基板を処理する方法であって、第1の非磁性材料が上に配置された基板を提供することであって、特徴的画定部が前記第1の非磁性材料内に形成され、第1の磁性材料が前記特徴的画定部内に配置され、前記特徴的画定部は台形の断面形状を有し、前記第1の磁性材料は前記特徴的画定部内に平面を形成する前記基板を提供すること、第2の磁性材料を前記平面上に堆積させること、前記第2の磁性材料上にパターニングされたレジスト材料を形成して、前記第2の磁性材料の部分を露出させること、前記露出した第2の磁性材料をエッチングして、前記第2の磁性材料の少なくとも1つのテーパ面を形成すること、前記パターニングされたレジスト材料を除去すること、少なくとも1つのテーパ面を有する前記第2の磁性材料上に第2の非磁性材料を堆積させること、前記第2の非磁性材料上に第3の非磁性材料を堆積させること、および前記第2の非磁性材料および前記第3の非磁性材料を前記第2の非磁性材料の表面と平坦化することを含む、方法。前記第1の磁性材料は、ニッケル-鉄、コバルト-ニッケル-鉄、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性合金を含み、前記第2の磁性材料は、ニッケル-鉄、コバルト-ニッケル-鉄、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性合金を含む、請求項1に記載の方法。前記第1の磁性材料および前記第2の磁性材料は同じ強磁性合金である、請求項2に記載の方法。前記第1の非磁性材料および前記第2の非磁性材料のそれぞれは、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される誘電性材料を含む、請求項1に記載の方法。前記第2の非磁性材料は、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、ルテニウム、ニッケル-クロム合金、クロム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属を含む、請求項1に記載の方法。前記少なくとも1つのテーパ面は、少なくとも、前記第2の磁性材料の前縁部に沿った第1のテーパ面を含む、請求項1に記載の方法。前記第1のテーパ面は、前記基板表面から10°~60°の角度で配置される、請求項6に記載の方法。第1の非磁性材料が上に配置され、特徴的画定部が前記第1の非磁性材料内に形成され、第1の磁性材料が前記特徴的画定部内に配置された基板がプロセスにより形成され、前記プロセスは、上に配置された停止層を有すると共に、前記停止層上に配置されたパターニングされたフォトレジストを有する第1の非磁性材料を提供すること、前記停止層を貫通し前記第1の非磁性材料内まで前記特徴的画定部をエッチングすること、前記フォトレジスト材料を除去すること、前記第1の非磁性材料および前記停止層上に前記第1の磁性材料を堆積して、前記特徴的画定部を充填すること、前記第1の磁性材料を前記停止層と平坦化すること、および前記停止材料を除去することを含む、請求項1に記載の方法。第1の非磁性材料が上に配置され、特徴的画定部が前記第1の非磁性材料内に形成され、第1の磁性材料が前記特徴的画定部内に配置された基板がプロセスにより形成され、前記プロセスは、上にパターニングされたフォトレジストが配置された第1の非磁性材料を提供すること、前記第1の非磁性材料内まで前記特徴的画定部をエッチングすること、前記フォトレジスト材料を除去すること、前記第1の非磁性材料上および前記特徴的画定部内に停止層を堆積させること、前記第1の磁性材料を前記停止層上に堆積して、前記特徴的画定部を充填すること、前記第1の磁性材料を前記停止層と平坦化すること、および前記停止層の露出部分をいずれも除去することを含む、請求項1に記載の方法。磁気ヘッドを製造する方法であって、基板表面内に磁気前縁シールドを形成することであって、前記前縁シールドは平面を有し、前記平面は前記平面から基板表面の下にある部分まで先細りしている前縁シールドを形成すること、磁気前縁材料を前記前縁シールド材料上に堆積させること、レジスト材料を前記磁気前縁材料上にパターニングすることであって、前記パターニングされるレジスト材料が前記磁気前縁材料の部分を露出させるようにパターニングすること、前記パターニングされたレジスト材料をマスクとして使用して、前記磁気前縁材料の前記露出部分をエッチングすることであって、前記磁気前縁材料の前記露出部分が除去されて、1つまたは複数のテーパ面を形成するようにエッチングすること、1つまたは複数のテーパ面を有する前記磁気前縁材料上にエッチング停止層を堆積させること、バルク充填材料を前記エッチング停止層上に堆積させること、および前記バルク充填材料を前記エッチング停止層と平坦化することを含む、方法。前記磁気前縁シールドは、ニッケル-鉄、コバルト-ニッケル-鉄、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性合金を含む、請求項10に記載の方法。前記エッチング停止層は、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、ルテニウム、ニッケル-クロム合金、クロム、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される金属を含む、請求項10に記載の方法。前記バルク充填材料は、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される誘電性材料を含む、請求項10に記載の方法。前記1つまたは複数のテーパ面のそれぞれは、前記基板表面から10°~60°の角度で形成される、請求項10に記載の方法。磁気ヘッドであって、非磁性電気絶縁性材料と、前記非磁性電気絶縁性材料上に形成された前縁シールドと、前記前縁シールド上に形成された前縁テーパであって、前記磁気ヘッドのエアベアリング面端部から離れるに従って先細りする、前縁テーパと、前記前縁テーパおよび前記前縁シールド上に形成された書き込み極であって、テーパ付き後縁部を有するテーパ領域および非テーパ領域を有し、前記書き込み極の前記テーパ領域の厚さは、前記磁気ヘッドのエアベアリング面端部から離れる方向において増大する、書き込み極と、磁極の前記非テーパ領域上に形成された第1の非磁性層と、前記テーパ領域上に形成された非磁性バンプ層であって、前記第1の非磁性層の側壁部に隣接する、非磁性バンプ層と、前記バンプ層で覆われていない前記書き込み極の前記テーパ領域の部分上に形成された第2の非磁性層と、前記テーパ領域上に形成された後縁シールドであって、少なくとも前記第2の非磁性層および前記バンプ層により前記書き込み極から隔てられた、後縁シールドとを備える、磁気ヘッド。前記前縁シールドおよび前記前縁テーパのそれぞれは、ニッケル-鉄、コバルト-ニッケル-鉄、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される磁性材料を含む、請求項15に記載の磁気ヘッド。前記前縁テーパは、前記エアベアリング面に対して垂直な方向から10°~60°の角度で先細りするテーパ面を備える、請求項15に記載の磁気ヘッド。前記書き込み極の前記テーパ領域はテーパ面を備え、前記テーパ面は、前記エアベアリング面に対して垂直な方向から20°~45°の角度を有する、請求項15に記載の磁気ヘッド。前記書き込み極は、120nm~350nmの最大厚および前記ABSにおいて60nm~200nmの最小厚を有する、請求項15に記載の磁気ヘッド。前記バンプ層は、前記第1の非磁性層の上面から前記書き込み極の前記テーパ領域まで延びる湾曲面を有する、請求項15に記載の磁気ヘッド。垂直磁気記録に関して遭遇する問題のいくつかは、ディスク上の隣接トラックに対するサイド書き込みおよびサイド消去である。これらの問題は、磁気書き込みヘッドからの磁束の漏れおよびフリンジングから生じる。これらの影響を最小限にするために、1つの手法は、後部シールドまたはラップアラウンドシールドを磁気書き込みヘッドに設けることである。ラップアラウンドシールドヘッドは、エアベアリング面から見て3つのシールドにより三方が囲まれた主極を有する。これらのシールドにより、上記問題に繋がる恐れのある漏れおよびフリンジングを回避しながら、ディスクへの書き込みに効率的な磁束を提供することができる。別の解決策は、ライタの後側部に傾斜した極を使用することである。しかし、現在および将来の製品に対して求められる記録面密度が増大するにつれて、両解決策とも限界を示している。本発明の実施形態は、一般的には前縁シールドおよび磁気書き込みヘッドに関し、特に前縁シールドおよび磁気ヘッド内のテーパ付き構造の製造に関する。本発明の一実施形態は、磁気ヘッドを製造する方法を提供する。この方法は一般に、第1の非磁性材料が上に配置された基板を提供することであって、特徴的画定部が第1の非磁性材料内に形成され、第1の磁性材料が特徴的画定部内に配置され、特徴的画定部は台形の断面形状を有し、第1の磁性材料は特徴的画定部内に平面を形成する基板を提供すること、第2の磁性材料を平面上に堆積させること、第2の磁性材料上にパターニングされたレジスト材料を形成して、第2の磁性材料の部分を露出させること、露出した第2の磁性材料をエッチングして、第2の磁性材料の少なくとも1つのテーパ面を形成すること、パターニングされたレジスト材料を除去すること、少なくとも1つのテーパ面を有する第2の磁性材料上に第2の非磁性材料を堆積させること、第2の非磁性材料上に第3の非磁性材料を堆積させること、および第2の非磁性材料および第3の非磁性材料を第2の非磁性材料の表面と平坦化することを含む。本発明の別の実施形態は、磁気ヘッドを製造する方法を提供する。この方法は一般に、基板表面内に磁気前縁シールドを形成することであって、前縁シールドは平面を有し、平面は平面から基板表面の下にある部分まで先細りしている前縁シールドを形成すること、磁気前縁材料を前縁シールド材料上に堆積させること、レジスト材料を磁気前縁材料上にパターニングすることであって、パターニングされるレジスト材料が磁気前縁材料の部分を露出させるようにパターニングすること、パターニングされたレジスト材料をマスクとして使用して、磁気前縁材料の露出部分をエッチングすることであって、磁気前縁材料の露出部分が除去されて、1つまたは複数のテーパ面を形成するようにエッチングすること、1つまたは複数のテーパ面を有する磁気前縁材料上にエッチング停止層を堆積させること、バルク充填材料をエッチング停止層上に堆積させること、およびバルク充填材料をエッチング停止層と平坦化することを含む。本発明の別の実施形態は、磁気ヘッドの一実施形態を提供する。磁気ヘッドは一般に、非磁性電気絶縁性材料と、非磁性電気絶縁性材料上に形成された前縁シールドと、前縁シールド上に形成された前縁テーパであって、磁気ヘッドのエアベアリング面ABS端部から離れるに従って先細りする、前縁テーパと、前縁テーパおよび前縁シールド上に形成された書き込み極であって、テーパ付き後縁部を有するテーパ領域および非テーパ領域を有し、書き込み極のテーパ領域の厚さは、磁気ヘッドのエアベアリング面ABS端部から離れる方向において増大する、書き込み極と、磁極の非テーパ領域上に形成された第1の非磁性層と、テーパ領域上に形成された非磁性バンプ層であって、第1の非磁性層の側壁部に隣接する、非磁性バンプ層と、バンプ層で覆われていない書き込み極のテーパ領域の部分上に形成された第2の非磁性層と、テーパ領域上に形成された後縁シールドであって、少なくとも第2の非磁性層およびバンプ層により書き込み極から隔てられた、後縁シールドとを備える。別の実施形態では、前縁シールドを製造する方法が開示される。この方法は、化学機械研磨停止層を基板上に堆積させること、化学機械研磨停止層上にフォトレジストマスクを形成すること、ならびに化学機械研磨停止層の少なくとも部分および基板の少なくとも部分をエッチングして、特徴的画定部を形成することを含む。この方法は、フォトレジストマスクを除去して、化学機械研磨停止層を露出させること、前縁シールド材料を特徴的画定部内および露出した化学機械研磨停止層上に堆積させること、前縁シールド材料を化学機械研磨して、化学機械研磨停止層を露出させること、ならびに化学機械研磨停止層を除去することも含む。別の実施形態では、前縁シールドを製造する方法が開示される。この方法は、基板上にフォトレジストマスクを形成すること、基板の少なくとも部分をエッチングして、特徴的画定部を形成すること、およびフォトレジストマスクを除去して、基板を露出させることを含む。この方法は、化学機械研磨停止層を基板上および特徴的画定部内に堆積させること、前縁シールド材料を化学機械研磨停止層上に堆積させること、前縁シールド材料を化学機械研磨して、化学機械研磨停止層の少なくとも部分を露出させること、ならびに化学機械研磨停止層の露出した部分を除去することも含む。本発明の上記特徴を詳細に理解できるように、いくつかが添付図面に示される実施形態を参照して、上で概説した本発明をより具体的に説明する。しかし、添付図面が本発明の典型的な実施形態のみを示し、したがって、他の等しく有効な実施形態への本発明の範囲の限定が認められ得るものとして考えられるべきではないことを留意されたい。理解を容易にするために、可能な場合、同一の参照番号を使用して、各図に共通する同一要素を示した。一実施態様において開示される要素が、有利なことに、特記なしで他の実施形態にも利用し得ることが意図される。以下において、本発明の実施形態を参照する。しかし、本発明が説明される特定の実施形態に限定されないことを理解されたい。限定に代えて、異なる実施形態に関連するか否かに関わりなく、以下の特徴および要素の任意の組み合わせが、本発明の実施および実用に意図される。さらに、本発明の実施形態は、他の可能な解決策および/または従来技術よりも優れた利点を達成し得るが、特定の利点が所与の実施形態により達成されるか否かは、本発明の限定ではない。したがって、以下の態様、特徴、実施形態、および利点は、単なる例示であり、請求項において明示される場合を除き、添付の特許請求の範囲の要素または限定としてみなされない。同様に、本発明に対する言及は、本明細書において開示される任意の本発明による趣旨の一般化として解釈されるべきではなく、請求項に明示される場合を除き、添付の特許請求の範囲の要素または限定として解釈されるべきではない。本発明の実施形態は、一般的に前縁シールドおよび磁気書き込みヘッドに関し、特に、前縁シールドおよびテーパ付き磁極を製造する方法に関する。磁極は、エアベアリング面ABSにおいて、またはABSの近傍において複数のテーパ面を有し得、書き込み極の厚さは、ABSから離れる方向において増大する。これより図1を参照して、本発明を具現したディスクドライブ100を示す。図1に示されるように、少なくとも1つの回転可能な磁気ディスク112が、スピンドル114上に支持され、ディスクドライブモータ118により回転する。各ディスクへの磁気記録は、磁気ディスク112上の同心円データトラック図示せずの環状パターンの形態である。少なくとも1つのスライダ113が磁気ディスク112の近傍に位置決めされ、各スライダ113は、1つまたは複数の磁気ヘッド組立体121を支持する。磁気ディスクが回転する際、スライダ113は、磁気ヘッド組立体121が、所望のデータが書き込まれる磁気ディスクの異なるトラックにアクセスし得るように、ディスク表面122の上方を半径方向において内外に移動する。各スライダ113は、サスペンション115によりアクチュエータアーム119に取り付けられる。サスペンション115は、スライダ113をディスク表面122に対して付勢するわずかなバネ力を提供する。各アクチュエータアーム119は、アクチュエータ手段127に取り付けられる。図1に示されるアクチュエータ手段127は、ボイスコイルモータVCMであり得る。VCMは、固定磁場内で移動可能なコイルを備え、コイル移動の方向および速度は、コントローラ129により供給されるモータ電流信号により制御される。ディスク記憶システムの動作中、磁気ディスク112の回転により、スライダ113とディスク表面122との間にエアベアリングが生成され、このエアベアリングはスライダに上向きの力またはリフトをスライダに対して及ぼす。したがって、エアベアリングは、サスペンション115のわずかなバネ力を相殺し、正常動作中、スライダ113をディスク表面から離れてわずかに上方に小さな略一定の間隔で支持する。ディスク記憶システムの様々な構成要素の動作は、アクセス制御信号および内部クロック信号等の、制御ユニット129により生成される制御信号により制御される。通常、制御ユニット129は、論理制御回路、記憶手段、およびマイクロプロセッサを備える。制御ユニット129は、線123上の駆動モータ制御信号および線128上のヘッド位置シーク制御信号等の様々なシステム動作を制御する制御信号を生成する。線128上の制御信号は、スライダ113をディスク112上の所望のデータトラックに最適に移動させ位置決めするために望ましい電流プロファイルを提供する。書き込み信号および読み取り信号は、記録チャネル125により書き込みヘッドおよび読み取りヘッド121に通信される。図2を参照すると、スライダ113内の磁気ヘッド121の向きをより詳細に見ることができる。図2はスライダ113のABSの図であり、見て分かるように、誘電性書き込みヘッドおよび読み取りセンサを含む磁気ヘッドは、スライダの後縁部に配置される。典型的な磁気ディスク記憶システムの上記説明および付随する図1の説明は、説明のためのみのものである。ディスク記憶システムが多数のディスクおよびアクチュエータを含み得、各アクチュエータがいくつかのスライダを支持し得ることが明確であるべきである。これより図3を参照すると、本発明は、テーパ付き書き込み極およびテーパ付き前縁部を有する磁気ヘッド302において具現し得る。非磁性バンプも図3に示される実施形態に含め得る。磁気書き込みヘッド302は、書き込み磁極304および戻り磁極306を含む。磁気バックギャップ層308および磁気整形層310が、エアベアリング面ABSから離れた場所で、戻り極306を書き込み極304に磁気的に接続する。書き込み磁極は、前縁シールド307および前縁テーパ305によりさらに画定される。導電性非磁性書き込みコイル318が、書き込み極304および戻り極306の間を通ると共に、書き込み極304の上方も通過し得る。書き込みコイル318は、非磁性電気絶縁性材料322上に着座することができ、アルミナおよび/またはハードベークされたフォトレジスト等の非磁性電気絶縁性材料320内にも埋め込まれる。動作中、コイル318を通って流れる電流が、書き込み極304を通って流れる磁束を生じさせる磁場を誘導する。これにより、磁場は書き込み極304から、図1に示される磁気媒体122等の磁気媒体に向かって発せられる。この書き込み磁場は、媒体を通って流れ、書き込み極304により書き込まれた磁気ビットを消去しないように十分に大きな断面を有する戻り極306に戻る。書き込み磁場勾配を増大させるそれにより、切り替え速度を増大させるために、書き込みヘッド302は、前縁テーパ305を有する磁気前縁シールド307も含む。さらに、書き込み磁場勾配を増大させるそれにより、切り替え速度を増大させるために、書き込みヘッド302は磁気後縁シールド312も含む。後縁シールド312は、後縁ギャップ層332により書き込み極304から離間される。書き込み極304は、後縁シールド312を整形層310の後部等の書き込みヘッド302の後部に接続する後縁戻り極316にも接続し得る。いくつかの実施形態では、書き込みヘッドの第1の幅は20nm~150nmであり、ABS表面に平行する平面に対して角度αでエアベアリング面ABSから離れるに従って先細りし得る。一実施形態では、αは約30°~約60°である。これより図4Aおよび図4Bを参照して、本発明の一実施形態による書き込みヘッドの極先端部を示す。図4Aに示されるように、書き込みヘッド402は、テーパ付き後縁部406上述した実施形態と同様を有するが、テーパ付き後縁部408も有する書き込み極404を含む。両方ともテーパ付きの後縁部および前縁部を有することで、書き込み極404の磁気飽和を回避しながら、磁束を書き込み極404の先端に集中させることにより、書き込みヘッド402の性能がさらに最適化される。書き込みヘッド402は、前縁シールド410と、前縁テーパ411ならびに後縁シールド412を有する磁気前縁シールドと、磁気後縁シールドとを有する。前縁シールド410は、前縁ギャップ距離414だけ書き込み極404から隔てられ、後縁シールド412は、後縁ギャップ距離416だけ書き込み極404の後縁部から隔てられ、前縁ギャップ距離414は後縁ギャップ距離416よりもはるかに大きく、それにより、動作中、書き込み磁場が前縁シールド410に向かって引き込まれないようにする。前縁ギャップ距離414は、好ましくは、後縁ギャップ距離416の少なくとも2倍であり、より好ましくは、後縁ギャップ距離416の約4倍である。一例では、前縁ギャップ距離414は約100μmであり得、その一方で、後縁ギャップ距離416は約25μmであり得る。前縁シールド410は、書き込み極404から第1および第2の非磁性層418、420により隔てられる。第1の層418は、クロムCrまたはニッケル-クロムの合金NiCr等の材料で構築することができる。第2の層420は、ルテニウムRu等の材料で構築することができる。書き込みヘッドは、NiCr等の材料で構築でき、50μm~200μmの厚さを有することができる非磁性スペーサ層422も含む。非磁性スペーサ層は、エアベアリング面ABSから所望の距離の箇所に配置された前縁部424を有する。アルミナAl2O3等の材料で構築された非磁性バンプ426が、非磁性スペーサ層422の前縁部に形成され、書き込み極404のテーパ付き後縁部406の部分上に延びる。非磁性スペーサ層422および非磁性バンプ層426は、後縁シールド412と書き込み極404との間に追加のスペースを提供すると共に、この追加のスペースへの平滑な遷移を提供することにより、このスペースの外形を最適化する。書き込みヘッドは、後縁シールド412を書き込み極404から隔て、非磁性バンプ426および非磁性スペーサ層422上に延びてもよい非磁性後縁ギャップ層428も含む。非磁性後縁ギャップ層は、ルテニウム等の材料で構築することができる。さらに、非磁性電気絶縁性充填層430をシールド410、412の背後に設けてもよいが、同様に構造をこれらの領域内に含めてもよい。コバルト-鉄CoFe等の高磁気モーメントシード層432を後縁シールド412の底部に含めて、後縁シールドの性能を向上させてもよい。図4Bは、エアベアリング面から見た書き込みヘッド402を示す。図4Bから見られるように、後縁シールド412は、書き込み極の両側を超えて下方に延び、側方シールド部452、454を形成する。このため、後縁シールド412はラップアラウンドシールドとも呼称できる。書き込みヘッドは、好ましくはSiO2またはアルミナ等の反応性イオンエッチング可能RIE可能な材料で構築される非磁性絶縁側方充填層456、458も含む以下において明らかになる理由により。非磁性側方充填層が略垂直な外側側部を有し図4Aを参照して上述した層420も、書き込みヘッドの両側の上に延びるこれもまた、以下において明らかになる理由によりことも見て分かる。層420、456、428、432の厚さは、側方ギャップ距離460を画定する。層418および428が、シールド412、410が互いに接触しないように、後縁シールド412と前縁シールド410との間に延びることが図4Bにおいて見て分かる。本発明の別の実施形態では、層418および428は、後縁シールド412および前縁シールド410が層418、428を超えた領域で磁気的に接触するように、書き込み極404から離れたあるポイントで終端する。この実施形態は、後縁シールド412からの磁束の流れを向上させることにより、後縁シールド412の性能を向上させることができる。図5A~図5Gは、図3、図4A、および図4Bを参照して上述した様々な実施形態による磁気書き込みヘッドを製造する方法の実施形態を説明する。図5A~図5Gは、本発明の実施形態による、書き込み極の前縁テーパの製造中に実行される例示的なステップを示す。図5Aに示されるように、一実施形態では、この構造の製造は、基板材料500を提供することにより開始し得る。基板材料500は、アルミナとしても知られる酸化アルミニウムAl2O3等の非磁性材料で構成し得る。図に示されないが、基板材料500は、磁気ヘッドの1つまたは複数の他の構成要素、例えば、読み取りヘッドおよびすでに内部に形成された書き込みヘッドの1つまたは複数の構成要素を含んでもよい。さらに、示されていないが、基板材料500は、内部に配置されて、任意の特徴的画定部の底部を形成する反応性イオンエッチング可能な停止層上記の310も含み得る。基板材料500は、図3の絶縁材料320に対応し得る。代替の実施形態では、基板材料500は、本明細書において説明される磁性材料であり得る。RIE停止層である、反応性イオンエッチングRIEに耐性を有する材料の層510が、基板上に堆積される。RIE停止層510は、タンタルTa、窒化タンタルTaN、チタンTi、窒化チタンTiN、クロムCr、ニッケルとクロムの合金NiCr、ルテニウムRu、およびこれらの組み合わせまたはこれらの材料の積層等の非磁性材料であることができる。充填層520が、材料層510上に堆積される。充填層520は、反応性イオンエッチング可能RIE可能な材料、例えば、アルミナAl2O3、二酸化シリコンSiO2、窒化シリコンであり得、以下において明らかになるように、少なくとも、所望の書き込み極厚の所望の厚さと同じ厚さで堆積される。特徴的画定部535は、イオンビームエッチングIBE等の反応性イオンエッチングRIEプロセスにより、充填層520の反応性イオンエッチング可能材料RIE可能内に形成し得る。反応性イオンエッチングRIEプロセスは、好ましくは、垂直に対して1つまたは複数の角度を有して実行されて、テーパ付き側壁537を有する特徴的画定部535を有する充填層520を形成する。1つまたは複数の角度は、垂直に対して10°~60°であり、特徴的画定部の底部から特徴的画定部の上部まで外側に向かって傾斜する。そのような構造は、台形を形作ることができる、表面から材料520内に先細る構造を提供する。図6A~図6Eにおいて説明される研磨停止材料であり得る、非磁性材料530を、原子層堆積等のコンフォーマル堆積conformaldepositionプロセスにより堆積し得る。この非磁性材料530は、タンタルTa、窒化タンタルTaN、チタンTi、窒化チタンTiN、クロムCr、ニッケルとクロムの合金NiCr、ルテニウムRu、およびこれらの組み合わせまたはこれらの材料の積層を含む非磁性材料であり得、まだ形成されていない書き込み極のトラック幅を縮めるために、トレンチの幅を有利に低減するのに十分な厚さまで堆積し得る。次に、コバルト-鉄CoFeまたはコバルト-ニッケル-鉄CoNiFe等の磁性材料540は、電子メッキ等により、充填層520内に形成された特徴的画定部535内に堆積し得る。磁性材料540は、後の主極構造のための構造の前縁シールド材料を形成する。化学機械研磨CMPプロセスを実行して、磁性層540を平坦化し、図5Aに示される構造を書き込み極材料540と共に特徴的画定部535内に残す。次に、イオンミリングも実行して、充填層520上に延び得る非磁性層535の部分を除去し得る。図5Bを参照すると、次に、前縁テーパ材料になる磁性材料550が、スパッタリングプロセス等により、充填層520、非磁性材料530、および磁性材料540の平坦化された表面上にコンフォーマル堆積される。磁性材料550は、ニッケル-鉄NiFe、コバルト-鉄CoFe、コバルト-ニッケル-鉄CoNiFe、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される合金である。磁性材料550は、磁性層540と同じ材料であってもよく、または異なる材料であってもよい。磁性材料550は、スパッタリングプロセスにより堆積し得、約500Åから約1500Åの厚さ、例えば、約1100Åの厚さに堆積し得る。次に、フォトレジスト/レジスト材料560を磁性材料550上に堆積してパターニングし得る。図5Cを参照すると、イオンビームエッチングIBEプロセス等のイオンミリングプロセスまたは反応性イオンエッチングプロセスを実行して、パターニングされたフォトレジスト/レジスト材料560により露出した磁性層550の部分を除去し得る。イオンミリングを実行して、好ましい角度で磁性材料層550の部分を除去し、それにより、磁性材料層550上にテーパ面555を形成することができる。さらに、磁性層をイオンミリングして、図5Cに示されるように、テーパ部分の端部が下にある磁性材料540の水平表面結合内にあるテーパ材料を提供し得る。一実施形態では、磁性材料層550は、下にある、基板表面上の磁性材料540のみに結合されたテーパ部分を有する。イオンミリングは、パターニングされたフォトレジスト/レジスト層560からの影により、テーパ面が、堆積層の表面に対して平行する平面に対して10°~60°の角度、20°~40°等、例えば、約30°の角度をなすように、垂直に対して1つまたは複数の角度で実行される。テーパ付き構造は、前縁テーパ構造を形成する。図に示されるように、前縁テーパは、2つ以上のテーパ付き側部を有し得、各側部は同じまたは略同じ角度を有し得る。仮に任意の非磁性材料550が層の表面上に配置された場合図示せず、その非磁性材料530をイオンミリングプロセスを使用して除去し得る。図5Dを参照すると、次に、パターニングされたフォトレジスト/レジスト材料560を磁性層550から除去し得る。パターニングされたフォトレジスト/レジスト材料560は、リフトオフプロセスまたはアッシングプロセスにより除去し得る。図5Eを参照すると、非磁性層570が、磁性材料層550ならびに充填層520、非磁性材料530、および磁性材料540の露出面上にコンフォーマル堆積される。非磁性層570は、反応性イオンエッチングRIE停止層であり得、タンタルTa、窒化タンタルTaN、チタンTi、窒化チタンTiN、クロムCr、ニッケルとクロムの合金NiCr、ルテニウムRu、およびこれらの組み合わせまたはこれらの材料の積層を含む非磁性材料であり得る。非磁性材料570は、40μm~60μmの厚さ、または約50μmの厚さに堆積し得る。図5Fを参照すると、アルミナ等の非磁性材料のバルク層580を、コンフォーマル非磁性RIE停止層570上に堆積し得る。次に、バルク層580およびオプションとして非磁性RIE停止層570を平坦化し得る。基板材料500およびバルク層580は同じ材料のものであってよく、誘電材料の中でも特に、アルミナAl2O3、酸化シリコン、窒化シリコン、これらの組み合わせの群から選択される材料を含み得る。次に、形成された構造を主極処理に提供し得る。図5Gは、エアベアリング面プロセス後の積層構造を示し、図3に示される前縁テーパ面を有する書き込み極の形成が可能な、ABSを含む前縁シールド部340および前縁テーパ部355を示す。図5Aにおいて形成された構造は、いくつかの異なるプロセスにより形成し得、そのうちの2つの実施形態について、図6A~図6Eおよび図7A~図7Eのそれぞれを参照して後述する。前縁シールドを形成する一様式は、シード層を基板上に堆積させることを含む。シード層は、電子メッキまたはスパッタリング等の従来の堆積技法により堆積し得る。次に、シード層の選択されたエリアを露出させたままにするフォトレジストマスクが形成される。次に、磁性材料をシード層の露出エリアに堆積させる。次に、マスクならびにマスクの下にある露出したシード層を除去し得る。除去は、イオンビームミリングを利用して行われ、下にある基板を露出させ得る。次に、Al2O3の層を基板の部分および磁性材料の部分を含む露出面上に形成し得る。次に、CMPプロセスを使用して、Al2O3を再び平坦化し、磁性材料を露出させ、磁性材料も少なくとも部分的に研磨し得る。プロセスフローは単純であるが、好ましい0.1μm~0.3μmの厚さの所望の均一性の前縁シールドを達成できないため、製造可能性はない。逆に、図6A~図6Eに関連して後述するプロセスフローは、CMP停止層の堆積、フォトパターニング、エッチング、再充填、CMP、およびライトミリングlightmillを含み、より良好な前縁シールド厚さ手段および均一性制御を提供する。図7A~図7Eに関連して後述するプロセスフローは、エッチング、停止層および前縁シールド材料の再充填、次に、CMP、ならびにライトイオンビームエッチングを含む。図6A~図6Eのプロセスフローは、CMP停止層のプロセスの痕跡を残さないが、図7A~図7Eのプロセスフローは、CMP停止層のプロセスの痕跡を残すことになる。図6A~図6Eおよび図7A~図7Eの両方の前縁シールドは、リーダが完成した後に製造される。前縁シールドは、約0.2μm~約0.3μmの範囲のスロート高さ長で製造される。前縁シールドの厚さは、約0.1μm~約0.3μmである。前縁シールドの磁性材料は、NiFe、CoNiFe、およびCoFe等の軟磁性材料を含み得る。図6A~図6Eを参照すると、図5Aの構造は、まず、基板材料600を提供することにより形成し得る。基板材料600は、アルミナとしても知られる酸化アルミニウムAl2O3等の非磁性材料で構成し得る。図に示されないが、基板材料600は、磁気ヘッドの1つまたは複数の他の構成要素、例えば、読み取りヘッドおよびすでに内部に形成された書き込みヘッドの1つまたは複数の構成要素を含んでもよい。さらに、示されていないが、基板材料600は、内部に配置されて、任意の特徴的画定部の底部を形成する反応性イオンエッチング可能層の停止層上記の310も含み得る。基板材料600は、図3の絶縁材料320に対応し得る。代替の実施形態では、基板材料600は、本明細書において説明される磁性材料であり得る。CMP抵抗材料またはCMP停止層である、化学機械研磨CMPに耐性を有する材料610の層が、基板上に堆積される。CMP抵抗材料610は、イリジウムIr、ルテニウムRu、ロジウムRh、タンタルTa、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料であり得、好ましくは、非磁性材料である。CMP抵抗材料610は、100Å~500Åの厚さに堆積し得る。次に、フォトレジスト材料620がCMP抵抗材料610上に堆積されてパターニングされる。図6Bを参照すると、露出したCMP抵抗材料610および下にある基板材料600を反応性イオンエッチングRIEまたはイオンビームエッチングIBEすることにより、特徴的画定部625を基板材料600内に形成し得る。反応性イオンエッチングプロセスは、好ましくは、垂直に対して1つまたは複数の角度で実行されて、テーパ付き側壁627を有する特徴的画定部625を形成する。1つまたは複数の角度は、垂直に対して10°~60°であり、特徴的画定部の底部から特徴的画定部の上部まで外側に向かって傾斜する。エッチングプロセス後、リフトオフプロセスまたはアッシングプロセス等により、フォトレジスト/レジスト材料620も除去される。特徴的画定部は、0.1μm~0.3μmの深さまたは厚さを有して形成される。コバルト-ニッケル-鉄CoNiFeのコバルト-鉄CoFe等の磁性材料630は、図6Cに示されるように、CMP停止層610および基板材料600内に形成された特徴的画定部625内に堆積し得る。磁性材料630は、電子メッキ等のメッキプロセスまたは物理的堆積スパッタリングプロセスにより堆積し得る。化学機械研磨CMPプロセス等による平坦化プロセスを実行して、CMP停止層610上に堆積した磁性層630を除去し、磁性層630をCMP抵抗材料610と平坦化して、本質的に、特徴的画定部625内に形成された前縁シールドである、図6Dに示される構造を残す。次に、ライトイオンビームエッチングプロセスIBEまたはスパッタエッチングプロセス等によるイオンミリングも実行して、図6Eに示されるように、平坦化プロセス後でもまだ残っているCMP抵抗材料610の部分を除去し得る。LETプロセスがもう少し先まで使用される場合、イオンミリングをスキップすることができる。イオンミリングは、約100Å~約500Åを除去し得る。図7A~図7Eを参照すると、構造は、まず、基板材料700を提供することにより形成し得る。基板材料700は、アルミナとしても知られる酸化アルミニウムAl2O3等の非磁性材料で構成し得る。図に示されないが、基板材料700は、磁気ヘッドの1つまたは複数の他の構成要素、例えば、読み取りヘッドおよびすでに内部に形成された書き込みヘッドの1つまたは複数の構成要素を含んでもよい。次に、フォトレジスト/レジスト材料720を基板材料700上に堆積してパターニングし得る。さらに、示されていないが、基板材料700は、内部に配置されて、任意の特徴的画定部の底部を形成する反応性イオンエッチング可能層の停止層上記の310も含み得る。基板材料700は、図3の絶縁材料320に対応し得る。代替の実施形態では、基板材料700は、本明細書において説明される磁性材料であり得る。図7Bを参照すると、露出した基板材料700を反応性イオンエッチングRIEまたはイオンビームエッチングIBEすることにより、特徴的画定部725を基板材料700内に形成し得る。反応性イオンエッチングプロセスは、好ましくは、垂直に対して1つまたは複数の角度で実行されて、テーパ付き側壁727を有する特徴的画定部725を形成する。1つまたは複数の角度は、垂直に対して10°~60°であり、特徴的画定部725の底部から特徴的画定部725の上部まで外側に向かって傾斜する。特徴的画定部725は、0.1μm~0.3μmの深さまたは厚さを有して形成される。エッチングプロセス後、リフトオフプロセスまたはアッシングプロセス等により、フォトレジスト/レジスト材料720も除去される。図7Cを参照すると、CMP抵抗材料710またはCMP停止層である、化学機械研磨CMPに耐性を有する材料の層が、基板上および特徴的画定部上にコンフォーマル堆積される。CMP抵抗材料710は、イリジウムIr、ルテニウムRu、ロジウムRh、タンタルTa、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料であり得、好ましくは、非磁性材料である。CMP抵抗材料710は、100Å~500Åの厚さに堆積し得る。コバルト-鉄CoFeまたはコバルト-ニッケル-鉄CoNiFe等の磁性材料730は、図7Cに示されるように、CMP抵抗材料710および基板材料700内に形成された特徴的画定部725内に堆積し得る。磁性材料730は、電子メッキ等のメッキプロセスまたは物理的堆積スパッタリングプロセスにより堆積し得る。化学機械研磨CMPプロセス等による平坦化プロセスを実行して、磁性層730を除去し、CMP抵抗材料710と平坦化し、本質的に、特徴的画定部725内に形成された前縁シールドである、図7Dに示される構造を残す。次に、ライトイオンビームエッチングプロセスIBE等によるイオンミリングも実行して、図7Eに示されるように、平坦化プロセス後でもまだ残っているCMP抵抗材料710の部分を除去し得る。図6A~図6Eおよび図7A~図7Eに示されるプロセスフローは、互換性を有する。図6A~図6Eのプロセスフローは、CMP停止層にプロセスの痕跡を残さないが、図7A~図7Eのプロセスフローは、CMP停止層のプロセスの痕跡を残すことになる。Cr/NiCrRIE停止層は、前縁シールドが完成して、四辺ラップアラウンドシールドを有するが、前縁テーパを有さない垂直書き込みヘッドを作成した後、前縁シールド上に堆積し得る。前縁シールドが製造された後、垂直書き込みヘッドが前縁シールドおよび前縁テーパの両方を有することになるように、前縁テーパも前縁シールド上に構築することができる。図8A~図8Fを参照して、書き込み材料上に主極を形成する一実施形態は以下である。図5Fに示されるような非磁性充填材料380が除去される。好ましくはNiCrで構築されるオプションの非磁性停止層を、非磁性層570非磁性反応性イオンエッチングRIE停止層および前縁テーパ材料555上に堆積し得る。次に、極材料810を堆積して平坦化し得る。極材料810は、本明細書において説明した磁性材料を含み得る。好ましくはNiCrで構成される非磁性ステップ層820が、極材料810上に堆積される。マスク層および/またはフォトレジスト/レジスト層図示せずが、非磁性ステップ層820および極材料810上に堆積してパターニングされる。次に、非磁性ステップ層820および極材料810は、イオンミリングプロセスによりエッチングされパターニングされて、上部テーパ面825を形成する。次に、あらゆるマスクまたはフォトレジスト/レジスト材料が除去されて、図8Bに示される構造を提供する。アルミナ等の非磁性材料830の層が、図8Cに示されるように、原子層堆積または化学蒸着等のコンフォーマル堆積プロセスにより堆積される。次に、イオンミリングが実行されて、アルミナ層の水平に配置された部分を優先的に除去して、アルミナバンプ835を非磁性ステップ層820の前縁部に残す。非磁性材料840の層が、図8Dに示されるように所望の後縁ギャップ厚を画定する厚さまで堆積される。後縁ギャップ層840は、ルテニウムおよび他の非磁性材料で構築することができる。次に、アルミナ860等の非磁性電気絶縁材料860を後縁ギャップ層840上に堆積し得る。図8Fを参照すると、次に、非磁性電気絶縁材料860をエッチングして、エアベアリング面から後縁ギャップ層840の略水平な部分に沿った部分まで形成された後縁ギャップ層840の部分を露出させ得る。オプションの高磁気モーメントシード層850を、露出した後縁ギャップ層840上に堆積してパターニングし得る。後縁シールド870を高磁気シード層850上に堆積し得る。高磁気モーメントシード層850を後縁シールド870312の後縁部に設けて、後縁シールドの性能を最大化し得る。後縁戻り極、追加の非磁性電気絶縁材料、およびコイル等の追加の構造を構造上に形成して、ヘッド構造を形成し得る。次に、この構造を処理して、図3に示される構造を形成するために図8Fの構造を通して形成される線ABSにより示されるように、エアベアリング面を形成し得る。上記は本発明の実施形態に関するが、本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態を、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに考案し得、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲により決定される。