アンモニア溶液の液面に対して、半導体基板の一主面を並行に対向させて配置し、前記アンモニア溶液の液面と前記半導体基板の一主面との距離が均等になるように保持した状態で、常温下にて放置することを特徴とする半導体基板の酸化膜形成方法。半導体基板の一主面はシリコン、窒化ガリウムのいずれかで構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体基板の酸化膜形成方法。アンモニア溶液の液面と半導体基板の一主面との距離が3mm以上20mm以下、放置時間が60分以上400分以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の半導体基板の酸化膜形成方法。アンモニア溶液の濃度が15重量以上35重量以下であることを特徴とする、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体基板の酸化膜形成方法。アンモニア溶液を攪拌させることを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体基板の酸化膜形成方法。請求項1から請求項5のいずれかに記載の方法で形成された半導体基板の酸化膜中の不純物を分析することを特徴とする、半導体基板の不純物分析方法。特許文献1に開示されている技術は、シリコンウェーハに酸化膜が形成されていることが必須要件ではあるが、その酸化膜をどのように形成するかについては、詳細な記載はない。この点で、自然酸化膜より厚い酸化膜を意図的に形成することに伴う課題の解決に対しては、必ずしも十分に対処できるものではなかった。特に、シリコンウェーハの表面から1nm~10nm程度の深さ領域における不純物分析をしようとする場合、意図して酸化膜を形成する工程が必要になるが、この範囲の厚さの酸化膜を、シリコンウェーハの表面に対して均一な膜厚で、かつ不純物の汚染を受けないようにして形成しないと、高精度な化学分析に支障をきたす。特許文献2に開示されている技術は、半導体のゲート酸化膜に用いられる薄く品質の高い酸化膜の形成が可能であるので、高感度かつ高精度な化学分析に対しても、好適に用いることができると考えられる。しかし、この技術では、AFMでのシリコンウェーハ表面粗さの計測、X線回折測定によるロッキングカーブの半値幅の測定、等の煩雑で手間のかかる工程が必要になること、これらの工程でのシリコンウェーハへの逆汚染が懸念されるという点で、シリコンウェーハの表層分析に適しているとは言い難い。特許文献3に開示されている技術は、密閉空間で膜形成を行うため、シリコンウェーハ表面が環境中に曝露されることがなく、分析する工程でシリコンウェーハ表面への逆汚染の心配は少ない。しかしながら、形成される膜厚がμmオーダーであるので、薄い膜の形成、すなわちシリコンウェーハのごく表層部の分析には不適である。また、分析工程で加熱が必要な為、例えば、低温でも拡散速度の速いCu元素の正確な分析に対しては、必ずしも適しているといえない。本発明は、これらの課題を鑑みてなされたもので、半導体基板のごく表層部、具体的には、表面から1nm~10nm程度の深さ領域における不純物分析を、高感度かつ高精度に実施することのできる、半導体基板の酸化膜の形成方法、及び半導体基板の不純物分析方法を提供するものである。本発明に係る半導体基板の酸化膜形成方法は、アンモニア溶液の液面に対して、半導体基板の一主面を並行に対向させて配置し、前記アンモニア溶液の液面と前記半導体基板の一主面との距離が均等になるように保持した状態で、常温下にて放置することを特徴とする。このような構成をとることで、半導体基板の表面から1nm~10nm程度の深さ領域における不純物分析に最適な、酸化膜の形成を可能とすることができる。また、半導体基板の一主面はシリコン、窒化ガリウムのいずれかで構成されていることが望ましい。また、アンモニア溶液の液面と半導体基板の一主面との距離が3mm以上20mm以下、放置時間が60分以上400分以下であることが望ましい。また、アンモニア溶液の濃度が15重量以上35重量以下であることが望ましい。さらに、アンモニア溶液を攪拌させることが、より望ましい。そして、本発明に係る半導体基板の不純物分析方法は、本発明に係る半導体基板の酸化膜形成方法で形成された半導体基板の酸化膜中の不純物を分析することを特徴とする。このような構成をとることで、半導体基板の表面から1nm~10nm程度の深さ領域における不純物分析を、特別な設備や製造方法を適用することなく、高感度かつ高精度に実施することが可能となる。本発明に係る半導体基板の酸化膜の形成方法、及び半導体基板の不純物分析方法によれば、半導体基板のごく表層部、具体的には、表面から1nm~10nm程度の深さ領域における不純物分析を、高感度かつ高精度に実施することのできる、半導体基板の酸化膜の形成方法、及び半導体基板の不純物分析方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明の一態様に係る、半導体基板の一主面に酸化膜を形成するための治具を断面から見た模式図である。なお、図1、図3、図4、図7では、半導体基板のベベル部の詳細な形状は省略して、直角状に簡略化して図示している。以下、本発明の好ましい実施形態を実施例に基づき説明するが、本発明はこの実施例により限定されるものではない。実施例1希フッ酸濃度0.1重量処理を施したシリコンウェーハ直径300mm、面方位100、タイプP型を用意し、鏡面側が液面と対向するように図1に示す保持治具1にセットした。シリコンウェーハ保持部は、図2Aに示すような、シリコンウェーハのベベル部を保持する形態とした。そして、アンモニア溶液濃度29重量を用い、アンモニア溶液2の液面と半導体基板3の一主面との距離5が、平均で5mmになるように、アンモニア溶液2の液量を調整した。この状態で25°Cの室内に360分間放置した。次に、実施例1で生成された酸化膜の膜厚を評価した。すなわち、アンモニア溶液2で360分放置した直後のシリコンウェーハに対して、3cm×3cm四方のマスキングテープで、シリコンウェーハ中心部と中心を通る十字線上の外周10mm4箇所をマスキングした。この状態で、希フッ酸にて酸化膜を除去し、酸化膜を除去した部位とマスキングされていた部位を、エリプソメータアルバック社製、ESM型を用いて酸化膜厚を測定した。表1にその結果を示す。なお、表1では、シリコンウェーハのノッチ部を上にしたときの、4点の位置を示している。表1の結果から、酸化膜の厚さは3~4nmの範囲、測定5点の変動係数定義は面内5点の測定値に対して、標準偏差を平均値で除した値は9.5であることがわかる。このことから、大口径のシリコンウェーハであっても、自然酸化では得られない膜厚の酸化膜を、面内で良好な膜厚均一性を有して得られることを確認した。比較例1実施例1において、アンモニア溶液2の代わりに、過酸化水素水10重量を用いた以外の条件を同じにして実施し、実施例1と同様に酸化膜厚を測定した。これを比較例1とする。その結果、酸化膜厚は面内5点全てで1nm以下、非マスキング部位との差が1以下であった。このことから、過酸化水素水では、酸化膜はほとんど生成されないことが確認された。比較例2実施例1において、アンモニア溶液の代わりに、酸溶液フッ酸50重量:硝酸70重量=1:5を用いて、放置時間を1分とした以外は、条件を同じにして実施した。これを比較例2とする。このときの放置後の面状態を、AFMVeeco社製NanoScopeIIIaで観察したところ、深さ10nm程度の窪みが点在していること、酸化膜厚の厚さの変動も大きいことが確認された。なお、実施例1では、このような窪みや色むらは観察されなかった。実施例1アンモニア処理で生成された酸化膜について、アルバックファイ社製、機種名Quantum2000のX線光電子分光法XPS装置により、SiO2の存在有無を調べ、その結果を図6に示す。図6の結果から、アンモニア処理による酸化膜のピークが明瞭に観測されており、本発明に係る半導体基板の酸化膜形成方法で、酸化膜が確かに形成されていることが確認された。各種金属元素の定量分析続いて、シリコンウェーハの一主面に対して生成された酸化膜を、分解液2重量フッ酸2重量過酸化水素水の水溶液にて全量回収し、ICP-MSサーモフィッシャー社製、型式ELEMENT2にて、各種金属元素の分析を行った。また、JISK0031に基づいて、定量下限を算出した。比較例3実施例1で用いたものと同様の、希フッ酸濃度0.1重量処理を施したシリコンウェーハを用意し、図7に示す形状の治具を用いて、酸溶液フッ酸38重量:硝酸68重量=1:1000を25ml用いて、3分間静かに揺動した。これを比較例3とする。その後、この酸溶液を回収、蒸発処理して水分を除去した後、0.5重量の硝酸0.5mlに溶かして作製した試料溶液を、実施例1と同様に分析、評価した。表2に、実施例1と比較例3の定量結果を示すが、実施例1の定量下限は、1×1013atoms/cm3のであるのに対して、比較例3の定量下限は、1×1014atoms/cm3レベルであった。すなわち、本発明の方法を用いて生成した酸化膜は、より高感度な各種の金属元素の定量に好適であるといえる。アンモニア溶液2の液面と半導体基板3の一主面との距離と酸化膜厚の関係実施例1をもとに、表3に示す内容で、アンモニア溶液2の液面と半導体基板3の一主面との距離5を変更した場合における、生成される酸化膜厚を比較した。測定箇所は面内中央1点、それ以外の測定方法は実施例1に準じた。なお、表3の判定は、△がやや劣る、○が良い、◎がより好ましい、とした。表3の結果から、距離5が小さすぎると、酸化膜厚の面内均一性が低下する懸念が高くなり、距離5が大きすぎると、酸化膜厚が小さくなり、いずれも好ましくないことがわかる。距離5のより好ましい範囲は、5mmから10mm、更に好ましくは5mmである。また、400分を超えて放置60分した場合は、いずれの場合も、400分放置のときの膜厚と変わらなかった。攪拌の有無と生成した酸化膜厚との関係実施例1をもとに、アンモニア溶液2の条件攪拌の有無を、表4に示す内容で変更した場合における、生成された酸化膜厚を比較した。測定箇所は面内中央1点、それ以外の測定方法は実施例1に準じた。なお、スターラー8は長さ10mm、径3mmの形状のものを1ケ投入し、スターラー8の平均回転速度を30rpmとした。なお、表4の判定は、△がやや劣る、○が良い、◎がより好ましい、とした。表4の結果から、アンモニア溶液2の液面と半導体基板3の一主面との距離5が10mm以上離れている場合においても、アンモニア溶液2をスターラー8で攪拌することで、酸化膜厚の面内均一性を著しく低下させることなく、2~3nmの酸化膜を生成させることが可能であった。このことから、アンモニアの自然蒸発に加えて、アンモニア溶液2の循環が付加されることで、酸化膜生成速度の促進効果を呈することがわかった。