"放熱ベースと、該放熱ベース上に半田を介して固着した導電パターン付絶縁基板と、該導電パターン付絶縁基板の導電パターンに半田を介して固着した半導体チップと、該半導体チップ上に半田を介して固着した第1導体と、前記放熱ベースに接着剤で固着した樹脂ケースと、前記第1導体とレーザ溶接で固着した第2導体とを有する半導体装置において、前記第2導体が圧延加工で形成され、その表面に圧延方向に筋状に形成される圧延目を有し、該圧延目の方向を揃えて前記第1導体上に配置されていることを特徴とする半導体装置。前記レーザ溶接時のレーザ光の光軸を前記第2導体の表面に垂直な垂直線に対して傾け、該傾けた光軸を前記第2導体の表面に投影した投影軸に対して、前記圧延目の方向を略直角にすることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体装置。前記第1導体が、下側リードフレームであり、前記第2導体が上側リードフレームであることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体装置。前記第1導体が、ヒートスプレッダもしくは前記導電パターンであることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の半導体装置。可視光を第2導体のレーザ溶接予定箇所に照射し、該予定箇所からの反射光をカメラで捕らえ、該カメラの画像をモニタテレビに映し出して前記レーザ溶接予定箇所を特定し、該特定されたレーザ溶接予定箇所にレーザ光を照射して第1導体と前記第2導体をレーザ溶接する半導体装置の製造方法において、圧延加工で形成された圧延目の方向を全ての前記第2導体で揃え、前記可視光の出射光軸を前記レーザ光の光軸に略一致させ、前記レーザ光の光軸を前記第2導体の表面に垂直な垂直線に対して傾け、該傾けた光軸を前記第2導体の表面に投影した投影軸に対して、前記圧延目の方向を略直角にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。図14は、リードフレームの形成方法であり、同図a~同図cは工程順に示した要部工程図である。先ず、同図aにおいて、厚い銅板72aを圧延用ロール71で圧延して所定の厚さの銅板72にする。つぎに、同図bにおいて、この所定の厚さの銅板72から所望のリードフレーム61を打ち抜くここでは上側リードフレームを示す。つぎに、同図cにおいて、銅板72からリードフレーム61を取り出し所定の箇所を折り曲げる図示せず。リードフレーム61の表面には銅板72を圧延したときの筋状の圧延目69が形成される。この筋状の圧延目69は圧延方向Dに形成されるので、形成された圧延目69の方向Dは圧延する方向D圧延方向と一致する。図13に示すように、上側リードフレーム61の配置において、上側リードフレーム61の圧延目69の方向Dはランダムここでは、直角と平行のみを示したである。レーザ溶接予定箇所を検出するために、可視光を上側リードフレーム61に照射すると、上側リードフレーム61の圧延目69の方向Dがランダムであるため、可視光の照射面からの反射強度のバラツキが大きくなる。そのため、カメラの視認性が低下して、溶接予定箇所の検出ミスが発生する。尚、レーザ光64の吸収率を上げるために、リードフレーム61Cuの表面には、例えば、厚さが10μm程度のNiメッキ層が形成されている。前記の特許文献1~3では、配置される複数のリードフレームの圧延目の方向圧延方向を揃えてレーザ溶接することは示唆されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、カメラの視認性を向上させて溶接予定箇所の検出ミスを低減できる半導体装置およびその製造方法を提供することである。前記の目的を達成するために、請求の範囲の第1項に記載の発明によれば、放熱ベースと、該放熱ベース上に半田を介して固着した導電パターン付絶縁基板と、該導電パターン付絶縁基板の導電パターンに半田を介して固着した半導体チップと、該半導体チップ上に半田を介して固着した第1導体と、前記放熱ベースに接着剤で固着した樹脂ケースと、前記第1導体とレーザ溶接で固着した第2導体とを有する半導体装置において、前記第2導体が圧延加工で形成され、その表面に圧延方向に筋状に形成される圧延目を有し、該圧延目の方向を揃えて前記第1導体上に配置されている構成とする。また、請求の範囲の第2項に記載の発明によれば、第1項に記載の発明において、前記レーザ溶接時のレーザ光の光軸を前記第2導体の表面に垂直な垂直線に対して傾け、該傾けた光軸を前記第2導体の表面に投影した投影軸に対して、前記圧延目の方向を略直角にするとよい。また、請求の範囲の第3項に記載の発明によれば、第1項に記載の発明において、前記第1導体が、下側リードフレームであり、前記第2導体が上側リードフレームであるとよい。また、請求の範囲の第4項に記載の発明によれば、第1項に記載の発明において、前記第1導体が、ヒートスプレッダもしくは前記導電パターンであるとよい。また、請求の範囲の第5項に記載の発明によれば、可視光を第2導体のレーザ溶接予定箇所に照射し、該予定箇所からの反射光をカメラで捕らえ、該カメラの画像をモニタテレビに映し出して前記レーザ溶接予定箇所を特定し、該特定されたレーザ溶接予定箇所にレーザ光を照射して第1導体と前記第2導体をレーザ溶接する半導体装置の製造方法において、圧延加工で形成された圧延目の方向を全ての前記第2導体で揃え、前記可視光の出射光軸を前記レーザ光の光軸に略一致させ、前記レーザ光の光軸を前記第2導体の表面に垂直な垂直線に対して傾け、該傾けた光軸を前記第2導体の表面に投影した投影軸に対して、前記圧延目の方向を略直角にする半導体装置の製造方法とする。この発明によると、各リードフレームの圧延目の方向圧延方向を揃えることで、各リードフレームからの反射光の強度のバラツキを低減できるため、カメラの視認性を向上できて、溶接予定箇所の検出ミスを低減できる。特に、圧延目の方向を可視光の投影軸に対して直角にすると、可視光の反射強度のバラツキが小さくなり、効果が大きい。本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1~図3は、この発明の第1実施例の半導体装置の構成図であり、図1は要部平面図、図2は図1のA部拡大図、図3は図1のX-X線で切断した要部模式断面図である。図1の半導体装置100は、図11に示すパワー半導体モジュール500に相当した半導体装置である。図1において、A部と同じ部分がA部を含めて3箇所横に並んでおり、全てのリードフレームの圧延目19パワー半導体モジュール500の圧延目69に相当するの方向は矢印Dの方向に揃っている。この矢印Dの方向が、圧延目19の方向であり、圧延方向である。半導体装置100は、放熱ベース1と、この放熱ベース1上に半田2を介して固着した導電パターン付絶縁基板6と、この導電パターン付絶縁基板6の導電パターン5上に半田7を介して固着した半導体チップ8からなる。導電パターン付絶縁基板6は絶縁基板4の裏面に導電膜3導電箔、上面に導電パターン5が形成されている。また、この半導体チップ8の上面電極に半田9を介して固着した下側リードフレーム10と、この下側リードフレーム10にレーザ溶接で固着した上側リードフレーム11と、放熱ベース1にシリコーン接着剤12aで固着し、外部端子となる下側リードフレーム10を貫通固定した樹脂ケース12と、樹脂ケース12内に充填される図示しないゲルから構成される。前記の上側リードフレーム11と下側リードフレーム10は、前記したようにレーザ溶接によって固着され、その固着部15レーザ溶接箇所は電気的に接続され電流経路を形成する。下側リードフレーム10と上側リードフレーム11を固着する固着部15は、レーザ出射ユニット13から出射されるレーザ光14を上側リードフレーム11に照射し、上側および下側のリードフレーム10,11を溶融させ、固化することで行われる。レーザ光14の照射は上側リードフレーム11の照射面上側リードフレーム11の表面の垂直線16に対して角度θ=10°~15°程度傾けて行われる。レーザ光14を傾けることで、反射光によるダメージを防止する。また、レーザ光14の照射箇所すなわち固着部15の特定は、レーザ出射ユニット13内にセットされたカメラ25と図示しない光源およびレーザ出射ユニット13外にセットされるモニタテレビ26で行われる。図9に示すように、光源から可視光出射光27を出射し、照射面からの反射光28をレーザ出射ユニット13内にセットされたカメラ25で補足し、そのカメラ25からの信号をモニタテレビ26に伝送し、モニタテレビ26に映し出しされた映像で照射箇所を特定する。この可視光の光軸17aは図3のレーザ光14の光軸17に一致させているので、可視光の光軸17aも照射面の垂直線16aに対して10°~15°程度傾けて行われる。また、図2には、上側リードフレーム11の圧延方向Dに形成される圧延目19が示されている。図3aには、レーザ光14も合わせて表示し、図3bには、レーザ光14の上側リードフレーム11上へ投影された投影軸18を示した。図4は、可視光の投影軸に対する圧延目の方向と可視光の反射強度のバラツキの関係を示す図である。圧延目19の方向Dが、従来のように直角と平行が混在している場合が一番バラツキが大きくなり、直角の場合が一番バラツキが小さくなる。図1~図3において、上側リードフレーム11の圧延目19の方向Dを全て揃えて上側リードフレーム11を下側リードフレーム10に重ねて配置する。図には、上側リードフレーム11が3種類と下側リードフレーム10が3種類示されている。図3に示すように、圧延目19の方向D圧延方向Dと同じは、レーザ光14の光軸17を上側リードフレーム11に投影した投影軸18に対して略直角になるようにする。このとき、可視光の光軸17aとレーザ光14の光軸17を一致させているので、可視光の光軸17aの投影軸18aも圧延目19の方向Dに対し略直角になる。ここでは略直角とは90°±10°の範囲をいう。以下の説明では、略直角を単に直角と称す。尚、投影軸18とは、図3に示すように、レーザ光14の光軸17を直下の上側リードフレームに投影した軸のことをいう。このように、各上側リードフレーム11の圧延目19の方向Dを可視光光軸17aの投影軸18aに対して直角に揃えることで、図4に示すように、可視光の固着部15の照射面からの反射光の強度のバラツキが小さくなり、カメラ25の視認性を向上できる。その結果、固着部15の検出ミスを減少させることができる。尚、レーザ出射ユニット13およびカメラ25や半導体装置100パワー半導体モジュールの方向を可動させることができる場合は、圧延目19の方向D圧延方向を考慮する必要は無いが、本発明の構成であればその可動機構を設ける必要が無いので装置コストを低減できる。尚、実施例1は、リードフレーム10,11同士をレーザ溶接する場合を例に挙げて説明したが、上側リードフレーム11をヒートスプレッダにレーザ溶接する場合や上側リードフレーム11を導電パターン付絶縁基板6にレーザ溶接する場合にも適用できる。また、実施例1では、圧延目19の方向Dに対して可視光光軸17aの投影軸18aが直角の場合を示したが、平行にした場合でもよい。つまり、圧延目19の方向Dを揃えることで、圧延目19の方向Dがランダムな場合直角、並行が混在した場合に比べて、図4から分かるように、可視光の反射光の強度のバラツキが小さくなる。なお、図11~図13を用いて説明した従来のパワー半導体モジュールにおいては、多数の上側リードフレーム61と下側リードフレーム60のレーザ溶接にバラツキが発生して、レーザ溶接されない箇所や不完全な溶接の箇所が発生している。このため、溶接される箇所を確実に確保するために、レーザ溶接をする箇所の点数を実質的な必要数以上に増やす必要があり、製造コストが増大している。なお、レーザ溶接のバラツキとは、固着部65の溶接深さのバラツキ、溶接時の溶融物の飛び出しの有無、溶接面積のバラツキなどをいう。この従来技術に対し、本実施例の構成においては、各リードフレームの圧延目の方向圧延方向を揃えることによりカメラの視認性を向上できることから、さらに、各リードフレームでのレーザ光の吸収が均一になり、レーザ溶接のバラツキの低減を期待できる。その結果、溶接点数を減じて、製造コストの低減を期待できる。特に、圧延目の方向をレーザ光の投影軸に対して直角にすると大きな効果を期待できる。図5はこの効果を示すものであり、レーザ光の投影軸に対する圧延目の方向とレーザ溶接のバラツキの関係を示す図である。圧延目19の方向Dが、従来のように直角と平行がランダムに混在している場合はバラツキが最も大きくなり、直角の場合はバラツキが最も小さくなると予測される。図3に示したように、上側リードフレーム11の圧延目19の方向Dをレーザ光14の投影軸18に対して直角に揃えて配置することで、レーザ溶接のバラツキが小さくなり、溶接点数の低減を期待できる。また、図中のPは高電位側端子、Nは低電位側端子、UはU相端子、VはV相端子、WはW相端子を示す。図6~図10は、この発明の第2実施例の半導体装置の製造方法を示す工程図であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。図6において、上側リードフレーム11を圧延加工された銅板21から切り出す。このとき、半導体装置100パワー半導体モジュールで配置される箇所を予測して、全ての上側リードフレーム11ここではA部の箇所を示すの圧延目19の方向D圧延方向が同じになるように切り出す。つぎに、図7において、半導体チップ8の表面電極上に下側リードフレーム10を配置する。この下側リードフレーム10の圧延方向は上側リードフレーム11のように揃える必要はなくランダムで構わない。勿論、揃えてもよい。つぎに、図8において、下側リードフレーム10上に上側リードフレーム11を圧延目19の方向が揃うように配置する。つぎに、図9において、レーザ出射ユニット13内の光源から可視光を上側リードフレーム11に照射し、照射面からの反射光28をカメラ25で捉え、その信号をモニタテレビ26に伝送してモニタテレビ26の画像からレーザ溶接する固着部15aレーザ溶接箇所を特定する。前記したように、可視光の上側リードフレーム11上の投影軸18aに対して圧延目19の方向Dを直角にする。つぎに、図10において、レーザ出射ユニット13からレーザ光14を上側リードフレーム11の表面の垂直線16に対して角度θ=10°~15°程度傾斜させて固着部15aに照射して、上側リードフレーム11と下側リードフレーム10をレーザ溶接する。前記したように、レーザ光14の上側リードフレーム11上の投影軸18に対して圧延目19の方向Dを直角にする。このように、各上側リードフレーム11の圧延目19の方向Dを揃えて配置し、前記したように、この圧延目19の方向Dを可視光の投影軸18aに対して直角にすることで、カメラ25の視認性を向上できて、固着部15aの検出ミスを減少させることができる。また、各上側リードフレーム11の圧延目19の方向Dを揃えて配置し、圧延目19の方向Dをレーザ光14の投影軸18に対して直角にすることにより、レーザ溶接のバラツキが小さくなり、溶接点数の低減を期待できる。上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。"