被誘導体内で基板を処理する処理室と、該処理室内で複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を該基板保持体の下方側から支持し前記処理室内のガスと熱交換する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられ前記処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部と、前記被誘導体の外側で該被誘導体を誘導加熱する誘導加熱部と、を有する基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記処理室内の基板保持体に保持された基板へ該基板に対し水平方向からガスを供給するガス供給部の下方側となる一部が前記第一熱交換部の水平方向側周縁に配置され、前記ガス供給部の下方側となる一部を構成するガス流通路が、前記第一熱交換部と水平方向に離間するように配置され、前記ガス供給部の下方側となる一部であって前記ガス流通路よりも前記第一熱交換部側に前記処理室内のガスと熱交換する流通路熱交換部が設けられ、前記ガス供給部の上方側となる他部を構成するガス流通路から、前記処理室内の基板保持体に保持された基板へ該基板に対し水平方向からガスを供給する基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第一熱交換部上端の高さ位置よりも前記第二熱交換部上端の高さ位置のほうが低く構成されている基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第二熱交換部は、中空筒状に形成されている基板処理装置。請求項2に記載の基板処理装置であって、前記第二熱交換部と前記流路熱交換部とで前記第一熱交換部の水平方向側周縁全域を覆うように構成されている基板処理装置。請求項5に記載の基板処理装置であって、前記第二熱交換部の水平方向内周径と前記流路熱交換部の前記第一熱交換部側の外周径とが一致している基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第二熱交換部の水平方向の厚さは、前記間隙の水平方向の大きさよりも大きく構成されている基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第二熱交換部は、鉛直方向に複数の区画された空間を成すように複数の熱交換体が積層されて形成されている基板処理装置。請求項8に記載の基板処理装置であって、前記熱交換体は、断面Uの字型に形成されており、下端面に前記空間にある雰囲気を前記空間外へ逃がす貫通孔が形成されている基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第二熱交換部は、前記基板保持体および前記第一熱交換部が、前記処理室内外へ搬入出される際にも前記処理室内に残置される基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記第一熱交換部および前記第二熱交換部よりも下方側に前記処理室内のガスを排気する排気口が設けられている基板処理装置。複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持した基板保持体を第一熱交換部により支持し被誘導体内の処理室内に搬入する搬入工程と、誘導加熱部により前記被誘導体を誘導加熱することで加熱し、前記複数枚の基板を処理するとともに、前記第一熱交換部及び該第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられた第二熱交換部が、前記処理室内のガスと熱交換する処理工程と、前記基板保持体を前記処理室内から搬出する搬出工程と、を有する半導体装置の製造方法。基板を処理する処理室と、該処理室内の基板を加熱する加熱体と、前記処理室内で複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を支持し前記処理室内のガスと熱交換する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられ前記処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部と、を有する基板処理装置。ところで、縦型の基板処理装置の処理室は、反応管とマニホールドとを上下に重ねた反応容器内に形成される。処理室の上方側に位置する反応管は通常石英で構成され、処理室の下方側に位置するマニホールドは通常金属で構成される。マニホールドを構成する各部材の耐熱温度は、基板処理温度よりも低いことが多い。基板処理温度が高いと、処理室内の基板領域からマニホールドへのふく射は強烈である。また、基板処理にはキャリアガスが必要となるため、これによる基板領域からマニホールドへの熱エネルギの輸送も膨大である。従って、基板処理装置の問題のひとつとして、マニホールドの温度上昇が挙げられる。マニホールドを構成する各部材を保護するためには、マニホールドの温度を各部材の耐熱温度以下に保つ必要がある。ところが、上述した特許文献1では、断熱効果はマニホールドへのふく射を有効に防止することは出来るものの、熱輸送については考慮されておらず、ガスは高温のままマニホールドの炉口部に放出される可能性がある。このため、炉口部の各部材の温度を耐熱温度以下に保持することが出来ない場合があり、部材の熱劣化等が生じる可能性がある。本発明の目的は、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが可能な基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明の一態様によれば、被誘導体内で基板を処理する処理室と、該処理室内で複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を該基板保持体の下方側から支持し前記処理室内のガスと熱交換する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられ前記処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部と、前記被誘導体の外側で該被誘導体を誘導加熱する誘導加熱部とを有する基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持した基板保持体が第一熱交換部に支持された被誘導体内の処理室を、誘導加熱部により前記被誘導体を誘導加熱することで加熱し、前記複数枚の基板を処理するとともに、前記第一熱交換部及び該第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられた第二熱交換部が、前記処理室内のガスと熱交換する半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。[発明の概要]既に述べた通り、処理室の全周を断熱材により覆うようにしたものでは、処理室の断熱効果が高いので、ガスは高温のまま処理室下方側に放出されることになる。このため、処理室下方側を構成する各部材の温度を耐熱温度以下に保持するのが困難であった。本発明の実施態様によれば、処理室内で基板保持体を下方側から支持する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向側周縁に該第一熱交換部と一定の間隙を成して設けられる第二熱交換部とを備え、処理室内のガスを熱交換させる。このように、処理室内のガスを熱交換させることで、高温のガスを冷却して処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが可能となる。[実施の形態]次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ここでは、基板として炭化珪素SiC基板を処理する基板処理装置について述べる。炭化珪素SiCは珪素Si、シリコンに比べエネルギバンドギャップが大きいことや、絶縁耐圧が高いことから、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。シリコンSiのエピタキシャル成長温度が900°C~1200°Cであるのに比べ、炭化珪素SiCは1500°C~1800°C程度と高いことから基板処理装置としての基板処理装置の耐熱構造に技術的な工夫が必要である。基板処理装置図4は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置10の斜視図を示す。この基板処理装置10は、バッチ式縦型基板処理装置であり、主要部が配置される筺体12を有する。基板処理装置10には、例えば、SiCからなる基板としてのウエハを収納する基板収容器としてのフープ以下、ポッドという16が、ウエハキャリアとして使用される。この筺体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されており、このポッドステージ18にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚のウエハが収納され、蓋が閉じられた状態でポッドステージ18にセットされる。筺体12内の正面側であって、ポッドステージ18に対向する位置には、ポッド搬送装置20が配置されている。また、このポッド搬送装置20の近傍には、ポッド棚22、ポッドオープナ24及び基板枚数検知器26が配置されている。ポッド棚22はポッドオープナ24の上方に配置され、ポッド16を複数個載置した状態で保持するように構成されている。基板枚数検知器26はポッドオープナ24に隣接して配置される。ポッド搬送装置20は、ポッドステージ18とポッド棚22とポッドオープナ24との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ24は、ポッド16の蓋を開けるものであり、基板枚数検知器26は蓋が開けられたポッド16内のウエハの枚数を検知する。筺体12内には、基板移載機28、基板保持体としてのボート30が配置されている。基板移載機28は、アームツイーザ32を有し、図示しない駆動手段により上下回転動作が可能な構造となっている。アーム32は、例えば5枚のウエハを取り出すことが出来、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ24の位置に置かれたポッド16及びボート30間にて、ウエハを搬送する。筺体12内の背面側上部には処理炉40が配置されている。この処理炉40内に、複数枚のウエハを装填したボート30が搬入され熱処理が行われる。処理炉次に、上述した処理炉40について説明する。図1は、処理炉40の縦断面図を示す。なお、図1においては、ガス供給部60は、カーボン系原料供給ノズル62、Si系原料供給ノズル61の2つが代表例として図示されている。処理炉40は、円筒形状の反応管42を備える。反応管42は、石英SiO2または炭化珪素SiC等の耐熱材料で構成され、上端が閉じ下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管42の内側の筒中空部には、処理室44が形成されており、ボート30によって水平に保持されたウエハが垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。反応管42は、単管構造でもよく、インナーチューブとアウターチューブとからなる二重管構造でもよい。ボート30は、処理室44内のウエハ14が熱処理されるウエハ領域基板領域43で、複数枚のウエハを鉛直方向にそれぞれが間隔を成して保持するように構成されている。ウエハは、例えば、一定間隔を隔てて保持するとよい。なお、実施の形態では、ウエハは、ウエハホルダ15に保持され、ボート30は、複数枚のウエハホルダ15を棚状に保持する。ボート30は、例えば表面をSiCコーティングしたカーボングラファイトや、炭化珪素SiC等の耐熱性1500~1800°C材料で構成され、夫々がウエハを保持している複数枚のウエハホルダ15を水平に、かつ互いの中心を揃えた状態で整列させて縦方向に多段に保持するように構成されている。ウエハホルダ15は、例えば、図2に示すように、ウエハ14の結晶成長面主面ないし表面が下向きになるように固定されるフェイスダウン方式が採用される。この方式の場合、ウエハホルダ15は、SiCコーティングされたカーボングラファイトからなるホルダ上部15aとホルダ下部15bとから構成されている。ホルダ上部15aは、例えば円板で構成されて、ウエハ14の結晶成長面と反対側の裏面を覆ってウエハ14の裏面成膜を防止するようになっている。ホルダ下部15bは、例えば内周が外周より薄く、かつ、円環状に形成され、ウエハ14を薄くなっている内周で受けて保持する。なお、ボート30には、その支柱に溝が掘られており、当該溝に、ウエハ14を保持しているウエハホルダ15が移載される。反応管42の下方には、この反応管42と同心円状にマニホールド46が配設されている。マニホールド46は、例えば、ステンレス等の金属で構成され、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このマニホールド46は反応管42を支持するように設けられている。なお、マニホールド46と反応管42との間には、シール部材としてのOリングが設けられている。このマニホールド46が図示しない保持体に支持されることにより、反応管42は垂直に据え付けられた状態となっている。この反応管42とマニホールド46により反応容器が形成される。この反応容器内に既述した処理室44が形成される。処理炉40は、基板加熱部として、例えばグラファイトで構成される被誘導体としての被加熱体48、及び交番磁束発生部としての誘導コイル50を備える。誘導コイル50は支持体としてのコイル支持柱50aによって支持される。コイル支持柱50aは、絶縁体、例えばアルミナなどのセラミック材からなる。被加熱体48は、処理室44内に配設されている。被加熱体48は、ボート30の上部、ボート30の外周、およびボート30の下部を包むように、円筒形状に形成されている。この円筒状の被加熱体48は、例えば、表面をSiCコーティングしたカーボングラファイトからなる。この被加熱体48は、反応管42の外側に設けられた誘導コイル50により発生される交番磁場によって誘導電流渦電流が流れて発熱される構成となっている。被加熱体48が発熱することにより、処理室44内のウエハ14が処理温度に加熱される。なお、誘導コイル50は、処理室44内のウエハ領域43に対応する処理室44外に配置され、処理室44内のウエハ領域43が主に加熱されるようになっている。被加熱体48の断熱領域45にある部分は、渦電流が流れず、加熱されないようになっている。ここで、断熱領域45とは、ふく射の遮断およびガスと部材との熱交換を促進させる領域である。被加熱体48の近傍には、処理室44内の温度を検出する温度検出体としての図示しない温度センサが設けられている。誘導コイル50及び温度センサには、電気的に温度制御部52図5参照が接続されており、温度センサにより検出された温度情報に基づき誘導コイル50への通電具合を調節することにより処理室44内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。被加熱体48と反応管42の間には、この被加熱体48からふく射されるふく射熱により反応管42の温度が上昇するのを防いだり、あるいはこの反応管42の外側へふく射熱が伝達したりするのを抑制する断熱材、例えばフェルト状カーボンで構成される内側断熱壁54が設けられている。内側断熱壁54は、被加熱体48の上部および外周を包むように設けられ、ボート30の上部、ボート30、およびボート30の下部からの熱が外に逃げないように断熱するようになっている。また、誘導コイル50の外側には、処理室44内の熱が外側に伝達するのを抑制するための、例えば水冷構造である外側断熱壁56が、処理室44を囲むようにして設けられている。外側断熱壁56は、例えば、水冷板56aと水冷パイプ56bとから構成され、反応管42を冷却するようになっている。さらに、外側断熱壁56の外側には、誘導コイル50により発生された交番磁界が外側に漏れるのを防止したり、外部への熱の漏洩を防止したりする筐体カバー58が設けられている。ガス供給系マニホールド46には、処理室44内にガスを流通させるガス流通路としてのガス供給ノズル61、62が貫通するようにして設けられている。ガス供給ノズル61、62は、ウエハ領域43に配置されて比較的高い耐熱性が要求されるグラファイト部61a、62aと、断熱領域45に配置されて比較的低い耐熱性で足りる石英部61a、61bとから構成されている。ガス供給ノズル61、62は、例えば、筒状に形成されている。マニホールド46を貫通したガス供給ノズル61、62には、それぞれにガスを供給するガス供給管66、69が接続されている。一方のガス供給管66は、2つに分岐した分岐管67、分岐管68にバルブ72、73とガス流量制御装置としてのMFCMassFlowController76、77を介して、例えば図示しないキャリア、炭素C源のガス供給源に、それぞれ接続されている。ガス供給管69は、2つに分岐した分岐管70、分岐管71にバルブ74、75とMFC78、79を介して、例えば図示しないキャリア、シリコンSi源のガス供給源に、それぞれ接続されている。バルブ72~75及び、MFC76~79には、ガス流量制御部80図5参照が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の流量となるよう、所望のタイミングにて制御するように構成されている。ガス供給ノズル60には、ボート30に支持されたウエハ毎にガスを噴出するための供給孔が設けられている。なお、供給孔は、数枚のウエハ単位で設けるようにすることも出来る。ガス供給ノズル61、62を含む5つのガス供給部161~165について詳細に説明する。ガス供給部161~165は、単にガス供給部160と総称することもある。図3に示すように、被加熱体48の内側に、5つのガス供給部161~165が配置されている。ガス供給部161は、シリコンSi源として、SiH4モノシランと水素キャリアの混合ガスを導入する。あるいは気相中でのシリコン核形成の抑制や結晶の品質向上を狙ってHCl塩化水素を添加したり、Cl塩素を構造中に含むSiHCl3トリクロロシラン、SiCl4テトラクロロシランなどの原料を使用したりする場合もある。ガス供給部162は、炭素C源として、例えばC2H8プロパンやC2H4エチレン等の水素炭化物と水素の混合ガスを導入する。ガス供給部164は、n型ドープ層を形成するドーパントガスとして、例えば窒素を導入する。ドーパントガスとしては、p型ドープ層を形成するホウ素又はアルミニウム化合物等を用いるようにすることも出来る。なお、これらのガス供給部161、162、164が導入するガスは、上記に限られず、目的に応じて適宜変更することが出来る。シリコン源としては、上述した以外のシリコン水素化物、シリコン塩化物又はシリコン水素塩化物等、あるいはこれらを水素又はアルゴン等で希釈したものを用いることが出来る。これら、処理室44内のウエハ14を処理エピタキシャル成長するためのガスを、以下、反応ガスと称す。また、ガス供給部165は、例えばアルゴン等の不活性ガスを導入する。また、ガス供給部163は、例えばキャリアドーパントガスとして、例えば窒素、トリメチルアルミニウムTMA、ジボランB2H6、三塩化ホウ素BCl3等を導入する。この処理炉40の構成において、ガス供給部161~165から処理室44内に導入されるガスは、図示しないガス供給源から、対応するガス供給管を通して供給され、MFCでその流量が調節された後、バルブを介して、処理室44内に導入され、ガス供給部160の供給孔からウエハ14間に噴出される。ガス排気系また、図1に示すように、マニホールド46には、ガス排気口90aに接続されたガス排気管82が貫通するようにして設けられている。ガス排気管82の下流側には、図示しない圧力検出器としての圧力センサ及び圧力調整器としてのAPCバルブ84を介して真空ポンプ等の真空排気装置86が接続されている。圧力センサ及びAPCバルブ84には、圧力制御部98図5参照が電気的に接続されており、この圧力制御部98は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてAPCバルブ84の開度を調節することにより、処理室44内の圧力が所望の圧力となるよう、所望のタイミングにて制御するように構成されている。このように、ガス供給部160の供給孔から噴出されたガスは、ガス排気口90aに向かって流れる際、水平姿勢で縦方向に多段に保持されたウエハ14間を流れるため、ガスがウエハ14に対し平行に流れ、ウエハ14全体が効率的にかつ均一にガスに晒される。処理炉の底部構造処理炉40の底部には、この処理炉40の下端開口を気密に閉塞するための炉口蓋体としてのシールキャップ102が設けられている。シールキャップ102は、例えばステンレス等の金属よりなり、円板状に形成されている。シールキャップ102の上面には、処理炉40の下端と当接するシール部材としてのOリングが設けられている。シールキャップ102には、回転機構104が設けられている。回転機構104の回転軸106はシールキャップ102を貫通してボート30に接続されており、ウエハ上のエピタキシャル層の層厚が均一となるよう処理中にこのボート30を回転させることでウエハ14を回転させるように構成されている。シールキャップ102は、処理炉40の外側に設けられた昇降機構によって垂直方向矢印に昇降されるように構成されており、これによりボート30を処理炉40に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構104及び昇降機構には、駆動制御部108図5参照が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。制御系図5は、基板処理装置10を構成する各部の制御構成を示す。温度制御部52、ガス流量制御部80、圧力制御部98、駆動制御部108は、操作部及び入出力部を構成し、基板処理装置10全体を制御する主制御部150に電気的に接続されている。これら、温度制御部52、ガス流量制御部80、圧力制御部98、駆動制御部108は、コントローラ152として構成されている。[SiCエピタキシャル層を形成する方法]次に、上述したように構成された基板処理装置10を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、SiCウエハなどの基板上に、例えばSiCエピタキシャル層を形成する方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作は、コントローラ152により制御される。まず、ポッドステージ18に複数枚のウエハ14を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置20によりポッド16をポッドステージ18からポッド棚22へ搬送し、このポッド棚22にストックする。次に、ポッド搬送装置20により、ポッド棚22にストックされたポッド16をポッドオープナ24に搬送してセットし、このポッドオープナ24によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器26によりポッド16に収容されているウエハ14の枚数を検知する。次に、基板移載機28により、ポッドオープナ24の位置にあるポッド16からウエハ14を取り出し、ボート30に移載して、複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すようにボート30に保持する。一括処理するウエハ14の枚数としては、例えば25枚~100枚である。これにより、量産性を高めることが出来る。複数枚のウエハ14がボート30に装填されると、複数枚のウエハ14を保持したボート30は、昇降機構の昇降動作矢印で示すにより被加熱体48内の処理室44へ搬入ボートローディングされる。この状態で、シールキャップ102はOリングを介してマニホールド46の下端をシールした状態となる。処理室44内が所望の圧力真空度となるように真空排気装置86によって真空排気される。この際、処理室44内の圧力は、圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づきガス排気管82に対応するAPCバルブ84がフィードバック制御される。また、被加熱体48の外側から誘導コイル50により被加熱体48を誘導加熱することで、処理室44内が所望の温度となるように加熱される。この際、処理室44内が所望の温度分布となるように温度センサが検出した温度情報に基づき誘導コイル50への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構104により、ボート30が回転されることでウエハ14が回転される。続いて、図示しないガス供給源からガス供給部160を代表して説明するガス供給ノズル61、62に反応ガスが供給される。所望の流量となるように、ガス供給ノズル61、62に対応するMFC76~79の開度が調節された後、バルブ72~75が開かれ、それぞれの反応ガスがガス供給管66~71を流通して、供給孔から、この処理室44内に導入される。ガス供給ノズル61、62から導入されたガスは、処理室44内の被加熱体48の内側を通り、主に、第一熱交換部35、第二熱交換部36との間隙33を通りガス排気管82を通り排気される。反応ガスは、処理室44内を通過する際にウエハ14と接触し、ウエハ14の表面上にSiCエピタキシャル層を成長させる。予め設定された時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室44内が不活性ガスで置換されると共に、処理室44内の圧力が常圧に復帰される。その後、昇降機構によりシールキャップ102が下降されて、マニホールド46の下端が開口されると共に、処理済ウエハ14がボート30に保持された状態でマニホールド46の下端から反応管42の外部に搬出ボートアンローディングされ、ボート30に支持された全てのウエハ14が冷えるまで、ボート30を所定位置で待機させる。次に、待機させたボート30のウエハ14が所定温度まで冷却されると、基板移載機28により、ボート30からウエハ14を取り出し、ポッドオープナ24にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。その後、ポッド搬送装置20により、ウエハ14が収容されたポッド16をポッド棚22、またはポッドステージ18に搬送する。このようにして基板処理装置10の一連の作用が完了する。断熱構造物ところで、上述したエピタキシャル成長の際、ウエハ領域43は、エピタキシャル成長温度である1500~1800°Cに保たれているが、この非常に高温の領域からの強烈なふく射熱により、マニホールド46の炉口部47の温度は上昇してしまう。また、一般に、SiCのエピタキシャル成長には大量のキャリアガスが必要となるため、これによるウエハ領域43から炉口部47への熱エネルギの輸送も膨大となることは前述した通りである。ここで炉口部47とは、マニホールド46に形成されている開口部、例えば下端開口部処理室下部開口部や、側面のガス排気口90aも含まれる。そこで、本発明の実施の形態では、炉口部47を耐熱温度以下に保つために、ウエハ領域43と炉口部47との間に断熱領域45を設ける。断熱領域45に設けられる部材は、1500~1800°Cの高温に耐え得るもので構成され例えば、カーボンなど、ここでウエハ領域43からのふく射を遮断すると同時に、高温となったキャリアガスを断熱領域に設けたれた部材と積極的に熱交換させる。これにより、ガスが炉口部47に到達する前に十分に冷やすことが出来る。前述のように、ふく射の遮断およびガスと部材との熱交換を促進させるために、本実施の形態では、断熱領域45に断熱構造物から構成された熱交換系を設けている。次に、この熱交換系について説明する。熱交換部図1に示すように、ボート30の下方には、処理室下部のシール部材の温度上昇を抑止する下部断熱手段が設けられている。この下部断熱手段は、第一の熱交換部35と第二の熱交換部36とを有する。ボート30の下部、例えば直下に第一の熱交換部35が配置されている。第一の熱交換部35は、処理室44内のウエハ領域43と炉口部47との間の断熱領域45で、ボート30を該ボート30の下方側から支持し処理室44内のガスと熱交換して、ガスの熱がマニホールド46炉口部47に伝わりにくくなるように構成されている。なお、第一の熱交換部35の下部に、さらに保温筒34が配置されている。保温筒34は、例えば、石英で構成された円板形状をした複数枚の断熱部材が積層して配置されており、後述する被誘導体としての被加熱体48からのふく射熱が処理炉40の下方側炉口部47に伝わりにくくなるよう構成されている。例えば、保温筒34は、その内部に円板形状をした複数枚の断熱部材を有し、この複数枚の断熱材で熱ふく射を多段に反射させて熱エネルギを処理室44内部に保つようになっている。なお、保温筒34は、グラファイトCや炭化珪素SiC等の耐熱性材料で構成されてもよいが、既に上部の熱交換部35、36にてガスの温度が十分低くなっているので、熱交換部35、36に対し断熱性能が高い部材例えば、石英を用いることで、耐熱性の低い回転軸等の熱劣化をより効率的に抑制出来る。また、処理室44内で第一熱交換部35の水平方向に、第一熱交換部35と間隙33を成して第二の熱交換部36が設けられている。従って、ガス供給ノズル61、62にから導入されたガスは、ウエハ領域43を通り、第一熱交換部35と第二熱交換部36との間隙を通って、排気される。このように第二熱交換部36を設けることにより、ガス流路が狭くなり、熱交換の効率を向上させることが出来、ガスの熱がマニホールド炉口部4746に伝わりにくくなるように構成されている。上述した断熱領域45に設けられた第一熱交換部35および第二熱交換部36は、ガスと第一熱交換部35および第二熱交換部36との間で熱の交換を行う熱交換器として機能するが、第一熱交換部35および第二熱交換部36を共に断熱部材で構成することで、ウエハ領域43と炉口部47とを断熱する断熱部としても機能する。本実施の形態は、一方では、ウエハ領域43と炉口部47とを断熱してウエハ領域43から出る大量の熱ふく射から炉口部47を保護する必要がある。断熱効果を高めるためには、断熱効果の高い断熱材を使用したり、断熱部の高さを鉛直方向に大きくしたりすればよい。他方では、炉口部47から排出されるガスによって、ウエハ領域43から炉口部47へ大量の熱エネルギが輸送されるのを防止する必要がある。熱エネルギの輸送を有効に阻止するためには、ガス流路が狭くなるよう、ガス流路の一部を断熱材で埋めて断熱材とガスとの熱交換をおこなわせて、ガスから熱を奪えばよい。そのために、第一熱交換部35、およびこの第一熱交換部35の水平方向側周縁に第一熱交換部35と一定の間隙を成して第二熱交換部36を設けるに際して、ガスと第一熱交換部35および第二熱交換部36との熱交換面積は大きく、ガスが通過する流路の断面積は小さくするとよい。ここで、ウエハ領域43では、ガスの流れの均一性を向上させるため、ガス流路は広いほうが望ましい。従って、本実施例では、第二熱交換部36をウエハ領域43より低い位置に設け、第一熱交換部35及び第二熱交換部36が配置される領域におけるガスの流路の水平方向の断面積が、ウエハ領域43におけるガス流路の水平方向の断面積より小さくなるように設けている。このように本実施の形態では、被誘導体としての被加熱体48内でウエハ14を処理する処理室44と、処理室44内で複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体としてのボート30と、処理室44内でボート30を支持し処理室44内のガスと熱交換する第一熱交換部35と、処理室44内で第一熱交換部35の水平方向に第一熱交換部35と間隙33を成して設けられ処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部36と、被加熱体48の外側で被加熱体48を誘導加熱する誘導加熱部としての誘導コイル50とを有する。このように構成することによって、処理室下方側の熱交換を促進することが出来、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、処理室の水平方向の大きさをウエハより十分大きく構成することが出来るため、生産性が向上するとともに、ウエハの面内及びウエハ間の熱処理均一性を向上させることが出来る。第一熱交換部35および第二熱交換部36は、例えば、中実柱状に形成することも出来るが、断熱効果の点から中空筒状に形成することが好ましい。第一熱交換部35および第二熱交換部36が中空筒状で形成される場合、中空筒はガスが流入しないような構造が好ましい。また、中空筒は、中空筒内が一つの空間をなすように、区画壁が形成されていないようにすることも出来るが、ふく射熱をより多く遮断する点から、鉛直方向に複数の区画された空間を成すように、中空筒内に複数の区画壁が形成されるようにすることが好ましい。この場合、区画壁を中空筒と一体的に形成して、第一熱交換部35または第二熱交換部36を一体的に構成することが可能である。また、第一熱交換部35または第二熱交換部36を別体で構成することも可能である。熱交換部を別体で構成する場合、鉛直方向に複数の区画された空間を成すように、複数の熱交換体を積層して第一熱交換部または第二熱交換部を構成することが可能である。熱交換体は、例えば断面四角形状や断面U字形状ないし断面コ字形状とすることが出来る。また、第一熱交換部35または第二熱交換部36が中実柱状に形成されている場合、中実柱を、複数の熱交換ブロックが鉛直方向に積層されて形成することも可能である。さらに、第一熱交換部35および第二熱交換部36は、1枚の円板または複数枚の円板で構成することも可能である。複数枚の円板で構成する場合、鉛直方向にそれぞれが間隔をなすように複数の円板が鉛直方向に積層されて形成されるように構成するとよい。第一熱交換部35と第二熱交換部36の形状の組合せは、例えばつぎの4通りが考えられる。第一の熱交換部35および第二の熱交換部36がともに中空筒状である場合、第一の熱交換部35が中空筒状または円板状のとき、第二の熱交換部36が円板状または中空筒状である場合、第一の熱交換部35および第二の熱交換部36がともに円板状である場合である。通常は、中空筒状同士、あるいは円板状同士の組合せとする。ガス供給部図3は、処理室下方側の断熱領域45の平断面図を示す。第二熱交換部36は、既に述べたように、処理室44内で第一熱交換部35の水平方向に該第一熱交換部35と間隙33を成して設けられている。第二熱交換部36は、リング状のガス流路を埋めるように断面リング状に配置される。図3に示す実施の形態では、被加熱体48と第一熱交換部35との間に形成されるリング状のガス流路の一側に5つのガス供給部161~165が集中的に配置され、ガス流路の一部を扇状に埋めている。なお、5つのガス供給部161~165を単にガス供給部160と総称することもある。このように、断熱領域45にガス供給部160が配置されている場合、第二熱交換部36は、リング状のガス流路の残りの流路を埋めるように断面逆C字形になるよう配置されることもある。この場合、第二熱交換部36は、ボート下部の第一熱交換部35の水平方向側周縁のガス供給部160を除く断熱領域45の全域を覆うように構成されている。このように、第二熱交換部36で、ボート下部の第一熱交換部35の水平方向側周縁のガス供給部160を除く全域を覆うように構成されていると、処理室下方側のガス供給部160を除く全域において熱交換を促進することが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。なお、ガス供給部160自体を第三の熱交換部とすることも可能である。熱交換上述したような構成により、半導体装置の製造方法の一工程において、複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持したボート30が第一熱交換部35に支持された被加熱体48内の処理室44を、誘導コイル50により被加熱体48を誘導加熱することで加熱し、複数枚のウエハを処理するとともに、第一熱交換部35及び第一熱交換部35の水平方向に第一熱交換部35と間隙を成して設けられた第二熱交換部36が、処理室44内のガスと熱交換することになる。このように、第一熱交換部35及び第二熱交換部36が、処理室44内のガスと熱交換すると、処理室下方側の熱交換を促進することが出来、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出BR驕Bまた、処理室44の水平方向の大きさをウエハ14より十分大きく構成することが出来るため、生産性が向上するとともに、ウエハ14の面内及びウエハ14間の熱処理均一性を向上させることが出来る。次に、処理室内のガスと熱交換する熱交換部を有する処理炉の下部構造について種々の実施の形態を説明する。[第一の実施の形態]図6に、第一の実施の形態による処理炉の下部構造の概要図を、図13にその詳細斜視断面図をそれぞれ示す。なお、図6において、ウエハホルダ15は省略し、ウエハホルダに代えてウエハ14としている。中空状熱交換部図6に示すように、ボート30の下部には、第一熱交換部35および保温筒34が配置されている。第一熱交換部35は、中空筒状の熱交換部、例えば断熱部材からなる中心断熱筒35aから構成されている。中心断熱筒35aの水平方向に中心断熱筒35aと間隙33を成して、第二熱交換部36が配置されている。第二熱交換部36は、中空筒状の熱交換部、例えば上から見て逆C字の形状をした周縁断熱筒36aから構成されている図8、図10参照。また、ガス供給部160の下方側にも、中心断熱筒35aの水平方向に中心断熱筒35aと間隙33aを成して、第三の熱交換部が配置されている。第三の熱交換部は、中空筒状の熱交換部、例えば流通路断熱筒160bから構成されている。このように、中心断熱筒35a、周縁断熱筒36aが中空筒状に形成されていると、中心断熱筒35a、周縁断熱筒36aの外壁とガスが接触する面積を増加させることが出来、熱交換をより一層促進することが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、中心断熱筒35a、周縁断熱筒36aを容易に製作することが出来る。特に、中心断熱筒35a、周縁断熱筒36aがカーボン材等で構成される場合には、加工しにくく複雑な形状を製作するのが困難であるが、中空筒状に形成されているため、容易に製作することが出来る。熱交換体の積層中空筒状の中心断熱筒35a、周縁断熱筒36a、および流通路断熱筒160bは、実施の形態によっては、鉛直方向に複数の区画された空間を成すように複数の熱交換体が積層されて形成されていることもある。このように、熱交換部が、複数の熱交換体が積層されて形成されていると、ふく射を遮断し、熱交換部の断熱能力を向上させることが出来る。また、組立てが容易であり、容易に外壁とガスが接触する面積を増加させることが出来、熱交換をより一層促進することが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、熱交換部を容易に製作することが出来る。特に、熱交換体がカーボン材等で構成される場合には、加工しにくく複雑な形状を製作するのが困難であるが、中空筒状に形成されているため、容易に製作することが出来る。断面U字型積層することによって周縁断熱筒36aを構成する熱交換体は、断面四角形のダクト型とすることも出来るが、本実施の形態では、例えば図11に示すように、上部が開口した断面Uの字型の熱交換体36bとして形成されており、下端面39に空間38にある雰囲気を前記空間38外へ逃がす貫通孔36cが形成されている。断面U字型の熱交換体36bは、中央部分が下端面39を構成するように配置され、積層される上段の熱交換体36bの下端面39が、下段の熱交換体36bの上部開口面を覆うようになっている。このように、熱交換体36bが構成されていると、例えば、熱交換体内の空間38にある雰囲気が熱膨張した場合であっても、貫通孔36cから雰囲気が排出されるので、熱交換体内外の圧力差がなくなり、熱交換体36bの破損、亀裂等の発生を抑制することが出来る。また、空間38にある雰囲気が空間38外へ出た場合でも貫通孔36cが下端面39に設けられているので、処理室内へパーティクル、汚染物等を混入させることを抑制することが出来る。なお、最上段に位置する熱交換体36bは、断面四角形のダクト型で構成し、かつ、上面に貫通孔を設けないようにすると、ガスが熱交換体36に流入しないため好ましい。また、中心断熱筒35aを構成する熱交換体は、図12に示すように、例えば有底円筒形の熱交換体35bとして形成することが出来る。有底円筒型に形成された熱交換体35bは、180度回転した姿勢、すなわち、底部分が天井面35dを構成するように配置されている。天井面35dに空間41にある雰囲気を前記空間41外へ逃がす貫通孔35cが形成されている。有底円筒型の熱交換体35bは、積層される下段の熱交換体35bの天井面35dが、上段の熱交換体35bの下部開口面を覆うようになっている。なお、最上段に位置する熱交換体35bの天井面35dには、ガスの流入を防止するため貫通孔35cを設けない方が望ましい。段差ところで、中心断熱筒35aの上端の高さ位置と周縁断熱筒36aの上端の高さ位置とを同じとすることも可能であるが、図6に示すように、中心断熱筒35aの上端の高さ位置よりも周縁断熱筒36aの上端の高さ位置のほうが低く構成されているように段差31を設けるのがよい。このように、中心断熱筒35a上端の高さ位置よりも周縁断熱筒36a上端の高さ位置のほうが低く構成される段差31を設けると、周縁断熱筒36a上端の上箇所にガスの流通路を確保することが出来るため、最下部にあるウエハ14にも上部のウエハ14と同様にガスを供給出来、最下部にあるウエハ14の膜厚が薄くなるのを抑制することが出来、ボート30の最下部に載置されたウエハ14の面内及びウエハ14間の熱処理均一性を向上させることが出来る。第三の熱交換部図6、図8に示すように、処理室44内にガス供給部160が設けられる。ガス供給部160は、処理室44内のボート30に保持されたウエハ14へこのウエハ14に対し水平方向からガスを供給するようになっている。このガス供給部160は、下方側となる一部と、上方側となる他部から構成される。ガス供給部160の下方側となる一部が、中心断熱筒35aの水平方向側周縁に配置される。ガス供給部160の上方側となる他部が、ボート30の水平方向側周縁に配置される。ガス供給部160は、ガスを流すガス流通路160aと、処理室44内のガスと熱交換する第三の熱交換部となる流通路熱交換部としての流通路断熱筒160bとから構成される。ガス流通路160aは、ガス供給部160の下方側の一部から上方側の他部に延在して配置される。ガス供給部160の上方側となる他部を構成するガス流通路160aから、処理室44内のボート30に保持されたウエハ14へこのウエハ14に対し水平方向からガスを供給するようにしている。ガス供給部160の下方側となる一部を構成するガス流通路160aは、中心断熱筒35aと水平方向に離間するように配置される。前記流通路断熱筒160bは、前記ガス供給部160の下方側となる一部であって、前記ガス流通路160aよりも中心断熱筒35a側に設けられる。上述したように、ガス供給部160の下方側であってガス流通路160aよりも中心断熱筒35a側に、第三の熱交換部である流通路断熱筒160bが中心断熱筒35aと間隙33aを成して設けられ、間隙33aを流れる処理室44内のガスと熱交換するようになっている。このように、被加熱体48と中心断熱筒35aとの間に形成されるガス流路に、周縁断熱筒36aに加えて流通路断熱筒160bが設けられているので、ガス供給部160下方側の熱交換を促進することが出来、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、処理室44の水平方向の大きさをウエハ14より十分大きく構成することが出来、ガス供給部160からの水平方向のガスの流れスペースを大きくすることが出来るため、ガスの流れを例えば、ガスの混合スペースが確保出来、また、ガスの予備加熱がより一層可能となり、ウエハの面内及びウエハ間の熱処理均一性を向上させることが出来る。特に、ガス流通路160aよりも中心断熱筒35a側に、第三の熱交換部である流通路断熱筒160bが設けられていると、周縁断熱筒36aと流通路断熱筒160bとで中心断熱筒35aの水平方向側周縁全域を覆われる。これにより、処理室下方側全域において熱交換を促進することが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。ここで、ガス流通路160aをガス供給ノズル60aで構成し、このガス供給ノズル60aを、ガス供給部160の下方側となる一部から上方側となる他部に延在させるのが好ましい。この場合、ガス供給ノズル60aの上流側となる一部に複数のガス供給孔を設けて、このガス供給孔から処理室44内のボート30に保持されたウエハ14に対して水平方向にガスを供給するとよい。また、ガス流通路160aをガス供給ノズル60aで構成するのは、ガス供給部160の下流側となる一部のみとし、ガス供給部160の上流側となる他部を構成するガス流通路160aは、前記ガス供給ノズル60aに通じる単なる空間とすることも出来る。この場合、この空間を通して処理室44内のボート30に保持されたウエハ14に対して水平方向にガスを供給するとよい。これらの場合、前記流通路断熱筒160bはガス供給ノズル60aよりも中心断熱筒35a側に設けられたノズル断熱筒60bとすることが出来る。また、図8に示すように、第二熱交換部周縁断熱筒36aの水平方向の内周径r1とノズル断熱筒の水平方向の第一熱交換部側の内周径r2とが一致するように構成されている。このように内周径が一致すると、処理室下方側への伝熱作用が起こる伝熱路間隙を、処理室下方側全域で減ずることが出来、処理室下方側全域における熱交換を促進させることが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。図9、図10に第一の実施形態における好適な例として、周縁断熱筒36aの載置部の詳細図を示す。マニホールド46の上部フランジ46bに、ガス供給部160を除いた逆C字型のベース46aを設置し、そのベース46a上に、断面逆C字型の周縁断熱筒36aを載置する。これにより、ボートダウン時にはシールキャップ102が下降し、ボート30および中心断熱筒35a、保温筒34が、処理室内外へ搬入出される際にも、マニホールド46に支持されるマニホールド46より上方の部材は残るため、図7に示すように、ウエハ搬入出される際にも周縁断熱筒36aは炉内処理室内に残置される。このように、周縁断熱筒36aは、ボート30および中心断熱筒35aが、処理室内外へ搬入出される際にも処理室内に残置されるので、ボート30および中心断熱筒35aを処理室内外へ搬入出しやすくすることが出来る。また、通常、周縁断熱筒36aを処理室内外へ搬入出する際には、処理室44の水平方向の大きさをさらに大きくしなければならないが、本実施の形態では、周縁断熱筒36aが処理室内に残置されるように構成されているので、処理室44の水平方向の大きさをさらに大きくする必要がなく、デッドスペースの発生を抑制することが出来る。第二熱交換部厚さまた、図6および図8に示すように、第二熱交換部周縁断熱筒36aの水平方向の厚さt36aは、間隙33の水平方向の大きさt33よりも大きく構成されているのがよい。このように構成されていると、炉口部47に通じる処理室下方側への伝熱作用が起こる伝熱路間隙を減ずることが出来、処理室下方側における熱交換を促進させることが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。排気口位置図6に示すように、第一熱交換部中心断熱筒35aおよび第二熱交換部周縁断熱筒36aよりも下方側に処理室44内のガスを排気するガス排気口90aが設けられているのがよい。これにより、第一熱交換部中心断熱筒35aおよび第二熱交換部周縁断熱筒36aとガスとの熱交換をより確実に促進させることが出来る。作用以下、上述したような構成の作用について説明する。半導体装置の製造方法の一工程において、シールキャップ102上に固定された、複数枚のSiCウエハ14を搭載したボート30を昇降機構により処理室44にロードし、処理室空間を密閉する。炉内に不活性ガス例えばArなどを導入しながらAPCバルブ84を介して接続された真空排気装置86により処理室空間を所望の圧力にする。処理室外周部に設けられた誘導コイル50に高周波電力例えば10~100kHz、10~200kWを印加し、円筒状の被加熱体48に渦電流を発生させ、ジュール熱により所望の処理温度1500~1800°Cに加熱する。これにより、被加熱体48より内側に配置されたSiCウエハ14、ウエハホルダ15、ボート30は被加熱体48より放射されるふく射熱により被加熱体温度と同等に加熱される。一方、処理室下部開口部周辺においては、シール部材Oリングなどを熱から守るため、下部断熱手段第一熱交換部~断三熱交換部により温度を低く200°C程度維持している。処理温度1500~1800°Cに維持されたSiCウエハ14に対してガス供給ノズル60よりキャリアガスを混合したSi系原料図示ではSiCl4、その他SiH4、TCS、DCSなどと、カーボン系材料図示ではC3H8、その他C2H4などを供給しつつ、APCバルブ84にて処理室内を所望の圧力に制御しながらSiCエピタキシャル成長を行う。成長中はウエハ面内の均一性を確保するため回転軸106により回転する。上述したような構成により、半導体装置の製造方法の一工程において、複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持したボート30が第一熱交換部35に支持され、被加熱体48内の処理室44を、誘導コイル50により被加熱体48を誘導加熱することで加熱し、複数枚のウエハを処理するとともに、第一熱交換部35及び第一熱交換部35の水平方向に第一熱交換部35と間隙を成して設けられた第二熱交換部36が、処理室44内のガスと熱交換することになる。第一熱交換部35及び第二熱交換部36が、処理室44内のガスと熱交換すると、処理室下方側へ流入するガスの温度を下げることが出来、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、第二熱交換部36をウエハ領域43の下方に設けることで、処理室44の水平方向の大きさをウエハ14より十分大きく構成することが出来るため、ウエハ14の面内及びウエハ14間の熱処理均一性を向上させることが出来る。シミュレーションガスの通り道ガスの流路を第二熱交換部36により狭くすることの効果を、シミュレーションによって説明する。ボート30下の第一熱交換部35および保温筒34以外の断熱材がなく、ガスの流路37が広い場合の温度分布の計算結果を図15に、第二熱交換部36を設け、流路37間隙33が狭い場合の温度分布の計算結果を図14にそれぞれ示す。SiCのエピタキシャル成長温度は1500°C~1800°Cであるため、ここでは、ウエハ領域43の温度を1600°Cとし、処理炉外の温度を室温としている。なお、等温線は、便宜上、1500°Cからとなっている。図14、図15より明らかなように、流路37が広い場合にはキャリアガスの温度が高温のまま炉口部47まで到達しており、そのため炉口部47の温度が500°C~1000°Cと非常に高くなってしまう。一方、第二の熱交換部36によって流路37を狭くした場合には、キャリアガスと周囲の部材との熱交換が促進されるため、ガスの温度は炉口部47に到達する前に200°C~500°Cと十分に下がっており、炉口部47の温度を低く保つことが出来る。このように炉口部47の温度を、Oリングの耐熱温度せいぜい300°C程度、磁性流体の耐熱温度例えば、100°C程度以下に保つことが出来るので、Oリングおよび磁性流体を保護することが可能となる。これは、以下のように説明することが出来る。流路37におけるガスと周囲の部材で交換される熱量は、次の式で表される。Q=A1hTg-Tw1Q:熱量、A1:熱交換面積、h:熱伝達率、Tg:ガス温度、Tw:壁温度また、交換された熱量分のガスの温度変化は、次の式で表される。Tgn1=Twn-Q/A2uρCp2A2:流路面積、u:流速、ρ:密度、Cp:比熱式1より、交換熱量を多くするには、熱交換面積A1ガスと部材が接触する面積を大きくする必要がある。さらに、交換された熱量でガスの温度をより大きく下げるためには、流路面積A2ガスが通る流路37の断面積は小さい方がよいことが明らかである。従って、熱交換面積を大きくするためには、中心断熱筒35aの水平方向周縁に円筒状の周縁断熱筒36aを配置することで実現することが出来る。また、流路面積を小さくするためには、中心断熱筒35a、周縁断熱筒36a間の間隙33を出来る限り縮めればよい。熱交換部を円筒状とするではなく、円板状の断熱板を平行に縦積みした積層構造とする場合は、多数の断熱板で熱ふく射を反射するのでふく射を遮断する効果は大きい。しかし、円板の全周面が熱交換面積となるわけではないので、熱交換面積の観点から見れば円筒状のものと比べてやや劣る。この点でキャリアガスの流量が多くなれば、熱交換面積が大きいだけ円筒状の熱交換部の方が有利となる。実施の形態では、ガスと部材との熱交換のみならず、ふく射の遮断も促進させる必要があるため、円筒状であってもふく射を遮断する効果はある程度保持しておかなければならない。従って、第二の熱交換部を、断面U字形の熱交換体を複数個積み立てて中空円筒状の周縁断熱筒に構成するという本実施の形態のものがより好ましい。実施の形態の効果本実施の形態によれば、以下に挙げる一つまたはそれ以上の効果を有する。1本実施の形態によれば、被加熱体内でウエハを処理する処理室と、処理室内で複数枚のウエハを鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように処理室下方側から保持するボートと、処理室内でボートを支持し処理室内のガスと熱交換する中心断熱筒と、前記処理室内で前記中心断熱筒の水平方向に中心断熱筒と間隙を成して設けられ処理室内のガスと熱交換する周縁断熱筒と、被加熱体の外側で被加熱体を誘導加熱する誘導コイルとを有する。このように周縁断熱筒を中心断熱筒の水平方向に間隙を成して設置することにより、誘導加熱により発生するふく射を遮断し、且つ処理室下方側のガスとの熱交換を促進して、処理室下方側の部材の温度を耐熱温度以下に保つことが出来る。従って、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、周縁断熱筒が、処理室内で中心断熱筒の水平方向に設けられることにより、処理室の水平方向の大きさをウエハより十分大きく構成することが出来、その結果、ガスをウエハ間に確実に供給出来るため、生産性が向上するとともに、ウエハの面内及びウエハ間の熱処理均一性を向上させることが出来る。さらに、処理室下方側からの熱輸送を、熱交換により有効に阻止することが出来るので、大流量のガスを処理室内に流すことが出来るため、高温例えば1500°C以上のプロセスへの対応が容易になる。2また、処理室内のボートに保持されたウエハに対し水平方向からガスを供給するガス供給部の下方側となる一部が中心断熱筒の水平方向側周縁に配置され、ガス供給部の下方側となる一部を構成するガス供給ノズルが、中心断熱筒と水平方向に離間するように配置され、ガス供給部の下方側となる一部であってガス供給ノズルよりも中心断熱筒側に処理室内のガスと熱交換するノズル断熱筒が設けられ、ガス供給部の上方側となる他部を構成するガス供給ノズルから、処理室内のボートに保持されたウエハに対し水平方向からガスを供給するようにしている。従って、処理室下方側の熱交換を促進することが出来、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、処理室の水平方向の大きさをウエハより十分大きく構成することが出来、ガス供給部からの水平方向のガスの流れスペースを大きくすることが出来るため、ガスの流れを例えば、ガスの混合スペースが確保出来、また、ガスの予備加熱がより一層可能となり、ウエハの面内及びウエハ間の熱処理均一性を向上させることが出来る。3また、中心断熱筒上端の高さ位置よりも周縁断熱筒上端の高さ位置のほうが低く構成されている。従って、周縁断熱筒上端の上箇所にガスの流通路を確保することが出来るため、ボートの最下部に載置されたウエハの面内及びウエハ間の熱処理均一性を向上させることが出来る。4また、第二熱交換部を筒状に形成すると、筒状の外壁とガスが接触する面積を増加させることが出来、熱交換をより一層促進することが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、第二熱交換部を容易に製作することが出来る。特に、第二熱交換部がカーボン材等で構成される場合には、加工しにくく複雑な形状を製作するのが困難であるが、筒状に形成されているため、容易に製作することが出来る。また、第二熱交換部を中実筒状とするより中空筒状とすると、熱伝導による炉口部の加熱が小さくなり、望ましい。更には、その中空部に水平に断熱板を設けることでふく射による熱伝達も抑制することが出来る。5本実施の形態の半導体装置の製造方法は、複数枚のウエハを鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持したボートが中心断熱筒に支持された被加熱体内の処理室を、誘導コイルにより被加熱体を誘導加熱することで加熱し、複数枚のウエハを処理するとともに、中心断熱筒及び中心断熱筒の水平方向に中心断熱筒と間隙を成して設けられた周縁断熱筒が、処理室内のガスと熱交換するようになっている。従って、処理室下方側の熱交換を促進することが出来、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、処理室の水平方向の大きさをウエハより十分大きく構成することが出来るため、生産性が向上するとともに、ウエハの面内及びウエハ間の熱処理均一性を向上させることが出来る。6また、周縁断熱筒とガス供給部とで中心断熱筒の水平方向側周縁全域を覆うように構成されているので、処理室下方側全域において熱交換を促進することが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。7また、周縁断熱筒の水平方向内周径とノズル断熱筒の水平方向中心断熱筒側の外周径とが一致していると、処理室下方側への伝熱作用が起こる伝熱路間隙を、処理室下方側全域で減ずることが出来、処理室下方側全域における熱交換を促進させることが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。8また、周縁断熱筒の水平方向の厚さが、間隙の水平方向の大きさよりも大きく構成されていと、処理室下方側への伝熱作用が起こる伝熱路間隙を減ずることが出来、処理室下方側における熱交換を促進させることが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。9また、周縁断熱筒が、鉛直方向に複数の区画された空間を成すように複数の熱交換体が積層されて形成されていると、周縁断熱筒の断熱能力を向上させることが出来る。また、組立てが容易であり、容易に外壁とガスが接触する面積を増加させることが出来、熱交換をより一層促進することが出来、より一層、処理室下方側の部材の熱劣化等を抑制することが出来る。また、容易に製作することが出来る。特に、例えば、カーボン材等で構成される場合には、加工しにくく複雑な形状を製作するのが困難であるが、中空筒状に形成されているため、容易に製作することが出来る。10また、熱交換体が、断面コの字型に形成されており、空間にある雰囲気を前記空間外へ逃がす貫通孔が下端面に形成されていると、例えば、前記熱交換体内の空間にある雰囲気が熱膨張した場合であっても、貫通孔から雰囲気が排出されるので、周縁断熱筒の破損、亀裂等の発生を抑制することが出来る。また、空間にある雰囲気が空間外へ出た場合でも貫通孔が下端面に設けられているので、処理室内へパーティクル、汚染物等を混入させることを抑制することが出来る。11また、周縁断熱筒は、ボートおよび中心断熱筒が、処理室内外へ搬入出される際にも前記処理室内に存置されるので、ボートおよび中心断熱筒を処理室内外へ搬入出しやすくすることが出来る。また、周縁断熱筒が処理室内外へ搬入出する際には、処理室の水平方向の大きさをさらに大きくしなければならないが、処理室内に存置されるように構成されているので、処理室の水平方向の大きさをさらに大きくする必要がなく、デッドスペースの発生を抑制することが出来る。[第二の実施の形態]図16、図17に、第一熱交換部および第二熱交換部を構成する熱交換体が断熱板で構成されている第二の実施の形態を示す。すなわち中空筒状の熱交換部、ないし積層される熱交換体の代わりに、板状、例えば断熱板59を複数枚設置するようにしてある。断熱板59は、例えば、第一熱交換部にあっては円板状の断熱板59aとし、第二熱交換部にあってはリングプレート状の断熱板59bとする。ウエハ領域43からの高温のふく射を遮断するには、このような断熱板59の方が、断熱板59の枚数が多いほど効果が高いので好ましい。もっとも、大流量のプロセスガスが必要となる場合、ふく射だけではなく、ガスによって炉外に運ばれる熱も考慮しなければならない。高温になったガスが炉口部47に到達するまでに、熱交換部で積極的に熱交換させてやる必要があるが、熱交換部が断熱板59だと、中空筒状の熱交換部と比べて、ガス流れの主流である炉軸方向の熱交換面積が小さくなり、これによってガスの熱交換が若干低下する。従って、本実施の形態の断熱板59は、大量熱輸送を優先して阻止するよりも、ふく射遮断を優先する場合に有効である。[第三の実施の形態]図18に、基板加熱部を、上述した誘導コイルと被誘導体とから成る誘導加熱体に代えて、抵抗加熱体で構成した第三の実施の形態の処理炉を示す。図18に示す処理炉は、図16に示す処理炉と異なり、被加熱体48、外側断熱壁56、誘導コイル50などの誘導加熱部材を必要としない。図18に示すように、処理炉は、石英の反応管42およびマニホールド46から構成される反応容器内に形成されウエハ14を処理する処理室44と、反応管42の外周に設けられ処理室44内のウエハ14を加熱する加熱体としての抵抗加熱ヒータ48a、前記処理室44内で複数枚のウエハ14を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持するボート30とを有する。このように、反応管42の外部から抵抗加熱によってウエハ14を加熱するように構成されている処理炉にも、ふく射の遮断およびガスと部材との熱交換を促進させる第一の熱交換部及び第二の熱交換部を適用することが出来る。具体的には、上記のような処理炉に、処理室44内でボート30を支持し処理室44内のガスと熱交換する第一熱交換部としての中心断熱筒35aと、処理室44内で中心断熱筒35aの水平方向に中心断熱筒35aと間隙33を成して設けられ処理室44内のガスと熱交換する第二熱交換部としての周縁断熱筒36aとを設けるようにする。本実施の形態では、部品点数が多くなる誘導加熱部材を必要とせず、基本的には抵抗加熱ヒータを設けるだけでよいので、処理炉の構成を簡素化出来る。なお、ウエハ14を反応管42の外部から加熱しているため、ウエハ14に対し例えば1500°C以上の高温処理を行う際には、反応管42は1500°C以上の高温に耐えられるような部材、例えばカーボン材で構成するとよい。[第四の実施の形態]図19に、ガス供給部160を変形した第四の実施の形態の処理炉を示す。本実施の形態が、図6の処理炉と異なる点は、ガス供給部160の上方側となる他部を構成するガス流通路が空間で構成され、ガス供給ノズル160aがボート30の水平方向、すなわちウエハ14側方まで延在しておらず、ノズル断熱部160bの上端部にとどまっている点である。処理室内のボート30に保持されたウエハ14へウエハ14に対し水平方向からガスを供給するガス供給部160の下方側となる一部が、第一熱交換部としての中心断熱筒35aの水平方向側周縁に配置され、ガス供給部の下方側となる一部を構成するガス流通路としてのガス供給ノズル160aが、中心断熱筒35aと水平方向に離間するように配置され、ガス供給部の下方側となる一部であってガス供給ノズル160bよりも第一熱交換部である中心断熱筒35a側に処理室44内のガスと熱交換する流通路熱交換部としてのノズル断熱筒160bが設けられている点は、図6に示す実施の形態と同じである。従って、本実施の形態では、ガス供給部160の下方側となる一部を構成するガス供給ノズル160aの先端から、処理室44内のボート30に保持されたウエハ14へウエハ14に対し水平方向からガスが供給される。このように、処理室44内のウエハ側方まで延在させたガス供給ノズルに代えて、ガス供給ノズル160aをノズル断熱部160bの上端部にとどまらせて下方側からガスを供給するようにした本実施の形態では、多数枚積層されたウエハ14にガスを均一に供給する際、処理室44内ウエハ側方まで延在させてガス供給の上方側からガスを供給する場合と比べて、ウエハ間へのガスの流れを制御するのが難しくなるものの、ガス供給ノズルの閉塞などのリスクは小さくなるというメリットがある。[第五の実施の形態]図20に、中空筒状の周縁断熱筒36a内の空間を中実にした第二の熱交換部を備えた第四の実施の形態の処理炉を示す。本実施の形態では、周縁断熱筒36a内の空間を中実にするために、周縁断熱筒36a内に断熱材、例えば断熱フェルト101を充填してある。この場合、周縁断熱筒36aに石英が使用出来ないような高温場では、石英に代えて例えばカーボンなどの部材を用いたとき、カーボンは石英と異なり溶接などによって周縁断熱筒36a内部の断熱フェルト101を封じ込めることが出来ない。このため、本実施の形態によれば、断熱フェルト101からの脱ガスがプロセスに影響を及ぼしたり、パーティクルの原因となったり、プロセスガスによって断熱フェルト101が劣化して断熱性能が経時的に低下する等の問題があるものの、中空のものと比べて断熱効果が高まるというメリットがある。[第六の実施の形態]図21に、ウエハ14、14間へのガスの流れを規制する規制部85を備えた第六の実施の形態の処理炉の平断面図を示す。規制部85は、耐熱部材、例えば石英からなる薄板状の一対の板材から構成され、ボート30に向かって左右に設けられる。一対の規制部85は、各一端が円弧状に並んだ複数のガス供給ノズル61a~65aの両端の被加熱体48の内周側に配置される。被加熱体48の内周側から径方向内方へ延び、ボート30に近接した位置で互いに開くような方向に折り曲げられる。さらにボート30の外周に沿ってボート30の一部を包み込むように延在して、その他端がボートの裏側位置に来るようにする。規制部85は例えば第二熱交換部36の上に載置する。ボート30を囲む一対の規制部85は、ガス供給ノズル60aから出たガスの水平方向および鉛直方向の流れを制御する。規制部85による水平方向の制御では効率的にウエハ面内にガスが供給され、鉛直方向の制御ではウエハ面間に均一にガスを供給されてウエハ面間のエピタキシャル層の均一性が改善される。なお、図22に示す比較例は、図21に示す規制部85を備えておらず、ガス供給ノズル61a~65aからウエハ14側に向けてガスを供給するように構成されている。本実施の形態では、ウエハ14、14間へのガスの流れを規制する規制部85を設けているので、規制部を設けていない比較例に比して、積層したウエハ14、14間に、ウエハ面に対してより平行にガスを流すことが出来、ウエハ面内およびウエハ間の熱処理均一性を向上出来る。その他このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論であり、次のような変形実施が可能である。例えば、ボート下およびその周囲の断熱領域45に、耐熱性が高く、熱伝導率の低い中空の構造物、例えばグラッシーカーボンなどを一個または複数個積み立てて設置する。または、ボート下以外の断熱領域の断熱構造物を、炉口部47の金属製のマニホールド46に載せ、マニホールド46を冷却水で冷やすことにより、ガスが炉口部47に到達するまでに十分に冷えるように構成する。さらに、断熱領域45のガス流れを制御し、断熱部断熱構造物と被加熱体48の間にガスを誘導し、冷却されたマニホールド46でよりガスが冷えるように断熱構造物を構成する。[付記]以下、本発明の好ましい形態を付記する。本発明の一実施の態様によれば、被誘導体内で基板を処理する処理室と、該処理室内で複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を該基板保持体の下方側から支持し前記処理室内のガスと熱交換する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられ前記処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部と、前記被誘導体の外側で該被誘導体を誘導加熱する誘導加熱部と、を有する基板処理装置が提供される。好ましくは、前記処理室内の基板保持体に保持された基板へ該基板に対し水平方向からガスを供給するガス供給部の下方側となる一部が前記第一熱交換部の水平方向側周縁に配置され、前記ガス供給部の下方側となる一部を構成するガス流通路が、前記第一熱交換部と水平方向に離間するように配置され、前記ガス供給部の下方側となる一部であって前記ガス流通路よりも前記第一熱交換部側に前記処理室内のガスと熱交換する流通路熱交換部が設けられ、前記ガス供給部の上方側となる他部を構成するガス流通路から、前記処理室内の基板保持体に保持された基板へ該基板に対し水平方向からガスを供給する。また好ましくは、前記第一熱交換部上端の高さ位置よりも前記第二熱交換部上端の高さ位置のほうが低く構成されている。また好ましくは、前記第二熱交換部は、中空筒状に形成されている。また好ましくは、前記第二熱交換部と前記流路熱交換部とで前記第一熱交換部の水平方向側周縁全域を覆うように構成されている。また好ましくは、前記第二熱交換部の水平方向内周径と前記流路熱交換部の前記第一熱交換部側の外周径とが一致している。また好ましくは、前記第二熱交換部の水平方向の厚さは、前記間隙の水平方向の大きさよりも大きく構成されている。また好ましくは、前記第二熱交換部は、鉛直方向に複数の区画された空間を成すように複数の熱交換体が積層されて形成されている。また好ましくは、前記熱交換体は、断面Uの字型に形成されており、下端面に前記空間にある雰囲気を前記空間外へ逃がす貫通孔が形成されている。また好ましくは、前記第二熱交換部は、前記基板保持体および前記第一熱交換部が、前記処理室内外へ搬入出される際にも前記処理室内に残置される。また好ましくは、前記第一熱交換部および前記第二熱交換部よりも下方側に前記処理室内のガスを排気する排気口が設けられている。本発明の他の態様によれば、複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持した基板保持体を第一熱交換部により支持し被誘導体内の処理室内に搬入する搬入工程と、誘導加熱部により前記被誘導体を誘導加熱することで加熱し、前記複数枚の基板を処理するとともに、前記第一熱交換部及び該第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられた第二熱交換部が、前記処理室内のガスと熱交換する処理工程と、前記基板保持体を前記処理室内から搬出する搬出工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を処理する処理室と、該処理室内の基板を加熱する加熱体と、前記処理室内で複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を支持し前記処理室内のガスと熱交換する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられ前記処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部と、を有する基板処理装置が提供される。