複数の基板を積載配置して収容する処理容器と、前記処理容器に、前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器を排気する排気手段と、を有し、前記排気手段は、真空ポンプと、前記処理容器と真空ポンプを接続する排気配管とを備え、前記排気配管の少なくとも一部が、リブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する配管で構成される基板処理装置。半導体装置は近年ますます微細化されており、半導体装置等を製造する際に用いられる基板処理装置は、微細化に伴うガス吸着特性改善のために低圧化が求められている。低圧化するためには、真空ポンプの排気速度を上昇させることが有効な手段であるが、基板処理装置の排気速度は、排気系のコンダクタンスに律速されるので、排気系のコンダクタンスの改善も併行して行う必要がある。しかしながら、コンダクタンスを増すために、単純に従来の装置の排気系を大口径化したのでは、装置のフットプリントが大きくなってしまうという問題があった。本発明の主な目的は、装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置を提供することにある。本発明によれば、複数の基板を積載配置して収容する処理容器と、前記処理容器に、前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器を排気する排気手段と、を有し、前記排気手段は、真空ポンプと、前記処理容器と真空ポンプを接続する排気配管とを備え、前記排気配管の少なくとも一部が、リブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する配管で構成される基板処理装置が提供される。本発明によれば、装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置が提供される。以下、本発明の好ましい実施の形態の基板処理装置について図面を参照しながら説明する。この基板処理装置は、一例として、半導体装置半導体デバイスとしてのICIntegratedCircuitの製造方法における基板処理工程としての成膜工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に対して酸化、窒化、拡散処理やCVD処理などを行うバッチ式縦型装置以下、単に処理装置という場合もあるを用いた場合について述べる。図1を参照すれば、基板処理装置101では、基板の一例となるウエハ200を収納したカセット110が使用されており、ウエハ200は半導体シリコン等の材料から構成されている。基板処理装置101は筐体111を備えており、筐体111の内部にはカセットステージ114が設置されている。カセット110はカセットステージ114上に工程内搬送装置図示せずによって搬入されたり、カセットステージ114上から搬出されたりする。カセットステージ114上にはカセット110が、工程内搬送装置図示せずによって、カセット110内のウエハ200が垂直姿勢を保持しかつカセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ114は、カセット110を筐体111の後方に向けて縦方向に90°回転させ、カセット110内のウエハ200を水平姿勢とさせ、カセット110のウエハ出し入れ口を筐体111の後方を向かせるような動作が可能となるよう構成されている。筐体111内の前後方向の略中央部にはカセット棚105が設置されており、カセット棚105は複数段複数列にて複数個のカセット110を保管するように構成されている。カセット棚105にはウエハ移載機構125の搬送対象となるカセット110が収納される移載棚123が設けられている。カセットステージ114の上方には予備カセット棚107が設けられ、予備的にカセット110を保管するように構成されている。カセットステージ114とカセット棚105との間には、カセット搬送装置118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ118aと、搬送機構としてのカセット搬送機構118bとを備えている。カセット搬送装置118はカセットエレベータ118aとカセット搬送機構118bとの連動動作により、カセットステージ114とカセット棚105と予備カセット棚107と移載棚123との間で、カセット110を搬送するように構成されている。カセット棚105の後方には、ウエハ移載機構125が設置されている。ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置125aと、ウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ125bとを備えている。ウエハ移載装置125aにはウエハ200をピックアップし、水平姿勢で保持するためのツイーザ125cが設けられている。ウエハ移載装置125はウエハ移載装置125aとウエハ移載装置エレベータ125bとの連動動作により、ツイーザ125cをウエハ200の載置部として、ウエハ200を移載棚123上のカセット110からボート217に対して装填チャージングしたり、ボート217から脱装ディスチャージングして移載棚123上のカセット110に収容したりするように構成されている。筐体111の後部上方には、ウエハ200を熱処理する処理炉202が設けられており、処理炉202の下端部が炉口シャッタ147により開閉されるように構成されている。処理炉202の下方には処理炉202に対しボート217を昇降させるボートエレベータ115が設けられている。ボートエレベータ115の昇降台にはアーム128が連結されており、アーム128にはシールキャップ219が水平に据え付けられている。シールキャップ219はボート217を垂直に支持するとともに、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート217は複数の保持部材を備えており、複数枚例えば50~150枚程度のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。カセット棚105の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット134aが設置されている。クリーンユニット134aは供給ファン図示せずおよび防塵フィルタ図示せずを備えており、クリーンエアを筐体111の内部に流通させるように構成されている。筐体111の左側端部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット134bが設置されている。クリーンユニット134bも供給ファン図示せずおよび防塵フィルタ図示せずを備えており、クリーンエアをウエハ移載装置125aやボート217等の近傍を流通させるように構成されている。当該クリーンエアは、ウエハ移載装置125aやボート217等の近傍を流通した後に、筐体111の外部に排気されるようになっている。筐体111は、後方に、後側部301、302を備えている。後側部301と後側部302の間は、基板処理装置101のメンテナンスの際に使用されるメンテナンススペース303となっている。続いて、基板処理装置101の主な動作について説明する。工程内搬送装置図示略によってカセット110がカセットステージ114上に搬入されると、カセット110は、ウエハ200がカセットステージ114の上で垂直姿勢を保持し、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くようにカセットステージ114上に載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体111の後方を向くように、筐体111の後方に向かって縦方向に90°回転させられる。その後、カセット110は、カセット棚105ないし予備カセット棚107の指定された棚位置へカセット搬送装置118によって自動的に搬送され受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚105ないし予備カセット棚107からカセット搬送装置118によって移載棚123に移載されるか、もしくは直接移載棚123に搬送される。カセット110が移載棚123に移載されると、ウエハ200はカセット110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってカセット110のウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ウエハ移載装置125aとウエハ移載装置エレベータ125bとの連動動作によって、ボート217に装填チャージングされる。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはカセット110に戻り、後続のウエハ200をボート217に装填する。予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、処理炉202の下端部を閉じていた炉口シャッタ147が開き、処理炉202の下端部が開放される。その後、ウエハ200群を保持したボート217がボートエレベータ115の上昇動作により処理炉202内に搬入ローディングされ、処理炉202の下部がシールキャップ219により閉塞される。ローディング後は、処理炉202にてウエハ200に対し任意の処理が実施される。その処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ200およびカセット110が筐体111の外部に搬出される。次に、図2を参照して、前述した基板処理装置101に使用される処理炉202について説明する。図2を参照すれば、処理炉202にはウエハ200を加熱するための加熱装置加熱手段であるヒータ207が設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状の断熱部材と複数本のヒータ素線とを備えており、断熱部材に対しヒータ素線が設けられたユニット構成を有している。ヒータ207は、保持板としてのヒータベース図示せずに支持されることにより垂直に据え付けられている。また、ヒータ207に電力を供給する加熱用電源290が設けられている。ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に、ウエハ200を処理するための反応容器処理容器を構成する石英製の反応管203が設けられている。反応管203の下方には、反応管203の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は反応管203の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。反応管203の下部開口端部に設けられた環状のフランジとシールキャップ219の上面との間には気密部材以下Oリング220が配置され、両者の間は気密にシールされている。少なくとも、反応管203及びシールキャップ219により処理室201が形成されている。シールキャップ219にはボート217を支持するボート支持台218が設けられている。ボート支持台218は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され断熱部として機能すると共にボートを支持する支持体となっている。ボート217は例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成されている。ボート217はボート支持台218に固定された底板210とその上方に配置された天板211とを有しており、底板210と天板211との間に複数本の支柱212が架設された構成を有しているとしての圧力センサ245が設けられている。真空ポンプ246の下流側の排気管247は廃ガス処理装置図示せず等に接続されている。排気系300は、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、APCバルブ243は、弁を開閉して処理室201内の真空排気真空排気停止ができ、更に弁開度を調節してコンダクタンスを調整して処理室201内の圧力調整をできるようになっている開閉弁である。制御部制御手段であるコントローラ121が、マスフローコントローラ241a、241b、241eおよび241f、バルブ243a、243b、243c、243e、243f、243hおよび243i、気化器271a、オゾナイザ500、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、加熱用電源250、温度センサ263、ボート回転機構267、ボートエレベータ115等に接続されている。コントローラ121により、マスフローコントローラ241a、241b、241eおよび241fによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a、243b、243c、243e、243f、243hおよび243iの開閉動作、APCバルブ244の開閉及び圧力センサ245に基づく圧力調整動作、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、気化器271aおよびオゾナイザ500の制御、真空ポンプ246の起動停止、ボート回転機構267の回転速度調節動作、ボートエレベータ115の昇降動作等の制御等が行われる。次に、排気系300についてさらに詳細に説明する。上述したように、排気系300には、上流側処理室201側から順に、排気管231、APCバルブ244、排気管320、排気管330、排気管340、真空ポンプ246および排気管247が設けられている。図4を参照すれば、排気管231、320、340、247は断面が円形の丸型管である。排気管330は、上流側から順に排気管331~334を備えている。排気管331~333は、横断面形状が互いに同じであり、上下に積層されている。排気管331~333は横断面が矩形の角型管である。従って、横断面積を大きくしてコンダクタンスを大きくしても、基板処理装置101の筐体111の後側部302内に収容することができ、基板処理装置101のフットプリントが拡大することはない図7参照。これに対して、断面が円状の丸型管360を使用して、コンダクタンスを大きくするため、その横断面積を大きくすると、図8に示すように、丸型管360を収容するために筐体111の後側部302’を大きくする必要が生じ、その分、基板処理装置101のフットプリントが拡大してしまう。排気系300の構成によるが、図9に示すように、筐体111の後側部302内に収容することができる丸型管351と、図7に示すように筐体111の後側部302内に収容することができる角型排気管331~333との比較では、角型排気管331~333を使用した場合の方が、N2、30slm供給で、数Pa~数十Paの低圧化が図れた。このように、角型排気管331~333を使用することによって、基板処理装置101のフットプリントを増大させることなく、排気系300のコンダクタンスを改善でき、真空ポンプ246の排気性能を生かすことができるようになる。その結果、基板処理装置101のフットプリントを増大させることなく、低圧化をすることができ、微細化に伴うガス吸着特性改善を図ることができるようになる。なお、排気管331~333の断面積は、排気量処理室201内の到達圧力に応じて決定される。このように、本実施の形態では、コンダクタンスを改善でき、排気量を大きくできるため、低圧化を達成できるので、本実施の形態の装置は、蒸気圧の低い原料ガスを用いる装置に好適に使用できる。また、プラズマ処理を行う装置では低圧化が要求されるので、本実施の形態の装置は、プラズマ処理を行う装置に好適に使用できる。図5を参照すれば、排気管331~333は、その縦A横B比A/Bが、8:1以下であることが好ましい。装置幅を従来の丸型管を用いた場合と同様に維持しつつ所望の到達圧力を達成するために好適だからである。また、図5に示すように、排気管331~333は、補強のために、それぞれ少なくとも一つのリブ370を有することが好ましい。リブ370は、図5に示すように、排気管331~333の内側に設けてもよく、図6に示すように、排気管331~333に外付けしてもよい。なお、筐体111は、クリーンルームの床400の上に設置されているので、筐体111の後側部302内に収容されている排気管331~333も、クリーンルームの床400の上に設置されている。排気管334は、クリーンルームの床400の下に設置されている。排気管334も横断面が矩形の角型排気管であるが、クリーンルームの床400の下に設置されているので、その大きさは、基板処理装置101のフットプリントに直接的には影響を与えない。排気管340および真空ポンプ246もクリーンルームの床400の下に設置されている。排気管247は、屋外等に設置された廃ガス処理装置等にクリーンルームの床400の下を介して接続されている。なお、処理炉202と角型の排気管330排気管331~333とを直結させていないのは、セットアップやメンテナンス時に処理炉202を出せないためである。また、排気管331~333は、横断面が矩形の角型管であるが、排気管331~333の横断面は、長方形でもよく、矩形やL字型でもよい。この場合も、補強のために、排気管の内側または外側にリブを有することが好ましい。さらに、排気管331~333として、断面が楕円形の排気管を用いてもよい。この場合も、補強のために、排気管の内側または外側にリブを有することが好ましい。このように、排気管331~333として、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する排気管を用いることが好ましく、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の排気管を用いることがより好ましい。この場合も、補強のために、排気管の内側または外側にリブを有することが好ましい。次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置半導体デバイスの製造工程の一工程として、基板上に、DRAMDynamicRandomAccessMemoryのキャパシタに好適に用いられる絶縁膜を成膜するシーケンス例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。CVDChemicalVaporDeposition法やALDAtomicLayerDeposition法では、例えば、CVD法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを同時に供給し、また、ALD法の場合、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスを交互に供給する。そして、ガス供給時のガス供給流量、ガス供給時間、プラズマパワーなどの供給条件を制御することによりシリコン窒化膜SiN膜やシリコン酸化膜SiO膜を形成する。それらの技術では、例えばSiN膜を形成する場合、膜の組成比が化学量論組成であるN/Si≒1.33となるように、また例えばSiO膜を形成する場合、膜の組成比が化学量論組成であるO/Si≒2となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。一方、形成する膜の組成比が化学量論組成とは異なる所定の組成比となるようにすることを目的として、供給条件を制御することも可能である。すなわち、形成する膜を構成する複数の元素のうち少なくとも一つの元素が他の元素よりも化学量論組成に対し過剰となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。このように形成する膜を構成する複数の元素の比率、すなわち、膜の組成比を制御しつつ成膜を行うことも可能である。以下では、図10、図11を参照して、2種類の元素ZrとOを含む2種類のガスTEMAZガスとO3ガスを交互に供給して化学量論組成を有する膜ZrO2膜を、DRAMのキャパシタ用高誘電率絶縁膜として形成するシーケンス例について説明する。ヒータ207を制御して処理室201内を例えば150°C~250°Cの範囲の所定の温度に保持しておく。その後、複数枚のウエハ200がボート217に装填ウエハチャージされるステップS201と、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートロードされるステップS202。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。その後、処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力に基づきAPCバルブ244が、フィードバック制御されるステップS203:圧力調整。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱されているが、この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への加熱用電源250からの通電具合がフィードバック制御されるステップS203:温度調整。続いて、回転機構267により、ボート217が回転されることで、ウエハ200が回転される。次に、TEMAZガスとO3ガスを処理室201内に供給することにより絶縁膜であるZrO2膜をALD法で成膜するZrO2膜形成工程を行う。ZrO2膜形成工程では次の4つのステップを順次実行する。<ステップS204>ステップS204では、まずTEMAZガスを流す。ガス供給管232aのバルブ243aを開き、ベントライン232iのバルブ243iを閉じることで、気化器271aを介してガス供給管232a内にTEMAZガスを流す。ガス供給管232a内を流れたTEMAZガスは、マスフローコントローラ241aにより流量調整される。流量調整されたTEMAZガスはノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給されつつガス排気系300から排気される。このとき、同時にバルブ243eを開き、不活性ガス供給管232e内にN2ガス等の不活性ガスを流す。不活性ガス供給管232e内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241eにより流量調整される。流量調整されたN2ガスはTEMAZガスと一緒に処理室201内に供給されつつガス排気系300から排気される。このとき、APCバルブ244を適正に調整して処理室201内の圧力を、例えば50~400Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241aで制御するTEMAZガスの供給流量は、例えば0.1~0.5g分の範囲内の流量とする。ウエハ200をTEMAZガスに晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば30~240秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば150~250°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。TEMAZガスの供給により、ウエハ200表面上に、ジルコニウムを含む層が形成される。すなわち、ウエハ200上に1原子層未満から数原子層のジルコニウム含有層としてのジルコニウム層Zr層が形成される。ジルコニウム含有層はTEMAZの化学吸着表面吸着層であってもよい。なお、ジルコニウムは、それ単独で固体となる元素である。ここでジルコニウム層とはジルコニウムにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜をも含む。なお、ジルコニウムにより構成される連続的な層を薄膜という場合もある。また、TEMAZの化学吸着層とはTEMAZ分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、ウエハ200上に形成されるジルコニウム含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ206での酸化の作用がジルコニウム含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ200上に形成可能なジルコニウム含有層の最小値は1原子層未満である。よって、ジルコニウム含有層の厚さは1原子層未満から数原子層とするのが好ましい。なお、ウエハ温度及び処理室201内の圧力等の条件を調整することにより、TEMAZガスが自己分解する条件下では、ウエハ200上にジルコニウムが堆積することでジルコニウム層が形成され、TEMAZガスが自己分解しない条件下では、ウエハ200上にTEMAZが化学吸着することでTEMAZガスの化学吸着層が形成されるよう、形成される層を調整することができる。なお、ウエハ200上にTEMAZの化学吸着層を形成する場合と比較して、ウエハ200上にジルコニウム層を形成する方が、成膜レートを高くすることができる。また、ウエハ200上にジルコニウム層を形成する方が、ウエハ200上にTEMAZの化学吸着層を形成する場合と比較して、より緻密な層を形成することができる。<ステップS205>ステップS205では、ジルコニウム含有層が形成された後、バルブ243aを閉じ、バルブ243iを開けて処理室内へのTEMAZガスの供給を停止し、TEMAZガスをベントライン232iへ流す。このとき、ガス排気系300のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはジルコニウム含有層形成に寄与した後のTEMAZガスを処理室201内から排除する。なお、この時バルブ243eは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはジルコニウム含有層形成に寄与した後のTEMAZガスを処理室201内から排除する効果を高める。不活性ガスとしては、N2ガスの他、Arガス、Heガス、Neガス、Xeガス等の希ガスを用いてもよい。<ステップS206>ステップS206では、処理室201内の残留ガスを除去した後、ガス供給管232b内にO2ガスを流す。ガス供給管232bを流れたO2ガスは、オゾナイザ500によりO3ガスとなる。ガス供給管232bのバルブ243cおよびバルブ243bを開き、ベントライン232hのバルブ243hを閉めることで、ガス供給管232b内を流れたO3ガスは、マスフローコントローラ241dにより流量調整され、ノズル249bのガス供給孔250bから処理室201内に供給されつつガス排気系300から排気される。この時同時にバルブ243fを開き、不活性ガス供給管232f内にN2ガスを流す。N2ガスはO3ガスと一緒に処理室201内に供給されつつガス排気系300から排気される。O3ガスを流すときは、APCバルブ244を適正に調整して処理室201内の圧力を、例えば50~400Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241bで制御するO3ガスの供給流量は、例えば10~20slmの範囲内の流量とする。O3ガスにウエハ200を晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば60~300秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップS204と同様、ウエハ200の温度が150~250°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。このとき、処理室201内に流しているガスはO3ガスであり、処理室201内にはTEMAZガスは流していない。したがって、O3ガスは気相反応を起こすことはなく、ステップS204でウエハ200上に形成されたジルコニウム含有層の一部と反応する。これによりジルコニウム含有層は酸化されて、ジルコニウムおよび酸素を含む層、すなわち、ジルコニウム酸化層ZrO2層へと改質される。<ステップS207>ステップS207では、ガス供給管232bのバルブ243bを閉じ、バルブ243hを開けて処理室内へのO3ガスの供給を停止し、O3ガスをベントライン232hへ流す。このとき、ガス排気系300のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のO3ガスを処理室201内から排除する。尚、この時バルブ243fは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のO3ガスを処理室201内から排除する効果を高める。酸素含有ガスとしては、O3ガス以外に、O2ガス等を用いてもよい。上述したステップS204~S207を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行うステップS208ことにより、ウエハ200上に所定膜厚のジルコニウムおよび酸素を含む絶縁膜、すなわち、ZrO2膜を成膜することができる。所定膜厚のZrO2膜を形成する成膜処理がなされると、バルブ243e、バルブ243fを開き、不活性ガス供給管232e、232f内にN2等の不活性ガスを流して、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給しつつ排気することで処理室201内を不活性ガスでパージするガスパージ:ステップS210。その後、処理室201内の雰囲気を不活性ガスで置換し不活性ガス置換、処理室201内の圧力を常圧に復帰する大気圧復帰:ステップS212。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から処理室201の外部に搬出ボートアンロード:ステップS214される。その後、処理済ウエハ200はボート217より取出されるウエハディスチャージ:ステップS216。本発明の好ましい態様以下に、本発明の好ましい態様について付記する。付記1本発明の好ましい一態様によれば、複数の基板を積載配置して収容する処理容器と、前記処理容器に、前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器を排気する排気手段と、を有し、前記排気手段は、真空ポンプと、前記処理容器と真空ポンプを接続する排気配管とを備え、前記排気配管の少なくとも一部が、リブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する配管で構成される基板処理装置が提供される。付記2付記1の基板処理装置であって、好ましくは、前記排気配管の前記少なくとも一部が、リブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の配管で構成される。付記3付記1の基板処理装置であって、好ましくは、前記排気配管の前記少なくとも一部が、リブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形の配管で構成される。付記4付記1の基板処理装置であって、好ましくは、前記長方形の断面の縦横比を8:1以下とする。付記5付記1~4のいずれか一つの基板処理装置であって、好ましくは、前記処理ガス供給手段は、2種の異なる処理ガスを前記処理容器に交互に供給し、高誘電率膜を形成するよう構成される。以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。