貫通孔を有するとともに、前記貫通孔を取り囲む、上面が開口した環状溝を有する筐体と、前記筐体の前記環状溝内に沿って設けられた環状の配線基板と、前記配線基板上に実装された複数の半導体発光装置と、前記環状溝内において前記配線基板の上方に設けられた、複数の前記半導体発光装置のそれぞれを取り囲む複数の導光孔を有するリフレクターと、を備え、前記導光孔は、横断面が楕円状であって、中心軸が上部から下部に向かって前記貫通孔側に傾いて形成されていることを特徴とする照明装置。請求項1に記載の照明装置であって、前記筐体は、前記環状溝の内面が上方に延在された一対の側壁を有しており、前記筐体の前記貫通孔から遠い側壁の上部の高さ位置が、前記筐体の前記貫通孔から近い側壁の上部の高さ位置よりも低いことを特徴とする照明装置。請求項1または請求項2に記載の照明装置であって、平面視して前記半導体発光装置の中心は、前記導光孔の上部の中心よりも前記導光孔の下部の中心に近いことを特徴とする照明装置。本発明は、光のにじみを低減することが可能な照明装置を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る照明装置は、貫通孔を有するとともに、前記貫通孔を取り囲む、上面が開口した環状溝を有する筐体と、前記筐体の前記環状溝内に沿って設けられた環状の配線基板と、前記配線基板上に実装された複数の半導体発光装置と、前記環状溝内において前記配線基板の上方に設けられた、複数の前記半導体発光装置のそれぞれを取り囲む複数の導光孔を有するリフレクターと、を備え、前記導光孔は、横断面が楕円状であって、中心軸が上部から下部に向かって前記貫通孔側に傾いて形成されていることを特徴とする。本発明によれば、光のにじみを低減することが可能な照明装置を提供することができる。以下に、添付図面を参照して、本発明に係る照明装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。図1は、本発明の一実施形態に係る照明装置の概観斜視図であって、筐体の環状溝からリフレクターが見えている状態を示している。図2は、照明装置の概観斜視図であって、筐体の裏面が見えている状態を示している。図3は、筐体の概観斜視図であって、リフレクター、半導体発光装置および配線基板を取り除いた状態を示している。図4は、図1に示した照明装置をX-X’線に沿った断面図である。図5は、図4に示したA部分の拡大断面図である。図6は、図4に示したB部分の拡大断面図である。図7は、図5に示したリフレクターの拡大断面図である。なお、図7の矢印は光の進行方向を示している。図8は、リフレクターの拡大断面図であって、リフレクターの導光孔の横断面を示している。図9は、1つの半導体発光装置の内部を示した断面斜視図である。図10は、図9に示した半導体発光装置のY-Y’線に沿った断面図である。図11は、リフレクターの概観斜視図であって、リフレクターの導光孔を示している。図12は、リフレクターの概観斜視図であって、リフレクターの支持部が見えている状態を示している。図13は、リフレクターの平面図であって、リフレクターの導光孔を示している。<照明装置の構成>照明装置1は、天井または壁等の室内または屋外に固定するか、例えば、顕微鏡や懐中電灯持ち運び可能な装置に用いるものである。そして、照明装置1から発せられる光は、所望する照射領域を照らすことができる。照明装置1は、貫通孔Hを有するとともに、貫通孔Hを取り囲む、上面が開口した環状溝Gを有する筐体2と、筐体2の環状溝G内に沿って設けられた環状の配線基板3と、配線基板3上に実装された複数の半導体発光装置4と、環状溝G内において配線基板3の上方に設けられ、複数の半導体発光装置4のそれぞれを取り囲む複数の導光孔hを有するリフレクター5と、を備えている。また、導光孔hは横断面が楕円状であって、中心軸Cが上部から下部に向かって貫通孔H側に傾いて形成されている。筐体2は、内部に実装する部材を保護するものであって、部材同士を位置決めするものである。また、筐体2は、半導体発光装置4を保持する機能を有している。筐体2は、平面視して環状であって、貫通孔Hを有するとともに、貫通孔Hを取り囲む、上面が開口した環状溝Gが設けられている。そして、環状溝G内には、配線基板3、半導体発光装置4、リフレクター5および光学部材6が設けられる。なお、筐体2の一対の側壁によって環状溝Gが形成される。筐体2は、例えばアルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチックまたは樹脂等の材料からなる。筐体2は、外壁面および内壁面の厚さが例えば0.5mm以上2mm以下であって、外径が例えば50mm以上300mm以下であって、内径が例えば30mm以上280mm以下に設定されている。また、筐体2の外側に位置する側壁2aの上下方向の長さは、例えば5mm以上30mm以下であって、筐体2の内側に位置する側壁2bの上下方向の長さは、例えば10mm以上50以下に設定されている。そして、筐体2の外側に位置する側壁2aの上部の高さ位置が、筐体2の内側に位置する側壁2bの上部の高さ位置よりも低く設定されている。筐体2の環状溝Gの底面には、凹部pが設けられている。また、凹部は、外径が例えば46mm以上299mm以下であって、内径が例えば42mm以上298mm以下に設定されており、外径と内径の間の長さが例えば0.5mm以上2mm以下に設定されている。また、凹部pは、筐体2の平らな底面からの深さが、例えば0.5mm以上1.5mm以下に設定されている。筐体2の下部には、図2に示すように、環状の放熱部材7が設けられている。また、放熱部材7は、平面視して凹部pと重なる個所に設けられる。放熱部材7は、配線基板3または半導体発光装置4が発した熱を筐体2の下方に向かって熱引きするものである。なお、放熱部材7は、筐体2と一体であっても別体であってもよい。放熱部材7が筐体2と別体である場合は、放熱部材7は筐体2に対して螺子止め等によって固定され、用途に応じた形状の放熱部材7を取り付けることができる。例えば、放熱部材7にさらなる放熱性が求められる場合には、放熱部材7の外周面をフィン状に形成することにより、放熱部材7の放熱性を向上させることができる。放熱部材7は、例えば、アルミニウム、銅またはステンレス等の金属材料からなる。放熱部材7は、外径が例えば40mm以上290mm以下であって、内径が例えば30mm以上280mm以下に設定されている。また、放熱部材7の上下方向の長さは、例えば5mm以上50mm以下に設定されている。また、放熱部材7の外周面は、フィン状に形成されてもよく、放熱部材7の放熱性を向上させることができる。配線基板3は、筐体2の環状溝G内であって、筐体2の側壁2aと側壁2bとで挟まれる個所に設けられる。配線基板3は環状であって、複数の半導体発光装置4が実装される。配線基板3は、絶縁性の基板であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料やプリント基板からなる。なお、配線基板3は、外径が例えば42mm以上298mm以下であって、内径が例えば32mm以上288mm以下に設定されている。配線基板3の上下方向の長さは、例えば0.2mm以上2mm以下に設定されている。また、配線基板3は、例えば樹脂からなるプリント配線基板等の樹脂基板、或いはガラス基板、或いはアルミ基板等の金属板を用いることができる。なお、配線基板3は、筐体2に固定するための螺子孔が設けられている。そして、配線基板3と筐体2とを螺子等を介して固定することができる。配線基板3は、配線基板3の内外を電気的に導通する配線導体が形成されている。配線導体は、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、配線基板3となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層して一体焼成することにより得られる。なお、配線基板3の内外に露出する配線導体の表面には、酸化防止のためにニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。半導体発光装置4は、配線基板3上に実装される。半導体発光装置4は、チップ実装基板41と、チップ実装基板41上に設けられる発光素子42と、発光素子42を取り囲む枠体43と、枠体43で囲まれる領域に設けられる封止部材44と、枠体43によって支持され、接着部材45を介して枠体43に接続される波長変換部材46とを備えている。なお、発光素子42は、例えば発光ダイオードであって、発光素子42内のpn接合中の電子と正孔とが再結合することによって、光が放出される。チップ実装基板41は、配線基板3上に設けられる。配線基板3とチップ実装基板41とは、例えば半田または導電性接着剤を介して電気的に導通されるように接合される。チップ実装基板41は、例えばアルミナ、ムライトまたはガラスセラミック等のセラミック材料、或いはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、チップ実装基板41は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。チップ実装基板41の表面が拡散面である場合は、発光素子42から発せられる光が、チップ実装基板41の表面に照射されて拡散反射される。そして、発光素子42が発する光を拡散反射によって多方向に放射し、発光素子42から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。ここで、チップ実装基板41には、配線導体が設けられており、配線導体を介して配線基板3に電気的に接続されている。配線導体は、例えばタングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えばタングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、チップ実装基板41に所定パターンで印刷することにより得られる。発光素子42は、チップ実装基板41上に実装される。発光素子42は、チップ実装基板41上に形成される配線導体上に、例えば半田または導電性接着剤等の接着材料、或いはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。発光素子42は、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。なお、発光素子42の厚みは、例えば30μm以上1000μm以下である。発光素子42は、第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層とから構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えばIII族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII-V族半導体、あるいは窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下である。発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下である。第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子42では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発することができる。チップ実装基板41上には、発光素子42を取り囲むように枠状の枠体43が設けられている。枠体43は、チップ実装基板41上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体43は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の多孔質材料からなる。枠体43は、多孔質材料からなり、枠体43の表面は微細な孔が多数形成される。枠体43は、発光素子42と間を空けて、発光素子42の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体43は、傾斜する内壁面が下端から上端に行く従って外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体43の内壁面が、発光素子42から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体43の内壁面が拡散面である場合には、発光素子42から発せられる光が、枠体43の内壁面にて拡散反射する。そして、発光素子42から発せられる光は、特定箇所に集中されず、上方に向かって光を進行させることができる。また、枠体43の傾斜する内壁面は、例えばタングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、発光素子42の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体43の内壁面の傾斜角度は、チップ実装基板41の上面に対して例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。枠体43で囲まれる領域には、封止部材44が充填されている。封止部材44は、発光素子42を封止するとともに、発光素子42から発せられる光が透過する機能を備えている。封止部材44は、枠体43の内方に発光素子42を収容した状態で、枠体43で囲まれる領域であって、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂や透光性の絶縁ガラスを用いることができる。波長変換部材46は、枠体43に支持されるとともに、発光素子42と間を空けて対向するように設けられる。また、波長変換部材46は、発光素子42を封止する封止部材44と空隙を介して枠体43に設けられる。波長変換部材46は、接着部材45を介して枠体43に接合されている。接着部材45は、波長変換部材46の下面の端部から波長変換部材46の側面、さらに波長変換部材46の上面の端部にかけて被着している。接着部材45は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、接着部材45は、例えばポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。接着部材45の材料は、枠体43の熱膨張率と波長変換部材46の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択される。接着部材45の材料としてこのような材料を選択することで、枠体43と波長変換部材46とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ止めることができる。接着部材45が、波長変換部材46の下面の端部にまで被着することで、接着部材45が被着する面積を大きくし、枠体43と波長変換部材46とを強固に接続することができる。その結果、枠体43と波長変換部材46の接続強度を向上させることができ、波長変換部材46の撓みが抑制される。そして、発光素子42と波長変換部材46との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。波長変換部材46は、発光素子42から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部材46には、例えばシリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性樹脂、あるいは透光性ガラスから成り、その透光性樹脂中もしくは透光性ガラス中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部材46中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部材46の厚みは、例えば0.5以上3mm以下に設定されている。また、波長変換部材46の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部材46の厚みは、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、波長変換部材46の厚みの誤差が0.1mm以下のものを含む。波長変換部材46の厚みを一定にすることにより、波長変換部材46にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材46における輝度むらを抑制することができる。次に、半導体発光装置4上に設けられるリフレクター5について説明する。リフレクター5は、筐体2の環状溝G内に設けられ、環状に形成されている。リフレクター5は、半導体発光装置4が発する光を反射するものであって、例えばアルミ二ウム、銅またはステンレス等の金属材料、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料から構成されている。なお、リフレクター5は、金型によって成型されたポリカーボネート樹脂から成るリフレクター5の内壁面に、アルミニウムを蒸着することによって構成されてもよい。リフレクター5は、外径が例えば42mm以上298mm以下であって、内径が例えば32mm以上288mm以下に設定されている。リフレクター5の上下方向の長さは、例えば3mm以上30mm以下に設定されている。また、リフレクター5は、各半導体発光装置4を取り囲む態様で配置されている。なお、リフレクター5の熱伝導率は、例えば10W/mK以上500W/mK以下で設定されている。リフレクター5は、環状の部材に上下方向に貫通する複数の導光孔hと、下方に突出した支持部5sが設けられている。また、支持部5sは、リフレクター5の下面から下方に向かって突出した長さが、例えば0.5mm以上5mm以下に設定されている。リフレクター5は、配線基板3および半導体発光装置4上に設けられる。リフレクター5は、複数の導光孔hのそれぞれが、複数の半導体発光装置4のそれぞれに対応して配置されている。各半導体発光装置4から発せられた光は、その上方に位置するリフレクター5の導光孔hを通って光学部材6に集められる。導光孔hは、図8に示すように、上端の横断面および下端の横断面が楕円状であって、上端の横断面における楕円の中心C1と、下端の横断面における楕円の中心C2とがずれて設定されている。そして、下端の横断面における楕円の中心C2は、上端の横断面における楕円の中心C1からリフレクター5の内側の方向にずれて設定されている。これによって、導光孔hの中心軸Cが上部から下部に向かって貫通孔H側に傾いて形成されている。さらに、下端の横断面における楕円の長軸方向と、上端の横断面における楕円の長軸方向は、リフレクター5の中心とリフレクター5の外壁面とを結ぶ放射状の仮想線と一致するように設定されている。そして、下端の横断面における楕円の中心C2と半導体発光装置4の中心とを重なるように配置することで、導光孔hにて反射された、半導体発光装置4から筐体2の外側に放射される光は、半導体発光装置4の光軸方向に向けられて、半導体発光装置4から筐体2の外側に放射される光は、筐体2の外側に向かって広がるようにすることができる。なお、導光孔hの上端における楕円の長径は、例えば5mm以上50mm以下であって、導光孔hの下端における楕円の短径は、例えば3mm以上48mm以下に設定されている。なお、導光孔hの上端の横断面における楕円の中心C1と、導光孔hの下端の横断面における楕円の中心C2とのずれSは、例えば1mm以上20mm以下に設定されている。リフレクター5の導光孔hは、半導体発光装置4から導光孔hの出射口に向かうにつれて広がって形成されている。導光孔hの内周面で囲まれる領域が、導光孔hの出射口に向かうにつれて大きくなることで、リフレクター5によって半導体発光装置4の発する光を遮りにくくすることができ、半導体発光装置4の発する光の照射面積を広くすることができる。つまり、導光孔hは、導光孔hの内周面で囲まれる横断面の領域は、下部から上部に向かって広がるように形成されている。そして、導光孔hの下方に位置する半導体発光装置4が発する光を、導光孔hを通して、導光孔hの内壁面にて反射させて、上方に向かって進行させて、広がるように出射することができる。リフレクター5は、上下が光学部材6と配線基板3で挟まれて、側面が筐体2の内壁面にて挟まれて、固着されずに位置決めされることで、周囲から加わる熱応力を緩和することができる。その結果、リフレクター5は、半導体発光装置4に対して、リフレクター5が位置ずれしたり、歪んだり、反ったりするのを抑制することができ、半導体発光装置4が発する光を効果的に反射して、外部に取り出すことができる。リフレクター5は、支持部5sのみが配線基板3と当接するだけであって、リフレクター5の下面の多くが、半導体発光装置4が実装されている配線基板3と間を空けて設けられている。そのため、リフレクター5は、半導体発光装置4に入力される電力の一部が熱になって配線基板3を介してリフレクター5に伝わりにくくすることができる。その結果、リフレクター5が熱によって変形して、半導体発光装置4から放射される光が所望するように反射されなくなるのを効果的に抑制することができたり、リフレクター5の反射率が熱によって低下し、半導体発光装置4から放射される光が所望する出力で放射されなくなるのを効果的に抑制することができたりする。本実施形態に係る照明装置1は、各半導体発光装置4に対して各導光孔hのそれぞれが、導光孔hの中心が上部から下部に向かって筐体2の内側に位置ずれして形成されることで、導光孔hを介して下方から上方に向かって進行する光が外方に広がって放射される。そして、複数の半導体発光装置4を用いた環状に配置した照明装置1であっても、各半導体発光装置4が発した光が、照明装置1からの光で環状に照射される照射面の中央部において重なりにくくすることができ、光のにじみや照度分布のムラ、照射面に生じる照度の差を低減することができる。即ち、図7に示すように、リフレクター5は、半導体発光装置4から筐体2の内側に放射される光は、配線基板3に対する角度が大きく設定される筐体2の内側方向の反射面で半導体発光装置4の直上および筐体2の外側方向に反射される。また、半導体発光装置4から筐体2の外側に放射される光は、配線基板3に対する角度が小さく設定される筐体2の外側方向の反射面で筐体2の外側方向に反射される。結果、照明装置1からの光で環状に照射される照射面の中央部における光の重なりが低減されることにより、照明装置1の中央部の照度が大きくなり、中央部の周辺の照度が小さくなるといった照度分布のムラ、即ち照射面に生じる照度の差を低減することができる。筐体2の外側に位置する側壁2aの上部の高さ位置が、筐体2の内側に位置する側壁2bの上部の高さ位置よりも低く設定することで、内側から外側に向かって広がるように出射された光を筐体2の側壁2aで遮りにくくするとともに、筐体2の側壁2bで光を反射して光を外側に向かわせることができ、照明装置1の照射面を環状かつ一様に照射することができる。光学部材6は、筐体2の内側に位置する側壁2bと重ならず、筐体2の外側に位置する側壁2aと重なるように配置されている。即ち、光学部材6から内側方向に放射される光は、側壁2bによって外側に反射される。また、光学部材6から外側方向に放射される光は、側壁部2aで遮られることなく外側方向に放射される。結果、光学部材6を筐体2の内側よりも外側に配置することで、下方から上方に向かって進行する光を外側に広がるように進めることができる。半導体発光装置4の中心は、導光孔hの上部の中心よりも導光孔hの下部の中心に近くなるように設定されている。半導体発光装置4を導光孔hの下部の中心位置に合わせるようにすることで、半導体発光装置4の発した光の多くを導光孔hに通すことができるとともに、導光孔hの上部の中心と下部の中心、および半導体発光装置4の中心位置を結ぶ仮想線に対して線対称の光をリフレクター5より照射することができ、照明装置1の照射面における照度分布のムラ、即ち照射面に生じる照度の差を低減することができる。また、本実施形態に係る照明装置1によれば、配線基板3および半導体発光装置4の発した熱の伝熱しやすい方向が、筐体2の凹部pによって調整され、配線基板3および半導体発光装置4の発する熱を筐体2の内側に位置する側壁2bに伝わり難くしつつ、放熱部材7側に伝わりやすくすることができる。そして、筐体2の内側が高温になるのを抑制することができ、筐体2の内側に位置する部材に熱を伝わりにくくすることができ、筐体2の内側に位置する部材が熱によって、変色したり熱変形したりして劣化するのを抑えることができる。また、図5に示すように、凹部pが配線基板3の内側の側面と側壁2bに近接して形成されるとともに、リフレクター5における下端の横断面における楕円の中心が上端の横断面における楕円の中心より筐体2の内側に配置され、半導体発光装置4がリフレクター5の下端の横断面における楕円の中心と半導体発光装置4の中心とが重なるように配置される場合には、半導体発光装置4は配線基板3の中央部より筐体2の内側に配置される。結果、半導体発光装置4と側壁2bとの距離が短くなり、半導体発光装置4からの熱が側壁2bに伝わり易くなる。よって、凹部pが形成されることにより、半導体発光装置4からの熱は側壁2bに伝わり難くなり、側壁2bの温度上昇が抑制される。結果、半導体発光装置4からリフレクター5や光学部材6への熱の伝わりが抑制され、熱による変形や反射率の低下および透過率の低下を抑制することができる。また、凹部pは、上視平面において放熱部材7と重なる位置に形成されことにより、半導体発光装置4から放熱部材7に伝わる熱を調整することができる。即ち、半導体発光装置4からの熱による影響に応じて、側壁2bや放熱部材7、リフレクター5や光学部材6に伝わる熱を調整できる。結果、半導体発光装置4からの熱を筐体2や放熱部材7によって大気中に放熱しつつ、リフレクター5や光学部材6の変形や反射率および透過率の低下を抑制することができる。また、配線基板3の内側の側面は、筐体2の内側の凹部pと重なっていることで、配線基板3と凹部pとの距離を短くし、配線基板3の熱を効果的に放熱部材7に向かって熱引きすることができる。また、半導体発光装置4を取り囲むリフレクター5の支持部5sのみが配線基板3の上面と当接することで、半導体発光装置4から直接的にリフレクター5に伝わる熱を低減することができ、リフレクター5が熱によって温度が上昇し、半導体発光装置4から位置ずれするのを抑制することができたり、リフレクター6の反射率が熱によって低下することを抑制することができたりする。その結果、リフレクター5が半導体発光装置4の熱によって熱変形しにくくすることができるとともに反射率の低下を抑制することができ、所望する照射領域を照らし続けることが可能な照明装置1を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、図13に示すように、環状部材6aと、環状部材6a上に設ける複数のレンズ部6bを有した光学部材6としてもよい。レンズ部6bは、導光孔hのそれぞれに対応するように設けられる。そして、レンズ部6bを環状部材6aの中心よりも筐体2の内側に位置する側壁2bから離れた場所に設けてもよい。レンズ部6bを筐体2の外側に設けることで、導光孔hを通った光をさらにレンズ部6bを介して外方に向かって進行させることができる。<照明装置の製造方法>ここで、図1に示す照明装置の製造方法を説明する。まず、複数の半導体発光装置4を準備する。チップ実装基板41および枠体43が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。チップ実装基板41は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形され、枠体43は、型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前のチップ実装基板41および枠体43が取り出される。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出したチップ実装基板41となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体43は、所望の温度で焼結されることによって形成される。次に、チップ実装基板41上の配線パターンに発光素子42を半田を介して電気的に実装した後、発光素子42を取り囲むように枠体43を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体43で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、このシリコーン樹脂を硬化させることで、封止部材44を形成する。次に、波長変換部材46を準備する。波長変換部材46は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて、作製することができる。例えば、波長変換部材46は、未硬化の波長変換部材46を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることができる。そして、準備した波長変換部材46を枠体43上に、例えば樹脂からなる接着部材45を介して接着することで、半導体発光装置4を作製することができる。さらに、環状の配線基板3を準備する。配線基板3は、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、配線基板3に複数の半導体発光装置4を半田を介して電気的に実装する。次に、筐体2、リフレクター5および光学部材6を準備する。筐体2およびリフレクター5は、例えば、押出成形法によって一体に成形されている。しかしながら、必ずしも一体成形で形成する必要はなく、各部材を別個に製造して、これらを螺子等の締結手段で締結してもよく、また、各部材を接着剤で接着して一体化させてもよい。なお、リフレクター5には、例えばアルミニウム材料を用いて蒸着を行うことで、リフレクター5の表面を光が反射しやすい反射面にすることができる。光学部材6は、例えば、光学部材6の型枠にアクリル樹脂を溶かして注入し、冷却することで作製することができる。そして、半導体発光装置4を実装した配線基板3を筐体2の環状溝G内に収容し、その配線基板3上にリフレクター5をはめ込む。さらに、リフレクター5上に光学部材6を位置決めし、螺子を用いて光学部材6を筐体2に螺子止めすることで、照明装置1を作製することができる。