アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法であって、前記下地層の表面にSi-C結合を含む初期層を形成する工程と、ここで前記下地層上に有機系シリコンガスを供給することと、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給することと、を具備する方法。前記下地層はシリコンを含む層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記下地層はSiO2層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記有機系シリコンガスはアミン系シリコンガスであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の方法。前記アミン系シリコンガスは、ブチルアミノシラン、ビスターシャリブチルアミノシラン、ジメチルアミノシラン、ビスジメチルアミノシラン、トリジメチルアミノシラン、ジエチルアミノシラン、ビスジエチルアミノシラン、ジプロピルアミノシラン、ジイソプロピルアミノシランからなる群から選択されることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記炭化水素化合物ガスは、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C4H6からなる群から選択されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の方法。前記初期層を形成する工程は処理温度20~750°Cと処理圧力0.05~50Torrとを使用し、前記アモルファスカーボン膜を形成する工程は処理温度300~1000°Cと処理圧力1~650Torrとを使用することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の方法。前記アモルファスカーボン膜を形成する工程後に、前記方法は、前記アモルファスカーボン膜の表面にSi-C結合を含む中間層を形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に前記有機系シリコンガスを供給することと、前記中間層が表面に形成された前記アモルファスカーボン膜上に所定の厚さの窒化シリコンを含む障壁膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に窒素を含む反応ガスを供給すること及び前記有機系シリコンガスを供給することを交互に複数回繰り返すことと、前記障壁膜上に、前記積層構造において前記アモルファスカーボン膜の上方に配置されるシリコンを含む上部膜を形成する工程と、を更に具備することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の方法。前記上部膜はSiO2膜であることを特徴とする請求項8に記載の方法。前記反応ガスはNH3ガスであることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の方法。前記上部膜はCVDで形成することを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか一項に記載の方法。前記中間層を形成する工程及び前記障壁膜を形成する工程において、前記有機系シリコンガスを供給することは処理温度20~750°Cと処理圧力0.05~50Torrで行い、前記反応ガスを供給することは処理温度20~750°Cと処理圧力0.05~750Torrとで行うことを特徴とする請求項8から請求項11のいずれか一項に記載の方法。前記アモルファスカーボン膜を形成する工程後に、前記方法は、前記アモルファスカーボン膜の表面にSi-C結合を含む中間層を形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に前記有機系シリコンガスを供給することと、前記中間層が表面に形成された前記アモルファスカーボン膜上に所定の厚さの炭化シリコンを含む障壁膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に炭素を含む反応ガスを供給すること及び前記有機系シリコンガスを供給することを交互に複数回繰り返すことと、前記障壁膜上に、前記積層構造において前記アモルファスカーボン膜の上方に配置されるシリコンを含む上部膜を形成する工程と、を更に具備することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の方法。前記上部膜はSiO2膜であることを特徴とする請求項13に記載の方法。前記反応ガスは、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C4H6からなる群から選択されることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の方法。前記上部膜はCVDで形成することを特徴とする請求項13から請求項15のいずれか一項に記載の方法。前記中間層を形成する工程及び前記障壁膜を形成する工程において、前記有機系シリコンガスを供給することは処理温度20~750°Cと処理圧力0.05~50Torrで行い、前記反応ガスを供給することは処理温度20~750°Cと処理圧力0.05~750Torrとで行うことを特徴とする請求項13から請求項16のいずれか一項に記載の方法。前記アモルファスカーボン膜を形成する工程後に、前記方法は、前記アモルファスカーボン膜の表面にSi-C結合を含む中間層を形成すると共に炭化シリコン含有膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に前記有機系シリコンガスを供給することと、前記炭化シリコン含有膜に対して不活性ガス雰囲気下でアニール処理する工程と、ここで、前記炭化シリコン含有膜を形成した際の温度及び圧力よりもともに高い温度及び圧力を使用することと、前記アニール処理後の前記炭化シリコン含有膜上に、前記積層構造において前記アモルファスカーボン膜の上方に配置されるシリコンを含む上部膜を形成する工程と、を更に具備することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の方法。前記中間層を形成する工程及び前記炭化シリコン含有膜を形成する工程は処理温度20~750°Cと処理圧力0.05~50Torrとを使用し、前記アニール処理する工程は、処理温度550~1200°Cと処理圧力0.1~760Torrとを使用することを特徴とする請求項18に記載の方法。前記積層構造は、半導体デバイスの製造プロセスにおいてエッチングマスクとして用いられるハードマスクであることを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか一項に記載の方法。アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する装置であって、前記下地層を有する被処理体を収容する処理室と、前記処理室内に、処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理室内に供給された処理ガスを活性化するとともに、前記処理室内に収容された前記被処理体を加熱する加熱機構と、前記処理室内を排気する排気機構と、前記装置の動作を制御するコントローラと、前記コントローラは制御プログラムを記憶する非一時的記憶媒体を含み、制御プログラムは、実行時に請求項1に記載の方法を行うように前記装置を制御することと、を具備する装置。本発明は、下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法及び装置を提供することを目的とする。本発明はまた、アモルファスカーボン膜と上部膜との密着性を向上させることが可能な方法及び装置を提供することを目的とする。本発明の第1の視点は、アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法であって、前記下地層の表面にSi-C結合を含む初期層を形成する工程と、ここで前記下地層上に有機系シリコンガスを供給することと、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給することと、を具備する。本発明の第2の視点は、第1の視点の方法において、前記アモルファスカーボン膜を形成する工程後に、前記方法は、前記アモルファスカーボン膜の表面にSi-C結合を含む中間層を形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に前記有機系シリコンガスを供給することと、前記中間層が表面に形成された前記アモルファスカーボン膜上に所定の厚さの窒化シリコンを含む障壁膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に窒素を含む反応ガスを供給すること及び前記有機系シリコンガスを供給することを交互に複数回繰り返すことと、前記障壁膜上に、前記積層構造において前記アモルファスカーボン膜の上方に配置されるシリコンを含む上部膜を形成する工程と、を更に具備する。本発明の第3の視点は、第1の視点の方法において、前記アモルファスカーボン膜を形成する工程後に、前記方法は、前記アモルファスカーボン膜の表面にSi-C結合を含む中間層を形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に前記有機系シリコンガスを供給することと、前記中間層が表面に形成された前記アモルファスカーボン膜上に所定の厚さの炭化シリコンを含む障壁膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に炭素を含む反応ガスを供給すること及び前記有機系シリコンガスを供給することを交互に複数回繰り返すことと、前記障壁膜上に、前記積層構造において前記アモルファスカーボン膜の上方に配置されるシリコンを含む上部膜を形成する工程と、を更に具備する。本発明の第4の視点は、第1の視点の方法において、前記アモルファスカーボン膜を形成する工程後に、前記方法は、前記アモルファスカーボン膜の表面にSi-C結合を含む中間層を形成すると共に炭化シリコン含有膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記アモルファスカーボン膜上に前記有機系シリコンガスを供給することと、前記炭化シリコン含有膜に対して不活性ガス雰囲気下でアニール処理する工程と、ここで、前記炭化シリコン含有膜を形成した際の温度及び圧力よりもともに高い温度及び圧力を使用することと、前記アニール処理後の前記炭化シリコン含有膜上に、前記積層構造において前記アモルファスカーボン膜の上方に配置されるシリコンを含む上部膜を形成する工程と、を更に具備する。本発明の第5の視点は、アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する装置であって、前記下地層を有する被処理体を収容する処理室と、前記処理室内に、処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理室内に供給された処理ガスを活性化するとともに、前記処理室内に収容された前記被処理体を加熱する加熱機構と、前記処理室内を排気する排気機構と、前記装置の動作を制御するコントローラと、前記コントローラは制御プログラムを記憶する非一時的記憶媒体を含み、制御プログラムは、実行時に第1の視点の方法を行うように前記装置を制御することと、を具備する。本発明によれば、下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させること及び/またはアモルファスカーボン膜と上部膜との密着性を向上させることが可能な方法及び装置を提供することができる。以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能および構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係る成膜方法のシーケンスを示すタイムチャートである。図2A~図2Fは、第1の実施形態に係るシーケンス中の被処理体の状態を概略的に示す断面図である。このシーケンスは、例えば、前述のように、半導体デバイスを製造する際のエッチングマスクハードマスクとして使用される、アモルファスカーボン膜を含む積層構造を形成するものである。まず、図1中の工程t1に示すように、半導体基板、例えば、シリコンウエハ1上に厚さ約100nmのSiO2膜2が形成された被処理体図2A参照を、成膜装置の処理室に搬入する。SiO2膜2は、のちにアモルファスカーボン膜が形成される下地層である。次に、工程t2に示すように、処理室内部の圧力を大気圧760Torr=1.01×105Paから所定の真空度、例えば、0.1Torr13.3Pa未満に減圧する。次に、工程t3に示すように、処理室内部の圧力が安定したら、被処理体を、例えば、約550°Cの温度で加熱する。また、処理室内部の圧力は、所定の真空度0.1Torr未満から0.1Torr13.3Paに上げる。次に、工程t4に示すように、処理室内部の圧力、及び被処理体の温度が安定したら、SiO2膜2の表面に有機系シリコンガスを供給し、SiO2膜2の表面にSi-C結合を含む初期層3を形成する図2B参照。有機系シリコンガスの例としては、アミン系シリコンガスを挙げることができる。また、アミン系シリコンガスの例としては、BASブチルアミノシラン、BTBASビスターシャリブチルアミノシラン、DMASジメチルアミノシラン、BDMASビスジメチルアミノシラン、TDMASトリジメチルアミノシラン、DEASジエチルアミノシラン、BDEASビスジエチルアミノシラン、DPASジプロピルアミノシラン、DIPASジイソプロピルアミノシラン等を挙げることができる。本例では、BTBASを用いる。本実施形態において、初期層3を形成する工程t4の処理条件は、以下のように設定される。BTBAS流量:1~1000sccm、例えば100sccm処理時間:0.1~60min、例えば1min処理温度:20~750°C、例えば550°C処理圧力:0.05~50Torr、例えば0.1Torr13.3Pa次に、工程t5に示すように、被処理体を成膜温度に加熱するとともに、処理室内部の圧力を成膜圧力まで上げる。次に、工程t6に示すように、処理室内部の圧力、及び被処理体の温度が安定したら、Si-C結合を含む初期層3が形成されたSiO2膜2上に、アモルファスカーボン膜4を熱成膜する図2C参照。アモルファスカーボン膜4は、炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを被処理体上に供給し、炭化水素化合物を熱分解することで成膜することができる。炭化水素化合物ガスの例としては、CH4メタン、C2H2アセチレン、C2H4エチレン、C2H6エタン、C4H6ブチン等を挙げることができる。本例では、C2H4を用いる。本実施形態において、アモルファスカーボン膜4を形成する工程t6処理条件は、以下のように設定される。C2H4流量:1~5000sccm、例えば1000sccm成膜時間:0.1~600min、例えば12.5min成膜温度:300~1000°C、例えば800°C成膜圧力:1~650Torr、例えば50Torr6650Paなお、熱成膜とは成膜ガスを熱のみで活性化して被処理体上に膜を成膜する成膜手法であり、通常は被処理体を直接或いは間接的に加熱する。このような成膜手法を、本明細書においては熱成膜と略記する。次に、工程t7に示すように、処理室の内部を排気した後、被処理体を成膜温度よりも低い温度にするとともに、処理室内部の圧力を成膜圧力未満の圧力とする。次に、工程t8に示すように、処理室内部の圧力、及び被処理体の温度が安定したら、アモルファスカーボン膜4上に有機系シリコンガスを供給する。続いて有機系シリコンガスを不活性ガス例えば窒素ガスでパージする。続いて図1中の工程t9に示すように窒素含有ガス反応ガスを供給する。続いて窒素含有ガスを不活性ガス例えば窒素ガスでパージする。そして、有機系シリコンガスの供給工程t8と、窒素含有ガスの供給工程t9とを交互に含む上記サイクルを繰り返す。これにより、アモルファスカーボン膜4の表面には、まず、Si-C結合を含む中間層5が形成される図2D参照。続いてSi-C結合を含む中間層5が窒化されることによりアモルファスカーボン膜4上に窒化シリコンを含む薄膜6が熱成膜される図2E参照。そして、有機系シリコンガスの供給工程t8と窒素含有ガスの供給工程t9とを複数回繰り返すことによりALD法、所定の厚さの窒化シリコン含有障壁膜56が熱成膜される。これらの工程t8、t9が終了した時点では、アモルファスカーボン膜4と障壁膜56との間に接着層となる非常に薄い中間層5が存在している状態となる。しかし、図では便宜上、これらの層及び膜の厚さは正確なものとなってない。工程t8において用いられる有機系シリコンガスの例としては、アミン系シリコンガスを挙げることができる。また、アミン系シリコンガスの例としては、BASブチルアミノシラン、BTBASビスターシャリブチルアミノシラン、DMASジメチルアミノシラン、BDMASビスジメチルアミノシラン、TDMASトリジメチルアミノシラン、DEASジエチルアミノシラン、BDEASビスジエチルアミノシラン、DPASジプロピルアミノシラン、DIPASジイソプロピルアミノシラン等を挙げることができる。本例では、BTBASを用いる。本実施形態において、中間層5を形成する工程t8の処理条件は、以下のように設定される。BTBAS流量:1~1000sccm、例えば100sccm処理時間:0.1~60min、例えば5min処理温度:20~750°C、例えば550°C処理圧力:0.05~50Torr、例えば0.1Torr13.3Paまた、工程t9において用いられる窒素含有ガスの例としては、NH3アンモニアを挙げることができる。本実施形態において、薄膜6を形成する工程t9の処理条件は、以下のように設定される。NH3流量:1~5000sccm、例えば1000sccm処理時間:0.1~60min、例えば5min処理温度:20~750°C、例えば550°C処理圧力:0.05~750Torr、例えば1Torr133Pa上記処理条件例示の値で特定されたもので工程t8、t9を1サイクル繰り返し無し実施した場合には、約1nmの厚さの障壁膜56が形成される。従って、上記処理条件で工程t8、t9を3サイクル3回繰り返し実施した場合には、約3nmの厚さの障壁膜56、同じく5サイクル5回繰り返し実施した場合には、約5nmの厚さの障壁膜56、同じく10サイクル10回繰り返し実施した場合には、約10nmの厚さの障壁膜56、...が形成される。工程t8、t9の所定の回数の繰り返しが終了したら、工程t10に示すように、被処理体の温度を下げながら、処理室内部を排気する。排気が終了したら、工程t11に示すように、被処理体の温度を引き続き下げながら、処理室内部にパージガスを供給する。被処理体の温度が十分に下がり、かつ、処理室内部の圧力が大気圧に復帰した後、被処理体を処理室から搬出する。この後、被処理体を別の成膜装置の処理室に搬入し、障壁膜56上に、積層構造においてアモルファスカーボン膜4の上部に形成する上部膜7を形成する。本例では上部膜7として、CVD法を用いてSiO2膜を、障壁膜56上に形成する図2F参照。このような第1の実施形態によれば、まず、下地層であるSiO2膜2の表面にSi-C結合を含む初期層3を形成するので、Si-C結合を含む初期層3を形成しない場合に比較して、下地層とアモルファスカーボン膜4との密着性が向上する、という利点を得ることができる。さらに、下地層であるSiO2膜2の表面にSi-C結合を含む初期層3を形成することで、アモルファスカーボン膜4の表面ラフネスも改善される、という利点についても併せて得ることができる。アモルファスカーボン膜4の表面ラフネスが改善される理由の一つとしては、下地層との密着性が高まったことにより、下地層上にアモルファスカーボン膜4が均一に成長しやすくなることによる。また、第1の実施形態によれば、工程t8、t9に示すように、有機系シリコンガスの供給工程t8と、窒素含有ガスの供給工程t9とを交互に繰り返す、すなわち、ALD法を採用する。これにより、アモルファスカーボン膜4の表面に、Si-C結合を含む中間層5を形成し、続いてSi-C結合を含む中間層5が表面に形成されたアモルファスカーボン膜4上に窒化シリコン含有障壁膜56を熱成膜する。これにより、Si-C結合を含む中間層5を形成しない場合、或いは障壁膜56をALD法により熱成膜しない場合に比較して、アモルファスカーボン膜4と上部膜7との密着性を高めることができる、という利点を得ることができる。また、障壁膜56をALD法により熱成膜した場合には、膜質が緻密になる。このため、酸化障壁として良好に機能し、アモルファスカーボン膜4の酸化が抑制される。よって、障壁膜56が形成された被処理体を大気開放した場合においても、密着性の低下を抑制することができる。図3は、有機系シリコンガスの供給工程t8と、窒素含有ガスの供給工程t9との繰り返し回数ごとの密着性評価の結果を示す図である。密着性は、上部膜7本評価例ではSiO2膜に接着テープを貼り付け、貼り付けたテープを剥がした際に、上部膜7が剥離するか否かで評価した。図3に示すように、本評価結果においては、有機系シリコンガスの供給工程t8と、窒素含有ガスの供給工程t9とを交互に3回以上繰り返すと、上部膜7が剥がれないOK、という結果であった。また、有機系シリコンガスの供給工程t8と、窒素含有ガスの供給工程t9と繰り返さない場合には、上部膜7が剥がれるNG、という結果であった。このように、有機系シリコンガスの供給工程t8と、窒素含有ガスの供給工程t9とを交互に繰り返すことで、繰り返さない場合に比較して、アモルファスカーボン膜4とこのアモルファスカーボン膜4の上部に形成される上部膜7との密着性が向上する、という利点を得ることができる。第2の実施形態図4は、本発明の第2の実施形態に係る成膜方法のシーケンスを示すタイムチャートである。図5A~図5Fは、第2の実施形態に係るシーケンス中の被処理体の状態を概略的に示す断面図である。なお、図4及び図5A~図5Fにおいては、図1及び図2A~図2Fと同一部分には同一の参照符号を付し、第1の実施形態と異なるところのみを説明することにする。図4に示すように、第2の実施形態が第1の実施形態と異なるところは、窒素含有ガス反応ガスを供給する工程t9に代えて、炭素含有ガス反応ガスを供給する工程t20を使用することである。炭素含有ガスの例としては、炭化水素化合物ガスを挙げることができる。さらに炭化水素化合物ガスの例としては、CH4メタン、C2H2アセチレン、C2H4エチレン、C2H6エタン、C4H6ブチン等を挙げることができる。本例では、C2H4を用いる。本実施形態において、工程t20の処理条件は、以下のように設定される。C2H4流量:1~5000sccm、例えば1000sccm成膜時間:0.1~30min、例えば0.5min成膜温度:20~750°C、例えば550°C成膜圧力:0.05~750Torr、例えば1Torr133Paこのような第2の実施形態においても、工程t7に続いて、工程t8、t20に示すように、有機系シリコンガスの供給工程t8と、炭素含有ガスの供給工程t20とを交互に含むサイクルを繰り返す。これにより、アモルファスカーボン膜4の表面には、まず、Si-C結合を含む中間層5が形成される図5D参照。続いてSi-C結合を含む中間層5が炭化されることによりアモルファスカーボン膜4上に炭化シリコンを含む薄膜8が熱成膜される図5E参照。そして、有機系シリコンガスの供給工程t8と炭素含有ガスの供給工程t20とを複数回繰り返すことによりALD法、所定の厚さの炭化シリコン含有障壁膜58が熱成膜される。これらの工程t8、t20が終了した時点では、アモルファスカーボン膜4と障壁膜58との間に接着層となる非常に薄い中間層5が存在している状態となる。しかし、図では便宜上、これらの層及び膜の厚さは正確なものとなってない。これにより、Si-C結合を含む中間層5を形成しない場合、或いは障壁膜58をALD法により熱成膜しない場合に比較して、アモルファスカーボン膜4と上部膜7との密着性を高めることができる、という利点を得ることができる。また、障壁膜58はALD法により熱成膜されるので、障壁膜56と同様に、膜質が緻密になる。このため、障壁膜58は、酸化障壁として良好に機能し、アモルファスカーボン膜4の酸化が抑制される。よって、障壁膜58が形成された被処理体を大気開放した場合においても、密着性の低下が抑制される。第3の実施形態図6は、本発明の第3の実施形態に係る成膜方法のシーケンスを示すタイムチャートである。図7A~図7Fは、第3の実施形態に係るシーケンス中の被処理体の状態を概略的に示す断面図である。なお、図6及び図7A~図7Fにおいては、図1及び図2A~図2Fと同一部分には同一の参照符号を付し、第1の実施形態と異なるところのみを説明することにする。図6に示すように、第3の実施形態が第1の実施形態と異なるところは、工程t8、t9に代えて、アモルファスカーボン膜4上に有機系シリコンガスを供給する工程t30と、次に、有機系シリコンガスを停止した状態でアニール処理を行う工程t32とを使用することにある。このような第3の実施形態においても、工程t7に続いて、工程t30に示すように、有機系シリコンガスを供給し、アモルファスカーボン膜4の表面にSi-C結合を含む中間層5を形成する図7D参照。なお、この工程は、ある程度の長さとすることにより、Si-C結合を含む中間層5及びその上に更に炭化シリコン含有膜9を熱成膜する工程図7E参照と解釈することができる。工程t30において用いられる有機系シリコンガスの例としては、アミン系シリコンガスを挙げることができる。また、アミン系シリコンガスの例としては、BASブチルアミノシラン、BTBASビスターシャリブチルアミノシラン、DMASジメチルアミノシラン、BDMASビスジメチルアミノシラン、TDMASトリジメチルアミノシラン、DEASジエチルアミノシラン、BDEASビスジエチルアミノシラン、DPASジプロピルアミノシラン、DIPASジイソプロピルアミノシラン等を挙げることができる。本例では、BTBASを用いる。本実施形態において、工程t30の処理条件は、以下のように設定される。BTBAS流量:1~1000sccm、例えば100sccm処理時間:0.1~60min、例えば5min処理温度:20~750°C、例えば550°C処理圧力:0.05~50Torr、例えば0.1Torr13.3Pa工程t30でアモルファスカーボン膜4上にSi-C結合を含む中間層5及び炭化シリコン含有膜9を形成した後、処理室の内部を排気する。続いて工程t31に示すように、処理室内部の圧力を、工程t30より高い圧力に上げる。また、被処理体の温度を、工程t30より高い温度に上げる。次に、工程t32に示すように、処理室内部の圧力、及び被処理体の温度が安定したら、処理室内に不活性ガスを供給しながら、被処理体を不活性ガス雰囲気下でアニール処理する。工程t32において用いられる不活性ガスの例としては、窒素ガスを挙げることができる。本実施形態において、工程t32の処理条件は、以下のように設定される。N2流量:50~30000sccm、例えば1000sccm処理時間:0.5~300min、例えば30min処理温度:550~1200°C、例えば800°C処理圧力:0.1~760Torr、例えば400Torr53200Paこのような第3の実施形態においても、アモルファスカーボン膜4の表面にSi-C結合を含む中間層5を形成し、次に炭化シリコン含有膜9を熱成膜する。さらに、炭化シリコン含有膜9を、この炭化シリコン含有膜9を熱成膜した際より高い圧力及び高い温度で、不活性ガス雰囲気下でアニール処理する。これにより、Si-C結合を含む中間層5を形成しない場合、或いは炭化シリコン含有膜9をアニール処理しない場合に比較して、アモルファスカーボン膜4と上部膜7との密着性を高めることができる、という利点を得ることができる。また、炭化シリコン含有膜9はアニール処理されるので、障壁膜56と同様に、膜質が緻密になる。このため、炭化シリコン含有膜9は、酸化障壁として良好に機能し、アモルファスカーボン膜4の酸化が抑制される。よって、炭化シリコン含有膜9が形成された被処理体を大気開放した場合においても、密着性の低下が抑制される。第4の実施形態第4の実施形態は、上記第1~第3の実施形態に係る成膜方法を実施することが可能な成膜装置の一例に関する。図8は、第1~第3の実施形態に係る成膜方法を実施することが可能な成膜装置の一例を概略的に示す断面図である。図8に示すように、成膜装置100は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理室101を有している。処理室101の全体は、例えば、石英により形成されている。処理室101内の天井には、石英製の天井板102が設けられている。処理室101の下端開口部には、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド103がOリング等のシール部材104を介して連結されている。マニホールド103は処理室101の下端を支持している。マニホールド103の下側開口からは、被処理体として複数枚、例えば、50~100枚の半導体基板、本例では、シリコンウエハ1を多段に載置可能な石英製のウエハボート105が処理室101内に挿入可能となっている。本例では、各シリコンウエハ1上には、例えばSiO2膜が配設され、これは、上述のようにアモルファスカーボン膜を含む積層構造がその上に形成されることとなる下地層として機能する。ウエハボート105は複数本の支柱106を有し、支柱106に形成された溝により複数枚のシリコンウエハ1が支持されるようになっている。ウエハボート105は、石英製の保温筒107を介してテーブル108上に載置されている。テーブル108は、マニホールド103の下端開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部109を貫通する回転軸110上に支持される。回転軸110の貫通部には、例えば、磁性流体シール111が設けられ、回転軸110を気密にシールしつつ回転可能に支持している。蓋部109の周辺部とマニホールド103の下端部との間には、例えば、Oリングよりなるシール部材112が介設されている。これにより処理室101内のシール性が保持されている。回転軸110は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構図示せずに支持されたアーム113の先端に取り付けられている。昇降機構により、ウエハボート105が、蓋部109を介して昇降されて処理室101内に対して挿脱される。成膜装置100は、処理室101内に、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構114と、処理室101内に、パージガスを供給するパージガス供給機構115と、を有している。処理ガス供給機構114は、有機系シリコンガス供給源117、炭化水素化合物ガス供給源118、窒素含有ガス供給源119を含んでいる。パージガス供給機構115は、不活性ガス供給源120を含んでいる。有機系シリコンガス供給源117は、流量制御器121a及び開閉弁122aを介して、分散ノズル123に接続されている。分散ノズル123は石英管よりなり、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル123の垂直部分には、ウエハボート105のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って複数のガス吐出孔124が所定の間隔を隔てて形成されている。有機系シリコンガスは、各ガス吐出孔124から水平方向に処理室101内に向けて略均一に吐出される。炭化水素化合物ガス供給源118は、流量制御器121b及び開閉弁122bを介して、分散ノズル125に接続されている。窒素含有ガス供給機構119もまた、流量制御器121c及び開閉弁122cを介して、分散ノズル125に接続されている。分散ノズル125は石英管よりなり、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル125の垂直部分には、ウエハボート105のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って複数のガス吐出孔126が所定の間隔を隔てて形成されている。炭化水素化合物ガス、または窒素含有ガスは、各ガス吐出孔126から水平方向に処理室101内に向けて略均一に吐出される。パージガス供給源機構115は、不活性ガス供給源120を含んでいる。不活性ガス供給源120は、流量制御器121d及び開閉弁122dを介して、短いノズル128に接続されている。ノズル128は石英管よりなり、マニホールド103の側壁を貫通し、その先端から不活性ガスを、水平方向に処理室101内に向けて吐出させる。処理室101内の、分散ノズル123及び125と反対側の部分には、処理室101内を排気するための排気口129が設けられている。排気口129は処理室101の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理室101の排気口129に対応する部分には、排気口129を覆うように断面がコの字状に成形された排気口カバー部材130が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材130は、処理室101の側壁に沿って上方に延びており、処理室101の上方にガス出口131を規定している。ガス出口131には、真空ポンプ等を含む排気機構132が接続される。排気機構132は、処理室101内を排気することで処理に使用した処理ガスの排気、及び処理室101内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。処理室101の外周には筒体状の加熱機構133が設けられている。加熱機構133は、処理室101内に供給されたガスを活性化するとともに、処理室101内に収容された被処理体、例えば、半導体基板、本例ではシリコンウエハ1を加熱する。成膜装置100の各部の制御は、例えばマイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ150により行われる。コントローラ150には、オペレータが成膜装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース151が接続されている。コントローラ150には記憶部152が接続されている。記憶部152は、成膜装置100で実行される各種処理をコントローラ150の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部152の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリ等の固定型のものであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース151からの指示等にて記憶部152から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ150が実行することで、成膜装置100は、コントローラ150の制御のもと、所望の処理が実施される。本例では、コントローラ150の制御のもと、上記第1~第3の実施形態に係る成膜方法のうち、上部膜7の成膜のための部分を除く図1に示した工程t1~工程t11に従った処理、または図4に示した工程t1~t8、t20、t10~t11に従った処理、または図6に示した工程t1~t7、t30~t32、t10t11に従った処理が順次実施される。上述のように、上記第1~第3の実施形態に係る成膜方法は、図8に示すような成膜装置100を用いて、実施することができる。しかも、成膜装置100によれば、第1~第3の実施形態に係る成膜方法の各処理を、上部膜7の成膜のための部分を除き、大気開放することなく、同一の処理室101内で連続して行うことができる。また、成膜装置100は、窒素含有ガス供給源119を備えているが、第2、第3の実施形態を実施する場合には、窒素含有ガス供給源119を省略することもできる。窒素含有ガス供給源119を省略した場合、例えば、第2の実施形態における工程t20については、炭化水素化合物ガス供給源118から炭素含有ガスを供給すればよい。以上、本発明をいくつかの実施形態に従って説明したが、本発明は、上記いくつかの実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。例えば、アモルファスカーボン膜と下地層との密着性、及びアモルファスカーボン膜と上部膜との密着性は、双方を同時に向上させることが望ましいが、どちらか一方のみを改善するようにしてもよい。例えば、上部膜を形成しない場合には、工程t1~工程t6までを行い、アモルファスカーボン膜と下地層との密着性のみを向上させてもよい。また、上記いくつかの実施形態においては、平坦な下地層上にアモルファスカーボン膜を成膜する例、及び平坦なアモルファスカーボン膜上に上部膜を成膜する例を示した。しかし、上記いくつかの実施形態のいずれもが熱成膜プロセスであり、熱成膜プロセスは、ステップカバレッジに優れたものである。このため、段差を持つ下地層上にアモルファスカーボン膜を成膜する、及び段差を持つアモルファスカーボン膜上に上部膜を成膜する場合も問題は生じない。また、上記いくつかの実施形態においては、下地層及び上部膜の双方をSiO2としたが、下地層及び上部膜はSiO2に限られるものでもない。例えば、下地層及び上部膜の夫々はシリコンを含有する他の材料でもよく、この場合も、アモルファスカーボン膜と下地層或いはアモルファスカーボン膜と上部膜との間にSi-C結合を生じさせることができる。また、上記いくつかの実施形態においては、本発明はバッチ式の成膜装置に適用されるが、これに代えて本発明は枚葉式の成膜装置に適用可能である。また、上記いくつかの実施形態においては、処理条件を具体的に示したが、これらは単なる例であり、それは次のような理由による。本発明による第1の利点である、下地層とアモルファスカーボン膜4との密着性向上は、下地層の表面にSi-C結合を含む初期層3を形成し、その上にアモルファスカーボン膜4を熱成膜することで得られる。本発明による第2の利点である、アモルファスカーボン膜4と上部膜7との密着性向上は、アモルファスカーボン膜4の表面にSi-C結合を含む中間層5を形成し、その上に障壁膜56または58を、有機系シリコンガスの供給工程t8と、窒素含有ガスの供給工程t9または炭素含有ガス供給t20とを交互に繰り返す、すなわち、ALD法により熱成膜することで得られる。代わりに、本発明による第2の利点である、アモルファスカーボン膜4と上部膜7との密着性向上は、アモルファスカーボン膜4の表面にSi-C結合を含む中間層5を形成し、その上に炭化シリコン含有膜9を熱成膜し、さらに、炭化シリコン含有膜9を、この炭化シリコン含有膜9を熱成膜した際より高い圧力及び高い温度で、不活性ガス雰囲気下でアニール処理することで得られる。従って、上記実施形態に記載した具体的な処理条件は単なる例示であり、シリコンウエハ1の大きさ、処理室の容積変化等に応じて、上記利点を損なわない範囲で変更できる。また、上記実施形態に記載した成膜方法によれば、nmオーダーの膜厚寸法で成膜されるものであるから、半導体デバイスの製造プロセスに好適に用いることができる。また、上記実施形態に記載した成膜方法が利用されたアモルファスカーボン膜は、下地層との密着性、及び上部膜との密着性が高い。このため、各実施形態のアモルファスカーボン膜を含む積層構造は、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、例えば、エッチングのマスクとして使用されるハードマスクに、特に好適に用いることができる。