高圧放電ランプ10のための電極16を製造するための方法であって、a酸化物層を生成するために電極表面の少なくとも一部をスキャンニングするステップステップ120と、b前記ステップaにおいて生じた酸化物層を少なくとも部分的に昇華するステップステップ120と、c残留する酸化物層を還元するステップステップ140とを含んでいることを特徴とする方法。前記ステップaにおいて、電極の少なくとも次のような部分、すなわち、高圧放電ランプのガラス球内への電極の取り付け後にガラス球のガラス内には埋め込まれていない部分のスキャンニングを行うステップ120、請求項1記載の方法。前記ステップaは、雰囲気において、とりわけ酸素富化な雰囲気において実施されるステップ120、請求項1または2記載の方法。前記ステップbは、前記ステップaと同時に実施されるステップ120、請求項1から3いずれか1項記載の方法。前記ステップcは、酸素を含有する雰囲気、とりわけアルゴン-水素混合気において実施されるステップ140、請求項1から4いずれか1項記載の方法。前記電極16はタングステンを含有し、この場合前記ステップcにおいてタングステン酸化物が純粋なタングステンに還元されるステップ140、請求項1から5いずれか1項記載の方法。前記ステップaにおけるスキャンニングは、レーザービーム装置、電子ビーム装置、またはイオンビーム装置を用いて行われるステップ120、請求項1から6いずれか1項記載の方法。前記レーザービーム装置、電子ビーム装置、ないしイオンビーム装置は、電極表面の少なくとも一部の溶解、酸化、昇華が可能なエネルギー密度が放出されるように設計されている、請求項7記載の方法。前記ステップaにおいて、前記レーザービーム装置が1kHz乃至100kHzの間の周波数、とりわけ10kHzの周波数でクロック制御されるステップ120、請求項7または8記載の方法。前記ステップaにおいて、前記電極表面に、2つの隣接する溝の間で001mm乃至02mmの間の溝間隔、とりわけ01mmの溝間隔を有する複数の溝が生成されるステップ120、請求項7から9いずれか1項記載の方法。前記レーザービーム装置は、001mm乃至01mmの間のレーザービーム焦点、とりわけ002mmのレーザービーム焦点で動作する、請求項7から10いずれか1項記載の方法。前記ステップcは、700°C乃至2500°Cの間の温度、とりわけ2200°Cの温度のもとで実施されるステップ140、請求項1から11いずれか1項記載の方法。前記ステップaは、周辺大気温度、とりわけ15°C乃至30°Cの間の温度と、周辺大気圧のもとで実施されるステップ120、請求項1から12いずれか1項記載の方法。a酸化物層を生成するために電極表面の少なくとも一部をスキャンニングするステップステップ120と、b前記ステップaにおいて生じた酸化物層を少なくとも部分的に昇華するステップステップ120と、c残留する酸化物層を還元するステップステップ140とによって製造された少なくとも1つの電極16を備えていることを特徴とする高圧放電ランプ10。