半導体基板の一方の面に第1主電極を形成後、前記半導体基板の他方の面に、イオン注入層を形成し、該イオン注入層上に第2主電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記イオン注入層を、イオン注入時の半導体基板の温度が室温で第1のイオン注入層を形成する第1のイオン注入工程と、該第1のイオン注入工程に続いて、イオン注入時の半導体基板の温度を室温より低く液体窒素温度以上の温度で第2のイオン注入層を形成する冷却イオン注入工程によって形成し、前記冷却イオン注入工程に続いて、300°C以上500°C以下で10分から5時間の範囲でアニールすることにより、前記第1のイオン注入層をフィールドストップ層とし、前記第2のイオン注入層をコレクタ層として形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1主電極を、アルミニウムを主成分とする金属膜で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記イオン注入層のドーズ量を、3×1013cm2以上とすることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記イオン注入層のドーズ量を、1×1014cm2以上、1×1015cm2未満とすることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。ボロンもしくはBF2を冷却イオン注入することで、前記イオン注入層を形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。つぎに、前記した従来技術の問題点をまてめて説明する。1アルミニウムシリコン膜などアルミニウムを主成分として含む膜のアニール温度を、高温>500°Cにすると、シリコン析出粒による耐圧劣化、またはコンタクト抵抗の増加を生じる。21を避けるために500°C以下の低温アニールすると、裏面拡散層ここでは、p層のイオン活性化率は1~2程度ボロンのドーズ量が1×1015cm2注入の場合に留まって、良好な特性を有するデバイスを得ることができない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、イオン注入層のイオン活性化率を高めて低オン電圧化を図り、耐圧低下とコンタクト抵抗の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供することにある。前記の目的を達成するために、半導体基板の一方の面に第1主電極を形成後、前記半導体基板の他方の面に、イオン注入層を形成し、該イオン注入層上に第2主電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記イオン注入層を、イオン注入時の半導体基板の温度が室温で第1のイオン注入層を形成する第1のイオン注入工程と、該第1のイオン注入工程に続いて、イオン注入時の半導体基板の温度を室温より低く液体窒素温度以上の温度で第2のイオン注入層を形成する冷却イオン注入工程によって形成し、前記冷却イオン注入工程に続いて、300°C以上500°C以下で10分から5時間の範囲でアニールすることにより、前記第1のイオン注入層をフィールドストップ層とし、前記第2のイオン注入層をコレクタ層として形成する製造方法とする。また、前記第1主電極を、アルミニウムを主成分とする金属膜で形成するものとする。また、前記イオン注入層のドーズ量を、3×1013cm2以上とする。また、前記イオン注入層のドーズ量を、1×1014cm2以上、1×1015cm2未満とする。また、前記イオン注入層を、ボロン元素記号:BもしくはBF2を冷却イオン注入することで、形成するとよい。前記のように、裏面のイオン注入層の形成に冷却イオン注入を用いて、その後、低温アニールを行なう。冷却イオン注入では、イオン注入時に欠陥の少ない層を形成することができ、そこに低温アニールを施すことにより、シリコン表面側形成層に影響を与えることなく、つまり、ワイヤボンディング時の層間絶縁膜の破壊ゲート-エミッタ間の短絡等の問題を生じることなく、裏面拡散層の活性化を図ることができる。裏面のイオン注入層の形成にボロンもしくはBF2のイオン注入を用いて、その後、低温アニールを用いて行なう。ボロンのイオン注入では、冷却イオン注入時に連続的な非晶質層を形成することができ、そこに低温アニールを施すことにより、シリコン表面側形成層に影響を与えることなく、裏面拡散層の活性化を図ることができる。また、質量の大きなBF2では室温イオン注入でも連続的な非晶質層が形成されるが、冷却イオン注入では、さらに、その非晶質層は、薄く形成される。また、ボロンの場合と比べて、BF2の場合は、イオン注入層の厚さは薄く、イオン活性化率も高くできる。この発明によれば、3×1013cm2以上好ましくは1×1014cm2から1×1015cm2未満のドーズ量で、ボロンBやBF2の冷却イオン注入を行うことで、高いイオン活性化率を得ることができる。高いイオン活性化率により、少ないドーズ量で、低いアニール温度で、IGBTのコレクタ層とコレクタ電極のオーミック性が改善できる。また、冷却イオン注入により、アニール温度を下げることができるできて、エミッタ電極を形成するアルミシリコン膜にシリコン析出粒が形成されず、ワイヤボンディング時の層間絶縁膜の破壊やクラック等の発生を防止できる。また、従来と同一のドーズ量とした場合には、高濃度のコレクタ層を形成することができて、コレクタ層からベース層への正孔の注入効率を高め、IGBTのオン特性とスイッチング特性のトレードオフを改善することができる。裏面のイオン注入層の拡散に、冷却イオン注入と低温アニールを施すことにより、表面側に影響を与えることなく、正孔を効率良く注入させ、かつ、コレクタ電極裏面電極との良好なコンタクタ形成を行なうことができる。これにより、裏面プロセスを必要とする電力用半導体素子を高い生産性で製造することができる。図1は、この発明の参考例の半導体装置の製造方法であり、同図aから同図dは、主要工程の要部工程断面図である。この半導体装置は、NPT-IGBTである。1バックラップする前の半導体基板FZ-n基板1aの表面側にゲート酸化膜4ここでは、SiO2と多結晶シリコンここでは、Poly-Siからなるゲート電極5を堆積、加工し、その表面に層間絶縁膜6ここでは、BPSG:ボロンリンガラスを堆積、加工し、絶縁ゲート構造が作られる。2FZ-n基板1aにp型ベース層2pを形成した後に、このp型ベース層2を形成した後にこのp型ベース層2内にn型エミッタ層3nを形成する。3n型エミッタ層3に接するようにアルミシリコン膜からなる表面電極エミッタ電極7を形成する。アルミシリコン膜は、安定した接合性を低抵抗配線を実現するために、その後、熱処理をされる。さらに、図示しないが、エミッタ電極7を覆うようにポリイミド膜からなる絶縁保護膜を形成する。4次に裏面側より、所望の厚さまでFZ-n基板1aをバックラップする同図a。5つぎに、バックラップした半導体基板FZ-n基板1の裏面11より、ボロンの冷却イオン注入12を行い、イオン注入層13を形成し同図b、その後で熱処理を行ない、高濃度のp型コレクタ層8pの拡散層を形成する。同図c。このイオン注入は冷却イオン注入で、半導体基板FZ-n基板1の温度を液体窒素温度-196°Cにしてイオン注入し、そのドーズ量は、後述するように、3×1013以上とする。好ましくは、1×1014以上で1×1015cm2未満とするとよい。また、熱処理は、後述するように、電気炉アニールを行う。その温度は300°Cから500°Cの範囲で、時間は10分から5時間の範囲でよく、さらに、好ましくは、温度は400°Cから450°C、時間は30分から1.5時間がよい。6その後、p型コレクタ層8上に、アルミニウム層、チタン層、ニッケル層および金層の4層からなる裏面電極膜であるコレクタ電極9を形成する同図d。最後に、図示しないが、7表面電極膜エミッタ電極7の表面上には、アルミワイヤが超音波ワイヤボンディング装置により固着され、もう一方の裏面電極膜コレクタ電極8は、半田層を介して固定部材に接続される。前記の1から4の工程と、6、7の工程は、従来技術で説明した内容と同じあるので説明は省く。前記の5の工程が、本発明の製造工程であり、その詳細をつぎに説明する。イオン注入の工程を、通常の室温での注入で行なうのではなく、冷却状態にて行なう。そして、低温アニールは、電気炉アニール420°C、1hrを実施する。ここでは、その液体窒素温度-196°C:絶対温度=77Kでイオン注入冷却イオン注入を実施し、電気炉で420°C、1hrアニールした場合と、室温でイオン注入室温イオン注入した従来例とを比較して説明する。冷却イオン注入12でボロンのイオン注入層13p層をドーズ量3×1013cm2~1×1015cm2の範囲で、加速電圧45keVの条件で形成し、その後、電気炉アニールを420°Cで、1hrした試料を作製する。また、通常のイオン注入室温イオン注入でボロンのイオン注入層p層をドーズ量1×1013cm2~1×1015cm2の範囲で、加速電圧45keVの条件で形成し、その後、電気炉アニールを420°Cで、1hrした試料を作製する。これらの試料を広がり抵抗法SR法により濃度分布を測定する。ドーズが5×1013cm2以上で、冷却イオン注入の方が室温イオン注入より、ピーク濃度が高くできる。また、拡散深さは、冷却イオン注入の方が室温イオン注入より、浅くできる。図2は、ボロンのドーズ量が3×1014cm2の場合の濃度分布図である。Aは冷却イオン注入であり、Bは室温イオン注入である。この図は、前記したドーズ量1×1013cm2~1×1015cm2の範囲の内、代表例として、3×1014cm2の場合を挙げた。Aのピーク濃度CPAの方が、Bのピーク濃度CPBよりも、高ピーク濃度となり、拡散深さはAの方が浅くなることが示されている。図3は、ボロンの注入ドーズ量に対するピーク濃度の関係を示す図である。Cは冷却イオン注入であり、Dは室温イオン注入である。冷却イオン注入Cの方が、室温イオン注入Dより、注入ドーズ量3×1013cm2以上でピーク濃度を大きくできる。図4は、ボロンの注入ドーズ量に対するシート抵抗の関係を示す図である。Cは冷却イオン注入であり、Dは室温イオン注入である。この図は、図3と対応しており、冷却イオン注入Cの方が、室温イオン注入Dより、注入ドーズ量3×1013cm2以上で低抵抗化が図れる。図5は、ボロンの注入ドーズ量に対するイオン活性化率の関係を示す図である。Cは冷却イオン注入であり、Dは室温イオン注入である。冷却イオン注入Cの方が、室温イオン注入Dより、注入ドーズ量3×1013cm2以上でイオン活性化率を大きくできる。また、冷却イオン注入Cにおいて、ドーズ量を1×1014cm2以上で、1×1015cm2未満とすると、イオン活性化率を15以上にすることができる。前記したように、冷却イオン注入法を用いることで、p型コレクタ層8を形成するイオン注入層のイオン活性化率を、ドーズ量3×1013cm2以上で、室温イオン注入法よりも高めることができる。また、ドーズ量1×1014cm2以上で、1×1015cm2未満とすることで、イオン活性化率を15以上とすることができる。このように、p型コレクタ層8の高い活性化により、高いピーク濃度のp型コレクタ層8を形成することができる。その結果、p型コレクタ層8からの正孔の注入効率を高めることができて、オン電圧を低下させることができる。また、冷却イオン注入により、高いイオン活性化率が得られ、そのため、アニール温度を下げることができるできて、エミッタ電極7を形成するアルミシリコン膜にシリコン析出粒が形成されず、ワイヤボンディング時の層間絶縁膜6の破壊やクラック等の発生を防止できる。また、高いイオン活性化率により、少ないドーズ量で、低いアニール温度で、IGBTのp型コレクタ層8とコレクタ電極9のオーミック性が改善できる。また、従来と同一のドーズ量とした場合には、高濃度のp型コレクタ層8を形成することができて、p型コレクタ層8からベース層FZ-n基板1への正孔の注入効率を高め、IGBTのオン特性とスイッチング特性のトレードオフを改善することができる。また、前記した電気炉アニール熱処理の温度は、300°Cから500°Cの範囲で、時間は10分から5時間の間の組み合わせで決めてもよい。500°Cを超えると、コレクタ電極9にシリコン析出粒が発生して好ましくない。また、300°C未満では、アニール効果が弱く、p型コレクタ層8とコレクタ電極9との接触抵抗が高くなりオーミック性が良くない、好ましくない。この温度と時間は、400°Cから450°C、時間は30分から1.5時間の範囲で決めると、前記した高いイオン活性化率を得る点でさらに好ましい。図6は、この発明の実施例の半導体装置の製造方法であり、同図aから同図cは主要工程の要部工程断面図である。この半導体装置は、FS-IGBTフィールドストップ型IGBTであり、ここで説明する内容は図1の5の工程である。FZ-n基板1の裏面11に、室温イオン注入14で、n型フィールドストップ層10なるリンのイオン注入層15を形成し同図a、その後、冷却イオン注入16で、p型コレクタ層8となるボロンのイオン注入層17を形成し同図b、その後、電気炉アニールして、n型フィールドストップ層10およびp型コレクタ層8を形成する同図c。これにより、n型フィールドストップ層を有するFS-IGBTとすることができる。つぎに、この冷却イオン注入17の最適なドーズ量をつぎに説明する。FS-IGBTフィールドストップ型IGBTに適用するために、先ず、n型フィールドストップ層を形成するために、リンn層を室温でイオン注入を、ドーズ量1×1013cm2で、加速電圧240keV、室温RTで行い、その後、冷却イオン注入で、p型コレクタ層を形成するために、ボロンのイオン注入層p層をドーズ量3×1013cm2~1×1015cm2の範囲で、加速電圧45keVで形成し、その後、電気炉アニールで420°C、1hrした試料を製作する。また、同条件でリンを注入した後に、通常の室温イオン注入を実施した場合の試料を製作する。両者を比較すると、冷却イオン注入の方が、室温イオン注入よりも、3×1013cm2のドーズ量以上でボロンp層のピーク濃度を向上させることができ、活性化することできる。このことから、この実施例の場合も、参考例の場合のドーズ量の範囲が有効である。また、冷却イオン注入温度、低温アニール温度、時間およびp型コレクタ層の厚さについても、参考例と同様の範囲が有効である。図7は、ボロンのドーズ量が3×1014cm2の場合の濃度分布図である。ここでは、前記したドーズ量1×1013cm2~1×1015cm2の範囲の内、代表例として、3×1014cm2の場合を挙げた。Eは冷却イオン注入であり、Fは室温イオン注入である。Eのピーク濃度CPAの方が、Fのピーク濃度CPBよりも、高ピーク濃度となり、拡散深さはEの方が浅くなることが示されている。前記の実施例は、イオン種がボロンの場合について、説明したが、質量の大きいBF2に代えた場合も、ドーズ量、冷却イオン注入温度、低温アニール温度、時間について、同様の範囲で、同様の効果が期待される。但し、ここではBF2はボロンより質量数が大きいため、加速エネルギーを60keVとしている。図8は、図2の条件で、BF2の冷却イオン注入した場合の不純物濃度と拡散深さの関係を示す図である。拡散深さは、図2に示すボロンの場合の0.4μmに対して、0.2μmと浅くなる。また、不純物濃度もボロンの場合より高くなり、イオン活性化率が高くなる。参考までに、室温イオン注入した場合の不純物プロフィルを点線で示す。図9は、ボロンをイオン注入する場合のイオン注入層の様子を示す図で、同図aは室温イオン注入の場合、同図bは冷却イオン注入の場合である。ボロンの室温イオン注入21では、イオン注入時に点欠陥が多いイオン注入層22が深い箇所まで形成される。点欠陥が多いために、その後の低温アニールで、数の極めて低いイオン活性化率で、不純物層が形成される。一方、冷却イオン注入では、イオン注入時に点欠陥の少ない連続した非晶質層24を形成することができ、その後の低温アニールで、連続した非晶質層24が高いイオン活性化率で、不純物層に変化する。この連続した非晶質層24は、3×1013cm2以上のドーズ量で得ることができて、特に、1×1014cm2以上のドーズ量で顕著となる。また、前記の非晶質層24は、ドーズ量が多くなると、非晶質層25のように表面層に形成される傾向があり、従って、ドーズ量が多くなるほど、不純物プロフィルの拡散深さは小さくなる。これは室温イオン注入には見られない傾向である。質量の大きいBF2の場合は、室温イオン注入でも連続した非晶質層が形成されるが、冷却イオン注入にすると、その非晶質層は表面層に形成され、非晶質層の厚さは、室温の場合より薄くなる。低温アニールでのイオン活性化率もボロンより高く、そのため、ピーク濃度は、ボロンの場合より高くなる。これらのことは、図8に示されている。前記した実施例についてまとめると、つぎのようになる。1図9で説明したメカニズムによれば、室温より低い温度で、ボロンを冷却イオン注入すると、高いイオン活性化率が得られる。従って、現段階では、液体窒素温度-196°Cで、顕著な効果が出ているが、-30°C程度以下でも高い活性化率が得られる可能性がある。そのため、冷却イオン注入の温度は、室温より低く、-196°C以上の高い温度とする。好ましくは、-30°C以下で、-196°C以上がよい。2電気炉アニールの温度は300°C以上でアニール効果が現れ、500°Cを超えるとエミッタ電極7のシリコンが析出して、耐圧が低下し始める。そのため、アニール温度は、300°C以上で、500°C以下とする。好ましくは、400°C以上で、450°C以下がよい。3アニール時間は、アニール温度が高い程短い時間に設定しないと、やはり析出による耐圧低下が起こる。そのため、アニール温度が350°Cの場合は5時間以内がよい。また500°Cの場合で10分未満ではアニール効果が弱く、10分以上が必要となる。従って、アニール時間は、10分以上で、5時間以下とする。好ましくは、30分以上で、1.5時間以下がよい。41から3の条件の組み合わせることで、p型コレクタ層8の厚さは、0.3μmから0.5μmが得られる。5BF2の冷却イオン注入の場合も、ボロンの冷却イオン注入の場合と同様に、1項から3項の範囲で、同様の効果が期待できる。さらに、ここでは詳細な説明は省くが、電気炉アニールの代わりに、XeClエキシマレーザー波長308nm、半値幅49ns、XeFエキシマレーザー波長351nm、半値幅14ns、KrFエキシマレーザー波長248、YAGの第二高調波を利用したレーザー波長532nm、YAGの第三高調波を利用したレーザー波長355nm等を用いることで、活性化率を向上させることができることは勿論である。