半導体基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該半導体基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置であって、該半導体基板の第2面に入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部と、該半導体基板の該第2面上に形成された光透過膜とを備え、該光透過膜は、該半導体基板の該第2面上に形成された第1の透明絶縁膜と、該第1の透明絶縁膜上に形成され、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜とを、該第2の透明絶縁膜の厚みの増大に伴って、該半導体基板の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該第2の透明絶縁膜の厚みを、該反射率の極小値として2周期目の極小値のみを含む範囲に設定したものである、固体撮像装置。シリコン基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該シリコン基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置であって、該シリコン基板の第2面に入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部と、該シリコン基板の該第2面上に形成された光透過膜とを備え、該光透過膜は、該シリコン基板の該第2面上に形成された第1の透明絶縁膜と、該第1の透明絶縁膜上に形成され、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜とを含み、前記第1の透明絶縁膜は、酸化シリコン膜であって、5nm以上15nm以下の膜厚を有し、前記第2の透明絶縁膜は、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であって、100nm以上300nm以下の膜厚を有する、固体撮像装置。請求項2に記載の固体撮像装置において、前記窒化シリコン膜または前記窒化酸化シリコン膜は、180nm以上250nm以下の膜厚を有する、固体撮像装置。請求項1または2に記載の固体撮像装置において、前記光透過膜上に形成された遮光膜を有し、該遮光膜は、前記半導体基板の第2面の、入射光の光電変換を行う有効画素が配列されている有効画素領域に対応する開口部を有している、固体撮像装置。請求項2または3に記載の固体撮像装置において、前記シリコン基板は第1導電型シリコン基板であり、該第1導電型シリコン基板は、前記受光部を構成する、マトリクス状に配列された複数の第2導電型半導体領域を含み、該受光部を構成する第2導電型半導体領域は、該第1導電型シリコン基板内に形成された高濃度第1導電型分離領域により電気的に分離されている、固体撮像装置。請求項5に記載の固体撮像装置において、前記光透過膜上に形成された遮光膜を有し、該遮光膜は、前記第1導電型シリコン基板の第2面の、入射光の光電変換を行う有効画素が配列されている有効画素領域では、前記高濃度第1導電型分離領域上に位置し、前記第1導電型シリコン基板の第2面の、該有効画素領域の周囲に位置するオプティカルブラック領域では、該オプティカルブラック領域の全面を覆うよう形成されている、固体撮像装置。請求項1から6のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記光透過膜上には、各画素に対応する所定の色のカラーフィルタが形成され、該カラーフィルタ上には、各画素に対応する位置にマイクロレンズが形成されている、固体撮像装置。半導体基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該半導体基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置を製造する方法であって、該半導体基板の第1面側に、入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部を形成するステップと、該半導体基板の第1面上に該画素回路を形成するステップと、該半導体基板の第1面上に該画素回路を覆うよう平坦化膜を形成した後、該半導体基板の第1面側を支持基板に貼り付けるステップと、該半導体基板の第1面とは反対側の第2面を、該受光部が形成されている深さまで研削して該半導体基板を薄くするステップと、この薄くした半導体基板の第2面側に光透過膜を形成するステップとを含み、該光透過膜を形成するステップは、該半導体基板の該第2面上に第1の透明絶縁膜を形成するステップと、該第1の透明絶縁膜上に、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜を、該第2の透明絶縁膜の厚みの増大に伴って、該半導体基板の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層するステップとを有し、該第2の透明絶縁膜の厚みは、該反射率の極小値として2周期目の極小値のみを含む範囲に設定されている、固体撮像装置の製造方法。シリコン基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該シリコン基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置を製造する方法であって、該シリコン基板の第1面側に、入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部を形成するステップと、該シリコン基板の第1面上に該画素回路を形成するステップと、該シリコン基板の第1面上に該画素回路を覆うよう平坦化膜を形成した後、該シリコン基板の第1面側を支持基板に貼り付けるステップと、該シリコン基板の第1面とは反対側の第2面を、該受光部が形成されている深さまで研削して該シリコン基板を薄くするステップと、この薄くしたシリコン基板の第2面側に光透過膜を形成するステップとを含み、該光透過膜を形成するステップは、該シリコン基板の第1面とは反対側の第2面を、該受光部が形成されている深さまで研削して薄くしたシリコン基板の第2面上に、該第1の透明絶縁膜としてシリコン酸化膜を5nm以上15nm以下の厚さに形成するステップと、該シリコン酸化膜上に、前記第2の透明絶縁膜として、窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを100nm以上300nm以下の厚さに形成するステップとを含む、固体撮像装置の製造方法。被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、該撮像部は、請求項1から7のいずれかに記載の固体撮像装置を含む電子情報機器。以上のとおり、上記従来の裏面照射型の固体撮像装置では、光の透過率を向上させかつ暗電流を抑制することができるが、裏面照射型の固体撮像装置では通常シリコン基板の厚さを10ミクロン以下に加工するため、加工後はシリコン基板に強い引張応力が発生している。この引張応力がシリコン基板に歪を発生させて暗電流が発生するという課題がある。またシリコン基板への金属コンタミネーション抑制も上記膜厚では不十分であり、白点欠陥画素が増大するという課題がある。本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、薄く加工した半導体基板の裏面ストレスに起因する暗電流と、半導体基板の裏面側に形成した金属膜からのコンタミネーションに起因する白点欠陥を抑制することができる固体撮像装置、およびその製造方法、並びにこのような固体撮像装置を搭載した電子情報機器を得ることを目的とする。本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該半導体基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置であって、該半導体基板の第2面に入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部と、該半導体基板の該第2面上に形成された光透過膜とを備え、該光透過膜は、該半導体基板の該第2面上に形成された第1の透明絶縁膜と、該第1の透明絶縁膜上に形成され、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜とを、該第2の透明絶縁膜の厚みの増大に伴って、該半導体基板の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該第2の透明絶縁膜の厚みを、該反射率の極小値として2周期目の極小値のみを含む範囲に設定したものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明に係る固体撮像装置は、シリコン基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該シリコン基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置であって、該シリコン基板の第2面に入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部と、該シリコン基板の該第2面上に形成された光透過膜とを備え、該光透過膜は、該シリコン基板の該第2面上に形成された第1の透明絶縁膜と、該第1の透明絶縁膜上に形成され、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜とを含み、前記第1の透明絶縁膜は、酸化シリコン膜であって、5nm以上15nm以下の膜厚を有し、前記第2の透明絶縁膜は、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であって、100nm以上300nm以下の膜厚を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明は、上記固体撮像装置において、前記窒化シリコン膜または前記窒化酸化シリコン膜は、180nm以上250nm以下の膜厚を有することが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記光透過膜上に形成された遮光膜を有し、該遮光膜は、前記半導体基板の第2面の、入射光の光電変換を行う有効画素が配列されている有効画素領域に対応する開口部を有していることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記シリコン基板は第1導電型シリコン基板であり、該第1導電型シリコン基板は、前記受光部を構成する、マトリクス状に配列された複数の第2導電型半導体領域を含み、該受光部を構成する第2導電型半導体領域は、該第1導電型シリコン基板内に形成された高濃度第1導電型分離領域により電気的に分離されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記光透過膜上に形成された遮光膜を有し、該遮光膜は、前記第1導電型シリコン基板の第2面の、入射光の光電変換を行う有効画素が配列されている有効画素領域では、前記高濃度第1導電型分離領域上に位置し、前記第1導電型シリコン基板の第2面の、該有効画素領域の周囲に位置するオプティカルブラック領域では、該オプティカルブラック領域の全面を覆うよう形成されていることが好ましい。本発明は、上記固体撮像装置において、前記光透過膜上には、各画素に対応する所定の色のカラーフィルタが形成され、該カラーフィルタ上には、各画素に対応する位置にマイクロレンズが形成されていることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該半導体基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置を製造する方法であって、該半導体基板の第1面側に、入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部を形成するステップと、該半導体基板の第1面上に該画素回路を形成するステップと、該半導体基板の第1面上に該画素回路を覆うよう平坦化膜を形成した後、該半導体基板の第1面側を支持基板に貼り付けるステップと、該半導体基板の第1面とは反対側の第2面を、該受光部が形成されている深さまで研削して該半導体基板を薄くするステップと、この薄くした半導体基板の第2面側に光透過膜を形成するステップとを含み、該光透過膜を形成するステップは、該半導体基板の該第2面上に第1の透明絶縁膜を形成するステップと、該第1の透明絶縁膜上に、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜を、該第2の透明絶縁膜の厚みの増大に伴って、該半導体基板の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層するステップとを有し、該第2の透明絶縁膜の厚みは、該反射率の極小値として2周期目の極小値のみを含む範囲に設定されており、そのことにより上記目的が達成される。本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、シリコン基板の第1面側に形成された画素回路を備え、該シリコン基板の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成した固体撮像装置を製造する方法であって、該シリコン基板の第1面側に、入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部を形成するステップと、該シリコン基板の第1面上に該画素回路を形成するステップと、該シリコン基板の第1面上に該画素回路を覆うよう平坦化膜を形成した後、該シリコン基板の第1面側を支持基板に貼り付けるステップと、該シリコン基板の第1面とは反対側の第2面を、該受光部が形成されている深さまで研削して該シリコン基板を薄くするステップと、この薄くしたシリコン基板の第2面側に光透過膜を形成するステップとを含み、該光透過膜を形成するステップは、該シリコン基板の第1面とは反対側の第2面を、該受光部が形成されている深さまで研削して薄くしたシリコン基板の第2面上に、該第1の透明絶縁膜としてシリコン酸化膜を5nm以上15nm以下の厚さに形成するステップと、該シリコン酸化膜上に、前記第2の透明絶縁膜として、窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを100nm以上300nm以下の厚さに形成するステップとを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明に係る電子情報機器は、被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、該撮像部は、上述した本発明に係る固体撮像装置を含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。次に作用について説明する。本発明においては、固体撮像装置において、半導体基板の、画素回路を形成した第1面とは反対側の第2面上に光透過膜を形成し、該光透過膜を、該半導体基板の該第2面上に形成された第1の透明絶縁膜と、該第1の透明絶縁膜上に形成され、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜とを、該第2の透明絶縁膜の厚みの増大に伴って、該半導体基板の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該第2の透明絶縁膜の厚みを、該反射率の極小値として2周期目の極小値のみを含む範囲に設定したので、多重干渉効果に加えて、該第2の透明絶縁膜の厚み増大により、第1に、シリコンのもつ引張応力を緩和することができ、第2に、シリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することができる。この結果、暗電流、白点欠陥の少ないCMOSイメージセンサーなどの固体撮像装置を製造することができる。また、本発明においては、固体撮像装置において、半導体基板の、画素回路を形成した第1面とは反対側の第2面上に光透過膜を形成し、該光透過膜を、該半導体基板の該第2面上に形成された第1の透明絶縁膜と、該第1の透明絶縁膜上に形成され、該第1の透明絶縁膜の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜とを含むものとし、該第1の透明絶縁膜として、5nm以上15nm以下の膜厚を有する酸化シリコン膜を用い、該第2の透明絶縁膜として、100nm以上300nm以下の膜厚を有する、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜を用いたので、該第2の透明絶縁膜の厚みの増大に伴って該半導体基板の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となる積層構造において、該第2の透明絶縁膜の厚みを、該反射率が2周期目の極小値になるよう設定可能となり、多重干渉効果に加えて、該第2の透明絶縁膜の厚み増大により、第1に、シリコンのもつ引張応力を緩和することができ、第2に、シリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することができる。また、本発明においては、前記光透過膜上に形成された遮光膜を有し、該遮光膜は、前記第1導電型シリコン基板の第2面の、入射光の光電変換を行う有効画素が配列されている有効画素領域では、前記第1導電型分離領域上に位置し、前記第1導電型シリコン基板の第2面の、該有効画素領域の周囲に位置するオプティカルブラック領域では、該オプティカルブラック領域の全面を覆うよう形成されているので、遮光膜はこれがもつ応力や金属原子そのもののシリコン基板への拡散が暗電流や白点欠陥に悪影響を及ぼすものであることから、シリコン窒化膜を100nm以上300nm以下の厚さに設定することは、オプティカルブラック領域だけでなく、有効画素領域においても固体撮像装置におけるコンタミネーションの抑制効果が得られる。以上のように、本発明によれば、薄く加工した半導体基板のストレスに起因する暗電流と、半導体基板の第2面側裏面側に形成した金属膜からのコンタミネーションに起因する白点欠陥を抑制することができる固体撮像装置、およびその製造方法、並びにこのような固体撮像装置を搭載した電子情報機器を得ることができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態1による固体撮像装置を説明する図であり、該固体撮像装置の主要部の断面構造図1a、および画素アレイの構成図1bを示しており、図1bのA部には、画素アレイの一部を拡大して示している。なお、この図1bA部に示すレイアウトでは、A部以外の部分に示すレイアウトとは、半導体基板の厚さ方向の位置が異なり、具体的には、A部以外の部分では、遮光膜121のレイアウトを示し、A部では、この遮光膜121の下側の光透過膜123よりさらに下側に位置する、高濃度N型領域101bおよび高濃度P型領域101aのレイアウトを示している。この実施形態1の固体撮像装置100は、半導体基板101の第1面側に形成された画素回路を備え、該半導体基板101の第2面側から入射された光を光電変換するよう構成したものである。ここで、半導体基板101の第1面は、図1aでは半導体基板101の下側の面であり、以下表面ともいう。また、半導体基板101の第2面は、図1aでは半導体基板101の上側の面であり、裏面ともいう。なお、図1aでは、半導体基板101の第1面側に形成されている、画素回路を構成する多層配線などは図示していない。この固体撮像装置100は、該半導体基板101の第2面に入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して信号電荷を蓄積する受光部PDと、該半導体基板101の該第2面上に形成された光透過膜123とを備えている。ここで、該光透過膜123は、該半導体基板101の該第2面上に形成された第1の透明絶縁膜102と、該第1の透明絶縁膜102上に形成され、該第1の透明絶縁膜102の屈折率より高い屈折率を有する第2の透明絶縁膜103とを、該第2の透明絶縁膜103の厚みの増大に伴って、該半導体基板101の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造を有している。この第2の透明絶縁膜102の厚みは、該反射率が極小値に関しては2周期目のもののみを含む範囲に設定されている。具体的には、上記半導体基板101は、低濃度のP型シリコン基板であり、上記第1の透明絶縁膜102は、酸化シリコン膜以下、シリコン酸化膜ともいう。であり、上記第2の透明絶縁膜103は、窒化シリコン膜以下、シリコン窒化膜ともいう。である。なお、この透明絶縁膜103には、窒化シリコン膜に代えて窒化酸化シリコン膜を用いることもできる。また、上記酸化シリコン膜102は5nm以上15nm以下の膜厚を有し、上記窒化シリコン膜103は、100nm以上300nm以下の膜厚を有している。多重干渉効果を得る上で必要な上記酸化シリコン膜102は、薄膜化するほど光入射効率が向上するが、安定した膜厚を得る成膜限界より、5nm以上15nm以下の膜厚とすることが望ましい。なお、上記第2の透明絶縁膜103として、窒化シリコン膜に代えて窒化酸化シリコン膜を用いた場合は、窒化酸化シリコン膜の膜厚は、100nm以上300nm以下の膜厚とすることが望ましい。また、特に、窒化シリコン膜または前記窒化酸化シリコン膜は、180nm以上250nm以下の膜厚を有することが望ましい。図2は、P型シリコン基板101上にシリコン酸化膜第1の透明絶縁膜102およびシリコン窒化膜第2の透明絶縁膜103からなる光透過膜123を形成した構造において、シリコン酸化膜102の厚さを10nmに固定し、シリコン窒化膜103の厚さを0~300nmの範囲で変化させたときの入射光の反射率の変化を、入射光の波長をパラメータとしてシミュレーションした結果を示している。つまり、図2では、縦軸に反射率をとり、横軸にシリコン窒化膜の厚さnmをとっている。ここで、入力光の波長が610nmである場合の反射率の変化を◆印で示す点を結んだグラフL1で示し、入力光の波長が540nmである場合の反射率の変化を■印で示す点を結んだグラフL2で示し、入力光の波長が450nmである場合の反射率の変化を▲印で示す点を結んだグラフL3で示している。このようにシリコン窒化膜の膜厚増加に伴って、各波長の光の反射率が周期的に変化することが分かり、この実施形態1の固体撮像装置では、第2の透明絶縁膜102としてのシリコン窒化膜の膜厚100nm以上300nm以下の膜厚は、極小値に関しては各波長での反射率が2周期目のもののみを含む範囲に設定されていることが分かる。また、この実施形態1の固体撮像装置100を構成するP型シリコン基板101の裏面側には画素アレイ110aが形成されており、該画素アレイ110aの左右の側端部L0BおよびR0B、および上下の側端部U0BおよびD0Bは、それぞれオプティカルブラック部となっている。画素アレイ110aにおけるオプティカルブラック部以外の領域は有効画素領域Rとなっている。つまり、有効画素領域Rに入射した入射光が光電変換されて信号電荷として出力され、オプティカルブラック部L0B、R0B、U0BおよびD0Bの画素からの画素信号は、固体撮像装置の出力レベルの基準値として用いられる。そして、このオプティカルブラック部L0B、R0B、U0BおよびD0Bは、図1bに示すように、上記光透過膜123上に形成された遮光膜121により遮光されている。つまり、この遮光膜121は、有効画素領域Rに対応する開口を有しており、図1bのA部に有効画素領域Rの一部を拡大して示すように、この実施形態1では、受光部を構成する高濃度N型領域101b上にも、隣接する高濃度P型領域101bを分離する高濃度P型領域101a上にも遮光膜121は形成されていない。また、画素アレイ110aでは、受光部を有する画素がマトリクス状に配列されており、該受光部は、上記P型シリコン基板101に形成された高濃度N型領域101bと、該高濃度N型領域101bの下面上に形成された高濃度P型表面層101cとを有している。また、受光部PDを構成する高濃度N型領域101bは、隣接する高濃度N型領域101bとは高濃度P型領域101aにより電気的に分離されている。そして、半導体基板101の表面側には、ゲート絶縁膜108を介してゲート電極Gが形成されている。また、半導体基板101の裏面側では、上記光透過膜123上には、遮光膜121が形成され、さらにその上に平坦化膜としての層間絶縁膜122を介して、各画素に対応する所定の色のカラーフィルタ104が形成され、該カラーフィルタ104上には、各画素に対応する位置にマイクロレンズ105が形成されている。図1bのIa-Ia断面部分では、緑色フィルター104bと赤色フィルター104aとが交互に横方向に配列されている。次に、上記固体撮像装置の製造方法について説明する。まず、P型シリコン基板101としてP型シリコンウエハを準備し図3a、このP型シリコン基板101の第1面表面に、受光部を構成する高濃度N型領域101bを形成するとともに、これらの高濃度N型領域101bを電気的に分離する高濃度P型領域101aを形成し、さらに、上記受光部としてのフォトダイオードが表面埋め込み型フォトダイオードとなるよう、高濃度N型領域101bの表面に、上記受光部を構成する高濃度P型表面層101cを形成する。その後、ゲート絶縁膜108を介して、ゲート電極Gを形成する図3b。ここで、フォトダイオードは、シリコン基板の第2面に入射された光の入射光量に応じて信号電荷を生成して該信号電荷を蓄積するものである。次に、P型シリコンウエハP型シリコン基板101上に層間絶縁膜110を介して多層配線111および112を形成する。このとき、上層の層間絶縁膜は、画素回路を覆うよう平坦化膜として形成される。その後、最表面にパッシベーション膜113を形成する図3c。このとき、ゲート電極や金属配線図1では省略が画素回路として形成される。その後、上記P型シリコン基板101の表面側、つまりパッシベーション膜113の表面を、支持基板としての他のP型シリコンウエハ201に従来技術により接合する図4。続いて、上記P型シリコン基板101の裏面側を化学機械研磨法CMP法により研削して該P型シリコン基板101を、2~3μm程度の厚さになるまで、つまり受光部を構成する高濃度N型領域101bが露出する程度まで薄くする。次に、該薄くしたP型シリコン基板101の裏面にイオン注入およびアニール処理により高濃度P型領域106を形成し、その後、該薄くしたP型シリコン基板101の裏面上に膜厚が5nm以上15nm以下のシリコン酸化膜102を450°C以下の低温CVD法により堆積し、さらに、このシリコン酸化膜102上に同様の低温CVD法により、膜厚が100nm以上300nm以下のシリコン窒化膜103を形成する図5。ここで、酸化シリコンの屈折率は1.4~1.5、窒化シリコンの屈折率は1.8~2.0である。なお、シリコン窒化膜103の膜厚は、150nm以上250nm以下が好ましく、さらには、180nm以上250nm以下がより好ましい。その後、該シリコン窒化膜103上に遮光膜121を形成し、さらにその上に平坦化膜としての層間絶縁膜122を形成した後、該層間絶縁膜122上にカラーフィルタ104を形成し、さらにマイクロレンズ105を形成する図6。ここで、このカラーフィルタ104では、例えば、奇数行の画素列には、緑色フィルター104bと赤色フィルター104aとが交互に配置され、また偶数行の画素列には、青色フィルター図示せずと緑色フィルター図示せずとが交互に配置される。また、マイクロレンズ105は、各画素毎に対応させて上記カラーフィルター104上に配置される。また、低温CVDで形成したシリコン窒化膜103は、1E9dyne/cm2~1E10dyne/cm2の圧縮応力をもつ。また、シリコン窒化膜103上には直接または密着用有機材料を介してカラーフィルタ104が形成されている。カラーフィルタ104上には直接または平坦化用有機材料を介してマイクロレンズ105が形成されている。次に作用効果について説明する。本実施形態1の固体撮像装置100では、P型シリコン基板101の第2面裏面上に光透過膜123を形成し、該光透過膜123を、該P型シリコン基板101の該第2面上に形成されたシリコン酸化膜102と、該シリコン酸化膜102上に形成され、該シリコン酸化膜102の屈折率より高い屈折率を有するシリコン窒化膜103とを、該シリコン窒化膜103の厚みの増大に伴って、該P型シリコン基板101の第2面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該シリコン窒化膜103の厚みを、該反射率が極小値に関しては2周期目のもののみを含む範囲に設定したので、シリコン酸化膜102上にシリコン窒化膜103を積層したことによる多重干渉効果に加えて、シリコンのもつ引張応力を緩和することができる効果第1の効果、さらにシリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することができるという効果第2の効果が得られる。まず、多重干渉効果について図2を用いて具体的に説明する。図2は、P型シリコン基板の第2面裏面側に、例えば10nmのシリコン酸化膜を成膜した場合の、該シリコン酸化膜上に積層したシリコン窒化膜の膜厚と反射率との関係を入射光波長別に示している。入射光の反射率が最小となるシリコン窒化膜の膜厚は入射光の波長により異なるが、人間の視覚に近い色再現を行うために重要な540nm波長緑色で反射率が最小となるシリコン窒化膜の膜厚を調べると、50nm~80nm、または200nm~250nmが適正膜厚であることが図2より読み取れる。また、上記第1および第2の効果を得るために必要なシリコン窒化膜の膜厚は、50nm程度の薄い膜厚であると暗電流および白点欠陥が多く、膜厚を厚くすることにより減少することから、100nm以上である。よって、前記2つの効果を全て得るためには、シリコン窒化膜の膜厚は200nm~250nmでなければならない。これは入射光の波長が540nm緑色に着目した場合を想定したものであるが、450nm青色に着目した場合は窒化シリコン膜の膜厚は150nm~200nmが最適となり、610nm赤色に着目した場合には窒化シリコンの膜厚は225nm~275nmが最適膜厚となる。また、図2に示す反射率は下地の酸化シリコン膜の膜厚により変化するため、5nm以上15nm以下のシリコン酸化膜に対応する最適なシリコン窒化膜の膜厚は、100nm以上300nm以下の範囲に限定される。また、図2に示すように光の反射率が最小となるシリコン窒化膜の膜厚は、入射光の波長により異なるので、カラーバランスの観点から考えると、100nm~300nmの範囲で最適なシリコン窒化膜厚に設定することができる。シリコン窒化膜の膜厚をこのような膜厚に設定にすることにより、シリコン基板が引張応力をもつ一方で、シリコン窒化膜は強い圧縮応力をもつので、応力が相殺されてシリコン基板の応力が緩和され、暗電流が低減される。またシリコン窒化膜は、金属コンタミネーションを抑制するのに十分な膜厚となる。その結果、固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させるだけでなく、ストレス応力に起因する暗電流と金属コンタミネーションに起因する白点欠陥を抑制することができる。実施形態2図7は、本発明の実施形態2による固体撮像装置を説明する図であり、該固体撮像装置の主要部の断面構造図7a、および画素アレイでの遮光パターン図7bを示しており、図7bのB部には、画素アレイの一部を拡大して示している。ここで、半導体基板101の第1面表面は、図7aでは半導体基板101の下側の面であり、半導体基板101の第2面裏面は、図7aでは半導体基板101の上側の面である。また、半導体基板101は、具体的には低濃度のP型シリコン基板である。なお、図7aにおいても、図1aと同様、半導体基板101の第1面側に形成されている、画素回路を構成する多層配線などは図示していない。なお、この図7bB部に示すレイアウトでは、B部以外の部分に示すレイアウトとは、半導体基板の厚さ方向の位置が異なり、具体的には、B部以外の部分では、遮光膜221のレイアウトを示し、B部では、この遮光膜221の下側の光透過膜123よりさらに下側に位置する、高濃度N型領域101bおよび高濃度P型領域101aのレイアウトを示している。この実施形態2の固体撮像装置100aは、実施形態1の固体撮像装置100における遮光膜121に代えて、P型シリコン基板101の第2面裏面の、入射光の光電変換を行う有効画素が配列されている有効画素領域Rでは、高濃度P型領域101a上に位置し、P型シリコン基板101の第2面の、該有効画素領域Rの周囲に位置するオプティカルブラック領域U0B、D0B、L0B、R0Bでは、該オプティカルブラック領域の全面を覆うよう形成した遮光膜221を備えたものである。つまり、この実施形態2の固体撮像装置100aは、実施形態1の固体撮像装置と同様、シリコン基板101の第1面表面側に画素回路が形成され、P型シリコン基板101の第2面裏面から光が入射される固体撮像装置である。P型シリコン基板101の第2面裏面側に、膜厚が5nm以上15nm以下のシリコン酸化膜102と、膜厚が100nm以上300nm以下のシリコン窒化膜103との積層構造が形成され、その積層構造上には、平坦化膜としての層間絶縁膜122を介して遮光膜221が形成されている。そして、実施形態2の固体撮像装置100aと実施形態1の固体撮像装置100との相違点は、実施形態1の固体撮像装置100においては、上記遮光膜221は、画素アレイ110のオプティカルブラック部U0B、D0B、L0B、R0B上にのみ形成されているのに対し、実施形態2の固体撮像装置100aにおいては、上記遮光膜221は、画素アレイ110aのオプティカルブラック部U0B、D0B、L0B、R0Bでは、実施形態1と同様その全面を覆っているが、画素アレイ110aの有効画素領域Rでは、図7bのB部に有効画素領域Rの一部を拡大して示すように、格子状の平面パターンを有するよう、高濃度P型領域101a上にのみ形成され、受光部であるフォトダイオードPDの高濃度N型領域101bに対応する部分には開口部221a図7aを有している点である。ここで、遮光膜221の材質は例えばアルミニウムやタングステンである。一般的に遮光膜は、有効画素領域に混色を抑制する目的で配置されるが、遮光膜がもつ応力や金属原子そのもののシリコン基板への拡散が暗電流や白点欠陥に悪影響を及ぼすため、シリコン窒化膜103を100nm以上300nm以下に設定することにより、コンタミネーションを抑制する効果が得られる。また、上記実施形態1および2の固体撮像装置は、CCDイメージセンサであっても、CMOSイメージセンサであってもよいことはいうまでもない。さらに、上記実施形態1および2では、特に説明しなかったが、上記実施形態1および2の固体撮像装置の少なくともいずれかを撮像部に用いた、例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの、画像入力デバイスを有した電子情報機器について以下簡単に説明する。実施形態3図8は、本発明の実施形態3として、実施形態1あるいは2の固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。図8に示す本発明の実施形態3による電子情報機器90は、本発明の上記実施形態1および2の固体撮像装置100および100aの少なくともいずれかを、被写体の撮影を行う撮像部91として備えたものであり、このような撮像部による撮影により得られた高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部92と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示部93と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信部94と、この画像データを印刷印字して出力プリントアウトする画像出力部95とのうちの少なくともいずれかを有している。以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。