"下記式1で表される金属錯体。[式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、それぞれ独立に、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。下記式1-1:で表される基は、下記式L1:で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2:で表される基を意味する。式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただし、nが3である場合、下記式1-3:式1-3中、Meはメチル基を表す。で表される金属錯体は除く。]前記式L1で表される基が、下記式L1-1で表される基である、請求項1に記載の金属錯体。[式L1-1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びX1は、前記定義の通りである。R16、R17、R18、R19、R20及びR21は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。S1、S2、S3及びS4は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、又は、1価の芳香族複素環基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。]前記S1、S2、S3及びS4が、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、置換アミノ基、又は1価の芳香族複素環基である、請求項2に記載の金属錯体。前記S1、S2、S3及びS4が、それぞれ独立に、アルキル基、又はアリール基である、請求項2又は3に記載の金属錯体。前記S1、S2、S3及びS4がアルキル基である、請求項2~4のいずれか一項に記載の金属錯体。前記X1が直接結合である、請求項1~5のいずれか一項に記載の金属錯体。前記nが1又は2である、請求項1~6のいずれか一項に記載の金属錯体。前記R16、R17、R18、R19、R20及びR21のうちの少なくとも1つが、アルキル基である、請求項2~7のいずれか一項に記載の金属錯体。前記nが3であり、前記R16、R17、R18、R19、R20及びR21のうちの少なくとも1つが、炭素原子数が2以上のアルキル基である、請求項2~6のいずれか一項に記載の金属錯体。下記式1で表される金属錯体と、電荷輸送性材料とを含む組成物。[式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、それぞれ独立に、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。下記式1-1:で表される基は、下記式L1:で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2:で表される基を意味する。式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。]前記電荷輸送性材料が高分子化合物である、請求項10に記載の組成物。前記電荷輸送性材料が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも1種類を構造単位として有する高分子化合物である、請求項10又は11に記載の組成物。前記電荷輸送性材料が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも2種類を構造単位として有する高分子化合物である、請求項10~12のいずれか一項に記載の組成物。下記式1で表される金属錯体から誘導される基を構造単位として有する、金属含有高分子化合物。[式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、それぞれ独立に、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。下記式1-1:で表される基は、下記式L1:で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2:で表される基を意味する。式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。]前記金属含有高分子化合物が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも1種類を構造単位として有する金属含有高分子化合物である、請求項14に記載の金属含有高分子化合物。前記金属含有高分子化合物が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも2種類を構造単位として有する金属含有高分子化合物である、請求項14又は15に記載の金属含有高分子化合物。請求項14~16のいずれか一項に記載の金属含有高分子化合物と、電荷輸送性材料とを含む組成物。下記式1で表される金属錯体と、溶媒又は分散媒とからなる組成物。[式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、それぞれ独立に、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。下記式1-1:で表される基は、下記式L1:で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2:で表される基を意味する。式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただし、nが3である場合、下記式1-3:式1-3中、Meはメチル基を表す。で表される金属錯体は除く。]溶媒又は分散媒を更に含む、請求項10~13又は17のいずれか一項に記載の組成物。下記式1で表される金属錯体を含む膜。[式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、それぞれ独立に、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。下記式1-1:で表される基は、下記式L1:で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2:で表される基を意味する。式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。]請求項14~16のいずれか一項に記載の金属含有高分子化合物を含む膜。請求項10~13又は17のいずれか一項に記載の組成物を含む膜。請求項20~22のいずれか一項に記載の膜を備える素子。前記素子が発光素子である、請求項23に記載の素子。しかし、上記従来の金属錯体によれば、有機溶媒に対する溶解性が不十分であるため、塗工液を用いて膜を塗布形成する塗布法を用いた素子の作製には適しておらず、素子として構成したときに高い発光効率を達成することは困難である。そこで、本発明の目的は、有機溶媒に対する溶解性を向上させた金属錯体を提供し、ひいてはこの金属錯体を用いることにより発光効率を向上させた素子を提供することにある。本発明者らは鋭意検討した結果、下記の構成により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明によれば、下記[1]~[24]が提供される。[1]下記式1で表される金属錯体以下、式1で表される金属錯体Nと言うことがある。。[式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、それぞれ独立に、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。下記式1-1:で表される基は、下記式L1:で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2:で表される基を意味する。式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただし、nが3である場合、下記式1-3:式1-3中、Meはメチル基を表す。で表される金属錯体は除く。][2]前記式L1で表される基が、下記式L1-1で表される基である、[1]に記載の金属錯体。[式L1-1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びX1は、前記定義の通りである。R16、R17、R18、R19、R20及びR21は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。S1、S2、S3及びS4は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、又は、1価の芳香族複素環基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。][3]前記S1、S2、S3及びS4が、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、置換アミノ基、又は1価の芳香族複素環基である、[2]に記載の金属錯体。[4]前記S1、S2、S3及びS4が、それぞれ独立に、アルキル基、又はアリール基である、[2]又は[3]に記載の金属錯体。[5]前記S1、S2、S3及びS4がアルキル基である、[2]~[4]のいずれか1つに記載の金属錯体。[6]前記X1が直接結合である、[1]~[5]のいずれか1つに記載の金属錯体。[7]前記nが1又は2である、[1]~[6]のいずれか1つに記載の金属錯体。[8]前記R16、R17、R18、R19、R20及びR21のうちの少なくとも1つが、アルキル基である、[2]~[7]のいずれか1つに記載の金属錯体。[9]前記nが3であり、前記R16、R17、R18、R19、R20及びR21のうちの少なくとも1つが、炭素原子数が2以上のアルキル基である、[2]~[6]のいずれか1つに記載の金属錯体。[10]下記式1で表される金属錯体以下、式1で表される金属錯体aと言うことがある。と、電荷輸送性材料とを含む組成物。[式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。下記式1-1:で表される基は、下記式L1:で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2:で表される基を意味する。式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。][11]前記電荷輸送性材料が高分子化合物である、[10]に記載の組成物。[12]前記電荷輸送性材料が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも1種類を構造単位として有する高分子化合物である、[10]又は[11]に記載の組成物。[13]前記電荷輸送性材料が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも2種類を構造単位として有する高分子化合物である、[10]~[12]のいずれか1つに記載の組成物。[14]前記式1で表される金属錯体aから誘導される基を構造単位として有する、金属含有高分子化合物。[15]前記金属含有高分子化合物が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも1種類を構造単位として有する金属含有高分子化合物である、[14]に記載の金属含有高分子化合物。[16]前記金属含有高分子化合物が、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも2種類を構造単位として有する金属含有高分子化合物である、[14]又は[15]に記載の金属含有高分子化合物。[17][14]~[16]のいずれか1つに記載の金属含有高分子化合物と、電荷輸送性材料とを含む組成物。[18]前記式1で表される金属錯体Nと、溶媒又は分散媒とからなる組成物。[19]溶媒又は分散媒を更に含む、[10]~[13]又は[17]のいずれか1つに記載の組成物。[20]前記式1で表される金属錯体aを含む膜。[21][14]~[16]のいずれか1つに記載の金属含有高分子化合物を含む膜。[22][10]~[13]又は[17]のいずれか1つに記載の組成物を含む膜。[23][20]~[22]のいずれか1つに記載の膜を備える素子。[24]前記素子が発光素子である、[23]に記載の素子。本発明の金属錯体は、前記従来の金属錯体と比較して、有機溶媒に対する溶解性が優れている。本発明の金属錯体、金属含有高分子化合物及び組成物を素子の発光層の材料として用いれば、膜質を向上させることができるため、前記従来の金属錯体トリス2-フェニルピリジンイリジウム錯体を発光層の材料として用いた素子と比較して、発光効率を向上させることができる。本発明の金属錯体は、上述のように有機溶媒に対する溶解性に優れている。よって塗工液を用いて膜を塗布形成する塗布法を用いた素子の作製に好適に使用することができる。したがって、簡便な工程で素子を製造することができる。以下、本発明を詳細に説明する。なお本明細書で示される構造式化学式において、イリジウム原子Irと窒素原子Nとを結ぶ破線で示される結合は、配位結合を表している。<用語の説明>本明細書において、X価の芳香族複素環基Xは1又は2である。は、芳香族複素環式化合物からX個の水素原子を取り除いた残りの原子団を意味し、縮合環を有するものを含む。複素環式化合物は、環式構造を有する有機化合物のうち、環を構成する原子が、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物を意味する。芳香族複素環式化合物は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール等の前記ヘテロ原子を含む複素環式化合物であり、該複素環自体が芳香族性を示す化合物;フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の前記ヘテロ原子を含む複素環それ自体は芳香族性を示さなくとも、該複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。本明細書において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基を表す。複数個存在するRは、同一であっても異なっていてもよい。Rで表される基は、置換基を有していてもよい。また、本明細書において、Raは、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基又はアラルキル基を表す。複数個存在するRaは、同一であっても異なっていてもよい。Raが同一の基中に複数個存在する場合、それらは一緒になって環構造を形成してもよい。Raで表される基は、置換基を有していてもよい。本明細書において、構造単位は、高分子化合物中に1個以上存在する単位を意味するが、繰り返し単位即ち、高分子化合物中に2個以上存在する単位として高分子化合物中に存在することが好ましい。<置換基の説明>本明細書において、置換基は別途説明のない限り、通常、以下の意味で用いられる。-アルキル基-本明細書において、アルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよく、アルキル基の炭素原子数は通常1~20である。前記アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が挙げられる。-アリール基-本明細書において、アリール基は、芳香族炭化水素化合物から水素原子を1個取り除いた残りの原子団であり、縮合環を有する基を含む。前記アリール基の炭素原子数は、通常6~60であり、好ましくは6~48であり、より好ましくは6~20であり、更に好ましくは6~14である。該炭素原子数には置換基の炭素原子数は含まれない。前記アリール基が有する水素原子は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。前記アリール基の例としては置換又は非置換のフェニル基等が挙げられる。-1価の芳香族複素環基-本明細書において、1価の芳香族複素環基の炭素原子数は、通常2~60であり、好ましくは通常3~60であり、より好ましくは3~20である。該炭素原子数には置換基の炭素原子数は含まれない。前記1価の芳香族複素環基の例としては、2-オキサジアゾリル基、2-チアジアゾリル基、2-チアゾリル基、2-オキサゾリル基、2-チエニル基、2-ピロリル基、2-フリル基、2-ピリジル基、3-ピリジル基、4-ピリジル基、2-ピラジル基、2-ピリミジル基、2-トリアジル基、3-ピリダジル基、3-カルバゾリル基、2-フェノキサジニル基、3-フェノキサジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フェノチアジニル基が挙げられる。前記1価の芳香族複素環基の水素原子は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。-アルコキシ基-本明細書において、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよく、前記アルコキシ基の炭素原子数は、通常1~20である。前記アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、sec-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、2-メトキシエチルオキシ基、2-エトキシエチルオキシ基が挙げられる。-アリールオキシ基-本明細書において、アリールオキシ基の炭素原子数は、通常6~60である。前記アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、C1~C12アルコキシフェノキシ基C1~C12アルコキシは、基中、アルコキシ部分の炭素原子数が1~12であることを示し、以下、同様である。、C1~C12アルキルフェノキシ基C1~C12アルキルは、基中、アルキル部分の炭素原子数が1~12であることを示し、以下、同様である。、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。-アラルキル基-本明細書において、アラルキル基の炭素原子数は、通常7~60である。前記アラルキル基の例としては、フェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキル基が挙げられる。-アリールアルコキシ基-本明細書において、アリールアルコキシ基の炭素原子数は、通常7~60である。前記アリールアルコキシ基の例としては、フェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルコキシ基等が挙げられる。-置換アミノ基-本明細書において、置換アミノ基の炭素原子数は、通常2~60である。前記置換アミノ基の例としては、基中の水素原子が、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は1価の芳香族複素環基で置換された基が挙げられる。置換アミノ基は、基中の複数の置換基同士が直接的に、又は炭素原子、酸素原子、硫黄原子等を介して結合して縮合環を形成していてもよい。前記置換アミノ基としては、ジアルキル置換アミノ基、ジアリール置換アミノ基が好ましく、前記置換アミノ基の例としては、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ-4-トリルアミノ基、ジ-4-tert-ブチルフェニルアミノ基、ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニルアミノ基、N-カルバゾリル基、N-フェノキサジニル基、N-アクリジニル基、N-フェノチアジニル基が挙げられる。-置換カルボニル基-本明細書において、置換カルボニル基の炭素原子数は、通常2~60である。前記置換カルボニル基の例としては、基中の水素原子が、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は1価の芳香族複素環基で置換されたカルボニル基が挙げられる。前記置換カルボニル基の例としては、具体的には、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基が挙げられる。-置換カルボキシル基-本明細書において、置換カルボキシル基の炭素原子数は、通常2~60である。前記置換カルボキシル基の例としては、基中の水素原子が、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は1価の芳香族複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられる。前記置換カルボキシル基の例としては、具体的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基が挙げられる。-アリーレン基-本明細書において、アリーレン基は、芳香族炭化水素化合物から水素原子を2個取り除いた残りの原子団を意味し、縮合環を有する基を含む。アリーレン基の炭素原子数は、通常6~60であり、これらのアリーレン基の水素原子は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよく、該炭素原子数には置換基の炭素原子数は含まれない。前記アリーレン基の例としては、下記式001で表される1,4-フェニレン基、下記式002で表される1,3-フェニレン基、下記式003で表される1,2-フェニレン基等のフェニレン基;下記式004で表されるナフタレン-1,4-ジイル基、下記式005で表されるナフタレン-1,5-ジイル基、下記式006で表されるナフタレン-2,6-ジイル基等のナフタレンジイル基;下記式007で表される9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基等のジヒドロフェナントレンジイル基;下記式008で表されるフルオレン-3,6-ジイル基、下記式009で表されるフルオレン-2,7-ジイル基等のフルオレンジイル基が挙げられる。式001~式009中、R及びRaは、前記定義の通りである。前記式001~式009中、Rとしては、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、置換アミノ基が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基がより好ましい。前記式001~式009中、Raとしては、置換基を有していてもよいアリール基、及び、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基で置換されていてもよいアリール基、及び、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基で置換されていてもよいアルキル基がより好ましい。前記式001~式009中、Raが複数個存在する場合に形成され得る環構造としては、アルキル基で置換されていてもよいシクロペンチル環、アルキル基で置換されていてもよいシクロヘキシル環、及び、アルキル基で置換されていてもよいシクロヘプチル環が好ましい。-2価の芳香族複素環基-本明細書において、2価の芳香族複素環基は、芳香族複素環式化合物から水素原子を2個取り除いた残りの原子団であり、縮合環を有する基も含む。前記2価の芳香族複素環基の炭素原子数は、通常3~60である。該炭素原子数には置換基の炭素原子数は含まれない。前記2価の芳香族複素環基の例としては、下記式101で表されるピリジン-2,5-ジイル基、下記式102で表されるピリジン-2,6-ジイル基等のピリジンジイル基;下記式103で表されるピリミジン-4,6-ジイル基等のピリミジンジイル基;下記式104で表されるトリアジン-2,4-ジイル基;下記式105で表されるピラジン-2,5-ジイル基等のピラジンジイル基;下記式106で表されるピリダジン-3,6-ジイル基等のピリダジンジイル基;下記式107で表されるキノリン-2,6-ジイル基等のキノリンジイル基;下記式108で表されるイソキノリン-1,4-ジイル基等のイソキノリンジイル基;下記式109で表されるキノキサリン-5,8-ジイル基等のキノキサリンジイル基;下記式110、下記式111等で表されるカルバゾールジイル基;下記式112、下記式113等で表されるジベンゾフランジイル基;下記式114、下記式115等で表されるジベンゾチオフェンジイル基;下記式116、下記式117等で表されるジベンゾシロールジイル基;下記式118、下記式119等で表されるフェノキサジンジイル基;下記式120、下記式121等で表されるフェノチアジンジイル基;下記式122等で表されるジヒドロアクリジンジイル基;下記式123で表される2価の基;下記式124で表されるピロ-ル-2,5-ジイル基等のピロールジイル基;下記式125で表されるフラン-2,5-ジイル基等のフランジイル基;下記式126で表されるチオフェン-2,5-ジイル基等のチオフェンジイル基;下記式127で表されるジアゾール-2,5-ジイル基等のジアゾールジイル基;下記式128で表されるトリアゾール-2,5-ジイル基等のトリアゾールジイル基;下記式129で表されるオキサゾール-2,5-ジイル基等のオキサゾールジイル基;下記式130で表されるオキサジアゾール-2,5-ジイル基;下記式131で表されるチアゾール-2,5-ジイル基等のチアゾールジイル基;下記式132で表されるチアジアゾール-2,5-ジイル基が挙げられる。これらの2価の芳香族複素環基の水素原子は、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。式101~式132中、R及びRaは、前記定義の通りである。-アルケニル基-本明細書において、アルケニル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよく、前記アルケニル基の炭素原子数は、通常2~20である。前記アルケニル基の例としては、炭素原子数が2以上の場合の前記アルキル基において、隣り合う任意の2個の炭素原子間の直接結合を2重結合に置き換えて表される基が挙げられる。-アルキニル基-本明細書において、アルキニル基は、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよく、前記アルキニル基の炭素原子数は、通常2~20である。前記アルキニル基の例としては、炭素原子数が2以上の場合の前記アルキル基において、隣り合う任意の2個の炭素原子間の直接結合を3重結合に置き換えて表される基が挙げられる。-ハロゲン原子-本明細書において、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。<金属錯体>本発明の金属錯体は、下記式1で表される。以下、式1で表される金属錯体Nと式1で表される金属錯体aとをまとめて、式1で表される金属錯体として説明する。式1中、nは、1~3の整数を表す。LA及びLBは、それぞれ独立に、イリジウム原子に結合する基のうちの配位原子を除く部分を表す。即ち、前記式1で表される金属錯体は、イリジウム原子及び2座配位子から構成されている。前記式1中、nは、金属錯体の溶媒への溶解性の観点、塗布法による膜の形成工程への金属錯体の適用性の観点、又は、真空蒸着法によって形成される膜の成膜性の観点からは、1又は2であることが好ましい。前記式1中、nは、金属錯体を含む発光層を備えた素子として構成した場合の発光効率がより優れるので、1又は2であることが好ましい。前記式1中、金属錯体の合成の容易さの観点からは、nは3であることが好ましい。前記式1中、nが1である場合、金属錯体の合成の容易さの観点からは、複数個存在する式L2で表される基は、同一の構造であることが好ましい。前記式1中、nが1である場合、金属錯体の溶媒への溶解性の観点、又は、塗布法による膜の形成工程への金属錯体の適用性の観点からは、複数個存在する式L2で表される基は、互いに異なる構造であることが好ましい。前記式1中、nが2である場合、金属錯体の合成の容易さの観点からは、複数個存在する式L1で表される基は、同一の構造であることが好ましい。前記式1中、nが2である場合、金属錯体の溶媒への溶解性の観点、又は、塗布法による膜の形成工程への金属錯体の適用性の観点からは、複数個存在する式L1で表される基は、互いに異なる構造であることが好ましい。前記式1中、nが3である場合、金属錯体の合成の容易さの観点からは、複数個存在する式L1で表される基は、同一の構造であることが好ましい。前記式1中、nが3である場合、金属錯体の溶媒への溶解性の観点、又は、塗布法による膜の形成工程への金属錯体の適用性の観点からは、複数個存在する式L1で表される基は、少なくとも1つの基がその他の基とは異なる構造であることが好ましい。式1中、下記式1-1:で表される基は、下記式L1で表される基を意味する。式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、アリール基又は1価の芳香族複素環基を表す。X1は、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、及びエチニレン基からなる群から選ばれる2種以上の基が互いに直接結合により結合した2価の基、アリーレン基、2価の芳香族複素環基、エチニレン基、又は直接結合を表す。前記式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7で表される基の2個は、直接結合するか、又は-O-で表される基、-S-で表される基、-C=O-で表される基、-C=O-O-で表される基、-NRA-で表される基、-C=O-NRA-で表される基、若しくは-CRA2-で表される基を介して結合することにより、5員環、6員環又は7員環を形成していてもよい。ここでRAは、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基を表す。前記式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7で表される基の2個が5員環、6員環又は7員環を形成する場合、式L1で表される基の例としては、下記の式L1-Cy001~式L1-Cy009の構造が挙げられる。式L1中、金属錯体の合成の容易さの観点からは、L1-Cy001、L1-Cy002及びL1-Cy005が好ましく、L1-Cy001であることがより好ましい。前記式L1-Cy001~式L1-Cy009中、R、RA、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、X1、Ar1及びAr2は、前記定義の通りである。前記式L1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、金属錯体の合成が容易であるので、水素原子であることが好ましい。前記式L1中、X1は、素子として構成した場合の発光特性の観点からは、単結合、アリーレン基が好ましく、単結合がより好ましい。前記式L1中、金属錯体の合成の容易さの観点からは、X1は、単結合、アリーレン基、又はアリーレン基とエチニレン基との組み合わせで表される基が好ましく、単結合がより好ましい。前記式L1中、X1がアリーレン基である場合、1,4-フェニレン基、4,4’-ビフェニレン基が好ましく、1,4-フェニレン基がより好ましい。これらのアリーレン基は置換基を有していてもよく、置換基としてはアルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アラルキル基が好ましく、アルキル基、アラルキル基がより好ましい。前記式L1中、Ar1及びAr2で表される基は、金属錯体の溶媒への溶解性の観点及び素子として構成した場合の発光特性の観点からは、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環基が好ましく、置換基を有していてもよいアリール基がより好ましく、アルキル基、アルコキシ基及びアリール基からなる群より選ばれる基を置換基として有するアリール基が更に好ましく、アルキル基及びアルコキシ基からなる群より選ばれる基を置換基として有し、芳香族デンドリマー構造を有するフェニル基が特に好ましく、アルキル基を置換基として有し、芳香族デンドリマー構造を有するフェニル基がとりわけ好ましい。前記置換基を有していてもよいアリール基の例としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-アントリル基が好ましく、前記アルキル基を置換基として有する、芳香族デンドリマー構造を有するフェニル基の例としては、アルキル基を置換基として有する1,1’:3’,1’’-ターフェニル-5-イル基、アルキル基を置換基として有する5’,5’’’-ジフェニル-[1,1’:3’,1’’:3’’,1’’’:3’’’,1’’’’-キンキフェニル]-5-イル基等が挙げられる。前記式L1中、Ar1及びAr2で表される基は、金属錯体の合成の容易さの観点からは、置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよい9-アントリル基がより好ましい。前記式L1中、Ar1及びAr2で表される基は、金属錯体の合成の容易さの観点からは、同一の構造であることが好ましい。前記式L1で表される基の例としては、下記式L1-001~L1-037で表される基が挙げられる。式L1中、素子として構成した場合の発光特性の観点からは、L1-001~L1-004、L1-008~L1-011、L1-025、L1-027、L1-029及びL1-030が好ましく、L1-001、L1-003、L1-004、L1-025、L1-027、L1-029及びL1-030がより好ましく、L1-001、L1-003及びL1-004が更に好ましい。前記式L1-001~式L1-037中、Rは、前記定義の通りである。前記式L1で表される基の好ましい構造の1つとしては、下記式L1-1で表される基が挙げられる。前記式L1-1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びX1は、前記定義の通りである。R16、R17、R18、R19、R20及びR21は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。前記式L1-1中、S1、S2、S3及びS4は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、又は、1価の芳香族複素環基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。前記式L1-1中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びX1の好ましい例は、それぞれ前記式L1で定義されたR1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びX1の好ましい例と同じである。前記式L1-1中、R16、R17、R18、R19、R20及びR21は、素子として構成した場合の発光特性の観点からは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。金属錯体の溶媒への溶解性の観点からは、前記式L1-1中、R16、R17、R18、R19、R20及びR21から選ばれる少なくとも1つの基が、アルキル基、置換アミノ基、又は、アルキル基、アリール基、置換アミノ基及びアルコキシ基からなる群より選ばれる基を置換基として有するアリール基であることが好ましく、アルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基及びアリール基からなる群より選ばれる基を置換基として有するアリール基であることがより好ましく、アルキル基又はアリール基を置換基として有するアリール基であることが更に好ましい。前記式L1-1においては、R17及びR21がそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基であり、かつ、R16、R18、R19及びR21がそれぞれ独立にアルキル基又はアルキル基で置換されたフェニル基を置換基として有するフェニル基であり、前記式L1-1におけるホウ素原子上の置換基として、アルキル基を置換基として有し、芳香族デンドリマー構造を有するフェニル基であることが特に好ましい。該アルキル基を置換基として有し、芳香族デンドリマー構造を有するフェニル基の例としては、アルキル基を置換基として有する1,1’:3’,1’’-ターフェニル-5-イル基、アルキル基を置換基として有する5’,5’’’-ジフェニル-[1,1’:3’,1’’:3’’,1’’’:3’’’,1’’’’-キンキフェニル]-5-イル基等が挙げられる。前記式L1-1中、R16、R17、R18、R19、R20及びR21は、金属錯体の合成の容易さの観点からは、R16、R18、R19及びR21が水素原子であり、かつ、R17及びR20がアルキル基であることが好ましく、更に前記式1におけるnが3を表す場合においては、金属錯体の溶媒への溶解性を考慮すると、R17及びR20が炭素原子数2以上のアルキル基であることが好ましい。前記式L1-1中、S1、S2、S3及びS4は、素子として構成した場合の発光特性の観点からは、アルキル基又はアリール基であることが好ましく、アルキル基がより好ましい。前記式L1-1で表される基の例としては、下記式L1-1-001~L1-1-019で表される基が挙げられる。式L1-1中、素子として構成した場合の発光特性の観点からは、L1-1-001~L1-1-004、L1-1-010~L1-1-014及びL1-1-016が好ましく、L1-1-001、L1-1-003、L1-1-004、L1-1-010、L1-1-011及びL1-1-016がより好ましく、L1-1-001、L1-1-003、L1-1-004が更に好ましい。前記式L1-1-001~L1-1-019中、Rは、前記定義の通りである。前記式1中、下記式1-2:で表される基は、前記式1-1で表される基とは異なり、下記式L2で表される基を意味する。前記式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。また、R8、R9、R10、R11、R12,R13、R14及びR15で表される基のうちの2個は、直接結合するか、又は、-O-で表される基、-S-で表される基、-C=O-で表される基、-C=O-O-で表される基、-NRA-で表される基、-C=O-NRA-で表される基、若しくは-CRA2-で表される基を介して結合することにより、5員環、6員環又は7員環を形成していてもよい。ここでRAは、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基を表す。前記式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、素子として構成した場合の発光特性の観点からは、水素原子、アルキル基、アリール基又は1価の芳香族複素環基であることが好ましい。前記式L2中、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14及びR15は、金属錯体の溶解性の観点からは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、かつ、少なくとも1つ以上がアルキル基又はアリール基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、アリール基であることがより好ましい。該アリール基としては、アルキル基を置換基として有する芳香族デンドリマー構造を有するフェニル基であることが更に好ましい。該アルキル基を置換基として有する芳香族デンドリマー構造を有するフェニル基としては、例えば、アルキル基を置換基として有する1,1’:3’,1’’-ターフェニル-5-イル基、アルキル基を置換基として有する5’,5’’’-ジフェニル-[1,1’:3’,1’’:3’’,1’’’:3’’’,1’’’’-キンキフェニル]-5-イル基が挙げられる。前記式L2で表される基の例としては、下記式L2001~下記式L2-009で表される基が挙げられる。式L2001~式L2-009中、Rは、前記定義の通りである。前記式1-1で表される基が、2個又は3個存在する場合、2個又は3個存在する式1-1で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式1-2で表される基が、2個存在する場合、2個存在する式1-2で表される基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。前記式L2で表される基としては、金属錯体の溶媒への溶解性の観点からは、式L2-005、式L2-007、式L2-008及び式L2-009で表される芳香族デンドリマー構造を置換基として有する基が好ましく、中でも、式L2-008及び式L2-009で表される基がより好ましく、複数個存在するRのうちの少なくとも1つがアルキル基である基が更に好ましい。ただし、前記nが3であり、かつ前記式L1で表される基が全て同一の構造である場合、即ち、下記式1-3で表される金属錯体は、本発明の金属錯体のみ、又は、本発明の金属錯体と溶媒とからなる組成物として用いないことが好ましい。前記式1で表される金属錯体には複数の幾何異性体が考えられる。前記式1で表される金属錯体は、いずれの幾何異性体であってもよく、素子として構成した場合の発光特性が優れるので、facial体であることが好ましい。<金属錯体の製造方法>本発明の金属錯体は、如何なる方法で製造してもよい。例えば、配位子と化合物とイリジウム化合物とを溶液中で反応させる方法により製造することができる。前記方法において、反応系中に塩基、銀塩化合物が存在していてもよい。前記方法の例としては、J.Am.Chem.Soc.1984,106,6647Inorg.Chem.1991,30,1685;Inorg.Chem.1994,33,545;Inorg.Chem.2001,40,1704;Chem.Lett.,2003,32,252に記載の方法が挙げられる。前記方法の反応における反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の常圧における融点から溶媒の常圧における沸点の間で設定すればよい。反応温度は、-90°Cから常圧における溶媒の沸点の間で設定するのが好ましい。前記方法において密閉した反応器を用いる場合、例えばマイクロウェーブ反応装置を使用する場合においては、溶媒の沸点以上で反応させることができる。前記反応における反応時間は、通常、30分間~150時間である。前記反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、反応時間は、通常、数分~数時間である。前記配位子となる化合物は、2-フェニルピリジン誘導体と芳香族複素環式化合物とのSuzukiカップリング、Grignardカップリング、Stilleカップリング等のカップリング反応により合成することができる。前記配位子となる化合物は、例えば2-フェニルピリジン誘導体と芳香族複素環式化合物とを有機溶媒に溶解させ、塩基、適切な触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより、合成することができる。この合成は、オルガニックシンセシーズOrganicSyntheses、コレクティブ第6巻CollectiveVolumeVI、407-411頁、ジョンワイリーアンドサンズJohnWileySonsInc、1988年;ケミカルレビューChemRev、第106巻、2651頁2006年;ケミカルレビューChemRev、第102巻、1359頁2002年;ケミカルレビューChemRev、第95巻、2457頁1995年;ジャーナルオブオルガノメタリックケミストリーJOrganometChem、第576巻、147頁1999年を参考にして実施することができる。前記芳香族複素環式化合物は、HOUBEN-WEYLMETHODSOFORGANICCHEMISTRY4THEDITION第E9b巻、1頁、GEORGTHIEMEVERLAGSTUTTGART;HOUBEN-WEYLMETHODSOFORGANICCHEMISTRY4THEDITION第E9c巻、667頁、GEORGTHIEMEVERLAGSTUTTGART等の文献に記載の方法で合成することができる。前記カップリング反応に用いる触媒としては、パラジウム触媒が好ましい。前記パラジウム触媒の例としては、酢酸パラジウム、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリド、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、[11ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムII、トリスジベンジリデナセトン二パラジウム0が挙げられる。前記パラジウム触媒としては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、[11ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムII、トリスジベンジリデナセトン二パラジウム0が好ましい。前記パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリo-トリルホスフィン、トリtert-ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、11ビスジフェニルホスフィノフェロセン等のリン化合物と併用してもよい。前記配位子となる化合物の例としては、前記式L1及び前記式L2で表される2座配位子となる化合物が挙げられる。即ち、前記配位子となる化合物の例としては、下記式L1-H及び下記式L2-Hで表される化合物が挙げられる。前記式L1-H及び式L2-H中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、X1、Ar1及びAr2で表される基は、前記式L1及び式L2で定義されたR1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、X1、Ar1及びAr2と同義である。前記式L1-Hで表される2座配位子となる化合物において、Ar1とAr2とが同じ場合、例えば、下記のスキームにしたがって合成することができる。本発明の金属錯体の製造方法の一例について、具体的に説明する。前記式1で表される金属錯体のうち、nが2である金属錯体は、例えば、塩化イリジウムIIIn水和物と、塩化イリジウムIIIn水和物に対して2当量以上の式L1-Hで表される配位子とを、2-エトキシエタノール及び水の混合溶媒中、不活性ガス雰囲気下で加熱攪拌することにより、二核錯体DM-L1を製造することができる。更に6当量の式L2-Hで表される配位子を加え、トリフルオロメタンスルホン酸銀I存在下、不活性ガス雰囲気下、2-エトキシエタノール中で加熱することにより、前記式1で表される金属錯体のうち、nが2である金属錯体Irn=2を製造することができる。こうして製造した本発明の金属錯体の同定、分析は、元素分析、核磁気共鳴NMR分析、質量分析MS、赤外吸収IR分析等により行うことができる。<金属含有高分子化合物>本発明の金属含有高分子化合物とは、前記式1で表される金属錯体から誘導される基残基を構造単位として含む高分子化合物である。本発明の金属含有高分子化合物が構造単位として含む前記式1で表される金属錯体から誘導される基とは、前記式1で表される金属錯体から水素原子を1個取り除いた残りの残基、前記式1で表される金属錯体から水素原子を2個取り除いた残りの残基、前記式1で表される金属錯体から水素原子を3個取り除いた残りの残基である。この構造単位が、前記式1で表される金属錯体から水素原子を3個取り除いた残りの残基である場合、本発明の金属含有高分子化合物は、この構造単位の位置で分岐している。また前記式1で表される金属錯体から水素原子を1個取り除いた残りの残基は、金属含有高分子化合物に含まれるアリーレン基又は2価の芳香族複素環基の置換基となる場合、金属含有高分子化合物の末端基となる場合がある。本発明の金属含有高分子化合物は、非共役系高分子化合物であっても共役系高分子化合物であってもよい。本発明の金属含有高分子化合物は、導電性が優れるので、共役系高分子化合物が好ましく、主鎖に芳香環を含む共役系高分子化合物がより好ましい。本発明の金属含有高分子化合物が共役系高分子化合物であるとは、該金属含有高分子化合物の主鎖における芳香環の結合について、直接芳香環が結合しているか、ビニレン基を介して結合しているか、エチニレン基を介して結合しているか、ビニレン基とエチニレン基の組み合わせで示される基を介して結合している割合が50~100、特には60~100、とりわけ70~100である金属含有高分子化合物を意味する。本発明の金属含有高分子化合物は、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の複素環基からなる群から選ばれる少なくとも1種類を構造単位として有する金属含有高分子化合物であることが好ましい。また前記金属含有高分子化合物は、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の複素環基からなる群から選ばれる少なくとも2種類を構造単位として有する金属含有高分子化合物であることが好ましい。本発明の金属含有高分子化合物において、全構造単位の合計モル数に対する、前記式1で表される金属錯体から誘導される構造単位の合計モル数の割合は、通常0.0001~0.4であり、0.001~0.3が好ましく、0.001~0.25がより好ましい。本発明の金属含有高分子化合物は、発光素子に用いた時の輝度半減寿命が優れるので、ポリスチレン換算の数平均分子量が、1×103~1×108であることが好ましく、1×103~1×107であることがより好ましく、1×104~1×106であることが更に好ましい。<組成物>本発明の金属錯体及び金属含有高分子化合物は、1種単独で用いても2種以上を併用してよく、更にその他の成分を含む組成物としてもよい。その他の成分は1種類であっても複数種類であってもよい。本発明の組成物が、本発明の金属錯体及び/又は金属含有高分子化合物に加えて更に含み得る成分としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の駆動電圧を低減できるので、電荷輸送性材料が好ましい。本発明の組成物が含む電荷輸送性材料の例としては、電荷輸送性を示す低分子化合物、電荷輸送性を示す高分子化合物が挙げられる。本発明の組成物が含む電荷輸送性材料は、電荷輸送性を示す高分子化合物が好ましい。これらの電荷輸送性材料には、公知の材料を用いることができる。本発明の組成物が含む高分子化合物は、電荷輸送性材料であって、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の複素環基からなる群から選ばれる少なくとも1種類を構造単位として有する高分子化合物であるのが好ましい。本発明の組成物が含む高分子化合物は、電荷輸送性材料であって、2価の芳香族アミン残基、アリーレン基、及び2価の複素環基からなる群から選ばれる少なくとも2種類を構造単位として有する高分子化合物であるのが好ましい。本発明の組成物が含む高分子化合物が有する構造単位の種類は2種以上であることが好ましく、3種以上であることがより好ましい。本発明の組成物中における金属錯体及び/又は金属含有高分子化合物の含有量は、金属錯体及び/又は金属含有高分子化合物および電荷輸送性材料の合計重量を100重量部としたとき、通常、1~60重量部であり、素子として構成した場合の発光特性の観点からは、1~50重量部であることが好ましく、3~50重量部であることが好ましい。本発明の組成物が含む高分子化合物は、発光素子に用いた時の輝度半減寿命が優れるので、ポリスチレン換算の数平均分子量が1×103~1×108であることが好ましく、1×103~1×107であることがより好ましく、1×104~1×106であることが更に好ましい。本発明の組成物が、本発明の金属錯体及び/又は金属含有高分子化合物に加えて含み得る、その他の成分としては、成膜性が優れるので、溶媒又は分散媒が好ましい。本発明の組成物が含み得る前記溶媒及び/又は分散媒の種類は、組成物中、1種類であっても、2種類以上であってもよい。前記溶媒及び分散媒は、本発明の金属錯体及び/又は金属含有高分子化合物に含まれる固形分を均一に溶解又は分散することができるものであればよく、前記溶媒及び分散媒の例としては、塩素溶媒クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等、エーテル溶媒分散媒テトラヒドロフラン、ジオキサン等、芳香族炭化水素溶媒分散媒ベンゼン、トルエン、キシレン等、脂肪族炭化水素溶媒分散媒シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等、ケトン溶媒分散媒アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等、エステル溶媒分散媒酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等、多価アルコール及びその誘導体エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等、アルコール溶媒分散媒メタノール、エタノール、プロパノール、2-プロパノール、シクロヘキサノール等、スルホキシド溶媒分散媒ジメチルスルホキシド等、アミド溶媒分散媒N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等が挙げられる。溶媒又は分散媒を用いる場合、本発明の組成物中における溶媒又は分散媒の含有量は、特に限定されず、溶媒又は分散媒の種類に応じて決定してよい。例えば、スピンコート法、インクジェット法等の塗布法によって成膜を行う場合は、本発明の組成物中における溶媒又は分散媒の含有量は、溶媒又は分散媒以外の固形体即ち、金属錯体及び/又は金属含有高分子化合物、及び必要に応じて電荷輸送性材料の合計重量を100重量部としたとき、成膜性の観点から、500~200000重量部であることが好ましく、1000~100000重量部であることがより好ましい。<素子>本発明の素子は、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含む膜を備える素子であり、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含む膜とを備える素子である。以下、代表的な素子として、本発明の素子が発光素子である場合について説明する。本発明の素子は、陽極と陰極とからなる一対の電極と、該電極間に発光層を有する一層単層型又は複数層多層型からなる膜とを有する素子である。前記膜を構成する層の少なくとも1層は、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含有する。前記膜中の前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物の含有量は、発光層全体に対して、通常、0.1重量~100重量であり、好ましくは0.1重量~80重量、より好ましくは0.5重量~60重量である。本発明の素子は、前記発光層の材料として、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含むことが好ましい。本発明の素子が単層型である場合には、前記膜が発光層であり、この発光層が前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含有する。本発明の素子が多層型である場合には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、又は電子注入層の何れか1層以上が前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含有すればよく、正孔輸送層、発光層、又は電子輸送層の何れか1層以上に前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含有することが好ましく、発光層が前記金属錯体又は前記金属含有高分子化合物を含有することが更に好ましい。本発明の素子が多層型である場合には、陽極及び陰極に挟持される膜のとり得る層構成の具体的な例は、以下の通りである。a陽極/正孔輸送層/発光層/陰極b陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極c陽極/発光層/電子輸送層/陰極d陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極e陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極f陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極g陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極なお記号/は、記号/を挟む各層が隣接して接合されていることを示す。本発明の素子の陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給し、4.5eV以上の仕事関数を有することが好ましい。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができる。陽極の材料の例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ酸化物ITO等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン類PEDOT等、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとITOとの積層物等が挙げられる。本発明の素子の陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用いることができる。陰極の材料としては、例えば、アルカリ金属リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等並びにそのフッ化物及び酸化物、アルカリ土類金属マグネシウム、カルシウム、バリウム等並びにそのフッ化物及び酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類ナトリウム-カリウム合金、ナトリウム-カリウム混合金属、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-アルミニウム混合金属、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-銀混合金属等、希土類金属イッテルビウム等等が挙げられる。本発明の素子の正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、又は、陰極から注入された電子を障壁する機能を有するものである。正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、公知の材料を使用できる。正孔注入層及び正孔輸送層の材料の例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン化合物、ポリシラン化合物、ポリN-ビニルカルバゾール誘導体、有機シラン誘導体、これらを含む重合体が挙げられる。その他にも、正孔注入層及び正孔輸送層の材料の例としては、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。これらの材料は1種のみ用いても2種以上を併用してもよい。前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。本発明の素子の電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、又は、陽極から注入された正孔を障壁する機能を有するものである。電子注入層及び電子輸送層の材料の例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体が挙げられる。これらの材料は1種のみ用いても2種以上を併用してもよい。前記電子注入層及び前記電子輸送層は、前記材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。本発明の素子において、電子注入層、電子輸送層の材料として、絶縁体又は半導体である無機化合物も使用することもできる。電子注入層、電子輸送層が絶縁体又は半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。前記絶縁体の例としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物、又はアルカリ土類金属のハロゲン化物が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲニドとしては、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、CaSeが好ましい。前記半導体の例としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZnからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む酸化物、窒化物及び酸化窒化物が挙げられる。これらの材料は1種のみ用いても2種以上を併用してもよい。本発明の素子において、陰極と接する膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物が好ましい。本発明の素子の発光層は、電圧印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入されることができる機能、陰極又は電子注入層より電子を注入されることができる機能、注入された電荷電子と正孔を電界の力で移動させる機能、電子と正孔との再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する。前記発光層は、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含有することが好ましく、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物をゲスト材料とするホスト材料を含有させてもよい。前記ホスト材料の例としては、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物、アリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。前記ホスト材料のT1最低三重項励起状態のエネルギーレベルは、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、その差が0.2eVよりも大きいことが更に好ましい。前記ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、前記ホスト材料と、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物とを混合して塗布するか、或いは共蒸着等することによって、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物が、前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。本発明の素子が備える膜を構成する各層の厚さは、材料の種類や層構成によって異なる。本発明の素子が備える膜を構成する各層の厚さは、数nm~1μmの厚さとするのが好ましい。<素子の製造方法>本発明の素子の製造方法は、陽極、陰極、及び陽極と陰極との間に挟持配置された膜を備える素子の製造方法であって、前記式1で表される金属錯体又は前記式1で表される金属錯体を含む組成物を真空蒸着膜法で成膜する工程、あるいは、前記式1で定義される金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を含む膜を、前記金属錯体、前記金属含有高分子化合物又は前記組成物を溶媒に溶解させた塗工液を調製し、該塗工液を塗布成膜する工程を含む。本発明の素子が備える前記各層の形成方法の例としては、真空蒸着法抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等、スパッタリング法、LB法、分子積層法、塗布法キャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法等等が挙げられる。これらの形成方法のうち、製造工程がより簡便になるので、塗布法が好ましい。本発明の金属錯体、金属含有高分子化合物又は組成物を含む膜を成膜する場合には、塗布法を用いることができる。本発明の金属錯体、金属含有高分子化合物又は組成物を含む膜の形成を塗布法で行う場合、本発明の金属錯体、金属含有高分子化合物又は組成物を溶媒に溶解分散媒に分散させた塗工液組成物を調製し、該塗工液を所定の前記層又は電極上に塗布成膜して、更に乾燥させることによって行うことができる。塗工液を用いて塗布形成する塗布法を用いれば、真空系等の大規模な設備を用いることなく、大気中で成膜することができるため、簡便な製造工程とすることができ、製造コストを削減することができる。その他の層を塗布法により形成する場合にも、適当な材料、溶媒等を用いて同様の工程とすることができる。前記塗工液中には、ホスト材料、酸化防止剤、粘度調整剤、バインダーとしての樹脂を含有させてもよい。前記樹脂は溶媒に溶解した状態としても分散した状態としてもよい。前記樹脂の例としては、ポリビニルカルバゾール、ポリオレフィン等の高分子化合物が挙げられる。前記樹脂の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリN-ビニルカルバゾール、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂が挙げられる。<素子の用途>本発明の素子の用途の例としては、面状光源、照明、サイン、バックライト、ディスプレイ装置、プリンターヘッド等が挙げられる。前記ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグンメント型、ドットマトリクス型等の任意の構成を選択することができる。以下に実施例を具体的に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィーSECによりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。SECのうち移動相が有機溶媒であるゲル浸透クロマトグラフィーをゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCという。GPCによる分子量の測定は、下記のGPC-条件1又はGPC-条件2で行った。GPC-条件1測定する高分子化合物を、約0.05重量の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPC島津製作所製、商品名:LC-10Avpに10μL注入した。GPCの移動相としてテトラヒドロフランを用い、2.0mL/分の流量で流した。カラムとして、PLgelMIXED-Bポリマーラボラトリーズ製を用いた。検出器にはUV-VIS検出器島津製作所製、商品名:SPD-10Avpを用いた。GPC-条件2測定する高分子化合物を、約0.05重量の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPC島津製作所製、商品名:LC-10Avpに30μL注入した。GPCの移動相としてテトラヒドロフランを用い、0.6mL/分の流量で流した。カラムとして、TSKgelSuperHM-H東ソー製2本とTSKgelSuperH2000東ソー製1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器島津製作所製、商品名:RID-10Aを用いた。NMRの測定は、下記のNMR測定条件1又はNMR測定条件2の方法で行った。NMR測定条件15mg~10mgの測定試料を約0.5mLの重クロロホルムに溶解させて、NMR装置JEOL日本電子製、商品名JME-EX270FT-NMRsystemを用いて測定した。NMR測定条件25mg~30mgの測定試料を約0.5mLの重クロロホルムに溶解させて、NMR装置バリアン製、商品名MERCURY300を用いて測定した。赤外吸収スペクトルIRの測定は、島津製作所製、商品名FTIR-8300spectrometerを用いて測定した。ESI-MSの測定は、Watersウォーターズ製、装置名micromassZQspectrometerを用いて測定した。LC-MSの測定は、以下の方法で行った。測定試料を約2mg/mLの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、LC-MSアジレントテクノロジー製、商品名:1100LCMSDに1μL注入した。LC-MSの移動相には、イオン交換水、アセトニトリル、テトラヒドロフラン及びそれらの混合溶液を用い、必要に応じて酢酸を添加した。カラムは、L-column2ODS3μm化学物質評価研究機構製、内径:2.1mm、長さ:100mm、粒径3μmを用いた。TLC-MSの測定は、以下の方法で行った。測定試料をクロロホルム、トルエン又はテトラヒドロフランに溶解させて、得られた溶液を予め切断したTLCガラスプレートメルク製、商品名:Silicagel60F254の表面に少量塗布した。これをTLC-MS日本電子製、商品名:JMS-T100TDにて、240°C~350°Cに加熱したヘリウムガスを用いて測定した。<合成例1>低分子化合物M-1の合成:合成方法1下記のスキームにしたがって、低分子化合物M-1を合成した。事前に加熱乾燥させた3口フラスコに、マグネシウム2.40g、98.8mmolを入れ、フラスコ内の雰囲気をアルゴンガスで置換した後に、脱水THF50mLと2-ブロモメシチレン15mL、100mmolとを加えた。撹拌しながら2時間加熱還流した後、氷浴を用いて反応混合物を0°Cまで冷却し、ボロントリフルオリド-エチルエーテルコンプレックス6.3mL、50molを滴下した。反応混合物を撹拌しながら2時間加熱還流し、室温まで降温すると、ジメシチルフルオロボランを含む懸濁液が得られた以下、懸濁液Aという場合がある。。事前に加熱乾燥させ、内部の雰囲気をアルゴンガスで置換したシュレンク管に、13-ジブロモベンゼン0.400mL、3.37mmolと、脱水THF30mLとを入れ、アセトン/ドライアイス浴を用いて、-78°Cまで冷却した。濃度1.6Mのn-ブチルリチウムのn-ヘキサン溶液2.06mL、3.30mmolを滴下した。-78°Cを保ちながら30分間撹拌した後、懸濁液A10mLを加えた。反応液を室温まで昇温させ、更に10時間室温で撹拌した後に、水とジエチルエーテルとを加え、有機層を抽出した。抽出した有機層を1Mの塩酸で洗浄し、更に食塩水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムで脱水させ、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をn-ヘキサンで再結晶することにより、無色の結晶として低分子化合物M-1を0.737g収率59得た。低分子化合物M-1の合成を複数回行うことで、必要量の低分子化合物M-1を得た。融点:138.3°C-147.9°CIRνmaxcm129161605143312388431HNMRδ198230681721740758761<合成例2>配位子BppyHの合成:合成方法1下記のスキームにしたがって、配位子BppyHを合成した。反応器に、合成例1で得られた低分子化合物M-11.42g、3.49mmolと、2-トリ-n-ブチルスタンニルピリジン2.57g、6.96mmolと、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.526g、0.449mmolと、トルエン35mLとを入れ、撹拌しながら25時間加熱還流させた。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーAl2O3、展開溶媒CHCl3:n-ヘキサン=1:3体積比を用いて精製し、更にn-ヘキサンで再結晶することにより、無色の針状晶として配位子BppyHを0.488g収率35得た。融点:164.5°C-166.7°CIRνmaxcm12912160615901459143012068447701HNMRδ202231682720747756761770803817866AnalCalcdforC29H30BNC8635H750N347FoundC8627H772N349MSmz403<合成例3>二核錯体DM-1の合成下記のスキームにしたがって、二核錯体DM-1を合成した。反応器に、塩化イリジウムIIIn水和物0.131gと、配位子BppyH0.533g、1.32mmolと、2-エトキシエタノール32mLと、水11mLとを入れ、アルゴンガス雰囲気下、145°Cで12時間攪拌した。その後、室温まで温度を下げ、黄色沈殿物を濾別し、多量の水で洗浄することにより、黄色粉末として二核錯体DM-1を0.310g得た。1HNMRδ189226588663673700720766769774920MSmz9982Cl2<合成例4>二核錯体DM-2の合成下記のスキームにしたがって、二核錯体DM-2を合成した。反応器に、塩化イリジウムIIIn水和物65.5mgと、2-フェニルピリジン0.102g、0.657mmolと、2-エトキシエタノール16mLと、水5.5mLとを入れ、アルゴン雰囲気下、145°Cで12時間攪拌した。その後、室温まで温度を下げ、生成した黄色沈殿物を濾別し、多量の水で洗浄することにより、黄色粉末として二核錯体DM-2を得た。1HNMRδ593656667685748773787924MSmz5002Cl2<実施例1>錯体Ir-1の合成下記のスキームにしたがって錯体Ir-1を合成した。反応器に、二核錯体DM-132.1mg、0.0155mmolと、2-フェニルピリジン14.6mg、0.0943mmolと、トリフルオロメタンスルホン酸銀I11.7mg、0.0446mmolと、2-エトキシエタノール0.6mLとを入れ、アルゴン雰囲気下、145°Cで15時間攪拌した。反応混合物を室温まで降温した後、水を加え、生成した黄色沈殿物を濾取した。沈殿物をカラムクロマトグラフィーSephadex登録商標LH-20、展開溶媒クロロホルムにより精製した後、2相拡散クロロホルム/n-ヘキサンすることにより、黄色粉末として錯体Ir-1を得た。IRνmaxcm1292116881558147613461215851760MSmz1153<実施例2>錯体Ir-2の合成下記のスキームにしたがって、錯体Ir-2を合成した。反応器に、二核錯体DM-221.1mg、0.0191mmolと、配位子BppyH36.6mg、0.0912mmolと、トリフルオロメタンスルホン酸銀I24.4mg、0.0949mmolと、2-エトキシエタノール0.8mLとを入れ、アルゴン雰囲気下、145°Cで6時間攪拌した。反応混合物を室温まで戻した後、水3mLを加え、生成した黄色沈殿物を濾取した。沈殿物をカラムクロマトグラフィーSephadex登録商標LH-20、展開溶媒クロロホルムにより精製した後、2相拡散クロロホルム/n-ヘキサンすることにより、黄色粉末として錯体Ir-2を得た。IRνmaxcm1291716801587145714141220832753MSmz904<合成例5>錯体Ir-0の合成下記のスキームにしたがって、錯体Ir-0前記式1-3で表される金属錯体として説明した錯体に相当する。を合成した。反応器に、二核錯体DM-126.5mg、0.0128mmolと、配位子BppyH22.0mg、0.0546mmolと、トリフルオロメタンスルホン酸銀I7.0mg、0.0272mmolと、2-エトキシエタノール0.5mLとを入れ、アルゴン雰囲気下、145°Cで6時間攪拌した。反応混合物を室温まで戻した後、水を加え、生成した黄色沈殿物を濾取した。沈殿物をカラムクロマトグラフィーSephadex登録商標LH-20、展開溶媒クロロホルムにより精製した後、2相拡散クロロホルム/ジエチルエーテルすることにより、黄色粉末として錯体Ir-0を0.01g得た。1HNMRδ200230677684694747756770780AnalCalcdforC87H87B3N3IrC7431H624N298FoundC7403H632N293MSmz1401<金属錯体の溶解性>トリス2-フェニルピリジンイリジウムと比較して、錯体Ir-1及び錯体Ir-2は、溶媒であるクロロホルム、トルエン、n-ヘキサン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン及びエタノールに対する溶解性が高かった。極性の低いn-ヘキサン及びジエチルエーテルに対する溶解性は特に高かった。<素子の発光効率>前記金属錯体Ir-1及び金属錯体Ir-2を発光層の材料として、溶媒に溶解させた溶液を塗布成膜することにより形成した発光層を備える素子は、発光効率が高い。<合成例6>低分子化合物M-2の合成下記のスキームにしたがって、低分子化合物M-2を合成した。容量300mLの四つ口フラスコに、14ジヘキシル-25ジブロモベンゼン808gと、ビスピナコレートジボロン1219gと、酢酸カリウム11.78gをとり、フラスコ内の雰囲気をアルゴンガスで置換した。そこに、脱水1,4-ジオキサン100mLを仕込み、アルゴンガスで脱気した。1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセンジクロロパラジウムIIPddppf2Cl2098gを仕込み、次いで、フラスコ内をアルゴンガスで脱気し、6時間加熱し還流させた。そこに、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄した。洗浄後の有機層に、無水硫酸ナトリウム及び活性炭を加え、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。得られた濾液を濃縮し、こげ茶色の結晶を1194g得た。この結晶をn-ヘキサンで再結晶し、メタノールで結晶を洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥して、低分子化合物M-2の白色針状結晶を423g得た収率42。1H-NMR:δ0.88t、6H、1.23-1.40m、36H、1.47-1.56m、4H、2.81t、4H、7.52s、2HLC-MSESI、positive:m/z=573MK<合成例7>低分子化合物M-3の合成下記のスキームにしたがって、低分子化合物M-3を合成した。反応器に、窒素雰囲気下、1,4-ジブロモベンゼン27.1gを溶解させた脱水ジエチルエーテル217mLの溶液を入れ、該反応器をドライアイス/メタノール混合浴を用いて冷却した。得られた懸濁液に2.77Mのn-ブチルリチウムのヘキサン溶液37.2mLをゆっくりと滴下した後、1時間攪拌し、リチウム試薬を調製した。反応器において、窒素雰囲気下、塩化シアヌル10.0gを溶解させた脱水ジエチルエーテル68mLの懸濁液をドライアイス/メタノール混合浴を用いて冷却し、前記リチウム試薬をゆっくり加えた後に室温まで昇温し、室温で反応させた。得られた生成物を濾過し、減圧乾燥した。得られた固体16.5gを精製して、針状結晶を13.2g得た。反応器において、窒素雰囲気下、マグネシウム1.37gに脱水テトラヒドロフラン65mLを加えた懸濁液に、4-ヘキシルブロモベンゼン14.2gを溶解させた脱水テトラヒドロフラン15mLの溶液を少量ずつ加え、加熱して、還流下で攪拌した。放冷後、反応液にマグネシウム0.39gを追加し、再び加熱して、還流下で反応させ、グリニャール試薬を調製した。反応器において、窒素雰囲気下、前記針状結晶12.0gを溶解させた脱水テトラヒドロフラン100mLの懸濁液に前記グリニャール試薬を撹拌しながら加え、加熱還流させた。放冷後、反応液を、希塩酸水溶液で洗浄した。有機層と水層とを分け、水層をジエチルエーテルで抽出した。得られた有機層を合わせて、再び水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水した後、濾過して、濃縮した。得られた白色固体をシリカゲルカラムで精製し、更に再結晶することによって、白色固体として化合物M-3を6.5g得た。1H-NMR:δ0.90t、J=6.2Hz、3H、1.25-1.42m、6H、1.63-1.73m、2H、2.71t、J=7.6Hz、2H、7.34d、J=7.9Hz、2H、7.65d、J=7.9Hz、4H、8.53-8.58m、6HLC-MSAPCI、positive:m/z=566MH<合成例8>高分子化合物P-1の合成反応器において、窒素雰囲気下、低分子化合物M-23.13gと、低分子化合物M-30.70gと、2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチルフルオレン2.86gと、酢酸パラジウムII2.1mgと、トリス2-メトキシフェニルホスフィン13.4mgと、トルエン80mLとを混合し、撹拌しながら、100°Cに加熱した。反応液に20重量テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液21.5mLを滴下して、5時間還流させた。反応液に、フェニルホウ酸78mgと、酢酸パラジウムII2.1mgと、トリス2-メトキシフェニルホスフィン13.3mgと、トルエン6mLと、20重量テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液21.5mLを加え、更に17.5時間還流させた。次いで、そこに、0.2Mジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液70mLを加え、85°Cで2時間撹拌した。反応液を、室温まで冷却し、水で3回、3重量酢酸水溶液で3回、更に水で3回洗浄した。有機層をメタノールに滴下したところ沈殿が生じ、この沈殿を濾過した後、乾燥させて、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶出液をメタノールに滴下し、得られた沈殿を濾取し、乾燥させたところ、高分子化合物P-1を3.43g得た。高分子化合物P-1のポリスチレン換算の数平均分子量は1.9×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は5.7×105であったGPC-条件1。高分子化合物P-1は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式:で表される構造単位と、下記式:で表される構造単位と、下記式:で表される構造単位とが、50:40:10のモル比で含まれる共重合体である。<合成例9>高分子化合物P-2の合成窒素雰囲気下、化合物M-22.81gと、化合物M-30.62gと、2,7-ジブロモ-9,9-ビス4-ヘキシルフェニルフルオレン2.90gと、酢酸パラジウムII1.9mgと、トリス2-メトキシフェニルホスフィン11.9mgと、トルエン85mLとを混合し、撹拌しながら、100°Cに加熱した。反応液に20重量テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液19.1mLを滴下し、5時間還流させた。反応液に、フェニルホウ酸69mgと、酢酸パラジウムII1.9mgと、トリス2-メトキシフェニルホスフィン11.9mgと、トルエン6mLとを加え、更に15.5時間還流させた。水層を除いた後、0.2Mジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液63mLを加え、85°Cで2時間撹拌した。反応液を、室温まで冷却し、水で2回、3重量酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄した。有機層をメタノールに滴下したところ沈殿が生じ、この沈殿を濾過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶出液をメタノールに滴下し、得られた沈殿を濾取し、乾燥させたところ、高分子化合物P-2を3.52g得た。高分子化合物P-2のポリスチレン換算の数平均分子量は1.5×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は4.7×105であったGPC-条件2。高分子化合物P-2は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式:で表される構造単位と、下記式:で表される構造単位と、下記式:で表される構造単位とが、50:40:10のモル比で含まれる共重合体である。<溶液調製例1:高分子溶液PVKの調製>ポリ9-ビニルカルバゾールSigma-Aldrich社製、重量平均分子量~1,100,000、粉末状11mgをクロロベンゼン和光純薬社製、和光特級1.79gに溶解させて、溶液を調製したこの溶液を以下、高分子溶液PVKと言う。。<溶液調製例2:錯体溶液Ir-0の調製>錯体Ir-04.8mgをトルエン関東化学社製、電子工業用ELグレード7.25gに分散させ、80°Cで加熱撹拌し、錯体Ir-0を完全に溶解させて、溶液を調製したこの溶液を以下、錯体溶液Ir-0と言う。。<実施例3:錯体組成物溶液M0P1の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレード1.15gに、高分子化合物P-10.048gと錯体溶液Ir-03.80gとを加え、80°Cで加熱撹拌し完全に溶解させて、溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液M0P1と言う。。なお、錯体組成物溶液M0P1には、高分子化合物P-1と錯体Ir-0が、重量比95:5で含まれている。<実施例4:錯体組成物溶液M0P2の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレード1.05gに、高分子化合物P-20.043gと錯体溶液Ir-03.45gとを加え、80°Cで加熱撹拌し完全に溶解させて、溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液M0P2と言う。。なお、錯体組成物溶液M0P2には、高分子化合物P-2と錯体Ir-0が、重量比95:5で含まれている。<溶液調製例3:錯体溶液Ref-1の調製>下記式で表されるトリス2-フェニルピリジンイリジウムLuminescenceTechnologyCorp社製、昇華精製グレード1.8mgをトルエン関東化学社製、電子工業用ELグレード、3.47gに分散させ、80°Cで加熱撹拌した。しかしながら、トリス2-フェニルピリジンイリジウムを完全に溶解させることはできなかった。<溶液調製例4:錯体溶液Ref-2の調製>トリス2-フェニルピリジンイリジウムLuminescenceTechnologyCorp社製、SublimedGrade5.1mgをクロロホルム和光純薬工業社製、蛍光分析用純溶媒試験研究用7.71gに分散させ、60°Cで加熱撹拌し、トリス2-フェニルピリジンイリジウムを完全に溶解させて、溶液を調製したこの溶液を以下、錯体溶液Ref-2と言う。。<比較例3:錯体組成物溶液R2P1の調製>クロロホルム和光純薬工業社製、蛍光分析用純溶媒試験研究用14.35gに、高分子化合物P-153.2mgと錯体溶液Ref-24.25gとを加え、60°Cで加熱撹拌し完全に溶解させて、溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液R2P1と言う。。なお、錯体組成物溶液R2P1には、高分子化合物P-1とトリス2-フェニルピリジンイリジウムが、重量比95:5で含まれている。<比較例4:錯体組成物溶液R2P2の調製>クロロホルム和光純薬工業社製、蛍光分析用純溶媒試験研究用13.35gに、高分子化合物P-243.2mgと錯体溶液Ref-23.46gとを加え、60°Cで加熱撹拌し完全に溶解させて、溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液R2P2と言う。。なお、錯体組成物溶液R2P2には、高分子化合物P-2とトリス2-フェニルピリジンイリジウムが、重量比95:5で含まれている。<実施例5:発光素子C01>スパッタ法により45nmの厚さでITO膜を成膜したガラス基板上に、ポリチオフェンスルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200Plextronics社製をのせ、スピンコート法により約65nmの厚さとなるように成膜し、ホットプレート上において170°Cで、15分間乾燥させた。得られたAQ-1200膜の上に、高分子溶液PVKをのせ、スピンコート法により約20nmの厚さとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下、180°Cで、60分間乾燥させた。次いで、高分子溶液PVKから得られた膜の上に、錯体組成物溶液M0P1をのせ、スピンコート法により約80nmの厚さとなるように発光層を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下、130°Cで、10分間乾燥させた。1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、発光層L01の膜の上にNaF層を約4nmの厚さとなるように蒸着し、次いで、NaF層の上にアルミニウム層を約72nmの厚さになるように蒸着した。NaF層及びアルミニウム層の蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子C01を作製した。得られた発光素子C01について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度1000cd/m2での発光効率は、42.9cd/Aであった。最大発光効率は、50.2cd/Aであった。<実施例6:発光素子C02>実施例5において、錯体組成物溶液M0P1の代わりに錯体組成物溶液M0P2を用いた以外は、実施例5と同様にして、発光素子C02を作製した。得られた発光素子C02について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度1000cd/m2での発光効率は、40.2cd/Aであった。最大発光効率は、48.9cd/Aであった。<比較例5:発光素子CR21>実施例5において、錯体組成物溶液M0P1の代わりに錯体組成物溶液R2P1を用いた以外は、実施例5と同様にして、発光素子CR21を作製した。得られた発光素子CR21について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度1000cd/m2での発光効率は、13.6cd/Aであった。最大発光効率は、18.8cd/Aであった。<比較例6:発光素子CR22>実施例5において、錯体組成物溶液M0P1の代わりに錯体組成物溶液R2P2を用いた以外は、実施例5と同様にして、発光素子CR22を作製した。得られた発光素子CR22について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度1000cd/m2での発光効率は、20.3cd/Aであった。最大発光効率は、23.9cd/Aであった。<合成例10>配位子BppyHの合成:合成方法2配位子BppyHを、合成例2のスキームとは異なる下記のスキームにしたがって合成した。内部の雰囲気を窒素ガスで置換した反応器に、低分子化合物M-1116g、286mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム020g、17.3mmolと、dryTHF860mLとを入れ、室温で撹拌した。そこへ、0.5Mに調製された2-ピリジル亜鉛ブロミドのTHF溶液660mLをゆっくりと滴下した。滴下終了後、加熱し還流条件下で3時間撹拌した後、tert-ブチルメチルエーテル1000mLで反応液を希釈し、1Mの塩酸1000mL、次いで、1Mの炭酸水素ナトリウム水溶液1000mLで有機層を洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を減圧溜去した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーシリカゲル、展開溶媒;CHCl3:n-ヘキサン=1:3体積比にて精製し、さらにn-ヘキサンに分散させ撹拌ろ過することにより、無色の結晶として配位子BppyHを98.3g収率81得た。1HNMRδ202231682718747756760768804817865TLC-MSDART、positive:m/z=403MH<実施例7>錯体Ir-3の合成下記のスキームにしたがって錯体Ir-3を合成した。内部の雰囲気を窒素ガスで置換した反応器に、二核錯体DM-33.65g、1.50mmolと、配位子BppyH3.63g、9.00mmolと、トリフルオロメタンスルホン酸銀I770mg、3.00mmolと、1,2-ジメトキシエタン60mLとを入れ、窒素雰囲気下、105°Cで16時間攪拌した。反応混合物を室温まで降温した後、水を加え、生成した黄色沈殿物を濾取した。濾取した沈殿物をメタノール、ヘキサンの順で洗浄した。得られた黄色沈殿物をクロロホルム100mLに分散させ、濾過し不溶成分を除去し、濾液より溶媒を減圧溜去した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーシリカゲル、展開溶媒;CHCl3:n-ヘキサン=2:3体積比により精製した。最後にn-ヘキサンに分散させ撹拌ろ過することで、黄色粉末として錯体Ir-3を1.3g得た。1HNMRδ137205231677687705720723745783793801LC-MSAPCI、positive:m/z=1582MHなお、二核錯体DM-3は、WO02/066552に記載の合成法に準じて合成した。すなわち、反応器における、窒素雰囲気下、2-ブロモピリジンと、1.2当量の3-ブロモフェニルホウ酸との鈴木カップリング触媒:テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、塩基:2M炭酸ナトリウム水溶液、溶媒:エタノール、トルエンにより、2-3-ブロモフェニルピリジンを得た。次に、反応器における、窒素雰囲気下、トリブロモベンゼンと、2.2当量の4-tert-ブチルフェニルホウ酸との鈴木カップリング触媒:テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、塩基:2M炭酸ナトリウム水溶液、溶媒:エタノール、トルエンにより下記式:で表される臭素化化合物を得た。反応器において、窒素雰囲気下、この臭素化化合物を、脱水THFに溶解させた後、得られた溶液を-78°Cに冷却し、小過剰のtert-ブチルリチウムを滴下した。冷却下、更に、BOC4H93を滴下し、室温にて反応させた。反応溶液を3M塩酸で後処理し、下記式:で表されるボロン酸化合物を得た。2-3-ブロモフェニルピリジンと、1.2当量の前記ホウ酸化合物との鈴木カップリング触媒:テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、塩基:2M炭酸ナトリウム水溶液、溶媒:エタノール、トルエンにより、配位子TPppyHを得た。反応器に、アルゴン雰囲気下、IrCl33H2Oと、2.2当量の配位子TPppyH、2-エトキシエタノール及びイオン交換水を仕込み、還流させた。析出した固体を吸引濾過した。得られた固体をエタノール、イオン交換水の順番で洗浄後、乾燥させ、黄色粉末として二核錯体DM-3を得た。<実施例8>錯体Ir-4の合成下記のスキームにしたがって錯体Ir-3を合成した。内部の雰囲気を窒素ガスで置換した反応器に、二核錯体DM-14.87g、2.4mmolと、二核錯体DM-3の合成中間体として得られた配位子TPppyH5.95g、12mmolと、トリフルオロメタンスルホン酸銀I1.03g、4mmolと、2-エトキシエタノール80mLとを入れ、窒素雰囲気下、137°Cで8時間攪拌した。反応混合物を室温まで降温した後、イオン交換水80mLを加え、生成した黄色沈殿物を濾取した。濾取した沈殿物をメタノール、ヘキサンの順で洗浄し、さらにヘキサンに分散させ撹拌ろ過して得られた沈殿物をカラムクロマトグラフィーシリカゲル、展開溶媒;CHCl3:n-ヘキサン=1:4~1:1体積比により繰り返し精製し、最後にn-ヘキサンに分散させ撹拌ろ過することで、黄色粉末として錯体Ir-4を510mg得た。LC-MSAPCI、positive:m/z=1489MH<実施例9:錯体溶液Ir-3の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレード2.08gに、錯体Ir-350mgを加え、室温条件下にて撹拌し完全に溶解させて、溶液を調製した。この溶液をトルエン関東化学社製、電子工業用ELグレードで希釈し、11重量の錯体Ir-3のトルエン溶液を調製したこの溶液を以下、錯体溶液Ir-3と言う。。<実施例10:錯体溶液Ir-4の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレード2.08gに、錯体Ir-450mgを加え、室温条件下にて撹拌し完全に溶解させて、溶液を調製した。この溶液をトルエン関東化学社製、電子工業用ELグレードで希釈し、11重量の錯体Ir-4のトルエン溶液を調製したこの溶液を以下、錯体溶液Ir-4と言う。。<実施例11:錯体組成物溶液M3P1の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレードに、11重量の濃度となるように高分子化合物P-1を溶解させた溶液と、錯体溶液Ir-3とを重量比で95:5となるように混合して溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液M3P1と言う。。<実施例12:錯体組成物溶液M3P2の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレードに、11重量の濃度となるように高分子化合物P-2を溶解させた溶液と、錯体溶液Ir-3とを重量比で95:5となるように混合して溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液M3P2と言う。。<実施例13:錯体組成物溶液M4P1の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレードに、11重量の濃度となるように高分子化合物P-1を溶解させた溶液と、錯体溶液Ir-4とを重量比で95:5となるように混合して溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液M4P1と言う。。<実施例14:錯体組成物溶液M4P2の調製>トルエン関東化学社製、電子工業用ELグレードに、11重量の濃度となるように高分子化合物P-2を溶解させた溶液と、錯体溶液Ir-4とを重量比で95:5となるように混合して溶液を調製したこの溶液を以下、錯体組成物溶液M4P2と言う。。<実施例15:発光素子C31>スパッタ法により45nmの厚さでITO膜を付けたガラス基板上に、ポリチオフェンスルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200Plextronics社製をのせ、スピンコート法により約65nmの厚さとなるように成膜し、ホットプレート上で170°C、15分間乾燥させた。得られたAQ-1200膜の上に、高分子溶液PVKをのせ、スピンコート法により約20nmの厚さとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、180°C、60分間乾燥させた。次いで、高分子溶液PVKから得られた膜の上に、錯体組成物溶液M3P1をのせ、スピンコート法により約80nmの厚さとなるように発光層を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、130°C、10分間乾燥させた。1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、発光層L31の膜の上にNaFを約4nmの厚さで蒸着し、次いで、NaFの層の上にアルミニウムを約70nmの厚さになるように蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子C31を作製した。得られた発光素子C31について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度1000cd/m2での発光効率は、61.9cd/Aであった。最大発光効率は、70.1cd/Aであった。<実施例16:発光素子C32>スパッタ法により45nmの厚さでITO膜を付けたガラス基板上に、ポリチオフェンスルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200Plextronics社製をのせ、スピンコート法により約65nmの厚さとなるように成膜し、ホットプレート上で170°C、15分間乾燥させた。得られたAQ-1200膜の上に、高分子溶液PVKをのせ、スピンコート法により約20nmの厚さとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、180°C、60分間乾燥させた。次いで、高分子溶液PVKから得られた膜の上に、錯体組成物溶液M3P2をのせ、スピンコート法により約80nmの厚さとなるように発光層を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、130°C、10分間乾燥させた。1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、発光層L32の膜の上にNaFを約4nmの厚さで蒸着し、次いで、NaFの層の上にアルミニウムを約70nmの厚さになるように蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子C32を作製した。得られた発光素子C32について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度1000cd/m2での発光効率は、63.5cd/Aであった。最大発光効率は、71.1cd/Aであった。<実施例17:発光素子C41>スパッタ法により45nmの厚さでITO膜を付けたガラス基板上に、ポリチオフェンスルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200Plextronics社製をのせ、スピンコート法により約65nmの厚さとなるように成膜し、ホットプレート上で170°C、15分間乾燥させた。得られたAQ-1200膜の上に、高分子溶液PVKをのせ、スピンコート法により約20nmの厚さとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、180°C、60分間乾燥させた。次いで、高分子溶液PVKから得られた膜の上に、錯体組成物溶液M4P1をのせ、スピンコート法により約80nmの厚さとなるように発光層を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、130°C、10分間乾燥させた。1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、発光層L41の膜の上にNaFを約4nmの厚さで蒸着し、次いで、NaFの層の上にアルミニウムを約70nmの厚さになるように蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子C41を作製した。得られた発光素子C41について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度が1000cd/m2での発光効率は、61.7cd/Aであった。最大発光効率は、69.7cd/Aであった。<実施例18:発光素子C42>スパッタ法により45nmの厚さでITO膜を付けたガラス基板上に、ポリチオフェンスルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200Plextronics社製をのせ、スピンコート法により約65nmの厚さとなるように成膜し、ホットプレート上で170°C、15分間乾燥させた。得られたAQ-1200膜の上に、高分子溶液PVKをのせ、スピンコート法により約20nmの厚さとなるように成膜し、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、180°C、60分間乾燥させた。次いで、高分子溶液PVKから得られた膜の上に、錯体組成物溶液M4P2をのせ、スピンコート法により約80nmの厚さとなるように発光層を成膜した。そして、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下重量基準の窒素雰囲気下で、130°C、10分間乾燥させた。1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、発光層L42の膜の上にNaFを約4nmの厚さで蒸着し、次いで、NaFの層の上にアルミニウムを約70nmの厚さになるように蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子C42を作製した。得られた発光素子C42について、東京システム開発社製OLEDTESTSYSTEMを用いて、電圧を印加して素子を発光させたところ、緑色発光のエレクトロルミネッセンスが観測された。輝度1000cd/m2での発光効率は、58.5cd/Aであった。最大発光効率は、65.8cd/Aであった。作製された発光素子について、発光層の成分と輝度1000cd/m2での発光効率及び最大発光効率とを一覧として下記表1に示す。表1中、Irppy3は、トリス2-フェニルピリジンイリジウム錯体を表す。表1から明らかな通り、本発明の金属錯体を用いて作成された発光素子は、従来の金属錯体トリス2-フェニルピリジンイリジウム錯体を発光層の材料として用いた発光素子と比較して、何れも高い発光効率を示した。"