複数の柱状構造体を、2方向に対して周期的に形成する第1の工程と、前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲むように膜を形成する第2の工程と、を有し、前記第2の工程では、前記複数の柱状構造体のうち前記2方向で隣り合う柱状構造体の側面に形成された前記膜が前記2方向で互いにつながり、前記複数の柱状構造体のうち前記2方向に対して斜めの方向に隣り合う柱状構造体の間に柱状の空孔が形成されるように、前記膜を形成することを特徴とする遮蔽格子の製造方法。前記第2の工程の後に、前記柱状構造体の先端部及び底部に形成された前記膜を除去する第3の工程を有することを特徴とする請求項1に記載の遮蔽格子の製造方法。2方向に対して周期的に配列している複数の柱状構造体と、前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲んでいる膜とを有し、前記複数の柱状構造体のうち、前記2方向で隣り合う柱状構造体の側面を取り囲んでいる前記膜が、互いにつながっており、前記複数の柱状構造体のうち斜め方向に隣り合う柱状構造体の間に前記膜に側面が取り囲まれている柱状の空孔を有することを特徴とするX線遮蔽格子。前記2方向が互いに直交する2方向であることを特徴とする請求項3に記載のX線遮蔽格子。前記複数の柱状構造体のうちの1つの中心と前記1つの柱状構造体の最も近くに形成された前記空孔の中心とを結んだ線と、前記複数の柱状構造体の配列方向とのなす角度は45°であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載のX線遮蔽格子。前記複数の柱状構造体の断面形状は正方形であり、前記正方形の一辺と前記複数の柱状構造体の周期方向とのなす角が45°であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載のX線遮蔽格子。前記複数の柱状構造体の断面形状は円形であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載のX線遮蔽格子。前記柱状構造体よりも前記膜の方が、X線吸収係数が大きいことを特徴とする請求項3乃至7のいずれか1項に記載のX線遮蔽格子。X線源と、前記X線源から出射したX線を回折する回折格子と、前記回折格子によって回折された前記X線の一部を遮蔽する前記請求項3に記載のX線遮蔽格子と、前記遮蔽格子を経たX線を検出する検出器と、を備え、被検体を撮像することを特徴とするX線撮像装置。上記非特許文献1のX線遮蔽格子の製造方法では、周期がX線遮蔽格子の2倍であるSi構造体の周期方向と、その表面に金めっき膜を形成して得られる最終的な構造体の周期方向が同一となる。そのため、非特許文献1のX線遮蔽格子の製造方法では、1次元にのみ周期をもつライン状のX線遮蔽格子を製造することはできるが、2次元に周期をもつX線遮蔽格子以下、2次元X線遮蔽格子と呼ぶを製造することは困難である。本発明は上記課題に鑑み、より容易に製造可能なX線遮蔽格子の製造方法、X線遮蔽格子及びX線撮像装置の提供を目的とする。本発明のX線遮蔽格子の製造方法は、複数の柱状構造体を、2方向に対して周期的に形成する第1の工程と、前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲むように膜を形成する第2の工程と、を有し、前記第2の工程では、前記複数の柱状構造体のうち前記2方向で隣り合う柱状構造体の側面に形成された前記膜が前記2方向で互いにつながり、前記複数の柱状構造体のうち前記2方向に対して斜めの方向に隣り合う柱状構造体の間に柱状の空孔が形成されるように、前記膜を形成することを特徴とする。また、本発明のX線遮蔽格子は、2方向に対して周期的に配列している複数の柱状構造体と、前記複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲んでいる膜とを有し、前記複数の柱状構造体のうち、前記2方向で隣り合う柱状構造体の側面を取り囲んでいる前記膜が、互いにつながっており、前記複数の柱状構造体のうち斜め方向に隣り合う柱状構造体の間に前記膜に側面が取り囲まれている柱状の空孔を有することを特徴とする。また、本発明のX線撮像装置は、X線源と、前記X線源から出射したX線を回折する回折格子と、前記回折格子によって回折された前記X線の一部を遮蔽する前記請求項3に記載のX線遮蔽格子と、前記遮蔽格子を経たX線を検出する検出器と、を備え、被検体を撮像することを特徴とする。本発明によれば、より容易に製造可能なX線遮蔽格子の製造方法、X線遮蔽格子及びX線撮像装置を実現することができる。つぎに、本発明の実施形態について説明する。図1に示したように、本実施形態に係るX線遮蔽格子は、2方向に対して周期的に配列している複数の柱状構造体1Aと、複数の柱状構造体の夫々の少なくとも側面を取り囲んでいる膜2を有している。本実施形態における柱状構造体1Aを図2a、bに示した。図2aは柱状構造体1Aの長辺に垂直な面での断面図、図2bは柱状構造体の長辺に平行な面での断面図である。図2aに示した柱状構造体1Aは、柱状構造体の長辺に垂直な面内において、互いに直交する2方向X方向およびY方向に対して同一の間隔で平行に配列されている。このとき、柱状構造体が配列されている間隔は、X、Yどちらの方向に対しても同一である。なお、本発明において同一とは、タルボ干渉法によって撮像を行うことができる範囲であれば、製造上の誤差を含んでいてもよい以下同様である。図2aに示した柱状構造体の2つの配列方向は直交しているが、直交していなくても本発明を適用することができる。また、配列間隔はX、Yの2方向に対して同一でなくても本発明を適用することができる。但し、本実施形態のX線遮蔽格子をX線タルボ干渉法のX線遮蔽格子として用いる場合、柱状構造体の2つの配列方向は直交している方が均一なモアレを形成することができ、柱状構造体の配列間隔も2方向で同一の方が均一なモアレを形成することができる。複数の柱状構造体1Aは図2bに示すように支持体1Bによって支持されている。本明細書では、柱状構造体1Aと支持体1Bを併せて周期構造体1と呼ぶ。図2bでは柱状構造体と支持体は同じ材料で形成されているが、異なる材料で形成されていても良い。柱状構造体は、柱状構造体の長辺と垂直な面での断面形状が正方形であり、正方形の一辺と柱状構造体の配列方向の成す角が45°であることが好ましい。但し、断面形状は正方形に限定されるものではなく、正方形の角が丸まっていても良いし、多角形や円形でも良い。周期構造体1を形成する材料は、柱状構造体の製造が容易な他に、X線吸収係数が小さいほど良い。好ましい材料としてはSiが挙げられるが、その他に、ポリカーボネイトPC、ポリイミドPI、ポリメチルメタクリレートPMMAといった樹脂材料やガラスを用いることができる。金属であれば、アルミニウムなどの相対的にX線吸収係数が小さいものを使用することができる。周期構造体を形成するには、フォトリソグラフィー法やドライエッチング法、ウェットエッチング法、ナノインプリント法などを用いることができる。フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成した後に、ドライエッチングまたはウェットエッチングで周期構造体を形成しても良いし、感光性のレジスト材料により支持体上に柱状構造体を付与することもできる。また、ナノインプリント法により支持体又は支持体上に成膜した材料を加工したり、Si構造体などで鋳型を形成した後に樹脂材料へ構造を転写したりして柱状構造体を形成しても良い。膜2は柱状構造体の表面に成膜することで形成される。膜2を図3a、bに示した。図3aは柱状構造体の長辺に垂直な面の断面図、図3bは柱状構造体の長辺に平行な面の断面図である。図3a、bに示すように、膜2は柱状構造体の周辺を取り囲んでいる。更に図3aに示すように、柱状構造体の2つの配列方向であるX方向とY方向において、隣り合う柱状構造体の側面に形成された膜同士が互いにつながることによって、斜め方向に隣り合う柱状構造体の間に柱状の空孔が形成されている。但し、本明細書において膜同士がつながるとは、実際に膜同士がつながっていなくても、実質的につながっているとみなせるほど膜同士が近接していれば良い。本実施形態のX線遮蔽格子をX線タルボ干渉法に用いる場合は自己像に重ねることでモアレが発生する程度に膜同士が近接していれば良い。また、本明細書においては、斜めに隣り合う柱状構造体を以下のように定義する。まず、1つの柱状構造体の中心から、2つの配列方向の夫々の方向でその柱状構造体に隣り合う柱状構造体の中心に向かうベクトルを夫々考える。次に、その2つのベクトルの合成ベクトルを考え、その合成ベクトルの方向に一番近くにある柱状構造体のことを、斜めに隣り合う柱状構造体とする。空孔3は側面が膜2に取り囲まれている。膜2を形成する材料は、柱状構造体1Aを形成する材料よりもX線吸収係数が大きい必要がある。好ましい材料としては、金白金銀などの貴金属、鉛、ビスマス、タングステン及びその合金が挙げられる。膜2を形成するには、電気めっき法や無電解めっき法、CVD法、などを用いることができる。このうち、高アスペクト比の構造体にμmオーダーの膜厚の金属層を付与するためには電解めっき法が好ましい。但し、電解めっき法を用いるために、柱状構造体1が絶縁性である場合にはその表面にシード層を形成する必要がある。シード層形成にはCVD法、蒸着法、スパッタ法や無電解めっき法を用いることができる。前述のように、柱状構造体はXとYの2方向に同じ間隔で配列されていることが好ましい。2方向に同じ間隔で配列されている場合、膜の厚みが均一であれば、柱状構造体のうち1つの中心と、その柱状構造体の最も近くに形成されている柱状の空孔の中心とを結んだ線は、柱状構造体の2つの配列方向の夫々と45°の角度をなす。柱状構造体と柱状の空孔はX線を透過する透過部であり、柱状構造体の側面に形成された膜の部分はX線を遮蔽する遮蔽部である。但し、遮蔽部は完全にX線を遮蔽しなくても良い。X線遮蔽格子をX線タルボ干渉法に用いる場合は、この遮蔽部を持つX線遮蔽格子が、干渉パターンが形成される位置に配置された時にモアレが形成される程度にX線を遮蔽することができれば良い。図3aにおいて、柱状構造体1Aの配列方向と45°を成す直線例えばB-B’上で、柱状構造体の側面に形成された膜2の周期は柱状構造体1Aの周期の1/√2となる。本実施形態のX線遮蔽格子をX線タルボ干渉法に用いる場合はB-B’上において、周期構造体1A、膜2および空孔3の幅は、柱状構造体1Aが持つ周期の25±2.5の範囲内であることが好ましく、25の長さとなることがより好ましい。25の長さと差がある場合には、差が大きいほどタルボ干渉で得られる縞のコントラストが低下する。また、本実施形態では図3bに示すように、柱状構造体の側面にのみ膜2が形成されているが、柱状構造体の先端部や空孔の底部にも、膜が形成されていても良い。柱状構造体の長辺方向からX線が照射された時、柱状構造体の先端部や空孔の底部に形成された膜は、柱状構造体の側面に形成された膜の柱状構造体の長辺に垂直な面においての膜厚と同程度の厚みしか持たないため、充分にX線を透過する。柱状構造体の先端部や空孔の先端部や底部にそのほかの構造が形成されていても良く、例えば周期構造体1を形成する材料と同一材料から成る平板が周期構造体1と膜2の表裏またはその何れかに形成されていても良い。また、図4aに示すように、柱状構造体として円柱状構造体4を用いても良い。但し、図4bに示すように円柱状構造体の側面に膜5を形成した場合、空孔6の断面形状が角ばっているために、X線の透過部である円柱状構造体5と空孔6とで形状が異なることとなる。このような格子を用いてもX線タルボ干渉法は可能であるが、すべてのX線透過部が四角錘状であったときと比較すると得られるモアレのコントラストが低下する。つぎに、図5を用いて、本実施形態におけるX線遮蔽格子の製造方法を説明する。まず、図5aに示す工程において、基板7を準備する。次に、図5bに示す工程において、基板7の表面の一部を加工して柱状構造体10Aを形成する。または基板の表面に、異なる材料を用いて柱状構造体を形成しても良い。これらの工程第1の工程により、複数の柱状構造体が2方向に対して周期的に形成された周期構造体が得られる。その後、図5cに示す工程第2の工程において、柱状構造体の表面に、柱状構造体よりもX線吸収係数が大きい材料によって膜20を形成する。膜は柱状構造体の少なくとも側面を取り囲むように形成し、図5cのように柱状構造体の上部や空孔の底部にも形成しても良い。膜の形成方法として電解めっき法を用いることができる。但し、柱状構造体が絶縁材料の場合は、柱状構造体の少なくとも一部に導電膜を付与してからめっきを行う。また、導電材料であっても、電気的接続が困難な場合は導電層を形成する。図5cの工程に示す状態で、X線遮蔽格子としてX線位相イメージングに用いても良いし、次の図5dに示す工程第3の工程のように、柱状構造体の上部や空孔の底部に形成された膜をドライエッチングで除去してから用いても良い。柱状構造体の上部や空孔の底部に形成された膜を除去することにより、柱状構造体の長辺方向からのX線照射時において、柱状構造体及び空孔部を透過するX線の透過率が金の除去前と比較して上昇する。このため、X線遮蔽格子としては好ましい構造となる。図5dに示す工程では、柱状構造体と支持体の上部に形成された膜の両方を除去しているが、研磨により柱状構造体の上部に形成された膜のみを除去しても良い。また、図5d示すような構造を形成した後に、基板7の未加工部分40を除去しても良い。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1として、4μm周期のX線遮蔽格子の作成例について説明する。基板としてSiウェハーを用い、ウェハー表面にスピンコートした感光性材料を用いて所望のパターニング行う。その後、ドライエッチングをすることで、図2に示すような2次元方向に等しい周期を持つ柱状構造体を形成する。形成される個々の柱状構造体は、長辺方向に垂直な面で断裁した時に一辺が2μmの正方形であり、互いに直交するXおよびY方向に対して周期の長さを5.6μmとする。また、柱状構造の高さは50μmとする。その後、蒸着法によりSi柱状構造の先端部においてTiを10nm成膜し、続けてAuを200nm成膜する。得られたTi/Au層をシード層として金めっきを付与する。めっき液としては、亜硫酸金を金属塩とするめっき液であるEEJA製Au1101を用いる。めっき液温度60度で0.5mA/cm2の条件において金めっきを行い、Si柱状構造体先端での金厚を2μmとする。これにより、図5cに示すような、周期構造体表面を金で被覆した構造体が得られる。このSi-Au複合構造体をSi柱状構造体の長辺方向からX線顕微鏡で観察したところ、Si側面に析出した金によりX線は周期的に遮断され、この遮断される周期は4μmとなった。また、X線の透過部の周期方向とSi柱状構造体の周期方向が成す角度は45°である。次に、Arを用いて全面をドライエッチングすることにより、Si柱状構造体の上部および支持体の上部の金を除去する。これにより図5dに示すような構造体が得られる。これにより、4μm周期のX線遮蔽格子として使用可能な金周期構造体を得ることができる。[実施例2]実施例2として、まず、8μm周期のX線遮蔽格子の作成例について説明する。基板としてSiウェハーを用い、ウェハー表面に感光性材料をスピンコートする。実施例1と同様に、所望のパターニングを行い、ドライエッチングをすることで、柱状構造体を形成する。形成される夫々の柱状構造体は、長辺方向に垂直な面で断裁した時に一辺が4μmの正方形であり、互いに直交するXおよびY方向に対して11.3μm周期で配列されている。その後、実施例1と同様の方法で金めっきにより4μm厚の金層を形成し、Si柱状構造体の上部および支持体の上部の金をArのドライエッチングで除去する。次に基板であるSiをCF4のドライエッチングで除去する。これにより、8μm周期のX線遮蔽格子として使用可能な金周期構造体を得ることができる。つぎに、上記のようにして作成したX線遮蔽格子を用いた本実施例におけるX線タルボ干渉法によるX線撮像装置の構成例について説明する。図6は、本実施例において上記のようにして作成したX線遮蔽格子を用いたX線撮像装置の構成例を示す図である。本実施例のX線撮像装置は、空間的に可干渉なX線を放出するX線源8、該X線源から出射したX線の位相を周期的に変調するための回折格子10、上記のようにして作成した本実施例のX線遮蔽格子110、X線を検出する検出器12を備えている。X線源8と回折格子10の間に被検体9を配置すると、被検体9によるX線の位相シフト情報がモアレとして検出器に検出される。つまり、このX線撮像装置は被検体9の位相情報を持つモアレを撮像することで被検体9を撮像している。この検出結果に基づいてフーリエ変換等の位相回復処理を行うと、被検体の位相像を得ることができる。本実施例のX線撮像装置によれば、より容易に製造可能なX線遮蔽格子を用いているため、X線遮蔽格子の欠陥が少なくなるため、被検体をより正確に撮像することができる。以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。