基板上に、金属製のX線吸収部が一方向に沿って所定間隔で畝状に複数形成され、隣接するX線吸収部の間の溝部に樹脂が介装され、前記X線吸収部は、2以上の単位金属層を前記基板の表面に垂直に積層してなり、前記単位金属層は金属膜を切削して形成され、該単位金属層の溝部の側壁の凹凸がJISB0601で規定された算術平均高さRaで0.1μm以下であるX線タルボ干渉計用回折格子。前記X線吸収部は金を主成分とし、かつ平均粒径0.1μm以下の結晶から成るか、又はアモルファスから成るX線タルボ干渉計用回折格子。基板上に初期金属膜を形成する初期金属膜形成工程と、前記初期金属膜を一方向に沿って所定間隔で切削して複数の溝部を彫り、隣接する前記溝部の間に畝状の単位金属層を形成する切削工程と、前記溝部に樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記樹脂の表面を研削又は灰化して前記単位金属層の上面を表出させる金属層表出工程と、少なくとも前記単位金属層の上面に金属膜を積層する金属膜積層工程と、前記単位金属層の側壁に沿って前記金属膜を切削して複数の溝部を彫り、隣接する前記溝部の間に畝状の単位金属層を形成する第2切削工程と、を有し、前記金属膜積層工程、前記第2切削工程を少なくとも1回繰り返すX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記第2切削工程において、前記基板表面に設けたアライメントマークを基準として前記金属膜の切削位置を調整する請求項3に記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記基板と前記初期金属膜との間に、前記基板より硬度が低く、かつ前記初期金属膜より有効原子番号が小さい元素を含む層を形成する中間層形成工程をさらに有する請求項3~4のいずれかに記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記樹脂が、ポリイミド及び/又はパラキシレン系ポリマーを含む請求項3~5のいずれかに記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記樹脂充填工程及び/又は前記第2樹脂充填工程において、前記樹脂としてポリイミドを真空注入法によって前記溝部に充填する請求項3~6のいずれかに記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記樹脂充填工程及び/又は前記第2樹脂充填工程において、前記樹脂としてパラキシレン系ポリマーを真空蒸着法によって前記溝部に充填する請求項3~6のいずれかに記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記切削工程及び前記第2切削工程において、単結晶ダイヤモンドからなる切れ刃を有する切削工具を用いる請求項3~8のいずれかに記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。請求項1又は2に記載のX線タルボ干渉計用回折格子を用いたX線タルボ干渉計。しかしながら、特許文献2、3記載の技術の場合、微細な溝スリット内に電鋳を行うため、溝のアスペクト比が高くなるほど、電鋳を確実に行うことが難しくなる。又、レジスト樹脂を用いてアスペクト比の高い溝を形成しようとすると、樹脂が柔らかくて絶縁物であるために変形して隣接する畝部が接触しスティッキング、寸法精度の高い回折格子の製造が難しいという問題がある。さらに、アスペクト比の高い溝を作製するためには、シンクロトロン放射による放射光を用い、直線性の高いX線で露光する必要があり、製造コストが大幅に上昇する。従って、本発明の目的は、溝のアスペクト比の高い回折格子を容易かつ高精度で製造することができるX線タルボ干渉計用回折格子及びその製造方法、並びにX線タルボ干渉計を提供することにある。本発明のX線タルボ干渉計用回折格子は、基板上に、金属製のX線吸収部が一方向に沿って所定間隔で畝状に複数形成され、隣接するX線吸収部の間の溝部に樹脂が介装され、前記X線吸収部は、2以上の単位金属層を前記基板の表面に垂直に積層してなり、前記単位金属層は金属膜を切削して形成され、該単位金属層の溝部の側壁の凹凸がJISB0601で規定された算術平均高さRaで0.1μm以下である。このような構成とすると、切削刃具で金属膜に溝部を彫るため、レジスト樹脂を用いて形成した微細な溝スリット内に電鋳を行って回折格子を製造する従来技術に比べ、単位金属層の側壁、ひいてはX線吸収部の側壁の寸法精度の高い回折格子が得られる。さらに、溝部の深さ/溝部の幅で表されるアスペクト比を高くした溝部を、一回の切削で製造するには、細長い単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いることが必要となり、切削刃具が折れやすく、溝部の側壁の形状の寸法精度が低下する場合がある。そこで、1回の切削で形成される溝部の深さをそれほど深くせずアスペクト比を高くせず、個々の切削により形成した単位金属層を積層することにより、最終的に得られるX線吸収部溝部のアスペクト比を高くすることができ、かつ切削刃具の破損が低減される。前記X線吸収部は金を主成分とし、かつ平均粒径0.1μm以下の結晶から成るか、又はアモルファスから成ると好ましい。このようにすると、切削加工の仕上がり面側壁が平滑でバリ発生も無く、回折格子の特性が向上する。本発明のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法は、基板上に初期金属膜を形成する初期金属膜形成工程と、前記初期金属膜を一方向に沿って所定間隔で切削して複数の溝部を彫り、隣接する前記溝部の間に畝状の単位金属層を形成する切削工程と、前記溝部に樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記樹脂の表面を研削又は灰化して前記単位金属層の上面を表出させる金属層表出工程と、少なくとも前記単位金属層の上面に第2金属膜を積層する金属膜積層工程と、前記単位金属層の側壁に沿って前記第2金属膜を切削して複数の溝部を彫り、隣接する前記溝部の間に畝状の単位金属層を形成する第2切削工程と、を有し、前記金属膜積層工程、前記第2切削工程をこの順で少なくとも1回繰り返す。このような構成とすると、切削刃具で金属膜に溝部を彫るため、レジスト樹脂を用いて形成した微細な溝スリット内に電鋳を行って回折格子を製造する従来技術に比べ、単位金属層の側壁、ひいてはX線吸収部の側壁の寸法精度の高い回折格子が得られる。さらに、溝部の深さ/溝部の幅で表されるアスペクト比を高くした溝部を、一回の切削で製造するには、細長い単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いることが必要となり、切削刃具が折れやすく、溝部の側壁の形状の寸法精度が低下する場合がある。そこで、1回の切削で形成される溝部の深さをそれほど深くせずアスペクト比を高くせず、個々の切削により形成した単位金属層を積層することにより、最終的に得られるX線吸収部畝部のアスペクト比を高くすることができ、かつ切削刃具の破損が低減される。又、金属膜を切削して各単位金属層を形成する際に、樹脂が下側の単位金属層を保持し、この単位金属層が倒れたり変形するのを防止する。前記第2切削工程において、前記基板表面に設けたアライメントマークを基準として前記金属膜の切削位置を調整すると好ましい。このようにすると、各種処理工程例えば、金属層表出工程で基板を搬送した後、切削加工機に基板が戻った際の位置合わせが正確となり、単位金属層の側壁に正確に沿って金属膜を切削することができる。前記基板と前記初期金属膜との間に、前記基板より硬度が低く、かつ前記初期金属膜より有効原子番号が小さい元素を含む層を形成する中間層形成工程をさらに有すると好ましい。一般に基板は初期金属膜より硬いので、基板を削ると切削刃具を消耗するが、初期金属膜と基板の間に中間層を形成することにより、金属膜厚分を確実に切削して深い溝部を形成できると共に、基板より柔らかい中間層の一部を切削することで、切削刃具の消耗を防止する。また中間層は金属膜より有効原子番号が小さいので、中間層によるX線の遮蔽および位相変化が単位金属層より小さく、得られた回折格子による位相イメージの画質には影響しない。前記樹脂が、ポリイミド及び/又はパラキシレン系ポリマーを含むと、機械強度に優れ、さらに位相イメージング時にX線に対する耐久性が高いので好ましい。前記樹脂充填工程及び/又は前記第2樹脂充填工程において、前記樹脂としてポリイミドを真空注入法によって前記溝部に充填すると、溝部の深部までポリイミドが流入するので好ましい。前記樹脂充填工程及び/又は前記第2樹脂充填工程において、前記樹脂としてパラキシレン系ポリマーを真空蒸着法によって前記溝部に充填すると、溝部の深部までパラキシレン系ポリマーが流入するので好ましい。前記切削工程及び前記第2切削工程において、単結晶ダイヤモンドからなる切れ刃を有する切削工具を用いると、単結晶ダイヤモンドは硬度が高く、精密な溝加工が可能であるので好ましい。本発明のX線タルボ干渉計は、前記X線タルボ干渉計用回折格子を用いたものである。本発明によれば、溝のアスペクト比の高いX線タルボ干渉計用回折格子を容易かつ高精度で製造することができる。以下、本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態に係るX線タルボ干渉計100の概略構成を示す図である。X線タルボ干渉計100は、X線源2と、第1の回折格子10および第2の回折格子20と、X線画像検出器30とを備えている。第1の回折格子10および第2の回折格子20はz方向に所定距離だけ離間して平行に配置され、第1の回折格子10にz方向に沿って対向してX線源2が配置されている。又、第2の回折格子20にz方向に沿って対向してX線画像検出器30が配置されている。そして、観察対象となる試料4がz方向に沿って第1の回折格子10とX線源2の間に配置されている。第1の回折格子10および第2の回折格子20は、その平面に平行な一方向図1ではy方向に沿って延びつつ、互いに所定周期で離間する複数の溝部10a、20aが形成され図2の溝部の断面図参照、溝部10a、20aからX線を透過させる一方、隣接する溝部10aの間の短冊状の畝部10bでX線の位相をπ/2だけシフトして透過させ、畝部20bでX線を遮蔽吸収するようになっている。各溝部10a、20a及び畝部10b、20bは、図1のY方向に延びている。回折格子の材料としては、X線吸収能の高い金を用いると好ましい。なお、この実施形態では、畝部10bの幅間隔と溝部10aの幅間隔が等しく、畝部20bの幅間隔と溝部20aの幅間隔が等しい。X線タルボ干渉計100において、X線源2から試料4を介して第1の回折格子10にX線を照射すると、溝部10aを透過したX線と畝部10bを透過回折したX線とが互いに干渉する。そして、タルボ距離だけ離れた位置で第1の回折格子の自己像が形成される。つまり、第1の回折格子10は、照射X線に位相変調を与える位相型回折格子を構成する。ここで、タルボ効果を生じさせるため、第1の回折格子10の畝部の周期d図2a参照を、X線源2から照射されるX線の可干渉性を確保するよう調整する必要がある。又、第2の回折格子20の後方のX線画像検出器30では、第1の回折格子10の自己像のうち第2の回折格子20の溝部20aを透過したX線が画像コントラストとして検出される。画像コントラストを向上させるには、第2の回折格子20の溝部20aのX線透過率が高く、畝部20bのX線透過率が低いと良い。そのため、第2の回折格子20は第1の回折格子10より厚い振幅型回折格子であることが好ましい。ここで、第1の回折格子10の前方に試料4が配置され、照射X線は試料4内部において僅かに異なる光路を通過するため、このときの位相差によって自己像には試料4による歪みが生じる。従って自己像の位置に第2の回折格子20を重ねると、タルボ干渉像画像コントラストにモアレ縞が生じ、X線画像検出器30で検出される。生成されたモアレ縞が試料4によって受ける変調量は、試料4により照射X線が曲げられた角度に比例するため、モアレ縞を解析することで試料4とその内部構造を測定することができる。なお、モアレ縞の解析法の一つである縞走査法では、第1の回折格子10および第2の回折格子20をX方向に相対的にずらすことで、モアレ縞の位相が変化することに着目している。すなわちモアレ縞の位相を変化させて複数のタルボ干渉像を得た後、これを積分処理等して合成することにより、位相像試料4とその内部構造を得ることができる。又、試料4を回転させて多数の投影方向から像を取得し、これらを合成して試料4の断層像CT像を得ることも可能である。なお、本発明のX線タルボ干渉計100は、X線源2と試料4との間にマルチスリットを配置したタルボロー干渉計も含む。マルチスリットを用いない場合、X線源2としては微小焦点X線源を用いる必要があるが、タルボロー干渉計の場合は通常X線源を用いることができる。ところでX線は波長が短いので、可干渉性を確保するためには、第1の回折格子10および第2の回折格子20の畝部の周期を10μm以下程度としなければならない。さらに、位相型回折格子においては、位相シフト量がπ/2になるときに自己像のコントラストが最も高くなることから、これを実現するには、畝部の厚さ溝の深さを1~10μm程度とする必要があり、微細な加工や製造技術が要求される。例えば、各回折格子の畝部を金で形成する場合、畝部の厚さを1~3μm程度、銅で形成する場合、畝部の厚さを3~10μm程度とする必要がある。一方、振幅型回折格子として機能するためには、回折格子の溝部のX線透過率を高くし、畝部のX線透過率を低くする必要がある。このため、金を用いても畝部の厚さ溝の深さを10~100μm程度に深くすることが要求される。従って、回折格子の溝の深さ/溝の幅で表されるアスペクト比が3以上場合によっては10以上と非常に大きくなる。このようなことから、X線吸収部畝部を微細に形成すると共に、その側壁の形状をシャープに溝の側壁の凹凸や側壁と切削隅部の曲率半径を微細に形成する必要がある。そして、本発明者らは、例えば、硬度が高く精密な溝加工が可能な単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いて金属膜を切削することで、微細で側壁の形状がシャープなX線吸収部溝部を形成できることを見出した。図3は、本発明の実施形態に係るX線タルボ干渉計用回折格子20の構成を示す。X線タルボ干渉計用回折格子20は、上記した図1に示す第2の回折格子振幅型回折格子20であり、溝の深さ/溝の幅で表されるアスペクト比が好ましくは3以上である。なお、本発明は、位相型回折格子である第1の回折格子10にも適用可能であるが、上記アスペクト比が高い振幅型回折格子に適用するとより好ましい。各単位金属層2b、4b、6bの境界は、断面観察によって各単位金属層の溝部の側壁の凹凸の状態や、各単位金属層の位置ずれを観察し、区別測定することができる。X線タルボ干渉計用回折格子20は、基板22と、基板上22に所定間隔で一方向に沿って複数形成された畝状で金属製のX線吸収部20bと、隣接するX線吸収部の間の溝部20aに介装された樹脂26とを有している。X線吸収部20bは、金属膜後述を切削して形成され、X線吸収部20bの側壁20sの凹凸、及び側壁20sと溝部の底との切削隅角部の曲率半径がそれぞれ0.1μm以下である。なお、上記側壁の凹凸、直角度、真直度はほとんど刃具の形状に依存し、後述する超精密ナノ加工機の移動機構の精度は刃具の表面の凹凸より高い。又、X線吸収部20bと基板22との間には、中間層24が介装されている。基板22は、X線透過率を高くするため、例えば炭素、ケイ素及びアルミニウムの群から選ばれる少なくとも1つを主成分とする材料からなることが好ましい。基板22の組成の具体例としては、例えば、アモルファスカーボン若しくはシリコンのウェーハ、又は窒化シリコン若しくは炭化シリコンのメンブレン、又は3000系のアルミニウム板やアルミマグネシウム合金板などが挙げられる。基板22として上記材料を用いることでX線透過率を高くすることができ、良好な回折特性が得られる。またX線の吸収や位相シフトの量は金属膜の厚さに依存しているため、溝部の底に金属膜の削り残しが存在しないことが好ましい。ところで多数の溝加工を行う場合の切削加工機の動きは、1回の溝彫りでは刃具を溝に沿った方向に動かすのみで、溝の深さ方向を一定にすることにより高速の加工を行えるようにしている。この場合、金属膜を削り残さないためには金属膜と中間層を含めた基板が平坦であることが好ましいが、各々の膜の膜厚、及び基板を切削加工機に装着したときのうねりは、それぞれ数ミクロン以下のばらつきがある。そこで金属膜と中間層を含めた基板の平坦度を好ましくは10μm以下にしながら、中間層をその平坦度以上の厚さに形成することにより、金属膜を削り残さず、刃具が基板を削って消耗することを防ぐことができる。中間層24は、基板より硬度ビッカース硬度が低く、かつ金属膜X線吸収部20bとなる金属膜より有効原子番号が小さい元素を含む。この元素は、柔らかくてX線を通しやすい軽元素であればよく、金属たとえばアルミニウム、又は樹脂を挙げることができる。中間層24は、基板22上の金属膜を切削してX線吸収部20bを形成する際、深く切削し過ぎて切削刃具が基板22を削ることを防止する。一般に、基板22は金属膜より硬いので、基板22を削ると切削刃具を消耗するが、金属膜と基板22の間に中間層24を形成することにより、金属膜厚分を確実に切削して深い溝部を形成できると共に、基板22より柔らかい中間層24の一部を切削することで、切削刃具の消耗を防止する。なお、中間層自身はX線の吸収や位相変化が小さいので、X線吸収部20bを形成する際に中間層24の一部を切削しても差し支えない。中間層24としては、アルミニウム、又はアルミニウム層を含む多層膜とすることができる。但し、中間層24は必須の構成ではない。又、中間層24は金属膜各単位金属層2b~6bより有効原子番号が小さいので、中間層24によるX線の遮蔽および位相変化が単位金属層より小さく、得られた回折格子による位相イメージの画質には影響しない。X線吸収部20bは金を主成分とした金属膜、例えば純金めっき膜、又は金ニッケル合金めっき、金ニッケルタングステン合金めっきであって金の重量割合が90以上の膜を切削することで形成でき、X線を効率的に吸収して回折格子の特性が向上する。なお、上記したように、金属膜は純金属だけでなく、合金も含む。樹脂26は、溝部の形成後に溝内に充填されてX線吸収部20bを保持し、X線吸収部20bが倒れたり変形するのを防止する。特に、樹脂26として、ポリイミド、パラキシレン系ポリマーの少なくとも1種を用いると、機械強度に優れ、特に位相イメージング時のX線照射に対する耐久性が高いので好ましい。パラキシレン系ポリマーとしては、パラキシレンポリマー、パラキシレンのベンゼン環の水素の一部又は全部を塩素で置換したポリマー、パラキシレンのα水素原子をフッ素で置換したポリマーが挙げられ、パリレンN、パリレンC、パリレンD、パリレンHTいずれも登録商標が市販されている。次に、図4~図6を参照し、金属膜を切削してX線吸収部20bを形成するのに好適な、単結晶ダイヤモンドからなる切れ刃を有する切削工具について説明する。単結晶ダイヤモンドは硬度が高く、精密な溝加工が可能である。図4は、単結晶ダイヤモンド切削刃具200を取り付けた工具本体バイト400を示す。単結晶ダイヤモンド切削刃具200は、略台形の台金300の先端に取り付けられて工具本体400を構成し、台金300の先端から単結晶ダイヤモンド切削刃具200の切れ刃図5参照が突出している。工具本体400は、図示しない切削加工機のホルダに固定され、後述するように、単結晶ダイヤモンド切削刃具200により被切削物に溝を彫ることができるようになっている。図5に示すように、単結晶ダイヤモンド切削刃具200は、すくい面201と、すくい面201にそれぞれ隣接する側面となる2つの第1逃げ面203、204と、すくい面201に隣接し、被削物500の切削面に対向する前逃げ面205と、すくい面201と前逃げ面205との境界部に形成される前切れ刃210と、すくい面201と第一逃げ面203、204との境界部に形成される2つの第1切れ刃213、214とを備えている。前逃げ面205及びすくい面201の形状は限定されず、平面であってもよく、曲面であってもよい。すくい面201は所定のすくい角0度又はすくい角がわずかに正方向に傾いていて、切削くずをすくい取るようになっている。第一逃げ面203、204又は前逃げ面205は、集束イオンビームFIBのエッチングにより形成されている。FIBのエッチングは、複雑な形状の加工ができると共に、結晶面を選ばずに加工ができるという利点がある。従って、ダイヤモンドの一番固い結晶面である111面をも容易に加工ができる。これに対し、例えば砥石による研削では、ダイヤモンドの111面の研削ができない。前切れ刃210の幅W1を4μm以下とすると、X線タルボ干渉計用の回折格子に適した微小な溝部を彫ることができるので好ましい。以上述べた単結晶ダイヤモンド切削刃具200工具本体400を切削加工機に取り付け、図6に示すようにして溝部20aを形成することができる。ここで、切削で形成される溝部の周期や深さは切削加工機の分解能に依存しているため、切削加工機として分解能がnmレベルの超精密ナノ加工機を用いることが好ましい。超精密ナノ加工機としては、例えばファナック株式会社製の製品名FANUCROBONANOα0iBが市販されている。この超精密ナノ加工機は、リニアモータと同期ビルトインサーボモータを制御することにより、同時5軸を高精度にダイレクト駆動し、直線軸で1nmの分解能を有する。このような加工機を用い、図6に示すように単結晶ダイヤモンド切削刃具200により、金属膜20xの一方向図6の矢印方向に沿い、かつ該一方向に垂直な方向に所定幅W3の畝を残した引き切り加工を行う。これにより、金属膜20xが切削されて溝部20aが形成され、隣接する溝部20aの間に畝状のX線吸収部20bを形成することができる。なお、W1=W3とするとよい。ここで、単結晶ダイヤモンド切削刃具200で金属膜20xに溝部20aを彫るため、溝部の側面の凹凸、及び溝部の側面と底面との切削隅部の曲率半径がそれぞれ0.1μm以下の良好な加工が可能になり、レジスト樹脂を用いて形成した微細な溝スリット内に電鋳を行って回折格子を製造する従来技術に比べ、寸法の高い回折格子が得られる。又、溝部20aの幅は前切れ刃210の幅W1となり、溝部20aの深さは第1逃げ面203、204の縦方向長さL以下となる。この場合、図1に示す第2の回折格子振幅型回折格子を製造しようとすると、溝の深さ/溝の幅で表されるアスペクト比を高く例えば3以上する必要がある。従って、一回の切削でこの回折格子を製造するには、L/W1が3以上の細長い単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いることが必要となる。しかしながら、L/W1を3以上とすると、切削刃具が折れやすくなる。そこで、本発明においては、1回の切削で形成される溝部20aの深さをそれほど深くせずアスペクト比を高くせず、個々の切削により形成した単位金属層を積層することにより、最終的に得られるX線吸収部溝部のアスペクト比を高くし、かつ切削刃具の破損が低減される。例えば、L/W1が1の単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いた場合、一回の切削で得られる溝部のアスペクト比は1であるが、以下に述べるように3回の切削を行うことで、溝部のアスペクト比が3以上の回折格子が得られる。次に、図7、図8を参照し、X線タルボ干渉計用回折格子20の製造方法の一例について説明する。まず、シリコンウェハー基板22上に必要に応じて中間層24を形成した後、中間層24の上に金属膜これを初期金属膜と称する2bxを形成する図7a;初期金属膜形成工程。中間層24はアルミニウム膜をイオンプレーティング又はスパッタ蒸着により形成する。中間層24を銅で形成する場合は、電気銅めっきで形成する。基板22と中間層24の間には、中間層の密着性を確保するために薄いクロム蒸着膜あるいはチタン蒸着膜を付けても良い。初期金属膜2bxは金を電気めっきにより形成する。初期金属膜2bxの密着性を確保するために、中間層24の表面に金を薄く蒸着してから金を電気めっきしても良い。次に、上記した単結晶ダイヤモンド切削刃具200を用い、初期金属膜2bxを一方向図7の紙面に垂直な方向に沿って所定間隔で切削して複数の溝部20aを彫り、隣接する溝部20aの間に畝状の単位金属層2bを形成する図7b;切削工程。そして、溝部20aに樹脂26axを充填する図7c;樹脂充填工程。ここで、樹脂26axは溝部20aを完全に埋めると共に、単位金属層2bの表面をも覆っている。上記したように、樹脂26axとして、ポリイミド、パラキシレン系ポリマーの少なくとも1種を用いると好ましい。ポリイミドを用いる場合は、真空注入法によって溝部20aに充填すると、溝部20aの深部までポリイミドが流入するので好ましい。又、パラキシレン系ポリマーを用いる場合は、真空蒸着法によって溝部20aに充填すると、溝部20aの深部までパラキシレン系ポリマーが流入するので好ましい。なお、真空注入法は真空に保った系に溝部20aを有する基板22を配置し、低分子量のポリイミドを系に導入して溝部20a内に流入させた後、紫外線照射や加熱によって架橋反応を起こして重合する方法である。またパラキシレン系ポリマーの真空蒸着による充填は、真空内でパラキシレンの2量体を175°C程度に加熱して蒸発させる。パラキシレン2量体の蒸気はその後680°C程度に加熱されて熱分解物質となる。パラキシレンの熱分解物質は溝部20aやX線吸収部20bの表面に到達すると、熱分解物質同士が反応して安定な蒸着膜となる。次に、樹脂26axの表面を研削又は灰化して単位金属層2bの上面を表出させる図7d;金属層表出工程。金属層表出工程で研削を行うと、樹脂26a研削又は灰化後の樹脂を符号26aとして26axと区別すると単位金属層2bがほぼ面一となるが、灰化の場合は、両者の間に若干の段差が生じることもある。研削は、例えば精密な研削砥石を溝20aの切削と同じ方向に摺動させて上部にはみ出た樹脂を削り取る。又、灰化アッシングは、半導体技術で用いられる公知のアッシング装置技術を適用することができ、例えば酸素プラズマアッシングが挙げられる。次に、少なくとも単位金属層2bの上面に第2金属膜4bxを積層する図8e;金属膜積層工程。ここで、第2金属膜4bxは単位金属層4bを形成するためのものであり、理想的には単位金属層2bの上面にのみ形成されていればよい。従って、単位金属層2bをカソードとして電気めっきにより第2金属膜4bxを形成すると、単位金属層2b及びその周辺に第2金属膜4bxが電析するが、樹脂26の表面には第2金属膜4bxが形成されないので好ましい。第2金属膜4bxの組成は、単位金属層2bと同一とすることができる。次いで、上記した単結晶ダイヤモンド切削刃具200を用い、単位金属層2bの側壁図3の2sに沿って第2金属膜4bxを切削して複数の溝部20aを彫り、隣接する溝部20aの間に畝状の単位金属層4bを形成する図8f;第2切削工程。ここで、切削加工機として、上記した超精密ナノ加工機を用いれば、nmレベルで単位金属層2bの側壁2sに一致して第2金属膜4bxを切削することができる。又、第2切削工程における溝部20aは、金属層表出工程図7dで表出した樹脂26の上に形成する。なお、第2金属膜4bxを電気めっきにより形成する場合、第2金属膜4bx表面が若干凸状になる平面にならない。そのため、単位金属層4bとして設計される厚みより、第2金属膜4bxの厚みを厚くし、第2切削工程の後、又は後述する第2金属層表出工程図8hで第2金属膜4bx表面を研削して単位金属層4bの厚みに調整すると共に、単位金属層4b表面を平坦にすると好ましい。次に、上記した樹脂充填工程図7cと同様にして、第2切削工程で形成された溝部20aに樹脂26bxを充填する図8g;第2樹脂充填工程。そして、上記した金属層表出工程図7dと同様にして、樹脂26bxの表面を研削又は灰化して単位金属層4bの上面を表出させる図8h;第2金属層表出工程。このように、初期金属膜形成工程図7a、切削工程図7bを1回以上繰り返すことで、2以上の単位金属層が積層されたX線吸収部を備えたX線タルボ干渉計用回折格子を製造することができる。又、樹脂充填工程図7c、金属層表出工程図7dを行った後、金属膜積層工程図8e、第2切削工程図8f、第2樹脂充填工程図8g、及び第2金属層表出工程図8hを行うとより好ましい。なお、図3に示すX線タルボ干渉計用回折格子20の場合、金属膜積層工程図8e、第2切削工程図8f、第2樹脂充填工程図8g、及び第2金属層表出工程図8hを2回繰り返すことで、3つの単位金属層2b、4b、6bが積層されたX線吸収部20bと、隣接するX線吸収部の間の溝部20aに介装された樹脂26とを有するX線タルボ干渉計用回折格子20を製造することができる図8i。なお、基板22表面のうち、溝部20a等を形成しない周縁領域にアライメントマーク22aを設け、このアライメントマーク22aを基準として金属膜の切削位置を調整すると、各種処理工程例えば、金属層表出工程図7dで基板22を搬送した後、切削加工機に基板22が戻った際の位置合わせが正確となり、単位金属層2bの側壁2sに正確に沿って第2金属膜4bxを切削することができる。アライメントマーク22aを、基板22表面の異なる3つ以上の位置に設けると好ましい。本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。