"入射する放射線を可視光に変換する第1の構成要素、および前記第1の構成要素で変換された可視光を電気信号に変換する第2の構成要素を有する撮像パネルと、前記撮像パネルの放射線入射面側に設けられて機械的強度を確保すると共に、前記撮像パネルに入射する放射線が貫通する第1の支持体と、前記撮像パネルの放射線入射面とは逆面側に設けられた機械的強度を確保する第2の支持体と、前記撮像パネル、前記第1の支持体、および前記第2の支持体を収納する筐体とを有することを特徴とする可搬型放射線画像検出器。前記第1の支持体は樹脂で形成され、前記第2の支持体はガラスで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の可搬型放射線画像検出器。前記第1の支持体は、衝撃も吸収可能な部材で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の可搬型放射線画像検出器。ところで、デジタル放射線画像検出器であるCRはSFシステム同様にカセッテタイプの放射線画像検出器として使用できるが高価であり、またSFシステムほどの画質は得られていない。またFPDにおいてはSFシステム同等以上の画質が得られるが、CR同様に高価であり、また、機械的強度を確保しつつ軽量なカセッテタイプの放射線画像検出器を実現することが困難である。さらに、従来のカセッテタイプの放射線画像検出器では、図17に示すように、放射線の入射側から、放射線の強度に応じて光電磁波を出力するシンチレータ,シンチレータから出力された光を電気エネルギーに変換して信号として出力する変換部ガラスで構成された支持体が順に配置されている。ここで、放射線が入射されてシンチレータの表面側放射線の入射面側で発光が生じると、光が変換部に達するまでに散乱を生じて画像のぼけや感度の低下を招いてしまう。また、ガラスで構成された支持体側から放射線を入射すると、支持体によって放射線が減衰されてしまうのでシンチレータでの発光量が少なくなり、良好な放射線画像を得ることができない。さらに、支持体がガラスで構成されるので、軽量化を図ることができない。そこで、この発明においては、安価かつ軽量で高画質のデジタル放射線画像が得られる可搬型放射線画像検出器を提供するものである。この発明に係る放射線画像検出器は、入射する放射線を可視光に変換する第1の構成要素、および第1の構成要素で変換された可視光を電気信号に変換する第2の構成要素を有する撮像パネルと、撮像パネルの放射線入射面側に設けられて機械的強度を確保すると共に、撮像パネルに入射する放射線が貫通する第1の支持体と、撮像パネルの放射線入射面とは逆面側に設けられた機械的強度を確保する第2の支持体と、撮像パネル、第1の支持体、および第2の支持体を収納する筐体とを有するものである。この発明においては、放射線は第1の支持体側から撮像パネルに入射され、撮像パネルに入射された放射線が第1の構成要素で可視光に変換され、第1の構成要素で変換されて出力された可視光が、第2の構成要素で電気信号に変換されて出力される。また、放射線画像検出器は可搬構造とされて、例えばシート状の電池等で構成された電力供給手段が設けられると共に、この電力供給手段から、放射線画像検出器を駆動するために必要な電力の供給が行われる。さらに、画像信号を記憶する記憶手段が設けられる。この発明によれば、撮像パネルの放射線入射面側に機械的強度を確保する第1の支持体を設けると共に、撮像パネルの放射線入射面とは逆面側に機械的強度を確保する第2の支持体を設けることで、放射線入射面側の第1の支持体の厚さを薄くしても撮像パネルの機械的強度を確保することが可能となる。このため、第1の支持体の厚さを薄くして感度を高めることができると共に、放射線画像の画質を向上させることができる。また、第1の支持体を樹脂で形成することとすれば、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができる。さらに、第2の支持体をガラスで形成することとすれば、第1の支持体が設けられているため薄いガラスを用いても機械的強度を確保できる。また、第1の支持体を樹脂で形成することとすれば、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。また、撮像パネル、第1の支持体、および第2の支持体と、電力供給手段および記憶手段を筐体に収納して一体化して可搬構造とすることとすれば、放射線画像の撮影を簡単に行うことができる。さらに、入射した放射線に基づいて画像信号を生成するために電力供給を行う電力供給手段や画像信号を記憶する記憶手段が設けられるので、画像信号の読み取りや信号処理等を行う周辺装置と接続しなくとも、放射線画像の画像信号を得ることができる。また記憶手段は着脱可能とされているので、周辺装置への画像信号の供給を簡単かつ容易に行うことができる。次に、この発明の実施の一形態について図を用いて詳細に説明する。図1は、放射線画像検出器を用いたシステムの一例を示す図である。図1において、放射線発生器10から放射された放射線は、被写体医療施設では例えば患者15を通して放射線画像検出器20に入射される。放射線画像検出器20では、入射された放射線の強度に基づいて画像信号DFEを生成する。この生成された画像信号DFEは、放射線画像検出器20に接続されている画像処理部51によって読み出される。あるいは放射線画像検出器20に装着された例えば半導体メモリカード等の携帯可能な記録媒体に蓄積されたのち、この記録媒体が放射線画像検出器20から取り外されて画像処理部51に装着されることにより、画像処理部51に供給される。画像処理部51では、放射線画像検出器20で生成された画像信号DFEに対してシェーディング補正やゲイン補正、階調補正、エッジ強調処理、ダイナミックレンジ圧縮処理などを施して、診断等に適した画像信号となるように処理を行う。また画像処理部51には、陰極管や液晶表示素子あるいはプロジェクタ等を用いて構成された画像表示部52が接続されており、この画像処理部51では、画像処理中の画像信号や画像処理完了後の画像信号に基づく画像が表示される。また、画像処理部51では、画像の拡大や縮小を行うとともに画像信号の蓄積や転送を容易とするために画像信号の圧縮や伸長処理も行う。このため、画像表示部52に表示されている画像を拡大したり縮小することで、撮影部位の確認や処理状態を容易に行うことができる。また、表示された画像や表示された画像の領域を指定させて、指定された画像や指定された領域に対して適切な画像処理を自動的に行うことも可能となる。また、画像処理部51には、キーボード、マウス、ポインターなどを用いて構成された情報入力部53が接続されており、この情報入力部53によって患者情報などを入力し、付加情報を画像信号に付け加えることができる。また画像処理の指定や画像信号の保存や読み出し、ネットワークを介した画像信号の送受信を行う際の指示等も情報入力部53から行われる。画像処理部51には、さらに画像出力部54や画像保存部55及びコンピュータ支援画像自動診断部56が接続されている。画像出力部54では、記録紙やフィルム等に放射線画像を表示させて出力する。例えば、銀塩写真フィルムを用いるものとして、画像信号に基づき露光を行う。この露光された銀塩写真フィルムの現像処理を行うことで放射線画像を銀画像として描き出して出力する。また、記録紙に放射線画像を印刷して出力する場合には、画像信号に基づいてインクに圧力をかけて細いノズルの先端からインクを記録紙に吹き付けて印刷するインクジェットプリンタ、画像信号に基づいてインクを溶融あるいは昇華させて記録紙に画像を転写するサーマルプリンタ、画像信号に基づきレーザ光で感光体上を走査して、感光体上に付着したトナーを紙に転写してから熱と圧力で定着させることにより記録紙に画像を形成するレーザプリンタ等を用いて画像出力部54を構成する。画像保存部55では、放射線画像の画像信号を必要に応じて適宜読み出すことができるように保存する。この画像保存部55は、例えば磁気的、ホログラム素子、穿孔、色素分布変化等を利用して画像信号を保存する。CAD56は、撮影された放射線画像のコンピュータ処理やコンピュータ解析を行い、診断に必要な情報を医師に提供することで病変の見落としがないように診断支援を行う。またコンピュータ処理やコンピュータ解析結果に基づいて、診断を自動的に行う。放射線画像の画像信号は、上述の画像出力部54や画像保存部55及びCAD56だけでなく、いわゆるLANやインターネット及びPACS等のネットワーク60を介して、病院施設内のほかの部署あるいは遠隔地にも送付することができる。また、このネットワークを介して、CT61やMRI62から得られた画像信号あるいはCRや他のFPD63から得られた画像信号、及びその他の検査情報等も送付可能とされており、放射線画像検出器20で得られた放射線画像と比較検討するため、ネットワーク60を介して送付されてきた画像信号や検査情報等を画像表示部52で表示したり画像出力部54から出力させることも行われる。また、送付されてきた画像信号や検査情報等を画像保存部55に保存させることもできる。また、放射線画像検出器20で得られた放射線画像の画像信号等を外部画像保存装置64に保存させるものとしたり、外部画像表示装置65の画面上に、放射線画像検出器20で得られた放射線画像を表示することも行われる。次に、放射線画像検出器20の構造の一例を図2に示す。可搬型放射線画像検出器である放射線画像検出器20には、撮像パネル21、放射線画像検出器20の動作を制御する制御回路30、書き換え可能な読み出し専用メモリ例えばフラッシュメモリ等を用いて撮像パネル21から出力された画像信号を記憶するメモリ部31、放射線画像検出器20の動作を切り換えるための操作部32、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部31に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部33、撮像パネル21を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電源部34、放射線画像検出器20と画像処理部51間で通信を行うための通信用のコネクタ35、及びこれらを収納する筐体40が設けられている。また、撮像パネル21は、入射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出す走査駆動回路25や、蓄積された電気エネルギーを画像信号として出力する信号選択回路27を有している。なお、筐体40の内部や走査駆動回路25、信号選択回路27、制御回路30、メモリ部31等は、図示しない放射線遮蔽部材で覆われており、筐体40の内部で放射線の散乱を生じたり、各回路に放射線が入射されることが防止される。また筐体40としては、外部からの衝撃に耐えかつ重量ができるだけ軽い素材、すなわちアルミニウムあるいはその合金を素材で外形を構成することは好ましい態様である。筐体40の放射線入射面側は、放射線を透過し易い非金属例えばカーボン繊維などを用いて構成する。また、放射線入射面とは逆である背面側においては、放射線が放射線画像検出器20を透過してしまうことを防ぐ目的、あるいは放射線画像検出器20を構成する素材が放射線を吸収することで生ずる2次放射線からの影響を防ぐために、放射線を効果的に吸収する材料、例えば鉛板などを用いることは好ましい実施態様である。図3は撮像パネル21の構成を示しており、撮像パネル21には入射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極220が2次元配置されており、この収集電極220がコンデンサ221の一方の電極とされて、電気エネルギーがコンデンサ221に蓄えられる。ここで、1つの収集電極220は放射線画像の1画素に対応するものである。画素間には走査線2231~223mと信号線2241~224nが例えば直交するように配設される。コンデンサ221には、シリコン積層構造あるいは有機半導体で構成されたトランジスタ222が接続されている。このトランジスタ222は、例えば電界効果トランジスタであり、ドレイン電極あるいはソース電極が収集電極220に接続されるとともに、ゲート電極は走査線2231と接続される。ドレイン電極が収集電極220に接続されるときにはソース電極が信号線2241と接続され、ソース電極が収集電極220に接続されるときにはドレイン電極が信号線2241と接続される。また、他の画素の収集電極220やコンデンサ221及びトランジスタ222も同様に走査線223や信号線224が接続される。図4は、撮像パネル21の一部断面概略図を示しており、放射線の入射側に樹脂で形成された支持体214を設ける。また、支持体214の放射線入射面側とは逆面側に、光を電気エネルギーに変換して、この電気エネルギーに基づいた信号を出力する第2の構成要素212を設け、第2の構成要素212の支持体面側とは逆面側に、放射線の強度に応じた光電磁波を出力する第1の構成要素211を設ける。放射線が撮像パネル21に入射されると、この放射線は支持体214と第2の構成要素212を貫通して第1の構成要素211に入る。第1の構成要素211は、放射線の強度に応じた光電磁波を出力する。この光が第2の構成要素212で電気エネルギーに変換されると共に、この電気エネルギーに基づいた信号が出力される。このように、放射線を支持体214側から入射させることで、放射線の強度に応じて第1の構成要素から出力されて第2の構成要素に供給される光は、散乱が少ないものとなり、ぼけの少ない良好な画質と感度の放射線画像を得ることができる。次に、第1の構成要素211、第2の構成要素212、支持体214の順に各構成要素を詳細に説明する。第1の構成要素211には、例えば波長が1Å1×1010m程度であって、人体や船舶そして航空機の部材等を透過する電磁波である所謂X線が支持体214,第2の構成要素212を貫通して入射される。このX線は、放射線発生器10から出力されるものであり、放射線発生器10は、一般に固定陽極あるいは回転陽極X線管が用いられる。また、X線管は、陽極の負荷電圧が10kVから300kVとされるとともに、医療用に用いられる場合は20kVから150kVとされる。第1の構成要素211は、蛍光体を主たる成分とするものであり、入射した放射線に基づいて、波長が300nmから800nmの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる光電磁波を出力する。なお、第1の構成要素211は、一般的にシンチレータと呼ばれている。この第1の構成要素211で用いられる蛍光体は、CaWO4、CaWO4:Pb、MgWOなどのタングステン酸塩系蛍光体、Y2O2S:Tb、Gd2O2S:Tb、La2O2S:Tb、Y,Gd2O2S:Tb、Y,Gd2O2S:Tb,Tmなどのテルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、YPO4:Tb、GdPO4:Tb、LaPO4:Tbなどのテルビウム賦活希土類燐酸塩系蛍光体、LaOBr:Tb、LaOBr:Tb,Tm、LaOCl:Tb、LaOCl:Tb,Tm、GdOBr:Tb、GdOBr:Tb,Tm、GdOCl:Tb、GdOCl:Tb,Tmなどのテルビウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、LaOBr:Tm、LaOCl:Tmなどのツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、LaOBr:Gd、LuOCl:Gdなどのガドリニウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、GdOBr:Ce、GdOCl:Ce、Gd,YOBr:Ce、Gd,YOCl:Ceなどのセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、BaSO4:Pb、BaSO4:Eu2、Ba,SrSO4:Eu2などの硫酸バリウム系蛍光体、Ba3PO42:Eu2、Ba2PO42:Eu2、Sr3PO42:Eu2、Sr2PO42:Eu2などの2価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属燐酸塩系蛍光体、BaFCl:Eu2、BaFBr:Eu2、BaFCl:Eu2,Tb、BaFCl:Eu2,Tb、BaF2BaCl2KCl:Eu2、Ba,MgF2BaCl2KCl:Eu2などの2価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体、CsI:Na、CsI:Tl、NaI、KI:Tlなどの沃化物系蛍光体、ZnS:Ag、Zn,CdS:Ag、Zn,CdS:Cu、Zn,CdS:Cu,Agなどの硫化物系蛍光体、HfP2O7、HfP2O7:Cu、Hf3PO44などの燐酸ハフニウム系蛍光体、YTaO4、YTaO4:Tm、YTaO4:Nb、Y,SrTaO4:Nb、LuTaO4、LuTaO4:Tm、LuTaO4:Nb、Lu,SrTaO4:Nb、GdTaO4:Tm、Mg4Ta2O9:Nb、Gd2O3Ta2O5B2O3:Tbなどのタンタル酸塩系蛍光体、他に、Gd2O2S:Eu3、La,Gd,Lu2Si2O7:Eu、ZnSiO4:Mn、Sr2P2O7:Eu、などを用いることができる。特に、X線吸収及び発光効率が高いことよりセシウムアイオダイドCsI:TlやガドリニウムオキシサルファイドGd2O2S:Tbが好ましく、これらを用いることで、ノイズの低い高画質の画像を得ることができる。また、セシウムアイオダイドCsI:Tlについては、柱状結晶構造のシンチレータ層を形成することが可能である。この場合、柱状結晶では光ガイド効果、すなわち結晶内での発光が柱状結晶の側面より外に放射されてしまうことを少なくできる効果を得られるので、鮮鋭性の低下を抑制することが可能であり、蛍光体層膜厚を厚くすることによりX線吸収が増加し粒状性を向上できる。ただし、本発明に用いられる蛍光体はこれらに限定されるものではなく、放射線が入射されることによって可視又は紫外または赤外領域などの、受光素子が感度を持つ領域の光電磁波を出力する蛍光体であれば良い。また、本発明で用いられる蛍光体粒子の直径は7μm以下、好ましくは4μm以下である。蛍光体粒子の直径が小さいほどシンチレータ層内での光の散乱を防ぐことが可能となり、高い鮮鋭度を得られるからである。そして、この蛍光体粒子は以下のようなバインダーに分散される。例えば、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル-アクリロニトリル共重合体、ブタジエン-アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体、スチレン-ブタジエン共重合体、各種合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラニン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等があげられる。中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。このような好ましいバインダーを用いることで、蛍光体の分散性を高め、蛍光体の充填率を高くすることが可能となり、粒状性の向上に寄与するからである。上記バインダー中に分散される蛍光体の重量含有量は90~99である。また本発明で用いられる第1の構成要素の厚さは、放射線画像の粒状性と鮮鋭性とのバランスから決定されるものであり、第1の構成要素が厚いと粒状性は良くなるが鮮鋭性は悪くなり、第1の構成要素が薄いと鮮鋭性は良くなるが粒状性は悪くなることから、例えば20μmから1mmとする。また、良好な粒状性と鮮鋭性を得るために好ましくは50μmから300μmとする。なお、本発明で用いられる蛍光体は一部を除き吸湿性であるので、環境の湿気に影響されないように封止することが好ましい。このため、例えば特開平11-223890、特開平11-249243、特開平11-344598、特開2000-171597に開示されている方法を用いることで、撮像パネル21の全体を封止することができる。次に、第1の構成要素211の放射線入射面側には、第1の構成要素で発生された光電磁波を電気エネルギーに変換して、この電気エネルギーに基づいた信号を出力する第2の構成要素212が形成される。図5は、第2の構成要素の詳細の一例を示しており、第2の構成要素212は、第1の構成要素211側から、隔膜212a、透明電極膜212b、正孔伝導層212c、電荷発生層212d、電子伝導層212e、導電層212fが設けられている。ここで、電荷発生層212dは、光電変換可能な即ち電磁波光によって電子や正孔を発生し得る有機化合物を含有するものであり、光電変換を円滑に行うために、いくつかの機能分離された層を有することが好ましい。隔膜212aは、第1の構成要素211と他の層を分離するためのものであり、例えばOxinitrideなどが用いられる。透明電極膜212bは、例えばインジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnOなどの導電性透明材料を用いて形成される。この透明電極膜212bの形成では、蒸着やスパッタリング等の方法を用いて薄膜を形成できる。また、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいは高いパターン精度を必要としない場合100μm以上程度は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この透明電極は透過率を10より大きくすることが望ましく、またシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1μm、好ましくは10nm~200nmの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には透明電極がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には透明電極の形成に時間を要してしまうからである。電荷発生層212dでは、第1の構成要素211から出力された電磁波光によって電子と正孔を発生される。ここで発生した正孔は正孔伝導層212cに集められ、電子は電子伝導層212eに集められる。なお、本構造において、正孔伝導層212cと電子伝導層212eは必ずしも必須なものではない。導電層212fは、例えばクロムなどで生成されている。また、一般の金属電極若しくは前記透明電極の中から選択可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい4.5eV以下金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類全属などが挙げられる。この導電層212fは、これらの電極物質を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて生成できる。また、導電層212fのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~1μm、好ましくは50nm~500nmの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には導電層がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には導電層の形成に時間を要してしまうからである。次に、上述の正孔伝導層212c,電荷発生層212dそして電子伝導層212eについて詳述する。電荷発生層212dは、いわゆる有機EL素子の構成を適用することができ、前記有機EL素子はその構成材料が低分子系のものでも高分子系のものライトエミッティングポリマーとも言うでもよい。本発明の電荷発生層212dで用いる光電変換可能な材料としては、導電性高分子材料π共役系高分子材料やシリコン系高分子材料などや低分子系有機EL素子に使用される発光材料等が挙げられる。例えば導電性高分子材料としては、ポリ2-メトキシ、5-2’エチルヘキシロキシ-p-フェニレンビニレンそしてポリ3-アルキルチオフェン、などがある。また有機EL材料とディスプレイ2001年2月28日株式会社シーエムシー発行の第190頁~第203頁に記載されている化合物や、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第81頁~第99頁に記載されている化合物などが挙げられる。前記低分子系有機EL素子に使用される発光材料としては、例えば、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第36頁~第56頁に記載されている化合物や、有機EL材料とディスプレイ2001年2月28日株式会社シーエムシー発行の第148頁~第172頁に記載されている化合物等が挙げられる。本発明において、光電変換可能な有機化合物として特に好ましいものは導電性高分子化合物であり、最も好ましいものはπ共役系高分子化合物である。ここで、図6は導電性高分子化合物の基本骨格、図7~図9はπ共役系高分子化合物の具体例、図10はπ共役系以外の導電性高分子化合物の具体例を示している。なお、導電性高分子材料や低分子系有機EL素子は上述のものに限定されるものではない。さらに、電荷発生層212dに変換効率や電極へのキャリア受け渡し効率を向上させるために添加剤を加えてもよい。また該添加剤を別の層として設けて正孔伝導層212cと電子伝導層212eを形成する。添加剤としては、有機EL素子で使用される正孔注入材料や正孔輸送材料,電子輸送材料,電子注入材料等を適用することができる。その具体例としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体例えばトリス8-キノリノラートアルミニウムAlq3、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリトラートアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリラートアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリラートアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリラートアルミニウム、ビス8-キノリラート亜鉛Znq2などである。また、第2の構成要素212において、π共役系高分子化合物を用いる正孔伝導層212c,電荷発生層212dそして電子伝導層212eには、複数のπ共役高分子化合物間でのキャリア授受やキャリアトラップを行う目的で、フラーレンやカーボンナノチューブのような立体的なπ電子雲を有する化合物を添加することが好ましい。これらの化合物は、例えばフラーレンC-60,フラーレンC-70,フラーレンC-76,フラーレンC-78,フラーレンC-84,フラーレンC-240,フラーレンC-540,ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層ナノチューブMultiWalledNanotube、単層ナノチューブSingleWalledNanotubeである。さらに、フラーレンやカーボンナノチューブは溶剤への相溶性を付与する目的で置換基を導入してもよい。さらに、第2の構成要素212では、電荷発生層212dで生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ221と、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ222が、放射線の入射面側に形成されている。なお、第2の構成要素212では、例えば蓄えられた電気エネルギーのエネルギーレベルに応じた信号を生成して出力する素子を設けることもできる。トランジスタ222は、例えばTFT薄膜トランジスタを用いるものとする。このTFTは、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のものでも、有機半導体を用いたものでも良く、好ましくはプラスチックフィルム上に形成されたTFTである。プラスチックフィルム上に形成されたTFTとしては、アモルファスシリコン系のものが知られているが、その他、米国AlienTechnology社が開発しているFSAFluidicSelfAssembly技術、即ち、単結晶シリコンで作製した微小CMOSNanoblocksをエンボス加工したプラスチックフィルム上に配列させることで、フレキシブルなプラスチックフィルム上にTFTを形成するものとしても良い。さらに、Science283822やApplPhysLett771488、Nature403521等の文献に記載されているような有機半導体を用いたTFTであってもよい。このように、本発明に用いられるスイッチング素子としては、上記FSA技術で作製したTFT及び有機半導体を用いたTFTが好ましく、特に好ましいものは有機半導体を用いたTFTである。この有機半導体を用いてTFTを構成すれば、シリコンを用いてTFTを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してTFTを形成できるので、製造コストが安価となる。さらに、加工温度を低くできることから熱に弱いプラスチック基板上にも形成できる。また、有機半導体を用いたTFTの内、電界効果型トランジスタFETが特に好ましく、具体的には図11A~図11Cに示す構造の有機TFTが好ましい。図11Aに示す有機TFTは、基板上にゲート電極,ゲート絶縁層,ソースドレイン電極,有機半導体層を順に形成したものである。図11Bに示す有機TFTは、基板上にゲート電極,ゲート絶縁層,有機半導体層,ソースドレイン電極を順に形成したものであり、図11Cに示す有機TFTは、有機半導体単結晶上にソースドレイン電極,ゲート絶縁層,ゲート電極を順に形成したものである。有機半導体層を形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよいが、特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶や、前記π共役系高分子が挙げられる。ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は、金属でも導電性無機化合物でも導電性有機化合物でも何れでもよいが、作製の容易さの観点から導電性有機化合物であることが好ましく、その代表例としては、前記π共役系高分子化合物にルイス酸塩化鉄、塩化アルミニウム、臭化アンチモン等やハロゲンヨウ素や臭素など、スルホン酸塩ポリスチレンスルホン酸のナトリウム塩PSS、p-トルエンスルホン酸カリウム等などをドープしたものが挙げられ、具体的にはPEDOTにPSSを添加した導電性高分子が代表例として挙げられる。有機TFTの具体例としては、図12で示したものが挙げられる。スイッチング素子であるトランジスタ222には、図3及び図5に示すように、第2の構成要素212で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに、コンデンサ221の一方の電極となる収集電極220が接続されている。このコンデンサ221には第2の構成要素212で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタ222を駆動することで読み出される。すなわちスイッチング素子を駆動することで放射線画像を画素毎の信号を生成することができる。なお図5において、トランジスタ222は、ゲート電極222a、ソース電極ドレイン電極222b、ドレイン電極ソース電極222c、有機半導体層222d、絶縁層222eで構成されている。支持体214は、撮像パネル21の基板である。この支持体214として好ましく用いられる基板は、プラスチックフィルムであり、プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。更にこれらのプラスチックフィルムには、トリオクチルホスフェートやジブチルフタレート等の可塑剤を添加してもよく、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系等の公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。また、テトラエトキシシラン等の無機高分子の原料を添加し、化学触媒や熱、光等のエネルギーを付与することにより高分子量化する、いわゆる有機-無機ポリマーハイブリッド法を適用して作製した樹脂を原料として用いることもできる。更に支持体214の第3の構成要素側の面とは反対面側に、電源部34例えばマンガン電池、ニッケルカドミウム電池、水銀電池、鉛電池などの一次電池、充電可能な二次電池を設けるものとしても良い。この電池の形態としては、放射線画像検出器を薄型化できるように平板状の形態が好ましい。また、撮像パネル21では、信号線2241~224nに、例えばドレイン電極が接続された初期化用のトランジスタ2321~232nが設けられている。このトランジスタ2321~232nのソース電極は接地されている。また、ゲート電極はリセット線231と接続される。撮像パネル21の走査線2231~223mとリセット線231は、図3に示すように走査駆動回路25と接続されている。走査駆動回路25から走査線2231~223mのうちの1つ走査線223ppは1~mのいずれかの値に読出信号RSが供給されると、この走査線223pに接続されたトランジスタ222~222がオン状態とされて、コンデンサ221~221に蓄積された電気エネルギーが信号線2241~224nにそれぞれ読み出される。信号線2241~224nは、信号選択回路27の信号変換器2711~271nに接続されており、信号変換器2711~271nでは信号線2241~224n上に読み出された電気エネルギー量に比例する電圧信号SV1~SVnを生成する。この信号変換器2711~271nから出力された電圧信号SV1~SVnはレジスタ272に供給される。レジスタ272では、供給された電圧信号が順次選択されて、A/D変換器273で例えば、12ビットないし14ビットの1つの走査線に対するデジタルの画像信号とされ、制御回路30は、走査線2231~223m各々に、走査駆動回路25を介して読出信号RSを供給して画像走査を行い、走査線毎のデジタル画像信号を取り込んで、放射線画像の画像信号の生成を行う。この画像信号は制御回路30に供給される。なお、走査駆動回路25からリセット信号RTをリセット線231に供給してトランジスタ2321~232nをオン状態とするとともに、走査線2231~223mに読出信号RSを供給してトランジスタ222~222をオン状態とすると、コンデンサ221~221に蓄えられた電気エネルギーがトランジスタ2321~232nを介して放出して、撮像パネル21の初期化を行うことができる。ところで、上述の撮像パネル21では、第1の構成要素211で放射線の強度に応じて出力された光のうち、第2の構成要素212に向かう光が電気エネルギーに変換されものであり、出力された光を有効に活用することができない。そこで、出力された光を有効に活用できる撮像パネルの構成を図13に示す。撮像パネル71は、第1の構成要素211の放射線入射面側に第2の構成要素212を設けると共に、第1の構成要素211の放射線入射面側とは逆面側にも新たな第2の構成要素2122を設けるものとする。このように、第1の構成要素211の両面に第2の構成要素212,2122を設けることにより、第1の構成要素211で放射線の強度に応じて出力された光が有効に活用されて、感度を高めることができる。さらに、第2の構成要素2122の第1の構成要素211側とは逆面側に新たな支持体2142を設けるものとすれば、放射線入射側の支持体214の厚さを薄くしても撮像パネル21の機械的強度を確保することが可能となる。このため、支持体214の厚さを薄くして感度を高めることができると共に、放射線画像の画質を向上させることができる。また、支持体2142は樹脂だけでなくガラスを用いることもできる。ここで、支持体2142としてガラスを用いる場合、支持体214が設けられているため薄いガラスを用いても機械的強度を確保できる。また、図14に示すように、樹脂で構成された支持体214の放射線入射面側に新たな第2の構成要素2123を設けると共に、第2の構成要素2123の放射線入射面側に新たな第1の構成要素2112を設けることで、撮像パネル81を構成するものとしても良い。この場合、放射線の強度に応じて第1の構成要素2112から光が出力されると共に、この光に基づいて第2の構成要素2123から信号が出力されるので、感度を高くすることができると共に画質を向上させることができる。ここで、第1の構成要素211,2112は、同じ素材を用いるものとしても良く異なる素材を用いるものとしても良い。例えば、異なる素材を用いるものとした場合、放射線入射側の第1の構成要素2112は、柱状結晶のセシウムアイドダイト、第1の構成要素211はガドリニウムオキシサルファイドなどを用いるものとする。また、同一素材を用いるときには、放射線入射側の第1の構成要素2112の厚さを他方の第1の構成要素211よりも薄くすることが好ましい。ところで、第2の構成要素は、図15に示すように、光電変換が行われないスイッチング素子部分面積MAと光電変換が行われる光電変換部分面積MBを有している。なお、光電変換可能部分と光電変換を行わないスイッチング素子部分との面積比率はフィルファクタFillFactorFCと呼ばれており、式1に基づいて算出される。FC=[MB/MAMB]×1001ここで、2つの第2の構成要素を用いる場合には、図16に示すように光電変換が行われない部分の重なりが生じないように2つの構成要素を設けるものとすると、一方の第2の構成要素におけるスイッチング素子部分の情報は、他方の第2の構成要素で得られることとなり、見かけ上のフィルファクタFCを100とすることができる。このため、入射した放射線が示す情報を欠落なく読み出すことが可能となり、信頼性の高い放射線画像情報を得られる。図3に示すように、制御回路30にはメモリ部31や操作部32が接続されており、操作部32からの操作信号PSに基づいて放射線画像検出器20の動作が制御される。操作部32は複数のスイッチが設けられており、操作部32からのスイッチ操作に応じた操作信号PSに基づき、撮像パネル21の初期化や放射線画像の画像信号の生成が行われる。また放射線画像の画像信号の生成は、放射線発生器10から放射線照射終了信号がコネクタ35を介して供給されたときに行うものとすることもできる。さらに、生成した画像信号をメモリ部31に記憶させる処理等も行う。ここで、図2に示すように、放射線画像検出器20に電源部34を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部31を設け、コネクタ35を介して放射線画像検出器20を着脱自在にすれば、放射線画像検出器20を持ち運びできるシステムを構築できる。さらに、不揮発性メモリを用いてメモリ部31を着脱可能に構成すれば、放射線画像検出器20と画像処理部51を接続しなくとも、メモリ部31を画像処理部51に装着するだけで画像信号を画像処理部51に供給できることから、更に放射線画像の撮影及び画像処理が容易となり、操作性を向上できる。なお、放射線画像検出器20を据置き型として用いる場合には、コネクタ35を介して電力の供給や画像信号の読み出しを行うことで、メモリ部31や電源部34を設けなくとも、放射線画像の画像信号を得られることは勿論である。また、メモリ部31や電源部34を図13,14に示すように撮像パネルの側面に設けるものとすれば、放射線画像検出を薄型化できる。また、上述のように支持体214を樹脂で構成したことにより、ガラス基板を用いた従来の放射線画像検出器に比べて軽量化を図ることができる。また、支持体214を樹脂で構成したことにより、第2の構成要素212の一部を、分割されたシリコン積層構造の素子を用いたり有機半導体で形成できる。このため、ガラス基板を用いた従来の放射線画像検出器のように、シリコンを主体とする薄膜トランジスタをガラス基板上に形成する高価で特殊な製造装置を用いる必要がないことから、放射線画像検出器を安価に製造できる。さらに第2の構成要素において、光を電気エネルギーに変換する部分は、光導電性高分子有機化合物並びにフラーレン若しくはカーボンナノチューブからなるものであることから、シリコンを用いる光半導体の製造装置を用いる必要がなく、この点に於いても放射線画像検出器を安価に製造できる。"