原子比における組成式がFe100-x-y-z-Cux-Nby-SiBz、0.5≦x≦3.0、1≦y≦15、20≦z≦30で表され、残部不可避的不純物でなることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜。原子比における組成式がFe100-x-y-z-Cux-Nby-SiBz、0.5≦x≦3.0、1≦y≦15、20≦z≦30で表され、残部不可避的不純物でなる合金ターゲットを用いてスパッタリングにより形成することを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜の製造方法。上述した特許文献1に開示される軟磁性膜は、飽和磁束密度が高い優れた軟磁性膜である。しかし、上述したように、熱アシスト磁気記録媒体では、記録層であるFePt合金等を規則化させるための高温加熱処理が必要である。本発明者の検討によると、特許文献1に記載された前記合金を軟磁性膜に適用した際には、加熱処理に対して結晶化を抑制することが困難な場合があることを確認した。本発明の目的は、加熱処理によってもアモルファスまたは微結晶構造を維持できる熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜およびその製造方法を提供することである。本発明者は、上記加熱処理により軟磁性膜が結晶化する問題を検討し、Feを主成分とし、特定量のNb、Si、BおよびCuを複合添加することで、加熱処理後においてもアモルファスまたは微結晶を維持できることを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明は、原子比における組成式がFe100-x-y-z-Cux-Nby-SiBz、0.5≦x≦3.0、1≦y≦15、20≦z≦30で表され、残部不可避的不純物でなる熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜である。また、原子比における組成式がFe100-x-y-z-Cux-Nby-SiBz、0.5≦x≦3.0、1≦y≦15、20≦z≦30で表され、残部不可避的不純物でなる合金ターゲットを用いてスパッタリングにより形成する熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜の製造方法である。本発明は、加熱処理によってもアモルファスまたは微結晶構造を維持できる軟磁性膜を提供でき、熱アシスト磁気記録媒体を製造する上で極めて有効な技術となる。本発明の重要な特徴は、加熱処理により軟磁性膜の結晶粒が粗大化することを抑制して、アモルファスまたは微結晶を維持するために、主成分としてのFeにアモルファス形成元素であるSi、Bに加え、さらに特定量のCuとNbを複合添加することを見出した点にある。以下、本発明の特徴について詳しく説明する。本発明の熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜は、Feを主成分とする。これは、Feは飽和磁束密度が高く、軟磁性膜の主成分として適しているためである。また、飽和磁束密度を高めるために、Feの一部をCoおよび/またはNiで置換してもよい。本発明の熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜は、Cuを0.5~3.0原子の範囲で含有する。Cuを選定した理由は、Cuは軟磁性膜を加熱処理した際に結晶粒が粗大になることを抑制し、結晶粒を微細にする効果を有するためである。この理由は明確ではないが、CuはFeとの相互作用パラメータが正であり、分離する傾向があるため、アモルファス状態の軟磁性膜を加熱処理すると、Fe同士またはCu同士が寄り集まり、組成ゆらぎが発生する。このため、部分的に結晶化しやすい領域が多数でき、そこを核として多数の微細結晶粒が形成される。また、軟磁性膜中には、アモルファス相を安定化するNbが存在するため、結晶粒は微細化され微結晶が維持されるものと考えられる。この微結晶粒は、CuとNbの複合添加により実現でき、微結晶粒がアモルファス相の中に多数点在した組織となる。本発明において、Cuの添加範囲は、0.5~3.0原子とした。これは、非磁性元素であるCuの添加量が3.0原子を超える場合は、飽和磁束密度が低下するためである。一方、Cuの添加量が0.5原子より少ない場合は、軟磁性膜を加熱処理した際に結晶粒が粗大化するためである。また、本発明において、軟磁性膜のアモルファスまたは微結晶を安定化させる元素としてNbを添加する。上述したように、Nbはアモルファス相を安定化させる効果を有し、また、Cuとの複合添加により、軟磁性膜の加熱処理により結晶化した際の結晶を微結晶化する。本発明における、Nbの添加量の上限値は15原子である。これは、Nbの添加量が多くなるにつれ、軟磁性膜のアモルファスまたは微結晶の安定性が向上し、粗大結晶となりにくくなる。また、Nbを15原子を超えて添加すると、飽和磁束密度が低下するためである。一方、Nb添加量の下限値は1原子とした。これは、Nbの添加量が1原子を下回る場合は、軟磁性膜を加熱処理した際に、結晶粒が粗大になりやすいためである。本発明においては、Nbと同様の効果が得られる元素としてMo、Ta、Wがあり、これらの元素を1種類または複数添加することもできる。SiおよびBの添加は、軟磁性膜のアモルファスまたは微結晶の形成に有用な元素である。本発明において、SiおよびBの添加量の総和の上限は、30原子とした。これは、SiおよびBを合計で30原子を超えて添加した場合は、飽和磁束密度が小さくなるからである。一方、SiおよびBの合計が20原子より少ない場合は、加熱処理により軟磁性膜の結晶粒が粗大化するためである。このため、本発明におけるSiおよびBの添加量の総和は、20~30原子とした。本発明の軟磁性膜はスパッタリング法により形成する。スパッタリング法では、減圧したチャンバ内で、軟磁性膜の最終組成となるスパッタリングターゲット材に不活性ガスのイオンを衝突させ、スパッタリングターゲット材から叩き出された原子を基板上に堆積して薄膜を形成する。スパッタリングターゲット材から叩き出された原子は、基板上で急冷されるため、アモルファスまたは微結晶膜を形成する方法として適している。その他の薄膜の形成方法として真空蒸着法があるが、軟磁性膜を構成する元素の融点の相違により膜組成の制御が困難である。そのため、本発明において、軟磁性膜の形成方法はスパッタリング法を用いる。上述したスパッタリングに用いるターゲット材の形成方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法が適用可能である。溶解鋳造法では、鋳造インゴット、若しくは、鋳造インゴットに塑性加工や加圧加工を加えたバルク体とすることで製造可能となる。また、粉末焼結法では、純金属粉末や合金粉末を軟磁性膜の最終組成になるように混合した粉末を原料粉末とし、熱間静水圧プレス、ホットプレス、放電プラズマ焼結、押し出しプレス焼結等の加圧焼結を用いることが可能である。以下の実施例で本発明をさらに詳しく説明する。本発明例まず、純度99.9以上の原料を用い、原子でFe76.5-y-Cu1.0-Nby-SiB22.5y=3、5、7の合金組成となるように原料を配合して真空炉にて溶解した後、鋳造することでインゴットを作製した。次にこのインゴットを機械加工により直径164mm、厚さ4mmのスパッタリングターゲット材を作製した。上記で作製したスパッタリングターゲット材をキャノンアネルバ株式会社製のDCマグネトロンスパッタ装置型式番号:C-3010のチャンバ内に配置し、チャンバ内を真空到達度2×10-5Pa以下となるまで排気を行った後、寸法75mm×25mmのガラス基板上にArガス圧0.6Pa、投入電力500Wの条件にて膜厚40nmの軟磁性膜を形成した。その後、0.5Pa以下の減圧雰囲気中で試料毎に400°C、500°C、600°C、700°Cまで加熱温度を変化させて5分間の加熱処理を行った。上記で形成した軟磁性膜を形成したガラス基板について、以下の測定を行った。X線源にCoKα線を用い、株式会社リガク製のX線回折装置型式番号:RINT2500Vを使用し、得られた回折パターンから2θ=52°付近の回折ピークの半価幅を求めた。その結果を表1に示す。表1の半価幅は、各数値が大きいほどアモルファスまたは微結晶となっていることを意味する。表1の結果から、本発明例の軟磁性膜は、加熱処理後においても半価幅が大きく、アモルファスまたは微結晶性に優れており、加熱処理を伴う軟磁性膜に好適であることが確認できた。