蒸発させる物質からなる棒状又は板状の陰極と、該陰極を保持するバッキングプレートと、前記陰極と前記バッキングプレートとを連結し、前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい軸方向に垂直な断面積を有するスペーサー部と、を含む真空アーク式蒸発源。前記スペーサー部が前記陰極の材質より熱伝導率が小さい材質である請求項1に記載の真空アーク式蒸発源。前記陰極が前記スペーサー部を含む一体形状である請求項1に記載の真空アーク式蒸発源。前記バッキングプレートがスペーサー部を含む一体形状である請求項1に記載のアーク式蒸発源。前記陰極が前記スペーサー部とバッキングプレートへの取り付け部とを含む一体形状である請求項1に記載の真空アーク式蒸発源。アーク放電によって、陰極物質を蒸発させることによって成膜を行う真空アーク蒸着法において、前記陰極とそれを保持するバッキングプレートとの間に前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい軸方向に垂直な断面積を有するスペーサー部を設け、アーク電流30A以下で成膜することを特徴とする真空アーク蒸着方法。本発明は、蒸発源の構造上から、上記陰極からのマクロパーティクルの発生を抑制するアーク式蒸発源を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、発明者らは前記マクロパーティクルの抑制にはアーク電流を小さくすればよいという知見から、アーク電流30A以下でも安定してアーク放電ができるアーク式蒸発源の発明に至った。すなわち、本発明のアーク式蒸発源は、蒸発させる物質からなる棒状又は板状の陰極と、該陰極を保持するバッキングプレートと、前記陰極と前記バッキングプレートとを連結し、前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい軸方向に垂直な断面積を有するスペーサー部と、を含むことを特徴としている。また、陰極の熱を逃げ難くくし、熱電子の発生を多くするため、前記スペーサー部が前記陰極の物質より熱伝導率が小さい材質であることを特徴としている。また、本発明は、前記陰極が前記スペーサー部を含む一体形状であることを特徴としている。ことを特徴としている。また、本発明は、前記フランジが前記スペーサー部を含む一体形状であることを特徴としている。前記陰極が前記スペーサー部と前記バッキングプレートへの取り付け部とを含む一体形状であることを特徴としている。また、アーク放電によって、陰極物質を蒸発させることによって成膜を行う真空アーク蒸着法において、前記陰極とそれを保持するバッキングプレートとの間に前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい軸方向に垂直な断面積を有するスペーサー部を設け、アーク電流30A以下で成膜することを特徴としている。本発明によると、アーク式蒸発源の陰極で発生した熱がバッキングプレートに伝わり難くなり、陰極の蒸発面が上昇するので熱電子の発生が多くなる。その結果、低いアーク電流で、安定して動作させることが可能となるので、マクロパーティクルの陰極からの発生を抑制することができるアーク式蒸発源及び真空アーク蒸着法を提供することができる。本発明の実施形態について、添付図面を参照して説明する。なお、本発明の実施形態を表す図中の符号は前記した従来の蒸発源の各部と同じ場合は同一の符号を用いている。図1は本発明の一実施形態であるアーク式蒸発源の一部を示している。フランジ11は従来技術と同じようなものであるので、それを省略した図である。陰極3は上記した従来のアーク式蒸発源のようにバッキングプレート10に直接取り付けるのではなく、棒状又は板状の陰極3の蒸発面17の反対面に設けられる棒状のスペーサー部16を介してバッキングプレート10に取り付けられている。なお、本実施形態では陰極3、スペーサー部16、バッキングプレート10は別体のものであり、スペーサー部は陰極3及びバッキングプレートに、例えば、螺合により取り付けられる。そして、棒状のスペーサー部16の軸方向に垂直な断面積が前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい。また、スペーサー部の材質は導電性のものであればよく、陰極と同じ材質でも異なる材質であってもよいが、アークによる熱をよりバッキングプレートに伝わり難くするため、熱伝導率の小さい材質の方が特に望ましい。例えば、陰極がグラファイトであればSUS304等ステンレス鋼がよい。図2は本発明の他の実施形態を示す。陰極3が、スペーサー部16の軸方向に垂直な断面積が前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい棒状のスペーサー部16を含む一体形状としている。図3は本発明のさらに他の実施形態を示すが、バッキングプレート10をスペーサー部16の軸方向に垂直な断面積が前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい棒状のスペーサー部16を含む一体形状としている。さらに、図4は本発明の他の実施形態を示す。陰極3をスペーサー部16の軸方向に垂直な断面積が前記陰極の厚さ方向に垂直な断面積より小さい棒状のスペーサー部16とバッキングプレート10への取り付け部とを含む一体形状としている。なお、いずれの実施形態においても、スペーサー部16の長さはできる限り、長くした方が望ましい。アーク放電による熱が陰極3からバッキングプレート10に逃げ難くするからである。また、陰極が大きい場合スペーサー部は複数箇所に設けてもよい。以上の実施形態ではバッキングプレート10とフランジ11に別体に設けたが、それらを一体のものにしてもよい。陰極3を上記した実施形態のように、スペーサーを介して取り付けることによって、陰極3の温度、特に表面温度が上昇し、アーク放電時に蒸発面17からより多くの熱電子が放出され、このため放電が安定化し、放電電流をより小さくしてもアーク放電を持続させることが可能になる。その結果、マクロパーティクルの発生を抑制することができる。<実施例>図1に示す実施形態の蒸発源を用いて、低アーク電流において、基材にDLC膜の成膜を行い、放電安定性と成膜後、陰極から発生するマクロパーティクルの大きさ及び数を表す指標と考えられる基材の成膜面の表面粗さ平均表面粗さ:Raを測定した。成膜条件は以下の通りである。1陰極材料:黒鉛グラファイト2陰極材料の大きさ:直径64mm×厚さ20mm3スペーサー材質:SUS3044スペーサーの大きさ:直径10mm×厚さ5mm5基材:Siウエハ6アーク放電条件aチャンバ内圧:1×103Pa以下b処理ガス:なしcアーク電流:20A、30A7膜厚:250nmなお、比較例として、図6に示した従来の蒸発源を用いて同一形状の陰極、同一アーク放電条件で成膜を行った。表1にそれらの結果を示す。本発明の蒸発源を用いた場合、従来の蒸発源では出来なかったアーク電流20Aでのアーク放電が安定して持続し、またマクロパーティクルの増加によって生ずると考えられる表面粗さは小さくなっていることが明らかである。さらに、アーク電流30Aにおいても従来の蒸発源を用いた場合より表面粗さが小さくなっていることが分る。なお、実施例では陰極材料として黒鉛グラファイトを用いたが、本発明の蒸発源の陰極材料として金属、合金に巾広く適用できることは勿論である。以上、本発明の実施形態を説明したが、これらはあくまで数例の実施形態であり、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することができる。