"窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,0.1質量以上0.5質量以下,0.06質量以上0.32質量以下含んでなり、β-Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7REは希土類金属として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くであることを特徴とする窒化珪素質焼結体。前記比率I1/I0が4以上であることを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質焼結体。前記粒界相中に、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物とを含み、前記第1金属の珪化物と前記第2金属の珪化物とが接触していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化珪素質焼結体。前記粒界相にカルシウムを含んでなる白状斑点が存在していることを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質焼結体。円相当径が2μm以上50μm以下の前記白状斑点が、1mm2当たり550個以上1650個以下存在していることを特徴とする請求項4に記載の窒化珪素質焼結体。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の窒化珪素質焼結体を支持基板とし、該支持基板の第1主面側に回路部材を、前記第1主面に対向する第2主面側に放熱部材をそれぞれ設けてなることを特徴とする回路基板。請求項6に記載の回路基板における前記回路部材上に電子部品を搭載したことを特徴とする電子装置。しかしながら、特許文献1で提案された高熱伝導性窒化珪素焼結体は、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が20以上と高いことから、焼結工程における結晶化合物相が生成する過程での体積収縮によって、粒界相内に隙間が多く発生するおそれが高くなる。このように、粒界相に隙間が多く発生すると、隙間に粉塵が入ることによる汚損や水分の吸着によって絶縁耐力が低下するという問題があった。本発明は、上記問題点に鑑みて案出されたものであり、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供することを目的とするものである。本発明の窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,01質量以上05質量以下,006質量以上032質量以下含んでなり、β-Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7REは希土類金属として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くであることを特徴とするものである。また、本発明の回路基板は、上記構成の本発明の窒化珪素質焼結体からなる支持基板の第1主面側に回路部材を、第1主面に対向する第2主面側に放熱部材をそれぞれ設けてなることを特徴とするものである。また、本発明の電子装置は、上記構成の本発明の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載してなることを特徴とするものである。本発明の窒化珪素質焼結体によれば、窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,01質量以上05質量以下,006質量以上032質量以下含んでなり、β-Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7REは希土類金属として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くであることから、RE4Si2N2O7の結晶化に伴う体積収縮は小さく、粒界相内に隙間を生じにくいことから、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体とすることができる。また、本発明の回路基板によれば、上記構成の本発明の窒化珪素質焼結体からなる支持基板の第1主面側に回路部材を、第1主面に対向する第2主面側に放熱部材をそれぞれ設けてなることから、支持基板が、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有していることによって、信頼性の高い回路基板とすることができる。また、本発明の電子装置によれば、上記構成の本発明の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載してなることから、耐久性の高い、信頼性のある電子装置とすることができる。以下、本実施形態の窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置の一例について説明する。本実施形態の窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,01質量以上05質量以下,006質量以上032質量以下含んでなる窒化珪素質焼結体である。一般的に、窒化珪素質焼結体において、主成分である窒化珪素は、共有結合性が強く、拡散係数が小さいため、窒化珪素単体での焼結は困難であることから、種々の焼結助剤を添加することにより、粒界相を形成させて緻密化している。具体的には、添加された焼結助剤が、窒化珪素と窒化珪素の粉末に含まれる酸素と反応して酸窒化物の液相を生成し、窒化珪素の粉末に含まれる酸素を低減させることによって、窒化珪素の粒成長が促進されて緻密化が進行し、得られた窒化珪素質焼結体は、放熱特性および機械的特性に優れたものとなる。とりわけ、酸素との親和性が高い希土類金属の酸化物を焼結助剤として添加すると、液相中に多くの酸素が取り込まれ、窒化珪素が粒成長するとともに窒化珪素の粉末に含まれる酸素の量をより低減することができる。しかし、窒化珪素の粉末に含まれる酸素の量を低減させるために、焼結助剤の添加量を増やすだけでは、放熱特性が低い粒界相の存在比率が相対的に大きくなることから、放熱特性に優れた窒化珪素質焼結体を得ることは難しくなる。このため、優れた放熱特性と機械的特性とを兼ね備えた窒化珪素質焼結体とすべく、焼結助剤の種類およびその含有量に関し、様々な試行錯誤がなされている。また、放熱特性や機械的特性を向上させるべく、粒界相中に結晶化合物相を存在させることも行なわれているが、この結晶化合物相は、生成の過程における体積収縮によって粒界相内に隙間が生じやすく、粒界相に隙間が多く発生すると、隙間に粉塵が入ることによる汚損や水分の吸着によって絶縁耐力が低下する。このような状況の中、本発明者らは、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体を得るには、窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuの少なくともいずれか1種,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,01質量以上05質量以下,006質量以上032質量以下含んでなることが重要であることを見出した。なお、本実施形態における主成分とは、窒化珪素質焼結体を構成する全成分100質量に対して、77質量以上占める成分をいう。そして、窒化珪素と、マグネシウム,希土類金属RE,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算した各含有量は、蛍光X線分析法,ICPInductivelyCoupledPlasma発光分析法またはエネルギー分散型X線分光法によって、Si,Mg,RE,Al,Bの含有量を求め、これら各含有量をSiについてはSi3N4に、その他についてはMgO,RE2O3,Al2O3,B2O3に換算することで求めることができる。マグネシウムの酸化物換算での含有量が2質量以上6質量以下であることにより、マグネシウムの酸化物が有する焼結促進作用によって、低い焼成温度であっても緻密化を図ることができ、優れた機械的特性を有する窒化珪素質焼結体とすることができる。なお、マグネシウムの酸化物換算での含有量は、3質量以上5質量以下であることが好ましい。また、希土類金属の酸化物換算での含有量が12質量以上16質量以下であることにより、酸素との高い親和性によって、液相中に窒化珪素の粉末間の酸素が多く取り込まれ、窒化珪素の粒成長が促進されるため、優れた放熱特性を有する窒化珪素質焼結体とすることができる。なお、希土類金属の酸化物換算での含有量は、13質量以上15質量以下であることが好ましい。また、アルミニウムの酸化物換算での含有量が01質量以上05質量以下であることにより、粒界相の非晶質化が促進され、粒界相中に隙間を生じにくいため、絶縁耐力の高い窒化珪素質焼結体とすることができる。なお、アルミニウムの酸化物換算での含有量は、02質量以上04質量以下であることが好ましい。また、硼素の酸化物換算での含有量が006質量以上032質量以下であることにより、硼素の酸化物が有する、粒界相におけるイオン伝導性の発現抑制作用に加えて、粒界相の非晶質化が促進されるため、粒界相中に隙間を生じにくく、絶縁耐力の高い窒化珪素質焼結体とすることができる。なお、硼素の酸化物換算での含有量は、015質量以上025質量以下であることが好ましい。また、アルミニウムおよび硼素の酸化物換算での含有量の合計が03質量を超えて06質量未満であることが好ましい。そして、本実施形態における窒化珪素質焼結体は、β-Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7REは希土類金属として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くであることが重要である。窒化珪素および希土類金属の酸化物を構成する元素が結合したRE4Si2N2O7として示される成分を粒界相に含むことから、放熱特性および機械的特性に優れた窒化珪素質焼結体とすることができる。なお、主結晶相であるβ-Si3N4および組成式がRE4Si2N2O7として示される成分は、粉末X線回折法を用いて同定することができる。ここで、組成式がRE4Si2N2O7として示される成分を構成する希土類金属は、ランタノイド系金属La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luであることが好適であり、その中でもエルビウムEr,イッテルビウムYbおよびルテチウムLuの少なくとも1種であることが好適である。その理由は、エルビウムEr,イッテルビウムYbおよびルテチウムLuは、周期表第3族元素の中でイオン半径が小さい元素であることから、上記組成式を構成する他の原子であるSi,O,Nとの結合が強いためにフォノンの伝達がよく、熱伝導率を高くすることができるからである。併せて、エルビウムEr,イッテルビウムYbおよびルテチウムLuは、Si,O,Nとの結合が強いために熱エネルギーによる格子振動が小さく、温度変化による体積膨張が小さいので、熱膨張係数を小さくすることができ、耐熱衝撃特性を高くすることができる。上記成分を構成する希土類金属をエルビウムEr,イッテルビウムYbおよびルテチウムLuの少なくとも1種とすることにより、例えば、室温における熱膨張係数を135×10-6/K以下とさらに小さくすることができ、熱伝導率を51W/mK以上と高くすることができる。さらに、上記成分を構成する希土類金属がエルビウムErの場合は、Er4Si2O7N2を粒界相中に析出させるために添加する酸化エルビウムEr2O3は比較的安価であるとともに、酸化イッテルビウムYb2O3または酸化ルテチウムLu2O3を添加したときよりも低い温度で焼結させることができるので、より好適である。そして、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くであることにより、RE4Si2N2O7の結晶化に伴う体積収縮は小さく、粒界相内に隙間は生じにくいことから、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体とすることができる。このように、粒界相に組成式がRE4Si2N2O7REは希土類金属として示される成分を含み、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くとするには、上述した組成範囲を満たす原料を用いた焼成において、最高温度,保持時間,さらに降温速度が重要となる。また、本実施形態における窒化珪素質焼結体は、比率I1/I0が4以上であることが好適である。比率I1/I0が4以上であるときには、融点の高い、RE4Si2N2O7として示される成分が粒界相に占める比率が増すこととなるため、高温における機械的特性を高くすることができる。特に、比率I1/I0が6以上であることがより好適である。ここで、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0は、PDF登録商標Number00-033-1160で示されるカードと照合したときの回折角27°~28°における最も高いピーク強度である。また、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1は、REが例えば、Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Tb,Dy,Tm,Er,Yb,Luであるとき、それぞれPDF登録商標Number00-032-1451,01-072-7716,00-031-0339,00-032-0887,00-031-0885,00-031-1215,00-034-1268,00-055-1090,00-032-1354,00-031-0505,00-051-0340,00-033-0847で示されるカードと照合したときの回折角30°~35°における最も高いピーク強度である。なお、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0,回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1ともに、粉末X線回折法によって得られた回折強度曲線からバックグラウンド強度を除去した値であり、この値を用いて比率I1/I0を算出することができる。また、本実施形態の窒化珪素質焼結体によれば、粒界相中に、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物とを含み、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触していることが好適である。ここで、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触している状態を、図1を用いて具体的に説明する。図1は、本実施形態の窒化珪素質焼結体の断面の一例を示す模式図である。図1に示す例の窒化珪素質焼結体の断面の模式図において、β-Si3N4からなる主結晶相1と、組成式がRE4Si2N2O7として示される成分2を含む粒界相3とにより構成されている。また、粒界相3には、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物4と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物5とを含んでいる。第1金属の珪化物4は、β-Si3N4をより低温で焼結させることができるため、β-Si3N4の異常な粒成長を少なくすることができる。また、第2金属の珪化物5は、粒界相3の固化を制御して高温における機械的特性を高めるとともに、窒化珪素質焼結体の色調を黒色化し、窒化珪素質焼結体の表面における色調差を少なくすることができる。そして、本実施形態の窒化珪素質焼結体において、第1金属の珪化物4と第2金属の珪化物5とが接触していることが好ましい。第1金属の珪化物4と第2金属の珪化物5とが接触している形態としては、図1に示す例のように、例えば、第1金属の珪化物4aと第2金属の珪化物5aとが隣接している形態,第1金属の珪化物4bが第2金属の珪化物5bを取り囲んでいる形態がある。粒界相3中に、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物4と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物5とを含み、第1金属の珪化物4と第2金属の珪化物5とが接触しているときには、第1金属の珪化物4が、高温の環境下で破壊源となるおそれのある第2金属の珪化物5に集中する応力を分散して緩和するので、耐熱衝撃性を高くすることができる。特に、第1金属が鉄、第2金属がタングステンであることが好ましい。第1金属が鉄、第2金属がタングステンであるときには、それぞれの珪化物は、結晶構造が近似するため、接触する確率が増加するので、耐熱衝撃性をさらに向上させることができる。また、第1金属の珪化物4は、組成式がFeSi3,FeSi2,FeSi,Fe2Si3,Fe3Si,Fe3Si2,Fe3Si4,Fe3Si7,Fe5Si2,Fe5Si3,Cu2Si,CuSi,CuSi2およびCuSi3として表される成分の少なくともいずれか1種である。また、第2金属の珪化物5は、組成式がWSi,WSi2,WSi3,W2Si3,W5Si3,MoSi,MoSi2,MoSi3,Mo2Si3およびMo5Si3として表される成分の少なくともいずれか1種である。特に、第1金属の珪化物4は、組成式がFeSi2として表される成分であり、第2金属の珪化物5は、組成式がWSi2として表される成分であることが好適である。この理由は、組成式がそれぞれFeSi2,WSi2として表される成分は、ともに熱力学的に安定な成分であること、また、両者の結晶構造が近似していることから、耐熱衝撃性をさらに向上させることができるからである。粒界相3中に、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物4と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物5とを含んでいる状態は、エネルギー分散型X線分光法を用いて観察することができ、具体的には、断面の面積が001mm2の領域にX線マイクロアナライザーを用いて電子線を照射して、この領域における各元素から発生する特性X線を検出することにより、元素を同定することができ、特性X線の強度に応じてマッピングすることにより確認することができる。さらに、第1金属と珪素または第2金属と珪素が固溶体6aおよび金属間化合物6bの少なくともいずれか1種を形成していてもよい。固溶体6aおよび金属間化合物6bの少なくともいずれか1種を形成することにより、粒界相3の破壊靱性は向上し、粒界相3に微細なクラックが生じたとしても、その進展が抑制されるので、耐熱衝撃性を高くすることができる。この固溶体6aおよび金属間化合物6bのそれぞれの存在は、エネルギー分散型X線分光法を用いて観察することができ、金属間化合物6bの組成式は、粉末X線回折法を用いて同定することができる。また、本実施形態の窒化珪素質焼結体は、粒界相にカルシウムを含んでなる白状斑点が存在していることが好ましい。このように、粒界相にカルシウムを含んでなる白状斑点が存在しているときには、窒化珪素質焼結体の熱伝導率を向上させることができるため、放熱特性を向上させることができる。ここで、粒界相に存在する白状斑点は、光学顕微鏡を用いて50倍以上100倍以下の倍率において暗視野で観察した画像により、確認することができる。具体的には、観察画像を取り込み、画像解析ソフトA像くん登録商標、旭化成エンジニアリング株製を用いて、粒子解析という手法で解析すればよい。ここで、この手法の設定条件としては、明度を暗、2値化の方法を手動、小図形除去面積を5μm2、画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の各点各ピクセルが有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の08倍以上2倍以下に設定すればよい。また、白状斑点がカルシウムを含んでいるか否かについては、X線マイクロアナライザーを用いて確認することができる。具体的には、光学顕微鏡を用いて白状斑点を観察した領域と同じ領域に、X線マイクロアナライザーを用いて電子線を照射し、この領域から発生するカルシウム固有の波長およびこの波長の強度の情報をX-Y座標に記録したマッピングと、光学顕微鏡で観察した白状斑点の位置とを照合することにより確認することができる。なお、X線マイクロアナライザーを用いた確認において、粒界相を構成する成分である、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素は、白状斑点の位置における存在量が少ない。また、本実施形態の窒化珪素質焼結体によれば、円相当径が2μm以上50μm以下のカルシウムを含んでなる白状斑点が、1mm2当たり550個以上1650個以下存在していることが好適である。円相当径が2μm以上50μm以下のカルシウムを含んでなる白状斑点が、1mm2当たり550個以上1650個以下存在しているときには、絶縁耐力が高く、放熱特性を向上させた窒化珪素質焼結体とすることができる。ここで、円相当径が2μm以上50μm以下の白状斑点の1mm2当たりの個数は、光学顕微鏡を用いて100倍の倍率で、例えば、面積が1125mm2横方向の長さが1238mm、縦方向の長さが0909mmとなるように範囲を設定し、CCDカメラでこの範囲の画像を取り込み、上述した画像解析ソフトA像くん登録商標、旭化成エンジニアリング株製を用いて、上述した同条件にて確認すればよい。また、白状斑点に含まれるカルシウムの含有量は、014質量以上036質量以下であることが好ましい。なお、白状斑点に含まれるカルシウムの含有量とは、前述したマッピングを用いて、マッピングと光学顕微鏡で観察した画像とで照合した白状斑点の位置に存在するカルシウムの面積比率を算出し、この白状斑点に存在するカルシウムの面積比率に窒化珪素質焼結体におけるカルシウムの含有量を乗じた値のことである。窒化珪素質焼結体におけるカルシウムの含有量は、蛍光X線分析法,ICP発光分析法またはエネルギー分散型X線分光法によって求めることができる。そして、窒化珪素質焼結体の絶縁耐力は、JISC2141-1992IEC67221980に準拠して測定した絶縁破壊の強さMV/mで評価することができる。本実施形態の窒化珪素質焼結体は、絶縁破壊の強さが18MV/m以上である。また、窒化珪素質焼結体の機械的特性は、3点曲げ強度が740MPa以上であり、動的弾性率が300GPa以上であり、ビッカース硬度Hvが13GPa以上であり、破壊靱性K1Cが5MPam1/2以上であることが好ましい。これら機械的特性が上記範囲であることにより、窒化珪素質焼結体と金属からなる部材とを接合した接合部材は、特に、耐クリープ性やヒートサイクルに対する耐久性を向上させることができるので、高い信頼性が得られるとともに長期間にわたって使用することができる。なお、3点曲げ強度については、JISR1601-2008ISO17565:2003MODに準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質焼結体の厚みが薄く、窒化珪素質焼結体から切り出した試験片の厚みを3mmとすることができない場合には、窒化珪素質焼結体の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。また、動的弾性率については、JISR1602-1995で規定される超音波パルス法に準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質焼結体の厚みが薄く、窒化珪素質焼結体から切り出した試験片の厚みを10mmとすることができない場合には、片持ち梁共振法を用いて評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。さらに、ビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cについては、それぞれJISR1610-2003ISO14705:2000MODおよびJISR1607-1995に規定される圧子圧入法IF法に準拠して測定すればよい。なお、窒化珪素質焼結体の厚みが薄く、窒化珪素質焼結体から切り出した試験片の厚みをそれぞれJISR1610-2003およびJISR1607-1995の圧子圧入法IF法で規定する05mmおよび3mmとすることができないときには、窒化珪素質焼結体の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価して、その結果が上記数値を満足することが好ましい。ただし、そのままの厚みで評価して上記数値を満足することができないほどに窒化珪素質焼結体の厚みが薄いとき、例えば02mm以上05mm未満のときには、窒化珪素質焼結体に加える試験力および押込荷重をいずれも0245Nとし、試験力および押込荷重を保持する時間をいずれも15秒としてビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cを測定すればよい。また、上述したような窒化珪素質焼結体の電気的特性は、体積抵抗率が、常温で1014Ωcm以上であって、300°Cで1012Ωcm以上であることが好ましい。この体積抵抗率は、JISC2141-1992に準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質焼結体が小さく、窒化珪素質焼結体からJISC2141-1992で規定する大きさとすることができない場合には、2端子法を用いて評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。図2は、本実施形態の回路基板の一例を示す、aは平面図であり、bはaのA-A’線での断面図であり、cは底面図である。図2に示す例の回路基板10は、本実施形態の窒化珪素質焼結体からなる支持基板11の第1主面側に回路部材12a,12bを、第1主面に対向する第2主面側に放熱部材13を設けてなる回路基板10であり、支持基板11と回路部材12a,12bおよび放熱部材13とは、それぞれ接合層14a,14bを介して接合されている。このような回路基板10は、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する本実施形態の窒化珪素質焼結体からなる支持基板11を用いているので、信頼性の高い回路基板10とすることができる。本実施形態の回路基板10を構成する窒化珪素質焼結体からなる支持基板11は平板状であり、例えば、長さ図2に示すX方向が20mm以上200mm以下であり、幅図2に示すY方向が10mm以上120mm以下である。支持基板11の厚みは用途によって異なるが、絶縁耐力が高く、耐久性に優れたものにするには、02mm以上10mm以下とすることが好適である。また、本実施形態の回路基板10を構成する回路部材12aは、例えば、長さ図2に示すX方向が15mm以上155mm以下であり、幅図2に示すY方向が8mm以上100mm以下である。また、回路部材12bは、例えば、長さ図2に示すX方向が1mm以上10mm以下であり、幅図2に示すY方向が8mm以上100mm以下である。回路部材12a,12bの厚みは回路部材12a,12bを流れる電流の大きさや回路部材12a,12bに搭載される電子部品図示しないの発熱量等によって決められ、例えば、05mm以上5mm以下である。また、本実施形態の回路基板10を構成する放熱部材13は、発熱した電子部品図示しないから熱を逃がすという機能を有し、例えば、長さ図2に示すX方向が18mm以上190mm以下であり、幅図2に示すY方向が8mm以上100mm以下であり、厚みが05mm以上5mm以下である。次に、図3は、本実施形態の回路基板の他の例を示す、aは平面図であり、bはaのB-B’線での断面図であり、cは底面図である。図3に示す例の回路基板10は、本実施形態の窒化珪素質焼結体からなる支持基板11の第1主面側に銅を主成分とする回路部材12a,12bを、第1主面に対向する第2主面側に銅を主成分とする放熱部材13を設けてなる回路基板10であり、支持基板11側からそれぞれ接合層14a,14bおよび銅材15a,15bを順次介して接合されている。この図3に示す例の回路基板10も、図2に示す例の回路基板10と同様の作用効果を得ることができる。さらに、図2に示す例の回路基板10において、支持基板11に回路部材12a,12bおよび放熱部材13を接合するときの温度が800~900°Cであるのに対し、銅材15a,15bを介することにより、回路部材12a,12bと銅材15aとの間および放熱部材13と銅材15bとの間の接合を、それぞれの構成成分である銅の拡散によって300~500°C程度の比較的低い温度で接合することができるため、支持基板11に生じる反りを抑制することができる。その結果、支持基板11に生じる応力が小さいことから、熱を繰り返し加えても亀裂が生じにくいものとなる。また、回路部材12a,12bおよび放熱部材13の少なくともいずれか1つを厚くすることができるため、回路基板10の放熱特性を高くすることができる。次に、図4は、本実施形態の回路基板の他の例を示す、aは平面図であり、bはaのC-C’線での断面図であり、cは底面図である。図4に示す例の回路基板10は、本実施形態の窒化珪素質焼結体からなる支持基板11の第1主面側に銅を主成分とする回路部材12a,12bを、第1主面に対向する第2主面側に銅を主成分とする放熱部材13を設けてなる回路基板10であり、支持基板11側からそれぞれ接合層14a,14bおよび銅材15a,15bを順次介して接合されている。また、図4に示す例における支持基板11および放熱部材13は、図3に示す例における支持基板11および放熱部材13と寸法が同じであって、平面視したときに、複数個並べて配置される回路部材12a,12bの寸法が同等であり、第2主面に設けられる放熱部材13の構成は図3に示す例の回路基板10における放熱部材13と同じである。また、図4に示す回路部材12a,12bの寸法は、例えば、長さ図4に示すX方向が7mm以上85mm以下であり、幅図4に示すY方向が7mm以上85mm以下であり、厚みが05mm以上5mm以下である。図4に示す例のように、支持基板11の第1主面側に大きさが同等の回路部材12a,12bが配置されているときには、図3に示す、大きさが異なる回路部材12a,12bが接合されている回路基板10よりも、回路部材12a,12bを接合した後に、支持基板11に生じる応力の偏りを少なくすることができるので、支持基板11に生じる反りを低減することができる。なお、回路部材12a,12bおよび放熱部材13の主成分である銅の含有量は、ともに90質量以上であり、銅の含有量が多い、無酸素銅,タフピッチ銅およびりん脱酸銅のいずれかからなることが好適であり、特に、無酸素銅のうち、銅の含有量が99995質量以上の線形結晶無酸素銅,単結晶状高純度無酸素銅および真空溶解銅のいずれかからなることが好適である。このように、回路部材12a,12bおよび放熱部材13は、銅の含有量が多くなると、それぞれ電気抵抗が低く、熱伝導率が高くなるため、放熱特性が向上し、さらに回路部材12a,12bにおいては、回路特性回路部材12a,12b上に搭載される電子部品の発熱を抑制し、電力損失を少なくする特性も向上する。また、銅の含有量が多くなると、降伏応力が低く、加熱すると塑性変形しやすくなるため、回路部材12a,12bおよび銅材15a,放熱部材13および銅材15bのそれぞれの密着性が上がり、より信頼性が高くなる。また、接合層14a,14bとなるろう材は、主成分が銀および銅の少なくともいずれか1種であって、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選ばれる1種以上を含有することが好適であり、その厚みは、例えば、5μm以上20μm以下である。また、銅材15a,15bは、銅の含有量が多い、無酸素銅,タフピッチ銅およびりん脱酸銅のいずれかからなることが好適であって、特に、無酸素銅のうち、銅の含有量が99995質量以上の線形結晶無酸素銅,単結晶状高純度無酸素銅および真空溶解銅のいずれかからなることが好適であり、その厚みは、例えば、01mm以上06mm以下である。なお、回路基板10を構成する窒化珪素質基板からなる支持基板11の3点曲げ強度,動的弾性率,ビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cについては、回路基板10から回路部材12a,12b、放熱部材13、接合層14a,14bおよび銅材15a,15bをエッチング等によって除去した後、上述した方法によって求めればよい。次に、図5は、本実施形態の電子装置の一例を示す、aは平面図であり、bはaのD-D’線での断面図であり、cは底面図である。図5に示す例の電子装置Sは、本実施形態の回路基板10の回路部材12上に1つ以上の半導体素子等の電子部品16,17が搭載されたものであり、これらの電子部品16,17同士は導体図示しないによって互いに電気的に接続されている。本実施形態の電子装置Sによれば、本実施形態の回路基板10における回路部材12上に電子部品16,17を搭載したことから、電子部品16,17が発熱を繰り返しても、支持基板11と、回路部材12および放熱部材13とが容易に剥離しないので、耐久性の高い電子装置Sとすることができる。図5に示す例における回路部材12および放熱部材13のそれぞれの寸法は、例えば、長さ図5に示すX方向が4mm以上40mm以下であり、幅図5に示すY方向が5mm以上50mm以下であり、厚みが05mm以上5mm以下である。そして、図5に示す例のように、回路部材12および放熱部材13は、平面視でそれぞれ複数行および複数列に配置されていることが好適である。このように、回路部材12および放熱部材13が平面視で複数行および複数列に配置されることで、回路部材12および放熱部材13を支持基板11に接合した際に、支持基板11に生じる応力が分散されやすくなるので、支持基板11に生じる反りを減らすことができる。特に、回路部材12および放熱部材13は、図5に示す例のように、平面視でそれぞれ複数行および複数列に等間隔で配置されていることが好適である。図2~4に示す例の回路基板10および図5に示す例の電子装置Sによれば、支持基板11が、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有していることから、反りが生じにくく熱が繰り返し加わっても亀裂が生じにくいため、信頼性の高い回路基板10および電子装置Sとすることができる。次に、本実施形態の窒化珪素質焼結体の製造方法について説明する。まず、β化率が20以下である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウムMgO,希土類金属の酸化物例えば、Sc2O3,Y2O3,La2O3,Ce2O3,Pr6O11,Nd2O3,Pm2O3,Sm2O3,Eu2O3,Gd2O3,Tb2O3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3およびLu2O3の少なくともいずれか1種,酸化アルミニウムAl2O3および硼酸H3BO3の各粉末とを、バレルミル,回転ミル,振動ミル,ビーズミル,サンドミル,アジテーターミル等の混合装置を用いて、水とともに湿式混合し、粉砕してスラリーを作製する。ところで、窒化珪素には、その結晶構造の違いにより、α型およびβ型という2種類の窒化珪素が存在する。α型は低温で、β型は高温で安定であり、1400°C以上でα型からβ型への相転移が不可逆的に起こる。ここで、β化率とは、X線回折法で得られたα102回折線とα210回折線との各ピーク強度の和をIα、β101回折線とβ210回折線との各ピーク強度の和をIβとしたときに、次の式によって算出される値である。β化率={Iβ/IαIβ}×100窒化珪素の粉末のβ化率は、窒化珪素を主成分とする窒化珪素質焼結体の強度および破壊靱性値に影響する。β化率が20以下の窒化珪素の粉末を用いるのは、強度および破壊靱性値をともに高くすることができるからである。β化率が20を超える窒化珪素の粉末は、焼成工程で粒成長の核となって、粗大で、しかもアスペクト比の小さい結晶となりやすく、強度および破壊靱性値とも低下するおそれがある。そのため、特に、β化率が10以下の窒化珪素の粉末を用いるのが好ましい。そして、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,01質量以上05質量以下,006質量以上032質量以下含んでなる窒化珪素質焼結体とするには、窒化珪素の粉末とこれら添加成分の粉末の合計との総和を100質量としたとき、添加成分である酸化マグネシウムMgOの粉末を2~6質量、希土類金属の酸化物の粉末を12~16質量、酸化アルミニウムAl2O3の粉末を01~05質量および硼酸H3BO3の粉末を005~028質量、残部を窒化珪素となるように秤量すればよい。窒化珪素および添加成分の粉末の粉砕で用いるボールは、不純物が混入しにくい材質あるいは同じ材料組成の窒化珪素質焼結体からなるボールが好適である。なお、窒化珪素および添加成分の粉末の粉砕は、粒度分布曲線の累積体積の総和を100とした場合の累積体積が90となる粒径D90が3μm以下となるまで粉砕することが、焼結性の向上という点から好ましい。粉砕によって得られる粒度分布は、ボールの外径,ボールの量,スラリーの粘度,粉砕時間等で調整することができる。また、以上の粉砕を短時間で行なうには、予め累積体積50となる粒径D50が1μm以下の粉末を用いることが好ましい。また、有機バインダを窒化珪素の粉末と焼結助剤の粉末との総和100質量に対して1質量以上10質量以下でスラリーに混合することが、成形性のために好ましい。さらに、分散性を高めるために分散剤を添加することが好ましい。次に、得られたスラリーをASTME11-61に記載されている粒度番号が200のメッシュまたはこのメッシュより細かいメッシュの篩いに通した後に乾燥させて、窒化珪素を主成分とする顆粒以下、窒化珪素質顆粒という。を得る。乾燥は、噴霧乾燥機で乾燥させてもよく、他の方法であっても何ら問題ない。そして、粉末圧延法を用いて窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断して窒化珪素を主成分とする成形体以下、窒化珪素質成形体という。を得る。あるいは、粉末圧延法に代えて、加圧成形法を用い、窒化珪素質顆粒を成形型に充填してから加圧することによって、形状が、例えば、角柱状,角板状,円柱状または円板状である窒化珪素質成形体を得る。次に、得られた成形体を相対密度が55以上95以下である窒化珪素質焼結体からなるこう鉢の内部に入れる。なお、このとき、窒化珪素質成形体の含有成分の揮発を抑制するために、窒化珪素質成形体の周囲に酸化マグネシウムおよび希土類金属の酸化物等の成分を含んだ共材を配置して、黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成する。この共材は窒化珪素質成形体の各質量の合計に対して、2質量以上10質量未満の量が好ましい。また、焼成条件については、室温から300~1000°Cまでは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を15~900kPaに維持する。そして、さらに昇温を進めることによって、1000~1400°C付近では添加成分が固相反応を経て液相成分を形成し、1400°C以上の温度域でα型からβ型への窒化珪素の相転移が不可逆的に起こる。そして、焼成炉内の温度を上げて1560°C以上1640°C以下で2時間以上4時間以下保持した後、さらに温度を上げて1740°C以上1800°C未満で4時間以上10時間以下保持した後、500°C/時間以上の降温速度で冷却することによって、窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,01質量以上05質量以下,006質量以上032質量以下含んでなり、β-Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7REは希土類金属として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くである本実施形態の窒化珪素質焼結体を得ることができる。また、比率I1/I0が4以上である本実施形態の窒化珪素質焼結体を得るには、最高温度を保持した後の降温速度を500°C/時間以上550°C/時間以下で冷却すればよい。また、粒界相中に、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物とを含み、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触している本実施形態の窒化珪素質焼結体を得るには、窒化珪素の粉末および添加成分を構成する上記各粉末に、焼成後に第1金属の珪化物および第2金属の珪化物となる、それぞれの金属,酸化物,珪化物等の少なくともいずれか1種からなる粉末とを添加して、混合装置を用いて水とともに湿式混合し、粉砕してスラリーを作製すればよい。そして、スラリーを作製した後は、上述した方法と同じ方法で作製することにより、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物とを含み、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触している本実施形態の窒化珪素質焼結体を得ることができる。また、粒界相にカルシウムを含んでなる白状斑点が存在している本実施形態の窒化珪素質焼結体を得るには、窒化珪素の粉末および添加成分を構成する上記各粉末に、酸化カルシウムの粉末を、例えば、025質量以上06質量以下添加して、混合装置を用いて、水とともに湿式混合し、粉砕してスラリーを作製すればよい。そして、スラリーを作製した後は、上述した方法と同じ方法で作製することにより、カルシウムを含んでなる白状斑点が粒界相に存在している窒化珪素質焼結体を得ることができる。また、円相当径が2μm以上50μm以下の白状斑点が、1mm2当たり550個以上1650個以下存在する窒化珪素質焼結体を得るには、混合装置による混合粉砕時間を例えば24時間以上72時間以下とすればよい。次に、本実施形態の回路基板10の製造方法について説明する。図2に示す例の回路基板10を得るには、まず、X方向の長さが20mm以上200mm以下であり、Y方向の長さが10mm以上120mm以下であり、厚みが02mm以上10mm以下である支持基板11を上述した製造方法により準備する。次いで、この支持基板11の両主面上に、接合層14a,14bとなる、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選ばれる1種以上を含有する銀Ag-銅Cu系合金のペースト状のろう材を、スクリーン印刷法,ロールコーター法および刷毛塗り法等のいずれかで塗布し、第1主面側に銅を主成分とする回路部材12a,12bを、第2主面側に銅を主成分とする放熱部材13を配置する。上記ペースト状のろう材には、モリブデン,タンタル,オスミウム,レニウムおよびタングステンから選ばれる1種以上を含有させてもよい。その後、真空雰囲気中、800°C以上900°C以下で加熱し、同時に30MPa以上の圧力を加えることによって、支持基板11の第1主面側に回路部材12a,12bを、第2主面側に放熱部材13をそれぞれろう材14a,14bを介して接合してなる回路基板10を得ることができる。また、図3,4に示す例の回路基板10を得るには、まず、上述した大きさの支持基板11を準備する。次いで、この支持基板11の両主面上に、接合層14a,14bとなる、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選ばれる1種以上を含有する銀Ag-銅Cu系合金のペースト状のろう材を、スクリーン印刷法,ロールコーター法および刷毛塗り法等のいずれかで塗布する。上記ペースト状のろう材にも、モリブデン,タンタル,オスミウム,レニウムおよびタングステンから選ばれる1種以上を含有させてもよい。そして、ろう材上に薄状の銅材15a,15bをそれぞれ配置する。その後、800°C以上900°C以下で加熱して、支持基板11の第1主面側に接合層14aを介して銅材15aを、第2主面側に接合層14bを介して銅材15bを接合する。そして、銅材15a,15bがそれぞれ回路部材12a,12bおよび放熱部材13と対向する面を研磨した後、銅材15a,15b上に回路部材12a,12bおよび放熱部材13をそれぞれ配置する。そして、水素,窒素,ネオンまたはアルゴンのいずれかから選ばれる雰囲気中、300°C以上500°C以下で加熱し、同時に30MPa以上の圧力を加えることによって、支持基板11の第1主面側に回路部材12a,12bを、第2主面側に放熱部材13をそれぞれ接合層14a,14b、銅材15a,15bを順次介して接合してなる回路基板10を得ることができる。以下、本実施形態の実施例を具体的に説明するが、本実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。まず、β化率が10即ち、α化率が90である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウムMgO,表1に示す希土類金属の酸化物,酸化アルミニウムAl2O3および硼酸H3BO3の各粉末とを用いて、表1に示す含有量となるように秤量し、回転ミルを用いて湿式混合し、粒径D90が1μm以下となるまで粉砕してスラリーとした。次に、得られたスラリーに有機バインダを加えた後、ASTME11-61に記載されている粒度番号が250のメッシュの篩いに通した後に噴霧乾燥機を用いて乾燥させることによって、窒化珪素質顆粒を得た。そして、粉末圧延法を用いて、窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断し、平板状の窒化珪素質成形体を得た。次に、得られた窒化珪素質成形体を相対密度が75である窒化珪素質焼結体からなるこう鉢の内部に入れた。なお、このとき、酸化マグネシウムおよび希土類金属の酸化物等の成分を含んだ共材を、窒化珪素質成形体の各質量の合計に対して6質量の量で窒化珪素質成形体の周囲に配置した状態で、黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成した。焼成条件については、室温から500°Cまでは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を100kPaに維持した。そして、焼成炉内の温度を上げて1580°Cで4時間保持した後、さらに温度を上げて1750°Cとして、5時間保持した。そして、表1に示す降温速度で冷却することによって、長さが60mm,幅が30mm,厚みが032mmの窒化珪素質焼結体である試料No.1~52を得た。そして、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素の各酸化物の含有量をエネルギー分散型X線分光法によって求めた。表1に、各酸化物の含有量を示す。また、組成式がRE4Si2N2O7で表される成分の同定を粉末X線回折法を用いて行なった。そして、X線回折法によって得られた結果を基に、、PDF登録商標Number00-033-1160で示されるカードと照合して、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の最も高い強度を第1のピーク強度I0とした。また、表1に記載したPDF登録商標Numberで示されるカードと照合して、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の最も高い強度を第1のピーク強度I1とした。なお、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0および回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1は、粉末X線回折法によって得られた回折強度曲線からバックグラウンド強度を除去した値である。そして、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1とを用いて比率I1/I0を算出し、算出値を表1に示した。また、各試料の厚み方向における熱拡散率αを、レーザフラッシュによる2次元法によって熱定数測定装置アルバック理工株製、TC-7000を用いて、各試料の比熱容量Cを、示唆走査熱量法DSC法によって超高感度型示差走査熱量計セイコーインスツルメンツ株製、DSC-6200を用いて、また、各試料のかさ密度ρkg/m3をJISR1634-1998に準拠してそれぞれ測定した。そして、これらの方法によって求められた値を以下の式に代入して、各試料の厚み方向における熱伝導率κW/mKをそれぞれ算出し、その値を表1に示した。κ=αCρまた、各試料の絶縁耐力を評価するために、各試料の絶縁破壊の強さMV/mをJISC2141-1992IEC67221980に準拠して測定し、その値を表1に示した。なお、各試料に形成する電極の材質は黄銅とし、各試料の周囲媒質としてシリコーン油を用いた。また、窒化珪素質焼結体の機械的特性を評価するために、各試料の作製に用いた窒化珪素質顆粒を乾式加圧成形法により、角柱状に成形した後、上述した焼成条件で焼成し、JISR1601-2008ISO17565:2003MODに準拠して、長さが36mm,幅が4mm,厚みが3mmの角柱体における3点曲げ強度MPaを測定し、その値を表1に示した。表1に示す通り、試料No.2,4,6,8,10~14,16,18,20,21,22,23,25,27,29,31~35,37,39,41,43~52は、窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量以上6質量以下,12質量以上16質量以下,01質量以上05質量以下,006質量以上032質量以下含んでなり、β-Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°~28°におけるβ-Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°~35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率I1/I0が20以下但し、0を除くであることから、絶縁破壊の強さが18MV/m以上であり、熱伝導率が50W/mK以上であり、3点曲げ強度が740MPa以上であった。この結果から、本実施形態の窒化珪素質焼結体は、RE4Si2N2O7の結晶化に伴う体積収縮は小さく、粒界相内に隙間は生じにくいことから、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体であることがわかった。また、試料No.2,4,6,8,10~14,16,18,20,21,22,23,25,27,29,31~35,37,39,41,43~52の窒化珪素質焼結体を支持基板として用いて、ろう材を介して、支持基板の第1主面側に回路部材を、第1主面に対向する第2主面側に放熱部材をそれぞれ設けてなる回路基板を作製したところ、支持基板の絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有していることから、信頼性の高い回路基板とできることがわかった。また、このように優れた本実施形態の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載したところ、信頼性の高い電子装置とできることがわかった。実施例1で作製した試料No.10~13,31~34を大気雰囲気中で、1500°Cで保持した状態でJISR16042008に準拠して3点曲げ強度を測定した。その測定値を表2に示す。表2に示す通り、試料No.10~12,31~33は、比率I1/I0が4以上であることから、融点の高い、組成式がRE4Si2N2O7として示される成分が粒界相に占める比率が増すこととなり、高温における3点曲げ強度の値が高くなっており、機械的特性に優れる窒化珪素質焼結体となることがわかった。まず、β化率が10即ち、α化率が90である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウムMgO,表3に示す希土類金属の酸化物,酸化アルミニウムAl2O3,硼酸H3BO3,表3に示す鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物の粉末ならびに表3に示すモリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物の各粉末とを、回転ミルを用いて湿式混合し、粒径D90が1μm以下となるまで粉砕してスラリーとした。ここで、上記各粉末の含有量は、窒化珪素質焼結体におけるマグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素の各含有量が酸化物換算でそれぞれ4質量,14質量,03質量,02質量となるように、また、第1金属の含有量の合計および第2金属の含有量の合計が珪化物換算でそれぞれ04質量,5質量となるように、それぞれ秤量した。ただし、試料No.53,71は、第2金属の珪化物の粉末を添加していない。次に、得られたスラリーに有機バインダを加えた後、ASTME11-61に記載されている粒度番号が250のメッシュの篩いを通した後に噴霧乾燥機を用いて乾燥させることによって、窒化珪素質顆粒を得た。そして、この窒化珪素質顆粒を、乾式加圧成形法を用いて、先端部が円錐形である円柱状の窒化珪素質成形体を作製した。そして、以降の製造方法としては、実施例1と同様の方法で行なうことにより、長さが75mm,直径が75mmの円柱状の窒化珪素質焼結体である試料No.53~88を得た。なお、降温速度は、500°C/時間とした。そして、マグネシウム,希土類金属,アルミニウム,硼素の各酸化物、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物について、粉末X線回折法を用いて同定するとともに、エネルギー分散型X線分光法によって添加時の成分組成と含有量が同じであることを確認した。なお、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素の酸化物は、それぞれMgO,RE2O3,Al2O3,B2O3として算出して確認した。また、第1金属の珪化物は、第1金属が鉄である場合はFeSi2、銅である場合はCuSi2として算出して確認した。また、第2金属の珪化物は、第2金属がモリブデン,クロム,ニッケル,マンガン,タングステンである場合には、それぞれMoSi2,CrSi2,NiSi2,MnSi2,WSi2として算出して確認した。また、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触している状態は、断面の面積が001mm2の領域にX線マイクロアナライザーを用いて電子線を照射して、この領域における各元素から発生する特性X線を検出することにより、元素を同定して、特性X線の強度に応じてマッピングすることにより確認し、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触していることが認められる試料は◎を、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触していることが認められない試料は○を表3に示した。そして、各試料の耐熱衝撃性をJISR1648-2002に記載された試験装置および器具を用いて評価し、試料にクラックが確認されたときの水温との温度差を表3に示した。なお、クラックの有無については、耐熱衝撃試験前後にJISZ2343-1-2001に準拠して確認した。表3に示す通り、試料No.54~70,72~88は、粒界相中に、鉄および銅の少なくともいずれか1種からなる第1金属の珪化物と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物とを含み、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触していることから、第1金属の珪化物は、高温の環境下で破壊源となるおそれのある第2金属の珪化物に集中する応力を分散して緩和することができるため、第1金属の珪化物と第2金属の珪化物とが接触していない試料No.53,71よりも耐熱衝撃性が高くなっていることがわかった。特に、試料No.58,59,65,70,76,77,83,88は、第1金属および第2金属がそれぞれ鉄,タングステンであり、それぞれの珪化物の結晶構造が近似しているために接触する確率が増加することにより、耐熱衝撃性をさらに高くできることがわかった。実施例3の試料No.54と同じ添加成分組成とし、酸化カルシウムの添加量を異ならせた窒化珪素質焼結体を実施例3と同様の方法で作製した。なお、酸化カルシウムの添加量は、試料No.90=025質量、試料No.91=050質量、試料No.92=06質量とした。そして、各試料について、光学顕微鏡を用いて50倍の倍率において暗視野で観察するとともに、光学顕微鏡を用いて観察した領域と同じ領域に、X線マイクロアナライザーを用いて電子線を照射し、この領域から発生するカルシウム固有の波長およびこの波長の強度の情報をX-Y座標に記録したマッピングと、光学顕微鏡で観察した白状斑点の位置とを照合することにより、試料No.90~92にカルシウムを含んでなる白状斑点が確認された。次に、ICP発光分析法によって、窒化珪素質焼結体におけるカルシウムの含有量を求めた。また、前述したマッピングを用いて、マッピングと光学顕微鏡で観察した画像とで照合した白状斑点の位置に存在するカルシウムの面積比率を算出し、この白状斑点に存在するカルシウムの面積比率に窒化珪素質焼結体におけるカルシウムの含有量を乗じることによって、白状斑点に含まれるカルシウムの含有量を求め、その値を表4に示した。そして、実施例1に示した方法と同じ方法で各試料の厚み方向における熱伝導率κW/mKをそれぞれ算出し、その値を表4に示した。表4に示す通り、試料No.90~92は、カルシウムを含んでなる白状斑点が粒界相に存在していることから、カルシウムを含んでなる白状斑点が粒界相の存在しない試料No.89よりも熱伝導率が高くなっており、放熱特性を向上できることがわかった。実施例3の試料No.72と同じ添加成分組成とし、酸化カルシウムの添加量を025質量とし、混合装置による混合粉砕時間を表5に示す時間として、他の製造方法は実施例3と同様の方法で窒化珪素質焼結体を作製した。そして、各試料について、円相当径が2μm以上50μm以下の白状斑点の1mm2当たりの個数を確認した。まず、光学顕微鏡を用いて100倍の倍率で、面積が1125mm2横方向の長さが1238mm、縦方向の長さが0909mmとなるように範囲を設定し、CCDカメラでこの範囲の画像を取り込み、画像解析ソフトA像くん登録商標、旭化成エンジニアリング株製を用いて、粒子解析という手法で解析した。このとき、設定条件としては、明度を暗、2値化の方法を手動、小図形除去面積を5μm2、画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の各点各ピクセルが有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の08倍以上2倍以下に設定して行ない、結果を表5に示した。また、実施例1に示した方法と同じ方法で各試料の厚み方向における熱伝導率κW/mKをそれぞれ算出し、その値を表5に示した。さらに、各試料の絶縁抵抗を評価するために、各試料の両主面上に、チタンおよびモリブデンを含有する銀Ag-銅Cu系合金のペースト状のろう材を、スクリーン印刷法で塗布し、ろう材上に薄状の銅材をそれぞれ配置した。その後、真空雰囲気中、840°Cで加熱して、ろう材からなる接合層を介して各試料の両主面に銅材を接合した。そして、この銅材を電極として、各試料の絶縁抵抗を測定し、結果を表5に示した。表5に示す通り、円相当径が2μm以上50μm以下のカルシウムを含んでなる白状斑点が1mm2当たり550個以上1650個以下存在している試料No.94~96は、絶縁抵抗値および熱伝導率が高い結果を得られており、絶縁耐力が高く、放熱特性を向上させた窒化珪素質焼結体とできることがわかった。"