"Aフッ化水素酸、B下記一般式b-1で表される塩基性化合物、及びC水を含有するフォトリソグラフィ用剥離液。一般式b-1中、R1bからR5bは、それぞれ独立に水素原子、又は水酸基、カルボキシル基、アミノ基、若しくはホスホン酸基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、R1bからR5bの少なくとも1つは水素原子である。R1bからR4bのうちいずれか1つとR5bとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Y1b及びY2bは、それぞれ独立に炭素数1~3のアルキレン基を示し、nは0~5の整数を示す。nが2以上のとき、複数のR5b同士及び複数のY1b同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R5b同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。さらに、D水溶性有機溶剤を含有する請求項1記載のフォトリソグラフィ用剥離液。前記フッ化水素酸の規定度に対する前記塩基性化合物の規定度の比が0.1~3.0である請求項1又は2記載のフォトリソグラフィ用剥離液。Al又はAl合金からなる金属配線パターンの形成に用いられる請求項1から3のいずれか1項記載のフォトリソグラフィ用剥離液。基板上に設けたフォトレジストパターンをマスクとして該基板をエッチングし、次いで前記フォトレジストパターンをアッシングした後、請求項1から4のいずれか1項に記載のフォトリソグラフィ用剥離液を用いて前記フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去するパターン形成方法。ところで、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去する際には、フォトリソグラフィ用剥離液を循環使用することがあるが、このような場合、フォトリソグラフィ用剥離液としては時間の経過によらず均一な性能特性であることが望まれる。しかし、本発明者らが検討したところ、特許文献1~4に記載されたフォトリソグラフィ用剥離液を長時間継続的に循環使用した場合、組成変化に伴いフォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物の剥離除去性能が低下し、また金属の腐食が進行するという問題があることを見出した。また、剥離除去性能を向上させるためにフォトリソグラフィ用剥離液を加温条件下で使用した場合、上記の問題がより顕著になることも見出した。本発明は、以上のような課題に鑑みてなされたものであり、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するため、フォトリソグラフィ用剥離液に含有されるフッ化水素酸のカウンターアミンとしての塩基性化合物に着目して鋭意研究を重ねた。その結果、カウンターアミンとして所定の塩基性化合物を用いることで上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には、本発明は、以下のようなものを提供する。本発明の第一の態様は、Aフッ化水素酸、B下記一般式b-1で表される塩基性化合物、及びC水を含有するフォトリソグラフィ用剥離液である。一般式b-1中、R1bからR5bは、それぞれ独立に水素原子、又は水酸基、カルボキシル基、アミノ基、若しくはホスホン酸基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、R1bからR5bの少なくとも1つは水素原子である。R1bからR4bのうちいずれか1つとR5bとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Y1b及びY2bは、それぞれ独立に炭素数1~3のアルキレン基を示し、nは0~5の整数を示す。nが2以上のとき、複数のR5b同士及び複数のY1b同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R5b同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。本発明の第二の態様は、基板上に設けたフォトレジストパターンをマスクとして該基板をエッチングし、次いで上記フォトレジストパターンをアッシングした後、本発明の第一の態様におけるフォトリソグラフィ用剥離液を用いて上記フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去するパターン形成方法である。本発明によれば、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することができる。≪フォトリソグラフィ用剥離液≫本発明に係るフォトリソグラフィ用剥離液以下、単に剥離液という。は、Aフッ化水素酸、B塩基性化合物、及びC水を含有する。以下、本発明に係る剥離液に含有される各成分について詳細に説明する。<Aフッ化水素酸>本発明に係る剥離液は、フッ化水素酸を必須に含有する。フッ化水素酸の含有量は、剥離液中、0.05~0.5質量が好ましく、0.08~0.32質量がより好ましい。このような範囲とすることにより、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物の剥離除去性と金属に対する防食性とのバランスをより効果的にとることができる。<B塩基性化合物>本発明に係る剥離液は、下記一般式b-1で表される塩基性化合物を必須に含有する。一般式b-1中、R1bからR5bは、それぞれ独立に水素原子、又は水酸基、カルボキシル基、アミノ基、若しくはホスホン酸基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、R1bからR5bの少なくとも1つは水素原子である。R1bからR4bのうちいずれか1つとR5bとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Y1b及びY2bは、それぞれ独立に炭素数1~3のアルキレン基を示し、nは0~5の整数を示す。nが2以上のとき、複数のR5b同士及び複数のY1b同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R5b同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。R1bからR5bがとり得る炭素数1~6のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、直鎖状が好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-へキシル基等が挙げられる。これらの中でも、エチル基が最も好ましい。このアルキル基は、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、又はホスホン酸基を有していてもよい。そのような具体例としては、2-ヒドロキシエチル基、2-カルボキシエチル基、2-アミノエチル基、2-ホスホン酸エチル基等が挙げられる。R1bからR4bのうちいずれか1つとR5bとが相互に結合して形成し得る環構造、あるいはR5b同士が相互に結合して形成し得る環構造としては、ピペラジン環等が挙げられる。Y1b及びY2bがとり得る炭素数1~3のアルキレン基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、直鎖状が好ましい。具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。これらの中でも、エチレン基が最も好ましい。nは0~5の整数を示し、0~2の整数がより好ましい。上記一般式b-1で表される塩基性化合物の具体例としては、エチレンジアミン、N-2-アミノエチル-1,2-エタンジアミン=ジエチレントリアミン、N,N’-ビス2-アミノエチル-1,2-エタンジアミン=トリエチレンテトラミン、トリス2-アミノエチルアミン、N,N’-ビス2-アミノエチルピペラジン、N-[2-アミノエチル-2-アミノエチル]ピペラジン、N-2-アミノエチル-N’-{2-[2-アミノエチルアミノ]エチル}-1,2-エタンジアミン=テトラエチレンペンタミン、4-2-アミノエチル-N-2-アミノエチル-N’-{2-[2-アミノエチルアミノ]エチル}-1,2-エタンジアミン、1-2-アミノエチル-4-{[2-アミノエチルアミノ]エチル}ピペラジン、1-{2-[[2-[2-アミノエチルアミノ]エチル]アミノ]エチル}ピペラジン、1-ピペラジンエタンアミン、2-[2-アミノエチルアミノ]エタノール、ジエチレントリアミン五酢酸等が挙げられる。上記一般式b-1で表される塩基性化合物の中でも、下記一般式b-2で表される塩基性化合物が好ましい。一般式b-2中、Y1b、Y2b、及びnは、上記一般式b-1と同義である。上記一般式b-2で表される塩基性化合物の具体例としては、エチレンジアミン、N-2-アミノエチル-1,2-エタンジアミン=ジエチレントリアミン、N,N’-ビス2-アミノエチル-1,2-エタンジアミン=トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジメチレントリアミン、トリメチレンテトラミン等が挙げられる。これらの中でも、N-2-アミノエチル-1,2-エタンジアミン=ジエチレントリアミン、N,N’-ビス2-アミノエチル-1,2-エタンジアミン=トリエチレンテトラミンが、金属に対する防食性が高く、より長時間の継続使用が可能となる点で特に好ましい。これらの塩基性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記一般式b-1で表される塩基性化合物の含有量は、フッ化水素酸の含有量に応じて適宜調整できるが、剥離液中、0.01~2.00質量が好ましく、0.01~1.24質量がより好ましい。また、フッ化水素酸の規定度Nに対する塩基性化合物の規定度Nの比が0.1~3.0であることが好ましく、0.1~1.5であることがより好ましい。このような範囲とすることにより、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物の剥離除去性と金属に対する防食性とのバランスをより効果的にとることができ、さらにはより長時間の継続使用も可能となる。<C水>本発明に係る剥離液は、水を必須に含有する。水の含有量は、剥離液中、1.0~80質量が好ましく、15~40質量がより好ましい。<D水溶性有機溶剤>本発明に係る剥離液は、さらに、水溶性有機溶剤を含有していてもよい。この水溶性有機溶剤としては、水及び他の成分と混和性のあるものであれば特に限定されず、従来公知の水溶性有機溶剤を用いることができる。具体例としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類;ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス2-ヒドロキシエチルスルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類;N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド等のアミド類;N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N-プロピル-2-ピロリドン、N-ヒドロキシメチル-2-ピロリドン、N-ヒドロキシエチル-2-ピロリドン等のラクタム類;1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、1,3-ジエチル-2-イミダゾリジノン、1,3-ジイソプロピル-2-イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類;γ-ブチロラクトン、δ-バレロラクトン等のラクトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体;等が挙げられる。これらの中でも、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルが好ましく、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、プロピレングリコールが、フォトレジストパターン及びエッチング残渣物の剥離除去性に優れる点で特に好ましい。これらの水溶性有機溶剤は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。水溶性有機溶剤を含有する場合、その含有量は、剥離液中、1.0~90質量が好ましく、60~80質量がより好ましい。<その他の成分>本発明に係る剥離液は、さらに、防食剤を含有していてもよい。この防食剤としては、特に限定されず、従来公知の防食剤を用いることができるが、ベンゾトリアゾール系化合物やメルカプト基含有化合物が好ましい。上記ベンゾトリアゾール系化合物としては、下記一般式e-1で表される化合物を挙げることができる。上記一般式e-1中、R1e、R2eは、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~10の炭化水素基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、シアノ基、ホルミル基、スルホニルアルキル基、又はスルホ基を示し、Qは水素原子、水酸基、置換基を有していてもよい炭素数1~14の炭化水素基ただし、当該炭化水素基はアミド結合又はエステル結合で中断されていてもよい、又は下記一般式e-2で表される基を示す。上記一般式e-2中、R3eは炭素数1~6のアルキレン基を示し、R4e及びR5eは、それぞれ独立に水素原子、水酸基、又は炭素数1~6のヒドロキシアルキル基若しくはアルコキシアルキル基を示す。なお、上記一般式e-1において、R1e、R2e、Qの各定義中、炭化水素基は、芳香族炭化水素基及び脂肪族炭化水素基のいずれでもよく、不飽和結合を有していてもよく、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれでもよい。芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、p-トリル基等が挙げられる。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、n-プロピル基、ビニル基等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えばイソブチル基、tert-ブチル基等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。置換基を有する炭化水素基としては、例えばヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基等が挙げられる。また、上記一般式e-1において、Qとしては、上記一般式e-2で表される基であることが好ましい。特に上記一般式e-2で表される基の中でも、R4e及びR5eがそれぞれ独立に炭素数1~6のヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基である基を選択することが好ましい。さらに、Qは、上記一般式e-1で表される化合物が水溶性を示すように選択されることが好ましい。具体的には、水素原子、炭素数1~3のアルキル基すなわち、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、炭素数1~3のヒドロキシアルキル基、水酸基等が好ましい。ベンゾトリアゾール系化合物としては、具体的には、ベンゾトリアゾール、5,6-ジメチルベンゾトリアゾール、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、1-メチルベンゾトリアゾール、1-アミノベンゾトリアゾール、1-フェニルベンゾトリアゾール、1-ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、1-ベンゾトリアゾールカルボン酸メチル、5-ベンゾトリアゾールカルボン酸、1-メトキシ-ベンゾトリアゾール、1-2,2-ジヒドロキシエチル-ベンゾトリアゾール、1-2,3-ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール;IRGAMETシリーズとしてBASF社より市販されている、2,2’-{[4-メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル]イミノ}ビスエタノール、2,2’-{[5-メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル]イミノ}ビスエタノール、2,2’-{[4-メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル]イミノ}ビスエタン、2,2’-{[4-メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル]イミノ}ビスプロパン等が挙げられる。これらの中でも、1-2,3-ジヒドロキシプロピル-ベンゾトリアゾール、2,2’-{[4-メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル]イミノ}ビスエタノール、2,2’-{[5-メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル]イミノ}ビスエタノール等が好ましい。これらのベンゾトリアゾール化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記メルカプト基含有化合物としては、メルカプト基に結合する炭素原子のα位、β位の少なくとも一方に、水酸基及び/又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。このような化合物として、具体的には、1-チオグリセロール、3-2-アミノフェニルチオ-2-ヒドロキシプロピルメルカプタン、3-2-ヒドロキシエチルチオ-2-ヒドロキシプロピルメルカプタン、2-メルカプトプロピオン酸、3-メルカプトプロピオン酸等が挙げられる。これらの中でも、1-チオグリセロールを用いることが特に好ましい。これらのメルカプト基含有化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。防食剤を含有する場合、その含有量は、剥離液中、0.1~10質量が好ましく、0.5~5質量がより好ましい。また、本発明に係る剥離液は、さらに、界面活性剤を含有していてもよい。この界面活性剤としては、特に限定されず、従来公知の界面活性剤を用いることができるが、アセチレンアルコール系界面活性剤が好ましい。界面活性剤を含有する場合、その含有量は、剥離液中、0.01~5質量が好ましく、0.05~2質量がより好ましい。本発明に係る剥離液は、上記A~C成分を必須に含有することにより、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物の剥離除去性と金属特にAl及びAl合金に対する防食性とのバランスを効果的にとることができる。したがって、本発明に係る剥離液は、例えばAl又はAl合金からなる金属配線パターンの形成に好適に用いることができる。また、本発明に係る剥離液は、長時間継続使用した場合であっても組成変化が生じにくいため、剥離液を循環使用する場合に好適である。≪パターン形成方法≫本発明に係るパターン形成方法は、基板上に設けたフォトレジストパターンをマスクとして該基板をエッチングし、次いで上記フォトレジストパターンをアッシングした後、本発明に係る剥離液を用いて上記フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去するものである。以下、本発明に係るパターン形成方法の一例について詳細に説明する。まず、金属膜を形成した基板上にフォトレジスト組成物を塗布、乾燥して、フォトレジスト膜を形成する。金属膜を形成した基板としては、アルミニウムAl;アルミニウム-ケイ素Al-Si、アルミニウム-銅Al-Cu、アルミニウム-ケイ素-銅Al-Si-Cu等のアルミニウム合金Al合金;チタンTi;窒化チタンTiN、チタンタングステンTiW等のチタン合金Ti合金;タンタルTa、窒化タンタルTaN、タングステンW、窒化タングステンWN、銅Cu等の金属膜が形成された基板が挙げられる。本発明に係るパターン形成方法は、特に、Al又はAl合金からなる金属膜が基板上に形成されている場合に好適である。また、フォトレジスト組成物としては、iナフトキノンジアジド化合物及びノボラック樹脂を含有するポジ型フォトレジスト組成物、ii露光により酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物、及びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型フォトレジスト組成物、iii露光により酸を発生する化合物、及び酸により分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型フォトレジスト組成物、iv露光により酸を発生する化合物、架橋剤、及びアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型フォトレジスト組成物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。次いで、フォトレジスト膜を選択的に露光する。露光は、紫外線、遠紫外線、エキシマレーザ、X線、電子線等の活性光線を発光する光源、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ等により、所望のマスクパターンを介してフォトレジスト膜を露光してもよく、あるいは電子線をフォトレジスト膜に直接照射してもよい。その後、必要に応じて加熱処理PEBを施す。次いで、現像液を用いて露光後のフォトレジスト膜を現像し、所定のフォトレジストパターンを得る。現像方法としては、浸漬法、パドル法、スプレー法等が挙げられる。その後、必要に応じて加熱処理ポストベークを施す。次いで、形成されたフォトレジストパターンをマスクとして、上記金属膜を選択的にエッチングする。エッチングはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれでもよく、両者を組み合わせて用いてもよいが、ドライエッチングが好ましい。次いで、上記フォトレジストパターンをアッシングする。なお、アッシング後の基板には、エッチング残渣物や、変質したフォトレジストパターンの残渣物が残ることが多々ある。次いで、本発明に係る剥離液を用いて上記フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去する。Al又はAl合金からなる金属膜が基板上に形成されている場合、残渣物としてはAl2O3、AlCl3、AlF3、SiO2等が挙げられる。剥離除去方法としては、浸漬法、スプレー法等が挙げられ、バッチ式又は枚葉式で処理を行うことができる。剥離除去時間は、特に限定されるものではないが、通常、バッチ処理では10~30分間程度、枚葉処理では0.5~3分間程度である。本発明に係る剥離液は枚葉処理で用いることが好ましい。剥離液の温度は、特に限定されるものではないが、通常、25~70°C程度である。その後、純水や低級アルコール等を用いたリンス処理、及び乾燥処理を施してもよい。以上の工程により、基板に金属配線パターンを形成することができる。以下、本発明の実施例を示し、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。剥離液の調製下記表1~5に示す組成及び配合量に基づき剥離液を調製した。なお、各試薬については、特に記載の無いものに関しては、一般に市販されている試薬を用いた。また、表中の括弧内の数値は、特に断りの無い限り、質量の単位で示されるものである。上記表1~5中の略称は下記のとおりである。DETA:ジエチレントリアミンTETA:トリエチレンテトラミンMEA:モノエタノールアミンTEtA:トリエタノールアミンDBU:1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7PMDETA:ペンタメチルジエチレントリアミンNMP:N-メチル-2-ピロリドンDMAC:N,N-ジメチルアセトアミドPG:プロピレングリコールDMSO:ジメチルスルホキシドAl-Si-Cu膜の膜厚変化約0.3μmのAl-Si-Cu膜を蒸着したシリコンウェハを、25°C又は35°Cに加温した剥離液中に10分間浸漬し、浸漬前後の膜厚変化量を求めた。結果を表6~8に示す。剥離性防食性約0.3μmのAl-Si-Cu膜を蒸着したシリコンウェハ上にTFT用フォトレジスト組成物であるTFR-H東京応化工業社製をスピンナー塗布し、90°Cにて90秒間のプレベークを施し、膜厚2.0μmのフォトレジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜に縮小投影露光装置NSR-2005i10Dニコン社製を用いてマスクパターンを介して紫外線を照射し、2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、150°Cにて90秒間のポストベークを施すことにより、ラインアンドスペース0.6μmのフォトレジストパターンを得た。次いで、フォトレジストパターンが形成された基板に対してエッチング装置TSS-6000東京応化工業社製を用いて、塩素と三塩化ホウ素との混合ガスをエッチャントとして、圧力5mmTorr、ステージ温度20°Cで168秒間、Al-Si-Cu膜をエッチングしてAl-Si-Cu配線パターンを形成し、次いで酸素とトリフルオロメタンとの混合ガスを用い、圧力20mmTorr、ステージ温度20°Cで30秒間、アフターコロージョン処理を行った。次いで、アッシング装置TCA-3822東京応化工業社製を用いて、圧力1.2mmTorr、ステージ温度220°Cで40秒間、フォトレジストパターンをアッシングした。次いで、アッシング後のシリコンウェハを、枚葉処理で35°Cに加温した剥離液中に45秒間浸漬し、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去した。そして、Al-Si-Cu配線パターンが腐食していなかったものを○、腐食していたものを×として防食性を評価した。また、剥離除去処理後のシリコンウェハを光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物が残っていなかったものを○、残っていたものを×として剥離性を評価した。結果を表6~8に示す。なお、防食性の評価が×であるものは腐食が進みすぎてフォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を確認することができなかったため、表中にNAと示した。エッチングレート変化約0.2μmのAl2O3膜を蒸着したシリコンウェハを、35°Cに加温した剥離液中に10分間浸漬し、浸漬前後の膜厚変化からエッチングレートÅ/minを算出した。また、35°Cで48時間加温し続けた剥離液を用いて、上記と同様にエッチングレートÅ/minを算出した。そして、エッチングレートの変化量が10Å/min未満であるものを○、10Å/min以上であるものを×として評価した。結果を表6~8に示す。組成変化剥離液を35°Cで48時間加温し、加温前後における塩基性化合物の濃度変化を求めた。そして、濃度変化が0.15未満であるものを○、0.15以上であるものを×として評価した。結果を表6~8に示す。表6~8から分かるように、フッ化水素酸のカウンターアミンとして上記一般式b-1で表される塩基性化合物を含有する実施例1~31の剥離液は、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、しかも、Al-Si-Cuに対する防食性に優れていた。また、35°Cで長時間加温してもエッチングレート変化や組成変化が殆ど生じず、循環使用に適していることが確認された。一方、フッ化アンモニウムを含有する比較例2の剥離液やフッ化水素酸のカウンターアミンとしてアンモニアを含有する比較例3の剥離液は、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、しかも、Al-Si-Cuに対する防食性に優れていたが、35°Cで長時間加温するとエッチングレート変化や組成変化が生じ、循環使用に適さないものであった。また、塩基性化合物を含有しない比較例1,18~20の剥離液や、フッ化水素酸のカウンターアミンとしてアンモニア以外の塩基性化合物を含有する比較例4~17の剥離液は、Al-Si-Cuに対する防食性が劣っていた。"