基板処理装置であって、基板を予熱する予熱部と、前記基板を移送する移送部と、前記基板を処理する基板処理部と、処理された前記基板を冷却する冷却部とを含み、前記予熱部と前記冷却部とが互いに垂直に積層されて一体的に配置されていることを特徴とする基板処理装置。前記予熱部は、前記冷却部の上側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記予熱部は、予熱チャンバと、前記予熱チャンバの内部に設けられ、前記基板を支持する基板支持ピンと、前記予熱チャンバの内部に設けられ、前記基板を載置する基板ホルダを支持する基板ホルダ支持ピンとを含み、前記基板ホルダには、前記基板支持ピンを貫通させることができる貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記基板は、前記予熱部で、前記基板ホルダと分離された状態で予熱されることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。前記予熱部で予熱された前記基板は、前記基板ホルダに載置された状態で前記基板処理部に移送されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。前記基板処理部は、互いに独立して配置された第1の基板処理チャンバと第2の基板処理チャンバとを含み、前記第1の基板処理チャンバと前記第2の基板処理チャンバとが互いに垂直に積層されて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記基板処理部は、複数個であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記基板は、前記基板処理部で、前記基板ホルダに載置された状態で処理されることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。前記基板処理部で処理が完了した前記基板は、前記基板ホルダに載置された状態で前記予熱部に移送されることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。前記基板は、前記予熱部で前記基板ホルダと分離させて、前記冷却部に移送されることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。前記予熱部で予熱される前記基板は、前記冷却部を経て前記予熱部に移送されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記冷却部は、前記基板処理部で処理された前記基板を支持する複数の第1の支持ピンで構成された第1の支持ピン群と、前記予熱部で予熱される前記基板を支持する複数の第2の支持ピンで構成された第2の支持ピン群とを含むことを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。前記第1の支持ピン群は、複数個であることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。前記第2の支持ピン群は、1つであり、前記第1の支持ピン群よりも上側に配置されていることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。前記基板処理部が動作しない場合、前記冷却部には、複数の基板ホルダが保管されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。基板を予熱する予熱部と、前記基板を移送する移送部と、前記基板を処理する基板処理部と、処理された前記基板を冷却する冷却部とを含み、前記予熱部は、予熱チャンバと、前記予熱チャンバの内部に設けられ、前記基板を支持する基板支持ピンと、前記予熱チャンバの内部に設けられ、前記基板を載置する基板ホルダを支持する基板ホルダ支持ピンとを含み、前記基板ホルダには、前記基板支持ピンを貫通させることができる貫通孔が形成されており、前記基板支持ピンは、前記基板ホルダ支持ピンの内部に弾性的に挿入可能に設けられていることを特徴とする基板処理装置。前記基板支持ピンの下端には、前記基板ホルダ支持ピンの内部に変位変位可能に挿入される支持板が結合されており、前記基板ホルダ支持ピンは、中空管状体であって、前記基板支持ピンを通過させることができるガイド孔が上面部に形成されており、かつ前記基板ホルダ支持ピンの内部には、前記支持板を支持するコイルばねが配置されていることを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。前記基板支持ピンの一側には、前記基板支持ピンが前記基板ホルダ支持ピンの内部に挿入された状態を検知するセンサが設けられていることを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。前記センサは、前記基板支持ピンの挿入された状態を検知して、前記基板と前記基板ホルダとのアラインメント動作を停止させる制御部に接続されることを特徴とする請求項18に記載の基板処理装置。前記制御部は、アラーム機能を果たすことを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。前記基板処理部は、互いに独立して配置された第1の基板処理チャンバと第2の基板処理チャンバとを含み、前記第1の基板処理チャンバと前記第2の基板処理チャンバとが互いに垂直に積層されて配置されていることを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。前記冷却部は、前記基板処理部で処理された前記基板を支持する複数の第1の支持ピンで構成された第1の支持ピン群と、前記予熱部で予熱される前記基板を支持する複数の第2の支持ピンで構成された第2の支持ピン群とを含むことを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。前記第1の支持ピン群は、複数個であることを特徴とする請求項22に記載の基板処理装置。前記第2の支持ピン群は、1つであり、前記第1の支持ピン群よりも上側に配置されていることを特徴とする請求項22に記載の基板処理装置。本発明は、上記の従来技術の諸問題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、基板ホルダの使用が欠かせない工程にのみ基板ホルダが用いられるようにすることにより、基板の処理工程の効率性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。本発明の他の目的は、複数の基板を同時に処理することにより、基板の処理工程の生産性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、基板の冷却が行われる冷却部の空間の活用を極大化することができる基板処理装置を提供することにある。本発明のさらなる目的は、基板と基板ホルダとの分離過程において、基板ホルダの貫通孔と基板支持ピンとのアラインメントが合わずに発生する基板および/または基板ホルダの破損を防止することができる基板処理装置を提供することにある。上記の目的を達成するための本発明にかかる基板処理装置は、基板を予熱する予熱部と、前記基板を移送する移送部と、前記基板を基板処理する基板処理部と、処理された前記基板を冷却する冷却部とを含み、前記予熱部および前記冷却部は、垂直に積層されて一体に配置されることを特徴とする。また、本発明にかかる基板処理装置は、基板を予熱する予熱部と、前記基板を移送する移送部と、前記基板を処理する基板処理部と、処理された前記基板を冷却する冷却部とを含み、前記予熱部は、予熱チャンバと、前記予熱チャンバの内部に設けられ、前記基板を支持する基板支持ピンと、前記予熱チャンバの内部に設けられ、前記基板が支持される基板ホルダを支持する基板ホルダ支持ピンとを含み、前記基板ホルダには、前記基板支持ピンが貫通する貫通孔が形成され、前記基板支持ピンは、前記基板ホルダ支持ピンに弾性的に挿入可能に設けられることを特徴とする。本発明にかかる基板処理装置は、基板ホルダの使用が欠かせない工程にのみ基板ホルダが用いられるため、基板の処理工程の効率性が向上するという効果がある。また、複数の基板を同時に処理するため、基板の処理工程の生産性が向上するという効果がある。さらに、基板の冷却が行われる冷却部の空間の活用を極大化するという効果がある。なお、基板と基板ホルダとの分離過程において、基板ホルダの貫通孔と基板支持ピンとのアラインメントが合わずに発生する基板および/または基板ホルダの破損が防止されるという効果がある。後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例示する添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造、および特性は一実施形態に関連し、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として受け取るものではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等なすべての範囲とともに添付した請求項によってのみ限定される。図面において、類似の参照符号は、様々な側面にわたって同一または類似の機能を指し示し、長さ、面積、厚さ、および形態は、便宜上、誇張されて表現されることもある。以下では、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。本実施形態にかかる基板処理装置に搬入される基板の材質は、特に限定されず、ガラス、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハ、ステンレススチールなどのように、多様な材質の基板が搬入可能である。以下では、LCDやOLEDのような平板ディスプレイや薄膜型シリコン太陽電池分野において、最も一般的に用いられる矩形状のガラス材の基板を想定して説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す概略的な平面図である。図1を参照すると、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置1は、基板カセット100を含んでいる。基板カセット100には、基板処理される複数の基板10が保管される。基板カセット100に保管されている基板10は、インデックス移送部110によって冷却部500に移送された後、再び予熱部200に移送することができる。また、図1を参照すると、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置1は、所定の温度まで基板10図2を参照を予熱preheatingする予熱部200を含んでいる。予熱部200は、基板10を処理する前に、所定の温度まで基板10を予熱する機能を果たすものである。この予熱部200は、基板10の処理時間を短縮することで基板10の処理工程の生産性を向上させ、急激な温度変化による基板10の変形を防止することができる。予熱部200で基板10を予熱する温度および時間は、特に限定されず、本発明の利用目的に応じて多様に変更可能である。例えば、非晶質シリコンを結晶化するために非晶質シリコンを予熱する場合、予熱温度は約350°C~500°Cであることが好ましく、予熱時間は約1分~1時間であることが好ましい。図2は、本発明の一実施形態にかかる予熱部の構成を示す概略的な断面図である。図2を参照すると、本発明の一実施形態にかかる予熱部200は、予熱チャンバ210を含むことができる。予熱チャンバ210は、工程が行われている間に実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板10を予熱するための空間を提供する機能を果たすものである。予熱チャンバ210は、最適な工程条件を維持するように構成され、形態は、四角形または円形の形状に製造可能である。予熱チャンバ210の材質は、特に限定されず、石英ガラスまたは一般的なSUSなどが使用可能である。また、図2を参照すると、本発明の一実施形態にかかる予熱部200は、予熱ヒータ220を含んで構成できる。予熱ヒータ220は、予熱チャンバ210の内部または外部に設けられ、基板10を所定の温度で予熱する機能を果たすことができる。予熱ヒータ220の種類は、特に限定されず、熱線の材質がタングステンであるハロゲンランプまたは一般的なカンタルkanthalヒータであれば、予熱ヒータ220として採用可能である。さらに、図2を参照すると、本発明の一実施形態にかかる予熱部200は、基板支持ピン230を含んでいる。基板支持ピン230は、予熱チャンバ210の内部に設けられ、基板10を支持する機能を果たすものである。基板支持ピン230は、基板10をより安定的に支持するために4つ以上設けられることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではなく、個数は、基板の面積によって変更可能である。また、図2を参照すると、本発明の一実施形態にかかる予熱部200は、基板ホルダ支持ピン240を含んでいる。基板ホルダ支持ピン240は、予熱チャンバ210の内部に設けられ、基板ホルダ20を支持する機能を果たすものである。基板ホルダ支持ピン240は、中空筒状に構成されており、基板支持ピン230の下端部が挿入されている。基板ホルダ支持ピン240の個数は、基板支持ピン230の個数と同じであることが好ましい。一方、基板ホルダ支持ピン240は、基板ホルダ20をより安定的に支持するために、基板支持ピン230と同様に4つ以上設けられることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではなく、対応する基板ホルダの面積によって変更が可能である。一方、基板支持ピン230および基板ホルダ支持ピン240は、後述するインデックス移送部110および基板移送部300の動きを妨げないように設けられることが好ましい。例えば、基板移送部300が基板支持ピン230の間で円滑に動くことができるように、基板支持ピン230は、基板10の周縁付近を支持するように設置することができる。また、基板ホルダ20には、基板支持ピン230を貫通させることができるように、基板支持ピン230の個数と同数の貫通孔21図5を参照が形成されている。貫通孔21の直径は、基板支持ピン230の直径よりも大きく、基板ホルダ支持ピン240の直径よりも小さいことが好ましい。これにより、図2に示すように、基板支持ピン230が基板ホルダ20の貫通孔21を貫通した状態で、基板ホルダ支持ピン240によって基板ホルダ20を支持することができる。図2をさらに参照すると、予熱部200において、基板10は、基板ホルダ20と分離された状態で予熱または保管される。より具体的には、基板10が基板支持ピン230によって支持され、基板ホルダ20が基板ホルダ支持ピン240によって支持されることにより、基板10は、基板ホルダ20と分離された状態で予熱されることが好ましい。このように基板10を基板ホルダ20と分離して予熱するのは、相対的に低温工程である予熱工程では基板10が基板ホルダ20上に載置された状態で予熱される必要がない点を考慮して、工程の効率性を向上させるためである。ただし、基板10の予熱が完了した場合、基板10は、基板処理部400に移送されて処理されるが、このときは、基板10を基板ホルダ20に載置させて基板処理部400に移送させることが好ましい。基板処理部400では、予熱温度より高い温度で基板10が処理されるようになるため、基板10の変形を防止するための基板ホルダ20の使用が欠かせないからである。基板10を基板ホルダ20に載置させて移送するために、後述する基板移送部300が基板ホルダ20の下側で基板ホルダ20を基板支持ピン230の高さより高く持ち上げて基板ホルダ20上に基板10を載置させた後に、基板10を移送する方法が利用可能である。図3は、本発明の一実施形態にかかる予熱部および冷却部の構成を示す図である。図3に示すように、本発明では、予熱部200と後述する冷却部500とが垂直に積層されて一体に配置される。このとき、予熱部200は、冷却部500の上側に配置されることが好ましい。予熱部200と冷却部500とが一体に配置されることによって発生可能な特徴的な構成については後述する。図1を参照すると、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置1は、インデックス移送部110と、基板移送部300とを含んで構成できる。インデックス移送部110は、基板10が基板ホルダ20に載置されていない状態での移送を行うことができる。前記移送は、基板カセット100、予熱部200、冷却部500の間の移送を意味することができる。例えば、インデックス移送部110は、基板カセット100から冷却部500への移送、冷却部500から予熱部200への移送、予熱部200から冷却部500への移送を行うことができる。次に、基板移送部300は、基板10が基板ホルダ20に載置された状態での移送を行うことができる。前記移送は、基板処理部400と予熱部200との間の移送を意味することができる。例えば、基板移送部300は、基板処理部400から予熱部200への移送、予熱部200から基板処理部400への移送を行うことができる。インデックス移送部110および基板移送部300は、上下および左右方向に移動させることができるロボットアームを含んで構成されることにより、移送動作を円滑に行うことができる。このため、公知の基板トランスファロボットアームの構成原理がインデックス移送部110および基板移送部300に採用可能である。図1をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置1は、基板処理部400を含んで構成できる。基板処理部400は、基板10の処理工程の目的に合致するように基板10を処理する機能を果たすことができる。例えば、基板処理部400は、基板10をプラズマ処理して基板10の表面状態を改質するか、あるいは基板10上に所定の物質を蒸着または熱処理することができる。ただし、以下では、説明の便宜上、基板処理部400が基板10を予熱温度よりも高い温度で熱処理する装置であると想定して説明する。また、基板処理部400は、一度に1枚の基板10を処理する枚葉式で構成されてもよいが、好ましくは、ボート450を含んで構成されることにより、一度に複数の基板10を処理するバッチ式で構成できる。このような意味で、以下の説明では、本発明の基板処理部400がバッチ式であると想定して記述する。図4は、本発明の一実施形態にかかる予熱部の支持台に設けられた基板支持ピンおよび基板ホルダ支持ピンの構成を示す断面図であり、図5は、図4の支持台上で基板ホルダが基板支持ピンを加圧する作動状態図である。図4および図5を参照すると、基板支持ピン230は、基板ホルダ支持ピン240に弾性的に挿入可能に設けられている。基板ホルダ20が基板ホルダ支持ピン240上に配置されるとき、基板支持ピン230が基板ホルダ20の貫通ホール21を通過しない場合、基板支持ピン230は、基板ホルダ20によって加圧され、基板ホルダ支持ピン240の内部に挿入される。より具体的には、基板10が載置された基板ホルダ20が予熱部200に移送されるとき、基板ホルダ20の貫通孔21と基板支持ピン230とのアラインメント位置が合った場合、基板支持ピン230は基板ホルダ20の貫通孔21を通過して基板10を支持し、基板ホルダ支持ピン240は基板ホルダ20を支持するようになる。しかし、移送過程中において、振動や外部干渉などによって基板ホルダ20の貫通孔21と基板支持ピン230とのアラインメント位置が合わない場合、複数の基板支持ピン230のうちの一部またはすべてが基板ホルダ20と接触することがある。このとき、基板ホルダ20と接触した基板支持ピン230は、基板ホルダ20によって加圧され、そのまま基板ホルダ支持ピン240の内部に挿入される。このため、前記アラインメント位置が合わない場合が発生しても、基板ホルダ20は、平衡を保ちながら下降して基板ホルダ支持ピン240上に支持できる。また、図4を参照すると、基板支持ピン230の下端には、基板ホルダ支持ピン240の内部に変位可能に挿入される支持板241が結合される。基板ホルダ支持ピン240は、中空管状体であって、基板支持ピン230が通過するガイド孔240aが上面部に形成されており、基板ホルダ支持ピン240の内部には、支持板241を支持するコイルばね242が設けられている。このような構造により、基板支持ピン230は、コイルばね242を圧縮しながら基板ホルダ支持ピン240の内部に挿入することができる。支持板241は、基板ホルダ支持ピン240の内壁に接触または近接してスライド可能な形状になることができる。コイルばね242は、支持板241の底面を十分に支持することができ、基板ホルダ支持ピン240の内壁によって支持可能な幅を有することが好ましい。別途に示していないが、基板支持ピン230の下端には、支持板241とコイルばね242を代替できる機能がある弾性体が具備できる。前記弾性体としては、気孔があるスポンジやゴムまたは合成樹脂を採用することができる。ただし、前記弾性体は、コイルばね242のように、基板支持ピン230が基板ホルダ支持ピン240の内部に挿入可能な変位を提供しなければならない。基板支持ピン230の下方には、基板支持ピン230が基板ホルダ支持ピン240の内部に挿入された状態を検知するセンサ243が設けられる。例えば、図4に示すように、センサ243は、基板ホルダ支持ピン240が設けられた支持台235の底面に設置することができる。センサ243は、基板支持ピン230の下部で機械的な変位を提供する移動ピン244を検知し、基板支持ピン230が基板ホルダ支持ピン240の内部に挿入された状態を検知することができる。このとき、センサ243は、移動ピン244が近接することを検知する近接センサになることができる。センサ243および移動ピン244は、機械的に接触して内部スイッチを作動させる構造や、発光素子がある非接触構造としても提供可能である。また、図4および図5を参照すると、センサ243は、基板支持ピン230の挿入された状態を検知して、基板10と基板ホルダ20とのアラインメント動作位置合わせを停止させる制御部245に接続され、制御部245は、アラーム機能を果たすことができる。制御部245は、基板処理装置1全体の動作を制御するメイン制御部の一部に相当することができ、センサ243に対して別途に構成され、予熱部200の外側に設けられてもよい。制御部245は、アナログ的にもデジタル的にも可能で、コンパックな構造を提供し、設置と作動の柔軟性を向上させるために、プログラミング可能なマイクロコントローラを用いることができる。また、制御部245は、ネットワーク的に外部に設けられ、装置の状態を監視し、作動と整備を行うことができる汎用コンピュータであってもよい。制御部245のアラーム機能とは、基板支持ピン230が基板ホルダ20の貫通孔21を通過せずに、基板支持ピン230が基板ホルダ20によって圧力を受けた状態を知らせる機能である。アラーム機能は、連動する表示手段によって基板処理装置1の作業エラーを知らせる手段である。前記表示手段は、聴覚的にブザー、スピーカ、機械的な打撃音、または視覚的に発光体を用いることができる。アラーム機能のアラーム表示は、ネットワーク上に接続された遠距離の作業者にも提供可能である。このように、予熱部200において基板10と基板ホルダ20とを分離する過程において、基板ホルダ20の貫通孔21と基板支持ピン230とのアライメント位置が合わない場合でも、基板ホルダ20によって基板支持ピン230を基板ホルダ支持ピン240の内部に弾性的に挿入することができる。その結果、移動ピン244によってセンサ243が作動して前記分離過程を直ちに中止させ、基板10および/または基板ホルダ20が基板支持ピン230にかかって平衡を保てないことによって発生し得る基板10および/または基板ホルダ20の破損を未然に防ぐことができる。これは、基板処理部400で基板処理が完了した後、予熱部200に移送して基板10と基板ホルダ20とを分離する過程中において、基板10および/または基板ホルダの移動上の安定性を確保することができ、このような移動安定性が確保されないときに生じ得る大型安全事故を未然に防ぐことができる。図6は、本発明の一実施形態にかかる基板処理部の構成を概略的に示す図である。図6を参照すると、本発明の一実施形態にかかる基板処理部400は、基板10の処理空間を提供する複数の基板処理チャンバを含んで構成できる。より具体的には、基板処理部400は、第1の基板処理チャンバ410と、第1の基板処理チャンバ410とは独立して配置される第2の基板処理チャンバ420とから構成できる。図6をさらに参照すると、第1の基板処理チャンバ410と第2の基板処理チャンバ420とが互いに垂直に積層されていることを確認することができる。また、第1の基板処理チャンバ410および第2の基板処理チャンバ420は、それぞれチャンバを支持するチャンバフレーム430によって支持されていることを確認することができる。このように、本発明では、1つの基板処理部400が複数の基板処理チャンバを含んで構成できるため、一度により多数の基板10を処理できるようになり、基板10の処理工程の生産性を向上させることができる。第1の基板処理チャンバ410と第2の基板処理チャンバ420とは、実質的に同一に構成できる。このような意味で、以下では、第1の基板処理チャンバ410の構成要素についてのみ説明し、前記第1の基板処理チャンバ410の構成要素が第2の基板処理チャンバ420に同様に適用されるものと見なす。図7を参照すると、本発明の一実施形態にかかる第1の基板処理チャンバ410の構成を示す図である。この第1の基板処理チャンバ410は、基板10を処理するための空間を提供する機能を果たすことができる。予熱チャンバ210図2を参照と同様に、第1の基板処理チャンバ410の一側には、第1の基板処理チャンバ410に基板10を搬入および搬出するためのドア図示せずが設置可能である。第1の基板処理チャンバ410の材質は、特に限定されず、石英ガラスまたは一般的なSUSなどが使用可能である。図7をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかる第1の基板処理チャンバ410は、基板処理ヒータ440を含んで構成できる。基板処理ヒータ440は、第1の基板処理チャンバ410の内部または外部に設けられ、基板10を所定の温度で熱処理する機能を果たすことができる。図7に示すように、基板処理ヒータ440は、複数のメインヒータユニット442で構成され、基板10の積層方向に沿って一定間隔を有して配置可能である。このとき、基板10は、複数のメインヒータユニット442の間に配置できる。基板10は、メインヒータユニット442間の中央に配置されることが好ましい。これにより、基板10は、各基板10に対応する上側および下側のメインヒータユニット442によって加熱されて熱処理できる。この場合、メインヒータユニット442は、基板10の短辺方向と平行に一定の間隔を有する複数の単位メインヒータ444で構成できる。この単位メインヒータ444は、長い棒状のヒータであって、石英管の内部に発熱体が挿入されており、両端に設けられた端子を介して外部の電源を受けて熱を発生させる単位体であり得る。また、基板10とメインヒータユニット442との間は、第1の基板処理チャンバ410で基板ホルダ20に載置された基板10を搬入するとき、基板移送部300の挙動を妨げない程度に離隔していることが好ましい。図8は、本発明の一実施形態にかかる第1の基板処理チャンバのボートの構成を示す斜視図である。図8を参照すると、本発明の一実施形態にかかる第1の基板処理チャンバ410図7を参照は、ボート450を含んで構成できる。ボート450は、第1の基板処理チャンバ410の内部に設けられ、第1の基板処理チャンバ410に搬入された基板10を支持する機能を果たすことができる。ボート450は、基板10の長辺側を支持するように設けられることが好ましい。本実施形態において、ボート450は、基板10の両長辺側に3ヶ所ずつ、1枚の基板あたり計6ヶ所を支持する形態になっているが、このようなボート450の形態は、基板10の安定的な支持のために、基板10の大きさによって多様に変更可能である。また、図8には、ボート450に3枚の基板10が搬入されるものとして示されているが、ボート450に搬入される基板10の個数は、特に限定されず、本発明の利用目的に応じて多様に変更可能である。一方、ボート450の材質は、石英であることが好ましい。図8をさらに参照すると、基板10は、基板ホルダ20に載置された状態でボート450に搬入されることが好ましい。これは、前述したように、高い温度で基板10を加熱するに伴って発生し得る基板10の変形を防止するためである。このため、基板移送部300によって基板10が基板ホルダ20に載置された状態で基板処理部400に移送できることは前述したとおりである。図8をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかる第1の基板処理チャンバ410は、複数の基板処理ガス供給部460を含んで構成できる。基板処理ガス供給部460は、熱処理雰囲気を作るための基板10の処理ガスを第1の基板処理チャンバ410の内部に供給する機能を果たす。図8に示すように、基板処理ガス供給部460は、基板10の処理ガスを排出するガス穴462が複数個形成された棒状に構成できる。基板処理ガス供給部460は、基板10の長辺側に設けることが好ましい。基板10の処理ガスとしては、Ar、Ne、He、N2などのような不活性ガスを使用することができる。基板処理ガス供給部460の反対側には、第1の基板処理チャンバ410内の基板10の処理ガスを第1の基板処理チャンバ410の外部に排出する基板処理ガス排出部図示せずが設けられてもよい。前記基板処理ガス排出部は、基板処理ガス供給部460と同様に、熱処理ガスを吸入するガス穴図示せずが複数個形成された棒状に構成できる。一方、図1をさらに参照すると、本発明の基板処理装置1は、複数の基板処理部400を含んで構成されることが好ましい。すなわち、同一の構成を有する基板処理部400が基板移送部300の周囲に複数個配置されることが好ましい。このような構成により、一度により多数の基板10を処理できるようになるため、基板10の処理工程の生産性を向上させることができる。また、1つの基板処理部400をメンテナンスする場合にも、他の基板処理部400を稼働することにより、継続的に基板10の処理工程を行うことができる。前述したように、基板10が基板ホルダ20に載置された状態で処理できる。この場合、基板10の処理が完了すると、基板10は、基板ホルダ20とともに再び予熱部200に移送されることが好ましい。このように予熱部200に移送された基板10と基板ホルダ20とは再分離できる。より具体的には、基板10は、基板支持ピン230によって支持され、基板ホルダ20は、基板支持ピン230が貫通した状態で基板ホルダ支持ピン240によって支持されることにより、基板10と基板ホルダ20とは分離できる。すなわち、図2に示された形態で基板10と基板ホルダ20とは再分離可能である。基板10と基板ホルダ20とが分離された後は、インデックス移送部110によって基板10のみが後述する冷却部500に移送されることが好ましい。これにより、予熱部200では、基板ホルダ20のみが基板ホルダ支持ピン240によって支持されるようになる。その後は、新しい基板10が予熱部200に再搬入され、基板支持ピン230によって支持されて基板ホルダ20と分離された状態で予熱できる。次に、図1をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置1は、冷却部500を含んで構成できる。冷却部500は、基板処理部400で基板処理された基板10を冷却する機能を果たすことができる。冷却部500で基板10を冷却する方式は、特に限定されない。したがって、水冷式または空冷式を含む公知の様々な冷却原理が本発明の冷却部500に採用可能である。図9は、本発明の一実施形態にかかる冷却部500の構成を示す図である。図3および図9を参照すると、本発明の一実施形態にかかる冷却部500は、基本的に、冷却フレーム510を含んで構成される。冷却フレーム510の内部には、基板10の迅速な冷却のために冷却水が流れることができる。また、図示していないが、冷却フレーム510の一側には、基板10に冷却ガスを噴射する冷却ファン図示せずが設置可能である。図9をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかる冷却部500は、トレイ520を含んで構成できる。トレイ520は、基板10の冷却が行われている間に複数の基板10を支持する機能を果たすことができる。図9をさらに参照すると、1枚の基板10が第1の支持ピン群530によって支持されていることを確認することができる。ここで、第1の支持ピン群530は、1枚の基板10を支持するためにトレイ520に設けられる複数の第1の支持ピン532を意味することができる。すなわち、1枚の基板10は、複数の第1の支持ピン532で構成される第1の支持ピン群530によって支持されて冷却できる。図9に示すように、第1の支持ピン群530の第1の支持ピン532は、トレイ520の内側に向かって互いに対向して形成されるロッド522と、ロッド522と一定の間隔を有し、ロッド522の下側に配置されるプレート524とに設置可能である。一方、図9には、1つの第1の支持ピン群530が4つの第1の支持ピン532で構成されるものとして示されているが、必ずしもこれに限定されない。また、図9に示すように、第1の支持ピン群530は、複数個であることが好ましい。つまり、本発明の冷却部500は、第1の支持ピン群530を複数個備え、複数の基板10を一度に冷却することができる。図9の冷却部500は、第1の支持ピン群530を6つ備えているため、一度に6枚の基板10を冷却することができる。しかし、冷却部500に備えられる第1の支持ピン532の個数は、特に限定されず、本発明の利用目的に応じて多様に変更可能である。一方、予熱部200で予熱される基板10は、冷却部500を経て予熱部200に移送可能である。より具体的には、インデックス移送部110は、基板カセット100で予熱工程が行われる新しい基板10を取り出して冷却部500に先に移送させ、前記移送された新しい基板10を冷却部500にしばらく待機させてから予熱部200に移送させることができる。ここで、冷却部500に予熱される新しい基板10をしばらく待機させる理由は、処理が完了した基板10が予熱部200で基板ホルダ20と分離されて冷却部500に移送されることにより、予熱部200に基板ホルダ20のみが存在する時期を待つためである。つまり、予熱部200で基板10と基板ホルダ20とが分離された後に、基板10のみが搬出される時期を待つためである。予熱部200で基板10のみが搬出される場合、予熱部200には、基板ホルダ20のみが残るため、このときに新しい基板10を予熱部200に移送させることができる。この場合、高温の工程でのみ用いられる基板ホルダ20を不要に冷却させることなく、加熱された状態で再使用することができるため、基板10の処理工程の効率性を向上させることができる。このように、冷却部500に新しい基板10をしばらく待機させるために、本発明の一実施形態にかかる冷却部500は、第2の支持ピン群540を含んで構成できる。ここで、第2の支持ピン群540は、1枚の新しい基板10、すなわち、予熱部200で予熱される基板10を支持するためにトレイ520に設けられる複数の第2の支持ピン542を意味することができる。図9に示すように、第2の支持ピン群540は、トレイ520の上側に設けられ、新しい基板10を支持する機能を果たすことができる。新しい基板10は、第2の支持ピン542によってしばらく支持されてから、予熱部200に基板ホルダ20のみが残ったときに予熱部200に移送可能である。第1の支持ピン群530とは異なり、冷却部500に備えられる第2の支持ピン群540は、1つであることが好ましい。また、第2の支持ピン群540に備えられる第2の支持ピン542の個数は、特に限定されず、本発明の利用目的に応じて多様に設定可能である。本発明の予熱部200と冷却部500とが垂直に積層されて一体に配置できることについてはすでに説明した。図3では、このように予熱部200と冷却部500とが垂直に積層されて一体に配置される構成を示している。この場合、図3に示すように、予熱部200が冷却部500の上側に位置することが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではなく、冷却部500が予熱部200の上側に位置することもできる。本発明では、予熱部200と冷却部500とが垂直に積層されて一体に配置されることにより、インデックス移送部110が予熱部200から冷却部500へ、冷却部500から予熱部200へと迅速に基板10を移送できるようになるため、上述した移送過程をより円滑に行うことができ、結果的に、基板10の処理工程の生産性をさらに向上させることができる。一方、基板処理部400が動作しない場合は、本発明の冷却部500には、複数の基板ホルダ20が保管できる。ここで、基板処理部400が動作しない場合は、複数の基板処理部400のうち、1つの基板処理部400に異常が発生し、異常発生した基板処理部400のメンテナンスを行う場合を含む。このとき、基板ホルダ20は、トレイ520のロッド522によって支持されながら保管可能である。すなわち、本発明の基板ホルダ20には、第1の支持ピン532が貫通できるように貫通孔21が形成されているため、基板ホルダ20は、プレート524に設けられた第1の支持ピン532を貫通した状態で、ロッド522によって支持されながら保管可能である。これにより、基板ホルダ20を冷却部500に保管するとしても、冷却部500を稼働させて基板10を冷却させるには何ら支障がないため、冷却部500の空間の活用を極大化することができる。以下では、複数の基板ホルダ20が冷却部500に保管される一例について説明する。まず、複数の基板処理部400のうち、1つの基板処理部400に異常が発生したとする。この場合、異常発生した基板処理部400に用いられる複数の基板ホルダ20は、冷却部500に保管可能である。より具体的には、上述したように、複数の基板ホルダ20は、プレート524に設けられた第1の支持ピン532を貫通した状態で、ロッド522によって支持されながら保管可能である。この状態で異常が発生していない残りの基板処理部400は、継続的に基板10を処理し、処理された基板10は、冷却部500に保管されている基板ホルダ20に何ら影響を及ぼさずに冷却部500で冷却できる。本発明は、上述したように、好ましい実施形態を図示および説明したが、上記の実施形態に限定されず、本発明の精神を逸脱しない範囲内で当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって多様な変形および変更が可能である。そのような変形例および変更例は、本発明と添付した特許請求の範囲の範囲内に属すると見なさなければならない。