"基板と、前記基板上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成され、電子受容性材料および電子供与性材料を含有する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第2電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、電子受容性材料は、3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が、炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾されているものであることを特徴とする有機薄膜太陽電池。前記電子供与性材料がポリチオフェンであることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜太陽電池。前記第1電極層と前記光電変換層との間に正孔取出層が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機薄膜太陽電池。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、光電変換層内において材料同士が集合凝集しやすい条件を整えることで、光電変換効率に優れる有機薄膜太陽電池を提供することを課題とする。上記目的を達成するために、本発明は、以下のような解決手段を講じた。1基板と、前記基板上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成され電子受容性材料および電子供与性材料を含有する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第2電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、前記電子受容性材料は、3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が、炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾されているものである有機薄膜太陽電池を特徴とする。2前記1に記載の有機薄膜太陽電池において、前記電子供与性材料がポリチオフェンであることを特徴とする。3前記1または2に記載の有機薄膜太陽電池において、前記第1電極層と前記光電変換層との間に正孔取出層が形成されていることを特徴とする。本発明は、電子受容性材料のN,N’位が、炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドであることにより、凝集性をもつことにより、光電変換効率を向上させることができる。3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が、炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料は、凝集しやすい性質を有している。さらに、本発明の電子受容性材料と電子供与性材料とを含有する光電変換層では、層内での本発明の電子受容性材料の分散状態が、電子伝導性へ影響を与えると考えられる。本発明者は、N,N’位が炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基で修飾された3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドであることにより、光電変換効率が高くなることを見出し本発明に至った。3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基で修飾されることにより、実施形態の材料が凝集する傾向があり、光電変換層の導電性が高まるためであると考えられる。これにより、光電変換層内で発生した電荷を高効率で外部へ取り出すことができるようになったものと考えられる。以下、実施形態の有機薄膜太陽電池について、図面を参照しながら説明する。A.有機薄膜太陽電池図1は、有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。図1に示す例において、有機薄膜太陽電池10は、基板1上に第1電極層2、光電変換層3および第2電極層4が順次積層されている。この光電変換層3は3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料および電子供与性材料を含有している。本実施形態の発明によれば、光電変換層に含有されるN,N’位が炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドである電子受容性材料同士の凝集が促進されると考えられる。それにより、導電性が高くなり、光電変換層内で発生した電荷を効率良く外部へ取り出すことができ、光電変換効率を向上させることができる。以下、このような有機薄膜太陽電池を構成する各層について説明する。1.光電変換層3実施形態に用いられる光電変換層3は、3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料と、電子供与性材料とを含有するものである。光電変換層3は、炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料と、電子供与性材料とを含有しており、光電変換層3は、電子受容性および電子供与性の両方の機能を有する層であり、光電変換層3内で形成されるpn接合を利用して電荷分離が生じる。実施形態に用いられる電子受容性材料は、3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾されているものである。上記炭素数6以上のアルキル基は、好ましくは直鎖状のものであり、より好ましくは炭素数12以上の直鎖状のアルキル基である。本発明者は、電子受容性材料に水素結合性会合基を導入することにより、変換効率が高く成ることを見出した。これは、電子受容性材料の分子間を水素結合により、凝集または会合状態を形成することにより、分離した電荷の分子間輸送が円滑に進んでいるためと推測している。また、直鎖状のアルキル基は、電子受容性材料の分子間の凝集力あるいは会合力が直鎖アルキル基間のファンデルワールス力により高まったためと推測している。炭素数12以上の直鎖状のアルキル基であることにより、より変換効率が高まることから、ファンデルワールス力がより高まり、結果的に電子受容性材料の分子間力が高まっているものと推測される。本実施形態に含まれる水素結合性会合基としては、アミド-CONH-、-NHCO-、尿素-NHCONH-、ウレタン-NHCOO-、-OCONH-、ジアシルアミン-CONHCO-、ジアシルヒドラジン-CONHNHCO-、しゅう酸ジアミド-NHCOCONH-、アシル尿素-CONHCONH-、-NHCONHCO-、セミカルバジド-NHCONHNH-、-NHNHCONH-、アシルセミカルバジド-CONHNHCONH-、-NHCONHNHCO-、ジアシルアミノメタン-CONHCH2NHCO-、1-アシルアミノ-1-ウレイドメタン-CONHCH2NHCONH-、-NHCONHCH2NHCO-、マロンアミド-NHCOCH2CONH-等の基が挙げられる。また、これら水素結合性会合基が、3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位にアルキレン基を介して修飾されていても良い。これらアルキレン基は、炭素数1から12が好ましく、具体的には、-CH2-、-CH22-、-CH23-、-CH2CHCH3-、-CHCH3CH2-、-CH24-、-CH25-、-CH26-、-CH27-、-CH28-、-CH29-、-CH210-、-CH211-、-CH212-などである。3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドのN,N’位が炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾される電子受容性材料の例を以下に記載する。水素結合性会合基が-NHCO-である具体例としては、N,N’-ジn-ヘキシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-ヘプチルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-オクチルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-ノニルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-デシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-ウンデシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-ドデシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-トリデシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-テトラデシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-ペンタデシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-ヘキサデシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジn-オクタデシルアミノカルボニルメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-ヘプチルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-オクチルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-ノニルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-デシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-ウンデシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-ドデシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-トリデシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-テトラデシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-ペンタデシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-ヘキサデシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-n-オクタデシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-ヘキシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-ヘプチルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-オクチルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-ノニルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-デシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-ウンデシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-ドデシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-トリデシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-テトラデシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-ペンタデシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-ヘキサデシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-n-オクタデシルアミノカルボニルプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-ヘキシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-ヘプチルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-オクチルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-ノニルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-デシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-ウンデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-ドデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-トリデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-テトラデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-ペンタデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-ヘキサデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-n-オクタデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-ヘキシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-ヘプチルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-オクチルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-ノニルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-デシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-ウンデシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-ドデシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-トリデシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-テトラデシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-ペンタデシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-ヘキサデシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-n-オクタデシルアミノカルボニルヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-ヘキシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-ヘプチルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-オクチルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-ノニルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-デシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-ウンデシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-ドデシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-トリデシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-テトラデシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-ペンタデシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-ヘキサデシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-n-オクタデシルアミノカルボニルオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-ヘキシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-ヘプチルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-オクチルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-ノニルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-デシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-ウンデシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-ドデシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-トリデシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-テトラデシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-ペンタデシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-ヘキサデシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-n-オクタデシルアミノカルボニルデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-ヘキシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-ヘプチルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-オクチルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-ノニルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-デシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-ウンデシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-ドデシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-トリデシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-テトラデシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-ペンタデシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-ヘキサデシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-n-オクタデシルアミノカルボニルドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-ヘキシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-ヘプチルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-オクチルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-ノニルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-デシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-ウンデシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-ドデシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-トリデシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-テトラデシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-ペンタデシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-ヘキサデシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-n-オクタデシルアミノカルボニルヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-ヘキシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-ヘプチルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-オクチルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-ノニルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-デシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-ウンデシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-ドデシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-トリデシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-テトラデシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-ペンタデシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-ヘキサデシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-n-オクタデシルアミノカルボニルオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド等が挙げられる。また、水素結合性会合基が-NHCONH-である具体例としては、N,N’-ジN’-n-ヘキシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-ヘプチルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-オクチルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-ノニルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-デシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-ウンデシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-ドデシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-トリデシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-テトラデシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-ペンタデシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-ヘキサデシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジN’-n-オクタデシルウレイドメチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-ヘキシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-ヘプチルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-オクチルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-ノニルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-デシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-ウンデシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-ドデシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-トリデシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-テトラデシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-ペンタデシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-ヘキサデシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ2-N’-n-オクタデシルウレイドエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-ヘキシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-ヘプチルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-オクチルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-ノニルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-デシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-ウンデシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-ドデシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-トリデシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-テトラデシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-ペンタデシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-ヘキサデシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ3-N’-n-オクタデシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-ヘキシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-ヘプチルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-オクチルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-ノニルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-デシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-ウンデシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-ドデシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-トリデシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-テトラデシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-ペンタデシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-ヘキサデシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ4-N’-n-オクタデシルウレイドブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-ヘキシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-ヘプチルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-オクチルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-ノニルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-デシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-ウンデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-ドデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-トリデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-テトラデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-ペンタデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-ヘキサデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ6-N’-n-オクタデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-ヘキシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-ヘプチルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-オクチルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-ノニルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-デシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-ウンデシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-ドデシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-トリデシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-テトラデシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-ペンタデシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-ヘキサデシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ8-N’-n-オクタデシルウレイドオクチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-ヘキシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-ヘプチルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-オクチルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-ノニルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-デシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-ウンデシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-ドデシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-トリデシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-テトラデシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-ペンタデシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-ヘキサデシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ10-N’-n-オクタデシルウレイドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-ヘキシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-ヘプチルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-オクチルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-ノニルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-デシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-ウンデシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-ドデシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-トリデシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-テトラデシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-ペンタデシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-ヘキサデシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ12-N’-n-オクタデシルウレイドドデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-ヘキシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-ヘプチルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-オクチルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-ノニルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-デシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-ウンデシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-ドデシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-トリデシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-テトラデシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-ペンタデシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-ヘキサデシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ16-N’-n-オクタデシルウレイドヘキサデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-ヘキシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-ヘプチルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-オクチルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-ノニルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-デシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-ウンデシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-ドデシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-トリデシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-テトラデシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-ペンタデシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-ヘキサデシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド、N,N’-ジ18-N’-n-オクタデシルウレイドオクタデシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド等が挙げられる。さらに、上記化合物の水素結合性会合基-NHCO-、-NHCONH-の代わりに、上述したその他の水素結合性会合基を有する3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミド誘導体が挙げられる。さらに、実施形態に用いられる電子供与性材料としては、電子供与体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、塗布法により成膜可能なものであることが好ましく、中でも電子供与性の導電性高分子材料であることが、より好ましい。導電性高分子材料はいわゆるπ共役高分子であり、炭素-炭素またはヘテロ原子を含む二重結合または三重結合が、単結合と交互に連なったπ共役系から成り立っており、半導体的性質を示すものである。導電性高分子材料は、高分子主鎖内にπ共役が発達しているため主鎖方向への電荷輸送が基本的に有利である。また、導電性高分子材料は、導電性高分子材料を溶媒に溶解もしくは分散させた塗工液を用いて塗布法により容易に成膜可能である。これから、大面積の有機薄膜太陽電池を高価な設備を必要とせず、低コストで製造できるという利点を有する。電子供与性の導電性高分子材料としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリシラン、ポリチオフェン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポルフィリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、およびこれらの誘導体、ならびにこれらの共重合体、あるいは、フタロシアニン含有ポリマー、カルバゾール含有ポリマー、有機金属ポリマー等を挙げることができる。中でも、チオフェン-フルオレン共重合体、ポリアルキルチオフェン、フェニレンエチニレン-フェニレンビニレン共重合体、フェニレンエチニレン-チオフェン共重合体、フェニレンエチニレン-フルオレン共重合体、フルオレン-フェニレンビニレン共重合体、チオフェン-フェニレンビニレン共重合体等が好ましく用いられる。特に、ポリアルキルチオフェン等のポリチオフェンが好ましい。ポリチオフェンには、結晶性を示すものが知られている。このような結晶性を示すポリチオフェンを含有する光電変換層では、ポリチオフェンの自己組織化により、光電変換層内の構造が制御されると考えられる。具体的には、ポリチオフェンの自己組織化により、炭素数6以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料が凝集しやすくなり、ポリチオフェンおよび電子受容性材料がミクロ相分離構造をとり得ると思料される。これにより、導電性が高まるものと考えられる。光電変換層に含有される電子受容性材料と電子供与性材料との質量比は、使用する電子供与性材料の種類により最適な比に適宜調整される。具体的には、電子供与性材料に対する電子受容性材料の質量比が0.1~2.0の範囲内であることが好ましく、なかでも0.2~1.0の範囲内が好ましい。質量比が上記0.1~2.0の範囲外であると、実施形態に係る有機薄膜太陽電池の電子受容性材料と電子供与性材料とのバランスが悪く、十分な光電変換効率が得られない可能性がある。光電変換層の膜厚としては、一般的にバルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池において採用されている膜厚を採用することができる。具体的には、光電変換層の膜厚は、所望の光電変換効率とすることができるものであれば特に限定されるものではなく、0.2nm~3000nmの範囲内とすることができ、中でも10nm~600nmの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記0.2nm~3000nmの範囲より厚い場合には、膜抵抗が高くなる可能性があり、一方、膜厚が上記範囲より薄い場合には、第1電極層および第2電極層間で短絡が生じる可能性がある。2.第1電極層実施形態に用いられる第1電極層の形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されないが、光の照射方向や、後述する第2電極層の形成材料の仕事関数等を考慮して適宜選択することが好ましい。例えば第2電極層の形成材料を仕事関数の低い材料とした場合には、第1電極層の形成材料は仕事関数の高い材料であることが好ましい。仕事関数の高い材料としては、例えばAu、Ag、Co、Ni、Pt、C、ITO、SnO2、フッ素をドープしたSnO2、ZnO等を挙げることができる。また、基板側を受光面とした場合には、第1電極層を透明電極とすることが好ましい。この場合、一般的に透明電極として使用されているものを用いることができる。具体的には、In-Zn-OIZO、In-Sn-OITO、ZnO-Al、Zn-Sn-O等を挙げることができる。実施形態おいては、第1電極層の全光線透過率が85以上、中でも90以上、特に92以上であることが好ましい。基板側を受光面とした場合、第1電極層の全光線透過率が上記範囲であることにより、第1電極層にて光を十分に透過することができ、光電変換層にて光を効率的に吸収することができる。なお、上記全光線透過率は、可視光領域において、スガ試験機株式会社製SMカラーコンピュータ型番:SM-Cを用いて測定した値である。また、実施形態においては、第1電極層のシート抵抗が20Ω/□以下、中でも10Ω/□以下、特に5Ω/□以下であることが好ましい。シート抵抗が上記20Ω/□以下の範囲より大きい場合、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。なお、上記シート抵抗は、三菱化学株式会社製表面抵抗計ロレスタMCP:四端子プローブを用い、JISR1637ファインセラミックス薄膜の低効率試験方法:4探針法による測定方法に基づき、測定した値である。上記第1電極層は、単層であってもよく、また異なる仕事関数の材料を複数用いて積層されたものであってもよい。この第1電極層の膜厚としては、単層である場合はその膜厚が、複数層からなる場合は総膜厚が、0.1~500nmの範囲内、中でも1nm~300nmの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記0.1~500nmの範囲より薄い場合は、第1電極層のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。一方、膜厚が上記範囲より厚い場合には、全光線透過率が低下し、光電変換効率を低下させる可能性がある。また、上記第1電極層2は、基板上に全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。さらに、上記第1電極層2の形状としては、フラットな形状であってもよく、テクスチャー構造、ピラミッド構造、波型構造、くし型構造、ナノピロー構造等の凹凸状であってもよい。例えば第1電極層の形状が凹凸状である場合は、入射光が第1電極層の凹凸形状により散乱されるため、後述する光電変換層は光を多く取り込むことができる。これにより、光を有効に利用することができるため、エネルギー変換効率を向上させることができる。3.第2電極層4実施形態に用いられる第2電極層4は、上記第1電極層2と対向して設けられる電極である。第2電極層4の形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されない。光の照射方向や、上記第1電極層2の形成材料の仕事関数等を考慮して、第2電極層4の形成材料を適宜選択することが好ましい。例えば基板1側を受光面とした場合には、上記第1電極層2が透明電極となり、このような場合には、第2電極層2は、透明でなくともよい。また、第1電極層2を仕事関数の高い材料を用いて形成した場合には、第2電極層2は仕事関数の低い材料を用いて形成することが好ましい。具体的に仕事関数の低い材料としては、Li、In、Al、Ca、Mg、Sm、Tb、Yb、Zr、LiF等を挙げることができる。第2電極層4は、単層であってもよく、また、異なる仕事関数の材料を用いて積層されたものであってもよい。上記第2電極層4の膜厚は、単層である場合にはその膜厚が、複数層からなる場合には各層を合わせた総膜厚が、0.1nm~500nmの範囲内、中でも1nm~300nmの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記0.1nm~500nmの範囲より薄い場合は、第2電極層のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。一方、膜厚が上記範囲より厚い場合には全光線透過率が低下し、光電変換効率を低下させる可能性がある。また、上記第2電極層4は、光電変換層上に全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。4.基板1実施形態に用いられる基板1は、透明なものであっても不透明なものであっても特に限定されるものではない。例えば基板1側が光の受光面となる場合には、透明基板であることが好ましい。この透明基板1としては、特に限定されるものではない。例えば石英ガラス、パイレックス登録商標、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を挙げることができる。実施形態において、上記の中でも基板1が透明樹脂フィルム等のフレキシブル材であることが好ましい。透明樹脂フィルムは、加工性に優れており、製造コスト低減や軽量化、割れにくい有機薄膜太陽電池の実現において有用であり、曲面への適用等の種々のアプリケーションへの適用可能性が広がる。5.正孔取出層5実施形態において、光電変換層3と正孔取出電極との間に正孔取出層5が形成されていることが好ましい。第1電極層2が正孔取出電極である場合は、例えば図2に示すように、第1電極層2と光電変換層3との間に正孔取出層5が形成される。一般に、正孔取出電極側から積層するほうが安定して有機薄膜太陽電池を作製できる。これから、通常は第1電極層2が正孔取出電極とされ、第1電極層2と光電変換層3との間に正孔取出層5が形成される。正孔取出層5は、光電変換層3から正孔取出電極への正孔の取出しが容易に行われるように設けられる層である。これにより、光電変換層3から正孔取出電極への正孔取出効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。このような正孔取出層5に用いられる材料としては、光電変換層3から正孔取出電極への正孔の取出しを安定化させる材料であれば特に限定されるものではない。具体的には、ドープされたポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン、トリフェニルジアミンTPD等の導電性有機化合物、またはテトラチオフルバレン、テトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物と、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体を形成する有機材料等を挙げることができる。また、Au、In、Ag、Pd等の金属等の薄膜も使用することができる。さらに、金属等の薄膜は、単独で形成してもよく、上記の有機材料と組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、特にポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT、トリフェニルジアミンTPDが好ましく用いられる。上記正孔取出層の膜厚としては、上記有機材料を用いた場合、10nm~200nmの範囲内であることが好ましく、上記金属薄膜である場合は、0.1nm~5nmの範囲内であることが好ましい。6.電子取出し層実施形態において、光電変換層3と電子取出し電極との間に電子取出層が形成されていてもよい。第2電極層4が電子取出電極である場合は、光電変換層3と第2電極層4との間に電子取出層が形成される。電子取出層は、光電変換層から電子取出し電極への電子の取出しが容易に行われるように設けられる層である。これにより、光電変換層から電子取出電極への電子取出効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。このような電子取出層に用いられる材料としては、光電変換層から電子取出電極への電子の取出しを安定化させる材料であれば特に限定されない。具体的には、ドープされたポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン、トリフェニルジアミンTPD等の導電性有機化合物、またはテトラチオフルバレン、テトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物と、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体を形成する有機材料等を挙げることができる。また、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属との金属ドープ層が挙げられる。好適な材料としては、バソキュプロインBCPまたは、バソフェナントロンBphenと、Li、Cs、Ba、Srなどの金属ドープ層が挙げられる。7.その他の構成部材実施形態の有機薄膜太陽電池は、上述した構成部材の他にも、必要に応じて後述する構成部材を有していてもよい。例えば、実施形態の有機薄膜太陽電池は、保護シート、充填材層、バリア層、保護ハードコート層、強度支持層、防汚層、高光反射層、光封じ込め層、紫外線赤外線遮断層、封止材層等の機能層を有していてもよい。また、層構成に応じて、各機能層間に接着層が形成されていてもよい。B.有機薄膜太陽電池の製造方法次に、実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法について説明する。図3に、実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法の一例を示す。図3に示すように、実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法は、所定の電子受容性材料と電子供与性材料を用いて光電変換層3を形成する光電変換層形成工程を含んでいればよい。例えば、基板1上に第1電極層2を形成する第1電極層形成工程図3aと、この第1電極層2上に所定の電子受容性材料と電子供与性材料を用いて光電変換層3を形成する光電変換層形成工程図3bと、この光電変換層3上に第2電極層4を形成する第2電極層形成工程図3cとを有する。このように実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法は、少なくとも光電変換層形成工程を有していればよく、さらに、上述したような第1電極層形成工程、第2電極層形成工程等を有していてもよい。以下、実施例および比較例により、本発明をさらに具体的に説明する。実施例1厚み125μmのPENPolyEthyleneNaphtalateフィルム基板の表面に、PVDPhysicalVaporDeposition法によりSiO2の薄膜を形成した。次いで、SiO2、薄膜の上面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法パワー:3.7kW、酸素分圧:73、製膜圧力:0.3Pa、成膜レート:150nm/min、基板温度:20°Cにより透明電極であるITO膜膜厚:150nm、シート抵抗:20Ω/□を成膜した。その後、エッチングによりパターニングして、ITOIndiumTinOxidesパターンが形成された基板を作製した。次いで、上記ITOパターンが形成された基板を、アセトン、基板洗浄液、IPAIso-PropylAlcoholを用いて洗浄した。次に、N,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを電子受容性材料として準備した。この電子受容性材料と、ポリチオフェンP3HT:poly3-hexylthiophene-2,5-diylとをクロロベンゼンに溶解させ、固形分濃度1.4wtの光電変換層用塗工液を準備した。次いで、この光電変換層用塗工液を、上記正孔取出層上にスピンコート法にて回転数600rpmの条件で塗布して、光電変換層を形成した。続いて、温度150°Cのホットプレート上で、上記光電変換層が形成された基板を加熱乾燥した。次に、上記基板上に、Ca膜30nm、Al膜80nmを順に真空蒸着法にて形成し、金属電極とした。最後に、封止用ガラス材および接着性封止材により金属電極の上から封止して有機薄膜太陽電池とした。実施例2実施例1のN,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドの代わりに、N,N’-ジ3-N’-n-デシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。実施例3実施例1のN,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドの代わりに、N,N’-ジ4-n-ドデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。実施例4実施例1のN,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドの代わりに、N,N’-ジ6-N’-n-オクタデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。実施例5実施例1と同様に、厚み125μmのPENPolyEthyleneNaphtalateフィルム基板の表面に、PVDPhysicalVaporDeposition法によりSiO2の薄膜を形成した。次いで、SiO2薄膜の上面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法パワー:3.7kW、酸素分圧:73、製膜圧力:0.3Pa、成膜レート:150nm/min、基板温度:20°Cにより透明電極であるITO膜膜厚:150nm、シート抵抗:20Ω/□を成膜した。その後、エッチングによりパターニングして、ITOIndiumTinOxidesパターンが形成された基板を作製した。次いで、上記ITOパターンが形成された基板を、アセトン、基板洗浄液、IPAIso-PropylAlcoholを用いて洗浄した。次に、導電性高分子ペーストポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン分散品を、スピンコート法にて上記ITOパターンが形成された基板上に成膜した後、150°Cで30分間乾燥させ、正孔取出層膜厚100nmを形成した。次に、N,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを電子受容性材料として準備した。この電子受容性材料と、ポリチオフェンP3HT:poly3-hexylthiophene-2,5-diylとをクロロベンゼンに溶解させ、固形分濃度1.4wtの光電変換層用塗工液を準備した。次いで、この光電変換層用塗工液を、上記正孔取出層上にスピンコート法にて回転数600rpmの条件で塗布して、光電変換層を形成した。続いて、温度150°Cのホットプレート上で、上記光電変換層が形成された基板を加熱乾燥した。次に、上記基板上に、Ca膜30nm、Al膜80nmを順に真空蒸着法にて形成し、金属電極とした。最後に、封止用ガラス材および接着性封止材により金属電極の上から封止して有機薄膜太陽電池とした。実施例6実施例2のN,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドの代わりに、N,N’-ジ3-N’-n-デシルウレイドプロピル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。実施例7実施例2のN,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドの代わりに、N,N’-ジ4-n-ドデシルアミノカルボニルブチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。実施例8実施例2のN,N’-ジ2-n-ヘキシルアミノカルボニルエチル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドの代わりに、N,N’-ジ6-N’-n-オクタデシルウレイドヘキシル-3,4,9,10-ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。比較例1光電変換層の形成の際に、電子受容性材料としてN,N’-ジペンチル-3,4.9.10-ペリレンジカルボキシミドを利用した以外は、実施例と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。評価太陽電池特性に関しては、A.MAirMass:太陽光が大気を通過する路程の長さ1.5、擬似太陽光100mW/cm2を照射光源とし、ソースメジャーユニットHP社製、HP4100で電圧印加により電流電圧特性の評価を行った。実施例1~4の有機薄膜太陽電池の光電変換効率は、それぞれ、約2.8,約2.9,約3.0,約3.2であり、また、実施例5~8の有機薄膜太陽電池の光電変換効率は、約3.1,約3.2,約3.3,約3.5,であり、比較例1の有機薄膜太陽電池の光電変換効率は約2.0であった。実施例は、比較例に比べて約五割あるいはそれ以上も光電変換効率が高かった。"