基板上の被エッチング膜の上に、第1のレジスト膜を成膜し、成膜した前記第1のレジスト膜に、所定のピッチで配列する第1の開口部を形成する第1の形成工程と、前記第1の開口部の側壁を被覆するように、前記第1のレジスト膜上に第1の膜を成膜する第1の成膜工程と、前記第1の膜上に、第2のレジスト膜を成膜し、成膜した前記第2のレジスト膜に、前記第1の開口部と交互に配列する第2の開口部を形成する第2の形成工程と、前記第2の開口部の側壁を被覆するように、前記第2のレジスト膜上に第2の膜を成膜する第2の成膜工程と、前記第2の膜が前記第2の開口部の側壁を被覆する第1の側壁部として残るように、前記第2の膜の一部を除去する第1の除去工程と、前記第1の側壁部をマスクとして前記第1のレジスト膜の一部を除去することによって、前記第1のレジスト膜に、前記第2の開口部に対応した第3の開口部を形成するとともに、前記第1の膜が前記第1の開口部の側壁を被覆する第2の側壁部として残るように、前記第1の膜の一部を除去することによって、前記第1の開口部の側壁が前記第2の側壁部に被覆されてなる第4の開口部を形成する第2の除去工程とを有するマスクパターンの形成方法。前記第2の除去工程は、前記第1の側壁部をマスクとして、前記第2の開口部内で前記第1の膜と前記第1のレジスト膜とをエッチングして除去するとともに、前記第2のレジスト膜を除去する第1のエッチング工程と、前記第2のレジスト膜を除去した後、前記第1の側壁部をマスクとして、前記第1の膜が前記第2の側壁部として残るように、前記第1の膜の一部をエッチングして除去する第2のエッチング工程と、前記第1の側壁部をエッチングして除去する第3のエッチング工程とを有する、請求項1に記載のマスクパターンの形成方法。前記第2の膜の材料は、前記第1の膜の材料と異なる、請求項2に記載のマスクパターンの形成方法。前記第1のエッチング工程及び前記第2のエッチング工程において、前記第2の膜のエッチングレートは、前記第1の膜のエッチングレートよりも小さい、請求項3に記載のマスクパターンの形成方法。前記第1の膜の光学定数は、前記第1のレジスト膜の光学定数と略等しい、請求項1から請求項4のいずれかに記載のマスクパターンの形成方法。前記第1の膜は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、シリコン添加酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化シリコン、アモルファスカーボン、ポリシリコンのいずれか1種以上の膜よりなる、請求項1から請求項5のいずれかに記載のマスクパターンの形成方法。前記第2の膜は、酸化シリコン、酸化アルミニウム、シリコン添加酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化シリコン、アモルファスカーボン、ポリシリコンのいずれか1種以上の膜よりなる、請求項1から請求項6のいずれかに記載のマスクパターンの形成方法。前記第1の膜の膜厚と前記第2の膜の膜厚とは、前記第3の開口部の第1の開口寸法と、前記第4の開口部の第2の開口寸法とが等しくなるように決定されたものである、請求項1から請求項7のいずれかに記載のマスクパターンの形成方法。一の基板に形成された前記第3の開口部の前記第1の開口寸法と、前記一の基板に形成された前記第4の開口部の前記第2の開口寸法とを測定し、測定された前記第1の開口寸法と前記第2の開口寸法とに基づいて、他の基板に形成される前記第1の膜の膜厚又は前記第2の膜の膜厚を変更する、請求項1から請求項8のいずれかに記載のマスクパターンの形成方法。前記第3の開口部と前記第4の開口部とよりなるパターンを用いて前記被エッチング膜をエッチングする工程を有する、請求項1から請求項9のいずれかに記載のマスクパターンの形成方法。ところが、上述したような、LELEプロセスによるダブルパターニングを行ってレジストパターンを形成する場合、次のような問題がある。LELEプロセスでは、塗布現像装置により第1のレジスト開口パターンを形成した後、エッチング装置によりエッチングを行って第1のホールパターンを形成する。その後、塗布現像装置により第2のレジスト開口パターンを形成した後、再びエッチング装置によりエッチングを行って第2のホールパターンを形成する。そのため、工程数が増えるという問題がある。工程数を削減するためには、LLELithographyLithographyEtchingプロセスにすればよいとも考えられる。LLEプロセスは、第1のレジストパターンを形成した後、第1レジストパターン同士の間に第2レジストパターンを形成し、第1レジストパターン及び第2レジストパターンをエッチングマスクに用いて下地の薄膜をエッチングして微細パターンを形成するものである。しかし、LLEプロセスでは、第1のレジスト膜よりなる第1のレジストパターンが形成された状態で、第2のレジストパターンを形成するために第2のレジスト膜を成膜する際に、レジストの溶剤により第1のレジストパターンが溶解するおそれがある。従って、第2のレジスト膜を成膜する前に、第1のレジストパターンの上にバリア層を形成するか、不溶化処理を施さなくてはならない。また、ライン部よりなるレジストパターンを形成した場合には、例えば酸等を用いたスリミング処理等により、形成後のライン部の幅寸法を小さくすることはできる。しかし、開口部よりなるレジストパターンを形成した場合、スリミング処理等により、形成後の開口部の開口寸法を小さくすることはできない。従って、露光装置の解像度以下の開口寸法を有する開口部を形成することは困難である。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、LELEプロセスよりも工程数を削減でき、第2のレジスト膜を成膜する際の第1のレジスト膜の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できるマスクパターンの形成方法を提供する。上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる手段を講じたことを特徴とするものである。本発明の一実施例によれば、基板上の被エッチング膜の上に、第1のレジスト膜を成膜し、成膜した前記第1のレジスト膜に、所定のピッチで配列する第1の開口部を形成する第1の形成工程と、前記第1の開口部の側壁を被覆するように、前記第1のレジスト膜上に第1の膜を成膜する第1の成膜工程と、前記第1の膜上に、第2のレジスト膜を成膜し、成膜した前記第2のレジスト膜に、前記第1の開口部と交互に配列する第2の開口部を形成する第2の形成工程と、前記第2の開口部の側壁を被覆するように、前記第2のレジスト膜上に第2の膜を成膜する第2の成膜工程と、前記第2の膜が前記第2の開口部の側壁を被覆する第1の側壁部として残るように、前記第2の膜の一部を除去する第1の除去工程と、前記第1の側壁部をマスクとして前記第1のレジスト膜の一部を除去することによって、前記第1のレジスト膜に、前記第2の開口部に対応した第3の開口部を形成するとともに、前記第1の膜が前記第1の開口部の側壁を被覆する第2の側壁部として残るように、前記第1の膜の一部を除去することによって、前記第1の開口部の側壁が前記第2の側壁部に被覆されてなる第4の開口部を形成する第2の除去工程とを有するマスクパターンの形成方法が提供される。本発明によれば、LELEプロセスよりも工程数を削減でき、第2のレジスト膜を成膜する際の第1のレジスト膜の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できる。次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。図1~図5を参照し、本発明の実施の形態に係るマスクパターンの形成方法を説明する。図1~図4は、本実施の形態に係るマスクパターンの形成方法を説明するための図であり、各工程における基板の構造を模式的に示す断面図である。図5は、本実施の形態の他の例に係るマスクパターンの形成方法を説明するための図であり、図4に示す工程における基板の構造を模式的に示す平面図である。図1aに示す工程では、基板10の上に、下から順に第1の被エッチング膜11、第2の被エッチング膜12、第3の被エッチング膜13が形成された基板を準備する。第1の被エッチング膜11及び第2の被エッチング膜12は、パターンを形成されることにより、その後の種々の加工工程を行う場合のマスクとして機能する。第3の被エッチング膜13は、パターンが形成され、第1の被エッチング膜11及び第2の被エッチング膜12のパターンを形成するためのマスクとして機能する。第3の被エッチング膜13は、その上に形成される第1のレジスト膜14のフォトリソグラフィを行う際の反射防止膜BARC:BottomAntiReflectingCoatingとしての機能を有する場合もある。第1の被エッチング膜11の材質は、特に限定されるものではなく、例えばTEOSテトラエトキシシラン:Tetraethoxysilaneを用いることができる。また、第1の被エッチング膜11の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば50~500nmとすることができる。第2の被エッチング膜12の材質は、特に限定されるものではなく、例えば化学気相法CVD:ChemicalVaporDepositionにより成膜されたアモルファスカーボン、スピンオンにより成膜されたポリフェノールやi線レジスト等のフォトレジストを含む広範な有機系の材料を用いることができる。また、第2の被エッチング膜12の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば150~300nmとすることができる。第3の被エッチング膜13の材質は、特に限定されるものではなく、例えばSOGSpinOnGlass膜、SiON膜、又はLTOLowTemperatureOxide膜とBARCの複合膜、すなわちSiを含んだBARCであるSiARCを用いることができる。また、第3の被エッチング膜13の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば40~120nmとすることができる。次いで、図1bに示す工程では、基板上の第3の被エッチング膜13の上に、第1のレジスト膜14を成膜し、成膜した第1のレジスト膜14に、所定のピッチで配列する第1の開口部14aを形成する第1の形成工程。まず、第3の被エッチング膜13の上に、例えば露光装置を組み込んだ塗布現像装置を用いたスピンオンにより、第1のレジスト膜14を成膜する。第1のレジスト膜14の材質として、例えばArFレジストを用いることができる。また、第1のレジスト膜14の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば50~200nmとすることができる。その後、例えば露光装置を組み込んだ塗布現像装置を用いたフォトリソグラフィ技術により、成膜した第1のレジスト膜14に、第1のピッチP1で配列する第1の開口部14aを形成する。これにより、開口寸法S1を有し、第1のピッチP1で配列する第1の開口部14aが形成される。このとき、第1の開口部14a内には、第3の被エッチング膜13の一部が露出している。次いで、図1cに示す工程では、第1の開口部14aの側壁14bを被覆するように、第1のレジスト膜14上に第1の膜15を成膜する第1の成膜工程。第1の膜15は、第2のレジスト膜16を成膜する際に、第2のレジスト膜16の溶剤により第1のレジスト膜14が溶解しないように保護するためのものである。また、第1の膜15は、第1の開口部14aの側壁14bを被覆することによって、第1の開口部14aの開口寸法を小さくするためのものでもある。第1の膜15の光学定数は、第1のレジスト膜14の光学定数と略等しいことが好ましい。光学定数とは、複素屈折率の実数成分である屈折率nと、複素屈折率の虚数成分である減衰係数kを意味する。第1の膜15の光学定数を第1のレジスト膜14の光学定数と略等しくすることにより、第1の膜15と第1のレジスト膜14とが光学的に一体に振舞う。そのため、第2の開口部16aを形成するために第2のレジスト膜16に露光を行う際に、露光のための光が第1の膜15と第1のレジスト膜14との界面で反射して解像度が低下することを防止できる。第1の膜15として、酸化シリコンSiO2、酸化アルミニウムAl2O3、シリコン添加酸化アルミニウムAlSiO、酸化チタンTiOx、窒化シリコンSiN、アモルファスカーボン、ポリシリコンのいずれか1種以上の膜よりなるものを用いることができる。以下では、一例として、SiO2よりなる第1の膜15以下、単にSiO2膜15という。を、低温での分子層堆積MolecularLayerDeposition、以下MLDという、即ち低温MLDによって成膜する方法について説明する。低温MLDにおいては、シリコンを含む原料ガスを成膜装置の処理容器内に供給し、シリコン原料を基板上に吸着させる工程と、酸素を含むガスを処理容器内に供給し、シリコン原料を酸化させる工程とを交互に繰り返す。具体的には、シリコンを含む原料ガスを基板上に吸着させる工程においては、シリコンを含む原料ガスとして、1分子内に2個のアミノ基を有するアミノシランガス、例えばビスターシャルブチルアミノシラン以下、BTBASというを、シリコン原料ガスの供給ノズルを介して処理容器内に所定の時間T1供給する。これにより、基板上にBTBASを吸着させる。時間T1は、例えば1~60secとすることができる。シリコンを含む原料ガスの流量は、10~500mL/minsccmとすることができる。また、処理容器内の圧力は13.3~665Paとすることができる。次に、酸素を含むガスを処理容器内に供給し、シリコン材料を酸化させる工程においては、酸素を含むガスとして、例えば高周波電源を備えたプラズマ生成機構によってプラズマ化されたO2ガスを、ガス供給ノズルを介して処理容器内に所定の時間T2供給する。これにより、基板上に吸着されたBTBASが酸化され、SiO2膜15が形成される。時間T2は、例えば5~300secとすることができる。また、酸素を含むガスの流量は、100~20000mL/minsccmとすることができる。また、高周波電源の周波数は13.56MHzとすることができ、高周波電源の電力は5~1000Wとすることができる。また、処理容器内の圧力は13.3~665Paとすることができる。また、シリコンを含む原料ガスを基板上に吸着させる工程と、シリコン材料を酸化させる工程とを切り換える際に、工程間に、処理容器内を真空排気しつつ例えばN2ガス等の不活性ガスよりなるパージガスを処理容器内に供給する工程を所定の時間T3行うことができる。時間T3は、例えば1~60secとすることができる。また、パージガスの流量は、50~5000mL/minsccmとすることができる。なお、この工程は、処理容器内に残留しているガスを除去することができればよく、パージガスを供給せずに全てのガスの供給を停止した状態で真空排気を継続して行うことができる。BTBASは、シリコンを含む原料ガスとして用いる1分子内に2個のアミノ基を有するアミノシランガスである。このようなアミノシランガスとしては、上記BTBASの他に、ビスジエチルアミノシランBDEAS、ビスジメチルアミノシランBDMAS、ジイソプロピルアミノシランDIPAS、ビスエチルメチルアミノシランBEMASを用いることができる。更に、シリコン原料ガスとして、1分子内3個以上のアミノ基を有するアミノシランガスを用いることができ、1分子内に1個のアミノ基を有するアミノシランガスを用いることもできる。一方、酸素を含むガスとしては、O2ガスの他、NOガス、N2Oガス、H2Oガス、O3ガスを用いることができ、これらを高周波電界によりプラズマ化して酸化剤として用いることができる。このような酸素を含むガスのプラズマを用いることにより、SiO2膜の成膜を300°C以下の低温で行うことができ、更に酸素を含むガスのガス流量、高周波電源の電力、処理容器内の圧力を調整することにより、SiO2膜の成膜を100°C以下又は室温で行うことができる。以上説明したような成膜方法を行うことによって、図1cに示すように、第1の開口部14a内を含め、基板10の全面に第1の膜15が成膜される。すなわち、第1の開口部14aの側壁14bを被覆するように、第1の膜15が成膜される。また、第1の開口部14aの底面14c、すなわち、第1の開口部14a内に露出している第3の被エッチング膜13上にも、第1の膜15が成膜される。このときの第1の膜15の膜厚をD1とすると、第1の開口部14aの側壁14bを被覆する第1の膜15の幅もD1となる。従って、側壁14bが第1の膜15に被覆された第1の開口部14aの開口寸法S1 ́は、S1-2×D1となる。第1のピッチP1を例えば80nmとし、開口寸法S1を例えば40nmとし、D1を例えば10nmとするとき、側壁14bが第1の膜15に被覆された第1の開口部14aの開口寸法S1 ́を20nmとすることができる。次いで、図2aに示す工程では、第1の膜15上に、第2のレジスト膜16を成膜し、成膜した第2のレジスト膜16に、第1の開口部14aと交互に配列する第2の開口部16aを形成する第2の形成工程。まず、第1の膜15の上に、第1のレジスト膜14と同様に、例えば露光装置を組み込んだ塗布現像装置を用いたスピンオンにより、第2のレジスト膜16を成膜する。第2のレジスト膜16の材質として、第1のレジスト膜14と同様に、例えばArFレジストを用いることができる。また、第2のレジスト膜16の厚さは、特に限定されるものではなく、例えば50~200nmとすることができる。その後、例えば露光装置を組み込んだ塗布現像装置を用いたフォトリソグラフィ技術により、成膜した第2のレジスト膜16に、第2のピッチP2で配列する第2の開口部16aを形成する。これにより、開口寸法S2を有し、第2のピッチP2で配列する第2の開口部16aが形成される。このとき、第2の開口部16a内には、第1の膜15の一部が露出している。ここで、第2のピッチP2は、第1のピッチP1と略等しい。そして、第2の開口部16aは、第1の開口部14aと交互に配列するように形成される。また、前述したように、第1の膜15の光学定数を、第1のレジスト膜14の光学定数に略等しくすると、第2のレジスト膜16を露光する際に、露光のための光が第1の膜15と第1のレジスト膜14との界面で反射して解像度が低下することを防止できる。なお、第1のレジスト膜14に第1の開口部14aを形成するとともにアライメントマークを形成しておき、アライメントマークを被覆するように第1の膜15を成膜しておいてもよい。これにより、第2のレジスト膜16に第2の開口部16aを形成するときに、第2のレジスト膜16に近接した第1のレジスト膜14に形成されたアライメントマークを基準として位置合わせできるため、位置合わせ精度が向上する。次いで、図2bに示す工程では、第2の開口部16aの側壁16bを被覆するように、第2のレジスト膜16上に第2の膜17を成膜する第2の成膜工程。第2の膜17は、第2の開口部16aの側壁16bを被覆することによって、第2の開口部16aの開口寸法を小さくするためのものである。第2の膜17として、第1の膜15と同様に、酸化シリコンSiO2、酸化アルミニウムAl2O3、シリコン添加酸化アルミニウムAlSiO、酸化チタンTiOx、窒化シリコンSiN、アモルファスカーボン、ポリシリコンのいずれか1種以上の膜よりなるものを用いることができる。また、一例として、SiO2よりなる第2の膜17を成膜する場合、第1の膜15と同様に、低温MLDによって行うことができる。その結果、図2bに示すように、第2の開口部16a内を含め、基板10の全面に第2の膜17が成膜される。すなわち、第2の開口部16aの側壁16bを被覆するように、第2の膜17が成膜される。また、第2の開口部16aの底面16c、すなわち、第2の開口部16a内に露出している第1の膜15上にも、第2の膜17が成膜される。このときの第2の膜17の膜厚をD2とすると、第2の開口部16aの側壁16bを被覆する第2の膜17の幅もD2となる。従って、側壁16bが第2の膜17に被覆された第2の開口部16aの開口寸法S2 ́は、S2-2×D2となる。第2のピッチP2を例えば80nmとし、開口寸法S2を例えば40nmとし、D2を例えば10nmとするとき、側壁16bが第2の膜17に被覆された第2の開口部16aの開口寸法S2 ́を20nmとすることができる。次いで、図2cに示す工程では、第2の膜17が第2の開口部16aの側壁16bを被覆する側壁部17aとして残るように、第2の膜17の一部を除去する第1の除去工程。図2cに示すように、第2の膜17が、第2の開口部16aの側壁16bを被覆する側壁部17aとして残っている状態のまま、第2のレジスト膜16の上面及び第2の開口部16aの底面16cに形成されていた第2の膜17を異方的にエッチングする。第2の膜17をエッチングするエッチャントガスは、特に限定されるものではない。第2の膜17がSiO2よりなるときは、エッチャントガスとして、例えばCF4、C4F8、CHF3、CH3F、CH2F2等のCF系ガスと、Arガス等の混合ガス、またはこの混合ガスに必要に応じて酸素を添加したガス等を用いて行うことができる。また、第2の膜17が例えばAl2O3、AlSiO、TiOx、SiN、アモルファスカーボン、又はポリシリコンよりなるときは、エッチャントガスとして、例えばCl2、Cl2HBr、Cl2O2、CF4O2、SF6、Cl2N2、Cl2HCl、HBrCl2SF6等のいわゆるハロゲン系ガスを用いることができる。第1の除去工程は、例えば、処理容器と、処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、処理容器内に設けられた基板を保持する保持部を有するプラズマエッチング装置を用いて行うことができる。処理容器内には、保持部の上方には、高周波電力が印加可能な上部電極が設けられており、保持部は高周波電力が印加可能な下部電極を兼ねている。保持部に基板10を保持した状態で、ガス供給部より例えばCF4ガス、O2ガス及びArガスを処理容器内に供給し、処理容器内を例えば6.7Pa50mTorr以下の圧力に保持する。その後、周波数が60MHzの高周波電力を例えば1000Wとして上部電極に供給し、処理ガスをプラズマ化するとともに、バイアス用の高周波として、周波数が13.56MHzの高周波電力を例えば300Wとして下部電極に供給する。これにより、第2の膜17がエッチングされる。その結果、側壁16bが側壁部17aに被覆された第2の開口部16aよりなるパターンが形成される。前述したように、第2のピッチP2を例えば80nmとし、開口寸法S2を例えば40nmとし、D2を例えば10nmとするとき、側壁16bが側壁部17aに被覆された第2の開口部16aの開口寸法S2 ́を20nmとすることができる。次いで、側壁部17aをマスクとして第1のレジスト膜14の一部を除去することによって、第1のレジスト膜14に、第2の開口部16aに対応した第3の開口部14dを形成する。また、それとともに、第1の膜15が第1の開口部14aの側壁14bを被覆する側壁部15aとして残るように、第1の膜15の一部を除去することによって、第1の開口部14aの側壁14bが側壁部15aに被覆されてなる第4の開口部14gを形成する第2の除去工程。なお、第2の除去工程は、各種の方法により行うことができるが、一例として、図3aから図3cに示すように、第1のエッチング工程、第2のエッチング工程及び第3のエッチング工程を行う方法を説明する。まず、図3aに示す工程では、側壁部17aをマスクとして、第2の開口部16a内で第1の膜15と第1のレジスト膜14とをエッチングにより除去するとともに、残っている第2のレジスト膜16を除去する第1のエッチング工程。第1の膜15をエッチングするエッチャントガスは、特に限定されるものではない。第2の膜17をエッチングするときと同様に、第1の膜15がSiO2よりなるときは、エッチャントガスとして、例えばCF系ガスとArガス等の混合ガス等を用いて行うことができる。また、第2の膜17をエッチングするときと同様に、第1の膜15が例えばAl2O3、AlSiO、TiOx、SiN、アモルファスカーボン、又はポリシリコンよりなるときは、エッチャントガスとして、例えばハロゲン系ガスを用いることができる。ただし、用いるエッチャントガスに対する第2の膜17のエッチングレートが、用いるエッチャントガスに対する第1の膜15のエッチングレートよりも小さいことが好ましい。このとき、第2の膜17のエッチングレートに対する第1の膜15のエッチングレートの比である選択比が大きくなり、マスクとして用いる側壁部17aをほとんどエッチングしない。そのため、第1の膜15をエッチングする際に、形状精度良く加工することができる。第1の除去工程に引続き、プラズマエッチング装置の保持部に基板を保持した状態で、ガス供給部より例えばCF4ガス、O2ガス及びArガスを処理容器内に供給し、処理容器内を例えば6.7Pa50mTorr以下の圧力に保持する。その後、周波数が60MHzの高周波電力を例えば1000Wとして上部電極に供給し、処理ガスをプラズマ化するとともに、バイアス用の高周波として、周波数が13.56MHzの高周波電力を例えば300Wとして下部電極に供給する。これにより、第1の膜15がエッチングされる。なお、図3aに示す工程では、側壁部17aをマスクとして、第2の開口部16a内で第1の膜15をエッチングにより除去する際に、第1のレジスト膜14の一部もエッチングされる。その結果、第1のレジスト膜14に、第2の開口部16aに対応した第3の開口部14dが形成される。また、第3の開口部14dの底面14fには、第3の被エッチング膜13が露出している。また、第1のレジスト膜14の一部がエッチングされる間に、第2のレジスト膜16もエッチングにより除去される。次いで、図3bに示す工程では、第2のレジスト膜16をエッチングにより除去した後、側壁部17aをマスクとして、第1の膜15が側壁部15aとして残るように、第1の膜15の一部を除去する第2のエッチング工程。第1のエッチング工程と同様に、第1の膜15がSiO2よりなるときは、例えばCF系ガスとArガス等の混合ガス等を用いて行うことができる。また、第1の膜15が例えばAl2O3、AlSiO、TiOx、SiN、アモルファスカーボン、又はポリシリコンよりなるときは、エッチャントガスとして、例えばハロゲン系ガスを用いることができる。ただし、用いるエッチャントガスに対する第2の膜17のエッチングレートが、用いるエッチャントガスに対する第1の膜15のエッチングレートよりも小さいことが好ましい。このとき、第2の膜17のエッチングレートに対する第1の膜15のエッチングレートの比である選択比が大きくなり、マスクとして用いる側壁部17aをほとんどエッチングしない。そのため、第1の膜15をエッチングする際に、形状精度良く加工することができる。第1のエッチング工程に引続き、プラズマエッチング装置の保持部に基板を保持した状態で、ガス供給部よりエッチャントガスを処理容器内に供給し、処理容器内を例えば6.7Pa50mTorr以下の圧力に保持する。その後、周波数が60MHzの高周波電力を例えば1000Wとして上部電極に供給し、エッチャントガスをプラズマ化するとともに、バイアス用の高周波として、周波数が13.56MHzの高周波電力を例えば300Wとして下部電極に供給する。これにより、第1の膜15がエッチングされる。その結果、第1の開口部14aの側壁14bが側壁部15aに被覆されてなる第4の開口部14gが形成される。第4の開口部14gの底面14hには、第3の被エッチング膜13が露出している。なお、図3bに示す工程では、エッチャントガスの流量、処理容器内の圧力、温度、上部電極及び下部電極に印加する高周波電力等の処理条件を調整することによって、第2の開口部16aに対応して第1のレジスト膜14に形成された第3の開口部14dの側壁14eの表面に反応物を堆積して保護するようにしてもよい。次いで、図3cに示す工程では、側壁部17aをエッチングにより除去する第3のエッチング工程。第1のエッチング工程及び第2のエッチング工程と同様に、側壁部17aがSiO2よりなるときは、エッチャントガスとして、例えばCF系ガスとArガス等の混合ガス等を用いて行うことができる。また、側壁部17aが例えばAl2O3、AlSiO、TiOx、SiN、アモルファスカーボン、又はポリシリコンよりなるときは、エッチャントガスとして、例えばハロゲン系ガスを用いることができる。ただし、用いるエッチャントガスに対する第1の膜15のエッチングレートが、用いるエッチャントガスに対する側壁部17a、すなわち第2の膜17のエッチングレートよりも小さいことが好ましい。このとき、側壁部15aのエッチングレートに対する第2の膜17のエッチングレートの比である選択比が大きくなり、側壁部17aをエッチングする際に、側壁部15aをほとんどエッチングしない。そのため、側壁部17aをエッチングする際に、側壁部15aを形状精度良く残すことができる。第2のエッチング工程に引続き、プラズマエッチング装置の保持部に基板を保持した状態で、ガス供給部よりエッチャントガスを処理容器内に供給し、処理容器内を例えば6.7Pa50mTorr以下の圧力に保持する。その後、周波数が60MHzの高周波電力を例えば1000Wとして上部電極に供給し、エッチャントガスをプラズマ化するとともに、バイアス用の高周波として、周波数が13.56MHzの高周波電力を例えば300Wとして下部電極に供給する。これにより、側壁部17aがエッチングされる。また、図3cに示す工程では、側壁部17aをエッチングにより除去する際に、側壁部17aの下側の第1の膜15もエッチングにより除去される。その結果、第1のレジスト膜14に、第2の開口部16aに対応した第3の開口部14dが形成されるとともに、第1の開口部14aの側壁14bが側壁部15aに被覆されてなる第4の開口部14gが形成される。第4の開口部14gは、第1のピッチP1で配列しており、第3の開口部14dは、第1のピッチP1と略等しい第2のピッチP2で配列している。また、第3の開口部14dと第4の開口部14gとは、交互に配列する。更に、第3の開口部14dの開口寸法をS11とし、第4の開口部14gの開口寸法をS12とする。すると、S11はS2 ́に略等しく、S12はS1 ́に略等しい。ピッチP1、P2を例えば80nmとし、開口寸法S1、S2を例えば40nmとし、D1、D2を例えば10nmとするとき、開口寸法S11、S12を20nmとすることができる。次いで、図4に示す工程では、第3の開口部14dと第4の開口部14gとを有するパターンをマスクに用いて、第3の被エッチング膜13の一部と第2の被エッチング膜12の一部とをエッチングする被エッチング膜エッチング工程。第3の被エッチング膜13が例えばSiARCよりなるときは、エッチャントガスとして、例えばCF系ガスとArガス等の混合ガス、又はハロゲン系ガスを用いることができる。また、第2の被エッチング膜12が例えば有機系の材料よりなるときは、エッチャントガスとして、例えばCF系ガスとArガス等の混合ガス、又はハロゲン系ガスを用いることができる。ただし、用いるエッチャントガスに対する第1のレジスト膜14及び第1の膜15のエッチングレートが、用いるエッチャントガスに対する第3の被エッチング膜13及び第2の被エッチング膜12のエッチングレートよりも小さいことが好ましい。このとき、第1のレジスト膜14及び第1の膜15のエッチングレートに対する第3の被エッチング膜13及び第2の被エッチング膜12のエッチングレートの比である選択比が大きくなり、マスクを残したまま第3の被エッチング膜13及び第2の被エッチング膜12をエッチングできる。そのため、第3の被エッチング膜13及び第2の被エッチング膜12をエッチングする際に、形状精度良く加工することができる。第3のエッチング工程に引続き、プラズマエッチング装置の保持部に基板を保持した状態で、ガス供給部よりエッチャントガスを処理容器内に供給し、処理容器内を例えば6.7Pa50mTorr以下の圧力に保持する。その後、周波数が60MHzの高周波電力を例えば1000Wとして上部電極に供給し、エッチャントガスをプラズマ化するとともに、バイアス用の高周波として、周波数が13.56MHzの高周波電力を例えば300Wとして下部電極に供給する。これにより、第3の被エッチング膜13と第2の被エッチング膜12がエッチングされる。その結果、第3の被エッチング膜13に、第3の開口部14d、第4の開口部14gにそれぞれ対応した開口部13a、13bが形成され、第2の被エッチング膜12に、第3の開口部14d、第4の開口部14gにそれぞれ対応した開口部12a、12bが形成される。開口部13b、12bは、第1のピッチP1で配列しており、開口部13a、12aは、第1のピッチP1と略等しい第2のピッチP2で配列している。また、開口部13a、12aと開口部13b、12bとは、交互に配列する。また、開口部13a、12aの底面及び開口部13b、12bの底面には、第1の被エッチング膜11が露出している。更に、開口部13a、12aの開口寸法はS11に等しく、開口部13b、12bの開口寸法はS12に等しい。ピッチP1、P2を例えば80nmとし、開口寸法S1、S2を例えば40nmとし、D1、D2を例えば10nmとするとき、開口寸法S11、S12を20nmとすることができる。従って、露光装置の解像度を40nmとすると、露光装置の解像度以下の微細な開口寸法20nmの開口部を有するマスクパターンを形成することができる。本実施の形態では、第1の膜15の膜厚D1と第2の膜17の膜厚D2とは、第3の開口部14dの開口寸法S11と、第4の開口部14gの開口寸法S12とが等しくなるように逆算して決定されたものとしてもよい。これにより、第1の開口部14aの第1のピッチP1及び第2の開口部16aの第2のピッチP2の略半分のピッチで配列する開口部を形成することができる。以上の説明では、第1の開口部14aと第2の開口部16aが第1の方向に交互に配列するように形成し、開口部13a、12aと開口部13b、12bとが交互に配列するようなマスクパターンを形成できることを説明した。しかし、第1の開口部14aと第2の開口部16aが、第1の方向に交互に配列するとともに、第1の方向と異なる第2の方向に交互に配列するようなマスクパターンを形成してもよい。一例として、図5に示すように、平面視において、開口部13a、12aと開口部13b、12bとが、X方向及びY方向のいずれにも交互に配列するようなマスクパターンを形成できる。次に、比較例を参照し、本実施の形態によれば、LELEプロセスよりも工程数を削減できることを説明する。図6、図7は、比較例に係るマスクパターンの形成方法を説明するための図であり、各工程における基板の構造を模式的に示す断面図である。比較例でも、最初に、実施の形態と同様に、図1aから図1cに示す工程を行う。すなわち、最初に、基板10の上に、下から順に第1の被エッチング膜11、第2の被エッチング膜12、第3の被エッチング膜13が形成された基板を準備する。次いで、基板上の第3の被エッチング膜13の上に、第1のレジスト膜14を成膜し、成膜した第1のレジスト膜14に、所定のピッチで配列する第1の開口部14aを形成する第1の形成工程。次いで、第1の開口部14aの側壁14bを被覆するように、第1のレジスト膜14上に第1の膜15を成膜する第1の成膜工程。その後、比較例では、図6aに示す工程を行う。図6aに示す工程では、第1の膜15が第1の開口部14aの側壁14bを被覆する側壁部15aとして残るように、第1のレジスト膜14の上面及び第1の開口部14aの底面に形成されていた第1の膜15を異方的にエッチングする。また、側壁14bが側壁部15aに被覆された第1の開口部14aをマスクに用いて、第3の被エッチング膜13の一部をエッチングする。次いで、図6bに示す工程では、第1のレジスト膜14及び第1の膜15をエッチングにより除去する。これにより、第3の被エッチング膜13に、第1の開口部14aに対応した開口部13aを形成できる。次いで、図6cに示す工程では、基板上に、第2のレジスト膜16を成膜し、成膜した第2のレジスト膜16に、第1の開口部14aと交互に配列する第2の開口部16aを形成する第2の形成工程。次いで、図7aに示す工程では、第2の開口部16aの側壁16bを被覆するように、第2のレジスト膜16上に第2の膜17を成膜する第2の成膜工程。次いで、図7bに示す工程では、第2の膜17が第2の開口部16aの側壁16bを被覆する側壁部17aとして残るように、第2のレジスト膜16の上面及び第2の開口部16aの底面に形成されていた第2の膜17を異方的にエッチングする。また側壁16bが側壁部17aに被覆された第2の開口部16aをマスクに用いて、第3の被エッチング膜13の一部をエッチングする第2の除去工程。次いで、図7cに示す工程では、第2の膜17及び第2のレジスト膜16をエッチングにより除去する。これにより、第3の被エッチング膜13に、第2の開口部16aに対応した開口部13bを形成できる。次いで、開口部13a、13bが形成された第3の被エッチング膜13をマスクに用いて第2の被エッチング膜12をエッチングすることによって、実施の形態と同様に、図4に示したマスクパターンを形成できる。比較例に係るマスクパターンの形成方法では、図6a及び図6bに示す工程を例えばエッチング装置により行った後、図6cに示す工程を、例えば露光装置を組み込んだ塗布現像装置により行う。そして、その後、再び、図7bから図7cに示す工程を例えばエッチング装置により行う。このように、エッチング装置による工程を2回に分けて行うため、工程数が増えるという問題がある。しかし、本実施の形態に係るマスクパターンの形成方法では、図2cから図3cに示す工程を、例えばエッチング装置により連続して行うことができる。そのため、比較例のようなLELEプロセスに比べ、工程数を削減できる。また、比較例では、エッチング工程を2回に分けて行う。そのため、1回目のエッチングにより形成されるパターンの形状が所望の形状からずれることによって、第2のレジスト膜16に第2の開口部16aを形成する際の位置合わせの精度が低下し、形成されるマスクパターンの形状精度が低下するおそれがある。一方、本実施の形態では、エッチング工程を1回でまとめて行う。そのため、第2のレジスト膜16に第2の開口部16aを形成する際の位置合わせの精度の低下を抑制し、形成されるマスクパターンの形状精度の低下を抑制できる。本実施の形態では、第1のレジスト膜14上に第1の膜15を成膜することによって、第1の膜15上に成膜される第2のレジスト膜16が第1のレジスト膜14と直接接触することを防止できる。また、第1のレジスト膜14に形成された第1の開口部14aの側壁14bを第1の膜15により被覆して第1の開口部14aの開口寸法を小さくすることができる。従って、第2のレジスト膜16を形成する際の第1のレジスト膜14の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できる。また、本実施の形態では、複数の基板を連続して処理する場合に、ある基板の開口寸法を測定し、測定した開口寸法に基づいて、以降の基板の処理条件を変更するようにしてもよい。例えば、ある基板にマスクパターンを形成する際に、第3の開口部14d又は開口部13a、12aの開口寸法S11と、第4の開口部14g又は開口部13b、12bの開口寸法S12とを測定する。そして、測定された開口寸法S11、S12と、予め決められた開口寸法S11、S12の基準値とに基づいて、他の基板にマスクパターンを形成する際の処理条件を変更することによって、第1の膜15の膜厚D1又は第2の膜17の膜厚D2を変更するようにしてもよい。これにより、開口寸法S11、S12が基準値に近づくように、精度良く制御することができる。以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。