"電子回路であって、制御端子を含み、かつ前記制御端子に印加される制御信号に応答して負荷電流を供給するように構成されるワイドバンドギャップバイポーラパワースイッチングデバイスと、前記制御信号を生成し、かつ前記スイッチングデバイスの前記制御端子に前記制御信号を供給するように構成されるドライバデバイスと、を備え、前記スイッチングデバイスあるいは前記ドライバデバイスのうち少なくとも1つが、それに当てられる光に応答して非伝導状態と伝導状態との間で切り替えをするように構成される光起動デバイスを備える、ことを特徴とする電子回路。炭化珪素サイリスタが匹敵する大きさを設定されたシリコンデバイスを超える向上した電力処理能力を提供することができるとはいえ、炭化珪素で大規模サイリスタを形成することは容易ではない。例えば、シリコンでは、サイリスタが実質的にウェーハと同じ寸法であるように、単一のサイリスタがウェーハ上に作られる。しかし、欠陥のない炭化珪素ウェーハを製造することは、容易ではない。したがって、炭化珪素ウェーハ全体を消費するデバイスは、デバイスの中に組み込まれた欠陥を有する可能性があり、その性能が制限されることがある。さらに、一様な光をデバイスの大きい表面領域に当てることが望ましいので、シリコンサイリスタの大きな寸法がこの種のデバイスのための光ドライバの設計を困難にする。本発明の実施態様が、光起動ワイドバンドギャップバイポーラ電力スイッチング回路およびデバイスを提供する。光学ドライバ機構とバイポーラ電力処理回路との間のガルヴァニック絶縁が、高ノイズ余裕度、高速なスイッチターンオン、高温動作、高圧動作および光ファイバーケーブル、ライトパイプまたは空気あるいは別の媒体中の伝達を使用してスイッチを遠隔制御する能力を提供することができる。本発明のいくつかの実施態様は、制御端子を含み、この制御端子に印加される制御信号に応答して負荷電流を出力するように構成されるワイドバンドギャップバイポーラパワースイッチングデバイスと、制御信号を発生し、かつスイッチングデバイスの制御端子に制御信号を供給するように構成されるドライバデバイスとを含む電子回路を提供する。スイッチングデバイスあるいはドライバデバイスのうち少なくとも1つが、それに対して当てられている光に応答して非伝導状態と伝導の状態との間で切り替えをするように構成される光学的に起動するデバイスを含むことができる。この電子回路は、二次ドライバデバイスを更に含むことができる。ドライバデバイスによって生成される制御信号はこの二次ドライバデバイスの制御端子に供給されることができ、そして、二次ドライバデバイスは制御信号を増幅するように構成されることができる。このドライバデバイスは、ベース、コレクタおよびエミッタを含むダーリントントランジスタ対を形成するように接続される少なくとも一対のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含むことができる。ダーリントントランジスタ対のエミッタは、スイッチングデバイスの制御端子に接続されることができる。スイッチングデバイスあるいはドライバデバイスのうち少なくとも1つが、炭化珪素バイポーラ接合トランジスタを含むことができる。さらに、スイッチングデバイスあるいはドライバデバイスのうち少なくとも1つが、ラッチ型スイッチングデバイスを含むことができる。このラッチ型スイッチングデバイスは制御端子を有するサイリスタを含むことができ、そして、この電子回路はサイリスタの制御端子に接続され、かつ光信号に応答してサイリスタを非伝導状態に切り替えるのに十分な電流を供給するように構成される逆バイアス整流フォトダイオードを更に含むことができる。本発明の別の一実施態様に従う電子回路は、アノードおよびカソードを有する光学起動ワイドバンドギャップサイリスタを含むドライバデバイスと、ベース、コレクタおよびエミッタを有する第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む一次デバイスとを含む。このサイリスタのカソードは第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのベースに接続されることができ、そして、このサイリスタのアノードおよび第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのコレクタは電源電圧に接続される。この電子回路は、ベース、コレクタおよびエミッタを有する第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む二次ドライバデバイスを更に含むことができる。サイリスタのカソードが第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを通して第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのベースに接続されるように、そして、サイリスタ中を通過する電流が第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのベースに供給されることができるように、サイリスタのカソードが第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのベースに接続されることができ、そして、第2のワイドバンドギャップトランジスタのエミッタは第1のワイドバンドギャップトランジスタのベースに接続されることができる。第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのエミッタは、接地にあるいは負荷抵抗に接続されることができる。第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタは、NPNトランジスタを含むことができる。この電子回路は、第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのエミッタに接続される中間段抵抗を更に含むことができる。この電子回路は、第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのコレクタと電源電圧との間に接続されるバイアス抵抗を更に含むことができる。本発明の更なる実施態様に従う電子回路は、アノードおよびカソードを有する光起動ワイドバンドギャップサイリスタを含むドライバデバイスと、ベース、コレクタおよびエミッタを有する第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む一次デバイスとを含む。サイリスタのアノードは第1のワイドバンドギャップトランジスタのベースに接続されることができ、そして、サイリスタのカソードおよび第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのコレクタは負電源電圧に接続される。第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのエミッタは、接地にあるいは負荷抵抗に接続されることができる。この電子回路は、ベース、コレクタおよびエミッタを有する第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含む二次ドライバデバイスを更に含むことができる。サイリスタのアノードが第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを通して第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのベースに接続されるように、サイリスタ中を通過する電流が第2の炭化珪素バイポーラトランジスタのベースから引き抜かれることができるように、サイリスタのアノードは第2のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタのベースに接続されることができる。第1のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタは、PNPトランジスタを含むことができる。本発明のなお更なる実施態様に従う電子回路が、アノード、カソードおよびゲートを有するワイドバンドギャップサイリスタを含む一次デバイスと、ベース、コレクタおよびエミッタを有するダーリントントランジスタ対を形成するように接続される第1の対のワイドバンドギャップバイポーラトランジスタを含むドライバデバイスとを含む。ダーリントントランジスタ対によって放出される電流がサイリスタの伝導状態を制御するためにサイリスタのゲートに与えられることができるように、このサイリスタのゲートはダーリントントランジスタ対のエミッタに接続されることができる。ダーリントントランジスタ対を形成するバイポーラトランジスタの対のうち少なくとも1つが、光起動フォトトランジスタを含むことができる。ダーリントントランジスタ対のトランジスタの各々はPNPトランジスタを含むことができ、そして、サイリスタのカソードおよびダーリントントランジスタのコレクタは負電源電圧に接続されることができる。いくつかの実施態様において、ダーリントントランジスタ対のトランジスタの各々はNPNトランジスタを含むことができ、そして、サイリスタのアノードおよびダーリントントランジスタのコレクタは正の電源電圧に接続されることができる。本発明のいくつかの実施態様が、制御電流の印加で伝導状態と非伝導状態との間を切替えるように構成される一次バイポーラデバイス段と、制御電流を生成し、かつ一次バイポーラデバイス段に制御電流を供給するように構成されるバイポーラドライバ段とを含む個別ワイドバンドギャップ半導体デバイスを提供する。一次バイポーラデバイス段およびバイポーラドライバ段のうち少なくとも1つが、光起動ワイドバンドギャップスイッチングデバイスを含むことができる。一次バイポーラデバイス段およびバイポーラドライバ段のうち少なくとも1つは、ラッチ型スイッチングデバイス、例えばサイリスタを含むことができる。一次バイポーラデバイス段は、バイポーラドライバ段より大きな電流処理能力を有することができる。バイポーラドライバ段は、一次バイポーラデバイス段の制御領域に制御電流を供給するように構成される光起動ドライバデバイスを含むことができる。この光起動ドライバデバイスは、一次バイポーラデバイス段の制御領域の側面によって規定される領域の中に形成されることができる。このデバイスは、ドライバ段と一次バイポーラデバイス段との間に設けられ、かつ一次バイポーラデバイス段の制御領域に電流を供給するように構成される二次ドライバ段を更に含むことができる。この光起動ドライバデバイスは二次ドライバデバイスの制御領域に電流を供給するように構成されることができ、そして、この光起動ドライバデバイスは二次ドライバデバイスの制御領域の側面によって少なくとも部分的に規定される領域の周辺内に形成されることができる。光起動ドライバデバイスおよび二次ドライバデバイスの双方が、一次バイポーラデバイス段の制御領域の側面によって少なくとも部分的に規定される領域の周辺内に形成されることができる。バイポーラドライバ段、二次ドライバ段および一次バイポーラデバイス段は、共通コレクタ領域をドライバ段、二次ドライバ段および一次バイポーラデバイス段に形成する炭化珪素基板上に製造されるバイポーラ接合トランジスタを含むことができる。この炭化珪素基板は第1の導電型を有することができ、そして、このデバイスは第1の導電型の反対側の第2の導電型を有する基板上のエピタキシャル層を更に含むことができる。分離された領域の各々がドライバ段、二次ドライバ段あるいは一次バイポーラデバイス段のうちの1つの制御領域を形成するように、エピタキシャル層は分離された領域の中にパターニングされることができる。このデバイスは、ドライバ段、二次ドライバ段および一次バイポーラデバイス段のそれぞれの制御領域上にエミッタ領域を更に含むことができ、このエミッタ領域は第1の導電型を有する。ドライバ段、二次ドライバ段および一次バイポーラデバイス段の制御領域は、メサおよび/または注入分離によって分離されることができる。本発明は、本発明の実施態様が示される添付の図面を参照して以下により完全に記載される。本発明はしかし多くの異なる形式において実施されることができ、および本願明細書において記載される実施態様に限定されるように解釈されるべきでない。むしろ、これらの実施態様は、この開示が詳細で完全であり、かつ当業者に本発明の目的を十分に伝達するように、提供される。図面において、層および領域の寸法および相対的寸法は、明確にするため誇張されることがありえる。要素あるいは層が別の要素あるいは層の上にあるに接続されているあるいはに接続されていると称される場合、それは他の要素あるいは層、の上に直接ある、それらに接続されている、あるいは接続されている、または、介在要素あるいは層が存在することができ、対照的に、要素あるいは層が別の要素あるいは層の上に直接あるに直接接続されているあるいはに直接接続されていると称される場合、何の介在要素あるいは層もない、ことは理解されよう。ここで使用しているように、用語および/またはは、関連のリストされた項目の一つ以上のありとあらゆる組合せを含む。同じ数は、全体にわたって同じ要素を表す。用語第1および第2がさまざまな領域、層および/または部分を記載するために本願明細書において使用されるとはいえ、これらの領域、層および/または部分がこれらの用語によって限定されるべきでないことは理解されよう。これらの用語は、1つの領域、層あるいは部分を別の領域、層あるいは部分から区別するために使用されるだけである。したがって、後述する第1の領域、層あるいは部分は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の領域、層あるいは部分と呼ばれることができ、そして、同様に、第2の領域、層あるいは部分は、第1の領域、層あるいは部分と呼ばれることができる。さらに、相対的用語、例えば下部底部および上部最上部は、図にて図示したように、1つの要素の別の要素に対する関係を記載するために本願明細書において使用されることができる。相対的用語は、図に描かれる方位に加えてデバイスの異なる方位を包含することを目的とする、ことは理解されよう。例えば、図のデバイスがひっくり返される場合、他の要素の下部の側面にあると記載される要素は、その時他の要素の上部の側面に位置を定められるだろう。例示的な用語下部は、したがって、図の特定の方位に従って下部および上部の双方の方位を包含する。同様に図のうちの1つのデバイスがひっくり返される場合、他の要素より下にあるいはの下にとして記載されている要素は、その時他の要素より上に位置を定められるだろう。例示的な用語より下にあるいはの下にはしたがって、上および下の両方の方位を包含することができる。本願明細書において用いられる用語は、具体例だけを記載するためにあって、本発明の限定を目的としない。ここで使用しているように、単数形一つの、一つのおよびそのは、文脈が別の方法で明らかに示さない限り、同様に複数形を含むことを目的とする。更に、用語含むおよび/または含むは、この明細書において使用される場合、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素および/または構成要素の存在を指定するが、一つ以上の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素および/またはその群の存在あるいは追加を排除しない、と理解されよう。特に、規定されない限り、一般に、本発明が帰属する技術の当業者によって理解されるように、本願明細書において用いられる技術的および科学的用語を含む全ての用語は同じ意味を有する。更に、例えば共通して使う辞書で規定されるもののような用語は、この開示および関連する技術の文脈においてそれらの意味と整合している意味を有するように解釈されるべきであり、そして、本願明細書において明示的にそのように規定されない限り、理想とされるかあまりに形式的意味において解釈されない、ことは理解されよう。本明細書で用いられる用語第III族窒化物は、窒素と周期律表第III族の元素、通常はアルミニウムAl、ガリウムGaおよび/またはインジウムInとの間で形成されるそのような半導性化合物を意味する。この用語はまた、例えばAlGaNおよびAlInGaNなどの三元および四元化合物をも意味する。図面を参照すると、図1から7および10は、本発明に従う光起動パワースイッチング回路のさまざまな実施態様を例示している回路図である。本発明の実施態様に従うサイリスタを含むトランジスタは、3C、2H、4H、6Hおよび15Rのポリタイプを有する炭化珪素から、あるいは電子デバイスを製造するために有用なさまざまなIII属-窒素化合物材料のいずれかから形成されることができる。例示の実施態様において、nおよびn-領域、同じくpおよびp-領域は、当業者によく理解される方法で同じ導電型材料のそれぞれ異なるドーピング濃度レベルを象徴するためにおよび-を示されている。ここで使用しているように、および-指示が必ずしも、材料が一方では縮退しているか、あるいは他方では半絶縁である、ことを意味するというわけではない。p型炭化珪素は、例えばアルミニウムあるいは硼素によってドープされることができ、そして、n型炭化珪素は、例えば窒素あるいは燐によっておそらくドープされる。P型窒素化合物は、例えばマグネシウムによってドープされることができ、一方n-型窒素化合物は、例えばシリコンによってドープされることができる。図1は、本発明の実施態様に従う多段式光起動パワースイッチング回路10の模式図である。回路10は、ドライバトランジスタ12および一次トランジスタ14を含む。加えて、一つ以上の任意選択の二次ドライバトランジスタ16が回路内に設けられることができる。図1に例示される実施態様において、ドライバトランジスタ12はコレクタ、エミッタおよびドライバトランジスタ12から直流電気的に絶縁される外部かあるいは一体化された紫外線源20からの、紫外線の侵入を可能にするように構成される露出したベース領域を有するNPN-型フォトトランジスタである。ドライバトランジスタ12のエミッタは、ドライバトランジスタ12および二次ドライバトランジスタ16がダーリントントランジスタ対18を形成するように、任意選択の二次ドライバトランジスタ16のベースに接続される。ダーリントントランジスタ動作は、公知技術であり、例えばR.Colclaser著、非特許文献1の第13章に記載されている。ドライバトランジスタ12から流れるエミッタ電流は、任意選択の二次ドライバトランジスタ16によって増幅される。任意選択の二次ドライバトランジスタ16から流れるエミッタ電流は、一次トランジスタ14のベースに接続される。一次トランジスタ14に印加されるベース電流は一次トランジスタ14をオンさせ、電流がそのコレクタとエミッタ端子との間で一次トランジスタの中を流れることができる。図1で示したように、追加された任意選択の二次ドライバトランジスタ16はベースドライブ電流の更なる電流増幅のために含まれることができる。任意選択の二次ドライバトランジスタ16を含まない実施態様において、ドライバトランジスタ12から流れるエミッタ電流が一次トランジスタ14のベースコンタクトに直接印加されることができることは理解されよう。図1に例示される実施態様において、ドライバトランジスタ12、一次トランジスタ14および任意選択の二次ドライバトランジスタ16のコレクタは、電源電圧図示せずに共通に接続されることができ、一方一次トランジスタ14のエミッタは、接地あるいは負荷抵抗図示せずに接続されることができる。UV源20は、ドライバトランジスタ12を導通させるのに充分なエネルギーを有する光を供給する。いくつかの実施態様において、ドライバトランジスタ12の活性半導体層は、例えば、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaNあるいは別のIII属-窒素化合物材料などのワイドバンドギャップ材料を含む。ワイドバンドギャップ材料内に電子正孔対の形成を誘発するために、材料バンドギャップを超えるエネルギーを有する光、例えば紫外UV光が材料にあてられることができる。炭化珪素に対して、3.25eV以上のエネルギーすなわち約380nm以下の波長を有する光が、使用されることができる。SiCより小さいバンドギャップを有する窒化ガリウムに対して、対応してより大きい波長の光が使用されることができる。紫外線は、紫外線発光ダイオードあるいはレーザダイオードあるいは他の適切な光源によって発生されることができる。紫外線発光ダイオードは、例えば本出願の譲受人に譲渡された紫外線発光ダイオードという名称の特許文献5に記載される。特許文献5は、ここにて全体として記載されるように組み込む。紫外線源20は、特許文献3にて説明したように、ドライバトランジスタ12に一体化されて形成され、ハイブリッドの部品としてドライバトランジスタ12と共に実装されるかあるいは別々の要素として設けられることができる。ドライバトランジスタ12がオフ状態すなわち、電流がデバイスのコレクタとエミッタの間で流れないにある場合、ベース電流は一次トランジスタ14に供給されず、そして、一次トランジスタはオフ状態のままであり、コレクタ電圧を遮断する。十分に強力な光がドライバトランジスタ12に当てられる場合、電子正孔対がコレクタ/ベース接合に存在する空乏領域内に発生する。充分なキャリアがコレクタ-ベース接合の中で発生する場合、接合のエネルギーバリアは低下し、接合を順バイアスになるようにさせ、それがこのデバイスをオンにして、デバイスのコレクタとエミッタ間の電流の流れを可能にする。一旦ドライバトランジスタ12がこの方法でオンにされると、ベース電流が一次トランジスタ14に供給され、そのデバイスをオンにして、出力電流が流れるのを可能にする。図2は、ドライバトランジスタ12および任意選択の増幅トランジスタ16がそれぞれそのエミッタに接続される抵抗性負荷15A、15Bを含む本発明の実施態様を例示する。この種の中間段電気抵抗負荷は、ミラーキャパシタンスの高利得負荷の効果を減少させおよび/またはターンオフ時間を縮小することができる。図3は、ドライバトランジスタ12および任意選択の二次ドライバトランジスタ16が出力特性のベース接合オフセットを減少させるために抵抗17A、17Bによってバイアスされる抵抗バイアスBJT構成を例示する。中間段抵抗15A、15Bおよびバイアス抵抗17A、17Bに対する適切な抵抗値の選択は、当業者にとって公知である。図1に例示される実施態様の一態様は、充分なレベルの紫外線がデバイスに照射する間だけ、ドライバトランジスタ12がオン状態にとどまり、デバイス中の導伝性を維持するために使用される電子正孔対を生成することができる。一旦光源がスイッチを切られると、ドライバトランジスタ12はオフ状態に戻り、それは一次トランジスタ14のスイッチを切らせて再び印加コレクタ電圧を遮断する。用途によっては、光源がスイッチを切られた後でさえ、オン状態にとどまることが一次トランジスタ14にとって望ましい場合がある。その場合、ドライバトランジスタ12、二次ドライバトランジスタ16および/または一次トランジスタ14のうち少なくとも1つがラッチ型デバイス、例えばサイリスタを含むことが、望ましいであろう。当業者に公知であるように、サイリスタは電流の流れのためのアノードとカソードおよびブロッキング状態から伝導状態に、そして、その逆に、デバイスを切替えるためのゲートを有する4-層ラッチ型スイッチングデバイスである。ゲートに印加される制御信号は、このデバイスを、電流がデバイスのアノードとカソードの間で自由に流れることができる伝導状態にラッチさせる。制御信号が除去された後でさえ、デバイスは伝導状態にとどまる。第1の制御信号に対して極性で反対側の第2の制御信号が、デバイスをオフあるいはブロッキング状態に切替えて戻す。特定のワイドバンドギャップサイリスタ設計が下で更に詳細に論じられるとはいえ、光起動ワイドバンドギャップサイリスタの設計は従来技術において一般に公知である。例えば、本出願の譲受人に譲渡された大面積炭化珪素デバイスという名称の特許文献6が、光起動炭化珪素サイリスタの設計および製造を記載する。特許文献6は、ここにて全体として記載されるように組み込む。図4は、一次スイッチングデバイスがワイドバンドギャップサイリスタを含む本発明の実施態様を例示する。図4にて図示したように、電子回路110はアノード、カソードおよびゲートを有するワイドバンドギャップサイリスタ114を含む。ワイドバンドギャップバイポーラPNPフォトトランジスタ112は、ドライバトランジスタとして機能し、一方任意選択のPNP増幅トランジスタ116は、ベース、コレクタおよびエミッタを有するダーリントントランジスタ118を形成するようにドライバトランジスタ112に接続される。ダーリントントランジスタ対118が図4に例示されるが、ドライバトランジスタ112および/または任意選択の二次ドライバトランジスタ116が電気抵抗負荷および/またはバイアスネットワークを含むことができることは、上の図2および3の実施態様の記述を考慮して理解されよう。したがって、トランジスタ112、116は厳密な意味でダーリントン対として接続されないかもしれない。ダーリントントランジスタ118のエミッタは、ダーリントントランジスタによって放出される電流がサイリスタ114の伝導状態を制御するためにサイリスタ114のゲートGに供給されるように、サイリスタ114のゲートGに接続される。サイリスタ114のカソードKとダーリントントランジスタのコレクタは負電源電圧-Vに接続され、そして、サイリスタ114のアノードAは接地にあるいは負荷抵抗図示せずに接続される。ドライバトランジスタ112は、光起動フォトトランジスタとすることができる。任意選択で、サイリスタ114は光起動することができ、この場合、トランジスタ112のゲートはまた、電源電圧-Vに接続されるであろう。図4の実施態様において、ドライバフォトトランジスタ112に当てられる紫外線は、サイリスタ114にオンあるいは伝導状態への切り替えを生じさせる。例えば整流フォトダイオード130からの信号を用いて、適切な信号がサイリスタ114の端子に印加されるまで、サイリスタ114はオン状態にとどまる。この種の実施態様によって製造される回路は、光学手段によって完全に制御されることができる。例えば、それらは光起動トランジスタ112のゲートに印加される十分に強力な光パルスによってオン位置に切り替えられることができ、そして、逆バイアス整流フォトダイオード130に印加される十分に強力な光パルスによってオフ状態に切り替えられ、それは、サイリスタ114の自動的に継続するキャリア注入プロセスを中断し、それによって、サイリスタ114に、電流を導通することを中止させる。図5は、図5に例示される回路210がNPNドライバトランジスタ212および任意選択のNPN二次ドライバトランジスタ216を含むことを除いては、図4に関して記載される回路110に類似した電子回路210を例示する。本実施態様において、ドライバトランジスタ212と任意選択のNPN増幅トランジスタ216のコレクタ、同じくサイリスタ214のアノードAは、正の電圧源Vに接続される。図6は、本発明の更なる実施態様に従う電子回路310を例示する。電子回路310は、ドライバデバイスとして機能する光起動ワイドバンドギャップサイリスタ312を含む。サイリスタ312は、アノードAおよびカソードKを有し、カソードKが負電源電圧-Vに接続され、そして、サイリスタ312中を通過する電流が増幅トランジスタ316のベースから引き抜かれるように、アノードAが、任意選択のワイドバンドギャップPNPバイポーラ形二次ドライバトランジスタ316のゲートに接続される。二次ドライバトランジスタ316のエミッタは、一次トランジスタ314のベースに接続されて、一次トランジスタ314のオン/オフ動作の状態を制御する制御信号を供給する。サイリスタ312のカソード、二次ドライバトランジスタ316のコレクタおよび一次トランジスタのコレクタは負電源電圧-Vに接続され、そして、一次トランジスタのエミッタは接地にあるいは負荷抵抗図示せずに接続される。同様に、図7は二次ドライバトランジスタ416および一次トランジスタ414がNPNトランジスタを含むことを除いては、図6の電子回路310に類似している電子回路410を例示する。図7に例示される実施態様において、サイリスタ412のアノードAおよび二次ドライバトランジスタ416と一次トランジスタ414のコレクタは、正の電源Vに接続され、一方一次トランジスタ414のエミッタは接地あるいは負荷抵抗に接続される。本発明の更なる実施態様が、図8に例示され、それは、その少なくとも1つの段が光起動トランジスタデバイスである、複数の相互に連結したトランジスタ段を有する製造された個別ワイドバンドギャップ半導体デバイス50の平面図である。いくつかの実施態様において、個別半導体デバイス50の少なくとも1つの段は、例えばサイリスタなどのラッチ型デバイスである。いくつかの実施態様において、トランジスタ段のうちの少なくとも1つはトランジスタ段の別のものと比較してより大きな電流処理能力を有する。例えば、オン状態のデバイスの中を流れる電流の大部分が一次トランジスタを通過するので、一次トランジスタはドライバトランジスタより高い電流伝導能力を有することができる。図8にて図示したように、個別半導体デバイス50はドライバデバイスとして、任意選択の二次ドライバデバイスである第2のトランジスタデバイス50Bの制御領域に電流を供給するように構成される第1の光起動トランジスタ50Aを含む。第1の光起動トランジスタ50Aの制御領域は、第2のトランジスタデバイス50Bの制御領域の側面によって規定される領域内に形成される。いくつかの実施態様において、第2のトランジスタデバイス50Bは一次トランジスタデバイス50Cの制御領域に電流を供給するように構成される。ドライバおよび二次ドライバデバイス50A、50Bの両方が、一次デバイス50Cの制御領域の側面によって規定される領域内に形成される。デバイスの追加のあるいは更なるネスティングまたは配置が、達成されることができる。図9は、図8の線A-Aに沿ってのデバイス50の断面模式図であり、トランジスタデバイス50A、50Bおよび50C間の物理的な関係を示す。いくつかの実施態様において、ドライバデバイス50A、二次ドライバデバイス50Bおよび一次デバイス50Cは、単一のn型4H炭化珪素基板52上に製造されるバイポーラ接合トランジスタを含む。炭化珪素のバイポーラ接合トランジスタの設計製造は、公知技術である。SiCバイポーラトランジスタは、例えば特許文献7に記載され、その開示は、ここにて全体として記載されるように組み込む。図9にて図示したように、いくつかの実施態様に従うデバイスはドライバデバイス50A、二次ドライバデバイス50Bおよび一次デバイス50Cに対する共通コレクタ領域として作用するn型基板52を含む。高度にドープされたn領域53が、コレクタコンタクト領域として基板52の片側の上に形成される。基板52の上に形成されるp型エピタキシャル層54は、各々の分離した領域がドライバデバイス50A、二次ドライバデバイス50Bあるいは一次デバイス50Cのうちの1つのベースあるいは制御領域を形成するように、分離領域54A、54B、54Cの中にパターニングされる。ドライバデバイス50Aのベース領域54Aは、二次ドライバデバイス50Bのベース領域54Bの側面によって少なくとも部分的に規定される領域内に形成される。同様に、二次ドライバデバイス50Bのベース領域54Bは一次デバイス50Cのベース領域54Cの側面によって少なくとも部分的に規定される領域内に形成される。N型のエピタキシャルエミッタ領域55A、55B、55Cが、それぞれp型領域54A、54B、54Cの上に形成される。p型ベース領域54A-54Cの分離は、図示するようにメサエッチングおよび/または注入分離によって達成されることができる。オーミックコンタクト57A、57B、57Cが、デバイスのエミッタ領域の上に形成される。共通コレクタオーミックコンタクト56が、コレクタコンタクト領域53上に設けられる。ベース領域54B、54Cは、それへのオーミックコンタクト59B、59Cの形成を容易にするために任意選択でpベースコンタクト領域58B、58Cを含むことができる。デバイス50A、50B、50Cは、一体型のパワースイッチングデバイス50を形成するために図9にて図示したように、相互接続されることができる。したがって、例えば、ドライバトランジスタ50Aのエミッタコンタクト57Aは二次ドライバトランジスタ50Bのゲートコンタクト59Bに接続される。同様に、二次ドライバトランジスタ50Bのエミッタコンタクト57Bは一次トランジスタデバイスの50Cゲートコンタクト59Bに接続される。図10は、本発明の実施態様に従って構成され、かつ個別デバイスを使用して作られる4段ダーリントンBJT回路510の接続品質を評価するために使用される試験構成を示す。回路510は、ドライバトランジスタとして働く光起動するフォトトランジスタ512を含む。ダーリントン構成で接続される一対の二次ドライバトランジスタ516Aおよび516Bは、ドライバトランジスタ512からの電流出力を増幅して、一次トランジスタ514のベースに増幅された電流を供給する。40オームの負荷抵抗Rおよび40Vの電源Vが、テスト回路を完成させる。トランジスタ512、516A、516Bおよび514は、炭化珪素で製造された。パルス駆動266nmレーザーが、UV源520として使用された。図11は、図10の4段ダーリントンBJT回路のDC特性のグラフである。デバイスは、400,000を超えるピークDC電流利得を呈した。図12は、図10の4段ダーリントンBJT回路のターンオンスイッチング特性のグラフである。6ns未満のターンオン時間が、測定された。図面および明細書において、本発明の典型的な実施態様が開示され、および、特定の用語が使用されているにもかかわらず、それらは、一般的で記述的な意味においてだけ使用され、かつ、限定のために使用されるものではなく、本発明の目的は以下の請求項に記載されている。"