少なくとも1つのミラー層を有する第1ミラー12を備える予め製作された第1構成部品10を用意する工程と;半導体材料から作られた少なくとも1つの活性層を有する活性領域22を備える予め製作された第2構成部品20を用意する工程と;前記第2構成部品20を前記第1構成部品10に連結して一体型ユニットを形成する工程と;前記活性領域22が光共振器の内側に位置するように、前記第1ミラー12と共に前記光共振器を形成する第2ミラー32を用意して、面発光半導体レーザー装置を得る工程と;を含む、面発光半導体レーザー装置を製造する方法。押圧により、またはウエハー接着法、特に液体毛管結合により、前記第2構成部品20を前記第1構成部品10に連結する、請求項1に記載の方法。前記第2構成部品20が、上に前記活性領域22が配置された第2基板21を備え、前記活性領域22が前記第1構成部品10に向き合い、前記第2基板21が前記第1構成部品10から反対方向を向くような配向で、前記第2構成部品20を前記第1構成部品10に連結する、請求項1または2に記載の方法。前記第2構成部品20を前記第1構成部品10に連結した後、前記第2基板21を少なくとも部分的に除去する工程をさらに含む、請求項3に記載の方法。前記第2構成部品20が、上に前記活性領域22が配置された第2基板21を備え、前記第2基板21が前記第1構成部品10に向き合い、前記活性領域22が前記第1構成部品10から反対方向を向くような配向で、前記第2構成部品20を前記第1構成部品10に連結する、請求項1または2に記載の方法。前記第1構成部品10を用意する工程が、第1補助基板上に少なくとも1つの前記ミラー層12を堆積させる工程と;前記第1補助基板から少なくとも1つの前記ミラー層12を除去する工程と;少なくとも1つの前記ミラー層12を第1基板11に連結して、前記第1構成部品10を形成する工程とを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。前記第2構成部品20を用意する工程が、第2補助基板上に少なくとも1つの前記活性層を堆積させる工程と;前記第2補助基板から少なくとも1つの前記活性層を除去する工程と;少なくとも1つの前記活性層を前記第2基板21に連結して、前記第2構成部品20を形成する工程とを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。少なくとも1つのミラー層を有する第1ミラー12を備える予め製作された第1構成部品10と;半導体材料から作られた少なくとも1つの活性層を有する活性領域22を備える第2構成部品20と、ここで前記第2構成部品20は別々に予め製作し前記第1構成部品10に連結して一体型ユニットを形成する;前記活性領域22が光共振器の内側に位置するように、前記第1ミラー12と共に前記光共振器を形成する第2ミラー32とを備える、面発光半導体レーザー装置。前記活性領域22が、エピタキシャル成長半導体材料、特にIV~VI族半導体材料の少なくとも1つの活性層を備える、請求項8に記載の面発光半導体レーザー装置。前記半導体材料が、組成Pb1-xXxTe1-y-wSeySw式中、Xは、Sn、Sr、Euからなる群から選択され、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦w≦1であるの材料である、請求項9に記載の面発光半導体レーザー装置。前記活性領域22が、前記活性領域22の隣接領域より低いバンドギャップを有する複数の量子井戸を備える、請求項8から10のいずれか一項に記載の面発光半導体レーザー装置。前記第1構成部品10が、上に前記第1ミラー12が配置された第1基板11を備え、および/または前記第2構成部品が、上に前記活性領域22が配置された第2基板21を備え、かつ前記第1基板11および第2基板21の少なくとも一方が、ケイ素、ダイアモンド、炭化ケイ素およびIIa族フッ化物からなる群から選択される単結晶材料からなる、請求項8から11のいずれか一項に記載の面発光半導体レーザー装置。前記第1ミラー12および第2ミラー32の少なくとも一方が、隣接するミラー層間で実質的に交互になる屈折率を有する複数のミラー層を備えるブラッグミラーである、請求項8から12のいずれか一項に記載の面発光半導体レーザー装置。前記第1ミラー12および第2ミラー32の少なくとも一方が、少なくとも1つの多結晶質または非晶質ミラー層を備える、請求項8から13のいずれか一項に記載の面発光半導体レーザー装置。前記活性領域22を光ポンピングするための面発光半導体レーザー装置の前記光共振器中に連結したポンプビーム2を提供するよう適合したポンプレーザー41をさらに備える、請求項8から14のいずれか一項に記載の面発光半導体レーザー装置。VECSELについて現在使用されている製造技術は、このようなレーザーの設計可能性を限定し、比較的高価である。本発明の目的は現在のVECSELよりも柔軟にかつコスト効率よく製造することができるVECSEL型のレーザーを提供することである。本発明の第1態様によると、少なくとも1つのミラー層を有する第1ミラーを備える予め製作された第1構成部品を用意する工程と;半導体材料から作られた少なくとも1つの活性層を有する活性領域を備える予め製作された第2構成部品を用意する工程と;第2構成部品を第1構成部品に連結して一体型ユニットを形成する工程と;活性領域が光共振器の内側に位置するように、第1ミラーと共に光共振器を形成する第2ミラーを用意して、面発光半導体レーザー装置を得る工程とを含む、面発光レーザー装置を製造する方法が提供される。換言すれば、本発明は、第1ミラーおよび装置の活性領域を別々に製作し、その後にのみ永久的に連結されるVECSEL型レーザー装置を製造する方法を提供する。対照的に、適切な作動を妨害するような界面効果の妨害なしに十分な界面品質を得るためには、異なる材料間の正確な格子整合が必要であると一般的に考えられえているので、従来技術では、活性層は、通常、同一の成長バッチにおいて第1ミラーまたは逆もまた同じの上に直接成層される。さらに、効率的な熱除去のために十分高い熱伝導率を確保するために、これらの部品は、一緒にモノリシックに成長させなければならないと一般的に考えられている。本発明は、この偏見を乗り越え、これらの部品を別々に製造し、その後連結または接着することによって、モノリシック成長法によるレーザー装置の性能と同様な性能を達成できることを示している。本発明の新規な製造法は、従来技術による方法に対して明確な利点を提供する。特に、単一のより複雑な構造を成長させる場合よりも、2つのより単純な構造を別々に成長させる場合に、はるかに高い製作収率が得られる。完成したレーザー装置の所望の規格例えば、発光波長および/または出力電力に応じて、それぞれ異なる規格のために別々の完成した構造を成長させるのではなく、予め製作した構成部品を自由自在に結合させて、所望の装置を得ることができる。特に、ブラッグミラーは、一般的に、極めて広帯域である、すなわち、かなりなスペクトル域にわたって必要とされる非常に高い反射率を示す。対照的に、活性領域利得媒体は、一般的に、非常に限られたスペクトル窓においてのみ最適である。本発明の方法では、同一バッチで製作したブラッグミラーの小片大きなウエハー上で成長させたを、異なる設計の利得媒体と結合させることができる。これは製造をかなり容易にする。さらに、本発明は、全ての層を同一の単一基板上に成長させなければならない場合よりも、基板のより大きな選択の機会を提供する。特に、各構成部品の基板は、以下にさらに詳述するように、熱伝達、ビーム伝送等のような特定の態様のために最適化することができる。いくつかの実施形態では、第1ミラーは第2ミラーも同様に、エピタキシャルに成長させる必要はない。任意の多結晶質または非晶質材料を層として堆積させて、高反射ブラッグミラーを形成することができる。バッチ製作後、このような低コストミラーを活性領域に連結して、低コストレーザー装置を得ることができる。多結晶質または非晶質ミラー層の使用は、従来技術のVECSEL装置の底部ミラーでは不可能である。第1および第2構成部品は、種々の異なる方法により原子レベルで永久的に連結または結合させることができる。特に単純な好ましい方法では、その後の焼鈍ありまたはなしで、第1および第2構成部品の表面間の接着剤がない状態で、第1および第2構成部品を単純に押圧する。押圧は、室温または室温付近で行うことができる、すなわち、高温は必要とされない。他の可能性には、ハンダ付け、あるいは液体毛管結合、高圧高温下でのウエハー接着もしくはウエハー融着技術を含む原子レベルでのファンデルワーススまたは共有結合相互作用を構築するウエハー接着を含む既知の方法が含まれる。このような技術は、当技術分野で周知である。特に、ウエハー接着またはウエハー融着技術は、V.Dragoi、WaferBonding:KeyEnablingTechnologyforPhotonicIntegration、IEEEPhotonicsSocietyNewsletters2009年12月、11~15頁に要約されている。液体毛管結合は、例えば、C.F.Jerez-Hanckesら、AStudyofSiWaferBondingviaMethanolCapillarity、MaterialsPhysicsandChemistry772002、751~754頁に記載されている。これらの文献は、別々に製作した構造、特に層状半導体構造を連結する方法を教示するために、全体を本願に引用して援用する。第2ミラーもまた、このように第2構成部品に連結させることができる。第1および第2構成部品を直接連結してもよいし、または好適な距離要素を第1と第2構成部品との間に用意してもよい。例として、距離要素は、金属箔、または好適なポリマーから作られたプラスチック箔、例えば、PTFEポリテトラフルオロエチレン箔とすることができる。このような箔の厚さは、かなりの程度で変えることができ、一般的には、例えば、1μm~500μmの間、好ましくは10μm~200μmの間とすることができる。箔がレーザーの設計波長で光に透明でない場合、光が通過する穴を箔のその領域に用意することができる。他の実施形態では、距離要素は、任意の一般的に輪状の環状構造である。いくつかの実施形態では、距離要素は、第1ミラーと活性領域との間の距離を調整するための手段、例えば、圧電層を備えることができる。第1構成部品と第2構成部品との間の距離要素に加えて、またはこれの代わりに、同様に上記の距離要素を第2構成部品と第2ミラーとの間に用意することもできる。第1構成部品は、第1ミラーが配置されている表面に第1基板を備える。同様に、第2構成部品は、活性領域が配置されている表面に第2基板を備える。異なる層配列をもたらすように、異なる配向で第2構成部品を第1構成部品に連結することができる。いくつかの実施形態では、活性領域が第1構成部品に向き合い、第2基板が第1構成部品から反対方向を向くような配向で、第2構成部品を第1構成部品に連結する。特に、活性領域を第1ミラーに隣接して配置し、第1ミラーと連結することができる。このような実施形態では、得られる最上層は第2基板である。次いで、その後、例えば、周知のリフトオフ技術により、第2基板を部分的にまたは完全に除去することができる。他の実施形態では、第2基板が第1構成部品、特に第1ミラーに向き合い、活性領域が第1構成部品から反対方向を向くような配向で、第2構成部品を第1構成部品に連結する。第1ミラーは、第1基板上に直接堆積させる必要はないが、ある補助基板上にエピタキシャルに成長またはその他の方法で堆積させ、その後、例えば、エピタキシャルリフトオフ技術により第1基板に移すことができる。換言すれば、本製造方法で第1構成部品を用意する工程は、第1補助基板上に少なくとも1つのミラー層を堆積させる工程と;前記第1補助基板から少なくとも1つのミラー層を除去する工程と;少なくとも1つのミラー層を前記第1基板に連結する工程とを含むことができる。同じことが活性領域にも当てはまる。換言すれば、第2構成部品を用意する工程は、第2補助基板上に少なくとも1つの活性層を堆積させる、特にエピタキシャル成長させる工程と;前記第2補助基板から少なくとも1つの活性層を除去する工程と;少なくとも1つの活性層を前記第2基板に連結する工程とを含むことができる。必要とされる出力電力に応じて、異なる基板を使用することができる。最高出力電力のためには、第1または第2基板として、ダイアモンドまたはSiCのような最高熱伝導率を有する基板を使用することができる。ダイアモンド基板を共振器の内側に配置する場合、1600~2600cm-1波長領域のダイアモンドのわずかな2フォノン吸収を考慮しなければならない。この吸収は、レーザー発振を阻害し得るが、十分薄いダイアモンド基板を使用すれば許容できるだろう。SiC基板を共振器の内側に配置する場合、当業者が容易に知ることができるように、いくらかのスペクトル域制限が同様にあてはまる。本発明の第2態様によると、上記の製造方法により得ることができるレーザー装置が提供される。特に、少なくとも1つのミラー層、好ましくは複数のミラー層を有する第1ミラーを備える第1構成部品と;半導体材料から作られた、少なくとも1つの活性層、好ましくは複数の活性層を有する活性領域を備える第2構成部品、ここで前記第2構成部品は予め製作された前記第1構成部品に連結する;および活性領域が前記光共振器の内側に位置するように、第1ミラーと共に光共振器を形成する第2ミラーとを備えるレーザー装置が提供される。従来技術のように、一方を他方の上にエピタキシャルに成長させた代わりに、各部品を別々に製造した後に2つの部品を連結させたので、このようなレーザー装置は、必然的にモノリシックに成長させた伝統的な装置とは異なるように構築された第1構成部品と第2構成部品との間の界面を有する。目視検査および/または顕微鏡技術特に、光学または電子顕微鏡で撮像した横断面画像により、異なる構造を容易に認識することができる。上記のように、距離要素を、第1構成部品と第2構成部品との間に配置する場合に、これは特に当てはまる。好ましくは、レーザー装置は、VECSEL装置、特に、中赤外領域2~20μmで発光するVECSELである。少なくとも1つの活性層を、好ましくはエピタキシャルに成長させる。活性領域は、好ましくは、エピタキシャルに成長させたIV~VI族半導体材料、特に、鉛カルコゲナイド材料、好ましくは、組成Pb1-xXxTe1-y-wSeySw式中、Xは、Sn、Sr、Euからなる群から選択され、0≦x≦1、0≦y≦1および0≦w≦1であるの材料の少なくとも1つの活性層を備える。しかしながら、本発明は、IV~VI族材料などの特定の材料に限定されず、III~V族半導体材料にも同様に適用できる。いくつかの実施形態では、活性領域は、いくつかの活性層活性層積層体を備えることができる。活性領域は、活性領域の隣接領域より低いバンドギャップを有する複数の量子井戸を備えることができる。量子井戸は、一般的に、共振器の定在波の最高電界強度の領域に配置される。エピタキシャル成長を行う基板として、複数の材料を選択することができる。特に、上記の基板の各々は、ケイ素、ダイアモンド、炭化ケイ素およびIIa族アルカリ土類金属フッ化物、特にフッ化バリウムからなる群から選択される単結晶材料からなる。第1ミラーおよび第2ミラーの少なくとも一方は、一般的に、隣接するミラー層間で実質的に交互になる屈折率を有する複数のミラー層を備えるブラッグミラー分布ブラッグ反射器、DBRである。好ましくは、これらの層は、所定の設計周波数で、前記ミラー層の各々で約4分の1波長の光学的厚さを有する。しかしながら、光学的厚さは、例えば、このミラーを通して照明を行う場合にポンプビームの透明性を最適化するために、設計周波数における十分な反射率が確保される限り、種々の理由のためにこの値からはずれてもよい。上記のように、ミラーは、エピタキシャルに成長させる必要はないが、少なくとも1つの多結晶質または非晶質ミラー層を備えることができる。特に、第2ミラーは、単一の高反射層、例えば、金の層からなる。レーザー装置は、通常、高出力用途において光ポンピングされるが、電気的にもポンピングされる。特に、レーザー装置を光ポンピングする場合、レーザー装置は、活性領域を光ポンピングするためにレーザー装置の光共振器中に連結したポンプビームを提供するのに適合したポンプレーザーを備えることができる。レーザー装置は、光共振器の長さを変えるための装置、特に、レーザー装置にチューニング発光波長を変える可能性を提供するために、第1と第2ミラーとの間の距離を変えるため、第2ミラーおよび第1と第2構成部品から形成された一体型ユニットの少なくとも一方に連結された圧電素子を備えることができる。あるいは、共振器長を変えるための装置は、マイクロメカニカルデバイス、特にSi技術を用いて作られたマイクロメカニカルデバイスを備えることができる。長さの変化については数μmの範囲で一般的に十分であり、このような調整を行うための、ここに記載するもの以外の装置は当業者に既知である。あるいはまたはさらに、レーザー装置は、当技術分野で周知であるように、レーザー装置をチューニングするために、作動温度を調整するための装置を備えることができる。本発明の第1態様による上記方法に関連する全ての特徴は、この方法により製造されるレーザー装置の構造的特徴中に対応を見出すということ、およびこのような特徴は、本発明の第2態様によるレーザー装置の上記のさらなる特徴のいずれかと組み合わせることができることを理解すべきである。本発明の目的のために、VECSEL型レーザー装置を以下のように広く定義することができる:VECSEL型レーザーは、少なくとも1つのミラー層を備える平面または湾曲第1底部ミラー、好ましくは第1ブラッグミラー分布ブラッグ反射器、DBRを有する面発光半導体レーザーである。第2上部ミラーは、ブラッグミラーであってもなくてもよく、平面でも湾曲でもよいが、第1ミラーから離れて配置され、第1ミラーと共に光共振器を形成する。少なくとも1つの活性半導体層を備える活性領域利得媒体が共振器中に配置され、この半導体層は、共振器中の得られるレーザー光が層平面に実質的に垂直となるように配向される。活性領域は、量子井戸を備えてもよい。第1または第2ミラーのいずれかは、活性領域から一定距離に置かれる。活性領域とそれぞれのミラーとの間の空間は、空気および/または少なくとも1種の他の材料、例えば、基板材料、ガスセル、もしくは特に設計周波数が近赤外領域にある場合には、周波数二倍器で充填することができる。第1および/または第2ミラーは、出力ビームのための出力カプラを供給し、出力ビームの波長は、設計周波数と同一であっても周波数二倍の場合異なってもよい。レーザーは、任意選択により光ポンピングまたは電気的ポンピングされる。本発明によるVECSELの第1実施形態を図1に模式的に例示する。寸法は縮尺に沿っていないことに留意すべきである。特に、レーザー装置中の層の配列を例示するために、垂直方向に沿ったレーザーの個々の部品の厚さは、水平面の寸法に対して強く誇張されている。図1のVECSELは、円筒対称性を有する。これは、例えば、SiまたはBaF2基板である第1基板11を備え、その上に、設計周波数所望の自由空間波長、例えば、5μmに相当する周波数で最適厚さの4分の1の、交互に低および高屈折率を有する複数の交互のエピタキシャル層からなる第1底部ブラッグミラー12が成層されている。この目的のために、Pb1-xXxYX=Sn、Sr、Eu等、Y=Te、Se、Sもしくはこれらの混合物、0≦x≦1などのIV~VI族ナローギャップ材料を高屈折率材料に使用することができる。低屈折率材料に、XY、より高バンドギャップをもたらすような適当なxを有するPb1-xXxY、またはBaF2を使用することができる。しかしながら、所望の波長で透明な任意の他の材料も使用することができる。第1基板11および第1ミラー12は共同して予め製作された第1構成部品10を形成する。例えばケイ素基板である第2基板21上には、活性領域22が配置され、これはエピタキシーにより成長させたものである。活性領域は、例えば、単一活性半導体層、例えば、高い構造結晶品質のエピタキシャルPb1-xXxY層からなる。この層の厚さは、共振条件が望まれる場合、設計周波数の2分の1波長の倍数とすることができる。層は、反射防止コーティングを伴うことができる。単一活性層の代わりに、複数の半導体層層積層体を使用することが可能である。好ましい実施形態では、活性領域は、共振器中の定在波の最高電界強度の位置に特に、設計周波数で活性領域の2分の1波長の倍数の距離に量子井戸を含む。これは、レーザー発振が始まる閾値電力をかなり低くする。第2基板21、活性領域22および反射防止コーティングなどの任意のさらなる層は、予め製作された第2構成部品20を共に形成する。活性領域22が第1ミラー12と向き合う第2構成部品を第1構成部品10と平行して配向させ、第1および第2構成部品を互いに押圧することにより、第2構成部品20を第1構成部品10と連結する。押圧は、例えば、ネジおよびピストンを有する取付具を使用して、約109N/m2までの推定圧力をもたらす数千ニュートンまでの範囲の力を印加することにより、行うことができる。あるいは、上記のウエハー接着技術を使用して、第2構成部品20を第1構成部品10に連結することができる。任意選択により、距離要素、例えば、金属またはプラスチック箔を第1構成部品10と第2構成部品20との間に配置することができ、第1および第2構成部品を距離要素に連結することにより、これら2つの構成部品を連結することができる。第2上部外部ミラー32は、第2構成部品20から離れて配置される。本例では、第2ミラー32は、設計周波数でレーザー光に透明である、例えば、ケイ素基板の湾曲した第3基板31の上に成長させたエピタキシャルブラッグミラーである。そのため、第2ミラー32自体は湾曲しているが、このミラーは平坦であってもよい。第2ミラー32は、第1ミラー12と類似の材料組成物を含むことができる。あるいは、これらのミラーに多結晶質または非晶質層を使用することができる。本例では、ミラー32は、出力ビーム1の出力結合器として働く。しかしながら、第2ミラー32を出力結合器として使用しない場合、さらに高反射非透過性材料Au、Alなどを使用することができ、基板は、レーザー光に非透過性となる。第3基板31および第2ミラー32は、共に第3構成部品30を形成する。第1底部ミラー12も湾曲していてよく、これは、活性領域22にも当てはめることができる。この目的のため、これらの要素は、湾曲基板上に成長させることもできる。外部第1基板11を、適切なヒートシンクにハンダ付けすることができる。ハンダおよび/またはヒートシンクは、ビーム伝送に使用しないのであれば、適切な材料ハンダにはIn、Sn、ヒートシンクにはCuなどから作ることができる。出力もしくはポンプビーム結合器として使用するのであれば、ヒートシンクおよびハンダはビームに透明であるべきである、または出力もしくはポンプビームが通過する穴を開けておくべきである。ポンプレーザー41は、ポンプビーム2により活性領域を光ポンピングするのに役立つ。1~2μm波長領域で発光する市販のダイオードレーザーまたは光ファイバーレーザー、例えば、市販のエッジ発光III~V族半導体レーザーを使用することができる。ポンプレーザーは、レンズ42またはコリメーター光ファイバーを伴うことができる。図1に示すように、ポンプビーム2は、中赤外出力ビームと同じ側から照射することができ、ポンプビームの軸はVECSELの軸に関して傾斜している。これはまた、ミラーが透明であれば、出力ビーム1のビーム軸上または出力ビーム1に対して傾斜して、第1または第2ミラーを通して照射することもできる。正確なレイアウト:上部/上部、上部/底部、底部/上部、底部/底部に応じて、ポンプ/出力ビーム方向についての全ての変化が可能である。他の実施形態では、VECSELは、電気的にポンピングされる。本例では、第1構成部品10および第2構成部品20を連結すると、活性領域22は第1ミラー12と向き合う。しかしながら、基板、ミラーおよび活性領域の配列は異なっていてもよく、例えば、第1ミラー12および第2基板21が連結するように第1構成部品10および第2構成部品20を連結すると、第2基板21は第1ミラー12と向き合うことができる。あるいは、本例のように、第2基板21が最上層である場合、ビーム伝送を増加させ、光共振器中の空間を得るために、例えば、活性媒体と第2基板との間の界面層を除去し、基板を剥離することなど、既知の技術による連結後に、この基板を除去することができる。第1構成部品10および第2構成部品20を連結する前に、薄さ数μmの活性領域の活性層および/またはミラー層を、それらが最初に成長した基板から取り除き、別のより優れた好適な基板に移すことができる。これは、例えば、極めて高い熱伝導性のために、ダイアモンド、SiC、またはエピタキシャル成長に基板としてそれほど適していない他の材料とすることができる。これは、周知のエピタキシャルリフトオフ技術およびその後の接着、例えば、液体毛管結合により行うことができる。基板の1つまたはいくつかは、平行な底面および上面を有さなくてもよいが、くさびを形成するよう形づくることができる。これにより、異なる反射ビーム部品間の望ましくない光干渉が回避される。典型的な平行からの偏位くさび角は、0.5~5°の範囲、例えば、約2°である。軸方向の共振器の長さLについては、多数の軸方向モードを励起することができる。1つの特定のモードを選択するために、当技術分野で既知のように、ビームコリメーター、エタロンまたは外部格子を使用することができる。他方、共振器の長さLが短い、例えば、5~30μmの場合、共振器の共振条件が他のモードを許容しないので、ただ1つの単一軸方向モードのみを励起することができる。ポンプビームを小さな面積にのみコリメートすることにより、半径方向モードが抑制される。本発明によるVECSELの第2実施形態を図2に示す。この実施形態のVECSELは、30μm未満の範囲の非常に短い共振器の長さLを有し、これに対応して非常に短い空気ギャップを有するか空気ギャップを有さない。同様な部品については図1と同じ参照番号を使用する。活性領域22ではなくて第2基板21が第1ミラー12に連結しているという点で、層配列は図1の配列とは異なる。製作を単純化するために、この実施形態では、第1および第2ミラーの両方を平面鏡とする。いわゆるエンドポンピングにより励起が行われる。すなわち、レーザーポンプビーム2を、第1基板11および第1ミラー12を通して光共振器中に供給する。本例では、ポンプビームの方向は、VECSELの同筒軸に対して傾斜しているが、ポンプビームは、VECSELの軸に沿って通過することもできる。そのため、少なくともポンプ波長において、基板11およびミラー12は透明でなければならない。上記のミラー材料は、典型的なポンプビーム典型的な波長0.9~2.2μmに透明である。第1実施形態と同様に、ポンプビーム2は、レンズ42または別の好適なコリメーター系により、活性領域22上に結像することができる。より容易により低コストで、ポンプレーザー41を、進相軸および遅相軸に沿った非点収差ビームの側方拡大がほぼ等しい、すなわち、ほぼ円形のビームが得られる距離で活性領域22の非常に近くに配置することができる。あるいは、ファイバー結合ポンプレーザーを使用することができる。図2のレイアウトは、短い共振器長のために、活性半導体材料が利得を示す相当な波長領域にわたってモードホップのない連続したチューニングを可能にする。短い共振器では、ただ1個のまたは数個の軸方向モードが活性領域のスペクトル利得領域にわたって発達する。そのため、共振器長を変えることにより、10を超える程度の、相当の領域にわたる波長をチューニングすることが可能である。これは、第2ミラー32の数μmの垂直変位を要する。変位は、当技術分野で既知のように、圧電材料、およびミラーマウントの活性化、またはマイクロ光電気機械システムMOEMS技術を使用することにより、達成することができる。あるいは、半導体材料の屈折率は、温度により好適に変化するので、温度チューニングを使用することができる。本発明によるVECSELの第3実施形態を図3に示す。第2構成部品20と第3構成部品30との間に自由空間空気ギャップを有する必要はなく、これらの構成部品を連結することができる。図3は、この実施形態に対応する可能なレイアウトを示している。ここで、第2ミラー22は、第2構成部品20の基板21に接触している拡張された基板31上に配置している。この拡張された基板31は、例えば、ケイ素もしくは上記のIV~VI族組成物を含む任意の他の透明材料であってよく、金属ミラー層で覆われていても、ブラッグミラーを形成する層積層体を含んでいてもよい。従来技術のVCSEL装置中に典型的に存在する層よりもはるかに厚いこの拡張された基板31の存在により、この装置は、VCSELではなくなおVECSELとみなすことができる。この装置は、温度チューニングによりチューニングすることができる。室温から例えば、-70°Cまでの熱電冷却により、数パーセントのスペクトルチューニング領域が利用できる。図1~3のレイアウトは、単なる例である。基板およびミラー層は、全ての実施形態で交換することができる、すなわち、層は、対応する基板の反対側部分に存在してもよい。そのため、個々の部品の最終的な配置で、基板上に成長させた層は、層、もしくは基板を伴うことがでる、または2つの基板が互いに接触することができる。これらの実施形態のいずれにおいても、2つのミラーのいずれかは、平坦平面であっても湾曲していてもよい。これらのレイアウトは非常に小型にすることができる:第1実施形態の典型的な共振器長はわずか数mmである一方で、活性領域のモードのスポット径は典型的には約0.3mm未満である。そのため、約2x2x2cm3未満の総サイズが可能である。第2および第3実施形態は、第1実施形態よりまださらに小型にすることができる。小型サイズは、安定で頑丈な機械構造を見つける仕事をかなり単純化する。実験室で実現される具体的なセットアップの例を図4に模式的に例示する。重ねて、図面は縮尺に沿っていない。図1~3中と同じ参照番号を同様な部品に使用する。ブラッグミラーの形態の第1底部ミラー12を、第1Si基板11上に成長させた。ブラッグミラーは、高屈折率材料Pb0.99Sr0.1Te、屈折率n≒5、厚さ約200nmおよび低屈折率材料EuTe、n≒2.4、厚さ約500nmの4対の交互の層13、14から構成された。層は、MBEにより成長させた。底部ミラーは、設計周波数でR>99.7の反射率5μmの自由空間波長に相当するを示した。PbSeからなる1つの光学波長1040nmの厚さを有する単一活性層の形態の活性領域22を、分子線エピタキシー法MBEにより、別の第2のSi基板21上に成長させた。押圧により、第2基板21および活性領域22からなる第2構成部品20を、第1基板10および第1底部ミラー12からなる第1構成部品10に連結し、活性領域22を第1ミラー21に向き合うようにした。50mmの曲率半径を有する別の湾曲第2上部ミラー32を、研磨したBaF2単一結晶の形態の別の第3基板31上に成長させた。第2ミラー32は、MBEによって成長させたブラッグミラーとした。これは、高屈折率材料Pb0.94Eu0.06Te、屈折率n≒5、厚さ約200nmおよび低屈折率材料BaF2、n≒1.4、厚さ約900nmの21/2対の交互の層33、34から構成された。第2ミラー32は、設計周波数でR>99の反射率を示した。これは、第2基板21から約20mmの距離に配置した。1.55μmの波長のポンプビーム2を、コリメータレンズ42によって、第2基板22を通して活性層に結合させた。100nsパルスによる10kHzパルス操作で、レーザー発振スペクトルを得てフーリエ赤外分光計で記録した。図5は、それぞれ0°C、-20°Cおよび-120°Cの温度で記録したこのようなスペクトル51、52、53の例を示している。スペクトルは、マルチモードとした。モード間隔は、約400μm厚さの、上に活性層を成長させた共振器の内側の第2Si基板21の光学厚さにより与えられる。PbSe活性層のバンドギャップの温度依存性のために、レーザー発振波長は温度に依存する。ピーク電力は約0.4Wであった。本発明の波長可変VECSEL装置は、全範囲の異なる用途に適用することができる。1つのこのような用途は、例えば、環境モニタリングのための微量ガス分光法である。他の用途には、工業プロセス制御または医学分析のための、微量ガス、ガスまたは液体分光法が含まれる。燃焼ガスおよび炭化水素は、中赤外3μm~10μm波長に非常に強い吸収線を有する。そのため、ガス分光センサーは、この波長領域内で作動させると、非常に高い感度が提供される。中赤外全体を利用できるようにすることにより、中赤外レーザーモジュールは、分光センサーの全可能性を取り入れることを可能にする。他の用途には、医療手術組織切断もしくは治癒、材料加工、または軍事対策が含まれる。大気吸収が最小である、中赤外3~5μmおよび8~14μm中に2つの透明窓が存在する。これは、長距離にわたり信頼できる信号伝送、すなわち、自由空間伝送を可能にする。