ダイシング溝により個片化された複数のチップ領域を有し、素子形成面である第1の面に貼付された表面保護フィルムでウエハ形状が維持された半導体ウエハを用意する工程と、液状接着剤を、前記ダイシング溝の少なくとも一部に充填しつつ、前記半導体ウエハの前記第1の面とは反対側の第2の面に塗布して接着剤層を形成する工程と、粘着力を低下させることが可能な粘着層を有する支持シートを、前記半導体ウエハの前記第2の面に前記接着剤層を介して貼付する工程と、前記半導体ウエハから前記表面保護フィルムを剥離した後、前記支持シートを引き伸ばして前記ダイシング溝内に充填された接着剤を含めて前記接着剤層を割断する工程と、前記支持シートを引き伸ばした状態を維持しつつ、前記半導体ウエハの第1の面と前記ダイシング溝内を洗浄する工程とを具備し、前記洗浄工程の前に、前記粘着層の前記ダイシング溝に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記粘着層は紫外線硬化型樹脂からなり、前記粘着層の前記ダイシング溝内に存在する部分に紫外線を選択的に照射し、前記粘着層の粘着力を選択的に低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法において、前記接着剤層の形成工程は、前記ダイシング溝内に前記液状接着剤を充填する第1の工程と、前記半導体ウエハの前記第2の面に前記液状接着剤を塗布する第2の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。ダイシング溝により個片化された複数のチップ領域を有し、素子形成面である第1の面に貼付された表面保護フィルムでウエハ形状が維持された半導体ウエハを用意する工程と、前記半導体ウエハの前記第1の面とは反対側の第2の面から前記ダイシング溝内に液状接着剤を充填する第1の工程と、前記半導体ウエハの前記第2の面に前記液状接着剤を塗布する第2の工程とを備え、前記半導体ウエハの前記第2の面に接着剤層を形成する工程と、粘着層を有する支持シートを、前記半導体ウエハの前記第2の面に前記接着剤層を介して貼り付ける工程と、前記半導体ウエハから前記表面保護フィルムを剥離した後、前記支持シートを引き伸ばして前記ダイシング溝内に充填された接着剤を含めて前記接着剤層を割断する工程と、前記支持シートを引き伸ばした状態を維持しつつ、前記半導体ウエハの第1の面と前記ダイシング溝内を洗浄する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4記載の半導体装置の製造方法において、前記接着剤層の形成工程は、前記液状接着剤が塗布された前記半導体ウエハを揺動する第3の工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、個片化された半導体チップを有する半導体ウエハの裏面に形成した接着剤層の切断性を高めて製造コストの低減を図ると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制して製造歩留りを高めることを可能にした半導体装置の製造方法を提供することにある。実施形態の半導体装置の製造方法は、ダイシング溝により個片化された複数のチップ領域を有し、素子形成面である第1の面に貼付された表面保護フィルムでウエハ形状が維持された半導体ウエハを用意する工程と、液状接着剤をダイシング溝の少なくとも一部に充填しつつ、半導体ウエハの第1の面とは反対側の第2の面に塗布して接着剤層を形成する工程と、粘着力を低下させることが可能な粘着層を有する支持シートを、半導体ウエハの第2の面に接着剤層を介して貼付する工程と、半導体ウエハから表面保護フィルムを剥離した後、支持シートを引き伸ばしてダイシング溝内に充填された接着剤および接着剤層を割断する工程と、支持シートを引き伸ばした状態を維持しつつ、前記半導体ウエハの第1の面とダイシング溝内を洗浄する工程とを具備している。粘着層のダイシング溝に対応する部分の粘着力を、洗浄工程の前に選択的に低下させる。以下、実施形態の半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。図1は実施形態による半導体装置の製造方法を示す図である。図2ないし図5は実施形態の半導体装置の製造方法における各工程を示す図である。まず、図1aに示すように、ダイシング溝1により個片化された複数のチップ領域2、2...を有する半導体ウエハ3を用意する。半導体ウエハ3は各チップ領域2に個片化されているものの、素子形成面である第1の面3aに貼付された表面保護フィルム4でウエハ形状が維持されている。このような半導体ウエハ3は、例えば先ダイシング工程により作製される。半導体ウエハ3の先ダイシング工程について、図2を参照して述べる。図2aに示すように、半導体回路や配線層等を有する半導体素子部が形成された半導体ウエハ3Aを用意する。半導体ウエハ3Aは素子形成面である第1の面表面3aとそれとは反対側の第2の面裏面3bとを有している。半導体ウエハ3Aは複数の複数のチップ領域2、2...を有しており、各チップ領域2の第1の面3a側には半導体回路や配線層等を有する半導体素子部が形成されている。複数のチップ領域2間にはダイシング領域5が設けられており、このダイシング領域5に沿って半導体ウエハ3Aを切断することによって、複数のチップ領域2、2...をそれぞれ個片化して半導体チップを作製する。半導体ウエハ3Aを切断するにあたって、まず図2aに示すように、半導体ウエハ3Aに第1の面3a側からダイシング領域5に沿って溝1を形成する。半導体ウエハ3Aの溝1は、例えばダイシング領域5の幅に応じた刃厚を有するブレード6を用いて形成される。溝1の深さは半導体ウエハ3Aの厚さより浅く、かつ半導体チップの完成時の厚さより深く設定される。溝1はエッチング等で形成してもよい。このような深さの溝ダイシング溝1を半導体ウエハ3Aに形成することによって、複数のチップ領域2、2...はそれぞれ半導体チップの完成厚さに応じた状態に区分される。次いで、図2bに示すように、ダイシング溝1を形成した半導体ウエハ3Aの第1の面3aに表面保護フィルム4を貼付する。表面保護フィルム4は後工程で半導体ウエハ3Aの第2の面裏面3bを研削する際に、チップ領域2に設けられた半導体素子部を保護すると共に、第2の面3bの研削工程でチップ領域2を個片化した後の半導体ウエハ3Aの形状を維持するものである。表面保護フィルム4としては、例えば粘着層を有するポリエチレンテレフタレートPETフィルムのような樹脂フィルムが用いられる。次に、図2cに示すように、表面保護フィルム4を貼付した半導体ウエハ3Aの第2の面裏面3bを研削および研磨する。半導体ウエハ3Aの第2の面3bは、例えばラッピング定盤を用いて機械的に研削され、続いて研磨定盤を用いて研磨例えばドライポリッシングされる。半導体ウエハ3Aの第2の面3bの研削研磨工程は、第1の面3a側から形成したダイシング溝1に達するように実施される。このように、半導体ウエハ3Aの第2の面3bを研削することで、各チップ領域2はそれぞれ個片化される。この段階において、各チップ領域2は個片化されているものの、表面保護フィルム4で保持されているため、全体的にはウエハ形状が維持されている。すなわち、図2cに示すように、ダイシング溝1により個片化された複数のチップ領域2、2...を有し、素子形成面である第1の面3aに貼付された表面保護フィルム4でウエハ形状が維持された半導体ウエハ3が作製される。個片化されたチップ領域2間には、ダイシング溝1の幅に相当する隙間が存在している。なお、半導体ウエハ3の作製工程は先ダイシング工程に限られるものではなく、レーザ光によるダイシング工程等を適用してもよい。次に、図1bに示すように、表面保護フィルム4で全体形状が維持されている半導体ウエハ3の第2の面3bに、液状接着剤を塗布して接着剤層7を形成する。液状接着剤はダイシング溝1の少なくとも一部に充填しつつ、半導体ウエハ3の第2の面3bに塗布される。液状接着剤としては、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂のような熱硬化性樹脂の液状組成物が用いられる。また、光および熱硬化型の樹脂や水分蒸発と再湿により可逆的に硬化する再活性接着樹脂の液状組成物等を使用することも可能である。半導体ウエハ3の第2の面3bに液状接着剤を塗布する方法としては、例えばインクジェット法、スプレー法、ロールコーター法、スクリーン印刷法等を適用することができる。なかでも、半導体ウエハ3と非接触な状態で液状接着剤を塗布することが可能なインクジェット法やスプレー法を適用することがより好ましい。さらに、インクジェット法によれば膜厚の薄い液状接着剤の塗布層を比較的均一に形成することができるため、インクジェット法は半導体ウエハ3への液状接着剤の塗布方法として好適である。接着剤層7は、個片化した半導体チップチップ領域2を配線基板や他の半導体チップ上に実装する際に接着層として機能するものであり、半導体チップの外形に応じて切断個片化されるものである。このような接着剤層7の厚さは1μm以上20μm以下とすることが好ましい。接着剤層7は、次工程の前に室温では粘着力タック力を示さない状態としておくことが好ましい。例えば、液状接着剤として熱硬化性樹脂の液状組成物Aステージを用いた場合、接着剤層7は液状接着剤の塗布層を所定の温度で乾燥させて半硬化状態Bステージとしておくことが好ましい。熱硬化性以外の樹脂を用いた場合にも、硬化形態に応じた処理を施しておくことが好ましい。ところで、予めダイシング溝1が形成されている半導体ウエハ3の第2の面3bに液状接着剤を塗布して接着剤層7を形成するにあたって、単に液状接着剤を半導体ウエハ3の全面に塗布しただけではダイシング溝1内に液状接着剤が流れ込むことで、各チップ領域2上の接着剤層7の膜厚を均一化することが難しい。例えば、膜厚が10μmの接着剤層7を形成しようとしたときに、液状接着剤を半導体ウエハ3の全面に塗布しただけでは、チップ領域サイズ:11×13mm2の中央部の厚さが20μm程度となり、かつ端部から50μmの位置での厚さが1~2μm程度となってしまう。接着剤層7の膜厚が不均一であると、後工程のダイボンディング工程で接着不良が生じやすくなる。このような点に対して、ダイシング溝1内に液状接着剤を充填する第1の工程と、半導体ウエハ3の第2の面3bに液状接着剤を塗布する第2の工程とを有する接着剤層7の形成工程を適用することが好ましい。接着剤層7の形成工程について、図3を参照して述べる。まず、図3aに示すように、幅が30~40μm程度のダイシング溝1内に液状接着剤7Aを充填する。この際、各チップ領域2は半導体ウエハ33Aのダイシング時に整列性が低下しているダイシング溝1がずれているおそれがあるため、ダイシング溝1の幅以上例えば溝幅の1.5倍以上3倍以下に塗布することによって、ダイシング溝1内に液状接着剤7Aを充填することが好ましい。次に、図3bに示すように、ダイシング溝1内に液状接着剤7Aを充填した半導体ウエハ3の第2の面3b全体に液状接着剤7Aを塗布する。この段階において、液状接着剤7Aを半導体ウエハ3の全面に単に塗布した場合に比べて、各チップ領域2内の接着剤層7の膜厚の面内均一性を大幅に高めることができる。ただし、ダイシング溝1内に液状接着剤7Aを充填した際の第2の面3bへの盛り上がりや充填時における液状接着剤7Aのダイシング溝1からのずれ等によって、部分的に接着剤層7の膜厚が不均一になる場合がある。そのような場合には、図3cに示すように、液状接着剤7Aを塗布した半導体ウエハ3全体を揺動させて液状接着剤7Aの塗布厚を均一化する液状接着剤7Aの塗布層の凹凸部分を平坦化することが好ましい。半導体ウエハ3を揺動させる方法としては、半導体ウエハ3を機械的に前後左右に揺らす、半導体ウエハ3に歳差運動を加える、半導体ウエハ3に超音波を印加する等が挙げられる。このような方法で半導体ウエハ3を揺動させることによって、液状接着剤7Aの塗布層の凹凸部分を平坦化し、接着剤層7の膜厚の面内均一性をより一層高める、例えば接着剤層7の膜厚の面内ばらつきを30以下にすることが可能となる。膜厚の面内ばらつきは、チップ領域2内の接着剤層7の膜厚を測定して最大値と最小値を求め、[{最大値-最小値/最大値最小値}×100]の式から求める。例えば、サイズが11×13mmのチップ領域2に膜厚が10μmの接着剤層7を形成する際に、まず幅が30~40μmのダイシング溝1内に液状接着剤7Aを充填充填幅=溝幅の1.5倍した後、半導体ウエハ3の第2の面3bに液状接着剤7Aを塗布し、さらに半導体ウエハ3全体を揺動させた場合、チップ領域2の中央部の厚さを13μm程度とすることができ、さらにチップ領域2の端部の厚さを7μm程度とすることができる。この膜厚の面内ばらつき膜厚の面内分布を上式に当てはめて計算すると、{13-7/137}×100=30となる。チップ領域2内における接着剤層7の膜厚の面内均一性を高めることで、半導体チップのダイボンディング工程における接着不良を抑制することができる。さらに、ダイシング溝1内に接着剤を充填しつつ、接着剤層7の膜厚の面内均一性を高めることによって、後工程の接着剤層7の割断工程の成功率を向上させることが可能となる。すなわち、後述する引き伸ばし工程時において、ダイシング溝1内に充填された接着剤に割断の起点が生じるため、接着剤層7の割断性を高めることができる。加えて、ダイシング溝1内に充填された接着剤は、半導体チップの側面を保護する層として機能させることができる。次に、図1cに示すように、粘着層8を有する支持シート9を、接着剤層7を介して半導体ウエハ3の第2の面3bに貼付する。支持シート9は粘着層8が接着剤層7と接するように半導体ウエハ3に貼付される。粘着層8は粘着力を低下させることが可能な材料からなり、例えば紫外線の照射により硬化して粘着力が低下する紫外線硬化型樹脂、レーザ光等の照射により硬化して粘着力が低下する光および熱硬化型樹脂、接着剤層7を構成する樹脂との熱膨張差に基づいて冷却時に粘着力が低下する樹脂等が使用される。粘着層8を有する支持シート9としては、例えば紫外線硬化型粘着テープ例えば、ポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等からなる基材シートに紫外線硬化型樹脂からなる粘着層を形成したテープを用いることができる。図1dに示すように、半導体ウエハ3から表面保護フィルム4を剥離した後、支持シート9を水平方向半導体ウエハ3の各面3a、3bに平行な方向に引き伸ばすエキスパンドして、ダイシング溝1内に充填された接着剤を含めて接着剤層7を割断する。このように、接着剤層7をチップ領域2の形状に合わせて割断することによって、各チップ領域2に接着剤層7を形成する。すなわち、個片化された接着剤層7を有するチップ領域2、言い換えると個片形状の接着剤層7を有する半導体チップを作製する。上述した接着剤層7の割断工程に先立って、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させる。例えば、粘着層8が紫外線硬化型樹脂からなる場合には、図4aに示すように、半導体ウエハ3の第1の面3a側から紫外線Xを照射する。半導体ウエハ3の第1の面3aに照射された紫外線Xは、各チップ領域2がマスクとなって紫外線Xを遮断するため、ダイシング溝1内のみを透過して粘着層8のダイシング溝1に対応する部分を選択的に硬化させる。すなわち、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることができる。また、粘着層8として光および熱硬化型の樹脂を用いた場合には、例えばレーザ光をダイシング溝1内に照射することによって、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を低下させる。この際、レーザ光のフォーカスを粘着層8に合わせることによって、ダイシング溝1内の接着剤層7を硬化させることなく、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分のみを選択的に硬化させることができる。すなわち、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることができる。他の樹脂を用いる場合にも粘着力の低下形態に応じた処理を適用することによって、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させる。このように、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させた後に支持シート9を水平方向に引き伸ばすことで、図4bに示すように、接着剤層7の粘着層8からの接着状態が解除された部分、すなわちダイシング溝1内で粘着層8と界面を形成している部分に割断の起点Aが生じる。この状態から支持シート9の引き伸ばし量エキスパンド量を増加させることによって、図4cに示すように、ダイシング溝1内の接着剤を含めて接着剤層7を良好に割断することができる。すなわち、支持シート9の引き伸ばしエキスパンドによるダイシング溝1内の接着剤層7の割断性が向上し、これにより接着剤層7の割断成功率を高めることが可能となる。接着剤層7が例えば紫外線を透過しないような場合には、図5aに示すように、支持シート9を水平方向に引き伸ばして接着剤層7の一部を割断した後、支持シート9の引き伸ばし状態を維持しつつ、半導体ウエハ3の第1の面3a側から紫外線Xを照射する。接着剤層7の割断部を介して粘着層8に紫外線Xを照射し、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分を選択的に硬化させて粘着力を低下させる。これによって、図5bに示すように、ダイシング溝1内に存在する接着剤層7の底部粘着層8と界面を形成している部分を良好に割断することができる。図6に支持シート9の引き伸ばしエキスパンド量とダイシング溝1の拡大量との関係を、また図7にダイシング溝1の拡大量と接着剤層7の割断成功率との関係を示す。図6および図7から明らかなように、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させた場合には、ダイシング溝1の拡大量を30μm以上とすることによって、接着剤層7の割断成功率を100とすることができる。これはダイシング溝1の当初の溝幅には影響されない。すなわち、当初の溝幅にかかわらず、ダイシング溝1の拡大量を30μm以上とすることによって、接着剤層7の割断成功率が大幅に向上する。このように、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることによって、支持シート9の引き伸ばし工程エキスパンド工程における接着剤層7の割断成功率を高めることができる。粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させる工程は、支持シート9の引き伸ばし工程前、引き伸ばし工程時、あるいは引き伸ばし工程後のいずれの時期に実施してもよい。場合によっては、粘着シート等の段階半導体ウエハ3への貼付前において、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させておいてもよい。粘着層8の粘着力の選択的な低下工程は、後述する洗浄工程前に実施すればよい。さらに、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることで、接着剤層7の割断による不都合の発生を抑制することができる。粘着層8の粘着力を選択的に低下させない場合には、接着剤層7の割断時に飛散する樹脂片が増加する。加えて、ダイシング溝1内に割断が不十分な部分が生じやすいため、後工程の洗浄工程を実施してもダイシング溝1内に飛散した樹脂片や樹脂残渣等を除去できないおそれがある。ダイシング溝1内の接着剤層7は、図5aに示した状態から強制的に引きちぎられるため、割断エッジにバリひげバリ等が生じ、これが半導体チップのピックアップ時に脱落して電極パッド等を汚染して接続不良を生じさせる。このように、飛散した割断樹脂片や割断エッジに生じるバリ等が半導体チップの不良発生率を増加させる要因となる。このような点に対して、粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることによって、接着剤層7ダイシング溝1内の接着剤層7の割断性が向上するため、割断時に飛散する樹脂片量を低減することができる。また、ダイシング溝1内に飛散した樹脂片や樹脂残渣等は、後工程の洗浄工程で十分に除去することができる。さらに、割断エッジにおけるバリひげバリ等の発生を抑制することができる。これらによって、飛散した樹脂片、樹脂残渣、割断エッジに生じたバリ等に起因する半導体チップの不良発生率を低下させることが可能となる。洗浄工程前に粘着層8の粘着力を選択的に低下させた場合実施例と粘着層8の粘着力の選択的な低下を実施しなかった場合比較例について、飛散した割断樹脂片やピックアップ時におけるバリの落下等による半導体チップの不良発生率を比較した。なお、いずれも後工程の洗浄工程を実施した。その結果、洗浄工程前に粘着層8の粘着力を選択的に低下させた場合には、半導体チップの不良発生率が0であったのに対し、粘着層8の粘着力を選択的に低下させなかった場合には、半導体チップの不良発生率が16にまで上昇した。このように、洗浄工程前に粘着層8の粘着力を選択的に低下させることによって、半導体チップの不良発生率を抑えることができる。この半導体チップの不良発生率の低減と上述した接着剤層7の割断成功率の向上とに基づいて、半導体チップやそれを用いた半導体装置の製造歩留りを大幅に向上させることが可能となる。この後、支持シート9の引き伸ばし状態を維持しつつ、半導体ウエハ3の第1の面3aとダイシング溝1内を洗浄する。洗浄工程には、例えば二流体洗浄加速した空気等の気体に純水等を混入して発生させたミスト液滴を、洗浄面に高速で衝突させて洗浄する方法、超音波洗浄、高温水を使用した超音波洗浄、氷の吹き付けによる洗浄、加熱水蒸気による洗浄等を適用することが好ましい。これらの洗浄方法を適用することで、飛散した樹脂片等が効果的に除去される。さらに、支持シート9の引き伸ばし状態を維持したまま洗浄工程を実施することで、ダイシング溝1内の樹脂片や樹脂残渣等を効果的に除去することができる。従って、半導体チップの不良発生率が低下する。洗浄工程はダイシング溝1内に存在する接着剤を全て除去するように実施してもよいが、チップ領域2の側面に残存する接着剤はそのまま残し、ダイシング溝1内に飛散した樹脂片や樹脂残渣のみを除去するように実施することが好ましい。接着剤層7の割断後にチップ領域2の側面に残存する接着剤は、半導体チップの保護層として機能するため、半導体チップの側面に存在させておくことが好ましい。これによって、半導体チップを樹脂封止する際のフィラーによる半導体チップの損傷等を抑制することができる。上述した各製造工程を経ることによって、チップ領域2にはその形状に応じた接着剤層7が形成される。すなわち、個片形状の接着剤層7を有する半導体チップ2が作製される。この実施形態の製造工程によれば、接着剤層7の割断性を向上させると共に、割断時に生じる樹脂片や樹脂残渣等を効果的に除去することを可能にしている。従って、接着剤層7のチップ領域2の形状に応じた切断工程個片化工程に要するコストを削減できると共に、割断時に生じる樹脂片、樹脂残渣、バリ等による半導体チップの製造歩留りの低下を抑制することができる。これらによって、例えば先ダイシングを適用した半導体チップの製造工程の低コスト化や高精度化等を実現することができ、さらに後工程の半導体チップの実装工程の信頼性等も向上させることが可能となる。洗浄工程が終了した半導体ウエハ3は、通常の半導体装置の製造工程と同様に、半導体チップ2のピックアップ工程に送られる。すなわち、個片形状の接着剤層7を有する半導体チップ2は、支持シート9からピックアップされた後、例えば図8に示すように配線基板11上に実装される。半導体チップ2の実装は接着剤層7を用いて実施される。半導体チップ2を多段に積層する場合には、図8に示すように配線基板11上に実装された半導体チップ2上に、他の半導体チップ2を接着剤層7により順に積層する。図8において、配線基板11と半導体チップ2とは金属ワイヤ13により電気的に接続されている。半導体チップ2は金属ワイヤ13等と共に封止樹脂層14により封止されている。配線基板11の下面側には外部電極15が設けられている。図8は配線基板11上に複数の半導体チップ2を階段状に積層した半導体装置12を示しているが、半導体装置12には各種公知の構成を適用することができる。例えば、半導体チップ2を実装する回路基材はリードフレームでもよく、また半導体チップ2の積層構造は電極パッドを露出させる交互積層や電極パッド上も他のチップで覆う直上積層等、種々の積層構造を適用することができる。これら以外の構成についても同様である。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。