"ガラス台座と、前記ガラス台座上に配置された半導体台座と、前記半導体台座上に配置された半導体圧力センサと、を備え、前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和に対する、前記ガラス台座の高さの比が、0.5乃至0.9である、圧力測定器。前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和に対する、前記ガラス台座の高さの比が、0.6乃至0.8である、請求項1に記載の圧力測定器。前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和が、3.0ミリメートル以上である、請求項1又は2に記載の圧力測定器。前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和が、3.5ミリメートル以上である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧力測定器。前記ガラス台座の前記半導体台座の底面に接する上面の外縁に段が設けられている、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の圧力測定器。前記ガラス台座の直径に対する前記段の奥行きの比が、0.03以上0.06以下である、請求項5に記載の圧力測定器。前記ガラス台座が、第1の直径を有する第1の円柱部と、前記第1の直径より小さい第2の直径を有し、前記第1の円柱部上に配置された第2の円柱部と、を有し、前記第1の直径に対する前記第2の直径の比が、0.88以上0.94以下である、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の圧力測定器。前記ガラス台座の底面の外縁に段が設けられている、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の圧力測定器。ガラス台座と、前記ガラス台座上に配置された半導体台座と、を備え、前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和に対する、前記ガラス台座の高さの比が、0.5乃至0.9である、半導体圧力センサの台座。前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和に対する、前記ガラス台座の高さの比が、0.6乃至0.8である、請求項9に記載の半導体圧力センサの台座。前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和が、3.0ミリメートル以上である、請求項9又は10に記載の半導体圧力センサの台座。前記ガラス台座の高さ及び前記半導体台座の高さの和が、3.5ミリメートル以上である、請求項9乃至11のいずれか1項に記載の半導体圧力センサの台座。前記ガラス台座の前記半導体台座の底面に接する上面の外縁に段が設けられている、請求項9乃至12のいずれか1項に記載の半導体圧力センサの台座。前記ガラス台座の直径に対する前記段の奥行きの比が、0.03以上0.06以下である、請求項13に記載の半導体圧力センサの台座。前記ガラス台座が、第1の直径を有する第1の円柱部と、前記第1の直径より小さい第2の直径を有し、前記第1の円柱部上に配置された第2の円柱部と、を有し、前記第1の直径に対する前記第2の直径の比が、0.88以上0.94以下である、請求項9乃至14のいずれか1項に記載の半導体圧力センサの台座。前記ガラス台座の底面の外縁に段が設けられている、請求項9乃至15のいずれか1項に記載の半導体圧力センサの台座。圧力測定器においては、構成部品の接合面において生じた応力が、圧力測定に誤差を与える場合がある。そこで、本発明は、圧力を正確に測定可能な圧力測定器及び半導体圧力センサの台座を提供することを目的の一つとする。本発明の態様によれば、イガラス台座と、ロガラス台座上に配置された半導体台座と、ハ半導体台座上に配置された半導体圧力センサと、を備え、ニガラス台座の高さ及び半導体台座の高さの和に対する、ガラス台座の高さの比が、0.5乃至0.9である、圧力測定器が提供される。また、本発明の態様によれば、イガラス台座と、ロガラス台座上に配置された半導体台座と、を備え、ハガラス台座の高さ及び半導体台座の高さの和に対する、ガラス台座の高さの比が、0.5乃至0.9である、半導体圧力センサの台座が提供される。本発明によれば、圧力を正確に測定可能な圧力測定器及び半導体圧力センサの台座を提供可能である。以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。第1の実施の形態第1の実施の形態に係る圧力測定器は、図1、及びII-II方向から見た断面図である図2に示すように、貫通孔11が設けられたガラス台座1と、ガラス台座1上に配置され、貫通孔21が設けられた半導体台座2と、貫通孔11、21の上方に位置するダイアフラム30を有する、半導体台座2上に配置された半導体圧力センサ3と、を備える。半導体圧力センサ3は、例えば、ケイ素Si等の半導体からなる第1の半導体基板31、第1の半導体基板31上に配置された酸化ケイ素SiO2等からなる酸化膜32、及び酸化膜32上に配置されたケイ素Si等の半導体からなる第2の半導体基板33を含むSOISiliconInsulator基板から製造される。第1の半導体基板31及び第2の半導体基板33の材料は、半導体であれば特に限定されず、ゲルマニウムGe、セレン化亜鉛ZnSe、硫化カドミウムCdS、酸化亜鉛ZnO、ヒ化ガリウムGaAs、リン化インジウムInP、窒化ガリウムGaN、又は炭化ケイ素SiCでもよい。第1の半導体基板31、酸化膜32、及び第2の半導体基板33には、第1の半導体基板31の底面から、第2の半導体基板33に到達する凹部34が設けられている。凹部34は、ウェットエッチング又はドライエッチングにより形成される。半導体圧力センサ3の凹部34は、ガラス台座1及び半導体台座2の貫通孔11、21の上方に位置する。半導体圧力センサ3の凹部34上の第2の半導体基板33の薄膜の部分が、ダイアフラム30として機能する。100面を主面とするダイアフラム30は、上面に加わる圧力と、底面に加わる圧力と、の差圧に従って撓む。図1に示すように、上方から見て円形のダイアフラム30には、90°間隔で<110>方向に4つの歪み抵抗ゲージ301,302,303,304が設けられている。差圧によってダイアフラム30が撓むことにより、歪み抵抗ゲージ301,302,303,304の電気抵抗値が変化する。歪み抵抗ゲージ301,302,303,304のそれぞれの電気抵抗値は、歪み抵抗ゲージ301,302,303,304をホイートストーンブリッジに接続することにより計測可能である。したがって、歪み抵抗ゲージ301,302,303,304の電気抵抗値を計測することにより、差圧の測定が可能となる。歪み抵抗ゲージ301,302,303,304は、例えば、シリコンからなるダイアフラム30に不純物イオンを注入することにより形成される。図2に示すガラス台座1は、円柱形状を有し、パイレックス登録商標又はテンパックスガラス登録商標等の耐熱ガラスからなる。耐熱ガラスは、例えば、約3×106/K等の低い熱膨張率を有する。ガラス台座1に設けられた貫通孔11の断面は、例えば円形である。ガラス台座1上に陽極接合により固定された半導体台座2は、円柱形状を有し、ケイ素Si、ゲルマニウムGe、セレン化亜鉛ZnSe、硫化カドミウムCdS、酸化亜鉛ZnO、ヒ化ガリウムGaAs、リン化インジウムInP、窒化ガリウムGaN、又は炭化ケイ素SiC等の第1の半導体基板31の材料と同じ半導体からなる。半導体台座2に設けられた貫通孔21は、ガラス台座1の貫通孔11に連通している。半導体台座2の貫通孔21の断面は、例えばガラス台座1の貫通孔11の断面と同じ円形である。また、半導体台座2の貫通孔21の断面積は、例えば、ガラス台座1の貫通孔11の断面積と同じである。ガラス台座1の貫通孔11及び半導体台座2の貫通孔21は、ダイアフラム30の底面に流体を導入するための圧力導入孔として使用される。圧力測定器は、ガラス台座1の底面を、耐腐食性が高いステンレス鋼等からなるパッケージ4に固定して使用される。ここで、パッケージ4に直接半導体圧力センサ3を固定すると、パッケージ4に加わった外力が、ダイアフラム30に伝播しうる。ダイアフラム30に伝播した外力は、測定対象である差圧とは無関係にダイアフラム30を撓ませるため、正確な差圧測定の妨げとなる。また、ステンレス鋼は、熱膨張係数が高いため、半導体圧力センサ3に大きな応力を与えうる。なお、熱膨張係数が低い材料として、コバールKovarがあるものの、耐腐食性が低く、耐腐食性を向上させるには高価な金メッキが必要であるという問題がある。さらに、半導体台座2を用いることなく、半導体圧力センサ3をガラス台座1上に固定すると、半導体圧力センサ3の第1の半導体基板31の材料のシリコン等の熱膨張係数と、ガラス台座1の材料のガラスの熱膨張係数と、の違いにより、応力が発生しうる。熱膨張係数の違いにより発生する応力も、正確な差圧測定の妨げとなる。これに対し、第1の実施の形態においては、半導体圧力センサ3の第1の半導体基板31が、第1の半導体基板31と同じ材料からなる半導体台座2上に固定される。そのため、第1の半導体基板31の熱膨張係数と、半導体台座2の熱膨張係数と、が同じであるため、第1の半導体基板31と、半導体台座2と、の接触面において、熱膨張の違いによる応力が発生しえない。また、仮に半導体台座2の下方で応力が生じても、半導体台座2で応力を緩和することが可能となる。第2の実施の形態図3に示すように、第2の実施の形態に係る圧力測定器においては、ガラス台座101の半導体台座2の底面に接する上面の外縁に、段12が設けられている。段12を設けることにより、ガラス台座101と、半導体台座2と、の接合面において、熱膨張係数の違いにより生じる応力を効果的に抑制することが可能となる。第2の実施の形態に係る圧力測定器のその他の構成要素は、第1の実施の形態と同様であるので、説明は省略する。第3の実施の形態図4に示すように、第3の実施の形態に係る圧力測定器においては、ガラス台座201のパッケージ4の上面に接する底面の外縁に、段13が設けられている。段13を設けることにより、パッケージ4からの応力の影響を緩和することが可能となる。そのため、パッケージ4上面と、半導体圧力センサ3の底面と、の間の距離、換言すれば、ガラス台座201の高さh1及び半導体台座2の高さh2の和を短くすることが可能となる。よって、圧力測定器の小型化が可能となる。第1の実施例図5に示すように、図4を用いて説明した圧力測定器のガラス台座201の高さh1及び半導体台座2の高さh2の和に対するガラス台座201の高さh1の比と、ガラス台座201及び半導体台座2の熱膨張係数の違いにより生じる応力と、の関係は、高さの比を独立変数とする二次関数に近似することができた。ガラス台座201の高さh1及び半導体台座2の高さh2の和を変動させても、二次関数は、高さの比が0.5乃至0.9、好ましくは0.6乃至0.8である場合に、応力の最小値を与えた。したがって、圧力測定器においては、ガラス台座201の高さh1及び半導体台座2の高さh2の和に対するガラス台座201の高さh1の比を、0.5乃至0.9、好ましくは0.6乃至0.8とすることにより、応力が緩和されることが示された。さらに、ガラス台座201の高さh1及び半導体台座2の高さh2の和を、3.0ミリメートル以上、好ましくは3.5ミリメートル以上とすることによっても、応力が緩和されることが示された。第2の実施例図6に示すように、図4を用いて説明した圧力測定器の段13の奥行きを一定にしたまま、ガラス台座201の直径xに対する、段12の奥行きyの比を変化させたところ、比を0.03以上0.06以下、好ましくは0.03以上0.05以下、より好ましくは0.03以上0.04以下とすることにより、ガラス台座201と、半導体台座2と、の接合面において、熱膨張係数の違いにより生じる応力が効果的に抑制されることが示された。第3の実施例図4を用いて説明した圧力測定器は、ガラス台座201が、第1の直径xを有する第1の円柱部と、第1の直径xより小さい第2の直径x-2yを有し、第1の円柱部上に配置された第2の円柱部と、第1の直径xより小さい第3の直径を有し、第1の円柱部下に配置された第3の円柱部と、を有するとみなしうる。ここで、段13の奥行きを一定にしたまま、図7に示すように、第1の直径xに対する、第2の直径x-2yの比を変化させたところ、比を0.88以上0.94以下、好ましくは0.90以上0.94以下、より好ましくは0.92以上0.93以下とすることにより、ガラス台座201と、半導体台座2と、の接合面において、熱膨張係数の違いにより生じる応力が効果的に抑制されることが示された。その他の実施の形態上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。"