複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに、前記赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、前記赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一になるように、前記補償用赤外線照射部によって前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれによって検知された赤外線の強度及び前記補償用赤外線照射部によって前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射した赤外線の強度を求める制御演算部とを備えることを特徴とする赤外線撮像装置。複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに、前記赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、前記赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一になるように、前記補償用赤外線照射部によって前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御する制御演算部とを備えることを特徴とする赤外線撮像装置。複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに、前記赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、前記赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに流れる総電流量が同一になるように、前記補償用赤外線照射部によって前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれによって検知された赤外線の強度及び前記補償用赤外線照射部によって前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射した赤外線の強度を求める制御演算部とを備えることを特徴とする赤外線撮像装置。複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに、前記赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、前記赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに流れる総電流量が同一になるように、前記補償用赤外線照射部によって前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御する制御演算部とを備えることを特徴とする赤外線撮像装置。前記補償用赤外線照射部は、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに対応して設けられた、補償用赤外線を出射する複数の発光素子を備える発光素子アレイを含むことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。前記補償用赤外線照射部は、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに対応して設けられ、赤外線を放射する複数の発熱抵抗素子を備える発熱抵抗素子アレイと、前記発熱抵抗素子から放射された赤外線のうち補償用赤外線の波長のみを通すバンドパスフィルタとを含むことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。前記補償用赤外線照射部は、赤外線を放射する温度板と、前記温度板から放射された赤外線のうち補償用赤外線の波長のみを通すバンドパスフィルタと、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに対応して設けられ、前記温度板が放射した赤外線を前記赤外線検知素子へ向けて反射させるマイクロミラーを備えるマイクロミラーアレイとを含むことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。前記補償用赤外線照射部は、赤外線を放射する赤外線ランプと、前記赤外線ランプから放射された赤外線のうち補償用赤外線の波長のみを通すバンドパスフィルタと、前記複数の赤外線検知素子のそれぞれに対応して設けられ、前記赤外線ランプが放射した赤外線を前記赤外線検知素子へ向けて反射させる複数のマイクロミラーを備えるマイクロミラーアレイとを含むことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。ところで、赤外線イメージセンサにおいて、高解像度化を図るために各画素の面積を小さくすると、各画素の信号強度が相対的に小さくなるため、従来問題にならなかったことがノイズの原因になって、S/N比SignaltoNoiseratioが低下することになる。例えば、撮像対象に輝度分布がある場合、即ち、赤外線イメージセンサに入射する赤外線に入射量分布がある場合、これがノイズの原因となる。つまり、赤外線イメージセンサの各画素に入射した赤外線の一部は、各画素を構成する赤外線検知素子の内部で熱に変換され、赤外線検知素子の熱容量や熱抵抗などによって、赤外線検知素子の温度が上昇することになる。そして、赤外線検知素子は、素子抵抗が温度依存性を持っているため、素子温度が変化すると素子抵抗が変化してしまい、暗電流や光電流が変化してしまうことになる。この場合、赤外線イメージセンサの各画素に入射する赤外線の入射量にばらつきがあると、各画素を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことになる。例えば、強い光が入射した画素では、弱い光が入射した画素に比べて、赤外線検知素子の温度が上昇してしまい、各画素を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことになる。この結果、各画素を構成する赤外線検知素子間で抵抗差が生じてしまい、これが暗電流や光電流に影響を与え、ノイズの原因となる。そこで、赤外線イメージセンサの各画素を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってS/N比が低下してしまうのを防止できるようにしたい。本赤外線撮像装置は、複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、複数の赤外線検知素子のそれぞれに、赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一になるように、補償用赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、複数の赤外線検知素子のそれぞれによって検知された赤外線の強度及び補償用赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射した赤外線の強度を求める制御演算部とを備えることを要件とする。本赤外線撮像装置は、複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、複数の赤外線検知素子のそれぞれに、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一になるように、補償用赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御する制御演算部とを備えることを要件とする。本赤外線撮像装置は、複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、複数の赤外線検知素子のそれぞれに、赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子のそれぞれに流れる総電流量が同一になるように、補償用赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、複数の赤外線検知素子のそれぞれによって検知された赤外線の強度及び補償用赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射した赤外線の強度を求める制御演算部とを備えることを要件とする。本赤外線撮像装置は、複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイと、複数の赤外線検知素子のそれぞれに、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部と、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子のそれぞれに流れる総電流量が同一になるように、補償用赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御する制御演算部とを備えることを要件とする。したがって、本赤外線撮像装置によれば、赤外線イメージセンサの各画素を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってS/N比が低下してしまうのを防止できるという利点がある。以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる赤外線撮像装置について説明する。[第1実施形態]まず、第1実施形態にかかる赤外線撮像装置について、図1~図13を参照しながら説明する。本実施形態にかかる赤外線撮像装置は、図1に示すように、赤外線イメージセンサ1と、補償用赤外線照射部2と、制御演算部3とを備える。なお、図1中、符号37、41はレンズを示している。ここで、本赤外線イメージセンサは、図5A、図5Bに示すように、複数の赤外線検知素子画素7を備える赤外線検知素子アレイ4と、複数の赤外線検知素子7のそれぞれに接続された読出回路を含む読出回路チップ5とを備える。そして、赤外線検知素子アレイ4と読出回路チップ5とは、導電性の金属バンプ電極6ここではInバンプ電極を介して接続されている。つまり、赤外線検知素子アレイ4と読出回路チップ5とはフリップチップボンディングによって接合されている。なお、赤外線検知素子アレイ4を、センサ素子アレイ、センサアレイ、光電変換素子アレイ、赤外線焦点面アレイIRFPA;Infraredfocalplanearray、あるいは、QWIP焦点面アレイQWIP-FPAともいう。また、赤外線検知素子7を、量子型赤外線検知素子、感光素子、受光素子、センサ素子、あるいは、QWIP素子ともいう。また、読出回路チップ5は、読出回路アレイともいう。また、読出回路は、ROICreadoutintegratedcircuit、あるいは、信号処理回路ともいう。ここで、赤外線検知素子アレイ4は、赤外線の入射量に応じて光電流を発生する赤外線検知素子7によって構成される複数の画素が二次元的に配列されている二次元赤外線検知素子アレイである。ここでは、赤外線検知素子アレイ4は、例えばQWIPなどの量子型赤外線フォトディテクタを赤外線検知素子7として備える量子型赤外線検知素子アレイである。このため、本赤外線イメージセンサを、量子型赤外線イメージセンサともいう。例えば、量子井戸型の赤外線検知素子アレイ4は、以下のように構成される。つまり、量子井戸型の赤外線検知素子アレイ4は、図5B、図5Cに示すように、GaAs基板8上に、n-GaAs下側コンタクト層9、AlGaAs/GaAs多重量子井戸MQW層10、n-GaAs上側コンタクト層11を積層した構造を備える。また、各赤外線検知素子7各画素が分離溝12によって分離されている。また、各画素7のn-GaAs上側コンタクト層11上には、それぞれ、Inバンプ電極6が設けられている。また、各画素7の側方に延びているn-GaAs下側コンタクト層9上には、共通電極としてのInバンプ電極6が設けられている。そして、これらのInバンプ電極6を介して、量子井戸型赤外線検知素子アレイ4は読出回路チップ5に接続されている。例えば約7μmの波長を持つ赤外線に感度を持つ量子井戸型赤外線検知素子アレイ4を構成する場合、以下のように構成すれば良い。つまり、n-GaAs下側コンタクト層9及びn-GaAs上側コンタクト層11は、厚さを例えば約1μmとし、n型ドーパントとして例えばSiを用い、その濃度を例えば約1×1018cm-3とすれば良い。また、AlGaAs/GaAs-MQW層10は、厚さ40nmのi-Al0.3Ga0.7As層13と厚さ4nmのi-GaAs層14とを各20層交互に積層したものとすれば良い。なお、赤外線検知素子アレイ4の構成は、これに限られるものではない。読出回路チップ5は、赤外線が入射して各赤外線検知素子7に流れた電流量に応じた出力電圧を順次読み出すものである。ここで、読出回路チップ5は、例えばSi基板上に形成されており、図6A、図6Bに示すように、読出回路17として、画素7毎に設けられた複数の駆動回路15と、各駆動回路15の出力を順次読み出すための切替回路16とを備える。ここでは、読出回路チップ5には、さらに、ADコンバータ18が集積されている。なお、ADコンバータ18を、アナログデジタル変換回路、AD変換回路、あるいは、AD回路ともいう。また、読出回路チップ5を、Si集積回路チップともいう。ここで、複数の駆動回路15は、赤外線検知素子アレイ4の各赤外線検知素子7のそれぞれにバンプ電極6を介して接続されている。駆動回路15は、赤外線が入射することによって赤外線検知素子7に流れる電流を、時間で積分し、電圧に変換して出力する積分回路である。ここでは、駆動回路15は、キャパシタ19積分容量と、キャパシタ19を赤外線検知素子7に接続するためのスイッチ20トランジスタと、キャパシタ19をバイアス電源に接続するためのスイッチ21トランジスタとを備える。つまり、駆動回路15は、バンプ電極6を介して赤外線検知素子7の一側に接続されたスイッチ20と、バイアス電源に接続されたスイッチ21と、これらのスイッチ20、21に接続されたキャパシタ19とを備える。そして、キャパシタ19及びスイッチ20、21のそれぞれの端子を接続した接点Xに出力端子22が接続されている。なお、赤外線検知素子7の他側には共通電極6が接続されている。また、各駆動回路15の出力端子22には、切替回路16が接続されている。つまり、切替回路16は、複数のソースフォロワトランジスタ23と、複数の行選択トランジスタ24と、複数の行線25と、複数の列線26と、複数の列選択トランジスタ27と、読み出し線28と、負荷トランジスタ29と、増幅器30と、垂直走査シフトレジスタ31と、水平走査シフトレジスタ32とを備える。そして、各ソースフォロワトランジスタ23のゲート端子に、それぞれ、各駆動回路15の出力端子22が接続されている。なお、列線26及び読み出し線28を、出力線ともいう。また、増幅器30を、最終出力段増幅器、出力アンプ、電圧バッファ、DCアンプ、あるいは、インピーダンス変換回路ともいう。また、行選択トランジスタ24を、垂直選択スイッチともいう。また、列選択トランジスタ27を、水平選択スイッチともいう。ここで、ソースフォロワトランジスタ23は、ゲート端子に駆動回路15の出力端子22が接続されており、駆動回路15の出力に応じて動作するようになっている。なお、各ソースフォロワトランジスタ23のドレイン端子は、図示しない電源に接続されており、電源電圧が供給されている。各行選択トランジスタ24は、複数のソースフォロワトランジスタ23のソース端子のそれぞれに接続されている。また、各行線25は、それぞれ、各行の行選択トランジスタ24のゲート端子に接続されている。各列線26は、行選択トランジスタ24を介してソースフォロワトランジスタ23に接続されている。つまり、各列線26は、それぞれ、行選択トランジスタ24を介して、各列のソースフォロワトランジスタ23に接続されている。また、各列選択トランジスタ27は、複数の列線26のそれぞれに接続されている。さらに、読み出し線28は、全ての列選択トランジスタ27に接続されている。垂直走査シフトレジスタ31は、全ての行線25に接続されており、各行線25を順次駆動し、各行線25に接続されている行選択トランジスタ24の導通非導通制御を行なうようになっている。また、水平走査シフトレジスタ32は、全ての列選択トランジスタ27に接続されており、各列選択トランジスタ27を順次駆動し、各列選択トランジスタ27の導通非導通制御を行なうようになっている。読み出し線28は、一方が増幅器30を介して出力端子VOUTに接続されており、他方が負荷トランジスタ29を介してグランド電位GNDに接続されている。そして、制御演算部3から画素の選択信号が入力され、垂直走査シフトレジスタ31によって行線25が選択されると、選択された行線25に接続された行選択トランジスタ24は導通状態オン状態となる。行選択トランジスタ24が導通状態となると、各赤外線検知素子7各画素からの出力信号が、駆動回路15、ソースフォロワトランジスタ23及び行選択トランジスタ24を介して、列線26に出力される。一方、制御演算部3から画素の選択信号が入力され、水平走査シフトレジスタ32によって列選択トランジスタ27が選択されると、選択された列選択トランジスタ27は導通状態オン状態となる。列選択トランジスタ27が導通状態となると、上述のようにして各列線26に出力されている出力信号が、列選択トランジスタ27を介して読み出し線28に出力される。読み出し線28に出力された出力信号は増幅器30を介して出力端子VOUTに出力される。そして、本実施形態では、切替回路16の出力端子VOUTにADコンバータ18が接続されており、切替回路16からの出力信号であるアナログ電気信号がデジタル電気信号に変換され、デジタル電気信号が読出回路チップ5から制御演算部3へ出力されるようになっている。ところで、本実施形態では、上述のように構成される赤外線検知素子アレイ4及び読出回路チップ5を含む赤外線イメージセンサ1は、図3に示すように、赤外線が入射しうる窓33Aを有する真空容器33内に設けられたコールドシールド34内に設置されており、冷却系冷却器35によって冷却されるようになっている。つまり、本赤外線イメージセンサ1は、冷却型赤外線イメージセンサである。さらに、本赤外線撮像装置は、撮像対象観察対象からの赤外線のうち撮像したい波長の赤外線を赤外線イメージセンサ1上に結像させるために、撮像対象からの赤外線のうち撮像したい波長の赤外線のみを透過するバンドパスフィルタ36、レンズ37を備える。そして、撮像対象からの赤外線は、バンドパスフィルタ36を透過した後、レンズ37によって赤外線検知素子アレイ4上に結像するようになっている。なお、レンズ37は、光学レンズ、レンズ系、あるいは、光学系ともいう。ところで、赤外線イメージセンサ1において、高解像度化を図るために各画素7の面積を小さくすると、各画素7の信号強度が相対的に小さくなるため、従来問題にならなかったことがノイズの原因になって、S/N比が低下してしまう。特に、冷却系を備える冷却型赤外線イメージセンサ1では、画素数を増やす場合、コストのかかる冷却部の体積を増やさないようにすべく、各画素7の面積を小さくすることになるため、S/N比が低下してしまう。例えば、赤外線イメージセンサ1に入射する赤外線に入射量分布がある場合、即ち、赤外線イメージセンサ1で受光する赤外線に受光量分布がある場合、これがノイズの原因となる。つまり、赤外線イメージセンサ1の各画素7に入射した赤外線の一部は、各画素7を構成する赤外線検知素子の内部で熱に変換され、赤外線検知素子7の熱容量や熱抵抗などによって、赤外線検知素子7の温度が上昇してしまう。通常、各赤外線検知素子7で発生した熱はInバンプ電極6を経由して読出回路チップ5側へ放出されることになるが、画素数の増加に伴って赤外線検知素子アレイ4と読出回路チップ5とを接続するInバンフ電極6の微細化も図られるため、この部分の熱抵抗も増加することになる。この結果、赤外線検知素子7の温度が上昇してしまう。また、画素数の増加に伴う各画素7の面積縮小により、同一機能をもつ読出回路チップ5を用いる場合、配線層数の増加などが必要になるため、読出回路チップ5側への縦方向の熱伝導率が低下する傾向にあり、この結果、赤外線検知素子7の温度が上昇してしまう。そして、QWIP等の赤外線検知素子7は、素子抵抗が温度依存性を持っているため、素子温度が変化すると素子抵抗が変化してしまい、暗電流や光電流が変化してしまう。この場合、赤外線イメージセンサ1の各画素7に入射する赤外線の入射量にばらつきがあると、各画素7を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまう。例えば、強い光が入射した画素7では、弱い光が入射した画素7に比べて、赤外線検知素子7の温度が上昇してしまい、赤外線検知素子間で温度差が生じてしまう。この結果、各画素7を構成する赤外線検知素子間で抵抗差が生じてしまい、これが暗電流や光電流に影響を与え、ノイズの原因となる。これにより、撮像対象に輝度分布がある場合、均一な温度面を観察する場合と比較して、S/N比が低下してしまう。つまり、赤外線イメージセンサ1の各画素7に入射する赤外線の強度に面内でばらつきがあると、S/N比が低下してしまう。そこで、赤外線イメージセンサ1の各画素7を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうのを抑制すべく、本赤外線撮像装置は、赤外線検知素子アレイ4に備えられる複数の赤外線検知素子7のそれぞれに補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部2を備える。そして、後述するように、赤外線検知素子7に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一になるように、補償用赤外線照射部2によって複数の赤外線検知素子7のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するようにしている。例えば、撮像対象からの赤外線の強度が弱く、検知期間内に赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量が少ない画素に対しては補償用赤外線照射部2によって補償用赤外線を照射することで、検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量が一定になるようにしている。本実施形態では、赤外線検知素子7によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部2を備える。具体的には、補償用赤外線照射部2は、補償用赤外線を出射する複数の発光素子39を備える発光素子アレイ38と、発光素子アレイ38に接続されたアレイ駆動回路チップ40と、レンズ41と、ハーフミラー42とを含むものとして構成される。なお、発光素子39を、赤外線源、あるいは、補償光光源ともいう。また、発光素子アレイ38を、赤外線源アレイ、あるいは、補償光光源アレイともいう。また、レンズ41は、光学レンズ、レンズ系、あるいは、光学系ともいう。また、ハーフミラーは、光学系ともいう。また、アレイ駆動回路チップ40を、Si集積回路チップともいう。ここで、発光素子アレイ38では、発光素子39が複数の赤外線検知素子7のそれぞれに対応して設けられている。また、発光素子アレイ38は、赤外線検知素子アレイ4と同一の素子配列になっており、発光素子アレイ38を構成する各素子39と、赤外線検知素子アレイ4を構成する各素子7とが一対一に対応するようになっている。ここでは、発光素子アレイ38は、補償用赤外線を出射する複数のLEDLightemittingdiodeを備えるLEDアレイである。本実施形態では、撮像対象からの赤外線のうち撮像したい波長の赤外線のみを透過するバンドパスフィルタ36を用いているため、このバンドパスフィルタ36を透過する波長の赤外線と同じ波長の赤外線を出射する複数のLED39を備えるLEDアレイ38を用いている。具体的には、図7に示すように、化合物半導体基板43上に形成された化合物半導体積層構造44を有し、各LED39各素子が分離溝45によって分離されている。また、各素子39のコンタクト層上には、それぞれ、バンプ電極46が設けられており、各素子39の側方に延びているコンタクト層上には、共通電極としてのバンプ電極47が設けられている。そして、これらのバンプ電極46、47を介して、LEDアレイ38はアレイ駆動回路チップ40に接続されている。アレイ駆動回路チップ40は、発光素子アレイ38を駆動するためのものである。このアレイ駆動回路チップ40は、例えばSi基板48上に形成されており、アレイ駆動回路49と、発光素子39毎に設けられた複数のPWMPulsewidthmodulation回路50とを備える。そして、複数のPWM回路50は、発光素子アレイ38の各発光素子39のそれぞれにバンプ電極46を介して接続されている。つまり、発光素子アレイ38とアレイ駆動回路チップ40とはフリップチップボンディングによって接合されている。このように、アレイ駆動回路チップ40は、発光素子39毎にPWM回路50を備え、アレイ駆動回路49によって各PWM回路50を駆動させることで、各PWM回路50によって発光素子39毎に発光強度を制御することができるようになっている。ここでは、図8Aに示すように、アレイ駆動回路49には、後述の制御演算部3に含まれるタイミング制御回路65から画素の選択信号が入力されるとともに、後述の制御演算部3に含まれるメモリ回路63から読み出された各画素7の補償用赤外線強度設定値が入力されるようになっている。そして、アレイ駆動回路49は、選択された画素に接続されているPWM回路50へその画素の補償用赤外線強度設定値を出力するようになっている。PWM回路50は、図8Bに示すように、PWM変換回路51と、LED駆動回路52とを備える。そして、PWM回路50は、PWM変換回路51でアレイ駆動回路49からの補償用赤外線強度設定値をPWM変換し、PWM変換された信号をLED駆動回路52によってLED39へ出力するようになっている。このようにして、LED39が駆動されるようになっている。なお、LED駆動回路52を、発光素子駆動回路ともいう。このように構成される補償用赤外線照射部2の発光素子アレイ38を構成する各発光素子39から出射された補償用赤外線は、図3に示すように、それぞれ、レンズ41を通過し、ハーフミラー42で反射されて、赤外線検知素子アレイ4を構成する各赤外線検知素子7のそれぞれに照射されるようになっている。一方、撮像対象からの赤外線は、バンドパスフィルタ36及びレンズ37を通過し、ハーフミラー42を透過して、補償用赤外線とともに、各赤外線検知素子7のそれぞれに入射することになる。ところで、本赤外線撮像装置は、図9に示すように、読出回路チップ5からの出力信号を処理するとともに、補償用赤外線照射部2に対する制御を含む各種の制御を行なう制御演算部3と、撮像された画像を表示するモニタ60とを備える。本実施形態では、制御演算部3は、赤外線検知素子7に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一になるように、補償用赤外線照射部2によって複数の赤外線検知素子7のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するようになっている。なお、制御演算部3は、コンピュータやコントローラによって構成される。このように、検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量が同一になるようにすることで、検知期間内に各赤外線検知素子が受ける総熱量が同一になり、赤外線検知素子7間で温度差が生じるのを防止することができる。ここでは、図2に示すように、検知期間内に撮像対象から複数の赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の強度にばらつきがある場合、各赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の総光量が目標値になるように、補償用赤外線照射部2によって各赤外線検知素子7のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するようにしている。ここで、目標値は、赤外線検知素子7の入射許容量、即ち、赤外線検知素子7のフルレンジの範囲内の任意の値に設定される。なお、目標値を、基準値、一定値、あるいは、総光量合わせ込み基準量ともいう。これにより、各赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の総光量は、目標値又は目標値近傍の一定の範囲内となる。つまり、検知期間内に各赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一又はほぼ同一になり、即ち、赤外線検知素子アレイの受光領域の面内で赤外線の総光量が均一になり、赤外線検知素子7間で温度差が生じるのを防止することができる。この結果、赤外線検知素子7間で抵抗差が生じるのを防止することができるため、S/N比が低下してしまうのを防止することができる。なお、例えばLEDを用いて補償用赤外線の強度を制御する場合、補償用赤外線の強度はスタティックに変化させる必要はなく、検知期間よりも十分に短い周期でLEDを点滅させることで検知期間内での総光量を制御すれば良い。なお、検知期間は撮像フレーム期間に含まれる。つまり、撮像フレーム期間は、検知期間と読出期間とを含む。なお、撮像フレーム期間を、撮像フレーム、あるいは、フレームともいう。また、以下のようにして、撮像対象から入射した赤外線の総光量を求めるようにしている。ここでは、図4Aに示すように、ある画素において、撮像フレーム毎に撮像対象から入射する赤外線の総光量が時間変化するものとする。なお、図4A中の番号は、フレーム番号を示している。本赤外線撮像装置の起動直後は、補償用赤外線照射部2を用いて補償用赤外線を照射していないため、1フレーム目の撮像時には、図4Cに示すように、画素7に入射する赤外線の総光量は、撮像対象から入射した赤外線の総光量となる。次に、図4B、図4Cに示すように、1フレーム目の撮像時に画素7に入射する赤外線の総光量と目標値とのずれ量、即ち、1フレーム目の撮像時に画素7に入射する赤外線の総光量と目標値との差分に相当する光量の補償用赤外線を、次の2フレーム目の撮像時に、補償用赤外線照射部2から照射する。ここで、目標値としては、赤外線検知素子7が正常に動作するフルレンジから1フレームで変化することが予想される撮像対象からの赤外線の光量の変化分のマージンを差し引いた値を設定するのが望ましい。同様に、3フレーム目以降の撮像時にも、直前のフレームにおいて撮像対象から入射した赤外線の総光量と目標値との差分に相当する光量の補償用赤外線を、補償用赤外線照射部2から照射する。この場合、2フレーム目以降の撮像時には、撮像対象から入射した赤外線の総光量を、次式により求めることができ、これに基づいてモニタ60に撮像した画像を表示させることができる。撮像対象から入射した赤外線の総光量=画素が検知した赤外線の総光量-補償用赤外線照射部から照射した補償用赤外線の総光量また、上述の場合、全てのフレームにおいて、画素7が検知する赤外線の総光量、即ち、撮像対象及び補償用赤外線照射部2から画素7に入射する赤外線の総光量は、目標値付近になる。そこで、ここでは、画素7が検知した赤外線の総光量アナログ信号をデジタル信号に変換するADコンバータ18の変換特性を、図4Dに示すように、非線形曲線特性とし、目標値付近で細かく、それ以外で荒くなる特性としている。つまり、ADコンバータ18の量子化の区切りを目標値付近で細かく、それ以外で荒くしている。ADコンバータ18の変換特性としてこのような変換特性を用いることにより、フルレンジで高分解能を得ることができる。つまり、目標値付近に細かい分解能を与えることで、全フレームにおいて目標値付近になる画素7からの出力を高分解能でデジタル信号に変換でき、撮像対象からの赤外線の強度のフレーム毎の変化を確実に検知することができるようになる。本実施形態では、制御演算部3は、各赤外線検知素子7によって検知された赤外線の強度及び補償用赤外線照射部2によって各赤外線検知素子7に照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から各赤外線検知素子7に入射した赤外線の強度を求めるようになっている。ここでは、制御演算部3は、各赤外線検知素子7によって検知された赤外線の強度と、補償用赤外線照射部2によって各赤外線検知素子7に照射した補償用赤外線の強度との差を求め、撮像対象から各赤外線検知素子7に入射した赤外線の強度を求めるようになっている。具体的には、制御演算部3は、図9に示すように、出力換算回路61と、補償用赤外線強度決定回路62と、メモリ回路63と、表示回路64と、タイミング制御回路65とを含むものとして構成される。なお、制御演算部3を、制御演算回路ともいう。また、出力換算回路61及び補償用赤外線強度決定回路62を、演算回路ともいう。また、出力換算回路61、補償用赤外線強度決定回路62、メモリ回路63及び表示回路64を、信号処理回路ともいう。また、タイミング制御回路65を、制御回路、あるいは、コントローラともいう。ここで、出力換算回路61は、赤外線イメージセンサ7の読出回路チップ5からの各画素7の出力信号を、メモリ回路63に記憶されている各画素7の補償用赤外線強度設定値を用いて、撮像対象から各画素7に入射する赤外線の強度に相当する各画素7の出力信号に換算するものである。ここでは、出力換算回路61は、読出回路チップ5に含まれるADコンバータ18で変換された各画素のAD変換値デジタル信号値を読み出し、これを図10に示すような変換特性ここでは非線形の変換特性に基づいて変換して、各画素7に入射した赤外線の強度に相当する信号として出力する回路を含む。この場合、各画素7に入射した赤外線の強度に相当する信号は、撮像対象からの赤外線の強度に相当する信号と補償用赤外線照射部2からの補償用赤外線の強度に相当する信号とを合わせたものである。そして、出力換算回路61は、図10に示すように、上述の各画素7に入射した赤外線の強度と、メモリ回路63から読み出した各画素7に照射している補償用赤外線強度設定値との差を求め、撮像対象から各画素7に入射する赤外線の強度に相当する信号を求めるようになっている。なお、このようにして求められた撮像対象から各画素7に入射する赤外線の強度に相当する信号を、換算後の各画素7の出力という。補償用赤外線強度決定回路62は、図9に示すように、出力換算回路61によって換算された各画素7の出力と、目標赤外線強度値とに基づいて、補償用赤外線照射部2によって各画素7に照射する補償用赤外線の強度を決定し、決定した補償用赤外線強度設定値をメモリ回路63に記憶させるものである。ここでは、補償用赤外線強度決定回路62は、図11に示すように、出力換算回路61によって換算された各画素7の出力と目標赤外線強度値との差分を、補償用赤外線照射部2によって各画素7に照射する補償用赤外線の強度、即ち、補償用赤外線強度設定値として決定するようになっている。メモリ回路63は、図9に示すように、補償用赤外線強度決定回路62によって決定された画素毎の補償用赤外線強度設定値を記憶するものである。表示回路64は、撮像された画像をモニタ60に表示させるために、出力換算回路61によって求められた各画素7の出力を変換する回路であって、例えばフォーマット変換回路やDA変換回路などである。タイミング制御回路65は、制御演算部3の出力換算回路61、補償用赤外線強度決定回路62、メモリ回路63及び表示回路64、並びに、赤外線イメージセンサ1の読出回路チップ5、並びに、補償用赤外線照射部2のアレイ駆動回路チップ40に対して、所定のタイミングで制御信号として画素の選択信号を出力するものである。このように構成される赤外線撮像装置では、以下のような処理が行なわれる。本赤外線撮像装置では、検知期間及び読出期間を含む1フレームの読出期間内に、タイミング制御回路65から出力される画素の選択信号を順番に切り替えることで、各画素7の出力AD変換値を順番に読み出して、処理を行なうようになっている。ここでは、jフレーム、j1フレームにおいて、i画素の出力を読み出して処理を行なう場合を例に挙げて、図12を参照しながら説明する。まず、図12Aに示すように、jフレームにおいてi画素の出力を読み出す場合、タイミング制御回路65から画素の選択信号としてi画素を選択するための制御信号が出力される。このi画素を選択するための制御信号が出力されている期間が、i画素の出力を読み出す読出期間となる。次に、図12Bに示すように、出力換算回路61は、i画素を選択するための制御信号に基づいて、読出回路チップ5に含まれるADコンバータ18で変換されたi画素のAD変換値を読み出し、これを図10に示すような変換特性に基づいて変換して、i画素に入射した赤外線の強度に相当する信号として出力する。なお、i画素に入射した赤外線の強度に相当する信号に、図12Bでは符号1を付している。この例では、図12Cに示すように、メモリ回路63に記憶されているi画素の補償用赤外線強度設定値に基づく強度の補償用赤外線が、補償用赤外線照射部2に含まれ、i画素に対応する位置に設けられたLED39によってi画素に照射されているものとする。このため、i画素に入射した赤外線の強度に相当する信号は、撮像対象からの赤外線の強度に相当する信号とi画素に対応する位置に設けられたLED39からの赤外線の強度に相当する信号とを合わせたものである。なお、i画素の補償用赤外線強度設定値、即ち、これに基づいて補償用赤外線照射部2から照射されている補償用赤外線の強度に、図12Cでは符号2を付している。次に、出力換算回路61は、メモリ回路63からi画素の補償用赤外線強度設定値を読み出す。そして、図12Dに示すように、上述のi画素に入射した赤外線の強度に相当する信号と、メモリ回路63から読み出したi画素の補償用赤外線強度設定値との差を求め、撮像対象からi画素に入射する赤外線の強度に相当する信号、即ち、換算後のi画素の出力を求める。なお、換算後のi画素の出力に、図12Dでは符号3を付している。このようにして出力換算回路61によって求められたi画素の出力は、表示回路64へ送られ、モニタ60に表示されることになる。つまり、図12Fに示すように、今回のjフレームにおいて出力換算回路61から出力されたi画素の出力によって、前回のj-1フレームにおいて出力換算回路61から出力されたi画素の出力が置き換えられ、モニタ60に表示されることになる。なお、今回のjフレームにおいて出力換算回路61から出力されたi画素の出力は、次回のj1フレームにおいて出力換算回路61から出力されたi画素の出力によって再度置き換えられることになる。なお、i画素の出力に、図12Fでが符号5を付している。次に、図12Eに示すように、補償用赤外線強度決定回路62は、出力換算回路61からのi画素の出力と、目標赤外線強度値との差分を、i画素に対応する位置に設けられたLED39によってi画素に照射する補償用赤外線の強度として決定する。そして、決定した補償用赤外線強度設定値をメモリ回路63に記憶させる。なお、目標赤外線強度値は、図12E中、符号7で示しており、決定された補償用赤外線強度値は、図12E中、符合4で示している。つまり、今回のjフレームにおいて決定したi画素の補償用赤外線強度設定値によって前回のj-1フレームにおいて決定したi画素の補償用赤外線強度設定値を書き換えることで、メモリ回路63に記憶されているi画素の補償用赤外線強度設定値を更新する。次に、補償用赤外線照射部2のアレイ駆動回路チップ40には、メモリ回路63に記憶されている、更新されたi画素の補償用赤外線強度設定値が入力される。そして、図12Gに示すように、i画素に接続されているPWM回路50でPWM変換された信号が、LED駆動回路52によって、i画素に対応する位置に設けられたLED39へ出力される。これにより、i画素に対応する位置に設けられたLED39が駆動され、更新されたi画素の補償用赤外線強度設定値に基づく強度の補償用赤外線がi画素に照射される。したがって、本実施形態にかかる赤外線撮像装置によれば、赤外線イメージセンサ1の各画素7を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってS/N比が低下してしまうのを防止できるという利点がある。特に、各画素7が微細になった高解像度の赤外線撮像装置を高いS/N比を維持したまま実現することができる。また、上述のように、検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量が同一になるようにすることで、検知期間内に各赤外線検知素子7に流れる総電流量が同一になり、各赤外線検知素子7に接続される読出回路チップ5内のキャパシタ19に蓄積される総電位も同一になる。このため、読出回路チップ5の内部の消費電力の変動に起因してS/N比が低下してしまうのを防止することができる。つまり、検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量にばらつきがあると、読出回路チップ5内の回路に流れる総電流量もばらつくことになる。図13に示すように、読出回路チップ5内では、センサーアレイ4に備えられる各画素赤外線検知素子7に流れる電流を、積分回路15に備えられるキャパシタ19で一定時間積分後、インピーダンス変換回路30を通し、ADコンバータ18によってデジタル信号に変換して出力する。例えば、LibinYaoCMOSreadoutcircuitdesignforinfraredimagesensorsProcOfSPIEVol738473841B参照。インピーダンス変換回路30やADコンバータ18は、各画素7のそれぞれに備えられているわけではなく、切替回路16マルチプレクサによって切り替えることで、各画素7からの出力信号を順次シーケンシャルに読み出すようになっている。この場合、各画素7に流れる総電流量がばらつくと、各画素7に接続されたキャパシタ19に蓄積される総電位もばらつき、切替回路16以降の回路において、この画素毎に異なる電位に対応して充放電が繰り返されることになる。これにより、読出回路チップ5の内部の消費電力が変動し、これがノイズの原因となって、S/N比が低下してしまうことになる。また、冷却型赤外線イメージセンサでは、読出回路チップ5を冷却系35内に設置し、それ以降の回路を外部に設置する。この場合、読出回路チップ5に外部の電源を接続するための配線を、熱伝導の関係などで、低抵抗の配線にするのは難しい。つまり、読出回路チップ5に外部の電源を接続するための配線には、熱伝導を下げるために細い電線が使われる。例えば、MarkDNelsonetalGeneralnoiseprocessesinhybridinfraredfocalplanearraysOPTICALENGINEERINGVol30No11pp16821700November1991参照。このため、読出回路チップ5の内部の消費電力消費電流が変動すると、この配線部分のインピーダンスの影響で、読出回路チップ5の内部の電源電圧が変動しやすく、これがノイズの原因となって、S/N比が低下してしまうことになる。これに対し、上述のように、検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量が同一になるようにすることで、検知期間内に各赤外線検知素子7に流れる総電流量を同一にすることができる。これにより、各赤外線検知素子7に接続される読出回路チップ5内のキャパシタ19に蓄積される総電位も同一になるため、読出回路チップ5の内部の消費電力の変動に起因してS/N比が低下してしまうのを防止することができる。なお、上述の実施形態では、赤外線イメージセンサ1の各画素7を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってS/N比が低下してしまうのを防止するために、検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量が同一になるようにしている。この結果、検知期間内に各赤外線検知素子7に流れる総電流量が同一になるため、読出回路チップ5の内部の消費電力の変動に起因してS/N比が低下してしまうのも防止することができる。一方、読出回路チップ5の内部の消費電力の変動に起因してS/N比が低下してしまうのを防止するためには、検知期間内に各赤外線検知素子7に流れる総電流量が同一になるようにすれば良い。つまり、制御演算部3を、赤外線検知素子7に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子7のそれぞれに流れる電流量が同一になるように、補償用赤外線照射部2によって複数の赤外線検知素子7のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、複数の赤外線検知素子7のそれぞれによって検知された赤外線の強度及び補償用赤外線照射部2によって複数の赤外線検知素子7のそれぞれに照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射した赤外線の強度を求めるように構成すれば良い。この場合、上述の実施形態において、検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量が同一になるように、制御演算部3の補償用赤外線強度決定回路62で各画素7に照射する補償用赤外線強度設定値を決定するために用いる目標赤外線強度値として、一のフレームにおいて全ての画素に対して同一の目標赤外線強度値を用い、かつ、全てのフレームにおいて同一の目標赤外線強度値を用いているのに代えて、制御演算部3の補償用赤外線強度決定回路62で各画素7に照射する補償用赤外線強度設定値を決定するために用いる目標値として、一のフレームにおいて全ての画素に対して同一の目標値を用いれば良く、全てのフレームにおいて同一の目標値を用いる必要はない。つまり、各フレームにおいて異なる目標値を用いても良い。これにより、検知期間内に各赤外線検知素子7に流れる総電流量が同一になるようにすることができる。なお、この場合、各画素7に流れた電流量、即ち、出力換算回路61による換算前の各画素7の出力が、目標値としての目標電流量になるように、各画素7に照射する補償用赤外線の強度を制御することになる。また、上述の実施形態では、補償用赤外線照射部2を、発光素子アレイ38と、アレイ駆動回路チップ40と、レンズ41と、ハーフミラー42とを含むものとして構成しているが、これに限られるものではない。例えば、補償用赤外線照射部2を、上述の実施形態の発光素子アレイ38及びアレイ駆動回路チップ40に代えて、図14に示すように、複数の発熱抵抗素子72を備える発熱抵抗素子アレイ70と、バンドパスフィルタ71とを備えるものとして構成しても良い。つまり、補償用赤外線照射部2を、複数の赤外線検知素子7のそれぞれに対応して設けられ、赤外線を放射する複数の発熱抵抗素子72を備える発熱抵抗素子アレイ70と、発熱抵抗素子72から放射された赤外線のうち補償用赤外線の波長のみを通すバンドパスフィルタ71とを含むものとして構成しても良い。この場合も、上述の実施形態と同様に、レンズと、ハーフミラーとを含むものとするのが好ましい。なお、発熱抵抗素子72を、ヒータ素子、あるいは、抵抗素子ともいう。具体的には、発熱抵抗素子アレイ70は、例えばSi基板73上にアレイ駆動回路74及び複数のPWM回路75を備えるSi集積回路基板の表面に、各PWM回路75のそれぞれに接続されるように、例えば金属薄膜などによって発熱抵抗素子72を形成したものである。つまり、発熱抵抗素子アレイ70は、例えばSi基板73上に形成されており、例えば金属薄膜などからなる複数の発熱抵抗素子72と、各発熱抵抗素子72に接続された複数のPWM回路75と、アレイ駆動回路74とを備える。このように、発熱抵抗素子アレイ70は、発熱抵抗素子72毎にPWM回路75を備え、これらのPWM回路75によって各発熱抵抗素子72に流す電流電力を制御することで、発熱抵抗素子72毎に温度を制御することができるようになっている。このようにして、発熱抵抗素子72毎に温度を制御することで、発熱抵抗素子72毎に、発熱抵抗素子72が放射する赤外線の強度を制御することができる。この場合、発熱抵抗素子72から放射される赤外線は、撮像対象からバンドパスフィルタ36図3参照を介して赤外線検知素子7に入射する赤外線の波長以外の波長の赤外線も含むものとなる。このため、撮像対象からバンドパスフィルタ35を介して赤外線検知素子7に入射する赤外線の波長と同じ波長の赤外線を透過するバンドパスフィルタ71を用いるようにしている。これにより、撮像対象からバンドパスフィルタ35を介して赤外線検知素子7に入射する赤外線と同じ波長の赤外線が、補償用赤外線照射部2から、即ち、発熱抵抗素子アレイ70からバンドパスフィルタ71を介して、補償用赤外線として出射されるようになっている。また、上述の実施形態では、赤外線検知素子7によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部2を用いているが、これに限られるものではない。例えば、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部を用いても良い。つまり、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線を出射する複数の発光素子を備える発光素子アレイを用いても良い。例えば、撮像対象と赤外線検知素子アレイとの間に設けられたバンドパスフィルタ、即ち、撮像対象からの赤外線のうち撮像したい波長の赤外線のみを透過するバンドパスフィルタを透過する波長以外の波長を持つ赤外線を出射する複数のLEDを備えるLEDアレイを用いても良い。この場合、各赤外線検知素子によって検知される赤外線の強度は、補償用赤外線の強度に関係なく、撮像対象から入射する赤外線の強度によって変化することになる。このため、赤外線撮像装置は、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射する総光量が同一になるように、赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射する補償用赤外線の強度を制御する制御演算部を備えるものとすれば良い。つまり、上述の実施形態のように、制御演算部によって、複数の赤外線検知素子のそれぞれによって検知された赤外線の強度及び赤外線照射部によって複数の赤外線検知素子のそれぞれに照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から複数の赤外線検知素子のそれぞれに入射した赤外線の強度を求める必要がない。この場合、上述の実施形態における出力換算回路61に代えて、出力換算回路を、赤外線イメージセンサの読出回路チップからの各画素の出力を、撮像対象から各画素に入射する赤外線の強度に相当する信号に換算するものとする。つまり、出力換算回路を、読出回路チップに含まれるADコンバータで変換された各画素のAD変換値デジタル信号値を読み出し、これを図15に示すような変換特性ここでは線形の変換特性に基づいて変換して、撮像対象から各画素に入射する赤外線の強度に相当する信号を求める回路を含むものとする。なお、撮像対象から各画素に入射する赤外線の強度に相当する信号を、換算後の各画素の出力という。また、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線に対しては、赤外線検知素子は感度を持たない。つまり、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線は、赤外線検知素子に吸収されない。これに対し、撮像対象から赤外線検知素子に入射する赤外線に対しては、赤外線検知素子は感度を持ち、赤外線検知素子に吸収される。このため、撮像対象からの赤外線が赤外線検知素子に入射することによる赤外線検知素子の温度変化と、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線が赤外線検知素子に照射されることによる赤外線検知素子の温度変化とが異なることになる。そこで、上述の実施形態における補償用赤外線強度決定回路62に代えて、補償用赤外線強度決定回路を、出力換算回路によって換算された各画素の出力と目標赤外線強度値との差分を、図16に示すような変換特性を持つ変換表換算表を用いて変換して、補償用赤外線照射部によって各画素に照射する補償用赤外線の強度を決定し、決定した補償用赤外線強度設定値をメモリ回路に記憶させるようにする。この場合、図16に示すような変換特性を持つ変換表として、赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ赤外線の強度に対する赤外線検知素子の温度変化量と、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ赤外線の強度に対する赤外線検知素子の温度変化量との対応関係に基づいて、同等の温度変化を生じる、赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ赤外線の強度素子検知赤外線強度と、赤外線検知素子によって検知しうる波長以外の波長を持つ赤外線の強度素子非検知赤外線強度との関係を予め求めておく。[第2実施形態]次に、第2実施形態にかかる赤外線撮像装置について、図17~図19を参照しながら説明する。本実施形態にかかる赤外線撮像装置は、上述の第1実施形態及びその変形例のものに対し、補償用赤外線照射部2の構成が異なる。つまり、本赤外線撮像装置は、図17に示すように、赤外線を放射する温度板80、81と、バンドパスフィルタ82と、マイクロミラーアレイ83とを含む補償用赤外線照射部を備える。ここで、温度板80、81は、一定の温度になっている一定温度板である。ここでは、温度板として、2つの温度板、即ち、低温の温度板80と高温の温度板81とを用いている。ここで、低温の温度板80は、赤外線検知素子7の温度と同じか又はそれよりも高い温度になっている温度板である。また、高温の温度板81は、低温の温度板80よりも高い温度になっている温度板である。また、温度板80、81は、図19に示すように、例えばAl等の熱伝導率の良い板であり、ヒータ85及び温度センサ86が取り付けられている。そして、ヒータ85及び温度センサ86には温度制御回路87が接続されており、温度制御回路87によって温度センサ86からの検出値に基づいてヒータ85の出力を制御することで、温度板80、81を一定温度に保つことができるようになっている。ここでは、温度制御回路87は、温度センサ86からの検出値が一定値になるようにヒータ85の出力を制御するようになっている。なお、温度板80、81を、赤外線源、赤外線放射源、あるいは、補償光光源ともいう。また、一定温度板を、均一温度板、あるいは、定温板ともいう。また、温度制御回路87を、温度コントローラともいう。バンドパスフィルタ82は、図17に示すように、温度板80、81から放射された赤外線のうち補償用赤外線の波長のみを通すものである。ここで、補償用赤外線としては、上述の第1実施形態のように、赤外線検知素子7によって検知しうる波長を持つ赤外線を用いても良いし、上述の第1実施形態の変形例のように、赤外線検知素子7によって検知しうる波長以外の波長を持つ赤外線を用いても良い。赤外線検知素子7によって検知しうる波長を持つ赤外線を補償用赤外線として用いる場合、バンドパスフィルタ82は、撮像対象と赤外線検知素子アレイ4との間に設けられるバンドパスフィルタ36図3参照、即ち、撮像対象からの赤外線のうち撮像したい波長の赤外線のみを透過するバンドパスフィルタと同じバンドパスフィルタを用いれば良い。この場合、補償用赤外線照射部2は、赤外線検知素子7によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部である。一方、赤外線検知素子7によって検知しうる波長以外の波長を持つ赤外線を補償用赤外線として用いる場合、バンドパスフィルタ82は、撮像対象と赤外線検知素子アレイとの間に設けられたバンドパスフィルタ36図3参照と異なるバンドパスフィルタ、即ち、撮像対象と赤外線検知素子アレイ4との間に設けられたバンドパスフィルタ36が透過する波長以外の波長を持つ赤外線を透過するバンドパスフィルタを用いれば良い。この場合、補償用赤外線照射部2は、赤外線検知素子7によって検知しうる波長以外の波長を持つ補償用赤外線を照射する赤外線照射部である。また、バンドパスフィルタ82は、温度板80、81とマイクロミラーアレイ83との間に設けられている。なお、バンドパスフィルタ82は、マイクロミラーアレイ83と赤外線検知素子アレイ4との間に設けても良い。マイクロミラーアレイ83は、複数の赤外線検知素子7のそれぞれに対応して設けられ、温度板80、81が放射した赤外線を赤外線検知素子7へ向けて反射させる複数のマイクロミラー84を備えるものである。なお、マイクロミラーアレイ83を構成するマイクロミラー84としては、例えば特許第3512963号に開示されているものなどを用いることができる。ここでは、マイクロミラーアレイ83は、マイクロミラーアレイ83を構成する各マイクロミラー84と、赤外線検知素子アレイ4を構成する各赤外線検知素子7とが一対一に対応するように、マイクロミラーアレイ83と赤外線検知素子アレイ4とは同一の配置構成になっている。また、マイクロミラーアレイ83には、これを駆動する駆動回路図示せずが接続されている。そして、制御演算部3からの制御信号に基づいて駆動回路によってマイクロミラーアレイ83を駆動することで、各赤外線検知素子7に照射する補償用赤外線の強度を制御することができるようになっている。ここでは、制御演算部3からの制御信号に基づいて駆動回路によって、図18Aに示すように、マイクロミラーアレイ83を構成する各マイクロミラー84の向きを、低温の温度板80側及び高温の温度板81側のいずれかに切り替えることで、各赤外線検知素子7に照射する補償用赤外線の強度を制御するようになっている。これにより、検知期間内に複数の赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の総光量が同一になるようにしている。具体的には、駆動回路は、マイクロミラー84毎にPWM回路を備える。そして、PWM回路から出力されるパルス信号のオンオフに応じてマイクロミラー84の向きが切り替わるようにし、制御演算部3で設定される補償用赤外線強度設定値に基づいて、PWM回路から出力されるパルス信号の幅を調整するようにしている。ここで、図18Bは、ある画素に対して検知期間フレーム毎に設定される補償用赤外線強度設定値を示しており、図18Cは、駆動回路のPWM回路から、ある画素に対応するマイクロミラーに出力される制御信号パルス信号を示している。ここでは、パルス信号がオンの場合にマイクロミラー84が高温の温度板81側を向くようになっている。このため、パルス信号がオンになっている合計時間がマイクロミラー84が高温の温度板81側を向いている時間である。図18B、図18Cに示すように、補償用赤外線強度設定値が大きい値である場合、即ち、赤外線検知素子7に照射する補償用赤外線の強度が大きい場合は、マイクロミラー84が高温の温度板81側に向く時間が長くなるようにパルス信号の幅を広く設定すれば良い。逆に、補償用赤外線強度設定値が小さい値である場合、即ち、赤外線検知素子7に照射する補償用赤外線の強度が小さい場合は、マイクロミラー84が低温の温度板80側に向く時間が長くなるようにパルス信号の幅を狭く設定すれば良い。これにより、各赤外線検知素子7に照射する補償用赤外線の強度を制御することができる。このため、駆動回路には、制御演算部3からの制御信号として、制御演算部3に含まれるタイミング制御回路65から画素の選択信号が入力されるとともに、制御演算部3に含まれるメモリ回路63から読み出された各画素7の補償用赤外線強度設定値が入力されるようになっている。そして、駆動回路は、選択された画素に接続されているPWM回路から出力されるパルス信号のオンオフ及びパルス幅を調整し、これに基づいて、各マイクロミラー84を駆動するようになっている。この場合、補償用赤外線が照射されることによって検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量は、低温の温度板80からの補償用赤外線の総光量と、高温の温度板81からの補償用赤外線の総光量とを合わせたものとなる。このため、マイクロミラーアレイ83を構成する各マイクロミラー84が低温の温度板80側を向いている時間と高温の温度板81側を向いている時間との比率を調整することで、補償用赤外線が照射されることによって検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量を調整することができる。これにより、図17に示すように、撮像対象からの赤外線が入射することによって検知期間内に各赤外線検知素子7に入射する赤外線の総光量にばらつきがある場合であっても、検知期間内に複数の赤外線検知素子7のそれぞれに入射する赤外線の総光量を同一にすることができる。なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態と同様であるため、ここでは、その説明を省略する。したがって、本実施形態にかかる赤外線撮像装置によれば、上述の第1実施形態の場合と同様に、赤外線イメージセンサ1の各画素7を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってS/N比が低下してしまうのを防止できるという利点がある。また、各画素7が微細になった高解像度の赤外線撮像装置を高いS/N比を維持したまま実現することができる。特に、本実施形態では、上述の第1実施形態のように各赤外線検知素子7に対応して個別に補償用赤外線源を設ける場合と比較して、補償用赤外線照射部2が相対的に大きくなる。一方、全ての赤外線検知素子7に対して同一の温度板80、81からの赤外線が照射されることになるため、補償用赤外線の強度のばらつきによってS/N比が低下してしまうのを防止することができる。なお、上述の実施形態では、温度板として2つの温度板80、81を用いているが、これに限られるものではなく、例えば、温度板として1つの温度板を用いても良い。この場合、温度板は、赤外線検知素子の温度よりも高い温度になっている温度板とする。そして、上述の実施形態の2つの温度板の代わりに、この温度板と、温度板よりも低い温度になっている装置内の領域とを用いれば良い。また、上述の実施形態では、マイクロミラー84をPWM回路によって駆動するようにし、マイクロミラー84の向きが低温の温度板80側と高温の温度板81側とで交互に連続的に切り替えられるようにしているが、これに限られるものではない。例えば、検知期間内のある期間にマイクロミラーの向きが低温の温度板側になり、残りの期間に高温の温度板側になるように、マイクロミラーを駆動するようにしても良い。また、上述の実施形態では、赤外線を放射する温度板を用いているが、これに限られるものではなく、この温度板に代えて、図20に示すように、赤外線ランプ90を用いても良い。この場合、補償用赤外線照射部2は、赤外線ランプ90と、バンドパスフィルタ82と、複数のマイクロミラー84を備えるマイクロミラーアレイ83とを含むものとなる。具体的には、補償用赤外線照射部2は、赤外線ランプ90と、バンドパスフィルタ82と、マイクロミラーアレイ83と、楕円レンズ91と、複眼レンズ構造92と、コリメートレンズ93とを備えるものとして構成するのが好ましい。ここで、複眼レンズ構造92は、赤外線ランプ90から放射された赤外線の強度を均一にするためのものであり、プロジェクションレンズ素子群と、コンデンサレンズ素子群とを対向させて配置した構造になっている。例えば光技術情報誌ライトエッジNo.151998pp.7-45の図2-13、図2-15参照。コリメートレンズ93は、赤外線ランプ90からの赤外線を平行光にするためのものである。このように構成される補償用赤外線照射部2を用いる場合、赤外線ランプ90が放射した赤外線は、楕円レンズ91で、バンドパスフィルタ82を介して、複眼レンズ構造92に集光され、複眼レンズ構造92で均一な強度にされた後、コリメートレンズ93で平行光にされて、マイクロミラーアレイ83へ導かれることになる。[その他]なお、本発明は、上述した各実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。