マイクロ機械部品、マイクロ電子機械部品またはマイクロ光電子機械部品のような部品を製造するための方法であって、第1の基板と、当該第1の基板の表面の少なくとも一部を覆う第1の絶縁体層と、当該第1の基板の当該表面に形成された第1のくぼみとを含む第1の複合体層を形成する工程と、第2の基板と、当該第2の基板表面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁体層とを含む第2の複合体層を形成する工程と、少なくとも部分的に導電性の構造体層を、前記第1の複合体層における前記第1の絶縁体層の上であって、前記第1の基板における前記第1のくぼみが形成された部分の上に、取り付ける工程と、前記第1の複合体層に前記構造体層を取り付けた後、部品の実動構造を含む前記構造体層の少なくとも一部を、前記第1および第2の複合体層によってぴったり気密に封止するように、前記第1および第2の複合体層、ならびに前記構造体層を配置し、前記第2の絶縁体層が前記構造体層に隣接するように、前記第2の複合体層を前記構造体層に取り付ける工程と、前記構造体層に前記第2の複合体層を取り付けた後、前記構造体層の導電性を有する領域と接触するための接触孔を、前記第1の基板内における前記第1のくぼみの水平方向の位置と前記接触孔の水平方向の位置とが少なくとも部分的に対応する位置に形成する工程とを含み、前記第1のくぼみに直接隣接する第1の基板の表面領域は、前記第1の絶縁体層によって覆われていない、方法。前記実動構造を前記構造体層にパターン形成することによって形成し、前記構造体層を前記第1の複合体層に取り付ける前にパターン形成を行うことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記構造体層を前記第1の複合体層に取り付ける前に、前記構造体層に面する第1および/または第2の基板の面に第2のくぼみを形成する工程を含み、前記第2のくぼみの水平方向の位置は、前記構造体層の前記実動構造の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応していることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。前記構造体層から離れた方の前記第1の基板の表面に第3のくぼみを形成する工程を包含し、前記第3のくぼみは目標破断個所であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。前記構造体層をパターン化する工程において、前記構造体層に溝を生成し、前記溝により、前記実動構造を前記構造体層の外部領域から電気的に絶縁することを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載の方法。前記第1の基板の少なくとも一部を、前記第1のくぼみ底部の垂直方向の位置に対応する垂直方向の位置まで取り除くことによって、前記構造体層から離れた方の前記第1の基板の表面から生じる前記接触孔を形成することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記接触孔を形成した後、前記構造体層から離れた方の前記第1の基板の表面に金属層を形成することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記第1~第3のくぼみおよび/または前記構造体層をエッチング法によって形成することを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。前記第1の基板、前記第2の基板および前記構造体層は、同一の半導体材料により構成されていることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の方法。前記半導体材料はシリコンであることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記構造体層に構造体層のくぼみを形成する工程を包含し、前記構造体層のくぼみの水平方向の位置は、前記構造体層の実働構造の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応していることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。前記第1および/または第2の絶縁体層に絶縁体層のくぼみを形成する工程を包含し、前記絶縁体層のくぼみの水平方向の位置は、前記構造体層の前記実動構造の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応していることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。前記絶縁体層のくぼみは、動作中の前記実動構造の一部を停止させるように機能することを特徴とする請求項12に記載の方法。マイクロ機械部品、マイクロ電子機械部品またはマイクロ光電子機械部品のような部品を製造するための方法であって、第1の不伝導基板の表面に第1のくぼみを形成する工程と、前記第1のくぼみを形成した後、前記第1の不伝導基板における前記第1のくぼみが形成されている領域の前記表面に、少なくとも部分的に導電性の構造体層を取り付ける工程と、前記第1の不伝導基板の前記表面に前記構造体層を取り付けた後、前記構造体層に第2の不伝導基板を取り付ける工程と、部品の実動構造を含む前記構造体層の少なくとも一部を、前記第1および第2の不伝導基板によってぴったり気密に封止するように、前記第1および第2の不伝導基板、ならびに前記構造体層を配置し、前記構造体層に前記第2の不伝導基板を取り付けた後、前記構造体層の導電性を有する領域と接触するための接触孔を、前記第1の不伝導基板における前記第1のくぼみの水平方向の位置と前記接触孔の水平方向の位置とが少なくとも部分的に対応する位置に形成する工程とを含み、前記第1のくぼみにおける、前記第1の不伝導基板の前記表面に近い側にある上部領域の水平方向の寸法が、当該第1のくぼみにおける、前記上部領域よりも前記第1の不伝導基板の前記表面から離れた側にある下部領域の水平方向の寸法よりも大きくなるように、前記第1のくぼみは階段形状を有するように形成する、方法。前記第1および第2の不伝導基板は、石英、Pyrex登録商標またはSD2、あるいはこれらの材料の複合体により構成されていることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記第1のくぼみの階段形状は、2段階のパターン形成工程によって形成されることを特徴とする請求項14に記載の方法。本発明が基礎とする目的は、特にマイクロ電子機械部品またはマイクロ光電子機械部品のような部品の製造方法を提供することである。この方法によれば、製造技術が容易に実現され、対応する実動構造体を確実にぴったりと気密に封止することが可能であり、かつ実動構造体と接触するための電気的接点を、ぴったりと気密な部品から引き出すことが可能である。上記目的を達成するために、本発明は、請求項1および16に記載の製造方法を提供する。さらに、本発明は、請求項20および21に記載の部品を提供する。本発明の概念における有利な構成およびその発展は、従属請求項において見出される。本発明に係る、特に、マイクロ機械部品、マイクロ電子機械部品またはマイクロ光電子部品を製造するための方法は、第1の基板と、第1の基板表面の少なくとも一部を覆う第1の絶縁体層とを有する第1の複合体層を生成する工程と、第2の基板と、第2の基板表面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁体層とを有する第2の複合体層を生成する工程と、少なくとも部分的に導電性の構造体層を第1の絶縁体層に取り付ける工程と、部品の実動領域を含む構造体層の少なくとも一部を、第1および第2の複合体層によってしっかりと気密に封止するように、第1および第2の複合体層、ならびに構造体層を配置し、第2の絶縁体層が構造体層に隣接するように、第2の複合体層を構造体層に取り付ける工程と、構造体層の導電性を有する領域と接触させるための接触孔であって、第1および/または第2の基板内に形成され、構造体層の導電性を有する領域まで到達する接触孔を形成する工程とを有している。本発明の主要な態様において、製造された部品の実動領域および実動構造体は、接触孔が生成される前の部品の周囲環境汚染物質および湿気が関係するから絶縁されている。これにより、第1および第2の複合体層、ならびに構造体層を共に接合して全複合体層を形成する接合処理ときに、高温400°Cより高いで行うことができるという利点がある。これは、意図しない溶解固体の溶解度による合金化、またはすでに形成された接触結合金属化の溶解のリスクを回避することができるからである。実動構造体が部品の動作のために要求する電流、あるいは実動構造体により生成される信号は、接触孔および後方に接合した導電性の構造体層を介して、実動構造体に供給される、あるいは後方から取り出される。好ましい実施形態において、本発明によって製造された部品の実動構造体は、構造体層をパターン形成することにより生成される。この構造体層のパターン形成は、構造体層を第1の複合体層に取り付ける前または後に行ってもよい。パターン形成は、例えば構造体層表面にマスクを取り付け、続いて構造体層をエッチングすることによって行われ得る。構造体層を第1の複合体層に取り付けた後までパターン形成しない場合、構造体層を第1の複合体層に取り付ける時に接合耐性を考慮する必要がない。以下の説明は、第1の基板に接触孔を形成する例であると推定されるだろう。好ましくは、構造体層を第1の基板に取り付ける前に、構造体層に面する第1の基板に水平方向の第1のくぼみが形成される。この第1のくぼみの水平方向の位置は、後に第1の基板に形成される接触孔の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応している。本発明に係る製造方法の後の製造工程において、第1のくぼみを接触孔または少なくとも接触孔の一部として使用することが可能である。有利な態様において、第1のくぼみに直接隣接する第1の基板表面の領域は、第1の絶縁体層によって覆われていない。言い換えると、第1の絶縁体層は第1のくぼみの縁部に直に達していない。これにより、後の製造工程において、構造体層の導電領域および第1の基板の表面領域に分割して接触させるために利用し得る、絶縁端部を生成することが可能である。有利な態様において、構造体層を第1の複合体層に取り付ける前に、構造体層に面する第1および/または第2の基板に、水平方向の第2のくぼみが生成される。第2のくぼみの水平方向の位置は、実動構造体または構造体層の実動構造体の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応している。専用の製造工程または第1のくぼみと共通の製造工程によって、第2のくぼみを生成することができる。第2のくぼみは、実動領域内にある構造体層の領域の機械的動作例えば、振動を許容する。さらに、第2のくぼみは、部品の特定のパラメータを設定するために用いることも可能である。特定の条件下における機械的な振動の特性は、主として部品に含まれる圧力、実動可動構造体の形状およびその直接的な環境に依存する。例えば、第2のくぼみの大きさの選択によって、振動する実動構造体の振動特性に影響し得る。それゆえに、部品内に同一の圧力が負荷されているとき、振動が大きい場合に、第2のくぼみを深くする。構造体層のくぼみは、構造体層に形成され得る。構造体層のくぼみの水平方向の位置は、構造体層の実動領域または実動構造体の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応する。本質的には、対応する構成によってもたらされる実動構造体の動作は、構造体層のくぼみ単独でも生じさせ得るので、この場合、第1および第2の基板の第2のくぼみは、省略することも可能である。さらに、絶縁体層のくぼみを第1および/または第2の絶縁体層に形成することができる。この絶縁体層のくぼみの水平方向の位置は、構造体層の実動領域または実動構造体の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応している。本質的には、対応する構成によってもたらされる実動構造体の動作は、絶縁体層のくぼみ単独でも生じさせ得るので、この場合、第1および第2の基板の第2のくぼみ、ならびに構造体層のくぼみは省略することも可能である。絶縁体層のくぼみは、動作中の一部の実動構造体の停止部として機能し得る。すなわち、かなり明確にゆがんだ実動可動構造体の一部比較的小さな部分が、絶縁体層のくぼみの底に突き当るように、絶縁体層のくぼみの位置/構成を選択し得る。これにより、実動構造体は第2のくぼみ内において動作し得るので、顕著に大きくゆがんだ実動構造体の一部比較的大きな部分が比較的高い運動エネルギーで、第2のくぼみの底に突き当たるのを防ぐ実動構造体の機械的な特性の制限なしの実動構造体の破損防止。停止部として作用する実動構造体の領域の一部は、この場合、実動構造体の領域の残りの部分と比較して小さくすべきである。本発明に係る製造方法においては、全ての型のくぼみを同時に手段として有することはもちろん可能である。つまり、本発明に係る製造方法によって製造した部品が、全ての型のくぼみを有していてもよい。通常、第1および第2の基板は、いずれの場合においても、ウエハの一部または、のちに単一化されるウエハ集合体の構成要素となる。単一化を容易にするために、構造体層から離れた側の第1の基板および/または第2の基板表面に第3のくぼみを生成することが可能である。第3のくぼみは、目標破断個所である。さらに、構造体層にパターン形成する工程中に、構造体層に溝を形成するのが有効である。この溝は、製造される部品の構造体層の外側の領域チップ縁部から実動構造体を電気的に絶縁するように機能する。これにより、構造体層の外側の端部がその周囲から電気的に絶縁されていなくても、望まれない場合には部品の電気的機能が妨げられないことが保証される。構造体層から離れた側の第1の基板表面から生じる接触孔を形成するために、第1の基板内に第1のくぼみが形成される場合、第1の基板の少なくとも一部は、第1のくぼみ底部の垂直位置に対応する垂直位置まで除去され得る。結果として、第1のくぼみは、第1のくぼみの底部からいくぶん開口し、接触孔として利用できる。接触孔の形成後、一般に金属層または導電材料の他の層を、構造体層から離れた側の第1の基板表面に堆積する。絶縁端部が、第1の基板内に予め形成されている場合、第1の基板表面上の保護電極と接触層接触孔の底部上とを単一の堆積工程により製造することが可能である。保護電極は、望まない放熱から部品を保護するためのものである。接触層は、上記保護された表面から電気的に絶縁されており、ある工程において、構造体層の導電領域との接点として機能する。それゆえに、絶縁端部は、一製造工程において互いに電気的に絶縁している領域の接点を同時に形成することを可能にする。第1から第3のくぼみおよび/または構造体層のくぼみにより構成される接触孔は、エッチング法により形成することが好ましい。しかしながら本発明はこれに限定されない。特に好ましい実施形態において、第1および第2の基板の両方、ならびに構造体層は、シリコンにより構成されている。しかしながら本発明はこれい限定されず、他の材料/材料の混合もまた想定される。一般にシリコンは、機械特性が良好であり、有効性が高く、かつ製造方法もよく発達しているという利点がある。全ての部品がシリコンにより構成されている場合、熱ストレスが低く、またガス放出が低いという利点があるHoya社およびCorningGlass社により販売されているガラス材料のPyrex登録商標またはSD2と比較した場合。部品内の圧力を0.01mbar以下にすることが可能である。本発明はさらに、特にマイクロ機械部品、マイクロ電子機械部品またはマイクロ光電子機械部品のような部品を製造するための方法であって、第1の不伝導基板に少なくとも一部が導電性の構造体層を取り付ける工程と、部品の実動領域を含む構造体層の少なくとも一部が、第1および第2の基板によって、ぴったりと気密に封止されるように、第1および第2の基板、ならびに構造体層を配置し、構造体層に第2の不伝導基板を取り付ける工程と、構造体層の導電性領域と接触するための接触孔を第1および/または第2の基板内に形成する工程とを包含している方法を提供する。この方法において、先に示した方法において用いた絶縁体層の機能を、不導体である第1および第2の基板により代替している。ここで、第1および第2の基板は、石英、Pyrex登録商標またはSD2により構成されていることが好ましい。先に示した方法に関して記載された全ての実施形態はここで同様に正当に通用し、適用可能である。好ましい実施形態において、接触孔を第1の基板に形成し、構造体層を第1の基板に取り付ける前に、第1のくぼみを構造体層に面する第1の基板に水平方向に形成する。第1のくぼみの水平方向の位置は、後に第1の基板に形成する接触孔の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応している。第1のくぼみの上部領域の水平方向の寸法は、対応する下部領域の水平方向の寸法よりも大きくなるように、第1のくぼみは階段状の形態を有している。階段状の形態は、後に導電体層の堆積中に絶縁端部として機能する保護電極。第1のくぼみの階段状の層は、例えば、二段階のパターン形成プロセスにより生成することができる。それゆえに、上述した製造方法において、第1の絶縁層から第1のくぼみの端部に移行するように形成された絶縁端部は、ここで第1のくぼみの階段状の層に代わる。本発明に係る製造方法の好ましい態様を、以下の説明においてより詳細に説明する。垂直方向に電気的に絶縁しており、部品の独立した電極と電気的な接触を仲介する接触孔を有する部品の製造方法は、同じ説明において説明される。まず、接合可能な内部層例えば、熱酸化ケイ素を適切な第1の基板例えばシリコンに取り付ける。上記内部層の特定の領域は、適切なパターン形成法例えば、RIE反応性イオンエッチングによって除去する。内部層の、特に、後に自己保護要素になる範囲内またはその範囲未満の領域を除去する。この自己保護要素は、例えば加速センサおよびジャイロスコープにおいて、一方向z方向の振動を減少させるように機能する。さらに、内部層の、構造体層と接触するための導電領域の直上にある領域を除去する。この領域において、内部層の水平方向の寸法は、くぼみ第1および第2のくぼみよりも大きい。このくぼみは、さらなるパターン形成工程において第1の基板に形成される。次の接合工程において、構造体層を第1の基板に取り付ける。このとき、内部層を載せるときよりも正確に取り付ける。構造体層は、さらなる処理工程の後、部品の実動部品を含むことになる。接合工程例えばシリコン直接接合SFBの後に、好ましい層厚にまで薄くする工程を行っても良い。適切なパターン形成方法例えば、高深度反応性イオンエッチングDRIEの手段によって、くぼみを構造体層に形成する。このくぼみは、内部層または第1のくぼみまで達する。この方法においては、水平方向の溝によって電気的に絶縁された領域を形成することが可能である。この溝の最小幅は、DRIE法を行うのに用いる装置の最大縦横比および構造体層の厚さのような技術的なパラメータによって決定される。さらに、例えばウエットケミカルエッチングまたはDRIE法のような適切なパターン形成方法によって、くぼみ第2のくぼみを第2の基板に形成する。接合工程によって、第1の基板、内部層および構造体層を含む複合体層と第2の基板とを揃えて接合する。第2の基板のくぼみを第1の複合体層の可動構造体または実動構造体の領域に配置する。この方法において、構造体層の特定の要素の機械的保護を達成するとともに、必要であれば所定の内圧をかけることも可能である。第2の基板を導電性材料または半導体材料により構成した場合、第2の基板表面には、例えば熱SiO2のような接合可能な第2の絶縁層を予め備え付ける必要がある。これは電気的に独立した導電性領域間において回路をショートするのを避けるためである。第2の接合工程の後、第1および第2の複合体層を含む全ての複合体層に適切にパターン形成する。このとき、例えばDRIE法により、第1の基板の後部側面に対してパターン形成する。パターン形成の深さは、第1の基板の接触孔領域をくぼみまで拡張する。結果として、続く接触孔の金属化において、第1の基板の後部側面から接触孔領域にアクセス可能となる。同時に部品内部の気密な閉包を保証する。最後に、例えばスパッタリングまたは気相堆積のような適切な金属化方法により、第1の基板の後部側面上の全ての領域を覆うように、全ての複合体を金属化する。この方法において、第1の基板と構造体層との間の絶縁された内部層の端部を後退させるために、金属層の端部を形成する。これにより、個々の電極接触孔と第1の基板表面の全ての金属化した領域とを電気的に絶縁し得る。複合体全体の形成後に、第2の基板表面を全領域に渡って導電的にコーティングすることも可能である。この方法において、両方の基板を保護電極として利用する。個別に電気的に隔離した領域をワイヤ接合により接触結合させることができる。本発明はさらに、マイクロ機械部品、マイクロ電子機械部品およびマイクロ光電子機械部品をさらに提供する。これらの部品は、-第1の基板と、第1の基板表面の少なくとも一部を覆う第1の絶縁体層とを有する第1の複合体層と、-第2の基板と、第2の基板表面の少なくとも一部を覆う第2の絶縁体層とを有する第2の複合体層とを有しており、-第1の絶縁体層と第2の絶縁体層との間に、少なくとも部分的に導電性を有する構造体層を有し、部品の実動領域を含む構造体層の少なくとも一部が、第1および第2の複合体層によってぴったり気密に封止されるように、第1および第2の複合体層ならびに構造体層が配置されており、第1および/または第2の基板内に構造体層の導電性領域に接するための接触孔を備えている。本発明はさらにマイクロ機械部品、マイクロ電子機械部品およびマイクロ光電子機械部品を提供する。この部品は、-第1の不伝導基板と、-第2の不伝導基板とを有しており、-第1および第2の基板の間に、少なくとも部分的に導電性を有する構造体層を有し、部品の実動領域を含む構造体層の少なくとも一部が、第1および第2の基板によってぴったり気密に封止されるように、第1および第2の基板ならびに構造体層が配置されており、-第1および/または第2の基板内に構造体層の導電性領域に接するための接触孔を備えている。本発明に係る部品は、本発明に係る製造方法によって製造し得る部品の改良にしたがって設計することが好ましい。以下に例示する図面を参照した実施形態において、本発明をより詳細に説明する。図1~10は、本発明に係る製造方法の好ましい実施形態の第1~第10の製造工程を示している。図面において、同一または相互に対応する領域、部品ならびに部品群は、同一の参照数字によって特定される。以下の図1~10を参照した実施形態において、本発明に係る製造方法の好ましい実施形態をより詳細に説明する。図1に示す第1の製造工程100において、パターン化された第1の絶縁体層3を、第1の基板2の表面1上に形成する。図2に示す第2の製造工程101において、第1のくぼみ4および第2のくぼみ5を、第1の基板2の表面1に形成する。これにより、第1のくぼみ4の幅B1が、第1のくぼみ4上の第1の絶縁体層3の切り落とし幅B2よりも狭くなる。そして、絶縁端部6が第1のくぼみ4に隣接する領域に生じる。一方、第1のくぼみ5の幅は、当該くぼみ5上にある第1の絶縁体層3の切り落とし幅に対応している。第1の基板2と上記で得られた第1の絶縁体層3とを含む第1の複合体層は、構造体層7を有している。構造体層7は、図3に示す第3の製造工程102において取り付けられる。構造体層7は、第1の絶縁体層3の個々の領域上に支えられている。図4に示す第4の製造工程103において、構造体層7の導電性領域9に電気的に接続された実動構造8を形成するように、構造体層7をパターン化する。導電性領域9は実動構造8の外側に隣接している。構造体層7の外部領域10いわば製造される部品の端部領域である小片端部は、部品内部において、溝11により導電性領域9から電気的に絶縁されている。図5に示す第5の製造工程104において第2の基板12、および第2の基板12の表面13上に取り付けられた第2の絶縁体層14から、第2の複合体層を形成する。第2のくぼみ5’は、第2の基板12の表面13に形成されている。この第2のくぼみ5’の幅は実働構造8に対応している。図6に示す第6の製造工程105において、第1の複合体層および第2の複合体層を、第2の絶縁体層14と構造体層7とが隣接するように、互いに結合させる。第2のくぼみ5、5’をそれぞれ実動構造8の上下に配置する。図7に示す第7の製造工程106において、第1のくぼみ4を露出させるように、第1のくぼみ4の底面の垂直方向の位置に対応する垂直方向の位置まで、第1の基板2の外部をエッチバックする。図8に示す第8の製造工程107において、第1の基板2の表面に金属層15を堆積させる。このとき、絶縁端部6の存在により、第1のくぼみ4内に堆積した金属層15の一部は、他の金属層から電気的に隔離される。そして接触領域16が第1のくぼみ4内に形成される。図9に示す第9の製造工程108において、構造体層7から離れた方の第2の基板12の表面に、金属層17を堆積させる。金属層15および金属層17は、望ましくない電磁場から保護するための保護電極として機能する。金属層15および金属層17は、規定された共通の電位、または異なる電位で接続することができる。次いで、単一化工程を行う。結果として得られた第1の基板2、第2の基板12および構造体層7を含む複合体層、ならびに絶縁体層3、14を、切り取り端部Sにおいて個々の部品に単一化する図においては、複合体から抜粋した一部品のみを示す。図10に示す第10の製造工程109において、接触領域16をボンディングワイヤ18により接触結合させる。第1および第2の基板2、12を不伝導材料により構成する場合、次いで導電体層3、14を除去する。本発明によれば、マイクロ電子機械部品またはマイクロ光電子部品、特に、同様の電気的接点を形成するために、ぴったり気密に封止された実動構造および領域を有する部品を製造するための方法として説明する。本発明に係る製造方法においては、ウエハレベルにおいて、構造体層の特定領域を、内圧を付加してぴったり気密に封止することが可能である。この内圧は、事実上任意に付加され得る。また、本発明の製造方法においては、外部妨害電磁場に対する保護のためのシールディングを生成する可能性が生じる。この外部妨害電磁場は他の電気的接点から電気的に絶縁されている。本発明に係る製造方法は、適切な方法によりくぼみが形成され、当該くぼみの周りをセットバックする内部層により覆われた第1の基板を用いる。この内部層は、接合可能で電気的に絶縁されている。適切な接合方法によって、パターン化した、またはパターン化し得る構造体層を第1の基板に取り付ける。構造体層は、第1の基板のくぼみまたは内部層のくぼみのいずれかにまで達するくぼみを有している。さらに、第2の基板を、同様にくぼみをパターン化した表面を有するように生成し、順に第1の基板の構造体層に接合する。第1の基板の内部層から離れた表面は、第1の基板の反対側のくぼみまで達するようなくぼみを生成するようにパターン化する。適切な方法によって、電気的に導電な層を、内部層から離れた方の第1の基板の表面上の全領域を覆うように取り付ける。電気的に絶縁可能なセットバック端部の場合、第1の基板上の接合可能な内部層を絶縁端部として機能させることができる。これにより、構造体層上の電気的に絶縁された領域のための接続点を、第1の基板の構造体層上のくぼみとともに生成する。第1の基板の内部層から離れた表面のパターン化方法によって、単一化工程のための目標破断個所となり得るくぼみを同時に生成する。第1の基板の導電材料を絶縁するために、電気的に導電な接触孔の側壁を接触孔の底部から電気的に隔離させる絶縁端部を生成することが有利である。この接触孔は、部品の電極にたいてい直接結合している。上述した説明から明白なように、本発明に係る製造方法は以下の利点を有している。接触孔を第1の基板の裏面側から開口させ、構造体層を接合工程により取り付けている。接合工程は接合許容量を問題としない。構造体層の整列が接合工程に影響しないが、むしろ両側石版印刷に影響する場合、その許容量は接合工程の許容量よりも顕著に小さい。構造体層を基板に取り付ける前にパターン化する場合、この利点は省略される。接触領域の金属化は、全ての接合処理の完了後まで行わない。その結果、例えば、400°C以上の温度負荷量におけるシリコン直接接合SFBを用いることが可能である。これにより構造体層のドーピングプロファイルを比較的高い温度に減じることが可能であり、構造体層内にドープされた実動領域を生じさせない。接触孔は、ぴったり気密に封止する接合処理後まで開口しない。結果として、接合領域を拡大させることが可能であり、これにより接合処理を簡素化することが可能である。接合領域は、接合処理中に互いに接触する領域を意図していることが理解される。接合領域が拡大すると、接合対象基板、ウエハ等を保持する力が増大する。本発明は、いずれかの小型化された部品を製造するための方法、特に、マイクロ機械部品、マイクロ電子機械部品またはマイクロ光電子部品を製造するための方法に適用可能である。このような部品として、加速度センサ、回転率センサ、温度センサ、光学結合部材等が挙げられる。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。