一対の非グラフェン領域の間に挟まれたグラフェン領域を含む、ことを特徴とする導電性薄層構造。前記グラフェン領域は、5つのグラフェン単層の厚さよりも小さい、ことを特徴とする請求項1に記載の薄層構造。前記グラフェン領域は、1つから3つの間のグラフェン単層の厚さである、ことを特徴とする請求項1に記載の薄層構造。前記複数の非グラフェン領域のうちの少なくとも一つは、導電性である、ことを特徴とする請求項1に記載の薄層構造。前記複数の非グラフェン領域のうちの少なくとも一つは、電気的に絶縁性である、ことを特徴とする請求項1に記載の薄層構造。前記グラフェン領域と、複数の非グラフェン領域は、お互いに入れ子になっている、ことを特徴とする請求項1に記載の薄層構造。前記複数の非グラフェン領域のうちの少なくとも一つは、一つ以上の金属を含む、ことを特徴とする請求項6に記載の薄層構造。前記複数の非グラフェン領域のうちの少なくとも一つは、銅およびニッケルのうちの一つもしくはその双方を含む、ことを特徴とする請求項6に記載の薄層構造。導電性薄層構造であって、前記薄層構造は、お互いのうちに入れ子になった複数の領域を含み、前記複数の入れ子領域のうちの一つはグラフェン領域であり、前記複数の入れ子領域のうちの他方は複数の非グラフェン領域であり、前記グラフェン領域は、一対の非グラフェン領域の間に挟まれ、前記薄層構造は、前記グラフェン領域の部分と、前記複数の非グラフェン領域の部分とを含む最上部表面を含み、前記複数の非グラフェン領域のうちの少なくとも一つは導電性である、導電性薄層構造と、前記薄層構造の前記上部表面上で、前記薄層構造の一部へとそこを通って伸長する開口を有する電気的に絶縁性の材料であって、前記複数の非グラフェン領域間にグラフェンを有する代わりに、前記一対の非グラフェン領域の間にスペースを有することによって、前記部分は、前記薄層構造の他の複数の部分とは異なる、電気的に絶縁性の材料と、前記開口内および前記スペース内の導電性材料と、を含む、ことを特徴とする電気的相互接続。前記複数の非グラフェン領域のうちの前記少なくとも一つは、銅およびニッケルのうちの一つもしくはその双方を含む、ことを特徴とする請求項9に記載の電気的相互接続。前記導電性材料は、少なくとも一つの金属を含む、ことを特徴とする請求項9に記載の電気的相互接続。電気的相互接続を形成する方法であって、電気的に絶縁性の材料にトレンチを形成するステップと、前記トレンチを配列し、かつ前記第一のトレンチ内に入れ子になった第二のトレンチを形成するために、前記トレンチ内に第一の非グラフェン材料を形成するステップと、前記第二のトレンチを配列し、かつ、前記第二のトレンチ内に入れ子になった第三のトレンチを形成するために、前記第一の非グラフェン材料上にグラフェンを形成するステップと、前記第三のトレンチ内に第二の非グラフェン材料を形成するステップと、を含む、ことを特徴とする方法。前記グラフェンは、5つのグラフェン単層の厚さよりも小さい、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記グラフェンは、1つから3つの間のグラフェン単層の厚さである、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第一および第二の非グラフェン材料は、お互いに同一の組成である、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第一の非グラフェン材料は、前記第二の非グラフェン材料とは異なる組成である、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第一の非グラフェン材料は、少なくとも一つの金属を含む、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第一の非グラフェン材料は、銅およびニッケルのうちの一つもしくはその双方を含む、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第二の非グラフェン材料は、前記第三のトレンチを完全に充填する、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第二の非グラフェン材料は、前記第三のトレンチを配列し、かつ、前記第三のトレンチ内に入れ子になった第四のトレンチを形成し、前記第四のトレンチを配列し、かつ、前記第四のトレンチ内に入れ子になった第五のトレンチを形成するために、前記第二の非グラフェン材料上にグラフェンを形成するステップと、前記第五のトレンチ内に第三の非グラフェン材料を形成するステップと、をさらに含む、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第一、第二および第三の非グラフェン材料は、お互いに同一の組成である、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記第一、第二および第三の非グラフェン材料のうちの少なくとも一つは、前記第一、第二および第三の非グラフェン材料のうちの他の材料とは異なる組成である、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。前記第一、第二および第三の非グラフェン材料のうちの少なくとも一つは、電気的に絶縁性である、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。電気的相互接続を形成する方法であって、導電性薄層構造を形成するステップであって、前記薄層構造は、お互いのうちに入れ子になった複数の領域を含み、前記複数の入れ子領域のうちの一つは、グラフェン領域であり、前記複数の入れ子領域のうちの他方は複数の非グラフェン領域であり、前記グラフェン領域は、一対の非グラフェン領域の間に挟まれ、前記薄層構造は、前記グラフェン領域の部分と前記複数の非グラフェン領域の部分とを含む最上部表面を含み、前記複数の非グラフェン領域のうちの少なくとも一つは導電性である、ステップと、前記薄層構造の前記上部表面上に、電気的に絶縁性の材料を形成するステップと、前記薄層構造の前記上部表面へと、前記絶縁性材料を通って伸長する開口を形成するステップと、前記複数の非グラフェン領域に対して、前記グラフェン領域を選択的に除去するために、前記開口内にエッチャントを提供し、それによって、前記一対の非グラフェン領域の間にスペースを形成するステップと、前記開口内、および前記スペース内に導電性材料を形成するステップと、を含む、ことを特徴とする方法。前記グラフェン領域の内部内に入れ子になった前記非グラフェン領域は、内部非グラフェン領域であり、前記スペースは、前記内部非グラフェン領域の全体を包囲して伸長する、ことを特徴とする請求項24に記載の方法。前記グラフェン領域の内部内に入れ子になった前記非グラフェン領域は、内部非グラフェン領域であり、前記スペースは、前記内部非グラフェン領域を部分的にのみ包囲して伸長する、ことを特徴とする請求項24に記載の方法。前記複数の非グラフェン領域のうちの双方が導電性である、ことを特徴とする請求項24に記載の方法。前記複数の非グラフェン領域のうちの唯一つだけが導電性である、ことを特徴とする請求項24に記載の方法。電気的相互接続を形成する方法であって、導電性薄層構造を形成するステップであって、前記薄層構造は、お互いの内に入れ子になった複数の領域を含み、前記複数の入れ子領域のうちの一つはグラフェン領域であり、前記複数の入れ子領域のうちの他方は、複数の非グラフェン領域であり、前記グラフェン領域は、一対の非グラフェン領域の間に挟まれ、前記薄層構造は、前記グラフェン領域の部分と前記複数の非グラフェン領域の部分とを含む最上部表面を含み、前記複数の非グラフェン領域のうちの少なくとも一つは導電性である、ステップと、前記薄層構造の前記上部表面上に電気的に絶縁性の材料を形成するステップと、前記薄層構造の前記上部表面へと、前記絶縁性材料を通って伸長する開口を形成するステップと、前記薄層構造を少なくとも部分的に通って前記開口を伸長するステップと、前記開口内に導電性材料を形成するステップと、を含む、ことを特徴とする方法。開口は、前記薄層構造全体を通って伸長する、ことを特徴とする請求項29に記載の方法。開口は、前記薄層構造を部分的にのみ通って伸長する、ことを特徴とする請求項29に記載の方法。前記複数の非グラフェン領域のうちの双方が導電性である、ことを特徴とする請求項29に記載の方法。前記複数の非グラフェン領域のうちの唯一つだけが導電性である、ことを特徴とする請求項29に記載の方法。幾つかの実施形態は、グラフェンを含む導電性薄層構造を含む。グラフェンは、非グラフェン材料の間に挟まれてもよい。グラフェンに直接相対する非グラフェン材料のうちの少なくとも一つは、金属材料銅およびニッケルのうちの一つもしくはその双方を含む材料などであってもよい。グラフェンの広い表面面積は、金属材料に直接相対し、それによって、金属材料とグラフェンとの間の電子の移動性を高める可能性がある。グラフェンと非グラフェン材料の界面における表面面積の量は、トレンチ内にグラフェンと非グラフェン材料とを包囲することによって高められる可能性がある。幾つかの実施形態においては、グラフェンを含む薄層構造へと電気的接点が形成される。接点は、薄層構造の導電性非グラフェン材料と直接接触する導電性材料を提供することによって形成されてもよい。動作においては、薄層構造のグラフェンは、相互接続を介して電流の大部分を伝導し、薄層構造の導電性非グラフェン材料は、薄層構造への回路を電気的に接続するために使用されてもよい。幾つかの実施形態においては、薄層構造は、超高電流密度を支持するために適切である可能性がある。例示的な実施形態は、図1-図30に関連して記述される。図1に関連して、半導体構造10は、例示的な一実施形態の処理段階において図示される。半導体構造は、ベース12と、ベース上の電気的に絶縁性の材料14とを含む。ベース12は、単結晶性シリコンを含むか、本質的に単結晶性シリコンで構成されるか、単結晶性シリコンから成り、かつ、半導体基板もしくは半導体基板の一部として称されてもよい。半導電性基板半導体構造および半導体基板という用語は、半導電性ウェーハ単独、もしくは他の材料を含むアセンブリのいずれか、半導電性材料層単独、もしくは他の材料を含むアセンブリのいずれかなどのバルク半導電性材料を含むがそれに限定はされない、半導電性材料を含む任意の構造を意味する。基板という用語は、上述された半導電性基板を含むがそれに限定はされない任意の支持構造のことを称する。ベース12は、均質なものとして示されているが、ベースは、幾つかの実施形態においては、多数の層を含んでもよい。例えば、ベース12は、集積回路作製に関連する一つ以上の層を含む半導体基板に対応してもよい。このような実施形態においては、このような層は、一つ以上の耐熱金属層、バリア層、拡散層、絶縁体層などに対応してもよい。材料14は、例えば、シリコン二酸化物、シリコン窒化物、ボロホスホシリケートガラスBPSG、フルオロシリケートガラスFSG、ホスホシリケートガラスPSGのうちの一つ以上などの、任意の適切な電気的に絶縁性の組成物を含んでもよい。材料14は均質なものとして示されているが、材料14は幾つかの実施形態においては多数の層を含んでもよい。トレンチ16は材料14へと伸長する。トレンチ16は、任意の適切な処理で形成されてもよい。例えば、トレンチは、トレンチの位置を画定するために、材料14上に図示されていないフォトリソグラフィーによってパターン化されたマスクを提供し、一つ以上の適切なエッチングで材料14へとエッチングし、その後、図1に示された構造を残すためにマスクを除去することによって形成されてもよい。図2に関連して、材料18は、絶縁性材料14を横切って形成される。材料18はトレンチ16を配列し、それによってトレンチ16内に第二のトレンチ20を形成する。材料18は、非グラフェン材料換言すると、グラフェンを含まない材料であってもよい。幾つかの実施形態においては、材料18はその後にグラフェンを上に形成するために適切な導電性材料を含んでもよいし、幾つかの実施形態においては、金属材料を含んでもよい。例えば、材料18は、銅およびニッケルのうちの一つもしくはその双方を含むか、本質的に銅およびニッケルのうちの一つもしくはその双方で構成されるか、銅およびニッケルのうちの一つもしくはその双方から成ってもよい。したがって、材料18は、その後のグラフェンの化学蒸着に適切である可能性がある。幾つかの実施形態においては、材料18は、その上にその後にグラフェンを形成するために適切な電気的に絶縁性の材料を含んでもよい。幾つかの実施形態においては、材料18はシリコンカーバイドを含んでもよい。図3に関連して、グラフェン22は非グラフェン材料18上に形成される。グラフェン22はトレンチ20を配列し、それによって第二のトレンチ20内に第三のトレンチ24を形成する。グラフェン22は、任意の適切な方法によって形成されてもよい。例えば、グラフェンは、金属の非グラフェン材料18上に化学蒸着および/もしくは原子層堆積によって形成されてもよい。別の実施例として、グラフェンは、SiC由来のSiの昇華など、シリコンカーバイド材料18から形成されてもよい。グラフェンは、少なくとも一つの単層の厚さであり、望ましくは、10個の単層の厚さよりも小さい。幾つかの実施形態においては、グラフェンは、5つの単層の厚さよりも小さいか、またはそれに等しく、例えば、おおよそ1つの単層の厚さからおおよそ5つの単層の厚さの間の厚さである可能性がある。幾つかの例示的な用途においては、グラフェン22は、おおよそ3つの単層の厚さであってもよい。グラフェンは、所望の高い導電性を達成するほど十分に薄いことが望まれる。幾つかの実施形態においては、グラフェンは、銅の電流密度よりも約10倍から約100倍大きい電流密度に耐えることができる可能性がある。図4に関連して、非グラフェン材料26はグラフェン材料22上に形成される。非グラフェン材料26はトレンチ24を配列し、それによって、第三のトレンチ24内に第四のトレンチ28を形成する。非グラフェン材料26は、第一の非グラフェン材料18と区別するために、第二の非グラフェン材料と称されてもよい。幾つかの実施形態においては、材料18および26はお互いに同一の組成を含んでもよいし、他の実施形態においては、材料18および26はお互いに異なる組成を含んでもよい。幾つかの実施形態においては、材料18および26のうちの少なくとも一つは導電性であり、他方は電気的に絶縁性である。例えば、材料18は、その上にグラフェン22を形成するために適切な金属材料を含み、材料26は、シリコン二酸化物、シリコン窒化物などの電気的に絶縁性の材料を含んでもよい。幾つかの実施形態においては、非グラフェン材料18および26のうちの双方が導電性である。図5に関連して、グラフェン30は非グラフェン材料26上に形成される。グラフェン30は第四のトレンチ28を配列し、それによって、第四のトレンチ内に第五のトレンチ32を形成する。図6に関連して、非グラフェン材料34はグラフェン材料30上に形成される。非グラフェン材料34は、示された実施形態においてトレンチ32を充填する。他の実施形態においては、非グラフェン材料34はトレンチを部分的にのみ充填し、トレンチ内のグラフェンおよび非グラフェン材料の積層は、トレンチ内に示された数の個別の材料よりも多く形成し続けてもよい。幾つかの実施形態においては、最初のトレンチ16図1内に示された数の交互の材料よりも少ない材料が存在してもよい。つまり、非グラフェン材料26は、図4の処理段階においてトレンチ24を部分的に充填するだけであるが、他の実施形態においては、非グラフェン材料26は、トレンチを完全に充填し、最初のトレンチ16内に材料18、22、26のみが存在する。図6の非グラフェン材料34は、第三の非グラフェン材料と称されてもよい。幾つかの実施形態においては、非グラフェン材料18、26および34は、全てお互いに同一の組成を有してもよいし、他の実施形態においては、非グラフェン材料のうちの少なくとも一つが、他の非グラフェン材料のうちの少なくとも一つと異なる組成を有してもよい。幾つかの実施形態においては、全ての非グラフェン材料が導電性であり、他の実施形態においては、非グラフェン材料のうちの少なくとも一つは電気的に絶縁性であってもよい。図7に関連して、構造10は、電気的に絶縁性の材料14の表面上から、材料18、22、26、30および34を除去するために、平坦化例えば、化学機械研磨に晒される。最初のトレンチ16図1内に残存する材料18、22、26、30および34は、ともに導電性相互接続36を形成する。グラフェン材料22および30は、非グラフェン材料18、26および32のうちの一つ以上が電気的に絶縁性であるか否かに関わらず、相互接続36を介して導電性を提供することができる。さらには、導電性の非グラフェン材料18、26および34のうちの任意の材料も、相互接続36内に導電性を提供する。しかしながら、他の材料と比較して、グラフェンの電流密度は高いため、グラフェンに相互接続を通過する電流の大部分を伝導する可能性がある。相互接続36は、グラフェン領域つまり、グラフェン22およびグラフェン30を含む領域と、非グラフェン領域つまり、非グラフェン材料18、26および34を含む領域とを含むものと考えられてもよい。相互接続36は、交互のグラフェン領域と非グラフェン領域とを含む、薄層構造であるものと考えられてもよい。示される実施形態においては、グラフェン領域および非グラフェン領域は、グラフェン領域および非グラフェン領域が種々の入れ子になったトレンチ16、20、24、28および32図6の側壁に沿って包囲することによって、お互いの内に入れ子になる。他の実施形態においては、グラフェン領域および非グラフェン領域は、平面であってもよい。しかしながら、図7のグラフェン領域と非グラフェン領域の入れ子配置は、グラフェン領域と直接隣接する非グラフェン領域との間の広範囲の表面界面を提供することができ、それによって、グラフェン領域と直接隣接する非グラフェン領域との間の電子の移動性を高めることが可能である。非グラフェン材料からグラフェンへと電子が通過すること、またはその逆に、グラフェンから非グラフェン材料へと電子が通過することは困難である可能性がある。したがって、グラフェンと非グラフェン材料との間の広い表面界面は、相互接続36の種々の構造の間を電子が通過することを可能にするために都合がよい可能性がある。図7の実施形態においては、各グラフェン領域は、一対の非グラフェン領域によって挟まれる。他の実施形態においては、少なくとも一つのグラフェン領域は、相互接続の外側の端部に存在し、そのようなグラフェン領域は、一対の非グラフェン領域間に挟まれるのではなく、唯一つの非グラフェン領域に相対する。図8は、図7の構造の上面図を示し、相互接続36は、直線として構成されることを示す。他の実施形態においては、相互接続36は、図8の線形形状以外の形状を有するように構成されてもよい。図8の上面図は、相互接続36が非グラフェン領域の露出部35と、グラフェン領域の露出部37とを含む上部表面を有することを示す。相互接続36へと電気的接点を形成することは困難である可能性がある。なぜなら、グラフェン領域と隣接する導電性材料との間に電気的接続を構築することは困難である可能性があるからである。幾つかの実施形態は、相互接続36の非グラフェン導電性材料へと電気的接点を形成し、その後、相互接続に沿って電子を移動させるために、相互接続のグラフェンへとこのような導電性材料から電子を移動させることが好都合でありうるとの認識を含む。相互接続36へと電気的接点を形成する例示的な一方法は、図9-図17に関連して記述される。図9に関連して、電気的に絶縁性の材料40は、相互接続36の上部表面上かつ絶縁性材料14上に形成される。材料40は、例えば、シリコン二酸化物、シリコン窒化物、BPSG、PSG、FSGなどのうちの一つ以上などの任意の適切な組成物、もしくはそのような組成物の組み合わせを含んでもよい。図10に関連して、接点開口42は、材料40を介してエッチングされ、相互接続36の上部表面を露出させる。開口42は、任意の適切な方法によって形成されてもよい。例えば、図示されていないパターン化されたフォトレジストマスクが開口42の位置を画定するために材料40上に提供され、開口は一つ以上の適切なエッチングで形成され、その後、マスクは、図10に示された構造を残すために除去されてもよい。図11は、図10の構造の上面図を示し、相互接続36のグラフェン含有部37と非グラフェン含有部35とを露出するために、材料40を通って伸長する接点開口42を示す。接点開口42の外側へ伸長する相互接続36の部分は、この部分が材料40の下に存在することを示すために、破線で示される。図12および図13に関連して、エッチングは、接点開口42内からグラフェン含有領域の少なくとも一部を除去するために使用され、スペース44および46を形成する。エッチングは、任意の適切な化学を利用し、例えば、グラフェンを灰化するために酸化プラズマを使用してもよい。エッチングは、示されるように、非グラフェン領域と比較して、グラフェン含有領域に対して選択的であってもよい。示された実施形態においては、接点開口42内に露出したグラフェン含有領域のうちの幾らかのみが除去され、それによってグラフェン22およびグラフェン30の部分が図12の断面において、見えたままである。他の実施形態においては、図18および図19に関連して以下に記述されるように、露出されたグラフェン領域全体が除去されてもよい。幾つかの実施形態においては、グラフェン領域内に入れ子になっている非グラフェン領域は、内部非グラフェン領域であると考えられ、グラフェン領域の除去によって形成されるスペースは、このような内部非グラフェン領域を少なくとも部分的に包囲して伸長すると考えられてもよい。幾つかの実施形態においては、一つ以上の非グラフェン材料例えば、図12に示された実施形態における材料18、26および34のうちの一つ以上は、開口44および46のうちの一つもしくはその双方を拡大するためにエッチングされてもよい。スペース44および46の存在によって、相互接続の他の部分と比較して、接点開口42の下にある相互接続36の部分は変化する。つまり、接点開口42の下の相互接続部分は、非グラフェン領域間のスペース44および46を有し、相互接続の他の部分はこのような非グラフェン領域間にグラフェンを有する。図14および図15に関連して、導電性材料48は、開口42内かつ絶縁性材料40を横切って提供される。導電性材料48は、任意の適切な組成物もしくは組成物の組み合わせを含んでもよく、幾つかの実施形態においては、種々の金属例えば、銅、アルミニウム、タングステン、チタンなど、金属含有組成物例えば、金属シリサイド、金属ナイトライド、金属カーバイドなどおよび導電性を有するようにドープされた半導体材料例えば、導電性を有するようにドープされたシリコン、導電性を有するようにドープされたゲルマニウムなどのうちの一つ以上を含むか、本質的にそれらから構成されるか、またはそれらで構成されてもよい。導電性材料48は、スペース44および46内に伸長し、それによって、示された実施形態においては、非グラフェン材料26および34を部分的に包囲して伸長する。図16および図17に関連して、構造10は、絶縁性材料40上から導電性材料48を除去するために平坦化例えば、化学機械研磨に晒されるが、接点開口42内の導電性材料はそのまま残す。接点開口42内の導電性材料48は、電気的接点50を画定する。電気的接点は、非グラフェン領域26および34を部分的に包囲して、スペース44および46内に伸長する導電性材料を有する。非グラフェン領域26および34のうちの一つもしくはその双方が金属もしくは他の導電性材料を含む実施形態においては、非グラフェン材料26および34を包囲する導電性材料48の伸長は、少なくとも部分的に材料26および34を包囲して伸長する導電性材料が存在しない場合に達成されるであろう接続と比較して、接点50と材料26および34との間に、改良された電気的接続を可能にすることができる。このことは、材料26および34へと電気的接点50から電流を容易に通過させることを可能にすることができる。その後、グラフェン領域と材料26および34との間の広範囲の表面界面を利用することによって、電流は、相互接続36に沿ってグラフェン領域22および30へと通過することができる。電流は、その後、グラフェンの高電流密度によって、相互接続を通って迅速に移動することができ、その後、電流を別の電気的コンポーネントへと方向づけるために、電流は、接点50に類似する別の接点へと移動してもよい。したがって、相互接続36と組み合わせて、示された接点50に類似する一つ以上の接点は、集積回路のコンポーネント間で電流を移動させるための、小型かつ効率的な構造を提供する可能性がある。図12-図17は、スペース44および46が非グラフェン領域26および34を部分的に包囲して伸長するように形成される一実施形態を示す。他の実施形態においては、エッチングは、接点開口42下の非グラフェン領域26および34の間から、グラフェンを全て除去するために、適切な化学を使用して、適切な期間、実施されてもよい。これによってスペース44および46を形成し、スペース44および46は、接点開口42下にある相互接続36の一部において、非グラフェン領域26および34の全体を包囲して伸長する。図18は、図12の処理段階に類似する処理段階における構造10を示すが、一実施形態においては、スペース44および46は接点開口42の直下の相互接続36の一部における非グラフェン材料26および34の全体を包囲して伸長するように形成される。図18の構造は、図14に関連して上述された方法と類似する方法でその後処理されて、開口42内に導電性材料を形成する。図19は、導電性材料48が接点開口42内に形成された後の、図18の構造を示す。導電性材料48は、接点開口42下の相互接続36の一部において、非グラフェン領域26および34の全体を包囲して伸長する。図示されていないその後の処理においては、導電性材料48は、所望の場合には、図16に関連して上述された処理と類似する処理で、絶縁性材料40上から除去されうる。図12-図19に関連して上述された処理は、まずスペースを形成するために非グラフェン材料に対して、グラフェンを除去し、その後、スペース内の導電性材料を形成することによって相互接続36へと電気的接点を形成する。相互接続36に対して電気的接点を形成する別の方法は、相互接続を少なくとも部分的に通る穴を開けることであり、相互接続を少なくとも部分的に通って伸長する穴を形成して、その後、穴内に導電性材料を形成する。この方法は、図20-図30に関連して記述される。図20および図21に関連して、構造10は、図10および図11に関連して上述されたものと同一の処理段階において示される。したがって、構造は、相互接続36の上部表面を露出するために、絶縁性材料40を通って伸長する接点開口42を含む。図22-図24に関連して、開口42は、一つ以上のエッチングで、相互接続36を通って、絶縁性材料14へと伸長される。示された実施形態においては、開口42は、相互接続36の全体を通って伸長される。図示されていない他の実施形態においては、開口42は、相互接続36を部分的にのみ通って伸長されてもよい。図25-図27に関連して、導電性材料48は、材料40を横切って、開口42内に形成される。導電性材料48は、材料48と領域18、26および34との界面において、領域18、26および34と直接接触する材料48表面の大きさによって、導電性を有する非グラフェン領域18、26および34のうちのいずれかと良好な電気的接触を有する。図28-図30に関連して、導電性材料48は、開口42内に電気的接点50を形成するために、平坦化例えば、化学機械研磨によって材料40の上部表面上から除去される。その後の処理においては、別の高さの相互接続が半導体基板にわたって形成されてもよい。例えば、図31は、基板の材料14の直上に第一の相互接続構造100を形成し、かつ、第一の相互接続構造の高さよりも上の別の高さに第二の相互接続構造102を形成する材料18、22、26、30および34を示す。導電性材料104は、第二の相互接続構造102を通って伸長し、第二の相互接続構造102を導電性材料48へと電気的に結合し、それによって、第二の相互接続構造102を第一の相互接続構造100へと電気的に結合する。導電性材料104は、銅もしくは任意の他の適切な材料を含んでもよい。第二の相互接続構造102は、第一の相互接続構造100と同一の材料18、22、26、30および34を含むものとして示されているが、他の実施形態においては、第二の相互接続構造は、第一の相互接続構造とは別の材料を含んでもよい。示された実施形態においては、第二の相互接続構造102の材料18は、電気的接点50の導電性材料48に直接接触する。他の実施形態においては、第二の相互接続構造の材料18は、電気的に絶縁性の材料によって、接点50から空間をあけられてもよい。幾つかの実施形態においては、第二の相互接続構造102の材料18は、電気的に絶縁性であってもよいし、幾つかの実施形態においては、第二の相互接続構造の材料18は、導電性であってもよい。上述された種々の方法および構造は、電流が、グラフェンと導電性層の間を、相互接続に沿ってビア内を流れるとき、低接触抵抗を維持することによって、回路における高電流密度を達成するために使用されてもよい。上述された相互接続は、集積回路において使用されてもよい。このような集積回路は、電子システムへと組み込まれてもよい。電子システムは、例えば、コンピュータ、自動車、飛行機、時計、携帯電話などの多数の電子システムのうちの任意のシステムであってもよい。図面において、種々の実施形態の特定の方向は、例示的な目的のためだけのものであって、実施形態は、幾つかの用途においては、示された方向に対して回転されてもよい。本明細書で提供された記述およびそれに続く請求項は、その構造が図面の特定の方向にあるか、またはその方向に対して回転されているか否かに関わらず、種々の機構の間で記述された関係を有する任意の構造に関するものである。添付の図面の断面図は、断面の平面内の機構のみを示し、図面を簡略化するために、断面の平面の後方に存在する材料は示していない。ある構造が、別の構造の上にもしくは相対して存在するものとして上記で言及されるときには、他の構造の上に直接存在しうるか、または、中間構造も存在してもよい。対照的に、ある構造が、別の構造の直上にもしくは直接相対して存在するものとして言及されるときには、中間構造は存在しない。ある構造が、別の構造に対して、接続されているかまたは結合されているものとして言及されるときには、他の構造に対して直接接続されるか、または直接結合されうるか、あるいは中間構造が存在してもよい。対照的に、ある構造が、別の構造に対して、直接接続されているかまたは直接結合されているものとして言及されるときには、中間構造は存在しない。