廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する再構築したメモリ空間の回収方法であって、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有する前記ダイを準備するステップと、前記ダイの前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの1つを走査し、前記ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、前記ダイにより前記テストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、前記テスト結果に基づき正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア又は前記セルエリアを標記するステップと、前記テスト結果をスペアエリアに書き入れ、前記ダイ中の正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つの密度分布を表示するステップと、前記ダイ中の全ての前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つに対して走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前記ステップを選択的に繰り返して行うステップと、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを構築するステップと、を含む再構築したメモリ空間の回収方法。前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つが異常であると標記されている場合、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアが不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、前記テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表すことを特徴とする請求項1に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。前記ダイが対応した各エリアに前記テストデータを書き入れた後、前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中に書き入れることが可能か否かを判断し、既に書き入れた前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中から読取り、前後の前記テストデータの違いを比較し、前記エリアのそれぞれが正常か否かを判断することを特徴とする請求項2に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。正常と標記された前記ダイを構成するステップでは、前記スペアエリアに基づいて取り出した正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを選び出し、異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを削除することを特徴とする請求項3に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを選択して再構成し、メモリを再構築することを特徴とする請求項4に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。再構築した後の前記メモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップをさらに含み、前記メモリのメモリ容量は、正常な前記ブロックエリアが再構成されて形成されることを特徴とする請求項5に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。前記メモリ容量は、2の冪乗により規格化されていないことを特徴とする請求項6に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コードエンジンにより、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つが正常であるか否かを動的に判断することを特徴とする請求項5に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成することを特徴とする請求項8に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。前記メモリは、NOR型フラッシュメモリ、NAND型フラッシュメモリ又はDRAMであることを特徴とする請求項1に記載の再構築したメモリ空間の回収方法。本発明の第1の目的は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。本発明の第2の目的は、ダイの中のブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つに対して読み/書き/比較を行い、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアの密度分布を得て再構成し、メモリを再構築するメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。本発明の第3の目的は、最終製品を得て、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つが正常か否かを判断し、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成するメモリ容量を有するメモリを回収する方法を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明の第1の形態によれば、廃棄されたダイを回収し、使用可能なメモリ空間に応用し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する再構築したメモリ空間の回収方法であって、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを有する前記ダイを準備するステップと、前記ダイの前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの1つを走査し、前記ダイに対応したエリア中にテストデータを書き入れ、前記ダイにより前記テストデータの読み書き及び比較を行ってテスト結果を得て、前記テスト結果に基づき正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア又は前記セルエリアを標記するステップと、前記テスト結果をスペアエリアに書き入れ、前記ダイ中の正常及び異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つの密度分布を表示するステップと、前記ダイ中の全ての前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つに対して走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前記ステップを選択的に繰り返して行うステップと、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを構築するステップと、を含む再構築したメモリ空間の回収方法が提供される。また、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つが異常であると標記されている場合、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアが不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、前記テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表すことが好ましい。また、前記ダイが対応した各エリアに前記テストデータを書き入れた後、前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中に書き入れることが可能か否かを判断し、既に書き入れた前記テストデータを前記エリアのそれぞれの中から読取り、前後の前記テストデータの違いを比較し、前記エリアのそれぞれが正常か否かを判断することが好ましい。また、正常と標記された前記ダイを構成するステップでは、前記スペアエリアに基づいて取り出した正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを選び出し、異常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを削除することが好ましい。また、正常な前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを選択して再構成し、メモリを再構築することが好ましい。また、再構築した後の前記メモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップをさらに含み、前記メモリのメモリ容量は、正常な前記ブロックエリアが再構成されて形成されることが好ましい。また、前記メモリ容量は、2の冪乗により規格化されていないことが好ましい。また、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コードエンジンにより、前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つが正常であるか否かを動的に判断することが好ましい。また、正常と標記された前記ブロックエリア、前記ページエリア及び前記セルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有する前記メモリを動的に形成することが好ましい。また、前記メモリは、NOR型フラッシュメモリ、NAND型フラッシュメモリ又はDRAMであることが好ましい。本発明のメモリ容量を有するメモリを回収する方法は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収することができる。以下、本発明の実施例について図に基づいて説明する。なお、これによって本発明が限定されるものではない。図4を参照する。図4に示すように、本発明の一実施形態による再構築したメモリ空間の回収方法は、廃棄されたダイから使用可能なメモリ空間を回収し、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを形成する。この廃棄されたダイには、a欠陥ダイとは見なされないが、一部の機能しかなく使用可能なセルcellを含むメモリダイと、b開路/短絡の関係により全く反応が無いメモリダイと、c一般の欠陥と、全部又は一部が使用可能なメモリセルを含む正常なメモリダイと、dメモリダイの機能をテストする過程で、欠陥があると間違って判断されたメモリダイと、が含まれる。ここでメモリは、NOR型フラッシュメモリ、NAND型フラッシュメモリ又はDRAMでもよい。また、規格化のメモリ容量は、例えば、2GB、4GB、8GB、16GB、32GB、64GBなど、2の冪乗によりメモリ容量が決められている。非規格化のメモリ容量は、例えば、3.5GB、800MB、460GBなど、2の冪乗でない方式によりメモリ容量が決められている。本実施形態の再構築したメモリ空間の回収方法は、ステップS41から開始する。ステップS41において、ブロックblockエリア、ページpageエリア及びセルcellエリアを有するダイdieを準備する。一般にダイは、ウェーハwafer上に多数形成され、それらのダイは、所定のメモリエリアに基づき、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアに分けられ、セルエリアはそれぞれのダイのうち最小の記憶単位であり、ビット0と1のデータを記憶するために用いる。また、ページエリアは、多数のセルエリアの組み合わせからなり、ページエリアの組み合わせによりブロックエリアが形成され、最終的に多数のブロックエリアによりダイが形成され、このダイはメモリユニットmemoryunitとも称される。続いて、ステップS42において、ダイのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの1つを走査し、ダイに対応した各エリア中にテストデータを書き入れ、ダイによりテストデータの書き/読み/比較を行ってテスト結果を得る。このテスト結果は、正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを標記するために用いる。このステップにおいて、ダイのブロックエリア、ページエリア又はセルエリアを走査し、最小記憶ビットのセルエリア又は走査して記憶した文字データのブロックエリアでもよい。選択した各エリア中に、テストデータの書き/読み/比較を行い、各エリアが正常な状態か否かをテストする。即ち、各エリアに対して正常なデータの書き/読み/比較を行う。言い換えると、本ステップのテストでは、ダイ中の正常及び異常なブロックエリア、ページエリア又はセルエリアの分布を得ることができる。さらに、正常及び異常な分布状況を標記する。ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つが異常であると標記されている場合、これはブロックエリア、ページエリア及びセルエリアが、不良ブロックエリア、不良ページエリア又は不良セルエリアであることを表し、テストデータの読み書き及び比較を行うことができないことを表す。さらに、ダイが対応した各エリアにテストデータを書き入れた後、当該テストデータを各エリア中に書き入れるか否かを判断し、各エリア中から既に書き入れたテストデータを読取り、前後のテストデータの違いを比較し、各エリアが正常か否かを判断する。続いてステップS43において、テスト結果をスペアエリアspareareaに書き入れ、ダイ中の正常及び異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つの密度分布densitydistributionを表示する。本ステップにおいて、標記された正常及び異常なブロックエリア、ページエリア、セルエリアの分布状態がスペアエリア中に記録される。言い換えると、スペアエリア内に記録した内容に基づき、ダイ中の正常及び異常なエリアの分布状況を知ることができる。続いてステップS44において、ダイ中の全てのブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つが走査及びテストが完全に行われたか否かを判断し、前述のステップを選択的に繰り返して行う。このステップにおいて、ループloop式の判断方式により上述のステップS41~S43を繰り返して行い、選択したブロックエリア、ページエリア、セルエリアの全てをダイ中で完全に走査する。続いて、ステップS45において、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つを集め、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを再構築する。言い換えると、前述のステップに基づき、ダイ中の全てのブロックエリア、ページエリア、セルエリアに対して走査及びテストを行い、ダイ中のブロックエリア、ページエリア、セルエリア全てがデータにアクセスすることが可能であり、再構成することにより、ユーザは正常にアクセスしたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアを使用することができる。さらにブロックエリア、ページエリア又はセルエリアにより形成されたメモリ容量は、規格化又は非規格化のメモリ容量でもよい。前述のステップにより、ブロックエリア、ページエリア又はセルエリアにより形成されたメモリ容量を有効に回収することができる。さらに、正常と標記されたダイを構成するステップには、スペアエリアに基づいて取り出した正常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つを選び出し、異常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つを削除し、正常なブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つを選択して再構成し、メモリを再構築する。他の実施形態では、正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つを構成して収集し、嵌入式誤り訂正コードエンジンErrorCorrectionCodeEngine:ECCEngineにより、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つが正常であるか否かを動的に判断するとともに、既に正常と標記されたブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの少なくとも1つを再構成して収集し、規格化又は非規格化のメモリ容量のメモリを動的に形成する。例えば、元々メモリ容量が90GBであったメモリを再構成し、損壊したエリアを削除し、メモリのメモリ容量を64GBに減らす。また、規格化又は非規格化のメモリ容量を有するメモリを回収する方法には、再構築した後のメモリにアクセスする制御ユニットを準備するステップS46が含まれている。メモリのメモリ容量は、正常なブロックエリアが再構成されて形成されている。上述したことから分かるように、本発明の再構築したメモリ空間の回収方法は、ウェーハ中の欠陥を有する複数のダイを回収することにより、ブロックエリア、ページエリア及びセルエリアのうちの何れであってもダイに対して走査及びテストを行い、正常なエリア即ち、データの読み/書き/比較を行うことができることを表すを探し出し、走査及びテストを行った後に得た結果に基づき、演算法によりブロックエリア、ページエリア、セルエリアに対して全面的な再構成を行い、正常な各エリアを再び使用し、異常なエリアを削除することにより誤って使用してしまうことを防ぐ。再構成した各エリアは、2の冪乗で規格化された完全なメモリ容量例えば、2GB、4GB、8GB、256GBなどではなく、任意のメモリ容量例えば、3.5GB、800MB、460GBなどでもよい。言い換えると、本発明は、正常な各エリアのメモリユニットmemoryunitを最大限回収して再構成することにより、非規格化のメモリ容量を有するメモリを再構築することができる上、サーバ又は制御ユニットは、従来のメモリと同様にデータの読み/書き/比較/削除などを行うことができる。当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨とエリアを逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。