"式AX1-Ar1-X1A式中、X1は式1~6のいずれかで表される基を表し、Ar1は、炭素数6~36の2価の芳香族炭化水素基を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子又はカルボニル基で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子-窒素原子二重結合を部分構造として有する置換基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトリル基又はニトロ基で置換されていてもよい。で表される芳香族モノマーと、式BX2-Ar2-X2B式中、X2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ar2は、炭素数6~36の2価の芳香族炭化水素基を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子又はカルボニル基で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子-窒素原子二重結合を部分構造として有する置換基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトリル基又はニトロ基で置換されていてもよい。で表される芳香族モノマーとを、塩基、パラジウム化合物、式C式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基を表し、Aは、炭素数1~20のアルキル基を表す。隣接するR1とR2、及び/又は、R2とR3は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィン及び非プロトン性有機溶媒の存在下に混合する工程を含むことを特徴とする芳香族ポリマーの製造方法。非プロトン性有機溶媒が、エーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒及び脂肪族炭化水素溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種の非プロトン性有機溶媒であることを特徴とする請求項1記載の芳香族ポリマーの製造方法。パラジウム化合物が、パラジウム0錯体又はパラジウムII錯体であることを特徴とする請求項1又は2記載の芳香族ポリマーの製造方法。式X式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基を表し、Aaは、tブチル基又はシクロヘキシル基を表す。隣接するR1とR2、及び/又は、R2とR3は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィン。Aaが、tブチル基を表すことを特徴とする請求項4記載のホスフィン。Aaが、シクロヘキシル基を表すことを特徴とする請求項4記載のホスフィン。請求項4記載のホスフィンと第10族遷移金属化合物とを接触させて得られる遷移金属錯体。従来の製造方法では、反応条件によっては、触媒の活性が必ずしも充分満足できない場合があり、優れた重合活性を有する新規な触媒を用いる芳香族ポリマーの製造方法の開発が望まれていた。このような状況下、本発明者らは鈴木カップリング反応による重合によって芳香族ポリマーを効率的に製造する方法について鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。すなわち、本発明は、1.式AX1-Ar1-X1A式中、X1は式1~6のいずれかで表される基を表し、Ar1は、炭素数6~36の2価の芳香族炭化水素基を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子又はカルボニル基で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子-窒素原子二重結合を部分構造として有する置換基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトリル基又はニトロ基で置換されていてもよい。で表される芳香族モノマーと、式BX2-Ar2-X2B式中、X2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ar2は、炭素数6~36の2価の芳香族炭化水素基を表す。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、ヘテロ原子又はカルボニル基で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子-窒素原子二重結合を部分構造として有する置換基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトリル基又はニトロ基で置換されていてもよい。で表される芳香族モノマーとを、塩基、パラジウム化合物、式C式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基を表し、Aは、炭素数1~20のアルキル基を表す。隣接するR1とR2、及び/又は、R2とR3は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィン以下、本ホスフィンと記すこともある。及び非プロトン性有機溶媒の存在下に混合する工程を含むことを特徴とする芳香族ポリマーの製造方法以下、本発明製造方法と記すこともある。;2.非プロトン性有機溶媒が、エーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒及び脂肪族炭化水素溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1種の非プロトン性有機溶媒であることを特徴とする前項1記載の芳香族ポリマーの製造方法;3.パラジウム化合物が、パラジウム0錯体又はパラジウムII錯体であることを特徴とする前項1又は2記載の芳香族ポリマーの製造方法;4.式X式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基を表し、Aaは、tブチル基又はシクロヘキシル基を表す。隣接するR1とR2、及び/又は、R2とR3は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィン以下、本発明ホスフィンと記すこともある。;5.Aaが、tブチル基を表すことを特徴とする前項4記載のホスフィン:6.Aaが、シクロヘキシル基を表すことを特徴とする前項4記載のホスフィン;7.前項4記載のホスフィンと第10族遷移金属化合物とを接触させて得られる遷移金属錯体以下、本発明遷移金属錯体と記すこともある。;等を提供するものである。本発明によれば、優れた重合活性を有する新規な触媒を用いて芳香族ポリマーを製造する方法が提供可能になる。<芳香族モノマー>本発明製造方法に用いられる芳香族モノマーは、式AX1-Ar1-X1Aで表される芳香族モノマー以下、芳香族モノマーAと記すことがあると、式BX2-Ar2-X2Bで表される芳香族モノマー以下、芳香族モノマーBと記すことがあるとである。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、炭素数6~36の2価の芳香族炭化水素基を表す。当該芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、例えば、ナフタレン基、アントラセン基、フルオレン基等の縮合系芳香族炭化水素基等を挙げることができる。また、異なる例示として、ビフェニレン基のようにフェニレン基が単結合した芳香族炭化水素基のように、得られる芳香族ポリマーの主鎖を形成する前記芳香族炭化水素基が、互いに、単結合、ヘテロ原子又はカルボニル基で連結されたもの等を挙げることができる。当該芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子は、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基で置換されていてもよい。置換基としては、例えば、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、アシル基、炭素原子-窒素原子二重結合を部分構造として有する置換基、酸イミド基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトリル基又はニトロ基等を挙げることができる。また、置換基に含まれる水素原子は、さらに、フッ素原子、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~20のアリール基、炭素数6~20のアリールオキシ基、炭素数2~20のアシル基又はニトリル基で置換されていてもよい。アルキル基としては、例えば、炭素数1~20のアルキル基等を挙げることができる。具体的には例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、2-メチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基及びn-イコシル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、例えば、炭素数1~20のアルコキシ基等を挙げることができる。具体的には例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、2,2-ジメチルプロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-トリデシルオキシ基、n-テトラデシルオキシ基、n-ペンタデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-ヘプタデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、n-ノナデシルオキシ基及びn-イコシルオキシ基等を挙げることができる。アルキルチオ基としては、例えば、炭素数1~20のアルキルチオ基等を挙げることができる。具体的には例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、s-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等を挙げることができる。アリール基としては、例えば、炭素数6~20のアリール基等を挙げることができる。具体的には例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、3-フェナントリル基、2-アントリル基等が挙げられる。アリールオキシ基としては、例えば、前記炭素数6~20のアリール基に酸素原子が結合した基等を挙げることができる。具体的には例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基、フェナントリルオキシ基、アントリルオキシ基等が挙げられる。アリールチオ基としては、例えば、前記炭素数6~20のアリール基に硫黄原子が結合した基等を挙げることができる。具体的には例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等が挙げられる。アリールアルキルチオ基としては、例えば、前記炭素数6~20のアリール基で置換された前記炭素数1~20のアルキル基に硫黄原子が結合した基等を挙げることができる。具体的には例えば、フェニルメチルチオ基、ナフチルメチルチオ基等が挙げられる。アリールアルケニル基としては、例えば、フェニルアルケニル基、ナフチルアルケニル基等を挙げることができる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、1-オクテニル基等を挙げることができる。アリールアルキニル基としては、例えば、フェニルアルキニル基、ナフチルアルキニル基等を挙げることができる。アルキニル基としては、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、1-ペンチニル基、2-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、2-ヘキシニル基、1-オクチニル基等を挙げることができる。置換基を有してもよい複素環基とは、複素環式化合物中の水素原子が結合手となった基を意味する。ここで、複素環基としては、例えば、チエニル基、アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等を挙げることができる。尚、前記複素環基が有する置換基としては、例えば、アルキル基等を挙げることができる。置換基を有してもよいアミノ基は、-NR’2で表される基を意味する。ここで、R’としては、例えば、それぞれ独立に、水素原子、例えば、アルキル基、アリール基等の炭素数1~20の炭化水素基、及び、置換基を有してもよい複素環基等を挙げることができる。好ましくは、例えば、置換基を有するアミノ基即ち、少なくとも一つのR’は、水素原子以外の置換基である。等が挙げられる。置換基を有してもよいアミノ基としては、具体的には例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、s-ブチルアミノ基、t-ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7-ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基等を挙げることができる。置換基を有してもよいシリル基は、-SiR’3で表される基を意味する。ここで、R’としては、例えば、それぞれ独立に、水素原子、例えば、アルキル基、アリール基等の炭素数1~20の炭化水素基、及び、置換基を有してもよい複素環基等を挙げることができる。好ましくは、例えば、置換基を有するシリル基即ち、少なくとも一つのR’は、水素原子以外の置換基である。等が挙げられる。置換基を有してもよいシリル基としては、具体的には例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ-イソプロピルシリル基、ジメチル-イソプロピルシリル基、ジエチル-イソプロピルシリル基、t-ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2-エチルヘキシル-ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7-ジメチルオクチル-ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニルアルキルシリル基、アルコキシフェニルアルキルシリル基、アルキルフェニルアルキルシリル基、ナフチルアルキルシリル基、フェニル-アリルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベンジルシリル基ジフェニルメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等を挙げることができる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基等の脂肪族アシル基、例えば、ベンゾイル基、ナフトイル基等の芳香族アシル基等を挙げることができる。炭素原子-窒素原子二重結合を部分構造として有する置換基は、式:H-N=C<および式:-N=CH-の少なくとも一方で表される部分構造を有するイミン化合物から、当該部分構造中の水素原子が結合手となった基以下、イミン残基と記すこともある。を意味し、例えば、前記の炭素原子-窒素原子二重結合に基づき環を形成していないものを挙げることができる。ここで、イミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物を挙げることができる。イミン残基の炭素数は、通常2~20、好ましくは2~18、より好ましくは2~16程度である。イミン残基としては、例えば、式:-CR=N-R、又は、式:-N=CR2式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基を表し、Rは、独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基を表す。但し、Rが2個存在する場合、2個のRは相互に結合し一体となって形成された2価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素数2~18のアルキレン基等を表す。で示される基等を挙げることができる。イミン残基としては、具体的には例えば、以下の構造式で示される基等を挙げることができる。酸イミド基は、酸イミドに含まれる窒素原子と結合する水素原子が結合手となった残基を意味する。酸イミド基の炭素数としては、例えば、4~20等を挙げることができる。好ましくは、例えば、4~18程度、より好ましくは4~16程度を挙げることができる。酸イミド基としては、具体的には例えば、以下に示す基等を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、前記アルコキシ基にカルボニル基が結合した基等を挙げることができる。具体的には例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、s-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7-ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えば、式a~eで表される2価の基等を挙げることができる。式中、Rは置換基を意味する。当該置換基としては、Ar1及びAr2の水素原子に置換されてもよい置換基として例示されたものと同様の基を挙げることができる。nは0~4の整数を表す。芳香族炭化水素基に含まれる炭素原子がヘテロ原子又はカルボニル基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、式f~zで表される2価の基等を挙げることができる。式中、Rは置換基を意味する。当該置換基としては、Ar1及びAr2の水素原子に置換されてもよい置換基として例示されたものと同様の基を挙げることができる。nは0~2の整数を表す。YはN、S、C=Oを表す。互いに、ヘテロ原子又はカルボニル基で連結された芳香族炭化水素基としては、例えば、式aa~aeで表される2価の基等を挙げることができる。本発明製造方法に用いられる芳香族モノマーAにおけるAr1と、芳香族モノマーBにおけるAr2とは同一であっても異なっていてもよい。好ましいAr1及びAr2としては、例えば、式、、、、、中のYはSが好ましい、、で表される基等を挙げることができる。芳香族モノマーAのX1は、式1~6のいずれかで表される基を表す。芳香族モノマーAにおけるX1は、同一でも異なっていてもよいが、同一のX1であると、芳香族モノマーAの調製が容易であることから好ましい。好ましいX1は、式3で表される基である。芳香族モノマーAとしては、具体的には例えば、22’-99-ジヘキシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジヘキシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス1,3,2-ジオキサボリナン、22’-99-ジヘキシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジヘキシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン、22’-99-ジオクチル-9H-フルオレン-27-ジイルビス1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジオクチル-9H-フルオレン-27-ジイルビス1,3,2-ジオキサボリナン、22’-99-ジオクチル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジオクチル-9H-フルオレン-27-ジイルビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン、22’-99-ジドデシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジドデシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス1,3,2-ジオキサボリナン、22’-99-ジドデシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジドデシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン、22’-3,5-ジメトキシ-99-ジヘキシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、2,2’-9-オクチル-9H-カルバゾール-3,6-ジイルビス1,3,2-ジオキサボロラン、2,2’-1,4-フェニレンビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン、2,2’-2,5-ジメチル-1,4-フェニレンビス1,3,2-ジオキサボロラン、2,2’-2-メチル-5-オクチル-1,4-フェニレンビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、2,2’-2,5-ジブチル-1,4-フェニレンビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン、2,2’-2,5-ビスヘキシルオキシ-1,4-フェニレンビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン、2,5-ビス1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルチオフェン、2,5-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルチオフェン、2,5-ビス1,3,2-ジオキサボリナン-2-イルチオフェン、2,5-ビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン-2-イルチオフェン、1,1’-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-4,4’-ビフェニル、1,1’-ビス1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-4,4’-ビフェニル、1,1’-ビス1,3,2-ジオキサボリナン-2-イル-4,4’-ビフェニル、1,1’-ビス5,5-ジメチル-1,3,2-ジオキサボリナン-2-イル-4,4’-ビフェニル、5,5’-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-2,2’-バイチオフェン等を挙げることができる。好ましくは、例えば、22’-99-ジヘキシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジオクチル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、22’-99-ジドデシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、22’-3,5-ジメトキシ-99-ジヘキシル-9H-フルオレン-27-ジイルビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、2,2’-2-メチル-5-オクチル-1,4-フェニレンビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン、2,5-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルチオフェン、1,1’-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-4,4’-ビフェニル、5,5’-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-2,2’-バイチオフェン等を挙げることができる。本発明製造方法において、芳香族モノマーAが異なる複数種の芳香族モノマーAを用いてもよい。芳香族モノマーBのX2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。芳香族モノマーBにおけるX2は、同一でも異なっていてもよいが、同一のX2であると、芳香族ポリマーBの調製が容易であることから好ましい。好ましいX2は、臭素原子である。芳香族モノマーBとしては、具体的には例えば、2,7-ジブロモ-9,9-ジヘキシル-9H-フルオレン、2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチル-9H-フルオレン、2,7-ジブロモ-9,9-ジドデシル-9H-フルオレン、2,7-ジクロロ-9,9-ジヘキシル-9H-フルオレン、2,7-ジクロロ-9,9-ジオクチル-9H-フルオレン、2,7-ジクロロ-9,9-ジドデシル-9H-フルオレン、2-ブロモ-7-クロロ-9,9-ジヘキシル-9H-フルオレン、2-ブロモ-7-クロロ-9,9-ジオクチル-9H-フルオレン、2-ブロモ-7-クロロ-9,9-ジドデシル-9H-フルオレン、1,4-ジブロモベンゼン、1,3-ジブロモベンゼン、1,4-ジブロモ-2-エチルベンゼン、1,4-ジブロモ-2-メトキシベンゼン、ジメチル2,5-ジブロモテレフタレート、1,4-ジブロモナフタレン、3,5-ジブロモピリジン、1,1’-ジブロモ-4,4’-ビフェニル、2,5-ジブロモピリジン、1,4-ジブロモ-2,5-ジヘキシルオキシベンゼン、1-ブロモ-4-クロロベンゼン、1-ブロモ-4-クロロトルエン、1-ブロモ-4-クロロ-2-プロピルベンゼン、2,5-ジブロモ-4’-フェノキシベンゾフェノン、2,5-ジブロモ-3-ヘキシルチオフェン、2,5-ジブロモ-3、2,5-ジブロモ-3-オクチルチオフェン-ドデシルチオフェン、2,5-ジクロロ-3-ヘキシルチオフェン、5,5’-ジブロモ-2,2’-バイチオフェン、5,5’-ジブロモ-3,3’-ジヘキシル-2,2’-バイチオフェン、ビス4-ブロモフェニル-4-4-t-ブチルベンゼンアミン、ビス4-ブロモフェニル-4-1-メチルプロピルベンゼンアミン、ビス4-ブロモフェニル-4-ベンゼンアミン、N,N’-ビス4-ブロモフェニル-NN’-ビス4-n-ブチルフェニル-14-ベンゼンジアミン、N,N’-ビス4-ブロモフェニル-ビシクロ[4,2,0]オクタ-1,3,5-トリエン-3-アミン、N,N’-ビス4-ブロモフェニル-N,N’-ビス4-ブチルフェニル-1,4-ベンゼンジアミン、N,N’-ビス4-ブロモフェニル-NN’-ビス4-1,1-ジメチルエチル-26-ジメチルフェニル-1,4-ベンゼンジアミン、4,7-ジブロモ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール、4,7-ジブロモ-2,1,3-ベンゾセレナジアゾール、4,7-ビス5-ブロモ-2-チエニル-2,1,3-ベンゾチアジアゾール、4,7-ビス5-ブロモ-4-メチル-2-チエニル-2,1,3-ベンゾチアジアゾール、4,7-ビス5-ブロモ-3-メチル-2-チエニル-2,1,3-ベンゾチアジアゾール、3,7-ジブロモ-10-4-n-ブチルフェニル-10H-フェノチアジン、3,7-ジブロモ-10-4-n-ブチルフェニル-10H-フェノキシアジン、3,3’-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジイルビス[[4-ブロモフェニル]イミノ]]ビスベンゾイックアシッドジエチルエステル、4,4’-ビス[4-ブロモフェニルフェニルアミノ]ビフェニル等が挙げられる。好ましくは、例えば2,7-ジブロモ-9,9-ジヘキシル-9H-フルオレン、2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチル-9H-フルオレン、2,7-ジブロモ-9,9-ジドデシル-9H-フルオレン、1,4-ジブロモベンゼン、1,3-ジブロモベンゼン、2,5-ジブロモ-3-ヘキシルチオフェン、ビス4-ブロモフェニル-4-ベンゼンアミン等を挙げることができる。本発明製造方法において、芳香族モノマーBが異なる複数種の芳香族モノマーBを用いてもよい。本発明製造方法における芳香族モノマーBの使用量としては、芳香族モノマーA1モルに対して、例えば、0.8モル~1.2モルの範囲を挙げることができる。好ましくは、例えば、0.9モル~1.1モルの範囲が挙げられる。<塩基>本発明製造方法で用いられる塩基としては、例えば、無機塩基又は有機塩基を挙げることができる。無機塩基としては、例えば、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、カルボン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、リン酸塩等を挙げることができる。好ましくは、例えば、アルカリ金属の炭酸塩、リン酸塩が挙げられる。具体例には例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム、ギ酸カルシウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム等を挙げることができる。好ましくは、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、アルキルアンモニウム水酸化物、アルキルアンモニウム炭酸塩、アルキルアンモニウム重炭酸塩、アルキルアンモニウムボロン酸塩、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エンDBN、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセ-7-エンDBU、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンDABCO、ジメチルアミノピリジンDMAP、ピリジン、トリアルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムフルオライド等のアルキルアンモニウムフルオライド等を挙げることができる。好ましくは、例えば、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラ-n-プロピルアンモニウム水酸化物等のテトラアルキルアンモニウム水酸化物が挙げられる。塩基の使用量としては、芳香族モノマーB1モルに対して、例えば、0.5当量~20当量ここで、当量とは、芳香族モノマーBに含まれるX2の合計物質量と等しい水素イオンを中和するのに必要な塩基の理論物質量の比を表すの範囲等を挙げることができる。好ましくは、例えば、0.5当量~6当量の範囲が挙げられる。<相関移動触媒>本発明製造方法において、塩基として無機塩基を用いる場合には、相関移動触媒を用いてもよい。相関移動触媒としては、例えば、テトラアルキルハロゲン化アンモニウム、テトラアルキル硫酸水素アンモニウム、テトラアルキル水酸化アンモニウム等を挙げることができる。好ましくは、例えば、トリカプリリルメチル塩化アンモニウムSigma-Aldrich社からAliquat登録商標336として入手可能等のテトラアルキルハロゲン化アンモニウムが挙げられる。相関移動触媒の使用量としては、芳香族モノマーAと芳香族モノマーBとの合計モル数1モルに対して、例えば、0.001当量~1当量ここで、当量とは、芳香族モノマーBに含まれるX2の合計物質量と等しい水素イオンを中和するのに必要な塩基の理論物質量の比を表す。の範囲を挙げることができる。好ましくは、例えば、0.01当量~0.5当量が挙げられる。<非プロトン性有機溶媒>本発明製造方法で用いられる非プロトン性有機溶媒は、分子内に、例えば、水酸基、アミノ基、カルボキシル基等に結合した活性水素を有さず、かつ、芳香族モノマーA及び芳香族モノマーBを溶解し得る有機溶媒を意味する。非プロトン性有機溶媒としては、例えば、非環状エーテル溶媒、環状エーテル溶媒等のエーテル溶媒、非プロトン性極性溶媒、芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒等を挙げることができる。ここで、非プロトン性極性溶媒としては、具体的には例えば、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル等を挙げることができる。また非環状エーテル溶媒としては、具体的には例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。また環状エーテル溶媒としては、具体的には例えば、1,4-ジオキサン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。また芳香族炭化水素溶媒としては、具体的には例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を挙げることができる。また脂肪族炭化水素溶媒としては、具体的には例えば、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等を挙げることができる。好ましい非プロトン性有機溶媒としては、芳香族モノマーA及び芳香族モノマーBの溶解度の観点から、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1,4-ジオキサン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。尚、非プロトン性有機溶媒は、必要に応じて、2種以上の非プロトン性有機溶媒を混合して用いてよい。具体的には例えば、テトラヒドロフランとトルエンとの混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテルとトルエンとの混合溶媒等を挙げることができる。<パラジウム化合物>本発明製造方法で用いられるパラジウム化合物としては、例えば、パラジウム0錯体またはパラジウムII錯体等を挙げることができる。パラジウム0錯体としては、例えば、ジベンジリデンアセトンが0価パラジウムに配位した錯体、いわゆる、ジベンジリデンアセトン-パラジウム0錯体等を挙げることができる。具体的には例えば、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0クロロホルム付加体、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0等を挙げることができる。パラジウムII錯体としては、例えば、酢酸パラジウムII、トリフルオロ酢酸パラジウムII、パラジウムIIアセチルアセトナート等のパラジウムカルボン酸塩、例えば、塩化パラジウムII、臭化パラジウムII、ヨウ化パラジウムII等のハロゲン化パラジウム、例えば、アリルパラジウムIIクロライドダイマー、ビス2-メチルアリルパラジウムIIクロライドダイマー、ジクロロ1,5-シクロオクタジエンパラジウムII、ジクロロビスアセトニトリルパラジウムII、ジクロロビスベンゾニトリルパラジウムII等のハロゲン化パラジウム錯体等を挙げることができる。好ましいパラジウム化合物としては、具体的には例えば、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、塩化パラジウムII、臭化パラジウムII、酢酸パラジウムII等を挙げることができる。パラジウム化合物の使用量としては、芳香族モノマーBに対して、例えば、0.0001モル~0.8モルの範囲を挙げることができる。好ましくは、例えば、0.001モル~0.2モルの範囲が挙げられる。<式Cで表されるホスフィン>本発明製造方法で用いられる式Cで表されるホスフィンは、式C式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数6~20のアリール基を表し、Aは、炭素数1~20のアルキル基を表す。隣接するR1及びR2又はR2及びR3は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィンである。式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数6~20のアリール基を表す。炭素数1~20のアルキル基としては、具体的には例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、2-メチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基及びn-イコシル基等を挙げることができる。また、炭素数1~20のアルコキシ基としては、具体的に例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、2,2-ジメチルプロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-トリデシルオキシ基、n-テトラデシルオキシ基、n-ペンタデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-ヘプタデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、n-ノナデシルオキシ基及びn-イコシルオキシ基等を挙げることができる。また、炭素数6~20のアリール基としては、具体的には例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、3-フェナントリル基、2-アントリル基等を挙げることができる。Aは、炭素数1~20のアルキル基を表す。当該炭素数1~20のアルキル基としては、具体的には例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、2-メチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、1-アダマンチル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基及びn-イコシル基等を挙げることができる。好ましくは、例えば、t-ブチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。式Cで表されるホスフィンとしては、具体的には例えば、ジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-エチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-tert-ブチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-2-ナフチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチルベンゾチオフェン-2-イルホスフィン、ジ-tert-ブチル2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-エチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-tert-フリル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-2-ナフチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチルベンゾフラン-2-イルホスフィン、ジ-シクロヘキシル2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-エチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-tert-ブチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-2-ナフチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシルベンゾチオフェン-2-イルホスフィン、ジ-シクロヘキシル2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-エチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-tert-フリル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-2-ナフチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシルベンゾフラン-2-イルホスフィン等を挙げることができる。<式Xで表されるホスフィン>本発明製造方法で用いられる式Xで表されるホスフィンは、式X式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数6~20のアリール基を表し、Aaは、tブチル基又はシクロヘキシル基を表す。隣接するR1とR2、及び/又は、R2とR3は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィンである。<式Dで表されるホスフィン>本発明製造方法で用いられる式Dで表されるホスフィンは、式XにおけるAaがtブチル基を表すホスフィン、即ち、式D式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R4、R5及びR6はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数6~20のアリール基を表す。隣接するR4とR5、及び/又は、R5とR6は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィンである。式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R4、R5及びR6はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数6~20のアリール基を表す。炭素数1~20のアルキル基としては、具体的には例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、2-メチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基及びn-イコシル基等を挙げることができる。また、炭素数1~20のアルコキシ基としては、具体的に例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、2,2-ジメチルプロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-トリデシルオキシ基、n-テトラデシルオキシ基、n-ペンタデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-ヘプタデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、n-ノナデシルオキシ基及びn-イコシルオキシ基等を挙げることができる。また、炭素数6~20のアリール基としては、具体的には例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、3-フェナントリル基、2-アントリル基等を挙げることができる。式Dで表されるホスフィンとしては、例えば、ジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-エチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-tert-ブチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-2-ナフチル-2-チエニルホスフィン、ジ-tert-ブチルベンゾチオフェン-2-イルホスフィン、ジ-tert-ブチル2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-エチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-tert-フリル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル3-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル4-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチル5-2-ナフチル-2-フリルホスフィン、ジ-tert-ブチルベンゾフラン-2-イルホスフィン、等を挙げることができる。<式Eで表されるホスフィン>本発明製造方法で用いられる式Eで表されるホスフィンは、式XにおけるAaがシクロヘキシル基を表すホスフィン、即ち、式E式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R7、R8及びR9はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数6~20のアリール基を表す。隣接するR7とR8、及び/又は、R8とR9は結合して環を形成していてもよい。で表されるホスフィンである。式中、Yは酸素原子及び硫黄原子を表し、R7、R8及びR9はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基及び炭素数6~20のアリール基を表す。炭素数1~20のアルキル基としては、具体的には例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、2,2-ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、2-メチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基及びn-イコシル基等を挙げることができる。また、炭素数1~20のアルコキシ基としては、具体的に例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、2,2-ジメチルプロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-トリデシルオキシ基、n-テトラデシルオキシ基、n-ペンタデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-ヘプタデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、n-ノナデシルオキシ基及びn-イコシルオキシ基等を挙げることができる。また、炭素数6~20のアリール基としては、具体的には例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、3-フェナントリル基、2-アントリル基等を挙げることができる。式Eで表されるホスフィンとしては、具体的には例えば、ジ-シクロヘキシル2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-エチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-tert-ブチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-メチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-フェニル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-2-ナフチル-2-チエニルホスフィン、ジ-シクロヘキシルベンゾチオフェン-2-イルホスフィン、ジ-シクロヘキシル2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-エチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-tert-フリル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-メチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル3-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル4-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-フェニル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシル5-2-ナフチル-2-フリルホスフィン、ジ-シクロヘキシルベンゾフラン-2-イルホスフィン等を挙げることができる。式Cで表されるホスフィンの使用量としては、パラジウム化合物1モルに対して、例えば、0.1モル~10モルの範囲を挙げることができる。好ましくは、0.5モル~5モルの範囲が挙げられる。式Cで表されるホスフィン、式Xで表されるホスフィン、式Dで表されるホスフィン及び式Eで表されるホスフィンは、例えば、JournalofMolecularCatalysisA:Chemical2003,200,81-94.等の公知の方法に準じて合成することができる。<遷移金属錯体>式Cで表されるホスフィン、式Xで表されるホスフィン、式Dで表されるホスフィン又は式Eで表されるホスフィンと、第10族遷移金属化合物とを接触させることにより、遷移金属錯体を調製することができる。ここで、第10族遷移金属化合物としては、例えば、ニッケル化合物、パラジウム化合物、白金化合物等を挙げることができる。好ましくは、パラジウム化合物等が挙げられる。ここで、パラジウム化合物としては、例えば、前記の<パラジウム化合物>の説明欄で述べられたパラジウム化合物等が挙げられる。式Cで表されるホスフィン、式Xで表されるホスフィン、式Dで表されるホスフィン又は式Eで表されるホスフィンと、パラジウム化合物とからなる遷移金属錯体は、例えば、第5版実験化学講座日本化学会編纂、丸善株発行21有機遷移金属錯体超分子錯体p308-3279.2有機パラジウム錯体等の公知の方法に準じて調製することができる。<重合工程>重合工程は特に限定されるものではないが、例えば、iパラジウム化合物、式Cで表されるホスフィン、塩基、芳香族モノマーA、芳香族モノマーB及び非プロトン性有機溶媒を一緒に混合して重合する工程、ii塩基、芳香族モノマーA、芳香族モノマーB及び非プロトン性有機溶媒を混合した後、パラジウム化合物及び式Cで表されるホスフィン、或いは、パラジウム化合物及び式Cで表されるホスフィンで予め調製される錯体、並びに、非プロトン性有機溶媒を混合して重合する工程等を挙げることができる。重合工程における温度としては、例えば、0°C~180°Cの範囲を挙げることができる。好ましくは、例えば、30°C~100°Cの範囲が挙げられる。重合工程における重合時間としては、例えば、1時間~96時間の範囲を挙げることができる。好ましくは、例えば、3時間~48時間の範囲が挙げられる。重合工程によって得られた芳香族ポリマーを含む反応混合物は、例えば、貧溶媒を加える等して芳香族ポリマーを析出させ、ろ別等の固液分離により芳香族ポリマーを取り出してもよい。当該反応混合物は、金属等の不純物を取り除くために、塩酸等の酸性溶液で洗浄した後、上記の方法で取り出してもよい。また、得られた芳香族ポリマーは、クロマトグラフィによる分別等の精製処理をしてもよい。以下に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。得られた芳香族ポリマーの分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ以下、GPCと記すことがある。を行い、その分析結果からポリスチレン換算の重量平均分子量Mwを算出することで評価した。尚、GPCの分析条件は以下のとおりである。<GPCの分析条件>GPC測定装置:CTO-20A株式会社島津製作所製カラムオーブン、SPD-20A株式会社島津製作所製検出器カラム:PLgel10μmMIXED-B300×7.5mmポリマーラボラトリーズ株式会社製カラム温度:40°C移動相:テトラヒドロフラン流量:2mL/分検出:UV検出波長:228nm実施例1窒素雰囲気下、室温で、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-2,7-ジボロン酸とピナコールとからなるボロン酸エステル体6.0mmol、ビス4-ブロモフェニル[4-メチルプロピルフェニル]アミン6.0mmol、20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液20ml及びトルエン110mlを加えた後、攪拌しながら昇温したバス温度100°C。昇温後、ビスジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムII3μmol、パラジウムとして上記ボロン酸エステル体に対して0.05molと、トルエン12mlを加えて、攪拌しながらバス温度100°Cで4時間重合を行った。重合後、得られた芳香族ポリマーが有する分子量を、上記のGPC測定により分析した結果、分子量Mwが3.4×105であることが確認された。実施例2ビスジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムIIの代わりに、ビスジシクロヘキシル2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムIIを用いたこと以外は実施例1と同様の操作を実施した。得られた芳香族ポリマーが有する分子量を、上記のGPC測定により分析した結果、分子量Mwが2.8×105であることが確認された。実施例3ビスジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムIIの代わりに、ビスジ-tert-ブチル5-メチル-2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムIIを用いたこと以外は実施例1と同様の操作を実施した。得られた芳香族ポリマーが有する分子量を、上記のGPC測定により分析した結果、分子量Mwが2.3×105であることが確認された。実施例4窒素雰囲気下、滴下ロートを取り付けた反応容器に、2-ブロモチオフェン5.5mmol及びテトラヒドロフラン20mlを加えた。得られた溶液を-78°Cに冷却した後、得られた冷却物にn-ブチルリチウム1.62M/ヘキサン溶液として3.4mlを滴下し、同温度で2時間攪拌した。その後、得られた混合物に、-78°Cでジ-tert-ブチルクロロホスフィン5.5mmolをテトラヒドロフラン13mlに溶解させて得られた溶液を滴下し、その後室温で2時間攪拌した。混合物を濃縮することにより、濃縮物粗生成物としてジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィン1.64g黄色スラリーを得た。実施例5窒素雰囲気下、反応容器に、実施例4で合成されたジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィン1.64g、ジクロロビスアセトニトリルパラジウムII0.50g及びエタノール35mlを加えて、室温で17時間攪拌した。攪拌後、析出した固体をろ過し、エタノール10mlで3回洗浄した。得られた固体を50°Cで3時間減圧乾燥を行うことにより、所望の遷移金属錯体であるビスジ-tert-ブチル2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムIIを0.88g黄色固体で得た。1H-NMRδ:ppm,CDCl3溶媒、TMS基準7.60m,1H,7.54m,1H,7.13m,1H,1.51-1.56m,18H31P-NMRδ:ppm,CDCl3溶媒50.0実施例6ジ-tert-ブチルクロロホスフィンの代わりに、ジシクロヘキシルクロロホスフィンを用いたこと以外は実施例4と同様の操作を実施し、ジシクロヘキシル2-チエニルホスフィン1.55g黄色スラリーを得た。実施例7窒素雰囲気下、反応容器に、実施例6で合成されたジシクロヘキシル2-チエニルホスフィン1.55g、ジクロロビスアセトニトリルパラジウムII0.40g及びエタノール20mlを加えて、室温で24時間攪拌した。攪拌後、析出した固体をろ過し、エタノール10mlで3回洗浄した。得られた固体を50°Cで3時間減圧乾燥を行うことにより、所望の遷移金属錯体であるビスジシクロヘキシル2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムIIを0.92g黄色固体で得た。1H-NMRδ:ppm,CDCl3溶媒、TMS基準7.60m,1H,7.50m,1H,7.20m,1H,1.10-2.70m,22H31P-NMRδ:ppm,CDCl3溶媒20.0実施例82-ブロモチオフェンの代わりに、5-メチル-2-ブロモチオフェンを用いたこと以外は実施例4と同様の操作を実施し、ジ-tert-ブチル5-メチル-2-チエニルホスフィン1.93g黄色スラリーを得た。実施例9窒素雰囲気下、反応容器に、実施例8で合成されたジ-tert-ブチル5-メチル-2-チエニルホスフィン1.93g、ジクロロビスアセトニトリルパラジウムII0.45g及びエタノール30mlを加えて、室温で21時間攪拌した。攪拌後、析出した固体をろ過し、エタノール10mlで3回洗浄した。得られた固体を50°Cで3時間減圧乾燥を行うことにより、所望の遷移金属錯体であるビスジ-tert-ブチル5-メチル-2-チエニルホスフィンジクロロパラジウムIIを0.86g黄色固体で得た。1H-NMRδ:ppm,CDCl3溶媒、TMS基準7.40m,1H,6.80m,1H,2.50s,3H,1.51-1.56m,18H31P-NMRδ:ppm,CDCl3溶媒50.0"