光透過性基材の一主面に凹凸パターンを形成したテンプレートを、被加工基板上の光硬化性材料に押し付けると共に、前記テンプレートを介して前記光硬化性材料を感光させる光を照射することによって、前記光硬化性材料を光硬化させて前記凹凸パターンを転写するインプリントに用いるテンプレートの位置合わせマークであって、前記位置合わせマークが、前記光透過性基材を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、前記凹凸パターン部の前記光透過性基材上に形成された遮光膜パターン部とからなり、前記遮光膜パターン部が遮光膜と該遮光膜上に設けた耐洗浄性保護膜との2層膜で構成されていることを特徴とするテンプレートの位置合わせマーク。前記位置合わせマークの前記凹凸パターン部の凹部にも前記耐洗浄性保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のテンプレートの位置合わせマーク。前記テンプレートの前記凹凸パターンのすべての凹部にも前記耐洗浄性保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のテンプレートの位置合わせマーク。前記遮光膜がクロム系薄膜であり、前記耐洗浄性保護膜がシリコン系薄膜であることを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のテンプレートの位置合わせマーク。前記クロム系薄膜が窒化クロム膜であり、前記シリコン系薄膜が窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項4に記載のテンプレートの位置合わせマーク。前記耐洗浄性保護膜の耐洗浄性が、前記テンプレートを加熱した状態で酸素ガスを用いてアッシングして洗浄したとき、前記耐洗浄性保護膜の膜厚減少率が初期膜厚の10以内であることを特徴とする請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載のテンプレートの位置合わせマーク。請求項1から請求項6までのうちのいずれか1項に記載の位置合わせマークを備えたことを特徴とするテンプレート。位置合わせマークを備えたテンプレートの製造方法であって、光透過性基材の一主面上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜上に第1のレジストパターンを形成し、該第1のレジストパターンをマスクにして前記遮光膜、前記光透過性基材を順にエッチングして凹凸パターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを剥離した後、前記光透過性基材の一主面全面に耐洗浄性保護膜を成膜する工程と、前記耐洗浄性保護膜上に第2のレジストパターンを形成し、該第2のレジストパターンをマスクにして不要となる前記遮光膜、前記光透過性基材をエッチングして除去する工程と、前記第2のレジストパターンを剥離する工程と、を含み、前記位置合わせマークが、前記光透過性基材をエッチングして形成した凹凸パターン部と、前記凹凸パターン部の前記光透過性基材上に形成された遮光膜パターン部とからなり、前記遮光膜パターン部が遮光膜と該遮光膜上に設けた耐洗浄性保護膜との2層膜で構成され、前記位置合わせマークの前記凹凸パターン部の凹部にも前記耐洗浄性保護膜が形成されていることを特徴とするテンプレートの製造方法。そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、インプリント用テンプレートに設ける洗浄耐性に優れコントラストの高い位置合わせマーク、該位置合わせマークを備えたテンプレートおよびその製造方法を提供することである。上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の発明に係るテンプレートの位置合わせマークは、光透過性基材の一主面に凹凸パターンを形成したテンプレートを、被加工基板上の光硬化性材料に押し付けると共に、前記テンプレートを介して前記光硬化性材料を感光させる光を照射することによって、前記光硬化性材料を光硬化させて前記凹凸パターンを転写するインプリント方法に用いるテンプレートの位置合わせマークであって、前記位置合わせマークが、前記光透過性基材を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、前記凹凸パターン部の前記光透過性基材上に形成された遮光膜パターン部とからなり、前記遮光膜パターン部が遮光膜と該遮光膜上に設けた耐洗浄性保護膜との2層膜で構成されていることを特徴とするものである。本発明の請求項2に記載の発明に係るテンプレートの位置合わせマークは、請求項1に記載のテンプレートの位置合わせマークにおいて、前記位置合わせマークの前記凹凸パターン部の凹部にも前記耐洗浄性保護膜が形成されていることを特徴とするものである。本発明の請求項3に記載の発明に係るテンプレートの位置合わせマークは、請求項1に記載のテンプレートの位置合わせマークにおいて、前記テンプレートの前記凹凸パターンのすべての凹部にも前記耐洗浄性保護膜が形成されていることを特徴とするものである。本発明の請求項4に記載の発明に係るテンプレートの位置合わせマークは、請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のテンプレートの位置合わせマークにおいて、前記遮光膜がクロム系薄膜であり、前記耐洗浄性保護膜がシリコン系薄膜であることを特徴とするものである。本発明の請求項5に記載の発明に係るテンプレートの位置合わせマークは、請求項4に記載のテンプレートの位置合わせマークにおいて、前記クロム系薄膜が窒化クロム膜であり、前記シリコン系薄膜が窒化シリコン膜であることを特徴とするものである。本発明の請求項6に記載の発明に係るテンプレートの位置合わせマークは、請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載のテンプレートの位置合わせマークにおいて、前記耐洗浄性保護膜の耐洗浄性が、前記テンプレートを加熱した状態で酸素ガスを用いてアッシングして洗浄したとき、前記耐洗浄性保護膜の膜厚減少率が初期膜厚の10以内であることを特徴とするものである。本発明の請求項7に記載の発明に係るテンプレートは、請求項1から請求項6までのうちのいずれか1項に記載の位置合わせマークを備えたことを特徴とするものである。本発明の請求項8に記載の発明に係るテンプレートの製造方法は、位置合わせマークを備えたテンプレートの製造方法であって、光透過性基材の一主面上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜上に第1のレジストパターンを形成し、該第1のレジストパターンをマスクにして前記遮光膜、前記光透過性基材を順にエッチングして凹凸パターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを剥離した後、前記光透過性基材の一主面全面に耐洗浄性保護膜を成膜する工程と、前記耐洗浄性保護膜上に第2のレジストパターンを形成し、該第2のレジストパターンをマスクにして不要となる前記遮光膜、前記光透過性基材をエッチングして除去する工程と、前記第2のレジストパターンを剥離する工程と、を含み、前記位置合わせマークが、前記光透過性基材をエッチングして形成した凹凸パターン部と、前記凹凸パターン部の前記光透過性基材上に形成された遮光膜パターン部とからなり、前記遮光膜パターン部が遮光膜と該遮光膜上に設けた耐洗浄性保護膜との2層膜で構成され、前記位置合わせマークの前記凹凸パターン部の凹部にも前記耐洗浄性保護膜が形成されていることを特徴とするものである。本発明のテンプレートの位置合わせマークによれば、インリキッドアライメントにおいても十分にコントラストが高く高精度の位置合わせが可能であり、インプリント用テンプレートの洗浄時に洗浄耐性に優れた位置合わせマークが得られる。本発明のテンプレートによれば、位置合わせマークの遮光膜パターン部が遮光膜と耐洗浄性保護膜の2層膜で構成され、テンプレート洗浄時に遮光膜が保護されるので、テンプレートの品質を保持しながら高精度の位置合わせを行うことが可能となる。本発明のテンプレートの製造方法によれば、コントラストが高く高精度の位置合わせマークを有し、洗浄時の洗浄耐性に優れたテンプレートを作製することが可能となる。以下、図面に基づいて、本発明の実施形態に係るインプリント用位置合わせマーク、該位置合わせマークを備えたテンプレートおよびその製造方法について詳細に説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態におけるインプリント用位置合わせマークを有するテンプレートの断面模式図である。図1において、インプリント用テンプレート10は、光透過性基材11の一主面を掘り込んで形成した凹凸パターンからなる被加工基板上の光硬化性材料に転写するための主パターン12と、位置合わせマーク13とから構成される。位置合わせマーク13は、光透過性基材11を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の光透過性基材11上に形成された遮光膜パターン16とからなり、遮光膜パターン16が遮光膜14と遮光膜14上に設けた耐洗浄性保護膜15との2層膜で構成されているものである。本発明において主パターンとは、被加工基板表面に塗布形成された光硬化性材料に押し付けて力学的に変形させて転写する凹凸の微細パターンを意味するものである。また、本発明において、光硬化性材料とは、通常光インプリント用材料として用いられている光硬化性樹脂、およびインクジェット方式の塗布で用いられる重合性単量体を含む光硬化性組成物を意味するものである。本発明において、光透過性基材11を構成する材料としては、光学研磨された合成石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどが挙げられるが、合成石英ガラスは、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、凹凸パターンを設けることにより一体化した光透過性の構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるので、より好ましい。本発明においては、遮光膜パターン16は遮光膜14と遮光膜14上に設けた耐洗浄性保護膜15との2層膜で構成されているが、遮光膜パターン16を構成する遮光膜14としては、可視光のアライメント光に対して所定の光学濃度があり、微細パターン形成に優れているクロム系膜、タンタルなどを真空成膜した薄膜材料が用いられる。それらの材料の中で、フォトマスクで最も使用実績のあるクロムを主成分としたクロム系膜がテンプレートのコスト、品質上からより好ましい。クロム系膜は、通常、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロムなどの中から選ばれる材料が用いられる。パターン形成における解像力を高めるために遮光膜自体は単層膜を用いるのが好ましい。本発明において、遮光膜14は光透過性基材11をエッチングして凹凸部を形成するときのマスク材としての機能も有する。上記のクロム系材料の中でも、成膜が容易で汎用性の高いクロム膜、あるいは窒化クロム膜が好ましく、さらには微細パターン形成のために膜応力の低減が容易な窒化クロム膜がより好ましい。例えば、窒化クロム膜を遮光膜とした場合には、遮光膜は5nm~10nm程度の範囲の膜厚で用いられる。膜厚が5nm未満では位置合わせにおいて濃度不足で識別が困難となるおそれがあり、10nmを超えるとエッチング加工マスクとして微細パターン形成に好ましくないからである。位置合わせのアライメント光は、通常、波長633nmなどの可視光が用いられる。本発明において、遮光膜パターン16を構成する耐洗浄性保護膜15としては、SPM硫酸と過酸化水素水の混合液洗浄などのウェット洗浄に対して耐性があり、酸素ガス、オゾンガスなどのドライ洗浄耐性が大きい薄膜材料が用いられる。それらの材料の中で、シリコン系膜が耐洗浄性に優れ微細パターン形成が容易で、洗浄時において下層のクロム系膜を保護するのに好ましい。シリコン系膜は、真空成膜によるシリコン無定形;a-Si、酸化シリコンSiO、窒化シリコンSiN、酸化窒化シリコンSiON、炭化シリコンSiC、モリブデンシリサイドMoSi、タンタルシリサイドTaSi、タングステンシリサイドWSiなどの薄膜の中から選ばれる材料が用いられる。パターン形成における解像力を高めるために、耐洗浄性保護膜自体は単層膜を用いるのが好ましい。上記のシリコン系材料の中でも、窒化シリコン膜はウェット洗浄およびドライ洗浄の双方に耐性が大きくより好ましい。例えば、窒化シリコン膜を耐洗浄性保護膜とした場合には、耐洗浄性保護膜は5nm~10nm程度の範囲の膜厚で用いられる。膜厚が5nm未満では洗浄時の耐性に不十分であり、10nmを超えるとエッチング加工マスクとして微細パターン形成に好ましくないからである。本発明において、光透過性基材11の一主面を掘り込んで形成した凹凸パターンの凹部の深さは、被加工基板に転写形成するレジストパターンの所望するパターン厚さに依存するが、例えば、凹凸パターンの凹部の深さが40nm~100nmの範囲で用いられる。本発明において、主パターン部の凹凸部の凹部の深さと位置合わせマーク部の凹凸部の凹部の深さとは、同じであるのが好ましい。後述するように、本発明の位置合わせマークの凹部を主パターンの凹部と同時に形成する場合には、同じ深さとなる。本発明において、位置合わせマークの形状としては特に制限はなく、被加工基板のアライメントマークに対応して、通常用いられる位置合わせマーク形状が適用できる。例えば、凹凸パターンの凹部のパターンを幅1μm~10μm、深さ40nm~100nmの十字形状とした十字マークなどを用いることができ、十字マークの凹部パターン周辺の透過性基材上に遮光膜と耐洗浄性保護膜の2層膜で形成した幅1μm~10μmの遮光膜パターンを設け、凹部十字マークと遮光膜パターンとで位置合わせマークとすることができる。本発明の位置合わせマークは、遮光膜上に耐洗浄性保護膜を設けて2層膜とすることにより、インリキッドアライメントにおいても十分にコントラストが高く、高精度の位置合わせが可能となり、インプリント用テンプレートの洗浄時に、位置合わせマークが膜減りして遮光性が低下することが無い洗浄耐性に優れた位置合わせマークが得られる。第2の実施形態図2は、本発明の第2の実施形態におけるインプリント用位置合わせマークを有するテンプレートの断面模式図である。図2において、インプリント用テンプレート20は、光透過性基材21の一主面を掘り込んで形成した凹凸パターンからなる被加工基板上の光硬化性材料に転写するための主パターン22と、位置合わせマーク23とから構成される。位置合わせマーク23は、光透過性基材21を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の光透過性基材21上に形成された遮光膜パターン26とからなる。遮光膜パターン26は遮光膜24と遮光膜24上に設けた耐洗浄性保護膜25との2層膜で構成されており、位置合わせマーク23の凹凸パターン部の凹部にも耐洗浄性保護膜25が形成されているものである。本実施形態において、光透過性基材21、遮光膜パターン26を構成する遮光膜24および耐洗浄性保護膜25は、実施形態1と同じ材料、膜厚で用いられるので、説明は省略する。また、位置合わせマークも実施形態1と同様な形状、寸法が用いられる。凹凸パターン部の凹部に設けられる耐洗浄性保護膜25は、後述するように遮光膜24上に設ける耐洗浄性保護膜25と同じ成膜工程で形成することにより製造工程が簡略化されるので、遮光膜24上に設ける耐洗浄性保護膜25と同じ材料が好ましい。本実施形態の位置合わせマークは、遮光膜上に耐洗浄性保護膜を設けて2層膜とすることにより、インリキッドアライメントにおいても十分にコントラストが高く、高精度の位置合わせが可能となり、インプリント用テンプレートの洗浄時に、位置合わせマークが膜減りして遮光性が低下することが無い洗浄耐性に優れた位置合わせマークが得られる。さらに、本実施形態の位置合わせマークは、遮光膜をエッチングしパターン化した後に耐洗浄性保護膜を成膜して形成するので、パターン化された遮光膜の上面側のみならず側面も一定の厚さの耐洗浄性保護膜で覆われることになり図示はしてない、より洗浄耐性の大きい位置合わせマークとすることができる。第3の実施形態図3は、本発明の第3の実施形態におけるインプリント用位置合わせマークを有するテンプレートの断面模式図である。図3において、インプリント用テンプレート30は、光透過性基材31の一主面を掘り込んで形成した凹凸パターンからなる被加工基板上の光硬化性材料に転写するための主パターン32と、位置合わせマーク33とから構成される。位置合わせマーク33は、光透過性基材31を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の光透過性基材31上に形成された遮光膜パターン36とからなる。遮光膜パターン36は遮光膜34と遮光膜34上に設けた耐洗浄性保護膜35との2層膜で構成されており、位置合わせマーク33の凹凸パターン部の凹部および主パターン32の凹凸パターンの凹部にも耐洗浄性保護膜35が形成されているものである。本実施形態において、光透過性基材31、遮光膜パターン36を構成する遮光膜34および耐洗浄性保護膜35は、実施形態1と同じ材料、膜厚で用いられるので、説明は省略する。また、位置合わせマークも実施形態1と同様な形状、寸法が用いられる。凹凸パターンのすべての凹部に設けられる耐洗浄性保護膜35は、後述するように遮光膜34上に設ける耐洗浄性保護膜35と同じ成膜工程で形成することにより製造工程が簡略化されるので、遮光膜34上に設ける耐洗浄性保護膜35と同じ材料が好ましい。本実施形態の位置合わせマークは、遮光膜上に耐洗浄性保護膜を設けて2層膜とすることにより、インリキッドアライメントにおいても十分にコントラストが高く、高精度の位置合わせが可能となり、インプリント用テンプレートの洗浄時に、位置合わせマークが膜減りして遮光性が低下することが無い洗浄耐性に優れた位置合わせマークが得られる。さらに、本実施形態の位置合わせマークは、耐洗浄性保護膜が転写に使用される主パターンのすべての凹部に堆積されることにより、エッチング法により形成されて鋭角状になり易い凹部底面のコーナー部形状を緩和させ、インプリント時の樹脂の離型性を向上させる効果が得られる。次に、上記の位置合わせマークを有するテンプレートの製造方法について説明する。第1の実施形態の製造方法図4は、図1に示した第1の実施形態の位置合わせマークを有する本発明のテンプレートの製造工程を示す断面模式図である。図4において、図1と同じ箇所を示す場合には同じ符号を用いている。石英ガラスなどの光透過性基材11の一主面上にクロムなどの遮光膜14を成膜し、続いて耐洗浄性保護膜15を成膜し2層膜とする図4a。遮光膜14および耐洗浄性保護膜15の形成は、従来公知のスパッタリング法が適用できる。次に、耐洗浄性保護膜15上に第1の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、主パターンと位置合わせパターンの第1のレジストパターン18を形成する図4b。次に、第1のレジストパターン18をマスクとして、耐洗浄性保護膜15、遮光膜14、光透過性基材11の順にドライエッチングし、光透過性基材11に主パターン12となる凹凸パターンと位置合わせマーク13とする凹凸パターンを形成する図4c。図4cの凹凸パターン形成において、耐洗浄性保護膜15がシリコン系薄膜の場合には、CF4、CHF3、C2F6あるいはSF6、C4F8などのフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガス、あるいはこれらのガスに酸素を混合したガスをエッチングガスとして用いることによりドライエッチングを行い、パターン形成することができる。このとき、2層膜下層の遮光膜14がクロム系薄膜ならば、フッ素系ガスに対して耐性があるので、上層の耐洗浄性保護膜15のドライエッチング時のエッチング停止層の機能を有するものである。遮光膜14がクロム系薄膜の場合には、塩素Cl2と酸素の混合ガスをエッチングガスとして用いてドライエッチングし、耐洗浄性保護膜15および光透過性基材11に損傷を与えずにクロムパターンを形成することができる。塩素ガスは他の塩素系ガス、例えば、CHCl3、SiCl4、CCl4などに替えて用いることもできる。光透過性基材11が石英ガラスの場合には、CF4、CHF3、C2F6あるいはSF6、C4F8などのフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガス、あるいはこれらのガスに酸素を混合したガスをエッチングガスとして用いることによりドライエッチングを行い、凹凸パターンを形成することができる。次に、第1のレジストパターン18を剥離した後、第2の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、位置合わせマーク用の第2のレジストパターン19を形成する図4d。次に、第1のレジストパターン19をマスクとして、耐洗浄性保護膜15、遮光膜14の順にドライエッチングし、位置合わせマーク部以外の耐洗浄性保護膜および遮光膜を除去する図4e。次いで、第2のレジストパターン19を剥離して、凹凸パターンからなる主パターン12と、位置合わせマーク13とを有するテンプレート10が得られる図4f。位置合わせマーク13は、光透過性基材を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の光透過性基材上に形成された遮光膜パターン部からなり、該遮光膜パターン部が遮光膜14と耐洗浄性保護膜15との2層膜で構成されている。本実施形態の製造方法によれば、光透過性基材を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、遮光膜と耐洗浄性保護膜との2層膜で構成される遮光膜パターン部とからなる位置合わせマークを備え、洗浄耐性の大きい高精度のテンプレートを作製することができる。第2の実施形態の製造方法図5は、図2に示した第2の実施形態の位置合わせマークを有する本発明のテンプレートの製造工程を示す断面模式図である。図5において、図2と同じ箇所を示す場合には同じ符号を用いている。石英ガラスなどの光透過性基材21の一主面上にクロムなどの遮光膜24を成膜する図5a。遮光膜24の形成は、従来公知のスパッタリング法が適用できる。次に、遮光膜24上に第1の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、主パターンと位置合わせパターンの第1のレジストパターン28を形成する図5b。次に、第1のレジストパターン28をマスクとして、遮光膜24、光透過性基材21の順にドライエッチングし、光透過性基材21に主パターン22となる凹凸パターンと位置合わせマーク23とする凹凸パターンを形成する図5c。図5cの凹凸パターン形成において、遮光膜24がクロム系薄膜の場合には、塩素Cl2と酸素の混合ガスをエッチングガスとして用いてドライエッチングし、耐洗浄性保護膜25および光透過性基材21に損傷を与えずにクロムパターンを形成することができる。塩素ガスは他の塩素系ガス、例えば、CHCl3、SiCl4、CCl4などに替えて用いることもできる。光透過性基材21が石英ガラスの場合には、CF4、CHF3、C2F6あるいはSF6、C4F8などのフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガス、あるいはこれらのガスに酸素を混合したガスをエッチングガスとして用いることによりドライエッチングを行い、凹凸パターンを形成することができる。次に、第1のレジストパターン28を剥離した後、光透過性基材21の凹凸パターンを形成した一主面側の全面に耐洗浄性保護膜25を成膜する図5d。このとき、凹凸パターンの凹部にも耐洗浄性保護膜25が形成される。耐洗浄性保護膜25を成膜は、従来公知のスパッタリング法が用いられる。次に、第2の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、位置合わせマーク用の第2のレジストパターン29を形成する図5e。次に、第2のレジストパターン29をマスクとして、位置合わせマーク部以外の不要となる耐洗浄性保護膜25、遮光膜24をドライエッチングして除去する図5f。次いで、第2のレジストパターン29を剥離して、凹凸パターンからなる主パターン22と、位置合わせマーク23とを有するテンプレート20が得られる図5g。位置合わせマーク23は、光透過性基材を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の光透過性基材上に形成された遮光膜パターン部からなり、該遮光膜パターン部は遮光膜24と耐洗浄性保護膜25との2層膜で構成されている。位置合わせマーク23の凹凸パターン部の凹部にも耐洗浄性保護膜25が形成されている。本実施形態の製造方法は、遮光膜のパターン化後に耐洗浄性保護膜を成膜する工程をとることにより、遮光膜パターンの側面部にも耐洗浄性保護膜を形成することができ、遮光膜パターンの露出部分をなくすことにより、洗浄耐性のより大きい位置合わせマークとすることができる。第3の実施形態の製造方法図6は、図3に示した第3の実施形態の位置合わせマークを有する本発明のテンプレートの製造工程を示す断面模式図である。図6において、図3と同じ箇所を示す場合には同じ符号を用いている。石英ガラスなどの光透過性基材31の一主面上にクロムなどの遮光膜34を成膜する図6a。遮光膜34の形成は、従来公知のスパッタリング法が適用できる。次に、遮光膜34上に第1の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、主パターンと位置合わせパターンの第1のレジストパターン38を形成する図6b。次に、第1のレジストパターン38をマスクとして、遮光膜34、光透過性基材31の順にドライエッチングし、光透過性基材31に主パターン32となる凹凸パターンと位置合わせマーク33とする凹凸パターンを形成する図6c。図6cの凹凸パターン形成において、遮光膜34がクロム系薄膜の場合には、塩素Cl2と酸素の混合ガスをエッチングガスとして用いてドライエッチングし、耐洗浄性保護膜35および光透過性基材31に損傷を与えずにクロムパターンを形成することができる。塩素ガスは他の塩素系ガス、例えば、CHCl3、SiCl4、CCl4などに替えて用いることもできる。光透過性基材31が石英ガラスの場合には、CF4、CHF3、C2F6あるいはSF6、C4F8などのフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガス、あるいはこれらのガスに酸素を混合したガスをエッチングガスとして用いることによりドライエッチングを行い、凹凸パターンを形成することができる。次に、第1のレジストパターン38を剥離した後、光透過性基材31の凹凸パターンを形成した一主面全面に耐洗浄性保護膜35を成膜する図6d。このとき、凹凸パターンの凹部にも耐洗浄性保護膜35が形成される。耐洗浄性保護膜35を成膜は、従来公知のスパッタリング法が用いられる。次に、第2の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、位置合わせマーク33用および主パターン32用の第2のレジストパターン39を形成する図6e。次に、第2のレジストパターン39をマスクとして、位置合わせマーク部および主パターン部の不要となる耐洗浄性保護膜35、遮光膜34をドライエッチングして除去する図6f。次いで、第2のレジストパターン39を剥離して、凹凸パターンからなる主パターン32と、位置合わせマーク33とを有するテンプレート30が得られる図6g。位置合わせマーク33は、光透過性基材を掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の光透過性基材上に形成された遮光膜パターン部からなり、該遮光膜パターン部は遮光膜34と耐洗浄性保護膜35との2層膜で構成されている。位置合わせマーク33の凹凸パターン部の凹部、および主パターン32の凹凸パターン部の凹部にも耐洗浄性保護膜35が形成されている。本実施形態の製造方法は、遮光膜のパターン化後に耐洗浄性保護膜を成膜する工程をとることにより、遮光膜パターンの側面部にも耐洗浄性保護膜を形成することができ、遮光膜パターンの露出部分をなくすことにより、洗浄耐性のより大きい位置合わせマークとすることができる。さらに、耐洗浄性保護膜が転写に使用される主パターンのすべての凹部に堆積されることにより、凹部底面のコーナー部形状を緩和させ、インプリント時の樹脂の離型性を向上させたテンプレートを製造することができる。また、保護膜のレジスト濡れ性や多孔質性等の性状をコントロールすることによりパターンへのレジストなじみを向上させることができる。これにより充填性を向上させたテンプレートを製造することも可能である。その他の実施形態の製造方法上記のテンプレートの製造方法において、第2のレジストパターン形成においては、電子線レジストによる電子線描画に替えて、感光性レジストによりレーザ描画する方法、あるいはインプリント法によりレジストパターンを形成する方法を用いることも可能である。インプリント法によれば、位置合わせマークの凹凸パターンの凹部にも十分にレジストが充填されるという効果が得られる。石英ガラス上にスパッタリング法により遮光膜として窒化クロム膜を10nmの厚さに成膜し、続いて耐洗浄性保護膜として窒化シリコン膜を5nmの厚さに成膜し2層膜とした。次に、窒化シリコン膜上に第1の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、主パターンと位置合わせパターンの第1のレジストパターンを形成した。次に、第1のレジストパターンをマスクとして、窒化シリコン膜をCF4ガス、窒化クロム膜を塩素と酸素の混合ガス、石英ガラスをCF4ガスで順次ドライエッチングし、石英ガラスに主パターン部となる凹凸パターンと位置合わせマークとする凹凸パターンを形成した。凹凸パターンの凹部の深さは、主パターンおよび位置合わせマークともに50nm、主パターンは凹部の幅30nm、ピッチ60nmの複数のラインアンドスペースパターン、位置合わせマークは凹部の幅2μmの十字マーク形状とした。次に、第1のレジストパターンを剥離した後、第2の電子線レジストを塗布し、電子線描画し、現像して、位置合わせマーク用の第2のレジストパターンを形成し、第2のレジストパターンをマスクとして、窒化シリコン膜をCF4ガス、窒化クロム膜を塩素と酸素の混合ガスで順にドライエッチングし、位置合わせマーク部以外の窒化シリコン膜、窒化クロム膜を除去した。次いで、第2のレジストパターンを剥離して、凹凸パターンからなる主パターンと、位置合わせマークとを有するテンプレートを作製した。本実施例のテンプレートの位置合わせマークは、石英ガラスを掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の石英ガラス上に形成された遮光膜パターン部からなり、該遮光膜パターン部が遮光膜としての窒化クロム膜と耐洗浄性保護膜としての窒化シリコン膜との2層膜で構成されているものである。上記の実施例のテンプレートについて、複数のサンプル評価サンプルNo.1~4を用意し、下記の洗浄耐性の評価試験を行った。また、比較のために、位置合わせマークが従来のクロム膜単層のみから構成されるテンプレートを作製し、複数のサンプル評価サンプルNo.5~7を用意し、実施例と同一条件で洗浄耐性の評価試験を行った。比較例のテンプレートは、位置合わせマークが厚さ10nmのクロム膜単層で形成されている以外は、上記の実施例と同じ材料構成とした。洗浄耐性の評価試験は、次のA~Cの3種類の洗浄条件について行った。アッシングには平行平板型のプラズマアッシング装置を用いた。Aテンプレートを150°Cに加熱し、酸素ガス雰囲気で5分間アッシングした後、遮光膜パターン部の膜厚変化量を測定した。Bテンプレートを250°Cに加熱し、酸素ガス雰囲気で5分間アッシングした後、遮光膜パターン部の膜厚変化量を測定した。CテンプレートをSPM硫酸と過酸化水素水の混合液でウェット洗浄した後、遮光膜パターン部の膜厚変化量を測定した。膜厚変化量は、洗浄耐性の評価試験前の遮光膜パターン部の耐洗浄性保護膜の初期膜厚と洗浄試験後の膜厚を原子間力顕微鏡にて測定し、変化量膜厚減少率として算出した。評価試験結果を表1に示す。表1の実施例の評価サンプルNo.1~4に示されるように、実施例の窒化クロム膜と窒化シリコン膜との2層膜からなるテンプレート評価サンプルは、酸素ガスによるアッシングドライ洗浄に対し、またSPMによるウェット洗浄に対し、膜厚変化量膜厚減少率は数以内であり、いずれも大きな洗浄耐性を示した。一方、表1の比較例の評価サンプルNo.5~7に示されるように、従来のクロム単層膜からなるテンプレート評価サンプルは、酸素ガスによるアッシングでクロム膜がほとんど消滅するほどの損傷を生じてしまった。また、SPMによるウェット洗浄でもクロム膜濃度が低下した。上記の試験結果より、石英ガラスを掘り込んで形成した凹凸パターン部と、この凹凸パターン部の石英ガラス上に形成された遮光膜パターン部からなり、該遮光膜パターン部が遮光膜としての窒化クロム膜と耐洗浄性保護膜としての窒化シリコン膜との2層膜で構成されている本発明のテンプレートの位置合わせマークの優れた洗浄耐性が確認された。