"半導体基板上の感光性材料膜に所定のパターンを写真製版するためのマスクの製造方法であって、所望の設計値のパターンにおいて、光近接効果補正を行なうとパターン同士が互いに接近してしまい、マスクパターンとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反していると予測される、互いに接近した接近設計パターンを抽出するステップと、抽出された前記接近設計パターンから求められるパターン間の距離と、露光装置の露光光の波長および開口数から求められる解像度とに基づき、前記接近設計パターンにおいて光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定するステップと、前記補正禁止領域を除いて前記接近設計パターンに光近接効果補正を行なうことにより、補正接近パターンを求めるステップと、前記補正接近パターンに基づいて電子線描画を行なうことにより、所定のマスク材をパターニングするステップとを備えた、マスクの製造方法。前記補正接近パターンを求めるステップでは、前記補正禁止領域を設定する前の前記設計値のパターンに光近接効果補正を行った場合に求められるレジストパターンを目標にして光近接効果補正が行なわれる、請求項1記載のマスクの製造方法。前記補正禁止領域を設定するステップでは、前記設計値のパターンが、互いに直交するX軸とY軸とによるXY平面に配置されているとすると、前記XY平面における前記接近設計パターンの配置関係に基づいて、前記補正禁止領域のX軸方向の長さとY軸方向の長さとが設定される、請求項1または2に記載のマスクの製造方法。前記補正接近パターンを求めるステップでは、前記接近設計パターンに光近接効果補正によるパターン変形を行うステップと前記パターン変形を行なった場合のレジスト形状予測パターンを求めるステップとが、所望のレジストパターンが求められるまで繰り返される、請求項1~3のいずれかに記載のマスクの製造方法。前記補正接近パターンを求めるステップでは、前記接近設計パターンは、パターンのサイズに基づいてあらかじめ設定された量だけ補正される、請求項1~3のいずれかに記載のマスクの製造方法。写真製版のためのマスクの製造に適用される光近接効果補正の補正方法であって、所望の設計値のパターンにおいて、光近接効果補正を行なうとパターン同士が互いに接近してしまい、マスクパターンとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反していると予測される、互いに接近した接近設計パターンを抽出するステップと、抽出された前記接近設計パターンから求められるパターン間の距離と、露光装置の露光光の波長および開口数から求められる解像度とに基づき、前記接近設計パターンにおいて光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定するステップと、前記補正禁止領域を除いて前記接近設計パターンに光近接効果補正を行なうことにより、補正接近パターンを求めるステップとを備えた、光近接効果補正の補正方法。半導体基板の主表面上に被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜の表面にレジストを塗布する工程と、前記レジストに対し、パターン同士が互いに接近した接近マスクパターンを含むマスクにより写真製版処理を施す工程と、写真製版された前記レジストに現像処理を施し、前記接近マスクパターンに対応したレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工膜に加工を施すことによって、前記被加工膜に前記接近マスクパターンに対応した被加工膜パターンを形成する工程とを備え、前記マスクにおける前記接近マスクパターンは、光近接効果補正を行なうとパターン同士が互いに接近してしまい、マスクパターンとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反していると予測されて抽出された接近設計パターンに対して、前記接近設計パターンから求められるパターン間の距離と、露光装置の露光光の波長および開口数から求められる解像度とに基づき、前記接近設計パターンにおいて光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定し、前記補正禁止領域を除いて前記接近設計パターンに光近接効果補正を行なうことにより補正接近パターンを求め、求められた前記補正接近パターンに基づいて電子線描画を行なうことにより形成された、半導体装置の製造方法。前記被加工膜を形成する工程は、第1絶縁膜を形成する工程を含み、前記写真製版処理を施す工程は、前記マスクとして、互いに接近した第1開口マスクパターンと第2開口マスクパターンとを含む第1マスクにより前記レジストに写真製版処理を施す工程を含み、前記被加工膜パターンを形成する工程は、前記第1絶縁膜に前記第1開口マスクパターンに対応した第1開口部を形成するとともに、前記第2開口マスクパターンに対応した第2開口部を形成する工程を含み、所定の前記導電部材を形成する工程は、前記第1開口部内に第1コンタクト部を形成するとともに、前記第2開口部内に第2コンタクト部を形成する工程を含む、請求項7記載の半導体装置の製造方法。前記被加工膜を形成する工程は、第2絶縁膜を形成する工程を含み、前記写真製版処理を施す工程は、前記マスクとして、互いに接近した第1ラインマスクパターンと第2ラインマスクパターンとを含む第2マスクにより前記レジストに写真製版処理を施す工程を含み、前記被加工膜パターンを形成する工程は、前記第2絶縁膜に前記第1ラインマスクパターンに対応した第1溝部を形成するとともに、前記第2ラインマスクパターンに対応した第2溝部を形成する工程を含み、所定の前記導電部材を形成する工程は、前記第1溝部内に第1配線を形成するとともに、前記第2溝部内に第2配線を形成する工程を含む、請求項7記載の半導体装置の製造方法。前記被加工膜を形成する工程は、導電性膜を形成する工程を含み、前記写真製版処理を施す工程は、前記マスクとして、互いに接近した第3ラインマスクパターンと第4ラインマスクパターンとを含む第3マスクにより前記レジストに写真製版処理を施す工程を含み、前記被加工膜パターンを形成する工程は、前記導電性膜に前記第3ラインマスクパターンに対応した第3配線を形成するとともに、前記第4ラインマスクパターンに対応した第4配線を形成する工程を含む、請求項7記載の半導体装置の製造方法。上述したように、マスクは、決定されたパターンのデータに基づいて電子線描画を行うことによって製造される。光近接効果補正を行うことによって、特に、ホールパターン同士が接近している箇所では、設計値のパターンデータに対してホールパターンの開口サイズが大きくなる傾向にあり、また、ラインパターン同士が接近している箇所では、互いに接近するラインパターンの端部のサイズが大きくなる傾向にある。このため、光近接効果補正を行った後のマスクパターンでは、ホールパターン同士、あるいは、ラインパターンの端部同士がさらに接近することになる。パターン同士が接近しすぎているような箇所では、パターン同士がデータ上では離れた状態にあるとしても、そのデータに基づいて電子線描画を行った場合に、マスクとして実際に形成されるパターン同士が繋がってしまう場合があったり、あるいは、精度よく描画できない場合がある。つまり、パターン同士が接近した部分を安定して解像させることができなくなる。このような不具合を事前に回避するために、光近接効果補正を行った後のマスクパターンが、マスクパターンとして実際に安定して形成することが可能かどうか、そのパターンのデータに基づいてチェックが行われる。このチェックは、マスクルールチェックMRC:MaskRuleCheckと称されている。このマスクルールチェックにより、マスクにパターンを安定して解像させることができないと判定される箇所については、解像しうる間隔にまでパターン同士を離すように、該当パターンの部分のエッジを後退させたり、あるいは、該当パターンの一部を削ったりする処理が行われる。すなわち、半導体基板上で所望のレジストパターンが形成されるように決定されたマスクパターンのデータが、マスク製作時の制限からマスク製作前に該当パターンの部分において修正されることになる。なお、この種の技術分野を開示した文献の例として、特許文献1および特許文献2がある。このため、修正されたデータに基づいて作製されたマスクでは、半導体基板上のレジストパターンのサイズが小さくなる等、所望のレジストパターンを得ることができなくなることがあった。また、所望のサイズ等のレジストパターンが得られていないために、十分な焦点深度を確保することができず、たとえば、段差が生じている下地に塗布されたレジストに対して、パターンを精度よく解像させることが困難になることがあった。本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、一つの目的は、設計値のパターンに対応したレジストパターンを半導体基板上に形成することができるマスクの製造方法を提供することであり、他の目的は、そのようなマスクの製造方法に用いられる光近接効果補正の補正方法を提供することであり、さらに他の目的は、そのようなマスクを適用した半導体装置の製造方法を提供することである。本発明に係るマスクの製造方法は、半導体基板上の感光性材料膜に所定のパターンを写真製版するためのマスクの製造方法であって、以下の工程を備えている。所望の設計値のパターンにおいて、光近接効果補正を行なうとパターン同士が互いに接近してしまい、マスクパターンとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反していると予測される、互いに接近した接近設計パターンを抽出する。抽出された接近設計パターンから求められるパターン間の距離と、露光装置の露光光の波長および開口数から求められる解像度とに基づき、接近設計パターンにおいて光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定する。補正禁止領域を除いて接近設計パターンに光近接効果補正を行なうことにより、補正接近パターンを求める。補正接近パターンに基づいて電子線描画を行なうことにより、所定のマスク材をパターニングする。本発明に係る光近接効果補正の補正方法は、写真製版のためのマスクの製造に適用される光近接効果補正の補正方法であって、以下のステップを備えている。所望の設計値のパターンにおいて、光近接効果補正を行なうとパターン同士が互いに接近してしまい、マスクパターンとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反していると予測される、互いに接近した接近設計パターンを抽出する。抽出された接近設計パターンから求められるパターン間の距離と、露光装置の露光光の波長および開口数から求められる解像度とに基づき、接近設計パターンにおいて光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定する。補正禁止領域を除いて接近設計パターンに光近接効果補正を行なうことにより、補正接近パターンを求める。本発明に係る半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。半導体基板の主表面上に被加工膜を形成する。被加工膜の表面にレジストを塗布する。レジストに対し、パターン同士が互いに接近した接近マスクパターンを含むマスクにより写真製版処理を施す。写真製版されたレジストに現像処理を施し、接近マスクパターンに対応したレジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとして被加工膜に加工を施すことによって、被加工膜に接近マスクパターンに対応した被加工膜パターンを形成する。ここで用いるマスクには、光近接効果補正を行なうとパターン同士が互いに接近してしまい、マスクパターンとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反していると予測されて抽出された接近設計パターンに対して、接近設計パターンから求められるパターン間の距離と、露光装置の露光光の波長および開口数から求められる解像度とに基づき、接近設計パターンにおいて光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定し、補正禁止領域を除いて接近設計パターンに光近接効果補正を行なうことにより補正接近パターンを求め、求められた補正近接パターンに基づいて電子線描画を行なうことにより形成されている。本発明に係るマスクの製造方法あるいは光近接効果補正の補正方法によれば、パターン同士が接近し、光近接効果補正を行った後のパターンがマスクルールチェックに違反すると予測されるパターンに対して、光近接効果補正を行う前に、あらかじめ光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定して光近接効果補正を行うことで、マスクルールチェックに違反することなく、半導体基板上に目標とされる被加工膜のパターニング形状を得ることができる。上記と同様の効果を有するパターン補正は、モデルベースOPC処理において初期の分割辺長を非常に細かくすることでも可能となる。しかしながら、その場合には、OPC処理に膨大な時間を要し、また、描画データも膨大になり、さらに、マスク描画にも膨大な時間を要することとなるため、現実的ではない。一方、本発明では、接近設計パターンにのみに対して従来と異なる処理をしているため、そのような問題がない。また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、上述したマスクを適用してレジストにホールパターンやラインパターン等を形成する際に、所望のレジストパターンが得られるとともに、焦点深度を確保することができて写真製版処理におけるプロセスマージンを上げることができる。実施の形態1ここでは、マスクを製造する際に用いる設計値のパターンデータに対して行う光近接効果補正の補正方法と、それを用いたマスクの製造方法の概要について、モデルベースOPCを例に挙げて説明する。光近接効果補正の補正方法のフローチャートを図1に示す。図1に示すように、ステップS1では、光近接効果補正を行うとパターン同士が互いに接近してしまい、その接近した部分においてマスクパターンとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反していると予測される、互いに接近した接近設計パターンが抽出される。次に、ステップS2では、抽出された接近設計パターンが、ホールパターンである場合とラインパターンである場合とに分けられる。次に、抽出された接近設計パターンに対して光近接効果補正を行わない補正禁止領域が設定される。これについて、まず、接近設計パターンがホールパターンである場合について説明する。図2に示すように、抽出された接近設計パターンとして、一辺の長さHAのホールパターンDHAと、一辺の長さHBのホールパターンDHBとを想定する。この一辺の長さHAHBは、目標とされる設計値のホールの開口径に相当する。次に、ステップS3では、図2上段に示すように、ホールパターンDHAとホールパターンDHBにおいて、互いに最も接近しているコーナ間の距離Sが算出される。また、ホールパターンDHAの中心とホールパターンDHBの中心との距離ピッチPが算出される。さらに、露光装置の露光光の波長λ、開口数NAおよびプロセス依存パラメータk1に基づいて、解像度Rek1×λ/NAが算出される。次に、ステップS4では、たとえば、ピッチPが解像度Reの50以上であり、かつ、距離Sがホールパターンの一辺長さHAHBの3倍以下であるか否かが判断される。この条件を満たす場合には、ステップS7において、図2中段に示すように、ホールパターンDHAに対して補正禁止領域PRAが設定され、ホールパターンDHBに対して補正禁止領域PRBが設定される。補正禁止領域PRA,PRBは、XY平面におけるホールパターンDHAとホールパターンDHBの配置関係によって、そのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが決定される。具体的には、補正禁止領域PRAのX軸方向の長さAXとY軸方向の長さAYとが同じ長さに設定される場合と、X軸方向の長さAXとY軸方向の長さAYとが互いに異なる長さに設定される場合とがあり、その長さとして、たとえば、2nm~2/3×HAnm程度の長さに設定される。また、補正禁止領域PRBのX軸方向の長さBXとY軸方向の長さBYとが同じ長さに設定される場合と、X軸方向の長さBXとY軸方向の長さBYとが互いに異なる長さに設定される場合とがあり、その長さとして、たとえば、2nm~2/3×HBnm程度の長さに設定される。次に、ステップS8では、補正禁止領域PRA,PRBを除いて、ホールパターンDHAとホールパターンDHBに対して光近接効果補正が行われる。次に、ステップS9では、光近接効果補正されたホールパターンに基づいて、レジストパターンの形状シミュレーションが行われる。次に、ステップS10では、形状シミュレーションによって求められたレジストパターンが、設計値に基づく所望のレジストパターンと十分等価であるか否かが判断される。所望のレジストパターンが求められていない場合には、所望のレジストパターンが求められるまで、ステップS8とステップS9とが繰り返される。こうして、図2下段に示すように、ホールパターンDHAに対し、補正禁止領域PRAを除いて補正ホールパターンCHAが求められ、ホールパターンDHBに対し、補正禁止領域PRBを除いて補正ホールパターンCHBが求められる。補正ホールパターンCHAに基づいて求められるレジストパターンRHAの形状は、補正禁止領域PRAを設定する前のホールパターンDHAに基づいて求められる、ホールパターンDHAの4辺に内接するレジストパターンの形状とほぼ一致する。また、補正ホールパターンCHBに基づいて求められるレジストパターンRHBの形状は、補正禁止領域PRBを設定する前のホールパターンDHBに基づいて求められる、ホールパターンDHBの4辺に内接するレジストパターンの形状とほぼ一致する。以上のようにして、互いに接近するホールパターンの光近接効果補正の最適化が完了するステップS11。次に、互いに接近するパターンがラインパターンである場合について説明する。図3に示すように、抽出された接近設計パターンとして、幅WAのラインパターンDLAと幅WBのラインパターンDLBとを想定する。この幅WAWBは、目標とされる設計値のラインの幅に相当する。次に、ステップS5では、図3上段に示すように、ラインパターンDLAとラインパターンDLBにおいて、互いに最も接近しているコーナ間の距離Sが算出される。また、露光装置の露光光の波長λ、開口数NAおよびプロセス依存パラメータk1に基づいて、解像度Rek1×λ/NAが算出される。次に、ステップS6では、たとえば、距離Sが、解像度Reの50以上で300以下であるか否かが判断される。この条件を満たす場合には、ステップS7において、図3中段に示すように、ラインパターンDLAに対して補正禁止領域PRAが設定され、ラインパターンDLBに対して補正禁止領域PRBが設定される。補正禁止領域PRA,PRBは、XY平面におけるラインパターンDLAとラインパターンDLBの配置関係によって、そのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが決定される。具体的には、補正禁止領域PRAのX軸方向の長さAXとY軸方向の長さAYとが同じ長さに設定される場合と、X軸方向の長さAXとY軸方向の長さAYとが互いに異なる長さに設定される場合とがあり、その長さとして、たとえば、2nm~2/3×WAnm程度の長さに設定される。また、補正禁止領域PRBのX軸方向の長さBXとY軸方向の長さBYとが同じ長さに設定される場合と、X軸方向の長さBXとY軸方向の長さBYとが互いに異なる長さに設定される場合とがあり、その長さとして、たとえば、2nm~2/3×WBnm程度の長さに設定される。次に、ステップS8では、補正禁止領域PRA,PRBを除いて、ラインパターンDLAとラインパターンDLBに対して光近接効果補正が行われる。次に、ステップS9では、光近接効果補正されたラインパターンに基づいて、レジストパターンの形状シミュレーションが行われる。次に、ステップS10では、形状シミュレーションによって求められたレジストパターンが、設計値に基づく所望のレジストパターンと十分等価であるか否かが判断される。所望のレジストパターンが求められていない場合には、所望のレジストパターンが求められるまで、ステップS8とステップS9が繰り返される。こうして、図3下段に示すように、ラインパターンDLAに対し、補正禁止領域PRAを除いて補正ラインパターンCLAが求められ、ラインパターンDLBに対し、補正禁止領域PRBを除いて補正ラインパターンCLBが求められる。補正ラインパターンCLAに基づいて求められるレジストパターンRLAの形状は、補正禁止領域PRAを設定する前のラインパターンDLAに基づいて求められる、ラインパターンDLAの長手方向の辺と端部の辺とに接するレジストパターンの形状とほぼ一致する。また、補正ラインパターンCLBに基づいて求められるレジストパターンRLBの形状は、補正禁止領域PRBを設定する前のラインパターンDLBに基づいて求められる、ラインパターンDLBの長手方向の辺と端部の辺に接するレジストパターンの形状とほぼ一致する。以上のようにして、互いに接近するラインパターンの光近接効果補正の最適化が完了するステップS11。マスクは、光近接効果補正の最適化が完了したホールパターンあるいはラインパターンを含む所望のパターンのデータに基づき、遮光膜上の電子線露光用レジスト膜に電子線を走査させることによってそのパターンを描画して所定の現像処理を施し、遮光膜マスク材にエッチング処理を施すことによって形成されるステップS12。上述した光近接効果補正の補正方法を適用して製造されたマスクでは、マスクルールチェックに違反することなく、目標とされる設計値から所望されるレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状を得ることができる。このことについて、比較例に係るマスクの製造方法との関係で説明する。まず、ホールパターンの場合について説明する。図4上段に示すように、互いに接近している設計ホールパターンDHAと設計ホールパターンDHBとに光近接効果補正を行い、補正ホールパターンCCHAと補正ホールパターンCCHBが求められる。このとき、補正ホールパターンCCHAと補正ホールパターンCCHBとをマスクとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反することになる場合点線枠内には、マスクルールチェックに違反しないように、パターンの修正が行われる。すなわち、図4中段に示すように、補正ホールパターンCCHAでは、補正ホールパターンCCHBに対向している側のパターンCAXYを、補正ホールパターンCCHBから離れるように後退させる。一方、補正ホールパターンCCHBでは、補正ホールパターンCCHAに対向している側のパターンCBXYを、補正ホールパターンCCHAから離れるように後退させる。このため、当初、設計ホールパターンDHADHBの4辺に内接するレジストパターンが得られるように、補正ホールパターンCCHACCHBが設定されていても、図4下段に示すように、たとえば、ホールパターンDHADHBのうち少なくとも2辺については内接しない点線枠レジストパターンCRHACRHBが形成されることになり、所望のレジストパターンを得ることができなくなる。次に、ラインパターンの場合について説明する。図5上段に示すように、互いに接近している設計ラインパターンDLAと設計ラインパターンDLBとに光近接効果補正を行い、補正ラインパターンCCLAと補正ラインパターンCCLBが求められる。このとき、補正ラインパターンCCLAと補正ラインパターンCCLBとをマスクとして安定して解像させることができず、マスクルールチェックに違反することになる場合点線枠内には、特許文献1,2の手法でマスクルールチェックに違反しないように、パターンの修正が行われる。すなわち、図5中段に示すように、補正ラインパターンCCLAでは、補正ラインパターンCCLBに対向している側のパターンCAXYを、補正ラインパターンCCLBから離れるように後退させる。一方、補正ラインパターンCCLBでは、補正ラインパターンCCLAに対向している側のパターンCBXYを、補正ラインパターンCCLAから離れるように後退させる。このため、当初、設計ラインパターンDLADLBにおける長手方向の2辺と端部の辺に接するレジストパターンが得られるように、補正ラインパターンCCLACCLBが設定されていても、図5下段に示すように、たとえば、設計ラインパターンDLADLBにおける長手方向の2辺だけに接して端部の辺には接しない点線枠レジストパターンCRLACRLBが形成されることになり、所望のレジストパターンを得ることができなくなる。このように、比較例に係るマスクの製造方法における、互いに接近しているホールパターンあるいはラインパターンでは、マスクルールチェックに違反しないように、マスクのパターンの一部を修正したため、目標とされる設計値の所望のレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状を得ることができない。これに対して、上述したマスクの製造方法では、パターン同士が接近し、光近接効果補正を行った後のパターンがマスクルールチェックに違反すると予測されるパターンに対して、光近接効果補正を行う前に、あらかじめ光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定して光近接効果補正を行うことで、マスクルールチェックに違反することなく、目標とされる設計値のレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状を得ることができる。実施の形態2ここでは、より具体的なマスクの製造方法の第1例について説明する。図6に示すように、まず、光近接効果補正を行うとマスクルールチェックに違反していると予測される互いに接近したホールパターンとして、一辺の長さHA=75nmのホールパターンDHAと、一辺の長さHB=75nmのホールパターンDHBとを想定する。また、ホールパターンDHAの中心とホールパターンDHBの中心とを結ぶ線分と、X軸とのなす角度θ1を45°と想定する。次に、ホールパターンDHAとホールパターンDHBにおいて、互いに最も接近しているコーナ間の距離S=21nmが算出される。また、ホールパターンDHAの中心とホールパターンDHBの中心との距離ピッチPが算出される。さらに、露光装置の露光光の波長λ、開口数NAおよびプロセス依存パラメータk1に基づいて、解像度Rek1×λ/NAが算出される。次に、たとえば、ピッチPが解像度Reの50以上であり、かつ、距離Sがホールパターンの一辺長さHAHBの3倍以下であるか否かが判断される。この条件を満たす場合には、図7に示すように、ホールパターンDHAに対して補正禁止領域PRAが設定され、ホールパターンDHBに対して補正禁止領域PRBが設定される。補正禁止領域PRA,PRBは、XY平面におけるホールパターンDHAとホールパターンDHBの配置関係によって、そのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが決定される。この場合、角度θ1が45°であることで、補正禁止領域PRAのX軸方向の長さAXとY軸方向の長さAYは同じ長さ10nmに設定され、また、補正禁止領域PRBのX軸方向の長さBXとY軸方向の長さBYも同じ長さ10nmに設定される。次に、補正禁止領域PRA,PRBを除いて、ホールパターンDHAとホールパターンDHBに対して光近接効果補正が行われ、次に、その光近接効果補正されたホールパターンに基づいて、レジストパターンの形状シミュレーションが行われる。前述したように、モデルベースOPCでは、目標とされる設計値のレジストパターンが求められるまで、このパターン変形とレジストパターンの形状シミュレーションとが繰り返される。こうして、図8に示すように、ホールパターンDHAに対し、補正禁止領域PRAを除いて補正ホールパターンCHAが求められ、ホールパターンDHBに対し、補正禁止領域PRBを除いて補正ホールパターンCHBが求められる。次に、求められた補正ホールパターンCHAのデータと、補正ホールパターンCHBのデータとに基づき、電子線描画を行うことによってマスクが製造される。まず、ガラス板の表面に形成された遮光膜上の電子線露光用レジスト膜に、そのデータに基づいて電子線を走査させることによって、補正ホールパターンCHAと補正ホールパターンCHBとを含む所定のパターンが描画される。次に、電子線露光用レジスト膜に所定の現像処理を施すことによって、補正ホールパターンCHAと補正ホールパターンCHBとに対応したレジストパターンが形成される。次に、そのレジストパターンをマスクとして遮光膜にエッチングを施すことにより、図9に示すように、遮光膜SFに、補正ホールパターンCHAに対応したマスクホールパターンMHAと、補正ホールパターンCHBに対応したマスクホールパターンMHBとが形成されたマスクMが製造される。こうして製造されたマスクMを用いて、半導体基板の上に塗布されたレジストに写真製版処理と現像処理を施すことで、図10に示すように、レジストポジレジストRには、レジストパターンRHAとレジストパターンRHBとが形成されることになる。上述したマスクの製造方法では、パターン同士が接近し、光近接効果補正を行った後のパターンがマスクルールチェックに違反すると予測されるパターンに対して、光近接効果補正を行う前に、パターン同士の配置関係に基づいて、あらかじめ光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定して光近接効果補正を行う。特に、この場合には、角度θ1が45°であることで、補正禁止領域PRA,PRBのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが同じ長さに設定される。これにより、マスクルールチェックに違反することなく、目標とされるレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状が得られるマスクを得ることができる。また、上述したマスクでは、設計値に基づく所望のレジストパターンが得られることで、焦点深度DOF:DepthOfFocusを確保することができる。このことについて、従来例を交えて説明する。図11は、CD値とデフォーカス量との関係を示すグラフである。実施例は、上述した、補正禁止領域PRA,PRBのX軸方向の長さとY軸方向の長さを10nmとしたマスクの場合の結果である。従来例は、図4に示される手法により製造されるマスクの場合の結果である。図11に示されるように、たとえば、目標とするCD値を75nmとすると、実施例四角では、この目標とするCD値を達成できていることがわかる。また、実施例では、ジャストフォーカス0nmを中心として、CD値の下がり方がなだらかであり、十分な焦点深度を確保できることがわかる。これに対して、従来例三角では、目標とするCD値を達成することができず、また、ジャストフォーカス0nmを中心として、CD値の下がり方が、実施例の場合に比べてより急峻になっており、焦点深度を十分に確保できないことがわかる。実施の形態3ここでは、より具体的なマスクの製造方法の第2例について説明する。図12に示すように、まず、光近接効果補正を行うとマスクルールチェックに違反していると予測される互いに接近したホールパターンとして、一辺の長さHA=75nmのホールパターンDHAと一辺の長さHB=75nmのホールパターンDHBとを想定する。また、ホールパターンDHAの中心とホールパターンDHBの中心とを結ぶ線分と、X軸とのなす角度θ2を35°と想定する。次に、ホールパターンDHAとホールパターンDHBにおいて、互いに最も接近しているコーナ間の距離S=16nmが算出される。また、ホールパターンDHAの中心とホールパターンDHBの中心との距離ピッチPが算出される。さらに、露光装置の露光光の波長λ、開口数NAおよびプロセス依存パラメータk1に基づいて、解像度Rek1×λ/NAが算出される。次に、たとえば、ピッチPが解像度Reの50以上であり、かつ、距離Sがホールパターンの一辺長さHAHBの3倍以下であるか否かが判断される。この条件を満たす場合には、図13に示すように、ホールパターンDHAに対して補正禁止領域PRAが設定され、ホールパターンDHBに対して補正禁止領域PRBが設定される。補正禁止領域PRA,PRBは、XY平面におけるホールパターンDHAとホールパターンDHBの配置関係によって、そのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが決定される。この場合、角度θ2が35°であることで、補正禁止領域PRAのX軸方向の長さAX40nmは、Y軸方向の長さAY10nmよりも長く設定され、また、補正禁止領域PRBのX軸方向の長さBX40nmは、Y軸方向の長さBY10nmよりも長く設定される。次に、補正禁止領域PRA,PRBを除いて、ホールパターンDHAとホールパターンDHBに対して光近接効果補正が行われ、次に、その光近接効果補正されたホールパターンに基づいて、レジストパターンの形状シミュレーションが行われる。前述したように、モデルベースOPCでは、目標とされるレジストパターンが求められるまで、このパターン変形とレジストパターンの形状シミュレーションとが繰り返される。こうして、図14に示すように、ホールパターンDHAに対し、補正禁止領域PRAを除いて補正ホールパターンCHAが求められ、ホールパターンDHBに対し、補正禁止領域PRBを除いて補正ホールパターンCHBが求められる。次に、求められた補正ホールパターンCHAのデータと、補正ホールパターンCHBのデータとに基づき、ガラス板の表面に形成された遮光膜上の電子線露光用レジスト膜に電子線を走査させることによって、補正ホールパターンCHAと補正ホールパターンCHBとを含む所定のパターンが描画される。次に、電子線露光用レジスト膜に所定の現像処理を施すことによって、補正ホールパターンCHAと補正ホールパターンCHBとに対応したレジストパターンが形成される。次に、そのレジストパターンをマスクとして遮光膜にエッチングを施すことにより、図15に示すように、遮光膜SFに、補正ホールパターンCHAに対応したマスクホールパターンMHAと、補正ホールパターンCHBに対応したマスクホールパターンMHBとが形成されたマスクMが製造される。こうして製造されたマスクMを用いて、半導体基板の上に塗布されたレジストに写真製版処理と現像処理を施すことで、図16に示すように、レジストポジレジストRには、レジストパターンRHAとレジストパターンRHBとが形成されることになる。上述したマスクの製造方法では、パターン同士が接近し、光近接効果補正を行った後のパターンがマスクルールチェックに違反すると予測されるパターンに対して、光近接効果補正を行う前に、パターン同士の配置関係に基づいて、あらかじめ光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定して光近接効果補正を行う。特に、この場合には、角度θ2が35°であることで、補正禁止領域PRA,PRBのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが異なる長さに設定される。これにより、マスクルールチェックに違反することなく、目標とされるレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状が得られるマスクを得ることができる。また、設計値に基づく所望のレジストパターンが得られることで、十分な焦点深度を確保することができる。実施の形態4ここでは、より具体的なマスクの製造方法の第3例について説明する。図17に示すように、まず、光近接効果補正を行うとマスクルールチェックに違反していると予測される互いに接近したラインパターンとして、幅WAのラインパターンDLAと、幅WBのラインパターンDLBとを想定する。また、ラインパターンDLAとラインパターンDLBにおいて、互いに最も接近しているコーナとコーナとを結ぶ線分と、X軸とのなす角度θ1を45°と想定する。次に、ラインパターンDLAとラインパターンDLBにおいて、互いに最も接近しているコーナ間の距離Sが算出される。また、露光装置の露光光の波長λ、開口数NAおよびプロセス依存パラメータk1に基づいて、解像度Rek1×λ/NAが算出される。次に、たとえば、距離Sが解像度Reの50以上で300以下であるか否かが判断される。この条件を満たす場合には、図18に示すように、ラインパターンDLAに対して補正禁止領域PRAが設定され、ラインパターンDLBに対して補正禁止領域PRBが設定される。補正禁止領域PRA,PRBは、XY平面におけるラインパターンDLAとラインパターンDLBの配置関係によって、そのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが決定される。この場合、角度θ1が45°であることで、補正禁止領域PRAのX軸方向の長さAXとY軸方向の長さAYは同じ長さに設定され、また、補正禁止領域PRBのX軸方向の長さBXとY軸方向の長さBYも同じ長さに設定される。次に、補正禁止領域PRA,PRBを除いて、ラインパターンDLAとラインパターンDLBに対して光近接効果補正が行われ、次に、その光近接効果補正されたラインパターンに基づいて、レジストパターンの形状シミュレーションが行われる。前述したように、モデルベースOPCでは、目標とされるレジストパターンが求められるまで、このパターン変形とレジストパターンの形状シミュレーションとが繰り返される。こうして、図19に示すように、ラインパターンDLAに対し、補正禁止領域PRAを除いて補正ラインパターンCLAが求められ、ラインパターンDLBに対し、補正禁止領域PRBを除いて補正ラインパターンCLBが求められる。次に、求められた補正ラインパターンCLAのデータと、補正ラインパターンCLBのデータとに基づき、電子線描画を行うことによってマスクが製造される。まず、ガラス板の表面に形成された遮光膜上の電子線露光用レジスト膜に、そのデータに基づいて電子線を走査させることによって、補正ラインパターンCLAと補正ラインパターンCLBとを含む所定のパターンが描画される。次に、電子線露光用レジスト膜に所定の現像処理を施すことによって、補正ラインパターンCLAと補正ラインパターンCLBとに対応したレジストパターンが形成される。次に、そのレジストパターンをマスクとして遮光膜にエッチングを施すことにより、図20に示すように、遮光膜SFに、補正ラインパターンCLAに対応したマスクラインパターンMLAと、補正ラインパターンCLBに対応したマスクラインパターンMLBとが形成されたマスクMが製造される。こうして製造されたマスクMを用いて、半導体基板の上に塗布されたレジストに写真製版処理と現像処理を施すことで、図21に示すように、レジストポジレジストRには、レジストパターンRLAとレジストパターンRLBとが形成されることになる。上述したマスクの製造方法では、パターン同士が接近し、光近接効果補正を行った後のパターンがマスクルールチェックに違反すると予測されるパターンに対して、光近接効果補正を行う前に、パターン同士の配置関係に基づいて、あらかじめ光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定して光近接効果補正を行う。特に、この場合には、角度θ1が45°であることで、補正禁止領域PRA,PRBのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが同じ長さに設定される。これにより、マスクルールチェックに違反することなく、目標とされるレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状が得られるマスクを得ることができる。また、設計値に基づく所望のレジストパターンが得られることで、十分な焦点深度を確保することができる。実施の形態5ここでは、より具体的なマスクの製造方法の第4例について説明する。図22に示すように、まず、光近接効果補正を行うとマスクルールチェックに違反していると予測される互いに接近したラインパターンとして、幅WAのラインパターンDLAと、幅WBのラインパターンDLBとを想定する。また、ラインパターンDLAとラインパターンDLBにおいて、互いに最も接近しているコーナとコーナとを結ぶ線分と、X軸とのなす角度θ2を45°よりも小さい角度と想定する。次に、ラインパターンDLAとラインパターンDLBにおいて、互いに最も接近しているコーナ間の距離Sが算出される。また、露光装置の露光光の波長λ、開口数NAおよびプロセス依存パラメータk1に基づいて、解像度Rek1×λ/NAが算出される。次に、たとえば、距離Sが解像度Reの50以上で300以下であるか否かが判断される。この条件を満たす場合には、図23に示すように、ラインパターンDLAに対して補正禁止領域PRAが設定され、ラインパターンDLBに対して補正禁止領域PRBが設定される。補正禁止領域PRA,PRBは、XY平面におけるラインパターンDLAとラインパターンDLBの配置関係によって、そのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが決定される。この場合、角度θ2が45°よりも小さい角度であることで、補正禁止領域PRAのY軸方向の長さAYの長さが、X軸方向の長さAXの長さよりも長く設定される。また、補正禁止領域PRBのY軸方向の長さBYの長さは、X軸方向の長さBXの長さよりも長く設定される。次に、補正禁止領域PRA,PRBを除いて、ラインパターンDLAとラインパターンDLBに対して光近接効果補正が行われ、次に、その光近接効果補正されたラインパターンに基づいて、レジストパターンの形状シミュレーションが行われる。前述したように、モデルベースOPCでは、目標とされるレジストパターンが求められるまで、このパターン変形とレジストパターンの形状シミュレーションとが繰り返される。こうして、図24に示すように、ラインパターンDLAに対し、補正禁止領域PRAを除いて補正ラインパターンCLAが求められ、ラインパターンDLBに対し、補正禁止領域PRBを除いて補正ラインパターンCLBが求められる。次に、求められた補正ラインパターンCLAのデータと、補正ラインパターンCLBのデータとに基づき、電子線描画を行うことによってマスクが製造される。まず、ガラス板の表面に形成された遮光膜上の電子線露光用レジスト膜に、そのデータに基づいて電子線を走査させることによって、補正ラインパターンCLAと補正ラインパターンCLBとを含む所定のパターンが描画される。次に、電子線露光用レジスト膜に所定の現像処理を施すことによって、補正ラインパターンCLAと補正ラインパターンCLBとに対応したレジストパターンが形成される。次に、そのレジストパターンをマスクとして遮光膜にエッチングを施すことにより、図25に示すように、遮光膜SFに、補正ラインパターンCLAに対応したマスクラインパターンMLAと、補正ラインパターンCLBに対応したマスクラインパターンMLBとが形成されたマスクMが製造される。こうして製造されたマスクMを用いて、半導体基板の上に塗布されたレジストに写真製版処理と現像処理を施すことで、図26に示すように、レジストポジレジストRには、レジストパターンRLAとレジストパターンRLBとが形成されることになる。上述したマスクの製造方法では、パターン同士が接近し、光近接効果補正を行った後のパターンがマスクルールチェックに違反すると予測されるパターンに対して、光近接効果補正を行う前に、パターン同士の配置関係に基づいて、あらかじめ光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定して光近接効果補正を行う。特に、この場合には、角度θ2が45°よりも小さい角度であることで、補正禁止領域PRA,PRBのY軸方向の長さがX軸方向の長さよりも長く設定される。これにより、マスクルールチェックに違反することなく、目標とされるレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状が得られるマスクを得ることができる。また、設計値に基づく所望のレジストパターンが得られることで、十分な焦点深度を確保することができる。実施の形態6ここでは、より具体的なマスクの製造方法の第5例について説明する。図27に示すように、まず、光近接効果補正を行うとマスクルールチェックに違反していると予測される互いに接近したラインパターンとして、幅WAのラインパターンDLAと、幅WBのラインパターンDLBとを想定する。また、ラインパターンDLAとラインパターンDLBにおいて、互いに最も接近しているコーナとコーナとを結ぶ線分と、X軸とのなす角度θ3を45°よりも小さい角度と想定する。次に、ラインパターンDLAとラインパターンDLBにおいて、互いに最も接近しているコーナ間の距離Sが算出される。また、露光装置の露光光の波長λ、開口数NAおよびプロセス依存パラメータk1に基づいて、解像度Rek1×λ/NAが算出される。次に、たとえば、距離Sが解像度Reの50以上で300以下であるか否かが判断される。この条件を満たす場合には、図28に示すように、ラインパターンDLAに対して補正禁止領域PRAが設定され、ラインパターンDLBに対して補正禁止領域PRBが設定される。補正禁止領域PRA,PRBは、XY平面におけるラインパターンDLAとラインパターンDLBの配置関係によって、そのX軸方向の長さとY軸方向の長さとが決定される。この場合、角度θ3が45°よりも小さい角度であること、そして、ラインパターンDLAとラインパターンDLBとの双方がX軸に平行に配置されていることから、補正禁止領域PRAのX軸方向の長さAXの長さが、Y軸方向の長さAYの長さよりも長く設定される。また、補正禁止領域PRBのX軸方向の長さBXの長さは、Y軸方向の長さBYの長さよりも長く設定される。次に、補正禁止領域PRA,PRBを除いて、ラインパターンDLAとラインパターンDLBに対して光近接効果補正が行われ、次に、その光近接効果補正されたラインパターンに基づいて、レジストパターンの形状シミュレーションが行われる。前述したように、モデルベースOPCでは、目標とされるレジストパターンが求められるまで、このパターン変形とレジストパターンの形状シミュレーションとが繰り返される。こうして、図29に示すように、ラインパターンDLAに対し、補正禁止領域PRAを除いて補正ラインパターンCLAが求められ、ラインパターンDLBに対し、補正禁止領域PRBを除いて補正ラインパターンCLBが求められる。次に、求められた補正ラインパターンCLAのデータと、補正ラインパターンCLBのデータとに基づき、電子線描画を行うことによってマスクが製造される。まず、ガラス板の表面に形成された遮光膜上の電子線露光用レジスト膜に、そのデータに基づいて電子線を走査させることによって、補正ラインパターンCLAと補正ラインパターンCLBとを含む所定のパターンが描画される。次に、電子線露光用レジスト膜に所定の現像処理を施すことによって、補正ラインパターンCLAと補正ラインパターンCLBとに対応したレジストパターンが形成される。次に、そのレジストパターンをマスクとして遮光膜にエッチングを施すことにより、図30に示すように、遮光膜SFに、補正ラインパターンCLAに対応したマスクラインパターンMLAと、補正ラインパターンCLBに対応したマスクラインパターンMLBとが形成されたマスクMが製造される。こうして製造されたマスクMを用いて、半導体基板の上に塗布されたレジストに写真製版処理と現像処理を施すことで、図31に示すように、レジストポジレジストRには、レジストパターンRLAとレジストパターンRLBとが形成されることになる。上述したマスクの製造方法では、パターン同士が接近し、光近接効果補正を行った後のパターンがマスクルールチェックに違反すると予測されるパターンに対して、光近接効果補正を行う前に、パターン同士の配置関係に基づいて、あらかじめ光近接効果補正を行わない補正禁止領域を設定して光近接効果補正を行う。特に、この場合には、角度θ3が45°よりも小さい角度であり、そして、ラインパターンDLAとラインパターンDLBとの双方がX軸に平行に配置されていることから、補正禁止領域PRAのX軸方向の長さAXの長さが、Y軸方向の長さAYの長さよりも長く設定される。また、補正禁止領域PRBのX軸方向の長さBXの長さは、Y軸方向の長さBYの長さよりも長く設定される。これにより、マスクルールチェックに違反することなく、目標とされる設計値のレジストパターン半導体基板上の被加工膜のパターニング形状が得られるマスクを得ることができる。また、設計値に基づく所望のレジストパターンが得られることで、十分な焦点深度を確保することができる。なお、上述した各ラインパターンを含むマスク図20、図25、図30の場合、たとえば、ダマシン法により銅配線を形成するための配線溝等を形成する際に用いることが可能である。一方、図20、図25および図30のそれぞれに示されるマスクに対して、遮光膜を残す部分と除去する部分とが反転するように遮光膜をパターニングしたマスクでは、たとえば、ゲート配線等を形成するのに用いることが可能である。また、上述した各実施の形態において、補正禁止領域PRA,PRBを設定するか否かの条件は一例であって、マスクの製造プロセス等によって適切な値に設定される。さらに、上述した各実施の形態では、補正禁止領域PRA,PRBを設定した後に、モデルベースOPCに基づいて、補正ホールパターンCHA,CHB、あるいは、補正ラインパターンCLA.CLBを求める場合について説明したが、ルールベースOPCにより、あらかじめ設定された補正量だけデータを補正することによって、補正ホールパターン、あるいは、補正ラインパターンを求めるようにしてもよい。実施の形態7ここでは、上述したマスクを適用した半導体装置の製造方法の一例として、図32に示される半導体装置の平面レイアウト設計値に基づいて説明する。ホールパターンを含むマスクは、向かって右側の点線枠内に示される、互いに接近するコンタクトプラグCH1,CH2を形成する際に、層間絶縁膜に開口部を形成する際のレジストのパターニングに適用される。この場合、図33に示すように、半導体基板1の表面に配置されたトランジスタTR等を覆う層間絶縁膜3の表面にレジストポジレジストRECが塗布され、そのレジストRECに対して、前述したホールパターンを含むマスクによって写真製版処理を施し、さらに現像処理を施すことによって、レジストRECには、互いに接近したレジストパターンRH1とレジストパターンRH2とが形成される。その後、レジストRECをマスクとして、層間絶縁膜3に異方性エッチングを施すことにより開口部図示せずが形成され、その開口部内に、所定の導電性部材を充填することにより、コンタクトプラグCH1,CH2が形成される。一方、ラインパターンを含むマスクは、向かって左側の点線枠内に示される、互いに接近する配線ML1,ML2を形成する際に、層間絶縁膜に配線溝を形成する際のレジストのパターニングに適用される。この場合、図34に示すように、層間絶縁膜3を覆うレジストポジレジストRECに対して、前述したラインパターンを含むマスク図30参照によって写真製版処理を施し、さらに、現像処理を施すことによって、レジストRELには、互いに接近したレジストパターンRL1とレジストパターンRL2とが開口パターン抜きパターンとして形成される。その後、レジストRELをマスクとして、層間絶縁膜3に異方性エッチングを施すことにより配線溝図示せずが形成され、その配線溝を充填するように銅膜等を形成し、さらに、その銅膜に化学的機械研磨処理を施すことによって、配線ML1,ML2が形成される。また、ラインパターンを含むマスクとして、図20、図25および図30のそれぞれに示されるマスクに対して、遮光膜を残す部分と除去する部分とが反転するように遮光膜をパターニングしたマスクを用いて写真製版処理と現像処理を施してもよい。この場合には、図35に示すように、導電性膜4の表面に塗布されたレジストRELには、レジストがライン状に残されたレジストパターンRL1,RL2が形成される。その後、レジストRELをマスクとして、導電性膜4に異方性エッチングを施すことにより、配線ML1,ML2が形成される。また、このような態様のラインパターンを含むマスクでは、図32に示される電極配線ELを形成する際に適用することが可能である。上述したマスクを適用した半導体装置の製造方法では、設計値に基づく所望のレジストパターンが得られることで、焦点深度を確保することができる。その結果、下地の段差等のプロセスのばらつきに対して、写真製版処理のマージンを上げることができる。今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。"