"電子デバイスが導電性接合により基板に取り付けられて、前記導電性接合により占有されていない開放部を有する空間によって前記電子デバイスが前記基板から離隔されるようになった前記基板上に、アンダーフィルを形成する方法であって、前記方法が、電子デバイスの少なくとも1つの外縁部に近接して前記基板上にアンダーフィルを形成する段階と、前記空間を真空排気して該空間の開放部に真空状態を形成する段階と、前記空間を真空状態に排気した後、室温を超える第1温度まで前記アンダーフィルを加熱して、前記少なくとも1つの外縁部から前記空間の開放部への前記アンダーフィルの流れを引き起こすようにする段階と、を含む、方法。前記空間を真空排気する前に、前記アンダーフィルを前記第1温度よりも低い第2温度まで冷却する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。前記アンダーフィルを冷却する段階が、前記アンダーフィルが前記基板上に分配される前に該アンダーフィルを前記第2温度まで冷却する段階を含む、請求項2に記載の方法。前記アンダーフィルが前記基板上に分配される前に、前記基板を冷却して、該アンダーフィルが前記基板上に分配されたときに前記アンダーフィルが前記第2温度まで冷却されるようにする段階を更に含む、請求項2に記載の方法。前記第2温度が室温より低い、請求項2に記載の方法。前記第1温度が30°Cから120°Cの範囲である、請求項1に記載の方法。前記真空状態が、前記アンダーフィルの物理的特性を顕著に又は有害に修正させることのない準大気圧であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記真空状態が、95Torrより高いか又は等しい準大気圧であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記アンダーフィルが固体アンダーフィルであり、該アンダーフィルがその融点を超えて毛管アンダーフィルを開始する温度にされる、請求項1に記載の方法。少なくとも1つのギャップが前記アンダーフィルの内部に形成され、前記空間が前記少なくとも1つのギャップを通って真空排気される、請求項1に記載の方法。前記アンダーフィルの内部にギャップが形成されず、真空状態が与えられたときに、前記空間内のガスが泡状になって前記アンダーフィルを通過する、請求項1に記載の方法。前記導電性接合が、リフローされた半田ボールである、請求項1に記載の方法。前記導電性接合が、銅ピラーである、請求項1に記載の方法。一実施形態において、電子デバイスを基板に接続するリフローされた半田ボール間の空間内にアンダーフィルを分配するための方法が提供される。本方法は、アンダーフィル内に少なくとも1つのギャップを備えて電子デバイスの少なくとも1つの外縁部に近接して基板上にアンダーフィルを形成する段階と、電子デバイスと基板との間の空間への空気通路を設け、次いで1つ又は複数のギャップを通して当該空間を真空排気し、空間内に真空状態を形成する段階と、を含む。空間を真空排気した後に、アンダーフィルが室温を上回って加熱され、リフローされた半田ボールの周りで1つ又は複数の外縁部から電子デバイスと基板との間の空間内へのアンダーフィルの毛管流れが生じるようになる。アンダーフィルは、室温で固体であり、ピックアンドプレース装置によって基板上に位置付けられた後、高温で液体となる材料として形成されるか、或いは、例えば弁又は分配器により基板上に分配できる液体材料として形成することができる。本発明の別の実施形態は、電子デバイスが導電性接合により基板に取り付けられて、導電性接合により占有されていない開放部を有する空間によって電子デバイスが基板から離隔されるようになった基板上にアンダーフィルを形成する方法に関する。空間は、導電性接合部によって占有されていない開放部を有する。本方法は、電子デバイスの少なくとも1つの外縁部に近接して基板上にアンダーフィルを形成する段階と、空間を真空排気して該空間の開放部に真空状態を形成する段階と、を含む。空間を真空排気して真空状態にした後、アンダーフィルは室温より高温に加熱され、少なくとも1つの外縁部から空間の開放部内へのアンダーフィルの流れを引き起こすようにする。本明細書に組み入れられてその一部を構成する添付図面は、上述した本発明の実施形態についての概要と共に本発明の例示的な実施形態を示すものであり、以下の詳細な説明は、本発明の実施形態の原理を説明する役割を果たす。一般に、本発明の実施形態は、半田ボールのアレイによって基板上に取り付けられた電子デバイスにアンダーフィルを形成するための真空補助された方法に関する。アンダーフィルは、リフローされた半田ボールのアレイによって加熱されていない基板に取り付けられた、加熱されていない電子デバイスの縁部の周りに1又はそれ以上のラインの形態で分配又は他の方法で形成される。アンダーフィルの1又はそれ以上のラインには少なくとも1つのギャップが残されていることが好ましい。顕著な毛管状アンダーフィルの形成及び空気又はガスの閉じ込めが生じる前に、基板が真空チャンバ内に移送され、真空が与えられる。真空が与えられている間、アンダーフィルの1又はそれ以上のラインにおける1つ又は複数のギャップによって、空気がデバイスの下側からギャップを通って流出し、電子デバイスと基板との間において電子デバイスの下側に真空状態すなわち、大気圧よりも低い圧力を確立することが可能になる。代替として、あまり好ましくはないが、アンダーフィル内にギャップを形成せず、デバイスの下側に閉じ込められた空気に依存して、デバイスが真空状態に置かれたときにアンダーフィルを貫通して泡が形成されるようにする手法がある。何れの手法においても、真空状態が維持されている間は電子デバイス及び基板が加熱され、アンダーフィルを電子デバイスの下側に完全に流れ、リフローされた半田ボール間の空間に流入させようにする。真空状態におけるアンダーフィル形成は、アンダーフィルに閉じ込められたあらゆるボイドからも与えられた真空レベルに比例して部分的にガスが真空排気されるようになることを意味する。与えられた真空圧力は、アンダーフィルの蒸気圧よりも低くてはならず、そうでなければアンダーフィルが沸騰して、本手法の安定性が低下する。次いで、真空チャンバは通気される。アンダーフィル内に存在するボイドは何れも真空排気された状態にあるためこの時点で圧潰され、アンダーフィルで充填されることになる。次に、アンダーフィルが形成された電子デバイス及び基板は、真空チャンバの外に移動される。本発明の実施形態は、電子デバイスと基板との間に導電性接合部を形成するために、半田バンプの他に別の相互接続技術、例えば、銅ピラー及び他の熱圧縮相互接続技術にも適用される。図1を参照すると、組立体10は、プリント回路基板のような基板12と、該基板12の表面16に取り付けられた電子デバイス14とを含む。代表的な実施形態において、電子デバイス14は、例えばフリップチップ、チップスケールパッケージCSP、ボールグリッドアレイBGA、又はパッケージオンパッケージ組立体PoPとすることができる。同様に、基板12は、例えばプリント回路基板PCB、電子チップ又はウェーハとすることができ、或いは、電子デバイスの半導体パッケージで使用されているあらゆる基板又は介在部品とすることもできる。図1、1A,及び3Aを参照すると、電子デバイス14は、電子デバイス14の側部すなわち外縁部18,20,22,24の各々に隣接して基板12が露出されるようにするためのフットプリント実装面積を基板12上に有する。半田接合26は、電子デバイス14を基板12と機械的及び電気的に接続する。電子デバイス14と基板12との間に空間28が定められ、該空間28の一部は開放されすなわち占有されていない、代表的形態の半田ボールを有することができる半田接合26によって充填されていない。外縁部18、20、22、24の各々において、電子デバイス14と基板12との間にギャップ17が定められる。ギャップ27は、空間28に連通している。図1Aに示されるように、電子デバイス14と基板12との間の空間28を充填するために、アンダーフィル30が使用される。一例において、アンダーフィル30は、硬化性の非導電性二酸化ケイ素微粒子が充填されたエポキシであり、基板12に適用されるときには流体であり、毛管作用によって流動する。他の形式のアンダーフィルを使用することができ、そのようなアンダーフィルには、室温で固体か又は凍結されたものが含まれる。アンダーフィルは通常、硬化したアンダーフィルに望ましい性質を与えるために、例えばガラスのような小粒子が充填される。アンダーフィルは、硬化されて固化されると、強力に接着された凝集体となる。図2を参照すると、本発明の実施形態による、真空アンダーフィル形成の手順が記載されている。図2の実施形態において、液状のアンダーフィルが基板上に分配される。アンダーフィルは、分配する代わりに、例えば、上述のようにピックアンドプレースpickandplace装置を使用して固体形態で所定位置に配置することができる。ブロック52において、液状のアンダーフィル30が基板12上に分配される。アンダーフィル30は、電子デバイス14の1又はそれ以上の外縁部18,20、22の近傍に1又はそれ以上の連続的なライン図3Aとして適用することができる。通常は、アンダーフィル30の分配量は、電子デバイス14の下側の開放空間28と、アンダーフィル形成作業が完了した後にデバイス14の周辺に沿って形成されるフィレット31図1Bとを加えた容積に等しい。アンダーフィル30が適用されるときには基板12は加熱されておらず、ギャップ42がアンダーフィル30内に存在し、ギャップ42を通る空間28の開放部分への空気通路が維持されるようにすることが好ましい。上述したように、好ましさに劣る方法は、ギャップが残らず、電子デバイス14の下側に閉じ込められた空気に依存し、アンダーフィル30を通過する泡を形成することである。アンダーフィル30は、複数の異なる形式の分配器を使用して多くの異なる手法により基板12に適用することができる。例えば、本発明を限定するものではないが、アンダーフィル30の一連の液滴を基板12の表面16の上方を移動する移動式噴流型分配器から基板12の表面16に分配することができる。ブロック54において、アンダーフィル30は、基板12に分配されたときに冷却される。一実施形態において、基板12は、例えば1又はそれ以上の熱電冷却器によって室温を下回る温度まで冷却され、アンダーフィル30は、適用された直後に基板12とほぼ同じ温度まで冷却される。基板12を冷却する代わりに、又はこれに加えて、基板12上に分配される前に、アンダーフィル30を分配器で冷却することができる。一実施形態において、アンダーフィル30は、0°Cから10°Cの範囲の温度に冷却される。冷却はアンダーフィル30の粘性を増大させ、これによって電子デバイス14と基板12との間の空間28の開放部への毛管作用による流動が更に阻止又は低減される。ブロック56において、空間28の充填されていない部分は、アンダーフィル30内のギャップ42を通して準大気圧まで排気され、空間28内に真空状態すなわち、大気圧よりも低い圧力が確立される。或いは、ギャップが設けられていない場合には、ガスは泡となってアンダーフィル30を通過する。一実施形態において、電子デバイス14とアンダーフィル30を載せた基板12が、真空チャンバに移動され、該チャンバの内部にシールされて、真空チャンバが準大気圧まで排気される。一実施形態において、真空状態に適した準大気圧は、水銀柱25インチ約95Torrから水銀柱26インチ約100Torrまでよりも高いか又は等しい。何れにしても、準大気圧は、アンダーフィルの物理的特性が、顕著に又は有害に修正されないように制限される。基板12を真空チャンバの内外に移動させるのにあらゆる適切な技術を使用してもよく、従来の真空システムは、当業者にとって良く知られているものである。基板12は、顕著な毛管状アンダーフィル形成及び空気又はガスの閉じ込めが起こる前に、真空チャンバ内に移送されるのが好ましい。ブロック58において、真空チャンバが真空排気された後で真空状態が維持されている間に、アンダーフィル30は、室温よりも高い温度、例えば30°Cから120°Cまでの範囲の温度に加熱される。アンダーフィル30は、基板12又は電子デバイス14、或いはその両方を加熱することにより、流れを引き起こすのに望ましい何らかの手順で加熱することができる。加熱に応答して、アンダーフィル30は、毛管作用によって外縁部18,20,22,24の各々から狭いギャップ27を通って空間28内及びリフロー半田ボールの周りに流れる。空間28の開放部が真空排気されるので、アンダーフィル30は空間28を横切って流れることができ、その結果、アンダーフィル30内に閉じ込められたボイドの何れもが真空レベルまでガスが排出されるようになる。ブロック60において、完全な毛管流が起こるのに十分な時間が与えられた後、真空状態が除去され、大気圧に戻される。例えば、真空チャンバを通気して大気圧状態をもたらすことができる。大気圧の影響を受けて、アンダーフィル30内に存在する何れのボイドは、準大気圧に排気された状態にあることに起因して圧潰され、アンダーフィル30図3によって充填される。次いで、基板12は、真空チャンバから硬化用オーブンに移送され、アンダーフィル30が硬化される。図4Aないし4Cを参照すると、代替的な実施形態において、アンダーフィル30は、電子デバイス14の1又はそれ以上の外縁部18,20,22,24の近傍において複数のギャップ61を有する一連の不連続領域図4Aとして適用することができる。図4Bにおいて、ギャップ61は、空間28の開放部が真空排気されて真空状態になった後、アンダーフィル30が加熱されるにつれて消滅する。図4Cにおいて、アンダーフィル30は、電子デバイス14の下方に流れる。図5Aないし5Eを参照すると、代替的な実施形態において、アンダーフィル30は、電子デバイス14の1又はそれ以上の外縁部18,20,22,24の近傍に1又はそれ以上の連続体の状態で適用することができる。この場合、図5Aは、デバイスの4つの縁部の各々に沿って配置されたアンダーフィルのラインを示しており、ギャップ62が、外縁部18,20,22,24の各対の間の各隅部に存在する。図5Bにおいて、アンダーフィル30は、ギャップ62を通って空間28が真空状態に排気された後に加熱される。図5Cにおいて、加熱された状態のアンダーフィル30は、デバイス14の下方に流れる。代替的な実施形態において、図5Dに示すように、アンダーフィル30は、電子デバイス14の外縁部18,24に沿ったL字型径路を用いたラインとして形成することができる。この場合、ギャップは、外縁部20,22に沿って存在する。別の代替的な実施形態において、図5Eに示すように、アンダーフィル30は、電子デバイス14の外縁部18,20、22に沿ったU字型径路を用いたラインとして形成され、電子デバイス14の外縁部24に沿って形成しないようにすることができる。別の代替的な実施形態において、図5Fに示すように、アンダーフィル30は、電子デバイス14の外縁部20に沿ったI字型径路を用いたラインとして形成され、電子デバイス14の外縁部18,22、24に沿って形成しないようにすることができる。おそらく最も好ましさが劣る代替的な実施形態において、図5Gに示すように、アンダーフィル30は、4つの外縁部18,10,22,24の全てに沿ったラインとして隅部にギャップが定められていない重なり合った形態で適用することができる。この場合、真空が与えられたときには、電子デバイス14の下方に閉じ込められていた空気又はガスは、泡状になってアンダーフィル30を通過することになる。アンダーフィルのラインは、カリフォルニア州カールズバッド所在のノードソンアシムテック社が販売するDJ9000のような非接触型噴流弁により好ましい方法で適用されることに加えて、代替として、エポキシの固体プリフォームとして適用することができる。固体プリフォームは、基板12上に載置された後、熱を加えると溶融する。固体プリフォームは、ピックアンドプレース機械又は機構によって所定位置に配置することができる。図6を参照すると、真空アンダーフィル形成に用いるシステム110は、電子デバイス14がリフローされた半田ボール又は他の相互接続技術によって取り付けられて、空間28により基板12から離隔されている基板12上に所定量のアンダーフィル30を分配するように構成されている。空間28は、導電接合部26によって占有されていない開放部分を有し、この場合、導電接合部はリフローされた半田ボールの形態である。制御装置120は、作動制御装置118及び分配器制御装置116と電気的に結合されており、システム110の全体的制御を調整する。当業者には理解されるように、制御装置116,118,120の各々は、プログラム可能論理制御装置PLC、デジタル信号処理装置DSP、又は、メモリ内に記憶されて本明細書に記載される機能を実施するソフトウェアを実行可能な中央処理装置を備えたマイクロプロセッサベースの制御装置を含むことができる。システム110は、好ましくは、冷却装置133と、分配器132と結合された冷却装置135とを含む。冷却装置133は、アンダーフィル30が基板12上に分配されたときに冷却されるように基板12を冷却するよう構成されている。冷却装置135は、アンダーフィル30が基板12上に分配される前に冷却されるように、アンダーフィル30を冷却するように構成されている。冷却装置133,135は好ましいが、任意選択的には、制御装置120の制御下の温度制御装置139によって、基板12の温度を室温未満に低下させ及び/又は分配器132の一部の温度を室温未満に低下させるようにそれぞれ作動させることができる。システム110は、所定量のアンダーフィルを分配するのに用いられる分配器132を含み、該分配器は噴流型分配器とすることができる。分配器132の下流側において、システム110は更に、真空チャンバ154を含み、該真空チャンバ154は、各組立体10を挿入し取り外すためのアクセスを可能にするよう構成され、真空チャンバ154の内部空間が周囲の大気圧環境から遮断されるシール状態を形成するように構成される。真空ポンプ160が真空チャンバの内部空間と結合され、制御装置120によって作動されると、内部空間を真空排気するように構成される。通気孔174は、制御装置120の制御下でガスを内部空間に導入して、チャンバの圧力を高めるのに使用される。制御装置120は、運動制御装置118に運動命令を与えて、アンダーフィル30が載った基板12を真空チャンバ154内に移動させるに用いられる移送装置122を作動させる。加熱器166が、真空チャンバ内部に配置され、制御装置120と連結された温度制御装置169によって作動されるように構成されている。熱は、加熱器166から各基板12に伝達される。一実施形態において、基板12及び該基板上のアンダーフィルの温度は、30°Cから120°Cの範囲にわたる。使用時には、基板10が分配器132の下方の位置に移動され、アンダーフィルが分配又は他の方法で適用される。代表的な実施形態において、制御装置120が運動制御装置118に命令を送って移送装置122が分配器32を移動させるようにし、制御装置120は、分配器制御装置116に命令を送って、分配器32が、電子デバイス14の外縁部18,20,22,24の周りに1又はそれ以上のライン状にアンダーフィルを分配するようにする。基板12は、この分配動作中に加熱されることはない。アンダーフィル30の1又はそれ以上のラインには少なくとも1つのギャップが残されているのが好ましい。噴流型分配器132では、分配器制御装置16は、移動中の適切な時点で液滴噴流をトリガし、液滴が基板12上の所望の場所に衝突するようにする。分配された各液滴は、少量のアンダーフィルを含み、該アンダーフィルは典型的には分配器制御装置16によって高精度で制御される。一実施形態において、冷却装置133を用いて基板12を冷却し、アンダーフィル30が基板12と接触したときに室温未満の温度まで冷却するようにすることができる。代替として、分配器132と結合された冷却装置135を使用して、アンダーフィルを分配前に冷却することができる。分配動作が完了した後で且つ顕著な毛管状アンダーフィル形成及び空気又はガスの閉じ込めが生じる前に、制御装置120が運動制御装置118に命令を送って、移送装置122が組立体10及び基板12上に分配されたアンダーフィル30を真空チャンバ54内に移送するようにする。組立体10と基板12上の分配されたアンダーフィル30とが真空チャンバ54の内部で周囲環境から隔離されると、制御装置120により、真空ポンプ160が真空チャンバ154内の内部空間を真空排気するようにする。真空状態が与えられている間、各ギャップは、電子デバイス14と基板12の間で電子デバイス14の下側に真空状態すなわち、大気圧よりも低い圧力を確立できるようにし、或いは、ギャップが存在しない場合には、ガスが泡状になってアンダーフィルを通過し、電子デバイス14の下側に真空状態を生成する。真空チャンバ154の内部に適切な真空圧が存在し、真空状態が維持されていると、制御装置120により、温度制御装置169が加熱器166を作動させ、該加熱器が基板12、電子デバイス14、及びアンダーフィル30を加熱する。高温によって、アンダーフィル30が電子デバイス14の下方の空間の開放部内に流動するのが促進される。アンダーフィル30は、電子デバイス14の下側に完全に流れて、リフローされた半田ボール間の空間に流入する。真空状態の存在下でのアンダーフィル形成は、アンダーフィル内に閉じ込められたボイドの何れもがガスが部分的に排出されるようになることを意味する。流れが終了した後、制御装置120は、運動制御装置118に命令を送って、通気孔174によりガスが真空チャンバ154に導入され、真空チャンバ154の内部の圧力が大気圧に戻されるようにする。アンダーフィル30の内部に存在するあらゆるボイドは、真空排気された状態であるので圧潰され、アンダーフィル30によって充填される。アンダーフィルが形成された電子デバイス14を備えた基板12は、真空チャンバ154から出て、例えば硬化用オーブン図示せずに移送される。本発明は、1又はそれ以上の実施形態の説明によって例示され、相当な細部について説明がなされているが、これらの説明は、添付の請求項の範囲をこのような細部に限定し、或いは如何なる意味でも制限することを意図するものではない。更なる利点及び修正は、当業者には明らかであろう。従って、本発明は、より広い態様において具体的な細部、代表的な装置及び方法、並びに図示され説明された実施例に限定されるものではない。これにより、出願人の一般的な発明の概念の範囲又は精神から逸脱することなく、このような細部からの変更を行うこともできる。"