"第1の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成された結晶シリコン基板と、前記結晶シリコン基板の前記半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、非晶質相からなる第1の非晶質膜と、前記結晶シリコン基板の前記一方の表面側または前記結晶シリコン基板の他方の表面側に形成されたp/n接合部とを備える光電変換素子。前記p/n接合部は、前記結晶シリコン基板のバルク領域と、前記結晶シリコン基板の前記一方の表面側に前記バルク領域に接して設けられ、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する拡散領域とを含む、請求項1に記載の光電変換素子。前記結晶シリコン基板は、単結晶シリコン基板からなる、請求項2に記載の光電変換素子。前記結晶シリコン基板は、多結晶シリコン基板からなる、請求項2に記載の光電変換素子。前記結晶シリコン基板は、単結晶シリコン基板からなり、前記p/n接合部は、前記単結晶シリコン基板のバルク領域と、前記単結晶シリコン基板の前記他方の表面側に前記バルク領域に接して設けられ、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有する第1の拡散領域と、前記単結晶シリコン基板の面内方向において前記第1の拡散領域に隣接するとともに前記バルク領域に接して前記単結晶シリコン基板の前記他方の表面側に設けられ、前記第1の導電型を有する第2の拡散領域とを含む、請求項1に記載の光電変換素子。前記第1の導電型は、n型であり、前記第2の導電型は、p型である、請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記第1の導電型は、p型であり、前記第2の導電型は、n型である、請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の光電変換素子。第1の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成された単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板の前記半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、非晶質相からなる第1の非晶質膜と、前記単結晶シリコン基板の他方の表面に接して形成され、ノンドープかつ非晶質相からなる第2の非晶質膜と、前記第2の非晶質膜に接して配置されるとともに、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有し、非晶質相からなる第3の非晶質膜と、前記第3の非晶質膜に隣接するとともに前記第2の非晶質膜に接して配置され、前記第1の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第4の非晶質膜とを備える光電変換素子。前記第1の導電型は、n型であり、前記第2の導電型は、p型である、請求項8に記載の光電変換素子。前記第1の非晶質膜は、n型アモルファスシリコンゲルマニウム、n型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンナイトライド、n型アモルファスシリコンカーバイド、n型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、i型アモルファスシリコンゲルマニウム、i型アモルファスシリコン、i型アモルファスシリコンナイトライド、i型アモルファスシリコンカーバイドおよびi型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなり、前記第2の非晶質膜は、i型アモルファスシリコンゲルマニウム、i型アモルファスシリコン、i型アモルファスシリコンナイトライド、i型アモルファスシリコンカーバイドおよびi型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなり、前記第3の非晶質膜は、p型アモルファスシリコンゲルマニウム、p型アモルファスシリコン、p型アモルファスシリコンナイトライド、p型アモルファスシリコンカーバイドおよびp型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなり、前記第4の非晶質膜は、n型アモルファスシリコンゲルマニウム、n型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンナイトライド、n型アモルファスシリコンカーバイドおよびn型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなる、請求項9に記載の光電変換素子。前記第1の導電型は、p型であり、前記第2の導電型は、n型である、請求項8に記載の光電変換素子。前記第1の非晶質膜は、p型アモルファスシリコンゲルマニウム、p型アモルファスシリコン、p型アモルファスシリコンナイトライド、p型アモルファスシリコンカーバイド、p型アモルファスシリコンカーボンナイトライド、i型アモルファスシリコンゲルマニウム、i型アモルファスシリコン、i型アモルファスシリコンナイトライド、i型アモルファスシリコンカーバイドおよびi型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなり、前記第2の非晶質膜は、i型アモルファスシリコンゲルマニウム、i型アモルファスシリコン、i型アモルファスシリコンナイトライド、i型アモルファスシリコンカーバイドおよびi型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなり、前記第3の非晶質膜は、n型アモルファスシリコンゲルマニウム、n型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンナイトライド、n型アモルファスシリコンカーバイドおよびn型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなり、前記第4の非晶質膜は、p型アモルファスシリコンゲルマニウム、p型アモルファスシリコン、p型アモルファスシリコンナイトライド、p型アモルファスシリコンカーバイドおよびp型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなる、請求項11に記載の光電変換素子。第1の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成された結晶シリコン基板と、前記結晶シリコン基板の前記半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、ノンドープかつ非晶質相からなる第1の非晶質膜と、前記第1の非晶質膜に接して形成されるとともに、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第2の非晶質膜とを備える光電変換素子。前記第1の非晶質膜は、i型アモルファスシリコンゲルマニウム、i型アモルファスシリコン、i型アモルファスシリコンナイトライド、i型アモルファスシリコンカーバイドおよびi型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなる、請求項13に記載の光電変換素子。前記結晶シリコン基板は、n型単結晶シリコン基板またはn型多結晶シリコン基板からなり、前記第2の非晶質膜は、p型アモルファスシリコンゲルマニウム、p型アモルファスシリコン、p型アモルファスシリコンナイトライド、p型アモルファスシリコンカーバイドおよびp型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなる、請求項13または請求項14に記載の光電変換素子。前記結晶シリコン基板は、p型単結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板からなり、前記第2の非晶質膜は、n型アモルファスシリコンゲルマニウム、n型アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンナイトライド、n型アモルファスシリコンカーバイドおよびn型アモルファスシリコンカーボンナイトライドのいずれかからなる、請求項13または請求項14に記載の光電変換素子。しかし、単結晶シリコンの表面にアモルファスシリコンをパッシベーション膜としてプラズマCVD法によって形成する場合、単結晶シリコンの表面がテクスチャ化されていれば、単結晶シリコンの表面が111面からなるため、シリコンがエピタキシャル成長し、単結晶シリコンに対するパッシベーションが困難であるという問題がある。そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、結晶シリコンの表面をパッシベートできる光電変換素子を提供するものである。この発明の実施の形態によれば、光電変換素子は、結晶シリコン基板と、第1の非晶質膜と、p/n接合とを備える。結晶シリコン基板は、第1の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成されている。第1の非晶質膜は、結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、非晶質相からなる。p/n接合は、結晶シリコン基板の一方の表面側または結晶シリコン基板の他方の表面側に形成されている。また、この発明の実施の形態によれば、光電変換素子は、単結晶シリコン基板と、第1から第4の非晶質膜とを備える。単結晶シリコン基板は、第1の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成されている。第1の非晶質膜は、単結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、非晶質相からなる。第2の非晶質膜は、単結晶シリコン基板の他方の表面に接して形成され、ノンドープかつ非晶質相からなる。第3の非晶質膜は、第2の非晶質膜に接して配置されるとともに、第1の導電型と反対の第2の導電型を有し、非晶質相からなる。第4の非晶質膜は、第3の非晶質膜に隣接するとともに第2の非晶質膜に接して配置され、第1の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる。更に、この発明の実施の形態によれば、光電変換素子は、結晶シリコン基板と、第1および第2の非晶質膜とを備える。結晶シリコン基板は、第1の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成されている。第1の非晶質膜は、結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、ノンドープかつ非晶質相からなる。第2の非晶質膜は、第1の非晶質膜に接して形成されるとともに、第1の導電型と反対の第2の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる。この発明の実施の形態による光電変換素子においては、結晶シリコン基板は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造を一方の表面に有する。そして、結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造上に薄膜を堆積すると、この凹凸構造は、111以外の面方位を有するので、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなる。その結果、非晶質相からなる第1の非晶質膜が結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成される。従って、結晶シリコン基板の表面をパッシベートできる。また、この発明の実施の形態による光電変換素子においては、単結晶シリコン基板は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造を一方の表面に有する。そして、単結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造上に薄膜を堆積すると、この凹凸構造は、111以外の面方位を有するので、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなる。その結果、非晶質相からなる第1の非晶質膜が半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成される。また、単結晶シリコン基板の凹部が形成された面と反対側には、単結晶シリコン基板と第2から第4の非晶質膜とによってpin接合が形成されている。従って、裏面コンタクト型の光電変換素子において、第1の非晶質膜によって単結晶シリコン基板の表面をパッシベートできる。更に、この発明の実施の形態による光電変換素子においては、結晶シリコン基板は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造を一方の表面に有する。そして、結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造上に薄膜を堆積すると、この凹凸構造は、111以外の面方位を有するので、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなる。その結果、非晶質相からなる第1の非晶質膜が結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成される。また、第2の非晶質膜が第1の非晶質膜に接して形成されている。従って、太陽光の入射側にpin接合が形成された光電変換素子において、第1の非晶質膜によって単結晶シリコン基板の表面をパッシベートできる。本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。この明細書において、非晶質相とは、シリコンSi原子等がランダムに配列された状態を言う。また、アモルファスシリコンをa-Siと表記するが、この表記は、実際には、水素H原子が含まれていることを意味する。アモルファスシリコンカーバイドa-SiC、アモルファスシリコンナイトライドa-SiN、アモルファスシリコンカーボンナイトライドa-SiCN、アモルファスシリコンゲルマニウムa-SiGeおよびアモルファスゲルマニウムa-Geについても、同様に、H原子が含まれていることを意味する。更に、結晶シリコン基板とは、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板を言う。[実施の形態1]図1は、この発明の実施の形態1による光電変換素子の構成を示す断面図である。図1を参照して、この発明の実施の形態1による光電変換素子10は、結晶シリコン基板1と、非晶質膜2と、電極3,6と、パッシベーション膜5とを備える。結晶シリコン基板1は、n型単結晶シリコン基板またはp型単結晶シリコン基板からなる。また、結晶シリコン基板1は、n型多結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板からなる。n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。n型多結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板についても、面方位を除いて同様である。そして、結晶シリコン基板1は、その一方の表面側に拡散領域1a,1bを含む。拡散領域1a,1bの各々は、結晶シリコン基板1と反対の導電型を有し、深さは、例えば、200nmである。また、拡散領域1bのドーパント濃度は、拡散領域1aのドーパント濃度よりも高い。例えば、拡散領域1aは、1×1019cm-3のドーパント濃度を有し、拡散領域1bは、1×1020cm-3のドーパント濃度を有する。更に、結晶シリコン基板1は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部1cを含む凹凸構造が一方の表面に形成されている。この凹凸構造は、所謂、ハニカムテクスチャと呼ばれるものである。そして、凹部1cは、結晶シリコン基板1の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。非晶質膜2は、非晶質相からなり、結晶シリコン基板1の凹部1cを含む凹凸構造に接して形成される。非晶質膜2は、結晶シリコン基板1がn型の導電型を有する場合、n型非晶質膜またはi型非晶質膜からなる。また、非晶質膜2は、結晶シリコン基板1がp型の導電型を有する場合、p型非晶質膜またはi型非晶質膜からなる。そして、非晶質膜2は、例えば、10nmの膜厚を有する。電極3は、結晶シリコン基板1の拡散領域1bに接して形成される。そして、電極3は、例えば、銀Agからなる。パッシベーション膜5は、結晶シリコン基板1の他方の面=凹部1cが形成された面と反対の面に接して形成される。パッシベーション膜5は、シリコン酸化膜からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極6は、結晶シリコン基板1およびパッシベーション膜5に接して形成される。そして、電極6は、例えば、アルミニウムAlからなる。結晶シリコン基板1の一方の面には、上述したように、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部1cを含む凹凸構造が形成されているので、結晶シリコン基板1の表面は、111の面方位と異なる面方位を有する。その結果、薄膜を結晶シリコン基板1の表面=凹部1cが形成された面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなる非晶質膜2が結晶シリコン基板1の表面=凹部1cが形成された面に形成される。従って、結晶シリコン基板1の表面をパッシベートできる。以下、光電変換素子10の実施例について説明する。実施例1図2は、実施例1における光電変換素子の構成を示す断面図である。図2を参照して、光電変換素子10Aは、n型単結晶シリコン基板11と、n型非晶質膜12と、電極13,16と、パッシベーション膜15とを備える。n型単結晶シリコン基板11は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板11の厚みは、例えば、200μmである。そして、n型単結晶シリコン基板11の一方の面には、凹部11cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されている。また、n型単結晶シリコン基板11は、一方の面側に拡散領域11a,11bを有する。拡散領域11a,11bの各々は、p型の導電型を有し、例えば、ボロンBをドーパントして含む。拡散領域11aのB濃度は、例えば、1×1019cm-3であり、拡散領域11bのB濃度は、例えば、1×1020cm-3である。n型非晶質膜12は、n型単結晶シリコン基板11の凹部1cを含む凹凸構造に接して形成される。n型非晶質膜12は、n型a-Siからなる。そして、n型非晶質膜12の膜厚は、例えば、10nmであり、n型非晶質膜12中のリンP濃度は、例えば、1×1017cm-3~1×1019cm-3の範囲である。電極13は、n型単結晶シリコン基板11の拡散領域11bに接して形成される。そして、電極13は、Agからなる。パッシベーション膜15は、n型単結晶シリコン基板11の他方の面凹部11cが形成された面と反対の面に接して形成される。そして、パッシベーション膜15は、例えば、二酸化シリコンSiO2からなり、10~100nmの膜厚を有する。電極16は、n型単結晶シリコン基板11およびパッシベーション膜15に接して形成される。そして、電極16は、Alからなる。図3および図4は、それぞれ、図2に示す光電変換素子10Aの製造方法を示す第1および第2の工程図である。100の面方位を有するn型単結晶シリコン基板11をエタノール等で超音波洗浄して脱脂する。そして、n型単結晶シリコン基板11の一方の表面にシリコンナイトライドSiN膜を形成し、その形成したSiN膜をフォトリソグラフィおよびエッチングによってパターンニングし、マスク20を作製する図3の工程a参照。マスク20は、例えば、直径が2~3μm程度である小孔21を有する。工程aの後、フッ酸HFと硝酸HNO3との混酸を用いてマスク20を介してn型単結晶シリコン基板11を等方性エッチングし、マスク20を除去する。これによって、凹部11cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャがn型単結晶シリコン基板1の一方の表面側に形成される図3の工程b参照。そして、p型のドーパントであるボロンBを含むBSGBoronSilicateGlass膜22をn型単結晶シリコン基板11の表面=凹部11cが形成された表面にAPCVDAtmosphericPressureChemicalVapourDeposition法によって形成する図3の工程c参照。その後、BSG膜22/n型単結晶シリコン基板11を窒素ガス雰囲気中で800°Cの温度で、1時間、熱処理する。そして、熱処理後、BSG膜22を除去する。これによって、n型単結晶シリコン基板11の表面側に拡散領域23が形成される図3の工程d参照。引き続いて、拡散領域23を覆うようにBSG膜をAPCVD法によって形成するとともに、その形成したBSG膜の全面にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングし、レジストパターンを作製する。そして、その作製したレジストパターンをマスクとしてBSG膜をエッチングし、BSG膜24を形成する図3の工程e参照。そして、BSG膜24/n型単結晶シリコン基板11を窒素ガス雰囲気中で950°Cの温度で、50分、熱処理する。そして、熱処理後、BSG膜24を除去する。これによって、拡散領域11a,11bがn型単結晶シリコン基板11の表面側に形成される図4の工程f参照。拡散領域11bは、BSG膜の2回の熱処理によって形成されるので、B濃度が拡散領域11aよりも高く、拡散領域11bの深さは、拡散領域11aよりも深い。工程fの後、n型単結晶シリコン基板11を酸素雰囲気中で1000°Cの温度で熱処理してSiO2からなるパッシベーション膜15をn型単結晶シリコン基板11の裏面=凹部11cが形成された面と反対の面に形成する図4の工程g参照。なお、凹部11cが形成された面にも、SiO2が形成されるが、このSiO2は、HFによって除去される。そして、n型単結晶シリコン基板11の表面にn型a-Siからなるn型非晶質膜12をプラズマCVD法によって形成する図4の工程h参照。この場合、n型a-Siを形成する条件は、シランSiH4ガスの流量が20sccmであり、水素H2ガスの流量が150sccmであり、ホスフィンPH3ガスの流量が100sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。なお、PH3ガスは、H2ガスによって希釈されており、その濃度は、0.2である。工程hの後、フォトリソグラフィおよびエッチングによってn型非晶質膜12およびパッシベーション膜16にそれぞれコンタクトホール25,26を形成する図4の工程i参照。そして、電極13をn型非晶質膜12側に形成し、電極16をパッシベーション膜15側に形成する。これによって、光電変換素子10Aが完成する図4の工程j参照。工程hにおいて、n型a-Siからなるn型非晶質膜12をn型単結晶シリコン基板11上に堆積する場合、n型単結晶シリコン基板11の表面=凹部11cが形成された表面には、凹部11cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されているので、n型単結晶シリコン基板11の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をn型単結晶シリコン基板11の表面=凹部11cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、n型a-Siからなるn型非晶質膜12をn型単結晶シリコン基板11の表面=凹部11cが形成された表面に形成できる。光電変換素子10Aにおいては、太陽光は、n型非晶質膜12側から光電変換素子10Aに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、n型非晶質膜12を介してn型単結晶シリコン基板11へ入射する。そうすると、n型単結晶シリコン基板11中で正孔および電子が光励起される。そして、光励起された正孔は、拡散領域11a,11bとn型単結晶シリコン基板11のバルク領域=n型単結晶シリコン基板11の拡散領域11a,11b以外の領域とによって形成されるp/n接合の方向へ拡散によって移動し、p/n接合による内部電界によって拡散領域11a,11bへ到達する。拡散領域11aに到達した正孔は、拡散領域11aとn型非晶質膜12との界面で再結合が抑制され、拡散によって拡散領域11bへ到達する。このように、n型非晶質膜12は、n型単結晶シリコン基板11の表面に対してパッシベーション膜として機能する。そして、正孔は、拡散領域11bから電極13に至る。一方、光励起された電子は、拡散によってn型単結晶シリコン基板11の裏面側へ移動する。そして、n型単結晶シリコン基板11とパッシベーション膜15との界面へ到達した電子は、再結合が抑制され、拡散によって電極16に到達する。電極16に到達した電子は、電極16から負荷を介して電極13に到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子10Aは、光入射側の表面の面方位が111以外であるn型単結晶シリコン基板11を備えるので、非晶質相からなるn型非晶質膜12がn型単結晶シリコン基板11の表面=凹部11cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである正孔の再結合がn型非晶質膜12によって抑制される。従って、n型単結晶シリコン11の表面をパッシベートできる。上記においては、n型非晶質膜12は、n型a-Siであると説明したが、光電変換素子10Aにおいては、これに限らず、n型非晶質膜12は、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。n型a-SiGeは、SiH4ガス、ゲルマンGeH4ガス、H2ガスおよびPH3ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。n型a-SiNは、SiH4ガス、アンモニアNH3ガス、H2ガスおよびPH3ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。n型a-SiCは、SiH4ガス、メタンCH4ガス、H2ガスおよびPH3ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。n型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガス、H2ガスおよびPH3ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。n型非晶質膜12がn型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなる場合も、n型非晶質膜12は、非晶質相からなるので、n型単結晶シリコン基板11の表面をパッシベートできる。また、光電変換素子10Aは、n型非晶質膜12に代えてi型非晶質膜を備えていてもよい。この場合、i型非晶質膜は、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。i型a-Siは、SiH4ガスおよびH2ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiGeは、SiH4ガス、GeH4ガスおよびH2ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiNは、SiH4ガス、NH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiCは、SiH4ガス、CH4ガスおよびH2ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。i型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガスおよびH2ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子10Aは、n型単結晶シリコン基板11に代えてn型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。n型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有シ、例えば、200μmの厚みを有する。そして、n型多結晶シリコン基板の表面は、図3の工程aに示すマスク20を用いてドライエッチングによってハニカムテクスチャ化される。なお、光電変換素子10Aがn型多結晶シリコン基板を備えている場合も、非晶質相からなるn型非晶質膜12がn型単結晶シリコン基板上に堆積され、n型非晶質膜12は、上述した各種の材料からなる。また、光電変換素子10Aがn型多結晶シリコン基板を備えている場合も、光電変換素子10Aは、n型非晶質膜12に代えてi型非晶質膜を備えていてもよく、i型非晶質膜は、上述した各種の材料からなる。また、光電変換素子10Aは、n型非晶質膜12に接して反射防止膜を更に備えていてもよい。この場合、反射防止膜は、例えば、シリコン窒化膜からなり、10~100nmの膜厚を有する。実施例2図5は、実施例2における光電変換素子の構成を示す断面図である。図5を参照して、光電変換素子10Bは、p型単結晶シリコン基板31と、p型非晶質膜32と、電極33,36と、パッシベーション膜35とを備える。p型単結晶シリコン基板31は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、p型単結晶シリコン基板31の厚みは、例えば、200μmである。そして、p型単結晶シリコン基板31の一方の面には、凹部31cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されている。また、p型単結晶シリコン基板31は、一方の面側に拡散領域31a,31bを有する。拡散領域31a,31bの各々は、n型の導電型を有し、例えば、Pをドーパントして含む。拡散領域31aのP濃度は、例えば、1×1019cm-3であり、拡散領域11bのP濃度は、例えば、1×1020cm-3である。p型非晶質膜32は、p型単結晶シリコン基板31の凹部31cを含む凹凸構造に接して形成される。p型非晶質膜32は、p型a-Siからなる。そして、p型非晶質膜32の膜厚は、例えば、10nmであり、p型非晶質膜32中のB濃度は、例えば、1×1017cm-3~1×1019cm-3の範囲である。電極33は、p型単結晶シリコン基板31の拡散領域31bに接して形成される。そして、電極33は、Agからなる。パッシベーション膜35は、p型単結晶シリコン基板31の他方の面凹部31cが形成された面と反対の面に接して形成される。そして、パッシベーション膜35は、例えば、SiO2からなり、10~100nmの膜厚を有する。電極36は、p型単結晶シリコン基板31およびパッシベーション膜35に接して形成される。そして、電極36は、Alからなる。光電変換素子10Bは、図3および図4に示す工程a~工程jに従って製造される。この場合、工程a,bにおいて、p型単結晶シリコン基板31の一方の表面に凹部31cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成される。また、工程c~工程fにおいて、拡散領域31a,31bが形成される。なお、Pのドーパント源は、PSGPhosphorusSilicateGlass膜である。更に、工程gにおいて、パッシベーション膜35がp型単結晶シリコン基板31の裏面に形成され、工程hにおいて、p型非晶質膜32がp型単結晶シリコン基板31の一方の表面凹部31cが形成された面に形成される。更に、工程i,jにおいて電極33,36が形成される。工程hにおいて、p型a-Siからなるp型非晶質膜32をp型単結晶シリコン基板31上に堆積する場合、p型単結晶シリコン基板31の表面=凹部31cが形成された表面には、凹部31cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されているので、p型単結晶シリコン基板31の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をp型単結晶シリコン基板31の表面=凹部31cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、p型a-Siからなるp型非晶質膜32をp型単結晶シリコン基板31の表面=凹部31cが形成された表面に形成できる。光電変換素子10Bにおいては、太陽光は、p型非晶質膜32側から光電変換素子10Bに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、p型非晶質膜32を介してp型単結晶シリコン基板31へ入射する。そうすると、p型単結晶シリコン基板31中で正孔および電子が光励起される。そして、光励起された電子は、拡散領域31a,31bとp型単結晶シリコン基板31のバルク領域=p型単結晶シリコン基板31の拡散領域31a,31b以外の領域とによって形成されるp/n接合の方向へ拡散によって移動し、p/n接合による内部電界によって拡散領域31a,31bへ到達する。拡散領域31aに到達した電子は、拡散領域31aとp型非晶質膜32との界面で再結合が抑制され、拡散によって拡散領域31bへ到達する。このように、p型非晶質膜32は、p型単結晶シリコン基板31の表面に対してパッシベーション膜として機能する。そして、電子は、拡散領域31bから電極33に至る。一方、光励起された正孔は、拡散によってp型単結晶シリコン基板31の裏面側へ移動する。p型単結晶シリコン基板31とパッシベーション膜35との界面へ到達した正孔は、再結合が抑制され、拡散によって電極36に到達する。そして、電子は、電極33から負荷を介して電極36に到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子10Bは、光入射側の表面の面方位が111以外であるp型単結晶シリコン基板31を備えるので、非晶質相からなるp型非晶質膜32がp型単結晶シリコン基板31の表面=凹部31cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである電子の再結合がp型非晶質膜32によって抑制される。従って、p型単結晶シリコン31の表面をパッシベートできる。上記においては、p型非晶質膜32は、p型a-Siであると説明したが、光電変換素子10Bにおいては、これに限らず、p型非晶質膜32は、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。p型a-SiGeは、SiH4ガス、GeH4ガス、H2ガスおよびジボランB2H6ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。p型a-SiNは、SiH4ガス、NH3ガス、H2ガスおよびB2H6ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。p型a-SiCは、SiH4ガス、CH4ガス、H2ガスおよびB2H6ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。p型a-SiCNは、SiH4ガス、CH4ガス、NH3ガス、H2ガスおよびB2H6ガスを材料ガスとしてプラズマCVD法によって形成される。p型非晶質膜32がp型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなる場合も、p型非晶質膜32は、非晶質相からなるので、p型単結晶シリコン基板31の表面をパッシベートできる。また、光電変換素子10Bは、p型非晶質膜32に代えてi型非晶質膜を備えていてもよい。この場合、i型非晶質膜は、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNハ、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子10Bは、p型単結晶シリコン基板31に代えてp型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。p型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有し、例えば、200μmの厚みを有する。そして、p型多結晶シリコン基板の表面は、図3の工程aに示すマスク20を用いてドライエッチングによってハニカムテクスチャ化される。なお、光電変換素子10Bがp型多結晶シリコン基板を備えている場合も、p型非晶質膜32は、上述した各種の材料からなる。また、光電変換素子10Bがp型多結晶シリコン基板を備えている場合も、光電変換素子10Bは、p型非晶質膜32に代えてi型非晶質膜を備えていてもよく、i型非晶質膜は、上述した各種の材料からなる。また、光電変換素子10Bは、p型非晶質膜32に接して反射防止膜を更に備えていてもよい。この場合、反射防止膜は、例えば、シリコン窒化膜からなり、10~100nmの膜厚を有する。上述したように、実施の形態1によれば、p/n接合が光入射側に存在する光電変換素子10は、結晶シリコン基板1の光入射側の表面に111以外の面方位を有する凹部1cを含む凹凸構造を有する結晶シリコン基板1を備える。その結果、非晶質膜2は、結晶相ではなく、非晶質相からなる。従って、結晶シリコン基板1をパッシベートできる。そして、光電変換素子10においては、少数キャリアは、非晶質膜2と拡散領域1aとの界面に存在する内部電界によっても再結合が抑制され、電極3に到達し易くなる。従って、光電変換素子10の変換効率を向上できる。[実施の形態2]図6は、実施の形態2による光電変換素子の構成を示す断面図である。図6を参照して、実施の形態2による光電変換素子100は、単結晶シリコン基板41と、非晶質膜42と、酸化膜43と、電極441~44nとを備える。単結晶シリコン基板41は、n型単結晶シリコン基板またはp型単結晶シリコン基板からなる。n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。そして、単結晶シリコン基板41は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部41cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。凹部41cは、単結晶シリコン基板41の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。また、単結晶シリコン基板41は、他方の表面側に拡散領域411~41nを含む。拡散領域411,413,,41n-2,41nは、単結晶シリコン基板41がn型の導電型を有する場合、n型の導電型を有し、単結晶シリコン基板41がp型の導電型を有する場合、p型の導電型を有する。拡散領域412,414,,41n-1は、単結晶シリコン基板41がn型の導電型を有する場合、p型の導電型を有し、単結晶シリコン基板41がp型の導電型を有する場合、n型の導電型を有する。このように、拡散領域411,413,,41n-2,41nは、単結晶シリコン基板41の導電型と同じ導電型を有し、拡散領域412,414,,41n-1は、単結晶シリコン基板41の導電型と反対の導電型を有する。拡散領域411,413,,41n-2,41nおよび拡散領域412,414,,41n-1は、単結晶シリコン基板41の面内方向において交互に配置される。拡散領域411,413,,41n-2,41nの各々におけるドーパント濃度は、例えば、1×1019cm-3~1×1020cm-3であり、拡散領域412,414,,41n-1の各々におけるドーパント濃度は、例えば、1×1019cm-3~1×1020cm-3である。また、拡散領域411,413,,41n-2,41nおよび拡散領域412,414,,41n-1の深さは、例えば、200nm~400nmである。非晶質膜42は、非晶質相からなり、単結晶シリコン基板41の凹部41cを含む凹凸構造に接して形成される。非晶質膜42は、単結晶シリコン基板41がn型の導電型を有する場合、n型非晶質膜またはi型非晶質膜からなる。また、非晶質膜42は、単結晶シリコン基板41がp型の導電型を有する場合、p型非晶質膜またはi型非晶質膜からなる。そして、非晶質膜42は、例えば、10nmの膜厚を有する。酸化膜43は、単結晶シリコン基板41の裏面凹部41cが形成された面と反対の面に接して設けられる。そして、酸化膜43は、例えば、SiO2からなり、その膜厚は、例えば、10nm~100nmである。電極441~44nの各々は、例えば、Agからなる。そして、電極441,443,,44n-2,44nは、酸化膜43を介してそれぞれ拡散領域411,413,,41n-2,41nに接するように形成される。また、電極442,444,,44n-1は、酸化膜43を介してそれぞれ拡散領域412,414,,41n-1に接するように形成される。拡散領域411,413,,41n-2,41nおよび拡散領域412,414,,41n-1は、図6の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、拡散領域412,414,,41n-1の全体の面積が単結晶シリコン基板41の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、拡散領域411,413,,41n-2,41nの全体の面積が単結晶シリコン基板41の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、拡散領域412,414,,41n-1の面積占有率を拡散領域411,413,,41n-2,41nの面積占有率よりも大きくするのは、単結晶シリコン基板41中で光励起された電子および正孔がpn接合によって分離され易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。単結晶シリコン基板41の一方の面には、上述したように、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部41cを含む凹凸構造が形成されているので、単結晶シリコン基板41の表面は、111の面方位と異なる面方位を有する。その結果、薄膜を単結晶シリコン基板41の表面凹部41cが形成された面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなる非晶質膜42が単結晶シリコン基板41の表面に形成される。従って、単結晶シリコン基板41の表面をパッシベートできる。以下、光電変換素子100の実施例について説明する。実施例3図7は、実施例3における光電変換素子の構成を示す断面図である。図7を参照して、光電変換素子100Aは、n型単結晶シリコン基板51と、n型非晶質膜52と、酸化膜53と、電極541~54nとを備える。n型単結晶シリコン基板51は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、n型単結晶シリコン基板51の厚みは、例えば、200μmである。また、n型単結晶シリコン基板51は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部51cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。凹部51cは、n型単結晶シリコン基板51の面内方向において、数μmの幅を有する。更に、n型単結晶シリコン基板51は、n型拡散領域511,513,,51-2,51nと、p型拡散領域512,514,,51n-1とを他方の表面側に含む。n型拡散領域511,513,,51-2,51nおよびp型拡散領域512,514,,51n-1は、n型単結晶シリコン基板51の面内方向において交互に配置される。n型拡散領域511,513,,51-2,51nの各々におけるP濃度は、例えば、5×1019cm-3である。また、p型拡散領域512,514,,51n-1の各々におけるB濃度は、例えば、8×1019cm-3である。その結果、n型拡散領域511,513,,51-2,51nおよびp型拡散領域512,514,,51n-1は、約2×10-3Ωcmの比抵抗を有する。n型拡散領域511,513,,51-2,5nの深さは、例えば、200nmであり、p型拡散領域512,514,,51n-1の深さは、例えば、200nmである。n型非晶質膜52は、非晶質相からなり、n型単結晶シリコン基板51の凹部51cを含む凹凸構造に接して形成される。n型非晶質膜52は、例えば、n型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。そして、n型非晶質膜52中におけるP濃度は、例えば、1×1017cm-3~1×1019cm-3である。酸化膜53は、n型単結晶シリコン基板51の裏面凹部51cが形成された面と反対の面に接して形成される。そして、酸化膜53は、例えば、SiO2からなり、その膜厚は、例えば、10nm~100nmである。電極541~54nの各々は、例えば、Agからなる。そして、電極541,543,,54n-2,54nは、酸化膜53を介してそれぞれn型拡散領域511,513,,51n-2,51nに接するように形成される。また、電極542,544,,54n-1は、酸化膜53を介してそれぞれp型拡散領域512,514,,51n-1に接するように形成される。n型拡散領域511,513,,51n-2,51nおよびp型拡散領域512,514,,51n-1は、図7の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、p型拡散領域512,514,,51n-1の全体の面積がn型単結晶シリコン基板51の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、n型拡散領域511,513,,51n-2,51nの全体の面積がn型単結晶シリコン基板51の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。p型拡散領域512,514,,51n-1およびn型拡散領域511,513,,51n-2,51nの面積占有率がこのような値に設定される理由は、光電変換素子100において拡散領域412,414,,41n-1および拡散領域411,413,,41n-2,41nの面積占有率がそれぞれ60~93および5~20に設定される理由と同じである。図8および図9は、それぞれ、図7に示す光電変換素子100Aの製造方法を示す第1および第2の工程図である。光電変換素子100Aの製造が開始されると、図3の工程a,bと同じ工程に従って、凹部51cを含む凹凸構造=ハニカムテクスチャがn型単結晶シリコン基板51の一方の表面に形成される図8の工程a,b参照。この場合、直径が2~3μmである小孔21を有するマスク20が用いられる。工程bの後、PSG膜をn型単結晶シリコン基板51の裏面凹部51cが形成された面と反対側の面にAPCVD法によって形成する。そして、その形成したPSG膜をフォトリソグラフィおよびエッチングによってパターンニングし、PSG膜55を形成する図8の工程c参照。その後、PSG膜55/n型単結晶シリコン基板51を窒素雰囲気中で800°Cの温度で、1時間、熱処理し、PSG膜55を除去する。これによって、n型拡散領域511,513,,51n-2,51nが形成される図8の工程d参照。引き続いて、BSG膜をn型単結晶シリコン基板51の裏面凹部51cが形成された面と反対側の面にAPCVD法によって形成する。そして、その形成したBSG膜をフォトリソグラフィおよびエッチングによってパターンニングし、BSG膜56を形成する図8の工程e参照。そして、BSG膜56/n型単結晶シリコン基板51を窒素雰囲気中で800°Cの温度で、1時間、熱処理し、BSG膜56を除去する。これによって、p型拡散領域512,514,,51n-1が形成される図9の工程f参照。その後、n型単結晶シリコン基板51を酸素ガス雰囲気中で975°Cの温度で、10分間、酸化し、酸化膜53をn型単結晶シリコン基板51の裏面凹部51cが形成された面と反対側の面に形成する図9の工程g参照。この場合、n型単結晶シリコン基板51の一方の表面凹部51cが形成された面にも酸化膜が形成されるが、この酸化膜をHFによって除去する。そして、n型a-Siからなるn型非晶質膜52をプラズマCVD法によってn型単結晶シリコン基板51の一方の表面凹部51cが形成された面に形成する図9の工程h参照。この場合、n型a-Siを形成する条件は、SiH4ガスの流量が20sccmであり、H2ガスの流量が150sccmであり、PH3ガスの流量が100sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。なお、PH3ガスは、H2ガスによって希釈されており、その濃度は、0.2である。工程hの後、フォトリソグラフィおよびエッチングによってn型拡散領域511,513,,51n-2,51nおよびp型拡散領域512,514,,5n-1に達するようにコンタクトホールを酸化膜53に形成し、電極541~54nを形成する。これによって、光電変換素子100Aが完成する図9の工程i参照。工程hにおいて、n型a-Siからなるn型非晶質膜52をn型単結晶シリコン基板51上に堆積する場合、n型単結晶シリコン基板51の表面=凹部51cが形成された表面には、凹部51cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されているので、n型単結晶シリコン基板51の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をn型単結晶シリコン基板51の表面=凹部51cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、n型a-Siからなるn型非晶質膜52をn型単結晶シリコン基板51の表面=凹部51cが形成された表面に形成できる。光電変換素子100Aにおいては、太陽光は、n型非晶質膜52側から光電変換素子100Aに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、n型非晶質膜52を介してn型単結晶シリコン基板51へ入射する。そうすると、n型単結晶シリコン基板51中で正孔および電子が光励起される。そして、n型単結晶シリコン基板51とn型非晶質膜52との界面近傍で光励起された正孔は、拡散によってn型単結晶シリコン基板51とn型非晶質膜52との界面に到達する。n型単結晶シリコン基板51は、約1.1eVの光学バンドギャップおよび0.14~0.19eVの活性化エネルギーを有する。また、n型非晶質膜52n型a-Siは、約1.84eVの光学バンドギャップおよび0.2eVの活性化エネルギーを有する。従って、n型非晶質膜52n型a-Siの価電子帯端は、n型単結晶シリコン基板51の価電子帯端よりも0.68~0.73eVだけエネルギー的に高くなる。即ち、n型単結晶シリコン基板51とn型非晶質膜52との界面には、正孔に対して高さが0.68~0.73eVである障壁Bhが存在する。その結果、n型単結晶シリコン基板51とn型非晶質膜52との界面に到達した正孔は、この障壁Bhによってn型非晶質膜52n型a-Si中への移動が阻止されるとともに、n型非晶質膜52n型a-Siのn型単結晶シリコン基板51の表面に対するパッシベーション効果によって再結合が抑制され、n型単結晶シリコン基板51の裏面側への拡散が促進される。そして、正孔は、p型拡散領域512,514,,51n-1に到達し、p型拡散領域512,514,,51n-1から電極542,544,,54n-1に至る。一方、光励起された電子は、拡散によってn型拡散領域511,513,,51n-2,51nに到達し、n型拡散領域511,513,,51n-2,51nから電極541,543,,54n-2,54nに至る。そして、電子は、電極541,543,,54n-2,54nから負荷を介して電極542,544,,54n-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100Aは、電子および正孔がn型単結晶シリコン基板51の裏面側から取り出される裏面コンタクト型の光電変換素子である。また、光電変換素子100Aは、光入射側の表面の面方位が111以外であるn型単結晶シリコン基板51を備えるので、非晶質相からなるn型非晶質膜52がn型単結晶シリコン基板51の表面=凹部51cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである正孔の再結合がn型非晶質膜52によって抑制される。従って、裏面コンタクト型の光電変換素子100Aにおいて、n型単結晶シリコン基板51の表面をパッシベートできる。上記においては、n型非晶質膜52は、n型a-Siであると説明したが、光電変換素子100Aにおいては、これに限らず、n型非晶質膜52は、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。n型非晶質膜52がn型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなる場合も、n型非晶質膜52は、非晶質相からなるので、n型単結晶シリコン基板51の表面をパッシベートできる。また、光電変換素子100Aは、n型非晶質膜52に代えてi型非晶質膜を備えていてもよい。この場合、i型非晶質膜は、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子100Aは、n型非晶質膜52に接して反射防止膜を更に備えていてもよい。この場合、反射防止膜は、例えば、シリコン窒化膜からなり、10~100nmの膜厚を有する。実施例4図10は、実施例4における光電変換素子の構成を示す断面図である。図10を参照して、光電変換素子100Bは、p型単結晶シリコン基板61と、p型非晶質膜62と、酸化膜63と、電極641~64nとを備える。p型単結晶シリコン基板61は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、p型単結晶シリコン基板61の厚みは、例えば、200μmである。また、p型単結晶シリコン基板61は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部61cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。凹部61cは、n型単結晶シリコン基板61の面内方向において、数μmの幅を有する。更に、p型単結晶シリコン基板61は、p型拡散領域611,613,,61-2,61nと、n型拡散領域612,614,,61n-1とを他方の表面側に含む。p型拡散領域611,613,,61-2,61nおよびn型拡散領域612,614,,61n-1は、p型単結晶シリコン基板61の面内方向において交互に配置される。p型拡散領域611,613,,61-2,61nの各々におけるB濃度は、例えば、8×1019cm-3である。また、n型拡散領域612,614,,61n-1の各々におけるP濃度は、例えば、5×1019cm-3である。その結果、p型拡散領域611,613,,61-2,61nおよびn型拡散領域612,614,,61n-1は、約2×10-3Ωcmの比抵抗を有する。p型拡散領域611,613,,61-2,61nの深さは、例えば、200nmであり、n型拡散領域612,614,,61n-1の深さは、例えば、200nmである。p型非晶質膜62は、非晶質相からなり、p型単結晶シリコン基板61の凹部61cを含む凹凸構造に接して形成される。p型非晶質膜62は、例えば、p型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。そして、p型非晶質膜62中におけるB濃度は、例えば、1×1017~1×1019cm-3である。酸化膜63は、p型単結晶シリコン基板61の裏面凹部61cが形成された面と反対の面に接して設けられる。そして、酸化膜63は、例えば、SiO2からなり、その膜厚は、例えば、10nm~100nmである。電極641~64nの各々は、例えば、Agからなる。そして、電極641,643,,64n-2,64nは、酸化膜63を介してそれぞれp型拡散領域611,613,,61-2,61nに接するように形成される。また、電極642,644,,64n-1は、酸化膜63を介してそれぞれn型拡散領域612,614,,61n-1に接するように形成される。p型拡散領域611,613,,61-2,61nおよびn型拡散領域612,614,,61n-1は、図10の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。そして、n型拡散領域612,614,,61n-1の全体の面積がp型単結晶シリコン基板61の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、p型拡散領域611,613,,61-2,61nの全体の面積がp型単結晶シリコン基板61の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。n型拡散領域612,614,,61n-1およびp型拡散領域611,613,,61-2,61nの面積占有率がこのような値に設定される理由は、光電変換素子100において拡散領域412,414,,41n-1および拡散領域411,413,,41n-2,41nの面積占有率がそれぞれ60~93および5~20に設定される理由と同じである。光電変換素子100Bは、図8および図9に示す工程a~工程iに従って製造される。この場合、図8の工程a,bにおいて、凹部61cを有する凹凸構造ハニカムテクスチャがp型単結晶シリコン基板61の一方の表面に形成される。また、図8の工程c,dにおいて、p型拡散領域611,613,,61nが形成され、図8の工程eおよび図9の工程fにおいて、n型拡散領域612,614,,61n-1が形成される。更に、図9の工程gにおいて、酸化膜63が形成され、図9の工程hにおいて、p型非晶質膜62が形成され、図9の工程iにおいて、電極641~64nが形成される。工程hにおいて、p型a-Siからなるp型非晶質膜62をp型単結晶シリコン基板61上に堆積する場合、p型単結晶シリコン基板61の表面=凹部61cが形成された表面には、凹部61cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されているので、p型単結晶シリコン基板61の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をp型単結晶シリコン基板61の表面=凹部61cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、p型a-Siからなるp型非晶質膜62をp型単結晶シリコン基板61の表面=凹部61cが形成された表面に形成できる。光電変換素子100Bにおいては、太陽光は、p型非晶質膜62側から光電変換素子100Bに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、p型非晶質膜62を介してp型単結晶シリコン基板61へ入射する。そうすると、p型単結晶シリコン基板61中で正孔および電子が光励起される。そして、p型単結晶シリコン基板61とp型非晶質膜62との界面近傍で光励起された電子は、拡散によってp型単結晶シリコン基板61とp型非晶質膜62との界面に到達する。p型単結晶シリコン基板61は、約1.1eVの光学バンドギャップおよび0.14~0.19eVの活性化エネルギーを有する。また、p型非晶質膜62p型a-Siは、約1.84eVの光学バンドギャップおよび0.3eVの活性化エネルギーを有する。従って、p型非晶質膜62p型a-Siの伝導帯端は、p型単結晶シリコン基板61の伝導帯端よりも0.58~0.63eVだけエネルギー的に高くなる。即ち、p型単結晶シリコン基板61とp型非晶質膜62との界面には、電子に対して高さが0.58~0.63eVである障壁Beが存在する。その結果、p型単結晶シリコン基板61とp型非晶質膜62との界面に到達した電子は、この障壁Beによってp型非晶質膜62p型a-Si中への移動が阻止されるとともに、p型非晶質膜62p型a-Siのp型単結晶シリコン基板61の表面に対するパッシベーション効果によって再結合が抑制され、p型単結晶シリコン基板61の裏面側への拡散が促進される。そして、電子は、n型拡散領域612,614,,61n-1に到達し、n型拡散領域612,614,,61n-1から電極642,644,,64n-1に至る。一方、光励起された正孔は、拡散によってp型拡散領域611,613,,61n-2,61nに到達し、p型拡散領域611,613,,61n-2,61nから電極641,643,,64n-2,64nに至る。そして、電子は、電極642,644,,64n-1から負荷を介して電極641,643,,64n-2,64nへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子100Bは、電子および正孔がp型単結晶シリコン基板61の裏面側から取り出される裏面コンタクト型の光電変換素子である。また、光電変換素子100Bは、光入射側の表面の面方位が111以外であるp型単結晶シリコン基板61を備えるので、非晶質相からなるp型非晶質膜62がp型単結晶シリコン基板61の表面=凹部61cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである電子の再結合がp型非晶質膜62によって抑制される。従って、裏面コンタクト型の光電変換素子100Bにおいて、p型単結晶シリコン基板61の表面をパッシベートできる。上記においては、p型非晶質膜62は、p型a-Siであると説明したが、光電変換素子100Bにおいては、これに限らず、p型非晶質膜62は、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。p型非晶質膜62がp型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなる場合も、p型非晶質膜62は、非晶質相からなるので、p型単結晶シリコン基板61の表面をパッシベートできる。また、光電変換素子100Bは、p型非晶質膜62に代えてi型非晶質膜を備えていてもよい。この場合、i型非晶質膜は、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子100Bは、p型非晶質膜62に接して反射防止膜を更に備えていてもよい。この場合、反射防止膜は、例えば、シリコン窒化膜からなり、10~100nmの膜厚を有する。[実施の形態3]図11は、実施の形態3による光電変換素子200の構成を示す断面図である。図11を参照して、実施の形態3による光電変換素子200は、結晶シリコン基板71と、i型非晶質膜72と、非晶質膜73と、透明導電膜74と、電極75,77と、パッシベーション膜76とを備える。結晶シリコン基板71は、n型単結晶シリコン基板またはp型単結晶シリコン基板からなる。また、結晶シリコン基板71は、n型多結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板からなる。n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、n型単結晶シリコン基板およびp型単結晶シリコン基板の各々は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。n型多結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板についても、面方位を除いて同様である。また、結晶シリコン基板71は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部71cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。そして、凹部71cは、結晶シリコン基板71の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。i型非晶質膜72は、非晶質相からなり、結晶シリコン基板71の凹部71cを含む凹凸構造に接して形成される。そして、i型非晶質膜72は、例えば、10nmの膜厚を有する。非晶質膜73は、結晶シリコン基板71がn型の導電型を有する場合、p型非晶質膜からなる。また、非晶質膜73は、結晶シリコン基板71がp型の導電型を有する場合、n型非晶質膜からなる。そして、非晶質膜73は、i型非晶質膜72に接して形成され、例えば、10nmの膜厚を有する。透明導電膜74は、非晶質膜73に接して形成される。透明導電膜74は、ITOIndiumTinOxeide、SnO2およびZnOのいずれかからなる。電極75は、透明導電膜74に接して形成される。そして、電極75は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜76は、結晶シリコン基板71の他方の面=凹部71cが形成された面と反対の面に接して形成される。パッシベーション膜76は、シリコン酸化膜からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極77は、結晶シリコン基板71およびパッシベーション膜76に接して形成される。そして、電極77は、例えば、Alからなる。光電変換素子200は、太陽光が透明導電膜74側から入射される。そして、光電変換素子200は、i型非晶質膜72および非晶質膜73n型非晶質膜またはp型非晶質膜からなるを結晶シリコン基板71上に順次積層した構造からなる。その結果、光電変換素子200においては、光励起された電子および正孔を相互に分離するpin接合は、太陽光の入射側に設けられる。結晶シリコン基板71の一方の面には、上述したように、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部71cを含む凹凸構造が形成されているので、結晶シリコン基板71の表面は、111の面方位と異なる面方位を有する。その結果、薄膜を結晶シリコン基板71の表面=凹部71cが形成された面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなるi型非晶質膜72が結晶シリコン基板71の表面に形成される。従って、結晶シリコン基板71の表面をパッシベートできる。以下、光電変換素子200の実施例について説明する。実施例5図12は、実施例5における光電変換素子の構成を示す断面図である。図12を参照して、光電変換素子200Aは、n型単結晶シリコン基板81と、i型非晶質膜82と、p型非晶質膜83と、透明導電膜84と、電極85,87と、パッシベーション膜86とを備える。n型単結晶シリコン基板81は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、n型単結晶シリコン基板81は、例えば、200μmの厚みを有する。また、n型単結晶シリコン基板81は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部81cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。そして、凹部81cは、n型単結晶シリコン基板81の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。i型非晶質膜82は、非晶質相からなり、n型単結晶シリコン基板81の凹部81cを含む凹凸構造に接して形成される。そして、i型非晶質膜82は、例えば、i型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。p型非晶質膜83は、非晶質相からなり、i型非晶質膜82に接して形成される。そして、p型非晶質膜83は、例えば、p型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。透明導電膜84は、p型非晶質膜83に接して形成される。そして、透明導電膜84は、ITO,SnO2,ZnOのいずれかからなる。電極85は、透明導電膜84に接して櫛型に形成される。そして、電極85は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜86は、n型単結晶シリコン基板81の他方の面=凹部81cが形成された面と反対の面に接して形成される。パッシベーション膜86は、SiO2からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極87は、n型単結晶シリコン基板81およびパッシベーション膜86に接して形成される。そして、電極87は、例えば、Alからなる。図13および図14は、それぞれ、図12に示す光電変換素子200Aの製造方法を示す第1および第2の工程図である。光電変換素子200Aの製造が開始されると、図3の工程a,bと同じ工程に従って凹部81cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャがn型単結晶シリコン基板81の一方の表面に形成される図13の工程a,b参照。この場合、小孔21を有するマスク20が用いられる。工程bの後、n型単結晶シリコン基板81を酸素ガス雰囲気中で975°Cの温度で、10分間、酸化し、SiO2からなるパッシベーション膜86をn型単結晶シリコン基板81の裏面凹部81cが形成された面と反対の面に形成する図13の工程c参照。工程cにおいては、n型単結晶シリコン基板81の一方の表面凹部81cが形成された面にも酸化膜SiO2が形成される。従って、n型単結晶シリコン基板81の一方の表面に形成された酸化膜をHFによって除去し、n型単結晶シリコン基板81の一方の表面を水素で終端する。そして、i型a-Siからなるi型非晶質膜82およびp型a-Siからなるp型非晶質膜83をプラズマCVD法によってn型単結晶シリコン基板81の一方の表面に順次積層する図13の工程d参照。この場合、i型a-Siの形成条件は、SiH4ガスの流量が10sccmであり、H2ガスの流量が100sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。また、p型a-Siの形成条件は、SiH4ガスの流量が2sccmであり、H2ガスの流量が42sccmであり、B2H6ガスの流量が12sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。なお、B2H6ガスは、H2ガスによって希釈されており、その濃度は、0.1である。工程dの後、透明導電膜84がスパッタリングによってp型非晶質膜83に接して形成される図13の工程e参照。そして、電極85が透明導電膜84に接して形成される図14の工程f参照。その後、フォトリソグラフィおよびエッチングによってコンタクトホールがパッシベーション膜86に形成され、電極87が形成される。これによって、光電変換素子200Aが完成する図14の工程g参照。工程dにおいて、i型a-Siからなるi型非晶質膜82がn型単結晶シリコン基板81の一方の表面凹部81cが形成された面に形成される場合、n型単結晶シリコン基板81は、その一方の表面に凹部81cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャを含むので、n型単結晶シリコン基板81の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をn型単結晶シリコン基板81の表面=凹部81cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、i型a-Siからなるi型非晶質膜82をn型単結晶シリコン基板81の表面=凹部81cが形成された表面に形成できる。光電変換素子200Aにおいては、太陽光は、透明導電膜84側から光電変換素子200Aに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、透明導電膜84、p型非晶質膜83およびi型非晶質膜82を介してn型単結晶シリコン基板81へ入射する。そうすると、n型単結晶シリコン基板81中で正孔および電子が光励起される。そして、光励起された正孔は、i型非晶質膜82とn型単結晶シリコン基板81との界面の方向へ拡散によって移動し、i型非晶質膜82とn型単結晶シリコン基板81との界面に到達する。i型非晶質膜82は、上述したように非晶質相からなるので、n型単結晶シリコン基板81の表面をパッシベートする。その結果、正孔は、i型非晶質膜82とn型単結晶シリコン基板81との界面において再結合が抑制され、p型非晶質膜83とi型非晶質膜82とn型単結晶シリコン基板81とによって形成されるpin接合の内部電界によってp型非晶質膜83へ到達し、透明導電膜84を介して電極85に至る。一方、光励起された電子は、拡散によってn型単結晶シリコン基板81の裏面側へ移動する。そして、n型単結晶シリコン基板81とパッシベーション膜86との界面へ到達した電子は、再結合が抑制され、拡散によって電極87に到達する。電極87に到達した電子は、電極87から負荷を介して電極85に到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子200Aは、光入射側の表面の面方位が111以外であるn型単結晶シリコン基板81を備えるので、非晶質相からなるi型非晶質膜82がn型単結晶シリコン基板81の表面=凹部81cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである正孔の再結合がi型非晶質膜82によって抑制され、pin接合の内部電界によってp型非晶質膜83に到達し易くなる。従って、n型単結晶シリコン基板81の表面をパッシベートできる。上記においては、i型非晶質膜82は、i型a-Siであると説明したが、光電変換素子200Aにおいては、これに限らず、i型非晶質膜82は、i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiCおよびi型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiCおよびi型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。i型非晶質膜82がi型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiCおよびi型a-SiCNのいずれかからなる場合も、i型非晶質膜82は、非晶質相からなるので、n型単結晶シリコン基板81の表面をパッシベートできる。また、上記においては、p型非晶質膜83は、p型a-Siであると説明したが、光電変換素子200Aにおいては、これに限らず、p型非晶質膜83は、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子200Aは、n型単結晶シリコン基板81に代えてn型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。n型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有し、例えば、200μmの厚みを有する。そして、n型多結晶シリコン基板の表面は、図13の工程aに示すマスク20を用いてドライエッチングによってハニカムテクスチャ化される。なお、光電変換素子200Aがn型多結晶シリコン基板を備えている場合も、i型非晶質膜82およびp型非晶質膜83は、上述した各種の材料からなる。そして、i型非晶質膜82は、n型多結晶シリコン基板に接して形成されても、非晶質相からなり、n型多結晶シリコン基板の表面をパッシベートできる。実施例6図15は、実施例6における光電変換素子の構成を示す断面図である。図15を参照して、光電変換素子200Bは、p型単結晶シリコン基板91と、i型非晶質膜92と、n型非晶質膜93と、透明導電膜94と、電極95,97と、パッシベーション膜96とを備える。p型単結晶シリコン基板91は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、p型単結晶シリコン基板91は、例えば、200μmの厚みを有する。また、p型単結晶シリコン基板91は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部91cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。そして、凹部91cは、p型単結晶シリコン基板91の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。i型非晶質膜92は、非晶質相からなり、p型単結晶シリコン基板91の凹部91cを含む凹凸構造に接して形成される。そして、i型非晶質膜92は、例えば、i型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。n型非晶質膜93は、非晶質相からなり、i型非晶質膜92に接して形成される。そして、n型非晶質膜93は、例えば、n型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。透明導電膜94は、n型非晶質膜93に接して形成される。そして、透明導電膜94は、ITO,SnO2,ZnOのいずれかからなる。電極95は、透明導電膜94に接して櫛型に形成される。そして、電極95は、例えば、Agからなる。パッシベーション膜96は、p型単結晶シリコン基板91の他方の面=凹部91cが形成された面と反対の面に接して形成される。パッシベーション膜96は、SiO2からなり、例えば、10~100nmの膜厚を有する。電極97は、p型単結晶シリコン基板91およびパッシベーション膜96に接して形成される。そして、電極97は、例えば、Alからなる。光電変換素子200Bは、図13および図14に示す工程a~工程gに従って製造される。この場合、図13の工程a,bにおいて、p型単結晶シリコン基板91の一方の表面に凹部91cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成される。また、図13の工程cにおいて、パッシベーション膜96がp型単結晶シリコン基板91の裏面凹部91cが形成された面と反対の面に形成される。更に、図13の工程dにおいて、i型非晶質膜92i型a-Siおよびn型非晶質膜93n型a-Siがp型単結晶シリコン基板91の一方の表面凹部91cが形成された面に順次積層される。更に、図13の工程eにおいて、透明導電膜94がn型非晶質膜93に接して形成される。更に、図14の工程fにおいて、電極95が透明導電膜94に接して形成され、図14の工程gにおいて、電極97がp型単結晶シリコン基板91およびパッシベーション膜96に接して形成される。工程dにおいて、i型a-Siからなるi型非晶質膜92がp型単結晶シリコン基板91の一方の表面に形成される場合、p型単結晶シリコン基板91は、その一方の表面に凹部91cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャを有するので、p型単結晶シリコン基板91の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をp型単結晶シリコン基板91の表面=凹部91cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、非晶質相からなるi型非晶質膜92をp型単結晶シリコン基板91の表面=凹部91cが形成された表面に形成できる。光電変換素子200Bにおいては、太陽光は、透明導電膜94側から光電変換素子200Bに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、透明導電膜94、n型非晶質膜93およびi型非晶質膜92を介してp型単結晶シリコン基板91へ入射する。そうすると、p型単結晶シリコン基板91中で正孔および電子が光励起される。そして、光励起された電子は、i型非晶質膜92とp型単結晶シリコン基板91との界面の方向へ拡散によって移動し、i型非晶質膜92とp型単結晶シリコン基板91との界面に到達する。i型非晶質膜92は、上述したように非晶質相からなるので、p型単結晶シリコン基板91の表面をパッシベートする。その結果、正孔は、i型非晶質膜92とp型単結晶シリコン基板91との界面において再結合が抑制され、n型非晶質膜93とi型非晶質膜92とp型単結晶シリコン基板91とによって形成されるpin接合の内部電界によってn型非晶質膜93へ到達し、透明導電膜94を介して電極95に至る。一方、光励起された正孔は、拡散によってp型単結晶シリコン基板91の裏面側へ移動する。そして、p型単結晶シリコン基板91とパッシベーション膜96との界面へ到達した正孔は、再結合が抑制され、拡散によって電極97に到達する。電極95に到達した電子は、電極95から負荷を介して電極97に到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子200Bは、光入射側の表面の面方位が111以外であるp型単結晶シリコン基板91を備えるので、非晶質相からなるi型非晶質膜92がp型単結晶シリコン基板91の表面=凹部91cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである電子は、i型非晶質膜92によって再結合が抑制され、pin接合の内部電界によってn型非晶質膜93に到達し易くなる。従って、p型単結晶シリコン基板91の表面をパッシベートできる。上記においては、i型非晶質膜92は、i型a-Siであると説明したが、光電変換素子200Bにおいては、これに限らず、i型非晶質膜92は、i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiCおよびi型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiCおよびi型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。i型非晶質膜92がi型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiCおよびi型a-SiCNのいずれかからなる場合も、i型非晶質膜92は、非晶質相からなるので、p型単結晶シリコン基板91の表面をパッシベートできる。また、上記においては、n型非晶質膜93は、n型a-Siであると説明したが、光電変換素子200Bにおいては、これに限らず、n型非晶質膜93は、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子200Bは、p型単結晶シリコン基板91に代えてp型多結晶シリコン基板を備えていてもよい。p型多結晶シリコン基板は、0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有し、例えば、200μmの厚みを有する。そして、p型多結晶シリコン基板の表面は、図13の工程aに示すマスク20を用いてドライエッチングによってハニカムテクスチャ化される。なお、光電変換素子200Bがp型多結晶シリコン基板を備えている場合も、i型非晶質膜92およびn型非晶質膜93は、上述した各種の材料からなる。そして、i型非晶質膜92は、p型多結晶シリコン基板に接して形成されても、非晶質相からなり、p型多結晶シリコン基板の表面をパッシベートできる。[実施の形態4]図16は、実施の形態4による光電変換素子の構成を示す断面図である。図16を参照して、実施の形態4による光電変換素子300は、単結晶シリコン基板101と、非晶質膜102と、i型非晶質膜111~11nと、非晶質膜121~12m,131~13m-1と、電極141~14nとを備える。単結晶シリコン基板101は、例えば、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。また、単結晶シリコン基板101は、例えば、100~300μmの厚みを有し、好ましくは、100~200μmの厚みを有する。更に、単結晶シリコン基板101は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部101cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャを一方の表面に有する。そして、凹部101cは、単結晶シリコン基板101の面内方向において数μmの幅を有する。非晶質膜102は、単結晶シリコン基板101の凹部101cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャに接して設けられる。そして、非晶質膜102は、単結晶シリコン基板101がn型の導電型を有する場合、n型またはi型の導電型を有し、単結晶シリコン基板101がp型の導電型を有する場合、p型またはi型の導電型を有する。i型非晶質膜111~11nの各々は、単結晶シリコン基板101の裏面凹部101cが形成された面と反対の面に接して設けられる。そして、i型非晶質膜111~11nの各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。非晶質膜121~12mは、単結晶シリコン基板101がn型の導電型を有する場合、n型の導電型を有し、単結晶シリコン基板101がp型の導電型を有する場合、p型の導電型を有する。このように、非晶質膜121~12mは、単結晶シリコン基板101の導電型と同じ導電型を有する。そして、非晶質膜121~12mは、それぞれ、i型非晶質膜111,113,,11n-2,11nに接して設けられる。非晶質膜131~13m-1は、単結晶シリコン基板101がn型の導電型を有する場合、p型の導電型を有し、単結晶シリコン基板101がp型の導電型を有する場合、n型の導電型を有する。このように、非晶質膜131~13mは、単結晶シリコン基板101の導電型と反対の導電型を有する。そして、非晶質膜131~13m-1は、それぞれ、i型非晶質膜112,114,,11n-1に接して設けられる。電極141,143,,14n-2,14nは、それぞれ、非晶質膜121~12mに接して設けられる。電極142,144,,14n-1は、それぞれ、非晶質膜131~13m-1に接して設けられる。そして、電極141~14nの各々は、例えば、Agからなる。i型非晶質膜111~11n、非晶質膜121~12mおよび非晶質膜131~13m-1は、図16の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。また、非晶質膜121~12mは、単結晶シリコン基板101の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜111,113,,11n-2,11nの幅と同じ幅を有する。更に、非晶質膜131~13m-1は、単結晶シリコン基板101の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜112,114,,11n-1の幅と同じ幅を有する。そして、非晶質膜131~13m-1の全体の面積が単結晶シリコン基板101の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、非晶質膜121~12mの全体の面積が単結晶シリコン基板101の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。このように、非晶質膜131~13m-1の面積占有率を非晶質膜121~12mの面積占有率よりも大きくするのは、単結晶シリコン基板101中で光励起された電子および正孔がpin接合によって分離され易くし、光励起された電子および正孔の発電への寄与率を高くするためである。単結晶シリコン基板101の一方の面には、上述したように、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部101cを含む凹凸構造が形成されているので、単結晶シリコン基板101の表面は、111の面方位と異なる面方位を有する。その結果、薄膜を単結晶シリコン基板101の表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなる非晶質膜102が単結晶シリコン基板101の表面に形成される。従って、単結晶シリコン基板101の表面をパッシベートできる。以下、光電変換素子300の実施例について説明する。実施例7図17は、実施例7における光電変換素子の構成を示す断面図である。図17を参照して、光電変換素子300Aは、n型単結晶シリコン基板201と、n型非晶質膜202,221~22mと、i型非晶質膜211~21nと、p型非晶質膜231~23m-1と、電極241~24nとを備える。n型単結晶シリコン基板201は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、n型単結晶シリコン基板201は、例えば、200μmの厚みを有する。また、n型単結晶シリコン基板201は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部201cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。そして、凹部201cは、n型単結晶シリコン基板201の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。n型非晶質膜202は、n型単結晶シリコン基板201の凹部201cを含む凹凸構造に接して形成される。そして、n型非晶質膜202は、例えば、n型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。i型非晶質膜211~21nは、n型単結晶シリコン基板201の裏面凹部201cが形成された面と反対の面に接して設けられる。そして、i型非晶質膜211~21nの各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。n型非晶質膜221~22mは、それぞれ、i型非晶質膜211,213,,21n-2,21nに接して設けられる。p型非晶質膜231~23m-1は、それぞれ、i型非晶質膜212,214,,21n-1に接して設けられる。電極241,243,,24n-2,24nは、それぞれ、n型非晶質膜221~22mに接して設けられる。電極242,244,,24n-1は、それぞれ、p型非晶質膜231~23m-1に接して設けられる。そして、電極241~24nの各々は、例えば、Agからなる。i型非晶質膜211~21n、n型非晶質膜221~22mおよびp型非晶質膜231~23m-1は、図17の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。また、n型非晶質膜221~22mは、n型単結晶シリコン基板201の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜211,213,,21n-2,21nの幅と同じ幅を有する。更に、p型非晶質膜231~23m-1は、n型単結晶シリコン基板201の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜212,214,,21n-1の幅と同じ幅を有する。そして、p型非晶質膜231~23m-1の全体の面積がn型単結晶シリコン基板201の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、n型非晶質膜221~22mの全体の面積がn型単結晶シリコン基板201の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。面積占有率がこのように設定される理由は、上述したとおりである。図18から図20は、それぞれ、図17に示す光電変換素子300Aの製造方法を示す第1~第3の工程図である。光電変換素子300Aの製造が開始されると、図3の工程a,bと同じ工程によって凹部201cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャがn型単結晶シリコン基板201の一方の表面に形成される図18の工程a,b参照。この場合、小孔21を有するマスク20が用いられる。そして、i型a-Si膜220およびn型a-Si膜230をn型単結晶シリコン基板201の他方の表面凹部201cが形成された面と反対の面上にプラズマCVD法によって順次積層する図18の工程c参照。この場合、i型a-Si膜220およびn型a-Si膜230の各々は、10nmの膜厚を有する。また、i型a-Si膜220の形成条件は、SiH4ガスの流量が10sccmであり、H2ガスの流量が100sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。また、n型a-Si膜230の形成条件は、SiH4ガスの流量が20sccmであり、H2ガスの流量が150sccmであり、PH3ガスの流量が100sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。なお、PH3ガスは、H2ガスによって希釈されており、その濃度は、0.2である。工程cの後、n型非晶質膜202n型a-Siをn型単結晶シリコン基板201の一方の表面凹部201cが形成された面上にプラズマCVD法によって形成する図18の工程d参照。この場合、n型非晶質膜202の形成条件は、n型a-Si膜230の形成条件と同じである。工程dの後、n型a-Si膜230の全面にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングしてレジストパターン240を形成する図18の工程e参照。そして、レジストパターン240をマスクとしてn型a-Si膜230をエッチングする。これによって、n型非晶質膜221~22mが形成される図19の工程f参照。その後、p型a-Si膜250をn型単結晶シリコン基板201の他方の表面凹部201cが形成された面と反対の面上にプラズマCVD法によって形成する図19の工程g参照。この場合、p型a-Si膜260がレジストパターン240上に形成される。また、p型a-Si膜250,260の形成条件は、SiH4ガスの流量が2sccmであり、H2ガスの流量が42sccmであり、B2H6ガスの流量が12sccmであり、13.56MHzのRFパワーが16~80mW/cm2であり、反応圧力が13.3Pa~665Paである。なお、B2H6ガスは、H2ガスによって希釈されており、その濃度は、0.1である。そして、レジストパターン240を除去する。この場合、p型a-Si膜260は、リフトオフによって除去される図19の工程h参照。引き続いて、n型非晶質膜221~22mおよびp型a-Si膜250の全面にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングしてレジストパターン270を形成する図19の工程i参照。そして、レジストパターン270をマスクとしてi型a-Si膜220およびp型a-Si膜250をエッチングし、レジストパターン270を除去する。これによって、i型非晶質膜211~21nおよびp型非晶質膜231~23m-1が形成される図20の工程j参照。その後、n型非晶質膜221~22mおよびp型非晶質膜231~23m-1の全面にレジストを塗布し、その塗布したレジストをフォトリソグラフィによってパターンニングしてレジストパターン280を形成する図20の工程k参照。そして、レジストパターン280をマスクとしてAgを蒸着またはスパッタリングによってn型非晶質膜221~22mおよびp型非晶質膜231~23m-1上に形成し、レジストパターン280を除去する。これによって、電極241~24nが形成され、光電変換素子300Aが完成する図20の工程l参照。図18の工程dにおいて、n型a-Siからなるn型非晶質膜202をn型単結晶シリコン基板201上に堆積する場合、n型単結晶シリコン基板201の一方の表面には、凹部201cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されているので、n型単結晶シリコン基板201の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をn型単結晶シリコン基板201の表面=凹部201cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、n型a-Siからなるn型非晶質膜202をn型単結晶シリコン基板201の表面=凹部201cが形成された表面に形成できる。光電変換素子300Aにおいては、太陽光は、n型非晶質膜202側から光電変換素子300Aに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、n型非晶質膜202を介してn型単結晶シリコン基板201へ入射する。そうすると、n型単結晶シリコン基板201中で正孔および電子が光励起される。そして、n型単結晶シリコン基板201とn型非晶質膜202との界面近傍で光励起された正孔は、拡散によってn型単結晶シリコン基板201とn型非晶質膜202との界面に到達する。n型単結晶シリコン基板201は、約1.1eVの光学バンドギャップおよび0.14~0.19eVの活性化エネルギーを有する。また、n型非晶質膜202n型a-Siは、約1.84eVの光学バンドギャップおよび0.2eVの活性化エネルギーを有する。従って、n型単結晶シリコン基板51とn型非晶質膜52との界面には、上述したように、正孔に対して高さが0.68~0.73eVである障壁Bhが存在する。その結果、n型単結晶シリコン基板201とn型非晶質膜202との界面に到達した正孔は、この障壁Bhによってn型非晶質膜202n型a-Si中への移動が阻止されるとともに、n型非晶質膜202n型a-Siのn型単結晶シリコン基板201の表面に対するパッシベーション効果によって再結合が抑制され、n型単結晶シリコン基板201の裏面側への拡散が促進される。そして、正孔は、i型非晶質膜212,214,,21n-1の近傍へ到達し、p型非晶質膜231~23m-1とi型非晶質膜212,214,,21n-1とn型単結晶シリコン基板201とによって構成されるpin接合の内部電界によってi型非晶質膜212,214,,21n-1およびp型非晶質膜231~23m-1を介して電極242,244,,24n-1に至る。一方、光励起された電子は、拡散によってi型非晶質膜211,213,,21n-2,21nの近傍へ到達し、i型非晶質膜211,213,,21n-2,21nおよびn型非晶質膜221~22mを介して電極241,243,,24n-2,24nに至る。そして、電子は、電極241,243,,24n-2,24nから負荷を介して電極242,244,,24n-1へ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子300Aは、電子および正孔がn型単結晶シリコン基板201の裏面側から取り出される裏面コンタクト型の光電変換素子である。また、光電変換素子200Aは、光入射側の表面の面方位が111以外であるn型単結晶シリコン基板201を備えるので、非晶質相からなるn型非晶質膜202がn型単結晶シリコン基板201の表面=凹部201cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである正孔の再結合がn型非晶質膜202によって抑制される。従って、裏面コンタクト型の光電変換素子300Aにおいて、n型単結晶シリコン基板201の表面をパッシベートできる。上記においては、n型非晶質膜202は、n型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Aにおいては、これに限らず、n型非晶質膜202は、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。n型非晶質膜202がn型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなる場合も、n型非晶質膜202は、非晶質相からなるので、n型単結晶シリコン基板201の表面をパッシベートできる。また、光電変換素子300Aは、n型非晶質膜202に代えてi型非晶質膜を備えていてもよい。この場合、i型非晶質膜は、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、i型非晶質膜211~21nは、i型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Aにおいては、これに限らず、i型非晶質膜211~21nは、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、n型非晶質膜221~22mは、n型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Aにおいては、これに限らず、n型非晶質膜221~22mは、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、p型非晶質膜231~23m-1は、p型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Aにおいては、これに限らず、p型非晶質膜231~23m-1は、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子300Aは、n型非晶質膜202に接して反射防止膜を更に備えていてもよい。この場合、反射防止膜は、例えば、シリコン窒化膜からなり、10~100nmの膜厚を有する。実施例8図21は、実施例8における光電変換素子の構成を示す断面図である。図21を参照して、光電変換素子300Bは、p型単結晶シリコン基板301と、p型非晶質膜302と、i型非晶質膜311~31nと、p型非晶質膜321~32mと、n型非晶質膜331~33m-1と、電極341~34nとを備える。p型単結晶シリコン基板301は、100の面方位および0.1~1.0Ωcmの比抵抗を有する。そして、p型単結晶シリコン基板301は、例えば、200μmの厚みを有する。また、p型単結晶シリコン基板301は、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部301cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが一方の表面に形成されている。そして、凹部301cは、p型単結晶シリコン基板301の面内方向において、例えば、数μmの幅を有する。p型非晶質膜302は、p型単結晶シリコン基板301の凹部301cを含む凹凸構造に接して形成される。そして、p型非晶質膜302は、例えば、p型a-Siからなり、10nmの膜厚を有する。i型非晶質膜311~31nは、p型単結晶シリコン基板301の裏面凹部301cが形成された面と反対の面に接して設けられる。そして、i型非晶質膜311~31nの各々は、例えば、i型a-Siからなり、膜厚は、例えば、10nmである。p型非晶質膜321~32mは、それぞれ、i型非晶質膜311,313,,31n-2,31nに接して設けられる。n型非晶質膜331~33m-1は、それぞれ、i型非晶質膜312,314,,31n-1に接して設けられる。電極341,343,,34n-2,34nは、それぞれ、p型非晶質膜321~32mに接して設けられる。電極342,344,,34n-1は、それぞれ、n型非晶質膜331~33m-1に接して設けられる。そして、電極341~34nの各々は、例えば、Agからなる。i型非晶質膜311~31n、p型非晶質膜321~32mおよびn型非晶質膜331~33m-1は、図21の紙面に垂直な方向において同じ長さを有する。また、p型非晶質膜321~32mは、p型単結晶シリコン基板301の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜311,313,,31n-2,31nの幅と同じ幅を有する。更に、n型非晶質膜331~33m-1は、p型単結晶シリコン基板301の面内方向において、それぞれ、i型非晶質膜312,314,,31n-1の幅と同じ幅を有する。そして、n型非晶質膜331~33m-1の全体の面積がp型単結晶シリコン基板301の面積に占める割合である面積占有率は、60~93であり、p型非晶質膜321~32mの全体の面積がp型単結晶シリコン基板301の面積に占める割合である面積占有率は、5~20である。面積占有率がこのように設定される理由は、上述したとおりである。光電変換素子300Bは、図18から図20に示す工程a~工程lに従って製造される。この場合、図18の工程a,bにおいて、p型単結晶シリコン基板301の一方の表面に凹部301cを含む凹凸部分ハニカムテクスチャが形成される。また、図18に示す工程dにおいて、p型非晶質膜302がプラズマCVD法によって形成される。更に、図18に示す工程c~図20の工程jにおいて、i型非晶質膜311~31n、p型非晶質膜321~32mおよびn型非晶質膜331~33mが形成される。更に、図20の工程k,lにおいて、電極341~34nが形成される。図18の工程dにおいて、p型a-Siからなるp型非晶質膜302をp型単結晶シリコン基板301上に堆積する場合、p型単結晶シリコン基板301の一方の表面には、凹部301cを含む凹凸構造ハニカムテクスチャが形成されているので、p型単結晶シリコン基板301の表面は、111以外の面方位を有する。その結果、薄膜をp型単結晶シリコン基板301の表面=凹部301cが形成された表面に堆積しても、薄膜は、エピタキシャル成長しない。従って、p型a-Siからなるp型非晶質膜302をp型単結晶シリコン基板301の表面=凹部301cが形成された表面に形成できる。光電変換素子300Bにおいては、太陽光は、p型非晶質膜302側から光電変換素子300Bに照射される。そして、太陽光は、ハニカムテクスチャによって反射が抑制され、p型非晶質膜302を介してp型単結晶シリコン基板301へ入射する。そうすると、p型単結晶シリコン基板301中で正孔および電子が光励起される。そして、p型単結晶シリコン基板301とp型非晶質膜302との界面近傍で光励起された電子は、拡散によってp型単結晶シリコン基板301とp型非晶質膜302との界面に到達する。p型単結晶シリコン基板301は、約1.1eVの光学バンドギャップおよび0.14~0.19eVの活性化エネルギーを有する。また、p型非晶質膜302p型a-Siは、約1.84eVの光学バンドギャップおよび0.3eVの活性化エネルギーを有する。従って、p型単結晶シリコン基板301とp型非晶質膜302との界面には、上述したように、電子に対して高さが0.58~0.63eVである障壁Beが存在する。その結果、p型単結晶シリコン基板301とp型非晶質膜302との界面に到達した電子は、この障壁Beによってp型非晶質膜302p型a-Si中への移動が阻止されるとともに、p型非晶質膜302p型a-Siのp型単結晶シリコン基板301の表面に対するパッシベーション効果によって再結合が抑制され、p型単結晶シリコン基板301の裏面側への拡散が促進される。そして、電子は、i型非晶質膜312,314,,31n-1の近傍へ到達し、n型非晶質膜331~33m-1とi型非晶質膜312,314,,31n-1とp型単結晶シリコン基板301とによって構成されるpin接合の内部電界によってi型非晶質膜312,314,,31n-1およびn型非晶質膜331~33m-1を介して電極342,344,,34n-1に至る。一方、光励起された正孔は、拡散によってi型非晶質膜311,313,,31n-2,31nの近傍へ到達し、i型非晶質膜311,313,,31n-2,31nおよびp型非晶質膜321~32mを介して電極341,343,,34n-2,34nに至る。そして、電子は、電極342,344,,34n-1から負荷を介して電極電極341,343,,34n-2,34nへ到達し、正孔と再結合する。このように、光電変換素子300Bは、電子および正孔がp型単結晶シリコン基板301の裏面側から取り出される裏面コンタクト型の光電変換素子である。また、光電変換素子300Bは、光入射側の表面の面方位が111以外であるp型単結晶シリコン基板301を備えるので、非晶質相からなるp型非晶質膜302がp型単結晶シリコン基板301の表面=凹部301cが形成された表面に接して形成される。その結果、光生成された正孔および電子のうち、少数キャリアである電子の再結合がp型非晶質膜302によって抑制される。従って、裏面コンタクト型の光電変換素子300Bにおいて、p型単結晶シリコン基板301の表面をパッシベーションできる。上記においては、p型非晶質膜302は、p型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Bにおいては、これに限らず、p型非晶質膜302は、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。p型非晶質膜302がp型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなる場合も、p型非晶質膜302は、非晶質相からなるので、p型単結晶シリコン基板301の表面をパッシベーションできる。また、光電変換素子300Bは、p型非晶質膜302に代えてi型非晶質膜を備えていてもよい。この場合、i型非晶質膜は、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、i型非晶質膜311~31nは、i型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Bにおいては、これに限らず、i型非晶質膜311~31nは、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、i型a-Si,i型a-SiGe,i型a-SiN,i型a-SiC,i型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、p型非晶質膜321~32mは、p型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Bにおいては、これに限らず、p型非晶質膜321~32mは、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、p型a-SiGe,p型a-SiN,p型a-SiCおよびp型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、n型非晶質膜331~33m-1は、n型a-Siであると説明したが、光電変換素子300Bにおいては、これに限らず、n型非晶質膜331~33m-1は、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNのいずれかからなっていてもよい。そして、n型a-SiGe,n型a-SiN,n型a-SiCおよびn型a-SiCNは、上述した材料ガスを用いてプラズマCVD法によって形成される。更に、光電変換素子300Bは、p型非晶質膜302に接して反射防止膜を更に備えていてもよい。この場合、反射防止膜は、例えば、シリコン窒化膜からなり、10~100nmの膜厚を有する。上述した光電変換素子10は、結晶シリコン基板1の光入射側にp/n接合を有する光電変換素子であり、光電変換素子100は、単結晶シリコン基板41の光入射側と反対側にp/n接合を有する光電変換素子である。従って、この発明の実施の形態による光電変換素子は、第1の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成された結晶シリコン基板と、結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、非晶質相からなる第1の非晶質膜と、結晶シリコン基板の一方の表面側または結晶シリコン基板の他方の表面側に形成されたp/n接合部とを備えていればよい。このような構成からなる光電変換素子を製造する場合、結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造上に薄膜を堆積すると、薄膜は、エピタキシャル成長せず、非晶質相からなる。その結果、非晶質相からなる第1の非晶質膜が結晶シリコン基板の半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成される。従って、結晶シリコン基板の表面をパッシベートできるので、この発明の実施の形態による光電変換素子は、上述した構成からなっていればよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"