シリコン酸化物膜、及びこのシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、前記多層構造体中の前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜をエッチングするとき、レジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、前記多層構造体中のシリコン膜及び前記シリコン酸化物膜を一括してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。シリコン酸化物膜、このシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜、及びこのシリコン膜上に形成されたシリコン窒化物膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、前記多層構造体中の前記シリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜をエッチングするとき、レジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、前記多層構造体中のシリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜を一括してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。第1のシリコン酸化物膜、この第1のシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜、このシリコン膜上に形成されたシリコン窒化物膜、及びこのシリコン窒化物膜上に形成された第2のシリコン酸化物膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、前記多層構造体中の前記第2のシリコン酸化物膜、前記シリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記第1のシリコン酸化物膜をエッチングするとき、レジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、前記多層構造体中の前記第2のシリコン酸化物膜、前記シリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記第1のシリコン酸化物膜を一括してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。前記エッチングガスは、前記CH2F2ガスに、さらにN2ガスを含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のエッチング方法。前記エッチングガスは、前記CH2F2ガスに、さらに希釈ガスとしてArガスを含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のエッチング方法。シリコン酸化物膜、及びこのシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング装置であって、前記多層構造体中の、前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜をレジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用いてエッチングするとき、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを前記多層構造体に供給することを特徴とするエッチング装置。コンピュータ上で動作し、エッチング装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記エッチング装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。しかしながら、HBrガスや、HF3ガスを含有するガスは、レジスト膜や有機膜もエッチングしてしまう。このため、半導体集積回路装置の多層構造体中に存在するシリコン膜を、レジスト膜や有機膜をマスクに用いてエッチングしようとする場合には、十分なマスク選択比がほとんどとれないことが現状である。また、シリコン膜の上に厚いシリコン酸化物膜が存在する多層構造体の場合には、エッチング装置としては、シリコン酸化物膜向けのエッチング装置が用いられる。しかしながら、シリコン酸化物膜向けのエッチング装置は、HBrガスやHF3ガスを搭載していない。このため、厚いシリコン酸化物膜の下にあるシリコン膜を一括してエッチングすることが困難である。この発明は、多層構造体中にあるシリコン膜であっても、レジスト膜や有機膜をマスクに用いてエッチングすることが可能であり、かつ、シリコン膜、及びこのシリコン膜の下に存在するシリコン酸化物膜を一括してエッチングすることも可能なエッチング方法、エッチング装置、およびそのエッチング方法をエッチング装置に実行させるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供する。この発明の第1の態様に係るエッチング方法は、シリコン酸化物膜、及びこのシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、前記多層構造体中の前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜をエッチングするとき、レジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、前記多層構造体中のシリコン膜及び前記シリコン酸化物膜を一括してエッチングする。この発明の第2の態様に係るエッチング方法は、シリコン酸化物膜、このシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜、及びこのシリコン膜上に形成されたシリコン窒化物膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、前記多層構造体中の前記シリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜をエッチングするとき、レジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、前記多層構造体中のシリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜を一括してエッチングする。この発明の第3の態様に係るエッチング方法は、第1のシリコン酸化物膜、この第1のシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜、このシリコン膜上に形成されたシリコン窒化物膜、及びこのシリコン窒化物膜上に形成された第2のシリコン酸化物膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、前記多層構造体中の前記第2のシリコン酸化物膜、前記シリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記第1のシリコン酸化物膜をエッチングするとき、レジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、前記多層構造体中の前記第2のシリコン酸化物膜、前記シリコン窒化物膜、前記シリコン膜及び前記第1のシリコン酸化物膜を一括してエッチングする。この発明の第4の態様に係るエッチング装置は、シリコン酸化物膜、及びこのシリコン酸化物膜上に形成されたシリコン膜を含む多層構造体をエッチングするエッチング装置であって、前記多層構造体中の、前記シリコン膜及び前記シリコン酸化物膜をレジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用いてエッチングするとき、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを前記多層構造体に供給する。この発明の第5の態様に係るコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、エッチング装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、第1の態様から第3の態様のいずれか一つの態様に係るエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記エッチング装置を制御させる。この発明によれば、多層構造体中にあるシリコン膜であっても、レジスト膜や有機膜をマスクに用いてエッチングすることが可能であり、かつ、シリコン膜、及びこのシリコン膜の下に存在するシリコン酸化物膜を一括してエッチングすることも可能なエッチング方法、エッチング装置、およびそのエッチング方法をエッチング装置に実行させるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供できる。以下、添付図面を参照してこの発明の一実施の形態について説明する。なお、全図にわたり、同一の部分には同一の参照符号を付す。図1は、半導体集積回路装置を製造している段階の多層構造体半導体ウエハを示す断面図である。図1に示すように、シリコン基板1上には、第1のシリコン酸化物膜2が形成されている。第1のシリコン酸化物膜2上にはシリコン膜3が形成されている。シリコン膜3上にはシリコン窒化物膜4が形成されている。シリコン窒化物膜4上には第2のシリコン酸化物膜5が形成されている。この発明の一実施形態に係るエッチング方法では、多層構造体中に存在しているシリコン膜3を、レジスト膜又は有機膜をエッチングのマスクに用いてエッチングする。さらに、本例では、シリコン膜3の下に存在する第1のシリコン酸化物膜2についても、シリコン膜3と一括してエッチングする。図2A~図2Fは、この発明の一実施形態に係るエッチング方法の一例を示す断面図である。まず、図2Aに示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、第2のシリコン酸化物膜5上にエッチングのマスクとなるレジスト膜6を形成する。レジスト膜6については有機膜であっても良い。次に、レジスト膜6が形成された多層構造体を、エッチング装置の処理室内に搬入する。エッチング装置の一例については後述するが、例えば、平行平板型のプラズマエッチング装置である。多層構造体は、処理室内の載置台上に載置される。載置台は下部電極である。載置台上方にはシャワーヘッドが設けられている。シャワーヘッドは、処理室内にガス、例えば、エッチングガスや、パージガスなどを供給するとともに、上部電極としても機能する。次に、エッチング装置の処理室内に、エッチングガスとしてジフルオロメタンCH2F2ガスを含むエッチングガスを供給する。本例では、ジフルオロメタンCH2F2ガスに、窒素N2ガスと、希釈ガスとしてアルゴンArガスとを混合させたガスを、処理室内に供給する。次に、上部電極と下部電極との間に電界を印加し、処理室内にプラズマを発生させる。これにより、所定時間経過後、まず、第2のシリコン酸化物膜5がエッチングされる図2B。さらに、所定時間経過後、シリコン窒化物膜4がエッチングされる図2C。さらに、所定時間経過後、シリコン膜3がエッチングされる図2D。さらに、所定時間経過後、第1のシリコン酸化物膜2がエッチングされる図2E。さらに、本例では、シリコン基板1の途中までエッチングが進められる図2F。図3Aはレジスト膜6のエッチングレートを示す図、図3Bはシリコン膜3のエッチングレートを示す図である。図3A及び図3Bは、以下のエッチング条件により得られた結果である。CH2F2流量:50sccmAr流量:300sccmN2流量:200sccm処理圧力:5.32Pa0.04Torr上部電極と下部電極とのギャップ:35mm上部電極電力:2400W下部電極電力:1000W図3Aに示すように、レジストPR膜6のエッチングレートは、-15.3nm/minであった。これは、レジスト膜6上に堆積物が堆積されて膜厚が増していることを示している。対して、図3Bに示すようにシリコンPoly膜3のエッチングレートは、73.4nm/minである。このように、CH2F2ガスを含むエッチングガスをエッチングガスとして用いることで、レジスト膜6とシリコン膜3との間には大きなエッチングレートの差が生ずる。このため、十分なマスク選択比をとることができる。図4Aはレジスト膜6のエッチングレートを示す図、図4Bはシリコン窒化物膜4のエッチングレートを示す図、図4Cはシリコン酸化物膜2、5のエッチングレートを示す図である。図4A~図4Cは、以下のエッチング条件により得られた結果である。CH2F2流量:50sccmAr流量:200sccmN2流量:200sccm処理圧力:6.65Pa0.05Torr上部電極と下部電極とのギャップ:35mm上部電極電力:500W下部電極電力:500W図4Aに示すように、レジストPR膜6のエッチングレートは、-1.4nm/minであった。これは、図3Aに示す結果よりも小さい値となっているが、レジスト膜6上に堆積物が堆積されて膜厚が増していることを示している。対して、図4Bに示すようにシリコン窒化物SiN膜4のエッチングレートは、69.1nm/minである。また、図4Cに示すようにシリコン酸化物Ox膜2、5のエッチングレートは、74.1nm/minである。このように、CH2F2ガスを含むエッチングガスをエッチングガスとして用いることで、レジスト膜6とシリコン窒化物膜4との間、及びレジスト膜6とシリコン酸化物膜2、5との間にも大きなエッチングレートの差が生ずる。このため、十分なマスク選択比をとることができる。このような一実施形態に係るエッチング方法によれば、CH2F2ガスを含むエッチングガスをエッチングガスとして用いることで、レジスト膜6がほとんどエッチングされることがない、あるいは逆にレジスト膜6上に堆積物が堆積されて膜厚が増す。このため、レジスト膜6又は有機膜をエッチングのマスクに用いて、多層構造体中の深いところに存在しているシリコン膜3をエッチングでき、さらにシリコン膜3の下に存在する第1のシリコン酸化物膜2についても、シリコン膜3と一括してエッチングすることが可能となる、という利点を得ることができる。次に、この発明の一実施形態に係るエッチング方法を実行することが可能なエッチング装置の一例を説明する。図5は、この発明の一実施形態に係るエッチング方法を実行することが可能なエッチング装置を概略的に示す断面図である。図5に示すように、エッチング装置100は、平行平板型のプラズマエッチング装置である。エッチング装置100は、エッチングガスを用いて、被処理体、本例では半導体ウエハWに処理を施す処理室102と、処理室102にエッチングガスなどのガスを供給するガス供給源103とを備えている。ウエハWには、例えば、図2Aに示したような多層構造体が形成されている。処理室102内には、ウエハWを載置する載置台104、及び載置台104に対向して配置され、処理室102の内部にエッチングガスなどの処理ガスを吐出する処理ガス吐出部、本例ではシャワーヘッド105が設けられている。シャワーヘッド105は平行平板の上部電極を構成しており、整合器106を介して第1の高周波電源107に接続される。第1の高周波電源107は、例えば40MHz以上、例えば60MHzの高周波電圧を出力する。一方、載置台104は平行平板の下部電極を構成しており、本例では、整合器108を介して第2の高周波電源109に接続される。第2の高周波電源109は、例えば2MHz~20MHzの範囲、例えば13.56MHzの周波数の高周波電圧を出力する。また、処理室102は、排気口110を介して排気装置111に接続されている。処理室102は内部を所望の真空度に減圧できる真空容器として構成されている。排気装置111は、真空容器として構成された処理室102の内部を排気し、処理室102の内部を所望の真空度に減圧する。エッチング装置100は、例えばマイクロプロセッサコンピュータからなるプロセスコントローラ112により制御される。プロセスコントローラ112には、ユーザーインターフェース113、及び記憶部114が接続されている。ユーザーインターフェース113は、オペレータがエッチング装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、エッチング装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等が含まれている。記憶部114には、エッチング装置100で実行される処理を、プロセスコントローラ112の制御にて実現する制御プログラムや、処理条件に応じてエッチング装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部114の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース113からの指示等にて記憶部114から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をプロセスコントローラ112が実行することで、エッチング装置100は、コントローラ112の制御のもと、上記一実施形態に従ったエッチング方法を実行する。ガス供給源103は、上記一実施形態に従ったエッチング方法を実行可能とするために、CH2F2ガス供給部103a、N2ガス供給部103b、Arガス供給部103cを備えている。上記一実施形態に係るエッチング方法は、このようなエッチング装置100を用いて実行することができる。以上、この発明の一実施形態によれば、多層構造体中にあるシリコン膜であっても、レジスト膜や有機膜をマスクに用いてエッチングすることが可能であり、かつ、シリコン膜、及びこのシリコン膜の下に存在するシリコン酸化物膜を一括してエッチングすることも可能なエッチング方法及びエッチング装置を提供できる。なお、この発明は上記一実施形態に限定されることなく種々変形可能である。また、この発明の実施形態は上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。例えば、上記一実施形態では、レジスト膜6又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、多層構造体中の第2のシリコン酸化物膜5、シリコン窒化物膜4、シリコン膜3及び第1のシリコン酸化物膜2を一括してエッチングする例を示した。しかし、第2のシリコン酸化物膜5が無い場合でも、レジスト膜6又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、多層構造体中のシリコン窒化物膜4、シリコン膜3及び第1のシリコン酸化物膜2を一括してエッチングするようにしても良い。さらに、シリコン窒化物膜4が無い場合でも、レジスト膜6又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてCH2F2ガスを含むエッチングガスを用いて、多層構造体中のシリコン膜3及び第1のシリコン酸化物膜2を一括してエッチングするようにしても良い。また、第2のシリコン酸化物膜5がシリコン酸化物以外の膜であった場合や、シリコン窒化物がシリコン窒化物以外の膜であった場合には、この膜をエッチングすることが可能なエッチングガスを処理室に供給し、この膜のエッチングが終わったら、エッチングガスをCH2F2ガスを含むエッチングガスに切り換えて、多層構造体中のシリコン窒化物膜4、シリコン膜3及び第1のシリコン酸化物膜2を一括してエッチングすることも可能である。