単結晶シリコンの薄層を、単結晶シリコンでできているドナー基板1、11から、転写されるべき薄層3、13の厚さより厚い厚さを有する少なくとも1つの薄層の上に、自由面から転写する方法であって、-少なくとも1つの所与の元素イオンが、この自由面を通して注入され、前記単結晶シリコンの中に、埋め込まれた脆化層2、12が形成され、-前記ドナー基板は、ポリマー層5、15を介して、前記自由面で受け基板4、14にボンディングされ、-前記ドナー基板の薄層の破面は、埋め込まれた脆化層2、12の所で、基本的に熱破面処理によって生成が促進される方法において、-注入条件は、薄層3、13の前記厚さは、10μmより薄いことであり、-ポリマー層5、15の厚さは、注入のエネルギーとドーズ量の関数として規定される臨界閾値より薄く、前記臨界閾値は、500nmと、将来の薄層の厚さとの2つの値の中で、小さい方の値以下であることを特徴とする方法。前記ポリマー層の前記厚さに対する前記臨界閾値は、前記エネルギーおよび前記ドーズ量で注入した後に、また、補強材を使用せずに、前記熱破面処理をした後に、前記ドナー基板の中で観測されるブリスタの、前記自由面と平行な方向における平均寸法の1/15であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記注入は、最大で70keVの注入エネルギーの水素イオンで行われることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。前記注入は、2×1016H/cm2~6×1016H/cm2のドーズ量の水素イオンで行われることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。前記ポリマー層は、ベンゾシクロブテンBCBでできていることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。前記熱破面処理は、300°C以上の温度で行われることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記受け基板は、補強材を形成しているポリマー基板14によって保持されている剛性膜16を備えていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。剛性膜16は、2~10μmの厚さのシリコン酸化物、またはシリコン窒化物で形成されていることを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記ポリマー基板は、前記ポリマー層の材料とは異なる材料からなっていることを特徴とする、請求項7または8に記載の方法。前記ポリマー基板は、ポリイミドからなっていることを特徴とする、請求項7~9のいずれか1項に記載の方法。本発明は、上記で述べた不可能と考えられる技術を克服し、ポリマー層に直接に接着されている単結晶シリコンの薄層への注入と、基本的には薄層の熱処理によって、破面を生成する方法を提案するものである。ここで、薄層の厚さは、10μmまたは更に5μm、または更に1μmよりも薄いものとする。この目的のために、本発明は、単結晶シリコンの薄層を、ドナー基板から受け基板へ転写する方法を提供するものである。このドナー基板は、転写されるべき薄層の厚さより厚い厚さ自由面からの厚さの単結晶シリコンでできており、転写されるべき薄層の厚さに応じて、所与の元素のイオンがこの自由面を通して注入され、これにより、単結晶シリコンの中に、埋め込まれた脆化層を形成する。このドナー基板は、ポリマー層を介して、前記自由面が受け基板にボンディングされる。また、ドナー基板に沿って薄層の破面が生成され、埋め込まれた脆化層の所で、基本的に熱的な破面処理によって生成が促進される。本発明は、注入の条件として、薄層の厚さは、10μmより薄く、ポリマー層の厚さは、閾値最大で500nmより薄く、また、注入のエネルギーおよびドーズ量の関数として決まる将来の薄層の厚さより薄いことを特徴としている。従って、本発明の方法は、3つの主要なステップを備えている。これらは、イオンを注入するステップと、ポリマー層に接触させるステップと、破面を生成するステップとである。ポリマー層の厚さは十分に薄いので、注入の条件注入の深さを決定するエネルギー、および、埋め込まれた脆化層の所に生成される空洞の密度を決定するドーズ量が与えられた場合には、ポリマー層に関して薄層と反対側に存在する補強材は、このポリマー層を通して、この薄層を補強する効果を与える。薄層の厚さを、10μmより薄く、更に5μmより薄く、また更に1μmより薄くする注入を行うという条件では、ボンディング層の厚さの閾値超えてはならない値は、従来の厚さより薄いという状況が明らかになった。事実、LiNbO3またはInPに関する、上に挙げた文献は、1μmより厚いボンディング層に関して述べている典型的に、2μmまたはそれ以上の厚さであり、これらは、使用するポリマー層として、製造業者によって推奨されている標準的な厚さである。ゲルマニウムに関する上に挙げた場合では、剛性のある支持体が存在しないということに注意を要する。上記でシリコンに関して述べている文献では、分離されるべき薄膜とポリマー層との間には、数μmの酸化物SiO2TEOSの層が存在するので、ポリマー層の厚さは、400~750nmであるとしているポリマー層表面の上の酸化物層に対する補完用として。実際には、接着ボンディングの材料BCB等は、ボンディングされるべき表面の上に、1μmを超える厚さで広がって設けられているということは、留意する価値がある。一般的に、この材料を希釈すると考えるだけで、この厚さは、容易に減少させることができる。しかし、当業者は、接着によるボンディングは、接着剤が均一に分布するすなわち、接着剤は至る所に存在することが、特に有効であり、従って、この接着剤の厚さは、厚い方が容易であると考えられる傾向にあった。従って、500nmよりも薄い閾値より薄くなるまでボンディング層の厚さを低減し、原理的には、分離するべき薄層の厚さよりも薄い閾値よりも薄くすると考えることは、当業者が考える一般的な傾向とは反するものである。更に、生成したポリマー層で十分な補強性を得る困難さに対して、当業者の一般的な傾向は、よりよい補強効果は、剛性を改善するという条件では、当該ポリマー層の厚さを増すことによって得られるであろうと考えていることが分かった。しかし、本発明が教示する手法は、この一般的な傾向に対しても反するものである。ドナー基板は、その面が、単結晶シリコン以外の材料、例えば、熱酸化物または自然酸化物で構成され、ドナー基板の面は、ポリマー層によって受け基板にボンディングされる。この表面層は、特に、注入ステップの間、ドナー基板を保護する役目を担うことができる。この表面層の厚さは、最大値としても、たったの数10ナノメートルでなければならず、この値は、これだけでは、良好な補強効果を得るには極めて明らかに不十分である。注入の条件をポリマー層の厚さの最大閾値と関係づける方法は、この閾値を、注入と純粋な熱破面が生ずる直前の熱処理とによって生成される空洞の平均寸法と関係づけることである。この場合、ポリマー層の厚さに対する最大閾値の、前記自由面に平行な方向のブリスタの平均寸法に対する比が1:15の程度であると有利である。これらのブリスタは、前記エネルギーおよび前記ドーズ量で注入した後のドナー基板の中で観測されるブリスタである。典型的に、この厚さに対しては、この平均横方向寸法の1/20の程度の値を選択することが可能である。注入は、非常に多くの異なる元素のイオンを使用して行うことができる。これらの元素は、特に気体元素であるしかし、これは必ずしも必要条件ではない。水素注入の技術は確立されている。従って、70keVを注入エネルギーの最大値として、水素イオンによる注入を行うのが有利である。同様に、3×1016H/cm2~1.5×1017H/cm2のドーズ量の水素イオンで注入を行うのが有利である。水素2×1016H/cm2~1017H/cm2の範囲のドーズ量および硼素数1014/cm2~5×1015/cm2のドーズ量範囲の同時注入によって、破面生成温度を低下させることができる。水素とヘリウムとの同時注入の場合もまた、各元素は、2×1016/cm2~1017/cm2の範囲のドーズ量、また、2~5×1016/cm2の範囲のドーズ量が望ましいと考えることができる。種々のタイプのポリマー、例えば、ガラス質またはゴム状、熱硬化性または熱弾性等のポリマーを使用することができる。ポリマー層は、ベンゾシクロブテンBCB、または、BCBに基づいた材料ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンDVS-ビスBCB等からなっていると有利である。本発明の方法は、破面生成の温度で使用することができ、この温度は、ポリマー層生成の温度範囲と比較して、高い温度である。従って、熱破面処理は、例えば、少なくとも275°Cの温度で、または、更に320°C、または更に高く、350°Cで行うことができる。受け基板は、任意の基板でもよい。しかし、ポリマーを基本とする基板であれば有利である。従って、受け基板は、ポリマー基板の中に補強材形成層を備えていると有利である。補強材形成層は、シリコンの酸化物または窒化物によって、典型的に2~10μmの範囲の厚さに形成されると有利である。このポリマー基板の材料は、ポリマー層とは異なる材料でよい。この材料は、ポリイミド、例えばカプトン登録商標であると有利である。本発明の目的、特徴、利点は、以下の記述から明らかになると思う。これらは、添付図面を参照して、非網羅的な事例として示すものである。図1~図3から分かるように、本発明の方法は、主として3つのステップを備えている。第1のステップ図1参照では、所与の元素のイオンを、単結晶シリコンの初期基板1ドナー基板と呼ばれるの中に注入し、この初期基板から薄層が得られる。この注入する元素は、水素またはヘリウム等の気体元素であることが望ましい。このドナー基板は、ここでは、バルク基板である。1つの変形として、基板は、注入表面から所与の厚さを有する単結晶シリコンだけからなっており、その厚さは、注入の深さより大きな値である。別の変形例においては、この基板は、表面に、シリコン以外の材料でできた、非常に薄い表面層を備えることができる。この表面層は、例えば、2~100nmの酸化物である。この注入によって、基板の中に脆化ゾーン2が形成され、この脆化ゾーン2は、注入された部材の中で、薄層3の、基板の注入表面1Aからの深さの境界を決めている。注入の条件は、将来の薄層の厚さを決定する注入の深さが、10μmより薄く、更に1μmより薄く、また更に、750nm、500nmより薄くなるようにすると有利である。第2のステップ図2参照においては、注入された基板と、特定の性質を有する必要がない任意の基板4受け基板と呼ばれるとが、2つの層の間に挿入された、ある特定な厚さのポリマー層5を介して結合される。取り出されるべき薄層、ポリマー層5、および基板4で構成されたスタックは、補強材としての役割を持たなければならない。すなわち、このスタックは、注入によって注入表面と平行な面内で生成された空洞の成長を促進し、これにより、基板の上の薄層を効率よく転写できるようにしなければならない。薄層の転写は、薄層の表面の、少なくとも50、好ましくは、少なくとも80、または98が、基板4に転写された場合には、効率がよいと考えられる。この補強機能を満足させるためには、基板4は、少なくとも表面に、ポリマー層5に直接接触した硬い材料を備えていなければならない。この材料は、25°Cにおいて、ヤング率が10GPaより大きければ、また好ましくは、50GPa、または100GPaより大きければ、硬いと考えることができる。基板4は、例えば、この硬い材料のバルク基板、または異なる硬い材料の層のスタックであってもよい。バルク基板の場合には、基板の厚さは、少なくとも10μmより厚く、更に、20μm、30μm、50μm、100μm、または200μmより厚いことが望ましい。この材料は、例えばシリコンである。基板は、硬い材料同一または異なる材料の1つ以上の層、およびポリマー同一または異なるポリマーの1つ以上の層から成るスタックであってもよい。硬い材料の層は、ポリマー層5に直接に接触し、この全体のスタックは、効率のよい転写を行うために十分な剛性を有する。この実施形態においては、基板4は、バルク層である。この実施形態は、更に、次に示す特徴を有する。ポリマー層の厚さは、臨界厚さより薄く、臨界厚さは、500nmよりも薄い。分離されるべき層数nmの薄い酸化物層で被われている場合もあるは、ポリマー層に直接に接触している。第3のステップ図3参照においては、基本的に熱処理を施すことによって、脆化ゾーンの所で得られる破面構造を生成する。従って、薄層3は、基板4に固定的に結合され、ドナー基板の残りの部分符号1’が得られる。事実、この破面は、特別な特徴を有し、これによりポリマー層は、部分的、または全体的に、圧密タイプの圧縮を受けるこの用語は、非特許文献6で議論されている意味で使用されているということが観測された。本発明の1つの態様は、ドナー基板と受け基板との間に位置するポリマー層には、臨界厚さが存在することを見出したことによっている。この層は、ドナー基板に直接に接触している。このため、ポリマー層の厚さが、ポリマー層としてのある特定な臨界厚さより厚い時には、品質のよい転写を行うことはできないブリスタ泡現象が観測される。ポリマー層の厚さが、ポリマー層としてのある特定な臨界厚さより薄い時には、この転写は可能である。ポリマー層の厚さに対する最大閾値は、ドナー基板に対して行う、注入と破面生成との間に施す処理操作の種々のパラメータに基づいて、経験的に決定することができる。最大で10μmの厚さを有するシリコンの薄層に対して厚さが1μmより薄い場合も同様に、閾値は、実際には、500nmより小さく、また多くの場合、400nm、または300nmよりも薄いということが観測された。更に、一般的に、閾値は、転写されるべき薄層の厚さよりも小さい。この閾値を決定する1つの方法は、埋め込まれた脆化層の中に形成される格子欠陥を特徴付ける操作に基づく方法である。ここで、後に薄層を分離する意図でウェハに注入を行う場合には、これら注入されたウェハの熱処理の過程で、ブリスタが生ずる可能性があるということが思い起こされる。注入されたゾーンに垂直な方向に補強材がない場合には、これらのブリスタは、厚さ方向に広がって行く可能性がある。これらのブリスタは、横方向注入表面に平行な平面の方向の寸法を有し、この横方向寸法は、それらの第3の寸法この平面に垂直な方向の厚さと比較して、例えば、1~2桁大きい。例えば、ブリスタの横方向寸法は、円の直径であり、この円の直径は、この円の周囲の長さと、注入表面に平行な平面へ垂直に投影したブリスタの周囲の長さとの間の誤差を最小にする円の直径として、最小2乗法によって求めた値である。これらのブリスタの寸法は、注入パラメータに応じて変化する。この注入パラメータは、主として、エネルギー注入の深さを決定するおよびドーズ量生成される格子欠陥の寸法および密度を決定するである。事実、これらの寸法はまた、注入される元素に応じて変化する。ポリマー層の厚さに対する最大閾値の1つの近似は、ポリマー層の臨界厚さの、これらブリスタの横方向寸法の平均値に対する比を1:15とするすなわち、注入によって生成されたブリスタの横方向寸法の1/15より小さい値を、ポリマー層の厚さとして選択することである。例えば、この比は、1:20の程度である。比で表すこの表現は、注入パラメータをいくつか組み合わせて注入を行う場合に、得られる結果に対して正確な表現を与えることが分かった。ポリマー層の限界臨界厚さを決定するために引き続いて行う手法を、次に説明する。この限界臨界厚さは、厚さが10μmより薄い特に、1μmの程度の薄層に対して、ブリスタを生じないように熱転写を行うためには、これを超えてはならないという値である。この手法を、次に示す。注入されたシリコンウェハを、それらの表面に補強材を付加することなく使用する。薄層3の転写の場合と、同じ条件の注入元素の性質、1回または複数回の注入、イオン注入のエネルギーおよびドーズ量、および同じ熱処理操作温度、RTP、ランピングramping等を行う。ただし、基板4は使用しない。上記のようにして得られたブリスタの横方向寸法の測定値から、ブリスタの横方向寸法の平均値に対する比として、1:20程度の値を当てはめることにより、ポリマー層の臨界厚さを決定する従って、ポリマー層の限界厚さは、注入によって形成された脆化ゾーンの中におけるブリスタの、横方向寸法の平均値の約1/20である。ブリスタの横方向寸法の平均値は、ブリスタを測定した交差寸法の平均値である。上記で述べた方法は、種々の形態で実施することができる。ポリマー層という用語は、次に示す任意のタイプのポリマー層を意味している。本方法における種々のステップにおける形態液体または固体、カラス質、結晶、ゴム状。本方法を実施する以前、実施している間、または実施の後に形成される形態乾燥状、重合化、網状化。液状、粘弾性状、または固体状の形状である。注入されたドナー基板、ポリマー層、および支持体として使用する受け基板を結合させるステップは、厳密に決められた順序で実行される必要はない。従って、次に示す種々の順序が可能である。注入された基板、ポリマー層、および受け基板を、単一のステップの中で固定的に結合する。最初に、注入された基板とポリマー層とを結合し、次に、このユニットを受け基板に固定的に結合する。受け基板とポリマー層とを固定的に結合し、次に、このユニットを、注入された基板に結合する。最初に、注入された基板とポリマー層とを結合し、次に、受け基板と別のポリマー層異なる性質の場合があるとを固定的に結合し、更に、これら2つのポリマー層を対向させて結合する。ポリマー層は、異なるポリマー層のスタックを備えるコンポジット層の形をとることができる。ポリマー層の限界厚さという概念は、ここでは、追加的な補強材の厚さに注入深さを加えた値が、自己支持膜を作る上に十分である厚さよりも小さい限りにおいてのみ、関心がある膜は、補強材を付加しなくても分離することができる場合に、自己支持膜と呼ぶことができるということが分かる。シリコン膜の場合には、この閾値は、15~20μm程度の厚さで達成することができる。ここで示す方法の実現性を実証するために、いくつかの試行を行った。DVS-ビスBCBすなわち、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン、ベンゾシクロブテンの略称はBCBでできた異なる厚さのポリマー層を、単結晶シリコン基板の上に堆積した。ポリマー層の厚さが薄い時には、ポリマー層の上へのシリコンの転写は、効率よく行うことができることが分かった。しかしながら、臨界厚さより厚いポリマー層に対しては、ポリマー層の厚さが厚くなるに従い、転写されるエリアの表面割合は小さくなった。従って、ポリマー層の限界厚さは、明らかに識別することができた。第1の例においては、シリコンウェハには、水素27KeV、4×1016Hcm2と硼素80KeV、1015cm2とが注入された。他の注入条件を選択することもでき、例えば、水素27KeV、8×1016Hcm2だけを注入することもできる。上記で注入されたウェハの上に、種々の異なる厚さのBCB層を堆積した。これらの層の厚さは、下の表に示されている。[実験結果]BCB膜は、150°Cで5分間乾燥させた溶媒を蒸発させることにより。上記のようにコーティングされたウェハは、その後、第2のウェハこの例では、これもシリコンでできていると接着された。この接着はポリマー層によって行われた。このボンディングは、熱圧着で支援することにより、ウェハの接着を効率よく行うことができた。ここで考えている例では、このステップは、熱破面処理を行うステップとして作用し、この場合には、温度300°Cで、2時間の処理を行った。ポリマー層の厚さに応じて、破面は、表面全体、または1部分だけに観測されるか、または、破面は観測されなかった。上記の表を調べると、効率のよい破面形成は、最大300nmまでの厚さで現れ、この厚さは、ブリスタの平均横方向寸法の約1/20に相当しているということが分かる。この平均横方向寸法は、注入されて泡を有するウェハを光学顕微鏡で測定した値であり、泡は、300°Cで2時間の熱処理を行うことで得られたものである。この試験は、破面が得られると考えられる温度で実行することが望ましい。更に、この試験に対しては、熱処理時間は、補強材が存在する場合に破面が得られる時間と等しくまたは、数パーセントだけ僅かに多くして、泡がその最大寸法に達するようにすることが推奨される。第2の例は、第1の例の変形であり、この場合には、ポリマー層は、注入されたウェハの上ではなく、第2のウェハ受け基板の上に広がり、そして、第1のウェハドナー基板に接着される。ポリマー層は、ウェハのどちらに堆積させても、異なる結果にはならなかった。第3、および第4の例によって、比較し得る結果を得ることができた。これらの例は、最初の2つの変形であり、第2のウェハ受け基板は、ガラスウェハ例えば、Schott社Borofloat登録商標33タイプである。第5の例では、シリコンウェハは、同様に、水素および硼素が注入されているが、この場合には、条件は異なっており、水素は、70KeV、5×1016Hcm2であり、硼素は、250KeV、1.2×1015cm2である。種々の異なる厚さのBCB層が、これら注入されたウェハの上に堆積された。これらの注入条件は、上記の例と比較して、エネルギーは高く、ドーズ量は僅かに高い値になっている。[実験結果]BCB膜は、150°Cで5分間乾燥させた溶媒を蒸発させることにより。これら注入されたウェハは、その後、それぞれのポリマー層を介して、シリコンでできた第2のウェハに接着された。このボンディングは、熱圧着で支援することにより、ウェハを効率よく接着することができた。ここで考えている例では、このステップは、300°Cの温度で2時間の処理を行う、熱破面処理のステップとして作用した。ポリマー層の厚さに応じて、破面は、表面全体、または表面の1部分だけに観測されるか、または、破面は観測されなかった。従って、この例においては、薄層の98より多くの部分を転写するための臨界厚さは、400nmの程度であると決定され、この値は、観測されたブリスタの横方向寸法の1/20の程度である。薄層の少なくとも50を転写するための臨界厚さは、500nmの程度である。例えば、注入エネルギーを変化させると、注入深さが変化するということが分かる。更に、全ての他のパラメータが一定であるとすれば、ブリスタの横方向寸法に変化が観測される。これにより、ポリマー層の臨界厚さが変化する。注入ドーズ量が増加した時には、格子欠陥の数が増加し、従って、この場合には、ブリスタの数の増加、またはブリスタの横方向寸法の増加になって現れる。ボンディングを強化するための熱処理の間、またはその後に、破面が生ずるという事実は、結果に影響を与えないことに注意するべきである。同様に、熱破面処理の温度および継続時間の選択に対しても、臨界厚さを決定するための、これまでに述べた方法に従っていれば、ここで提案している、ボンディングのためのポリマー層の臨界厚さと、ブリスタの寸法との間の関係に合致した結果を得ることができる。10μmよりも薄い薄層に対してはまた更に、1μm程度の厚さであれば、尚更のことであるが、臨界厚さは、500nm、または400nm、または300nmよりも薄く、最大で注入深さと等しいということも分かる。ポリマー層の厚さは、値としては小さいが、この層は、効率のよい絶縁層を構成するには十分であるという点に注意を要する。従って、本発明の方法によって、SOPsilicon-on-polymerタイプの構造を得ることができる。このSOPタイプの構造は、絶縁層はポリマー層であって、従来のシリコン酸化物タイプの絶縁物ではないという点を除いて、SOIsilicon-on-insulatorタイプの構造と同様である。図4~図6は、本発明の別の実施形態を示している。これにより、従来技術とは異なり、シリコン膜を厚い可撓性支持体に転写することが可能になる。上に述べたように、最初のウェハドナー基板11は、注入されて、埋め込まれた脆化層12図4が生成され、この基板の内部で、転写されるべき薄層13の境界が作られる。受けポリマー基板14の表面の上に膜16が生成され、このようにして得られた層のスタックが補強材として十分に機能する厚さになる。この目的のために、ポリマー14の厚さは、例えば、10μmまたは100μmより厚く、また膜16の厚さは、2~10μmの範囲にある。膜16は、硬い材料によって作られる。その後、臨界厚さより薄い厚さを有するボンディングポリマー層15の薄層は、補強材膜の自由表面の上へ、および/または最初のドナーウェハの表面の上へ広げられる。注入されたドナー基板11は、表面が補強された、ポリマー層に基づいた基板14に接着される図5。破面が熱処理によって形成され図6、その結果、薄層13は、ポリマーに基づいた基板14に転写される。後に残ったドナー基板11’で示されているは、更なる転写サイクルで再び使用することができる。代替例として、次に示すことが可能である。ドナー基板の上に、臨界厚さより薄い厚さを有するポリマー膜を堆積する。次に、このポリマー膜の上に補強材を形成する。受けポリマー基板に接着ボンディングする。そして、破面を形成する。補強材膜は、シリコンを基本とした化合物から生成するのが有利である。この化合物は、例えば、酸化物または窒化物SiO2、SiOx、SiN、Si3N4、SiNx等である。補強材膜は、例えば、堆積技術CVD、スプレイ、スピンガラス等、またはポリマー表面の性質を変えることプラズマ、UV、Si-Xボンドの酸化等等の、マイクロエレクトロニクスにおける適切な公知の任意の技術によって生成することができる。単結晶シリコン膜を、例えばカプトン登録商標または、PI、PDMS、PET、PAN等でできているポリイミド可撓性基板の上に転写することは、補強材膜としてPECVDによって堆積したSiO2の層を導入することにより行うことができる。これは、次に示す手順で行うことができる。シリコンウェハに水素70KeV、5.1016Hcm2を注入する。注入されたシリコンウェハの注入された面の上に、スピンコーティングによって、200nmのBCBを堆積する。125μmの厚さのカプトン登録商標基板の上に、PECVDによって、150°Cで、6μmのSiO2を堆積する。上記のように生成された2つの部分は、酸化物が堆積された面と、BCB膜が堆積された面とが、互いに対向するように、熱圧着によって接合される。破面生成は、300°Cで2時間の熱処理によって行われる。ポリマー層は、いくつかのサブレーヤから生成することができ、その全体の厚さは、最大で上記で規定した閾値に等しいということは、容易に理解することができる。この閾値とブリスタの寸法との間の関係は、閾値を決定するための1つの例に過ぎない。他の関係を使用することもできる。この基本的に熱を使用した破面生成は、広い範囲の温度および時間で行うことができる。ブリスタの寸法の測定は、原子間力顕微鏡AFMによって、または機械的形状測定によっても行うことができる。また、10μm程度のブリスタ寸法を100nmの分解能で測定できれば、光学顕微鏡を使用することもできる。分解能が十分であれば、他の任意の測定方法も適切であると考えられる。