"所定のタイプのドーピングを有する結晶シリコン基板1と、アモルファス又は微結晶のシリコンの層3、8とを有するヘテロジャンクション太陽電池であって、結晶酸化シリコン薄膜11を少なくとも1つ備え、前記結晶酸化シリコン薄膜11は、前記基板1と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層3、8との間であって、前記基板1の面1a、1bの上に直接配置されている、ことを特徴とする電池。前記結晶酸化シリコン薄膜11は、ラジカルにより酸化された前記基板1の表面部分により構成される、ことを特徴とする請求項1に記載の電池。前記結晶酸化シリコン薄膜11は、2ナノメートル以下の膜厚を有する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電池。真性アモルファスシリコン又は微量ドーピングされたアモルファスシリコンの薄層2、7は、前記結晶酸化シリコン薄膜11と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層3、8との間に挿入される、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の電池。前記結晶酸化シリコン薄膜11は、前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層3、8に直接接している、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の電池。前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層8は、前記結晶シリコン基板1と同じタイプのドーピングを有する、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の電池。前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層3は、前記結晶シリコン基板1と反対のタイプのドーピングを有する、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の電池。結晶酸化シリコン付加薄膜12を備え、前記結晶酸化シリコン付加薄膜12は、前記基板1とアモルファス又は微結晶のシリコンの付加層8との間であって前記基板1の他の面1bの上に直接配置され、前記アモルファス又は微結晶のシリコンの付加層8は、前記結晶シリコン基板1と同じタイプのドーピングを有する、ことを特徴とする請求項7に記載の電池。真性アモルファスシリコン又は微量ドーピングされたアモルファスシリコンの付加薄層7は、前記結晶酸化シリコン付加薄膜12と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの付加層8との間に挿入される、ことを特徴とする請求項8に記載の電池。前記結晶酸化シリコン付加薄膜12は、前記アモルファス又は微結晶のシリコンの付加層8に直接接している、ことを特徴とする請求項8に記載の電池。前記結晶シリコン基板1の少なくとも1つの面1a、1bは凹凸状である、ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1つに記載の電池。アモルファス酸化シリコンの層は、前記結晶酸化シリコン薄膜と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層3,8との間であって、前記結晶酸化シリコン薄膜11、12の上に直接配置される、ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1つに記載の電池。請求項1から12のいずれか1つに記載の太陽電池を少なくとも1つ製造する製造方法であって、前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層3、8を形成する前に、前記基板1の表面をラジカル表面酸化することにより前記結晶酸化シリコン薄膜11、12を形成する、ことを特徴とする方法。前記ラジカル表面酸化は、酸素、及び/又は、オゾン、及び/又は、水から得られた酸素化ラジカルを用いて行われる、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。前記基板1の表面の前記表面酸化は、前記表面に紫外線を照射することにより支援される、ことを特徴とする請求項14に記載の方法。前記酸化ラジカルは少なくとも酸素から得られ、前記紫外線は160nmから400nmの間の波長を有する、ことを特徴とする請求項15に記載の方法。前記基板1の表面の前記表面酸化はプラズマにより支援される、ことを特徴とする請求項13又は14に記載の方法。前記基板1の表面の前記ラジカル表面酸化に続いて、ラジカル表面酸化の間に前記薄膜11、12の表面の上に形成されたアモルファス中にある酸化シリコンの一部を除去するためのストリッピングステップを行う、ことを特徴とする請求項13から17のいずれか1つに記載の方法。本発明の目的は、実施が容易であり、良好な表面のパッシベーションを有するヘテロジャンクション太陽電池を提案することである。本発明によれば、この目的は以下のことから達成される。すなわち、所定のタイプのドーピングを有する結晶シリコン基板と、アモルファス又は微結晶のシリコンの層とを有するヘテロジャンクション太陽電池であって、少なくとも1つの結晶酸化シリコン薄膜crystallinesiliconoxidethinfilmを備え、この結晶酸化シリコン薄膜は、前記基板と前記アモルファス又は微結晶のシリコンの層との間であって、基板の面の上に直接堆積される、ことを特徴とする。本発明の実施形態によれば、結晶酸化シリコン薄膜は、ラジカル酸化により得られた基板の表面部分から構成される。本発明の他の実施形態によれば、結晶酸化シリコン薄膜は2ナノメートル以下の膜厚を有する。本発明によれば、この目的は以下のことから達成される。すなわち、アモルファス又は微結晶シリコンの層の形成前に、結晶酸化シリコン薄膜は基板の表面のラジカル表面酸化により得られる。他の利点及び特徴は、本発明の特有の実施形態についての下記の説明により、さらに明らかにされる。本発明の特有の実施形態は、単なる例示であって、本発明を限定するものではない。本発明の特有の実施形態は、添付の図面により示される。図3にかかる太陽電池は、図1に示される太陽電池のものとほぼ同等の多層スタックを有する。しかしながら、図3においては、結晶酸化シリコン薄膜11は、結晶シリコン基板1と真性アモルファスシリコンの層2との間に堆積される。薄膜11と、真性アモルファスシリコンの層2と、p型にドーピングされたアモルファスシリコンの層3と、電極4と、電流コレクタ5とにより形成されたユニットは、基板1の正面1aに配置された多層スタックを構成し、図3においてはA1により示される。さらに詳細には、薄膜11は、n型にドーピングされた結晶シリコンの基板1の正面1aの上に直接配置され、且つ、その基板1と真性アモルファスシリコンの層2との間に配置される。従って、基板1の正面1aと直接接することとなる。加えて、有利には2ナノメートル以下の膜厚を有し、さらに有利には0.1nmから2nmの間であって、典型的には約0.5nmである膜厚を有する。さらに詳細には、薄膜11は、スタックA1の薄層2、3、4及び5を連続的に形成する前に、基板1の表面部分のシリコンを酸化することにより得られた薄膜である。基板1の表面部分により、基板1の自由面から基板1の内側interiorにまで伸びる基板1の領域が、非常に薄い膜厚有利には2nm未満を有することが明らかである。さらに、薄膜11は、結晶状に形成された酸化物といった結晶酸化シリコンにより形成される。特に、酸化シリコンから形成される結晶が、特定の場合、結晶面100を有するシリコン基板としてのトリディマイト構造をとることができる。さらに、この酸化は、例えば、ラジカルフリーラジカルを用いて行われる酸化といったラジカル表面酸化である。特に、このようなラジカルは、例えば、酸素、オゾン、及び/又は、水から得ることができる酸化ラジカルである。従って、このように得られたラジカルは、基板1の表面部分の上のシリコンを酸化する。さらに、ラジカル酸化の間に得られた酸化シリコンは少なくとも部分的に結晶構造を有する。詳細には、シリコン基板のラジカル表面酸化は、有利にはシリコン基板の表面上の結晶薄膜を形成するようにコントロールされる。しかしながら、基板のラジカル表面酸化は、特定の場合には、結晶酸化シリコンの上にアモルファス状の酸化シリコンを付加的に形成することを含むことができる。しかしながら、薄膜11を形成する結晶酸化シリコンは、基板1とアモルファス酸化シリコンとの間に挿入されることとなる。さらに有利には、ラジカル表面酸化の間に形成されるアモルファス酸化シリコンは、ラジカル表面酸化に続く中間ステップの間に、さらに詳細には、スタックA1の他の層を形成する前に、ストリッピングにより除去することもできる。有利には、プラズマ、又は、酸化しようとする基板の表面に紫外線を照射することにより酸化を支援する。特に、プラズマ処理又は紫外線処理は、基板1のシリコンを酸化させるために用いられるフリーラジカルの形成を行う。フリーラジカルは、処理のタイプに応じたO、O2、及び/又は、OHタイプのラジカルであり、特に、酸素、及び/又は、オゾン、及び/又は、水から得られる。特有の実施形態によれば、基板1の表面部分の酸化は、酸素と160nmから400nmの間の波長を有する紫外線とにより行うことができる。用いられる紫外線の波長は、例えば、約185nmと、約254nmとである。この特有の実施形態においては、紫外線の作用の下では、酸素はフリーラジカルO、及び、オゾンに解離する。フリーラジカルはシリコン表面を酸化することができる。さらに、酸化オペレーションの間の温度は、室温から約900°Cの間にすることができ、その際の圧力は、約10-4から105Paの間にすることができる。しかしながら、温度と圧力とをそれぞれ室温と大気圧とにすることが有利な方法である。薄膜11を形成した後に少なくとも1つの太陽電池を形成する方法は、連続的に薄層を堆積することを継続する。特に、図3に示される実施形態においては、薄膜11の形成の直後に、以下の堆積を連続して行う:-真性アモルファスシリコンの薄層2を堆積し、-前記薄膜11の上にp型にドーピングされたアモルファスシリコンの薄層3を堆積し、-薄層3の上に電極4を堆積し、-電極4の上に電流コレクタ5を堆積し、-基板1の背面1b上に電極6を堆積する。先に説明したように、ラジカル酸化のオペレーションの間に薄膜11の上に形成される場合があるアモルファス酸化シリコンを除去するための中間ステップは、前記複数の薄層の連続的な堆積の前に行うことができる。従って、基板1の複数の面のうちの1つの上の結晶酸化シリコン薄膜の存在は、特にラジカル酸化により得られたものである場合には、重要なパッシベーション特性を得ることを可能にし、この結晶酸化シリコンは非常に良好な固有の品質intrinsicqualityを有する。よって、このような結晶酸化シリコン薄膜は、再結合中にチャージキャリアがトラップされることを避けることができる。従って、基板1の表面パッシベーションを保証することにより、結晶酸化シリコン薄膜はトンネル酸化物の役割を果たすこととなる。よって、太陽電池の開回路電圧opencircuittensionを増加させ、潜在的に短絡開路電流shortcircuitcurrentを増幅させ、且つ、出力を劣化させることなく電池の形状ファクタformfactorを変化させることができる。さらに、1つ又はそれ以上の太陽電池を形成する方法を行うことを可能にする。実際、酸化物の薄膜で覆われている基板1の表面は長い期間安定しており、それにより、製造方法の以下の複数のステップ他の複数の薄層を堆積するを行う前に、待機可能時間possiblewaitingtimeを長くすることができる。さらに、特定の場合においては、洗浄条件に応じて結晶酸化シリコン薄膜の形成の前に基板1の表面の上に存在する自然酸化物nativeoxideの除去を必要としない。特定の条件の下で、ラジカル酸化のステップの間に自然酸化物を結晶状に変化させるtransformことができる。最終的には、パッシベーション層として少なくとも1つの結晶酸化シリコン薄膜を形成することは、真性アモルファスシリコンを堆積する前にフッ酸を用いて基板を洗浄するステップからプロセスを解放することを可能にし、このことはプロセスの安全性を改善することを可能にする。図3においては、基板1の背面1bは平坦であり、図1にかかる実施形態のように電極6で覆われている。一方、図4に示されるように、背面1bは凹凸状であることもでき、図2に示すような多層スタックにより覆われるようにすることができる。例えば、背面は、以下のような膜に均一に、且つ、連続的に覆われている:-真性アモルファスシリコンの層7と、-非常に強くドーピングされたアモルファスシリコンの層8であって、例えばn型にドーピングされた層と、-例えばITOからなる電極9と、-櫛形状の電流コレクタ10と。加えて、付加薄膜additionalthinfilm12を堆積することができ、特定の実施形態においては、基板1の背面1bの上に堆積することができる。従って、他の実施形態においては、図5に示すように、電池は、図3及び図4に示された多層スタックA1と同様のものに覆われた正面1aを備えることができる。一方、正面1aと同様に、基板1の背面1bは凹凸状であり、さらに、結晶酸化シリコン付加薄膜additionalcrystallinesiliconoxidethinfilm12により覆われている。この付加薄膜12は、真性アモルファス薄層7と、n型にドーピングされたアモルファスシリコンの薄層8と、電極9と、電流コレクタ10とからなる多層スタックにより覆われており、基板1の背面1bを覆う多層スタックを形成するユニットは、図5のB1として示される。特定の場合には、結晶酸化シリコンの非常に良好な固有の品質は、良好な表面パッシベーションを得るためには十分なものであり、結晶酸化シリコン薄膜とドーピングされたアモルファスシリコンの薄層との間における真性アモルファスシリコンのパッシベーション薄層2の必要性を避けることができる。次いで、薄膜11は、基板1とp型にドーピングされたアモルファスシリコンの層3との間に直接堆積することができる。従って、これらの実施形態においては、多層スタックA1を、スタックA1とは異なる多層スタックA2により置き換えることも考えられ、そこでは薄膜11とp型にドーピングされたアモルファスシリコンの薄層3との間の真性シリコンの薄層2が削除されている。このようなスタックA2は、図6から9に示される基板1の背面1bに関する様々な実施形態と結びつけることができる。従って、図6においては、基板1の正面1aを覆うこのスタックA2は、基板1の平坦な背面1bを覆う電極6と関連づけられる。図7においては、背面1bは、基板1の正面1aのように凹凸状であり、図2で示されるような多層スタックにより覆われている。例えば、この多層スタックは結晶酸化シリコン付加薄膜12を含むものではない。図8においては、基板1の背面1bは基板の正面1aのように凹凸状であり、多層スタックB1により覆われている。例えば、このスタックは、基板1とn型にドーピングされたアモルファスシリコンの薄層8との間に挿入された付加薄膜12を含む。最後に、図9において、基板1の背面1bは、基板の正面1aのように凹凸状であり、多層スタックB2により覆われている。多層スタックB2はスタックB1とは異なり、追加薄膜12とアモルファスシリコンの層8との間に配置される真性アモルファスシリコンの層7を含むものではない。太陽電池が、基板1の正面1aに配置された薄膜11と、基板1の背面1bに配置された付加薄膜12とを備える場合には、2つの薄膜11と12とは、同時に又は連続的な方法で実現することができる。2つの薄膜11と12とを連続的な方法で実現する場合には、有利には太陽電池は以下のように形成することができる:-基板1の正面1aの上に、薄膜11と、可能であれば真性アモルファスシリコンの薄層2と、p型にドーピングされたアモルファスシリコンの層3とを連続的に形成して、ヘテロジャンクションを形成し、-次いで、基板1の背面1bの上に、付加薄膜12と、可能であれば真性アモルファスシリコンの薄層7と、n型にドーピングされたアモルファスシリコンの層8とを連続的に形成し、-最後に、電極4と9と、電極4と9とにそれぞれ対応する電流コレクタ5と10とを、これらのスタックの上にそれぞれ形成する。有利には、2つの薄膜11及び12のそれぞれは、可能であればプラズマ処理又は紫外線の支援を受けた酸化ラジカルといったフリーラジカルを用いたラジカル酸化により形成される。他の実施形態によれば、太陽電池は、1つの結晶酸化シリコン薄膜のみを有することができ、この結晶酸化シリコン薄膜は、基板1の正面1aの上に配置されているのではなく図3、4、6及び7の場合、基板1の背面1bの上に配置されている。結晶酸化シリコン薄膜は、有利には、常に、可能であればプラズマ処理又は紫外線の支援を受けた酸化ラジカルといったフリーラジカルを用いたラジカル酸化により形成される。この場合、有利には、正面1aは、基板1とp型にドーピングされたアモルファスシリコンの薄層3との間に配置された真性アモルファスシリコンの薄層2により覆われている。背面1bは、結晶酸化シリコン薄膜とドーピングされたアモルファスシリコンの層8との間の真性アモルファスシリコンの薄層7を備えることができる又は、備えないこともできる。本発明は、これまで説明した実施形態に限定されるものではなく、特に、基板1や、ドーピングされたアモルファスシリコンの層3及び8のドーピングのタイプn型又はp型に関して、限定されるものではない。従って、本発明は、n型にドーピングされた結晶シリコン基板と、アモルファスシリコンの層3及び8であってそれぞれp型とn型にドーピングされた実施形態に限定されるものではない。ヘテロジャンクションを形成するために、アモルファスシリコンの層3は、基板1のドーピングタイプn型又はp型と反対のドーピングタイプp型又はn型を有していれば良く、基板1の背面1bのサイドの上に配置されるアモルファスシリコンの層8は、基板1のものn型又はp型と同じドーピングタイプn型又はp型であれば良い。加えて、アモルファスシリコンを形成する代わりに、薄層3及び8は微結晶シリコンから形成することができる。さらに、層2及び7として真性アモルファスシリコンを用いる代わりに、微量ドーピングmicrodopedと呼ばれる急峻にslightlyドーピングされたアモルファスシリコンを用いることができ、この急峻にドーピングされたアモルファスシリコンは、層2又は7の上に配置されることとなるアモルファスシリコンの層3又は8のものと同じドーピングタイプを有する。急峻なドーピング又は微量ドーピングされたアモルファスシリコンより、通常用いられるドーピングレベルよりも実質的に低いドーピングであることが明らかである。従って、例えば、アモルファスシリコンの層2及び7のそれぞれのドーピング物質の濃度は、1×1016から1×1018at/cm3であることができ、さらに、アモルファスシリコンの薄層3及び8のそれぞれは、1×1019at/cm3から1×1022at/cm3の間であるドーピング物質の濃度を有することができる。真性アモルファスシリコンを微量ドーピングされたアモルファスシリコンに置き換えることは、低いドーピングレベルにより、低い局在状態密度localizedstatedensityを得ることを可能にし、従って、基板との界面におけるキャリアの低い再結合割合を得ることを可能にし、ひいては高い開回路電圧を得ることを可能にする。さらに、微量ドーピングされたアモルファス層は、真性アモルファス層のものと比べて実質的に高い導電性を有し、これによって、電池のシリーズ抵抗seriesresistanceを減少させ、電池の形状ファクタを実質的に改善する。"