組成として、モル表記で、Bi2O310~30、SrO20~50、CaO10~30、CuO20~45、SiO2TiO20.1~10を含有することを特徴とする超伝導材料。SiO2を0.1モル以上含むことを特徴とする請求項1に記載の超伝導材料。TiO2を0.1モル以上含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の超伝導材料。Bi2Sr2CaCu2Ox結晶が析出していることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載の超伝導材料。請求項1~4の何れか一項に記載の超伝導材料の製造方法であって、原料バッチを熱処理することにより、超伝導結晶を析出させることを特徴とする超伝導材料の製造方法。700~900°Cの温度で熱処理することを特徴とする請求項5に記載の超伝導材料の製造方法。請求項1~4の何れか一項に記載の超伝導材料の製造方法であって、原料バッチを溶融、冷却した後、得られた非晶質化物質を熱処理して、超伝導結晶を析出させることを特徴とする超伝導材料の製造方法。700~900°Cの温度で熱処理することを特徴とする請求項7に記載の超伝導材料の製造方法。組成として、モル表記で、Bi2O310~30、SrO20~50、CaO10~30、CuO20~45、SiO2TiO20.1~10を含有することを特徴とする非晶質化物質。SiO2を0.1モル以上含むことを特徴とする請求項1に記載の非晶質化物質。TiO2を0.1モル以上含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の非晶質化物質。超伝導材料は、臨界温度より低い温度でも、磁場や電流が過大になると、超伝導状態が破壊される場合がある。一方、臨界温度と冷却温度の差が大きくなると、磁場や電流によって超伝導状態が破壊され難くなる。このため、高磁場内で使用される高磁場用コイル、大電流を流す送電用ケーブルの用途では、臨界温度と冷却温度の差を大きくすること、特に臨界温度を高めることが有効になる。従来、銅酸化物系超伝導材料の臨界温度を高める方法として、ポストアニール法例えば、特許文献1参照、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンをドープして酸素欠損ホールの濃度を高める方法例えば、特許文献2参照、結晶構成成分をPbO、BaOで置換する方法例えば、特許文献3、4参照等が検討されている。しかし、特許文献1に記載のポストアニール法は、10時間単位の長時間に亘って、酸素分圧と温度が制御された雰囲気炉内で超伝導材料を熱処理する必要があるため、生産効率が低く、寸法が大きい超伝導材料を熱処理し難いという課題を有している。また、特許文献2に記載のハロゲンドープ法は、雰囲気炉内にハロゲン系のガスの分圧を制御して注入し、長時間に亘って、熱処理する必要があるため、生産効率が低く、寸法が大きい超伝導材料を熱処理し難いという課題を有している。また、特許文献2に記載のハロゲンドープ法は、ハロゲン系のガスの有毒性に起因して、環境面での課題も有している。特許文献3、4には、Bi2O3をPbOに置換したり、SrOをBaOに置換したり、CaOをBaOに置換する方法が記載されているが、この方法では、臨界温度を十分に高めることができない。そこで、本発明は、臨界温度が高い超伝導材料及びその製造方法を創案することを技術的課題とする。本発明者等は、鋭意検討した結果、Bi系の銅酸化物系超伝導材料にSiO2及び/又はTiO2を少量添加することにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明の超伝導材料は、組成として、モル表記で、Bi2O310~30、SrO20~50、CaO10~30、CuO20~45、SiO2TiO20.1~10を含有することを特徴とする。ここで、SiO2TiO2は、SiO2とTiO2の合量を指す。本発明の超伝導材料は、上記のように各成分の含有量が規制されている。このようにすれば、超伝導結晶の析出速度が速くなり、短時間の熱処理で超伝導結晶、特にBi2Sr2CaCu2Ox結晶を析出させることが可能になる。本発明の超伝導材料は、SiO2TiO2を0.1~10モルを含有する。このようにすれば、超伝導材料の臨界温度を高めることができる。超伝導材料の臨界温度が上昇する機構については、詳細不明である。本発明者等は、現時点で、以下のような機構を推定している。SiO2及び/又はTiO2を少量添加すると、Bi2O3の一部がSiO2及び/又はTiO2に置換される。このような置換が生じると、超伝導結晶の結晶構造が歪むと共に、3価のBi-Oネットワーク中に4価のSi及び/又はTiが存在することになる。結果として、超伝導結晶中に酸素欠陥が生成し、超伝導層の銅酸化物面に電子的な揺らぎが生じる。そして、このような現象が生じると、超伝導材料の臨界温度が上昇する。第二に、本発明の超伝導材料は、SiO2を0.1モル以上含むことが好ましい。第三に、本発明の超伝導材料は、TiO2を0.1モル以上含むことが好ましい。第四に、本発明の超伝導材料は、Bi2Sr2CaCu2Ox結晶xは任意の自然数が析出していることが好ましい。第五に、本発明の超伝導材料の製造方法は、上記の超伝導材料の製造方法であって、原料バッチを熱処理することにより、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。第六に、本発明の超伝導材料の製造方法は、700~900°Cの温度で熱処理することが好ましい。第七に、本発明の超伝導材料の製造方法は、上記の超伝導材料の製造方法であって、原料バッチを溶融、冷却した後、得られた非晶質化物質を熱処理して、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。このようにすれば、固相反応の場合に比べて、組成的なバラツキが小さくなるため、熱処理により超伝導結晶を均一に析出させることが可能になる。また、ロール成形、プレス成形、キャスト成形等の成形方法が利用可能になり、固相反応の場合に比べて、成形性を高めることが可能になる。更に、冷却時に、内部空隙が生じ難いため、大電流を流すことも可能になる。なお、非晶質化物質は、XRDのハロー、ピークの面積比から算出される結晶化度が20以下、好ましくは10以下の物質を指す。第八に、本発明の超伝導材料の製造方法は、700~900°Cの温度で熱処理することが好ましい。第九に、本発明の非晶質化物質は、組成として、モル表記で、Bi2O310~30、SrO20~50、CaO10~30、CuO20~45、SiO2TiO20.1~10を含有することを特徴とする。第十に、本発明の非晶質化物質は、SiO2を0.1モル以上含むことが好ましい。第十一に、本発明の非晶質化物質は、TiO2を0.1モル以上含むことが好ましい。本発明の超伝導材料において、上記のように各成分の含有範囲を限定した理由を以下に説明する。なお、各成分の含有範囲の説明において、表示は、モルを指している。Bi2O3は、超伝導結晶を形成する成分であり、その含有量は10~30、好ましくは12~26、より好ましくは14~24である。Bi2O3の含有量が10より少ないと、超伝導結晶が析出し難くなる。一方、Bi2O3の含有量が30より多いと、他の成分が相対的に少なくなるため、超伝導結晶が析出し難くなる。SrOは、超伝導結晶を形成する成分であり、その含有量は20~50、好ましくは23~45、より好ましくは26~40である。SrOの含有量が20より少ないと、超伝導結晶が析出し難くなる。一方、SrOの含有量が50より多いと、他の成分が相対的に少なくなるため、超伝導結晶が析出し難くなる。CaOは、超伝導結晶を形成する成分であり、その含有量は10~30、好ましくは12~25、より好ましくは14~22である。CaOの含有量が10より少ないと、超伝導結晶が析出し難くなる。一方、CaOの含有量が30より多いと、他の成分が相対的に少なくなるため、超伝導結晶が析出し難くなる。CuOは、超伝導結晶を形成する成分であり、その含有量は20~45、好ましくは23~40、より好ましくは25~35である。CuOの含有量が20より少ないと、超伝導結晶が析出し難くなる。一方、CuOの含有量が45より多いと、他の成分が相対的に少なくなるため、超伝導結晶が析出し難くなる。SiO2TiO2は、臨界温度を高める成分であり、その含有量は0.1~10、好ましくは0.2~8、より好ましくは0.5~7である。SiO2TiO2の含有量が0.1よりも少ないと、酸素欠損を十分に生成せず、臨界温度を高める効果を享受し難くなる。一方、SiO2TiO2の含有量が10より多いと、超伝導結晶の析出割合が低下すると共に、超伝導結晶が歪み過ぎたり、酸素欠損が増加し過ぎて、臨界温度が低下する傾向がある。なお、SiO2の含有量は0~10、0.1~9、0.2~8、特に0.5~7が好ましい。また、TiO2の含有量は0~10、0.1~9、0.2~8、特に0.5~7が好ましい。Bi2O3SrOCaOCuOSiO2TiO2の含有量は95以上、特に97以上が好ましい。このようにすれば、短時間の熱処理で超伝導結晶が析出し易くなる。ここで、Bi2O3SrOCaOCuOSiO2TiO2は、Bi2O3、SrO、CaO、CuO、SiO2、及びTiO2の合量を指す。必要に応じて、以下の成分を添加してもよい。Li2O、Na2O、K2Oは、超伝導結晶に酸素欠陥を生じさせる成分である。特に、SrO又はCaOの一部をLi2O、Na2O、K2Oの何れかに置換すると、超伝導結晶に酸素欠陥が生成し易くなる。しかし、置換量が多過ぎると、超伝導結晶に置換成分を固溶させることが困難になる。よって、モル比Li2ONa2OK2O/SrOCaOの値は0.3以下、0.1以下、0.05以下、特に0.0005~0.02が好ましい。ここで、Li2ONa2OK2Oは、Li2O、Na2O、及びK2Oの合量を指しており、SrOCaOは、SrOとCaOの合量を指している。なお、モル比Li2O/SrOCaOの値は0.1以下、0.05以下、特に0.02以下が好ましい。モル比Na2O/SrOCaOの値は0.1以下、0.05以下、特に0.02以下が好ましい。モル比K2O/SrOCaOの値は0.1以下、0.05以下、特に0.02以下が好ましい。なお、Li2O、Na2O、K2Oの内、一種のみを添加してもよく、二種以上を組み合わせて添加してもよい。PbOは、超伝導結晶の臨界温度を低下させる成分であるが、Bi2Sr2Ca2Cu3Ox結晶の析出を促進させる成分である。しかし、Bi2O3の含有量に対するPbOの含有量が多過ぎると、溶融分離が発生し易く、また均質なガラスを作製し難くなる。よって、モル比PbO/Bi2O3PbOの値は0.2以下、0.15以下、特に0.1以下が好ましい。SrO又はCaOの一部をMgO、BaO、ZnOの何れかに置換することができる。但し、置換量が多過ぎると、超伝導結晶に置換成分を固溶させることが困難になる。よって、モル比MgOBaOZnO/SrOCaOの値は0.1以下、特に0.05以下が好ましい。ここで、MgOBaOZnOは、MgO、BaO、及びZnOの合量を指す。なお、モル比MgO/SrOCaOの値は0.1以下、特に0.05以下が好ましい。モル比BaO/SrOCaOの値は0.1以下、特に0.05以下が好ましい。モル比ZnO/SrOCaOの値は0.1以下、特に0.05以下が好ましい。B2O3は、融液の安定性を高める成分であり、その含有量は0~10、特に0~5が好ましい。B2O3の含有量が多過ぎると、超伝導結晶が析出し難くなる。上記成分以外にも、熱的安定性を高める目的や超伝導結晶を析出し易くする目的のために、他の成分を5以下、特に2以下の範囲で添加してもよい。本発明の超伝導材料において、臨界温度は90K以上、特に92K以上が好ましい。このようにすれば、高磁場内で使用される高磁場用コイル、大電流を流す送電用ケーブルの用途に適用し易くなる。本発明の超伝導材料の製造方法を以下に説明する。まず各原料を所定量計量した後、混合し、原料バッチを作製する。必要に応じて、各成分間の反応性を高めるために、らいかい器や乳鉢で原料バッチを粉砕してもよいし、溶融分離を抑制するために、原料バッチを仮焼きしてもよい。Bi導入原料として、Bi2O3、BiNO335水和物等が挙げられる。Sr導入原料として、SrCO3、SrCl2、SrO、SrNO32、SrOH2等が挙げられる。Ca導入原料として、CaOH2、CaO、CaCO3、CaCl2、CaNO32等が挙げられる。Cu導入原料として、CuO、Cu2O等が挙げられる。Si導入原料として、SiO2等が挙げられる。Ti導入原料として、TiO2等が挙げられる。次に、1原料バッチを熱処理すること、つまり原料バッチ同士を固相反応させることにより、超伝導結晶を析出させる。或いは、2原料バッチを溶融、冷却した後、得られた非晶質化物質を熱処理して、超伝導結晶を析出させる。1の方法で超伝導材料を作製する場合、白金ルツボ、アルミナ坩堝等に原料バッチを充填した後、熱処理し、得られた焼結体を乳鉢等で粉砕して、再度、熱処理する操作を数回繰り返すことが好ましい。このようにすれば、固相反応を十分に進行させることが可能になる。熱処理温度は700~900°C、特に740~870°Cが好ましい。この熱処理温度域であれば、超伝導結晶を十分に析出させることが可能になる。熱処理時間は10~20時間が好ましい。この熱処理時間であれば、超伝導結晶を十分に析出させることが可能になる。2の方法で超伝導材料を作製する場合、白金ルツボ、アルミナ坩堝等に原料バッチを充填した後、電気炉等に投入して、原料バッチを溶融することが好ましい。溶融温度は1150~1350°C程度が好適であり、溶融時間は数十分間程度が好適である。続いて、得られた融液中に、原料の溶け残りがないことを確認した上で、急冷しながら所定形状に成形して、非晶質化物質を作製することが好ましい。急冷方法として、ツインロールでフィルム状に成形する方法、プレス成形、キャスト成形等が利用可能である。続いて、得られた非晶質化物質を熱処理することにより、Bi2Sr2CaCu2Ox結晶等の超伝導結晶を析出させる。熱処理温度は700~900°C、特に740~870°Cが好ましい。この熱処理温度域であれば、5~120分の熱処理時間で結晶化を十分に進行させることが可能である。なお、非晶質化物質の形状は、特に限定されない。例えば、バルク形状、フィルム形状、粉末形状が利用可能である。また、融液の成形時に、線形状に加工すれば、線形状の超伝導材料を得ることもできる。上記1、2の方法において、熱処理雰囲気は、特に限定されない。大気中、不活性ガス中で熱処理してもよく、雰囲気中に各種混合ガスを導入してもよい。本発明の非晶質化物質は、組成として、モル表記で、Bi2O310~30、SrO20~50、CaO10~30、CuO20~45、SiO2TiO20.1~10を含有することを特徴とする。本発明の非晶質化物質の好適な組成等は、本発明の超伝導材料の説明の欄に既に記載済みである。ここでは、便宜上、その記載を省略する。以下、実施例に基づき、本発明を詳細に説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。表1は、本発明の実施例No.1~5、比較例No.6、7を示している。実施例No.1Bi2O3137.0g、SrCO386.8g、CaCO329.4g、CuO46.8g、TiO22.4gを混合して、原料バッチを作製した後、この原料バッチを白金ルツボに入れて、この白金ルツボを800°Cに設定した電気炉に1時間投入した。次に、この白金ルツボを1250°Cに設定した電気炉に移し、30分間静置した。続いて、均一な融液になるように、白金ルツボを揺動しながら、数度攪拌した後、融液を金属製のツインローラに流し出して、厚さ約0.3mmの固形物を作製した。この固形物をXRDで測定したところ、非晶質であった。更に、この非晶質化物質の破片約10mm角を820°Cに設定した電気炉に10分間静置した後、室温で放冷した。この試料をXRDで測定したところ、Bi2Sr2CaCu2O2結晶が析出していた。最後に、超伝導量子干渉計SQUIDを用いて、温度に対する磁化率を測定し、得られたグラフの形状から臨界温度を見積もるONSETと共に、SEM1000倍で空隙の有無を観察した。実施例No.2TiO2の代わりにSiO21.8gを用いた以外は、実施例No.1と同様にして、実験を行った。得られた固形物をXRDで測定したところ、Bi2Sr2CaCu2O2結晶が析出していた。また、超伝導量子干渉計SQUIDを用いて、温度に対する磁化率を測定し、得られたグラフの形状から臨界温度を見積もるONSETと共に、SEM1000倍で空隙の有無を観察した。実施例No.3Bi2O3137.0g、SrCO386.8g、CaCO329.4g、CuO46.8g、TiO24.8gを混合して、原料バッチを作製した以外は、実施例No.1と同様にして、実験を行った。得られた固形物をXRDで測定したところ、Bi2Sr2CaCu2O2結晶が析出していた。また、超伝導量子干渉計SQUIDを用いて、温度に対する磁化率を測定し、得られたグラフの形状から臨界温度を見積もるONSETと共に、SEM1000倍で空隙の有無を観察した。実施例No.4Bi2O3102.8g、SrCO386.8g、CaCO329.4g、CuO46.8g、SiO21.8g、TiO22.4gを混合して、原料バッチを作製した以外は、実施例No.1と同様にして、実験を行った。得られた固形物をXRDで測定したところ、Bi2Sr2CaCu2O2結晶が析出していた。また、超伝導量子干渉計SQUIDを用いて、温度に対する磁化率を測定し、得られたグラフの形状から臨界温度を見積もるONSETと共に、SEM1000倍で空隙の有無を観察した。実施例No.5Bi2O3137.0g、SrCO386.8g、CaCO329.4g、CuO46.8g、TiO22.4gを混合して、原料バッチを作製した後、この原料バッチを白金ルツボに入れて820°Cで15時間熱処理した。次に、熱処理後の試料をアルミナ乳鉢で粉砕した。熱処理、粉砕の作業を4回繰り返して、各成分を固相反応させた。この試料をXRDで測定したところ、Bi2Sr2CaCu2O2結晶が析出していた。最後に、超伝導量子干渉計SQUIDを用いて、温度に対する磁化率を測定し、得られたグラフの形状から臨界温度を見積もるONSETと共に、SEM1000倍で空隙の有無を観察した。比較例No.6Bi2O3137.0g、SrCO386.8g、CaCO329.4g、CuO46.8gを混合して、原料バッチを作製した以外は、実施例No.1と同様にして、実験を行った。得られた固形物をXRDで測定したところ、Bi2Sr2CaCu2O2結晶が析出していた。また、超伝導量子干渉計SQUIDを用いて、温度に対する磁化率を測定し、得られたグラフの形状から臨界温度を見積もるONSETと共に、SEM1000倍で空隙の有無を観察した。比較例No.7Bi2O3137.0g、SrCO386.8g、CaCO329.4g、CuO46.8gを混合して、原料バッチを作製した以外は、実施例No.5と同様にして、実験を行った。得られた固形物をXRDで測定したところ、Bi2Sr2CaCu2O2結晶が析出していた。また、超伝導量子干渉計SQUIDを用いて、温度に対する磁化率を測定し、得られたグラフの形状から臨界温度を見積もるONSETと共に、SEM1000倍で空隙の有無を観察した。表1から明らかなように、実施例No.1~5、比較例No.6、7では、Bi2Sr2CaCu2O2結晶の析出が確認された。実施例No.1~4は、臨界温度が90K以上であり、比較例No.6よりも臨界温度が高かった。実施例No.5は、臨界温度が82.0Kであり、比較例No.7よりも臨界温度が高かった。