"負の誘電率異方性を有する液晶層と、前記液晶層を挟んで互いに対向する第1基板及び第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に位置し、第1の方向に延在する第1電極と、前記第2基板の前記液晶層側に位置し、前記第1の方向と直交する第2の方向に延在する第2電極と、を備え、前記第1基板と前記第2基板の対向面の法線方向から見て前記第1電極と前記第2電極とが重なる領域で画素を形成するドットマトリクス表示の垂直配向型液晶表示素子であって、前記法線方向から見て前記液晶層の液晶分子の前記第2基板に対するプレチルト角の角度が減る方向を液晶ダイレクタ方向とした場合、前記第1電極の前記画素の形成領域には、前記液晶ダイレクタ方向と直交する方向に延在する第1スリットが形成され、前記第2電極の前記画素の形成領域には、前記液晶ダイレクタ方向と直交する方向に延在し、前記第1スリットよりも前記液晶ダイレクタ方向側に位置する第2スリットが形成され、前記第1スリットと前記第2スリットは、前記画素の中心を挟んで互いに位置する、ことを特徴とする垂直配向型液晶表示素子。前記第1スリットと前記第2スリットの間の距離は、4μm以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の垂直配向型液晶表示素子。前記第1スリットと前記第2スリットの間の距離は、4μm以上12μm以下である、ことを特徴とする請求項2に記載の垂直配向型液晶表示素子。前記垂直配向型液晶表示素子は、パッシブ駆動方式で駆動する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の垂直配向型液晶表示素子。しかし、特許文献1、2に開示されたような技術では、電極パターンが複雑になってしまうという問題があった。本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、簡単な構成で、配向欠陥を低減することができる垂直配向型液晶表示素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明に係る垂直配向型液晶表示素子は、負の誘電率異方性を有する液晶層と、前記液晶層を挟んで互いに対向する第1基板及び第2基板と、前記第1基板の前記液晶層側に位置し、第1の方向に延在する第1電極と、前記第2基板の前記液晶層側に位置し、前記第1の方向と直交する第2の方向に延在する第2電極と、を備え、前記第1基板と前記第2基板の対向面の法線方向から見て前記第1電極と前記第2電極とが重なる領域で画素を形成するドットマトリクス表示の垂直配向型液晶表示素子であって、前記法線方向から見て前記液晶層の液晶分子の前記第2基板に対するプレチルト角の角度が減る方向を液晶ダイレクタ方向とした場合、前記第1電極の前記画素の形成領域には、前記液晶ダイレクタ方向と直交する方向に延在する第1スリットが形成され、前記第2電極の前記画素の形成領域には、前記液晶ダイレクタ方向と直交する方向に延在し、前記第1スリットよりも前記液晶ダイレクタ方向側に位置する第2スリットが形成され、前記第1スリットと前記第2スリットは、前記画素の中心を挟んで互いに位置する、ことを特徴とする。本発明によれば、簡単な構成で、配向欠陥を低減することができる。本発明に係る一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下では、所定の構成要素の液晶表示素子の表示面方向液晶表示素子の視認者の方向を表とし、表示面方向の反対側方向を裏として、説明する。液晶表示素子の構成図1に示す本実施形態に係る液晶表示素子100は、垂直配向VA型液晶表示素子であり、液晶パネル10と、一対の偏光フィルタ20及び30と、を備える。液晶パネル10は、一対の基板1F,1Rと、それぞれの基板の互いに対向する内面対向面に形成された電極部2F,2Rと、これら電極部の表面に形成された配向膜3F,3Rと、一対の基板1F,1Rを接合するためのシール材4と、一対の基板1F,1Rとシール材4とによって形成される空間に封入され、液晶分子5Aを含む液晶層5と、を備える。基板1F,1Rは、例えば、ガラス、プラスチック等から構成される透明基板である。基板1F,1Rは、液晶層5を挟んで対向するように配置されており、基板1Fは液晶パネル10の表側に位置し、基板1Rは液晶パネル10の裏側に位置する。電極部2F,2Rは、酸化インジウムを主成分とするITOIndiumTinOxide膜等から構成され、光を透過する透明電極からなる。電極部2F,2Rは、それぞれ、基板1F,1Rの対向する内面上に、公知の方法スパッタ、蒸着、エッチング等により形成される。電極部2Fは、図2aに示すように、複数の第1電極6から構成される。複数の第1電極6は、互いに平行に第1の方向以下、図示するようにこの方向に沿った軸をX軸とするに延在しており、走査電極としての役割を持つ。第1電極6は、その電極幅Py図3参照が、例えば、Py=350μmとなるように形成されている。電極部2Rは、図2aに示すように、複数の第2電極7から構成される。複数の第2電極7は、互いに平行に前記第1の方向と直交する第2の方向以下、図示するようにこの方向に沿った軸をY軸とするに延在しており、信号電極としての役割を持つ。第2電極7は、その電極幅Px図3参照が、例えば、Px=350μmとなるように形成されている。なお、図2a、図3では、第1電極6の裏側に位置する第2電極7を点線で表した。上記X軸及びY軸によるX-Y平面は、基板1F,1Rの主面と平行な面であり、図2aにおいて、両軸を示す矢印の向く方向を、各々、X軸方向、Y軸方向とすると、液晶表示素子100の視認者の視点がY軸方向に位置するものとして、電極部2F,2Rは、パターニングされている。なお、図2bにおいても、同様にX軸、Y軸を示した。電極部2F,2Rに電圧が印加されると、基板1F,1Rの法線方向から見て、第1電極6とその裏側に位置する第2電極7とが重なる領域に矩形の画素8が形成される図2a、図3では、任意の1の画素8を着色して表した。本実施形態では、パッシブ駆動方式で電圧が印加される。つまり、液晶パネル10は、所謂パッシブマトリクス型の液晶パネルとして構成されている。矩形の画素8が形成される領域において、図2a、図3に示すように、第1電極6には長方形状の開口部である第1スリット6Sが形成され、第2電極7には長方形状の開口部である第2スリット7Sが形成されている。第1スリット6Sは、その開口幅W1短辺の長さが、例えば、8μmとなるように形成されている。第2スリット7Sは、その開口幅W2短辺の長さが、例えば、8μmとなるように形成されている。第1スリット6S及び第2スリット7Sは、図2aに示すように、それぞれの長辺が後述の液晶ダイレクタ方向Nと直交するように形成されている。また、図3に示すように、第2スリット7Sは、第1スリット6Sよりも液晶ダイレクタ方向N側に距離Dだけずれるように配置されている。以下、この距離Dをスリット間距離Dという。スリット間距離Dは、4μm~12μm範囲で設定されている。このように形成された第1スリット6Sと第2スリット7Sとは、画素8が形成される領域において、図3に示すように、スリット間距離Dを空けて、互いに平行な一対のスリットとなる。以下、この一対のスリットをスリット部Spと呼ぶ。スリット部Spは、画素8の中央部に位置する。スリット部Spが画素8の中央部に位置するとは、例えば、図3に示すように、第1スリット6S及び第2スリット7Sの長辺と平行且つスリット間距離Dを二等分する線Lが、矩形の画素8の中心点図心O上に位置することであり、この位置から電極部2Fと電極部2Rの重ね合わせの精度誤差やスリット形成工程の精度誤差によってずれが生じた場合も含む。このようにして、第1スリット6Sと第2スリット7Sは、画素8の中心を挟んで互いに位置する。また、スリット部Spは、その長手方向の両端と、矩形の画素8の辺のうち前記両端と向かい合う辺との距離Sが、例えば、S=50μmとなるように配置されている。以上のようにして、スリット部Spは、第1電極6と第2電極7との交差領域に形成されるすべての画素8毎に形成されている。本実施形態に係る液晶表示素子100は、スリット部Spを有することにより、液晶分子5Aの配向安定性を高めている。このスリット部Spがどのようにして配向安定性の向上に寄与しているかは、後に詳述する。図1に戻って、配向膜3F,3Rは、それぞれ、液晶層5に接する膜であり、例えばポリイミドから、公知の方法例えば、フレクソ印刷によって形成される。配向膜3Fは電極部2Fを裏側から覆うように形成されており、配向膜3Rは電極部2Rを表側から覆うように形成されている。配向膜3F,3Rは、それぞれ、液晶層5に電極部2F,2Rから電圧が印加されていないとき電圧無印加時の液晶分子5Aの配向状態液晶分子5Aの長軸MA図4a、b参照の方向を基板1F,1Rの主面と略垂直に規定する垂直配向膜であり、液晶分子5Aを1つの方位に揃えるように配向させているいわゆるモノドメイン配向。配向膜3F,3Rによって、液晶分子5Aにはプレチルトが付与される。プレチルトとは、電圧印加時に液晶分子5Aの倒れる方向後述する液晶ダイレクタ方向Nを規定するため、液晶分子5Aを垂直方向から若干倒すことをいう。ここで、基板の主面と電圧無印加時における液晶分子5Aの長軸MAとのなす角であって鋭角のものをプレチルト角とすれば、プレチルトを付与するにつれ、プレチルト角の角度は、90°から減少するという関係になる。本実施形態において、プレチルト角は、略90°丁度90°は含まずであり、例えば、89.5°程度に設定されている。配向膜3Fには、第1の方向図1に矢印で示す表ラビング方向Frにラビング処理が施され、細かい溝が形成されている。一方、配向膜3Rには、前記第1の方向とは反対方向である第2の方向図1に矢印で示す裏ラビング方向Rrにラビング処理が施され、細かい溝が形成されている。本実施形態においては、このように、配向膜3F,3Rで互いにアンチパラレルとなるようにラビング処理が施されており、これにより液晶分子5Aの配向方向は規定されている。裏ラビング方向Rrは、後述の液晶ダイレクタ方向Nと同じ方向になる図1参照。なお、光配向処理、突起配向処理等の公知の処理によって液晶分子5Aの配向方向を規定してもよい。略垂直配向状態の液晶層5に電圧を印加すると、電圧が印加された領域における液晶分子5Aは、図4aに示すように、基板の法線方向から模式的に示した液晶分子5Aの長軸MAの向く方向に倒れる。ここで、基板の法線方向から見て、液晶分子5Aの基板1R基板1Rの主面に対するプレチルト角θP図4b参照が減少する方向を液晶ダイレクタ方向Nと呼ぶことにする。この液晶ダイレクタ方向Nは、電圧印加時における液晶分子5Aの平均的傾斜方向長軸MAの傾く方向を示す。ここで、図2bにおいて、X軸方向を0°とし、反時計回りに角度が増えるものとすれば、本実施形態では、液晶ダイレクタ方向Nは255°の方向に設定されている。液晶表示素子100は、後述のように誘電率異方性Δεが負であるため、液晶ダイレクタ方向Nと反対の方向である視角方向から見た場合に、液晶表示素子100の表示画像が最も良好に視認できる。したがって、本実施形態における視角方向は、75°の方向Y軸を基準とすればY軸から時計回りに15°ずらした方向となる。このように、視覚方向を、視認者の視点方向であるY軸方向90°方向から時計回りに15°だけずらして設定すると、視認者の視点と視覚方向とを共に90°方向とずらさない場合に90°方向に発生していた光漏れOFF時の輝度ピークを、75°方向にずらすことができる。ON時の輝度は、OFF時の輝度に比べて視覚依存性が小さいため、このようにずらすことで、視認者の視点方向である90°方向において、OFF時とON時の輝度の比で表されるコントラストが稼げ、良好な見栄えの液晶表示素子100が提供できる。液晶層5は、誘電率異方性Δεが負Δε<0のいわゆるネガ型であり、例えば、波長589nmでの屈折率異方性Δnが0.2の液晶材から構成されている。この液晶層5は、電圧無印加時は、配向膜3F,3Rの配向規制力によって液晶分子5Aが両基板の主面に対して略垂直になるように配向している。液晶層5の液晶分子5Aは、電圧印加時には、負の誘電率異方性Δεにより、液晶ダイレクタ方向Nに倒れ込むように挙動し、十分に高い電圧が印加されたときは、液晶分子5Aは両基板の主面と実質的に平行となる。偏光フィルタ20,30は、表面側又は裏面側から入射する光を吸収軸に直交する透過軸に沿った直線偏光として出射する。偏光フィルタ20,30は、液晶パネル10を挟んでその両側に配置されており、偏光フィルタ20は液晶パネル10の表側に位置し、偏光フィルタ30は液晶パネル10の裏側に位置する。偏光フィルタ20及び30は、図2bに示すように、偏光フィルタ20の透過軸20Aと偏光フィルタ30の透過軸30Aとが互いに直交するように配置されクロスニコル配置、且つ、各々の透過軸20A,30Aと液晶ダイレクタ方向Nとのなす角の角度が45°となるように、液晶パネル10に対して配置されている。ここで、スリット部Spの長手方向をスリット方向SLとし、図2bを参照して、スリット方向SLと、液晶ダイレクタ方向Nと、透過軸20A,30Aの向く方向との関係をまとめる。本実施形態では、液晶ダイレクタ方向Nは255°方向に設定されており、スリット部Spは、そのスリット方向SLが液晶ダイレクタ方向Nと直交するように形成されている。このため、スリット方向SLは、X軸から時計回りに15°ずらした方向となる。また、透過軸20A,30Aは、液晶ダイレクタ方向Nとのなす角の角度が45°となるように設定されている。以上の構成からなる液晶表示素子100は、次のように表示を行う。黒表示液晶表示素子100では、液晶分子5Aが倒れ始める閾値電圧よりも低い値にOFF電圧が設定されている。そのため、一対の電極部2F,2RにOFF電圧を印加しても液晶分子5Aは実質的に垂直に配向したままである。この場合、裏側から偏光フィルタ30を通過した光は、液晶層5によっては偏光方向電場振動方向がほとんど変化されないため、そのほとんどは、偏光フィルタ30とクロスニコルの関係で配置された偏光フィルタ20を通過できない。液晶表示素子100は、このようにして黒表示を実現するノーマリブラックモード。明表示一対の電極部2F,2RにON電圧を印加すると、液晶層5の電圧がかけられた領域平面視において第1電極6と第2電極7とが重なる領域においては、液晶分子5Aが液晶ダイレクタ方向N側に傾き、特に液晶層5の断面中間に位置する液晶分子5Aは、その長軸MAが基板1F,1Rの主面と実質的に平行となるように挙動する。これにより、液晶層5を通過する光に複屈折が起きて、液晶層5を通過する光の偏光方向が変化し、偏光フィルタ30の裏側から液晶層5を通過した光は偏光フィルタ20を通過する。液晶表示素子100は、このようにして明表示を実現する。スリット部Spの機能についてここからは、スリット部Spの機能について説明する。図5に、液晶表示素子100を液晶ダイレクタ方向Nに沿って切った場合の概略断面図であって、任意の1の画素8が形成される領域を拡大して示した図を示す。なお、図5では、配向膜3F,3Rを省略している。また、図9に、従来例の液晶表示素子900の概略断面図を示す。従来例の液晶表示素子900は、スリット部Spが形成されていないこと以外は液晶表示素子100と同様な構成からなる。そのため、各構成要素につき液晶表示素子100と同じ符号を用いて説明する。この図9も、任意の1の画素8が形成される領域を拡大して示した図であり、配向膜3F,3Rを省略したものである。なお、図5及び図9においては、説明便宜のため、液晶分子5A、斜め電界E、Esを模式的に表している。ドットマトリクス型の液晶表示装置では、画素8を囲む囲み部8E図2a、図5、図9、図10参照。なお、図2aでは斜線で表し、図10では破線で表しているには第1電極6と第2電極7のどちらかがないため、電極部2F,2Rに電圧を印加すると、図5、図9に示すように斜め電界Eが生じる。ネガ型の液晶分子5Aは電界Eの電気力線に対して垂直になる方向に倒れるため、ON電圧印加時には、液晶層5における平均的な液晶分子5Aは、その長軸MAが基板1F,1Rの主面と実質的に平行となるように挙動する。しかし、上記のように生じる斜め電界Eの方向によっては、囲み部8Eの領域に位置する液晶分子5Aは、液晶ダイレクタ方向Nと反対方向に倒れてしまう図9で、紙面において最も右側に位置する液晶分子5A参照。以下、液晶ダイレクタ方向Nとは反対方向に倒れ込もうとする液晶分子5Aを逆チルトともいう。また、液晶層5は、連続体の性質を有するため、囲み部8Eの液晶分子5Aのみならず、その近傍の液晶分子5Aにも液晶ダイレクタ方向Nと反対方向に倒れようとする挙動が伝搬し、近傍の液晶分子5Aも逆チルトになってしまう。すると、従来の液晶表示素子900のような構成では、囲み部8Eとその近傍の領域に、液晶分子5Aが液晶ダイレクタ方向Nに十分に倒れきらないという配向欠陥が生じてしまい図9で配向欠陥が生じた液晶分子5Aを着色して表した、結果として画素8内に、帯状の暗領域である表示ムラIr図6の従来例参照が生じてしまっていた。そこで、本願発明者は、上記のように液晶ダイレクタ方向Nと反対方向に倒れようとする液晶分子5A逆チルトの挙動を抑え込むためには、スリット部Spを形成すればよいことに思い至った。まず、本願発明者は、スリット部Spを、第1スリット6Sと第1スリット6Sよりも液晶ダイレクタ方向N側にずらして配置した第2スリット7Sとによって形成すれば、電圧印加時に、画素8の中央部において、図5に示すように、第1スリット6Sから第2スリット7Sの配置方向にずれるように傾斜した斜め電界Esを発生させることができるため、スリット部Spが形成されていない場合には液晶ダイレクタ方向Nと反対方向に倒れるように挙動して配向欠陥を生じさせてしまう液晶分子5A逆チルトを、スリット部Spが形成された画素8の中央部に抑え込むことができると推察した。また、基板法線方向から見て、斜め電界Esの電気力線の延びる方向が液晶ダイレクタ方向Nを一致した場合に、最も効率良く、逆チルトを液晶ダイレクタ方向Nに抑え込むことができるため、スリット部Spを、そのスリット方向SLが液晶ダイレクタ方向Nと直交するように配置することにした。さらに、画素8の形成領域に略一様に存在する液晶分子5Aのうち逆チルトとなる液晶分子5Aを平均的に、効果的に抑え込むために、第1スリット6Sと第2スリット7Sとを、画素8の中心を挟んで互いに位置させ、スリット部Spを画素8の中央部に配置することにした。次に、本願発明者は、上記のようにスリット部Spを形成した液晶表示素子100を実際に作成し、画素8を顕微鏡で観察することで、効果を確認した。具体的には、スリット部Spのスリット間距離Dを、D=4μm、8μm、12μmと各々異ならせた計3種類の液晶表示素子100を用意し、1/64Duty、1/8.8Biasの最適電圧で駆動させ、顕微鏡で観察した。また、公知の性質である液晶表示素子駆動時のフレーム周波数を低下させればさせるほど配向欠陥による表示ムラIrが顕著になるという性質を利用して、段階的にフレーム周波数を100Hz、90Hz、80Hzと低くし、意図的に表示ムラIrを発生しやすい状況にすることで、本実施形態に係るスリット部Spを形成したことによる効果を確かめた。また、比較例として従来例に係る液晶表示素子900についても、同様の条件下で、観察した。図6に、上記条件の下、駆動させた液晶表示素子100及び従来例液晶表示素子900の任意の1の画素8を撮影した顕微鏡写真を示す。従来例では、フレーム周波数が100Hzの場合、表示ムラIrが画素8の端部に視認させる程度でさほど問題はない。しかし、フレーム周波数を90Hzにした場合、画素8の中央部に伝搬していることが確認でき、さらに80Hzにした場合、画素8全体に影響を及ぼしていることがわかる。一方、本実施形態に係る液晶表示素子100では、フレーム周波数が100Hzの場合のみならず90Hzの場合であっても、表示ムラIrの伝搬はほとんど確認されない。さらに、フレーム周波数が80Hzとより条件を酷にした場合、スリット間距離Dが、D=4μm、8μmでは、表示ムラIrが発生しはじめるものの、従来例に比べ表示ムラIrが低減されていることがわかった。そして、D=12μmでは、80Hz駆動においても、表示ムラIrが目立って視認されず、配向欠陥の発生を大幅に低減できることがわかった。以上の観察から、本実施形態に係る液晶表示素子100では、画素8中央部に配置したスリット部Spにより、配向欠陥の発生を低減でき、結果として視認される表示ムラIrの発生も低減されていることがわかる。このようにして、本願発明者は、スリット部Spを、そのスリット間距離Dが、D≧4μmを満たすように形成すればよいことを見出した。Dが4μmより小さい場合は、配向欠陥逆チルトを抑え込む領域が少なすぎ、配向欠陥の低減効果がほとんど無いため、好ましくない。一方、Dが12μmより大きい場合は、配向欠陥の低減効果は十分にあるが、電極開口率が低下し、光学特性が劣化してしまう。そのため、より好ましくは、スリット部Spを、4μm≦D≦12μmを満たすように形成すればよい。この観察により、4μm≦D≦12μmの範囲においては、スリット部Spのスリット間距離Dが大きいほど、配向欠陥の低減効果が高まっていることがわかる。よって、配向欠陥の低減効果を最も高めるには、スリット間距離Dを、D=12μmとすればよい。また、配向欠陥は高温状態になると、その発生がより顕著になることが知られている。そこで、本願発明者は、D=4μm、8μm、12μmと変化させた液晶表示素子100を85°Cの環境下におき、フレーム周波数を変化させて、配向欠陥による表示ムラIrが視認できない最低のフレーム周波数を目視により確認した。また、従来例に係る液晶表示素子900についても同様な条件で確認した。図7にその結果を示す。図示するように、従来例では、フレーム周波数が166Hzより低い周波数になると表示ムラIrが視認された。一方、本実施形態に係る液晶表示素子100では、166Hzよりも低い周波数で表示ムラIrが視認された。これにより、スリット部Spによれば、従来例よりも表示ムラIrが発生しやすい条件下にも拘わらず、表示ムラIrの発生を低減できることがわかる。また、本実施形態では、表示ムラIrが視認できない最低のフレーム周波数は、スリット間距離DがD=4μmのときは147Hz、D=8μmのときは142Hz、D=12μmのときは128Hzと、スリット間距離Dを大きくすることで、配向欠陥の低減効果が高まることも確認できた。液晶表示素子100の生産方法について次に、液晶表示素子100の生産方法について説明する。まず、透明基板からなる一対の基板1F,1Rを用意し、両基板の一面上にITOにより電極部2F,2Rを形成する。電極部2F,2Rは、前述のようにX、Y軸をとった場合、液晶表示素子100の視認者の視点がY軸方向に位置するものとして、パターニングされる図2a参照。具体的には、第1の方向に延在する複数の第1電極6を形成することにより、電極部2Fを形成する。また、第1の方向と直交する第2の方向に延在する複数の第2電極7を形成することにより、電極部2Rを形成する。この電極形成過程では、さらに、第1電極6のうち画素8に対応する領域に、後に形成される配向膜3F,3Rによって規定される液晶ダイレクタ方向Nと直交する方向に延在する第1スリット6Sを形成し、第2電極7のうち画素8に対応する領域に、液晶ダイレクタ方向Nと直交する方向に延在する第2スリット7Sを形成する。第1スリット6Sと第2スリット7Sとは、液晶パネル10完成時に、スリット部Spが、基板の法線方向から見て、画素8が形成される領域の中央部に位置するようにして、形成される。次に、基板1Fに、電極部2Fを覆うように配向膜3Fを形成する。同様に、基板1Rに、電極部2Rを覆うように配向膜3Rを形成する。このように形成された配向膜3Fと配向膜3Rとには、例えばアンチパラレルとなるようにラビング処理が施され、液晶分子5Aに略90°例えば、89.5°程度のプレチルトを付与するように調整されている。これにより、液晶ダイレクタ方向Nが規定される。なお、前述のように液晶表示素子100の視認者の視点をY軸方向に位置するものとした場合、この液晶ダイレクタ方向Nは、255°の方向に設定されている図2b参照。次に、基板1F,1Rのいずれかにシール材4を塗布し、両基板を、電極部側が対向するように重ね合わせる。そして、一対の基板1F,1R間に、誘電率異方性Δεが負Δε<0の液晶材を注入して、液晶層5を形成することで液晶パネル10を作成する。液晶層5の液晶分子5Aは、配向膜3F,3Rによって垂直配向されるとともに、上記プレチルトが付与される。この液晶パネル10では、パッシブ駆動方式により1対の電極部2F,2Rで液晶層5に電圧が印加されると液晶分子5Aが液晶ダイレクタ方向Nに倒れることになる。そして、液晶パネル10の一方側に偏光フィルタ20を貼り合わせ、他方側に偏光フィルタ30を貼り合わせる。このとき、偏光フィルタ20と30とは、各々の透過軸20Aと30Aとが互いに直交し且つ、液晶ダイレクタ方向Nと各々の透過軸20A,30Aとのなす角が45°となるように配置する図2b参照。液晶表示素子100は、以上のように生産される。本実施形態に係る液晶表示素子100は、負の誘電率異方性を有する液晶層5と、液晶層5を挟んで互いに対向する基板1F第1基板の一例及び基板1R第2基板の一例と、基板1Fの液晶層5側に位置し、第1の方向に延在する第1電極6と、基板1Rの液晶層5側に位置し、前記第1の方向と直交する第2の方向に延在する第2電極7と、を備え、基板1Fと基板1Rの対向面の法線方向から見て第1電極6と第2電極7とが重なる領域で画素8を形成するドットマトリクス表示の垂直配向型液晶表示素子であって、前記法線方向から見て液晶層5の液晶分子5Aの基板1Rに対するプレチルト角θPの角度が減る方向を液晶ダイレクタ方向Nとした場合、第1電極6の画素8の形成領域には、液晶ダイレクタ方向Nと直交する方向に延在する第1スリット6Sが形成され、第2電極7の画素8の形成領域には、液晶ダイレクタ方向Nと直交する方向に延在し、第1スリット6Sよりも液晶ダイレクタ方向N側に位置する第2スリット7Sが形成され、第1スリット6Sと第2スリット7Sは、画素8の中心中心点Oを挟んで互いに位置する。この液晶表示素子100によれば、スリット部Spにより、逆チルトを所望の液晶ダイレクタ方向Nに抑え込む斜め電界Esを発生させることができるため、前述のように配向欠陥の発生を低減し、結果として視認される表示ムラIrを低減することができる。また、電極にスリットを形成すればよく、特殊な電極パターンを形成せずに済むため、構成が簡単である。また、液晶表示素子100によれば、予期せずに発生する一時的な表示ムラ例えば、液晶表示素子100に衝撃や振動が加わった時に液晶パネル10が撓み、電極部2F,2Rや液晶層5が撓むことで発生していた配向欠陥や、急激に信号が印加されることにより発生する配向欠陥により発生する表示ムラについても、スリット部Spが形成されたことによる斜め電界Esで、逆チルトを液晶ダイレクタ方向Nに挙動するように抑え込むことができるため、ある程度は低減できる。また、従来例に係る液晶表示素子900では、前述のように液晶分子5Aが倒れ始める閾値電圧よりも低いOFF電圧印加時であっても、囲み部8Eの領域で発生する斜め電界Eにより、液晶分子5Aが倒れてしまい、光漏れが発生していたが、本実施形態に係る液晶表示素子100によれば、スリット部Spが形成されたことによる斜め電界Esで、このような液晶分子5Aの挙動を抑え込むことができるため、光漏れの発生も低減できる。変形例なお、本発明は上記の実施形態及び図面によって限定されるものではない。上記の実施形態及び図面に変更構成要素の削除も含むを加えることができるのはもちろんである。以上の実施形態では、液晶ダイレクタ方向Nを225°図2b参照としたが、これに限られない。図8に示すように、液晶ダイレクタ方向Nを電極の延設方向と平行または直交するように設定してもよい。この場合も、スリット部Spを、その長手方向であるスリット方向SLが液晶ダイレクタ方向Nと直交するように設ければよい。つまり、スリット部Spを、スリット方向SLが画素8の辺と平行または直交するように設けてもよい。そして、偏光フィルタ20,30を、その透過軸20A,30Aの各々と液晶ダイレクタ方向Nとのなす角の角度が45°となるよう配置すればよい。この場合においても、スリット部Spを、第1スリット6S及び第2スリット7Sの長辺と平行且つスリット間距離Dを二等分する線Lが、矩形の画素8の中心点O上に位置するようにして、画素8の中央部に形成すればよい。このようにしても、配向欠陥の発生を低減することができる。また、電極部2F,2R及びスリット部Spの各種設定は、以上の実施形態に限られない。電極幅Px,Pyが互いに等しくなくてもよく、図8に示すように、Px>Pyであってもよい。また、Px<Pyであってもよい。つまり、画素8は、正方形状でなく、長方形状であってもよい。また、以上の実施形態では、スリット部Spの長手方向の両端と矩形の画素8の辺との間に間隔前述の距離Sを設けたが、これに限られない。スリット部Spの開口端が、図8に示すように、画素8の端辺に一致するようにしてもよい。また、開口幅W1、W2も上記実施形態のように8μmに限られず、より小さい値にしてもよい。さらにいえば、電流の伝達効率及び電極の強度に影響を与えない程度においてはスリット部Spの長手方向の幅は広いほどよい。なおかつ、電極の開口率を小さく保つために開口幅W1,W2短辺の長さは狭いほどよい。つまり、第1スリット6S及び第2スリット7Sの開口面積は、長手方向の幅を電極の性能を保った上で長く設定しつつ、開口幅W1,W2を短くして、小さいほうがよい。これを考慮しつつ、スリット部Spがそのスリット方向SLが液晶ダイレクタ方向Nと直交し、且つ画素8の中央部に位置するという条件を満たしていれば、スリット部Spの形状、配置は、任意に変更することができる。なお、以上のように開口部第1スリット6S、第2スリット7Sを設けることにより理論的には電極開口率が低下するが、以上の実施形態及び本変形例による液晶表示素子100によれば、表示ムラIrを低減することができるため、1の画素8における実効的な開口率は上昇すると考えられる。また、以上の実施形態のように、すべての画素8についてスリット部Spを形成する必要はなく、一部の画素8についてのみ形成してもよい。例えば、液晶分子5Aの配向欠陥が顕著に生じやすい領域があれば、その領域にある画素8についてのみスリット部Spを形成してもよい。また、以上の実施形態では、液晶パネル10をパッシブマトリクス型として説明したが、アクティブマトリクス型であってもよい。この場合、電極部2Fは表示領域の全体を覆う透明導電膜からなる対向電極により構成され、電極部2Rはアクティブ素子が接続された画素電極により構成される。また、液晶パネル10と偏光フィルタ20,30との間に、必要に応じて一軸性、二軸性位相差板等の光学補償素子を配置してもよい。以上の実施形態に係る液晶表示素子100は、光を面状に出射して液晶パネル10を照らすバックライトをさらに備えてもよい。さらに、半透過反射層を設け、半反射型の液晶表示素子としてもよい。また、バックライトを省略し反射層を設けた反射型の液晶表示素子であってもよい。以上の説明では、本発明の理解を容易にするために、重要でない公知の技術的事項の説明を適宜省略した。"