"I成分として、分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAと、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBと、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDとを、該モノマーA、該モノマーB及び該モノマーDの合計モルに対して、5モル以上200モル以下の重合開始剤Cの存在下で重合させることにより得られる含フッ素高分岐ポリマーと、II成分として、加水分解性シラン化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせであるケイ素含有化合物とを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。I成分が、分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAと、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBと、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDを、該モノマーA、該モノマーB及び該モノマーDの合計モルに対して、5モル以上200モル以下の分子内にフルオロアルキル基を有する重合開始剤Cの存在下で重合させることにより得られる含フッ素高分岐ポリマーである、請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分のモノマーAが、ビニル基又はメタアクリル基の何れか一方又は双方を有する化合物である、請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分のモノマーAが、ジビニル化合物又はジメタアクリレート化合物である、請求項1乃至請求項3のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分のモノマーAが、エチレングリコールジメタアクリレートである、請求項1乃至請求項3のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分が、前記モノマーA、前記モノマーB及び前記モノマーDを、モノマーA1モルに対して、モノマーBを0.05乃至3モル、そしてモノマーDを0.05乃至5モルの割合で用いて得られるものである、請求項1乃至請求項5のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分のモノマーB及びモノマーDが、それぞれビニル基又はメタアクリル基の何れか一方を少なくとも1つ有する化合物である、請求項1乃至請求項6のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分のモノマーBが下記式1:式1中、R1は水素原子又はメチル基を表し、そしてR2はヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数2乃至12のフルオロアルキル基を表す。で表される化合物である、請求項1乃至請求項7のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分のモノマーBが下記式2:式2中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Xは水素原子又はフッ素原子を表し、mは1又は2の整数を表し、そしてnは0乃至5の整数を表す。で表される化合物である、請求項1乃至請求項7のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分のモノマーDが下記式3:式3中、R3は水素原子又はメチル基を表し、R4、R5、及びR6はそれぞれ炭素原子数1乃至20のアルコキシ基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数2乃至10のアルケニル基、炭素原子数2乃至10のアルキニル基、又はそれらのハロゲン置換基を表し、oは1乃至10の整数を表す。で表される化合物である、請求項1乃至請求項9のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分の前記重合開始剤Cが、アゾ系重合開始剤である、請求項1乃至請求項10のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分の前記重合開始剤Cが、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチルである、請求項11に記載のレジスト下層膜形成組成物。I成分の前記重合開始剤Cが、2,2’-アゾビス2,4,4-トリメチルペンタンである、請求項11に記載のレジスト下層膜形成組成物。II成分のケイ素含有化合物が式4:式4中、R7はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基もしくはシアノ基を有する一価の有機基であり且つ式4中のケイ素原子とSi-C結合により結合している有機基を表し、R8はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示し、aは0~3の整数を示す。で表されるシラン化合物、及び式5:式5中、R9はアルキル基を表し、R10はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン原子を表し、Yはアルキレン基又はアリーレン基を表し、bは0又は1の整数を表し、cは0又は1の整数を表し、ここでb=0のとき、Si-Siの単結合が形成されてなる。で表されるシラン化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種の加水分解性シラン化合物、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせであるケイ素含有化合物である、請求項1乃至請求項13のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。II成分が式4で表されるシラン化合物の加水分解縮合物からなるポリマーを含む、請求項14に記載のレジスト下層膜形成組成物。更に加水分解触媒として酸を含む、請求項1乃至請求項15のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。更に水を含む、請求項1乃至請求項16のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。請求項1乃至請求項17のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜。請求項1乃至請求項17のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成して、レジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像し、レジストパターンを得る工程、レジストパターン様にレジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト膜及びレジスト下層膜に従い半導体基板を加工する工程、を含む、半導体装置の製造方法。半導体基板上に有機下層膜を形成する工程、その上に請求項1乃至請求項17のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布し焼成して、レジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像し、レジストパターンを得る工程、レジストパターン様にレジスト下層膜をエッチングする工程、パターン化されたレジスト下層膜のパターン様に有機下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された有機下層膜のパターン様に半導体基板を加工する工程、を含む、半導体装置の製造方法。本発明の目的は、半導体装置の製造に用いることのできるリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供することにある。詳しくは、ハードマスクとして使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供することである。また、反射防止膜として使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供することである。また、レジストとのインターミキシングを起こさず、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィー用レジスト下層膜及び該下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供することである。そして、該リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成方法、ひいては半導体装置の製造方法を提供することである。本発明は、第1観点として、I成分として、分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAと、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBと、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDとを、該モノマーA、該モノマーB及び該モノマーDの合計モルに対して、5モル以上200モル以下の重合開始剤Cの存在下で重合させることにより得られる含フッ素高分岐ポリマーと、II成分として、加水分解性シラン化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせであるケイ素含有化合物とを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、第2観点として、I成分が、分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAと、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBと、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDを、該モノマーA、該モノマーB及び該モノマーDの合計モルに対して、5モル以上200モル以下の分子内にフルオロアルキル基を有する重合開始剤Cの存在下で重合させることにより得られる含フッ素高分岐ポリマーである、第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第3観点として、I成分のモノマーAが、ビニル基又はメタアクリル基の何れか一方又は双方を有する化合物である、第1観点又は第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第4観点として、I成分のモノマーAが、ジビニル化合物又はジメタアクリレート化合物である、第1観点乃至第3観点のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第5観点として、I成分のモノマーAが、エチレングリコールジメタアクリレートである、第1観点乃至第3観点のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第6観点として、I成分が、前記モノマーA、前記モノマーB及び前記モノマーDを、モノマーA1モルに対して、モノマーBを0.05乃至3モル、そしてモノマーDを0.05乃至5モルの割合で用いて得られるものである、第1観点乃至第5観点のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第7観点として、I成分のモノマーB及びモノマーDが、それぞれビニル基又はメタアクリル基の何れか一方を少なくとも1つ有する化合物である、第1観点乃至第6観点のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第8観点として、I成分のモノマーBが下記式1:式1中、R1は水素原子又はメチル基を表し、そしてR2はヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数2乃至12のフルオロアルキル基を表す。で表される化合物である、第1観点乃至第7観点のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第9観点として、I成分のモノマーBが下記式2:式2中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Xは水素原子又はフッ素原子を表し、mは1又は2の整数を表し、そしてnは0乃至5の整数を表す。で表される化合物である、第1観点乃至第7観点のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第10観点として、I成分のモノマーDが下記式3:式3中、R3は水素原子又はメチル基を表し、R4、R5、及びR6はそれぞれ炭素原子数1乃至20のアルコキシ基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数2乃至10のアルケニル基、炭素原子数2乃至10のアルキニル基、又はそれらのハロゲン置換基を表し、oは1乃至10の整数を表す。で表される化合物である、第1観点乃至第9観点のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第11観点として、I成分の前記重合開始剤Cが、アゾ系重合開始剤である、第1観点乃至第10観点のうち何れか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第12観点として、I成分の前記重合開始剤Cが、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチルである、第11観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第13観点として、I成分の前記重合開始剤Cが、2,2’-アゾビス2,4,4-トリメチルペンタンである、第11観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第14観点として、II成分のケイ素含有化合物が式4:式4中、R7はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基もしくはシアノ基を有する一価の有機基であり且つ式4中のケイ素原子とSi-C結合により結合している有機基を表し、R8はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示し、aは0~3の整数を示す。で表されるシラン化合物、及び式5:式5中、R9はアルキル基を表し、R10はアルコキシ基、アシルオキシ基又はハロゲン原子を表し、Yはアルキレン基又はアリーレン基を表し、bは0又は1の整数を表し、cは0又は1の整数を表し、ここでb=0のとき、Si-Siの単結合が形成されてなる。で表されるシラン化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種の加水分解性シラン化合物、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせであるケイ素含有化合物である、第1観点乃至第13観点のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第15観点として、II成分が式4で表されるシラン化合物の加水分解縮合物からなるポリマーを含む、第14観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第16観点として、更に加水分解触媒として酸を含む、第1観点乃至第15観点のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第17観点として、更に水を含む、第1観点1乃至第16観点のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物、第18観点として、第1観点乃至第17観点のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜、第19観点として、第1観点乃至第17観点のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成して、レジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像し、レジストパターンを得る工程、レジストパターン様にレジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト膜及びレジスト下層膜に従い半導体基板を加工する工程、を含む、半導体装置の製造方法、第20観点として、半導体基板上に有機下層膜を形成する工程、その上に第1観点乃至第17観点のうち何れか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布し焼成して、レジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像し、レジストパターンを得る工程、レジストパターン様にレジスト下層膜をエッチングする工程、パターン化されたレジスト下層膜のパターン様に有機下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された有機下層膜のパターン様に半導体基板を加工する工程、を含む、半導体装置の製造方法である。本発明のレジスト下層膜形成組成物は、I成分である含フッ素高分岐ポリマーを含有するレジスト下層膜形成組成物であり、基板に塗布した際に基板端面に付着する不要な膜を取り除く工程で、その盛り上がり高さを低くすることが可能であり、工程上で有用である。そして、本発明のレジスト下層膜形成組成物より得られる当該レジスト下層膜は、ハードマスクとして機能するものである。すなわち、II成分のケイ素含有化合物式4及び式5で表される化合物等の構造中のアルコキシ基やアシルオキシ基、ハロゲン原子等の加水分解性基は、加水分解乃至部分加水分解し、その後にシラノール基の縮合反応によりポリシロキサン構造のポリマーを形成してなり、このポリオルガノシロキサン構造がハードマスクとしての十分な機能を有している。このため、本発明のレジスト下層膜形成組成物により形成されるレジスト下層膜は、酸素系ドライエッチングガスに対して十分な耐ドライエッチング性を有するものとなり、該レジスト下層膜は、その下層に存在する有機下層膜のエッチングや、基板の加工エッチングに使用する酸素系ドライエッチングにおけるハードマスクとして有効である。本発明が対象とするレジスト下層膜形成組成物は、具体的には後述するが、以下に示す適用がなされる。すなわち、基板上にレジスト下層膜を塗布法により形成するか、或いは、基板上に有機下層膜を介してその上に前記組成物を用いてレジスト下層膜を塗布法により形成し、そのレジスト下層膜上にレジスト膜例えば、フォトレジスト、電子線レジストを形成する。そして、露光と現像によりレジストパターンを形成し、そのレジストパターン様にレジスト下層膜をドライエッチングしてパターンの転写を行い、そのパターンに従って基板を加工するか、又は有機下層膜をエッチングによりパターン転写しその有機下層膜のパターン様に基板の加工がなされる。具体的には、レジストパターンの形成後、該パターンをマスクとしてその下層に存在している本発明のレジスト下層膜をハロゲン含有ガスでドライエッチングしてレジスト下層膜にパターンを転写し、そのレジスト下層膜に転写されたパターンをマスクとして、ハロゲン含有ガスを用いて基板加工を行う。あるいは、レジスト下層膜に転写されたパターンをマスクとして、その下層の有機下層膜を酸素系ガスでドライエッチングして有機下層膜にパターン転写を行い、、そのパターン転写された有機下層膜をマスクとして、ハロゲン含有ガスを用いて基板加工を行う。近年、微細なパターンを形成する上で、パターン倒れを防ぐためにレジスト膜厚は薄くなる傾向がある。レジスト膜の薄膜化により、その下層に存在する膜レジスト下層膜に良好なパターンを転写するには、上層のレジスト膜のドライエッチング速度よりも高いエッチング速度を有する下層膜であることが求められる。こうした事情を鑑み、本発明では基板上に有機下層膜を介するか、又は有機下層膜を介さずに、その上を無機系シリコン系化合物を含有するレジスト下層膜にて被覆し、その上にレジスト膜有機レジスト膜を被覆するという構成について検討した。これは、有機系成分の膜と無機系成分の膜はエッチングガスの選択によりドライエッチング速度が大きく異なる点、すなわち、有機系成分の膜は酸素系ガスでドライエッチング速度が高くなり、無機系成分の膜はハロゲン含有ガスでドライエッチング速度が高くなる点に着目し、これらのエッチングガスを適宜選択することで、積層されてなる二層のドライエッチング速度を大きく異なるものとすることが可能となることを見出し、本発明を完成させた。以下、本発明について詳述する。[レジスト下層膜形成組成物]本発明のレジスト下層膜形成組成物は、I成分として含フッ素高分岐ポリマーと、II成分としてケイ素含有化合物と、溶剤とを含む。そして、本発明のレジスト下層膜形成組成物は、任意成分として酸、水、アルコール、硬化触媒、酸発生剤、他の有機ポリマー化合物、吸光性化合物、界面活性剤、レオロジー調整剤、接着補助剤等、レジスト下層膜形成組成物に一般に使用されるその他添加剤を含むことができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物における固形分は、例えば0.5~50質量、1~30質量、又は1~25質量である。ここで固形分とはレジスト下層膜膜形成組成物の全成分から溶剤成分を除いたものである。上記固形分中に占めるII成分のケイ素含有化合物加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせの割合は、20質量以上であり、例えば50~99.9質量、又は60~99.9質量、又は70~99.7質量である。そして、上記I成分と上記II成分は、成分IIに対して、成分Iを0.1~5質量、又は0.3~1.5質量の範囲で使用することができる。あるいは上記I成分と上記II成分は、成分IIの1質量部に対して、成分Iの含フッ素高分岐ポリマーを0.00005~1質量部、好ましくは0.001~0.1質量部の範囲で使用することができる。I成分:含フッ素高分岐ポリマー本発明に用いられるI成分の含フッ素高分岐ポリマーは、分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAと、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBと、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDとを、該モノマーA、該モノマーB及び該モノマーDの合計モルに対して、5モル以上200モル以下の重合開始剤Cの存在下で重合させることにより得られる。また、I成分の含フッ素高分岐ポリマーは、分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAと、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBと、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDを、該モノマーA、該モノマーB及び該モノマーDの合計モルに対して、5モル以上200モル以下の分子内にフルオロアルキル基を有する重合開始剤Cの存在下で重合させることにより得られる。<モノマーA>本発明において、分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAは、ビニル基又はメタアクリル基の何れか一方又は双方を有することが好ましく、特にジビニル化合物又はジメタアクリレート化合物であることが好ましい。なお、本発明ではメタアクリレート化合物とは、アクリレート化合物とメタクリレート化合物の両方をいう。例えばメタアクリル酸は、アクリル酸とメタクリル酸をいう。このようなモノマーAとしては、例えば、以下のA1乃至A7に示した有機化合物が例示される。A1ビニル系炭化水素化合物:A1-1脂肪族ビニル系炭化水素化合物;イソプレン、ブタジエン、3-メチル-1,2-ブタジエン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,2-ポリブタジエン、ペンタジエン、ヘキサジエン、オクタジエン等A1-2脂環式ビニル系炭化水素化合物;シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、ノルボルナジエン等A1-3芳香族ビニル系炭化水素化合物;ジビニルベンゼン、ジビニルトルエン、ジビニルキシレン、トリビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジビニルナフタレン、ジビニルフルオレン、ジビニルカルバゾール、ジビニルピリジン等A2ビニルエステル、アリルエステル、ビニルエーテル、アリルエーテル、ビニルケトン:A2-1ビニルエステル;アジピン酸ジビニル、マレイン酸ジビニル、フタル酸ジビニル、イソフタル酸ジビニル、イタコン酸ジビニル、ビニルメタアクリレート等A2-2アリルエステル;マレイン酸ジアリル、フタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、アリルメタアクリレート等A2-3ビニルエーテル;ジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル等A2-4アリルエーテル;ジアリルエーテル、ジアリルオキシエタン、トリアリルオキシエタン、テトラアリルオキシエタン、テトラアリルオキシプロパン、テトラアリルオキシブタン、テトラメタリルオキシエタン等A2-5ビニルケトン;ジビニルケトン、ジアリルケトン等A3メタアクリル酸エステル:エチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラメタアクリレート、グリセロールトリメタアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタアクリレート、アルコキシチタントリメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、2-メチル-1,8-オクタンジオールジメタアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタアクリレート、1,10-デカンジオールジメタアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタアクリレート、ジオキサングリコールジメタアクリレート、2-ヒドロキシ-1-アクリロイルオキシ-3-メタクリロイルオキシプロパン、2-ヒドロキシ-1,3-ジメタアクリロイルオキシプロパン、9,9-ビス[4-2-メタアクリロイルオキシエトキシフェニル]フルオレン、ウンデシレノキシエチレングリコールジメタアクリレート、ビス[4-メタアクリロイルチオフェニル]スルフィド、ビス[2-メタアクリロイルチオエチル]スルフィド、1,3-アダマンタンジオールジメタアクリレート、1,3-アダマンタンジメタノールジメタアクリレート等A4ポリアルキレングリコール鎖を有するビニル系化合物:ポリエチレングリコール分子量300ジメタアクリレート、ポリプロピレングリコール分子量500ジメタアクリレート等A5含窒素ビニル系化合物:ジアリルアミン、ジアリルイソシアヌレート、ジアリルシアヌレート、メチレンビスメタアクリルアミド、ビスマレイミド等A6含ケイ素ビニル系化合物:ジメチルジビニルシラン、ジビニルメチルフェニルシラン、ジフェニルジビニルシラン、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシラザン、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラフェニルジシラザン、ジエトキジビニルシラン等A7含フッ素ビニル系化合物:1,4-ジビニルパーフルオロブタン、1,6-ジビニルパーフルオロヘキサン、1,8-ジビニルパーフルオロオクタン等これらのうち好ましいものは、上記A1-3群の芳香族ビニル系炭化水素化合物、A2群のビニルエステル、アリルエステル、ビニルエーテル、アリルエーテル及びビニルケトン、A3群のメタアクリル酸エステル、A4群のポリアルキレングリコール鎖を有するビニル系化合物、並びにA5群の含窒素ビニル系化合物である。特に好ましいのは、A1-3群に属するジビニルベンゼン、A2-2群に属するフタル酸ジアリル、A3群に属するエチレングリコールジメタアクリレート、1,3-アダマンタンジメタノールジメタアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタアクリレート並びにA5群に属するメチレンビスメタアクリルアミドである。これらの中でもジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタアクリレート及びトリシクロデカンジメタノールジメタアクリレートが好ましく、特にエチレングリコールジメタアクリレートがより好ましい。<モノマーB>本発明において、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBは、ビニル基又はメタアクリル基の何れか一方を少なくとも1つ有することが好ましく、特に前記式1で表される化合物が好ましく、より好ましくは式2で表される化合物であることが望ましい。このようなモノマーBとしては、例えば2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルメタアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、1H-1-トリフオロメチルトリフルオロエチルメタアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート等が挙げられる。本発明において、前記モノマーBを共重合させる割合は、反応性や表面改質効果の観点から好ましくは前記モノマーAの1モルに対して前記モノマーBを0.05モル乃至3.0モル、特に好ましくは0.1モル乃至1.5モルである。<モノマーD>本発明において、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDは、ビニル基又はメタアクリル基の何れか一方を少なくとも1つ有することが好ましく特に前記式3で表される化合物が好ましい。上記式3中、R3は水素原子又はメチル基を表し、R4、R5及びR6はそれぞれ独立して炭素原子数1乃至20のアルコキシ基、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数2乃至10のアルケニル基、炭素原子数2乃至10のアルキニル基、又はそれらのハロゲン置換基を表す。oは1乃至10の整数、好ましくは2乃至10の整数を表す。上記ハロゲン置換基は前述のアルコキシ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基における少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子に置換された基である。上記これらのアルコキシ基、アルキル基、アルケニル基、ハロゲン原子は、後述するII成分のケイ素含有化合物における式4及び式5で表されるシラン化合物における基の定義に例示した基を挙げることができる。また、アルキニル基としては例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、1-メチル-2-プロピニル基、1-ペンチニル基、2-ペンチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-メチル-2-ブチニル基、1-メチル-3-ブチニル基、2-メチル-3-ブチニル基、3-メチル-1-ブチニル基、1,1-ジメチル-2-プロピニル基、2-エチル-2-プロピニル基、1-ヘキシニル基、2-ヘキシニル基、3-ヘキシニル基、4-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、1-メチル-2-ペンチニル基、1-メチル-3-ペンチニル基、1-メチル-4-ペンチニル基、2-メチル-3-ペンチニル基、2-メチル-4-ペンチニル基、3-メチル-1-ペンチニル基、3-メチル-4-ペンチニル基、4-メチル-1-ペンチニル基、4-メチル-2-ペンチニル基、1,1-ジメチル-2-ブチニル基、1,1-ジメチル-3-ブチニル基、1,2-ジメチル-3-ブチニル基、2,2-ジメチル-3-ブチニル基、3,3-ジメチル-1-ブチニル基、1-エチル-2-ブチニル基、1-エチル-3-ブチニル基、1-n-プロピル-2-プロピニル基、2-エチル-3-ブチニル基、1-メチル-1-エチル-2-プロピニル基及び1-i-プロピル-2-プロピニル基等が挙げられる。前記モノマーDの具体例としては、例えば3-メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。本発明において、前記モノマーDを共重合させる割合は、反応性や表面改質効果の観点から好ましくは前記モノマーAの1モルに対して前記モノマーDを0.05モル乃至5モル、特に好ましくは0.1モル乃至1.5モルである。<その他のモノマー:モノマーE>本発明は上述のモノマーA、モノマーB及びモノマーDに加えて、更にモノマーEを共重合させることができる。このモノマーEは分子内に少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有しフルオロアルキル基を有さない化合物である。このようなモノマーEとしては、ビニル基又はメタアクリル基の何れか一方を少なくとも1つ有する化合物及びマレイミド化合物が好ましい。中でも、2-2-ビニルオキシエトキシエチルアクリレートなどのビニルエーテル基含有メタアクリレート化合物;グリシジルメタクリレートなどのエポキシ基含有メタアクリレート化合物;3-メタクリルオキシプロピルトリエトキシシランなどのアルコキシシリル基含有メタアクリレート化合物;シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミドなどのマレイミド化合物;及び下記式6で表される構造単位を含むメタアクリル酸エステル化合物等が好ましい。式6中、R11は水素原子又はメチル基を表し、R12は下記6-1乃至式6-19で表される一価の有機基を表す。:上記式中、Rはメタアクリレート基の酸素原子と連結する基であり、直接結合、又は直鎖のアルキレン基、分枝鎖のアルキレン基、エーテル結合、アミド結合、エステル結合、スルフィド結合又はそれらの組み合わせを表す。なお、上記直鎖又は分岐鎖のアルキレン基は、アルキル基から誘導される2価の有機基であり、該アルキル基としては、後述するII成分のケイ素含有化合物における式4及び式5で表されるシラン化合物における基の定義に例示したアルキル基を挙げることができる。本発明において、前記モノマーEを共重合させる割合は、反応性や表面改質効果の観点から好ましくは前記モノマーAの1モルに対して前記モノマーEを0.05モル乃至3.0モル、特に好ましくは0.1モル乃至1.5モルである。<重合開始剤C>本発明における重合開始剤Cとしては、好ましくはアゾ系重合開始剤が用いられる。アゾ系重合開始剤としては、例えば以下の1~6に示す化合物を挙げることができる。1アゾニトリル化合物:2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルブチロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、1,1’-アゾビス1-シクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2-カルバモイルアゾイソブチロニトリル等;2アゾアミド化合物:2,2’-アゾビス{2-メチル-N-[1,1-ビスヒドロキシメチル-2-ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2’-アゾビス{2-メチル-N-[2-1-ヒドロキシブチル]プロピオンアミド}、2,2’-アゾビス[2-メチル-N-2-ヒドロキシエチルプロピオンアミド]、2,2’-アゾビス[N-2-プロペニル-2-メチルプロピオンアミド]、2,2’-アゾビスN-ブチル-2-メチルプロピオンアミド、2,2’-アゾビスN-シクロヘキシル-2-メチルプロピオンアミド等;3環状アゾアミジン化合物:2,2’-アゾビス[2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン]ジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス[2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン]ジスルフェートジヒドレート、2,2’-アゾビス2-[1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリン-2-イル]プロパンジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス[2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン]、2,2’-アゾビス1-イミノ-1-ピロリジノ-2-メチルプロパンジヒドロクロリド等;4アゾアミジン化合物:2,2’-アゾビス2-メチルプロピオンアミジンジヒドロクロリド、2,2’-アゾビス[N-2-カルボキシエチル-2-メチルプロピオンアミジン]テトラヒドレート等;5その他:2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル、4,4’-アゾビス-4-シアノバレリン酸、2,2’-アゾビス2,4,4-トリメチルペンタン、1,1’-アゾビス1-アセトキシ-1-フェニルエタン、ジメチル-1,1’-アゾビス1-シクロヘキサンカルボキシレート、4,4’-アゾビス4-シアノペンタン酸等;6フルオロアルキル基含有アゾ系重合開始剤:4,4’-アゾビス4-シアノペンタン酸-2-パーフルオロメチルエチル、4,4’-アゾビス4-シアノペンタン酸-2-パーフルオロブチルエチル、4,4’-アゾビス4-シアノペンタン酸-2-パーフルオロヘキシルエチル等;上記アゾ系重合開始剤の中でも、得られる高分岐ポリマーの表面エネルギーの観点から、極性の比較的低い置換基を有するものが望ましく、特に2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル又は2,2’-アゾビス2,4,4-トリメチルペンタンが好ましい。また、フルオロアルキル基含有アゾ系重合開始剤として4,4’-アゾビス4-シアノペンタン酸-2-パーフルオロメチルエチル、4,4’-アゾビス4-シアノペンタン酸-2-パーフルオロヘキシルエチルを好適に使用できる。前記重合開始剤Cは、前記モノマーA及び前記モノマーB及びモノマーDの合計モル数に対して、5モル乃至200モルの量で使用され、好ましくは15モル乃至200モル、より好ましくは15モル乃至170モル、より好ましくは50モル乃至100モルの量で使用される。<含フッ素高分岐ポリマーの製造方法>本発明に用いられる含フッ素高分岐ポリマーは、前述のモノマーA及びモノマーB及びモノマーDに対して、所定量の重合開始剤Cの存在下で重合させて得られ、該重合方法としては公知の方法、例えば溶液重合、分散重合、沈殿重合、及び塊状重合等が挙げられ、中でも溶液重合又は沈殿重合が好ましい。特に分子量制御の点から、有機溶媒中での溶液重合によって反応を実施することが好ましい。このとき用いられる有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素系溶媒;n-ヘキサン、n-ヘプタン、ミネラルスピリット、シクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒;塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、メチレンジクロライド、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系又はエステルエーテル系溶媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ-n-ブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、イソブタノール、tert-ブタノール、2-エチルヘキシルアルコール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N-メチル-2-ピロリドン等の複素環式化合物系溶媒、並びにこれらの2種以上の混合溶媒が挙げられる。これらのうち好ましいのは、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒、スルホキシド系溶媒等であり、特に好ましいものはトルエン、キシレン、オルトジクロロベンゼン、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、1,4-ジオキサン、メチルセロソルブ、メチルイソブチルケトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等である。上記重合反応を有機溶媒の存在下で行う場合、重合反応物全体における有機溶媒の含量は、前記モノマーAの1質量部に対し、好ましくは1~100質量部、さらに好ましくは5~50質量部である。重合反応は常圧、加圧密閉下、又は減圧下で行われ、装置及び操作の簡便さから常圧下で行うのが好ましい。また、N2等の不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。重合反応の温度は好ましくは50~200°C、さらに好ましくは70~150°Cである。より好ましくは、重合反応の温度は前述の重合開始剤Cの10時間半減期温度より20°C以上高い温度で実施され、より具体的には、前記モノマーA、前記モノマーB、前記モノマーD、前記重合開始剤C及び有機溶媒を含む溶液を、該重合開始剤Cの10時間半減期温度より20°C以上高い温度に保たれた該有機溶媒中へ滴下することにより、重合反応を行うことが好ましい。また、さらにより好ましくは反応圧力下での前記有機溶媒の還流温度で重合反応を実施することが好ましい。重合反応の終了後、得られた含フッ素高分岐ポリマーを任意の方法で回収し、必要に応じて洗浄等の後処理を行なう。反応溶液から高分子を回収する方法としては、再沈殿等の方法が挙げられる。得られた含フッ素高分岐ポリマーの重量平均分子量以下Mwと略記は、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算で好ましくは1,000~200,000、さらに好ましくは2,000~100,000、最も好ましくは5,000~60,000である。成分II:ケイ素含有化合物本発明のレジスト下層膜形成組成物は成分IIとして、加水分解性シラン化合物、該加水分解性シラン化合物の加水分解物、該加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせであるケイ素含有化合物を含む。II成分のケイ素含有化合物としては、前記式4で表されるケイ素含有化合物及び前記式5で表されるケイ素含有化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の加水分解性シラン化合物、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせを用いることができる。前記式4で表されるケイ素含有化合物及び前記式5で表されるケイ素含有化合物から成る群より選ばれるケイ素含有化合物の中でも、式4で表されるケイ素含有化合物を使用することが好ましい。そして中でも、式4で表されるケイ素含有化合物の加水分解縮合物ポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。式4及び式5で表されるケイ素含有化合物中のR1及びR3におけるアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、もしくはシアノ基を有する有機基、更にはR2及びR4におけるアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子の具体例は、以下に例示することができる。アルキル基としては、直鎖又は分枝鎖を有する炭素原子数1~10のアルキル基が挙げられ、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、1,1-ジメチル-n-プロピル基、1,2-ジメチル-n-プロピル基、2,2-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロプロピル基、2,3-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、1,1-ジメチル-n-ブチル基、1,2-ジメチル-n-ブチル基、1,3-ジメチル-n-ブチル基、2,2-ジメチル-n-ブチル基、2,3-ジメチル-n-ブチル基、3,3-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、1,1,2-トリメチル-n-プロピル基、1,2,2-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロブチル基、1,3-ジメチル-シクロブチル基、2,2-ジメチル-シクロブチル基、2,3-ジメチル-シクロブチル基、2,4-ジメチル-シクロブチル基、3,3-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピル基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基及び2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基等が挙げられる。アリール基としては炭素原子数6~20のアリール基が挙げられ、例えばフェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、o-クロロフェニル基、m-クロロフェニル基、p-クロロフェニル基、o-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-シアノフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基及び9-フェナントリル基が挙げられる。アルケニル基としては炭素原子数2~10のアルケニル基が挙げられ、例えばエテニル基ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-メチル-1-エテニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、2-メチル-1-プロペニル基、2-メチル-2-プロペニル基、1-エチルエテニル基、1-メチル-1-プロペニル基、1-メチル-2-プロペニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-n-プロピルエテニル基、1-メチル-1-ブテニル基、1-メチル-2-ブテニル基、1-メチル-3-ブテニル基、2-エチル-2-プロペニル基、2-メチル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2-メチル-3-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-2-ブテニル基、3-メチル-3-ブテニル基、1,1-ジメチル-2-プロペニル基、1-i-プロピルエテニル基、1,2-ジメチル-1-プロペニル基、1,2-ジメチル-2-プロペニル基、1-シクロペンテニル基、2-シクロペンテニル基、3-シクロペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、4-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、1-メチル-1-ペンテニル基、1-メチル-2-ペンテニル基、1-メチル-3-ペンテニル基、1-メチル-4-ペンテニル基、1-n-ブチルエテニル基、2-メチル-1-ペンテニル基、2-メチル-2-ペンテニル基、2-メチル-3-ペンテニル基、2-メチル-4-ペンテニル基、2-n-プロピル-2-プロペニル基、3-メチル-1-ペンテニル基、3-メチル-2-ペンテニル基、3-メチル-3-ペンテニル基、3-メチル-4-ペンテニル基、3-エチル-3-ブテニル基、4-メチル-1-ペンテニル基、4-メチル-2-ペンテニル基、4-メチル-3-ペンテニル基、4-メチル-4-ペンテニル基、1,1-ジメチル-2-ブテニル基、1,1-ジメチル-3-ブテニル基、1,2-ジメチル-1-ブテニル基、1,2-ジメチル-2-ブテニル基、1,2-ジメチル-3-ブテニル基、1-メチル-2-エチル-2-プロペニル基、1-s-ブチルエテニル基、1,3-ジメチル-1-ブテニル基、1,3-ジメチル-2-ブテニル基、1,3-ジメチル-3-ブテニル基、1-i-ブチルエテニル基、2,2-ジメチル-3-ブテニル基、2,3-ジメチル-1-ブテニル基、2,3-ジメチル-2-ブテニル基、2,3-ジメチル-3-ブテニル基、2-i-プロピル-2-プロペニル基、3,3-ジメチル-1-ブテニル基、1-エチル-1-ブテニル基、1-エチル-2-ブテニル基、1-エチル-3-ブテニル基、1-n-プロピル-1-プロペニル基、1-n-プロピル-2-プロペニル基、2-エチル-1-ブテニル基、2-エチル-2-ブテニル基、2-エチル-3-ブテニル基、1,1,2-トリメチル-2-プロペニル基、1-t-ブチルエテニル基、1-メチル-1-エチル-2-プロペニル基、1-エチル-2-メチル-1-プロペニル基、1-エチル-2-メチル-2-プロペニル基、1-i-プロピル-1-プロペニル基、1-i-プロピル-2-プロペニル基、1-メチル-2-シクロペンテニル基、1-メチル-3-シクロペンテニル基、2-メチル-1-シクロペンテニル基、2-メチル-2-シクロペンテニル基、2-メチル-3-シクロペンテニル基、2-メチル-4-シクロペンテニル基、2-メチル-5-シクロペンテニル基、2-メチレン-シクロペンチル基、3-メチル-1-シクロペンテニル基、3-メチル-2-シクロペンテニル基、3-メチル-3-シクロペンテニル基、3-メチル-4-シクロペンテニル基、3-メチル-5-シクロペンテニル基、3-メチレン-シクロペンチル基、1-シクロヘキセニル基、2-シクロヘキセニル基及び3-シクロヘキセニル基等が挙げられる。またハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基としては、前記アルキルキ又はアリール基において1つ以上の水素原子をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子等のハロゲン原子で置換したアルキル基又はアリール基がが挙げられる。エポキシ基を有する有機基としては、グリシドキシメチル基、グリシドキシエチル基、グリシドキシプロピル基、グリシドキシブチル基、エポキシシクロヘキシル基等が挙げられる。アクリロイル基を有する有機基としては、アクリロイルメチル基、アクリロイルエチル基、アクリロイルプロピル基等が挙げられる。メタクリロイル基を有する有機基としては、メタクリロイルメチル基、メタクリロイルエチル基、メタクリロイルプロピル基等が挙げられる。メルカプト基を有する有機基としては、メルカプトエチル基、メルカプトブチル基、メルカプトヘキシル基、メルカプトオクチル基等が挙げられる。シアノ基を有する有機基としては、シアノエチル基、シアノプロピル基等が挙げられる。また、アルコキシ基としては、炭素原子数1~20の直鎖、分枝鎖状、環状のアルキル部分を有するアルコキシ基が挙げられ、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基アミルオキシ基、1-メチル-n-ブトキシ基、2-メチル-n-ブトキシ基、3-メチル-n-ブトキシ基、1,1-ジメチル-n-プロポキシ基、1,2-ジメチル-n-プロポキシ基、2,2-ジメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-n-プロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、1-メチル-n-ペンチルオキシ基、2-メチル-n-ペンチルオキシ基、3-メチル-n-ペンチルオキシ基、4-メチル-n-ペンチルオキシ基、1,1-ジメチル-n-ブトキシ基、1,2-ジメチル-n-ブトキシ基、1,3-ジメチル-n-ブトキシ基、2,2-ジメチル-n-ブトキシ基、2,3-ジメチル-n-ブトキシ基、3,3-ジメチル-n-ブトキシ基、1-エチル-n-ブトキシ基、2-エチル-n-ブトキシ基、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1,2,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-1-メチル-n-プロポキシ基、及び1-エチル-2-メチル-n-プロポキシ基等が挙げられる。アシルオキシ基としては炭素原子数2~20のアシルオキシ基が挙げられ、例えばメチルカルボニルオキシ基アセトキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、i-プロピルカルボニルオキシ基、シクロプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、i-ブチルカルボニルオキシ基、s-ブチルカルボニルオキシ基、t-ブチルカルボニルオキシ基、シクロブチルカルボニルオキシ基、1-メチル-シクロプロピルカルボニルオキシ基、2-メチル-シクロプロピルカルボニルオキシ基、n-ペンチルカルボニルオキシ基、1-メチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、2-メチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、3-メチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、1,1-ジメチル-n-プロピルカルボニルオキシ基、1,2-ジメチル-n-プロピルカルボニルオキシ基、2,2-ジメチル-n-プロピルカルボニルオキシ基、1-エチル-n-プロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、1-メチル-シクロブチルカルボニルオキシ基、2-メチル-シクロブチルカルボニルオキシ基、3-メチル-シクロブチルカルボニルオキシ基、1,2-ジメチル-シクロプロピルカルボニルオキシ基、2,3-ジメチル-シクロプロピルカルボニルオキシ基、1-エチル-シクロプロピルカルボニルオキシ基、2-エチル-シクロプロピルカルボニルオキシ基、n-ヘキシルカルボニルオキシ基、1-メチル-n-ペンチルカルボニルオキシ基、2-メチル-n-ペンチルカルボニルオキシ基、3-メチル-n-ペンチルカルボニルオキシ基、4-メチル-n-ペンチルカルボニルオキシ基、1,1-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、1,2-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、1,3-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、2,2-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、2,3-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、3,3-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、1-エチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、2-エチル-n-ブチルカルボニルオキシ基、1,1,2-トリメチル-n-プロピルカルボニルオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。式4で表されるケイ素含有化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラクロロシラン、テトラアセトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn-ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルトリアミロキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリベンジルオキシシラン、メチルトリフェネチルオキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、3,4-エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキシシラン、3,4-エポキシシクロヘキシルメチルトリエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリプロポキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリブトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリフェノキシシラン、γ-3,4-エポキシシクロヘキシルプロピルトリメトキシシラン、γ-3,4-エポキシシクロヘキシルプロピルトリエトキシシラン、δ-3,4-エポキシシクロヘキシルブチルトリメトキシシラン、δ-3,4-エポキシシクロヘキシルブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α-グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α-グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β-グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β-グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β-グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリアセトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メトキシフェニルトリメトキシシラン、メトキシフェニルトリエトキシシラン、メトキシフェニルトリアセトキシシラン、メトキシフェニルトリクロロシラン、メトキシベンジルトリメトキシシラン、メトキシベンジルトリエトキシシラン、メトキシベンジルトリアセトキシシラン、メトキシベンジルトリクロロシラン、メトキシフェネチルトリメトキシシラン、メトキシフェネチルトリエトキシシラン、メトキシフェネチルトリアセトキシシラン、メトキシフェネチルトリクロロシラン、エトキシフェニルトリメトキシシラン、エトキシフェニルトリエトキシシラン、エトキシフェニルトリアセトキシシラン、エトキシフェニルトリクロロシラン、エトキシベンジルトリメトキシシラン、エトキシベンジルトリエトキシシラン、エトキシベンジルトリアセトキシシラン、エトキシベンジルトリクロロシラン、イソプロポキシフェニルトリメトキシシラン、イソプロポキシフェニルトリエトキシシラン、イソプロポキシフェニルトリアセトキシシラン、イソプロポキシフェニルトリクロロシラン、イソプロポキシベンジルトリメトキシシラン、イソプロポキシベンジルトリエトキシシラン、イソプロポキシベンジルトリアセトキシシラン、イソプロポキシベンジルトリクロロシラン、t-ブトキシフェニルトリメトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリエトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリアセトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリクロロシラン、t-ブトキシベンジルトリメトキシシラン、t-ブトキシベンジルトリエトキシシラン、t-ブトキシベンジルトリアセトキシシラン、t-ブトキシシベンジルトリクロロシラン、メトキシナフチルトリメトキシシラン、メトキシナフチルトリエトキシシラン、メトキシナフチルトリアセトキシシラン、メトキシナフチルトリクロロシラン、エトキシナフチルトリメトキシシラン、エトキシナフチルトリエトキシシラン、エトキシナフチルトリアセトキシシラン、エトキシナフチルトリクロロシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリエトキシシラン、γ-クロロプロピルトリアセトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、β-シアノエチルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ-クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ-クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ-メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メタクリロイルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メルカプトメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン等が挙げられる。式5で表されるケイ素含有化合物としては、例えば、メチレンビストリメトキシシラン、メチレンビストリクロロシラン、メチレンビストリアセトキシシラン、エチレンビストリエトキシシラン、エチレンビストリクロロシラン、エチレンビストリアセトキシシラン、プロピレンビストリエトキシシラン、ブチレンビストリメトキシシラン、フェニレンビストリメトキシシラン、フェニレンビストリエトキシシラン、フェニレンビスメチルジエトキシシラン、フェニレンビスメチルジメトキシシラン、ナフチレンビストリメトキシシラン、ビストリメトキシジシラン、ビストリエトキシジシラン、ビスエチルジエトキシジシラン、ビスメチルジメトキシジシラン等が挙げられる。式4で表されるケイ素含有化合物の加水分解縮合物ポリオルガノシロキサン、又は式4で表されるケイ素含有化合物と式5で表されるケイ素含有化合物との加水分解縮合物ポリオルガノシロキサンは、重量平均分子量1,000~1,000,000、又は1,000~100,000であることが好ましい。なお、これら加水分解縮合物の分子量はGPC分析によるポリスチレン換算で得られる分子量であり、GPCの測定条件は、例えばGPC装置商品名:HLC-8220GPC、東ソー株製、GPCカラム商品名ShodexKF803L、KF802、KF801、昭和電工株製、カラム温度は40°C、溶離液溶出溶媒はテトラヒドロフラン、流量流速は1.0mL/分、標準試料はポリスチレン昭和電工株製を用いて行うことができる。上記加水分解縮合物を得るには、アルコキシシリル基、アシロキシシリル基、又はハロゲン化シリル基すなわち、R8-Si-基、R10-Si-基合計1モル当たり、0.5~100モル、好ましくは1~10モルの水を用いて加水分解を行う。このとき、上記加水分解性基の1モル当たり0.001~10モル、好ましくは0.001~1モルの加水分解触媒を用いることができる。加水分解と縮合を行う際の反応温度は、通常20~80°Cである。加水分解は完全に加水分解を行うことも、部分加水分解することでも良く、即ち、前述したように加水分解縮合物中に加水分解物やモノマーが残存していても良い。加水分解縮合反応後、得られた加水分解縮合物ポリマーを減圧蒸留等により、副生成物のアルコールや、反応に用いた加水分解触媒、水を同時に除去することができる。また、加水分解に用いた酸や塩基触媒は、中和やイオン交換により取り除くことができる。上記加水分解触媒としては、金属キレート化合物、有機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基を挙げることができる。加水分解触媒としての金属キレート化合物としては、例えばトリエトキシモノアセチルアセトナートチタン、トリ-n-プロポキシモノアセチルアセトナートチタン、トリ-i-プロポキシモノアセチルアセトナートチタン、トリ-n-ブトキシモノアセチルアセトナートチタン、トリ-sec-ブトキシモノアセチルアセトナートチタン、トリ-t-ブトキシモノアセチルアセトナートチタン、ジエトキシビスアセチルアセトナートチタン、ジ-n-プロポキシビスアセチルアセトナートチタン、ジ-i-プロポキシビスアセチルアセトナートチタン、ジ-n-ブトキシビスアセチルアセトナートチタン、ジ-sec-ブトキシビスアセチルアセトナートチタン、ジ-t-ブトキシビスアセチルアセトナートチタン、モノエトキシトリスアセチルアセトナートチタン、モノ-n-プロポキシトリスアセチルアセトナートチタン、モノ-i-プロポキシトリスアセチルアセトナートチタン、モノ-n-ブトキシトリスアセチルアセトナートチタン、モノ-sec-ブトキシトリスアセチルアセトナートチタン、モノ-t-ブトキシトリスアセチルアセトナートチタン、テトラキスアセチルアセトナートチタン、トリエトキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-n-プロポキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-i-プロポキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-n-ブトキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-sec-ブトキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-t-ブトキシモノエチルアセトアセテートチタン、ジエトキシビスエチルアセトアセテートチタン、ジ-n-プロポキシビスエチルアセトアセテートチタン、ジ-i-プロポキシビスエチルアセトアセテートチタン、ジ-n-ブトキシビスエチルアセトアセテートチタン、ジ-sec-ブトキシビスエチルアセトアセテートチタン、ジ-t-ブトキシビスエチルアセトアセテートチタン、モノエトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノ-n-プロポキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノ-i-プロポキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノ-n-ブトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノ-sec-ブトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノ-t-ブトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、テトラキスエチルアセトアセテートチタン、モノアセチルアセトナートトリスエチルアセトアセテートチタン、ビスアセチルアセトナートビスエチルアセトアセテートチタン、トリスアセチルアセトナートモノエチルアセトアセテートチタン、等のチタンキレート化合物;トリエトキシモノアセチルアセトナートジルコニウム、トリ-n-プロポキシモノアセチルアセトナートジルコニウム、トリ-i-プロポキシモノアセチルアセトナートジルコニウム、トリ-n-ブトキシモノアセチルアセトナートジルコニウム、トリ-sec-ブトキシモノアセチルアセトナートジルコニウム、トリ-t-ブトキシモノアセチルアセトナートジルコニウム、ジエトキシビスアセチルアセトナートジルコニウム、ジ-n-プロポキシビスアセチルアセトナートジルコニウム、ジ-i-プロポキシビスアセチルアセトナートジルコニウム、ジ-n-ブトキシビスアセチルアセトナートジルコニウム、ジ-sec-ブトキシビスアセチルアセトナートジルコニウム、ジ-t-ブトキシビスアセチルアセトナートジルコニウム、モノエトキシトリスアセチルアセトナートジルコニウム、モノ-n-プロポキシトリスアセチルアセトナートジルコニウム、モノ-i-プロポキシトリスアセチルアセトナートジルコニウム、モノ-n-ブトキシトリスアセチルアセトナートジルコニウム、モノ-sec-ブトキシトリスアセチルアセトナートジルコニウム、モノ-t-ブトキシトリスアセチルアセトナートジルコニウム、テトラキスアセチルアセトナートジルコニウム、トリエトキシモノエチルアセトアセテートジルコニウム、トリ-n-プロポキシモノエチルアセトアセテートジルコニウム、トリ-i-プロポキシモノエチルアセトアセテートジルコニウム、トリ-n-ブトキシモノエチルアセトアセテートジルコニウム、トリ-sec-ブトキシモノエチルアセトアセテートジルコニウム、トリ-t-ブトキシモノエチルアセトアセテートジルコニウム、ジエトキシビスエチルアセトアセテートジルコニウム、ジ-n-プロポキシビスエチルアセトアセテートジルコニウム、ジ-i-プロポキシビスエチルアセトアセテートジルコニウム、ジ-n-ブトキシビスエチルアセトアセテートジルコニウム、ジ-sec-ブトキシビスエチルアセトアセテートジルコニウム、ジ-t-ブトキシビスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノエトキシトリスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノ-n-プロポキシトリスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノ-i-プロポキシトリスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノ-n-ブトキシトリスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノ-sec-ブトキシトリスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノ-t-ブトキシトリスエチルアセトアセテートジルコニウム、テトラキスエチルアセトアセテートジルコニウム、モノアセチルアセトナートトリスエチルアセトアセテートジルコニウム、ビスアセチルアセトナートビスエチルアセトアセテートジルコニウム、トリスアセチルアセトナートモノエチルアセトアセテートジルコニウム等のジルコニウムキレート化合物;トリスアセチルアセトナートアルミニウム、トリスエチルアセトアセテートアルミニウム等のアルミニウムキレート化合物;などを挙げることができる。加水分解触媒としての有機酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、2-エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p-アミノ安息香酸、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができる。加水分解触媒としての無機酸としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸等を挙げることができる。加水分解触媒としての有機塩基としては、例えばピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド等を挙げることができる。無機塩基としては、例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等を挙げることができる。これら加水分解触媒の中でも、金属キレート化合物、有機酸、無機酸が好ましく、また、これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。加水分解に用いられる有機溶媒としては、例えばn-ペンタン、i-ペンタン、n-ヘキサン、i-ヘキサン、n-ヘプタン、i-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、i-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンセン、i-プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、i-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-i-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-i-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-i-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン等のケトン系溶媒;エチルエーテル、i-プロピルエーテル、n-ブチルエーテル、n-ヘキシルエーテル、2-エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、1,2-プロピレンオキシド、ジオキソラン、4-メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒;ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等のエステル系溶媒;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等の含窒素系溶媒;硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、1,3-プロパンスルトン等の含硫黄系溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は1種又は2種以上の組み合わせで用いることができる。これらの中でも、特に、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-i-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-i-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン等のケトン系溶媒が溶液の保存安定性の点で好ましい。溶剤本発明のレジスト下層膜形成組成物に使用される溶剤としては、前記のI成分:含フッ素高分岐ポリマー、II成分:ケイ素含有化合物、並びに後述の硬化触媒等のその他成分を溶解できる溶剤であれば、特に制限なく使用することができる。そのような溶剤としては、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、メチルイソブチルカルビノール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエテルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸ブチル、酪酸イソブチル、3-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メトキシプロピルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、及びγ-ブチロラクトン等を挙げることができる。これらの溶剤は単独で、又は二種以上の組み合わせで使用することができる。硬化触媒本発明のレジスト下層膜形成組成物は、さらに硬化触媒を含有することができる。硬化触媒は、加水分解縮合物からなるポリオルガノシロキサンを含有する塗布膜を加熱し硬化させる時に硬化を促進させる働きをする。硬化触媒としては、アンモニウム塩、ホスフィン類、ホスホニウム塩、スルホニウム塩を用いることができる。アンモニウム塩としては、式F-1~式F-5で表される第4級アンモニウム塩、及び下記式F-6で表される第3級アンモニウム塩を挙げることができる。式中、pは2~11の整数を表し、qは2~3の整数を表し、R21はアルキル基又はアリール基を表し、Zは陰イオンを示す。式中、R22、R23、R24及びR25は、それぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Nは窒素原子を表し、Zは陰イオンを表し、なおR22、R23、R24、及びR25はそれぞれ式中の窒素原子とそれぞれC-N結合により結合されている。式中、R26及びR27はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Zは陰イオンを表す。式中、R28はアルキル基又はアリール基を表し、Zは陰イオンを表す。式中、R29及びR30はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Zは陰イオンを表す。式中、rは2~11の整数を表し、sは2~3の整数を表し、Hは水素原子を表す、Zは陰イオンを表す。また、前記ホスホニウム塩としては、下記式F-7で表される第4級ホスホニウム塩が挙げられる。式中、R31、R32、R33、及びR34はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Pはリン原子を表す、Zは陰イオンを表し、なおR31、R32、R33、及びR34は式中のリン原子とそれぞれC-P結合により結合されている。また、前記スルホニウム塩としては、下記式F-8で表される第4級スルホニウム塩が挙げられる。式中、R35、R36、及びR37はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Sは硫黄原子を表し、Zは陰イオンを表し、なおR35、R36、及びR37は式中の硫黄原子とそれぞれC-S結合により結合されている。上記の式F-1で表される化合物は、アミンから誘導される第4級アンモニウム塩であり、式中のR21は炭素原子数1~18、好ましくは2~10のアルキル基、又はアリール基を表し、例えば、エチル基、プロピル基、ブチル基等の直鎖アルキル基や、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基等の分岐状環状のアルキル基、ベンジル基等のアリール基、またジシクロペンタジエニル基等が挙げられる。また陰イオンZは、塩素イオンCl、臭素イオンBr、ヨウ素イオンI等のハロゲンイオンや、カルボキシラート-COO、スルホナート-SO3、アルコラート-O等のアニオン性基を含むイオンを挙げることが出来る。上記の式F-2で表される化合物は、アミンから誘導される第4級アンモニウム塩であり、式中のR22、R23、R24及びR25は、それぞれ独立して炭素原子数1~18のアルキル基、アリール基、又はSi-C結合によりケイ素原子と結合しているシラン化合物を表す。これらアルキル基、アリール基、並びに陰イオンZの具体例としては、上記式F-1で挙げたものを挙げることができる。上記式F-2で表される第4級アンモニウム塩は、市販品として入手する事が可能であり、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラブチルアンモニウムアセテート、塩化トリエチルベンジルアンモニウム、臭化トリエチルベンジルアンモニウム、塩化トリオクチルメチルアンモニウム、塩化トリブチルベンジルアンモニウム、塩化トリメチルベンジルアンモニウム等が例示される。上記の式F-3で表される化合物は、1-置換イミダゾールから誘導される第4級アンモニウム塩であり、式中のR26及びR27は、それぞれ独立して炭素原子数1~18であり、R26及びR27の炭素原子数の総和が7以上で有ることが好ましい。例えばR26はメチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基、ベンジル基等を、R27はベンジル基、オクチル基、オクタデシル基等を例示する事が出来る。陰イオンZの具体例としては、上記式F-1で挙げたものを挙げることができる。上記式F-3で表される化合物は、市販品で入手する事も可能であり、或いは、例えば1-メチルイミダゾール、1-ベンジルイミダゾール等のイミダゾール系化合物と、臭化ベンジル、臭化メチル等のハロゲン化アルキルやハロゲン化アリールを反応させて製造する事ができる。上記の式F-4で表される化合物は、ピリジンから誘導される第4級アンモニウム塩であり、式中のR28は炭素原子数1~18、好ましくは炭素原子数4~18のアルキル基又はアリール基を表し、例えばブチル基、オクチル基、ベンジル基、ラウリル基等を例示する事が出来る。陰イオンZの具体例としては、上記式F-1で挙げたものを挙げることができる。上記式F-4で表される化合物は、市販品として入手する事も可能であり、或いは、、例えばピリジンと、塩化ラウリル、塩化ベンジル、臭化ベンジル、臭化メチル、臭化オクチル等のハロゲン化アルキル、又はハロゲン化アリールを反応させて製造する事が出来る。上記化合物は例えば、塩化N-ラウリルピリジニウム、臭化N-ベンジルピリジニウム等を例示する事が出来る。上記の式F-5で表される化合物は、ピコリンメチルピリジン等に代表される置換ピリジンから誘導される第4級アンモニウム塩である。式中のR29は炭素原子数1~18、好ましくは4~18のアルキル基又はアリール基を表し、例えばメチル基、オクチル基、ラウリル基、ベンジル基等を例示する事が出来る。またR30は炭素原子数1~18のアルキル基又はアリール基を表し、例えばピコリンから誘導される第4級アンモニウムである場合はR30はメチル基である。陰イオンZの具体例としては、上記式F-1で挙げたものを挙げることができる。上記F-5で表されるこの化合物は市販品として入手する事も可能であり、或いは、例えばピコリン等の置換ピリジンと、臭化メチル、臭化オクチル、塩化ラウリル、塩化ベンジル、臭化ベンジル等のハロゲン化アルキル、又はハロゲン化アリールを反応させて製造する事が出来る。上記化合物は例えば、N-ベンジルピコリニウムクロリド、N-ベンジルピコリニウムブロミド、N-ラウリルピコリニウムクロリド等を例示することが出来る。上記の式F-6で表される化合物は、アミンから誘導される第3級アンモニウム塩であり、式中の陰イオンZの具体例としては、上記式F-1で挙げたものを挙げることができる。上記式F-6で表される化合物は、例えばアミンとカルボン酸やフェノール等の弱酸との反応によって製造する事が出来る。カルボン酸としてはギ酸や酢酸が挙げられ、ギ酸を使用した場合は、陰イオンZはHCOOであり、酢酸を使用した場合は、陰イオンZはCH3COOとなる。またフェノールを使用した場合は、陰イオンZはC6H5Oとなる。上記の式F-7で表される化合物において、式中のR31、R32、R33、及びR34はそれぞれ独立して炭素原子数1~18のアルキル基又はアリール基、又はSi-C結合によりケイ素原子と結合しているシラン化合物を表す。好ましくはR31~R34の4つの基の内で3つがフェニル基又は置換されたフェニル基であり、例えばフェニル基やトリル基を例示する事が出来、また残りの1つは炭素原子数1~18のアルキル基、アリール基、又はSi-C結合によりケイ素原子と結合しているシラン化合物である。陰イオンZの具体例としては、上記式F-1で挙げたものを挙げることができる。上記式F-7で表される化合物は市販品として入手する事が可能であり、例えばハロゲン化テトラn-ブチルホスホニウム、ハロゲン化テトラn-プロピルホスホニウム等のハロゲン化テトラアルキルホスホニウム、ハロゲン化トリエチルベンジルホスホニウム等のハロゲン化トリアルキルベンジルホスホニウム、ハロゲン化トリフェニルメチルホスホニウム、ハロゲン化トリフェニルエチルホスホニウム等のハロゲン化トリフェニルモノアルキルホスホニウム、ハロゲン化トリフェニルベンジルホスホニウム等のハロゲン化取りフェニルモノアリールホスホニウム:ハロゲン化テトラフェニルホスホニウム;ハロゲン化トリトリルモノフェニルホスホニウム等のハロゲン化トリトリルモノアリールホスホニウム、或いはハロゲン化トリトリルモノメチルホスホニウム等のハロゲン化トリトリルモノアルキルホスホニウム等以上、ハロゲン原子は塩素原子又は臭素原子が挙げられる。特に、ハロゲン化トリフェニルメチルホスホニウム、ハロゲン化トリフェニルエチルホスホニウム等のハロゲン化トリフェニルモノアルキルホスホニウム、ハロゲン化トリフェニルベンジルホスホニウム等のハロゲン化トリフェニルモノアリールホスホニウム;ハロゲン化トリトリルモノフェニルホスホニウム等のハロゲン化トリトリルモノアリールホスホニウム;ハロゲン化トリトリルモノメチルホスホニウム等のハロゲン化トリトリルモノアルキルホスホニウム以上、ハロゲン原子は塩素原子又は臭素原子が好ましい。また、ホスフィン類としては、メチルホスフィン、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、イソプロピルホスフィン、イソブチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第一ホスフィン、ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジイソプロピルホスフィン、ジイソアミルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第二ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン等の第三ホスフィン等が挙げられる。上記の式F-8で表される化合物において、式中のR35、R36、及びR37は、それぞれ独立して炭素原子数1~18のアルキル基又はアリール基を表し、、好ましくはR35~R37の3つの置換基の内で2つがフェニル基又は置換されたフェニル基であり、例えばフェニル基やトリル基を例示する事が出来、また残りの1つは炭素原子数1~18のアルキル基、又はアリール基である。陰イオンZの具体例としては、上記式F-1で挙げたものを挙げることができる。上記式F-8で表される化合物は市販品として入手する事が可能であり、例えばハロゲン化トリn-ブチルスルホニウム、ハロゲン化トリn-プロピルスルホニウム等のハロゲン化トリアルキルスルホニウム;ハロゲン化ジエチルベンジルスルホニウム等のハロゲン化ジアルキルベンジルスルホニウム;ハロゲン化ジフェニルメチルスルホニウム、ハロゲン化ジフェニルエチルスルホニウム等のハロゲン化ジフェニルモノアルキルスルホニウム;ハロゲン化トリフェニルスルホニウム等以上、ハロゲン原子は塩素原子又は臭素原子;トリn-ブチルスルホニウムカルボキシラート、トリn-プロピルスルホニウムカルボキシラート等のトリアルキルホスフォニウムカルボキシラート;ジエチルベンジルスルホニウムカルボキシラート等のジアルキルベンジルスルホニウムカルボキシラート;ジフェニルメチルスルホニウムカルボキシラート、ジフェニルエチルスルホニウムカルボキシラート等のジフェニルモノアルキルスルホニウムカルボキシラート;トリフェニルスルホニウムカルボキシラート等が挙げられる。特に、ハロゲン化トリフェニルスルホニウム、トリフェニルスルホニウムカルボキシラートが好ましい。これら硬化触媒を配合する場合、その添加量は、前述の加水分解縮合物からなるポリオルガノシロキサン100質量部に対して、0.01~10質量部、又は0.01~5質量部、又は0.01~3質量部である。有機酸、水、アルコールまた本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物においてその安定化のために有機酸、水、アルコール、又はそれらの2種以上の組み合わせを添加することができる。上記有機酸としては、例えばシュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、コハク酸、マレイン酸、リンゴ酸、酒石酸、フタル酸、クエン酸、グルタル酸、乳酸、サリチル酸等が挙げられる。中でも、シュウ酸、マレイン酸等が好ましい。有機酸を添加する場合、その添加量は前述の加水分解縮合物ポリオルガノシロキサン100質量部に対して0.1~5.0質量部である。また添加する水としては、純水、超純水、イオン交換水等を用いることができ、その添加量はレジスト下層膜形成組成物100質量部に対して1~20質量部とすることができる。また添加するアルコールとしては、塗布後の加熱により飛散しやすいものが好ましく、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等が挙げられる。その添加量は、レジスト下層膜形成組成物100質量部に対して1~20質量部とすることができる。本発明のリソグラフィー用下層膜形成組成物は、上記の成分の他、必要に応じて有機ポリマー化合物、光酸発生剤及び界面活性剤等を含むことができる。有機ポリマー化合物有機ポリマー化合物を使用することにより、本発明のリソグラフィー用下層膜形成組成物から形成されるレジスト下層膜のドライエッチング速度単位時間当たりの膜厚の減少量、減衰係数及び屈折率等を調整することができる。有機ポリマー化合物としては特に制限はなく、種々の有機ポリマーを使用することができ、例えば、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ポリビニルエーテル、フェノールノボラック、ナフトールノボラック、ポリエーテル、ポリアミド、ポリカーボネート等の付加重合ポリマー及び縮重合ポリマーを使用することができる。なお有機ポリマー化合物にヒドロキシ基が含有されている場合は、このヒドロキシ基はポリオルガノシロキサンと架橋反応を形成することができる。有機ポリマー化合物として付加重合ポリマーが使用される場合、そのポリマー化合物は単独重合体、共重合体のいずれであってもよい。付加重合ポリマーの製造には付加重合性モノマーが使用される。そのような付加重合性モノマーとしてはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、アクリルアミド化合物、メタクリルアミド化合物、ビニル化合物、スチレン化合物、マレイミド化合物、マレイン酸無水物、アクリロニトリル等が挙げられる。アクリル酸エステル化合物としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ノルマルヘキシルアクリレート、イソプロピルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェニルアクリレート、ナフチルアクリレート、アントリルメチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、3-クロロ-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,2-トリクロロエチルアクリレート、2-ブロモエチルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレート、2-メトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、2-メチル-2-アダマンチルアクリレート、5-アクリロイルオキシ-6-ヒドロキシノルボルネン-2-カルボキシリック-6-ラクトン、3-アクリロキシプロピルトリエトキシシラン及びグリシジルアクリレート等が挙げられる。メタクリル酸エステル化合物としては、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ノルマルヘキシルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、アントリルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタクリレート、2,2,2-トリクロロエチルメタクリレート、2-ブロモエチルメタクリレート、4-ヒドロキシブチルメタクリレート、2-メトキシエチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート、5-メタクリロイルオキシ-6-ヒドロキシノルボルネン-2-カルボキシリック-6-ラクトン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、グリシジルメタクリレート、2-フェニルエチルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメタクリレート及びブロモフェニルメタクリレート等が挙げられる。アクリルアミド化合物としては、アクリルアミド、N-メチルアクリルアミド、N-エチルアクリルアミド、N-ベンジルアクリルアミド、N-フェニルアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド及びN-アントリルアクリルアミド等が挙げられる。メタクリルアミド化合物、メタクリルアミド、N-メチルメタクリルアミド、N-エチルメタクリルアミド、N-ベンジルメタクリルアミド、N-フェニルメタクリルアミド、N,N-ジメチルメタクリルアミド及びN-アントリルアクリルアミド等が挙げられる。ビニル化合物としては、ビニルアルコール、2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ビニル酢酸、ビニルトリメトキシシラン、2-クロロエチルビニルエーテル、2-メトキシエチルビニルエーテル、ビニルナフタレン及びビニルアントラセン等が挙げられる。スチレン化合物としては、スチレン、ヒドロキシスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、メトキシスチレン、シアノスチレン及びアセチルスチレン等が挙げられる。マレイミド化合物としては、マレイミド、N-メチルマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミド及びN-ヒドロキシエチルマレイミド等が挙げられる。ポリマーとして縮重合ポリマーが使用される場合、そのようなポリマーとしては、例えば、グリコール化合物とジカルボン酸化合物との縮重合ポリマーが挙げられる。グリコール化合物としてはジエチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、ブチレングリコール等が挙げられる。ジカルボン酸化合物としては、コハク酸、アジピン酸、テレフタル酸、無水マレイン酸等が挙げられる。また重縮合ポリマーとしては、例えば、ポリピロメリットイミド、ポリp-フェニレンテレフタルアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、或いはフェノールノボラックやナフトールノボラック等も挙げられる。中でも、吸光部位として機能するベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリアジン環、キノリン環、及びキノキサリン環等の芳香環構造を有する有機ポリマーが好ましく使用される。そのような有機ポリマー化合物としては、例えば、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルアクリレート、ナフチルアクリレート、アントリルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、スチレン、ヒドロキシスチレン、ベンジルビニルエーテル及びN-フェニルマレイミド等の付加重合性モノマーをその構造単位として含む付加重合ポリマーや、フェノールノボラック及びナフトールノボラック等の縮重合ポリマーが挙げられる。上記有機ポリマー化合物としては、重量平均分子量が、例えば1,000~1,000,000であり、又は3,000~300,000であり、又は5,000~200,000であり、又は10,000~100,000であるポリマー化合物を使用することができる。有機ポリマー化合物は一種のみを使用することができ、又は二種以上を組み合わせて使用することができる。有機ポリマー化合物が使用される場合、その割合としては、前記加水分解縮合物ポリオルガノシロキサン100質量部に対して、1~200質量部、又は5~100質量部、又は10~50質量部、又は20~30質量部である。酸発生剤本発明のレジスト下層膜形成組成物では酸発生剤を含有することができる。酸発生剤としては、熱酸発生剤や光酸発生剤が挙げられ、本発明では光酸発生剤の使用が好ましい。光酸発生剤は、レジストの露光時に酸を生ずることから、下層膜の酸性度の調整ができ、すなわち光酸発生剤の添加は、下層膜の酸性度を上層のレジストとの酸性度に合わせるための一方法である。また、下層膜の酸性度の調整によって、上層に形成されるレジストのパターン形状の調整も可能となる。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる光酸発生剤としては、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、及びジスルホニルジアゾメタン化合物等が挙げられる。オニウム塩化合物としてはジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフエート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート及びビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩化合物、及びトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩化合物等が挙げられる。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-カンファースルホニルオキシスクシンイミド及びN-トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタルイミド等が挙げられる。ジスルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、ビストリフルオロメチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルベンゼンスルホニルジアゾメタン、及びメチルスルホニル-p-トルエンスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。光酸発生剤は一種のみを使用することができ、又は二種以上を組み合わせて使用することができる。光酸発生剤を使用する場合、その割合としては、上記加水分解縮合物ポリオルガノシロキサン100質量部に対して、0.01~5質量部、又は0.1~3質量部、又は0.5~1質量部である。また、本発明のレジスト下層膜形成組成物には、レオロジー調整剤及び接着補助剤等を添加することができる。レオロジー調整剤は、下層膜形成組成物の流動性を向上させるのに有効である。接着補助剤は、半導体基板又はレジストと下層膜の密着性を向上させるのに有効である。[半導体装置の製造方法]本発明のレジスト下層膜形成組成物を用いた半導体装置の製造方法は、本発明のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成して、レジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像し、レジストパターンを得る工程、レジストパターン様にレジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト膜及びレジスト下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む。こうした本発明のレジストの下層膜形成組成物を用いた半導体装置の製造方法も本発明の対象である。以下各工程に沿って詳述する。半導体装置の製造に使用される基板としては、例えば、シリコンウエハー基板、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンナイトライド基板、ガラス基板、ITO基板、ポリイミド基板、及び低誘電率材料low-k材料被覆基板等が挙げられる。この基板上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物を塗布し、その後、焼成することによりレジスト下層膜が形成される。焼成する条件としては、焼成温度80°C~250°C、焼成時間0.3~60分間の中から適宜、選択される。好ましくは、焼成温度150°C~250°C、焼成時間0.5~2分間である。ここで、形成される下層膜の膜厚としては、例えば、10~1000nmであり、又は20~500nmであり、又は50~300nmであり、又は100~200nmである。なお本発明のレジストの下層膜形成組成物を用いて得られるレジスト下層膜も本発明の対象である。次いでそのレジスト下層膜の上に、例えばフォトレジスト等のレジスト層膜を形成する。レジスト層の形成は、周知の方法、すなわち、レジスト組成物溶液のレジスト下層膜上への塗布及び焼成によって行なうことができる。レジスト層の膜厚としては例えば50~10,000nmであり、又は100~2,000nmであり、又は200~1,000nmである。本発明のレジスト下層膜の上に形成されるフォトレジストとしては、露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はない。ネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストのいずれも使用できる。例えば、ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、及び酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジストなどが挙げられる。具体例としては、シプレー社製商品名APEX-E、住友化学工業株製商品名PAR710、及び信越化学工業株製商品名R430等が挙げられる。また、例えば、Proc.SPIE,Vol.3999,330-3342000、Proc.SPIE,Vol.3999,357-3642000、やProc.SPIE,Vol.3999,365-3742000に記載されているような、含フッ素原子ポリマー系フォトレジストを挙げることができる。また、本発明ではレジストとしてフォトレジストに替えて電子線リソグラフィー用レジストを用いることができる。電子線レジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用できる。例えば、電子線によって分解してアルカリ溶解速度を変化させる基を有するバインダーからなる非化学増幅型レジスト、電子線によって切断されアルカリ溶解速度を変化させる部位を有するバインダーからなる非化学増幅型レジストなどがある。次に、所定のマスクを通して露光を行なう。露光には、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm及びF2エキシマレーザー波長157nm等を使用することができる。露光後、必要に応じて露光後加熱postexposurebakeを行なうこともできる。露光後加熱は、加熱温度70°C~150°C、加熱時間0.3~10分間から適宜、選択された条件で行われる。また、前述の電子線レジストを用いた場合においても、照射源を電子線とすることにより、フォトレジストを用いた場合と同様にレジストパターンを形成することができる。次いで、現像液によって現像が行なわれる。これにより、例えばポジ型レジストが使用された場合は、露光された部分のフォトレジストが除去され、レジストのパターンが形成される。現像液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液等のアルカリ性水溶液を例として挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、温度5~50°C、時間10~600秒から適宜選択される。そして、このようにして形成されたフォトレジスト膜上層のパターンを保護膜として本発明のレジスト下層膜中間層のエッチング除去を実施する。次いでパターン化されたフォトレジスト及び本発明のレジスト下層膜中間層からなる膜を保護膜として、半導体基板の加工を行なう。まず、フォトレジストが除去された部分の本発明のレジスト下層膜中間層をドライエッチングによって取り除き、半導体基板を露出させる。本発明のレジスト下層膜のドライエッチングには、テトラフルオロメタンCF4、パーフルオロシクロブタンC4F8、パーフルオロプロパンC3F8、トリフルオロメタンCHCF3、ジフルオロメタンCH2F2、一酸化炭素、アルゴン、酸素、窒素、六フッ化硫黄、ジフルオロメタン、三フッ化窒素及び三フッ化塩素、塩素、トリクロロボラン及びジクロロボラン等のガスを使用することができる。なかでも、ハロゲン系ガスによるドライエッチングでは、基本的に有機物質からなるフォトレジストは除去されにくく、それに対し、ケイ素原子を多く含む下層膜はハロゲン系ガスによって速やかに除去されことから、本発明のレジスト下層膜のドライエッチングにはハロゲン系ガスを使用することが好ましい。これにより、レジスト下層膜のドライエッチングに伴うフォトレジストの膜厚の減少を抑えることができ、その結果、フォトレジストを薄膜で使用することが可能となる。本発明のレジスト下層膜のドライエッチングには、特にフッ素系ガスを用いることが好ましく、フッ素系ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタンCF4、パーフルオロシクロブタンC4F8、パーフルオロプロパンC3F8、トリフルオロメタンCHCF3、及びジフルオロメタンCH2F2等が挙げられる。その後、パターン化されたフォトレジスト及び本発明のレジスト下層膜からなる膜を保護膜として、半導体基板の加工が行う。半導体基板の加工はフッ素系ガスによるドライエッチングによって行なわれることが好ましい。フッ素系ガスとしては、例えば、テトラフルオロメタンCF4、パーフルオロシクロブタンC4F8、パーフルオロプロパンC3F8、トリフルオロメタンCHCF3、及びジフルオロメタンCH2F2等が挙げられる。また本発明では、基板上に有機下層膜を形成した後、この上に本発明のレジスト下層膜を成膜し、更にその上にフォトレジストを被覆することができる。すなわち、本発明の別の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に有機下層膜を形成する工程、その上に本発明のレジスト下層膜形成組成物を塗布し焼成して、レジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像し、レジストパターンを得る工程、レジストパターン様にレジスト下層膜をエッチングする工程、パターン化されたレジスト下層膜のパターン様に有機下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された有機下層膜のパターン様に半導体基板を加工する工程を含むものである。上記有機下層膜は、下層膜やレジスト膜と同様の手順を用いて成膜可能である。そして有機下層膜のエッチングにあたっては、ケイ素原子を多く含む本発明のレジスト下層膜は、酸素系ガスによるドライエッチングでは除去されにくい点を考慮し、有機下層膜下層を酸素系ガスによるドライエッチングによって行なうことが好ましい。最後に、パターン化されたレジスト膜上層、レジスト下層膜中間層及び有機下層膜下層を保護膜として、半導体基板の加工を行なう。本発明において、基板の上に有機下層膜を形成することにより、フォトレジストのパターン幅を狭くすることができ、パターン倒れを防ぐ為にフォトレジストを薄く被覆した場合でも、適切なエッチングガスを選択することにより基板の加工が可能になる。すなわち、本発明のレジスト下層膜形成組成物より形成されたレジスト下層膜には、フォトレジストに対して十分に早いエッチング速度を有するフッ素系ガスをエッチングガスとして用い、有機下層膜には、また本発明のレジスト下層膜に対して十分に早いエッチング速度を有する酸素系ガスをエッチングガスとして用い、更に、基板には、有機下層膜に対して十分に早いエッチング速度を有するフッ素系ガスをエッチングガスとして用いることにより、レジスト下層膜、有機下層膜そして基板をそれぞれ選択的に加工することが可能である。また、本発明においてレジスト下層膜の上層には、フォトレジストの形成前に、有機系の反射防止膜を形成することができる。そこで使用される反射防止膜形成組成物としては特に制限はなく、これまでリソグラフィープロセスにおいて慣用されているものの中から任意に選択して使用することができ、また、慣用されている方法、例えば、スピナー、コーターによる塗布及び焼成によって反射防止膜の形成を行なうことができる。また、本発明のレジスト下層膜形成組成物を塗布する基板は、その表面にCVD法などで形成された有機系又は無機系の反射防止膜を有するものであってもよく、その上に本発明のレジスト下層膜を形成することもできる。本発明のレジスト下層膜形成組成物より形成されるレジスト下層膜はまた、リソグラフィープロセスにおいて使用される光の波長によっては、その光に対する吸収を有し得る。そのため、そのような場合には、基板からの反射光を防止する効果を有する反射防止膜として機能することができる。さらに、本発明のレジスト下層膜は、基板とフォトレジストとの相互作用の防止するための層、フォトレジストに用いられる材料又はフォトレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する層、加熱焼成時に基板から生成する物質の上層フォトレジストへの拡散を防ぐ機能を有する層、及び半導体基板誘電体層によるフォトレジスト層のポイズニング効果を減少させるためのバリア層等として使用することも可能である。また、本発明のレジスト下層膜形成組成物より形成されるレジスト下層膜は、デュアルダマシンプロセスで用いられるビアホールが形成された基板に適用され、ホールを隙間なく充填することができる埋め込み材として使用できる。また、凹凸のある半導体基板の表面を平坦化するための平坦化材として使用することもできる。以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。略語は以下の意味を表す。MAIB:2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル大塚化学株製、製品名:MAIBC6FA:2-パーフルオロヘキシルエチルアクリレートダイキン化成品販売株製、製品名:R-1620TESMA:3-メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン信越シリコーン株製、製品名:KBE-503EGDMA:エチレングリコールジメタクリレート新中村化学工業株製、製品名:1GGBLMA:α-メタクリロキシ-γ-ブチロラクトン大阪有機化学工業株製THF:テトラヒドロフラン合成例1:含フッ素高分岐ポリマー1Fポリマー1の合成反応フラスコに、トルエン16gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込み、内液が還流するまでおよそ温度110°C加熱した。別の4つ口フラスコに、MAIB1.2g5mmol、C6FA2.1g5mmol、TESMA1.5g5mmol、EGDMA2.0g10mmol及びトルエン16gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込み窒素置換を行い、氷浴にて0°Cまで冷却を行った。前述の加熱還流下のトルエン中に、EGDMA、C6FA、TESMA及びMAIBが仕込まれたトルエン溶液を、滴下ポンプを用いて30分間かけて滴下した。滴下終了後、1時間熟成させた。次に、この反応液からロータリーエバポレーターを用いてトルエン28gを留去後、この反応液をヘキサン198gに添加してポリマーをスラリー状態で沈殿させた。沈殿物を減圧濾取し、真空乾燥することで目的の高分岐のFポリマー13.4gを白色粉末にて得た。また、目的物のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは18,000、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は2.2であった。合成例2:含フッ素高分岐ポリマー2Fポリマー2の合成反応フラスコに、トルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込んだ後、内温が還流するまで湯浴温度110°C以上加熱した。別の4つ口フラスコに、MAIB2.3g10mmol、C6FA4.2g10mmol、TESMA2.9g10mmol、GBLMA1.0g6mmol、EGDMA4.0g20mmol及びトルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込み、窒素置換を行いながら、氷浴にて5°Cまで冷却を行った。前述の加熱還流下のトルエン中に、C6FA、TESMA、GBLMA、EGDMA及びMAIBが仕込まれたトルエン溶液を、滴下ポンプを用いて30分かけて滴下した。滴下終了後、1時間加熱還流を行った。続いて、この反応混合物から溶媒を減圧留去し、THF23gを加え溶媒置換した後、へキサン277gより再沈殿を行った。沈殿物を減圧濾取し、真空乾燥することで目的の高分岐のFポリマー25.8gを白色粉末にて得た。また、目的物のGPCによるポリスチレン換算で測定される平均分子量Mwは14,000、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は2.1であった。合成例3:含フッ素高分岐ポリマー3Fポリマー3の合成反応フラスコに、トルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込んだ後、内温が還流するまで湯浴温度110°C以上加熱した。別の4つ口フラスコに、MAIB2.3g10mmol、C6FA4.2g10mmol、TESMA2.9g10mmol、GBLMA1.7g10mmol、EGDMA4.0g20mmol及びトルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込み、窒素置換を行いながら、氷浴にて5°Cまで冷却を行った。前述の加熱還流下のトルエン中に、C6FA、TESMA、GBLMA、EGDMA及びMAIBが仕込まれたトルエン溶液を、滴下ポンプを用いて30分かけて滴下した。滴下終了後、1時間加熱還流を行った。続いて、この反応混合物から溶媒を減圧留去し、THF20gを加え溶媒置換した後、へキサン277gより再沈殿を行った。沈殿物を減圧濾取し、真空乾燥することで目的の高分岐のFポリマー311gを白色粉末にて得た。また、目的物のGPCによるポリスチレン換算で測定される平均分子量Mw13,0000、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は2.3であった。合成例4:含フッ素高分岐ポリマー4Fポリマー4の合成反応フラスコに、トルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込んだ後、内温が還流するまで湯浴温度110°C以上加熱した。別の4つ口フラスコに、MAIB2.3g10mmol、C6FA4.2g10mmol、TESMA2.9g10mmol、GBLMA2.4g14mmol、EGDMA4.0g20mmol及びトルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込み、窒素置換を行いながら、氷浴にて5°Cまで冷却を行った。前述の加熱還流下のトルエン中に、C6FA、TESMA、GBLMA、EGDMA及びMAIBが仕込まれたトルエン溶液を、滴下ポンプを用いて30分かけて滴下した。滴下終了後、1時間加熱還流を行った。続いて、この反応混合物から溶媒を減圧留去し、THF15gを加え溶媒置換した後、へキサン277gより再沈殿を行った。沈殿物を減圧濾取し、真空乾燥することで目的の高分岐のFポリマー412gを白色粉末にて得た。また、目的物のGPCによるポリスチレン換算で測定される平均分子量Mwは16,000、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は3.5であった。合成例5:含フッ素高分岐ポリマー5Fポリマー5の合成反応フラスコに、トルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込んだ後、内液が還流するまでおよそ温度110°C加熱した。別の4つ口フラスコに、EGDMA4.0g20mmol、C6FA4.2g10mmol、MAIB2.3g10mmol及びトルエン32gを仕込み、撹拌しながら5分間窒素を流し込み、窒素置換を行い、氷浴にて0°Cまで冷却を行った。前述の加熱還流下のトルエン中、EGDMA、C6FA及びMAIBが仕込まれたトルエン溶液を、滴下ポンプを用いて、内容物を30分間かけて滴下した。滴下終了後、1時間熟成させた。次に、この反応液をヘキサン/トルエン質量比4:1277gに添加してポリマーをスラリー状態で沈殿させた。このスラリーを減圧濾過し、THF36gを用い再溶解し、このポリマーのTHF溶液をヘキサン277gに添加してポリマーをスラリー状態で再沈殿させた。沈殿物を減圧濾取し、真空乾燥することで目的の高分岐のFポリマー54.9gを白色粉末にて得た。また、目的物のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは20,000、分散度:Mw重量平均分子量/Mn数平均分子量は2.2であった。合成例6:ケイ素ポリマー1Siポリマー1の合成テトラエトキシシラン14.58g、フェニルトリメトキシシラン0.99g、メチルトリエトキシシラン4.46g、アセトン30.05gを100mLのフラスコに入れて溶解させ、得られた混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら加温し、還流させた。次に0.01Mの塩酸水溶液6.68gを混合溶液に添加した。240分反応させた後、得られた反応溶液を室温まで冷却した。その後、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20.00gを加え、反応副生物であるエタノール、水、塩酸を減圧留去し、加水分解縮合物溶液を得た。その後、加水分解縮合物溶液にプロピレングリコールジエチルエーテルを加え、最終的に、固形残物換算で15質量の加水分解縮合物溶液を得た。得られたケイ素ポリマー1Siポリマー1のGPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1,600であった。合成例7:ケイ素ポリマー2Siポリマー2の合成テトラエトキシシラン25.59g70mol、メチルトリエトキシシラン7.35g23.5mol、フェニルトリメトキシシラン1.74g5mol、4-メトキシベンジルトリメトキシシラン0.64g1.5mol、アセトン52.98gを200mLのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01mol/Lの塩酸11.70gを混合溶液に滴下した。添加後、85°Cに調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で240分反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート35gを加え、反応副生物であるエタノール、水、塩酸を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物ポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。ここにプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノエチルエーテル20/80の溶媒比率として140°Cにおける固形残物換算で15質量パーセントとなるように調整した。得られたケイ素ポリマー2Siポリマー2のGPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1,600であった。合成例8:ケイ素ポリマー3Siポリマー3の合成テトラエトキシシラン25.52g70mol、メチルトリエトキシシラン7.33g23.5mol、フェニルトリメトキシシラン1.73g5mol、4-エトキシエトキシトリメトキシシリルベンゼン0.75g1.5mol、アセトン53.27gを200mLのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01mol/Lの塩酸11.67gを混合溶液に滴下した。添加後、85°Cに調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で240分反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート35gを加え、反応副生物であるエタノール、水、塩酸を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物ポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノエチルエーテル20/80の溶媒比率として140°Cにおける固形残物換算で15質量パーセントとなるように調整した。得られたケイ素ポリマー3Siポリマー3のGPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1,600であった。合成例9:ケイ素ポリマー4Siポリマー4の合成テトラエトキシシラン24.53g70mol、メチルトリエトキシシラン7.50g25mol、3-トリエトキシシリルプロピルジアリルイソシアヌレート3.48g5mol、アセトン53.27gを200mLのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01mol/Lの塩酸11.22gを混合溶液に滴下した。添加後、85°Cに調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で240分反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート32gを加え、反応副生物であるエタノール、水、塩酸を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物ポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノエチルエーテル20/80の溶媒比率として140°Cにおける固形残物換算で15質量パーセントとなるように調整した。得られたケイ素ポリマー4Siポリマー4のGPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1,500であった。合成例10:ケイ素ポリマー5Siポリマー5の合成テトラエトキシシラン24.44g70mol、メチルトリエトキシシラン7.02g23.5mol、3-トリエトキシシリルプロピルジアリルイソシアヌレート3.47g5mol、4-メトキシベンジルトリメトキシシラン0.61g1.5mol、アセトン53.27gを200mLのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01mol/Lの塩酸11.17gを混合溶液に滴下した。添加後、85°Cに調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で240分反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート36gを加え、反応副生物であるエタノール、水、塩酸を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物ポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノエチルエーテル20/80の溶媒比率として140°Cにおける固形残物換算で15質量パーセントとなるように調整した。得られたケイ素ポリマー5Siポリマー5のGPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1,600であった。合成例11:ケイ素ポリマー6Siポリマー6の合成テトラエトキシシラン24.37g70mol、メチルトリエトキシシラン7.00g23.5mol、3-トリエトキシシリルプロピルジアリルイソシアヌレート3.46g5mol、4-エトキシエトキシトリメトキシシリルベンゼン0.72g1.5mol、アセトン53.32gを200mLのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01mol/Lの塩酸11.14gを混合溶液に滴下した。添加後、85°Cに調整されたオイルバスにフラスコを移し、加温還流下で240分反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート32gを加え、反応副生物であるエタノール、水、塩酸を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物ポリマーのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。プロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノエチルエーテル20/80の溶媒比率として140°Cにおける固形残物換算で15質量パーセントとなるように調整した。得られたケイ素ポリマー6Siポリマー6のGPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1,600であった。レジスト下層膜の調製前記合成例1乃至合成例5で得られた含フッ素高分岐ポリマー1乃至含フッ素高分岐ポリマー5Fポリマー1乃至Fポリマー5、前記合成例6乃至合成例11で得られたケイ素ポリマー1乃至ケイ素ポリマー6Siポリマー1乃至Siポリマー6、酸、硬化触媒、添加剤、溶媒、水を表1に示す割合で混合し、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、レジスト下層膜形成用組成物の溶液をそれぞれ調製した。表中で、マレイン酸をMA、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリドをBTEAC、N-3-トリエトキシシリルプロピル-4,5-ジヒドロイミダゾールをIMIDTEOS、マレイン酸モノトリフェニルスルホニウムをTPS-Male、ビスフェノールSをBPS、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートをPGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルをPGEEと略して記載した。水は超純水を用いた。各添加量は質量部で示した。耐溶剤性試験シリコンウェハー上に実施例1乃至実施例16及び比較例1乃至比較例7で調製したレジスト下層膜形成組成物をスピンコート法にて塗布し、140°Cのホットプレート上で1分間焼成させレジスト下層膜を形成した。その後、上塗りレジスト組成物の溶剤に用いられるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに一分間浸漬し、浸漬の前後でのレジスト下層膜の膜厚の変化が1nm以下である場合、良好:○と判断した。得られた結果を表2に示す。光学定数実施例1乃至実施例16及び比較例1乃至比較例7で調製したレジスト下層膜形成組成物をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間加熱し、レジスト下層膜膜厚0.09μmを形成した。そして、これらのレジスト下層膜を分光エリプソメーターJ.A.Woollam社製、VUV-VASEVU-302を用い、波長193nmでの屈折率n値及び光学吸光係数k値、減衰係数とも呼ぶを測定した。得られた結果を表3に示す。ドライエッチング速度の測定ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のとおりである。CF4ガスエッチング:エッチャーES401商品名、日本サイエンティフィック株製O2ガスエッチング:エッチャーRIE-10NR商品名、サムコ株製実施例1乃至実施例16及び比較例1乃至比較例7で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間加熱し、膜厚が0.20μmと0.04μmのレジスト下層膜をそれぞれ形成した。膜厚0.20μmのレジスト下層膜に対してエッチングガスとしてCF4ガスを用いエッチング速度を測定し、膜厚0.04μmのレジスト下層膜に対してエッチングガスとしてO2ガスを用いエッチング速度を測定した。また、同様にフォトレジスト溶液シプレー社製商品名UV113をスピナーを用い、シリコンウェハー上にそれぞれ0.20μmと0.04μmのレジスト膜を形成し、ッチングガスとしてCF4ガスレジスト膜膜厚0.20μm及びO2ガスレジスト膜膜厚0.04μmを使用してドライエッチング速度を測定した。測定したレジスト下層膜のドライエッチング速度とレジスト膜のドライエッチング速度との比較を、両者の速度比、すなわち、レジスト下層膜のドライエッチング速度/レジストのドライエッチング速度として評価した。得られた結果を表4に示す。接触角の測定レジスト下層膜の接触角について、全自動接触角計CA-W150型協和界面科学株製を用い、超純水の接触角測定を行なった。実施例1乃至実施例16及び比較例1乃至比較例7で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間加熱し、レジスト下層膜を形成し、接触角の測定を行なった膜表面の洗浄なし。また、製膜後、膜表面を1分間、OK73シンナー商品名、応化工業株製、PGME:PGMEA=7:3の容積比にて混合されたシンナーにて浸漬後、高速でスピンドライ、100°Cにて30秒間乾燥させ、その後の接触角測定を行なった膜表面の洗浄あり。得られた結果を表5に示す。EBR後の形状/エッジ盛り上がり高さHump高さの測定基板端面に付着した不要な膜を除去するEdgeBeatRinceEBR後の形状について、光学顕微鏡BX51M-34MDオリンパス株製を用い、形状評価を行なった。また、EBRの際に起こるエッジの盛り上がりの高さHump高さについて、表面形状測定装置Dektak6M株アルバック製を用い、Hump高さの測定を行なった。実施例1乃至実施例16及び比較例1乃至比較例7で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間加熱し、レジスト下層膜を形成し、EBR後の形状、Humpの高さの測定を行なった。EBR後の形状について、良好な場合を○、不良な場合を×として評価した。得られた結果を表6に示す。有機下層膜の調製200mLのフラスコにアセナフチレンを16.5g、4-ヒドロキシスチレンを1.5g、溶媒として1,2-ジクロロエタンを60g添加した。重合開始剤としてトリフルオロホウ素を1g加え、60°Cまで昇温後、24時間反応させた。この溶液にメタノール1L、水500gを加え再沈殿精製を行い、得られた白色個体をろ過後、乾燥し、白色重合体11gを得た。下記の得られたポリマー下記式に示す2種の単位構造を含むポリマーに相当するを13C-NMR、1H-NMR及びGPC測定したところ、アセナフチレン:4-ヒドロキシスチレン=86:14モル比であった。Mw:6,000、Mw/Mn=1.5であった。得られたポリマー10gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル三井サイテック株製、商品名パウダーリンク11741.0g、架橋触媒としてパラトルエンスルホン酸を0.01g、界面活性剤としてメガファックR-30大日本インキ化学工業株現:DIC株製、商品名を0.03gを加え、これらをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート101.57g、プロピレングリコールモノメチルエーテル25.39gに溶解させた。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルタを用いて濾過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルタを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液有機下層膜形成組成物を調製した。レジストパターニング評価上記のポリマーを含む有機下層膜A層形成組成物をシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で240°Cで1分間加熱し、膜厚250nmの有機下層膜A層を得た。その上に、実施例1乃至実施例16及び比較例1乃至比較例7で得られたSi含有レジスト下層膜B層組成物をそれぞれ塗布し、ホットプレート上で240°Cで1分間加熱し、膜厚40nmのSi含有レジスト下層膜B層を得た。その上に市販のフォトレジスト溶液住友化学工業株製、商品名PAR855をスピナーによりそれぞれ塗布し、ホットプレート上で100°Cにて1分間加熱し、膜厚150nmのフォトレジスト膜C層を形成した。レジストのパターニングはASML社製液浸露光機TWINSCANXT:1900Giスキャナー波長193nm、NA、σ:1.20、0.94/0.74C-quad液浸液:水を用いて行った。ターゲットは現像後にフォトレジストのライン幅及びそのライン間の幅が0.05μmである、いわゆるラインアンドスペースデンスラインであり、ライン本数が15本形成されるように設定されたマスクを通して露光を行った。その後、ホットプレート上105°Cで60秒間ベークし、冷却後、工業規格の60秒シングルパドル式工程にて2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液で現像した。また、パターン幅揺らぎLWR評価は、日立ハイテクフィールディング社製S-9380II形日立高分解能FEB測長装置にて、11点測定の平均値より算出した。LWRとは、測定部位ynでの線幅Wnをy方向のデータ数Nに対して求め、その3σ値を示したものである図1参照。LWR値は低い値が良好である。得られた結果を表8に示す。本発明において規定するフッ素含有高分岐ポリマーであるアルコキシシランを有するF系ポリマーは、ケイ素原子を主鎖に有するレジスト下層膜形成組成物に添加することで、種々特性の改善が可能となるとする結果が得られた。まず、膜表面洗浄前後の接触角測定結果を比較すると、実施例1乃至実施例16のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜では洗浄前後の接触角に変化はほとんどみられなかったが、比較例2のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜アルコキシシランを含まないFポリマー5を使用したものでは、洗浄前後で接触角に変化が生じる結果となった。これは、実施例のレジスト下層膜において、F系ポリマーにアルコキシシランが含有していると、レジスト下層膜形成組成物中のシラノールと、F系ポリマーのアルコキシシランから発生したシラノールが縮合するために、膜表面にF系ポリマーが結合しているためと予想される。また、実施例1乃至実施例16のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜は、比較例1乃至比較例7のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜に比べ、EBR後の形状とHumpの高さが大きく改善しているとする結果が得られた。さらに、実施例1乃至実施例16のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜は、比較例1乃至比較例7のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜と、リソグラフィ特性形状に関しては同等であるが、全般にLWRが改善しているとする結果が得られた。特に、極性官能基を有する実施例2~4において、大きな改善傾向が見られた。"