インターポーザ上に搭載された第1の半導体素子と、第1の接着層と第2の接着層からなる2層構造の接着層によって前記第1の半導体素子上に固着された第2の半導体素子と、前記インターポーザと前記第1の半導体素子とを電気的に接続する第1の金属細線と、前記インターポーザと前記第2の半導体素子とを電気的に接続する第2の金属細線と、を備え、前記第1の金属細線が前記第1の半導体素子の各辺に複数本ずつ接続しており、前記各第1の金属細線の一部が、前記第2の半導体素子の前記2層構造の接着層側の面よりも低い高さで前記2層構造の接着層内に埋め込まれており、前記第1の半導体素子の少なくとも一つの辺に対して、隣接する前記第1の金属細線間の間隔の一部を大きくした領域を設けたことを特徴とする半導体装置。前記第1の金属細線間の間隔を大きくしている位置の少なくとも一つに合わせて、前記第1の半導体素子の前記2層構造の接着層側の面上に形成されている保護膜に、前記第1の半導体素子の中央に向かって伸びる溝が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第1の金属細線間の間隔を大きくした領域が前記第1の半導体素子の各辺ごとに設けられ、前記保護膜の溝が前記第1の半導体素子の各辺ごとに形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。前記保護膜の溝の前記第1の半導体素子の中央側の辺が円弧状であることを特徴とする請求項2もしくは3のいずれかに記載の半導体装置。前記保護膜の溝が、前記第1の半導体素子の外周に向かって溝幅が広がる形状に形成されていることを特徴とする請求項2もしくは3のいずれかに記載の半導体装置。前記第1の半導体素子の外周に向かって溝幅が広がる形状の前記保護膜の溝の、前記第1の半導体素子の中央側の辺が、円弧状であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。前記保護膜のコーナー部に、前記第1の半導体素子の中央に向かって伸びる溝が形成されていることを特徴とする請求項2ないし6のいずれかに記載の半導体装置。前記第1の金属細線間の間隔を大きくしている位置の少なくとも一つに合わせて、前記2層構造の接着層のうちの前記第2の半導体素子側の第2の接着層に、前記第2の半導体素子の中央に向かって伸びる切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第2の接着層のコーナー部に、前記第2の半導体素子の中央に向かって伸びる切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項8記載の半導体装置。前記第1の金属細線間の間隔を大きくしている位置の少なくとも一つに合わせて、前記第1の半導体素子の前記2層構造の接着層側の面上に形成されている保護膜に、前記第1の半導体素子の中央に向かって伸びる溝が形成されるとともに、前記2層構造の接着層のうちの前記第2の半導体素子側の第2の接着層に、前記第2の半導体素子の中央に向かって伸びる切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記保護膜の溝幅よりも、前記第2の接着層の切り欠き幅のほうが狭いことを特徴とする請求項10記載の半導体装置。前記保護膜の溝幅よりも、前記第2の接着層の切り欠き幅のほうが広いことを特徴とする請求項10記載の半導体装置。インターポーザ上に第1の半導体素子を搭載する工程と、前記インターポーザと前記第1の半導体素子とを第1の金属細線で電気的に接続する工程と、前記第1の半導体素子に、第1の接着層となる接着剤を塗布する工程と、第2の接着層が貼り付けられた第2の半導体素子を、その第2の接着層を前記第1の半導体素子に塗布された前記接着剤に対向させて、前記第1の半導体素子上に搭載して、前記第1の接着層と前記第2の接着層からなる2層構造の接着層を形成するとともに、前記第1の金属細線の一部を、前記第2の半導体素子の前記第2の接着層側の面よりも低い高さで、前記2層構造の接着層内に埋め込む工程と、前記インターポーザと前記第2の半導体素子とを第2の金属細線で電気的に接続する工程と、を具備し、前記インターポーザと前記第1の半導体素子とを前記第1の金属細線で電気的に接続する際に、前記第1の半導体素子の各辺に複数本ずつ第1の金属細線を接続するとともに、前記第1の半導体素子の少なくとも一つ辺に対して、隣接する前記第1の金属細線間の間隔の一部を大きくした領域を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。以上説明したように、下段に搭載された半導体素子と外形サイズ面積が同等またはそれ以上の外形サイズを有する半導体素子を上段に搭載し、それらの半導体素子にワイヤボンディング工法で金属細線を接続した構造の半導体装置として、ダミーチップを介在させずに、積層する半導体素子同士を接着剤で固着させた構造の積層型パッケージが確立されている。しかしながら、従来の積層型パッケージでは、隣接する金属細線の間隔金属細線のピッチが狭くなると、接着剤内にボイドが形成されるという問題がある。すなわち、一般的に、上段に半導体素子を搭載する際には、下段の半導体素子の半導体素子搭載箇所に接着剤を塗布し、上段となる半導体素子を所定の荷重で接着剤に押し付ける。これにより、塗布された接着剤が濡れ広がり、接着面積が確保される。このとき、下段の半導体素子と上段の半導体素子との間に存在するエアーを、それらの半導体素子の隙間から外に排出しながら接着剤が濡れ広がる。しかし、下段の半導体素子に接続される金属配線のピッチが非常に狭くなると、積層する半導体素子の間に存在するエアーを排出できなくなり、ボイドが形成される。このボイドが、パッケージを基板に実装する際に、パッケージクラックを引き起こす。今後、半導体素子の更なる高機能化と多機能化が要望されて、この要望に応えるために、積層する半導体素子にも拡散の微細化プロセスを使うことになれば、従来の積層型パッケージにおいても狭パッドピッチ化が進み、金属細線のピッチも狭くなる。さらに半導体素子のサイズを維持したままパッド数が増えることに対応するため千鳥パッド配置を採用した場合には、金属細線のピッチがますます狭くなる。したがって、積層する半導体素子同士を固着する接着剤内にボイドが形成されて、パッケージクラックが引き起こされるおそれが高まる。本発明は、下段に搭載された半導体素子と外形サイズ面積が同等またはそれ以上の外形サイズを有する半導体素子を上段に搭載し、それらの半導体素子にワイヤボンディング工法で金属細線を接続した構造の半導体装置において、薄型化および高信頼性を確保することができる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体装置は、インターポーザ上に搭載された第1の半導体素子と、第1の接着層と第2の接着層からなる2層構造の接着層によって前記第1の半導体素子上に固着された第2の半導体素子と、前記インターポーザと前記第1の半導体素子とを電気的に接続する第1の金属細線と、前記インターポーザと前記第2の半導体素子とを電気的に接続する第2の金属細線と、を備え、前記第1の金属細線が前記第1の半導体素子の各辺に複数本ずつ接続しており、前記各第1の金属細線の一部が、前記第2の半導体素子の前記2層構造の接着層側の面よりも低い高さで前記2層構造の接着層内に埋め込まれており、前記第1の半導体素子の少なくとも一つの辺に対して、隣接する前記第1の金属細線間の間隔の一部を大きくした領域を設けたことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、前記第1の金属細線間の間隔を大きくしている位置の少なくとも一つに合わせて、前記第1の半導体素子の前記2層構造の接着層側の面上に形成されている保護膜に、前記第1の半導体素子の中央に向かって伸びる溝が形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記第1の金属細線間の間隔を大きくした領域が前記第1の半導体素子の各辺ごとに設けられ、前記保護膜の溝が前記第1の半導体素子の各辺ごとに形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記保護膜の溝の前記第1の半導体素子の中央側の辺が円弧状であってもよい。また、本発明の半導体装置は、前記保護膜の溝が、前記第1の半導体素子の外周に向かって溝幅が広がる形状に形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記第1の半導体素子の外周に向かって溝幅が広がる形状の前記保護膜の溝の、前記第1の半導体素子の中央側の辺が、円弧状であってもよい。また、本発明の半導体装置は、前記保護膜のコーナー部に、前記第1の半導体素子の中央に向かって伸びる溝が形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記第1の金属細線間の間隔を大きくしている位置の少なくとも一つに合わせて、前記2層構造の接着層のうちの前記第2の半導体素子側の第2の接着層に、前記第2の半導体素子の中央に向かって伸びる切り欠きが形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記第2の接着層のコーナー部に、前記第2の半導体素子の中央に向かって伸びる切り欠きが形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記第1の金属細線間の間隔を大きくしている位置の少なくとも一つに合わせて、前記第1の半導体素子の前記2層構造の接着層側の面上に形成されている保護膜に、前記第1の半導体素子の中央に向かって伸びる溝が形成されるとともに、前記2層構造の接着層のうちの前記第2の半導体素子側の第2の接着層に、前記第2の半導体素子の中央に向かって伸びる切り欠きが形成されていてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記保護膜の溝幅よりも、前記第2の接着層の切り欠き幅のほうが狭くてもよい。また、本発明の半導体装置は、前記保護膜の溝幅よりも、前記第2の接着層の切り欠き幅のほうが広くてもよい。また、本発明の半導体装置の製造方法は、インターポーザ上に第1の半導体素子を搭載する工程と、前記インターポーザと前記第1の半導体素子とを第1の金属細線で電気的に接続する工程と、前記第1の半導体素子に、第1の接着層となる接着剤を塗布する工程と、第2の接着層が貼り付けられた第2の半導体素子を、その第2の接着層を前記第1の半導体素子に塗布された前記接着剤に対向させて、前記第1の半導体素子上に搭載して、前記第1の接着層と前記第2の接着層からなる2層構造の接着層を形成するとともに、前記第1の金属細線の一部を、前記第2の半導体素子の前記第2の接着層側の面よりも低い高さで、前記2層構造の接着層内に埋め込む工程と、前記インターポーザと前記第2の半導体素子とを第2の金属細線で電気的に接続する工程と、を具備し、前記インターポーザと前記第1の半導体素子とを前記第1の金属細線で電気的に接続する際に、前記第1の半導体素子の各辺に複数本ずつ第1の金属細線を接続するとともに、前記第1の半導体素子の少なくとも一つの辺に対して、隣接する前記第1の金属細線間の間隔の一部を大きくした領域を設けたことを特徴とする。本発明の好ましい形態によれば、積層する半導体素子同士を接着層で固着するので、パッケージの低背化が可能となり、更に低コスト化を図ることもできる。また、2層構造の接着層を採用することで、上段に半導体素子を搭載する際に、下段の半導体素子に接続されている金属細線が上段の半導体素子の裏面に接触することがなく、ワイヤ変形等の不具合を無くすことができる。さらに、本発明の好ましい形態によれば、上段に半導体素子を搭載する際に、下段の半導体素子に接続されている金属細線のピッチを大きくしている箇所から、下段の半導体素子と上段の半導体素子との間に存在するエアーを排出できる。したがって、エアーを効率よく、かつ確実に排出できるので、ボイドを撲滅でき、高信頼性を確保した半導体装置が実現できる。特に、積層する半導体素子同士を固着するのにペースト状の接着剤を使用する場合にボイドは発生しやすく、このようにペースト状の接着剤を使用した積層型パッケージに本発明は有効である。本発明の半導体装置およびその製造方法に係る実施の形態について図面を参照しながら以下に述べる。但し、同じ要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する。図1は第1の実施の形態における半導体装置を示しており、図1aは図1bにおいてA-A’線で示す箇所の断面図、図1bは第1の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。図1に示すように、この第1の実施の形態における半導体装置は、インターポーザ1の主面上に搭載された第1の半導体素子2と、第1の半導体素子1の回路面上に搭載された第2の半導体素子8と、インターポーザ1と第1の半導体素子2とを電気的に接続する第1の金属細線5と、インターポーザ1と第2の半導体素子8とを電気的に接続する第2の金属細線12と、第1の半導体素子2、第2の半導体素子8、第1の金属細線5および第2の金属細線12を一括封止する封止樹脂13と、インターポーザ1の主面とは反対側の裏面に付設された金属端子14と、を備える。下段に搭載される第1の半導体素子2は、その回路面とは反対側の裏面をインターポーザ1側にして、接着層3によってインターポーザ1の主面上に固定されている。例えば、インターポーザ1の主面上に、接着層3となるペースト状の接着剤を塗布し、インターポーザ1の主面に向けて第1の半導体素子2を押圧した後、加熱して接着剤を硬化させてもよい。これにより、接着層3となる接着剤が濡れ広がり、接着面積が確保されて、第1の半導体素子2がインターポーザ1の主面上に固着される。第1の半導体素子2の回路面には、図示しない複数の電極が第1の半導体素子2の外周に沿って配置されている。また、第1の半導体素子2の回路面には、図示しない回路配線が形成されている。この回路配線は、第1の半導体素子2の電極に電気的に接続している。また、この回路配線を保護するための第1の保護膜6が、第1の半導体素子2の回路面上に形成されている。第1の保護膜6は、少なくとも第1の半導体素子2の回路面上の電極が露出する形状に形成される。ここでは、第1の半導体素子2の回路面上の電極よりも内側を覆う形状を例示している。第1の半導体素子2の回路面上に形成する第1の保護膜6の材料には、例えばポリイミド樹脂を使用することができる。この場合、第1の保護膜6は、例えばコーターを用いて、第1の半導体素子2の回路面上にポリイミド樹脂を塗布し、その塗布したポリイミド樹脂を第1の半導体素子2の回路面上で広げた後、露光現像し、エッチングして形成することができる。第1の金属細線5は、ワイヤボンディング工法で形成され、第1の半導体素子2の回路面上の電極と、インターポーザ1の主面上に配置された第1の電極4とを電気的に接続している。よって、第1の半導体素子2の各辺に複数本の第1の金属配線5が接続している。上段に搭載される第2の半導体素子8は、その回路面とは反対側の裏面を第1の半導体素子2側にして、互いに物性が異なる接着層第1の接着層7と接着層第2の接着層10からなる2層構造の接着層によって第1の半導体素子2の回路面上に固定されている。例えば、第2の半導体素子8の裏面に、接着層10となるシート状ないしはフィルム状の接着剤を予め貼り付けておき、第1の半導体素子2の回路面上に、接着層7となるペースト状の接着剤を塗布した後、インターポーザ1を加熱した状態で、第2の半導体素子8に貼り付けられた接着剤を第1の半導体素子2に塗布された接着剤に対向させて、第1の半導体素子2の回路面に向けて第2の半導体素子8を押圧してもよい。これにより、接着層7となる接着剤が濡れ広がり、接着面積が確保されて、第2の半導体素子8が第1の半導体素子2の回路面上に固着される。この際、第1の半導体素子2または第2の半導体素子8を加熱しながら、第1の半導体素子2の回路面に向けて第2の半導体素子8を押圧してもよい。なお、第2の半導体素子8の搭載する際の加熱条件によっては、第1の半導体素子2の回路面上に塗布したペースト状の接着剤が完全に硬化しない場合は、後工程に硬化処理を追加する。下側第1の半導体素子2側の接着層7と上側第2の半導体素子8側の接着層10の材料には、下段の半導体素子2に接続する第1の金属細線5が、下側の接着層7内に埋め込まれる一方で、上側の接着層10の表面に接して第2の半導体素子8の裏面に接触しないようにできる材料を用いる。例えば、下側の接着層7として第1の半導体素子2の回路面上に塗布するペースト状の接着剤には、第2の半導体素子8を搭載する際の加熱条件によって粘度または硬度が低下し、第1の金属細線5が容易に入り込むことができるように流動性が高くなる材料を用い、上側の接着層10として第2の半導体素子8の裏面に貼り付けるシート状ないしはフィルム状の接着剤には、第2の半導体素子8を搭載する際の加熱条件においては塑性変形が少なく、第1の金属細線5が容易には入り込むことができない材料を用いる。具体例としては、下側の接着層7に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂とポリイミド樹脂の混合物、又はアクリル樹脂を主成分とする材料を用いるとともに、上側の接着層10に、ポリイミド樹脂、又はポリイミド樹脂とエポキシ樹脂の混合物を主成分とする材料を用いることができる。下側の接着層7と上側の接着層10の主成分を共に、エポキシ樹脂とポリイミド樹脂の混合物にする場合には、下側の接着層7と上側の接着層10とで、エポキシ樹脂とポリイミド樹脂の混合比を変えればよい。このように、互いに物性の異なる2種類の接着剤を使用することにより、下段の半導体素子2に接続する各金属細線5の一部を、上段の半導体素子8の裏面よりも低い高さで、2層構造の接着層内に埋め込むことができる。したがって、上段に半導体素子8を搭載する際に、下段の半導体素子2に接続している第1の金属細線5が、上段の半導体素子8の裏面に接触することがなく、ワイヤ変形等の不具合を無くすことができる。また、半導体素子2と半導体素子8との間にダミーチップを介在させず、それらを接着剤のみで固着するので、パッケージの低背化が可能となり、更に、ダミーチップを使用する場合に比べて低コスト化を図ることができる。第2の半導体素子8の回路面には、図示しない複数の電極が第2の半導体素子8の外周に沿って配置されている。また、第2の半導体素子8の回路面には、図示しない回路配線が形成されている。この回路配線は、第2の半導体素子8の電極に電気的に接続している。また、この回路配線を保護するための第2の保護膜9が、第2の半導体素子8の回路面上に形成されている。第2の保護膜9は、少なくとも第2の半導体素子8の回路面上の電極が露出する形状に形成される。ここでは、第2の半導体素子8の回路面上の電極よりも内側を覆う形状を例示している。第2の半導体素子8の回路面上に形成する第2の保護膜9の材料には、例えばポリイミド樹脂を使用することができる。この場合、第2の保護膜9は、例えばコーターを用いて、第2の半導体素子8の回路面上にポリイミド樹脂を塗布し、その塗布したポリイミド樹脂を第2の半導体素子8の回路面上で広げた後、露光現像し、エッチングして形成することができる。第2の金属細線12は、ワイヤボンディング工法で形成され、第2の半導体素子8の回路面上の電極と、インターポーザ1の主面上に配置された第2の電極11とを電気的に接続している。よって、第2の半導体素子8の各辺に複数本の第2の金属配線12が接続している。なお、図1bには、見やすい図にするために、第2の半導体素子8の1つの辺に接続された複数の金属細線12のみを示しているが、実際には、第2の半導体素子8の各辺ごとに複数の金属細線12が接続されている。インターポーザ1の裏面に付設された金属端子14は、図示しないが、インターポーザ1の主面に配置された第1の電極4および第2の電極11と、インターポーザ1に形成された例えばスルーホール等を介して電気的に接続されている。また、この第1の実施の形態における半導体装置では、第1の半導体素子2の各辺ごとに、隣接する第1の金属細線5の間隔金属細線5のピッチを一部不規則に大きくしている。図1bには、第1の金属細線5のピッチを不規則に大きくした大間隔15を配置した構造の一例を示している。この第1の実施の形態における半導体装置によれば、大間隔15を設けることにより、第2の半導体素子8を上段に搭載する際に、第1の半導体素子2と第2半導体素子8との間に存在するエアーの排出が容易になる。詳しくは、第2の半導体素子8を搭載する際には、下側の接着層7となる接着剤が、第1の半導体素子2と第2の半導体素子8との間に存在するエアーを、それらの半導体素子の隙間から外に排出しながら濡れ広がる。ここで、第1の半導体素子2に接続する第1の金属細線5のピッチが全て狭い場合を想定すると、その場合、エアーが排出されず、接着層内にボイドが形成される。これに対して、この第1の実施の形態では、大間隔15からエアーを容易に排出することができる。エアー排出の領域は、下側の接着層7となる接着剤の塗布パターンに依存する。そこで、大間隔15は、そのエアー排出の領域に合わせた位置に、すなわち第1の半導体素子2の回路面上における接着剤の塗布パターンに合わせた位置に配置するのが好適である。但し、大間隔15を第1の半導体素子2の少なくとも一つの辺に対して設けた場合でも、エアーの排出性能は高まる。このように、エアー排出の領域に合わせて第1の金属細線5のピッチを一部不規則に大きくすることで、上段に半導体素子を搭載する際のエアーの排出が容易になり、ボイドの発生を防止することができる。したがって、ボイドによってパッケージクラックが引き起こされることを防止することができ、半導体装置の高信頼性を確保することが可能となる。続いて、本発明の第2の実施の形態における半導体装置について説明する。図2は本発明の第2の実施の形態における半導体装置を示しており、図2aは図2bにおいてB-B’線で示す箇所の断面図、図2bは第2の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図2に示すように、この第2の実施の形態における半導体装置は、下段に搭載した第1の半導体素子2に接続する第1の金属細線5のピッチを大きくしている位置大間隔15に合わせて、第1の半導体素子2の回路面接着層7側の面上に形成されている第1の保護膜6に、その第1の保護膜6の外周端から第1の半導体素子2の中央側へ向かって伸びる溝16を形成したものである。この溝16は、製造工程数の増加防止などのために、第1の保護膜6の形成と同時に形成するのが好適である。例えば、第1の保護膜6の材料にポリイミド樹脂を用いた場合には、露光、現像およびエッチングにより、溝16を有する第1の保護膜6を形成することができる。このように第1の保護膜6に溝16を形成することにより、エアーを排出するための領域の断面積が大きくなり、更に、第1の金属細線5のピッチが大きくなった領域、すなわち大間隔15にエアーが導かれるため、エアーが更に排出されやすくなる。また、第2の半導体素子8を搭載する際に、第1の半導体素子2と第2の半導体素子8との間に存在するエアーは同心円状に排出される。そこで、図2に示すように、第1の保護膜6の溝16を、第1の半導体素子2の各辺ごとに設けるのが好適である。このようにすれば、エアーの排出を効果的に実行することができる。但し、大間隔15の少なくとも一つに合わせて溝16を形成した場合でも、エアーの排出性能は高まる。なお、第1の保護膜6に形成する溝16の長さや、溝幅、溝の深さは限定されるものではない。溝16が第1の半導体素子2の中央側へ伸びるほど、また溝幅が広く、深さが深いほど、より効率的なエアーの排出が可能となる一方で、保護膜6によって保護される領域の面積が減少する。このことは、図6に示す溝19に対しても同様である。続いて、本発明の第3の実施の形態における半導体装置について説明する。図3は本発明の第3の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1および第2の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図3に示すように、この第3の実施の形態における半導体装置は、第1の保護膜6の溝16の第1の半導体素子2の中央側の辺17を円弧状に設計したものである。このようにすれば、溝16の第1の半導体素子2の中央側の辺17の形状が、エアー流体に対する抵抗を減少させることが可能な流線型となるので、溝16へエアーが流入しやすくなり、溝16へ流入せずに接着層内にボイドを発生させるエアーの量を低減できる。したがって、より効率的なエアーの排出を実現できる。続いて、本発明の第4の実施の形態における半導体装置について説明する。図4は本発明の第4の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1ないし第3の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図4に示すように、この第4の実施の形態における半導体装置は、第1の保護膜6の溝16を、第1の半導体素子2の外周に向かって溝の側辺18が広がる台形状に形成したものである。このように、第1の保護膜6の溝幅が第1の半導体素子2の外周に向かうに従って広がることで、溝16の出口におけるエアー排出能力が向上するので、溝16の出口で律速して滞留し接着層内にボイドを発生させるエアーの量を低減できる。したがって、効率的なエアーの排出を図ることが可能となる。続いて、本発明の第5の実施の形態における半導体装置について説明する。図5は本発明の第5の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1ないし第4の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図5に示すように、この第5の実施の形態における半導体装置は、第1の半導体素子2の外周に向かって溝幅が広がる台形状の溝16の、第1の半導体素子2の中央側の辺17を、円弧状に設計したものである。このようにすれば、溝16へエアーが流入しやすくなる上に、溝16の出口で律速して滞留するエアーの量を低減できるので、より一層効率的なエアーの排出を実現できる。続いて、本発明の第6の実施の形態における半導体装置について説明する。図6は本発明の第6の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1ないし第5の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図6に示すように、この第6の実施の形態における半導体装置は、大間隔15に対応する溝16に加えて、第1の保護膜6のコーナー部にも、第1の保護膜6の外周端から第1の半導体素子2の中央側へ向かって伸びる溝19を形成したものである。このようにすれば、積層する半導体素子の間に存在するエアーの排出口の断面積を更に増加させることができ、エアーの排出が容易になる。なお、第1の保護膜6のコーナー部の溝19は、上述した第3ないし第5の実施の形態における半導体装置にも適用することができる。続いて、本発明の第7の実施の形態における半導体装置について説明する。図7は本発明の第7の実施の形態における半導体装置を示しており、図7aは図7bにおいてC-C’線で示す箇所の断面図、図7bは第7の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1ないし第6の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図7に示すように、この第7の実施の形態における半導体装置は、下段に搭載した第1の半導体素子2に接続する第1の金属細線5のピッチを大きくしている位置大間隔15に合わせて、2層構造の接着層のうちの第2の半導体素子8側の接着層10に、その接着層10の外周端から第2の半導体素子8の中央側へ向かって伸びる切り欠き20を形成したものである。この切り欠き20は、例えば、上側の接着層10となるシート状ないしはフィルム状の接着剤を第2の半導体素子8に貼り付ける前に、型取りして形成してもよい。このように接着層10に切り欠き20を形成することにより、エアーを排出するための領域の断面積が大きくなるため、エアー排出の効率を向上させることができる。また、第2の半導体素子8を搭載する際に、第1の半導体素子2と第2の半導体素子8との間に存在するエアーは同心円状に排出される。そこで、図7に示すように、接着層10の切り欠き20を、第2の半導体素子8の各辺ごとに設けるのが好適である。このようにすれば、エアーの排出を効率的に行うことができる。但し、大間隔15の少なくとも一つに合わせて切り欠き20を形成した場合でも、エアーの排出性能は高まる。また、このように接着層10に切り欠き20を形成することは、第1の半導体素子2の回路配線を保護し、信頼性を向上させる目的で第1の保護膜6に溝を形成できない場合に有効な手段である。なお、接着層10に形成する切り欠き20の長さや、切り欠き幅、切り欠き深さは限定されるものではない。切り欠き20が第2の半導体素子8の中央側へ伸びるほど、また切り欠き幅が広く、切り欠き深さが深いほど、より効率的なエアーの排出が可能となる一方で、下段の半導体素子2に接続された金属細線5が上段の半導体素子8の裏面に接触することを防止できる領域の面積が減少する。このことは、図8に示す切り欠き21に対しても同様である。続いて、本発明の第8の実施の形態における半導体装置について説明する。図8は本発明の第8の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1ないし第7の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図8に示すように、この第8の実施の形態における半導体装置は、大間隔15に対応する切り欠き20に加えて、接着層10のコーナー部にも、接着層10の外周端から第2の半導体素子8の中央側へ向かって伸びる切り欠き21を形成したものである。このようにすれば、積層する半導体素子の間に存在するエアーの排出口の断面積が更に大きくなり、エアーの排出が容易になる。続いて、本発明の第9の実施の形態における半導体装置について説明する。図9は本発明の第9の実施の形態における半導体装置を示しており、図9aは図9bにおいてD-D’線で示す箇所の断面図、図9bは第9の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1ないし第8の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図9に示すように、この第9の実施の形態における半導体装置は、下段に搭載した第1の半導体素子2に接続する第1の金属細線5のピッチを大きくしている位置大間隔15に合わせて、第1の半導体素子2の回路面上に形成されている第1の保護膜6に、その第1の保護膜6の外周端から第1の半導体素子2の中央側へ向かって伸びる溝16を形成するとともに、2層構造の接着層のうちの第2の半導体素子8側の接着層10に、その接着層10の外周端から第2の半導体素子8の中央側へ向かって伸びる切り欠き20を形成したものである。このように、大間隔15の位置に合うように第1の保護膜6の溝16を設けると共に、溝16の上部の位置に接着層10の切り欠き20を設けることにより、積層された半導体素子の間に存在するエアーの排出口の断面積が、溝16の断面積と切り欠き20の断面積を合計した断面積となる。したがって、エアーの排出口の断面積を大きく確保することができるので、確実なエアーの排出を実現することができる。なお、図9では溝16の幅よりも切り欠き20の幅を狭くした構造を示しているが、必要に応じて同等でもよい。但し、図9に示すように、第1の保護膜6の溝幅よりも接着層10に形成された切り欠き幅の方を狭くすれば、半導体素子搭載設備のばらつきにより、第2の半導体素子8の搭載位置が所定の位置からずれたとしても、第1の半導体素子2に接続されている第1の金属細線5にワイヤダメージが発生しないようにできる。すなわち、第2の半導体素子8を第1の半導体素子2の回路面上に搭載する際に、半導体素子搭載設備のばらつきにより搭載ずれが発生すると、その搭載ずれにより、第1の半導体素子2に接続されている第1の金属細線5が接着層10の切り欠き部分に位置してしまい、第2の半導体素子8の裏面と第1の金属細線5が接触することで、ワイヤダメージが発生するおそれがある。このワイヤダメージは、半導体装置の電気的特性の不具合を引き起こす。これに対し、この第9の実施の形態のように、第1の保護膜6の溝幅よりも接着層10の切り欠き幅を狭くすれば、第2の半導体素子8の搭載ずれが発生したとしても、第1の金属細線5を確実に接着層10で覆うことができる。したがって、ワイヤダメージ等の不具合を防ぐことが可能となる。続いて、本発明の第10の実施の形態における半導体装置について説明する。図10は本発明の第10の実施の形態における半導体装置を説明するための平面図である。但し、上述した第1ないし第9の実施の形態と同じ要素についての説明は省略する。図10に示すように、この第10の実施の形態における半導体装置は、第1の保護膜6に設けた溝16の幅よりも、接着層10に設けた切り欠き20の幅を広くしたものである。第1の保護膜6は第1の半導体素子2の回路配線を保護するものであるため、第1の保護膜6の溝16の形成領域は、第1の半導体素子2の回路配置に依存する。そのため、品質の観点から、第1の半導体素子2に接続する第1の金属細線5の配線間隔を一部不規則に大きくしている位置に合わせて第1の保護膜6に形成する溝16の幅を、狭くせざる得ない場合がある。このような場合でも、接着層10の切り欠き幅を可能な限り広くすることで、エアー排出口の断面積を大きく確保することができる。なお、接着層10の切り欠き20は、上述した第3ないし第6の実施の形態における半導体装置にも適用することができる。同様に、接着層10のコーナー部に設ける切り欠き21も、上述した第3ないし第6の実施の形態における半導体装置に適用することができる。続いて、図11および図12を交えて、本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。まず、図11aに示すように、インターポーザ1の主面上の所定箇所半導体素子搭載箇所に、ペースト状の接着剤3を塗布し、その接着剤3を塗布した場所に第1の半導体素子2を、その回路面側をコレット22で保持しながら荷重を加えて搭載する。その後、加熱して接着剤3を硬化させる。次に、図11bに示すように、第1の半導体素子2の回路面上の図示しない電極と、インターポーザ1の主面上に配置された第1の電極4とを、キャピラリー23で第1の金属細線5を誘導固定することにより、電気的に接続する。このとき、第1の半導体素子2の各辺に複数本ずつ第1の金属細線5を接続するとともに、第1の半導体素子2の少なくとも一つの辺に対して、隣接する第1の金属細線5の間隔の一部を大きくした領域である大間隔15を設ける。次に、図11cに示すように、第1の半導体素子2の回路面上の所定箇所にペースト状の接着剤7を塗布した後、例えばインターポーザ1を加熱した状態で、接着剤7が塗布された場所に、シート状ないしはフィルム状の接着剤10が裏面に予め貼り付けられた第2の半導体素子8を、その回路面側をコレット22で保持しながら荷重を加えて搭載する。これにより、第1の半導体素子2と第2の半導体素子8との間に2層構造の接着層が形成されるとともに、各第1の金属細線5の一部が、第2の半導体素子の裏面よりも低い高さで、2層構造の接着層内に埋め込まれる。このように上段に搭載する半導体素子8の裏面に接着剤を貼り付けることで、下段の半導体素子2に接続している金属細線5が上段の半導体素子8の裏面に接触することが無くなり、ワイヤショート、ワイヤダメージ、ワイヤ変形等の不具合を防止することができる。なお、第1の半導体素子2の回路面上の第1の保護膜6に溝を予め形成しておいてもよい。このようにすれば、エアーの排出口の断面積を大きく確保できるため、エアー排出の効率を向上させることができる。また、第2の半導体素子8の裏面に貼り付けるシート状ないしはフィルム状の接着剤10に切り欠きを予め形成しておいてもよい。このようにしても、エアーの排出口の断面積を大きく確保できるため、エアー排出の効率を向上させることができる。次に、図12aに示すように、第2の半導体素子8の回路面上の図示しない電極と、インターポーザ1の主面上に配置されている第2の電極11とを、キャピラリー23で第2の金属細線12を誘導固定することにより、電気的に接続する。次に、図12bに示すように、第1の半導体素子2、第2の半導体素子8、第1の金属細線5および第2の金属細線12を包含した領域を封止樹脂13にて封止する。なお、1枚のインターポーザを用いて複数の半導体装置を構成する場合には、図12bに示すように、この工程において各半導体装置を一括して封止する。次に、図12cに示すように、インターポーザ1の主面とは反対側の裏面に金属端子14を付設する。1枚のインターポーザを用いて複数の半導体装置を構成する場合には、図12dに示すよう、最後に、インターポーザ1を固定治具24で固定して、ブレード25を用いて各半導体装置を個片化する。