基板上に、アルミニウムを含む第1の半導体多層膜、活性層、及び第2の半導体多層膜を有する複数の半導体層が積層され、前記第1の半導体多層膜上にメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子において、前記第1の半導体多層膜の外形は、前記基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、前記第1の半導体多層膜の側面は、不動態化膜と保護膜とによって被覆されていることを特徴とする面発光レーザ素子。前記不動態化膜は、前記アルミニウムの酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。前記発光部の周囲に溝が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザ素子。前記第1の半導体多層膜の外形は、前記基板の表面に直交する方向からみたとき、角丸矩形、楕円形、及び円形のいずれかであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。前記第1の半導体多層膜は、AlAsの層を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。前記第1の半導体多層膜における前記活性層近くの低屈折率層は、光学的厚さが発振波長/4よりも大きいことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。前記第1の半導体多層膜における前記活性層から低屈折率層の数にして5つよりも近い層に、光学的厚さが発振波長/4よりも大きい低屈折率層が含まれていることを特徴とする請求項6に記載の面発光レーザ素子。前記活性層と該活性層を挟む2つのスペーサ層とからなる共振器構造体は、Inが含まれる層を有することを特徴とする請求項5~7のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。前記Inが含まれる層は、AlGaInP層であることを特徴とする請求項8に記載の面発光レーザ素子。請求項1~9のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項1~9のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と、前記光源からの光を偏向する光偏向器と、前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。光によって被走査面を走査する光走査装置であって、請求項10に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、前記光源からの光を偏向する光偏向器と、前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの請求項11又は12に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項13に記載の画像形成装置。基板上に、アルミニウムを含む第1の半導体多層膜、活性層、及び第2の半導体多層膜を有する複数の半導体層が積層され、前記第1の半導体多層膜上にメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、前記第1の半導体多層膜を、前記基板の表面に直交する方向からみたときの外形が角部が無くマクロ的に滑らかな形状となるようにエッチングする工程と、前記第1の半導体多層膜のエッチング面を不動態化する工程と、該不動態化された面を保護膜によって被覆する工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法。しかしながら、上記不動態化及び保護膜の形成の後には、例えばダイシング工程あるいはスクライブブレーキング工程があり、その工程での衝撃で不動態化膜及び保護膜にひびクラックが入る場合があり、信頼性が十分ではなかった。本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、信頼性の高い面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイを提供することにある。また、本発明の第2の目的は、安定した光走査を行うことができる光走査装置を提供することにある。また、本発明の第3の目的は、高品質の画像を形成することができる画像形成装置を提供することにある。また、本発明の第4の目的は、信頼性の高い面発光レーザ素子を製造することができる製造方法を提供することにある。本発明は、第1の観点からすると、基板上に、アルミニウムを含む第1の半導体多層膜、活性層、及び第2の半導体多層膜を有する複数の半導体層が積層され、前記第1の半導体多層膜上にメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子において、前記第1の半導体多層膜の外形は、前記基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、前記第1の半導体多層膜の側面は、不動態化膜と保護膜とによって被覆されていることを特徴とする面発光レーザ素子である。なお、本明細書では、上記角部が無くマクロ的に滑らかな形状は、一つの角が鋭角ではなく、90°より大きい多角であったり、屈曲しない曲線形状を含む。これによれば、信頼性を向上させることができる。本発明は、第2の観点からすると、本発明の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイである。これによれば、本発明の面発光レーザ素子が集積されているため、信頼性を向上させることができる。本発明は、第3の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザ素子を有する光源と、前記光源からの光を偏向する光偏向器と、前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。これによれば、光源が本発明の面発光レーザ素子を有しているため、安定した光走査を行うことができる。本発明は、第4の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザアレイを有する光源と、前記光源からの光を偏向する光偏向器と、前記光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。これによれば、光源が本発明の面発光レーザアレイを有しているため、安定した光走査を行うことができる。本発明は、第5の観点からすると、少なくとも1つの像担持体と、前記少なくとも1つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも1つの本発明の光走査装置と、を備える画像形成装置である。これによれば、本発明の光走査装置を備えているため、結果として、高品質の画像を形成することができる。本発明は、第6の観点からすると、基板上に、アルミニウムを含む第1の半導体多層膜、活性層、及び第2の半導体多層膜を有する複数の半導体層が積層され、前記第1の半導体多層膜上にメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、前記第1の半導体多層膜を、前記基板の表面に直交する方向からみたときの外形が角部が無くマクロ的に滑らかな形状となるようにエッチングする工程と、前記第1の半導体多層膜のエッチング面を不動態化する工程と、該不動態化された面を保護膜によって被覆する工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法である。これによれば、信頼性の高い面発光レーザ素子を製造することができる。以下、本発明の一実施形態を図1~図10を用いて説明する。図1には、一実施形態に係るレーザプリンタ1000の概略構成が示されている。このレーザプリンタ1000は、光走査装置1010、感光体ドラム1030、帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034、クリーニングユニット1035、トナーカートリッジ1036、給紙コロ1037、給紙トレイ1038、レジストローラ対1039、定着ローラ1041、排紙ローラ1042、排紙トレイ1043、通信制御装置1050、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置1060などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体1044の中の所定位置に収容されている。通信制御装置1050は、ネットワークなどを介した上位装置例えばパソコンとの双方向の通信を制御する。感光体ドラム1030は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム1030の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム1030は、図1における矢印方向に回転するようになっている。帯電チャージャ1031、現像ローラ1032、転写チャージャ1033、除電ユニット1034及びクリーニングユニット1035は、それぞれ感光体ドラム1030の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム1030の回転方向に沿って、帯電チャージャ1031→現像ローラ1032→転写チャージャ1033→除電ユニット1034→クリーニングユニット1035の順に配置されている。帯電チャージャ1031は、感光体ドラム1030の表面を均一に帯電させる。光走査装置1010は、帯電チャージャ1031で帯電された感光体ドラム1030の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム1030の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム1030の回転に伴って現像ローラ1032の方向に移動する。なお、この光走査装置1010の構成については後述する。トナーカートリッジ1036にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ1032に供給される。現像ローラ1032は、感光体ドラム1030の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ1036から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像以下では、便宜上トナー像ともいうは、感光体ドラム1030の回転に伴って転写チャージャ1033の方向に移動する。給紙トレイ1038には記録紙1040が格納されている。この給紙トレイ1038の近傍には給紙コロ1037が配置されており、該給紙コロ1037は、記録紙1040を給紙トレイ1038から1枚ずつ取り出し、レジストローラ対1039に搬送する。該レジストローラ対1039は、給紙コロ1037によって取り出された記録紙1040を一旦保持するとともに、該記録紙1040を感光体ドラム1030の回転に合わせて感光体ドラム1030と転写チャージャ1033との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ1033には、感光体ドラム1030の表面のトナーを電気的に記録紙1040に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム1030の表面のトナー像が記録紙1040に転写される。ここで転写された記録紙1040は、定着ローラ1041に送られる。定着ローラ1041では、熱と圧力とが記録紙1040に加えられ、これによってトナーが記録紙1040上に定着される。ここで定着された記録紙1040は、排紙ローラ1042を介して排紙トレイ1043に送られ、排紙トレイ1043上に順次スタックされる。除電ユニット1034は、感光体ドラム1030の表面を除電する。クリーニングユニット1035は、感光体ドラム1030の表面に残ったトナー残留トナーを除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム1030の表面は、再度帯電チャージャ1031に対向する位置に戻る。次に、前記光走査装置1010の構成について説明する。この光走査装置1010は、一例として図2に示されるように、偏向器側走査レンズ11a、像面側走査レンズ11b、ポリゴンミラー13、光源14、カップリングレンズ15、開口板16、シリンドリカルレンズ17、反射ミラー18、及び走査制御装置図示省略などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング30の所定位置に組み付けられている。なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を主走査対応方向と略述し、副走査方向に対応する方向を副走査対応方向と略述する。カップリングレンズ15は、光源14から出力された光束を略平行光とする。開口板16は、開口部を有し、カップリングレンズ15を介した光束のビーム径を規定する。シリンドリカルレンズ17は、開口板16の開口部を通過した光束を、反射ミラー18を介してポリゴンミラー13の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。光源14とポリゴンミラー13との間の光路上に配置される光学系は、光偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、光偏向器前光学系は、カップリングレンズ15と開口板16とシリンドリカルレンズ17と反射ミラー18とから構成されている。ポリゴンミラー13は、一例として内接円の半径が18mmの6面鏡を有し、各鏡がそれぞれ偏向反射面となる。このポリゴンミラー13は、副走査対応方向に平行な軸の周りを等速回転しながら、反射ミラー18からの光束を偏向する。偏向器側走査レンズ11aは、ポリゴンミラー13で偏向された光束の光路上に配置されている。像面側走査レンズ11bは、偏向器側走査レンズ11aを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ11bを介した光束が、感光体ドラム1030の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー13の回転に伴って感光体ドラム1030の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム1030上を走査する。このときの光スポットの移動方向が主走査方向である。また、感光体ドラム1030の回転方向が副走査方向である。ポリゴンミラー13と感光体ドラム1030との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ11aと像面側走査レンズ11bとから構成されている。なお、偏向器側走査レンズ11aと像面側走査レンズ11bの間の光路上、及び像面側走査レンズ11bと感光体ドラム1030の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも1つの折り返しミラーが配置されても良い。光源14は、一例として図3及び図4に示される面発光レーザ素子100を有している。図3は面発光レーザ素子100の平面図であり、図4は図3のA-A断面図である。ここで、不動態化膜115は説明のために図示しているだけであり、実際に基板表面に直交する方向から見たときには見えない。なお、本明細書では、レーザ発振方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な面内における互いに直交する2つの方向をX軸方向及びY軸方向として説明する。この面発光レーザ素子100は、発振波長が780nm帯の面発光レーザ素子VCSELであり、基板101上に複数の半導体層が積層されている。該複数の半導体層は、発光部が含まれるメサ部と、該メサ部と基板101との間の部分以下では、便宜上ベース部ともいうとから構成されている。ここでは、Z軸方向からみたとき、メサ部の外形は矩形であり、ベース部の外形は角丸矩形である。面発光レーザ素子100は、図4を拡大した図である図5に示されるように、基板101、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、コンタクト層109などを有している。基板101は、表面が鏡面研磨面であり、図6Aに示されるように、鏡面研磨面主面の法線方向が、結晶方位[100]方向に対して、結晶方位[111]A方向に向かって15度θ=15度傾斜したn-GaAs単結晶基板である。すなわち、基板101はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図6Bに示されるように、結晶方位[0-11]方向がX方向、結晶方位[01-1]方向が-X方向となるように配置されている。図5に戻り、バッファ層102は、基板101のZ側の面上に積層され、n-GaAsからなる層である。下部半導体DBR103は、第1の下部半導体DBRと第2の下部半導体DBRを有している。第1の下部半導体DBRは、バッファ層102のZ側に積層され、n-AlAsからなる低屈折率層と、n-Al0.33Ga0.67Asからなる高屈折率層のペアを37ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ/4のとき、その層の実際の厚さDは、D=λ/4n但し、nはその層の媒質の屈折率である。第2の下部半導体DBRは、第1の下部半導体DBRのZ側に積層され、n-AlAsからなる低屈折率層と、n-Al0.33Ga0.67Asからなる高屈折率層のペアを3ペア有している。そして、低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、3λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。また、高屈折率層は、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。すなわち、第2の下部半導体DBRでは、低屈折率層の厚さが第1の下部半導体DBRにおける低屈折率層の厚さよりも厚く設定されている。ところで、図7に示されるように、AlAs層の熱抵抗が任意の組成のAlGaAs層の熱抵抗よりも小さいため、熱源となる活性層105に近い部分のAlAs層の厚さを厚くすることにより、効率良く放熱を行うことが可能となる。これは、発光時の発熱による素子特性の劣化の抑制や素子寿命の増大に効果がある。下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103のZ側に積層され、ノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。下部スペーサ層104の光学的厚さはλ/4である。活性層105は、下部スペーサ層104のZ側に積層され、GaInAsP/GaInPからなる3重量子井戸構造の活性層である。上部スペーサ層106は、活性層105のZ側に積層され、ノンドープのAl0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。上部スペーサ層106の光学的厚さはλ/4である。下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、その厚さが1波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。また、共振器構造体は全域にInを含むことが望ましい。これは、共振器構造体がInを含む材料から形成されることで、Inを含まない層とのエッチング速度の差が大きくなり、ドライエッチング法によりメサを形成するときに下部半導体DBRに達することなく、共振器構造体中でエッチングを止めることが容易となるためである。上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106のZ側に積層され、p-Al0.93Ga0.07Asからなる低屈折率層とp-Al0.31Ga0.69Asからなる高屈折率層のペアを23ペア有している。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。上部半導体DBR107における低屈折率層の1つには、AlAsからなる被選択酸化層108が厚さ30nmで挿入されている。この被選択酸化層108の挿入位置は、上部スペーサ層106から2ペア目の低屈折率層中である。コンタクト層109は、上部半導体DBR107のZ側に積層され、p-GaAsからなる層である。なお、このように基板101上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上積層体ともいう。次に、面発光レーザ素子100の製造方法について説明する。1上記積層体を有機金属気相成長法MOCVD法あるいは分子線エピタキシャル成長法MBE法による結晶成長によって形成する。ここでは、III族の原料には、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIを用い、V族の原料には、フォスフィンPH3、アルシンAsH3を用いている。また、p型ドーパントの原料には四臭化炭素CBr4、ジメチルジンクDMZnを用い、n型ドーパントの原料にはセレン化水素H2Seを用いている。2積層体の表面に1辺が25μmの正方形状のレジストパターンを形成する。3ICPドライエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとして四角柱状のメサを形成する。ここではエッチングの底面は活性層105中に位置している。4フォトマスクを除去する。5メサが形成された積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層108中のAlアルミニウムが選択的に酸化される。そして、メサの中央部に、Alの酸化物108aによって囲まれた酸化されていない領域108bを残留させる。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域108bが電流通過領域である。6選択酸化処理が完了した積層体に対して、ベース部の外形を規定するため、外形が角丸矩形状のレジストパターンをリソグラフィにより形成する。7ICPドライエッチング法で、底面がAlを含まない材料からなる基板に至るようにベース部を形成する。ここで形成されたベース部の外形は角丸矩形状である。なお、一例として図8に示されるように、隣接する2つのベース部の間が切断部となる。8レジストパターンを除去する。9積層体を加熱処理用のチャンバー内に入れ、380~400°Cの窒素雰囲気中に3分間保持する。これにより、ベース部の側壁は、大気中で表面に付着した酸素や水、もしくはチャンバー内の微量な酸素や水による自然酸化膜が、安定した不動態化膜115になる。不動態化膜115は、アルミニウムの酸化物を含んでいる。10気相化学堆積法CVD法を用いて、SiN、SiONあるいはSiO2からなる保護層111を形成する。11メサ上部にp側電極コンタクトの窓開けを行う。ここでは、フォトレジストによるマスクを施した後、メサ上部の開口部を露光してその部分のフォトレジストを除去し、BHFバッファードフッ酸にて保護層111をエッチングして開口した。12メサ上部の光射出部となる領域に一辺10μmの正方形状のレジストパターンを形成し、p側の電極材料の蒸着を行う。p側の電極材料としてはCr/AuZn/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜が用いられる。13光射出部の電極材料をリフトオフし、p側電極113を形成する。14基板101の裏側を所定の厚さ例えば100μm程度まで研磨した後、n側電極114を形成する。ここでは、n側電極114はAuGe/Ni/Auからなる多層膜である。15アニールによって、p側電極113とn側電極114のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。16隣接する2つのベース部の間の切断部を、ダイシングあるいはスクライブブレーキングによって切断する。そして、種々の後工程を経て、面発光レーザ素子100となる。ここでは、ベース部の側壁は、不動態化され、更に誘電体からなる保護膜保護層111で被覆されている。すなわち、水分などに対して二重に保護されている。このとき、仮に図9に示されるように、ベース部の外形が矩形状であると、ベース部の四隅における不動態化膜115の長さ不動態化される距離d2は、その他に部分における不動態化膜115の長さ不動態化される距離d1の約1.4倍となる。不動態化膜115は、歪みを有しているため、不動態化膜115が形成された後に行われる、フォトマスクをフォトレジストを介して積層体に密着させる工程例えば、上記工程11、及びチップ毎に分割する工程上記工程16などにおいて、ベース部の四隅近傍にクラックが入りやすくなる。すなわち、水分などに対する保護が損なわれるおそれがある。一方、本実施形態では、ベース部の外形を角丸矩形としているため、図10に示されるように、ベース部の四隅における不動態化膜115の長さ不動態化される距離d4は、他に部分における不動態化膜115の長さ不動態化される距離d3とほぼ同じとなり、不動態化膜115が形成された後に行われる工程においてクラックは入りにくい。これにより、従来に比べて腐食するのを抑制でき、信頼性を格段に向上させることができる。ここで、角丸矩形は、角部が屈曲していない曲線形状である。本実施形態では、角部において、不動態化膜がほぼ一定の長さとなる形状である、これが、角部が無くマクロ的に滑らかな形状である。上記のようにして製造された3000個の面発光レーザ素子100を、温度85°C、湿度85の高温高湿雰囲気中に500時間放置したところ、いずれの面発光レーザ素子100においても腐食は見られなかった。比較例として、ベース部の外形を矩形状とした面発光レーザ素子を3000個製造し、同様に高温高湿保持試験を行ったところ、8個の面発光レーザ素子では、ベース部の角近傍から腐食していた。以上の説明から明らかなように、上記面発光レーザ素子100の製造方法において、本発明の面発光レーザ素子の製造方法が実施されている。以上説明したように、本実施形態に係る面発光レーザ素子100によると、基板101上に、下部半導体DBR103、活性層105を含む共振器構造体、上部半導体DBR107などが積層されている。そして、下部半導体DBR103の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体DBR103のエッチング面は、不動態化膜115と保護層111とによって被覆されている。ここで角部が無くマクロ的に滑らかな形状には、一つの角が鋭角でなく、90°より大きい多角であったり、屈曲しない曲線形状を含む。ここで、角部が屈曲しないとは、ある一つの角部において、1箇所も内側に凹むことが無いと言う意味である。すなわち、ひとつの角部に着目した場合、その角部の曲線部分にある全ての点における接線は、その角部においてただ1点のみで接する曲線形状とも言える。この場合は、不動態化膜115にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。また、面発光レーザ素子100の信頼性が格段に向上しているため、光走査装置1010及びレーザプリンタ1000の信頼性も向上させることができる。そこで、光走査装置1010では、安定した光走査を行うことができる。また、レーザプリンタ1000では、高品質の画像を形成することができる。ところで、一例として図11及び該図11のA-A断面図である図12に示されるように、メサの周囲を溝構造としても良い。この場合は、電極パッドをメサ上面と同じ高さにすることができ、フォトマスクをフォトレジストを介して積層体に密着させる際に、発光部に印加される圧力を低減する効果や、電極パッドによる寄生容量を低減する効果があり、歩留りの向上や素子特性の向上に有効である。また、ベース部の外形は、角丸矩形に限定されるものではなく、一例として図13及び図14に示されるように、楕円形状であっても良いし、一例として図15及び図16に示されるように、円形状であっても良い。要するに、不動態化膜115の厚さをほぼ均一にすることが可能な形状であれば良い。なお、図13及び図15は、メサの周囲に溝が設けられていない面発光レーザ素子であり、図14及び図16は、メサの周囲に溝が設けられている面発光レーザ素子である。また、メサの外形、p側電極の形状、及びメサの周囲の溝の形状も、上記説明に限定されるものではない。また、光源14は、前記面発光レーザ素子100に代えて、一例として図17に示されるように、面発光レーザアレイ500を有していても良い。この面発光レーザアレイ500は、同一基板上に2次元的に配列されている複数ここでは16個の発光部を有している。図17におけるX軸方向は主走査対応方向であり、Y軸方向は副走査対応方向である。なお、発光部の数は16個に限定されるものではない。複数ここでは16個の発光部は、図18に示されるように、すべての発光部をY軸方向に伸びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等間隔cとなるように配置されている。なお、本明細書では、発光部間隔とは2つの発光部の中心間距離をいう。ここでは、間隔cは6μm、Y軸方向の発光部間隔dは24μm、X軸方向の発光部間隔xは30μmである。各発光部は、図17のA-A断面図である図19に示されるように、面発光レーザ素子100と同様な構造を有している。すなわち、面発光レーザアレイ500は、面発光レーザ素子100が集積された面発光レーザアレイである。そこで、面発光レーザアレイ500は、面発光レーザ素子100と同様にして製造することができる。また、面発光レーザアレイ500は、面発光レーザ素子100と同様な効果を得ることができる。3000個の面発光レーザアレイ500を、温度85°C、湿度85の高温高湿雰囲気中に500時間放置したところ、いずれの面発光レーザアレイ500においても腐食は見られなかった。比較例として、ベース部の外形を矩形状とした面発光レーザアレイを3000個製造し、同様に高温高湿保持試験を行ったところ、いくつかの面発光レーザアレイでは、ベース部の角近傍から腐食していた。このように、面発光レーザアレイ500は、従来の面発光レーザアレイよりも、格段に信頼性が向上しているといえる。そして、この場合においても、ベース部の外形を楕円形状や円形状としても良い。ベース部の外形が楕円形の面発光レーザアレイを3000個製造し、上記と同様に高温高湿保持試験を行ったところ、腐食は全く見られなかった。また、ベース部の外形が円形の面発光レーザアレイを3000個製造し、上記と同様に高温高湿保持試験を行ったところ、腐食は全く見られなかった。また、一例として図20及び該図20のA-A断面図である図21に示されるように、メサの周囲に溝を設けても良い。ところで、面発光レーザアレイ500では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔cであるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム1030上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。そして、上記間隔cが6μmであるため、光走査装置1010の光学系の倍率を約1.8倍とすれば、2400dpiドット/インチの高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、前記間隔dを狭くして間隔cを更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯タイミングで容易に制御できる。また、レーザプリンタ1000では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。ところで、2つの発光部の間の溝は、各発光部の電気的及び空間的分離のために、5μm以上とすることが好ましい。あまり狭いと製造時のエッチングの制御が難しくなるからである。また、メサの大きさ1辺の長さは10μm以上とすることが好ましい。あまり小さいと動作時に熱がこもり、特性が低下するおそれがあるからである。また、上記実施形態において、前記面発光レーザ素子100に代えて、前記面発光レーザ素子100と同様の製造方法で製造され、前記面発光レーザ素子100と同様の発光部が1次元配列された面発光レーザアレイを用いても良い。また、上記実施形態では、基板101の主面の法線方向が、結晶方位[100]方向に対して、結晶方位[111]A方向に向かって15度傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。傾斜基板を用いるときには、基板101の主面の法線方向が、結晶方位<100>の一の方向に対して、結晶方位<111>の一の方向に向かって傾斜していれば良い。また、上記実施形態では、基板101が傾斜基板である場合について説明したが、これに限定されるものではない。また、上記実施形態では、発光部の発振波長が780nm帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。また、面発光レーザ素子100は、画像形成装置以外の用途に用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、650nm帯、850nm帯、980nm帯、1.3μm帯、1.5μm帯等の波長帯であっても良い。また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ1000の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、光走査装置1010を備えた画像形成装置であれば良い。例えば、レーザ光によって発色する媒体例えば、用紙に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。例えば、媒体が、CTPComputertoPlateとして知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置1010は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示/消去を可逆的に行うものである。透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、110°C以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、80°Cから110°Cの消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。また、媒体が、紫外光を当てるとCシアンに発色し、可視光のRレッドの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとMマゼンタに発色し、可視光のGグリーンの光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとYイエローに発色し、可視光のBブルーの光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、RGBの光を当てる時間や強さで、YMCに発色する3種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、RGBの強力な光を当て続ければ3種類とも消色して真っ白にすることもできる。このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。また、一例として図22に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ2000であっても良い。このカラープリンタ2000は、4色ブラック、シアン、マゼンタ、イエローを重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション感光体ドラムK1、帯電装置K2、現像装置K4、クリーニングユニットK5、及び転写装置K6と、シアン用のステーション感光体ドラムC1、帯電装置C2、現像装置C4、クリーニングユニットC5、及び転写装置C6と、マゼンタ用のステーション感光体ドラムM1、帯電装置M2、現像装置M4、クリーニングユニットM5、及び転写装置M6と、イエロー用のステーション感光体ドラムY1、帯電装置Y2、現像装置Y4、クリーニングユニットY5、及び転写装置Y6と、光走査装置2010と、転写ベルト2080と、定着ユニット2030などを備えている。各感光体ドラムは、図22中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置2010により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト2080上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット2030により記録紙に画像が定着される。光走査装置2010は、前記光源14と同様な光源を色毎に有している。そこで、上記光走査装置1010と同様な効果を得ることができる。また、カラープリンタ2000は、光走査装置2010を備えているため、上記レーザプリンタ1000と同様な効果を得ることができる。ところで、カラープリンタ2000では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置2010の各光源が前記面発光レーザアレイ500と同様な面発光レーザアレイを有していると、点灯させる発光部を変更することで色ずれを低減することができる。なお、上記実施形態において、放熱について考慮する必要がないときは、下部半導体DBRの低屈折率層を、すべて光学的厚さがλ/4となる膜厚のn-AlAsからなる低屈折率層としても良い。また、上記実施形態において、放熱について考慮する必要がないときは、下部半導体DBRの低屈折率層を、すべて光学的厚さがλ/4となる膜厚のn-Al0.93Ga0.07Asからなる低屈折率層としても良い。