オプトエレクトロニクスデバイスであって:オプトエレクトロニクス半導体チップ104を有しており、当該オプトエレクトロニクス半導体チップ104はコンタクト面106と、対向するビーム取り出し面108とを有しており、チップ担体102を有しており、当該チップ担体102の上には前記半導体チップ104が自身のコンタクト面106を介して被着されており、ビーム変換部材110を有しており、当該ビーム変換部材110は前記ビーム取り出し面108上に被着されており、反射性の注封材料112を有しており、当該注封材料112は前記チップ担体102上に被着されており、前記半導体チップ104と前記ビーム変換部材110とを側方で包囲しており、当該注封材料112は実質的に、前記ビーム変換部材110の上方縁部と同一平面を成しており、前記ビーム変換部材110の上面に前記注封材料112は存在していない、ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。前記半導体チップ104は、前記チップ担体102上で電気的に接触接続されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記半導体チップ104は、自身のビーム取り出し面108上で電気的に接触接続されている、請求項1または2記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記ビーム取り出し面108は導体接続部302を介して前記チップ担体102と接触接続されている、請求項3記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記導体接続部302は前記注封材料112内に埋設されている、請求項4記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記導体接続部302はボンディングワイヤーを含んでいる、請求項4または5記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記ビーム取り出し面108上の前記ボンディングワイヤーの垂直延在部304は、前記ビーム取り出し面108上の前記ビーム変換部材110の高さよりも低い、請求項6記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記ビーム取り出し面108上の、前記ボンディングワイヤーの垂直延在部304は、20~200μmの範囲内にあり、例えば40μmである、請求項6または7記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記注封材料112はシリコーンを含んでいる、請求項1から8までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記注封材料112は分散された散乱粒子を含んでいる、請求項1から9までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記散乱粒子は二酸化チタンを含んでいる、請求項10記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記ビーム変換部材110上に被着されている光学素子402、殊にレンズを備えている、請求項1から11までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。前記注封材料112を注入によって入れる、ことを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載されているオプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法。前記注封材料112を圧縮成形によって入れる、請求項13記載の方法。前記注封材料を、前記チップ担体102内に設けられている開口部600を通じて入れる、請求項14記載の方法。オプトエレクトロニクスデバイスの実施例図1は、オプトエレクトロニクスデバイスの第1の実施例の概略的な横断面図を示している。オプトエレクトロニクスデバイス100はチップ担体102を有している。このチップ担体はここでセラミック担体または半導体担体であり得る。このチップ担体の上には、オプトエレクトロニクス半導体チップ104が被着されている。このオプトエレクトロニクス半導体チップ104は、発光ダイオードまたは、ビームを放射するまたは吸収する他の光学素子である。オプトエレクトロニクス半導体チップ104は、例えば薄膜方法によって製造される。オプトエレクトロニクス半導体チップ104は、コンタクト面106を有している。このコンタクト面でもってオプトエレクトロニクス半導体チップ104はチップ担体102上に被着されており、このコンタクト面上にオプトエレクトロニクス半導体チップ104は少なくとも1つの電気的なコンタクトを有している。ここでこのコンタクト面上のさらなる電気的なコンタクトもチップ担体に接続させることが可能である。コンタクト面106に対向する面に、オプトエレクトロニクス半導体チップ104はビーム取り出し面108を有している。このビーム取り出し面108を介して、オプトエレクトロニクス半導体チップ104内で形成されたビームが取り出される。形成されたビームをできるだけ効率的に取り出すために、チップ担体102は例えば、反射性の表面を、コンタクト面106の領域内に有している。ビーム取り出し面108には、ビーム変換部材110が被着されている。このビーム変換部材110は、通常、蛍光を発する材料を有している。この材料内に、オプトエレクトロニクス半導体チップ104によって放射されたビームが少なくとも部分的に吸収される。このビームは、ビーム変換部材110内への蛍光を発する接合部を励起する。この結果、ビーム変換部材110から第2のビームが放射される。この第2のビームの波長は、オプトエレクトロニクス半導体チップ104からのビームの波長とは異なる。このようにして、オプトエレクトロニクスデバイス100は、幅広い周波数スペクトルにわたってビームを放射する。チップ担体102上には、注封材料112が被着されている。この注封材料112はオプトエレクトロニクス半導体チップ104とビーム変換部材110とを側方で完全に包囲している。注封材料112はここで、ビーム変換部材110の上方縁部にまで達する。すなわち注封材料112は、この上方縁部と同一平面を成している。注封材料112は典型的にマトリクス材料を有している。これは例えばシリコーンまたはエポキシ樹脂である。マトリクス材料内には散乱粒子が分散されている。散乱粒子は典型的に二酸化チタン粒子または酸化アルミニウム粒子である。オプトエレクトロニクス半導体チップ104およびビーム変換部材110の側面は、注封材料112によって包囲されているので、オプトエレクトロニクス半導体チップ104またはビーム変換部材110の側方から放射された散乱ビームは反射して戻され、理想的には再びビーム変換部材110に達する。このビーム変換部材によって、散乱ビームは上面を介して取り出される。このようにして、ビームは、ビーム変換部材110の上面を介してのみ取り出され、シャープにフォーカシングされる。すなわち良好に区画された移行部が、ビーム変換部材110の上面によって表されている取り出し面と、注封材料112の縁部領域との間で得られる。従って、良好に区画された光円錐が、オプトエレクトロニクスデバイスの取り出し面から放出される。注封材料112は、ビーム変換部材110の上面と同一平面を成しているので、オプトエレクトロニクスデバイス100は特に平坦な表面を有している。付加的に、オプトエレクトロニクス半導体チップ104は完全にビーム変換部材110、チップ担体112および注封材料112によって包囲されている。従って、オプトエレクトロニクス半導体チップ104を保護するために、さらなるケーシングを設ける必要はない。従って全体的に、オプトエレクトロニクスデバイスを容易に製造することができる。これは、電子半導体チップ104からのビーム取り出しを形成する、またはオプトエレクトロニクス半導体チップ104を保護する特別なケーシングを設けるための事前に対策を講じる必要なく、さらなる使用に適している。図2は、オプトエレクトロニクスデバイスの第2の実施例の横断面の概略図を示している。オプトエレクトロニクスデバイス200はここで第1の実施例のオプトエレクトロニクスデバイス100と、ビーム変換部材110が特別な形状を有している、という点で異なっている。ここで、ビーム変換部材110にはストップエッジ202が設けられている。このストップエッジは、オプトエレクトロニクスデバイス200の製造時に、注封材料112を注ぐ際の側方の濡れに対する境界を形成するために用いられる。従って注封材料112は、ビーム変換部材110の上面と同一平面を成す。図示された第2の実施例では、ビーム変換部材110は円錐状の、すなわち台状の形状を有している。従ってストップエッジ202は、オプトエレクトロニクス半導体チップ104の表面から離れるように延在し、濡れ境界としての機能の他に、反射器の機能を満たしている。ストップエッジ202はここで、図示されているように、線形に延在することができる。同様に、ストップエッジ202の別の延在が存在していてもよい。これは例えば凹または凸状の延在である。オプトエレクトロニクスデバイス200は殊に、ストップエッジ202の形状によって、取り出されるビームのビーム経過がフォーカシングされ、ビーム変換部材110の表面の垂線の方向において延在する、という特性を示す。図3は、オプトエレクトロニクスデバイスの第3の実施例の横断面の概略図を示している。オプトエレクトロニクスデバイス300はここで第1の実施例のオプトエレクトロニクスデバイス100と、導体接続部302が設けられている、という点で異なっている。この導体接続部によって、チップ担体102へのビーム取り出し面108上の接触接続が形成される。導体接続部302はここで殊にボンディングワイヤーであり、その垂直延在部304は、ビーム取り出し面108上のビーム変換部材の高さを超えない。これによって、導体接続部302が完全に注封材料112によって包囲されることが保証される。垂直延在部304の典型的な大きさは、20~200μmのオーダーにあり、殊に40μmである。図4は、オプトエレクトロニクスデバイスの第4の実施例の横断面の概略図を示している。オプトエレクトロニクスデバイス400はここで第3の実施例のオプトエレクトロニクスデバイス300と、ビーム変換部材上に、すなわち自身の表面上に直接、レンズの形態の光学素子402が被着されている、という点で異なっている。従って、取り出されたビームのさらなるビーム形成が行われる。光学素子402は、図4に示されているように、レンズであってよい。同様に、光学素子が光導波路であってもよい。従って、オプトエレクトロニクス半導体チップ104内で形成されたビームは完全に、光導波路内に入れられる。オプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法の実施例図5aおよび図5bは、オプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法の第1の実施例の概略図を示している。ここで、図5aに示されているように、まずはチップ担体102が準備される。このチップ担体上には既に第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ502と第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ504とが被着されている。第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ502と第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ504とは、例えばアタッチメントによって、またはウェハレベルボンディングによって、チップ担体102上に固定される。第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ502と第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ504の上に、それぞれ1つのビーム変換部材が被着されている。理想的にはこのビーム変換部材は、図2に関連して説明したように、ストップエッジを有している。図を見やすくするために、図5aおよび後続の図5bにおいてストップエッジの表示は省かれている。半導体チップをチップ担体102上に提供した後、チップ担体102全体が、注封材料112によって充填される。従って、半導体チップ502および504および注封材料112から成るマトリクスが生じる。これは図5bに示されている。このマトリクスは、例えば、自動車の投光器またはフラッシュまたは別の用途に対する発光モジュールとして使用される。しかし同様に、注封材料112によって充填した後に、オプトエレクトロニクス半導体チップ502と504とを別個にすることが可能である。これによって、例えば図1~4に示されているような、個々のオプトエレクトロニクスデバイスが生じる。この方法は特に容易な方法である。しかしここでは、注封材料112がビーム変換部材の上面と同一平面を成すことが保証されなければならない。これは、ビーム変換部材が、図2に示されているようなストップエッジを有することによって、特に有利に実現される。図6a~図6dは、オプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法の第2の実施例の概略図を示している。この方法は、いわゆる圧縮成形compressionmoldingを用いている。このために、図6aに示されているように、チップ担体102が準備される。この上には第1のオプトエレクトロニクス半導体チップ502と第2のオプトエレクトロニクス半導体チップ504とが、図5aに関して示された方法と同様に、被着されている。チップ担体102は、開口部600を有している。これはチップ担体102を貫通している。第2のステップでは、半導体チップおよびチップ担体102上に金型602が被着される。チップ担体102はここで、金型602によって包囲される。従って内側領域には、開口部600を通じてのみアクセスすることができる。開口部600を介して、さらなるステップにおいては、図6cに示されているように、注封材料112が入れられる。これは有利には圧力下での搬入によって行われる。ここで注封材料112内には散乱粒子、例えば二酸化チタンが分散されている。注封材料を硬化した後、金型602が除去される。従ってこれに続いて、マトリクスモジュールが提供される。これは図6dに示されている。このマトリクスモジュールも、例えば、自動車用投光器またはモバイル用途でのフラッシュとしての用途に対する、多数のオプトエレクトロニクス半導体チップを備えた照明としての使用に適している。しかし個別化を行い、これに続いて、図1~4に示されているような、個々のオプトエレクトロニクスデバイスを得ることも可能である。ここで当然ながら、製造方法の実施例を、オプトエレクトロニクスデバイスの第2の実施例または第3の実施例または第4の実施例が得られるように変更することもできる。最終確認オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法を、基礎となる考えを具体化するために、幾つかの実施例に基づいて記載した。ここでこれらの実施例は、特定の特徴の組み合わせに限定されない。幾つかの特徴および形態が特別な実施例または個々の実施例に関連してのみ記載されていたとしても、これらはそれぞれ他の実施例からの他の特徴と組み合わせ可能である。同様に、一般的な技術的教示が実現され続ける限り、実施例において、示された幾つかの特徴または特別な形態を省くまたは付加することもできる。