回路パターンが形成されたコア層にソルダーレジストを積層してソルダーレジスト層を形成する段階と、ソルダーレジスト層の上面にシード層を形成する段階と、シード層の上面にドライフィルムを積層してドライフィルム層を形成する段階と、ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層を同時に加工してホールを形成する段階と、前記ホールに銅充填メッキを行い、シード層及びドライフィルム層を除去して銅ポストバンプを形成する段階と、を含む微細ピッチバンプを備えた基板製造方法。前記ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層に形成されたホールの幅が互いに同一であるようにホールを形成することを特徴とする請求項1に記載の微細ピッチバンプを備えた基板製造方法。前記回路パターンは、コア層の上面または下面に形成されることを特徴とする請求項2に記載の微細ピッチバンプを備えた基板製造方法。前記ソルダーレジストは、コア層の上面または下面に積層されることを特徴とする請求項3に記載の微細ピッチバンプを備えた基板製造方法。回路パターンが形成されたコア層と、コア層の上面または下面に積層されたソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層の上面に形成されたシード層と、前記シード層の上面に形成されたドライフィルム層と、前記ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層を貫通するホールと、前記ホールに銅充填メッキによって形成される銅ポストバンプと、を含む微細ピッチバンプを備えた基板。前記ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層に形成されたホールの幅が互いに同一であるようにホールを形成することを特徴とする請求項5に記載の微細ピッチバンプを備えた基板。前記回路パターンは、コア層の上面または下面に形成されることを特徴とする請求項6に記載の微細ピッチバンプを備えた基板。前記ソルダーレジスト層は、コア層の上面または下面に積層されることを特徴とする請求項7に記載の微細ピッチバンプを備えた基板。従って、本発明は上述の問題点を解決するために導き出されたものであり、基板の製造時、ソルダーレジスト層とドライフィルム層に同時にホールを加工し、バンプのピッチを微細化できる技術である銅ポストバンピングCuPostBumping技術を利用して微細ピッチバンプを形成するようにした、微細ピッチバンプを備えた基板及びその製造方法を提供することをその目的とする。前記目的を果たすための本発明の実施形態による微細ピッチバンプを備えた基板製造方法は、回路パターンが形成されたコア層にソルダーレジストを積層してソルダーレジスト層を形成する段階と、ソルダーレジスト層の上面にシード層SeedLayerを形成する段階と、シード層の上面にドライフィルムを積層してドライフィルム層を形成する段階と、ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層を同時に加工してホールを形成する段階と、前記ホールに銅充填メッキを行い、シード層及びドライフィルム層を除去して銅ポストバンプを形成する段階と、を含むことができる。ここで、前記ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層に形成されたホールの幅が互いに同一であるようにホールを形成することが好ましい。また、前記回路パターンは、コア層の上面または下面に形成されることが好ましい。さらに、前記ソルダーレジストは、コア層の上面または下面に積層されることが好ましい。本発明の実施形態による微細ピッチバンプを備えた基板は、回路パターンが形成されたコア層と、コア層の上面または下面に積層されたソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層の上面に形成されたシード層と、前記シード層の上面に形成されたドライフィルム層と、前記ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層を貫通するホールと、前記ホールに銅充填メッキによって形成される銅ポストバンプと、を含むことができる。ここで、前記ソルダーレジスト層、シード層及びドライフィルム層に形成されたホールの幅が互いに同一であるようにホールを形成することが好ましい。また、前記回路パターンは、コア層の上面または下面に形成されることが好ましい。さらに、前記ソルダーレジスト層は、コア層の上面または下面に積層されることが好ましい。本発明の微細ピッチバンプを備えた基板及びその製造方法は、ソルダーレジスト層とドライフィルム層に同一のサイズのホールを同時に加工するため、銅ポストバンプの整合度を向上させることができ、これにより、バンプの微細ピッチの形成を実現できるという効果を期待することができる。また、本発明は、バンプダイのサイズが従来より小さくなるため、微細ピッチバンプを形成することができる。以下、本発明の実施形態を微細ピッチバンプを備えた基板の図面を参照して詳細に説明する。以下で紹介される実施形態は、当業者に本発明の思想を十分に伝達するための例として提供するものである。従って、本発明は以下で説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜のために誇張されて表現されることもできる。明細書の全体における同一の参照番号は同一の構成要素を示す。図1から図5は本発明による微細ピッチバンプを備えた基板の製造工程を順次に示す図面である。図示したように、微細ピッチバンプを備えた基板100は、コア層110と、ソルダーレジスト層150と、シード層170と、ドライフィルムDryFilm:DF層190と、ホール210と、銅ポストバンプ230と、を含む。より詳細に説明すると、コア層110の上面には回路パターン130が形成されることができる。ここで、回路パターン130はコア層110の上面または下面に形成されることができる。ソルダーレジスト層150は、コア層110の上面または下面に積層されることができる。シード層170はソルダーレジスト層150の上面に形成されることができる。ドライフィルム層190は、シード層170の上面に形成されることができる。ホール210は、ソルダーレジスト層150、シード層170及びドライフィルム層190を貫通するように形成されることができる。ここで、ソルダーレジスト層150、シード層170及びドライフィルム層190に形成されたホールの幅は、互いに同一であるように形成されることができる。ソルダーレジスト層とドライフィルム層に形成されたホールのサイズが同一であるため、後で一体形態のポストバンプを形成することができる。銅ポストバンプ230は、ホール210に銅充填メッキを行うことにより形成されることができる。ここで、銅ポストバンプ230は、ソルダーレジスト層150、シード層170及びドライフィルム層190に同一の幅を有するように形成された貫通ホールに銅充填メッキを行うことにより形成されるため、一体形態に形成されることができ、これにより、バンプダイのサイズが従来より小さくなるという効果を期待することができる。また、バンプダイのサイズが縮小されることにより、微細ピッチバンプが形成されることができる。以下、図示していないが、微細ピッチバンプを備えた基板の製造方法を説明する。微細ピッチバンプを備えた基板100の製造方法は、まず、回路パターン130が形成されたコア層110にソルダーレジストを積層して、ソルダーレジスト層150を形成することができる。ここで、回路パターン130はコア層110の上面または下面に形成されることができる。次に、ソルダーレジスト層150の上面にシード層SeedLayer170を形成することができる。その後、シード層170の上面にドライフィルムを積層して、ドライフィルム層190を形成することができる。ソルダーレジスト層150、シード層170及びドライフィルム層190を同時に加工して、ホール210を形成することができる。ここで、ソルダーレジスト層150は、コア層110の上面または下面に積層されることができる。次に、ホール210に銅充填メッキを行い、シード層170及びドライフィルム層190を除去して、銅ポストバンプ230を形成することができる。ここで、ソルダーレジスト層150、シード層170及びドライフィルム層190に形成されたホール210の幅は、互いに同一であるように形成されることができる。また、ホール210の両側面に形成されたシード層170とドライフィルム層190とを、一般的に公知された技術によって除去することができる。上述した本発明の技術によると、バンプダイのサイズが従来より小さくなることにより、微細ピッチバンプを形成することができるという効果を期待することができる。また、本発明は、ソルダーレジスト層とドライフィルム層に形成されたホールのサイズが同一であるため、一体形態のポストバンプを形成することができる。以上で説明した本発明の好ましい実施形態は例示の目的のために開示されたものであり、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものにおいて、本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であり、このような置換、変形及び変更などは添付の特許請求範囲に属するとするべきであろう。