レーザダイオードへの給電用のサブマウント電極を有するサブマウントと、前記サブマウントに取付面で取り付けられ、前記取付面に対して他端面側にレーザダイオード電極を有する前記レーザダイオードと、磁気記録素子と、前記レーザダイオードから発生されたレーザ光を近接場光に変換する近接場光変換部と、ヘッドスライダ電極を有し、前記近接場光を記録媒体と対向する面から出力するヘッドスライダとを有する熱アシスト磁気記録ヘッドと、前記熱アシスト磁気記録ヘッドを支持するジンバルと、前記ジンバル上に形成される複数のリード線であり、前記ヘッドスライダの気体流入側で左右に分岐し、前記ヘッドスライダを迂回して気体流出側に進み、前記ヘッドスライダ電極と、前記サブマウント電極と、前記レーザダイオード電極に接続される複数のリード線とを有するヘッドジンバルアセンブリにおいて、前記レーザダイオードを取り付けた前記サブマウントが、前記ヘッドスライダの左右いずれか一方の側面に実装され、前記ヘッドスライダは、前記サブマウントが実装された側面から前記レーザダイオードのレーザ光を入力し、前記サブマウント電極と前記レーザダイオード電極に接続される二本のリード線は、それぞれが前記ヘッドスライダの気体流入側で左右に分岐し、前記ヘッドスライダを迂回して気体流出側に進み、そのうちの一方が前記気体流出側に形成された前記ヘッドスライダ電極の外周を周回して前記サブマウント電極又は前記レーザダイオード電極に接続され、他方が前記ヘッドスライダ電極の外周を周回することなく、前記サブマウント電極及び前記レーザダイオード電極のうち前記一方のリード線とは異なる側に接続されることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。請求項1に記載のヘッドジンバルアセンブリにおいて、気体流出側に形成された前記ヘッドスライダ電極の全周を外周したリード線が、前記レーザダイオード電極に接続されることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。請求項1に記載のヘッドジンバルアセンブリにおいて、前記サブマウントは、前後方向の長さが、前記レーザダイオードよりも大きく、前記サブマウントの垂直方向の厚さが、前記レーザダイオードの実装領域よりも、前記レーザダイオードの非実装領域の方が大きく、前記サブマウント電極は、前記レーザダイオードの実装領域から前記非実装領域に至るまで一体的に形成され、対応する前記リード線に接続されることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。前記複数のリード線は、絶縁部材上に形成され、前記絶縁部材は、前記ジンバルにより支持され、前記ジンバルは、前記ヘッドスライダの電極の外周を周回して前記サブマウント電極又は前記レーザダイオード電極に接続されるリード線の配線位置より気体流出側の領域まで形成されていることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。請求項1に記載のヘッドジンバルアセンブリと、サスペンションとを有することを特徴とするヘッドアセンブリ。筐体内に、回転駆動される磁気ディスク媒体と、請求項1に記載のヘッドジンバルアセンブリと、サスペンションとを有するヘッドアセンブリと、前記ヘッドアセンブリを前記磁気ディスク媒体に対して旋回可能に支持する駆動機構とを有することを特徴とする磁気ディスク装置。しかし、特許文献1に係る熱アシスト磁気記録ヘッドでは、ロードビームの揺動中心からヘッドスライダの媒体対向面までの距離が、ヘッドスライダのみをロードビーム上に支持する場合に比して大きくなる。このため、当該ヘッドが風乱を受けて傾く際の磁気記録素子の位置ずれが増大する問題がある。また、この距離の増大は、磁気ディスク装置の筺体を薄型化する際の障害になる。特に、複数枚の記録媒体を同軸方向に実装する磁気ディスク装置の場合、当該距離の増大は薄型化の障害となる。一方、特許文献2に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、直線状の共振器を有するレーザダイオードを、ヘッドスライダの左右いずれかの側面に実装する。この際、レーザダイオードの共振方向は、ヘッドスライダの長手方向に対して直交する方向となる。このため、特許文献2に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、ヘッドアセンブリの左右方向に大型化し、風乱を受けやすくなる。また、この構造のため、当該ヘッドには、ヘッドアセンブリの左右方向に対し、中心軸回りの回転モーメントが発生し易くなる。このため、ヘッドの姿勢の安定性が低下し易い。また、特許文献2の場合、ヘッドスライダの左右に迂回して取り回されるリード線の本数が一致しなくなる。すなわち、複数のリード線が絶縁材上に実装される左右一対のトレースのうち一方の面積が増加する。この結果、回転モーメントが発生し、風乱によってヘッドの安定性が低下し易くなる。そこで、本発明は、レーザダイオードを取り付けたサブマウントを、レーザダイオードの主な共振方向がヘッドアセンブリの長手方向を向くように、ヘッドスライダの左右いずれか一方の側面に実装する。また、レーザダイオードに対する給電用の2本のリード線のうちの一本が、ヘッドスライダの気体流出側のヘッドスライダ電極の外周を周回し、かつ、サブマウントの取り付け面とは反対面のヘッドスライダ側面を迂回するように取り回し、残る1本のリード線を前記ヘッドスライダ電極の外周を周回させることなくサブマウントの取り付け面と同じ側のヘッドスライダ側面の側に取り回す。本発明の場合、ロードビームとヘッドスライダの間にレーザダイオードとサブマウントを実装せずに済む。このため、ロードビームの揺動中心から媒体対向面までの距離を低減することができる。また、ヘッドアセンブリが左右に大型化せずに済み、ヘッドの安定性を高めることができる。また、本発明の場合、レーザダイオードに対する給電用の2本のリード線を1本ずつヘッドスライダの左右両側に取り回すことができる。これにより、ヘッドスライダに対して左右に取り回されるリード線の本数を等しくでき、リード線を実装する左右一対のトレースの面積も等しくできる。結果的に、回転モーメントの発生を抑制し、ヘッドの安定性を高めることができる。上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明の実施態様は、後述する形態例に限定されるものでなく、その技術思想の範囲において、種々の変形が可能である。また、説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化されている。また、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。[磁気ディスク装置の全体構成]図1に、実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリを適用した磁気ディスク装置1の全体構成を説明する。なお、同図において、磁気ディスク装置1のトップカバーの図示は省略している。磁気ディスク装置1の機構的構成要素は筐体6内に収容される。筐体6には、データを記録する記録媒体としての磁気ディスク媒体2と、磁気ディスク媒体2へのアクセスデータの読み書きに使用するヘッドジンバルアセンブリ10を実装するヘッドアセンブリ9の駆動機構を収容する。磁気ディスク媒体2は、筺体6の底面に固定されたスピンドルモータ3に取り付けられている。磁気ディスク媒体2は、スピンドルモータ3により所定の角速度で回転駆動される。図1の場合、磁気ディスク媒体2は、反時計回りに回転駆動される。ヘッドアセンブリ9は、アクチュエータアセンブリ4の先端に支持される。アクチュエータアセンブリ4は、その一端側が回転軸8を中心に両方向に回転可能に取り付けられる。このアクチュエータアセンブリ4は、ボイスコイルモータ7により回転駆動される。ヘッドアセンブリ9は、サスペンション5とヘッドジンバルアセンブリ10で構成される。サスペンション5は、アクチュエータアセンブリ4の先端側に取り付けられる。ここで、サスペンション5は板ばねとして機能する。サスペンション5の先端にはヘッドジンバルアセンブリ10が取り付けられる。ヘッドアセンブリ9は、非アクセス時、磁気ディスク媒体2の外側に退避される。もっとも、非アクセス時に、ヘッドアセンブリ9を、磁気ディスク媒体2の内周領域に移動させても良い。アクセス時、ヘッドジンバルアセンブリ10は、回転する磁気ディスク媒体2の間に存在する空気の粘性による圧力と、サスペンション5による磁気ディスク媒体2の方向に加えられる圧力とがバランスした状態になる。すなわち、ヘッドジンバルアセンブリ10は、磁気ディスク媒体2の表面に浮上した状態にある。筐体6に実装される各構成要素は、不図示の回路基板上の制御回路により制御される。回路基板は、筐体6の内部に実装されていても良いし、筐体6の外部に存在しても構わない。[ヘッドアセンブリの構成]次に、ヘッドアセンブリ9の構成例を説明する。図2Aに、ヘッドアセンブリ9の全体構成を示す斜視図を示す。なお、図2Aは、磁気ディスク媒体2の側からヘッドアセンブリ9を見た図である。すなわち、磁気ディスク媒体2と対向する面を表している。図2Bは、図2Aのうち円で囲んだ部分の拡大図である。図2C及び図2Dは、ヘッドジンバルアセンブリ10を図2B中の仮想線部分で切断した図である。なお、これらの図は、ロードビーム17が配置される側を下側、熱アシスト磁気記録ヘッドスライダ以下ヘッドスライダという。11が設置される側を上側として示している。また、図中の矢印foは気体流の流出側を表し、矢印fiは気体流の流入方向を表す。この明細書では、矢印foの方向を前方、矢印fiの方向を後方とも呼ぶ。図2Aに示すように、ヘッドアセンブリ9は、サスペンション5と、ヘッドジンバルアセンブリ10で構成される。サスペンション5は、複数本のリード線が実装されたトレース1515a、15bと、ジンバル16と、ロードビーム17と、マウントプレート18を有している。ヘッドジンバルアセンブリ10は、ヘッドスライダ11と、ヘッドスライダ11を支持するジンバル16とで構成される。ロードビーム17は、精密な薄板バネであり、ステンレス鋼SUSなどによって形成される。その剛性は、ジンバル16よりも高い。ロードビーム17は、バネ特性を有し、当該バネ特性によりヘッドスライダ11への荷重を発生させる。ジンバル16はロードビーム17上に支持される。ジンバル16はステンレス鋼SUSで形成される。ジンバル16は、ロードビーム17の上面に弾性的に支持される。すなわち、ジンバル16は自由に傾くことができる。このジンバル16の傾きにより、スライダ11の姿勢が制御される。ジンバル16の上面には、複数のリード線14a~14hを配線したトレース15が形成される。トレース15は、前方側で2つのトレース15a及び15bに分岐される。この実施例の場合、右側のトレース15aには4本のリード線14a、14b、14c及び14gが配線される。一方、左側のトレース15bには4本のリード線14d、14e、14f及び14hが配線される。これら8本のうちリード線14a~14fの6本がヘッドスライダ電極37用である。残る2本、すなわちリード線14g及び14がサブマウント電極用及びレーザダイオード電極用である。ここで、6本のリード線14a~14fに対応する6個のヘッドスライダ電極37は、ヘッドスライダ11の前面側に配置される。すなわち、気体流出側foのヘッドスライダ11の側面に配置される。従って、一組のリード線14a~14cは、ヘッドスライダ11の後方側から右辺を迂回して前方に進み、対応する電極に接続される。また、一組のリード線14d~fは、ヘッドスライダ11の後方側から左辺を迂回して前方に進み、対応する電極に接続される。なお、図2Bに示すように、リード線14d~fは、サブマウント13の下側を通ってヘッドスライダ11の前方側に取り回される。レーザダイオード電極とのコンタクト及びサブマウント電極とのコンタクトは、後述するように、サブマウント13の下面側に設けられる。ここで、リード線14gとリード線14hの各終端は電気的に分離されているが、仮想的に各終端を前後方向に延長すると、リード線14g及び14hはあたかも1本のリード線としてつながり、その配線パターンが他のリード線14a~fを含めて左右対称となる。この実施例の場合、リード線14gは、ヘッドスライダ11の後方側から右辺を迂回して前方に進み、更に、ヘッドスライダ電極37に接続される全てのリード線14a~14fの外周を迂回してヘッドスライダ11の左辺側に配置されるレーザダイオード電極に接続される。一方、リード線14hは、ヘッドスライダ11の後方側から左辺を迂回しサブマウント電極に接続される。ヘッドスライダ11は、トレース15の形成面と同じ面側でジンバル16に固定される。ロードビーム17のうちヘッドスライダ11と対向する領域部分には、上に凸形状のディンプル28が形成される。ディンプル28は、その周辺のロードビーム17よりも上方に一段高く形成されている。このディンプル28において、ロードビーム17とジンバル16は接触する。すなわち、ジンバル16はディンプル28で支持される。この構造により、ヘッドスライダ11及びジンバル16は、ディンプル28を中心に揺動することができる。レーザダイオード12を取り付けたサブマウント13は、ヘッドスライダ11の一方の側面に固定される。図2A~図2Dの場合、サブマウント13は、ヘッドスライダ11の左側面に固定される。サブマウント13は、側面形状が逆L字形状に形成される。図2A~図2Dの場合、サブマウント13の前方側が肉薄に形成され、後方側が肉厚に形成される。図3に、レーザダイオードの構造例を示す。図3は、サブマウント13と接合するレーザダイオード12の面が上になるように示している。レーザダイオード12は、サブマウント13の肉薄部分に接合される。図3に示すように、レーザ光22を発振する共振器19は、共振路内に2つの角部20a及び20bを有する。当該角部20a及び20bにはミラー構造が形成される。ミラー構造が存在することにより、レーザダイオード12の側面に形成された出射端21からレーザ光22が出射される。レーザ光22は、レーザダイオード12の長手方向に対して直交する方向に出力される。レーザダイオード12の側面のうち共振器19の形成面とは反対側の面にレーザダイオード電極23が形成される。図3では、下面側にレーザダイオード電極23が形成される。リード線14gを通じてレーザダイオード電極23に電力が供給されることで、レーザ光22が発生される。図3は、角部が2個の場合を示しているが、角部の数は2個に限定されない。角部の数は、例えば1個であっても良く、3個以上でも良い。参考までに、一般的なレーザダイオード12の構造を図4に示す。一般的なレーザダイオードでは、共振器19が直線状に形成され、レーザダイオードの長手方向にレーザ光22が出射される。図3に示すレーザダイオード12の説明に戻る。本実施例の場合、レーザダイオード12から出射されたレーザ光22は、図2Dに示すように、ヘッドスライダ11の側面に設けられた導波路入口24aから、ヘッドスライダ11内部に設けられた導波路24に入射される。この後、入射したレーザ光は、曲がり部24bで進行方向が上方に折り曲げられた後、別の導波路24を介して対向面11aへと導かれる。対向面11aは、磁気ディスク媒体2と対向する位置のヘッドスライダ11の表面である。ヘッドスライダ11のうち対向面11aの近傍位置表面近傍には、近接場光変換部25が形成される。レーザ光は、近接場光変換部25で近接場光26に変換され、磁気ディスク媒体2に出射される。ヘッドスライダ11は、対向面11aにABSAirBearingSurfaceを有している。このため、ヘッドスライダ11は、回転する磁気ディスク媒体2上に存在する気体のくさび膜効果により浮上する。なお、図2Cに示すように、ヘッドスライダ11の気体流出側foの端部には、磁気記録素子27が搭載される。磁気記録素子27は、近接場光の出射領域の近傍に配置される。因みに、ヘッドスライダ11には不図示の磁気再生素子も搭載される。近接場光変換部25は、不図示の近接場光学素子を有する。近接場光学素子は、プラズモン共鳴によりレーザ光22を励起し、近接場光26を発生する。なお、導波路24は、その断面積を下端に向けて狭小化されたプローブ型でも良い。導波路24は、石英などのレーザ光を透過する特性の材料で構成される。曲がり部24bは、導波路24がある一定の曲率をもって湾曲している構造でも良いし、ミラー構造を形成した構造でも良い。サブマウント13は、シリコン、窒化アルミニウム、炭化珪素等、レーザダイオード12に対する熱伝導率が高く、熱膨張率の小さい材料で構成する。サブマウント13は、ヘッドスライダ11の一方の側面に、金属フィラー等を含む熱伝導率の高い接着剤等で固定される。図2Dは、サブマウント13をヘッドスライダ11の左側面に固定された例を表しているが、配線等の配置関係を左右で入れ替えても良い。すなわち、サブマウント13は、ヘッドスライダ11の右側面に固定しても良い。サブマウントの構造及びレーザダイオードの取り付け構造図5に、本実施例に係るサブマウント13の側面図を示す。なお、図5は、ヘッドジンバルアセンブリ10の左側面図に当たる。図5に示ように、サブマウント13の長手方向の長さL2は、レーザダイオード12の長手方向の長さL1よりも大きい。また、レーザダイオード12が実装される位置すなわち気体流出側foでのサブマウント13の厚さt1は、気体流入側fiの厚さt2より小さい。すなわち、サブマウント13は、側面形状が逆L字形状に形成されている。サブマウント13を逆L字形状に形成することにより、サブマウント13は2面においてレーザダイオード12と接合することができる。この構造は、サブマウント13の長手方向の長さをレーザダイオード12と同程度とするすなわち、長さL1とする場合に比して接合面積を大きくすることができる。サブマウント13とレーザダイオード12の接合面積が増加することにより、従来構造に比して、レーザダイオード12で発生した熱を効率的にサブマウント13やヘッドスライダ11に逃がすことができる。すなわち、放熱特性を高めることができる。さらに、本実施例の場合、接合面は、同一平面上にない2面である。このため、磁気ディスク装置1の外側から衝撃が加えられた場合の耐衝撃性も向上する。ところで、ヘッドスライダ11は、その多くの部分が、熱伝導率の比較的高いAlTiCで形成される。さらに、ヘッドスライダ11が磁気ディスク媒体2の表面から数nmから数十nmのオーダで浮上している場合、磁気ディスク媒体2と対向面11aとの間の熱伝達率は、数万もの高値で与えられる。従って、レーザダイオード12で発生する熱の放熱特性の向上には、サブマウント13とヘッドスライダ11の間で移動する熱量の増加が効果的である。もっとも、サブマウント13とヘッドスライダ11を接着する接着剤の熱伝導率は、サブマウント13やヘッドスライダ11に比べると小さい。一方、本実施例で使用する逆L字形状のサブマウント13は、従来構造に比して、接着剤による接着面積を大きくすることができる。従って、本実施例で採用する逆L字形状のサブマウント13の構造は、レーザダイオード12で発生する熱を効率的にヘッドスライダ11に伝播するのに適している。結果的に、熱アシスト磁気記録ヘッドの信頼性を向上させることができる。また、レーザダイオード12をヘッドスライダ11の側面側に配置する場合、ロードビーム17に設けたディンプル28の中心揺動中心からヘッドスライダ11の対向面11aまでの距離は、熱アシスト機構を有しない従来構造と同じである。このため、熱アシスト磁気記録ヘッドが風乱を受けて傾いた際に、磁気記録素子27の位置ずれが増大する問題を防止することができる。また、レーザダイオード12をヘッドスライダ11の側面側に配置する場合、ヘッドジンバルアセンブリ10の上下方向の厚みは、熱アシスト機構を有しない従来構造と同じになる。従って、特に複数枚の磁気ディスク媒体2を同軸上に実装する場合においても、磁気ディスク装置1の筺体6の薄型化を妨げない効果が期待できる。また、本実施例の場合、レーザダイオード12の長手方向主要な共振方向は、ヘッドスライダ11の側面に対して平行であり、レーザ光22は角部20aを通じてヘッドスライダ11に入射される。このため、主要な共振方向が左右方向となるようにレーザダイオード12をジンバル16上に実装する場合に比して、ヘッドスライダ11とレーザダイオード12サブマウント13の設置幅を短くできる。結果的に、左右方向の中心軸回りの回転モーメントを大幅に低減することができる。従って、ヘッドスライダの浮上特性の悪化を大きく抑えることができる。また、磁気ディスク媒体2と対面する対向面11aのABS面構造の修正により、ヘッドジンバルアセンブリ10の浮上特性を補正することができる。リード線と電極との接続前述したレーザダイオード12は、その共振器19の形成面接合面において、サブマウント13に接合される。接合には半田30を使用する。半田30は導電性を有し、クリープ変形が極めて小さいAuSn半田を用いることが好ましい。サブマウント13の接合面13aには、レーザダイオード12に給電するためのサブマント電極31が形成される。サブマウント電極31は、レーザダイオード12が実装される接合面13aだけでなく、サブマウント13の長手方向の全長に亘って形成される。すなわち、サブマウント電極31は、サブマウント13の厚さがt2で与えられるレーザダイオード12の非実装部まで一体に形成される。この非実装部分において、サブマウント電極31は、導電性接着剤又は半田等の接合剤32aを介し、リード線14hに接続される。すなわち、非実装部分がリード線14hとサブマウント電極31とのコンタクト領域となる。レーザダイオード12のうち実装面とは反対側の面に形成されるレーザダイオード電極23は、導電性接着剤又は半田等の接合剤32bによってリード線14gに接続される。すなわち、レーザダイオード電極23がリード線14gとのコンタクト領域になる。レーザダイオード12は、これら2本のリード線14g及び14hを通じて給電されると、レーザ光22を発光する。前述したように、ヘッドジンバルアセンブリ10には、レーザダイオード12に対する給電用のリード線14g及び14h以外にも、6本のリード線14a~14fが配線される。これら6本のリード線14a~14fは、ヘッドスライダ11の気体流出側foからヘッドスライダ電極37にそれぞれ接続される。リード線14a~14fとヘッドスライダ電極37との接続には半田が使用される。ヘッドスライダ電極37は、ヘッドスライダ11の内部において、磁気記録素子27、磁気再生素子、その他の素子に不図示の配線を通じて接続される。リード線14a~14hは、ヘッドスライダ11よりも前方側において、その上面側表面側を剥き出した状態のままトレースベース材35に形成される。トレースベース材35は、ポリイミド等の絶縁材で構成されている。これに対し、リード線14a~14hは、それ以外の場所で、トレースカバー材36で上面側表面側が覆われている。すなわち、リード線14a~14hは、トレースカバー材36で絶縁保護されている。なお、8本のリード線14a~14hは、ヘッドスライダ11の左右に4本ずつ均等に配置される。このうち、リード線14a~14c及び14gは、ヘッドスライダ11の右側のトレース15a上に形成される。残りのリード線14d~14f及び14hは、ヘッドスライダ11の左側のトレース15b上に形成される。これら2本のトレース15a及び15bは気体流入側方向に取り回された後、図2Aに示すように最終的には1本のトレース15に合流される。図5に示すように、ヘッドスライダ11よりも気体流出fo側部分において、4本のリード線14d~14gは、トレースベース材35の裏側からジンバル16aで支持される構造をもつ。図5の場合、ジンバル16aは、内側から3本目に位置するリード線14fの背後までの領域を支えるように形成される。すなわち、ジンバル16aは、トレースベース材35を裏面から支持する。このため、単体では柔らかく、変形が生じ易いトレースベース材35上で、リード線14とヘッドスライダ電極37を半田33により接合する際の位置決めが容易になる。なお、半田接合には、ソリッド半田ボールSBBやソルダージェットが用いられる。ソリッド半田ボールを用いる場合、レーザ光による加熱により半田付けが行われる。リード線14g及び14hの配線パターンレーザダイオード電極23に接続されるリード線14gと、サブマウント電極31に接続されるリード線14hは、図6に示すように、そのいずれか一方が、ヘッドスライダ電極37とリード線14a~14fの全ての外周を周回するように取り回される。なお、全ての外周を周回するように取り回されるリード線は、レーザダイオード12の実装側左側とは反対側のヘッドスライダ11の側面右側面に取り回された後、トレース15aを通じて気体流入側fiに引き回される。リード線14gとリード線14hのうちの他方は、ヘッドスライダ11の前方側に取り回されることもなく、トレース15bを通じて気体流入側fiに引き回される。この実施例の場合、レーザダイオード電極23に接続されるリード線14gが、ヘッドスライダ電極37及びリード線14a~14fの外周を周回するように取り回される。一方、サブマウント電極31に接続されるリード線14hが、レーザダイオード12の非実装領域にあるサブマウント電極31からトレース15bに取り回される。なお、リード線14a~14fは、記録信号、再生信号、浮上量調整信号等の伝送用に2本一組で用いられる。これら6本のリード線14a~14fのうちの3本は、ヘッドスライダ11の右側に取り回されてトレース15aに取り込まれ、残る3本はヘッドスライダ11の左側に取り回されてトレース15bに取り込まれる。本実施例の場合、これらのリード線は計6本であるが、それ以外の本数でも良い。この取り回し構造によれば、トレース15a内のリード線数とトレース15b内のリード線数は、いずれも4本ずつの同数となる。このため、トレース15aとトレース15bのパターン幅は、同じ寸法に形成できる。従って、本実施例の場合には、トレース15a及び15bの間で重量バランスが崩れることはない。結果的に、本実施例の場合、ヘッドスライダ11の重量バランスが安定し、磁気ディスク媒体2の上に浮上し易くなる。なお、特許文献2の図10の場合には、パターン幅が非対称となり、トレース15a及び15bの間で重量バランスが崩れてしまう。当然、特許文献2の場合、ヘッドスライダ11は磁気ディスク媒体2の上に安定して浮上することが難しい。なお、2本のトレース15a及び15bは、裏側からジンバル16によって支持されてはいるが、ジンバル16に対して接合されてはいない。このため、2本のトレース15a及び15bは、一般に、磁気ディスク装置1内で発生する気流による風乱により振動が生じ易い。従って、風乱を抑える観点からは、2本のトレース15a及び15bの1本当たりの面積を抑える必要がある。本実施例のように、トレース15a及び15bのパターン幅を同じ寸法に揃えると、ヘッドスライダ11を安定的に磁気ディスク媒体2の表面に浮上させ易くなる。さらに、レーザダイオード12への給電用のリード線14g及び14hには、熱伝導率が高い銅線が使用される。このため、レーザ発光時にレーザダイオード12で発生した熱は、ヘッドスライダ11を通じて磁気ディスク媒体2に伝播されるだけでなく、レーザダイオード電極23及びサブマウント電極31に接続されたリード線14g及び14h経由でも伝播される。すなわち、レーザダイオード12から遠く離れた位置のリード線14g及び14hの温度も当該熱伝導により上昇し、空気中に放熱される。この実施例では、リード線14g及び14hを一本ずつ、別々のトレース15a及び15bに実装する。このため、熱伝導による温度上昇はどちらか一方のトレースに偏ることはなく、二本のトレース15a及び15bの間で均等になる。この結果、本実施例の場合には、トレース15a及び15bの二本分の表面積を、周囲の空気への対流熱伝達による放熱に利用できることとなる。一方、特許文献2の場合には、一方のトレースだけにリード線14g及び14hを取り回すため、熱伝導路が偏ってしまう。実際、放熱に利用できるトレースの表面積も、本実施例の半分である。従って、特許文献2は、本実施例に比して放熱効率が悪い。このように、本実施例に係るヘッドジンバルアセンブリ10の構造は、レーザダイオード12の放熱を促進し、信頼性の高い熱アシスト磁気記録ヘッドスライダの実現に有利である。しかも、本実施例の場合、リード線14gは、ヘッドスライダ11の気体流出側foにあるヘッドスライダ電極37とリード線14a~14fの全ての外周を周回する。このため、トレースベース部材35を通じ、温度の高いリード線14gからその他のリード線14a~14fに熱を伝導することができる。また、半田33を介してヘッドスライダ11の側に、レーザダイオード12から生じた熱を放熱することができる。なお、リード線14g及び14hの間では、レーザダイオード12に直接接続されているリード線14gの方が、相対的に温度が高くなる。従って、ヘッドスライダ11の気体流出側foにあるヘッドスライダ電極37とリード線14a~14fの全ての外周を周回するリード線には、レーザダイオード電極23に直接接続されるリード線14gを選択する方が好ましい。ところで、図5の場合、ジンバル16aは、内側から3本目に位置するリード線14fの背後までの領域を支えるように形成した。しかし、図7に示すように、ジンバル16aは、最外周を周回するリード線14g又は14hよりも気体流出側foの外側位置まで、トレースベース部材35を介して形成されていても良い。図7の構成を採用すると、熱伝導率が比較的低いトレースベース部材35だけでなく、熱伝導率の高いジンバル16aを介しても、温度の高いリード線14g又は14hからの熱を他のリード線14a~14fに効率良く伝播することができる。すなわち、レーザダイオード12に発生する熱を効率良く放熱できる。この結果、前述した実施例よりも更にレーザダイオードの信頼性が高い熱アシスト記録ヘッドスライダを実現することができる。放熱特性の評価結果図8及び図9を用い、実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリ10による放熱効果を説明する。図8は、図2Aのうち円で囲んだ部分の拡大図である。なお、図8は図2Bに対応している。従って、図8には図2Bとの対応部分に同一の符号を付して表している。図8では、レーザダイオード12の温度評価点40とトレースベース材35の温度評価点41の位置を、それぞれ丸印で示している。図8の場合、温度評価点40は、レーザダイオード12のうち気体流出側foの端面に設定する。また、温度評価点41は、ヘッドスライダ11に対して気体流出側foに位置するトレースベース材35のうちトレース15aに分岐されるリード線14cの近傍位置に定められている。図9は、従来の配線構造を採用する場合と実施形態に係る配線構造を採用する場合に、各温度評価点での温度上昇の違いを対比的に示す図である。図9の縦軸は、各温度評価点における温度上昇値ΔTを、標準構造のレーザダイオード12の温度上昇値ΔTに対する比で表した無次元の温度上昇値を表している。ここで、値1は、各温度評価点における温度変化が標準構造のレーザダイオード12における温度変化と同じであることを意味している。ここで、従来の配線構造とは、レーザダイオード12に対する給電用のリード線14g及び14hを片側のトレース15bだけに配線する構造を意味している。勿論、本実施形態の構造とは、リード線14gをトレース15aに配線し、リード線14hをトレース15bに配線する構造を意味している。図9に示すように、トレースカバー材35の温度評価点41における無次元の温度上昇値は、従来構造の0.173から本実施形態の0.323へと87も増加している。このことは、ヘッドスライダ11よりも気体流出側fo側に位置するリード線への放熱が増加していることを意味している。すなわち、レーザダイオード12で発生した熱を、レーザダイオード12の取り付け位置とは反対側のトレース15aに取り回されるリード線に分散できていることを表している。また、放熱効率が向上することにより、レーザダイオード12の温度評価点40における無次元の温度上昇値は、従来構造に比して本実施形態は10の低減効果が認められることが分かる。すなわち、本実施形態の配線構造がレーザダイオード12の温度低下に効果があることが確認される。このように、本実施形態の場合には、温度上昇によるレーザダイオード12の温度特性の悪化及び寿命低下を改善し、信頼性を向上することができる。他の実施の形態なお、本発明は上述した形態例に限定されるものでなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上述した形態例は、本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある形態例の一部を他の形態例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある形態例の構成に他の形態例の構成を加えることも可能である。また、各形態例の構成の一部について、他の構成を追加、削除又は置換することも可能である。