"内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器と、この反応容器内に配置した触媒としての金属基板と、この金属基板を加熱する加熱手段と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段と、金属基板上に生成される炭素繊維を掻き取る掻き取り手段と、掻き取った炭素繊維を回収する回収容器と、反応容器内のガスを排気する排気手段を具備した装置を用いて得られるグラファイトナノカーボンファイバーであり、前記炭素繊維は、グラフェンが長手方向に多層に重なり合って形成される直径80~470nmの線状の炭素繊維であることを特徴とするグラファイトナノカーボンファイバー。内部を還元雰囲気に保持しうる筒状の反応容器と、この反応容器内に該反応容器と同軸状に配置された,触媒としての筒状の金属基板と、この金属基板を加熱する加熱手段と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段と、金属基板の内壁上に生成される炭素繊維を掻き取る螺旋状の掻き取り羽根を有する掻き取り手段と、掻き取った炭素繊維を回収する回収容器と、反応容器内のガスを排気する排気手段を具備した装置を用いて得られるグラファイトナノカーボンファイバーであり、前記炭素繊維は、グラフェンが長手方向に多層に重なり合って形成される直径80~470nmの線状の炭素繊維であることを特徴とするグラファイトナノカーボンファイバー。比表面積が70~130m2/g気体吸着BET法であることを特徴とする請求項1または2記載のグラファイトナノカーボンファイバー。嵩密度が0.1~0.35g/cm3であることを特徴とする請求項1または2記載のグラファイトナノカーボンファイバー。耐熱温度が530~630°Cであることを特徴とする請求項1または2記載のグラファイトナノカーボンファイバー。純度が90~97であることを特徴とする請求項1または2記載のグラファイトナノカーボンファイバー。結晶性カーボンをIG,非結晶性カーボンをIDとしたとき、IG/ID=0.5~0.8であることを特徴とする請求項1または2記載のグラファイトナノカーボンファイバー。内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器と、この反応容器内に配置した触媒としての金属基板と、この金属基板を加熱する加熱手段と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段と、金属基板上に生成される炭素繊維を掻き取る掻き取り手段と、掻き取った炭素繊維を回収する回収容器と、反応容器内のガスを排気する排気手段を具備した装置を用い、グラフェンが長手方向に多層に重なり合って形成される直径80~470nmの線状の炭素繊維であるグラファイトナノカーボンファイバーを製造することを特徴とするグラファイトナノカーボンファイバーの製造方法。実施形態の目的は、寸法、形状、構造、純度の安定性が高い高機能のグラファイトカーボンナノファイバー及びその製造方法を提供することにある。実施形態によれば、内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器と、この反応容器内に配置した触媒としての金属基板と、この金属基板を加熱する加熱手段と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段と、金属基板上に生成される微細炭素繊維を掻き取る掻き取り手段と、掻き取った微細炭素繊維を回収する回収容器と、反応容器内のガスを排気する排気手段を具備した装置を用いて得られるグラファイトナノカーボンファイバーであり、前記微細炭素繊維は、グラフェンが長手方向に多層に重なり合って形成される直径80~470nmの線状の微細炭素繊維であることを特徴とするグラファイトナノカーボンファイバーを提供できる。以下、本発明の実施形態に係るグラファイトナノカーボンファイバーの製造装置について図面を参照して説明する。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係るグラファイトナノカーボンファイバーの製造装置について図1を参照して説明する。図中の符号1は、内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器を示す。この反応容器1内には、金属基板触媒2と、この金属基板2上に生成される微細炭素繊維3を掻き取りする掻き取り部品4が配置されている。前記反応容器1には、反応容器1内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段5が接続されている。前記反応容器1の外側には、金属基板2を加熱する加熱手段としてのヒータ6、微細炭素繊維3を回収する回収容器7、反応容器1内のガスを排気する排気手段8が配置されている。図1の製造装置では、炭化水素としてエタノールを用いているが、エチレン,プロパン,メタン,一酸化炭素,ベンゼンなどでもよい。金属基板2としては、エタノール原料との相性がもっとも良い鉄基板を用いている。但し、鉄を成分とする構造用炭素鋼板、ステンレス304鋼板でも良い。触媒となる金属基板の表面には通常酸化膜が形成されているので、その膜を除外して表面を活性化させた。活性化させる方法として、表面の磨きと酸処理を施した。次に、図1の製造装置の作用について説明する。まず、反応容器1の温度を600°C~750°C、好ましくは670°Cに調整して、エタノールを350°Cで予備加熱して反応容器1内に注入した。原料のエタノールは、反応容器1内で熱分解してガスとなり、金属基板2に炭素原子が取り込まれる。次に、金属基板2中の炭素が飽和状態になると、カーボンが金属基板2から析出し結晶状に成長すると考えられる。その結晶状に生成したのが微細炭素繊維3である。次に、金属基板2に数十分かけて生成した微細炭素繊維3は掻き取り部品4で掻き落とし、反応容器外の回収容器7に回収した。掻き取りは金属基板2に0~5mm程度の厚さで残るように掻きとり、再び成長した微細炭素繊維3を掻き取りして繰り返した。金属基板2に掻き残した微細炭素繊維があっても、金属基板2に炭素ガスの供給が十分なされているため、微細炭素繊維の生成量は長期間一定を保つことができる。第2の実施形態本発明の第2の実施形態に係るグラファイトナノカーボンファイバーの製造装置について図2を参照して説明する。但し、図1と同部材は同符号を付して説明を省略する。図中の符号11は、内部を還元雰囲気に保持しうるとともに、外気と遮断可能な円筒状の縦型反応容器を示す。この反応容器11の内側には、該反応容器11と同軸の円筒状の金属基板触媒12が配置されている。前記反応容器11には、金属基板12の表面に生成された微細炭素繊維3を掻き取る掻き取り機構が配置されている。ここで、掻き取り機構は、駆動装置13と、この駆動装置13に軸支された矢印A方向に回転可能な主軸14と、この主軸14に取付けられた螺旋状の掻き取り羽根15とから構成されている。前記反応容器11には、該反応容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段16が接続されている。なお、図2中の符号17は、反応容器11の上部で主軸14の周囲に配置されたシール部材を示す。なお、図2の製造装置における炭化水素、金属基板の材料などは図1の場合と同様である。但し、触媒となる金属基板12は炭素繊維生成過程で減肉されるので、一定期間の後に新しい基板と取り替えることができる構造となっている。次に、図2の製造装置の作用について説明する。まず、反応容器11の温度を600°C~750°C、好ましくは670°Cに調整して、エタノールを350°Cで予備加熱して反応容器11内に注入した。原料のエタノールは、炉内で熱分解してガスとなり、金属基板12に炭素原子が取り込まれる。次に、金属基板12中の炭素が飽和状態になるとカーボンが金属基板12から析出し結晶状に成長すると考えられる。その結晶状に生成成長したのが微細炭素繊維3である。次に、金属基板12に数十分かけて成長した微細炭素繊維3は掻き取り羽根15で掻き落とし、反応容器外の回収容器7に回収した。掻き取りは金属基板12に0~5mm程度の厚さで残るように金属基板12と回転羽根15の先端間の距離を調整している。ここで、螺旋状の掻き取り羽根15は、駆動装置13で0.01~0.05rpmの速度で矢印A方向に回転して連続的に掻き取るか、もしくは20~60分毎に間欠掻き取りする。その結果、微細炭素繊維3が掻き取られ、その後、再び成長した微細炭素繊維3は再び掻き取られ連続生成を続けることができる。また、掻き残した微細炭素繊維があっても、十分に金属基板に炭素ガスの供給がなされているため、微細炭素繊維の生成量は長期間一定を保つことができる。以上、微細炭素繊維の製造装置及び製造方法について説明していきたが、これより、生成した微細炭素繊維の寸法、形状、構造、純度について説明する。図3は、微細炭素繊維の電子顕微鏡写真である。図3において、繊維状に絡み合って見えるのが炭素繊維である。図4は、図3を拡大した繊維直径が100~300nmの大きさの炭素繊維の電子顕微鏡写真である。図5A,Bは微細炭素繊維の透過型電子顕微鏡写真で、図5Aより触媒微粒子より両側にカーボン繊維が成長している様子がわかる。また、図5Bより、微細炭素繊維は結晶化したグラフェン片が積層した構造であることが判る。さらに、図6A,Bは微細炭素繊維の透過型顕微鏡写真で触媒微粒子とやや離れた箇所のカーボン構造である。図6Aの四角□で囲まれた部分をC,D部と拡大し、図6BのD部拡大写真にはグラフェンのおおよその向きを白い筋線で画いている。このことから、本発明の装置で製造する微細炭素繊維は、グラフェンが長手方向に多層に重なり合い、直径100~300nmの線状グラファイトナノカーボンファイバーであることが判った。さらに分析すると、グラフェン間の距離は0.3~0.4nm、そのグラフェンが重なり合って平均結晶厚さ3~10nmの結晶子を構成し、結晶子が多層に重なり合って直径100~300nmの線状グラファイトナノカーボンファイバーを構成していることが判った。図7A~Dは、その構造を模式的に画いた図である。図7において、Aは略丸い形状のグラファイトナノカーボンファイバー21の断面、Bはグラフェンの塊22の断面、Cはグラフェン分散片23の断面、Dはグラフェン24を示す。下記表1は、微細炭素繊維の直径を測定し、4つのサンプルにおいて分布を示したものである。表1より、直径100~300nmの範囲に太さが分布していることが判る。また、表1より、平均直径は151.5~198.9nmで、およそ150~200nmがもっとも多い直径となっていることが判る。他のデータも含めると比表面積は80~470nmで、好ましくは130~300nmである。下記表2は、比表面積と嵩密度の測定結果を示す。4つのサンプルを一例として示している。表2より、比表面積は92.46~128.5m2/g気体吸着BET法で、他のデータも含めると比表面積は70~130m2/gであったが、好ましくは90~130m2/gである。また、嵩密度は他のデータを含めると、0.1~0.35g/cm3であり、好ましくは0.15~0.35g/cm3である。図8は、上記実施形態で得られた微細炭素繊維の温度と温度差,温度差の微分時間変化及び重量変化との関係を示す特性図を示す。温度は、1000°Cまでのデータである。図8において、aは加熱時の微細炭素繊維の重量変化TGを示す曲線、bは加熱時の試料と基準物質の温度差DTAを示す曲線、cは示差熱電対で検出する温度差の時間に対する変化を示す曲線である。図8より、熱分解の開始温度耐熱温度が616°Cであり、重量減少割合が1000°Cにおいて94.1であることが判る。本手法により、4つのサンプルの測定を行なった結果を下記表3に示す。表3より、熱分解開始温度耐熱温度が540°Cから616°Cに分布している。また、他のデータも含めると、耐熱温度は530~630°Cであり、好ましくは540~620°Cである。さらに、表3より、重量減少率純度はおおよそ94以上であった。また、他のデータを含めると90~97であり、好ましくは94~97であった。残渣物は1000°Cで燃えない成分で、例えば触媒などが想定される。図9は、微細炭素繊維のラマンスペクトルを示す。なお、図9において、aはラマンスペクトルを示す曲線であり、bはフィッティング結果を示す。図9より、グラファイト構造のGバンド1580cm-1とグラファイト構造の欠陥に由来するDバンド1330cm-1が現れていることが判る。下記表4は4つのサンプルにおけるラマンスペクトルを示し、IG/ID=0.64,0.64,0.55,0.60であった。このとき、IGとIDはGバンドとDバンドのX軸中心値の高さである。また、他のデータも含めると、IG/ID=0.5~0.8であり、好ましくはIG/ID=0.6~0.8である。なお、上記実施形態に係る製造装置は基板に炭素繊維を成長させることから、触媒金属が炭素繊維側に必要最低限だけ移行するため、純度が極めて高くなる。また、連続生成が可能なことから大量生産を実現でき、工業的普及を可能にできる。さらには、上記実施形態で製造した炭素繊維は構造上からより小さなグラフェン形状まで分散可能と予想されることから、光電子移動度の高さを利用した電子部品、化学的な鋭敏性や化学反応を利用した化学センサーや水素貯蔵材料、機械的強度の高さを利用したメカニカルセンサ、光透過性や電導性を利用したレーザ部材や透明電極、高電流密度耐性を利用した配線材料など新たな応用分野が期待できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"