"半導体素子の表面保護膜又は層間絶縁膜を形成するための感光性樹脂組成物であって、フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物を含む重合成分の重合反応生成物であるフェノール樹脂A:100質量部;及び光酸発生剤B:0.1~50質量部;を含有する、感光性樹脂組成物。前記フェノール樹脂Aが、下記一般式1で表される構造及び下記一般式2で表される構造:{式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;炭素数6~20の芳香族基:又は、下記一般式群3:式中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子;不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;又は炭素数6~20の芳香族基;を表し、R6は、不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;又は炭素数6~20の芳香族基;を表す。のいずれかで表される基;を表し、X及びYは、それぞれ独立に、不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数が1~20の整数であるエチレンオキシド基;又は芳香族基を有する有機基;を表し、R1~R6,X及びYにおいて、水素原子がハロゲン原子、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも1つで置換されていてもよく、a及びbは、それぞれ独立に、2~1,000の間の整数であり、mは1又は2であり、nは2又は3であり、但しn>mであり、pは、0~3の整数であり、qは、0~2の整数である。}の両者を有する、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。前記一般式1及び2におけるX及びYが、それぞれ独立に、下記一般式4:{式中、R7~R10は、それぞれ独立に、水素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表す。}で表される基、又は下記一般式5:{式中、R11~R14は、それぞれ独立に、水素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、Zは、単結合;フッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;フッ素で置換されてもよい炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数1~20のエチレンオキシド基;又は下記式群6:のいずれかで表される基;を表す。}で表される基である、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。前記一般式1及び2におけるX及びYが、下記一般式7:{式中、Wは、単結合;フッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;フッ素で置換されてもよい炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数1~20のエチレンオキシド基;又は下記式群8:のいずれかで表される基;を表す。}で表される基である、請求項1~3のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。前記一般式1及び2において、b/a>1である、請求項1~4のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。前記光酸発生剤Bが、キノンジアジド化合物である、請求項1~5のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。前記感光性樹脂組成物が、熱により若しくは前記光酸発生剤Bから発生した酸により前記フェノール樹脂Aと反応しうる化合物、又は熱により若しくは前記光酸発生剤Bから発生した酸により自己反応が起こりうる化合物である、架橋剤C:1~60質量部を更に含有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。以下の工程:半導体基板上に、請求項1~7のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を形成する工程、該感光性樹脂層を活性光線で露光する工程、該露光された感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを得る工程、及び得られたレリーフパターンを加熱する工程を含む、半導体装置の製造方法。請求項8に記載の方法により製造された、半導体装置。主鎖に、下記一般式9:{式中、R15は、独立に、水素原子;フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、cは、3~1,000の間の整数である。}で表される構造、及び下記一般式10:{式中、R16は、独立に、水素原子;フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、dは、3~1,000の間の整数である。}で表される構造、の両者を有する、フェノール樹脂。上記特許文献に開示された材料においては、耐熱衝撃性又は溶融粘度が改善できているものの、表面保護膜又は層間絶縁膜として半導体装置に適用する場合に重要な膜物性である伸度及び誘電率に関して、並びにパターン加工に必要なアルカリ水溶液中での溶解性に関して、全く検討されていない。かかる現状に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、半導体装置に適用して、例えば250°C以下の熱で硬化させた際でも、伸度が高く、誘電率が低く、ポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂を含有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物をレリーフパターン形成材料として用いる半導体装置の製造方法、該方法によって得られる半導体装置、及び新規のフェノール樹脂を提供することである。本発明者らは、かかる課題を解決すべく鋭意検討し、実験を重ねた結果、半導体装置に適用したときに、例えば250°C以下といった低い熱硬化温度であっても、優れた伸度及び低誘電率を有する半導体保護膜又は層間絶縁膜を形成できる材料を予想外に見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下の通りである。[1]半導体素子の表面保護膜又は層間絶縁膜を形成するための感光性樹脂組成物であって、フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物を含む重合成分の重合反応生成物であるフェノール樹脂A:100質量部;及び光酸発生剤B:0.1~50質量部;を含有する、感光性樹脂組成物。[2]上記フェノール樹脂Aが、下記一般式1で表される構造及び下記一般式2で表される構造:{式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;炭素数6~20の芳香族基:又は、下記一般式群3:式中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子;不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;又は炭素数6~20の芳香族基;を表し、R6は、不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;又は炭素数6~20の芳香族基;を表す。のいずれかで表される基;を表し、X及びYは、それぞれ独立に、不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数が1~20の整数であるエチレンオキシド基;又は芳香族基を有する有機基;を表し、R1~R6,X及びYにおいて、水素原子がハロゲン原子、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも1つで置換されていてもよく、a及びbは、それぞれ独立に、2~1,000の間の整数であり、mは1又は2であり、nは2又は3であり、但しn>mであり、pは、0~3の整数であり、qは、0~2の整数である。}の両者を有する、上記[1]に記載の感光性樹脂組成物。[3]上記一般式1及び2におけるX及びYが、それぞれ独立に、下記一般式4:{式中、R7~R10は、それぞれ独立に、水素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表す。}で表される基、又は下記一般式5:{式中、R11~R14は、それぞれ独立に、水素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、Zは、単結合;フッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;フッ素で置換されてもよい炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数1~20のエチレンオキシド基;又は下記式群6:のいずれかで表される基;を表す。}で表される基である、上記[1]又は[2]に記載の感光性樹脂組成物。[4]上記一般式1及び2におけるX及びYが、下記一般式7:{式中、Wは、単結合;フッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;フッ素で置換されてもよい炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数1~20のエチレンオキシド基;又は下記式群8:のいずれかで表される基;を表す。}で表される基である、上記[1]~[3]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。[5]上記一般式1及び2において、b/a>1である、上記[1]~[4]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。[6]上記光酸発生剤Bが、キノンジアジド化合物である、上記[1]~[5]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。[7]上記感光性樹脂組成物が、熱により若しくは上記光酸発生剤Bから発生した酸により上記フェノール樹脂Aと反応しうる化合物、又は熱により若しくは上記光酸発生剤Bから発生した酸により自己反応が起こりうる化合物である、架橋剤C:1~60質量部を更に含有する、上記[1]~[6]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。[8]以下の工程:半導体基板上に、上記[1]~[7]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を形成する工程、該感光性樹脂層を活性光線で露光する工程、該露光された感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを得る工程、及び得られたレリーフパターンを加熱する工程を含む、半導体装置の製造方法。[9]上記[8]に記載の方法により製造された、半導体装置。[10]主鎖に、下記一般式9:{式中、R15は、独立に、水素原子;フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、cは、3~1,000の間の整数である。}で表される構造、及び下記一般式10:{式中、R16は、独立に、水素原子;フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、dは、3~1,000の間の整数である。}で表される構造、の両者を有する、フェノール樹脂。低温での硬化が可能で、かつ伸度及び誘電率といった、硬化膜の機械的及び電気的な物性に優れる本発明の感光性樹脂組成物を使用することにより、信頼性の高い半導体素子及び該半導体素子を用いた信頼性の高い半導体装置を製造することができる。<感光性樹脂組成物>本発明の一態様が提供する感光性樹脂組成物以下、単に本組成物ともいう。は、フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物を含む重合成分の重合反応生成物であるフェノール樹脂A:100質量部;及び光酸発生剤B:0.1~50質量部;を含有する。以下、本発明の感光性樹脂組成物の各成分について詳細に説明するが、かかる説明は、例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。[フェノール樹脂A]フェノール樹脂A以下、単にフェノール樹脂ともいう。は、フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物を含む重合成分を反応させて得られる共重合体である。フェノール樹脂Aは、主鎖に、フェノール化合物中のフェノール性水酸基数の異なりに起因する、2種類以上の繰り返し単位を有するポリマーである。異なる2種類以上の繰り返し単位は任意の順で、ランダム又はブロックで結合していることができる。フェノール樹脂Aは、下記一般式1で表される構造及び一般式2で表される構造:{式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;炭素数6~20の芳香族基:又は、下記一般式群3:式中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子;不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;又は炭素数6~20の芳香族基;を表し、R6は、不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;又は炭素数6~20の芳香族基;を表す。のいずれかで表される基;を表し、X及びYは、それぞれ独立に、不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基;炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数が1~20の整数であるエチレンオキシド基;又は芳香族基を有する有機基;を表し、R1~R6,X及びYにおいて、水素原子がハロゲン原子、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも1つで置換されていてもよく、a及びbは、それぞれ独立に、2~1,000の間の整数であり、mは1又は2であり、nは2又は3であり、但しn>mであり、pは、0~3の整数であり、qは、0~2の整数である。}の両者を有する。フェノール樹脂Aが上記一般式1で表される構造及び上記一般式2で表される構造の両者を有する場合、フェノール樹脂Aが、低い誘電率、優れた伸度、及びアルカリ水溶液中での優れた溶解性に対して良好に寄与する。フェノール樹脂A中に存在する、上記一般式1において数aで繰り返される単位構造と上記一般式2において数bで繰り返される単位構造とのモル比は、感光性樹脂組成物としたときのアルカリ現像液への溶解性の観点から、好ましくはb/aが1より大きく、より好ましくはb/aが1.1以上、10以下である。上記モル比は1H-NMR解析により確認できる。上記一般式1中のm、すなわちフェノール性水酸基数は、1又は2である。フェノール性水酸基数が1のフェノール化合物の例として、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、アミルフェノール、シクロヘキシルフェノール、ヒドロキシビフェニル、ベンジルフェノール、ニトロベンジルフェノール、シアノベンジルフェノール、アダマンタンフェノール、キシレノール、ニトロフェノール、フルオロフェノール、クロロフェノール、ブロモフェノール、トリフルオロメチルフェノール、N-ヒドロキシフェニル-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ヒドロキシフェニル-5-メチル-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド、トリフルオロメチルフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸メチル、ヒドロキシ安息香酸エチル、ヒドロキシ安息香酸ベンジル、ヒドロキシベンズアミド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ヒドロキシアセトフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、及びヒドロキシベンゾニトリルが挙げられる。フェノール性水酸基数が2のフェノール化合物として、例えば、カテコール、メチルカテコール、エチルカテコール、ヘキシルカテコール、ベンジルカテコール、ニトロベンジルカテコール、レゾルシノール、メチルレゾルシノール、エチルレゾルシノール、ヘキシルレゾルシノール、ベンジルレゾルシノール、ニトロベンジルレゾルシノール、ハイドロキノン、カフェイン酸、ジヒドロキシ安息香酸、ジヒドロキシ安息香酸メチル、ジヒドロキシ安息香酸エチル、ジヒドロキシ安息香酸ベンジル、ジヒドロキシベンズアミド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、ジヒドロキシアセトフェノン、ジヒドロキシベンゾフェノン、ジヒドロキシベンゾニトリル、N-ジヒドロキシフェニル-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ジヒドロキシフェニル-5-メチル-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド、ニトロカテコール、フルオロカテコール、クロロカテコール、ブロモカテコール、トリフルオロメチルカテコール、ニトロレゾルシノール、フルオロレゾルシノール、クロロレゾルシノール、ブロモレゾルシノール、及びトリフルオロメチルレゾルシノールが挙げられる。共重合ポリマーの誘電率を低下させる観点から、上記一般式1中のフェノール性水酸基数が1であることが望ましい。上記一般式2中のn、すなわちフェノール性水酸基数は2又は3である。フェノール性水酸基数が2のフェノール化合物の具体例は、上記一般式1に関して挙げられたフェノール性水酸基数2のフェノール化合物の具体例と同様である。フェノール性水酸基数が3のフェノール化合物の例として具体的に、例えば、ピロガロール、フロログルシノール、1,2,4-トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシ安息香酸、トリヒドロキシ安息香酸メチル、トリヒドロキシ安息香酸エチル、トリヒドロキシ安息香酸ベンジル、トリヒドロキシベンズアミド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシアセトフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾニトリル等が挙げられる。フェノール樹脂Aのアルカリ水溶液中での溶解性確保の観点から、上記一般式2中のフェノール性水酸基数が3であることが望ましい。フェノール樹脂Aのアルカリ水溶液中での溶解性の観点、及びポリマー合成時副生成物の生成が少ない観点から、上記一般式1及び2中の好ましいR1及びR2は、それぞれ独立に、アルカリ溶解性の観点からメチル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、フェニルカルボニル基、カルボキシル基、エステル基、アミド基、及びイミド基が挙げられ、特に好ましい例はフッ素原子、トリフルオロメチル基、カルボキシル基、エステル基、及びイミド基である。一般式1中のpは、0~3の整数であり、一般式2中のqは、0~2の整数であり、p及びqは、それぞれ独立にポリマー合成時の反応性の観点から好ましくは0又は1である。フェノール樹脂Aの低誘電率とアルカリ水溶液中での溶解性とを両立させる観点から、上記一般式1及び2において、n>mである。すなわち、一般式1中のフェノール性水酸基数が1の場合、一般式2中のフェノール性水酸基数が2又は3であり、好ましくは3である。また一般式1中のフェノール性水酸基数が2の場合、一般式2中のフェノール性水酸基数は3である。上記一般式1及び2中、X及びYは、それぞれ独立に、不飽和結合を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基、炭素数3~20の脂環式基、繰り返し単位数が1~20の整数であるエチレンオキシド基、又は芳香族基を有する有機基であり、X及びYの水素原子は、ハロゲン原子、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基からなる群から選ばれる少なくとも1つで置換されていてもよい。X及びYは、脂肪族基の場合、炭素数が2~10であることが、硬化膜の機械的物性の観点から好ましい。フェノール樹脂Aは、典型的には、フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物と、重合成分具体的にはアルデヒド化合物、ケトン化合物、メチロール基を分子内に2個有する化合物、アルコキシメチル基を分子内に2個有する化合物、ジエン化合物、及びハロアルキル基を分子内に2個有する化合物からなる群から選ばれる1種類以上の化合物、とを含み、より典型的にはこれらからなる成分を、重合反応させることによって合成できる。例えば、フェノール樹脂Aが上記一般式1で表される構造及び上記一般式2で表される構造の両者を有する場合、フェノール樹脂Aは、フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物と、上記X又はYの構造を含む、アルデヒド化合物、ケトン化合物、メチロール基を分子内に2個有する化合物、アルコキシメチル基を分子内に2個有する化合物、ジエン化合物、及びハロアルキル基を分子内に2個有する化合物からなる群から選ばれる1種類以上の化合物とを重合反応させて得ることができる。反応制御、並びに得られたフェノール樹脂及び感光性樹脂組成物の安定性の観点から、フェノール化合物と上記重合成分との好ましい仕込みモル比としては、5:1~1.01:1、より好ましいモル比としては、2.5:1~1.1:1挙げられる。上記アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ピバルアルデヒド、ブチルアルデヒド、ペンタナール、ヘキサナール、トリオキサン、グリオキザール、シクロヘキシルアルデヒド、ジフェニルアセトアルデヒド、エチルブチルアルデヒド、ベンズアルデヒド、グリオキシル酸、5-ノルボルネンカルボキシアルデヒド、マロンジアルデヒド、スクシンジアルデヒド、グルタルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ナフトアルデヒド、テレフタルアルデヒド等が挙げられる。上記ケトン化合物としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジシクロヘキシルケトン、ジベンジルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ビシクロヘキサノン、シクロヘキサンジオン、ブチンオン、ノルボルナノン、アダマンタノン、ビスオキソシクロヘキシルプロパン等が挙げられる。上記メチロール基を分子内に2個有する化合物としては、ビスヒドロキシメチル尿素、リビトール、アラビトール、アリトール、ビスヒドロキシメチル酪酸、ベンジルオキシプロパンジオール、ジメチルプロパンジオール、ジエチルプロパンジオール、モノアセチン、メチルニトロプロパンジオール、ノルボルネンジメタノール、ペンタエリスリトール、フェニルプロパンジオール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ビスヒドロキシメチルデュレン、ニトロキシリレングリコール、ジヒドロキシデカン、ジヒドロキシドデカン、ビスヒドロキシメチルシクロヘキサン、ビスヒドロキシメチルシクロヘキセン、ビスヒドロキシメチルアダマンタン、ベンゼンジメタノール、ベンゼンジメタノール、ビスヒドロキシメチルクレゾール、ビスヒドロキシメチルジメトキシベンゼン、ビスヒドロキシメチルナフタレン、ビスヒドロキシメチルアントラセン、ビスヒドロキシメチルジフェニルエーテル、ビスヒドロキシメチルジフェニルチオエーテル、ビスヒドロキシメチルベンゾフェノン、ヒドロキシメチル安息香酸ヒドロキシメチルフェニル、ヒドロキシメチル安息香酸ヒドロキシメチルアニリド、ビスヒドロキシメチルフェニルウレア、ビスヒドロキシメチルフェニルウレタン、ビスヒドロキシメチルビフェニル、ジメチルビスヒドロキシメチルビフェニル、ビスヒドロキシメチルフェニルプロパン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラプロピレングリコール等が挙げられる。反応性及び得られたフェノール樹脂の機械物性の観点から、分子骨格にベンゼン環を有する化合物が好ましく、ビフェニルジイル骨格を有する化合物がより好ましく、4,4’-ビスヒドロキシメチルビフェニルが特に好ましい。上記アルコキシメチル基を分子内に2個有する化合物としては、ビスメトキシメチル尿素、ビスメトキシメチル酪酸、ビスメトキシメチルノルボルネン、ビスメトキシメチルシクロヘキサン、ビスメトキシメチルシクロヘキセン、ビスメトキシメチルアダマンタン、ビスメトキシメチルベンゼン、ビスメトキシメチルクレゾール、ビスメトキシメチルジメトキシベンゼン、ビスメトキシメチルナフタレン、ビスメトキシメチルアントラセン、ビスメトキシメチルジフェニルエーテル、ビスメトキシメチルジフェニルチオエーテル、ビスメトキシメチルベンゾフェノン、メトキシメチル安息香酸メトキシメチルフェニル、メトキシメチル安息香酸メトキシメチルアニリド、ビスメトキシメチルフェニルウレア、ビスメトキシメチルフェニルウレタン、ビスメトキシメチルビフェニル、ジメチルビスメトキシメチルビフェニル、ビスメトキシメチルフェニルプロパン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。アルコキシメチル基の炭素数は、反応活性の観点から好ましくは1~10である。炭素数は1~2であることがより好ましく、1であることが最も好ましい。反応性及び得られたフェノール樹脂の機械物性の観点から、分子骨格にベンゼン環を有するものが好ましく、ビフェニルジイル骨格を有する化合物がより好ましく、特に好ましくは4,4’-ビスメトキシメチルビフェニルである。上記ジエン化合物としては、ブタジエン、ペンタジエン、ヘキサジエン、ヘプタジエン、オクタジエン、デカジエン、メチルブタジエン、ブタンジオールジメタクリラート、ヘキサジエンオール、メチルシクロヘキサジエン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、メチルジシクロペンタジエン、ジアリルエーテル、ジアリルスルフィド、アジピン酸ジアリル、ノルボルナジエン、テトラヒドロインデン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、シュウ酸ジアリル、グルタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、シアヌル酸トリアリル、シアヌル酸ジアリル、シアヌル酸ジアリルプロピル、イソシアヌル酸トリアリル、イソシアヌル酸ジアリル、イソシアヌル酸ジアリルプロピル等が挙げられる。上記ハロアルキル基を分子内に2個有する化合物としては、例えば、キシレンジクロライド、ビスクロロメチルジメトキシベンゼン、ビスクロロメチルデュレン、ビスクロロメチルビフェニル、ビスクロロメチル-ビフェニルカルボン酸、ビスクロロメチル-ビフェニルジカルボン酸、ビスクロロメチル-メチルビフェニル、ビスクロロメチル-ジメチルビフェニル、ビスクロロメチルアントラセン、エチレングリコールビスクロロエチルエーテル、ジエチレングリコールビスクロロエチルエーテル、トリエチレングリコールビスクロロエチルエーテル、テトラエチレングリコールビスクロロエチルエーテル等が挙げられる。耐熱性の観点から、上記一般式1及び2中のX及びYは、それぞれ独立に、下記一般式4:{式中、R7~R10は、それぞれ独立に、水素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表す。}で表される基、又は下記一般式5:{式中、R11~R14は、それぞれ独立に、水素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、Zは、単結合;フッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;フッ素で置換されてもよい炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数1~20のエチレンオキシド基;又は下記式群6:のいずれかで表される基;を表す。}で表される基であることが特に好ましく、下記一般式7:{式中、Wは、単結合;フッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;フッ素で置換されてもよい炭素数3~20の脂環式基;繰り返し単位数1~20のエチレンオキシド基;又は下記式群8:のいずれかで表される基;を表す。}で表される基であることが最も好ましい。上記一般式1及び2中のa及びbは、ポリマー主鎖におけるそれぞれの繰り返し単位の総数を表し、それぞれ独立に、2~1,000の間の整数であり、下限値は、好ましくは3、より好ましくは4、上限値は、好ましくは900、より好ましくは800、さらに好ましくは500である。a及びbは、硬化後の膜の強靭性の観点から、2以上であることが好ましく、アルカリ水溶液中での溶解性の観点から、1,000以下であることが好ましい。次に、フェノール樹脂Aの典型的な合成方法に関して詳述する。フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物と、重合成分、具体的には、アルデヒド化合物、ケトン化合物、メチロール基を分子内に2個有する化合物、アルコキシメチル基を分子内に2個有する化合物、ジエン化合物、及びハロアルキル基を分子内に2個有する化合物からなる群から選ばれる1種類以上の化合物、とを、適当な重合触媒の存在下で加熱撹拌することによって、フェノール樹脂Aを得ることができる。この重合触媒としては、特に限定されるものではないが、酸触媒が好ましい。酸触媒としては、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸、メタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、シュウ酸、硫酸ジエチル等の有機酸、三弗化ホウ素、無水塩化アルミニウム、塩化亜鉛等のルイス酸等が挙げられる。酸触媒の使用量は、メチロール化合物、アルコキシメチル化合物又はジエン化合物のモル数に対して、0.01~5モルの範囲が好ましい。アルカリ性の触媒としては水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、トリエチルアミン、ピリジン、4-N,N-ジメチルアミノピリジン、ピペリジン、ピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、アンモニア、ヘキサメチレンテトラミン等が挙げられる。フェノール樹脂Aの合成反応を行う際には、必要に応じて有機溶剤を使用することができる。使用できる有機溶剤の具体例としては、ビス2-メトキシエチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、トルエン、キシレン、γ―ブチロラクトン、N-メチル-2-ピロリドン等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。有機溶剤の使用量としては仕込み原料の総質量100質量部に対して通常10~1000質量部、好ましくは20~500質量部である。また反応温度は通常40~250°Cであり、100~200°Cの範囲がより好ましい。また反応時間は通常1~10時間である。また、フェノール樹脂Aの合成反応を行う際には、フェノール性水酸基数が異なる2種類以上のフェノール化合物と、上記重合成分とを同時に仕込んで反応を行っても良く、また、2種類のフェノール化合物の中、先に1種類以上のフェノール化合物と上記重合成分とを仕込んで、一定の分子量まで反応させた後、別の1種類以上のフェノール化合物を仕込んで継続反応させる方法も採用できる。フェノール樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは700~100,000であり、より好ましくは1,500~80,000、更に好ましくは2,000~50,000である。重量平均分子量は、伸度の観点から、700以上であることが好ましく、組成物のアルカリ溶解性の観点から、100,000以下であることが好ましい。上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィを用い、標準ポリスチレン換算で得られる値である。また、本発明の効果に影響を与えない限り、感光性樹脂組成物は、上記フェノール樹脂A以外の他のアルカリ水溶液可溶性樹脂を更に含有することも可能である。他のアルカリ水溶液可溶性樹脂としては、具体的には、1種類のフェノール化合物の縮合反応物であるすなわち共重合フェノール樹脂構造を含有しないフェノール樹脂、ポリヒドロキシスチレン系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、並びにこれらの樹脂の誘導体、前駆体及び共重合体等が挙げられる。なお、フェノール樹脂Aを、他のアルカリ水溶液可溶性樹脂と混合して使用する場合、混合樹脂の組成のうち、フェノール樹脂Aの含有率は、伸度の観点から、50質量以上であることが好ましく、60質量以上であることがより好ましい。[光酸発生剤B]本発明の感光性樹脂組成物は、紫外線、電子線、X線等に代表される活性光線放射線に感応して樹脂パターンを形成できる組成物であれば、特に限定されるものではなく、ネガ型又はポジ型のいずれの感光性樹脂組成物であってもよい。本発明の感光性樹脂組成物がネガ型の感光性樹脂組成物として使用される場合、光酸発生剤Bは、放射線照射を受けて酸を発生し、発生した酸は上記フェノール樹脂Aと後述する本組成物の他の成分との架橋反応を引き起こすことができる。このような化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる:iトリクロロメチル-s-トリアジン類トリス2,4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-フェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-3-クロロフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-2-クロロフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メトキシフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-3-メトキシフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-2-メトキシフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メチルチオフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-3-メチルチオフェニルビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-2-メチルチオフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メトキシナフチル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-3-メトキシナフチル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-2-メトキシナフチル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-3,4,5-トリメトキシ-β-スチリル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メチルチオ-β―スチリル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-3-メチルチオ-β―スチリル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-2-メチルチオ-β-スチリル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン等;iiジアリルヨードニウム類ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート、ビス4-ter-ブチルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス4-ter-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス4-ter-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス4-ter-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス4-ter-ブチルフェニルヨードニウム-p-トルエンスルホナート等;iiiトリアリルスルホニウム塩類トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホナート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホナート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホナート、4-フェニルチオフェニルジフェニルテトラフルオロボレート、4-フェニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオロホスホネート、4-フェニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオロアルセネート、4-フェニルチオフェニルジフェニルトリフルオロメタンスルホナート、4-フェニルチオフェニルジフェニルトリフルオロアセテート、4-フェニルチオフェニルジフェニルーp-トルエンスルホナート等。これらの化合物の内、トリクロロメチル-S-トリアジン類としては、2-3-クロロフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-S-トリアジン、2-4-クロロフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-S-トリアジン、2-4-メチルチオフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-S-トリアジン、2-4-メトキシーβ―スチリル-ビス4,6-トリクロロメチル-S-トリアジン、2-4-メトキシナフチル-ビス4,6-トリクロロメチル-S-トリアジン等を、ジアリールヨードニウム塩類としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート等を、そしてトリアリールスルホニウム塩類としては、トリフェニルスルホニウムメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホナート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-フェニルチオフェニルジフェニルトリフルオロメタンスルホナート、4-フェニルチオフェニルジフェニルトリフルオロアセテート等を、好適なものとして挙げることができる。この他にも、光酸発生剤Bとして、以下に示す化合物を用いることもできる。1ジアゾケトン化合物ジアゾケトン化合物として、例えば、1,3-ジケト-2-ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げることができ、具体例としてはフェノール類の1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル化合物を挙げることができる。2スルホン化合物スルホン化合物として、例えば、β-ケトスルホン化合物、β-スルホニルスルホン化合物及びこれらの化合物のα-ジアゾ化合物を挙げることができ、具体例として、4-トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビスフェナシルスルホニルメタン等を挙げることができる。3スルホン酸化合物スルホン酸化合物として、例えば、アルキルスルホン酸エステル類、ハロアルキルスルホン酸エステル類、アリールスルホン酸エステル類、イミノスルホネート類等を挙げることができる。好ましい具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、o-ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、o-ニトロベンジル-p-トルエンスルホネート等を挙げることができる。4スルホンイミド化合物スルホンイミド化合物として、例えば、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド等を挙げることができる。5オキシムエステル化合物オキシムエステル化合物として、具体的には、2-[2-4-メチルフェニルスルホニルオキシイミノ]-2,3-ジヒドロチオフェン-3-イリデン]-2-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティケミカルズ社商品名イルガキュアPAG121、[2-プロピルスルホニルオキシイミノ-2,3-ジヒドロチオフェン-3-イリデン]-2-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティケミカルズ社商品名イルガキュアPAG103、[2-n-オクタンスルホニルオキシイミノ-2,3-ジヒドロチオフェン-3-イリデン]-2-2-メチルフェニルアセトニトリルチバスペシャルティケミカルズ社商品名イルガキュアPAG108、α-n-オクタンスルフォニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニドチバスペシャルティケミカルズ社商品名CGI725等を挙げることができる。6ジアゾメタン化合物ジアゾメタン化合物として、具体的には、ビストリフルオロメチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン等を挙げることができる。感度の観点から、とりわけ、上記5オキシムエステル化合物が特に好ましい。本発明のフェノール樹脂組成物がネガ型である場合の、フェノール樹脂A100質量部に対する光酸発生剤Bの配合量は、0.1~50質量部であることが好ましく、1~40質量部であることがより好ましい。該配合量が0.1質量部以上であれば感度の向上効果を良好に得ることができ、該配合量が50質量部以下であれば硬化膜の機械物性が良好である。本発明の感光性樹脂組成物はポジ型の感光性樹脂組成物として使用することも可能である。この場合、光酸発生剤Bは、キノンジアジド化合物であることが好ましい。より好ましくは、ナフトキノンジアジド化合物以下、NQD化合物ともいう。、より具体的にはナフトキノンジアジド誘導体であることが好ましい。前記のナフトキノンジアジド誘導体としては、1,2-ベンゾキノンジアジド構造又は1,2-ナフトキノンジアジド構造を有する化合物が挙げられ、これらの化合物は、例えば、米国特許第2,772,972号明細書、米国特許第2,797,213号明細書、米国特許第3,669,658号明細書等により公知である。該ナフトキノンジアジド誘導体は、以下詳述する特定構造を有するポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、及び該ポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物である。該NQD化合物は、常法に従って、ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物を、クロルスルホン酸又は塩化チオニルでスルホニルクロライドとし、得られたナフトキノンジアジドスルホニルクロライドと、ポリヒドロキシ化合物とを縮合反応させることにより得られる。例えば、ポリヒドロキシ化合物と、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロリド又は1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルクロリドの所定量とを、ジオキサン、アセトン又はテトラヒドロフラン等の溶媒中、トリエチルアミン等の塩基性触媒の存在下で反応させてエステル化を行い、得られた生成物を水洗、乾燥することにより得ることができる。感度及び伸度等の硬化膜物性の観点から好ましいNQD化合物の例としては、例えば、下記一般式群で表されるものが挙げられる。{式中、Qは、水素原子、又は下記式群:のいずれかで表されるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル基であるが、全てのQが同時に水素原子であることはない。}。また、NQD化合物として、同一分子中に4-ナフトキノンジアジドスルホニル基及び5-ナフトキノンジアジドスルホニル基を有するナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を用いることもできるし、4-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物と5-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物とを混合して使用することもできる。上記ナフトキノンジアジド誘導体は、単独で使用しても2種類以上混合して使用してもよい。本発明の感光性樹脂組成物中の光酸発生剤Bの使用量は、本組成物のフェノール樹脂A100質量部に対して、0.1~50質量部であり、好ましくは1~40質量部、より好ましくは5~30質量部である。この使用量が0.1質量部であれば良好な感度が得られ、50質量部以下であれば硬化膜の機械物性が良好である。[架橋剤C]本発明の感光性樹脂組成物は、架橋剤Cとして、熱により若しくは光酸発生剤Bから発生した酸によりフェノール樹脂Aと反応しうる化合物、又は、熱により若しくは光酸発生剤Bから発生した酸により自己反応が起こりうる化合物を含有してもよい。フェノール樹脂A及び光酸発生剤Bに加えて架橋剤Cを用いることにより、本発明の感光性樹脂組成物の塗膜を加熱硬化する際に、機械物性、耐熱性、耐薬品性等の膜性能を強化することができる。膜性能を良好に強化するためには、架橋剤Cは、好ましくは、エポキシ基、オキセタン基、-N-CH2-OR基{式中、Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。}、及び-C-CH2-OR基{式中、Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。}からなる群から選ばれる少なくとも2つの基を有する化合物である。前記の架橋剤Cの分子構造式中、N-CH2-OR基{式中、Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。}を2つ以上有するものとしては、例えば、N位がメチロール基又はアルコキシメチル基で置換された、メラミン樹脂及び尿素樹脂が挙げられる。具体的には、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、グリコールウリル樹脂、ヒドロキシエチレン尿素樹脂、尿素樹脂、グリコール尿素樹脂、アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂、アルコキシメチル化尿素樹脂等を挙げることができる。これらの内、アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂、及びアルコキシメチル化尿素樹脂は、公知のメチロール化メラミン樹脂、メチロール化ベンゾグアナミン樹脂及びメチロール化尿素樹脂のメチロール基をそれぞれアルコキシメチル基に変換することにより得られる。このアルコキシメチル基の種類としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基等を挙げることができるが、実用上市販されているサイメル300、301、303、370、325、327、701、266、267、238、1141、272、202、1156、1158、1123、1170、1174、UFR65、300以上、三井サイテック株製、ニカラックMX-270、-280、-290、ニカラックMS―11、ニカラックMW―30、-100、-300、-390、-750以上、三和ケミカル社製等を好ましく使用することができる。これらの化合物は単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。前記の架橋剤Cの分子構造式中、C-CH2-OR基{式中、Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。}を2つ以上有するものとしては、例えば、1,4-ビスメトキシメチルベンゼン、4,4’-ビフェニルジメタノール、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニル、市販されている26DMPC、46DMOC、DM-BIPC-F、DM-BIOC-F、TM-BIP-A以上、旭有機材工業株製、DML-MBPC、DML-MBOC、DML-OCHP、DML-PC、DML-PCHP、DML-PTBP、DML-34X、DML-EP、DML-POP、DML-OC、ジメチロール-Bis-C、ジメチロール-BisOC-P、DML-BisOC-Z、DML-BisOCHP-Z、DML-PFP、DML-PSBP、DML-MB25、DML-MTrisPC、DML-Bis25X-34XL、DML-Bis25X-PCHP、2,6-ジメトキシメチル-4-t-ブチルフェノール、2,6-ジメトキシメチル-p-クレゾール、2,6-ジアセトキシメル-p-クレゾール、TriML-P、TriML-35XL、TriML-TrisCR-HAP、HML-TPPHBA、HML-TPHAP、HMOM-TPPHBA、HMOM-TPHAP以上、本州化学工業株製等が挙げられる。これらの化合物は単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。前記の架橋剤Cの分子構造式中、エポキシ基又はオキセタン基を2つ以上有するものとしては、例えば、1,1,2,2-テトラp-ヒドロキシフェニルエタンテトラグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、オルソセカンダリーブチルフェニルグリシジルエーテル、1,6-ビス2,3-エポキシプロポキシナフタレン、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールグリシジルエーテル、イソシアヌル酸トリグリシジル、デナコールEX-201、EX-313、EX-314、EX-321、EX-411、EX-511、EX-512、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-731、EX-810、EX-911、EM-150以上、商品名、ナガセケムテックス社製等のエポキシ化合物、キシリレンビスオキセタン、3-エチル-3{[3-エチルオキセタン-イルメトキシ]メチル}オキセタン等のオキセタン化合物が挙げられる。これらの化合物は単独で又は2種類以上を混合して使用することができる。これらの架橋剤Cの使用量は、フェノール樹脂A100質量部に対して、好ましくは1~60質量部であり、より好ましくは3~50質量部である。この使用量が1質量部以上であると架橋が良好に進行し、膜物性の強化効果が良好に得られる。一方、この使用量が60質量部以下であれば、伸度が良好に保たれる。なお、本発明の感光性樹脂組成物は、上記架橋剤C以外の架橋剤として、例えば、2,2’-ビス2-オキサゾリン、2,2’-イソプロピリデンビス4-フェニル-2-オキサゾリン、1,3-ビス4,5-ジヒドロ-2-オキサゾリルベンゼン、1,4-ビス4,5-ジヒドロ-2-オキサゾリルベンゼン、エポクロスK-2010E、K-2020E、K-2030E、WS-500、WS-700、RPS-1005以上、商品名、日本触媒社製等のオキサゾリン化合物、カルボジライトSV-02、V-01、V-02、V-03、V-04、V-05、V-07、V-09、E-01、E-02、LA-1以上、商品名、日清紡ケミカル社製等のカルボジイミド化合物、ホルムアルデヒド、グルタルアルデヒド、ヘキサメチレンテトラミン、トリオキサン、グリオキザール、マロンジアルデヒド、スクシンジアルデヒド等のアルデヒド及びアルデヒド変性体、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアナート、1,3-フェニレンビスメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン―4,4’-ジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、タケネート500、600、コスモネートNBDI、ND以上、商品名、三井化学社製、デュラネート17B-60PX、TPA-B80E、MF-B60X、MF-K60X、E402-B80T以上、商品名、旭化成ケミカル社製等のイソシアネート系架橋剤、アセチルアセトンアルミIII塩、アセチルアセトンチタンIV塩、アセチルアセトンクロムIII塩、アセチルアセトンマグネシウムII塩、アセチルアセトンニッケルII塩、トリフルオロアセチルアセトンアルミIII塩、トリフルオロアセチルアセトンチタンIV塩、トリフルオロアセチルアセトンクロムIII塩、トリフルオロアセチルアセトンマグネシウムII塩、トリフルオロアセチルアセトンニッケルII塩等の金属キレート剤、酢酸ビニル、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,3,5-ベンゼントリカルボン酸トリアリル、トリメリット酸トリアリル、ピロメリット酸テトラアリルエステル、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、BANI-M、BANI-X以上、商品名、丸善石油化学株式会社製等の不飽和結合含有化合物等を、含有できる。[溶剤]本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤を含有してもよい。溶剤としては、アミド類、スルホキシド類、ウレア類、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類等が挙げられる。より具体的には、例えば、溶剤として、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸メチル、乳酸ブチル、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、モルフォリン、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、1,4-ジクロロブタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、アニソール、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を使用することができる。本組成物中の溶剤の使用量は、フェノール樹脂A100質量部に対して、好ましくは100~1000質量部であり、より好ましくは120~700質量部であり、更に好ましくは150~500質量部の範囲である。[その他の成分]本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて、染料、界面活性剤、基板との密着性を高めるための接着助剤、溶解促進剤、架橋促進剤等を含有させることができる。染料としては、例えば、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等が挙げられる。染料の配合量としては、フェノール樹脂A100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましい。界面活性剤としては、例えば、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリグリコール類又はその誘導体からなる非イオン系界面活性剤の他、例えば、フロラード登録商標、商品名、住友3M社製、メガファック登録商標、商品名、大日本インキ化学工業社製、ルミフロン登録商標、商品名、旭硝子社製等のフッ素系界面活性剤、例えばKP341商品名、信越化学工業社製、DBE商品名、チッソ社製、グラノール商品名、共栄社化学社製等の有機シロキサン界面活性剤が挙げられる。界面活性剤を使用する場合の配合量としては、フェノール樹脂A100質量部に対して、0.01~10質量部が好ましい。接着助剤としては、例えば、アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、t-ブチルノボラック、エポキシシラン、エポキシポリマー等、及び各種アルコキシシランが挙げられる。アルコキシシランの好ましい例としては、テトラアルコキシシラン、ビストリアルコキシシリルメタン、ビストリアルコキシシリルエタン、ビストリアルコキシシリルエチレン、ビストリアルコキシシリルヘキサン、ビストリアルコキシシリルオクタン、ビストリアルコキシシリルオクタジエン、ビス[3-トリアルコキシシリルプロピル]ジスルフィド、N-フェニル-3-アミノプロピルトリアルコキシシラン、3-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、2-トリアルコキシシリルエチルピリジン、3-メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、3-メタクリロキシプロピルジアルコキシアルキルシラン、ビニルトリアルコキシシラン、3-ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリアルコキシシラン、3-トリアルコキシシリルプロピルコハク酸無水物、N-3-トリアルコキシシリルプロピル-4,5-ジヒドロイミダゾール、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリアルコキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、3-グリシドキシプロピルジアルコキシアルキルシラン、3-アミノプロピルトリアルコキシシラン及び3-アミノプロピルジアルコキシアルキルシラン並びに酸無水物又は酸二無水物の反応物、3-アミノプロピルトリアルコキシシラン又は3-アミノプロピルジアルコキシアルキルシランのアミノ基をウレタン基又はウレア基に変換したもの等を挙げることができる。なお、上記した化合物中のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられ、酸無水物としてはマレイン酸無水物、フタル酸無水物、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物等が挙げられ、酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、ウレタン基としてはt-ブトキシカルボニルアミノ基等が挙げられ、ウレア基としてはフェニルアミノカルボニルアミノ基等が挙げられる。接着助剤を使用する場合の配合量としては、フェノール樹脂A100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましい。溶解促進剤としては、水酸基又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。水酸基を有する化合物の例としては、前述のナフトキノンジアジド化合物に使用しているバラスト剤、パラクミルフェノール、ビスフェノール類、レゾルシノール類、及びMtrisPC、MtetraPC等の直鎖状フェノール化合物、TrisP-HAP、TrisP-PHBA、TrisP-PA等の非直鎖状フェノール化合物全て本州化学工業社製、ジフェニルメタンの2~5個のフェノール置換体、3,3-ジフェニルプロパンの1~5個のフェノール置換体、2,2-ビス-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパンと5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物との1対2反応物、ビス-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルスルホンと1,2-シクロヘキシルジカルボン酸無水物との1対2反応物、N-ヒドロキシコハク酸イミド、N-ヒドロキシフタル酸イミド、N-ヒドロキシ5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド等が挙げられる。カルボキシル基を有する化合物の例としては、3-フェニル乳酸、4-ヒドロキシフェニル乳酸、4-ヒドロキシマンデル酸、3,4-ジヒドロキシマンデル酸、4-ヒドロキシ-3-メトキシマンデル酸、2-メトキシ-2-1-ナフチルプロピオン酸、マンデル酸、アトロラクチン酸、アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸、3-フェニル乳酸、4-ヒドロキシフェニル乳酸、4-ヒドロキシマンデル酸、3,4-ジヒドロキシマンデル酸、4-ヒドロキシ-3-メトキシマンデル酸、2-メトキシ-2-1-ナフチルプロピオン酸、マンデル酸、アトロラクチン酸、O-アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸、4-ヒドロキシマンデル酸、3,4-ジヒドロキシマンデル酸、4-ヒドロキシ-3-メトキシマンデル酸、マンデル酸、アトロラクチン酸、O-アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸、O-アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸等が挙げられる。溶解促進剤を使用する場合の配合量としては、フェノール樹脂A100質量部に対して、0.1~50質量部が好ましい。架橋促進剤としては、熱又は光によりラジカルを発生するものが好ましい。熱又は光によりラジカルを発生するものとしては、イルガキュア651、184、2959、127、907、369、379以上、商品名、BASFジャパン社製等のアルキルフェノン、イルガキュア819商品名、BASFジャパン社製等のアシルフォスフィンオキサイド、イルガキュア784商品名、BASFジャパン社製等のチタノセン、イルガキュアOXE01、02商品名、BASFジャパン社製等のオキシムエステル等を挙げることができる。<硬化レリーフパターンの形成方法>以下、本発明に係る感光性樹脂組成物を用いて基板上に硬化レリーフパターンを形成する方法の一例を示す。まず、本発明の感光性樹脂組成物を適当な支持体、例えば、シリコンウェハー、セラミック、アルミ基板、銅基板等に塗布する。この時、形成するパターンと支持体との耐水接着性を確保するため、予め支持体にシランカップリング剤等の接着助剤を塗布しておいてもよい。本組成物の塗布は、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等で行うことができる。上記の手順によって、本発明の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を形成する。次に、80~140°Cでプリベークして塗膜を乾燥させた後、コンタクトアライナ-、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて活性光線化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200~500nmの波長のものが好ましい。パターンの解像度及び取り扱い性の点で、光源波長としては水銀ランプのg線、h線又はi線が好ましく、単独でも2種以上の化学線を混合していてもよい。露光装置としてはコンタクトアライナー、ミラープロジェクション、及びステッパ-が特に好ましい。次に、露光された感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを得る。現像方法は、浸漬法、パドル法、回転スプレー法等の方法から選択することができる。現像液としては、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩類等の水溶液、さらに必要に応じメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒又は界面活性剤を適当量添加した水溶液を使用することができる。とりわけ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が好ましく、その濃度は、典型的には0.5~10質量であり、好ましくは1.0~5質量である。現像後、リンス液により洗浄を行い現像液を除去することにより、パターンフィルムを得ることができる。リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等を、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。最後に、このようにして得られたレリーフパターンを加熱することで硬化レリーフパターンを得ることができる。加熱温度は150°C以上であることが好ましい。ポリイミド又はポリベンゾオキサゾールの前駆体組成物を用いる一般的な硬化レリーフパターンの形成方法においては、300°C以上に加熱して脱水環化反応を進行させることにより、前駆体をポリイミド又はポリベンズオキサゾール等に変換する必要があるが、本発明の方法においては脱水環化の必要性はない。よって、本発明は、熱に弱い半導体装置等にも好適に適用することができる。一例を挙げるならば、本発明は、プロセス温度に制約のある高誘電体材料及び強誘電体材料、例えば、チタン、タンタル、ハフニウム等の高融点金属の酸化物からなる絶縁層を有する半導体装置に好適に適用できる。半導体装置がこのような耐熱性上の制約を持たない場合であれば、もちろん、本発明の方法においても300~400°Cでの加熱処理を行ってもよい。このような加熱処理装置としては、ホットプレート、オーブン、及び温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いることができる。加熱処理を行う際の雰囲気気体として、空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。また、より低温にて熱処理を行う必要がある場合には、真空ポンプ等を利用して減圧下にて加熱を行ってもよい。<半導体装置の製造方法及び半導体装置>本発明の別の態様は、以下の工程:半導体基板上に、上述した本発明に係る感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を形成する工程、該感光性樹脂層を活性光線で露光する工程、該露光された感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを得る工程、及び得られたレリーフパターンを加熱する工程を含む、半導体装置の製造方法を提供する。また本発明の別の態様は、上述の方法で製造された半導体装置を提供する。上記の半導体装置の製造方法における各工程は、硬化レリーフパターンの形成方法において前述したような手順で行うことができる。但し、本発明の半導体装置の製造方法においては、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を半導体基板上に形成する。上述の硬化レリーフパターンを、表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、又はバンプ構造を有する装置の保護膜として用い、さらに、公知の半導体装置の製造方法における工程と組み合わせることで、本発明の半導体装置を製造することができる。<新規フェノール樹脂>本発明の別の態様は新規フェノール樹脂を提供する。本発明が提供する新規フェノール樹脂は、主鎖に、下記一般式9:{式中、R15は、独立に、水素原子;フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、cは、3~1,000の間の整数である。}で表される構造、及び下記一般式10:{式中、R16は、独立に、水素原子;フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表し、dは、3~1,000の間の整数である。}で表される構造、の両者を有する。特定の繰り返し構造を有する上記の新規フェノール樹脂は、フェノール性水酸基数1のフェノール化合物とフェノール性水酸基数3のフェノール化合物とビフェニルジイル構造を有する化合物とを縮合重合させることにより合成できる。上記一般式9及び10中、R15及びR16は、それぞれ独立に、水素原子;フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~10の脂肪族基;を表す。ポリマーのアルカリ水溶液中での溶解性の観点から、R15及びR16は、それぞれ独立に、好ましくは、フッ素原子;又はフッ素で置換されてもよい炭素数1~4の脂肪族基;であり、より好ましくは、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。本発明の新規フェノール樹脂を合成するために用いられるフェノール性水酸基数1のフェノール化合物の例としては、フェノール、フルオロフェノール、クレゾール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール等を代表例とするアルキルフェノールの各種o-,m-,p-異性体、及びフッ素で置換された上記のアルキルフェノールの各種o-,m-,p-異性体が挙げられる。ポリマーのアルカリ水溶液中での溶解性の観点から、フルオロフェノール、クレゾール、及びトリフルオロメチルフェノールが特に好ましい。本発明の新規フェノール樹脂に用いられるフェノール性水酸基数3のフェノール化合物の例としては、ピロガロール、フロログルシノール、1,2,4-トリヒドロキシベンゼン、等が挙げられる。フェノール樹脂のアルカリ現像性の観点から、好ましくは、ピロガロールである。本発明の新規フェノール樹脂を合成するために用いられるビフェニルジイル構造を有する化合物の例としては、4,4’-ビスクロロメチルビフェニル、4,4’-ビフェニルジメタノール、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニル等が挙げられ、硬化物の機械的物性の観点から、好ましくは、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニルである。上記一般式9及び10中、c及びdは、それぞれ独立に、2~1,000の間の整数であり、好ましくは3~900、より好ましくは4~800である。c及びdは、硬化後の膜の強靭性の観点から2以上であり、アルカリ水溶液中の溶解性の観点から1,000以下である。フェノール樹脂中に存在する、上記一般式9において数cで繰り返される単位構造と上記一般式10において数dで繰り返される単位構造とのモル比は、感光性樹脂組成物としたときのアルカリ現像液への溶解性の観点から、好ましくはd/c>1であり、より好ましくはd/cが1.1~10である。上記モル比は1H-NMR解析により確認できる。本発明の新規フェノール樹脂の合成方法に関して説明する。フェノール性水酸基数1のフェノール化合物とフェノール性水酸基数3のフェノール化合物とビフェニルジイル構造を有する化合物とを、適当な重合触媒の存在下で加熱撹拌することによって、本発明の新規フェノール樹脂を得ることができる。重合触媒としては、特に限定されるものではないが、酸触媒が好ましい。酸触媒としては、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸、メタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、シュウ酸、硫酸ジエチル等の有機酸、三弗化ホウ素、無水塩化アルミニウム、塩化亜鉛等のルイス酸等が挙げられる。酸触媒の使用量はビフェニルジイル構造を有する化合物のモル数に対して、0.01~5モルの範囲が好ましい。本発明の新規フェノール樹脂の合成反応を行う際には、必要に応じて有機溶剤を使用することができる。使用できる有機溶剤の具体例としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、キシレン、γ―ブチロラクトン、N-メチル-2-ピロリドン等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。有機溶剤の使用量としては仕込み原料の総質量100質量部に対して通常10~1000質量部、好ましくは20~500質量部である。また反応温度は通常40~250°Cであり、100~200°Cの範囲がより好ましい。また反応時間は通常1~10時間である。また、本発明のフェノール樹脂の合成反応を行う際には、フェノール性水酸基数1のフェノール化合物とフェノール性水酸基数3のフェノール化合物とビフェニルジイル構造を有する化合物とを同時に仕込んで反応を行っても良く、また、フェノール性水酸基数1のフェノール化合物とビフェニルジイル構造を有する化合物とを仕込んで、一定の分子量まで反応させた後、フェノール性水酸基数3のフェノール化合物を仕込んで継続反応させる方法も採用できる。以上のようにして、本発明のフェノール樹脂を合成できる。本発明のフェノール樹脂は、前述した感光性樹脂組成物のフェノール樹脂Aとして好適に使用できる。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。フェノール樹脂Aの合成<合成例1>窒素パージしながら、容量0.5Lのディーンスターク装置付きセパラブルフラスラスコ中で、m-クレゾール以下、mCともいう9.73g0.09mol、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニル以下、BPDMともいう10.90g0.045mol、ジエチル硫酸以下、DESともいう1.05g0.00675mol、ジエチレングリコールジメチルエーテル以下、DMDGともいう30gを50°Cで混合攪拌し、固形物を溶解させた。混合溶液をオイルバスにより140°Cに加熱し、反応液よりメタノールの発生を確認した。そのまま140°Cで反応液を4時間攪拌した。その後、反応液は室温まで冷却し、反応液中に、ピロガロール以下、PyGともいう26.48g0.21mol、BPDM32.71g0.135mol、DMDG50g、DES0.35g0.00225molを加え、再び反応液をオイルバスにより130°Cに加熱し、更に1.5時間攪拌反応させた。次に反応容器を大気中で冷却し、これに別途テトラヒドロフラン100gを加えて攪拌した。上記反応希釈液を8Lの水に高速攪拌下で滴下し樹脂を分散析出させ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施し、フェノール樹脂AP-1を収率78で得た。P-1のGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィによる重量平均分子量は、ポリスチレン換算で22,698であった。また、BrukerBiospin社製Avance600FT-NMR装置を用いて、共重合体であるP-1の1H-NMRスペクトルを測定した。1H-NMR解析により、得られたポリマーP-1の骨格におけるPyG/mCのモル比は2.7であった。<合成例2>窒素パージしながら、容量0.5Lのディーンスターク装置付きセパラブルフラスラスコ中で、mC16.55g0.15mol、BPDM18.17g0.075mol、DES1.15g0.0075mol、DMDG40gを50°Cで混合攪拌し、固形物を溶解させた。合成例1と同様、140°Cで反応液を4時間反応させた後、次に、PyG18.92g0.15mol、BPDM30.29g0.125mol、DMDG43.6g、DES0.39g0.0025molを加え、再び反応液をオイルバスにより130°Cに加熱し、更に1.5時間攪拌反応させた。次に反応容器を大気中で冷却し、これに別途テトラヒドロフラン100gを加えて攪拌した。上記反応希釈液を8Lの水に高速攪拌下で滴下し樹脂を分散析出させ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施し、フェノール樹脂AP-2を収率76で得た。P-2のGPCによる重量平均分子量は、ポリスチレン換算で18,800であった。1H-NMR解析により、得られたポリマーP-2の骨格におけるPyG/mCのモル比は1.17であった。<合成例3>合成例2における、m-クレゾールの代わりに、2-フルオロフェノール以下、2FPともいう16.82g0.15molを用いた他は、合成例2と同様に合成を行い、フェノール樹脂AP-3を収率73で得た。P-3のGPCによる重量平均分子量は、ポリスチレン換算で16,253であった。1H-NMR解析により、得られたポリマーP-3の骨格におけるPyG/2FPのモル比は1.32であった。合成例1~3で合成したポリマーを、下記表1に纏める。なお、上記合成例で合成したポリマー、及び後述する比較例で使用した市販品フェノール樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィーGPCにより、標準ポリスチレン昭和電工社製有機溶媒系標準試料STANDARDSM-105換算で算出した。使用したGPC装置及び測定条件は以下の通りであった。ポンプ:JASCOPU-980検出器:JASCORI-930カラムオーブン:JASCOCO-96540°Cカラム:ShodexKD-806M直列に2本移動相:0.1mol/lEtBr/NMP流速:1ml/min.<感光性樹脂組成物の調製>[実施例1~3、比較例1]本発明の実施例及び比較例において使用した各成分は、それぞれ以下のものであった。フェノール樹脂成分実施例においては、本発明におけるフェノール樹脂Aに該当P-1~P-3:上記合成例で得られたP-1~P-3のポリマーP-4:明和化成株式会社製MEH-78514H重量平均分子量=9986下記構造を有する市販品光酸発生剤BB-1:下記一般式で表される光酸発生剤{式中、Qの内83が下記構造:で表される構造であり、残余が水素原子である。}架橋剤CC-1:三和ケミカル株式会社製ニカラックMX-270下記構造を有する市販品溶剤γ-ブチロラクトンGBL実施例1~3及び比較例1の感光性樹脂組成物の調製は、それぞれフェノール樹脂実施例に関してはフェノール樹脂Aに該当する100質量部に対し、光酸発生剤BとしてのB-1成分12質量部、架橋剤CとしてのC-1成分20質量部、及び溶剤としてのGBL110質量部を混合溶解した後、0.2μmのテフロン登録商標フィルターで濾過して感光性ワニスを得た。得られた感光性ワニスの評価結果を表2に示す。なお、各物性は以下のように評価した。<アルカリ水溶液中溶解性>6インチシリコンウエハー基板に、実施例及び比較例で得られた感光性樹脂組成物を、膜厚が約10μmとなるように回転塗布し、120°Cで180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、塗膜を形成した。膜厚は大日本スクリーン製造社製膜厚測定装置ラムダエースにて測定した。その後、高圧水銀灯を用いて、i線領域において600mJ/cm2全波長露光を行った。次いで、露光された膜を2.38質量のTMAH水溶液AZエレクトロニックマテリアルズ社製AZ300MIF中にディップした。5分間以内で塗膜が全部溶解した場合、アルカリ水溶液中溶解性をOKとし、5分間以内で塗膜が全部溶解しない場合、アルカリ水溶液中溶解性をNGとした。<比誘電率評価>抵抗率0.02Ωcm以下である6インチシリコンウエハー基板に、実施例及び比較例で得られた感光性樹脂組成物を、硬化後の膜厚が約5μmとなるように回転塗布し、120°Cで180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、塗膜を形成した。膜厚は大日本スクリーン製造社製膜厚測定装置ラムダエースにて測定した。この塗膜を窒素雰囲気下250°Cで1時間加熱し、膜厚5μmの膜を得た。比誘電率測定条件は以下の通りであった。装置:日本セミラボ社製水銀プローブCV/IV測定装置SSM495測定周波数:1MHz<伸度評価>本発明の伸度測定用サンプルを以下の方法で作製した。最表面にアルミ蒸着層を設けた6インチシリコンウエハー基板に、実施例及び比較例で得られた感光性樹脂組成物を、硬化後の膜厚が約10μmとなるように回転塗布し、120°Cで180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、塗膜を形成した。膜厚は大日本スクリーン製造社製膜厚測定装置ラムダエースにて測定した。この塗膜を窒素雰囲気下250°Cで1時間加熱し、膜厚10μmの膜を得た。得られた樹脂硬化膜を、ダイシングソーで3mm幅にカットした後に、希塩酸水溶液によりウエハーから剥離し、得られる20本の試料を温度23°C、相対湿度50の雰囲気に24時間以上静置後、引っ張り試験機テンシロンにて伸度を測定した。引っ張り試験機の測定条件は以下の通りであった。温度:23°C相対湿度:50初期試料長さ:50mm試験速度:40mm/minロードセル定格:2kgf上記表2から、実施例1~3は、アルカリ水溶液中の溶解性、比誘電率、及び伸度の物性のバランスがよい結果を与えたのに対し、比較例1は、比誘電率と伸度とが良好であるもののアルカリ水溶液中で溶解しなかったため、感光性樹脂組成物としては使用できなかった。"