前表面と後表面と、ウエハの前表面上に配置されており実質的に全ての径方向幅に亘って延在している酸化物層と、を有する単結晶シリコンウエハをアニールする方法であって:酸素を含む雰囲気を有するアニールチャンバー内でウエハをアニールし;ウエハがアニール処理において酸化物層を維持するように、予定値よりも高い値で水の分圧を維持し、アニールした前表面がホウ素とリンを実質的に有さないように、酸化物層が約5ナノメートルの最大厚さと約0.5ナノメートルの最小厚さを有すること、を含む、単結晶シリコンウエハのアニール方法。雰囲気が、水素と不活性ガスを更に有する、請求項1に記載の方法。雰囲気が、少なくとも約0.5の水素を有する、請求項2に記載の方法。不活性ガスが、アルゴンである、請求項2に記載の方法。雰囲気が、約1ppm~約5ppmの酸素を有する、請求項1に記載の方法。アニール工程の間においてシリコンウエハピッチが、10mmである、請求項1に記載の方法。シリコンウエハを、約900°C~約1050°Cの間の温度でアニールする、請求項1に記載の方法。シリコンウエハを、約1000°Cの温度でアニールする、請求項1に記載の方法。シリコンウエハを、少なくとも約10分間アニールする、請求項1に記載の方法。シリコンウエハを、約30分間アニールする、請求項1に記載の方法。不活性ガスから本質的に成る雰囲気下において第1前記アニールとは別の第2アニールを更に含む、請求項1に記載の方法。第2アニールを、約1150°C~約1250°Cの間の温度で行う、請求項11に記載の方法。温度を、1200°Cで1時間保持する、請求項12に記載の方法。不活性ガスから本質的に成る雰囲気下において温度を450°Cまで傾斜低下する、請求項13に記載の方法。アニールチャンバー内のガス流量が、1分当たり約20標準リットルである、請求項1に記載の方法。ウエハが、P型ウエハである、請求項1に記載の方法。ウエハの直径が、少なくとも400mmである、請求項1に記載の方法。前表面と後表面と、ウエハの前表面上に配置されており実質的に全ての径方向幅に亘って延在している酸化物層と、を有する単結晶シリコンウエハを製造する方法であって:酸素と水素と不活性ガスとを含む雰囲気を有するアニールチャンバー内でウエハをアニールし;ウエハがアニール処理において酸化物層を維持して、アニールした前表面がホウ素とリンを実質的に有さないように、水素と酸素の量を制御することによって予定値よりも高い値で水の分圧を維持すること、を含む、単結晶シリコンウエハの製造方法。雰囲気が、少なくとも約0.5の水素を有する、請求項18に記載の方法。雰囲気が、約1ppm~約6ppmの酸素を有する、請求項18に記載の方法。アニール工程の間においてシリコンウエハピッチが、10mmである、請求項18に記載の方法。シリコンウエハを、約900°C~約1050°Cの間の温度でアニールする、請求項18に記載の方法。シリコンウエハを、約1000°Cの温度でアニールする、請求項18に記載の方法。シリコンウエハを、少なくとも約20分間アニールする、請求項18に記載の方法。不活性ガスから本質的に成る雰囲気下において第1前記アニールとは別の第2アニールを更に含む、請求項18に記載の方法。第2アニールを、約1150°C~約1250°Cの間の温度で行う、請求項25に記載の方法。温度を、1200°Cで1時間保持する、請求項26に記載の方法。不活性ガスから本質的に成る雰囲気下において温度を450°Cまで傾斜低下する、請求項27に記載の方法。ウエハが、P型ウエハである、請求項18に記載の方法。ウエハの直径が、少なくとも400mmである、請求項18に記載の方法。1つの要旨では、前表面と後表面と、ウエハの前表面上に配置されており実質的に全ての径方向幅に亘って延在している酸化物層と、を有する単結晶シリコンウエハをアニールする本発明の方法が開示される。本発明の方法は、酸素を含む雰囲気を有するアニールチャンバー内でウエハをアニールすることを含む。本発明の方法は、また、ウエハが、アニール処理において酸化物層を維持するように、予定値よりも高い値で水の分圧を維持することを含む。酸化物層は、アニールした前表面がホウ素とリンを実質的に有さないように約5ナノメートルの最大厚さと約0.5ナノメートルの最小厚さを有する。別の要旨では、前表面と後表面と、ウエハの前表面上に配置されており実質的に全ての径方向幅に亘って延在している酸化物層と、を有する単結晶シリコンウエハを製造する本発明の方法が開示される。本発明の方法は、酸素と水素と不活性ガスとを含む雰囲気を有するアニールチャンバー内でウエハをアニールすることを含む。本発明の方法は、また、ウエハが、アニール処理において酸化物層を維持して、アニールした前表面がホウ素とリンを実質的に有さないように、水素と酸素の量を制御することによって予定値よりも高い値で水の分圧を維持することを含む。本発明の開示の上述した態様に関して記載される特徴の様々な改良が存在する。更なる特徴もまた、本発明の開示の上述した態様に組み入れられ得る。これらの改良及び追加的な特徴は、個別に又は任意の組み合わせで存在してよい。例えば、本発明の開示の説明される全ての実施形態に関して以下に記載される様々な特徴が、本発明の開示の上述した全ての態様に、単独で又は任意の組み合わせで組み入れられ得る。この実施形態では、1以上のウエハは、従来のチョクラルスキー結晶成長法によって成長した単結晶インゴットからスライスされている単結晶シリコンウエハである。このような方法、並びに標準的なシリコンのスライス、ラッピング、エッチング及び研磨の技術が、例えば、1989年、AcademicPress出版、F.ShimuraのSemiconductorSiliconCrystalTechnologyに開示されている。各々のウエハは、一般的には、様々な所望の特性をウエハに与えるように1以上のドーパントを含む。具体的には、各々のウエハは、典型的には、P型ウエハ即ち、周期表の第3族からの元素、例えば、ホウ素、アルミニウム、ガリウム及びインジウム、最も典型的には、ホウ素によりドープされたウエハである。他の種類のウエハは本発明の開示の範囲内に入ることに留意されたい。結晶を引き上げ結晶からウエハをスライスする前に、溶融シリコンにドーパントを添加することによってこのドープを行ってよい。ウエハは、典型的には、約1オームcmよりも大きい抵抗率を有し、いくつかの実施形態では、10オームcmよりも大きい抵抗率を有する。各々のウエハは、典型的には、少なくとも200mm、少なくとも300mm、少なくとも400mm、又はいくつかの実施形態では、少なくとも450mmの直径を有する。各々のウエハは、予定厚さの酸化物層を有する。いくつかの実施形態では、酸化物層は、約6~約10オングストロームの厚さであり、化学的に形成されている。清浄な化学的酸化物は、従来の方法を用いることによって、例えば、H2SO4/H2O2、SC1、SC2、オゾン又はHF/H2O2を用いることによって成長し得る。他の実施形態では、酸化物層は、熱的に成長してよく、約10オングストローム未満の厚さであってよい。バッチ処理における複数のウエハの標準的なアニールの間に、各々のウエハ上の酸化物層は、ウエハの中心からよりもウエハの縁から更に急速に蒸発する。蒸発する間に、汚染物は、ウエハの縁においてウエハ内に拡散する可能性があり、一方で、ウエハの中心において汚染物は、拡散するのではなく、中心において酸化物層とともに蒸発する。この問題は、ウエハピッチを増加させることに伴って増える。アニール処理は、単一のウエハ又はバッチ/複数のウエハの処理であってよいことに留意されたい。図1は、水の分圧、温度、酸素と酸化物層の間の関係を示す。図1のグラフにおいて、Y軸は、分圧PO単位:トールであり、上側のX軸は、セルシウス度における温度であり、下側のX軸は、ケルビン度における温度である。酸化ラインは、グラフの上側左からグラフの下側右まで対角線上に延在しており、酸化物層がウエハ上に残るかどうか示す。所定の酸素含有量1ppm、5ppm及び10ppmもまたグラフ上にプロットされている。酸化ラインより上の条件では、酸化物層はウエハ上に維持される。酸化ラインより下の条件では、ウエハが酸化物を有さないように酸化物層は除去される。グラフは、ウエハ上の酸化物層を維持するように分圧Poの臨界値又は予定値を得るために用いられ得る。本発明の開示の1つの実施形態によれば、ASMAmerica社から入手可能なA412垂直炉などの従来のアニール炉のアニールチャンバー内において、ウエハを適切にアニールする。ウエハをアニールする適切な処理は、第1アニールと第2アニールを含む。第1アニールは、事前加熱したアニールチャンバー内にウエハを挿入することを含む。ウエハは、アニール工程の間のピッチ、例えば、少なくとも5mm、又は少なくとも約7mm、又は更に、少なくとも約10mmのピッチを有してよいことに留意されたい。チャンバーを、約400°C~約750°Cの間、例えば、約450°Cの温度まで適切に事前加熱する。ウエハを挿入した後に温度を10分~30分間安定にして、後に、約585°C~約1050°Cの間まで昇温する。温度傾斜率は、1度/分~15度/分の間であってよく、典型的には、その率は、更に高い温度で更に低い。1つの実施形態において、第1アニールの間に温度を約1000°Cまで昇温して、その温度で一定に保持する。第1アニールは、少なくとも約10分間、少なくとも約20分間、約20分間~約40分間の間、又は例示的な実施形態において約30分間行ってよい。任意の特定の理論に拘束されないが、主にアルゴン雰囲気下において、ウエハ上の酸化物層は、約1050°Cよりも大きい温度で完全に除去されると考えられる。水素と酸素は、約585°Cよりも低い温度で水を形成するように自然に反応しない。従って、アニール温度は、適切には、約585°C~約1050°Cの間、約800°C~約1050°Cの間、約900°C~約1050°Cの間、又は1つの例示的な実施形態では、約1000°Cである。ウエハをチャンバーに挿入するときに、雰囲気は、不活性ガスのみ、例えば、100のアルゴン又はヘリウムを初期に含む。傾斜昇温の間に、水の分圧を制御し、従って酸化物層を維持するように、水素を雰囲気に導入する。水の分圧を制御し、従って、酸化物層を維持するように、酸素もまた雰囲気に導入する。1つの実施形態では、温度が約600°Cに到達すると、水素を導入し、温度が約800°Cに到達すると、酸素を導入する。水素と酸素は、第1アニールの時間中ずっとチャンバー内に流れる。水素と酸素の量は、酸化物層厚さを維持するのに充分であるが、更に厚い酸化物層を成長するのに充分ではない。図1のグラフは、ウエハ上に酸化物層を維持するように分圧Poの臨界値又は予定値を得るために用いることができる。その値から、水素と酸素の適切な量を求めることができる。水素は過剰に用いてよいが、酸素含有量は、示される水蒸気の量を形成するのに充分である必要がある。1つの実施形態において、雰囲気が少なくとも約5の水素であり、又は少なくとも約1、又は1つの例では、約3の水素となるように、充分な水素を導入する。少なくとも約1ppm、又は約1ppm~約5ppm、又は約5ppmの酸素がアニールチャンバー雰囲気内にあるように、充分な量の酸素を導入する。1つの例では、チャンバー雰囲気内の水として、反応器内への合計ガス流量は、1分当たり約20標準リットルであり、酸素流量は、5ppmの酸素の酸素含有量を達成するように約0.1ml/分である。第1アニールが完了した後に、温度は、第2アニールのために傾斜昇温してよい。1つの実施形態において、温度は、1分当たり15度と同じ高さの割合で傾斜昇温してよいが、しかし、更に典型的には、1分当たり10度未満の割合で、又は1分当たり約1度と同じ低さの割合で傾斜昇温してよい。第2アニールの間に雰囲気が約100の不活性ガスになるように、第2アニールに対する傾斜昇温中に水素と酸素の流れを止める。第2アニールに関して、温度は、約1050°Cよりも大きい温度、例えば、1150°C~1250°Cの間、又は別の例において約1200以上の温度に到達する。適切には、第2アニール時間は、少なくとも約30分又は約1時間である。この第2アニールは、典型的には、第1アニールと同じチャンバーで行い、あるいは、別のチャンバーで行ってよい。第2アニールの後に、傾斜昇温率とほとんど同様又はそれ未満の率で温度を傾斜低下させる。炉が約300°C~500°Cの範囲、例えば、約450°Cの温度に到達するまで、傾斜低下を続ける。傾斜低下する間のチャンバー雰囲気は、適切には、約100の不活性ガス、例えば、アルゴンである。分圧の制御は、酸化物層の厚さの制御をもたらす。1つの実施形態では、第1アニールにおいて、酸化物層が約5ナノメートルの最大厚さ及び約0.5ナノメートルの最小厚さを有して、アニールした前表面がホウ素及びリンを実質的に有さないように、ウエハは酸化物層を維持する。別の実施形態では、第1アニールにおいて、酸化物層が100以下で異なる最大厚さと最小厚さを有するように、ウエハは酸化物層を維持する。これは、アニール後にホウ素とリンを実質的に有さないウエハの前表面をもたらす。第1アニールの許容誤差は、約/-25°Cであってよく、又はいくつかの実施形態では/-5°C未満であってよい。第1アニール温度における時間は、除去する必要がある表面ドーパント濃度の量に依存するが、一般的には、少なくとも5分であり、多くとも1時間である。第1アニールの温度は、少なくとも900°Cであり、多くとも1075°Cであってよい。第1アニールの水素含有量は、50ppmよりも多くてよく、更に99よりも多くてよい。酸素含有量は、シリコン酸化物層を維持するように図1に示す量を超えるが、第1アニール工程の間に成長する酸化物が50オングストロームを超えず、又はいくつかの実施形態では、20オングストロームさえ超えないように、酸素含有量を制御すべきである。このアニール処理により製造される各々のウエハは、ウエハの頂層における能動素子領域電気的活性層においてホウ素とリンを実質的に有さない。ウエハは、また、ウエハの頂層において平坦なドーピングプロファイルを有する。上述したように、酸化物層の実質的な成長なしに、ウエハ上の酸化物層を維持できる分圧よりわずかに高い分圧で、アニール炉雰囲気中の水を維持するように、酸素と水素の量を慎重に制御する第1アニール工程が完了して全てのホウ素とリンを表面から除去するまで。第2の更に高い温度工程は、酸素又は水を用いず、この酸化物層を完全に除去して、平らな酸素不存在シリコン表面を残す。アニール処理の1つの実施例を記載する。これは単なる1つの例であり、多くの他の例がこの開示の範囲内に入ることに留意されたい。約450°Cの炉挿入温度でウエハをアニール炉に挿入する。ウエハを挿入するときに、炉雰囲気は100のアルゴンである。炉の温度を、10°C/分の傾斜率で約600°Cまで傾斜昇温中に昇温する。炉の内側の雰囲気が97のアルゴン及び3の水素であるように、傾斜昇温中にチャンバーに水素を導入する。温度が昇温し続けて800°Cに到達すると、炉雰囲気中における酸素を約5ppmで維持する。温度を約1000°Cまで昇温し、次いで、温度を第1のアニール又は保持期間の間に約1000°Cで約30分間保持する。この第1アニールにおいて、酸素は約5ppmで維持され、分圧は約0.002トールである。第1アニールが完了した後に、温度を更に昇温させる。温度が昇温しているときに、約1025°Cで酸素流れを止め、次いで、約1050°Cで水素流れを止める。第2の保持期間又はアニールにおいて、温度は約1200°Cに到達するまで昇温し続けて、そこで温度を約60分間保持する。雰囲気が約100のアルゴンになるように、第2アニール中に水素又は酸素を導入しない。第2アニールを完了した後に、温度を約300分間に亘って約450°Cまで傾斜低下させる。本発明又は好ましい実施形態の要素を導入する場合に、冠詞a、an、the及びsaidは、1以上の要素があることを意味することが意図される。用語comprising、including及びhavingは、包含的であり、記載されている要素以外の追加的な要素であってよいことを意味することが意図される。様々な変化が、本発明の開示の範囲から逸脱せずに、上述した装置及び方法においてなされ得るように、上述した記載に含まれ添付図面に示される全ての事柄が、説明するためのものとして解釈すべきであり制限する意味でないということが意図される。