"シリコン融液を凝固させてシリコン多結晶を成長させるための上面が開口された有底筒状のシリコンインゴット製造用容器であって、該容器の側壁が、鉛直に形成された側面下部と、該側面下部に鉛直方向に対して所定のテーパ角θで上面開口部に向かって拡がるように傾斜して連設された側面中部と、該側面中部に鉛直に連設された側面上部とから構成されていることを特徴とするシリコンインゴット製造用容器。前記テーパ角θが、10~80°であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンインゴット製造用容器。前記テーパ角θが、15~60°であることを特徴とする請求項2に記載のシリコンインゴット製造用容器。前記テーパ角θが、20~70°であることを特徴とする請求項2に記載のシリコンインゴット製造用容器。前記テーパ角θが、20~45°であることを特徴とする請求項2に記載のシリコンインゴット製造用容器。石英、Si3N4、SiC、グラファイト、アルミナの何れか1種からなる材料又は2種以上を組み合わせた材料で構成されていることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載のシリコンインゴット製造用容器。請求項1から6の何れか一項に記載のシリコンインゴット製造用容器に、シリコン融液の表面が前記傾斜部に位置するようにシリコン原料を投入し、前記シリコン融液を凝固させてシリコン多結晶を成長させることを特徴とするシリコンインゴットの製造方法。前記シリコン融液の表面に種結晶を接触させて、前記種結晶を引き上げながら、前記シリコン融液を表面から凝固させてシリコン多結晶を成長させることを特徴とする請求項7に記載のシリコンインゴットの製造方法。前記シリコン融液が凝固する際の体積膨張に応じた速度で前記種結晶を引き上げることを特徴とする請求項8に記載のシリコンインゴットの製造方法。しかしながら、特許文献1に記載のテーパ付き容器を用いる場合、容器側面のテーパ角が小さすぎると、シリコン凝固時の体積膨張に伴う応力を分散する効果が得られないため、容器からシリコンインゴットを取り出しにくく、離型材が損壊するという問題は解消されない。また、容器側面のテーパ角が大きすぎると、シリコンインゴットの外周部を切断するときのロスが大きくなり、歩留まり原料採取率が低下してしまうため望ましくない図5参照。また、キャスト法によりシリコンインゴットを製造する場合、離型材が形成されている容器底部からシリコン結晶を成長させることとなるため、結晶粒界を低減することが困難となる。その結果、キャリアの損失による結晶品質の低下や、結晶粒界の成長による歩留まりの低下を招いてしまう。本発明は、上記課題を解決すべくなされたもので、育成されたシリコンインゴットを容器から容易に取り出すことができるとともに、シリコンインゴットの歩留まりの向上を図ることができるシリコンインゴット製造用容器及びシリコンインゴットの製造方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、シリコン融液を凝固させてシリコン多結晶を成長させるための上面が開口された有底筒状のシリコンインゴット製造用容器であって、該容器の側壁が、鉛直に形成された側面下部と、該側面下部に鉛直方向に対して所定のテーパ角θで上面開口部に向かって拡がるように傾斜して連設された側面中部と、該側面中部に鉛直に連設された側面上部とから構成されていることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のシリコンインゴット製造用容器において、前記テーパ角θが、10~80°であることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のシリコンインゴット製造用容器において、前記テーパ角θが、15~60°であることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項2に記載のシリコンインゴット製造用容器において、前記テーパ角θが、20~70°であることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項2に記載のシリコンインゴット製造用容器において、前記テーパ角θが、20~45°であることを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項1から5の何れか一項に記載のシリコンインゴット製造用容器において、石英、Si3N4、SiC、グラファイト、アルミナの何れか1種からなる材料又は2種以上を組み合わせた材料で構成されていることを特徴とする。請求項7に記載の発明は、請求項1から6の何れか一項に記載のシリコンインゴット製造用容器に、シリコン融液の表面が前記傾斜部に位置するようにシリコン原料を投入し、前記シリコン融液を凝固させてシリコン多結晶を成長させることを特徴とする。請求項8に記載の発明は、請求項7に記載のシリコンインゴットの製造方法において、前記シリコン融液の表面に種結晶を接触させて、前記種結晶を引き上げながら、前記シリコン融液を表面から凝固させてシリコン多結晶を成長させることを特徴とする。請求項9に記載の発明は、請求項8に記載のシリコンインゴットの製造方法において、前記シリコン融液が凝固する際の体積膨張に応じた速度で前記種結晶を引き上げることを特徴とする。以下に、本発明を完成するに至った経緯について説明する。従来、結晶成長法の一つとして、融液表面に種結晶を接触させ、融液面から下方に向けて結晶を成長させるカイロポーラス法が知られている。このカイロポーラス法では、異物の少ない融液面から結晶が成長するので、キャスト法よりも高品質のシリコン結晶が期待できる。本発明者は、離型材が形成されている容器底部から結晶成長させるキャスト法に代えて、カイロポーラス法を利用してシリコンインゴットを製造する方法を確立すべく検討を重ねた。まず、カイロポーラス法を利用してシリコンインゴットを製造するに際し、成長結晶を極低速で引き上げることにより、シリコン凝固時の体積膨張に伴う縦方向の応力を緩和する方法を案出した。しかしながら、この方法でシリコンインゴットを製造した場合、容器の内面に形成された離型材が面状に消失している箇所が多発し、シリコンインゴットの取り出しも困難であった。原因を追究すべくシリコンインゴットを製造した後の容器を観察したところ、シリコンインゴットのトップ周縁、すなわちシリコン融液の表面付近が凝固して結晶化した部分に対応する部位で、離型材が面状に消失していることが明らかとなった。また、シリコンインゴットのトップ周縁に、周方向にわたって高さ0.1~0.5mm程度の凸部が形成されていることが確認された。一方、キャスト法によりシリコンインゴットを製造した場合も同様に、シリコンインゴットのトップに対応する部位で離型材が消失していた。これより、結晶成長法によらず、シリコン融液の表面付近が凝固するときの体積膨張に伴う応力が、他の部分が凝固するときの体積膨張に伴う応力より著しく大きくなると考えられた。また、カイロポーラス法を利用した場合においては、シリコン融液の表面付近が凝固するときに、横方向に膨張したシリコン結晶特にトップ周縁の凸部が離型材に食い込み、この状態で半ば強引に引き上げられたことにより離型材が剥離したと考えられた。そして、シリコン融液の表面が位置することとなる部分に着目して容器の形状を改善することで、シリコン凝固時の体積膨張特に横方向の体積膨張に伴う応力を効果的に分散できることを見出し、これによりシリコンインゴットの容器からの取出性と歩留まりを両立させることができるとの知見を得て、本発明を完成した。本発明によれば、シリコン凝固時の体積膨張に伴い容器に生じる応力が緩和されるので、容器内面に形成された離型材が損壊するのを効果的に防止できる。したがって、育成されたシリコンインゴットが容器に固着することもなく、容易に取り出すことができる。また、シリコンインゴット製造用容器において、シリコン凝固時の体積膨張に伴う応力が大きくなる部分を傾斜部とし、応力が小さい部分側面下部については鉛直に形成しているので、シリコンインゴットの外周部を切断するときの加工ロスが小さくなる。したがって、シリコンインゴットの歩留まりの向上を図ることができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明を適用したシリコンインゴット製造用容器の断面図である。図1に示すシリコンインゴット製造用容器以下、容器11は、例えば石英材料を成型してなる、上面が開口された有底の円筒状又は角筒状の容器である。容器11の側壁は、鉛直に形成された側面下部以下、直胴部11cと、側面下部11cにテーパ角鉛直方向に対する傾斜角θで上面開口部に向かって拡がるように傾斜して連設された側面中部以下、傾斜部11bと、傾斜部11bに鉛直に連設された側面上部11aに区画される。ここで、図6aに示すように、容器11の側壁11aおよび底壁11dの厚さをT1とすると、厚さT1は5~20mm程度が望ましい。5mm未満だと容器材料の脆弱性が問題となる。一方、20mmより大きいと容器の断熱性増加による影響を無視できなくなり、シリコンの溶融時間が増大し、リードタイムや電力コストが増大するため生産性が低下してしまう。同様の理由により、側面下部11cの厚さT2は5~30mm程度が望ましい。側面下部11cの長さLcは、特に制限はないが、容器内で原料を融解する場合には、側面下部11cより上の長さLaLbと、側面下部11cの長さLcとの比LaLb/Lcが2以上であることが望ましい。シリコン原料は固体の密度が液体よりも小さいので、融液面位置が少なくともLcの位置直胴部分11cの最上端まで来るようにするには、容器内に原料を少なくともLcの2倍の高さの位置まで充填する必要がある。原料の形状により、容器への充填の程度は異なるが、上記の寸法比にしておけば、実用上十分である。なお、上述した容器11の厚さや長さは、角筒状の容器の場合に限定されず、円筒状の容器の場合も同様である。また、図6aに示すように、容器11の上部および下部の内部寸法をそれぞれm1,m2とすると、両者の差m1-m2は2~50mm,好ましくは10~20mmの範囲にあることが望ましい。2mmを下回ると結晶成長中のシリコンインゴットが離型材および容器に食い込むのを防ぎきれない。50mmを超えると、容器側面傾斜部およびその側面下部の厚肉部分の断熱性が増加するため、50mm以下の場合と比べてシリコンの溶融時間が増大し、リードタイムや電力コストが増大するため生産性が低下してしまう。従って、例えば150~270kg程度のSiインゴットを角筒状もしくは円筒状の容器から得る場合、m2を600mm、m1を602~650mm、好ましくは610mm~620mmにすると良い。容器11にシリコン融液を収容し、このシリコン融液を凝固させてシリコン多結晶を成長させる場合、傾斜部11bに位置するシリコン融液が凝固するときの体積膨張に伴う応力は、傾斜部11bに垂直な成分と平行な成分に分散されることとなる。例えば、テーパ角θを3°以上90°未満とすることで、離型材が剥離しない程度に体積膨張に伴う応力を分散させることができる。実験により、テーパ角θを3°未満とした場合には、育成されたシリコンインゴットが離型材に食い込み、離型材の損壊が確認された。そこで、テーパ角θは3°以上とするのが望ましい。図2は、容器11を用いた結晶成長装置の一例を示す図である。図2に示す結晶成長装置1は、カイロポーラス法によりシリコンインゴットを製造するためのものであり、内面にSi3N4焼結体等の離型材12が形成された容器11を用いている。結晶成長装置1では、容器11がグラファイト製のサセプタ13に支持されており、サセプタ13の外周にはヒータ14が配置されている。また、容器11の中央には結晶引き上げ軸15が配置されており、その先端にはSi単結晶又はSi多結晶からなる種結晶16が取り付けられる。結晶成長装置1を用いてカイロポーラス法によりシリコンインゴットを製造する場合、シリコン融液17の表面が傾斜部11bに位置するように、シリコン原料例えばシリコン融液を容器11に投入する。そして、シリコン融液17の表面に種結晶16を接触させて、シリコン融液17を表面から凝固させてシリコン多結晶を成長させる。このとき、種結晶16を極低速で引き上げながらシリコン多結晶を成長させることにより、シリコン凝固時の体積膨張に伴う縦方向の応力を緩和することができる。つまり、種結晶16の引き上げ速度は、シリコン融液17が凝固する際の縦方向の体積膨張に応じて設定される。また、シリコン融液17の表面は、容器11の傾斜部11bに位置しているので、融液表面付近が凝固するときの体積膨張に伴い容器11に生じる横方向の応力は分散される。つまり、テーパ角θの大きさに応じて傾斜部11bに垂直な応力成分が小さくなるので、シリコン結晶が離型材12に食い込むのを防止できる。したがって、シリコン多結晶の成長過程において離型材12が損壊しないので、育成されたシリコンインゴットが容器に固着することもなく、容易に取り出すことができる。なお、容器11の寸法直胴部11cの内径、テーパ角θ等や投入するシリコン原料の量シリコン融液17の表面位置を適切に設定することで、種結晶16の引き上げ操作によりシリコンインゴットのトップ周縁が容器11傾斜部11bの内面に接触しないようにすることもできる。例えば、傾斜部11bに位置するシリコン融液の表面付近が凝固する際に、種結晶16から容器の直胴部分まで液面上に形成された結晶をLだけ引き上げる場合を考えると、引上げ前後で融液表面の直径は2Ltanθだけ拡径されることになる。したがって、この拡径量2Ltanθが、シリコン凝固時の横方向の体積膨張より大きければ、シリコンインゴットのトップ周縁が容器11傾斜部11bの内面に接触しない。シリコン融液は、凝固する際に横方向に1mm程度膨張することが知られており、また、本発明者等の実験により、シリコンインゴットのトップ周縁には高さα0.1~0.5mm程度の凸部が形成されることが判明しているので、拡径量2Ltanθが1αよりも大きくなるように種結晶16の引上げ量Lとテーパ角θを設定することにより、シリコンインゴットのトップ周縁が容器11傾斜部11bの内面に接触しないようにすることができる。例えば、L=10.5mm、α=0.1mmとした場合、θ≧3°となる。また、容器11において、シリコン凝固時の体積膨張に伴い大きな応力が生じる部分だけを傾斜部11bとし、応力が小さい側面下部11cについては鉛直に形成しているので、シリコンインゴットの外周部を切断して円柱状又は角柱状に加工するときのロスが小さくなる。したがって、シリコンインゴットの歩留まりの向上を図ることができる。つまり、図5に示すように、容器の側面全体を傾斜させると、シリコン凝固時の体積膨張に伴う応力を分散することはできるが、シリコンインゴットの底部外径と上部外径の差が大きくなるため、シリコンインゴットを円柱状又は角柱状に加工する際にロスが大きくなる。例えば、容器の側面全体のテーパ角が10°の角筒状容器を用いて、ボトム径が90mm,高さが110mm,トップ径が128mmのインゴットを得た場合、ロス体積は全体の56となる。同様に、ボトム径が90mm,高さが110mmのインゴットを作製するために、テーパ角を20°,30°,45°,70°とした場合、角筒状容器とインゴットの上部外径が著しく増大して炉が大型化するうえ、容器底面にあるインゴットのロス率はそれぞれ計算上70,79,87,97となる。このように、容器の側面全体を傾斜させてテーパ角をつける従前の方法を行う場合、角柱状インゴットの歩留りは著しく低下する。この歩留りを少しでも高めようとすると、切り出し回数が増えてしまうというデメリットも存在する。これに対して、本発明の実施形態に係る容器11を使用した場合では、インゴットTop側面上部にのみテーパがあり、他の側面部はほぼ直胴であるため、ロス体積率は36であり、そのテーパ角度を10°,20°,30°,45°,70°と変更しても、ロス体積率は36のままである。さらに、カイロポーラス法を利用してシリコンインゴットを製造する際に、種結晶を引き上げながらシリコン多結晶を成長させるため、引き上げ速度を適当に調整することにより、シリコンインゴットのトップ周縁が離型材12と接触しない状態を保持しつつ成長を進めることができる。したがって、シリコンインゴットが離型材12に食い込むのをより効果的に防止できるので、食い込みにより成長結晶の引き上げ操作が阻害されることもない。また、シリコン凝固時の体積膨張に応じて種結晶16を引き上げることで、体積膨張に伴う縦方向の応力が緩和されるので、シリコン融液が圧縮されることによる不具合も生じない。なお、テーパ角θを3°以上90°未満とすることで、シリコン凝固時の体積膨張に伴う応力を、離型材12が損壊しない程度に分散させることができるが、テーパ角θが小さすぎると体積膨張に伴う応力の分散効果が小さく、場合によっては離型材12が損壊する虞もある。また、テーパ角θが大きすぎると、傾斜部11bの高さを確保するために傾斜部11bが横に大きく張り出してしまうため、装置の大型化を招き、ロスが増大する要因となる上、テーパ面と直胴部分との境界である湾曲部分にて、離型材が割れやすくなるため、インゴットの取り出しがうまくできなくなる可能性がある。このような観点から、テーパ角θは、10°~80°、好ましくは20°~70°、或いは15°~60°、より好ましくは20°~45°の範囲で設定するのが望ましい。[実施例]実施例1から4では、結晶成長装置1を用いてカイロポーラス法によりシリコンインゴットを製造した。容器11は円筒状であって、その寸法は、直胴部11a上の開口部の内径m1が146mm、直胴部11c底部の内径m2が125mm、直胴部11cの高さLcが30mm、LaLbが60mmとなるようにした。傾斜部11bの高さLbは、テーパ角θ=20°,30°,45°,70°のとき、それぞれ29mm,18mm,10mm,4mmとした。まず、ボロン濃度:1.0×1016atom/cm3を添加したシリコン融液を円筒状容器11に流し込み、シリコン融液の表面を傾斜部11bの中間点直胴部11cとの境界から5.25mmに位置させ、深さ方向の温度勾配が10°C/cmとなるようにシリコン融液を保持した。そして、結晶方位が<100>で3.5mm角のSi単結晶からなる種結晶16をシリコン融液の表面に接触させ、この種結晶16を1mm/hで手動により引き上げながらシリコン多結晶を成長させた。このとき、容器11および種結晶16を5rpmで回転させ、種結晶16を中心としてシリコン多結晶を同心円状に成長させた。3時間の成長によりシリコン融液を完全に固化させ、実施例に係るシリコンインゴットを得た。なお、容器11の底部の温度が、シリコンの凝固点である1410°Cになった時点を結晶成長の終点とみなした。これらの結果を表1に示す。実施例1~4によるシリコンインゴットの製造では、図3に示すように、成長過程においてシリコン多結晶18が離型材12に食い込んで引き上げ操作が妨げられることはなかった。つまり、傾斜部11bを形成した容器11を用いるとともに、種結晶16を引き上げながらシリコン多結晶を成長させることにより、シリコン融液17に生じる圧縮応力が効果的に緩和されていた。また、製造されたシリコンインゴットを容易に容器11から取り出すことができた。また、これまで問題となっていた容器11とシリコンインゴットのトップ周縁との融着は生じなかった。また、直胴状のシリコンインゴットに加工したときにインゴットが割れるなどの実用上の問題は発生しなかった。さらに、得られたシリコンインゴットにおいては結晶粒界が縦方向に揃っており、キャスト法により製造したシリコンインゴットに比較して結晶品質が向上していた。このように、実施形態の容器11を使用してカイロポーラス法で結晶成長させることによる有効性が確認された。なお、実施例1~4では、傾斜部11bのテーパ角θを20°、30°、45°、70°とした場合について示したが、テーパ角θを60°とした場合も同様の結果が得られた。また、テーパ角θを10~80°の範囲で少しずつ変化させて実験を行って比較した結果、テーパ角θが15~60°である場合にシリコンインゴットの容器からの取出性がより良好であり、テーパ角θが20~45°である場合の歩留りが最も優れることが確認された。[比較例]図4は、比較例4で使用した結晶成長装置の概略構成を示す図である。図4では、実施形態の結晶成長装置1と同一又は対応する構成要素に対して20番台の符号を付している。結晶成長装置2では、一般的な直胴型の容器21を用いている点が、実施形態の結晶成長装置1と異なる。比較例1~4では、結晶成長装置2を用いてカイロポーラス法によりシリコンインゴットを製造した。円筒状容器21には、内径が125mmの直胴型の容器を使用した。シリコン原料の投入量、シリコン多結晶の成長条件等については実施例と同じとした。比較例1では、結晶引き上げ中に容器に引っかかり、その状態で成長が進んだ結果、体積膨張応力が容器の底に集中して容器が破壊された。シリコンインゴットを取り出した後の容器21を確認したところ、容器21の底面及び側面の大半の領域では離型材22の剥離は認められなかったが、シリコンインゴットのトップに対応する部分において、面状に離型材22が消失している領域が多発していた。シリコン融液27の表面付近が凝固するときに、横方向に膨張したシリコン多結晶28が離型材22に食い込み、この状態で半ば強引に引き上げられたことにより離型材22が剥離し、さらにはシリコン多結晶が容器21に固着したために、シリコンインゴットの取り出しが困難になったと考えられる。比較例2のテーパ角8°の場合、カイロポーラス法での結晶引き上げの際に結晶が容器に引っかかることはなかったが、インゴットTop側面と離型材の摩擦が大きく、取り出しにくい結果となった。比較例3の場合、容器のテーパ部分と直胴部分の湾曲部分にて離型材が割れてしまったため、その部分でインゴットと容器とが融着してインゴットを取り出すことができなくなった。湾曲部分にて脆弱化な離型材が、体積膨張応力に耐えられなかったと思われる。比較例4によるシリコンインゴットの製造では、図4に示すように、成長過程においてシリコン多結晶28が離型材22に食い込み、引き上げ操作が妨げられた。そして、成長結晶の上方への移動が規制された引き上げ速度が低下した結果、シリコン凝固時の体積膨張による応力が緩和されずにシリコン融液が圧縮され、融液が容器の中央から激しく噴き上がって容器外に飛散するという現象が生じたシリコン融液の噴き上げ。成長過程において噴き上げが発生したため、良好な結晶成長が阻害され、さらには高価な装置部材が損傷してしまった。これらの結果を総合すると、シリコンインゴットの容器からの取出しが問題なく可能なテーパ角θは10°~80°の範囲内である場合であることが判明した。また、湾曲部分の離型材の剥がれ易さ、横方向のSiの体積膨張応力を考慮すると、テーパ角θが20°~70°である場合がより望ましいことが分かった。以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、実施形態では、容器11を石英材料で構成した場合について示したが、石英、Si3N4、SiC、グラファイト、アルミナの何れか1種からなる材料又は2種以上を組み合わせた材料で構成することができる。また例えば、容器11によれば、シリコン凝固時の体積膨張に伴う応力が傾斜部11bで分散されるので、キャスト法によりシリコンインゴットを製造する場合にも有効である。キャスト法によりシリコンインゴットを製造する場合も、シリコン融液の表面が傾斜部11bに位置するようにすればよい。容器11の形状を円筒状から角筒状に変えた場合であっても、実施例1~4、比較例1~4と同様の結果が得られる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"