自然放射線環境に対する電子コンポーネント1の感受性を特性化するための方法であって、この方法は、エネルギー、入射角および/または経路など、データ入射ビームまたは粒子の特性について、それを越えると前記コンポーネントにとって破壊的である事象が発生する電圧SOA領域が決定され、前記決定されたSOA電圧内の最高電圧と同様の動作条件下で、前記電子コンポーネントが、前記入射ビームまたは粒子の特性を用いて励起され、したがってオンにされ、増幅過渡事象の有効セクションが決定され、この有効セクションは、前記コンポーネントにとって破壊的である現象の推定値に対応し、前記粒子または前記ビームの特性が修正され、前記コンポーネントの励起が繰り返され、前記有効セクションが、特性に対する各修正について決定されることを特徴とする方法。効率的セクションの決定中に、テスト条件が前記コンポーネントに適用され、前記条件は、分極、頻度など動的な動作条件、デューティサイクル比、または温度など環境条件である、請求項1に記載の方法。あるコンポーネントのSOA電圧範囲を決定するために、前記コンポーネントの出力電極の電流を変化させる電気特性が、前記コンポーネントが遮断状態にあるとき、前記出力電極に印加された電圧に基づいて決定される、請求項2に記載の方法。前記コンポーネントが動作故障を許容する故障の確率が、前記決定された有効セクションから測定される、請求項1~3の1項に記載の方法。前記励起は、レーザ放射、粒子加速器、または電荷を注入する任意の他の手段を使用して実施される、請求項1~4の1項に記載の方法。前記破壊的な事象は、SEB、ラッチアップ、または寄生バイポーラ構造をトリガする、および/もしくは維持メカニズムをトリガする、および/もしくは電流を増幅する危険がある任意の他の現象である、請求項1~5の1項に記載の方法。有効解決策の推定値が予測コードへの入力として使用される、請求項1~6の1項に記載の方法。前記予測コードは、SMCDASIE予測コードである、請求項7に記載の方法。請求項1~8の1項に記載の前記方法を実施するための適切な手段を備えるテスト装置。本発明の目的は、破壊メカニズムに対する電力コンポーネントの感受性を特性化するための方法を使用することを提案することによって、この問題を克服することである。この意味において、本発明は、電子コンポーネント特性化システムと、テスト方法、またおそらくは結果の精度を改善するために、レーザテスト手段と、他のタイプの粒子の結果を推測するために、放射を予測するためのコードとの組み合わされた使用法を提供する。本発明は、コンポーネントがSOAと呼ばれる安全な領域内にあるテスト条件のために、破壊的な事象に対する感受性を特性化することを可能にする。この破壊的事象解析は、前兆過渡事象の解析に基づくものである。したがって、本発明は、自然放射線環境に対する電子コンポーネントの感受性を特性化するための方法であって、-電子コンポーネントがオンにされる、方法において-エネルギーおよび/または入射角および/または経路および/またはその他など、所与の入射ビームまたは粒子の特性について、それを越えるとコンポーネントにとって破壊的である事象が発生し得るSOA電圧範囲が決定され、-決定されたSOA電圧内の最高電圧と同様の動作条件下で、電子コンポーネントが、入射ビームまたは粒子の特性を用いて励起され、したがってオンにされ、-増幅過渡事象の有効セクションが決定され、この有効セクションは、前記コンポーネントにとって破壊的である現象の推定値に対応し、-前記粒子または前記ビームの特性が修正され、前記コンポーネントの励起が繰り返され、-有効セクションが、特性に対する各修正について決定される方法に関する。本発明は、以下の特性のいずれか1つを含む。-有効セクションを決定するとき、テスト条件が前記コンポーネントに適用され、前記条件は、分極、頻度frequencyなど動的な動作条件、デューティサイクル比、または温度など環境条件であり、-コンポーネントのSOA電圧範囲を決定するために、コンポーネントが遮断状態にあるとき、前記コンポーネントの出力電極の電流を変化させる電気特性を、前記出力電極に印加された電圧に基づいて決定し、-決定された有効セクションから、コンポーネントが動作故障を許容する故障の確率を測定し、-レーザ放射を使用して、または粒子加速器もしくは電荷を注入する任意の他の手段により励起が実施され、-破壊現象は、SEB、ラッチアップ、または寄生バイポーラ構造をトリガする、および/もしくは維持メカニズムをトリガする、および/もしくは電流を増幅する危険がある任意の他の現象であり、-予測コードを入力することによって有効セクションの推定値を使用し、-予測コードは、SMCDASIEのような予測コードである。また、本発明の目的は、上述の方法を実施することが可能な手段を備えるテスト装置である。本発明は、以下の説明を読み、添付の図を検討すれば、よりよく理解される。これらは、例示のためだけに提供されており、本発明を限定しない。本発明の一実施形態によれば、電力コンポーネントの感受性の特性化は、2つのステップで実施される。第1のステップは、破壊的な事象が所与の特性の粒子または放射を受けた電力コンポーネント内で生じ得る電圧範囲の特性化である。この電圧範囲は安全動作領域を表すSOAと呼ばれる。SOA電圧範囲は、コンポーネントが所与の特性エネルギー、材料内の経路などを含むの粒子または放射を受けたとき破壊的な故障または破壊現象を有さない電圧の間隔である。この電圧範囲は、入射放射線または粒子の特性についてコンポーネントが破壊的な故障を有さない最高電圧を表すVSOA電圧に制限される。パワーMOSFETトランジスタについてあるレベルのドレインソース分極の上方では、粒子の特性と電力コンポーネント内の電気的条件との組合せは、なだれ増幅メカニズムがトリガされる可能性があり、それらがコンポーネントの電気的な、次いで熱的な破壊点に達するまで維持されるようなものになる。第2のステップは、なだれ現象が発生する確率の特性化である。この現象が発生するこの確率は、粒子の特性に、また分極、頻度、温度、動的な性能などを含めてコンポーネントに与えられるテスト条件によって決まる。SEBシングルイベントバーンアウト寄生電流の維持、およびラッチアップまたはSELシングルイベントラッチアップと呼ばれる寄生サイリスタのトリガなど、電力コンポーネントの破壊現象は、コンポーネントが遮断状態にあるとき、またはスイッチング時だけにトリガされる。例として、そのような状態にあるゲート電圧は、NチャネルパワーMOSトランジスタについて、ゼロまたは負である。破壊現象が生じ得る電圧範囲を特性化するためには、コンポーネントが遮断状態にあるとき、前記コンポーネントの出力電極の電流を変化させる電気特性を、前記出力電極に印加された電圧に基づいて決定することが必要である。パワーMOSFETトランジスタの場合、ドレイン電流に対する変動が、ゲートソース電圧がゼロまたは負のとき、ドレインソース電圧に基づいて決定される。IGBTの場合、コレクタ電流に対する変動が、ゲートソース電圧がゼロまたは負のとき、コレクタの電圧に基づいて決定される。同様に、他のタイプの電力コンポーネントダイオード、サイリスタなどについては、出力電極電流に対する変動が、その電極に印加される電圧に基づいて決定される。図5は、そのようなNチャネルパワーMOSFETトランジスタについて、ドレインソース電圧に基づくドレイン電流の変動の概略図である。このグラフ50には、放射に対する電力コンポーネントの感受性を決定するために非常に重要な2つのパラメータがある。これらの2つのパラメータは、本明細書ではVholdと呼ばれる、所与の特性を有する粒子または放射が破壊メカニズムをトリガし得る最低電圧と、BVDSと呼ばれる、それより上方でコンポーネントが電気的に降伏する電圧である。この図が示しているように、ドレインソース電圧がVhold未満であるとき、ドレイン電流の唯一可能な状態51がある。ドレインソース電圧の値がVhold値とBVDS値の間にあるとき、トランジスタは、3つの可能な状態52、53、54を有する。第1の状態は遮断状態と呼ばれ、最低値の電流である。第2の状態は不安定状態と呼ばれ、中間的な電流値である。第3の状態は高電流状態と呼ばれ、故障がトリガされた状態である。また、BVDS値は、測定において非常に有用である。ドレインソース電圧がこの値を超えたとき、電界は、破壊的な電流増幅メカニズムそれ自体をトリガするのに十分なものになる。図6は、その上方で破壊的な事象が放射または電子コンポーネントに電荷を注入する任意の他の手段レーザ、CEMなどによってトリガされ得る電圧範囲61図6における点線の変動の特性化の概略図60である。SOA電圧範囲61では、またこの粒子または電荷を注入する手段の特性については、コンポーネントにとって破壊的である事象がトリガされない可能性がある。したがって、グラフ60は、Vholdより低い電圧レベルについて症状のない挙動を有する領域内の2つの別々の領域を示す。VholdとBVDSの間で負の傾きを有する線形挙動と同様であり、コンポーネント内の粒子のLETの値またはエネルギー上に配置されたBVDS値においてx軸を切る挙動が、ゼロである。図7は、500VパワーMOS標準について、印加された電圧に基づくレーザエネルギーのレベルをもたらす実験グラフの図である。これにより、SOA電圧範囲を含めて、図6における概略図に示されている主な特性が得られる。放射についての実験によって、またレーザによって得られるBVDS値は、製造者によって提供される値とはわずかに異なる。というのは、電気的な降伏が電力セル以外の構造体に影響を及ぼす可能性があるからである。また、BVDS値電気的の変動およびBVDS値放射の変動を導入する生産ばらつきに対処することが重要である。しかし、実際にはこれらの値がかなり近いことがわかる。したがって、図6に示されているように、分極のレベルに基づいてその点から破壊的な事象がトリガされ得るLET値の、または閾値エネルギーの変動を示す特性グラフ60を、単純に2つの線64、66によってモデル化することができる。第1の線64は垂直であり、そのx軸は、Vhold維持電圧の電気特性化を実施することによって決定される。第2の線65は、明確にするために2つの点66、67を必要とする。第1の点66は、BVDS降伏電圧を電気的に特性化することによって得られる。第2の点67は、レーザを使用して、または粒子加速器テストを実施することにより、実験によって得なければならない。これらの2つの線が定義されたら、入射粒子またはレーザの特性に基づいて、それより上方で破壊的な事象がトリガされ得る閾値電圧の変動を予測することが可能である。また、他のより詳細なモデルを使用し、SEBがトリガされるのを許すLETまたは閾値エネルギーと、ドレインソース電圧またはVDSとも呼ばれるコンポーネントの分極電圧との間で予想される理論的な変動挙動を説明することができる。これらのモデルは、BVDSおよびVholdを含めて、構造体の電気特性化を知ることにより、また粒子加速器内で、またはレーザによって得られる実験点を得ることにより、決定することができる。さらに、このモデルを、SMCDASIEとして知られる予測コードなど、予測コードと対にすることができる。このSMCDASIE2次イオンの影響の簡略化されたモンテカルロ詳細分析予測コードは、2005年に11thIEEEInternationalOn-LineTestingSymposiumで公開されたG.HubertらによるAreviewofDASIEcodesfamily:contributiontoSEU/MBUunderstandingに記載された。電力コンポーネント、パワーDASIE専用のバージョンが、Methodologiedepredictiondeseffetsdestructifsdusal’environnementradiatifnaturelsurlesMOSFETsetIGBTsdepuissanceという名称のAuroreLuuの論文に提示されているトゥールーズ大学-2009年11月12日に発行された論文。このコードの様々なバージョンは、同じ原理、核データベースの使用に基づくものであり、電荷収集モデルおよび効果をトリガする基準と対にされる。レーザにより、当初未知の技術の、特定のコンポーネントについて局所的な電荷が注入されたとき、方法および感受性データが導き出される。これらのモンテカルロ計算ツールは、重イオン相互作用に、またはコンポーネントを構成するコアとの中性子または陽子の核反応に起因する可能なイオン化条件を再現する広範な相互作用から、無秩序に選択する。したがって、これらのツールは、誤りの頻度SER、シングルイベントレートを計算する。このため、この予測コードは、本発明によれば、図8a、8bに示されているように、様々なタイプの粒子間でゲートウェイ予測を実施するために使用される。これらの図で使用されている例では、重イオンの結果をDASIEパワーコードへの入力として使用し、中性子および陽子環境の感受性を予測する。一部の電力コンポーネント、より具体的には高電流定格を有するコンポーネントの場合、保護の使用にもかかわらず、放射事象の破壊的な特性を回避することは非常に困難である。粒子加速器を使用してテストが実施されるとき、十分な事象統計を有し、誤りおよび不確かさのマージンを最小限に抑えるために、同じ基準の非常に多数のコンポーネントをテストしなければならない。たとえば、統計の点では、20個の破壊されたコンポーネントは、JEDECJointElectronDeviceEngineeringCouncil放射テスト標準に従って、約30の不確かさを有する結果を生成することになる。また、本発明による方法は、良好な事象統計を得るためにいくつのサンプルが必要とされるかを概して制限する。この方法は、SOA電圧範囲内の安全領域内で実施されるテスト条件について生じる、増幅過渡事象の頻度を特性化することに基づくものである。図9a~9dは、SOA電圧範囲内外でのテスト条件についてレーザによってトリガすることができる様々なタイプの事象またはメカニズムを示す。図9a~9bおよび図9c~9dには、SOA電圧範囲内でのテスト条件について、それぞれ増幅過渡事象および非増幅過渡事象である異なる大きさを有する2つのタイプの過渡事象またはSETがある。過渡事象がSOA電圧範囲内でのテスト条件について増幅されるかどうかは、電子コンポーネント上での粒子またはレーザの衝突位置および電流維持または増幅構造の関連の、または無関連のトリガによって決まる。図9aにおける例は、このコンポーネントについて80VでSOA電圧範囲内での電圧Vholdを有する増幅過渡事象を示す。図9bにおける例は、トリガされた破壊的な事象と同じ衝突位置で、SOA電圧範囲外このコンポーネントについて200Vでの過渡事象を示す。図9cにおける例は、このコンポーネントについて80VでSOA電圧範囲内での電圧Vholdを有する非増幅過渡事象を示す。図9dにおける例は、トリガされない破壊的な事象と同じ衝突位置で、SOA電圧範囲外このコンポーネントについて200Vでの過渡事象を示す。パワーMOSFETコンポーネントの場合、放射によってトリガされる破壊メカニズムに対して最も敏感な領域は、電力コンポーネントのセルのチャネルにあること、また図10に示されているように、プラグpの領域は非常に感受性の低い領域であることが知られている。チャネル周りの領域が破壊的な事象に対して敏感である理由の1つは、そのような領域が、電力コンポーネントのソース、ウェルP、およびドレインによって形成されるバイポーラ増幅構造のトリガを促すことである。これらは、SOA電圧範囲内のテスト条件について、増幅過渡事象をトリガすることになる同じ領域である。これに対して、プラグp領域付近での衝突は、非増幅事象をトリガするにすぎない。図10は、500VのパワーMOSFETで、SEBまたは寄生電流を維持する現象に対して敏感な領域をレーザによって識別したところを示す。この図では、SOA電圧範囲内でのテスト条件について得られた増幅SETまたは過渡事象は、この前記領域の外でトリガされた破壊的な事象に直接関連付けられることがわかる。これらの増幅過渡事象が発生する確率を特性化することにより、SOA電圧範囲外での予想される破壊的な事象の発生を推定することができる。そのため、増幅SET過渡事象は、本文の残りの部分において前兆SETと呼ばれることになる。この特性化は過渡事象について実施されるので、コンポーネントに対する損傷はない。したがって、放射現象の確率的な性質に伴う不確かさを低減するためにより多くの事象でテストを実施し、一方、従来技術のように良好な事象統計を生成するために必要とされるサンプルの数を削減することが可能である。図11は、70Vと80Vの間のSOA電圧無線radio内でのドレインソース電圧、ならびにレーザマッピングがSOA電圧範囲外で実施されるとき150Vのドレインソース電圧について500VのパワーMOSFETに対して実施された、前兆SET過渡事象およびSEB寄生電流維持現象のレーザマッピングを示す。前兆SETに対して敏感な領域の位置とSEBに対して敏感な領域との間で非常に良好に一致している。この機能は、SOA電圧範囲内でのテスト条件について最高の大きさのSETを引き起こす領域が、前記範囲の外でのテスト条件について破壊的な事象をトリガすることになるものであることを確認する。図12におけるグラフは、様々なレベルの電圧について、測定された事象の大きさに基づく、コンポーネント上の破壊的な事象の変化する効率的セクション、または破壊的な事象の集団を示す。60V、80V、90V、100V曲線について、SET過渡事象の点で明らかに2つのタイプの集団がある。SOA電圧範囲内の80V曲線については、過渡事象だけがあり、破壊的な事象はない。これらの過渡事象は、2つのカテゴリに入る。すなわち、-大きさが4V未満の事象は、非増幅SET過渡事象である。-大きさが12Vを超える事象は、前兆SET過渡事象である。図11に示されているように、過渡事象が4V未満の大きさを有するコンポーネント上の大抵の衝突位置は、SOA電圧範囲外での電圧レベルについてSEBをトリガしないことになる。逆に、SET過渡事象が12Vを超える大きさを有する大抵の位置は、SEBをトリガすることになる。したがって、本発明によるテスト方法は、以下の通りである。-入射ビームまたは粒子の特性についてSOA電圧範囲の決定。この決定は、1つの最大コンポーネントの破壊を引き起こすことになる。-入射ビームまたは粒子の特性について、所定のSOA電圧範囲の内部制限と同様である条件について、粒子加速器またはレーザを用いてテストを実施する。-前兆SET過渡事象の効率的セクションの特性化。上記に示されているように、増幅SET過渡事象の効率的セクションは、破壊的な要素の有効セクションの非常に良好な推定値である。-この有効セクションの推定値を予測コードへの入力として使用し、使用条件に比べて他のタイプの粒子についての感受性を推測することが可能。-粒子またはレーザの入射のようなコンポーネントの他のテスト条件、前記粒子または前記放射の特性などについて、この方法が繰り返される。図12では、あるエネルギーレベルについて同等に、粒子加速器内で達成される特性化について、中性子もしくは陽子エネルギーについて、または所与のLETレベルについて、この方法の第1の部分は、入射ビームに対する粒子の特性を考えるとそれより下方で破壊的な事象をトリガすることが可能でない電圧であるVSOA電圧を決定することができる。この方法の第2の部分は、前兆事象を特性化するためにVSOA電圧のすぐ下方に行き、破壊的な事象で飽和する有効セクション値を正確に決定するかどうかを示す。したがって、これらの2つのパラメータは、異なるコンポーネントの感受性を比較すること、および予想される故障率の計算を実施することができるようになるのに十分なものである。