表面にストライプ状の双晶領域を有する触媒金属膜を形成する工程と、前記触媒金属膜の前記双晶領域上に、前記触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に成長する工程とを有することを特徴とするグラフェンリボンの製造方法。請求項1記載のグラフェンリボンの製造方法において、前記触媒金属膜を形成する工程は、基板上に触媒金属材料を堆積する工程と、前記基板上に堆積した前記触媒金属材料を熱処理し、前記双晶領域を有する前記触媒金属膜を形成する工程とを有することを特徴とするグラフェンリボンの製造方法。請求項2記載のグラフェンリボンの製造方法において、前記熱処理の温度により、前記双晶領域の幅を制御することを特徴とするグラフェンリボンの製造方法。請求項1乃至3のいずれか1項に記載のグラフェンリボンの製造方法において、前記触媒金属膜は、Cu膜であることを特徴とするグラフェンリボンの製造方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載のグラフェンリボンの製造方法において、前記双晶領域は、<110>方向に延在するストライプ状の領域であることを特徴とするグラフェンリボンの製造方法。請求項1乃至5のいずれか1項に記載のグラフェンリボンの製造方法において、前記グラフェンを成長する工程では、化学気相成長法を用い、成長ガス分圧により、前記グラフェンが選択成長する条件に制御することを特徴とするグラフェンリボンの製造方法。表面にストライプ状の双晶領域を有する触媒金属膜と、前記双晶領域上に形成されたグラフェンリボンとを有することを特徴とする電子素子。しかしながら、微細加工技術を用いてグラフェンナノリボンを作製するためには、グラフェンのシートを十数nm以下の幅まで細く加工する必要があるが、電子ビームリソグラフィ技術を用いても10nm程度の加工寸法が限界であった。また、予めグラフェンの炭素原子配列の方向が既知でなければ、エッジの形状を制御することはできない。このため、グラフェンナノリボンの作製には多くの時間と工数が必要であった。本発明の目的は、微細加工技術を用いることなくグラフェンリボンを形成しうるグラフェンリボンの製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、表面にストライプ状の双晶領域を有する触媒金属膜を形成する工程と、前記触媒金属膜の前記双晶領域上に、前記触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に成長する工程とを有するグラフェンリボンの製造方法が提供される。開示のグラフェンリボンの製造方法によれば、触媒金属膜の表面に形成されたストライプ状の双晶領域を利用して、この双晶領域上にグラフェンを選択的に成長するので、双晶領域の幅に相当する任意の幅のグラフェンリボンを形成することができる。一実施形態によるグラフェンリボンの製造方法について図1乃至図5を用いて説明する。図1は、本実施形態によるグラフェンリボンの製造方法を示す工程断面図である。図2は、本実施形態によるグラフェンリボンの製造方法における温度プロファイルを示す図である。図3は、触媒金属膜に形成されるグレイン及び双晶領域の結晶方位を示す図である。図4は、グラフェンリボンを成長した後の触媒金属膜の表面を電子顕微鏡により撮影した結果を示す図である。図5は、触媒金属膜及びグラフェンリボンの断面を透過型電子顕微鏡により撮影した結果を示す図である。まず、下地となる基板10を用意する図1a。基板10は、後に行う熱工程に耐えうるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、熱酸化膜が形成されたシリコン基板を用いることができる。次いで、基板10上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚1000nmのCu銅を堆積し、Cuの触媒金属膜12を形成する図1b。触媒金属膜12の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば500nm~1000nm程度とすることができる。次いで、触媒金属膜12を形成した基板10を、CVD装置内に搬入する。次いで、例えば図2に示すように、成膜室内にH2/Arガスを導入し、所定の熱処理温度Tまで昇温するステップS11。次いで、基板10の温度が温度Tに到達した後、H2/Arガス雰囲気中にて所定時間、熱処理を行うステップS12。この熱処理により、触媒金属膜12のグレイン成長が進行するとともに、グレイン内にはストライプ状の双晶領域14が形成される図1c。同時に、触媒金属膜12の表面に形成されている金属酸化物膜図示せずが還元除去され、活性な触媒表面が形成される。熱処理温度は、特に限定されるものではないが、触媒金属としてCuを用いる場合、800°C~1050°C程度が望ましく、典型的には1000°C程度である。また、処理時間は、処理温度に依存するが、通常は20分程度である。この熱処理により形成される双晶領域14の幅Wは、熱処理温度によって制御することができる。一般的には、熱処理温度が高いほどグレインサイズは大きくなり、双晶の幅も厚くなる。本願発明者が行った実験では、膜厚1000nmのCu膜に対して860°C、60分の熱処理を行うことにより、幅が100nm~1000nm程度の双晶領域14が形成された。双晶領域14の幅Wは、形成しようとするグラフェンリボンの幅に相当するものである。熱処理条件は、形成しようとするグラフェンリボンの幅に応じて適宜設定することが望ましい。図3は、熱処理によってCuの触媒金属膜12に形成されるグレイン及び双晶領域14の結晶方位の一例を示す図である。図3aが触媒金属膜12の表面図であり、図3bが断面図である。熱処理後、Cu膜はグレイン化しており、ほぼ総てのグレインの表面が111面であることが判った。これに対し、双晶領域14では、<115>方向が基板10の法線方向に対して平行になっていた。双晶領域14表面の面方位は、双晶領域14表面の傾きによって変化し、必ずしも一定ではないが、概ね100面が現れる傾向にあった。双晶領域14のストライプは、<110>方向に延在していることが判った。次いで、H2/Arガスに加えて又はH2/Arガスに代えて、成膜室内にグラフェンの成長に必要な成長ガスを導入するステップS13。成長ガスとしては、メタン、エチレン、アセチレン、ポリプロピレン等の炭化水素系ガス、アルコールその他の有機化合物、アモルファスカーボン等を用いることができる。例えば、炭化水素系のガスを用いる場合、成膜室に導入するガスの全圧は、0.01Pa~100kPaが望ましく、典型的には1kPa程度である。また、成長ガスの分圧は、0.1Pa~1Paが望ましく、典型的には0.1Pa程度である。成長温度は、特に限定されるものではないが、触媒金属としてCuを用いる場合、800°C~1050°C程度が望ましく、典型的には1000°C程度である。また、成長時間は、成長ソースや温度に依存するが、典型的には1分~60分程度である。成長温度は、共晶領域14を形成する際の熱処理の温度と同じでもよいし、異なってもよい。上記条件により触媒金属膜12を触媒としてグラフェンを成長することにより、グラフェンは、触媒金属膜12に形成されたストライプ状の双晶領域14上にのみ選択的に成長される。触媒金属膜12表面の双晶領域14は<110>方向に延在するストライプ状の細長い領域であり、この双晶領域14上に成長されるグラフェンは、双晶領域14の幅と同等の幅を有するグラフェンリボン16となる図1d。双晶領域14の幅を予め任意のサイズに制御しておくことにより、所望の幅のグラフェンリボン16を形成することができる。グラフェンリボン16の選択成長は、成長ガス分圧による依存性が高い。例えば上述の成膜条件の場合、成長ガス分圧が0.1Pa~1Paの範囲においてグラフェンの選択成長が生じた。これは、成長ガス分圧が0.1Paより小さいとグラフェンの成長自体が起こらず、成長ガス分圧が1Paより大きいと双晶以外の領域にもグラフェンが成長するためグラフェンリボンの選択成長はできないからである。なお、グラフェンリボン16が選択成長する条件は、成長ガス、成長温度、触媒金属材料等の成長条件によって変化する。また、実験系例えば、ベース真空度、残留酸素濃度、加熱ガス供給機構自体にも大きく依存する。成長ガス分圧は、成長条件や装置環境等に応じて、グラフェンが双晶領域14上に選択成長する条件を適宜選択することが望ましい。この後、成膜室内をH2/Arガス雰囲気又はH2/Arガス及び成長ガスを含む雰囲気として室温まで降温し、グラフェンリボン16の成長を完了するステップS14。図4は、グラフェンリボンを成長した後の触媒金属膜12の表面を走査型電子顕微鏡により撮影した結果を示す図である。図5は、グラフェンリボンを成長した後の触媒金属膜12及びグラフェンリボン16の断面を透過型電子顕微鏡により撮影した結果を示す図である。図4及び図5に示すように、<110>方向に延在する双晶領域上に、グラフェンリボンが選択的に形成されていることが確認された。触媒金属膜12に形成される双晶領域14は、<110>方向に延在するストライプ形状であり、<115>方向が基板10の法線方向と平行であるという特定の結晶配向性を有するものである。本願発明者は、グラフェンリボン16中の炭素原子配列について確認してはいないが、グラフェンリボン16が特定の結晶配向性を有する双晶領域14上にのみ選択的に成長されることを考慮すると、成長されたグラフェンリボン16は双晶領域14の結晶配向性を反映して特有の原子配列を有していることが推定される。また、グラフェンリボン16の成長条件を変えることにより、グラフェンリボン16中の炭素原子配列を制御することも期待できる。本実施形態の方法により形成したグラフェンリボンは、トランジスタのチャネル材料など、電子デバイスの材料として用いることができる。このように、本実施形態によれば、触媒金属膜に形成されたストライプ状の双晶領域上にグラフェンリボンを選択的に成長することができる。グラフェンリボンの幅は双晶領域の幅によって規定されるため、所定の幅の双晶領域を予め形成しておくことにより、任意の幅のグラフェンリボンを容易に成長することができる。したがって、微細加工技術を用いることなく、ナノオーダサイズのグラフェンリボンを容易に形成することができる。上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、触媒金属としてCuを用いたが、触媒金属はCuに限定されるものではない。触媒金属膜12となる触媒金属材料は、グラフェン成長の触媒として機能する材料であればよく、Cuのほか、Niニッケル、Coコバルト、Fe鉄、Au金、Ptプラチナ、Ruルテニウム、Irイリジウム、Rhロジウム、Ag銀、Pdパラジウム、スチール鋼等を適用することができる。或いは、これらを含む合金、例えば、CuZn、CuNi、NiCo等を適用することができる。これら触媒金属材料は、グラフェン成長の触媒として機能するほか、双晶が形成されることも確認されている。これら触媒金属材料を用いて触媒金属膜12を形成する場合にも、熱処理条件としては、触媒金属膜12中に所定の幅の双晶領域14が形成される温度及び時間を適宜選択する。また、グラフェンの成長条件としては、双晶領域14上にグラフェンが選択成長する条件を適宜選択する。また、上記実施形態では、スパッタ法により堆積したCu膜を熱処理することにより双晶領域14を有する触媒金属膜12を形成したが、双晶領域14を有する触媒金属膜12の形成方法は、これに限定されるものではない。例えば、蒸着法、CVD法、めっき法等の他の成膜方法により、基板10上に触媒金属膜12を形成するようにしてもよい。双晶領域14は、触媒金属膜12の堆積後の熱処理により形成してもよいし、堆積時に既に形成されていてもよい。例えば、パルス電着法を用いたCu膜の成膜では、堆積直後の状態において所定の幅の双晶領域を有するCu膜を形成することができる。また、基板10は必ずしも用いる必要はなく、双晶が形成された触媒金属の基板やフィルムを用い、その上にグラフェンリボンを成長するようにしてもよい。また、上述のように形成したグラフェンリボンは、種々の電子素子に利用することができる。