"少なくとも四塩化ゲルマニウムを含む液体ガラス原料が原料タンクに貯留されるとともに、設備停止に伴う原料非供給時には前記原料タンクの空間内に非反応ガスが充填されて前記原料タンク内を外部よりも高圧とされる状態とし、設備稼働に伴う原料供給時には前記原料タンクを加熱し、加熱によって前記液体ガラス原料を気化させることにより原料ガスを前記原料タンクの空間内に満たし、所定の流量に制御して反応容器に供給し、前記原料ガスを前記反応容器内で反応させてガラス微粒子を生成し、前記反応容器内に設けた棒状のターゲットの周囲にガラス微粒子を吹き付けて堆積させることでガラス微粒子堆積体を製造する方法であって、原料ガス供給開始後、所定時間が経過してから前記ターゲットへのガラス微粒子の堆積を行うことを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。請求項1に記載のガラス微粒子堆積体の製造方法であって、設備稼働開始後、前記ガラス微粒子堆積体の最初の製造時における原料ガス供給開始からガラス微粒子の堆積開始までの前記所定時間を、前記原料タンク内の空間の容積及び原料ガスの供給量に基づいて、少なくとも前記原料タンクの空間内の前記非反応ガスが原料ガスに置換され、前記非反応ガスの濃度が所定の値以下になるまでの時間に設定することを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。請求項1または2に記載のガラス微粒子堆積体の製造方法であって、設備稼働開始後、前記ガラス微粒子堆積体の2回目以降の製造時における原料ガス供給開始からガラス微粒子の堆積開始までの前記所定時間を、原料ガス供給開始後における前記原料タンク内の温度及び圧力の何れか一方または両方がガラス微粒子の堆積時における前記反応容器内の雰囲気である定常状態となるまでの時間に設定することを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。特許文献1の技術では、設備停止による原料ガスの非供給時の温度低下に伴ってタンク内の圧力が大気圧以下にならないように原料液と反応しないガスを補給するため、設備稼働に伴う原料ガスの供給時の初期段階において、タンク内に原料ガス以外のガスが残ったまま供給開始することになる。供給装置から供給される原料ガスの流量は質量流量計マスフローコントローラによって制御されるが、質量流量計は供給ガスが全て原料ガスであることを前提として制御するため、タンク内に原料ガス以外のガスが混入していると、制御して供給する原料ガスの流量と実際に供給される原料ガスの流量とが異なってしまうことがあった。また、特許文献2の技術のように、ガラスロッドにガラス微粒子を堆積させる際に配管容積に応じて原料供給開始直後の原料を所定量廃棄しても、他のガスの混入を完全になくすことは困難であった。しかも、ガス供給開始直後は、温度や圧力の変動によって原料ガスの流量の変動が生じてしまうことがあった。そして、原料ガスの流量が変動すると、製造されたガラス微粒子堆積体のロット間におけるコア部の比屈折率差の変動幅が大きくなり、安定した品質のガラス微粒子堆積体の製造が困難となってしまう。なお、特許文献2の技術は、ガラスロッドの外周面にガラス微粒子を堆積させる製造方法、すなわち、OVD法により光ファイバのクラッド部となる箇所を堆積させるものであり、このようなガラスロッドと堆積層の界面における気泡や白濁を抑えるクラッド部の堆積技術を、コア部となる箇所を堆積させるコア付けに適用できるかどうかは不明である。本発明の目的は、高品質な光ファイバ用ガラス微粒子堆積体を安定して製造することが可能なガラス微粒子堆積体の製造方法を提供することにある。上記課題を解決することのできる本発明のガラス微粒子堆積体の製造方法は、少なくとも四塩化ゲルマニウムを含む液体ガラス原料が原料タンクに貯留されるとともに、設備停止に伴う原料非供給時には前記原料タンクの空間内に非反応ガスが充填されて前記原料タンク内を外部よりも高圧とされる状態とし、設備稼働に伴う原料供給時には前記原料タンクを加熱し、加熱によって前記液体ガラス原料を気化させることにより原料ガスを前記原料タンクの空間内に満たし、所定の流量に制御して反応容器に供給し、前記原料ガスを前記反応容器内で反応させてガラス微粒子を生成し、前記反応容器内に設けた棒状のターゲットの周囲にガラス微粒子を吹き付けて堆積させることでガラス微粒子堆積体を製造する方法であって、原料ガス供給開始後、所定時間が経過してから前記ターゲットへのガラス微粒子の堆積を行うことを特徴とする。本発明のガラス微粒子堆積体の製造方法において、設備稼働開始後、前記ガラス微粒子堆積体の最初の製造時における原料ガス供給開始からガラス微粒子の堆積開始までの前記所定時間を、前記原料タンク内の空間の容積及び原料ガスの供給量に基づいて、少なくとも前記原料タンクの空間内の前記非反応ガスが原料ガスに置換され、前記非反応ガスの濃度が所定の値以下になるまでの時間に設定することが好ましい。本発明のガラス微粒子堆積体の製造方法において、設備稼働開始後、前記ガラス微粒子堆積体の2回目以降の製造時における原料ガス供給開始からガラス微粒子の堆積開始までの前記所定時間を、原料ガス供給開始後における前記原料タンク内の温度及び圧力の何れか一方または両方がガラス微粒子の堆積時における前記反応容器内の雰囲気である定常状態となるまでの時間に設定することが好ましい。本発明によれば、設備の非稼働時に原料タンク内に充填された非反応ガスが残留していることによる原料ガスの流量変動時、または原料ガス供給開始直後における原料タンク内の温度や圧力の変動による原料ガスの流量変動時には、ガラス微粒子の堆積を行わない。これにより、原料ガスの流量変動による影響のない高品質な光ファイバ用ガラス微粒子堆積体を安定的に製造することができる。以下、本発明に係るガラス微粒子堆積体の製造方法の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。図1に示すように、本実施形態のガラス微粒子堆積体の製造方法に用いられる製造装置10は、OVDOutsideVaporPhaseDeposition法によって光ファイバ用のガラス微粒子堆積体Gを製造する装置である。この製造装置10は、原料供給装置11を備えており、この原料供給装置11は、二つの原料タンク12,13を備えている。なお、以下ではOVD法による製造方法を例に説明するが、本発明は、VADVaporPhaseAxialDeposition法などの他の製造方法においても適用することは可能である。一方の原料タンク12には、液状の四塩化ケイ素SiCl4からなる液体ガラス原料が密閉状態で貯留されている。また、他方の原料タンク13には、液状の四塩化ゲルマニウムGeCl4からなる液体ガラス原料が密閉状態で貯留されている。これらの原料タンク12,13には、非反応ガス供給装置図示省略が設けられており、原料タンク12,13内へ非反応ガスである窒素N2ガスが供給可能とされている。また、原料タンク12,13には、圧力計P12,P13及び温度計T12,T13が設けられ、内部圧力及び内部温度が測定可能とされている。これらの原料タンク12,13は、その周囲に、加熱用ヒータ12a,13aが設けられており、これらの加熱用ヒータ12a,13aによって原料タンク12,13内の液体ガラス原料が加熱される。すると、原料タンク12,13内の液体ガラス原料がガス化して原料ガスとなって送り出される。原料タンク12には、その上部に、開閉弁14aを有する原料ガス供給管14の一端が接続されており、原料タンク13には、その上部に、開閉弁15aを有する原料ガス供給管15の一端が接続されている。これらの原料ガス供給管14,15には、それぞれマスフローコントローラMFCからなる流量コントローラ16,17が設けられており、これらの流量コントローラ16,17によって、原料ガス供給管14,15内を流れる原料ガスの流量がコントロールされる。これらの原料ガス供給管14,15は、その他端同士が接続されており、この接続箇所には、混合原料ガス供給管18の一端が接続されている。そして、これらの接続箇所が合流点Cとなっている。この混合原料ガス供給管18は、その他端がバーナ20に接続されている。原料タンク12,13から送り出される原料ガスは、原料ガス供給管14,15へ送り込まれ、合流点Cで混合されて混合原料ガス供給管18を通り、バーナ20へ送り込まれる。なお、原料ガス供給管14,15同士を接続させず、各々バーナ20の異なるポートに送り込む構成となる場合もあるが、本発明はこのような構成に対しても適用可能である。また、原料供給装置11には、燃焼用ガス供給管19が設けられており、この燃焼用ガス供給管19もバーナ20に接続されている。これにより、バーナ20には、燃焼用ガス供給管19から助燃ガスである酸素O2及び燃焼ガスである水素H2が送り込まれる。バーナ20は、反応容器21に設けられている。この反応容器21には、その上部に支持装置22が設けられている。この支持装置22は、例えば、アルミナまたはカーボン等から形成された棒状のターゲット23を支持するものであり、ターゲット23は、支持装置22によって昇降される。また、ターゲット23は、支持装置22の回転機構によって軸回りに回転されるようになっており、反応容器21では、バーナ20から噴出される原料ガスの火炎が軸回りに回転するターゲット23に吹き付けられる。これにより、ターゲット23には、火炎の加水分解反応により生じたガラス微粒子が堆積され、ガラス微粒子堆積体Gが形成されていく。また、反応容器21には、バーナ20と反対側に、排気管24が設けられており、反応容器21内のガスが排気管24から排気される。また、製造装置10は、制御装置31を備えている。この制御装置31には、原料タンク12,13に設けられた圧力計P12,P13及び温度計T12,T13からの検出信号が入力される。そして、制御装置31は、これらの圧力計P12,P13及び温度計T12,T13からの検出信号に基づいて、加熱用ヒータ12a,13a、流量コントローラ16,17、支持装置22及び非反応ガス供給装置等を制御する。上記構成の製造装置10でガラス微粒子堆積体Gを製造するには、原料タンク12,13内で液体ガラス原料を加熱し、液体ガラス原料を原料タンク12,13内で気化させることにより原料ガスを原料タンク12,13の空間内に満たす。また、開閉弁14a,15aを開弁して原料ガスを原料ガス供給管14,15へ送り込み、互いに混合させて混合原料ガス供給管18を通してバーナ20へ送り込む。さらに、バーナ20へ燃焼用ガス供給管19から助燃ガスである酸素O2及び燃焼ガスである水素H2を送り込む。そして、反応容器21において、バーナ20で火炎を形成させ、ターゲット23に吹き付け、ターゲット23に火炎の加水分解反応により生じたガラス微粒子を堆積させてガラス微粒子堆積体Gを形成する。また、制御装置31は、生産の状況等で製造装置10を稼働しないときは、加熱用ヒータ12a,13aの電源を切って液体ガラス原料の加熱を止め、原料タンク12,13内の液体ガラス原料を室温まで下げる。製造装置10を再び稼働させるときは、加熱用ヒータ12a,13aの電源を入れて液体ガラス原料を加熱する。ところで、製造装置10の停止に伴って原料タンク12,13の温度が降温する際、室温における液体ガラス原料の蒸気圧が大気圧より低いため、原料タンク12,13内の圧力は外部の圧力である大気圧以下となる。このような状態では、気密性が低い箇所から外気が混入するため、その後に製造するガラス微粒子堆積体Gに白濁や気泡が生じて品質が低下するおそれがある。このため、上記の製造装置10では、設備停止に伴って液体ガラス原料の温度が降温する際には、制御装置31が、原料タンク12,13内の圧力が外部の圧力である大気圧より低くならないように、非反応ガス供給装置によって原料ガスと反応しない非反応ガスである窒素N2ガスを原料タンク12,13内へ供給して圧力調整を行う。それにより、原料タンク12,13内を外部より高圧とする。また、設備稼働再開に伴って液体ガラス原料の温度が昇温する際には、制御装置31が、原料タンク12,13内の圧力が上がり過ぎないように、原料タンク12,13内のガスを抜いて調整する。ところで、設備稼働時には、原料タンク12,13内の非反応ガスを除去してから原料ガスを供給する必要があるが、原料タンク12,13内に供給した非反応ガスを完全に除去することは難しく、一部の非反応ガスが原料タンク12,13内に残留することは避けられない。この状態で、ガラス微粒子堆積体Gの製造を開始すると、初期の段階では、原料ガスの流量を制御する流量コントローラ16,17を通過する原料ガスの一部に、非反応ガスが混入していることになり、原料ガスの流量が実際の流量よりも少なくなることがある。特に、四塩化ゲルマニウムを供給する原料タンク13では、供給する原料ガスの量が少なく、非反応ガスが原料ガスに置換されるまでの時間が掛かるため、上記の問題が起こりやすい。このため、制御装置31は、設備稼働停止状態の製造装置10を再稼働させてガラス微粒子堆積体Gを製造する際に、その最初1回目の製造を以下のように制御する。支持装置22に支持させたターゲット23を、バーナ20からの火炎が当たらない上方の退避位置に配置させる。この状態で、液体ガラス原料が貯留された原料タンク12,13を加熱用ヒータ12a,13aで加熱して昇温させる。これにより、液体ガラス原料を原料タンク12,13内で気化させて原料ガスとし、この原料ガスを原料ガス供給管14,15へ送り込み、互いに混合させて混合原料ガス供給管18を通してバーナ20へ送り込む。さらに、バーナ20へ燃焼用ガス供給管19から助燃ガスである酸素O2及び燃焼ガスである水素H2を送り込む。バーナ20への原料ガスの供給開始後、所定時間T1が経過したら、支持装置22によってターゲット23を下降させ、バーナ20からの火炎が当たる堆積位置に配置させ、ターゲット23に、火炎の加水分解反応により生じたガラス微粒子を堆積させ、ガラス微粒子堆積体Gを形成する。次に、バーナ20への原料ガスの供給開始からターゲット23へのガラス微粒子の堆積開始までの所定時間T1の設定について説明する。この所定時間T1は、原料タンク12,13内の非反応ガス濃度が所定の値以下になるまで、すなわち原料タンク12,13内の空間内のガスが原料ガスに十分入れ替わるまでの時間で設定される。具体的には、原料タンク12,13内の空間の容積、バーナ20へのガス供給量及び必要な流量精度から決められる。なお上記のように、通常四塩化ゲルマニウムを供給する原料タンク13の方が、原料ガスに置換されるまでの時間が掛かるため、以下では、原料タンク13のみを対象として、所定時間T1を考える。例えば、原料タンク13内の空間の容積が0.5リットル、ガス供給量が0.1リットル/分の場合、原料タンク13内の空間にある窒素ガスは、原料タンク13内のガス濃度が均一である場合、ガス供給にともなって時間とともに指数関数的に減少し、約5分で初期濃度の37、10分で13.5、15分で5、30分で0.2まで低減される。また、最初にタンク内に混入する窒素ガスは、一般的な窒素ガス置換手段を用いれば、窒素ガスの濃度を予め約10以下の濃度には抑えられるので、ターゲット23を15分程度退避させれば原料タンク13内の窒素ガスの濃度は、約0.5以下にすることができる。窒素ガスが混入することで変化する原料ガスの流量は、ほぼ窒素ガスの濃度分だけ減ると考えられる。したがって、その結果、製造されるガラス微粒子堆積体Gの屈折率変化は、約0.5程度と考えられる。製造するガラス微粒子堆積体Gがシングルモードファイバからなる光ファイバ用であるとき、コアとクラッドの比屈折率差は、約0.35であるから、比屈折率差の変動は0.002程度であると見積もられる。つまり、上記の例の場合、ターゲット23を退避させる所定時間T1を15分とすれば、窒素ガスの濃度を約0.5以下とし、ガラス微粒子堆積体Gのコア部の光ファイバの比屈折率差の変動を0.002程度に抑えることができる。なお、比屈折率差の変動をより小さくする場合は、ターゲット23を待避させる所定時間T1をさらに長くすれば良い。また、原料タンク12,13内に混入した窒素ガスの濃度は、原料タンク12,13に取り付けられた圧力計P12,P13で計算することもできる。例えば、四塩化ゲルマニウムGeCl4が入った原料タンク13の温度が120°Cの場合、蒸気圧は0.254MPaである。このことから、原料タンク13内の圧力がこれより大きい場合は、その差分が窒素ガスの分圧となる。よって、原料タンク13内の圧力から窒素ガスの濃度を求めることができ、この結果を用いてターゲット23を待避させる所定時間T1を設定することもできる。ところで、再稼働による原料タンク12,13の昇温後、ガラス微粒子堆積体Gの2回目以降の製造では、昇温後に原料タンク12,13内に混入していた窒素ガスは既になくなっているため、窒素ガスの混入による流量変化を考慮する必要はない。しかし、バーナ20への原料ガスの供給開始のタイミングで原料タンク12,13内の温度及び圧力が変動し、その結果、バーナ20へ供給する原料ガスの流量が変動することがある。これは、原料ガスとして、四塩化ケイ素SiCl4だけを供給する場合であっても生じる。このため、制御装置31は、再稼働後2回目以降のガラス微粒子堆積体Gの製造の際には、退避位置に引き上げていたターゲット23を、所定時間T2の経過後に下降させる。そして、ターゲット23を、バーナ20からの火炎が当たる堆積位置に配置させ、ターゲット23に火炎の加水分解反応により生じたガラス微粒子の堆積を開始させ、ガラス微粒子堆積体Gを形成する。この所定時間T2は、再稼働後1回目の所定時間T1より短時間であり、この所定時間T2の設定は、原料タンク12,13の圧力及び原料タンク12,13内の温度の何れか一方または両方が変動を生じておらず、ガラス微粒子の堆積時における反応容器21内の環境及び雰囲気である定常状態となる状態まで、とすることが好ましい。このように、上記実施形態に係るガラス微粒子堆積体の製造方法によれば、非稼働時に原料タンク12,13内に充填された非反応ガスである窒素ガスが残留していることによる原料ガスの流量変動時、または原料ガス供給開始直後における原料タンク12,13内の温度や圧力の変動による原料ガスの流量変動時には、ガラス微粒子の堆積を行わない。これにより、原料ガスの流量変動による影響のない高品質なガラス微粒子堆積体Gを安定的に製造することができる。<設備稼働開始後最初の製造の評価>1評価試験原料タンク12,13の降温後における設備稼働開始後最初のガラス微粒子堆積体Gの製造を下記の実施例1及び比較例1の制御でそれぞれ5回5ロット分行い、製造されたガラス微粒子堆積体Gのコア部とクラッド部との比屈折率差を製造ロット毎に求めた。なお、ガラス微粒子堆積体Gのプロファイル屈折率分布は、ステップインデックス型とした。ガラス微粒子堆積体Gの製造では、四塩化ゲルマニウムの原料タンク13の温度を120°Cに設定し、原料供給装置11から流量0.1リットル/分で反応容器21のバーナ20に供給した。反応容器21内には回転するアルミナ製のターゲット23を設置し、このターゲット23にガラス原料をバーナ20で反応させて生成させたガラス微粒子を吹き付けた。実施例1四塩化ケイ素と四塩化ゲルマニウムのそれぞれの原料ガスの供給開始後、30分の所定時間T1の間、ターゲット23をバーナ20によるガラス微粒子の堆積位置より上方の退避位置に配置させ、ターゲット23へのガラス微粒子の堆積を行わなかった。30分である所定時間T1の経過後、ターゲット23を下げてターゲット23へのガラス微粒子の堆積を開始した。比較例1四塩化ケイ素と四塩化ゲルマニウムのそれぞれの原料ガスの供給開始後、すぐにターゲット23を堆積位置へ移動させ、ターゲット23へのガラス微粒子の堆積を開始した。2試験結果図2に示すように、実施例1では、コア部とクラッド部との比屈折率差のロット間変動は、0.001であり小さく良好だった。これに対して、比較例1では、コア部とクラッド部との比屈折率差の変動は、0.03となり、実施例1より大きかった。<設備稼働開始後2回目以降の評価>1評価試験原料タンク12,13の降温後における設備稼働開始後2回目以降のガラス微粒子堆積体Gの製造を下記の実施例2及び比較例2の制御でそれぞれ5回5ロット分行い、製造されたガラス微粒子堆積体Gのコア部の比屈折率差のロット間変動を求めた。なお、ガラス微粒子堆積体Gのプロファイル屈折率分布は、ステップインデックス型とした。なお、2回目以降のガラス微粒子堆積体Gの製造では、原料タンク12,13内には窒素ガスの混入はない。実施例2四塩化ケイ素と四塩化ゲルマニウムのそれぞれの原料ガスの供給開始後、原料タンク12,13の温度の変動を測定し、原料タンク12,13の温度が、ガラス微粒子の堆積時における反応容器21内の定常状態となるまでの所定時間T2の間、ターゲット23をバーナ20によるガラス微粒子の堆積位置より上方の退避位置に配置させ、ターゲット23へのガラス微粒子の堆積を行わなかった。原料タンク12,13の温度が定常状態となった所定時間T2の経過後、ターゲット23を下げてターゲット23へのガラス微粒子の堆積を開始した。図3に原料タンク13の内部温度の変動を示す。原料ガスの供給開始直後、原料タンク12,13の温度に変動が生じ、ガラス微粒子の堆積時における反応容器21内の定常状態になるまで10分間を要した。したがって、原料ガスの供給開始後、ターゲット23への堆積開始までの所定時間T2を10分とした。なお、図3は原料タンク13の温度変動のデータであるが、原料タンク12の温度変動もほぼ同様の結果になり、定常状態になるまでには10分間程度を要する。比較例2四塩化ケイ素と四塩化ゲルマニウムのそれぞれの原料ガスの供給開始後、すぐにターゲット23を堆積位置へ移動させ、ターゲット23へのガラス微粒子の堆積を開始した。2試験結果実施例2では、コア部とクラッド部との比屈折率差のロット間変動は、0.001であり小さく良好だった。これに対して、比較例2では、コア部とクラッド部との比屈折率差の変動は、0.01となり実施例2より大きかった。"