誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記絶縁筒の両端の内部に同心円状にリング電極を形成して前記静電シールド電極に接続し、かつ前記リング電極の軸方向における配置位置を前記接続電極の先端よりも前記絶縁筒の軸方向における中央部側としたことを特徴とするコンデンサユニット。誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記絶縁筒の両端の外部に同心円状にリング電極を形成して前記静電シールド電極に接続し、かつ前記リング電極の軸方向における配置位置を前記接続電極の先端よりも前記絶縁筒の軸方向における中央部側としたことを特徴とするコンデンサユニット。誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記接続電極の外径を前記絶縁筒の内径より4mm以上細くし、前記接続電極と前記絶縁筒とのギャップに絶縁リングを配置して前記接続電極を前記絶縁筒内に固定したことを特徴とするコンデンサユニット。誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記接続電極の外径を前記絶縁筒の内径より4mm以上細くし、前記静電シールド電極に前記接続電極の挿入口を形成して、当該挿入口に前記接続電極を嵌合させたことを特徴とするコンデンサユニット。請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載のコンデンサユニットを、主回路の遮断接点と並列に接続したことを特徴とするガス絶縁遮断器。上記のようなコンデンサユニット90では、直列に接続するコンデンサ素子11、12、1nの個数を調整することによって、所望の静電容量および耐電圧性能が得られる。また、コンデンサユニット90では、コンデンサ積層体1’を構成する個々のコンデンサ素子11~1nの外径が、絶縁筒3の内径より1~2mm程度小さくなるように形成される。したがって、コンデンサ積層体1’の両端に配置する接続電極2の外径も、絶縁筒3の内径より1~2mm小さくなるよう形成されている。上記のようにコンデンサユニット90を製造組立することによって、コンデンサ素子11~1nおよび接続電極2を絶縁筒3内部に挿入する際に、径方向へのズレを抑制することができる。しかし、コンデンサユニット90では、接続電極2の外面と絶縁筒3の内面との距離が1mm以下となった場合、微小なギャップを形成する可能性が高い。図10に示すように、金属と絶縁筒3の絶縁物との間隔が1mm以下となった場合の微小ギャップ6はトリプルジャンクションと呼ばれており、電界が局所的に集中して高電界を形成する部位として知られている。したがって、上記のようなトリプルジャンクションにおける高電界が原因で絶縁破壊が発生する危険性がある。このため、コンデンサユニット90のコンパクト化の阻害要因となると同時に、ガス絶縁遮断器全体でのコンパクト化の阻害要因にもなっている。このようなトリプルジャンクションの高電界を低減させるため、図10に示す外部シールド構造7が設けられることがある。この場合、コンデンサユニット90は、図11に示すように、円周状に形成された外部シールド構造7の内周に、コンデンサ積層体1’を収納した絶縁筒3を複数個図面では6個円周方向に並べて構成される。一般的に、高電圧が印加される最外殻の電極の内側に構成される電極については、その表面の電界は低減される。よって、外部シールド構造7は接続電極2と同電位であるため、図11に示すように、外部シールド構造7より内側中心側に位置する仮想線Aに沿った位置にあるトリプルジャンクションの電界は低減されることになる。しかしながら、トリプルジャンクションは、それぞれの絶縁筒3内において、接続電極2の先端部分で円周全周図11の絶縁筒3と接続電極2との隙間の円周全周に亘って形成される可能性がある。このため、仮想線Aに沿った位置以外の位置については外部シールド電極7によるトリプルジャンクションの高電界を低減する効果は得られない。そこで、本発明の実施形態は、絶縁筒内で接続電極の先端部の全周に亘り、トリプルジャンクションの高電界を緩和させることによって絶縁性能の低下を抑制することができるコンデンサユニットおよびそれを用いたガス絶縁遮断器を提供することを目的とする。上述の目的を達成するため、本発明の実施形態に係るコンデンサユニットは、誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記絶縁筒の両端の内部に同心円状にリング電極を形成して前記静電シールド電極に接続し、かつ前記リング電極の軸方向における配置位置を前記接続電極の先端よりも前記絶縁筒の軸方向における中央部側としたことを特徴とする。また、本発明の実施形態に係るコンデンサユニットは、誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記絶縁筒の両端の外部に同心円状にリング電極を形成して前記静電シールド電極に接続し、かつ前記リング電極の軸方向における配置位置を前記接続電極の先端よりも前記絶縁筒の軸方向における中央部側としたことを特徴とする。また、本発明の実施形態に係るコンデンサユニットは、誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記接続電極の外径を前記絶縁筒の内径より4mm以上細くし、前記接続電極と前記絶縁筒とのギャップに絶縁リングを配置して前記接続電極を前記絶縁筒内に固定したことを特徴とする。また、本発明の実施形態に係るコンデンサユニットは、誘電体の周囲を絶縁材で被覆したコンデンサ素子を複数個直列に接続してなるコンデンサ積層体を、開口端部を有する絶縁筒に収納し、接続電極を介して前記コンデンサ積層体の両端部を静電シールド電極に接続したコンデンサユニットにおいて、前記接続電極の外径を前記絶縁筒の内径より4mm以上細くし、前記静電シールド電極に前記接続電極の挿入口を形成して、当該挿入口に前記接続電極を嵌合させたことを特徴とする。また、上述の目的を達成するため、本発明の実施形態に係るガス絶縁遮断器は、前記コンデンサユニットを、主回路の遮断接点と並列に接続したことを特徴とする。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット10では、たとえ接続電極2の外面と絶縁筒3の内面との距離が1mm以下となり、微小ギャップ6でトリプルジャンクションによる高電界を形成したとしても、リング電極8により接続電極2の先端の全周に亘って電界シールドの作用を得ることができる。この電界シールド作用では、高電圧が印加される最外殻の電極の内側に形成される電極について、その表面の電界が低減される。このため、リング電極8により接続電極2の先端の全周に亘ってトリプルジャンクションの高電界を緩和させ、絶縁性能の低下を抑制することができる。さらに、コンデンサユニット10を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図2に示すように、ガス絶縁遮断器20を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。[第2の実施の形態]全体構成図3は、本発明に係るコンデンサユニットの第2の実施形態を示す縦断面図である。ただし、中心線の右半分のみを図示する。本実施の形態のコンデンサユニット30では、開口端部を有する絶縁筒3の両端の外部に同心円状にリング電極18が形成されている。このリング電極18は接続金属19を介して静電シールド電極4と接続されている。また、このリング電極18の軸方向における配置位置は、接続電極2の先端部符号6の位置よりやや中央部C側とすることが好ましく、隣接するコンデンサ素子111又は1nの中間位置まで配置することができる。また、図4に示すように、コンデンサユニット30を主回路の遮断接点5と並列に接続してガス絶縁遮断器40を構成することもできる。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット30では、たとえ接続電極2の外面と絶縁筒3の内面との距離が1mm以下となり、微小ギャップ6でトリプルジャンクションによる高電界を形成したとしても、リング電極18により接続電極2の先端の全周に亘って電界シールドの作用を得ることができる。このため、リング電極18により接続電極2の先端の全周に亘ってトリプルジャンクションの高電界を緩和させ、絶縁性能の低下を抑制することができる。さらに、コンデンサユニット30を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図4に示すように、ガス絶縁遮断器40を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。[第3の実施の形態]全体構成図5は、本発明に係るコンデンサユニットの第3の実施形態を示す縦断面図である。ただし、中心線の右半分のみを図示する。本実施の形態のコンデンサユニット50では、接続電極22の外径を絶縁筒3の内径より4mm以上細くし、接続電極22と絶縁筒3とのギャップ23に絶縁リング21を配置して接続電極22を絶縁筒3内に固定している。また、図6に示すように、コンデンサユニット50を主回路の遮断接点5と並列に接続してガス絶縁遮断器60を構成することもできる。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット50では、接続電極22の外径と絶縁筒3の内径との差を4mm以上としているので、接続電極22と絶縁筒3との間に2mm以上のギャップ23が形成される。このため、接続電極22の先端における微小ギャップは2mm以上に改善され、従来のコンデンサユニットにおいて問題とされたトリプルジャンクションを形成しない。その結果、接続電極22の先端の電界は上昇せず、絶縁性能の良好なコンデンサユニット50を提供することができる。さらに、コンデンサユニット50を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図6に示すように、ガス絶縁遮断器60を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。[第4の実施の形態]全体構成図7は、本発明に係るコンデンサユニットの第4の実施形態を示す縦断面図である。ただし、中心線の右半分のみを図示する。本実施の形態のコンデンサユニット70では、接続電極32の外径を絶縁筒3の内径より4mm以上細くし、静電シールド電極4に接続電極32の挿入口31を形成して、この挿入口31に接続電極32を嵌合させている。また、図8に示すように、コンデンサユニット70を主回路の遮断接点5と並列に接続してガス絶縁遮断器80を構成することもできる。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット70では、接続電極32の外径と絶縁筒3の内径との差を4mm以上としているので、接続電極32と絶縁筒3との間に2mm以上のギャップ33が形成される。このため、接続電極32の先端における微小ギャップは2mm以上に改善され、従来のコンデンサユニットにおいて問題とされたトリプルジャンクションを形成しない。その結果、接続電極32の先端の電界は上昇せず、絶縁性能の良好なコンデンサユニット70を提供することができる。さらに、コンデンサユニット70を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図8に示すように、ガス絶縁遮断器80を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。なお、以上説明した実施形態のコンデンサユニット10、30、50、70では、全て外部シールド構造7を形成した例を示したが、外部シールド構造7を省略することもできる。また、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。1a...誘電体1b...絶縁体1c、1d...電極1...コンデンサ素子1’...コンデンサ積層体2...接続電極3...絶縁筒4...静電シールド電極5...遮断接点6...微小ギャップ7...外部シールド構造8...リング電極9...接続金属10...コンデンサユニット18...リング電極19...接続金属20...ガス絶縁遮断器21...絶縁リング22...接続電極23...ギャップ30...コンデンサユニット31...挿入口32...接続電極33...ギャップ40...ガス絶縁遮断器50...コンデンサユニット60...ガス絶縁遮断器70...コンデンサユニット80...ガス絶縁遮断器90...コンデンサユニット以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。なお、従来例として図10に示したコンデンサユニットと同一の部材に関しては同一符号を付し、説明は省略する。[第1の実施の形態]全体構成図1は、本発明に係るコンデンサユニットの第1の実施形態を示す縦断面図である。ただし、中心線の右半分のみを図示する。本実施の形態のコンデンサユニット10では、開口端部を有する絶縁筒3の両端の内部に同心円状にリング電極8が形成されている。このリング電極8は接続金属9を介して静電シールド電極4と接続されている。また、このリング電極8の軸方向における配置位置は、接続電極2の先端部符号6の位置よりやや中央部C側とすることが好ましく、隣接するコンデンサ素子111又は1nの中間位置まで配置することができる。また、図2に示すように、コンデンサユニット10を主回路の遮断接点5と並列に接続してガス絶縁遮断器20を構成することもできる。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット10では、たとえ接続電極2の外面と絶縁筒3の内面との距離が1mm以下となり、微小ギャップ6でトリプルジャンクションによる高電界を形成したとしても、リング電極8により接続電極2の先端の全周に亘って電界シールドの作用を得ることができる。この電界シールド作用では、高電圧が印加される最外殻の電極の内側に形成される電極について、その表面の電界が低減される。このため、リング電極8により接続電極2の先端の全周に亘ってトリプルジャンクションの高電界を緩和させ、絶縁性能の低下を抑制することができる。さらに、コンデンサユニット10を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図2に示すように、ガス絶縁遮断器20を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。[第2の実施の形態]全体構成図3は、本発明に係るコンデンサユニットの第2の実施形態を示す縦断面図である。ただし、中心線の右半分のみを図示する。本実施の形態のコンデンサユニット30では、開口端部を有する絶縁筒3の両端の外部に同心円状にリング電極18が形成されている。このリング電極18は接続金属19を介して静電シールド電極4と接続されている。また、このリング電極18の軸方向における配置位置は、接続電極2の先端部符号6の位置よりやや中央部C側とすることが好ましく、隣接するコンデンサ素子111又は1nの中間位置まで配置することができる。また、図4に示すように、コンデンサユニット30を主回路の遮断接点5と並列に接続してガス絶縁遮断器40を構成することもできる。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット30では、たとえ接続電極2の外面と絶縁筒3の内面との距離が1mm以下となり、微小ギャップ6でトリプルジャンクションによる高電界を形成したとしても、リング電極18により接続電極2の先端の全周に亘って電界シールドの作用を得ることができる。このため、リング電極18により接続電極2の先端の全周に亘ってトリプルジャンクションの高電界を緩和させ、絶縁性能の低下を抑制することができる。さらに、コンデンサユニット30を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図4に示すように、ガス絶縁遮断器40を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。[第3の実施の形態]全体構成図5は、本発明に係るコンデンサユニットの第3の実施形態を示す縦断面図である。ただし、中心線の右半分のみを図示する。本実施の形態のコンデンサユニット50では、接続電極22の外径を絶縁筒3の内径より4mm以上細くし、接続電極22と絶縁筒3とのギャップ23に絶縁リング21を配置して接続電極22を絶縁筒3内に固定している。また、図6に示すように、コンデンサユニット50を主回路の遮断接点5と並列に接続してガス絶縁遮断器60を構成することもできる。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット50では、接続電極22の外径と絶縁筒3の内径との差を4mm以上としているので、接続電極22と絶縁筒3との間に2mm以上のギャップ23が形成される。このため、接続電極22の先端における微小ギャップは2mm以上に改善され、従来のコンデンサユニットにおいて問題とされたトリプルジャンクションを形成しない。その結果、接続電極22の先端の電界は上昇せず、絶縁性能の良好なコンデンサユニット50を提供することができる。さらに、コンデンサユニット50を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図6に示すように、ガス絶縁遮断器60を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。[第4の実施の形態]全体構成図7は、本発明に係るコンデンサユニットの第4の実施形態を示す縦断面図である。ただし、中心線の右半分のみを図示する。本実施の形態のコンデンサユニット70では、接続電極32の外径を絶縁筒3の内径より4mm以上細くし、静電シールド電極4に接続電極32の挿入口31を形成して、この挿入口31に接続電極32を嵌合させている。また、図8に示すように、コンデンサユニット70を主回路の遮断接点5と並列に接続してガス絶縁遮断器80を構成することもできる。作用効果本実施の形態のコンデンサユニット70では、接続電極32の外径と絶縁筒3の内径との差を4mm以上としているので、接続電極32と絶縁筒3との間に2mm以上のギャップ33が形成される。このため、接続電極32の先端における微小ギャップは2mm以上に改善され、従来のコンデンサユニットにおいて問題とされたトリプルジャンクションを形成しない。その結果、接続電極32の先端の電界は上昇せず、絶縁性能の良好なコンデンサユニット70を提供することができる。さらに、コンデンサユニット70を主回路の遮断接点5と並列に接続して、図8に示すように、ガス絶縁遮断器80を形成することにより、機器をコンパクト化した場合であっても、トリプルジャンクション部位での絶縁破壊を発生させることがなく、絶縁信頼性のあるコンパクトなガス絶縁遮断器を提供することができる。なお、以上説明した実施形態のコンデンサユニット10、30、50、70では、全て外部シールド構造7を形成した例を示したが、外部シールド構造7を省略することもできる。また、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。