"素子搭載部材と、前記素子搭載部材に搭載されており、励振用電極を有している圧電振動素子と、前記素子搭載部材の内部に設けられているサーミスタ電極とを備え、前記サーミスタ電極の全体が、平面透視において前記圧電振動素子の前記励振用電極と重なっていることを特徴とする圧電デバイス。前記サーミスタ電極が、前記素子搭載部材と一体的に形成されていることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。素子搭載部材と、前記素子搭載部材に搭載されており、励振用電極を有している圧電振動素子と、前記素子搭載部材と前記圧電振動素子との間に設けられるように前記素子搭載部材の表面に形成されたサーミスタ電極とを備え、前記サーミスタ電極の全体が、平面透視において前記圧電振動素子の前記励振用電極と重なっていることを特徴とする圧電デバイス。前記サーミスタ電極が、前記素子搭載部材と一体的に形成されていることを特徴とする請求項3記載の圧電デバイス。前記サーミスタ電極が、前記素子搭載部材の前記表面に設けられた凹部空間内に設けられていることを特徴とする請求項3記載の圧電デバイス。しかしながら、従来の圧電デバイスにおいては、素子搭載部材の基板部の内部に設けられているサーミスタ電極に、電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳し、正確なサーミスタ電極の値を測定することができないといった課題があった。サーミスタ電極の抵抗値が異なってしまうことで、サーミスタ電極の抵抗値を電圧に換算することで得られた温度情報と実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異が大きくなってしまうといった課題があった。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、サーミスタ電極に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、温度情報の差異を抑え、発振周波数が変動することを防ぐ圧電デバイスを提供することを課題とする。本発明の一つの態様によれば、圧電デバイスは、素子搭載部材と、素子搭載部材に搭載されており励振用電極を有している圧電振動素子と、素子搭載部材の内部に設けられているサーミスタ電極とを備えている。サーミスタ電極の全体が、平面透視において圧電振動素子の励振用電極と重なっている。本発明の他の態様によれば、圧電デバイスは、素子搭載部材と、素子搭載部材に搭載されており励振用電極を有している圧電振動素子と、素子搭載部材と圧電振動素子との間に設けられるように素子搭載部材の表面に形成されたサーミスタ電極とを備えている。サーミスタ電極の全体が、平面透視において圧電振動素子の励振用電極と重なっている。本発明の一つの態様による圧電デバイスには、素子搭載部材の内部に設けられているサーミスタ電極を備えており、サーミスタ電極の全体が平面透視において圧電振動素子の励振用電極と重なっていることによって、励振用電極によってサーミスタ電極を保護するため、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ電極に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、より正確なサーミスタ電極の抵抗値を測定することができる。したがって、サーミスタ電極の抵抗値を電圧に換算することで得られた温度情報と実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。本発明の他の態様による圧電デバイスは、素子搭載部材と圧電振動素子との間に設けられるように素子搭載部材の表面に形成されたサーミスタ電極を備えており、サーミスタ電極の全体が平面透視において圧電振動素子の励振用電極と重なっていることによって、励振用電極によってサーミスタ電極を保護するため、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ電極に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、より正確なサーミスタ電極の抵抗値を測定することができる。したがって、サーミスタ電極の抵抗値を電圧に換算することで得られた温度情報と実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、圧電振動素子として水晶振動素子を用いた場合について説明する。第1の実施形態図1及び図2に示すように、本発明の第1の実施形態における圧電デバイス100は、素子搭載部材110と圧電振動素子120と蓋体130とで主に構成されている。この圧電デバイス100は、素子搭載部材110に形成されている凹部空間K1内に圧電振動素子120が搭載され、その凹部空間K1が蓋体130により気密封止された構造となっている。また、素子搭載部材110の基板部110aの内部には、サーミスタ電極140が設けられている。圧電振動素子120は、図1及び図2に示すように、水晶素板121に励振用電極122を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。水晶素板121は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。励振用電極122は、水晶素板121の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着形成したものである。このような圧電振動素子120は、その両主面に被着されている励振用電極122から延出する引き出し電極123と凹部空間K1内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド111とを、導電性接着剤DSを介して電気的且つ機械的に接続することによって凹部空間K1に搭載される。引き出し電極123が設けられた端辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子120の先端部とする。図1及び図2に示すサーミスタ電極140は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、サーミスタ電極140の抵抗値を電圧に換算することで、換算して得られた電圧から温度情報を得ることができる。サーミスタ電極140の抵抗値は、外部接続用電極端子Gを介して圧電デバイス100の外部において測定されることにより、例えば、電子機器等のメインIC図示せずにおいて抵抗値を電圧に換算することで温度情報を得ることができる。また、図2及び図3に示すように、サーミスタ電極140の全体が、平面透視において圧電振動素子120の励振用電極122に重なるように、基板部110aの内部に設けられている。つまり、図3に示すように、サーミスタ電極140は、圧電振動素子120の励振用電極122の直下に設けられ、励振用電極122からはみ出ることがなく、平面透視で励振用電極122が設けられている領域内に設けられている。また、サーミスタ電極140は、帯状または線状であり、例えば、白金、銀、パラジウム、クロム、チタンのうちのいずれかまたはモリブデン、マンガンの金属酸化物からなる同時焼成体ペーストによって、基板部110aの内部に形成されている。サーミスタ電極140は、例えば基板部110aがガラス-セラミックスから成る場合、焼成によって基板部110aと一体的に形成されている。また、実際に素子搭載部材110に圧電振動素子120を搭載した状態で、平面透視で圧電振動素子120の励振用電極122の領域内に位置するようにサーミスタ電極140を基板部110aの内部に設けることによって、サーミスタ電極140に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズの重畳が低減され、より正確なサーミスタ電極140の抵抗値を測定できることが確認された。図1及び図2に示すように、素子搭載部材110は、基板部110a及び枠部110bとで主に構成されている。この素子搭載部材110は、基板部110aの第1の主面に枠部110bが設けられて、凹部空間K1が形成されている。なお、この素子搭載部材110を構成する基板部110aは、例えば、ガラス-セラミックス等のセラミック材料から成る。枠部110bは、42アロイまたはFe-Ni-Co合金等の金属から成り、平面視において枠形状を有している。枠部110bは、基板部110a上に設けられた封止用導体膜HB上にロウ付けなどにより接合される。また、基板部110aの第1の主面のうち凹部空間K1内に露出された領域には、一対の圧電振動素子搭載パッド111が設けられている。素子搭載部材110の基板部110aの第2の主面の四隅に外部接続用電極端子Gが設けられている。つまり、素子搭載部材110の基板部110aの圧電振動素子搭載パッド111が設けられている面とは反対側の主面の四隅には、外部接続用電極端子Gが設けられている。図5a及びbに示されているように、外部接続用電極端子Gは、一対の圧電振動素子用電極端子G1と一対のサーミスタ電極用電極端子G2を含んでいる。一対の圧電振動素子用電極端子G1は、素子搭載部材110の基板部110aの第2の主面の対角に位置する箇所に設けられている。また、一対のサーミスタ電極用電極端子G2は基板部110aの圧電振動素子用電極端子G1が設けられている位置と異なる2つの角部に設けられている。つまり、サーミスタ電極用電極端子G2は、圧電振動素子用電極端子G1が設けられている対角位置とは異なる基板部110aの対角位置に設けられている。図2~図5に示すように、圧電振動素子搭載パッド111といずれかの外部接続用電極端子Gは、素子搭載部材110の基板部110aの内部に形成された圧電振動素子用配線パターン113と、第1のビア導体114と、第2のビア導体115とにより接続されている。つまり、圧電振動素子搭載パッド111は、第1のビア導体114を介して圧電振動素子用配線パターン113の一端と接続されている。また、圧電振動素子用配線パターン113の他端は、第2のビア導体115を介して圧電振動素子用電極端子G1と接続されている。よって、圧電振動素子搭載パッド111は、圧電振動素子用電極端子G1と電気的に接続されることになる。また、基板部110aの内部に形成されたサーミスタ電極140と基板部110aの下面に形成されたサーミスタ電極用電極端子G2は、素子搭載部材110の基板部110aの内部に形成されたサーミスタ電極用配線パターン117と第3のビア導体116と第4のビア導体118とにより接続されている。つまり、図4及び図5に示すように、サーミスタ電極140は、第3のビア導体116を介してサーミスタ電極用配線パターン117の一端と接続されている。また、サーミスタ電極用配線パターン117の他端は、第4のビア導体118を介してサーミスタ電極用電極端子G2と接続されている。よって、サーミスタ電極140は、サーミスタ電極用電極端子G2と電気的に接続されることになる。蓋体130は、例えば、Fe-Ni合金42アロイやFe-Ni-Co合金などからなる。このような蓋体130は、真空状態にある凹部空間K1または窒素ガスなどが充填された凹部空間K1を気密的に封止する。導電性接着剤DSは、シリコーン樹脂等の接着剤に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウムAl、モリブデンMo、タングステンW、白金Pt、パラジウムPd、銀Ag、チタンTi、ニッケルNi、ニッケル鉄NiFe、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。なお、素子搭載部材110は、ガラスセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加混合して得たセラミックグリーンシートの表面に圧電振動素子搭載パッド111、封止用導体膜HB、外部接続用電極端子Gおよびサーミスタ電極140等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に第1のビア導体114、第2のビア導体115、第3のビア導体116、第4のビア導体118等となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、焼成することにより製作される。蓋体130は、枠部110bに配置接合される。蓋体130は、素子搭載部材110の凹部空間K1を囲むように設けられた枠部110bに対応する部分に封止部材が設けられている。本実施形態の圧電デバイス100によれば、サーミスタ電極140が平面透視において圧電振動素子120の励振用電極122と重なっていることによって、サーミスタ電極140が励振用電極122によって保護されて、従来の圧電デバイスに比べて電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズがサーミスタ電極140に重畳することを低減し、より正確なサーミスタ電極140の値を測定することができる。したがって、サーミスタ電極140のより正確な抵抗値を測定することができるので、サーミスタ電極140の抵抗値を電圧に換算することで得られた温度情報と実際の圧電振動素子120の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。なお、本実施形態の圧電デバイス100において、サーミスタ電極140が素子搭載部材110と一体的に形成されていることによって、例えば予め製造されたサーミスタ素子を接合材によって素子搭載部材に実装する場合に比べて、接合材から発生する不要なガスが低減されている。したがって、本実施形態における圧電デバイスは、不要なガスによる特性低下が低減されている。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態における圧電デバイスについて説明する。本発明の第2の実施形態における圧電デバイス200は、第1および第2の主面を有する基板部210aと、基板部の第1の主面に設けられた第1の枠部210bと、第1の枠部210bの第1の主面に設けられた第2の枠部210cとからなる素子搭載部材210が用いられ、サーミスタ電極240が基板部210aと第1の枠部210bとで形成された第1の凹部空間K1内に設けられており、圧電振動素子120が第1の枠部210bと第2の枠部210cとで形成された第2の凹部空間K2内に設けられている点で第1の実施形態とは異なる。その他の構成は、第1の実施形態における圧電デバイス100と同様である。図6及び図7に示すサーミスタ電極240は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、測定された抵抗値を電圧に換算することで、換算して得られた電圧から温度情報を得ることができる。サーミスタ電極240は、抵抗値が、外部接続用電極端子Gを介して圧電デバイス200の外部において測定されることにより、例えば、電子機器等のメインIC図示せずでサーミスタ電極240の抵抗値を電圧に換算することで温度情報を得ることができる。また、サーミスタ電極240は、素子搭載部材210に圧電振動素子120を搭載した状態で、平面透視で圧電振動素子120の励振用電極122の領域内に位置するように、基板部210aの主面のうち第1の凹部空間K1に露出されている領域に設けられている。つまり、サーミスタ電極240は、圧電振動素子120の励振用電極122の直下に設けられ、励振用電極122からはみ出ることがなく、平面透視で励振用電極122が設けられている領域内に設けられている。また、サーミスタ電極240は、帯状または線状であり、例えば、チタン膜と白金膜とが積層薄膜抵抗体であって、基板部210aの主面に形成されている。このようなサーミスタ電極240は、基板部210aの主面にチタン膜,白金膜,金膜をスパッタリング法やイオンプレーティング法、蒸着法等の薄膜形成技術により順次被着させるとともに、これらをフォトリソグラフィ技術により所定のパターンにエッチングすることで形成されている。また、実際に素子搭載部材210に圧電振動素子120を搭載した状態で、平面透視で圧電振動素子120に設けられる励振用電極122の領域内に位置するようにサーミスタ電極240を基板部210aの表面に設けることによって、サーミスタ電極240に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズの重畳が低減され、より正確なサーミスタ電極240の値を測定できることが確認された。図6~図7に示すように、素子搭載部材210は、基板部210aと、第1の枠部210b、第2の枠部210cとで主に構成されている。この素子搭載部材210は、基板部210aの第1の主面に第1の枠部210bが設けられて、第1の凹部空間K1が形成されている。また、第1の枠部210bの主面に第2の枠部210cが設けられて、第2の凹部空間K2が形成されている。なお、この素子搭載部材210を構成する基板部210a及び第1の枠部210bは、例えばアルミナセラミックス、ガラス-セラミックス等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。第2の枠部210cは、42アロイまたはコバール等の金属から成り、平面視において枠形状有している。また、第2の枠部210cは、第1の枠部210bの第1の主面の中央部を囲繞するように周辺部に設けられた封止用導体膜HB上にロウ付けなどにより接合される。第2の凹部空間K2内で露出した第1の枠部210bの第1の主面には、一対の圧電振動素子搭載パッド211が設けられている。また、図6~図7に示すように、素子搭載部材210は、基板部210aの第1の主面と第1の枠部210bによって第1の凹部空間K1が形成されている。素子搭載部材210の基板部210aの第2の主面の四隅に外部接続用電極端子Gが設けられている。外部接続用電極端子Gは、一対の圧電振動素子用電極端子G1と一対のサーミスタ素子用電極端子G2とを含んでいる。一対の圧電振動素子用電極端子G1は、素子搭載部材210の基板部210aの第2の主面の対角に位置する箇所に設けられている。また、一対のサーミスタ素子用電極端子G2は第2の枠部210cの圧電振動素子用電極端子G1が設けられている位置と異なる2つの隅部に設けられている。つまり、サーミスタ素子用電極端子G2は、圧電振動素子用電極端子G1が設けられている対角位置とは異なる基板部210aの対角位置に設けられている。圧電振動素子搭載パッド211といずれかの外部接続用電極端子Gは、素子搭載部材210の基板部210aに形成された圧電振動素子用配線パターン213と、第1の枠部210bの内部に形成された第1のビア導体214と、基板部210aの内部に形成された第2のビア導体215により接続されている。つまり、図8及び図9に示すように、圧電振動素子搭載パッド211は、第1のビア導体214を介して圧電振動素子用配線パターン213の一端と接続されている。また、圧電振動素子用配線パターン213の他端は、第2のビア導体215を介して圧電振動素子用電極端子G1と接続されている。よって、圧電振動素子搭載パッド211は、圧電振動素子用電極端子G1と電気的に接続されることになる。また、第1の凹部空間K1に露出されている基板部210aの主面に設けられているサーミスタ電極240とサーミスタ電極用電極端子G2は、素子搭載部材210の基板部210aに内部に形成されたサーミスタ電極用配線パターン217と基板部210aの内部に形成された第3のビア導体216と第4のビア導体218により接続されている。つまり、図8及び図9に示すようにサーミスタ電極240は、第3のビア導体216を介してサーミスタ電極用配線パターン217の一端と接続されている。また、サーミスタ電極用配線パターン217の他端は、第4のビア導体218を介してサーミスタ電極用電極端子G2と接続されている。よって、サーミスタ電極240は、サーミスタ電極用電極端子G2と電気的に接続されることになる。蓋体130は、枠部210cに配置接合される。蓋体130は、素子搭載部材210の凹部空間K2を囲むように設けられた枠部210cに対応する部分に封止部材が設けられている。本実施形態の圧電デバイス200によれば、サーミスタ電極240が平面透視において圧電振動素子120の励振用電極122と重なっていることによって、励振用電極121によってサーミスタ電極240が保護されるため、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ電極240に電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズが重畳することを低減し、より正確なサーミスタ電極240の抵抗値を測定することができる。したがって、サーミスタ電極240の抵抗値を電圧に換算することで得られた温度情報と実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。なお、本実施形態の圧電デバイス200において、サーミスタ電極240が素子搭載部材210と一体的に形成されていることによって、例えば予め製造されたサーミスタ素子が接合材によって素子搭載部材に実装されている場合に比べて、接合材から発生する不要なガスが低減されている。したがって、本実施形態における圧電デバイスは、不要なガスによる特性低下が低減されている。また、本実施形態の圧電デバイス200において、サーミスタ電極240が素子搭載部材210の表面に設けられた第1の凹部空間K1内に設けられていることによって、サーミスタ電極240が圧電振動素子120に接触する可能性が低減されている。なお、本発明は実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、第1および第2の実施形態では、圧電振動素子120を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。また、第1および第2の実施形態では、枠部にシールリングを用いた場合を説明したが、基板部と同様にセラミック材で形成しても構わない。例えば、素子搭載部材は、セラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線導体となる導体ペースト等を所定パターンに印刷塗布するとともに、基板部となるセラミックグリーンシートと枠部となるセラミックグリーンシートを積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。この場合、枠部の開口側の頂面の全周には、環状の封止用導体パターンが形成され、蓋体130は、この封止用導体パターン上に配置接合される。蓋体130は、素子搭載部材の凹部空間を囲むように設けられた封止用導体パターンに対応する箇所に封止部材が設けられている。"