単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径300mmの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には6000mm以上9000mm以下の曲率半径を有し、直径450mmの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には9000mm以上14000mm以下の曲率半径を有する、支持リング。湾曲面は、3μm以上5μm以下の平均粗さRzと、5μm以下の最大粗さRmaxとを有する、請求項1に記載の支持リング。材料深さtが2μmの場合、湾曲面は、85以上の材料比Rmrtを有する、請求項1または請求項2に記載の支持リング。湾曲面の表面形状は0.03mm以下である、請求項1~3のいずれかに記載の支持リング。支持リングの外径は半導体ウェハの直径と等しいかまたは最大2mm以下大きく、支持リングの内径は外径よりも60mm以上100mm以下小さい、請求項1~4のいずれかに記載の支持リング。シリコンカーバイドからなり、またはシリコンカーバイドでコーティングされている、請求項1~5のいずれかに記載の支持リング。単結晶シリコンで構成された半導体ウェハの熱処理のための方法であって、請求項1~6のいずれかに記載の支持リング上に半導体ウェハを配置するステップと、支持リング上に配置された半導体ウェハを、30分以上180分以下の時間、1050°C以上1300°C以下の温度に加熱するステップとを含む、方法。無欠陥層を有し、窒素濃度が1×1013原子/cm3以上8×1014原子/cm3以下であり、半導体ウェハの表側のナノトポグラフィが、直径4mmの円形測定窓に対しては20nm未満、直径20mmの円形測定窓に対しては40nm未満である、単結晶シリコンで構成されたコーティングされていない半導体ウェハ。したがって、この発明の目的は、改良された支持リングを提示し、単結晶シリコンで構成された半導体ウェハの熱処理のためのより良好な方法を開示し、単結晶シリコンで構成された、改良された熱処理された半導体ウェハを提供することである。この目的は、この発明の第1の局面に従って、単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径300mmの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には6000mm以上9000mm以下の曲率半径を有し、直径450mmの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には9000mm以上14000mm以下の曲率半径を有する、支持リングによって達成される。支持リング上に配置された、シリコンで構成された半導体ウェハは、それ自体の重量のためにたわむ。なぜなら、中央領域では支持リングによる支持がないためである。この発明の発明者らは、水平面を有する支持リングを半導体ウェハの配置用に使用することは、水平配置面と内部側面との間の内縁が角の取れたものであったとしても、好ましくない、ということを発見した。半導体ウェハのたわみは、特に支持リングの内縁の領域において、通常滑りを生じさせる応力場を引起す。半導体ウェハの熱処理は同時に、滑りによって生じるむらの部分的円滑化ももたらす。したがって、そのような滑りは検出できないことが多い。しかしながら、それは、半導体ウェハのナノトポグラフィの不良を引起し、また適切な場合、電子部品の作製過程における半導体ウェハの表側の露光中の焦点ずれ問題を引起す。ナノトポグラフィは、空間波長が0.2~20mmである測定範囲における平坦性偏差を表わす。ナノトポグラフィを判断するための都合のよい測定方法は、光干渉法である。それに基づく測定装置は商業的に入手可能である。この発明の文脈において、半導体ウェハの表側のナノトポグラフィは、表側の平坦性を特徴付けるために、および平坦性に対する熱処理の効果を推定可能とするために、測定される。半導体ウェハの表側は、電子構造の集積のために設けられる側である。図1は、先行技術に関連する支持リングを断面図で示す。この支持リングは、半導体ウェハの配置用の水平面1によって特徴付けられている。図2は、この発明に従って具現化された支持リングを示す。この支持リングは閉リングであり、半導体ウェハの配置用の凹状に湾曲した面4によって識別される。凹状に湾曲した配置面は、外部側面2から内部側面3に延在しており、したがって、水平に位置する部分を有していない。それは、外部側面から内部側面に凹状に形成された断面を有する。配置面4の曲率半径は、配置面が直径300mmの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には6000mm以上9000mm以下、配置面が直径450mmの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には9000mm以上14000mm以下であり、好ましくは半導体ウェハのたわみの半径に対応している。その結果、熱処理中、半導体ウェハに対し、支持リングの配置面と内部側面との間の内縁の領域において作用する応力場は、完全にまたは部分的に水平の配置面を有する支持リングを使用した場合に比べ、著しく低くなっている。この発明に従って具現化された支持リングの使用は、応力によって生じる欠陥の密度がより低いという利点を与え、それは、熱処理された半導体ウェハの表側の改良されたナノトポグラフィにおいても明らかになっている。支持リングの外径は、熱処理のために湾曲面上に配置される半導体ウェハの直径と等しいかまたは最大2mm以下大きいことが好ましい。支持リングの内径は、外径よりも60mm以上100mm以下小さいことが好ましい。支持リングはシリコンカーバイドからなり、またはシリコンカーバイドでコーティングされていることが好ましい。半導体ウェハの配置用の湾曲面が特定の粗さおよび平坦性の基準を満たしていれば、さらに有利である。平均粗さRzは好ましくは3μm以上5μm以下であるべきであり、個別の最大粗さRmaxは好ましくは5μm以下であるべきである。平均粗さRzは、個別粗さ個別測定区間に対する最も高い山と最も低い谷との差の算術平均に対応する。個別粗さは、5つの個別測定区間に細分された総測定区間にわたり、粗さマッピングプロファイルを活用して求められる。3μm未満の平均粗さRzによって特徴付けられる粗さは、あまり好ましくない。なぜなら、それは支持リング上の半導体ウェハの滑りを助長するためである。5μmを上回る平均粗さRzによって特徴付けられる粗さは、熱処理された半導体ウェハのナノトポグラフィに局所的材料点が悪影響を与えるという危険を必然的に伴う。また、切込み深さtが2μmでの湾曲した配置面の材料比Rmrtは、85未満となってはならない。この特性値はDINENISO4287において定義されており、特定された切込み深さでの、総測定区間において材料含有区間が占めるパーセンテージ比率支持bearing比率を示す。後者は、プロファイルの最も高い山から計算される。85未満、特に50未満のRmr2μmは好ましくない。なぜなら、小さい材料比は、局所的材料点の存在を示すものであり、それに対応して、熱処理された半導体ウェハのナノトポグラフィに悪影響を与えるためである。Rmr2μmが85未満の場合、材料ピークは、1点に先細りするというよりはむしろ、より幅広く、丸くなっている。最終的には、支持リングはできるだけ理想的に形作られるべきである。熱処理された半導体ウェハの表側のナノトポグラフィが追求される範囲内に確実に留まるためには、幾何学的に理想的な形状の面からの配置面の偏差は、好ましくは30μm以下であるべきであり、配置面の曲率半径は規定された範囲内にある。DINISO1101規格に従った表面形状はしたがって、好ましくは0.03mm以下であるべきである。それゆえに、配置面は2つの包絡面間に位置すべきであり、それらの間隔は直径30μmの球によって定められ、球の中心点は幾何学的に理想的な面上に位置する。規定された基準に従うと、単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハは、表側の比較的最良のナノトポグラフィを有する。この発明の第2の局面によれば、上述の目的は、単結晶シリコンで構成された半導体ウェハの熱処理のための方法であって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含む支持リング上に、半導体ウェハを配置するステップと、支持リング上に配置された半導体ウェハを、30分以上180分以下の時間、1050°C以上1300°C以下の温度に加熱するステップとを含む、方法によって達成される。温度下限に達しない場合、または熱処理の時間が30分よりも短い場合には、無欠陥層は生じないか、または半導体ウェハの内部に十分深く延在していない無欠陥層が生じる。温度上限を上回った場合、または熱処理の時間が180分よりも長い場合には、この方法は不経済になる。この方法はまた、半導体ウェハ材料の上降伏応力、もしくは900°Cを上回る温度範囲における加熱速度または900°Cまでの温度範囲における冷却速度といった基準を特に考慮に入れる必要がないという事実によっても識別される。このため、窒素濃度が比較的低い半導体ウェハでさえ、滑りを形成することなく熱処理することが可能である。にも関わらず、900°Cを上回る温度範囲における加熱速度および900°Cまでの温度範囲における冷却速度を、1°C/分~10°C/分という範囲における値に設定することが好ましい。熱処理は、一般的な条件下で、シリコンと化学的に反応しない雰囲気において、または還元性雰囲気において行なわれることが好ましい。例としては、アルゴンにおける、またはアルゴンと水素との混合物における熱処理が挙げられる。この発明の第3の局面によれば、上述の目的は、無欠陥層を有し、窒素濃度が1×1013原子/cm3以上8×1014原子/cm3以下であり、ナノトポグラフィが、直径4mmの円形測定窓に対しては20nm未満、直径20mmの円形測定窓に対しては40nm未満である、単結晶シリコンで構成されたコーティングされていない半導体ウェハによって達成される。ナノトポグラフィの測定は、SEMI規格M78に従って行なわれる。窒素濃度が範囲下限よりも低い場合、窒素の存在に基づく半導体ウェハの安定化は、その効果が弱すぎる。窒素濃度が範囲上限を上回る場合、窒素によって誘発される望ましくない欠陥が大規模に発生する。半導体ウェハを生成するのに好適な一方法は、この発明の第2の局面に従った方法である。無欠陥層とは、半導体ウェハの表側から半導体ウェハの内部に好ましくは8μm以上の長さまで延在し、COP欠陥およびBMDが検出できない区域のことである。半導体ウェハは好ましくは、4×1017原子/cm3以上7.5×1017原子/cm3以下新ASTMの酸素濃度と、1オームcm~80オームcmの抵抗とを有する。無欠陥層の外側では、BMD密度は好ましくは5×108~2×1010cm3である。半導体ウェハの直径は好ましくは、300mmまたは450mmである。半導体ウェハを産出する単結晶は、チョクラルスキー法に従って、坩堝に含まれる溶解物から、シリコン格子間原子に対して空孔が過剰に形成される引上げ速度で引上げられる。単結晶は、形成するCOP欠陥のサイズを制限するために、1150°C~1000°Cの温度範囲において、好ましくは速い冷却速度で冷却される。実施例直径300mmの単結晶シリコンで構成された半導体ウェハが、製造会社ASMからのタイプA412という縦型の炉において熱処理を受けた。半導体ウェハは、熱処理の過程において、120分という時間にわたって1200°Cの温度に加熱された。半導体ウェハは単結晶からスライスされたものであり、単結晶は、チョクラルスキー法に従って、半導体ウェハを産出する単結晶の区分において、坩堝に含まれるシリコンで構成された溶融物から、0.86mm/分という平均引上げ速度で引上げられ、窒素でドーピングされて、積極的に冷却されたものであった。1150~1000°Cの温度範囲における冷却速度は、中央では2.5K/分、それぞれの単結晶の縁では3.2K/分であった。熱処理中、半導体ウェハは、図2に例示した態様で具現化されたシリコンカーバイドで構成された支持リング上に配置された。支持リングの外径は、半導体ウェハの直径よりも1nm大きかった。支持面bearingsurfaceの粗さプロファイルが、プロファイラによって測定された。使用された支持リングの場合の平均粗さRzは3μm~5μmの範囲にあり、測定された個別の最大粗さRmaxは5μm以下であった。また、どの支持リングにおいても、切込み深さtが2μmでの湾曲した配置面の材料比Rmrtは、85以上であった。1000プロセスという時間の経過後、半導体ウェハの表側の許容可能なナノトポグラフィの上限を上回ることによる不良は、1つも観察されなかった。ナノトポグラフィの測定は、SEMI規格M78に従って、固定品質エリアfixedqualityarea:FQA297mm、キーオプションNT-CC、しきい値エリアx=0.25、およびカットオフ波長λC=20mmで行なわれた。偏差距離に従って評価が行なわれた。その他の点では同様である条件下で、図1の例示に従って具現化された支持リング上に配置された半導体ウェハも熱処理された。これらの半導体ウェハの場合、SIRD測定後、およびナノトポグラフィの測定後の双方において、著しい数の不良が観察された。図3および図4は、不良の半導体ウェハおよびこの発明に従った半導体ウェハの典型的なSIRD画像を示す。記録された画像は、製造会社PVAテプラTePlaからのタイプSIRDA300Pという測定装置を用いて作製された。半導体ウェハの不良の理由としての局所的SIRD応力が、図3に印付けられている。印の位置は、半導体ウェハと支持リングの内縁との相互作用によって応力が生じたことを示している。図5および図6は、不良の半導体ウェハおよびこの発明に従った半導体ウェハの表側の典型的なナノトポグラフィ測定を示す。記録された画像は、製造会社KLAテンカーTencorからのタイプウェハサイト2WaferSight2という測定装置を用いて作製された。半導体ウェハの不良の理由としての局所的なナノトポグラフィの超過が、図5に印付けられている。使用された支持リングの内縁の領域におけるその位置は、支持リングの形が超過に関与していることを示している。図5に例示した半導体ウェハは、直径4nmの測定窓に対しては8.68nm、直径20mmの測定窓に対しては55.56nmのナノトポグラフィを有した。図6に例示されたようなこの発明に従った半導体ウェハの場合、対応する測定値はそれぞれ4.48nmおよび10.01nmであった。