"電子源から放出された電子ビームを試料上に照射し、前記試料から発生する2次電子や反射電子に基づいて試料像を得る走査電子顕微鏡において、電子ビーム鏡体内に配置され、前記電子ビームをチルトするためのチルト偏向器と、前記電子ビーム鏡体内に配置され、前記電子ビームの非点収差の補正が可能な非点収差補正器と、前記電子ビームを収束して前記試料上に照射する対物レンズと、前記チルト偏向器と前記非点収差補正器を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記電子ビーム鏡体内の前記電子源から前記試料までの前記電子ビームの非点収差を第1の非点収差計測方法で計測し、前記対物レンズから前記試料周辺で発生する前記電子ビームの非点収差を第2の非点収差計測方法で計測することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記第1の非点収差計測方法は、前記制御部により前記非点収差補正器の強度を変化させながら得られる2次元画像の質から前記非点収差を求める方法であり、前記第2の非点収差計測方法は、前記制御部により前記電子ビームをチルトさせたときに生じる前記非点収差を計測する方法であり、前記制御部は、前記第1の非点収差計測方法により求めた前記非点収差と前記非点収差補正器の強度との関係と、前記第2の非点収差計測方法により求めた前記非点収差とに基づいて、前記非点収差補正器を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、前記制御部により前記非点収差補正器の強度を変化させながら得られる2次元画像の質から前記非点収差を求める前記第1の非点収差計測方法は、像シャープネス法であり、前記制御部により前記電子ビームをチルトさせたときに生じる前記非点収差を計測する前記第2の非点収差計測方法は、視差法であることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、前記制御部は、前記第1の非点収差計測方法より求めた非点収差と前記第2の非点収差計測方法より求めた非点収差を照合して、予め求めた換算式に基づいて、前記非点収差補正器の強度を変更することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、前記非点収差補正器は、前記チルト偏向器よりも前記電子線の進行方向の上流側に位置することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、前記チルト偏向器は、チルト方位に平行方向の視差と、前記チルト方位とは別のチルト方位に垂直方向の視差とを組み合わせて異なる方向の非点収差を求めることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項6に記載の走査電子顕微鏡において、前記非点収差と前記非点収差補正器の強度との関係を、高さあるいは深さの異なる複数の段差を備えた校正試料を用いて求めることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項7に記載の走査電子顕微鏡において、前記校正試料は、中央部に第1の段差を有し、前記第1の段差の周囲には前記第1の段差よりも小さな第2の段差を複数有することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項7に記載の走査電子顕微鏡において、前記第1の段差の高さあるいは深さと幅のアスペクト比は、前記第2の段差の高さあるいは深さと幅のアスペクト比よりも小さいことを特徴とする走査電子顕微鏡。電子源から放出された電子ビームを試料上に照射し、前記試料から発生する2次信号や反射電子に基づいて試料像を得る走査電子顕微鏡において、電子ビーム鏡体内に配置され、前記電子ビームをチルトするためのチルト偏向器と、前記試料上の前記電子ビームを2次元に走査する電磁レンズと、前記チルト偏向器や前記電磁レンズを制御する制御部と、を備え、前記電子ビーム鏡体内の前記電子源から前記試料までの前記電子ビームの焦点ずれを第1の焦点ずれ計測方法で計測し、前記電磁レンズから前記試料周辺で発生する前記電子ビームの焦点ずれを第2の焦点ずれ計測方法で計測することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項10に記載の走査電子顕微鏡において、前記第1の焦点ずれ計測方法は、前記制御部により前記電磁レンズの強度を変化させながら得られる2次元画像の質から前記焦点ずれを求める方法であり、前記第2の焦点ずれ計測方法は、前記制御部により前記電子ビームをチルトさせたときに生じる前記焦点ずれを計測する方法であり、前記制御部は、前記第1の焦点ずれ計測方法により求めた前記焦点ずれと前記電磁レンズの強度の関係と、前記第2の焦点ずれ計測手段により求めた前記焦点ずれに基づいて電磁レンズを制御することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項11に記載の走査電子顕微鏡において、前記制御部により前記電磁レンズの強度を変化させながら得られる2次元画像の質から前記焦点ずれを求める前記第1の焦点ずれ計測方法は、像シャープネス法であり、前記制御部により前記電子ビームをチルトさせたときに生じる前記焦点ずれを計測する前記第2の焦点ずれ計測方法は、視差法であることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項11に記載の走査電子顕微鏡において、前記制御部は、前記第1の焦点ずれ計測方法より求めた焦点ずれと前記第2の焦点ずれ計測方法より求めた焦点ずれを照合して、予め求めた換算式に基づいて、前記電磁レンズの強度を変更することを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項13に記載の走査電子顕微鏡において、前記チルト偏向器により4方向にチルトした際の視差の平均値を求めることで電子ビームの焦点ずれを計測することを特徴とする走査電子顕微鏡。しかし、これらの電子ビームをチルトさせたときに生じる電子ビームの位置ずれの変化から非点収差を計測する方法では、電子ビームをチルトした下方で発生している非点収差しか測定できないことにある。この方法では、電子ビーム鏡体によって発生する非点収差と、測定試料によって発生する非点収差の双方が存在する場合では計測、制御の精度が課題となっている。一方、発生する非点収差補正器の強度を変えながら補正画像の質を最適化する方法では、もっとも好ましい像を得るために条件を変化させて大量の画像を取得しなければならない。従って、この方法では、計測、制御にかかる時間が課題となっている。この2つの課題は、電子ビーム鏡体から発生する非点収差を、非点収差補正器の強度を変化させながら得られる2次元画像の質から求める第1の非点収差計測方法で計測し、試料付近で発生する非点収差を電子ビームをチルトさせたときに生じる電子ビームの位置ずれの変化から非点収差を計測する第2の非点収差計測方法で計測することにより解決できる。また、第1の非点収差計測により求めた非点収差と非点収差補正器の強度の関係を、第2の非点収差計測方法を用いて非点収差を求めることにより解決できる。本発明では非点収差補正器の強度を変化させながら得られる2次元画像の質から非点収差を求める方法と、電子ビームをチルトさせたときに生じる電子ビームの位置ずれの変化から非点収差を計測する方法を併用することで高速かつ高精度な非点収差計測や非点収差補正が可能となる。図1は、本発明の実施例で使用する走査電子顕微鏡の全体概略図である。電子銃101から放出された電子ビーム102はコンデンサレンズ103と電磁レンズ108によりホルダー110に固定された試料109上に結像される。本実施例では対物レンズは電磁レンズ108と、静電レンズ電極121と試料109間の電場により生じる静電レンズにより、主に構成されている。そして試料109から放出される2次電子や反射電子104は電子ビーム鏡体126の略中間にある検出器105により検出される。試料109上の電子ビーム102は電磁偏向器106により2次元に走査され、結果として2次元画像を得ることが出来る。2次元画像は装置全体の制御演算装置118で演算され、表示装置119に表示される。電子ビーム鏡体126には更に非点収差の補正が可能な非点収差補正器123と、電子ビームをチルトするためのチルト偏向器125が存在する。但し、電磁偏向器106とチルト偏向器125は共用も可能である。なお、電子銃101、コンデンサレンズ103、非点収差補正器123、チルト偏向器125、電磁偏向器106、電磁レンズ108、静電レンズ電極121、ホルダー110はそれぞれ、電子銃制御部111、コンデンサレンズ制御部112、非点収差補正器制御部122、チルト偏向器制御部124、電磁偏向器制御部114、電磁レンズ制御部115、静電レンズ電極制御部120、試料電圧制御部116を介して装置全体の制御演算装置118と各々接続され制御されている。また、装置全体の制御演算装置118には記録装置117を有している。図2は、図1に示す走査電子顕微鏡の電子ビーム鏡体126を詳細に示したものである。ここで、対物レンズ203は、図1では、電磁レンズ108と、静電レンズ電極121と試料109間の電場により生じる静電レンズにより、主に構成される。図2を用いて非点収差の計測および補正手順を示す。まず、電子ビーム鏡体126内部の電子源から試料までの電子ビームの非点収差は、非点収差補正器の強度を変化させながら得られた2次元画像の質から求める第1の非点収差計測方法以下、像シャープネス法と称すで計測及び補正する図2A。この非点収差はある程度安定であるので測定間隔は長くても良く、1回の測定に時間を掛けても問題とはならない。このときに用いる試料204は導電性のもので電子ビーム102に対して安定なものを用いる。次に導電性試料204に換えて、測定試料205を搬入し、対物レンズ203から測定試料205周辺の非点収差を電子ビームをチルト偏向器202によりチルトさせたときに生じる電子ビームの位置ずれの変化から非点収差を計測する第2の非点収差計測方法以下、視差法と称すで計測する図2B。走査電子顕微鏡でシリコンウエハ上の絶縁体試料、例えばレジストやシリコン酸化膜を計測する場合はプロセス工程の中で絶縁膜が電荷を取り込むので非点収差が発生する。この非点収差は測定するウエハやウエハ内の位置毎に異なるため、ウエハ内の測定点毎に非点収差を計測する必要がある。この場合は図2Bに示す視差法による高速な非点収差計測を用いることが有効である。なお、視差法は焦点ずれの計測にも用いることが可能である。視差法を含む2種類以上の補正手段を効率良く使い分けることは焦点補正にも有効であり、非点収差補正または焦点補正若しくはその双方の補正に適用が可能である。焦点補正については、実施例2で説明する。次に、計測した非点収差を非点収差補正器の強度に精度良くフィードバックする方法について説明する。像シャープネス法で計測した非点収差とそれを補正するために必要な非点収差補正器201の強度変化の関係を予め換算式として記憶装置117に記憶しておき、視差法で計測した非点収差を図2Cに示すように非点収差補正器制御部122により、非点収差補正器201にフィードバックする手段を設けた。この場合、視差法に用いる電子ビームをチルトする偏向器202は非点収差補正器201の下方に位置することが望ましい。もしチルト偏向器202の下方に非点収差補正器201を配置すると、電子ビーム鏡体の非点収差が変化して非点収差補正器201の強度が変化し、視差法で計測される非点収差が変化してしまうために、純粋に試料205に起因する非点収差を計測することが出来なくなってしまう。したがって、本実施例では図1に示すように非点収差補正器201はチルト偏向器202の上方に配置した。なお、本実施例では電子ビームの試料205上の位置を規定する偏向器図1に示す電磁偏向器106と電子ビームをチルトする偏向器202図1に示すチルト偏向器125を分けているが、試料205上の位置を規定する偏向器202の2段の強度や偏向方向を変えることで、両者の機能を兼用することも可能である。図3に視差法の校正手順を示す。図2と同一の符号については説明を省略する。まず、像シャープネス法を用いて非点収差計測用校正用試料501の非点収差を計測し、装置全体の制御演算装置118において非点収差の補正に必要な非点収差補正器123の強度変化を求める図3A。求めた強度変化は記憶装置117に格納する。次に視差法により非点収差を計測する図3B。同様に視差法により計測した非点収差を記憶装置に格納する。そして、像シャープネス法を用いて得られた非点収差補正器強度と、視差法を用いて得られた非点収差の2つの計測データを装置全体の制御演算装置118で照合し換算式を求める図3C。その後、換算式を用いて装置全体の制御演算装置118により演算して非点収差補正器制御部122から非点収差補正器201へフィードバックを行う。換算式は多項式近似で求められるが、非点収差には水平方向と垂直方向の2方向の成分があるため、ここでは換算式を2次元の線形マトリックスで表現している。また、測定の初期状態によってはオフセットが生じる可能性もあり、換算式にオフセット項を加えることも有効である。更に、校正範囲が大きなときは2次の多項式を用いる方法もある。ここまで述べてきた非点収差計測の使い分けを選択する画面は図1に示す表示装置119に表示される。図4にその選択画面301を示す。画面にはカラム測定時間選択302と試料測定方法選択303が表示されている。カラム測定時間選択302は、すぐに開始するモードから、ウエハ毎、ロット毎、日毎の頻度のことなるモードおよび、よりフレキシブルな運用に対してユーザが設定できるモードなど複数の選択肢を用意してある。電子ビーム鏡体126カラムに起因する非点収差の安定性は装置やその使用方法にも依存するため、ユーザがその頻度を画面上301で手動にて選択できるようにしている。試料測定方法選択303には像シャープネス法、視差法、なし、ユーザー設定の各モードがある。また、本実施例で用いる電子ビームをチルト偏向器125によりチルトする4つの方位は、0deg、90deg、225deg、315degである。方位が対称でないのは異なる方向の非点収差を測る必要があるためである。本実施例では、チルト方位と平行方向の視差と、異なるチルト方位と垂直方向の視差とを組み合わせて非点収差を求めた。この結果、視差の情報を最大限に活用し、精度良く非点収差を求めることが可能となった。具体的には、2つの平行方向の視差と2つの垂直方向の視差からそれぞれ、非点収差1=0deg平行視差-90deg平行視差-225deg垂直視差315deg垂直視差/2/チルト仰角非点収差2=0deg垂直視差-90deg垂直視差225deg平行視差-315deg平行視差/2/チルト仰角の式を用いて2つの方向の非点収差を求めた。図5にこの校正で用いた視差法校正試料501の構造を示す。視差法の校正には安定した非点収差を生じる試料が必要である。しかし、絶縁体試料を帯電させて非点収差を作成する従来方法では、電荷の拡散により非点収差が低減していくことや電子ビーム照射によって非点収差が変化することが安定した校正の阻害要因となる。この問題を解決するには、導電性試料を用いて非点収差を発生させることが望ましい。図5Aは校正試料の平面図、図5BはA-A’断面図である。試料600は深さまたは高さの異なる複数の穴による段差を有している。試料600の中央には1つの大きな深穴602があり、その周囲である校正マーク領域601内に中央の深穴602よりも小口径で浅穴603が複数配置されている。大きな深穴602は口径が1mm角で、100μmの深さ段差を有し、静電レンズ電極と試料600との間の段差近傍で静電リターディングポテンシャル606を湾曲させる。この湾曲により段差に対して非対称な電場が生じ、結果として非点収差が生じることになる。一方、校正マーク領域内601には図6に示す、校正用マークであるホールアレイ701、702の穴が形成されている。図6Aは平面図、図6BはA-A’断面図である。撮像倍率に応じて最適な校正マーク601の大きさが異なるために、異なる大きさのホールアレイ701、702をそれぞれの校正マーク領域内601に設けている。穴の深さは100nmと浅く、高倍での校正に用いる直径100nm程度の穴の形成が可能であり、これにより非点収差の計測を行うことが出来る。したがって、穴の深さ段差は大きな深穴602と比較して2桁以上の差が生じることになる。図7に本実施の形態で校正に用いた校正マーク領域の位置を示す。使用した位置は大きな深穴602を中心に4方位に並んでいる。方位11201と、方位21202は非点収差1を発生し、符合が反対となる。45度回転した方位となる方位31203と、方位41204は非点収差2を発生し、符合が反対となる。したがって、視差法の校正には最低限2方位、望ましくは4方位の校正マークが必要となる。以上のように穴の機能を使い分けることで安定した非点計測が可能となる。なお、静電リターディングポテンシャル606を湾曲させるためには大きな深穴602の口径と段差のアスペクト比は低いほうが良く、非点収差の計測精度を上げるためにはアスペクト比は高いほうが良い。したがって、大きな深穴602のアスペクト比が、小口径で浅穴603のアスペクト比より小さいことが好ましい構造である。また、静電リターディングポテンシャル606を湾曲させることや非点収差を計測するためには段差は穴でなく突起でも実現できる。なお、本実施例では四角い穴を用いたが、発生させる非点収差の大きさの方位依存性をより小さくするためには円形の穴とすることも有効である。また、簡便な方法として図8に示す試料の端部605を利用した方法がある。すなわち、非点収差計測用の複数の小口径で浅穴603の端に浅穴603の深さよりも大きい段差の端部605を有する構造である。この構造では非点収差の変化に偏りが出る欠点が存在するが、計測する非点収差が小さい場合には有効に機能する。図9に視差法校正のフローチャートを示す。まず、オペレータは校正試料上の計測すべき座標を手動で入力し、記憶装置に登録するS1。次に、大きな深穴602あるいは大きい段差の端部605から充分離れている校正マーク領域601にチルト偏向器制御部124により、電子ビームを起因した非点収差のない座標へ移動するS2。そこで像シャープネス法により非点収差補正を行っておくS3。更に4方位のチルトビーム形成条件を調整したのちS4、チルト偏向器制御部124により、電子ビーム102を非点収差のある座標へ移動するS5。その座標で像シャープネス法による非点計測値は非点収差補正器123の強度変化として得られるS6と、視差法による非点計測を行うS7。非点収差のある座標での計測は登録点の数だけ行うことになる。このようにして得られた複数のデータから、装置全体の制御演算装置により非点収差補正器の強度変化と第2の非点収差計測方法による非点収差の変換行列を求めるS8。この結果、第2の非点収差計測方法により計測した非点収差を非点収差補正器制御部122により非点収差補正器にフィードバックすることが可能となる。また実施例では、計測すべき座標は複数の向きに、大きな深穴602や端部605から離れて行くように選択した。これにより試料上で生じる可能性のある様々な非点収差に対応することが容易となる。本実施例では視差法の校正を行う頻度は選択できるようにしている。校正を行う頻度は、装置に求める精度と装置の安定度に依存して行う。図10に校正動作選択1002の表示画面1001を示す。直ぐに開始するモードから、日毎、週毎、月毎等、頻度の異なるモード、ユーザが設定できるモードなど複数の選択肢を用意してある。また、この校正試料501,600の設置方法として図11の2通りとした。図11Aは静電チャック1103を用いた場合である。この場合はステージ1101から出入りするものは測定試料1102しかないので、視差法校正試料1104はステージに設置している。これに対して図11Bは試料ホルダー1105を用いた場合である。この場合は試料ホルダー1105もステージから出入りすることになるために、視差法校正試料1104は試料ホルダー1105上に設置している。以上の手段を用いることで視差法を非点収差補正に適用することが可能となった。また、これらの動作は各制御部により自動で行うことが可能である。これにより、従来は1測定点当たり3秒必要であった非点収差補正動作を1秒にまで短縮することが出来た。また、ラインパターンの端のように像シャープネス法での非点収差の計測が困難なパターン領域での計測再現性も向上し、非点収差200nmの再現性を得ることが出来た。これにより、非点収差補正に用いることの出来るパターンの自由度を大きく広げることが可能となった。第2の実施例を図1に示す走査電子顕微鏡の全体概略図に従って説明する。電子銃101から放出された電子ビーム102はコンデンサレンズ103と電磁レンズ108により試料109上に結像される。本実施の形態では対物レンズは電磁レンズ108と、静電レンズ電極121と試料109間の電場により生じる静電レンズにより、主に構成されている。そして、対物レンズの一部である電磁レンズ108の強度を変えることで電子ビームの焦点位置を変化させることが出来る。視差法では非点収差のみならず、焦点ずれを計測することも可能である。焦点ずれはチルト偏向器202により4方向にチルトした際の視差の平均値を求めることで計測できる。より具体的には以下の式を用いることになる。焦点ずれ=0deg平行視差90deg平行視差225deg平行視差315deg平行視差/4/チルト仰角この方法は非点収差計測に用いられる計測データと同じものを用いるために、非点と焦点の同時計測が可能であるといえる。計測した焦点ずれは電磁レンズ制御部により、電磁レンズ108にフィードバックすることで補正が可能となる。もし、焦点ずれ計測のみでよければ4方向である必要はない。例えば2方向のチルトのみで以下の式を用いることは可能である。焦点ずれ=0deg平行視差180deg平行視差/2/チルト仰角この方法を用いれば焦点補正に限定されるが、方向数の少ない分、より高速な計測が可能となる。図12に本実施例での焦点ずれの計測および補正手順を示す。図2に示す非点収差の計測および補正手順と同様な構成の説明は省略する。まず、電子ビーム鏡体カラム内部の電子光学素子による焦点ずれは、導電性試料204に電子ビームを照射して、像シャープネス法第1の焦点ずれ計測方法により2次元画像の質を評価することで焦点ずれ計測及び対物レンズ203を制御しながら焦点ずれを補正する図12A。この焦点ずれは、ある程度安定であるので測定間隔は長くても良く、1回の測定に時間を掛けても問題とはならない。このときに用いる導電性試料204は電子ビームに対して安定なものを用いる。次に測定試料205を搬入し、対物レンズ203から測定試料205周辺の焦点ずれを電子ビームをチルト偏向器によりチルトさせたときに生じる電子ビームの位置ずれの変化から視差法により計測する図12B。走査電子顕微鏡でシリコンウエハ上の絶縁体試料、例えばレジストやシリコン酸化膜を計測する場合はプロセス工程の中で絶縁膜が電荷を取り込むので焦点ずれが発生する。この焦点ずれは測定するウエハやウエハ内の位置により異なるため、測定点毎に焦点ずれを計測必要がある。従って、この場合は図12Bに示す視差法第2の焦点ずれ計測方法による高速な焦点ずれ計測を用いる。計測結果は図12Cに示すように換算式を用いて制御部から対物レンズ203へフィードバックする。なお、視差法は非点収差の計測も同時に出来るので非点収差の非点補正器201へのフィードバックも同時に可能である。また、焦点ずれの原因が測定試料205の帯電であることが明らかな場合は測定試料205に印加する電位を試料電圧制御部116により変化させることで焦点補正を行うことも可能である。"