冶金容器1内の導電性対象物質Mを探るための方法において、前記導電性対象物質Mとセンサ4との間の相対移動の間、前記対象物質M内に挿入される前記センサ4から測定信号を取得するステップであって、前記測定信号は前記センサ4付近の導電性を示す、取得するステップと、前記測定信号に基づいて、前記相対的移動に応じた前記導電性を示す信号プロファイルを生成するステップとを含み、前記センサ4の周りに電磁場を発生させるために前記センサ4内の少なくとも1つのコイル82、92を動作させるステップと、前記電磁場の瞬間的変化を表すための前記測定信号を生成するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記電磁場を発生させる前記ステップが、伝達コイル82、92および前記伝達コイル82、92のための交流源信号の供給源81、91を含む、駆動回路80、90を動作させることを含むことを特徴とする方法。請求項2に記載の方法において、前記測定信号を生成する前記ステップが、前記駆動回路80、90内のインピーダンスを感知することを含むことを特徴とする方法。請求項3に記載の方法において、前記駆動回路80、90内の前記インピーダンスを感知する前記ステップが、前記伝達コイル82、92と直列に接続される抵抗手段83にわたる電位差を感知することを含むことを特徴とする方法。請求項3に記載の方法において、前記駆動回路80、90内の前記インピーダンスを感知する前記ステップが、前記伝達コイル82、92を含む共振回路の共振周波数を感知することを含むことを特徴とする方法。請求項2乃至5の何れか1項に記載の方法において、前記測定信号を生成する前記ステップが、前記伝達コイル82、92と前記伝達コイル82、92から離された受信コイル93との間の相互インダクタンスを感知することを含むことを特徴とする方法。請求項6に記載の方法において、前記相互インダクタンスを感知する前記ステップが、前記受信コイル93にわたる電位差を感知することを含むことを特徴とする方法。請求項6に記載の方法において、前記相互インダクタンスを感知する前記ステップが、前記受信コイル93を含む共振回路の前記共振周波数を感知することを含むことを特徴とする方法。請求項6乃至8の何れか1項と組み合わせた請求項3乃至5の何れか1項に記載の方法において、前記信号プロファイルを生成する前記ステップが、前記駆動回路80、90内の前記インピーダンスを表す第1の測定信号に基づいて第1の信号プロファイルを、前記相互インダクタンスを表す第2の測定信号に基づいて第2の信号プロファイルを生成することを含むことを特徴とする方法。請求項9に記載の方法において、前記第1の信号プロファイルと前記第2の信号プロファイルとの組合せに基づき、前記対象物質Mの1つまたは複数の特性を明らかにすることをさらに含むことを特徴とする方法。請求項2乃至10の何れか1項に記載の方法において、前記測定信号を生成する前記ステップが、前記伝達コイル82、92にわたる前記電圧と前記伝達コイル82、92を通る誘導電流との間の位相差を感知することを含むことを特徴とする方法。請求項1乃至11の何れか1項に記載の方法において、前記相対的移動が、前記センサ4を前記対象物質M内で少なくとも1つの方向に移動経路上で動かすことによって行われることを特徴とする方法。請求項12に記載の方法において、前記センサ4が、少なくとも2回の移動において前記移動経路に沿って動かされ、前記測定信号が、前記移動経路の異なる移動中に得られる測定値を組み合わせることによって取得されることを特徴とする方法。請求項12または13の何れか1項に記載の方法において、前記センサ4が前記移動経路上で移動される間、前記センサ4の位置を示す位置信号を取得するステップをさらに含み、前記センサ4の前記位置に応じた前記導電性を示すように、前記測定信号および前記位置信号に基づいて前記信号プロファイルを生成することを特徴とする方法。請求項14に記載の方法において、前記信号プロファイルを生成する前記ステップが、前記測定信号内の時点を、前記位置信号内の時点と突き合わせるステップを含むことを特徴とする方法。請求項1乃至11の何れか1項に記載の方法において、前記相対的移動は、前記センサ4を前記冶金容器1内の固定位置に保ちながら、前記冶金容器1から前記対象物質Mを湯出しすることによって行われることを特徴とする方法。請求項1乃至16の何れか1項に記載の方法において、前記対象物質Mの1つまたは複数の特性を明らかにするために、前記信号プロファイルに対して自動の特徴抽出を実行するステップをさらに含むことを特徴とする方法。プロセッサによって実行されるとき、請求項1乃至17の何れか1項に記載の前記方法を実行するプログラム命令を含むことを特徴とする、コンピュータ可読媒体。請求項1乃至17の何れか1項に記載の前記方法を実行するための、コンピューティングデバイス14のメモリ内にロード可能なことを特徴とする、コンピュータプログラム製品。冶金容器1内の導電性対象物質Mを探るための装置であって、前記導電性対象物質Mとセンサ4との間の相対移動の間、前記対象物質M内に挿入される前記センサ4から測定信号を取得するための手段13であって、前記測定信号は前記センサ4付近の導電性を示す、手段13と、前記測定信号に基づいて、前記相対的移動に応じた前記導電性を示す信号プロファイルを生成するための手段14とを備え、前記センサ4の周りに電磁場を発生させるために前記センサ4内の少なくとも1つのコイル82、92を動作させるための手段13と、前記電磁場の瞬間的変化を表すための前記測定信号を生成するための手段13とをさらに備えることを特徴とする装置。冶金容器1内の導電性対象物質Mを探るための装置であって、前記導電性対象物質Mとセンサ4との間の相対移動の間、前記対象物質内に挿入される前記センサ4から測定信号を取得するように構成されるコントローラ13であって、前記測定信号は前記センサ4付近の導電性を示す、コントローラ13と、前記測定信号に基づいて、前記相対的移動に応じた前記導電性を示す信号プロファイルを生成するように構成される信号プロセッサ14とを備え、前記コントローラ13が、前記センサ4の周りに電磁場を発生させるために前記センサ4内の少なくとも1つのコイル82、92を動作させ、前記電磁場の瞬間的変化を表すための前記測定信号を生成するようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項21に記載の装置において、前記センサ4が前記対象物質M内の移動経路上で移動される間、前記センサ4の位置を示す位置信号を生成するように構成される位置センサ12をさらに備え、前記信号プロセッサ14が、前記センサ4の前記位置に応じた前記導電性を示すように、前記測定信号および前記位置信号に基づいて前記信号プロファイルを生成するように構成されることを特徴とする装置。導電性対象物質Mを加工するためのプラントであって、前記対象物質Mを含むように構成される冶金容器1と、ランス5と、前記ランス5に取り付けられ、導電性を感知するように構成されるセンサ4と、前記ランス5に機械的に接続され、前記対象物質Mを基準にして前記ランス5を動かすように構成される駆動機構11、20、22、23と、請求項20乃至22の何れか1項に記載の装置とを備えることを特徴とするプラント。図1Aは、金属や半導体物質などの導電性物質を加工するために使用される冶金容器1を示す。したがって冶金容器1は、様々な金属の合金を生産するために、金属もしくは合金を精製するために、金属もしくは合金から任意の有用な物体を作成するために、金属をその鉱石またはスクラップなどの他の何らかの原料から抽出するように設計/使用され、または半導体物質の対応する加工のために設計/使用される火炉、溶鉱炉、または他の任意の精錬容器もしくは保持容器とすることができる。典型的には冶金容器1の内部は、そのような加工の間、約600~2000°Cまたはそれ以上の温度にまで熱せられる。以下、銅の抽出に使用される溶鉱炉に関して諸実施形態の例を説明する。ただし、本発明はこの応用例に決して限定されないことを理解すべきである。説明の全体を通して、同じ参照番号を使用して一致する要素を識別する。銅は、一般に浮遊選鉱法で濃縮化した後、銅鉱、例えばCuFeS2から生産することができる。銅を抽出するために利用できる多くのプロセスの1つでは、濃縮した鉱石を、空気、石灰石、および砂がある状態で溶鉱炉の中で加工する。ここでは、空気中の酸素が鉄と選択的に反応して酸化鉄FeOを形成し、銅を硫化物の形、CuSで残す。砂の中の二酸化ケイ素が石灰石および酸化鉄と反応して、スラグFeSiO3およびCaSiO3を形成する。同時に、鉱石中の過剰硫黄が硫化銅IICuSを、溶融して溶鉱炉の底で湯出しされる硫化銅ICu2Sに変える。スラグはより低密度であり、一番上に浮く。銅マットと呼ばれる溶融硫化銅Iを転炉の中に通し、その転炉では酸素を含む空気を銅マットの至る所に吹きつけて、硫化物イオンを二酸化硫黄に酸化させる。同時に、硫化物イオンの一部が硫化銅Iを混ざりもののある粗銅金属に変える。残った酸素を粗銅金属から焼き去るために、陽極炉内での最後の加熱を用いる。図1Aの容器1は、濃縮された鉱石を加工するために使用され、容器1から銅マットを湯出しするための出湯樋2を有する溶鉱炉を示すように見て取ることができる。加工中、溶融物質の一番上にスラグ層Sが形成される。銅マットは容器1の底にあるマット層区域M1内に形成され、マット層M1とスラグ層Sとの間には混合域または遷移域M2があることが知られている。混合域M2は、マット層M1よりも多様かつ低い銅の含有量を有する。例えば湯出しを制御するための、または銅の抽出プロセスを他の方法で制御しもしくは最適化するための、改善されたプロセス制御を可能にするために、混合域M2の程度、混合域M2とマット層M1との間の境界BLの位置を特定すること、または容器内の銅マットの量を定量化することが望ましい。図1Bでは、センサユニット4が、少なくとも垂直方向zに移動するように制御されるホールディングロッドまたはランス5上に装着される。図示のように、ランス5は、水平方向xy平面にも移動可能とすることができる。センサユニット4は、局所的に取り囲む物質の導電性を感知するように構成される。図1Bには図示せずだが、センサユニット4は、容器1内で加工されている物質M本明細書では対象物質とも示す内の導電性分布を表す信号プロファイルを生成する測定システム内に含まれる。この信号プロファイルは、以下、導電性プロファイルとも示す。図1Bの力線Fによって示すように、センサユニット4は、取り囲む物質の中に及ぶ振動電磁場または時間とともに変化する電磁場を発生させることによって動作することができる。そのようなセンサユニットを含む測定システムの構造および動作については、以下でさらに詳しく説明する。スラグ層Sの下にある溶融物質内の区域M1、M2を特定するために、導電性プロファイルを使用することができる。溶融物質の昇温を踏まえると、センサユニット4は通常、短時間、典型的には30-90秒程度しか溶融物質内に浸けることができない。センサユニット4を保護するために、ランス5の前端部を、例えば厚紙および/またはセラミック材料で作られた1つまたは複数の保護スリーブ図示せずで取り囲むことができる。導電性プロファイルの生成は、センサユニット4を、吊るされた位置からスラグ層Sを貫通し、溶融物質に入るように低下させることから始まる。次いで、センサユニット4により複数の測定値を取得しながら、ランス5を溶融物質の中で動かす。次いで、ランスおよびセンサユニットの組合せ4、5を溶融物質から引き出す。測定値を処理して導電性プロファイルを形成するため、この導電性プロファイルは容器内の導電性分布空間的導電性プロファイルを示す。そのような分布は、今度は混合域M2およびマット層M1それぞれの位置を特定するために使用することができる。導電性プロファイルは、溶融物質内の導電性の相対的変化だけを示すように生成し得ることに留意すべきである。導電性プロファイルは、多かれ少なかれ定性的データ、すなわち未知の温度変化、測定誤差などの誤差原因の影響を受けるデータを含み得ることも理解すべきである。それでもなお、データ品質は、溶融物質内の異なる区域M1、M2、および境界BLを特定するのに十分である。測定システムが導電性の基準値を得るように構成される場合下記参照、導電性プロファイルは溶融物質内の絶対的な導電性を表すように生成することができる。図2は、図1Bの実施形態における導電性プロファイルを得るために使用される測定システム10のブロック図である。移動ユニット11が、ランス/センサユニット5、4に機械的に接続され、それらの移動を制御するように構成される。測定システム10は、ランス5またはセンサユニット4の瞬間的な絶対または相対位置を示す位置信号を生成するように構成される位置感知ユニット12を含む。測定コントローラ13が、センサユニット4によって生成される電気信号を処理し、導電性を直接または間接的に表す測定信号を出力するように接続される。処理ユニット14が、導電性プロファイルを生成するために位置信号および測定信号を受け取って処理するように接続される。図1Cは、冶金容器1内の導電性プロファイルを生成するための別のシナリオを示す。図1Bと同様に、スラグ層Sを貫通するようにセンサユニット4を移動させる。ただし、センサユニット4を容器1内の所定位置まで直接移動させ、そこで固定したままにする。センサユニット4より低い位置において容器1から、この場合は容器1の底にある排出口2から溶融物質を湯出ししながら、この位置においてセンサユニット4を用いて複数の測定値を得る。溶融物質の湯出しは、センサユニット4と溶融物質との間の相対的移動を発生させる。したがって、溶融物質内の区域M1、M2の位置を特定するために使用できる導電性プロファイルを生成するために、湯出し処置の間に得た測定値を処理することができる。ここでは、時間が溶融物質に対するセンサユニット4の移動を表すので、導電性プロファイルは、典型的には時間の関数時間的導電性プロファイルとして与えられる。当然のことながら、図1Cの測定シナリオにおける導電性プロファイルを得るために、図2の測定システム10を使用することができる。図1Bおよび図1Cのシナリオの組合せも考えられる。例えば、容器1内の1つまたは複数の区域M1、M2を特定するように空間的導電性プロファイルを生成することができ、湯出し処置の間の時間的導電性プロファイルを生成するために、それらの区域M1、M2との相関からセンサユニット4を配置してもよい。同様に、ランス/センサユニット5、4の所望の動きを与えるために、任意の種類の移動ユニット11を使用することができる。図3は、ランス5を垂直方向z方向に動かすように構成される移動ユニット11の一例を示す。移動ユニット11は、固定梁21に取り付けられ、ランスにつながれるワイヤケーブルまたはチェーン22を巻き上げ、巻き出すように動作する、モーター駆動型ウィンチ20を含む。ワイヤケーブル22は、ランスの位置を水平方向xy平面に固定する滑車23によって補助される。図示の移動ユニット11は、ランスの移動を垂直方向に限定するように構成されるが、滑車23または梁21の位置を調節することにより水平方向の移動も可能にし得ることが理解されよう。図示の例では、ランスの垂直位置を示す位置信号を出力するために、ワイヤ引きセンサ形式の位置感知ユニット12をランスに取り付ける。ワイヤ引きセンサ12は、ランスに取り付けられ、ランスが垂直方向に下げられる間ばねで留められたスプール図示せずから巻き出される可撓ケーブル24を使用して準線形位置を検出し、測定する。ランスの位置は、任意の座標系で与えることができる。容器の座標系内で、例えば容器の底から測定される位置単位図1のxyzを参照でセンサユニットの位置を示すように、位置感知ユニット12が事前に較正されることが考えられる。しかし概して、位置信号は、ランスの位置を位置感知ユニット12における局所座標系で示し、信号プロセッサ14図2は、位置信号を容器の座標系に変換するために較正データにアクセスする必要がある。ウィンチ20またはその駆動モーターに接続される符号器や、レーザー測距器などの任意の形態の遠隔位置感知ユニットなど、任意の適切な種類の位置感知ユニット12も使用できることを理解すべきである。あるいは、位置信号は駆動モーター用の制御信号によって与えることができる。信号プロセッサ14は、外部の位置信号にアクセスすることなしに空間的導電性プロファイルを生成することが考えられる。例えば、ランス5が一定かつ既知のあらかじめ設定された速度で垂直方向に動かされる場合、測定値は、単一の基準位置に基づく容器1内の垂直位置に関連することができる。例えば、ランス移動の開始または停止を一連の測定値の中で検出できる場合、ランスの既知の移動速度および既知の開始/停止位置に基づいて各測定値の時点を容器1内の位置に変換することができる。代わりの基準位置について、図4および図5に関連して以下で論じる。図4は、図1Bの実施形態で得た導電性信号測定信号40および位置信号42を示すグラフである。導電性信号40は、導電性の相対的変化を時間の関数として表し、位置信号は位置感知ユニット12によって測定されるランス/センサユニット5、4の瞬間的な位置を表す。この例では、導電性信号40は、図1Bのランス5が容器1の底面に接触するまで容器1内に下げられる間に取得される。次いで、移動ユニット11が逆動され、ランス5が溶融物質を通り容器1の外に垂直方向に引き出される。センサユニット4が損なわれていないならば、ランス5を引き出す間に対応する導電性信号図示せずを得ることが可能である。一実装形態では、降下/浸入および巻上げ/引出しのそれぞれの間に得られる導電性信号40を照合し組み合わせて、測定雑音および他の測定誤差の影響を例えば加算、平均化等により減らし、かつ/または導電性プロファイルの空間分解能を例えばセンサの経路に沿った様々な位置で取得した導電性の値を組み合わせることにより高める。1組の導電性信号40を各移動について1つ作り出すために、ランス5を同じ経路に沿ってより多くの回数にわたり移動させ、それらの導電性信号40を組み合わせてさらに改善された導電性プロファイルを提供し得ることも考えられる。矢印A-Dは、導電性信号に基づいて特定することができる異なる境界/界面を示す。矢印Aは、センサユニット4がスラグ層Sの一番上を通過することに対応する小さな導電性変化を示す。スラグ層S内に入るときの一見したところ妙な位置信号42の途絶は、固化したスラグ層Sを突破するためにランス5を手動で突き当てる必要があったことに起因する。矢印Bは、センサユニット4が混合域M2に入ることを示し、これは導電性が高まっていることによって証明される。導電性の増加が事実上止まるので、矢印Cは、センサユニット4がマット層M1に入ることを示す。センサユニット4がマット層M1を通り抜ける間、センサユニット4が容器1の底面に達するまで矢印D導電性は実質的に一定のままである。溶融物質内の異なる区域M1、M2、および境界BLを特定するために導電性信号が実に有用であることが分かる。導電性プロファイル40内の時点を位置信号42内の時点と突き合わせることにより、空間的導電性プロファイルを得られることが理解されよう。スラグ層Sの一番上の位置は導電性信号40の中で検出できるので矢印A、この位置を使用して、位置信号42を必要とすることなしに導電性信号40を容器の座標系に対応させることができる。この事例は、スラグ層Sの上面の位置が知られており、例えば補助的な測定システムによって求められており、ランス5が既知の固定速度で移動されると仮定する。図5は、センサユニット4が、測定セッションの間に既知の導電性を有する領域1’を通過する一実施形態を示す。この実施形態は、導電性信号/プロファイルを絶対的な導電性に対応させることを可能にする。センサユニット4が既知の導電性を通過するとき、測定システムが測定値を取得するように制御されるならば、全ての測定値を絶対的な導電性に変換することが可能である。既知の導電性を有する領域1’は、冶金容器1の蓋の既存の開口部の境界を画定する物質によって与えることができる。あるいは、絶対的な導電性に対応させることを可能にするために、既知の導電性を有する専用の要素をセンサユニット4の経路に沿って配置してもよい。既知の導電性を有する物質の位置が分かっている場合、ランス5が既知のことによると固定速度で移動されることを条件に、この位置を使用して、位置信号42を必要とすることなしに導電性信号40を容器の座標系に対応させることができることも理解すべきである。図5は、容器の座標系にマップされた空間的導電性プロファイルを示すグラフも含む。この導電性プロファイルでは、黒い点は、溶融物質内の3つの導電性の値および対応させることを目的とする既知の導電性における測定値だけをサンプリングすることによって得られた代替的導電性プロファイルを示す。とりわけ導電性プロファイルが絶対的な導電性の状態で与えられる場合、マット層M1のおおよその位置および程度を示すために、そのような低密度のプロファイルでさえ有用であり得ることを理解すべきである。概して、本明細書で使用するとき、信号プロファイルまたは導電性プロファイルは、センサユニット4と対象物質Mとの間の異なる相対位置において取られる少なくとも2つの測定値、通常は少なくとも5つの測定値を含むことを理解されたい。最も実際的な状況では、測定値を1~100Hzのレートでサンプリングし、30秒の持続時間の測定セッションについて30~3000個の測定値をもたらす。導電性は、温度に依存することが知られている。金属では、温度の上昇とともに導電性が低下するのに対し、半導体では、温度の上昇とともに導電性が高まる。限られた温度範囲にわたり、導電性を温度に直接比例するものとして概算することができる。様々な温度における導電性測定値を比較するには、それらの測定値を共通温度commontemperatureに標準化しなければならない。この依存関係は、次式として書くことができる導電性-温度グラフにおける傾斜としてしばしば表され、ただしTは、測定された絶対温度であり、T’は共通温度であり、σT’は共通温度における導電性であり、σTは測定温度Tにおける導電性であり、αは物質の温度補償傾斜である。したがって、溶融物質の温度補償傾斜αが、容器1内で、もっと厳密に言えば測定セッション中のセンサユニット4の移動経路に沿って観測される温度の範囲内で有意であると予期される場合、ランス5上に、例えばセンサユニット4付近に熱電対などの1つまたは複数の温度センサを設置することが望ましいことがある。次いで、測定システム10は、導電性を測定する間に温度センサから温度データを取得し、測定値をしかるべく訂正することができる。そのような訂正は、相対的な導電性の値に加えることができ、または絶対的な導電性の値を計算する一部とすることができる。図6は、容器内の対象物質Mを探り、または検査するための測定セッション中に実行される方法の一例を示す。ステップ60で、移動ユニット11を活性化してランス5およびセンサユニット4をスラグ層Sを経て溶融物質内に駆動し、センサユニット4および/または湯出しにより対象物質Mを移動させることにより相対的移動を引き起こす。ステップ62で、測定コントローラ13を操作して、相対的移動の間にセンサユニット4から測定信号を取得する。ステップ64で、信号プロセッサ14が導電性プロファイルを生成する。ステップ66で、信号プロセッサ14が導電性プロファイルを出力し、または例えば対象物質M内の様々な区域/層S、M1、M2の存在および/または位置を特定するために、導電性プロファイルを処理しかつ/または表示する。ステップ60におけるセンサユニット4および/または溶融物質の移動は、必ずしもそうである必要はないが、信号プロセッサ14によって直接または間接的に制御することができる。しかし、上述の位置信号を取得することにより、または1つもしくは複数の基準位置による上述の位置の対応付けにより、信号プロセッサ14および測定コントローラ13の操作を、センサユニット4または溶融物質の移動とは独立に実行することができる。これにより、既存のいかなるランス駆動機構または湯出し機構への変更を一切必要とすることなしに、測定システム10を加工プラントに適合させることができる。図6の方法は、層/区域の種類に関係なく対象物質Mを検査するために使用できることを理解すべきである。したがってこのプロービング法は、スラグ層Sおよび/またはスラグ層Sの下にある任意の数の区域M1、M2に関する情報を与えることができる。例えば上記で説明した特定の実施形態では、このプロービング法は、対象物質M内のスラグ層Sの下の導電性プロファイルを得るために主に設計されている。ただし、スラグ層Sは対象物質Mの上に位置しなくてもよい。例えばシリカを製造する際、スラグ層は還元過程で使用される火炉/溶鉱炉の底に形成される。そのような応用例では、対象物質M内のスラグ層Sの上の導電性プロファイルを得るためにこのプロービング法を使用することができる。このプロービング法は、スラグ層のない対象物質内の導電性プロファイルを得るために使用することもできる。コントローラ13および信号プロセッサ14の機能は、単一の装置によって実装し得ることを理解すべきである。あらゆる構成において、機能の全てまたは一部を専用のハードウェアおよび/または1台もしくは複数台の汎用コンピューティングデバイスもしくは専用コンピューティングデバイス上で実行される専用ソフトウェアまたはファームウェアによって提供することができる。この文脈において、そのようなコンピューティングデバイスの各要素または手段は、方法ステップの概念上の等価物に関連し、諸要素/手段とハードウェアまたはソフトウェアのルーチンの特定の部分との間には、必ずしも1対1の対応があるとは限らないことを理解すべきである。ハードウェアの1つが様々な手段/要素を含むこともある。例えば処理ユニットは、1つの命令を実行するときは1つの要素/手段として働くが、別の命令を実行するときは別の要素/手段として働く。加えて、場合によっては1つの要素/手段を1つの命令によって実施できるが、他の一部の事例では複数の命令によって実施することもできる。そのようなソフトウェアによって制御されるコンピューティングデバイスは、1つまたは複数の処理装置、例えばCPU中央処理装置、DSPデジタル信号プロセッサ、ASIC特定用途向け集積回路、個別アナログおよび/またはデジタル部品、またはFPGA書替え可能ゲートアレイなどの他の何らかのプログラム可能論理装置を含むことができる。コンピューティングデバイスは、システムメモリ、およびシステムメモリを含む様々なシステムコンポーネントを処理装置に結合するシステムバスをさらに含むことができる。システムバスは、様々なバスアーキテクチャのいずれかを使用するメモリバスまたはメモリコントローラ、周辺バス、およびローカルバスが含まれる数種類のバス構造のうちのどれでもよい。システムメモリは、読取専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、フラッシュメモリなど、揮発性および/または不揮発性メモリ形式のコンピュータ記憶媒体を含むことができる。専用ソフトウェアは、システムメモリ内に、または磁気媒体、光学媒体、フラッシュメモリカード、デジタルテープ、固体RAM、固体ROMなど、コンピューティングデバイス内に含まれ、もしくはコンピューティングデバイスにとってアクセス可能な他の着脱式/固定型の揮発性/不揮発性コンピュータ記憶媒体上に記憶することができる。コンピューティングデバイスは、シリアルインターフェイス、パラレルインターフェイス、USBインターフェイス、ワイヤレスインターフェイス、ネットワークアダプタなどの1つまたは複数の通信インターフェイス、ならびにA/D変換器などの1つまたは複数のデータ収集装置を含むことができる。専用ソフトウェアは、記録媒体、読取専用メモリ、または電気搬送波信号が含まれる任意の適切なコンピュータ可読媒体上でコンピューティングデバイスに提供することができる。導電性プロファイルは、多くの異なる方法で使用することができる。一実施形態では、導電性プロファイルを、例えばことによると容器の説明図上にオーバーレイしたグラフ形式で画面上に表示するために出力する。これにより、オペレータは、容器の物質の冶金加工および/または湯出しを手動で制御および/または最適化するための基礎として、表示された導電性プロファイルを使用できるようになる。表示された導電性プロファイルに基づき、オペレータが1つまたは複数の区域の位置を確認/入力することを認められ、それにより、特定された1つまたは複数の区域に基づいて信号プロセッサが容器内の物質の量を計算することも考えられる。銅加工の例に戻り、容器内の銅マットの量は、導電性プロファイルによって与えられるマット層の程度に基づいて計算することができる。そのような計算は、図5に示すように容器の底にある任意の物質の堆積を考慮に入れることもできる。堆積の程度は、位置信号に基づいて、例えばランスが容器の見掛け上の底に当たるときの位置を、一切の堆積なしに得た基準位置と比較することによって推定することができる。別の実施形態では、様々な物質域、混合域、対象物質内の層などの区域/層の存在、位置、程度など、対象物質の特性を示す階段状変化、横ばい状態等を明らかにする目的で、導電性プロファイルを自動の信号特徴抽出技法によって分析する。そのような自動分析の出力は、冶金加工/湯出しの手動制御で使用するために表示しても、自動の加工/湯出し制御または自動の量推定のためにシステムに入力してもよい。図7は、シリカを生産するためのプラント内、とりわけスラグ溶融炉から得られるスラグを取り除くために使用されるスラグ保持炉1内で、導電性プロファイルを生成するための設備の側面図である。火炉1の上のプラットフォーム70上に電子機器10’例えばコントローラ13および信号プロセッサ14が配置される。同様に、ウィンチ20が、プラットフォーム70に固定されたフレーム構造71上に配置される。滑車23が、炉蓋上のフランジ73の真上の位置において、フレーム構造71の水平アーム72に固定される。これにより、ランス5は、火炉1内におよび火炉1内で垂直方向に移動するように動作できる。導電性プロファイルの検出は、過酷かつ困難な条件、例えば高温、重量のある機器、およびかなりの高度の下で実行されることを理解すべきである。例えば、図示の設備では、滑車23と火炉1の上部との間の距離は約7メートルである。上記に示したように、センサユニット4は、センサユニット4の周囲に及ぶ電磁場を発生させることによって動作する。概してセンサユニット4は、電磁場を発生させるための1つまたは複数のコイルを含む。図8-図10は、測定システム10の3つの異なる実施形態を示す。ランス5上に物理的に設置されるセンサユニット4は、1つまたは複数のコイルを含んでいるだけでよいのに対し、電磁場および測定信号を発生させるための他の全てのコンポーネントは、容器1の外に配置されるコントローラ13図2の中に含まれ得ることを理解すべきである。例えば、1つまたは複数のコイルをセラミックもしくは他の非磁性のケーシング内に入れ、ランスの前端部にまたはランスの前端部付近に装着することができ、コントローラ13への接続を確立できるように、1つまたは複数のコイルへの配線はランスを通り逆向きに進む図2の点線を参照されたい。ただし、コントローラ13の一定のまたは全てのコンポーネントがセンサユニット4の中に含まれることも考えられる。図8は、単一のコイル82がトランシーバとして働くように構成される、すなわちコイル82が電磁場を発生させ、かつそのようにして生じた電磁場の変化を測定する両方のために使用される、測定システム10を示す。図8の例では、測定システム10は、所与の周波数で一定のAC電圧を発生させるための電圧源81とコイル82とが、高精度抵抗83と直列に接続された状態の閉回路トランシーバコイル回路80を含む。差動増幅器84は、その入力が抵抗83の両側の端子に接続される。差動増幅器84の出力は、アナログ-デジタル変換器ADC85の入力に接続される。ADC85の出力は、測定信号を電圧源81の所与の周波数において隔離するように構成される、デジタルフィルタ86の入力に接続される。デジタルフィルタ86の出力は、導電性プロファイルを生成するために測定信号をサンプリングして処理する信号プロセッサ14に接続される。信号プロセッサ14は、位置信号をサンプリングして処理するための位置感知ユニット12にも接続される。以下に説明するように、測定信号は、事実上トランシーバコイル回路80内のインピーダンスの大きさとして生成される。以下、トランシーバコイル回路内で得られる測定信号をT-信号と示す。測定システム10の動作中、電圧源81は一定のAC電圧を発生させるように設定され、これによりコイル82および高精度抵抗83を通る電流を強いる。コイル82を流れる電流が、コイル82の周りに電磁場を発生させる。周囲の物質の導電性は、その電磁場、したがってコイル82のインダクタンスに影響を及ぼす。コイル82のインピーダンスインダクタンスが変わるとき、コイル82を流れる電流の量も変わる。高精度抵抗83上の電位差は電流の量、したがって周囲の物質の導電性を表すことが理解される。この電位差は、差動増幅器84によって増幅され、ADC85によってデジタル化され、デジタルフィルタ86によってフィルタリングされ、測定信号T-信号として信号プロセッサ14に与えられる。したがって、T-信号の大きさピーク電圧、ピーク対ピーク電圧、RMS電圧等は周囲の物質の導電性を表す。図4に、T-信号の一例を導電性信号40として示す。コイル82は、送信機および受信機の両方として働くことが理解される。したがって以下、コイル82をトランシーバコイルと呼ぶが、伝達コイルと示すこともある。図9は、電磁場を発生させるように動作する伝達コイル92、ならびにその電磁場およびその電磁場への任意の変化を感知するように動作する別個の受信コイル93を含む測定システム10を示す。図8のコイル82と同様に、伝達コイル92は、閉回路伝達コイル回路90内に含まれ、所与の周波数で一定のAC電圧を発生させ、それによりコイル92に電磁場を発生させる電圧源91に接続される。受信コイル93が電磁場の範囲内に配置され、それにより受信コイル回路90’内の電流を誘起する。電流は、受信コイル93の端子間に電位差を発生させる。この電位差は、伝達コイル92および受信コイル93を取り囲む媒体の導電性を表す。この電位差は、差動増幅器94によって増幅され、ADC95によってデジタル化され、デジタルフィルタ96によってフィルタリングされ、測定信号として信号プロセッサ14に与えられる。図8と同様に、測定信号の大きさは周囲の物質の導電性を表す。しかし図9の実施形態では、測定信号は、事実上伝達コイル92と受信コイル93との間の相互インダクタンスの大きさとして生成される。以下、受信コイル回路内で得られる測定信号をR-信号と示す。T-信号に比べ、R-信号は周囲の導電性の変化の影響をより受けやすいことが見出されている。T-信号が、発生電磁場の強度または規模の変化を概して表すのに対し、R-信号は、発生電磁場の程度または形状の変化も表すと現在のところ考えられている。センサユニット4が対象物質を基準にして移動され、様々な導電性を有する領域を通過するとき、発生電磁場の形状は変わる可能性があり、R-信号において対応する変化をもたらす。図10は、図8および図9のシステムの組合せである測定システム10を示す。したがって、信号プロセッサ14は、トランシーバコイル回路80を流れる電流を示す第1の測定信号T-信号と、受信コイル回路90’を流れる電流を示す第2の測定信号R-信号とを受け取る。図8に関して説明したように、トランシーバコイル回路80を流れる電流は、トランシーバコイル82の周囲の状況の影響を受ける。この変化は受信コイル回路90’によって検出される。ただし、受信コイル回路90’は、トランシーバコイル82と受信コイル93との間の相互インダクタンスの変化も検出する。第1の測定信号および第2の測定信号の両方を信号プロセッサ14に与えることにより、信号プロセッサ14は、これらの影響を区別して、周囲の物質の導電性についてのより正確かつ/またはよりロバストな表現を提供することができる。図11は、ランス5およびセンサユニット4を冶金容器の中に下げながら、時間の関数として得たT-信号110、R-信号112、および位置信号114のプロットである。位置信号114は、容器の上の開始位置からの距離を表す。R-信号112に応じて自動スケールされているT-信号110は、R-信号よりも少なくとも一桁弱いことに留意すべきである。R-信号112が低下する一方でT-信号110が上昇することによって見られるように、信号110、112は、導電性を表すように処理されていない未処理信号である。それでもなお、各信号110、112の時間的な挙動は周囲の導電性の変化を反映する。矢印Aは、センサユニット4が容器の蓋を通過する時点を示し、これは両方の信号110、112において検出することができる。矢印Bは、センサユニットがスラグ層図1のSに達する時点を示し、これはR-信号112における漸落の始まりによって検出することができる。この時点は、T-信号110における小さな変化としても検出することができる。図示の例では、R-信号が基線の99に達する時点において矢印Bを設定し、基線は、センサユニットが対象物質の上の容器内にある期間ΔTにわたりR-信号を平均化することによって得られる。改変形態では、期間ΔTにわたりT-信号を平均化することによって得られる、対応する基線の100.05にT-信号が達する時点において矢印Bを設定することができる。矢印Cは、信号110、112の急勾配の変化によって表される、センサユニットがマット層図1のM1に初めて達する時点を示す。図示の例では、R-信号が上述の基線の50に達する時点において矢印Cを設定する。改変形態では、T-信号110が関連する基線の102に達する時点において矢印Cを設定することができる。矢印Dは、センサユニットのコイルがマット層の中に完全に沈められるときを示し、これは信号110、112における水平化として、特にR-信号112におけるアンダーシュートの終わりによって検出することができる。図11には示さないが、矢印Bと矢印Cとの間のR-信号および/またはT-信号において、混合域図1のM2を検出することもできる。T-信号110およびR-信号112の両方を入手できることは、例えば自動の信号特徴抽出に基づいて信号プロセッサ14が、または信号を目視検査することによりオペレータが、対象物質の分析を改善するために、例えば界面の位置を特定するために、または絶対的もしくは相対的な導電性プロファイルを導き出すために、両方の信号110、112内で生じている信号の特徴を相関させることを可能にし得ることを理解すべきである。曲線グラフ110、112からは、補足情報、すなわち容器および/または対象物質の様々な特性に関係する情報を抽出することも可能であり得る。さらに、トランシーバコイル82および受信コイル93の相対的配置にもよるが、信号プロセッサ14またはオペレータは、導電性の局所変化のおおよその位置を求めることができる場合があり、その位置は、例えば測定セッション中に上述の保護スリーブが焼け落ちた程度を検出しかつ/または提供するために使用することができ、かつ/または導電性プロファイルを生成する際に使用される。こうして、図9および図10に例示した受信コイル回路90’を使用することが、導電性の測定を改善するのに役立つ場合があることが見出されている。他方では、トランシーバコイル回路だけを備える図8の実施形態は、図9および図10の実施形態に比べ、電気/電磁妨害に対する改善された不感受性を示し得ることが見出されている。そのような妨害は、例えば電気溶鉱炉/電気炉内の電熱要素によって生じる可能性がある。図8~図10の測定システム10内の定電圧源81、91は、定電流源によって置換でき、デジタルフィルタ86、96はアナログフィルタによって置換し得ることを当業者なら理解する。改変形態図示せずでは、信号プロセッサ14が、トランシーバ/伝達コイル回路80、90内の電流、およびトランシーバ/伝達コイル82、92の両端の電圧を示す測定信号を受け取る。これらの測定信号に基づいて、信号プロセッサ14は、トランシーバ/伝達コイル回路80、90内の電圧と電流との間の位相差を計算することができる。導電性がコイル82、92の周囲において変化するとき、この位相差も変化し、信号プロセッサ14はその位相差を使用して周囲の物質の導電性を求めることができる。そのような位相差の測定を、伝達/トランシーバコイル回路80、90内のインピーダンス測定図8および図10および/または相互インダクタンス測定図9および図10と組み合わせて、導電性の測定をさらに改善することも考えられる。別の改変形態図示せずでは、図12に示すように、伝達/トランシーバコイル82、92および/または受信コイル93をRLC回路などの共振回路に接続する。RLC回路は、図示のように直列にまたは並列に接続される電源97、抵抗R抵抗98によって示す、キャパシタンスCコンデンサ98によって示す、およびインダクタンスLコイル82、92、93を含むを備える。RLC回路の共振周波数f0は、によって与えられる。コイル82、92、93のインダクタンスLは周囲の物質の導電性とともに変化するため、共振周波数f0を測定することにより導電性を求めることができる。RLC回路内の共振周波数を測定するための回路は市販されている。上記の実施形態、改変形態、および代替形態の全てにおいて、伝達/トランシーバコイル82、92の周波数すなわち電磁場の発生を駆動しているAC電圧/電流の周波数を特定の容器1およびその中の対象物質Mに適合させることにより、測定される導電性の分解能を最適化することができる。本発明の諸実施形態は、約1~1000kHzの範囲、典型的には約1~100kHzの範囲内の周波数で動作することができる。例えば複数の伝達/トランシーバコイル回路80、90をそれぞれの周波数で動作するようにランス5上に設置し、それにより、様々な周波数で取得される測定信号を受け取るように信号プロセッサ14を接続することで、測定システム10を複数の周波数で動作するように設計することも考えられる。そのような設計は、導電性プロファイルの質を改善するのに役立つ可能性がある。さらに、たとえ上記の説明が単一のコイルに関していても、伝達/トランシーバ/受信コイル82、92、93を個々のサブコイルの組合せとして形成し得ることを理解すべきである。またさらに、発生磁場の強度を測定状況に適合させなければならない場合がある。これは、コイル82、92、93内のワイヤの巻数、コイル82、92、93を流れる電流の量、コイル長対コイル幅の比率、およびコイル82、92、93の芯の中の物質の種類のうちの1つまたは複数を適合させることにより達成することができる。これは当業者にとっては日常的実験の問題に過ぎない。同様に、伝達/トランシーバコイル82、92および受信コイル93の構成と相互配置は、所与の測定状況について最適化することができる。図13A~図13Cは、センサユニット4内の伝達/トランシーバコイル82、92および受信コイル93の3つの代替的構成を示す。他の構成、例えばコイル82、92およびコイル93の位置を交換することや、1つのコイルを垂直に配置して残りを水平に配置することも可能である。またさらに、R-信号の所望の感度または他の特性を達成するために、コイル82、92およびコイル93の間隔を適合させることができる。本発明は、主にいくつかの実施形態に関して上述してきた。しかし、当業者なら容易に理解されるように、上記に開示した実施形態とは別の実施形態も、特許請求の範囲によってのみ定められ、限定される本発明の範囲および趣旨に等しく含まれる。例えば、測定信号または信号プロファイルは、低効率など、導電性と均等の他の任意のエンティティを表すことができる。さらに、1つまたは複数のランス上にまたは共通のランス上のサブランス上に配置することができる、複数のセンサユニットを使用することが可能である。図9および図10の実施形態に関して、受信コイル93をトランシーバ/伝達コイル82、92とは異なるランス/サブランス上に配置することが同様に可能である。空間的導電性プロファイルは、必ずしも位置にマップする必要はなく、時間の関数として与えてもよいことも理解すべきである導電性信号40を参照。そのような導電性プロファイルは、単独で、または別の位置信号図4の位置信号42を参照に関連して区域を特定するために検査/処理することができる。またさらに、測定信号は必ずしも離散的な時点においてサンプリングする必要はなく、代わりにアナログ信号として、すなわち継続的に取得してもよい。スラグの代わりにまたはスラグに加えて、最上層Sは何らかの形の原料または事前に精製された物質を含んでもよい。一番上の物質層Sの下にある溶融物質は、非溶融破片およびガス状物質を含んでもよいことも理解される。実際に、粉末や粒状体などの非溶融対象物質内の区域を特定できるようにするために、本発明の解決策を適用することが可能である。対象物質に関係なく、区域は、固有の物質組成、固有の溶融度、および固有の混合度のうちの少なくとも1つによって定めることができる。特定の区域が、本質的に同じ導電性または測定経路に沿った導電性の変化を有することもあり得る。そのような区域は、異なる導電性または導電性の変化を有する他の区域/層に対するその位置に基づき、例えば対象物質内の予期される区域の順序に基づき、導電性プロファイルの中で特定/区別することができる。