"基板と、前記基板上に備えられ、ゲート層、前記ゲート層と絶縁されたアクティブ層、及び前記ゲート層と絶縁され、前記アクティブ層と連結されたソース/ドレイン層を備える薄膜トランジスタユニットと、前記基板上に備えられ、前記ゲート層と電気的に連結された導電材料で形成された第1膜を備えるものであって、帯電体の電場に反応して入力電流を生成する薄膜アンテナユニットと、を備える薄膜帯電センサー。前記第1膜とゲート層とは、同じ材料で形成された請求項1に記載の薄膜帯電センサー。前記第1膜は、前記ゲート層と一体に連結された請求項2に記載の薄膜帯電センサー。前記第1膜は、前記ゲート層と同じ層上に形成された請求項3に記載の薄膜帯電センサー。前記第1膜と前記ソース/ドレイン層とは、同じ材料で形成された請求項1に記載の薄膜帯電センサー。前記薄膜トランジスタユニット以外に、他の薄膜トランジスタユニットをさらに備え、前記第1膜は、前記他の薄膜トランジスタユニットのゲート層に電気的に連結された請求項1に記載の薄膜帯電センサー。前記薄膜アンテナユニットは、前記第1膜と絶縁され、導電材料で形成された第2膜をさらに備える請求項1に記載の薄膜帯電センサー。前記薄膜トランジスタユニット以外に、他の薄膜トランジスタユニットをさらに備え、前記第2膜は、前記他の薄膜トランジスタのゲート層に電気的に連結された請求項7に記載の薄膜帯電センサー。前記薄膜トランジスタユニット以外に、他の薄膜トランジスタユニットをさらに備え、前記第2膜は、前記他の薄膜トランジスタのソース/ドレイン層に電気的に連結された請求項7に記載の薄膜帯電センサー。前記薄膜アンテナユニットは、前記第1膜と絶縁され、導電材料で形成された第3膜をさらに備える請求項7に記載の薄膜帯電センサー。前記第2膜と前記第3膜とは、互いに電気的に連結された請求項10に記載の薄膜帯電センサー。前記薄膜アンテナユニットが複数個備えられ、前記各薄膜アンテナユニットごとに前記薄膜トランジスタユニットが複数個連結された請求項1に記載の薄膜帯電センサー。前記複数の薄膜アンテナユニットは、センシング操作が行われるパネル上で相異なる方向に配置された請求項12に記載の薄膜帯電センサー。前記薄膜アンテナユニットを覆うように絶縁層がさらに備えられた請求項1に記載の薄膜帯電センサー。前記活性層の材質は、酸化物半導体を含む請求項1に記載の薄膜帯電センサー。本発明の目的は、一般的な平板表示装置の薄膜積層過程を通じて製造され、接触だけでなく、非接触でもユーザーの操作を感知できるように改善された薄膜帯電センサーを提供するところにある。本発明の実施形態による薄膜帯電センサーは、基板と、前記基板上に備えられ、ゲート層、前記ゲート層と絶縁されたアクティブ層、及び前記ゲート層と絶縁され、前記アクティブ層と連結されたソース/ドレイン層を備える薄膜トランジスタユニットと、前記基板上に備えられ、前記ゲート層と電気的に連結された導電材料で形成された第1膜を備えるものであって、帯電体の電場に反応して入力電流を生成する薄膜アンテナユニットと、を備える。前記第1膜とゲート層とは、同じ材料で形成され、一体に連結される。前記第1膜は、前記ゲート層と同じ層上に形成される。前記第1膜と前記ソース/ドレイン層とは、同じ材料で形成される。前記薄膜トランジスタユニット以外に、他の薄膜トランジスタユニットをさらに備え、前記第1膜は、前記他の薄膜トランジスタユニットのゲート層に電気的に連結される。前記薄膜アンテナユニットは、前記第1膜と絶縁され、導電材料で形成された第2膜をさらに備える。前記薄膜トランジスタユニット以外に、他の薄膜トランジスタユニットをさらに備え、前記第2膜は、前記他の薄膜トランジスタのゲート層に電気的に連結される。前記薄膜トランジスタユニット以外に、他の薄膜トランジスタユニットをさらに備え、前記第2膜は、前記他の薄膜トランジスタのソース/ドレイン層に電気的に連結される。前記薄膜アンテナユニットは、前記第1膜と絶縁され、導電材料で形成された第3膜をさらに備える。前記第2膜と前記第3膜とは、互いに電気的に連結される。前記薄膜アンテナユニットが複数個備えられ、前記各薄膜アンテナユニットごとに前記薄膜トランジスタユニットが複数個連結される。前記複数の薄膜アンテナユニットは、センシング操作が行われるパネル上で、相異なる方向に配置される。前記薄膜アンテナユニットを覆うように絶縁層がさらに備えられる。前記活性層の材質は、酸化物半導体を含む。本発明の薄膜帯電センサーは、一般的な平板表示装置の製造時に進められる薄膜積層過程を通じて簡単に製造され、機能的にも接触だけでなく非接触のユーザーの操作まで感知できる有用性を提供する。以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。図1A及び図1Bは、本発明の第1実施形態による薄膜帯電センサー100を示すものであって、図1Aは、薄膜層の積層構造を、図1Bは、センシング操作が行われるパネル10上の配置例をそれぞれ示すものである。図示したように、本実施形態の薄膜帯電センサー100は、近接した帯電体図示せずの電場に反応して、入力電流を生成する薄膜アンテナユニット120と、その入力電流により感知信号を出力する薄膜トランジスタユニット110と、を備える。すなわち、例えば、人の指などの帯電体が薄膜アンテナユニット120に近接すると、その帯電体の電場により、薄膜アンテナユニット120で入力電流が発生し、薄膜アンテナユニット120と連結された薄膜トランジスタユニット110では、その入力電流による感知信号を出力する。言い換えれば、近接した帯電体の電場の影響を受けて、それに相応する感知信号を発生させる。かかる本実施形態の薄膜帯電センサー100は、それぞれ複数の薄膜層が積層された構造で形成された薄膜アンテナユニット120と、薄膜トランジスタユニット110とを備える。すなわち、既存のもののように複雑な別途のアンテナ装置をさらに装着したものではなく、ディスプレイの薄膜層を成膜する過程で、薄膜アンテナユニット120と薄膜トランジスタユニット110とを形成する構造である。そして、かかる薄膜層の成膜過程は、一般的な平板表示装置のディスプレイ部の成膜過程と同時に進めることができる。すなわち、前記薄膜トランジスタユニット110が、一般的な平板表示装置のディスプレイ部に備えられた薄膜トランジスタと類似した積層構造を有しており、また、前記薄膜アンテナユニット120は、前記薄膜トランジスタユニット110の薄膜層のうちの一部のような層で形成されるため、それらをいずれも一つのフローの成膜過程を通じて共に形成できる。したがって、本装置が平板表示装置に適用される場合、ディスプレイ部を成膜する過程で、該薄膜帯電センサー100も共に形成される。しかし、本薄膜帯電センサー100が平板表示装置にのみ使われるものではないので、以下の薄膜層構造についての説明は、平板表示装置と直接連係せずに説明する。図1Aを参照すると、まず、前記薄膜トランジスタユニット110は、ゲート層111、ゲート絶縁層112、活性層113、エッチングストップ層114、ソース/ドレイン層115及びパッシベーション層116が基板101上に順次に積層されている。前記ゲート層111は、前記活性層113と電気的に絶縁され、前記ソース/ドレイン層115は、前記ゲート層111と絶縁され、活性層113に連結される。前記薄膜トランジスタユニット110は、一般的な薄膜トランジスタと同様に、ゲート層111に所定の電圧が印加されれば、ターンオンされる原理で形成されている。ここで、前記ゲート層111に印加される電圧は、前記薄膜アンテナユニット120から入力される入力信号となり、これによって、ソース/ドレイン層115を流れる電流は、所定のセンシング回路図示せずに出力される感知信号となる。そして、前記薄膜アンテナユニット120は、前記ゲート層111と同じ材質で成膜される第1膜121を備える。すなわち、該第1膜121は、前記ゲート層111が延びて同時に形成されるものであって、ゲート層111と同じ導電性材質で構成されて、周辺の電場に反応して入力電流を生成する。かかる薄膜帯電センサー100は、次のように形成される。まず、基板101上に薄膜トランジスタユニット110のゲート層111と、薄膜アンテナユニット120の第1膜121とを共に形成する。ゲート層111と第1膜121とは、例えば、モリブデンやITOのような導電性金属材で形成される。これにより、本実施形態の薄膜アンテナユニット120は、この段階で積層構造が完成され、以後には、薄膜トランジスタユニット110の薄膜層を積層し続ける。すなわち、ゲート層111上に、酸化シリコン、酸化タンタル、または酸化アルミニウムなどの絶縁材質でゲート絶縁層112を形成し、その上に半導体材質の活性層113を形成する。活性層113には、シリコン半導体が使われてもよく、GIZOGaInZnOxやHIZOHfInZnOxのような酸化物半導体が使われてもよい。しかし、実験によれば、酸化物半導体を使用する場合に感度がさらに良好であることが示されている。図9Aないし図9Cが、活性層113をそれぞれポリシリコン、非晶質シリコン、GIZOで形成した場合の感度を測定した結果であるが、ポリシリコンや非晶質シリコンの場合より、GIZOで活性層113を形成した場合に、センシング回路図示せずに出力される感知信号がはるかに大きい幅に変化するということが分かる。すなわち、薄膜アンテナユニット120の周辺に帯電体を接近させて動かし、その時に出力される感知信号を測定したものであるが、類似した動きをしても、酸化物半導体で活性層113を形成した図9Cの場合に、感知信号の変化が大きく表れ、これは、帯電体の動きを敏感に感知できることを意味する。したがって、高い感度を得るためには、活性層113を酸化物半導体で形成することがさらに望ましい。次いで、活性層113上に、前記ゲート絶縁層112と類似した絶縁材質でエッチングストップ層114を形成し、その上に、例えば、ITOのような導電性材質でソース/ドレイン層115を形成する。そして、再びその上に、前記ゲート絶縁層112と類似した絶縁材質でパッシベーション層116を形成すれば、本実施形態の薄膜帯電センサー100が完成される。かかる薄膜帯電センサー100は、図1Bに示したようなパネル10に配置される。この状態で、ユーザーが指のような帯電体を、パネル10の近辺に接近または接触させれば、前記薄膜アンテナユニット120の第1膜121が、その帯電体の接近による電場の影響により入力電圧値が生成され、この入力電圧により薄膜トランジスタユニット110がターンオンされて、所定のセンシング回路図示せずに、図9Aないし図9Cのような感知信号が出力される。したがって、かかる原理で、薄膜帯電センサー100は、帯電体の動きを感知でき、それをセンシング回路から入力されて適切に処理すれば、多様な活用例を形成できる。しかも、前記薄膜帯電センサー100は、周辺の電場に反応して感知信号が出力されるため、帯電体の前記薄膜アンテナユニット120に対する直接的な接触だけでなく、非接触状態である帯電体の近接状態にも感知信号を生成し、それによる処理を行える。したがって、より多様な活用例の具現が可能になる。以下には、前記のような薄膜帯電センサーの材質と構造とを基本として多様に変形される実施形態を例示する。図2は、本発明の第2実施形態による薄膜帯電センサー200を示す。本実施形態は、前述した第1実施形態に比べて、ゲート層211を活性層213の上方に配置した場合を例示したものである。すなわち、一般的な薄膜トランジスタにおいて、ゲート層211が活性層213の下方に位置したボトムゲート構造と、上方に位置したトップゲート構造とが選択的に使われるが、本薄膜帯電センサー200でも、かかるゲート層211の配置の選択的な採用が可能であることを表したものである。この場合には、基板201上に、活性層213、エッチングストップ層214、ソース/ドレイン層215、ゲート絶縁層212及びゲート層211の積層順序で薄膜トランジスタユニット210の成膜が進められ、薄膜アンテナユニット220の第1膜221は、ゲート層211と同じ層で共に形成される。同様に、薄膜アンテナユニット220に帯電体が接近または接触すれば、前記コア層221がその帯電体の接近による電場の影響により入力電流を生成し、この入力電流により、薄膜トランジスタユニット210のゲート層211に所定の電圧が印加されれば、薄膜トランジスタユニット210がターンオンされる。すなわち、感知信号が出力される。したがって、本実施形態の薄膜帯電センサー200も、帯電体の接触や接近のような動きを、電場の影響を通じて感知でき、それをセンシング回路から入力されて適切に処理すれば、多様な活用例を形成できる。次いで、図3は、本発明の第3実施形態による薄膜帯電センサー300を示す。本実施形態は、薄膜アンテナユニット320の一つに二つの薄膜トランジスタユニット310が連結された場合を例示したものである。すなわち、前述した第1実施形態と、薄膜アンテナユニット320及び薄膜トランジスタユニット310の基本的な構造は同一であるが、一つの薄膜アンテナユニット320に、二つの薄膜トランジスタユニット310を連結して、感知信号を増幅させるようにしたものである。前記二つの薄膜トランジスタユニット310は、それぞれゲート層311、ゲート絶縁層312、活性層313、エッチングストップ層314、ソース/ドレイン層315及びパッシベーション層316が、基板301上に順次に積層されており、それぞれのゲート層311に、前記薄膜アンテナユニット320から入る入力電流が印加されると、それと対面した活性層313を経由してソース/ドレイン層315に電流が流れる。前記薄膜アンテナユニット320は、前記ゲート層311と同じ材質で成膜される第1膜321を備える。すなわち、該第1膜321は、前記ゲート層311が延びて同時に形成されるものであって、ゲート層311と同じ導電性材質で構成されて、周辺の電場に反応して入力電流を生成する。この時、前記二つの薄膜トランジスタユニット310から同じ感知信号が出力されるので、さらに増幅した感知信号を利用できる。次いで、図4は、本発明の第4実施形態による薄膜帯電センサー400を示す。本実施形態は、前述した第3実施形態のように、薄膜アンテナユニット420の一つに二つの薄膜トランジスタユニット、すなわち、第1及び第2薄膜トランジスタユニット410a,410bが連結された構造を例示したものであるが、そのうち、第1薄膜トランジスタユニット410aは、ボトムゲート構造で、第2薄膜トランジスタユニット410bは、トップゲート構造で形成したものである。したがって、第1薄膜トランジスタユニット410aは、基板401上に、ゲート層411a、ゲート絶縁層412a、活性層413a、エッチングストップ層414a、ソース/ドレイン層415a及びパッシベーション層416aが順次に積層された構造を有し、第2薄膜トランジスタユニット410bは、基板401上に、活性層413b、エッチングストップ層414b、ソース/ドレイン層415b、ゲート絶縁層412b及びゲート層411bが積層された構造を有する。そして、薄膜アンテナユニット420の第1膜421は、まず、第1薄膜トランジスタユニット410aのゲート層411aと同じ層で共に形成され、第2薄膜トランジスタユニット410bのゲート層411bは、後でコア層421と連結されるように形成される。本実施形態も、第3実施形態と同様に、二つの薄膜トランジスタユニット410a,410bから同じ感知信号が出力されるので、さらに増幅した感知信号を利用できる。次いで、図5は、本発明の第5実施形態による薄膜帯電センサー500を示す。本実施形態も、薄膜アンテナユニット520の一つに二つの薄膜トランジスタユニット、すなわち、第1及び第2薄膜トランジスタユニット510a,510bが連結された構造を有し、薄膜アンテナユニット520に第1膜521のみがあるものではなく、その両側に第1及び第2絶縁層524,525を介在して、導電性物質で形成された第2膜522及び第3膜523がさらに備えられている。まず、前記第1及び第2薄膜トランジスタユニット510a,510bは、それぞれゲート層511a,511b、ゲート絶縁層512a,512b、活性層513a,513b、エッチングストップ層514a,514b、ソース/ドレイン層515a,515b及びパッシベーション層516a,516bが順次に積層されており、それぞれのゲート層511a,511bに前記薄膜アンテナユニット520から入力される入力電流が印加されれば、ターンオンされる。前記薄膜アンテナユニット520は、第1及び第2薄膜トランジスタユニット510a,510bの各ゲート層511a,511bと同じ材質で同時に成膜された第2膜522、該第2膜522上にゲート絶縁層512a,512bと同じ材質で同時に成膜された第1絶縁層524、第1絶縁層524上にソース/ドレイン層515a,515bと同じ材質で同時に成膜された第1膜521、前記第1膜521上にパッシベーション層516a,516bと同じ材質で同時に成膜された第2絶縁層525、及び前記第2絶縁層525上に成膜された第3膜523を備える。すなわち、本実施形態の薄膜アンテナユニット520は、第1膜521を挟んでその両側に第2膜522及び第3膜523を配置して、第1膜521、第2膜522及び第3膜523がそれぞれ二重アンテナの役割を行うようにしたものである。このために、第1膜521は、いずれか一つの薄膜トランジスタユニット、すなわち、図5による実施形態の場合、第2薄膜トランジスタユニット510bのゲート層511bに連結され、第2膜522及び第3膜523は、他の薄膜トランジスタユニット、すなわち、第1薄膜トランジスタユニット510aのゲート層511aと連結される。この状態で、もし帯電体が接近または接触すれば、その帯電体の電場の影響を第1膜521ないし第3膜523が共に受け、それによる感知信号をそれぞれ出力する。この時、前記第1及び第2絶縁層524,525の誘電率によって、第1膜521ないし第3膜523間の感度差が決まるので、それを利用すれば、二つの感知信号を組み合わせて多様なセンシング制御を具現できる。例えば、前記第2膜522及び第3膜523は、帯電体の接触を感知し、前記第1膜521は、帯電体の非接触接近を感知するようにセンシング回路を構成することもできる。ここで、前記第3膜523は、ITOのような材質で構成できるが、本薄膜帯電センサー500が、もし平板表示装置に採用される場合ならば、平板表示装置の画素電極図示せずを形成する時、それと同じ層で同時に形成できる。一方、別途に図示していないが、前記第1及び第2薄膜トランジスタユニット510a,510bのうち少なくとも一つを、前述した第2及び第4実施形態で例示したトップゲート構造で形成することもできることはいうまでもない。次いで、図6は、本発明の第6実施形態による薄膜帯電センサー600を示す。本実施形態も、第5実施形態のように、二重アンテナ構造の薄膜アンテナユニット620の一つに第1及び第2薄膜トランジスタユニット610a,610bが連結された構造を有する。まず、前記薄膜アンテナユニット620は、第5実施形態と同様に、第2膜622、第1絶縁層624、第1膜621、第2絶縁層625及び第3膜623が順次に積層された構造を有する。そして、前記第1及び第2薄膜トランジスタユニット610a,610bは、それぞれゲート層611a,611b、ゲート絶縁層612a,612b、活性層613a,613b、エッチングストップ層614a,614b、ソース/ドレイン層615a,615b及びパッシベーション層616a,616bが順次に積層されている。そのうち、第2薄膜トランジスタユニット610bは、前記薄膜アンテナユニット620の第1膜621から入る入力電流がゲート層611bに印加されれば、ターンオンされる。これは、前述した第5実施形態と同じ構造である。しかし、第1薄膜トランジスタユニット610aは、第5実施形態のように、薄膜アンテナユニット620の第2膜622及び第3膜623にゲート層611aが連結されたものではなく、ソース/ドレイン層615aが連結されている。したがって、該第1薄膜トランジスタユニット610aは、薄膜アンテナユニット620を通じた帯電体の感知機能でなく、第2膜622及び第3膜623に電荷を供給する機能を行い、この場合には、ゲート層611aに別途のゲート配線図示せずが連結される。すなわち、ゲート層611aに別途のゲート配線を通じて電圧が印加されれば、ターンオンされて、ソース/ドレイン層615aに電流が流れつつ、第2膜622及び第3膜623に電荷が供給され、その電荷が第1膜621に影響を及ぼす。したがって、第2膜622及び第3膜623に供給される電荷量を増減させれば、第1膜621が外部の帯電体の電場を感知する感度が変わるので、本実施形態は、この電荷量を増減させつつ、感度を調節できる構造を例示したものである。一方、別途に図示していないが、前記第1及び第2薄膜トランジスタユニット610a,610bのうち少なくとも一つを、前述した第2及び第4実施形態で例示したトップゲート構造で形成することもできることはいうまでもない。次いで、図7A及び図7Bは、本発明の第7実施形態による薄膜帯電センサー700を示すものである。本実施形態は、前述した第5実施形態のような構造をセンシング操作が行われるパネル10に複数個設置する場合を例示したものである。すなわち、一つの薄膜アンテナユニット720に、第1及び第2薄膜トランジスタユニット710a,710bが連結された薄膜帯電センサー700の一つのセットをパネル10の水平方向に形成し、他のセットはパネル10の垂直方向に形成したものである。これにより、相異なる方向に配置された二つの薄膜アンテナユニット720が帯電体の動きをそれぞれ異なる位置で感知するので、それらの感知信号を組合せると、より精密なセンシングが可能になる。そして、必要ならば、前述した第1ないし第6実施形態いずれも、このように複数のセットが相異なる方向に配置されるように形成できることはいうまでもない。次いで、図8A及び図8Bは、本発明の第8実施形態による薄膜帯電センサー800を示すものである。本実施形態は、前述した第7実施形態に加えて、各薄膜アンテナユニット820の最外郭層に第3絶縁層826,827をさらに形成した場合を例示したものである。すなわち、第7実施形態のように、複数の薄膜帯電センサー800を相異なる方向に配置されるように形成するが、各薄膜アンテナユニット820の第2膜822及び第3膜823の外側に第3絶縁層826,827を形成したものである。これにより、第2膜822及び第3膜823が第3絶縁層826,827に覆われるので、第1膜821、第2膜822及び第3膜823いずれも、構造上帯電体と直接接触しない非接触感知構造となる。したがって、必要に応じて、かかる構造にも変形できる。824,825は、第1及び第2絶縁層を表す。したがって、前述したように、本発明の薄膜帯電センサーは、簡単な薄膜層の積層過程を通じて、薄膜アンテナユニットと薄膜トランジスタユニットとを備えるセンサー構造を容易に形成でき、帯電体の電場を利用するため、接触状態だけでなく、非接触状態でも動きを感知できる。また、前記した実施形態のような多様な変形例を通じて、活用分野をさらに広げることができる。本発明は、添付された図面に示した一実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲のみによって決まらねばならない。"