"導電性を有する基板と、前記基板の上方に備わったAlGaN層と、前記AlGaN層上に備わったGaN層と、前記GaN層上に、それとショットキーコンタクトをなす電極層と、を含む窒化ガリウム系半導体素子。前記基板は、サファイア基板より熱伝導度が高い物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記基板は、Al-Si、Si、Cu、Ni、W、Al、Cr及びそれらの組み合わせのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記基板と前記AlGaN層は、オーミックコンタクトをなすことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記AlGaN層は、AlxGa1-xN層ここで、xは、0<x≦0.6であることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記AlGaN層は、n型不純物がドーピングされた層であることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記GaN層は、単層構造または多層構造を有する請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記GaN層は、ドーピングされていないGaN層及びn型ドーピングGaN層のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記GaN層は、前記電極層に接触した第1GaN層、及び前記第1GaN層と前記AlGaN層との間に備わった第2GaN層を含み、前記第1GaN層は、ドーピングされていない層であるか、n型ドーピング層であり、前記第2GaN層は、Si及びAlのうち少なくとも一つがドーピングされた層であることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記AlGaN層及び前記GaN層は、N面極性を有することを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記基板と前記電極層との間に超格子構造層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記GaN層は、多層構造を有し、前記超格子構造層は、前記GaN層を構成する複数の層間に備わったことを特徴とする請求項11に記載の窒化ガリウム系半導体素子。前記GaN層内に備わった遮断層パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系半導体素子。第1基板上にGaN層を形成するGaN層形成段階と、前記GaN層に上にAlGaN層を形成するAlGaN層形成段階と、前記AlGaN層の上方に第2基板を設ける第2基板設置段階と、前記第1基板を除去し、前記GaN層を露出させる露出段階と、前記露出されたGaN層の表面に、前記GaN層とショットキーコンタクトをなす電極層を形成する電極層形成段階と、を含む窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第1基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記GaN層は、単層構造または多層構造に形成することを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記GaN層は、ドーピングされていないGaN層及びn型ドーピングGaN層のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記GaN層形成段階は、前記第1基板上に第1GaN層を形成する段階と、前記第1GaN層上に第2GaN層を形成する段階と、を含み、前記第1GaN層は、ドーピングされていない層であるか、n型ドーピング層であり、前記第2GaN層は、Si及びAlのうち少なくとも一つがドーピングされた層であることを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記GaN層は、多層構造に形成し、前記GaN層を構成する複数の層間に超格子構造層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記AlGaN層は、AlxGa1-xN層ここで、xは、0<x≦0.6であることを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記AlGaN層は、n型ドーピング層であることを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第2基板は、導電性基板であることを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第2基板は、前記第1基板より熱伝導度が高い物質を含むことを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第2基板は、Al-Si、Si、Cu、Ni、W、Al、Cr及びそれらの組み合わせのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第2基板設置段階は、ボンディング法またはメッキ法で遂行することを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記AlGaN層と前記第2基板との間に、オーミックコンタクト層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第1基板を除去する前記露出段階は、レーザリフトオフ工程によって遂行することを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第1基板の上面に尖頭状の複数の突出部を形成する段階と、前記GaN層内に前記複数の突出部に対応する位置に遮断層パターンを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。前記第1基板を除去する前記露出段階の後に、前記GaN層の露出面からその一部厚みを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法。最近、情報通信機術の急激な発達によって、超高速大容量の信号伝送のための技術が急速に発達している。これと関連して、無線通信分野で、個人携帯電話、衛星通信、軍事用レーダ、放送通信、通信用中継器などの需要が拡大するにつれて、マイクロ波とミリメートル波との帯域の超高速情報通信システムに必要な高速高電力電子素子への要求が高まっている。通信分野以外の他の分野でも、高電力を制御することができる電力素子すなわち、パワーデバイスpowerdeviceは、さまざまな目的で使われており、それに係わる多様な研究が進められている。GaN系窒化物半導体は、エネルギーギャップが大きく、高い熱的化学的安定性、高い電子飽和速度~3×107cm/secなどすぐれた物性を有している。特に、GaN系窒化物半導体を利用した電子素子は、高い降伏電界~3×106V/cm、高い最大電流密度、安定した高温動作特性などの多様な長所を有している。かような物性的な特徴により、GaN系窒化物半導体は、光素子だけではなく、高周波高出力用電子素子及び高電力素子への応用が可能である。しかし、GaN基盤の半導体素子は、一般的に熱伝導度が低いサファイア基板に形成されると、熱放出特性にすぐれないという短所がある。サファイア基板の代わりに、SiC基板を使用することが放熱特性側面で有利でありうるが、SiC基板は高価サファイア基板の約10倍であるから、製造コストがかかってしまうという問題がある。また、GaN基盤の半導体素子は、基板とGaNとの格子定数不一致による線欠陥及び転位dislocation発生の問題点もある。本発明は、熱放出が容易であって欠陥が少なく、電流拡散currentspreading効果を得ることができる窒化ガリウム系半導体素子を提供する。本発明はまた、前記窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を提供する。本発明の一側面aspectによれば、導電性を有する基板と、前記基板の上方に備わったAlGaN層と、前記AlGaN層上に備わったGaN層と、前記GaN層上に、それとショットキーコンタクトをなす電極層と、を含む窒化ガリウム系半導体素子が提供される。前記基板は、サファイア基板より熱伝導度が高い物質を含むことができる。前記基板は、Al-Si、Si、Cu、Ni、W、Al、Cr及びそれらの組み合わせのうち少なくとも一つを含むことができる。前記基板と前記AlGaN層は、オーミックコンタクトされうる。前記AlGaN層は、AlxGa1-xN層ここで、xは、0<x≦0.6または0.1≦x≦0.5でありうる。前記AlGaN層は、n型不純物がドーピングされた層でありうる。前記GaN層は、単層構造または多層構造を有することができる。前記GaN層は、ドーピングされていないGaN層及びn型ドーピングGaN層のうち少なくとも一つを含むことができる。前記GaN層は、前記電極層に接触した第1GaN層、及び前記第1GaN層と前記AlGaN層との間に備わった第2GaN層を含むことができる。この場合、前記第1GaN層は、ドーピングされていない層であるか、n型ドーピング層であり、前記第2GaN層は、Si及びAlのうち少なくとも一つがドーピングされた層でありうる。前記AlGaN層及び前記GaN層は、N面極性N-facepolarityを有することができる。前記基板と前記電極層との間に、超格子構造層superlatticestructurelayerがさらに備わりうる。前記GaN層は、多層構造を有し、前記超格子構造層は、前記GaN層を構成する複数の層間に備わりうる。前記GaN層内に、遮断層パターンblockinglayerpatternがさらに備わりうる。本発明の他の側面によれば、第1基板上にGaN層を形成するGaN層形成段階と、前記GaN層に上にAlGaN層を形成するAlGaN層形成段階と、前記AlGaN層の上方に第2基板を設ける第2基板設置段階と、前記第1基板を除去し、前記GaN層を露出させる露出段階と、前記露出されたGaN層の表面に、前記GaN層とショットキーコンタクトをなす電極層を形成する電極層形成段階と、を含む窒化ガリウム系半導体素子の製造方法が提供される。前記第1基板は、サファイア基板でありうる。前記GaN層は、単層構造または多層構造に形成されうる。前記GaN層は、ドーピングされていないGaN層及びn型ドーピングGaN層のうち少なくとも一つを含むことができる。前記GaN層形成段階は、前記第1基板上に第1GaN層を形成する段階と、前記第1GaN層上に第2GaN層を形成する段階と、を含むことができる。この場合、前記第1GaN層は、ドーピングされていない層であるか、n型ドーピング層であり、前記第2GaN層は、Si及びAlのうち少なくとも一つがドーピングされた層でありうる。前記GaN層は、多層構造に形成し、前記GaN層を構成する複数の層間に超格子構造層を形成することができる。前記AlGaN層は、AlxGa1-xN層ここで、xは、0<x≦0.6または0.1≦x≦0.5でありうる。前記AlGaN層は、n型ドーピング層でありうる。前記第2基板は、導電性基板でありうる。前記第2基板は、前記第1基板より熱伝導度が高い物質を含むことができる。前記第2基板は、Al-Si、Si、Cu、Ni、W、Al、Cr及びそれらの組み合わせのうち少なくとも一つを含むことができる。前記第2基板設置段階は、ボンディング法またはメッキ法で遂行することができる。前記AlGaN層と前記第2基板との間に、オーミックコンタクト層を形成することができる。前記第1基板を除去する段階は、レーザリフトオフlaserliftoff工程によって遂行することができる。前記第1基板の上面に、尖頭状の複数の突出部を形成する段階と、前記GaN層内に、前記複数の突出部に対応する位置に遮断層パターンを形成する段階と、をさらに含むことができる。前記第1基板を除去する段階後、前記GaN層の露出面からその一部厚みを除去する段階をさらに含むことができる。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。以下、本発明の実施形態による窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法について、添付された図面を参照しつつ詳細に説明する。この過程で、図面に図示された層又は領域などの厚みは、明細書の明確性のために多少誇張されて図示されている。詳細な説明全体にかけて同じ参照番号は、同じ構成要素を示す。図1は、本発明の実施形態による窒化ガリウム系半導体素子を示している。図1を参照すれば、放熱基板100の上方に、AlGaN層200及び第1GaN層300が順に備わり、第1GaN層300上に、ショットキー電極400が備わりうる。放熱基板100は、導電性基板であって、AlGaN層200は、放熱基板100とオーミックコンタクトohmiccontactをなすことができる。放熱基板100とAlGaN層200との間には、ボンディング金属層10及びオーミック金属層20が順に備わりうる。すなわち、一例として、放熱基板100上にボンディング金属層10が形成され、ボンディング金属層10上にオーミック金属層20が形成され、オーミック金属層20上にAlGaN層200が形成される。第1GaN層300のAlGaN層200に接した界面付近に、二次元電子ガス層2-dimensionalelectrongaslayer;2DEG層という。が存在しうる。ショットキー電極400は、第1GaN層300とショットキーコンタクトSchottkycontactをなすことができる。以下では、前述の構成要素それぞれについて、さらに詳細に説明する。放熱基板100は、導電性基板であって、下部電極として使われうる。また、放熱基板100は、サファイア基板より熱伝導度が高い熱伝導性基板でありうる。例えば、放熱基板100は、Al-Si、Si、Cu、Ni、W、Al、Cr及びそれらの組み合わせのうち少なくとも一つを含む基板でありうる。このような放熱基板100は、サファイア基板よりすぐれた熱放出特性を有し、SiC基板より廉価であり、電極として使われうる。放熱基板100上に備わったAlGaN層200は、AlxGa1-xN層ここで、xは、0<x≦0.6または0.1≦x≦0.5でありうる。すなわち、AlGaN層200でAl成分の含有量は、多くは60at以下であり、少なくは10~50atほどでありうる。また、AlGaN層200は、n型不純物でドーピングされた層、すなわち、n型ドーピング層でありうる。前記n型不純物は、例えば、Siである。前記n型不純物は、1018atom/cm3以上、1020atom/cm3以下ほどの濃度高濃度でドーピングされうる。従って、AlGaN層200は、n層でありうる。前記n型不純物がドーピングされることによって、AlGaN層200の電気伝導度が上昇し、放熱基板100とのオーミックコンタクト特性が向上しうる。AlGaN層200の厚みは、約10~60nmである。AlGaN層200の上方に備わった第1GaN層300は、ドーピングされていないGaN層であるか、n型ドーピングGaN層でありうる。第1GaN層300がn型ドーピングGaN層である場合、n型不純物は、1018atom/cm3未満の濃度、例えば、1017atom/cm3ほどの濃度でドーピングされうる。従って、第1GaN層300は、n型層でありうる。第1GaN層300の厚みは、2~10μmほどでありうる。すなわち、一例として、第1GaN層300のドーピング濃度は、AlGaN層200のドーピング濃度より低い。AlGaN層200と第1GaN層300とが接合された異種接合構造では、接合界面でのバンド不連続banddiscontinuityが大きいので、前記界面に電子が高濃度で集中しうる。従って、前記界面付近に2DEG層が生成されうる。前記2DEG層での電子移動度electronmobilityは非常に高く、従って、電流拡散currentspreading特性が向上しうる。また本実施形態で、AlGaN層200と第1GaN層300は、N面極性N-facepolarityを有することができる。ウルツァイトWurtzite構造のGaN系物質層は、N原子が最上層露出面に配列されるN面極性N-facepolarity、あるいは、Ga原子が最上層露出面に配列されるGa面極性Ga-facepolarityを有することができる。N面faceを有するGaN系物質層は、Z軸方向に[000-1]方向性を有し、Ga面faceを有するGaN系物質層は、Z軸方向に[0001]方向性を有する。AlGaNとGaNとが接合されたGaN系異種接合構造で、AlGaNとGaNとの表面極性によって、2DEG層の形成位置が変わりうる。GaN/AlGaN/GaNがN面極性を有する場合、2DEG層は、AlGaN上側のGaNに形成されうる。一方、GaN/AlGaN/GaNがGa面極性を有する場合、2DEG層は、AlGaN下側のGaNに形成されうる。このように、GaN系物質層の表面極性が何であるかによって、それから形成される素子の特性、構成などが変わりうる。本実施形態では、AlGaN層200と第1GaN層300とがN面極性を有するので、AlGaN層200上に備わった第1GaN層300内に、2DEG層が備わりうる。第1GaN層300がN面極性を有する場合、本実施形態による半導体素子垂直型ショットキーダイオード素子の特性が向上しうる。具体的に説明すれば、第1GaN層300がN面極性を有する場合、それによって、ショットキー電極400との電位障壁高potentialbarrierheight、すなわち、ショットキーバリヤ高Schottkybarrierheightが高まりうる。換言すれば、第1GaN層300がN面極性を有する場合、Ga面極性を有する場合より、その上に形成されるショットキー電極400とのショットキーバリヤ高が高い。従って、第1GaN層300をN面極性に形成することによって、本実施形態による半導体素子垂直型ショットキーダイオード素子の特性を向上させることができる。第1GaN層300上に備わったショットキー電極400は、第1GaN層300とショットキーコンタクトをなす金属または導電性金属酸化物を含むことができる。例えば、ショットキー電極400は、Ni、Au、Pt、CuInO2、ITOindiumtinoxideなどを含む単層構造または多層構造を有する。具体的な例としては、ショットキー電極400は、Ni/Au、CuInO2/Au、ITO/Au、Ni/Pt/Au、Pt/Auなどの構成を有する。このような物質は、例示的なものに過ぎず、ここで開示していない多様な導電物質金属、金属酸化物などをショットキー電極400物質として適用することができる。一方、放熱基板100とAlGaN層200との間に備わるボンディング金属層10は、例えば、Au及びAuSnなどを含むことができる。ボンディング金属層10は、放熱基板100との接着力改善のために導入される層でありうる。しかし、場合によっては、ボンディング金属層10は、放熱基板100の形成のためのシード金属層seedmetallayerとして使われもする。この場合、前述のAu及びAuSn以外に、多様な他の金属がボンディング金属層10物質として適用されうる。ボンディング金属層10とAlGaN層200との間に備わるオーミック金属層20は、例えば、Cr、Al、Ta、Ti、Au及びそれらの合金のうち少なくとも一つを含む単層構造または多層構造を有する。ボンディング金属層10とオーミック金属層20とのうち少なくとも一つは省略されて、備わらないこともある。かような構造の半導体素子は、熱放出特性にすぐれて欠陥が少なく、及び電流拡散効果にすぐれ、改善されたショットキー接合特性を有する。また、本実施形態による半導体素子は、放熱基板100とショットキー電極400とを電極アノード及びカソードとして使用する垂直型構造を有するために、水平型素子に比べて、単位面積当たり形成可能なチップchipの個数を増やすことができる。従って、コスト節減に有利である。本発明の他の実施形態によれば、図1のAlGaN層200と第1GaN層300との間に他のGaN層がさらに備わりうる。その例が図2に図示されている。図2を参照すれば、AlGaN層200とGaN層以下、第1GaN層300との間に、第2GaN層300が備わりうる。第1GaN層300は、図1のGaN層300と同様にドーピングされていない層であるか、n型ドーピング層でありうる。第2GaN層300は、Si及びAlのうち少なくとも一つが、ドーピングされた層でありうる。例えば、第2GaN層300は、Si成分及びAl成分がそれぞれ約1at未満にドーピングされた層でありうる。atとは、原子百分率であり、原子数の比を表す。ここで、Si成分は、n型不純物であり、第2GaN層300の電気伝導度を高める役割を行うことができる。前記Si成分のドーピングによって、第2GaN層300は、n層になりうる。一方、Al成分は、第2GaN層300の結晶性を向上させるだけではなく、キャリア電子濃度を高めるのに寄与することができる。すなわち、一例として、第2GaN層300に含まれるAl成分の組成比は、AlGaN層200におけるAlの組成比より低い。従って、Si及びAlのうち少なくとも一つがドーピングされた第2GaN層300によって、素子の特性が改善されうる。このように、AlGaN層200と第1GaN層300との間に、第2GaN層300が備わった場合、第2GaN層300のAlGaN層200と接触した界面付近に、2DEG層が存在しうる。第2GaN層300を除外した残りの構成は、図1と同一であるので、これに係わる詳細な説明は省略する。本発明の他の実施形態によれば、放熱基板100とショットキー電極400との間に、超格子構造層superlatticestructurelayerがさらに備わりうる。その例が図3~図5に図示されている。図3を参照すれば、第1GaN層300と第2GaN層300との間に、超格子構造層50が備わりうる。図4を参照すれば、第1GaN層300が複数の層、例えば、2層の第1GaN層300a、及び、300bに分離され、それらの間に超格子構造層50が備わりうる。図5を参照すれば、第2GaN層300が複数の層、例えば、2層の第2GaN層300a、及び、300bに分離され、それらの間に超格子構造層50が備わりうる。図3ないし図5で超格子構造層50は、例えば、AlGaN層、GaN層及びInGaN層が順に反復積層された構造を有する。すなわち、AlGaN/GaN/InGaN構造がn回反復積層された構造を有する。ここで、nは、5~20回ほどでありうる。超格子構造層50の構造は多様に変形されうる。例えば、反復積層される単位構造は、AlGaN/GaN、GaN/InGaN、AlN/GaN/InN、AlN/GaN、GaN/InNなどに変わりうる。場合によっては、超格子構造層50は、多層構造ではない単層構造を有することもできる。このような超格子構造層50によって、第1GaN層300または第2GaN層300で生じた線欠陥及び転位dislocationが遮断bendingされうる。超格子構造層50によって線欠陥が遮断される原理については、図9ないし図11でさらに詳細に説明する。線欠陥は、電流の漏れ経路として作用し、素子の特性に悪影響を与えうる。特に、垂直型半導体素子で垂直方向に成長された線欠陥は、水平型素子での線欠陥よりさらに大きい問題になりうる。しかし、本実施形態では、超格子構造層50を利用して線欠陥を遮断することによって、線欠陥による問題を防止または抑制することができる。本発明の他の実施形態では、超格子構造層50以外に、他の方法を使用して線欠陥を除去/遮断することができる。すなわち、超格子構造層50ではない他の方法で、線欠陥の除去/遮断が可能である。図6は、本発明の他の実施形態による窒化ガリウム系半導体素子を示している。図6を参照すれば、第1GaN層300が複数の層、例えば、2層の第1GaN層300a、及び、300bに分離され、それらの間に、遮断層パターン70blockinglayerpatternが備わりうる。遮断層パターン70の断面は、四角形またはそれと類似した形態を有する。遮断層パターン70は、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの絶縁体から構成されうる。遮断層パターン70は、製造工程で、線欠陥進行を止めるために導入された層でありうる。これについては、追って図8を参照しつつさらに詳細に説明する。遮断層パターン70は、線欠陥進行を防止する役割以外にも、第1GaN層300a、及び、300bを介して流れる電流を水平方向に分散させることによって、電流拡散に寄与することができる。従って、遮断層パターン70によって、電流集中currentcrowding現象が緩和され、電流拡散効果がさらに向上しうる。図3~図6の変形例は、1つの素子に重複して適用されうる。例えば、超格子構造層50と遮断層パターン70とを1つの素子に共に適用することができる。図7A~図7Fは、本発明の実施形態による窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を示している。図7Aを参照すれば、第1基板SUB1上に、第1GaN層300を形成することができる。第1基板SUB1は、例えば、サファイア基板でありうる。GaN系の物質は、格子定数及び熱膨張係数が正確に一致する基板が存在しないので、一般的にサファイア基板上に成長させる。第1GaN層300を形成する前、第1基板SUB1上にバッファ層30を形成し、その上に、第1GaN層300を形成することができる。バッファ層30は、第1基板SUB1と第1GaN層300との格子定数及び熱膨張係数の差を緩和させ、結晶性を向上させるために具備することができる。バッファ層30は、例えば、GaNまたはSiCなどから形成することができる。第1GaN層300は、ドーピングされていないGaN層であるか、n型不純物が低濃度でドーピングされたGaN層でありうる。第1GaN層300は、Ga面極性を有する。第1GaN層300は、2~10μmほどの厚みに形成することができる。第1GaN層300上に、第2GaN層300を形成することができる。第2GaN層300は、Si及びAlのうち少なくとも一つがドーピングされたGaN層でありうる。例えば、第2GaN層300は、Si成分及びAl成分がそれぞれ約1at未満にドーピングされた層でありうる。前記Si成分はn型不純物であり、第2GaN層300の電気伝導度を高めるという役割を行うことができる。このようなSi成分のドーピングによって、第2GaN層300は、n層になりうる。前記Al成分は、第2GaN層300の結晶性を向上させるだけではなく、キャリア電子濃度を高めるのに寄与することができる。第2GaN層300上に、AlGaN層200を形成することができる。AlGaN層200は、AlxGa1-xNここで、xは、0<x≦0.6または0.1≦x≦0.5で形成することができる。すなわち、AlGaN層200でAl成分の含有量は、60at以下、例えば、10~50atほどでありうる。またAlGaN層200は、n型不純物でドーピングされた層すなわち、n型ドーピング層でありうる。前記n型不純物は、例えば、Siである。前記n型不純物は、1018atom/cm3以上、1020atom/cm3以下ほどの濃度高濃度でドーピングされうる。従って、AlGaN層200は、n層でありうる。前記n型不純物がドーピングされることによって、AlGaN層200の電気伝導度が上昇しうる。AlGaN層200は、10~60nmほどの厚みに形成することができる。第1GaN層300がGa面極性を有するために、その上に形成される第2GaN層300及びAlGaN層200も、Ga面極性を有する。この場合、AlGaN層200に接した第2GaN層300の界面付近に、2DEG層が備わりうる。図7B及び図7Cを参照すれば、AlGaN層200の上面に、第2基板SUB2を付着させる。第2基板SUB2の下面に、ボンディング金属層10を形成し、AlGaN層200の上面に、オーミック金属層20を形成した状態で、ボンディング金属層10とオーミック金属層20とを間にして、第2基板SUB2をAlGaN層200に付着させる。別の例として、ボンディング金属層10を、第2基板SUB2の下面ではなくオーミック金属層20の上面に具備した状態で、第2基板SUB2を付着させることもできる。また別の例として、オーミック金属層20を、AlGaN層200の上面ではなくボンディング金属層10下面に具備した状態で、第2基板SUB2を付着させることもできる。ボンディング金属層10は、例えば、AuまたはAuSnなどから形成することができる。オーミック金属層20は、例えば、Cr、Al、Ta、Ti、Au及びそれらの合金のうち少なくとも一つを含む単層構造または多層構造に形成することができる。ボンディング金属層10とオーミック金属層20とのうち少なくとも一つは形成しないこともある。第2基板SUB2は、導電性基板であって電極として使われうる。また、第2基板SUB2は、第1基板SUB1例えば、サファイア基板より熱伝導度の高い熱伝導性基板でありうる。例えば、第2基板SUB2は、Al-Si、Si、Cu、Ni、W、Al、Cr及びそれらの組み合わせのうち少なくとも一つを含む基板でありうる。このような第2基板SUB2は、第1基板SUB1例えば、サファイア基板よりも優秀な熱放出特性を有し、SiC基板より廉価である。第2基板SUB2は、ウェーハボンディングwaferbondingではなくメッキ法を利用し、AlGaN層200上に形成することもできる。その場合、ボンディング金属層10は、第2基板SUB2を形成するためのシード層seedlayerでありうる。前記シード層物質としては、一般的なメッキ法で使用する多様なシード物質を適用することができる。図7Dを参照すれば、第1基板SUB1から第2基板SUB2までの積層構造物を上下ひっくり返した状態で、第1基板SUB1を除去することができる。第1基板SUB1は、例えば、レーザリフトオフlaserliftoff工程で除去することができる。レーザリフトオフ工程は周知であり、これに係わる詳細な説明は省略する。次に、バッファ層30を除去する。その結果物が、図7Eに図示されている。図7Eの第2基板SUB2で、第1GaN層300までの積層構造物は、図7Cの第1GaN層300から第2基板SUB2までの積層構造物を上下にひっくり返した構造に対応する。従って、図7Eで第1GaN層300は、N面極性を有するといえる。図7Fを参照すれば、第1GaN層300の上面N面に、ショットキー電極400を形成することができる。ショットキー電極400は、第1GaN層300とショットキーコンタクトをなす金属または導電性金属酸化物を含むことができる。例えば、ショットキー電極400は、Ni、Au、Pt、CuInO2、ITOなどを含む単層構造または多層構造を有する。具体的な例としては、ショットキー電極400は、Ni/Au、CuInO2/Au、ITO/Au、Ni/Pt/Au、Pt/Auなどの構成を有する。このような物質は、例示的なものに過ぎず、ここで開示されていない多様な導電物質金属、金属酸化物などをショットキー電極400物質として適用することができる。第1GaN層300は、N面極性を有するために、第1GaN層300がGa面極性を有する場合に比べて、第1GaN層300とショットキー電極400との電位障壁、すなわち、ショットキーバリヤ高が高くありえる。前記のような方法を適用すれば、放熱基板すなわち、第2基板SUB2に備わり、熱放出特性にすぐれ、改善された電流拡散特性及び優秀なショットキー接合特性を有する窒化ガリウム系半導体素子ショットキーダイオード素子を製造することができる。また、窒化ガリウム系半導体素子を、高価な基板を使用せずに、比較的簡単な工程で容易に製造することができる。前述の製造方法は、多様に変形させうる。以下では、図8ないし図11を参照しつつ、製造方法の多様な変形例について説明する。図8を参照すれば、第1基板SUB1の上面に、尖頭状の複数の突出部7を具備させることができる。突出部7の断面は、三角形あるいはそれと類似した形態を有する。平面視、複数の突出部7は、ドットdotパターンに規則的に配列されうる。突出部7と第1基板SUB1との物質は同一である。従って、突出部7は、第1基板SUB1の一部として見ることができる。第1GaN層300a、及び、300b内に、突出部7に対応する位置に遮断層パターン70を具備させることができる。すなわち、遮断層パターン70は、平面視において、ドットdotパターンに規則的に配列され、遮断層パターンのそれぞれは、突出部7の、それぞれの上方に形成されうる。遮断層パターン70の断面は、四角形またはそれと類似した形態を有する。遮断層パターン70は、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの絶縁体から形成することができる。遮断層パターン70を形成した後、その上にGaN層300bを形成するときには、ELOGepitaxiallateralovergrowth法を使用することができる。その後、図7Bないし図7Fの工程と類似した工程を介して、窒化ガリウム系半導体素子を製造することができる。図8で突出部7は、線欠陥を誘導するための手段でありうる。すなわち、突出部7の終端部分で線欠陥が誘導されうる。突出部7によって誘導された線欠陥は、遮断層パターン70によってその進行が遮断されうる。従って、遮断層パターン70によって線欠陥進行が適切に防止されうる。遮断層パターン70はまた、第1GaN層300a、及び、300bを介して流れる電流を水平方向に分散させることによって、電流拡散に寄与することができる。図示していないが、追って第1基板SUB1を除去する工程、例えば、レーザリフトオフ工程で、突出部7も共に除去されうる。遮断層パターン70は、最終構造物に残すことができるが、そうではないこともある。後者の場合、遮断層パターン70は、第1基板SUB1の除去後に、GaN層300aと共に除去されうる。図9~図11の変形例は、超格子構造層50を具備させる場合に係わる。図9に示されるように、第1GaN層300と第2GaN層300との間に超格子構造層50を形成することができる。または、図10に図示されているように、第1GaN層300を複数の層、例えば、2層の第1GaN層300a、及び、300bに分離させ、それらの間に超格子構造層50を形成することができる。または、図11に図示されているように、第2GaN層300を複数の層、例えば、2層の第2GaN層300a、及び、300bに分離させ、第2GaN層300aと、300bとの間に超格子構造層50を形成することができる。超格子構造層50の構成は、図3ないし図5を参照して説明した通りであるので、反復説明は省略する。超格子構造層50は、その下の第1GaN層300及び300a、並びに/または、第2GaN層300aから成長された線欠陥を遮断する役割を行うことができる。線欠陥は、バッファ層30による、第1基板SUB1と第1GaN層300,300aとの格子定数差の緩和効果が完全ではないために発生しうる。このような線欠陥を、超格子構造層50で遮断することによって、線欠陥による素子特性の劣化問題を防止することができる。図9~図11の構造を形成した後、図7B~図7Fの工程と類似した工程を遂行して、窒化ガリウム系半導体素子を製造することができる。図9~図11の超格子構造層50は、図8の製造工程にも適用されうる。本発明の他の実施形態によれば、図7D段階で第1基板SUB1を除去した後、バッファ層30を除去した後、第1GaN層300の一部厚みを除去することができる。その結果物が、図12Aに図示されている。第1GaN層300の一部厚みを除去するために、CMPchemicalmechanicalpolishing工程、乾式エッチング工程または湿式エッチング工程などを使用することができる。このとき、除去される第1GaN層300の厚みは、数μm以下でありうる。次に、図12Bに図示されているように、一部厚みが除去された第1GaN層300上に、ショットキー電極400を形成することができる。図12A及び図12Bと同様に、第1GaN層300の一部厚みを除去し、後続工程を進める場合、素子の特性を改善することができる。さらに具体的に説明すれば、図7A段階で、第1基板SUB1上に成長される第1GaN層300は、その下端部lowerportionに、多数の欠陥dislocationなどを含みうる。これは、バッファ層30による、第1基板SUB1と第1GaN層300との格子定数差の緩和効果が完全ではないためである。このように、多数の欠陥を含む第1GaN層300の部分図7Aで下端部、図7Dで上端部を図12Aでのように除去すれば、結果的として、窒化ガリウム系半導体素子の特性が改善されうる。このような方法は、図8ないし図11の実施形態にも適用されうる。前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものとするより、望ましい実施形態の例示として解釈されるものである。例えば、本発明が属する技術分野で当業者であるならば、前述の本発明の実施形態による窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法は、多様に変形されうるということを理解することができるであろう。よって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって定められるものである。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。"