"接合面を介して接合された第一部材と第二部材を有する接合体と、被接合材とを、フラックスを使用して接合する際に、フラックス成分が前記接合面に侵入することを抑制するフラックス成分侵入防止層を形成するためのフラックス成分侵入防止層形成用ペーストであって、前記フラックス成分を分解する酸化物と、樹脂と、溶剤と、を含有し、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされていることを特徴とするフラックス成分侵入防止層形成用ペースト。前記酸化物が、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上とされていることを特徴とする請求項1に記載のフラックス成分侵入防止層形成用ペースト。前記樹脂が、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフラックス成分侵入防止層形成用ペースト。前記溶剤が、非極性溶媒であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のフラックス成分侵入防止層形成用ペースト。前記酸化物の含有量が10質量以上80質量以下、前記樹脂の含有量が5質量以上30質量以下、残部が溶剤とされていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のフラックス成分侵入防止層形成用ペースト。接合面を介して接合された第一部材と第二部材を有する接合体と、被接合材とを、フラックスを使用して接合する接合体の接合方法であって、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のフラックス成分侵入防止層形成用ペーストを使用して、前記接合体の第一部材と第二部材との接合面にフラックス成分が前記接合面に侵入することを抑制するフラックス成分侵入防止層を形成し、その後、前記接合体と、前記被接合材とを、フラックスを使用して接合することを特徴とする接合体の接合方法。ところで、パワーモジュール用基板とヒートシンクをノコロックろう付けで接合する際に、フラックス成分がパワーモジュール用基板のセラミックス板と金属板との接合面に侵入し、セラミックス板と金属板との間の接合信頼性が低下するおそれがあった。特に、ヒートシンク付パワーモジュール基板においては、セラミックス基板と金属板との接合面と、パワーモジュール用基板とヒートシンクとの界面との間が、金属層のみであって近接していることから、フラックス成分がパワーモジュール用基板のセラミックス板と金属板との接合面に侵入しやすい傾向にある。さらに、フラックス成分がセラミックス基板を超えて回路層にまで達する場合には、回路層と金属層との絶縁性が低下してしまい、パワーモジュール用基板として使用できなくなるおそれがあった。この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、接合面を介して接合された第一部材と第二部材を有する接合体と、被接合材とを、フラックスを使用して接合する際に、フラックス成分が前記接合面に侵入することを抑制するためのフラックス成分侵入防止層を確実に形成でき、接合体と被接合体とを良好に接合することが可能なフラックス成分侵入防止層形成用ペーストおよび接合体の接合方法を提供することを目的とする。このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のフラックス成分侵入防止層形成用ペーストは、接合面を介して接合された第一部材と第二部材を有する接合体と、被接合材とを、フラックスを使用して接合する際に、フラックス成分が前記接合面に侵入することを抑制するフラックス成分侵入防止層を形成するためのフラックス成分侵入防止層形成用ペーストであって、前記フラックス成分を分解する酸化物と、樹脂と、溶剤と、を含有し、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1おける粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされていることを特徴としている。この構成のフラックス成分侵入防止層形成用ペーストによれば、前記フラックス成分を分解する酸化物を有しているので、フラックス成分と接触した際にフラックス成分を無害化することができ、第一部材と第二部材との接合面にフラックス成分が進入することを抑制できる。また、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされているので、第一部材と第二部材との接合面の周囲に対して、フラックス成分侵入防止層形成用ペーストを塗布することができ、かつ、塗布したフラックス成分侵入防止層形成用ペーストが適度にダレることによって良好なフィレット形状が形成され、フラックス成分侵入防止層を確実に形成することができる。特に、接合体の接合面と、接合体と被接合材の接合界面と、が近接している場合には、フラックス成分侵入防止層を形成し難いが、本発明のフラックス成分侵入防止層形成用ペーストであれば、確実にフラックス成分侵入防止層を形成することができる。詳述すると、ずり速度10s-1における粘度が10mPas未満の場合には、ペーストを塗布した際のダレが大きくはみ出してペースト成分が接合体と被接合体との接合界面に入り込んでしまい、フラックスを用いた接合時の接合を阻害してしまうおそれがあった。また、ずり速度10s-1における粘度が20000mPasを超えている場合には、ペーストを塗布した後にダレが生じないため、フィレット形状が形成されず、接合面とフラックス成分侵入防止層との間に隙間が生じてしまうおそれがある。以上のことから、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度を、10mPas以上20000mPas以下の範囲内に設定しているのである。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度を、100mPas以上10000mPas以下の範囲内とすることが好ましい。また、ずり速度100s-1における粘度が10mPas未満の場合には、ペーストを塗布する際にペーストが過剰に吐出されてしまうため、意図した塗布部分からはみ出してしまい接合を阻害するおそれがある。また、ずり速度100s-1における粘度が5000mPasを超えている場合には、ペーストを塗布する際にペーストを十分に吐出することができず、接合面とフラックス成分侵入防止層との間に隙間を生じてしまうおそれがある。以上のことから、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度を、10mPas以上5000mPas以下の範囲内に設定しているのである。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度を、50mPas以上2500mPas以下の範囲内とすることが好ましい。ここで、前記酸化物が、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上とされていることが好ましい。これら酸化物はフラックス成分と反応することによりフラックス成分を分解し、フラックスを失活することができる。特に、ノコロックろう付けで使用されるKAlF4を主成分とするフラックスを、確実に分解することが可能となる。また、前記樹脂が、アクリル樹脂であることが好ましい。アクリル樹脂は、加熱時に解重合を起こし、不活性ガス雰囲気下においても良好な熱分解特性を有しており、焼成後のフラックス成分侵入防止層内に残存することを抑制できる。さらに、前記溶剤が、非極性溶媒であることが好ましい。非極性溶媒を用いた場合には、粉末への樹脂の吸着を促すことが可能となり、分散の安定化を図ることができる。なお、非極性溶媒としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジブチルエーテル等が挙げられる。また、本発明のフラックス成分侵入防止層形成用ペーストは、必要に応じて分散剤を用いてもよい。分散剤を用いることにより酸化物成分の分散の安定化を図ることができる。なお、分散剤としてはアニオン性、カチオン性、非イオン性の界面活性剤が挙げられる。また、前記酸化物の含有量が10質量以上80質量以下、前記樹脂の含有量が5質量以上30質量以下、残部が溶剤とされていることが好ましい。この場合、フラックス成分を分解する酸化物を10質量以上80質量以下の範囲内で含有しているので、フラックス成分を確実に分解して無害化することができる。また、前記樹脂の含有量を5質量以上30質量以下の範囲内で含有しているので、ペーストを塗布して形成されたフィレット形状を保持することができ、確実にフラックス成分侵入防止層を形成することが可能となる。本発明の接合体の接合方法は、接合面を介して接合された第一部材と第二部材を有する接合体と、被接合材とを、フラックスを使用して接合する接合体の接合方法であって、前述のフラックス成分侵入防止層形成用ペーストを使用して、前記接合体の第一部材と第二部材との接合面にフラックス成分が前記接合面に侵入することを抑制するフラックス成分侵入防止層を形成し、その後、前記接合体と、前記被接合材とを、フラックスを使用して接合することを特徴としている。この構成の接合体の接合方法によれば、前述のフラックス成分侵入防止層形成用ペーストを使用して、前記接合体の第一部材と第二部材との接合面にフラックス成分が前記接合面に侵入することを抑制するフラックス成分侵入防止層を形成しているので、第一部材と第二部材との接合面にフラックス成分が侵入することを抑制でき、接合面における接合信頼性を低下させることなく、接合体と被接合体とを良好に接合することが可能となる。本発明によれば、接合面を介して接合された第一部材と第二部材を有する接合体と、被接合材とを、フラックスを使用して接合する際に、フラックス成分が前記接合面に侵入することを抑制するためのフラックス成分侵入防止層を確実に形成でき、接合体と被接合体とを良好に接合することが可能なフラックス成分侵入防止層形成用ペーストおよび接合体の接合方法を提供することができる。以下に、本発明の実施形態であるフラックス成分侵入防止層形成用ペースト及びこのフラックス成分侵入防止層形成用ペーストを用いた接合体の接合方法について図1から図6を参照して説明する。本実施形態における接合体の接合方法は、セラミックス基板11と金属板22,23とが接合されてなるパワーモジュール用基板10接合体と、ヒートシンク40被接合材と、を接合し、ヒートシンク付パワーモジュール用基板30を製造するものである。そして、本実施形態では、パワーモジュール用基板10とヒートシンク40とは、KAlF4を主成分とするフラックスとろう材とを用いて接合を行うノコロックろう付け法によって接合される。まず、本実施形態であるフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50について説明する。このフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50は、フラックス成分を分解する酸化物と、樹脂と、溶剤と、を含有するものであり、より具体的には、酸化物の含有量が10質量以上80質量以下、樹脂の含有量が5質量以上30質量以下、残部が溶剤とされている。フラックス成分を分解する酸化物としては、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上が用いられている。なお、酸化物の粒径は、0.01μm以上20μm以下の範囲内とされている。本実施形態では、上述のように、例えばKAlF4を主成分とするフラックスを用いることから、フラックス成分であるKAlF4を分解する酸化物として好適なTiO2が用いられている。より具体的には、TiO2を10質量以上80質量以下の範囲内で含有しているのである。樹脂としては、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ブチラール樹脂等を用いることができる。本実施形態では、アクリル樹脂が用いられており、その含有量が、5質量以上30質量以下の範囲内とされている。溶剤としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジブチルエーテル等の非極性溶媒が用いられている。そして、本実施形態であるフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50においては、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされている。さらに、本実施形態においては、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度を、100mPas以上10000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度を、50mPas以上2500mPas以下の範囲内とされている。ここで、所定のずり速度における粘度は、ストレスレオメータにおいて、測定治具としてコーン4°、直径40mmを用い、このコーンを回転させてフラックス成分侵入防止層形成用ペーストに所定のずり速度を与えて、3分後における粘度値とした。次に、本実施形態であるフラックス成分侵入防止層形成用ペーストの製造方法について、図1に示すフロー図を参照して説明する。まず、溶剤と樹脂とを混合して遊星式撹拌装置によって撹拌し、溶剤中に樹脂を溶解したビークルを作製するビークル作製工程S01。そして、酸化物粉末TiO2粉末と、ビークルと、を遊星式撹拌装置によって撹拌する混錬工程S02。このようにして、本実施形態であるフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50が製出されることになる。次に、本実施形態であるフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50を用いてフラックス成分侵入防止層51を形成したヒートシンク付パワーモジュール用基板30及びパワーモジュール1について、図2を用いて説明する。このパワーモジュール1は、回路層12が配設されたパワーモジュール用基板10とヒートシンク40とを有するヒートシンク付パワーモジュール用基板30と、回路層12の表面にはんだ層2を介して接合された半導体チップ3と、を備えている。パワーモジュール用基板10は、絶縁層を構成するセラミックス基板11と、このセラミックス基板11の一方の面図2において上面に配設された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面図2において下面に配設された金属層13とを備えている。セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN窒化アルミで構成されている。また、セラミックス基板11の厚さは、0.2~1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。回路層12は、セラミックス基板11の一方の面に、導電性を有する金属板22が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層12は、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板11に接合されることにより形成されている。ここで、回路層12の厚さAは、0.2mm以上3.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。金属層13は、セラミックス基板11の他方の面に、金属板23が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、金属層13は、回路層12と同様に、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。ここで、金属層13の厚さBは、0.2mm以上3.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、1.6mmに設定されている。そして、本実施形態においては、回路層12の厚さと金属層13の厚さとの比B/Aは、1.0≦B/A≦20の範囲内に設定されており、本実施形態では、B/A=1.6/0.6=2.667に設定されている。ヒートシンク40は、前述のパワーモジュール用基板10を冷却するためのものである。本実施形態であるヒートシンク40は、パワーモジュール用基板10と接合される天板部41と、この天板部41に対向するように配置された底板部45と、天板部41と底板部45との間に介装されたコルゲートフィン46と、を備えており、これら天板部41と底板部45とコルゲートフィン46とによって、冷却媒体が流通する流路42が画成されている。そして、本実施形態においては、パワーモジュール用基板10のうちセラミックス基板11と金属層13との接合面の周縁部に、フラックス成分侵入防止層51が形成されている。このフラックス成分侵入防止層51は、図2に示すように、フィレット形状をなしている。すなわち、セラミックス基板11の下面及び金属層13の側面にわたってフラックス成分侵入防止層51が形成されており、フラックス成分侵入防止層51によって、セラミックス基板11と金属層13との接合面の周縁部が完全に覆われている。次に、ヒートシンク付パワーモジュール用基板30の製造方法について、図3から図6を用いて説明する。回路層及び金属層接合工程S11まず、図4に示すように、セラミックス基板11の一面側に、回路層12となる金属板224Nアルミニウムの圧延板が、厚さ5~50μm本実施形態では14μmのろう材箔24を介して積層され、セラミックス基板11の他面側に、金属層13となる金属板234Nアルミニウムの圧延板が厚さ5~50μm本実施形態では14μmのろう材箔25を介して積層される。なお、本実施形態においては、ろう材箔24、25は、融点降下元素であるSiを含有したAl-Si系のろう材とされている。次に、金属板22、セラミックス基板11、金属板23を積層方向に加圧圧力1~5kgf/cm2した状態で加熱炉内に装入して加熱する。すると、ろう材箔24、25と金属板22、23の一部とが溶融し、金属板22、23とセラミックス基板11との界面にそれぞれ溶融金属領域が形成される。ここで、加熱温度は550°C以上650°C以下、加熱時間は30分以上180分以下とされている。次に、金属板22、23とセラミックス基板11との界面にそれぞれに形成された溶融金属領域を凝固させることにより、セラミックス基板11と金属板22及び金属板23とを接合する。フラックス成分侵入防止層形成工程S12そして、次に、セラミックス基板11と金属層13金属板23との接合面の周縁に、フラックス成分侵入防止層51を形成する。ここで、フラックス成分侵入防止層51の形成方法について、図5を用いて説明する。まず、セラミックス基板11と金属層13金属板23との接合面の周縁に向けて、ディスペンサー53を用いて、フラックス成分侵入防止層用ペースト50を塗布するペースト塗布工程S21。塗布したフラックス成分侵入防止層用ペースト50を放置しておく。すると、自重によってフラックス成分侵入防止層用ペーストが適度にダレて、図5に示すようにフィレット形状が形成されることになるフィレット形状形成工程S22。そして、50~150°C×3~30分間の条件で乾燥を実施する乾燥工程S23。これにより、フラックス成分侵入防止層51が形成されることになる。ヒートシンク接合工程S13次に、図6に示すように、パワーモジュール用基板10の金属層13の他方の面側に、ヒートシンク40を接合する。具体的には、パワーモジュール用基板10の金属層13とヒートシンク40の天板部41との間に、Al-Si系ろう材箔27と、KAlF4を主成分とするフラックス図示なしとを介在させる。次に、積層されたパワーモジュール用基板10、ヒートシンク40を積層方向に加圧圧力0~10kgf/cm2した状態で、雰囲気加熱炉内に装入して加熱し、金属層13とヒートシンク40の天板部41との間に溶融金属領域を形成する。ここで、本実施形態では、雰囲気加熱炉内は、窒素ガス雰囲気とされており、加熱温度は550°C以上630°C以下の範囲内に設定している。そして、上述の溶融金属領域が凝固することにより、パワーモジュール用基板10の金属層13とヒートシンク40の天板部41とが接合される。このとき、金属層13、天板部41の表面には、酸化被膜が形成されているが、前述のフラックスによってこれらの酸化被膜が除去される。このとき、フラックス成分が液化、気化して、セラミックス基板11側へと移動することになる。このようにして、ヒートシンク40とパワーモジュール用基板10とが接合されて本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板30が製造されることになる。以上のような構成とされた本実施形態であるフラックス成分侵入防止層用ペースト50によれば、フラックス成分を分解する酸化物、本実施形態では、KAlF4を主成分とするフラックスを分解する酸化物として好適なTiO2を含有しているので、KAlF4がフラックス成分侵入防止層51に接触した際に、KAlF4が分解されることになり、セラミックス基板11と金属層13との接合面に、フラックス成分KAlF4が進入することを抑制できる。また、本実施形態であるフラックス成分侵入防止層用ペースト50においては、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされており、さらに、本実施形態においては、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度を、10mPas以上10000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度を、50mPas以上2500mPas以下の範囲内とされているので、セラミックス基板11と金属層13との接合面の周囲に対して、フラックス成分侵入防止層形成用ペースト50を良好に塗布することができる。また、塗布したフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50が適度にダレることによって、図4、図5、図6に示すような良好なフィレット形状が形成されることになり、フラックス成分侵入防止層51を確実に形成することができる。また、本実施形態では、樹脂としてアクリル樹脂を含有しているので、加熱時に解重合を起こし、不活性ガス雰囲気下においても良好に熱分解することになり、焼成後のフラックス成分侵入防止層51内に残存することを抑制できる。さらに、本実施形態では、溶剤として、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジブチルエーテル等非極性溶媒を使用しているので、酸化物粉末TiO2粉末の樹脂への吸着を促すことが可能となり、酸化物粉末TiO2粉末を安定して分散させることが可能となる。また、本実施形態のフラックス成分侵入防止層用ペースト50においては、酸化物TiO2の含有量が10質量以上80質量以下、樹脂の含有量が5質量以上30質量以下、残部が溶剤とされているので、フラックス成分を確実に分解して無害化することができるともに、塗布して形成されたフィレット形状を保持することができ、確実にフラックス成分侵入防止層51を形成することが可能となる。さらに、本実施形態である接合体の接合方法は、セラミックス基板11と金属板13とが接合されてなるパワーモジュール用基板10接合体と、ヒートシンク40被接合材と、を接合するものとされており、上述のフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50を使用して、パワーモジュール用基板10のセラミックス基板11と金属層13との接合面の周縁にフラックス成分侵入防止層51を形成しているので、パワーモジュール用基板10のセラミックス基板11と金属層13との接合面にフラックス成分であるKAlF4が侵入することを抑制でき、接合面における接合信頼性を低下させることなく、パワーモジュール用基板10とヒートシンク40とを良好に接合することが可能となる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、フラックス成分侵入防止層用ペーストの原料、配合量については、実施形態に記載されたものに限定されることはなく、他の酸化物、樹脂、溶剤を用いてもよい。具体的には、フラックスを分解する酸化物としてTiO2を含有するものとして説明したが、これに限定されることはなく、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上とされていてもよいし、その他の酸化物であってもよい。この酸化物の種類については、接合に使用されるフラックスに応じて選択することが好ましい。また、樹脂としてアクリル樹脂を用いたもので説明したが、これに限定されることはなく、他の樹脂を用いてもよい。さらに、溶剤としてシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジブチルエーテル等の非極性溶媒を用いたもので説明したが、これに限定されることはなく、他の溶剤を用いてもよい。さらに、本実施形態においては、セラミックス基板と金属板とが接合されてなるパワーモジュール用基板接合体と、ヒートシンク被接合材と、をフラックスとしてKAlF4を用いて接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、接合面を介して接合された第一部材と第二部材を有する接合体と、被接合材とを、フラックスを使用して接合するものに適用することができる。以下に、本発明の効果を確認すべく実施した確認実験の結果について説明する。図1のフロー図に記載した手順で、表1に示す組成のフラックス成分侵入防止層用ペーストを製出した。ここで、有機物混合工程S01においては、遊星式撹拌装置株式会社シンキー製AR-250を用いて30分間の撹拌を実施し、樹脂を溶剤に溶解させた。また、混錬工程S02においては、遊星式撹拌装置株式会社シンキー製AR-250を用いて5分間の撹拌を実施した。得られたフラックス成分侵入防止層用ペーストについて、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度、及び、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度について測定した。ストレスレオメータTAインスツルメント株式会社製AR-1000に、測定治具としてコーン4°、直径40mmを用い、このコーンを回転させてフラックス成分侵入防止層用ペーストに対して所定のずり速度を与え、3分後の粘度を測定した。測定結果を表2に示す。そして、これらのフラックス成分侵入防止層用ペーストを用いて、上述の実施形態で開示されたパワーモジュール用基板のフラックス成分侵入防止層を形成した。ディスペンサー武蔵エンジニアリング株式会社製SuperΣX-V2に内径0.26mmのニードルを付け、塗布圧0.20kPaにて、上述のパワーモジュール用基板のセラミックス基板と金属層との接合面の周縁にフラックス成分侵入防止層用ペーストを塗布した。塗布後、ホットプレート上で80°C、5分間の乾燥処理を実施した。まず、フィレット形状を評価した。フラックス成分侵入防止層を光学顕微鏡にて観察し、フラックス成分侵入防止層用ペーストの抜けや隙間の有無を確認した。抜け若しくは隙間が確認されないものを○、長さ3mm以下の抜け若しくは隙間が1箇所のみ確認されたものを△、長さが3mm超の抜け若しくは隙間が確認された場合、若しくは、長さが3mm以下の抜け若しくは隙間が2箇所以上確認されたものを×と評価した。なお、長さ3mm以下の抜け若しくは隙間が1箇所の場合には実用上問題ないレベルである。次に、上述のパワーモジュール用基板にヒートシンクの天板部のみを、ノコロックろう付けによって接合して、ヒートシンク付パワーモジュール用基板とした。まず、得られたヒートシンク付パワーモジュール用基板に対して、セラミックス基板と金属層との接合面を超音波探傷装置株式会社日立エンジニアリングアンドサービス製FineSATFS-200によって観察し、剥離の有無によって、初期の接合信頼性を評価した。次に、このヒートシンク付パワーモジュール用基板に対して、-40°C←→125°Cの冷熱サイクルを1000サイクル負荷した。そして、セラミックス基板と金属層との接合面を超音波探傷装置株式会社日立エンジニアリングアンドサービス製FineSATFS-200によって観察し、剥離の有無によって、冷熱サイクル後の接合信頼性を評価した。ノコロック接合時の剥離は金属層の外周部から発生し、超音波探傷像においてこの剥離部は接合部内の白色部として示されることから、金属層外周部に沿った白色部の長さを測定し剥離長さとした。剥離が無い場合を○、剥離長さが接合面の一辺の30以下の場合を△、剥離長さが接合面の一辺の30を超える場合を×と評価した。なお、セラミックス基板を30mm×20mm×0.635mmとし、回路層を13mm×10mm×0.6mmとし、金属層を13mm×10mm×1.6mmとし、ヒートシンクの天板部を50mm×50mm×7mmとした。評価結果を表2に示す。温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされた実施例1-7においては、初期の接合信頼性及び冷熱サイクル後の接合信頼性が良好であることが確認される。これは、フラックス成分がセラミックス基板と金属層との接合面に侵入しなかったためと推測される。さらに、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度を、100mPas以上10000mPas以下の範囲内とされ、かつ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度を、50mPas以上2500mPas以下の範囲内とされた実施例1-4においては、塗布後のフィレット形状が良好であることが確認される。これに対して、比較例1-3においては、接合信頼性が低いことが確認される。ここで、フラックス成分を分解する酸化物を含有しない比較例1においては、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が10mPas以上10000mPas以下の範囲内、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が50mPas以上2500mPas以下の範囲内とされていることから、塗布形状は良好である。しかしながら、フラックス成分を分解する酸化物を有していないため、フラックス成分を分解できず、フラックス成分がセラミックス基板と金属層の接合面に侵入し、接合信頼性が低下したと推測される。また、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が28000mPasとされた比較例2においては、塗布後のペーストがダレないため、塗布形状が不良となった。これにより、フラックス成分がセラミックス基板と金属層の接合面に侵入し、接合信頼性が低下したと推測される。温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が8000mPasとされた比較例3においては、ペーストの塗布を良好に行うことができず、フィレット形状が不良となった。これにより、フラックス成分がセラミックス基板と金属層の接合面に侵入し、接合信頼性が低下したと推測される。以上の確認実験の結果、本発明によれば、フラックス成分侵入防止層を良好に形成できるフラックス成分侵入防止層形成用ペーストを提供できることが確認された。"