"電極層と、該電極層上に設けられた光吸収層とを備え、該光吸収層は、I-III-VI族のカルコパイライト系化合物半導体を含む半導体層が複数積層されてなり、該半導体層は、酸素を含んでおり、前記半導体層における前記酸素の平均のモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍における前記酸素のモル濃度の方が高い、光電変換装置。前記半導体層は、セレンを含んでおり、前記半導体層における前記セレンの平均のモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍における前記セレンのモル濃度の方が低い、請求項1に記載の光電変換装置。前記光吸収層において、積層方向の中央部から前記電極層と反対側に位置する前記半導体層における前記酸素の平均のモル濃度よりも、前記中央部から前記電極層側に位置する前記半導体層における前記酸素の平均のモル濃度の方が高い、請求項1に記載の光電変換装置。前記半導体層は、ガリウムを含んでおり、前記半導体層における前記ガリウムの平均のモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍における前記ガリウムのモル濃度の方が高い、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。前記光吸収層において、積層方向の中央部に位置する前記半導体層における前記ガリウムの平均のモル濃度よりも、前記電極層側に位置する前記半導体層における前記ガリウムの平均のモル濃度の方が高い、請求項4に記載の光電変換装置。前記光吸収層において、積層方向の中央部に位置する前記半導体層における前記ガリウムの平均のモル濃度よりも、前記電極層と反対側に位置する前記半導体層における前記ガリウムの平均のモル濃度の方が高い、請求項4または請求項5に記載の光電変換装置。光電変換装置10は、図1に示すように、基板1と、第1の電極層2と、光吸収層3と、バッファ層4と、第2の電極層5とを有している。光電変換装置10は、光吸収層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を有している。隣接する光電変換装置10同士は、接続導体7で電気的に接続されている。すなわち、一方の光電変換装置10の第2の電極層5と他方の光電変換装置10の第3の電極層6とが接続導体7で接続されている。この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2としての機能を兼ねている。これにより、隣接する光電変換装置10同士は、互いに直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は光吸収層3およびバッファ層4をそれぞれ分断するように設けられている。そのため、光電変換装置10では、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた光吸収層3およびバッファ層4で光電変換が行なわれる。また、本実施形態のように、第2の電極層5上に集電電極8が設けられてもよい。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えばガラス、セラミックスおよび樹脂等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、例えばモリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTiまたは金Au等で形成される。第1の電極層2および第3の電極層6は、スパッタリング法または蒸着法等によって基板1上に形成される。光吸収層3は、光を吸収するとともに、バッファ層4と協働して光電変換を行うものである。光吸収層3は、カルコパイライト系化合物半導体を含んでなり、第1の電極層2上および第3の電極層6上に設けられている。ここで、カルコパイライト系化合物半導体とは、I-B族元素11族元素ともいう、III-B族元素13族元素ともいうおよびVIB族元素16族元素ともいうとの化合物半導体であるCIS系化合物半導体ともいう。このような化合物半導体は、I-III-VI族のカルコパイライト系化合物半導体ともいう。カルコパイライト系化合物半導体としては、例えばCuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいうおよびCuInS2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、Cu、In、GaおよびSeを主に含む化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、Cu、In、Ga、SeおよびSを主に含む化合物をいう。本実施形態において、光吸収層3は、カルコパイライト系化合物半導体を含む半導体層を複数積層して形成されている。具体的に、光吸収層3は、図2に示すように、第1の電極層2側に位置する第1層3aと、該第1層上3aに設けられた第2層3bと、該第2層3b上に設けられた第3層3cとを有している。このような複数の半導体層が積層された光吸収層3は、例えば、第1の電極層2とは反対側に位置する光吸収層3の表面付近で発生したクラックが半導体層の積層方向に進行しても、図3に示すような各層同士の境界部3Dで当該進行を止めやすくなる。これにより、第1の電極層2に到達するクラックの量が低減される。それゆえ、本実施形態では、クラックによるリークの発生を低減できる。これにより、光電変換効率が向上する。なお、境界部3Dとは、図3に示すように、第1層3aと第2層3bとの接触面および第2層3bと第3層3cとの接触面に相当する。また、各半導体層は、複数の結晶を有している。この結晶間には、粒界面が存在している。そして、境界部3Dにおいて、上記粒界面が半導体層第1乃至第3層の積層方向と直交する方向の略同一平面に位置している。このとき、半導体層の積層方向と直交する方向に対する角度が10度以内となっている上記粒界面が上記略同一平面内において並んでいる部位を境界部3Dとみなすことができる。この粒界面の方向は、例えば、透過型分析電子顕微鏡TEM等で確認できる。加えて、この粒界面が揃っている方向に沿って空隙を設ければ、該空隙によってクラックの進行をより止めやすくなる。光吸収層3は、例えば1~2.5μmの厚みであればよい。これにより、光電変換効率が高まる。このとき、例えば光吸収層3の第1層3aの厚みは0.2~1μmであればよい。一方で、第2層3bおよび第3層3cの厚みは、それぞれ0.5~1.5μmであればよい。また、光吸収層3の半導体層は酸素を含んでいる。このとき、半導体層は、該半導体層の平均の酸素のモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍の酸素のモル濃度の方が高い。具体的に、本実施形態では、第1層3aと第2層3bとの境界部3D近傍の酸素のモル濃度が、各半導体層第1層3a、第2層3bの平均の酸素のモル濃度よりも高くなっている。また、第2層3bと第3層3cとの境界部3D近傍の酸素のモル濃度が、各半導体層第2層3b、第3層3cの平均の酸素のモル濃度よりも高くなっている。このような形態であれば、隣接する半導体層同士の界面境界部3D近傍において生じやすいカルコパイライト構造の一部が空孔となった欠陥部分を酸素で埋めやすくなる。これにより、光電変換効率が高まる。なお、上述した隣接する半導体層の互いに積層されている側の表面近傍とは、例えば、境界部3Dから各半導体層の厚み方向に50~100nm程度の範囲に相当する部分である。このとき、上記表面近傍を含む各半導体層の平均の酸素のモル濃度よりも上記表面近傍の酸素のモル濃度の方が5~20mol高ければよい。これにより、半導体層内において酸素が過剰になるのを低減しつつ、欠陥を埋めることができる。光吸収層3における酸素のモル濃度は、例えば、断面を電子顕微鏡観察しながらエネルギー分散型X線分析法EDS:EnergyDispersivexraySpectroscopyを用いて測定すればよい。また、他の測定方法には、スパッタリングで光吸収層3を深さ方向に削りながらX線光電子分光法XPS:Xrayphotoelectronspectroscopy、オージェ電子分光AES:AugerElectronSpectroscopyまたは2次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopy等を用いる測定方法がある。光吸収層3における上記表面近傍の酸素のモル濃度は、上記した測定方法によって、任意の10箇所で測定を行ない、その平均値で算出できる。また、半導体層の平均の酸素のモル濃度は、上記表面近傍部を除いた部分の任意の10箇所で測定を行ない、その平均値で算出できる。例えば、図2に示す光電変換装置10の光吸収層3における酸素のモル濃度についてエネルギー分散型X線分析法を用いて測定したところ、第1層3a、第2層3bおよび第3層3cがそれぞれ8molであった。このとき、第1層3aと第2層3bとの境界部3D近傍の酸素のモル濃度は、10molであった。また、第2層3bと第3層3cとの境界部3D近傍の酸素のモル濃度が、10molであった。このような光電変換装置10は、光吸収層3内における酸素の濃度が略均一な光電変換装置よりも、光電変換効率が高い。光吸収層3は、例えば、以下のようにして作製できる方法A。まず、第1の電極層2を有する基板1上に、スパッタリング法により、I-B族元素およびIII-B族元素を供給して前駆体層を形成するA1工程。このA1工程では、前駆体層の厚みが所望の厚みの90程度まで形成した後に、さらに酸素を供給しながら、前駆体層の残りの厚みを形成している。例えば、チャンバー内で前駆体層が形成される場合、所望のタイミングでチャンバー内に酸素を供給し、酸素雰囲気下で残りの10の前駆体層を形成すればよい。次に、VI-B族元素を含む雰囲気で上記前駆体を500~600°Cで加熱することによって、光吸収層3の第1層3aを形成するA2工程。上述のA1工程およびA2工程を繰り返すことによって、第1層3a、第2層3bおよび第3層3cのような複数の半導体層を有する光吸収層3が形成される。このように、方法Aでは、前駆体層の表面に酸素を供給しやすいため、光吸収層3の半導体層の表面近傍における酸素のモル濃度を高めることができる。なお、方法Aにおいて、光吸収層3は、A1工程を所望の回数繰り返すことによって複数の前駆体層を形成した後に、A2工程による熱処理を行なって複数の前駆体層を同時に焼成してもよい。これにより、製造工程が簡易になる。また、光吸収層3は、次のようにして作製することもできる方法B。まず、第1の電極層2を有する基板1上に、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む原料溶液を塗布することによって第1前駆体を形成するB1工程。このような原料溶液は、例えばスピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーまたはダイコータ等を用いて塗布される。次に、10~50ppmの酸素を含む雰囲気中で上記第1前駆体を仮焼加熱処理することによって仮焼第1前駆体を形成するB2工程。このB2工程における仮焼第1前駆体の形成温度は150~400°Cである。次に、上記仮焼第1前駆体を加熱することによって光吸収層3の第1層3aを形成するB3工程。このB3工程における第1層3aの形成温度は450~600°Cである。次に、この第1層3a上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む原料溶液を塗布することによって第2前駆体を形成するB4工程。次に、10~50ppmの酸素を含む雰囲気中で上記第2前駆体を仮焼加熱処理することによって仮焼第2前駆体を形成するB5工程。このB5工程における仮焼第2前駆体の形成温度は150~400°Cである。次に、上記仮焼第2前駆体を加熱することによって第2層3bを形成するB6工程。このB6工程における第2層3bの形成温度は450~600°Cである。次に、第2層3b上にI-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む原料溶液を塗布することによって第3前駆体を形成するB7工程。次に、10~50ppmの酸素を含む雰囲気中で上記第3前駆体を仮焼加熱処理することによって仮焼第3前駆体を形成するB8工程。このB8工程における仮焼第3前駆体の形成温度は150~400°Cである。次に、10~50ppmの酸素を含む雰囲気中で上記仮焼第3前駆体を加熱することによって第3層3cを形成するB9工程。このB9工程における第3層3cの形成温度は450~600°Cである。このように、方法Bでは、酸素雰囲気中で前駆体を加熱して仮焼前駆体を形成しているため、仮焼前駆体の表面近傍における酸素のモル濃度を高めることができる。それゆえ、第1層3aと第2層3bとが互いに積層されている側の表面近傍における酸素のモル濃度が、第1層3aおよび第2層3bのそれぞれの平均の酸素のモル濃度よりも高まる。また、第2層3bと第3層3cとが互いに積層されている側の表面近傍における酸素のモル濃度が、第2層3bおよび第3層3cのそれぞれの平均の酸素のモル濃度よりも高まる。なお、半導体層を3層以上有する光吸収層3を作製する場合は、例えば上述したB1乃至B3工程を所望の回数繰り返せばよい。方法Bにおいて、光吸収層3は、例えばB3工程およびB6工程を省いて、仮焼第1前駆体、仮焼第2前駆体および仮焼第3前駆体を積層した後、B9工程のような加熱処理を行なって各仮焼前駆体を同時に焼成してもよい。すなわち、この方法では、光吸収層3を構成する半導体層となる仮焼前駆体を全て積層した後に、加熱処理を行なって半導体層を形成している。これにより、製造工程が簡易になる。上記した方法BのB2、B4またはB6工程において、昇温速度を一時的に20°C/mim以上とする場合は、2段階の温度プロファイルで仮焼を行なうようにしてもよい。このような温度プロファイルとしては、例えば、150~300°Cで2~10分ほど加熱した後、200~400°Cで10~90秒ほど加熱するようなものであればよい。また、上記した方法BのB9工程において、VI-B族元素を供給すれば、光吸収層3内のVI-B族元素を補うことができる。なお、上述した方法Aおよび方法Bにおける光吸収層3の各層の形成温度とは、各工程内の雰囲気の温度を指す。一方で、各方法において、第1乃至第3層を形成するときの形成温度は、基板1自体の温度を形成温度としてもよい。このような場合、基板1の温度の調整のほうが雰囲気の温度の調整よりも容易にできるため、製造工程が簡易になる。このような塗布法の場合、その際に用いる原料溶液としては、例えば、I-B族金属と、III-B族金属と、カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含むものであればよい。カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む溶媒以下、混合溶媒Sともいうは、I-B族金属およびIII-B族金属を良好に溶解させることができる。このような混合溶媒Sであれば、混合溶媒Sに対するI-B族金属およびIII-B族金属の合計の濃度が6質量以上となる原料溶液を作製できる。また、このような混合溶媒Sを用いることにより、上記金属の溶解度を高めることができるため、高濃度の原料溶液を得ることができる。次に、原料溶液について詳細に説明する。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物である。カルコゲン元素とは、VI-B族元素のうちのS、SeまたはTeをいう。カルコゲン元素がSである場合、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばチオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステルおよびスルホン酸アミド等が挙げられる。上記した化合物のうち、チオール、スルフィドおよびジスルフィド等は、金属と錯体を形成しやすい。また、カルコゲン元素含有有機化合物は、フェニル基を有していれば、塗布性を高めることができる。このような化合物としては、例えばチオフェノール、ジフェニルスルフィド等およびこれらの誘導体が挙げられる。カルコゲン元素がSeである場合は、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばセレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシドおよびセレノン等が挙げられる。上記した化合物のうち、セレノール、セレニドおよびジセレニド等は、金属と錯体を形成しやすい。また、フェニル基を有するフェニルセレノール、フェニルセレナイド、ジフェニルジセレナイド等およびこれらの誘導体であれば、塗布性を高めることができる。カルコゲン元素がTeである場合は、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えばテルロ-ル、テルリドおよびジテルリド等が挙げられる。ルイス塩基性有機溶剤とは、ルイス塩基となり得る有機溶剤である。ルイス塩基性有機溶剤としては、例えばピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン等およびこれらの誘導体が挙げられる。ルイス塩基性有機溶剤は、沸点が100°C以上であれば、塗布性を高めることができる。また、I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物とは化学結合しているとよい。さらに、III-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しているとよい。さらに、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とが化学結合しているとよい。上述したように、金属、カルコゲン元素含有有機化合物およびルイス塩基性有機溶剤等が化学結合していれば、8質量以上のより高濃度の原料溶液とすることができる。上記した化学結合としては、例えば、各元素間における配位結合等が挙げられる。このような化学結合は、例えばNMRNuclearMagneticResonance法により確認することができる。このNMR法において、I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合は、カルコゲン元素の多核NMRのピ-クシフトとして検出できる。また、III-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合は、カルコゲン元素の多核NMRのピ-クシフトとして検出できる。また、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合は、有機溶剤由来のピ-クのシフトとして検出できる。I-B族金属とカルコゲン元素含有有機化合物との化学結合のモル数は、カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤との化学結合のモル数の0.1~10倍の範囲であればよい。混合溶媒Sは、室温で液状となるようにカルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤を混合させて調製してもよい。これにより、混合溶媒Sの取り扱いが容易になる。このような比率としては、例えば、カルコゲン元素含有有機化合物をルイス塩基性有機溶剤に対して0.1~10倍の量を混合させればよい。これにより、上記した化学結合を良好に形成することができ、高濃度のI-B族金属およびIII-B族金属の溶液を得ることができる。原料溶液は、例えば、混合溶媒SにI-B族金属およびIII-B族金属を直接溶解させればよい。このような方法であれば、光吸収層3に化合物半導体の成分以外の不純物の混入を低減することができる。なお、I-B族金属およびIII-B族金属は、いずれかが金属塩であってもよい。ここで、I-B族金属およびIII-B族金属を混合溶媒Sに直接溶解させるというのは、単体金属の地金または合金の地金を直接、混合溶媒Sに混入し、溶解させることをいう。これにより、単体金属の地金または合金の地金は、一旦、他の化合物例えば塩化物などの金属塩に変化させた後に溶媒に溶解させなくてもよい。それゆえ、このような方法であれば、工程が簡略化できるとともに、光吸収層3を構成する元素以外の不純物が光吸収層3に含まれるのを低減できる。これにより、光吸収層3の純度が高まる。I-B族金属は、例えば、Cu、Agなどである。I-B族金属は、1種の元素であってもよく、2種以上の元素を含んでいてもよい。2種以上のI-B族金属元素を用いる場合、混合溶媒Sに2種以上のI-B族金属の混合物を一度に溶解させればよい。一方で、各元素のI-B族金属をそれぞれ混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。III-B族金属は、例えば、Ga、Inなどである。III-B族金属は1種の元素であってもよく、2種以上の元素を含んでいてもよい。2種以上のIII-B族金属元素を用いる場合、混合溶媒Sに2種以上のIII-B族金属の混合物を一度に溶解させればよい。一方で、各元素のIII-B族金属をそれぞれ混合溶媒Sに溶解させた後、これらを混合してもよい。光吸収層3の半導体層は、セレンを含んでいてもよい。このとき、半導体層の平均のセレンのモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍のセレンのモル濃度の方が低くてもよい。具体的に、第1層3aと第2層3bとの境界部3D近傍のセレンのモル濃度は、各半導体層第1層3a、第2層3bの平均のセレンのモル濃度よりも低くなっている。また、第2層3bと第3層3cとの境界部3D近傍のセレンのモル濃度は、各半導体層第2層3b、第3層3cの平均のセレンのモル濃度よりも低くなっている。このような形態であれば、隣接する半導体層同士の境界部近傍でバンドに傾斜を持たせることができる。これにより、半導体層への光照射によって生成したキャリアが効率良くpn接合付近まで輸送される。それゆえ、本実施形態では、キャリアの収集効率を高めることができるため、光電変換効率を高めることができる。なお、上述した隣接する半導体層の互いに積層されている側の表面近傍とは、例えば、境界部3Dから各半導体層の厚み方向に50~100nm程度の範囲に相当する部分である。具体的に、半導体層は、該半導体層の平均のセレンのモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍のセレンのモル濃度の方が5~20mol程度低いほうがよい。このような光吸収層3は、例えば、上述した方法BのB2、B5またはB8工程のような前駆体を仮焼する工程において、仮焼するときの昇温速度を通常よりも高めることにより、前駆体の表面近傍におけるセレンを脱離させて、該表面近傍のセレンのモル濃度が小さくなるようにすればよい。具体的には、例えば、上記昇温速度を10~20°C/minに高めればよい。光吸収層3の半導体層は、ガリウムGaを含んでいてもよい。このとき、半導体層は、該半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍におけるガリウムのモル濃度の方が高くてもよい。具体的に、本実施形態では、第1層3aと第2層3bとの境界部3D近傍のガリウムのモル濃度が、各半導体層第1層3a、第2層3bの平均のガリウムのモル濃度よりも高くなっている。また、第2層3bと第3層3cとの境界部3D近傍のガリウムのモル濃度が、各半導体層第2層3b、第3層3cの平均のガリウムのモル濃度よりも高くなっている。このような形態であれば、隣接する半導体層同士の境界部近傍でバンドに傾斜を持たせることができる。半導体層への光照射によって生成したキャリアが効率良くpn接合付近まで輸送される。それゆえ、本実施形態では、キャリアの収集効率を高めることができるため、光電変換効率を高めることができる。なお、上述した隣接する半導体層の互いに積層されている側の表面近傍とは、例えば、境界部3Dから各半導体層の厚み方向に50~100nm程度の範囲に相当する部分である。具体的に、半導体層は、該半導体層の平均のガリウムのモル濃度よりも互いに積層されている側の表面近傍のガリウムのモル濃度の方が1~10mol程度高いほうがよい。このような光吸収層3は、上述した方法BのB2、B5またはB8工程のような前駆体を仮焼する工程において、大気雰囲気中で仮焼を行なえばよい。このような方法によれば、ガリウムがセレン化されにくい酸化ガリウムの形で各半導体層の下部に沈殿しやすくなるため、半導体層の境界部3D近傍にガリウムのモル濃度が高くなる部分を形成することができる。なお、上述した光吸収層3のセレンおよびガリウムのモル濃度は、酸素のモル濃度と同様の方法で測定できる。また、セレンおよびガリウムの平均のモル濃度は、該当する領域において任意の10箇所で測定し、その平均値とすればよい。例えば、図2に示す光電変換装置10の光吸収層3におけるセレンの平均のモル濃度についてエネルギー分散型X線分析法を用いて測定したところ、第1層3a、第2層3bおよび第3層3cがそれぞれ49molであった。このとき、第1層3aと第2層3bとの境界部3D近傍のセレンのモル濃度は、44molであった。また、第2層3bと第3層3cとの境界部3D近傍のセレンのモル濃度が、44molであった。このような光電変換装置10は、光吸収層3内におけるセレンの濃度が略均一な光電変換装置よりも、光電変換効率が高い。同様に、光吸収層3におけるガリウムの平均のモル濃度についてエネルギー分散型X線分析法を用いて測定したところ、第1層3a、第2層3bおよび第3層3cがそれぞれ8molであった。このとき、第1層3aと第2層3bとの境界部3D近傍のガリウムのモル濃度は、10molであった。また、第2層3bと第3層3cとの境界部3D近傍のガリウムのモル濃度が、10molであった。このような光電変換装置10は、光吸収層3内におけるガリウムの濃度が略均一な光電変換装置よりも、光電変換効率が高い。バッファ層4は、光吸収層3上に形成されている。バッファ層4とは、光吸収層3に対してヘテロ接合pn接合を行なう半導体層をいう。そのため、光吸収層3とバッファ層4との界面または界面の近傍に、pn接合が形成されている。光吸収層3がp型半導体であれば、バッファ層4はn型半導体である。バッファ層は、抵抗率が1Ωcm以上であれば、リ-ク電流をより低減できる。バッファ層4としては、例えばCdS、ZnS、ZnO、In2S3、InOH,S、Zn,InSe,OHおよびZn,MgO等が挙げられる。このようなバッファ層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で形成される。なお、InOH,Sとは、In、OHおよびSを主に含む化合物をいう。また、Zn,InSe,OHは、Zn、In、SeおよびOHを主に含む化合物をいう。また、Zn,MgOは、Zn、MgおよびOを主に含む化合物をいう。バッファ層4は、光吸収層3が吸収する光の波長領域に対して光透過性を有していれば、光吸収層3の吸収効率を高めることができる。バッファ層4は、インジウムInを含んでいる場合には、第2の電極層5が酸化インジウムを含んでいるとよい。これにより、バッファ層4と第2の電極層5との間における元素の相互拡散による導電率の変化を低減することができる。さらに、光吸収層3がインジウムを含むカルコパイライト系の材料であればよい。このような形態では、光吸収層3、バッファ層4および第2の電極層5がインジウムを含むことにより、層間の元素の相互拡散による導電率やキャリア濃度の変化を低減できる。バッファ層4は、III-VI族化合物を主成分として含むようにすれば、光電変換装置10の耐湿性を向上させることができる。なお、III-VI族化合物とは、III-B族元素とVI-B族元素との化合物である。また、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、バッファ層4中のIII-VI族化合物の濃度が50mol以上であることをいう。さらに、バッファ層4中のIII-VI族化合物の濃度は、80mol以上であってもよい。さらに、バッファ層4中のZnは、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、バッファ層4中のZnは、20原子以下であってもよい。また、バッファ層4の厚みは、例えば10~200nmあるいは100~200nmであればよい。これにより、高温高湿条件下における光電変換効率の低下を低減できる。ここで、光吸収層3は、半導体層の積層方向の中央部からバッファ層4側に位置する半導体層の平均の酸素のモル濃度よりも、前記中央部から第1の電極層2側に位置する半導体層の平均の酸素のモル濃度の方が高いほうがよい。すなわち、光吸収層3は、積層方向の中央部から第1の電極層2と反対側に位置する半導体層における酸素の平均のモル濃度よりも、前記中央部から第1の電極層2側に位置する半導体層における酸素の平均のモル濃度の方が高くなっている。これにより、第1の電極2側に位置する半導体層の欠陥が酸素で埋められる。それゆえ、本実施形態では、第1の電極2側に位置する半導体層内における少数キャリアの拡散距離を伸ばすことができる。これにより、上記少数キャリアをバッファ層4に収集しやすくなるため、光電変換効率が高まる。具体的に、半導体層の積層方向の中央部からバッファ層4側に位置する半導体層の平均の酸素のモル濃度よりも、前記中央部から第1の電極層2側に位置する半導体層の平均の酸素のモル濃度の方が1~20mol程度高いほうがよい。なお、上述した半導体層の積層方向の中央部とは、図3に示すように、複数積層された半導体層において、その積層方向の略中間位置Aを指す。すなわち、本実施形態では、略中間位置Aから第1の電極2までの領域に位置する半導体層と、略中間位置Aからバッファ層4までの領域に位置する半導体層との平均の酸素のモル濃度を変えている。このとき、第1の電極2側に位置する半導体層やバッファ層4側に位置する半導体層が複数層であれば、平均の酸素のモル濃度は、複数の半導体層について任意の10箇所で測定された値の平均となる。例えば、図3に示す光電変換装置10の光吸収層3についてエネルギー分散型X線分析法を用いて測定したところ、略中間位置Aから第1の電極2までの領域に位置する半導体層の平均の酸素のモル濃度が10molであった。このとき、略中間位置Aからバッファ層4までの領域に位置する半導体層との平均の酸素のモル濃度が5molであった。このような光電変換装置10では、光電変換効率を高めることができる。このような光吸収層3の製法としては、例えば、上述した上記した方法BのB3、B6またはB9工程のような前駆体を加熱して半導体層を作製する工程において、所定量の酸素を導入する際、B3、B6、B9工程の順で酸素の導入量を減らして、バッファ層4側に位置する半導体層のほうが酸素の含有量が減るようにすればよい。もしくは、全ての半導体層を積層した後、例えば、水素雰囲気下で還元処理を行うことにより、バッファ層4側に位置する半導体層の酸素の含有量を減らすようにしてもよい。これにより、バッファ層4側に位置する半導体層よりも第1の電極層2側に位置する半導体層の平均の酸素のモル濃度が相対的に高くできる。また、光吸収層3は、積層方向の中央部に位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度よりも、第1の電極層2側に位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度の方が高いほうがよい。このとき、第1の電極層2側に位置する半導体層が複数層であれば、平均のガリウムのモル濃度は、複数の半導体層について任意の10箇所で測定された値の平均となる。このような形態であれば、第1の電極2側に位置する半導体層のガリウムのモル濃度が高まる。これにより、第1の電極2と半導体層との密着性が高まる。具体的に、半導体層の積層方向の中央部に位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度よりも、前記中央部から第1の電極層2側に位置する半導体層の平均のガリウムのモル濃度の方が1~40mol程度高いほうがよい。例えば、図3に示す光電変換装置10の光吸収層3についてエネルギー分散型X線分析法を用いて測定したところ、略中間位置Aから第1の電極2までの領域に位置する半導体層の平均のガリウムのモル濃度が14molであった。このとき、略中間位置Aに位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度が4molであった。なお、このような光吸収層3の製法としては、上述した方法Bの場合、例えば、第1の電極層2に近い側に位置する半導体層となる原料溶液に、通常よりも多めのガリウムを添加すればよい。また、光吸収層3は、積層方向の中央部に位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度よりも、バッファ層4側に位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度の方が高いほうがよい。このとき、バッファ層4側に位置する半導体層が複数層であれば、その複数の半導体層の平均のガリウムのモル濃度となる。このような形態であれば、バッファ層4側に位置する半導体層のガリウムのモル濃度を高めて、該半導体層のバンドギャップを大きくできる。これにより、出力電圧が増大する。具体的に、半導体層の積層方向の中央部に位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度よりも、前記中央部からバッファ層4側に位置する半導体層の平均のガリウムのモル濃度の方が1~40mol程度高いほうがよい。例えば、図3に示す光電変換装置10の光吸収層3についてエネルギー分散型X線分析法を用いて測定したところ、略中間位置Aからバッファ4までの領域に位置する半導体層の平均のガリウムのモル濃度が7molであった。このとき、略中間位置Aに位置する半導体層におけるガリウムの平均のモル濃度が4molであった。このような光吸収層3の製法としては、上述した方法Bの場合、例えば、バッファ層4に近い側に位置する半導体層となる原料溶液に、通常よりも多めのガリウムを添加すればよい。さらに、上述した形態では、光吸収層3の中央部のガリウムのモル濃度を比較的小さくできるため、バンドギャップを小さくできる。これにより、長波長の光が光電変換に寄与するようになるため、電流が増大する。なお、半導体層の酸素およびガリウムのモル濃度は、上述したエネルギー分散型X線分析法以外に、X線光電子分光法、オージェ電子分光または2次イオン質量分析法等で測定できる。また、平均の酸素およびガリウムのモル濃度は、任意の10箇所で測定した値の平均値で算出できる。第2の電極層5は、例えば、ITO酸化インジウム錫、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、バッファ層4よりも抵抗率の低い層であり、光吸収層3で生じた電荷を取り出すためのものである。第2の電極層5は、抵抗率が1Ωcm未満、シ-ト抵抗が50Ω/□以下であれば、電荷を良好に取り出すことができる。第2の電極層5は、光吸収層3の吸収効率をより高めるため、光吸収層3の吸収光に対して高い光透過性を有していてもよい。また、第2の電極層5の厚みは、0.05~0.5μmであればよい。これにより、第2の電極層5は、光透過性を高めるとともに、光の反射を低減することができる。さらに、第2の電極層5は、光散乱効果を高めるとともに、光電変換によって生じた電流を良好に伝送できる。また、第2の電極層5とバッファ層4の屈折率をほぼ等しくすれば、第2の電極層5とバッファ層4との界面での光の反射を低減できる。第2の電極層5は、III-VI族化合物を主成分として含むとよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、第2の電極層5中のIII-VI族化合物の濃度が50mol以上であることをいう。さらに、第2の電極層5中のIII-VI族化合物の濃度は、80mol以上であってもよい。さらに、第2の電極層5中のZnの濃度は、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、第2の電極層5中のZnの濃度は、20原子以下であってもよい。光電変換装置10では、バッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分、すなわち、光吸収層3と集電電極8とで挟まれる部分がIII-VI族化合物を主成分として含んでいてもよい。なお、III-VI族化合物を主成分として含むというのは、このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分を構成する化合物のうち、III-VI族化合物複数種のIII-VI族化合物がある場合、その合計が50mol以上であることをいう。なお、III-VI族化合物は80mol以上であってもよい。このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分におけるZnの濃度は、50原子以下であってもよい。これにより、光電変換装置10の耐湿性が向上する。また、このバッファ層4と第2の電極層5とを合わせた部分におけるZnの濃度は、20原子以下であってもよい。光電変換装置10は、接続導体7を介して隣り合う光電変換装置10と電気的に接続されている。これにより、図1に示すように、複数の光電変換装置10が直列接続されて光電変換モジュール20となっている。接続導体7は、第2の電極層5と第3の電極層6とを接続する。換言すれば、接続導体7は、一方の光電変換装置10の第2の電極層5と、隣り合う他方の光電変換装置10の第1の電極層2とを接続する。この接続導体7は、隣接する光電変換装置10の各光吸収層3を分断するように形成されている。これにより、光吸収層3でそれぞれ光電変換された電気を、直列接続によって電流として取り出すことができる。接続導体7は、第2の電極層5を形成する際に同じ工程で形成し、第2の電極層5と一体化するようにしてもよい。これにより、接続導体7を形成する工程が簡略化できる。さらに、このような方法であれば、接続導体7と第2の電極層5との電気的な接続を良好にできるため、信頼性を高めることができる。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくする機能を有する。これにより、光吸収層3で発生した電流が効率よく取り出される。その結果、光電変換装置10の発電効率が高まる。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換装置10の一端から接続導体7に亘って線状に形成されている。これにより、光吸収層3の光電変換によって生じた電荷が第2の電極層5を介して集電電極8で集電される。この集電された電荷は、接続導体7を介して隣接する光電変換装置10に導電される。よって、集電電極8を設ければ、第2の電極層5を薄くしても光吸収層3で発生した電流を効率よく取り出すことができる。その結果、発電効率が高まる。このような線状の集電電極8の幅は、例えば、50~400μmであればよい。これにより、光吸収層3の受光面積を過度に減らすことなく導電性を確保できる。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダ-等に分散させた金属ペ-ストを用いて形成される。集電電極8は、例えば、スクリ-ン印刷等で所望のパタ-ン状に金属ペ-ストを印刷し、その後、硬化して形成される。また、集電電極8は、半田を含んでいてもよい。これにより、曲げ応力に対する耐性を高めることができるとともに、抵抗をより低下させることができる。集電電極8は、融点の異なる金属を2種以上含んでいてもよい。このとき、集電電極8は、少なくとも1種の金属を溶融させ、他の少なくとも1種の金属が溶融しない温度で加熱して硬化したものであるとよい。これにより、低い融点の金属が先に溶融することによって、集電電極8が緻密化する。それゆえ、集電電極8の抵抗が下がる。一方で、高い融点の金属は、集電電極8の形状を維持するように作用する。集電電極8は、平面視して光吸収層3の外周端部側に達するように設けられているとよい。このような形態では、集電電極8が光吸収層3の外周部を保護し、光吸収層3の外周部での欠けの発生を低減できる。このような集電電極8であれば、光吸収層3の外周部で発生した電流を効率よく取り出すことができる。これにより、発電効率が高まる。また、このような形態では、光吸収層3の外周部を保護することができるため、第1の電極層2と集電電極8との間に設けられた部材の合計の厚みを小さくすることができる。よって、部材の削減ができる。さらに、上記部材に相当する光吸収層3、バッファ層4および第2の電極層5の形成工程が短縮化できる。光吸収層3、バッファ層4および第2の電極層5の合計の厚みは、例えば、1.56~2.7μmであればよい。具体的に、光吸収層3の厚みは、1~2.5μmである。また、バッファ層4の厚みは、0.01~0.2μmである。また、第2の電極層5の厚みは、0.05~0.5μmである。また、光吸収層3の外周端部において、集電電極8の端面、第2の電極層5の端面および光吸収層3の端面が同一面上になっているとよい。これにより、光吸収層3の外周端部で光電変換した電流を良好に取り出すことができる。なお、集電電極8は、集電電極8を平面視して集電電極8が光吸収層3の外周端部まで達していなくてもよい。例えば、光吸収層3の外周端部と集電電極8の端部との距離が1000μm以下であれば、光吸収層3の外周端部を基点とした欠けの発生および欠けの進行を低減できる。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、上述した実施形態では、光吸収層3が3層の半導体層で構成されているが、光吸収層3は2層以上の半導体層で構成されていればよい。"