上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の上面に、該搭載部の外周からの距離が異なるように配設された複数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面を前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の外側にかけて延出する複数の配線導体と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記搭載部における半導体素子接続パッドおよび配線導体の一部を一括して露出させる開口部を有するとともに前記配線導体の残余の部分を被覆するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、前記開口部は、前記半導体素子接続パッドに接続された前記配線導体の露出長さが同じとなる形状に形成されていることを特徴とする配線基板。前記開口部は、その開口縁が前記配線導体を横切る角度が全て同じとなる形状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。本発明は、半導体素子を搭載する搭載部の外周からの距離が異なる半導体素子接続パッドが混在する場合であっても、半導体素子接続パッドから延びる配線導体における特性インピーダンスの変化を均一なものとして、それぞれの配線導体における伝送特性のバラツキをなくすことにより配線導体に高周波信号を伝送させた場合であっても半導体素子を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することを課題とする。本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の上面に、該搭載部の外周からの距離が異なるように配設された複数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面を前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の外側にかけて延出する複数の配線導体と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記搭載部における半導体素子接続パッドの全ておよび配線導体の一部を一括して露出させる開口部を有するとともに前記配線導体の残余の部分を被覆するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、前記開口部は、前記半導体素子接続パッドに接続された前記配線導体の露出長さが同じとなる形状に形成されていることを特徴とする。本発明の配線基板によれば、搭載部における半導体素子接続パッドの全ておよび配線導体の一部を一括して露出させるソルダーレジスト層の開口部は、半導体素子接続パッドに接続された配線導体の露出長さが同じとなる形状に形成されていることから、半導体素子接続パッドから延びる配線導体における特性インピーダンスの変化を均一なものとすることができる。したがって、それぞれの配線導体における伝送特性のバラツキが小さくなり、それにより配線導体に高周波信号を伝送させた場合であっても、半導体素子を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することが可能となる。次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を添付の図面を参照して説明する。図1に示すように本例の配線基板は、主として絶縁基板1と配線導体2とソルダーレジスト層3とを具備している。絶縁基板1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた樹脂系の電気絶縁材料からなる。絶縁基板1は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。絶縁基板1は、その上面中央部に半導体素子Sが搭載される搭載部1aを有している。搭載部1aは半導体素子Sに対応する大きさおよび形状をしている。また、絶縁基板1の下面は、外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。配線導体2は、絶縁基板1の上面を搭載部1aから外周部にかけて延出するとともに絶縁基板1を貫通して絶縁基板1の下面に導出している。このような配線導体2は、例えば銅めっきからなり、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法等によりに形成されている。配線導体2は、搭載部1aにおける先端部に半導体素子Sの電極Tが接続される半導体素子接続パッド4を有している。また、絶縁基板1の下面に導出した部位に外部の電気回路基板に接続するための外部接続パッド5を有している。そして、半導体素子Sの電極Tを半導体素子接続パッド4に半田を介して接続するとともに、外部接続パッド5を外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することにより半導体素子Sが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で配線導体2に信号を伝送することにより半導体素子Sが作動する。半導体素子接続パッド4は、図2に示すように、それぞれが同じ大きさの略正方形であり、搭載部1aの外周から近いものと、遠いものとが混在して配列されている。そして各半導体素子接続パッド4からは搭載部1aの外側に向けて配線導体2が延びている。そのため配線導体12は、搭載部1aにおける長さが短い配線導体2Aと、長い配線導体2Bとが存在する。また、搭載部1aの外側に斜め方向に延出する配線導体2Cも存在する。ソルダーレジスト層3は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料からなる。ソルダーレジスト層3は、搭載部1aにおける半導体素子接続パッド4の全ておよび配線導体2の一部を一括して露出させる開口部3aを有しているとともに配線導体2の残余の部分を被覆している。これにより半導体素子接続パッド4に半導体素子Sの電極Tを接続可能とするとともに配線導体2の残余の部分を外部環境より保護している。なお配線導体2において、ソルダーレジスト層3により被覆されている部位とソルダーレジスト層3から露出している部位とでは、その特性インピーダンスに違いが生じている。これはソルダーレジスト層3から露出する部位では、配線導体2の上面側が誘電率の低い空気と接するので容量成分が小さくなり特性インピーダンスが高くなるのに対して、ソルダーレジスト層3で覆われた部位では、配線導体2の上面側が誘電率の高いソルダーレジスト層3に接するので容量成分が大きくなり特性インピーダンスが低くなるからである。そして本発明においては、ソルダーレジスト層3の開口部3aは、半導体素子接続パッド4に接続された配線導体2の露出長さが同じとなる形状に形成されている。具体的には、搭載部1aにおける長さが長い配線導体2Bに対しては、半導体素子接続パッド4側に突出する突出部を有する形状とすることにより、搭載部1aにおける長さが短い配線導体2Aと長い配線導体2Bとでソルダーレジスト層3からの露出長さが同じとなるようになっている。また、搭載部1aの外側に斜め方向に延出する配線導体2Cに対しては、開口部3aの開口縁が配線導体2Cの延在方向と垂直となるようになっている。これにより半導体素子接続パッド4から延出する全ての配線導体2が同じ長さで露出するとともに同じ角度でソルダーレジスト層3の下に進入することになる。このように本発明の配線基板によれば、搭載部1aにおける半導体素子接続パッド4の全ておよび配線導体2の一部を一括して露出させるソルダーレジスト層3の開口部3aは、半導体素子接続パッド4に接続された配線導体2の露出長さが同じとなる形状に形成されていることから、半導体素子接続パッド4から延びる配線導体2における特性インピーダンスの変化を均一なものとすることができる。したがって、それぞれの配線導体2における伝送特性のバラツキが小さくなり、それにより配線導体2に高周波信号を伝送させた場合であっても、半導体素子2を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。なお、開口部3aの開口縁が配線導体2を横切る角度を全て同じとしておくことで、それぞれの配線導体2における特性インピーダンスの変化の仕方が均一となるので伝送特性のバラツキをさらに小さなものとすることができる。