"ウェハレベルの処理においてダイパッド上にコネクタを形成するための方法であって、前記ダイパッド上においてインターコネクトダイエッジ上に延在する硬化性導電性材料のスポットを形成するステップと、前記導電性材料を硬化させるステップと、その後、ウェハカッティング手順において、前記スポットを分断するステップとを含む、ウェハレベルの処理においてダイパッド上にコネクタを形成するための方法。前記パッド上に導電性材料の前記スポットを形成する前に、コンフォーマル絶縁性コーティングを形成するステップと、前記コンフォーマルコーティング内に開口部を形成し、選択されたダイの表面を露出させる、形成するステップとを更に含む、請求項1に記載の方法。前記導電性材料を硬化させるステップの後に、第2のコンフォーマル絶縁性コーティングを形成するステップを更に含む、請求項2に記載の方法。前記第2のコンフォーマル絶縁性コーティング内に開口部を形成し、選択された硬化済みのスポットの表面を露出させる、形成するステップを更に含む、請求項3に記載の方法。積み重ねて電気的接続できるようにダイを準備するための方法であって、第1のソーストリートに沿って第1のウェハカッティング手順を実行するステップと、インターコネクトダイエッジを画定するチャネルを形成するステップと、ダイパッド上においてインターコネクトダイエッジ上に延在する硬化性導電性材料のスポットを形成するステップと、前記導電性材料を硬化させるステップと、その後、第2のウェハカッティング手順において、前記スポットを分断するステップとを含む、積み重ねて電気的接続できるようにダイを準備するための方法。積み重ねて電気的接続できるようにダイを準備するための方法であって、ダイパッド上において第1のソーストリート上に延在する硬化性導電性材料のスポットを形成するステップと、前記導電性材料を硬化させるステップと、前記第1のソーストリートに沿った第1のウェハカッティング手順において、前記スポットを分断するステップと、インターコネクトダイエッジを画定するチャネルを形成するステップとを含む、積み重ねて電気的接続できるようにダイを準備するための方法。前記第1のウェハカッティング手順を実行する前に、前記ウェハを薄化するステップを更に含む、請求項5に記載の方法。一度のコンフォーマル誘電体コーティング手順を実行するステップを更に含む、請求項7に記載の方法。二度のコンフォーマル誘電体コーティング手順を実行するステップを更に含む、請求項7に記載の方法。前記第2のウェハカッティング手順は、前記第1のウェハカッティング手順よりも狭いチャネルを形成する、請求項5に記載の方法。前記第1のウェハカッティング手順を実行した後に前記ウェハを薄化するステップを更に含む、請求項5に記載の方法。前記第1のウェハカッティング手順は、最終的なダイ厚よりも深く、かつウェハ全厚よりも浅い深度まで行われ、インターコネクト側壁を形成する、請求項5に記載の方法。パリレンの第2のコーティングを堆積した後に、DAFを一時的に粘着性にするのに十分な加熱手順を適用する、請求項5に記載の方法。正面、背面及び該正面においてダイエッジを画定する側壁と、インターコネクトエッジを含む少なくとも1つのダイエッジと、インターコネクトエッジに隣接するインターコネクトマージン内のダイパッドと、前記ダイパッドに電気的に接続され、前記インターコネクトエッジに向かって延在するコネクタと、前記コネクタ上にある誘電体フィルムであって、その中を貫通してZ相互接続のために前記コネクタのエリアを露出させる開口部を有する、誘電体フィルムとを備える、半導体ダイ。前記コネクタは硬化性導電性材料を含む、請求項14に記載の半導体ダイ。前記コネクタは前記ダイパッドと接触し、かつ前記インターコネクトエッジに向かって延在する金属トレースを含み、該金属トレースは下側の表面上に直接形成される、請求項14に記載の半導体ダイ。請求項14に記載の複数のダイを含むスタックダイアセンブリであって、前記複数のダイは、互いに積み重ねられ、第1の前記ダイ上のコネクタを少なくとも1つの第2の前記ダイ上のコネクタと接触させるZインターコネクトによって電気的に相互接続されている、スタックダイアセンブリ。スタガードスタック構成を成す、請求項17に記載のスタックダイアセンブリ。ピラミッドスタック構成を成す、請求項17に記載のスタックダイアセンブリ。請求項14に記載の複数のダイを含むスタックダイパッケージであって、前記複数のダイは、互いに積み重ねられ、パッケージ基板の表面上に実装され、かつ少なくとも第1の前記ダイ上のコネクタを該基板上のボンドパッドと接触させるZインターコネクトによって該基板内の回路類に電気的に接続されている、スタックダイパッケージ。ここで、本発明が、本発明の代替の実施形態を例示する図面を参照しながら更に詳細に説明されることになる。図面は、本発明の特徴部、並びにそれらの特徴部と他の特徴部及び構造との関係を示す概略図であり、縮尺通りに描かれていない。提示の明確性を改善するために、本発明の実施形態を例示する図面では、他の図面に示される要素に対応する要素は、全てが個々に番号を付け直されるとは限らないが、それらの要素は全ての図面において全て容易に識別可能である。また、明確に提示するために、本発明を理解する上で必要がない場合、特定の特徴部は図示されない。図1Aは、スタックダイアセンブリの一例を示しており、例えば、上記で引用された米国特許出願第12/124,077号において記述されているように、個々のインターコネクトエッジが垂直に位置合わせされるように、スタック内の隣接するオフセットダイが互いの上に実装される。そのような配列は、スタガードスタック構成と呼ばれる場合がある。この説明では便宜上、垂直に隣接するダイはダイのペアと呼ばれるが、それらのダイはペアとして機能的に関連する必要はなく、処理中にペアとして取り扱われる必要もない。各ペア内のダイ、例えば、ダイ101、102の上側ペアは反対方向に向けられ、インターコネクトエッジ103及び104はスタックの反対側に位置するようになる。その配列が図1Cにおいて更に詳細に示される。図1Bは、インターコネクト材料の支柱によって相互接続される、図1Aにおいて全体的に示されるような、スタックダイアセンブリの一例を断面図で示す。図1Cは、部分断面図においてダイの相互接続を更に詳細に示す。ここで、図1Cを参照すると、ダイ101はダイ102上に積み重ねられ、第1の上側ダイペアを形成する。ダイ101のインターコネクトマージン103は図面の右に向けられ、ダイ102のインターコネクトマージン104は左に向けられる。ダイは、インターコネクトマージン104のインターコネクト端子が露出するようにオフセットされる。インターコネクト端子105、106はそれぞれ、両側に形成されるインターコネクト材料の支柱121、122と接触できるようにするために、導電性材料の小塊又は小片107、108が設けられる。図1Cに示されるように、ダイ101、102の第1のペアの各インターコネクトマージン103、104は、下にあるダイのペアのインターコネクトマージン上に張り出す。したがって、ダイ101、102の第1のペアの各インターコネクトマージン103、104は、ダイ101’、102’の次のペアのインターコネクトマージン103’、104’上に張り出す。この構成では、偶数番号を付されたダイ102、102’は奇数番号を付されたダイ101、101’のためのスペーサとしての役割を果たす。再び図1Cを参照すると、ダイエッジが基板内の対応するインターコネクト部位123、124と重なるように、ダイのスタックは支持体ここでは、基板120上に実装される。ダイスタックが基板上に実装された後に、ダイにある小片例えば、107、108と接触し、かつ基板内の部位123、124と接触するインターコネクトトレース121、122zインターコネクトが形成される。したがって、インターコネクトトレース122は部位124と、ダイ102、102’、102’’、102’’’上の回路類との間の導通を提供し、インターコネクトトレース121は、部位123と、ダイ101、101’、101’’、101’’’上の回路類との間の導通を提供する。トレース121、122のために適したインターコネクト材料は、例えば、粒状の導電性材料で満たされた硬化性ポリマー、又は導電性エポキシや導電性インクのような硬化性導電性ポリマーを含む。これらの実施形態におけるインターコネクトトレースは、基板上のインターコネクト部位とダイとの間、又は離隔して配置されるダイ間において外部から支持されないので、インターコネクト材料は、未硬化の状態において、柱状の形状を維持し、かつ小塊又は小片との接触を維持するほど十分に堅くなければならない。適切なポリマーは、通常6.5以上の高いチクソトロピー指数と、通常30000cps以上の高い粘度とを有するチクソトロピー指数及び粘度は、材料を加工できなくするほど、又は小片と接触するためにダイエッジ上で材料に進入することができないほど高くしてはならない。支柱の形成は、例えば、上記の米国特許出願第12/124,097号に記述されているような、パルスディスペンスpulsedispense手順によって、又は例えば、上記の米国特許出願第12/634,598号において記述されているような、エアゾールスプレー手順によって行うことができる。小塊又は小片とzインターコネクトとの電気的接続は強固な電気的接触によるが、小片はダイエッジから内側に配置され、接触するにはダイ間のzインターコネクトトレースの材料に進入する必要があるので、その接触は弱められる場合がある。これにより、zインターコネクトトレース材料の流動学的特性に関して妥協せざるを得ない場合がある。例えば、未硬化の状態における材料の粘度は、進入できるようにするほど十分に低くしなければならないが、それでも未硬化の状態にあるインターコネクトトレース材料が形状を維持するように十分に高くなければならない。図2は、本発明の一実施形態による、積み重ねてz相互接続できるようにダイを準備するためのプロセスにおけるステージを示しており、図3及び図4は、スタガード構成におけるそのようなダイのスタックを含むパッケージを形成するためのプロセスにおけるステージを示す。図2を参照すると、種々のステージが示されており、そのうちの幾つかは従来のプロセスステップである。この実施形態では、第1のカッティング手順202の後に、裏面研削手順208においてウェハが薄化される。また、この実施形態では、第1のカッティング手順202は、硬化性導電性材料のスポットを形成する手順205の前に実行され、硬化したスポットコネクタが、同じソーストリートに沿った後続のカッティング手順212において分断される。スポットのために特に適した材料は、流動可能な状態において塗布し、その後、硬化させて電気コネクタを形成することができる材料を含み、材料及び技法によるが、インターコネクト材料は未硬化の状態、又は部分的に硬化した状態において堆積することができ、その材料は、分注後の中間ステージにおいて部分的に、又は更に硬化させることができ、分注が完了したときに完全に硬化させることができる。インターコネクト材料が硬化性材料である場合、その材料は、堆積されたときに、又は部分的に若しくは完全に硬化したときに導電性とすることができる。適切なインターコネクト材料は導電性ポリマーとすることができる。適切な導電性ポリマーは、例えば、金属充填エポキシ、金属充填熱硬化性ポリマー、金属充填熱可塑性ポリマー又は導電性インクを含む例えば金属充填ポリマーのような粒子状の導電性材料で満たされたポリマーを含む。導電性粒子は、サイズ及び形状に関して広い範囲に及ぶことができる。それらの粒子は、例えば、ナノ粒子、又はそれよりも大きな粒子でありうる。幾つかの実施形態では、導電性材料は、部分硬化性ポリマーでありうる。部分硬化は、そのプロセスの早期のステージにおいて実行することができ、後のステージにおいて最終的な硬化又は後硬化を実行して、相互接続の頑強性を高めることができる。スポットがダイエッジ上に延在する場合すなわち、それらのスポットがチャネル上に形成されるそして、チャネルに架かることができる場合には、適切な材料は、材料を少なくとも部分的に硬化させるのに十分な時間にわたって、未硬化の状態において形状を維持するのに適した流動学的特性粘度、チクソトロピーを有するように選択される。インターコネクトソーストリートに沿って第1のウェハカッティング手順202が実行される。その例では、インターコネクトソーストリートは第1の方向において平行であり、ここでは、参照を容易にするために、N-Sストリートと呼ばれる。このカッティング手順は、N-Sストリートに沿って、最終的なダイ厚と少なくとも同程度であるが、ウェハ全厚よりも浅い深度までチャネルを形成する。すなわち、この第1のカッティング手順は、インターコネクトダイ側壁を形成するが、N-Sチャネルの底部において或る量のウェハ材料を残す。結果は図12A、図12Bに示される。コンフォーマルコーティング手順203では、コンフォーマルコーティングが、堆積、例えば、蒸着、液相堆積、又は固相堆積によって形成される。結果は図13に示される。コンフォーマルコーティングの材料は、気相、液相若しくはBステージ誘電体材料、接着剤、又は規定された厚みのコーティングを含むことができる。幾つかの実施形態では、コンフォーマルコーティングの材料は有機ポリマー、例えば、ポリキシレンポリマーのような、p-キシレンのポリマー又はその誘導体、例えば、パリレンC、又はパリレンN、又はパリレンAを含む。パリレンは特に適している場合があり、パリレンコーティングは従来のパリレン装置において形成することができる。例えば、レーザアブレーションによって、コーティング内の選択された部位を貫通して開口部を形成することができる204。結果は図14に示される。上記で言及されたように、コネクタのために好ましい材料は硬化性材料を含み、その材料は、未硬化の状態において流動可能な形でスポットとして堆積することができ、その後、硬化させてコネクタを形成することができる。コネクタのための硬化性材料のスポットは、例えば、分注及び印刷を含む、種々の堆積技法のうちのいずれかによって形成することができる205。特定の堆積技法は、利用される材料に依拠する場合がある。その材料は、利用される特定の材料にとって相応しい技法によって硬化させることができる又は硬化できるようになされる。例えば、幾つかの硬化性充填導電性エポキシは、熱を加えることによって硬化する。結果は図15に示される。図示される例では、それらのスポットは、第1のウェハカッティング手順によって形成されたチャネル上に橋架される。他の例では、スポットは、ダイパッドと接触し、インターコネクトダイエッジまで、又はそこを越えて延在するが、チャネルに上に橋架されないように形成される。N-Sストリート202に沿った第1のカッティング手順は、最終的なダイ厚よりも深い深度までチャネルを形成したので、裏面研削手順208はウェハを最終的なダイ厚まで薄化し、それに応じて、結果として、N-Sストリートが開口され、ダイのストリップのアレイが得られる。積層手順209において、ダイアタッチフィルムがダイのストリップのアレイの背面に貼付され、その結果は図16A、図16Bに示される裏面研削テープを利用して裏面研削中にウェハを固定することができ、図面には示されないが、このステージではウェハの正面に付加的に存在する場合がある。ダイアタッチフィルムは、ダイシングテープ及び除去されるまでは裏面研削テープとともに、ウェハ反転及び実装210並びに裏面研削テープの除去中にダイストリップのアレイを支持し、かつN-Sカッティング手順212中にダイストリップの位置合わせを維持するための役割を果たす。N-Sストリート上の第2のウェハカッティング手順212は、第1のN-Sウェハカッティング手順202のために用いられた鋸よりも細い鋸を利用し、それにより、鋸を動かしても、ダイ側壁上のコンフォーマルコーティングに当たらないようにする。この手順は、これらのストリートに沿ってDAFフィルムに少なくとも途中まで切込みを入れ、上記のようにコネクタがチャネル上に橋架される場合、コネクタを分断する。結果は図17A及び図17Bに示される。コネクタがチャネル上に橋架されないが、ソーストリート上に延在する場合、鋸がコネクタを切除することができる。一方、コネクタがソーストリート上に延在しない場合、鋸はコネクタに触れないであろう。非インターコネクトストリートここでは、E-Wストリートと称されるに沿ったウェハカッティング手順213は、早期に薄化されたウェハを完全に切断し、テープ上のダイアレイ内のダイを単体化するための役割を果たす。結果は図18Aに示される。その後、テープを膨張させて、単体化されたダイを取り外すことができる214。結果として単体化されたダイが図18Bに示される。図3及び図4は、スタガードスタック構成においてスタックダイのパッケージを形成するためのプロセスの2つの例を示す。図3の例では、ダイスタックは支持体とは別に構成され、その後、スタックが支持体上に実装され、ダイが支持体に電気的に接続されるzインターコネクト。図4の例では、ダイは支持体上に本来の位置に順次に積み重ねられ、その後、ダイは支持体に電気的に接続されるzインターコネクト。図3を参照すると、例えば、図2を参照しながら説明されたように準備されたダイが、ピックアンドプレースツールを用いて、所望のスタック構成において積み重ねられる。この例における各ダイはDAFによって下側ダイに貼付される。スタックが完成すると301、支持体のダイ実装面上に実装される302。支持体は、ダイ実装面において結合部位を設けられ、スタック内のダイは、インターコネクトエッジにあるコネクタが支持体上の対応する結合部位の上に重なり、かつ概ねそれらの結合部位と位置合わせされるように向けられる。そのスタックは、最下部のダイ上のDAFによって、又は別の接着剤によって基板に接着することができる。このステージ302の後に、そのアセンブリは、後に略述されるように、z相互接続のための準備ができている。図4を参照すると、例えば、図2を参照しながら説明されたように準備されたダイが、ピックアンドプレースツールを用いて、所望のスタック構成において支持体上に順次に積み重ねられる401。支持体は、ダイ実装面において結合部位を設けられ、スタック内のダイ第1から始まるは、インターコネクトエッジにあるコネクタが支持体上の対応する結合部位の上に重なり、かつ概ねそれらの結合部位と位置合わせされるように向けられる。スタック内の第1の最下部のダイは背面上のDAFによって、又は別の接着剤によって基板に接着することができ、それぞれ次に実装されるダイが、背面上にDAFによって下側ダイに接着する。スタックが完成すると401、そのアセンブリは、後に略述されるように、z相互接続のための準備ができている。ダイスタックが電気的接続ダイ間、及びスタックダイ-基板間:z相互接続のための準備ができると、硬化性導電性材料が分注され303、402、コネクタと接触するとともに支持体上の対応する結合部位と接触するインターコネクトトレースを形成する。z相互接続のために適した導電性材料は、流動可能な状態において塗布し、その後、硬化させて電気的コネクタを形成することができる材料を含み、材料及び技法によるが、zインターコネクト材料は未硬化の状態、又は部分的に硬化した状態において堆積することができ、その材料は、分注後の中間ステージにおいて部分的又は更に硬化させることができ、分注が完了したときに完全に硬化させることができる。zインターコネクト材料が硬化性材料である場合、その材料は、堆積されるときに、又は部分的に、若しくは完全に硬化したときに導電性とすることができる。適切なzインターコネクト材料は導電性ポリマーでありうる。適切な導電性ポリマーは、例えば、金属充填エポキシ、金属充填熱硬化性ポリマー、金属充填熱可塑性ポリマー又は導電性インクを含む例えば金属充填ポリマーのような粒子状の導電性材料で満たされたポリマーを含む。導電性粒子は、サイズ及び形状に関して広い範囲に及ぶことができる。それらの粒子は、例えば、ナノ粒子、又はそれよりも大きな粒子とすることができる。幾つかの実施形態では、導電性材料は、部分硬化性ポリマーでありうる。部分硬化は、そのプロセスの早期のステージにおいて実行することができ、後のステージにおいて最終的な硬化又は後硬化を実行して、相互接続の頑強性を高めることができる。材料が分注されるときに、ダイスタックが材料にどの程度の支持を与えるかによって、適切な材料は、材料を少なくとも部分的に硬化させるのに十分な時間にわたって、未硬化の状態において形を維持するのに適した流動学的特性粘度、チクソトロピーを有するように選択される。例えば、zインターコネクトが支持体とダイとの間、又はダイと離隔して配置される上側ダイとの間例えば、スタガードスタック構成の場合のようにの垂直な間隙に架かるとき、インターコネクト材料は、未硬化の状態において、その形状、及びダイ上のコネクタ硬化したスポットとの接触を維持するほど十分に堅くなければならない。適切なポリマーは、通常6.5以上の高いチクソトロピー指数と、通常30,000cps以上の高い粘度とを有することができる。チクソトロピー指数及び粘度は、材料を加工できなくするほど、又は小片と接触するためにダイエッジ上で材料に進入することができないほど高くしてはならない。zインターコネクトの形成は、例えば、上記の米国特許出願第12/124,097号において記述されているような、パルスディスペンス手順によって、又は例えば、上記で記載された米国特許出願第12/634,598号において記述されているような、エアゾールスプレー手順によって行うことができる。zインターコネクト材料トレースの分注303、402後に、トレースを硬化させて304、403、zインターコネクトを完成させる。その材料は、利用される特定の材料に相応しい技法によって硬化させることができる硬化できるようになされる。例えば、幾つかの硬化性充填導電性エポキシは、熱を加えることによって硬化する。zインターコネクトの硬化後に、そのアセンブリを成形又は封入して305、404、パッケージがデバイス内で使用するために配置されるときに、ダイスタック、zインターコネクト及び支持体の上面を環境条件機械的、化学的から保護する。パッケージは識別するために印を付けることができる。通常、スタックダイのアレイは支持体基板ストリップ上に形成され、この場合には、支持体ストリップを切断することによってパッケージが単体化される。そのパッケージは試験され306、405、試験判定基準に合格しなかったパッケージは廃棄される。図5は、本発明の別の実施形態による、積み重ねてz相互接続できるようにダイを準備するためのプロセスにおけるステップを示す。ここでは、ウェハは、第1のウェハカッティング前に薄化され、二度のコンフォーマル誘電体コーティング手順が実行される。図5を参照すると、種々のステージが示されており、そのうちの幾つかは従来のプロセスステップである。この実施形態では、第1のカッティング手順511の前に、裏面研削手順507においてウェハが薄化される。また、この実施形態では、硬化性導電性材料504のスポットを形成する手順が、第1のコンフォーマルコーティング手順後に、かつ第1のカッティング手順511前に実行され、第1のカッティング手順511において硬化したスポットコネクタが分断される。スポットのために特に適した材料は、流動可能な状態において塗布し、その後、硬化させて電気コネクタを形成することができる材料を含み、材料及び技法によるが、インターコネクト材料は未硬化の状態、又は部分的に硬化した状態において堆積することができ、その材料は、分注後の中間ステージにおいて部分的に、又は更に硬化させることができ、分注が完了したときに完全に硬化させることができる。完全に硬化すると、材料は再流動されることはなく、再流動可能でないとすることができる。インターコネクト材料が硬化性材料である場合、その材料は、堆積されたときに、又は部分的若しくは完全に硬化したときに導電性とすることができる。適切なインターコネクト材料は導電性ポリマーでありうる。適切な導電性ポリマーは、例えば、金属充填エポキシ、金属充填熱硬化性ポリマー、金属充填熱可塑性ポリマー又は導電性インクを含む例えば金属充填ポリマーのような粒子状の導電性材料で満たされたポリマーを含む。導電性粒子は、サイズ及び形状に関して広い範囲に及ぶことができる。それらの粒子は、例えば、ナノ粒子、又はそれよりも大きな粒子とすることができる。幾つかの実施形態では、導電性材料は、部分硬化性ポリマーでありうる。部分硬化は、そのプロセスの早期のステージにおいて実行することができ、後のステージにおいて最終的な硬化又は後硬化を実行して、相互接続の頑強性を高めることができる。スポットがダイエッジ上に延在する場合には、すなわち、それらのスポットがチャネル上に形成されそして、チャネルに架かることができる場合には、適切な材料は、材料を少なくとも部分的に硬化させるのに十分な時間にわたって、未硬化の状態において形状を維持するのに適した流動学的特性粘度、チクソトロピーを有するように選択される。エアゾールスプレープロセスを用いて塗布可能な導電性インクは特に有用な場合があり、幾つかの応用形態では、多成分導電性インクが好ましい場合がある。そのような多成分導電性インクは、数ある用途の中でも、粒子表面から金属酸化物を除去するための役割を果たす添加剤とともに、粒子状の2つ以上の異なる金属成分硬化条件下で導電性の金属間化合物を形成できる場合があるを含む担体硬化性ポリマーとすることができるか、又はそれを含むことがあるを含むことがある。インターコネクトソーストリートに沿って第1のウェハカッティング手順511が実行される。その例では、インターコネクトソーストリートは第1の方向において平行であり、ここでは、参照を容易にするために、N-Sストリートと呼ばれる。このカッティング手順は、薄化されたウェハを完全に貫通してDAFの中に達する。すなわち、この第1のカッティング手順は、インターコネクトダイ側壁を形成するが、カットの底部にウェハ材料を残さない。コンフォーマルコーティング手順502は、ウェハの正面、及びその上にある全ての特徴部を覆う。コンフォーマルコーティングは、堆積、例えば、蒸着若しくは液相堆積、又は固相堆積によって形成される。コンフォーマルコーティングの材料は、気相、液相若しくはBステージ誘電体材料、接着剤、又は規定された厚みのコーティングを含むことができる。幾つかの実施形態では、コンフォーマルコーティングの材料は有機ポリマー、例えば、ポリキシレンポリマーのような、p-キシレンのポリマー及びその誘導体、例えば、パリレンC、又はパリレンN、又はパリレンAを含む。パリレンは特に適している場合があり、パリレンコーティングは従来のパリレン装置において形成することができる。例えば、レーザアブレーションによって、コーティング内の選択された部位を貫通して開口部を形成することができる503。ダイパッド上のスポット内に、かつダイエッジにわたってインターコネクトストリートまでオプションでは、その上に延在する硬化性材料を堆積し、その後、コネクタ材料を硬化させることによって、コネクタが形成される504。上記で言及されたように、コネクタのために好ましい材料は硬化性材料を含み、その材料は、未硬化の状態において流動可能な形でスポットとして堆積することができ、その後、硬化させてコネクタを形成することができる。コネクタのための硬化性材料のスポットは、例えば、分注及び印刷を含む、種々の堆積技法のうちのいずれかによって形成することができる504。特定の堆積技法は、利用される材料に依拠する場合がある。その材料は、利用される特定の材料にとって相応しい技法によって硬化させることができる硬化できるようになされる。例えば、幾つかの硬化性充填導電性エポキシは、熱を加えることによって硬化する。N-Sストリートに沿った第1のカッティング手順511はコネクタを分断し、ウェハを通り抜けてDAFの中に達する。したがって、コネクタは、インターコネクトダイエッジ及びインターコネクトダイ側壁と概ね同一平面において切除される。積層手順505において早期に貼付されたダイアタッチフィルムは、ダイシングテープ及び除去されるまでは裏面研削テープとともに、ウェハ反転及び実装509並びに裏面研削テープの除去510中に、薄化されたウェハ及びダイストリップのアレイを支持し、第1のN-Sカッティング手順511後にダイストリップの位置合わせを維持するための役割を果たす。第2のコンフォーマルコーティング手順512は、存在する場合には、コネクタが第1のカッティング手順511によって切除された表面を含む、コネクタと、インターコネクトダイ側壁と、第1のカットの底部にあるDAFと、コーティングを貫通する開口部を早期に形成する503ことによって露出した表面コネクタによって覆われる場所を除くと、早期にコーティングされ502、開口部を形成することによって後に除去されないか、又は付加的な特徴部特に導電性スポットによって隠されない表面とを含む、全ての利用可能な表面ダイストリップの背面を除くを覆う。選択された部位に、第2のコンフォーマル誘電体コーティングを貫通するそして、早期に除去されない任意の下側の第1のコンフォーマル誘電体コーティングを貫通する開口部を形成することができる513。第2のコーティング内のこれらの開口部は、zインターコネクトへの電気的接続が形成されることになる特徴部コネクタの表面の一部等を露出させる。N-Sストリート上の第2のウェハカッティング手順514は、第1のN-Sウェハカッティング手順511のために用いられた鋸よりも細い鋸を利用し、それにより、鋸を動かしても、ダイ側壁上のコンフォーマルコーティングに当たらないようにする。この手順は、これらのストリートに沿ってDAFフィルムを切断する。オプションでは、或るステージにおいて熱処理を利用して例えば、開口部手順513後に、DAFを一時的に粘着性にし、第2のパリレンコーティングによるDAFへの接着を改善することが好都合な場合がある。そして、オプションでは、チャネルに沿って、幅広い像寸法を有するレーザエネルギーを誘導し、上面だけではなく、コネクタの上面及び側面においてもパリレン内に開口部を形成することが好都合な場合がある。幾つかの実施形態では、第1のパリレンコーティングは第2のパリレンコーティングよりも厚い例えば、第1は5μmとすることができ、第2は、例えば、2.5μmとすることができる。レイジング手順を実行して、第2のパリレンコーティングを完全に切断するが例えば、コネクタ上の所望の接触エリアを露出させる、より厚みのある第1のパリレンコーティングを切断しない。像寸法は、インターコネクトダイエッジに対して平行な、適切に広い区画にわたってパリレンを除去できるように設定され、その区画幅はダイエッジを越えて、チャネルに入るほど十分に大きくすることができるが、通常はチャネルを半分以上横切るほど十分に広くはない。当然のことながら、選択されたパッドを電気的に接続するつもりがない場合、レーザエネルギーの伝送を中断して、区画を途切れさせることができる。コネクタが、ポリマーマトリックス内の粒子を含む、硬化した導電性材料のスポット又は小球である場合には、レイジング手順は、コネクタ表面において或る量の硬化したポリマーを除去して、粒子を露出させることができる。これは、より直接的な接触を提供し、Zインターコネクト材料とコネクタとの電気的接触のための表面を増やすことができる。非インターコネクトストリートここではE-Wストリートと称されるに沿ったウェハカッティング手順516は、早期に薄化されたウェハを完全に切断し、テープ上のダイアレイ内のダイを単体化するための役割を果たす。その後、テープを膨張させて、単体化されたダイを取り外すことができる518。準備されたダイは積み重ねられてz相互接続し、その後、成形/封入することができ、結果として形成されたパッケージは、図3及び図4のいずれかを参照しながら説明されたように、単体化し、包括的に試験することができる。図5及び図3又は図4を参照しながら説明されたように概ね形成される、スタガードスタック構成におけるスタックダイアセンブリの細部が図6において断面図で示される。図示される例では、コンフォーマル誘電体コーティングはパリレンフィルムパリレン1及びパリレン2であり、選択的レーザアブレーションによって第2のパリレンフィルムパリレン2内に開口部を形成して、進入するzインターコネクト材料と電気的に接続するために、コネクタの表面のエリアを露出させた。特に図6を参照すると、奇数番号を付されたダイ601、603、605、607が、偶数番号を付されたダイ602、604、606、608によって離隔して配置されるように示される。奇数番号を付されたダイのインターコネクト端部が示される。偶数番号を付されたダイのインターコネクト端部はこの部分断面図には現れない。各ダイは正面アクティブ面を有し、その面にはダイ回路類が形成される。各ダイの正面には、ダイパッド例えば、627への配線接続例えば、617が配置される。各ダイの背面には、ダイアタッチフィルムDAF、例えば、647が設けられる。各ダイパッド例えば、627と接触してコネクタ例えば、657が形成される。図示される例では、コネクタは導電性材料の小球である。上記のように、ダイ上にパリレンの2つの層、すなわち、パリレン1667及びパリレン2677が形成される。パリレン1はダイのアクティブ面、及びその上にある配線接続を覆って絶縁し、パリレン1内の開口部がダイパッドの一部を露出させる。パリレン2は、ダイのアクティブ面においてパリレン1上に形成され、ダイのインターコネクト側壁及びコネクタを覆って絶縁する。パリレン2内の開口部例えば、687は、Zインターコネクト697と電気的に接触するためにコネクタの一部を露出させる。ダイスタックは、接着剤622を用いて基板620に貼付される。接着剤622はDAFを構成することができ、通常、各ダイの背面において利用されるDAF例えば、約10μm厚よりも厚い例えば、約20μm厚。基板内の電気回路類例えば、624が、基板の実装面にあるボンドパッド626に接続する。スタック内のダイは、Zインターコネクト697によって基板に電気的に接続され、Zインターコネクトはボンドパッド626、及びコネクタ657の露出したエリアと接触する。当然のことながら、選択されたコネクタ上にパリレン2内の開口部を形成することができ、その結果、選択されないコネクタはZインターコネクトと接触しなくなり、選択されないコネクタの下側にあるダイパッドの電気的接続は回避されることになる。コネクタは図7~図11を参照しながら上記で言及されたように、種々の形状のうちのいずれかを有することができる。例えば、コネクタ657の面は図6に示される面よりも平坦にすることができ、図9において提案されるように、上端との切り立った概ね直角の交差部を形成することができる。上記のように、ダイパッドとzインターコネクトとのコネクタは、硬化性導電性材料を堆積して、ダイパッド上に、ダイエッジにわたって延在するスポットを形成し、スポットを硬化させ、その後、ダイエッジにあるか、又はダイエッジから外側にある硬化したスポットを分断することによって形成することができる。スポットの寸法は、1つにはパッドの接触面の寸法によるであろう。一例として、スポットは通常、ダイエッジに対して平行な方向において約50μmの幅を有することができ、約20μm~約30μmの範囲のパッド表面に対して垂直に測定されるような厚みを有することができる。図5を参照しながら説明されたように準備されたダイ内のコネクタの表面は、zインターコネクトと電気的に接続するために、レーザアブレーション以外の種々の方法のいずれかで露出させることができる。例えば、ダイシングソーを配置して、ダイエッジ付近のコネクタに切込みを入れて、種々の構成の切欠きを形成することができる。図7~図11は幾つかのそのような構成を例示する断面図の理想化された概略図である。これらの図面内の寸法は通常の例であり、他の形状及び寸法が有用な場合もある。図7は、ダイを示す理想化された概略図であり、第2のパリレンコーティングのレーザアブレーションによってコネクタ図面では、ドット上に開口部が形成され、ダイエッジから僅かに図では18μm内側にあるコネクタのエリア図において寸法60μmを露出させた。図8は、ダイを示す理想化された概略図であり、第2のパリレンコーティングのレーザアブレーションによってコネクタ図面では、ドット上に開口部が形成され、ダイエッジにあるコネクタのエリア図において寸法55μmを露出させた。図7の構成と比較すると、図8のような構成は、コネクタの露出したエリアとの良好な接続を形成するために、zインターコネクト材料がダイ上に進入しなければならない範囲を小さくする。図9、図10、図11は、ダイエッジ付近のコネクタから鋸引きにより切欠きを作ることによってコネクタの表面が形成されるダイを示す理想化された概略図である。これらの構成はそれぞれ、カットの位置ダイエッジの内側及び深度を適切に調整することによって、又は異なる幅及び/又は直径を有するソーホイールを使用することによって、ダイシングソーのような鋸を用いて形成することができる。例えば、図9では、鋸を調整して又は、例えば、多軸鋸装置multispindlesawapparatusにおいて、鋸が選択されるか、又は配置される、ダイエッジから或る程度図では15μm内側に、かつダイエッジに隣接して、ダイ表面の上に重なる少量のコネクタを残す深度図では10μm厚まで切欠きを形成する。例えば、図10では、切欠きは同様の深度まで形成され、ダイエッジに隣接して、ダイ表面の上に重なる少量のコネクタを残す図では10μm厚が、ここでは、その切欠きは広く、更に大きく内側に延在する図では45μm。特定の鋸によっては、この幅を有する切欠きを設けるのに鋸を2回以上通過させることが必要とされる場合があるが、通常は、幅の広い鋸を用いられ、一度だけ通過させることになる。そして、例えば、図11では、鋸を或る角度図では30°に保持して、コネクタのエッジを除去し、面取り部を形成することができる。又は、代わりに、斜め切りを形成するように設計された鋸例えば、角度付のブレードを有する鋸、又はV字断面のホイールを用いることができる。例えば、図1Cを参照しながら説明されたように、幾つかのスタガードスタック構成における奇数番号又は偶数番号を付されたダイのインターコネクト側壁は垂直に位置合わせすることができる。他のスタガードスタック構成では、例えば、図19A、図19Bに示されるように、順次に上に重なる奇数番号又は偶数番号を付されたダイは、下にあるダイに対して水平にオフセットすることができる。そのような構成はピラミッドスタック構成と呼ばれる場合がある。これらの例において示されるピラミッドスタックは、パッケージ基板の実装面190に貼付される。基板の実装面において、ボンドパッド193が第1の列194に配列され、ボンドパッド191が第2の行192に配列される。ピラミッドスタック内の最下部にある奇数番号を付されたダイ201は、基板の実装面に貼付され、インターコネクト側壁が第1の行194の上に重なるように、かつインターコネクトマージン2072内のダイパッド例えば、2071がボンドパッド193と概ね位置合わせされるように配置される。ピラミッドスタック内の最下部にある偶数番号を付されたダイ202は、最下部にある奇数番号を付されたダイに貼付され、インターコネクト側壁が第2の行192の上に重なるように、かつインターコネクトマージン2082内のダイパッド例えば、2081がボンドパッド191と概ね位置合わせされるように配置される。第2の奇数番号を付されたダイ203は最下部にある偶数番号を付されたダイ202に貼付され、オフセット1-3において示されるように、最下部にある奇数番号を付されたダイ201に対して水平にオフセットされる。同様に、第2の偶数番号を付されたダイ204は、第2の奇数番号を付されたダイ203に貼付され、オフセット2-4において示されるように、最下部にある偶数番号を付されたダイ202に対して水平にオフセットされる。第3の奇数番号を付されたダイ205は第2の偶数番号を付されたダイ204に貼付され、オフセット3-5において示されるように、第2の奇数番号を付されたダイ203に対して水平にオフセットされる。第3の偶数番号を付されたダイ206は第3の奇数番号を付されたダイ205に貼付され、オフセット4-6において示されるように、第2の偶数番号を付されたダイ204に対して水平にオフセットされる。第4の奇数番号を付されたダイ207は第3の偶数番号を付されたダイ206に貼付され、オフセット5-7において示されるように、第3の奇数番号を付されたダイ205に対して水平にオフセットされる。第4の偶数番号を付されたダイ208は第4の奇数番号を付されたダイ207に貼付され、オフセット6-8において示されるように、第4の偶数番号を付されたダイ206に対して水平にオフセットされる。ここで図示されるピラミッドスタック内の最上部にある偶数番号を付されたダイ208は、セットバックにおいて示されるように、下側の奇数番号を付されたダイ207に対して水平にずらされて、電気的接続のために、ダイ207のインターコネクトマージン2072内のパッド2071の列を露出させる。図面に示されるように、ピラミッドスタックのフットプリントは、同じ寸法を有するスタガードダイスタックのフットプリントよりも幾分大きい。特に、スタックフットプリントの長さは、オフセットオフセット1-7オフセット2-8とセットバックとの和の量だけ、ダイの長さよりも大きい。ボンドパッドの列192、194は対応する距離に配置される。オプションでは、基板の実装面とスタック内の最下部のダイ第1の奇数番号を付されたダイとの間にダミーダイ又は他の適切なスペーサを入れるそして貼付することができる。スペーサは第2の奇数番号を付されたダイのオフセットと同じ方向にオフセットして配置し、最下部のダイのインターコネクトエッジの下にあるボンドパッドが覆われないようにしておくことができる。経験によれば、Zインターコネクト材料と接触するためのボンドパッド面積を大きくするほど、そこに設けられる接続を頑強にすることができることが示唆される。ピラミッドスタックでは、下側のダイ上のパッドに近づくために、Zインターコネクト材料が上側のダイの下に進入する必要がない又はその必要性が少なくとも緩和されるので、ピラミッドスタック構成におけるオフセットは、スタガードスタック構成と比べて、Zインターコネクトの形成中にパッドへのアクセスを改善する。図示される例におけるオフセットの大きさは同じであるように示され、セットバックはオフセットよりも大きいように示される。当然のことながら、図面は縮尺通りではなく、これらの特徴部の相対的な寸法は、図面と同じである必要はない。他の配列も考えられる。例えば、セットバックはいずれのオフセットよりも大きい必要はない。そして、例えば、オフセットは同じである必要はなく、概ね同じである必要さえない。そして、例えば、奇数番号を付されたダイのオフセットは全て同じ、又は概ね同じにすることができるが、偶数番号を付されたダイのオフセットとは異なる場合がある。又は、例えば、オフセットは、スタックの上方に向かって徐々に大きく、又は小さくすることができる。いくつかの例では、オフセットは約20μm~約100μmの範囲内にすることができる。オフセットが概ね等しい特定の例では、オフセットは約25μmにすることができるか、約40μmにすることができるか、又は約50μmにすることができるそして、そのような例では、対応するオフセット1-7及びオフセット2-8は約75μm、又は約120μm、又は約150μmになるであろう。幾つかの例では、セットバックは1つ以上のオフセットと概ね同じにすることができるか、又はそれよりも大きくすることができ、例えば、約250μm程度に大きく又はそれよりも大きくすることができる。ダイが張り出す大きさは、セットバック及びオフセットの大きさによる。当然のことながら、ダイが薄い例えば、10μm以下場合、ダイは曲がる傾向がある場合があり、張り出しが大きいほど、大きく曲がる場合がある。これが、セットバック及びオフセットの大きさに関する実用限界を設定する場合がある。図20Aは、ピラミッドスタック200を断面図で示しており、図20Bは、スタック内のダイ及びスタックと基板とのZ相互接続を部分断面図において示す図20AにおいてBL及びBRで示される。この例に示されるピラミッド構成は図19A、図19Bのピラミッド構成と同様である。このピラミッドスタック内のZ相互接続の数多くの特徴部は、図6に示されるようなスタガードスタックの特徴部と同様であり、明確に提示するために、幾つかの細部は、ここでは繰り返されない。ここで、スタガースタックと同様に、各ダイは正面アクティブ面を有し、その面にダイ回路類が形成される。ダイパッド例えば、2027が各ダイの正面にあるインターコネクトマージン内に配置される。各ダイの背面にはダイアタッチフィルムDAF、例えば、2047が設けられる。各ダイパッド例えば、2027と接触してコネクタ例えば、2057が形成される。図示される例では、コネクタは導電性材料の小球である。ダイの種々の表面が、1つ以上のパリレンの層によって覆われ、絶縁される。パリレン内の開口部が、ダイパッドの一部及び選択されたコネクタの一部を露出させる。スタック内のダイは、Zインターコネクト2097によって電気的に相互接続され、かつ基板に電気的に接続され、Zインターコネクトはボンドパッド例えば、2092、及びコネクタ2057の露出したエリアと接触する。当然のことながら、選択されたコネクタ上に開口部を形成することができ、その結果、選択されないコネクタはZインターコネクトと接触しなくなり、選択されないコネクタの下側にあるダイパッドの電気的接続は回避されることになる。任意のスタック構成において、未硬化のZインターコネクト材料の特性によっては、最上部のコネクタすなわち、スタック内の最上部のダイ上のコネクタにおいて堆積された材料が、コネクタから一方に、又は別の方向に崩れ落ちる傾向がある場合がある。材料があまりにも遠くまで崩れ落ちる場合、特に材料が第1のコネクタから同じダイ上の第2のコネクタに向かって、かつ第2のコネクタから同じダイ上の第1のコネクタに向かって崩れ落ちる場合には、結果としてZインターコネクト間に接触が生じる場合があり、それにより電気的な短絡に繋がるおそれがある。したがって、最上部のダイからコネクタを除かなければならない。他の実施形態も特許請求の範囲内にある。例えば、本発明は、種々の積み重ね構成のいずれかにおいて積み重ねてz相互接続できるように準備されたダイを提供する。本明細書において記述されるコネクタは、例えば、ダイが離隔して配置されない、垂直に位置合わせされるか、又はオフセットされるダイスタックにおいて、又は、例えば、ダイがアクティブダイ以外のスペーサを用いて離隔して配置されるダイスタックにおいて利用することができる。そして、例えば、コネクタは、上記のように、硬化性導電性材料のスポットから形成することができるか、代替的には、コネクタは、ダイパッドからダイエッジに向かって延在する、導電性金属トレース又はメタライゼーション、例えば、金トレースとすることができる。そのような金属トレースは、例えば、めっき又はスパッタリングによって形成することができる。エアゾールスプレーの応用形態に適している特定のZインターコネクト材料は、例えば、硬化性材料の硬化したスポットよりも、金トレースとの良好な電気的接続を形成することができる。代替的には、上記で言及されたように、最上部のダイからバンプ又はスポット形状のコネクタを除くことが望ましい場合には、金属トレースコネクタを利用することができる。そして、例えば、そのアセンブリは、任意の所望の数のダイを含むことができる。"