"支持基板上に形成された複数の帯状の電極からなる固定電極と、前記支持基板に支柱とバネを介して支持され、前記固定電極の帯状の電極と対向する複数の電極からなる可動電極とを備え、外部からの振動に応じて前記可動電極が前記固定電極の面内方向に可動し、前記固定電極と前記可動電極の交差面積の変位により静電容量が変位する構成であり、前記固定電極の複数の帯状の電極が交互に電気的に接続され、2つの差動出力としてセンサ回路部に接続される構成であることを特徴とする振動センサ。請求項1に記載の振動センサにおいて、前記可動電極は、前記固定電極の配列方向と直角に少なくとも1組のバネと支柱で前記支持基板に支持される構成であることを特徴とする振動センサ。請求項1に記載の振動センサにおいて、前記可動電極は、前記固定電極の配列方向と直角に1組のバネと支柱で前記支持基板に支持される構成であり、前記固定電極の複数の帯状の電極は、前記可動電極が前記支柱を起点に円弧状に可動する軌跡に沿って配置されることを特徴とする振動センサ。請求項1に記載の振動センサにおいて、前記バネは、幅に対して前記支持基板の垂直方向の高さを大きくした構成であることを特徴とする振動センサ。振動センサ51は、図6に示すように、可動電極51Mが固定電極51P,51N間で振動する構成である。ここで、可動電極51Mはバネを介して支柱に接続され、固定電極51P,51Nとの間に振動に依存した容量変化が生じる。図7のセンサ回路部52を用いて振動を検出する場合、可動電極51Mと固定電極51P,51Nからなる可動構造体に生じる容量変化は、100フェムトファラッド以上を確保する必要がある。ここで、可動電極51Mの大きさをミリメートルレベルとし、可動電極51Mと固定電極51P,51Nの最少となる距離が10μmと仮定すると、振動の大きさに対して100フェムトファラッド以上の容量変化を確保するためには、可動構造体の厚さを数100μm以上にする必要がある。しかし、可動構造体をメッキプロセスで形成する場合、厚さを確保するのに莫大な処理時間例えば100時間以上を必要とし、製造コストが上昇する問題があった。本発明は、可動構造体を厚くすることなく、振動により可動構造体に生じる容量変化を100フェムトファラッド以上に大きくすることができる振動センサを提供することを目的とする。本発明の振動センサは、支持基板上に形成された複数の帯状の電極からなる固定電極と、支持基板に支柱とバネを介して支持され、固定電極の帯状の電極と対向する複数の電極からなる可動電極とを備え、外部からの振動に応じて可動電極が固定電極の面内方向に可動し、固定電極と可動電極の交差面積の変位により静電容量が変位する構成であり、固定電極の複数の帯状の電極が交互に電気的に接続され、2つの差動出力としてセンサ回路部に接続される構成である。本発明の振動センサにおいて、可動電極は、固定電極の配列方向と直角に少なくとも1組のバネと支柱で支持基板に支持される構成である。本発明の振動センサにおいて、可動電極は、固定電極の配列方向と直角に1組のバネと支柱で支持基板に支持される構成であり、固定電極の複数の帯状の電極は、可動電極が支柱を起点に円弧状に可動する軌跡に沿って配置される。本発明の振動センサにおいて、バネは、幅に対して支持基板の垂直方向の高さを大きくした構成である。以上説明したように、本発明の振動センサを用いれば、固定電極と可動電極を対向させ、近接させて可動できるようにしたので、可動構造体を厚くしなくても、可動構造体に生じる容量変化を100フェムトファラッド以上にすることができる。したがって、振動センサのサイズを小さくした上で製造コストの上昇を抑制することができる。また、本発明の振動センサを用いることで、振動検知の機能を備えるセンサノードのサイズをサブセンチメートル以下に小型化することができる。そのため、センサノードの小型化が達成され、いままでサイズの制約で埋め込むことができなかった物や人の部分にも埋め込むことができる。図1は、本発明の振動センサの実施例1の構成を示す。図1において、実施例1の振動センサは、支持基板図示せずにパターンニングした複数の帯状の電極からなる固定電極1と、支持基板に支柱3とバネ4を介して支持された可動電極2により構成される。可動電極2は、図1に静止時の状態として示すように、固定電極1の複数の帯状の電極と1つおきに対向する複数の帯状の電極が電気的に一体構造になっている。可動電極2は、ここでは4組の支柱3とバネ4で支持されて固定電極1と平行に配置され、可動電極2の振動によってバネ4が撓み、固定電極1の面内方向紙面左右方向に可動するようになっている。すなわち、可動電極2の4隅に、振動方向と直角に4本のバネ4が2本ずつ対向する位置に取り付けられる。バネ4は、対向する位置に2本または6本以上であってもよい。図1は振動により可動電極2の位置が変位した状態を示す。このような構成により、固定電極1と可動電極2の交差面積の変化に応じてその間の静電容量が変化する。図2は、本発明の振動センサの実施例1の回路構成例を示す。図2において、固定電極1の複数の帯状の電極は交互に電気的に接続され、2つの差動出力端子を介して図7に示す構成と同様のセンサ回路部52に接続される。センサ回路部52は、電源VDDと出力端子OUTとの間に縦続に接続されたダイオードD1,D2,D3と、容量素子C1と、初期化時に出力端子OUTの電圧を接地電位にする初期化スイッチSWを備え、振動センサの2つの差動出力端子はダイオードD2のアノードとカソードに接続される。可動電極2の複数の帯状の電極は電気的に接続され、図1に示す支柱3およびバネ4を介して接地される。センサ回路52の動作は、図7および図8を用いて説明した従来回路と同様である。本構成により、固定電極1と可動電極2を厚くすることなく、振動により生じる容量変化を100フェムトファラッド以上に大きくすることができる。図3は、本発明の振動センサの実施例2の構成を示す。図3において、実施例2の振動センサは、支持基板図示せずにパターンニングした複数の帯状の電極からなる固定電極1と、支持基板に支柱3と1本のバネ4を介して支持された可動電極2により構成される。可動電極2は、固定電極1の複数の帯状の電極と1つおきに対向する複数の帯状の電極が電気的に一体構造になっているが、ここでは切欠き部に結合された1本のバネ4と支柱3を介して支持基板に支持される。可動電極2の振動によってバネ4が撓み、支柱3を起点に可動電極2が円弧方向にかつ固定電極1の面内方向で可動するようになっている。図4は、実施例2の振動センサに用いられるバネ4の立体構成例を示す。図4において、支持基板を水平面とした場合に、バネ幅Wに対してバネ高さTを大きくする。これにより、可動電極2の垂直方向の変位を抑制することができ、可動電極2と固定電極1を近接させることができる。なお、本バネ4を実施例1の振動センサに用いることにより、実施例1の振動センサにおいても可動電極2と固定電極1を近接させることができる。実施例2の振動センサは、実施例1と比べて、可動電極2が1本のバネ4で支持される構成であるので、振動センサ全体のバネ定数を小さくすることができ、共振周波数を下げることができる。一般に、環境に生じる振動の周波数は100Hz程度であり、実施例2の振動センサを用いることにより、環境に生じる振動の多くを検出できるようになる。実施例2の可動電極2は、支柱3を起点に円弧方向に振動するが、その振動軌跡に合せて固定電極1を円弧状に配置してもよい。これにより、固定電極1と可動電極2の交差面積の変化量を大きくすることができ、当該振動センサに生じる容量変化を大きくすることができる。実施例1~実施例3の振動センサを図5に示す振動センサ51として用い、当該振動センサ51とセンサ回路52を図2に示すように接続することにより、発電素子からの微小な電流を容量素子に充電したエネルギーで動作させることができるセンサノードを実現することができる。また、当該センサノードにおいて、振動検知に要する消費電力はサブナノワットレベルに低減できるので、センサノードの動作時間を増加させることができる。"