合成石英ガラスから成る透明な内層を備えた石英ガラスるつぼを製造する方法であって、aSiO2粒子から成る粒子層4の少なくとも表面を圧縮することにより、内側9を備えるガス透過性るつぼ基材20;40を生成する工程と、b気相堆積法により、前記るつぼ基材20;40の内側9の少なくとも1つの部分面へ多孔質SiO2スート層21;41を堆積させる工程と、c真空溶融モールドの壁を介して作用する真空下での電気アーク6により、SiO2スート層21;41とるつぼ基材20;40の少なくとも一部分とを真空支持焼結し、石英ガラスるつぼ及び透明な石英ガラス製内層を形成させる工程とを備える石英ガラスるつぼの製造方法。前記工程aに従う前記粒子層4の圧縮が、熱圧縮によって、好ましくは電気アーク6によって行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記工程aに従う前記粒子層4の圧縮が、前記粒子層4の機械的なプレス又はSiO2スラリーの前記粒子層4上への塗布を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。前記工程bに従う前記多孔質SiO2スート層21;41が、石英ガラスの密度の10~35の範囲、好ましくは石英ガラスの密度の15~30の範囲の平均密度で生成されることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記工程bに従う前記SiO2スート層21;41が、5mm~50mmの範囲の層厚で生成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記スート層21;41が、真空支持焼結の前に、厚さが5mm未満であり石英ガラスの密度の50を超えている上部スート表層を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記スート層21の生成及び上部スート表層の事前圧縮が、スート堆積バーナー24により行われることを特徴とする請求項5に記載の方法。前記スート層21;41が、真空支持焼結の前に、厚さが0.5mm未満であるガラス質表層を有することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記SiO2スート層21が、ヒドロキシル基含有量を減らすためにSiO2スート層に乾燥プロセスが実施され、その際にるつぼ基材内部3に乾燥したガスの雰囲気が作られ、乾燥したガスが、加熱されて内部から多孔質スート層41を通って外へ引き出されることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。内層の石英ガラスの平均ヒドロキシル基含有量が150重量ppm未満に調整されることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記るつぼ基材20が中心軸2を中心として回転可能であり、及び底部及び底部と結合した周りを取り巻く側壁部が上端部を備え、前記工程bに従う前記多孔質SiO2スート層21の堆積が、堆積バーナー24を使用して前記中心軸2を中心に回転するるつぼ基材20に実施され、これが底部から始まってらせん状の経路を描きながら側壁部に沿って上端部の方向に動くことで生成されることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。前記工程bに従う前記多孔質SiO2スート層21の堆積が、複数の堆積バーナーを備えたバーナー組立品を使用して行われることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。従って、本発明の課題は、透明で、気泡の少ない石英ガラスから成る内層を備え、さらに長い耐用寿命で優れている石英ガラスるつぼの安価な製造方法を提示することである。この課題は、本発明により、以下:aSiO2粒子から成る粒子層の少なくとも表面を圧縮することにより、内側を備えるガス透過性るつぼ基材を生成する工程と、b気相堆積法により、るつぼ基材の内側の少なくとも1つの部分面へ多孔質SiO2スート層21を堆積させる工程と、c及び真空溶融モールドの壁を介して作用する真空下での電気アークにより、SiO2スート層21とるつぼ基材の少なくとも一部分とを真空支持焼結し、石英ガラスるつぼ及び透明な石英ガラス製内層を形成させる工程とを含む方法によって解決される。真空溶融モールドの内側には、るつぼ形状の、例えば石英砂又はSiO2スート粒子のようなSiO2粒子層が生成され、この層は圧縮によってある程度の機械的強度を得て、及び全体又は少なくともそのむき出しの表面の範囲が圧縮される。この圧縮された層は、ここではるつぼ基材と呼ばれる。るつぼ基材は、底部を備え、この底部はカーブした移行部分を介して円筒形に取り巻く側壁と結合している。底部、移行部分、側壁がるつぼ内側及びるつぼ内部を画定する。るつぼ基材の機械的強度は小さくてよい。その内側は、それに続く多孔質SiO2スート層の堆積のための工程において、SiO2スート粒子のために十分に堅固な基材が見いだされ、この基材が堆積プロセスによって吹き飛ばされないほどに圧縮されていればよい。しかし、実質的には、るつぼ基材がガス非透過性になるような圧縮ではない。これについては以下に詳しく説明されている。るつぼ基材内側には多孔質SiO2スート層が堆積によって生成される。その際反応ゾーン内でケイ素を含有した出発化合物の加水分解又は熱分解によってSiO2粒子が形成され、多孔質SiO2スート層の形成下でるつぼ基材内側に堆積する。スート層は内側全体又はその一部分を覆うが、少なくとも移行部分を覆う。ここで重要なのは、SiO2スート層も、以下で詳しく説明される表面薄層を除いて、任意で備えられた気密で、通気孔を備えていることである。これは、堆積プロセスの際にスート層の表面温度が、堆積されたSiO2粒子が直接緻密焼結されることを防止する低温に保たれることで得られる。この表面温度は、例えば反応ゾーンと表面の間隔によって調整されてよい。適切な表面温度は、少ない回数の試行によって突き止めることができる。るつぼ基材とスート層の多孔性によって、一方で層の乾燥及びドーパントの添加のような後処理が可能になり、他方で真空支持焼結が真空溶融モールド内でプラズマ火炎ここでは電気アークとも呼ばれるを使用して可能になる。真空支持焼結と電気アークの使用の両方ともが実証された生産的な手段であり、特に迅速で再現可能な、及び安価なるつぼ製造を可能にする。両方の手段はしかしるつぼ基材が多孔性である場合にのみ可能である。というのは、スート層の焼結によって層の容積が大幅に低減され、その際に気泡が内包され得るからである。電気アークを使用した、気泡の生じないスート層の緻密焼結には、同時にスート層からガスを吸引すること、つまり同時にスート層の外壁に真空を適用することが必要である。スート層の焼結のためのガラス化炉は不要であり、その結果器具及びエネルギーの使用が省略される。真空支持焼結のために酸水素ガス炎が使用されないため、内層へのヒドロキシル基の付加という欠点がなくなる。多孔質スート層の焼結後、得られた内層は透明であり、引き続き気泡が含まれない。初期においてるつぼ基材が多孔性である結果、内層がこれとはまり合って溶け合い、その結果離層が排除される。真空支持焼結が乾燥した、理想的にはまったく水分のない環境で行われると、ヒドロキシル基の含有量が比較的小さくなり、好ましくは200重量ppm未満となる。SiO2粒子層の圧縮のために、SiO2粒子層は例えば熱によって、例えばレーザーCO2レーザー又は例えば火炎加水分解バーナーのような加熱用バーナーを、SiO2スート層の堆積のために使用されるように使用して加熱することで圧縮され得る。特に好ましくは、工程aに従って行われる粒子層の圧縮は、電気アークを使用した熱圧縮による。その際通例、粒子層が回転する真空溶融モールドの壁に生成され、これが続いて電気アークを使用して加熱され、多孔性のるつぼ基材に熱によって圧縮される。るつぼ基材を製造するために、天然石英ガラス原料から作られた価格の安い石英ガラス粒を使用してよい。このようにして、迅速で安価にるつぼ基材を製造することが可能になる。工程cに従った真空支持焼結でも電気アークが使用されるため、この粒子層のるつぼ基材への圧縮方法は、加熱法でのシステム切替えが不要である。言及された熱的圧縮の別法として又は補足的に、工程aに従った粒子層圧縮は、粒子層の機械的なプレス又はSiO2スラリーの粒子層上への塗布を含んでいる。機械的プレスは例えば粒子層の製造時にやはり粒子層の成形に使用されるヘラのような工具を使用して行われる。それによって基本的に均一な事前圧縮が粒子層の厚み全体にわたって実現される。SiO2スラリーを使用する際、スラリーに含まれている微細なSiO2粒子が粒子層の孔に詰まり、その結果実質的に表面に近い圧縮が調整される。多孔質スート層の平均密度は好ましくは石英ガラスの密度の10~35、特に好ましくは石英ガラスの15~30の範囲にある。これは、ドープしていない石英ガラスの密度2.21gcm3に基づいている。スート層密度が小さいと、スート層の気泡のないガラス化が妨げられる。このことは15未満及び特に10未満の密度に当てはまる。30を超える、特に35を超える非常に高い密度では、後続のガス段階処理、例えば脱水処理の効果が低減し、スート層内でも、そこから得られるガラス化された層内でも、容易に不均質性がもたらされる。それは、工程bに従うSiO2スート層が、5mm~50mmの層厚の範囲に生成された場合に実証された。層厚が5mm未満では、焼結後に薄い内層が生じ、この内層はるつぼを使用すると削り取られ得る。層厚が50mmを超えると、その断熱効果で加熱時間が長くなるため、ガラス化することが困難になる。真空支持焼結は、2つの段階に分けることができる。開始段階では、るつぼ内部にスート層の焼結に十分な高い温度が生成される。しかし普通は、溶融モールドの雰囲気から多孔性部分にガスが吸引されることを防止するために、負圧がまったくかけられないか又は場合によってはかけられる負圧が小さい。本来の焼結段階は、気密な表層がスート層上に形成された後に開始され、この表層がガスを溶融モールド内部から吸引することを防止する。そうして初めて、焼結段階で負圧が規定値にされる。この手順段階で加えられる負圧は、以下では完全真空とも呼ばれる。これに関連して、スート層が、真空支持焼結の前に、上部のスート表層の厚さが5mm未満で石英ガラスの密度の50を超えている場合に有利であることが判明した。事前圧縮されたスート表層は、溶融モールド内部からのガス吸引を防止するバリアとして作用する。またスート表層は強化された焼結作用を備えており、このことは次に続く緻密焼結を軽減し、その結果早期に完全真空を適用することを可能にし、その下にある多孔性部分のガラス化が加速される。最上部のスート表層を完全に気密にする必要はない。スート表層がわずかなガス透過性を備えていることも有用である。圧縮されたスート表層は、スート堆積プロセスの際に生成されるか又は独立した工程において真空支持焼結の前に生成される。圧縮を作り出すために、レーザー又は電気アークが使用されてよい。好ましくはスート層の生成及び事前圧縮は上部のスート表層で行われるが、スート堆積バーナーが使用される。スート堆積バーナーは反応ゾーンをバーナー火炎の形で形成し、その中にSiO2スート粒子が生成される。火炎の圧力は、反応ゾーン内に生成されたSiO2スート粒子を、被膜するべきるつぼ基材内側の方向へ加速させるために使用することができる。上部のスート表層の所望の圧縮を引き起こすためには、バーナー火炎の温度をわずかに上昇させるかスート層表面との間隔を小さくするだけでよく、その結果、スート表面の温度がわずかに上昇するよう調節され、完全にガラス化された層をもたらす圧縮が可能となる。その際バーナー火炎中で引き続きSiO2粒子が形成される必要はない。真空支持焼結の際に溶融モールド壁から負圧が生成され、この負圧はるつぼ基材の多孔性部分を経由してスート層に入り込む。るつぼ内の焼結雰囲気は、気密な表面層がスート層のむき出しの内側に形成されるまで重要な役割を果たす。なぜならそれまでに雰囲気中に含まれるガスがスート層の多孔性部分及びるつぼ基材に到達するからである。この効果は、好ましい方法で防止され、この方法ではスート層が真空支持焼結の前に、厚さが0.5mm未満のガラス質表層を備える。ガラス質表層は気密であり、ガスをるつぼ内部からスート層へ吸引することを防ぎ、その形成の直後から完全真空の適用が可能になる。特に好ましい方法変形例では、ヒドロキシル基含有量を減らすためにSiO2スート層に乾燥プロセスが実施され、その際にるつぼ基材内部の中に乾燥したガスの雰囲気が作られ、乾燥したガスが温められ、内部から多孔質スート層を通って外へ引き出される。ヒドロキシル基含有量が低減されると、内層の石英ガラスの粘度が比較的高くなり、そのことが石英ガラスるつぼの耐用寿命に有利に作用する。乾燥プロセスは焼結の前か焼結中にスート層に行われる。このプロセスは例えばより高い温度<300mbar;好ましくは温度範囲500~1000°Cでスート層を真空処理するか又は例えばハロゲン含有乾燥ガスのような反応性乾燥ガスで処理する。しかし好ましくは熱による乾燥方法が使用され、その際に不活性の、乾燥したガスが使用され、このガスは温められて内部から多孔質スート層を通って外へ引き出される。その際ガスの加熱は熱い又はまだ熱いスート層内及びるつぼ基材内で行われる。加熱されたガスの温度は好ましくは少なくとも800°Cである。それによって内層の石英ガラスの平均ヒドロキシル基含有量は、150重量ppm未満に調整することができる。スート層の焼結は、好ましくは例えばヘリウムなどの水素の乏しい雰囲気中で行われる。こうして酸素又は酸化物と水素が反応することによる新たなヒドロキシル基の発生が防止され、その結果内層の石英ガラス内に、熱による又は反応による乾燥なしで、ヒドロキシル基含有量を少なく、好ましくは200重量ppm未満に調整することができる。ヒドロキシル基含有量が200重量ppm未満であると、内層の石英ガラスの粘性が十分高くなり、その結果高温下で長い処理時間にも耐える。ヘリウムは石英ガラス内で拡散速度が高いことが特徴である。従ってスート層焼結時にはヘリウムで満たされた気泡が生じないか又は焼結プロセスで消滅し得る。このようにして、同じく特に気泡の少ない内層が得られる。SiO2スート層を作るためには、多孔質スート層が得られる限りにおいて公知の化学堆積方法が基本的に適切である。好ましくは、工程bに従う多孔質SiO2スート層は、るつぼ基材が中心軸を中心として回転可能であり、及び底部及び底部と結合した周りを取り巻く側壁部が上端部を備え、工程bに従う多孔質SiO2スート層の堆積が堆積バーナーを使用して中心軸を中心に回転するるつぼ基材に実施され、これが底部から始まってらせん状の経路を描きながら側壁部に沿って上端部の方向に動くことで、生成される。その際、堆積バーナーが側壁に沿って上端部の方向へ動かされることで、底部から始まり、中心軸を中心に回転するるつぼ基材の内側に、スート層が堆積される。その際堆積バーナーは側壁部に沿ってらせん状の運動経路を描き、その際、スート層は所望の厚さで、ただ一段階で生成される。このようにして生成されたスート層は、均質であり且つ実質的に同軸の、積層面に対して平行に伸びる層の形成がなく、その結果、スート層の離層が妨げられる。特に高い生産性が重要である場合、一方法変形例では好ましくは、工程bに従う多孔質SiO2スート層の堆積が、複数の堆積バーナーを備えたバーナー組立品を使用して行われる。通常石英ガラスるつぼの内側は納品前に浄化される。そのためにエッチング技術がよく使われる。しかし本発明による方法は、最初から高い表面品質を求めているため、エッチング処理が不要か又は必要であってもせいぜいのところあまり強力でないエッチング処理である。好ましくは、工程cに従う焼結後に、内層から層厚さ0.5mm未満がエッチング除去され、この層は通常完全真空下の焼結によっては生成されないため、気泡を含んでいる。以下では本発明が実施例及び図を使用して詳しく説明される。その際個々に模式図が示される。図1に従った溶融装置は、金属製の真空溶融モールド1を含んでおり、この真空溶融モールドは内径が75cm及び高さ50cmで、中心軸2を中心に回転する。溶融モールド1の内部3には黒鉛製のカソード及びアノード電極5が突き出ており、方向矢印7が示すように、これらは溶融モールド1内ですべての空間方向に移動可能である。溶融モールド1は真空装置を使用して排気が可能であり、この目的のために多数の通路8を備えており、この通路を通って溶融モールド1の外側にある真空状態が内部3へと入り込み得る。通路8は多孔質の黒鉛から成るそれぞれ1つの栓10で閉じられ、この栓はSiO2粒が内部3から流出するのを阻止する。以下では、28インチ石英ガラスるつぼのためのるつぼプリフォームの製造が図1を使用して例として説明される。高温塩素化によって清浄にされ90μm~315μmの範囲の粒径を有する天然石英砂の結晶質粒を、その長軸2を中心に回転する真空溶融モールド1内に充填する。遠心力の作用下で、且つ形状テンプレートによって、機械的に圧縮された石英砂の回転対称のるつぼ形状粒層4が、溶融モールド1の内壁上に形成される。粒層4の平均層厚は約15mmである。側壁部の粒層4の高さは溶融モールドの高さと一致し、つまり約50cmである。SiO2粒層4を熱圧縮するために、電極5を内部3に挿入し、電極5の間に電気アーク6を発生させる。その際電極5を図1に示された側方位置に動かし、わずかな出力で印加し、粒層4が側壁部で、粒のいくらかの凝集が生じるほどに圧縮し、しかしながら通気孔が得られるよう保たれる。底部の粒層4を熱圧縮するために、溶融モールド1をその長軸2を中心に回転させながら電極5を中心位置に移動し、下方へ下げる。このようにして熱圧縮されたが引き続きガス透過性を備えたるつぼプリフォーム20図2が得られ、これが発明の意味におけるるつぼ基材である。圧縮の際に、内側9の部分で局部的に完全な緻密焼結がなされるが、るつぼプリフォーム20のガス透過性が全体として保証される限りは、これは支障をきたさない。そうでない場合は、例えばかき落とし又はエッチング除去で内側9の稠密焼結された表面部を後から除去しなければならない。冷却後、るつぼプリフォーム20を溶融モールド1から取り出し、その際焼結されていない石英ガラス粒のベッドは溶融モールド1に残される。取り出したるつぼプリフォーム20の外側を研磨する。るつぼプリフォームは底部27を備えており、この底部はカーブした移行部分を介して円筒形に取り巻く側壁28と結合している。るつぼプリフォーム20の壁は、全体として統一された厚さ10mmを有し、ほぼ透過可能に孔が開き、ガス透過性である。るつぼプリフォーム20の内側には続いて、図2に模式的に示されたようにSiO2スート層21が堆積される。るつぼプリフォーム20はこのためにさかさまに下を指し示するつぼ開口部が支持部22内に取り付けられ、この支持部は回転軸23を中心に回転可能である。回転軸23は本実施例では垂直に対して30度の角度で傾いている。燃焼ガスとして酸素と水素を、及びケイ素含有出発材料としてオクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTSを送り込む普通の火炎加水分解バーナー24を使用して、スート層21が回転するるつぼプリフォーム20の内側に生成される。これに加えて堆積バーナー24は、底部27から始まり、側壁28に沿って方向矢印25が示す上端部26の方向に動く。その際堆積バーナー24は側壁28に沿ってらせん状の運動経路を描く。熱圧縮されたるつぼプリフォーム20はその際適切な、機械的に固定された土台をスート層のために準備する。るつぼプリフォーム20の内側には、このようにして均一な厚さの多孔質SiO2スート層21が平均厚さ約10mmで生成され、実質的に同軸の層形成がなく、石英ガラスの密度の25を備えている。堆積プロセス中、表面温度は、生じたスート層21の部分で最大1250°Cである。約2mmの薄い表面層内で石英ガラスの密度の80というより高い圧縮を達成するために、製造されたスート層21の表面が最後に堆積バーナー24によって粒子堆積なしに処理され、その際約100°Cというより高い表面温度が生成される。引き続いて、ガス透過性のるつぼプリフォーム20が多孔質スート層21と共に圧縮された表面層と真空支持焼結プロセス中でガラス化される。焼結はるつぼプリフォーム20を生成するのと同じ装置内で行われ、図3に模式的に示されている。るつぼプリフォーム20は表面近くで圧縮されたスート層21と共に、ここでは再び溶融モールド1内に入れられ、溶融モールド内側とるつぼプリフォーム20外側の間の隙間が石英ガラス粒で再び完全に満たされる。電極5は、その長軸2を中心に回転する溶融モールド1内でスート層21の近傍に位置決めされ、電極5の間に電気アーク6が発生される。電極はその際出力600kW300V、2000Aで印加され、その結果溶融モールド内部3の中に高温雰囲気が調整される。このようにして、スート層21上に気密であるが気泡のない石英ガラスから成り、厚さが約0.5mmの表面薄層が生成され、この範囲の気密な表面層によって有利である。気密な表面薄層が形成された後、方向矢印11が示すように、通路8を通って底部内及び下方の壁部内に完全真空100mbar絶対圧力が適用される。真空支持によるガラス化の際に、スート層21全体及びるつぼプリフォーム20の一部を通って、溶融面が内側から外側へ移動する。その際スート層21が、薄い面薄層を除いてははっきりそれとわかる気泡形成なしに、透明で高純度の内層へとガラス化される。溶融面が約4cm溶融モールド壁から離れるとすぐに、排気が終了する。それによってるつぼプリフォーム20の背面がガラス化され、残りの粒ベッドが底部範囲及び下部の側壁範囲で不透明な、気泡を含んだ石英ガラスになる。溶融面が溶融モールド1の壁に達する直前でガラス化が止まる。続いて焼結された層から、焼結時に生成された、気泡含有率のより高い表面薄層が除去される。このために、層の厚さ約0.4mmがエッチング除去によってフッ酸中で削り取られる。このようにして製造された石英ガラスるつぼの内層は、平均厚さが3mmである。内層は滑らかで気泡が少なく、ヒドロキシル基含有量が180重量ppmである。内層は元のるつぼプリフォーム20にしっかり結合され、このるつぼプリフォームは透明及び不透明の石英ガラスるつぼの外側範囲を形成している。図4から図6では、図1から図3までと同じ参照符号を使用し、それによって装置で同じ又は同等の構成要素が示される。その限りでは、図1から図3までの上記の説明が参照される。図4に従った溶融装置は、図1のそれと合致する。28インチ石英ガラスるつぼのためのるつぼプリフォームを製造するために、溶融モールド1の内壁には、結晶質粒から成る、厚さ約15mmの、回転対称のるつぼ形状の粒層4が、形状テンプレートを使用して成形され、その際、上記で図1を用いて記述されたように、機械的に圧縮される。粒層4の内側9には、脱イオン化された水及びSiO2粒子から成る懸濁液が噴霧される。SiO2粒子は、合成により作製された、双峰の粒径分布の、実質的に球状の粒子であり、その際に第一の分布最大値は約0.5μmであり、第二の最大値は約40μmである。懸濁液の固形分は65重量である。球状のSiO2粒子が、粒層4の隙間を部分的に満たす。これはペーストに類似した効果を備えており、厚さ3~5mmの表面範囲44において粒層4のある種の圧密と圧縮がもたらされ、その際しかしそのようにして得られたるつぼプリフォーム40のガス透過性は引き続いて保持される。これによって多孔性のるつぼ基材は、本発明の意味において機械的に圧縮された表面範囲44を示す。続いてるつぼプリフォーム40内側には、図5に模式的に示されたように、SiO2スート層41が堆積される。るつぼプリフォーム40は、その際、堆積プロセスでその回転軸2を中心に回転する溶融モールド1内に留まる。燃焼ガスとして酸素と水素を、及びケイ素含有出発材料としてオクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTSを送り込む普通の火炎加水分解バーナー24を使用して、スート層41は回転するるつぼプリフォーム40の内側9上に生成される。ここでは堆積バーナー24を使用し、方向矢印25が示すように、側壁28に沿って上端部26の方向に堆積バーナー24が動くことで、底部範囲から始まってスート層41が堆積される。その際堆積バーナー24は側壁に沿ってらせん状の運動経路を描く。熱圧縮されたるつぼ表面範囲44はその際適切な、スート層41のための機械的に固定された土台である。堆積プロセス中、表面温度は、生じたスート層41の範囲で最大1250°Cである。るつぼプリフォーム40の内側9では、このようにして均一な厚さの多孔質SiO2スート層41が平均厚さ約10mmで生成され、これは石英ガラスの密度の25を備える。これに続く、内部被覆されたるつぼプリフォーム40の焼結は、同じ溶融モールド1内で行われ、模式的に図6に示されている。るつぼプリフォーム40は前もってスート層41と共に乾燥される。このために、溶融モールド内部3にヘリウムから成る高温雰囲気が生成され、電極5の間に電気アーク6が発生され、その結果溶融モールド内部の温度は約800°Cに高まる。底部範囲内及び壁範囲内にある通路8を通して真空を適用することにより、続いて高温のヘリウムガスが溶融モールド内部からるつぼプリフォーム40を通って引き出され、その結果粒層4の隙間に含まれているガスが交換される。換気切替え後、電極は一時的に出力600kW300V、2000Aで印加され、その結果溶融モールド内部3でさらに温度が上昇し、その結果、スート層41上に、気密ではあるが気泡を含んだ石英ガラスから成る、厚さ約0.5mmの表面薄層が形成される。気密な表面薄層が形成された後、方向矢印11で示されたように、完全真空100mbar絶対圧力が適用される。真空支持によるガラス化の際に、スート層41全体及びるつぼプリフォーム40の一部を通って、溶融面が内側から外側へ移動する。その際、スート層41が、薄い面薄層を除いてははっきりそれとわかる気泡形成なしに、透明で高純度の内層へとガラス化される。溶融面が約4cm溶融モールド壁から離れるとすぐに、排気が終了する。それによってるつぼプリフォーム40の背面がガラス化され、残りの粒ベッドが底部範囲及び下部の側壁範囲で不透明な、気泡を含んだ石英ガラスになる。溶融面が溶融モールド1の壁に達する直前でガラス化が止まる。続いて焼結された層から、焼結時に生成された、気泡含有率のより高い表面薄層が除去される。このために、層の厚さ約0.4mmがエッチング除去によってフッ酸中で削り取られる。このようにして製造された石英ガラスるつぼの内層は、平均厚さが3mmである。内層は滑らかで気泡が少なく、ヒドロキシル基含有量が130重量ppmである。内層は元のるつぼプリフォーム40にしっかり結合され、このるつぼプリフォームは透明及び不透明の石英ガラスるつぼの外側範囲を形成している。