基板における被加工材の上に感光剤を塗布することと、前記基板のエッジに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している周辺露光用マスクを介して、光源からの光を前記基板の周辺部に照射することにより、前記基板の周辺露光を行うとともに、パターン形成用マスクを用いた露光処理により、前記基板の周辺部より内側で前記基板へのパターン露光を行うことと、前記感光剤における前記周辺露光された部分を除去するとともに、前記感光剤における前記パターン露光が行われた前記基板の周辺部より内側の部分をパターニングすることと、前記パターン露光に基づいて前記基板の周辺部より内側の部分に形成された所定のパターンの側面に側壁パターンを形成することと、前記側壁パターンをマスクとして前記被加工材を加工することと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。基板における被加工材の上に感光剤を塗布することと、前記基板のエッジに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している周辺露光用マスクを介して、光源からの光を前記基板の周辺部に照射することにより、前記基板の周辺露光を行うことと、前記感光剤における前記周辺露光された部分を除去することと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記周辺露光用マスクは、前記基板のエッジに近づくにつれて開口率が徐々に高くなるパターンを有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記基板の上に被加工膜を形成することと、前記被加工膜の上に第2の感光剤を塗布することと、前記基板のエッジに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンであって前記周辺露光用マスクと異なるパターンを有している第2の周辺露光用マスクを介して、前記光源からの光を前記基板の周辺部に照射することにより、前記基板の周辺露光を行うことと、前記第2の感光剤における前記周辺露光された部分を除去することと、をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。光源と、基板のエッジに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有しており、前記光源からの光が照射される基板の周辺露光用マスクと、前記周辺露光用マスクを通過した光が前記基板の周辺部に走査露光されるように、前記光源及び前記周辺露光用マスクと前記基板とを相対的に移動させる移動部と、を備えたことを特徴とする周辺露光装置。1つの実施形態は、例えば、ダストを低減できる半導体装置の製造方法、及び周辺露光装置を提供することを目的とする。1つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法では、基板における被加工材の上に感光剤を塗布する。半導体装置の製造方法では、周辺露光用マスクを介して、光源からの光を基板の周辺部に照射することにより、基板の周辺露光を行う。周辺露光用マスクは、基板のエッジに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している。半導体装置の製造方法では、感光剤における周辺露光された部分を除去する。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、本明細書において、第1の膜の上に第2の膜が形成されているとは、第1の膜の直接上に第2の膜が形成されている場合のほか、第1の膜の上に第3の膜を介して第2の膜が形成されている場合も含むものとする。第1の実施形態第1の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について図1~図7を用いて説明する。図1a~図7cのうち図2b及び図6bを除くものは、それぞれ、半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図2b及び図6bは、周辺露光用マスクの構成を示す図である。図1aに示す工程では、基板1を準備する。そして、基板1における被加工材として、例えば、基板1の上に被加工膜2を形成する。基板1は、例えば、半導体基板であり、例えば、シリコンを主成分とする材料で形成されている。被加工膜2は、例えば、被加工膜2となるべき材料例えば、金属を主成分とする材料を含む溶液が膜厚100nmとなるように基板1の表面に塗布され例えばスピンコートされ、塗布された溶液の膜がベーキング処理で焼き固められることにより形成される。ベーキング処理では、例えば、200°C60秒と300°C60秒との2段階で加熱を行う2ステップベーキング処理を行う。なお、被加工膜2は、CVD法、PVD法などにより形成されても良い。また、基板1そのものを被加工材としても良い。図1bに示す工程では、被加工膜2の上に感光剤3を塗布する。感光剤3は、周辺露光用マスクを通過した光に感光され得るものであり、例えば、DUV光ArF光用ポジ型レジストである。感光剤3の塗布膜は、例えば、感光剤3を含む溶液が膜厚100nmとなるように被加工膜2の表面に塗布され例えばスピンコートされ、塗布された溶液の膜がベーキング処理で焼き固められることにより形成される。ベーキング処理では、例えば、100°C60秒の加熱を行う。図2aに示す工程では、周辺露光用マスクMK1を用いて、基板1の周辺露光を行う。すなわち、周辺露光用マスクMK1を介して、光源LSからの光を基板1の周辺部1aに照射する。例えば、図8に示す周辺露光装置100において、光源LS及び周辺露光用マスクMK1と基板1とを相対的に移動させて、光源LSから照射され周辺露光用マスクMK1を通過した光が基板1の周辺部1aに走査露光されるようにする。例えば、基板1が平面視において略円形である場合、光源LS及び周辺露光用マスクMK1を固定した状態で、周辺露光用マスクMK1を通過した光が基板1の周辺部1aに照射されるように維持しながら基板1を回転する。具体的には、周辺露光装置100は、光源LS、照射部110、移動部120、及び待機部130、並びに周辺露光用マスクMK1、MK2を有する。光源LSは、周辺露光用マスクMK1、MK2を介して感光剤3に感光させ得る光を発生させる光源であり、例えば、DUV光ArF光を発生させるArF光源を用いる。光源LSからの光は、周辺露光用マスクMK1、MK2へ照射される。周辺露光用マスクMK1及び周辺露光用マスクMK2は、一方が光軸上に配され、他方が光軸から退避される。図8には、周辺露光用マスクMK1が光軸上に配され、周辺露光用マスクMK2が光軸から退避された状態が図示されている。周辺露光用マスクMK1及び周辺露光用マスクMK2のうち光軸上に配された一方は、光源LSからの光が照射される。照射部110は、レンズ111及び照射ノズル112を有する。レンズ111は、周辺露光用マスクMK1、MK2と照射ノズル112との間に配され、周辺露光用マスクMK1、MK2を通過した光を照射ノズル112へ導く。照射ノズル112は、レンズ111から導かれた光をさらに移動部120側基板1側へ導く。移動部120は、上述のように、周辺露光用マスクMK1、MK2を通過した光が基板1の周辺部1a図2a参照に走査露光されるように、光源LS及び周辺露光用マスクMK1、MK2と基板1とを相対的に移動させる。移動部120は、ステージ121、吸着機構122、回転機構123、及び光センサ例えば、UVセンサ124を有する。ステージ121上には基板1が載置され、吸着機構122によりステージ121上に基板1が固定される。そのとき、光センサ124は、照射ノズル112の直下に基板1の周辺部1aが位置するように位置決めするために用いられる。光センサ124は、例えば、光量センサであり、その受光量が所定の目標値に一致したときに基板1がステージ121上の目標位置に載置されたものと図示しないコントローラにより判断される。回転機構123は、ステージ121上に基板1が固定された状態でステージ121を回転させる。これにより、例えば、光源LS及び周辺露光用マスクMK1を固定した状態で、周辺露光用マスクMK1を通過した光が基板1の周辺部1aに照射されるように維持しながら基板1を回転する。待機部130は、搬入用バッファーアーム131-1、搬入用バッファーステージ132-1、搬出用バッファーアーム131-2、及び搬出用バッファーステージ132-2を有する。搬入用バッファーアーム131-1は、次に処理すべき基板1を搬入用バッファーステージ132-1へ搬送して待機させる。ステージ121の基板1の周辺露光が完了したら、搬出用バッファーアーム131-2は、処理済の基板1を搬出用バッファーステージ132-2へ搬送するとともに、搬入用バッファーアーム131-1は、次に処理すべき基板1をステージ121へ搬送する。また、周辺露光用マスクMK1は、図2bに示すように、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるグラディエーションパターンを有している。具体的には、周辺露光用マスクMK1は、基板1のエッジ1eに近づくにつれて開口率が徐々に高くなるグラディエーションパターンを有している。より具体的には、周辺露光用マスクMK1では、遮光パターンSP1及び透光パターンTP8の間に、透光パターンTP1~TP7と遮光パターンSP2~SP8とが交互に繰り返し配されている。遮光パターンSP2~SP8の配置のピッチP2~P8は、例えば、周辺露光装置100図8参照の解像限界以下例えば、30nm以下の範囲内で基板1のエッジ1eに近づくにつれて徐々に大きくなっている。遮光パターンSP2~SP8の幅Wは、例えば、周辺露光装置100の解像限界以下の範囲内で略一定値になっている。このような周辺露光用マスクMK1を用いて周辺露光を行うことにより、図2a、bに破線で示すように、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角を有する周辺露光パターンの潜像パターン3iを感光剤3の塗布膜内に形成できる。図3aに示す工程では、潜像パターン3iが感光剤3の塗布膜内に形成された基板1が、周辺露光装置100から、所定のパターンを形成するための露光装置へ搬送される。なお、周辺露光装置100で形成された周辺露光パターンの潜像パターン3iを現像して、基板1における周辺部1aの近傍で略一定のテーパ角を有するように感光剤3の塗布膜をパターニングして上で、基板1を所定のパターンを形成するための露光装置へ搬送しても良い。図3bに示す工程では、パターン形成用マスクMK100を用いて、基板1に所定のパターンを形成するためのパターン露光を行う。すなわち、パターン形成用マスクMK100を介して、光源LS100からの光を基板1の内側部1bに照射する。内側部1bは、基板1における周辺部1a図2a参照より内側の部分である。この露光処理は、例えば、ArF露光装置図示せずにおいて、NA=1.35、dipole照明の条件で行う。光源LS100は、パターン形成用マスクMK100を介して感光剤3に潜像を形成し得る光を発生させる光源であり、例えば、DUV光ArF光を発生させるArF光源を用いる。パターン形成用マスクMK100は、例えば、透過率6のハーフトーンマスクを用いる。これにより、図3bに破線で示すように、感光剤3の塗布膜内に、所定のパターンとなるべき潜像パターンが形成される。さらにベーキング処理を行う。ベーキング処理では、例えば、110°Cで90秒の加熱を行う。図3cに示す工程では、感光剤3の塗布膜内に形成された潜像パターン3iを含む潜像パターンを現像する。この現像処理では、例えば、所定の現像液例えば、2.38wtのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH水溶液を用いて所定時間例えば、30秒間でパドル現像を行う。これにより、感光剤3の塗布膜が所定のパターン4-1~4-12にパターニングされ、所定のパターン4-1~4-12を含むラインアンドスペースパターンLSP1が形成される。このとき、基板1における周辺部1aの近傍では、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角の傾斜側面4-11i1、4-12i1を有するパターン4-11、4-12が形成される。図4a、bに示す工程では、所定のパターン4-1~4-12の側面に側壁パターン6-1~6-8を形成する。具体的には、図4aに示す工程において、例えばCVD法などにより、被加工膜2及び所定のパターン4-1~4-12を覆う膜5を形成する。膜5は、所定のパターン4-1~4-12感光剤3に対するエッチング選択比の高い材料で形成されており、例えば、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成される。なお、膜5を形成する前に、所定のパターン4-1~4-12に対するスリミング処理を行って、所定のパターン4-1~4-12の寸法を適宜調整しても良い。図4bに示す工程において、例えばドライエッチング法などにより、膜5に対して異方性の高い条件でエッチングを行う。これにより、膜5における被加工膜2の表面を覆う部分と所定のパターン4-1~4-12の上面を覆う部分とパターン4-11、4-12の傾斜側面4-11i1、4-12i1を覆う部分とが選択的に除去されて、側壁パターン6-1~6-8が形成される。図4cに示す工程では、所定のパターン4-1~4-12を除去する。この除去処理は、例えばウェットエッチング法などにより、例えば所定のエッチャント例えば、硫酸などを用いて行われる。これにより、被加工膜2の上に側壁パターン6-1~6-8が選択的に残される。すなわち、側壁パターン6-1~6-8を含むラインアンドスペースパターンLSP2が形成される。図5aに示す工程では、被加工膜2を加工する。すなわち、被加工膜2における側壁パターン6-1~6-8により露出された領域2a図4c参照を選択的に除去する。例えば、ドライエッチング法などにより、側壁パターン6-1~6-8をハードマスクとして、被加工膜2に対して異方性の高い条件でエッチングを行う。これにより、被加工膜2におけるラインパターン7-1~7-8が選択的に残される。すなわち、ラインアンドスペースパターンLSP2が被加工膜2に転写されて、ラインパターン7-1~7-8を含むラインアンドスペースパターンLSP3が形成される。図5bに示す工程では、CVD法などにより、基板1及びラインパターン7-1~7-8を覆う層間絶縁膜8が形成される。層間絶縁膜8は、例えば、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成されている。そして、図1aに示す工程と同様の処理により、層間絶縁膜8の上に被加工膜9が形成される。被加工膜9は、例えば、金属を主成分とする材料で形成されている。さらに、図1bに示す工程と同様の処理により、被加工膜9の上に、感光剤10の塗布膜が形成される。感光剤10は、例えば、感光剤3図1b参照と異なる感光剤である。例えば、感光剤10は、側壁パターンとなるべき材料例えば、シリコン酸化物の感光剤10に対するエッチング選択比が比較的高い感光剤であって、側壁パターンとなるべき材料の感光剤10に対するエッチング選択比が側壁パターンとなるべき材料の感光剤3図3a~c参照に対するエッチング選択比より小さい感光剤である。図6aに示す工程では、周辺露光用マスクMK2を用いて、基板1の周辺露光を行う。すなわち、周辺露光用マスクMK2を介して、光源LSからの光を基板1の周辺部1aに照射する。例えば、周辺露光装置100図8参照において、光源LSからの光の照射位置光軸上に、周辺露光用マスクMK1図2a参照に代えて周辺露光用マスクMK2を配置する。そして、光源LS及び周辺露光用マスクMK2と基板1とを相対的に移動させて、光源LSから照射され周辺露光用マスクMK2を通過した光が基板1の周辺部1aに走査露光されるようにする。例えば、基板1が平面視において略円形である場合、光源LS及び周辺露光用マスクMK2を固定した状態で、周辺露光用マスクMK2を通過した光が基板1の周辺部1aに照射されるように維持しながら基板1を回転する。周辺露光用マスクMK2は、図6bに示すように、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるグラディエーションパターンであって周辺露光用マスクMK1図2a参照と異なるグラディエーションパターンを有している。例えば、側壁パターンとなるべき材料の感光剤10に対するエッチング選択比が側壁パターンとなるべき材料の感光剤3に対するエッチング選択比より小さい場合、周辺露光用マスクMK2は、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなる割合光の遮蔽率のグラフにおける傾きの絶対値が周辺露光用マスクMK1より小さくなっているようなグラディエーションパターンを有している。具体的には、周辺露光用マスクMK2は、基板1のエッジに近づくにつれて開口率が徐々に高くなるグラディエーションパターンであって周辺露光用マスクMK1図2a参照と異なるグラディエーションパターンを有している。例えば、側壁パターンとなるべき材料の感光剤10に対するエッチング選択比が側壁パターンとなるべき材料の感光剤3に対するエッチング選択比より小さい場合、周辺露光用マスクMK2は、基板1のエッジ1eに近づくにつれて開口率が徐々に高くなる割合が周辺露光用マスクMK1より小さくなっているようなグラディエーションパターンを有している。より具体的には、周辺露光用マスクMK2では、遮光パターンSP21及び透光パターンTP31の間に、透光パターンTP21~TP30と遮光パターンSP22~SP31とが交互に繰り返し配されている。遮光パターンSP22~SP31の配置のピッチP22~P31は、例えば、周辺露光装置100図8参照の解像限界以下例えば、30nm以下の範囲内で基板1のエッジ1eに近づくにつれて徐々に大きくなっている。遮光パターンSP22~SP31の幅W22~W31は、例えば、周辺露光装置100の解像限界以下の範囲内で基板1のエッジ1eに近づくにつれて徐々に小さくなっている。このような周辺露光用マスクMK2を用いて周辺露光を行うことにより、図6a、bに破線で示すように、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角を有する周辺露光パターンの潜像パターン10iを感光剤10の塗布膜内に形成できる。また、周辺露光用マスクMK2では、遮光パターンSP22~SP31の配置のピッチP22~P31が基板1のエッジ1eに近づくにつれて徐々に大きくなっていることと、遮光パターンSP22~SP31の幅W22~W31が基板1のエッジ1eに近づくにつれて徐々に小さくなっていることとが組み合わされている。これにより、周辺露光用マスクMK1よりも緩やかな光の遮蔽率の変化を安定して形成できる。図7aに示す工程では、図3aに示す工程と同様に、潜像パターン10iが感光剤10の塗布膜内に形成された基板1が、周辺露光装置100から、所定のパターンを形成するための露光装置へ搬送される。潜像パターン10iの現像処理を行い、基板1における周辺部1aの近傍で略一定のテーパ角を有するように感光剤10の塗布膜をパターニングした後、基板1を所定のパターンを形成するための露光装置に搬送して良い点も、図3aに示す工程と同様である。その後、図7b、cに示すように、図3b以降の処理と同様の処理が行われる。このとき、例えば、図7cに示す工程、すなわち感光剤10の塗布膜内に形成された潜像パターン10iを含む潜像パターンを現像する処理により所定のパターン11-1~11-12を含むラインアンドスペースパターンLSP11が形成される。このとき、基板1における周辺部1aの近傍では、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角の傾斜側面11-11i1、11-12i1を有するパターン11-11、11-12が形成される。これらのパターン11-11、11-12における傾斜側面11-11i1、11-12i1のテーパ角は、パターン4-11、4-12における傾斜側面4-11i1、4-12i1のテーパ角図3c参照より緩やかになっている。なお、図7c以降の処理において、これら所定のパターン11-1~11-12の側面に側壁パターンを形成することなく、パターン11-1~11-12を直接被加工膜9に転写して上層のパターンを加工するようにしてもよい。このように、感光剤の所定のパターンを形成し、感光剤の所定のパターンの側面に側壁パターンを形成し、側壁パターンをその下の被加工膜に転写する側壁転写プロセスを用いて、基板1上にパターンを形成していき、半導体装置が製造される。ここで、仮に、基板1の周辺部1aにおける感光剤を除去するために、図2aに示す周辺露光処理に代えて、シンナー等のリンス液でエッジカット処理を行った場合について考える。この場合、図13aに示すように、ほぼ直立した側面803i1を有する感光剤803iの塗布膜が形成される。図3bに示す工程と同様の処理を行った後、図3cに示す工程と同様に現像処理を行うと、図13bに示すように、所定のパターン804-1~804-12が形成される。そして、図4aに示す工程と同様に側壁パターンとなるべき膜を形成し、図4bに示す工程と同様の処理、すなわち、膜の加工例えば、異方性エッチング処理を行うと、図14aに示すように、所定のパターン804-1~804-12の側面に側壁パターン806-1~806-8が形成されるだけでなく、基板1の周辺部1a近傍におけるパターン804-11、804-12のエッジ1e側の側面にも意図しない側壁パターン806-11、806-12が形成されてしまう。さらに、図4cに示す工程と同様の処理を行うと、図14bに示すように、被加工膜2の上には、側壁パターン806-1~806-8以外に、意図しない側壁パターン806-11、806-12も選択的に残される。この意図しない側壁パターン806-11、806-12は、基板1の周辺部1a近傍に存在するため、被加工膜2から容易に剥がれて、ダストを増加させる傾向にある。あるいは、仮に、基板1の周辺部1aにおける感光剤を除去するために、図2aに示す周辺露光用マスクを用いた周辺露光処理に代えて、周辺露光用マスクを用いない周辺露光処理を行う場合について考える。すなわち、図17に示す周辺露光装置900を用いて、ランプLS900からの光をそのまま周辺露光用マスクを介さずに基板1に照射する周辺露光処理を行う。ランプLS900からの光は、照射部910の照度設定絞り913でその光量が調節され、シャッター914が開いた際に、照射ノズル912へ導かれる。照射ノズル912は、導かれた光を基板1側へ導く。この場合、ランプLS900からの光がブロードな波長スペクトルを有した光であるため、漏れ光が多く、図15a、bに示すように、多数の凹凸を含む傾斜側面を有する感光剤903の潜像パターン903iが形成される。図3bに示す工程と同様の処理を行った後、図3cに示す工程と同様に現像処理を行うと、図15cに示すように、所定のパターン904-1~904-12が形成される。このとき、基板1の周辺部1a近傍では、多数の凹凸を含む傾斜側面904-11i、904-12iを有するパターン904-11、904-12が形成される。そして、図4aに示す工程と同様に側壁パターンとなるべき膜を形成し、図4bに示す工程と同様の処理、すなわち、膜の加工例えば、異方性エッチング処理を行うと、図16aに示すように、所定のパターン904-1~904-12の側面に側壁パターン906-1~906-8が形成されるだけでなく、基板1の周辺部1a近傍におけるパターン904-11、904-12のエッジ1e側の側面にも意図しない側壁パターン906-11~906-16が形成されてしまう。さらに、図4cに示す工程と同様の処理を行うと、図16bに示すように、被加工膜2の上には、側壁パターン906-1~906-8以外に、意図しない側壁パターン906-11~906-16も選択的に残される。この意図しない側壁パターン906-11~906-16は、基板1の周辺部1a近傍に存在するため、被加工膜2から容易に剥がれて、ダストを増加させる傾向にある。それに対して、第1の実施形態では、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している周辺露光用マスクMK1、MK2を介して、光源LSからの光を基板1の周辺部1aに照射することにより、基板1の周辺露光を行う。これにより、感光剤3、10における周辺露光された部分を除去することで、基板1の周辺部1a近傍において、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角の傾斜側面4-11i1、4-12i1、11-11i1、11-12i1を有する感光剤3、10のパターン4-11、4-12、11-11、11-12が形成される図3c、図7c参照。これにより、その後に、図4bに示す工程と同様の処理、すなわち、膜の加工例えば、異方性エッチング処理を行った際に、側壁パターンとなるべき膜におけるパターン4-11、4-12、11-11、11-12の傾斜側面4-11i1、4-12i1、11-11i1、11-12i1を覆う部分を安定的に除去できる例えば、図4b参照。この結果、基板1の周辺部1a近傍において意図しない側壁パターンが形成されることを抑制できるので、ダストを低減できる。また、第1の実施形態では、周辺露光用マスクMK1、MK2が、基板1のエッジ1eに近づくにつれて開口率が徐々に高くなるパターンを有している。これにより、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを容易に実現できる。また、第1の実施形態では、適用レイヤに応じて周辺露光用マスクMK1、MK2のパターンを変えている。例えば、周辺露光用マスクMK2は、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなる割合光の遮蔽率のグラフにおける傾きの絶対値が周辺露光用マスクMK1より小さくなっているようなグラディエーションパターンを有している。これにより、側壁パターンとなるべき材料の感光剤10に対するエッチング選択比が側壁パターンとなるべき材料の感光剤3に対するエッチング選択比より小さい場合でも、側壁パターンとなるべき材料の感光剤3、10に対するエッチング選択比の大きさに応じて、例えば、基板1の周辺部1a近傍のパターン11-11、11-12における傾斜側面11-11i1、11-12i1のテーパ角を、基板1の周辺部1a近傍のパターン4-11、4-12における傾斜側面4-11i1、4-12i1のテーパ角より緩やかなものとすることができる。すなわち、側壁パターンとなるべき材料の感光剤3、10に対するエッチング選択比が互いに異なっていても、側壁パターンとなるべき膜におけるパターン4-11、4-12、11-11、11-12の傾斜側面4-11i1、4-12i1、11-11i1、11-12i1を覆う部分を安定的に除去できる例えば、図4b参照。なお、図8に示す周辺露光装置100において、所定の基板1における適用レイヤに応じて異なるパターンを有する周辺露光用マスクMK1、MK2をそれぞれ用いることに代えて、処理される半導体装置の種類によって用いる周辺露光用マスクMK1、MK2を適宜選択するようにしても良い。この場合は、基板上に形成されるパターンの寸法や適用される製造条件など半導体装置の仕様に応じて、基板周辺部近傍で形成されるレジストパターンの傾斜側面が望ましいテーパ角となるよう、周辺露光装置100で用いられる周辺露光用マスクMK1、MK2を選択すれば良い。第2の実施形態第2の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について図9~図12を用いて説明する。図9a~図12bは、それぞれ、半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。図9aに示す工程は、図1aに示す工程の後に行われる。図9aに示す工程では、被加工膜2の上にマスク膜211を形成する。マスク膜211は、例えば、マスク膜211となるべき材料例えば、シリコン窒化物を主成分とする材料を含む溶液が膜厚100nmとなるように被加工膜2の表面に塗布され例えばスピンコートされ、塗布された溶液の膜がベーキング処理で焼き固められることにより形成される。ベーキング処理では、例えば、200°C60秒と300°C60秒との2段階で加熱を行う2ステップベーキング処理を行う。なお、マスク膜211は、CVD法などにより形成されても良い。そして、図1bに示す工程と同様の処理により、マスク膜211の上に感光剤203を塗布する。図9bに示す工程では、周辺露光用マスクMK201を用いて、図2aに示す工程と同様にして、基板1の周辺露光を行う。周辺露光用マスクMK201は、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している点は、第1の実施形態と同様である。また、図9bに破線で示すように、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角を有する周辺露光パターンの潜像パターン203iを感光剤203の塗布膜内に形成できる点も、第1の実施形態と同様である。図9cに示す工程では、図3aに示す工程と同様に、潜像パターン203iが感光剤203の塗布膜内に形成された基板1が、周辺露光装置100から、所定のパターンを形成するための露光装置へ搬送される。図10aに示す工程では、パターン形成用マスクMK300を用いて、図3bに示す工程と同様にして、基板1に所定のパターンを形成するためのパターン露光を行う。図10bに示す工程では、図3cに示す工程と同様の現像処理を行う。これにより、感光剤203の塗布膜が所定のパターン204-1~204-12に加工され、所定のパターン204-1~204-12を含むラインアンドスペースパターンLSP200が形成される。このとき、基板1における周辺部1aの近傍では、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角の傾斜側面204-11i1、204-12i1を有するパターン204-11、204-12が形成される。図10cに示す工程では、所定のパターン204-1~204-12を用いてマスク膜211を加工する。例えば、ドライエッチング法などにより、所定のパターン204-1~204-12をマスクとして、マスク膜211に対して異方性の高い条件でエッチングを行う。これにより、マスク膜211における所定のパターン212-1~212-12が選択的に残される。すなわち、ラインアンドスペースパターンLSP200がマスク膜211に転写されて、所定のパターン212-1~212-12を含むラインアンドスペースパターンLSP201が形成される。このとき、転写後のラインアンドスペースパターンLSP201においても、基板1における周辺部1aの近傍では、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角の傾斜側面212-11i1、212-12i1を有するパターン212-11、212-12が形成される。図11aに示す工程では、図4aに示す工程と同様にして、被加工膜2及び所定のパターン212-1~212-12を覆う膜205を形成する。なお、膜205の形成より前に、所定のパターン204-1~204-12及び所定のパターン212-1~212-12の一方又は両方に対するスリミング処理を行って、所定のパターン212-1~212-12の寸法を適宜調整しても良い。図11bに示す工程では、図4bに示す工程と同様にして、例えばドライエッチング法などにより、膜205に対して異方性の高い条件でエッチングを行う。これにより、膜205における被加工膜2の表面を覆う部分と所定のパターン212-1~212-12の上面を覆う部分とパターン212-11、212-12の傾斜側面212-11i1、212-12i1を覆う部分とが選択的に除去されて、側壁パターン206-1~206-8が形成される。図11cに示す工程では、図4cに示す工程と同様にして、所定のパターン212-1~212-12を除去し側壁パターン206-1~206-8を選択的に残す。すなわち、側壁パターン206-1~206-8を含むラインアンドスペースパターンLSP202が形成される。図12aに示す工程では、図5aに示す工程と同様にして、被加工膜2を加工して、被加工膜2におけるラインパターン207-1~207-8を選択的に残す。すなわち、ラインアンドスペースパターンLSP202が被加工膜2に転写されて、ラインパターン207-1~207-8を含むラインアンドスペースパターンLSP203が形成される。図12bに示す工程では、基板1及びラインパターン207-1~207-8を覆うように、層間絶縁膜208、被加工膜209、マスク膜213、感光剤210の塗布膜を順に形成する。その後、例えば、図9b以降の処理と同様の処理を行い、被加工膜209に上層のパターンを加工する。以上のように、第2の実施形態では、感光剤の所定のパターンの側面に側壁パターンを形成するのではなく、感光剤の所定のパターンをマスク膜の所定のパターンとして転写した後、そのマスク膜の所定のパターンの側面に側壁パターンを形成し、その側壁パターンをその下の被加工膜に転写することで、側壁転写プロセスを行っている。この場合でも、基板1のエッジ1eに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している周辺露光用マスクMK201等図9b参照を介して、光源LSからの光を基板1の周辺部1aに照射することにより、基板1の周辺露光を行う。その後、感光剤203における周辺露光された部分を除去し、さらにパターニングされた感光剤203をマスクとしたパターン転写をマスク膜211に対し施すことで、基板1の周辺部1a近傍において、基板1のエッジ1eに近づくにつれて膜厚が徐々に小さくなるような略一定のテーパ角の傾斜側面212-11i、212-12iを有するマスク膜211のパターン212-11、212-12が形成される図10c参照。これにより、その後に、図4bに示す工程と同様の処理すなわち、異方性エッチング処理を行った際に、側壁パターンとなるべき膜におけるパターン212-11、212-12の傾斜側面212-11i1、212-12i1を覆う部分を安定的に除去できる図11b参照。この結果、基板1の周辺部1a近傍において意図しない側壁パターンが形成されることを抑制できるので、ダストを低減できる。なお、以上の実施形態では、側壁転写プロセスを行う半導体装置の製造方法の例を説明したが、本発明はこれに何ら限定されない。所定のパターンの側面に側壁パターンを形成する場合でなくても、基板の周辺部近傍において所定のパターンの側面を傾斜側面とすることで、意図しない堆積膜の所定のパターン側面での残留を抑制することができ、残留した堆積膜の剥がれなどによるダストの発生を防止することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。