第1の基板の接合面と第2の基板の接合面とを接合する半導体製造装置であって、前記接合面同士が対向するように配置された前記第1の基板と前記第2の基板とを、前記第2の基板の接合面の反対面の所定の位置で、前記第1の基板の接合面と前記第2の基板の接合面とが接するように加圧する加圧部と、前記第1の基板の接合面と前記第2の基板の接合面との間に間隙を設けるように、前記第2の基板を拘束する部材と、前記第2の基板の接合面の反対面側から、または前記第1の基板の接合面の反対面側から、前記第1の基板の平面領域を含む画像を撮像するセンサ部と、前記画像に基づいて接合界面を求め、また前記接合界面の時間変化に基づいて接合が正常に行なわれているか否かを判定する処理ユニットと、を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記第2の基板を拘束する部材が、前記第1の基板の外周上に、前記第1の基板の接合面と前記第2の基板の接合面との間に位置するよう配置されるスペーサである、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記第2の基板を拘束する部材が、前記第2の基板の接合面とは反対面を吸着する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記処理ユニットは、前記接合界面の時間変化として前記接合界面の移動速度である進展速度を求める、ことを特徴とする請求項1、2または3に記載の半導体製造装置。前記処理ユニットは、前記接合界面の進展距離を求め、前記進展距離が所定の範囲に到達したか否かに基づいて、前記第2の基板の拘束を解除するよう制御する、ことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体製造装置。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、製造効率を向上させ、また基板の変形を防いで基板を接合することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。実施形態によれば、第1の基板の接合面と第2の基板の接合面とを接合する半導体製造装置であって、接合面同士が対向するように配置された第1の基板と前記第2の基板とを、第2の基板の接合面の反対面の所定の位置で、第1の基板の接合面と前記第2の基板の接合面とが接するように加圧する。そして、前記第2の基板を拘束する部材により第1の基板の接合面と第2の基板の接合面との間に間隙を設ける。そして、第2の基板の接合面の反対面側から、または前記第1の基板の接合面の反対面側から、第1の基板の平面領域を含む画像を撮像するセンサ部と、画像に基づいて接合界面を求め、また接合界面の時間変化に基づいて接合が正常に行なわれているか否かを判定する処理ユニットと、を備える。以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる半導体製造装置を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施の形態図1は、本発明の実施の形態にかかる半導体製造装置1の構成例を示す図である。本実施の形態の半導体製造装置1は、第1の基板2と、第2の基板3と、を直接接合するための半導体製造装置である。本実施の形態の半導体製造装置1は、スペーサ4と、ステージ5と、加圧部材7と、センサ部10と、処理ユニット11と、で構成される。図1では、本実施の形態の半導体製造装置1に、接合対象の第1の基板2と、第2の基板3と、を設置した場合の断面図第1の基板2と、第2の基板3と、を含むを示している。図2は、第1の基板2と第2の基板3との接合状態の一例を示す図である。図2は、本実施の形態の半導体製造装置1を上側センサ部10側から、接合対象の第1の基板2および第2の基板3に向かって見下ろした場合の平面図の一例を示している。なお、図中同一符号は同一の構成要素または同一のパラメータを示す。ステージ5は、接合対象の基板を支持するための構成要素である。図1では、半導体製造装置1のステージ5上には、接合対象の基板として第1の基板2が搭載されている。また、第1の基板2は、第1の基板2の接合面2aが、第2の基板3と対応するように配置される。第1の基板2は、どのような素材の基板でも良いが、例えば、半導体基板であっても良い。たとえば、裏面照射型イメージセンサを製造する場合には、第1の基板2は、半導体基板とし、表面にはフォトダイオードやトランジスタが形成された活性層図示は省略されているや活性層と電気接続された配線層図示は省略されているが形成され、その上を絶縁層で覆われており、絶縁層の表面を接合面2aとする。第2の基板3は、第1の基板2と接合される基板であり、スペーサ4を挟んで第1の基板2の上部に、第2の基板3の接合面3aが第1の基板2の接合面2aに対向するように搭載される。この際、第2の基板3の接合面3aは、スペーサ4を挟むことにより、接合面2aと接合面3aとの間の距離が所定の値となるような間隙6が形成される。また、接合面2aと接合面3aとの間の距離を距離Hとする。距離Hは、第1の基板2の平面位置によって異なり、スペーサ4の挿入された第1の基板2の外周位置で最も大きく、接合開始点に近づくに従って小さくなる。スペーサ4は、第1の基板2の接合面2aに接触していても良く、離間していても良い。また、スペーサ4の形状は板状、傾斜状、円柱状、円錐状等、第1の基板2と第2の基板3の間に間隙6を形成することができればどのような形でも良いが、各接合面との接触面積を極力低減するためには円錐形状が適している。また、スペーサ4の材質は、どのような材質でもよいが、たとえば、SAS、アルミ等の金属やセラミック、樹脂材料等が使用可能である。接合対象の基板の金属汚染を防止するには、金属以外を用いることが望ましく、たとえば、フッ素樹脂やポリエーテルエーテルケトンPEEK登録商標等の樹脂材料を用いることができる。本実施の形態では、上述のように、ステージ5の上に搭載された第1の基板2および第2の基板3を、第2の基板3の裏面接合面3aでない方の面側から加圧部材7によって加圧する。この加圧により、第1の基板2の接合面2aと第2の基板3の接合面3aが接触し、この接触が生じた点を接合開始点8として接合が開始する。図2では、接合している領域を接合界面9接合している領域の接合していない領域との境界面として示している。接合界面9は、接合開始点8から等方的に外側接合開始点8から離れる方向へ進展する。なお、加圧部材7の先端形状は平面、針状等、どのような形状でもよい。接合起点を再現性よく形成するには局所的に加圧が望ましいことと、耐磨耗性を有することが望ましいこと、の観点から、加圧部材7の先端形状を、所定曲率を有する半球状とすると効果的である。本実施の形態では、上述の接合界面9の進展速度を求め、進展速度に基づいて、接合が適切に行なわれているか否かを判定する。接合界面9の進展速度が遅い場合には、表面の平坦性や清浄度が悪く接合が正常に行なわれず、ボイドが発生する可能性が高い。したがって、本実施の形態では、接合界面9の進展速度を監視することにより、正常に接合が行なわれているか否かを判定する。そして、正常に接合が行なわれていない基板を除外して、次の工程に進むことにより、以降の工程での歩留まりを向上させ、半導体装置としての生成効率を向上させることができる。なお、図1および図2の構成例では、スペーサ4は1つであるが、複数でもよい。スペーサ4を複数の配置する場合には、たとえば、第1の基板2の外周上の互いに異なる位置から、第1の基板2の外周側から中心方向へ向かって接合面2aと接合面3aに挟まれるように配置する。なお、スペーサ4を複数配置する場合は、各スペーサ4によって形成される間隙6の大きさ距離Hは、互いに異なっていてもよいし同一でもよいが、接合界面9が接合開始点8から等方的に進展するように設定することが望ましい。また、各スペーサ4が形成する距離Hを同一とする場合には、接合界面を等方的に進展させるため、接合開始点8との距離Aを同一とするような配置とすることが望ましい。また、スペーサ4は、第2の基板3と第1の基板2を所定距離離間することが出来れば良く、第1の基板2とは接触しても良く、しなくても良い。つぎに、本実施の形態の接合速度の算出方法について説明する。図1および図2に示すように、接合開始点8とスペーサ4の端点接合開始点8側との距離を距離Aとし、接合開始点8と接合界面9との距離を進展距離Bとし、接合界面9とスペーサ4の端点との距離を距離Cとする。スペーサ4を設置せずに従来と同様に接合面2aおよび接合面3aを対向させて接合開始点8を加圧した場合、接合界面9は、理想的には、上述のように接合開始点8を中心に等方的に進展する。しかし、実際には、接合面2aおよび接合面3aの表面の状態平坦度等によっては、加圧した点の近傍の他の点加圧した点以外の点の方が接合面2aと接合面3aとの距離が近い状態が生じることもある。このような場合、接合の開始点を求めることが困難となり、接合界面9の進展速度を正しく求めることができない。これに対し、本実施の形態では、スペーサ4を接合面2aと接合面3aの間に挟み間隙6を形成することにより、加圧した点以外からの接合開始を防ぐ。すなわち、加圧した点を接合開始点8とするためにスペーサ4を用いる。このため、本実施の形態では、加圧した点を接合開始点8として接合界面9の進展速度を求めることができる。なお、間隙6によって生じる距離Hは、第1の基板の大きさ等により適切に設定する。たとえば、第1の基板2の直径300mmとすると距離Hの最大値を100μm~500μm程度に設定すると適切に進展速度を測定することができる。なお、ここでは、接合面間の距離Hの最大値を基準に間隙6の大きさを説明したが、間隙6の大きさは、接合面間の距離Hの最大値ではなく、接合面間の距離Hの平均値や中間値など他の指標により設定するようにしてもよい。つぎに、本実施の形態の進展速度の算出方法について説明する。本実施の形態では、センサ部10が、第2の基板3の裏面側から、接合面2aおよび接合面3aを含む領域を撮像し、撮像した画像データを処理ユニット11へ出力する。処理ユニット11は、センサ部10が撮像した画像データに基づいて接合界面9の進展速度を求める。具体的には、たとえば、センサ部10が撮像した画像データは、図2で示した接合界面9で輝度の変化が生じる画像データとなる。したがって、処理ユニット11は、この輝度の変化が生じる位置を算出する。ここでは、接合開始点8とスペーサ4を結ぶ直線上の接合界面9の位置を算出することとする。なお、画像データの更新周期センサ部10の撮像周期は、想定される進展速度に応じて、進展速度が適切な分解能で求められるような更新周期以上に設定しておく。進展速度の求め方は、所定の時間間隔ごとに接合界面9の移動距離を求め、その移動距離の平均値を求める。なお、ここでは、接合開始点8は加圧した点と一致しているとし、既知の加圧した点を接合開始点8とする。または、接合開始から所定の位置に接合界面9が到達するまでの経過時間で、接合開始点8から所定の位置までの距離を除算する方法等がある。たとえば、接合開始点8とスペーサ4を結ぶ直線上の、接合開始点から距離Aの1/3だけスペーサ4側の位置を計測位置とし、接合開始から接合界面9が計測位置に到達するまでの時間を経過時間として算出する。そして、1/3×Aを、経過時間で除することにより進展速度を求めることができる。この際、接合開始から接合界面9が計測位置に到達するまでの時間は、接合開始時刻から、算出した接合界面9の位置が最初に上記の計測位置を超えた画像データの取得時刻までを経過時間としてもよい。また、算出した接合界面9の位置が最初に上記の計測位置を超えた画像データに基づいて算出した接合界面9の位置と、その直前の画像データに基づいて算出した接合界面9の位置と、に基づいて接合境界面9が計測位置を通過した時刻を推定して、接合開始時刻からその推定した時刻までを経過時間としてもよい。また、処理ユニット11は、算出した進展速度に基づいて、接合界面9がスペーサ4の端点に達する時刻を推定し、その推定した時刻に達する前に、スペーサ4を接合面2aと接合面3aの間から除去するよう制御する。具体的には、たとえば、スペーサ4を接合開始点8から遠ざかる方向に移動させることにより、スペーサ4を接合面2aと接合面3aの間から除去する。このように、スペーサ4は、処理ユニット11または図示しない他の制御装置による制御により、接合面2aと接合面3aの間への挿入と、接合面2aと接合面3aの間からの除去を可能とする。そして、処理ユニット11は、求めた進展速度が所定の範囲内であるか否かを判定する。この際の所定の範囲は、接合対象の基板の表面の酸化膜の材質等に依存するが、たとえば、10mm/s~50mm/sの範囲程度に設定する。この所定の範囲の下限は、たとえば、あらかじめ解析や実験等によりボイド等が生じない最小の進展速度を求めておき、その進展速度を下限として定めておく。また、上限については、たとえば、接合界面9がスペーサ4の端点に達するまでにスペーサ4を除去することができるような値を定めておく。なお、どのような進展速度であっても接合界面9がスペーサ4の端点に達するまでにスペーサ4を除去が可能な場合には、上限を設けなくてもよい。なお、上述の例では、計測位置までの進展速度を求めているが、所定の時間ごとに進展速度を求め、進展速度の時間履歴を求めるようにしてもよい。そして、その時間履歴に基づいて、各進展速度が所定の範囲に入っているか否かの判断を行なってもよい。また、さらに、たとえば、進展速度が急激に変化した場合には、異常と判定する等、進展速度の時間変化に対する制約を設けてもよい。また、以上の例では、接合開始点8からスペーサ4への一方向の進展速度を求めているが、接合開始点8を中心とした2以上の方向の進展速度を求めるようにしてもよい。その場合、各方向の進展速度がそれぞれ所定の範囲であるか否かを判断してもよいし、各方向の進展速度の平均値が所定の範囲であるか否かをするようにしてもよい。さらに、この場合は、進展速度の方向による差を求めることもできるため、この差を用いて等方的に進展していないような異常を検出することができる。また、図1および図2の例では、接合開始点8加圧する点を、第1の基板2の端部としているが、接合開始点8はこれに限らず、第1の基板2上のどの位置としてもよい。図3は、第1の基板2および第2の基板3の中心部を加圧した場合の接合状態の一例を示す図である。図3の例では、加圧部材7を、第1の基板2の中心の上部となるよう配置し、第1の基板2の中心が接合開始点8となるような配置としている。このように、中心を加圧する場合には、接合界面を等方的に進展させるために、接合開始点8との距離Aを同一とするような複数のスペーサを配置することができる。図3の例では、スペーサ4-1~4-4の4つを配置している。スペーサ4-1~4-4の機能および材質は上述のスペーサ4と同様である。図3の例では、接合開始点8との距離Aを同一とするようスペーサ4-1~4-4を第1の基板2の外周上から接合開始点8に向かって配置している。第1の基板2の中心を加圧する場合は、スペーサを1つとしてもよいが、等方的な進展が行なわれるように、複数のスペーサを用いることが望ましい。スペーサの数は、図3で示した4つに限らず、いくつとしてもよい。なお、第1の基板2および第2の基板3については、半導体製造装置1に搬入される前に、接合面2aおよび接合面3aは、洗浄工程により表面のカーボンなどの有機物やCuやAlなどの金属汚染物が除去されているとする。このような洗浄工程を行なうことにより、接合面2aと接合面3aの表面状態のバラツキが低減されるため、接合界面9の進展速度の算出が容易となる。洗浄工程は、例えば、アセトンやアルコール、オゾン水O3などの有機洗浄や、フッ酸HF、希フッ酸DHF、硫酸過酸化水素水、アンモニア過酸化水素水、塩酸化酸化水素水などの酸アルカリ洗浄などのウェットプロセスであってもよい。また、水素、窒素、酸素、一酸化二窒素N2O、アルゴン、ヘリウムなどの単一ガスもしくは複数ガスで励起されるプラズマ処理などのドライプロセスであってもよい。さらに、洗浄工程は、ウェットプロセスとドライプロセスの組合せでも良い。また、洗浄工程は、第1の基板2の接合面2aと第2の基板3の接合面3aの両面に対して、施されることが望ましいが、いずれか片方のみ施されていても良い。センサ部10は、接合界面第1の基板と第2の基板の接合面と非接合面の境界9が検出できるような空間分解能を有する画像データを取得できるセンサであれば、単波長レーザー、可視光、赤外光、X線、超音波など、どのような波長を用いたセンサを用いてもよい。たとえば、接合対象の基板がシリコン基板のように不可視であり、接合方式が、大気中もしくは真空中での直接接合の場合は、センサ部10は反射型または透過型の赤外カメラであることが望ましい。また、接合対象の基板がガラス等の材質の透明な基板である場合には、可視光を用いたセンサを用いることができる。ステージ5の材質は無機材料、金属材料、樹脂材料どれでも選択可能であるが、可視光や赤外光により接合界面9を検出する場合は、ガラス、石英、シリコンなどの無機材料や、樹脂材料で構成されるのが好適である。また、ステージ5と第1の基板2との間に間隙が生じると、取得した画像データに干渉縞が発生する等により、センサ部10および処理ユニット11による進展速度の算出の精度低下の要因となるため、ステージ5は平坦であることが望ましい。また、第1の基板2に反りが生じている場合等には、ステージ5と第1の基板2との間に間隙が生じ、センサ部10が撮像する際の焦点がずれることがある。この間隙の発生を防ぐため、ステージ5は、第1の基板2を吸着するための吸着機構を有していても良い。この吸着方式は、真空チャック多数穴、溝、多孔質やその組み合わせ、静電チャック等どのような方式でも良い。真空チャックの場合は、ステージ材質はガラス、石英、シリコンや無機材料、アルミナAl2O3などのセラミック材料や、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトンPEEK登録商標、カーボンが混入された導電性PEEK登録商標などの材樹脂材料や、ステンレス粒などで構成されても良い。ただし、第1の基板2の裏面へのCuなどの重金属汚染を防ぐことから、無機材料や樹脂材料で構成されることが望ましい。また、静電チャックの場合は窒化アルミAlN、アルミナ、単結晶サファイアなどが好適である。また、ステージ5は、接合対象の基板を保持する手段であり、平坦度等が要求されるため、専用として半導体製造装置1の構成要素であることが望ましいが、接合対象の基板を平坦に保持する手段が別途用意されている場合等には、半導体製造装置1はステージ5を備えなくてもよい。なお、本実施の形態では、センサ部10は、画像データを取得するようにしたが、接合界面9を検出する方法であれば画像データを取得する以外の方法としてもよい。たとえば、単波長レーザー、可視光、赤外光、X線、超音波などにより、接合開始点8から所定の方向のライン上の輝度を取得し、輝度の変化のあった位置のみを接合界面9の位置として出力するようなセンサであってもよい。なお、本実施の形態では、第1の基板2および第2の基板3の形状を円としているが、基板の形状は、これに限らずどのような形状でもよい。たとえば、正方形の場合には、中心部から加圧し、各頂点にスペーサ4を設置する、または各辺の中点にスペーサ4を設置すると、接合界面9を等方的に進展させることができる。なお、本実施の形態では、接合の進展度合い接合力を示す指標として、接合界面9の進展速度を求め、進展速度に基づいて接合が正常に行なわれているか否かを判定するようにしたが、これに限らず接合界面9の時間変化に基づいて接合が正常に行なわれているか否かを判定する方法であればよい。たとえば、第1の基板2の所定面積基板全体でも良く、外周数mmを除いた内側領域でも良く、単一もしくは複数の矩形や円形や多角形で構成された領域でも良いに対する接合面積接合界面9の内側領域の割合を所定の時間ごとに求め、接合面積の時間履歴を求めるようにしてもよい。そして、その時間履歴に基づいて、接合面積が所定の範囲に入っているか否かの判断を行なってもよい。また、さらに、たとえば、接合面積が所定面積に満たない場合は、異常と判定する等、接合面積の時間変化に対する制約を設けてもよい。したがって、進展速度以外の接合力を示す指標を画像データ等に基づいて算出し、その指標に基づいて接合が正常に行なわれているか否かを判定するようにしてもよい。また、上記の例では、進展速度に基づいてスペーサ4を除去するようにしたが、これに限らず、接合開始点から接合界面までの距離進展距離に基づいてスペーサ4を除去するようにしても良い。例えば、処理ユニット11は、予め設定した接合開始点からの所定の距離に接合界面が到達した時に、スペーサ4を接合面2aと接合面3aの間から除去するように制御する。この所定の距離は、たとえば、あらかじめ解析や実験等によりボイド等が生じない最大の接合界面9の進展距離を求めておき、その進展距離より短く定めておく。たとえば、接合開始点8とスペーサ4を結ぶ直線上の、接合開始点からの距離Bを所定の距離とし、接合界面9が距離Bの位置接合開始点からの距離が距離Bとなる位置まで達した場合にスペーサ4を接合開始点8から遠ざかる方向に移動させることにより、スペーサ4を接合面2aと接合面3aの間から除去する。さらに、接合開始時刻から接合界面9が所定の距離Bまで達した時間で、所定の距離Bを除算することで、接合進展速度を求め、接合進展速度が所定の範囲に入っているか否かの判断を行ってもよい。また、以上の例では、接合開始点8からスペーサ4への一方向の進展速度を求めているが、接合開始点8を中心とした2以上の方向の進展距離を管理してもよい。その場合、各方向の接合界面9の進展距離が始めに所定の距離Bまで達した時に、スペーサ4を接合面2aと接合面3aの間から除去するようにするのが望ましい。また、各方向の接合界面9の進展距離が所定の距離Bに到達する時間差を用いて等方的に進展していないような異常を検出することができる。このように、本実施の形態の半導体製造装置1では、スペーサ4によって、接合面2aと接合面3aの間に間隙を形成し、センサ部10が、第2の基板3の裏面側から画像データを撮影する。そして、処理ユニット11が、画像データに基づいて、加圧した点を接合開始点8として、接合開始点8からの接合界面9の移動の様子に基づいて接合力を求め、接合力本実施の形態では、進展速度が所定の範囲内であるか否かによって、接合が正常に行なわれているか否かを判定するようにした。そのため、第1の基板2と第2の基板3との接合界面9に巻き込みボイドが形成されることなく、良好な接合状態の基板を選択することができる。そのため、以降の工程での歩留まりを向上させ、半導体装置の製造効率を向上させることができる。また、正常に接合が行なわれていない基板を除外するため、接合後の基板の変形を防ぐことができる。また、処理ユニット11が、接合界面9の進展速度に基づいて、スペーサ4が接合界面9の進展を妨げないようなタイミングでスペーサ4を除去するようにした。そのため、接合の進展を妨げること無く、接合力を求めることができる。また、ステージ5が吸着機構を備えることにより、第1の基板2が反っていても、ステージ5上で平滑にすることができ、センサ部10と接合界面9の焦点ズレを抑制することができ、接合界面9の進展距離Bを容易に検出することができる。さらに、センサ部10として、透過型、もしくは反射型の赤外カメラを備えることで、第2の基板3が光透過性の材質でなくても、接合界面9の進展距離Bを容易に検出することが可能となる。さらに、ステージ5をガラス、石英、シリコンなどの無機材料や、樹脂材料で構成されることで、可視光および赤外光を透過しやすくなるため、接合界面9の進展距離Bを容易に検出ことが可能となる。また、この場合、センサ部10をステージ5下部に設置することも可能となるため、装置設計の自由度が高くなる。第2の実施の形態図4は、第2の実施の形態にかかる半導体製造装置20の構成例を示す図である。本実施の形態の半導体製造装置20は、第1の基板2と、第2の基板3と、を直接接合するための半導体製造装置である。本実施の形態の半導体製造装置20は、部材21と、ステージ5と、加圧部材7と、センサ部10と、処理ユニット11と、で構成される。図4において、半導体製造装置20のステージ5上には、第1の実施の形態と同様の第1の基板2が搭載されている。第1の基板2は例えば、半導体基板であっても良く、表面にはフォトダイオードやトランジスタが形成された活性層図示は省略されているや活性層と電気接続された配線層図示は省略されているが形成され、その上を接合面となる絶縁層2aで覆われている。第2の基板3は、接合面3aを第1の基板2の接合面2aと対向するように配置されている。第2の基板3の裏面接合面3aの反対側の面外周は、部材21で吸着されている。この吸着により、接合面2aと接合面3aとの間の距離が所定の値となるような間隙6が形成される。なお、部材21は、第1の実施形態で説明した図3のように第2の基板3の重心を中心とした正多角形三角や四角の頂点に配置するのが、接合時の第2の基板3の変形を対称にすることができるため望ましいが、複数の任意の場所に配置しても良い。また、部材21は、リング状の形状でも良い。また、部材21はステージ状の吸着機構を有していても良く、吸着方式は、真空チャック多数穴、溝、多孔質やその組み合わせ、静電チャック等どれでも良い。真空チャックの場合は、ステージ材質はガラス、石英、シリコンや無機材料、アルミナAl2O3などのセラミック材料や、テフロン登録商標やポリエーテルエーテルケトンPEEK、カーボンが混入された導電性PEEKなどの材樹脂材料や、ステンレス粒などで構成されても良いが、無機材料や樹脂材料で構成されると、第1の基板2の裏面へのCuなどの重金属汚染が無く好適である。静電チャックの場合は窒化アルミAlN、アルミナ、単結晶サファイアなどが好適である。また、部材21がステージ状の吸着機構を有している場合に、部材21を石英やアクリルなどの透明材料で形成し、センサ部10を赤外光などの光を用いるセンサとすれば、第1の実施形態と同様に接合界面9の進展が検出可能となる。また、部材21にセンサ部10での測定用の開口を設けるようにすれば、センサ部10の波長の選択肢が広がる。また、部材21に、加圧部材7と対応する位置に開口を設けておくことで、加圧部材7で第2の基板3の接合面3aと反対側の面を加圧できる。また、例えば、部材21の吸着部例えば吸着溝等を、中心から同心円状に複数設けておくと、接合界面の進展に伴い、中心部から吸着を停止することができ、接合界面9の進展を妨げることはない。処理ユニット11は、進展速度または進展距離に基づいて、接合を妨げないように部材21による第2の基板3の吸着を解除する。例えば、処理ユニット11は、第1の実施の形態でスペーサ4を除去する場合と同様に、進展距離が距離Bとなった場合に吸着を解除する。本実施の形態の動作は、スペーサ4の代わりに部材21を用いて間隙6を形成してスペーサ4の除去の変わりに部材21の吸着を解除する以外は、第1の実施の形態と同様である。本実施の形態の半導体製造装置20によれば、第1の実施の形態と同様の効果に加えて、部材21が第2の基板3の裏面を吸着することで、スペーサ4と第2の基板3の接合面3aとの摩擦の影響によるスペーサ4の除去タイミングの遅れの懸念が無くなるため、第1の実施形態に比べ接合界面9の進展をより妨げること無く、高い接合力を求めることができる。以上、本実施形態で説明した構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成の組成材質については例示にすぎない。従って本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本実施の形態の技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態により実現することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。