複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを支持する粘着テープであって、シート状基材と、該シート状基材の表面に積層された粘着層と、該シート状基材の裏面に積層された帯電防止層と、を具備したことを特徴とする粘着テープ。複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハを収容する開口部を有する環状フレームの該開口部にウエーハを収容して請求項1記載の粘着テープをウエーハと該環状フレームとに貼着してウエーハユニットに一体化して、ウエーハを環状フレームで支持する一体化工程と、該一体化工程の前又は後に、ウエーハの該分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する分割起点形成工程と、該一体化工程と該分割起点形成工程とを実施した後に、該粘着テープを介してウエーハに外力を付与して、該分割の起点が形成された該分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの分割工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。しかし、エキスパンド装置分割装置を使用してウエーハを割断する際、ウエーハが貼着された粘着テープが半径方向にエキスパンドしてウエーハに外力が付与されるため、粘着テープがエキスパンドする際エキスパンド装置との摩擦により粘着テープに静電気が発生し、デバイスの機能が破壊されたり、ウエーハ割断時の屑がデバイスに付着してデバイスの品質が低下するという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、静電気の発生を抑制できる粘着テープ及び該粘着テープを使用したウエーハの加工方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを支持する粘着テープであって、シート状基材と、該シート状基材の表面に積層された粘着層と、該シート状基材の裏面に積層された帯電防止層と、を具備したことを特徴とする粘着テープが提供される。請求項2記載の発明によると、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハを収容する開口部を有する環状フレームの該開口部にウエーハを収容して請求項1記載の粘着テープをウエーハと該環状フレームとに貼着してウエーハユニットに一体化して、ウエーハを環状フレームで支持する一体化工程と、該一体化工程の前又は後にウエーハの該分割予定ラインに沿って分割の起点を形成する分割起点形成工程と、該一体化工程と該分割起点形成工程とを実施した後に、該粘着テープを介してウエーハに外力を付与して、該分割の起点が形成された該分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの分割工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。本発明の粘着テープはシート状基材の裏面に帯電防止層が形成されているので、分割予定ラインに沿って分割の起点が形成されたウエーハを粘着テープに貼着して、該粘着テープを半径方向にエキスパンドすることによりウエーハに外力を付与してウエーハを分割しても、粘着テープに発生する静電気が抑制され、デバイスの機能が破壊されたり、分割屑が付着してデバイスの品質が低下するという問題を解消できる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置2の概略構成図を示している。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、すなわちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持されたウエーハをクランプするクランプ30が設けられている。静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にはレーザビーム照射ユニット34を収容するケーシング35が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット34は、図3に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。レーザビーム照射ユニット34のパワー調整手段68により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられた集光器36のミラー70で反射され、更に集光用対物レンズ72によって集光されてチャックテーブル28に保持されているウエーハ11に照射される。ケーシング35の先端部には、集光器36とX軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段38が配設されている。撮像手段38は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。撮像手段38は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ制御手段40に送信される。コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリROM44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。撮像手段38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザビーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。図2に示すように、レーザ加工装置2の加工対象であるウエーハ11の表面11aにおいては、複数のストリート分割予定ライン13が直交して形成されており、直交するストリート13によって区画された各領域にデバイス15が形成されている。ウエーハ11は、多数のデバイス15が形成されたデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aに備えている。ウエーハ11の裏面11bは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部が環状フレームFに貼着されてウエーハユニット21が形成される。ダイシングテープTは、塩化ビニル等のシート基材上に例えばアクリル樹脂から形成された粘着層が配設されて構成されている。ウエーハユニット21では、ウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、レーザ加工時には、ウエーハ11がダイシングテープTを介してチャックテーブル28に吸引保持され、クランプ30により環状フレームFがクランプされて固定される。次に、図4乃至図7を参照して、本発明実施形態のウエーハの加工方法について詳細に説明する。まず、撮像手段38でウエーハ11の加工領域を撮像して、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット34の集光器36と第1の方向に伸長するストリート13との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザビーム照射位置のアライメントを実施する。次いで、チャックテーブル28を90度回転して、第2の方向に伸長するストリート13と集光器28とのアライメントを実施する。上述したアライメント工程が終了したならば、本発明の加工方法の第1実施形態では、図4に示すように、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを集光器36を介してウエーハ11の加工すべきストリート13の一端から照射を開始し、チャックテーブル28を矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動させ、ストリート13に沿って分割の起点となるレーザ加工溝74を形成する。第1の方向に伸長する全てのストリート13に沿って分割の起点となるレーザ加工溝74を形成したならば、チャックテーブル28を90度回転してから、第2の方向に伸長する全てのストリート13に沿って同様なレーザ加工溝74を形成する。第1実施形態のレーザ加工条件例は例えば以下の通りである。光源:YAGパルスレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波平均出力:3.5W集光スポット径:10μm繰り返し周波数:100kHz加工送り速度:100mm/sウエーハの分割予定ライン13に沿って分割の起点となる分割起点形成工程は、ウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームを使用しても実施することができる。この第2実施形態では、集光器36からウエーハ11に対して透過性を有するパルスレーザビームの集光点をウエーハ11の内部に合わせてパルスレーザビームをストリート13に沿って照射しつつ、チャックテーブル28を図4において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動して、ウエーハ11の内部に変質層を形成する。第1の方向に伸長する全てのストリート13に沿ってウエーハ11の内部に変質層を形成してから、チャックテーブル28を90度回転し、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全てのストリート13に沿ってウエーハ内部に同様な変質層を形成する。この変質層、溶融再硬化層として形成される。この第2実施形態におけるレーザ加工条件は例えば以下の通りである。光源:YAGパルスレーザ波長:1064nm平均出力:1.0W集光スポット径:1μm繰り返し周波数:100kHz加工送り速度:50mm/s第1実施形態又は第2実施形態の分割起点形成工程実施後、図5に示すように、ダイシングテープTの裏面側からスプレーノズル76により静電気除去剤78を噴射してダイシングテープTの裏面に帯電防止層を形成する。静電気除去剤78としては、ショーワグローブ株式会社が提供する静電気除去スプレーSB-8を使用することができる。尚、この静電気除去剤78のダイシングテープTの裏面側への噴射は、分割起点形成工程を実施する前に行うようにしてもよい。ウエーハ11に分割の起点となる分割起点形成工程実施後、図6に示すエキスパンド装置分割装置80を用いてウエーハ11を分割起点となるレーザ加工溝74に沿って個々のチップに分割するウエーハ分割工程を実施する。図6に示すエキスパンド装置80は、環状フレームFを保持するフレーム保持手段82と、フレーム保持手段82に保持された環状フレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段84を具備している。フレーム保持手段82は、環状のフレーム保持部材86と、フレーム保持部材86の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ88から構成される。フレーム保持部材86の上面は環状フレームFを載置する載置面86aを形成しており、この載置面86a上に環状フレームFが載置される。そして、載置面86a上に載置された環状フレームFは、クランプ88によってフレーム保持手段86に固定される。このように構成されたフレーム保持手段82はテープ拡張手段84によって上下方向に移動可能に支持されている。テープ拡張手段84は、環状のフレーム保持部材86の内側に配設された拡張ドラム90を具備している。拡張ドラム90の上端は蓋92で閉鎖されている。この拡張ドラム90は、環状フレームFの内径より小さく、環状フレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ11の外径より大きい内径を有している。拡張ドラム90はその下端に一体的に形成された支持フランジ94を有している。テープ拡張手段84は更に、環状のフレーム保持部材86を上下方向に移動する駆動手段96を具備している。この駆動手段96は支持フランジ94上に配設された複数のエアシリンダ98から構成されており、そのピストンロッド100はフレーム保持部材86の下面に連結されている。複数のエアシリンダ98から構成される駆動手段96は、環状のフレーム保持部材86を、その載置面86aが拡張ドラム90の上端である蓋92の表面と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム90の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動する。以上のように構成されたエキスパンド装置80を用いて実施するウエーハ11の分割工程について図7を参照して説明する。図7Aに示すように、ウエーハ11をダイシングテープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材86の載置面86a上に載置し、クランプ88によってフレーム保持部材86に固定する。この時、フレーム保持部材86はその載置面86aが拡張ドラム90の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。次いで、エアシリンダ98を駆動してフレーム保持部材86を図7Bに示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材86の載置面86a上に固定されている環状フレームFを下降するため、環状フレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム90の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。その結果、ダイシングテープTに貼着されているウエーハ11には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ11に放射状に引張力が作用すると、ストリート13に沿って形成されたレーザ加工溝74が分割起点となってウエーハ11がレーザ加工溝74に沿って割断され、個々の半導体チップデバイス15に分割される。ウエーハ11の内部に分割起点となる変質層が形成された第2実施形態の場合には、ウエーハ11に放射状に引張力が作用すると、ストリート13に沿って形成された変質層は強度が低下されているので、この変質層が分割起点となってウエーハ11が変質層に沿って割断され、個々の半導体チップデバイス15に分割される。シリコンウエーハ11を図2に示すようにダイシングテープTを介して環状フレームFで支持し、1.0mm間隔でレーザビームを照射して変質層を分割予定ラインの内部に形成し、1.0mm×1.0mmの複数の正方形に区画し、ダイシングテープTをエキスパンドした。ダイシングテープTの裏面を擦り、ウエーハ11の帯電量と周囲に飛散して付着したサイズ5μm以上の屑の数を比較したところ表1に示すような結果が得られた。表1から明らかな通り、ダイシングテープTの裏面に帯電防止層を有する本発明の粘着テープでは、帯電防止層を有しない従来の粘着テープに比較してウエーハの帯電量が顕著に減少している。更に、チップ表面の屑の数及びテープ表面の屑の数も従来の粘着テープに比較して顕著に減少している。本実施形態のダイシングテープ粘着テープTは、シート状基材、とシート状基材の表面に配設された粘着層と、シート状基材の裏面にコーティングされた帯電防止層とから形成されているので、図7Bに示すテープ拡張時に、ダイシングテープTの裏面に形成された帯電防止層が拡張ドラム90の蓋92と摺動接触しても、ダイシングテープTに発生する静電気が抑制され、分割工程実施時にデバイス15の機能が破壊されたり、ウエーハ11の割断時の屑が付着してデバイス15の品質が低下するという問題を解消することができる。