M1元素、M2元素およびS元素を含有し、前記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、前記M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であり、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、前記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満であることを特徴とする硫化物固体電解質材料。前記IB/IAの値が0.25以下であることを特徴とする請求項1に記載の硫化物固体電解質材料。CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=17.38°、20.18°、20.44°、23.56°、23.96°、24.93°、26.96°、29.07°、29.58°、31.71°、32.66°、33.39°の位置なお、これらの位置は、±0.50°の範囲で前後していても良いにピークを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の硫化物固体電解質材料。前記M1がLiであり、前記M2がGeおよびPであることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の硫化物固体電解質材料。Li4-xGe1-xPxS4xは、0<x<1を満たすの組成を有することを特徴とする請求項4に記載の硫化物固体電解質材料。前記xが、0.5≦x≦0.8を満たすことを特徴とする請求項5に記載の硫化物固体電解質材料。M1元素およびS元素から構成される八面体Oと、M2a元素およびS元素から構成される四面体T1と、M2b元素およびS元素から構成される四面体T2とを有し、前記四面体T1および前記八面体Oは稜を共有し、前記四面体T2および前記八面体Oは頂点を共有する結晶構造を主体として含有し、前記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、前記M2aおよびM2bは、それぞれ独立に、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とする硫化物固体電解質材料。前記八面体Oは、前記M1がLiであるLiS6八面体であり、前記四面体T1は、前記M2aがGeおよびPである、GeS4四面体およびPS4四面体であり、前記四面体T2は、前記M2bがPであるPS4四面体であることを特徴とする請求項7に記載の硫化物固体電解質材料。CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、前記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満であることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の硫化物固体電解質材料。正極活物質を含有する正極活物質層と、負極活物質を含有する負極活物質層と、前記正極活物質層および前記負極活物質層の間に形成された電解質層とを含有する電池であって、前記正極活物質層、前記負極活物質層および前記電解質層の少なくとも一つが、請求項1から請求項9までのいずれかの請求項に記載の硫化物固体電解質材料を含有することを特徴とする電池。前記電解質層が、前記硫化物固体電解質材料を含有する固体電解質層であることを特徴とする請求項10に記載の電池。M1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、結晶質のイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、メカニカルミリングにより、前記イオン伝導性材料の結晶性を低下させる結晶性低下工程と、前記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、前記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。前記イオン伝導性材料合成工程において、固相法により、前記イオン伝導性材料を合成することを特徴とする請求項12に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。前記メカニカルミリングが、振動ミルであることを特徴とする請求項12または請求項13に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。M1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、メカニカルミリングにより、非晶質化したイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、前記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、前記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。前記メカニカルミリングが、ボールミルであることを特徴とする請求項15に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。前記原料組成物が、Li2S、P2S5およびGeS2を含有することを特徴とする請求項12から請求項16までのいずれかの請求項に記載の硫化物固体電解質材料の製造方法。電池の高出力化の観点から、イオン伝導性が良好な固体電解質材料が求められている。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料を提供することを主目的とする。上記課題を解決するために、本発明においては、M1元素、M2元素およびS元素を含有し、上記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、上記M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であり、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満であることを特徴とする硫化物固体電解質材料を提供する。本発明によれば、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高いため、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料とすることができる。そのため、本発明の硫化物固体電解質材料を用いることにより、高出力な電池を得ることができる。上記発明においては、上記IB/IAの値が0.25以下であることが好ましい。2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高く、よりイオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料とすることができるからである。上記発明においては、上記硫化物固体電解質材料が、CuKα線を用いたX線回折測定において、2θ=17.38°、20.18°、20.44°、23.56°、23.96°、24.93°、26.96°、29.07°、29.58°、31.71°、32.66°、33.39°の位置なお、これらの位置は、±0.50°の範囲で前後していても良いにピークを有することが好ましい。上記発明においては、上記M1がLiであり、上記M2がGeおよびPであることが好ましい。Liイオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料とすることができるからである。上記発明においては、上記硫化物固体電解質材料が、Li4-xGe1-xPxS4xは、0<x<1を満たすの組成を有することが好ましい。Liイオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料とすることができるからである。上記発明においては、上記xが、0.5≦x≦0.8を満たすことが好ましい。また、本発明においては、M1元素およびS元素から構成される八面体Oと、M2a元素およびS元素から構成される四面体T1と、M2b元素およびS元素から構成される四面体T2とを有し、上記四面体T1および上記八面体Oは稜を共有し、上記四面体T2および上記八面体Oは頂点を共有する結晶構造を主体として含有し、上記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、上記M2aおよびM2bは、それぞれ独立に、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とする硫化物固体電解質材料を提供する。本発明によれば、八面体O、四面体T1および四面体T2が所定の結晶構造三次元構造を有することから、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料とすることができる。そのため、本発明の硫化物固体電解質材料を用いることにより、高出力な電池を得ることができる。上記発明において、上記八面体Oは、上記M1がLiであるLiS6八面体であり、上記四面体T1は、上記M2aがGeおよびPである、GeS4四面体およびPS4四面体であり、上記四面体T2は、上記M2bがPであるPS4四面体であることが好ましい。上記発明においては、上記硫化物固体電解質材料が、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満であることが好ましい。また、本発明においては、正極活物質を含有する正極活物質層と、負極活物質を含有する負極活物質層と、上記正極活物質層および上記負極活物質層の間に形成された電解質層とを含有する電池であって、上記正極活物質層、上記負極活物質層および上記電解質層の少なくとも一つが、上述した硫化物固体電解質材料を含有することを特徴とする電池を提供する。本発明によれば、上述した硫化物固体電解質材料を用いることにより、高出力な電池とすることができる。上記発明においては、上記電解質層が、上記硫化物固体電解質材料を含有する固体電解質層であることが好ましい。電解液を用いる電池に比べて、安全性の高い電池を得ることができるからである。また、本発明においては、M1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、結晶質のイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、メカニカルミリングにより、上記イオン伝導性材料の結晶性を低下させる結晶性低下工程と、上記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供する。本発明によれば、イオン伝導性材料合成工程に加えて、結晶性低下工程および加熱工程を行うことにより、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。そのため、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料を得ることができる。上記発明においては、上記イオン伝導性材料合成工程において、固相法により、上記イオン伝導性材料を合成することが好ましい。結晶質のイオン伝導性材料を容易に合成することができるからである。上記発明においては、上記メカニカルミリングが、振動ミルであることが好ましい。また、本発明においては、M1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、メカニカルミリングにより、非晶質化したイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、上記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供する。本発明によれば、イオン伝導性材料合成工程で非晶質化を行い、その後、加熱工程を行うことにより、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。そのため、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料を得ることができる。上記発明においては、上記メカニカルミリングが、ボールミルであることが好ましい。上記発明においては、上記原料組成物が、Li2S、P2S5およびGeS2を含有することが好ましい。本発明においては、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料を得ることができるという効果を奏する。以下、本発明の硫化物固体電解質材料、電池、および硫化物固体電解質材料の製造方法について、詳細に説明する。A.硫化物固体電解質材料まず、本発明の硫化物固体電解質材料について説明する。本発明の硫化物固体電解質材料は、2つの実施態様に大別することができる。そこで、本発明の硫化物固体電解質材料について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。1.第一実施態様第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、M1元素、M2元素およびS元素を含有し、上記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、上記M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であり、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満であることを特徴とするものである。第一実施態様によれば、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高いため、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料とすることができる。そのため、第一実施態様の硫化物固体電解質材料を用いることにより、高出力な電池を得ることができる。図1は、本発明第一実施態様の硫化物固体電解質材料と、従来の硫化物固体電解質材料との違いを説明するX線回折スペクトルである。なお、図1における2つの硫化物固体電解質材料は、ともにLi3.25Ge0.25P0.75S4の組成を有するものである。図1における本発明の硫化物固体電解質材料は、2θ=29.58°±0.50°の位置、および、2θ=27.33°±0.50°の位置にピークを有する。また、図1における従来の硫化物固体電解質材料も同様のピークを有する。ここで、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相と、2θ=27.33°付近のピークを有する結晶相とは、互いに異なる結晶相であると考えられる。なお、本発明においては、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相を結晶相Aと称し、2θ=27.33°付近のピークを有する結晶相を結晶相Bと称する場合がある。図1における本発明の硫化物固体電解質材料では、結晶相Aの特徴的なピークが、厳密には2θ=29.36°の位置に表れており、2θ=29.58°とは位置が多少異なる。一方、後述する実施例に記載するように、ほぼ単相の硫化物固体電解質材料では、2θ=29.58°の位置にピークが表れる。そのため、第一実施態様においては、2θ=29.58°を基準にして、結晶相Aの特徴的なピークを定義することとする。また、第一実施態様においては、結晶相Bの特徴的なピークが、2θ=27.33°付近に表れる。なお、図1の下段に示すように、結晶相Bは、2θ=27.33°付近の他に、2θ=29.78°付近にもピークを有する。結晶相A、Bは、ともにイオン伝導性を示す結晶相であるが、そのイオン伝導性には違いがある。後述する実施例に示すように、結晶相Aは、結晶相Bに比べて、イオン伝導性が顕著に高いと考えられる。従来の合成方法例えば固相法では、イオン伝導性の低い結晶相Bの割合を少なくすることができず、イオン伝導性を十分に高くすることができなかった。これに対して、第一実施態様では、後述する硫化物固体電解質材料の製造方法等により、イオン伝導性の高い結晶相Aを積極的に析出させることができるため、イオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。また、第一実施態様においては、従来の硫化物固体電解質材料と区別するため、2θ=29.58°付近のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°付近のピークの回折強度をIBとし、IB/IAの値を0.50未満に規定している。なお、IB/IAの値が0.50未満の硫化物固体電解質材料は、従来の合成方法では得ることができないと考えられる。また、イオン伝導性の観点からは、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、イオン伝導性の高い結晶相Aの割合が高いことが好ましい。そのため、IB/IAの値はより小さいことが好ましく、具体的には0.45以下であることが好ましく、0.25以下であることがより好ましく、0.15以下であることがさらに好ましく、0.07以下であることが特に好ましい。また、IB/IAの値は0であることが好ましい。言い換えると、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、結晶相Bのピークである2θ=27.33°付近のピークを有しないことが好ましい。第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、2θ=29.58°付近にピークを有する。このピークは、上述したように、イオン伝導性の高い結晶相Aのピークの一つである。ここで、第一実施態様における2θ=29.58°は、後述する実施例で得られた実測値であり、材料組成等によって結晶格子が若干変化し、ピークの位置が2θ=29.58°から多少前後する場合がある。そのため、第一実施態様においては、結晶相Aの上記ピークを、29.58°±0.50°の位置のピークとして定義する。結晶相Aは、通常、2θ=17.38°、20.18°、20.44°、23.56°、23.96°、24.93°、26.96°、29.07°、29.58°、31.71°、32.66°、33.39°のピークを有すると考えられる。なお、これらのピーク位置も、±0.50°の範囲で前後する場合がある。一方、2θ=27.33°付近のピークは、上述したように、イオン伝導性の低い結晶相Bのピークの一つである。ここで、第一実施態様における2θ=27.33°は、後述する実施例で得られた実測値であり、材料組成等によって結晶格子が若干変化し、ピークの位置が2θ=27.33°から多少前後する場合がある。そのため、第一実施態様においては、結晶相Bの上記ピークを、27.33°±0.50°の位置のピークとして定義する。結晶相Bは、通常、2θ=17.46°、18.12°、19.99°、22.73°、25.72°、27.33°、29.16°、29.78°のピークを有すると考えられる。なお、これらのピーク位置も、±0.50°の範囲で前後する場合がある。また、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、M1元素、M2元素およびS元素を含有するものである。上記M1は、一価または二価の元素であることが好ましい。上記M1としては、例えば、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種を挙げることができる。これらの元素は、いずれも伝導イオンとして機能するものである。中でも、第一実施態様においては、上記M1がLiであることが好ましい。リチウム電池に有用な硫化物固体電解質材料とすることができるからである。また、上記M1は、一価の元素例えばLi、Na、Kであり、その一部が二価以上の元素例えばMg、Ca、Znで置換されたものであっても良い。これにより、一価の元素が移動しやすくなりイオン伝導性が向上する。一方、上記M2は、三価、四価または五価の元素であることが好ましい。上記M2としては、例えば、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される一種を挙げることができる。中でも、第一実施態様においては、上記M2が、P、Ge、Al、Zr、Sn、Bからなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましく、PおよびGeの少なくとも一方であることがより好ましい。また、上記M2は、2種またはそれ以上の元素であっても良い。また、後述する実施例では、LiGePS系の硫化物固体電解質材料を実際に合成し、得られたサンプルのX線回折測定を行い、IB/IAが所定の値以下であることを確認している。このLiGePS系の硫化物固体電解質材料は、上記一般式において、M1元素がLi元素に該当し、M2元素がGe元素およびP元素に該当するものである。一方、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、通常、後述する第二実施態様に記載する特定の結晶構造を有する。M1元素およびM2元素は、その任意の組み合わせにおいて、LiGePS系の硫化物固体電解質材料に同様の結晶構造を取ることが可能であると推測される。そのため、M1元素およびM2元素の任意の組み合わせにおいて、いずれも良好なイオン伝導性を有する硫化物固体電解質材料が得られると考えられる。また、X線回折のピークの位置は、結晶構造に依存することから、硫化物固体電解質材料が上記結晶構造を有していれば、M1元素およびM2元素の種類に依らず、類似したXRDパターンが得られると考えられる。また、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、Li元素、Ge元素、P元素およびS元素を含有することが好ましい。さらに、LiGePS系の硫化物固体電解質材料の組成は、所定のIB/IAの値を得ることができる組成であれば特に限定されるものではないが、Li4-xGe1-xPxS4xは、0<x<1を満たすの組成であることが好ましい。Liイオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料とすることができるからである。ここで、Li4-xGe1-xPxS4の組成は、Li3PS4およびLi4GeS4の固溶体の組成に該当する。すなわち、この組成は、Li3PS4およびLi4GeS4のタイライン上の組成に該当する。なお、Li3PS4およびLi4GeS4は、いずれもオルト組成に該当し、化学的安定性が高いという利点を有する。このようなLi4-xGe1-xPxS4の組成を有する硫化物固体電解質材料は、従来からチオリシコンとして知られており、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、組成上は、従来のチオリシコンと同一であっても良い。ただし、上述したように、第一実施態様の硫化物固体電解質材料に含まれる結晶相の割合は、従来における結晶相の割合とは全く異なるものである。また、Li4-xGe1-xPxS4におけるxは、所定のIB/IAの値を得ることができる値であれば特に限定されるものではないが、例えば、0.4≦xを満たすことが好ましく、0.5≦xを満たすことがより好ましく、0.6≦xを満たすことがさらに好ましい。一方、上記xは、x≦0.8を満たすことが好ましく、x≦0.75を満たすことがより好ましい。このようなxの範囲とすることにより、IB/IAの値をより小さくできるからである。これにより、さらにLiイオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料とすることができる。また、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、Li2S、P2S5およびGeS2を用いてなるものであることが好ましい。第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、通常、結晶質の硫化物固体電解質材料である。また、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、イオン伝導性が高いことが好ましく、25°Cにおける硫化物固体電解質材料のイオン伝導度は、1.0×10-3S/cm以上であることが好ましく、2.3×10-3S/cm以上であることがより好ましい。また、第一実施態様の硫化物固体電解質材料の形状は特に限定されるものではないが、例えば粉末状を挙げることができる。さらに、粉末状の硫化物固体電解質材料の平均粒径は、例えば0.1μm~50μmの範囲内であることが好ましい。第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、高いイオン伝導性を有するものであるので、イオン伝導性を必要とする任意の用途に用いることができる。中でも、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、電池に用いられるものであることが好ましい。電池の高出力化に大きく寄与することができるからである。また、第一実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法については、後述するC.硫化物固体電解質材料の製造方法で詳細に説明する。また、第一実施態様の硫化物固体電解質材料は、後述する第二実施態様またはその他の実施態様の特徴を兼ね備えたものであっても良い。2.第二実施態様次に、本発明の硫化物固体電解質材料の第二実施態様について説明する。第二実施態様の硫化物固体電解質材料は、M1元素およびS元素から構成される八面体Oと、M2a元素およびS元素から構成される四面体T1と、M2b元素およびS元素から構成される四面体T2とを有し、上記四面体T1および上記八面体Oは稜を共有し、上記四面体T2および上記八面体Oは頂点を共有する結晶構造を主体として含有し、上記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、上記M2aおよびM2bは、それぞれ独立に、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とするものである。第二実施態様によれば、八面体O、四面体T1および四面体T2が所定の結晶構造三次元構造を有することから、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料とすることができる。そのため、第二実施態様の硫化物固体電解質材料を用いることにより、高出力な電池を得ることができる。なお、この結晶構造が、上述した結晶相Aの構造に該当すると考えられる。また、この結晶構造の空間部を、金属イオン例えばLiイオンが伝導することで、高いイオン伝導性が発揮されると考えられる。図2は、第二実施態様の硫化物固体電解質材料の結晶構造の一例を説明する斜視図である。図2に示す結晶構造において、八面体Oは、中心元素としてM1を有し、八面体の頂点に6個のSを有しており、典型的にはLiS6八面体である。四面体T1は、中心元素としてM2aを有し、四面体の頂点に4個のSを有しており、典型的にはGeS4四面体およびPS4四面体の両方である。四面体T2は、中心元素としてM2bを有し、四面体の頂点に4個のSを有しており、典型的にはPS4四面体である。さらに、四面体T1および八面体Oは稜を共有し、四面体T2および八面体Oは頂点を共有している。第二実施態様の硫化物固体電解質材料は、上記結晶構造を主体として含有することを大きな特徴とする。硫化物固体電解質材料の全結晶構造における上記結晶構造の割合は特に限定されるものではないが、より高いことが好ましい。イオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料とすることができるからである。上記結晶構造の割合は、具体的には、70wt以上であることが好ましく、90wt以上であることがより好ましい。なお、上記結晶構造の割合は、例えば、放射光XRDにより測定することができる。特に、第二実施態様の硫化物固体電解質材料は、上記結晶構造の単相材料であることが好ましい。イオン伝導性を極めて高くすることができるからである。なお、第二実施態様におけるM1元素、M2元素M2a元素、M2b元素およびその他の事項については、上述した第一実施態様と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、第二実施態様の硫化物固体電解質材料は、後述するその他の実施態様の特徴を兼ね備えたものであっても良い。3.その他の実施態様また、本発明の硫化物固体電解質材料は、以下の実施態様であっても良い。すなわち、本発明の硫化物固体電解質材料は、M1元素、M2元素およびS元素を含有し、上記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、上記M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であり、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=29.78°±0.50°のピークの回折強度をICとした場合に、IC/IAの値が0.20以下であることを特徴とするものであっても良い。上記実施態様によれば、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高いため、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料とすることができる。イオン伝導性の高い結晶相Aは、2θ=29.58°付近にピークを有する。なお、結晶相Aを示すピークの位置として、2θ=29.36°±0.50°や2θ=29.36°±0.20°を採用しても良い。一方、イオン伝導性が低い結晶相Bは、上記図1に示すように、2θ=27.33°付近の他に、2θ=29.78°付近にもピークを有する。なお、結晶相Bを示すピークの位置として、通常は、2θ=29.78°±0.50°を採用するが、2θ=29.78°±0.20°であっても良い。また、上記実施態様においては、従来の硫化物固体電解質材料と区別するため、2θ=29.58°付近のピークの回折強度をIAとし、2θ=29.78°付近のピークの回折強度をICとし、IC/IAの値を0.20以下に規定している。なお、IC/IAの値が0.20以下の硫化物固体電解質材料は、従来の合成方法では得ることができないと考えられる。また、イオン伝導性の観点からは、上記実施態様の硫化物固体電解質材料は、イオン伝導性の高い結晶相Aの割合が高いことが好ましい。そのため、IC/IAの値はより小さいことが好ましく、具体的には0.15以下であることが好ましく、0.10以下であることがより好ましく、0.07以下であることがさらに好ましい。また、IC/IAの値は0であることが好ましい。言い換えると、上記実施態様の硫化物固体電解質材料は、結晶相Bのピークである2θ=29.78°付近のピークを有しないことが好ましい。なお、上記実施態様におけるM1元素、M2元素およびその他の事項については、上述した第一実施態様と同様であるので、ここでの記載は省略する。B.電池次に、本発明の電池について説明する。本発明の電池は、正極活物質を含有する正極活物質層と、負極活物質を含有する負極活物質層と、上記正極活物質層および上記負極活物質層の間に形成された電解質層とを含有する電池であって、上記正極活物質層、上記負極活物質層および上記電解質層の少なくとも一つが、上述した硫化物固体電解質材料を含有することを特徴とするものである。本発明によれば、上述した硫化物固体電解質材料を用いることにより、高出力な電池とすることができる。図3は、本発明の電池の一例を示す概略断面図である。図3における電池10は、正極活物質を含有する正極活物質層1と、負極活物質を含有する負極活物質層2と、正極活物質層1および負極活物質層2の間に形成された電解質層3と、正極活物質層1の集電を行う正極集電体4と、負極活物質層2の集電を行う負極集電体5と、これらの部材を収納する電池ケース6とを有するものである。本発明においては、正極活物質層1、負極活物質層2および電解質層3の少なくとも一つが、上記A.硫化物固体電解質材料に記載した硫化物固体電解質材料を含有することを大きな特徴とする。以下、本発明の電池について、構成ごとに説明する。1.電解質層まず、本発明における電解質層について説明する。本発明における電解質層は、正極活物質層および負極活物質層の間に形成される層である。電解質層は、イオンの伝導を行うことができる層であれば特に限定されるものではないが、固体電解質材料から構成される固体電解質層であることが好ましい。電解液を用いる電池に比べて、安全性の高い電池を得ることができるからである。さらに、本発明においては、固体電解質層が、上述した硫化物固体電解質材料を含有することが好ましい。固体電解質層に含まれる上記硫化物固体電解質材料の割合は、例えば10体積~100体積の範囲内、中でも50体積~100体積の範囲内であることが好ましい。特に、本発明においては、固体電解質層が上記硫化物固体電解質材料のみから構成されていることが好ましい。高出力な電池を得ることができるからである。固体電解質層の厚さは、例えば0.1μm~1000μmの範囲内、中でも0.1μm~300μmの範囲内であることが好ましい。また、固体電解質層の形成方法としては、例えば、固体電解質材料を圧縮成形する方法等を挙げることができる。また、本発明における電解質層は、電解液から構成される層であっても良い。電解液を用いる場合、固体電解質層を用いる場合に比べて安全性をさらに配慮する必要があるが、より高出力な電池を得ることができる。また、この場合は、通常、正極活物質層および負極活物質層の少なくとも一方が、上述した硫化物固体電解質材料を含有することになる。リチウム電池に用いられる電解液は、通常、リチウム塩および有機溶媒非水溶媒を含有する。リチウム塩としては、例えばLiPF6、LiBF4、LiClO4、LiAsF6等の無機リチウム塩、およびLiCF3SO3、LiNCF3SO22、LiNC2F5SO22、LiCCF3SO23等の有機リチウム塩等を挙げることができる。上記有機溶媒としては、例えばエチレンカーボネートEC、プロピレンカーボネートPC、ジメチルカーボネートDMC、ジエチルカーボネートDEC、エチルメチルカーボネートEMC、ブチレンカーボネートBC等を挙げることができる。2.正極活物質層次に、本発明における正極活物質層について説明する。本発明における正極活物質層は、少なくとも正極活物質を含有する層であり、必要に応じて、固体電解質材料、導電化材および結着材の少なくとも一つを含有していても良い。特に、本発明においては、正極活物質層が固体電解質材料を含有し、その固体電解質材料が、上述した硫化物固体電解質材料であることが好ましい。イオン伝導性の高い正極活物質層を得ることができるからである。正極活物質層に含まれる上記硫化物固体電解質材料の割合は、電池の種類によって異なるものであるが、例えば0.1体積~80体積の範囲内、中でも1体積~60体積の範囲内、特に10体積~50体積の範囲内であることが好ましい。また、リチウム電池に用いられる正極活物質としては、例えばLiCoO2、LiMnO2、Li2NiMn3O8、LiVO2、LiCrO2、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiO2、LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2等を挙げることができる。本発明における正極活物質層は、さらに導電化材を含有していても良い。導電化材の添加により、正極活物質層の導電性を向上させることができる。導電化材としては、例えばアセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンファイバー等を挙げることができる。また、正極活物質層は、結着材を含有していても良い。結着材の種類としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンPTFE等のフッ素含有結着材等を挙げることができる。また、正極活物質層の厚さは、例えば0.1μm~1000μmの範囲内であることが好ましい。3.負極活物質層次に、本発明における負極活物質層について説明する。本発明における負極活物質層は、少なくとも負極活物質を含有する層であり、必要に応じて、固体電解質材料、導電化材および結着材の少なくとも一つを含有していても良い。特に、本発明においては、負極活物質層が固体電解質材料を含有し、その固体電解質材料が、上述した硫化物固体電解質材料であることが好ましい。イオン伝導性の高い負極活物質層を得ることができるからである。負極活物質層に含まれる上記硫化物固体電解質材料の割合は、電池の種類によって異なるものであるが、例えば0.1体積~80体積の範囲内、中でも1体積~60体積の範囲内、特に10体積~50体積の範囲内であることが好ましい。また、負極活物質としては、例えば金属活物質およびカーボン活物質を挙げることができる。金属活物質としては、例えばIn、Al、SiおよびSn等を挙げることができる。一方、カーボン活物質としては、例えばメソカーボンマイクロビーズMCMB、高配向性グラファイトHOPG、ハードカーボン、ソフトカーボン等を挙げることができる。また、負極活物質層が上記硫化物固体電解質材料を含有する場合、負極活物質の電位が0.3VvsLi以上であることが好ましく、0.5VvsLi以上であることがより好ましい。負極活物質の電位が低いと、硫化物固体電解質材料の還元が生じるからである。なお、負極活物質層に用いられる導電化材および結着材については、上述した正極活物質層における場合と同様である。また、負極活物質層の厚さは、例えば0.1μm~1000μmの範囲内であることが好ましい。4.その他の構成本発明の電池は、上述した電解質層、正極活物質層および負極活物質層を少なくとも有するものである。さらに通常は、正極活物質層の集電を行う正極集電体、および負極活物質層の集電を行う負極集電体を有する。正極集電体の材料としては、例えばSUS、アルミニウム、ニッケル、鉄、チタンおよびカーボン等を挙げることができ、中でもSUSが好ましい。一方、負極集電体の材料としては、例えばSUS、銅、ニッケルおよびカーボン等を挙げることができ、中でもSUSが好ましい。また、正極集電体および負極集電体の厚さや形状等については、電池の用途等に応じて適宜選択することが好ましい。また、本発明に用いられる電池ケースには、一般的な電池の電池ケースを用いることができる。電池ケースとしては、例えばSUS製電池ケース等を挙げることができる。5.電池本発明の電池は、一次電池であっても良く、二次電池であっても良いが、中でも二次電池であることが好ましい。繰り返し充放電でき、例えば車載用電池として有用だからである。本発明の電池の形状としては、例えば、コイン型、ラミネート型、円筒型および角型等を挙げることができる。また、本発明の電池の製造方法は、上述した電池を得ることができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電池の製造方法と同様の方法を用いることができる。例えば、本発明の電池が全固体電池である場合、その製造方法の一例としては、正極活物質層を構成する材料、固体電解質層を構成する材料、および負極活物質層を構成する材料を順次プレスすることにより、発電要素を作製し、この発電要素を電池ケースの内部に収納し、電池ケースをかしめる方法等を挙げることができる。C.硫化物固体電解質材料の製造方法次に、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について説明する。本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法は、2つの実施態様に大別することができる。そこで、本発明の硫化物固体電解質材料の製造方法について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。1.第一実施態様第一実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法は、M1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、結晶質のイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、メカニカルミリングにより、上記イオン伝導性材料の結晶性を低下させる結晶性低下工程と、上記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とするものである。第一実施態様によれば、イオン伝導性材料合成工程に加えて、結晶性低下工程および加熱工程を行うことにより、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。そのため、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料を得ることができる。図4は、第一実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法の一例を示す説明図である。図4における硫化物固体電解質材料の製造方法では、まず、Li2S、P2S5およびGeS2を混合することにより、原料組成物を作製する。この際、空気中の水分によって原料組成物が劣化することを防止するために、不活性ガス雰囲気下で原料組成物を作製することが好ましい。次に、原料組成物を真空で加熱し、固相反応により結晶質のイオン伝導性材料を得る。ここで、第一実施態様におけるイオン伝導性材料とは、後述する結晶性低下工程および加熱工程を行う前の材料をいう。このイオン伝導性材料は、従来の硫化物固体電解質材料と同様の材料であるが、本発明の硫化物固体電解質材料と区別するために、イオン伝導性材料と称することにする。次に、得られたイオン伝導性材料を、振動ミルにより粉砕し、イオン伝導性材料の結晶性を低下させる。次に、結晶性が低下したイオン伝導性材料を再度加熱し、結晶性を向上させることで、硫化物固体電解質材料を得る。第一実施態様においては、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高い硫化物固体電解質材料を得ることができるが、以下、その理由について説明する。第一実施態様においては、結晶質のイオン伝導性材料を合成した後に、イオン伝導性材料の結晶性を低下させる処理を行う。これにより、イオン伝導性の高い結晶相A2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相が析出しやすい環境になり、その後の加熱工程により、結晶相Aを積極的に析出させることができ、IB/IAの値を、従来不可能であった0.50未満にすることができると考えられる。イオン伝導性材料の結晶性の低下により結晶相Aが析出しやすい環境になる理由は、完全には明らかではないが、メカニカルミリングによりイオン伝導性材料における固溶域が変化し、結晶相Aが析出しにくい環境から析出しやすい環境に変化した可能性が考えられる。以下、第一実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法について、工程ごとに説明する。1イオン伝導性材料合成工程まず、第一実施態様におけるイオン伝導性材料合成工程について説明する。第一実施態様におけるイオン伝導性材料合成工程は、M1元素、M2元素およびS元素を含有する原料組成物を用いて、結晶質のイオン伝導性材料を合成する工程である。第一実施態様における原料組成物は、M1元素、M2元素およびS元素を含有するものであれば特に限定されるものではない。なお、原料組成物におけるM1元素およびM2元素については、上記A.硫化物固体電解質材料に記載した事項と同様である。また、原料組成物に含まれるM1元素およびM2元素は、それぞれ、硫化物であっても良く、単体であっても良い。原料組成物の一例としては、Li2S、P2S5およびGeS2を含有するものを挙げることができる。また、原料組成物の組成は、最終的に、所望の硫化物固体電解質材料を得ることができる組成であれば特に限定されるものではない。中でも、原料組成物は、2θ=29.58°付近のピークを有するイオン伝導性材料を合成可能な組成であることが好ましい。イオン伝導性材料が2θ=29.58°付近のピークを有していれば、後述する結晶性低下工程および加熱工程を経て、硫化物固体電解質材料を得る場合に、2θ=29.58°付近のピークが生じやすいからである。さらに、原料組成物は、Li4-xGe1-xPxS4xは、0<x<1を満たすの組成を有するイオン伝導性材料を合成可能な組成を有することが好ましい。Liイオン伝導性の高い硫化物固体電解質材料を得ることができるからである。なお、上述したように、Li4-xGe1-xPxS4の組成は、Li3PS4およびLi4GeS4の固溶体の組成に該当する。ここで、原料組成物がLi2S、P2S5およびGeS2を含有する場合を考えると、Li3PS4を得るためのLi2SおよびP2S5の割合は、モル基準で、Li2S:P2S5=75:25である。一方、Li4GeS4を得るためのLi2SおよびGeS2の割合は、モル基準で、Li2S:GeS2=66.7:33.3である。そのため、これらの割合を考慮した上で、Li2S、P2S5およびGeS2の使用量を決定することが好ましい。また、xの好ましい範囲については、上記A.硫化物固体電解質材料に記載した内容と同様である。また、第一実施態様においては、原料組成物から、結晶質のイオン伝導性材料を合成する。イオン伝導性材料の合成方法は、結晶質のイオン伝導性材料を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば固相法等を挙げることができる。固相法は、加熱による固相反応によって、目的の試料を合成する方法である。固相法における加熱温度は、原料組成物に含まれる化合物の間で、固相反応が生じる温度であれば特に限定されるものではない。加熱温度は、原料組成物の組成によって異なるものであるが、例えば300°C~1000°Cの範囲内であることが好ましく、500°C~900°Cの範囲内であることがより好ましい。また、加熱時間は、所望のイオン伝導性材料が得られるように適宜調整することが好ましい。また、固相法における加熱は、酸化を防止する観点から、不活性ガス雰囲気下または真空中で行うことが好ましい。2結晶性低下工程次に、第一実施態様における結晶性低下工程について説明する。第一実施態様における結晶性低下工程は、メカニカルミリングにより、上記イオン伝導性材料の結晶性を低下させる工程である。第一実施態様においては、結晶質のイオン伝導性材料の結晶性を一度低くすることで、イオン伝導性の高い結晶相A2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相が析出しやすい環境にすることができる。メカニカルミリングは、試料を、機械的エネルギーを付与しながら粉砕する方法である。第一実施態様においては、結晶質のイオン伝導性材料に対して、機械的エネルギーを付与することで、イオン伝導性材料の結晶性を低下させることができる。このようなメカニカルミリングとしては、例えば、振動ミル、ボールミル、ターボミル、メカノフュージョン、ディスクミル等を挙げることができ、中でも振動ミルが好ましい。振動ミルの条件は、イオン伝導性材料の結晶性を低下させることができるものであれば特に限定されるものではない。振動ミルの振動振幅は、例えば5mm~15mmの範囲内、中でも6mm~10mmの範囲内であることが好ましい。振動ミルの振動周波数は、例えば500rpm~2000rpmの範囲内、中でも1000rpm~1800rpmの範囲内であることが好ましい。振動ミルの試料の充填率は、例えば1体積~80体積の範囲内、中でも5体積~60体積の範囲内、特に10体積~50体積の範囲内であることが好ましい。また、振動ミルには、振動子例えばアルミナ製振動子を用いることが好ましい。また、第一実施態様においては、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相が析出しやすい環境となるように、イオン伝導性材料の結晶性を下げることが好ましい。3加熱工程次に、第一実施態様における加熱工程について説明する。第一実施態様における加熱工程は、上記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る工程である。第一実施態様においては、結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより、結晶性の向上を図る。この加熱を行うことで、イオン伝導性の高い結晶相A2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相を積極的に析出させることができ、IB/IAの値を、従来不可能であった0.50未満にすることができる。第一実施態様における加熱温度は、所望の硫化物固体電解質材料を得ることができる温度であれば特に限定されるものではないが、結晶相A2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の結晶化温度以上の温度であることが好ましい。具体的には、上記加熱温度が300°C以上であることが好ましく、350°C以上であることがより好ましく、400°C以上であることがさらに好ましく、450°C以上であることが特に好ましい。一方、上記加熱温度は、1000°C以下であることが好ましく、700°C以下であることがより好ましく、650°C以下であることがさらに好ましく、600°C以下であることが特に好ましい。また、加熱時間は、所望の硫化物固体電解質材料が得られるように適宜調整することが好ましい。また、第一実施態様における加熱は、酸化を防止する観点から、不活性ガス雰囲気下または真空中で行うことが好ましい。また、第一実施態様により得られる硫化物固体電解質材料については、上記A.硫化物固体電解質材料に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。2.第二実施態様第二実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法は、M1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、メカニカルミリングにより、非晶質化したイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、上記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とするものである。第二実施態様によれば、イオン伝導性材料合成工程で非晶質化を行い、その後、加熱工程を行うことにより、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高い硫化物固体電解質材料を得ることができる。そのため、イオン伝導性が良好な硫化物固体電解質材料を得ることができる。また、第二実施態様においては、上述した第一実施態様の製造方法に比べて工程数を低減できるため、歩留まりが向上するという利点がある。図5は、第二実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法の一例を示す説明図である。図5における硫化物固体電解質材料の製造方法では、まず、Li2S、P2S5およびGeS2を混合することにより、原料組成物を作製する。この際、空気中の水分によって原料組成物が劣化することを防止するために、不活性ガス雰囲気下で原料組成物を作製することが好ましい。次に、原料組成物にボールミルを行い、非晶質化したイオン伝導性材料を得る。次に、非晶質化したイオン伝導性材料を加熱し、結晶性を向上させることで、硫化物固体電解質材料を得る。第二実施態様においては、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高い硫化物固体電解質材料を得ることができるが、その理由については、上述した通りであるので、ここでの記載は省略する。以下、第二実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法について、工程ごとに説明する。1イオン伝導性材料合成工程まず、第二実施態様におけるイオン伝導性材料合成工程について説明する。第二実施態様におけるイオン伝導性材料合成工程は、M1元素、M2元素およびS元素を含有する原料組成物を用いて、メカニカルミリングにより、非晶質化したイオン伝導性材料を合成する工程である。第二実施態様における原料組成物は、上述した第一実施態様における原料組成物と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、原料組成物の組成は、最終的に、所望の硫化物固体電解質材料を得ることができる組成であれば特に限定されるものではない。中でも、原料組成物がP2S5を含有する場合、原料組成物の組成は、P2S5が残留しないイオン伝導性材料を合成可能な組成であることが好ましい。P2S5が残留していると、後の加熱工程でP2S5が溶融し、イオン伝導性の高い結晶相Aを析出させにくくする可能性があるからである。P2S5の融点は270°C程度と低いため、残留していると加熱工程で溶融が生じる。なお、得られたイオン伝導性材料にP2S5が残留しているか否かは、例えばラマン分光測定により確認できる。また、メカニカルミリングは、試料を、機械的エネルギーを付与しながら粉砕する方法である。第二実施態様においては、原料組成物に対して、機械的エネルギーを付与することで、非晶質化したイオン伝導性材料を合成する。このようなメカニカルミリングとしては、例えば、ボールミル、振動ミル、ターボミル、メカノフュージョン、ディスクミル等を挙げることができ、中でもボールミルが好ましく、特に遊星型ボールミルが好ましい。メカニカルミリングの各種条件は、所望のイオン伝導性材料を得ることができるように設定する。例えば、遊星型ボールミルを用いる場合、原料組成物および粉砕用ボールを加え、所定の回転数および時間で処理を行う。一般的に、回転数が大きいほど、イオン伝導性材料の生成速度は速くなり、処理時間が長いほど、原料組成物からイオン伝導性材料への転化率は高くなる。遊星型ボールミルを行う際の台盤回転数としては、例えば200rpm~500rpmの範囲内、中でも250rpm~400rpmの範囲内であることが好ましい。また、遊星型ボールミルを行う際の処理時間は、例えば1時間~100時間の範囲内、中でも1時間~70時間の範囲内であることが好ましい。2加熱工程第二実施態様における加熱工程は、上記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料を得る工程である。なお、加熱工程については、上述した第一実施態様における加熱工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。3.その他の実施態様上述した第一実施態様および第二実施態様の硫化物固体電解質材料の製造方法は、それぞれ、上記A.硫化物固体電解質材料に記載した第一実施態様の硫化物固体電解質材料に対応したものである。本発明においては、上記A.硫化物固体電解質材料に記載した第二実施態様およびその他の実施態様に対応した、下記I~IVの硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することもできる。なお、下記I~IVにおける各工程の内容は、上述した各工程の内容と同様である。IM1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であると、M2a元素およびM2b元素M2aおよびM2bは、それぞれ独立に、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であると、S元素とを含有する原料組成物を用いて、結晶質のイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、メカニカルミリングにより、上記イオン伝導性材料の結晶性を低下させる結晶性低下工程と、上記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより、上記M1元素および上記S元素から構成される八面体Oと、上記M2a元素および上記S元素から構成される四面体T1と、上記M2b元素および上記S元素から構成される四面体T2とを有し、上記四面体T1および上記八面体Oは稜を共有し、上記四面体T2および上記八面体Oは頂点を共有する結晶構造を主体として含有する硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。IIM1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であると、M2a元素およびM2b元素M2aおよびM2bは、それぞれ独立に、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であると、S元素とを含有する原料組成物を用いて、メカニカルミリングにより、非晶質化したイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、上記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、上記M1元素および上記S元素から構成される八面体Oと、上記M2a元素および上記S元素から構成される四面体T1と、上記M2b元素および上記S元素から構成される四面体T2とを有し、上記四面体T1および上記八面体Oは稜を共有し、上記四面体T2および上記八面体Oは頂点を共有する結晶構造を主体として含有する硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。IIIM1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、結晶質のイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、メカニカルミリングにより、上記イオン伝導性材料の結晶性を低下させる結晶性低下工程と、上記結晶性が低下したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=29.78°±0.50°のピークの回折強度をICとした場合に、IC/IAの値が0.20以下である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。IVM1元素M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種である、M2元素M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であるおよびS元素を含有する原料組成物を用いて、メカニカルミリングにより、非晶質化したイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、上記非晶質化したイオン伝導性材料を加熱することにより、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=29.78°±0.50°のピークの回折強度をICとした場合に、IC/IAの値が0.20以下である硫化物固体電解質材料を得る加熱工程と、を有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する。[実施例1]イオン伝導性材料の合成出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、五硫化二リンP2S5と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.7769g、P2S5を0.8673g、GeS2を0.3558gの割合で混合し、原料組成物を得た。次に、原料組成物をペレット状に成型し、得られたペレットを、カーボンコートした石英管に入れ真空封入した。真空封入した石英管の圧力は、約30Paであった。次に、石英管を焼成炉に設置し、6時間かけて室温から700°Cまで昇温し、700°Cを8時間維持し、その後室温まで徐冷した。これにより、Li3.25Ge0.25P0.75S4の組成を有する結晶質のイオン伝導性材料を得た。なお、上記組成は、Li4-xGe1-xPxS4におけるx=0.75の組成に該当するものである。硫化物固体電解質材料の合成次に、得られたイオン伝導性材料を、振動ミルを用いて粉砕した。振動ミルにはシーエムティー科学社製TI-100を使用した。具体的には、10mLのポットに、上記方法で得られたイオン伝導性材料約2gと、アルミナ製振動子φ36.3mm、高さ48.9mmとを入れ、回転数1440rpmで30分間処理を行った。その後、結晶性が低下したイオン伝導性材料をペレット状に成型し、得られたペレットを、カーボンコートした石英管に入れ真空封入した。真空封入した石英管の圧力は、約30Paであった。次に、石英管を焼成炉に設置し、6時間かけて室温から550°Cまで昇温し、550°Cを8時間維持し、その後室温まで徐冷した。これにより、Li3.25Ge0.25P0.75S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[実施例2]原料組成物として、Li2Sを0.7790g、P2S5を0.7986g、GeS2を0.4224gの割合で混合したものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして結晶質のイオン伝導性材料を得た。得られたイオン伝導性材料は、Li3.3Ge0.3P0.7S4の組成を有し、この組成はLi4-xGe1-xPxS4におけるx=0.7の組成に該当するものである。さらに、このイオン伝導性材料を用いて、実施例1と同様にして、Li3.3Ge0.3P0.7S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[実施例3]原料組成物として、Li2Sを0.7811g、P2S5を0.7329g、GeS2を0.4860gの割合で混合したものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして結晶質のイオン伝導性材料を得た。得られたイオン伝導性材料は、Li3.35Ge0.35P0.65S4の組成を有し、この組成はLi4-xGe1-xPxS4におけるx=0.65の組成に該当するものである。さらに、このイオン伝導性材料を用いて、実施例1と同様にして、Li3.35Ge0.35P0.65S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[実施例4]原料組成物として、Li2Sを0.7831g、P2S5を0.6685g、GeS2を0.5484gの割合で混合したものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして結晶質のイオン伝導性材料を得た。得られたイオン伝導性材料は、Li3.4Ge0.4P0.6S4の組成を有し、この組成はLi4-xGe1-xPxS4におけるx=0.6の組成に該当するものである。さらに、このイオン伝導性材料を用いて、実施例1と同様にして、Li3.4Ge0.4P0.6S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[比較例1~4]実施例1~4で得られた結晶質のイオン伝導性材料を、それぞれ比較用サンプルとした。[評価1]X線回折測定実施例3で得られた硫化物固体電解質材料を用いて、X線回折XRD測定を行った。その結果を図6に示す。図6aは、CuKα線により測定したXRDパターンであり、図6bは、放射光波長1.2Åにより測定したXRDパターンである。図6a、bに示されるように、実施例3では、単相の硫化物固体電解質材料が得られた。CuKα線により測定した場合、ピークの位置は、2θ=17.38°、20.18°、20.44°、23.56°、23.96°、24.93°、26.96°、29.07°、29.58°、31.71°、32.66°、33.39°であった。一方、放射光波長1.2Åにより測定した場合、ピークの位置は、2θ=9.63°、10.94°、11.21°、13.52°、15.69°、15.88°、18.29°、18.61°、19.35°、20.92°、22.94°、24.48°、24.56°であった。すなわち、これらのピークが、Liイオン伝導性の高い結晶相Aのピークであると考えられる。なお、上述したピークの位置は、±0.50°中でも±0.30°の範囲内で前後していても良い。次に、実施例1~4で得られた硫化物固体電解質材料、および比較例1~4で得られた比較用サンプルを用いて、X線回折測定CuKα線使用を行った。その結果を図7~図10に示す。図7に示されるように、実施例1で得られた硫化物固体電解質材料は、2θ=29.36°の位置にピークを有していた。このピークは、Liイオン伝導性の高い結晶相Aのピークである。なお、この結晶相Aに帰属されるピークは、図面左から順に、2θ=17.28°、20.04°、20.30°、23.82°、26.78°、29.36°の各ピークであると考えられる。また、図7に示すように、2θ=29.58°付近実施例1の場合、2θ=29.36°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°付近のピークの強度をIBとし、2θ=29.78°付近のピークの回折強度をICとする。実施例1におけるIB/IAの値は0.25であり、IC/IAの値は0.07であった。一方、比較例1におけるIB/IAの値は1.4であり、IC/IAの値は1.54であった。また、図8~図10に示されるように、実施例2~4で得られた硫化物固体電解質材料も、同様に2θ=29.58°付近にピークを有していた。また、実施例2~4におけるIB/IAおよびIC/IAの値については、後述する表1に記載する。なお、図10に示すように、実施例4においても、実施例3と同様に単相の硫化物固体電解質材料が得られた。X線構造解析実施例3で得られた硫化物固体電解質材料の結晶構造をX線構造解析により同定した。XRDで得られた回折図形を基に直接法で晶系結晶群を決定し、その後、実空間法により結晶構造を同定した。その結果、上述した図2のような結晶構造を有することが確認された。すなわち、四面体T1GeS4四面体およびPS4四面体と、八面体OLiS6八面体とは稜を共有し、四面体T2PS4四面体と、八面体OLiS6八面体とは頂点を共有している結晶構造であった。この結晶構造が高Li伝導に寄与すると考えられる。Liイオン伝導度の測定実施例1~4で得られた硫化物固体電解質材料、および比較例1~4で得られた比較用サンプルを用いて、25°CでのLiイオン伝導度を測定した。まず、アルゴン雰囲気のグローブボックス内で、試料を適量秤量し、ポリエチレンテレフタラート管PET管、内径10mm、外径30mm、高さ20mmに入れ、上下から、炭素工具鋼S45Cアンビルからなる粉末成型治具で挟んだ。次に、一軸プレス機理研精機社製P-6を用いて、表示圧力6MPa成型圧力約110MPaでプレスし、直径10mm、任意の厚さのペレットを成型した。次に、ペレットの両面に、金粉末ニラコ社製、樹状、粒径約10μmを13mg~15mgずつ乗せて、均一にペレット表面上に分散させ、表示圧力30MPa成型圧力約560MPaで成型した。その後、得られたペレットを、アルゴン雰囲気を維持できる密閉式電気化学セルに入れた。測定には、周波数応答解析装置FRAとして、ソーラトロン社製のインピーダンスゲインフェーズアナライザーsolartron1260を用い、恒温装置として小型環境試験機を用いた。交流電圧10mV~1000mV、周波数範囲1Hz~10MHz、積算時間0.2秒、温度23°Cの条件で、高周波領域から測定を開始した。測定ソフトにはZplotを用い、解析ソフトにはZviewを用いた。得られた結果を表1に示す。表1に示されるように、実施例1~4は、比較例1~4に比べて、それぞれ高いLiイオン伝導度を有していた。このことから、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相の割合が高くなり、IB/IAの値が小さくなると、Liイオン伝導性が向上することが確認できた。なお、表1に示されるように、従来の方法である固相法で作製したイオン伝導性材料では、IB/IAの値を0.50未満にすることはできず、IC/IAの値を0.20以下にすることもできなかった。また、図11は、実施例1~4および比較例1~4における、強度比IB/IAとLiイオン伝導度との関係を示すグラフである。図11に示されるように、IB/IAの値が0.50未満の場合に、Liイオン伝導度が高くなることが確認できた。また、図12に示すように、実施例1~3は、比較例1~3に比べて、それぞれ高いLiイオン伝導度を有していた。[参考例1~3]実施例1~3で得られた結晶質のイオン伝導性材料を、それぞれ参考用サンプルとした。[参考例4]原料組成物として、Li2Sを0.7747g、P2S5を0.9370g、GeS2を0.2883gの割合で混合したものを用いたこと以外は、実施例1と同様にして結晶質のイオン伝導性材料を得た。得られたイオン伝導性材料は、Li3.2Ge0.2P0.8S4の組成を有し、この組成はLi4-xGe1-xPxS4におけるx=0.8の組成に該当するものである。このイオン伝導性材料を参考用サンプルとした。[評価2]参考例1~4で得られた参考用サンプルを用いて、X線回折測定と、Liイオン伝導度の測定とを行った。その結果を、それぞれ図13および図14に示す。図13に示されるように、xの値が増加すると、2θ=29.58°付近のピークの回折強度が小さくなり、2θ=27.33°付近および29.78°付近のピークの回折強度が大きくなることがわかる。これは、xの値の増加とともに、Liイオン伝導性の低い結晶相Bの割合が相対的に高くなることを示している。特に参考例4においては、2θ=29.58°付近のピークを有する結晶相Aが完全に消失し、結晶相Bのピークしか確認されない。そこで、図14を見てみると、参考例4のLiイオン伝導度は、参考例1~3のLiイオン伝導度に比べて格段に低くなっている。そのため、参考例1~3の参考用サンプルが有する結晶相Aは、結晶相BよりもLiイオン伝導性が顕著に高いことが示唆される。このことからも、結晶相Aを多く含有する本発明の硫化物固体電解質材料は、高いLiイオン伝導性を有することが確認できた。[実施例5]出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、五硫化二リンP2S5と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.3934g、P2S5を0.2719g、GeS2を0.3346gの割合で混合し、原料組成物を得た。次に、原料組成物1gを、ジルコニアボール10mmφ、10個とともに、ジルコニア製のポット45mlに入れ、ポットを完全に密閉したアルゴン雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数370rpmで、60時間メカニカルミリングを行った。これにより、Li3.5Ge0.5P0.5S4の組成を有する、非晶質化したイオン伝導性材料を得た。なお、上記組成は、Li4-xGe1-xPxS4におけるx=0.5の組成に該当するものである。次に、得られたイオン伝導性材料をペレット状に成型し、得られたペレットを、カーボンコートした石英管に入れ真空封入した。真空封入した石英管の圧力は、約30Paであった。次に、石英管を焼成炉に設置し、6時間かけて室温から550°Cまで昇温し、550°Cを8時間維持し、その後室温まで徐冷した。これにより、Li3.5Ge0.5P0.5S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[比較例5-1]実施例5で得られた、非晶質化したイオン伝導性材料を、比較用サンプルとした。[比較例5-2]焼成条件として、6時間かけて室温から300°Cまで昇温し、300°Cを8時間維持し、その後室温まで徐冷したこと以外は、実施例5と同様にして比較用サンプルを得た。[比較例5-3]焼成条件として、6時間かけて室温から700°Cまで昇温し、700°Cを8時間維持し、その後室温まで徐冷したこと以外は、実施例5と同様にして比較用サンプルを得た。[実施例6]原料組成物として、Li2Sを0.3905g、P2S5を0.3666g、GeS2を0.2429gの割合で混合したものを用いたこと以外は、実施例5と同様にして非晶質化したイオン伝導性材料を得た。得られたイオン伝導性材料は、Li3.35Ge0.35P0.65S4の組成を有し、この組成はLi4-xGe1-xPxS4におけるx=0.65の組成に該当するものである。さらに、このイオン伝導性材料を用いて、実施例5と同様にして、Li3.35Ge0.35P0.65S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[比較例6]実施例6で得られた、非晶質化したイオン伝導性材料を、比較用サンプルとした。[実施例7]原料組成物として、Li2Sを0.3895g、P2S5を0.3997g、GeS2を0.2108gの割合で混合したものを用いたこと以外は、実施例5と同様にして非晶質化したイオン伝導性材料を得た。得られたイオン伝導性材料は、Li3.3Ge0.3P0.7S4の組成を有し、この組成はLi4-xGe1-xPxS4におけるx=0.7の組成に該当するものである。さらに、このイオン伝導性材料を用いて、実施例5と同様にして、Li3.3Ge0.3P0.7S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[比較例7]実施例7で得られた、非晶質化したイオン伝導性材料を、比較用サンプルとした。[評価3]X線回折測定実施例5~7で得られた硫化物固体電解質材料、および、比較例5-1、5-2、5-3、6、7で得られた比較用サンプルを用いて、X線回折測定CuKα線使用を行った。その結果を図15~図18に示す。まず、図15~図17に示されるように、比較例5-1、6、7で得られた比較用サンプルは、わずかにLi2Sのピークが検出されるものの、ほぼ完全に非晶質化していることが確認された。一方、実施例5~7で得られた硫化物固体電解質材料は、いずれも、上述した実施例3と同様のピークを有し、単相の硫化物固体電解質材料であることが確認された。次に、図18に示されるように、比較例5-2300°Cでの加熱では、Liイオン伝導性の高い結晶相Aは析出せず、比較例5-3700°Cでの加熱では、Liイオン伝導性の高い結晶相A以外の相が析出した。このことから加熱温度は、300°Cよりも高く、700°Cよりも低い範囲内であることが好ましい。Liイオン伝導度の測定実施例5~7で得られた硫化物固体電解質材料、および、比較例5-1、6、7で得られた比較用サンプルを用いて、Liイオン伝導度の測定を行った。測定方法は上記と同様である。その結果を表2に示す。表2に示されるように、実施例5~7は、それぞれ高いLiイオン伝導度を有していた。ラマン分光測定比較例5-1、6で得られた比較用サンプルに対して、ラマン分光測定を行った。ラマン分光測定には、東京インスツルメンツ製NanofinderSOLARTIIを使用した。その結果を図19に示す。図19に示されるように、実施例5-1、6で得られた比較用サンプルは、P2S5のピークは検出されず、PS43-の振動が、420cm-1付近に検出された。このことから、ボールミルにより、原料のP2S5は全てLi2Sと反応し、化学的に安定なPS43-に変換されていることが確認された。また、P2S5がPS43-に変換されていたため、実施例5、6では、焼成後にP2S5が溶融した痕跡は見られなかった。[実施例8]出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、五硫化二リンP2S5と、三硫化二リンP2S3と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.88053g、P2S5を0.567952g、P2S3を0.20204g、GeS2を0.3494gの割合で混合し、原料組成物を得た。次に、原料組成物2gを、ジルコニアボール10mmφ、10個とともに、ジルコニア製のポット45mlに入れ、ポットを完全に密閉したアルゴン雰囲気。このポットを遊星型ボールミル機フリッチュ製P7に取り付け、台盤回転数370rpmで、40時間メカニカルミリングを行った。これにより、Li3.75Ge0.25P0.25P0.5S4の組成を有する、非晶質化したイオン伝導性材料を得た。次に、得られたイオン伝導性材料をアルミニウム製の容器に入れ、Arガスフロー下80mL/minで10°C/minで室温から550°Cまで昇温し、その後、10°C/minで550°Cから室温まで降温した。これにより、Li3.75Ge0.25P0.25P0.5S4の組成を有する結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。[実施例9]出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、五硫化二リンP2S5と、硫化アルミニウムAl2S3と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.88504g、P2S5を0.570864g、Al2S3を0.192826g、GeS2を0.351267gの割合で混合し、原料組成物を得た。この原料組成物を用いたこと以外は、実施例8と同様にして結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。得られた硫化物固体電解質材料の組成は、Li3.75Ge0.25Al0.25P0.5S4である。[実施例10]出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、五硫化二リンP2S5と、硫化ジルコニウムZrS2と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.769424g、P2S5を0.5751g、ZrS2を0.327191g、GeS2を0.371649gの割合で混合し、原料組成物を得た。この原料組成物を用いたこと以外は、実施例8と同様にして結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。得られた硫化物固体電解質材料の組成は、Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4である。[実施例11]出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、硫化亜鉛ZnSと、五硫化二リンP2S5と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.687245g、ZnSを0.146712g、P2S5を0.522737g、GeS2を0.643307gの割合で混合し、原料組成物を得た。この原料組成物を用いたこと以外は、実施例8と同様にして結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。得られた硫化物固体電解質材料の組成は、Li3.18Zn0.16Ge0.5P0.5S4である。[実施例12]出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、五硫化二リンP2S5と、硫化ニオブNbS2と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.76787g、P2S5を0.53066g、NbS2を0.374919g、GeS2を0.326533gの割合で混合し、原料組成物を得た。この原料組成物を用いたこと以外は、実施例8と同様にして結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。得られた硫化物固体電解質材料の組成は、Li3.5Ge0.25Nb0.25P0.5S4である。[実施例13]出発原料として、硫化リチウムLi2Sと、五硫化二リンP2S5と、硫化珪素SiS2と、硫化ゲルマニウムGeS2とを用いた。これらの粉末をアルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、Li2Sを0.81323g、P2S5を0.76333g、SiS2を0.170524g、GeS2を0.252913gの割合で混合し、原料組成物を得た。この原料組成物を用いたこと、および、熱処理の最高温度を550°Cから650°Cに変更したこと以外は、実施例8と同様にして結晶質の硫化物固体電解質材料を得た。得られた硫化物固体電解質材料の組成は、Li3.55Ge0.175Si0.175P0.65S4である。[評価4]X線回折測定実施例8~13で得られた硫化物固体電解質材料を用いて、X線回折測定CuKα線使用を行った。その結果を図20、図21に示す。また、2θ=29.58°付近のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°付近のピークの強度をIBとし、IB/IAの値を求めた。その結果を表3に示す。図20、図21に示されるように、実施例8~13で得られた硫化物固体電解質材料は、いずれも、2θ=29.58°付近に大きなピークを有していた。また、表3に示されるように、実施例8においては、θ=27.33°付近のピークの強度が検出されず、IB/IA=0となった。この結果から、LiGePS系のGeの一部を3価のPで置換しても、高イオン伝導性の結晶相結晶相Aが析出されることが確認できた。実施例9においては、θ=27.33°付近のピークの強度が検出されず、IB/IA=0となった。この結果から、LiGePS系のGeの一部をAlで置換しても、高イオン伝導性の結晶相結晶相Aが析出されることが確認できた。実施例10においては、θ=27.33°付近のピークの強度が検出されず、IB/IA=0となった。この結果から、LiGePS系のGeの一部をZrで置換しても、高イオン伝導性の結晶相結晶相Aが析出されることが確認できた。実施例11においては、θ=27.33°付近のピークの強度が検出され、IB/IA=0.15となった。この結果から、LiGePS系のLiの一部をZnで置換しても、高イオン伝導性の結晶相結晶相Aが多く析出されることが確認できた。実施例12においては、θ=27.33°付近のピークの強度が検出され、IB/IA=0.14となった。この結果から、LiGePS系のGeの一部をNbで置換しても、高イオン伝導性の結晶相結晶相Aが多く析出されることが確認できた。実施例13においては、θ=27.33°付近のピークの強度が検出されず、IB/IA=0となった。この結果から、LiGePS系のGeの一部をSiで置換しても、高イオン伝導性の結晶相結晶相Aが析出されることが確認できた。[実施例14]実施例5に記載の組成Li3.5Ge0.5P0.5S4Li21Ge3P3S24について、GeをSiに置換した場合、本発明における所定の結晶構造が存在し得るか否かを第一原理計算により推定した。Li金属、Ge金属、Si金属、P結晶、S結晶の生成熱をゼロ基準として、結晶中のGeをSiに置換した場合の生成エンタルピーを計算した。ここで、第一原理計算は密度汎関数理論に基づく、経験パラメータを含まない高精度計算手法である。この計算手法を用い、結晶の生成熱生成エンタルピーを算出した。生成熱とは安定な単体の生成熱をゼロ基準として、その物質を構成する単体から1molの化合物を合成する反応の伴う反応熱である。一般的には定圧下の生成熱として生成エンタルピー変化ΔHfで記される。反応物から生成物へ変化する過程のエンタルピー収支が負の値を取るとき反応系外に熱が放出され、発熱反応となる。つまり、生成物が存在し得るということになる。生成エンタルピーの計算式例えば、Li21Ge3P3S24の場合、生成エンタルピーは以下の式で示すことができる。生成エンタルピー=21EtotLi金属3EtotGe金属3EtotP結晶24EtotS結晶-EtotLi21Ge3P3S24結晶なお、Etotは、第一原理計算から求められる結晶の電子状態のトータルエネルギーにおける各原子1個分のエネルギーである。第一原理計算第一原理計算は、以下の手順で行う。まず、関連する結晶の格子定数、空間群、原子座標の実験値を基に計算モデルを構築する。次に、一般的な第一原理計算ソフトCASTEP、VASP等にて構造最適化計算ツールにより内部エネルギーが極小になるように格子定数、原子位置を最適化する。これと同時に結晶の電子状態のトータルエネルギーが算出される。得られた各結晶の電子状態のトータルエネルギーを基に、上記計算式にて生成エンタルピーを算出する。また、第一原理計算の手法として、電子波動関数の記述には平面波基底を、交換相互作用には一般化勾配近似GGA-PBEを、内殻電子の取り扱いにはPAW法を用いる。計算条件については、結晶ごとに最適化する。[実施例15~19]実施例5に記載の組成Li3.5Ge0.5P0.5S4Li21Ge3P3S24について、Geを、それぞれSn、Pb、Zr、Al、Bに置換した場合、本発明における所定の結晶構造が存在し得るか否かを第一原理計算により推定した。なお、実施例18、19は、Liを添加した場合の結果である。[評価5]第一原理計算の結果を表4に示す。表4に示されるように、生成エンタルピーは、いずれも負となった。これは、Geを上記の各元素で置換した場合に、所望の結晶が合成できることを示唆するものである。