基板と、各々がそれぞれのソース、ドレイン及びゲート端子を含む、前記基板上の第1及び第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタとを備え、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は、前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し、前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は、アースに結合しており、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したRF入力パッドと、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子及び前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したRF出力パッドと、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合した制御パッドとをさらに備えることを特徴とするモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記RF入力パッドは、第1のらせん状インダクタループを通して前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し、前記RF出力パッドは、第2のらせん状インダクタループを通して前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子及び前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合することを特徴とする、請求項1に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記制御パッドは、第1の抵抗器を通して前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合し、相補制御パッドが、第2の抵抗器を通して前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合することを特徴とする、請求項1に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第1の抵抗器は少なくとも約1kオームの抵抗を有し、前記第2の抵抗器は少なくとも約1kオームの抵抗を有することを特徴とする、請求項3に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第1の抵抗器が約10kオームの抵抗を有し、前記第2の抵抗器が約10kオームの抵抗を有することを特徴とする、請求項4に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第1及び第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの各々は、前記窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートソース間隔LGSに等しいゲートドレイン間隔LGDを有することを特徴とする、請求項1に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第1及び第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの各々は、蛇行ゲートパターンを有することを特徴とする、請求項1に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記モノリシック高電力無線周波数スイッチは、2.5GHzから4.0GHzまでの周波数範囲にわたって、20ワットを超えるRF信号入力電力の実質的に線形の伝送を示すことを特徴とする、請求項1に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記モノリシック高電力無線周波数スイッチは、4GHzまでのRF信号に対して-0.4dBより小さい伝送損失を示すことを特徴とする、請求項1に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記モノリシック高電力無線周波数スイッチは、2.0GHzと4.0GHzとの間の周波数において、-8dBより良好な入力及び出力不整合エラーを示すことを特徴とする、請求項1に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記RF出力パッドは、第1のRF出力パッドを含み、前記スイッチは、前記基板上の第2の出力パッド及び相補制御パッドと、各々がそれぞれのソース、ドレイン及びゲート端子を含む、前記基板上の第3及び第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタと、をさらに備え、前記第3の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子は、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し、前記第3の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は、前記第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し、前記第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は、アースに結合し、前記第2のRF出力パッドは、前記第3の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子及び前記第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し、前記制御パッドは、前記第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合し、前記相補制御パッドは、前記第3の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合する、ことを特徴とする、請求項1に記載の高電力無線周波数スイッチ。前記第2のRF出力パッドは、第3の蛇行インダクタループを通して前記第3の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子及び前記第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合することを特徴とする、請求項11に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記制御パッドは、第3の抵抗器を通して前記第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合し、前記相補制御パッドは、第4の抵抗器を通して前記第3の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合することを特徴とする、請求項11に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第3の抵抗器は少なくとも約1kオームの抵抗を有し、前記第4の抵抗器は少なくとも約1kオームの抵抗を有することを特徴とする、請求項13に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第3の抵抗器が約10kオームの抵抗を有し、前記第4の抵抗器が約10kオームの抵抗を有することを特徴とする、請求項11に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第1、第2、第3及び第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの各々は、前記窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートソース間隔LGSに等しいゲートドレイン間隔LGDを有することを特徴とする、請求項11に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。前記第1、第2、第3及び第4の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの各々は、蛇行ゲートパターンを有することを特徴とする、請求項11に記載のモノリシック高電力無線周波数スイッチ。各々がそれぞれのソース、ドレイン及びゲート端子を含む、第1及び第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタを備え、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子が前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し、前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は、アースに結合しており、前記第1第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したRF入力パッドと、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子及び前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したRF出力パッドと、前記第1の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合した制御パッドと、前記第2の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合した相補制御パッドと、をさらに備えることを特徴とする高電力無線周波数スイッチ。幾つかの実施形態は、RF又はマイクロ波回路内の信号フローに対する制御を可能にするスイッチングデバイスを提供する。幾つかの実施形態によるスイッチングデバイスは、共通入力からの信号フローを、低い又は最小の信号損失、歪み、高電力操作、低いdc電力散逸、及び良好な整合で、出力に向けること即ち、オンONができる。幾つかの実施形態によるスイッチングデバイスは、さらに、広い周波数帯域にわたって、高い信号損失を伴う出力から信号を切り替える即ち、オフOFFことができる。特に、幾つかの実施形態は、シリコンカーバイドSiC基板上のモノリシック回路内に窒化ガリウムGaN高電子移動度トランジスタHEMTを組み込んだ、単極双投SPDTスイッチを提供する。これから本発明の実施形態を、本発明の実施形態を示す添付の図面を参照しながら以下でより完全に説明することになる。しかし、本発明は、多くの異なる形態で具体化することができるので、本明細書で説明する実施形態に限定されると理解されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が徹底的且つ完全となるように、そして本発明の範囲を当業者に十分に伝えるように与えられるものである。同様の符号は、全体を通して同様の要素を示す。第1の、第2の、などの用語は、本明細書で種々の要素を説明するのに用いられる場合があるが、これらの要素はこれらの用語によって限定されるべきではないことを理解されたい。これらの用語は1つの要素を別の要素から区別するためだけに用いられる。例えば、本発明の範囲から逸脱せずに、第1の要素を第2の要素と呼ぶことができ、同様に第2の要素を第1の要素と呼ぶことができる。本明細書で用いる場合、用語及び/又はは、関連する列挙された項目の1つ又はそれ以上の、任意の、かつ、全ての組合せを含む。本明細書で用いる用語は、特定の実施形態を説明するためだけのものであり、本発明の限定を意図したものではない。本明細書で用いる場合、単数形1つのa、1つのan及びそのtheは、文脈が明白に他に示さない限り、複数形も同様に含むことを意図したものである。さらに、用語備える含むcomprises、備えた含んだcomprising、含むincludes及び/又は含んだincludingは、本明細書で用いる場合、記述された特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び/又は構成要素の存在を指定するが、1つ又はそれ以上の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、及び/又はそれらの群の存在又は付加を排除するものではないことを理解されたい。他に定義されない限り、本明細書で用いる全ての用語技術及び科学用語を含むは、本発明が属する技術分野の当業者によって普通に理解されるのと同じ意味を有する。さらに、本明細書で用いる用語は、本明細書の文脈及び関連技術分野でのそれらの意味と矛盾しない意味を有すると解釈されるべきであり、本明細書で明示的に定義されない限り理想的又は過度に形式的な意味に解釈されるべきではないことを理解されたい。幾つかの実施形態によるスイッチング回路/デバイスは、20ワットを超えるRF電力を、非常に低い損失<0.7dB、場合によっては<0.5dB、高い分離>30dB、良好な整合>15dB、及び高い3次インターセプトポイント>60dBで、広いRF周波数帯域100MHzから4GHzまで、特に300MHzから3GHzまでにわたって操作することができる。これらの結果は特に驚くべきことであり、その理由は、窒化ガリウムが、シリコンカーバイドなどの他の広バンドギャップ半導体材料よりも高い漏れ電流特性を有することが知られており、従って、通常は、当業者がスイッチング回路内での使用のために選択しないからである。しかし、本明細書で説明するように、窒化ガリウム活性領域を用いて高電力スイッチを効果的に作製することができることが見出された。窒化ガリウムHEMTのような高電力窒化ガリウム半導体デバイスは、周知である。しかし、一般に、漏れ電流が高いほど、結果としてスイッチは低帯域になる。従って、広帯域の高電力スイッチのためには、窒化ガリウムは、窒化ガリウムHEMTの低い寄生抵抗にも関わらず、一般的には不満足な選択であると考えられている。幾つかの実施形態において、本回路/デバイスの電力操作能力は、僅か0.1dBの圧縮で25ワットを超えるものとなり得る。幾つかの実施形態による回路/デバイスが動作中消費するdc電力は、1mW未満であり得る。さらに、幾つかの実施形態による回路/デバイスは、20nsec未満のスイッチング速度を示すことができ、場合によっては約15nsecのスイッチング速度を示すことができる。図1は、幾つかの実施形態によるモノリシック基板110の上に形成された単極双投SPDTスイッチング回路100の回路図であり、図2はそのレイアウトである。回路100は、窒化ガリウムをベースとする高電子移動度トランジスタHEMTを用いて、モノリシックシリコンカーバイド基板110の上に実装することができる。図1及び図2を参照すると、スイッチング回路100は、制御入力パッドVctrl、相補制御入力パッドVctl_complement、RF入力パッドRF_Input、並びに第1及び第2のRF出力パッドRF_Output_1、RF_Output_2を含む。回路100はさらに、4つの窒化ガリウムベースの高電子移動度トランジスタQ1-Q4を含む。4つのHEMTQ1-Q4の各々は、ソース端子S、ドレイン端子D及びゲート端子Gを含む。第1のHEMTQ1のドレインは第1のノードN1に接続され、一方、第1のHEMTQ1のソースは第2のノードN2に接続される。第2のHEMTQ2のドレインは第1のノードN1に接続され、一方、第2のHEMTQ2のソースは第3のノードN3に接続される。第3のHEMTQ3のドレインは第2のノードN2に接続され、第3のHEMTQ3のソースはアースに接続される。第4のHEMTQ4のドレインは第3のノードN3に接続され、第4のHEMTQ4のソースはアースに接続される。制御入力パッドVctrlは、抵抗器R2及びR4を通して第1及び第4のHEMTQ1及びQ4のゲートに接続される。相補制御入力パッドVctl_complementは、抵抗器R1及びR3を通して第2及び第3のHEMTQ2及びQ3のゲートに接続される。図1には単一の抵抗器のみを示したが、トランジスタQ1-Q4の各々は、各デバイスのチャネル領域内に2つのゲートを含む二重ゲートトランジスタとすることができる。従って、図2に示すように、各トランジスタに対して2つの並列入力抵抗器が存在してもよい。FETスイッチ内の所与のトランジスタは、1つより多くのゲートを用いてそのトランジスタの臨界点を横切る電圧を低くすることができ、これが電力操作の助けとなり得る。しかし、追加された各付加ゲートに対して損失が大きくなる。具体的には、スイッチング回路100のような二重ゲートFETは、約0.2dBの付加的損失を有する可能性がある。RF入力パッドRF_Inputは、インダクタンスL1を通して第1のノードN1に接続される。第1のRF出力パッドRF_Output_1は、インダクタンスL2を通して第2のノードN2に接続され、一方第2のRF出力パッドRF_Output_2は、インダクタンスL3を通して第3のノードN3に接続される。インダクタL1-L3は、モノリシックダイ上のスイッチを50オームのインピーダンスに整合させるように設計された、らせん状インダクタネットワークを含むことができる。GaNHEMTQ1-Q4は、各トランジスタ内のゲートドレイン距離がゲートソース距離に等しくなるようにFETチャネル内に対称的に配置された多数の300ミクロン幅のゲートを含んだ、マルチフィンガスイッチFETを含むことができる。HEMTQ1-Q4のゲートにおける抵抗器R1R4は、比較的大きな抵抗、例えば約10kオームを有することができる。本発明の実施形態において用いることができるGaNHEMT構造体は、その各々の内容が、本明細書内に完全に記載されているかのように引用により本明細書に組み入れられる以下の刊行物に開示されており、それらは、2005年2月1日発行のGroup-IIInitiridebasedhighelectronmobilitytransistorHEMTwithbarrier/spacerlayerと題する特許文献1、2007年6月12日発行のInsulatinggateAlGaN/GaNHEMTと題する特許文献2、2007年3月15日公開のFabricationofsingleormultiplegatefieldplatesと題する特許文献3、2009年6月23日発行のWidebandgapHEMTswithsourceconnectedfieldplatesと題する特許文献4、2006年9月14日公開のWidebandgaptransistorswithgate-sourcefieldplatesと題する特許文献5、2009年3月10日発行のWidebandgaptransistordeviceswithfieldplatesと題する特許文献6、2006年10月24日発行のCascodeamplifierstructuresincludingwidebandgapfieldeffecttransistorwithfieldplatesと題する特許文献7、及び、2009年8月11日発行のWidebandgaptransistorswithmultiplefieldplatesと題する特許文献8である。幾つかの実施形態においては、別個の相補制御端子Vctrl_complementを設けなくてもよいこと、及び、その回路は、制御信号Vctrlを反転して第2及び第4のHEMTQ2及びQ4のゲートに印加される相補制御信号を形成する、インバータを含むことができることを理解されたい。しかし、別個の相補制御入力パッドVctrl_complementを設けることにより、制御信号に適切なバイアスをかけることによって、スイッチ100を、RF信号がいずれの出力端子にも流れない高インピーダンス状態にすることが可能になる。RF入力端子RF_Inputに入る信号は、DC電圧を制御端子Vctrl、Vctrl_complementに印加することによって、いずれかの出力端子RF_Outout_1又はRF_Outout_2に向けられる。RF信号は、等価に、出力端子の1つから入力端子へと、逆向きに通過することができる。スイッチ回路100は、1つの制御ラインに負のDC電圧を印加し、同時に他の制御ラインを接地することによって動作する。例えば、負電圧を制御端子Vctrl_complementに与え、同時にVctrlを接地すると、第2及び第3のHEMTQ2及びQ3が非導電状態になり、第1及び第4のHEMTQ1及びQ4が導電状態になる。これにより、RF信号がRF入力端子RF_InputとRF_Outout_1との間を通るようにすることができる。電圧を反転させると、この経路が遮断され、信号がRF入力端子とRF_Outout_2との間を流れるようにすることができる。HEMTをオン及びオフ即ち、それぞれ導電状態及び非導電状態に切替えるのに必要な制御電圧の大きさが、スイッチ100の電力操作に影響する。具体的には、図3は、図1及び図2に示すスイッチに関する、2.5GHz、3.0GHz、3.5GHz及び4.0GHzにおける、入力駆動電力に対する計測されたスイッチ損失を示すグラフである。図3に示す結果は、20ワット43dBmを超えるRF信号の線形伝送を広い周波数帯域にわたって示す。図3に示す結果は、-25ボルトに設定された制御電圧によって得られた。電圧を-30ボルトまで上げると、電力操作を約1.5dBだけ向上させることができる。しかし、より高い電圧での動作は可能ではあるが、FET破壊電圧のより近くでの動作であるため、スイッチ動作に悪影響を及ぼし得る。GaNHEMTスイッチは、GaNHEMT特有の特性、即ちその高い破壊電圧及び高い熱伝導性のために、少ない又は最小のDC電力消費で高いRF電力レベルを操作することが可能であるという、独特の機能を有する。本明細書で説明するGaNHEMTベースのスイッチトポロジは、20MHzという低い周波数での動作も可能とし、1mW未満のDC電力しか消費しない一方で、高電力レベル及び高RF周波数における同時動作が可能であり得る。このようなトポロジは、種々のスイッチ回路、例えば、SPDT、単極3投、単極4投、及びこれらのビルディングブロックの組合せなどを実現することを可能にすることができ、スイッチマトリックスネットワーク及び多重入力/出力転送スイッチを実現する。幾つかの実施形態において、高電力動作が可能なSPDTスイッチ100は、ゲートがドレイン端子とソース端子との間の等距離に位置する修正されたFET構造体を有する。対照的に、典型的なHEMT構造体においては、ゲートはソースの方へずれている。ゲートをドレイン端子とソース端子との間の等距離に配置することは、大きなゲート抵抗器の使用とあいまって、全RF電圧がドレインゲート空間とゲートソース空間との間で等しく分割されるようにすることを可能にする。これらの空間のどちらかにかかる電圧がトランジスタのピンチオフ又は破壊電圧を超えるとき、線形動作が制約されるので、電圧を均等化することは、スイッチが、いずれの条件をも破ることなく大きいRF信号を操作することを可能にし得る。信号スイッチングは、RFシステムにおいて遍在する要件であるので、本発明の実施形態によるスイッチ回路の用途は、任意の多機能システムを含むことができる。具体的なシステムのタイプとしては、広帯域通信無線機、電子戦システム電子逆探及び電子逆逆探、レーダ、白色雑音妨害器を与えるシステムを含む、テストシステムなどが挙げられる。図4は、入力信号周波数に対する計測されたSPDTスイッチ伝送のウェハ平均を示すグラフである。図4に示す結果は、4GHzまで、>-0.4dBの高伝送低損失を示す。図5A及び図5Bは、計測されたSPDTスイッチ入力図5A及び出力図5Bの不整合のウェハ平均を示すグラフである。図5A及び図5Bは、スイッチ100が、-8dBより良好な不整合エラーを有し得ることを示す。図6は、幾つかの実施形態によるスイッチ100内のトランジスタレイアウトの一部分を示す略図である。図6に示すように、トランジスタのソース領域はゲート20から距離LGSだけ離間し、一方トランジスタのドレイン領域はゲートから距離LGDだけ離間する。幾つかの実施形態において、FETのゲートは、LGDがLGSに等しくなるようにソース領域とドレイン領域との間に対称的に配置される。図7は、幾つかの実施形態によるゲートレイアウトのパターンを示す。具体的には、幾つかの実施形態において、ゲート20は、図7に示すような蛇行パターンを有することができる。図7に示すように、蛇行ゲートパターンは、交互の端部でゲートセグメント接続部20c、20dによって接続されたゲートセグメント20a及び20bを含むことができる。蛇行パターン化ゲートは、トランジスタがよりコンパクトなトポロジを有することを可能にし、これにより、デバイス内の寄生容量及び/又は抵抗を減らすことができる。寄生容量を減らすことにより、デバイスの帯域幅を大きくすることができる。電力デバイス内に蛇行ゲートパターンを用いることは熱的制約のために望ましくないかもしれないが、幾つかの実施形態によるスイッチングデバイスは熱的制約を受けないことがあるので、そのスイッチングデバイス内に蛇行ゲートパターンを用いることができる。図8は、モノリシック基板210の上に形成された単一ゲートの蛇行ゲートパターンを有する、単極双投SPDTスイッチング回路200のレイアウトである。スイッチング回路200は、図1に示す回路図に対応する。図9A及び9Bは、図8に示すレイアウトを有するスイッチに関する、入力駆動電力に対する伝送を、-30V図9A及び-35V図9Bの制御電圧について、1.0GHz、1.5GHz、2.0GHz、2.5GHz、3.0GHz、3.5GHz、及び4.0GHzにおいて示すグラフである。図8に示す結果は、20ワット43dBmを超えるRF信号の線形伝送を広い周波数帯域にわたって示す。図10Aは、図8に示すレイアウトを有するスイッチ200に関する、入力信号周波数に対する計測されたSPDTスイッチ伝送のウェハ平均を示すグラフである。図10Aに示す結果は、4GHzまで、>0.5dBの高伝送低損失を示す。図10B及び図10Cは、図8に示すレイアウトを有するスイッチ200に関する、計測されたSPDTスイッチの入力図10A及び出力図10Bの不整合のウェハ平均を示すグラフである。図10A及び図10Bは、スイッチ200が、-20dBより良好な不整合エラーを有し得ることを示す。図面及び明細書において、本発明の典型的な実施形態が開示されており、特定の用語が用いられているが、それらは一般的且つ説明的な意味においてのみ用いられており、限定のために用いられているのではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲において記述されている。