"励振電極と該励振電極から伸びた引出電極とを有する圧電振動片と、前記圧電振動片を収納するとともに、前記引出電極に対応して形成された接続電極パッドを有するベース板と、前記接続電極パッドに塗布され前記引出電極と前記接続電極パッドとを電気的に接続するとともに前記圧電振動片を固定する導電性接着剤と、を備え、前記接続電極パッドはくぼみ面と該くぼみ面の全周囲に形成された壁面と有し、前記くぼみ面の底面と前記壁面の内側に形成される空間に前記導電性接着剤が塗布されている圧電デバイス。前記ベース板はセラミックを含み、前記接続電極パッドは印刷によって前記セラミック上に形成される下地金属層と前記下地金属層上にメッキによって形成される金属メッキ層とを有する請求項1に記載の圧電デバイス。前記ベース板はガラス又は圧電材を含み、前記接続電極パッドは前記ガラス又は圧電材上に形成される下地金属層と前記下地金属層上に形成される表面金属層とを有する請求項1に記載の圧電デバイス。前記接続電極パッドのくぼみ面は前記圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、前記くぼみ面及び前記壁面のなす断面は円弧状である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記接続パッドのくぼみ面は前記圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、前記くぼみ面及び前記壁面のなす断面は四角形状である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記接続パッドのくぼみ面は前記圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、前記壁面から前記へこみ面への断面は直線状であり前記へこみ面の断面は凸凹状である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動片は厚み滑り振動を主振動とする厚み滑り振動片又は一対振動腕を有し一体の振動腕の振動を主振動とする音叉型振動片を含む請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の圧電デバイス。そこで、本発明は、圧電振動片と接続電極との接触面積を大きくするとともに、導電性接着剤が励振電極側へ漏れ出ないようにした圧電デバイスを提供することを目的とする。第1観点の圧電デバイスは、励振電極と該励振電極から伸びた引出電極とを有する圧電振動片と、圧電振動片を収納するとともに、引出電極に対応して形成された接続電極パッドを有するベース板と、接続電極パッドに塗布され引出電極と接続電極パッドとを電気的に接続するとともに圧電振動片を固定する導電性接着剤と、を備える。そして、圧電デバイスの接続電極パッドは、くぼみ面と該くぼみ面の全周囲に形成された壁面と有し、くぼみ面の底面と壁面の内側に形成される空間に導電性接着剤が塗布されている。第2観点の圧電デバイスは、ベース板はセラミックを含み、接続電極パッドは印刷によってセラミック上に形成される下地金属層と下地金属層上にメッキによって形成される金属メッキ層とを有する。第3観点の圧電デバイスは、ベース板はガラス又は圧電材を含み、接続電極パッドはガラス又は圧電材上に形成される下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とを有する。第4観点の圧電デバイスにおいて、接続電極パッドのくぼみ面は圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、くぼみ面及び壁面のなす断面は円弧状である。第5観点の圧電デバイスにおいて、接続パッドのくぼみ面は圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、くぼみ面及び壁面のなす断面は四角形状である。第6観点の圧電デバイスにおいて、接続パッドのくぼみ面は圧電振動片側から見て円形状又は矩形状であり、壁面からへこみ面への断面は直線状でありへこみ面の断面は凸凹状である。本発明の圧電デバイスは、導電接着剤の導通不良率を小さくして歩留まりを向上させるとともに、圧電振動片の励振電極へ導電性接着剤が漏れ出ることを防止することができる。第1実施形態<第1水晶デバイス100の全体構成>第1水晶デバイス100の全体構成について、図1~図6を参照しながら説明する。図1aは、第1リッド10Aを取り外した第1実施形態の第1水晶デバイス100の平面図であり、bは、第1リッド10Aとセラミックパッケージ40Aとを接合した第1水晶デバイス100のA-A’断面図である。図2は、接続電極パッド形成工程のフローチャートである。ここで、水晶振動片としてATカットの水晶振動片20が使われている。つまり、ATカットの水晶振動片20は、主面YZ面が結晶軸XYZのY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。このため、第1実施形態ではATカットの水晶振動片20の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をy’軸及びz’軸として用いる。すなわち、第1実施形態において第1水晶デバイス100の長手方向をx軸方向、第1水晶デバイス100の高さ方向をy’軸方向、x及びy’軸方向に垂直な方向をz’として説明する。図1bに示されたように、表面実装型の第1水晶デバイス100は第1リッド10Aと、台座セラミック部45を有する絶縁性のセラミックパッケージ40Aと、セラミックパッケージ40Aに載置される水晶振動片20とを備える。第1リッド10Aは、コバール合金製又はガラス製である。水晶振動片20は、その水晶振動片20の中央付近の両主面に配置された一対の励振電極22aと22bとを備える。また、励振電極22aには水晶振動片20の底面-y’側の-x側の一端まで伸びた引出電極23a及び接続電極24aが形成され、励振電極22bには水晶振動片20の底面-y’側の-x側の他端まで伸びた引出電極23b及び接続電極24bが形成されている。また、励振電極22a、22b、引出電極23a、23b及び接続電極24a、24bは例えば下地としてのクロム層が用いられ、クロム層の上面に金層が用いられる。なお、クロム層の厚さは例えば0.05μm~0.1μmで、金層の厚さは例えば0.2μm~2μmである。セラミックパッケージ40Aは、アルミナを主原料とするセラミック粉末およびバインダー等を含むグリーンシートよりプレス抜きされた底面用セラミック層41、台座セラミック部45及び壁用セラミック層49からなる。これら複数のセラミック層41,45及び49より構成されたセラミックパッケージ40は、キャビティCTを形成し、このキャビティCT内にATカットの水晶振動片20を搭載する。セラミックパッケージ40Aはこれらの複数のセラミック層を積層し、焼結して形成されている。セラミックパッケージ40Aは、外側底面M1に表面実装型の外部電極51,52を有する。また、第1接続電極パッド43aがキャビティCTに形成された台座セラミック部45に形成されている。水晶振動片20は、台座セラミック部45の第1接続電極パッド43aに導電性接着剤60を介して接続電極24a,24bに電気的に接着される。ATカットの水晶振動片20は、セラミックパッケージ40Aの台座セラミック部45の第1接続電極パッド43aに搭載され、導電性接着剤60を介して接着される。壁用セラミック層49のy’面に封止材48が均一に形成される。不活性ガスで満たされたチャンバー不図示又は真空のチャンバー不図示内で、ATカットの水晶振動片20を収容したセラミックパッケージ40Aに第1リッド10Aが配置される。セラミックパッケージ40Aと第1リッド10Aとは、真空中又は不活性ガス中で封止材48により接合されパッケージ80Aを形成する。<接続電極パッド形成方法>図2は、接続電極パッド形成工程のフローチャートである。図3aは、第1接続電極パッド43aの拡大平面図であり、bは、図3aのB-B’断面図である。図4aは、第2接続電極パッド43bの拡大平面図であり、bは、図4aのC-C’断面図である。図5aは、第3接続電極パッド43cの拡大平面図であり、bは、図5aのD-D’断面図である。第1接続電極パッド43a、第2接続電極パッド43b及び第3接続電極パッド43cとはそれぞれ別の形成工程で形成される。図2では3つの接続電極パッドに共通する工程を、ステップS10代の番号で示している。そして、第1接続電極パッド43aの工程をステップS20代の番号で、第2接続電極パッド43bの工程をステップS30代の番号で、第3接続電極パッド43cの工程をステップS40代の番号で示している。第1接続電極パッド43aの製造工程ステップS11において、台座セラミック部45はアルミナセラミックシートグリーンシートとも呼ばれる。から形成されるため、アルミナセラミックシートが用意される。ステップS12において、スクリーン印刷によりタングステンWペーストが台座セラミック部45の領域に塗布される。パッド用のタングステンペーストの塗布厚さは20μm以上の厚さで、配線などのペーストより厚く形成される。例えば2度塗りによって厚く形成されその厚さは一定厚さである。ステップS21において、台座セラミック部45の位置に塗布されたタングステンペーストに円弧状の型を押圧して円弧状のくぼみ部CON1を形成する図3を参照。タンスステンペーストを円形のドリルで削って円弧状のくぼみ部CON1を形成してもよい。ステップS13において、台座セラミック部45は底面用セラミック層41に積層される。また壁用セラミック層49が台座セラミック部45に積層される。また積層された底面用セラミック層41、台座セラミック部45及び壁用セラミック層49のセラミックシートが接合するようにそれらに所定の圧力が加えられる。なお、底面用セラミック層41にはすでに外部電極51,52用にスクリーン印刷によりタングステンペーストが塗布されている。ステップS14において、底面用セラミック層41、台座セラミック部45及び壁用セラミック層49のセラミックシートが積層された状態で、個々のデバイス用に切断される。ステップS15において、積層されたセラミックシートは、900°Cから1300°Cで加熱され焼成される。ステップS16において、第1接続電極パッド43a用のタングステン上に、ニッケル及び金がメッキされる。表面に現れている外部電極51,52用のタングステン上にもメッキが施される。図3aは、図1aにおいて点線で囲まれたEN部の拡大図である。第1接続電極パッド43aは、タングステン一層又は多層でその上にニッケルメッキ及び金メッキが施されているが、図3bでは一層として描かれている。図3bに示されるように第1接続電極パッド43aには、円弧状のくぼみ部CON1が形成されている。くぼみ部CON1の周囲はすべてバンク壁面BKが形成される。バンクBKがくぼみ部CON1の全周囲に形成されているため、第1接続電極パッド43aに塗布された導電性接着剤60の塗布量が多少変動してもバンクBKから越えにくい。図3bに示されるように円弧状のくぼみ部CON1内部には小さな凹凸がない。しかしくぼみ部CON1内部にドット状の小さな凹凸を形成してもよい。また、くぼみ部CON1は、円錐形状又は四角錐形状で形成されてもよい。第2接続電極パッド43bの製造工程ステップS10代の共通する工程は、上述した第1接続電極パッド43aの製造工程と同じである。そのため、異なるステップS30代を説明する。ステップS31において、スクリーン印刷によって台座セラミック部45の位置にタングステンペーストで下地431が形成される。ステップS32において、スクリーン印刷によって下地431の上面に四角形に中抜きされた枠部432がタングステンペーストの重ね塗りにより形成される。スクリーン印刷のスクリーン紗が四角形に中抜きされた枠に形成されている。このため、第2接続電極パッド43bは、四角柱形状のくぼみ部CON2が形成される図4を参照。枠部432がさらにタングステンペーストで重ね塗りされ、枠部432が二層になってもよい。図4aでは、第2接続電極パッド43bは、タングステン二層でその上にニッケルメッキ及び金メッキが施されているが、図4bではニッケルメッキ及び金メッキが描かれていない。図4aに示されるように第2接続電極パッド43bは、四角柱のくぼみ部CON2が形成されているが、円柱のくぼみ部CON2であってもよい。くぼみ部CON2の周囲はすべてバンクBK枠部432が形成される。バンクBKがくぼみ部CON2の全周囲に形成されているため、第2接続電極パッド43bに塗布された導電性接着剤60の塗布量が多少変動してもバンクBKから越えにくい。第3接続電極パッド43cの製造工程ステップS10代の共通する工程は、上述した第1接続電極パッド43aの製造工程と同じである。そのため、異なるステップS40代を説明する。ステップS41において、スクリーン印刷によって台座セラミック部45の位置にタングステンペーストで下地431が形成される。ステップS42において、下地431の上面に円形に中抜きされた枠部432の形成と同時にスクリーン印刷で帯状突起部46がタングステンペーストの重ね塗りにより形成される図5を参照。ステップS43において、枠部432の上面に円形に中抜きされた枠部433がタングステンペーストの重ね塗りにより形成される。第3接続電極パッド43cは、帯状突起部46を有する円柱形のくぼみ部CON3が形成される。図5a及びbに示されるように、第3接続電極パッド43cは、円柱形のくぼみ部CON3の底部に帯状突起部46が形成されている。第3接続電極パッド43cは、台座セラミック部45の上にタングステンの下地431と、帯状突起部46を有する枠部432と枠部433との三層からなり、焼成後その上にニッケル、金メッキを施して形成される。帯状突起部46は帯状形状ではなくドット状の形状であってもよい。また図5aに示されるように第3接続電極パッド43cは、円柱のくぼみ部CON3ではなく四角柱のくぼみ部CON3であってもよい。くぼみ部CON3の周囲はすべてバンクBK枠部432,433が形成される。バンクBKがくぼみ部CON3の全周囲に形成されているため、第3接続電極パッド43cに塗布された導電性接着剤60の塗布量が多少変動してもバンクBKから越えにくい。<導電性接着剤の塗布面積>図6は、導電性接着剤の塗布面積と導通不良発生率の関係を示す図である。横軸に導電性接着剤の塗布面積mm2を示し、縦軸に対数目盛で導通不良の発生率を示す。図6に示された塗布面積は、接続電極パッドと導電接着剤とが接している面積を示す。この塗布面積は、例えば、図5aのように上y’側から見た投影面積ではなく、接続電極パッドに凹凸があると、その凹凸の側面の面積も合わせた面積である。また導通不良発生率は、0.1mVの電圧を印加した際に得られた不良率である。図6に示すように、導電性接着剤60の塗布面積mm2が0.2Φ0.03mm2では不良発生率は4.0であり、導電性接着剤60の塗布面積mm2が0.3Φ0.07mm2では不良発生率は1.0であり、導電性接着剤60の塗布面積mm2が0.4Φ0.125mm2では0.05で、導電性接着剤60の塗布面積mm2が0.45Φ0.159mm2では0.007である。これらの測定結果から、一点鎖線LNに示されるように、導電性接着剤60の塗布面積mm2が小さくなると指数的に導通不良発生率が増加することを示している。図3~図5に示されるように、第1接続電極パッド43a、第2接続電極パッド43b,第3接続電極パッド43cにくぼみ部CONを形成することにより、これら接続電極パッドと導電性接着剤60との塗布面積を大きくし、導通不良を減らすことができる。また、くぼみ部CONの全周囲をバンクBKで囲むことにより、導電性接着剤60の塗布量が多少多くても、導電性接着剤60の広がりを抑える効果も得られる。このため、導電性接着剤60の塗布径のばらつき及び塗布位置のばらつきを減らすことができる。また、余剰分の導電性接着剤60が水晶振動片20の下面から励振電極22bに付着するおそれがない。<第2実施形態;第2水晶デバイス110の構成>第2水晶デバイス110の構成について図面を参照しながら説明する。図7は、音叉型水晶振動片30を備えた表面実装型の第2水晶デバイス110の概略図を示している。図7aは、音叉型水晶振動片30を収納した第2水晶デバイス110の内面図である。図7aに描かれた第2水晶デバイス110は、第2リッド10Bを取り除いた状態である。図7bは、第2水晶デバイス110をE-E’断面で切った断面構成図である。ただし、リッド10と第1ベース板40とが分離された状態が示されている。第2水晶デバイス110は、第2リッド10B及びベース板40Bから構成されたパッケージ80Bを有している。第2リッド10Bは、リッド側凹部17をベース板40B側の片面に有している。ベース板40Bはベース側凹部47を第2リッド10B側の片面に有している。第2リッド10B及びベース板40Bはホウ酸ガラス又は水晶材から構成される。リッド側凹部17とベース側凹部47とは接合されてキャビティ―CT図7bを参照を形成する。キャビティ―CTに音叉型水晶振動片30が装着されている。第2リッド10Bは、枠部19に接合面M3を備えている。第2リッド10Bの接合面M3は低融点ガラスからなる非導電性の封止材48が環状に塗布される。なお、封止材48は後述するベース板40Bの接合面M2に環状に塗布されてもよい。音叉型水晶振動片30は、一対の振動腕36と基部33とからなり、基部33に引出電極31a、31bを備える。引出電極31a、31bは、導電性接着剤60で後述するベース板40Bの第1接続電極パッド43aに接続し導通する。一対の振動腕36は、表面、裏面及び側面に励振電極35a及び35bが形成されており、励振電極35aは引出電極31aにつながっており、励振電極35bは引出電極31bにつながっている。振動腕36の先端部は金属膜を備えた錘部38を形成している。一対の振動腕36の表裏両面には、溝部34が形成されている。引出電極31a、引出電極32b、励振電極35a、励振電極35b及び錘部38は、ともに、150Å~500Å15nm~50nmのクロムCr層の上に400Å~800Å40nm~80nmの金Au層が形成された構成である。図7a、bに示されるように、ベース板40Bは、ベース側凹部47を第2リッド10B側の片面に有する。ベース側凹部47が形成されることにより、一対の台座45aと突起部45bと枠部491とがベース側凹部47の底面から突き出るように形成されている。台座45aには第1接続電極パッド43aが形成され、導電性接着剤60を介して音叉型水晶振動片30が載置されている。ベース板40Bは、エッチングによりベース側凹部47を設ける際、同時に一対の台座45aと突起部45bと枠部49とスルーホール42aとスルーホール42bとを形成する。スルーホール42aは一対の台座45aの一方に形成され、スルーホール42bは、突起部45bに形成される。台座45aには第1接続電極パッド43aが形成され、突起部45bには接続電極43が形成され、その接続電極43は台座45aの他方にまで伸び、その台座45aの第1接続電極パッド43aに接続されている。ベース板40Bは枠部491に接合面M2を有している。接合面M2の形状及び面積は、第2リッド10Bの枠部19の接合面M3の形状及び面積とほぼ同じである。ベース板40Bの実装面M1には、第1外部電極51及び第2外部電極52が形成される。スルーホール42a及びスルーホール42bには、スルーホール配線15が形成される。第1接続電極パッド43aは、スルーホール42aのスルーホール配線15を通じてベース板40Bの実装面M1に設けた外部電極51に接続する。接続電極43は、スルーホール42bのスルーホール配線15を通じてベース板40Bの実装面M1に設けた外部電極52に接続する。つまり、引出電極31aは外部電極51と電気的に接続し、引出電極31bは外部電極52と電気的に接続している。スルーホール42a及びスルーホール42bは、共晶金属70を用いて封止される。ベース板40Bは一枚の水晶板がエッチングされることによってベース側凹部47が形成される。エッチングされなかった一対の台座45a、突起部45b及び枠部491は実装面M1から同じ高さに形成される。一対の台座45aには、図3に示された第1接続電極パッド43aが形成されている。図示していないが、図4又は図5に示された第2接続電極パッド43b又は第3接続電極パッド43cであってもよい。第1接続電極パッド43a、第2接続電極パッド43b及び第3接続電極パッド43cには、くぼみ部CONが形成されているため、接続電極パッドと導電性接着剤60との塗布面積が大きくなる。またくぼみ部CONの全周囲をバンクBKで囲むことにより、導電性接着剤60の塗布量が多少多くても、導電性接着剤60の広がりを抑える。<第3実施形態;第3水晶デバイス120の構成>第3水晶デバイス120の構成について、図8及び図9を参照しながら説明する。図8は、第3水晶デバイス120の第2リッド10B側から見た斜視図である。図9aは、リッドを取り外した第3水晶デバイス120の平面図であり、bは、第3水晶デバイス120のF-F’断面図である。第3水晶デバイス120と第2水晶デバイス110との違いは、第3水晶デバイス120にキャスタレーションを備えた点が異なっている。第2実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付し説明を省略し相違点について説明する。ベース板40Cは、実装面M1に一対の外部電極51,52がそれぞれ形成され、ベース板40CのY軸方向の両辺には一対のキャスタレーション222a、222bが形成されている。また、キャスタレーション222aには外部電極51に接続された側面電極223aが形成され、キャスタレーション222bには外部電極52と接続された側面電極223bが形成されている。ベース板40Cの接合面M2にはベース側凹部47及び一対の台座45a及び枠部491図10を参照が形成されている。キャスタレーション222a、222bはトラック状の貫通孔不図示をダイシングされた際に形成される。"