"シリカの屈折率からの屈折率偏差として表される屈折率プロファイルを有する光ファイバであって、0.001乃至0.003のデルタと2乃至8μmの半径とを有する内側コア領域と、実質的に0.000のデルタと3乃至10μmの半径とを有する外側コア領域と、-0.0035乃至-0.0007のデルタと5乃至25μmの半径とを有する第1クラッド領域とを含み、これらにより、1光パワーの50乃至80パーセントを前記内側コア領域に閉じ込め、2光パワーの20乃至40パーセントを前記外側コア領域に閉じ込め、そして、3光パワーの5パーセント未満を前記第1のクラッド領域に閉じ込める、ように、屈折率プロファイルが形成され、そして、これらにより、1550nmにおいて100μm2よりも大きい有効断面積と、1550nmにおいて0.180dB/kmよりも小さい伝送損失とを提供するよう、前記屈折率プロファイルが形成される、光ファイバ。1383nmにおける伝送損失が0.31dB/kmよりも小さい、請求項1に記載の光ファイバ。ケーブルカットオフ波長が1260nmよりも短い、請求項1に記載の光ファイバ。ケーブルカットオフ波長が1530nmよりも短い、請求項1に記載の光ファイバ。前記外側クラッドがフッ素ドープされている、請求項1に記載の光ファイバ。前記外側コア領域の最大半径が5乃至12μmの範囲にある、請求項1に記載の光ファイバ。管のオーバークラッド製法を用いる場合は、適当なクラッド管は、スート堆積あるいは溶融石英の成形によって作られてもよい。スート合成法によりこのように非常に大きなクラッド体を作ることにより高品質ガラスを得られるが、膨大な処理を要し、かなり高価である。大きな溶融石英体はもっと安価であるが、一般的に十分な純度ではない。まとめとして、VAD法はロッドインチューブオーバークラッド法と組み合わせは、比較的単純な屈折率プロファイルの大きなガラスコアロッドを形成するための高速で経済的な方法を提供する。しかし、クラッドがディプレスト屈折率分布を有するとき、従来技術による一般的に入手可能なディプレスト屈折率のクラッド管ではプリフォーム体全体を所望の光学的品質とすることができない。発明者は、ドーパントによる散乱損失の増加のレベルを低減する一連の光ファイバ屈折率プロファイルを設計し、伝送損失と高い生産性に関して従来の技術を顕著に進歩させるMCVD法とVAD法の組合せを用いる光ファイバ製造の複合方式を開発した。複合方式はそれぞれの処理技術の望ましい特徴を組み合わせている。また、発明者はこれらの方法を用いて製造された光ファイバの損失特性についても言及している。発明者はこれらの方法を用いて製造された光ファイバの損失特性が異なるということに着目して、構造損失特性を最適化するためにMCVDとVAD技術を組み合わせている。プロファイル設計により、1385nmのウォーターピーク損失をほぼゼロにし、良好なマクロベンド性能を維持しながらレーリー散乱を低減するように光のパワーを配分する最適化が可能である。本発明の好ましい実施例においてVAD法は添加物が高ドープされた内側コア、および添加物がより少なくドープされた、あるいはドープされない、外側コアを持つコアロッドを生成するために使われる。MCVD法はひとつ以上のディプレスト屈折率領域depressedindexregionsを有するクラッドを生成するために使われる。この基本的なプリフォーム製造方式を用いて、発明者は本質的にすべての光パワーがVAD材料およびMCVD材料の中に含まれ、例えば一般にパワーの60が、標準のシングルモードファイバのコアに見られるドーピングレベルの60より少ないGe添加レベルを有するVAD内側コアに含まれるように、パワー分布の大部分がVAD材料に含まれ、例えばパワーの20-40がドープしない、あるいはわずかにドープされたVADの外側コアに含まれるように、プロファイルと光パワー分布を適合させている。この方式の変形は超高純度OVD管をMCVDクラッド管と置き換えて類似のプリフォームを製造することである。本発明のよりよい理解のために、添付の図、および添付の請求の範囲とにより以下に説明する。なお、これらの図面中の構成要素は必ずしも寸法通りではない。ウォーターピークがゼロあるいは低い低損失ファイバは、VAD法、あるいはOVD法により大きく、経済的なプリフォームサイズ外径90mm以上で効率よく作られる。最も低い1385nm損失0.31dB/kmより低く、通常0.275dB/kmはVAD法により作られる150mmよりも大きいプリフォームサイズのコアロッドでほぼ確実に達成される。通常MCVD法はVAD法に比べてやや緩いウォーターピーク特性を持つより小さいプリフォーム60-90mmを作るために使われる。これはVAD法あるいはOVD法により堆積されたコア材料は焼結前のスートの脱水により通常乾燥状態[OH]<1ppbにあるということによっている。第2の理由はVAD法あるいはOVD法により大きなD/d比をもつ大きなコア母材を作ることが可能であることによる。すなわち、大きなコア母材90mm以上では第1のオーバークラッドとコアロッドとの境界面がコアから遠く離れていてよい、つまり、製造界面が低い光パワー部分となることによる。MCVD製法はプリフォームサイズが小さくたとえば、<70mmなければより小さいD/d比になり、大きなプリフォームで経済的な、低い、あるいはゼロウォーターピークがゼロ、あるいは低い光ファイバを達成することがより困難となる。1550nmに約17~20ps/nm/kmの分散と1310nm付近にゼロ分散波長を持つ一般的な光ファイバは通常シリカクラッドとGeをドープしたコアから成る光ファイバとFをドープしたクラッドとシリカコアから成る光ファイバの2つのタイプに分けられる。いずれの場合においても、導波路の全相対デルタは約0.35である。前者の光ファイバは一般にマッチドクラッドファイバmatchedcladfiber、あるいは標準シングルモードファイバSSMFとして知られ、0.185-0.195dB/kmのオーダーの光損失を有する。後者の光ファイバは通常純シリカコアファイバとして知られ、0.168dB/km付近に非常に低い光損失値を有する。この違いは、添加物をドープしたシリカに対して純シリカのレーリー散乱が低いことに起因するシリカコアファイバは優れた損失特性を持つことが実証されているが、不幸にも、このレベルの性能を達成するためにはマッチドクラッドファイバの5-10倍遅い線引き速度を必要とする。この線引き速度の制約が製造の生産性、および処理能力に影響を与え、シリカコアファイバの製造をより高価なものにする。このことが事実上その広範な商業的採用を妨げ、海中、あるいは長距離の中継器のない単一スパン用途に向けた特殊製品としている。以下に議論されるように、この発明の屈折率プロファイルは従来技術のこれら2種類の光ファイバの制約面に対処する。従来技術においては、1ファイバ損失の下限は従来のGeドープしたSSMFのようにコアに大量にGeをドープしたことによるレーリー散乱レベルの増加量によって決められる、あるいは2純シリカコアファイバのように非常に低い速度でファイバを線引きする必要性による割高なコストのためにファイバの現実的な適用場所が制限される。本発明による屈折率プロファイルは標準のシングルモードファイバの場合に一般的な速度でファイバを線引きする能力を維持しながら純シリカファイバに近い損失値を達成する。さらに、ここに開示されるVAD-MCVD複合製法はこの屈折率プロファイルを作るために好ましい方法である。図1にドープした領域12~16をもつ光ファイバプリフォーム11の横断面が示される。各領域はファイバの中心から半径方向に広がる5つの異なる屈折率プロファイルを有する層を表す。このプロファイルは上記で議論した複雑な屈折率プロファイルの代表例である。領域13と16は純シリカの屈折率を表し、領域14と15は屈折率を下げる添加剤がドープされている。光ファイバコア領域12は一般にGeO2が比較的大量にドープされる。第2のコア領域13はコア領域12と比較してドープ量が少ない領域であり、好ましい実施例では、純粋なシリカである。この議論においては、ガラスはシリカベースのガラスであると仮定し、用語純粋なシリカとは添加物をドープしていないシリカをいう。クラッド領域14はディプレスト屈折率を下げる添加剤がドープされた領域である。クラッド領域15はクラッド領域14と比較してドープ量が少ないディプレスト領域であり、領域16はこの実施例では純粋なシリカ領域として示されるが、あるいは領域15の延長であってもよい。このプロファイルにディプレスト屈折率領域があることにより、光ファイバ用プリフォームを作るための選択法は一般にMCVDである。これはMCVD法においてはフッ素をディプレスト領域にドープすることが比較的容易であることによる。フッ素のドーピングは一般にスート粒子をSiF4にさらすことにより達成される技術的によく知られているSiF4、SF6、C2F6などを用いることもできる。これはフッ素が多孔性のガラス構造の中に拡散し、かつ粒子の表面内への拡散することによる。MCVDのスートは多層に堆積し、焼結されるのでフッ素が拡散して消失することがない。こうして濃度プロファイルが全体にわたって正確にコントロールされるとともに比較的高いレベルのフッ素ドーピングが達成される。フッ素ドーピングに関するより詳しい情報は米国特許出願第09/755,914号2001年1月5日出願を参照のこと。この形式の製法は、いくつかの好ましいVAD製法、特に精製および焼結工程がスート堆積後の完全なブールに対して行われる製法と両立しないかもしれない。このことによりMCVD法はしばしばプロファイルにディプレスト屈折率特性を持つプリフォームを作るための好ましい選択である。他の最先端の光ファイバ製品と同様に、これらの屈折率プロファイルは低分散スロープ光ファイバのために重要である。これらの要因はディプレスト屈折率領域を持つプリフォームを作るためのすべてのMCVD法の利用についてあてはまるが、発明者はVAD法を用いて作られたプリフォームとMCVD法を用いて作られたプリフォームのOHによる汚れの本来的レベルにおける重要な差がその結論を修正するかもしれないことを発見している。OHの量は関連する伝送、あるいはラマンポンプ帯、特に1385nmにおけるのと同様に1460と1530nmの間のS波長帯における損失と関連している。GeOや他の損失を生成する欠陥のレベルもMCVD材料に対してVAD材料の方がより低いかもしれない。両方の場合について発明者はVADで作られたプリフォームから線引きされた光ファイバについてよりよい損失結果を測定した。それによって発明者はVADを用いて光ファイバプリフォームのコア領域、つまり図1の領域12および13、を作り、MCVDを用いてクラッド領域14および15を作ることの有効性を実証した。図2は図1に示すプリフォームから線引きされた光ファイバの屈折率プロファイル21を示す。図1はプリフォームの設計プロファイルプリフォーム外径は一般に63mmを示し、図2の具体的なプロファイルは光ファイバの屈折率プロファイルである。一般にプリフォームから作られる光ファイバは基本的にプリフォームのプロファイルを複製したものであるが、寸法はより小さい。図1のプリフォームの領域12-16に対応する図2の光ファイバの領域12-16が図2の上部に表示されている。内側のコア領域12はコア中心部の屈折率がデルタ≒0.002でとなるようにGeがドープされる。デルタは純粋なシリカの屈折率からの屈折率の偏差である。図2の縦軸は屈折率の絶対差として示されているが、しばしば表示の値に100を掛けてパーセントで表現される。内側コア領域12の屈折率のレベルは従来のシングルモードファイバに比較してかなり低いことが当業者には認められ、2wt未満のGeで達成可能である。一般的なシングルモード光ファイバのコアの場合、コア中心部は3.5wtあるいはそれ以上のドーピングレベルである。本発明の光ファイバのコアの比較的低いドーピングレベルはファイバ中の光損失を低減する。この例における内側コアの幅は約4μmである。この例における外側のコア領域13は純粋なシリカである。あるいは、外側のコアは若干ドープされてもよい。例えば0.001未満のレベルでGeがドープされてもよい。また、他の実施例においてフッ素をわずかにドープし、屈折率を下げる方向にしてもよい。ひとつの目的は比較的少ないドーピングによって外側コア層を作ることであって、これにより非常に低損失のコア材料を得る。-0.001~0.0005のデルタ範囲が適切である。外側のコア領域の幅が内側のコア領域の幅と同様の幅、つまり約4μmで示される。次の領域は屈折率のデルタが約-0.002で幅が約8μmのディプレスト屈折率領域14である。この領域はMCVDを用いて作られる。この領域の屈折率は一般に半径の関数としてほぼ一定であるが、平坦である必要はない。一般にディプレスト屈折率領域はSiO2からなり、所望の屈折率を達成するために適量のフッ素がドープされる。この例の領域15はMCVD出発管で形成される。出発管は屈折率が約0.008下がるようにわずかに屈折率を下げる添加剤がドープされる。この領域の幅、約16μm、は出発管の厚さによって決められる。図2に示される最後の層は純粋なシリカから成る領域16である。純粋なシリカから成るオーバークラッド管によりこれを形成することが好都合である。しかしながら、曲げ損失に対するファイバの感受性を減ずるために領域15と同様のわずかに屈折率を下げる添加剤がドープされた材料として、本発明の低損失、高い線引き生産性の特徴を維持してもよい。基本的に光のパワーはこの領域を通過しないのでこの領域の光伝送特性は相対的にあまり重要ではない。図2の光ファイバの例における光パワーの分布を表す光パワー分布が22で示される。縦軸は任意である。光パワーは内側コア12の中央部領域で強く導波し、内側コアの外側部分、および外側コアを通って基本的にガウス分布形をとって急激に減衰する。コアとディプレストクラッド領域14の境界面でパワーは低い値に減衰する。本発明のひとつの目的は基本的に全パワー分布を低損失のVADおよびMCVD領域に閉じ込めることである。MCVD出発管が始まる境界、つまり領域14と15の間の境界には基本的に光のパワーは存在しない。したがって領域15の光損失および他の光特性は基本的に全パワー分布が含まれる内側の層ほど重要ではない。例えばファイバが曲げられるなどある環境のもとでは外側の領域が機能し、損失を防止する助けを果たす。結果として、MCVD法で製造された領域14の外側領域の設計は示されているものと異なる構成と特性であってよい。例えば、領域16は曲げ損失を制御するために屈折率を下げる添加剤がドープされてもよい。あるいは出発管は領域14のレベルと同程度のレベルにドープされてもよい。他の領域、例えば1つあるいは複数の屈折率を上げる添加剤がドープされたリング状の領域が含まれてもよい。図2のパワー分布22を参照して、この光ファイバの特性の測定値が以下の表に与えられている。これらのデータのパワー分布は1550nmで測定された。1385nmでのパワー分布の測定により97.8のコアのパワー分布、および約2.2のMCVD層パワー分布が得られた。よく知られているように光のパワーは構造体を通ることにより急激に減少するのでVAD/MCVDの結合した領域に含まれるパワーの分布は100ではないが、本発明の設計により少なくとも99になるであろう。発明の目的は一般に以下の表の設定値を持つ光ファイバによって満足させられる。好ましい実施例において、内側コアと外側コアを結合した半径は5~12μmに等しい。これらの一般的な設計によるプロファイルの特徴は基本的に全パワー分布をVAD/MCVD領域に閉じ込めることに加えて、大部分、>90、好ましくは>96がVAD領域内に含まれ、OH含有量、およびOH界面の汚れの可能性が小さいことである。光パワーの大部分を伝送するコアの大部分に理論的に最適な低損失る純粋なシリカを使うことは設計の全体的な実効性に顕著に寄与する。VADコアロッドとMCVDクラッド管で作られたプリフォームはロッドインチューブ法により組み立てられてもよい。一般的なロッドインチューブ法が図3および4に記載されている。参照されている図は必ずしも寸法どおりに描かれていないことが理解されるべきである。実際に一般的に使われる代表的な寸法のクラッド管は通常長さ対直径の比が10-15である。コアロッド32がクラッド管31の内部に挿入されて示されている。管31は単管あるいはいくつかの同軸の管でもよい。一般にこの時点でコアロッドはすでに焼結されている。管はすでに焼結されていてもよく、あるいはまだ多孔質であってもよい。通常、コアロッドの製造にはいくつかの共通的な選択肢がある。それはセンターコアのみであってもよく、あるいはひとつ以上の追加された層を含んでもよい。コアロッドがVADを用いて作られる本発明の主要な実施例においてコアは層12および13からなる。非常に高品質のガラス成形技術によって作られるクラッド管が層14に使われてもよい。しかし、一般的に利用可能な超高純度の管の入手が限られるという観点から層14は好ましくはMCVDを用いて作られる。屈折率を下げる添加剤がドープされた層14は基材管15の内面上の屈折率を下げる添加剤がドープされたMCVD層によって形成される。図4において、コアロッド32と管31の組み立て後、組合せ体は最終のプリフォームを形成するために縮径され、棒の外側表面と管の内側表面の間の境界面34は基本的に区別できない。この工程は線引き処理の前あるいは線引き中にあってもよい。クラッドを追加する処理、例えば層16を形成するためにオーバークラッド管を加える処理は、いま述べたロッドインチューブ法と同様の手順に従ってもよい。あるいはプリフォームはオーバークラッド管、MCVD管、およびコアロッドをひとつの操作で縮径することにより組み立ててもよい。次いで上に述べたように光ファイバプリフォームは光ファイバを線引きするために使われる。図5はプリフォーム51、およびガラスプリフォームを軟化しファイバ線引きを開始するために使われる炉図示しないを表すサセプタsusceptor52とともに光ファイバ線引き装置を示す。線引きされたファイバが53で示される。それから初期のファイバ表面は一般にコーティングプレポリマ56を含む槽55を有する54で表示されるコーティングカップを通される。液体をコートされたファイバはダイdie57を通ってコーティング槽から出る。ダイ57とプレポリマの流体力学の組合せがコーティング厚さを制御する。それからプレポリマをコートされたファイバ58はプレポリマを架橋硬化し、コーティング処理を完了するためにUVランプ59に照射される。他の架橋硬化のための放射が適当なところで使われてもよい。次いでコーティングが架橋硬化されたファイバは巻取りリール60に巻き取られる。巻取りリールはファイバの線引き速度を制御する。一般に1~30m/秒の範囲の線引き速度が使われる。ファイバとコーティングの同心性を維持するためにファイバがコーティングカップの中、特にダイス61の出口で中心に置かれることが重要である。一般に商用の装置はファイバの位置合わせを制御するプーリーを持っている。金型の中の流体力学的圧力そのものがファイバを中心に置くことを助けている。マイクロステップインデクサ図示しないによって制御されるステッピングモータが巻取りリールを制御する。光ファイバのコーティング材料は一般にUV光架橋材が加えられたウレタン、アクリレート、あるいはウレタン-アクリレートである。図5の装置は1つのコーティングカップ付で示されているが、2重のコーティングカップをもつ2重のコーティング装置が通常使われる。2重にコートされたファイバの場合、一般に1次のあるいは内側のコーティング材はシリコン、ホットメルトワックス、あるいは比較的低い弾性率をもつ数多くのポリマー材料のうちのいずれかなど軟らかい低弾性率の材料である。2次の、あるいは外側のコーティング用の通常の材料は高弾性のポリマー、一般にはウレタンあるいはアクリル系である。商業ベースでの実務においては両方の材料は低および高弾性率のアクリレートであってもよい。コーティングの厚さは一般に直径150~300μmの範囲であり、標準は約245μmである。本発明の優れた効果が既知の光ファイバ損失のメカニズムの背景の中で実証された。シリカベースのファイバを設計し、作製する現状の技術が進歩してきた点は、1550nm領域におけるOHによる汚れやわずかに残る金属などの吸収効果、あるいはガラス構造中の電子欠陥、あるいは曲げ損失などの波長効果に起因する過度の損失が基本的に除去されたということである。したがって、現在の光ファイバの損失の下限は純粋なシリカのレーリー散乱損失によって決められる。導波路構造を形成するために使われている屈折率を変化させるためのドーパント、つまり一般的にはGeあるいはF、の存在が純粋なシリカと比較してドープされたガラスのレーリー散乱損失を増加させる有害な影響を与えている。Ohashiのシリカベースシングルモードファイバの光損失特性JLTVol10、No.5、1992年5月はレーリー散乱係数を以下のように決定した。Geをドープしたシリカファイバに対して:Fをドープしたシリカファイバに対して:ここでA0は純粋なシリカのレーリー散乱係数、ΔGeおよびΔFはそれぞれGeおよびFドーピングにともなう正規化された屈折率差である。これらの公式はゲルマニウムおよびフッ素をドープしたシリカは純粋なシリカに比較してレーリー散乱係数が高く、その結果過度の散乱損失をもたらすことを明らかに示している。ここに開示される一群のプロファイル設計はマッチドクラッドファイバ設計と比較して光パワーの大部分を伝播するファイバの領域におけるゲルマニウムおよびフッ素のドーピングレベルを低減し、その結果レーリー散乱係数を低減することによりファイバ損失を低減するように設計される。純粋なシリカに対する導波路にドープした領域を有する場合のレーリー散乱損失の増加によるファイバ損失の影響を定量化するために、ファイバ横断面全体にわたる光パワー密度で重み付けしたGeおよびFドーピング濃度の積分として散乱損失基準の増加を定義する。ここでGerおよびFrは、半径方向の位置rの関数で重量パーセントを単位とするGeおよびFドーピング濃度であり、Erは基本モードのrの関数としての電場である。図6は種々の大きな有効断面積の非分散シフトファイバについて観測された損失対散乱損失基準の増加のプロットを示す。点61および62はそれぞれ一般的に入手できる純粋シリカおよびGeをドープしたコアのファイバに対する結果を表す。ファイバ損失がレーリー散乱に支配されると仮定するとこれら2つの例のファイバの値の間にある散乱損失基準の増加を持つファイバはこれら2つの点を結ぶ線65にほぼ添うファイバ損失を持つであろう。63および64の点は2つの本発明のファイバの例に対する結果を表す。これらのファイバ例に対する散乱損失基準の増加値は2.0よりもわずかに少なく測定損失値は約0.180dB/kmである。本発明の好ましい実施例は図2に示される屈折率プロファイルを持ち、その値は散乱損失基準の増加が約1.0、ファイバ損失の期待値が0.174dB/kmである。本発明のパワーで重み付けしたドーピング濃度の積分の範囲は一般に約1~2の範囲内に入る。図7は図6の点63で示される線引き速度18m/sで線引きされたファイバの伝送損失スペクトルを示す。このファイバの1550nmおよび1385nmにおける伝送損失は0.180および0.284dB/kmであり、優れた低損失性能を実証している。ファイバの屈折率プロファイル設計およびファイバ製造方法に関連する他のファイバ損失性能の課題はファイバがゼロウォーターピークZWP特性を満たせる能力である。ZWP特性は1385nm近傍の波長領域でのOH吸収ピークにおける初期損失が非常に低いことと、ファイバが全運用期間中に水素分子にさらされたときの安定した長期経時損失を要求する。ZWP特性を付与するために重要な観点はVAD堆積処理によって形成された内側および外側のコア領域の極めて乾燥した性状である一般に<0.5ppb[OH]。本発明の好ましい実施例において、通常>95の光パワーがVADにより形成されたファイバ領域内を伝播する。また、外側のコア領域に隣接するディプレスト屈折率領域の非常に乾燥した性状がZWP特性を付与するために重要である。標準のMCVD処理では、一般に[OH]濃度は<3.0ppbであるが、標準のMCVD処理によって達成できる乾燥性は一般に数パーセントのパワーがこの領域内を伝播するだけなのでこの領域に十分な性能を与える。ZWPであるこのようなファイバ設計の実現は、MCVD処理により形成された材料による管と同程度の[OH]汚れレベルである超高純度のフッ素ドープした管により、コアロッドに隣接するディプレスト屈折率の溝領域全体を形成することによって可能となるであろうことが予見できる。しかし、商業的に入手可能な合成シリカ管の現状は約200ppbの[OH]汚れレベルであるので、これらの管は目下のところ一般的には適用できない。ZWP性能に関して本発明の他の特質はパワーの99以上がVAD、MCVDあるいは超高純度管で形成される領域内を伝播することである。これに関して本発明の4番目の特質はVADコアロッドと第1のオーバークラッド管の間の境界面をほぼ中心とする1μm厚さの領域内に含まれる光のパワーのパーセンテージは約2より少ない、好ましくは0.5よりも少ないことである。オーバークラッド前のコアロッドの処理およびオーバークラッド工程が境界面をほぼ中心とする1μm領域にわたる[OH]汚れを20ppbあるいはそれ以下に維持していることが好ましい。これは乾燥した雰囲気中で延伸炉を乾燥した雰囲気中とする、オーバークラッド前のコアロッドおよび管の表面をプラズマおよび/あるいは化学エッチングする、およびオーバークラッド処理の間に境界面の空隙の乾燥した雰囲気を維持するために塩素のような乾燥剤を使うなどの処理技術を必要とするかもしれない。図8は境界面を中心とする1μm厚さの環帯の中に伝播するパワーのパーセンテージの関数として境界領域でのOH汚れに起因する1385nmにおける損失の増加の計算結果を示す。2つの曲線は上に述べた乾燥したオーバークラッド処理がされるときと、もっと一般的なオーバークラッド処理がされるときに観察される典型的なレベルのOH汚れに対する損失の増加を示す。良好なZWP処理のためには乾燥させた処理技術が好ましく、適切に実行されるとその結果境界面でのパワーは約2に満たなくなる。そのクラスで最高の標準マッチドクラッドファイバに対する0.185からここに開示される発明に対する~0.175まで損失を低減することは100km地上波システムに対するスパン損失の1dB低減、および50~70km海底システムに対する~0.5から0.7dB低減を意味する。地上波システムにおけるこの1dBは全システム長を延長する、あるいは他の構成要素のコストあるいは仕様を低減するために使えるマージンとなる。ゼロまたは無視できるウォーターピーク損失は1385nm近傍にラマンポンプを置くための能力を拡大し、低レーリー散乱損失と低ウォーターピーク損失の組合せはラマンポンプを1350から1450nmまでの全領域にわたってより効率的にする。海底の場合、追加される0.5-0.7dBはきわめて高価な深海用リピータ間の距離を広げることに使え、所与のシステム長とするために必要とされるリピータの総数を低減する。これは顕著なコストセービングを意味する。本発明によるファイバは負の分散ファイバあるいはより高次モードのファイバに基づく分散補償モジュールとともに利用されてもよい。それらは正の分散本発明のようなを持つケーブル化されたファイバと負の分散と負の分散スロープを持つケーブル化されたファイバとが組み合わされた分散マネージ線路の一部として配置されてもよい。。通常、分散マネージ線路の設計では出射パワーが最大の場合の非線形性を最小にするために大きな有効断面積を持つ正の分散ファイバの切片部分をトランスミッタの直後に配置する。非線形性を最小にするために光パワーが正の分散ファイバでのファイバ損失によって減衰させられた後、有効断面積のより小さい負の分散ファイバがスパンに接続される。ラマン増幅システムでは配列順が修正されてもよい:正の分散ファイバである大きな有効断面積の区間;続いて、負の分散ファイバであるより小さい有効断面積の区間;続いて、有効断面積が大きい正の分散ファイバである第2の区間が続く。辺境地帯あるいは島の間のように離れた場所ではしばしばリピータを使わないつまり、増幅されないシステムが望ましい。このようなシステムでは高出射パワーと分布型ラマン増幅器の組合せがインラインの光増幅器を使わずに200-300kmにわたる伝送を可能にすることに役立つ。そのようなシステムはファイバの最小損失、通常およそ1570~1580nm、の近傍にその伝送波長を用いる。ここに開示される形式の光ファイバは信号帯域の伝送損失を低減し純粋なシリカコアファイバよりも経済的に作られた。無視できる程度のウォーターピーク損失は、ウォーターピークがある位置にきわめて接近した~1375nmに有効な2次ラマンポンプの設置を可能にする。また、100μm2より大きな有効断面積を持つことで、高射出パワーに関わる非線形性を軽減することが出来る。ここに開示される新しい種類の光ファイバは分散による符号間干渉を軽減するための何らかの方式の信号処理に用いる10Gbpsおよびより高速の伝送システムという新たなカテゴリーにも理想的であろう。これらのシステムでは電気の分野で行われるすべての信号処理について光学的な分散補償はトランスミッタでの前置強調および/あるいは受信機での等化によって補完されるか、あるいは完全に置き換えられよう。これらの電子的な分散軽減方式はリニアで決定的な機能的障害にもっともよく効果を示す。この事例において伝送システムの性能とコストは分散障害の軽減にはほんの僅かしか左右されず、多くが減衰損失と非線形性の低減により決まる。ここに開示されるカテゴリの110μm2の有効断面積と0.175dB/kmの信号帯域損失を持つようなファイバは、そのようなシステムで使われるとき標準マッチドクラッドファイバに対して2dBの性能改善を生ずることが計算できる。さまざまな追加的な修正が当業者には生じるであろう。本発明の原理やそれらと同等のものに基本的に依拠し、技術進歩に伴って生じた本明細書の具体的な教示からの全ての派生は、記載され請求された本発明の範囲内であると適切に考慮されるべきである。"