以下のaからcを設けた、表面波を利用した電磁波共振器。aX軸、Y軸及びZ軸からなる3次元座標系のZ軸に沿う方向を電磁波の入出力される主方向としたとき、Z方向を向いた表面上にY軸方向に伸びる溝を有する第1の負誘電体。b前記第1の負誘電体表面上の溝の内面に設けられた正誘電体薄膜。c前記正誘電体薄膜の前記第1の負誘電体と反対側の面が形成する溝上に設けられた第2の負誘電体。前記第1の負誘電体の表面上の前記溝がX軸方向に複数配列された、請求項1に記載の電磁波共振器。前記複数の溝は周期的に配列された、請求項2に記載の電磁波共振器。前記溝は幅が異なる複数の領域を有する、請求項1に記載の電磁波共振器。前記複数の領域は、それぞれがY軸方向に一定の長さで継続する、請求項4に記載の電磁波共振器。前記複数の領域のY軸方向の長さを、表面波の波長λpに対して1/2倍以上、3/2倍以下と選択する、請求項5に記載の電磁波共振器。前記正誘電体薄膜の厚さは10nm~0.2nmである、請求項1に記載の電磁波共振器。前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体は導電性であるとともに互いに電気的に絶縁された、請求項1に記載の電磁波共振器。前記第1の負誘電体及び前記第2の負誘電体は金属である、請求項8に記載の電磁波共振器。前記第1及び前記第2の負誘電体と前記正誘電体薄膜との間の一部に他の膜を介在させるかまたは前記正誘電体膜を一部の領域で他の領域よりも厚くした、請求項1に記載の電磁波共振器。以下のaからdのステップを設けた、表面波を利用した電磁波共振器の製造方法。a第1の負誘電体の表面に直線状に伸びる溝を設ける。b前記第1の負誘電体の表面に正誘電体薄膜を設ける。c前記正誘電体薄膜上に第2の負誘電体を設ける。d前記第2の負誘電体を表面から平坦に除去することにより、少なくとも前記正誘電体薄膜の表面が形成する溝を埋めている以外の前記第2の負誘電体を除去する。前記ステップbは原子層堆積法、化学的気相成長法、スパッタリングまたは蒸着法により行われる、請求項11に記載の方法。前記ステップbは前記第1の負誘電体の表面を酸化または窒化して酸化物または窒化物の薄膜を形成することにより行われる、請求項11に記載の方法。前記ステップdは化学機械研磨法またはプラズマエッチングにより行われる請求項11に記載の方法。前記第2の負誘電体を一部除去して前記正誘電体薄膜の表面の一部を露出させる、請求項11から請求項14の何れかに記載の方法。以下のaからfのステップを設けた、表面波を利用した電磁波共振器の製造方法。a基板の表面に直線状に伸びる突起部を設ける。b前記基板の表面に正誘電体薄膜を設ける。c前記正誘電体薄膜上に第1の負誘電体を設ける。d前記基板を除去する。e前記基板が除去された前記正誘電体薄膜上に第2の負誘電体を設ける。f前記第2の負誘電体を表面から平坦に除去することにより、少なくとも前記正誘電体薄膜の前記第2の負誘電体側の表面が形成する溝を埋めている以外の前記第2の負誘電体を除去する。前記ステップbは原子層堆積法、化学的気相成長法、スパッタリングまたは蒸着法により行われる、請求項16に記載の方法。前記基板はシリコンであり、前記ステップbは前記シリコンの酸化物、窒化物または炭化物を形成することにより行われる、請求項16に記載の方法。前記ステップfは化学機械研磨法またはプラズマエッチングにより行われる、請求項16に記載の方法。前記第2の負誘電体を一部除去して前記正誘電体薄膜の表面の一部を露出させる、請求項16から請求項19の何れかに記載の方法。以下のaからcのステップを設けた、表面波を利用した電磁波共振器の製造方法。a基板の表面に第2の負誘電体からなるストライプを直線状に設ける。b前記ストライプが設けられた前記基板の表面に正誘電体薄膜を設ける。c前記正誘電体薄膜の表面に第1の負誘電体を設ける。以下のステップdを更に設けた請求項21に記載の方法。d前記基板を除去する。以下のステップeを更に設けた請求項22に記載の方法。e前記基板の除去により現れた面を平坦に除去する。前記ステップeは化学機械研磨法またはプラズマエッチングにより行われる、請求項23に記載の方法。前記ステップbは原子層堆積法、化学的気相成長法、スパッタリングまたは蒸着法により行われる、請求項21から請求項24の何れかに記載の方法。前記第1の負誘電体を一部除去して前記正誘電体薄膜の表面の一部を露出させる、請求項21から請求項24の何れかに記載の方法。請求項1から請求項10の何れかに記載の電磁波共振器の前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体の間に電圧を印加する電磁波発生素子。印加により生じる電子のエネルギーが前記電磁波共振器の共振波長を有する電磁波の光子のエネルギーの100~170になるように電圧を設定した、請求項27に記載の電磁波発生素子。請求項4から請求項6の何れかに記載の電磁波共振器の前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体の間に電圧を印加して用いるトンネル発光光源であって、前記溝の幅が異なる複数の領域のそれぞれ異なる共鳴波長に対応した印加電圧を切り替えることにより所望の領域だけを発光させることを特徴とする、トンネル発光光源。請求項4から請求項6の何れかに記載の電磁波共振器の前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体の間に電圧を印加して用いる分析器であって、前記溝の幅が異なる複数の領域の放射波長を設定しておき、それぞれの放射波長に対応する印加電圧を切り替えることにより前記設定しておいた波長だけを放射させて検出することを特徴とする、分析器。本発明は、表面波を利用した電磁波共振器において、既存技術で過度の困難性なく実現できるとともに、正誘電体領域に電圧を印加できるようにすることで、従来、熱励起しか利用できなかったことによる上述の問題点を解消する電磁共振器構造を与えることを課題とする。上記の課題を解決するため、本発明は以下のような手段を提供する。発明1においては、以下のaからcを設けた、表面波を利用した電磁波共振器が与えられる。aX軸、Y軸及びZ軸からなる3次元座標系のZ軸に沿う方向を電磁波の入出力される主方向としたとき、Z方向を向いた表面上にY軸方向に伸びる溝を有する第1の負誘電体。b前記第1の負誘電体表面上の溝の内面に設けられた正誘電体薄膜。c前記正誘電体薄膜の前記第1の負誘電体と反対側の面が形成する溝上に設けられた第2の負誘電体。発明2においては、前記第1の負誘電体の表面上の前記溝がX軸方向に複数配列された、発明1の電磁波共振器が与えられる。発明3においては、前記複数の溝は周期的に配列された、発明2の電磁波共振器が与えられる。発明4においては、前記溝は幅が異なる複数の領域を有する、発明1から発明3のいずれかの電磁波共振器が与えられる。発明5においては、前記複数の領域は、それぞれがY軸方向に一定の長さで継続する、発明4の電磁波共振器が与えられる。発明6においては、前記複数の領域のY軸方向の長さを、表面波の波長λpに対して1/2倍以上、3/2倍以下と選択する、発明5の電磁波共振器が与えられる。発明7においては、前記正誘電体薄膜の厚さは10nm~0.2nmである、発明1から発明6の何れかの電磁波共振器が与えられる。発明8においては、前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体は導電性であるとともに互いに電気的に絶縁された、発明1から発明7の何れかの電磁波共振器が与えられる。発明9においては、前記第1の負誘電体及び前記第2の負誘電体は金属である、発明8の電磁波共振器が与えられる。発明10においては、前記第1及び前記第2の負誘電体と前記正誘電体薄膜との間の一部に他の膜を介在させるかまたは前記正誘電体膜を一部の領域で他の領域よりも厚くした、発明1から発明9の何れかの電磁波共振器が与えられる。発明11においては、以下のaからdのステップを設けた、表面波を利用した電磁波共振器の製造方法が与えられる。a第1の負誘電体の表面に直線状に伸びる溝を設ける。b前記第1の負誘電体の表面に正誘電体薄膜を設ける。c前記正誘電体薄膜上に第2の負誘電体を設ける。d前記第2の負誘電体を表面から平坦に除去することにより、少なくとも前記正誘電体薄膜の表面が形成する溝を埋めている以外の前記第2の負誘電体を除去する。発明12においては、前記ステップbは原子層堆積法、化学的気相成長法、スパッタリングまたは蒸着法により行われる、発明11の方法が与えられる。発明13においては、前記ステップbは前記第1の負誘電体の表面を酸化または窒化して酸化物または窒化物の薄膜を形成することにより行われる、発明11の方法が与えられる。発明14においては、前記ステップdは化学機械研磨法またはプラズマエッチングにより行われる発明11の方法が与えられる。発明15においては、前記第2の負誘電体を一部除去して前記正誘電体薄膜の表面の一部を露出させる、発明11から発明14の何れかの方法が与えられる。発明16においては、以下のaからfのステップを設けた、表面波を利用した電磁波共振器の製造方法が与えられる。a基板の表面に直線状に伸びる突起部を設ける。b前記基板の表面に正誘電体薄膜を設ける。c前記正誘電体薄膜上に第1の負誘電体を設ける。d前記基板を除去する。e前記基板が除去された前記正誘電体薄膜上に第2の負誘電体を設ける。f前記第2の負誘電体を表面から平坦に除去することにより、少なくとも前記正誘電体薄膜の前記第2の負誘電体側の表面が形成する溝を埋めている以外の前記第2の負誘電体を除去する。発明17においては、前記ステップbは原子層堆積法、化学的気相成長法、スパッタリングまたは蒸着法により行われる、発明16の方法が与えられる。発明18においては、前記基板はシリコンであり、前記ステップbは前記シリコンの酸化物、窒化物または炭化物を形成することにより行われる、発明16の方法が与えられる。発明19においては、前記ステップfは化学機械研磨法またはプラズマエッチングにより行われる、発明16の方法が与えられる。発明20においては、前記第2の負誘電体を一部除去して前記正誘電体薄膜の表面の一部を露出させる、発明16から発明19の何れかの方法が与えられる。発明21においては、以下のaからcのステップを設けた、表面波を利用した電磁波共振器の製造方法が与えられる。a基板の表面に第2の負誘電体からなるストライプを直線状に設ける。b前記ストライプが設けられた前記基板の表面に正誘電体薄膜を設ける。c前記正誘電体薄膜の表面に第1の負誘電体を設ける。発明22においては、以下のステップdを更に設けた発明21の方法が与えられる。d前記基板を除去する。発明23においては、以下のステップeを更に設けた発明22の方法が与えられる。e前記基板の除去により現れた面を平坦に除去する。発明24においては、前記ステップeは化学機械研磨法またはプラズマエッチングにより行われる、発明23の方法が与えられる。発明25においては、前記ステップbは原子層堆積法、化学的気相成長法、スパッタリングまたは蒸着法により行われる、発明21から発明24の何れかの方法が与えられる。発明26においては、前記第1の負誘電体を一部除去して前記正誘電体薄膜の表面の一部を露出させる、発明21から発明25の何れかの方法が与えられる。発明27においては、発明1から発明10の何れかの電磁波共振器の前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体の間に電圧を印加する電磁波発生素子が与えられる。発明28においては、印加により生じる電子のエネルギーが前記電磁波共振器の共振波長を有する電磁波の光子のエネルギーの100~170になるように電圧を設定した、発明27の電磁波発生素子が与えられる。発明29においては、発明4から発明6の何れかの電磁波共振器の前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体の間に電圧を印加して用いるトンネル発光光源であって、前記溝の幅が異なる複数の領域のそれぞれ異なる共鳴波長に対応した印加電圧を切り替えることにより所望の領域だけを発光させることを特徴とする、トンネル発光光源が与えられる。発明30においては、発明4からは発明6の何れかの電磁波共振器の前記第1の負誘電体と前記第2の負誘電体の間に電圧を印加して用いる分析器であって、前記溝の幅が異なる複数の領域の放射波長を設定しておき、それぞれの放射波長に対応する印加電圧を切り替えることにより前記設定しておいた波長だけを放射させて検出することを特徴とする、分析器が与えられる。本発明の電磁波共振器は、加工すべき幅や深さなどが比較的大きな寸法でよく、アスペクト比もせいぜい2程度の小さなもので済むので、製造が容易である。それにともないコストも低く、様々な用途に応用可能となる。また、本発明の電磁波共振器では2つの負誘電体領域間を電気的に絶縁することが可能なので、間に挟まれる正誘電体薄膜に電圧を印加し、半導体中の電子と正孔の再結合発光、無機材料や有機材料におけるエレクトロルミネッセンス、カソードルミネッセンス、トンネル発光など、様々な発光機構を利用した電磁波発生素子に応用することができる。中でもトンネル発光を利用した電磁波発生素子に応用した場合には、電圧を印加するだけで、室温のままで発光するので、材料には高い耐熱性が要求されず、設計の自由度が増す上に、素子の信頼性の確保も容易になる。従来研究されてきたトンネル発光素子には共振器構造は組み込まれていなかったので、発光は微弱であったが、本発明では、共振器による輻射場増強作用により、実用的な発光が得られることが期待される。また、そのエネルギー源は熱ではなくて電子のエネルギーそのものなので、電圧の変調により高速な輝度変調が可能である。またトンネル発光では、放射スペクトルが印加電圧に依存して変化することが知られている。特に共振器を用いた本発明においては、印加電圧をちょうど一つの共鳴波長に対応した値に設定すると、その特定の次数の共鳴波長だけを放射させることができる。以下、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。図面中の構成要素内および構成要素間の寸法比は、図面の見やすさのため、それぞれ任意となっている。共通の座標系として、電磁波の入出力される主方向がZ軸に沿うものとし、Z方向に自由空間が拡がり、-Z方向に共振器が配置されるようにZ軸の向きを定め、それに直交する平面内に互いに直交するX軸とY軸を取る。電磁波は一般にある角度分布を持って共振器に入射したり出射したりするが、本明細書では、その平均的な伝搬方向を主方向と呼ぶ。なお、以下では、代表例として、赤外線から可視光線領域の電磁波を対象とし、金属材料を負誘電体として用い、表面波として表面プラズモンを用いた例について説明するが、本発明は、周波数帯域に応じて適宜材料を変更し、当該帯域における電磁波の波長を考慮することにより、マイクロ波、テラヘルツ波など広い範囲の電磁波一般に適用できる。また、以下の例で扱う具体的な金属としては、具体的に名称を挙げたものだけでなく、金、銀、銅、アルミニウム、タングステン、白金、パラジウム、ニッケルなどのいずれか、あるいはそれらの合金に置き換えることができる。第1の負誘電体と第2の負誘電体は同じ材料であっても良いし、異なる材料でも良い。また、正誘電体材料としては、数多くの材料が適用可能であるが、例えばシリカ酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、フッ化マグネシウムなどが利用できる。ただし、共振器が同じ寸法でも用いる材料によって共鳴の起こる波長や電界増強度などは異なる。また、以下では、X軸方向に周期配列された電磁波共振器を示すが、それぞれについて、電磁波共振器は1個だけであっても、また、周期的ではない間隔で配列されたものであっても良い。個数や配列は、共振器の用途やその他各種の条件に従って適宜選択することができる。また、上では熱励起しなくて良いことを強調したが、もちろんこの素子構造全体を加熱すれば、従来技術としてあげた電磁波共振器と全く同様、熱放射光源などとしても使用できる。更に、本発明の電磁波共振器の応用として、その上に試料を散布して増強ラマン散乱現象や増強蛍光現象により高感度に分子を検出するバイオチップとして構成することも可能である。また、正誘電体薄膜を半導体や色素薄膜としてレーザーとすることも考えられるなど、広範な応用、変形などが可能であるが、本発明はこれらを全て包含することを意図していることに注意されたい。[第1の実施例]図1は、本発明の第1の実施例である電磁波共振器のXZ断面を示す図である。第1の負誘電体1の表面には、Y軸方向に直線状に伸びる幅P1T、深さDの矩形の溝が、周期P1P2にて配列されている。この溝部分の内面に沿って、厚さTの正誘電体薄膜3が形成されている。ここで、厚さTは、T<D、かつ、T<P1の関係を満たしているため、正誘電体薄膜3の内面にも、さらに、幅P1-T、深さD-Tの矩形の溝が形成されている。この矩形の溝が、第2の負誘電体2にて充填されている。前述したように、正誘電体コアが負誘電体クラッドにはさまれたスラブ導波路には複数のモードの表面波が存在するが、本発明で利用するのは特にその最低次モードの表面波、より正確には、正誘電体と負誘電体の界面に垂直な電界成分を有し、カットオフ周波数を有さないモードの表面波である。なお、上記の表面波には真空波長λ0と表面波波長λPという二つの波長が登場するが、本発明において単に波長と呼ぶ場合には真空波長λ0を指すものとする。また、厳密には空気中の波長と真空中の波長はわずかに異なるが、その差は極めて小さいので、真空波長とは、事実上、空気中で観測される波長を意図するものとする。先に引用した特許文献2においては、スラブ導波路が、XZ断面内で直線形状をなしていることを事実上の前提としていたのに対して、本発明は、スラブ導波路が曲線形状をなしていたり、極端な場合には途中で直角に折れ曲がっていても、共鳴が維持されるという、新しい知見に基づいている。その場合には、導波路の中心線に沿った長さを導波路の長さLと考えれば良い。ただし、本発明の場合には、導波路の二つの開放端が同じ平面上に露出しているため、両端面の電界の向きが互いに打ち消し合うような偶数次の共鳴が禁制になる点において、特許文献2の場合とは異なる。本発明においては、導波路の長さLが表面波の波長λPに対して、1/2λP、3/2λP、5/2λP、に一致する時に共鳴が起こる。図1の説明に戻って、ここでは第1および第2の負誘電体1、2として金、正誘電体薄膜3として酸化アルミニウムを選択した。また、各部の寸法は、P1=P2=130nm、D=217nm、T=5nmとした。この断面構造が、Y軸方向には、これらの寸法よりも十分長い、例えば、5mmの長さに渡って継続している。しかしながら、Y軸方向の長さは、この例では5μm程度以上あれば、これから示す光学特性に本質的な影響を与えない。このY軸方向の長さの目安としては、この構造の共鳴波長λ0程度以上、と考えればよい。図2には、この共振器にZ方向から平行光が入射した場合の吸収スペクトルを示した。この吸収スペクトルは、周期構造のマックスウェルの方程式を数値的に解く厳密結合波解析法により、金の赤外域での複素誘電率の波長依存性を考慮して計算したものである。これまでの研究で、少なくともTが3nm以上の領域では、計算結果と実験結果は良く一致することが広く確認されている。図2には2本のスペクトルが表示されおり、それぞれ、異なる偏光方向に対応している。X偏光した入射光に対しては、この共振器は波長λ05.5μmにて、ほぼ100の吸収を示す。このとき、第1の負誘電体、正誘電体、第2の負誘電体で構成される多層構造が、途中で2回屈曲し、両端面8が開放端となったスラブ導波路7として働き、プラズモン共鳴が生じている。この例では、プラズモン共鳴が吸収増強現象を引き起こし、共鳴点が吸収の極大として観察されている。なお、この特定の実施例では、図からもわかるように、スラブ導波路は金属/誘電体/金属構造をとっている。一方、Y偏光に対しては、負誘電体、正誘電体界面に表面プラズモンは励起できず、この共振器のXY面は単なる金の平板と同じ振る舞いを示す。すなわち、共鳴は起こらず、微弱な吸収しか示さない。図3には、図1の共振器を製造する工程を示した。はじめに、一般的な半導体加工技術を用いて、シリコンにて、幅P1T、高さD’D’>Dの突起が、周期P1P2で配列された第1基板4を用意しておく図3a。その上に、第1の負誘電体1として、厚さ100nm以上の金を直流マグネトロンスパッタリングにより成膜する図3b。これを、エポキシ接着材6にて、ガラス製の第2基板5に接着する図3c。次に、シリコンのみを選択的にエッチングする水酸化カリウム溶液にて第1基板4を溶解する図3d。こうして、第1の負誘電体1表面に、幅P1T、高さD’の溝が、周期P1P2で配列された状態になった。ここまでの工程は、この構造が得られるのであれば、上記以外のどのような製造方法を用いても良い。例えば、第2基板5上に十分に厚い第1の負誘電体1を成膜しておき、その上に一般的な半導体加工技術にてレジストの周期的なマスクを作製し、ドライエッチング技術で所定の深さまで第1の負誘電体を垂直に掘り、最後にレジストを除去するのでも良い。また、周期的な突起の形成された第1基板4をシリコンではなく、シリコンの原版からナノインプリント技術により転写して作った高分子製のものとすれば、低コストで大量生産することが可能となる。高分子製とした場合には、溶解にはキシレンやトルエンなどの有機溶媒を用いればよい。あるいは、第1基板4は溶解せずに、機械的に剥離しても良い。実際に、金とシリコンや高分子の付着力は一般に弱く、残渣を残さずに剥離することは比較的容易である。図3eの工程では、第1の負誘電体1表面上に、正誘電体薄膜3として厚さTの酸化アルミニウムを原子層堆積ALD法にて均一に成膜する。この上に、さらに、正誘電体薄膜3の表面でできた溝を十分に充填するだけの膜厚の第2の負誘電体2を成膜し図3f、最後に、最表面から化学機械研磨CMP法にて、第2の負誘電体2の突出部から削り落としていき、正誘電体薄膜3を露出させ、さらに、正誘電体薄膜3の最上部も削り、第1の負誘電体1の溝深さがD’からDになるまで研磨する図3g。こうして、図1の共振器構造が完成する。第1の負誘電体1として、アルミニウムなどの安定な酸化膜や窒化膜を形成する材料を選んだ場合には、図3eの工程を、正誘電体薄膜3を成膜するのではなく、自然酸化やプラズマ酸化、プラズマ窒化などによって第1の負誘電体1から析出させても良い。また、図3eの工程他の実施例の対応する工程でもでは、ALD法の他にも、化学的気相成長法、高周波マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング、蒸着法などの各種成膜技術が利用できる。なお、最後の研磨工程これについても、他の実施例の対応する工程においても同様では、第1の負誘電体1の溝深さDをナノメートルオーダの精度で作製することが望ましい。このためには、研摩中に適宜研摩面の反射スペクトルを測定し、目的のスペクトル垂直入射の場合には、目的の共鳴波長で極小値となるになるまで研摩するとよい。また、湿式のCMP法の代わりに、乾式のプラズマエッチングなどの方法を用いても良い。その場合には、研磨中にリアルタイムに反射スペクトルをモニターすることも可能である。以上の工程で重要なことは、全行程を通じて、技術的に高度な工程を特に含んでいないことである。先に引用した特許文献1の例では、この例と同様の波長で共鳴を起こすためには、幅100~155nm、アスペクト比6.6~7.3の溝構造を実現する高度な加工技術が必要であった。しかし、図3aや図3dにて作らねばならなかった微細構造は、幅P1T=135nm、高さD’=例えば250nm、アスペクト比1.9の溝あるいは突起であった。この寸法は一般的なフォトリソグラフィで実現するには小さすぎるが、ナノインプリント技術によって型そのものを転写するか、あるいは、ナノインプリントリソグラフィにてレジストを加工し、ドライエッチングすることにより容易に実現できる領域の寸法である。[第2の実施例]本発明の第2の実施例として、図4には、図1の共振器を製造する別の工程を示した。はじめに、一般的な半導体加工技術を用いて、シリコンにて、幅P1-T、高さD’D’>Dの突起が、周期P1P2で配列された第1基板4を用意しておく図4a。その上に、正誘電体薄膜3として厚さTの酸化アルミニウムをALD法にて均一に成膜する図4b。この工程からスタートするメリットは、ALD法ではシリコン上への成膜条件がよく確立しており、その技術をそのまま利用できるためである。次に第1の負誘電体1として、厚さ100nm以上の金を直流マグネトロンスパッタリングにより成膜する図4c。これに続く、エポキシ接着材6にて、ガラス製の第2基板5に接着する工程図4d、シリコンのみを選択的にエッチングする水酸化カリウム溶液にて第1基板4を溶解する工程図4e、十分な膜厚の第2の負誘電体2を成膜する工程図4f、CMP法にて、第1の負誘電体1の溝深さがD’からDになるまで研磨する工程図4gは、図3の例と同じである。なお、図4bの工程では、シリコンの酸化物、窒化物または炭化物を正誘電体薄膜3として析出させるのでも良い。その場合には、最終的な寸法が所望の寸法となるよう、第1基板4の突起寸法は調整しておく必要がある。ところで、本発明の電磁波共振器が共振器として働くためには、必ずしも図1の形状が厳密に実現する必要はない。例えば、図5aのように、正誘電体薄膜3がまったく研磨されずに残っても構わない。その際に、第2の負誘電体2がわずかに多く研磨されて、共振器最表面に段差が生じても構わない図5b。また、正誘電体薄膜3の垂直壁の部分が周囲の負誘電体部より突出したり図5c、逆に、陥没しても図5d問題はない。現実には、平坦化に有効なCMP法を用いても、ここで議論している数nmのレベルでは、材料による研磨速度の違いから、これらの状態で加工を終えることの方が自然である。なお、それぞれの場合、このわずかの違いにより共鳴波長は変わりうるが、反射スペクトルをモニターしながら研磨終端点を検出すれば、いずれの場合でも必要とする共振器が得られる。また、現実の使用の上では、応用上支障のない限り、図5eのように、最表面にシリカなどの保護薄膜9を成膜し、ナノ構造を露出させないことが望ましい。その場合には、保護薄膜9の屈折率に応じて、共鳴波長が変化するので、最初からその効果を見込んで設計しておく必要がある。なお、図5を参照しながら説明した事項は、他の事項と同様、本願実施例全てに等しく適用されることに注意されたい。[第3の実施例]図6は、本発明の第3の実施例である電磁波共振器のXZ断面を示す図である。第1、第2の実施例との違いは、共振器の断面形状である。本発明で利用している共鳴は、両端面8が開放端となったスラブ導波路7におけるプラズモン共鳴である。共鳴波長λ0は導波路中心軸に沿った長さLと表面波波長λPとの関係でほぼ決まり、その導波路がなす形は共鳴にはほとんど影響がない。第1、第2の実施例では、途中で2回、90度の屈曲を示していたが、それが第3の実施例では半円形の円弧になっただけである。より具体的には、第1の負誘電体1の表面には半径RT/2の半円形断面を持った溝が、周期2RP2にて配列されている。この溝部分の内面に沿って、厚さTの正誘電体薄膜3が形成されている。ここで、厚さTは、T<2Rの関係を満たしているため、正誘電体薄膜3の内面にも、さらに、半径R-T/2の半円形断面を持った溝が形成されている。この溝が、第2の負誘電体2にて充填されている。ここでも、第1および第2の負誘電体1、2として金、正誘電体薄膜3として酸化アルミニウムを選択した。また、各部の寸法は、R=178nm、P2=2R=356nm、T=5nmとした。この断面構造が、Y軸方向には、5μm程度以上続いている。図7には、この共振器にZ方向から平行光が入射した場合の吸収スペクトルを示した。図2と同様に、厳密結合波解析法により計算した、異なる偏光方向に対応する2本のスペクトルが表示されている。X偏光した入射光に対しては、この共振器は波長λ06.0μmにて、55の吸収を示す。導波路中心軸に沿った長さLは第1、第2の実施例とほぼ同じであるので、共鳴の中心波長や鋭さは図2とさほど違わない。図2に比べての大きな違いは吸収ピークが低い点であるが、これは図2の構造に比べて共振器の数が疎なためである。一方、Y偏光に対しては、単なる金の平板と同様に微弱な吸収しか示さない。図8には、図6の共振器を製造する工程を示した。はじめに、シリコン製の第1基板4上に第2の負誘電体2として、金の幅2R-T、厚さR’R’>R-T/2の、ほぼ半円形の断面を持ったストライプを周期2RP2にて形成しておく図8a。このような構造は、はじめに第1基板4上に厚さR’の金を成膜しておき、その上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、適切な形の型を用いた紫外線ナノインプリント法により、紫外線硬化樹脂の断面形状を図8aと同様の形にしておき、全体をドライエッチングすることにより実現できる。その上に、正誘電体薄膜3として厚さTの酸化アルミニウムをALD法にて均一に成膜する図8b。次に第1の負誘電体1として、厚さ100nm以上の金を直流マグネトロンスパッタリングにより成膜する図8c。これに続く、エポキシ接着材6にて、ガラス製の第2基板5に接着する工程図8d、シリコンのみを選択的にエッチングする水酸化カリウム溶液にて第1基板4を溶解する工程図8e、CMP法にて、所望のスペクトルが得られるまで研磨する工程図8fは、図3や図4の例と同じである。この製造方法のメリットは、最後のCMP法をしなくても、第2の負誘電体2を1ユニットずつ切り離す工程が最初の工程で終えてあることである。そのため、共振器としては工程の早い段階で完成している。例えば、図8cの段階では、第1基板4側から光を入射すれば、既に共振器になっている。従って、ここで完成するように工程を設計しても良い。シリコンは赤外線を透過するので、このまま第1基板4が保護薄膜9の役割を果たすと考えて良い。また、第2基板4を接着した図8dの段階で完成としても良い。これらの場合には、第1基板4の存在により共鳴特性は変化するので、そのことを見込んで設計しておく必要がある。また、さらに、第1基板4を取り外した図8eで完成としても良い。[第4の実施例]図9には、本発明の第4の実施例として、これまで示してきた電磁波共振器を利用したトンネル発光光源の作製法の概要を示す。共振器を製造する工程として、ここでは図3に示した方法を前提としているが、特別な事情がない限り、以下に説明する方法その他は本明細書に記載したものを含めた電磁共振器の他の作製方法に対しても適用することができることに注意されたい。まず、図9aのような第1基板4を用いて、第1の負誘電体1としての金の成膜図3b、第2基板5への接着材6での固定図3c、第1基板4の溶解または剥離図3dを経て、図9bの格子を製造する。ここで、格子は第2基板5上全面に形成せずに周囲に余白部が残してある。これは後に電極を接続するためである。第1の負誘電体1への電極を接続する領域として、図9bに示すように、後に溶解できるフォトレジストなどにて、マスク10を外周部に設けておく。この後、この全面に正誘電体薄膜3図3e、および、第2の負誘電体2を成膜し図3f、最後に、最表面からCMP法にて、所定の深さまで研磨する図3g。ここでマスク10を溶解して除去した状態が図9cである。マスク10を除去した部分は第1の負誘電体1が露出しているので、ここに第1電極11を接続する。その他の部分は第2の負誘電体2が露出しているので、外周部の適切なところに第2電極12を接続する。図9cの最表面は大半が第2の負誘電体2で覆われているが、格子の部分については、正誘電体薄膜3で覆われた形で第1の負誘電体1のストライプ状の領域が露出している。これらの領域は第1電極11と導通している。[第5の実施例]図10には、本発明の第5の実施例として、図8で示した工程により製造した電磁波共振器を利用したトンネル発光光源の作製法の概要を示す。図8の工程で第1の負誘電体1と第2の負誘電体2との間に電圧を印加できる電磁波共振器を製造するためには、図8aの工程にて、XY面内で見たときに、第2の負誘電体2のストライプを、いわゆる櫛形電極状に1つに束ねるようなパターンに形成しておくと良い。図10aでは、第2の負誘電体2のストライプが、共通の矩形パターン部2aに連結され、ストライプが矩形パターンから櫛の歯状に並行して突出した状態になっている。ここで、第2の負誘電体2への電極を接続する領域として、後に溶解できるフォトレジストなどにて、マスク10を矩形パターン部2a上に設けておく。この後、この全面に正誘電体薄膜3図8b、および、第1の負誘電体1を成膜する図8c。最後に、マスク10を溶解して除去した状態が図10bである。マスク10を除去した部分は第2の負誘電体2の矩形パターン部2aが露出しているので、ここに第2電極12を接続する。その他の部分は第1の負誘電体1が露出しているので、適切なところに第1電極11を接続する。両電極間に電圧を加えて生じるトンネル発光は第1基板4を通して図10では下方向Z方向に放射される。ところで、これまで示してきた図1、図3、図4、図5、図6、および図8を見る限り、第1の負誘電体1と第2の負誘電体2とは電気的には導通していないはずである。しかし現実には、正誘電体薄膜3に生じた欠陥や、成膜時に基板側面などに回り込んだ金属などを通じて、両者が電気的に導通することがある。素子面積が大きくなると、これを回避することはますます困難になる。この対策として、図が過度に複雑になることを避けるため図9や図10にはそのことを反映していないが、現実には、第1の負誘電体1と第2の負誘電体2とが正誘電体薄膜3を介して対向する部分が光源として動作するために必要最小限の領域だけに制限されるよう、それぞれ負の誘電体の成膜時に、フォトレジストなどで適切にマスキングを施すことなどにより、不用意な導通が起こらず、絶縁が維持されるよう、配慮せねばならない。つまり、これらの電磁波共振器がその用途に必要とされる動作を行うために表面波の定在波が存在する必要がある部分を除いた箇所では、第1及び/または第2の負誘電体と正誘電体薄膜が直接接触しないようにその間に別の膜を介在させるか、あるいは所要箇所以外の正誘電体膜を厚くするのが好ましい。また、このことにより、両電極間のキャパシタンスが過度に高くなり、応答速度が低下することを防ぐ効果もある。図11には、第4の実施例のトンネル発光光源の電気的な接続を示す。電圧源13により、正誘電体薄膜3を介して対向した第1の負誘電体1と第2の負誘電体2との間に電圧が印加される。正誘電体薄膜3の膜厚Tが10nm以下、好ましくは5nm以下、さらに好ましくは3nm以下の時、正誘電体薄膜3にはトンネル電流14が流れる。これがスラブ導波路7の表面プラズモンモードを励起し、端面8から空間に光として放射される。なお、正誘電体薄膜3の膜厚Tの下限は好ましくは0.2nmである。ここで、従来のトンネル発光光源では、どのような電圧でも、それに対応した波長の光が放射された。ところが、本発明の光源では、スラブ導波路7の長さLが、その表面プラズモンモードの波長λPに対して同程度であり、両端面8の間に、ちょうど定在波が形成されるような場合に共鳴が起こる。従って、本発明の光源では、ちょうど共鳴が起こるような特別な波長λ0に対応した、特別な電圧の場合にのみX軸方向に直線偏光16した発光15が起こることとなる。その関係は以下のようになる。eV=hc/λ0ここで、左辺は電子のエネルギー、右辺は発生する電磁波の光子のエネルギー、e:素電荷、V:電圧源13の電圧、h:プランク定数、c:真空中の光速度、λ0:共鳴波長である。実際には、トンネルする電子のエネルギーは、トンネル中のフォノン散乱などによりeVから変化していることや、プラズモン共鳴はQ値共鳴の鋭さがさほど大きくなく、波長はその程度にあいまいな値であることなどから、印加すべき電圧は上記の式と厳密に一致するわけではない。具体的には、例えば図2に示したλ0=5.5μmV=0.225Vに対応で共鳴する共振器からこの波長のトンネル発光を得るためには、印加電圧を0.25~0.30V程度とすべきである。より一般的に言えば、電子のエネルギーが共鳴波長の電磁波の光子のエネルギーの100~170の、より好ましくは100~140の範囲に収まるように電圧を設定することが望ましい。従来、特に波長2μmから10μmの領域の赤外波長域では、特定の波長を放射する良い光源が存在しなかった。本発明の光源は、この波長の光を出す上で特に障害もなく、また、室温動作、高速変調が可能で、直線偏光した光を放射できる。[第6の実施例]本発明の第6の実施例は、エレクトロルミネッセンスEL発光を利用した光源である。これは、図9において、正誘電体層3の部分を単なる絶縁膜とするのではなく、発光材料とすればよい。例えば、有機エレクトロルミネッセンス材料として知られているトリス8-キノリノラトアルミニウムや、同様の有機電子輸送材料、有機正孔輸送材料、有機発光材料からなる多層構造体、無機エレクトロルミネッセンス材料として知られている、ZnS:Mn、ZnS:Cuなどを用いればよい。この目的のためには、正誘電体薄膜3の膜厚Tはトンネル電流を流す場合ほど小さい必要はなく、それぞれの発光材料に適切な値とすればよい。さらに、それぞれの発光材料の発光中心波長で共鳴が起こるように各部の寸法を設計する必要がある。この実施例においては、EL発光による光がスラブ導波路7の表面プラズモンモードを励起することにより、導波路端面8から光が放出される。[第7の実施例]これまでのすべての実施例では、共振器のXZ面内での断面形状はY軸方向には一定であるとしてきた。しかし、XZ面内での断面形状ここでは一部の寸法が異なるものも断面形状が異なるものと表現するの異なる共振器をY軸方向に順次連結した構造にすることにより、新たに独特の効果を期待することができる。具体的な例を図12に示す。ここで、基本的な構造や作製方法については図9に準ずるものとする。図9と異なるのは、Y軸方向の位置によって、XZ面内の断面の寸法が異なることである。図12aのAA’およびBB’で切断したXZ断面をそれぞれ図12b、図12cに示す。それぞれの断面を持つ領域をA領域、B領域と呼ぶこととする。第1の負誘電体1上の矩形溝の深さD、正誘電体薄膜3の厚さTは両領域で共通であるが、溝の幅が異なり、A領域、B領域でそれぞれP1AT、P1BTである。ここで、溝の周期については両領域で共通であるP1AP2A=P1BP2B。両領域ではスラブ導波路7A、7Bの長さが、LA=P1A2D-TとLB=P2B2D-Tと異なる。従って、A領域とB領域は異なる真空波長λ0A、λ0Bで共鳴する。図12aに示すように、Y軸方向にA領域、B領域が継続する長さをそれぞれWA、WBとする。このような構造は、一つの構造で複数の共鳴波長を持つこととなるが、主に2つの独特な効果を発揮する。第1の効果は単一モード共振器が実現できることである。これまで、共振器の主方向であるZ軸に沿った方向についての光学特性について議論してきたが、厳密に言うと、これまで示してきた共振器は、特にYZ面内では、異なる方向には少しずつ異なる波長λ0で共鳴する。このことは、発光素子として利用する場合には、Z軸からY軸方向に外れるに従って異なる波長の光を放射することを意味し、バイオチップなどとして利用する場合には、Z軸から外れるに従って、所定の励起波長で効率良く分子検出ができなくなることを意味する。これはY軸方向に均一な構造が表面波長λpに比べて十分に長い距離続く場合、正確にXZ面内においては特定の波長λpの表面波だけが共鳴できるが、XZ面内に収まらないY軸方向成分を持った表面波はその進む向きによって様々な波長で共鳴し、すなわち、この共振器はマルチモード共振器として働いているからである。ここで、特にY軸方向の領域の長さWWA、WBのいずれか、あるいは両方を、表面波の波長λpに対して1/2倍以上、3/2倍以下と選ぶと、その領域は単一モード共振器として働くこととなり、方向による共鳴波長の変化も抑制される。ただし、ここでの領域長さWの厳密な寸法については、[0013]で述べたλpと導波路の長さLの関係と同様、マックスウェル方程式の厳密計算により若干の補正が必要である。もう一つの効果は、特にトンネル発光光源として用いる場合に、印加電圧により複数の放射波長を高速に切り替えられることである。実施例4にて示した通り、本共振器を用いたトンネル発光光源では、共鳴波長に対応した特別な印加電圧の時に特に効率の良い発光が得られる。A領域とB領域は共鳴波長が異なるので、それぞれに対応した電圧を切り替えれば、所望の領域だけを発光させることができる。このような光源は従来存在しなかった。赤外線の吸収を用いて主に気体や液体中の特定の分子の濃度を計測する非分散型赤外分光分析法では、対象分子が吸収する波長λ0Aと吸収しない波長λ0Bの2つの波長の信号の透過率の比を利用して濃度を算出する。従来は図13aのように、一つの黒体光源に対して2つの検出器を用意し、それぞれの検出器の前に、それぞれ、λ0A、λ0Bだけを透過するバンドパスフィルタを設けていた。この場合、黒体光源は分析に必要とするλ0A、λ0Bに限らず、プランク則に従い、広い範囲の波長の赤外光を連続的に放射し、その大半は分析に利用されることなく捨て去られており、非常にエネルギー効率の悪い分析手法であった。図13a中にはこの放射スペクトルも示した。さらに、赤外域で狭い波長範囲だけを透過するバンドパスフィルタは、赤外域で利用可能な薄膜材料が非常に限られる上に、波長が長いのに対応して各層を厚く成膜せねばならないため、コストのかかる部品であった。また、一般に利用可能な赤外検出器は感度が低いため、通常は光源の輝度を矩形電圧により変調し図13a中に駆動波形を示す、ロックイン検出する必要があったが、光源が熱光源であるために非常に緩慢な変調しかできず一般に1Hz以下、高速に応答する分析器は実現することが困難であった。それに対して、本発明の光源を用いると、図13bに示したように、単に1個の検出器を対向しておくだけで分析器が実現できる。本光源は共振器の設計で決まる特定の波長しか放射しないため、高価なフィルタは必要ない。しかも、2波長を電圧の切替により切り替えられるので、A領域、B領域の放射波長を図13b中のスペクトル図に示すようにそれぞれλ0A、λ0Bに設定しておき、それぞれに対応する印加電圧VA、VBを交互に切り替えることによりこの駆動波形も図13b中に示す、交互にλ0A、λ0Bだけが放射され、同期して検出すると、一つの検出器で二つの波長の透過率を測定することができる。しかも、本光源は熱を用いないため、切り替え周波数を少なくとも1Hz以上、典型的には数kHzかそれ以上に向上することができ、それだけ高速応答可能な分析器が実現できる。以上、断面形状の異なる領域がA領域とB領域の2種類という事例について議論してきたが、断面形状の異なる領域が3つ以上あっても良い。また、各領域の長さWA、WBは異なっていても共通であっても構わないし、各領域が周期的に交互に並んでいる必要は必ずしもない。また、各領域は要するに異なる導波路長Lを持てばよいのであり、図12で示したように一部の寸法が異なるのでも良いし、例えば図1のような矩形断面と図6のような半円形断面の領域を組み合わせたものでも良い。本発明は、第一に、レーザー光源、エレクトロルミネッセンス光源、熱放射光源、高感度分析チップなどの実現を可能とする、新しい電磁波共振器を提供する。また、特に室温で動作し、高速変調可能で、様々な波長に対応できる直線偏光した光が放射できるので、特に波長2μmから10μmの領域の赤外線を利用して空気中の二酸化炭素濃度などを計測する環境計測において、多大な利用価値を有する。