"基板を水平に保持して移動可能なステージと、所定のパターンに対応する描画データに応じて前記基板に光を照射する光照射部と、前記ステージ上であって、前記ステージが前記光照射部に対して相対移動する方向の前方側端部で、基板と重ならない位置に蛍光材が塗布された第1基準マークと、前記光照射部が第2基準マークデータに応じて前記第1基準マーク上に光を照射し、前記光が前記蛍光材に照射されることで生じた励起光によって生成された第2基準マークと前記第1基準マークとの像を取得する撮像部と、前記描画データに応じて前記基板への所定のパターンの描画を実行する制御部と、を具備し、前記制御部は、前記撮像部により取得された撮像画像から前記第1基準マークと、前記第1基準マーク上に形成された前記第2基準マークとの相対位置関係に基づいて、前記基板に描画される所定のパターンの位置を制御して、前記所定のパターンの描画を実行することを特徴とするパターン描画装置。前記第1基準マークは、前記ステージ上であって前記ステージが前記光変調ユニットに対して相対移動する方向と直交する方向に、等間隔で並んで形成されていることを特徴とする請求項1に記載のパターン描画装置。前記第1基準マークは、前記ステージが前記光変調ユニットに対して相対移動する方向の後方側端部で、基板と重ならない位置に蛍光材が塗布されて形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン描画装置。前記光変調ユニットは、前記変調光の光路を前記ステージが進む方向と直交する方向に相対的にシフトさせる照射位置シフト機構を有し、前記制御部は、前記照射位置シフト機構を制御し、前記第1基準マーク上に形成された前記第2基準マークとの前記直交する方向の相対位置関係に基づいて前記変調光の光路をシフトさせることで、前記所定のパターンの描画を実行することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のパターン描画装置。基板をステージ上に水平に保持するとともに、前記基板を保持して移動する移動工程と、所定のパターンに対応する描画データに応じて前記基板に光を照射する光照射工程と、前記光照射工程で、前記ステージ上に蛍光材が塗布されて形成された第1基準マーク上に、第2基準マークに応じた光を照射し、前記光が前記蛍光材に照射されることで生じた励起光によって生成された前記第2基準マークと前記第1基準マークとの像を取得する撮像工程と、前記描画データに応じて前記基板への所定のパターンの描画を実行する制御工程と、を具備し、前記制御工程は、前記撮像工程で取得された撮像画像から前記第1基準マークと、前記第1基準マーク上に形成された前記第2基準マークとの相対位置関係に基づいて、前記基板に描画される所定のパターンの位置を制御して、前記所定のパターンの描画を実行することを特徴とするパターン描画方法。ここで、特許文献1のようなパターン描画装置では、照射ユニットが支持部材支柱等の所定の位置に固定されており、この照射ユニットの位置が確実に固定されていることが前提となっている。すなわち、設計時の位置に照射ユニットが固定されているとして、描画処理が行なわれる。ところが、ごくわずかな温度変動によって、照射ユニットを固定する支持部材が膨張または収縮し照射ユニットが設計時の位置からずれる場合がある。そのため、照射ユニットが設計時の位置にあるものとしてパターン描画を行うと、描画されるパターンに位置ずれが発生するおそれがあった。この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、描画処理ごとに光変調ユニットのステージに対する位置ずれを取得することで、光変調ユニットの位置が設計時の位置から位置ずれを補正して所定のパターンを描画することができるパターン描画装置およびパターン描画方法。請求項1に係る発明パターン描画装置は、基板を水平に保持して移動可能なステージと、所定のパターンに対応する描画データに応じて基板に光を照射する光照射部と、ステージ上であって、ステージが光照射部に対して相対移動する方向の前方側端部で、基板と重ならない位置に蛍光材が塗布された第1基準マークと、光照射部が第2基準マークデータに応じて第1基準マーク上に光を照射し、光が蛍光材に照射されることで生じた励起光によって生成された第2基準マークと第1基準マークとの像を取得する撮像部と、描画データに応じて基板への所定のパターンの描画を実行する制御部と、を具備し、制御部は、撮像部により取得された撮像画像から第1基準マークと、第1基準マーク上に形成された第2基準マークとの相対位置関係に基づいて、基板に描画される所定のパターンの位置を制御して、所定のパターンの描画を実行することを特徴とする。請求項2に係る発明は、第1基準マークは、ステージ上であってステージが光変調ユニットに対して相対移動する方向と直交する方向に、等間隔で並んで形成されていることを特徴とする。請求項3に係る発明は、第1基準マークは、ステージが光変調ユニットに対して相対移動する方向の後方側端部で、基板と重ならない位置に蛍光材が塗布されて形成されていることを特徴とする。請求項4に係る発明は、光変調ユニットは、変調光の光路をステージが進む方向と直交する方向に相対的にシフトさせる照射位置シフト機構を有し、制御部は、照射位置シフト機構を制御し、第1基準マーク上に形成された第2基準マークとの直交する方向の相対位置関係に基づいて変調光の光路をシフトさせることで、所定のパターンの描画を実行することを特徴とする。請求項5に係る発明パターン描画方法は、基板をステージ上に水平に保持するとともに、基板を保持して移動する移動工程と、所定のパターンに対応する描画データに応じて基板に光を照射する光照射工程と、光照射工程で、ステージ上に蛍光材が塗布されて形成された第1基準マーク上に、第2基準マークに応じた光を照射し、光が蛍光材に照射されることで生じた励起光によって生成された第2基準マークと第1基準マークとの像を取得する撮像工程と、描画データに応じて基板への所定のパターンの描画を実行する制御工程と、を具備し、制御工程は、撮像工程で取得された撮像画像から第1基準マークと、第1基準マーク上に形成された第2基準マークとの相対位置関係に基づいて、基板に描画される所定のパターンの位置を制御して、所定のパターンの描画を実行することを特徴とする。請求項1ないし請求項5のいずれかに係る発明によれば、ステージ上に蛍光材が塗布された第1基準マークを備え、第1基準マーク上に第2基準マークを描画し、第2基準マークの形状をあらわす励起光を、光変調ユニット内に備えられた投影光学系を介して受光することで、光変調ユニットのステージに対する位置ずれ量を取得することができる。そして、当該位置ずれ量を補正するように基板に描画される所定のパターンの位置を制御することで、光変調ユニットが設計時の位置から位置ずれを起こしている場合でも、該位置ずれを補正して所定のパターンを描画することができる。図1は本発明の一実施形態にかかる露光装置100の側面から見た全体側面図であり、図2は図1に示す露光装置100を上面から見た全体平面図である。なお、図1および図2において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらの位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。露光装置100は、感光材料が表面に付与された半導体基板やガラス基板、プリント配線基板等以降、基板と称すの上面に光ビームを照射して配線パターン等の所定のパターンを直接描画する描画装置である。この露光装置100では、本体フレーム101に対してカバー102が取り付けられて形成される本体内部と、本体フレーム101の外側である本体外部とに、露光装置100が備える各種の構成要素を有した構成となっている。露光装置100の本体内部には、主として、基板Wを保持するステージ10と、ステージ10を移動させるステージ移動機構20と、ステージ10の位置を計測するステージ位置計測部30と、基板Wの上面に光ビームを照射する光変調ユニット40と、基板W上の描画予定領域を撮像する撮像部50と、ステージ10の移動誤差を検出する移動誤差検出部60と、基板W上のアライメントマークを撮像するアライメントカメラ70および基板Wを搬出入するための搬送装置80とを有している。また、露光装置100は、露光装置100が備える各部と電気的に接続されて、これらの各部の動作を制御する制御部90を備える。そして、露光装置100の本体外部には、本体内部と隣接する位置に基板収納カセット103を載置するためのカセット載置部104を備えている。基板収納カセット103には、描画処理露光処理を受けるべき未処理の基板Wが収納されており、本体内部に配置される搬送装置80によって基板Wが本体内部に搬入される。また、未処理の基板Wに対して露光処理が施された後、基板Wが搬送装置80によって本体部から搬出され基板収納カセット103に戻される。基板収納カセット103の受け渡しは、図示を省略する外部搬送装置によって行なわれる。ステージ10は矩形状の外形を有し、ステージ10の上面には基板Wを保持する位置とは異なる位置であって、ステージ10が光学ヘッド401に向かって往復移動する際、その移動方向の前方側端部に光学ヘッド401から光ビームが照射されることで励起光を発生させる蛍光材61が塗布された第1基準マーク60と、基板Wを吸着固定するための複数の吸引孔とを備える。図示を省略する複数の吸引孔は、真空ポンプ等に接続されており、該真空ポンプを動作させることによって、ステージ10上に基板Wが載置されると、吸引孔の吸引圧によりステージ10の上面に基板Wが吸着固定される。すなわち、ステージ10の上面に基板Wを水平に保ちつつ、固定的に保持する。図3を参照しつつ、ステージ10上に形成された第1基準マークについて説明する。図3は、ステージ10を上方から見た上面図であり、基板Wは図示を省略している。第1基準マーク60は、撮像部50の像面視野に入る寸法を有し、かつ後記する第2基準マーク62の外形寸法より大きい矩形形状を有しており矩形領域全体に蛍光材61が塗布されている。そして、ステージ10が進む方向Y軸方向のステージ10の前方側端部後方側端部に、この方向と直交する方向X軸方向に縦列するように等間隔で複数形成されている。縦列するように形成されるそれぞれの第1基準マーク60の中心間の距離CD1は、光学ヘッド401が1回の走査で描画することができる描画幅と等しい。つまり、往復描画する場合は、往路で走査する際にステージ10が進む方向の前方側端部に第1基準マーク60図示、左側に形成された基準マークが1つ形成されており、往路で走査した隣の領域を復路として走査する際、復路方向にステージ10が進む前方側端部に第1基準マークマーク60図示、右側に形成された基準マークが形成されることとなる。言い換えると、ステージ10の両側端部に第1基準マーク60が形成されている。なお、図2では図示の都合上、第1基準マーク60を強調するため、その数および大きさの比率が実際とは異なる。例えば、実際の第1基準マーク60の配置は、光学ヘッド401によって1回の走査で描画することができる描画幅が8mmとした場合、300mmの基板Wにパターンを描画するためには、300÷8≒38となり38個の第1基準マーク60がその中心間距離CD1を8mmとしてステージ10上に形成されていることが好ましい。より詳しくは、ステージ10の一方側端部には19個の第1基準マーク60が中心間距離CD2として16mmの等間隔で形成されており、ステージ10の他方側端部には、一方側端部に等間隔で形成された第1基準マーク60の間に配置するように第1基準マーク60の中心間距離CD2が16mmの等間隔で形成されている。すなわち、ステージ10の一方側端部に形成される第1基準マーク60と他方側端部に形成される第1基準マーク60の中心間距離CD1が8mmとなる。このような間隔で第1基準マークを設けることで、往復の走査毎に第1基準マーク60の情報を取得することができる。また、光学ヘッド401は光ビームを照射しその直下で第1基準マーク60上に第2基準マーク62を描画する。光学ヘッド401から照射される光ビームが第1基準マーク60全体に塗布された蛍光材61に当たることで、第2基準マークの形状に励起光が発生する。なお、第1基準マーク60に使われる蛍光材61としては、紫外光例えば、355nmが照射されることで可視光を励起光として発生する材料として、硫化亜鉛系蛍光材を採用することができる。ステージ移動機構20は、ステージ10を主走査方向Y軸方向、副走査方向X軸方向、およびZ軸周り回転方向θ軸方向に移動させる。ステージ移動機構20は、ステージ10を回転させる回転機構11と、ステージ10を回転可能に支持する支持プレート12と、支持プレート12を副走査方向に移動させる副走査機構13と、副走査機構13を介して支持プレート12を支持するベースプレート14と、ベースプレート14を主走査方向に移動させる主走査機構15と、を有している。回転機構11、副走査機構13、および主走査機構15は、制御部90と電気的に接続されており、制御部90からの指示に応じてステージ10を移動させる。回転機構11は、ステージ10の内部に取り付けられた回転子により構成されたモータを有している。また、ステージ10の中央部下面側と支持プレート12との間には回転軸受機構が設けられている。このため、モータを動作させると、回転子がθ方向に駆動し、回転軸受機構の回転軸を中心としてステージ10が所定角度の範囲内で回転する。副走査機構13は、支持プレート12の下面に取り付けられた移動子とベースプレート14の上面に敷設された固定子とにより副走査方向の推進力を発生させるリニアモータ13aと、副走査方向に伸びる一対のガイドレール13bとを有している。このため、リニアモータ13aを駆動させると、ベースプレート14上のガイドレール13bに沿って支持プレート12およびステージ10が副走査方向に移動する。主走査機構15は、リニアモータ15aと、ベースプレート14と基台105との間に、ベースプレート14の一部を案内するよう主走査方向に伸びる一対のガイドレール15bとを備える。リニアモータ15aはベースプレート14の下面に取り付けられた移動子と、基台105上に敷設された固定子とを有している。このため、リニアモータ15aを駆動させると、基台105上のガイドレール15bに沿って、ベースプレート14、支持プレート12およびステージ10が主走査方向に移動する。なお、このようなステージ移動機構20としては、従来から多用されているX-Y-θ軸移動機構を用いることができる。ステージ位置計測部30は、ステージ10の位置を計測する機構である。ステージ位置計測部30は、制御部90と電気的に接続されており、制御部90からの指示に応じてステージ10の位置を計測する。例えば、ステージ10に向けてレーザ光を照射し、その反射光と出射光との干渉を利用して、ステージ10の位置を計測する機構により構成することができる。この場合、ステージ位置計測部30は、例えば、レーザ光を出射する出射部31と、ビームスプリッタ33と、ビームベンダ32と、第1干渉計34と、第2干渉計35とを備える。出射部31から出射されたレーザ光は、まずビームスプリッタ32に入射し、ビームベンダ33に向かう第1分岐光と、第2干渉計35に向かう第2分岐光とに分岐される。第1分岐光は、ビームベンダ33により反射され、第1干渉計34に入射するとともに、第1干渉計34からステージ10の第1の部位に照射される。そして、第1の部位において反射した第1分岐光が、再び第1干渉計34へ入射する。第1干渉計34は、ステージ10の第1の部位に向かう第1分岐光と第1の部位で反射された第1分岐光との干渉に基づいて第1の部位の位置に対応した位置パラメータを計測する。一方、第2分岐光は、第2干渉計35に入射するとともに、第2干渉計35からステージ10の第2の部位ただし、第2の部位は、第1の部位とは異なる位置であるに照射される。そして、第2の部位において反射した第2分岐光が、再び第2干渉計35へ入射する。第2干渉計35は、ステージ10の第2の部位に向かう第2分岐光とステージ10の第2の部位で反射された第2分岐光との干渉に基づいて第2の部位の位置に対応した位置パラメータを計測する。制御部90は、第1干渉計34および第2干渉計25のそれぞれから、ステージ10の第1の部位の位置に対応した位置パラメータ、およびステージ10の第2の部位の位置に対応した位置パラメータを取得する。そして、取得した各位置パラメータに基づいて、ステージ10の位置を算出する。光変調ユニット40は、レーザ光を出射するレーザ発振器41と、レーザ発振器41を駆動するレーザ駆動部42と、レーザ発振器41から出射された光スポットビームを強度分布が均一な線状の光ラインビームとする照明光学系43と、基板Wの上面に光を照射する光学ヘッド401とを備える。レーザ発振器41、レーザ駆動部42および照明光学系43は、ステージ10およびステージ移動機構20を跨ぐようにして基台105上に架設されたボックス106の内部に設けられる。また、レーザ発振器41、レーザ駆動部42および照明光学系43は制御部90と電気的に接続されており、制御部90からの指示に応じて動作する。ステージ10およびステージ移動機構20に対向するようにして基台105の上方に一対の脚部材107、108がステージ10の移動路の両側に立設される。そして、脚部材107の頂部を橋渡しするように梁部材109が横設されており、それぞれの脚部材108の頂部および梁部材109の上面を橋渡しするようにボックス106は設けられている。そして、光学ヘッド401は梁部材109の中央部の側面に設けられている。光学ヘッド401は、レーザ発振器41から出射され、照明光学系43を介して入射した光に描画パターンに応じた空間変調を形成して基板Wの上面に照射する。続いて、光変調ユニット40が備える光学ヘッド401の構成について図4を参照しながら説明する。図4は光変調ユニット40の構成例を模式的に示す図である。光変調ユニット40は、レーザ駆動部42が動作するとレーザ発振器41からレーザ光が出射され、出射されたレーザ光は照明光学系43を介して、光学ヘッド401の内部に導入される。光学ヘッド401は、レーザ発振器41からの光を光学ヘッド401内に導入する入射部44と、導入された光を変調するための空間光変調素子45と、入射部44からの光を空間光変調素子45へと導く光学系46と、空間光変調素子45で変調された光の光軸をシフトさせ、基板Wの上面において描画位置を副走査方向に相対的にシフトさせるための照射位置シフト機構47と、照射位置シフト機構47を介した光を基板Wの上面に導く投影光学系48と、照射位置シフト機構47と投影光学系48の間にハーフミラー49とを備え、またその内部に、投影光学系48を介してステージ10に照射された光を受光し撮像するための撮像部50が設けられている。空間光変調素子45は、回折格子型の変調素子であり、半導体装置製造技術を利用して製造され、格子の深さを変更することができる回折格子となっている。回折格子型の光変調素子としては、例えば、GLVGraitingLightValve:グレーチングライトバルブシリコンライトマシーンズ社の登録商標を使用する。なお、GLVによる光の変調原理については、既知であるため詳細については説明を省略する。照射位置シフト機構47は空間光変調素子45によって描画パターンに応じて空間変調された光を副走査方向に沿ってシフトさせる。照射位置シフト機構47の詳細については後述する。投影光学系48は、対物レンズ482と、対物レンズ482を光軸に沿って移動させるアクチュエータとから構成されるフォーカス機構481を備えている。フォーカス機構481により対物レンズ482がZ軸方向に移動することよって、空間光変調素子45によって変調された光の焦点位置が調整される。焦点位置が調整された光は、基板Wの上面に照射され、基板W上のレジスト等の感光層を露光することにより、配線パターン等が描画される。ハーフミラー49は、照射位置シフト機構47から導かれる光は通過させ、第1基準マーク60に照射された光ビームによって発生した励起光Rを後述する撮像部50へ導く。次に、照射位置シフト機構47について図5を参照しながら詳細に説明する。図5は照射位置シフト機構47の構成を模式的に示す図である。照射位置シフト機構47は、1個以上の光学部品を備え、少なくとも1個の光学部品の位置あるいは姿勢を変更することによって、入射光の光路を副走査方向に沿ってシフトさせる。図5に示すように照射位置シフト機構47は2個のウェッジプリズム471と、一方のウェッジプリズム471を、他方のウェッジプリズム471に対して、入射光の光軸Lの方向に沿って直線的に移動させるウェッジプリズム移動機構472とを備える。ウェッジプリズム471は、光が入射する光学面と出射する光学面が非平行となるプリズムである。2個のウェッジプリズム471は、互いに略同一の構造を有しており、例えば、頂角、屈折率がいずれも同一となる構造を有している。2個のウェッジプリズム471は、固定ステージ473、可動ステージ474にそれぞれ固定され、対向する光学面が互いに平行となり、かつ、互いに逆向きとなるように、入射光の光軸Lの方向に沿って並んで配置される。各ウェッジプリズム471は、例えば固定バンド475を用いて各ステージ473、474に固定される。一方のウェッジプリズム471が配置される固定ステージ473は、ベース部476上に固定されている。他方のウェッジプリズム471が配置される可動ステージ474は、ベース部476上に設置された一対のガイドレール4721に沿って移動可能とされている。ガイドレール4721は、ベース部476上に、Z軸方向に沿って延在して形成されている。ベース部476には、回転モータ4722によって回転させられるボールねじ4723が配設されている。ボールねじ4723は、ガイドレール4721の延在方向に沿って延在しており、可動ステージ474のブラケット4741の雌ねじ部に螺合されている。この構成において、ボールねじ4723が回転モータ4722によって回動されることで、可動ステージ474がガイドレール4721に沿ってZ方向に移動する。つまり、可動ステージ474、ガイドレール4721、回転モータ4722、およびボールねじ4723により、他方のウェッジプリズム471を入射光の光軸Lの方向に沿って直線的に移動させるウェッジプリズム移動機構472が構成される。ウェッジプリズム移動機構472は、他方のウェッジプリズム471を、一方のウェッジプリズム471に対して光軸Lの方向に沿って直線的に移動させることによって、2個のウェッジプリズム471の光軸Lの方向に沿う離間距離を変化させる。上記構成を備える照射位置シフト機構47においては、2個のウェッジプリズム471の光軸Lに沿う離間距離を変化させることによって、ウェッジプリズム471に入射する光の経路をX軸方向に沿ってシフトさせることができる。なお、シフト量ΔDは、2つのウェッジプリズム471の離間距離に応じて定まる。撮像部50は、撮像位置を照明するための照明光源51と、照明光源51から照射された照明光Nを反射し撮像位置へ照明光Nを導くためのハーフミラー52と、照明光源51から照射された照明光Nを受光する受光素子53とを備える。また、光学ヘッド401とは、筒状部材で連結されており、その内部を照明光Nや励起光Rが導光されることで外光とうの外乱の影響を受けないように構成されている。照明光源51は、例えばLED等で構成されたライン照明でありライン照明から出射された照明光Nはハーフミラー52、ハーフミラー49で反射され、ステージ10上に形成された第1基準マーク60に上方から照明光Nを照射する。ハーフミラー52は、照明光源51から出射された照明光Nを光学ヘッド401内に導光し、ステージ10からの反射光についてはその表面で反射することなく受光素子53に導く。受光素子53は、いわゆるリニアイメージ一次元イメージセンサを採用することができる。照明光源51から照射された照明光Nがステージ10上で反射され、その反射光を投影光学系48およびハーフミラー49を介して受光することで、ステージ10上の線状の像を取得する。すなわち、ステージ10が撮像部50に対して相対移動していれば、第1基準マーク60に照明光Nが照射された場合、受光素子53は第1基準マーク60の線状の像を順次取得する。また、光学ヘッド401から第2基準マーク62に応じて変調された光Lが第1基準マーク60に照射されることで励起光Rが発生し、励起光Rを投影光学系48およびハーフミラー49を介して受光することで、光学ヘッド401によって第1基準マーク60上に描画された第2基準マーク62の線状の像を順次取得する。したがって、撮像部50は第1基準マーク60と第2基準マーク62とを含む線状の像を取得することができる。なお、撮像部50は制御部90と電気的に接続されており、制御部90からの指示に応じて撮像データを取得し、取得した撮像データを制御部90に送信する。アライメントカメラ70は、基板Wの上面にあらかじめ形成されたアライメントマークを撮像する。アライメントカメラ70は、梁部材109の図1中の左側の側面に下方を撮像できるように設置されている。言い換えると、梁部材109の光学ヘッド401が設置される面の反対面に設置されている。そして、アライメントカメラ70としては、例えばエリアイメージセンサ2次元イメージセンサにより構成される。アライメントカメラ70により基板W上に形成されたアライメントマークを撮像するときには、ステージ10に載置された基板Wがアライメントカメラ70の下方に移動し、図示を省略する光源から出射された光が基板Wの上面に導かれ、その反射光をCCDイメージセンサで受光する。これにより、基板Wの上面に形成されたアライメントマークの撮像データが取得されることになる。なお、アライメントカメラ70は制御部90と電気的に接続されており、制御部90からの指示に応じて撮像データを取得し、取得した撮像データを制御部90に送信する。搬送装置80は、カバー102に囲まれた本体内部の右手端部に配置されている。搬送装置80は制御部90と電気的に接続されており、制御部90からの指示に応じて、基板収納カセット103と、ステージ10との間で基板Wの受け渡しを行う。搬送装置80としては、例えば、従来から知られている搬送ロボットを用いることができる。制御部90は、各種の演算処理を実行しつつ、露光装置100が備える各部の動作を制御する。制御部90は、例えば各種演算処理を行うCPU、ブートプログラム等を記憶するROM、演算処理の作業領域となるRAM、プログラムや各種のデータファイルなどを記憶するハードディスクなどの記憶部、各種表示を行うディスプレイ、キーボード、および、マウスなどの入力部、LAN等を介してデータ通信機能を有するデータ通信部、等を有するコンピュータによって構成される。コンピュータにインストールされたプログラムにしたがってコンピュータが動作することにより、当該コンピュータが露光装置100の制御部90として機能する。なお、制御部90において実現される各機能部は、コンピュータによって所定のプログラムが実行されることによって実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。次に、制御部90によって実現される上記の構造による露光動作に関わる各機能部について図6を用いて説明する。図6は制御部90が備える露光動作に関わる各機能部と、描画を実際に制御する露光制御部900との関係をあらわすブロック図である。制御部90は、基板Wに描画すべき上層パターンを記述した描画パターンデータであるCADデータ911等の各種データを記憶しておく記憶部91と、CADデータ911を描画用のデータ単位として生成するデータ生成部92と、データ生成部92で生成されたデータをラスタライズするラスタライズ部93と、光学ヘッド401とステージ10との位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部94と、描画パターンの形成位置を算出する形成位置算出部95とを備えている。記憶部91は、上述したように外部のCAD等を用いて生成されたCADデータ911やラスタライズ部93でラスタライズされたラスターデータ912等を記憶する。また、前述したデータ以外にも各部で取得されたデータ等を記憶する。なお、CADデータ911は基板Wに対する一連の処理に先立って記録媒体あるいは通信ネットワーク等を介してあらかじめ記憶部91に準備されている。CADデータ911は、基板W上に描画する配線パターンと、ステージ10上に塗布された第1基準マーク60上に描画する第2基準マーク62とからなる。第2基準マーク62は、例えば十字形状を有しており、その縦寸法および横寸法は第1基準マーク60をあらわす矩形領域内に収まるサイズとなっている。また、第2基準マーク62はステージ10上に塗布された第1基準マーク60の個数以下となっている。第2基準マーク62については後述する。データ生成部92は、記憶部91からCADデータ911を読み出し、描画を行う所定の単位領域ストライプにCADデータ911を分割し、ラスタライズ部93にストライプ単位で送信する。ラスタライズ部93は、データ生成部92によって生成されたストライプごとにラスタライズを行い、ラスタ形式のラスターデータ912を生成し記憶部91に記憶する。こうして、1ストライプ分のラスターデータ912の準備が終わると、ラスターデータ912は露光制御部900に送られる。位置ずれ量算出部94は、撮像部50から取得した第1基準マーク60と、第2基準マーク62とを含む線状の像から、第1基準マーク60に対する第2基準マークの理想位置からの相対的な位置ずれ量を算出する。図7を用いて当該位置ずれ量の算出について説明する。図7は、撮像部50から送られてきた第1基準マーク60と、第2基準マーク62とを含む線状の像1次元画像から生成された2次元の合成像52である。撮像部50から送られてくる第1基準マーク60と、第2基準マーク62とを含む像は1次元の画像データであるため、一旦記憶部91に記憶しておき、第1基準マーク60の全体像が記憶部91に記憶された時点で2次元の合成像52として生成することができる。合成像52は、その画像領域内に第1基準マーク60と第2基準マーク62の像が含まれている。例えば、光学ヘッド401が設計時の位置からずれていなければ、破線で示す位置に第2基準マーク63が存在することとなる。この位置を理想位置631と呼ぶ。なお、理想位置631としては、第2基準マーク63の重心位置を採用するができるが、理想位置631の位置座標は、第1基準マーク60内の絶対座標として算出しておく。つまり、第1基準マーク60内における第2基準マーク63の位置座標として算出する。なお、理想位置631は、光学ヘッド401が設計時の位置からずれていない状態であらかじめ取得しておけばよい。これに対し、光学ヘッド401の位置が設計時の位置からずれている場合、図中の第2基準マーク62で示される位置に存在することとなる。第2基準マーク62の位置は、理想位置631の算出と同様に、第2基準マーク62の重心位置621を第1基準マーク60内の絶対座標として算出することで取得することができる。そして、理想位置631と重心位置621のXY方向の差分であるΔX、ΔYが本発明における位置ずれ量Pとして算出される。位置ずれ量Pの算出は1ストライプ分の露光動作ごとに行なわれる。このようにすることで、露光動作ごとに光学ヘッド401のステージ10に対する位置ずれを補正することができる。位置ずれ量算出部94で算出された光学ヘッド401のステージ10に対する位置ずれ量Pは露光制御部900に送信される。露光制御部900は、位置ずれ量算出部94から送られてきたステージ10に対する光学ヘッド401の位置ずれ量PΔX,ΔYと、ラスターデータ912とを受け取る。基板Wを保持したステージ10が光学ヘッド401の下方を通過するとき、ラスターデータ912に基づき空間光変調素子45を制御するとともに、位置ずれ量算出部94で算出された位置ずれ量PのX成分であるΔXに基づいて照射位置シフト機構47を制御する。具体的には、照射位置シフト機構47を構成する2つのウェッジプリズム471の相対的な離間距離を調整する。すると、光ビームの光路がX軸方向にシフトする。すなわち、基板W上での描画位置を副走査方向に相対的にシフトさせることができる。このようにして、ステージ10に対する光学ヘッド401のX方向の位置ずれを補正し描画を行うことができる。また、ラスターデータ912に応じて空間光変調素子45の入射光を空間変調するタイミングを、位置ずれ量算出部94で算出された位置ずれ量のY成分であるΔYに基づいて制御することで、ステージ10に対する光学ヘッド401のY方向の位置ずれを補正し描画することができる。続いて、上述した露光装置100の動作の一例について図8、図9を用いて説明を行う。図8は露光処理に係る全体の処理の流れについて説明するためのフローチャートである。また、図9は、描画処理の流れを詳細に説明するためのフローチャートである。露光装置100は、制御部90から搬送装置80に動作指令を行い、基板Wを収納した基板収納カセット103から基板Wを取り出し露光装置100に搬入する。そして、露光装置100の内部に搬入された基板Wをステージ10の上面に載置するステップS11。すると、真空ポンプが作動し基板Wが載置されたステージ10は吸引圧によりステージ10の上面に基板Wを水平に吸着固定する。基板収納カセット103から搬出された基板Wをステージ10に載置する前にプリアラメント処理を行ってもよい。また、基板収納カセット103から搬出される基板Wは、他の処理工程において別の露光装置等により基板Wの表面に下層パターンがあらかじめ形成されている。そして、基板Wの四隅には基板Wの姿勢を位置合わせするためのアライメントマークが形成されている。なお、アライメントマークは基板Wの四隅に限られず複数形成されていてもよい。基板Wをその上面に保持したステージ10は、制御部90からの動作指令に基づきステージ移動機構20が動作することでアライメント領域に移動する。そして、露光装置100はステージ10上に載置された基板Wと光学ヘッド401との相対位置を調整するアライメント処理位置合わせ処理を行うステップS12。基板Wがステージ10上に載置される際、ほぼ所定の位置に載置されることになるが、微細なパターンを描画するにあたり位置精度として十分でない場合が多い。このため、アライメント処理を行い基板Wの位置や傾きを微調整して、以降の描画処理の精度を向上させる。アライメント処理では、基板Wの上面の四隅に形成されたアライメントマークをアライメントカメラ70によりそれぞれ撮像する。制御部90は、アライメントカメラ70により取得された画像中の各アライメントマークを抽出する。そして、各アライメントマークの位置に基づいて、基板Wの理想位置からのずれ量として、X軸方向のずれ量、Y軸方向のずれ量およびZ軸周りのθ方向のずれ量を算出する。そして、算出されたずれ量を低減させるように、制御部90は、回転機構11、副走査機構13、主走査機構15を駆動させ基板Wの位置を補正する。続いて、露光装置100は、アライメント処理が行なわれた基板Wに対して描画処理を行うステップS13。描画処理の詳細については後述するが、ここでは、本実施例における描画処理の流れを簡単に説明する。露光装置100は、ステージ10を主走査方向および副走査方向に移動させつつ、光学ヘッド401から下方に向けて光ビームを照射することにより、ステージ10上に形成された第1基準マーク60上に第2基準マーク62を描画するとともに、基板Wの上面に所定のパターンを描画する。具体的には、制御部90からの指示に応じて、主走査機構15を動作させることでステージ10を主走査方向図1において左方向に沿って移動させる往路移動。これにより、基板Wを光学ヘッド401に対して主走査方向に沿って相対的に移動させることができる。基板Wの1ストライプ分の描画予定領域が光学ヘッド401の下方を通過すると、基板Wの表面に1ストライプ分の描画が行なわれることになる。1ストライプ分の描画が終了すると、制御部90は、副走査機構13を動作させることでステージ10を副走査方向に沿って、1ストライプの幅に相当する距離だけ移動させる。副走査方向への移動が終了すると、再び主走査方向図1において右方向に沿ってステージ10を移動させる復路移動。そして、先に描画された1ストライプ分の描画領域の隣に、さらに1ストライプ分の領域の描画が行なわれることになる。このように主走査方向の移動往復移動と副走査方向の移動が繰り返して行なわれることによって、基板Wの表面の全域に上層パターンが描画されることになる。基板Wの全域への描画処理が完了すると、制御部90はステージ移動機構20を動作させ描画処理済み基板Wを載置するステージ10を搬出位置に移動させる。そして、真空ポンプの動作が停止し、ステージ10上での吸着保持が解除される。制御部90の動作指令に応じて搬送装置80がステージ10の上面から描画処理済みの基板Wを露光装置100から搬出し、基板収納カセット103に搬入するステップS14。次に描画処理ステップS13について詳細に説明する。図9は描画処理の流れを詳細に説明するための図である。制御部90からの動作指令に応じてステージ移動機構20が動作し、ステージ10が描画開始位置へと移動するステップS101。描画開始位置は、ステージ10に載置された基板Wの書き出し位置に基づき決められており、制御部90が内部に記憶している。次に、制御部90のラスタライズ部93から露光制御部900に1ストライプ分のラスターデータ912が送られる。露光制御部900は1ストライプ分のラスターデータ912を受け取ったことを確認すると、主走査機構15を動作させステージ10の主走査方向の移動を開始するステップS102。この時、光学ヘッド401から下方に向けて光ビームが照射される間は、ステージ10は一定速度で主走査方向に移動するように制御される。なお、ステージ10の移動速度は基板W上に塗布されたレジストの感光特性および光学ヘッド401から照射される光ビームの光量に基づき決められている。また、制御部90はステージ位置計測部30に対しても動作指令を行う。ステージ位置計測部30は、主走査方向に移動するステージ10に向けて連続的にレーザ光を照射し、その反射光と出射光との干渉からステージ10の主走査方向の位置を連続的に検出し制御部90に送信する。したがって、制御部90は、描画処理中においてステージ10の主走査方向の位置を常に把握することができる。ステージ10の主走査方向に沿う走査が開始されると、制御部90は光学ヘッド401および撮像部50に対して動作指令を出す。光学ヘッド401は動作指令に応じて主走査方向に移動するステージ10上に形成された第1基準マーク60上に第2基準マーク62を描画するステップS103。第1基準マーク60上に第2基準マーク62を描画するには、ラスターデータ912に、あらかじめ第2基準マーク62の情報を記述しておけばよい。露光制御部900がラスターデータ912を受け取り、ステージ位置計測部30からのステージ10の位置情報に基づいて、ラスターデータ912に応じた変調を行うことで第1基準マーク60上に第2基準マーク2を描画することができる。光学ヘッド401による第2基準マーク62の描画に合わせて、撮像部50を動作させる。撮像部50は、照明光源51を点灯させステージ10上に照明光を照射する。より具体的には、照明光源51から照射された照明光は、ステージ10上に形成された第1基準マーク60で反射され、当該反射光を受光素子53が受光することで第1基準マークの像を取得する。同時に、光学ヘッド401によって第2基準マーク62に応じ変調された光ビームが第1基準マーク60上に照射され、第1基準マーク60から第2基準マーク62の形状に対応する励起光が発生する。当該励起光を受光素子53が受光することで第2基準マークの像を取得するステップS104。以上、撮像部50は、照明光源51からの照明光により第1基準マーク60の像を取得し、光学ヘッド401からの変調光により第1基準マーク60上に描画された第2基準マーク62の像を取得する。ここで、本実施形態においては、撮像部50は1次元イメージセンサを採用しているため1次元で撮像された第1基準マーク60および第2基準マーク62の線状の像は制御部90に順次送信される。制御部90の露光に関係する機能部である位置ずれ量算出部94は、図7を用いて説明したとおり撮像部50から送れてくる第1基準マーク60および第2基準マーク62の線状の像を2次元画像として生成する。そして、第1基準マーク60上での第2基準マーク62の理想位置と、実際に撮像部50で撮像された2次元画像から取得された第2基準マーク62の位置との差分を取得することで、当該差分を光学ヘッド401のステージ10に対する相対的な位置ずれ量Pとして算出するステップS105。算出された位置ずれ量Pは露光制御部900に送信される。露光制御部900は、位置ずれ量算出部94から送られてきた位置ずれ量Pに基づいて照射位置シフト機構47を動作させることで、位置ずれ量PのX方向の成分ΔXを補正する方向に光学ヘッド401から照射される光ビームの位置を制御する。また、位置ずれ量PのY方向の成分ΔYを補正するため、光学ヘッド401からの光ビームの照射するタイミングを制御する。このように、照射位置シフト機構47および光学ヘッド401の光ビームの照射タイミングを位置ずれ量Pに基づき制御することで、基板W上に所定のパターンを描画するステップS106。以上の動作を1ストライプ分の描画が終わるまで行う。1ストライプ分の描画が完了すると、描画すべき次のストライプがあるか否かを判定しステップS107、次のストライプがある場合は、制御部90による動作信号に応じてステージ移動機構20が動作し、ステージ10を1ストライプ分だけ副走査方向に相対移動させるステップS108。そして、隣のストライプに対して、ステップS102からステップS107を繰り返し、基板Wの表面の全域に所定のパターンが描画されたら描画処理を完了し搬送装置80によりステージ10から処理済みの基板Wが搬出される。以上説明したとおり、本発明の露光装置100のようにステージ10上に蛍光材61が塗布された第1基準マーク60を備え、該第1基準マーク60上に第2基準マーク62を描画し、第2基準マーク62の形状をあらわす励起光を、光学ヘッド401内に備えられた投影光学系48を介して受光することで、光学ヘッド401のステージ10に対する位置ずれ量を取得することができる。そして、当該位置ずれ量を補正するように照射位置シフト機構47および光学ヘッド401の光ビームの照射タイミングを制御することで、光学ヘッド401の取り付け位置が設計時の位置から位置ずれを起こしている場合でも描画する所定のパターンの位置ずれの発生を抑制することができる。<変形例>以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限られるものではなく様々な変形が可能である。上記実施形態では、ステージ10上の両側端部に第1基準マーク60が形成されていたが、例えば一方向の移動時のみ基板Wに所定のパターンを描画する場合、一方側端部にのみ第1基準マーク60を形成すればよい。なお、この場合も一方側端部に形成される第1基準マーク60の中心間距離は、描画幅と同じであることが好ましい。また、上記実施形態では、第1基準マーク60は蛍光材で形成される矩形形状となっているがこのような構成に限られるものではない。例えば、図10に示される第1基準マーク64を採用することができる。第1基準マーク64は、クロムCr等の金属で形成された矩形形状の枠部65と、枠部65の内部に塗布された蛍光材66とからなる。このように第1基準マーク64を構成することで、蛍光材を塗布する精度が低い場合でも、枠材65の内部にさえ塗布されていれば、第1基準マーク64と図示を省略する第2基準マークとの相対位置を確実に検出することができる。また、上記実施形態では、第1基準マーク60の形状が矩形形状であるがこれに限られるものではない。本発明の目的は、第1基準マーク60上に第2基準マーク62を描画し、第1基準マーク60に対する第2基準マーク62の相対位置を検出することである。したがって、第1基準マーク60の形状は、その領域内に第2基準マーク62を内包できる形状であればよく、例えば、円形あるいはその他の形状であってもよい。また、複数の第1基準マーク60をステージ10上に縦列するように形成しているがこれに限られるものではない。例えば、一方側端部に副走査方向に蛍光材を塗布し帯状の第1基準マークを形成してもよい。また、上記実施形態では、第2基準マーク62を第1基準マーク60上に描画するためのデータは、配線パターンの描画データと同じデータ内ラスターデータ912に記述されているがこれに限られるものではない。例えば、それぞれ別々に記憶部に備えることで、必要に応じて第2基準マークを記憶部から読み出し描画を行えば同様の効果を得ることができる。また、上記実施形態では、第1基準マーク60と第2基準マーク62の像を投影光学系48を介して撮像部50が受光する構成となっているが、これに限られるものではない。投影光学系を介さずとも第1基準マーク60と第2基準マーク62との像を取得できれば同様の効果を得ることができる。また、上記実施形態では、位置ずれ量算出部94で算出された位置ずれ量Pに基づいて、描画すべき所定のパターンの描画位置を補正するため、照射位置シフト機構47を用いた光ビームの光路の補正を行っているが、この構成に限られるものではない。例えば、位置ずれ量Pに基づいてステージ10を補正する方向に移動させることで、光学ヘッド401に対して相対的に所定のパターンの描画位置をシフトすることができる。また、光学ヘッド401に送信する描画データ自身を位置ずれ量Pに基づき修正することでも同様の効果を得ることができる。また、上記実施形態では、半導体基板に対する描画装置および方法について説明したが、描画対象物はこれに限られない。例えば、プリント配線基板、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板やフォトマスク等の重ね合わせ描画を行う際に本発明が用いられてもよい。"