シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型の内側に設けられた、50~300μmの微細溶融シリカ砂をシリカで結合した内層スタッコ層を少なくとも1層含む内層シリカ層と、前記内層シリカ層の内側に設けられ、0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末を75~90重量含有するとともに残部が10~6000ppmのナトリウムを含有するシリカから構成される混合体素地層を少なくとも1層含む窒化ケイ素コーティング層と、を備え、前記窒化ケイ素コーティング層の最表面の前記混合体素地層が、平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ。前記窒化ケイ素コーティング層の最表面の前記混合体素地層以外の混合体素地層及び前記内層シリカ層の前記内層スタッコ層のいずれか1つ又は2以上が、前記水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とする請求項1に記載のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ。鋳型の内側に、溶融シリカ粉末と10~6000ppmのナトリウムを含有するコロイダルシリカとからなるスラリーを塗布または吹き付けてスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に50~300μmの微細溶融シリカ砂を散布して内層スタッコ層を形成する工程と、前記内層スタッコ層の上に、10~6000ppmのナトリウムを含有するコロイダルシリカに0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末を混合して得られた窒化ケイ素スラリーを塗布または吹き付けて混合体素地層を形成する工程と、乾燥及び焼成する工程と、を備え、前記内層スタッコ層を形成する工程を1回以上繰り返して行なうとともに、前記混合体素地層を形成する工程を1回以上繰り返して行ない、最表面の前記混合体素地層を形成する際に、前記窒化ケイ素スラリーに平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム粉末又は炭酸バリウム粉末を混合して得られたバリウム含有窒化ケイ素スラリーを用いることを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボの製造方法。最表面の混合体素地層以外の前記混合体素地層を形成する工程のいずれか1以上の工程で、前記窒化ケイ素スラリーに代えて前記バリウム含有窒化ケイ素スラリーを用いることを特徴とする請求項3に記載のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボの製造方法。前記内層スタッコ層を形成する工程のいずれか1以上の工程で、前記スラリーに代えて当該スラリーに平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム粉末又は炭酸バリウム粉末を加えたバリウム含有スラリーを用いることを特徴とする請求項3又は4に記載のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボの製造方法。しかしながら、微細溶融シリカ砂を窒化ケイ素粉末および残部がナトリウム含有のシリカからなる混合体素地で結合された内層を備えた従来のシリコンインゴット製造用ルツボでは、混合素地中にシリカが含まれているため、これを用いてシリコンインゴットを製造する際に混合体素地中のシリカが溶解シリコンと反応してしまい、シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを十分に低減することができないという問題があった。そして、酸素が溶け込んだシリコンインゴットを用いて作製されたシリコン基板では、これ以上の太陽光発電用電池の性能を向上させることが困難であるという課題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明者らは鋭意研究した結果、スタッコ層の表層に窒化珪素含有コーティング層を形成し、この窒化珪素含有コーティング層中にバリウムBaを拡散させることにより、より低い温度で結晶化させることができることを突き止めた。また、バリウムは窒化ケイ素コーティング層からシリカ層中にも拡散するため、最表層の窒化ケイ素コーティング層にバリウムを含有させることにより、上記結晶化の効果が得られることを見出して、本願を完成させた。すなわち、本発明は以下の構成を有する。[1]シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型の内側に設けられた、50~300μmの微細溶融シリカ砂をシリカで結合した内層スタッコ層を少なくとも1層含む内層シリカ層と、前記内層シリカ層の内側に設けられ、0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末を75~90重量含有するとともに残部が10~6000ppmのナトリウムを含有するシリカから構成される混合体素地層を少なくとも1層含む窒化ケイ素コーティング層と、を備え、前記窒化ケイ素コーティング層の最表面の前記混合体素地層が、平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ。[2]前記窒化ケイ素コーティング層の最表面の前記混合体素地層以外の混合体素地層及び前記内層シリカ層の前記内層スタッコ層のいずれか1つ又は2以上が、前記水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とする前項1に記載のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ。[3]鋳型の内側に、溶融シリカ粉末と10~6000ppmのナトリウムを含有するコロイダルシリカとからなるスラリーを塗布または吹き付けてスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に50~300μmの微細溶融シリカ砂を散布して内層スタッコ層を形成する工程と、前記内層スタッコ層の上に、10~6000ppmのナトリウムを含有するコロイダルシリカに0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末を混合して得られた窒化ケイ素スラリーを塗布または吹き付けて混合体素地層を形成する工程と、乾燥及び焼成する工程と、を備え、前記内層スタッコ層を形成する工程を1回以上繰り返して行なうとともに、前記混合体素地層を形成する工程を1回以上繰り返して行ない、最表面の前記混合体素地層を形成する際に、前記窒化ケイ素スラリーに平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム粉末又は炭酸バリウム粉末を混合して得られたバリウム含有窒化ケイ素スラリーを用いることを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボの製造方法。[4]最表面の混合体素地層以外の前記混合体素地層を形成する工程のいずれか1以上の工程で、前記窒化ケイ素スラリーに代えて前記バリウム含有窒化ケイ素スラリーを用いることを特徴とする前項3に記載のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボの製造方法。[5]前記内層スタッコ層を形成する工程のいずれか1以上の工程で、前記スラリーに代えて当該スラリーに平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム粉末又は炭酸バリウム粉末を加えたバリウム含有スラリーを用いることを特徴とする前項3又は4に記載のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボの製造方法。本発明のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボによれば、鋳型の内側に設けられた1以上の内層スタッコ層からなる内層シリカ層と、内層シリカ層の内側に設けられた1以上の混合体素地層からなる窒化ケイ素コーティング層とを備え、窒化ケイ素コーティング層の最表面の混合体素地層が、平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有する構成となっている。最表面の混合体素地層中のバリウムは窒化ケイ素コーティング層及び内層シリカ層に拡散し、シリカの変態点温度を低下させるため、これらの窒化ケイ素コーティング層及び内層シリカ層中のシリカの結晶化クリストバライト化を促進させることができる。これにより、シリコンインゴット鋳造用積層ルツボを用いて溶解したシリコン原料からシリコンインゴットを鋳造する際に、シリコン原料中へのシリカの溶解を抑制することができるため、シリコンインゴット中の酸素濃度を低減することができる。したがって、本発明のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボにより製造されたシリコンインゴットを用いた太陽電池用セルでは、光電変換効率を向上させることができる。本発明のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボの製造方法によれば、鋳型の内側に1以上の内層スタッコ層を形成し、内層スタッコ層の上に1以上の混合体素地層を形成し、乾燥及び焼成して内層シリカ層及び窒化ケイ素コーティング層を形成する構成となっている。そして、最表面の混合体素地層を形成する際に、10~6000ppmのナトリウムを含有するコロイダルシリカに0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末を混合して得られた窒化ケイ素スラリーに平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム粉末又は炭酸バリウム粉末を加えたバリウム含有窒化ケイ素スラリーを用いることで、本発明のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを簡便に製造することができる。以下、本発明を適用した一実施形態であるシリコンインゴット鋳造用積層ルツボについて、詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。図1aに示すように、本実施形態のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ以下、単にルツボと記す1は、シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するために用いられるものであり、鋳型2の内側に設けられた内層シリカ層3と、この内層シリカ層3の内側に設けられた窒化ケイ素コーティング層4とを備えて概略構成されている。ルツボ1が、内層シリカ層3の上に窒化ケイ素コーティング層4が設けられているため、シリコン溶湯をルツボ1に注入し凝固させてシリコンインゴットを製造する際に、シリコンインゴットの外周がルツボ1の内壁面に引っ張られることにより、シリコンインゴットと窒化ケイ素コーティング層との界面で剥離が発生する。これにより、凝固したシリコンインゴットに内部応力が発生せず、従来の石英ルツボにより得られたシリコンインゴットに見られるような亀裂および転位の発生を抑制することができる。鋳型2は、石英ガラス又は黒鉛から構成されている。また、鋳型2の内側には、任意の寸法および形状を有する空間例えば、円柱状空間、六角柱状空間、立方体状空間または直方体状空間などが設けられているが、特に限定されるものではない。例えば、上記内側空間として立方体又は直方体形状を有する鋳型2から構成されるルツボ1を使用してシリコンインゴットを製造する場合には、断面が正方形又は長方形を有するシリコンインゴットが得られることになる。そして、断面が正方形又は長方形を有する上記シリコンインゴットは、特に太陽光発電用電池のシリコン基板のような正方形または長方形を有するシリコン基板の製造に用いると、高価なシリコンインゴットを最も有効に活用することができる。内層シリカ層3は、図1a及び図1bに示すように、50~300μmの微細溶融シリカ砂31をシリカ素地5で結合した内層スタッコ層30を1層以上含んで構成されている。ここで、微細溶融シリカ砂31の粒径を50~300μmに限定したのは、以下の理由による。すなわち、微細溶融シリカ砂31の粒径が、300μmよりも粗い溶融シリカ砂であると、内層シリカ層3の表面粗さが大きくなってしまうために好ましくない。一方、微細溶融シリカ砂31の粒径が、50μmよりも微細であると、十分な厚さを保つことができなくなるために好ましくない。シリカ素地5は、10~6000ppmのナトリウムを含有するシリカから構成されている。ここで、シリカ素地5を構成するシリカのナトリウム含有量が、10~6000ppmの範囲であることが好ましいのは、以下の理由による。すなわち、ナトリウム含有量が10ppm未満では、内層シリカ層3の微細溶融シリカ砂31に対する十分な密着性が得られないため好ましくない。一方、シリカのナトリウム含有量が6000ppmを越えると、ナトリウムがシリコンインゴットに許容範囲以上の不純物として含まれるようになるので好ましくない。シリカに含まれるナトリウム含有量の一層好ましい範囲は、500~6000ppmである。内層シリカ層3の層厚は、1.0~5.0mmの範囲内にあることが経済的に好ましい。窒化ケイ素コーティング層4は、図1a及び図1bに示すように、0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末41を75~90重量含有するとともに残部が10~6000ppmのナトリウムを含有するシリカから構成される混合体素地層40を1層以上含んで構成されている。ここで、窒化ケイ素粉末41の粒径を0.2~4.0μmに限定したのは、以下の理由による。すなわち、窒化ケイ素粉末41の粒径が、0.2μm未満では粉末がコロイダルシリカ中で凝集するので好ましくない。一方、窒化ケイ素粉末41の粒径が、4.0μmを越えると、窒化ケイ素粉末の製造コストがかかり過ぎるために好ましくない混合体素地層40は、上述したように、0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末41を75~90重量含有するとともに残部が10~6000ppmのナトリウムを含有するシリカから構成されている。すなわち、混合体素地層40は、75~90重量の上記窒化ケイ素粉末41と、10~25重量の上記シリカ素地5とから構成されている。本実施形態のルツボ1では、図1bに示すように、窒化ケイ素コーティング層4の少なくとも最表面に、上記混合体素地層40に平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム又は炭酸バリウム以下、バリウム含有化合物と記す6を含有するバリウム含有混合体素地層40’が設けられていることを特徴としている。このように、窒化ケイ素コーティング層4の最表面にバリウム含有混合素地層40’を設けることにより、窒化ケイ素コーティング層4及び内層シリカ層3の内部にバリウムを拡散させて、これらに含有されるシリカ素地5中のシリカの結晶化を促進させることができる。ここで、バリウム含有化合物6の平均粒径0.01~0.1μmに限定したのは、以下の理由による。すなわち、バリウム含有化合物6の粒径が0.01μm未満であると、凝集するために好ましくない。一方、バリウム含有化合物6の粒径が0.1μmを超えると、均一に分散し難くなるために好ましくない。また、バリウム含有混合素地層40’中のバリウム含有化合物6は、1~20容量の濃度範囲となるように含有させることが好ましい。バリウム含有化合物6の濃度を1~20容量に限定したのは、以下の理由による。すなわち、バリウム含有化合物6の濃度が1容量未満であると、シリカ素地5中のシリカ結晶化の度合いが少ないために好ましくない。一方、バリウム含有化合物6の濃度が20容量を超えると、溶解しないために好ましくない。窒化ケイ素コーティング層4の層厚としては、具体的には、0.1~5mmの範囲内にあることが好ましい。次に、本実施形態のルツボ1の製造方法について説明する。本実施形態のルツボ1の製造方法は、鋳型2の内側に内層シリカ層3を形成する工程と、内層シリカ層3の上に窒化ケイ素コーティング層4を形成する工程と、乾燥及び焼成する工程と、を備えて概略構成されている。以下に、各工程について詳細に説明する。スラリーの調製先ず、10~6000ppmのナトリウムを含有し、平均粒径1~10nmの超微細溶融シリカ粉末:30容量を含有するコロイダルシリカ100部に対して、平均粒径:30~100μmの溶融シリカ粉末20~40部の割合で混合してスラリーを調製する。窒化ケイ素スラリーの調製10~6000ppmのナトリウムを含有し、平均粒径1~10nmの超微細溶融シリカ粉末:30容量を含有するコロイダルシリカ100部に対して、平均粒径が0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末を20~50重量となるように混合して窒化ケイ素スラリーを調製する。バリウム含有窒化ケイ素スラリーの調製上記窒化ケイ素スラリーに、平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム粉末又は炭酸バリウム粉末を1~20容量となるように混合してバリウム含有窒化ケイ素スラリーを調製する。内層シリカ層の形成工程内層シリカ層3の形成工程は、先ず、鋳型2の内側に、溶融シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリーを塗布または吹き付けてスラリー層を形成する。次に、このスラリー層の表面に50~300μmの微細溶融シリカ砂31を散布して内層スタッコ層30を形成する。この内層スタッコ層30を形成する操作を、一回又は複数回繰り返して行なうことにより、内層シリカ層3を形成する。窒化ケイ素コーティング層の形成工程窒化ケイ素コーティング層4の形成工程は、先ず、内層シリカ層3内層スタッコ層30の上に、調製した上記窒化ケイ素スラリーを塗布または吹き付けて混合体素地層40を形成する。そして、窒化ケイ素コーティング層4の最表面の混合体素地層を形成する際に、調整した上記バリウム含有窒化ケイ素スラリーを混合体素地層40あるいは内層スタッコ層30の上に塗布または吹き付けてバリウム含有混合体素地層40’を形成する。このように、混合体素地層40を形成する操作を、一回又は複数回繰り返して行なうことにより、窒化ケイ素コーティング層4を形成する。なお、混合体素地層を形成する操作が一回の場合には、内層スタッコ層30の上にバリウム含有混合体素地層40’を形成する。乾燥および焼成工程乾燥および焼成工程は、まず、内側に内層シリカ層3、窒化ケイ素コーティング層4が積層された鋳型2を、温度25度、湿度50の環境下で24時間かけて乾燥する。次に、大気雰囲気下で約1000°C、2時間かけて焼成する。これにより、鋳型2の内側に内層シリカ層3内層スタッコ層30と窒化ケイ素コーティング層4混合体素地層40及びバリウム含有混合体素地層40’とが形成される。次に、本実施形態のルツボ1を用いてシリコンインゴットを製造する方法について説明する。先ず、原料シリコンをルツボ1に装填し、1500°Cで溶解、或いは1500°Cのシリコン溶湯を注入する。ここで、本実施形態のルツボ1によれば、内層シリカ層3の上に窒化ケイ素コーティング層4が設けられているため、シリコン溶湯をルツボ1に注入し凝固させる際に、シリコンインゴットの外周がルツボ1の内壁面に引っ張られることにより、シリコンインゴットと窒化ケイ素コーティング層との界面で剥離が発生する。このため、シリコンインゴットに内部応力が残留せず、シリコンインゴット製造時の内部応力割れが抑制されて歩留まりが向上する。ところで、図2に示すような従来のルツボ101では、微細溶融シリカ砂131を窒化ケイ素粉末141および残部がナトリウム含有のシリカ106からなる混合体素地で結合された内層103を備えているが、混合体素地中に含まれるシリカが、1500°Cの鋳造条件を用いてシリコンインゴットを製造する場合であっても十分な結晶化がなされていなかった。このため、混合体素地中のシリカが溶解シリコンと反応してしまい、シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを十分に低減することができないという問題があった。具体的には、シリカの結晶化度は60程度であり、製造されたシリコンインゴット中の酸素濃度は、約10ppm程度であった。これに対して本実施形態のルツボ1によれば、鋳型2の内側に内層シリカ層3及び窒化ケイ素コーティング層4が設けられており、さらに窒化ケイ素コーティング層4の最表面にバリウム含有内層スタッコ層40’が設けられている。そして、このバリウム含有内層スタッコ層40’から窒化ケイ素コーティング層4及び内層シリカ層3へとバリウムが拡散するため、シリカの結晶化が促進される。すなわち、1500°Cの鋳造条件を用いてシリコンインゴットを製造する場合、鋳型2の内側に設けられたシリカ層3及び窒化ケイ素コーティング層4の結晶化度は90程度となり、十分な結晶化がなされる。そして、シリカ層3及び窒化ケイ素コーティング層4のシリカ素地5の主成分であるシリカと、溶融シリコンとの反応が抑制される。具体的には、本実施形態のルツボ1によって製造されたシリコンインゴット中の酸素濃度は、約5ppm程度に低減される。なお、シリカ層の結晶化度は、例えば、XRDX線回折装置により測定することが可能である。また、シリコンインゴット中の酸素濃度は、例えば、FT-IR法によって測定することが可能である。以上説明したように、本実施形態のルツボシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ1によれば、鋳型2の内側に設けられた1以上の内層スタッコ層30からなる内層シリカ層3と、内層シリカ層3の内側に設けられた1以上の混合体素地層40からなる窒化ケイ素コーティング層4とを備え、窒化ケイ素コーティング層4の最表面の混合体素地層40’が、平均粒径0.01~0.1μmのバリウム含有化合物5を含有する構成となっている。最表面の混合体素地層40’中のバリウムは窒化ケイ素コーティング層4及び内層シリカ層3に拡散し、シリカの変態点温度を低下させるため、これらの窒化ケイ素コーティング層4及び内層シリカ層3中のシリカの結晶化クリストバライト化を促進させることができる。これにより、本実施形態のルツボ1を用いて溶解したシリコン原料からシリコンインゴットを鋳造する際に、シリコン原料中へのシリカの溶解を抑制することができるため、シリコンインゴット中の酸素濃度を低減することができる。したがって、本実施形態のルツボ1により製造されたシリコンインゴットを用いた太陽電池用セルでは、光電変換効率を向上させることができる。本実施形態のルツボ1の製造方法によれば、鋳型2の内側に1以上の内層スタッコ層30を形成し、内層スタッコ層30の上に1以上の混合体素地層40を形成し、乾燥及び焼成して内層シリカ層3及び窒化ケイ素コーティング層4を形成する構成となっている。そして、最表面の混合体素地層40’を形成する際に、10~6000ppmのナトリウムを含有するコロイダルシリカに0.2~4.0μmの窒化ケイ素粉末を混合して得られた窒化ケイ素スラリーに平均粒径0.01~0.1μmの水酸化バリウム粉末又は炭酸バリウム粉末を加えたバリウム含有窒化ケイ素スラリーを用いることで、本実施形態のルツボ1を簡便に製造することができる。なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態のルツボ1では、窒化ケイ素コーティング層4を構成する最表面の混合体素地層のみをバリウム含有混合体素地層40’とした例を示しているが、これに限定されるものではない。具体的には、最表面の混合体素地層40’以外の混合体素地層40を形成する工程のいずれか1以上の工程で、窒化ケイ素スラリーに代えてバリウム含有窒化ケイ素スラリーを用いることにより、窒化ケイ素コーティング層4の最表面の混合体素地層40’以外の混合体素地層40のいずれか1つ又は2以上をバリウム含有混合体素地層40’としてもよい。また、内層スタッコ層30を形成する工程のいずれか1以上の工程で、スラリーに代えて当該スラリーにバリウムを混合したバリウム含有スラリーを用いることにより、内層シリカ層3を構成する内層スタッコ層30のいずれか1つ又は2以上をバリウム含有スタッコ層としてもよい。これにより、内層シリカ層ならびに窒化ケイ素コーティング層の全体を効率的に結晶化クリストバライト化することができる。以下、実施例によって本発明の効果をさらに詳細に説明する。なお、本発明は実施例によって、なんら限定されるものではない。実施例1内径:170mm、外径:190mm、深さ:150mmの寸法を有する石英ガラス鋳型を用意した。また、ナトリウムを0.5含有する平均粒径10nm以下の超微細溶融シリカ粉末:30容量を含有するコロイダルシリカ100部に対して、平均粒径:40μmの溶融シリカ粉末200部の割合で混合してスラリーを作製した。さらに、ナトリウムを0.5含有する平均粒径10nm以下のコロイド状シリカ:30容量を含有し、残部:水からなるコロイダルシリカを用意し、このコロイダルシリカに対して平均粒径:1.0μmの窒化ケイ素粉末を混合して窒化ケイ素スラリーを作製した。更にまた、上記窒化ケイ素スラリーに、平均粒径:0.1以下の水酸化バリウム又は炭酸バリウム:10容量の割合で混合し、バリウム含有窒化ケイ素スラリーを作製した。上記スラリーを前記石英ガラス鋳型の内側に塗布してスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に平均粒径:250μmの微細溶融シリカ砂を散布して内層スタッコ層を形成し、この操作を2回繰り返して内層シリカ層を形成した。次に、上記窒化ケイ素スラリーを前記内層シリカ層の内側に塗布して混合体素地層を形成し、この操作を1回繰り返した。次いで、上記バリウム含有窒化ケイ素スラリーを混合体素地層の内側に塗布してバリウム含有混合体素地層を形成して窒化ケイ素コーティング層を形成した。次に、大気雰囲気中、温度:1000°Cで2時間加熱保持して乾燥し焼成することにより石英ガラス鋳型の内側に、合計厚さが3mmを有する内層シリカ層と、合計厚さが3mmを有する窒化ケイ素コーティング層を形成し、本発明である実施例1のシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ以下、単にルツボというを製造した。この実施例1のルツボに、単結晶引き上げ時に出るスクラップ例えば、ボトム、テイル等を原料として装填し、その後、温度:1500°Cに保持し、原料を溶解した。このようにして得られたシリコン溶湯を0.3°C/min.の冷却速度で鋳型下方より冷却し、一方向凝固シリコンインゴットを製造した。得られた一方向凝固シリコンインゴットの表面を検査することにより内部応力割れの有無を目視観察したところ、内部応力割れは確認されなかった。また、得られた一方向凝固シリコンインゴットに含まれる格子間酸素量を測定したところ、0.5×10-18atm/ccであった。さらに、得られた一方向凝固シリコンインゴットをスライスして光発電用シリコン基板を作製し、その光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は約15.5であった。比較例1実施例1と同様に、上記スラリーを前記石英ガラス鋳型の内側に塗布してスラリー層を形成し、このスラリー層の表面に平均粒径:250μmの微細溶融シリカ砂を散布して内層スタッコ層を形成し、この操作を2回繰り返して内層シリカ層を形成した。次に、上記窒化ケイ素スラリーを前記内層シリカ層の内側に塗布して混合体素地層を形成し、この操作を2回繰り返して窒化ケイ素コーティング層を形成した。次に、大気雰囲気中、温度:1000°Cで2時間加熱保持して乾燥し焼成することにより石英ガラス鋳型の内側に、合計厚さが3mmを有する内層シリカ層と、合計厚さが3mmを有する窒化ケイ素コーティング層とを形成し、比較例1のルツボを製造した。この比較例1のルツボに、実施例1と同様にして単結晶引き上げ時に出るスクラップを1500°Cで溶解し、0.3°C/min.の冷却速度で冷却し、一方向凝固シリコンインゴットを製造した。得られた一方向凝固シリコンインゴットの表面を検査することにより内部応力割れの有無を目視観察したところ、内部応力割れは確認されなかった。また、得られた一方向凝固シリコンインゴットに含まれる格子間酸素量を測定したところ、1.0×10-18atm/ccであった。さらに、得られた一方向凝固シリコンインゴットをスライスして光発電用シリコン基板を作製し、その光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は約15であった。