"基板上に設けられたIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、前記バッファー層上に設けられ、p型及びn型の半導体層を含み、pn接合を有するIII族窒化物半導体層と、を有する化合物半導体層を備え、前記バッファー層がスパッタ法によって形成され、前記III族窒化物半導体層中の少なくとも一種の半導体層がスパッタ法によって形成されたことを特徴とする太陽電池。前記III族窒化物半導体層が、InxGa1-xN0≦x<1からなる層であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記基板が、石英、ガラス、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン及び酸化チタンからなる群から選ばれた少なくとも1種の材料の基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池。n型電極及びp型電極が、前記III族窒化物半導体層の少なくとも一部又は全部の表面上に形成されたことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の太陽電池。本発明は、上述の問題点を解決し、産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池を提供する。本発明は、下記の発明を提供する。1基板上に設けられたIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、前記バッファー層上に設けられ、p型及びn型の半導体層を含み、pn接合を有するIII族窒化物半導体層と、を有する化合物半導体層を備え、前記バッファー層がスパッタ法によって形成され、前記III族窒化物半導体層中の少なくとも一種の半導体層がスパッタ法によって形成されたことを特徴とする太陽電池。2前記III族窒化物半導体層が、InxGa1-xN0≦x<1からなる層であることを特徴とする前項1に記載の太陽電池。3前記基板が、石英、ガラス、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン及び酸化チタンからなる群から選ばれた少なくとも1種の材料の基板であることを特徴とする前項1又は2に記載の太陽電池。4n型電極及びp型電極が、前記III族窒化物半導体層の少なくとも一部又は全部の表面上に形成されたことを特徴とする前項1~3のいずれか一項に記載の太陽電池。本発明において、基板上に設けられたIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、前記バッファー層上に設けられ、p型及びn型の半導体層を含み、pn接合を有するIII族窒化物半導体層と、を有する化合物半導体層を備え、前記バッファー層がスパッタ法によって形成され、前記III族窒化物半導体層中の少なくとも一種の半導体層がスパッタ法によって形成されたことを特徴とする太陽電池は、用いる基板の大面積化が可能であり、従来のMOCVDのみで製造する方法に比べ、大幅な製造コストの低減が図られる。さらに、本製造方法は、スパッタ法と他の方法例えばMOCVD法、MBE法、CBE法、MLE法等との容易に組み合わせることにより、さらに太陽電池の工程を格別スピードアップできる利点が期待できる。本発明でのスパッタ法の利用により、太陽電池の製造方法においては、窒素を、プラズマ、ラジカル、原子のうちのいずれかの状態で供給してIII族元素と反応させることにより容易に成膜することができ、ドーパント元素のみを供給するプロセスと、III族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含み、さらに第一の工程による成長後、熱処理を行う第二の工程を実施することにより、優れたIII族窒化物半導体層p型層/n型層を形成することができる。さらに、本発明において、基板上にIII族窒化物半導体からなるバッファー層又はその上部に形成する下地層をスパッタ法によって形成された化合物半導体層を有する太陽電池は、当該バッファー層や下地層の形成条件を最適化することにより、貫通転位を少なくすることができる。特に、スパッタ法で形成されたバッファー層は、MOCVD法で形成されたバッファー層と比較して、膜厚が薄くても面内均一性に優れたものとなり、多結晶例えば柱状結晶体から、より単結晶化する。例えば、前記下地層の特性として、0002面のロッキングカーブ半価幅が100arcsec以下であり、かつ10-10面のロッキングカーブ半価幅が300arcsec以下である下地層を得ることができる。その結果、その上部に形成するpn接合を有する太陽電池の変換効率等にも優れた影響を与えることができる。本発明は、少なくとも基板上にIII族窒化物半導体からなるバッファー層と、pn接合を有するIII族窒化物半導体層p型層/n型層とを具備する太陽電池であって、バッファー層とpn接合を有するIII族窒化物半導体層とからなる群より選ばれた少なくとも一種がスパッタ法によって形成された化合物半導体層を有することを特徴とする太陽電池及びその製造方法に関する。さらに本発明においては、バッファー層を形成した後のIII族窒化物半導体からなる下地層や、pn接合を有するIII族窒化物半導体層p型層/n型層のいずれの層もスパッタ法によって形成された発明を含む。さらに本発明においては、pn接合を有するIII族窒化物半導体層を含み、当該接合層は太陽光の入射方向に対して限定されないが、好ましくは入射方向からn層/p層の順で形成された半導体多層膜を少なくとも含むものがよく、また同一基板上で前記pn接合の半導体層を複数含んだタンデム構造の多接合型太陽電池構造を形成してもよい。本発明においては、バッファー層上に形成されたpn接合を有するIII族窒化物半導体層は、好ましくはInxGa1-xN0≦x<1からなる層である太陽電池を提供する。なお、上記のxは、任意の原子比を示すものであり、例えば、後述するX1,X2等を示すものである。以下、同様とする。バッファー層は、特に限定されないが好ましくはGaN又はAlNから選ばれる。バッファー層の膜厚は、通常1~1000nmの範囲、好ましくは3~400nm、さらに好ましくは5~200nmの範囲がよい。バッファー層を形成した後、バッファー層とpn接合層の間に下地層を形成することができる。下地層はIII族窒化物半導体、好ましくはInxGa1-xN0≦x<1からなる層であって、さらに好ましくはGaN層が使用される。また、本発明において、前記バッファー層をスパッタ法で形成する場合、バッファー層の均一性が優れており、その結果その後に下地層を形成した場合、下地層中の貫通転位を少なくすることができる。特に、スパッタ法で形成されたバッファー層は、MOCVD法で形成されたバッファー層と比較して、膜厚が薄くても面内均一性に優れたものとなる。例えば、前記下地層の特性として、0002面のロッキングカーブ半価幅が100arcsec以下であり、かつ10-10面のロッキングカーブ半価幅が300arcsec以下である下地層を得ることができる。また、このような優れた下地層を形成できるので、その上部に形成するpn接合を有する太陽電池特性にも優れたものを作ることができる。また、下地層を形成しない場合でもその上部に形成する、pn接合を有するIII族窒化物半導体層p型層/n型層の特性も優れたものを作ることができる。また、スパッタ装置のチャンバ内に基板を配置し、バッファー層を形成する前にスパッタするなどの方法によって前処理を行ってもよい。具体的には、チャンバ内において、基板をArやN2のプラズマ中に曝す事によって表面を洗浄する前処理を行なうことができる。ArガスやN2ガスなどのプラズマを基板の表面に作用させることで、基板表面に付着した有機物や酸化物を除去することができる。この場合、ターゲットにパワーを印加せずに、基板とチャンバとの間に電圧を印加すれば、プラズマ粒子が効率的に基板に作用する。基板に前処理を行なった後、基板上に、スパッタ法によって、図1に示すバッファー層を成膜する。また、一般的に、スパッタ法は基板の温度を低く抑えることが可能なので、高温で分解してしまう性質を持つ材料からなる基板を用いた場合でも、基板11にダメージを与えることなく基板上への各層の成膜が可能である。また、本発明において、バッファー層は結晶性についても特に制限なく使用することができ、多結晶例えば柱状結晶であっても単結晶であってもよく、好ましくは単結晶がよい。下地層には、必要に応じて、n型不純物をドープしても良いが、アンドープ<1×1017/cm3とすることもでき、アンドープの方が良好な結晶性の維持という点で好ましい。また、下地層にドーパントをドープして導電性とすることにより、pn接合素子の上下に電極を形成することができる。下地層の厚みは、特に限定されないが、通常0.01~30μmの範囲、好ましくは0.05~20μm、さらに好ましくは0.1~10μmの範囲がよい。この際、複数のpn接合からなるIII族窒化物半導体層は、トンネル接合又はオーミック電極で接続された構造をとってもよい。本発明において、基板はIII族窒化物半導体からなる基板又は基板上に結晶成長させる材料と異なる基板異種基板であってもよい。例えば異種基板としては、石英、ガラス、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン及び酸化チタンからなる群から選ばれた一種の材料基板が好ましく挙げることができ、さらに好ましくは石英、ガラス、サファイア、SiC、シリコンからなる群から選ばれた少なくとも一種の材料基板がよく、さらに望ましくは石英、ガラス又はサファイアが良い。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、図面は模式的なものであり、各層の厚みや平面寸法との関係等は現実のものとは異なる。以下、当該構造を含む太陽電池について説明する。なお、以下の図1、図3、図4において、太陽光の入射方向は、各図中に示す方向に特に限定されるものではなく、各図中に示す方向の反対方向であってもよい。図1は、GaNからなるpn接合を有する太陽電池素子の縦方向断面図の一例を表す。ここで、pn接合を有するp型/n型のGaN層50、51は、石英基板1上のAlNバッファー層2、アンドープGaN下地層3を介して積層され、pn接合を有する半導体層上には集電電極としてオーミック電極60のITOインジウムスズ酸化物が積層されている。電極表面は、必要に応じて保護膜61で被覆されている。保護膜61は、オーミック電極を保護できるものなら何でも良い。太陽光の入射する側の表面には、公知な反射防止膜例えばMgF2/ZnS2膜などが使用される。図3は、図1中の、pn接合を有するp型/n型のGaN層50、51の替わりにInX1Ga1-X1Nなるpn接合を有するp型/n型のInGaN層70、71を具備する太陽電池素子の縦方向断面図の一例を表す。さらに本発明においては、pn接合を有する化合物半導体層を基板上に複数形成したものであってもよく、その場合接合層間はトンネルピーク電流密度の高いトンネル接合層で形成される。図4は、pn接合を有する化合物半導体層を基板上に2接合を具備する太陽電池素子の縦方向断面図の一例を表す。III-V族化合物半導体層においてV族分子が表面から蒸発する温度は、約400°C程度以上で行うのが一般的であることから、InxGa1-xN0≦x<1からなるトンネル接合層は、約400°C~約800°Cの比較的高い熱処理温度で短い熱処理時間数秒程度で熱処理を行うことにより、50mA/cm2以上のトンネルピーク電流密度を得ることができる。しかし、約300°C~400°Cの比較的低い熱処理温度では、数10分以上の熱処理を行うこともできる。トンネル接合層においても光吸収されて光吸収損失が生じるので、トンネル接合層の厚さは十分なトンネル接合特性が得られる薄い薄膜がよく、好ましくは10nm以下とするのがよい。図1及び図3において、p型GaN層51又はp型InX1Ga1-X1N層71の片面にはITO等からなるオーミックコンタクト電極オーミック電極60が形成されており、さらにこのオーミック電極60の上にAu等からなる電極が形成されている。n型GaN層50やn型InX1Ga1-X1N層70は、それ自体をコンタクト層として化合物半導体表面の一部を公知なフォトリソグラフィー及びエッチング手法ドライエッチング工程を含むで素子加工してパッド電極が形成され、パッド電極としてはCr,Ti,Au等が使用される。図1及び図3のAlNバッファー層は、石英基板上にスパッタ法で形成された一例を示しており、この場合、AlNバッファー層以外の半導体層は基本的にはMOCVD法によりエピタキシャル成長されて作製される。図4は、pn接合を有するp型/n型のGaN積層物50、51とp型/n型のInX2Ga1-X2N積層物80、81を具備する太陽電池素子の縦方向断面図の一例を表す。図4の化合物半導体の積層構造も、上述の図1及び図3に説明に準じて作成できる。本発明におけるn型半導体は、n型ドーパント元素として太陽電池の効果を有する元素であれば特に限定されないが、好ましくはSi、GeおよびSnからなる群から選ばれた少なくとも一種を含むものがよい。またp型半導体は、p型ドーパント元素として太陽電池の効果を有する元素であれば特に限定されないが、好ましくは、MgおよびZnからなる群から選ばれた少なくとも一種を含むものがよい。本発明において、接合セルは太陽電池の効果を有する範囲であって特に限定されないが、例えば、厚み0.1~3μmであり、またInxGa1-xN0≦x<1で表されるn型層及びp型層の厚みは、それぞれ20nm~1.5μm、不純物濃度は4×1017~4×1018cm-3の範囲が好ましい。次に、本発明の太陽電池素子を構成するIII族窒化物半導体の積層構造物は、例えば、以下の方法で形成することができる。本発明において前述したように、基板上にスパッタ法でAlN層を形成した後、スパッタ法又はMOCVD法または他の方法で下地層を形成したのち、上部にpn接合を有するIII族窒化物半導体層を形成する。本発明において、スパッタ法を使用してpn接合を有するIII族窒化物半導体層のドーピング層を形成する場合、ドーパント原子の層とアンドープのIII族窒化物半導体の層とを交互に積層し、ドーピングすることができる。MOCVDなどの化学気相成膜法の場合は、ガスを混合することでドーピングが可能であるが、前述の場合このような方法をとる必要はなく、MOCVDなどの生産性や再現性の問題を改善することができる。スパッタ法による物理的な結晶成膜法では、プラズマ化、ラジカル化または原子化した窒素を供給する。ドーパント原子と窒素との反応を防ぐためには、ドーパント原子を供給するプロセスでは窒素をチャンバ内に供給しないことが望ましい。本発明においては、ドーパントのみを供給するプロセスと窒素を用いてIII族窒化物半導体を成膜するプロセスとを交互に繰り返す成膜法も提供する。この方法によって成膜された積層構造体は、ドーパントのみからなる層とアンドープのIII族窒化物半導体からなる層とが交互に積層された構造となる。交互に積層する過程で、ドーパント層を構成するドーパント原子の一部がIII族窒化物半導体層に拡散している場合もあるが、この段階ではドーパント原子のみからなる層が必ず存在する。層を成すドーパントは、p型のドーパントでも良いし、n型のドーパントでも良い。III族窒化物半導体に対するドーパントとしては、p型ドーパントであればMgやZn、n型ドーパントとしてはSi、GeおよびSn等が知られている。中でも、n型ドーパントしてSi、p型ドーパントとしてMgが、ドーピング効率、活性化率共に高く、結晶性の低下も少ないので、最も好適である。層を成すIII族窒化物半導体結晶としては、InxGa1-xN0≦x<1構造が適している。ドーパント層がIII族窒化物半導体層を完全に覆ってしまうと、結晶格子定数が異なるため、エピタキシャルな関係が成立しなくなり、結晶性の低下を招く。このためドーパント層は、完全な層を成さずに島状に表面に散在するように形成することが望ましい。このような形態をとることで、III族窒化物半導体の結晶は露出した面を起点としてエピタキシャル成長し、横方向成長によって面を完全に埋め尽くすことが可能である。上記の島状ドーパント層の各島状塊の間隔は、幅2nmから100nmの範囲であることが望ましい。これよりも間隔が小さいと、III族化合物半導体結晶がその隙間を基点としてエピタキシャル成長することが難しくなり、これよりも大きいと、ドーパントが充分行き渡らず、素子とした場合に駆動電圧の上昇を招く。更に望ましくは、幅10nmから50nmの範囲である。島状ドーパント層の各島状塊の合計面積の、全領域に対する比は、0.001以上0.9以下であることが望ましい。これよりも大きいと、III族化合物半導体結晶が各島状塊の隙間を基点としてエピタキシャル成長することが難しくなり、これよりも小さいと、ドーパントが充分行き渡らず、素子とした場合に駆動電圧の上昇を招く。更に望ましくは、0.005から0.5である。島状を成すドーパント層の個々の島状塊の直径円相当直径は、0.5nmから100nmの間の値であることが望ましい。これよりも小さいと、ドーパントが充分行き渡らず、素子とした場合に駆動電圧の上昇を招き、これよりも大きいとIII族化合物半導体結晶の結晶性が低下する。更に望ましくは、1nmから10nmである。以上のような島状ドーパント層における各島状塊の直径や間隔は、断面を露出した試料を用いた透過型電子顕微鏡による観察などによって測定可能である。また、各島状塊の合計面積の全領域に対する比は、上記直径および間隔をランダムに例えば10点測定し、それらの平均値から算出することができる。ドーパント層を、上記のような島状の塊として形成するためには、成膜の条件を工夫すると良い。ドーパント層はIII族窒化物半導体層とは格子整合していないので、マイグレーションを活発に起こす条件とすることで、島状の結晶塊を形成することができる。一例を挙げると、基板温度を600°C以上、成膜時のチャンバ圧力を0.3Pa以下、成膜速度を0.5nm/sec以下とすることができる。ドーパントのみからなる層の膜厚は、0.1nmから10nmであることが望ましい。これよりも薄いと、ドーパントが充分にいきわたらない可能性があり、これよりも厚いと、III族窒化物半導体結晶が横方向成長しても埋め込むことが困難になる。更に望ましくは0.5nmから5nm程度である。III族窒化物半導体層の膜厚は、1nmから500nmであることが望ましい。これよりも厚いと、ドーパントが充分にいきわたらない可能性があり、これよりも薄いと、III族窒化物半導体結晶が横方向成長によっても埋め込むことが困難になる。更に望ましくは10nmから100nm程度である。また、両層の厚みの比III族窒化物半導体層/ドーパント層は、10から1000であることが望ましい。これ以下だと、ドーパントが多くドープされすぎてIII族窒化物化合物半応対結晶の結晶性の低下を生じる。これ以上だと、ドーパントが充分に行きわたらず、積層構造体の抵抗率の上昇を招き、駆動電圧の上昇を招く。第一の工程で形成されたIII族窒化物半導体層とドーパント層との繰り返し回数は、1回から200回の間であることが望ましい。200回以上の繰り返しを行ったとしても素子の機能には大きな違いが生じず、かえって結晶性の低下を招くのみである。窒素原料をプラズマやラジカルとして供給する手法としては、スパッタ、PLD、PEDおよびCVDなどが知られている。中でも、スパッタ法が最も簡便で量産にも適しているため、好適な手法である。DCスパッタではターゲット表面のチャージアップを招き、成膜速度が安定しない可能性が高いので、パルスDCにするか、RFスパッタ法とすることが望ましい。本発明において、プラズマ化またはラジカル化した窒素を発生するための原料としては、一般に知られている化合物をなんら問題なく用いることができるが、特にアンモニアと窒素は取り扱いも楽で比較的安価で入手可能であり望ましい。アンモニアは分解の効率も良く、高い成長速度で成膜することが可能であるが、反応性や毒性が高く、除害設備やガス検知器を必要とし、反応装置に使用する部材の材料を安定性の高いものにする必要があるなど、工夫を要する。逆に窒素を原料として用いると装置が簡便で済む代わりに、高い反応速度は得られない。窒素を電界や熱などにより分解してから装置に導入する方法ではアンモニアには劣るが利用可能な程度の成膜速度を得ることができ、装置コストとの兼ね合いを考えると、最も好適な窒素源である。スパッタを用いて成膜する場合、重要なパラメーターは、基板温度および炉内の圧力と窒素分圧である。基板温度は、一般に室温~1200°Cである。1200°C以上では結晶の分解が発生する。好ましくは200°C~900°Cである。炉内の圧力は0.3Pa以上であることが望ましい。これ以下の圧力では、窒素の存在量が少なく、スパッタされた金属が窒化物とならずに付着する。圧力の上限は特に定めるものではないが、プラズマを発生させることができる程度の低圧が必要なことは言うまでもない。窒素とアルゴンの流量に対する窒素流量の比は、体積で窒素が20以上100以下であることが望ましい。20以下の流量比ではスパッタ金属が金属のまま付着する。特に望ましくは50以上90以下である。90以上の流量比ではアルゴンの量が少なく、スパッタ速度が低下する傾向にある。成膜速度は、0.01nm/秒から10nm/秒とすることが望ましい。これ以上の速度では膜が結晶体とならずに非晶質となる。これ以下の成膜速度では、膜は層とならずに島状に成長してしまい、基板の表面を覆うことができない。一方、ドーパント層は単一成分の層であるので、リアクティブスパッタではない。このため、スパッタ装置としてはRFスパッタとDCスパッタの両方を利用することができる。DCスパッタを用いる場合には、ターゲットが帯電しないように導電性を持たせるのが良い。例えばSiの場合など、純度の高いSiのターゲットを用いると絶縁性でありチャージアップが考えられるので、BやPをドープしたものを用いるのが良い。しかし、交互に積層する際にウエーハをチャンバ間で行き来させるのは無駄に時間を掛けることになるので、III族窒化物半導体と同じチャンバで積層することが望ましく、結局、RFスパッタを用いることが望ましいことになる。炉内圧力や基板温度に関しても、III族窒化物半導体と同じ条件で実施することが同じ理由で望ましい。成膜速度はIII族窒化物半導体に比較して遅く成膜することが薄い膜厚を適正に制御しやすいので、0.001nm/秒から1nm/秒とすることが望ましい。ドーパント層とIII族窒化物半導体層とを交互に積層した構造を形成した後、第二の工程として熱処理を行なうことが望ましい。この熱処理により、ドーパントをIII族窒化物半導体結晶中に拡散することができ、より均一なドーピングの状態にすることが可能である。熱処理の温度としては、300°C以上が望ましい。上限は特に設けないが、マトリクス結晶が分解してしまう温度を超えない必要があることは言うまでもない。多くのIII族窒化物半導体結晶は、1200°Cくらいの温度で分解する。熱処理時間は特に制限されないが、一般に30秒~1時間が好ましい。30秒以下では効果が十分でなく、1時間以上では効果に変化がなく、いたずらに時間を要するのみである。また、熱処理中の雰囲気に関して、特にp型のドーパント層を形成してp型を示す積層構造体を作製したい場合、水素ガスおよび分子中に水素原子を含む化合物のガスを用いないことが望ましい。特に、H2ガスや高温で分解してH2ガスを生成することが知られているNH3ガスなどを用いないことが望ましい。熱処理後の積層構造体は、熱処理時間および温度によって、ドーパント層の痕跡としてドーパントの塊を内包する場合もあるし、ドーパントの塊は拡散して消失するものの、ドーパント濃度は高濃度の層と低濃度の層との繰り返しとなって残存する場合もあるし、ドーパントが拡散して完全に均一なドーピング層となる場合もある。従って、熱処理後の積層構造体は、コンタクト層として機能する。当然ながら、p型ドーパント層を用いた場合にはpコンタクト層、n型ドーパント層を用いた場合にはnコンタクト層として用いることが可能である。コンタクト層には、電流を流通させるための電極を形成する。電極材料としては、一般に知られたものをなんら問題なく用いることが可能である。例えば、n電極材料としてはAl、Ti、Cr、などであり、p電極材料としてはNi、Au、Ptなどである。また、ITO、ZnO、AZO、IZOなどの導電性の酸化物を用いることも可能である。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。実施例1本実施例では、太陽電池素子を構成するIII族窒化物半導体積層構造体の製造方法について説明する。本実施例で作製した積層構造体の断面図を図1に示す。市販の石英ガラス基板1上に、厚さ30nmのAlNバッファー層2、厚さ0.1μmのアンドープGaN層3、島状の結晶塊からなるSiを含むドーパント層厚さ2nmとアンドープのGaN層厚さ100nmとを40回交互に積層して熱処理して形成した約0.5μmのn型GaN層50、同様に形成した厚さ約0.5μmの、Mgをドープしたp型GaN層51を積層した構造物を作製した。なおn型及びp型ドーピング層の作成方法は後述する。n型GaN層50のキャリヤー濃度は約2×1018atoms/cm3、p型GaN層のキャリヤー濃度は約2×1018atoms/cm3であった。スパッタ成膜は、全てRFマグネトロンスパッタを用いて行った。用いたスパッタ機は、ターゲットとカソードの距離が50mmのものを使用した。成膜時の基板温度は750°Cとし、成膜時の圧力は0.6Paとした。石英ガラス基板としては、市販品光学用30cmのものを用いた。作製した前記積層物に、公知のフォトリソグラフィー技術によってp型GaN層51の表面上に、ITOからなるオーミック電極層60を形成し、さらにその上に表面側から順にチタン、アルミニウムおよび金を積層して裏面電極を形成した。更に、別途前記ITOの代りに結晶性IZOをオーミック電極に用いた。結晶性IZOは、全駆体のアモルファスIZOのエッチング性を利用し、優れた加工性を有した。更にその後、積層物を裏面電極側から公知なエッチング法ドライエッチングなどを行い、n型GaN層50のn側電極を形成する部分を露出させ、露出した部分にNi、Al、TiおよびAuの4層よりなるn側電極を作製した。これらの作業により、太陽電池素子を作製した。AlNバッファー層2を成膜するプロセスにおいては、アルゴンと窒素の混合ガスをチャンバ内に導入して、電場をかけてプラズマ化した窒素を窒素源として利用した。一方でプラズマ化したアルゴンによってAlのターゲットを叩いて金属原子を叩き出し、窒素と反応させて基板上に成膜させた。アンドープGaN下地層3を積層するプロセスにおいては、AlN製膜と同様に、アルゴンと窒素の混合ガスをチャンバ内に導入して、プラズマ化した窒素を窒素源として利用し、アルゴンプラズマでGaのターゲットからGaを叩き出し、窒素と反応させて基板上に成膜させた。n型ドープ層を形成する層は、アンドープGaN層とSiの層を交互に積層するプロセスにおいては、アンドープGaNは上記アンドープGaN下地層3と同一手順で成膜し、Si層の成膜時には、チャンバ内に導入するガスをアルゴンのみとして、Si製のターゲットから叩き出した原子をそのまま基板へ積層した。以上のような工程で作製した基板を、スパッタ機から取り出し、アニール炉を用いて熱処理した。熱処理温度は1100°Cとし、10分間保持した。熱処理時の気相の雰囲気は窒素のみで構成した。なお、アニール前と後で、n型GaN層50を断面方向から透過式電子顕微鏡で観察した。アニール前の積層構造体には、2nmのSi層と100nmのアンドープのGaN層とを40回交互に積層した構造が見られた。Si層は所々で途切れて完全な層を成してはおらず、島状であった。各島状塊の円相当直径は1nm程度であり、各島状塊の間隔は約50nm程度であった。従って、ドーパント層の総面積の比率は、全体の領域に対して0.02程度であった。アニール後のn型GaN層50には、明らかな層構造は見られず、ドーパント層を構成するSi原子が拡散して、GaN層に均一にドープされたものと思われた。このようにして作製した太陽電池素子基板を便宜上1cm角の正方形基板に切断し、当該電極に金線でリードフレームへ結線して電池素子とした。このように作製した太陽電池素子の電極構造の平面図の一例を図2に示す。実施例2さらに図1の積層構造体の別な方法として説明する。石英基板1上に、RFマグネトロンスパッタを用いて厚さ30nmのAlNバッファー層2を形成し、スパッタ機から取り出しアニール炉内で熱処理温度は1100°C、窒素下で10分間保持して熱処理した。ついでMOCVD炉に導入し、実施例1と同様な積層物になるようにMgをドープしたp型GaN層51までの積層構造物を作製した。MOCVD法は、形成時の温度、圧力、使用ガス、などは一般的な公知な方法で行った。n型GaN層50のキャリヤー濃度は約2×1018atoms/cm3、p型GaN層51のキャリヤー濃度は約2×1018atoms/cm3であった。作製した前記積層物は、実施例1に記載の方法で太陽電池素子を作製した。このようにして作製した太陽電池素子基板を1cm角の正方形基板に切断し、当該電極に金線でリードフレームへ結線して電池素子とした。実施例3本実施例で作製した積層構造体の断面図を図3に示す。石英基板1上に、RFマグネトロンスパッタを用いて厚さ30nmのAlNバッファー層2を形成し、スパッタ機から取り出しアニール炉内で熱処理温度は1100°C、窒素下で10分間保持して熱処理した。ついで当該基板をMOCVD炉に導入し公知なMOCVD法による手法温度、圧力、使用ガスなどで厚さ6μmのアンドープGaN層3、厚さ0.1nmのn型InX1Ga1-X1N層X1=0.0970、厚さ0.2μmのMgをドープしたp型InX1Ga1-X1N層X1=0.0971を積層した構造物を作製した。n型InX1Ga1-X1N層70のキャリヤー濃度は約3×1018atoms/cm3、p型InX1Ga1-X1N層71のキャリヤー濃度は約3×1018atoms/cm3であった。用いたスパッタ機や当該積層物は、実施例1に記載の方法で太陽電池素子を作製した。このようにして作製した太陽電池素子基板を1cm角の正方形基板に切断し、当該電極に金線でリードフレームへ結線して電池素子とした。実施例4本例においては、まず、サファイアからなる基板のc面上に、バッファー層としてRFスパッタ法を用いてAlNからなる単結晶の層を形成し、下地層として、MOCVD法を用いて、GaNIII族窒化物化合物半導体からなる層を以下の方法で形成した後、各層を積層した。まず、表面を鏡面研磨した直径2インチの0001c面サファイアからなる基板を、チャンバ中へ導入した。この際、高周波式のスパッタ装置を用い、ターゲットとしては、金属Alからなるものを用いた。そして、チャンバ内で基板を500°Cまで加熱し、窒素ガスを導入した後、基板側に高周波バイアスを印加し、窒素プラズマに晒すことによって基板表面を洗浄した。次いで、基板の温度はそのままに、スパッタ装置内にアルゴン及び窒素ガスを導入した。そして、高周波バイアスを金属Alターゲット側に印加し、炉内の圧力を0.5Paに保ち、Arガスと窒素ガスを所定量流通させ、サファイア基板上に、AlNからなる単結晶のバッファー層を成膜した。そして、予め測定した成膜速度に従い、規定した時間の処理により、40nmのAlNバッファー層を成膜後、プラズマ動作を停止し、基板温度を低下させた。そして、基板上に形成したバッファー層のX線ロッキングカーブXRCを、X線測定装置スペクトリス社製、型番:X‘pertProMRDを用いて測定した結果、バッファー層のXRC半値幅は0.1°と優れた特性を示しており、バッファー層が良好に配向していることが確認できた。この測定は、CuKα線X線発生源を光源として用いて行なった。次に、AlNが成膜された基板を、スパッタ装置内から取り出してMOCVD装置内に搬送し、バッファー層上に、以下の手順でGaNからなる下地層を成膜した。まず、当該基板を反応炉MOCVD装置内に導入した。次いで、反応炉内に窒素ガスを流通させた後、ヒータを作動させて、基板温度を室温から500°Cに昇温した。そして、基板の温度を500°Cに保ったまま、NH3ガスおよび窒素ガスを流通させて、気相成長反応炉内の圧力を95kPaとした。続いて、基板温度を1000°Cまで昇温させ、基板の表面をサーマルクリーニングthermalcleaningした。なお、サーマルクリーニングの終了後も、気相成長反応炉内への窒素ガスの供給を継続させた。その後、アンモニアガスの流通を続けながら、水素雰囲気中で基板の温度を1100°Cに昇温させるとともに、反応炉内の圧力を40kPaとした。基板温度が1100°Cで安定するのを確認した後、トリメチルガリウムTMGの、気相成長反応炉内への供給を開始し、バッファー層上に下地層を構成するIII族窒化物化合物半導体GaNを成膜する工程を開始した。このようにしてGaNを成長させた後、TMGの配管のバルブを切り替え、原料の反応炉への供給を終了してGaNの成長を停止した。以上の工程により、基板上に成膜された単結晶組織のAlNからなるバッファー層の上に、アンドープで8μmの膜厚のGaNからなる下地層を成膜した。その後は、実施例1の記載の方法と同様に実施して、例えば島状の結晶塊からなるSiを含むドーパント層厚さ2nmとアンドープのGaN層厚さ100nmとを40回交互に積層して熱処理して形成した約0.5μmのn型GaN層50、同様に形成した厚さ約0.5μmの、Mgをドープしたp型GaN層51を積層した構造物を作製し、太陽電池素子を作製した。なお、実施例1に記載のITOからなるオーミック電極層をIZOビックスバイト結晶の電極層に変更した。実施例5本例においては、実施例3に記載のn型InX1Ga1-X1N層X1=0.09とp型InX1Ga1-X1N層X1=0.09におけるX1をそれぞれ0.06にした以外は、同じ操作を行い、太陽電池素子を作製した。実施例6実施例1~5に記載の方法で作製した太陽電池素子基板を1cm角の正方形基板に切断し、当該電極に金線でリードフレームへ結線して電池素子とした。リードフレームに結線された1cm2の電池素子を試料ステージに固定し、リードフレームの正極と負極にプローブを接触させ、電流及び電圧測定用の回路を形成した。スペクトル分布AM1.5、エネルギー密度100mW/cm2の1SUN擬似太陽光ソーラーシミュレーター:山下電装製を照射し、雰囲気温度と太陽電池の温度を25±1°Cのもとで出力特性を測定した。その結果を表1にまとめた。"