一般式:式中、R1は、水素またはアルキル基を表し、およびR2は、水素またはアルキル、アルコキシもしくはジアルキルアミノアルコキシ基を表す。の5-アミノ-ベンゾイル-ベンゾフラン誘導体の調製方法であって、一般式:式中、R1およびR2は上と同じ意味を有する。の5-ニトロベンゾフラン誘導体を水素移動剤によって、触媒としてのパラジウム炭素の存在下でおよび溶媒としてのエーテルまたはエーテルの混合物中で還元して、このことにより所望の化合物を生成することを特徴とする、前記調製方法。一般式:式中、R1は、水素またはアルキル基を表し、R2は、水素またはアルキル、アルコキシもしくはジアルキルアミノアルコキシ基を表し、およびR3はアルキル基を表す。のスルホンアミドベンゾフラン誘導体およびこれの医薬として許容される塩の調製方法であって:a一般式:式中、R1およびR2は上と同じ意味を有す。の5-ニトロベンゾフラン誘導体を水素移動剤によって、触媒としてのパラジウム炭素の存在下でおよび溶媒としてのエーテルまたはエーテルの混合物中で還元し、遊離塩基形の一般式:式中、R1およびR2は上と同じ意味を有する。の5-アミノ-ベンゾイル-ベンゾフラン誘導体を含む反応媒体を生成して、b遊離塩基形の上で得た式Iの5-アミノ-ベンゾイル-ベンゾフラン誘導体を含む反応媒体を一般式:Hal-SO2-R3IV式中、Halはハロゲンを表し、およびR3は上と同じ意味を有する。のハロゲン化物によって塩基性剤の存在下で処理して遊離塩基形の所望の化合物を得て、必要な場合、所望の化合物を有機酸または無機酸と反応させて、この所望の化合物の医薬として許容される塩を生成することを特徴とする、前記方法。請求項1または2に記載の方法であって:R1が直鎖または分枝C1-C8アルキル基を表し、R2が直鎖または分枝C1-C8アルキル基、直鎖または分枝C1-C8アルコキシ基または各直鎖もしくは分枝アルキル基がC1-C8アルキル基であり、および直鎖もしくは分枝アルコキシ基がC1-C8アルコキシ基であるジアルキルアミノアルコキシ基を表し、R3が直鎖または分枝C1-C8アルキル基を表すことを特徴とする、前記方法。請求項1または2に記載の方法であって:R1が直鎖または分枝C1-C4アルキル基を表し、R2が直鎖または分枝C1-C4アルキル基、直鎖または分枝C1-C4アルコキシ基または各直鎖もしくは分枝アルキル基がC1-C4基であり、および直鎖もしくは分枝アルコキシ基がC1-C4基であるジアルキルアミノアルコキシ基を表し、R3が直鎖または分枝C1-C4アルキル基を表すことを特徴とする、前記方法。R1がn-ブチルを表し、R2が3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシを表し、およびR3がメチルを表すことを特徴とする、請求項1から4の一項に記載の方法。水素移動剤がギ酸塩またはホスフィン酸塩であることを特徴とする、請求項1から5の一項に記載の方法。ギ酸塩がギ酸アンモニウムであり、およびホスフィン酸塩がホスフィン酸ナトリウムであることを特徴とする、請求項6に記載の方法。水素移動剤が式IIの化合物に対して過剰量で使用されることを特徴とする、請求項1から7の一項に記載の方法。水素移動剤が式IIの化合物1当量に付き5当量の割合で使用されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。エーテルがジアルキルエーテル、環式エーテルまたはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項1から9の一項に記載の方法。ジアルキルエーテルがメチルtert-ブチルエーテルであり、および環式エーテルがテトラヒドロフランであることを特徴とする、請求項10に記載の方法。還元が周囲温度から50°C-60°Cの温度範囲にて行われることを特徴とする、請求項1から11の一項に記載の方法。2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-アミノベンゾフランの調製のための、請求項1および3から12の一項に記載の方法であって、2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-ニトロベンゾフランを水素移動剤としてのギ酸アンモニウムまたはホスフィン酸ナトリウムによって、触媒としてのパラジウム炭素の存在下および溶媒としてのメチルtert-ブチルエーテルまたはメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物の中で還元して、遊離塩基形の2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-アミノベンゾフランを生成することを特徴とする、前記方法。2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-メタンスルホンアミドベンゾフラン即ちドロネダロンおよびこれの医薬として許容される塩の調製のための、請求項2および3から12の一項に記載の方法であって:a2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}-ベンゾイル-5-ニトロベンゾフランを水素移動剤としてのギ酸アンモニウムまたはホスフィン酸ナトリウムによって、触媒としてのパラジウム炭素の存在下および溶媒としてのメチルtert-ブチルエーテルまたはメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物の中で還元して、遊離塩基形の2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}-ベンゾイル-5-アミノベンゾフランを生成し、b上で得た遊離塩基形の2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-アミノベンゾフランを含む反応媒体をメタンスルホニルハロゲン化物によって塩基性剤の存在下で処理して塩基性形のドロネダロンを得て、必要な場合、ドロネダロンを有機酸または無機酸と反応させてドロネダロンの医薬として許容される塩を生成することを特徴とする、前記方法。a一般式:式中、R1は、水素またはアルキル基を表し、およびR2は、水素またはアルキル、アルコキシもしくはジアルキルアミノアルコキシ基を表す。の5-ニトロベンゾフラン誘導体、c水素移動剤、dパラジウム炭素、e溶媒としてのエーテルまたはエーテルの混合物で生成されていることを特徴とする、反応媒体。R1がn-ブチルを表し、およびR2が3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシを表すことを特徴とする、請求項15に記載の反応媒体。本発明の第1の主題により、式Iの5-アミノベンゾフラン誘導体は、一般式:式中、R1およびR2は上と同じ意味を有する。の5-ニトロベンゾフラン誘導体を水素移動剤によって、触媒としてのパラジウム炭素の存在下および溶媒としてのエーテルまたはエーテルの混合物中で還元して、このことにより所望の生成物を生成することによって調製することができる。上の式IIにおいて、R1は好ましくはn-ブチルを表し、R2は好ましくは3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシを表す。加えて、別の本発明の主題により、本発明は、一般式:式中、R1およびR2は上と同じ意味を有し、R3はアルキル基を表す。のスルホンアミドベンゾフラン誘導体およびこれの医薬として許容される塩の調製方法に関し、この方法に従って:a式IIの5-ニトロベンゾフラン誘導体を水素移動剤によって触媒としてのパラジウム炭素の存在下および溶媒としてのエーテルまたはエーテルの混合物中で還元して、遊離塩基形の上の式Iの5-アミノ-ベンゾイル-ベンゾフラン誘導体を含む反応媒体を生成し、b上で得られた遊離塩基形の式Iの5-アミノ-ベンゾイル-ベンゾフラン誘導体を含む反応媒体を一般式:Hal-SO2-R3IV式中、Halは、ハロゲン、例えば塩素を表し、R3は上と同じ意味を有する。のハロゲン化物によって塩基性剤の存在下で処理して遊離塩基形の所望の化合物を得て、必要な場合、所望の化合物を有機酸または無機酸と反応させて、この所望の化合物の医薬として許容される塩を生成する。続いて、式IIIの化合物の医薬として許容される塩をこれの生成媒体から、例えば結晶化によって回収することができる。上の式IIIにおいて、R3は、特に直鎖または分枝C1-C8アルキル基、特に直鎖または分枝C1-C4アルキル基、例えばメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチルまたはtert-ブチルを表し、好ましくは、上の式IIIにおいて、R1はn-ブチルを表し、R2は3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシを表し、R3はメチルを表す。本発明による水素移動還元は、この種の反応が一般にアルコール中で行われる技術水準とは対照的に、通常、溶媒としてのエーテルまたはエーテルの混合物中で行われる。エーテルまたはエーテルの混合物中でのこのような還元により、同様に存在して、これ自体も還元されてアルコールを与えることが可能なケトン官能基が犠牲となって、ニトロ官能基の特に重要な化学選択性が実現される。結果としてニトロ官能基のこの選択的還元によって、特に塩基性形で得られたこの化合物の、単離が行われるあらゆる方法における、特に化合物の生成媒体から容易に分離できる塩への変換による、式Iの化合物の単離が避けられる。溶媒として使用されるエーテルは通常、ジアルキルエーテル、例えばメチルtert-ブチルエーテルまたは環式エーテル、例えばテトラヒドロフランであるが、エーテルの混合物は一般に、ジアルキルエーテルおよび環式エーテルの混合物、例えばメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物に相当する。メチルtert-ブチルエーテルは、特に化合物Aの、続いてドロネダロンの調製のために、本発明の文脈において特に好ましい溶媒となる。通常、水素移動剤はギ酸塩、好ましくはギ酸アンモニウムまたはホスフィン酸塩、特にホスフィン酸ナトリウムである。この水素移動剤は式IIの化合物に対して過剰量で使用され、この過剰量は、式IIの化合物1当量に付き水素移動剤3から5当量またはこれ以上に達する可能性がある。好ましくは、式IIの化合物1当量に付き水素移動剤5またはおよそ5当量、例えばある体積の水に溶解された水素移動剤例えば5またはおよそ5当量が使用される。特に、例えばある体積の水に溶解されたギ酸アンモニウム5当量が使用される。還元は周囲温度にて行うことができる。しかし還元は一般に、反応媒体を例えば50°Cから60°Cまでの範囲の温度にて、好ましくはほぼ40°Cの温度にて、特に40°Cにて加熱することによって行われる。本発明の詳細な態様の1つにより、本発明は加えて2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-アミノベンゾフランの調製方法に関し、この方法により2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-ニトロベンゾフランを、水素移動剤としてのギ酸アンモニウムまたはホスフィン酸ナトリウムによって、触媒としてのパラジウム炭素の存在下および溶媒としてのメチルtert-ブチルエーテルまたはメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物の中で還元して、遊離塩基形の2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-アミノベンゾフランを含む反応媒体を生成する。さらに、本発明の別の詳細な態様により、本発明は、2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-メタンスルホンアミドベンゾフラン即ちドロネダロンおよびこれの医薬として許容される塩の調製方法に関し、この方法により:a2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-ニトロベンゾフランを、水素移動剤としてのギ酸アンモニウムまたはホスフィン酸ナトリウムによって、触媒としてのパラジウム炭素の存在下および溶媒としてのメチルtert-ブチルエーテルまたはメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物の中で還元して、遊離塩基形の2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-アミノベンゾフランを含む反応媒体を生成し、b上で得た遊離塩基形の2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-アミノベンゾフランを含む反応媒体をメタンスルホニルハロゲン化物によって塩基性剤の存在下で処理して塩基性形のドロネダロンを得て、必要な場合、ドロネダロンを有機酸または無機酸と反応させてドロネダロンの医薬として許容される塩を生成する。続いて、ドロネダロンの医薬として許容される塩は、これの生成媒体から例えば結晶化によって回収することができる。先の記述を考慮して、式IIの5-ニトロベンゾフラン誘導体、水素移動剤、パラジウム炭素および溶媒としてのエーテルまたはエーテルの混合物によって生成された組合せは、多様な化合物、特に上の式Iの化合物および式IIIの化合物の調製のための反応媒体として特に有益であることが判明している。結果として、本発明の別の主題は、反応媒体であって:a式IIの5-ニトロベンゾフラン誘導体、特に式IIの誘導体式中、R1はn-ブチルを表し、R2は3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシを表す。、b水素移動剤、例えばギ酸アンモニウムまたはホスフィン酸ナトリウム、cパラジウム炭素、d溶媒としてのエーテル、例えばメチルtert-ブチルエーテルまたはエーテルの混合物、例えばメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物で生成されていることを特徴とする反応媒体に関する。以下の非制限的な実施例は、本発明の方法による式Iの化合物の調製と、ドロネダロンの合成における化合物の使用についても例証する。a2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}-ベンゾイル-5-アミノベンゾフラン化合物Aまたは式Iの化合物:R1=n-C4H9;R2=3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ2-n-ブチル-3-4-{3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ}ベンゾイル-5-ニトロベンゾフラン式IIの化合物の30溶液3.33kgおよび無水パラジウム炭素Pd/C0.05kgを5l反応装置に周囲温度にて加える。合せた混合物を撹拌しながら40°Cまで加熱して、次にギ酸アンモニウム0.62kg5当量の水0.62kgによる溶液をおよそ2時間にわたって添加する。反応媒体の温度を次に40°C/-2°Cにて15時間維持して、同時に反応の進行を液体クロマトグラフィーによって監視する。還元が完了したらただちに、混合物を23°C/-2°Cまで冷却して、次にパラジウム炭素を濾過除去し、次にメチルtert-ブチルエーテルおよび水で洗浄する。次に沈降による分離を周囲温度にて行い、有機相を水で洗浄する。続いて、沈降および洗浄によるこのような分離操作を1回反復する。沈降によるさらなる分離を行い、溶液を真空下で40°Cにて濃縮する。続いて濃縮物をテトラヒドロフランで希釈すると、所望の化合物のメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物による溶液3.47kgが得られる。推定収率:99bドロネダロン塩酸塩式IIIの化合物の塩酸塩:R1=n-C4H9;R2=3-[ジn-ブチルアミノ]プロポキシ;R3=CH3上で得た化合物Aのメチルtert-ブチルエーテルおよびテトラヒドロフランの混合物による溶液3.47kgを5l反応装置に周囲温度にて加える。続いてメタンスルホニルクロリドを撹拌しながら1時間にわたって添加し、この間、反応媒体の温度を30°C以下に維持する。25°Cまで冷却して、次にアンモニア水溶液を流し込み、反応媒体の温度を25°Cに維持する。反応終了を液体クロマトグラフィーによって監視する。次に水およびメチルtert-ブチルエーテルを反応媒体に添加し、30°Cに維持して、撹拌を15分間維持する。沈降による分離の後、有機相を最初に食塩水溶液によって洗浄する。撹拌を28°Cにて10分間維持して、次に沈降による分離を行い、有機相を真空下45°Cにて濃縮する。次にイソプロパノールを添加して、溶液を真空下50°Cにて濃縮する。イソプロパノールを再度添加して、溶液を再度、真空下50°Cにて濃縮する。反応媒体をイソプロパノール2.03kgの添加により調整すると、塩基形の所望の化合物のイソプロパノール溶液3.62kgが得られる。この溶液を50°Cまで加熱して、次に塩酸0.225kgを反応媒体に添加し、50°Cから55°Cの温度に維持して、次にドロネダロン塩酸塩を反応媒体に添加することより所望の塩酸塩の結晶化を開始させる。続いて生成物を濾過除去して、濾過ケーキをイソプロパノールで洗浄すると、所望の塩酸塩が得られ、この塩酸塩を真空下45°Cにて乾燥させて、ドロネダロン塩酸塩1.12kgを得る。全収率化合物Iに対して:96本発明による方法は、特許EP0471609または特許国際公開WO2002/048078に記載された方法と比較して、明白な利点を呈している。これは式IIの化合物のニトロ官能基を標準の反応装置内で還元することができるためであり、標準の反応装置では、水素添加装置内のように圧力下にて水素を用いて操作する必要が避けられる。さらに、塩基形の式Iの化合物の品質の著しい改善が見出されているのは、生成される多様な不純物の数と量が減少していることが記録されているためである。調製単離操作は工業規模では多くの問題をもたらしているが、このような利点によって、式Iの化合物のシュウ酸塩の調製および単離を避けることができる。加えて、特許EP0471609の薬理学的に活性なアミノアルコキシベンゾイル-ベンゾフラン誘導体の調製方法および特に上の式IIIの化合物の調製方法における、式Iの単離されていない化合物の使用により、この方法の収率を著しく改善することができる。ドロネダロンの具体的な事例では、ドロネダロンの対応する5-ニトロベンゾフラン誘導体から開始したドロネダロンの合成の全収率は、技術水準による60から本発明の化学選択的方法の使用により95まで上昇する。この改善は特に、式Iの化合物のシュウ酸塩の単離が行われないことおよびこれに関連する損失が関係している。