少なくとも1つの第一の化合物、および該第一の化合物とは異なる少なくとも1つの第二の化合物を含む組成物であって、少なくとも1つの該第一の化合物が、フルオレン核である正孔輸送核を含み、該正孔輸送核が、第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、かつ該核が、少なくとも4個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基にさらに共有結合しており、かつ該可溶化基が溶媒抵抗性intractability基で置換されていてもよく;少なくとも1つの該第二の化合物が、フルオレン核である正孔輸送核を含み、該正孔輸送核が、第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、該第二の化合物が、少なくとも1つの溶媒抵抗性基をさらに含み、該溶媒抵抗性基が、該第一のアリールアミン基、該第二のアリールアミン基、またはその両方に結合していてもよく;該第一の化合物および該第二の化合物が約5000gモルまたはそれ未満の分子量を有する、組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約99:1~約1:99である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約90:1~約10:90である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約20:80~約40:60である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約99:1~約80:20である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約40:60~約60:40である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物の分子量が約2000またはそれ未満であり、かつ前記第二の化合物の分子量が約2000またはそれ未満である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物の分子量が約1000またはそれ未満であり、かつ前記第二の化合物の分子量が約1000またはそれ未満である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物がアリールアミン基を2つだけ有し、かつ前記第二の化合物がアリールアミン基を2つだけ有する、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の核フルオレン基が、該フルオレン基の2位および7位のアリールアミンに結合しており、かつ該核フルオレン基が9位の前記可溶化基に結合している、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物について、2つの前記可溶化基がそれぞれ少なくとも8個の炭素原子を含む、請求項1記載の組成物。前記第二の化合物が、前記第一のアリールアミン基に結合している少なくとも1つの溶媒抵抗性基、および前記第二のアリールアミン基に結合している少なくとも1つの溶媒抵抗性基を含む、請求項1記載の組成物。前記第二の化合物の前記溶媒抵抗性基がビニルである、請求項1記載の組成物。前記第二の化合物の前記溶媒抵抗性基が、フェニル環に共有結合してスチレン単位を形成するビニルである、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物について、前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基が同じ基である、請求項1記載の組成物。前記フルオレン核に結合している2つの前記可溶化基が同じ基である、請求項1記載の組成物。前記アリールアミン基の少なくとも1つが、窒素に結合している置換されていてもよいナフチル基を含む、請求項1記載の組成物。前記アリールアミン基の少なくとも1つが、窒素に結合している置換されていてもよいナフチル基および窒素に結合している置換されていてもよいフェニル基の両方を含む、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物が、少なくとも5重量の溶解性を有する、請求項1記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が重合可能な基である、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物について、前記可溶化基が前記溶媒抵抗性基で置換されており、かつ前記第二の化合物について、前記核が、少なくとも4個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基をさらに含む、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約20:80~約40:60である、請求項21記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約25:75~約35:65である、請求項21記載の組成物。前記第一の化合物について、前記溶媒抵抗性基がベンゾシクロブタンである、請求項21記載の組成物。前記第二の化合物について、前記核が、少なくとも8個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基をさらに含む、請求項21記載の組成物。前記第二の化合物について、前記可溶化基が溶媒抵抗性基を含まない、請求項21記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物が、異なる溶媒抵抗性基を含む、請求項21記載の組成物。前記第一の化合物が、によって表される、請求項21記載の組成物。前記第二の化合物が、によって表される、請求項21記載の組成物。前記第一の化合物が、によって表され、かつ前記第二の化合物が、によって表される、請求項21記載の組成物。前記第一の化合物について、前記核の可溶化基が溶媒抵抗性基で置換されていない、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約99:1~約80:20である、請求項31記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約95:5~約85:15である、請求項31記載の組成物。前記第一の化合物について、前記溶媒抵抗性基が、前記アリールアミン基の少なくとも1つにあり、かつビニルである、請求項31記載の組成物。前記第二の化合物について、前記核が、フルオレンに結合している基をさらに含み、該基がC3基、C2基またはC1基である、請求項31記載の組成物。前記第二の化合物について、フェニルに結合してパラスチレンを形成するビニルである溶媒抵抗性基が、前記第一のアリールアミンおよび前記第二のアリールアミンに結合した、請求項31記載の組成物。前記第一の化合物が、前記核に結合している溶媒抵抗性基を含まない、請求項31記載の組成物。前記第一の化合物が、によって表される、請求項31記載の組成物。前記第二の化合物が、によって表される、請求項31記載の組成物。前記第一の化合物が、によって表され、かつ前記第二の化合物が、によって表される、請求項31記載の組成物。前記第一の化合物について、前記可溶化基が前記溶媒抵抗性基で置換されており、かつ前記第二の化合物について、前記核が、少なくとも4個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基を含まない、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約80:20~約20:80である、請求項41記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物の相対量が、それぞれ重量比で約60:40~約40:60である、請求項41記載の組成物。前記第一の化合物について、前記溶媒抵抗性基がビニルである、請求項41記載の組成物。前記第一の化合物について、前記溶媒抵抗性基が、フェニルに結合してスチレン単位を形成するビニルである、請求項41記載の組成物。前記第二の化合物について、前記核が、フルオレンに結合している基をさらに含み、該基がC3基、C2基またはC1基である、請求項41記載の組成物。前記第二の化合物について、フェニルに結合してパラスチレンを形成するビニルである溶媒抵抗性基が、前記第一のアリールアミンおよび前記第二のアリールアミンに結合した、請求項41記載の組成物。前記第一の化合物が、によって表される、請求項41記載の組成物。前記第二の化合物が、によって表される、請求項41記載の組成物。前記第一の化合物が、によって表され、かつ前記第二の化合物が、によって表される、請求項41記載の組成物。インクを形成するための溶媒系をさらに含む、請求項1記載の組成物。インクを形成するための溶媒系をさらに含み、該インクの固形分が、約05~約5重量重量全固形分である、請求項1記載の組成物。インクを形成するための溶媒系をさらに含み、かつ該溶媒系が、トルエン、oキシレン、クロロベンゼン、またはその混合物を溶媒として含む、請求項1記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が重合可能な基であり、かつ該重合可能な基が反応する、請求項1記載の組成物。請求項1記載の組成物の第一の化合物および第二の化合物の反応によって調製される、組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物とは異なる少なくとも1つの第三の化合物をさらに含み、該第三の化合物が、該組成物のための重合反応を活性化する、請求項1記載の組成物。前記第一の化合物および前記第二の化合物とは異なる少なくとも1つの第三の化合物をさらに含み、該第三の化合物がパラスチレン単位を含む、請求項1記載の組成物。前記第一のアリールアミン化合物および前記第二のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つの第三のアリールアミン化合物をさらに含み、該第三のアリールアミン化合物が架橋基を1つだけ有する、請求項1記載の組成物。前記第一のアリールアミン化合物および前記第二のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つの第三のアリールアミン化合物をさらに含み、該第三のアリールアミン化合物が、3つまたはそれ以上の架橋基を有する、請求項1記載の組成物。少なくとも1つの第三のアリールアミン化合物をさらに含み、該第三のアリールアミン化合物が、前記第一の化合物および前記第二の化合物と比較して、より低いLUMO、およびより低いまたはほぼ同等のHOMOを有する、請求項1記載の組成物。正孔輸送核を含む少なくとも1つの化合物を含む組成物であって、該核が、第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、かつ該化合物が、少なくとも1つの溶媒抵抗性基に共有結合しており、該溶媒抵抗性基が、該正孔輸送核、該第一のアリールアミン基、該第二のアリールアミン基、またはそれらの組み合わせに共有結合しており、かつ該化合物が約5000gモルまたはそれ未満の分子量を有する、組成物。前記化合物が少なくとも3つの溶媒抵抗性基を含み、かつ少なくとも1つの溶媒抵抗性基が前記正孔輸送核に共有結合しており、かつ少なくとも1つの溶媒抵抗性基が前記第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつ少なくとも1つの溶媒抵抗性基が前記第二のアリールアミン基に共有結合している、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が、前記正孔輸送核に共有結合しているが、前記第一のアリールアミン基または前記第二のアリールアミン基には共有結合していない、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が、前記第一のアリールアミン基、前記第二のアリールアミン基、またはその両方に共有結合しているが、前記正孔輸送核には結合していない、請求項61記載の組成物。前記化合物が1つの溶媒抵抗性基を含む、請求項61記載の組成物。前記化合物が2つの溶媒抵抗性基を含む、請求項61記載の組成物。前記化合物が3つまたはそれ以上の溶媒抵抗性基を含む、請求項61記載の組成物。前記化合物の分子量が約2000またはそれ未満である、請求項61記載の組成物。前記化合物の分子量が約400~約2000である、請求項61記載の組成物。前記化合物の分子量が約2000~約5000である、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも2つのアリールまたはヘテロアリール環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも3つのアリールまたはヘテロアリール環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が炭素環のみを含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも1つのスピロ部分を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも1つのチオフェン部分を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも2つのチオフェン部分を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも1つのベンゾジチオフェン部分を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも1個の窒素を含む少なくとも1つのヘテロアリール部分を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも2個の窒素を含む少なくとも1つのヘテロアリール部分を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも1つのピペラジン核を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも1つのピロール環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも2つのピロール環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも1つのシロール環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも2つのシロール環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも3つの縮合環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が少なくとも5つの縮合環を含む、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも1つの可溶化基によって官能基化されている、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも2つの可溶化基によって官能基化されている、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも1つの可溶化基によって官能基化されており、該可溶化基が、少なくとも4個の炭素原子を有する、請求項61記載の組成物。前記正孔輸送核が、少なくとも1つの可溶化基によって官能基化されており、該可溶化基が、少なくとも4個の炭素原子を含むアルキレン基を有する、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基が、同じアリールアミン基である、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2が、置換されていてもよいアリール基またはヘテロアリール基であり、該アリール基または該ヘテロアリール基が、同じでもよいかまたは異なっていてもよい、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つが、置換されていてもよいフェニル基である、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つが、置換されていてもよいビフェニル基である、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つが、置換されていてもよいカルバゾール基である、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、Nが、置換されていてもよいカルバゾール基を形成する、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つが、置換されていてもよいナフチル基である、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つが、置換されていてもよいチエノベンゼン基である、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つが、置換されていてもよいフルオレン基である、請求項61記載の組成物。前記第一のアリールアミン基および前記第二のアリールアミン基がそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つが、少なくとも2つの縮合芳香環を含む置換されていてもよい基である、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が架橋基を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が非架橋基を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が少なくとも1つのエチレン不飽和部分を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基がビニル基を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基がベンゾシクロブタン基を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基がインデニル基を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が四級アンモニウム基を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が、テトラアリールホウ酸アニオンを含む四級アンモニウム基を含む、請求項61記載の組成物。前記溶媒抵抗性基が、ペンタフルオロフェニルホウ酸アニオンを含む四級アンモニウム基を含む、請求項61記載の組成物。前記化合物が約200°Cまたはそれ未満のガラス転移温度を有する、請求項61記載の組成物。前記化合物が第一の化合物であり、かつ前記組成物が、該第一の化合物とは異なる少なくとも1つのさらなる第二の化合物をさらに含み、該第二の化合物が、該組成物のための重合反応を活性化する、請求項61記載の組成物。前記化合物が第一の化合物であり、かつ前記組成物が、該第一の化合物とは異なる少なくとも1つのさらなる第二の化合物をさらに含み、該第二の化合物がパラスチレン単位を含む、請求項61記載の組成物。前記化合物が第一の化合物であり、かつ前記組成物が、前記第一のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つのさらなる第二のアリールアミン化合物をさらに含み、該第二のアリールアミン化合物が、架橋基を1つだけ有する、請求項61記載の組成物。前記化合物が第一の化合物であり、かつ前記組成物が、前記第一のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つの第二のアリールアミン化合物をさらに含み、該第二のアリールアミン化合物が、3つまたはそれ以上の架橋基を有する、請求項61記載の組成物。前記化合物が第一の化合物であり、かつ前記組成物が、少なくとも1つの第二のアリールアミン化合物をさらに含み、該第二のアリールアミン化合物が、該第一の化合物と比較して、より低いLUMO、およびより低いまたはほぼ同等のHOMOを有する、請求項61記載の組成物。少なくとも1つの第一の化合物、および該第一の化合物とは異なる少なくとも1つの第二の化合物を含む組成物であって、少なくとも1つの該第一の化合物が、フルオレン核またはビフェニル核である正孔輸送核を含み、該正孔輸送核が、第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、かつ該核が、少なくとも4個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基にさらに共有結合しており、かつ該可溶化基が溶媒抵抗性基で置換されていてもよく;少なくとも1つの該第二の化合物が、フルオレン核またはビフェニル核である正孔輸送核を含み、該正孔輸送核が、第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、該第二の化合物が、少なくとも1つの溶媒抵抗性基をさらに含み、該溶媒抵抗性基が、該第一のアリールアミン基、該第二のアリールアミン基、またはその両方に結合していてもよく;該第一の化合物および該第二の化合物が、約5000gモルまたはそれ未満の分子量を有する、組成物。前記正孔輸送核がビフェニル核である、請求項116記載の組成物。詳細な説明序論本明細書において引用するすべての参考文献は、それらの全体が参照により本明細書に組み入れられる。本明細書と同じ日に出願されたのは、2011年7月1日に出願されたHOLETRANSPORTCOMPOSITIONSANDRELATEDDEVICESANDMETHODSと題された米国特許出願第号譲受人:Plextronicsであり、これはその全体が参照により本明細書に組み入れられる。OLEDを含む有機電子デバイス、ならびに正孔注入層および正孔輸送層を含む有機電子デバイスを作成するための材料が、例えば、以下のPlextronicsIncに譲渡された特許公報に記載されている:国際公開公報第2006036755号;国際公開公報第2006086480号;国際公開公報第2008073149号;国際公開公報第2009126918号;国際公開公報第2009111675号;国際公開公報第2009111339号;国際公開公報第2010051259号;国際公開公報第2010059240号;国際公開公報第2010059646号;および国際公開公報第2010062558号。OLEDデバイスは、例えば、PLED、SMOLED、PHOLED、WOLEDなどを含む、様々な下位範疇を含みうる。OLEDデバイス、材料、および方法は、例えば、1HighlyEfficientOLEDSwithPhosphorescentMaterials2008WileyVCH、2OrganicLightEmittingDevicesSynthesisPropertiesandApplications2006、3OrganicLightEmittingMethodsandDevices2007CRCにも記載されている。エレクトロルミネセンスデバイスは、例えば、FriendetalElectroluminescenceinConjugatedPolymersNature397121128January141999に記載されている。正孔注入および輸送は、例えば、ShenetalHowtoMakeOhmicContacttoOrganicSemiconductorsChemPhysChem200451625に記載されている。OLEDデバイスは、例えば、ForrestThePathtoUbiquitousandLowCostOrganicElectronicAppliancesonPlasticNature428April292004911918に記載されている。正孔輸送を提供する化合物および化合物内の単位は、当技術分野において公知である。例えば、米国特許第5034296号;同第5055366号;同第5149609号;同第5589320号;同第5759709号;同第5895692号;および同第7125633号、ならびに米国特許出願公開第20050184287号および同第20080286566号を参照されたい。正孔輸送材料、形態学、およびデバイスアリールアミン化合物を含むはChargeCarrierTransportingMolecularMaterialsandtheirApplicationsinDevicesShirotaetalChemRev20071079531010にも詳細に記載されている。第I部様々な核、アリールアミンおよび溶媒抵抗性基を有する、単一正孔輸送化合物の説明個々の正孔輸送材料または化合物を記載する。加えて、2つまたはそれ以上の正孔輸送材料の混合物も記載する。正孔輸送材料および化合物は当技術分野において公知である。これらは典型的にはパイ電子系を含む。正孔輸送材料の主な例はアリールアミン化合物群である。1つの態様は、例えば、正孔輸送核を含む少なくとも1つの化合物を含む組成物であって、該核が、第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、かつ該化合物が少なくとも1つの溶媒抵抗性基に共有結合しており、該溶媒抵抗性基が、該正孔輸送核、該第一のアリールアミン基、該第二のアリールアミン基、またはそれらの組み合わせに共有結合しており、かつ該化合物が約5000gモルまたはそれ未満の分子量を有する、組成物を提供する。正孔輸送核、アリールアミン、および溶媒抵抗性基を、以下にさらに記載する。正孔輸送核正孔輸送核は、少なくとも第一および第二のアリールアミン基に連結している、二価、三価、またはより高い原子価の基でありうる。この化合物配置はA1CA2によって表すこともでき、ここでA1は第一のアリールアミン基を表し、かつA2は第二のアリールアミン基を表し、かつCは正孔輸送核を表す。1つまたは複数の溶媒抵抗性基はA1、C、およびまたはA2の1つまたは複数に結合することができる。加えて、化合物は正孔輸送核または核外のアリールアミン基に連結している基のいずれかにおいて、さらなるアリールアミン基を含みうる。様々なアリール基またはヘテロアリール基を正孔輸送核において用いることができる。置換されていてもよいアリール基およびヘテロアリール基の例は当技術分野において公知であり、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ペリレン、テトラセン、ピレン、ベンズピレン、クリセン、トリフェニレン、アセナフテン、フルオレン、およびそれらから誘導されたものが含まれる。ヘテロアリールの例には、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、ピロール、ピラゾール、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキサゾール、チアゾール、テトラゾール、インドール、カバゾールcabazole、ピロロイミダゾール、ピロロピラゾール、ピロロピロール、チエノピロール、チエノチオフェン、フロピロール、フロフラン、チエノフラン、ベンゾイソキサゾール、ベンゾイソチアゾール、ベンゾイミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キノキサリン、フェナントリジン、ベンゾイミダゾール、ペリミジン、キナゾリン、キナゾリノン、アズレン、およびそれらから誘導されたものが含まれる。アリール基またはヘテロアリール基は縮合環系を含みうる。アリール基およびヘテロアリール基は様々な置換基およびまたは可溶化基で置換されていてもよい。例は独立してH、F、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、フルオロアリール、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシならびに本明細書に記載の溶媒抵抗性基でありうる。隣接環上の置換基は一緒に縮合して環を形成することができる。1つの態様において、例えば、正孔輸送核は少なくとも2つのアリールまたはヘテロアリール環を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも3つのアリールまたはヘテロアリール環を含む。1つの態様において、正孔輸送核は炭素環のみを含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも1つのスピロ部分を含む。正孔輸送化合物内のスピロ部分は、例えば、米国特許出願公開第20040106004号Liに記載されている。正孔輸送核はすべて炭素および水素原子で構成されうる。または、正孔輸送核はO、S、N、P、Si、Se、Teなどのヘテロ原子を含みうる。1つの態様において、正孔輸送核は、少なくとも1つのチオフェン部分を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも2つのチオフェン部分を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも1つのベンゾジチオフェン部分を含む。1つの態様において、以下にさらに記載するとおり、正孔輸送核はOヘテロ原子およびSヘテロ原子の両方を含む。1つの態様において、正孔輸送核は、少なくとも1個の窒素を含む少なくとも1つのヘテロアリール部分を含む。1つの態様において、正孔輸送核は、少なくとも2個の窒素を含む少なくとも1つのヘテロアリール部分を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも1つのピペラジン部分を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも1つのピロール環を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも2つのピロール環を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも1つのシロール環を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも2つのシロール環を含む。正孔輸送核は縮合環を含みうる。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも2つ、または少なくとも3つ、または少なくとも4つの縮合環を含む。1つの態様において、正孔輸送核は少なくとも5つの縮合環を含む。1つまたは複数の置換基を正孔輸送核に共有結合させて、溶解性を高めることができる。そのような可溶化基の一般的な例は、置換されていてもよいアルキル部分またはヘテロアルキル部分アルキル基は、スペーサーとして二価の状況で用いる場合、アルキレンと呼ぶこともでき;例えば、プロピルはプロピレンスペーサーでありうるである。例えば、C4~C30、またはC4~C20、またはC4~C12の可溶化基を用いることができる。ヘテロ原子には、例えば、酸素、窒素、および硫黄が含まれる。当業者であれば、溶解性に対する置換基の影響を調べることができる。1つの態様において、正孔輸送核は、少なくとも1つの可溶化基によって官能基化されている。1つの態様において、正孔輸送核は、少なくとも2つの可溶化基によって官能基化されている。1つの態様において、正孔輸送核は、少なくとも1つの可溶化基によって官能基化されており、該可溶化基が、少なくとも4個の炭素原子を有する。1つの態様において、正孔輸送核は、少なくとも1つの可溶化基によって官能基化されており、該可溶化基が、少なくとも4個の炭素原子を含むアルキレン基を有する。他の可溶化基を本明細書中の構造において示す。表1以下および作業実施例に示す下位構造の組み合わせに基づく化合物を含む、様々な正孔輸送核を本開示の全体を通して示す。硫黄を含む正孔輸送核基の特定の例代表的なアリールアミン基と共に、しかし示した場合を除いて溶媒抵抗性基なしでを以下に示し、2つのアリールアミン基に共有結合している正孔輸送核を示す。化合物核A1溶媒抵抗性基は示していない。化合物核B1溶媒抵抗性基は示していない。例えば、アルキル基を含むC4~C20の置換されていてもよい基を含む、核上の分枝アルキル可溶化基は変動しうる。化合物核C1溶媒抵抗性基は示していない。例えば、アルキル基を含むC4~C20の置換されていてもよい基を含む、核上の分枝アルキル可溶化基は変動しうる。化合物核D1溶媒抵抗性基は示していない。化合物核E1、2つの溶媒抵抗性基を示している。第一のアリールアミン基および第二のアリールアミン基アリールアミン基は一般に当技術分野において公知である。例えば、米国特許出願公開第20110017988号、YasukawaらA1および本明細書において引用する他の参考文献を参照されたい。アリールアミン基は正孔輸送核に結合している窒素上に1つの原子価を有する。窒素上の他の2つの原子価はアリール基に結合している。これはNで表すことができ、R1~R3は互いに独立して、同じでもよいかまたは異なっていてもよいアリール基である。アリール基はヘテロ原子を含まない基であってもよいか、または少なくとも1つのヘテロ原子を含むヘテロアリール基であってもよい。様々なアリールアミン基を、表1を含む本開示の全体を通して示す。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基は、同じアリールアミン基である。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基は異なるアリールアミン基である。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2は、置換されていてもよいアリール基またはヘテロアリール基であり、該アリール基または該ヘテロアリール基が、同じでもよいかまたは異なっていてもよい。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つは置換されていてもよいフェニル基であるアリールアミンにおける残りの原子価は正孔輸送核に連結している。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つは置換されていてもよいビフェニル基である。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つは、置換されていてもよいカルバゾール基である。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、Nは、置換されていてもよいカルバゾール基を形成する。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つは、置換されていてもよいナフチル基である。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つは、置換されていてもよいチエノベンゼン基である。1つの態様において、第一および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つは、置換されていてもよいフルオレン基である。1つの態様において、第一のアリールアミン基および第二のアリールアミン基はそれぞれ独立してNで表され、R1およびR2の少なくとも1つは、少なくとも2つの縮合芳香環を含む置換されていてもよい基である。溶媒抵抗性基、重合可能な基、および架橋基正孔輸送材料の溶媒抵抗性は当技術分野において公知である。例えば、米国特許出願公開第20090256117号;同第20100273007号;および同第20100292399号を参照されたい。溶媒抵抗性基によって材料は十分に化学物質および溶媒に耐性となることができ、溶液処理が可能となる。1つの態様において、溶媒抵抗性基は、重合可能な基または架橋基を含む。架橋基は分子間の共有結合および分子量の増大を可能にして、溶媒抵抗性、化学的抵抗性、および溶媒耐性の材料を提供する。1つの態様において、溶媒抵抗性基は非架橋基を含む。非架橋基は、カチオンおよびアニオンを含む塩基でありうる。ホウ酸塩を含む有機アニオンを用いることができる。アンモニウムカチオンを用いることができる。1つの態様において、溶媒抵抗性基を分子の残部にスペーサーを介して連結することができる。スペーサーの例には、アルキレン基を含む、本明細書に記載の可溶化基が含まれる。1つの態様において、溶媒抵抗性基はビニル基であるが、非芳香族基に連結しているか、またはスチレン構造などで単一の芳香族基に連結しているだけのいずれかである。1つの態様において、溶媒抵抗性基は、縮合芳香環系などのより大きい非局在化構造から分離されている。これは、いくつかの場合には、安定性を改善することもある。1つの態様において、スチレン基を正孔輸送核に、アルキレン部分などの非共役スペーサーを介して連結することができる。1つの態様において、溶媒抵抗性基は少なくとも1つのエチレン不飽和部分を含む。1つの態様において、溶媒抵抗性基はビニル基を含む。1つの態様において、ビニル基は酸素原子に連結しておりビニレンオキシ基、またはもう1つの態様において、脂肪族もしくは芳香族基の一部である炭素原子に連結している例えば、プロペニル;他の例にはアクリロイル、またはメタクリロイルが含まれる。1つの態様において、溶媒抵抗性基はベンゾシクロブタン基を含む。1つの態様において、溶媒抵抗性基はインデン基またはインデニル、例えば、表1の溶媒抵抗性基4を含む。非架橋基のための1つの態様において、溶媒抵抗性基は四級アンモニウム基を含む。1つの態様において、溶媒抵抗性基はテトラアリールホウ酸アニオンを含む四級アンモニウム基を含む。1つの態様において、溶媒抵抗性基はペンタフルオロフェニルホウ酸アニオンを含む四級アンモニウム基を含む。スペーサー基を用いて、四級アンモニウム基とアリールアミン基との間の連結を提供することができる。重合可能な基ではない溶媒抵抗性基を含む化合物の、いくつかの特定の態様は、化合物PLXIG1およびPLXIG2を含む。溶媒抵抗性基の配置核およびアリールアミン基に関して、分子内で溶媒抵抗性基を配置するためには少なくとも3つの配置が存在し、それぞれの代表的態様を本明細書に記載する。1つの第一の態様において、例えば、化合物は少なくとも3つの溶媒抵抗性基を含み、かつ少なくとも1つの溶媒抵抗性基は正孔輸送核に共有結合しており、かつ少なくとも1つの溶媒抵抗性基は第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつ少なくとも1つの溶媒抵抗性基は第二のアリールアミン基に共有結合している。1つの第二の態様において、例えば、1つまたは複数の溶媒抵抗性基は正孔輸送核に共有結合しているが、第一のアリールアミン基または第二のアリールアミン基には結合していない。1つの第三の態様において、例えば、1つまたは複数の溶媒抵抗性基は、第一のアリールアミン基、第二のアリールアミン基、またはその両方に共有結合しているが、正孔輸送核には結合していない。溶媒抵抗性基の数1つの態様において、化合物は1つの溶媒抵抗性基を含む。1つの態様において、化合物は2つまたはそれ以上の溶媒抵抗性基を含む。他の態様において、化合物は3、4、5、もしくは6つまたはそれ以上の溶媒抵抗性基を含む。特定の上限はないが、溶媒抵抗性基の数は12個またはそれ未満、または10個またはそれ未満、または8個またはそれ未満、または6個またはそれ未満でありうる。分子量加えて、正孔輸送化合物の分子量gmolは適用のために適合させることができる。分子量は、例えば、約5000gmolまたはそれ未満、または約4000gmolまたはそれ未満、または約3000gmolまたはそれ未満、または約2000gmolまたはそれ未満、または約1000gmolまたはそれ未満でありうる。1つの態様において、化合物の分子量は約400gmol~約5000gmol、または約400gmol~約2000gmolである。1つの態様において、化合物の分子量は約2000gmol~約5000gmolである。分子量は、例えば、約250gmol超、または約400gmol超でありうる。HTL核、アリールアミン、および溶媒抵抗性基の例に関する表以下の表1は、正孔輸送核基、アリールアミン基第一または第二のアリールアミン基のいずれでも、および溶媒抵抗性基の具体例を提供する。これらを合成的に可能な任意の組み合わせで配置することができる。表1に示すHTL核基について、ダングリングボンドはアリールアミン基の窒素原子における結合部位である。表1に示すRまたはR基は、互いに独立して、例えば、C1~C20基、またはC4~C20基を含む、本明細書に記載の置換基または可溶化基でありうる。RまたはR基は飽和または不飽和、直鎖、環式、分枝でありえ、かつ任意に当技術分野において公知の官能基で置換されていてもよい。さらなる具体的な化合物さらなる具体的な正孔輸送化合物を以下に示す代表するのもとしてC6H13基を以下に示し;これらは、例えば、直鎖または分枝または環式を含むC4からC20アルキル基などの任意のR基でありうることに留意されたい。第II部正孔輸送化合物の混合物第II部において、2つまたはそれ以上の正孔輸送化合物を含む、組成物を調製する。第I部において前述した化合物を、二成分混合物を含む混合物において用いるために選択することができる。しかし、特に、これらの混合物中の化合物について、例えば、核は、例えば、フルオレン部分、フェニル部分、またはビフェニル部分を含むことができる。特に、フルオレン核は混合物にとって興味が持たれる。混合物を注意深く調合すれば、非水性HIL層を含むHIL層を良好にコーティングすることができる。例えば、1つの態様は、少なくとも1つの第一の化合物、および該第一の化合物とは異なる少なくとも1つの第二の化合物を含む組成物であって、少なくとも1つの該第一の化合物が、フルオレン核である正孔輸送核を含み、該正孔輸送核が、第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、かつ該核が、少なくとも4個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基にさらに共有結合しており、かつ該可溶化基が溶媒抵抗性基で置換されていてもよく;少なくとも1つの該第二の化合物が、フルオレン核である正孔輸送核を含み、該正孔輸送核が第一のアリールアミン基に共有結合しており、かつまた第二のアリールアミン基にも共有結合しており、該第二の化合物が少なくとも1つの溶媒抵抗性基をさらに含み、該溶媒抵抗性基が、該第一のアリールアミン基、該第二のアリールアミン基、またはその両方に結合していてもよく;かつ該第一の化合物および該第二の化合物が、約5000gモルまたはそれ未満の分子量を有する組成物を提供する。第一の化合物および第二の化合物の相対質量比第一の化合物および第二の化合物の相対質量比は特定の適用のために適合させることができる。例えば、1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約99:1~約1:99である。もう1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約90:10~約10:90である。もう1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約80:20~約20:80である。もう1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約70:30~約30:70である。もう1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約60:40~約40:60である。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約20:80~約40:60である。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約99:1~約80:20である。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約40:60~約60:40である。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約80:20~約60:40である。第一のアリールアミン基および第二のアリールアミン基の対称性1つの態様において、第一の化合物について、第一および第二のアリールアミン基は同じ基である。1つの態様において、第二の化合物について、第一および第二のアリールアミン基は同じ基である。1つの態様において、第一および第二の化合物について、第一および第二のアリールアミン基は異なる。分子量混合物において用いる正孔輸送化合物の分子量gmolは特定の適用のために適合させることができ、各化合物に対して独立して選択することができる。例えば、1つの態様において、第一の化合物の分子量は約5000またはそれ未満であり、かつ第二の化合物の分子量は約5000またはそれ未満である。もう1つの態様において、第一の化合物の分子量は約3000またはそれ未満であり、かつ第二の化合物の分子量は約3000またはそれ未満である。1つの態様において、第一の化合物の分子量は約2000またはそれ未満であり、かつ第二の化合物の分子量は約2000またはそれ未満である。1つの態様において、第一の化合物の分子量は約1000またはそれ未満であり、かつ第二の化合物の分子量は約1000またはそれ未満である。第一および第二の化合物の分子量は、例えば、少なくとも約100、または少なくとも約200、または少なくとも約300、または少なくとも約400、または少なくとも約500でありうる。アリールアミン基の数混合物において、正孔輸送化合物は第一および第二のアリールアミン基を含みうる。1つの態様において、第一の化合物はアリールアミン基を2つだけ有し、かつ第二の化合物はアリールアミン基を2つだけ有する。もう1つの態様において、第一または第二の化合物は3、4、5、または6つ以上のアリールアミン基を有する。第一および第二のアリールアミン基を連結する核は、第三、第四、第五、および第六またはそれ以上のアリールアミン基を含みうる。核フルオレンにおける結合部位正孔輸送核は、フルオレン部分を基本とすることができ、フルオレン置換基の番号付けの概要は当技術分野において公知である。1つの態様において、第一および第二の化合物の核フルオレン基は、フルオレン基の2位および7位のアリールアミンに結合しており、かつ核フルオレン基は9位の置換基または可溶化基に結合している。1つの態様において、フルオレン核に結合している2つの置換基または可溶化基は同じ基である。1つの態様において、フルオレン核に結合している2つの置換基または可溶化基は異なる基である。2つまたはそれ以上の置換基または可溶化基は互いに独立して選択することができる。それらは、例えば、C4~C20基でありうる。置換基または可溶化基の長さ第一の化合物置換基または可溶化基の長さは特定の適用のために適合させることができる。例えば、第一の化合物について、2つの置換基または可溶化基は、少なくとも4個の炭素原子、少なくとも5個の炭素原子、または少なくとも6個の炭素原子、または少なくとも7個の炭素原子、または少なくとも8個の炭素原子を含みうる。置換基または可溶化基は、例えば、直鎖、分枝基、または環式基を含むC4~C20基でありうる。例には置換されていてもよいアルキル基が含まれる。二重結合または三重結合を含む不飽和基も存在しうる。アリールアミンにおける溶媒抵抗性基の分布第二の化合物1つの態様において、第二の化合物は、第一のアリールアミン基に結合している少なくとも1つの溶媒抵抗性基、および第二のアリールアミン基に結合している少なくとも1つの溶媒抵抗性基を含む。溶媒抵抗性基の種類1つの態様において、溶媒抵抗性基は、架橋重合可能な基である。もう1つの態様において、溶媒抵抗性基はエチレン不飽和基である。これらは、パラ置換またはメタ置換のいずれでも、フェニルに結合してスチレン単位を作っているビニルを含むビニルでありうる。溶媒抵抗性基の種類第二の化合物1つの態様において、第二の化合物の溶媒抵抗性基はビニルである。1つの態様において、第二の化合物の溶媒抵抗性基は、フェニル環に共有結合してスチレン単位を形成するビニルである。アリールアミンに結合している基の種類1つの態様において、アリールアミン基の少なくとも1つは、窒素に結合している置換されていてもよいナフチル基を含む。少なくとも1つの態様において、アリールアミン基の少なくとも1つは、窒素に結合している置換されていてもよいナフチル基および窒素に結合している置換されていてもよいフェニル基の両方を含む。第一の化合物および第二の化合物の溶解性1つの態様において、第一の化合物の溶解性は、正孔輸送材料を25°Cでトルエンまたは他の適切な溶媒に溶解することによって測定して、少なくとも01mgmL、または少なくとも09mgmL、または少なくともまたは少なくとも2mgmLでありうる。1つの態様において、第一の化合物の溶解性は、正孔輸送材料を25°Cでトルエンまたは他の適切な溶媒に溶解することによって測定して、少なくとも01mgmL、または少なくとも09mgmL、または少なくとも2mgmLでありうる。PLXAを含む態様作業実施例1つの態様において、第一の化合物について、可溶化基は溶媒抵抗性基で置換されており、第二の化合物について、核は、少なくとも4個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基をさらに含む。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約20:80~約40:60である。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約25:75~約35:65である。1つの態様において、第一の化合物について、溶媒抵抗性基はベンゾシクロブタンである。1つの態様において、第二の化合物について、核は、少なくとも8個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基をさらに含む。1つの態様において、第二の化合物について、可溶化基は溶媒抵抗性基を含まない。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物は、異なる溶媒抵抗性基を含む。1つの態様において、第一の化合物は、によって表される。1つの態様において、第一の化合物は、によって表される。1つの態様において、第二の化合物は、によって表される。1つの態様において、第一の化合物は、によって表され、かつ第二の化合物は、によって表される。インクBを含む態様作業実施例1つの態様において、第一の化合物について、核の可溶化基は溶媒抵抗性基で置換されていない。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約99:1~約80:20である。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約95:5~約85:15である。1つの態様において、第一の化合物について、溶媒抵抗性基はアリールアミン基の少なくとも1つにあり、かつビニルである。1つの態様において、第二の化合物について、核は、フルオレンに結合している基をさらに含み、該基がC3基、C2基またはC1基である。1つの態様において、第二の化合物について、フェニルに結合してパラスチレンを形成するビニルである溶媒抵抗性基が、第一のアリールアミンおよび第二のアリールアミンに結合している。1つの態様において、第一の化合物は、核に結合している溶媒抵抗性基を含まない。1つの態様において、第一の化合物は、によって表される。1つの態様において、第二の化合物は、によって表される。1つの態様において、第一の化合物は、によって表され、かつ第二の化合物は、によって表される。インクCを含む態様作業実施例1つの態様において、第一の化合物について、可溶化基は溶媒抵抗性基で置換されており、かつ第二の化合物について、核は、少なくとも4個の炭素原子を含む少なくとも2つの可溶化基を含まない。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約80:20~約20:80である。1つの態様において、第一の化合物および第二の化合物の相対量は、それぞれ重量比で約60:40~約40:60である。1つの態様において、第一の化合物について、溶媒抵抗性基はビニルである。1つの態様において、第一の化合物について、溶媒抵抗性基は、フェニルに結合してスチレン単位を形成するビニルである。1つの態様において、第二の化合物について、核は、フルオレンに結合している基をさらに含み、該基がC3基、C2基またはC1基である。1つの態様において、第二の化合物について、フェニルに結合してパラスチレンを形成するビニルである溶媒抵抗性基が、第一のアリールアミンおよび第二のアリールアミンに結合している。1つの態様において、第一の化合物は、によって表される。1つの態様において、第二の化合物は、によって表される。1つの態様において、第一の化合物は、によって表され、かつ第二の化合物は、によって表される。重合活性化物質第I部および第II部の化合物を基本とする正孔輸送調合物は、重合活性化物質などのさらなる構成要素を用いて適合させることができる。1つの態様において、第I部の化合物は第一の化合物であり、かつ組成物は、該第一の化合物とは異なる少なくとも1つのさらなる第二の化合物をさらに含み、該第二の化合物は該組成物のための重合反応を活性化する。1つの態様において、第I部の化合物は第一の化合物であり、かつ組成物は、該第一の化合物とは異なる少なくとも1つのさらなる第二の化合物をさらに含み、該第二の化合物はパラスチレン単位を含む。1つの態様において、第I部の化合物は第一の化合物であり、かつ組成物は、第一のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つのさらなる第二のアリールアミン化合物をさらに含み、該第二のアリールアミン化合物は、架橋基を1つだけ有する。1つの態様において、第I部の化合物は第一の化合物であり、かつ組成物は、第一のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つの第二のアリールアミン化合物をさらに含み、該第二のアリールアミン化合物は、3つまたはそれ以上の架橋基を有する。1つの態様において、第I部の化合物は第一の化合物であり、かつ組成物は、少なくとも1つの第二のアリールアミン化合物をさらに含み、該第二のアリールアミン化合物は、該第一の化合物と比較して、より低いLUMO、およびより低いまたはほぼ同等のHOMOを有する。例えば、二成分混合物のための1つの態様において、組成物は、第一の化合物および第二の化合物とは異なる少なくとも1つの第三の化合物をさらに含み、該第三の化合物は該組成物のための重合反応を活性化する。二成分混合物のための1つの態様において、例えば、組成物は、第一の化合物および第二の化合物とは異なる少なくとも1つの第三の化合物をさらに含み、該第三の化合物はパラスチレン単位を含む。活性化物質、またはスチレン部分のパラ位にビニル基を有する化合物の例を、以下に示す。活性化物質は、例えば、正孔輸送化合物に対して20重量またはそれ未満、または10重量またはそれ未満、または5重量またはそれ未満の量で用いることができる。1つの架橋基別の調合ストラテジーにおいて、第I部および第II部の化合物を基本とする調合物の架橋度を適合させて、フィルム収縮などのパラメーターの制御を助けることができる。例えば、1つの態様において、組成物は、第一のアリールアミン化合物および第二のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つの第三のアリールアミン化合物をさらに含み、該第三のアリールアミン化合物は、架橋基を1つだけ有する。架橋部分はスチレンのパラ位のビニル基でありうる。例には、さらにここでも、ヘキシル基は代表であり;これらは、例えば、任意のRC4からC20基でありうるが含まれる。3つまたはそれ以上の架橋基さらに別の調合ストラテジーにおいて、第I部および第II部の化合物を基本とする調合物の架橋度を適合させて、溶媒耐性を増大させることを含む溶媒耐性を制御することもできる。例えば、1つの態様において、組成物は、第一のアリールアミン化合物および第二のアリールアミン化合物とは異なる少なくとも1つの第三のアリールアミン化合物をさらに含み、該第三のアリールアミン化合物は、3つまたはそれ以上の架橋基、または4つまたはそれ以上の架橋基、または5つまたはそれ以上の架橋基を有する。架橋基は、例えば、スチレン単位のビニル基でありうる。例には、が含まれる。分子単位あたりの架橋度を適合させて、所望の結果を得ることもできる。安定剤1つの態様において、組成物は、少なくとも1つの第三のアリールアミン化合物をさらに含み、該第三のアリールアミン化合物は、第一の化合物および第二の化合物と比較して、より低いLUMO、およびより低いまたはほぼ同等のHOMOを有する。そのような部分を含むことで、発光層から正孔輸送層に漏出した任意の電子の消光を助け、したがって電子流による任意の分解からHTLを安定化することができる。安定剤の例は、である。ポリマーの除外組成物は、架橋前にポリマー材料を含まないか、または実質的に含まなくてもよい。例えば、組成物は、5000gmolまたはそれ以上の分子量を有する材料を含まなくてもよいもしくは実質的に含まなくてもよいか、または10000gmolよりも大きい分子量を有する材料を含まなくてもよい。組成物は、架橋前に、5000gmol未満、または2000gmol未満、または1000gmol未満などの低分子量を有する材料だけを含みうる。ポリマーの量は、例えば、1重量未満、または01重量未満、または001重量未満でありうる。材料の純度本明細書に記載の化合物および材料は一般に、良好なデバイス性能を有するために可能なかぎり精製すべきである。例えば、金属例えば、Pd、Snまたはハロゲン例えば、Cl、Brなどの不純物を100ppm未満、または80ppm未満、または60ppm未満、または40ppm未満、または20ppm未満まで低減すべきである。正孔輸送化合物の合成当業者であれば、核部分、アリールアミン部分、および1つまたは複数の溶媒抵抗性基を一緒に連結するために有機化学を用いることができる。合成は、例えば、MarchsAdvancedOrganicChemistry6thEdWiley2007、ならびに本明細書において引用する参考文献中に記載されている。例えば、正孔輸送化合物の合成のための概略図を図10に示す。HTL合成のための主要な反応の例には、アミノ化、脱ハロゲン化、脱保護、およびウィッティヒ反応が含まれる。さらなる合成法を作業実施例に示す。本明細書に記載の正孔輸送調合物、混合物、および化合物をインク、フィルム、およびデバイスへとさらに加工することができる。第III部インク、フィルムおよびデバイスの作成法インクおよび溶媒系本明細書に記載の組成物は、固体で用いることができ、またはインクとして液体型に調合することもできる。したがって、1つの態様において、組成物は、インクを形成するための溶媒系をさらに含む。溶媒系は公知である。例えば、国際公開公報第2010093592号Cheonetalを参照されたい。インクの固形分は特定の適用のために適合させることができる。1つの態様において、組成物は、インクを形成するための溶媒系をさらに含み、インクの固形分は、溶媒の少なくとも01重量重量、または溶媒の少なくとも03重量重量、または溶媒の少なくとも1重量重量である。溶媒系は1つの溶媒、2つの溶媒、または3つまたはそれ以上の溶媒を含むことができる例えば、溶媒混合物を用いることができる。有機溶媒を用いることができる。1つの態様において、溶媒系は溶媒としてトルエンを含む。溶媒は芳香族炭化水素を中性および酸化型で含みうる。中性および酸化型のテトラヒドロフラン、クロロホルム、または芳香族炭化水素などの溶媒を用いることができる。さらなる溶媒には、テトラヒドロフラン、クロロホルム、アルキル化ベンゼン、ハロゲン化ベンゼン、NMP、DMF、DMAc、DMSO、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトン、THF、ジオキサン、酢酸エチル、安息香酸エチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、またはそれらの組み合わせが含まれる。環境への適合のために、1つまたは複数の非ハロゲン化溶媒を選択してもよい。ハロゲン化溶媒は実質的または完全に除外しうる例えば、全溶媒担体の10体積未満、または5体積未満、または1体積未満、または01体積未満で用いる。そのような追加の因子を秤量する際に、例えば、CheremisnoffNPIndustrialSolventsHandbook2ndEd;AshMHandbookofSolvents2ndEd;WypychGHandbookofSolvents;HansenCMDurkeeJandKontogeorgisGHansonSolubilityParametersAUsersHandbookなどの参考文献を調べることが役立つこともあり、これらはすべて全体が参照により本明細書に組み入れられる。考慮する溶媒には、アニソール、エトキシベンゼン、ジメトキシベンゼンおよび:12ジメトキシエタン、12ジエトキシエタン、12ジブトキシエタンなどのエチレングリコールジエーテル;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどのジエチレングリコールジエーテル;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテルなどのプロピレングリコールジエーテル;ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテルなどのジプロピレングリコールジエーテル;同様に、前述のエチレングリコールおよびプロピレングリコールエーテルの高級類縁体トリおよびテトラなどのグリコールエーテルなどのエーテルC1~C10アルキル鎖で置換されていてもよいが含まれうる。エチレングリコールモノエーテルアセテートおよびプロピレングリコールモノエーテルアセテートなどのさらに他の溶媒を考慮することもでき、エーテルは、例えば、メチル、エチル、nプロピル、イソプロピル、nブチル、secブチル、tertブチル、シクロヘキシルから選択することができる。また、ジ、トリおよびテトラなどの、前述のリストの高級グリコールエーテル類縁体からも選択することができる。例には、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、2エトキシエチルアセテート、2ブトキシエチルアセテートが含まれるが、それらに限定されるわけではない。さらに他の可能な溶媒には、アセトニルアセトン、メチルイソブチルケトン、メチルイソブテニルケトン、2ヘキサノン、2ペンタノン、アセトフェノン、エチルフェニルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどの脂肪族および芳香族ケトンが含まれる。さらなる可能な溶媒には、NNジメチルホルムアミド、NNジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシド、アセトニトリル、ベンゾニトリル、炭酸エチレン、炭酸プロピレンなどが含まれる。他の例には、例えば、テトラヒドロピランTHPなどの環式エーテルが含まれる。溶媒は、溶媒の重合を避けうるように用いることができる。別の例はメトキシプロプリオニトリルである。1つまたは複数の溶媒を様々な比率で用いて、基板のぬれ性、溶媒除去の容易さ、粘性、表面張力、および噴射性などのインク特性を改善することができる。または、複数の溶媒、例えば、第一の溶媒および第二の溶媒を選択することが有用でありうる。一例において、溶質は第二の溶媒中よりも第一の溶媒中で高い溶解性を有することがある。正孔輸送化合物も、第一の溶媒中よりも第二の溶媒中で高い溶解性を有することがある。溶媒は、乾燥段階において第一の溶媒を第二の溶媒よりも速い速度で除去しうるように選択することができる。組成物の反応したおよび乾燥させた形態反応性組成物が部分的に反応したかたは完全に反応した組成物も、本明細書において記載する。例えば、1つの態様において、溶媒抵抗性基は重合可能な基であり、かつ重合可能な基は反応する。1つの態様において、本明細書に記載の組成物の第一の化合物および第二の化合物の溶媒抵抗性基の反応によって、組成物は調製される。組成物を、当技術分野において公知の方法によってフィルムに変換することができる。したがって、1つの態様において、溶媒抵抗性基は重合可能な基であり、かつ重合可能な基は反応し、かつ組成物は薄膜の形態である。フィルムを形成する方法コーティングされた基板を形成することができる。1つまたは複数の層のフィルムを既存のフィルムまたは基板に追加することができる。例えば、別の態様は、正孔注入層を含む基板を供給する段階、溶媒抵抗性基を含む少なくとも1つの正孔輸送材料を含む少なくとも1つのインクで基板をコーティングして、コーティングされた基板を形成する段階、コーティングされた基板を加熱する段階を含む方法を提供する。正孔輸送材料は、本明細書に記載される組成物のうちの1つまたは複数を含むことができる。1つの態様において、基板上にインクをコーティングする前に、インクを予備架橋に供する。1つの態様において、基板上にインクをコーティングする前に、インクを熱による予備架橋に供する。1つの態様において、基板上にインクをコーティングする前に、インクを熱による予備架橋に供してゲルを形成する。1つの態様において、基板上にインクをコーティングする前に、インクを少なくとも150°Cで熱による予備架橋に供してゲルを形成する。1つの態様において、基板上にインクをコーティングする前に、インクをUV光による予備架橋に供する。1つの態様において、コーティングされた基板を加熱する前に、コーティングされた基板をUV光に曝して予備架橋を誘導する。1つの態様において、コーティングされた基板を少なくとも200°Cに加熱する。1つの態様において、コーティングされた基板を少なくとも250°Cに加熱する。フィルムの品質を光学顕微鏡により、フィルムの欠陥、凝集物およびビードの形成、フィルムの脱ぬれ、およびピンホールを探して検査することができる。1つの態様において、これは比較であるが、加熱後に、コーティングされた基板は、下層フィルムの領域と共に散在する上層上に形成されたビードを伴うフィルムを示し、上の正孔輸送層フィルムは脱ぬれしている光学顕微鏡において。1つの態様において、加熱後、コーティングされた基板は欠陥がなく、滑らかで連続的なフィルムを示し、下層の正孔注入層上のウェルを適合させ、ぬれさせる光学顕微鏡において。フィルムを低倍率および高倍率の両方で評価して、大規模および小規模の両方の欠陥の存在を分離し、全体に滑らかで連続的なコーティングを確実にすることができる。フィルム形成は、ドロップコーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、ノズル印刷、スクリーン印刷などを含む、当技術分野において公知の方法によって実施することができる。フィルムの特徴決定1つの態様において、加熱後、コーティングされた基板は、トルエン溶媒洗浄に対して安定であり、したがって洗浄前の初期厚さの少なくとも90を保持する。1つの態様において、加熱後、コーティングされた基板は、トルエン溶媒洗浄に対して安定であり、したがって洗浄前の初期厚さの少なくとも95を保持する。1つの態様において、加熱後、コーティングされた基板は、トルエン中、5~10分間の浸漬に対して安定であり、したがって洗浄前の初期厚さの少なくとも90を保持し、初期厚さの110を超える厚さの増大を示すことはない。1つの態様において、加熱後、コーティングされた基板は、トルエン中、5~10分間の浸漬に対して安定であり、したがって洗浄前の初期厚さの少なくとも95を保持し、初期厚さの105を超える厚さの増大を示すことはない。フィルム品質平滑さを原子間力顕微鏡検査により評価することができ、フィルムは5nmまたはそれ未満のrms粗さを示しうる。AFM顕微鏡写真は、ナノ規模で良好なフィルム品質を保証するのを助けることができ、フィルムの形態およびデバイス性能に対するその効果を理解する助けにもなる。基板上に蒸着したフィルム上で、他の測定を実施することもでき、例えば、AC2を用いてフィルムのHOMOエネルギーを測定することができる。吸収測定UVVISを行って正孔輸送材料のバンドギャップを算出することができる。LUMOはHOMOからバンドギャップを差し引くことによって推定することができる。正孔輸送フィルムに対して光ルミネセンス測定を行って、それらの発光特性を調べることもできる。1つの態様において、コーティングされた基板のコーティングは200°C未満、または150°C未満のTgを示す。基板および正孔注入層OLED作成のための溶液処理は当技術分野において公知である。直交溶解性原理を用いることができる。特に、正孔輸送化合物および調合物を正孔注入層HIL材料またはフィルムの上に適用することができる。正孔注入層は、水または有機溶媒に可溶である材料であり得る。溶液処理は、溶液、分散液、乳濁液、または他の形態を含む、液体媒質からの材料の蒸着を提供しうる。1つの態様において、正孔注入層は水性正孔注入層である。例えば、HIL層材料は水溶性でありうる。1つの態様において、正孔注入層は非水性正孔注入層である。例えば、HIL層材料は有機溶媒に可溶でありうる。1つの態様において、正孔注入層はポリマーを含む。1つの態様において、正孔注入層は共役ポリマーを含む。1つの態様において、正孔注入層はポリチオフェンを含む。1つの態様において、正孔注入層は少なくとも1つのアルコキシ置換基を含むポリチオフェンを含む。1つの態様において、正孔注入層はスルホン化ポリチオフェンを含む。1つの態様において、正孔注入層はポリマーアリールアミンを含む。1つの態様において、正孔注入層は位置規則性ポリチオフェンを含む。1つの態様において、正孔注入層は水溶性である共役ポリマーを含む。1つの態様において、正孔注入層は、有機溶媒に可溶である共役ポリマーを含む。例えば、正孔注入層は、以下の米国特許公報譲受人:Plextronicsに記載され、以下すべてはその全体が参照により本明細書に組み入れられる:20060078761;20080248313;20090256117;20090230361;20100108954;20100292399;20100072462;20100109000;20110147725。水性正孔注入層の例は20080248313Seshadrietalに記載されている。非水性正孔注入層の例は20060078761および20090256117Seshadrietalに記載されている。例えば、HILは、ポリを含む34二置換ポリチオフェンに基づくことができる。発光層およびOLEDデバイスの技術分野において公知の他の層を有するOLEDデバイスも作成する。1つの態様において、方法はコーティングされた基板上に発光層をコーティングする段階をさらに含む。1つの態様において、インクは、溶媒抵抗性基を含む少なくとも2つの正孔輸送材料を含む。1つの態様において、インクは、少なくとも2つの正孔輸送材料を含み、該正孔輸送材料がそれぞれ、異なる溶媒抵抗性基を含む。2つの異なる溶媒抵抗性基は、フィルム形成中に共に機能するように適合させることができる。例えば、1つは低温で反応してもよく、1つは高温で反応してもよい。一般に、1つは反応するための溶媒抵抗性基をすべて、またはできるかぎり多く有するようにする。デバイスの製作および特徴決定デバイスは当技術分野において公知の方法によって製作することができ、当技術分野において公知の方法によって特徴決定することができる。図11に例示するとおり、有機発光ダイオードは、例えば、以下を含む一連の層を含みうる。ITO:典型的には、透明陽極HIL:電荷注入を促進するための正孔注入層HTL:電荷を運ぶ正孔輸送層EML:光が放出される発光層HBL:電荷漏出を防止する正孔阻止層ETL:電荷注入を促進するための電子輸送層陰極層は、柔軟な基板、または剛性基板、または有機基板、または無機基板を含む、基板によって支持されうる。層およびデバイス、ならびに関連する作成法、試験法、および使用法のさらなる例は、例えば、米国特許出願公開第20050184287号;同第20060032528号;同第20080286566号;同第20090159877号;同第20100187500号;同第20100187510号;同第20100207109号;同第20100213446号;同第20100244665号;国際公開公報第07076146号;国際公開公報第07079103号;国際公開公報第07120143号;国際公開公報第07145979号;国際公開公報第08024378号;国際公開公報第08024379号;国際公開公報第08024380号;国際公開公報第08106210号;国際公開公報第08150872号;国際公開公報第08150943号;国際公開公報第09018009号;国際公開公報第09052085号;国際公開公報第09055532号;国際公開公報第09067419号;国際公開公報第09097377号;国際公開公報第09140570号において見いだすことができる。適用OLEDは、例えば、ディスプレーまたは照明適用において用いることができる。他の適用は、例えば、1HighlyEfficientOLEDSwithPhosphorescentMaterials2008WileyVCH、2OrganicLightEmittingDevicesSynthesisPropertiesandApplications2006、3OrganicLightEmittingMethodsandDevices2007CRCに記載されている。OLED、OPV、OFET、および他の適用については、ShirotaetalChemRev20071079531010も参照されたい。米国特許仮出願第61361147号からの態様正孔輸送材料を含む、2010年7月2日に出願された優先権の基礎となる米国特許仮出願第61361147号により詳細に記載される態様も、本明細書のために提供し、この優先権の基礎となる仮出願はあらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み入れられる。例えば、1つの態様は、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つの正孔輸送化合物を含む組成物を提供し、該化合物が、少なくとも1つの硫黄原子および少なくとも1つの酸素原子を含み、該硫黄原子および酸該素原子が該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置する。1つの態様において、化合物は、少なくとも1つ、または少なくとも2つ、または少なくとも4つの架橋基をさらに含む。1つの態様において、化合物は少なくとも1つの架橋基をさらに含み、化合物は架橋されている。1つの態様において、化合物は、ビニル基、過フルオロシクロブタン基、オキセタン基、シラン基、またはベンゾシクロブタン基である、少なくとも1つの架橋基をさらに含む。1つの態様において、化合物は、エチレン不飽和を含む、少なくとも1つの架橋基をさらに含む。1つの態様において、化合物は、ビニルである、少なくとも1つの架橋基をさらに含む。1つの態様において、化合物は、任意にスペーサー基で化合物に連結されているエチレン不飽和を含む、少なくとも1つの架橋基をさらに含む。1つの態様において、化合物は、任意にスペーサー基で化合物に連結されているエチレン不飽和を含む、少なくとも1つの架橋基をさらに含み、スペーサー基はnであり、ここでnは0~6である。1つの態様において、化合物は、スペーサー基で化合物に連結されているエチレン不飽和を含む、少なくとも1つの架橋基をさらに含み、スペーサー基はnであり、ここでnは1~6である。1つの態様において、化合物は、少なくとも1つ、または少なくとも2つ、または少なくとも4つのアリールアミン基を含む。1つの態様において、化合物は少なくとも1つのアリールアミン基を含み、該アリールアミン基はカルバゾール基を含む。1つの態様において、化合物は少なくとも1つのアリールアミン基を含み、該アリールアミン基は三級アリールアミンである。1つの態様において、化合物は、少なくとも1つ、または少なくとも2つのチオフェン基を含む。1つの態様において、化合物は少なくとも1つのベンゾジチオフェン基を含む。1つの態様において、化合物は少なくとも1つのベンゾ12b45bジチオフェン基を含む。1つの態様において、化合物は少なくとも2つの硫黄原子、少なくとも2つの酸素原子、および少なくとも2つの硫黄酸素相互作用を含む。1つの態様において、化合物は、置換されていてもよいアリール環により4位および8位で置換されている、少なくとも1つのベンゾジチオフェン基を含む。1つの態様において、化合物は、酸素含有置換基を含む置換されていてもよいアリール環により4位および8位で置換されている、少なくとも1つのベンゾジチオフェン基を含む。1つの態様において、化合物はB1AB2で表され、ここでB1およびB2は独立して同じでもよいか、または異なっていてもよい。1つの態様において、化合物はB1AB2で表され、ここでB1およびB2は独立して同じでもよいかまたは異なっていてもよく、かつAは少なくとも1つのベンゾジチオフェン基を含み、かつB1およびB2はそれぞれ少なくとも1つのアリールアミン基を含む。1つの態様において、化合物はB1AB2で表され、ここでB1およびB2は独立して同じでもよいかまたは異なっていてもよく、かつAは少なくとも1つのベンゾジチオフェン基を含み、かつB1およびB2はそれぞれ少なくとも2つのアリールアミン基を含む。1つの態様において、化合物はB1AB2で表され、ここでB1およびB2は独立して同じでもよいかまたは異なっていてもよく、かつAは少なくとも1つのベンゾジチオフェン基を含み、かつB1およびB2はそれぞれ少なくとも2つのアリールアミン基を含み、B1およびB2はベンゾジチオフェン基の2位および6位のベンゾジチオフェン基に連結している。1つの態様において、化合物は、によって表される。1つの態様において、硫黄および酸素は3個の炭素原子で連結されている。1つの態様において、硫黄および酸素は、少なくとも1つのシグマ結合を含む少なくとも3個の炭素原子を含む連結部分で連結されている。1つの態様において、化合物は少なくとも12個、または少なくとも15個のベンゼン環を含む。1つの態様において、化合物は少なくとも12個のベンゼン環、少なくとも2つのチオフェン環、および少なくとも2個の窒素原子を含む。1つの態様において、化合物は、少なくとも15個のベンゼン環、少なくとも2個のチオフェン環、および少なくとも4個の窒素原子を含む。1つの態様において、化合物はトルエンなどの有機溶媒に可溶である。1つの態様において、化合物は少なくとも105cm2Vs、もしくは少なくとも104cm2Vs、もしくは少なくとも764×104cm2Vsの移動度を示すか、または化合物は有機溶媒に可溶であり、かつ化合物は少なくとも764×104cm2Vsの移動度を示す。1つの態様において、硫黄酸素相互作用はX線回折によって検出することができる。1つの態様において、硫黄酸素相互作用はNMR法によって検出することができる。1つの態様において、組成物は、少なくとも1つのさらなる異なる正孔輸送化合物をさらに含む。1つの態様において、化合物は約2000またはそれ未満の分子量を有する。1つの態様において、化合物は約800~約2000の分子量を有する。1つの態様において、化合物は約52eV~約57eVのイオン化電位を有する。1つの態様において、化合物は架橋されている少なくとも1つの架橋基を含み、組成物はトルエンに対して95の溶媒洗浄耐性を示す。1つの態様において、化合物は、各単位が2つのアリールアミン基を含む正孔輸送単位に2位および6位で連結しているベンゾジチオフェン核を含み、各正孔輸送単位は、少なくとも1つの架橋基によってさらに官能基化されている。1つの態様において、化合物は、各単位が少なくとも1つのアリールアミン基を含む正孔輸送単位に2位および6位で連結しているベンゾジチオフェン核を含み、ベンゾジチオフェンは、4位および8位で少なくとも1つの架橋基によって、官能基化されている。1つの態様において、化合物は、架橋されている少なくとも1つの架橋基、少なくとも4つのアリールアミン基、少なくとも1つのベンゾジチオフェン基を含み、架橋前に約2000またはそれ未満の分子量を有し、架橋前に有機溶媒に可溶であり、かつ架橋後に少なくとも104cm2Vsの正孔移動度を有する。別の態様は、少なくとも1つの化合物を含む組成物であって、該化合物が、少なくとも1つの第一のチオフェン環部分を含み、かつまた少なくとも1つの第一のベンゼン環部分も含む、該第一のチオフェン環部分が、該チオフェン環の2位または5位の該第一のベンゼン環部分に共有結合して該第一のベンゼン環部分のチオフェン置換基を形成し、かつ該第一のベンゼン環部分が、該第一のベンゼン環部分のチオフェン環置換基に対してオルトの少なくとも1個の酸素原子を含み、かつさらに該第一のベンゼン環部分が少なくとも1つのアリールアミン基に連結している、組成物を提供する。別の態様は、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つのアリールアミン正孔輸送化合物を含む組成物であって、該化合物が、チオフェン環の一部である少なくとも1個の硫黄原子、および少なくとも1個の酸素原子を含み、該硫黄原子および該酸素原子が、該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置し、該化合物が少なくとも1つの架橋基をさらに含む、組成物を提供する。別の態様は、少なくとも1つのアリールアミン化合物を含む組成物であって、該アリールアミン化合物が、少なくとも1つの第一のチオフェン環部分を含み、かつまた少なくとも1つの第一のベンゼン環部分も含む、該第一のチオフェン環部分が、チオフェン環の2位または5位の該第一のベンゼン環部分に共有結合して該第一のベンゼン環部分のチオフェン置換基を形成し、かつ該第一のベンゼン環部分が、該第一のベンゼン環部分のチオフェン環置換基に対してオルトの少なくとも1個の酸素原子を含み、かつさらに該第一のベンゼン環部分が少なくとも1つのアリールアミン基に連結しており、かつ該化合物が少なくとも1つの架橋基を含む、組成物を提供する。別の態様は、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つの正孔輸送化合物を含む組成物を架橋することによって、調製された組成物であって、該化合物が、少なくとも1個の硫黄原子および少なくとも1個の酸素原子を含み、該硫黄原子および該酸素原子が、該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置し、該化合物が少なくとも1つの架橋基をさらに含む、組成物を提供する。別の態様は、正孔輸送層が、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つの正孔輸送化合物を含む組成物を架橋することによって、調製された組成物を含み、該化合物が、少なくとも1個の硫黄原子および少なくとも1個の酸素原子を含み、該硫黄原子および該酸素原子が、該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置し、該化合物が少なくとも1つの架橋基をさらに含む、少なくとも1つの陽極、少なくとも1つの陰極、少なくとも1つの発光層、少なくとも1つの正孔輸送層を含むデバイスを提供する。別の態様は、化合物が、少なくとも1個の硫黄原子および少なくとも1個の酸素原子を含み、該硫黄原子および該酸素原子が、該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置し、該化合物が少なくとも1つの架橋基をさらに含む、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つの正孔輸送化合物を含む組成物を架橋することによって調製されたコーティング組成物を含むコーティングされた基板を提供する。別の態様は、少なくとも1つの溶媒、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つの正孔輸送化合物を含む少なくとも1つの組成物であって、該化合物が、少なくとも1個の硫黄原子および少なくとも1個の酸素原子を含み、該硫黄原子および該酸素原子が、該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置し、該化合物が、少なくとも1つの架橋基をさらに含む、組成物を提供する。別の態様は、少なくとも1つの溶媒と、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つの正孔輸送化合物とを含む少なくとも1つのインク組成物を提供する段階、該化合物が、少なくとも1個の硫黄原子および少なくとも1個の酸素原子を含み、該硫黄原子および該酸素原子が、該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置し、該化合物が、少なくとも1つの架橋基をさらに含む、段階、該組成物を基板上にコーティングする段階、少なくとも1つの溶媒を除去する段階、架橋してコーティングした基板を供給する段階を含む、方法を提供する。別の態様は、式Iによって表される少なくとも1つの部分を含む、組成物を提供する。式中、正孔輸送単位は少なくとも1つの架橋基をさらに含む。1つの態様において、式Iによって表される部分の架橋型を含む組成物が提供される。別の態様は、約5000またはそれ未満の分子量を有する少なくとも1つの正孔輸送化合物を含む組成物であって、該化合物が、少なくとも2つのベンゾジチオフェン部分、および該ベンゾジチオフェン部分に連結している少なくとも2つのフルオレン部分を含み、かつ該化合物が、少なくとも2個の硫黄原子および少なくとも2個の酸素原子を含み、該硫黄原子および該酸素原子が、該化合物内で硫黄酸素分子内相互作用が存在するように位置する、組成物を提供する。これらの化合物の作成法も優先権の基礎となる仮出願に記載されている。作業実施例さらなる態様を以下の作業実施例において提供する。作業実施例1:PLXDの合成99ジオクチルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン1の合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、溶媒ディスペンサーから得た無水トルエン600mL、99ジオクチル27ジブロモフルオレン500g、およびmトルイジン237mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、無水トルエン30mL中のナトリウムtertブトキシド4381g、トリスジパラジウムPd2dba3334g、およびトリtertブチルホスフィン222gを加えた。反応混合物を加熱還流した。3時間後、加熱を停止し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。生成物519gをフラッシュクロマトグラフィにより、第一のカラムではヘキサン、ヘキサン中1と、次いで3酢酸エチルを用い、第二のカラムでも同じ溶離剤を用いて精製した。構造をNMRで確認した。2の合成N2N7ビスフェニル99ジオクチルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン2の合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、溶媒ディスペンサーから得た無水トルエン1000mL、99ジオクチルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン510g、および213ジオキソラン383mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、無水トルエン40mL中のナトリウムtertブトキシド2431g、トリスジパラジウムPd2dba3309g、およびトリtertブチルホスフィン205gを加えた。反応混合物を加熱還流した。2時間後、加熱を停止し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。生成物617gをフラッシュクロマトグラフィにより、第一のカラムではヘキサンおよびヘキサン中5酢酸エチルを用い、第二のカラムでも同じ溶離剤を用いて精製した。構造をNMRで確認した。3の合成N2N7ビスフェニル99ジオクチルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミンの脱ハロゲン化窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジオクチルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン600g、無水THF1000mL、トリエチルアミン9279mL、およびギ酸2512mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン30mL中の酢酸パラジウムII149gおよびトリtertブチルホスフィン202gを加えた。反応混合物を4時間加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒を蒸発により除去した。粗生成物を減圧下で乾燥し、それ以上精製せずに二回目の脱ハロゲン化反応を行った。窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジオクチルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン600g、無水THF1000mL、トリエチルアミン9279mL、およびギ酸2512mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン30mL中の酢酸パラジウムII149gおよびトリtertブチルホスフィン202gを加えた。反応混合物を4時間加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。生成物340gをフラッシュクロマトグラフィにより、ヘキサン、ヘキサン中10および15酢酸エチルを用いて精製した。構造をNMRで確認した。4の合成33ビスジベンズアルデヒドの合成三頚丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジオクチルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン340gおよびアセトン1000mLを加えた。2M塩酸溶液1895mLを反応混合物に添加漏斗からゆっくり加えた。反応をTLCでモニターした。TLCにより示した反応完了後、溶媒を蒸発により除去した。酢酸エチル1000mLを加え、反応混合物を脱イオン水3×750mLを用いて抽出した。合わせた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を蒸発により除去した。生成物278gを得、それ以上精製せずに次の反応に進めた。構造をNMRで確認した。5PLXDの合成99ジオクチルN2N7ジmトリルN2N7ビス9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、無水THF500mL、カリウムtertブトキシド1195g、および臭化メチルトリフェニルホスホニウム3682gを加えた。混合物を30分間撹拌した。無水THF500mL中の33ビスジベンズアルデヒド278gを添加漏斗から反応混合物に30分かけて滴加した。反応混合物を2時間撹拌した後、反応溶液をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒を蒸発により除去した。生成物をまずフラッシュクロマトグラフィにより、100ヘキサンと、次いでヘキサン中1酢酸エチルを用いて精製した。構造をNMRで確認した。さらなる精製を、カラムの純粋な固体を最少量のHPLCアセトンに溶解し、次いでHPLCメタノール中で沈澱させることによって実施し、最終生成物979gを得た。構造をNMRで確認した。作業実施例2:PLXIの合成6の合成3ビシクロ420オクタ124トリエンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した、添加漏斗および温度計を備えた三頚丸底フラスコに、無水THF500mLおよび4ブロモベンゾシクロブタン250gを加えた。次いで、反応混合物をアセトンドライアイス浴中で73°Cまで冷却した。tertブチルリチウム2M161mLを、反応温度を65°Cよりも低く維持しながら、添加により反応混合物に滴加した。tertブチルリチウムの添加後、ドライアイスアセトン浴を除去し、反応混合物を20°Cまで昇温させ、次いでドライアイスアセトン浴中で73°Cまで冷却した。14ジブロモブタン657mLを、反応温度が65°C未満であるよう確認しながら、シリンジから滴加した。反応混合物を終夜かけて室温までゆっくり昇温させた。イソプロパノール25mLを加えて反応停止し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。酢酸エチル500mLを加え、次いで脱イオン水1000mL×2および食塩水200mL×5で抽出した。合わせた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発により除去した。過剰の出発原料、14ジブロモブタンを90°Cで減圧蒸留して除去した。セライトシリカゲルプラグを通してろ過し、NMRおよびGCMSにより純粋な生成物241gを得た。7の合成924トリエン3イルブチル9ブチル27ジブロモ9Hフルオレンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、27ジブロモフルオレン2597g、水酸化ナトリウム3206g、KI133g、および無水DMSO300mLを加えた。3ビシクロ420オクタ124トリエン46g無水DMSO300mLをカニューレから加えた。反応混合物を80°Cまで加熱した。4時間後、脱イオン水10mLを加えて反応を停止した。過剰の塩をろ過により除去した。酢酸エチル500mLを加え、脱イオン水3×300mLおよび食塩水3×300mLで抽出した。合わせた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。生成物43gをフラッシュクロマトグラフィによりヘキサンを用いて精製した。構造をNMRで確認した。8PLXIの合成924トリエン3イルブチル9ブチルN2N7ジフェニルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、無水トルエン600mL、924トリエン3イルブチル9ブチル27ジブロモ9Hフルオレン143g、および3メチルジフェニルアミン92mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン15mL中のナトリウムtertブトキシド644g、トリスジパラジウムPd2dba3082g、およびトリtertブチルホスフィン054gを加えた。反応混合物を加熱還流した。3時間後、加熱を停止し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。生成物131gをフラッシュクロマトグラフィにより、ヘキサン、ヘキサン中1と、次いで5酢酸エチル溶液を用いて精製した。構造をNMRで確認した。924トリエン3イルブチル9ブチルN2N7ジフェニルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミンの脱ハロゲン化窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、924トリエン3イルブチル9ブチルN2N7ジフェニルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン131g、無水THF500mL、トリエチルアミン216mL、およびギ酸58mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン15mL中の酢酸パラジウムII035gおよびトリtertブチルホスフィン047gを反応混合物に加えた。反応混合物を4時間加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をエバポレーターにより除去した。粗生成物をそれ以上精製せずに二回目の脱ハロゲン化に供した。窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、924トリエン3イルブチル9ブチルN2N7ジフェニルN2N7ジmトリル9Hフルオレン27ジアミン131g、無水THF500mL、トリエチルアミン216mL、およびギ酸58mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン15mL中の酢酸パラジウムII035gおよびトリtertブチルホスフィン047gを反応混合物に加えた。反応混合物を4時間加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をエバポレーターにより除去した。生成物をまずフラッシュクロマトグラフィにより、ヘキサンおよびヘキサン中1酢酸エチルを用いて精製した。構造をNMRで確認した。さらなる精製を、カラムの純粋な固体を最少量のHPLCアセトンに溶解し、次いでHPLCメタノール中で沈澱させることによって実施し、最終生成物1238gを得た。構造をNMRで確認した。作業実施例3:PLXCの合成9の合成99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、溶媒ディスペンサーから得た無水トルエン1000mL、27ジブロモ99ジメチル9Hフルオレン5005g、ナフタレン1アミン4889gを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン15mL中のナトリウムtertブトキシド4102g、トリスジパラジウムPd2dba3521g、およびトリtertブチルホスフィン352gを加えた。反応混合物を加熱還流した。3時間後、加熱を停止し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。粗生成物をまずフラッシュクロマトグラフィにより、最初はヘキサン、およびヘキサン中25と、次いで5酢酸エチルを用いて精製した。最終の純粋な生成物を昇華により精製した。構造をNMRで確認した。10の合成N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、無水ジオキサン500mL、99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン58g、213ジオキサラン59mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン10mL中のナトリウムtertブトキシド325g、トリスジパラジウムPd2dba3045g、およびトリtertブチルホスフィン030gを加えた。反応混合物を加熱還流した。4時間後、加熱を停止し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。生成物41gをフラッシュクロマトグラフィにより、最初はヘキサン、およびヘキサン中10と、次いで30酢酸エチルを用いて精製した。11の合成N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミンの脱ハロゲン化窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン80g、無水THF500mL、トリエチルアミン1443mL、およびギ酸391mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン5mL中の酢酸パラジウムII0232gおよびトリtertブチルホスフィン0314gを加えた。反応混合物を終夜加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をエバポレーターにより除去した。粗生成物をそれ以上精製せずに二回目の脱ハロゲン化を行った。窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン80g、無水THF500mL、トリエチルアミン1443mL、およびギ酸391mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン5mL中の酢酸パラジウムII0232gおよびトリtertブチルホスフィン0314gを加えた。反応混合物を終夜加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をエバポレーターにより除去した。粗生成物をそれ以上精製せずに二回目の脱ハロゲン化を行った。12の合成33ビスジベンズアルデヒドの合成三頚丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン80gおよびアセトン100mLを加えた。2M塩酸溶液411mLを反応混合物に添加漏斗からゆっくり加えた。TLCが反応完了を示した後、溶媒を蒸発により除去した。酢酸エチル200mLを加え、反応混合物を脱イオン水4×200mLを用いて抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を蒸発により除去した。減圧乾燥後に生成物69gを得、それ以上精製せずに次の段階に進めた。構造をNMRで確認した。13PLXCの合成99ジメチルN2N7ジN2N7ビス9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、無水THF500mL、カリウムtertブトキシド351g、および臭化メチルトリフェニルホスホニウム1080gを加えた。混合物を10分間撹拌した。無水THF250mL中の33ビスジベンズアルデヒド69gを添加漏斗から反応混合物に30分かけて滴加した。反応溶液をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。生成物をまずフラッシュクロマトグラフィにより、ヘキサンおよびヘキサン中1と、次いで2酢酸エチルを用いて精製した。構造をNMRで確認した。さらなる精製を、カラムの純粋な固体を最少量のHPLCアセトンに溶解し、次いでHPLCメタノール中で沈澱させることによって実施し、最終生成物157gを得た。構造をNMRで確認した。実施例4:PLXBの合成14の合成N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、無水ジオキサン700mL、99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン50g、および213ジオキサラン48mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン10mL中のナトリウムtertブトキシド305g、トリスジパラジウムPd2dba3038g、およびトリtertブチルホスフィン026gを加えた。反応混合物を加熱還流した。4時間後、加熱を停止し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。フラッシュクロマトグラフィにより、ヘキサン、およびヘキサン中5と、次いで30酢酸エチルを用いて精製し、TLCプレート上に3つのスポットを有する生成物30gを得た。NMRによりこれらは生成物および脱保護されたアルデヒド副生成物であることが判明した。以下の再保護反応を行った。窒素下、乾燥器で乾燥した、ディーンスタークを備えた三頚丸底フラスコに、トルエン250mL、カラム精製した生成物30g、エチレングリコール46mL、およびpトルエンスルホン酸一水和物0150gを加えた。反応混合物を還流し、ディーンスタークトラップを日中はできるだけ排液したが、夜間はいっぱいのまま放置した。TLCプレート上で1スポットだけになった後、加熱を停止し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物を脱イオン水4×200mLで抽出し、合わせた水層をメチルtertブチルエーテル2×200mLで抽出した。合わせた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過により除去し、溶媒を蒸発により除去した。粗生成物をアセトン20mLに溶解し、MeOH500mL中に沈澱させた。ろ過によって固体を得、減圧下で乾燥して、生成物242gを得た。構造をNMRで確認した。15の合成9N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミンの脱ハロゲン化窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン24g、無水THF250mL、トリエチルアミン436mL、およびギ酸118mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン5mL中の酢酸パラジウムII007gおよびトリtertブチルホスフィン0095gを加えた。反応混合物を終夜加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をエバポレーターにより除去した。粗生成物をそれ以上精製せずに二回目の脱ハロゲン化を行った。窒素下、清浄で乾燥した丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン24g、無水THF250mL、トリエチルアミン436mL、およびギ酸118mLを加えた。反応混合物を強い窒素気流で30分間脱気した後、トルエン5mL中の酢酸パラジウムII007gおよびトリtertブチルホスフィン0095gを加えた。反応混合物を終夜加熱還流した後、熱を除去し、反応混合物を室温まで冷却した。反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をエバポレーターにより除去した。粗生成物をそれ以上精製せずに次の脱保護反応に進めた。16の合成44ビスジベンズアルデヒドの合成三頚丸底フラスコに、N2N7ビスフェニル99ジメチルN2N7ジ9Hフルオレン27ジアミン242gおよびアセトン250mLを加えた。2M塩酸溶液20mLを反応混合物に添加漏斗からゆっくり加えた。TLCが反応完了を示した後、溶媒を蒸発により除去した。酢酸エチル400mLを加え、反応混合物を脱イオン水4×200mLを用いて抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を蒸発により除去した。生成物17gをフラッシュクロマトグラフィにより、ヘキサン、およびヘキサン中5と、次いで15酢酸エチルを用いて精製した。構造をNMRで確認した。17PLXBの合成99ジメチルN2N7ジN2N7ビス9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、乾燥器で乾燥した三頚丸底フラスコに、無水THF175mL、カリウムtertブトキシド091g、および臭化メチルトリフェニルホスホニウム278gを加えた。混合物を10分間撹拌した。無水THF125mL中の44ビスジベンズアルデヒド17gを添加漏斗から反応混合物に30分かけて滴加した。反応溶液をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。生成物095gをフラッシュクロマトグラフィにより、100ヘキサンと、次いでヘキサン中1酢酸エチルを用いて精製した。構造をNMRで確認した。実施例5:2フェニル13ジオキソランの合成500ml添加漏斗、低温温度計および磁気撹拌子を備えた清浄で乾燥した2000ml丸底フラスコに、窒素下、無水テトラヒドロフラン8000mlを加えた。213ジオキソラン330ml、02183molをこのフラスコにシリンジで加えた。反応容器をドライアイスアセトン浴中に温度が<65°となるまで置いた。次いで、反応混合物を撹拌速度550rpmで45分間撹拌し、この温度での撹拌機の完全性を確認した。tertブチルリチウム溶液2570ml、04690molを添加漏斗にカニューレにより加え、次いで反応混合物に温度が65°Cよりも絶対に上がらないように滴加した。添加後、反応混合物を30分間撹拌した。次いで、容器をドライアイスアセトン浴から取り出し、20°Cの温度まで昇温させた。次いで、容器を再度ドライアイスアセトン浴中に温度が<65°となるまで置いた。14ジブロモブタン1035ml、08740molを反応混合物に、現在の温度を維持しながらシリンジから滴加した。添加後、反応混合物をこの温度で30分間撹拌した。反応混合物をその後12時間かけて室温までゆっくり昇温させた。昇温後、イソプロパノール200mlのシリンジからの添加により反応を停止した。反応停止後、溶媒を最高温度70°Cを用いてロータリーエバポレーションにより除去した。メチルtertブチルエーテル7000mlを加え、溶液を脱イオン水2000ml×8で洗浄した。有機分画を集め、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次いで、固体を、セライトのベッドを通した減圧ろ過により除去した。溶媒を、最高温度70°Cを用いてロータリーエバポレーションにより除去した。次いで、粗生成物を100°Cで4時間の減圧蒸留により精製し、14ジブロモブタンの大部分を除去した。さらなる精製を、シリカゲルでの自動フラッシュカラムクロマトグラフィにより、溶離剤として3酢酸エチル97ヘキサンを用いて実施した。これによりNMRおよびGCMSで確認した純粋な生成物を得た。N2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミンの合成2リットル三頚丸底フラスコに無水トルエン1000mLをカニューレで加えた。27ジブロモフルオレン500gをこのフラスコに加え、次いですべて溶解するまで撹拌した。次いで、Nフェニル1ナフチルアミン8114gを加えた。反応容器を強い窒素気流で30分間パージし、続いてナトリウムtertブトキシド445gを漏斗で加えた。トリスジパラジウム565gを反応混合物に加えた。無水トルエン20mL中のトリtertブチルホスフィン375gをシリンジから加えた。反応混合物を2時間加熱還流し、反応完了を薄層クロマトグラフィで確認した。容器を熱から取り除き、室温まで冷却した。反応溶液をセライトシリカゲルプラグを通してろ過し、次いで溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。粗製材料を、最初はフラッシュクロマトグラフィにより、続いて昇華により精製して、NMR的に純粋な生成物を得た。99ビスフェニルブチルN2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミンの合成磁気撹拌子、高温温度計、および添加漏斗を備えた1リットル三頚丸底フラスコを、不活性雰囲気のグローブボックスに入れた。このフラスコに水素化ナトリウム063gを加え、ゴム栓で密封した。無水NNジメチルホルムアミドDMF125mL中のN2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミン500gの溶液を不活性雰囲気下で調製した。この時点で、すべての装置を不活性雰囲気のグローブボックスから取り出した。反応フラスコに鉱油バブラーを取り付けた。次いで、反応容器を冷水浴に入れた。次いで、N2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミン無水DMF溶液を反応混合物にシリンジからゆっくり滴加した。反応混合物を水浴中で30分間撹拌した。次いで、容器を水浴から取り出し、室温でさらに30分間撹拌した。次いで、無水DMF15mL中の2フェニル13ジオキソラン571gの溶液を調製し、反応混合物にシリンジから滴加した。反応混合物を室温で1時間撹拌し、次いで80°Cの油浴にさらに1時間置いた。反応完了を薄層クロマトグラフィで確認し、熱から取り除いた。反応混合物をわずかに凍った脱イオン水400mLに激しく撹拌しながら分割してゆっくり加えることにより反応停止した。次いで、酢酸エチル100mLをこのフラスコに加え、15分間撹拌した。この混合物を2リットル分液漏斗に入れ、さらに酢酸エチル100mLを加えた。水相を酢酸エチル350mLで再度抽出し、すべての有機分画を合わせ、脱イオン水3×350mLで洗浄した。得られた有機分画を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、固体を重力ろ過により除去した。シリカゲルを得られた無水溶液に加え、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去して、シリカに吸着した粗製材料を得た。フラッシュクロマトグラフィを溶媒系として酢酸エチルヘキサンを用いて実施した。最低量のアセトンから冷メタノール2×950mLへの沈澱によりさらに精製して、NMR的に純粋な生成物を得た。99ビスフェニルブチルN2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミンの一回目の脱ハロゲン化1リットル三頚丸底フラスコに99ビスフェニルブチルN2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミン123gを加えた。次いで、無水テトラヒドロフランTHF500mLをこのフラスコに加えた。次いで、トリエチルアミン170mLおよびギ酸46mLを反応混合物にシリンジから加えた。反応容器を強い窒素気流で30分間パージした。酢酸パラジウム027gを反応混合物に加えた。次いで、無水トルエン10mL中のトリtertブチルホスフィン036gをシリンジにより加え、反応混合物を加熱還流した。2時間後、反応混合物を熱から取り外し、室温まで冷却した。反応溶液をセライトおよびシリカゲルプラグを通してろ過した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。99ビスフェニルブチルN2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミンの二回目の脱ハロゲン化1リットル三頚丸底フラスコに99ビスフェニルブチルN2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミン123gを加えた。次いで、無水テトラヒドロフランTHF500mLをこのフラスコに加えた。次いで、トリエチルアミン170mLおよびギ酸46mLを反応混合物にシリンジから加えた。反応容器を強い窒素気流で30分間パージした。酢酸パラジウム027gを反応混合物に加えた。次いで、無水トルエン10mL中のトリtertブチルホスフィン036gをシリンジにより加え、反応混合物を加熱還流した。2時間後、反応混合物を熱から取り外し、室温まで冷却した。反応溶液をセライトおよびシリカゲルプラグを通してろ過した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。33アミノ9Hフルオレン99ジイルビスジベンズアルデヒドの合成磁気撹拌子および添加漏斗を備えた1リットル三頚丸底フラスコに、アセトン500mL中の99ビスフェニルブチルN2N7ジN2N7ジフェニル9Hフルオレン27ジアミン123gの溶液を加えた。塩酸溶液610mL、20Mをフラスコの一番上にある添加漏斗にシリンジにより移した。酸溶液を反応混合物に激しく撹拌しながら滴加した。反応混合物を酸の添加後さらに30分間撹拌した。反応完了を薄層クロマトグラフィで確認し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。酢酸エチル750mLを得られた混合物に加え、この溶液を脱イオン水5×200mLで洗浄した。有機分画を集め、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。固体を重力ろ過により除去した。シリカゲルを溶液に加え、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去して、シリカに吸着した粗製材料を得た。粗生成物をまずフラッシュクロマトグラフィにより溶離剤として酢酸エチルヘキサンを用いて精製した。得られた材料を最低量のアセトンに溶解し、冷メタノール3×750mL中に沈澱させた。減圧ろ過により回収した固体を乾燥し、NMRにより純粋な生成物であると判定した。N2N7ジN2N7ジフェニル99ビスブチル9Hフルオレン27ジアミンの合成窒素下、1リットル三頚丸底フラスコに、無水THF400mL、ナトリウムtertブトキシド269g、臭化メチルトリフェニルホスホニウム828gを加えた。反応混合物を10分間撹拌した。次いで、無水THF15mL中の33アミノ9Hフルオレン99ジイルビスジベンズアルデヒド712gを添加漏斗から滴加した。30分後、反応混合物をセライトシリカゲルプラグを通してろ過した。溶媒を蒸発により除去した。フラッシュクロマトグラフィヘキサン中1~3酢酸エチルで精製して、NMR的に純粋な生成物68gを得た。生成物をHPLC等級のアセトンに溶解し、MeOH中で沈澱させて、最終生成物632gを得た。実施例6:インク調合インクを、トルエン、クロロベンゼン、およびoキシレンを含むラブセルデバイスlabcelldevice製作において用いる一連の有機溶媒により調合した。無水溶媒をアルゴンで終夜パージして、溶媒中に存在する任意の残留酸素を除去し;次いで、パージした溶媒をHTLインクの調合用に用いた。すべてのインクをグローブボックス内、窒素環境下で調合し、褐色バイアル中で保存し、いかなる種類の光分解および光酸化も防止するために光へのいかなる曝露も回避した。PLXAと呼ぶインクを調合するために、HTL材料PLXDおよびPLXIを70:30の重量比で混合し、トルエン中に1重量重量全固形分で溶解した。両方の分子を秤量してバイアル中で混合し、その後パージした溶媒を加えた。インク中に材料を溶解するために加熱は必要なかった。インクB下記を調合するために、材料PLXDおよびPLXBを90:10の重量比で混合し、トルエン中に1重量重量全固形分で溶解した。インクC下記を調合するために、材料PLXLおよびPLXBを50:50の重量比で混合し、トルエン中に1重量重量全固形分で溶解した。実施例7:フィルム形成PLXNと呼ぶインクを、PLXDから溶液中で熱重合することにより調製した。モノマーの濃縮溶液を無酸素のアルゴンパージしたトルエン中、30重量全固形分で作成した。モノマー溶液および撹拌子を清浄な圧力反応器に加えた。反応混合物を、窒素グローブボックス内の150~155°Cの砂浴中で加熱した。反応混合物を13時間加熱し、その時点でゲルが生成した。反応混合物を冷却し、1全固形分まで希釈し、80°Cに再加熱してすべての固体を溶解した。次いで、この溶液を1umのガラスフィルターを通してろ過し、032全固形分のインクを得た。PLXAなどの前述のインクのフィルム特性を試験するために、インクを045umのPTFEフィルターを用いて予備ろ過し、次いで基板上に分配し、正孔注入層の上にスピンコーティングした。フィルム試験PLXAのHOMOは、528eVで、トルエン洗浄後に約100のフィルム保持を有する。インクBのHOMOは、536eVで、トルエン洗浄後に約100のフィルム保持を有する。インクCのHOMOは、538eVで、トルエン洗浄後に約100のフィルム保持を有する。HTL特徴決定PLXA実施例8:光学顕微鏡検査およびフィルム品質PLXAについて、500×の光学顕微鏡画像は良好なフィルム品質を示し図1、AFMからの二乗平均平方根粗さは024nmであった。対照的に、NQNQは非水性であるを基本とするHILの上に小分子HTL材料PLXAをアニールすると、フィルムのビード化が観察された図2。理論によって縛られてはいないが、問題はTgおよび低い分子量に依存しうる。実施例9:予備重合材料の分子量は、Tgを相殺し、凝集ビード形成の速度を低減するための予備重合を実施することによって増大した。予備重合を3つの異なるアプローチによって実施した。1熱による予備架橋HTL、PLXDを無酸素のアルゴンパージしたトルエンに高濃度30重量重量で溶解し、次いでグローブボックス内に置いた砂浴中の圧力反応器内で150~155°Cにおいてゲルが生成するまで加熱した。次いで、このゲルをトルエンに再度溶解して、標的濃度を得た。分子量の増大に伴い、ビード形成の問題は図3の顕微鏡写真に示すとおりうまく解決された。2インクに対する、UVによる予備架橋HTL化合物W上の構造を無酸素トルエンに溶解してインクを調合した。HTLインクを調製した後、インクを部分的に架橋するためにUV光に曝露した。UV曝露後、インクは粘度が高くなり、標的インク濃度まで再度希釈して、必要とするフィルム厚を得た。次いで、インクをスピンさせ、200°Cでアニールした。500×の光学顕微鏡画像は良好なフィルム品質を示した図4。同じ実験を化合物WおよびPLXDの混合物でも試行し、同様の結果を得た。3フィルムに対する、UVによる予備架橋HTLPLXDを無酸素トルエンに溶解してインクを調合した。HTLインクをHIL上にスピンさせた後、フィルムをUV下と、次いで熱200°Cアニーリング下でアニールした。500×の光学顕微鏡画像は良好なフィルム品質を示した図5。実施例10:メタ対パラ、PLXB対PLXC架橋の速度と比べての反応速度、すなわち結晶化の速度分子の凝集に対する親和性、および形態に対する影響を調べるために、PLXCおよびPLXBでフィルム試験を実施した。メタ置換とパラ置換の影響を調べた。PLXCパラはPLXBメタと同様には機能しなかったそれぞれ図6および7参照。異なる置換によって非常に異なるフィルム形成が見られた。実施例11:寿命試験PLXDおよびPLXIの混合物を含む組成物を調製した。2つの構成要素の重量比を変動させて、寿命試験に対する影響を判定した図8参照。PHOLEDデバイスにおけるHTLインク調合物のスクリーニングに基づいて現在の調合物を選択し、異なる混合物の相対的寿命性能を表2および図9に示す。加速LT80試験:デバイスがその輝度の値の80まで分解するのに要する時間。この尺度での基準HTLは07である。本試験において70:30の比がデバイスの最良の寿命を示した。構造を以下に詳細に記載。表2において、インクAは、を含む。インクBは、を含む。インクCは、を含む。実施例12:TLCにより測定した安定性試験化合物PLXDおよびPLXIの相対的安定性を、TLC測定により評価した。固体試料をグローブボックス内の褐色バイアル中に6週間化合物PLXDおよび7週間PLXI保存した。TLCの単一スポットは、生成物は1つだけで、分解もないことを示していた。複数のスポットがあれば、それは分解があることを示していた。化合物PLXDは2つのスポットを示した安定性が低い。化合物PLXIは1つのスポットを示した安定性が高い。さらなる合成:実施例13:核の合成48ジmトリルベンゾ12b45bジチオフェンの合成還流冷却器、磁気撹拌子、およびアダプターつきの温度計を備えた、清浄で乾燥した2000ml丸底フラスコを調製し、パージし、次いで48ジヒドロベンゾ12b45bジチオフェン48ジオン734g、00333molを加えた。次いで、無水テトラヒドロフラン9000mlをこのフラスコにカニューレで加え、撹拌を開始した。反応容器に熱を加えて、この材料を溶解した。反応容器を水浴に入れ、臭化mトリルマグネシウム溶液100ml、01000molをカニューレから加えた。添加後、容器を水浴から取り出し、1時間加熱還流した。次いで、反応混合物を熱から取り除き、室温まで冷却し、臭化mトリルマグネシウム溶液100ml、01000molをカニューレから加え、反応混合物を再度1時間加熱還流した。反応の進行をGCMSでモニターし、出発原料は存在しなかった。続いて反応混合物を熱から取り除き、終夜室温まで冷却した。次いで、塩酸1600ml、10塩化スズ3005g、01333mol溶液を調製し、反応混合物にシリンジで加えた。反応容器を再度1時間加熱還流し、次いで熱から取り除き、室温まで冷却した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。酢酸エチル5000mlを加え、粗製混合物はほとんど溶解した。これを脱イオン化H2O500mLで1回洗浄し、固体を含む有機層を集めた。固体を減圧ろ過により除去し、回収し、熱メタノールで洗浄した。ろ液を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。残りの粗製材料に、アセトン250mlおよびメタノール5000mlを加え、粉砕して1時間加熱還流した。得られた溶液中の固体を減圧ろ過して回収した。精製中に回収したすべての固体はNMR分光法によって純粋であることが判明した。26ジブロモ48ジmトリルベンゾ12b45bジチオフェンの合成添加漏斗、磁気撹拌子、およびアダプターつきの低温温度計を備えた1000ml丸底フラスコに、48ジmトリルベンゾ12b45bジチオフェンTH1180、450g、00121molを加えた。次いで、無水テトラヒドロフラン3000mlをこのフラスコに撹拌しながらカニューレで加えた。この出発原料のテトラヒドロフラン中の溶解性は非常に低いことに留意することが重要である。反応容器をヒートガンで、激しく撹拌しながらすべての48ジmトリルベンゾ12b45bジチオフェンが溶解するまで加熱した。反応混合物をドライアイスアセトン浴に、70°Cよりも低い温度になるまで置いた。tertブチルリチウム溶液195ml、00330molを添加漏斗にシリンジで移し、反応混合物に滴加した。68°Cよりも高くならないように温度をモニターした。添加後、反応混合物をこの温度で30分間撹拌した。反応混合物をドライアイスアセトン浴から取り出し、5°Cよりも高い温度まで昇温させた。反応混合物を、70°Cの温度に達するまで、再度ドライアイスアセトン浴中に置いた。ジブロモテトラフルオロエタン126g、00486molを反応混合物にシリンジで滴加し、30分間撹拌した。反応容器をドライアイスアセトン浴から取り出し、週末の間に室温までゆっくり昇温させた。TLCを用いて反応完了を確認した。次いで、脱イオン化H2Oベンゾ12b45bジチオフェンの合成乾燥した三頚フラスコに窒素を流し、48ビスベンゾ12b45bジチオフェン307g、00693molおよびジエチルエーテルEt2O700mL、01Mをカニューレで加えた。反応フラスコを78°Cまで冷却し、ヘキサン中tertブチルリチウムの13M溶液144mL、0187molを脱酸素シリンジで滴下した。78°Cで30分間撹拌した後、溶液を5°Cまで昇温させ、撹拌を5分間続け、その時点で反応混合物を78°Cまで再度冷却した。ジブロモテトラフルオロエタン33mL、0277molを反応フラスコに滴加し、撹拌を78°Cで1時間続けた。冷却浴を取り除き、反応混合物を周囲温度まで昇温させた。反応が完了したら、冷脱イオン水20mlを反応フラスコにゆっくり加えた。次いで、反応混合物を冷脱イオン水に加え、メチルtertブチルエーテルで3回抽出した。合わせた有機層を水で2回洗浄し、無水硫酸マグネシウムMgSO4で乾燥した。生成物をろ過した後、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。粗生成物をテトラヒドロフランに溶解し、冷メタノール中で沈澱させた。沈澱をろ過により得、純粋な生成物を得た。生成物のさらなる量を、メタノールテトラヒドロフランろ液を濃縮して回収することができる。実施例15:核合成22ビス二酢酸の合成無水エタノール20000mlを、還流冷却器、撹拌機、およびアダプターつきの温度計を備えた5000ml三頚丸底フラスコに加えた。ナトリウム24g、10439molを15から2時間かけて少量ずつゆっくり加えた。次いで、15ジクロロアントラセン910ジオン456g、01646mol、2メルカプト酢酸256ml、03668mol、二酸化マンガン8g、00920mol、および15クラウン508g、00036molを反応混合物に加えた。混合物を窒素下、70°Cで10時間加熱した。室温まで冷却した後、脱イオン化H2O1500mlを撹拌しながら懸濁液に加えた。得られた溶液をろ過し、20MHClをろ液に加えて、黄色沈澱を生じた。黄色固体を遠心沈降によって回収し、脱イオン化H2Oで3回洗浄し、次いで乾燥器で乾燥して、54gの生成物収率84を得た。アントラ19bc510bcジチオフェンの合成微細に粉砕した22ビス二酢酸120g、03090molを、還流冷却器を備えた3000ml三頚丸底フラスコ中の無水酢酸1800mlにゆっくり加えた。反応混合物を窒素下、ガスの細かい気流発生が完全に止まるまで4時間還流した。反応混合物を室温まで冷却し、黒色の粗生成物を得た。黒色の粗生成物を単離し、減圧下で昇華させて、純粋な生成物577g収率71を得た。16ジブロモアントラ19bc510bcジチオフェンの合成アントラ19bc510bcジチオフェン18g、00681molを2000ml三頚丸底フラスコ中の無水DMF1125mlに加えた。懸濁液を窒素気流下、140°Cで、出発原料が完全に溶解するまで加熱した。溶液を約60°Cまで冷却した。無水DMF191ml中のNブロモスクシンイミド303g、01702molを反応フラスコにゆっくり加えた。生成物がただちに沈澱した。混合物を激しく撹拌しながら約80°Cまで1時間加熱した。冷却後、沈澱をろ過し、アセトンで洗浄し、乾燥して、2744gの生成物収率95を得た。実施例16:核合成48ビスチエノ23fベンゾチオフェンの合成還流冷却器を取り付けた、乾燥した500mL三頚フラスコにN2を流し、3エチルヘプト1イン105g、0084molおよびTHF200mL、04Mを脱酸素シリンジで加えた。反応フラスコを0°Cまで冷却し、ヘキサン中nブチルリチウムの25M溶液322mL、0080molを脱酸素シリンジで滴加した。0°Cで30分間撹拌した後、溶液を周囲温度まで昇温させ、ベンゾ12b45bジチオフェン48ジオン443g、002molを分割して加えた。反応混合物を周囲温度で3日間撹拌した。反応が完了すれば、冷脱イオン水3mlを反応フラスコにゆっくり加えた。10HCl10mlに溶解したSnCl23gの溶液を反応混合物に加え、温度を還流するまで上げて1時間撹拌し、次いで反応混合物を周囲温度まで冷却した。反応混合物を、10HCl10mLを含む冷水200mLに加え、ヘキサン300mlで3回抽出した。合わせた有機層を無水硫酸マグネシウムMgSO4で乾燥した。生成物をろ過した後、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。生成物を、シリカゲルのカラムクロマトグラフィを用い、ヘキサンクロロホルム勾配で精製して、無色油状物30g、35を得た。48ビスチエノ23fベンゾチオフェンの合成乾燥した250mL一頚フラスコにN2を流し、48ビスチエノ23fベンゾチオフェン304g、0007mol、PdC湿式支持体082g、10およびTHF15mL、05Mを加えた。フラスコを排気し、水素を充填した。フラスコを水素雰囲気下に維持し、TLCでモニターした。反応完了後、混合物をセライトを通してろ過し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。実施例17:核合成この化合物の合成は、米国特許出願公開第20110028644号譲受人:PlextronicsIncに記載されている。実施例18:核合成中心フェニル環に縮合している3つのチオフェンを含む下記の部分を核として用いて、アリールアミン正孔輸送化合物を調製することができる。合成ストラテジーは米国特許出願公開第20110028644号に記載されている。実施例19:アリールアミン、安定化基の合成Nフェニル3メチルアニリンの合成還流冷却器おおび磁気撹拌子を備えた、清浄で乾燥した500ml丸底フラスコに、窒素でパージし、無水トルエン2500mlをカニューレで加え、mトルイジン51ml、00467molをフラスコにシリンジで加えた。次に、213ジオキソラン78ml、00513molをシリンジで加えた。反応溶液を強い窒素気流で30分間パージした。次いで、ナトリウムtertブトキシド673g、00701molおよびPd2dba3085g、00009molを手で加え、続いてトルエン約8ml中のトリtertブチルホスフィン057g、00028molをシリンジで加えた。容器を約4時間加熱還流した。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、セライトおよびシリカゲルパッドを通してろ過した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。粗製材料を10酢酸エチルヘキサン溶液200mlに部分的に溶解し、フラッシュカラムクロマトグラフィで精製して、ほぼ純粋な生成物を得た。自動カラムクロマトグラフィ装置を用い、溶離剤として5酢酸エチルヘキサンを用いて、さらなる精製を実施した。これによりNMRで確認して純粋な生成物を得た。実施例20:アリールアミン、安定化基の合成Nフェニルジベンゾbdチオフェン4アミンの合成還流冷却器、磁気撹拌子、およびアダプターつきの温度計を備えた、清浄で乾燥した1000ml丸底フラスコを調製し、窒素でパージした。次いで、無水トルエン5000ml中の4ブロモジベンゾbdチオフェンRS1170、107g、00407molの溶液を調製し、反応フラスコにカニューレで移した。3アミノベンズアルデヒドエチレンアセタール81g、00488molをシリンジで加えた。反応溶液を強い窒素気流で20分間パージした。次いで、ナトリウムtertブトキシド586g、00610molおよびPd2dba3110g、00012molを手で加え、続いてトルエン約10ml中のトリtertブチルホスフィン065g、00032molをシリンジで加えた。容器を約2時間加熱還流した。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、セライトおよびシリカゲルパッドを通してろ過した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。粗製材料をヘキサン酢酸エチル2:1溶液に溶解し、フラッシュカラムクロマトグラフィにより、酢酸エチルヘキサンの勾配溶出系を用いて精製した。これによりNMRで確認して純粋な生成物を得た。実施例21:アリールアミン、安定化基の合成Nフェニルナフタレン1アミンの合成還流冷却器、磁気撹拌子、およびアダプターつきの温度計を備えた、清浄で乾燥した500ml丸底フラスコを調製し、窒素でパージした。無水トルエン2500mlをこのフラスコにカニューレで移した。213ジオキソラン60ml、00397molをシリンジで加え、続いて1ナフチルアミン508g、00355molを手で加えた。反応溶液を強い窒素気流で30分間パージした。次いで、ナトリウムtertブトキシド560g、00583molおよびPd2dba3065g、00007molを手で加え、続いてトルエン約10ml中のトリtertブチルホスフィン130g、00064molをシリンジで加えた。容器を約5時間加熱還流した。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、セライトおよびシリカゲルパッドを通してろ過し、アセトンおよびクロロホルムで十分に洗浄した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。粗製材料をフラッシュカラムクロマトグラフィにより、溶離剤として酢酸エチルヘキサンを用いて精製した。これによりNMR分光法で確認して純粋な生成物を得た。実施例22:中間体2フェニル13ジオキソランの合成500ml添加漏斗、低温温度計および磁気撹拌子を備えた清浄で乾燥した2000ml丸底フラスコに、窒素下、無水テトラヒドロフラン8000mlを加えた。213ジオキソラン330ml、02183molをこのフラスコにシリンジで加えた。反応容器をドライアイスアセトン浴中に温度が<65°となるまで置いた。次いで、反応混合物を撹拌速度550rpmで45分間撹拌し、この温度での撹拌機の完全性を確認した。tertブチルリチウム溶液2570ml、04690molを添加漏斗にカニューレにより加え、次いで反応混合物に温度が65°Cよりも絶対に上がらないように滴加した。添加後、反応混合物を30分間撹拌した。次いで、容器をドライアイスアセトン浴から取り出し、20°Cの温度まで昇温させた。次いで、容器を再度ドライアイスアセトン浴中に温度が<65°となるまで置いた。14ジブロモブタン1035ml、08740molを反応混合物に、現在の温度を維持しながらシリンジから滴加した。添加後、反応混合物をこの温度で30分間撹拌した。反応混合物をその後12時間かけて室温までゆっくり昇温させた。昇温後、イソプロパノール200mlのシリンジからの添加により反応を停止した。反応停止後、溶媒を最高温度70°Cを用いてロータリーエバポレーションにより除去した。メチルtertブチルエーテル7000mlを加え、溶液を脱イオン水2000ml×8で洗浄した。有機分画を集め、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。次いで、固体をセライトのベッドを通した減圧ろ過により除去した。最高温度70°Cを用いてロータリーエバポレーションにより溶媒を除去した。次いで、粗生成物を100°Cで4時間の減圧蒸留により精製し、14ジブロモブタンの大部分を除去した。さらなる精製を、シリカゲルでの自動フラッシュカラムクロマトグラフィにより、溶離剤として3酢酸エチル97ヘキサンを用いて実施した。これによりNMRおよびGCMSで確認した純粋な生成物を得た。実施例23:中間体23ビシクロ420オクタ124トリエンの合成250ml添加漏斗、低温温度計および磁気撹拌子を備えた清浄で乾燥した1000ml丸底フラスコに、窒素下、無水テトラヒドロフラン5000mlを加えた。4ブロモベンゾシクロブタン250g、01370molをこのフラスコにシリンジで加えた。反応容器をドライアイスアセトン浴中に温度が<70°Cとなるまで置いた。次いで、反応混合物を撹拌速度550rpmで45分間撹拌し、この温度での撹拌機の完全性を確認した。tertブチルリチウム溶液161ml、02730molを添加漏斗にカニューレにより加え、次いで反応混合物に温度が65°Cよりも絶対に上がらないように滴加した。添加後、反応混合物を30分間撹拌した。次いで、容器をドライアイスアセトン浴から取り出し、20°Cの温度まで昇温させた。次いで、容器を再度ドライアイスアセトン浴中に温度が<70°となるまで置いた。14ジブロモブタン647ml、05460molを反応混合物に、現在の温度を維持しながらシリンジから滴加した。添加後、反応混合物をこの温度で30分間撹拌した。反応混合物をその後12時間かけて室温までゆっくり昇温させた。反応完了をGCMSで確認した。昇温後、イソプロパノール250mlのシリンジからの添加により反応を停止した。反応停止後、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。酢酸エチル500mlを加え、溶液を脱イオン水食塩水1000ml×2、200ml×5で洗浄した。有機分画を集め、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。次いで、固体を重力ろ過により除去し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。次いで、粗生成物を90°Cの温度で4時間の減圧蒸留により精製し、過剰の14ジブロモブタンを除去した。これによりNMRおよびGCMSで確認した純粋な生成物を得た。比較実施例AHTL中のビード様構造の形成を防止する試みにおいて、全体の分子量を高めるために、またその後小分子間のスペーサーとしても作用するよう、類似の架橋官能基を有するポリマーをHTL調合物中のブレンダーとして用いた。しかし、これらのフィルムはトルエン洗浄により5~20の間のフィルム損失を示した。