基材を構成する複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ糸において、前記カーボンナノチューブ糸を構成する前記各基材のカーボンナノチューブの間の空間に、該各基材のカーボンナノチューブ同士を電気的に接続するように、該各基材のカーボンナノチューブから成長したカーボンナノチューブを有することを特徴とするカーボンナノチューブ糸。基材を構成する複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ糸の製造方法であって、前記カーボンナノチューブ糸を構成する前記各基材のカーボンナノチューブ上に、新たなカーボンナノチューブを成長させる触媒を担持させる第1工程と、前記触媒を起点として前記新たなカーボンナノチューブを成長させ、該新たなカーボンナノチューブによって、前記各基材のカーボンナノチューブ同士を電気的に接続する第2工程と、を有することを特徴とするカーボンナノチューブ糸の製造方法。前記カーボンナノチューブ糸にアニールによる後処理を施した後に、前記触媒を担持させることを特徴とする請求項2に記載のカーボンナノチューブ糸の製造方法。前記カーボンナノチューブ糸に紫外線による後処理を施した後に、前記触媒を担持させることを特徴とする請求項2に記載のカーボンナノチューブ糸の製造方法。前記カーボンナノチューブ糸にプラズマによる後処理を施した後に、前記触媒を担持させることを特徴とする請求項2に記載のカーボンナノチューブ糸の製造方法。前記カーボンナノチューブ糸に、ディップコーティングにより、前記触媒を担持させることを特徴とする請求項2~5のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ糸の製造方法。前記カーボンナノチューブ糸に、スパッタリングにより、前記触媒を担持させることを特徴とする請求項2~5のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ糸の製造方法。しかしながら、上述した後処理の技術によって電気伝導度を上げる場合でも、電気伝導度は105[Sm1]程度に上がるのみであり、必ずしも十分ではない。また、後処理によっては、例えばCNT糸にCNT以外の物質を添加することにより、CNT糸の特性例えば柔軟性に影響を与えることがあり、その場合には、CNT糸の特性が低下するという問題もあった。本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、従来より高い電気伝導度を実現できるとともに、柔軟性等の特性の劣化の少ないカーボンナノチューブ糸を実現できるカーボンナノチューブ糸及びその製造方法を提供することを目的とする。1請求項1の発明は、基材を構成する複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ糸において、前記カーボンナノチューブ糸を構成する前記各基材のカーボンナノチューブの間の空間に、該各基材のカーボンナノチューブ同士を電気的に接続するように、該各基材のカーボンナノチューブから成長したカーボンナノチューブを有することを特徴とする。本発明のCNT糸は、基材であるCNT以下基材CNTと記すこともあるの間の空間に、各基材CNT同士を電気的に接続するように、各基材CNTから成長したCNT以下成長CNTと記すこともあるを有している。つまり、本発明では、各基材CNT同士は、基材間にて成長した成長CNTが接触することによって、電気的に接続されている。これによって、CNT糸の電気伝導度が大きく向上する。また、この電気伝導度の向上は、他の異なる物質の添加によるものでなく、同様な素材の成長CNTの接触によるものなので、CNT糸の例えば柔軟性等の特性の劣化を抑制することができる。2請求項2の発明は、基材を構成する複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ糸の製造方法であって、前記カーボンナノチューブ糸を構成する前記各基材のカーボンナノチューブ上に、新たなカーボンナノチューブを成長させる触媒を担持させる第1工程と、前記触媒を起点として前記新たなカーボンナノチューブを成長させ、該新たなカーボンナノチューブによって、前記各基材のカーボンナノチューブ同士を電気的に接続する第2工程と、を有することを特徴とする。本発明のCNT糸の製造方法は、第1工程にて、各基材CNT上に、新たなCNTを成長させる触媒を担持させ、第2工程にて、その触媒を起点として新たなCNTを成長させて、各基材CNT同士を電気的に接続する。つまり、本発明では、CNT糸の内部等において、新たにCNTを成長させ、この成長CNTが新たに基材CNTに接触することによって、基材CNT同士を電気的に接続する。これによって、CNT糸の電気伝導度が大きく向上する。また、この電気伝導度の向上は、他の異なる物質の添加によるものでなく、成長CNTの接触によるものなので、CNT糸の例えば柔軟性等の特性の劣化を抑制することができる。3請求項3の発明では、前記カーボンナノチューブ糸にアニールによる後処理を施した後に、前記触媒を担持させることを特徴とする。本発明では、CNT糸にアニール処理即ち加熱した後に徐々に温度を下げる処理を施した後に触媒を担持させるので、触媒詳しくは触媒を含む溶液の濡れ性が良いという利点がある。これにより、基材CNTに対して、触媒を確実に担持できる。なお、アニール処理における加熱温度としては、600~3000°Cの範囲を採用できる。4請求項4の発明では、前記カーボンナノチューブ糸に紫外線による後処理を施した後に、前記触媒を担持させることを特徴とする。本発明では、CNT糸に紫外線を照射した後に触媒を担持させるので、触媒詳しくは触媒を含む溶液の濡れ性が良いという利点がある。これにより、基材CNTに対して、触媒を確実に担持できる。5請求項5の発明では、前記カーボンナノチューブ糸にプラズマによる後処理を施した後に、前記触媒を担持させることを特徴とする。本発明では、CNT糸をプラズマの発生する環境においた後に触媒を担持させるので、触媒詳しくは触媒を含む溶液の濡れ性が良いという利点がある。これにより、基材CNTに対して、触媒を確実に担持できる。6請求項6の発明では、前記カーボンナノチューブ糸に、ディップコーティング浸漬により、前記触媒を担持させることを特徴とする。本発明は、触媒の担持方法を例示したものである。これにより、CNT糸に、容易に触媒を担持させることができる。7請求項7の発明では、前記カーボンナノチューブ糸に、スパッタリングにより、前記触媒を担持させることを特徴とする。本発明は、触媒の担持方法を例示したものである。これにより、CNT糸に、容易に触媒を担持させることができる。なお、CNT糸からCNTを成長させる方法としては、周知の化学気相成長CVD:ChemicalVaporDepositionやレザーアブレーションlaserablationなど各種の方法を採用できる。本発明の実施形態を実施例に基づいて説明する。本実施例では、撚糸であるCNT糸及びその製造方法について説明する。aまず、本実施例のCNT糸の製造方法について説明する。1CNT糸の製造縦:8mm×横:2mm×厚さ:1mmのSi基板の片面面積:16mm2に、1m2当り、鉄Fe0.002モルを真空蒸着法により蒸着させ、活性Si基板を得た。この活性Si基板を、CVD装置を構成する電気炉内に配置し、700°Cに加熱し、エチレンガスを30cc/分、水素ガスを70cc/分、アルゴンガスを400cc/分の流通速度で5分間流通させた。その結果、図1に示す様に、Si基板1上には、多数のCNTが堆積したCNTの配向膜マトリックスが形成された。堆積したCNTは、その一端がSi基板1に固定されており、Si基板1に対して垂直方向に均一に配向している。個々のCNTの直径は約10nmであり、CNTの長さは約300μmである。次に、Si基板1上に配向しているCNTの配向膜において、複数のCNTから成る束の端部を引出し具でつまみ、CNTの配向方向とは直交する方向に引出した。引出されたCNTの束の端部引出し方向に関して後方の端部と、Si基板1上で隣接するCNTの束の端部とは、ファンデルワールス力により接続し、結果として、CNTの束が安定して長くつながる。このとき、CNTの束は、Si基板1上に配向しているCNTの配向膜から、複数箇所で引き出した。そして、CNTの束を複数撚ることで、図2に示す様に、基材となるCNT基材CNT3から構成されたCNT糸CNT撚糸5が得られた。2CNT糸の後処理次に、前記1で製造したCNT糸5に対して、触媒の濡れ性を向上させる目的で、アニール処理加熱後の自然冷却の処理を行った。具体的には、図3に示す様に、CNT糸5を加熱容器7内に入れ、真空状態で900°Cにて30分間加熱し、その後、室温まで自然冷却を行った。次に、アニール処理したCNT糸5を、触媒を含む溶液触媒溶液に漬け、CNT糸5の全体に、触媒溶液を付着させる。なお、前記触媒溶液としては、アルコール例えばエタノールを溶媒とする酢酸鉄の溶液が挙げられ、この場合は、鉄が触媒として作用する。次に、CNT糸5に付着させた触媒溶液を乾燥し、CNT糸5の表面や内部詳しくは各CNTの表面に、触媒を担持させる。次に、乾燥したCNT糸5を、前記CNTを成長させた際に用いた様なCVD装置の電気炉9に入れて、周知のCVDによってCNTを成長させる。具体的には、例えば図4に示す様に、電気炉9内の温度を所定の温度上昇速度で徐々に上昇させるとともに、電気炉9内にAr/H2ガスを供給して、触媒であるFeを生成させた。なお、ガス合計130cc/分の流通速度でAr/H2ガスを供給した。そして、電気炉9内の温度が880°Cに達したら、Ar/H2ガスの供給を停止した。また、電気炉9内の温度が880°Cに達してから10分間、エチレンガスを20cc/分の流通速度で供給した。なお、このとき、電気炉9の加熱も停止した。これにより、本実施例の後処理により成長したCNTを含むCNT糸5が得られた。b次に、本実施例のCNT糸5の構造について説明する。図5に模式的に示す様に、本実施例のCNT糸5は、並列に配置されて束ねられた多数の基材を構成するCNT基材CNT3の間に、各基材CNT3間を接触して繋ぐように多数のCNT成長CNT11灰色部分で示すが形成されている。この成長CNT11によって、基材CNT3間の空間がある程度埋まっている。例えば本実施例のCNT糸5の場合は、成長CNT11が無い場合に比べて、基材CNT3間の空間は少なくなっている。また、本実施例のCNT糸5の電気伝導度は、各基材CNT3に各成長CNT11が電気的に接続していることにより、成長CNT11が無い場合に比べて、電気伝導度は約20向上している。c次に、本実施例の作用効果について説明する。図6aに模式的に例示する様に、本実施例のCNT糸5では、同図実線で示す基材CNT3同士が同図白丸で示す各接続点で電気的に接続されているが、それだけではなく、同図破線で示す成長CNT11によっても、電気的に接続されている。つまり、成長CNT11は同図灰色丸で示す新たな接続点によって、基材CNT3に接触しており、これによって、基材CNT3同士が電気的に接続されている。すなわち、基材CNT3に対して成長CNT11が例えば並列に接続されている。また、図6bにCNT糸5の一部を回路図にて示す様に、複数の基材CNT3に対して、成長CNT11が例えば並列接続となるように接続されている。なお、同図の白色部分が基材CNT3間を接続部分の抵抗接続抵抗を示し、灰色部分が基材CNT3と成長CNT11との間の抵抗接続抵抗を示している。また、ここでは接続部分の抵抗がCNT自体より大きいので、接続部分の抵抗のみを示してある。この様に、成長CNT11によって並列回路を形成することにより、この回路の全抵抗が低下し、これによってCNT糸5の電気伝導度が向上することになる。例えば同図に示す様に各抵抗値2R、Rを有する抵抗が接続されている場合には、全抵抗値はRと小さくなる。この理由は、図7に、全抵抗と並列に接続された接続点の数を示す様に、接続点が多くなった場合には、全抵抗が小さくなるからである。なお、この図7とは、所定の抵抗値をそれぞれ有する並列な一対の電線に対して、所定の抵抗値を有する電線を接続した場合に、その接続点の数と回路の全抵抗との関係を示したものである。それに対して、図8aに模式的に例示する様に、従来のCNT糸では、本実施例の様に成長CNTが形成されていないので、同図実線で示す基材CNT3同士は、単に同図白丸で示す各接続点で電気的に接続されているのみである。この状態を、図8bに回路図にて示す様が、従来では、各基材CNTの接続部分の抵抗接続抵抗:例えば各抵抗値Rが直列に配置されているので、全抵抗例えば3Rが大きくなる。上述した様に、本実施例では、各基材CNT3の間の空間に、各基材CNT3同士を電気的に接続するように、各基材CNT3から成長した成長CNT11を有しているので、CNT糸5の電気伝導度が大きく向上する。また、この電気伝導度の向上は、他の異なる物質の添加によるものでなく、成長CNT11の接触によるものなので、CNT糸5の例えば柔軟性等の特性の劣化を抑制することができる。また、本実施例では、成長CNT11を形成する前に、後処理としてアニール処理を実施しているので、基材CNT3に対する触媒溶液の濡れ性が良く、基材CNT3の表面に好適に触媒を担持することができる。尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。1例えば前記実施例では、後処理として、CNT糸にアニール処理を施したが、それとは別に、CNT糸に紫外線を照射してもよい。これによっても、触媒溶液の濡れ性を改善できる。2また、他の後処理として、CNT糸をプラズマの発生する環境においてもよい。これによっても、触媒溶液の濡れ性を改善できる。3更に、前記実施例では、CNT糸を触媒溶液に浸けて触媒を担持させたが、スパッタリングにより、触媒を担持させてもよい。