"1AMQ樹脂、B親和性ユニットと非親和性ユニットとを含むブロックコポリマーここで、成分Bは成分Aがない状態で構造化形態を形成することができる、及び任意にC溶媒、を含む成分を混合することと、2アニーリングにより、前記成分Bの構造化形態とは異なる構造化形態を有する混合物を形成することと、を含む、コポリマーの形態を改変するための方法。前記MQ樹脂が、式R3SiO1/2のユニットと、SiO4/2で表わされる四官能性Qユニットとを含み、式中、各Rは独立して一価の炭化水素基である、請求項1に記載の方法。前記成分Bがシリコーン有機ブロックコポリマーである、請求項1又は2に記載の方法。前記成分Bが:E-Da-Xbc-E、E-Dd-Xe-Dfg-E、E-Xh-Di-Xjk-E、及びこれらの組み合わせから選択される式を有し、式中:各Eは末端保護基であり、各Dは式R12SiO2/2各R1は、独立して、一価の炭化水素基又はハロゲン化一価炭化水素基であるの二官能性シロキサンユニットであり、各Xは有機基であり、下付き文字aは2以上の値を有し、下付き文字bは2以上の値を有し、下付き文字cは1以上の値を有し、下付き文字dは2以上の値を有し、下付き文字eは2以上の値を有し、下付き文字fは2以上の値を有し、下付き文字gは1以上の値を有し、下付き文字hは2以上の値を有し、下付き文字iは2以上の値を有し、下付き文字jは2以上の値を有し、及び下付き文字kは1以上の値を有し、下付き文字a~kは、各ブロックが少なくとも1,000の数平均分子量を有するような値を有し、Dユニットの体積分率が0.01~0.6の範囲内にある、請求項3に記載の方法。1A三官能性ケイ酸塩ナノ粒子、BE-Da-Xbc-E、E-Dd-Xe-Dfg-E、E-Xh-Di-Xjk-E、及びこれらの組み合わせから選択される式を有するシリコーン有機ブロックコポリマー[式中:各Eは末端保護基であり、各Dは式R12SiO2/2各R1は、独立して一価の炭化水素基であるの二官能シロキサンユニットであり、各Xは炭素原子と水素原子とを含む有機基でありたXは窒素原子を含まない、下付き文字aは2以上の値を有し、下付き文字bは2以上の値を有し、下付き文字cは1以上の値を有し、下付き文字dは2以上の値を有し、下付き文字eは2以上の値を有し、下付き文字fは2以上の値を有し、下付き文字gは1以上の値を有し、下付き文字hは2以上の値を有し、下付き文字iは2以上の値を有し、下付き文字jは2以上の値を有し、及び下付き文字kは1以上の値を有し、下付き文字a~kは、各ブロックが少なくとも1,000の数平均分子量を有するような値を有し、Dユニットの体積分率が0.01~0.6の範囲内にある]、及び任意にC溶媒、を含む成分を混合することにより組成物を形成することと、2ホットメルト接着剤、感圧性接着剤、又は可逆性エラストマーから選択される用途に前記組成物を使用することと、任意に、3溶媒を除去することにより、混合物を形成することと、4アニーリングにより、前記成分Bの構造化形態とは異なる構造化形態を有する混合物を形成することと、を含む、方法。ステップ2が、ウェブ基材上に前記混合物を含む剥離組成物をコーティングすることを含む方法によって実施される、請求項5に記載の方法。前記成分Aの量が、前記混合物の0超~80の範囲内にある、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記成分Aの量が、前記混合物の5~25の範囲内にある、請求項7に記載の方法。各Dが、独立して、Me2SiO2/2ユニット、PhMeSiO2/2ユニット、及びPh2SiO2/2ユニットから選択され、式中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を表わす、請求項4又は5に記載の方法。各Xが、独立して、ブチルアクリレート、カプロラクトン、イソブチレン、メチルメタクリレート、プロピレンオキシド、スチレン、及びビニルナフタレンから選択される、請求項4又は5に記載の方法。各Eが、独立して、Me3SiO1/2ユニット及びPhMe2SiO1/2ユニットから選択され、式中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を表わす、請求項4又は5に記載の方法。各EがMe3SiO1/2ユニットであり、各DがMe2SiO2/2ユニットであり、かつ各Xがスチレンであり、式中、Meはメチル基を表わす、請求項4又は5に記載の方法。前記混合物が、成分Aと成分Bとの物理的混合物、又は成分Aと成分Bとの反応生成物を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記アニーリングステップが、1秒~50時間の範囲の時間、50°C以上の温度で加熱することによって実施される、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。前記アニーリングステップの生成物の構造化形態が、球形、円筒形、ジャイロイド、ダブルダイヤモンド、又は層状から選択される、請求項14に記載の方法。A三官能ケイ酸塩ナノ粒子と、BE-Da-Xbc-E、E-Dd-Xe-Dfg-E、E-Xh-Di-Xjk-E、及びこれらの組み合わせから選択される式を有するシリコーン有機ブロックコポリマー[式中、各Eは末端保護基であり、各Dは式R12SiO2/2の二官能シロキサンユニットであり、各Xは炭素原子と水素原子からなる有機基でありただしXは窒素原子を含まない、下付き文字aは2以上の値を有し、下付き文字bは2以上の値を有し、下付き文字cは1以上の値を有し、下付き文字dは2以上の値を有し、下付き文字eは2以上の値を有し、下付き文字fは2以上の値を有し、下付き文字gは1以上の値を有し、下付き文字hは2以上の値を有し、下付き文字iは2以上の値を有し、下付き文字jは2以上の値を有し、及び下付き文字kは1以上の値を有し、下付き文字a~kは、各ブロックが少なくとも1,000の数平均分子量を有するような値を有し、Dユニットの体積分率が0.01~0.6の範囲内にある]と、を含み、円筒形、層状、及びジャイロイドから選択される構造化形態を有する、混合物。各Dが、独立して、Me2SiO2/2ユニット、PhMeSiO2/2ユニット、及びPh2SiO2/2ユニットから選択され、式中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を表わす、請求項16に記載の混合物。各Xが、独立して、スチレン、メチルメタクリレート、イソブチレン、ブチルアクリレート、ビニルナフタレン、プロピレンオキシド、及びカプロラクトンから選択される、請求項16に記載の混合物。各Eが、独立して、Me3SiO1/2ユニット及びPhMe2SiO1/2ユニットから選択され、式中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を表わす、請求項16に記載の混合物。各EがMe3SiO1/2ユニットであり、各DがMe2SiO2/2ユニットであり、かつ各Xがスチレンであり、式中、Meはメチル基を表わす、請求項16に記載の混合物。成分AとBとの物理的混合物、又は成分AとBとの反応生成物を含む、請求項16に記載の混合物。成分Aが、式R3SiO1/2のユニットと、SiO4/2で表わされる四官能基Qユニットとを含むMQ樹脂であり、式中、各Rは独立して一価の炭化水素基である、請求項16に記載の混合物。基材上の薄膜の形態である、請求項16に記載の混合物。しかしながら、リトグラフィー技術にブロックコポリマーを利用する際は、構成しているブロックの分子量及び/又は相対的な比を変える必要があるため、望ましい形状の形態及び寸法それぞれについて異なるブロックコポリマーを合成しなければならないという欠点を抱えている。ブロックコポリマーコポリマーの形態を制御するための方法には、MQ樹脂をコポリマーに追加することとアニーリングが含まれる。用語の定義及び使用本明細書に記述される全ての量、比、及びパーセンテージは、別途記載のない限り、重量によるものである。冠詞a、an、及びtheはそれぞれ、仕様の内容により特に示されない限り、1つ以上を指す。範囲の開示には、範囲それ自体と、その中に包含される任意の数、並びに端点が含まれる。例えば、2.0~4.0の範囲の開示には、2.0~4.0の範囲だけでなく、2.1、2.3、3.4、3.5、及び4.0の個々の数、並びにその範囲に包含される任意の他の数も含まれる。更に、例えば2.0~4.0の範囲の開示には、例えば2.1~3.5、2.3~3.4、2.6~3.7、及び3.8~4.0の部分集合、並びにその範囲に包含される任意の他の部分集合も含まれる。同様に、マーカッシュ群の開示には、群全体と、その中に包含される任意の個々の要素及び部分集合も含まれる。例えば、マーカッシュ群アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアリール基の開示には、その中の要素である個々のアルキルが含まれ、部分集合であるアルキル及びアリールが含まれ、かつ包含される任意の他の個々の要素及び部分集合が含まれる。用語アニーリング並びに、例えばアニール及びアニールされたなどの変化は、構造化形態を形成することを意味する。例えば、アニーリングは、ブロックコポリマーと非晶質形態を有するケイ酸塩のることによって実施することができ、これによってこの混合物を、自己組織化させることができる。ブロックコポリマーは、1つの分子を形成するために共有結合される、化学的に別個のポリマー鎖ブロックを意味する。シリコーン有機ブロックコポリマーコポリマーは、ポリオルガノシロキサンブロックと有機ブロックを包含する。成分A及びBの混合物は、本明細書で記述されるMQ樹脂とブロックコポリマーとの、物理的配合物及び/又は反応生成物を意味する。成分A及びBの混合物は任意に更に、1つ以上の他の成分を含んでいてもよく、ただし、この他の成分の量及びタイプは、本明細書で記述される方法において、成分A及びBの混合物が構造化形態を形成することを妨げないものとする。MQ樹脂本明細書に使用されるとき、MQ樹脂は、少なくとも1つのR3SiO1/2シロキシユニットに化学的に結合した少なくとも1つのSiO4/2シロキシユニットを含むシリコーン樹脂を指す。MQ樹脂は、1つのシリコーン樹脂であり得る。あるいはMQ樹脂は、2つ以上のシリコーン樹脂を含んでいてもよく、これらの樹脂は、構造、ヒドロキシル基及び/又は加水分解性基の要素、分子量、シロキサンユニット、並びに配列の特性のうち、少なくとも1つが異なる。本明細書において有用なシリコーン樹脂には、R3SiO1/2で表わされる一官能性Mユニットと、SiO4/2で表わされる四官能性Qユニットとを含む樹脂が含まれ、Rはそれぞれ独立な、一価の炭化水素基であるMQ樹脂。Rとして好適な炭化水素基には、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアリール基が挙げられる。好適なアルキル基は例えば、メチル、エチル、プロピル、ペンチル、オクチル、ウンデシル、及びオクタデシル基である。好適なシクロアルキル基は例えば、シクロペンチル及びシクロヘキシル基である。好適なアルケニル基は例えば、ビニル、アリル、ブテニル、及びヘキセニルである。好適なアルキニル基は例えば、エチニル、プロピニル、及びブチニル基である。好適なアリール基は例えば、フェニル、トリル、キシリル、ベンジル及び2-フェニルエチルである。あるいは、各Rはアルキル基とアリール基から選択され得る。あるいは、各Rはメチル基又はフェニル基であり得る。あるいは、各Rはメチル基であり得る。MQ樹脂は、1,000~50,000、あるいは4,000~15,000、及びあるいは4,000~10,000の重量平均分子量Mwを有し得る。MQ樹脂は、Qユニットに対するMユニットの比M/Q比が0.7~3、あるいは0.7~1.1を有し得る。MQ樹脂は、3未満、あるいは1.5未満のケイ素結合ヒドロキシ基の要素を含み得る。MQ樹脂は、Qユニットに結合したMユニットを有するポリマーシリコーン樹脂であってよく、このMユニットはそれぞれ、少なくとも別の1つのQユニットに結合している。Qユニットのいくつかはヒドロキシル基に結合して、HOSiO3/2で表わされる三官能TOHユニットを形成し、これらによりMQ樹脂のケイ素結合したヒドロキシル基要素となり、いくつかは他のQユニットのみに結合する。そのような樹脂は例えば、米国特許第2,676,182号Daudtら、同第3,627,851号Brady、同第3,772,247号Flannigan、及び同第5,248,739号Schmidtらに記述されている。好適なMQ樹脂は、上述の要件を満たすM及びQユニットから本質的になる可溶性樹脂を提供する任意の方法によって調製することができる。そのようなMQ樹脂は、米国特許第2,676,182号Daudtら、同第3,627,851号Brady、及び同第3,772,247号Flanniganに記述されているシリカヒドロゾル末端保護プロセスによって調製することができる。簡潔に述べると、Daudtらの方法は、酸性条件下で、シリカヒドロゾルと、加水分解性トリオルガノシラントリメチルクロロシランなど、シロキサンヘキサメチルジシロキサンなど、又はそれらの混合物とを反応させることと、次いでM及びQユニットを有する樹脂を回収することを含む。この樹脂は、2~5のヒドロキシル基を含み得る。次いで、この樹脂を末端保護剤と反応させることによって、2未満のケイ素結合ヒドロキシル基を含む樹脂を調製することができる。いくつかの好適な末端保護剤としてはシラザン、シロキサン、及びシランが挙げられ、末端保護剤については、米国特許第4,584,355号1986年4月22日、同第4,585,836号1986年4月29日、及び同第4,591,622号1986年5月22日に記述されている。単一の末端保護剤又は末端保護剤の混合物を使用して、そのようなオルガノシロキサン樹脂を調製してもよい。あるいは、MQ樹脂を製造するためのプロセスは、ケイ酸ナトリウム溶液の濃度、及び/又は、ケイ酸ナトリウム中のケイ素対ナトリウム比、及び/又は、中和されたケイ酸ナトリウム溶液を末端保護する前の時間を、一般にDaudtらによって開示されているものより低い値に制限することを含む。中和されたシリカヒドロゾルは、2-プロパノールのようなアルコールで安定化され、中和の後できる限り早くMユニットで末端保護され得る。MQ樹脂でヒドロキシル基に結合しているケイ素の割合は低減されてよく、例えば1.5未満、あるいは1.2以下、あるいは1.0以下、あるいは0.8以下であり得る。これは、例えばヘキサメチルジシラザンなどの末端保護剤をMQ樹脂と反応させることによって達成することができる。このような反応は、例えばトリフルオロ酢酸によって触媒され得る。あるいは、トリメチルクロロシラン又はトリメチルシリルアセトアミドをMQ樹脂と反応させることができ、この場合、触媒は必要ではない。そのような反応は、溶媒中で実施することができる。様々な好適なMQ樹脂が、例えばDowCorningCorporationMidland、MI、U.S.A.、MomentivePerformanceMaterialsAlbany、N.Y.、U.S.A.、及びBluestarSiliconesUSACorp.EastBrunswick、N.J.、U.S.A.などの企業から市販されている。例えば、DOWCORNING登録商標MQ-1600固形樹脂、DOWCORNING登録商標MQ-1601固形樹脂、及びDOWCORNING登録商標1250界面活性剤、DOWCORNING登録商標7466樹脂、及びDOWCORNING登録商標7366樹脂これらは全てDowCorningCorporationから市販されているが、本明細書に記述されている方法での使用に好適である。好適なMQ樹脂の他の例が、米国特許第5,082,706号Tangneyに開示されている。そのような樹脂は、有機溶媒中で提供され得る。好適なMQ樹脂は、1~5の範囲の多分散性を有し得る。多分散性は、ゲル透過クロマトグラフィーを用い、Mw/Mn重量平均分子量/数平均分子量を計算することで測定される。MQ樹脂の多分散性は、ゲル透過クロマトグラフィー又は超臨界流体分留などの従来技法を用いて、分留によって低下させることができる。あるいは、MQ樹脂は1~3の範囲の多分散性を有し得る。理論に束縛されるものではないが、本明細書に記述される範囲の低い側の多分散性値を有するMQ樹脂は、ブロックコポリマーの構造化形態を改変するのにより効果的であり得る。コポリマーと合わせたMQ樹脂の量は、成分Bが成分Aなしで形成し得た構造化形態とは異なるように、成分AとBの混合物の構造化形態を変えるのに十分な量である。正確な量は、成分Bに選択されるブロックコポリマーのタイプ、成分Aに選択されるMQ樹脂のタイプ、MQ樹脂の多分散性、望ましい構造化形態、及び成分AとBの混合物の最終用途を含む、様々な要素に依存し得る。しかしながら、成分Aの量は、成分AとBの混合物中におけるMQ樹脂及びブロックコポリマーの合計重量に基づいて、0超~80、あるいは10~80、あるいは10~25、あるいは5~25の範囲内にあり得る。成分AとBの混合物中のMQ樹脂の量は、成分AとBの混合物で製造される剥離コーティング及び/又は接着剤の、剥離及び剥がし力のレベルに影響し得る。例えば、円筒形及び/又は層状形態が、ナノリトグラフィー用途に有用であり得る。ジャイロイド形態は、強靱性及び耐変形性を改善するために使用され得る。よってジャイロイド形態は、膜の浸透性及び/又は強度を最適化するのに有用であり得る。理論に束縛されるものではないが、成分AとBの混合物が自己組織化する場合、成分Aがコポリマー中の別のブロックよりもある特定のブロックと親和性が高いために、成分Aの追加により成分Bのドメインのサイズが変化すると考えられる。すなわち、十分な量のMQ樹脂を追加すると、別のドメインよりもある特定のドメインのサイズを増大させるため、これにより構造化形態が変わると考えられる。例えば、シリコーン有機ブロックコポリマーを成分Bに選択した場合、成分Aは、コポリマーの有機ブロック部分よりもシロキサンブロック部分との親和性が高いと考えられる。すなわち、十分な量のMQ樹脂を追加すると、シリコーンドメインのサイズを増大させるため、これにより構造化形態が変わると考えられる。ブロックコポリマー本明細書で有用なブロックコポリマーは、アニール後に自己組織化して構造化形態を有する任意のブロックコポリマーであり得る。このコポリマーは、MQ樹脂との親和性が比較的高い1つ以上のブロックを有し、かつ、MQ樹脂との親和性が比較的低い1つ以上のブロックを有し得る。一般に、ブロックコポリマーのブロックの分子量は、ブロックコポリマーが相分離できるよう十分な大きさであるべきである。これらの分子量の正確な値はブロックコポリマーのタイプによって異なるが、下限値はブロック当たり1,000であり得る。ブロックコポリマーは比較的低い多分散性を有し得、例えば、多分散性≦1.2、あるいは、多分散性は1~1.2未満の範囲内にあり得る。好適なブロックコポリマーは、有機ブロックコポリマーすなわち、2つ以上の異なる有機ブロックを有する、又はシリコーン有機ブロックコポリマーすなわち、1つ以上のシロキサンブロックと1つ以上の有機ブロックを有するであり得る。代表的な有機ブロックコポリマーには、ジブロックコポリマー[メタアクリレート系ジブロックコポリマー、ポリジエン系ジブロックコポリマー、ポリイソブチレン系ジブロックコポリマー、ポリスチレン系ジブロックコポリマー、ポリビニルナフタレン系ジブロックコポリマー、ポリビニルピリジン系ジブロックコポリマー、ポリプロピレンオキシド系ジブロックコポリマー、アジピン酸無水物系ジブロックコポリマー、ポリオレフィン系ジブロックコポリマー、ポリラクトン又はポリラクチドpolyactide系ジブロックコポリマー、及びこれらの混合物を含むがこれらに限定されない]、両親媒性ブロックコポリマー[ポリメタアクリル酸系コポリマー、ポリジエン系コポリマー、水素化ジエン系コポリマー、ポリエチレンオキシド系コポリマー、ポリイソブチレン系コポリマー、ポリスチレン系コポリマー、ポリイソプロピルアクリルアミド系コポリマー、ポリ2-ビニルナフタレン系コポリマー、ポリビニルピロリドン系コポリマー、酸開裂可能コポリマー、UV開裂可能ポリマー、及びこれらの混合物を含むがこれらに限定されない]、ABAトリブロックコポリマー[ポリメタアクリレート系トリブロックコポリマー、ポリブタジエン系トリブロックコポリマー、ポリオキシラン系トリブロックコポリマー、ポリラクトン及びポリラクチドpolyactideトリブロックコポリマー、ポリオキサゾリン系トリブロックコポリマー、ポリスチレン系トリブロックコポリマー、ポリビニルピリジン系トリブロックコポリマー、及びこれらの混合物を含むがこれらに限定されない]、ABCトリブロックコポリマー[第1ブロックとしてポリスチレンを有するABCトリブロックコポリマーを含むがこれらに限定されない]、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリメタアクリレート系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリメチルメタクリレート-b-アクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート-b-アゾMAアゾMA=11-[4-4-ブチルフェニルアゾフェノキシ]ウンデシルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-ジスパースレッド1アクリレート、ポリメチルメタクリレートイソタクチック-b-メチルメタクリレートシンジオタクチック、ポリメチルメタクリレート-b-ネオペンチルアクリレート、ポリppolyメチルメタクリレート-b-n-ノニルアクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-n-オクチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-t-ブチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-t-ブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-トリフルオロエチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-2-ブロモイソブチルisobutrylエチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-co-n-ブチルメタクリレートランダム-b-2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-2-ヒドロキシエチルメタクリレート及びコレステリルクロロホルメート、ポリメチルメタクリレート-b-6-4-シアノビフェニル-4-イルオキシヘキシルメタクリレート、ポリメタクリレート-b-2-ピラノキシエチルメタクリレート、ポリ1-アダマンチルメタクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリ1-アダマンチルメタクリレート-b-エチルメタクリレート、ポリ1-アダマンチルメタクリレート-b-2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリ1-アダマンチルメタクリレート-b-n-ブチルメタクリレート、ポリ1-アダマンチルメタクリレート-b-t-ブチルアクリレート、ポリ1-アダマンチルメタクリレート-b-ラクチドDL型、ポリn-ブチルアクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリt-ブチルアクリレート-b-4-ビニルピリジン、ポリt-ブチルアクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリt-ブチルメタクリレート-b-2-ビニルピリジン、ポリt-ブチルメタクリレート-b-4-ビニルピリジン、ポリt-ブチルメタクリレート-b-ラウリルメタクリレート、ポリ2-エチルヘキシルアクリレート-b-4-ビニルピリジン、ポリ2-ヒドロキシルエチルアクリレート-b-ネオペンチルアクリレート、ポリn-ブチルメタクリレート-b-2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリn-ブチルメタクリレート-b-グリシジルメタクリレート、ポリn-ブチルメタクリレート-b-グリシジルメタクリレート-co-ヒドロキシプロピルメタクリレートナトリウム塩、ポリ2-ヒドロキシルエチルメタクリレート-b-ネオペンチルメタクリレート、ポリ2-ヒドロキシルエチルメタクリレート-b-t-ブチルメタクリレート、ポリエチルプロピルアクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリネオペンチルメタクリレート-b-t-ブチルメタクリレート、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリジエン系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリブタジエン1,2付加-b-t-ブチルアクリレート、ポリブタジエン1,4付加-b-t-ブチルアクリレート、ポリブタジエン1,2付加-b-i-ブチルメタクリレート、ポリブタジエン1,2付加-b-メチルメタクリレート、ポリブタジエン1,4付加-b-メチルメタクリレートシンジオタクティック、ポリブタジエン1,2付加-b-s-ブチルメタクリレート、ポリブタジエン1,2付加-b-t-ブチルメタクリレート、ポリブタジエン1,4付加-b-ε-カプロラクトン、ポリブタジエン1,2付加-b-ラクチド、ポリブタジエン1,4付加-b-ラクチド、ポリブタジエン1,4付加-b-4-ビニルピリジン、ポリイソプレン1,2付加-b-4-ビニルピリジン、ポリイソプレン1,4付加-b-4-ビニルピリジン、ポリイソプレン1,4付加-b-2-ビニルピリジン、ポリイソプレン1,4付加-b-メチルメタクリレートシンジオタクティック、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリイソブチレン系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリイソブチレン-b-t-ブチルアクリレート、ポリイソブチレン-b-t-ブチルメタクリレート、ポリイソブチレン-b-メチルメタクリレート、ポリイソブチレン-b-ε-カプロラクトン、ポリイソブチレン-b-4-ビニルピリジン、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリスチレン系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリスチレン-b-アゾMAアゾMA=11-[4-4-ブチルフェニルアゾフェノキシ]ウンデシルメタクリレート、ポリスチレン-b-ベンジルプロピルアクリレート、ポリスチレン-b-ビピリジルメチルアクリレート、ポリスチレン-b-ブタジエン1,2付加、ポリスチレン-b-ブタジエン1,4付加、ポリスチレン-b-シクロヘキサン1,4付加において、富ポリシクロヘキサン、ポリスチレン-b-シクロヘキサジエン1,4付加において、富ポリシクロヘキサジエン、ポリスチレン-b-シクロヘキシルメタクリレート、ポリスチレン-b-ジスパースレッド1アクリレート、ポリスチレン-b-エチルメタクリレート、ポリスチレン-b-イソプレン1,2付加又は3,4付加、ポリスチレン-b-イソプレン1,4付加、ポリスチレン-b-メチルブチレンS-b-IPの水素化から、ポリスチレン-b-ラクチド、ポリスチレン-b-メチルメタクリレート富PMMAシンジオタクティック要素>80、ポリスチレン-b-メチルメタクリレート富PMMAイソタクチック要素>95、ポリスチレン-b-メチルメタクリレート富PMMAアタクティック要素、ポリスチレン-b-1-アダマンチルメタクリレート、ポリスチレン-b-N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート、ポリスチレン-b-n-ブチルアクリレート、ポリスチレン-b-n-ブチルメタクリレート、ポリスチレン-b-ノニルメタクリレート、ポリスチレン-b-n-ヘキシルメタクリレート、ポリスチレン-b-n-プロピルメタクリレート、ポリスチレン-b-t-ブトキシスチレン、ポリスチレン-b-t-ブチルアクリレート、ポリスチレン-b-t-ブチルアクリレート広範分布、ポリスチレン-b-t-ブチルメタクリレート、ポリスチレン-b-プロピルアクリル酸、ポリスチレン-b-t-ブチルスチレン、ポリスチレン-b-ε-カプロラクトン、ポリスチレン-b-2-コレステリルオキシカルボニルオキシエチルメタクリレート、ポリスチレン-b-2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリスチレン-b-2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリスチレン-b-2-ビニルピリジン、ポリスチレン-b-4-ヒドロキシルスチレン、ポリスチレン-b-4-メトキシスチレン、ポリスチレン-b-4-ビニルピリジン、ポリスチレン-b-ノニルメタクリレート-co-メタクリル酸、ポリα-メチルスチレン-b-4-ビニルピリジン、ポリ4-アミノメチルスチレン-b-スチレン、ポリ4-メトキシスチレン-b-エチルメタクリレート、ポリ4-メトキシスチレン-b-t-ブチルアクリレート、ポリp-クロロメチルスチレン-b-t-ブチルアクリレート、テーパー状ブロックコポリマーポリスチレン-b-ブタジエン、テーパー状ブロックコポリマーポリスチレン-b-エチレン、ポリスチレン-b-ナイロン-6、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリビニルナフタレン系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリ2-ビニルナフタレン-b-メチルメタクリレート、ポリ2-ビニルナフタレン-b-n-ブチルアクリレート、ポリ2-ビニルナフタレン-b-t-ブチルアクリレート、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリビニルピリジン系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリ2-ビニルピリジン-b-メチルメタクリレート、ポリ4-ビニルピリジン-b-メチルメタクリレート、ポリ2-ビニルピリジン-b-t-ブチルメタクリレート、ポリ2-ビニルピリジン-b-メチルアクリル酸、ポリ2-ビニルピリジン-b-ε-カプロラクトン、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリプロピレンオキシド系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリプロピレンオキシド-b-ε-カプロラクトンが挙げられる。アジピン酸無水物系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリエチレンオキシド-b-アジピン酸無水物、ポリメチルメタクリレート-b-アジピン酸無水物、ポリプロピレンオキシド-b-アジピン酸無水物、ポリ2-ビニルピリジン-b-アジピン酸無水物、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリオレフィン系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリエチレン-b-メチルメタクリレート、ポリエチレン-b-4-ビニルピリジン、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリラクトン又はポリラクチド系ジブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリε-カプロラクトン-b-ラクチドが挙げられる。両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリメタアクリル酸系両親媒性ブロックコポリマー、ポリブタジエン系両親媒性ブロックコポリマー、水素化ジエン系両親媒性ブロックコポリマー、ポリエチレンオキシド系両親媒性ブロックコポリマー、ポリイソブチレン系両親媒性ブロックコポリマー、ポリスチレン系両親媒性ブロックコポリマー、ポリイソプロピルアクリルアミド系両親媒性ブロックコポリマー、ポリ2-ビニルナフタレン系両親媒性ブロックコポリマー、ポリビニルピロリドン系両親媒性ブロックコポリマー、酸開裂可能両親媒性ブロックコポリマー、UV開裂可能両親媒性ブロックコポリマー、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリメタアクリル酸系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリアクリル酸-b-アクリルアミド、ポリアクリル酸-b-メチルメタクリレート、ポリアクリル酸-b-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリn-ブチルアクリレート-b-アクリル酸、ポリナトリウムアクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリメタクリル酸-b-ネオペンチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-アクリル酸、ポリメチルメタクリレート-b-メタクリル酸、ポリメチルメタクリレート-b-N,N-ジメチルアクリルアミド、ポリメチルメタクリレート-b-ナトリウムアクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-ナトリウムメタクリレート、ポリネオペンチルメタクリレート-b-メタクリル酸、ポリt-ブチルメタクリレート-b-エチレンオキシド、ポリ2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸-b-アクリル酸、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリジエン系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリブタジエン1,2付加-b-エチレンオキシド、ポリブタジエン1,2付加-b-メチルアクリル酸、ポリブタジエン1,4付加-b-アクリル酸、ポリブタジエン1,4付加-b-エチレンオキシド、ポリブタジエン1,4付加-b-ナトリウムアクリレート、ポリブタジエン1,4付加-b-N-メチル4-ビニルピリジニウムヨージド、ポリイソプレン-b-エチレンオキシド1,2及び3,4付加、ポリイソプレン-b-エチレンオキシド1.4付加、ポリイソプレン-b-N-メチル2-ビニルピリジニウムヨージド、4-ヒドロキシ安息香酸エステル末端ポリブタジエン1,2付加-b-エチレンオキシド、4-メトキシ安息香酸エステル末端ポリブタジエン1,2付加-b-エチレンオキシドジブロックコポリマー、及びこれらの混合物が挙げられる。水素化Hydrogentatedジエン系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリエチレン-b-エチレンオキシド水素化ポリ1,4-ブタジエン、ポリ[エチレン-co-ブテン-b-エチレンオキシド]水素化ポリ1,2-ブタジエン、ポリ[プロピレン-co-エチレン-b-エチレンオキシド]{水素化ポリイソプレン-b-エチレンオキシド1,4付加}、水素化ポリイソプレン-b-エチレンオキシド1,2付加、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリエチレンオキシド系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリエチレンオキシド-b-アクリル酸、ポリエチレンオキシド-b-アクリルアミド、ポリエチレンオキシド-b-ブチレンオキシド、ポリエチレンオキシド-b-ε-カプロラクトン、ポリエチレンオキシド-b-ラクチド、ポリエチレンオキシド-b-ラクチドDL型α-ヒドロキシ-ω-アセタール末端、ポリエチレンオキシド-b-メタクリル酸、ポリエチレンオキシド-b-メチルアクリレート、ポリエチレンオキシド-b-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリエチレンオキシド-b-メチルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-ニトロベンジルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-プロピレンオキシド、ポリエチレンオキシド-b-t-ブチルアクリレート、ポリエチレンオキシド-b-t-ブチルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-2-エチルオキサゾリン、ポリエチレンオキシド-b-2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-2-メチルオキサゾリン、ポリ[エチレンオキシド-b-メチルメタクリレート-co-N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート]、ポリエチレンオキシド-b-4-ビニルピリジンPEO末端官能メトキシ、ポリエチレンオキシド-b-6-4’-シアノビフェニル-4-イルオキシヘキシルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-11-[4-4-ブチルフェニルアゾフェノキシ]-ウンデシルメタクリレート、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリイソブチレン系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリイソブチレン-b-アクリル酸、ポリイソブチレン-b-エチレンオキシド、ポリイソブチレン-b-メタクリル酸、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリスチレン系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリスチレン-b-アクリルアミド、ポリスチレン-b-アクリル酸、ポリスチレン-b-セシウムアクリレート、ポリスチレン-b-エチレンオキシド、ポリスチレン-b-エチレンオキシドブロック接合部で酸開裂可能、ポリスチレン-b-メタクリル酸、ポリ4-スチレンスルホン酸-b-エチレンオキシド、ポリスチレンスルホン酸-b-メチルブチレン、ポリスチレン-b-N,N-ジメチルアクリルアミド、ポリスチレン-b-N-イソプロピルアクリルアミド、ポリスチレン-b-N-メチル2-ビニルピリジニウムヨージド、ポリスチレン-b-N-メチル-4-ビニルピリジニウムヨージド、ポリスチレン-b-プロピルアクリル酸、ポリスチレン-b-ナトリウムアクリレート、ポリスチレン-b-ナトリウムメタクリレート、ポリp-クロロメチルスチレン-b-アクリルアミド、ポリスチレン-co-p-クロロメチルスチレン-b-アクリルアミド、ポリスチレン-co-p-クロロメチルスチレン-b-アクリル酸、ポリスチレン-b-メチルブチレン-co-イソプレンスルホネート、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリイソプロピルアクリルアミド系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリN-イソプロピルisoprylアクリルアミド-b-エチレンオキシドが挙げられる。ポリ2-ビニルナフタレン系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリ2-ビニルナフタレン-b-アクリル酸が挙げられる。ポリビニルピロリドン系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリビニルピロリドン-b-D/L-ラクチドが挙げられる。酸開裂可能系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリエチレンオキシド-b-メチルメタクリレートブロック接合部で酸開裂可能、ポリエチレンオキシド-b-11-[4-4-ブチルフェニルアゾフェノキシ]-ウンデシルメタクリレートブロック接合部で酸開裂可能、ポリエチレンオキシド-b-t-ブチルメタクリレートブロック接合部で酸開裂可能、ポリエチレンオキシド-b-スチレンブロック接合部で酸開裂可能、ポリスチレン-b-エチレンオキシドブロック接合部で酸開裂可能、ポリエチレンオキシド-b-4-シアノビフェニルヘキシルメタクリレートブロック接合部で酸開裂可能、及びこれらの混合物が挙げられる。UV開裂可能系両親媒性ブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリエチレンオキシド-b-n-ブチルメタクリレートブロック接合部でUV開裂可能、ポリエチレンオキシド-b-メチルメタクリレートブロック接合部でUV開裂可能、ポリエチレンオキシド-b-スチレンブロック接合部でUV開裂可能、ポリエチレンオキシド-b-テトラtetroヒドロフルフリルメタクリレートmethacrylteブロック接合部でUV開裂可能、及びこれらの混合物が挙げられる。ABAトリブロックコポリマーには、ポリメタアクリレート系トリブロックコポリマー、ポリブタジエン系トリブロックコポリマー、ポリオキシラン系トリブロックコポリマー、ポリラクトン及びポリラクチド系トリブロックコポリマー、ポリオキサゾリン系トリブロックコポリマー、ポリスチレン系トリブロックコポリマー、ポリビニルピリジン系トリブロックコポリマー、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリメタアクリレート系トリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリn-ブチルアクリレート-b-9,9-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-b-n-ブチルアクリレート、ポリt-ブチルアクリレート-b-9,9-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-b-t-ブチルアクリレート、ポリアクリル酸-b-9,9-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-b-アクリル酸、ポリt-ブチルアクリレート-b-メチルメタクリレート-b-t-ブチルアクリレート、ポリt-ブチルアクリレート-b-スチレン-b-t-ブチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-ブタジエン1,4付加-b-メチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-n-ブチルアクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-t-ブチルアクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-t-ブチルメタクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-メタクリル酸-b-メチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-9,9-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-b-メチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-スチレン-b-メチルメタクリレート、ポリN,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート-b-9,9-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-b-N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート、ポリN,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート-b-エチレンオキシド-b-N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート、ポリN,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート-b-プロピレンオキシド-b-N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート、ポリt-ブチルメタクリレート-b-メチルメタクリレート-b-t-ブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート-b-ε-カプロラクトン-b-メチルメタクリレート、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリブタジエン系トリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリブタジエン1,4付加-b-スチレン-b-ブタジエン1,4付加が挙げられる。ポリオキシラン系トリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリエチレンオキシド-b-9,9-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-b-エチレンオキシド、ポリエチレンオキシド-b-プロピレンオキシド-b-エチレンオキシド、ポリエチレンオキシド-b-スチレン-b-エチレンオキシド、ポリエチレンオキシド-b-ラクチド-b-エチレンオキシド、ポリエチレンオキシド-b-ブタジエン-b-エチレンオキシドPBd1,2microstr、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリラクトン及びポリラクチド系トリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリラクチド-b-エチレンオキシド-b-ラクチド、ポリラクチド-b-ε-カプロラクトン-b-ラクチドL型ラクチド、ポリ[ラクチドDL-co-グリコリド-b-エチレンオキシド-b-ラクチドDL-c-グリコリド]、ポリラクチド-b-3-ヘキシルチオフェン-b-ラクチドD/L型、ポリカプロラクトン-b-エチレンオキシド-b-カプロラクトン、α-ω-ジアクリロニル末端ポリラクチド-b-エチレンオキシド-b-ラクチド、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリオキサゾリン系トリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリ2-メチルオキサゾリン-b-エチレンオキシド-b-2-メチルオキサゾリン、ポリ2-エチルオキサゾリン-b-エチレンオキシド-b-2-エチルオキサゾリン、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリスチレン系トリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリスチレン-b-アクリル酸-b-スチレン、ポリスチレン-b-ブタジエン1,4付加-b-スチレン、ポリスチレン-b-ブタジエン1,2付加-b-スチレン、ポリスチレン-b-エチレン-ブチレン-b-スチレン、ポリスチレン-b-n-ブチルアクリレート-b-スチレン、ポリスチレン-b-t-ブチルアクリレート-b-スチレン、ポリスチレン-b-t-ブチルメタクリレート-b-スチレン、ポリスチレン-b-9,9-ジ-n-ヘキシル-2,7-フルオレン-b-スチレン、ポリスチレン-b-エチルアクリレート-b-スチレン、ポリスチレン-b-メチルメタクリレート-b-スチレン、ポリスチレン-b-イソプレン富1,4付加-b-スチレン、ポリスチレン-b-エチレンオキシド-b-スチレン、ポリスチレン-b-4-ビニルピリジン-b-スチレン、ポリスチレン-b-ε-カプロラクトン-b-スチレン、及びこれらの混合物が挙げられる。ポリビニルピリジン系トリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリ2-ビニルピリジン-b-ブタジエン1,2付加-b-2-ビニルピリジン、ポリ2-ビニルピリジン-b-スチレン-b-2-ビニルピリジン、ポリ4-ビニルピリジン-b-スチレン-b-4-ビニルピリジン、及びこれらの混合物が挙げられる。ABCトリブロックコポリマー第1ブロックとしてポリスチレンを有するの代表的なものとしては、ポリスチレン-b-ブタジエン-b-メチルメタクリレート1,4付加で富pBd、ポリスチレン-b-ブタジエン-b-2-ビニルピリジン、ポリスチレン-b-t-ブチルアクリレート-b-メチルメタクリレート、ポリスチレン-b-イソプレン-b-グリシジルメタクリレート、ポリスチレン-b-イソプレン-b-メチルメタクリレート、ポリスチレン-b-イソプレン-b-2-ビニルピリジン、ポリスチレン-b-2-ビニルピリジン-b-エチレンオキシド、ポリスチレン-b-アントラセンメチルメタクリレート-b-メチルメタクリレートmethymethacrylate、ポリスチレン-b-t-ブチルアクリレート-b-2-ビニルピリジン、ポリスチレン-b-t-ブチルメタクリレート-b-2-ビニルピリジン、ポリスチレン-b-2-ビニルピリジン-b-t-ブチルメタクリレート、ポリスチレン-b-4-ビニルピリジン-b-エチレンオキシド、ポリスチレン-b-ブタジエン-b-メチルメタクリレート1,2付加で富PBd、及びこれらの混合物が挙げられる。本明細書に記述されている方法で有用な他のABCトリブロックコポリマーの代表的なものとしては、ポリイソプレン[1,4付加]-b-スチレン-b-2-ビニルピリジン、ポリイソプレン[1,4付加]-b-スチレン-b-エチレンオキシド、及びこれらの混合物が挙げられる。これらの有機ブロックコポリマーは全て、PolymerSource、Inc.Montreal、Quebec、Canadaから市販されている。シリコーン有機ブロックコポリマー本明細書において有用なシリコーン有機ブロックコポリマーは、MQ樹脂との親和性が比較的高いシロキサンブロックを有していてよく、またこのシリコーン有機ブロックコポリマーは、MQ樹脂との親和性が比較的低いブロックを有していてもよい。一般に、シリコーン有機ブロックコポリマーのブロックの分子量は、シリコーン有機ブロックコポリマーが相分離できるよう十分な大きさであるべきである。これらの分子量の正確な値はシリコーン有機ブロックコポリマーのタイプによって異なるが、下限値はブロック当たり1,000であり得る。シリコーン有機ブロックコポリマーは:E-Da-Xbc-E、E-Dd-Xe-Dfg-E、E-Xh-Di-Xjk-E、及びこれらの混合物から選択される式を有し得、式中、Eiは末端保護基、各Dは二官能シロキサンユニット、各Xは有機基例えばシロキサンブロックDと親和性の低い基であり、下付き文字aは2以上の値、下付き文字bは2以上の値を有し、下付き文字cは1以上の値を有し、下付き文字dは2以上の値を有し、下付き文字eは2以上の値を有し、下付き文字fは2以上の値を有し、下付き文字gは1以上の値を有し、下付き文字hは2以上の値を有し、下付き文字iは2以上の値を有し、下付き文字jは2以上の値を有し、及び、下付き文字kは1以上の値を有する。下付き文字a、b、d、e、f、g、h、i、及びjは、各ブロックが少なくとも1,000の数平均分子量を有するような値である。Dユニットの体積分率Dユニットの体積/ブロックコポリマー全体の体積は、0.01~0.6の範囲、あるいは0.1~0.5の範囲、あるいは0.2~0.4の範囲、あるいは0.25~0.35の範囲内にあり得る。下付き文字a~kはそれぞれ、Dユニットの体積分画制限を充足するような値を有する。上の式中の各Dは、式R12SiO2/2の二官能シロキサンユニットを表わす。各R1は、炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基であり得る。R1として好適な炭化水素基には、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアリール基が挙げられる。好適なアルキル基は例えば、メチル、エチル、プロピル、ペンチル、オクチル、ウンデシル、及びオクタデシル基である。好適なシクロアルキル基は例えば、シクロペンチル及びシクロヘキシル基である。好適なアルケニル基は例えば、ビニル、アリル、ブテニル、及びヘキセニルである。好適なアルキニル基は例えば、エチニル、プロピニル、及びブチニル基である。好適なアリール基は例えば、フェニル、トリル、キシリル、ベンジル及び2-フェニルエチルである。あるいは、各R1はアルキル基とアリール基から選択され得る。あるいは、各R1はメチル基又はフェニル基であり得る。あるいは、各R1はメチル基であり得る。あるいは、一部又は全てのR1基が、ハロゲン化炭化水素基であり得る。好適なハロゲン化炭化水素基には、クロロメチル、クロロプロピル、トリフルオロプロピル、ヘプタデカフルオロデシル、ヘプタフルオロペンチル、ノナフルオロヘキシル、オクタフルオロペンチル、ペンタフルオロブチル、テトラフルオロプロピル、トリフルオロエチル、及びトリフルオロプロピルが挙げられるがこれらに限定されない。あるいは各Dは、Me2SiO2/2ユニット、PhMeSiO2/2ユニット、及びPh2SiO2/2ユニットから独立して選択することができ、式中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を表わす。コポリマー中の各Xは、Dユニットと親和性の低い基である。各Xは有機基であり得る。各Xは、アジピン酸無水物、ブチルアクリレート、ブチルメチルアクリレート、カプロラクトン、シアノビフェニルイルオキシヘキシルメタクリレート、エトキシエチルメタクリレート、エチレンオキシド、ヒドロキシエチルアクリレート、イソブチレン、ラクチド、メチルメタクリレート、プロピレンオキシド、スチレン、ビニルナフタレン、及びビニルピリジンから独立して選択され得る。あるいは、各Xは、ブチルアクリレート、カプロラクトン、イソブチレン、メチルメタクリレート、プロピレンオキシド、スチレン、及びビニルナフタレンから独立して選択され得る。あるいは、各Xは、窒素原子を含まなくてもよい。あるいは、各Xは、ブチルアクリレート、カプロラクトン、イソブチレン、メチルメタクリレート、プロピレンオキシド、及びビニルナフタレンから独立して選択され得る。あるいは、Xは、Dブロックと親和性の低いシロキサンブロックであり得る。例えば、Dがジメチルシロキサンブロックのとき、Xはジフェニルシロキサンブロック又はフェニルメチルシロキサンブロックであり得る。各Eは、末端保護基を表わす。各Eは、シラノール基、Me3SiO1/2ユニット、Ph2MeSiO1/2ユニット、及びPhMe2SiO1/2ユニットから独立して選択することができ、式中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を表わす。あるいは、各Eは、Me3SiO1/2ユニット及びPhMe2SiO1/2ユニットから独立して選択することができる。一実施形態において、各EはMe3SiO1/2ユニットであり得、各DはMe2SiO2/2ユニットであり得、各Xはスチレンであり得る。数多くの様々なシリコーン有機ブロックコポリマー例えばポリブタジエン-ポリジメチルシロキサン、ポリイソブチレン-ポリジメトキシシロキサンPIB/PDMS、ポリスチレン-ポリジメトキシシロキサンPS/PDMS、ポリメチルメタクリレート-ポリジメトキシシロキサンPMMA/PDMSを、本明細書に記述される方法に使用することができる。好適なシリコーン有機ブロックコポリマーは既知であり、例えばPolymerSource、Inc.Montreal、Quebec、Canadaから市販されている。そのような好適なシリコーン有機ブロックコポリマーには、ABタイプのブロックコポリマー、例えばポリn-ブチルアクリレート-b-ジメチルシロキサン-co-ジフェニルシロキサン、ポリスチレン-b-メチルフェニルシロキサン、ポリ2-ビニルナフタレン-b-ジメチルシロキサン、ポリ2-ビニルピリジン-b-ジメチルシロキサン、ポリ4-ビニルピリジン-b-ジメチルシロキサン、ポリジメチルシロキサン-b-n-ブチルアクリレート、ポリジメチルシロキサン-b-t-ブチルアクリレート、ポリジメチルシロキサン-b-ヒドロキシエチルアクリレート、ポリジメチルシロキサン-b-メチルメタクリレート、ポリスチレン-ジメチルシロキサン、ポリスチレン-b-ジメチルシロキサン、シラノール末端基、ポリスチレン-b-ジメチルシロキサン、トリメチルシロキシ末端基、ポリジメチルシロキサン-b-メチルメタクリレート-co-t-ブチルメチルアクリレート、ポリジメチルシロキサン-b-t-ブチルメタクリレート、ポリジメチルシロキサン-b-1-エトキシエチルメタクリレート、ポリジメチルシロキサン-b-6-4’-シアノビフェニル-4-イルオキシヘキシルメタクリレート、ポリジメチルシロキサン-b-ε-カプロラクトン、ポリジメチルシロキサン-b-ラクチド、ポリエチレンオキシド-b-ジメチルシロキサン、ポリジメチルシロキサン-b-アジピン酸無水物、及びポリイソブチレン-b-ジメチルシロキサンが挙げられる。これらのコポリマーは、PolymerSource、Inc.Montreal、Quebec、Canadaから市販されている。好適なシリコーン有機ブロックコポリマーには、ABAタイプのブロックコポリマー、例えばポリメチルメタクリレート-b-ジメチルシロキサン-b-メチルメタクリレート、ポリエチレンオキシド-b-ジメチルシロキサン-b-エチレンオキシド、ポリスチレン-b-ジメチルシロキサン-b-スチレン、ポリエチレンオキシド-b-ポリジメチルシロキサン-b-ポリエチレンオキシド、ポリジメチルシロキサン-b-エチレンオキシド-b-ジメチルシロキサン末端シラノール、ポリジメチルシロキサン-b-エチレンオキシド-b-ジメチルシロキサン末端トリメチルシラン、ポリ2-エチルオキサゾリン-b-ジメチルシロキサン-b-2-エチルオキサゾリン、ポリ2-エチルオキサゾリン-b-ジメチルシロキサン-b-2-エチルオキサゾリンアクリレートで末端官能化、ポリ2-エチルオキサゾリン-b-ジメチルシロキサン-b-2-エチルオキサゾリンメタクリレートで末端官能化、ポリ2-メチルオキサゾリン-b-ジメチルシロキサン-b-2-メチルオキサゾリン、ポリ2-メチルオキサゾリン-b-ジメチルシロキサン-b-2-メチルオキサゾリンメタクリレートで末端官能化、及びポリ2-メチルオキサゾリン-b-ジメチルシロキサン-b-2-メチルオキサゾリンアクリレートで末端官能化、ポリプロピレンオキシド-b-ジメチルシロキサン-b-プロピレンオキシド、ポリブタジエン1,4付加-b-ジメチルシロキサン、及びこれらの混合物が挙げられる。これらのコポリマーも、PolymerSource、Inc.から市販されている。溶媒溶媒は、本明細書に記述される方法において使用され得る任意成分である。溶媒は、MQ樹脂とブロックコポリマーを溶解できる任意の溶媒であり得る。好適な溶媒には、トルエン、キシレン、クロロホルム、ブタノン、アセトン、及び地アセトンアルコールなどの有機溶媒が挙げられる。成分A及びBの混合物は、ホモポリマー例えばトリメチルシロキシ-末端ポリジメチルシロキサンホモポリマーを含まなくてもよい。ホモポリマーを含まないということは、成分A及びBの混合物内に存在する成分A及びBを除くポリマーの量が十分に少なく、成分A及びB以外のポリマーが成分A及びBの混合物により形成される構造化形態に顕著な影響を与えないということを意味する。方法ブロックコポリマーの形態を改変する方法は、次のステップを含む:1A三官能ケイ酸塩ナノ粒子と、B親和性ユニット及び非親和性ユニットを含むブロックコポリマー成分Bは成分Aがない状態で構造化形態を形成することができると、任意にC溶媒と、を含む成分を混合すること、任意に2溶媒を除去することにより、成分A及びBの非晶質形態を有する混合物を形成すること、並びに、3アニーリングにより、成分Bの構造化形態とは異なる構造化形態を有する成分A及びBの混合物を形成すること。成分Aと、成分Bの親和性ユニットとを加えた体積を、成分A及びBを合わせた体積で割ることにより、形態が測定される。この値は、成分Bに選択されたブロックコポリマーのタイプ及び多分散性と、構成要素Aの多分散性に依存するが、ただし、この値は1体積~99体積、あるいは10体積~70体積、あるいは30体積~70体積、あるいは10体積~50体積の範囲内にあり得る。あるいは、MQ樹脂の量は、成分A及びBを合わせた合計体積に対して、5体積~30体積の範囲内にあり得る。あるいは、シリコーン有機ブロックコポリマーは、成分Bとして使用することができる。この実施形態において、この方法は次のステップを含み得る:1A三官能ケイ酸塩ナノ粒子と、B二官能シロキサンユニットと非親和性ユニットとを含むシリコーン有機ブロックコポリマー成分Bは成分Aがない状態で構造化形態を形成することができると、任意にC溶媒と、を含む成分を混合すること、任意に2溶媒を除去することにより、成分A及びBの非晶質形態を有する混合物を形成すること、並びに、3アニーリングにより、成分Bの構造化形態とは異なる構造化形態を有する成分A及びBの混合物を形成すること。成分Aと、成分BのDユニットとの和を、成分A及びBの混合物の体積で割った値は、1体積~99体積、あるいは10体積~70体積、あるいは30体積~70体積、あるいは10体積~50体積の範囲内にあり得る。あるいは、MQ樹脂の量は、成分A及びBを合わせた合計体積に対して、5体積~30体積の範囲内にあり得る。ステップ1又は存在する場合はステップ2で形成された成分A及びBの混合物は、成分A及びBの物理的混合物を含み得る。あるいは、この成分A及びBの混合物は、成分A及びBの反応生成物を含み得る。アニーリング後、成分A及びBの混合物は、成分Bの構造化形態とは異なる構造化形態を有する。例えば、あるブロックコポリマーが円筒形態を有し得、このブロックコポリマーを本方法の成分Bとして使用して製造された成分A及びBの混合物は、ジャイロイド形態又は層状形態を有し得る。あるいは、本明細書に記述される方法で製造された成分A及びBの混合物は、円筒形状を有し得る。本出願の目的のため、異なる構造化形態には、位相サイズが異なる形態が含まれる。例えば、成分Bに選択されたコポリマーが比較的細い円筒形状を形成し、成分A及びBの混合物が比較的太い円筒形状を形成し得る。ステップ1混合A及びBを含む成分の混合は、成分A及びBを成分C中に溶解又は分散させることによって実施され得る。あるいは、成分Aを成分C中に溶解又は分散させて溶液又は分散液を形成してから、成分Bに加えることができる。あるいは、AとBを含む成分の混合は、融解プロセスによって実施することができる。融解プロセスでは溶媒は不要である。本明細書で記述される方法における、成分の混合は、任意の便利な手段例えば混和によって実施され得る。ステップ2溶媒の除去溶媒は、例えば溶媒を蒸発させるなど、任意の便利な手段によって除去され得る。溶媒除去は、加熱及び/又は減圧によって促進することができる。溶媒除去は、アニーリングの前に行うことができる。あるいは、溶媒除去は、アニーリングステップの一部としてアニーリング中に行うことができる。ステップ3アニーリングアニーリングは、成分A及びBの混合物に構造化形態を形成させることができる、任意の手段によって実施し得る。アニーリングは、成分A及びBの混合物を、成分A及びBの混合物が自己組織化して構造化形態を有するドメインとなるのに十分な温度と時間で加熱することによって、実施し得る。成分A及びBの混合物は、温度チャンバ内に入れ、成分A及びBの混合物の成分のガラス転移温度を上回る温度で加熱することによって、熱的にアニーリングすることができる。アニーリング温度は、成分A及びBの混合物の秩序/無秩序転移温度未満であるべきであり、この温度は、成分A及びBの混合物の相図に依存し、成分A及び/又は成分Bが劣化する温度より低い。そのような劣化温度は、成分A及びBに選択された固有の成分に依存する。アニーリングの正確な条件は、コポリマー中の各ブロックのタイプと量、ケイ酸塩のタイプと量、アニーリングステップに溶媒が存在するか否か、及びアニーリングに選択された温度に依存する。これは、コポリマー移動度が、温度上昇及び他の要素例えばブロックの表面エネルギーの差-これも温度依存性であるに伴って増大する可能性があるためである。しかしながら、アニーリング時間は1秒~50時間、あるいは1秒~25時間、あるいは1秒~3時間、あるいは3時間~25時間の範囲内にあり得る。アニーリング時間は、アニーリング温度を含む様々な要素に依存する。一般に、アニーリング時間は、アニーリング温度が高くなると短縮される。アニーリングは、室温25°Cで実施することができる。アニーリング温度の上限は、成分Aに選択された具体的なMQ樹脂と、成分Bのコポリマーの選択に対する、劣化温度及び秩序/無秩序転移温度を含む、様々な要素に依存し得る。あるいは、アニーリング温度は少なくとも50°Cであり得る。あるいは、アニーリング温度は、コポリマー、ケイ酸塩、又は基材の劣化温度より低くてもよい。あるいは、アニーリング温度は、最高280°C、あるいは250°C、あるいは190°C、あるいは170°Cであり得る。あるいは、アニーリング温度は100°C~200°Cの範囲内にあり得る。あるいは、アニーリングは50°C~280°Cの範囲の温度で1秒~3時間の範囲の時間加熱することによって実施することができる。あるいは、アニーリングは減圧下で実施され得る。理論に束縛されるものではないが、減圧下のアニーリングは、酸化の減少により、成分A及び/又は成分Bの劣化を最小限に抑えることができる。あるいは、アニーリングには、混合物に剪断力を印加すること、成分A及びBの混合物の圧縮変形、成分A及びBの混合物のロール鋳造、成分A及びBの混合物に温度勾配を適用すること、成分A及びBの混合物に電場を印加すること、成分A及びBの混合物を表面の間に閉じ込めること、成分A及びBの混合物を液表面に適用すること、基材表面に溶媒を適用してから成分A及びBの混合物をその表面に適用すること、基材表面にトップダウンリトグラフィー技法を実施してから成分A及びBの混合物をその表面に適用すること、成分A及びBの混合物にエピタキシャル制御を適用すること、並びに、成分A及びBの混合物にグラフォエピタキシャル制御を適用すること、並びに/又は溶媒の蒸発速度を制御することが含まれ得る。そのような方法は、上述の加熱及び/又は溶媒除去を採用したアニーリングステップに加えて、又はそのようなアニーリングステップの代わりに、実施することができる。アニーリングステップの生成物は、望ましい構造化形態を有し得る。この望ましい形態は、成分Aなしでの成分Bの構造化形態と、成分A及びBの混合物中のMQ樹脂の量を含む、様々な要素に依存する。アニーリングステップの生成物の構造化形態は、球形、円筒形、ジャイロイド、ダブルダイヤモンド、又は層状から選択され得る。理論に束縛されるものではないが、構造化形態の配向は、選択したアニーリング技法に依存して変化し得ると考えられる。例えば、構造化形態は、基材に対してある方向に配向させることができる。例えば、円筒形態を備える成分A及びBの混合物から形成される薄膜の場合、円筒を基材に対して平行に配向することができ、あるいは、円筒を基材に対して垂直に配向することができる。1つ以上のアニーリング技法を使用して、構造化形態と、基材に対する構造化形態の配向を形成することができる。用途本明細書に記述される方法及び成分は、様々な用途に使用することができる。例えば、この方法と成分A及びBの混合物を、トップダウンのリトグラフィー技法の代わりに、ボトムアップのリトグラフィー技法として使用することができる。薄膜本明細書に記述される方法及び成分は、薄膜を形成するのに使用することができる。例えば、薄膜を形成する方法は次のステップを含む:1A三官能ケイ酸塩ナノ粒子と、B二官能シロキサンユニットと有機ユニットとを含むシリコーン有機ブロックコポリマー成分Bは成分Aがない状態で構造化形態を形成することができると、任意にC溶媒と、を含む成分を混合すること、任意に2溶媒を除去すること、3アニーリングを行うことにより、基材上に薄膜を形成すること。この薄膜は成分A及びBの混合物を含み、成分A及びBの混合物は構造化形態を有する。この方法は、基材上にナノパターン構造又は機能を形成するのに使用できる。ステップ1組成物は、成分A及びBを成分C中に溶解又は拡散することによって調製され得る。あるいは、成分Aを成分C中に溶解又は分散させて溶液又は分散液を形成してから、成分Bに導入することができる。溶媒が存在する場合、組成物は、スピンコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、フローコーティング、又はスクリーンコーティングなどの任意の便利な手段によって、基材に適用することができる。あるいは、組成物は融解プロセスによって基材に適用することができる。融解プロセス中は、溶媒は存在してもよく、存在しなくともよい。薄膜を形成するための方法において有用な基材は、薄膜を付着することが望ましい任意の便利な基材であり得る。例えば、基材は半導体又はガラス物品であり得る。あるいは、基材は液体であり得る。基材は任意に、ステップ1で加熱してもよい。基材は任意に、例えば液体を基材として使用し、ステップ3の後に除去して、自立型フィルムを形成してもよい。ステップ2及び3は上記の通り実施することができる。任意のステップ本明細書に記述されている方法は任意に更に、コポリマーからブロックを除去するステップ4が含まれ得る。1つ以上のブロックを選択的に除去する方法は、除去されるブロックと残るブロックのタイプに依存する。しかしながら、ブロックを除去する1つの代表的な方法は、UV照射、エッチング、又はこれらの組み合わせを含み得る。エッチングは例えば、酢酸又は無水HFなどの酸を用いて、あるいはプラズマを用いて実施することができる。UV照射と、それに続く酢酸によるエッチングによって減成が起こり、PDMS/PMMAブロックコポリマー薄膜からポリメチルメタクリレートPMMAブロックを除去することができる。あるいは、無水HFによるエッチングで、PS/PDMSブロックコポリマーなどのコポリマーからシリコーンブロックを除去することができる。本明細書で記述される方法によって形成された薄膜は、例えば分離膜、リトグラフィー用途、高密度記憶媒体、ナノ多孔質材料、ナノテンプレート、分離媒体、又は触媒若しくはセンサーの高表面積保持などの、様々な用途に使用することができる。上記の方法に従って調製された薄膜は、少なくとも1ナノメートルnmの厚さを有し得る。あるいは、この方法に従って調製された薄膜は、2nm~100nm、あるいは10nm~100nmの寸法範囲の厚さを有し得る。これらの薄膜は、ナノメートル規模の膜、ナノ物品例えば金属、セラミック製のナノドット及びワイヤの製造用テンプレート、1D、2D及び3D、フォトニック結晶、並びに高密度情報記憶媒体製造用のナノパターンマスクとして有用であり得る。これらの薄膜は、例えば米国特許第7,045,851号参照により本明細書に組み込まれるに記述されているブロックコポリマーケイ酸塩ナノ粒子を含まないの使用に形成されるフィルムに加えて、あるいはそのようなフィルムの代わりに、使用することもできる。例えば、本明細書で記述される方法によって調製される薄膜は、電界効果トランジスタ製造目的で、米国特許第7,045,851号におけるブロックコポリマーの自己組織化によって形成されるフローティングゲート層の代わりに使用することができる。あるいは、本明細書に記述される方法は、米国特許第7,037,744号に記述されているナノコラムエアブリッジを形成する方法において使用することができる。本明細書に記述される方法、並びに成分A及びBの混合物は、米国特許第7,037,744号に記述されている相分離ポリマーの代わりに、ナノメートル規模のパターニング方法において使用することができる。あるいは、本明細書に記述される方法、並びに成分A及びBの混合物は、米国特許公開第2008/0193658号に記述されるサブリトグラフィーパターニングプロセスにおけるブロックコポリマーの代わりに使用することができる。米国特許第7,045,851号、同第7,037,744号、及び米国特許公開第2008/0193658号は、これらにおいて記述される用途について、参照により本明細書に組み込まれる。接着剤とエラストマー上記の成分を使用するための別の方法は、次のステップを含む:1A三官能ケイ酸塩ナノ粒子、BE-Da-Xbc-E、E-Dd-Xe-Dfg-E、E-Xh-Di-Xjk-E、及びこれらの組み合わせから選択される式を有するシリコーン有機ブロックコポリマー、式中:各Eは末端保護基であり、各Dは式R12SiO2/2各R1は、独立して一価の炭化水素基であるの二官能シロキサンユニットであり、各Xは炭素原子と水素原子とを含む有機基でありただしXは窒素原子を含まない下付き文字aは2以上の値を有し、下付き文字bは2以上の値を有し、下付き文字cは1以上の値を有し、下付き文字dは2以上の値を有し、下付き文字eは2以上の値を有し、下付き文字fは2以上の値を有し、下付き文字gは1以上の値を有し、下付き文字hは2以上の値を有し、下付き文字iは2以上の値を有し、下付き文字jは2以上の値を有し、及び下付き文字kは1以上の値を有するシリコーン有機ブロックコポリマーと、並びに任意にC溶媒と、を含む成分を混合することにより組成物を形成することと、2ホットメルト接着剤、感圧性接着剤、又は可逆性エラストマーから選択される用途にこの組成物を使用すること、任意に3溶媒除去及び/又はアニーリングを行うことにより、成分A及びBの混合物が、成分Bの構造化形態とは異なる構造化形態を有するように成形すること。この方法において、ステップ1は上記の通り実施することができる。ステップ2は、ウェブ基材上にこの混合物を含む組成物を剥離剤コーティングすることを含む方法によって実施することができる。適用は、ドローダウンバーを用いるなどの任意の便利な方法によって実施し得る。溶媒が使用される場合、溶媒は加熱により除去し得る。感圧性接着剤用の剥離剤コーティング製造の方法は当該技術分野において既知である。例えば、ステップ2は、米国特許第5,866,222号に開示されるウェブ基材上の剥離テープ製造方法において、本明細書に記述される成分A及びBの混合物を用いることによって、実施することができる。ウェブ基材は、織布、不織布、編み地又はその他の繊維性ウェブ、熱可塑性フィルム、又はこれらの積層を含み得る。ウェブは、溶媒又はホットメルト成形により剥離組成物でコーティングすることができる。感圧性接着剤は、ウェブの反対側の面に提供することができる。感圧性接着剤は任意の接着剤であってよく、これは剥離組成物の剥離剤コーティングに剥離可能に接着する。そのような感圧性接着剤の好適なものとしては、例えば米国特許第5,866,222号に記述されているもののような、粘着化エラストマー系接着剤が挙げられる。あるいは、この混合物は、米国特許公開第2007/148473号の方法による接着剤物品を形成するのに使用でき、本明細書に記述される混合物は、米国特許公開第2007/148473号に記述される感圧性接着剤層の代わりに使用することができる。この方法において、ステップ2は、ガラス、熱可塑性ポリマー例えばポリエステル、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、金属塗装した金属を含む、ガラス繊維、又はセラミックスなどの基材の上に、この混合物を含む感圧性接着剤を適用することを含む。適用は、上述したもののような、任意の便利な方法によって実施し得る。溶媒が使用される場合、溶媒は加熱により除去し得る。感圧性接着剤物品の製造方法は当該技術分野において既知である。以下の実施例は、当業者に本発明を示すために含まれる。しかしながら、本開示を考慮すれば、開示される具体的な実施形態において、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく多くの修正がなされ、それでも同様の又は類似する結果を得ることができることを当業者は理解すべきである。実施例では、以下の成分を使用した。PS/PDMS1は、重量平均分子量Mw45,500、多分散性1.15を有する、トリメチルシロキシ-末端のポリスチレン-ブロック-ジメチルシロキサンコポリマーであった。PS/PDMS1は31,000g/molのスチレンブロックと、15,000g/molのジメチルシロキサンブロックを含んでいた。PS/PDMS1は、PolymerSource、Inc.から入手された。溶液1は、トルエン95と、次の特性を備えるMQ樹脂固形物を5含む溶液であった:Mユニットは式CH33SiO1/2であり、M/Q比0.92/1、数平均分子量Mn8,460g/mol、Mw9,600g/mol。実施例1~5溶液1とPS/PDMS1を様々な量で混合することによって配合物が調製された。サンプルをテフロン製皿に注ぎ、蒸発させて塊とした。空気乾燥で溶媒を除去した後、この配合物を減圧炉中130°Cで15時間加熱することによってアニーリングし、平衡形態に達させ、形態に対する溶媒の影響を除去した。次に配合物を室温まで冷ました。結果として得られたアニーリング済みサンプルを、-120°Cで冷凍ミクロトームを行って電子的に透明な薄い切片とし、TEMすなわち透過型電子顕微鏡分析用に、CフィルムコーティングされたCuTEMグリッドに搭載した。各切片をJEOL2100FTEMに搭載し、200KeVで、明視野TEMモードで調べた。TEMコラム下に取り付けられたGatanCCDカメラとDigitalMicrographソフトウェアを用いて、デジタル画像が撮影された。溶液1とPS/PDMS1の量を表1に示す。実施例5において、組成物は、提供されたMQ樹脂33、及びPS/PDMS67からなっていた。このサンプルはSAXSによって測定したところ、層状構造を有していた。SAXSとは、小角X線散乱smallangleX-rayscatteringの略である。MQ樹脂のPS-PDMS1混合物のSAXSデータは、MQ樹脂の追加重量を増加させるに従い、層状への形態遷移を示した。MQ樹脂を段階的に直鎖PS-PDMS1ブロックコポリマーに追加していくことによって制御される、円筒形からジャイロイドを経て層状に至る形態遷移が、SAXS及びTEMを用いて確認された。SAXSデータにおいて、複数のブラッグピークの相対的位置から、ブロックコポリマーのミクロドメイン形態についての情報が得られた。これは、ブラッグピークがミクロドメイン構造の形状に依存して異なる配列を呈するためである。実施例1において、TEMとSAXSのデータは、MQ樹脂を混合する前のPS-PDMS1ブロックコポリマー中のPSマトリックス内で、六辺形に配置されたPDMS円筒形の構成を示している。SAXSで検出されたピーク位置で、ブロックコポリマー中に六辺形に並んだ円筒形構造の構成が確認されている。MQ樹脂を段階的に追加していくことにより、実施例3及び4のSAXS結果は、実施例1の円筒形構造から、実施例3の共連続的構造へ、そして実施例4の別の層状構造へと、形態遷移していることを示している。MQ樹脂13wtをPS-PDMS1ブロックコポリマーに追加した場合、SAXSのピーク位置は、実施例3において、共連続的ジャイロイド構造に対応した。更にMQ樹脂を追加した後20wt、実施例4のSAXS結果において、層状形態の構造が示された。実施例5において更にMQ樹脂を追加した後33wt、PS-PDMS1とMQ樹脂組成物の形態に劇的な変化はなかった。実施例6比較例ポリジメチルシロキサンPDMSホモポリマーMwが17,200、多分散性1.05を有するトリメチルシロキシ末端PDMSを、実施例2~5に使用した方法を用いて、PS/PDMS1に追加した。この比較例では、達成された形態制御は乏しかった。実施例7比較例式CH3SiO3/2のユニットを含む樹脂は、ShinEtsuChemicalCo.、Ltd.からKR220Lメチル-Tシリコーン樹脂として販売されているものを入手した。この樹脂20とPS/PDMS180の配合物を、実施例1~5と同様に調製した。全てのシリコーン樹脂がPS-PDMSブロックコポリマーと親和性を有するわけではないため、この配合物は、このメチル-Tシリコーン樹脂とPS-PDMS1ブロックコポリマーとの非親和性により、構造化形態を形成しなかった。産業上の利用可能性本明細書に記述される方法は、望ましい形態を得るために、異なる長さのブロックで異なるブロックコポリマーを合成する必要に代わって、1つのブロックコポリマーを利用できるという利点を提供する。単一のブロックコポリマーの形態は、望ましい形態が得られるまでMQ樹脂の様々な量を追加していくことによって変えることができる。"