"複数の電極を有する被検査体の検査を行う検査用治具であって、前記被検査体の前記電極に接触される導電性を有する複数の接触子が微小電気機械システム技術によって基板に形成された検査用プローブと、前記検査用プローブを支持するプローブブロックとを備え、前記被検査体に対して前記検査用プローブが垂直に配置され、前記検査用プローブの前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、前記プローブブロックと前記被検査体とが近接されることにより、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触されることを特徴とする検査用治具。請求項1に記載の検査用治具であって、前記プローブブロックは、前記被検査体との近接時に、前記被検査体の前記電極に前記接触子が接触した時点からの近接方向への変位量を一定量に規制するストッパーが設けられていることを特徴とする検査用治具。請求項2に記載の検査用治具であって、前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重が所定量となった時点で、前記プローブブロックをスライドさせて前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重を一定にするスライド機構を備えることを特徴とする検査用治具。近年、電子機器に搭載される被検査体である電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの微細化及び高集積化が積極的に行われており、これに伴い、これらの被検査体の電極も微細ピッチ化及び微細領域化されている。このような状況において、特許文献1に示されたカンチレバー方式のプローブでは、耐久性を維持すべく一定の針径が必要となるため、被検査体の電極の微細ピッチ化及び微細領域化への適用が困難である。しかも、被検査体の電極へ大きな針痕が形成され、検査工程後における実装工程での不良発生の要因となってしまう。また、電極が被検査体の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状の被検査体を検査するためには、針先の長さを長くせざるを得ず、針先の接点の位置精度の確保及び電極への押し付け荷重の制御が困難になり、また、耐久性が低下してしまう。また、特許文献2に示された垂直型プローブでは、プローブを支持するセラミック板に対してプローブを支持するための孔部を、例えば、100μm以下の微細ピッチで形成することが困難である。このため、被検査体の電極の微細ピッチ化に対応することが困難であった。また、プローブを支持するセラミック板が干渉してプローブの接点の電極への接触箇所の確認が困難となる。このため、高価な位置合わせ装置が必要となり、検査コストの増大を招いてしまう。本発明の目的は、被検査体の電極への影響を抑えつつ電極の微細ピッチ化及び微細領域化に対応して効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用治具を提供することにある。上記課題を解決することのできる本発明の検査用治具は、複数の電極を有する被検査体の検査を行う検査用治具であって、前記被検査体の前記電極に接触される導電性を有する複数の接触子が微小電気機械システム技術によって基板に形成された検査用プローブと、前記検査用プローブを支持するプローブブロックとを備え、前記被検査体に対して前記検査用プローブが垂直に配置され、前記検査用プローブの前記接触子の先端側が前記基板の表面に対して所定角度で屈曲され、前記プローブブロックと前記被検査体とが近接されることにより、前記被検査体に対して垂直方向から近接されて前記接触子の先端からなる接点が前記被検査体の電極に接触されることを特徴とする。本発明の検査用治具において、前記プローブブロックは、前記被検査体との近接時に、前記被検査体の前記電極に前記接触子が接触した時点からの近接方向への変位量を一定量に規制するストッパーが設けられていることが好ましい。本発明の検査用治具において、前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重が所定量となった時点で、前記プローブブロックをスライドさせて前記プローブブロックと前記被検査体との近接方向への荷重を一定にするスライド機構を備えることが好ましい。本発明によれば、被検査体の電極に接触される導電性を有する複数の接触子が微小電気機械システム技術によって基板に形成された検査用プローブを備えるので、被検査体が微細化及び高集積化された電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどであっても良好に対応して確実に検査することができる。また、微小電気機械システム技術で作製された耐久性の高い検査用プローブを用いることで、繰り返し使用しても不具合の発生を抑えることができ、長寿命化を図ることができる。また、接触子を屈曲させたので、被検査体の電極へ接点が接触した際に接触子が良好に弾性変形することとなる。これにより、被検査体の電極に対して接触子を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極に接触痕を残すような不具合をなくし、電極の損傷を極力防ぐことができる。したがって、検査工程後における被検査体の歩留まりを向上させることができ、被検査体の製造コストを削減することができる。しかも、被検査体に対して垂直方向から近接して検査を行うことができるので、高価な位置決め装置を用いずに、検査用プローブの接触子と被検査体の電極との位置決めの容易化を図ることができる。また、被検査体に対して垂直方向から近接して検査を行うので、電極が被検査体の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状であっても、接触子の接点を電極へ接触させて容易に検査することができる。以下、本発明に係る検査用治具の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。図1に示すように、本実施形態に係る検査用治具11は、プローブブロック12を備えており、被検査体21の上方に配置される。この検査用治具11は、プローブブロック12が検査装置のベース板15に固定されて用いられる。被検査体21は、ステージである被検査体ブロック13の上面に保持されている。被検査体ブロック13は、プローブブロック12に対して上下に接離されるようになっている。そして、被検査体21を検査する際に、被検査体ブロック13が上昇してプローブブロック12に近接される。なお、検査用治具11と被検査体ブロック13とは別体であり、検査用治具11としては被検査体ブロック13を有していなくてもよい。この検査用治具11は、高密度配線基板、段付き配線基板、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体21の通電試験を行う際に用いられるものであり、例えば、検査装置へ組み込まれて用いられる。被検査体21となる表示デバイスとしては、例えば、フラットパネルディスプレイFPDや有機ELディスプレイなどがある。図2及び図3に示すように、プローブブロック12は、被検査体ブロック13側へ突出する支持ブロック部23を有しており、この支持ブロック部23の一側部に、固定ブロック24が固定されている。支持ブロック部23には、位置決めピン25及びネジ孔26が形成されている。また、固定ブロック24には、位置決めピン25が挿し込まれる位置決め孔27及びボルト28が挿通されるボルト挿通孔29が形成されている。そして、固定ブロック24は、その位置決め孔27に支持ブロック部23の位置決めピン25を挿通させ、ボルト挿通孔29に挿通させたボルト28を支持ブロック部23のネジ孔26へねじ込むことにより、支持ブロック部23に位置決めされて固定される。支持ブロック部23に固定される固定ブロック24は、プローブ取付部30を有しており、このプローブ取付部30の両側面に、検査用プローブ31が固定されている。なお、固定ブロック24のプローブ取付部30への検査用プローブ31の固定の仕方としては、接着固定、ネジ止め固定あるいはクランプなどが好ましい。図4に示すように、検査用プローブ31は、絶縁性材料からなる基板32と、この基板32の縁部から外に延在して並列に配置された複数の接触子33とを有しており、接触子33は、その先端部が接点35とされている。この接触子33は、導電性材料からなり、その基端側が基板32上に配置されている。また、基板32には、接触子33と繋がって導通する配線パターン34が形成されている。それぞれの検査用プローブ31の配線パターン34は、接触子33の延出方向に沿う垂直部34aと、接触子33の延出方向に対して直交方向に沿う水平部34bとを有している。各垂直部34aは、狭ピッチとされている接触子33と略同一ピッチに配置されており、水平部34bは、接触子33のピッチよりも大きなピッチに拡大されて配置されている。このように、接触子33と繋げられているために狭ピッチとされた垂直部34aに対して配線51が接続される水平部34bのピッチを変換して拡大することで、配線51を容易に接続することができる。この検査用プローブ31は、基板32上にフォトリソグラフィー等の微小電気機械システム技術であるMEMSMicroElectroMechanicalSystems技術を用いて配線パターン34と微細な接点35となる接触子33とを一括形成したものである。図5に示すように、検査用プローブ31は、基板32が被検査体ブロック13に保持される被検査体21に対して垂直に配置されており、接触子33は、基板32の下縁から被検査体21側へ延在されている。また、それぞれの検査用プローブ31は、接触子33の先端近傍部分が基板32側へ屈曲されている。これにより、接触子33は、屈曲部36を境に、基板32に沿って延在する基端側部33aと、屈曲部36から所定角度に傾斜されて延在する先端側部33bとを有している。この接触子33の先端近傍部分を屈曲させるには、例えば、プレス加工などの機械的な曲げ加工を施すことが好ましく、このような機械的な曲げ加工によれば、低コストで様々な角度に接触子33を屈曲させることができる。上記の検査用プローブ31が固定された固定ブロック24のプローブ取付部30には、各検査用プローブ31同士の間における接触子33の配列の間に、被検査体ブロック13側へ突出するストッパー50が形成されている。このストッパー50は、各検査用プローブ31の接触子33よりも僅かに被検査体ブロック13側へ突出されている。検査用プローブ31は、配線パターン34の水平部34bの端部に、半田付け等によって配線51が導通接続されている。これらの配線51は、プローブブロック12の上面を通して後方側へ導かれ、配線コネクタ52に接続されている。この配線コネクタ52は、検査装置に設けられた相手方のコネクタ図示省略に接続され、検査用プローブ31からの信号が検査装置へ導かれる。プローブブロック12には、固定ブロック24の上方へ張り出す支持部60を有しており、この支持部60の下面に、固定ブロック24の上端部が当接されている。また、プローブブロック12は、位置決め孔61を有しており、これらの位置決め孔61に、ベース板15に形成された位置決めピン62が挿し込まれてベース板15に位置決めされる。また、プローブブロック12は、ボルト挿通孔63を有しており、これらのボルト挿通孔63へ挿し込んだボルト64をベース板15のネジ孔65へねじ込むことにより、ベース板15に固定される。また、ベース板15には、切欠き部67が形成されており、この切欠き部67に、プローブブロック12の支持ブロック部23及び固定ブロック24が配置されている。次に、上記構成の検査用治具11で、高密度配線基板、段付き配線基板、電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体21を検査する場合について説明する。被検査体ブロック13に被検査体21を保持させた状態で、被検査体ブロック13を上昇させ、プローブブロック12に被検査体ブロック13を近接させる。すると、図6aに示すように、被検査体21の電極22に対して検査用プローブ31の接触子33の接点35が接触する。この状態から、さらにプローブブロック12に被検査体ブロック13を近接させると、図6bに示すように、被検査体21の電極22に接触子33の接点35が押し付けられる。これにより、接触子33は、被検査体21の電極22に押し付けられることにより先端側部33bが弾性変形し、この接触子33の弾性力によって接点35が被検査体21の電極22に押圧され、電極22と接触子33とが導通接触される。また、プローブブロック12の固定ブロック24に形成されたストッパー50の下端が、被検査体21に当接し、この時点で被検査体21の電極22への接触子33の押圧が規制される。したがって、この状態からプローブブロック12に被検査体ブロック13がさらに近接されても、被検査体21に固定ブロック24のストッパー50が当接されて被検査体21の電極22への接触子33の押圧が規制されて接触子33の変位が停止されるので、接触子33への過負荷を防止することができる。これにより、接触子33への過負荷の防止による接触子33の負担を低減させることができる。そして、上記のようにプローブブロック12と被検査体ブロック13とを近接させて検査用プローブ31の接触子33の接点35を被検査体21の電極22に接触させた状態で、被検査体21の検査を良好に行うことができる。このように、上記実施形態に係る検査用治具によれば、被検査体21の電極22に接触される導電性を有する複数の接触子33がMEMS技術によって基板32に形成された検査用プローブ31を備えるので、被検査体21が微細化及び高集積化された電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどであっても良好に対応して確実に検査することができる。また、MEMS技術で作製された耐久性の高い検査用プローブ31を用いることで、繰り返し使用しても不具合の発生を抑えることができ、長寿命化を図ることができる。また、接触子33を屈曲させたので、被検査体21の電極22へ接点35が接触した際に接触子33が良好に弾性変形することとなる。これにより、被検査体21の電極22に対して接触子33を安定した接触性を確保しつつ接触させることができ、電極22に接触痕を残すような不具合をなくし、電極22の損傷を極力防ぐことができる。したがって、検査工程後における被検査体21の歩留まりを向上させることができ、被検査体21の製造コストを削減することができる。しかも、被検査体21に対して垂直方向から近接して検査を行うことができるので、高価な位置決め装置を用いずに、検査用プローブ31の接触子33と被検査体21の電極22との位置決めの容易化を図ることができ、位置決めにかかる作業工数を大幅約1/10程度に低減させることができる。また、被検査体21に対して垂直方向から近接して検査を行うので、電極22が被検査体21の表面よりも内側に凹んだ箇所に配置されているような段付き形状であっても、接触子33の接点35を電極22へ接触させて容易に検査することができる。次に、次に、本発明に係る検査用治具の他の形態例変形例について説明する。図7及び図8に示すように、この検査用治具11Aは、スライド機構70が設けられている。このスライド機構70は、プローブブロック12の上部に固定された支持部71を有している。この支持部71は、その上端部に、前方へ張り出す支持片72を有しており、この支持片72には、その下面に可動部73が固定されている。この可動部73は、軸方向へ伸縮可能とされている。また、この可動部73の下端部には、可動ブロック74が固定されており、この可動ブロック74に、検査用プローブ31が装着された固定ブロック24が一体的に設けられている。可動部73には、その内部にスプリング図示省略が収容されており、このスプリングによって可動ブロック74が下方側へ付勢されている。上記構成の検査用治具11Aで電子デバイス、半導体デバイスあるいは表示デバイスなどの被検査体21を検査する場合も、被検査体ブロック13に被検査体21を保持させた状態で、被検査体ブロック13を上昇させ、プローブブロック12に被検査体ブロック13を近接させる。すると、図6aに示すように、被検査体21の電極22に対して検査用プローブ31の接触子33の接点35が接触する。この状態から、さらにプローブブロック12に被検査体ブロック13を近接させると、図6bに示すように、被検査体21の電極22に接触子33の接点35が押し付けられる。これにより、接触子33は、被検査体21の電極22に押し付けられることにより先端側部33bが弾性変形し、この接触子33の弾性力によって接点35が被検査体21の電極22に押圧され、電極22と接触子33とが導通接触される。また、プローブブロック12の固定ブロック24に形成されたストッパー50の下端が、被検査体21に当接し、この時点で被検査体21への検査用プローブ31の接触子33の押圧が規制される。この状態からプローブブロック12に被検査体ブロック13がさらに近接されると、スライド機構70のスプリングが収容された可動部73が収縮する。これにより、可動ブロック74が上方へスライドして、固定ブロック24の検査用プローブ31が被検査体21とともに上方へ移動する。したがって、ストッパー50の下端が被検査体21に当接して被検査体21への検査用プローブ31の接触子33の押圧が規制され、プローブブロック12と被検査体21との近接方向の荷重が所定量となった時点からプローブブロック12に被検査体ブロック13がさらに近接されても、被検査体ブロック13の移動が可動部73で吸収されることとなる。これにより、プローブブロック12と被検査体21との近接方向の荷重が一定に維持され、接触子33への過負荷を確実に防止することができる。したがって、接触子33への過負荷の防止による接触子33の負担をさらに良好に低減させることができ、また、被検査体21への負荷によるダメージも抑えることができる。なお、スライド機構70としては、例えば、固定ブロック24に作用する荷重を検出し、その検出結果に基づいて電磁的に収縮する可動部73を備えるものでも良い。また、上記実施形態では、プローブブロック12に対して下方側から被検査体ブロック13を近接させて検査する場合を例示して説明したが、被検査体ブロック13に対してプローブブロック12を近接させ検査しても良い。次に、上記の検査用治具11,11Aに設けられた検査用プローブ31を製造する方法について説明する。検査用プローブ31を製造するには、まず、図9aに示すように、印刷法、スピンコーティング法等によって所望の厚さ例えば、0.1ミクロン~5.0ミクロンになるように基板32上にフォトレジスト43を塗布する。その後、溶媒分除去のためにプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。ポストベークが必要な場合は、適正な条件で実施する。図9bに示すように、基板32上に金属膜からなる犠牲層44を所望の材質と厚さで形成する。例えば、TiとCuからなる犠牲層34を、Ti/Cu=100Å~500Å/100Å~5000Åでスパッタリング法により加工する。次に、図9cに示すように、不要なフォトレジスト43と犠牲層44を、例えば、リフトオフ法によって除去する。図9dに示すように、基板32上に、メッキ給電層となる所望の材料のシード層45を所望の厚さが得られるように形成する。例えば、TiとNi合金からなるシード層45を、Ti/Ni合金=100Å~2000Å/500Å~5000Åでスパッタリング法により形成する。印刷法、スピンコーティング法等によって、接触子33及び配線パターン34を形成するためのフォトレジスト46を所望の厚さ例えば、10ミクロン~50ミクロンになるように塗布し、その後、溶媒分除去のためプリベーク処理を行い、露光及び現像を行う。フォトレジスト46として化学増幅型のレジストを用いる場合、反応促進のため、露光後に加熱処理PostExposureBakeを適正条件で実施した後に現像処理を行う。図9eに示すように、メッキ処理を施すことにより配線層48を形成する。配線層48は、例えば、Ni合金NiCo,NiMn,NiFe,NiPd等から形成し、所望のばね性能が確保できる厚さに形成する。配線層48の形成後、図9fに示すように、フォトレジスト46の除去及びシード層45の除去を行う。ここで、基板32が最終の所望厚より厚い寸法である場合、基板32の裏面に研削加工や研磨加工を施し、基板32の厚さを所望の厚さまで薄化加工する。次に、図9gに示すように、ダイシング加工によって個片外形カットを行って個々の検査用プローブ31とし、基板32の裏面に溝47を形成する。このとき、基板32を加熱発泡タイプの接着シートでガラス基板に貼り付ける。加工完了後ガラス基板から剥離するときは、接着シートを加熱発泡させて個片化させたチップをテープから取り出す。その後、図9hに示すように、選択エッチングによって犠牲層44を除去する。この選択エッチングでは、例えば、銅Cu除去用液に一定時間浸漬して銅Cu成分を除去した後、チタニウムTi除去のためアンモニウム過水に浸漬してチタニウムTi成分を除去する。その後、図9iに示すように、基板32を溝47の箇所で切断し、犠牲層44を除去した部分における基板32を除去する。最後に、接触子33の先端近傍部分にプレス加工などの機械的な曲げ加工を施すことにより、接触子33を基板32側へ屈曲させる。上記のように、MEMS技術を用いた製造プロセスを行うことにより、接触子33が形成された検査用プローブ31を短いリードタイムで製造することができ、検査用プローブ31の製造コストを大幅に低減させることができる。"