スパッタリングシステム用の磁石構成体800、900、1000であって、スパッタリングシステムの回転式ターゲット126a、126bに適合され、第1の軸Xに沿って延びる第1の磁石要素810、910、1010と、前記第1の磁石要素の周りで第1の平面Aに対して対称に配置された第2の磁石要素820、920、1020とを備え、前記第2の磁石要素が、前記第1の平面と交差する少なくとも1つの磁石区域826、827、926、927、1028を含み、前記少なくとも1つの磁石区域の磁気軸822、922、1022が、前記第1の軸Xと直交する第2の平面Bに対して傾斜している、磁石構成体。前記磁石区域の前記磁気軸822、922、1022が、前記第2の平面に対して約45度よりも大きい、特に60度よりも大きい、例えば80度よりも大きい傾き角を有する、請求項1に記載の磁石構成体。前記磁石区域の磁気軸822、922、1022が、前記第1の磁石要素810、910、1010から離れる方に傾斜している、請求項1または2に記載の磁石構成体。前記第1の軸Xが前記第1の平面A内にある、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の磁石構成体。前記磁石区域の前記磁気軸822、922、1022が、前記第1の磁石要素810、910、1010と実質的に平行に配された第2の磁石要素の第1の磁石部分824、825、924、925、1024、1025の磁気軸に対して、約45度よりも大きい、特に60度よりも大きい、例えば80度よりも大きい傾き角を有する、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の磁石構成体。前記磁石区域が前記第1の平面Aの両側に対称的に延びる、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の磁石構成体。前記磁石区域の形状が、実質的にU形、半円、円弧、および棒からなる群から選択される、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の磁石構成体。前記磁石区域が、前記第1の軸Xと直交すると共に前記第1の磁石要素の磁気軸812と直交する方向で、前記第2の磁石要素820、920、1020の延長部の少なくとも30パーセント、特に少なくとも50パーセントと一致する、請求項1ないし7のいずれか一項に記載の磁石構成体。前記第1の磁石要素が、前記第1の軸の方向に第1の端部と、前記第1の端部の反対側に第2の端部とを有し、前記少なくとも1つの磁石区域が、前記第1の磁石要素の前記第1の端部および/または前記第2の端部で、前記第1の軸Xと平行に延びる前記第2の磁石要素820、920、1020の第1の磁石部分824、825、924、925、1024、1025を接続する、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の磁石構成体。前記第1の磁石要素が、前記第1の軸の方向に第1の端部と、前記第1の端部の反対側に第2の端部とを有し、前記第2の磁石要素が、前記第1の軸と平行に延びる前記第1の磁石部分824、825、924、925、1024、1025と、前記第1の端部および/または前記第2の端部で前記第1の磁石部分を接続する第2の磁石部分826、827、926、927、1026、1027とを含み、前記第2の磁石部分が前記磁石区域を含む、請求項1ないし9のいずれか一項に記載の磁石構成体。前記第2の磁石要素が2つの磁石区域を含む、請求項1ないし10のいずれか一項に記載の磁石構成体。スパッタリングシステムの回転式ターゲット用のターゲットバッキングチューブ122a、122bであって、長手方向軸を有し、かつ請求項1ないし11のいずれか一項に記載の磁石構成体800、900、1000を収容し、第1の軸Xが前記長手方向軸と平行である、ターゲットバッキングチューブ。請求項12に記載のターゲットバッキングチューブと、前記ターゲットバッキングチューブの周りに配置された少なくとも1つのターゲット円筒体126a、126bとを備える、円筒形ターゲットアセンブリ。スパッタリングシステム用の円筒形回転式ターゲット126a、126bであって、長手方向軸を有し、かつ請求項1ないし11のいずれか一項に記載の磁石構成体を収容し、第1の軸が前記ターゲットバッキングチューブの前記長手方向軸と平行である、円筒形回転式ターゲット。真空チャンバ110と、請求項14に記載の少なくとも1つの円筒形回転式ターゲットとを備え、前記円筒形回転式ターゲットが前記真空チャンバ内に配置される、スパッタリングシステム100。次に、1つまたは複数の例が各図に図示されている様々な実施形態を詳細に参照する。各例は説明として提示され、限定を意味するものではない。例えば、一実施形態の一部として図示または説明されている特徴は、さらに別の実施形態が得られるように他の諸実施形態に用いる、または他の諸実施形態と一緒に用いることができる。本開示は、このような修正形態または変形形態を含むものである。別々の図全体を通して似ているまたは類似の要素が同じ参照番号で指定されている各図面を参照すると、図1は、真空チャンバ110を有するスパッタリングシステム100の概略断面図を示す。真空チャンバは入口ポート112を有し、これは、スパッタリングガスを真空チャンバ110の中に供給するのに使用することができ、出口押出しポート図示せずを含むことがある。真空チャンバは、真空チャンバ壁114によって限界が設けられている。典型的な実施形態では、スパッタリングシステム100は、2つの回転円筒形ターゲットアセンブリ120a、120bを含む。図1の断面は、円筒形ターゲットアセンブリの回転軸と直交する平面内にある。本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができる他の諸実施形態では、スパッタリングシステムは、1つ、3つ、または4つ以上の円筒形ターゲットアセンブリを含み得る。本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができる典型的な一実施形態では、回転円筒形ターゲットアセンブリ120a、120bは、図1に示されていないドライバアセンブリによって駆動される。回転円筒形ターゲットアセンブリ120a、120bはそれぞれ、磁石構成体124a、124bが中に配置されているバッキングチューブ122a、122bを含む。さらに、円筒形ターゲット要素126a、126bがバッキングチューブ122a、122bの周りに配置される。例えば、円筒形ターゲット要素126a、126bは、それぞれのバッキングチューブ122a、122bに接合されないことがある。例えば、円筒形ターゲット要素126a、126bは、使い果たされた後に交換することができる。図1には、水平回転円筒形ターゲットアセンブリが示されている。本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、垂直円筒形ターゲットアセンブリが使用されることがある。本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態では、磁石構成体124a、124bは円筒形ターゲット要素内に、特にバッキングチューブなしで配置されることがある。その場合、円筒形ターゲット要素は、円筒形ターゲット要素をその長手方向軸の周りに回転させる駆動機構に接続される。さらに、真空チャンバ110内には、基板130が円筒形ターゲットアセンブリ120a、120bの下方に配置される。基板130は、本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができる典型的な一実施形態で、基板支持体132の上に配されることがある。動作時、プラズマが、スパッタリングガスを励起することによって、真空チャンバ110内部の円筒形ターゲットアセンブリと基板の間に形成される。典型的な一実施形態では、スパッタリングガスはアルゴンを含む。さらなる諸実施形態では、真空チャンバは、コーティングされるべき基板130を真空チャンバ110に入れたり出したりする基板駆動システムを含み得る。その理由で真空チャンバは、真空チャンバ110の壁内に配置された真空ロックチャンバを含むことがある。本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、円筒形ターゲットアセンブリ120a、120bの各回転軸は実質的に平行である。通常、磁石構成体124a、124bは、これらが中に配置されるバッキングチューブ122a、122bの長手方向延長部と平行に延びる、例えばバッキングチューブ122a、122bの長手方向軸または回転軸と平行に延びる、細長い構造物を有する。例えば、それぞれの磁石構成体は対称面Aを有する。例えば、バッキングチューブ122a、122bの回転軸は、その対称面内にある。通常、磁石構成体124a、124bは、バッキングチューブと実質的に同じ長さを有する。例えば、磁石構成体は、真空チャンバ110内のバッキングチューブおよび/またはターゲット要素の一部分の長手方向延長部の約80以上、例えば90以上の長さを有し得る。図2は、ターゲットバッキングチューブ用の磁石構成体200の一実施形態の断面を示す。通常、大面積コーティングシステム用のマグネトロンは、諸実施形態で、図2~13に示される磁石構成体を有し得る。その断面は、対称面と直交すると共に第1のマグネット要素210の長手方向軸と直交する面内にある。第1の磁石要素210は、磁石構成体200の長手方向軸すなわち第1の軸に沿って延びる。通常、図2の断面は図1の断面と一致する。磁石構成体は、対称面Aに対し対称である。対称面Aはまた、第1の面Aと称されることもある。通常、バッキングチューブ122a、122b内に装着された場合、バッキングチューブ122a、122bの回転軸は対称面A上にある。磁石構成体200は、本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができる一実施形態で、半円筒形面208付きの部分を有する基体202を含み得る。一実施形態では、基体202は、コーティングされるべき基板130に半円筒形面208が向き合うように真空チャンバのバッキングチューブの中に配される。本明細書の他の諸実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第1の磁石要素210および第2の磁石要素220は、半円筒形面208上に配置される。第1の磁石要素210は、対称面上にある第1の軸Xに沿って延びる。典型的な一実施形態では、第1の軸Xは、図1に示された円筒形ターゲットアセンブリの回転軸と平行である。第2の磁石要素220は、第1の磁石要素210の周りに配置される。例えば、第2の磁石要素は、それぞれが第1の軸Xと平行に延びる2つの磁石部分224、225を有する。第1および第2の磁石要素210、220は通常、複数の磁石を含み、これらは1つずつ配列されて第1および第2の磁石要素210、220を形成する。他の諸実施形態では、第1および第2の磁石要素210、220は、単一の磁石で形成されることがある。各磁石要素は、それぞれの場所でそれぞれの磁気軸212、222を有する。便宜上、これらの磁気軸は、それぞれの磁石要素210、220内でS極からN極に向けて示されている。通常、本開示の諸実施形態による磁気軸は、ある方向を有する。すなわち、バッキングチューブおよびターゲット要素と向き合う磁石要素210、220の各極は、第1の軸Xと直交する断面内に交互に配置される。例えば、第2の磁石要素のN極は、ターゲット要素およびコーティングされるべき基板と向き合い、第1の磁石要素のS極は、ターゲット材料およびコーティングされるべき基板と向き合う。通常、第1の軸Xと平行に延びる第2の磁石要素の部分224、225の磁気軸は、第1の平面Aに対して傾いている。通常、第1の磁石要素の磁気軸は、コーティングされるべき基板のコーティングされる表面の垂線と平行に配される。図3は、磁石構成体の第1の平面Aと直交すると共に、第1の磁石要素310の長手方向軸と一致する第1の軸Xと直交する断面で、磁石構成体のさらなる実施形態を示す。同じ参照番号が100だけ増されて図2のものと同じ特徴を指し示す。磁石構成体300は、2つの磁石要素310、320、つまり基体302上に配置された第1の磁石要素310および第2の磁石要素320を含む。基体は、コーティングされるべき基板に向けられる実質的に平坦な表面308を有する。典型的な一実施形態では、前記表面308は、コーティングされるべき基板のコーティングされる表面と平行である。各磁石要素は、図3に示される第1の軸と直交する断面内で、第1の磁石要素310の磁気軸312が第2の磁石要素320の磁気軸322と逆平行になるように、基体302の表面308上に配される。図4、5および6は、平衡および不平衡磁石構成体の磁石要素によって生成されるプラズマの構成を説明するために使用される。特に図4、5および6は、第1の磁石要素が並行して延びる第1の軸Xと直交する断面を示す。図4は、図3の磁石アセンブリと類似の2つの磁石を含む磁石構成体を示す。同じ特徴は、同じ参照番号が100だけ増されて指定されている。さらに、ターゲット要素480およびコーティングされるべき基板460も示される。図を簡単にするために、図4、5および6では、ターゲット要素は実質的に平面の表面を有して示される。しかし、回転ターゲットアセンブリに使用されるターゲット要素は普通、実質的に円筒形である。さらに図4では、第1の磁石要素と第2の磁石要素の間に磁界が示される。通常、スパッタリングシステムの動作時、プラズマがターゲット480とコーティングされるべき基板460との間に生成される。プラズマは、ターゲット480の上を方向446で見ると、閉ループを形成する図8および図9も参照。すなわち、図4では、プラズマ440a、440bの断面だけが示されている。図を簡単にするために、プラズマは、図4では長方形の断面で示される。実際にはプラズマは、このような理想的な長方形の形状を持たない。プラズマは、図4の断面図で、プラズマが最高密度を有する位置に沿って延びる基準曲線444a、444bを有する。通常、プラズマ440a、440bは、磁石構成体400とコーティングされるべき基板460との間に位置する。図で分かるように、第1および第2の磁石要素410、420の磁界の磁力線は接線442a、442b、442cを有し、これらは、コーティングされるべき基板460と向き合うターゲット480の表面と実質的に平行である。さらに、ターゲット要素480の表面と実質的に平行な接線442a、442b、442cを有する磁界の各点が直線上に配置される。磁界線が実質的に平行な接線を有するこれらの位置で、プラズマは最高密度を有する。言い換えると、プラズマは、直線または基準曲線444a、444bに沿って延びる最高密度を有する。平衡磁気要素の場合、プラズマが最高密度を有するところの基準曲線は、図4に示されるコーティングされるべき基板460と向き合うターゲット要素480の表面と実質的に直交する直線444a、444bと一致する。平衡円筒形ターゲットの場合、基準曲線444a、444bは直線であり、互いに傾いており図を簡単にするために図示せず、各基準曲線444a、444bが、プラズマの一部分がターゲット要素に最も近いところであるターゲット要素の表面のそれぞれの接線と実質的に直交する。プラズマが、ターゲット表面に垂直の同じ位置で内側磁石要素と外側磁石要素の間に集束したままである場合、マグネトロンは平衡していると呼称される。外側磁石要素が内側磁石要素よりもずっと強い場合、プラズマは、内側磁石の方により集束することになる。内側磁石構成体が外側磁石要素よりも強い場合、プラズマは、外側領域の方により集束することになる。これら2つの状態は通常、不平衡マグネトロンと呼ばれる。マグネトロンと磁石アセンブリは、本開示では交換可能に用いられる。図5および図6は、不平衡磁石構成体をそれぞれ有する磁石要素500および600を示す。同じ特徴は、図4と同じ参照番号が図5では100だけ増され、図6では200だけ増されて指定されている。図5で第1の磁石要素510は、第2の磁石要素420よりも大きい磁気質量を有する。すなわち、磁界がターゲット要素と実質的に平行な接線を有するところの各位置は互いに移動され、その結果、コーティングされるべき基板と向かい合うターゲット要素580の表面と実質的に平行な磁界の接線の各点をつなぐ基準曲線は、ターゲット要素580の表面に対し90度とは異なる角度を有することになる。言い換えると、プラズマが最高密度を有するところの基準曲線544a、544bは、ターゲットまでの距離が増加すると外側に動く。言い換えると、円筒形ターゲットの場合、基準曲線は、生成されたプラズマの一部分がターゲット要素に最も近いところの、ターゲット要素の軸およびターゲット要素の表面部分を通って半径方向に延びる直線上には配置されない。基準曲線544a、544b、644a、644bは、図5および図6では直線として示されている。しかし、プラズマが最高密度を有するところの基準曲線544a、544b、644a、644bは、特に不平衡磁石構成体の場合には、湾曲または屈曲した形状もまた有し得る。磁界の実質的に平行な各接線の点をつなぐ直線544aおよび544bは、プラズマが最高密度を有するところのプラズマ540aおよび540bの各点と一致する。特に、プラズマ540a、540bの基準曲線544a、544bは、平面ターゲット要素の場合には第1の平面Aに対して傾斜または屈曲しており、円筒形ターゲット要素の場合には、生成されたプラズマの一部分がターゲット要素に最も近く、表面の部分がコーティングされるべき基板と向き合うところの、ターゲット要素の表面の一部分の垂線に対して傾斜または屈曲している。図6は、第1の磁石要素610よりも大きい磁気質量を有する第2の磁石要素620を含む磁石構成体の一実施形態を示す。すなわち、スパッタリングアセンブリの動作時、プラズマ640a、640bは、プラズマがその最高密度を有するところに基準曲線644a、644bを有し、この基準曲線は、円筒形ターゲット要素の場合には、生成されたプラズマの一部分がターゲット要素に最も近いところの、ターゲット要素の表面の一部分の垂線に対してこの表面の部分はコーティングされるべき基板660と向き合う、または平面ターゲット要素の場合には第1の平面Aに対して、内側に屈曲または傾斜している。不平衡磁石構成体の場合、すなわち、生成されたプラズマの一部分がターゲット要素に最も近いところの、ターゲット表面またはターゲット要素の一部分に対して傾斜した基準曲線644a、644bを有するプラズマの場合、ターゲット要素580、680の表面に対するプラズマの位置は、ターゲット要素580、680の厚さに依存し得る。このことは、ターゲット材料の不均一な堆積または不均一な使用量につながり得る。図8は、円筒形ターゲットアセンブリの従来の磁石構成体700の第1の平面Aおよび第1の軸Xに沿った断面を示す。図8および図9はそれぞれ、図4の方向446と一致する、図7の磁石構成体の上からの図を示し、磁石構成体700までが第1の距離Iのプラズマの位置図8と、磁石構成体700までが第2の距離IIのプラズマの位置図9とを表示しており、第2の距離IIは第1の距離Iよりも大きい。同じ特徴は、図4と同じ参照番号が300だけ増されたもので表示されている。図7、8および9は、磁石構成体によって生成されたプラズマ740、740a、740bを示す。さらに、ターゲット要素780が図7に示される。図7には、プラズマ740a、740bの位置だけが図示されており、磁界の磁力線がない。図8および図9は、プラズマがリングを形成することを示す。これはまた、レーストラックとも呼称される。磁石構成体は、磁石構成体700の第1の軸すなわち長手方向軸Xの方向に、第1の端部704および第2の端部706を有する。第2の磁石要素720は、第1の磁石要素710と実質的に平行に配される2つの第1の磁石部分と、磁石要素の2つの第1の磁石部分724と725を接続する2つの第2の磁石部分726、727とを含む。磁石構成体の第1および第2の端部704、706はまた、磁石構成体または磁石アセンブリの折返し部分と呼称されることもある。磁石構成体の折返し部分が不平衡になっている理由は、折返し部では、外側の第2の磁石要素が内側の第1の磁石要素よりもずっと大きい磁気質量を有するためである。特に、第2の磁石要素の第2の磁石部分726、727は、第1の磁石要素710の端部よりも大きい磁気質量を第1の軸Xの方向に有する。すなわち、動作時、プラズマがその最高密度を有するところのプラズマの基準曲線744a、744bは、第1の面A内でターゲット要素780の表面に対して傾斜または湾曲している。すなわち、図9および図10に図示されているように、これらの図では、プラズマ740の断面が異なる磁石アセンブリまでの距離で示され、具体的には図7に示された第1の距離Iおよび第2の距離IIで示されている。例えば、コーティングされるべき基板に向けられたターゲット要素780の表面は、第1の距離Iおよび第2の距離IIのところに配することができる。図8では、プラズマ740は薄いターゲットの表面上に示され、図10では、プラズマ740は厚いターゲットの表面上に示される。第1の磁石要素710の長手方向の第1の端部704および第2の端部706で分かるように、第1の軸Xの方向のプラズマ740の延長部は、厚いターゲットの表面上の方が、図9に示される薄いターゲットの表面上よりも短い。すなわち、堆積処理中に基板が使用または消耗される場合、基板は、回転式ターゲットの全幅にわたって均一に使用されない。すなわち、ターゲットの一部分が使用されないことがあり、あるいはターゲット780の材料の堆積がより不均質になることがある。図10および図11に磁石構成体800が示されており、図では、図8、9および10に示された実施形態と比べて、同じ特徴に対する同じ参照番号が100だけ増やされて指定されている。図10はさらに、対称平面A内の磁石構成体800の断面を示す。図12に、ターゲット要素の側より磁石構成体800の上からのそれぞれの図が示される。典型的な一実施形態では、第1および第2の磁石要素は、実質的に同じサイズをそれぞれが有する複数の磁石を含む。他の諸実施形態では、磁石アセンブリは、第1の磁石要素用または第2の磁石要素用に特に製造されることがある。第1の磁石要素810は、図8、9および10に示された磁石構成体と同様に配される。第2の磁石要素820は複数の部分、つまり第1の磁石要素810と実質的に平行に配された第1の磁石部分824、825と、それぞれ、磁石構成体の第1の軸Xの方向の端部804、806にある第2の磁石部分826、827とを有する。第1の軸Xは通常、第1の磁石要素の長手方向軸と一致する。第2の磁石要素820の第2の磁石部分826、827は、第2の磁石要素820の第1の磁石部分824と825を接続している。さらに、第1の磁石部分824、825は、第1の平面Aに対して対称に配される。第2の磁石部分826、827は、第1の平面および第1の軸Xの上に配置される。図10で分かるように、第2の磁石部分826、827は磁気軸822を有し、これは、第1の軸Xと直交する、および/または第1の磁石要素に対して直交する第2の面Bに対して90°の角度で外側に傾斜している。さらに、磁気軸822は、第2の磁石要素820の第1の磁石部分824、825の磁気軸に対して外側に90°だけ傾斜している。他の諸実施形態では、第1の軸X上にある第2の磁石要素820の第2の磁石部分826、827の磁気軸822の傾斜角は、第1の軸と直交する、および/または第1の磁石要素と平行に延びる第2の磁石要素820の第1の磁石部分824、825の磁気軸と直交する、第2の平面Bに対して45度よりも大きく、特に60度よりも大きく、例えば90度よりも大きいことがある。いずれの場合でも、第1の軸Xと直交する、および/または第1の磁石部分824、825における第2の磁石要素の磁気軸と直交する、第2の平面Bに対する角度は、平衡磁石構成体と、磁石構成体の第1の端部804および第2の端部806とが第1の軸Xの方向に得られるように選択される。他の諸実施形態では、完全ではない第2の磁石部分は、第2の磁石部分826、827に含まれる第2の磁石要素820の区域を除いて、第1の軸と直交する第2の平面Bに対して傾斜した磁気軸を有する。すなわち、図10および図11による磁石構成体は、第1の端部および第2の端部804、806で平衡しており、その結果、プラズマがその最高密度を有するところのプラズマの基準曲線844a、844bが、磁石構成体800の動作時に、コーティングされるべき基板と向き合うターゲット要素880の表面と実質的に垂直になり、および/または第1の平面A内の第1の軸Xと直角になる。すなわち、平衡磁石構成体が、磁石構成体の端部804、806にある第2の磁石部分826、827を特に第1の磁石部分824、825にある第2の磁石要素820の磁気軸に対して外側に傾斜させることによって提供される。プラズマは、スパッタリング装置の動作時に、別々のターゲットの厚さで、または磁石構成体まで別々の距離で、ターゲット表面に対し垂直な同じ位置にとどまる。通常、回転ターゲットアセンブリでは、第1の平面は回転軸を横切る。本明細書に開示された他の諸実施形態と組み合わせることができる典型的な諸実施形態では、第1の磁石要素と第2の磁石要素で同じ磁石を使用することができる。諸実施形態では、プラズマ折返し位置に傾斜した磁石があるスパッタマグネトロン用の磁石構成体を開示する。その利点は、プラズマが、同じレーストラック曲がり位置を異なるターゲット厚さで有することである。これは、回転マグネトロンにも平面マグネトロンにも当てはまる。さらなる利点は、プラズマが、端部磁石と対称平面内の一区域の内部磁石との間ではなく、端部磁石の最上部に位置することである。このことにより、同じ長さの磁石アセンブリで、傾斜した端部磁石すなわち第2の磁石部分826、827、または第1の軸上の第2の磁石要素の一区域の場合に、プラズマがより大きいターゲット表面をカバーするという利点がもたらされる。例えば、磁石構成体の第1の端部804および第2の端部806で対称平面上に配されている磁石区域の磁気軸は、磁石構成体の長手方向軸と直交する平面に対して、約45°よりも大きい傾き角、特に60°よりも大きい、例えば80°よりも大きい傾き角を有し得る。図12および図13はそれぞれ、図12の磁石構成体900および図13の磁石構成体1000の、異なる折返し部分すなわち第2の磁石部分926、927、1026、1027を示す。それぞれの磁石構成体900、1000は、磁石構成体900、1000の対称平面A上にある第1の軸Xに沿って延びる第1の磁石要素910、1010を含む。第2の磁石要素920、1020が第1の磁石要素910、1010の周りに配される。図10および図11の図面と同じ参照番号が、同じ特徴に対し図12では100だけ増やされ、図13では200だけ増やされて用いられている。図12では、第2の磁石要素920の折返し部分すなわち第2の磁石部分926、927は、磁石構成体の上から見て、つまり第1の平面内の第1の軸と直交する方向に見て半円または半楕円の形状を有する。第2の磁石要素920の第2の磁石部分926、927の磁気軸は、図11および図12に示された、先の実施形態と同様に傾斜している。他の諸実施形態では、第2の磁石部分926、927それぞれだけが、特に第1の軸Xおよび/または第1の平面Aの上にある一区域を含み、この区域は、第1の軸と直交する、および/または第2の磁石要素920の第1の磁石部分924、925の磁気軸と直交する平面に対して傾斜している磁気軸を有する。図13で、第2の磁石要素1020の第2の磁石部分1026、1027はそれぞれ、磁石構成体1000の第1および第2の端部1004、1006に複数の単磁石1028を含む。例えば、図13に示されるように、第2の磁石部分1026、1027はそれぞれ、5つの単磁石1028から成る。他の諸実施形態では、第2の磁石部分は、5つの単磁石1028よりも多い、例えば7つ、または9つ以上の単磁石1028から成る。典型的な諸実施形態では、単磁石1028の個数は奇数である。通常、第2の磁石要素820の折返し部分を形成するために単磁石1028は、第2の磁石部分1026、1027が、第1の平面内の第1の軸と直交する方向に見て実質的にV形になるように配される。典型的な一実施形態では、最も外側の単磁石1028、すなわち第2の磁石部分1026、1027の第1の軸Xの方向の末端にある単磁石1028は、第1の軸X上に配置される。最も外側の磁石1028の磁気軸は、磁石構成体1000の第1の端部1004および第2の端部1006で平衡磁石構成体が得られるように、第1の軸Xと直交する平面に対して傾斜している。他の諸実施形態では、第2の磁石部分1026、1027の他の磁石の磁気軸は、第1の軸と直交する第2の平面Bに対して、および/または第2の磁石要素1020の第1の磁石部分1024、1025の磁気軸に対して、傾斜していることがある。一実施形態では、それぞれの単磁石1028の傾斜は、長手方向軸Xと直交する第2の平面Bに対して、および/または第2の磁石要素1020の第1の磁石部分1024、1025の磁気軸に対して、異なることがある。典型的な一実施形態では、コーティングされるべき基板の表面の垂線は、第1の平面Aと平行である。通常、第2の要素は諸実施形態で小さな間隙を有し得るが、これらの間隙は、プラズマが連続レーストラックを形成するように、ある形状を有する。本明細書では、ベストモードを含めて本発明を開示するために、また当業者が、任意のデバイスまたはシステムを製作および使用すること、ならびに任意の合体した諸方法を実施することを含めて、記載された主題を実践できるようにするために、諸例を用いている。様々な特定の諸実施形態を上記で開示したが、当業者には、特許請求の趣旨および範囲で、等しく効果的な修正形態が可能であることが理解されよう。殊に、上述の諸実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わせることができる。特許性のある範囲は、特許請求の範囲で定義されていると共に、このような修正形態、および当業者に想起される他の諸例を含み得る。このような他の諸例は、これらが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価の構造要素を有する場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。