素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素含有ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法。前記シリコン含有ガス雰囲気工程において、前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスをバッファタンクに貯蔵した後、前記バッファタンクから前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスを前記処理室に供給する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。処理室と、前記処理室内に設けられ、素子分離溝が形成された基板を載置する基板載置部と、前記処理室に、第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスを供給する第一ガス供給部と、前記処理室に、第二ガスであるパージガスを供給する第二ガス供給部と、前記処理室に、第三ガスである酸素含有ガスを供給する第三ガス供給部と、前記第三ガスである酸素含有ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記処理室を前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を前記第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を前記第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を実施するように、前記第一ガス供給部、前記第二ガス供給部、前記第三ガス供給部、及び前記プラズマ生成部を制御する制御部と、を備える基板処理装置。しかしながら、例えば、基板温度を高温例えば800°C~900°Cとして、モノシランSiH4を用いて、SiO2からなるシリコン酸化膜絶縁膜で溝を埋め込む方法HTO:HighTemperatureOxideでは、高いアスペクト比の溝の場合には、十分に埋め込むことができず、溝の中に空洞が残ってしまう現象が生じる。また、TEOSTetraEthOxySilane;SiOC2H54の熱分解で、SiO2からなるシリコン酸化膜絶縁膜で溝を埋め込む方法では、ウエットエッチングレートが高く、十分な埋め込みが実現できない。そこで、本発明は、上記事情を鑑み、基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むことができる半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供することを課題とする。本発明の一態様によれば、素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素含有ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の一態様によれば、処理室と、前記処理室内に設けられ、素子分離溝が形成された基板を載置する基板載置部と、前記処理室に、第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスを供給する第一ガス供給部と、前記処理室に、第二ガスであるパージガスを供給する第二ガス供給部と、前記処理室に、第三ガスである酸素含有ガスを供給する第三ガス供給部と、前記第三ガスである酸素含有ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記処理室を前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を前記第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を前記第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を実施するように、前記第一ガス供給部、前記第二ガス供給部、前記第三ガス供給部、及び前記プラズマ生成部を制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。本発明によれば、基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むことができる半導体装置の製造方法、及び基板処理装置が提供される。以下、本発明の一例である実施形態について図面を参照しつつ説明する。第一実施形態図1は、第一実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。図2は、第一実施形態に係る基板処理装置の一対の櫛形電極を示す平面図である。なお、図2は、図1のA-A矢視図に相当する図である。第一実施形態に係る基板処理装置11は、半導体装置の製造に使用される半導体製造装置であり、ICIntegratedCircuit等の半導体装置の製造方法における処理工程、を実施する半導体装置の一例として構成されるものである。具体的には、第一実施形態に係る基板処理装置11は、高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板の当該素子分離溝内に、シリコン酸化膜を埋め込む処理工程を実施する半導体装置の一例として構成されるものである。なお、第一実施形態に係る基板処理装置11では、基板に対し成膜処理等を行う枚葉式の基板処理装置を採用した態様を説明するが、枚葉式の基板処理装置を前提としたものでなく、例えば、縦型のバッチ式の基板処理装置を使用してもよい。第一実施形態に係る基板処理装置11は、枚葉式のダウンフロー型プラズマ処理装置であり、例えば、図1に示すように、高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板111を処理するための処理室100を備える。処理室100の内部には、基板111を載置するためのサセプタ110基板載置部と、ガス供給部200から供給される各種ガスを処理室100内部に供給するためのシャワーヘッド120と、処理室内部に供給された各種ガスからプラズマを生成するための一対の櫛形電極130プラズマ生成部と、を備えている。処理室100の外部には、処理室100内部に各種ガスをシャワーヘッド120を経由して供給するためのガス供給部200と、処理室100内部に供給した各種ガスを排気するための排気部140と、処理室100内外に基板111を搬送するためのロボットを有する搬送室不図示と、を備えている。そして、第一実施形態に係る基板処理装置11は、装置内の各部を制御するためのコントローラ300制御部を備えている。以下、第一実施形態に係る基板処理装置11の主たる各部の詳細について説明する。処理室100処理室100は、密閉容器101内部に気密となるように構成されている。密閉容器101は、例えば、導電性材料例えばアルミニウム等により構成されている。そして、密閉容器101は、接地アースされている。密閉容器101の一方の側壁には、処理室100と接続した基板搬送口102が設けられている。基板搬送口102は、基板搬送口102を開閉するゲートバルブ103が設けられ、ゲートバルブ103を介して、基板111を搬送するための搬送室不図示と連結されている。密閉容器101の他方の側壁には、処理室100と接続した排気口104が設けられている。排気口104は、排気部140の排気管141の上流端と接続している。サセプタ110サセプタ110は、その基板載置面側がシャワーヘッド120そのガス噴出し面側と対向するようにして設けられている。サセプタ110には、図示しないが、基板111を昇降するための支持ピンと、基板111を所定温度に加熱するためのヒータと、等が備えられている。また、サセプタ110は、図示しないが、基板処理時及び基板搬送時にサセプタ110を所定位置に昇降させるための昇降装置と連結されている。シャワーヘッド120シャワーヘッド120は、そのガス噴出し面側がサセプタ110その基板載置面側と対向するようにして設けられている。シャワーヘッド120は、2つのガス導入ポート121、122が設けられている。ガス導入ポート121、122は、それぞれガス供給部200のガス供給管HMDSガス供給管211、共通ガス供給管201と接続している。シャワーヘッド120は、そのガス噴出し面に多数の孔123が設けられており、ガス供給部200からガス導入ポート121、122を経由して導入された各種ガスを多数の孔123からシャワー状に噴出させ、対向して配置されたサセプタ110その基板載置面側に供給できるように構成されている。一対の櫛形電極一対の櫛形電極130は、サセプタ110その基板載置面と対向するようにして設けられている。具体的には、一対の櫛形電極130は、サセプタ110その基板載置面とシャワーヘッド120そのガス噴出し面との間に、それぞれの面に対向するようにして設けられている。一対の櫛形電極130は、図2に示すように、導電性材料で構成され、互いの櫛形歯のように並んだ電極部が同一平面上で交互に入込むようにして配置されている。一対の櫛形電極130は、交流電力供給系131が接続されている。交流電力供給系131は、一対の櫛形電極130に対して、発振器132の出力する交流電力を整合器133を介して印加できるようになっている。交流電力の周波数は、数百KHzの低周波から13.56MHzなどの高周波を用いる。交流電力を供給する経路の途中には絶縁トランス134が設けてあり、一対の櫛形電極130は、接地アースと絶縁された状態になっている。交流電力供給系には絶縁トランス134が設けてあるため、一対の櫛形電極130には180度位相の異なる電界を印加する構造となっている。一対の櫛形電極130に、発振器132の出力する交流電力を整合器133を介して供給すると、一対の櫛形電極130周辺にプラズマが生成される。そして、絶縁トランス134によって一対の櫛形電極130を接地アースと絶縁することにより、一対の櫛形電極130の櫛形歯のように並んだ電極部にプラズマを集中して生成することができる。また、交流電力を印加する一対の櫛形電極130の間に基板111等の障害物が無いため、電極の構造と処理室100の圧力や供給ガスの種類で決まったある状態で安定して均一なプラズマの生成が実現できる。なお、プラズマによる基板111の処理の均一性は、一対の櫛形電極130の櫛形の歯の数を増減したり、一対の櫛形電極130と処理対象となる基板111との距離を調節することで実現できる。また、一対の櫛形電極130を誘電体カバーで覆うと、沿面放電により誘電体カバーの表面に均一なプラズマを比較的平坦に生成することができる。また、一対の櫛形電極130を誘電体カバーで覆うと、生成されるプラズマが櫛形電極130に直接接触しないため、櫛形電極130からの不純物の放出を抑制することができる。誘電体カバーの厚みは、サセプタ110その基板載置面と対向しない側よりも、サセプタ110その基板載置面と対向する側の厚みを厚くしてもよい。このようにすると、櫛形電極130では、サセプタ110その基板載置面側に強いプラズマが生成される易くなる。このため、櫛形電極130において、サセプタ110その基板載置面側、つまり処理対象である基板111側でプラズマが強く生成されプラズマ生成のための投入電力が効率的になる。また、基板111裏面へ不要な生成物の付着も抑制される。ガス供給部200ガス供給部200は、ヘキサメチルジシラザンHMDSガス供給ライン210第一ガス供給部と、パージガスとしての窒素ガス供給ライン220第二ガス供給部と、酸素ガス供給ライン230第三ガス供給部と、を備えている。なお、第一実施形態では、第二ガスであるパージガスとして窒素ガスを適用する態様を説明するが、これに限られず、窒素ガス以外に、その他の不活性ガスを適用してもよい。HMDSガス供給ライン210は、HMDSガス供給管211を有しており、HMDSガス供給管211の上流側から、HMDSガス供給源212と、HMDSガスの流量を制御するマスフローコントローラ213と、開閉バルブ214、処理室100内に供給するHMDSガスを一時的に蓄えるバッファタンク215と、開閉バルブ216と、が直列に設けられている。そして、HMDSガス供給管211の下流端は、シャワーヘッド120のガス導入ポート121と接続している。パージガスとしての窒素ガス供給ライン220は、共通ガス供給管201と共に、共通ガス供給管201の上流端で分岐するように窒素ガス供給管221を有しており、窒素ガス供給管221の上流端側から、窒素ガス供給源222と、窒素ガスの流量を制御するマスフローコントローラ223と、開閉バルブ224と、が直列に設けられている。そして、共通ガス供給管201の下流端は、シャワーヘッド120のガス導入ポート122と接続している。酸素ガス供給ライン230は、共通ガス供給管201と共に、共通ガス供給管201の上流端で分岐するように酸素ガス供給管231を有しており、酸素ガス供給管231の上流端側から、酸素ガス供給源232と、酸素ガスの流量を制御するマスフローコントローラ233と、開閉バルブ234と、が直列に設けられている。そして、共通ガス供給管201の下流端は、シャワーヘッド120のガス導入ポート122と接続している。ここで、HMDSガス供給ライン210のHMDSガス供給管211開閉バルブ214及びバッファタンク215の間のHMDSガス供給管211と、窒素ガス供給ライン220の窒素ガス供給管221マスフローコントローラ223及び開閉バルブ224の間の窒素ガス供給管221と、は、経路途中に開閉バルブ203が設けられた窒素ガス分岐供給管202で接続されている。この窒素ガス分岐供給管202を経由して窒素ガスがHMDSガス供給ライン210のバッファタンク215に供給される構造となっている。ガス供給部200は、各ガス供給ラインの各マスフローコントローラによる流量制御、及び各開閉バルブの開閉制御により、シャワーヘッド120内に各種ガスを導入し、処理室100内部に各種ガスをシャワーヘッド120を経由して供給するよう構成されている。排気部140排気部140は、密閉容器101の排気口104と接続した排気管141を有しており、排気管141には、その上流側から順に、圧力計不図示、可変コンダクタンスバルブ142、真空ポンプ143が設けられている。排気部140は、真空ポンプ143を作動させ、可変コンダクタンスバルブ142の開度を調節することで、処理室100内の圧力を調整可能なように構成されている。コントローラ300コントローラ300は、基板処理装置11の各部例えば、密閉容器101のゲートバルブ103、一対の櫛形電極130の交流電力供給系131の発振器132及び整合器133、ガス供給部200の各ガス供給ラインの各マスフローコントローラ及び各開閉バルブ、排気部140の真空ポンプ143及び可変コンダクタンスバルブ142、その他各部例えば、搬送室に内蔵されるロボットのアーム、サセプタ110のヒータ、昇降装置及び支持ピン等に接続されている。コントローラ300は、基板処理装置11の各部の動作を制御するように構成されている。具体的には、コントローラ300は、図示しないが、CPU、各種メモリを、入出力インターフェースI/Oを介して各々接続された構成となっている。そして、入出力インターフェースI/Oには、基板処理装置11の各部が接続される。ここで、メモリには、処理例えば、基板処理等の制御プログラムと共に、各種テーブルデータ等も記憶されている。そして、メモリに記憶された制御プログラムは、CPUにより読み込まれて実行され、基板処理装置11の各部の動作を制御する。なお、制御プログラムは、外部の記録媒体により提供されてもよい。基板処理方法次に、第一実施形態に係る基板処理装置11により実施される第一実施形態に係る半導体装置の製造方法基板処理方法について説明する。つまり、制御プログラムにより実行される第一実施形態に係る半導体装置の製造方法基板処理方法について説明する。第一実施形態に係る半導体装置の製造方法基板処理方法では、第一実施形態に係る基板処理装置11により、高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板111を処理室100に搬入する基板搬入工程図3のステップS301と、処理室100を第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程図3のステップS302と、処理室100を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程図3のステップS304と、処理室100を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程図3のステップS306と、処理室100を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程図3のステップS308と、シリコン含有ガス雰囲気工程、第一パージガス雰囲気工程、酸素含有ガス雰囲気工程、及び第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程図3のステップS210と、が行われる。具体的には、図3に示すように、第一実施形態に係る半導体装置の製造方法基板処理方法は、各ステップを経て行われる。なお、以下の説明において、第一実施形態に係る基板処理装置11の各部の動作は、コントローラ300により制御される。基板搬入工程まず、ステップS301では、高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板111を処理室100に搬入する。具体的には、例えば、排気部140において、真空ポンプ143を作動させ、可変コンダクタンスバルブ142の開度を調整し、処理室100内が所定の圧力以下の減圧状態となるように制御する。次に、図示しない搬送室を処理室100とほぼ同じ減圧状態とし、ゲートバルブ103を開き、処理室100内の気密を保持した状態で、サセプタ110に設けた支持ピン不図示と搬送室に内蔵されたロボットのアームとの協働により、基板111をサセプタ110上に搬送する。なお、基板処理を連続で行う際には、処理の終わった基板111を処理室100から先に搬出した後に、未処理の基板111をサセプタ110上に搬送する。ここで、サセプタ110に内蔵したヒータ不図示により、基板111の搬送前、サセプタ110を事前に所定温度まで加熱しておき。基板111が搬送され、基板111がサセプタ110上に載置された後、基板111を所定温度処理温度まで加熱する。シリコン含有ガス雰囲気工程次に、ステップS302では、処理室100を第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にする。具体的には、例えば、HMDSガス供給ライン210においてマスフローコントローラ213により流量を制御しつつ開閉バルブ214を開けることで、また、窒素ガス供給ライン220においてマスフローコントローラ223により流量を制御しつつ開閉バルブ203を開ける。これにより、一旦、HMDSガス及び窒素ガスをバッファタンク215に供給し、所定のタンク圧力となるまで貯留して、開閉バルブ214及び開閉バルブ203を閉める。そして、開閉バルブ216を開けることで、バッファタンク215に貯蔵されたHMDS含有ガスHMDSガスと窒素ガスとの混合ガスを一気に放出し、シャワーヘッド120を経由して、処理室100内に供給する。バッファタンク215に貯蔵されたHMDSガスを一気に放出することにより、短時間でHMDS含有ガスを処理室100内に供給できる。HMDS含有ガスを処理室100内に供給することにより、当該処理室100内をHMDS含有ガス雰囲気にする。処理室100内がHMDS含有ガス雰囲気になると、HMDSが1分子層又は原子層レベルで基板111表面その分離溝の壁面を含むに吸着して堆積する。ここで、シリコン含有ガス雰囲気工程S302の諸条件の一例としては、例えば、以下の通りである。処理室100内の温度:150°C処理室100内の圧力:10TorrHMDSガスの供給量:0.1gHMDSガスの供給時間:2秒第一パージガス雰囲気工程次に、ステップS304では、処理室100を第二ガスであるパージガス雰囲気にする。具体的には、例えば、HMDSガス供給ライン210の開閉バルブ216を閉めて、HMDS含有ガスの供給と停止する。次に、排気部140において、真空ポンプ143で排気させながら、可変コンダクタンスバルブ142の開度を調整し、処理室100内のHMDS含有ガスを排気する。次に、窒素ガス供給ライン220において、マスフローコントローラ223により流量を制御しつつ開閉バルブ224を開けることで、シャワーヘッド120を経由して、パージガスである窒素ガスを処理室100内に供給し、当該処理室100内を窒素ガス雰囲気にする。これにより、処理室100内に残留する不要なHMDSガスを窒素ガスでパージ除去できる。なお、パージガスである窒素ガスの処理室100への供給と、排気部140による供給した窒素ガスの処理室100からの排気と、を短時間で繰り返すと、パージ除去が短縮される。ここで、第一パージガス雰囲気工程S304の諸条件の一例としては、例えば、以下の通りである。窒素ガスの供給時間HMDSガス除去時間:2秒酸素含有ガス雰囲気工程次に、ステップS306では、処理室100を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする。具体的には、例えば、窒素ガス供給ライン220の開閉バルブ224を閉めて、窒素ガスの供給を停止する。次に、酸素ガス供給ラインにおいて、マスフローコントローラ233により流量を制御しつつ開閉バルブ234を開けることで、シャワーヘッド120を経由して、酸素ガスを処理室100内に供給し、当該処理室100内を酸素ガス雰囲気にする。そして、この雰囲気下で、一対の櫛形電極130に対して、交流電力供給系131により、発振器132の出力する高周波電力を整合器133及び絶縁トランス134を介して印加する。これにより、一対の櫛形電極130の周辺その櫛形の電極部でプラズマ具体的には、酸素プラズマイオンと電子の混合体と電気的に中性な活性種が生成され、これらが拡散して、処理室100内がプラズマ状態の酸素ガス雰囲気となる。そして、基板111表面その分離溝の壁面を含むに1分子層又は原子層レベルで付着したHMDSの堆積膜が、生成したプラズマ具体的には、酸素プラズマイオンと電子の混合体と電気的に中性な活性種に晒されることにより酸化され、1分子層又は原子層レベルのシリコン酸化膜SiO2膜が形成される。ここで、酸素含有ガス雰囲気工程S306の諸条件の一例としては、例えば、以下の通りである。処理室100内の温度:150°C処理室100内の圧力:40Pa酸素ガス供給量:0.2slm一対の櫛形電極130に印加する高周波電力RF電力:400W一対の櫛形電極130の放電時間:2秒第二パージガス雰囲気工程次に、ステップS308では、処理室100を第二ガスであるパージガス雰囲気にする。具体的には、例えば、酸素ガス供給ライン230の開閉バルブ234を閉めて、酸素含有ガスの供給と停止する。そして、一対の櫛形電極130に対する交流電力供給系131による高周波電力印加を停止し、プラズマの生成を停止する。次に、排気部140において、真空ポンプ143を作動させ、可変コンダクタンスバルブ142の開度を調整し、処理室100内の酸素含有ガスを排気する。次に、窒素ガス供給ライン220において、マスフローコントローラ223により流量を制御しつつ開閉バルブ224を開けることで、シャワーヘッド120を経由して、パージガスである窒素ガスを処理室100内に供給し、当該処理室100内を窒素ガス雰囲気にする。これにより、処理室100内に残留する不要な酸素ガスプラズマ状態の酸素ガスを窒素ガスでパージ除去できる。なお、パージガスである窒素ガスの処理室100への供給と、排気部140による供給した窒素ガスの処理室100からの排気と、を短時間で繰り返すと、パージ除去が短縮される。ここで、パージガス雰囲気工程S308の諸条件の一例としては、例えば、以下の通りである。窒素ガスの供給時間酸素ガス除去時間:2秒繰り返し工程次に、ステップS310では、シリコン含有ガス雰囲気工程ステップS302、第一パージガス雰囲気工程ステップS304、酸素含有ガス雰囲気工程ステップS306、及び第二パージガス雰囲気工程ステップS308を一サイクルとして何回実施したかを判定する。本サイクルの実施が所定の回数未満であれば、ステップS302に戻り、再び、シリコン含有ガス雰囲気工程ステップS302、第一パージガス雰囲気工程ステップS304、酸素含有ガス雰囲気工程ステップS306、及び第二パージガス雰囲気工程ステップS308を繰り返す。そして、ステップS310で、上記サイクルの実施が所定の回数行われたと判定した場合、ステップS312に進み、基板搬出工程を行う。ステップS312では、上記サイクル各工程を繰り返すことにより、基板111表面その分離溝の壁面を含むに対して、各サイクル各工程毎に、1分子層又は原子層レベルで、HMDSの堆積その酸化によるシリコン酸化膜の形成が繰り返し行われ、所望の厚みのシリコン酸化膜が形成される。つまり、基板111に形成された素子分離溝内では、その壁面に各サイクル毎にシリコン酸化膜が積層されていくことにより、埋め込まれることとなる。なお、本繰り返し工程は、一回サイクルで、0.7Åまで程度のHMDSの堆積その酸化によるシリコン酸化膜の形成を行うことができる。つまり、成膜速度が、0.7Å/サイクルで実現できる。基板搬出工程次に、ステップS312では、基板111を処理室100サセプタ110から搬出する。そして、基板処理を終了する。なお、基板処理を連続して行う場合、ステップS301に戻り、基板搬入工程を行い、再び、基板処理を行う。第一実施形態に係る基板処理装置半導体装置の製造方法作用以上説明した第一実施形態に係る基板処理装置半導体装置の製造方法では、シリコン含有ガス雰囲気工程図3のステップS302、第一パージガス雰囲気工程図3のステップS304、酸素含有ガス雰囲気工程図3のステップS306、及び第二パージガス雰囲気工程図3のステップS308を一サイクルとして、本サイクルを所望の回数で繰り返し行う繰り返し工程図3のステップS310。本サイクルでは、1分子層又は原子層レベルで、HMDSの堆積その酸化によるシリコン酸化膜の形成が繰り返し行われる。このため、本サイクルを繰り返し行うことにより、1分子層又は原子層レベルの膜厚のシリコン酸化膜が積層されていくことにより、所望の膜厚のシリコン酸化膜が形成される。つまり、基板111に形成された素子分離溝内では、その壁面において、1分子層又は原子層レベルの膜厚のシリコン酸化膜が本サイクル毎に積層されていき、素子分離溝内がシリコン酸化膜で埋め込まれる。ここで、シリコン含有ガス雰囲気工程ステップS302では、基板111に形成された素子分離溝内では、その壁面にHMDSが吸着堆積して、これを酸化する工程を繰り返すことで、膜厚が増加して行くが、結果として溝の底部側の膜厚が厚くなる。つまり、溝の上部側の壁面よりも溝の底部側の膜厚が厚くなる。これは、溝の中ではプラズマに近い側の側面において、プラズマ或いは高エネルギーの活性種の作用を強く受けるためである。この状態で、酸素含有ガス雰囲気工程ステップS306において、HMDSの堆積膜の酸化を行うと、素子分離溝の上部側よりも溝の底部側方が、膜厚が厚いシリコン酸化膜が形成される。そして、上記サイクルを繰りして、シリコン酸化膜の積層を繰り返すと、図3に示すように、素子分離溝内において、断面形状がテーパー状となるように、シリコン酸化膜が形成されることとなる図4中、112は、例えば、アスペクト比10溝幅3000nm/溝幅300nmの素子分離溝、113はシリコン酸化膜を示す。このため、上記サイクルを繰りして、素子分離溝内を埋め込むように、シリコン酸化膜を積層していっても、先に、素子分離溝の上部側のみシリコン酸化膜で埋め込まれることが防止される。したがって、第一実施形態に係る基板処理装置11半導体装置の製造方法では、基板111に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞ボイドの発生を抑制して、つまりボイドフリーで当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むことができる。ここで、高いアスペクト比の素子分離溝とは、溝深さ/溝幅=10以上のアスペクト比の素子分離溝である。なお、図5に示すように、素子分離溝の上部側の壁面と溝の底部側とにおいて、同等の膜厚でシリコン酸化膜が形成されると、アスペクト比の高い素子分離溝の場合、先に、素子分離溝の上部側のみシリコン酸化膜で埋め込まれる可能性があり、素子分離溝の底部側に空洞の発生が発生する可能性がある図5中、112はアスペクト比10溝幅3000nm/溝幅300nmの素子分離溝、113はシリコン酸化膜を示す。また、第一実施形態に係る基板処理装置11半導体装置の製造方法では、シリコン含有ガス雰囲気工程図3のステップ302において、第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス第一実施形態ではHMDSガス及び窒素ガスの混合ガスをバッファタンク215に貯蔵した後、バッファタンク215から第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスを処理室100に供給している。これにより、HMDS含有ガスを一気に放出できることから、短時間でHMDS含有ガスを処理室100内に供給できる。[第二実施形態]図6は、第二実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。図7は、第二実施形態に係る基板処理装置のリモートプラズマユニットプラズマ生成部を示す概略構成図である。第二実施形態に係る基板処理装置12は、リモートプラズマ型プラズマ処理装置であり、図6に示すように、酸素ガス供給ライン230において、酸素ガス供給管231の上流端側から、酸素ガス供給源232と、酸素ガスの流量を制御するマスフローコントローラ233と、開閉バルブ234と、プラズマ生成部としてのリモートプラズマユニット235と、開閉バルブ236と、が直列に設けられて構成されている。つまり、第二実施形態に係る基板処理装置12は、第一実施形態に対して、処理室100内部に設けた一対の櫛形電極130に代えて、処理室100外部にリモートプラズマユニット235を設けた点が異なる。そして、第二実施形態に係る基板処理装置12は、この点以外、第一実施形態と同様な構成である。ここで、リモートプラズマユニット235は、図7に示すように、プラズマ生成室240と、プラズマ生成室240内の雰囲気酸素ガス雰囲気と隔離されるように設けられたプラズマ生成源241例えば棒状電極等と、備えている。プラズマ生成源241は、交流電力供給系251が接続されている。交流電力供給系251は、プラズマ生成源241に対して、発振器252の出力する交流電力を整合器253を介して印加できるようになっている。交流電力の周波数は、数KHzの低周波から13.56MHzなどの高周波を用いる。交流電力を供給する経路の途中には絶縁トランス254が設けてあり、プラズマ生成源241は、接地アースと絶縁された状態になっている。交流電力供給系には絶縁トランス254が設けてあるため、プラズマ生成源241には180度位相の異なる電界を印加する構造となっている。プラズマ生成源241に、交流電力供給系251により、発振器252の出力する交流電力を整合器253を介して供給すると、プラズマ生成源241によりプラズマ生成室240内の酸素ガスをプラズマ状態とする、つまりプラズマ具体的には、酸素プラズマイオンと電子の混合体と電気的に中性な活性種が生成される。そして、酸素ガス供給ライン230は、生成されたプラズマ具体的には、酸素プラズマイオンと電子の混合体と電気的に中性な活性種のうち、電気的に中性な活性種が、シャワーヘッド120を経由して処理室100内に供給して、基板111を処理する構成となっている。第二実施形態に係る基板処理装置12により実施される第一実施形態に係る半導体装置の製造方法基板処理方法では、処理室100を第三ガスである酸素ガスであって活性状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程図3のステップS306として、次の処理が実施される。なお、本処理以外は、第一実施形態と同様である。具体的には、例えば、窒素ガス供給ライン220の開閉バルブ224を閉めて、窒素ガスの供給と停止する。次に、酸素ガス供給ラインにおいて、マスフローコントローラ233により流量を制御しつつ開閉バルブ234を開けることで、リモートプラズマユニット235のプラズマ生成室240に供給する。次に、このプラズマ生成室240の酸素ガス雰囲気下で、リモートプラズマユニット235の交流電力供給系251において、プラズマ生成源241に対して、発振器252の出力する高周波電力を整合器253及び絶縁トランス254を介して印加する。これによりプラズマ生成室240内の酸素ガスをプラズマ状態となり、プラズマ具体的には、酸素プラズマイオンと電子の混合体と電気的に中性な活性種が生成される。次に、酸素ガス供給ラインにおいて、開閉バルブ236を開くと、電気的に中性な活性種が、シャワーヘッド120を経由して処理室100内に供給され、処理室100内が活性状態の酸素ガス雰囲気具体的には、酸素ガスのプラズマの電子で活性化された電気的に中性な活性種が含まれる雰囲気とする。そして、基板111表面その分離溝の壁面を含むに1分子層又は原子層レベルで付着したHMDSの堆積膜が、生成した電気的に中性な活性種に晒されることにより酸化され、1分子層又は原子層レベルのシリコン酸化膜SiO2膜が形成される。ここで、酸素含有ガス雰囲気工程S306の諸条件の一例としては、例えば、以下の通りである。処理室100内の温度:150°C処理室100内の圧力:10Pa酸素ガス供給量:0.5slm以下リモートプラズマユニット235のプラズマ生成源241に印加する高周波電力RF電力:400Wリモートプラズマユニット235のプラズマ生成源241の放電時間:2秒なお、第二実施形態に係る基板処理装置12半導体装置の製造方法において、シリコン含有ガス雰囲気工程図3のステップS302、第一パージガス雰囲気工程図3のステップS304、酸素含有ガス雰囲気工程図3のステップS306、及び第二パージガス雰囲気工程図3のステップS308を一サイクルとして、これを繰り返す繰り返し工程は、一回サイクルで、1.0Åまで程度のHMDSの堆積その酸化によるシリコン酸化膜の形成を行うことができる。つまり、成膜速度が、1.0Å/サイクルで実現できる。以上説明した第二実施形態に係る基板処理装置12半導体装置の製造方法でも、第一実施形態と同様に、基板111に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むことができる。一方で、第二実施形態に係る基板処理装置12半導体装置の製造方法では、酸素含有ガス雰囲気工程ステップS306において、電気的に中性な活性種のみのプラズマに晒してHMDSの堆積膜の酸化するのに対して、第一実施形態では、酸素プラズマと電気的に中性な活性種との双方のプラズマに晒してHMDSの堆積膜の酸化する。このため、第二実施形態の基板処理装置12半導体装置の製造方法では、第一実施形態に比べ、酸素プラズマによる基板111のダメージが抑制される。また、第二実施形態に係る基板処理装置12半導体装置の製造方法では、例えば、第一実施形態ではシリコン酸化膜の成膜速度が0.7Å/サイクル程度であるのに対して、シリコン酸化膜の成膜速度を1.0Å/サイクルであることから、第一実施形態に比べ、短時間でのシリコン絶縁膜の埋め込みが実現できる。[その他]なお、上記各実施形態に係る基板処理装置半導体装置の製造方法では、原料であるHMDSガスが他の原料に比べ安価に入手することができ、また、HMDSの堆積膜の酸化する手段としてオゾンを使用しないため、高価なオゾナイザを必要としないことから、低コスト化も実現される。また、上記各実施形態に係る基板処理装置半導体装置の製造方法は、素子分離溝内のシリコン酸化膜の埋め込みつまりトレンチアイソレーションの埋め込みの他、TSVThroughSiliconVia/シリコン貫通孔用ホールにおけるシリコン酸化膜絶縁膜の埋め込みにも有効に適用できる。[本発明の好ましい態様]以下に、本発明の好ましい態様について付記する。付記1本発明の好ましい一態様によれば、高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素含有ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。付記2付記1の半導体装置の製造方法において、好ましくは、前記シリコン含有ガス雰囲気工程では、前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスをバッファタンクに貯蔵した後、前記バッファタンクから前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスを前記処理室に供給する。付記3付記1又は2の半導体装置の製造方法において、好ましくは、前記シリコン含有ガス雰囲気工程ではヘキサメチルジシラザンHMDSを1分子層又は原子層レベルで成膜し、前記酸素含有ガス雰囲気工程では成膜したヘキサメチルジシラザンHMDSを酸化する。付記4付記1~3のいずれか半導体装置の製造方法において、好ましくは、前記酸素含有ガス雰囲気工程では、酸素含有ガスのプラズマ化により生成された酸素プラズマ及び電気的に中性な活性種の双方を利用して、成膜したヘキサメチルジシラザンHMDSを酸化する。付記5付記4の半導体装置の製造方法において、好ましくは、前記酸素含有ガス雰囲気工程では、処理室内部に設けられた一対の電極により、酸素含有ガスをプラズマ化する。付記6付記5の半導体装置の製造方法において、好ましくは、一対の電極が一対の櫛形電極である。付記7付記1~3のいずれかの半導体装置の製造方法において、好ましくは、前記酸素含有ガス雰囲気工程では、電気的に中性な活性種のみを利用して、成膜したヘキサメチルジシラザンHMDSを酸化する。付記8付記7のいずれかの半導体装置の製造方法において、好ましくは、前記酸素含有ガス雰囲気工程では、処理室外部に設けられたリモートプラズマユニットにより、酸素含有ガスをプラズマ化する。付記9本発明の好ましい一態様によれば、処理室と、前記処理室内に設けられ、高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を載置する基板載置部と、前記処理室に、第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスを供給する第一ガス供給部と、前記処理室に、第二ガスであるパージガスを供給する第二ガス供給部と、前記処理室に、第三ガスである酸素含有ガスを供給する第三ガス供給部と、前記第三ガスである酸素含有ガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記処理室を前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を前記第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を前記第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を実施するように、前記第一ガス供給部、前記第二ガス供給部、前記第三ガス供給部、及び前記プラズマ生成部を制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。付記10付記9の基板処理装置において、好ましくは、第一ガス供給部には、前記第一ガスであるヘキサメチルジシラザンHMDS含有ガスを貯蔵した後、前記処理室に供給するバッファタンクを備える。付記11付記9又は10の基板処理装置において、好ましくは、プラズマ生成部は、前記基板載置部の基板載置面と対向する位置に設けられている。付記12付記11の基板処理装置において、好ましくは、プラズマ生成部は、一対の電極である。付記13付記12の基板処理装置において、好ましくは、一対の電極は一対の櫛形電極である。付記14付記9又は10の基板処理装置において、好ましくは、プラズマ生成部は、処理室外部に設けられたリモートプラズマユニットである。以上、本発明の種々の典型的な実施形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。