"Si元素、C元素、O元素およびH元素を含む誘電材料であって、ランダム共有結合3次元ネットワーク構造と、複数のナノメートルサイズの空孔と、2.6以下の誘電率とを有し、FTIRスペクトルは、1000cm-1から1100cm-1の間でSi-Oの吸収帯が2つのピークに分かれており、2150cm-1から2250cm-1の間でSi-Hの吸収ピークがない、誘電材料。前記誘電率が約1.6から約2.6の範囲内である、請求項1に記載の誘電材料。前記誘電率が約1.8から約2.2の範囲内である、請求項1に記載の誘電材料。前記誘電率が2.2以下である、請求項1に記載の誘電材料。前記誘電率が2.1以下である、請求項1に記載の誘電材料。前記共有結合3次元構造が、Si-O結合、Si-C結合、C-H結合、およびC-C結合を含む、請求項1に記載の誘電材料。約5から約40原子パーセントのSiと、約5から約45原子パーセントのCと、0から約50原子パーセントのOと、約10から約55原子パーセントのHとを含む、請求項1に記載の誘電材料。共有結合環状ネットワークをさらに有する、請求項1に記載の誘電材料。最低でも350°Cの温度まで熱的に安定である、請求項1に記載の誘電材料。前記Siが少なくとも部分的にGeで置換されている、請求項1に記載の誘電材料。F、NおよびGeから選択した少なくとも1つの元素をさらに含む、請求項1に記載の誘電材料。前記複数のナノメートルサイズの空孔の直径が、約0.3ナノメートルから約50ナノメートルの間である、請求項1に記載の誘電材料。前記複数のナノメートルサイズの空孔の直径が、約0.4ナノメートルから約10ナノメートルの間である、請求項1に記載の誘電材料。前記複数のナノメートルサイズの空孔が、前記誘電材料の体積の約0.5から約50を占める、請求項1に記載の誘電材料。1.3マイクロメートル以下の厚さを有し、毎秒10-9メートル未満の水中での亀裂成長速度を有する、請求項1に記載の誘電材料。1.3マイクロメートル以下の厚さを有し、毎秒10-10メートル未満の水中での亀裂成長速度を有する、請求項1に記載の誘電材料。絶縁体、キャップまたはハードマスク層として誘電材料を含み、前記誘電材料は、Si元素、C元素、O元素およびH元素とを含み、ランダム共有結合3次元ネットワーク構造と、複数のナノメートルサイズの孔と、2.6以下の誘電率とを有し、FTIRスペクトルは、1000cm-1から1100cm-1の間でSi-Oの吸収帯が2つのピークに分かれており、2150cm-1から2250cm-1の間でSi-Hの吸収ピークがない、相互接続構造。したがって、本発明の目的は、約2.6以下の誘電率を有する超低誘電率ultralowdielectricconstant材料を作製する方法を提供することである。この超低kultralowk材料の誘電率は、約1.6から約2.6の範囲内であることがより好ましく、約1.8から約2.2の範囲内であることが最も好ましい。特に断らない限り、すべての誘電率は真空に対する比誘電率であることに留意されたい。本発明の別の目的は、少なくとも2種類の前駆物質の混合物からSi原子、C原子、O原子およびH原子を含む超低誘電率材料を作製する方法であって、第1の前駆物質がSiCOH成分を含む環状構造を有する分子から選択され、第2の前駆物質が環状構造を有する有機分子から選択される、超低誘電率材料を作製する方法を提供することである。本発明のさらに別の目的は、Si原子、C原子、O原子およびH原子を含み、少なくともSi-O結合、Si-C結合、Si-H結合、C-H結合およびC-C結合の共有結合を含む共有結合3次元ネットワーク構造を有する、熱的に安定な超低誘電率材料を提供することである。本発明の材料はポリマーではなく、少なくとも前述の共有結合を有するランダム3次元構造を含むことに留意されたい。本発明のさらに別の目的は、平行平板型プラズマ化学蒸着PECVDリアクタで超低誘電率膜を作製する方法を提供することである。本発明のさらに別の目的は、CO2の存在下またはCO2およびO2の存在下で基板上に膜を堆積することによって、堆積膜deopsitedfilmの均一性を改善し、かつPECVD内のプラズマを安定させることにより超低誘電率材料を作製する改善した方法を提供することである。本発明の別の目的は、様々な電子構造で、バックエンドオブラインBEOL相互接続構造interconnectstructureの層内intralevelまたは層間interlevel誘電体として使用される超低誘電率材料を作製する方法を提供することである。本発明のさらに別の目的は、低い内部応力internalstressesを有し、かつ約2.6以下の誘電率を有する、熱的に安定な超低誘電率材料を提供することである。この超低k材料の誘電率は、約1.6から約2.6の範囲内であることがより好ましく、約1.8から約2.2の範囲内であることが最も好ましい。本発明のさらに別の目的は、バックエンドオブラインBEOL配線構造の層内または層間誘電体として複数の絶縁材料層を組み込んだ電子構造であって、複数の絶縁材料層のうち少なくとも2つが本発明の超低誘電率材料で構成された電子構造を提供することである。本発明のさらに別の目的は、バックエンドオブラインBEOL配線構造の層内または層間誘電体として本発明の超低誘電率材料の層を複数有し、反応性イオンエッチングRIEのマスク/研磨ストップまたは拡散バリヤとして少なくとも1つの誘電キャップ層を含む電子構造を提供することである。本発明によれば、Si原子、C原子、O原子およびH原子を含むマトリックスを有し、Si-O共有結合、Si-C共有結合、Si-H共有結合、C-H共有結合およびC-C共有結合を含みかつ原子レベルのナノ細孔性nanoporosityを有する共有結合3次元ネットワーク構造を有する、熱的に安定な誘電材料を作製する方法が提供される。必要なら、この誘電材料は、FおよびNをさらに含むこともでき、また少なくとも一部のSi原子をGeで置換することもできる。さらに、この誘電材料は、共有結合環状ネットワークを有することもできる。好ましい実施形態では、この誘電材料は、基本的にSi、C、OおよびHからなるマトリックスを有する。さらに、本発明は、Si原子、C原子、O原子およびH原子を含む第1の前駆物質ガスと、C原子およびH原子を含みさらに必要に応じてO原子、F原子およびN原子を含むこともある第2の前駆物質ガスと、さらに必要に応じてGeを含む少なくとも第3の前駆物質ガスとをプラズマ化学蒸着PECVDリアクタ内で反応させることによって誘電材料を作製する方法も提供する。さらに、本発明では、第1の前駆物質ガスをCO2と混合する、または第1および第2の前駆物質ガスをCO2およびO2と混合することにより、PECVDリアクタ内のプラズマを安定させ、基板上に堆積する誘電膜の均一性を改善することも行う。さらに、本発明は、バックエンドオブラインBEOL配線構造で使用される層内または層間誘電体として複数の絶縁材料層を有し、この絶縁材料を本発明の超低k膜にすることができる電子構造すなわち基板も提供する。好ましい実施形態では、熱的に安定な超低誘電率超低k膜を作製する方法であって、プラズマ化学蒸着PECVDリアクタを準備するステップと、電子構造すなわち基板をリアクタ内で位置決めするステップと、Si原子、C原子、O原子およびH原子を含む第1の前駆物質ガスをリアクタ内に流入させるステップと、C原子およびH原子を含みさらに必要に応じてO原子、F原子およびN原子を含むこともある第2の前駆物質混合ガスをリアクタ内に流入させるステップと、Geを含む第3の前駆物質ガスが必要な場合にはこれを流入させるステップと、基板上に超低k膜を堆積させるステップとを含む方法が提供される。この堆積ステップは、CO2の存在下、またはCO2およびO2の存在下で行うことができる。第1の前駆物質は、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTSまたはC4H16O4Si4など、SiCOH成分を含む環状構造を有する分子から選択されることが好ましい。第2の前駆物質は、環状構造を有する分子から選択された有機分子にすることができ、分子中に複数の環が存在するものが好ましい。特に有用なのは、そのうちの少なくとも1つが異種原子heteroatom、好ましくは酸素を含む複数の縮合環を含む化学種である。これらの化学種の中で最も適しているのは、有意な環の歪みをもたらす大きさの環、すなわち3個または4個の原子からなる環または7個以上の原子からなる環あるいはその両方を含むものである。特に好都合なのは、シクロペンテンcyclopentene酸化物CPOまたはC5H8Oなどオキサ二環式化合物oxyabicyclicと呼ばれる化合物の一種に属するものである。第3の前駆物質は、ゲルマンgermane:ゲルマニウムを水素化したもの、すなわち水素化ゲルマニウムまたはその他任意のGeソースを含む反応物で構成することができる。必要に応じて、本発明の堆積膜は、約300°C以上の温度で少なくとも約0.25時間、熱処理することができる。この方法は、基板チャックの導電性面積が約300cm2から約700cm2の間であり、基板と上部電極の間の間隙が約1cmから約10cmの間である平行平板型リアクタを準備するステップをさらに含むことがある。約12MHZから約15MHZの間の周波数で、高周波RF電力を電極の1つに印加する。必要に応じて、付加的な低周波電力を電極の1つに印加することもできる。さらに、熱処理ステップは、約300°C以下の温度で第1の時間だけ行い、その後約380°C以上の温度で、第1の時間より長い第2の時間だけ行うこともできる。第2の時間は、第1の時間の少なくとも約10倍になる可能性がある。本発明の超低誘電率膜の堆積ステップは、さらに、基板温度を約25°Cから約400°Cの間に設定するステップと、高周波RF電力の電力密度を約0.05W/cm2から約2.0Wcm2の間に設定するステップと、第1の前駆物質の流量を約5sccmから約1000sccmの間に設定するステップと、第2の前駆物質の流量を約5sccmから約1000sccmの間に設定するステップと、リアクタの圧力を約50mTorrから約5000mTorrの間に設定するステップと、高周波RF電力を約15Wから約500Wの間に設定するステップとを含むことができる。必要に応じて、約10Wから約300Wの間の超低周波電力をプラズマに加えることもできる。基板チャックの導電性領域の面積がX倍X分の1に変化すると、基板チャックに印加されるRF電力もX倍X分の1に変化する。別の好ましい実施形態では、超低k膜を作製する方法であって、平行平板型プラズマ化学蒸着リアクタを準備するステップと、約300cm2から約700cm2の間の導電性領域の面積を有し、ウェハと上部電極の間に約1cmから約10cmの間の間隙を維持する基板チャック上に前処理済みウェハを位置決めするステップと、環状シロキサン分子を含む第1の前駆物質ガスをリアクタ中に流入させるステップと、C原子、H原子およびO原子を含む環状構造を有する有機分子を含む少なくとも第2の前駆物質ガスを流入させるステップと、Geを含む第3の前駆物質ガスを流入させるステップと、ウェハ上に超低k膜を堆積させるステップとを含む方法が提供される。この堆積ステップは、CO2の存在下、またはCO2およびO2の存在下で行うことができる。さらに、このプロセスは、堆積ステップの後に、約300°C以上の温度で少なくとも約0.25時間熱処理を行うステップを含むこともできる。このプロセスは、さらに、ウェハにRF電力を印加するステップを含むこともできる。さらに、熱処理ステップは、約300°C以下の温度で第1の時間だけ行い、その後約380°C以上の温度で、第1の時間より長い第2の時間だけ行うこともできる。第2の時間は、第1の時間の少なくとも約10倍になる可能性がある。使用する環状シロキサン前駆物質は、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTSにすることができ、有機前駆物質はシクロペンテン酸化物CPOにすることができる。超低k膜の堆積ステップは、さらに、ウェハ温度を約25°Cから約400°Cの間に設定するステップと、RF電力の電力密度を約0.05W/cm2から約2.0W/cm2の間に設定するステップと、環状シロキサンの流量を約5sccmから約1000sccmの間に設定するステップと、有機前駆物質の流量を約5sccmから約1000sccmの間に設定するステップと、第3の前記物質の流量を約5sccmから約1000sccmの間に設定するステップと、リアクタの圧力を約50mTorrから約5000mTorrの間に設定するステップとを含むことができる。さらに、堆積ステップは、テトラメチルシクロテトラシロキサンに対するシクロペンテン酸化物の流量比flowratioを約0.1から約0.7の間、好ましくは0.2から0.4の間に設定することをさらに含むこともある。基板チャックの導電性面積は、X倍X分の1に変化させることができ、その場合にはRF電力も同じX倍X分の1に変化することになる。さらに別の好ましい実施形態では、熱的に安定な超低k誘電膜を作製する方法であって、平行平板型のプラズマ化学蒸着リアクタを準備するステップと、約300cm2から約700cm2の間の導電性面積を有し、ウェハと上部電極の間に約1cmから約10cmの間の間隙を維持する基板チャック上にウェハを位置決めするステップと、リアクタ圧力を約100mTorrから約5000mTorrの間に維持しながら、環状シロキサンと環状有機分子およびGeの混合前駆物質ガスを、約25sccmから約500sccmの間の総流量で、リアクタ中の、室温程度から約400°Cの間、好ましくは約60°Cから約200°Cの間の温度に保たれたウェハの上に流入させるステップと、約0.25W/cm2から約0.8W/cm2の間のRF電力密度でウェハ上に誘電膜を堆積させるステップと、約300°C以上の温度で少なくとも約0.25時間、この超低k膜をアニールするステップとを含む方法が提供される。堆積は、CO2の存在下、またはCO2およびO2の存在下で行うことができる。さらに、本発明の方法は、約300°C以下の温度で第1の時間だけ膜をアニールし、その後約380°C以上の温度で、第1の時間より長い第2の時間だけ膜をアニールするステップを含むこともできる。第2の時間は、第1の時間の少なくとも約10倍に設定される可能性がある。環状シロキサン前駆物質は、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTSにすることができ、環状有機cyclicorganic前駆物質は、シクロペンテン酸化物CPOにすることができる。さらに、本発明は、前処理済み半導体基板を含むバックエンドオブラインBEOL相互接続構造の層内または層間誘電体として複数の絶縁材料層を有する電子構造であって、該前処理済み半導体基板が、第1の絶縁材料層に埋め込まれた第1の金属領域と、本発明の超低k誘電体からなる第2の絶縁材料層に埋め込まれた第1の導体領域と、該超低k誘電体が、Si、C、OおよびHを含み、共有結合3次元ネットワーク構造を有し、かつ約2.6以下の誘電率を有し、該第2の絶縁材料層が第1の絶縁材料層と密着しており、該第1の導体領域が第1の金属領域と電気的に連絡しており、第1の導体領域と電気的に連絡し、本発明の超低k誘電体からなる第3の絶縁材料層に埋め込まれた第2の導体領域とを含み、該第3の絶縁材料層が第2の絶縁材料層と密着している電子構造に関する。この電子構造は、さらに、第2の絶縁材料層と第3の絶縁材料層の間に位置する誘電キャップ層を含むことができる。この電子構造は、さらに、第2の絶縁材料層と第3の絶縁材料層の間の第1の誘電キャップ層と、第3の絶縁材料層の上の第2の誘電キャップ層とを含むことができる。誘電キャップの材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、耐火金属窒化ケイ素耐火金属refractorymetalはTa、Zr、HfおよびWから選択される、炭化ケイ素、カーボンドープ酸化物またはSiCOH、およびそれらの水素化化合物から選択することができる。第1および第2の誘電キャップ層は、同じ誘電材料群から選択することができる。第1の絶縁材料は、リンケイ酸塩ガラスPSGやホウ素リンケイ酸塩ガラスBPSGなど、酸化ケイ素または窒化ケイ素、あるいはこれらの材料のドーピングによる変種にすることができる。電子構造は、さらに、第2および第3の絶縁材料層の少なくとも1つの上に堆積させた誘電材料からなる拡散バリヤ層を含むこともできる。この電子構造は、さらに、反応性イオンエッチングRIEのハードマスク/研磨ストップ層として働く第2の絶縁材料層の上の誘電体と、この誘電体RIEハードマスク/研磨ストップ層の上の誘電体拡散バリヤ層とを含むこともできる。この電子構造は、さらに、第2の絶縁材料層の上の第1の誘電体RIEハードマスク/研磨ストップ層と、この第1の誘電体研磨ストップ層の上の第1の誘電体RIEハードマスク/拡散バリヤ層と、第3の絶縁材料層の上の第2の誘電体RIEハードマスク/研磨ストップ層と、この第2の誘電体研磨ストップ層の上の第2の誘電体拡散バリヤ層とを含むことができる。この電子構造は、さらに、超低k誘電体からなる層間誘電体と超低k誘電体からなる層内誘電体の間に、上述したものと同じ材料からなる誘電キャップ層を含むことができる。本発明の上記の目的、特徴および利点は、以下の詳細な説明および添付の図面から明らかになるであろう。本発明は、平行平板型プラズマ化学蒸着PECVDリアクタ中で熱安定超低誘電率膜thermallystableultralowdielectricconstantfilmを作製する方法を開示するものである。好ましい実施形態で開示する材料は、共有結合3次元ネットワーク状態のSi、C、OおよびHを含む、約2.6以下の誘電率を有する水素化酸化ケイ素炭素SiCOH:hydrogenatedoxidizedsiliconcarbonのマトリックスを含む。この材料は、共有結合の環状ネットワークを有することもできる。この材料は、FおよびNを含むこともでき、必要なら一部のSi原子をGe原子で置換してもよい。この材料は、約0.3ナノメートルから約50ナノメートルの間、最も好ましくは約0.4ナノメートルから約10ナノメートルの間の直径を有する分子スケールの空隙voids:すなわちナノメートルサイズの空孔nanometersizedporesを含んで、誘電率をさらに約2.0未満の値にまで低下させることが好ましい。これらのメートルサイズの空孔は、材料の体積の約0.5から約50の体積を占める。超低k膜の誘電率は約1.6から約2.6の範囲内であることがより好ましく、約1.8から約2.2の範囲内であることが最も好ましい。本発明の膜は、厚さが1.3マイクロメートル以下であり、水中での亀裂成長速度が毎秒10-9メートル未満であることが好ましい。この膜は、水中での亀裂成長速度が毎秒10-10メートル未満であることが最も好ましい。超低k熱安定膜を作製するには、特定の成長条件を備えた特定の幾何形状の堆積リアクタdepositionreactorが必要である。例えば、平行平板型parallelplateリアクタでは、基板チャックの導電性領域は約300cm2から約700cm2の間とし、基板と上部電極の間に約1cmから約10cmの間の間隙を設けるものとする。RF電力は基板に印加される。本発明によれば、超低誘電率膜は、TMCTSなどの環状シロキサン前駆物質とシクロペンテン酸化物など環状構造を有する分子から選択した有機分子である第2の前駆物質との混合ガスを、特定の反応条件下で特別に設計した反応リアクタに入れて形成する。必要に応じて、Geを含む第3の前駆物質を使用して、超低誘電率膜を形成するための混合ガスを形成し、一部のSi原子をGe原子で置換してもよい。本発明の別の実施形態によれば、超低誘電率膜は、CO2が存在する状態で、あるいはCO2およびO2が存在する状態で形成することができる。さらに、本発明の低誘電率膜は、約300°C以上の温度で少なくとも約0.25時間、熱処理すると、誘電率を低下させることができる。この熱処理ステップの間に、炭素原子および水素原子を含みさらに必要なら酸素原子も含む第2の前駆物質ガスまたは混合ガスから得られた分子片moleculefragmentsが熱分解し、さらに小さな分子に転化され、これが膜から放出される。必要なら、分子片の転化および放出のプロセスによって、膜内で空隙をさらに拡大することもできる。これにより、膜の密度が低下する。本発明は、BEOL配線構造への集積に適した超低誘電率、すなわち約2.6未満の超低誘電率を有する材料を調製する方法を提供するものである。本発明の超低k膜の誘電率は、約1.6から約2.6の範囲内であることがより好ましく、約2.0から約2.2の範囲内であることが最も好ましい。本発明の膜は、以下で述べるように、少なくとも2つの適当な前駆物質と、処理パラメータの特定の組合せとを選択することにより作製することができる。第1の前駆物質は、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTSまたはC4H16O4Si4やオクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTSまたはC8H24O4Si4などのSiCOH成分を含む環状構造を有する分子から選択されることが好ましい。一般には、第1の前駆物質は、交互に結合された同数のSi原子およびO原子を含み、これらケイ素原子の少なくとも1つにアルキル基メチル基、エチル基、プロピル基、あるいはさらに高次の類似体または分枝類似体higherorbranchedanalogs、ならびにシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの環状炭化水素またはより高次の類似体が共有結合した環状構造で構成されるすべてのケイ素原子に2つのアルキル基が付いている場合も含む環状アルキルシロキサンの一種である。これらのアルキル基は、同じものであっても異なるものであってもよい。さらに、このような環状シロキサンのケイ素原子は水素と結合することもでき、その場合には、その化合物は一部がアルキル化されたヒドロシロキサンとみなすことができる。第2の前駆物質は、温度および圧力を操作することによって蒸気の形で堆積リアクタに導入できるように適当な揮発性を有する、C原子、H原子およびO原子を含み、かつ少なくとも1つの環を含む有機分子から選択することができる。さらに、この前駆物質分子には、N、S、Siまたはハロゲンなどその他の原子が含まれていてもよい。さらに、この前駆物質分子には、複数の環が存在していてもよい。特に有用なのは、そのうちの少なくとも1つが異種原子、好ましくは酸素を含む複数の縮合環fusedringsを含む化学種である。これらの化学種の中で最も適しているのは、有意な環の歪みをもたらす大きさの環、すなわち3個または4個の原子からなる環または7個以上の原子からなる環あるいはその両方を含むものである。特に好都合なのは、オキサ二環式化合物と呼ばれる化合物の一種に属するものである。これらのうち入手が容易なものの例としては、6-オキサビシクロ[3.1.0]ヘキサンまたはシクロペンテン酸化物760mmHgでbp=102°C、7-オキサビシクロ[4.1.0]ヘプタンまたはシクロヘキサン酸化物760mmHgでbp=129°C、9-オキサビシクロ[6.1.0]ノナンまたはシクロオクテン酸化物5mmHgでbp=55°C、および7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタンまたは1,4-エポキシシクロヘキサン713mmHgでbp=119°Cがある。一般的に言えば、図1に示す構造式に適合した化学種が適切と考えられる。さらに、第2の前駆物質は、9-オキサビシクロ[6.1.0]ノン-4-エン760mmHgでbp=195°Cまたは図2に示す一般構造を有する化合物と同様に、ある程度の不飽和状態であってもよい。さらに、第2の前駆物質は、7-オキサビシクロ[4.1.0]ヘプタン-2-オン15mmHgでbp=77°Cや3-オキサビシクロ[3.1.0]ヘキサン-2,4-ジオン5mmHgでbp=100°Cと同様に、ケトン、アルデヒド、アミン、アミド、イミド、エーテル、エステル、無水物anhydrides、炭酸塩carbonates、チオールthiols、チオエーテルthioethersなどただしこれらに限定されないの官能基を有することもできる。上述のように、本発明の膜は、少なくとも2つの適当な前駆物質を選択することにより作製することができる。本発明のいくつかの実施形態では、超低誘電率膜を形成するために、必要に応じてGeを含む第3の前駆物質材料を使用することもできる。このような実施形態では、本発明の膜中のSi原子の一部がGe原子で置換される。さらに、PECVDリアクタ内で、第1の前駆物質をキャリアガスであるCO2と混合する、あるいは第1および第2の前駆物質ガスをCO2またはCO2とO2の混合物と混合することもできる。PECVDリアクタ内でキャリアガスとして第1の前駆物質にCO2を加える、あるいは第1および第2の前駆物質にCO2またはCO2とO2の混合物を加えることにより、PECVDリアクタ内のプラズマを安定させる効果が得られ、基板上に堆積される膜の均一性が改善される。第1および第2の前駆物質とCO2を混合する場合には、CO2の量は約25sccmから約1000sccmの間にすることができ、約50sccmから約500sccmの間であることがより好ましい。CO2とO2の混合物を第1および第2の前駆物質と混合する場合には、混合されるCO2の量は約25sccmから約1000sccmの間にすることができ、混合されるO2の量は約0.5sccmから約50sccmの間にすることができる。より好ましくは、CO2の量は約50sccmから約500sccmの間、O2の量は約1sccmから約30sccmの間である。図3に示すように、平行平板型プラズマ化学蒸着PECVDリアクタ10は、200mmウェハの処理に使用されるタイプである。リアクタ10の内径Xは約13インチ約33.0cmであり、高さYは約8.5インチ約21.6cmである。基板チャック12の直径は約10.8インチ約27.4cmである。反応ガスは、約1インチ約2.54cmの間隙Zだけ基板チャック12から離間したガス分配板GDP:gasdistributionplate16を通じてリアクタ10に導入され、3インチ約7.6cmの排出口18を通じてリアクタ10から排出される。RF電源20はGDP16に接続され、GDP16はリアクタ10から電気的に絶縁されており、基板チャック12は接地されている。実際には、リアクタのその他すべての部分が設置される。別の実施形態では、RF電源20を基板チャック12に接続し、基板22に電力を伝達することができる。この場合には、基板は、リアクタの幾何形状およびプラズマのパラメータによって決まる値を有する負のバイアスを得る。別の実施形態では、複数の電源を使用することができる。例えば、2つの電源を同じRF周波数で動作させることも、あるいは1つを低周波数で、1つを高周波数で動作させることもできる。2つの電源は、同じ電極に接続することも、別個の電極に接続することもできる。別の実施形態では、堆積中にRF電力供給をパルスオンおよびパルスオフすることができる。低klowk膜の堆積中に制御されるプロセス変数は、RF電力、前駆物質の混合および流量、リアクタ内の圧力、および基板温度である。リアクタ10の表面24は、絶縁コーティング材料で被覆することができる。例えば、ある特定のタイプのコーティングを、数ミルの厚さでリアクタ壁面24に塗布する。基板チャック12に使用できる別のタイプのコーティング材料は、アルミニウム、または酸素プラズマでのエッチングに耐えるその他の絶縁体の薄いコーティングである。加熱したウェハチャックの温度により、基板温度を制御する。本発明によれば、上述した適当な第1および第2の前駆物質ならびに処理パラメータの特定の組合せを利用して、調製される本発明の超低k材料が、約5から約40原子パーセントのSi、約5から約45原子パーセントのC、0から約50原子パーセントのOおよび約10から約55原子パーセントのHを含むようにする。膜の堆積プロセス中に制御される主なプロセス変数は、RF電力、第1および第2の前駆物質の流量ならびに第3の前駆物質の流量第3の前駆物質が必要な場合、CO2の流量またはCO2およびO2の流量、リアクタ圧力、ならびに基板温度である。本明細書において後に挙げるのは、本発明による、第1の前駆物質テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTSおよび第2の前駆物質シクロペンテン酸化物CPOを用いた膜の堆積、ならびにCO2の存在下またはCO2とO2の存在下での膜の堆積のいくつかの例である。実施例1~2では、Heをキャリアガスとして使用してTMCTS前駆物質の蒸気をリアクタ中に給送し、実施例3では、液体送達システムによってTMCTS前駆物質を給送した。実施例5~7では、CO2をキャリアガスとして使用してTMCTS前記物質の蒸気をリアクタ内に給送し、実施例8では、液体送達システムによってTMCTSを給送した。必要に応じて、堆積後に膜を400°Cで熱処理してkを低下させた。本発明による作製方法は、一意に規定された成長条件とともに特定の幾何形状を有する堆積リアクタを使用して初めて可能になることを強調しておく。規定された成長条件下であっても、異なる幾何形状のリアクタを使用した場合には、作製した膜で超低誘電率が得られないこともある。例えば、本発明による平行平板型リアクタでは、基板チャックの面積を、約300cm2から約700cm2、好ましくは約500cm2から約600cm2であるものとする。基板とガス分配板または上部電極の間の間隙は、約1cmから約10cmの間、好ましくは約1.5cmから約7cmの間である。RF電力は、約12MHZから約15MHZの間の周波数、好ましくは13.56MHZで電極の1つに印加される。必要なら、1MHZ未満の低周波数電力を0~0.3W/cm2の電力密度で、RF電力と同じ電極または反対の電極に印加することもできる。本発明による堆積プロセスをうまく実施できるようにするためには、利用する堆積条件も重要である。例えば、ウェハ温度は、約25°Cから約325°Cの間、好ましくは約60°Cから約200°Cの間とする。RF電力密度は、約0.05W/cm2から約1.0W/cm2の間、好ましくは約0.25W/cm2から約0.8W/cm2の間とする。TMCTSの反応ガス流量は、約5sccmから約1000sccmの間、好ましくは約25sccmから約200sccmの間とする。CPOの反応ガス流量は、約5sccmから約1000sccmの間、好ましくは約10sccmから約120sccmの間とする。Geの反応ガス流量は、約5sccmから約1000sccmの間、好ましくは約5sccmから約50sccmの間とする。TMCTS/CO2全体CO2はキャリアガスとして用いるの反応ガス流量は約25sccmから約1000sccmの間とし、CO2とO2の混合物を用いる場合には、CO2の流量を約25sccmから約1000sccmの間、O2の流量を約0.5sccmから約50sccmの間とし、CO2を用いる場合にはそのCO2の流量を約15sccmから約1000sccmとする。TMCTS/CO2全体CO2はキャリアガスとして用いるの反応ガス流量は、約50sccmから約500sccmの間であることが好ましく、CO2とO2の混合物を用いる場合には、CO2の流量を約50sccmから約500sccmの間、O2の流量を約1sccmから約30sccmの間とすることが好ましく、CO2を用いる場合にはそのCO2の流量を約50sccmから約500sccmとすることが好ましい。堆積プロセス中のリアクタ圧力は、約50mTorrから約5000mTorrの間とし、約100mTorrから約3000mTorrの間であることが好ましい。基板チャックの面積がX倍X分の1に変化すると、すなわち約300cm2から約700cm2の範囲内の値から変化すると、RF電力も、上記で指定した値からX倍X分の1だけ変化することになる。同様に、基板チャックの面積がY倍Y分の1に変化し、ガス分配板と基板チャックの間の間隙が上記で指定した値からZ倍Z分の1だけ変化すると、ガス流量が上記で指定した値からYZ倍YZ分の1だけ変化することになる。マルチステーション型堆積リアクタを使用する場合には、基板面積と言えば個々の基板チャックの基板面積を指し、ガス流量と言えば個々の堆積ステーションの流量を指す。したがって、総流量およびリアクタへの総電力入力は、リアクタ内の堆積ステーションの総数を乗算したものとなる。堆積させた膜は、安定化させた後でその後の集積処理を行う。安定化プロセスは、約300°Cから約400°Cで約0.5時間から約4時間の炉アニールステップで行うことができる。また、安定化プロセスは、約300°C超の温度で急速熱アニールプロセスで行うこともできる。本発明により得られる膜の誘電率は、約2.6未満である。本発明により得られる膜の非酸化環境内での熱安定性は、少なくとも約400°Cの温度まで維持される。本発明により形成される電子デバイスを図6から図9に示す。図6から図9に示すデバイスは本発明による例として図示したものに過ぎず、その他無数のデバイスを本発明により形成することができることに留意されたい。図6は、シリコン基板32上に構築した電子デバイス30を示す図である。シリコン基板32の上に、第1の金属領域36が埋め込まれた絶縁材料層34を形成する。第1の金属領域36に化学機械研磨CMPを施した後で、第1の絶縁材料層34および第1の金属領域36の上に、超低k膜38などの膜を堆積させる。第1の絶縁材料層34は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、これらの材料のドーピングによる変種、またはその他任意の適当な絶縁材料で適宜構成することができる。超低k膜38をフォトリソグラフィプロセスでパターン形成し、その中に導体層40を堆積させる。第1の導体層40にCMPプロセスを施した後で、プラズマ化学蒸着PECVDプロセスで、第1の超低k膜38および第1の導体層40を覆うように第2の超低k膜層44を堆積させる。導体層40は、金属の導電性材料であっても、非金属の導電性材料であってもよい。例えば、アルミニウムまたは銅といった金属の導電性材料、あるいは窒化物やポリシリコンなど非金属の導電性材料を使用することができる。第1の導体40は、第1の金属領域36と電気的に連絡している。第2の超低k膜層44にフォトリソグラフィプロセスを施した後で、第2の導体領域50を形成し、その後、第2の導体材料の堆積プロセスを行う。第2の導体50は、第1の導体層40の堆積で用いたものと同様に、金属材料であっても非金属材料であってもよい。第2の導体領域50は、第1の導体領域40と電気的に連絡しており、第2の超低k絶縁体層44に埋め込まれている。第2の超低k膜層は、第1の絶縁材料層38と密着している。この特定の例では、本発明によれば超低k材料である第1の絶縁材料層38は層内誘電材料として働き、第2の絶縁材料層、すなわち超低k膜44は、層内誘電体および層間誘電体として働く。超低k膜の誘電率が低いことから、第1の絶縁層38および第2の絶縁像44によってより優れた絶縁性を得ることができる。図7は、本発明による電子デバイス60を示す図である。この電子デバイス60は、図6に示す電子デバイス30と同様であるが、第1の絶縁材料層38と第2の絶縁材料層44の間に堆積された誘電キャップ層62をさらに備えている。誘電キャップ層62は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化酸化ケイ素SiCO:siliconcarbooxide、改質した超低k化合物およびそれらの水素化化合物、ならびに耐火金属窒化ケイ素などの材料で適宜構成することができ、この耐火金属はTa、Zr、HfおよびWから選択される。追加の誘電キャップ層62は、第1の導体層40が第2の絶縁材料層44またはそれより下の層、特に層34および32に拡散することを防止するための拡散バリヤ層として機能する。図8は、本発明による電子デバイス70の別の代替実施形態を示す図である。電子デバイス70では、RIEマスクおよびCMP化学機械研磨研磨ストップ層として働く2つの追加の誘電キャップ層72および74が使用される。第1の誘電キャップ層72は、第1の絶縁材料層38の上に堆積される。誘電層72の役目は、第1の導体層40を平坦化する際に利用するCMPプロセスの終了点となることである。研磨ストップ層72は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素SiCO、改質した超低k化合物およびそれらの水素化化合物、ならびに耐火金属窒化ケイ素などの適当な誘電材料で構成することができ、この耐火金属はTa、Zr、HfおよびWから選択される。誘電層72の上面は、第1の導体層40と同じ高さである。第2の誘電層74を、同じ目的のために第2の絶縁材料層44の上に追加することができる。図9は、本発明による電子デバイス80のさらに別の代替実施形態を示す図である。この代替実施形態では、追加の誘電層82を堆積させ、それにより第2の絶縁材料層44を2つの別個の層84と86とに分割している。したがって、図8に示す層内/層間誘電層44は、図9に示すように、相互接続部92と相互接続部94の間の境界において、層間誘電層84と層内誘電層86に分割される。さらに、上側誘電層74の上に、追加の拡散バリヤ層96を堆積させる。この代替実施形態の電子構造80では、誘電層82がRIEのエッチストップとして働き、相互接続の深さをより良好に制御できるようになるというさらなる利点が得られる。以下の例は、本発明による超低k誘電体膜の作製を説明し、それにより得られる利点を実証するために与えたものである。図3を参照して、この実施例では、最初にスリットバルブ14を通してリアクタ10内にウェハを配置し、アルゴンガスでプリエッチングすることにより、ウェハを準備する。このウェハ準備プロセスでは、ウェハの温度は約180°Cに設定し、アルゴンの流量は約25sccmに設定して圧力を約100mTorrにする。次いで、RF電力をオンにし、約60秒で約125Wにする。その後、RF電力およびアルゴンガス流をオフにする。TMCTS前駆物質は、Heをキャリアガスとして使用して反応リアクタ中に送入される。Heは、TMCTS容器への入り口で約5psigの圧力である。本発明による超低k膜は、最初に、TMCTSHeおよびCPOのガス流を所望の流量および圧力にする、すなわちTMCTSHeの流量を約20sccm、CPOの流量を約6sccm、圧力を約100mTorrにすることによって堆積させることができる。次いで、RF電力を約15Wで約50分間オンにする。その後、RF電力およびガス流をオフにする。その後、反応リアクタ10からウェハを取り出す。堆積膜の誘電率を低下させ、その熱安定性をさらに改善するためには、すなわち300°C超の温度で堆積膜を安定した状態にするためには、これらの膜をポストアニールして揮発性成分を蒸発させ、膜の寸法を安定させる。ポストアニールプロセスは、下記方法によりアニール炉で行うことができる。まず、流量約10リットル/分の窒素で約5分間、炉をパージする膜サンプルは既に装入ステーション内にある状態。次いで、膜サンプルを炉のリアクタに移送し、ポストアニールサイクルを開始する。このポストアニールサイクルでは、約5°C/分の加熱速度で約280°Cまで膜を加熱し、約280°Cの温度を約5分間維持し、約5°C/分の第2の加熱速度で約400°Cまで加熱し、約400°Cの温度を約4時間維持し、炉をオフにし、膜サンプルを約100°C以下の温度まで冷却する。適当な第1の維持温度は約280°Cから約300°Cの間とすることができ、適当な第2の維持温度は約300°Cから約400°Cの間とすることができる。ここで、図4および図5を参照して、第1の実施形態の結果について述べる。図4は、通常のSiCOH膜のフーリエ変換赤外線FTIRスペクトルを示している。このスペクトルでは、約1000~1100cm-1で強いSi-O吸収帯域が現れ、約1275cm-1でSi-CH3吸収ピークが現れ、約2150~2250cm-1でSi-H吸収帯域が現れ、約2900~3000cm-1で複数の小さなC-H吸収ピークが現れている。CH、SiHおよびSiCH3それぞれのピークの、SiCOH膜のSiOピークに対する相対的な強度relativeintensitiesを、以下の表1に示す。図5は、本発明によるTMCTSHeCPOの混合物から作製した超低k膜で得られるFTIRスペクトルを示している。このスペクトルに現れるSi-O吸収ピーク、Si-CH3吸収ピークおよびC-H吸収ピークは、図4と同様である。しかし、Si-Hピークが存在せず、約2900~3000cm-1のC-H吸収帯域の強度が、図4に示すSiCOH膜より超低k膜の方がはるかに強い。この膜におけるCHピークおよびSiCH3ピークのSiOピークに対する相対強度も、表1に示す。表1に詳細に示すように、C-Hピークの積分面積は、SiCOH膜ではSi-CH3ピークのわずか2に過ぎないのに対して、超低k膜ではSi-CH3ピークの40になる。このことから、超低k膜が、SiCOH相の他に相当量の2次CHx炭化水素相を含むことが明らかに分かる。超低k膜のFTIRスペクトルのもう1つの特徴は、図5に詳細に示すように、Si-Oピークが約1139cm-1および1056cm-1の2つのピークに分かれることである。この実施例では、実施例1で述べた方法でウェハを準備するが、ウェハの温度は約300°Cに設定しておく。次いで、Heをキャリアガスとして使用してTMCTS前駆物質をリアクタ中に送入する。HeはTMCTS容器の入り口で約5psigの圧力である。本発明による超低k膜は、最初に、TMCTSHeおよびCPOのガス流を所望の流量および圧力にする、すなわちTMCTSHeの流量を約150sccm、CPOの流量を約50sccm、圧力を約2000mTorrにすることによって堆積させることができる。次いで、RF電力を約150Wで約10分間オンにする。その後、RF電力およびガス流をオフにする。その後、反応リアクタ10からウェハを取り出し、実施例1で述べたようにアニールする。この実施例では、6個の堆積ステーションを有するリアクタを使用する。ウェハチャックの温度は約350°Cに設定する。TMCTS前駆物質は、液体送達システムを用いて約5ml/分の流量でリアクタ中に送入し、CPOは約900sccmの速度で流入させ、圧力は約3000mTorrで安定させる。約600Wの総RF電力および約300Wの低周波電力をリアクタに印加する。超低k膜の堆積は、各ステーションでウェハに対して行い、予め設定した時間間隔で次のステーションにウェハを移動させて行う。最後の堆積ステーションを通過した後で反応リアクタからウェハを取り出し、実施例1で述べたようにアニールする。以上の実施例では、プラズマを連続モードで操作した。以下の実施例4では、プラズマをパルスモードで操作する。この実施例では、実施例1と同様の条件で堆積を行うが、プラズマをパルスモードで、すなわち約50のデューティサイクルおよび約5ミリ秒から約100ミリ秒のプラズマオン時間で操作する。リアクタ10からウェハを取り出した後で、堆積膜を備えたウェハを実施例1で述べたようにアニールする。上記の実施例で述べたように、作製された膜は、約1.8から約2.2の範囲内の誘電率を有する。図3を参照して、この実施例では、最初にスリットバルブ14を通してリアクタ10内にウェハを配置し、アルゴンガスでプリエッチングすることにより、ウェハを準備する。このウェハ準備プロセスでは、ウェハの温度は約180°Cに設定し、アルゴンの流量は約25sccmに設定して圧力を約100mTorrにする。次いで、RF電力をオンにし、約60秒で約125Wにする。その後、RF電力およびアルゴンガス流をオフにする。TMCTS前駆物質は、CO2をキャリアガスとして使用して反応リアクタ中に送入される。CO2は、TMCTS容器への入り口で約5psigの圧力である。本発明による超低k膜は、最初に、TMCTSCO2およびCPOのガス流を所望の流量および圧力にする、すなわちTMCTSCO2の流量を約20sccm、CPOの流量を約10sccm、圧力を約100mTorrにすることによって堆積させることができる。次いで、RF電力を約15Wで約50分間オンにする。その後、RF電力およびガス流をオフにする。その後、反応リアクタ10からウェハを取り出す。堆積膜の誘電率を低下させ、その熱安定性をさらに改善するためには、すなわち300°C超の温度で堆積膜を安定した状態にするためには、これらの膜をポストアニールして揮発性成分を蒸発させ、膜の寸法を安定させる。ポストアニールプロセスは、下記方法によりアニール炉で行うことができる。まず、約10リットル/分の流量の窒素で約5分間、炉をパージする膜サンプルは既に装入ステーション内にある状態。次いで、膜サンプルを炉のリアクタに移送し、ポストアニールサイクルを開始する。このポストアニールサイクルでは、約5°C/分の加熱速度で約280°Cまで膜を加熱し、約280°Cの温度を約5分間維持し、約5°C/分の第2の加熱速度で約400°Cまで加熱し、約400°Cの温度を約4時間維持し、炉をオフにし、膜サンプルを約100°C以下の温度まで冷却する。適当な第1の維持温度は約280°Cから約300°Cの間とすることができ、適当な第2の維持温度は約300°Cから約400°Cの間とすることができる。この実施例では、実施例5で述べた方法でウェハを準備するが、ウェハの温度は約300°Cに設定しておく。次いで、CO2をキャリアガスとして使用してTMCTS前駆物質をリアクタ中に送入する。CO2はTMCTS容器の入り口で約5psigの圧力である。本発明による超低k膜は、最初に、TMCTSCO2およびCPOのガス流を所望の流量および圧力にする、すなわちTMCTSCO2の流量を約150sccm、CPOの流量を約75sccm、圧力を約2000mTorrにすることによって堆積させることができる。次いで、RF電力を約150Wで約10分間オンにする。その後、RF電力およびガス流をオフにする。その後、反応リアクタ10からウェハを取り出し、実施例5で述べたようにアニールする。以上の実施例では、プラズマを連続モードで操作した。以下の実施例7では、プラズマをパルスモードで操作する。この実施例では、実施例5と同様の条件で堆積を行うが、プラズマをパルスモードで、すなわち約50のデューティサイクルおよび約5ミリ秒から約100ミリ秒のプラズマオン時間で操作する。リアクタ10からウェハを取り出した後で、堆積膜を備えたウェハを実施例5で述べたようにアニールする。この実施例では、6個の堆積ステーションを有するリアクタを使用する。ウェハチャックの温度は約350°Cに設定する。TMCTS前駆物質は、液体送達システムを用いて約5ml/分の流量でリアクタ中に送入し、CPOは約250sccmの速度で流入させ、圧力は約4000mTorrで安定させる。リアクタ中で、流量約5000sccmのCO2および流量約250sccmのO2を、TMCTSとCPOの混合ガスと混合する。CO2およびO2を添加することによりプラズマが安定し、膜の均一性が向上する。約600Wの総高周波RF電力および約300Wの低周波RF電力をリアクタに印加する。超低k膜の堆積は、各ステーションでウェハに対して行い、予め設定した時間間隔で次のステーションにウェハを移動させて行う。最後の堆積ステーションを通過した後で反応リアクタからウェハを取り出す。必要に応じて、このウェハを、実施例5で詳細に述べたようにさらにアニールすることができる。急速熱アニールRTA:rapidthermalannealingプロセスを使用して、超低k膜を安定させることもできる。本発明によって得られる膜は、約2.6未満の誘電率kを特徴とし、通常約400°C以下の温度で処理されるバックエンドオブラインBEOL相互接続構造に集積しても熱的に安定である。したがって、本発明の教示は、論理デバイスおよびメモリデバイスのバックエンドオブラインプロセスで層内誘電体および層間誘電体として膜を作製する場合にも容易に適用することができる。以上、本発明による方法および本発明により作製される電子構造について、上記の説明および添付の図面図1~図9で十分に説明した。ただし、図6~図9に示す電子構造の例は、単に無数の電子デバイスの作製に適用することができる本発明の方法を説明するために使用したものであることを強調しておく。本発明について例示的に説明したが、使用した用語は、限定的な意味ではなく例示的な意味で用いたものであることを理解されたい。さらに、好ましい実施形態およびいくつかの代替実施形態に関連して本発明を詳細に図示し説明したが、当業者なら、本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく、これらの教示を本発明のその他の可能な変形形態に容易に適用することができることを理解されたい。"