異なった種類の表面上の異常の検出に用いるのに適した表面検査装置であって、表面に対してほぼ直角である第1の照射光線または表面に対して斜角である第2の照射光線を検査すべき表面に供給する光源と、表面に対して垂直な線の周りまたはその線に相当する方向の周りで異なる方位角にあり、かつ前記線に対して異なる方位角で表面によって散乱される照射線が共通の集光機器を用いずに別々の光ファイバに導かれるように配置される複数の光ファイバと、前記光源が第2の照射光線を供給する場合には、第2の照射光線に対して実質的に二重暗視野構成に成っていて、かつ表面によって散乱される照射線を集める光ファイバのうちのいずれか一つの開口よりも大きな開口を有する少なくとも一つのコレクタとを有する光学系であって、前記光ファイバが、前記線に近接した方向で表面によって散乱される照射線を受け取る第1の組の光ファイバと、表面に対して低い高度角度で表面によって散乱される照射線を受け取り、かつ前記少なくとも一つのコレクタと共に前記線の周りにほぼリングを形成する第2の組の光ファイバとを有し、さらに前記二重暗視野構成の前記開口が、表面に対して低い高度角度にある光学系と、を備える表面検査装置。請求項1記載の装置において、表面によって散乱されると共に少なくともいくつかの光ファイバおよび少なくとも一つのコレクタに到達する照射線を、前記線の周りで異なる方位角で散乱される照射線を表す各々の信号に変換する複数の検出器をさらに備える装置。請求項1記載の装置において、前記第2の照射光線の光路に少なくとも一つの偏光子をさらに備え、前記偏光子は、表面が第2の照射光線と相互作用する前または相互作用した後に、第2の照射光線と相互作用する装置。請求項3記載の装置において、前記少なくとも一つの偏光子は、光線が表面に到達する前に第2の照射光線を偏光する装置。請求項4記載の装置において、前記少なくとも一つの偏光子は、P-偏光された照射線または円形状に偏光された照射線を通し、前記少なくとも一つのコレクタは、表面によって散乱される未偏光照射線を集める装置。請求項4記載の装置において、前記少なくとも一つの偏光子は、S-偏光された照射線を通し、さらに前記装置は、S-偏光された照射線を通し、かつ表面によって散乱されると共に前記少なくとも一つのコレクタによって集められる照射線の光路に配置される別の偏光子を備える装置。装置によって異なった種類の表面上の異常を検出する方法であって、前記装置は、表面に対してほぼ直角である第1の照射光線または表面に対して斜角である第2の照射光線を検査すべき表面に放射する光源と、表面に対して垂直な線の周りまたはその線に相当する方向の周りで異なる方位角にあり、かつ、前記線に対して異なる方位角で表面によって散乱される照射線が別々の光ファイバに導かれるように配置される複数の光ファイバと、前記光源が第2の照射光線を供給する場合には、光ファイバのうちのいずれか一つの開口よりも大きな開口を有し、かつ表面によって散乱される照射線を集めて焦点を合わせる第2の照射光線に対して実質的に二重暗視野構成と成る少なくとも一つのコレクタとを有する光学系であって、前記光ファイバが、前記線に近接した方向で表面によって散乱される照射線を受け取る第1の組の光ファイバと、表面に対して低い高度角度で表面によって散乱される照射線を受け取り、かつ前記少なくとも一つのコレクタと共に前記線の周りにほぼリングを形成する第2の組の光ファイバとを有し、さらに二重暗視野構成の前記開口が、表面に対して低い高度角度にある光学系と、を備える方法において、a光源から第1の照射光線または第2の照射光線を表面に供給させると共に、その光線によって表面が走査されるステップと、b表面によって散乱される照射線を共通の集光機器を用いずに前記光ファイバに導くステップと、c表面によって散乱されると共に前記第1および第2の組の光ファイバおよび/または前記少なくとも一つのコレクタによって集められる照射線を検出するステップと、d検出された照射線から異なった種類の表面上の異常を判断するステップと、を有する方法。請求項7記載の方法において、前記供給させるステップによって第2の照射光線が表面に供給され、前記検出するステップが表面によって散乱されると共に少なくとも一つのコレクタによって集められる照射線を検出する方法。請求項8記載の方法において、前記供給させるステップによって第2の照射光線が偏光される方法。請求項9記載の方法において、第2の照射光線は、P-偏光させられ、前記検出するステップは、滑らかな表面上の異常を検出するために偏光されていない照射線を検出する方法。請求項9記載の方法において、第2の照射光線は、円形状に偏光させられ、前記検出するステップは、誘電フィルムの表面上の異常を検出するために偏光されていない照射線を検出する方法。請求項9記載の方法において、第2の照射光線は、S-偏光させられ、前記検出するステップは、粗い表面上の異常を検出するためにS-偏光された照射線を検出する方法。請求項8記載の方法において、e光源から第1の照射光線を表面に供給させるステップと、f表面によって散乱されると共に前記光ファイバによって集められる照射線を検出するステップと、g検出された照射線から異なった種類の表面上のマイクロスクラッチを判断するステップと、をさらに有する方法。請求項13記載の方法において、fにおける前記検出するステップは、表面によって散乱されると共に第1の組の光ファイバによって集められる照射線を検出し、前記判断するステップは、前記線のほぼ両側または異なる方位角に配置された第1の組におけるいくつかの光ファイバによって受け取られる照射線から変換される複数の信号または複数対の信号を比較するステップを有する方法。請求項14記載の方法において、fにおける前記検出するステップは、表面によって散乱されると共に第2の組の光ファイバによって集められる照射線を検出し、dにおける前記判断するステップは、検出された照射線からパターン化された表面またはパターン化されていない表面上の異常を判断する方法。請求項7記載の方法において、前記供給させるステップによって第2の照射光線が表面に供給され、前記検出するステップが表面によって散乱されると共に光ファイバによって集められる照射線を検出する方法。請求項16記載の方法において、前記検出するステップは、検出器によって検出し、前記判断するステップは、飽和された検出器の出力信号を用いずに異常を判断する方法。請求項16記載の方法において、前記検出するステップは、検出器の出力をサンプリングするステップを有し、前記判断するステップは、検出器の出力サンプルの最小値または中間値から表面上の異常を判断する方法。請求項16記載の方法において、前記検出するステップは、出力信号を提供する検出器によって検出し、かつ出力信号をサンプリングするステップを有し、前記判断するステップは、検出器の出力サンプルの最小値または中間値から表面上の異常を判断する方法。請求項16記載の方法において、表面はパターン化されておらず、さらに所定の方位角の集光角度内で表面によって散乱される照射線を集める光ファイバのみを前記光ファイバから選択するステップを有し、cにおける前記検出するステップは、表面によって散乱されると共に選択された光ファイバによって集められる照射線のみを検出する方法。図1は、本発明の一実施形態を例示するのに有用な表面検査装置の側部斜視図である。図1に示されているように、装置10は、いくつかの開口を備える好ましくは半球形状のハウジング12を備える。基本的に同じ働きをするフレーム、シェル、または他の形状や構造を有するハウジング例えば、細長い素材片から構成されたフレームも使用することができ、本発明の技術的範囲内である。レーザ例えば、ダイオードレーザなどの照射線源14は、半導体ウェハ20などのサンプルの表面を照射するために光ファイバ16などの光学チャンネルを介して照射線を供給する。本願明細書において、半導体ウェハの検査を参照して実施形態を示しているが、本発明が、フラットパネル表示器、磁気ディスクや光学ディスクなどの他のサンプル、あるいは読み取り/書き込みヘッドおよび他の種類のサンプルにも適応できることが理解されよう。光源14によって供給される照射線は、単色、多色またはブロードバンドとすることができる。光ファイバ16からの照射線は、レンズシステム22によってサンプル20の頂面上のスポット24に焦点を合わせる。図1に示されているように、システム22の対物レンズまたはレンズ22aを、都合良くフレーム12によって支持することができるが、その場合、対物レンズ22aはフレームの開口内に着座する。ウェハ20は、チャック26上に支持され、当該チャックは、モータ28によって回転され、ウェハの表面を検査するために光線18の照射によるスポット24がウェハ20の表面上を動いて螺旋経路を辿るような方向にギア30によって並進される。モータ28およびギア30は、コントローラ32によって制御される。代わりに、光線18およびフレーム12は、そのような螺旋経路を辿るために当業者に公知な方式で動かされる。さらに別の代替案として、チャック26またはフレーム12のいずれか一方と光線18とが、ジグザグ経路や曲がりくねった経路で直線区分を走査するために直線に沿って動かされる。さらに他の代替案には、ウェハ20および光線18の両方とフレーム12との間の相対移動が前述した経路のいずれか一つに沿うようにそれらを移動させることが含まれる。全てのこのような変形は、本発明の技術的範囲内である。図1に示されているように、フレーム12は、そこに二組の開口12aと12bを形成するか、またはそれらを形成している装置に取り付けられように構成されている。例えば、後述するように、開口をファイバ42の端部などの光ファイバの端部によって形成することもできる。開口12aは、サンプル20の表面に対して垂直で、かつスポット24を通る垂直方向20’に近接して配置されている。照明されるスポット24内の表面部分によって散乱される照射線は、一組の開口12aを通過して一組のコレクタに到達する。一実施形態では、光ファイバをコレクタとして使用してもよい。その種のコレクタの一例が光ファイバ42によって示され、その場合、ファイバはその表面によって散乱される照射線を一組の開口12a内の対応する開口12aA’を介して対応する検出器44に搬送する。図を簡略化するために、ただ一本のこのようなファイバとただ一つのこのような検出器が示されているだけだが、残りの開口12aのうちの少なくともいくつかが、各々表面によって散乱され、かつこのような開口を通過する照射線を検出するために対応するコレクタの光ファイバと、対応する検出器とを有することもできることが理解されよう。好ましくは、42のようなファイバは、垂直方向20’の周りで対称に配置される。次いで、検出器は、一組の開口12aを通過する収集された散乱照射線に応答して出力信号を発生し、その出力信号をプロセッサ50に送る。当業者に知られているように、半導体ウェハの加工には、しばしばウェハ表面上のマイクロスクラッチを起こすような化学的機械的研摩CMPが含まれる。一組の開口12aと対応するファイバおよび検出器は、このようなマイクロスクラッチを検出するのに適している。かくして、スポット24がほぼ垂直方向20’に沿った軸線を有する光線18によって照明される場合、垂直方向に近接して散乱される照射線を集めるように配置された開口12aとそれらの対応するファイバが、このようなマイクロスクラッチを検出するのに適していることになる。マイクロスクラッチを検出するために、好ましくは照明光線は、検査される表面にほぼ直角になっているが、それにもかかわらず、いくつかの用途のために、照明光線を、化学的または機械的研摩によって惹起されるマイクロスクラッチの検出のために検査される表面に対して斜めの角度で供給することができる。このような変形また他の変形は、本発明の技術的範囲内である。好ましくは、第1の組の開口12aは、垂直方向20’から約10度と30度との間の角度で表面によって散乱される照射線を集めるものであり、かつ第1の組の開口12aは、6から10の開口を有する。マイクロスクラッチを検出するために、プロセッサ50が、垂直方向20’を横切って互いに反対側の方向に沿って散乱される照射線から引き出される数対の信号を比較することが有用である。かくして、例えば組12aにおける開口12aAと12aA’は、垂直方向20’の両側に配置されている。開口12aBと12aB’は、図2においてより明瞭に示されているように、垂直方向20’の両側に配置されている。マイクロスクラッチは、それら傷の方向に平行な方向よりもマイクロスクラッチ方向に直交した面においてより強く照射線を散乱する傾向があるので、散乱され、かつ向かい合って配置された数対の開口とファイバによって集められる照射線から引き出される信号を比較することは、このようなマイクロスクラッチを検出するのに有用である。図2は、図1の装置10の頂面図である。かくして、図2を参照すると、マイクロプロセッサ50が、散乱され、かつ開口12aA、12aA’を介して集められる照射線を検出する検出器からの信号と、散乱され、かつ開口12aC、12aC’を介して集められる照射線から引き出される信号とを比較することが有用である。さらに、表面によって散乱され、かつ開口12aAや12aA’などの向かい合って配置された各対の開口を介して集められる照射線から引き出される信号を比較することも有用である。前述したようなマイクロスクラッチの検出を、サンプル20の表面上の他の異常の検出と同時にまたは順番に実施してもよい。表面によって散乱され、対応する開口を通る照射線を集めて検出器44に搬送するためにファイバ42などの光ファイバを使用する代わりに、このような散乱照射線を検出するために検出器を対応する開口に直接または近接して設置してもよい。照射線を集めて検出器に搬送するために光ファイバを使用する利点は、これによってサンプル20に近接して位置決めされた装置10の一部分を特にコンパクトな設計にできる点である。かくして、一実施形態では、フレーム12とレンズシステム22から成る光学ヘッドは、約5cmを越さない水平方向のすなわち、ウェハ20の表面に平行な面における寸法を有する。マイクロスクラッチを検出するために、第1の組の開口12aは、好ましくは垂直方向20’の周りにリングを形成する。一実施形態では、その組12aは、対応する光ファイバと検出器を同じ数有する6~10の開口を含む。開口12aとそれらの対応するファイバおよび検出器は、パターン化されたり、またはパターン化されていない半導体ウェハ上のパーティクルや表面欠陥または表面下の欠陥などのマイクロスクラッチ以外の他の異常を検出するのにも有用である。図1と図2に示されているように、第1の組の開口12aの他に、別の組の開口12bが、照明されたスポット24において表面によって散乱された照射線をウェハ20の表面に近接する集光角度で通すようにフレーム12に形成されている。好ましくは、開口12bは、ウェハ20の頂面に対して約10度と40度との間の角度などの低い高度角度で表面によって散乱される照射線を集める。図2によりはっきりと示されているように、サンプルの表面にほぼ直角な方向でウェハ20を照明する他に、または代わりに、サンプルを、ウェハの表面に対して斜めの角度の光軸62に沿って照明することもできる。チャック26は、図を簡略化するために、図2では省略されている。第1の組の開口12aの場合のように、第2の組の開口12bの少なくともいくつかは、各々照明されたスポット24内の表面によって散乱され、かつこのような開口を通過する照射線を集めるように位置決めされたファイバ64などの対応する光ファイバを有する。その場合、ファイバ64は、集められた照射線をそれに応答して出力信号を提供する対応する検出器66に搬送する。図2を簡略化するために、第2の組の開口12bの一つを通過する散乱照射線を集めるただ一本の光ファイバ64が、その対応する検出器66と共に示されているに過ぎない。より多くのファイバと対応する検出器が、一般には図1と図2の実施形態で使用されていることが理解されよう。光線をサンプルに対して斜めの角度で与えるために、レーザ例えば、ダイオードレーザ72などの照射線源が使用され、光線78をウェハ20の表面に対して斜めの角度の光軸62に沿って与えるようにファイバ74とレンズシステム76を介して照射線を供給してもよい。斜めの角度でサンプル表面を照明するのは、パターン化されたまたはパターン化されていないウェハ上の異常を検出するのに特に有利である。パターン化されていないウェハまたはベアウェハ上の異常を検出するために、検出され得る信号量を増やすようにより大きくした収集角度内の表面によって散乱される照射線を集めるのが望ましい。この目的のために、第2の組の収集開口12bの他に、一つの、好ましくは二つのより大きな収集開口12cが、図2に示されているような二重暗視野構成で用いられる。暗視野システムは、収集される照射線がサンプルによって散乱され、かつ照明光線のサンプル表面から鏡面反射する方向から離れている収集経路に沿って集められる照射線となっている場合のシステムである。暗視野システムについては、アメリカ物理協会のDGSeilerACDieboldWMBullisTJShaffnerRMcDonaldとEJWalterによって編集されたULSI技術の特徴と度量衡に関する委員会の議事録1998年の405~415ページのSStokowskiとMVaezIravaniによるULSI技術のウェハ検査技術の挑戦非特許文献1により詳細に説明されている。二重暗視野構造または構成では、収集開口の光軸は、光線が表面に到達すると、照明光線に対してほぼ90度または-90度の方位角の個所にある。方位角は、頂部から見たときに基準方向に対して測定または検出の方向によって作られる角度に相当している。かくして、図2を参照すると、二つの開口12cは、光線がサンプル20の表面に到達すると、照明光線78に対してほぼ90度と-90度の方位角の光軸を有する。図1と図2に示されているように、収集開口12cは、第1の組と第2の組の開口12a、12bよりも大きな、好ましくは非常により大きなものとなっている。このような場合、このより大きな開口12cを通過する照射線の収集と検出は、半導体ウェハのようなパターン化されていない表面の欠陥検出に適当なものとなる。フレーム12は、好ましくは、表面によって散乱され、かつフレームに到達する照射線が表面に向かって、またはいずれの開口に向かって反射されたり、戻り散乱されることが無いような素材から造られている。一実施形態では、フレーム12は、表面によって散乱される照射線が、フレームによって反射されたり、散乱されるよりはむしろフレームを通って伝搬されるように透明な素材から造られている。別の実施形態では、フレーム12は、陽極処理された表面などの照射線吸収面を備えた素材から造られる。このような変形また他の変形は、本発明の技術的範囲内である。本発明の一実施形態では、検査される表面がベアウェハなどのパターン化されていない場合、照明が表面に対して斜めの角度で光線78によって供給され、またウェハ20の表面上の照明されるスポットによって散乱されて開口12cを通る照射線は、図3に示されているような方式で対物レンズによって集められる。図3に示されているように、光線78によって照明されるウェハ20の表面上のスポット78’によって散乱されて開口12cを通る照射線は、対物レンズまたはレンズ80によって光ファイバ82に向かって焦点が合わされる。次いで、ファイバ82によって集められた照射線は、検出器84に搬送される。同じような構成が、散乱されて光軸62に対して90度と-90度の方位角で各々の開口12cを通る照射線を集めて検出するために用いられる。パターン化されていない表面が滑らかな場合、P-偏光された光線78を供給し、かつ図3に示されているように、偏光されていない照射線を検出することが望ましい。この目的のために、このような照射線を供給するためにレーザダイオード72を選択するか、または光線78をP-偏光させる偏光器88を用いてもよい。パターン化されていないサンプル20が粗面を有する場合、S-偏光された光線78を供給し、かつ散乱されたS-偏光の照射線のみを検出することが望ましい。この目的のために、このような照射線を供給するレーザダイオード72を選択するか、または光線78におけるS-偏光の照射線のみを通すように偏光器88の向きを設定してもよい。S-偏光された照射線を検出するために、図3で想像線で示されている別の偏光器90が用いられるので、検出器84によって検出される照射線は、照明されるスポット78’からの散乱照射線のS-偏光された成分のみに反応するようになっている。スポット78’から散乱された照射線を集めるために、対物レンズまたはレンズ80を使用する代わりに、図4に示されているように、光ファイバの束92が代用される。サンプル20が誘電フィルムの場合、偏光されていない照射線が検出されている間に、サンプル20を照明するために円形に偏光された照射線を供給することが望ましい。この目的のために、ダイオード72が円形に偏光された照射線を供給し、また光線78が円形に偏光された照射線だけを有するように部材88が代わりにブランクにされる。多くの応用において、パターン化されていない表面上の異常が、図3と4に示されている二重暗視野構成によって有利に検出されているので、サンプルを斜めに照明する第2の組のファイバ12bを使用するのが有利になる或る応用例がある。かくして、ある種のパターン化されていない表面に対して、一つ以上の所定の方位角内で表面によって散乱される照射線を検出するのが有利であるので、その収集された照射線のみに応答して検出器によって発生される信号は意味をもったものとなる。このような場合、このような所定の方位収集角度内で収集された照射線に応答して発生される検出器出力を、このような表面上に異常があるかどうかを判断するために使用することもできる。好ましくは、このような所定の方位収集角度以外で収集される照射線に応答して発生される検出器出力は、このような表面上に異常があるかどうかを判断するためには使用されない。前述したように、開口12cが向かい合っている照明されるスポット78’を中心とした収集角度は、好ましくは開口12aまたは12bのものよりも大きくなっている。一実施形態では、2つの開口12cのうちの少なくとも一方は、照明されるスポット78’を中心とした約20度から60度の収集角度に向かい合っている。別の実施形態では、開口12cのうちの少なくとも一つは、スポット78’を中心とした約40度から60度の収集角度に向かい合っている。選択されたレーザダイオード72が、P-偏光されたり、またはS-偏光されたり、あるいは円形偏光された照射線のような偏光照射線を提供するものであれば、光ファイバ74は、好ましくはシングルモードファイバとなる。反対に、収集された表面からの散乱照射線を搬送するために使われるファイバ42、64、82、92などのファイバは、マルチモードファイバとすることができる。図を簡略化するために、検出器84のような検出器と図1および2のプロセッサ50との間の接続は、図3および4には示されていない。次いで、プロセッサ50は、パターン化されていない表面および後述するように、パターン化された表面上の異常の存在を判断するために、検出器84の出力信号を処理する。二つのレーザダイオード14、72を使用する代わりに、単一のレーザダイオードが用いられ、その場合、ダイオードによって放射される照射線が、2本の異なった光ファイバ16、74を介して供給されて、図1および2に示されている二条の光線18、78を供給する。コンパクトな統合された設計のために、図3のレンズ80は、開口12cにおいて直接フレーム12に結合されている。代わりに、また図4に示されているように、フレーム12と、光ファイバ16と74を介して供給される照射線を受け取る対物レンズシステム22および/または対物レンズシステム76とだけから成る統合された光学ヘッドには何らレンズは必要とされない。次いで、開口を通過する散乱照射線は、ファイバ42、64や92などのファイバを介して対応する検出器に搬送される。図1および2に示されている装置を、パターン化された半導体ウェハなどのパターン化された表面上の異常を検出するために有利に使用することもできる。このような表面上のパターンは照射線を回折し、またこのような照射線を受け取る検出器は飽和されていてもよい。散乱照射線の収集スペースは、方位角方向水平面と高度方向垂直面の両方において二組のファイバ12a、12bによって区分されているので、いくつかの検出器が飽和しても残りの検出器に異常検出に有用な出力信号を依然として産出させる。高度角度は、測定または検出の方向を含む垂直面における異常について検査されるサンプル表面に対して測定または検出の方向によって作られる角度に相当する。言い換えれば、二組の特定の開口12a、12bがパターンによって回折されたり、散乱される照射線を収集すれば、ファイバによって開口に接続される検出器は飽和されそうである。しかし、その開口の隣りの開口は、それが集める散乱照射線と結果的に生じる検出器出力信号とが異常の検出に使われるようにパターンから何ら散乱や回折を受けないように配置される。かくして、一実施形態では、検査されるサンプルまたはウェハ20がパターン化された表面を有する場合、プロセッサ50は、飽和される検出器の出力信号を捨てて、そのような検出器出力を使用せずに異常を判断することができる。代わりに、飽和されていない検出器の出力信号のみが異常の判断のためにプロセッサ50によって使われる。代わりに、パターンが事実上ランダムな方向におけるロジック散乱照射線用のパターンの場合、パターン化された表面上の異常を検出するために検出器出力の最小または中間の値を演算するのが有用である。言い換えれば、プロセッサ50は、開口12a、または開口12bを通過する散乱照射線などの垂直方向20’の周りの別々の方位角で配列された光学機器によって集められる照射線に応答する検出器の出力信号のサンプルを周期的に記録し、またこのような開口内で集められた照射線に応答する検出器からの出力サンプルの最小値を決めることができる。代わりに、プロセッサ50は、光ファイバによって集められる照射線に応答して検出器の出力信号サンプルの中間値を演算する。言い換えれば、開口12bのリングを介して受け取る散乱照射線が検出され、開口12bのリングを介して受け取られる照射線に応答した全ての検出器の出力がサンプリングされ、それらサンプルは、検出器の出力信号サンプルの最小値または中間値を産出するために演算される。同じプロセスを第1の組の開口12aとそれらの各々のファイバと検出器に対して実行することができる。プロセッサ50は、コントローラ32図示せずとも通信し、コントローラを介してチャック26の動きを制御し、またウェハ20の表面上の個所を検出器からの出力データと関連させるために、ウェハ表面の位置情報を得る。多くの応用のために、第2の組の開口12bは、パターン化された表面上の異常の検出のために有利に使用され、第1の組の開口12aは、パターン化された表面の異常検出に関連したいくつかの応用に使用することもできる。かくして、パターンが幾分規則正しいものであれば、パターンからの散乱や回折が無くなるような垂直方向20’に対する収集角度の範囲が存在してもよい。かくして、収集開口12aを、パターンからのフーリエや他の回折や散乱が収集開口を通るように何ら期待されないような状態でフレーム12に対して位置決めすることができる。一実施形態では、開口12aは、垂直方向20’から約5度と20度との間の高度角度で照射線を集めることができる。このようにして、第1の組の開口12aは、パターンによって散乱される予想成分から離れる高度角度で配置されることになり、異常検出に有用な信号を対応する検出器に提供することができる。前述したことにより、図1および2の装置は汎用性があることが理解される。それを、パターン化された表面やパターン化されていない表面上の異常を検出したり、また化学的機械的研摩によってできる異常を検出するために使用してもよい。前述したプロセスは、順番にまたは同時に実施される。かくして、パターン化されたり、パターン化されていない表面上の異常が、光線78がサンプルへ供給される時にまず検出されるように、照射線を順次放射するために、レーザダイオード14、72をプロセッサ50によって制御してもよい。このような作動の前後で、プロセッサ50はレーザダイオード14に照射線を放射させ、また化学的または機械的な研摩によって引き起こされるマイクロスクラッチを検出するためにサンプルを照明する光線18が用いられる。代わりに、2つのレーザダイオード14と72が異なった波長の照射線を供給する場合、両方のダイオードが同時に照射線を放射させられ、また両タイプの検出が同時に行われるように適当なフィルタや二色性ビームスプリッタ図示せずを利用してもよい。さらに別の代替の実施形態では、レーザダイオードなどの単一光源が2つの異なった波長の照射線を放射するために利用されれば、適当な二色性ビームスプリッタが利用され、照射線を2つの波長でサンプル20を同時に照明するのに使われる光線18と78に分離する。このような変形また他の変形は、本発明の技術的範囲内である。スペースの考慮がそれ程厳格なものでない場合、第1の組の開口12aによって集められる散乱照射線は、代替の実施形態として図5Aに示されているように、異なった方式で集められ、検出される。このような照射線は、まず対物レンズ102によって焦点が合わされ、ミラーまたはビームスプリッタ104によって図5A、5Bに示されている光ファイバ106のリングに向かって反射される。かくして、光ファイバ106は、表面によって散乱され、かつ図1と2の開口12aを通る照射線を集める。ファイバ106は、図5Aの垂直方向20’に相当し、かつ好ましくは方向108の周りで対称に配置された図5Bで示されている方向108の周りのリングを実質的に形成することができる。光源は、照明光線をサンプル20にビームスプリッタ104を介して、またはミラーが使われている場合にはミラー104をバイパスすることによって供給する。光源と照明光線は、図を簡略化するために、図5Aでは省略されている。図5Aの実施形態における別の構成要素は、図1のフレーム12などのフレームによって、あるいはあらゆる他の適当な手段によって所定の場所に保持される。図6は、表面によって散乱され、かつ前述した開口12a、12b、12cのうちのいずれか一つを通る照射線を集めるために使用される光ファイバの一部分の横断面図である。図6に示されているように、このようなファイバの各々は、コア120、クラッディング122やオプションの外部コーティング124とを好ましくは有する。したがって、クラッディング122は、隣接した光ファイバチャンネル間のセパレータとしての働きをし、それらは、表面によって散乱される照射線を集めて搬送する時に、隣接した光ファイバチャンネル間の漏話を低減する。本発明を種々の実施形態を参照しながら説明してきたが、本発明は添付された特許請求の範囲とそれらの等価物によってのみ定義される本発明の技術的範囲から逸脱することなく、変更と改造が行われることが理解されよう。ここで参照されている全ての参考文献は、その全体が参照により本願明細書において援用されている。