"表面の交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたデバイスウェーハを個々のデバイスチップへと分割するウェーハの分割方法であって、デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をデバイスウェーハの内部に位置付け該レーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して、該分割予定ラインに沿って連続した連続改質層を形成する連続改質層形成ステップと、該連続改質層形成ステップを実施する前または後に、デバイスウェーハの内部で該連続改質層よりデバイスウェーハの表面側に該レーザビームの集光点を位置付けて該レーザビームを該分割予定ラインに沿って所定の間隔を設けて照射することで、デバイスウェーハの内部に該分割予定ラインに沿って所定の間隔を隔てた複数の改質層からなる非連続改質層を形成する非連続改質層形成ステップと、該非連続改質層形成ステップと該連続改質層形成ステップとを実施する前または後に該デバイスウェーハの裏面にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、該エキスパンドシート貼着ステップと該非連続改質層形成ステップと該連続改質層形成ステップとを実施した後、該エキスパンドシートを拡張することでデバイスウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの分割方法。特許文献1に開示されるように、分割予定ラインに沿って改質層を形成した後、外力を付与してウェーハの分割を実施する場合において、ウェーハの分割性を向上させる方法として、ウェーハ内部により多くの改質層領域を形成することが考えられる。しかし、改質層は周囲の箇所とは物理的特性が異なり、改質層の周囲にクラック亀裂が発生し得る状況となる。このため、例えばウェーハの表面付近に改質層を形成すると、改質層からクラックが進行してウェーハの表面に達してしまう場合がある。なお、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、1溶融再硬化領域、2クラック領域、絶縁破壊領域、3屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。そして、外力を付与してウェーハを分割する前にクラックがウェーハの表面に達すると、ウェーハを意図しない方向に分割させてしまい、デバイスを損傷させてしまうというおそれがある。特に結晶面が100であるシリコンウェーハは、劈開面の面方位が<011>となり、分割予定ラインの方向が劈開面に対して45度方向に形成されているものが多い。このようなシリコンウェーハを分割予定ラインに沿って分割する場合には、劈開面に沿ったクラックによるデバイス破損の問題が顕著となる。そこで、本発明は、クラックによってウェーハ表面のデバイスを破損するおそれを低減するための分割方法を提供することを目的とする。本発明では、表面の交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたデバイスウェーハを個々のデバイスチップへと分割するウェーハの分割方法であって、デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をデバイスウェーハの内部に位置付けレーザビームを分割予定ラインに沿って照射して、分割予定ラインに沿って連続した連続改質層を形成する連続改質層形成ステップと、連続改質層形成ステップを実施する前または後に、デバイスウェーハの内部で連続改質層よりデバイスウェーハの表面側にレーザビームの集光点を位置付けてレーザビームを分割予定ラインに沿って所定の間隔を設けて照射することで、デバイスウェーハの内部に分割予定ラインに沿って所定の間隔を隔てた複数の改質層からなる非連続改質層を形成する非連続改質層形成ステップと、非連続改質層形成ステップと連続改質層形成ステップとを実施する前または後にデバイスウェーハの裏面にエキスパンドシートを貼着するエキスパンドシート貼着ステップと、エキスパンドシート貼着ステップと非連続改質層形成ステップと連続改質層形成ステップとを実施した後、エキスパンドシートを拡張することでデバイスウェーハを分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの分割方法が提供される。本発明では、ウェーハの内部における表面側には非連続改質層が形成されるため、表面に達するクラックの発生を低減できるとともに、ウェーハの内部における裏面側には連続した改質層が形成されるため、良好な分割性が確保できる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明実施形態に係るレーザ加工装置2の外観斜視図を示している。レーザ加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。図2に示すように、加工対象のウェーハWは、例えばシリコンウェーハの表面にデバイスが形成された半導体デバイスウェーハから構成され、ウェーハWの表面においては第1の分割予定ラインストリートS1と第2の分割予定ラインストリートS2とが直交されて形成されており、第1の分割予定ラインS1と第2の分割予定ラインS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。なお、加工対象となるウェーハWについては、半導体デバイスウェーハのほか、光デバイスウェーハも考えられる。ウェーハWは粘着シートであるエキスパンドシートTに貼着され、エキスパンドシートTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウェーハWはエキスパンドシートTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウェーハカセット8中にウェーハが複数枚例えば25枚収容される。ウェーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。ウェーハカセット8の後方には、ウェーハカセット8からレーザ加工前のウェーハWを搬出するとともに、加工後のウェーハをウェーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウェーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウェーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。仮置き領域12の近傍には、ウェーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。仮置き領域12に搬出されたウェーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル保持テーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引保持されるとともに、複数の固定手段クランプ19によりフレームFがクランプされることでチャックテーブル18上に吸引保持される。チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウェーハWのレーザ加工すべき分割予定ラインを検出するアライメント手段20が配設されている。アライメント手段20は、ウェーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべき分割予定ラインを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウェーハWに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24が配設されている。レーザビーム照射ユニット24のケーシング26中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング26の先端にはレーザビームを加工すべきウェーハ上に集光する集光器28が装着されている。図3を参照すると、レーザ加工装置2のレーザビーム照射ユニット24のブロック図が示されている。レーザビーム照射ユニット24は、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器34と、繰り返し周波数設定手段36と、パルス幅調整手段38と、パワー調整手段40を含んでいる。レーザビーム照射ユニット24のパワー調整手段40により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、集光器28のミラー42で反射され、更に集光用対物レンズ44によって集光されてチャックテーブル18に吸引保持されているウェーハWに照射される。レーザビーム照射ユニット24によりレーザ加工が終了したウェーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により把持されてスピンナ洗浄装置30まで搬送される。スピンナ洗浄装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウェーハWを低速回転例えば800rpmさせることによりウェーハWを洗浄する。洗浄後、ウェーハWを高速回転例えば2000rpmさせながらエアノズルからエアを噴出させてウェーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウェーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウェーハカセット8の元の収納場所にウェーハWは戻される。以上の構成とするレーザ加工装置を用い、以下に説明される特徴的な実施形態により、本発明が実施可能である。即ち、表面の交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたデバイスウェーハを個々のデバイスチップへと分割する分割方法であり、まずは、図2に示されるように、ウェーハWの裏面にエキスパンドシートTを貼着するエキスパンドシート貼着ステップが実施される。このエキスパンドシート貼着ステップは、後述の非連続改質層形成ステップと連続改質層形成ステップとを実施する前または後に行うことができる。また、図4及び図5に示すように、ウェーハWに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Q図5参照をウェーハWの内部に位置付けレーザビームを分割予定ラインに沿って照射して、分割予定ラインに沿って連続した連続改質層を形成する連続改質層形成ステップが実施される。具体的には、レーザビーム照射ユニット24の集光器28からレーザビームが照射され、X軸方向と平行となるように位置決めされた第1の分割予定ラインS1に沿うように連続的に改質層が形成される。図5は、連続改質層形成ステップが実施される際のウェーハWの断面を模式図で表したものであり、連続改質層形成ステップにおいて、レーザビーム照射ユニット24からウェーハW内部厚み方向の内側に集光点Qを合わせることで、ウェーハW内に連続改質層L2が形成される様子が示されている。本実施形態では、連続改質層L2に加え、ウェーハWの裏面側にもう一つの連続改質層L1が形成されることとし、複数の連続改質層を形成している。このように複数の連続改質層を形成することにより、ウェーハWの分割性を向上させることが可能であり、例えば、ウェーハWの厚みに応じて連続改質層を形成する数1層、あるいは、複数層2層以上が設定される。また、図6に示すように、連続改質層形成ステップを実施する前または後に、ウェーハの内部で連続改質層L1,L2よりウェーハWの表面Wa側にレーザビームの集光点Qを位置付けてレーザビームを分割予定ラインに沿って所定の間隔を設けて照射することで、ウェーハWの内部に分割予定ラインに沿って所定の間隔M1を隔てた複数の改質層Laからなる非連続改質層LAを形成する非連続改質層形成ステップが実施される。本実施形態では、分割予定ラインに沿って照射距離M2となるようにレーザビームを所定の間隔を空けるように断続的に照射することで、互いに所定の間隔M1で離間する改質層Laが断続的に形成されることとし、これにより、分割予定ラインに沿って非連続改質層LAが形成されることとしている。ここで、非連続改質層LAは、ウェーハWの厚み方向の内側であって、連続改質層L1,L2よりも、ウェーハWの表面Waに近い側ウェーハWの裏面Wbから遠い側に形成される。非連続改質層LAは、断続的な改質層Laによって形成されるため、連続的に改質層を形成する場合と比較して改質層が形成される領域が少なくなる。これにより、改質層の周囲に形成されるクラックの発生を低減することができ、ひいては、ウェーハWの表面Waに達するクラックの発生を低減することが可能となる。一方、連続改質層L1,L2は、ウェーハWの厚み方向の内側であって、非連続改質層LAよりも、ウェーハWの裏面Wbに近い側ウェーハWの表面Waから遠い側に形成される。これにより、後述する分割ステップにおいては、デバイスウェーハの良好な分割性分割されやすさを確保できることになる。以上のように、エキスパンドシート貼着ステップと非連続改質層形成ステップと連続改質層形成ステップを実施することで、図7に示すように、ウェーハWの厚み方向の内側において、連続改質層L1,L2と非連続改質層LAが形成された状態となる。なお、図4乃至図7は、第1の分割予定ラインS1に沿って改質層が形成された様子を示すものであり、第2の分割予定ラインS2に沿った改質層の形成についても同様に行われる。図7に示される各改質層の厚みH1,H2,H3については、例えば、20μm~40μmに設定される。また、各改質層の間の間隔Ha,Hbについては、例えば、20μm~40μmに設定される。また、ウェーハWの表面Waから非連続改質層LAまでの距離Hcは、例えば、30μm~60μmに設定される。さらに、非連続改質層LAにおける照射距離M2は、例えば、0.2mm~0.5mmに設定され、各改質層Laの間の所定の間隔M1は、例えば、0.05mm~0.1mmに設定される。図7に示す構成において、連続改質層L1,L2、非連続改質層LAを形成する順番は特に限定されないが、レーザビーム入射面から最も遠い位置の改質層から形成していくことが好ましい。既に形成された改質層によりレーザビームが乱れることが発生しないためである。また、図5及び図6に示される連続改質層形成ステップ、非連続改質層形成ステップにおいては、エキスパンドシートTをウェーハWに貼着する前、または、後に、ウェーハWの裏面Wb側からレーザビームを照射するようにしてもよい。エキスパンドシートTを貼着した後にレーザビームを照射する場合には、エキスパンドシートTを介してレーザビームを照射する。そして、以上のように、エキスパンドシート貼着ステップと非連続改質層形成ステップと連続改質層形成ステップを実施した後、図8ABに示される分割装置60を用い、エキスパンドシートTを拡張することでウェーハWを分割予定ラインに沿って分割する分割ステップが実施される。具体的には、図8Aに示すように、ウェーハWをエキスパンドシートTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材66の載置面66a上に載置し、クランプ68によってフレーム保持部材66を固定する。このとき、フレーム保持部材66はその載置面66aが拡張ドラム70の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。次いで、エアシリンダ76を駆動してフレーム保持部材66を図8Bに示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材66の載置面66a上に固定されている環状フレームFも下降するため、環状フレームFに装着されたエキスパンドシートTは拡張ドラム70の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。その結果、エキスパンドシートTに貼着されているウェーハWには放射状に引張力が作用する。このようにウェーハWに放射状に引張力が作用すると、分割予定ラインに沿って形成された連続改質層L1,L2、および、非連続改質層LAの部位は強度が低下されているので、この各改質層が形成される部位が分割基点となってウェーハWは分割予定ラインに沿って破断され、個々の半導体チップデバイスDに分割される。そして、この分割ステップにおいて、ウェーハWには連続改質層L1,L2に加え非連続改質層LAが形成されていることから、良好な分割性が確保できることになる。"