"金属板上にコールドスプレー法によりろう材を形成する工程と、セラミックス基板に前記金属板上に形成された前記ろう材が接触するように前記金属板を配置する工程と、配置された前記ろう材が形成された前記金属板と前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合する工程と、を具備することを特徴とする金属セラミックス接合基板の製造方法。請求項1において、前記コールドスプレー法によりろう材を形成する工程は、原料粉末を混合した混合粉末及び該混合粉末の融点以下に加温された作動ガスを前記セラミックス基板上に吹き付ける工程であることを特徴とする金属セラミックス接合基板の製造方法。セラミックス基板と、前記セラミックス基板上にろう材によって接合された金属板と、を具備し、前記ろう材は、コールドスプレー法により形成されていることを特徴とする金属セラミックス接合基板。金属セラミックス接合基板を製造するコストを低減する要請がある。そのひとつの対策として、ろう材を塗布形成する工程のコスト低減が考えられる。また、前記金属板にろう材をスプレーする方法では、ろう材と金属板との密着強度が小さくろう材が脱落する恐れがあり、また有機溶剤と金属粉を混ぜるてスプレーするために該有機物成分が残留し、その後のセラミックス基板との接合において接合不良の要因となる恐れがある。また、セラミックス基板のろう材粉末をコールドスプレー法で形成する方法は、そのスプレーの噴射圧力で加熱されたセラミックス基板が割れる恐れがある。本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ろう材の形成工程のコストを低減できる金属セラミックス接合基板及びその製造方法を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明に係る金属セラミックス接合基板の製造方法は、金属板上にコールドスプレー法によりろう材を形成する工程と、セラミックス基板に金属板上に形成された前記ろう材が接触するように配置する工程と、前記金属板、前記ろう材及び前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合する工程と、を具備することを特徴とする金属セラミックス接合基板の製造方法である。また、前記コールドスプレー法によりろう材を形成する工程は、原料粉末を混合した混合粉末及び該混合粉末の融点以下に加温された作動ガスを前記セラミックス基板上に吹き付ける工程であることが好ましい。本発明に係る金属セラミックス接合基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板上にろう材によって接合された金属板と、を具備し、前記ろう材は、コールドスプレー法により形成されていることを特徴とする金属セラミックス接合基板である。以上説明したように本発明によれば、ろう材の形成工程のコストを低減できる金属セラミックス接合基板及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1a~fは、本発明の実施形態による金属セラミックス接合基板の製造方法を説明するための材料及び金属セラミックス接合基板の断面図である。図2は、図1fに示す金属セラミックス接合回路基板20の斜視図である。図3は、コールドスプレー法を実施する低温溶射装置の概略を示す模式図である。まず、図1aに示す金属板1を準備する。この金属板1は、例えば厚さが0.1~2mm程度の導電性や放熱性の良いCu板やAl板を用いることが好ましい。次いで、図1bに示すように、金属板1の一方の面片面にコールドスプレー法によってろう材2を形成する。この際、図3に示す低温溶射装置を用いる。コールドスプレー法及び低温溶射装置の詳細については後述する。次に、図1cに示すように、セラミックス基板3を準備し、その両面に、金属板1のろう材が形成された方の面一方の面がセラミックス基板3の表面に接触するように配置する。次いで、セラミックス基板3及び金属板1を真空炉内に配置し図示せず、真空雰囲気中、ろう接温度まで加熱することにより、セラミックス基板3の両面に金属板1が接合され、金属セラミックス接合基板100を得ることができる。セラミックス基板3は、例えば市販されてAlN窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、窒化珪素基板などを主成分とする、厚さ0.2~3mmのものが好ましい。次いで、図1dに示すように、金属セラミックス接合基板10を真空炉中から取り出し、金属板1の表面に所望の回路パターン等の形状のエッチングレジスト4を塗布し、紫外線で硬化する。なお、エッチングレジスト4は、熱硬化型などでも良い。次に、この前記レジスト4をマスクとしてエッチング液、例えば塩化第2銅、塩酸と過酸化水素水の混合液により、金属板1をエッチングすることで、セラミックス基板3の一方面には金属板からなる回路パターン1aが形成され、セラミックス基板1の他方面には金属板パターン1bが形成される。次いで、レジスト4を例えばアルカリの薬液で除去する図1e。次いで、回路パターン間や基板縁面の不要なろう材等を除去するため、フッ酸を含有する薬液にディップして、セラミックス基板3の両面表面の不要なろう材等を除去した後、水洗、乾燥し所望の金属回路パターンを得、金属セラミックス接合路基板100が製造される図1f、図2。その後、必要に応じて回路パターン1a及び金属板パターン1bの表面にめっきを施しても良い。例えばNiPの無電解めっきを行う。次に、上記のコールドスプレー法及び低温溶射装置の詳細について説明する。本実施形態に係るろう材の形成方法は、材料粉末を金属板1の表面に固着させてろう材を形成するもので、材料粉末をその融点より低い温度に加温したガスに投入し、このガスを超音速流にして金属板1に対して噴射させるコールドスプレー法を用いる。図3に示す低温溶射装置11は、空気,窒素,ヘリウムなどの高圧の作動ガスを供給するガス供給部10を有しており、このガス供給部10には主配管12の一端が接続されている。この主配管12の途中には、作動ガスを加温するガスヒーター部13が設けられている。主配管12には、その主配管12から分岐された枝配管14の一端が設けられている。この枝配管14の他端には材料粉末を供給する粉体供給部パウダーフィードユニット15が配置されている。この粉体供給部15には粉末投入管16の一端が接続されており、この粉末投入管16には主配管12の他端が合流されており、粉末投入管16の他端にはスプレーノズル17が接続されている。スプレーノズル17に対向して配置された基板保持部図示せずには金属板1が保持されている。図3に示す低温溶射装置11によって金属板1にろう材を下記のようにして形成する。粉体供給部15にろう材の原料粉末を混合した混合粉末を入れ、低温溶射装置11を駆動させる。ガス供給部10によって空気,窒素,ヘリウムなどの高圧の作動ガスが主配管12に供給される。主配管12に供給された作動ガスは、ガスヒーター部13によって原料粉末の融点より低くまたは軟化温度よりも低い温度に加温される。この加温された作動ガスはチャンバー19に供給される。これとともに、ガス供給部10によって主配管12及び枝配管14を介して粉体供給部15に作動ガスが供給され、この作動ガスにより粉体供給部15の混合粉末が粉末投入管16を通ってチャンバー19に供給される。このようにして粉末投入管16からチャンバー19に供給される混合粉末と、主配管12からチャンバー19に供給される加温された作動ガスが、スプレーノズル7から超音速流になって噴出され、その結果、混合粉末及び作動ガス18が金属板板1の全面に対して吹き付けられる。この吹き付けられる混合粉末は、金属板1に衝突して固着される。従って、金属板1の表面には低温溶射によりろう材2が形成される。このろう材2の厚さは、接合に十分な量のろう材とするために5μm以上が好ましく、より好ましくは10μm以上である。なお、厚すぎるとセラミックス基板との接合において大きな熱応力が発生し、セラミックス基板が割れる恐れがあるので、ろう材の厚さは500μm以下、さらには100μm以下であることが好ましい。上記実施形態によれば、コールドスプレー法によりろう材2を金属板1上に形成するため、従来技術に比べてろう材を容易に形成することができる。具体的には、本実施形態では、従来技術のようにろう材をペースト又は箔とする必要がなく、原料粉末のままでろう材を形成することができる。このため、従来技術のようなろう材2の製造工程がなくなり、コストを低減できる。また、ろう材成分である金属粉とビヒクルとの相性の心配も不要となる。また、コールドスプレー法によりろう材を形成するため、従来技術に比べてろう材の形成スピードを速くすることができる。例えば、コールドスプレー法では厚さ20μmのろう材を一瞬1秒以下で形成することができ、厚さ400μmのろう材を数秒で形成することができる。また、通常の丸ノズルのスプレーの場合、一般に用いられている長方形の金属板の全面にろう材を形成することが困難な場合がある。この場合、金属板を移動し、スプレーが全面に当たるようにすれば良い。また、スプレーは複数並べて処理を行っても良い。また、付着しなかった粉末は、回収し、再利用するのもコスト面で好ましい。また、コールドスプレー法では、粉体供給部15に粉の状態で所定の組成に混合すれば良いため、ろう材をペーストや箔とするのと比べ、ろう材の組成を容易に変更することができる。また、コールドスプレー法では、溶射などと比較して、ろう材の成分が酸化しにくいという利点もある。また、コールドスプレー法では、金属板1の表面のうねりや粗さにろう材を追従させることが容易である。従って、ろう材の接合欠陥ボイドを低減させる効果もある。また、コールドスプレー法では、接合時にペーストろう材では必要な処理となる脱脂脱バインダー工程が不要となり、ろう材形成工程の時間を短縮できるとともに、ろう材の酸化がほとんどなく、ろう材の品質を安定させることができる。また、コールドスプレー法によるアンカー効果により、混合粉末を金属板1に確実に固着することができ、接合強度を向上させることができる。なお、粒子が溶融した或いは半溶融した高温の状態で低速でスプレーする通常の溶射法では、ろう材成分が酸化して接合できなくなったり、金属板を加熱する必要があり、金属板が破壊されるおそれがある。また、単に混合粉末を室温などで金属板にスプレーした場合は、金属板表面に該粉末はほとんど付着しない場合がある。本発明における金属板1へのろう材のコールドスプレー法として、図4に示される通り、コイル状の金属板に連続的にコールドスプレーを行い、ろう材を金属板上に形成することもできる。これにより、前述よりもさらにろう材の形成の効率は向上し、ろう材形成のコスト削減を図ることができる。また、ろう材が形成された金属板のコイルの進行方向に、該コイルから所定の大きさの金属板に打抜くプレス機を準備しておくと、連続して金属セラミックス接合基板用の金属板を製造することができるのでより好ましい。このような方法は工業的に非常に有用であり、金属セラミックス接合基板のろう材形成、接合工程における大幅なコスト削減の効果が認められる。以下、本発明の実施例について説明する。実施例1セラミックス基板として厚さ0.6mm、長さ35mm、幅35mmのAlN基板、金属板として厚さ0.25mm、長さ35mm、幅35mmのCu板を2枚準備した。次いで、このCu板の片面に図3に示す低温溶射装置コールドスプレー装置によってろう材を形成する。詳細には、コールドスプレー装置の粉体供給部パウダーフィードユニットに原料粉末を投入し、この原料粉末及び高温高圧のN2ガスでCu板の表面にスプレーすることにより、Cu板の表面に原料粉末を付着させた。前記原料粉末は、97massのAg粉末、3massのTi粉末を混合した混合粉末であり、原料粉末の粒径はAgが5~63μm、Tiが45μm以下のものを使用した。また、前記混合粉末は、380°Cに加熱され吐出圧3MPaで噴射される前記N2ガスによってCu板にスプレーした。また、ろう材を形成するためのスプレー時間は1秒である。なお、スプレー中にCu板表面の全面に原料粉末が付着するように、Cu板を移動させながらスプレーを行った。このようにして2枚のCu板の片面に厚さ20μmのろう材を形成した。なお、従来技術のようなろう材ペーストやろう材箔の作製工程はない。次いで、2枚のCu板のろう材形成面がAlN基板の一方の面表面および他方の面裏面に接触するように、それぞれ配置した。次いで、Cu板が表裏に配置された前記AlN基板を真空炉内に配置し、真空雰囲気、850°Cの温度で加熱処理することにより、AlN基板とCu板がろう材を介して接合されたAlN-Cu接合基板を得ることができた。次いで、得られたAlN-Cu接合基板を真空炉中から取り出し、Cu板の表面に所望の回路パターンの紫外線硬化型エッチングレジストを塗布、硬化し、このレジストをマスクとしてCu板を塩化第2銅と塩酸と過酸化水素を含む混合液でエッチングすることにより、AlN基板の表面及び裏面に回路パターンを形成し、レジストを除去した。その後、フッ酸を含む水溶液で、前記混合液で溶けなかったパターン間に残留する不要なろう材を除去した。次いで、Cu板回路パターンとAlN基板のピール強度試験による接合強度を評価した結果、接合強度は8kgf/cm以上であった。この際の評価方法は、下記のとおりである。AlN-Cu接合基板に形成された回路パターンの一部である幅3mmのパターンの端をペンチで引き剥がした。この接合基板をプル引張試験機の台に固定し、前記パターンの端をプル試験機のチャックに取り付けた。この時、AlN基板の表面と引き剥がされた前記Cu回路パターンの角度が90°鉛直方向になるように設置する。その後、プル試験機を作動させ、チャックを介して引き剥がされた前記パターンを上方に引っ張って移動させ、その時の最大引き剥がし荷重を測定した。その最大引き剥がし荷重を幅0.3cmで除して接合強度を測定した。比較例1セラミックス基板1として実施例1と同様のAlN基板およびCu板を準備した。次いで、実施例1と同様の原料粉末混合粉末に、アクリル系のビヒクルを加え、乳鉢、3本ロールミルで混錬し、ペースト状のろう材を作製した。次いで、このろう材をAlN基板の両面にスクリーン印刷で配置塗布した。この際のろう材の厚さは20μmである。次いで、ろう材の塗布されたAlN基板の両面に前記Cu板をそれぞれ配置し、その後、50°Cの温度で60分間乾燥させ、ビヒクル中の有機成分例えば溶剤等を除去蒸発した。次いで、Cu板が表裏に配置された前記AlN基板を真空炉内に配置し、真空雰囲気、850°Cの温度で加熱処理することにより、AlN基板とCu板がろう材を介して接合されたAlN-Cu接合基板を得ることができた。この際、接合の前に、前記ビヒクル成分を分解させるために500°Cで60分間保持する脱脂処理を行った。次いで、AlN基板を真空炉中から取り出し、実施例1と同様の方法で回路パターンを形成し、レジストを除去した。次いで、実施例1と同様にCu板回路パターンとAlN基板の接合強度を評価した結果、その接合強度は8kgf/cm以上であった。上記実施例1によれば、コールドスプレー法によりろう材をセラミックス基板上に形成するため、比較例1に比べてろう材を容易に形成することができる。具体的には、実施例1では、比較例1のようにろう材をペーストとする必要がなく、原料粉末のままでろう材を形成することができる。このため、比較例1のようなろう材の作製工程がなくなり、コスト及び時間を大幅に低減できる。また、ろう材成分である金属粉とビヒクルとの相性ペースト化のしやすさ、ペーストの印刷のしやすさなどの心配も不要となる。また、実施例1では、コールドスプレー法によりろう材を形成するため、比較例1に比べてろう材の形成スピードを速くすることができる。詳細には、コールドスプレー法では厚さ20μmのろう材を1秒で形成することができるのに対し、スクリーン印刷では厚さ20μmのろう材を形成するのに10秒程度必要となる。また、実施例1のコールドスプレー法では原料粉末の混合比を変更することでろう材の組成を容易に変更することができる。また、コールドスプレー法では、溶射などと比較して、ろう材の成分が酸化しにくいという利点もある。また、実施例1のコールドスプレー法では、金属板の表面のうねりや粗さにろう材を追従させることが容易であるため、ろう材の接合欠陥ボイドを低減させる効果もある。また、実施例1のコールドスプレー法では、比較例1のように、接合時にろう材の脱脂脱バインダー工程50°C×60分の乾燥工程、ビヒクルの分解時間60分が不要となり、ろう材形成工程の時間を短縮できるとともに、ろう材の品質を安定させることができる。その他、実施例1においても、例えば比較例1と遜色のない、充分な接合強度を得ることができる。尚、本発明は上述した実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。"