"粒子ビームシステムであって、粒子ビームを生成するように構成した粒子ビーム源、高圧電源、および1対の偏向板および制御回路を備えるビームブランカーシステム、を備える粒子ビームシステムにおいて、前記粒子ビームのビーム路は、前記1対の偏向板のうちの第1偏向板と前記1対の偏向板のうちの第2偏向板との間に延在し、前記制御回路は、第1スイッチ、第2スイッチ、および前記高圧電源の出力端子に接続した第1ノードを含み、前記制御回路は、前記第1偏向板と前記第2偏向板との間に第1電流経路を形成し、前記第1電流経路において、前記第1偏向板、前記第1スイッチ、前記第1ノード、前記第2スイッチ、および前記第2偏向板をこの順序で配列した、粒子ビームシステム。請求項1に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記制御回路は、さらに、第1の切替可能な電圧源、第2の切替可能な電圧源、および前記高圧電源の前記出力端子に接続した第2ノードを含み、前記制御回路は、さらに、前記第1偏向板と前記第2偏向板との間に第2電流経路を形成し、前記第2電流経路において、前記第1偏向板、前記第1の切替可能な電圧源、前記第2ノード、前記第2の切替可能な電圧源、および前記第2偏向板をこの順序で配列した、粒子ビームシステム。請求項2に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記第1の切替可能な電圧源は、直列接続した第2電圧源および第3スイッチを備え、前記第2の切替可能な電圧源は、直列接続した第3電圧源および第4スイッチを備える、粒子ビームシステム。請求項3に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記第1の切替可能な電圧源は、さらに、第1抵抗器を備え、前記第2電圧源、前記第3スイッチ、および前記第1抵抗器は直列接続され、前記第2の切替可能な電圧源は、さらに、第2抵抗器を備え、前記第3電圧源、前記第4スイッチ、および前記第2抵抗器は直列接続される、粒子ビームシステム。請求項4に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記第1抵抗器および前記第2抵抗器の抵抗値は等しい、粒子ビームシステム。請求項2~5のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記第1の切替可能な電圧源および前記第2の切替可能な電圧源は、いずれも、オン状態において、それぞれ、等しい電圧を供給する、粒子ビームシステム請求項1~6のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムにおいて、制御回路は、さらに、第3抵抗器および第4抵抗器を備え、前記第3抵抗器は、前記第1電流経路にて、前記第1偏向板と前記第1ノードとの間に配置され、前記第4抵抗器は、前記第1電流経路にて、前記第1ノードと前記第2偏向板との間の配置される、粒子ビームシステム。請求項7に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記第3抵抗器および前記第4抵抗器の抵抗値は等しい、粒子ビームシステム。請求項1~8のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムであって、さらに、前記粒子ビームの前記ビーム路における前記1対の偏向板の下流に絞り板を備える粒子ビームシステムにおいて、前記絞り板は、前記粒子ビームシステムの第1動作状態において前記粒子ビームを絞り板に通過させるようにし、前記粒子ビームシステムの第2動作状態において粒子ビームを遮断するように構成して配置される、粒子ビームシステム。請求項1~9のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記制御回路は、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチが、それぞれ、前記第1電流経路を閉回路とした状態であり、前記第3スイッチおよび前記第4スイッチが、それぞれ、前記2電流経路を遮断した状態である第1動作モードを提供し、前記制御回路は、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチが、それぞれ、前記第1電流経路を遮断した状態であり、前記第3スイッチおよび前記第4スイッチが、それぞれ、前記2電流経路を閉回路とした状態である第2動作モードを提供する、粒子ビームシステム。請求項10に記載の粒子ビームシステムであって、さらに、前記粒子ビームの前記ビーム路における前記1対の偏向板の下流に絞り板を備える粒子ビームシステムにおいて、該粒子ビームシステムは第1動作状態および第2動作状態を有し、前記絞り板は、前記粒子ビームシステムの前記第1動作状態において前記粒子ビームを絞り板に通過させるようにし、前記粒子ビームシステムの前記第2動作状態において粒子ビームを遮断するように構成して配置され、前記粒子ビームシステムは、前記第1動作状態において、前記制御回路を前記第1動作モードで動作させるようにし、前記第2動作状態において、前記制御回路を前記第2動作モードで動作させるように構成される、粒子ビームシステム。請求項1~11のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムであって、さらに、前記粒子ビームを試料面内に集束するように構成した対物レンズを備える粒子ビームシステムにおいて、前記対物レンズは、前記粒子ビームの前記ビーム路における前記1対の偏向板の下流に配置される、粒子ビームシステム。請求項1~12のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記高圧電源は、接地電位を基準として5kVよりも大きい高電圧を供給するように構成した高圧電源である、粒子ビームシステム。請求項1~13のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムであって、さらに、前記第1電圧源に接続したビーム管を備える粒子ビームシステムにおいて、前記粒子ビームの前記ビーム路は前記ビーム管を通過する、粒子ビームシステム。請求項1~14のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記粒子ビーム源は陰極を備え、前記陰極と前記第1電圧源の前記出力端子との電圧差は5kVよりも大きい、粒子ビームシステム。請求項1~15のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記第2電圧源および前記第3電圧源は、10Vよりも大きい電圧をそれぞれ生成するように構成される、粒子ビームシステム。請求項1~16のいずれか一項に記載の粒子ビームシステムにおいて、前記第2電圧源および前記第3電圧源は、4kVよりも小さい電圧をそれぞれ生成するように構成される、粒子ビームシステム。上記の問題に鑑み、本発明はなされたものである。本発明の目的は、ビームブランカーの状態を変化させた後、より速やかに所望の動作特性を提供する粒子ビームシステムを得ることである。各実施形態によれば、粒子ビーム装置は、粒子ビームを生成するように構成した粒子ビーム源、高圧電源、および少なくとも1対の偏向板および制御回路を備えるビームブランカーシステムを備える。1対の偏向板の間には、粒子ビームのビーム路が延在する。この粒子ビームシステムにおいて、制御回路は、1対の偏向板の第1偏向板と第2偏向板との間に第1電流経路を形成し、第1電流経路において、第1偏向板から順に、高圧電源に接続した第1ノードおよび第2スイッチをこの順序で配列する。粒子ビームは、例えば、イオン等の正電荷粒子ビームとすることができ、または、例えば、イオンまたは電子等の負電荷粒子ビームとすることができる。高圧電源は、例えば、5kVよりも大きい電圧を供給する。各スイッチは、それぞれ、2つの端子間に電流を選択的に流す、または遮断するように構成する。各スイッチは、例えば、トランジスタおよびMOSFET等の半導体スイッチング素子を含むこともできる。電流経路は、抵抗器およびスイッチ等の導電体および電気部品により形成し、スイッチ等が閉状態にあるとき電流経路を電流が流れ、開状態にあるとき電流経路の電流の流れが遮断される。1対の偏向板はコンデンサを構成し、第1電流経路に挿入される。2枚の偏向板の間を通過する粒子ビームを偏向するため、またはビームブランカーシステムの下流のビーム路においてビームをオフするため、この2枚の偏向板に異なる電圧を印加すると、コンデンサが帯電する。ビームをオンするためには、コンデンサを放電して、2枚の偏光板を同じ電位とする必要がある。制御回路は、次の点で、対称的に構成されている。すなわち、コンデンサを放電するため、2つのスイッチを閉状態とするが、そのうちの一方のスイッチは、一方の偏向板と高圧電源に接続したノードとの間の放電電流経路に配置され、他方のスイッチは、他方の偏向板と高圧電源に接続したノードとの間に配置される。これら2つのスイッチを、コンデンサが帯電した開状態から、コンデンサを放電する閉状態に切り替える際には、したがって、高圧電源に接続したノードの電位は変更せず、第1電流経路内の電流の流れによりコンデンサを放電させることができ、第1電圧源に接続したノードの電位を実質的に変更せずにすむ。コンデンサの放電による高圧電源への実質的な影響はなく、高圧電源は所定の電圧を一定の値で供給することができる。具体的には、コンデンサの放電直後から、したがって、ビームブランカーシステムを利用して粒子ビームをオンした直後から、所定の電圧が供給可能となり、粒子ビームシステムも同様に、ビームがオンした直後から、その所望の特性を示す。本発明者らは、従来の粒子ビームシステムにおいては、スイッチが起動し、それに続いて、ビームブランカーシステムの偏向板により構成したコンデンサが放電した結果、高圧電源から供給される電圧が変化するため、供給される高電圧が充分に安定しないことを認めた。相当の期間が経過しないと、高圧電源の電圧を制御することによりこの変化を相殺することができない。この期間が経過するまでは、粒子ビームシステムは所望の特徴を示さない。2枚の偏向板により構成したコンデンサを放電させる第1電流経路を対称的に構成することにより、放電過程が高圧電源に及ぼすいかなる影響も回避することができる。粒子ビームシステムの各実施形態によれば、2枚の偏向板により構成したコンデンサを帯電させる第2電流経路を対称的に構成する。この目的のため、制御回路は、第1の偏向板と第2の偏向板との間に第2電流経路を形成し、この第2電流経路において、第1偏向板から順に、第1電圧源および第3スイッチの第1直列接続、高圧電源に接続した第2ノード、および第2電圧源および第4スイッチの第2直列接続を、この順序で配列する。第1電圧源および第2電圧源は、それぞれ、例えば、電池または別の電源回路とすることができる。本発明の各実施形態によれば、第1電流経路において、抵抗器を1対の偏向板および高圧電源に接続したノードに関して対称的に配置し、第1スイッチまたは第2スイッチにそれぞれ直列に接続する。これらの抵抗器は、コンデンサが帯電した際にコンデンサ内に蓄積された電気的エネルギーを散逸させる機能を有する。これら抵抗器の抵抗値の大きさは、コンデンサを可及的速やかに放電させることができるような値とすることができる。この目的のため、抵抗値は過度に小さくすべきではない。なぜなら、振動電流が2枚の偏向板の間に流れる可能性があるからである。選択した抵抗値が大きすぎると、今度はコンデンサの放電に時間がかかりすぎることがある。理想的には、抵抗値の大きさは、コンデンサの容量により構成される振動回路、第1スイッチおよび第2スイッチの閉状態における内部抵抗、および第1電流経路を実施するために用いた導線のインダクタンスを臨界的に減衰してコンデンサを可及的速やかに放電させることができるような値とする。この結果、粒子ビームを非常に速やかにオンすることができる。同様に、第2電流経路は1対の抵抗器を備えることができ、コンデンサを速やかに帯電させてビームをオフする。この構成における第3抵抗器および第4抵抗器の抵抗値の大きさも、同様に、コンデンサの容量により構成される、対応する振幅回路、第3スイッチおよび第4スイッチの閉状態における内部抵抗、第1電流源および第2電流源の内部抵抗、および第2電流経路を実施するために用いた導線のインダクタンスを臨界的に減衰させるような値とする。粒子ビームシステムの各実施形態によれば、高圧電源は5kVよりも高い電位、特に、7kVよりも高い電位、さらには10kVよりも高い電位を供給する。これらの電位は、例えば、粒子ビームシステムの接地電位を基準として、または粒子ビーム源の陰極の電位を基準として測定することができる。粒子ビームシステムの各実施形態によれば、第2電圧源および/または第3電圧源により供給される電圧の値は、10Vよりも大きく、50Vより大きく、または150Vより大きい。本発明の上記特徴およびその他の有利な特徴は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する本発明の例示的な実施形態により、さらに明らかになるであろう。本発明の可能な実施形態のすべてにおいて、本明細書において定義した各利点を全て、または、いずれかを必ずしも示すものとは限らないことに留意されたい。以下に示す例示的な実施形態において、同様の機能および構成を有する部品にはできる限り同様の参照符号を付して示す。したがって、特定の実施形態における個々の部品の特徴を理解するためには、その他の実施形態および本発明の概要についての説明を参照されたい。図1は、粒子ビームシステムの実施形態の概略図である。粒子ビームシステム1は、電子ビーム11を生成する粒子ビーム源3を備える。粒子ビーム源は、陰極5、抑制電極7、および引き出し電極9を含む。引き出し電極9の開口部から出射する電子ビーム11は、陽極13により所定の運動エネルギーまで加速され、陽極13の開口部を通ってビーム管15に入射する。電子ビームは、集束レンズ17、および電子検出器21内に設けた絞り19を通過することができる。電子ビーム11は、さらに、対物レンズ23を通過し、対物レンズ23の対物面27内における位置25に集束する。粒子ビームシステム1で検査または加工する物体29の表面は、対物面27内に配置することができる。対物レンズ23は、環状磁極片33内に設けた環状コイル31を含む。環状磁極片は、上側環状磁極片35および下側環状磁極片37を有し、この2つの磁極片35,37の間の環状間隙内に電子ビーム11を集束する磁場が生ずるようにする。対物レンズは、さらに、ビーム管15の下端部41から離間して配置した終端電極39を含み、その開口部を電子ビーム11が通過する。ビーム管15の下端部と終端電極39との間に生じた電場により、ビーム管15内を高運動エネルギーで伝播する電子が減速して所望の運動エネルギーにまで低下させて、物体29に入射させる。この電場に磁場が加わることで、さらに高い集束効果を奏することができる。粒子ビームシステム1の個々の部品はコントローラ41により制御する。図1において、コントローラを機能ブロックとして示す。コントローラは、複数の制御部品を含み、各部品は空間的に互いに分離して、または、例えば、筺体内にまとめて、配置することができる。コントローラ41の一部品は、コネクタ43を介してビーム源を制御し、加熱電流を陰極5に供給して陰極の電位を設定する。抑制電極7および引き出し電極9の電位は、コネクタ44を介して制御する。ビーム管15および陽極13の電位は、コネクタ45を介して、コントローラにより設定する。この目的のため、コントローラ41は、安定化高圧電源を備え、この高圧電源により、例えば、接地電位を基準として8kVの電圧をコネクタ45に供給する。陰極5の電位は、例えば0kVから-10kVの間で設定することができる。コントローラ41は、さらに、例えば0kVから5kVの固定電位または可変電位を、コネクタ46を介して終端電極39に印加することができる。物体29の電位は、接地電位または接地電位とは異なる電位とすることができる。コントローラ41によりコネクタ48を介して制御されるビーム偏向器47を、対物レンズ23内に配置することができる。ビーム偏向器は、磁気ビーム偏向器とすることができ、ビーム管15内に可変偏向磁場を発生させて、電子ビーム11が物体29に入射する位置25を変化させ、粒子ビーム11を物体29の表面27の一部にわたり走査する。粒子ビーム11が物体29に入射することにより、二次電子または後方散乱電子が物体29から発散する。これらの電子の一部は、ビーム管15に入射し、電子検出器21により検出することができる。図1において、電子偏向器21に入射する二次電子の例示的な軌道に参照符号51を付して示す。入射電子によりトリガされた検出信号を、コネクタ53における電子偏向器21から出力し、コントローラ41により読み込む。粒子ビーム源3は、好ましくは、定常モードで動作させる。すなわち、一旦動作を開始すると、粒子ビーム源3は一定条件下で数時間、ひいては数日間にわたり動作して、電子ビーム11を常に生成するようにする。しかしながら、電子ビーム11を常に物体29に入射させずに、必要に応じてビームのオンオフを切り替え可能とすることが望ましい。この目的のため、粒子ビームシステム1はビームブランカーシステム55を備える。ビームブランカーシステムは、1対の偏向板56,57を有する。これら偏向板はビーム管15内に配置することができ、偏向板56,57の間の間隙を電子ビーム11が通過するようにする。コントローラ41は、制御回路を含む部品を有するが、制御回路については以下に詳細に説明する。制御回路は、コネクタ58および59を介して、偏向板56,57に電位を供給する。2つの偏向板56,57が同電位にある場合、ビーム11は偏向板間の間隙を直線に沿って通過する。好ましくは、各偏向板はビーム管15と同電位である。偏向板56,57の電位が異なる場合、この2つの偏向板間に静電場が発生する。この電場により、電子ビーム11が本来の軌道から偏向する。図1において、偏向した電子ビームを破線11’で示す。この電子ビームは、ビーム管15内に配置した板61に入射する。板61は絞りを有し、未偏向ビームはこの絞りを通過して物体29の表面27に入射する。板61に入射した電子ビーム11 ́は吸収されて物体29の表面27には到達することができない。したがって、粒子ビーム源3を連続動作する間に、粒子ビームシステム1を第1動作モードで動作させること、および粒子ビームシステム1を第2動作モードで動作させることが可能になる。すなわち、第1動作モードにおいては、コントローラ41によりコネクタ58,59に同電位を印加し、物体29の位置において粒子ビームをオン状態とし、第2動作モードにおいては、コントローラ41によりコネクタ58,59に異なる電位を印加し、物体29において粒子ビームをオフ状態とする。以下に、ビームブランカーシステム55の一部である、コントローラ41の制御回路63を構成する部品について、図2を参照して説明する。2枚の偏向板56,57は、電気的観点からは、図2における回路図において示すようなコンデンサ65を構成する。コンデンサ65は、コネクタ58および59を介して、コントローラ41に接続され、これにより、コンデンサ65を配置した2本の電流経路を形成する。第1電流経路67を用いてコンデンサ65を放電する。この目的のため、次の素子、すなわち、スイッチ70、抵抗器71、ビーム管15に接続した端子45に抵抗器73を介して接続したノード72の第1直列接続69、および抵抗器75およびスイッチ76の第2直列接続74を、コネクタ58および59と偏向板56および57との間に、それぞれ直列に接続する。直列接続69および74の個々の素子は、任意の所望の順序で配列することができる。しかしながら、好ましくは、両方の直列接続が対称配置となるように、各直列接続における個々の素子の配列順序を選択する。図示の実施形態において、スイッチ70および76はMOSFETとして実施し、スイッチ70,76の制御端子77に印加した電圧に基づいてスイッチの端子78および79間に電流を流す機能または遮断する機能を持つ。スイッチ70および76は、制御端子77に印加した電圧信号等の信号に基づいて2つの端子78および79間に電流を流すこと、または遮断することができる、その他のスイッチ素子によっても実施することができる。2つのスイッチ70および76を、その端子77を介して制御することにより、各スイッチを閉状態に設定することができ、帯電したコンデンサ65を放電させることができる。図2において、対応する電流の流れを矢印81で示す。電流経路67は、直列接続69および74がノード72およびコンデンサ65の両方の両側に配設される点で、ビーム管15に接続したノード72およびコンデンサ65に関して対称配置となる。この対称配置により、コンデンサ65が帯電しているときにスイッチ70および76を閉鎖しても、ノード72から抵抗器73を介してコネクタ45に電流が流れてしまい、その電流がコネクタ45において高圧電源から供給された電位に影響を及ぼすことがない。電子ビーム11をオンした際、ビーム管15に供給した高電圧電位は実質的に変動しない。電子ビーム11をオンした後、必要に応じて直ちに安定して利用可能とすることができ、例えば、物体29の検査または加工等の用途に利用することができる。制御回路は、コンデンサ65を帯電する第2電流経路85を形成する。第2電流経路85も、同様に、コンデンサ65、および抵抗器87を介してコネクタ45に接続したノード86に関して対称配置である。ここで、コネクタ45はビーム管15に接続する。図2の左側において、直列接続88を、偏向板56のコネクタ58とノード86との間に接続する。この直列接続88は、抵抗器89、スイッチ90、および電圧源91を含む。図2の右側において、直列接続92を、偏向板57のコネクタ59とノード86との間に接続する。この直列接続92は、抵抗器93、スイッチ94、および電圧源95を含む。各直列接続88および92における個々の素子89,90,および91、または93,94,および95の配列順序は、同様に、任意であるが、有利には、各各直列接続88および92が互いに対称的な配列を有するように配列順序を選択する。図示の実施形態において、スイッチ90および94はMOSFETとして実施したが、スイッチ90および94は、制御端子77に印加した制御信号に基づいて2つの端子78および79間に電流を流す、または遮断することができる、その他の電気部品によっても、実施することができる。2つの直列接続88および92は、それぞれ、各スイッチを閉鎖するとオンし、各スイッチを開放するとオフする、切替可能な電圧源を構成する。電圧源91および95は出力電圧を常に供給し、出力電圧の大きさは調整可能とすることができる。2つの電圧源91および95はそれぞれ、例えば、100Vの電圧を供給し、スイッチ90および94を閉鎖したときおよびスイッチ70および76を開放したとき、200V相当の電圧を偏向板56および57の間に印加して、電子ビーム11を物体29から離れる方向に偏向するようにする。第2電流経路85における、コンデンサ65を帯電させる電流の流れを、図2において、矢印81で示す。直列接続88および92を対称配置としたことにより、この電流の流れは、ノード86を介して、第2電流経路85から高圧電源へ向かう流れまたは高圧電源から第2電流経路85へ向かう流れにはならず、電子ビームをオフしても、ビーム管15に印加した高電圧には影響を及ぼさない。図示の制御回路を用いて、ビーム管15に印加した高電圧に影響を及ぼすことなく、また、したがって粒子ビームシステム1の電気光学特性に影響を及ぼすことなく、電子ビーム11を速やかにオンオフすることができる。図3に、図2に示す電圧源91および95の例示的な実施形態を示す。本実施形態によれば、電圧源91,95は、電位分離のために設けたトランス105の入力巻き線103に接続したAC電圧源101を備える。トランス105の出力巻き線107は、ブリッジ整流回路109に接続する。ブリッジ整流回路は、電圧源91,95の出力111,112にDC電圧を供給する。出力電圧は、コンデンサ113により平滑化される。トランス105を用いることにより、AC電圧源101をより低い電位で動作させることが可能になり、一方で、ブリッジ整流回路109は、接地電位117を基準として、高圧電源115により供給される高電位で動作する。高圧電源115は、電圧源91,95の出力112に接続したノード86に接続する。ビーム管15も、同様に、電気的に導通した状態でノード86に接続する。図3に示す回路は、その端子111,112に常に電圧を供給する。電圧源にそれぞれ直列に接続したスイッチを設けて、2つの切替可能な電圧源を構成する。しかしながら、スイッチを、例えば、AC電圧源101と入力巻き線103との間の導線に挿入することによっても、切替可能な電圧源を同様に構成することができる。すると、回路自体が既に切替可能な電圧源を構成し、端子111および112において切替可能な電圧を供給する。この場合、直列回路88および92に必ずしもスイッチ図2における90または94を設けて切替可能な電圧源とする必要はない。図4に、偏向システムの実施形態の変形例を示す。先の実施形態において、偏向システムは1対の偏向板を備える。図4に示す本変形例によれば、偏向システムは、2対の偏向板を備え、そのうちの一方の1対の偏向板56,57を互いに平行に配向し、他方の1対の偏向板56 ́,57 ́も互いに平行に配向する。また、偏向板56および偏向板56 ́を互いに直角に配向し、偏向板57および57 ́も互いに直角に配向する。粒子ビーム11は、各偏向板に囲まれた中心点を通過し、各偏向板に端子58,58 ́,59,および59 ́を介して電位を印加する。例えば、端子58および58 ́を両方とも制御回路に接続し、同様に、端子59および59 ́も制御回路に接続した場合、図4の矢印121で示すように、ビーム11を右下方向へ斜めに偏向することができる。同様に、端子58,59および端子58 ́,59 ́を、個々に調整可能な制御電圧を供給する異なる制御回路に接続することができ、各制御回路の個々の電圧を調整することにより、ビーム11を偏向する方向121を調整可能とする。上記の実施形態は、電子顕微鏡に関し、この場合、粒子ビームは電子ビームである。さらなる実施形態によれば、粒子ビームは電子ビームであり、例えば、試料から物質を除去または試料上へ物質を堆積することにより試料を改変するために用いる。さらなる実施形態によれば、粒子ビームはイオンビームであり、イオンビームシステムにおいて試料の検査または改変を行うために用いる。本発明を特定の例示的な実施形態に基づき説明したが、種々の代案、変更、および変形が当業者にとって明白であろうことは明らかである。したがって、本明細書において説明した本発明の具体例としての実施形態は、例示を目的としたものであり、決して本発明を限定するものではない。以下の特許請求の範囲により定義される本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、種々の変更が可能である。"