"基板を処理する処理室と、前記処理室内で前記基板を保持しかつ前記基板を回転させる回転機構と、処理ガスを前記処理室に供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、前記回転機構、前記ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を備え、前記ガス供給系は、前記処理室と接続されたガス供給路と、前記ガス供給路の開閉を行うガス供給バルブと、を有し、前記排気系は、前記処理室と接続された排気路と、前記排気路を開閉する排気バルブと、を有し、前記制御部は、前記処理ガスを前記処理室に供給するときは、前記排気バルブを閉じて前記処理室内の排気を実質的に止めた状態で、前記ガス供給バルブを開いて前記ガス供給路から前記処理ガスを前記処理室に供給するように前記ガス供給系及び前記排気系を制御し、前記制御部は、前記処理ガスを周期的に前記処理室に供給する際、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置。前記ガス供給系は、前記ガス供給バルブより上流側に配置され前記処理ガスを溜めるガス溜り部を更に有し、前記制御部は、前記ガス供給バルブを閉じた状態で、前記処理ガスを前記ガス供給路に供給して前記処理ガスを前記ガス溜り部に溜めた後、前記ガス供給バルブを開いて前記ガス溜り部に溜めた前記処理ガスを前記処理室に供給するよう前記ガス供給系を制御することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。積層配置された基板を収納する処理室と、前記処理室内で前記基板を保持しかつ回転させる回転機構と、前記処理室に前記基板の積層配置方向に沿って設けられた、前記処理ガスを導入するためのガス導入部と、前記基板の積層配置方向に沿って設けられた複数のガス供給口を有し、前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記複数のガス供給口から供給するようにしたバッファ室と、前記回転機構及び前記ガス導入部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記処理ガスを周期的に前記処理室に供給する際、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置。基板を処理する処理室と、前記処理室内で前記基板を保持し且つ回転させる回転機構と、処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給系と、前記処理ガスを周期的に前記処理室内に供給する際、前記処理ガスの供給周期と前記基板の回転周期が一定時間以上同期しないように前記回転機構と前記ガス供給系とを制御する制御部と、を備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。ところで、ALD法を用いた基板処理装置は、複数種類例えば2種類の反応性ガスを1種類ずつ交互に基板上に供給して1原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行うものであり、この工程を1サイクルとする。膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する。例えば、成膜速度が1Å/サイクルとすると、500Åの膜を形成する場合、処理を500サイクル行う。つまり、1サイクルで極薄膜を形成し、これを所定サイクル行うことにより、所望の厚さの膜を得ている。原料ガスを一旦ガス溜め部に溜め、ガス溜め部から速い供給速度で基板上へと供給する、例えば1つの原料ガスの供給口から基板上にその径方向に沿って供給すると、原料ガスの供給口に近い基板の膜厚が厚くなる、つまり局所的に膜が厚くなる部分ができ、周囲の1箇所だけ凸状になる恐れがある。次のサイクルでは、ガス溜め部を使用してガス溜め部から速い供給速度で基板上へと供給すると、局所的に膜が厚くなった部分凸状部以外の部分に膜が成膜される。このため、サイクル数が例えば500であると、局所的に厚くなる部分が分散して、膜厚が均一になる。しかし、薄膜を形成する場合、例えば、サイクル数が60未満の場合では、局所的に厚くなる部分の分散の程度が悪く、つまり局所的に厚くなる部分が分散する前に成膜が終ってしまい、周囲が凹凸になって膜厚の均一性が悪くなることがあり得る。そこで本発明の目的は、薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にすることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内で前記基板を保持しかつ前記基板を回転させる回転機構と、処理ガスを前記処理室に供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、前記回転機構、前記ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を備え、前記ガス供給系は、前記処理室と接続されたガス供給路と、前記ガス供給路の開閉を行うガス供給バルブと、を有し、前記排気系は、前記処理室と接続された排気路と、前記排気路を開閉する排気バルブと、を有し、前記制御部は、前記処理ガスを前記処理室に供給するときは、前記排気バルブを閉じて前記処理室内の排気を実質的に止めた状態で、前記ガス供給バルブを開いて前記ガス供給路から前記処理ガスを前記処理室に供給するように前記ガス供給系及び前記排気系を制御し、前記制御部は、前記処理ガスを周期的に前記処理室に供給する際、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。本発明によれば、積層配置された基板を収納する処理室と、前記処理室内で前記基板を保持しかつ回転させる回転機構と、前記処理室に前記基板の積層配置方向に沿って設けられた、前記処理ガスを導入するためのガス導入部と、前記基板の積層配置方向に沿って設けられた複数のガス供給口を有し、前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記複数のガス供給口から供給するようにしたバッファ室と、前記回転機構及び前記ガス導入部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記処理ガスを周期的に前記処理室に供給する際、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。本発明によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内で前記基板を保持し且つ回転させる回転機構と、処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給系と、前記処理ガスを周期的に前記処理室内に供給する際、前記処理ガスの供給周期と前記基板の回転周期が一定時間以上同期しないように前記回転機構と前記ガス供給系とを制御する制御部と、を備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にすることができる基板処理装置を提供される。以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。本発明の実施の形態にておこなった、基板へのプロセス処理例としてALDAtomicLayerDeposition法を用いた成膜処理について説明する。図1及び図2は、実施の形態による縦型の基板処理装置の一例を示す図である。図1及び図2を用いて、縦型の基板処理装置の基本構成を説明する。なお、ここでは、基本構成に追加されるガス溜め部10及びバイパス配管11の構成を除いて説明してある。図1及び図2に示すように、ヒータ31の内側に、被処理基板である例えば直径200mmのウェーハ基板7を処理する反応室を構成する石英製の反応管6が設けられる。反応管6の下端開口はシールキャップ35により気密に閉塞され、シールキャップ35にボート39が立設されて反応管6内に挿入される。ボート39は、軸受18に回転自在に軸支されている回転軸19を介して回転機構20に連結されており、処理の均一性を向上する為にボート39基板7が回転し得る構造になっている。ボート39にはバッチ処理される複数の基板7が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒータ31は反応管6内の基板7を所定の温度に加熱するようになっている。反応管6内に複数種類、ここでは2種類のガスを供給する供給路としての2本のガス供給配管が設けられる。ここでは第1ガス供給配管51はリモートプラズマユニットを介さないで、また第2ガス供給配管52はリモートプラズマユニット37を介して反応管6の一側部にそれぞれ接続されている。したがって反応管6内の複数の基板7に供給されるガスには、プラズマにより励起しないで供給するガスと、プラズマ励起することにより活性種として供給するガスとの2種類がある。第1供給配管51及び第2供給配管52には、MFC27、28がそれぞれ設けられ、第1供給配管51及び第2供給配管52に流れるガス流量を制御するようになっている。なお、反応管6の他側部には、反応管6を排気する排気路としてのガス排気配管40が接続され、ガス排気配管40には図示しない真空排気手段としての真空ポンプが接続されている。リモートプラズマユニット37は、反応管6内の第2バッファ室41内にボート39に沿って立設されたノズル43に接続される。第2バッファ室41は、反応管6の内壁と基板7との間の空間、図示例では反応管6の内壁に沿って円弧状に設けられている。また、第2バッファ室41は、反応管6の内壁に沿っていると共に、反応管6の内壁の下部より上部までわたって基板7の積載方向に沿って設けられている。第2バッファ室41の基板7と隣接する壁の端部にはガス供給口としての第2バッファ室孔46が設けられている。この第2バッファ室孔46は反応管6基板7の中心へ向けて開口している。そして第2バッファ室41内の第2バッファ室孔46が設けられた端部と反対側の端部には、リモートプラズマユニット37に接続されたノズル43が、やはり反応管6の下部より上部にわたり基板7の積載方向に沿って配設されている。ノズル43には複数のノズル孔47が設けられている。ノズル43と第2バッファ室41には、上述したガスノズル孔47と第2バッファ室孔46とが設けられているが、この孔の開口状態の例を図3により説明する。図3aは、図1に示されたノズルの斜視図であり、bは、同じく図1に示された第2バッファ室41の斜視図である。図3aに示すノズル43は、断面が円形のパイプでその側面には、そのノズル43のほぼ最上部より、第2バッファ室41の底部に至る位置にまでノズル孔47が、ガス流の上流側より下流側へ向けて直線的に並んで設けられ、且つその開口面積は、第2ガス供給配管52から見て上流側図3においては下方より下流側図3においては上方に向かって大きく形成され、コンダクタンスを変化させて、上流でも下流でも均等にガスが吹き出されるようになっている。図3bに示す第2バッファ室41は、断面が円弧状を有するパイプで、その内側の曲面の端部には、同じ開口面積を有する第2バッファ室孔46が、基板7の積載方向に沿って直線的に並んで設けられている。また、第2バッファ室41と隣接する反応管6の内壁には、図1及び図2に示すように、第1バッファ室42が設けられている。この第1バッファ室42の下部には、第1ガス供給配管51が接続されている。第1バッファ室42も、第2バッファ室41と同様に基板7と隣接する位置に同一ピッチで第1バッファ室孔48を有し、下部には反応ガス導入口を有している。第1バッファ室孔48の開口面積は、上流でも下流でも均等にガスが吹き出されるように、上流側から下流に向かうに従って大きく形成されている。また、2種類のガスの流し方、及び基板7の成膜温度を制御する制御部60が設けられる。制御部60は、2種類のガスを一種類ずつ交互に繰り返し流すように制御するガス供給制御機能と、ヒータ加熱による成膜温度を制御する温度制御機能とを有している。次に上述した基本構成の縦型ALD装置を用いて成膜する方法を説明する。膜はSi3N4膜を形成する。反応ガスはDCSSiH2Cl2:ジクロルシランと、プラズマで活性化したNH3活性種である。まず成膜しようとする基板7をボート39に装填し、反応管6内以下、単に炉内ともいうに搬入する。次に基板上にSi3N4膜の成膜を行なう。このときの反応管6内温度は、下地膜と密着性がよく界面の欠陥の少ない膜が形成される温度、例えば350~600°Cである。この成膜には、NH3とDCSとを交互に流して1原子層づつ膜を形成するALD法を用いる。まず第2ガス供給配管52からNH3を供給する。NH3はDCSよりも反応温度が高いため、前記反応管6内温度では反応しない。そこで、NH3をリモートプラズマユニット37でプラズマ励起することにより活性種としてから流すようにして、前記反応管6内温度でも反応するようにする。このとき、反応管6内圧力は比較的低い圧力40~60Paに維持しつつ、プラズマ励起することにより活性種としたNH3を5~120秒間供給する。反応管6内に流しているのはプラズマ励起することにより活性種としたNH3だけで、DCSは存在しない。したがって、プラズマ励起することにより活性種としたNH3は、気相反応を起こすことなく、基板7上の下地膜に吸着する。ノズル43に設けられたノズル孔47は、ここから第2バッファ室41に噴出するNH3の流量が同量となるように、ガス流の上流側より下流側に向かって開口面積が徐々に大きくなるように設けられている。従って、ノズル孔47を通過して第2バッファ室41に噴出するNH3は、流速において、上流側で速く下流側で遅くなるが、流量においては、全てのノズル孔47において同一となる。この第2バッファ室41に噴出したNH3は、ここに一旦導入され、第2バッファ室41の内部の圧力は均一になる。上述したように第2バッファ室41に設けられた第2バッファ室孔46は、全て同一開口面積であるため、基板7ヘ供給されるNH3の活性種は、均一な流量、且つ均一な流速で供給されるため、各基板7に対して均一な成膜処理が行われる。さらに、第2バッファ室孔46は、多段に載置された基板7の間隔の中間に位置するよう設けることにより、処理用ガスであるNH3は、積載された各基板7へ充分に供給される。つぎに第1ガス供給配管51からDCSを供給する。DCSは前記反応管6内温度で反応するので、リモートプラズマ37によるプラズマ励起の必要はない。このときの反応管6内圧力はNH3のときよりも高い圧力266~931Paに昇圧する。DCSの供給により下地膜上のNH3とDCSとが表面反応して、Si3N4膜が成膜される。第1バッファ室42には、ガスの上流より下流に向かって開口面積が徐々に大きくなる第1バッファ室孔48が反応管6基板7の中心に向けて設けられている。この結果、第1バッファ室孔48より基板7に供給されるDCSは、流速は異なるが、流量は同一の流れとなって、反応管6内へ噴出する。もちろん、DCSの供給も第1バッファ室42の替わりに、NH3の供給に用いたのと同様のノズル43と第2バッファ室41を、もう一組、反応管6内に設置し、ここに設けられた第2バッファ室孔46よりDCSを供給することとすれば、流量も流速も均一にすることができ好ましい。しかし、本実施の形態において、DCSの供給は、ノズル43と第2バッファ室41の組合わせよりも簡易的な、第1バッファ室42を用いて、ガス流量を等しくすれば、基板7において充分均一な成膜処理が可能である。上述したNH3とDCSとを交互に流す工程を1サイクルとする。このサイクルを繰り返すことにより、所定厚のSi3N4膜が形成される。ALD法では、成膜に寄与する2種のガスが同時に気相中に存在しないため、ガスは下地表面に吸着し、下地膜と反応する。このため下地膜との密着性が良い膜が得られ、2種のガスを同時に流すCVDChemicalVaporDeposition法で成膜するよりも界面の欠陥が減少する。また、複数種類のガスのうちプラズマ励起の必要なNH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すようにしたので、プラズマ励起の必要のないDCSガスによる反応温度で成膜できるので、350~600°Cという低温で成膜できる。この基本構成に加えて、本実施の形態の基板処理装置では、第1ガス供給配管51のMFC27の下流側MFC27と反応管6との間には、ガスを溜めるガス溜め部10が設けられている。このガス溜め部10は、例えば通常の配管よりもガス容量の大きなガスタンク又は螺旋配管などで構成する。また、第1ガス供給配管51のMFC27の下流側には、ガス溜め部10をバイパスするバイパスラインであるバイパス配管11が接続されている。ガス溜め部10の近傍の上流側の第1ガス供給配管51に管路を開閉する第1バルブ1を、下流側の第1ガス供給配管51に管路を開閉する第2バルブ2をそれぞれ設ける。バイパス配管11に管路を開閉する第3バルブ3を設ける。第1、第2、第3バルブ1、2、3を開閉することにより、第1ガス供給配管51を介して第1の種類のガスとしてのDCSガスをガス溜め部10に溜めたり、溜めたDCSガスを反応管6に供給できたり、ガス溜め部10を使用せずにDCSガスをバイパス配管11を介して反応管6に供給できるようになっている。また、リモートプラズマユニット37の近傍の上流側の第2ガス供給配管52には管路を開閉する第4バルブ4を設け、この第4バルブ4を開閉することにより、第2の種類のガスとしてのNH3ガスを反応管6に供給したり、供給を止めたりできるようになっている。ガス排気配管40には管路を開閉及び開度を調整する排気バルブ図示せずを設け、この排気バルブを開閉することにより反応管6を排気したり、排気を止めたりできるようになっている。また排気バルブの開度を調整することにより反応管6を所定圧に維持しつつ排気できるようになっている。なお、排気バルブは、開閉及び開度調整する機能を有する単体のバルブで構成しても、あるいは開閉機能を有するバルブと開度調整機能を有するバルブとの複数のバルブで構成してもよい。また、第1、第2、第3、第4バルブ1、2、3、4、及びヒータ31等を制御する制御部60が設けられる。制御部60は、排気バルブ及び第1、第2、第3バルブ1、2、3を制御して、DCSガスを第1ガス供給配管51に流してガス溜め部10に溜め、反応管6の排気を止めた状態あるいは排気をしながらガス溜め部10に溜めたDCSガスを反応管6に供給するか、または、ガス溜め部10を使用せずに、バイパス配管11を介してDCSガスを反応管6に供給することにより、反応管6を昇圧状態として基板7をDCSガスに晒す。また、反応管6を排気しつつNH3ガスをリモートプラズマユニット37を介して第2ガス供給配管52より反応管6に供給することにより、NH3ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種に基板7を晒すようになっている。つぎに、ガス溜め部10を用いた成膜シーケンスの一例について説明する。原料ガスとしてDCS及びNH3を用いた場合について説明する。NH3のガス供給配管52ラインはガス溜め部10がなく、DCSはガス溜め部10を有するガス供給配管51ラインを使って供給を行う例で示す。下記の例ではガス溜め部10がない配管を用いて原料ガスを先に反応管6内に流しているが、ガス溜め部10を有する配管を使って原料ガスを先に流す方法でも同様である。まず成膜しようとする基板7をボート39に装填し、反応管6内に搬入する。搬入後、次の1~4の動作を1サイクルとして、これを繰り返し実行する。1プラズマ励起の必要なNH3ガスと、プラズマ励起の必要のないDCSガスとを併行して流す。まず第2ガス供給配管52に設けた第4バルブ4、及びガス排気配管40に設けた排気バルブを共に開けて、第2ガス供給配管52からNH3をリモートプラズマユニット37でプラズマ励起することにより活性種として第2バッファ室41を通って、例えば第2バッファ室41に設けた基板7間隔1枚毎に設けられた第2バッファ室孔46から基板7上に供給しつつ、ガス排気配管40から排気する。NH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、ガス排気配管40からの排気を適正に調整して反応管6内圧力を10~100Paとする。MFC28で制御するNH3の供給流量は1000~10000sccmである。基板7をNH3をプラズマ励起することにより得られた活性種に晒す時間は2~60秒間である。このときの反応管6内温度は300~600°Cに設定してある。NH3は反応温度が高いため、前記反応管6内温度では反応せず、第4バルブ4下流側にリモートプラズマユニット37でプラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしているので、反応管6内温度は設定した低い温度範囲のままで行なえる。このNH3をプラズマ励起することにより活性種として供給しているとき、第1ガス供給配管51の上流側の第1バルブ1を開け、下流側の第2バルブ2を閉めて、DCSも流すようにする。これによりバルブ1、2間に設けたガス溜め部10にDCSが供給されて、ガス溜め部10に所定圧、所定量のDCSが溜まったら第1バルブ1も閉めて、ガス溜め部10にDCSを閉じ込めておく。ガス溜め部10内には、圧力が20000Pa以上になるようにDCSを溜める。また、ガス溜め部10と反応管6との間のコンダクタンスが1.5×103m3/s以上になるように配管系を構成する。また、反応管容積とこれに対する必要なガス溜め部10の容積との比として考えると、反応管容積100l100リットルの場合においては、ガス溜め部容積は100~300ccであることが好ましく、容積比としてはガス溜め部10は反応管容積の1/1000~3/1000倍とすることが好ましい。反応管6内に流しているガスはNH3をプラズマ励起することにより得られた活性種であり、DCSは存在しない。したがって、NH3は気相反応を起こすことはなく、プラズマにより励起され活性種となったNH3は基板7上の下地膜に吸着する。ノズル43から第2バッファ室41に供給されたNH3は、第2バッファ室41に設けられた基板7間隔1枚毎に設けられた第2バッファ室孔46から基板7上に供給される。第4バルブ4を閉じてNH3を反応管6内に流すことを止める。2次に反応管6内、第2バッファ室41内から残留NH3の除去を行うが、真空排気手段による排気で、例えば、反応管6内を20Pa以下に排気し、残留NH3を反応管6内から排除する。このとき、第2バッファ室41とリモートプラズマユニット37との間に不活性ガスでのラインを追加して、不活性ガスによるパージと真空引きを組み合わせるのもガス置換には効果的である。3ガス溜め部10の下流にある第2バルブ2を開く。これにより、ガス溜め部10に溜められたDCSが第1バッファ室42を通って、第1バッファ室42に設けられた基板7間隔1枚毎に設けられた第1バッファ孔48から基板7上に一気に供給される。NH3との反応を促進するためにDCSの分圧が高くなるように反応管6内圧力の調整手段は圧力が高くなるように設定する。例えば、DCSの供給により、反応管6内圧力は急激に上昇してNH3のときよりも高い約266~931Paまで昇圧される。DCSの供給流量は100~2000ccである。DCSを供給するための時間は2~4秒設定し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を2~4秒に設定し、合計6秒とした。このときの反応管6内温度は、NH3の供給時と同じく、300~600°Cである。DCSの供給により、下地膜上のNH3とDCSとが反応して、基板7上にSi3N4膜が成膜される。第2バルブ2を閉じてDCSのガス溜め部10からの供給を止める。第バルブ2を閉じた後は、次の供給が始まるまでの時間をDCSの溜め時間に当てることができる。つまり、他の動作実施中、溜め時間のみの動作として余分に時間を取る必要がなく、第1バルブ1を開いてガス溜め部10へのDCSの供給を開始する。4次に反応管6内、第1バッファ室42内から残留DCSの除去を行うが、真空排気手段による排気で実施し、残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを反応管6内から排除する。この際、第1バッファ室42と第2バルブ2との間に不活性ガスでのラインを追加して、不活性ガスによるパージと真空引きを組み合わせるのもガス置換には効果的である。これら1~4の動作を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことにより、基板7上に所定膜厚のSi3N4膜を成膜することができる。このシーケンス中、基板7を載置したボート39を一定速度で回転させる。これにより、基板7上に一方向から基板の径方向に沿うと共に基板の表面に沿ってガスを供給しても、基板7の全面にわたって、より均一な成膜処理が実現される、つまり、膜厚の面内均一性が向上する。本実施の形態例において、基板7の回転速度は、前記1サイクルで14~30秒くらいであるが、スループットの観点からは、10秒程度にすることが好ましい。1サイクル/1回転であると、原料ガス例えばDCSを供給するとき、毎回基板7の位置が同じである。つまり、基板7は回転しているが、第1バッファ室孔48からDCSを供給するとき、同じ基板7の一周縁部から基板7に向かってガスが供給される。このようにガスが供給されると、ガス溜め部10を使用しているため、ガスの供給スピードが速いので、図5に示すように、第1バッファ室孔48ガス供給口側になった基板端65の膜厚が狭い幅で厚くなる傾向がある。このため、毎回基板7の同じ位置が第1バッファ室孔48近くにくることがないように回転速度やガスの供給タイミングを微調整するようにすることが好ましい。この微調整は、例えば、図4に示すように、ガスの供給位置Pが1サイクル毎に45°ずれてガスが供給されるように、回転速度を上げたり下げたり、または回転速度を同じにしてガスの供給タイミングをずらしたりして調整する。この微調整で、基板7の一部分だけに第1バッファ室孔48が向かい合うという状態になることがなくなり、局所的に厚くなる部分を分散させ、均一性を向上させることができる。しかし、この微調整は、例えば60サイクル以上の交互供給を必要とする厚い膜を成膜する場合には、有効であるが、60サイクル未満の薄い膜を成膜する場合には、回転速度とガス供給のタイミングの組み合わせによって基板7の一部分だけに第1バッファ室孔48が向かい合うという状態にならないようにはできるが、回転回数が少ないため、分散の程度が低く周囲が凸凹になる恐れがある。回転数が少ないほど、すなわち、基板に形成する膜厚が薄い膜ほど凸凹による均一性悪化の可能性が高くなる。なお、ここで60サイクルを境界にして厚い膜と薄い膜とに分けたが、この数値はあくまでも分りやすくするために挙げた例であり、これに限定されるものではない。例えば、1サイクルで膜厚が約1Åの膜が形成される場合には、60サイクルで60Åの膜が形成されるが、一般的には100Å以下の膜厚の膜は薄膜といえる。また、1000Å以上だと厚膜といえる。そこで、60サイクル未満の薄い膜を成膜する場合には、ガス溜め部10を使用せずに、バイパス配管11を使用して原料ガス、実施の形態ではDCSを供給するようにする。バイパス配管11を使用してDCSを供給すると、ガス溜め部10を使用してガスを供給する場合に比して基板7へのガスの供給スピードが例えば1/5と遅い。ガスがある程度長い時間かけて供給されるので、ガスが分散すると共に、回転する基板7のある狭い一部分のみにガスが集中することなく、広い範囲に分散される。よって、凸凹になる恐れがなくなり、薄膜を成膜する場合でも面内均一性を向上することができる。したがって、実施の形態の基板処理装置では、薄膜成膜の際にはガス溜め部10にガスを溜めて供給するのではなく、マスフローコントローラ27を通して所望の時間ガスを反応管6に供給し得るバイパス配管11を設けて、60Å以下の薄膜の成膜時にはバイパス配管11を、60Åよりも厚い膜の成膜時にはガス溜め部10を使うというように、供給路を使い分けることで、薄膜と厚膜両方で膜厚の均一性が良好な膜を成膜することができる。なお、薄膜を成膜するとき、交互供給の回数サイクル数が少なくてすむので、ガス溜め部10を用いない分、ガス溜め部10を使用する場合に比して、1サイクル当たり数秒の昇圧時間が余分に必要になるが、トータル的にはあまり時間増加にはなることがない。また、ガス溜め部10をタンクとして使用せずに、第1、第2バルブ1,2を開けっぱなしにして、単にガスの通り道、つまり配管としてガス溜め部10を使用することも考えられるが、ガス溜め部10を配管として成膜を実施したところ、バイパス配管11を用いた場合と比較して、膜厚均一性、膜厚再現性が悪い。これは、ガス溜め部10内にガスが溜まり、よどみが生じ、その後の排気動作でも除去しきれずに、次に流すガスと気相で反応してしまったことが原因と推測される。ガスの供給の後の排気時間を十分長くすることで、この悪化は解消された。しかし、それでは、1サイクル当たり数秒の供給時間延長に加え、排気時間も増加するので、成膜時間の増大を招き好ましくない。よって、バイパス配管11を設けることが有効である。本実施の形態では、ガス溜め部10にDCSを溜めている間に、ALD法で必要なステップであるNH3をプラズマ励起することにより活性種として供給、及び反応管6内排気をしているので、DCSを溜めるための特別なステップを必要としない。また、反応管6内を排気してNH3を除去してからDCSを流すので、両者は基板7に向かう途中で反応しない。供給されたDCSは、基板7に吸着しているNH3とのみ有効に反応させることができる。なお、上述した実施の形態では、ガス溜め部10としてガスタンクや螺旋配管を1個設けた場合について説明した。しかし、これに限定されることなく、並列に複数個設けるようにてもよい。また、本発明のガス溜め部10はガスタンクや螺旋配管に限定されず、ガスを溜めて一気に放出できるものであればいずれの手段であってもよい。例えば、DCSのガス供給配管を通常よりも太くし、それに応じてMFCの容量を大きくするようにしてもよい。また、DCSのガス供給配管を複数本にしてもよい。この場合、DCS供給源となるボンベの数をガス供給配管の本数に応じて増やしても良い。また、DCSは蒸気圧が低いので、ボンベを加熱してDCSの気化量を多くするようにしてもよい。さらに、ポンプで強制的にDCSを反応管6内に送り込むようにしてもよい。また、上述した実施の形態では、本発明を縦型の基板処理装置について適用しているが、半導体装置の製造方法にも適用することが可能である。この半導体装置の製造方法は、例えば、反応室反応管内の排気と反応室への処理用ガスの供給とを行って、反応室内の基板を処理する半導体装置の製造方法において、処理用ガスを流す供給路の途中に処理用ガスを溜めておき、この供給路の途中に溜めた処理用ガスを反応室に供給するか、または、処理用ガスを供給路の途中に溜めることなく反応室に供給して、基板上に成膜するようにしたものとすることができる。これによれば、薄膜を成膜するとき、処理用ガスを供給路の途中に溜めることなく反応室に通常の供給速度で供給して、基板上に十分拡散するようにしたので、成膜される膜の厚さが均一になる。よって、薄膜を成膜するとき、ガスを溜めることなく反応室に供給することにより、薄い膜でも膜厚の均一な膜を成膜することができる。なお、上述した実施の形態では、反応ガスにリモートプラズマユニットが必要なDCS、NH3系を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、リモートプラズマユニットを必要としないガス系にも適用可能である。例えば、HCDSi3Cl6とNH3とを用いてSi3N4膜を形成する場合、両ガス供給配管にガス溜め部を用いることができるので、バイパスラインもそれぞれに設ける。また、AlCH33とオゾンO3とを用いてAl2O3膜を形成する場合、AlCH33はガス溜め部に溜め、O3はオゾン発生器から供給する。本発明の上記実施の形態によれば、ガス溜め部と並列に設置したバイパスラインを使用してガスを供給し、薄膜成膜でも膜厚均一性の良好な膜を得ることができ、膜厚に関わらず均一性の良好な膜を得ることができる。"