一方の面に開口部が周期的に形成された半導体ウェハの検査装置であって、前記半導体ウェハの前記一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した第1の方向に向けて光を出射し、前記他方の面を照明する照明装置と、前記照明装置から第1の方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、前記照明装置で照明可能な照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で前記照明領域からの光をレンズを介して受光する検出器と、前記半導体ウェハと前記照明領域の位置を相対移動して、走査を行う走査手段と、を備えた検査装置。前記照明装置が、前記照明領域の長手方向に沿って配列された複数の光源を有することを特徴とする請求項1に記載の検査装置。前記照明装置が導光板と拡散板を備え、前記光源からの照明光が前記導光板の内部で全反射を繰り返しながら伝播し、前記導光板から出射した照明光が前記拡散板によって拡散されることを特徴とする請求項2に記載の検査装置。前記照明装置が、光源と、前記光源からの光を偏向することで、前記照明領域の長手方向に沿って走査するスキャナと、前記スキャナで走査された光を屈折して、前記半導体ウェハに対する前記光の入射角度を一定にするレンズと、を備える請求項1に記載の検査装置。前記照明装置が、前記開口部の幅よりも長い波長の光を照射することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の検査装置。前記検出器が、前記半導体ウェハの前記他方の面で正反射した正反射光を受光しないように配置され、前記開口部の底面からの反射光と隣接する前記開口部の領域からの反射光との合成波を検出する請求項1~5のいずれか1項に記載の検査装置。前記検出器の受光量に応じて、前記半導体ウェハのCDを測定する請求項1~6のいずれか1項に記載の検査装置。前記照明装置からの光が、前記半導体ウェハを透過する波長の光であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に検査装置。前記照明装置からの光が、シリコンを透過する赤外光であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に検査装置。一方の面に周期的に形成された開口部を有する半導体ウェハの検査方法であって、前記半導体ウェハの前記一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した第1の方向に向けて光を出射する照明装置で、前記他方の面を照射するステップと、前記照明装置から第1の方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、前記照明装置で照明可能な照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素を有する検出器によって、前記照明領域からの光をレンズを介して受光するステップ、前記半導体ウェハと前記照明領域の位置を相対移動して走査を行った時の前記検出器の受光結果に基づいて検査を行うステップと、を備えた検査方法。前記照明装置が、前記照明領域の長手方向に沿って配列された複数の光源を有することを特徴とする請求項10に記載の検査方法。前記照明装置が導光板と拡散板を備え、前記光源からの照明光が前記導光板の内部で全反射を繰り返しながら伝播し、前記導光板から出射した照明光が前記拡散板によって拡散されることを特徴とする請求項11に記載の検査方法。前記照明装置が、光源と、前記光源からの光を偏向することで、前記照明領域の長手方向に沿って走査するスキャナと、前記スキャナで走査された光を屈折して、前記半導体ウェハに対する前記光の入射角度を一定にするレンズと、を備える請求項10に記載の検査方法。前記照明装置が、前記開口部の幅よりも長い波長の光を照射することを特徴とする請求項10~13のいずれか1項に記載の検査方法。前記検出器が、半導体ウェハの前記他方の面で正反射した正反射光を受光しないように配置され、前記開口部の底面からの反射光と隣接する前記開口部の領域からの反射光との合成波を検出する請求項10~14のいずれか1項に記載の検査方法。前記検出器の受光量に応じて、前記半導体ウェハのCD欠陥領域を検出する請求項10~15のいずれか1項に記載の検査方法。前記照明装置からの光が、前記半導体ウェハを透過する波長の光であることを特徴とする請求項10~16のいずれか1項に検査方法。前記照明装置からの光が、シリコンを透過する赤外光であることを特徴とする請求項10~17のいずれか1項に検査方法。請求項10~18のいずれか1項に記載の欠陥検査方法により、試料であるパターン基板を検査する検査ステップと、前記検査ステップの検査結果に応じて良否判定を行うステップと、を有する半導体装置の製造方法。特許文献2には、半導体ウェハの裏面側から赤外光を照射して、光学的結像作用を実行する装置が開示されている。しかしながら、赤外光の波長が微細なメモリホール開口部に比べて長いため、十分な分解能を得ることができず、観察、検査を行うことが困難である。特許文献3には、第1の方向に研削された被研削面を有する研削物の表面検査方法が開示されている。この表面検査方法では、棒状のヒータを用いて斜め方向から被研削面に赤外光を照射して、その回折光をサーモグラフィによって検出している。しかしながら、特許文献3が検出するびびりマークの高低差は、数μm程度であり、メモリホールのような微細パターンに利用することは困難である。すなわち、数十nm程度の微細なパターンでは、十分に解像することができないため、検査することが困難である。特許文献4には、セラミック基板や焼結金属体などのクラック欠陥を検査する装置が開示されている。この装置では、半導体レーザ光源を1次元に配置したアレイ状光源と投影レンズによって、点線状に強度を変化させた照明を行っている。そして、照明領域から離れた撮像領域から放射される光をラインセンサで撮像している。さらに、ポリゴンミラーを用いて走査することが開示されている段落0045しかしながら、この装置では、サブミクロン程度のクラック欠陥を、数μmから数十μmの画素分解能で検出している段落0034。従って、この装置では、数十nm程度の微細なパターンを、十分に解像することができないため、検査することが困難である。このように、微細なホール開口部が形成された半導体ウェハでは、解像することができないため、開口部の底面の大きさなどに基づいて検査することが困難である。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、微細な開口部が周期的に形成されている半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする本発明の第1の態様に係る検査装置は、一方の面に開口部が周期的に形成された半導体ウェハの検査装置であって、前記半導体ウェハの前記一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した第1の方向に向けて光を出射し、前記他方の面の照明領域を照明可能な照明装置と、前記照明装置から第1の方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、前記照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で前記照明領域からの光をレンズを介して受光する検出器と、前記半導体ウェハと前記照明領域の位置を相対移動して、走査を行う走査手段と、を備えたものである。このようにすることで、開口部内に光が進入できないような微細なパターンであっても、検査することができる。本発明の第2の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記照明装置が、前記照明領域の長手方向に沿って配列された複数の光源を有することを特徴とするものである。このようにすることで、高い光量で照明することができるため、高い感度の検査を短時間で行うことができる。本発明の第3の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記照明装置が導光板と拡散板を備え、前記光源からの光が前記導光板の内部で全反射を繰り返しながら伝播し、前記導光板から出射した光が前記拡散板によって拡散されることを特徴とするものである。これにより照明領域を均一に照明することができる。本発明の第4の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記照明装置が、光源と、前記光源からの光を偏向することで、前記照明領域の長手方向に沿って走査するスキャナと、前記スキャナで走査された光を屈折して、前記半導体ウェハに対する前記光の入射角度を一定にするレンズと、を備えるものである。このようにすることで、照明光の角度の拡がりを抑えることができるため、高い感度で検査することができる。本発明の第5の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記照明装置が、前記開口部の幅よりも長い波長の光を照射することを特徴とするものである。このようにすることで、解像することができない微細な開口部の底部のパターンを検査することができる。本発明の第6の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記検出器が、半導体ウェハの前記他方の面で正反射した正反射光を受光しないように配置され、前記開口部の底面からの反射光と隣接する前記開口部の領域からの反射光との合成波を検出するものである。このようにすることで、開口部の底面の大きさの変化などに対して、感度の高い検査を行うことができる。本発明の第7の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記検出器の受光量に応じて、前記半導体ウェハのCDを測定するものである。このようにすることで、CD欠陥領域を高い精度で検出することができる。本発明の第8の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記照明装置からの光が、前記半導体ウェハを透過する波長の光であることを特徴とするものである。これにより、開口部の底部を検査することができる。本発明の第9の態様に係る検査装置は、上記の検査装置であって、前記照明装置からの光が、シリコンを透過する赤外光であることを特徴とするものである。これにより、シリコンウェハに形成された開口部の底部を検査することができる。本発明の第10の態様に係る検査方法は、一方の面に開口部が周期的に形成された半導体ウェハの検査方法であって、前記半導体ウェハの前記一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した第1の方向に向けて光を出射する照明装置で、前記他方の面を照明するステップと、前記照明装置から第1の方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、前記照明装置で照明可能な照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素を有する検出器によって、前記照明領域からの光をレンズを介して受光するステップ、前記半導体ウェハと前記照明領域の位置を相対移動して走査を行った時の前記検出器の受光結果に基づいて検査を行うステップと、を備えたものである。このようにすることで、開口部内に光が進入できないような微細なパターンであっても、検査することができる。本発明の第11の態様に係る検査方法は、上記の検査方法において、前記照明装置が、前記照明領域の長手に沿って配列された複数の光源を有することを特徴とするものである。このようにすることで、高い光量で照明することができるため、高い感度の検査を短時間で行うことができる。本発明の第12の態様に係る検査方法は、上記の検査方法であって、前記照明装置が導光板と拡散板を備え、前記光源からの照明光が前記導光板の内部で全反射を繰り返しながら伝播し、前記導光板から出射した照明光が前記拡散板によって拡散されることを特徴とするものである。これにより照明領域を均一に照明することができる。本発明の第13の態様に係る検査方法は、上記の検査方法において、前記照明装置が、光源と、前記光源からの光を偏向することで、前記照明領域の長手方向に沿って走査するスキャナと、前記スキャナで走査された光を屈折して、前記半導体ウェハに対する前記光の入射角度を一定にするレンズと、を備えるものである。このようにすることで、照明光の角度の拡がりを抑えることができるため、高い感度で検査することができる。本発明の第14の態様に係る検査方法は、上記の検査方法において、前記照明装置が、前記開口部の幅よりも長い波長の光を照射することを特徴とするものである。このようにすることで、解像することができない微細な開口部の底部のパターンを検査することができる。本発明の第15の態様に係る検査方法は、上記の検査方法において、前記検出器が、半導体ウェハの前記他方の面で正反射した正反射光を受光しないように配置され、前記開口部の底面からの反射光と隣接する前記開口部の領域からの反射光との合成波を検出するものである。このようにすることで、開口部の底面の大きさの変化などに対して、感度の高い検査を行うことができる。本発明の第16の態様に係る検査方法は、上記の検査方法において、前記検出器の受光量に応じて、前記半導体ウェハのCDを測定するものである。このようにすることで、CD欠陥領域を高い精度で検出することができる。本発明の第17の態様に係る検査方法は、上記の検査方法であって、前記照明装置からの光が、前記半導体ウェハを透過する波長の光であることを特徴とするものである。これにより、開口部の底部を検査することができる。本発明の第18の態様に係る検査方法は、上記の検査方法であって、前記照明装置からの光が、シリコンを透過する赤外光であることを特徴とするものである。これにより、シリコンウェハに形成された開口部の底部を検査することができる。本発明の第19の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の欠陥検査方法により、試料であるパターン基板を検査する検査ステップと、前記検査ステップの検査結果に応じて良否判定を行うステップと、を有するものである。本発明によれば、周期的に開口部が形成された半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。本発明の実施の形態にかかる検査装置は、一方の面に周期的に開口部が形成されている検査対象を検査するものである。まず、本発明に係る検査装置の検査対象の一例である半導体ウェハの構造について図1を用いて説明する。図1は、例えば、BiCS用の半導体ウェハの構造を示す側面断面図である。半導体ウェハ10は、シリコンウェハであり、シリコン基板11と、エッチストップ膜12と、多層膜13と、開口部14と、を備えている。以下の説明において、半導体ウェハ10の多層膜13が形成された側の面を表面側とし、その反対側を裏面側とする。従って、図1の上側が裏面側であり、下側が表面側である。シリコン基板11上には、例えば、SiNからなるエッチストップ膜12が形成されている。そして、エッチストップ膜12上には、多層膜13が形成されている。多層膜13は、例えば、SiOとアモルファスシリコンが交互に繰り返し形成された多層構造を有している。多層膜13には、エッチストップ膜12まで到達する開口部14が設けられている。エッチストップ膜12は、多層膜13をエッチングする際のエッチストッパとして機能し、開口部14の底面はエッチストップ膜12の表面となる。多層膜13には、複数の開口部14が規則的に配列されている。開口部14は、例えば幅50nm程度のメモリホールである。複数の開口部14が2次元アレイ状に配列されている。例えば、同じ大きさの開口部14が等間隔で周期的に配列されている。ここで、隣接する開口部14の間の領域を非エッチング領域15とする。非エッチング領域15は、多層膜13が残存する領域であり、開口部14と非エッチング領域15は交互に配列されている。なお、開口部14はラインアンドスペースを形成するための、溝状の開口部14であってもよい。この場合、所定の幅の微細な溝が紙面と垂直な方向に沿って形成されることで、開口部14となる。図2を用いて、半導体ウェハ10の検査装置の構成を説明する。図2は、検査装置の構成を模式的に示す側面図である。なお、図2において、紙面と垂直な方向をY方向、紙面中の横方向左右方向をX方向とし、紙面中の縦方向上下方向をZ方向とする3次元直交座標系を用いて説明を行う。ここでは、半導体ウェハ10の裏面と平行な面がXY面となり、半導体ウェハ10の裏面の法線方向がZ方向となる。検査装置は、ステージ21と、照明装置22と、検出器ラインセンサ23と、を備えている。また、検出器23の前には、レンズ24が取り付けられている。ステージ21の上には、検査対象となる半導体ウェハ10が載置されている。半導体ウェハ10は、XY平面と平行になるように配置され、半導体ウェハ10の表面側、すなわち開口部14側が下向きとなっている。複数の開口部14がX方向に沿って配列されている。また、ステージ21の上には、照明装置22と、検出器23とが設けられている。なお、図2では、半導体ウェハ10の構成に付いて、一部省略して図示している。照明装置22は、半導体ウェハ10の縦長の照明領域を照明可能な照明装置である。照明装置22は、半導体ウェハ10の裏面側から、Y方向を長手方向とする照明領域を照明する。ここで、照明装置22は、XZ平面において、半導体ウェハ10裏面に対して斜め方向から照明光を照射するため、検査のための光学系が暗視野光学系となる。すなわち、XZ平面において、照明装置22は、Z方向から傾斜した方向に配置されている。ここで、照明装置22から半導体ウェハ10に向けて照射される照明光の伝播方向を入射方向31とすると、入射方向31はZ方向から傾斜している。例えば、入射方向31は、照明装置22から出射する照明光の主光線の方向である。照明光の波長を1100~1700nmの範囲から選択することが好ましく、1200~1550nmの範囲から選択することがより好ましい。この波長帯の赤外光は、例えばシリコンに対して透明であるため、開口部14の底面まで照明光が到達する。なお、照明光の波長は、シリコン基板11に対して透明な波長であればよい。ここで、照明装置22の一例について、図3を用いて説明する。図3は、照明装置22の構成と照明装置22で照明可能な照明領域を模式的に示す図である。図3の左側には照明装置22の構成が模式的に示され、右側には照明装置22からの赤外光で照明可能な照明領域34の上面図が示されている。照明装置22は、近赤外光を出射する光源25を複数有している。光源25は、例えば、LEDLightEmittingDiodeである。複数の光源25は、Y方向に沿って1列に配列されている。光源25のそれぞれは、点光源であり、照明光を例えば±10°程度の拡がり角で出射する。これにより、半導体ウェハ10の裏面には、照明領域34が形成される。ここでは、Y方向を長手方向とする楕円状の領域が照明領域34となっている。そして、半導体ウェハ10の裏面上における照明領域34の一部が検出器23で検出される受光領域35となる。すなわち。検出器23で検出される受光領域35は、照明領域34の中に含まれる。より具体的には、照明領域34によって均一に照明することができる領域の少なくとも一部が受光領域35となる。受光領域35は、Y方向に沿ったライン状の領域である。もちろん、受光領域35の幅は特に制限されるものではない。複数の光源25を用いることで、高い光量で照明することができるため、高い感度の検査を短時間で行うことができる。なお、複数の光源25からの照明光が重なりあって、照明領域34の中で照明光が照射されない暗部が無くなるように照明することが好ましく、さらには、照明領域34全体を均一に照明することが好ましい。なお、LEDの代わりに指向性の高いLDLaserDiodeや他の光源を用いても良い。すなわち、長手方向がY方向となる照明領域34を照明できる光源25であればよい。さらに、長手方向を有する照明領域34をより均一にするための照明装置22に付いて、図4を用いて説明する。図4aは、照明装置22の構成を示す上面図であり、図4bは照明装置22の構成を示す側面図である。図4に示す照明装置22は、光源25と導光板41と拡散板42と絞り43を備えている。光源25は図3で示した構成と同様の構成であり、所定の角度拡がりを持った照明光を出射する。そして、複数の光源25が透明な導光板41の一側面光入射面に沿って配列されている。従って、複数の光源25が導光板41の光入射面に向けて、照明光を照射する。導光板41の内部に入射した照明光は、導光板41の内部で全反射を繰り返しながら、伝播していく。これにより、照明光強度の空間分布が均一化される。そして、導光板41の光出射面光入射面と反対側の側面には拡散板42が配置されている。導光板41の光出射面から出射した照明光は拡散板42で拡散される。拡散板42を用いることで、照明光の角度分布が均一化される。そして、拡散板42で拡散された照明光は、絞り43を通過して、半導体ウェハ10に入射する。このようにすることで、強度分布及び角度分布が均一な照明光を照射することができる。図4に示した照明装置22を、図2に示した検査装置の入射方向31に沿って配置する。例えば、導光板41が入射方向31と平行に配置し、導光板41の光出射面を入射方向31と垂直に配置する。図2の説明に戻る。半導体ウェハ10上に配置された検出器23は、例えば、InGaAs等の半導体光センサであり、半導体ウェハ10からの赤外光を検出する。検出器23は、Y方向に沿って複数の画素が配列されているラインセンサである。検出器23で検出可能なY方向の幅は、照明領域34の長手方向Y方向の長さに対応している。これにより、照明装置22で照明された照明領域34からの反射光散乱光を、検出器23で検出することができる。検出器23は、図3で示した受光領域35からの反射光を受光する。また、検出器23の前側には、レンズ24が取り付けられている。従って、検出器23は、レンズ24を介して照明領域34からの光を受光する。例えば、レンズ24の光軸は、検出器23の受光面と垂直になっている。レンズ24の瞳を通過した光が検出器23の受光面に入射し、レンズ24の瞳の外側に入射した光は、検出器23で受光されない。これにより、検出器23の受光面に入射する光の入射角度を制限することができる。すなわち、検出器23の受光面に入射する光の入射角度を所定の角度範囲とすることができる。検出器23は、照明光の正反射方向33からずれた位置に配置されている。ここで、検出器23が配置されている方向を受光方向32とする。受光方向32は、正反射方向33から微小にずれており、半導体ウェハ10からの正反射光が入射しないようになっている。従って、Y方向を長手方向とする照明領域34から出射して、正反射方向33と異なる受光方向32に進む反射光散乱光が検出器23で受光されている。受光方向32は、レンズ24の光軸と一致している。また、正反射方向33は、半導体ウェハ10の欠陥などがない平坦な箇所で入射光が正反射する方向である。ステージ21は、例えば、XYステージであり、半導体ウェハ10の裏面における照明位置を変化させることができる。例えば、ステージ21をジグザグに移動させていくことにより、半導体ウェハ10の全体をスキャンすることができる。具体的な一例として、照明装置22が、Y方向に沿った照明領域34を照明した状態で、X方向にステージ21を移動させていく。これにより、Y方向に延びた照明領域34を幅方向とする帯状の領域が検査される。そして、半導体ウェハ10の端部までX走査したら、所定距離だけY方向にずらす。そして、照明領域34をY方向に1ライン分ずらした後、-X方向に走査する。これを繰り返していくことで、半導体ウェハ10の全体を検査することができる。もちろん、ステージ21ではなく、照明装置22と検出器23を同期して移動させることで、走査しても良い。これにより、半導体ウェハ10全体の像を取得することができる。半導体ウェハ10の裏面や、シリコン基板11とエッチストップ膜12との界面等の平面からの反射光の角度は、照明角と等しくなる。すなわち、半導体ウェハ10の裏面に対する照明光の入射角XZ平面においてZ方向と入射方向31の成す角は、反射角XZ平面において、Z方向と正反射方向33の成す角と等しくなる。一方、エッチストップ膜12の上面開口部14側の面から反射光は、非エッチング領域15におけるエッチストップ膜12と多層膜13との界面からの反射光と開口部14の底面からの反射光との合成波となる。開口部14の開口幅は50nm程度であり、照明光の波長に比べて非常に小さい。このため、照明光は、開口部14に進入せずに反射し、その反射光の位相は開口幅に依存する。その結果、開口部14のCDCriticalDimension変化に対して、非エッチング領域15からの反射光と開口部14からの反射光の合成波の反射角が変化する。ここで、開口部14の底面ボトムのCD変化によって、合成波面が変化する様子について、図5、及び図6を用いて説明する。図5、図6は、照明光が垂直に入射する場合の合成波面を模式的に示す図である。図5は、開口部14のCDが小さい場合を示し、図6はCDが大きい場合を示している。なお、説明の簡略化のため、図5、図6では、半導体ウェハ10のシリコン基板11及びエッチストップ膜12を省略して図示している。CDが小さい場合、反射波面がより平坦になるため、開口部14からの反射光と非エッチング領域15からの反射光との位相のずれが小さくなる。一方、CDが大きい場合、CDが小さい場合と比べて、開口部14からの反射光と非エッチング領域15からの反射光との位相のずれが大きくなるため、合成波面の角度が変化する。このため、斜め入射にした場合にCDに応じて合成波の反射角度が変化する。本実施形態では、合成反射角度領域の一部が受光できる角度に、照明装置22と検出器23とを配置している。具体的には、半導体ウェハ10の裏面からの反射光や、シリコン基板11とエッチストップ膜12との界面からの正反射光を受光せずに、かつ、合成波の一部を受光する位置に検出器23が配置されている。例えば、半導体ウェハ10の多層膜13において、同じ開口幅の開口部14が一定のピッチで配列されるように設計されていたとする。開口部14の開口幅が設計値通りである領域をスキャンしている間は、検出器23の受光量がほぼ一定で変化しない。一方、開口部14の開口幅が設計値からずれている領域では合成波の反射角度が変化する。このため、検出器23に入射する合成波の光量が変化する。このように設置することで、CD変化に対して敏感な感度特性を持たせることが可能である。さらに、本実施形態では、ライン照明と1次元センサを用いているため、常に理想的な照明角及び検出角を維持して画像を取得することができる。上記のように検査を行うことで、製造プロセスのバラツキ等の起因する開口部14のばらつきを検査することができる。開口部14の底部の大きさに応じて、検出器23での受光量が変化する。開口部14の底部のCDを測定することができ、CD検査を行うことが可能になる。例えば、検出器23での受光量がしきい値よりも高くなった領域、あるいはしきい値以下となった領域を開口部14のCD欠陥CDエラー領域と判定することができる。また、Y方向を長手方向とする照明領域34を一度に検査しているため、高速かつ非破壊で検査することができる。次に、照明領域34からの反射光の角度分布と、検出器23の受光角度範囲について、図7を用いて説明する。図7は、反射光の角度分布を示すグラフであり、横軸が光の反射角、縦軸が反射光の強度を示している。図7では、半導体ウェハ10に開口部14のパターンがない領域からの正反射光41と、開口部14が小さい領域からの反射光42と、開口部が大きい領域からの反射光43が示されている。図7に示すように、正反射光41、反射光42、反射光43のいずれも、反射角度が入射角と同じ角度で光強度がピークとなる。ここで、反射角度が入射角と同じ角度とは、図2に示したように入射角度と反射角度が法線に対して対称となっていることであり、より具体的には反射光の角度が正反射方向33と一致していることを言う。開口部14のパターンがない領域からの正反射光41が最も急峻なピークとなり、正反射光41は反射角が入射角と同じ角度からずれると急激に減少する。なお、正反射光41のピークの幅は、入射光の角度分布、及び半導体ウェハ10の裏面の平坦性に依存している。反射角42、及び反射角43は、正反射光41に比べてブロードなピークとなっている。さらに、入射角と同じ角度の近傍では、反射光42の光強度が反射光43の強度よりも高くなっている。ここで、検出器23の受光面に入射する光の受光角度範囲45を入射角と同じ角度からずらして配置する。具体的には、開口部14が小さい領域からの反射光42の強度と開口部14が大きい領域からの反射光43の強度が異なっている角度範囲を受光角度範囲45に設定する。こうすることで、開口部14の底部の大きさに応じて、検出器23の受光強度が変化する。ここでは、開口部14の底部が小さい時の受光強度が、開口部14の底部が大きい時の受光強度よりも高くなる。すなわち、受光角度範囲45の全体において、開口部14が小さい領域からの反射光42の強度が、開口部14が大きい領域からの反射光43の強度よりも大きくなっている。一方、受光角度範囲45が入射方向と同じ角度を含んでいると、正反射光41が入射してしまう。開口部14のパターンがない領域からの正反射光は、図7に示したように反射光42、43と比べて高いピークを持つ。従って、検出器23の受光強度は、正反射光の強度に大きく依存し、開口部14の底部の大きさ変化による受光強度の変化が相対的に小さくなる。よって、正反射光41がピークとなる角度入射角と同じ角度を含まないように受光角度範囲45を設定することが好ましい。受光角度範囲45を図7にように設定すると、CDと受光強度の関係は図8に示すようになる。図8から分かるように、CDに応じた受光強度受光量の変化が大きくなり、高感度に測定することができる。検出器23の受光強度の変化によって開口部14の底部のCDを測定することができる。検出器23の受光方向32を正反射方向33からわずかにずらすことで、開口部14の底部のCDを測定することができる。なお、受光角度範囲45の幅は、レンズ24の瞳の大きさ等によって調整すればよい。ステージ21を走査して検査を開始する前に、照明装置22と検出器23とを最適な角度に配置することが好ましい。例えば、検出器23の設置角度を正反射方向33から徐々にずらしながら、半導体ウェハ10からの反射光を検出する。そして、検出器23で検出される光が一定値を下回ったら、正反射光が入射しなくなったと判断し、その位置で検出器23を固定する。なお、検出器23ではなく、照明装置22の位置を調整しても良く、照明装置22と検出器23の両方の位置を調整しても良い。このように、照明装置22と検出器23の少なくとも一方の位置を調整することで、開口部14の底部の大きさに応じたコントラスト変化が急峻に現れる。よって、より感度の高い検査を行うことができる。検出感度を高くするために、検出器23を正反射方向の近傍位置に配置することが好ましい。ここで、正反射方向の近傍位置とは、半導体ウェハ10の裏面からの正反射光が入射しない位置で、正反射方向33からわずかにずれた正反射方向33の近傍である。特に、正反射光が入射しない位置で、できる限り正反射方向33に近づけて配置することが好ましい。こうすることで、反射光の角度変化に対して、より高い感度での検査を行うことができる。なお、照明装置22にテレセントリック光学系を設けて、平行光束を照射するようにしてもよい。この場合、照明光の角度広がりがなくなるため、開口部14の大きさの違いによる反射光散乱光の角度変化が顕著となり、より感度の高い測定を行うことができる。さらに、図9に示すように、照明光の入射方向31をブリュースタ角としても良い。ブリュースタ角とする場合、照明光をP偏光とすることが好ましい。これにより、半導体ウェハ10の裏面での反射光をなくすことができるため、受光量の減少を防ぐことができ、より感度の高い測定を行うことができる。もちろん、照明光の偏光状態や入射方向31の角度は、半導体ウェハ10の裏面の状態等に応じて、最適なものを実験的に求めても良い。もちろん、照明光の偏光状態をP偏光に限らず、S偏光としても良い。さらには、他の偏光状態としても良く、無偏光の照明光を用いても良い。変形例図10を用いて、照明装置22の変形例の構成に付いて説明する。図10は、別の照明装置22の構成を示す上面図である。なお、照明装置22以外の基本的構成については、図2と同様であるため説明を省略する。照明装置22は、光源25と、レンズ26と、ポリゴンミラー27と、レンズ28と、を備えている。本変形例では、LED光源25を一列に配列せずに、光源25を1つだけ設けている。光源25は、例えば、LDLaserDiode光源であり、指向性の高い照明光を出射する。照明光の波長は、例えば、1200~1550nmの範囲から選択することができる。光源25から出射した照明光は、レンズ26で屈折されて平行光束となる。そして、レンズ26で屈折された照明光はポリゴンミラー27に入射する。ポリゴンミラー27は、所定速度で回転している。従って、ポリゴンミラー27で照明光が反射されることで、照明光がY方向に偏向される。そして、ポリゴンミラー27で反射された照明光はレンズ28によって屈折される。この構成により、ポリゴンミラー27での偏向角によらず、半導体ウェハ10に入射する照明光の入射角度が同じになる。すなわち、ライン状の照明領域34のY方向位置によらず、照明光の入射方向31が一定になる。このようにすることで、平行光線でライン状の照明領域34を照明することができる。必要な領域のみを照明することができるため、検出器23の受光量を高くすることができる。なお、ポリゴンミラー27により走査を行う場合、ポリゴンミラー27の偏向による走査速度をステージ21による走査速度よりも十分速くする。さらに、ポリゴンミラー27による走査周期を、検出器23の撮像時間以下にすれば、1走査線で、ライン状の照明領域34を撮像することができる。具体的には、ポリゴンミラー27の走査周期を検出器23の1走査期間の整数倍とすることが好ましい。もちろん、ポリゴンミラー27に限らず、ガルバノミラーなどの他のスキャナで変更させて、Y方向に走査しても良い。さらに、ポリゴンミラー27で走査された光を拡散する拡散板を配置しても良い。拡散板をレンズ28の後段に配置することで、干渉性の高いLDを光源25として用いた場合であっても、スペックルノイズを低減することができる。なお、検査対象となる半導体ウェハ10としては、例えば、等ピッチで形成されたシリコン深堀エッチングパターン、BiCSのゲート電極膜を有するウェハを挙げることができる。シリコン以外の半導体ウェハに対して、検査を行う場合、半導体ウェハの材料に応じて波長、角度を選択すればよい。さらに、上記の検査欠陥に応じて良否判定を行うことで、半導体装置の生産性を向上することができる。例えば、半導体チップとして切り出される領域の良否判定を行い、不良と判定された領域を含む半導体チップについては用いないものとし、良判定とされた領域から切り出される半導体チップのみを用いるようにすれよい。このようにすることで、生産性を向上することができる。また、上述した各構成を適宜組み合わせて用いても良い。例えば、図3、図4、図8のいずれの照明装置22であっても、入射方向31を図7に示したようにブリュースタ角としてもよい。また、半導体ウェハ10の表面側から照明光を照射して、観測すれば、開口部の表面側のCDを測定することができる。この場合、光源を可視光源に切り替えて、可視光で照明するようにしても良い。すなわち、裏面からの観測と、表面からの観測で光源の波長を変えても良い。