C及びガス成分の不純物を除き、純度が99.9wt以上であることを特徴とする高純度ZrB2粉末。不純物であるHf及びTiの含有量が、それぞれ0.1wt以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度ZrB2粉末。不純物であるFe、Cr、Nbの含有量が、それぞれ0.05wt以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の高純度ZrB2粉末。不純物であるCの含有量が、0.1wt以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の高純度ZrB2粉末。Zrスポンジの原料を電子ビーム溶解鋳造して、インゴットを製造する工程、次にこれを切削により切粉とした後、この切粉を水素化してZrH2とする工程、これを微粉砕した後、脱水素化してZr粉末とし、さらにこのZr粉末を高温酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とする工程、このZrO2微粉にBを混合し、ZrO2を還元して、ZrB2粉末を得る工程からなることを特徴とする高純度ZrB2粉末の製造方法。本発明は、高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法によるZrB2単結晶基板の製造の際に必要とされる、焼結用ZrB2粉末の純度を99.9wt以上とし、これによってZrB2単結晶基板の大型化及びそれに伴う製造コストの低減化が可能となる高純度ZrB2粉末及びその製造方法を得ることを課題とする。本発明は、上記課題に鑑み、1C及びガス成分の不純物を除き、純度が99.9wt以上であることを特徴とする高純度ZrB2粉末2不純物であるHf及びTiの含有量が、それぞれ0.1wt以下であることを特徴とする上記1記載の高純度ZrB2粉末3不純物であるFe、Cr、Nbの含有量が、それぞれ0.05wt以下であることを特徴とする上記1又は2記載の高純度ZrB2粉末4不純物であるCの含有量が、0.1wt以下であることを特徴とする上記1~3のいずれかに記載の高純度ZrB2粉末6Zrスポンジの原料を電子ビーム溶解鋳造して、インゴットを製造する工程、次にこれを切削により切粉とした後、この切粉を水素化してZrH2とする工程、これを微粉砕した後、脱水素化してZr粉末とし、さらにこのZr粉末を高温酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とする工程、このZrO2微粉にBを混合し、ZrO2を還元して、ZrB2粉末を得る工程からなることを特徴とする高純度ZrB2粉末の製造方法。を提供する。本発明の高純度ZrB2粉末及びその製造方法によって、99.9wt以上の純度を有する高純度ZrB2粉末を得ることが可能となり、この高純度ZrB2粉末を焼結し、この焼結体棒を用いて、FZ法浮遊帯域溶融法による融液からのZrB2単結晶を製造することが可能となる。純度が高いので単結晶となり易く、製造効率が上昇し、より大型の単結晶体を製造できるという著しい効果を有する。ZrB2は、その融点が3220°Cと高く、不純物の中で特に、C、ZrC、HfC、TiC等は揮発除去することができない。すなわち、ZrB2粉末の製造工程の中で、一旦不純物となって含有された場合、それが除去されず不純物となってZrB2粉末に残存するという問題がある。上記に述べたように、ZrB2それ自体は、主として切削工具や熱機関部品に使用するのが目的であり、純度の向上は問題視されてこなかったのが現状である。しかし、本願発明においては、ZrB2粉末の製造工程においてC、ZrC、HfC、TiC等が含有されない手法を開発したものであり、これによって、C及びガス成分の不純物を除き、純度が99.9wt以上であることを特徴とする高純度ZrB2粉末を得ることが可能となったものである。本発明においては、高純度ZrB2粉末に含有される不純物のHf及びTiの含有量を、それぞれ0.1wt以下とすることができる。また、不純物であるFe、Cr、Nbの含有量を、それぞれ0.05wt以下に、さらに不純物であるCの含有量を0.1wt以下とすることができる。特に、C量の低減は、Cだけでなく、ZrC、HfC、TiC等の炭化物の低減化に有効である。さらに、ZrB2粉末の粒径100μm以下とすることにより、FZ法浮遊帯域溶融法による融液からのZrB2単結晶を製造する際に使用するZrB2焼結体用として最適な、緻密で均一な焼結体を得ることができる。本発明の高純度ZrB2粉末の製造に際しては、まず高純度のZrスポンジの原料を、電子ビーム溶解鋳造して、99.9wt以上の純度であるインゴットを製造する。次にこれを切削して切粉とし、この切粉を水素化してZrH2とする。これを微粉砕するが、ZrH2は脆く、微粉砕が極めて容易である。微粉砕したZrH2を脱水素化し、Zr粉末とする。これによって、99.9wt以上の純度を持つZr粉末を得ることができる。さらに、このZr粉末を高温500~900°Cに加熱、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とする。そして、このZrO2微粉にBボロン粉末を混合し、ZrO2をBによって直接合成還元して、純度が99.9wt以上であるZrB2粉末を得る。この工程から明らかなように、製造工程において、上記従来技術で述べたB4C又はCの還元材は一切使用しない。したがって、ZrC、HfC、TiC等の不純物を著しく低減できる。これらの不純物は、一旦ZrB2に含有された場合には、揮発除去できないので、ZrB2粉末の製造工程で混入を防止できるということは、FZ法浮遊帯域溶融法による融液からのZrB2単結晶の製造に際して、極めて重要なことである。本発明は、上記の製造方法によりこれを達成したものである。次に、実施例及び比較例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。実施例1純度3NレベルのZrスポンジの原料を用いて、電子ビーム溶解し、鋳造して、99.99wt以上の純度であるインゴットを製造した。次に、これを切削して切粉とし、この切粉を水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を800°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、99.99wtの純度を持つZr粉末を得た。さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。次に、このZrO2微粉に、99wtの純度を有するBボロンを混合し、ZrO2をBによって直接合成還元して、C及びガス成分除きで99.95wt以上の純度のZrB2粉末を得た。本実施例1で製造した各不純物の含有量を表1に示す。これを高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法により、インゴットを製造した。これによって、不純物が少なく大型の単結晶インゴットが得られた。このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。実施例2Ti含有量の高い純度2NレベルのZrスポンジの原料を用いて、電子ビーム溶解し、鋳造して、99.9wt以上の純度であるインゴットを製造した。次に、これを切削して切粉とし、この切粉を水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を600°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、99.9wtの純度を持つZr粉末を得た。さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。次に、このZrO2微粉に、C含有量の低い99wtの純度を有するBボロンを混合し、ZrO2をBによって直接合成還元して、C及びガス成分除きで99.9wt以上の純度のZrB2粉末を得た。本実施例2で製造した各不純物の含有量を表1に示す。さらに、これを高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法により、インゴットを製造した。これによって、不純物が少なく大型の単結晶インゴットが得られた。このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。実施例3Hf含有量の高い純度2NレベルのZrスポンジの原料を用いて、電子ビーム溶解し、鋳造して、99.9wtの純度であるインゴットを製造した。次に、これを切削して切粉とし、この切粉を水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を600°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、99.9wtの純度を持つZr粉末を得た。さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。次に、このZrO2微粉に、99wtの純度を有するBボロンを混合し、ZrO2をBによって直接合成還元して、C及びガス成分除きで99.9wtレベルの純度のZrB2粉末を得た。本実施例3で製造した各不純物の含有量を表1に示す。これを高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法により、インゴットを製造した。これによって、不純物が少なく大型の単結晶インゴットが得られた。このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。実施例4純度3NレベルのZrスポンジを用いて溶媒抽出法により高純度化し、さらに電子ビーム溶解を数回繰返し、99.999wtの純度のインゴットを製造した。これを実施例1と同様にして、ZrO2微粉を製造し、さらに99.999wtのBと直接合成して、C及びガス成分除きで99.99wtのZrB2を得た。本実施例4で製造した各不純物の含有量を表1に示す。このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。比較例1特にHf含有量の高い純度95wtレベルのZrスクラップを水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を600°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、95wtの純度を持つZr粉末を得た。さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。次に、このZrO2微粉に、95wtの純度を有するBボロンを混合し、ZrO2をBによって直接合成還元して、95wtレベルの純度のZrB2粉末を得た。本比較例1で製造した各不純物の含有量を表2に示す。これを高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、単結晶インゴットが得られなかった。また、欠陥と気孔が非常に多く測定不能であった。比較例2Hf、Zr、C含有量の高い純度99wtのZrスポンジを用い、水素化し、さらに脱水素処理して純度99wtのZr粉末を得た。これに純度95レベルのB粉を混合し、直接合成してZrB2粉末を得た。本比較例2で製造した各不純物の含有量を表2に示す。また、欠陥と気孔が非常に多く、比較例1と同様に測定不能であった。これを高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、大型の単結晶インゴットが得られなかった。比較例3C及びHf含有量が若干高い純度99.9wtのZrスポンジを用い、水素化し、さらに脱水素処理して純度99.9wtのZr粉末を得た。これに純度95レベルのB粉を混合し、直接合成してZrB2粉末を得た。本比較例3で製造した各不純物の含有量を表2に示す。これを高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、大型の単結晶インゴットが得られなかった。ここで、ようやく欠陥密度と気孔密度が測定できたが、各々4×107個/cm2、53個と非常に多かった。比較例4Hf含有量の低い純度99.9wtのZrスポンジを用い、水素化し、さらに脱水素処理した後、酸化し純度99.9wtのZrO2粉末を得た。これに純度99レベルのB粉を混合し、直接合成してZrB2粉末を得た。本比較例4で製造した各不純物の含有量を表2に示す。これを高周波誘導加熱FZ法浮遊帯域溶融法により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、大型の単結晶インゴットが得られなかった。比較例3と同様に、欠陥密度と気孔密度が測定できたが、各々6×105個/cm2、15個と非常に多かった。