基板と、前記基板の上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層と、前記活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、前記上部クラッド層の上方に回折する周期で前記活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、前記下部クラッド層、前記活性層、及び前記上部クラッド層を有する共振器の第1端面に形成された、前記活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、前記共振器の前記第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、前記活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備えたことを特徴とするレーザ素子。前記第1反射膜と前記第2反射膜は、前記活性層で発生した光を100反射するように形成されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ素子。前記2次の回折格子の前記共振器長手方向の長さと、前記共振器短手方向の長さは等しいことを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ素子。前記共振器は、GaNで形成され、前記2次の回折格子を、純青色の光波長を回折する周期で形成したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレーザ素子。前記活性層で発生した光を前記上部クラッド層の上方に回折するように、前記2次の回折格子とは異なる周期で前記活性層の上方の層に形成された2次の回折格子である第2回折格子を備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のレーザ素子。基板と、前記基板の上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層と、前記活性層で発生した光を、前記上部クラッド層の上方に回折するように前記活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、前記下部クラッド層、前記活性層、及び前記上部クラッド層を有する共振器の第1端面と前記第1端面と反対の端面である第2端面の一方に形成された、前記活性層で発生した光を反射する反射膜と、前記第1端面と前記第2端面の他方に形成された、前記活性層で発生した光を反射しつつ、外部からの光は透過するハーフミラーコートと、を備えたことを特徴とするレーザ素子。基板と、前記基板の上に形成された下部クラッド層と、前記基板又は前記下部クラッド層に形成された光反射層と、前記下部クラッド層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層と、前記活性層で発生した光を、前記上部クラッド層の上方に回折するように前記活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、前記下部クラッド層、前記活性層、及び前記上部クラッド層を有する共振器の第1端面に形成された、前記活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、前記共振器の前記第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、前記活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備えたことを特徴とするレーザ素子。前記光反射層は前記基板の裏面に形成され、前記基板は、前記活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料で形成されたことを特徴とする請求項7に記載のレーザ素子。レーザ素子では、発光効率を向上させるためにレーザ素子内部における光の損失を低減することが望ましい。しかしながら、特許文献1に開示のレーザ素子では光の損失を十分に低減できない。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第1端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、該共振器の該第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備えたことを特徴とする。本発明に係る他のレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光を、該上部クラッド層の上方に回折するように該活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第1端面と該第1端面と反対の端面である第2端面の一方に形成された、該活性層で発生した光を反射する反射膜と、該第1端面と該第2端面の他方に形成された、該活性層で発生した光を反射しつつ、外部からの光は透過するハーフミラーコートと、を備えたことを特徴とする。本発明に係る他のレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該基板又は該下部クラッド層に形成された光反射層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光を、該上部クラッド層の上方に回折するように該活性層の上方の層に形成された2次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第1端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、該共振器の該第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、損失の小さいレーザ素子を製造できる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の平面図である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10にはリッジストライプ12が形成されている。リッジストライプ12の中間部分には2次の回折格子14が形成されている。2次の回折格子14以外の部分は電極16で覆われている。レーザ素子10の端面コーティングとしては、第1反射膜20と第2反射膜22が形成されている。図2は、図1の2-2破線における断面図である。レーザ素子10は基板30を備えている。基板30の上には下部クラッド層32が形成されている。下部クラッド層32の上には活性層34が形成されている。活性層34の上には上部クラッド層36が形成されている。下部クラッド層32、活性層34、及び上部クラッド層36は共振器を形成している。共振器は、GaN系材料GaN、InGaN、InAlGaN等で形成されている。上部クラッド層36には、活性層34で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、上部クラッド層36の上方に回折する周期で2次の回折格子14が形成されている。具体的には、2次の回折格子14は、純青色の光波長を回折する周期で形成されている。2次の回折格子14の共振器長手方向の長さ図1のLは約3μmであり、共振器短手方向の長さ図1のWも約3μmである。2次の回折格子14の共振器長手方向の長さと共振器短手方向の長さは等しい。このように、リッジストライプ12の幅を細くするのは、レーザ素子10の閾値電流を低減し電流効率を向上させるためである。なお、2次の回折格子14の共振器長手方向の長さ図1のL、及び共振器短手方向の長さ図1のWは、出光領域を規定するものであり所望の出光角度及びスポットを得るために任意の値としてもよい。また、2次の回折格子14の共振器長手方向の長さと共振器短手方向の長さは等しくなくても良い。図2に示すとおり、共振器端には劈開などで形成された第1端面19、及び第1端面19と反対側の端面である第2端面21が形成されている。第1端面19には、活性層34で発生した光を反射する第1反射膜20が形成されている。第2端面21には、活性層34で発生した光を反射する第2反射膜22が形成されている。第1反射膜20と第2反射膜22は、活性層34で発生した光を100反射するものである。上部クラッド層36の上にはコンタクト層38が形成されている。コンタクト層38の上には電極16が形成されている。また、基板30の裏面には電極40が形成されている。図3は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10の発光方向を示す断面図である。レーザ素子10の2次の回折格子14により、レーザ光は共振器の結晶面に対して垂直方向に出射する。レーザ光の出射方向は図3において矢印で示されている。図4は、2次の回折格子14が回折する光を示す図である。図4のAに示すように、活性層34で発生する光の波長は、中心波長λ1を中心に一定の幅広がりを有している。ここで、2次の回折格子14は、活性層34で発生した光であって最も利得の高い光λ1よりも波長の長い光純青色の光λ2を回折する周期で形成されている。λ2の光は、λ1の光よりもバンドギャップエネルギの小さい光である。2次の回折格子14が回折する光の波長は図4のBに示す。λ2の光を共振器内で発振させると、λ1の光を共振器で発振させた場合と比較して活性層34における光損失を低減できる。従って、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10によれば、レーザ素子の損失を低減できる。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10は、第1反射膜20と第2反射膜22により共振器端面からの光の出射を防止するものである。よって共振器端面から光が漏れることによる損失を防止できる。図5は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の変形例を示す平面図である。レーザ素子10との相違点のみ説明する。レーザ素子41には、活性層で発生した光を上部クラッド層の上方に回折するように、2次の回折格子14と52が形成されている。2次の回折格子52は、2次の回折格子14とは異なる周期で上部クラッド層に形成されたものである。2次の回折格子52を第2回折格子と称する。図6は、2次の回折格子14と2次の回折格子52第2回折格子の回折する光の波長を示す図である。2次の回折格子14の回折する光の波長は、前述の通りλ2である。第2回折格子の回折する光の波長は、λ1より大きくλ2より小さいλ3である。このように、リッジストライプ12上の2箇所に周期の異なる2つの回折格子を形成すると、2波長の発光が可能となる。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10では、共振器をGaN系材料で形成したが本発明の特徴を失わない限りにおいてこれに限定されない。また、回折格子14は共振器長全体に渡って形成されてもよい。レーザ素子の損失を低減するために、第1反射膜20と第2反射膜22は活性層34で発生した光を100反射するものであるが望ましい。しかしながら、共振器端面での光の損失を低減できる限りにおいてこれに限定されない。また、2次の回折格子14や第2回折格子を形成するのは活性層34の上方の層であればよく、特に上部クラッド層36に限定されない。実施の形態2.図7は、本発明の実施の形態2に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。上部クラッド層37は、レーザ素子10の上部クラッド層36と比べて厚く形成されている。具体的には、厚く形成された上部クラッド層37は一部がエッチングされ、当該エッチングにより露出した底部分に2次の回折格子14が形成されている。そして、共振器は、例えばAlGaInP系やAlGaAs系などのGaAs系の材料で形成されている。またコンタクト層38はGaAsで形成されている。本発明の実施の形態2に係るレーザ素子によれば、上部クラッド層37を厚く形成することで、コンタクト層38における光吸収を低減できる。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態3に係るレーザ素子は、レーザ素子10の上部クラッド層36と比べて厚く形成された上部クラッド層37を備えている。また、2次の回折格子14を形成するためのエッチングストッパ層39も備えている。上部クラッド層37は、エッチングストッパ層39を挟むように形成されている。コンタクト層38まで形成した後に、2次の回折格子14を形成すべき部分をエッチングストッパ層39までエッチングし、そこに2次の回折格子14を形成する。よって、容易に2次の回折格子14を形成できる。また、上部クラッド層37を厚くできるので実施の形態2と同様にコンタクト層の光吸収も低減しうる。実施の形態4.図9は、本発明の実施の形態4に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態4に係るレーザ素子は、2次の回折格子14がコンタクト層38で覆われている。コンタクト層38はGaNで形成されている。また、共振器はGaN系の材料で形成されている。コンタクト層38をGaNで形成することによりコンタクト層38による光吸収をなくして、2次の回折格子14をコンタクト層38で埋め込むことができる。このようなレーザ素子は、上部クラッド層36、及び2次の回折格子14を形成した後にコンタクト層38を形成して作成する。なお、コンタクト層38の材料は、GaNに限らずレーザ素子の発振光よりバンドギャップが大きい結晶であればよい。実施の形態5.図10は、本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態5に係るレーザ素子は、上部クラッド層41の上に、回折格子層43が形成されている。回折格子層43はInGaNで形成されている。回折格子層43には、2次の回折格子14が形成されている。このように、上部クラッド層41以外の層に2次の回折格子14を形成しても本発明の効果を得ることができる。図11は、本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の変形例を示す断面図である。このレーザ素子は、回折格子層43に形成された2次の回折格子14をコンタクト層38で埋め込むものである。コンタクト層38はGaNで形成されている。2次の回折格子14とコンタクト層38を異なる材料で形成することにより、2次の回折格子14をコンタクト層38で埋め込むことができる。実施の形態6.図12は、本発明の実施の形態6に係るレーザ素子の断面図である。以後、実施の形態1との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態6に係るレーザ素子の第2端面21には、活性層34で発生した光を反射しつつ、外部からの光は透過するハーフミラーコート42が形成されている。本発明の実施の形態6に係るレーザ素子の使用には、外部レーザ素子44が用いられる。外部レーザ素子44の活性層46で生じた光は、ハーフミラーコート42を介してレーザ素子に入射し活性層34に光を励起する。そして活性層34で励起された光は、2次の回折格子14により上部クラッド層36の上方に回折させられる。このように、外部レーザ素子44を用いると効率的に光を励起することができる。本発明の実施の形態6に係る2次の回折格子14の格子周期は特に限定されない。しかしながら、本発明の実施の形態1と同様に、活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を上部クラッド層の上方に回折する周期で2次の回折格子を形成してもよい。また、本発明の実施の形態6に係るレーザ素子は少なくとも実施の形態1に係るレーザ素子と同程度の変形が可能である。同様に、本発明の実施の形態6に係るレーザ素子に、本発明の実施の形態2乃至5のいずれかに記載の特徴を取り入れてもよい。実施の形態7.図13は、本発明の実施の形態7に係るレーザ素子の断面図である。以後、実施の形態1との相違点のみ説明する。基板60の裏面に光反射層62が形成されている。光反射層62は金メッキで形成されている。基板60は、活性層34のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料で形成されている。ところで、回折格子14は共振器上面方向だけでなく、共振器下面方向にも光を回折する。共振器上面方向の光を上方向レーザ光と称し、共振器下面方向の光を下方向レーザ光と称する。下方向レーザ光は、例えば基板に吸収されるなどして損失となる。ところが、本発明の実施の形態7に係るレーザ素子によればこの損失を抑制できる。図14は、本発明の実施の形態7に係る下方向レーザ光の反射を示す断面図である。図14で下方向レーザ光は破線で示されている。本発明実施の形態7に係るレーザ素子によれば、下方向レーザ光は光反射層62で反射されるため下方向レーザ光を上方向レーザ光に寄与させることができる。また、基板60のバンドギャップは活性層34のバンドギャップより大きいので、下方向レーザ光が基板60に光吸収されることを抑制できる。光反射層62は、金メッキに限らず、反射膜や反射コーティングなどで形成されてもよい。また、本発明の主な効果は、下方向レーザ光を上方向レーザ光に変換することにより得られる。よって、例えば、下部クラッド層に光反射層を形成してもよい。図15は、下部クラッド層に光反射層70が形成されたことを示す断面図である。光反射層70は、屈折率の異なる結晶を交互に形成した多層膜である。図16は、反射層において光反射が起こることを示す断面図である。本発明の実施の形態7に係る2次の回折格子14の格子周期は特に限定されない。しかしながら、本発明の実施の形態1と同様に、活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を上部クラッド層の上方に回折する周期で2次の回折格子を形成してもよい。なお、本発明の実施の形態7に係るレーザ素子は少なくとも実施の形態1に係るレーザ素子と同程度の変形が可能である。また、本発明の実施の形態7に係るレーザ素子に、本発明の実施の形態2乃至5のいずれかに記載の特徴を取り入れてもよい。上記の説明において、発明を分かりやすく説明するため、活性層構造等の細かいエピ構造を記述しなかったが、活性層の構造は、量子井戸構造のSQW、MQWマルチカンタムウエル構造でも良い。また、クラッド層とコンタクト層の間のバンドギャップ緩和のためのバンド不連続緩和層を有する構造でも良い。