"一対の電極間にp型半導体とn型半導体とが含まれた有機薄膜太陽電池において、前記p型半導体として下記一般式1で表されるクロロフィル誘導体が用いられていることを特徴とする有機薄膜太陽電池。式1中、Mは、2H、Ni、Zn及びCuのうちのいずれかである。Rは、CHCH2、CHO及びCH2OHのいずれかである。前記p型半導体と前記n型半導体との混合層を含むバルクヘテロ接合構造であることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜太陽電池。前記p型半導体からなる層と前記n型半導体からなる層とが積層された平面ヘテロ接合構造であることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜太陽電池。しかしながら、天然クロロフィルは、Mgが配位し、また、C17位に長鎖アルコールがエステル結合したものもあり、化学的に不安定な構造を有している。このため、このような天然有機物を固体型の有機薄膜太陽電池に安定的に適用することは困難であり、色素増感太陽電池ほどの高い光電変換効率は得られず、また、耐久性の点においても問題があった。そこで、本発明者らは、有機薄膜太陽電池において、光合成色素であるクロロフィルを利用して、光電変換効率の向上を図るべく研究を重ねた結果、安定で好適なクロロフィル誘導体を見出した。すなわち、本発明は、有機薄膜太陽電池の実用化を図るべく、クロロフィル誘導体を用いて光電変換効率を向上させた有機薄膜太陽電池を提供することを目的とするものである。本発明に係る有機薄膜太陽電池は、一対の電極間にp型半導体とn型半導体とが含まれた有機薄膜太陽電池において、前記p型半導体として下記一般式1で表されるクロロフィル誘導体が用いられていることを特徴とする。式1中、Mは、2H、Ni、Zn及びCuのうちのいずれかである。Rは、CHCH2、CHO及びCH2OHのいずれかである。上記のようなクロロフィル誘導体をp型半導体として用いることにより、有機薄膜太陽電池のエネルギー変換効率の向上を図ることができる。前記有機薄膜太陽電池は、前記p型有機半導体と前記n型有機半導体との混合層を含むバルクヘテロ接合構造であることが好ましい。また、前記p型有機半導体からなる層と前記n型有機半導体からなる層とが積層された平面ヘテロ接合構造であってもよい。前記クロロフィル誘導体は、バルクヘテロ接合及び平面ヘテロ接合のいずれの構造の有機薄膜太陽電池においても、p型半導体として好適に機能し得る。本発明によれば、有機薄膜太陽電池において、p型半導体として用いるクロロフィル誘導体の最適化により、光電変換効率を向上させた有機薄膜太陽電池を提供することができる。したがって、本発明に係る有機薄膜太陽電池によれば、実用レベルの光電変換効率を実現することが可能となり、軽量で、フレキシブルであり、また、着色性に優れ、製造コストが低い等の利点を活かした身近なエネルギー源としての利用が期待される。以下、本発明について、図面を参照して、より詳細に説明する。本発明に係る有機薄膜太陽電池は、一対の電極間にp型半導体とn型半導体とが含まれており、前記p型半導体として上記一般式1で表されるクロロフィル誘導体が用いられているものである。上記一般式1において、Mは、2H、Ni、Zn及びCuのうちのいずれかである。すなわち、金属は配位していないか、あるいはまた、配位金属はNi、Zn又はCuである。このように、本発明に係るクロロフィル誘導体は、天然クロロフィルと同様に、テトラピロール環を基本構造としているが、テトラピロール環中心にMgは配位しておらず、また、クロロフィルaのような長鎖アルコールは結合していない。したがって、天然クロロフィルに比べて、安定であり、有機薄膜太陽電池の光電変換効率を図る上で好適な電子供与性ドナー材料である。また、上記一般式1において、Rは、CHCH2、CHO及びCH2OHのいずれかである。図1に、前記クロロフィル誘導体をp型半導体として用いた有機薄膜太陽電池の好ましい層構成の一例を示す。図1においては、一対の電極正極1、負極2間に前記クロロフィル誘導体とn型半導体との混合層である光電変換層3を備えており、前記光電変換層3と正極1との間にホール輸送層4が形成されている。このように、前記クロロフィル誘導体をp型半導体とし、n型半導体との混合層を形成させることにより、バルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池を好適に構成することができる。前記n型半導体には、電子受容性アクセプタ材料により構成され、電子輸送性があり、HOMOのエネルギー準位が低い化合物を用いることが好ましい。本発明においては、特に限定されるものではなく、公知のものを適宜選択して用いることができる。具体的には、C60、C70、PC60BM、PC70BM、Bis-PCBM、ICBA、SIMEF等のフラーレン系誘導体化2を用いることができ、あるいはまた、PTCBI等のペリレン系誘導体化3等の他のn型有機半導体やZnO、TiO2等のn型無機半導体も用いることができる。前記クロロフィル誘導体とn型半導体との混合層である光電変換層3は、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の有機溶媒中に各材料を溶解又は分散させて、スピンコート法により薄膜を形成させることが好ましい。この光電変換層3の膜厚は、光透過性や光電変換能、膜抵抗等を考慮し、10~300nmであることが好ましい。本発明に係る有機薄膜太陽電池の電極は、透明基板上に透明導電性薄膜が形成されたものであることが好ましい。前記基板は、有機薄膜太陽電池の支持体となるものであり、基板側が受光面となる場合、太陽光の透光性を有する透明基板を用いることが好ましい。光透過率は80以上であることが好ましく、85以上であることが好ましい。より好ましくは、90以上である。前記透明基板としては、一般に、BK7、BaK1、F2等の光学ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等のガラス基板、PMMA等のアクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォネート、ポリスチレン、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等のポリマー基板が用いられる。前記基板の厚さは、通常、0.1~10mm程度のものが用いられるが、機械的強度、重量等を考慮して、0.3~5mmであることが好ましく、0.5~2mmであることがより好ましい。前記基板上に、通常、正極が形成される。この正極は、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、導電性化合物等により構成されるが、前記透明基板上に透明電極として形成されることが好ましい。この透明電極には、酸化インジウム錫ITO、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛等の金属酸化物が一般的に用いられ、特に、透明性や導電性等の観点から、ITOが好適に用いられる。この透明電極の膜厚は、透明性及び導電性の確保のため、50~250nmであることが好ましく、100~200nmであることがより好ましい。正極の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われ、透明導電性薄膜として形成されることが好ましい。図1に示すように、正極1と光電変換層3との間には、ホール輸送層4を形成しておくことが好ましい。使用されるホール輸送性材料は、特に限定されるものではなく、公知のものから適宜選択して用いることができる。例えば、三酸化モリブデン等の金属酸化物層、又は、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリエチレンスルフォネート以下、PEDOT:PSSと略称する等の高導電性高分子層等により形成することができる。これにより、リーク電流の抑制を図ることができる。前記ホール輸送層は、具体的には、三酸化モリブデンの場合には、真空蒸着法により、膜厚2~20nmで形成し、また、PEDOT:PSSの場合には、スピンコート法により、膜厚20~150nmで形成することが好ましい。前記正極に対向する負極は、仕事関数の小さい4eV以下金属、合金、導電性化合物により構成される。例えば、アルミニウム、カルシウム、銀、アルミニウム-リチウム合金、マグネシウム-銀合金、フッ化リチウム等が挙げられ、単層であっても、あるいはまた、仕事関数の異なる材料を組み合わせた複層としてもよい。前記負極の膜厚は、導電性の確保のため、10~500nmであることが好ましく、50~200nmであることがより好ましい。図2に、前記クロロフィル誘導体をp型半導体として用いた有機薄膜太陽電池の好ましい層構成の他の一例を示す。図2においては、一対の電極正極1、負極2間に前記クロロフィル誘導体を用いたp型半導体層31とn型半導体層32とが積層され、p型半導体層31と正極1との間にホール輸送層4が形成され、n型半導体層32と負極2との間に電子輸送層5が形成されている。このように、前記クロロフィル誘導体をp型半導体とし、n型半導体とを別個の層として積層させた、平面ヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池も好適に構成することができる。この平面ヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池においても、電極1,2、ホール輸送層4は、前記バルクヘテロ接合構造の場合と同様の構成でよい。また、図2に示すように、n型半導体層32と負極2との間には、電子輸送層5を形成しておくことが好ましい。なお、図1に示すようなバルクヘテロ接合構造の場合にも、同様に、光電変換層3と負極2との間に、電子輸送層を形成してもよい。使用される電子輸送性材料は、特に限定されるものではなく、公知のものから適宜選択して用いることができる。例えば、Ca、バソクプロインBCP、LiF等を真空蒸着法やスピンコート法等により形成することができる。膜厚は5~400nmであることが好ましい。前記p型半導体層31は、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、THF等の有機溶媒中に前記クロロフィル誘導体を溶解させた濃度0.1~3wtの溶液を用いて、スピンコート法により薄膜として形成することが好ましい。このp型半導体層31の膜厚は、光透過性や光電変換能、膜抵抗等を考慮して、5~100nmであることが好ましい。また、前記n型半導体層32は、前記バルクヘテロ接合構造の光電変換層3に用いられるのと同様のn型有機半導体やn型無機半導体により形成することができる。この場合は、クロロフィル誘導体によるp型半導体層31とは別個の層であるため、スピンコート法に限らず、真空蒸着法によっても好適な薄膜を形成することができる。このn型半導体層32の膜厚は、光透過性や光電変換能、膜抵抗等を考慮し、10~300nmであることが好ましい。以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。[実施例1]図1に示すようなバルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを、以下のようにして作製した。まず、正極1としてITO電極が膜厚140nmで形成されたガラス基板を用い、この表面に、ホール輸送層2としてMoO3を膜厚5nmで真空蒸着法により成膜した。その上に、光電変換層3として化1に示すクロロフィル誘導体Chl1;M=2H,R=CHCH2と、n型半導体としてフラーレン化合物であるPC70BMとが重量比1:4で混合された膜厚100nmの薄膜を形成した。この成膜は、クロロベンゼン溶液としてスピンコート法により行った。そして、負極2としてCa層及びAl層からなる2層電極を、真空蒸着法により膜厚120nmで成膜した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl120nmPC70BM80nm/Ca20nm/Al100nmである。[実施例2]図2に示すような平面ヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを、以下のようにして作製した。まず、正極1としてITO電極が膜厚140nmで形成されたガラス基板を用い、この表面に、ホール輸送層2としてMoO3を膜厚5nmで真空蒸着法により成膜した。その上に、p型半導体層31として化1に示すクロロフィル誘導体Chl1;M=2H,R=CHCH2を膜厚20nmで成膜した。この成膜は、ジクロロメタン溶液としてスピンコート法により行った。さらに、n型半導体層32としてフラーレン化合物であるC60を膜厚40nmで真空蒸着法により成膜した。その上に、電子輸送層5として、BCPを膜厚6nmでスピンコート法により成膜した。そして、負極2としてAlを、真空蒸着法により膜厚100nmで成膜した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl120nm/C6040nm/BCP6nm/Al100nmである。[実施例3]実施例1において、光電変換層3として化1に示すクロロフィル誘導体Chl2;M=2H,R=CHOを用い、それ以外については実施例1と同様にして、バルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを作製した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl220nmPC70BM80nm/Ca20nm/Al100nmである。[実施例4]実施例1において、光電変換層3として化1に示すクロロフィル誘導体Chl3;M=Zn、R=CH2OHを用い、それ以外については実施例1と同様にして、バルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを作製した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl320nmPC70BM80nm/Ca20nm/Al100nmである。[実施例5]実施例1において、光電変換層3として化1に示すクロロフィル誘導体Chl4;M=Cu,R=CHCH2を用い、それ以外については実施例1と同様にして、バルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを作製した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl420nmPC70BM80nm/Ca20nm/Al100nmである。[実施例6]実施例1において、光電変換層3として化1に示すクロロフィル誘導体Chl5;M=Zn,R=CHCH2を用い、それ以外については実施例1と同様にして、バルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを作製した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl520nmPC70BM80nm/Ca20nm/Al100nmである。[実施例7]実施例1において、光電変換層3として化1に示すクロロフィル誘導体Chl6;M=Ni,R=CHCH2を用い、それ以外については実施例1と同様にして、バルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを作製した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl620nmPC70BM80nm/Ca20nm/Al100nmである。[実施例8]実施例2において、p型半導体層31として化1に示すクロロフィル誘導体Chl4;M=Cu,R=CHCH2及びPC60BMの混合層を用い、それ以外については実施例2と同様にして、平面ヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを作製した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/MoO35nm/Chl4PC60BM40nm/C604nm/BCP6nm/Al100nmである。[比較例1]実施例1において、ホール輸送層2としてPEDOT:PSSを膜厚40nmでスピンコート法により成膜し、また、光電変換層3として化4に示すクロロフィル誘導体Chl7を用い、それ以外については実施例1と同様にして、バルクヘテロ接合構造の有機薄膜太陽電池セルを作製した。上記により作製したセルの層構成は、ITO/PEDOT:PSS40nm/Chl720nmPC70BM80nm/Ca20nm/Al100nmである。上記実施例および比較例において作製した各セルについて、AM1.5G、100mW/cm2の疑似太陽光を照射して、太陽電池特性を測定した。短絡電流密度JSC、開放電圧VOC、曲線因子FF、エネルギー変換効率PCEの評価結果を表1にまとめて示す。なお、比較例1においては、測定下限未満であり、太陽電池特性の評価は困難であった。本発明に係るクロロフィル誘導体によれば、天然クロロフィルよりも光電変換効率の向上を図ることができることが認められた。"