン4酢酸DPTA、ジエチレントリアミン5酢酸DTPA、トリエチレンテトラミン6酢酸TTHA、2-ヒドロキシ-1,3-ジアミノプロパン4酢酸DPTA-OH、ニトリロ3メチレンホスホン酸NTMP、ニトリロ3エチレンホスホン酸NTEP、エチレンジアミン4メチレンホスホン酸EDTMP、エチレンジアミン4エチレンホスホン酸EDTEP、ジエチレントリアミン5メチレンホスホン酸DTPMP、ジエチレントリアミン5エチレンホスホン酸DTPEP、トリエチレンテトラミン6メチレンホスホン酸TTHMP、トリエチレンテトラミン6エチレンホスホン酸TTHEP等が挙げられる。前記エチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸及びこれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも1種類のキレート剤のシリコンウェーハ用研磨組成物中の濃度は、本発明の効果が達成される限り特別の限定はないが、例えば1次研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物の場合は、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準として、0.001~5質量、好ましくは0.01~3質量、更に好ましくは0.1~1質量である。シリコンウェーハ用研磨組成物中の濃度が0.001質量未満では、金属汚染の防止効果が十分でなく、逆に5質量を越えても、更なる金属汚染の防止効果は期待できない。また、仕上げ研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物の場合は、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準として、0.001~10質量、好ましくは0.01~10質量、更に好ましくは0.05~5質量である。シリコンウェーハ用研磨組成物中の濃度が0.001質量未満では、金属汚染の防止効果が十分でなく、逆に10質量を越えても、更なる金属汚染の防止効果は期待できない。本発明に用いられる塩基性物質は、例えばアルカリ金属の無機塩、アンモニウム塩、及びアミン類からなる群から選ばれる少なくとも1種類である。アルカリ金属の塩としては、アルカリ金属の水酸化物又は炭酸塩が挙げられる。具体的には、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどが好ましく、特に水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムがより好ましい。アンモニウム塩としては、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸テトラメチルアンモニウム、炭酸水素テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸テトラエチルアンモニウム、炭酸水素テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、水酸化モノメチルトリエタノールアンモニウム、炭酸モノメチルトリエタノールアンモニウム、炭酸水素モノメチルトリエタノールアンモニウム及び塩化モノメチルトリエタノールアンモニウムなどが好ましく、特に水酸化テトラメチルアンモニウムがより好ましい。アミン類としては、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、2-2-アミノエチルアミノエタノールアミン、ジエチレントリアミン、N-メチル-1,3-ジアミノプロパン、3-アミノメチルピペリジン、1,3-ジアミノプロパン、1,2-ジアミノプロパン、N,N-ジエチルエチレンジアミン、N-エチルエチレンジアミン、ジプロピレントリアミン、ピペラジンなどが挙げられる。エチレンジアミンは、研磨速度を上げる効果が高く、特に好ましい。アミン類としてはこれらのアミンのみならず、他のアミンを含んでいてもよい。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物における塩基性物質の好ましい濃度は、シリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準として0.01~10質量である。特にアルカリ金属塩の場合は0.01~1質量、アンモニウム塩の場合は0.01~5質量、アミン類の場合は0.1~10質量が好ましい。シリコンウェーハ用研磨組成物における塩基性物質の濃度が0.01質量未満では、十分な研磨速度を得ることが出来ず、逆に10質量を超えても、研磨速度の更なる向上は期待でない。また、上記の塩基性物質は2種以上を併用することも可能である。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、上記以外の添加物を含んでいてもよい。例えば、水溶性高分子化合物や、アルコール性水酸基を有する化合物を含んでいてもよい。シリカ、塩基性物質、キレート剤及び水に加えて、水溶性高分子化合物、及び、アルコール性水酸基を有する化合物を含むシリコンウェーハ用研磨組成物とすることにより、仕上げ研磨用のシリコンウェーハ用研磨組成物とすることができる。本発明に用いられる水溶性高分子化合物は、主に研磨終了後のウェーハ表面に親水性を付与する作用を有する。研磨終了後のウェーハ表面の親水性を高くすることにより、研磨後に行なう洗浄工程までの間にシリコンウェーハ用研磨組成物や研磨雰囲気中のダストがシリコンウェーハに付着することを防止し、パーティクル抑制効果を高める。本発明に用いられる水溶性高分子化合物は、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びプルランからなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましく、特にヒドロキシエチルセルロースは、研磨後のシリコンウェーハ表面のヘイズを良好にすることができるのでより好ましい。水溶性高分子化合物の濃度は、シリコンウェーハ用研磨組成物全量の質量に対して0.01~2.0質量が好ましい。0.01質量未満の添加では、研磨後のシリコンウェーハ表面のヘイズ、濡れ性親水性の改善が不十分であり、一方、2.0質量を越える添加では、シリコンウェーハ用研磨用組成物の粘度が高くなり過ぎて、フィルターろ過など異物除去の工程に負担が掛かり、生産性が悪くなってしまうので好ましくない。ヒドロキシエチルセルロースの分子量は絶対分子量の重量平均分子量Mwで10万~100万が好ましい。絶対分子量はGPCゲルパーミッションクロマトグラフィーにWyatt社の多角度光散乱検出器を用いて測定することができる。ヒドロキシエチルセルロースは分子量の分布が非常に広く、一般的な検量線法の重量平均分子量では全分子量領域をカバーできないために、再現性に乏しい欠点があった。絶対分子量では再現性が良いので分子量を比較するのに適している。本発明に用いられるアルコール性水酸基を有する化合物は、研磨終了後の研磨後のシリコンウェーハ表面のヘイズレベルの向上に効果を有する。このメカニズムは明らかでないが、アルコール性水酸基を有する化合物が存在することにより、明らかに研磨後のシリコンウェーハ表面のヘイズレベルが改良される。本発明に用いられるアルコール性水酸基を有する化合物としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、アセチレングリコール、ポリプロピレングリコール、及びグリセリンからなる群から選ばれる少なくとも1種類であることが好ましい。ポリエチレングリコールは数平均分子量が200~30000、ポリプロピレングリコールは、数平均分子量が200~20000であることが好ましい。アルコール性水酸基を有する化合物の含有量は、シリコンウェーハ用研磨用組成物全量の質量を基準にして、0.001~5.0重量、好ましくは0.002~3.0重量である。アルコール性水酸基を有する化合物の含有量が、この範囲よりも少ないと、ヘイズ改善効果が少なく、また、この範囲よりも多くしても更なるヘイズ改善効果は期待できない。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物の製造方法は特に限定されず、例えば、上記各成分を水に溶解または分散させることにより、製造することができる。なお、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、高濃度の原液として調製して貯蔵又は輸送などを行うことができ、実際に研磨装置で使用する際にはこの高濃度の原液に純水を加えて、希釈して使用することもできる。希釈倍率は例えば4~100倍、好ましくは10~50倍である。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物には、シリカ、塩基性物質又はキレート剤に含まれる原料由来の異物パーティクル、製造装置や作業環境から混入する異物、特にシリカの凝集体や乾燥ゲルなどの粗大粒子が含まれている場合があり、研磨を行う前にこれらの粗大粒子を除去する工程を取り入れることが好ましい。粗大粒子を除去する方法としては、強制沈降法や精密ろ過法が挙げられる。精密ろ過に使用するフィルターには、デプスフィルター、プリーツフィルター、メンブレンフィルター、中空糸フィルターなどのタイプがあり、いずれのタイプも使用することが出来る。また、フィルターの材質にはコットン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ナイロン、セルロース、ガラスなどがあり、いずれも使用することが出来る。粗大粒子の除去にはより細かい目開きのフィルターが適しているが、ろ過速度は遅くなる。ろ過効率を考慮すれば0.5~1.0μmの目開きのフィルターが適当である。強制沈降法としては、遠心力を利用した遠心分離装置等が挙げられる。本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、上記本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いてシリコンウェーハを研磨するものである。研磨装置には、片面研磨方式と両面研磨方式があり、いずれの装置にも本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いてシリコンウェーハを研磨することができる。本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、シリカ濃度をシリコンウェーハ用研磨組成物の質量を基準にして0.05~30質量の範囲で用いることが好ましい。詳述すると、シリコンウェーハの研磨工程は通常複数段階の研磨によって構成されており、研磨工程の初期に行われる1次研磨と、この1次研磨工程の後に行われる仕上げ研磨がある。なお、1次研磨や仕上げ研磨は、それぞれ2段階に分けて行なわれる場合もある。そして、1次研磨は、シリコンウェーハの深いスクラッチ引っ掻き傷を除去し、表面平滑化を主な目的とするものであり、高い研磨レートが求められる。また、仕上げ研磨は、1次研磨後に残っているマイクロスクラッチを除去し、かつ、ヘイズ表面曇りの抑制を主な目的とし、さらに粒子汚染を防止するために表面の親水化も行なわれるものであり、特にヘイズ抑制や粒子汚染防止が求められる。これらの研磨工程で用いる研磨液として、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いることができる。1次研磨に用いる本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、シリカ、塩基性物質、キレート剤及び水を含むシリコンウェーハ用研磨組成物であって、高い研磨レートが求められるため、実質的に水溶性高分子化合物及びアルコール性水酸基を有する化合物を含まないものである。また、仕上げ研磨に用いる本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物は、シリカ、塩基性物質、キレート剤、水、水溶性高分子化合物及びアルコール性水酸基を有する化合物を含むものである。1次研磨と仕上げ研磨の両方で本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いてもよく、また、1次研磨と仕上げ研磨のいずれか一方のみを本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いるようにしてもよい。このように、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いてシリコンウェーハを研磨することにより、銅、鉄、クロム、ニッケル、アルミニウムなどの金属汚染を効果的に防止することができる。したがって、金属汚染によるシリコンウェーハの品質の劣化や、該シリコンウェーハを用いた半導体デバイスの特性の低下を防止することができる。特に1次研磨では、研磨により加熱されるためか、シリコンウェーハが金属により汚染されやすいが、このような1次研磨においても、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いることにより、金属汚染を防止することができる。そして、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物を用いれば、後述する実施例に示すように、EDTA等のその他のキレート剤では維持することができなかった、1次研磨で求められる高い研磨レートや、仕上げ研磨で求められるヘイズ抑制及び粒子汚染防止効果も十分維持しており、良好にシリコンウェーハを研磨することができる。以下に本発明の実施例を説明するが、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。特に下記実施例では銅汚染回避の例を挙げているが、他の重金属汚染も本発明の研磨組成物により防ぐことができる。実施例1シリコンウェーハ用研磨組成物研磨液の基材となるシリカゾルシリカ濃度:3.0質量、窒素吸着法BET法による比表面積から換算されるシリカ平均一次粒子径:45nm、分散媒:水、水酸化カリウム以下KOHと表すでpH9に調整済み15kgを用意し、前記シリカゾルに原子吸光分析用の標準銅溶液銅濃度が1000質量ppmの硝酸銅水溶液を添加して、銅濃度が10質量ppbになるように強制的に銅で汚染させたシリカゾル1を調製した。この銅で汚染させたシリカゾル1にKOH、エチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸以下EDDHAと表すをそれぞれ添加し、得られる研磨液の質量を基準にしてKOHとして0.1質量、EDDHAとして0.01質量含有する研磨液1を調製した。シリコンウェーハの研磨に際しては、前記研磨液1を絶対孔径1μm捕捉効率99.9以上のフィルターでろ過処理したものを用いた。シリコンウェーハの研磨1次研磨は以下に示す条件で行った。研磨機:485φ片面加工機研磨パッド:suba600ニッタハース社製荷重:270g/cm2定盤回転数:40rpmヘッド回転数:40rpm研磨組成物の供給量:350ml/分研磨時間:30分ウェーハ:シリコンエッチドウェーハP-100研磨速度は、非接触式で複数点の厚みを測定して、μm/分に換算した。研磨後の研磨ウェーハに公知のSC1洗浄アンモニア:過酸化水素:水の混合比=1:1~2:5~7体積比の洗浄液SC1液に75~85°C、10~20分浸漬処理及びSC2洗浄塩酸:過酸化水素:水=1:1~2:5~7体積比の洗浄液SC2液に75~85°C、10~20分浸漬処理を施し、ウェーハ表面の不純物を除去した後、洗浄済みのウェーハを650°Cで20分間熱処理し、HF/H2O2液滴フッ化水素と過酸化水素の水溶液の液滴でウェーハ表面の銅を回収し、回収液中の金属不純物を誘導結合プラズマ質量分析以下ICP-MSと表すによって定量分析を行った。以下の実施例2~14、比較例1~9において、用いる研磨液以外はシリコンウェーハの研磨条件、研磨後の銅の定量条件等は実施例1と同様にして行った。実施例2実施例1で調製したシリカゾル1に、KOH、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてKOHとして0.1質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液2を調製し、この研磨液2を用いて研磨を行った。実施例3実施例1で調製したシリカゾル1に、KOH、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてKOHとして0.1質量、EDDHAとして0.5質量含有する研磨液3を調製し、この研磨液3を用いて研磨を行った。実施例4実施例1で調製したシリカゾル1に、エチレンジアミン、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして0.1質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液4を調製し、この研磨液4を用いて研磨を行った。実施例5実施例1で調製したシリカゾル1に、エチレンジアミン、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして0.5質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液5を調製し、この研磨液5を用いて研磨を行った。実施例6実施例1で調製したシリカゾル1に、エチレンジアミン、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして1.0質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液6を調製し、この研磨液6を用いて研磨を行った。実施例7実施例1で調製したシリカゾル1に、水酸化テトラメチルアンモニウム以下TMAHと表す、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてTMAHとして0.1質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液7を調製し、この研磨液7を用いて研磨を行った。実施例8実施例1で調製したシリカゾル1に、ジエチレントリアミン、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてジエチレントリアミンとして0.5質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液8を調製し、この研磨液8を用いて研磨を行った。実施例9実施例1で調製したシリカゾル1に、N-メチル-1,3-ジアミノプロパン、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてN-メチル-1,3-ジアミノプロパンとして0.5質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液9を調製し、この研磨液9を用いて研磨を行った。実施例10実施例1で調製したシリカゾル1に、ピペラジン、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてピペラジンとして0.5質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液10を調製し、この研磨液10を用いて研磨を行った。実施例11実施例1で調製したシリカゾル1に、KOH、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸以下DOTAと表すをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてKOHとして0.1質量、DOTAとして0.1質量含有する研磨液11を調製し、この研磨液11を用いて研磨を行った。実施例12実施例1で調製したシリカゾル1に、エチレンジアミン、DOTAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして0.5質量、DOTAとして0.1質量含有する研磨液12を調製し、この研磨液12を用いて研磨を行った。実施例13実施例1で調製したシリカゾル1に、TMAH、DOTAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてTMAHとして0.1質量、DOTAとして0.1質量含有する研磨液13を調製し、この研磨液13を用いて研磨を行った。実施例14実施例1で調製したシリカゾル1に、ピペラジン、DOTAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてピペラジンとして0.5質量、DOTAとして0.1質量含有する研磨液14を調製し、この研磨液14を用いて研磨を行った。比較例1実施例1で用いたものと同じ基材となるシリカゾルシリカ濃度:3.0質量、窒素吸着法BET法による比表面積から換算されるシリカ平均一次粒子径:45nm、分散媒:水、KOHでpH9に調整済みに銅汚染を行わず、エチレンジアミンを添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして0.5質量含有する研磨液R1を調製し、この研磨液R1を用いて研磨を行った。比較例2実施例1で調製したシリカゾル1に、KOHを添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてKOHを0.1質量含有する研磨液R2を調製し、この研磨液R2を用いて研磨を行った。比較例3実施例1で調製したシリカゾル1に、エチレンジアミンを添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンを0.5質量含有する研磨液R3を調製し、この研磨液R3を用いて研磨を行った。比較例4実施例1で調製したシリカゾル1に、TMAHを添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてTMAHを0.1質量含有する研磨液R4を調製し、この研磨液R4を用いて研磨を行った。比較例5実施例1で調製したシリカゾル1に、エチレンジアミン、エチレンジアミン4酢酸EDTAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして0.5質量、EDTAとして0.1質量含有する研磨液R5を調製し、この研磨液R5を用いて研磨を行った。比較例6実施例1で調製したシリカゾル1に、エチレンジアミン、エチレンジアミン4メチレンホスホン酸以下EDTMPというをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして0.5質量、EDTMPとして0.1質量含有する研磨液R6を調製し、この研磨液R6を用いて研磨を行った。比較例7実施例1で用いた標準銅溶液を純水に添加して10質量ppbの銅水溶液15kgを調製し、更にKOH、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてKOHとして0.1質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液R7を調製し、この研磨液R7を用いて研磨を行った。比較例8実施例1で用いた標準銅溶液を純水に添加して10質量ppbの銅水溶液15kgを調製し、更にエチレンジアミン、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてエチレンジアミンとして0.5質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液R8を調製し、この研磨液R8を用いて研磨を行った。比較例9実施例1で用いた標準銅溶液を純水に添加して10質量ppbの銅水溶液15kgを調製し、更にTMAH、EDDHAをそれぞれ添加して、得られる研磨液の質量を基準にしてTMAHとして0.1質量、EDDHAとして0.1質量含有する研磨液R9を調製し、この研磨液R9を用いて研磨を行った。表1にシリコンウェーハ研磨後の銅汚染と研磨速度の測定結果を示した。実施例1~14の結果に示された通り、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物では、シリコンウェーハ研磨において金属汚染、特に銅汚染が極めて抑制され、かつ良好な研磨速度が得られた。比較例1~4の結果が示す通り、キレート剤を用いない研磨組成物では、研磨後の銅汚染が抑制されなかった。また、比較例5、6の結果が示す通り、キレート剤としてEDDHA又はDOTAを用いずに他のキレート剤を用いた場合にも、研磨後の銅汚染が抑制されなかった。更に研磨組成物中にシリカが含有されない場合は、研磨速度が極端に小さくなり、研磨組成物としては用いることができない。実施例15シリコンウェーハ用研磨組成物研磨液の基材となるシリカゾルシリカ濃度:0.5質量、窒素吸着法BET法による比表面積から換算されるシリカ平均一次粒子径:30nm、分散媒:水、アンモニア以下NH3というでpH9に調整済みを用意し、前記シリカゾルに原子吸光分析用の標準銅溶液銅濃度が1000質量ppmの硝酸銅溶液を添加して銅濃度が10質量ppbになるように研磨液を強制的に銅で汚染させたシリカゾル2を調製した。この銅で汚染させたシリカゾル2に、NH3が0.05質量、エチレンジアミン-N,N’-ジo-ヒドロキシフェニル酢酸以下EDDHAというが0.05質量、絶対分子量の重量平均分子量20万のヒドロキシエチルセルロース以下HECというが0.02質量、数平均分子量1000のポリエチレングリコール以下PEGというが0.01質量、となるように添加し、研磨液15を調製した。シリコンウェーハの研磨に際しては、前記研磨液15に対して絶対孔径約1.0μm捕捉効率99.9以上のフィルターでろ過処理したものを用いた。上記ろ過処理して粗大粒子を除去した研磨液15を用いて、同一条件で1次研磨済みのシリコンウェーハの表面を、以下に示す条件で研磨仕上げ研磨した。研磨機:485φ片面加工機研磨パッド:RH-Nニッタハース社製荷重:120g/cm2定盤回転数:40rpmヘッド回転数:40rpm研磨組成物の希釈液:350ml/min研磨時間:5分ウェーハ:シリコンウェーハP-100仕上げ研磨後のシリコンウェーハに公知のSC1洗浄アンモニア:過酸化水素:水の混合比=1:1~2:5~7体積比の洗浄液SC1液に75~85°C、10~20分浸漬処理及びSC2洗浄塩酸:過酸化水素:水=1:1~2:5~7体積比の洗浄液SC2液に75~85°C、10~20分浸漬処理を施し、ウェーハ表面の不純物を除去した後、洗浄済みのウェーハを650°Cで20分熱処理し、HF/H2O2液滴フッ化水素と過酸化水素の水溶液の液滴でウェーハ表面の銅を回収し、回収液中の金属不純物を誘導結合プラズマ質量分析以下ICP-MSというによって定量分析を行った。また、仕上げ研磨後のシリコンウェーハ表面のLPDLightPointDefect、ヘイズはKLA-Tencor社製SurfScanSP-1を用いて測定した。LPDは0.08μm以上の個数で示し、ヘイズはヘイズ分布の最大頻度の位置で示した。なお、LPDとは、ウェーハの表面欠陥を表すもので、パーティクル、点状欠陥、線状欠陥に起因するものである。以下の実施例16~23、比較例10~12において、用いる研磨液以外はシリコンウェーハの研磨条件、研磨後の銅の定量条件等は実施例15と同様にして行った。実施例16実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、HECが0.02質量、EDDHAが0.10質量、PEGが0.01質量になるように研磨液16を調製し、この研磨液16を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。実施例17実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、HECが0.02質量、EDDHAが0.15質量、PEGが0.01質量になるように研磨液17を調製し、この研磨液17を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。実施例18実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、HECが0.02質量、EDDHAが0.10質量、数平均分子量700のポリプロピレングリコール以下PPGというが0.01質量になるように研磨液18を調製し、この研磨液18を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。実施例19実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にKOHが0.01質量、HECが0.02質量、EDDHAが0.10質量、PEGが0.01質量になるように研磨液19を調製し、この研磨液19を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。実施例20実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、ヒドロキシプロピルメチルセルロース置換度0.15以下HPMCというが0.02質量、EDDHAが0.10質量、PEGが0.01質量になるように研磨液20を調製し、この研磨液20を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。実施例21実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2に水酸化テトラメチルアンモニウム以下TMAHというが0.01質量、HECが0.02質量、EDDHAが0.10質量、PEGが0.01質量になるように研磨液21を調製し、この研磨液21を用いて30分研磨を行い、銅の定量分析を行った。実施例22実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、HECが0.02質量、1,4,7,10-テトラアザシクロドデカン-N,N’,N’’,N’’’-四酢酸以下DOTAというが0.10質量、PEGが0.01質量になるように研磨液22を調製し、この研磨液22を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。実施例23実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にTMAHが0.01質量、HECが0.02質量、DOTAが0.10質量、PEGが0.01質量になるように研磨液23を調製し、この研磨液23を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。比較例10実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、HECが0.02質量になるように研磨液R10を調製し、この研磨液R10を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。比較例11実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、HECが0.02質量、PEGが0.01質量になるように研磨液R11を調製し、この研磨液R11を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。比較例12実施例15と同じ銅で汚染したシリカゾル2にNH3が0.05質量、HECが0.02質量、EDTAが0.10質量、PEGが0.01質量になるように研磨液R12を調製し、この研磨液R12を用いて研磨を行い、銅の定量分析を行った。表2に研磨後のウェーハにおける銅汚染の測定結果、0.08μm以上のLPD数及び、ヘイズの測定結果を示す。実施例15~23の結果に示された通り、本発明のシリコンウェーハ用研磨組成物では、シリコンウェーハ研磨において金属汚染、特に銅汚染が極めて抑制され、且つ、ヘイズが抑制され粒子汚染が防止されていた。さらに、実施例15~17が示すようにEDDHAの添加量を大きく振っても研磨後のCu汚染は回避できた。また、実施例22及び23が示すように、EDDHAをDOTAに変えてもCu汚染は回避できた。しかし、比較例10~12が示すようにこれらのキレート剤を入れない場合、更には常用される他のキレート剤を添加した場合は、銅汚染は回避できなかった。実施例18が示すようにPEGの代わりにPPGを使用しても、実施例20が示すようにHECの代わりにHPMCを使用しても、研磨液組成にEDDHAが添加されていれば、研磨後のCu汚染は回避できた。また、実施例15~23に示したように研磨液組成にEDDHA、DOTAが添加されていれば、LPD数は2個未満であったが、比較例10~12に示したようにこれらのキレート剤を入れない場合、更には常用される他のキレート剤を添加した場合は、LPD数は高くなっていた。以上述べたように、本発明によれば、シリカを含有する研磨液にEDDHAもしくはDOTAを添加することによって、ヘイズは維持しつつ金属汚染、特に銅汚染を抑制し、かつLPD数も低減することができるという効果が得られることが分かった。"