"蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を選択的に複数回抽出する抽出手段と、前記抽出手段で抽出された電荷を加算する加算手段と、前記蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を選択的に複数回排出する排出手段とを備えることを特徴とする光電変換装置。前記抽出手段は、前記光電変換素子に並列に接続されたスイッチ素子を備えており、当該各スイッチ素子のオン/オフを交互に切り替えることによって前記電荷の抽出を行うことを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。前記加算手段は、前記抽出手段で抽出された電荷を保持する保持手段と、前記保持手段で保持された電荷を電圧に変換する変換手段とを備えることを特徴とする請求項1又は2記載の光電変換装置。前記保持手段は、フローティングディフュージョン領域であることを特徴とする請求項3記載の光電変換装置。複数の画素を有し、各々の前記画素は、前記光電変換素子、前記抽出手段、前記排出手段、及び加算手段を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の光電変換装置。複数の画素を有する光電変換装置であって、各々の前記画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で変換された電荷を転送する第1,第2転送手段と、前記第1転送手段で転送された電荷を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の入力部をリセットするリセット手段と、を含むことを特徴とする光電変換装置。さらに、前記抽出手段又は前記第1,第2転送手段によって生じるノイズを除去する除去手段を備えることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項記載の光電変換装置。請求項1から7のいずれか1項記載の光電変換装置と、前記光電変換装置で加算された電荷に基づいて前記光電変換素子への入射光の明るさを計測する演算手段とを備えることを特徴とする測光センサ。複数の画素を有する測光センサであって、前記複数の画素は、蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を複数回選択的に抽出し、該抽出された電荷を加算する第1の画素と、前記光電変換素子の電荷を抽出されるまでの時間が、第1の画素よりも長い第2の画素とを含み、前記各光電変換素子で変換された電荷に基づいて当該各光電変換素子への入射光の明るさを計測する演算手段とを備えることを特徴とする測光センサ。請求項8又は9記載の測光センサを備えることを特徴とする撮像装置。しかし、従来の技術は、以下説明するような問題がある。図9は、図8に示す電荷の蓄積タイミングを示すパルスと蛍光灯の光量波形とを示す図である。図9において、501は蛍光灯の光量波形、504はB点で測光を行った場合の蛍光灯の光量、505はA点で測光を行った場合の蛍光灯の光量、506は蛍光灯の光量の平均値である。ここで、低輝度時の測光での電荷の蓄積時間T1は、蛍光灯の光量波形の周期と同じ10mSとすることが多いので、どのようなタイミングで測光を行っても、蛍光灯の光量変化によって測光精度は変わらない。一方、高輝度時の測光での電荷の蓄積時間T2は、例えば10μSとしているので、A点で測光を行った場合とB点でタイミングで測光を行った場合とでは、蛍光灯の発光光量が異なることになり、蛍光灯の光量変化によって測光精度が低下する。このため、測光精度を低下させないようにするためには、高輝度時に、複数回の測光を行って平均値506を求めておいたり、予め最適な電荷の蓄積時間を決定しておく必要が生じる。複数回の測光を行う場合には電荷の蓄積量を平均化するための演算処理が必要になるし、予め最適な電荷の蓄積時間を決定するための複雑な演算が必要になり、いずれの手法を採用しても、測光時間が増加する。さらに、従来の技術では、前回の測光の際の輝度状態と次回の測光の際の輝度状態が急激に変化した場合には、前回の測光の際の輝度情報からは、次回の測光の際の最適な蓄積時間を決定することができず、この決定までに多大な時間を必要とする。この結果例えば閃光手段の発光時のように急激に被写界の輝度が変化した場合には正確な測光を行うことができない。そこで、本発明は、面倒な演算等を行うことなく、測光精度を低下させないようにすることを課題とする。また急激に被写界の輝度情報が変化した場合においても正確な測光を行うことを目的としている。上記課題を解決するために、本発明の光電変換装置は、蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を選択的に複数回抽出する抽出手段と、前記抽出手段で抽出された電荷を加算する加算手段と、前記蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を選択的に複数回排出する排出手段とを備える。また、本発明の光電変換装置は、複数の画素を有する光電変換装置であって、各々の前記画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で変換された電荷を転送する第1,第2転送手段と、前記第1転送手段で転送された電荷を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の入力部をリセットするリセット手段と、を含む。さらに、本発明の測光センサは、上記いずれかの光電変換装置と、前記光電変換装置で加算された電荷に基づいて前記光電変換素子への入射光の明るさを計測する演算手段とを備える。また、本発明の測光センサは、複数の画素を有する光電変換装置であって、前記複数の画素は、蓄積期間内に光電変換素子で変換された電荷を複数回選択的に抽出し、該抽出された電荷を加算する第1の画素と、前記光電変換素子の電荷を抽出されるまでの時間が、第1の画素よりも長い第2の画素とを含み、前記各光電変換素子で変換された電荷に基づいて当該各光電変換素子への入射光の明るさを計測する演算手段とを備えることを特徴とする。また、本発明の撮像装置は、上記いずれかの測光センサを備える。以上に示したように、本発明によると、光電変換素子で変換され選択的に一定周期で抽出された電荷を加算することが可能なので、面倒な演算等を行うことなく、測光精度を低下させないようにすることができる。実施形態1原理の説明図1は、本発明の実施形態1の測光センサの動作原理の説明図である。図1において、100は蛍光灯の光量波形である。また、101は低輝度時における電荷の蓄積タイミングを示すパルスであり、ハイレベル時に電荷を蓄積するようにしている。ここで、ハイレベルの期間T2は、フリッカの影響を受けないように例えば蛍光灯の周期である10mSとしている。また、102は高輝度時における電荷の蓄積タイミングを示すパルスであり、ハイレベル時に電荷を蓄積するようにしている。ここで、ハイレベルの期間t1,t2,...t10は、例えば1μSとしており、例えば10mS内に10回ハイ/ローを切り替えるようにしている。なお、高輝度時とは低輝度時のタイミングで電荷を蓄積しようとした場合に、蓄積している電荷が飽和する時を云う。上記のような蓄積時間にすると、高輝度時と低輝度時とで電荷の蓄積時間の比が1:1000になる。ちなみに、高輝度時に蓄積した電荷は加算の後に、測光のための演算処理を行う。ちなみに、一般的には、カメラの測光装置に要求される測光可能範囲は、EV0~EV20、すなわちダイナミックレンジにして20EV程度であるとされている。しかし、撮像素子のほとんどのダイナミックレンジは10EV程度である。そこで、蓄積時間を調整して要求される測光可能範囲を、主要被写体を含む最適レベルに調節する必要が生じる。具体的には、被写界での輝度値がEV0~EV20であると、標準的な撮影レンズを装着した場合での光電変換素子の受光面上での照度はおよそ0.01Lx~10000Lxとなる。光電変換素子の感度を仮に約20V/lxS、飽和出力を約2Vとすると、電荷の蓄積時間が10μSである時には測光可能範囲は約EV10~EV20であり、電荷の蓄積時間が10mSである時には測光可能範囲はEV0~EV10となる。すなわち、光電変換素子の蓄積時間を10μS~10mSの範囲で調節することにより、初めてカメラの測光装置に要求される測光可能範囲であるEV0~EV20のダイナミックレンジが実現可能になる。構成の説明図2は、図1に示す動作を実現する測光センサの等価回路図である。図2において、1は光を電荷に変換すると共に変換した電荷を蓄積する光電変換素子であるフォトダイオード、2,3はフォトダイオード1に蓄積されている電荷を選択的に転送する転送スイッチ、4,7は転送スイッチ2,3による電荷の転送先の電位を基準電位にリセットするリセットスイッチ、5は転送スイッチ2によって転送された電荷に基づく増幅信号を生成するためのソースフォロア、6は増幅信号の読み出しを選択する選択スイッチ、10はソースフォロア5と共に増幅信号の読み出しを行う負荷電流源、9は読み出された増幅信号を出力線22に送るスイッチ、8は転送スイッチ3によって転送された電荷を蓄積する容量、21は転送スイッチ2によって電荷が転送されるフローティングディフュージョン以下、FDと称する。である。なお、リセットスイッチ7は、容量8に蓄積されている電荷がフォトダイオード1に蓄積されている電荷に影響を与えなければ、必ずしも作動させなくてもよい。また、容量8に代えてVCCやGNDなどの基準電圧に転送スイッチ3を接続するようにしてもよい。動作の説明図3は、図2のリセットスイッチ4,7、選択スイッチ6、転送スイッチ2,3及びスイッチ9の各ゲートに印加するパルス信号の高輝度時の様子を示す図である。なお、図3には、図1に示す蓄積時間t1~t10も付している。以下、図3を用いつつ、図2の測光センサの動作について説明する。まず、高輝度時の動作について説明する。リセットスイッチ4のゲートに印加されているローレベルのパルス信号φR1が一時的にハイレベルに切り替えられ、FD21の電位がリセットされる。FD21の電位はダークレベルとなる。それから、フォトダイオード1に光が入射され、入射光が電荷に変換される。変換された電荷はフォトダイオード1の内部に蓄積される。なお、電荷の蓄積開始時には、転送スイッチ2,3はそれぞれオフしており、フォトダイオード1とFD21及び容量7とは電気的に接続されていないので、FD21及び容量8にはフォトダイオード1で変換された電荷は転送されない。つぎに、選択スイッチ6のゲートに印加されているローレベルのパルス信号φSELがハイレベルとされ、負荷電流源10とソースフォロア5とが作動される。この状態で、転送スイッチ2,3のゲートに印加されているパルス信号φTX1,φTX2が連続して交互にハイ/ローと切り替えられ、フォトダイオード1に蓄積された電荷がFD21又は容量8に転送される。この際、転送スイッチ2,3がそれぞれオンされる毎に、リセットスイッチ7に印加しているパルス信号φR2がローレベルからハイレベルに切り替えられ、容量8の電位がリセットされる。ちなみに、フォトダイオード1では、転送スイッチ2,3がローレベルに切り替えられた瞬間から電荷の蓄積が開始され、ハイレベルに切り替えられた瞬間から蓄積している電荷の転送を開始する。換言すると、パルス信号φTX2がローレベルに切り替えられた後、フォトダイオード1の電荷をFD21上に転送し、パルス信号TX1がオフするまでの時間が蓄積時間t1,t2,...となる。ここで、図3に示すように、パルス信号φR2,φTX1及びφTX2を各スイッチ7,2及び3に印加すると、FD21には図1に示すパルス102に同期したタイミングで電荷が転送される。また、転送スイッチ2をオフすると、転送された電荷によってFD21の電圧は保持、加算される。その後、スイッチ9のゲートに印加しているφT1をオンすると、FD21で加算された電荷に基づく増幅信号が出力線22に送られる。最後に、選択スイッチ6のゲートに印加されているパルス信号φSELがローレベルに戻され、図3に示す動作が終了する。つぎに、低輝度時の動作について説明する。低輝度時には、転送スイッチ3のゲートに印加しているパルス信号φTX2をローレベルのままにし、転送スイッチ3をオフした状態で、転送スイッチ2のゲートに印加しているパルス信号φTX1のハイ/ローを切り替えて、転送スイッチ2を例えば10mSオンする。他のパルス信号φR1,φR2、φSEL、φT1は図3と同様である。すると、FD21には図1に示すパルス101に同期したタイミングで電荷が転送され、その後、スイッチ9のゲートに印加しているφT1をオンすると、FD21に転送された電荷に基づく増幅信号が出力線22に送られる。実施形態2本発明の実施形態2では、例えば図2に等価回路で示したフォトダイオード1等をマトリクス状、デルタ状、ハニカム状のように2次元的に配列し、奇数行で低輝度用の電荷の蓄積を行い、偶数行で高輝度用の電荷の蓄積を行うようにしている。図4は、本発明の実施形態2の測光センサ310の平面図である。図4における矩形は、それぞれ図2の等価回路図で示すフォトダイオード1等を示している。なお、図4には、各行301~308における電荷の蓄積時間を付しており、奇数行301,303等の蓄積時間は図1のパルス101に相当し、偶数行302,304等の蓄積時間は図1のパルス102に相当する。図4に示すように低輝度用と高輝度用との電荷蓄積を行えるようにすると、広いダイナミックレンジを確保することができるようになると共に、被写界の輝度状態が急に変化しても測光精度が低下しなくなる。なお、ここでは奇数行と偶数行とで、それぞれ低輝度用と高輝度用との電荷の蓄積を行う場合を例に説明したが、例えばこれらの中間に値する中輝度用の電荷の蓄積を行うようにしてもよい。また奇数列と偶数列とで電荷の蓄積時間を変えたり、斜め格子状に電荷の蓄積時間を変えてもよい。実施形態3本発明の実施形態3の測光センサは、図2に示す測光センサに、各スイッチ2~5等のスイッチング時に発生するノイズを除去するノイズ除去手段を備えたものである。構成の説明図5は、本発明の実施形態3の測光センサの等価回路図である。図5において、12はスイッチ9によって伝送された増幅信号に基づく信号を出力するMOSトランジスタ、11はノイズ信号電荷及びこれを含む光信号電荷を蓄積する蓄積容量、14は電源電圧VDDに接続されたMOSトランジスタ、13はMOSトランジスタ12からの信号を取り出す負荷電源、16はノイズ信号電荷を読み出すための読出用MOSトランジスタ、18はノイズ信号電荷を読み出すための容量、15はノイズ成分を含む光信号電荷を読み出すための読出用MOSトランジスタ、17はノイズ成分を含む光信号電荷を読み出すための容量、19は容量17,18の電位をリセットするリセットMOSトランジスタ、20は光信号電荷からノイズ信号電荷を差分する差動アンプである。なお、MOSトランジスタ12,14と、負荷電源13と、ノイズ蓄積蓄積容量11とによってノイズ成分除去手段を構成している。また、図5において図2と同様の部分には同一符号を付している。動作の説明図6は、図5のリセットスイッチ4,7、選択スイッチ6、転送スイッチ2,3、スイッチ9、読出用MOSトランジスタ15,16及びリセットMOSトランジスタ19の各ゲートに印加するパルス信号の高輝度時の様子を示す図である。以下、図6を用いつつ、図5の測光センサの動作について説明する。まず、高輝度時の動作について説明する。リセットスイッチ4及びリセットMOSトランジスタ19のゲートに印加されているパルス信号φR1,φCRがローレベルの状態から一時的にハイレベルに切り替えられ、FD21の電位、容量17,18がリセットされる。FD21の電位はダークレベルとなる。それから、フォトダイオード1に光が入射され、入射光が電荷に変換される。変換された電荷はフォトダイオード1の内部に蓄積される。なお、実施形態1と同様に、電荷の蓄積開始時には、転送スイッチ2,3はそれぞれオフしている。つぎに、選択スイッチ6のゲートに印加されているローレベルのパルス信号がハイレベルに切り替えられ、負荷電流源10とソースフォロア5とが作動される。つぎに、スイッチ9のゲートに印加されているパルス信号φT1がハイレベルとされ、FD21のリセット時に発生したノイズ成分が蓄積容量11に蓄積される。それから、転送スイッチ2,3のゲートに印加されているパルス信号φTX1,φTX2が連続して交互にハイ/ローとされ、フォトダイオード1に蓄積された電荷がFD21又は容量8に転送される。この際、転送スイッチ2,3がそれぞれオンされる毎に、リセットスイッチ7に印加しているパルス信号φR2がローレベルからハイレベルに切り替えられ、容量8の電位がリセットされる。ちなみに、フォトダイオード1では、転送スイッチ2,3がオフされた瞬間から電荷の蓄積が開始され、オンされた瞬間から蓄積している電荷の転送を開始する。また、転送スイッチ2をオフすると、転送された電荷によってFD21の電圧は保持、加算される。そして、最後の電荷の蓄積が終了した後、読出用MOSトランジスタ16のゲートに印加しているパルス信号φTNをローレベルからハイレベルに切り替え、MOSトランジスタ14のゲートに印加しているパルス信号をローレベルからハイレベルに切り替えると、蓄積容量11に蓄積されていたノイズ成分が容量18に転送される。その後、スイッチ9のゲートに印加しているφT1をオンすると、FD21で加算された電荷に基づく増幅信号が出力線22に送られ、蓄積容量11に転送される。それから、読出用MOSトランジスタ17のゲートに印加しているパルス信号φTNをローレベルからハイレベルに切り替えると、蓄積容量11に蓄積されていたノイズ成分を含む光信号電荷が容量17に転送される。その後、MOSトランジスタ14のゲートに印加しているパルス信号をローレベルに戻し、容量17,18と差動アンプ20との間に設けられているMOSトランジスタのゲートに印加されているパルス信号がローレベルからハイレベル切り替えられると、容量17,18にそれぞれ保持された信号成分が差動アンプ20に送られ、ノイズ除去が行われる。最後に、選択スイッチ6のゲートに印加されているパルス信号がローレベルに戻され、図6に示す動作が終了する。つぎに、低輝度時の動作について説明する。低輝度時には、転送スイッチ3のゲートに印加しているパルス信号φTX2をローレベルのままにし、転送スイッチ3をオフした状態で、転送スイッチ2のゲートに印加しているパルス信号φTX1のハイ/ローを切り替えて、転送スイッチ2を例えば10mSオンする。他のパルス信号φR1,φR2、φT1、φTS、φTN、φCRは図6と同様である。すると、FD21には図1に示すパルス101に同期したタイミングで電荷が転送され、ノイズ成分が除去された光信号電荷が差動アンプ20から出力される。実施形態4図7は、本発明の実施形態4の撮像装置の構成的な構成を示すブロック図である。図7において、51はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、52は被写体の光学像を固体撮像素子54に結像させるレンズ、53はレンズ52を通った光量を可変するための絞り、54はレンズ52で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子、55は固体撮像素子54から出力される画像信号に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処理回路、56は固体撮像素子54より出力される画像信号のアナログ-ディジタル変換を行うA/D変換器、57はA/D変換器56より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、58は固体撮像素子54,撮像信号処理回路55,A/D変換器56,信号処理部57,測光センサ64に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、59は各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御演算部、60は画像データを一時的に記憶するためのメモリ部、61は記録媒体に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部、62は画像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、63は外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェースI/F部、64は実施形態1~3で説明した測光センサである。つぎに、前述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について、説明する。バリア51がオープンされるとメイン電源がオンされ、つぎにコントロール系の電源がオンし、さらに、A/D変換器56などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、露光量を制御するために、全体制御演算部59は絞り53を開放にし、測光センサ64に被写界からの光が入射される。測光センサ64は、実施形態1~3で説明したような手順で駆動され、全体制御演算部59に電荷に基づく信号を出力する。全体制御演算部59は、この出力信号に基づいて被写界の明るさを判断し、その結果に応じて絞り53を制御する。つぎに、撮像を行う。まず、被写界からの光が固体撮像素子54に入力され、固体撮像素子54から出力される電荷に基づく信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御演算部59で行う。その後、レンズ52を駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断したときは、再びレンズ52を駆動し測距を行う。そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。露光が終了すると、固体撮像素子54から出力された画像信号は、撮像信号処理回路55において補正等がされ、さらにA/D変換器56でA/D変換され、信号処理部57を通り全体制御演算59によりメモリ部60に蓄積される。その後、メモリ部60に蓄積されたデータは、全体制御演算部59の制御により記録媒体制御I/F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体62に記録される。また外部I/F部63を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。"