互いに反対側の面である第1面および第2面を有するシンチレータ層を含むシンチレータであって、前記シンチレータ層は、複数の柱状部を含み、各柱状部は、放射線を光に変換するシンチレータとしての柱状結晶を含み、前記柱状結晶の径は、前記第1面と前記第2面との間の中間部分から前記第1面の側および前記第2面の側に向かって大きくなっている、ことを特徴とするシンチレータ。各柱状部は、第1柱状結晶と第2柱状結晶との結合部が前記中間部分に位置するように前記第1柱状結晶と前記第2柱状結晶とを結合した構造を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のシンチレータ。各柱状部は、前記第1柱状結晶と前記第2柱状結晶とが接着剤によって結合された構造を有する、ことを特徴とする請求項2に記載のシンチレータ。各柱状部は、前記第1柱状結晶と前記第2柱状結晶とが直接に結合された構造を有する、ことを特徴とする請求項2に記載のシンチレータ。請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシンチレータと、前記シンチレータの前記シンチレータ層で変換された光を検出する光電変換素子を含むセンサパネルと、を備えることを特徴とする放射線検出装置。シンチレータの製造方法であって、第1基板の上に複数の第1柱状結晶を成長させることにより前記複数の第1柱状結晶を含む第1シンチレータ層を形成する第1成長工程と、前記第1シンチレータ層から前記第1基板を分離する分離工程と、前記分離工程の後に露出している前記複数の第1柱状結晶から複数の第2柱状結晶を前記第1成長工程とは反対方向に成長させることにより前記複数の第2柱状結晶を含む第2シンチレータ層を形成する第2成長工程と、を含むことを特徴とするシンチレータの製造方法。前記分離工程において、前記複数の第1柱状結晶の前記第1基板の側の所定厚さ部分が除去されるように前記複数の第1柱状結晶を切断する、ことを特徴とする請求項6に記載のシンチレータの製造方法。シンチレータの製造方法であって、複数の突出部を有する基板の各突出部から柱状結晶を成長させることにより複数の該柱状結晶を含むシンチレータ層を形成する成長工程と、前記シンチレータ層から前記基板を分離する分離工程と、を含むことを特徴とするシンチレータの製造方法。前記成長工程および前記分離工程を経て得られた2つの前記シンチレータ層の前記基板が分離された側の面を結合する結合工程を更に含むことを特徴とする請求項8に記載のシンチレータの製造方法。シンチレータの輝度や検出量子効率DQE:DetectiveQuantumEfficiencyを向上させるためには、シンチレータの膜厚を大きくする必要がある。一般的には、柱状結晶を有するシンチレータの膜厚を大きくすると、柱状結晶の直径がその膜厚の増加にしたがって増加する。その結果、シンチレータの膜厚を大きくすると、鮮鋭度が低下する傾向にある。特許文献1、2に開示された方法においても、シンチレータの輝度や検出量子効率の向上のためにシンチレータの膜厚を大きくした場合には、柱状結晶の直径が増加するので、十分な鮮鋭度の向上が望めない。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、シンチレータの膜厚を向上させつつ鮮鋭度の低下を防ぐために有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、互いに反対側の面である第1面および第2面を有するシンチレータ層を含むシンチレータに係り、該シンチレータにおいて、前記シンチレータ層は、複数の柱状部を含み、各柱状部は、放射線を光に変換するシンチレータとしての柱状結晶を含み、前記柱状結晶の径は、前記第1面と前記第2面との間の中間部分から前記第1面の側および前記第2面の側に向かって大きくなっている。本発明によれば、シンチレータの膜厚を向上させつつ鮮鋭度の低下を防ぐために有利な技術が提供される。以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本発明の好適な実施形態のシンチレータは、互いに反対側の面である第1面および第2面を有するシンチレータ層を含む。該シンチレータは、該シンチレータ層のみで構成されてもよいし、他の要素、例えば、保護膜および/または保護基板を更に含んでもよい。該シンチレータ層は、複数の柱状部を含み、各柱状部は、放射線を光に変換するシンチレータとしての柱状結晶を含み、該柱状結晶の径は、前記第1面と前記第2面との間の中間部分から前記第1面の側および前記第2面の側に向かって大きくなっている。各柱状部の柱状結晶は、第1柱状結晶と第2柱状結晶との結合部が前記中間部分に位置するように前記第1柱状結晶と前記第2柱状結晶とを結合した構造を有しうる。ここで、各柱状部は、前記第1柱状結晶と前記第2柱状結晶とが接着剤によって結合された構造を有してもよいし、直接に即ち、他の材料あるいは部材を介することなく結合された構造を有してもよい。図1は、本発明の好適な実施形態のシンチレータのシンチレータ層における柱状部の構成例を模式的に示す図である。シンチレータ層を構成する各柱状部は、放射線を光例えば、可視光に変換するシンチレータとしての柱状結晶を含む。柱状結晶は、蒸着法によって基板の上に成長させることができる。この明細書において、蒸着法とは、化学気相成長法を含む概念として用いられる。柱状結晶は、成長開始部と成長終了部とを有する。成長終了部における柱状結晶の平均直径は、成長開始部における柱状結晶の平均直径よりも大きくなる。柱状結晶の平均直径が大きい場合には、柱状結晶の直径が小さい場合と比較して、ライトガイディングの効果が小さくなり、鮮鋭度が低下すると考えられる。図1において、構成例1~4の柱状部は、第1柱状結晶aと第2柱状結晶bとを含む。柱状部の上面を第1面、下面を第2面と考えることができる。柱状結晶a、bの径は、第1面と第2面との間の中間部分から前記第1面の側および前記第2面の側に向かって大きくなっている。各柱状部の柱状結晶は、第1柱状結晶aと第2柱状結晶bとの結合部が前記中間部分に位置するように第1柱状結晶aと第2柱状結晶bとを結合した構造を有しうる。構成例1、2は、成長開始部を含む例であり、構成例3、4は、成長開始部を除去した例である。成長開始部は、結晶のばらつきが大きい部分であり、柱状結晶を伝搬する光を散乱させるために鮮鋭度を低下させる原因になりうる。構成例3、4は、鮮鋭度の点で有利であるが、成長開始部を除去するための処理が必要である。一方、構成例1、2は、鮮鋭度の点で不利であるが、作製が容易である点で有利である。構成例1、3は、第1柱状結晶aと第2柱状結晶bとが接着剤cによって結合された例であり、構成例2、4は、第1柱状結晶aと第2柱状結晶bとが直接に結合された例である。第1柱状結晶aと第2柱状結晶bとを結合した構成は、柱状結晶の最大径を小さくすることができる点で優れている。本発明とは異なり、第1柱状結晶aの厚さと第2柱状結晶bの厚さとを合計した厚さを1つの連続した成長工程で形成する場合には、その成長工程の分だけ柱状結晶の径が大きくなる。柱状結晶を形成するための材料としては、ハロゲン化アルカリを主成分とする材料を使用することができ、例えば、CsI:Tl、CsI:Na、CsBr:Tl、NaI:Tl、LiI:Eu、KI:Tl等が好適である。例えば、CsI:Tlを採用する場合、CsIとTlIを同時に蒸着することによって柱状結晶を形成することができる。図2を参照して、第1実施形態の放射線検出装置の構造を説明する。放射線検出装置は、シンチレータシンチレータパネル208と、センサパネル203とを含みうる。シンチレータ208とセンサパネル203とは、例えば、接着層215によって接着されうる。シンチレータ208は、複数の第1柱状結晶を含む第1シンチレータ層201と、複数の第2柱状結晶を含む第2のシンチレータ層202とを含むシンチレータ層230を有する。シンチレータ208は、更に、シンチレータ層230を支持する支持基板210を含みうる。シンチレータ層230と支持基板210とは、例えば、接着層209によって接着されうる。シンチレータ層230は、複数の柱状部211が配列された構造を有し、各柱状部は、第1柱状結晶と第2柱状結晶とを含む。センサパネル203には、複数の光電変換素子213が配列されている。図5に例示されるように、シンチレータ層230の全体または一部を保護層501によって覆ってもよい。保護層501は、シンチレータ層230に対して外気から水分が侵入することを防止する防湿保護機能、および、衝撃による構造破壊を防止する衝撃保護機能を有する。保護層501の厚さは20~200μmであることが好ましい。20μm以下では、シンチレータ層230の表面の凹凸、及びスプラッシュ欠陥を完全に被覆することができず、防湿保護機能が低下する可能性がある。一方、200μmを超えるとシンチレータ層230で発生した光もしくは反射層で反射された光の保護層501内での散乱が増加し、得られる画像の解像度およびMTFModulationTransferFanctionが低下する可能性がある。保護層501の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の一般的な有機封止材料や、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリアミド系等のホットメルト樹脂などを用いることができるが、特に水分透過率の低い樹脂が望ましい。保護層501としては、CVD蒸着で形成するポリパラキシリレン、ポリ尿素、ポリウレタン等の有機膜が好適に用いられる。また、製造中の加熱工程に耐えうるのであれば、ホットメルト樹脂も好適に用いることができる。ホットメルト樹脂は、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化されるものである。ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態で、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温で固体状態となり接着性を持たないものである。また、ホットメルト樹脂は、極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないので、シンチレータ層230例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有するシンチレータ層に接触してもシンチレータ層を溶解しないため、保護層501として好適である。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なり、また、エポキシ等に代表される化学反応によって形成される化学反応型の接着性樹脂とも異なる。ホットメルト樹脂材料は主成分であるベースポリマーベース材料の種類によって分類され、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等を用いることができる。保護層501として、防湿性が高く、またシンチレータから発生する可視光線を透過する光透過性が高いことが重要である。保護層501として必要とされる防湿性を満たすホットメルト樹脂としてポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂が好ましい。特に吸湿率が低いポリオレフィン樹脂を用いることが好ましい。また、光透過性の高い樹脂として、ポリオレフィン系樹脂が好ましい。したがって、保護層501として、ポリオレフィン系樹脂をベースにしたホットメルト樹脂がより好ましい。ポリオレフィン樹脂は、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、エチレン-メタクリル酸共重合体、エチレン-メタクリル酸エステル共重合体および、アイオノマー樹脂、から選ばれる少なくとも1種を主成分として含有することが好ましい。エチレン酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としては、ヒロダイン7544ヒロダイン工業製、エチレン-アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としては、O-4121倉敷紡績製、エチレン-メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としては、W-4210倉敷紡績製、エチレン-アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としては、H-2500倉敷紡績製、エチレン-アクリル酸共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としては、P-2200倉敷紡績製、エチレン-アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂としては、Z-2倉敷紡績製、を用いることができる。支持基板210は、シンチレータ層230を支持すると同時に、反射層を形成している場合には反射層としての役割も果たす。反射層は、シンチレータ層230で変換された光のうち、光電変換素子213と反対側に進行した光を反射して光電変換素子213に導くことにより、光利用効率を向上させる機能を有するものである。また、反射層は、シンチレータ層230で発生した光以外の光外部光線が光電変換素子213に入射することを防止し、光電変換素子213に外部光線に起因するノイズが入ることを防止する。支持基板210としては、例えば、金属基板、または、母材の表面に金属膜を有する基板を使用することができる。支持基板210の厚さを厚くすると、放射線の吸収量が大きく被撮影者が被爆する線量の増加につながる可能性がある。支持基板210の材料としては、金属の薄板を用いる場合は、アルミニウムなどが好ましい。反射層を持たない支持基板に反射層を形成させる場合は、支持基板として耐熱性がありX線吸収の少ない炭素系、樹脂系の基板が好ましい。反射層として、アルミニウム、金、銀等の金属材料を用いることができるが、特に反射特性の高い材料としては、アルミニウム、金が好ましい。接着層209としては、支持基板210に反射層が形成されている場合には、シンチレータ層230から発生する光を有効利用するため、シンチレータの発光波長領域で透過率が高いものを使用することが好ましい。更に、支持基板210に金属の反射層が形成されている場合には、耐腐食性に優れたものを使用することが好ましい。またX線耐久性に優れたものが好ましい。接着層209の厚さは薄いほど鮮鋭度の低下が小さいため好ましいが、薄すぎると、粘着剤自体の接着力が減少してしまい、保護層との界面や支持基板との界面で剥離する可能性がある。一方、接着層の厚さが200μmを超えるとシンチレータ保護層の時と同様、解像度及びMTFが低下する可能性がある。センサパネル203は、例えば、ガラス等の絶縁性基板204の上に光電変換素子213およびTFT不図示を2次元状に配置して光電変換部撮像領域216が形成されている。信号配線214は、光電変換素子213またはTFTに接続されている。接続リード部205は、外部配線207とセンサパネル203とを接続するために使用される。接続リード部205は、半田や異方性導電接着フィルムACF等の配線接続部206を介してフレキシブル配線板等の外部配線207と電気的に接続され、これにより外部電気回路との接続がなされる。センサパネル203は、窒化シリコン等からなる保護層217を有しうる。光電変換素子213は、シンチレータ層230によって放射線から変換された光を電荷に変換するものであり、例えば、アモルファスシリコンなどの材料を用いることが可能である。光電変換素子213の構成は、特に限定されず、MIS型センサ、PIN型センサ、TFT型センサ等適宜用いることができる。信号配線214は、光電変換素子213で光電変換された信号を、TFTを介して読み出すための信号配線の一部や光電変換素子213に電圧Vsを印加するバイアス配線、又はTFTを駆動するための駆動配線である。光電変換素子213で光電変換された信号はTFTによって読み出され、周辺回路不図示、信号配線214を介して外部の信号処理回路に出力される。また行方向に配列されたTFTのゲートは行ごとに駆動配線に接続され、TFT駆動回路により行毎にTFTが選択される。保護層217としては、SiNやTiO2、LiF、Al2O3、MgOを挙げることができる。保護層217として、その他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマーを挙げることができる。保護層217として、その他、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。特に保護層は、放射線照射時にシンチレータ層230によって変換された光が通過することから、シンチレータ層230が放出する光の波長において高い透過率を示すものが望ましい。シンチレータ層230を封止する封止材料212は、後述するシンチレータ保護層と同様に、光電変換部216への水分の侵入を防止する防湿機能を有する。封止材料212は、防湿性の高い材料、水分透過性の低い材料であることが好ましく、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の樹脂材料が好適に用いられ、シリコーン系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリアミド系の樹脂も用いることができる。図3を参照しながら第1実施形態のシンチレータおよび放射線検出装置の製造方法を説明する。まず、図3に示す第1成長工程において、第1基板301の上に蒸着法により複数の第1柱状結晶aを成長させることにより複数の第1柱状結晶aを含む第1シンチレータ層201を形成する。第1シンチレータ層201は、例えば、CsI:Tlを形成する場合、CsI沃化セシウムとTlI沃化タリウムとを同時に蒸着することによって形成される。例えば、CsIとTlIを蒸着材料として抵抗加熱ボートに充填し、回転する支持体ホルダに第1基板301を設置し、蒸着装置内を排気し、Arガスを導入して0.1Paに真空度を調整して蒸着を行いうる。次いで、図3bに示す支持工程において、第1シンチレータ層201の成長開始部105とは反対側、即ち成長終了部側106を厚さ20μmのアクリル接着層等の耐熱性の接着層209を介して厚さ0.3mmの支持基板Al基板210に貼り付ける。次いで、図3cに示す分離工程において、第1シンチレータ層201から第1基板301を分離する。分離工程では、第1シンチレータ層201から第1基板301が剥離されうる。剥離の後に図3dに示す第2成長工程を実施して構成される構造は、図1に示す構成例1または構成例2に相当する。あるいは、分離工程では、第1シンチレータ層201第1柱状結晶aの第1基板301側、即ち成長開始部105側の所定厚さの部分以下、除去対象部が除去されるように切断面302で第1シンチレータ層201第1柱状結晶aを切断してもよい。この切断は、例えば、レーザー切断によってなされうる。切断面302を走査型電子顕微鏡SEMで観察すると、柱状結晶体の断面が出現している様子が確認できる。切断の後に図3dに示す第2成長工程を実施して構成される構造は、図1に示す構成例3または構成例4に相当する。除去対象部の厚さは、第1シンチレータ層201の成長条件や、シンチレータあるいは放射線検出装置に要求される仕様に応じて任意に決定されうる。次いで、図3dに示す第2成長工程において、図3cに示す分離工程後に露出している複数の第1柱状結晶aから複数の第2柱状結晶bを第1成長工程とは反対方向に成長させることにより複数の第2柱状結晶bを含む第2シンチレータ層202を形成する。ここで、第2シンチレータ層202の形成の方法および材料は、第1シンチレータ層201と同様の方法および材料とすることができる。第2シンチレータ層202を構成する第2柱状結晶bは、第1シンチレータ層201を構成する第1柱状結晶aの形状を引き継いで成長しうる。その結果、最終的に、第1シンチレータ層201の第1柱状結晶aと第2シンチレータ層202の第2柱状結晶bとは、連続的な柱状結晶となりうる。以上の工程により、シンチレータ208が得られる。このようなシンチレータは、シンチレータパネルまたはシンチレータ板とも呼ばれうる。次いで、図3eに示す組み立て工程において、シンチレータ208をアクリル樹脂系の接着層215を用いてセンサパネル203光センサ又は光電変換パネルとも呼ばれうるに貼り合わせる。センサパネル203は、絶縁性基板204の上にアモルファスシリコンa-Siを形成し、このアモルファスシリコンを用いてフォトセンサー及びTFT薄膜トランジスタを有する複数の光電変換素子213が形成されたものでありうる。貼り合わせ時に発生する気泡は、脱泡処理を行うことで除去することができる。脱泡処理としては、加圧加熱脱泡処理を上げることができる。その後、端部をエポキシ系封止材料等の封止材料212を用いて封止し、センサパネル203上の接続リード部205に、配線接続部206を介して外部配線207の端子部を熱圧着することにより、放射線検出装置が得られる。図4を参照しながら第2実施形態のシンチレータおよび放射線検出装置の製造方法を説明する。なお、第2実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態では、図3aに示す第1成長工程に従って第1シンチレータ層201を形成し、その後、図4aの支持工程において、第1シンチレータ層201を支持する基板として、第1実施形態の支持基板210に代えて、センサパネル203を使用する。次いで、図4b、cに示す分離工程、第2成長工程を第1実施形態の図3b、図3cに示す分離工程、第2成長工程と同様に実施する。次いで、図4dに示す組み立て工程において、第1シンチレータ層201および第2シンチレータ層202を含むシンチレータ層230に対して、反射層を有するアルミニウム基板401を接着層215によって貼り付ける。その後の処理は、第1実施形態と同様である。次に、再び図4を参照しながら第3実施形態のシンチレータおよび放射線検出装置の製造方法を説明する。第3実施形態は、図4cに示す第2成長工程までは第2実施形態と同様である。第2成長工程に次いで、図4eに示す組み立て工程では、PETからなる反射層保護層に反射層403としてのAl膜が形成されたフィルム状シートを準備する。そして、該フィルム上シートの反射層形成面にポリオレフィン樹脂を原料としたホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層402を、ヒートローラーを用い転写接着させる。これにより、3層構造のシートを形成する。そして、シンチレータ層230を覆うように該シートを配置する。そして、ヒートローラーにより該シートを加熱押圧しシンチレータ保護層402の溶着により該シートをシンチレータ層230およびセンサパネル203に固定する。その後の処理は、第1実施形態と同様である。図5aに第4実施形態の放射線検出装置の模式断面図を示す。第1実施形態と同様にして図3aのように第1基板301上に第1シンチレータ層201を蒸着した後、図6aに示すように、第1シンチレータ層201上に防湿保護層パリレン501を積層する。パリレンの成膜方法は、特に限定されないが、例えば、気相重合法が用いられる。その後、第1実施形態と同様の工程を行うことによって図5aに示されるような放射線検出装置が得られる。図5bに第5実施形態の放射線検出装置の模式断面図を示す。第2実施形態と同様にして図3cの状態まで形成し、図6bに示すように、第1シンチレータ層201上に防湿保護層パリレン501を積層する。その後、第2実施形態と同様の工程を行うことによって図5bに示されるような放射線検出装置が得られる。図5cに第5実施形態の放射線検出装置の模式断面図を示す。第1実施形態と同様にして図3dの状態まで形成し、図6cに示すように、第1シンチレータ層201、第2シンチレータ層202上に防湿保護層パリレン501を積層する。その後、第1実施形態と同様の工程を行うことによって図5cに示されるような放射線検出装置が得られる。図7および図8を参照しながら第7実施形態のシンチレータおよび放射線検出装置の製造方法を説明する。なお、第7実施形態として言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。まず、図7aに示す成長工程において、複数の突出部702を有する基板701の各突出部702から柱状結晶710を成長させることにより複数の柱状結晶710を含むシンチレータ層720を形成する。この成長工程は、突出部702の上に柱状結晶を成長させること以外は、図3aに示す第1成長工程と同様でありうる。この成長工程では、1つの放射線検出装置に対して2つのシンチレータ層720を作製する。次いで、図7bに示す支持工程では、図3bに示す支持工程と同様に、1つのシンチレータ層720の成長開始部とは反対側、すなわち成長終了部側を接着層209を介して支持基板Al基板210に貼り付ける。また、この支持工程では、図4aに示す工程と同様に、もう1つのシンチレータ層720の成長開始部とは反対側、即ち成長終了部側を接着層209を介してセンサパネル203に貼り付ける。次いで、図8cに示す分離工程では、図3c、図4bに示す分離工程と同様に、支持基板210に接着されたシンチレータ層720から基板701を分離するとともに、センサパネル203に接着されたシンチレータ層720から基板701を分離する。この際に、シンチレータ層720から基板701を剥離してもよいし、シンチレータ層720を構成する柱状結晶710を切断面302で切断してもよい。次いで、図8dに示す結合工程では、支持基板210に接着されたシンチレータ層720の柱状結晶710とセンサパネル203に接着されたシンチレータ層720の柱状結晶710とが結合されるように、これら2つのシンチレータ層720を結合する。この際に、支持基板210に接着されたシンチレータ層720の柱状結晶710とセンサパネル203に接着されたシンチレータ層720の柱状結晶710とは、接着層を介して接着されてもよいし、加圧圧着等によって結合されてもよい。前者は、図1に示す構成例1または構成例3に相当し、後者は、図1に示す構成例2または構成例4に相当する。次いで、図8eに示す封止工程において、シンチレータ層720の側部を封止材料212によって封止する。図9は、前述の放射線検出装置を放射線診断システムへ応用した例を示したものである。X線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、図9に示したような放射線検出装置イメージセンサ6040に入射する。この入射したX線には患者あるいは被験者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレーターシンチレータ層は発光し、これをセンサパネルの光電変換素子が光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。また、この情報は電話回線6090等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどの表示手段となるディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ6100によりフィルム6210に記録することもできる。