"p型層、i型層、n型層である半導体膜を積層した光電変換装置であって、前記i型層と前記p型層との間に、前記i型層に接し、前記i型層より小さい屈折率の範囲内において前記i型層に接する側から前記i型層に接しない側に向かって屈折率が大きくなる第1中間層を備えることを特徴とする光電変換装置。請求項1に記載の光電変換装置であって、前記i型層と前記n型層との間に、前記i型層に接し、前記i型層より小さい屈折率の範囲内において前記i型層に接する側から前記i型層に接しない側に向かって屈折率が大きくなる第2中間層を備えることを特徴とする光電変換装置。請求項1又は2に記載の光電変換装置であって、前記第1中間層又は前記第2中間層は、前記i層に接しない側に向かって屈折率が連続的に大きくなることを特徴とする光電変換装置。ところが、中間層20で光入射側のa-Siユニット14へ光を反射させた場合、a-Siユニット14、透明電極層12、基板10及び空気と屈折率が小さくなるのでa-Siユニット14側へ反射させた光が基板10から抜けてしまい、十分に光を利用できないという問題が生ずる。本発明の1つの態様は、p型層、i型層、n型層である半導体膜を積層した光電変換装置であって、i型層とp型層との間に、i型層に接し、i型層より小さい屈折率の範囲内においてi型層に接する側からi型層に接しない側に向かって屈折率が大きくなる第1中間層を備える、光電変換装置である。本発明によれば、光電変換装置における光の利用率を高め、光電変換効率を向上させることができる。<第1の実施の形態>図1は、第1の実施の形態における光電変換装置200の構造を示す断面図である。本実施の形態における光電変換装置200は、透明絶縁基板30を光入射側として、光入射側から、透明導電層32、トップセルとして広いバンドギャップを有するアモルファスシリコン光電変換ユニットa-Siユニット202、ボトムセルとしてa-Siユニット202よりバンドギャップの狭い微結晶シリコン光電変換ユニットμc-Siユニット204及び裏面電極層34を積層した構造を有している。透明絶縁基板30は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の少なくとも可視光波長領域において透過性を有する材料を適用することができる。透明絶縁基板30上に透明導電層32が形成される。透明導電層32は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせて用いることが好適である。特に、酸化亜鉛ZnOは、透光性が高く、抵抗率が低く、耐プラズマ特性にも優れているので好適である。透明導電層32は、例えば、スパッタリング法やCVD法等により形成することができる。透明導電層32の膜厚は0.5μm以上5μm以下の範囲とすることが好適である。また、透明導電層32の表面には光閉じ込め効果を有する凹凸を設けることが好適である。透明導電層32上に、p型層36、i型層38、n型層40のシリコン系薄膜を順に積層してa-Siユニット202を形成する。a-Siユニット202は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素水素ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスからガスを選択して混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマCVD法により形成することができる。具体的な成膜条件を表1に示す。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。RFプラズマCVD法は平行平板型とすることができる。一般的に、p型層36、i型層38、n型層40はそれぞれ別の成膜室において成膜される。成膜室は、真空ポンプによって真空排気可能であり、RFプラズマCVD法のための電極が内蔵される。また、透明絶縁基板30の搬送装置、RFプラズマCVD法のための電源及びマッチング装置、ガス供給用の配管等が付設される。p型層36は、透明導電層32上に形成される。p型層36は、p型ドーパントボロン等をドープした膜厚10nm以上100nm以下のp型アモルファスシリコン層p型a-Si:H又はp型アモルファス炭化シリコン層p型a-SiC:Hとすることが好適である。p型層36の膜質は、シリコン含有ガス、炭化水素ガス、p型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。i型層38は、p型層36上に形成されたドープされていない膜厚50nm以上500nm以下のアモルファス層とする。i型層38の膜質は、シリコン含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。i型層38は、a-Siユニット202の発電層となる。n型層40は、i型層38上に形成されたn型ドーパントリン等をドープした膜厚10nm以上100nm以下のn型アモルファスシリコン層n型a-Si:H又はn型微結晶シリコン層n型μc-Si:Hとする。n型層40の膜質は、シリコン含有ガス、炭化水素ガス、n型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。次に、p型層42、第1中間層44、i型層46、第2中間層48及びn型層50を順に積層してμc-Siユニット204を形成する。μc-Siユニット204は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素水素ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス、二酸化炭素CO2等の酸素含有ガス及び水素H2等の希釈ガスからガスを選択して混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うプラズマCVD法により形成することができる。具体的な成膜条件を表2に示す。プラズマCVD法は、a-Siユニット202と同様に、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。一般的に、p型層42、i型層46及びn型層50はそれぞれ別の成膜室において成膜される。また、第1中間層44及び第2中間層48は、p型層36、n型層40、p型層42及びn型層50のいずれかの成膜室を用いて成膜してもよい。p型層42は、a-Siユニット202のn型層40上に形成される。p型層42は、微結晶シリコン層若しくはアモルファスシリコン層又はそれらの組み合わせとすることが好適である。p型層42の膜質は、シリコン含有ガス、炭化水素ガス、p型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。第1中間層44は、p型層40上に形成される。第1中間層44は、後述する第2中間層48と共に、μc-Siユニット204の発電層であるi型層46に光を閉じ込める役割を果たす。第1中間層44は、p型ドーパントボロン等をドープした酸化シリコンを含む層とすることが好適である。例えば、第1中間層44は、シリコン含有ガス、p型ドーパント含有ガス及び希釈ガスに二酸化炭素CO2等の酸素含有ガスを混合した混合ガスを用いてプラズマCVD法により形成することが好適である。第1中間層44の膜質は、添加ガス種、ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。図2は、本実施の形態における光電変換装置200の各層の屈折率を示す。図2に示すように、第1中間層44の屈折率n1は、光閉じ込めの対象となるμc-Siユニット204のi型層46の屈折率niよりも小さくする。また、第1中間層44の屈折率n1は、隣接するp型層42の屈折率np以下とする。さらに、本実施の形態では、第1中間層44の屈折率を膜厚方向に変化させたものとする。第1中間層44は、図2に示すように、i型層46側からp型層42側に向けて徐々に屈折率n1が大きくなるように形成される。第1中間層44の屈折率n1は、p型層42との界面においてp型層42の屈折率npと略等しくなるようにすることが好適である。具体的には、p型層42の屈折率npは3.6程度であるので、p型層42との界面において第1中間層44の屈折率n1は3.6程度になるようにすることが好適である。また、第1中間層44の屈折率n1は、i型層46との界面において膜質が低下しない程度にできるだけ小さくすることが好適である。具体的には、i型層46との界面において第1中間層44の屈折率n1は2.1程度にすることが好適である。第1中間層44の屈折率n1を膜厚方向で変化させるためには、成膜中において、シリコン含有ガス、ドーパント含有ガス、希釈ガスの混合ガスに対する二酸化炭素CO2等の酸素含有ガスの混合比を連続的に変化させればよい。すなわち、屈折率n1をより低下させるには二酸化炭素CO2等の酸素含有ガスの混合比をより高くなるように調整すればよい。また、第1中間層44のプラズマCVD法による成膜時の圧力及びプラズマ発生用高周波パワー等の成膜条件を調整しても第1中間層44の屈折率n1を変化させることができる。第1中間層44上にはi型層46が形成される。i型層46は、ドープされていない膜厚0.5μm以上5μm以下の微結晶シリコン膜とする。i型層46は、μc-Siユニット204の発電層となる層である。i型層46は、まずバッファ層を形成し、バッファ層上に主発電層を形成した積層構造とすることが好適である。バッファ層は、主発電層の成膜条件よりも高い結晶化率となる成膜条件で成膜する。すなわち、ガラス基板等に単膜として成膜したときにバッファ層は主発電層よりも結晶化率が高くなる成膜条件で形成する。i型層46の膜質は、シリコン含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。第2中間層48は、i型層46上に形成される。第2中間層48は、n型ドーパントリン等をドープした酸化シリコンを含む層とすることが好適である。例えば、第2中間層48は、シリコン含有ガス、n型ドーパント含有ガス及び希釈ガスに二酸化炭素CO2等の酸素含有ガスを混合した混合ガスを用いてプラズマCVD法により形成することが好適である。第2中間層48の膜質は、添加ガス種、ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。図2に示すように、第2中間層48の屈折率n2は、光閉じ込めの対象となるμc-Siユニット204のi型層46の屈折率niよりも小さくする。また、第2中間層48の屈折率n2は、隣接するn型層50の屈折率nn以下とする。さらに、本実施の形態では、第2中間層48は、その屈折率n2が膜厚方向に沿って変化するように形成される。第2中間層48は、図2に示すように、i型層46側からn型層50側に向けて徐々に屈折率n2が大きくなるように形成される。第2中間層48の屈折率n2は、n型層50との界面においてn型層50の屈折率nnと略等しくなるようにすることが好適である。具体的には、n型層50の屈折率nnは3.6程度であるので、n型層50との界面において第2中間層48の屈折率n2は3.6程度になるようにすることが好適である。また、第2中間層48の屈折率n2は、i型層46との界面において膜質が低下しない程度にできるだけ小さくすることが好適である。具体的には、i型層46との界面において第2中間層48の屈折率n2は2.1程度にすることが好適である。第2中間層48の屈折率n2を膜厚方向で変化させるためには、成膜中において、シリコン含有ガス、ドーパント含有ガス、希釈ガスの混合ガスに対する二酸化炭素CO2等の酸素含有ガスの混合比を連続的に変化させればよい。すなわち、屈折率n2をより低下させるには二酸化炭素CO2等の酸素含有ガスの混合比をより高くなるように調整すればよい。また、第2中間層48のプラズマCVD法による成膜時の圧力及びプラズマ発生用高周波パワー等の成膜条件を調整しても第2中間層48の屈折率n2を変化させることができる。n型層50は、第2中間層48上に形成される。n型層50は、n型ドーパントリン等をドープした膜厚5nm以上50nm以下n型微結晶シリコン層n型μc-Si:Hとする。n型層50の膜質は、シリコン含有ガス、炭化水素ガス、n型ドーパント含有ガス及び希釈ガスの混合比、圧力及びプラズマ発生用高周波パワーを調整することによって変化させることができる。ただし、本実施の形態においてμc-Siユニット204はこれに限定されるものではなく、発電層となるi型層46にi型微結晶シリコン層i型μc-Si:Hが用いられ、i型層46を挟み込むように第1中間層44及び第2中間層48を備えるものであればよい。μc-Siユニット204上に、裏面電極層34が形成される。裏面電極層34は、反射性金属と透明導電性酸化物TCOとの積層構造をすることが好適である。透明導電性酸化物TCOとしては、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等、又は、これらに不純物をドープしたものが用いられる。例えば、酸化亜鉛ZnOにアルミニウムAlを不純物としてドープしたものでもよい。また、反射性金属としては、銀Ag、アルミニウムAl等の金属が用いられる。透明導電性酸化物TCO及び反射性金属は、例えば、スパッタリング法又はCVD法等により形成することができる。透明導電性酸化物TCOと反射性金属の少なくとも一方には、光閉じ込め効果を高めるための凹凸が設けることが好適である。さらに、裏面電極層34を保護膜図示しないで被ってもよい。保護膜は、EVA、ポリイミド等の樹脂材料とし、同様の樹脂材料である充填材により裏面電極層34上を被うように接着すればよい。これによって、光電変換装置200の発電層への水分の侵入等を防ぐことができる。なお、YAGレーザ基本波1064nm、2倍高調波532nmを用いて、透明導電層32、a-Siユニット202、μc-Siユニット204、裏面電極層34の分離加工を行うことによって、複数のセルを直列に接続した構成にしてもよい。以下、第1中間層44及び第2中間層48の作用について説明する。図2の矢印実線で示すように、p型層42と第1中間層44との界面を透過してi型層46に入射した光は、i型層46と第2中間層48との界面において互いの屈折率差によって反射されてi型層46へ戻される。さらに、i型層46と第2中間層48との界面において反射された光は、i型層46と第1中間層44との界面に到達すると互いの屈折率差によって再び反射されi型層46へ戻される。このようにして、第1中間層44及び第2中間層48によって、ボトムセルとなるμc-Siユニット204のi型層46への光閉じ込め効果が得られる。また、図2の矢印破線で示すように、i型層46と第2中間層48との界面では一部の光が透過するが、その光は、n型層50を通って、n型層50と裏面電極層34とに到達し、n型層50と裏面電極層34との屈折率差によって反射されてn型層50及び第2中間層48を通って再びi型層46へ戻される。そして、上記と同様に、裏面電極層34で反射された光も第1中間層44と第2中間層48とによってi型層46へ閉じ込められる。ここで、屈折率n1に傾斜を設けることによって、p型層42と第1中間層44との界面の屈折率差np-n1はi型層46と第1中間層44との界面の屈折率差ni-n1より小さくなり、p型層42側から入射してくる光に対しては光の透過率をより向上させることができる。一方、i型層46に一旦入射した光がn型層50と裏面電極層34との間等のいずれかの場所で反射してi型層46と第1中間層44との界面に到達した場合、i型層46と第1中間層44との界面の屈折率差ni-n1によって、i型層46への反射率を高めることができる。また、屈折率n2に傾斜を設けることによって、n型層50と第2中間層48との界面の屈折率差nn-n2はi型層46と第2中間層48との界面の屈折率差ni-n2より小さくなり、裏面電極層34等で反射してn型層50側から入射してくる光に対しては光の透過率を向上させることができる。一方、i型層46に一旦入射した光がi型層46と第2中間層48との界面に到達した場合、i型層46と第2中間層48との界面の屈折率差ni-n2によって、i型層46への反射率を高めることができる。このようにして、ボトムセルとなるμc-Siユニット204のi型層46での光の利用効率を高めることができる。ここで、p型層42との界面における第1中間層44の屈折率n1はn型層50との界面における第2中間層48の屈折率n2よりも大きくすることが好適である。p型層42の屈折率npとn型層50の屈折率nnとは同程度の大きさであるので、p型層42と第1中間層44との界面では、n型層50と第2中間層48との界面よりもi型層46への光の導入率を高めることができる。また、第1中間層44の膜厚d1は第2中間層48の膜厚d2以下とすることが好適である。これにより、第1中間層44とi型層46との界面における反射率はi型層46と第2中間層48との界面における反射率よりも多少低下するが、透明絶縁基板30からの光入射側である第1中間層44における光の吸収が抑制され、i型層46へ到達する光量を増加させることができ、光電変換装置200全体としての発電効率を高めることができる。一方、第2中間層48における光の吸収量は第1中間層44における光の吸収量よりも大きくなるが、裏面電極層34から反射されて第2中間層48へ入射してくる光は透明絶縁基板30側から第1中間層44へ入射してくる光よりも小さく、i型層46と第2中間層48との界面における反射率をより高めることによって、i型層46への光閉じ込め効果が高まり、光電変換装置200全体としての発電効率を高めることができる。具体的には、第1中間層44及び第2中間層48の膜厚d1,d2は、30nm以上100nm以下とすることが好適である。特に、第1中間層44の膜厚d1は、30nm以上50nm以下の範囲とし、第2中間層48の膜厚d2は、第1中間層44の膜厚d1以上であって50nm以上100nm以下の範囲とすることが好適である。また、第1中間層44及び第2中間層48の屈折率n1,n2は、膜厚方向に連続的に傾斜させることに限定されるものではなく、図3に示すように、階段状に変化させてもよい。各層の屈折率は、光電変換装置200の断面に対してエネルギー分散型X線分析EDXによる成分分析を行うことで知ることができる。EDXによる成分分析において、着目する断面領域の酸素Oの含有量が他の断面領域よりも高い場合、着目する断面領域は当該他の断面領域よりも屈折率が低いと判定できる。例えば、μc-Siユニット204のi型層46の両側にi型層46よりも酸素Oの酸素含有量が多い層が設けられていれば本実施の形態における光電変換装置200の構成を有するものと判定できる。また、第1中間層44及び第2中間層48とp型層42及びn型層50との屈折率の関係も同様に判定できる。各層の屈折率の関係については、後述する他の実施の形態及び変形例においても同様に判定することができる。なお、本実施の形態では第1中間層44及び第2中間層48として不純物をドープした酸化シリコンを含む層を適用したが、これに限定されるものではない。例えば、第1中間層44及び第2中間層48は、酸化亜鉛ZnO等の透明導電性酸化物TCOとしてもよい。特に、マグネシウムMgがドープされた酸化亜鉛ZnOを用いることが好適である。透明導電性酸化物TCOは、例えば、スパッタリング法やCVD法等により形成することができる。<第2の実施の形態>第2の実施の形態における光電変換装置206は、図4に示すように、第1の実施の形態における光電変換装置200の第1中間層44のみを設けて、第2中間層48を設けない構成とする。この場合、第1中間層44の働きは、第1の実施の形態における光電変換装置200と同様である。一方、第2中間層48が設けられていないので、p型層42と第1中間層44との界面を透過してi型層46に入射した光は、n型層50と裏面電極層34との界面において反射されてi型層46へ戻される。その反射された光は、i型層46と第1中間層44との界面に到達すると互いの屈折率差によって再び反射されi型層46へ戻される。このようにして、第1中間層44及び裏面電極層34によって、ボトムセルとなるμc-Siユニット204のi型層46への光閉じ込め効果が得られる。なお、第1中間層44を設けず、第2中間層48のみを設ける構成としてもよい。この場合、第2中間層48の働きは、第1の実施の形態における光電変換装置200と同様である。第1中間層44が設けられていないので、i型層46に対する光閉じ込め効果は低減するが、第2中間層48による反射の効果は得られる。<第3の実施の形態>図5は、第3の実施の形態における光電変換装置300の構造を示す断面図である。本実施の形態における光電変換装置300は、第1の実施の形態における光電変換装置200のようにμc-Siユニット204に第1中間層44及び第2中間層48を設ける代りに、a-Siユニット202に第1中間層52及び第2中間層54を設けている。各層の成膜方法は、第1の実施の形態と同様であるので説明を省略する。図6は、本実施の形態における光電変換装置300の各層の屈折率を示す。図6に示すように、第1中間層52の屈折率n1及び第2中間層54の屈折率n2は、光閉じ込めの対象となるa-Siユニット202のi型層38の屈折率naiよりも小さくする。また、第1中間層52の屈折率n1は、隣接するp型層36の屈折率nap以下とする。また、第2中間層54の屈折率n2は、隣接するn型層40の屈折率nan以下とする。さらに、本実施の形態では、第1中間層52の屈折率を膜厚方向に変化させたものとする。第1中間層52は、図6に示すように、i型層38側からp型層36側に向けて徐々に屈折率n1が大きくなるように形成される。さらに、第2中間層54は、その屈折率n2が膜厚方向に沿って変化するように形成される。第2中間層54は、図6に示すように、i型層38側からn型層40側に向けて徐々に屈折率n2が大きくなるように形成される。第1中間層52の屈折率n1は、p型層36との界面においてp型層36の屈折率napと略等しくなるようにすることが好適である。具体的には、p型層36の屈折率napは3.6程度であるので、p型層36との界面において第1中間層52の屈折率n1は3.6程度になるようにすることが好適である。また、第1中間層52の屈折率n1は、i型層38との界面において膜質が低下しない程度にできるだけ小さくすることが好適である。具体的には、i型層38との界面において第1中間層52の屈折率n1は2.1程度にすることが好適である。第2中間層54の屈折率n2は、n型層40との界面においてn型層40の屈折率nanと略等しくなるようにすることが好適である。具体的には、n型層40の屈折率nanは3.6程度であるので、n型層40との界面において第2中間層54の屈折率n2は3.6程度になるようにすることが好適である。また、第2中間層54の屈折率n2は、i型層38との界面において膜質が低下しない程度にできるだけ小さくすることが好適である。具体的には、i型層38との界面において第2中間層54の屈折率n2は2.1程度にすることが好適である。以下、第1中間層52及び第2中間層54の作用について説明する。図6の矢印実線で示すように、p型層36と第1中間層52との界面を透過してi型層38に入射した光は、i型層38と第2中間層54との界面において互いの屈折率差によって反射されてi型層38へ戻される。さらに、i型層38と第2中間層54との界面において反射された光は、i型層38と第1中間層52との界面に到達すると互いの屈折率差によって再び反射されi型層38へ戻される。このようにして、第1中間層52及び第2中間層54によって、トップセルとなるa-Siユニット202のi型層38への光閉じ込め効果が得られる。また、図6の矢印破線で示すように、i型層38と第2中間層54との界面では一部の光が透過するが、その光は、n型層40、p型層42、i型層46、n型層50を通って、n型層50と裏面電極層34とに到達し、n型層50と裏面電極層34との屈折率差によって反射されて再びi型層38へ戻される。そして、上記と同様に、裏面電極層34で反射された光も第1中間層52と第2中間層54とによってi型層38へ閉じ込められる。ここで、屈折率n1に傾斜を設けることによって、p型層36と第1中間層52との界面の屈折率差nap-n1はi型層38と第1中間層52との界面の屈折率差nai-n1より小さくなり、p型層36側から入射してくる光に対しては光の透過率をより向上させることができる。一方、i型層38に一旦入射した光が第2中間層54とn型層40との界面等で反射してi型層38と第1中間層52との界面に到達した場合、i型層38と第1中間層52との界面の屈折率差nai-n1によって、i型層38への反射率を高めることができる。また、屈折率n2に傾斜を設けることによって、n型層40と第2中間層54との界面の屈折率差nan-n2はi型層38と第2中間層54との界面の屈折率差nai-n2より小さくなり、裏面電極層34等で反射してn型層40側から入射してくる光に対しては光の透過率を向上させることができる。一方、i型層38に一旦入射した光がi型層38と第2中間層54との界面に到達した場合、i型層38と第2中間層54との界面の屈折率差nai-n2によって、i型層46への反射率を高めることができる。このようにして、トップセルとなるa-Siユニット202のi型層38での光の利用効率を高めることができる。ここで、p型層36との界面における第1中間層52の屈折率n1はn型層40との界面における第2中間層54の屈折率n2よりも大きくすることが好適である。p型層36の屈折率napとn型層40の屈折率nanとは同程度の大きさであるので、p型層36と第1中間層52との界面では、n型層40と第2中間層54との界面よりもi型層38への光の導入率を高めることができる。また、第1中間層52の膜厚d1は第2中間層54の膜厚d2以下とすることが好適である。これにより、第1中間層52とi型層38との界面における反射率はi型層38と第2中間層54との界面における反射率よりも多少低下するが、透明絶縁基板30からの光入射側である第1中間層52における光の吸収が抑制され、i型層38へ到達する光量を増加させることができ、光電変換装置300全体としての発電効率を高めることができる。一方、第2中間層54における光の吸収量は第1中間層52における光の吸収量よりも大きくなるが、反射されて第2中間層54へ入射してくる光は透明絶縁基板30側から第1中間層52へ入射してくる光よりも小さく、i型層38と第2中間層54との界面における反射率をより高めることによって、i型層38への光閉じ込め効果が高まり、光電変換装置300全体としての発電効率を高めることができる。具体的には、第1中間層52及び第2中間層54の膜厚d1,d2は、30nm以上100nm以下とすることが好適である。特に、第1中間層52の膜厚d1は、30nm以上50nm以下の範囲とし、第2中間層54の膜厚d2は、第1中間層52の膜厚d1以上であって50nm以上100nm以下の範囲とすることが好適である。また、第1中間層52及び第2中間層54の屈折率n1,n2は、膜厚方向に連続的に傾斜させることに限定されるものではなく、図7に示すように、階段状に変化させてもよい。なお、本実施の形態では第1中間層52及び第2中間層54として不純物をドープした酸化シリコンを含む層を適用したが、これに限定されるものではない。例えば、第1中間層52及び第2中間層54は、酸化亜鉛ZnO等の透明導電性酸化物TCOとしてもよい。特に、マグネシウムMgがドープされた酸化亜鉛ZnOを用いることが好適である。透明導電性酸化物TCOは、例えば、スパッタリング法やCVD法等により形成することができる。<第4の実施の形態>第4の実施の形態における光電変換装置302は、図8に示すように、第3の実施の形態における光電変換装置300の第2中間層54のみを設けて、第1中間層52を設けない構成とする。この場合、第2中間層54の働きは、第3の実施の形態における光電変換装置300と同様である。第2中間層54を設けることによりi型層38への光の反射を高めることができ、トップセルとなるa-Siユニット202での発電効率を高めることができる。なお、第2中間層54を設けず、第1中間層52のみを設ける構成としてもよい。この場合、第1中間層52の働きは、第3の実施の形態における光電変換装置300と同様である。一方、第2中間層54が設けられていないので、i型層38で吸収されなかった光は、n型層40、ボトムセルとなるμc-Siユニット204を通って裏面電極層34まで到達して反射され、さらにボトムセルとなるμc-Siユニット204で吸収されなかったときにi型層38へ戻される。その反射された光は、i型層38と第1中間層52との界面に到達すると互いの屈折率差によって再び反射されi型層38へ戻される。このようにして、第1中間層52及び裏面電極層34によって、トップセルとなるa-Siユニット202及びボトムセルとなるμc-Siユニット204への光閉じ込め効果が得られる。さらに、第1~第4の実施の形態における構成を適宜組み合わせた構成としてもよい。これにより、それぞれにおける光閉じ込め等の効果を相乗的に得ることができ、光電変換装置の発電効率をより高めることができる。<第5の実施の形態>本願発明は、結晶系の光電変換装置に対して適用することができる。図9は、単結晶シリコン層60を備える光電変換装置400の構造を示す断面模式図である。光電変換装置400は、単結晶シリコン層60の表面第1面に第1中間層62、真性半導体層64及び導電型半導体層66を順次形成し、単結晶シリコン層60の裏面第2面に第2中間層68、真性半導体層70及び導電型半導体層72を形成した構造を有する。単結晶シリコン層60は、n型の単結晶シリコン抵抗率=約0.5~4Ωcmとすることが好適である。例えば、単結晶シリコン層60は、100mm角の正方形で、厚さ約100~500μmとすることが好適である。単結晶シリコン層60の表面第1面には第1中間層62を形成する。第1中間層62は、第1の実施の形態における第1中間層44と同様に形成することができる。第1中間層62上にはプラズマCVD法を用いてドープされていないアモルファスシリコン層である真性半導体層64膜厚:約50~200Å及びp型ドーパントが添加されたp型アモルファスシリコン層である導電型半導体層66膜厚:約50~150Åを形成する。なお、真性半導体層64及び導電型半導体層66は、アモルファスシリコンとしたが、微結晶シリコンを用いてもよい。単結晶シリコン層60の裏面第2面には第2中間層68を形成する。第2中間層68は、第1の実施の形態における第2中間層48と同様に形成することができる。第2中間層68上にはプラズマCVD法を用いてドープされていないアモルファスシリコン層である真性半導体層70膜厚:約50~200Å及びn型ドーパントが添加されたn型アモルファスシリコン層である導電型半導体層72膜厚:約100~500Åを形成する。なお、真性半導体層70及び導電型半導体層72は、アモルファスシリコンとしたが、微結晶シリコンを用いてもよい。導電型半導体層66及び72上には、これらと略同面積の透明導電層74及び76を形成する。さらに、透明導電層74及び76の上に、銀ペースト等からなる集電極78及び80を形成する。なお、光電変換装置400では、裏面第2面側においても透明導電層76を採用しているので、裏面側に光が入射しても発電に寄与する。図10は、光電変換装置400の各層の屈折率を示す。図10に示すように、第1中間層62の屈折率n1及び第2中間層68の屈折率n2は、光閉じ込めの対象となる単結晶シリコン層60の屈折率nciよりも小さくする。また、第1中間層62の屈折率n1は、隣接する真性半導体層64及び導電型半導体層66の屈折率npi以下とする。さらに、本実施の形態では、第1中間層62の屈折率n1を膜厚方向に変化させたものとする。第1中間層62は、図10に示すように、単結晶シリコン層60側から真性半導体層64側に向けて徐々に屈折率n1が大きくなるように形成される。また、第2中間層68の屈折率n2は、隣接する真性半導体層70及び導電型半導体層72の屈折率nni以下とする。さらに、本実施の形態では、第2中間層68の屈折率n2を膜厚方向に変化させたものとする。第2中間層68は、単結晶シリコン層60側から真性半導体層70側に向けて徐々に屈折率n2が大きくなるように形成される。これにより、図10の矢印実線で示すように、真性半導体層64と第1中間層62との界面を透過して単結晶シリコン層60に入射した光は、単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面において互いの屈折率差によって反射されて単結晶シリコン層60へ戻される。さらに、単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面において反射された光は、単結晶シリコン層60と第1中間層62との界面に到達すると互いの屈折率差によって再び反射され単結晶シリコン層60へ戻される。また、図10の矢印破線で示すように、真性半導体層70と第2中間層68との界面を透過して単結晶シリコン層60に入射した光は、単結晶シリコン層60と第1中間層62との界面において互いの屈折率差によって反射されて単結晶シリコン層60へ戻される。さらに、単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面に到達すると互いの屈折率差によって再び反射され単結晶シリコン層60へ戻される。このようにして、第1中間層62及び第2中間層68によって、単結晶シリコン層60への光閉じ込め効果が得られる。ここで、屈折率n1に傾斜を設けることによって、真性半導体層64と第1中間層62との界面の屈折率差npi-n1は単結晶シリコン層60と第1中間層62との界面の屈折率差nci-n1より小さくなり、真性半導体層64側から入射してくる光に対しては光の透過率をより向上させることができる。一方、単結晶シリコン層60に一旦入射した光が真性半導体層70と裏面電極層76との間等のいずれかの場所で反射して単結晶シリコン層60と第1中間層62との界面に到達した場合、単結晶シリコン層60と第1中間層62との界面の屈折率差nci-n1によって、単結晶シリコン層60への反射率を高めることができる。また、屈折率n2に傾斜を設けることによって、真性半導体層70と第2中間層68との界面の屈折率差nni-n2は単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面の屈折率差nci-n2より小さくなり、真性半導体層70側から入射してくる光に対しては光の透過率を向上させることができる。一方、単結晶シリコン層60に一旦入射した光が単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面に到達した場合、単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面の屈折率差nci-n2によって、単結晶シリコン層60への反射率を高めることができる。以上のように、第1中間層62及び第2中間層68を設けることによって、単結晶シリコン層60への光閉じ込め効果を得ることができ、光の利用効率を高めることができる。なお、第1中間層62の屈折率n1は、真性半導体層64との界面において真性半導体層64の屈折率npiと略等しくなるようにすることが好適である。第2中間層68の屈折率n2は、真性半導体層70との界面において真性半導体層70の屈折率nniと略等しくなるようにすることが好適である。また、第1中間層62の屈折率n1及び第2中間層68の屈折率n2は、単結晶シリコン層60との界面において膜質が低下しない程度にできるだけ小さくすることが好適である。また、第1中間層62の膜厚d1は第2中間層68の膜厚d2以下とすることが好適である。これにより、第1中間層62と単結晶シリコン層60との界面における反射率は単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面における反射率よりも多少低下するが、主な光の入射側に配置される第1中間層62における光の吸収が抑制され、単結晶シリコン層60へ到達する光量を増加させることができ、光電変換装置400全体としての発電効率を高めることができる。一方、第2中間層68における光の吸収量は第1中間層62における光の吸収量よりも大きくなるが、第2中間層68を透過して単結晶シリコン層60へ到達する光は第1中間層62を透過して単結晶シリコン層60へ到達する光よりも小さく、単結晶シリコン層60と第2中間層68との界面における反射率をより高めることによって、単結晶シリコン層60への光閉じ込め効果が高まり、光電変換装置400全体としての発電効率を高めることができる。また、第1中間層62及び第2中間層68の屈折率n1,n2は、膜厚方向に連続的に傾斜させることに限定されるものではなく、図11に示すように、階段状に変化させてもよい。第1中間層62及び第2中間層68は少なくとも一方を設けることによって光電変換装置の発電効率を向上させる効果を奏することができる。また、発電層である単結晶シリコン層60を2層以上積層した光電変換装置においても単結晶シリコン層60毎に第1中間層62又は第2中間層68を設けることによって光閉じ込め効果を得ることができる。"