"Inを含むIII族窒化物半導体からなる井戸層、前記井戸層よりもバンドギャップが大きなAlを含むIII族窒化物半導体からなる障壁層、が順に繰り返し形成されたMQW構造の発光層を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記障壁層のAl組成比をx、前記障壁層のバンドギャップエネルギーと前記井戸層のバンドギャップエネルギーとの差をyeVとして、12.9≦-2.8x100y≦37、かつ、0.65≦y≦0.86を満たすよう前記井戸層および前記障壁層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。Inを含むIII族窒化物半導体からなる井戸層、前記井戸層よりもバンドギャップが大きなAlを含むIII族窒化物半導体からなる障壁層、が順に繰り返し形成されたMQW構造の発光層を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記障壁層のAl組成比をx、前記井戸層のIn組成比をzとして、162.9≦7.1x10z≦216.1、かつ、3.1≦z≦9.2を満たすよう前記井戸層および前記障壁層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。発光波長が380~410nmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記井戸層はInGaN、前記障壁層はAlGaNであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。しかし、MQW構造の障壁層としてAlGaNを用いた場合、Alの組成比が高いとキャリアの注入効率が悪化し、Alの組成比が低いと閉じ込め効率が悪化するという問題があり、出力を低下させる要因となっていた。したがって、障壁層としての機能を損なわずに出力向上を図るためには、発光波長に応じてAl組成比を選択する必要があった。なお、特許文献1、2のいずれも、発光波長に応じてAl組成比を最適化しているわけではない。そこで本発明の目的は、発光波長に応じてMQWの障壁層のAl組成比を最適化し、発光効率を向上させることである。第1の発明は、Inを含むIII族窒化物半導体からなる井戸層、井戸層よりもバンドギャップが大きなAlを含むIII族窒化物半導体からなる障壁層、が順に繰り返し形成されたMQW構造の発光層を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、障壁層のAl組成比をx、障壁層のバンドギャップエネルギーと前記井戸層のバンドギャップエネルギーとの差をyeVとして、12.9≦-2.8x100y≦37、かつ、0.65≦y≦0.86を満たすよう井戸層および障壁層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。第2の発明は、Inを含むIII族窒化物半導体からなる井戸層、井戸層よりもバンドギャップが大きなAlを含むIII族窒化物半導体からなる障壁層、が順に繰り返し形成されたMQW構造の発光層を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、障壁層のAl組成比をx、井戸層のIn組成比をzとして、162.9≦7.1x10z≦216.1、かつ、3.1≦z≦9.2を満たすよう井戸層および障壁層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。第1、2の発明において、III族窒化物半導体とは、一般式AlxGayInzNxyz=1、0≦x、y、z≦1で表される化合物半導体であり、Al、Ga、Inの一部を他の第13族元素であるBやTlで置換したもの、Nの一部を他の第15族元素であるP、As、Sb、Biで置換したものをも含むものとする。n型不純物にはSi、p型不純物にはMgが通常用いられる。より一般的には、Gaを少なくとも含むGaN、InGaN、AlGaN、AlGaInNを示す。井戸層と障壁層との間に、井戸層の成長温度と同じ成長温度で形成させるキャップ層を設けてもよい。障壁層を形成する際の昇温時に井戸層からのInの離脱が防止されるため、発光効率を向上させることができる。特に、Al組成比が0より大きく障壁層のAl組成比以下であるキャップ層を設けるとよい。キャップ層においてキャリアが再結合してしまうのを低減することができ、発光効率をより向上させることができる。このようなキャップ層を設けた場合、キャップ層の厚さは1~8分子層とするのが望ましい。この範囲であれば、発光効率のキャップ層厚さ依存性が低減され、再現性、生産性、歩留まりをより向上させることができる。MQW構造の周期数は、3~10であることが望ましい。3より少ないと、MQW構造とすることによる発光効率向上効果が十分でなく、10よりも多いと発光効率を低下させてしまうからである。井戸層にはInGaN、障壁層にはAlGaNを用いることができる。障壁層は単層でもよいし、複数の層で構成されていてもよい。第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、発光波長が380~410nmであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。第4の発明は、第1の発明から第3の発明において、井戸層はInGaN、障壁層はAlGaNであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。本発明によると、発光波長に応じてMQW構造の障壁層のAl組成比を最適化することができ、キャリアの注入効率と閉じ込め効率を最適化することができる。その結果、III族窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。特に本発明は、発光波長が380~410nmのIII族窒化物半導体発光素子に適している。発光波長がこの範囲のIII族窒化物半導体発光素子は、従来、発光効率が低かったが、本発明により発光効率を効果的に向上させることができる。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。図1は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の構成を示した図である。実施例1のIII族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板10上に、n-GaNからなるn型コンタクト層11、i-GaNとi-InGaNが交互に繰り返し形成された超格子構造であるn型クラッド層12、MQW構造の発光層13、p-InGaNとp-AlGaNが交互に繰り返し形成された超格子構造であるp型クラッド層14、p-GaNからなるp型コンタクト層15が順に積層され、p型コンタクト層15上にp電極16が形成され、p型コンタクト層15表面側からn型コンタクト層11に達する深さまで一部がエッチングされることにより露出したn型コンタクト層11上にn電極17が形成された構造である。n型コンタクト層11とn型クラッド層12との間にi-GaNとn-GaNからなるESD層を設け、静電耐圧特性を高めるようにしてもよい。また、p電極16とのコンタクトを良好とするため、p型コンタクト層15は、Mg濃度の異なる複数の層で構成してもよい。同じく、n電極17とのコンタクトを良好とするため、n型コンタクト層11は、Si濃度の異なる複数の層で構成してもよい。サファイア基板10以外には、SiC、Si、ZnO、スピネル、GaNなどを基板として用いることができる。また、基板にはストライプ状、ドット状などの凹凸加工が施されていてもよい。発光層13は、図2に示すように、InGaNからなる井戸層130、AlGaNからなる障壁層131が順に8回繰り返し積層されたMQW構造である。井戸層130の厚さは3nm、障壁層131の厚さは2~3nmである。なお、MQW構造の周期数は上記8に限るものではなく、3~10であればよい。3より少ないと、MQW構造とすることによる発光効率向上効果が十分でなく、10よりも多いと発光効率を低下させてしまうからである。より望ましくは8~10である。また、井戸層130および障壁層131の厚さは上記範囲に限るものではなく、井戸層130の厚さは2~4nm、障壁層131の厚さは2~8nmであればよい。この範囲であれば発光効率を効果的に向上させることができる。より望ましいのは、井戸層130の厚さを3~4nm、障壁層131の厚さを2~4nmとすることである。井戸層130と障壁層131との間に、井戸層130の成長温度と同じ成長温度で形成させるキャップ層を設けてもよい。障壁層131を形成する際の昇温時に井戸層130からのInの離脱が防止されるため、発光効率を向上させることができる。特に、Al組成比が0より大きく障壁層131のAl組成比以下であるキャップ層を設けるとよい。キャップ層においてキャリアが再結合してしまうのを低減することができ、発光効率をより向上させることができる。最も望ましいのは、キャップ層のAl組成比と障壁層131のAl組成比を同一とすることである。キャップ層の厚さは1~8分子層とするのが望ましい。1分子層はIII族窒化物半導体のc軸の格子定数の1/2であり、GaNの場合は約2.59Åである。キャップ層の厚さが1~8分子層の範囲であれば、発光効率のキャップ層厚さ依存性が低減され、再現性、生産性、歩留まりをより向上させることができる。キャップ層は複数の層で構成されていてもよい。p電極16は、フェイスアップ型とする場合には、たとえばp型コンタクト層15上にほぼ全面にわたって形成されたITO電極と、ITO電極上に配線状に形成されたNi/Auからなる配線電極とで構成された電極であり、フリップチップ型とする場合は、たとえばAg、Rhなどの高反射な金属材料からなる電極である。また、n電極17は、たとえばTi/Alなどである。次に、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程について説明する。まず、サファイア基板10を水素雰囲気中で加熱し、サーマルクリーニングを行う。次に、サファイア基板10上に、バッファ層図示しないを介してMOCVD法によりn型コンタクト層11、n型クラッド層12を順に形成する図3a。キャリアガスには水素と窒素を用い、窒素源にはアンモニア、Ga源にはTMGトリメチルガリウム、Al源にはTMAトリメチルアルミニウム、ドーパントガスにはSiH4シランを用いる。次に、成長温度750~850°Cで厚さ3nmのInGaNからなる井戸層130を形成する工程、井戸層130上に成長温度850~950°Cで厚さ2~3nmのAlGaNからなる障壁層131を形成する工程、を順に8回繰り返して、n型クラッド層12上にMQW構造の発光層13を形成する図3b。井戸層130、障壁層131のいずれの層もMOCVD法によって形成し、In源にはTMIトリメチルインジウムを用い、キャリアガスや他の原料ガスはn型コンタクト層11、n型クラッド層12の形成時と同様である。ここで、井戸層130と障壁層131は、障壁層131のAl組成比をx、障壁層131のバンドギャップエネルギーと井戸層130のバンドギャップエネルギーとの差をyeVとして、12.9≦-2.8x100y≦37、かつ、0.65≦y≦0.86、の範囲を満たすように形成する。あるいは、障壁層131のAl組成比をx、井戸層130のIn組成比をzとして、162.9≦7.1x10z≦216.1、かつ、3.1≦z≦9.2、の範囲を満たすように形成する。なお、この範囲とすることで発光波長は380~410nmとなる。次に、発光層13上にp型クラッド層14、p型コンタクト層15を順に形成する図3c。In源にはTMIトリメチルインジウム、p型ドーパント源にはCp2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウムを用いる。キャリアガスや他の原料ガスはn型コンタクト層11などの形成時と同様である。次に、熱処理によってMgを活性化した後、p型コンタクト層15表面側からドライエッチングを行ってn型コンタクト層11に達する溝を形成する。そして、p型コンタクト層15上にp電極16を形成し、ドライエッチングによる溝底面に露出したn型コンタクト層11上にn電極17を形成する。以上により、図1に示すIII族窒化物半導体発光素子が作製される。井戸層130と障壁層131について、上記範囲を満たすように形成した理由を以下に説明する。図4は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子と同一構成のIII族窒化物半導体発光素子において、バンドギャップエネルギー差単位eVと障壁層131のAl組成比単位とを示したグラフである。ここで、バンドギャップエネルギー差は、障壁層131のバンドギャップエネルギーと井戸層130のバンドギャップエネルギーとの差を示している。このバンドギャップエネルギー差は、電子に対する障壁層の高さと、ホールに対する障壁層の高さとを合わせたものである。図4において点線または実線で示した斜線は、その線上が同一の発光波長であることを示している。また、斜線の間隔は5nmの波長の違いを示していて、最も左側Al組成比が小さい側の斜線は発光波長410nm、最も右側の斜線は発光波長380nmである。また、図4中の三角のプロットは、発光波長が380~385nmのIII族窒化物半導体発光素子において、Al組成比を変化させた場合を示している。また、丸のプロットは、発光波長が400~410nmのIII族窒化物半導体発光素子において、Al組成比を変化させた場合を示している。また、各プロットに矢印をもって付記した数値は、そのAl組成比での相対出力を示している。なお、バンドギャップエネルギー差を算出するに当たって、井戸層130のバンドギャップエネルギーは、λ=1240/ΔEλ:発光波長、ΔE:バンドギャップエネルギーによって算出し、障壁層131のバンドギャップエネルギーは、次の各値を元にベガード則から算出した。GaNのバンドギャップエネルギー、3.39eV。AlNのバンドギャップエネルギー、6.2eV。InNのバンドギャップエネルギー、0.65eV。図4のように、発光波長に応じて、最適な障壁層131のAl組成比の値が変動している様子が見て取れる。また、図4から、発光効率が向上している範囲は、バンドギャップエネルギー差が0.65~0.86の範囲で、かつ、380nmの斜線と410nmの斜線に挟まれた領域である。すなわち、障壁層131のAl組成比をx、障壁層131のバンドギャップエネルギーと井戸層130のバンドギャップエネルギーとの差をyeVとして、12.9≦-2.8x100y≦37、かつ、0.65≦y≦0.86、の範囲である。すなわち、頂点の座標が、10,0.65、18.6,0.65、26.1,0.86、17.5,0.86である平行四辺形の内部領域である。この範囲に含まれるように、発光波長に応じて障壁層131のAl組成比を調整すれば、高い発光効率のIII族窒化物半導体発光素子が得ることができる。図5は、図4を用いて示した上述の範囲について、バンドギャップエネルギー差を井戸層130のIn組成比単位に換算して示したグラフである。図4における380nmの斜線は、井戸層130のIn組成比が9.2の場合に対応し、410nmの斜線は、井戸層130のIn組成比が3.1の場合に対応している。そのため、上述の範囲は、図5のように、障壁層のAl組成比をx、井戸層のIn組成比をzとして、162.9≦7.1x10z≦216.1、かつ、3.1≦z≦9.2の範囲となる。すなわち、頂点の座標が18.6,3.1、26.1,3.1、17.5,9.2、10,9.2である平行四辺形の内部領域である。この範囲に含まれるように、発光波長に応じて障壁層131のAl組成比を調整すれば、高い発光効率のIII族窒化物半導体発光素子を得ることができる。なお、本発明はIII族窒化物半導体発光素子の発光層の製造工程に特徴を有するものであり、発光層以外のIII族窒化物半導体発光素子の構造、およびその製造工程については、従来知られている種々の構造、製造工程を採用可能である。たとえば、基板として導電性の材料を用いるなどし、上下に電極を設けて基板に垂直な方向に導通を取る構造の発光素子に対しても、本発明は適用可能である。"