第1の部分と第2の部分とを含み、前記第1の部分は前記第2の部分に対して動くように構成されるアクチュエータであって、ラビリンスシールが前記第1の部分と前記第2の部分との間に設けられ、前記ラビリンスシールは前記ラビリンスシールの第1の側から前記ラビリンスシールの第2の側へのガスの流れを制限するように構成され、1つ以上のインレットおよび1つ以上のアウトレットが前記ラビリンスシール内に設けられ、前記1つ以上のインレットは前記ラビリンスシール内の位置にガスを提供するように構成され、前記1つ以上のアウトレットは前記ラビリンスシール内の位置から前記ガスの少なくとも一部を除去するように構成される、アクチュエータ。前記ラビリンスシールは回転対称である、請求項1に記載のアクチュエータ。前記ラビリンスシールは複数のリッジを含み、前記ガスの流れを制限するのに十分に狭い間隙が隣接リッジ間に存在する、請求項1または2に記載のアクチュエータ。前記間隙は50ミクロン以上の幅を有する、請求項3に記載のアクチュエータ。前記間隙は150ミクロン以上の幅を有する、請求項4に記載のアクチュエータ。前記ラビリンスシールの第1の部分のリッジの端部と前記ラビリンスシールの第2の部分の隣接基部との間に空間が存在し、前記空間は十分に広いので前記ガスの流れをほとんど制限しない、請求項3から5のいずれかに記載のアクチュエータ。前記アクチュエータは、前記ラビリンスシールの前記第1および第2の部分間に傾斜を導入できるように構成され、前記傾斜は、前記リッジの端部と前記隣接基部との間の前記空間によって少なくとも部分的に対応される、請求項6に記載のアクチュエータ。前記リッジはテーパリングされ、前記傾斜は前記リッジの前記テーパリングによって少なくとも部分的に対応される、請求項7に記載のアクチュエータ。前記1つ以上のインレットは、前記ラビリンスシールの周囲に分布される複数のインレットを含む、請求項1から8のいずれかに記載のアクチュエータ。前記複数のインレットは、前記ラビリンスシールの最内部間隙と隣接間隙との間に配置され、前記複数のインレットは前記間隙の1つの端部に配置される、請求項9に記載のアクチュエータ。前記複数のインレットと前記最内部間隙との間、および、前記複数のインレットと前記隣接間隙との間に、空間が設けられ、前記空間は前記インレットを通り送られる前記ガスのバッファリングを与えるように構成される、請求項10に記載のアクチュエータ。前記1つ以上のアウトレットは、前記ラビリンスシールの周囲に分布される複数のアウトレットを含む、請求項1から11のいずれかに記載のアクチュエータ。前記複数のアウトレットは、前記ラビリンスシールの前記最内部間隙と前記隣接間隙との間に配置され、前記複数のアウトレットは前記間隙の、前記複数のインレットから反対の端部に配置される、請求項10および請求項12に記載のアクチュエータ。前記複数のアウトレットと前記最内部間隙との間、および、前記複数のアウトレットと前記隣接間隙との間に、空間が設けられ、前記空間は前記アウトレットへ渡される前記ガスのバッファリングを与える、請求項13に記載のアクチュエータ。前記アクチュエータはリニアアクチュエータであり、前記ラビリンスシールは複数のリニアリッジを含み、前記ガスの流れを制限するのに十分に狭い間隙が隣接リッジ間に存在する、請求項1に記載のアクチュエータ。前記ラビリンスシールは、リッジが設けられていない2つの面をさらに含み、前記ガスの流れを制限するのに十分に狭い間隙が前記面間に存在する、請求項15に記載のアクチュエータ。前記アクチュエータは関節アームを含む、請求項1から14のいずれかに記載のアクチュエータ。請求項1から17のいずれかに記載のアクチュエータを含むリソグラフィ装置。前記ラビリンスシールは、前記リソグラフィ装置の他の部品から電気的に絶縁され、かつ、前記ラビリンスシールを帯電させる電源に接続される、請求項18に記載のリソグラフィ装置。ラビリンスシールを用いてアクチュエータをシールする方法であって、前記ラビリンスシール内の位置に接続された1つ以上のインレットを介して前記ラビリンスシール内にガスを導入することと、前記ラビリンスシール内の位置に接続された1つ以上のアウトレットを介して前記ラビリンスシールからガスを除去することと、を含む方法。0019図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置100を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、-放射ビームB例えばEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクまたはレチクルMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば反射投影レンズシステムPSと、を含む。0020照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。0021サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0022パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。0023パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型alternating位相シフト、およびハーフトーン型attenuated位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。0024投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の光学コンポーネントを含みうる。EUV放射には、ガスは放射を吸収しすぎることがあるので、真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。0025本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい例えば反射型マスクを採用する。0026リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってもよい。そのようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0027図1を参照すると、イルミネータILは、放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線EUVビームを受け取る。EUV放射を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、物質を、EUV範囲内の1本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも1つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマLPPと呼ばれるこのような方法の1つでは、必要とされるプラズマは、燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。燃料は、例えば、必要な輝線を放出する元素を有する物質の液滴、ストリームまたはクラスタでありうる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを提供する、図1には図示しないレーザを含むEUV放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばEUV放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射源コレクタを使って集められる。例えばCO2レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合DPP源と呼ばれる放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0028イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータは、ファセットフィールドデバイスおよび瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。0029放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えばマスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えばマスクMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使い、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えばマスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えばマスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされうる。0030例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00311.ステップモードでは、サポート構造例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。00322.スキャンモードでは、サポート構造例えばマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えばマスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。00333.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えばマスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0034上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0035図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムIL、および投影システムPSを含むリソグラフィ装置100をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールSOは、放射源コレクタモジュールSOの囲い構造220内に真空環境が維持可能であるように構成される。0036レーザLAは、燃料供給源200から提供されるキセノンXe、スズSn、またはリチウムLiといった燃料にレーザビーム205を介してレーザエネルギーを堆積するように構成され、それにより、数十eVの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ210が生成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学系COによって集められ合焦される。0037コレクタ光学系COによって反射される放射は、仮想放射源点IFに合焦される。仮想放射源点IFは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールSOは、中間焦点IFが囲い構造220内の開口221にまたは付近に位置付けられるように配置される。仮想放射源点IFは、放射放出プラズマ210の像である。0038次に、放射は照明システムILを通過する。照明システムILは、パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21の所望の角分布を、かつ、パターニングデバイスMAにおいて所望の放射強度均一性を与えるように構成されたファセットフィールドミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含みうる。パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21が反射すると、パターン付きビーム26が形成され、このパターン付きビーム26は、投影システムPSによって、反射素子28、30を介して、基板テーブルWTによって保持される基板W上に結像される。0039通常、図示されるよりも多くの素子が、照明システムILおよび投影システムPS内にあってよい。さらに、図に示すものよりも多くのミラーが存在してよく、例えば、図2に示すものよりも1~6個多い追加の反射素子が投影システムPS内にあってよい。0040図3は、図1および図2に示すリソグラフィ装置の一部を形成する基板ハンドリングロボット101の片側から見た概略図を示す。この基板ハンドリングロボットを用いて、基板ホルダ100から基板テーブルWTに基板Wを移送する。基板ハンドリングロボット101は、内側部分110aと外側部分110bを有する関節アーム110を含む。関節アームの内側部分110aは、サポート112に回転自在に取り付けられる。関節アームの外側部分110bは、関節アームの内側部分110aに回転自在に取り付けられ、それによりアームの内側部分とアームの外側部分との間に関節接続部115を与える。0041使用時、関節アーム110は、外側部分110bに接続されたピン113が、基板ホルダ100内で保持された基板Wの下に押されるように動かされる。基板Wは、次に、関節アーム110を動かすことによって基板ホルダ100から取り出される。次に関節アーム110を用いて、基板が基板テーブルWT上に位置するように基板Wを動かす。関節アーム110は、次にピン113を基板Wの下から取り出し、それにより基板が基板テーブルWT上に置かれることを可能にする。破線は、基板が基板テーブルWT上に位置する場合の関節アームと基板の位置を示す。基板Wが基板テーブルWT上に一旦置かれると、基板テーブルは、基板Wが投影システムPS図1および図2を参照の下に位置するまで動かされ、上に詳述したように基板上にパターンが投影される。0042関節アーム110の動きは、サポート112周りのアームの内側部分110aの回転を介して、かつ、アームの内側部分周りのアームの外側部分110bの回転を介して達成される。図3には関節アームの内側部分110aと外側部分110bとの間に関節接続部115を1つしか示していないが、2つ以上の関節接続部が設けられてもよい。例えば関節アームは、内側部分と、外側部分と、中間部分とを含み、内側部分は関節接続部を介して中間部分に接続され、中間部分は関節接続部を介して外側部分に接続されうる。2つ以上の関節接続部を有することによって、外側アームの動きの制御が向上され、それにより基板Wの移動の制御が向上できる。0043関節アーム110は、例えばEUVリソグラフィ装置内の真空空間、または、汚染物質を回避することが望ましい他の環境内に設けられうる。モータ図示せずが関節接続部115内に設けられうる。電動でありうるモータは、グリースの粒子といった汚染物質を発生させうる。この汚染物質が、関節アーム110が設けられている環境内に侵入することを阻止するまたは汚染物質がその環境内に侵入する可能性を減少することが望ましい。0044図4は、関節接続部115の概略断面部分をより詳細に示す。関節アームの内側部分110aのセクションを、アームの外側部分110bのセクションと共に図4に示す。内側部分110aに対する関節アームの外側部分110bの回転は、関節接続部115内に設けられたモータ120を作動させることによって達成される。関節アームの内側部分110aと外側部分110bとの間に軸受121が設けられている。軸受121は、関節接続部115の周囲に延在し、関節接続部の滑らかな回転を助けるリング軸受である。さらに、軸受121は、関節アームの内側部分110aと外側部分110bとの間にz方向における所望の間隔を維持する。0045ラビリンスシール130が、関節アームの内側部分110aと外側部分110bとの間に設けられる。ラビリンスシール130は、アルミニウム、他の金属、または任意の他の好適な材料から形成されうる。ラビリンスシール130は、モータ120を、関節アーム110を囲む環境から分離するまたは実質的に分離する。したがって、ラビリンスシール130は、モータ120によって発生された汚染物質例えばグリース粒子がモータから関節アーム110を囲む環境内へと渡される可能性を低くする。ラビリンスシール130は、関節アームの外側部分110b内に設けられた下部環状基部133から上方向に延在する一連の円形リッジ131a~jと、関節アームの内側部分110a内に設けられた上部環状基部134から下方向に延在する一連の円形リッジ132a~jを含む。簡単にするために、図4では、全ての円形リッジにラベルを付けてはいない。円形リッジ131a~j、132a~jは、1つを除きすべての上方向に延在する円形リッジ131a~iが下方向に延在する円形リッジ132a~j間の空間に受容されるような相補的な寸法を有する。同様に、1つを除きすべての下方向に延在する円形リッジ132b~jが上方向に延在する円形リッジ131a~j間の空間に受容される。0046上方向に延在する円形リッジ131a~jおよび下方向に延在するリッジ132a~jは、円形なので、互いに対して回転しうる。これにより、関節アームの内側部分100aと外側部分100bとが互いに対して回転可能となる。0047図5に、ラビリンスシールの一部をより詳細に示す。図5では、円形リッジではなくて、隣接する円形リッジ間の間隙にラベルが付けられる。これは、図面を過剰に複雑にすることなく間隙を特定できるようにするためである。記載の本部分で言及される特定の円形リッジは、図4を参照することによって特定しうる。0048図5を参照すると、間隙135a~sが、各隣接円形リッジ131a~j、132a~j間に存在する。各間隙は、例えば200ミクロン以下と狭く、したがって間隙を通るガスの流れを制限する。本実施形態では全部で19個の間隙がある他の実施形態では異なる数の間隙があってよい。各間隙によって与えられる流れ制限は、共に合わされて累積流れ制限を与える。この累積流れ制限は、ラビリンスシールの内側からラビリンスシールの外側へのガスの流れを厳しく制限し、それによりシーリング効果が与えられる。0049上方向に延在する円形リッジ131a~jは、上部環状基部134のところまでは延在しない。代わりに、上方向に延在する各円形リッジ131a~dの頂点と上部環状基部134との間に空間が存在する。同様に、下方向に延在する円形リッジ132a~jも下部環状基部133のところまで延在しない。代わりに、下方向に延在する円形リッジ132a~jの底部と下部環状基部133との間に空間が存在する。円形リッジ131a~j、132a~jの端部と環状基部133、134との間に存在する空間は、隣接する円形リッジ間の間隙よりもはるかに大きい。したがって、これらの空間は、ラビリンスシール130によって与えられるシーリング効果に著しい効果は与えない。0050一実施形態では、リッジは2.82mmの幅を有し、隣接リッジ間の間隙は例えば3.18mmでありうる。したがって、1つのリッジは2つの隣接リッジ間の真ん中に位置決めされていると仮定すると、隣接リッジ面間の間隙は180ミクロンでありうる。180ミクロンの間隙は、ガスの流れの著しい制限を与える。0051これに対して、リッジ131a~j、132a~jの端部と隣接環状基部133、134との間の空間は、例えば0.5mm以上、1mm以上、または、1.5mm以上でありうる。上述したように、これらの空間のサイズは、空間は著しいシーリング効果を与えないようなサイズである。しかし、これらの空間は、関節アーム110の内側部分110aと外側部分110bとのz方向における相対運動のための余地を与え、したがって、関節アームの内側部分と外側部分との間にある程度の傾斜を可能にする。したがって、これらの空間は、アームの内側部分110aに対するアームの外側部分110bおよびその反対もの傾斜の調節を可能にすることによって、基板Wの不所望の傾斜を補正することを可能にしうる。これらの空間は、円形リッジの中央性、平坦性、および高さといったラビリンスシールの製造時に発生する製造公差にも対応しうる。0052図4および図5から分かるように、第1の上方向に延在する円形リッジ131aと上部環状基部134との間の空間は、ラビリンスシールにおける他の対応する空間よりも大きい。この空間は、以下最初の上部空間140と呼ぶ。最初の上部空間140は、上部環状基部134内に設けられた内部リザーバ143に接続された複数のインレットチャネル142そのうちの1つのみを図5に示すからガスを受け取る。内部リザーバ143は、ガス供給チャネル144を介してガス供給源図示せずに接続される。ガス供給源は、例えば窒素または他のガスをラビリンスシールに供給しうる。チャネル142、144および内部リザーバ143を通るガスの流れは、矢印によって概略的に示す。0053内部リザーバ143は環状形状を有し、ラビリンスシールの周囲に延在する。したがって、内部リザーバ143はガス供給チャネル144からインレットチャネル142にガスを運ぶチャネルの機能を果たす。0054インレットチャネル142によってガスが最初の上部空間140にガスが送られると、ガスの一部は、第1の間隙135a、すなわち、第1の下方向に延在する円形リッジ132aと第1の上方向に延在する円形リッジ131aとの間を通過する。したがって、インレットチャネル142は、最初の上部空間140を介して第1の間隙135aに接続されていると言うことができる。第1の間隙135aを通過するガスは、ラビリンスシールからガスを送り出すために用いられるポンプ図示せずに接続されたガスアウトレット図示せずに流れる。矢印によって示されるガスの流れによって、汚染物質がラビリンスシール130に侵入することが阻止される。これは、汚染物質は侵入するのではなくラビリンスシールから送り出されるからである。0055インレットチャネル142によって最初の上部空間140内に送られたガスの一部が、第2の間隙135b、すなわち、第1の上方向に延在する円形リッジ131aと第2の下方向に延在する円形リッジ132bとの間を通過する。したがって、インレットチャネル142は、最初の上部空間140を介して第2の間隙135bに接続されていると言うことができる。ガスは次に、複数のアウトレットチャネル145そのうちの1つのみを図5に示すに接続された下部空間147に入る。アウトレットチャネル145は、下部空間147を介して第2の間隙135bに接続されていると言うことができる。アウトレットチャネル145は、ガスアウトレットと、ラビリンスシールからガスを送り出すために用いられるポンプとに接続される。矢印によって示すガスの流れによって、汚染物質がラビリンスシール130の残りの部分内に侵入することが阻止される。これは、汚染物質は侵入するのではなくラビリンスシールから送り出されるからである。0056一実施形態では、ポンプによって全てのガスがラビリンスシール130から除去されるわけではない。残留ガスは、第3の間隙135c、すなわち、第2の下方向に延在する円形リッジ131bと第2の上方向に延在する円形リッジ132bとの間を通過し、ラビリンスシールの長さに沿って連続する間隙の中を進行し続ける。上述したように、間隙の狭さは、間隙がガスの流れを制限するような狭さである。ラビリンスシール130の19個の間隙の累積効果は、少量のガスしかラビリンスシールから出ないような効果でありうる。このことは破線の矢印で概略的に示す。0057ラビリンスシール内をガスが進行する経路の長さは、間隙135a~sの狭さが組み合わさることにより、ラビリンスシールから出るガスの流れは弱く、かつ、汚染物質がラビリンスシールから漏出する可能性が低いような長さである。したがって、ラビリンスシール130は、アームの関節接続部115を動かすために用いられるモータ120から、関節アーム110を囲む環境を分離するまたは実質的に分離する。用語シールとは、関節アームを囲む環境内にガスが漏れないことを意味することを意図して用いているわけではない。0058最初の上部空間140は、インレットチャネル142を通じて送られたガスのバッファリングを与え、それによりインレットチャネル142の出口における大きい圧力降下を回避している。下部空間147も同様に、ポンプ図示せずに繋がるアウトレットチャネル145の入口における大きい圧力降下を回避するバッファリングを与える。最初の上部空間140および下部空間141においてバッファリングを与えることによって、ラビリンスシール130周囲のガスの不所望の円周方向の流れが回避される。0059図4および図5は、断面図のラビリンスシール130を示す。したがって、これらの図では、ラビリンスシールの周囲を円周方向に延在する間隙または他の開口と、ラビリンスシールの周囲を円周方向に延在しないチャネルとは区別されない。図5を再度参照するに、円形リッジ131a~j、132a~j間の間隙135a~sは、ラビリンスシール130の周囲に延在する。同様に、円形リッジ131a~j、132a~jと環状基部133、134との間の空間もラビリンスシール130の周囲に延在する。上述したように、内部リザーバ143は環状形状であり、ラビリンスシールの周囲に延在する。これに対して、内部リザーバ143を最初の上部間隙140に接続するインレットチャネル142は環状ではなく、代わりに例えば断面が円形でありうるボアでありうる。複数のインレットチャネル142が、ラビリンスシール130の周囲に分布させられてよく、それにより内部リザーバ143と最初の上部間隙140との間に複数の接続が与えられる。一実施形態では、4つ以上のインレットチャネル、8つ以上のインレットチャネル、または12以上のインレットチャネルが設けられてよい。0060ガス供給源図示せずを内部リザーバ143に接続するチャネル144もボアであってよい。このチャネルは比較的大きい断面を有するので、内部リザーバ143に必要量のガスを供給するためには1つのチャネルで十分でありうる。2つ以上のチャネルが設けられてもよい。下部空間147からポンプ図示せずにガスを運ぶアウトレットチャネル145も例えば円形断面を有しうるボアであってよい。複数のアウトレットチャネル145がラビリンスシール130の周囲に分布されてよく、それにより、下部空間147とポンプとの間に複数の接続が与えられる。一実施形態では4つ以上のアウトレットチャネル、8つ以上のアウトレットチャネル、または12以上のアウトレットチャネルが設けられてよい。0061第1の間隙135aを通るガスの流れの速度が汚染物質の抑制に効果を有することがあり、これはラビリンスシールによって与えられる。高いガス流速度は、低いガス流速度よりもより効果的な汚染物質の制限を与える。これは、高いガス流速度は、ラビリンスシール130に汚染物質が侵入する可能性を低くするからである。多数のインレットチャネル142を最初の上部間隙140に設けること、または、チャネル直径を増加することによってガス流が増加され、それによりラビリンスシールによって与えられる汚染物質の抑制が増加される。しかし、最初の上部間隙140における大きい圧力降下を回避することが望ましく、また、多数のインレットチャネルまたは大きいインレットチャネル直径は大きい圧力降下をもたらすことがある。したがってインレットチャネル142の数および/またはサイズは、多数および/または大きいサイズのインレットチャネルによって与えられる高いガス流と、少数および/または小さいサイズのインレットチャネルによってもたらされる小さい電圧降下とからもたらされる妥協でありうる。一実施形態では、12個のインレットチャネル142が用いられてよく、各インレットチャネルは1.4mmの直径を有する。別の実施形態では、インレットチャネルの数とインレットチャネルの直径は異なってよい。0062最初の上部間隙140または最初の下部間隙141における圧力降下を回避することが望ましいが、圧力降下が回避されることは必須ではない。0063上述したように、インレットチャネル142を介して導入されたガスの一部は、アウトレットチャネル145を介してポンプ図示せずによってラビリンスシール130から除去される。ラビリンスシールからガスを除去することは、高いガス流が、ラビリンスシールの最後の間隙135sを通過して関節アームを囲む環境に、容認し難いほど大量のガスが侵入することをもたらすことなく、高いガス流が第1の間隙135aに与えられるそれにより、より強力な汚染物質抑制を与えることを可能にするので有利である。0064ポンプは、第1の間隙135aおよび第2の間隙135bに接続されたアウトレットチャネル145および下部空間147に接続されるが、ポンプはラビリンスシールの1つ以上の他の位置に接続されてもよい。ポンプは、ガスがラビリンスシールの外側に出る前にラビリンスシールからガスを除去するようにラビリンスシールに接続されうる。0065一実施形態では、同じ数のインレットチャネル142およびアウトレットチャネル145があってよい。一実施形態では、インレットチャネル142の数は、アウトレットチャネル145の数と異なってもよい。0066軸受121は、例えば球面ころ軸受であってもよい。図4には1つの軸受121しか示さないが、他の実施形態では2つ以上の軸受が用いられてもよい。例えば関節アーム110に働く力のモーメントが大きい場合に、2つ以上の軸受を用いることが望ましい。0067円形リッジ131a~j、132a~jはある程度のテーパリングを含んでもよい。このテーパリングは、テーパリングがない場合に比べてより大きい傾斜補正を達成することを可能とする。0068モータ120の環境内に存在しうる最大圧力は、まず、関節アーム110を囲む環境へのガスの許容可能な漏れ率を計算し、次に、ラビリンスシールの経路長および隣接円形リッジ間の間隙のサイズを考慮に入れて、どれくらいの圧力がその漏れ率を生じさせるのかを求めることによって決定しうる。一実施形態では、関節アーム10を囲む環境内の真空は約1パスカルの圧力を有しうる。関節アーム110内のモータ120は、約4ミリバールの真空を有する環境内にあってよい。0069上記の説明は、基板Wを動かすために用いられる関節アーム110の一部を形成するラビリンスシール130について言及したが、ラビリンスシール130は他の関節接続部にも設けられてもよい。ラビリンスシールは、マスクまたは他のパターニングデバイス、或いは装置の任意の他の部品を動かすように構成された関節アーム内に設けられてもよい。0070ラビリンスシール130は、シールの片側からもう片側へのガスの流れと、シールの片側からもう片側への汚染物質の流れとを制限することを意図する。ラビリンスシールは、シールの片側からもう片側へ流れるガスの全てを阻止することを意図しておらず、ガスの流れを制限するに過ぎない。0071一実施形態では、ラビリンスシール130は、ラビリンスシールを帯電させるように構成された電源図示せずに接続されてもよい。これは、汚染物質がラビリンスシールの表面に入射しラビリンスシールによって保持される可能性を増加する。これが行われる場合、上部環状基部133および下部環状基部134は、例えばリソグラフィ装置内でのアースループearthloopの生成を阻止するためにリソグラフィ装置の他の部分から電気的に絶縁されうる。0072汚染物質を発生する可能性があるので、隣接する円形リッジ131a~j、132a~jが互いに接触することは望ましくない。ラビリンスシール130が帯電される場合、電気的モニタリングを用いて隣接する円形リッジ間の接触を検出しうる。電気的モニタリングは、ラビリンスシールの組立てまたは試験時に用いられてもよく、また、リソグラフィ装置の作動時に用いられてもよい。電気的モニタリングは、例えば抵抗または電気容量を測定しうる。電気容量が測定される場合、隣接円形リッジ間の接触のみをモニタリングするのではなく、隣接円形リッジ間の間隔をモニタリングすることも可能でありうる。0073ラビリンスシール130によって与えられる汚染物質抑制および圧力分離の観点からは、隣接する円形リッジ131a~j、132a~j間の間隙135a~sは、可能な限り小さいべきである。しかし、エンジニアリングの観点からは、間隙135a~sが小さいほど、円形リッジが互いに接触する可能性が高くなる。エンジニアリングの観点から、隣接する円形リッジ間に最小で50ミクロンの間隙を信頼度が高く設けることが可能である。しかし、より大きい間隙を設けることはコストがかからなくて済む。したがって、間隙は50ミクロン以上、100ミクロン以上、150ミクロン以上、または200ミクロン以上でありうる。これらの例示的な間隙サイズは図4および図5に示す本発明の実施形態以外の本発明の実施形態にも適用されうる。0074ある程度までは、間隙幅の増加は、間隙をより長く製造することによって補償されうる。しかし、ガス流に対する抵抗は長さによって線形に増加するが、間隙幅が増加するにつれて高い電力に対して減少する。したがって、非常に大きい間隙幅には、非常に長い間隙を必要となりうる。0075隣接する円形リッジ131a~j、132a~j間の間隙135a~sの幅に依存することに加えて、ラビリンスシール130の有効性は、ラビリンスシールの片側からもう片側に行くために進まなければならない全間隙の全長にも依存する。この長さは、以下、間隙路長と呼ぶ。円形リッジ131a~j、132a~jの端部と環状基部133、134との間の空間は、ガスの流れの著しい制限は与えないので、間隙路長には含まれない。本発明の図示する実施形態では、ガスが通過しなければならない19個の間隙135a~sがあり、各間隙は約10mmの長さを有する。したがって、ラビリンスシール130の間隙路長は約190mmである。本発明の他の実施形態は、例えば少ない円形リッジを用いて間隙路長を減少したり、または、多くの円形リッジを用いて間隙路長を増加したりして、他の間隙路長を与えうる。同様に、各円形リッジを短く作って間隙路長を減少したりまたは長く作って間隙路長を増加してもよい。0076本発明の実施形態のラビリンスシール130は、関節アーム110の内側部分110aと外側部分110bとの間に設けられているが、ラビリンスシールは他の場所に設けられてもよい。例えばラビリンスシール130は、サポート112と関節アーム110の内側部分110aとの間に設けられてもよい。0077図6に、本発明の代替の実施形態を概略的に示す。本実施形態では、上面300と下面301によってキャビティ図示せずが画定される。上面300は、左側に2つの下方向に延在するリッジ302a、302bが、また右側に2つの下方向に延在するリッジ302c、302dが設けられている。同様に、上面301は、左側に2つの上方向に延在するリッジ303a、303bが、また右側に2つの上方向に延在するリッジ303c、303dが設けられている。上方向に延在するリッジ303a~dは、下方向に延在するリッジ302a~d間の空間内に受容され、それによりラビリンスシールを形成する。上面300は、上面が下面301に対してy方向に動くことができるようにする軸受図示せずによって支持されうる。或いはまたは追加的に、下面301は、下面が上面300に対して動くことができるようにする軸受図示せず上に取り付けられてもよい。0078モータまたは他の装置図示せずが上面300と下面301との間に位置するキャビティ内に設けられてよい。リッジ302a~d、303a~dは、キャビティから、上面300および下面301を囲む環境へのガスの流れを制限するラビリンスシールを提供しうる。上面300と下面301との間の間隙は例えば約200ミクロンでありうる。この間隙は、リッジ302a~d、303a~dによって画定される間隙路長と組み合わされて、キャビティと上面および下面を囲む環境との間の差動シールを提供しうる。面300、301の両側には2つの上方向に延在するリッジと2つの下方向に延在するリッジしか図示していないが、より多くのリッジが設けられてもよい。例えば3つ以上のリッジ、5つ以上のリッジ、または10つ以上のリッジが面の両側に設けられてもよい。0079リッジ302a~d、303a~d間の中心領域305には、リッジが設けられていない。キャビティからの真っ直ぐの視線ここではy方向に延在するリッジはシーリング効果を与えないので、中心領域305にはリッジは設けられていない。これは、ガスはリッジを越えて流れることはなくリッジ間を進むに過ぎないからである。中心領域305にリッジを設けるのではなく、中心領域は、第1の平面306および第2の平面307を含む。第1の平面306と第2の平面307は例えば約200ミクロンで離され、したがってキャビティからのガスの流れを制限する。平面306、307のガスの流れの制限における有効性は、平面間の間隙と、平面の経路長とによって決定される。間隙は200ミクロンであってよく、経路長は例えば200mmである。この経路長は、リッジ302a~d、303a~dを通り越すガスが進む経路長と同じであっても異なってもよい。したがって、平面306、307は、リッジによって与えられる差動シーリング効果以上の差動シーリング効果を提供しうる。図6に示す面306、307は平らであるが、任意の好適な形状であってもよい例えば面は湾曲されていてもよい。0080図6に示すラビリンスシールに、図5に関連して上述したものと同じような方法でガスが供給されうる。例えば、ガスは最内部の上方向に延在するリッジ303b、303cの上方に導入されて、上面300と下面301とによって画定される第1の間隙310d、310e内に進みうる。ガスは、第1の間隙310d、310eの底部においてラビリンスシールから送り出されうる。ガスは、複数のインレットチャネル図示せずを介して供給されて、複数のアウトレットチャネル図示せずを介してラビリンスシールから送り出されうる。0081図示する実施形態に示すラビリンスシールでは、シールを形成するリッジは上方向および下方向に延在する。代替の実施形態では、リッジは左から右に、および、右から左に延在してもよい。実にリッジは任意の向きを有してよい。0082デカルト座標を、便宜上、図中に用いているが、図示する装置が特定の向きを有さなければならないことを暗示していると解釈すべきではない。0083本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0084光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0085レンズという用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0086用語EUV放射は、例えば13~14nmの範囲内といった5~20nmの範囲内、または、6.7nmまたは6.8nmといった5~10nmの範囲内の波長を有する電磁放射を包含しているとみなしてよい。0087以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。