"[A]下記式1で表される繰り返し単位を含み、酸解離性基を有する重合体、[B]感放射線性酸発生剤、及び[C]フッ素原子を含む重合体を含有し、上記重合体[A]に含まれるフッ素原子の含有割合が、上記重合体[C]に含まれるフッ素原子の含有割合よりも小さいフォトレジスト組成物。式1中、R1は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、相互に独立して、炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。Q1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基である。上記重合体[A]100質量部に対する上記重合体[C]の含有量が0.1質量部以上10質量部以下である請求項1に記載のフォトレジスト組成物。上記式1において、2つのR2が共にトリフルオロメチル基である請求項1に記載のフォトレジスト組成物。上記重合体[A]を構成する繰り返し単位の全量を基準として、上記式1で表される繰り返し単位の含有率が5モル以上50モル以下である請求項1に記載のフォトレジスト組成物。上記重合体[A]が、下記式2で表され、酸解離性基を有する繰り返し単位を含む請求項1に記載のフォトレジスト組成物。式2中、R3は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R4は、相互に独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。また、いずれか2つのR4は、相互に結合して炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。上記重合体[A]が、下記式3-1~3-6で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し単位を更に含む請求項1に記載のフォトレジスト組成物。式3-1~3-6中、R5は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基である。R7は、単結合又はメチレン基である。R8は、水素原子又はメトキシ基である。R9は、酸素原子又はメチレン基である。pは、1~3の整数である。mは、0又は1である。上記重合体[C]が、下記式c1-1~c1-3で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し単位を含む請求項1に記載のフォトレジスト組成物。式c1-1~c1-3中、R10は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R11は、炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。R12は、相互に独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。R13は、水素原子又は1価の有機基である。Q3は、g1価の連結基である。Q4は、2価の連結基である。gは、1~3の整数である。但し、式c1-2及びc1-3の、それぞれの式中、全てのR12が水素原子である場合はない。また、式c1-2のgが2以上である場合、複数のR13は、相互に独立する。請求項1に記載のフォトレジスト組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、上記液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト膜を液浸露光する工程と、液浸露光された上記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えるレジストパターン形成方法。しかし、半導体分野において、より高い集積度が求められる近年においては、より優れた感度や広い露光マージンを有するだけでなく、ライン幅の粗さLWR:LineWidthRoughnessを小さく形成することができる液浸露光用フォトレジスト組成物の開発が強く求められている。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、ライン幅のばらつきの発生を抑制して、所望形状のパターンを精度良く形成することのできる液浸露光に好適なフォトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することである。本発明は、以下のとおりである。[1][A]下記式1で表される繰り返し単位を含み、酸解離性基を有する重合体、[B]感放射線性酸発生剤、及び[C]フッ素原子を含む重合体を含有し、上記重合体[A]に含まれるフッ素原子の含有割合が、上記重合体[C]に含まれるフッ素原子の含有割合よりも小さいフォトレジスト組成物。式1中、R1は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、相互に独立して、炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。Q1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基である。[2]上記重合体[A]100質量部に対する上記重合体[C]の含有量が0.1質量部以上10質量部以下である上記[1]に記載の感放射線性樹脂組成物。[3]上記式1において、2つのR2が共にトリフルオロメチル基である上記[1]又は上記[2]に記載の感放射線性樹脂組成物。[4]上記重合体[A]を構成する繰り返し単位の全量を基準として、上記式1で表される繰り返し単位の含有率が5モル以上50モル以下である上記[1]~[3]のいずれかに記載のフォトレジスト組成物。[5]上記重合体[A]が、下記式2で表され、酸解離性基を有する繰り返し単位を含む上記[1]~[4]のいずれかに記載のフォトレジスト組成物。式2中、R3は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R4は、相互に独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。また、いずれか2つのR4が相互に結合しての炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。[6]上記重合体[A]が、下記式3-1~3-6で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し単位を更に含む上記[1]~[5]のいずれかに記載のフォトレジスト組成物。式3-1~3-6中、R5は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基である。R7は、単結合又はメチレン基である。R8は、水素原子又はメトキシ基である。R9は、酸素原子又はメチレン基である。pは1~3の整数である。mは0又は1である。[7]上記重合体[C]が、下記式c1-1~c1-3で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し単位を含む上記[1]~[6]のいずれかに記載のフォトレジスト組成物。式c1-1~c1-3中、R10は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R11は、炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。R12は、相互に独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。R13は、水素原子又は1価の有機基である。Q3は、g1価の連結基である。Q4は、2価の連結基である。gは、1~3の整数である。但し、式c1-2及びc1-3のそれぞれの式中、全てのR12が水素原子である場合はない。また、式c1-2のgが2以上である場合、複数のR13は、相互に独立する。[8]上記[1]~[7]のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を用いて、基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、上記液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト膜を液浸露光する工程と、液浸露光された上記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えるレジストパターン形成方法。本発明のフォトレジスト組成物は、LWRに優れ、かつ液浸露光に適した化学増幅型レジストを形成することができる。また、本発明のパターン形成方法によれば、ライン幅のばらつきの発生を抑制して、所望形状のパターンを精度良く形成することができる。以下、本発明について、詳細に説明する。<フォトレジスト組成物>本発明のフォトレジスト組成物は、[A]下記式1で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位I-1ともいう。を含み、酸解離性基を有する重合体以下、重合体[A]ともいう。、[B]感放射線性酸発生剤以下、酸発生剤[B]ともいう。、及び[C]フッ素原子を含む重合体以下、重合体[C]ともいう。を含有し、上記重合体[A]に含まれるフッ素原子の含有割合が、上記重合体[C]に含まれるフッ素原子の含有割合よりも小さい。また、本発明の効果を損なわない限り、当該フォトレジスト組成物は、重合体[A]、酸発生剤[B]及び重合体[C]以外に、他の任意成分をさらに含有していてもよい。尚、上記重合体[A]及び[C]におけるフッ素原子の含有割合は、13C-NMRにより測定することができる。ここで、酸解離性基とは、アルカリ可溶性部位が保護基で保護された状態になっている基であり、酸で保護基が脱離されるまではアルカリ可溶性でない基を意味する。上記式1中、R1は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、それぞれ独立して、炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。Q1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基である。重合体[A]重合体[A]は、上記式1で表される繰り返し単位I-1を含み、酸解離性基を有する重合体であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の重合体である。ここで、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性とは、本発明の組成物を用いて形成されたフォトレジスト膜から、レジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、このフォトレジスト膜の代わりに重合体[A]のみを用いて形成した厚さ100nmの被膜を現像した場合に、この被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質を意味する。上記重合体[A]に含まれる酸解離性基は、上記繰り返し単位I-1に含まれてよいし、必要により、この重合体に含まれる他の繰り返し単位に含まれてもよい。本発明においては、この重合体[A]は、後述するように、他の繰り返し単位を更に含む共重合体であることが好ましい。[繰り返し単位I-1]上記式1において、R1は、水素原子、トリフルオロメチル基又はメチル基である。R1としては、水素原子及びメチル基が好ましい。上記式1において、R2は、炭素数1~20のフッ素化アルキル基であり、その具体例としては、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、パーフルオロプロピル基、2,2,3,3,4,4―ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3―テトラフルオロプロピル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、2-パーフルオロプロピルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,4,4-ヘキサフルオロブチル基、2-パーフルオロブチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロヘキシル基、パーフルオロペンチルメチル基、パーフルオロヘキシル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,4,4,5,5,5-ノナフルオロペンチル基、2-パーフルオロペンチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-ドデカフルオロヘプチル基、パーフルオロヘキシルメチル基、パーフルオロヘプチル基、2-パーフルオロヘキシルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8-テトラデカフルオロオクチル基、パーフルオロヘプチルメチル基、パーフルオロオクチル基、2-パーフルオロヘプチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9-ヘキサデカフルオロノニル基、パーフルオロオクチルメチル基、パーフルオロノニル基、2-パーフルオロオクチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-オクタデカフルオロデシル基、パーフルオロノニルメチル基、パーフルオロデシル基、2,2,3,4,4,4-ヘキサフルオロブチル基、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブチル基、3,3,4,4,5,5,6,6,6-ノナフルオロヘキシル基、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-トリデカフルオロオクチル基等が挙げられる。これらのうち、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基及びパーフルオロオクチル基が好ましく、パーフルオロメチル基が特に好ましい。上記式1において、Q1は、2価の直鎖状又は分岐状の炭化水素基であり、その具体例としては、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基及び1,2-プロピレン基に例示されるプロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、インサレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基等の飽和鎖状炭化水素基等が挙げられる。繰り返し単位I-1の具体例としては、下記式で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記式中、R1は、上記式1と同義である。上記式で表される繰り返し単位I-1を与える単量体は、下記一般式に例示される。上記式中、R1は、上記式1と同義である。上記重合体[A]を構成する繰り返し単位I-1の含有量は、上記重合体[A]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは5モル以上50モル以下、より好ましくは5モル以上30モル以下である。繰り返し単位I-1の含有量が5モル未満であると、LWRの改善効果が見られない場合がある。一方、繰り返し単位I-1の含有量が50モルを超えると、現像後のコントラストが損なわれ、良好なパターン形状が得られない場合がある。上記重合体[A]は、上記繰り返し単位I-1以外に、下記式2で表される、酸解離性基を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位I-2という。、及び下記式3-1~3-6で表されるラクトン骨格を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位I-3ともいう。を含んでもよい。上記式2中、R3は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R4は、相互に独立に炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、いずれか2つのR4が相互に結合して、炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基又はその誘導体を形成してもよい。上記式3-1~3-6中、R5は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基である。R7は、単結合又はメチレン基である。R8は、水素原子又はメトキシ基である。R9は、酸素原子又はメチレン基である。pは1~3の整数であり、mは0又は1である。[繰り返し単位I-2]繰り返し単位I-2は、酸解離性基を有する単位である。上記式2において、R3は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。R3としては、水素原子及びメチル基が好ましい。上記式2において、R4は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。R4で表される炭素数1~4の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。R4で表される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[2.2.1]オクチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等の脂環式アルキル基等が挙げられる。これらのうち、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基及びアダマンチル基が好ましい。上記式2で表される繰り返し単位において、3つのR4のうちいずれか2つが互いに結合して形成される2価の炭素数4~20の脂環式炭化水素基及びその誘導体としては、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、トリシクロデカン骨格、テトラシクロドデカン骨格等の有橋式骨格や、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン骨格を有する基;これらの基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換した基等の脂環式骨格を有する基が挙げられる。上記式2におけるエステル結合部-CR43の好ましい例としては、tert-ブチル基、1-n-1-エチル-1-メチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルブチル基、1-n-1,1-ジメチルペンチル基、1-1,1-ジエチルプロピル基、1-n-1,1-ジエチルブチル基、1-n-1,1-ジエチルペンチル基、1-1-メチルシクロペンチル基、1-1-エチルシクロペンチル基、1-1-n-プロピルシクロペンチル基、1-1-イソプロピルシクロペンチル基、1-1-メチルシクロヘキシル基、1-1-エチルシクロヘキシル基、1-1-n-プロピルシクロヘキシル基、1-1-イソプロピルシクロヘキシル基、1-{1-メチル-1-2-ノルボニル}エチル基、1-{1-メチル-1-2-テトラシクロデカニル}エチル基、1-{1-メチル-1-1-アダマンチル}エチル基、2-2-メチルノルボニル基、2-2-エチルノルボニル基、2-2-n-プロピルノルボニル基、2-2-イソプロピルノルボニル基、2-2-メチルテトラシクロデカニル基、2-2-エチルテトラシクロデカニル基、2-2-n-プロピルテトラシクロデカニル基、2-2-イソプロピルテトラシクロデカニル基、1-1-メチルアダマンチル基、1-1-エチルアダマンチル基、1-1-n-プロピルアダマンチル基、1-1-イソプロピルアダマンチル基や、これらの基に含まれる水素原子を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換した基等が挙げられる。上記重合体[A]は、繰り返し単位I-2を1種のみ含んでよいし、2種以上を含んでもよい。上記繰り返し単位I-2を与える単量体としては、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-メチル-3-ヒドロキシアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチル-3-ヒドロキシアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-n-プロピルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-イソプロピルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-8-メチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエステル、メタアクリル酸-8-エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエステル、メタアクリル酸-4-メチルテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-エチルテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-テトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジシクロヘキシルエチルエステイル、メタアクリル酸1,1-ジビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジアダマンタン-1-イルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記単量体のうち、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル及びメタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステルが特に好ましい。上記重合体[A]が繰り返し単位I-2を含む場合、この繰り返し単位I-2の含有量は、上記重合体[A]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは15モル以上85モル以下、より好ましくは25モル以上75モル以下、更に好ましくは30モル以上60モル以下である。繰り返し単位I-2の含有量が少なすぎると、現像後のコントラストが損なわれ、良好なパターン形状が得られない場合がある。一方、繰り返し単位I-2の含有量が多すぎると、下地基板との密着性が不十分となり、パターン皮膜が剥がれてしまう場合がある。[繰り返し単位I-3]繰り返し単位I-3は、ラクトン骨格を有する単位である。上記重合体[A]が、この繰り返し単位I-3を含む場合、レジストパターンの基板への密着性を向上させることができる。上記式3-1~3-6において、R5は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。R5としては、水素原子及びメチル基が好ましい。上記式3-1において、R6は、水素原子又は炭素数1~4の置換若しくは非置換のアルキル基である。上記炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。また、炭素数1~4の置換のアルキル基が有する置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、シアノ基、カルボキシル基、ハロゲン原子等が挙げられる。上記重合体[A]は、繰り返し単位I-3を1種のみ含んでもよいし、2種以上を含んでもよい。上記繰り返し単位I-3を与える単量体としては、下記式3-1m~3-6mで表される化合物等が挙げられる。尚、下記式3-1mは、上記式3-1で表した繰り返し単位を与える単量体であり、下記式3-2m~3-6mで表される化合物についても、同様に、上記式3-1~3-6で表した繰り返し単位をそれぞれ与える単量体である。上記式中、R5、R6、R7、R8、R9、p及びmは、上記式3-1~3-6と同義である。上記繰り返し単位I-3を与える単量体としては、メタアクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]デカ-2-イルエステル、メタアクリル酸-10-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.03,8]ノナ-2-イルエステル、メタアクリル酸-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-6-オキソ-7-オキサ-ビシクロ[3.2.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-4-メトキシカルボニル-7-オキソ-8-オキサ-ビシクロ[3.3.1]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-メチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-エチル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-プロピル-2-オキソテトラヒドロピラン-4-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2,2-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5,5-ジメチル-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルエステル、メタアクリル酸-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-3,3-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル、メタアクリル酸-4,4-ジメチル-5-オキソテトラヒドロフラン-2-イルメチルエステル等が挙げられる。上記重合体[A]が繰り返し単位I-3を含む場合、この繰り返し単位I-3の含有量は、上記重合体[A]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは5モル以上80モル以下、より好ましくは10モル以上70モル以下、更に好ましくは10モル以上60モル以下である。繰り返し単位I-3の含有量が5モル未満であると、基板との密着性が不十分となりパターンが剥がれてしまう場合がある。一方、80モルを超えると、アルカリ現像液への溶解性が不十分となり現像欠陥が増加してしまう場合がある。上記重合体[A]は、他の繰り返し単位として、上記繰り返し単位I-2及びI-3以外に、更に、上記以外の脂環構造を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位I-4ともいう。、芳香族系の不飽和化合物に由来する繰り返し単位以下、繰り返し単位I-5ともいう。等を含んでもよい。[繰り返し単位I-4]繰り返し単位I-4は、上記繰り返し単位I-2及びI-3を除く、脂環構造を有する他の繰り返し単位である。上記重合体[A]が、この繰り返し単位I-4を含む場合、エッチング耐性を向上させることができる。上記繰り返し単位I-4としては、下記式4で表される繰り返し単位が挙げられる。上記式4中、R14は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R15は、炭素数4~20脂環式炭化水素基又はその誘導体を含む1価の基である。上記式4において、R14で表される、炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。R11としては、水素原子及びメチル基が好ましい。R15で表される、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[2.2.1]オクチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等の脂環式アルキル基等が挙げられる。R15が、上記脂環式炭化水素基の誘導体である場合、R12は、この脂環式炭化水素基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、酸素原子の1種以上で置換した基等とすることができる。上記重合体[A]は、繰り返し単位I-4を1種のみ含んでもよいし、2種以上を含んでもよい。上記繰り返し単位I-4を与える単量体としては、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。上記重合体[A]が繰り返し単位I-4を含む場合、繰り返し単位I-4の含有量の上限は、上記重合体[A]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは70モル以下、より好ましくは60モル以下である。繰り返し単位I-4の含有量が70モルを超えると解像性が低下し、良好なパターン形状が得られない場合がある。[繰り返し単位I-5]繰り返し単位I-5は、芳香族系の不飽和化合物に由来する繰り返し単位である。上記繰り返し単位I-5において、芳香族構造部は、重合体の側鎖に含まれることが好ましい。なお、上記重合体[A]は、繰り返し単位I-5を1種のみ含んでよいし、2種以上含んでもよい。上記芳香族系の不飽和化合物としては、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-tert-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン、2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-tert-ブトキシスチレン、4-tert-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレン等が挙げられる。上記重合体[A]が繰り返し単位I-5を含む場合、この繰り返し単位I-5の含有量の上限は、上記重合体[A]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは40モル以下、より好ましくは30モル以下である。この繰り返し単位I-5の含有量が40モルを超えると、露光時に露光光の透過率が低下し、良好なパターンプロファイルが得られない場合がある。上記重合体[A]を構成する繰り返し単位の組み合わせ及びその含有量としては、i繰り返し単位I-1、繰り返し単位I-2及び繰り返し単位I-3とからなり、これらの含有量が、上記重合体[A]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、それぞれ、5モル以上50モル以下、15モル以上85モル以下及び5モル以上80モル以下が好ましく、5モル以上30モル以下、30モル以上70モル以下及び10モル以上70モル以下がより好ましい。ii繰り返し単位I-1、繰り返し単位I-2、繰り返し単位I-3及び繰り返し単位I-4とからなり、これらの含有量が、上記重合体[A]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、それぞれ、5モル以上50モル以下、15モル以上85モル以下、5モル以上80モル以下及び5モル以上80モル以下が好ましく、5モル以上30モル以下、30モル以上70モル以下、10モル以上50モル以下及び5モル以上50モル以下がより好ましい。本発明のフォトレジスト組成物において、上記重合体[A]に含まれるフッ素原子の含有割合は、重合体[C]に含まれるフッ素原子の含有割合よりも小さい。これにより、C重合体がフォトレジスト膜表層に偏在し易くなる。従って、形成するフォトレジスト膜の表層部分の撥水性を高めることができ、液浸露光時に液浸上層膜を別途形成しなくても良好な撥水性を有するフォトレジスト膜を形成することができる。フッ素原子の含有割合は、重合体[A]全体を100質量とした場合に、通常、10質量未満であり、好ましくは0.1~9質量、より好ましくは1~6質量である。上記重合体[A]におけるフッ素原子の含有割合が重合体[C]よりも小さいことにより、重合体[C]がフォトレジスト膜表層に偏在し易くなる。従って、液浸露光時に液浸上層膜を別途形成する必要がなく、液浸露光を円滑に進めることができ、ライン幅のばらつきの発生を抑制して、所望形状のパターンを精度良く形成することのできる化学増幅型レジストを得ることができる。上記重合体[A]の重量平均分子量Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPC法によるポリスチレン換算で、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは1,000~30,000、更に好ましくは1,000~20,000である。Mwが1,000未満であると、耐熱性に優れたフォトレジスト膜が得られない場合がある。一方、Mwが100,000を超えると、フォトレジスト膜の現像性が低下する場合がある。また、GPCによるポリスチレン換算の数平均分子量Mnと、Mwとを用いて得られた比Mw/Mnは、好ましくは1~5、より好ましくは1~3である。[重合体[A]の合成方法]上記重合体[A]は、ハイドロパーオキシド、ジアルキルパーオキシド、ジアシルパーオキシド、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤の存在下、繰り返し単位I-1を与える単量体を含む原料を、適当な溶媒中において重合することにより、製造することができる。重合温度は、通常、40°C~150°C、好ましくは50°C~120°Cである。また、重合時間は、通常、1時間~48時間、好ましくは1時間~24時間である。上記溶媒としては、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類;デカリン、ノルボルナン等の脂環式炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン、ブロモヘキサン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。尚、これらの溶媒は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。尚、本発明のフォトレジスト組成物の製造に用いられる重合体[A]は、ハロゲン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ない場合、フォトレジスト膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に向上させることができる。従って、上記方法により合成された重合体[A]を精製に供することが好ましい。精製法としては、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法とを組み合わせた方法等が挙げられる。また、上記方法により合成された重合体[A]においては、単量体原料に由来する低分子量成分の含有量が少ないほど好ましい。具体的には、この含有量は、この重合体[A]に対して、好ましくは0.1質量以下、より好ましくは0.07質量以下、更に好ましくは0.05質量以下である。この含有量が0.1質量以下である場合には、液浸露光時に接触した、水等の液浸露光用液体への溶出物の量を抑制することができる。更に、本発明のフォトレジスト組成物の保管時に、異物を生成することがなく、本発明のフォトレジスト組成物の塗布時においても、塗布ムラを抑制することができ、レジストパターン形成時における欠陥の発生をも、十分に抑制することができる。尚、上記単量体原料に由来する低分子量成分は、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー等を意味し、通常、分子量500以下の成分とすることができる。このような分子量500以下の成分は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等により除去することができる。また、上記単量体原料に由来する低分子量成分は、重合体[A]を高速液体クロマトグラフィHPLCに供することより分析することができる。酸発生剤[B]この酸発生剤[B]は、本発明のフォトレジスト組成物によって形成されたフォトレジスト膜が液浸露光用液体を介して露光された際に、露光部からこの酸発生剤[B]に由来する酸を発生させる成分である。この酸の作用によって、露光部において、重合体[A]に含まれる酸解離性基が、この重合体から解離する。そして、酸解離性基が解離した重合体は、アルカリ現像液に易溶性となる。その後、アルカリ現像液を用いてフォトレジスト膜の不要部分を除去することにより、所望の形状を有するポジ型のレジストパターンを得ることができる。本発明のフォトレジスト組成物に含有される酸発生剤[B]としては、従来、公知の感放射線性酸発生剤を適用することができる。例えば、特開2009-134088号公報の段落[0080]~[0113]等に記載されている化合物等を用いることができる。上記酸発生剤[B]としては、トリフェニルスルホニウム塩化合物、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウム塩化合物、ジフェニルヨードニウム塩化合物、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム塩化合物、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物、スクシンイミド類化合物、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド類化合物等が挙げられる。これらの酸発生剤は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記トリフェニルスルホニウム塩化合物としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム=トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニルジフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート等が挙げられる。上記4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物としては、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムN,N’-ビスノナフルオロ-n-ブタンスルホニルイミデート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート等が挙げられる。上記4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム塩化合物としては、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等が挙げられる。上記トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウム塩化合物としては、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート等が挙げられる。上記1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物としては、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。上記1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム塩化合物としては、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート等が挙げられる。本発明のフォトレジスト組成物における酸発生剤[B]の含有量は、上記重合体[A]100質量部に対して、好ましくは0.1~30質量部、より好ましくは2~27質量部、更に好ましくは5~25質量部である。上記酸発生剤[B]の含有量が、上記好ましい範囲にあると、形成したフォトレジスト膜における感度及び現像性を高く維持することができる。尚、酸発生剤[B]の含有量が0.1質量部未満であると感度及び解像度が十分でない場合がある。一方、酸発生剤[B]の含有量が30質量部を超えると、フォトレジスト組成物の塗布性が十分でなく、良好なパターン形状が得られない場合がある。重合体[C]この重合体[C]は、フッ素原子を含む重合体であり、上記重合体[A]よりもフッ素原子の含有割合が高いものである。フッ素原子の含有割合は、重合体[C]全体を100質量とした場合に、好ましくは5質量以上、より好ましくは5~40質量、更に好ましくは5~30質量である。本発明のフォトレジスト組成物を用いて、フォトレジスト膜を形成した場合、この重合体[C]の撥油性に起因して、フォトレジスト膜の表面において重合体[C]の分布が高くなる傾向がある。即ち、重合体[C]が、フォトレジスト膜の最表面に偏在する傾向がある。従って、フォトレジスト膜と液浸媒体とを遮断することを目的として、フォトレジスト膜に、上層膜を形成する必要がなく、そのまま、液浸露光法に好適に用いることができる。尚、本発明の効果を十分に発揮するためには、上記重合体[A]におけるフッ素原子の含有割合と、上記重合体[C]におけるフッ素原子の含有割合との差が1質量以上であることが好ましい。上記重合体[C]は、フッ素原子を含む繰り返し単位を少なくとも含む重合体であり、フッ素原子を含まない繰り返し単位を有してもよい。フッ素原子を含む繰り返し単位は、好ましくは下記式c1-1~c1-3で表される繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し単位である。式c1-1~c1-3中、R10は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R11は、炭素数1~30のフッ素化炭化水素基である。R12は、相互に独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化炭化水素基である。R13は、水素原子又は1価の有機基である。Q3は、g1価の連結基である。Q4は、2価の連結基である。gは、1~3の整数である。但し、式c1-2及びc1-3の、それぞれの式中、全てのR12が水素原子である場合はない。また、式c1-2のgが2以上の場合、複数のR13は、相互に独立する。上記重合体[C]が、上記式c1-1で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位III-1という。、上記式c1-2で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位III-2という。、及び上記式c1-3で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位III-3という。からなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し単位を含む場合、フォトレジスト膜中の酸発生剤[B]や、必要に応じて含まれる酸拡散抑制剤等の添加剤が、液浸露光用液体に溶出するのを抑制することができる。また、フォトレジスト膜の表面における、液浸露光用液体の後退接触角を大きくすることができ、液浸露光用液体に由来する液滴が、フォトレジスト膜上に残り難くなり、液浸露光用液体に起因する欠陥の発生を抑制することができる。[繰り返し単位III-1]この繰り返し単位III-1は、上記式c1-1で表される繰り返し単位である。上記式c1-1において、R10は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。R1としては、水素原子及びメチル基が好ましい。また、上記式c1-1において、R11は、炭素数1~30のフッ素化炭化水素基であり、炭素数1~30の炭化水素基における水素原子の少なくとも1つが、フッ素原子に置換されてなる基である。R11は、好ましくは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基;少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基又はその誘導体等である。上記少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基における水素原子の少なくとも1つがフッ素原子に置換された部分フッ素化アルキル基、パーフルオロアルキル基等が挙げられる。上記少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[2.2.1]オクチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等における水素原子の少なくとも1つがフッ素原子に置換された部分フッ素化アルキル基、パーフルオロアルキル基等が挙げられる。上記少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基の誘導体としては、これらの基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換した基等とすることができる。上記式c1-1で表される繰り返し単位III-1を与える単量体としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロイソプロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロイソブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロtert-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。上記重合体[C]は、繰り返し単位III-1を1種のみ含んでよいし、2種以上を含んでもよい。[繰り返し単位III-1-2及びIII-1-3]この繰り返し単位III-2及びIII-3は、それぞれ、上記式c1-2及びc1-3で表される繰り返し単位である。上記式c1-2及びc1-3において、R10については、上記式c1-1におけるR10の説明をそのまま適用することができる。上記式c1-2及びc1-3において、R12は、水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化炭化水素基であり、全てのR12が水素原子である場合はない。尚、複数のR12は、互いに同一であってよいし、異なってもよい。R12で表される炭素数1~30のフッ素化炭化水素基については、R11の説明をそのまま適用することができる。また、上記式c1-2及びc1-3において、下記式で表される、R12を含む部分構造としては、下記式i~vで表される構造とすることができる。上記式で表される構造のうち、上記式c1-2においては、上記式vで表される構造が好ましく、上記式c1-3においては、上記式iiiで表される構造が好ましい。上記式c1-2及びc1-3において、R13は、水素原子又は1価の有機基である。1価の有機基としては、酸解離性基、アルカリ解離性基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30の1価の有機基を挙げることができる。ここで、アルカリ解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリの存在下で解離する基をいう。上記重合体[C]が、繰り返し単位c1-2及び/又は繰り返し単位c1-3を含む重合体であって、且つ、これらの繰り返し単位が、酸解離性基を含む場合には、フォトレジスト膜における露光部に含まれる重合体[C]の溶解性を向上させることができ、好ましい。これは、後述のレジストパターン形成方法における露光工程において、フォトレジスト膜における露光部で発生した酸と、重合体[C]に含まれる酸解離性基とが反応して極性基を生じるためであると考えられる。また、上記重合体[C]が、繰り返し単位c1-2及び/又は繰り返し単位c1-3を含む重合体であって、且つ、これらの繰り返し単位が、アルカリ解離性基を含む場合には、この重合体[C]の現像液に対する親和性を向上させることができ好ましい。これは、後述のパターン形成方法における現像工程において、重合体[C]が、現像液と反応し、極性基を生じるためであると考えられる。上記酸解離性基としては、tert-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基、式-CR163で表される基等が挙げられる。R16は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。但し、いずれか2つのR16が相互に結合して2価の炭素数4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成してもよい。上記アルコキシ置換メチル基における置換基であるアルコキシル基としては、炭素数1~4のアルコキシル基、即ち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が挙げられる。上記アルキルスルファニル置換メチル基における置換基であるアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、即ち、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。また、上記酸解離性基である上記式-CR163において、R16は、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。R16で表される、炭素数1~4の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。また、R16で表される、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[2.2.1]オクチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等の脂環式アルキル基等が挙げられる。これらのうち、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン、シクロペンタン又はシクロヘキサンに由来する脂環族環からなる脂環式炭化水素基が好ましい。また、R16で表される上記脂環式炭化水素基の誘導体としては、この脂環式炭化水素基に含まれる水素原子をメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換した基等が挙げられる。さらに、上記式-CR163は、3つのR16のうちいずれか2つが互いに結合して形成された、2価であって、炭素数4~20の脂環式炭化水素基及びその誘導体としては、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、トリシクロデカン骨格、テトラシクロドデカン骨格等の有橋式骨格や、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基等の、2価の単環式炭化水素基;これらの基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種又は1個以上で置換した基等の脂環式骨格を有する基が挙げられる。これらのうち、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の、2価の単環式炭化水素基や、この脂環式炭化水素基単環式炭化水素基に含まれる水素原子を、炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換した基が好ましい。上記式-CR163の好ましい例としては、tert-ブチル基、1-n-1-エチル-1-メチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルブチル基、1-n-1,1-ジメチルペンチル基、1-1,1-ジエチルプロピル基、1-n-1,1-ジエチルブチル基、1-n-1,1-ジエチルペンチル基、1-1-メチルシクロペンチル基、1-1-エチルシクロペンチル基、1-1-n-プロピルシクロペンチル基、1-1-イソプロピルシクロペンチル基、1-1-メチルシクロヘキシル基、1-1-エチルシクロヘキシル基、1-1-n-プロピルシクロヘキシル基、1-1-イソプロピルシクロヘキシル基、1-{1-メチル-1-2-ノルボニル}エチル基、1-{1-メチル-1-2-テトラシクロデカニル}エチル基、1-{1-メチル-1-1-アダマンチル}エチル基、2-2-メチルノルボニル基、2-2-エチルノルボニル基、2-2-n-プロピルノルボニル基、2-2-イソプロピルノルボニル基、2-2-メチルテトラシクロデカニル基、2-2-エチルテトラシクロデカニル基、2-2-n-プロピルテトラシクロデカニル基、2-2-イソプロピルテトラシクロデカニル基、1-1-メチルアダマンチル基、1-1-エチルアダマンチル基、1-1-n-プロピルアダマンチル基、1-1-イソプロピルアダマンチル基や、これらの基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換した基等が挙げられる。上記酸解離性基としては、上記式-CR163で表される基、tert-ブトキシカルボニル基、アルコキシ置換メチル基等が好ましい。上記繰り返し単位c1-2においては、tert-ブトキシカルボニル基、及び、アルコキシ置換メチル基が好ましい。また、上記繰り返し単位c1-3においては、アルコキシ置換メチル基、及び、上記式-CR163で表される基が好ましい。また、上記アルカリ解離性基としては、上記の性質を示すものであれば、特に限定されない。上記式c1-2におけるアルカリ解離性基としては、下記式R1-1で表される基が挙げられる。上記式R1-1中、R17は、炭素数1~10のフッ素化炭化水素基である。上記式R1-1において、R17は、炭素数1~10の炭化水素基における水素原子の少なくとも1つが、フッ素原子に置換されてなる基である。このR17は、好ましくは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~10のパーフルオロアルキル基であり、特に好ましくはトリフルオロメチル基である。また、上記式c1-3におけるアルカリ解離性基としては、下記式R1-2~R1-4で表される基が挙げられる。上記式中、R18は、相互に独立に、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシル基、炭素数1~10のアシル基又は炭素数1~10のアシロキシ基であり、R19は、相互に独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基である。但し、いずれか2つのR19が相互に結合して2価の炭素数4~20の脂環式炭化水素又はその誘導体を形成してもよい。m1は、0~5の整数である。m2は、0~4の整数である。上記式R1-2及びR1-3において、R18がハロゲン原子である場合、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子とすることができる。これらのうち、フッ素原子が好ましい。上記式R1-2及びR1-3において、R18で表される炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基、1-ヘプチル基、1-オクチル基、1-ノニル基、1-デシル基等の直鎖状及び分岐状のアルキル基が挙げられる。R18で表される炭素数1~10のアルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペンチロキシ基、n-ヘキシロキシ基等の直鎖状及び分岐状のアルキル基が挙げられる。R18で表される炭素数1~10のアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、n-ペントキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基等が挙げられる。また、R18で表される炭素数1~10のアシロキシ基としては、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、tert-ブチリルオキシ基、tert-アミリルオキシ基、n-ヘキサンカルボニロキシ基、n-オクタンカルボニロキシ基等が挙げられる。上記式R1-2及びR1-3において、R18が2つ以上ある場合、複数のR18は、互いに同一であってよいし、異なってもよい。上記式R1-4において、R19は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基である。上記炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基、1-ヘプチル基、1-オクチル基、1-ノニル基、1-デシル基等の直鎖状及び分岐状のアルキル基が挙げられる。上記式R1-4において、いずれか2つのR19が相互に結合して形成される2価の炭素数4~20の脂環式炭化水素としては、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、トリシクロデカン骨格、テトラシクロドデカン骨格等の有橋式骨格や、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン骨格を有する基等が挙げられる。更に、上記脂環式炭化水素基の誘導体である場合、この脂環式炭化水素基に含まれる水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換した基等とすることができる。上記式R1-4で表される基としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基及び2-ブチル基が好ましい。上記式c1-2及びc1-3において、R13が水素原子である、繰り返し単位III-2、及び、繰り返し単位III-3は、極性基であるヒドロキシル基又はカルボキシル基を有することになる。重合体[C]が、このような繰り返し単位を含む場合、後述するパターン形成方法の現像工程において、重合体[C]の現像液に対する親和性を向上させることができる。上記式c1-2において、Q3は、g1価の連結基である。このような基としては、単結合、g1価であり、且つ、炭素数1~30の炭化水素基及びその誘導体等が挙げられる。上記g1価の炭化水素基は、鎖状構造又は環状構造を含む基とすることができる。上記鎖状構造の炭化水素基としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、2-メチルプロパン、ペンタン、2-メチルブタン、2,2-ジメチルプロパン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等の、炭素数1~10の鎖状炭化水素から、水素原子をg1個取り除いた構造の炭化水素基等とすることができる。上記環状構造の炭化水素基としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等の、炭素数4~20の脂環式炭化水素から、水素原子をg1個取り除いた構造の脂環族炭化水素基;ベンゼン、ナフタレン等の、炭素数6~30の芳香族炭化水素から、水素原子をg1個取り除いた構造の芳香族炭化水素基等とすることができる。上記式c1-2におけるQ3は、上記炭化水素基の誘導体であってよく、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-を備える基とすることができる。酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-を有するQ3としては、下記式で表される基が挙げられる。上記式中、R20は、相互に独立に、単結合、2価の炭素数1~10の脂肪族炭化水素基若しくはその誘導体、2価の炭素数4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体、又は2価の炭素数6~30の芳香族炭化水素基若しくはその誘導体である。gは、1~3の整数である。上記式において、R20で表される、2価の炭素数1~10の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基及び1,2-プロピレン基に例示されるプロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基等が挙げられる。上記式において、R20で表される2価の炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、1,3-シクロブチレン基等のシクロブチレン基、1,3-シクロペンチレン基等のシクロペンチレン基、1,4-シクロへキシレン基等のシクロへキシレン基、1,5-シクロオクチレン基等のシクロオクチレン基等の、炭素数3~10であるシクロアルキレン基等の単環式炭化水素環基;1,4-ノルボルニレン基、2,5-ノルボルニレン基等のノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基、2,6-アダマンチレン基等のアダマンチレン基等の、炭素数4~20である2~4環式炭化水素環基等の架橋環式炭化水素基等が挙げられる。上記式において、R20で表される2価の炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族炭化水素から、水素原子を、2個取り除いた構造の芳香族炭化水素基とすることができる。上記鎖状炭化水素基、環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、いずれも誘導体とすることができ、炭化水素基に含まれる少なくとも1つの水素原子を、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種又は1個以上で置換した基等の脂環式骨格を有する基が挙げられる。上記式c1-2において、gは、1~3の整数であり、gが2又は3の場合、上記式c1-2において複数の下記式で表される構造部は、互いに同一であってよいし、異なってもよい。上記式中、R12は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化炭化水素基である。R13は、水素原子又は1価の有機基である。上記式c1-3におけるQ4は、上記式c1-3におけるgが1であるときのQ3と同様とすることができる。上記式c1-2で表される繰り返し単位III-2としては、下記式に例示される。上記式中、R10、R13、Q3、及びgは、上記式c1-2と同義である。上記式c1-2で表される繰り返し単位III-2を与える単量体としては、下記式で表される単量体が挙げられる。上記式中、R10は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基であり、R13は、水素原子又は1価の有機基である。上記式で表された5種の単量体において、R13が酸解離性基又はアルカリ解離性基である化合物は、例えば、上記式におけるR13が水素原子である化合物を原料として用いることにより合成することができる。R13がアルカリ解離性基であって、例えば、上記式R1-1で表される構造を含む単量体の合成方法としては、上記式におけるR13が水素原子である化合物を、フルオロアシル化する方法等が挙げられる。具体的な方法としては、1酸の存在下、アルコールとフルオロカルボン酸を縮合させてエステル化する方法、2塩基の存在下、アルコールとフルオロカルボン酸ハロゲン化物を縮合させてエステル化する方法等が挙げられる。上記式c1-3で表される繰り返し単位III-3としては、下記式に例示される。上記式中、R10、R13及びQ4は、上記式c1-3と同義である。上記式c1-3で表される繰り返し単位III-3を与える単量体としては、下記式で表される単量体が挙げられる。上記式中、R10及びR13は、上記式c1-3と同義である。上記式で表された4種の単量体において、R13が酸解離性基又はアルカリ解離性基である化合物は、例えば、上記式におけるR13が水素原子である化合物、又は、その誘導体化合物を原料として用いることにより合成することができる。R13がアルカリ解離性基であって、例えば、上記式R1-2~R1-4で表される構造を含む単量体は、下記式m-2-3で表される化合物と、下記式m-2-4-1~m-2-4-3で表される化合物とを反応させることにより合成することができる。上記式中、R10はR12及びQ4は、上記式c1-3と同義である。R21は、ハロゲン原子又はヒドロキシル基である。上記式中、R18は、相互に独立に、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシル基、炭素数1~10のアシル基又は炭素数1~10のアシロキシ基である。R22は、ハロゲン原子である。R23は、ハロゲン原子である。m1は、0~5の整数であり、m2は、0~4の整数である。上記式m-2-4-1において、R22は、好ましくは塩素原子である。また、上記式m-2-4-1において、R23は、好ましくは臭素原子である。また、R13がアルカリ解離性基であって、例えば、上記式R1-2~R1-4で表される構造を含む単量体は、下記式m-2-5で表される化合物と、下記式m-2-6で表される化合物とを反応させることにより合成することができる。上記式中、R10は、水素原子、トリフルオロメチル基又は炭素数1~4のアルキル基である。R12は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化炭化水素基である。R13は、水素原子又は1価の有機基である。R26は、ハロゲン原子又はヒドロキシル基である。Q4は、2価の連結基である。但し、式m-2-5において、2つのR12が水素原子である場合はない。上記重合体[C]は、上記のように、繰り返し単位III-1、III-2及びIII-3から選ばれた少なくとも1種の繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。そして、含まれる繰り返し単位は、それぞれ、1種のみであってよいし、2種以上であってもよい。本発明においては、上記重合体[C]は、繰り返し単位III-1、III-2及びIII-3から選ばれる少なくとも2種の繰り返し単位を含む重合体であることがより好ましく、繰り返し単位III-2及びIII-3を含む重合体であることが特に好ましい。上記重合体[C]を構成する繰り返し単位III-1、III-2及びIII-3の含有量の合計は、上記重合体[C]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは20~90モル、より好ましくは30~85モルである。上記含有割合がこの範囲内である場合には、塗布後の撥水性確保と、PEB後の現像液に対する接触角の親和性の両立という観点から特に有効である。上記重合体[C]は、上記繰り返し単位以外に、酸解離性基を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位III-4という。、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位III-5という。、ラクトン骨格又は環状カーボネート骨格を有する繰り返し単位以下、繰り返し単位III-6という。等を、更に含んでもよい。[繰り返し単位III-4]この繰り返し単位III-4は、上記重合体[C]に含まれることにより、フォトレジスト膜における前進接触角と後退接触角との差を小さくすることができ、露光時のスキャン速度向上に、より対応することができる。上記繰り返し単位III-4は、下記式c4-1で表される繰り返し単位が好ましい。式中、R27は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基である。R28は、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。kは、1~4の整数である。上記式c4-1において、R28で表される炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。上記重合体[C]は、上記繰り返し単位III-4を単独で含んでよいし、2種以上の組み合わせで含んでもよい。上記重合体[C]が、繰り返し単位III-4を含む場合、その含有量は、上記重合体[C]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは80モル以下、より好ましくは20モル以上80モル、更に好ましくは30モル以上70モル以下である。繰り返し単位III-2の含有量が上記範囲にあると、フォトレジスト膜における前進接触角と後退接触角との差を小さくすることができる。[繰り返し単位III-5]繰り返し単位III-5におけるアルカリ可溶性基は、アルカリ現像液に対する溶解性向上の観点から、pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。このような官能基の具体例としては、式Sl-1、式Sl-2で表される官能基等を挙げることができる。上記式Sl-1中、R29は、少なくとも一つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10の炭化水素基を示す。式Sl-1中、R29として表されるフッ素原子で置換された炭素数1~10の炭化水素基は、例えば、トリフルオロメチル基等が好ましい。なお、繰り返し単位III-5の主鎖骨格は、特に限定されるものではないが、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、又はα-トリフルオロアクリル酸エステル等の骨格であることが好ましい。このような繰り返し単位III-5としては、例えば、下記式Sl-11~Sl-31で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記式Sl-11~Sl-21b中、R30は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R31はそれぞれ独立に2価の連結基である。R29は式Sl-1と同義である。式Sl-11およびSl-21b中、R31は、2価の連結基を示す。式Sl-11において、R31としては炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数3~20の2価の脂環式炭化水素基が好ましい。上記式Sl-21bで表される繰り返し単位の好ましい具体例としては下記式で表されるものを挙げることができる。上記式Sl-211およびSl-212において、R30は式Sl-21bと同義である。R32はそれぞれ独立に炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数3~20の2価の脂環式炭化水素基を示す。R33は単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数3~20の2価の脂環式炭化水素基を示す。繰り返し単位III-5の具体例としては、下記式で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記各式中、R30はそれぞれ独立に水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。上記重合体[C]は、上記繰り返し単位III-5を単独で含んでよいし、2種以上の組み合わせで含んでもよい。上記重合体[C]が、繰り返し単位III-5を含む場合、その含有量は、上記重合体[C]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは50モル以下、より好ましくは5モル以上30モル以下、更に好ましくは5モル以上20モル以下である。繰り返し単位III-5の含有量が上記範囲にあると、後述するパターン形成方法の現像工程において、フォトレジスト膜の溶解性を向上させることができる。[繰り返し単位III-6]この繰り返し単位III-6は、上記重合体[C]に含まれることにより、液浸露光時において、フォトレジスト膜の疎水性を確保しつつ、アルカリ現像時における親水性を向上させることができる繰り返し単位である。上記重合体[C]が、繰り返し単位III-4を含む場合、その含有量は、上記重合体[C]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、好ましくは50モル以下、より好ましくは5モル以上30モル以下、更に好ましくは5モル以上20モル以下である。繰り返し単位III-4の含有量が上記範囲にあると、液浸露光時において、フォトレジスト膜の疎水性を確保しつつ、アルカリ現像時における親水性を向上させることができる。上記重合体[C]を構成する繰り返し単位の組み合わせ及びその含有量としては、繰り返し単位III-1、III-2及びIII-3からなる群より選択される少なくとも1種の繰り返し単位、並びに繰り返し単位III-4とからなり、これらの含有量が、上記重合体[C]を構成する全ての繰り返し単位の合計100モルに対して、それぞれ、20モル以上90モル以下及び10モル以上80モル以下が好ましく、30モル以上90モル以下及び10モル以上70モル以下であるよりが好ましい。上記重合体[C]の重量平均分子量Mwは、GPCによるポリスチレン換算で、好ましくは1,000~50,000、より好ましくは1,000~40,000、更に好ましくは1,000~30,000である。Mwが1,000未満であると、十分な後退接触角を有するフォトレジスト膜が得られない場合がある。一方、Mwが50,000を超えると、フォトレジスト膜の現像性が低下する場合がある。また、GPCによるポリスチレン換算の数平均分子量Mnと、Mwとを用いて得られた比Mw/Mnは、好ましくは1~5、より好ましくは1~4である。[重合体[C]の合成方法]上記重合体[C]は、ハドロパーオキシド、ジアルキルパーオキシド、ジアシルパーオキシド、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤の存在下、繰り返し単位III-1等を形成することとなる単量体を含む単量体原料を、適当な溶媒中において重合することにより、製造することができる。重合系においては、必要に応じて、連鎖移動剤を併存させてもよい。重合温度は、通常、40°C~150°C、好ましくは50°C~120°Cである。また、重合時間は、通常、1~48時間、好ましくは1~24時間である。上記溶媒としては、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類;デカリン、ノルボルナン等の脂環式炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン、ブロモヘキサン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。尚、これらの溶媒は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。尚、本発明のフォトレジスト組成物の製造に用いられる重合体[C]は、ハロゲン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ない場合、フォトレジスト膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に向上させることができる。従って、上記方法により合成された重合体[C]を精製に供することが好ましい。精製法としては、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法とを組み合わせた方法等が挙げられる。本発明のフォトレジスト組成物における重合体[C]の含有量は、上記重合体[A]100質量部に対して、好ましくは0.1質量部以上20質量部以下、より好ましくは1質量部以上10質量部以下、更に好ましくは1質量部以上7.5質量部以下である。上記重合体[C]の含有量が少なすぎると、重合体[C]を含有させる効果が十分ではない場合がある。一方、上記重合体[C]の含有量が多すぎると、フォトレジスト膜の表面における撥水性が高くなりすぎて、現像不良が起こる場合がある。添加剤本発明のフォトレジスト組成物は、上記必須成分に加えて、酸拡散抑制剤、ラクトン化合物、溶剤、界面活性剤、増感剤、ハレーション防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤、脂環族添加剤等を含んでもよい。[酸拡散抑制剤]この酸拡散抑制剤は、液浸露光により、上記酸発生剤[B]から生じる酸のフォトレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光部における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。この酸拡散抑制剤を配合することにより、得られるパターン化されたレジスト膜部の形状及びその寸法忠実性を向上させることができる。上記酸拡散抑制剤としては、下記式Eで表される化合物以下、含窒素化合物Iという。、窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物IIという。、窒素原子を3個以上有する化合物以下、含窒素化合物IIIという。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。これらの酸拡散抑制剤は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上式中、R34は、相互に独立に、水素原子、又は置換若しくは非置換の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基若しくはアラルキル基である。含窒素化合物Iとしては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン等のトリアルキルアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、1-ナフチルアミン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン等の芳香族アミン類等が挙げられる。上記含窒素化合物IIとしては、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2’-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、1,4-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン等が挙げられる。上記含窒素化合物IIIとしては、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等が挙げられる。上記アミド基含有化合物としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。上記ウレア化合物としては、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等が挙げられる。上記含窒素複素環化合物としては、ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、N-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;ピペリジン、tert-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート等のピペリジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。また、酸拡散制御剤としては、下記式D1-0で表される化合物を用いることもできる。XZ-D1-0上記式D1-0中、Xは、下記式D1-1又はD1-2で表されるカチオンである。Z-は、OH-、式D1-3RD1-COO-で表されるアニオン、式D1-4RD1-SO3-で表されるアニオン、又は式D1-5RD1-N--SO2-RD11で表されるアニオンである但し、上記式D1-3~D1-5中、RD1は、置換されていてもよいアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基である。RD11は、置換されていてもよいフッ素化アルキル基、脂環式フッ素化炭化水素基又はフッ素化アリール基である。上記式D1-1中、R35~R37は、相互に独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、上記式D1-2中、R38およびR39は、相互に独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子である。上記式D1-0で表される化合物は、露光により分解して酸拡散制御性を失う酸拡散制御剤以下、光分解性酸拡散制御剤ともいう。として用いられるものである。そして、式D1-0で表される化合物を含有することによって、露光部では酸が拡散し、未露光部では酸の拡散が制御されることにより露光部と未露光部のコントラストが優れる即ち、露光部と未露光部の境界部分が明確になるため、特に本発明の感放射線性樹脂組成物のLWR、MEEFMaskErrorEnhancementFactorマスク幅のずれによるライン幅のずれの増幅因子の改善に有効である。式D1-0中のXは、上述したように上記式D1-1又はD1-2で表されるカチオンである。そして、式D1-1中のR35~R37は、相互に独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、これらの中でも、上記式D1-0で表される化合物の、現像液に対する溶解性を低下させる効果があるため、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子であることが好ましい。また、式D1-2中のR38およびR39は、相互に独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、これらの中でも、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子であることが好ましい。式D1-0中のZ-は、OH-、式D1-3RD1-COO-で表されるアニオン、式D1-4RD1-SO3-で表されるアニオン、又は式D1-5RD1-N--SO2-RD11で表されるアニオンである但し、上記式D1-3~D1-5中、RD1は、置換されていてもよいアルキル基、脂環式炭化水素基又はアリール基である。RD11は、置換されていてもよいフッ素化アルキル基、脂環式フッ素化炭化水素基又はフッ素化アリール基である。なお、式D1-0中のZ-は、下記式1aで表されるアニオン即ち、RD1がフェニル基である、式D1-3で表されるアニオン、下記式1bで表されるアニオン即ち、RD1が1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基である、式D1-4で表されるアニオン、又は下記式1cで表されるアニオン即ち、RD1がブチル基、RD11がトリフルオロメチル基である、式D1-5で表されるアニオンであることが好ましい。上記光分解性酸拡散制御剤は、上記式D1-0で表されるものであり、具体的には、上記条件を満たすスルホニウム塩化合物又はヨードニウム塩化合物である。上記スルホニウム塩化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート等を挙げることができる。なお、これらのスルホニウム塩化合物は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記ヨードニウム塩化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチレート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート等を挙げることができる。なお、これらのヨードニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。上記光分解性酸拡散制御剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。上記酸拡散抑制剤としては、含窒素化合物I、含窒素化合物II、含窒素複素環化合物及び光分解性酸拡散制御剤が好ましい。本発明のフォトレジスト組成物が、酸拡散抑制剤を含有する場合、その含有量は、上記重合体[A]100質量部に対して、好ましくは10質量部以下、より好ましくは5質量部以下である。上記酸拡散抑制剤の含有量が10質量部を超えると、フォトレジスト膜の感度が低下する場合がある。[溶剤]この溶剤は、少なくとも、重合体[A]及び[C]並びに酸発生剤[B]を溶解して、本発明の組成物を溶液状態にすることができるものが好ましい。上記溶剤としては、直鎖状又は分岐状のケトン類、環状のケトン類、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールジアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、カルボン酸エステル類、ヒドロキシル基を有するカルボン酸エステル類、アルコキシ基を有するカルボン酸エステル類、アルコール類、芳香族炭化水素類等が挙げられる。尚、これらの溶剤は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記溶剤の使用量は、本発明のフォトレジスト組成物の全固形分濃度が、好ましくは1質量以上50質量以下、より好ましくは1質量以上25質量以下となるような量である。本発明の組成物は、例えば、孔径0.2μm程度のフィルターを用いたろ過によって、組成物溶液として用いることができる。[ラクトン化合物]このラクトン化合物は、液浸露光において、フォトレジスト膜の表面における撥水性を効率よく発現させるために、含まれる重合体[C]を、フォトレジスト膜の表層に偏析させる効果を付与する成分である。そして、このラクトン化合物を含有する組成物を用いることにより、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本特性を損なうことなく、フォトレジスト膜から液浸露光用液体への成分の溶出を抑制することができる。また、高速スキャンにより液浸露光を行った場合にも、液滴を残すことなく、フォトレジスト膜の表面における撥水性を維持することができ、ウォーターマーク欠陥等の不良現象を抑制することができる。上記作用を付与するラクトン化合物としては、γ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてよいし、2つ以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のフォトレジスト組成物が、上記ラクトン化合物を含有する場合、その含有量は、上記重合体[A]100質量部に対して、通常、30質量部以上200質量部以下、好ましくは50質量部以上150質量部以下である。このラクトン化合物の含有量が200質量部を超えると、レジストの基本性能が低下し、良好な形状を有するパターンが得られない場合がある。本発明のフォトレジスト組成物は、特に、化学増幅型レジストとして有用である。上記化学増幅型レジストにおいては、露光により酸発生剤[B]から発生した酸の作用によって、重合体成分中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。<レジストパターンの形成方法>本発明のレジストパターン形成方法は、上記本発明のフォトレジスト組成物を用いて基板上にフォトレジスト膜を形成する工程以下、第1工程という。と、このフォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、液浸露光用液体を介してフォトレジスト膜を液浸露光する工程以下、第2工程という。と、液浸露光されたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程以下、第3工程という。と、を備えることを特徴とする。第1工程は、上記本発明のフォトレジスト組成物を用いて基板上にフォトレジスト膜を形成する工程である。組成物の塗布方法としては、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の方法が挙げられる。基板としては、シリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等が挙げられる。上記第1工程の具体例としては、得られるフォトレジスト膜が所定の膜厚となるように組成物を塗布し、その後、プレベークPBすることによって塗膜中の溶剤を揮発させる方法である。これにより、均一なフォトレジスト膜が形成される。フォトレジスト膜の厚さは、特に限定されないが、通常、0.05~0.40μmである。また、プレベークの条件は、組成物の構成によって、適宜、選択されるが、好ましくは30°C~200°Cであり、より好ましくは50°C~170°Cである。尚、本発明においては、フォトレジスト組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば、特公平6-12452号公報特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、フォトレジスト膜上に保護膜を設けることもできる。更に、フォトレジスト膜からの酸発生剤等の流出を防止するため、例えば、特開2005-352384号公報等に開示されているように、フォトレジスト膜上に液浸用保護膜を設けることもできる。尚、これらの技術は併用することができる。第2工程は、フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、液浸露光用液体を介してフォトレジスト膜を液浸露光する工程である。この工程においては、通常、所望のパターンを形成するためのマスクパターンを有するフォトマスクを介して、下記に例示する放射線を、露光光として用い、この放射線を、上記フォトレジスト膜の表面に照射する。これにより、放射線は、フォトマスクの開口部を通過し、更に露光用のレンズを通過して、フォトレジスト膜に達する。フォトレジスト膜における露光部は、第3工程により除去される。上記液浸露光用液体としては、純水、長鎖又は環状の脂肪族化合物等を用いることができる。また、液浸露光用の露光光は、放射線が使用される。この放射線は、組成物中の酸発生剤の種類に応じて、適宜、選択することができるが、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を用いることができる。これらのうち、ArFエキシマレーザー波長193nm又はKrFエキシマレーザー波長248nmで代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー波長193nmが好ましい。なお、露光量等の露光条件は、組成物の構成、添加剤が含有された場合のその種類等に応じて、適宜、選択することができる。上記第2工程の後、必要に応じて、露光された膜をベーク以下、PEBという。する工程を備えてもよい。この工程により、露光部に含まれる重合体の架橋反応が円滑に進めることができる。このPEBの加熱条件は、組成物の組成によって、適宜、選択されるが、架橋反応の円滑化の観点から、好ましくは30°C~200°Cであり、より好ましくは50°C~170°Cである。第3工程は、液浸露光されたフォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程である。この工程において、現像液を用いることにより、上記第2工程における未露光部が除去され、露光部、即ち、上記フォトマスクの開口部のパターンを反映したパターンが、残存、形成される。上記現像液としては、通常、アルカリ性化合物を水に溶解させてなるアルカリ性水溶液が用いられる。このアルカリ性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等が挙げられる。これらは、単独で用いてよいし、2つ以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記化合物のうち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。上記アルカリ性化合物の濃度は、通常、10質量以下である。この濃度が高すぎると、露光部も現像液に溶解する場合がある。上記現像液は、上記アルカリ性化合物のみを含む溶液であってよいし、有機溶剤、界面活性剤等を含む組成物であってもよい。上記有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メタノール、エタノール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記現像液が有機溶剤を含む場合、その含有量は、アルカリ性水溶液100体積部に対して、好ましくは100体積部以下である。この有機溶剤の含有量が100体積部を超える場合、現像性が低下して未露光部の現像残りが多くなる場合がある。上記第3工程の後、基板上に残存したパターンは、通常、水で洗浄して乾燥される。以上の工程を備えることにより、広い露光マージンを維持しつつ、LWRの小さいラインアンドスペースパターンを形成することができる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、合成例、実施例及び比較例における部及びは、特に断らない限り質量基準である。下記の合成例により得られた重合体のGPC測定方法は、以下の通りである。重合体の重量平均分子量Mwは、東ソー社製GPCカラムである、G2000HXL2本、G3000HXL1本及びG4000HXL1本を連結して、テトラヒドロフランを溶出溶媒とし、流量1.0mL/分及びカラム温度40°Cの条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。重合体[A]の合成[合成例1]重合体A-1の合成下記に示す、化合物S1-133.11g40mol、化合物S1-212.22g10mol及び化合物S1-354.67g50molを、2-ブタノン200gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル8.08gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量80.1g、収率80。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ41:10:49であった。これを、重合体A-1とする。この共重合体のMwは7,300であり、フッ素原子の含有量は0であった。[合成例2]重合体A-2の合成下記に示す、化合物S1-137.08g45mol、化合物S1-212.17g10mol、化合物S1-47.21g5mol及び化合物S1-343.55g40molを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル4.02gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量75g、収率75。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2、化合物S1-4及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ44:11:6:39であった。これを、重合体A-2とする。この共重合体のMwは7,500であり、フッ素原子の含有量は2.8であった。[合成例3]重合体A-3の合成下記に示す、化合物S1-131.98g40mol、化合物S1-211.80g10mol、化合物S1-413.98g10mol及び化合物S1-342.24g40molを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.90gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量72g、収率72。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2、化合物S1-4及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ40:10:10:40であった。これを、重合体A-3とする。この共重合体のMwは7,000であり、フッ素原子の含有量は5.4であった。[合成例4]重合体A-4の合成下記に示す、化合物S1-121.92g30mol、化合物S1-210.79g10mol、化合物S1-438.33g30mol及び化合物S1-328.96g30molを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.57gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量71g、収率71。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2、化合物S1-4及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ30:11:29:30であった。これを、重合体A-4とする。この共重合体のMwは6,700であり、フッ素原子の含有量は14.9であった。[合成例5]重合体A-5の合成下記に示す、化合物S1-123.38g30mol、化合物S1-211.51g10mol、化合物S1-513.63g10mol及び化合物S1-351.48g50molを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.80gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量81g、収率81。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2、化合物S1-5及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ39:10:10:41であった。これを、重合体A-5とする。この共重合体のMwは7,600であり、フッ素原子の含有量は5.3であった。[合成例6]重合体A-6の合成下記に示す、化合物S1-132.19g40mol、化合物S1-211.88g10mol、化合物S1-513.40g10mol及び化合物S1-342.53g40molを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.93gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量72g、収率72。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2、化合物S1-5及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ41:9:11:39であった。これを、重合体A-6とする。この共重合体のMwは7,100であり、フッ素原子の含有量は5.5であった。合成例7重合体A-7の合成下記に示す、化合物S1-132.41g40mol、化合物S1-211.96g10mol、化合物S1-612.82g10mol及び化合物S1-342.81g40molを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.95gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量72g、収率72。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2、化合物S1-6及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ40:10:9:41であった。これを、重合体A-7とする。この共重合体のMwは6,800であり、フッ素原子の含有量は5.5であった。[合成例8]重合体A-8の合成下記に示す、化合物S1-131.56g40mol、化合物S1-211.65g10mol、化合物S1-715.11g10mol及び化合物S1-341.69g40molを、2-ブタノン100gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.85gを投入して単量体溶液を準備した。一方、100gの2-ブタノンを1,000mlの三口フラスコに投入し、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内の2-ブタノンを攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を2,000gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、400gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末共重合体を50°Cで17時間乾燥した収量72g、収率72。13C-NMR分析の結果、化合物S1-1、化合物S1-2、化合物S1-7及び化合物S1-3に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ41:10:10:39であった。これを、重合体A-8とする。この共重合体のMwは7,000であり、フッ素原子の含有量は3.5であった。重合体[C]の合成[合成例9]重合体C-1の合成下記に示す、化合物S2-114.5g20mol及び化合物S2-284.6g80molを、2-ブタノン150gに溶解し、更に、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.47gを投入して単量体溶液を準備した。一方、500mlの三口フラスコ内を、30分間窒素ガスによりパージした。窒素パージの後、三口フラスコ内を攪拌しながら、80°Cに加熱した。次いで、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて、3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、80°Cで3時間撹拌した。重合終了後、重合溶液を水冷により、30°C以下に冷却した。そして、この重合溶液を600gのメタノールへ投入し、白色粉末を析出させ、その後、これを濾別した。濾別された白色粉末を、2度、300gのメタノールにてスラリー状で洗浄した後、濾別した。次いで、白色粉末を50°Cで17時間乾燥し、無色固体の共重合体を得た収量72g、収率72。13C-NMR分析の結果、化合物S3-1及び化合物S3-2に由来する繰り返し単位の含有率molがそれぞれ21:79であった。これを、重合体C-1とする。この共重合体のMwは6,400であり、フッ素原子の含有量は12.8であった。<フォトレジスト組成物の調整及び評価>フォトレジスト組成物を調製するための他の原料成分を以下に示す。酸発生剤[B]1B-14-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート2B-2トリフェニルスルホニウム=トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニルジフルオロメタンスルホナート酸拡散抑制剤[D]1D-1tert-ブチル-4-ヒドロキシ-1-ピペリジンカルボキシレート2D-22,6-ジイソプロピルアニリン溶剤[F]1F-1プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2F-2シクロヘキサノン[実施例1]重合体A-2100部と、酸発生剤B-16部と、酸発生剤B-26部と、重合体C-15部と、酸拡散抑制剤0.8部と、溶剤F-11,980部及び溶剤F-2848部とを混合して均一溶液とした。その後、孔径200nmのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、フォトレジスト組成物組成物溶液を製造した表1参照。[実施例2~11及び比較例1]原料成分を、表1に記載の配合処方に従って用いたこと以外は、実施例1と同様にして、フォトレジスト組成物を調製した。各フォトレジスト組成物を用いて、以下の要領で、シリコンウエハに配された反射防止膜上に、ラインアンドスペースパターンを形成し、LWRを評価した。その結果を表1に併記した。[レジストパターンの形成]12インチシリコンウエハ表面に、下層反射防止膜形成用組成物ARC66、日産化学社製を、半導体製造装置LithiusPro-i、東京エレクトロン社製を使用して、スピンコートした。次いで、加熱処理PBを205°C、60秒間を行うことにより、膜厚105nmの反射防止層を形成した。その後、半導体製造装置CLEANTRACKACT12、東京エレクトロン社製を使用して、フォトレジスト組成物をスピンコートした。そして、PB110°C、60秒間し、冷却23°C、30秒間することにより、膜厚100nmのフォトレジスト層を形成した。次いで、ArF液浸露光装置S610C、NIKON社製を使用して、NA:1.30、Crosspoleの光学条件にて、ターゲットサイズが48nmライン/96nmピッチのマスクを介して露光した。その後、半導体製造装置LithiusPro-i、東京エレクトロン社製のホットプレート上で、ポストエクスポージャーベークPEBを95°C、60秒間行い、冷却23°C、30秒間した。次に、現像カップのGPノズルにて、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液としてパドル現像10秒間し、超純水でリンスした。その後、2000rpm、15秒間振り切りで、スピンドライすることにより、レジストパターンラインアンドスペースパターンが形成された評価用シリコンウエハを得た。このとき、ターゲットサイズが48nmライン/96nmピッチのマスク寸法において、48nmライン/96nmピッチのパターンを形成する露光量を最適露光量とした。[LWRの測定]走査型電子顕微鏡を用いて、最適露光量にて解像した48nmライン/96nmピッチのパターンを、その上方から観察し、線幅を、任意のポイントで10点測定し、その測定値の3σばらつきを、LWR単位:nmとした。表1から明らかなように、比較例1は、本発明に係る式1で表される繰り返し単位を含まない重合体を含有するフォトレジスト組成物を用いた例であり、LWRが4.7であるのに対し、実施例1~11のフォトレジスト組成物は、LWRが4未満の値を示しており、本発明の感放射線性樹脂組成物により液浸露光プロセスにおけるLWRが改善できていることがわかる。"