陰極と、第1のp型半導体陽極領域と第2のp型半導体陽極領域を含む陽極と、を含む半導体装置であって前記第1のp型半導体陽極領域は陽極接触領域に電気的に接続され、前記第2のp型半導体陽極領域は前記第2のp型半導体陽極領域と前記陽極接触領域間を電気的に接続または切断するように構成されたスイッチを介し前記陽極接触領域に電気的に接続される、半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域に対向した前記陰極の第1の部分内のn型不純物添加のドーズ量は、前記第2のp型半導体陽極領域に対向した前記陰極の第2の部分内のn型不純物添加のドーズ量より少ない、請求項1に記載の半導体装置。前記陰極の前記第1の部分内の前記n型不純物添加の前記ドーズ量に対する前記陰極の前記第2の部分における前記n型不純物添加の前記ドーズ量の比は5~104である、請求項2に記載の半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域内のp型不純物添加のドーズ量は前記第2のp型半導体陽極領域内の前記p型不純物添加のドーズ量より少ない、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域内の前記p型不純物添加の前記ドーズ量に対する前記第2のp型半導体陽極領域内の前記p型不純物添加のドーズ量の比は5~104である、請求項4に記載の半導体装置。半導体基板内において、前記第2のp型半導体陽極領域の底面は前記第1のp型半導体領域の底面より深くに位置する、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域と前記第2のp型半導体陽極領域間および前記陰極と前記陽極間に配置されたn型ドリフト領域をさらに含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域はマージドPINショットキーダイオードの一部である、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記スイッチは電界効果トランジスタを含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第2のp型半導体領域は前記電界効果トランジスタのソースとドレインの一方である、請求項9に記載の半導体装置。前記スイッチは、横方向チャネルを含む平面型電界効果トランジスタまたは垂直チャネルを含むトレンチ電界効果トランジスタの1つである、請求項10に記載の半導体装置。前記スイッチは第1の補助n型領域と第2の補助p型領域とを含み、前記第2の補助p型領域は前記電界効果トランジスタの前記ソースと前記ドレインの他方である、請求項10または11に記載の半導体装置。前記第1の補助n型領域と前記第2の補助p型領域は前記陽極接触領域に電気的に接続される、請求項12に記載の半導体装置。前記スイッチは横方向チャネルを含む平面型電界効果トランジスタであり、前記第1の補助n型領域は前記第2のp型半導体陽極領域内に配置され、前記第2の補助p型領域は前記第1の補助n型領域内に配置され、前記第2のp型半導体陽極領域と前記第1の補助n型領域と前記第2の補助p型領域はそれぞれ半導体基板の表面に接し、ゲートは前記第1の補助n型領域上に配置され、前記ゲートは前記第2の補助p型領域と前記第2のp型半導体陽極領域間の表面において前記第1の補助n型領域内に位置するチャネルの導電率を制御するように構成される、請求項12または13に記載の半導体装置。前記平面型電界効果トランジスタの前記ソースと前記ドレイン間の表面に対し平行なチャネル方向に沿った前記ゲートの広がりは前記第2のp型半導体陽極領域上で終わる、請求項14に記載の半導体装置。前記平面型電界効果トランジスタの前記ソースと前記ドレイン間の表面に対して平行なチャネル方向に沿った前記ゲートの広がりはn型ドリフト領域上で終わる、請求項14に記載の半導体装置。前記陽極と前記陰極間のブロッキング能力は0.6kV~10kVである、請求項1~16のいずれか一項に記載の半導体装置。前記スイッチは垂直チャネルを含むトレンチ電界効果トランジスタであり、前記第1の補助n型領域は前記第2のp型半導体陽極領域内に配置され、前記第2の補助p型領域は前記第1の補助n型領域内に配置され、前記第1の補助n型領域と前記第2の補助p型領域は半導体基板の表面に接し、ゲート電極はトレンチ内に配置され、前記ゲート電極は前記第2の補助p型領域と前記第2のp型半導体陽極領域間の前記トレンチの側壁における前記第1の補助n型領域内に位置するチャネルの導電率を制御するように構成される、請求項13に記載の半導体装置。前記半導体基板内において、前記ゲート電極の底面は前記第2のp型陽極領域の底面より深いところで終わる、請求項18に記載の半導体装置。前記半導体基板内の前記ゲート電極の底面は前記第2のp型陽極領域の底面と同じレベルかあるいはそれよりも上で終わる、請求項18に記載の半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域はトレンチ分離部に接する、請求項1に記載の半導体装置。少数キャリア寿命は前記第1のp型半導体陽極領域内より前記第2のp型半導体陽極領域内でより高い、請求項1~21のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域内の前記少数キャリア寿命に対する前記第2のp型半導体陽極領域内の前記少数キャリア寿命の比は5~104である、請求項22に記載の半導体装置。前記第2のp型半導体陽極領域の効率は前記第1のp型半導体陽極領域の効率より高い、請求項1~23のいずれか一項に記載の半導体装置。前記第1のp型半導体陽極領域の効率に対する前記第2のp型半導体陽極領域の効率の比は5~104である、請求項24に記載の半導体装置。陽極と、第1のn型半導体陰極領域と第2のn型半導体陰極領域を含む陰極とを含む半導体装置であって、前記第1のn型半導体陰極領域は陰極接触領域に電気的に接続され、前記第2のn型半導体陰極領域は、前記第2のn型半導体陰極領域と前記陰極接触領域間を電気的に接続または切断するように構成されたスイッチを介し前記陰極接触領域に電気的に接続される、半導体装置。半導体装置の一実施形態によると、半導体装置は陰極を含む。半導体装置はさらに第1のp型半導体陽極領域と第2のp型半導体陽極領域とを有する陽極を含む。第1のp型半導体陽極領域は陽極接触領域に電気的に接続される。第2のp型半導体陽極領域は、第2のp型半導体陽極領域と陽極接触領域間を電気的に接続または切断するように構成されたスイッチを介し陽極接触領域に電気的に接続される。当業者は、以下の詳細な説明を読み添付図面を見ることによりさらなる特徴と利点を理解することになる。添付図面は本発明をさらに理解するために含まれ、本明細書に援用され本明細書の一部を構成する。添付図面は本発明の実施形態を例示し、本明細書と共に本発明の実施形態の原理を説明するのに役立つ。本発明の他の実施形態および本発明の実施形態の意図した利点の多くは以下の詳細説明を参照することによりさらに良く理解されるので容易に理解される。添付図面の構成要素同士は互いに対して必ずしも一定のスケールで記載されていない。同様な参照符号は対応する同様な部分を示す。様々な例示実施形態の特徴は互いに排除しない限り組み合わせられ得る。実施形態は添付図面に示され、以下の明細書の中で詳述される。以下の詳細説明では、本明細書の一部をなす添付図面を参照して、本発明を実施し得る特定の実施態様を例示として示す。この点に関し、最上部、最下部、前部後部、先頭の、後続の等の方向用語は説明される図面の配向に関連して使用される。実施形態の構成要素は多くの異なる配向で配置されることができるので、上記方向用語は例示のために使用され、決して限定するものではない。他の実施形態を利用してもよいことと、本発明の範囲から逸脱することなく構造的または論理的変更をなし得ることと、を理解すべきである。したがって以下の詳細説明は限定的な意味でとらえるべきでなく、本発明の範囲は添付の特許請求範囲により規定される。多くの実施形態について以下に説明する。この場合、同一の構造的特徴部は添付図面内の同一または類似の参照符号により特定される。本明細書との関連では、横のまたは横方向は、半導体材料または半導体キャリアの横方向の広がりに概して平行に走る方向または広がりを意味するように理解すべきである。したがって横方向はこれらの表面または面に対し概して平行に延びる。これとは対照的に、用語垂直のまたは垂直方向はこれらの表面または面、したがって横方向に対して概して垂直に走る方向を意味するように理解される。したがって垂直方向は半導体キャリアの厚さ方向に走る。図1に、陽極Aと陰極Cを含むダイオード100の一実施形態の概略図を例示する。陽極Aは第1の陽極A1と第2の陽極A2を含む。第1の陽極A1は陽極接触部図1に図示せずに電気的に接続される。第2の陽極A2は、第2の陽極A2と陽極接触部間を電気的に接続または切断するように構成されたスイッチSを介し陽極接触部に電気的に接続される。スイッチSは、オン状態すなわち導電状態とオフ状態すなわち非導電状態間で切り替わるのに好適な任意の装置であってよい。一例として、スイッチSはFETまたはバイポーラトランジスタ等のトランジスタを含んでよい。一実施形態によると、スイッチSは、ダイオード100の活性領域内に少なくとも部分的に形成されてもよい。一例として、第2の陽極A2は、ダイオード100とスイッチSの両方に共通の半導体領域、例えば第2の陽極とFETバイポーラトランジスタのソースとドレインエミッタとコレクタの1つを構成するp型半導体領域を含んでよい。別の実施形態によると、スイッチSはダイオード100の活性領域と異なる活性領域内に形成されてもよい。一例として、第2の陽極A2は接触プラグおよび/または配線を介しスイッチSに電気的に接続されてもよいし、スイッチSは他の接触プラグおよび/または別の配線を介し陽極接触部に電気的に接続されてもよい。陰極Cは、第1の陽極A1と第2の陽極A2の両方に共通な陰極接触部例えば金属領域を含む。スイッチSがオン状態すなわち導電状態である場合、第2の陽極A2は陽極Aと陰極C間の電流の流れに寄与する。スイッチSがオフ状態にある場合、陰極Cと第2の陽極A2間の電流の流れは無効にされる。陽極効率は、不純物添加のドーズ量例えば、不純物濃度、不純物添加の垂直方向広がり、または陽極A内の少数キャリア寿命等の効率に影響を与える陽極パラメータを適切に調整することにより、第1の陽極A1より第2の陽極A2においてより高く設定される。ダイオード100はスイッチSのオン状態およびオフ状態における電圧をブロッキングすることができる。ダイオード100は、スイッチSがオフ状態にあり第2の陽極A2が非作動化された場合、低い電荷キャリア濃度したがって有用な逆回復挙動を有する所謂高速モードで動作するが、スイッチSがオン状態にあり第2の陽極A2が作動化された場合、ダイオード100は高い電荷キャリア濃度と低オン抵抗を有する所謂低飽和モードで動作する。スイッチSのオフ状態はダイオード100のより良好な逆回復挙動を可能にするが、スイッチSのオン状態はダイオード100のより良好なオン状態特性を可能にする。したがってダイオード100の動作モードに依存するスイッチSのオン状態とオフ状態とを切り替えることにより、ダイオード100の逆回復挙動とオン状態特性とのトレードオフを改善することができる。図2に、ダイオード200の一実施形態の一部分の断面を例示する。ダイオード200は、n型半導体基板例えば、エピタキシャル層等の半導体層をその上に有しない、または1つまたは複数の半導体層を有するSi基板等のn型ドリフト領域202を含む。n型ドリフト領域202内には、n型ドリフト領域202の第1の側208に接する第1のp型陽極領域204と第2のp型陽極領域206が形成される。n型ドリフト領域202内において、第2のp型陽極領域206の底面は、第1のp型陽極領域204の底面より深くに位置する、すなわち、第1の側208からn型ドリフト領域202への垂直方向210に沿った第2のp型陽極領域206の広がりd2は第1のp型陽極領域204の対応する広がりd1より大きい。横方向211は第1の側208に対して平行であり、垂直方向210に対して垂直である。n型陰極領域212は、n型ドリフト領域202の第2の側214でn型ドリフト領域202に接する。n型陰極領域212は第1のp型陽極領域204と第2のp型陽極領域206に共通である。金属または合金等の陰極接触部216はn型陰極領域212に接する。第1のp型陽極領域204は第1の側208において陽極接触部218に電気的に接続される。陽極接触部208は1つまたはいくつかの接触プラグおよび/または1つまたはいくつかの配線を含んでよい。第2のp型陽極領域206はFET220を介し陽極接触部218に電気的に接続される。FET220はソースとドレインの一方としてp型陽極領域206を含む。n型領域221はp型陽極領域206内に配置され第1の側208に接する。チャネル222はn型領域221内の第1の側208に位置する。チャネル222の導電率はチャネル222上に配置されたゲート構造224により制御可能である。ゲート構造224は、ゲート誘電体226例えば、SiO2とゲート電極228例えば、金属、合金またはドープ半導体等の導電性または半導体生材料を含む。FET220のソースとドレインの他方を構成するp型領域230はn型領域221内に配置され第1の側208に接する。FET220のソースとドレイン間の電流の流れは、ゲート電極228にそれぞれの電圧が印加されると、ソースとドレインの一方としての第2のp型陽極領域206とソースとドレインの他方としてのp型領域230との間の第1の側208の横方向211に沿って制御可能である。したがってFET220を介し第2のp型陽極領域206をオンとオフすることによりダイオードの逆回復挙動とオン状態特性に影響を与えることができる。これにより、逆回復挙動とオン状態特性とのトレードオフを改善することができる。第1と第2のp型陽極領域204、206の不純物添加と垂直方向寸法は図2に示す実施形態と異なってもよい。第2のp型陽極領域206の不純物添加のドーズ量は、また、例えば第2のp型陽極領域206内の不純物濃度をそれぞれ増加させることに関連して、第1のp型陽極領域204のn型ドリフト領域202内の深さを第2のp型陽極領域206の深さより大きく設定することにより、第1のp型陽極領域204の不純物添加のドーズ量より大きくしてもよい。第1のp型陽極領域204の不純物添加のドーズ量に対する第2のp型陽極領域206の不純物添加のドーズ量の比は、例えば5~104、5~103、または5~102であってよい。図3は、図2に示す第1のp型陽極領域204第2のp型陽極領域206の線A-A’B-B’に沿ったp型不純物の濃度N1N2のプロファイルの一実施形態の概略グラフを例示する。図2の第1のp型陽極領域204内のp型不純物添加の濃度N1は第2のp型陽極領域206内のp型不純物添加の濃度N2より低い。これにより、第2のp型陽極領域206の陽極効率を第1のp型陽極領域204の陽極効率より大きく設定することができる。濃度N1、N2のプロファイルは、例えばエネルギーとドーズ量等のインプラントパラメータを適切に選択することにより調整されてもよい。図4は、図2に示す実施形態のダイオード200と類似のダイオード400のさらに別の実施形態の一部分の断面を例示する。しかしながらダイオード400はn型陰極領域412に加え第2のn型陰極領域434という点でダイオード200と異なる。第2のn型陰極領域434は第2のp型陽極領域406に対向して配置されるが、第1のp型陽極領域404に対向した領域には存在しない。さらに、n型ドリフト領域402内において、第2のn型陰極領域434は、n型陰極領域412より深く延びる、すなわち第2の側414からn型ドリフト領域402内への垂直方向410に沿った第2のn型陰極領域434の広がりd4はn型陰極領域412の対応する広がりd3より大きい。これにより陰極効率を、第1のp型陽極領域404に対向した領域よりも第2のp型陽極領域406に対向した領域でより大きく設定することができる。一例としてd4は、例えばインプラントエネルギー等のインプラントパラメータを適切に選択することによりd3より大きくなるように調整されてもよい。図5に、図4に示すn型陰極領域412第2のn型陰極領域434の線C-C’D-D’に沿ったn型不純物の濃度N3N4のプロファイルの一実施形態の概略グラフを例示する。図4のn型陰極領域412内のn型不純物の濃度N3は第2のn型陰極領域434内のn型不純物の濃度N4より小さい。これにより陰極効率を、第1のp型陽極領域404に対向した領域よりも第2のp型陽極領域406に対向した領域でより大きく設定することができる。濃度N3、N4のプロファイルは、例えばエネルギーとドーズ量等のインプラントパラメータを適切に選択することにより調整されてもよい。図6は、図2に示す実施形態のダイオード200と類似のダイオード600のさらに別の実施形態の一部分の断面を例示する。しかしながらダイオード600はゲート構造624の寸法によりダイオード200と異なる。図2のダイオード200のゲート構造224の一方の横方向広がりは第2のp型陽極領域206上で終わるが、図6のダイオード600のゲート構造624の対応する横方向の広がりはn型ドリフト領域602上で終わる。この特有の特徴は、電圧ブロッキング能力を有しない単極モードのダイオード600を動作させる際のn型ドリフト領域602内の電荷キャリア濃度のさらなる低減という技術的効果を与える。この単極モードでは、第1の側608においてn型ドリフト領域602とn型領域621間のチャネルに沿った電子流の流れを可能にするように正電圧がゲート電極628に印加される。したがってn型ドリフト領域602内の電荷キャリア濃度を低減しかつ非常に高速でダイオード600を動作させることが可能となる。しかしながら動作が逆回復を続ける前に、ダイオード600は電圧ブロッキング能力を有する動作モードに戻らなければならない例えば、ゲート電極628に印加される電圧を変化させることにより。図7Aに、ダイオード700の別の実施形態の一部分の断面を例示する。ダイオード700は、第1のp型陽極領域704が、第1の側708から垂直方向710に沿ったn型ドリフト領域702内に延びるトレンチ分離部738に横方向に接するという点で図2に示すダイオード200と異なる。トレンチ分離部738は、例えばドライエッチング工程後にトレンチをシリコンの酸化物等の電気絶縁材により充填するなどのエッチング工程によりn型ドリフト領域702内にトレンチをエッチングすることにより形成されてもよい。図7Aの実施形態では、n型ドリフト領域702内において、トレンチ分離部738は第1のp型陽極領域704より深く延びる、すなわちトレンチ分離部738の底面は第1のp型陽極領域704の底面より下にある。他の実施形態によると、トレンチ分離部738の底面はまた、第1のp型陽極領域704の底面より上またはそれと同じレベルに位置してもよい。ダイオード700はさらに、FET720が垂直チャネルトレンチFETであってFET220などの横方向チャネルFETではないという点で図2に示すダイオード200と異なる。FET720のゲート構造724はゲート電極728とトレンチ内に配置された誘電体726とを含む。ソースとドレインの一方を構成する第2のp型陽極領域706と、チャネル722を含むn型領域721と、ソースとドレインの他方を構成するp型領域730と、のそれぞれの側面はゲート構造724に接する。チャネル722の導電率はゲート電極728に印加された電圧により制御可能である。図7Bに、図7Aに示された実施形態のダイオード700と類似のダイオード700’のさらに別の実施形態の一部分の断面を例示する。図7Bのダイオード700’は、n型ドリフト領域702内において、ゲート電極728’が第2のp型陽極領域706より深く延びる、すなわちゲート電極728’の底面は、第2のp型陽極領域706の底面より下に位置するという点で図7Aのダイオード700と異なる。換言すれば、第1の側708に対するゲート電極728’の底面の深さd5は第1の側708に対する第2のp型陽極領域706の底面の深さd6より大きい。図6に示す平面型FET620のゲート電極628と同様に、ゲート電極728’は、電圧ブロッキング能力を有しない単極モードのダイオード700’を動作させる際のn型ドリフト領域702内の電荷キャリア濃度のさらなる低減という技術的な効果を与える。この単極モードでは、トレンチの側壁におけるn型ドリフト領域702とn型領域721間の垂直チャネルに沿った電子流の流れを可能にするように正電圧がゲート電極728’に印加される。したがって、n型ドリフト領域702内の電荷キャリア濃度を低減しかつ非常に高速でダイオード700’を動作させることが可能となる。しかしながら動作が逆回復を続ける前に、ダイオード700’は電圧ブロッキング能力を有する動作モードに戻らなければならない例えば、ゲート電極728’に印加される電圧を変化させることにより。図8Aに、図7Aに示された実施形態のダイオード700と同様なダイオード800の別の実施形態の一部分の断面を例示する。ダイオード800は、ダイオード800が第1のp型陽極領域804に接するトレンチ分離部を欠くという点で図7Aのダイオード700と異なる。その代り、第1のp型陽極領域804は、図2、4、6に示された実施形態と同様なn型ドリフト領域802により囲まれる。図8Bは、図8Aに示された実施形態のダイオード800と同様なダイオード800’のさらに別の実施形態の一部分の断面を例示する。図8Bのダイオード800’は、n型ドリフト領域802内において、ゲート電極828’が第2のp型陽極領域806より深く延びる、すなわちゲート電極828’の底面は、第2のp型陽極領域806の底面より下に位置するという点で図8Aのダイオード800と異なる。換言すれば、第1の側808に対するゲート電極828’の底面の深さd5は第1の側808に対する第2のp型陽極領域806の底面の深さd6より大きい。ゲート電極828’の配置に関連する技術的効果に関しては、図7Bのゲート電極728’と上述の関連説明を参照されたい。他の実施形態によると、ダイオードは、横方向チャネルFETと、トレンチ絶縁部に横方向に接する第1のp型陽極領域と、を含んでよい。第1のp型陽極領域に隣接するトレンチ絶縁部の配置により、この領域のエミッタ効率を低減することができる。スイッチをトレンチFETとして形成すると、チャネル導電率を改善できるかもしれない。図9に、図2、4、6のダイオード200、400、600と類似の、陰極接触部916、n型陰極領域912、n型ドリフト領域902、第2のp型陽極領域906を含むダイオード900のさらに別の実施形態の一部分の断面を例示する。第1のp型陽極領域904、904’はマージドPINショットキーダイオードの一部である。マージドPINショットキーダイオードは、第1の側908上の金属接触部942とそれに接するn型ドリフト領域902間のショットキー接合をさらに含む。金属接触部942は、ダイオード900の第1の陽極接触部918の一部であってもよいし、あるいはそれに電気的に接続されてもよい。金属接触部942はまた、第1のp型陽極領域904、904’に対する電気的接続を与える。したがってマージドPINショットキーダイオードでは、第1のp型陽極領域904、904’と金属接触部942がこのマージドPINショットキーダイオードの陽極を構成する。スイッチSは、第2のp型陽極領域906と陽極接触部918間を電気的に接続または切断する。一実施形態によると、スイッチSはダイオード900の活性領域内に少なくとも部分的に形成されてもよい。別の実施形態によると、スイッチSはダイオード900の活性領域と異なる活性領域内に形成されてもよい。第2の陽極領域906とは異なり、マージドPINショットキーダイオードの陽極を、スイッチSにより作動化または非作動化することができない。マージドPINショットキーダイオードはエミッタ効率を低減させることができるので、開スイッチSと閉スイッチSの動作モード間のダイオード900の効率の差をさらに拡大させてもよい、すなわち、開スイッチSと閉スイッチSの動作モード間の電荷キャリア濃度の差をさらに拡大させてもよい。他の実施形態によると、上記実施形態の半導体領域の導電型は逆であってもよい。したがって上述の陽極が陰極であり、上述の陰極が陽極であってもよい。この場合を図10に模式的に示す。図10に示す実施形態によると、ダイオード100’は陽極Aと陰極Cを含む。陰極Cは第1の陰極C1と第2の陰極C2を含む。第1の陰極C1は陰極接触部図10に図示せずに電気的に接続される。第2の陰極C2は、第2の陰極C2と陰極接触部間を電気的に接続または切断するように構成されたスイッチSを介し陰極接触部に電気的に接続される。図2~9に示された上記実施形態は、n型とp型だけでなく陽極と陰極も交換することにより、ダイオード100’に必要な変更を加える。真下に、下に、下部の、上に、上部の等の空間的相対用語は、1つの構成要素の第2の構成要素に対する位置の説明を簡単にするために使用される。これらの用語は、添付図面に図示したものとは異なる配向に加え装置の様々な配向を包含するように意図されている。さらに第1、第2等の用語はまた、様々な素子、領域、部分等を説明するために使用され、限定することを意図していない。同じ用語は本明細書を通し同じ構成要素を指す。本明細書で使用される際、用語有する、含有する、含む等は、明示された要素または特徴の存在を示すが追加要素または追加特徴を排除しない開放型用語である。単数形式の冠詞は文脈が明確に示さない限り単数だけでなく複数形式のものを含むように意図される。本明細書に記載の様々な実施形態の特徴は特に明記しない限り互いに組み合わせられ得るということを理解すべきである。本明細書で使用される際、用語電気的に接続は構成要素同士が直接接続されなければならないことを意味するように意図されず、電気的に接続された構成要素間に介在構成要素が設けられてもよい。本明細書で使用される際、用語活性領域は、例えばトレンチ分離部または接合分離部等の絶縁により他の領域の半導体領域から電気的に絶縁された装置の半導体領域を指す。本明細書で使用される際、特定の導電型例えば、n型またはp型の用語不純物添加のドーズ量は、例えば適切な方法例えば、イオン注入による単位表面積当たりの半導体本体例えば、ドリフト領域内に導入されるその特定の導電型のドーパントの数を指す。本明細書では特定の実施形態が例示され説明されたが、様々な代替のおよび/または等価な実施形態が本発明の範囲から逸脱することなく、上に示され説明された特定の実施形態を置換し得るということを当業者は理解することになる。本出願は、本明細書で検討された特定の実施形態のあらゆる適合化または変形を網羅するように意図されている。したがって本発明は特許請求の範囲とその等価物だけにより限定されるように意図されている。