絶縁性基板の一面に設けられた基板側電極と、前記基板側電極に対向配置された対向電極を一面に有する対向板とを備え、前記基板側電極及び対向電極の間隔変化に基づく信号を発する振動素子において、前記対向板の一面に突設され、前記対向板を保持する保持部と、該保持部に設けられ、前記信号に係る処理を行う集積回路部とを備えることを特徴とする振動素子。前記集積回路部は不純物領域であり、前記対向電極と電気的に接続されてあることを特徴とする請求項1に記載の振動素子。前記保持部は、複数個所にて、前記集積回路部を有してあることを特徴とする請求項1又は2に記載の振動素子。前記保持部は、多層構造を有しており、複数層に前記集積回路部が設けられてあることを特徴とする請求項1から3の何れか1つに記載の振動素子。前記基板の一面には溝部が設けられており、前記保持部は、前記基板側の端部が該溝部に挿入されてあることを特徴とする請求項1から4の何れか1つに記載の振動素子。前記溝部は、前記基板側電極及び対向電極の対向方向における寸法が、該対向方向における前記保持部の寸法に応じた寸法であるように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の振動素子。絶縁性基板の一面に設けられた基板側電極と、前記基板側電極に対向配置された対向電極を一面に有する対向板とを備え、前記基板側電極及び対向電極の間隔変化に基づく信号を発する振動素子の製造方法において、前記対向板の一面に突設されて前記対向板を保持する保持部に、前記信号に係る処理を行う集積回路部を形成する集積回路部形成工程を有することを特徴とする振動素子の製造方法。前記集積回路部は不純物領域であり、前記対向電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項7に記載の振動素子の製造方法。前記保持部は積層工程にて形成され、該積層工程の中、前記集積回路部形成工程が行われることを特徴とする請求項7又は8に記載の振動素子の製造方法。一方、上述したような従来の超音波振動素子においては、実際の使用において、様々な問題が生じていた。より詳しくは、斯かる超音波振動素子の高周波数での使用の場合、インピーダンスが増加し、これによって実際に電極に与えられる駆動電圧が入力電圧に比べて低下される問題があった。また、複数の超音波振動素子を備えるアレイにおいては、振動素子の数が少ない場合に、当該アレイにおける基本キャパシタンスが小さいためにインピーダンスが上昇され、いわゆるSN比が低下される等の問題が生じていた。上記超音波振動素子又はアレイを搭載したデバイスからの信号はキャパシタンス変化として現れるため、この信号を電圧信号に変換する変換回路及びその信号の増幅回路、インピーダンス調節用の回路等が必要になる。1DアレイのCMUTデバイスは特にデバイス上に回路を設ける必要は無いが、高周波数用又は2DアレイのCMUTデバイスの場合はインピーダンスマッチング又はS/N比向上のためにデバイス上又はその周辺に回路を設ける必要がある。しかし、デバイスの超小型においては、こういう周辺回路を効率よく設置できるスペースの確保が難しい上に、スペースがあったとしても実装などを行うためのプロセスが複雑であるため、全体システムの生産性低下の原因となっていた。既存のCMUTデバイス構造では集積回路が必要な場合、シリコン基板に貫通電極を設け、デバイスの裏側に集積回路を設置していた。しかし、このような構造では貫通電極の作製工程が複雑で生産性が低く、貫通電極から寄生キャパシタンスが発生される虞があった。更に、基板としてシリコン単結晶を使用する場合には、斯かるシリコン単結晶の伝導性により、いわゆる寄生キャパシタンスが発生するので、当該デバイスの変換効率が低下するといった問題も生じていた。しかしながら、上述の非特許文献1に記載の超音波振動子ではこのような問題を解決することができない。本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、絶縁性基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの上昇を改善できると共に、素子自体、ひいては該素子を有するデバイス及び該デバイスを含める実装システムのコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供することにある。本発明に係る振動素子は、絶縁性基板の一面に設けられた基板側電極と、前記基板側電極に対向配置された対向電極を一面に有する対向板とを備え、前記基板側電極及び対向電極の間隔変化に基づく信号を発する振動素子において、前記対向板の一面に突設され、前記対向板を保持する保持部と、該保持部に設けられ、前記信号に係る処理を行う集積回路部とを備えることを特徴とする。本発明に係る振動素子は、前記集積回路部は不純物領域であり、前記対向電極と電気的に接続されてあることを特徴とする。本発明に係る振動素子は、前記保持部は、複数個所にて、前記集積回路部を有してあることを特徴とする。本発明に係る振動素子は、前記保持部は、多層構造を有しており、複数層に前記集積回路部が設けられてあることを特徴とする。本発明に係る振動素子は、前記基板の一面には溝部が設けられており、前記保持部は、前記基板側の端部が該溝部に挿入されてあることを特徴とする。本発明に係る振動素子は、前記溝部は、前記基板側電極及び対向電極の対向方向における寸法が、該対向方向における前記保持部の寸法に応じた寸法であるように構成されていることを特徴とする。本発明に係る振動素子の製造方法は、絶縁性基板の一面に設けられた基板側電極と、前記基板側電極に対向配置された対向電極を一面に有する対向板とを備え、前記基板側電極及び対向電極の間隔変化に基づく信号を発する振動素子の製造方法において、前記対向板の一面に突設されて前記対向板を保持する保持部に、前記信号に係る処理を行う集積回路部を形成する集積回路部形成工程を有することを特徴とする。本発明に係る振動素子の製造方法は、前記集積回路部は不純物領域であり、前記対向電極と電気的に接続されることを特徴とする。本発明に係る振動素子の製造方法は、前記保持部は積層工程にて形成され、該積層工程の中、前記集積回路部形成工程が行われることを特徴とする。本発明にあっては、上記対向板の一面に上記保持部が突設されており、該保持部には上記集積回路部を設け、当該振動素子に必要な信号処理を行う。例えば、該集積回路部は、インピーダンスを低減させ、キャパシタンスの変換、信号の増幅などの機能を行う。本発明にあっては、上記集積回路部は、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、IC回路の不純物領域であり、上記対向電極と電気的に接続され、当該デバイスに必要な信号処理を行う。例えば、該集積回路部は、インピーダンスを低減させ、キャパシタンスの変換、信号の増幅などの機能を行う。本発明にあっては、該集積回路部は、上記保持部の複数個所に設けられている。本発明にあっては、上記保持部は複数の層からなる多層構造をなしており、上記集積回路部は、層毎に又は幾つか複数の層に設けられてある。本発明にあっては、上記基板及び対向板の対向方向における、上記保持部の端部が上記溝部に挿入されている。すなわち、上記対向方向における、上記溝部の寸法だけ、上記基板及び対向板の間隔を短くできる。本発明にあっては、上記基板側電極及び対向電極の対向方向における上記溝部の寸法は、上記対向方向における上記保持部の寸法に応じて予め定められる。すなわち、上記対向方向における上記保持部の寸法が、当該基板側電極及び対向電極の間の間隔より大きい場合、斯かる間隔を一定に保つように、上記溝部の斯かる寸法が定められる。本発明によれば、当該集積回路部によってインピーダンス上昇の改善及びキャパシタンス変換、増幅などが可能になり、当該振動素子における電気的特性が高まるという効果を奏する。また、該集積回路部が当該保持部に形成された不純物領域であることから、該効果のために別途の要素を取り付ける必要がないので、素子自体、更に該素子を有するデバイス及び該デバイスを含める実装システムのコンパクト化及び生産性向上を図ることが出来る。また、本発明によれば、多層構造である保持部を形成する工程の中で、該集積回路部が形成されるので、例えば、層毎に又は幾つか複数の層に集積回路部を形成することができ、該集積回路部の形成において、上記保持部の限られたスペースに複数の集積回路部をより効率的に形成できる。以下、図面に基づいて本発明に係る振動素子、及び該振動素子の製造方法について具体的に説明する。説明は、対向配置された2つの電極を有する振動素子を複数備える振動素子アレイを例に挙げて行う。以下においては、説明の便宜上、該振動素子の両電極の対向方向を上下方向として説明する。実施の形態1図2は本発明の実施の形態1に係る振動素子アレイの要部構成を示す縦断面図である。図中、10は、本発明に係る振動素子であり、100は、振動素子10を複数備える振動素子アレイである。また、図3は本発明の実施の形態1に係る振動素子アレイ100の一部を省略して、上から見た部分的模式図である。詳しくは、後述する上部板1を省略した状態の平面図である。以下の説明においては、Z軸方向を上下方向として説明する。振動素子アレイ100は、一枚の基板3上に、複数の振動素子10がX軸方向及びY軸方向に並設されている。振動素子アレイ100は、各振動素子10によって受信された超音波を電気信号に変えて外部装置に送信し、該外部装置は振動素子アレイ100振動素子10からの電気信号に基づき、画像データを生成する。図4は本発明の実施の形態1に係る振動素子10の構成を説明するための模式的要部断面図である。本発明の実施の形態1に係る振動素子アレイ100の振動素子10は、基板3と、基板3に対向するように基板3の上側に配置された上部板1とを備えている。また、上部板1の下面と対向する基板3の上面には基板側電極2が設けられている。上部板1の下面には、上部板1を保持する保持部31が基板3に向けて突設されている。換言すれば、上部板1及び基板3の間には保持部31が介在しており、保持部31の下端部は基板3に固定され、保持部31の上端部は、後述する酸化物層6を介して上部板1に固定されている。また、上部板1、基板3及び保持部31によって空間32が形成されている。上部板1は、超音波の送信又は受信の際に振動する振動膜部11と、振動膜部11の周囲部であって、上下方向における位置が保持部31と整合する固定部12とからなる。固定部12は酸化物層6を介して保持部31に固定されている。振動膜部11は、基板側電極2と対向する位置に該当する、上部板1の一部分であり、振動膜部11には基板側電極2と対応するように対向電極4が形成されている。隣り合う振動膜部11同士は、固定部12を挟んで、互いに隔てて形成されている。すなわち、振動膜部11は周囲を固定部12によって取り囲まれており、固定部12が保持部31に固定されているので、送信又は受信の際には、振動膜部11のみが振動する。保持部31は、例えばシリコン単結晶からなり、上下が開放された筒状を有している。また、保持部31の内側は、周壁によって横断面視六角形をなしている図3参照。更に、保持部31は、Z軸方向において、対向電極4が該六角形の中心に位置するように、設けられている。更に、振動素子アレイ100においては、複数の保持部31がハニカムの形状をなしている。基板3は、例えば、パイレックスPyrexガラス登録商標、石英、テンバックス登録商標、Foturanガラス登録商標等のガラス製であり、例えば、500μm以上の厚みを有する。また、上述したように、基板3の上面には基板側電極2が蒸着されている。なお、基板3の厚みは、上述の記載に限るものでなく、1μm~10cm範囲の基板を含める。例えば、300μm以上、かつ500μm以下であっても良い。基板側電極2は、保持部31に倣う六角形の板状をなしており、面積は、例えば、700μm2以下である。また、基板側電極2の厚みは、例えば、0.1~1.0μmであり、Ni、Cr、Al、Pt、Au等の材料からなる。また、基板側電極2の上面には、例えば、酸化物からなり、上部板1振動膜部11と基板側電極2とを絶縁させる絶縁膜図示せずが蒸着されている。保持部31は、例えば、上記六角形の一辺の寸法が22μmであって、該六角形の対向辺間の距離は38μmである。また、保持部31の内側の形状は、横断面視六角形に限るものでなく、円形であっても良い。また、保持部31の高さ縦方向における寸法、換言すれば、上部板1の下面と基板3の上面との間隔は、例えば、0.05~10μmである。更に望ましくは、0.1~3μmである。また、保持部31は肉厚横方向における寸法が、例えば、8~16μmである。なお、保持部31の下端面には、基板3の上面と、例えば、陽極接合法によって接合されている。従って、本発明の実施の形態1に係る振動素子10は、高温での接合の工程に発生しがちな変形による応力集中が保持部31と基板3との接合部にて生じることを抑制でき、上記応力の振動膜部11への影響により、変換効率又は感度が低下することを防止できるうえに、ひいては製造上の構造再現性に優れている。本実施の形態においては、保持部31の肉厚が8~16μmである場合を例として挙げているが、これに限るものでなく、例えば、1~16μmであれば良い。上部板1は、基板3と対向しており、かつ保持部31を覆うように設けられている。従って、上述したように、上部板1、基板3及び保持部31によって空間32が形成されている。上部板1の厚みは、例えば、1.5μmであるが、これに限るものでなく、0.1~10μmであれば良い。振動膜部11の下面には、基板側電極2と対応する対向電極4が形成されている。対向電極4は基板側電極2の真上側に形成された不純物領域である。対向電極4は平面視円状をなす範囲に形成されており、例えば、Nタイプ又はPタイプの元素を熱拡散又はイオン注入して形成された、いわゆる導電性型不純物領域である。保持部31の下端部には集積回路部5が形成されている。集積回路部5は基板側電極2及び対向電極4の間の静電容量変化によって発せられる電気信号に係る処理を行う導電性型不純物領域である。詳しくは、集積回路部5は、保持部31の斯かる位置に、例えば、5族N-typeであるAs、P、Sb等、又は3族P-typeであるAl、B、Ga等の元素を熱拡散又はイオン注入して形成されたIC回路である。なお、集積回路部5の形成位置については、以上の記載に限るものでなく、保持部31のあらゆる箇所に形成しても良い。集積回路部5は、例えば、インピーダンスを低減させる可変容量コンデンサ、抵抗、キャパシター等の役割をなすように形成されている。集積回路部5は対向電極4と電気的に接続されており、振動素子10又は振動素子アレイ100において発生するインピーダンスを低減させ、キャパシタンス変換、信号増幅、信号処理などの機能を行う。本発明の実施の形態1に係る振動素子10は、上述したように集積回路部5を有することから、高周波数又は振動素子の数が少ない場合のインピーダンス増加の問題、振動膜としてシリコン単結晶を使用する場合に、いわゆる寄生キャパシタンスが発生して、効率が低下するといった問題を未然に防止することができる。また、本発明の実施の形態1に係る振動素子10は、上述したように、集積回路部5が保持部31の下端部に形成された不純物領域であるので、インピーダンスの低減及び信号処理のための周辺回路構成を付加的に取り付けることを必要とせず、振動膜部11の振動に影響を及すことなく、素子自体及び機器のコンパクト化を図ることが出来る。また、本発明の実施の形態1に係る振動素子10では、対向電極4及び集積回路部5が、夫々上部板1の下面及び保持部31の下端部に形成されているので、対向電極4及び集積回路部5を保護するための保護膜を別途必要としない。なお、本発明の実施の形態1に係る振動素子10においては、上部板1に対向電極4が不純物領域として形成されており、上部板1の一部振動膜部11がいわゆる振動膜としての役割を兼ねているので、更に機器のコンパクト化を図ることが出来る。本発明の実施の形態1に係る振動素子アレイ100においては、複数の振動素子10の基板側電極2と、該基板側電極2に対応する上部板1の対向電極4との間に電圧を印加することにより振動膜部11を振動させて超音波を外部に送信し、また、外部から反射してくる超音波による振動膜部11の振動に伴う基板側電極2と対向電極4との間の静電容量の変化に係る電気信号を取得でき、上記電気信号に基づき、いわゆる超音波像を得ることが出来る。以下において、本発明の実施の形態1に係る振動素子10及び振動素子アレイ100の製造方法について説明する。図5及び図6は本発明の実施の形態1に係る振動素子10及び振動素子アレイ100の製造方法を説明する説明図である。まず、上部板1側に関しては、図5aに示すように、SOISiliconOnInsulatorウェハWの一面に熱拡散又はイオン注入を施し、対向電極4になるべき不純物領域を形成する。続いて、該SOIウェハWの一面の上に、酸化物層を形成する。例えば、高温の炉でSOIウェハWを酸化性雰囲気にさらすことによって、SOIウェハWの一面に酸化物層を形成する。斯かる工程によって酸化物層6になるべき酸化物層が生成される。次に、生成された上記酸化物層の上に、例えば、シリコン単結晶のウェハを接合し、適切な厚みのシリコン層を形成する。斯かる工程によって保持部31になるべきシリコン単結晶層が生成される。次いで、生成されたシリコン層の上に、例えば、5族N-typeであるAs、P、Sb等、又は3族P-typeであるAl、B、Ga等の元素を熱拡散又はイオン注入して不純物領域を形成する集積回路部形成工程。該不純物領域が、上述した集積回路部5に該当する。一方、基板3側に関しては、図5bに示すように、パイレックスガラスの基板3の上面に、基板側電極2になるべき蒸着物例えば、Ni、Cr、Al、Pt、Au等の蒸着を施しておく。その上に、更に、基板側電極2を対向電極4から絶縁する絶縁膜図示せずを蒸着する工程を設けても良い。上述したように、不純物領域の形成が完了した場合、当該シリコン層の面に対して、図6aに示すように、パターニング及びエッチングを行う。例えば、TMAH、KOH、HF等を用いてウェットエッチング図中、矢印にて表示を施し、保持部31及び酸化物層6になるべき部分だけを残して、上述のシリコン層及び酸化物層を除去する。ドライエッチング法でパターニングを行っても良い。斯かる工程により保持部31及び酸化物層6が完成される。次いで、SOIウェハWの上記一面が、既に用意しておいた基板3図5b参照の上面と対向するように、該SOIウェハWの上下を反転させ、保持部31を介して基板3の上面に該SOIウェハWを固定させる。詳しくは、保持部31の周壁の下端面を上述の陽極接合法によって、基板3の上面に接合する。この後、図6bに示すように、上記SOIウェハWの他面側、すなわち、上部のSi層及びoxide層に対して、TMAH、KOH、HF等を用いてウェットエッチング図中、矢印にて表示を施し、上部板1になるべき部分だけを残して除去することにより、上部板1が完成される。なお、これに限るものでなく、SOIウェハに代えて、Si/Si3N4lowstress構成を有するSiウェハを用いても良い。以下において、本発明の実施の形態1に係る振動素子10及び振動アレイ100の作用について説明する。説明の便宜上、上述したように振動素子10及び振動アレイ100に電圧を印加して被対象物に向けて超音波を送信し、上記被対象物から反射されてくる超音波を受信する場合を例として説明する。本発明の実施の形態1に係る振動素子アレイ100の振動素子10が、上記被対象物から反射された超音波を受信した場合、上記超音波音圧によって振動膜部11が振動する。振動膜部11が振動する際、振動膜部11と基板3の基板側電極2との間隔が変動する。従って、振動膜部11の下面に形成された対向電極4と基板側電極2との間の静電容量が変化するようになる。斯かる対向電極4と基板側電極2との間の静電容量変化に基づき、容量変化を電圧変化信号に変換させて電気信号を取得することができ、取得した電気信号に基づき、上記被対象物の超音波像を得ることができる。また、超音波の送信においては、対向電極4と基板側電極2との間にDC及びAC電圧を印加することによって振動膜部11が振動され、超音波が送信される。他の作用については超音波を受信した場合と同様であり、詳しい説明は省略する。実施の形態2本発明の実施の形態2に係る振動素子アレイ100の振動素子10の構成は、実施の形態1の場合と略同様であるが、保持部31に形成された集積回路部5の構成において異なる。図7は本発明の実施の形態2に係る振動素子10の構成を説明するための模式的要部断面図である。本発明の実施の形態2に係る振動素子アレイ100の振動素子10においては、保持部31の下端部に、2つの集積回路部5、5が形成されている。詳しくは、保持部31にトレンチ61を設けることによって保持部31を複数の領域に分け、夫々の集積回路部5を形成している。各集積回路部は基板側電極2及び対向電極4の間の静電容量変化によって発せられる電気信号に係る処理を行う不純物領域である。なお、トレンチ61を省略した構成であっても良く、複数のトレンチ61を設けた構成であっても良い。2つの集積回路部5の形成方法は、上述した集積回路部形成工程において、シリコン層の2個所に、例えば、5族N-typeであるAs、P、Sb等、又は3族P-typeであるAl、B、Ga等の元素を熱拡散又はイオン注入することによって形成される。集積回路部5は、例えば、インピーダンスを低減させる可変容量コンデンサ、抵抗、キャパシター等の役割をなすように形成されている。集積回路部5は対向電極4と電気的に接続されており、振動素子10又は振動素子アレイ100において発生するインピーダンスを低減させ、キャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行う。該機能は、2つの集積回路部5、5が夫々行うように構成しても良く、適宜分担して行うように構成しても良い。以上においては、保持部31の下端部に2つの集積回路部5、5が形成された場合を例として説明したが、これに限るものでなく、2つ以上であっても良い。すなわち、保持部31の上部にも集積回路5の設置が出来るうえに、トレンチ61等を設けて保持部31を複数の領域に分け、様々な機能の集積回路部5を多数形成することも可能である。従って、本発明の実施の形態2に係る振動素子アレイ100の振動素子10においては、素子自体及び該素子が装着される機器のコンパクト化を図ることが出来る。実施の形態3本発明の実施の形態3に係る振動素子アレイ100の振動素子10の構成は、本発明の実施の形態1の場合と略同様であるが、保持部31及び該保持部31に形成された集積回路部5の構成が異なる。図8は本発明の実施の形態3に係る振動素子10の構成を説明するための模式的要部断面図である。本発明の実施の形態3に係る振動素子アレイ100の振動素子10においては、保持部31が複数のシリコン層からなる多層構造を有している。また、シリコン層同士の間には、酸化物層6が介在している。保持部31の各シリコン層には集積回路部5が形成されている。換言すれば、保持部31の各酸化物層6の上方に集積回路部5が形成されている。集積回路部5は基板側電極2及び対向電極4の間の静電容量変化によって発せられる電気信号に係る処理を行う不純物領域である。以下、本発明の実施の形態3に係る振動素子アレイ100又は振動素子10における、保持部31及び集積回路部5の形成方法について説明する。図9は本発明の実施の形態3に係る振動素子10及び振動素子アレイ100の製造方法を説明する説明図である。図5aに示すように、上部板1側に関しては、SOIウェハWの一面に熱拡散又はイオン注入を施し、対向電極4になるべき不純物領域を形成した後、該SOIウェハWの一面の上に、酸化物層6になるべき酸化物層が生成される。次に、生成された上記酸化物層の上に、例えば、シリコン単結晶のウェハを接合し、エッチング等の方法を用いて該シリコンの厚みを調節してシリコン層のLayer1を形成する。斯かる工程によって保持部31の一部になるべきシリコン層が生成される。次いで、生成されたシリコン層のLayer1に、上述したように、熱拡散又はイオン注入によって集積回路部5に該当する不純物領域を形成する集積回路部形成工程。この後、シリコン層のLayer1の上に、再び、酸化物層が形成される。続いて、生成された上記酸化物層の上に、シリコン層のLayer2を形成する。また、生成されたシリコン層のLayer2に、他の集積回路部5に該当する不純物領域を形成する。このような工程を繰り返すことにより、所定数のシリコン層、及び対応する集積回路部5が形成される。この後、図6aに示すように、パターニング及びエッチングを行う。以降の工程については、既に説明しており、詳しい説明を省略する。集積回路部5は、例えば、インピーダンスを低減させる可変容量コンデンサ、抵抗、キャパシター等の役割をなすように形成されている。集積回路部5は対向電極4と電気的に接続されており、振動素子10又は振動素子アレイ100において発生するインピーダンスを低減させ、キャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行う。該機能は、2つの集積回路部5、5が夫々行うように構成しても良く、適宜分担して行うように構成しても良い。本発明の実施の形態3に係る振動素子アレイ100の振動素子10においては、上述したように、保持部31に多数の集積回路部5を効率的に形成することが可能であり、素子自体及び該素子が装着される機器のコンパクト化を図ることが出来る。また、各集積回路部5が酸化物層6によって遮られているので、相互干渉を未然に防止できる。実施の形態4本発明の実施の形態4に係る振動素子アレイ100の振動素子10の構成は、本発明の実施の形態3の場合と略同様であるが、基板3の構成において異なる。図10は本発明の実施の形態4に係る振動素子10の構成を説明するための模式的要部断面図である。本発明の実施の形態4に係る振動素子アレイ100の振動素子10においては、実施の形態3の場合と同様、保持部31が複数のシリコン層からなる多層構造を有しており、シリコン層同士の間には、酸化物層6が介在している。また、各シリコン層には集積回路部5が形成されている。一方、基板3の上面には、保持部31の周壁の下端に沿って溝部33が設けてられている。溝部33の内側は、保持部31の周壁の下端の形状に倣い、縦断面視U字型を有しており、溝部33は平面視六角形をなしている。溝部33の対向する両側面間の間隔は保持部31の肉厚の寸法より大きい。従って、保持部31周壁の下端部が、溝部33に挿入できる。すなわち、本発明の実施の形態1に係る振動素子アレイ100振動素子10の製造工程において、保持部31の周壁の下端を上記陽極接合法によって、基板3に接合する際、保持部31の周壁の下端面を溝部33内に挿入した状態で、溝部33の底に接合する。これによって、保持部31の高さより、溝部33の深さZ軸方向の寸法だけ、上部板1対向電極4と基板3基板側電極2との間隔を調整することが出来る。換言すれば、溝部33の深さは、保持部31の高さに応じて予め定められた値である。例えば、保持部31の高さが基板側電極2及び対向電極4の間の間隔より大きい場合、斯かる間隔を一定に保つように、溝部33の深さが定められる。このように、本発明の実施の形態4に係る振動素子アレイ100の振動素子10においては、多層構造の保持部31に多くの集積回路部5を形成するために、保持部31の層の高さ又は数を増やしたことによって、保持部31の高さが大きくなった場合においても、溝部33の深さを適宜調整することによって、対向電極4と基板側電極2との間隔を一定に保つことが出来る。すなわち、多層構造にすることによって、又は単層構造であっても該層の厚みが厚いことから、保持部31の高さが増加された場合においても、適用することができる。更に、本発明に係る振動素子10及び振動素子アレイ100の構成は、以上の記載に限るものでない。例えば、以上の記載においては、保持部31にのみ集積回路部5が形成された場合を例に挙げて説明したが、集積回路部5の一部を上部板1に形成しても良い。すなわち、保持部31及び上部板1共に不純物領域を形成した構成であっても良い。