"下記式Iの6位修飾デオキシグルコースの製造方法であって、[式中、X基は、アジド基、ハロゲン原子、または-SO2-Rここで、Rは、メチル基、エチル基、p-メチルフェニル基、o-ニトロフェニル基、p-ニトロフェニル基、o-ブロモフェニル基、p-ブロモフェニル基、またはトリフルオロメチル基を表すを表す]iカードランに、ハロゲン化剤またはスルホニル化剤を反応させ、カードランの6位の水酸基をハロゲン基または-SO2-R基に置換する工程、ii必要に応じて、前記工程iで得られた6位修飾デオキシカードランの6位のハロゲン基または-SO2-R基をアジド化する工程、およびiii前記工程iまたはiiより得られた下記式IIの繰り返し単位からなる6位修飾デオキシカードランに酸加水分解剤を反応させ、式Iの6位修飾デオキシグルコースを得る工程を含んでなる、方法。[式中、X基は、繰り返し単位間で同一または異なっていてもよく、水酸基、アジド基、ハロゲン原子、または-SO2-Rここで、Rは、メチル基、エチル基、p-メチルフェニル基、o-ニトロフェニル基、p-ニトロフェニル基、o-ブロモフェニル基、p-ブロモフェニル基、またはトリフルオロメチル基を表すを表し、nは、2~100,000の整数を表し、ただし、X基がすべて水酸基である場合を除く]。ハロゲン化剤が、トリフェニルホスフィンと四ハロゲン化炭素との組合せ、またはトリフェニルホスフィンとN-ハロスクシンイミドとの組合せである、請求項1に記載の方法。ハロゲン化剤が、トリフェニルホスフィンと四臭化炭素との組合せ、またはトリフェニルホスフィンとN-ブロモスクシンイミドとの組合せである、請求項1または2に記載の方法。請求項1に記載の-SO2-R基が、メチルスルホニル基メシル基またはp-トルエンスルホニル基トシル基である方法。スルホニル化剤が、メシルクロライドまたは塩化パラトルエンスルホニルトシルクロライドである、請求項4に記載の方法。酸加水分解剤が、塩酸、モンモリロナイト、アンバーライト、硫酸、または酢酸である、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。本発明を以下の実施例を示して説明するが、本発明は本実施例の内容によって限定されるものではない。16-ブロモ-6-デオキシカードランの製造カードラン和光純薬工業株式会社製、カードラン034-09901、重合度:約500、数平均分子量:約81,0002.0gおよび塩化リチウム5.2gを、200mlの二口なすフラスコの中で混合した。トルエンを用いた共沸により、水分を完全に除去したのち、系内を窒素置換した。混合物に、N,N-ジメチルホルムアミドDMF60mlを加え、60°Cにて20時間磁気撹拌し、カードランおよび塩化リチウムを溶解させた。得られた溶液は、均一な淡黄色であった。溶液の温度が室温程度になるまで放冷したのち、反応溶液に、DMF40mlに溶解させたトリフェニルホスフィン8gを加え、室温にて4時間撹拌した。さらに、DMF20mlに溶解させた四臭化炭素10gを加え、60°Cにて24時間磁気撹拌した。反応溶液に、メタノールを加えて再沈殿を行い、遠心分離によって沈殿物を回収した。この再沈殿処理を、四回繰り返し、トリフェニルホスフィンおよび四臭化炭素を完全に除去することで、6-ブロモ-6-デオキシカードラン1.8gを得た。13CNMRスペクトル300MHz,DMSO-d6,60°C13CNMRスペクトル測定の結果、カードランの6位の水酸基-CH2-OHに位置するピークが消滅し、ブロモメチル基-CH2-Br由来のピークが新たに観測されたことから、カードランの6位の水酸基が、全て、ブロモ化されたことが示された図1参照。また、6位の炭素以外のカードランの炭素のピークには、ブロモ化による明確な化学シフト値の変化は認められなかった。以上の結果から、カードランの水酸基のブロモ化が、6位特異的に、置換度1で進行したことが示された。26-アジド-6-デオキシカードランの製造前記1で得られた6-ブロモ-6-デオキシカードラン1.8gをDMF/DMSO1:1v/v混合溶媒に溶解した。得られた溶液に、アジ化ナトリウム8gを加え、85°Cにて36時間加熱撹拌することで、ブロモ基からアジド基への変換を行った。反応溶液にメタノールを加えて再沈殿を行い、遠心分離によって沈殿物を回収した。この再沈殿処理を、四回繰りし、アジ化ナトリウムおよびDMSOを完全に除去することで、6-アジド-6-デオキシカードラン1.4gを得た。赤外吸収IRスペクトルKBr、cm-1:210113CNMRスペクトル300MHz,DMSO-d6,60°CIRスペクトル測定の結果、2101cm-1付近にアジド基由来の吸収が確認でき、カードランへのアジド基の導入が確認された。また、13CNMRスペクトル測定の結果、カードランの6位の水酸基-CH2-OHまたはブロモメチル基-CH2-Br由来のピークは全く観測されない一方で、新たにアジドメチル基-CH2-N3のピークの出現が観測されたことから、カードランの6位の水酸基が全てアジド化されたことが示された。また。6位の炭素以外のカードランの炭素のピークに化学シフト値の変化は認められなかった図2参照。以上の結果から、ブロモ基のアジド化が6位特異的に、置換度が1で進行したことが示された。36-アジド-6-デオキシグルコースの合成前記2で得られた6-アジド-6-デオキシカードラン1.4gを35塩酸に懸濁し、室温にて48時間磁気攪拌した。反応溶液を、減圧下、30°Cにて溶媒を留去し、黄白色粉末の6-アジド-6-デオキシグルコース15.3g収率100を得た。MALDI-TOF-MSスペクトル:イオン化促進試薬として、αCHCAα-シアノ-4-ヒドロキシケイ皮酸、PositiveRefrectionモード1HNMRスペクトル300MHz,D2O,室温MALDI-TOF-MSスペクトル測定の結果は、6-アジド-6-デオキシグルコースの単量体のピークm/z=227.33のみが見られ、二量体のピークは見られなかった。よって、得られた生成物は、6-アジド-6-デオキシカードランの全てのグリコシド結合が加水分解されたものであることが分かった図3参照。6-アジド-6-デオキシグルコースの1HNMRスペクトル測定の結果は、5.03ppmおよび4.45ppmに、それぞれ6-アジド-6-デオキシグルコースのαアノマーおよびβアノマーのプロトンピークがみられた。それ以外のアノマープロトン由来のピークは確認されなかった図4参照。また、アセチル化後の6-アジド-6-デオキシグルコースの1HNMRスペクトル測定の結果でも、同様の結果がみられた図5参照。よって、得られた生成物は、副生成物を含まず、6―アジド-6-デオキシカードランの全てのグリコシド結合が加水分解されたものであることが分かった。以上の結果から、得られた生成物が、6-アジド-6-デオキシグルコースであること、さらには、不純物が全く含まれていない純度の高い6-アジド-6-デオキシグルコースであることが示された。前記1~3のプロセスは下記スキーム3に示す。"