半導体1と、誘電層2と、ミラー3と、追加層4とを有するオプトエレクトロニクス素子10であって、前記半導体1は、電磁ビームを生成するための活性領域1cと、電気的なコンタクト形成のためのn型コンタクト1a及びp型コンタクト1bとを有しており、前記誘電層2は、前記半導体1と前記ミラー3との間に配置され、さらに、前記追加層4が前記半導体1と前記誘電層2との間に配置されていることを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。前記追加層4は、半導体材料をベースにしており、前記追加層4のバンドギャップは、前記活性領域1cにおいて生成されたビームの基礎吸収が何も生じないように選定され、この場合前記追加層4は前記誘電層2に隣接しており、前記誘電層2は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、又は、酸窒化ケイ素を有しているか、または窒化ケイ素、酸化ケイ素、又は、酸窒化ケイ素からなり、前記ミラー3は、Ag、Au、又はAgないしAuを含む合金を有しているか、またはAg、Au、又はAgないしAuを含む合金からなる、請求項1記載のオプトエレクトロニクス素子。前記p型コンタクト1bは構造化されて形成されている、請求項1または2記載のオプトエレクトロニクス素子。前記追加層4は、導電性か若しくは絶縁性である、請求項1から3いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記p型コンタクト1bの領域において前記追加層4が凹部を有している、請求項1から4いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記p型コンタクトと前記ミラー3は、一体型に形成されている、請求項1から5いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記p型コンタクトと前記ミラー3は、二体型に形成されている、及び/又は、前記p型コンタクト1bの領域において、前記誘電層2が凹部を有している、請求項1から5いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記ミラー3と前記誘電層4との間に、ミラー層8が設けられ、該ミラー層8は前記p型コンタクト1bの領域において凹部を有している、請求項1から7いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。前記p型コンタクト1b又は前記ミラー3は、前記誘電層2、前記追加層4、及び/又は、前記ミラー層8の凹部によって案内されている、請求項4、7、又は8記載のオプトエレクトロニクス素子。前記半導体1は薄膜LEDである、請求項1から9いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。半導体1と、誘電層2と、ミラー3と、追加層4とを有するオプトエレクトロニクス素子10を製造するための方法であって、活性領域1cとn型コンタクト1aとを有する半導体1を設けるステップと、前記n型コンタクト1aとは反対側の半導体1の面上に追加層4を被着するステップと、前記追加層4中に複数の凹部を形成するステップと、前記追加層4上に誘電層2を被着するステップと、前記追加層4の凹部領域における誘電層2に複数の凹部を形成するステップと、前記半導体1の前記誘電層2と前記追加層4の凹部において構造化されたp型コンタクト1bを被着するステップと、前記誘電層2と前記p型コンタクト1bに、ミラー3を被着するステップとを有していることを特徴とする方法。前記構造化されたp型コンタクト1bを、前記誘電層2の被着前に、前記半導体1の前記追加層4の凹部に被着する、請求項11記載の方法。前記p型コンタクト1bとミラー3とを一体型に形成して一緒に被着する、請求項11または12記載の方法。最初に追加層4と誘電層2とを被着し、その後で複数の凹部を前記追加層4と誘電層2に形成する、請求項11記載の方法。前記ミラー3と前記p型コンタクト1bの被着前に、ミラー層8を前記誘電層2に被着し、前記追加層4と誘電層2の凹部領域における前記ミラー層8に、複数の凹部を形成する、請求項11から14いずれか1項記載の方法。