"実質的に平らなリング又はたが型の振動共振器1を具備する振動構造を備えている、高い品質係数Qを有する、センサであって、前記共振器1は、中立軸4を中心にして延在している内側周縁部及び外側周縁部2、3と、前記共振器1を振動させる駆動手段12、13と、前記共振器1を支持する複数の支持手段10、11であって、前記センサの回転レートに応じて前記支持手段10、11に関連して前記共振器1が動くことを可能にするように、実質的に非減衰の発振モードで前記駆動手段12、13に応じて前記共振器1を振動させる、前記複数の支持手段10、11と、を具備し、前記共振器1は、前記共振器1の前記中立軸4の内側の、第1の一連の半径方向に配置されている複数のスロット5aと、前記中立軸4の外側の、第2の一連の半径方向に配置されている複数のスロット5bと、を含み、前記第1と第2の一連の半径方向に配置されている複数のスロット5a、5bを、前記共振器1の前記中立軸4に関連して同軸に配置し、その結果、前記複数のスロット5を配置することが、前記共振器1の共振周波数に影響を及ぼすことなく、前記共振器1の熱緩和経路の長さを調整し、それによって前記共振器1の前記Q係数を上げる、センサ。運動エネルギ密度と歪みエネルギ密度が等しく、その結果、前記共振器1の剛性に対する影響が、前記共振器1の質量に対する影響にほぼ等しい、前記共振器1上の位置に、前記複数のスロット5が半径方向に配置されている、請求項1に記載のセンサ。前記共振器1は、前記共振器1の前記中立軸4の内側と外側に配置されている、更なる一連の複数のスロット5c、5dを含む、請求項1又は2に記載のセンサ。前記一連の複数のスロット5は、一連の接続されたより薄い複数のリングセグメント6の形成をもたらし、前記一連の接続されたより薄い複数のリングセグメントの長さと厚さは、cos2θのモードで発振しているときに、前記一連の接続されたより薄い複数のリングセグメントが前記共振器1の前記剛性よりも堅くなるようにされており、前記共振器1が前記cos2θのモードで振動しているときに、前記一連の接続されたより薄い複数のリングセグメント6は、均一構造の一部のように実質的に振る舞う、請求項1乃至3の何れか1項に記載のセンサ。前記一連の接続されたより薄い複数のリングセグメント6の弓形の角度は、5度以下であり、何れかの一連のものの中の隣接するスロット5間の間隔は、2度以上である、請求項4に記載のセンサ。前記共振器1の前記共振周波数又は減衰において引き起こされる不均衡を回避するために、一次と二次のcos2θのモード形状に対する結果として生じる影響が等しくなるように、前記複数のスロットは一様な設計を有する、請求項1乃至5の何れか1項に記載のセンサ。前記複数のスロット5aと5bは、前記中立軸4から同じ半径方向の距離に配置されており、同じ角度範囲と間隔を有しており、前記共振器1の周囲に等角度で配置されている、請求項6に記載のセンサ。前記複数のスロット5cと5dは、前記中立軸4から同じ半径方向の距離に配置されており、同じ角度範囲と間隔を有しており、前記共振器1の周囲に等角度で配置されている、請求項6に記載のセンサ。熱緩和経路の長さがより長くなるように、前記共振器1の前記中立軸の内側の前記複数のスロット5の位置は、前記共振器1の前記中立軸4の外側の前記複数のスロット5に対して、互い違いにされている、請求項1乃至8の何れか1項に記載のセンサ。平らなリング又はたが型の共振器1を有するセンサの品質係数Qを改善する方法であって、前記方法は、前記共振器1に複数のスロットを形成するステップを含み、前記複数のスロット5が前記共振器1の共振周波数に影響を及ぼさないように、前記複数のスロットは、前記共振器1の前記中立軸に対して外側と内側に、同軸で配置されている、方法。前記共振器1の共振周波数又は減衰において引き起こされる不均衡を回避するために、一次と二次のcos2θモード形状に対する、結果として生じる影響が等しくなるように、前記複数のスロット5を一様な設計で形成するステップを更に含む、請求項9に記載の方法。前記中立軸4から同じ半径方向の距離に前記複数のスロット5を配置するステップを更に含み、前記複数のスロットは、同じ角度範囲と間隔を有しており、前記複数のスロットは、前記共振器1の周囲に等角度で配置されている、請求項9又は10に記載の方法。添付の複数の図面のうちの図6と7とを参照して上述に記載されているセンサ又は方法。最初に図8を参照すると、慣性センサは、リング状の共振器1を具備し、リング状の共振器1は、リング状の共振器1の内側周縁部からボスboss11に延在している支持梁10によって取り付けられている。支持梁10は、フレキシブルであり、更に、回転レートに応じてボス11に関連して共振器1が動くことを可能にするように、実質的に非減衰の発振モードで電気駆動装置electrostaticdrive12、13に応じて共振器1を振動させる。図2は、基本モードで振動する、両端部で固定された、例示的な一様に発振する梁を示している。図2において矢印によって示されているように、この構造に対する主熱緩和経路は、梁の幅を直線的に横切る。図3に示されているように、スロット5を梁構造の中に組み込むことによって、この経路の長さを調節することが可能である。従って、熱流は、シリコン構造における切れ目discontinuityによって中断され、特性緩和経路の長さを変える。点XとYとの間における1本のラインに沿って梁を横切る熱流について、単純化して検討すると、2本の新たな主要な緩和経路がある。図3において矢印によって示されているように、一方は、外側リムとスロットとの間の薄い梁部分の幅を直線的に横切り、より長い第2の経路は、リムからスロットを迂回して、梁の他方の側へわたる。このより長い経路の場合に、熱流経路のかなりの部分は、梁構造に沿って横方向に向かっている。これらの経路に対するピーク損失周波数は、単純な梁経路の長さから大幅にシフトしている。短い緩和経路に対する特性ピーク損失周波数は、かなりより高い周波数にシフトし、より長い緩和経路に対する特性ピーク損失周波数は、非常により低い周波数にシフトしている。このようなスロット5をリング構造の中に組み込み、リングの剛性stiffnessと質量とを局部的に調節する。このようなデバイスにおいて一般的に使用されているcos2θの振動モード形状は、図4に概略的に示されている。cos2θの半径方向の波腹における、リムのセグメントにわたる、歪みエネルギ密度と運動エネルギ密度の半径方向の変動は、図5に示されている。スロット5がリムの中心に配置されている場合に、これらは、主に運動エネルギ密度に影響を及ぼす一方で、歪みエネルギ密度にほんの少ししか影響を及ぼさない。これは、cos2θのモード周波数を増加させる。この周波数は、次の式によって与えられる。ここで、nはモードの次数であり、mはモードの質量であり、kはリングの剛性である。スロットを中立軸上に配置すると、kにあまり影響を及ぼすことなく、mを減らし、従って共振周波数を増加させる。スロットが、リムの外縁部の方に配置される場合は、歪みエネルギ密度を下げ、従ってリングの剛性kを下げる。外縁部に近くなると、この影響は、モードの質量mに対する影響よりも大きくなる。この正味の影響は、スロットの正確な半径方向の位置に大きく左右される量のリング周波数を低減することである。上述と、MEMSジャイロスコープの他の既知の例とにおける、シリコンリング構造は、周知のディープリアクティブイオンエッチ技術を使用して形成され得る。この工程では、細かい幾何学的形状の高アスペクト比の溝trenchを形成することが可能である。これを使用して、リング1と、支持脚構造supportlegstructure10とを組み立てる。本発明によると、スロット5は、リング1に設けられ、更に、都合のよいことに、リングの組み立てと同時に形成され、従って、1つのフォトマスクを使用して、リングのリムに対して正確に整列したスロット5を形成することができる。この工程は、構造を高精度に生成することが可能である。しかしながら、関連する工程の変形variationがあり、これはリングの幾何学的形状に異なる程度の影響を及ぼし、従って、組み立てられた共振器構造の共振周波数を変動させる。リムの縁部の近くにスロット5を加えることによって、リングの周波数に対するこれらの幾何学的形状の変形の影響が大きくなる。MEMSデバイスは、限られた動作周波数の範囲を通常有する制御電子機器と共に動作しなければならないので、リングの周波数の正確な制御は不可欠である。これらの工程の変形に対する共振器1の周波数の影響され易さを最小にするために、リングの剛性に対する影響が、質量に対する影響にほぼ等しくなるように、スロット5の半径方向の位置を選択することが好都合である。この領域の半径方向の位置は、図5において見ることができ、ここでは、運動エネルギ密度と歪みエネルギ密度が等しい。これは、組み立て工程中に生じる小さな幾何学的形状の変形の影響が、共振周波数に悪影響を及ぼさないことを保証するのを助ける。詳しいスロットの構成を設計するときに考慮に入れなければならない、幾つかの更なる実施上の制限がある。スロット5は、一連の接続されたより薄いリングセグメント6の形成を効果的にもたらす。これらのセグメントの長さと厚さは、cos2θモードで発振しているときに、これらのセグメントがリングの剛性よりもかなり堅くなるようになっていなければならない。これは、リング1がcos2θモードで発振しているときに、これらのセグメントが均一構造の一部であるかのように、これらが本質的に振る舞うことを意味する。これは、隣接するスロット間の2度以上の円周方向の間隔と共に、セグメントの弓形の角度arcuateangleを5度以下の実施上の限度に効果的に制限する。更に、周波数又は減衰において引き起こされる何らかの不均衡を回避するために、一次と二次のcos2θのモード形状に対する結果として生じる影響が等しくなるように、スロット5の位置を定めなればならない。都合のよいことに、これは、一様な設計即ち、中立軸からの半径方向の距離と、角度範囲angularextentと間隔が、同じであることのスロット5を利用することによって達成される。一様な設計のスロット5は、周囲に等角度に配置される。スロット5の数と位置は、熱弾性減衰を最小にするために、リングのリムの周囲の大半に対して緩和経路が調節されるようのなっていなければならない。図6は、2列のスロットを利用する本発明の実施形態を示している。スロット5bからなる一方の列は、中立軸4に対して外側にある距離を置いたところにスロットの中心を有するように配置されている。中立軸4は、図2に示されているように歪みエネルギ密度と運動エネルギ密度とが等しくなる点と一致している。スロット5aからなる第2の列は、中立軸4に対して内側に同じ距離を置いたところに配置されている。従って、このようなリング1の共振周波数は、スロット5を有していないリング1と同じになる。2つの列の角度位置angularpositionは、外側列の各スロット5bの中心が、内側列のスロット5a間の中心位置と一致するようになっている。これは、リング1を横切る直線的な熱緩和経路がないことを保証する。幾つかの緩和経路の例は、図6に矢印で示されている。実際には、このようなリング1の熱緩和特性を正確に決定するには、有限要素モデル化技術を使用しなければならない。有限要素モデル化技術は、熱弾性減衰の推定値、従ってQTEの値を与えることができる。サンプルの共振器デバイスは、上述のようにスロット5a、5bの2つの列を組み込んで組み立てられている。スロットは、3度の角度スパンangularspanであり、2度の間隔を有し、リングの全周に合計で144個のスロットを与える。スロットは、幅10ミクロンであり、歪みエネルギ密度と運動エネルギ密度が等しくなる場所の周りに配置されている。これらのデバイスを測定すると、およそ25,000のQEffを有する。およそ25,000のQEffは、およそ30,000のモデル値に適切に一致する。これは、先行技術のスロットの無いリングに対して、10,000の値を超えるかなりの増加を表わす。図7は、中立軸4の周りに対称的に配置されているスロット5a、5b、5c、5dの4つの列を組み込んだ、本発明の代わりの実施形態を示している。スロット5b、5dの外側列は、主に歪みエネルギ密度に摂動を起こさせるperturbので、共振周波数を減少させる傾向がある。スロット5a、5cの内側列は、主に運動エネルギ密度に摂動を起こさせるので、共振周波数を増加させる傾向がある。従って、共振周波数に対する影響が大幅に打ち消されるように、内側5a、5cのスロットと、外側5b、5dのスロットの位置を定めることができる。スロット5a、5b、5c、5dの4つの列を組み込むと、QTHを最適化する更なる機会を明らかに与える。上述の2つの例示的な実施形態は、シリコンリング構造におけるQTEを大きくする特定の設計を表わしている。現在の発明の範囲内に、設計変更のかなりの可能性があることが、当業者に分かるであろう。これは、スロットの、数と、角度範囲と、間隔と、半径方向の位置と、を含む。共振周波数の摂動perturbationを補うために、リングのリムの幅を調節することによって、運動エネルギ密度と歪みエネルギ密度の影響を一致させる条件は、ある程度緩和され得る。更に、上述の実施形態は、シリコンリング構造として形成されている共振器に関連しているが、共振器は、任意の適切な材料から形成され得ることが分かるであろう。更に、共振器は、1つのバルク材料bulkmaterialから形成される必要はなく、バルク基板bulksubstrate上にシリコン又は他の適切な材料を含んでいてもよい。"