支持基板上に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に複数の装置形成領域とダイシング領域とを有する配線層を形成する工程と、前記複数の装置形成領域にそれぞれ半導体チップが配置されるように、前記配線層上に複数の半導体チップを実装する工程と、前記配線層上に前記複数の半導体チップを覆う封止樹脂層を形成し、前記配線層と前記複数の半導体チップとを有する樹脂封止体を得る工程と、前記樹脂封止体を前記支持基板から分離する工程と、前記樹脂封止体を前記ダイシング領域に基づいて切断し、前記配線層と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える回路構成体を個片化する工程とを具備し、前記樹脂封止体を前記支持基板から分離するとき、または前記樹脂封止体を前記支持基板から分離した後に、前記樹脂封止体全体を保持体で平坦に保持しつつ加熱し、前記樹脂封止体を前記保持体で平坦に保持した状態を維持しつつ冷却した後、前記保持体による前記樹脂封止体の保持状態を解除することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止体全体を第1の保持体で平坦に保持すると共に、前記支持基板を第2の保持体で保持し、前記樹脂封止体および前記剥離層を加熱しつつ、前記第1の保持体と前記第2の保持体とを相対的に移動させることによって、前記樹脂封止体を前記支持基板から分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。複数の装置形成領域とダイシング領域とを有する配線基板を用意する工程と、前記複数の装置形成領域にそれぞれ半導体チップが配置されるように、前記配線基板上に複数の半導体チップを実装する工程と、前記配線基板上に前記複数の半導体チップを覆う封止樹脂層を形成し、前記配線基板と前記複数の半導体チップとを有する樹脂封止体を得る工程と、前記樹脂封止体全体を保持体で平坦に保持しつつ、前記樹脂封止体を加熱する工程と、前記樹脂封止体を前記保持体で平坦に保持した状態を維持しつつ冷却した後、前記保持体による前記樹脂封止体の保持状態を解除する工程と、前記樹脂封止体を前記ダイシング領域に基づいて切断し、前記配線基板と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える回路構成体を個片化する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止体を前記封止樹脂のガラス転移点より低い温度まで冷却すると共に、前記ガラス転移点を通過する温度域の温度勾配を1~10°C/分の範囲とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。第1の面と第2の面とを有する半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板の前記第1の面側に、貫通電極を含む配線層を形成する工程と、前記配線層を覆うように前記半導体基板上に絶縁樹脂層を形成する工程と、支持基板を、前記絶縁樹脂層を介して前記半導体基板と接着剤層により接着する工程と、前記半導体基板の前記第2の面を削って前記半導体基板を薄板化する工程と、前記半導体基板を前記支持基板から分離する工程とを具備し、前記半導体基板を前記支持基板から分離するとき、または前記半導体基板を前記支持基板から分離した後に、前記半導体基板を全体的に保持体で平坦に保持しつつ加熱し、前記半導体基板を前記保持体で平坦に保持した状態を維持しつつ冷却した後、前記保持体による前記半導体基板の保持状態を解除することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、複数の半導体チップを一括して封止した樹脂封止体等における樹脂に起因する反りを抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供することにある。実施形態による半導体装置の製造方法は、支持基板上に剥離層を形成する工程と、剥離層上に複数の装置形成領域とダイシング領域とを有する配線層を形成する工程と、複数の装置形成領域にそれぞれ半導体チップが配置されるように、配線層上に複数の半導体チップを実装する工程と、配線層上に複数の半導体チップを覆う封止樹脂層を形成し、配線層と複数の半導体チップとを有する樹脂封止体を得る工程と、樹脂封止体を支持基板から分離する工程と、樹脂封止体をダイシング領域に基づいて切断し、配線層と半導体チップと封止樹脂層とを備える回路構成体を個片化する工程とを具備する。このような半導体装置の製造方法において、樹脂封止体を支持基板から分離するとき、または樹脂封止体を支持基板から分離した後に、樹脂封止体全体を保持体で平坦に保持しつつ樹脂封止体を加熱し、樹脂封止体を保持体で平坦に保持した状態を維持しつつ冷却した後、保持体による前記樹脂封止体の保持状態を解除する。以下、実施形態の半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。第1の実施形態第1の実施形態による半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。図1ないし図5は、第1の実施形態による半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図1aに示すように、支持基板1として8インチのSiウエハ等を用意する。支持基板1上に剥離層2を形成する。支持基板1は、ガラス基板、サファイヤ基板、樹脂基板等であってもよい。剥離層2は、例えばポリスチレン系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド系樹脂等の熱可塑性樹脂で形成される。剥離層2の厚さは1~20μmの範囲とすることが好ましく、さらに3~15μmの範囲とすることがより好ましい。剥離層2の厚さが1μm未満であると、支持基板1の分離工程で剥離層2を良好にせん断することが困難となるおそれがある。剥離層2を厚く形成した場合においても、その厚さは20μm程度で十分である。剥離層2の厚さを20μmより厚くすると、製造コストの増加を招くことになる。次に、図1bに示すように、剥離層2上に配線層3を形成する。配線層3は複数の装置形成領域Xとそれらの間に設けられるダイシング領域Dとを有している。配線層3は図3aに示すような構造を有しており、例えば以下のようにして形成される。まず、剥離層2上に配線層3を構成する第1の有機絶縁膜4Aを形成する。次いで、第1の有機絶縁膜4Aに露光現像処理を施して開口部を形成する。開口部は配線層3の第1の面支持基板1からの剥離面3aに配置される接続パッドと対応するように形成される。次に、配線層3を構成する金属配線を形成する。例えば、第1の有機絶縁膜4A上にめっきシード層5を形成し、その上にレジスト膜を形成して露光現像処理を施した後、めっきシード層5を電極として電解めっきを行って金属配線6を形成する。金属配線6はCu、Al、Ag、Au等で形成される。レジスト膜および第1の有機絶縁膜4A上に露出しためっきシード層5を除去した後、配線層3の第2の面3b側の接続パッドに相当する部分を開口させた第2の有機絶縁膜4Bを形成する。金属配線6の一部は開口内に露出しており、この部分が有機絶縁膜4を貫通する接続パッド6aを構成している。金属配線6の接続パッド6aは、配線層3の第1および第2の面3a、3bにそれぞれ露出している。接続パッド6aの第2の面3b側の露出部は、配線層3上に実装される半導体チップとの接続部として機能する。接続パッド6aの第1の面3a側の露出部は、他の半導体チップや配線基板等との接続部として機能する。図3aでは単層の金属配線6を示しているが、2層もしくはそれ以上の金属配線で配線層3を構成してもよい。有機絶縁膜4は金属配線6の層数に応じて形成される。ここで述べた配線層3の形成工程は一例であり、他の形成工程を適用して配線層3を形成してもよい。次に、図1cに示すように、配線層3上に複数の半導体チップ7を実装する。半導体チップ7は配線層3の装置形成領域X上にそれぞれ配置される。半導体チップ7の実装工程は、例えば図3bに示すように、フリップチップFC接続を適用して実施される。すなわち、半導体チップ7はSn-Ag合金等からなる金属バンプ8を有している。半導体チップ7は、金属バンプ8が接続パッド6aの第2の面3b側に露出した部分と接続するように実装される。配線層3と半導体チップ7との接続はFC接続に限られるものではなく、ワイヤボンディングを適用して電気的に接続してもよい。図1dおよび図3cに示すように、配線層3の第2の面3b上に封止樹脂層9を形成する。封止樹脂層9はモールド成型等により形成される。封止樹脂層9は図3cに示すように、必要に応じて半導体チップ7と配線層3との隙間にアンダーフィル樹脂10を充填した後に形成される。封止樹脂層9は、配線層3上に実装された複数の半導体チップ7を一括して覆うように形成される。すなわち、複数の半導体チップ7はウエハレベルで一括して樹脂封止される。このようにして、配線層3上に実装された複数の半導体チップ7を一括して封止した樹脂封止体11を作製する。次に、図2aおよび図4aに示すように、支持基板1とその上に剥離層2を介して形成された樹脂封止体11とを備える積層体を所定の温度に加熱し、剥離層2としての熱可塑性樹脂層を軟化させながら、支持基板1と樹脂封止体11とを略平行な方向に相対的に移動させる。支持基板1と樹脂封止体11との間に生じるせん断力を利用して、軟化した剥離層2をせん断することによって、支持基板1から樹脂封止体11を分離する。この際、支持基板1と樹脂封止体11との略平行な移動に加えて、上下方向にも多少の割合で移動させることによって、樹脂封止体11の分離を促進することができる。剥離層2としての熱可塑性樹脂層の加熱温度は、例えば220~260°Cの範囲とすることが好ましい。このような温度の加熱処理であれば、半導体チップ7の熱的ダメージ、FC接続部や配線層3の変形等を招くことなく、支持基板1を短時間で簡便に分離することができる。さらに、分離した支持基板1は繰り返し使用することができる。加熱処理による支持基板1と樹脂封止体11との分離をより容易に行うために、剥離層2を構成する熱可塑性樹脂の粘度は250°Cで100Pas以下であることが好ましい。支持基板1からの樹脂封止体11の分離工程は、まず図5aに示すように、樹脂封止体11と支持基板1を第1および第2の保持体12、13でそれぞれ平坦に保持する。第1および第2の保持体12、13は、樹脂封止体11や支持基板1を平坦に保持する吸着保持機構を備えている。第1の保持体12で樹脂封止体11を吸着保持することによって、樹脂封止体11をより平坦に保持することができる。樹脂封止体11と支持基板1の保持機構は、それらの端面を機械的に保持する機構であってもよい。樹脂封止体11を吸着保持する第1の保持体12には、剥離層2を所定の温度まで加熱する機構としてヒータ図示せずが内蔵されており、ヒータの出力を制御することで所定の温度勾配で樹脂封止体11を加熱並びに冷却することが可能とされている。支持基板1を吸着保持する第2の保持体13にも、必要に応じてヒータ図示せずが内蔵される。第1の保持体12と第2の保持体13とは、相対的に平行方向および上下方向に移動可能とされており、これにより支持基板1と樹脂封止体11とを略平行な方向、さらに上下方向に移動させることができる。支持基板1からの樹脂封止体11の分離工程においては、樹脂封止体11と支持基板1を第1および第2の保持体12、13でそれぞれ平坦に保持した後、剥離層2が軟化する温度まで樹脂封止体11を加熱する。この状態で第1および第2の保持体12、13を相対的に移動させ、樹脂封止体11と支持基板1との間にせん断力を生じさせることによって、加熱により軟化した剥離層2をせん断する。このように、剥離層2を加熱しながらせん断することによって、支持基板1から樹脂封止体11を分離する。剥離層2の加熱機構は上記した一般的なヒータに限らず、レーザ等を用いることも可能である。そのような場合には、支持基板1を例えばテンパックスガラスのようなレーザを透過し、かつ熱可塑性樹脂よりレーザの熱を蓄熱しやすい材料で構成することが好ましい。レーザ加熱を適用した場合においても、剥離層2が軟化する温度まで樹脂封止体11を加熱した後、第1および第2の保持体12、13を相対的に移動させ、樹脂封止体11と支持基板1との間にせん断力を生じさせて剥離層2をせん断する。剥離層2の加熱源としては、ハロゲンランプ、キセノンランプ、IRヒータ等の非接触で被加熱物を加熱できる熱源を用いてもよい。このような加熱源を用いて、樹脂封止体11または支持基板1、もしくはその両方を加熱することによって、剥離層2である熱可塑性樹脂層を軟化させて分離することも可能である。その際に用いる支持基板1は、ガラスとカーボン系材料とを付与したもの、あるいはSUSとカーボン系材料とを付与したもの等、熱源から放射される可視光や赤外線等の光の透過性や熱源からの熱エネルギーの蓄熱性等の特徴を活かせる材料を用いることが好ましい。支持基板1から分離された樹脂封止体11は、図5bに示すように、第1の保持体12で平坦に保持した状態を維持しつつ冷却する。剥離層2をせん断して樹脂封止体11を分離した場合、配線層3の第1の面3aには剥離層2の残渣層2aが残存する。樹脂封止体11の冷却工程は、分離工程から連続して封止樹脂層9のガラス転移点以上の温度まで加熱した後、ガラス転移点より低い温度まで冷却するか、あるいは一旦保持状態を解除して冷却した樹脂封止体11を再度保持体12で平坦に保持し、上記した加熱および冷却を行う。いずれの場合においても樹脂封止体11の反りの抑制効果が得られる。樹脂封止体11の加熱温度は、封止樹脂のガラス転移点より5~15°C高い温度とすることが好ましい。これによって、樹脂封止体11の反りを有効に矯正することができる。そして、樹脂封止体11を所定の冷却工程に基づいて冷却した後、図5cに示すように第1の保持体12による樹脂封止体11の保持状態を解除する。封止樹脂層9のガラス転移点以上の温度に加熱された樹脂封止体11を、第1の保持体12で平坦に保持した状態を維持しつつ封止樹脂層9のガラス転移点より低い温度まで冷却し、冷却後に樹脂封止体11の保持状態を解除する。これによって、剥離層2をせん断する際に樹脂封止体11に加わる応力等に基づく樹脂封止体11の反りを抑制することができる。樹脂封止体11の冷却工程において、第1の保持体12による樹脂封止体11の保持状態は封止樹脂層9を構成する封止樹脂例えばエポキシ樹脂のガラス転移点Tgより低い温度、例えばガラス転移点より10°C低い温度まで維持することが好ましい。このような温度まで樹脂封止体11を第1の保持体12で平坦に保持し続けることによって、樹脂封止体11の反りの矯正効果を有効に得ることができる。従って、第1の保持体12による保持状態を解除した後の樹脂封止体11の反りを抑制することが可能となる。封止樹脂として用いられるエポキシ樹脂のガラス転移点は130~170°C程度であり、常温の弾性率は20~30GPa程度である。樹脂封止体11の冷却工程は、少なくとも封止樹脂のガラス転移点Tgを通過する温度域Tg前後の温度域の温度勾配冷却速度が1~10°C/分の範囲となるように制御することが好ましい。加熱された封止樹脂層9の形状は冷却時の温度条件によっても変化する。封止樹脂のガラス転移点を通過する際の冷却条件に影響され、ガラス転移点を通過する温度域の温度勾配冷却速度が大きすぎると、封止樹脂層9内に生じた応力反りを発生させる応力を十分に解放することができない。このため、第1の保持体12による保持状態を解除した樹脂封止体11に反りが残るおそれがある。そこで、樹脂封止体11の冷却時における封止樹脂のガラス転移点を通過する温度域の温度勾配は10°C/分以下とすることが好ましい。ただし、冷却時の温度勾配を小さくするとそれだけ冷却工程に要する時間が長時間化し、半導体装置の製造コストが増加することになる。このため、封止樹脂のガラス転移点を通過する温度域の温度勾配は1°C/分以上とすることが好ましい。冷却時の温度勾配を1°C/分未満としても、封止樹脂層9の反りの矯正効果はそれ以上に高めることができず、冷却工程の長時間化、ひいては半導体装置の製造コストの増加が顕著となる。ガラス転移点を通過する温度域の温度勾配は生産効率を高める上で、可能であれば10°C/分に近付けることがより好ましい。加熱後の封止樹脂層9を徐冷した場合と急冷した場合の反り量を評価した結果を図6に示す。徐冷の評価は、封止樹脂エポキシ樹脂/Tg=150°C前後を吸着ステージ上で200°Cに加熱し、封止樹脂が軟化した状態で5分間放置した後に吸着し、吸着を維持しながら3°C/分で徐冷して矯正した際に、矯正前の反り量と矯正後の反り量を比較した。急冷の評価は、同様な封止樹脂をホットプレート上で200°Cに加熱し、封止樹脂が軟化した状態で5分間放置した後、封止樹脂を吸着ステージ上に移して吸着しながら100°C/分で急冷して矯正した際に、矯正前の反り量と矯正後の反り量を比較した。図6から明らかなように、徐冷した場合には反りの矯正効果が高いことが分かる。1~10°C/分の冷却速度は、剥離層2の加熱温度から常温までの冷却工程全体に適用してもよいが、冷却工程全体の冷却速度を上記範囲とすると半導体装置の生産効率が低下する。さらに、封止樹脂層9の反りは封止樹脂のガラス転移点を通過する温度域の冷却速度に影響される。このため、ガラス転移点を通過する温度域の冷却速度のみを1~10°C/分の範囲とした場合においても、反りの矯正効果を得ることができる。このため、図7に示すように、ガラス転移点Tgを通過する温度域第2の温度域T2の温度勾配例えば1~10°C/分に対し、それ以前の温度域第1の温度域T1とそれ以降の温度域第3の温度域T3の温度勾配は大きくすることが好ましい。図7の温度プロファイルにおいて、第2の温度域T2はガラス転移点Tgに対して5~15°C高い温度から5~15°C低い温度までの範囲とすることが好ましい。第2の温度域T2の冷却速度温度勾配は、上述したように1~10°C/分の範囲とすることが好ましい。第1の温度域T1は剥離層2の加熱温度からガラス転移点Tgより5~15°C高い温度までの範囲とすることが好ましい。第3の温度域T3はガラス転移点Tgより5~15°C低い温度から常温までの範囲とすることが好ましい。これらの温度域T1、T3の冷却速度温度勾配は10~50°C/分の範囲とすることが好ましい。樹脂封止体11の冷却工程において、上述したようにガラス転移点Tgを通過する温度域第2の温度域T2を徐冷例えば1~10°C/分の温度勾配し、その前後の温度域第1および第3の温度域T1、T3の温度勾配を第2の温度域T2より大きくすることによって、樹脂封止体11の反りを有効に矯正しつつ、半導体装置の生産効率の低下を抑制することができる。すなわち、反りの少ない健全な樹脂封止体11、ひいては半導体装置を、低コストで効率よく作製することが可能となる。剥離層2をせん断した後の樹脂封止体11は、例えば第1の保持体12に内蔵したヒータの出力を制御して所定の温度プロファイルで冷却される。ただし、樹脂封止体11によっては十分な冷却速度が得られない場合がある。このような点に対しては、図8に示すように、第1の保持体12による保持状態を維持した樹脂封止体11を放熱体14に接触させることによって、冷却効率を高めることができる。配線層3の第1の面3aには剥離層2の残渣層2aが残存しているため、溶融状態の残渣層2aの放熱体14への付着を防止するために、放熱体14の表面には離型層フッ素系樹脂によるコーティング層や離型フィルム等15を設けておくことが好ましい。放熱体14は冷却速度に応じた熱伝導率を有する部材で形成される。例えば、ヒータを内蔵する保持体加熱ステージ12は、一般に熱伝導性が高いアルミニウム熱伝導率=240W/mKで形成されている。これより熱伝導率が低い部材からなる放熱体14に樹脂封止体11を接触させて冷却することで、適度な冷却速度徐冷速度を実現することができる。このような部材としては、アルミナ熱伝導率=36W/mK、ステンレス鋼熱伝導率=27W/mK、石英ガラス熱伝導率=1.4W/mK、シリコーンゴム熱伝導率=0.2W/mK等が挙げられる。放熱体14は図示しない放熱機構を有しており、これにより温度制御が可能とされている。熱伝導率が比較的低い部材からなる放熱体14に樹脂封止体11を接触させて冷却することで、例えば図7の第2の温度域T2における徐冷速度を効果的に得ることができる。図7の第1および第3の温度域T1、T3における冷却速度は、例えば熱伝導率が高いアルミニウム等からなる放熱体14に樹脂封止体11を接触させることで実現できる。このように、熱伝導率が異なる部材からなる放熱体14を複数用意し、樹脂封止体11を冷却速度に応じた放熱体14と接触させることによって、樹脂封止体11の冷却速度を制御しつつ効率よく冷却することができる。ヒータの出力制御や放熱体14への接触と開放とを組み合わせることで、樹脂封止体11をより効率よく冷却することが可能となる。冷却後の樹脂封止体11は、図4bに示すように、配線層3の第1の面3aに剥離層2の残渣層2aが生じているため、これをアセトンやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA等の溶剤で除去する。さらに、配線層3の第1の面3aに露出しためっきシード層5をエッチングして除去する。これによって、接続パッドCuパッド等6aを配線層3の第1の面3aに露出させる。樹脂封止体11の支持基板1からの分離工程は、上述した熱可塑性樹脂層からなる剥離層2を軟化させてせん断する方法に限らず、Cu等の金属層を剥離層として形成し、この剥離層の接合界面を機械的に引き剥がす方法、有機物で構成された剥離層を溶剤により溶解する方法、ウェットエッチングやドライエッチングで剥離層を除去する方法等を適用することも可能である。さらに、光硬化型樹脂UV硬化型樹脂等で剥離層を形成すると共に、ガラスからなる支持基板1を介してUV光を照射して分離する方法や、光分解型樹脂で剥離層を形成すると共に、ガラスからなる支持基板1を介してレーザ光や紫外光を照射し剥離層を分解して分離する方法等を適用してもよい。加熱を伴わない分離工程を適用する場合には、樹脂封止体11を支持基板1から分離した後、樹脂封止体11を保持体12で平坦に保持する。この状態で封止樹脂層9のガラス転移点以上の温度まで加熱した後、ガラス転移点より低い温度まで冷却する。そして、冷却後に保持体12による樹脂封止体11の保持状態を解除する。このように、分離工程とは別に樹脂封止体11の加熱工程および冷却工程平坦化工程を実施した場合においても、樹脂封止体11の反りを矯正して抑制することが可能である。冷却工程における具体的な条件冷却時の温度勾配やそれを適用する温度域等は上述した通りである。そして、反りを矯正した封止樹脂体11をブレード16でダイシング領域Dに沿って切断することによって、図2cおよび図4cに示すように、配線層3と半導体チップ7と封止樹脂層9とを備える回路構成体半導体装置17をそれぞれ個片化する。このようにして得られる半導体装置17は、複数の半導体チップ7を一括封止した樹脂封止体11の反りが抑制されているため、反り等の少ない健全な状態で得ることができる。従って、半導体装置17の基板への実装性等を高めることが可能となる。上述した製造工程で作製された半導体装置17は、例えば図9に示すようにパッケージ基板18に実装され、これにより半導体パッケージ19が作製される。半導体装置17とパッケージ基板18とは、配線層3の接続パッド6a上に形成された金属バンプ20により接続されている。半導体装置17は反りの発生が抑制されているため、パッケージ基板18への実装性を高めることができる。半導体パッケージ19は半導体装置17をパッケージ基板18に接着し、配線層3とパッケージ基板18とをワイヤポンディングにより電気的に接続して作製することもできる。このような場合には、半導体装置17のパッケージ基板18に対する接着性を高めることができる。半導体装置17は、図10に示すような両面実装型の半導体パッケージ21の構成部品として用いることもできる。図10に示す両面実装型の半導体パッケージ21において、配線層3の第1の面3aに露出した接続パッド6a上には配線22が形成されている。第2の半導体チップ23の金属バンプ24は、配線22にFC接続されている。第2の半導体チップ23と配線層3との間には、アンダーフィル樹脂25が充填されている。配線層3の第2の面3b上には第1の半導体チップ7が実装されているため、第1および第2の半導体チップ7、23は配線層3の両面に実装されている。このような両面実装構造においても、半導体装置17の反りが抑制されているため、第1の半導体チップ7と第2の半導体チップ23との接続性を高めることができる。配線層3の両面に実装された第1および第2の半導体チップ7、23は、パッケージ基板26上に実装される。第1および第2の半導体チップ7、23とパッケージ基板26とは、ボンディングワイヤ27を介して電気的に接続される。配線層3の両面に実装された第1および第2の半導体チップ7、23全体を、パッケージ基板26上に形成された封止樹脂層28で封止することによって、半導体パッケージ21が構成されている。第2の実施形態第2の実施形態による半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。図11および図12は、第2の実施形態による半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図11aに示すように、複数の装置形成領域Xとそれらの間に設けられるダイシング領域Dとを有する配線基板31を用意する。次に、図11bに示すように、配線基板31に複数の半導体チップ32を実装する。半導体チップ32は配線基板31の装置形成領域X上にそれぞれ配置される。半導体チップ32の実装工程は、例えばフリップチップFC接続を適用して実施される。配線基板31と半導体チップ32との接続はFC接続に限られるものではなく、ワイヤボンディングを適用して電気的に接続してもよい。次いで、図11cに示すように、配線基板31上に封止樹脂層33を形成する。封止樹脂層33はモールド成型等により形成される。封止樹脂層33は、配線基板31上に実装された複数の半導体チップ32を一括して覆うように形成される。このようにして、配線基板31上に実装された複数の半導体チップ32を一括して封止した樹脂封止体34を作製する。次に、図12aに示すように、樹脂封止体34を保持体35で平坦に保持する。保持体35は、樹脂封止体34を平坦に保持する吸着保持機構を備えている。保持体35で樹脂封止体34を吸着保持することによって、樹脂封止体34をより平坦に保持することができる。樹脂封止体34の保持機構は、機械的にチャックする機構であってもよい。保持体35にはヒータ図示せずが内蔵されており、ヒータの出力を制御することで所定の温度勾配で樹脂封止体34を加熱並びに冷却することが可能とされている。加熱機構は前述したレーザ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、IRヒータ等でもよい。そして、保持体35で平坦に保持された樹脂封止体34を、封止樹脂層33のガラス転移点以上の温度まで加熱した後、保持状態を維持しつつガラス転移点より低い温度まで冷却する。樹脂封止体34の加熱条件や冷却条件は、第1の実施形態と同様とすることが好ましい。樹脂封止体34は封止樹脂のガラス転移点より5~15°C高い温度まで加熱することが好ましい。樹脂封止体34の冷却工程において、封止樹脂のガラス転移点を通過する温度域の温度勾配は10°C/分以下とすることが好ましい。上記ガラス転移点を通過する温度域に達する以前の温度域、およびガラス転移点を通過する温度域以降の温度域における温度勾配は、ガラス転移点を通過する温度域の温度勾配より大きくすることが好ましい。他の条件も第1の実施形態と同様とすることが好ましい。樹脂封止体34を所定の冷却条件に基づいて冷却した後、図12bに示すように保持体35による樹脂封止体34の保持状態を解除する。このように、樹脂封止体34を保持体35で平坦に保持しつつ加熱および冷却を行うことによって、樹脂封止体34の反りを矯正並びに抑制することができる。この後、樹脂封止体34を切断して半導体装置を個片化する。個片化された半導体装置は、各種のパッケージ等に使用される。第3の実施形態第3の実施形態による半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。図13および図14は、第3の実施形態による半導体装置の製造工程を示す図である。図13および図14は1つの半導体装置の製造工程を示しているが、第3の実施形態の製造方法は複数の装置形成領域を有する半導体基板を用いた製造工程にも同様に適用することができる。この場合、最終的に半導体基板をダイシング領域に沿って切断することにより半導体装置を個片化することを除いて、同様な製造工程が適用される。まず、図13aに示すように、半導体基板41の第1の面41a側に配線層42を形成する。配線層42は、半導体基板41の第1の面41a上に形成された導体層43と、貫通電極となる導体充填層44とを有している。導体充填層44は、半導体基板41に設けられた溝内に導電材料を充填、もしくはメッキすることにより形成される。次いで、配線層42を覆うように半導体基板41の第1の面41a上に絶縁樹脂層45を形成する。絶縁樹脂層45は配線層42の保護膜として機能するものである。次に、図13bに示すように、絶縁樹脂層45を介して半導体基板41の第1の面41a上に支持基板46を接着する。支持基板46は接着剤層47により半導体基板41と接着される。接着剤層47は後工程の分離工程で加熱した際に剥離しやすいように、熱可塑性樹脂からなる接着剤で構成することが好ましい。加熱冷却工程を分離工程とは別に実施する場合には、紫外線硬化型樹脂等による接着剤を用いてもよい。図13cに示すように、半導体基板41の第2の面41bを機械研削やエッチング等により削ることによって、半導体基板41を薄板化する。半導体基板41の第2の面41bは、導体充填層44が露出するように削られる。これによって、半導体基板41を貫通する貫通電極44Aが形成される。半導体基板41の第2の面41bには、貫通電極44Aを露出させるように絶縁膜48が形成される。次に、図14aに示すように、半導体基板41を第1の保持体49で平坦に保持すると共に、支持基板46を第2の保持体50で平坦に保持する。第1および第2の保持体49、50は、半導体基板41や支持基板46を平坦に保持する吸着保持機構を備えている。第1の保持体49にはヒータ図示せずが内蔵されており、ヒータの出力を制御することで所定の温度勾配で半導体基板41を加熱並びに冷却することが可能とされている。加熱機構は前述したレーザ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、IRヒータ等でもよい。第2の保持体50にも必要に応じて加熱機構等が内蔵される。そして、第1の保持体49で平坦に保持された半導体基板41を、接着剤層47が軟化して支持基板46を剥離させることが可能な温度まで加熱する。この状態で第1および第2の保持体49、50を相対的に移動させることによって、支持基板46から半導体基板41を分離する。支持基板46から分離された半導体基板41は、図14bに示すように、第1の保持体49で平坦に保持された状態を維持しつつ冷却される。半導体基板41の冷却工程は、分離工程から連続して絶縁樹脂層45のガラス転移点以上の温度まで加熱した後、ガラス転移点より低い温度まで冷却する。あるいは、第1の保持体49による半導体基板41の保持状態を一旦解除して冷却した後、半導体基板41を保持体49で再度平坦に保持し、上記した加熱工程および冷却工程を行ってもよい。いずれの場合においても、半導体基板41の反りを抑制する効果を得ることができる。半導体基板41の加熱条件や冷却条件は、第1の実施形態と同様とすることが好ましい。半導体基板41は絶縁樹脂のガラス転移点より5~15°C高い温度まで加熱することが好ましい。半導体基板41の冷却工程において、絶縁樹脂のガラス転移点を通過する温度域の温度勾配は10°C/分以下とすることが好ましい。上記ガラス転移点を通過する温度域に達する以前の温度域、およびガラス転移点を通過する温度域以降の温度域における温度勾配は、ガラス転移点を通過する温度域の温度勾配より大きくすることが好ましい。他の条件も第1の実施形態と同様とすることが好ましい。図14cに示すように、半導体基板41を所定の冷却工程に基づいて冷却した後、第1の保持体49による半導体基板41の保持状態を解除することによって、半導体装置51が得られる。半導体基板41を保持体49で平坦に保持しつつ加熱および冷却を行うことによって、半導体装置51の反りを矯正並びに抑制することができる。半導体基板41はアクティブ素子を含むものに限らず、配線のみを有するものであってもよい。さらに、半導体基板41上に他のアクティブチップや能動チップを搭載した構造に、第3の実施形態による製造工程を適用することも可能である。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。