第1反応チャンバで、基板上に第1導電型窒化物半導体層及び活性層を成長させる段階と、上記第1導電型窒化物半導体層及び上記活性層が成長された状態の上記基板を第2反応チャンバに移送する段階と、上記第2反応チャンバで、上記活性層上に第2導電型窒化物半導体層を成長させる段階とを含み、上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階の前に、上記第2反応チャンバの内部は窒化物ソースガス及び上記第2導電型窒化物半導体層に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に組成されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。上記第2導電型窒化物半導体層はp型窒化物半導体層であり、上記ドーピング元素のソースガスはMg及びZnのうち少なくとも1つのソースガスを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。上記窒化物ソースガスはNH3を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部には上記ドーピング元素を含む化合物が蒸着されることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部は上記第2導電型窒化物半導体層の成長温度より高い温度で保持されることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階は、真空状態で行われることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。第1反応チャンバで、基板上に第1導電型窒化物半導体層を成長させる段階と、上記第1導電型窒化物半導体層が成長された状態の上記基板を第2反応チャンバに移送する段階と、上記第2反応チャンバで、上記第1導電型窒化物半導体層上に活性層を成長させる段階と、上記活性層上に第2導電型窒化物半導体層を成長させる段階とを含み、上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階の前に、上記第2反応チャンバの内部は上記活性層を構成する1つ以上の物質のソースガス雰囲気に組成されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部には上記活性層を構成する元素を含む化合物が蒸着されることを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。上記第2反応チャンバの内部に蒸着される上記化合物は、上記活性層に含まれる物質のうち少なくとも一部と同じ物質であることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードの製造方法。上記活性層はInを含む窒化物半導体からなり、上記ソースガスはInソースガスを含むことを特徴とする請求項7から9の何れか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。上記活性層はInGaN化合物を含み、上記ソースガスはGaソースガスとしてTMGaまたはTEGa、InソースガスとしてTMIn、NソースガスとしてNH3を含むことを特徴とする請求項7から10の何れか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部にはInGaN化合物が蒸着されることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部は上記活性層の成長温度より高い温度で保持されることを特徴とする請求項7から12の何れか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。上記第2導電型窒化物半導体層を成長させる段階の前に、上記活性層が成長された状態の上記基板を第3反応チャンバに移送する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7から13の何れか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板を上記第3反応チャンバに移送する段階の前に、上記第3反応チャンバの内部は窒化物ソースガス及び上記第2導電型窒化物半導体層に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に組成されることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板が上記第3反応チャンバに移送される前に、上記第3反応チャンバの内部には上記ドーピング元素を含む化合物が蒸着されることを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオードの製造方法。上記第2導電型窒化物半導体層はp型窒化物半導体層であり、上記ドーピング元素のソースガスはMg及びZnのうち少なくとも1つのソースガスを含むことを特徴とする請求項15または16に記載の発光ダイオードの製造方法。上記窒化物ソースガスはNH3を含むことを特徴とする請求項15から17の何れか1項に記載の発光ダイオードの製造方法。上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階及び上記基板を上記第3反応チャンバに移送する段階のうち少なくとも1つの段階は真空状態で行われることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードの製造方法。本発明の一目的は、発光ダイオードを製造するにおいて、工程システムの運用能力と生産性を向上させ、さらには、これにより得られた半導体層の結晶性、ドーピングの均一性などを向上させることである。上記目的を達成するために、本発明の一実施形態は、第1反応チャンバで、基板上に第1導電型窒化物半導体層及び活性層を成長させる段階と、上記第1導電型窒化物半導体層及び活性層が成長された状態の上記基板を第2反応チャンバに移送する段階と、上記第2反応チャンバで、上記活性層上に第2導電型窒化物半導体層を成長させる段階とを含み、上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階の前に、上記第2反応チャンバの内部は窒化物ソースガス及び上記第2導電型窒化物半導体層に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に組成されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法を提供する。本発明の一実施例における上記第2導電型窒化物半導体層は、p型窒化物半導体層であり、上記ドーピング元素のソースガスはMg及びZnのうち少なくとも1つのソースガスを含むことができる。本発明の一実施例における上記窒化物ソースガスは、NH3を含むことができる。本発明の一実施例において、上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部には上記ドーピング元素を含む化合物が蒸着されることができる。この場合、上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部は上記第2導電型窒化物半導体層の成長温度より高い温度で保持されることができる。本発明の一実施例において、上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階は真空状態で行われることができる。本発明の他の実施形態は、第1反応チャンバで、基板上に第1導電型窒化物半導体層を成長させる段階と、上記第1導電型窒化物半導体層が成長された状態の上記基板を第2反応チャンバに移送する段階と、上記第2反応チャンバで、上記第1導電型窒化物半導体層上に活性層を成長させる段階と、上記活性層上に第2導電型窒化物半導体層を成長させる段階とを含み、上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階の前に、上記第2反応チャンバの内部は上記活性層を構成する物質のソースガス雰囲気に組成されることができる。本発明の一実施例において、上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部には上記活性層を構成する元素を含む化合物が蒸着されることができる。本発明の一実施例における上記第2反応チャンバの内部に蒸着される上記化合物は、上記活性層に含まれる物質のうち少なくとも一部と同じ物質であることができる。本発明の一実施例において、上記活性層はInを含む窒化物半導体からなり、上記ソースガスはInソースガスを含むことができる。本発明の一実施例において、上記活性層はInGaN化合物を含み、上記ソースガスはGaソースガスとしてTMGaまたはTEGa、InソースガスとしてTMIn、NソースガスとしてNH3を含むことができる。この場合、上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部にはInGaN化合物が蒸着されることができる。本発明の一実施例において、上記基板が上記第2反応チャンバに移送される前に、上記第2反応チャンバの内部は上記活性層の成長温度より高い温度で保持されることができる。本発明の一実施例において、上記第2導電型窒化物半導体層を成長させる段階の前に、上記活性層が成長された状態の上記基板を第3反応チャンバに移送する段階をさらに含むことができる。この場合、上記基板を上記第3反応チャンバに移送する段階の前に、上記第3反応チャンバの内部は窒化物ソースガス及び上記第2導電型窒化物半導体層に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に組成されることができる。また、上記基板が上記第3反応チャンバに移送される前に、上記第3反応チャンバの内部には上記ドーピング元素を含む化合物が蒸着されることができる。また、上記第2導電型窒化物半導体層はp型窒化物半導体層であり、上記ドーピング元素のソースガスはMg及びZnのうち少なくとも1つのソースガスを含むことができる。また、上記窒化物ソースガスはNH3を含むことができる。また、上記基板を上記第2反応チャンバに移送する段階及び上記基板を上記第3反応チャンバに移送する段階のうち少なくとも1つの段階は、真空状態で行われることができる。本発明による発光ダイオードの製造方法を利用すると、発光ダイオードを製造するにおいて、工程システムの運用能力と生産性を向上させ、さらには、これにより得られた半導体層の結晶性、ドーピングの均一性などが向上することができる。以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及びサイズなどはより明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ符号で示される要素は同じ要素である。図1から4は、本発明の一実施形態による発光ダイオードの製造方法を概略的に示す工程別断面図である。図1に示したように、基板101上に第1導電型窒化物半導体層102を成長させる。本段階は、第1反応チャンバ201で行われ、第1導電型窒化物半導体層102の成長は有機金属化学蒸着MetalOrganicChemicalVaporDeposition、MOCVD、水素化気相エピタキシーHydrideVaporPhaseEpitaxy、HVPE、分子線エピタキシーMolecularBeamEpitaxy、MBE、原子層蒸着AtomicLayerDeposition、ALDなどの工程を用いることができる。但し、後述するように、第2反応チャンバ202を予めソースガス雰囲気に組成するのに最も適する工程は、MOCVD工程である。この場合、具体的に図示しなかったが、第1反応チャンバ201は基板101が配置されるサセプタやソースガスを導入させるためのガス流路などを備える構造と理解することができる。基板101は半導体成長用基板として提供され、例えば、サファイア、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN、Siなどの物質からなる基板を使用することができる。この場合、サファイアは六角-ロンボ型Hexa-RhomboR3cの対称性を有する結晶体であり、c軸及びa側方向の格子定数がそれぞれ13.001Åと4.758Åであり、C0001面、A1120面、R1102面などを有する。この場合、上記C面は窒化物薄膜の成長が比較的容易で、高温で安定するため、窒化物成長用基板として主に用いられる。第1導電型窒化物半導体層102はAlxInyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1半導体からなることができ、これに限定されるものではないが、Siなどのようなn型不純物がドーピングされることができる。別途に図示しなかったが、第1導電型窒化物半導体層102を成長させる前に、オンドープ半導体層などからなるバッファ層を成長させて第1導電型窒化物半導体層102の結晶性の低下を最小化することができる。次いで、第1導電型窒化物半導体層102上に活性層103を成長させる。活性層103は第1及び第2導電型窒化物半導体層102、104の間に配置されて電子と正孔の再結合により所定のエネルギーを有する光を放出し、量子井戸層と量子障壁層が交互に積層された多重量子井戸MQW構造からなることができる。多重量子井戸構造は、AlxInyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1からなる多層構造、例えば、InGaN/GaN構造を用いることができる。この場合、活性層103も、第1導電型窒化物半導体層102と同様の方式で、MOCVD工程などを利用して成長されることができる。次に、図2に示したように、第1導電型窒化物半導体層102及び活性層103が形成された状態で基板101を第2反応チャンバ202に移送する。その後、発光構造物の残りの部分、即ち、図3に示したように、第2導電型窒化物半導体層104を成長させる。第2導電型窒化物半導体層104はp型窒化物半導体、例えば、MgやZnなどでドーピングされたAlxInyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1半導体からなることができる。本実施形態の場合、発光構造物を形成する半導体層を成長するにおいて、2個以上の反応チャンバを利用するため、成長過程で不良が発生した場合に、工程上で発生する費用と時間の負担を減らすことができる。具体的に説明すると、発光構造物を構成する第1及び第2導電型窒化物半導体層101、104と活性層103を第1及び第2反応チャンバ201、202でそれぞれ一度に成長させると、相対的に長い時間、各チャンバ201、202が作動するため、不良発生時にかかった工程時間とソースガスなどの負担が本実施形態のような分割成長方式より相対的に高い。また、1つの蒸着設備で相対的に短い時間で1回の成長工程を終えることができるため、後続成長工程の前までに適用される設備の維持補修段階がより弾力的に行われることができる。この場合、第1及び第2反応チャンバ201、202は同じ蒸着工程を用いることもできるが、異なる蒸着工程装置であることができる。即ち、第1及び第2反応チャンバ201、202がともにMOCVD装備であることもでき、第1反応チャンバ201はHVPE装備で、第2反応チャンバ202はMOCVD装備であることもできる。また、同じMOCVD装備でも、その構造を異なるようにすることもできる。例えば、第1反応チャンバ201は反応ガスがサセプタの垂直上方から注入される装備で、第2反応チャンバ202はサセプタに平行な方向から注入される装備であってもよい。このような工程上の長所とともに、発光構造物を構成する各半導体層は成長温度とソースガス雰囲気などの条件に差があるため、複数の反応チャンバ201、202を各半導体層の成長条件に合わせて維持することで、設備管理が容易となり、装置の劣化を減少することができる。また、成長条件が一定するように維持された反応チャンバ201、202で発光構造物を分けて成長させると、各半導体層の結晶品質やドーピング特性なども向上することができる。即ち、第1導電型窒化物半導体層102が、例えば、n型GaNを含んでなるとすると、約1000~1300°Cの温度で成長され、第2導電型窒化物半導体層104がp型GaNを含んでなるとすると、相対的に低い成長温度、約700~1100°Cの温度で成長されるため、成長温度とソースガス雰囲気が第2導電型窒化物半導体層104に適する第2反応チャンバ202を利用することで、第2導電型窒化物半導体層104の品質が向上することができる。これと類似する方式で、後述する他の実施例のように、活性層103も成長温度とソースガスなどが維持された専用チャンバで別に成長されることができるため、活性層103を成す半導体層の品質が向上することができる。また、本実施形態では、このような分割成長の長所が極大化するように、第2反応チャンバ202を予め第2導電型窒化物半導体層104のソースガス雰囲気に組成する。即ち、図2に示したように、基板101を第2反応チャンバ202に移送する前に、第2反応チャンバ202の内部は窒化物ソースガス301及び第2導電型窒化物半導体層104に含まれるドーピング元素のソースガス302雰囲気に組成される。この場合、窒化物ソースガス301はNH3などを利用することができ、ドーピング元素のソースガス302はCp2Mgなどを利用することができる。仮に、基板101を移送した後に第2反応チャンバ202にガスを流入させると、ドーピングに用いられるMgソースガスは第2導電型窒化物半導体層104に直ちに入らずチャンバ内部に優先的に蒸着pre-coatingされる。これにより、第2導電型窒化物半導体層104にドーピング遅延が発生する。即ち、第2導電型窒化物半導体層104の成長初期にはドーパントの濃度が相対的に低くなってしまう。これにより、素子の駆動時の再結合効率が低下することがある。本実施形態では、このようなドーピング遅延問題が最小化されるように、基板101を移送する前に第2反応チャンバ202の内部をドーピング元素のソースガス例えば、Mg、Znソースガスで組成した。これにより、ドーピング元素を含む化合物が第2反応チャンバ202の内部に蒸着されるようにした。したがって、第2反応チャンバ202で第2導電型窒化物半導体層104を成長させるときには、ソースガスは、第2反応チャンバ202の内部に蒸着せず、第2導電型窒化物半導体層104に直ちに入る。ここで、第2反応チャンバ202の内部とはチャンバの内壁とサセプタの表面など第2反応チャンバ202で化合物が蒸着できる領域を意味する。この場合、ドーピングソースガスとともにに窒化物ソースガス301、例えば、NH3をともに流入することで、例えば、Mgでドーピングする場合、Mg-Nのような化合物がより容易に蒸着されることができる。第2反応チャンバ202の内壁に蒸着された化合物は、ドーピング元素の濃度が、後に蒸着される第2導電型窒化物半導体層104に含まれたドーピング元素の濃度より低い場合がある。これにより、第2導電型窒化物半導体層104の成長の際、第2反応チャンバ202の内壁に蒸着された化合物が分解され、第2導電型窒化物半導体層104のドーピング濃度に影響を及ぼすことを減らすことができる。なお、第2チャンバ202の内部のうち、少なくとも基板101が第2チャンバ202に載置されているときにソースガス302雰囲気に曝される領域が蒸着されていればよい。したがって、基板101が載置されるサセプタの表面はドーピング元素を含む化合物が蒸着されていなくてもよい。一方、このような基板101の移送前のソースガスの流入段階は、半導体層の成長には寄与しないため、第2導電型窒化物半導体層104の成長温度より相対的に高い温度で行うことで蒸着をより促進することができる。第2導電型窒化物半導体層104の成長温度より相対的に高い温度で行うことで、第2導電型窒化物半導体層104の成長の際、第2反応チャンバ202の内壁に蒸着された化合物が分解され、第2導電型窒化物半導体層104のドーピング濃度に影響を及ぼすことを減らすことができる。なお、1つの蒸着装置で複数の発光ダイオードを連続して製造する場合は、第2反応チャンバ202の内部へのドーピング元素を含む化合物の蒸着は、最初の基板101を第2チャンバ202に移送する前にのみ行えばよい。第2チャンバ202は、最初の基板101を移送する前に一旦ドーピング元素を含む化合物の蒸着がされた後は、複数の基板101に第2導電型窒化物半導体層104の成長をさせている期間中は、第2導電型窒化物半導体層104の成長に適した温度に維持される。一方、基板101を移送する方法には制限がないが例えば、作業者による人為的移動、移送過程中に半導体層が外部に露出しないことが好ましいため、本移送段階はロードロックチャンバなどを通じて真空状態で行われることが好ましい。次に、図4に示したように、第2導電型窒化物半導体層104の成長が完了した後には、発光構造物の一部が除去されて露出した第1導電型窒化物半導体層102の一面と第2導電型窒化物半導体層104上に第1及び第2電極105、106を形成する。但し、このような電極105、106の形成方式は一例に過ぎず、第1導電型窒化物半導体層102、活性層103及び第2導電型窒化物半導体層104を備える発光構造物の多様な位置に電極が形成されることができる。例えば、発光構造物を別途にエッチングせず、基板101を除去することにより露出した第1導電型窒化物半導体層102の表面に電極を形成することもできる。図5から7は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードの製造方法を概略的に示す工程別断面図である。本実施形態では、図5に示したように、第1導電型窒化物半導体層102を第1反応チャンバ201で成長させた後、基板101を第2反応チャンバ202に移送好ましくは真空状態でし、図6に示したように、移送前に第2反応チャンバ202は活性層103を成す半導体層のソースガス303雰囲気に組成される。上述のように、活性層103は量子井戸などの構造で、Inが含まれた化合物、例えば、InGaNからなり、Inの含量により発光波長が変化する。従って、活性層103内でInの含量が変化すると、意図した発光波長から外れるという問題があるため、活性層103内でのInの含量を一定に保持することが好ましい。このために、本実施形態では基板101の移送前に第2反応チャンバ202の内部を、活性層103を構成する物質のソースガス、例えば、TMIn、TMGaまたはTEGa、NH3ガス雰囲気に組成して第2反応チャンバ202の内部に活性層103を構成する物質を含む化合物が蒸着されるようにした。より具体的には、第2反応チャンバ202の内部に蒸着される化合物は活性層103に含まれる少なくとも一部の物質本実施形態では、InGaN化合物と同じ物質であることができる。この場合、第2反応チャンバ202の内部にInGaN化合物が予め蒸着されることで、活性層103の物質組成In含量が均一になることができる。これは、予め蒸着されたInGaN化合物により、第2反応チャンバ202で活性層103を成長させる時、Inが第2反応チャンバ202の内部にそれ以上蒸着されず、活性層103の成長に寄与するためである。これにより、活性層103の厚さ方向にInの含量が均一となる。第2反応チャンバ202の内壁に蒸着された化合物は、In濃度が、後に蒸着される活性層103に含まれたInの濃度より低い場合がある。これにより、活性層103の成長の際、第2反応チャンバ202の内壁に蒸着されたIn化合物が分解され、活性層103のIn濃度に影響を及ぼすことを減らすことができる。なお、第2チャンバ202の内部のうち、少なくとも基板101が第2チャンバ202に載置されているときにソースガスに曝される領域が蒸着されていればよい。したがって、基板101が載置されるサセプタの表面はInGaN化合物が蒸着されていなくてもよい。また、第2反応チャンバ202は活性層103の成長のための専用チャンバであって、活性層103の成長に適する成長温度とガス雰囲気で保持されることができるため、活性層103の品質が向上することができる。具体的には、上述の実施形態と類似するように、活性層103を構成するソースガス、例えば、GaソースガスとしてTMGaまたは、TEGa、InソースガスとしてTMIn、NソースガスとしてNH3を基板101の移送前に第2反応チャンバ202内に流入させることで、第2反応チャンバ202の内部にはInGaNが予め蒸着されることができる。この場合、必須ではないが、蒸着速度を向上させるために、活性層103の成長温度より高い温度で本段階が行われることができる。活性層103の成長温度より相対的に高い温度で行うことで、活性層103の成長の際、第2反応チャンバ202の内壁に蒸着されたIn化合物が分解され、活性層103のIn濃度に影響を及ぼすことを減らすことができる。なお、1つの蒸着装置で複数の発光ダイオードを連続して製造する場合は、第2反応チャンバ202の内部へのInGaN化合物の蒸着は、最初の基板101を第2チャンバ202に移送する前にのみ行えばよい。第2チャンバ202は、最初の基板101を移送する前に一旦InGaN化合物の蒸着がされた後は、複数の基板101に活性層103の成長をさせている期間中は、活性層103の成長に適した温度に維持される。活性層103の成長後には、図7に示したように、基板101を第3反応チャンバ203に移送して第2導電型窒化物半導体層104を成長させる。この場合、上述の実施形態のように、基板101の移送前に第3反応チャンバ203の内部を窒化物ソースガス及び第2導電型窒化物半導体層104に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に予め組成され、第3反応チャンバ203の内部には基板101の移送前からドーピング元素を含む化合物が蒸着されている。したがって、第3反応チャンバ203で第2導電型窒化物半導体層104を成長させるときに、ソースガスは、第3反応チャンバ203の内部に蒸着せず、第2導電型窒化物半導体層104に直ちに入るので、ドーピング遅延問題を最小化することができる。但し、場合によって、2個のチャンバが提供される場合には、第2導電型窒化物半導体層104は第2反応チャンバ202で成長されることもできる。本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されるのではなく、添付の請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能で、これも本発明の範囲に属する。