"第1遮光部と画素電極とを備える第1基板と、前記第1基板と対向し、第2遮光部を備える第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とに挟持された液晶層と、を備え、前記第1基板は、前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと前記液晶層の液晶分子を第1方向に配向する第1配向膜とを含み、前記第2基板は、前記液晶層の液晶分子を前記第1方向と交差する第2方向に配向する第2配向膜を含み、前記画素電極は、前記画素電極の隅部において、前記第1方向に沿う一辺から平面視で前記第2方向に突出する突出部を備え、前記画素電極と前記トランジスターとを電気的に接続するためのコンタクトホールおよび前記突出部は、平面視で少なくとも前記第1遮光部または前記第2遮光部における前記第1方向に延在する遮光部と前記第2方向に延在する遮光部との交差領域と重なり、前記コンタクトホールの少なくとも一部は前記突出部と平面視で重なることを特徴とする液晶装置。請求項1に記載の液晶装置であって、前記突出部は、前記液晶層の液晶分子の前記第1基板側のプレチルトの立ち上がり方向と反対側の前記画素電極の隅部において、前記液晶層の液晶分子の前記第2基板側のプレチルトの立ち上がり方向に向かって突出するように配置したことを特徴とする液晶装置。請求項1または2に記載の液晶装置であって、前記画素電極は、前記第1方向の起点側の前記一辺において前記突出部と対向する側に切り欠き部を備えていることを特徴とする液晶装置。請求項1~3のいずれか一項に記載の液晶装置であって、前記コンタクトホールは前記第1基板の平面視で、前記突出部内に収められていることを特徴とする液晶装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。しかしながら、段差を制御するには製造プロセスを追加する必要があり、液晶を用いた場合の長所となる製造コストに対して不利になるという課題があった。また、段差を制御する工程を増やすことで、歩留まりが低下するという課題があった。また段差を作るプロセスでは、段差の部分で配向が乱れ、黒表示状態でも光が漏れ出てしまうという課題があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる液晶装置は、第1遮光部と画素電極とを備える第1基板と、前記第1基板と対向し、第2遮光部を備える第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とに挟持された液晶層と、を備え、前記第1基板は、前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと前記液晶層の液晶分子を第1方向に配向する第1配向膜とを含み、前記第2基板は、前記液晶層の液晶分子を前記第1方向と交差する第2方向に配向する第2配向膜を含み、前記画素電極は、前記画素電極の隅部において、前記第1方向に沿う一辺から平面視で前記第2方向に突出する突出部を備え、前記画素電極と前記トランジスターとを電気的に接続するためのコンタクトホールおよび前記突出部は、平面視で少なくとも前記第1遮光部または前記第2遮光部における前記第1方向に延在する遮光部と前記第2方向に延在する遮光部との交差領域と重なり、前記コンタクトホールの少なくとも一部は前記突出部と平面視で重なることを特徴とする。これによれば、画素電極の配向性を揃えることが可能となる。詳細な機構については不明であるが、突出部を形成し、かつコンタクトホールの少なくとも一部をこの突出部と重ねることで、突出部がコンタクトホールでの配向性の乱れを緩衝するので配向性の乱れを抑えるものと推測している。なお、この機構はあくまで推定であり、機構の解釈は異なっている場合もありうるが、突出部を形成し、かつコンタクトホールの少なくとも一部を突出部と重ねることで実験的には配向性が揃うことを確認している。[適用例2]上記適用例にかかる液晶装置であって、前記突出部は、前記液晶層の液晶分子の前記第1基板側のプレチルトの立ち上がり方向と反対側の前記画素電極の隅部において、前記液晶層の液晶分子の前記第2基板側のプレチルトの立ち上がり方向に向かって突出するように配置したことを特徴とする。上記した適用例によれば、このように突出部を形成することで、配向方向を揃えることが可能となり、より均一性に優れた光制御を行うことが可能となる。[適用例3]上記適用例にかかる液晶装置であって、前記突出部を前記第2方向の終点側に向かって突出するように配置したことを特徴とする。上記した適用例によれば、このように突出部を形成することで、配向方向を揃えることが可能となり、より均一性に優れた光制御を行うことが可能となる。[適用例4]上記適用例にかかる液晶装置であって、前記コンタクトホールは前記第1基板の平面視で、前記突出部内に収められていることを特徴とする。上記した適用例によれば、このようにコンタクトホールを形成することで、配向性に劣るコンタクトホールと画素電極とを離すことができる。そのため、コンタクトホールの配向性の乱れの画素電極への伝播を抑制することが可能となる。[適用例5]本適用例にかかる電子機器は、上記した液晶装置を備えることを特徴とする。上記した液晶装置は、配向性の乱れが従来の液晶を用いた場合と比べ少ない。そのため、高い画像品質を持った電子機器を提供することが可能となる。以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す図面の縮尺は、説明の都合に合わせて適宜変更して記載している。液晶装置の構成図1aは、液晶装置の構成を示す平面図、図1bは、液晶装置の図1aでのA-A’線断面図、図1cとdは、画素電極の平面図である。液晶装置200は、表示部100とフレキシブルプリント基板FPC160を備えている。そして、液晶装置200には、例えば黒再現性に優れ、かつ低コスト化が図れるTN液晶を用いることが好適である。表示部100は、第1基板としてのTFTアレイ基板120と第2基板としての対向基板140とを対向させて設けられている。そしてTFTアレイ基板120と対向基板140との間には液晶層130が挟持されている。なお、図1aでは、TFTアレイ基板120は対向基板140の影になり、隠れることとなるが、引き出し線の一部を点線として記載している。図1bに示すように、TFTアレイ基板120は、対向基板140側の面に、TFTアレイ基板本体120a、画素電極121R,121G,121B、第1配向膜122を備えている。なお、図1bでは、TFTアレイ基板120を図面下側、対向基板140を図面上側として図示している。この場合光Lは偏光方向を変えながら対向基板140側からTFTアレイ基板120に向かう方向に抜けることとなる。TFTアレイ基板本体120aは、各々島状に分離された複数の画素電極121R,121G,121B、第1配向膜122を支えている。画素電極121R,121G,121Bは、対向電極142との間での液晶層130の厚み方向での電位差を制御することで、液晶層130の配向を制御し光透過率を制御している。第1配向膜122は、TFTアレイ基板120側の面に、液晶層130が第1方向としての配向方向をとるよう制御している。なお、TFTアレイ基板120が備える第1遮光部127図3参照については後述するTFTアレイ基板の構成で説明する。対向基板140は、対向基板本体140a、カラーフィルター141R,141G,141B、第2遮光部としてのブラックマトリックスBM、対向電極142、第2配向膜143を備えている。対向基板本体140aは、カラーフィルター141R,141G,141B、第2遮光部としてのブラックマトリックスBM、対向電極142、第2配向膜143を支えている。カラーフィルター141R,141G,141Bは、画素電極121R,121G,121Bにより光強度が制御された光のうち、カラー表示が行われるよう、各々の色表示に合った波長の光を通す機能を備えている。ブラックマトリックスBMは、例えば表示に不要な部分や、表示することで画質を落としてしまう部分を隠し、画質を高める機能を備えている。対向電極142は、画素電極121R,121G,121Bに対してと対向する位置にあり、基準となる電位を提供することで、液晶層130の配向を制御し光透過率を制御している。第2配向膜143は、液晶層130が第2方向としての配向方向をとるよう制御している。そして、図1c,dに示すように、第1配向膜122の配向方向122aの起点側図面では、下側に対応するに備えられ、第2配向膜143の配向方向の起点側または終点側のいずれかの方向に揃えて各々同じ向きに、画素電極121の片側を拡張した突出部125を含む。そして、コンタクトホール18は突出部125の少なくとも一部と重なる位置に配置されている。コンタクトホール18は各々の画素電極121の電位を制御するために備えられている。コンタクトホール18を介した画素電極121の電位制御には、後述するトランジスターとしてのTFT素子9が用いられる。TFT素子9は、例えばガラス基板を覆う半導体層をパターニングし、ゲート酸化膜形成、ゲート電極形成、LDDイオン注入、ソースドレインイオン注入を行うことで形成される。そして、後述するように、TFT素子9のソースには時間的に変動する電圧が加えられる。そして、ゲートに走査信号が送られてきたときに、ゲート下の半導体層チャネルが導通しソースのその時点でのソースの電圧をドレインに送る。そして走査信号が停止した状態では、ドレインはサンプリングパルス中にソースから伝えられた電位を、次の走査信号が来るまで保持している。TFT素子9をマトリックス状に展開して、画素を形成する構造については後述する。また、画素電極121は、画素電極121における配向方向の起点側図面下側に位置し、突出部125と向き合う領域を切り欠いた平面形状を有する切り欠き部126を備えている。コンタクトホール18での液晶層130の挙動については、後述するTFTアレイ基板の構成で説明する。なお、切り欠き部126を備えていることは必須ではなく、矩形状の構造点線で示すを備えていても良い。上記したように、コンタクトホール18の少なくとも一部を突出部125に収めることで、突出部125が無い場合に比べて配向性の乱れを低く抑えることができる。なお、表示部100を挟む偏光板等については、図示を省略している。電気的な駆動方法:横電界の発生機構次に、液晶装置200の画素電極121R,121G,121Bの電位を制御する電気的な構成について説明する。続けて、隣り合う画素電極121間での電界横電界発生機構について説明する。図2は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。液晶装置200の表示部100には、複数の画素60がマトリックス状に配置されていると共に、複数のデータ線5及び複数の走査線6が格子状に配置されている。画素60は、それぞれ異なる色、例えば一点鎖線領域に示すようにR、G、Bの各色の光を出力する3つのサブ画素61を有している。画素60を構成するR、G、B3色の各サブ画素61は、一方向本例では走査線6の延在方向に沿ってこの順に配置されている。各サブ画素61は、画素電極121と、画素電極121をスイッチング制御するためのTFT素子9と、を備えている。TFT素子9において、ソース9sは、データ線5と電気的に接続され、またゲート電極9gは、走査線6と電気的に接続され、さらに、ドレイン9dは配線70を介して画素電極121と電気的に接続されている。なお、以降の説明では、色情報を重視することはないので、画素電極121R,121G,121Bを画素電極121で代表させる。TFT素子9は、例えばガラス基板を覆う半導体層をパターニングし、ゲート酸化膜形成、ゲート電極形成、LDDイオン注入、ソースドレインイオン注入を行うことで形成される。そして、後述するように、ソースには時間的に変動する電圧が加えられる。各データ線5は、データ線駆動回路10より供給される画像信号S1、S2、...、Snをサブ画素61に供給する。この画像信号S1、S2、...、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、或いは、隣り合うデータ線5同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。各走査線6は、走査線駆動回路11より供給される走査信号G1、G2、...、Gmをサブ画素61に供給する。また、この走査信号G1、G2、...、Gmは、走査線6に所定のタイミングでパルス的に、この順に線順次で印加される。以上の構成によれば、画素電極121を介して液晶層130に書き込まれた画像信号S1、S2、...、Snは、対向基板140が備える対向電極142図1b参照との間で一定期間保持される。これにより、液晶層130の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層130内の液晶分子130a図4参照の配向状態が制御されることとなる。これにより、表示部100内において所望のカラー画像を表示することができる。また、対向電極142は、通例7V程度の一定電位を保っており、画素電極121に加えられる電圧は、この電圧に対して最大振幅が例えば±5V程度の交流駆動を行っている。このように交流駆動を行うことで、不純物イオンが溜まることで生じる、焼き付き現象の発生を抑えることができる。ここで、隣り合う画素電極121間で、輝度が異なる表示をした場合、画素電極121と対向電極142との間での電界に加え、隣り合う画素電極121の間に電界横電界が発生することとなる。この電界と、後述するコンタクトホール18での配向性の乱れにより、画素電極121により駆動される液晶層130の配向状態が影響を受け、画質が低下する場合がある。例えば、画像信号S1と走査信号G1とにより画素電極121Rが12Vに設定され、画像信号S2と走査信号G1とにより画素電極121Gが7Vに設定された場合、画素電極121Gと画素電極121Rとの電位差は5Vとなる。この電位差は、縦方向の駆動電圧に起因する電位差と同等の値を持つ。この電位差に起因する横電界により配向が乱れ、画素電極121Rの黒表示が浮くと共に、画素電極121Gの白表示が暗くなる場合がある。この配向性の乱れは、詳細な機構は未だ不明な部分があるが、コンタクトホール18図3参照での配向性の乱れと横電界に依存するものと推測している。例えば、コンタクトホール18での配向性の乱れを突出部125で緩衝しているような機構が考えられる。TFTアレイ基板の構成図3は、TFTアレイ基板の概略断面図である。TFTアレイ基板120は、TFT素子9、データ線5、ドレイン9d、中継線15、中継線16、中継線17中継線15、中継線16、中継線17は図2におけるドレイン配線70に相当する、コンタクトホール18、画素電極121、第1配向膜122を備える。図3に描いた領域は、電気的な駆動方法で示した一つのサブ画素61に相当する。TFTアレイ基板120の断面構造はかなり複雑であるため、本実施形態に関わる、画素電極121に電位を伝える部分と、コンタクトホール18に関する部分について主に説明する。即ち電気的な駆動方法で説明した部分について主として説明する。ここで、TFT素子9は、ソース9s、ゲート電極9g、ドレイン9dを備えている。TFT素子9は、下側遮光膜20上記した説明では走査線6を兼ねるを含めて第1遮光部127として用いている。データ線5に与えられた制御電位は、ソース9sに伝えられる。そして、ゲート電極9gに走査線駆動回路11図2参照から選択信号が送られたときに、TFT素子9のチャネルが開き、ソース9sの電位がドレイン9dに伝達される。なお、図中矢印→は、電荷の移動方向を示している。ここで、ソース9sの電位条件によっては、電荷の移動方向が反転する場合がある。ドレイン9dに伝えられた電位は、中継線15、中継線16、中継線17を通ってコンタクトホール18に伝わり、コンタクトホール18を介して画素電極121に電位が伝達される。そして、第1配向膜122の配向方向に従って液晶層130図1参照の配向状態を制御する。コンタクトホール18は、他の部分と比べ窪んでおり、この領域に位置する液晶層130図1参照は、この窪みにより配向性が乱された状態となっている。そのためコントラスト比を向上させるために、コンタクトホール18は、TFTアレイ基板120の平面視で、TFTアレイ基板120に用いられるアルミニウム合金等の遮光部材による第1遮光部127または対向基板140図1参照のブラックマトリックスBMと重なる場所に形成されている。ツイスト方向と画素電極形状との関係以下、図4、図5を用いて液晶分子130aのツイスト方向と画素電極121との関係について説明する。図4、図5はツイスト方向と画素電極の形状および配置について説明するための模式平面図である。なお、図4、図5においては、対向基板140を通してTFTアレイ基板120を見る方向で図示している。なお、TFTアレイ基板120は対向基板140の裏側にくるため、引き出し線を一部点線で示している。図4、図5に示すように、第1配向膜122の配向方向122aがFPC160から、表示部100に向かう方向に配向している場合即ち、第1配向膜122に対して、液晶分子130aの立ち上がり方向と反対側を向いている場合、突出部125は液晶分子130aのプレチルトの立ち上がり方向と反対側となる画素電極121の隅部に設けられることが好適である。換言すれば、突出部125を配向方向122aの起点となるFPC160側に備えることが好ましい。そして、FPC160から、表示部100に向かう方向この場合ではTFTアレイ基板120の配向方向をY上方向、逆方向をY-下方向とする。そして、対向基板140側から、TFTアレイ基板120共に図1b参照を見る向きに対して、対向基板140の平面視で上方向と直交し、右側に向かう方向をX右方向とし、左側に向かう方向をX-左方向として方向を定義する。このように方向を定義すると、図4に示すように液晶分子130aが右ツイスト右側に向かう方向に回転していくを取る場合、画素電極121は、図示下側Y-方向側に位置し、右側X方向側を広げた突出部125を備えるとともに、突出部125とコンタクトホール18とをTFTアレイ基板120の平面視で一部を重ねることで、配向性の乱れを抑えることが可能となる。ここで、第2配向膜143の配向方向143aを図示左から右X-からX方向に取った場合、液晶分子130aが右ツイストを取る。換言すれば、突出部125は第2配向膜143の配向方向143aの終点側に揃えて配置し、TFTアレイ基板120の平面視でコンタクトホール18を少なくとも一部を突出部125内に収めることが好適となり、配向性の乱れを抑制できる。なお、コンタクトホール18や、突出部125は第1遮光部127またはブラックマトリックスBMと重なるため、本来は見えないが、説明の都合上半透過させた状態で図示している。また、同様に方向を定義すると、図5に示すように液晶分子130aが左ツイスト左側に向かう方向に回転していくを取る場合、画素電極121は、図示下側Y-方向に位置し、左側X-方向を広げた突出部125を備えるとともに、突出部125とコンタクトホール18とをTFTアレイ基板120の平面視で一部を重ねることで、同様に配向性の乱れを抑えることが可能となる。ここで、第2配向膜143の配向方向143aを右→左に取った場合、液晶分子130aが左ツイストを取る。換言すれば、突出部125は第2配向膜143の配向方向143aの終点側に揃えて配置すると共にTFTアレイ基板120の平面視でコンタクトホール18を少なくとも一部を突出部125内に収めることが好適となり、配向性の乱れを抑制できる。まとめると、対向基板140を通してTFTアレイ基板120を見る方向で見て、突出部125を第2配向膜143の配向方向143aの終点側に揃えて配置し、かつTFTアレイ基板120の平面視でコンタクトホール18を少なくとも一部を突出部125内に収めることが好適となる。即ち、第2配向膜143の配向方向143aに対してプレチルトの立ち上がり方向に沿って、突出部125を形成することが、配向性を揃えるために好適である。図6a,bは、TFTアレイ基板の平面視で突出部内にコンタクトホールを収めた場合の平面図である。図6a,bに示すように、TFTアレイ基板120の平面視で突出部125内にコンタクトホール18を収めることも好適である。この場合、液晶分子130a図4参照の配向方向を乱すコンタクトホール18を含む領域は、画素電極121から離されることとなる。そのため、コンタクトホール18を含む領域における配向性の乱れが画素電極121へ伝播することを抑制することが可能となる。ここで、図6aでは、液晶分子130a図4参照が右ツイスト右側に向かう方向に回転していくを取る場合について図示している。図6aは、図4の、点線により結ばれた画素電極121を含む平面図と、交換可能な平面形状を備えた平面図を図示している。そして、図6bは、図5の、点線により結ばれた画素電極121を含む平面図と、交換可能な平面形状を備えた平面図を図示している。また、図4~図6では、画素電極121は、突出部125と向き合う領域に切り欠き部126を備えている。このようにすることで、突出部125を形成しても隣り合う画素電極121との電気的ショートを防いで画素電極121同士を近づけて配置することができる。そのため、精細度を保った状態で配向性の乱れを抑えることが可能となる。以下、画素電極121に突出部125を設け、突出部125の少なくとも一部にコンタクトホール18をTFTアレイ基板120の平面視で重ねた場合における配向方向の乱れ具合について測定した実験結果について示す。図7は従来型の構成を取った場合の配向性の乱れと、本実施形態を適用した場合の配向性の乱れを示すマップである。ほぼ中央を分岐として、配向の乱れ方は大きく異なっていることが示される。紙面左側の図a側は本実施形態を適用した場合の配向状態を示すものであり、紙面右側b側は、従来型の構成を取った場合の配向状態を示している。なお、この試料は、プロセス条件等による変動を避けるため、同一基板の左右でマスクパターンを作り分けて製造しているので、他の要因による配向性の乱れの影響は実用上無いものと考えられる。図7a側は、配向性の乱れは殆ど観察されていない。即ち、ムラが少ない。対して図7b側は、配向性の乱れがあり、明るく見える輝点がかなりの密度で見受けられる。この実験結果から、本実施形態を適用することで配向性の乱れを抑える効果があることが示される。詳細な機構については不明であるが、突出部125を形成し、かつコンタクトホール18の少なくとも一部を突出部125と重ねることで、コンタクトホール18での配向性の乱れを突出部125が緩衝することで、配向性の乱れを抑えるものと推測している。上記した液晶装置は、以下の効果を奏する。従来技術では、コンタクトホールやその周辺に段差を設けることで配向性の乱れを抑えていたため、製造工程が増え液晶装置の製造コストが高額なものとなるが、本実施形態を適用した場合、図4、図5に示すように画素電極121のパターンを変えるだけでよいため、製造工程の増加なしで液晶層130の乱れを抑えることができるため、液晶装置のコストメリットを保ちつつ画像品位を向上させることができる。図4、図5に示すように、画素電極121のパターンを変えるだけで良いので、製造条件の最適化等を必要とせず、そのまま商品とできるため、開発期間も短縮できる。加えて、製造工程を増やさないことから、歩留まりを落とす要因がない。そのため、歩留まりを保った状態で画像品位を向上させることができる。図4、図5に示すように、TFTアレイ基板120の平面視で、コンタクトホール18と突出部125とを、TFTアレイ基板120が備える第1遮光部127または対向基板140のブラックマトリックスBMの影の内部に収めるため、配向性が乱れているコンタクトホール18、及びその影響を受けている突出部125からの光の漏れは隠されるため、画像品位を落とさずに、配向性の乱れを抑えることができる。図4、図5、図6に示すように、TFTアレイ基板120の平面視で、コンタクトホール18を突出部125に収めることで、コンタクトホール18は画素電極121の略矩形の部分から離れることとなる。そのため、より確実に配向性の乱れを抑制することができる。図4、図5に示すように、切り欠き部126を備えることで、隣り合う画素電極121を、突出部125を形成した場合においても近接して配置できることから、画素電極121の集積度を落とさずに配向性の乱れを抑制することができる。図4に示すように、第2配向膜143の配向方向143aを紙面左から右に配向させることで、液晶層130が右ツイスト液晶分子130aが右回りとなる。この場合、突出部125を図面右側第2配向膜143の配向方向143aの終点側に揃えて配置し、TFTアレイ基板120の平面視でコンタクトホール18を少なくとも一部を突出部125内に収めることが好適となり、配向性の乱れを抑制できる。同様に左ツイストの場合には、図5に示すように、突出部125を図面左側第2配向膜143の配向方向143aの終点側に置くことで配向性の乱れを抑制できる。換言すれば、突出部125は第2配向膜143の配向方向143aの終点側に揃えて配置し、TFTアレイ基板120の平面視でコンタクトホール18を少なくとも一部を突出部125内に収めることが好適となる。電子機器以下、上記した液晶装置200を搭載した電子機器について、図8を参照して説明する。図8a~cは液晶装置を搭載した電子機器について説明するための斜視図である。まず、図8aに、液晶装置200を備えたモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す。パーソナルコンピューター2000は、液晶装置200と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。図8bに、液晶装置200を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての液晶装置200を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、液晶装置200に表示される画面がスクロールされる。図8cに、液晶装置200を適用した情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistantsの構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての液晶装置200を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置200に表示される。なお、液晶装置200が搭載される電子機器としては、図8に示すものの他、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のブルーレイレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、液晶装置200が適用可能である。なお、ここまで直視型の電子ビューファインダーを例にとって説明したが、これはプロジェクター等にも応用可能である。具体的には、ブラックマトリックスを残し、画素電極を略正方形にすることで対応できる。カラー化は、主に液晶装置200の外部で、ダイクロイックミラー等を用いて単色化されるので、カラーフィルター141R,141G,141B図1参照は不要となる。本実施形態における電子機器は、上述した実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。廉価で、しかも配向性の乱れが従来のモード液晶を用いた場合と比べ少ない液晶装置を用いることで、廉価で、かつ高い画像品質を持った電子機器を提供することが可能となる。"