"被成膜物にセレンを含む成膜材料を成膜する成膜装置であって、真空環境を形成する複数のチャンバーと、前記複数のチャンバー間において前記被成膜物を搬送する搬送手段と、を備え、前記複数のチャンバーは、前記被成膜物を第1の温度まで加熱する第1の加熱チャンバーと、前記第1の加熱チャンバーから搬送された前記被成膜物を前記第1の温度より高い第2の温度まで加熱する第2の加熱チャンバーと、前記第2の加熱チャンバーから搬送された前記被成膜物を、前記成膜材料を成膜可能な温度である成膜温度まで加熱する第3の加熱チャンバーと、前記第3の加熱チャンバーから搬送された前記被成膜物に前記成膜材料を成膜する成膜チャンバーと、を有する、成膜装置。前記第1の加熱チャンバーは、前記第1の温度である200°Cまで加熱し、前記第2の加熱チャンバーは、前記第2の温度である400°Cまで加熱し、前記第3の加熱チャンバーは、前記成膜温度まで加熱する、請求項1に記載の成膜装置。前記複数のチャンバーは、前記第3の加熱チャンバーと前記成膜チャンバーとの間に配置され、前記第3の加熱チャンバーから排出された前記被成膜物を収容可能であり、前記第3の加熱チャンバー及び前記成膜チャンバーとの連通状態を遮断可能である中間チャンバーを有する、請求項1又は2に記載の成膜装置。前記第1の加熱チャンバー、前記第2の加熱チャンバー、及び前記第3の加熱チャンバーの少なくとも一つである加熱チャンバー内には、前記被成膜物を加熱する複数の棒状の加熱部材が、前記被成膜物が搬送される経路を挟んで両側に配置され、前記経路を挟んで両側に配置された前記加熱部材は、互いに交差する様に延在している、請求項1~3のいずれか1項に記載の成膜装置。複数の棒状の加熱部材は、配置された位置に応じて複数のグループに組分けされており、グループごとに異なる加熱温度に設定可能である、請求項4に記載の成膜装置。隣接するチャンバー間には、チャンバー内の真空環境を維持するためのシール部材が設けられており、前記シール部材を冷却するための冷媒が流通する冷却経路が、前記チャンバーの壁体内に設けられている、請求項1~5のいずれか1項に記載の成膜装置。上記の特許文献1に記載の従来技術では、バッチ式の装置を用いて被成膜物を加熱しているため、加熱時間がかかり過ぎてしまい生産効率を上げることが困難であった。本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、セレンを含む成膜材料を成膜する成膜装置において、複数の被成膜物を連続して加熱することにより、生産効率の向上を図ることが可能な成膜を提供することを目的とする。本発明は、被成膜物にセレンを含む成膜材料を成膜する成膜装置であって、真空環境を形成する複数のチャンバーと、複数のチャンバー間において被成膜物を搬送する搬送手段と、を備え、複数のチャンバーは、被成膜物を第1の温度まで加熱する第1の加熱チャンバーと、第1の加熱チャンバーから搬送された成膜物を第1の温度より高い第2の温度まで加熱する第2の加熱チャンバーと、第2の加熱チャンバーから搬送された被成膜物を第2の温度より高い第3の温度まで加熱する第3の加熱チャンバーと、第3の加熱チャンバーから搬送された被成膜物に成膜材料を成膜する成膜チャンバーと、を有する成膜装置を提供する。このような構成の成膜装置によれば、複数のチャンバー間において被成膜物を搬送することが可能であるため、複数のチャンバー間において、被成膜物を連続して処理することができる。この成膜装置では、複数の被成膜物を、第1の加熱チャンバーによって第1の温度まで加熱し、第2の加熱チャンバーによって第2の温度まで加熱し、第3の加熱チャンバーによって第3の温度まで加熱することができるので、複数の加熱チャンバーを用いて段階的に被成膜物の温度を上げることができる。本発明の成膜装置によれば、連続して複数の被成膜物を加熱し、加熱された被成膜物に対して成膜することができるので、生産効率の向上を図ることができる。ここで、第1の加熱チャンバーは、第1の温度である200°Cまで加熱し、第2の加熱チャンバーは、第2の温度である400°Cまで加熱し、第3の加熱チャンバーは、成膜温度まで加熱する構成であることが好ましい。この構成の成膜装置によれば、被成膜物の歪みを抑制すると共に被成膜物内における温度の均一性を保ちつつ、被成膜物の加熱時間を短縮することができる。複数のチャンバーは、第3の加熱チャンバーと成膜チャンバーとの間に配置され、第3の加熱チャンバーから排出された被成膜物を収容可能であり、第3の加熱チャンバー及び成膜チャンバーとの連通状態を遮断可能である中間チャンバーを有する構成でもよい。このような構成の成膜装置によれば、第3の加熱チャンバーと成膜チャンバーとの連通状態を遮断可能な中間チャンバーを備えているため、成膜チャンバー内を浮遊する成膜材料の第3の加熱チャンバー内への流入を抑制することができる。第1の加熱チャンバー、第2の加熱チャンバー、及び第3の加熱チャンバーの少なくとも一つである加熱チャンバー内には、被成膜物を加熱する複数の棒状の加熱部材が、被成膜物が搬送される経路を挟んで両側に配置され、経路を挟んで両側に配置された加熱部材は、互いに交差するように延在している構成でもよい。この構成の成膜装置では、被成膜物を挟んで両側に配置された加熱部材が、互いに交差する様に延在しているため、被成膜物の温度分布の均一化を図り、加熱された被成膜物に生じる歪を抑制することができる。その結果、被成膜物の歪を抑えつつ、加熱速度を上げることができる。複数の棒状の加熱部材は、配置された位置に応じて複数のグループに組分けされており、グループごとに異なる加熱温度に設定可能である構成でもよい。これにより、被成膜物の温度分布が均一化するように、領域ごとの温度設定を変えることができる。その結果、被成膜物の歪を抑えつつ、加熱速度を上げることができる。本発明の成膜装置は、隣接するチャンバー間には、チャンバー内の真空環境を維持するためのシール部材が設けられており、シール部材を冷却するための冷媒が流通する冷却経路が、チャンバーの壁体内に設けられている構成でもよい。この構成の成膜装置によれば、チャンバーの壁体内に設けられた冷却経路に冷媒を流通させることで、シール部材を冷却することができるため、高温環境におけるシール部材の劣化を抑制し、好適なシール性能を維持することができる。本発明によれば、セレンを含む成膜材料を成膜する成膜装置において、複数の被成膜物を連続して加熱することにより、生産効率の向上を図ることが可能な成膜装置を提供することができる。本発明に係る成膜装置について図面を参照して説明する。なお、上、下等の方向を示す語は、図面に示される状態に基づいており、便宜的なものである。図1~図6では、被成膜物である基板の幅方向をX方向、基板が搬送される方向をY方向、基板の厚み方向Z方向として、矢印で図示している。成膜装置図1~図3は、本発明の実施形態に係る成膜装置100を示す概略側面図である。図1~図3に示す成膜装置100は、被成膜物である基板例えばガラス基板101に対して成膜等の処理を施すためのものである。成膜装置100は、セレンの真空蒸着法セレン化法を用いて、基板上に薄膜層を形成可能な装置である。なお、被成膜物は、ガラス基板に限定されず、その他のものでもよい。成膜装置100は、例えばCIGS系の太陽電池の製造に適用可能なものである。CIGS系の太陽電池は、ガラス基板上に、裏面電極層、CIGS層発電層、バッファ層、透明電極層が順に積層されて構成されている。ガラス基板は、ナトリウムNaを含むソーダガラスを用いることができる。CIGS層は、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa、セレンSeを含む半導体からなる発電層である。成膜装置100は、複数の真空チャンバー真空容器121~128を備えている。真空チャンバー121~128は、被成膜物を収容し、真空環境を形成する。真空チャンバーのサイズは、長さ2m程度、幅2m程度、高さ300mm程度とされている。本実施形態の成膜装置100では、例えば12個の真空チャンバーを備える構成とされ、連続する複数の真空チャンバー121~128の全長は20m程度である。なお、図1では、複数の真空チャンバーのうちの一部を図示し、その他の真空チャンバーの図示を省略している。各真空チャンバー121~128には、内部を適切な圧力とするための真空ポンプ11,12が接続されている。また、各真空チャンバー121~128には、チャンバー121~128内の圧力を監視するための真空計不図示が複数例えば2個設置されている。真空計は、チャンバー121~128外に張り出す連通配管を介してチャンバー121~128に接続されている。成膜装置100は、図1~図3に示すように、複数の真空チャンバー121~128として、ロードロックチャンバー121、加熱チャンバー122~124、バッファチャンバー125、成膜チャンバー成膜室126、冷却チャンバー127、及びロードロックチャンバー128を備えている。これらの真空チャンバー121~128は、この順に並んで配置されている。なお、図1~図3では、開閉ゲート133図4参照の図示を省略している。図4は、本発明の実施形態に係る成膜装置100の一部を示す概略断面図であり、主に、隣接する真空チャンバー124,125同士の連結部を示している。ここでは、図4を参照して、主に真空チャンバー124,125の連結部について説明するが、その他の真空チャンバー121~128同士の連結部も同じ構成である。図4に示すように、真空チャンバー121~128の基板搬送方向Yの両端部には、基板101の入口131及び出口132が設けられ、これらの出入口131,132を封止するための開閉ゲート133が設けられている。なお、開閉ゲート133は、隣接する真空チャンバー121~128の全てに設置されている必要はなく、例えば、複数の真空チャンバー121~128のうち、加熱チャンバー122~124同士を連通する出入口131,132に、開閉ゲート133が設けられていない構成でもよい。また、成膜装置100には、図4に示すように、基板101を搬送するための搬送装置102搬送手段が設けられている。搬送装置102は例えば公知のローラー103とこのローラー103を回転させる駆動機構とから構成されている。そして、基板101は、搬送装置102によって搬送され、真空チャンバー121~128内を順次通過し、隣接する真空チャンバー121~128間を移動する。次に、図1~図3を参照し、各種真空チャンバー121~128について説明する。図1に示すように、ロードロックチャンバー121は、入口側に設けられた開閉ゲートを開放することで、大気開放され、処理される基板101が導入されるチャンバーである。本実施形態の成膜装置100は、1個のロードロックチャンバー121を備えている。ロードロックチャンバー121の出口側は、加熱チャンバー122の入口側に接続されている。本実施形態の成膜装置100は、複数の加熱チャンバー122~124を備えている。複数の加熱チャンバー122~124は、基板101を第1の温度まで加熱する第1加熱チャンバー122と、第1加熱チャンバー122から搬出された基板101を第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱する第2加熱チャンバー123と、第2加熱チャンバー123から搬出された基板101を、成膜温度まで加熱する第3の加熱チャンバー124と、を有する。なお、ここでいう成膜温度とは、セレンを含む成膜材料を成膜可能な温度であり、例えば600°Cである。なお、加熱チャンバーは、4つ以上設けられていてもよい。第1加熱チャンバー122には、ロードロックチャンバー121を通過した基板101が導入される。第1加熱チャンバー122の出口側は、第2成膜チャンバー123の入口側に接続されている。第1加熱チャンバー122には、基板101を加熱するためのヒーター加熱部材134,135図4参照が設けられている。このヒーター134,135としては、例えば、公知のカーボンヒーターを使用することができる。第1加熱チャンバー122では、基板温度が例えば200°C第1の温度程度になるように加熱される。なお、第1の温度は、200°C程度であることが好ましいが、その他の温度でもよい。第2加熱チャンバー123には、第1加熱チャンバー122を通過した基板101が導入される。第2加熱チャンバー123の出口側は、第3成膜チャンバー124の入口側に接続されている。第1加熱チャンバー123には、基板101を加熱するためのヒーター134,135図4参照が設けられている。第2加熱チャンバー123では、基板温度が例えば400°C第2の温度程度になるように加熱される。なお、第2の温度は、400°C程度であることが好ましいが、その他の温度でもよい。第3加熱チャンバー124には、第2加熱チャンバー123を通過した基板101が導入される。第3加熱チャンバー124の出口側は、図2に示すように、バッファーチャンバー125の入口側に接続されている。第3加熱チャンバー124には、基板101を加熱するためのヒーター134,135図4参照が設けられている。第2加熱チャンバー123では、基板温度が例えば600°C成膜温度程度になるように加熱される。なお、成膜温度は、600°C程度である。バッファーチャンバー125は、第3の加熱チャンバー124と成膜チャンバー126との間に配置され、第3加熱チャンバーから排出された基板101を収容し、第3加熱チャンバー124及び成膜チャンバー126との連通状態を遮断可能な中間チャンバーである。図4に示すように、開閉ゲート133が出入口131,132を閉止することで、バッファーチャンバー125と隣接するチャンバー124,126との間の連通状態を遮断する。また、バッファーチャンバー125には、基板101の温度を維持するためのヒーター136が設けられている。このヒーター136としては、例えば、公知のカーボンヒーターを使用することができる。バッファーチャンバー125では、基板温度が例えば600°C成膜温度程度に維持されるように加熱される。成膜チャンバー126は、バッファチャンバー125を通過した基板101が導入され、基板101に薄膜層を成膜する処理チャンバーである。成膜チャンバー126の出口側は、図3に示すように、冷却チャンバー127の入口側に接続されている。成膜チャンバー126には、成膜材料を蒸発させるプロセス装置104が設置されている。プロセス装置104内には、成膜材料不図示が設置されている。プロセス装置104内に所定のガスが供給され、電圧を印加することで、成膜材料が蒸発し、チャンバー123内が蒸発した成膜材料が供給される。なお、成膜チャンバー126内に基板温度を維持するためのヒーターが設けられていてもよい。冷却チャンバー127は、成膜チャンバー126を通過した基板101が導入される。本実施形態では、例えば3個の冷却チャンバーを備えているなお、図3では、一つの冷却チャンバー127のみを図示している。冷却チャンバー127の出口側は、ロードロックチャンバー128の入口側に接続されている。冷却チャンバー127には、基板101を冷却するための冷却板137,138が設けられている。この冷却板137,138としては、例えば、公知の冷却板を使用することができる。冷却板137,138内には、冷媒が通過する冷却経路が設けられている。基板101からの熱が冷却板137,138に伝熱され、冷却板137,138の熱は、冷却経路を流通する冷媒に伝熱される。このような冷却板137,138によって、基板101が冷却される。この冷却板137,138は、基板101の上下両面を冷却すべく、上下方向の両側に各々設置されている。ロードロックチャンバー128は、冷却チャンバー127を通過した基板が導入されるチャンバーである。ロードロックチャンバー128の出口側には、開閉ゲート133が設けられ、開閉ゲート133を開放することで、ロードロックチャンバー128が大気開放される。次に、図4及び図5を参照して、加熱チャンバー122~124内に設置されたヒーター134,135の配置について説明する。図4及び図5に示すようにヒーター134,135は、基板101の搬送経路を挟んで両側に配置されている。ヒーター134は、基板101の上方に配置され、基板101の上面を加熱し、ヒーター135は、基板101の下方に配置されて、基板101の下面を加熱する。ヒーター134,135は、棒状を成し、基板101の搬送経路を挟んで両側に配置されたヒーター134,135は、互いに直交する方向に延在している。図5では、基板101及びヒーター134,135を上方から示している。図5では、ヒーター134,135の一部を図示している。図5に示すように、複数のヒーター134は、基板101の搬送方向Yに直交する方向Xに沿って延在している。複数のヒーター134は、基板101の搬送方向Yに並べて配置されている。複数のヒーター135は、基板101の搬送方向Yに沿って延在している。複数のヒーター135は、基板101の搬送方向Yに直交する方向Xに沿って延在している。なお、ヒーター134,135の配置は、その他の配置でもよく、上下に配置されたヒーター134,135が同一の方向に延在して配列されていてもよい。ヒーター134,135は、直交ではなく、その他の角度で交差する様に配置されている構成でもよい。複数のヒーター134,135は、配置された位置に応じて複数のグループ134A,134B,135A,135Bに組分けされており、グループごとに異なる加熱温度に設定可能な構成とされている。例えば、グループ134Aのヒーター134は、基板101の搬送方向Yにおいて、基板101の端の領域を加熱する。グループ134Bのヒーター134は、基板101の搬送方向Yにおいて、基板101の中央の領域を加熱する。本実施形態では、例えば、グループ134Aのヒーター134は、グループ134Bのヒーター134よりも20程度高い出力で運転される。なお、本実施形態では、2つのグループに組分けされているが、さらに多くのグループに分割してもよい。グループ135Aのヒーター135は、基板101の幅方向Xにおいて、基板101の端の領域を加熱する。グループ135Bのヒーター135は、基板101の幅方向Xにおいて、基板101の中央の領域を加熱する。本実施形態では、例えば、グループ135Aのヒーター135は、グループ135Bのヒーター135よりも20程度高い出力で運転される。なお、本実施形態では、2つのグループに組分けされているが、さらに多くのグループに分割してもよい。次に図4及び図6を参照して、隣接するチャンバー間に配置されたシール部材の冷却について説明する。図6は、チャンバーの出入口が開口された側壁の外面を示す正面図である。図6に示すように、側壁141には、基板101が通過する出入口131が設けられ、この出入口131の周囲には、シール部材142図4参照が装着されるリング溝143が形成されている。シール部材142は、チャンバー124,125内の真空環境を維持するためのものであり、公知のOリングを使用することができる。側壁141には、リング溝143の近傍に形成された冷却経路144が設けられている。冷却経路144は、チャンバーの幅方向Yに延在している。上下方向Zにおいて、冷却経路144は、例えば、リング溝143シール部材142の外側に配置されている。リング溝143の上下方向の外側に配置された一対の冷却経路144は、側壁141の外部で連結されている。例えば、上部の冷却経路144を通過した冷媒が、下部の冷却経路144を通過して、チャンバー外に排出される。冷却通路144を流通する冷媒としては、成膜装置100が設置される工場内の工業用水を使用することができる。例えば、昇圧ポンプを用いて冷却水冷媒を昇圧して、昇圧された冷却水を供給してもよい。このように、冷却経路144内に冷媒を流通させることで、側壁141を冷却し、シール部材142の温度上昇を抑制する。次に、本実施形態の成膜装置100の作用について説明する。セレン化法による成膜を実行する場合には、例えば10枚程度のトレイを連続的に流しながら、トレイ上の基板に成膜処理を連続的に施す。基板101は、トレイ上に載置されて、各真空チャンバー121~128内を移動する。なお、トレイを使用せずに、直接、ガラス基板を搬送してもよい。真空チャンバー122~128内は、所定の圧力まで減圧されている。まず、ロードロックチャンバー121の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101がロードロックチャンバー121内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、ロードロックチャンバー121の出入口の開閉ゲートが閉じられ、ロードロックチャンバー121内が密封状態となる。真空ポンプ12が駆動されて、チャンバー内は第1加熱チャンバー122と同じ圧力真空状態まで減圧される。次に、第1加熱チャンバー122の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101が第1加熱チャンバー内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、第1加熱チャンバー122の出入口の開閉ゲートが閉じられ、第1加熱チャンバー122内が密封状態となる。加熱チャンバー122内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。なお、ロードロックチャンバー121内の基板101が第1加熱チャンバー122に搬出されると、別の新たな基板101が、ロードロックチャンバー121内に挿入されて、上述した処理が行われる。次に、基板101が挿入された第1加熱チャンバー122では、ヒーター134,135のスイッチがONにされて、ヒーター134,135が発熱し、基板101を加熱する。例えば、第1加熱チャンバー122では、基板101が1分間で20°Cから200°Cに加熱される。加熱後、ヒーター134,135のスイッチがOFFされる。なお、第2加熱チャンバーへ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、200°C以上に加熱してもよい。第1加熱チャンバー122内の基板101が200°Cまで加熱されると、第2加熱チャンバー123の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101が第2加熱チャンバー内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、第2加熱チャンバー123の出入口の開閉ゲートが閉じられ、第2加熱チャンバー123内が密封状態となる。加熱チャンバー123内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。なお、第1加熱チャンバー122内の基板101が第2加熱チャンバー123に搬出されると、別の基板101が、第1加熱チャンバー122内に挿入されて、上述した加熱処理が行われる。次に、基板101が挿入された第2加熱チャンバー123では、ヒーター134,135のスイッチがONにされて、ヒーター134,135が発熱し、基板101を加熱する。例えば、第2加熱チャンバー123では、基板101が1分間で200°Cから400°Cに加熱される。なお、第3加熱チャンバーへ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、400°C以上に加熱してもよい。第2加熱チャンバー123内の基板101が400°Cまで加熱されると、第3加熱チャンバー124の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101が第3加熱チャンバー内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、第3加熱チャンバー124の出入口の開閉ゲートが閉じられ、第3加熱チャンバー123内が密封状態となる。加熱チャンバー124内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。なお、第2加熱チャンバー123内の基板101が第3加熱チャンバー124に搬出されると、別の基板101が、第2加熱チャンバー123内に挿入されて、上述した加熱処理が行われる。次に、基板101が挿入された第3加熱チャンバー124では、ヒーター134,135のスイッチがONにされて、ヒーター134,135が発熱し、基板101を加熱する。例えば、第3加熱チャンバー124では、基板101が1分間で400°Cから600°Cに加熱される。なお、バッファーチャンバーへ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、600°C以上に加熱してもよい。また、加熱チャンバーにおける加熱速度が同じになるようにヒーターの出力が制御されていることが好ましい。第3加熱チャンバー124内の基板101が600°Cまで加熱されると、バッファーチャンバー125の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101がバッファーチャンバー125内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、バッファーチャンバー125の入口の開閉ゲートが閉じられ、バッファーチャンバー125内が密封状態となる。バッファーチャンバー125内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。入口側及び出口側は、同時に開放状態とならないように制御されている。入口側及び出口側の開閉ゲートが閉じられて、成膜チャンバー126と第3加熱チャンバー124との連通状態が遮断される。なお、第3加熱チャンバー124内の基板101がバッファーチャンバー125に搬出されると、別の基板101が、第3加熱チャンバー124内に挿入されて、上述した加熱処理が行われる。次に、基板101が挿入されたバッファーチャンバー125では、ヒーター136のスイッチがONにされて、ヒーター136が発熱し、基板101を600°Cに維持する。なお、成膜チャンバー126へ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、600°C以上に加熱してもよい。成膜チャンバー126内に基板101が存在していない状態であると、成膜チャンバー126の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101が成膜チャンバー126内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、成膜チャンバー126の入口の開閉ゲートが閉じられ、成膜チャンバー126内が密封状態となる。成膜チャンバー126内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。なお、バッファーチャンバー125内の基板101が成膜チャンバー126に搬出されると、別の基板101が、バッファーチャンバー125内に挿入されて、待機状態となる。成膜チャンバー126では、セレンの真空蒸着法セレン化法を用いて成膜材料を基板101上に蒸着させる。成膜が完了すると、冷却チャンバー127の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101が冷却チャンバー127内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、冷却チャンバー127の入口の開閉ゲートが閉じられ、冷却チャンバー127内が密封状態となる。冷却チャンバー127内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。次に、冷却チャンバー127では、冷却板によって基板101が冷却される。基板101が所定の温度まで冷却されると、ロードロックチャンバー128の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板101がロードロックチャンバー128内に挿入される。基板101が所定の位置まで搬送されると、基板101の搬送が停止され、ロードロックチャンバー128の入口の開閉ゲートが閉じられ、ロードロックチャンバー128内が密封状態となる。ロードロックチャンバー128内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。次に、基板101が挿入されたロードロックチャンバー128は、チャンバー内が大気圧となるように昇圧された後、出口側の開閉ゲートが開放されて、基板101が搬出される。このような本実施形態の成膜装置100によれば、インライン装置において基板101が成膜チャンバーに挿入する前に連続的に600°Cまで加熱することができる。成膜装置100では、約1分タクトで、短時間に加熱することが可能である。成膜装置100は、複数の加熱チャンバーを用いて段階的に基板の温度を上げることができ、連続して複数の基板を加熱し、加熱された基板に対して成膜することができるので、生産効率の向上を図ることができる。第1加熱チャンバーは、200°Cまで加熱し、第2の加熱チャンバーは、400°Cまで加熱し、第3の加熱チャンバーは、600°Cまで加熱する構成であるため、基板の歪みを抑制すると共に基板内における温度の均一性を保ちつつ、基板101の加熱時間を短縮することができる。また、本実施形態の成膜装置100では、第3加熱チャンバーと成膜チャンバーとの間にバッファーチャンバーを有する構成であるため、第3加熱チャンバーと成膜チャンバーとの連通状態を遮断することができ、成膜チャンバー内を浮遊する成膜材料の第3の加熱チャンバー内への流入を抑制することができる。これにより、真空ポンプや真空計の成膜材料による汚染を抑制することができる。加熱チャンバー内には、複数のヒーターが、基板搬送経路を挟んで両側に配置され、基板搬送経路を挟んで両側に配置されたヒーターが、互いに直交する方向に延在しているので、基板の温度分布の均一化を図り、加熱された被成膜物に生じる歪を抑制することができる。その結果、基板101の歪を抑えつつ、加熱速度を上げることができる。また、複数のヒーターは配置された位置に応じて複数のグループに組分けされており、グループごとに異なる加熱温度に設定可能であるため、基板の温度分布が均一化するように、領域ごとの温度設定を変えることができる。その結果、被成膜物の歪を抑えつつ、加熱速度を上げることができる。成膜装置100は、隣接するチャンバー間には、チャンバー内の真空環境を維持するためのシール部材が設けられており、シール部材を冷却するための冷媒が流通する冷却経路が、チャンバーの壁体内に設けられている。そのため、チャンバーの壁体内に設けられた冷却経路に冷媒を流通させることで、シール部材を冷却することができるため、高温環境におけるシール部材の劣化を抑制し、好適なシール性能を維持することができる。本実施形態の成膜装置100によれば、1分タクトでの生産が可能となり、セレンを真空蒸着する成膜装置において、生産効率の向上を図ることができる。以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。本実施形態では、3つの加熱チャンバーを備える構成であるが、4つ以上の加熱チャンバーを備えていてもよい。また、本実施形態では、一つのチャンバー内に一つの基板を挿入しているが、複数の基板を同時に加熱する構成でもよい。また、本実施形態では、第1の温度を200°C、第2の温度を400°C、成膜温度を600°Cとしているが、これらの温度は、その他の温度でもよい。例えば成膜温度は、600°Cより低い温度でもよい。また、本実施形態では、加熱チャンバーと成膜チャンバーとの間に、バッファーチャンバーを備える構成としているが、バッファーチャンバーを備えていない構成でもよい。"