"有機電子デバイス用の正孔伝導層であって、正孔伝導体マトリックス中へ、中心原子と配位子とを含む平面四角形の単核遷移金属錯体を含むドーパントが導入されている、有機電子デバイス用の正孔伝導層。前記中心原子が、次の遷移金属:Cu、Co、Ni、Pd、Ptの群から選択されている、請求項1記載の正孔伝導層。前記配位子が好ましくは二座配位子である、請求項1から2までのいずれか1項記載の正孔伝導層。前記配位子が、アセチルアセトナートacac、トリフルオロアセチルアセトナートtfac、ヘキサフルオロアセチルアセトナートhfac、ビス6,6,7,7,8,8,8-ヘプタフルオロ-2,2-ジメチル-3,5-オクタンジオナートfod、ビス2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナートdpmの群から選択されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の正孔伝導層。有機電子デバイスにおける、請求項1から4までのいずれか1項記載の正孔伝導層の使用。ドープされた正孔伝導層を有する有機電子デバイスであって、そのドープ物質が、単核であり、かつ平面四角形である遷移金属錯体を含む、ドープされた正孔伝導層を有する有機電子デバイス。自己発光デバイスである、請求項6記載のデバイス。"