"回路が形成された内層回路基板に対して塗膜形成工程、穴明け工程、及び導体層形成工程を少なくとも経て多層プリント配線板を製造する方法における上記塗膜形成工程に用いる熱硬化性樹脂組成物であって、Aカルボキシル基又は酸無水物基を有し、かつ、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造を有するポリイミド樹脂、Bエポキシ樹脂、C沸点が100°C以上の有機溶剤、及び球状シリカを必須成分として含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。前記ポリイミド樹脂Aが、カルボキシル基又は酸無水物基と、数平均分子量700~4,500の線状炭化水素構造と、ウレタン結合と、イミド環と、イソシアヌレート環とを有するポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物。前記ポリイミド樹脂Aが、下記一般式1で示される構造単位と下記一般式2で示される構造単位を有し、かつ、下記一般式3、4及び5で示される末端構造のいずれか1種以上を有するポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱硬化性樹脂組成物。前記ポリイミド樹脂Aが、酸価20~150mgKOH/gのポリイミド樹脂であって、かつ、ポリイミド樹脂Aとエポキシ樹脂Bとの質量比A/Bが0.1~10であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。さらに、フェノール性水酸基を2個以上有する化合物Dを含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。前記有機溶剤Cが、エチレングリコール又はプロピレングリコールの誘導体であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。回転粘度計で測定した前記組成物の、回転数5rpmの粘度と回転数50rpmの粘度との比が、1.1以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。支持体ベースフィルム上に、Aカルボキシル基又は酸無水物基を有し、かつ、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造を有するポリイミド樹脂、Bエポキシ樹脂、及び球状シリカを必須成分として含有する熱硬化性樹脂組成物からなる膜が半硬化状態で形成されていることを特徴とする熱硬化性接着フィルム。前記ポリイミド樹脂Aが、カルボキシル基又は酸無水物基と、数平均分子量700~4,500の線状炭化水素構造と、ウレタン結合と、イミド環と、イソシアヌレート環とを有するポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の熱硬化性接着フィルム。前記ポリイミド樹脂Aが、下記一般式1で示される構造単位と下記一般式2で示される構造単位を有し、かつ、下記一般式3、4及び5で示される末端構造のいずれか1種以上を有するポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項8又は9に記載の熱硬化性接着フィルム。前記ポリイミド樹脂Aが、酸価20~150mgKOH/gのポリイミド樹脂であって、かつ、ポリイミド樹脂Aとエポキシ樹脂Bとの質量比A/Bが0.1~10であることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の熱硬化性接着フィルム。前記熱硬化性樹脂組成物が、さらにフェノール性水酸基を2個以上有する化合物Cを含有することを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の熱硬化性接着フィルム。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物を用いて層間絶縁樹脂層が形成されていることを特徴とする多層プリント基板。請求項8乃至12のいずれか1項に記載の熱硬化性接着フィルムを用いて層間絶縁樹脂層が形成されていることを特徴とする多層プリント基板。本発明は、上述したような従来技術の問題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、難燃性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率の層間絶縁樹脂層を形成できる熱硬化性樹脂組成物を提供することにある。本発明の他の目的は、比較的低温でラミネートすることができ、導体との充分な密着性を有し、しかも前記のような優れた特性を有する層間絶縁樹脂層を形成できる熱硬化性接着フィルムを提供することにある。本発明のさらに他の目的は、前記のような熱硬化性樹脂組成物あるいは熱硬化性接着フィルムを用いて作業性良く製造できる高性能、高密度の多層プリント基板を提供することにある。前記目的を達成するために、本発明によれば、回路が形成された内層回路基板に対して塗膜形成工程、穴明け工程、及び導体層形成工程を少なくとも経て多層プリント配線板を製造する方法における上記塗膜形成工程に用いる熱硬化性樹脂組成物であって、Aカルボキシル基又は酸無水物基を有し、かつ、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造を有するポリイミド樹脂、Bエポキシ樹脂、C沸点が100°C以上の有機溶剤、及び球状シリカを必須成分として含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物が提供される。さらに本発明によれば、支持体ベースフィルム上に、Aカルボキシル基又は酸無水物基を有し、かつ、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造を有するポリイミド樹脂、Bエポキシ樹脂、及び球状シリカを必須成分として含有する熱硬化性樹脂組成物からなる膜が半硬化状態で形成されていることを特徴とする熱硬化性接着フィルムが提供される。なお、ここでいう半硬化状態とは、室温で固体であって、加熱状態では流動化するものをいう。好適な態様においては、前記ポリイミド樹脂Aは、カルボキシル基又は酸無水物基と、数平均分子量700~4,500の線状炭化水素構造と、ウレタン結合と、イミド環と、イソシアヌレート環とを有するポリイミド樹脂、より好ましくは後述する一般式1で示される構造単位と一般式2で示される構造単位を有し、かつ、一般式3、4及び5で示される末端構造のいずれか1種以上を有するポリイミド樹脂である。また、前記ポリイミド樹脂Aが酸価20~150mgKOH/gのポリイミド樹脂であって、かつ、ポリイミド樹脂Aとエポキシ樹脂Bとの質量比A/Bが0.1~10であることが好ましい。本発明の熱硬化性樹脂組成物の好適な態様においては、前記有機溶剤Cはエチレングリコール又はプロピレングリコールの誘導体であることが好ましい。また、熱硬化性樹脂組成物の塗布性の点からは、回転粘度計で測定した前記組成物の、回転数5rpmの粘度と回転数50rpmの粘度との比が、1.1以上であることが好ましい。さらに、本発明の熱硬化性樹脂組成物の好適な態様においては、さらにフェノール性水酸基を2個以上有する化合物Dを含有する。同様に、本発明の熱硬化性接着フィルムの好適な態様においては、さらにフェノール性水酸基を2個以上有する化合物Dを含有する熱硬化性樹脂組成物を用いて膜が形成される。さらに本発明によれば、前記熱硬化性樹脂組成物あるいは熱硬化性接着フィルムを用いて層間絶縁樹脂層が形成されている多層プリント基板が提供される。本発明の熱硬化性樹脂組成物は、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、難燃性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率の層間絶縁樹脂層を形成できる。同様に、本発明に係る熱硬化性接着フィルムは、支持体ベースフィルム上に、前記ポリイミド樹脂A、エポキシ樹脂B、及び球状シリカを必須成分として含有する熱硬化性樹脂組成物からなる膜が半硬化状態で形成されたものであるため、比較的低温でラミネートすることができ、導体との充分な密着性を有し、しかも前記のような諸特性に優れた層間絶縁樹脂層を作業性良く形成することができる。従って、かかる熱硬化性樹脂組成物あるいは熱硬化性接着フィルムを用いることにより、高性能、高密度の多層プリント基板を作業性良く製造できる。本発明者らは、多層プリント配線板の層間絶縁樹脂層として、高耐熱性、難燃性、低誘電率及び導体との充分な密着性を満足する熱硬化性樹脂組成物あるいはさらに比較的低温でラミネートすることができる熱硬化性接着フィルムについて鋭意検討した結果、前記熱硬化性樹脂組成物あるいは熱硬化性接着フィルムが、作業性が良好で、これを用いた多層プリント配線板が極めて優れた性能を有することを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。すなわち、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物は、Aカルボキシル基又は酸無水物基を有し、かつ、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造を有するポリイミド樹脂、Bエポキシ樹脂、C沸点が100°C以上の有機溶剤、及び球状シリカを必須成分として含有することを特徴としており、該樹脂組成物を用いることにより、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、難燃性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率の層間絶縁樹脂層を作業性良く形成することができる。また、本発明に係る熱硬化性接着フィルムは、支持体ベースフィルム上に、前記ポリイミド樹脂A、エポキシ樹脂B、及び球状シリカを必須成分として含有する熱硬化性樹脂組成物からなる膜が半硬化状態で形成されているため、比較的低温でラミネートすることができ、導体との充分な密着性を有し、しかも前記のような諸特性に優れた層間絶縁樹脂層を作業性良く形成することができる。本発明の熱硬化性樹脂組成物において特に重要な成分は、前記カルボキシル基又は酸無水物基を有し、かつ、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造を有するポリイミド樹脂Aであり、物性はポリイミド特有のものであるが、線状炭化水素構造の存在のために靭性を示し、またエポキシ樹脂と同様のハンドリング性を有し、形成される層間絶縁樹脂層に対して以下のような重要な作用効果をもたらす。aイミド骨格が高耐熱性と高いガラス転移点Tgを実現させる。bカルボキシル基又は酸無水物基を有するため、エポキシ基との反応が可能となり、エポキシ樹脂の特徴である接着性、電気特性、作業性、低温硬化性を実現向上できる。c部分的に線状炭化水素構造を有しているため、選択的に市販のデスミア液で粗化することができ、硬化塗膜の表面に凹凸を形成し、導体層との強いアンカー効果による優れた密着性が発現される。d含窒複素環構造であるため、難燃性を発現する。e線状炭化水素構造及びイミド骨格により、低吸水率、低誘電率、低誘電正接を実現できる。fポリイミド樹脂が特にイソシアヌレート環を含んでいる場合、通常の線状構造のポリイミドと異なり、所謂ハイパーブランチ型ポリマー構造の高分子体となる。例えば、カルボキシル基又は酸無水物基を有するデンドリマー同士が線状炭化水素構造によって結び付けられたような構造をとると推定される。そのため、高分子体であるにも拘らずエポキシ樹脂や有機溶剤と任意に溶解することができ、作業性は低分子化合物もしくはオリゴマーと同程度であり、しかも高分子材料としての特性を有する。本発明に係る熱硬化性樹脂組成物は、以上のような作用効果を発揮するポリイミド樹脂Aをエポキシ樹脂B、沸点が100°C以上の有機溶剤C、及び球状シリカと組み合わせて含有するため、エポキシ樹脂の前記したような特性発揮及び高沸点有機溶剤使用による塗膜乾燥時の泡発生防止や塗布時の粘度変化防止の効果と相俟って、導体との充分な密着性を有する。また、本発明に係る熱硬化性接着フィルムは、以上のような作用効果を発揮するポリイミド樹脂Aをエポキシ樹脂B及び球状シリカと組み合わせて含有する熱硬化性樹脂組成物から膜が形成されているため、比較的低温でラミネートすることができ、導体との充分な密着性を有する。しかも、これらは高耐熱性、難燃性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率の層間絶縁樹脂層を作業性良く形成することが可能となる。本発明の熱硬化性樹脂組成物及び熱硬化性接着フィルムは、回路が形成された内層回路基板に対して塗膜形成工程もしくはフィルムラミネート工程による樹脂絶縁層形成、穴明け工程、及び導体層形成工程を少なくとも経て多層プリント配線板を製造する方法における上記樹脂絶縁層形成に好適に用いることができる。上記多層プリント配線板を製造する方法の形態としては、例えば、回路が形成された内層回路基板に本発明の熱硬化性樹脂組成物を塗布、乾燥するか、本発明の熱硬化性接着フィルムをラミネートした後、必要に応じて熱硬化させ、次いでドリル又はレーザー加工機にて穴バイアホール、スルーホール等をあけ、さらに当該穴及び乾燥塗膜もしくはフィルム上に導体めっきを施す工程を少なくとも経る第一の形態や、内層回路基板に熱硬化性樹脂組成物を塗布、乾燥するか、熱硬化性接着フィルムをラミネートし、その乾燥塗膜もしくはフィルム上に銅箔をプレス又はラミネートにより一体成形し、必要に応じて熱硬化させ、次いでドリル又はレーザー加工機にて穴をあけ、当該穴の部分にめっきを行ない内層回路と導通させた後、表層の導体をエッチングしてパターン形成する工程を少なくとも経る第二の形態、などが好適に採用される。以下、本発明の熱硬化性樹脂組成物あるいは熱硬化性接着フィルムを用いる多層プリント配線板の製造方法について説明し、その後、本発明の熱硬化性樹脂組成物及び熱硬化性接着フィルムについて詳細に説明する。先ず、熱硬化性樹脂組成物を用いる場合、回路が形成された内層回路基板にローラーコート、スクリーン印刷、カーテンコート、ダイコート等にて塗布する。このとき熱硬化性樹脂組成物の粘度は、25°Cにおいて約0.1~400dPasの範囲が好ましく、さらに好ましくは約2~300dPasである。熱硬化性樹脂組成物の粘度が上記範囲よりも低い場合には、充分な膜厚が得られず、一方、粘度が上記範囲よりも高い場合には、塗膜にむらやスジが発生したり、時には塗布できない時があるので好ましくない。このときの熱硬化性樹脂組成物は、回転粘度計で測定した回転数5rpmの粘度と回転数50rpmの粘度との比が、1.1以上であること、すなわちTI値が1.1以上であることが好ましい。さらに好ましくは1.1~2.0である。TI値が1.1より小さい場合にはコーティング後にダレが発生し易いので好ましくなく、一方、2.0を越えると塗膜にスジが発生したり、塗布できなくなるので好ましくない。このため、必要に応じてアスベスト、オルベン、ベントン、微紛シリカ等の公知慣用のチキソ化剤を加えることが好ましい。さらに顔料、消泡剤、添加剤なども添加することができる。なお、上記TI値の範囲内にある熱硬化性樹脂組成物は、塗布工程の後に行なう乾燥工程も基板を垂直にした状態のまま行なうことができ、省スペースと基板への埃の付着防止の観点から有効である。この乾燥工程では、溶剤を充分に揮発させるように設定しなければならない。そのためには、乾燥温度約80~130°Cで乾燥時間5分~60分程度が好ましい。この理由は、乾燥温度が80°C未満であると溶剤の揮発不足を招き、一方、130°Cを超える乾燥温度では、塗膜中に突沸現象を招き、泡が残る場合があるからである。次に、第一の形態においてはポストキュアー最終硬化を行なう。最終硬化の温度は約150~200°Cで30分から120分の範囲で行なうことが好ましい。上記条件よりも温度が低いかもしくは時間が短い場合には、反応硬化が不充分となり、一方、温度が高いかもしくは時間が長い場合には、内層基板や硬化塗膜に対する熱劣化が生じ、電気特性、機械的特性が悪くなることがある。その後、硬化した塗膜を必要に応じて研磨する。研磨の目的は、1塗布乾燥後に生じる凹凸をフラットにする、2研磨後に行なう表面の粗化工程での薬品のアタックを容易にする表面濡れ性向上、3膜厚を希望の厚みに薄くする、ことであるが、硬化後に充分な平坦性や膜厚がある場合等、必要ないと判断できる際には研磨しなくてもよい。このとき、使用できる研磨の種類としては、ベルトサンダー、バフ、ナイロンブラシ等がある。一方、本発明の熱硬化性接着フィルムを用いる場合、回路が形成された内層回路基板に真空フィルムラミネーターで加熱ラミネートして一体成形する。また、必要に応じて、真空フィルムラミネーターで加熱ラミネートした後、さらに熱板プレス機にてフィルム表面を加熱加圧してレベリング平坦化することが好ましい。ここで、上記工程で用いる真空ラミネーターは、基板を1枚ずつ処理でき、温度が約70~180°C、真空度が5Torr以下で、銅箔との隙間をなくし、樹脂を溶融させ密着させるものが好ましい。また、レベリングさせる熱板プレス機も、ラミネーターから連続的に1枚ずつ処理でき、約70~180°Cで約5~30kg/cm2の圧力がかけられる装置が好ましい。また、ラミネート、レベリングにかける時間は30秒から2分以内が好ましく、両方が同じ時間であると連続的に処理できるので好ましい。ここで30秒未満であると銅箔との密着性とレベリング性が充分でなく、一方、5分以上であると量産性に乏しくなる。また、平坦性が要求されない場合、レベリングの工程を省くこともできる。これらラミネートに使用できる装置としては、MEIKI社製MVLP-500や、モートン社製VA-720、VA-724、NPVA-1、NPVA-24などがある。この際、プリプレグや他の接着シートを介して本発明の熱硬化性接着フィルムを接着することもできる。上記工程では、真空フィルムラミネーターを用いた加熱ラミネートにより接着フィルムが再溶融し、内層回路に強力に接着する。また、接着フィルム表面の内層回路による凹凸は、熱板プレス機にて接着フィルムを加熱加圧してレベリングする際に解消され、そのまま硬化するので、最終的にはフラットな表面状態の多層板が得られる。そして、加熱ラミネート後の基板は、熱風循環式もしくは遠赤外線等で最終硬化される。そのときの硬化温度は130~200°Cで、30~120分の範囲が適当である。このとき、支持体ベースフィルムは取り除いていても構わないし、そのまま硬化後に取り除いても構わない。次に、前記のようにして硬化塗膜又は接着性フィルムからなる樹脂絶縁層が形成された基板に、必要に応じてCO2レーザーやUV-YAGレーザー等の半導体レーザー又はドリルにて穴をあける。このとき、穴は基板の表と裏を導通させることを目的とする貫通穴スルーホールでも、内層の回路と組成物表面の回路を導通させることを目的とする部分穴ベリードビアのどちらでもよい。穴明け後、穴の内壁や底部に存在する残渣スミヤを除去することと導体その後に形成する金属めっきとのアンカー効果を発現させるために、表面の凹凸の形成を市販のデスミヤ液粗化剤で同時に行なう。また、この工程はプラズマ等のドライプロセスでも可能である。次に、デスミヤ液で残渣を除去した穴や、該薬品で凹凸を生じた塗膜表面に導体めっきを施し、さらには回路を形成する。その方法としては、1基板全面に無電解の金属めっきを施し、さらに電解めっきにて金属めっき層を形成した後、形成したいパターン通りに市販のネガ型パターンレジスト又はポジ型パターンレジストのパターンを形成する。その後、金属をエッチングすることにより、最外層の導体パターンを得るパネルめっき法、2塗膜表面上に逆パターンの永久めっきレジストを形成し、そのレジストが形成されていない部分に無電解めっきにて導体パターンを形成するアディティブ法、3上記1の方法と同様、基板全体に無電解金属めっきを施した後、逆パターンのネガ型又はポジ型めっきレジストのパターンを形成する。その後、電解めっきにてレジストのパターンが存在しない部分に選択的にめっき層を形成させる。次いで、パターンレジストを剥離し、パターンレジストに隠されていた無電解めっき層をエッチングすることにより導体パターンを得るセミアディチブ法などがある。汎用性においては上記1の方法、ファインパターン化を要求する場合には上記2と3の方法が好ましい。また、いずれの方法においても、無電解めっき又は電解めっき後もしくは両方のめっきを施した後に、金属のストレス除去、強度向上の目的で約80~180°Cで10~60分程度のアニールと呼ばれる熱処理を施してもよい。ここで用いる金属めっきとしては、銅、ズズ、はんだ、ニッケル等、特に制限は無く、複数組み合わせて使用することができる。また、ここで用いるめっきの代りに金属のスパッタ等で代用することも可能である。第二の形態においては、熱硬化性樹脂組成物の乾燥塗膜が形成された又は熱硬化性接着フィルムがラミネートされた内層回路基板と銅箔を一体成形する工程が必要になる。その方法としては、以下に述べるようなラミネート法、プレス法などがある。1ラミネート法熱硬化性樹脂組成物を用いた場合、基板上に形成した乾燥塗膜上に、片面もしくは両面に粗面を有する銅箔又は樹脂付き銅箔を前述した第一の形態で説明した真空フィルムラミネーターで加熱ラミネートして一体成形する。また、必要に応じて、真空フィルムラミネーターで銅箔又は樹脂付き銅箔を加熱ラミネートした後、さらに熱板プレス機にて塗膜を加熱加圧してレベリング平坦化することが好ましい。ここで、ラミネート、レベリングにかける時間は30秒から2分以内が好ましく、両方が同じ時間であると連続的に処理できるので好ましい。ここで30秒未満であると銅箔との密着性とレベリング性が充分でなく、一方、5分以上であると量産性に乏しくなる。また、平坦性が要求されない場合、レベリングの工程を省くこともできる。この際、プリプレグや接着シートを介して銅箔を乾燥塗膜に接着することもできる。一方、熱硬化性接着フィルムを用いる場合、前述した第一の形態に示した真空ラミネーターを用い、同様に内層回路基板にラミネートする。ラミネートした後、第一の形態では加熱硬化を行なうが、この第二の形態の場合、支持体であるベースフィルムを剥離した後、さらに同様のラミネート工程を片面もしくは両面に粗面を有する銅箔又は樹脂付き銅箔を接着フィルムの上にもう一度行なうことにより、一体成形する。また、必要に応じて、さらに熱板プレス機にて加熱加圧してレベリング平坦化することが好ましい。この際、プリプレグや接着シートを介して銅箔を熱硬化性接着フィルムに接着することもできる。この工程では、塗布乾燥した塗膜又は接着フィルムは、真空フィルムラミネーターを用いた加熱ラミネートにより再溶融し、銅箔の粗面に入り込んでそのアンカー効果により強力に接着することで充分なピール強度が得られるようになる。また、塗布乾燥した塗膜又はラミネートした接着フィルムの内層回路による凹凸面は、熱板プレス機にて塗膜を加熱加圧レベリングする際に解消され、そのまま硬化するので、最終的にはフラットな表面状態の多層板が得られる。そして、銅箔又は樹脂付き銅箔の加熱ラミネート後の基板は、熱風循環式もしくは遠赤外線等で最終硬化される。そのときの硬化温度は約150~200°Cで約30~120分の範囲である。2プレス法基板上に形成した乾燥塗膜上に、片面もしくは両面に粗面を有する銅箔又は樹脂付き銅箔を重ね合せ、熱板プレス機で加熱加圧して一体成形を行なう。プレスの条件としては、機械の性能により多少異なるが、約140~200°Cで約1~4時間、圧力約15~50kg/cm2の範囲で行なう。この際、プリプレグや接着シートを介して銅箔を乾燥塗膜に接着することもできる。この加熱加圧工程では、塗布乾燥した塗膜は、熱板プレス機を用いた加熱加圧により再溶融し、熱硬化する。このとき、前記塗膜は、銅箔の粗面に入り込んでそのアンカー効果により強力に接着することで充分なピール強度が得られるようになる。また、塗布乾燥した塗膜の内層回路による凹凸面は、再溶融する際に解消され、そのまま硬化するので最終的にはフラットな表面状態の多層板が得られる。これらの工程で用いられる銅箔としては、ジャパンエナジー社製のJTCやJTC-AM、JTC-FM、古河サーキットフォイル社製のGTSやGTS-MP、F3-WS等の市販の電解銅箔を用いることが好ましい。また、さらに好ましくは片面又は両面が予め粗面化処理された銅箔が良く、さらに各種金属めっきで表面をさらに処理したり、公知慣用のカップリング剤、有機キレート剤を用いて処理したものが好適である。また、ここで使用する銅箔は9μm以上、18μm以下の厚さを有することが好ましい。厚さ9μm未満の銅箔を用いた場合、銅箔又は樹脂付き銅箔としてのハンドリングが不充分で、作業中に容易に破損するので好ましくなく、一方、18μmを超える場合、積み重ね時に銅の重みにより膜厚が変化したり、使用目的の高性能なプリント基板を製造するという観点からすると、銅箔が厚いことは回路形成に不利になるので好ましくない。このようにして得られた基板にCO2レーザー、UV-YAGレーザー等の半導体レーザーもしくはドリルを用いて穴をあける。特にCO2レーザーを用いて穴明け加工する時は、穴をあける部分の銅箔を先にエッチングしてガイドを設けるか、レーザー光が銅箔に充分吸収するよう銅箔を処理することが必要になる。また、穴は基板の表と裏を導通させることを目的とする貫通穴スルーホールでも、内層の回路と乾燥塗膜又は接着フィルムからなる樹脂絶縁層表面の回路を導通させることを目的とする部分穴ベリードビアのどちらでもよい。次に、穴を導通させることを目的に公知慣用のデスミヤ処理を行ない、引き続き無電解銅めっき、電解銅めっきを施すことにより、スルーホール、ベリードビア、又はコンフォーマルビアを形成し、表裏の銅箔及び銅箔と内層回路とを導通させる。その後、プリント配線板で用いられている既知のパターンエッチング方法にて、表層の銅箔をエッチングしてパターン形成することにより、所望の多層プリント配線板が得られる。あるいは、回路のファインパターン化を目的にラミネートした銅箔を薄くなるまでエッチングしてからパターンレジストを用いて回路形成することも可能であり、さらに、全面エッチィングして前記第一の形態の回路形成方法2アディティブ法か3セミアディティブ法で回路形成することも可能である。前記第一の形態、第二の形態に拘らず、こうして得られた多層プリント配線板は、さらに工程を繰り返して多層化したり、また、プリプレグや樹脂付銅箔を重ね合せ、熱板プレス機を用いて加熱加圧成形をすることにより多層化を行なっても構わない。以上説明した多層プリント配線板の製造方法において、用いる内層基板としては、例えば、プラスチック基板やセラミック基板、金属基板、フィルム基板などを使用することができ、具体的には、ガラスエポキシ基板やガラスポリイミド基板、アルミナ基板、低温焼成セラミック基板、窒化アルミニウム基板、アルミニウム基板、ポリイミドフィルム基板などを使用することができる。そして、内層の回路配線パターンは銅が好ましく、さらに銅回路は化学的な表面処理が施されたものが好ましい。バフ研磨等の物理的な研磨を施した回路上では、本発明の組成物は密着性が劣り、はんだ熱で膨れを生じる場合がある。好適な化学処理としては、汎用の黒化処理や、銅を薬品によりエッチングし粗化面を形成する処理、例えばメック社エッチボンド、アトテック社ボンドフィルム、マクダーミット社のマルチボンド等が好ましい。特に本発明の工程では、コーティング時又はラミネート持に内層銅回路が傷付く可能性があるので、後者のエッチングタイプの表面処理が傷が付き難い点で優れている。前記したように、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物は、Aカルボキシル基又は酸無水物基と、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造とを有するポリイミド樹脂、Bエポキシ樹脂、及びC沸点が100°C以上の有機溶剤を必須成分として含有する。一方、本発明に係る熱硬化性接着フィルムの組成は、前記したように、Aカルボキシル基又は酸無水物基と、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造とを有するポリイミド樹脂及びBエポキシ樹脂を必須成分として含有する。さらに本発明に係る熱硬化性接着フィルムの組成は、少なくとも片側に支持フィルムが存在している。これは、本発明の接着フィルムが一定の温度で溶融し、接着性を発現するため、接着させる時のカバーの働きをするものである。つまり、接着フィルムの両側に接着させる場合は、支持フィルの無い側を非接着体に密着させ、接着もしくは仮接着し、その後、支持フィルムを剥離してさらに非接着体を密着させ、接着させることにより実現できる。また、この接着フィルムの保管、輸送の際には、シート状、ロール状に拘らず、支持フィルムと反対側の層に保護フィルムを使用することができる。本発明で用いるポリイミド樹脂Aは、カルボキシル基又は酸無水物基と、数平均分子量300~6,000の線状炭化水素構造とを有するポリイミド樹脂であればよいが、その中でも、汎用溶剤、例えばケトン系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤等の非プロトン系極性有機溶剤に対する溶解性と耐熱性に優れることから、カルボキシル基又は酸無水物基と、数平均分子量700~4,500の線状炭化水素構造と、ウレタン結合と、イミド環と、イソシアヌレート環を有し、好ましくはさらに環式脂肪族構造を有するポリイミド樹脂A1が好ましい。前記線状炭化水素構造としては、硬化物の柔軟性と誘電特性のバランスが良好なポリイミド樹脂が得られることから、数平均分子量800~4,200の線状炭化水素構造であることが特に好ましい。前記ポリイミド樹脂A1としては、例えば、下記一般式1で示される構造単位と下記一般式2で示される構造単位を有し、かつ、下記一般式3、4及び5で示される末端構造のいずれか1種以上を有するポリイミド樹脂A2が挙げられ、その中でも、酸価が20~150mgKOH/gであり、かつ、数平均分子量700~4,500の線状炭化水素構造の含有率が20~40質量、イソシアヌレート環の濃度が0.3~1.2ミリモル/g、数平均分子量が2,000~30,000であり、しかも、重量平均分子量が3,000~100,000のポリイミド樹脂がより好ましい。なお、本発明において、ポリイミド樹脂Aの酸価、イソシアヌレート環の濃度、数平均分子量及び重量平均分子量は、以下の方法で測定したものである。1酸価:JISK-5601-2-1に準じて測定する。なお、試料の希釈溶剤としては、無水酸の酸価も測定できるようにアセトン/水9/1体積比の混合溶剤で酸価0のものを使用する。2イソシアヌレート環の濃度:13C-NMR分析[溶媒:重水素化ジメチルスルホキシドDMSO-d6]を行ない、149ppmにあるイソシアヌレート環に起因する炭素原子のスペクトル強度から検量線を用いてポリイミド樹脂A1g当たりのイソシアヌレート環の濃度ミリモルを求める。なお、13C-NMR分析により、169ppmにあるイミド環に起因する炭素原子のスペクトル強度から同様にイミド環の濃度を求めることもできる。3数平均分子量と重量平均分子量:ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによりポリスチレン換算の数平均分子量と重量平均分子量を求める。なお、ポリイミド樹脂A中における線状炭化水素構造の含有率は、ポリイミド樹脂Aが後記する製造方法で製造したポリイミド樹脂である場合、合成原料中におけるポリオール化合物a2の使用質量割合から求めることができ、前記線状炭化水素構造の数平均分子量は前記ポリオール化合物a2の数平均分子量から求めることができる。また、製造方法が不明のポリイミド樹脂中における線状炭化水素構造の含有率と数平均分子量は、ポリイミド樹脂を通常の加水分解法、例えば有機アミンの存在下で熱処理してウレタン結合を分解し、線状炭化水素構造部分を前記ポリイミド樹脂から切り離し、線状炭化水素構造部分がイミド構造部分に比較して低極性であることを利用して、ジクロロメタン等の低極性有機溶剤で線状炭化水素構造部分を抽出し、抽出量の測定とGPC分析とを行なうことで求めることができる。本発明の熱硬化性樹脂組成物に用いる前記ポリイミド樹脂の製造方法は、特に限定されないが、ポリイソシアネート化合物a1と線状炭化水素構造を有するポリオール化合物であって、線状炭化水素構造部分の数平均分子量が300~6,000のポリオール化合物a2とを反応させて得られる末端にイソシアネート基を有するプレポリマーA1を、3個以上のカルボキシル基を有するポリカルボン酸の酸無水物bと有機溶剤中で反応させる方法が好ましい。例えば、前記製造方法によりポリイミド樹脂Aを製造するには、炭素原子数が6~13の環式脂肪族構造を有するジイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネートと、線状炭化水素構造を有するポリオール化合物であって、線状炭化水素構造部分の数平均分子量が700~4,500のポリオール化合物とを反応させて得られる末端にイソシアネート基を有するプレポリマーを、トリカルボン酸の酸無水物と有機溶剤中で反応させればよい。前記製造方法で用いるポリイソシアネート化合物a1は、分子内に2個以上のイソシアネート基を有する化合物であり、例えば、芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート環式脂肪族ポリイソシアネートを含む;これらポリイソシアネートのヌレート体、ビュレット体、アダクト体、アロハネート体等が挙げられる。前記芳香族ポリイソシアネート化合物としては、例えば、p-フェニレンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネート、p-キシレンジイソシアネート、m-キシレンジイソシアネート、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、4,4′-ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートクルードMDI、ポリメチレンポリフェニルイソシアネート、3,3′-ジメチルジフェニル-4,4′-ジイソシアネート、3,3′-ジエチルジフェニル-4,4′-ジイソシアネート、m-キシレンジイソシアネート、p-キシレンジイソシアネート、13ビスα,α-ジメチルイソシアナートメチルベンゼン、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、ジフェニレンエーテル-4,4′-ジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート等が挙げられる。前記脂肪族ポリイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネートHDI、リジンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートIPDI、4,4′-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、水素添加キシレンジイソシアネートHXDI、ノルボヌレンジイソシアネートNBDI等が挙げられる。前記ポリイソシアネート化合物a1としては、有機溶剤への溶解性や、エポキシ樹脂や有機溶剤との相溶性が良好で、硬化物の誘電率と誘電正接が低いポリイミド樹脂が得られることから、脂肪族ポリイソシアネートが好ましい。また、硬化物の耐熱性の良好な硬化物が得られることから、イソシアヌレート型ポリイソシアネートが好ましい。さらに、前記ポリイソシアネート化合物a1としては、有機溶剤への溶解性や、エポキシ樹脂や有機溶剤との相溶性が良好で、硬化物の誘電率と誘電正接が低く、耐熱性が良好なポリイミド樹脂が得られることから、脂肪族ポリイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネート化合物a11がより好ましく、環式脂肪族ポリイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネート化合物がさらに好ましい。前記環式脂肪族ポリイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネート化合物としては、イソシアヌレート環の1モルに対して環式脂肪族構造を2~3モル倍有するものが挙げられるが、該環式脂肪族構造を2.5~3モル倍有するものがより好ましい。前記ポリイソシアネート化合物a11としては、例えば、1種又は2種以上の脂肪族ジイソシアネート化合物を、第4級アンモニウム塩等のイソシアヌレート化触媒の存在下あるいは非存在下において、イソシアヌレート化することにより得られるものであって、3量体、5量体、7量体等のイソシアヌレートの混合物からなるもの等が挙げられる。前記ポリイソシアネート化合物a11の具体例としては、イソホロンジイソシアネートのイソシアヌレート型ポリイソシアネートIPDI3N、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型ポリイソシアネートHDI3N、水添キシレンジイソシアネートのイソシアヌレート型ポリイソシアネートHXDI3N、ノルボルナンジイソシアネートのイソシアヌレート型ポリイソシアネートNBDI3N等が挙げられる。前記ポリイソシアネート化合物a11としては、有機溶剤への溶解性や硬化物の耐熱性が良好なポリイミド樹脂が得られることから、ポリイソシアネート化合物a1100質量部中に3量体のイソシアヌレートを30質量部以上含有するものが好ましく、50質量部以上含有するものが特に好ましい。また、前記ポリイソシアネート化合物a11としては、イソシアネート基の含有率が10~30質量であることも、有機溶剤への溶解性や硬化物の耐熱性が良好なポリイミド樹脂が得られることからより好ましい。従って、前記ポリイソシアネート化合物a11としては、環式脂肪族ポリイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネート化合物であって、イソシアネート基の含有率が10~30質量であるものが最も好ましい。前記イソシアヌレート環を有するポリイソシアネートは、他のポリイソシアネートと併用しても良いが、イソシアヌレート型ポリイソシアネートを単独で使用するのが好ましい。前記製造方法で用いるポリオール化合物a2は、線状炭化水素構造部分の数平均分子量が300~6,000のポリオール化合物であることが必須であり、なかでも、有機溶剤への溶解性や、エポキシ樹脂や有機溶剤との相溶性が良好で、硬化物の誘電率と誘電正接が低く、ガラス転移点Tgが高く、造膜性に優れるポリイミド樹脂が得られることから、線状炭化水素構造部分の数平均分子量が700~4,500のポリオール化合物が好ましく、線状炭化水素構造部分の数平均分子量が800~4,200のポリオール化合物が特に好ましい。線状炭化水素構造部分の数平均分子量が300未満のポリオール化合物では、硬化物の誘電率と誘電正接が高くなるため好ましくなく、一方、線状炭化水素構造部分の数平均分子量が6,000を越えるポリオール化合物では、有機溶剤への溶解性や、エポキシ樹脂や有機溶剤との相溶性及び機械物性が不良となるため好ましくない。前記ポリオール化合物a2としては、例えば、線状炭化水素構造の末端及び/又は側鎖に結合した水酸基を合計で1分子当たり平均1.5個以上有する化合物が挙げられる。前記線状炭化水素構造は、直鎖状でもよいし、分岐状でもよい。また、前記線状炭化水素構造は、飽和の炭化水素鎖でもよいし、不飽和の炭化水素鎖でもよいが、加熱時の物性変化や安定性の面から飽和の炭化水素鎖がより好ましい。また、前記ポリオール化合物a2としては、ポリオレフィン構造やポリジエン構造を有するポリオール化合物であって、ポリオレフィン構造やポリジエン構造を有するポリオールの数平均分子量が300~6,000のポリオール化合物及びその水素添加物が挙げられる。前記オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、イソブチレン、ペンテン、メチルペンテン等が挙げられ、前記ジエンとしては、例えば、ペンタジエン、ヘキサジエン、イソプレン、ブタジエン、プロパジエン、ジメチルブタジエン等が挙げられる。前記ポリオール化合物a2の具体例としては、ポリエチレン系ポリオール、ポリプロピレン系ポリオール、ポリブタジエンポリオール、水素添加ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール、水素添加ポリイソプレンポリオール等であって、線状炭化水素構造部分の数平均分子量300~6,000のポリオール化合物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。前記ポリオール化合物a2の水酸基の数は、平均1.5~3個であることが、ゲル化し難く、分子成長が良好で、柔軟性が優れるポリイミド樹脂が得られることから好ましい。さらに水酸基の数は、平均1.8~2.2個のものが特に好ましい。前記ポリオール化合物a2の市販品としては、例えば、日本曹達株製のNISSOPBGシリーズ、出光石油化学株製のPoly-bd等の両末端に水酸基を有する液状ポリブタジエン;日本曹達株製のNISSOPBGIシリーズ、三菱化学株製のポリテールH、ポリテールHA等の両末端に水酸基を有する水素添加ポリブタジエン;出光石油化学株製のPoly-iP等の両末端に水酸基を有する液状C5系重合体;出光石油化学株製のエポール、クラレ株製のTH-1、TH-2、TH-3等の両末端に水酸基を有する水素添加ポリイソプレンなどが挙げられる。さらに、前記ポリオール化合物a2としては、前記したような線状炭化水素構造を有するポリオール化合物に各種多塩基酸やポリイソシアネートを反応させて得られるエステル変性ポリオール化合物やウレタン変性ポリオール化合物も使用可能である。前記ポリオール化合物a2としては、ポリブタジエンポリオール及び/又は水素添加ポリブタジエンポリオールが好ましく、なかでも、水素添加ポリブタジエンポリオールがより好ましい。前記製造方法で得られるポリイミド樹脂中において、前記ポリオール化合物2a由来の線状炭化水素構造は、イミド結合を有する剛直な骨格間に導入される。前記製造方法で得られるポリイミド樹脂が特に優れた耐熱性を有するためには、ガラス転移点が高い必要があり、このため、原料に用いるポリオール化合物a2も高いガラス転移点を有しているほうが有利であると推定されたが、鋭意検討した結果、硬化物のガラス転移点は、ポリイミド樹脂の分子中に導入されるポリオール化合物a2のガラス転移点が低いほうがより硬化物のガラス転移点は高くなり、さらにガラス転移点が低いポリオール化合物を使用することで機械物性のより優れる硬化物が得られることが明らかとなった。以上の知見からポリオール化合物a2のガラス転移点は、-120~0°Cであることが好ましい。なお、前記製造方法において、ポリオール化合物a2は、本発明の効果を損ねない程度に他の水酸基含有化合物と併用してもよい。この場合、他の水酸基含有化合物は、全水酸基含有化合物中の50質量以下で使用することが望ましい。本発明で用いる3個以上のカルボキシル基を有するポリカルボン酸の酸無水物bとしては、例えば、トリカルボン酸の酸無水物、テトラカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。トリカルボン酸の酸無水物としては、例えば、無水トリメリット酸、ナフタレン-1,2,4-トリカルボン酸無水物等が挙げられる。テトラカルボン酸の酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノン-3,4,3′,4′-テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテル-3,4,3′,4′-テトラカルボン酸二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル-3,4,3′,4′-テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル-2,3,2′,3′-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,8,4,5-テトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン-1,8,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,8,4,5-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,8,4,5-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,8,4,5-テトラカルボン酸二無水物、フェナントレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ベリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、2,3-ビス3,4-ジカルボキシフェニルプロパン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物等の分子内に芳香族有機基を有するテトラカルボン酸の無水物が挙げられる。これらの1種又は2種以上を用いることが可能である。また、トリカルボン酸の無水物とテトラカルボン酸の無水物を混合して使用してもよい。前記製造方法で得られるポリイミド樹脂の酸価としては、有機溶剤への溶解性と硬化物性を良好にするために、固形物換算で20~150mgKOH/gが好ましく、20~120mgKOH/gがより好ましい。ポリイミド樹脂の酸価が20mgKOH/g未満の場合、架橋密度が低く、はんだ耐熱性が劣るので好ましくない。一方、酸価が150mgKOH/gよりも大きい場合には、樹脂の軟化温度や流動性が高くなりすぎて内層回路への追随性が悪くなり、成形不良となるので好ましくない。また、前記ポリイミド樹脂の分子量としては、溶媒溶解性を良好にするために、数平均分子量が2,000~30,000で、かつ重量平均分子量が3,000~100,000であることが好ましく、数平均分子量が2,000~10,000で、かつ重量平均分子量が3,000~50,000であることがより好ましい。ポリイミド樹脂の製造方法で用いる有機溶剤は、系中にあらかじめ存在させてから反応を行なっても、途中で導入してもよく、その使用するタイミングや量には制限は特にないが、末端にイソシアネート基を有するプレポリマーa1と3個以上のカルボキシル基を有するポリカルボン酸の酸無水物bの反応の開始時には存在させておくことが好ましい。また、この反応に際して適切な反応速度を維持するために、系中の有機溶剤の割合は、反応系の80質量以下が好ましく、10~70質量がより好ましい。有機溶剤としては、原料成分としてイソシアネート基を含有する化合物を使用するため、水酸基やアミノ基等の活性プロトンを有しない非プロトン性極性溶剤が好ましい。次に、本発明の熱硬化性樹脂組成物の必須成分のうち、エポキシ樹脂Bは、層間絶縁材としての充分な耐熱性、耐薬品性、電気特性などの諸物性を得るのに必要である。エポキシ樹脂Bとしては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、又はそれらの臭素原子含有エポキシ樹脂やりん原子含有エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂など、公知慣用のものを単独であるいは2種以上組み合わせて使用することができる。また、反応性希釈剤としての単官能エポキシ樹脂を含有していてもよい。特に本発明の熱硬化性樹脂組成物では、エポキシ当量が200以上のエポキシ樹脂とエポキシ当量が200以下のエポキシ樹脂を任意に混合することが好ましい。エポキシ当量が200以上のエポキシ樹脂は、硬化収縮が少なく、基材のそり防止と硬化物の柔軟性を与える。また加熱ラミネート時やレベリング時の溶融粘度を高くすることができ、成形後の樹脂染み出し量のコントロールに有効である。一方、エポキシ当量が200以下のエポキシ樹脂は、反応性が高く、硬化物に機械的強度を与える。また、加熱ラミネート時の溶融粘度が低いため、内層回路間の隙間への樹脂組成物の充填性や銅箔の凹凸粗面に対する追随性に寄与する。本発明の熱硬化性樹脂組成物の他の必須成分である、沸点が100°C以上の有機溶剤Cとしては、シクロヘキサノンなどのケトン類、メチルセロソルブ、メチルカルビトール、トリエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類、及び上記グリコールエーテル類の酢酸エステル化物などのエステル類、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類、オクタンなどの脂肪族炭化水素、石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤などがある。これらは単独であるいは2種以上を混合して使用することができる。特に本発明の熱硬化性樹脂組成物では、沸点が100°C以上の有機溶剤を用いる点が重要である。この理由は、沸点が100°C未満の有機溶剤を使用すると、塗膜乾燥時に溶剤が急激に蒸発し泡の発生原因になる。しかも塗布している際に溶剤が揮発し易く、塗布時の粘度が急激に変化するので好ましくない。特に好ましい有機溶剤としては、エチレングリコール又はプロピレングリコールの誘導体であり、具体的にはエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールのモノメチル、モノエチル、モノブチル等のグリコールエーテル類、さらにそれらの酢酸エステル化合物が挙げられる。これらの有機溶剤は、プリント配線板製造工場で従来からソルダーレジスト等の希釈溶剤として多量に使用されており、工場内での溶剤回収、再利用に適しており、臭気の面からも好ましい。本発明の熱硬化性樹脂組成物は、さらに必要に応じてエポキシ樹脂の硬化剤を配合することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、3級アミン化合物、イミダゾール化合物、グアニジン類、又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもののほか、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム、テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物、DBUもしくはその誘導体など、公知慣用のものを単独であるいは2種以上組み合わせて使用することができる。これらのエポキシ樹脂硬化剤の中でも、イミダゾール化合物は、組成物中の溶剤を乾燥するときの温度域80°C~130°Cでは反応が緩やかで、硬化時の温度域150°C~200°Cでは充分に反応を進めることができ、硬化物の物性を充分発現させる点で好ましい。また、イミダゾール化合物は、銅回路及び銅箔との密着性に優れている点でも好ましい。特に好ましいものとして、具体的には、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、ビス2-エチル-4-メチル-イミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、あるいはトリアジン付加型イミダゾール等がある。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂Bの合計量100質量部に対し、005~20質量部の範囲で配合することが好ましい。その配合量が005質量部よりも少ないと硬化不足となり、一方、20質量部を超えて配合すると硬化促進効果を増大させることはなく、却って耐熱性や機械強度を損なう問題が生じる。本発明の熱硬化性樹脂組成物は、さらに硬化物の機械強度や耐熱性を向上させる目的で、フェノール性水酸基を2個以上有する化合物Dを配合することができる。フェノール性水酸基を2個以上有する化合物Dとしては、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、Xylok型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類など公知慣用のフェノール樹脂を、単独であるいは2種以上組み合わせて使用することができる。フェノール樹脂は、エポキシ樹脂Bの1エポキシ当量に対しフェノール性水酸基が0~1.2当量の割合で配合することが望ましい。この範囲を外れると得られる熱硬化性樹脂組成物の耐熱性が損なわれるので好ましくない。本発明の熱硬化性樹脂組成物は、さらに必要に応じて熱可塑性樹脂を配合することができる。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテル、ポリイミド、ポリスルフィド、ポリスルフォン、ポリアセタール、ブチラール樹脂、NBR、フェノキシ樹脂、ポリブタジエン、各種エンジニアリングプラスチック等、公知慣用のものを単独であるいは2種以上組み合わせて使用することができる。これらの熱可塑性樹脂は、樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化した後、均一に分散するか、もしくは相分離するに拘らず、室温の状態では樹脂組成物中に均一に分散又は溶解するものが好ましい。これらの熱可塑性樹脂は、コーティング時のはじき防止や転写性の改善に寄与してコーティングの厚膜化に効果があり、また強靭性の付与、柔軟性の付与、硬化収縮の低減による基材のそり防止に効果がある。さらに加熱ラミネート時やレベリング時の溶融粘度を高くすることができ、成形後の樹脂染み出し量のコントロールに有効である。熱可塑性樹脂は、全組成物の50以下の割合で配合することが好ましい。50を超える量を配合すると、加熱ラミネート時やレベリング時に塗膜の溶融粘度が高くなりすぎたり、組成物の状態で分離を生じる場合がある。本発明の熱硬化性樹脂組成物は、さらに硬化物の密着性、機械的強度、線膨張係数などの特性を向上させる目的で、無機充填材を配合することができる。例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、雲母粉などの公知慣用の無機充填材を単独で又は複数組み合わせて使用できる。そして、その配合比率は樹脂組成物の0~90質量が適当である。また、ここで用いる無機充填材の粒径は、95以上の粒子が3μm以下のものであることが望ましく、さらに好ましくは2μm以下のものであり、さらに球状のシリカが最適である。ここで、これら無機充填材添加の効果について説明すると、本発明者らの検討の結果、これら無機充填材はデスミヤ時の表面の凹凸形成の助剤になっていることが明らかになった。すなわち、本発明の熱硬化性樹脂組成物の硬化塗膜をデスミヤ液で粗化したとき、樹脂だけでなくこれら無機充填材も同時に粗化され、導体めっき層に対するアンカー効果として作用する。これは、これら無機充填材粒子がデスミヤ処理により塗膜から脱落するためと考えられる。そこでこれら無機充填材の粒径が重要になり、3μm以上の粒径の粒子が多いと粗化のプロファイルに大きな穴があいた状態になり、めっきの未着の原因になったり、回路形成の妨げになったりするので好ましくないことがわかった。また、成分の観点では誘電率の低いシリカが好ましく、形状では破砕タイプよりも球状タイプの方が塗膜から脱落し易かったり、粗化面の形状が安定しているためアンカー効果が大きく、よりピール強度が高くなるので好ましい。また、本発明の熱硬化性樹脂組成物は、さらに必要に応じて、フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオジングリーン、ジスアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等の公知慣用の着色剤、アスベスト、オルベン、ベントン、微紛シリカ等の公知慣用の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系等の消泡剤及び/又はレベリング剤、チアゾール系、トリアゾール系、シランカップリング剤等の密着性付与剤、チタネート系、アルミニウム系の公知慣用の添加剤類を配合することができる。本発明の多層プリント配線板の層間絶縁材用接着フィルムは、ベースフィルムを支持体として、所定の有機溶剤に溶解した樹脂ワニスを塗布後、加熱及び/又は熱風吹き付けにより溶剤を乾燥させ、常温固形の樹脂組成物として製膜し、作製することができる。このとき、本接着フィルムの樹脂塗膜は、その半硬化状態において150°Cのゲルタイムが20秒以上になるように調整したものが好ましい。半硬化状態のゲルタイムが19秒以下もしくは存在しない場合、内層回路への樹脂の追随性がなく、ボイドが発生し易くなる。支持ベースフィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、さらにはシリコンフィルムなどが挙げられる。特に好ましいものは、つぶ等、欠損がなく、寸法精度に優れ、コスト的にも優れるポリエチレンテレフタレートである。支持ベースフィルムの厚さとしては、10~50μmが好ましい。10μm未満の厚さの場合、支持体としての強度がなく、ハンドリングに問題があり、一方、50μmを超える場合、ラミネート時に熱伝導のむらが生じ、ラミネート不良を起こすので好ましくない。なお、支持ベースフィルムには、マッド処理、コロナ処理の他、離型処理を施してあってもよい。有機溶剤としては、通常の溶剤、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、カルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素の他、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドンなどを単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明の接着フィルムには、残留有機溶剤150°Cに保持された乾燥機中にて30分乾燥した時の、乾燥前後の重量減少率で規定が存在しても、ラミネート後や硬化後にボイドの発生等プリント基板としての特性が損なわれない範囲であれば問題が無い。一般的には10質量以下である。上記のようにして製膜された膜の厚さは、ラミネートされる内層回路基板の導体厚さ以上で、内層回路パターンの残銅率、板厚、スルホール径、表面ビアホール径、穴数と絶縁層厚さの設定値により異なるが、10~120μmの範囲であるのが一般的である。板厚が厚く、スルーホールの樹脂充填容積が大きい場合には、厚めの膜厚が必要になる。このようにして得られる常温固形の樹脂組成物からなる膜と支持ベースフィルムとからなる本発明の接着フィルムは、そのまま又は膜の他の面に保護フィルムをさらに積層し、ロール状に巻きとって貯蔵される。保護フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、などが挙げられるが、コストの面ではポリオレフィン系が好ましく、中でもつぶや欠損の少ないポリプロピレンが特に好ましい。また、保護フィルムの厚さとしては5~50μmが一般的である。なお、保護フィルムにはマッド処理、エンボス加工の他、離型処理が施してあってもよい。以下に本発明に用いるイミド樹脂の合成例、それを用いた実施例、比較例及び試験例を示して本発明について具体的に説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものでないことはもとよりである。なお、以下において部及びとあるのは、特に断りのない限り全て質量基準である。合成例1攪拌装置、温度計、コンデンサーを取り付けた20リットルのフラスコに、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート以下、EDGAと略記する。4951部と、イソホロンジイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネート以下、IPDI-Nと略記する。イソシアネート基含有率18.2、イソシアヌレート環含有トリイソシアネート含有率852760部イソシアネート基として12モルと、ポリテールHA三菱化学株製の両末端に水酸基を有する水素添加液状ポリブタジエン、数平均分子量2,100、水酸基価51.2mgKOH/g2191部水酸基として2モルを仕込み、攪拌を行ないながら発熱に注意して80°Cに昇温した後、3時間反応を行なった。次いで、さらにEDGA1536部と無水トリメリット酸以下、TMAと略記する。1536部8モルを仕込み、160°Cまで昇温した後、4時間反応させた。反応は発泡とともに進行した。系内は薄茶色のクリアな液体となり、ポリイミド樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂溶液をKBr板に塗装し、溶剤を揮発させた試料の赤外線吸収スペクトルを測定した結果、イソシアネート基の特性吸収である2270cm-1が完全に消滅し、725cm-1と1780cm-1と1720cm-1にイミド環の吸収、1690cm-1と1460cm-1にイソシアヌレート環の特性吸収、1550cm-1にウレタン結合の特性吸収が確認された。また、ポリイミド樹脂の酸価は固形分換算で79mgKOH/g、イソシアヌレート環の濃度は0.66ミリモル/g樹脂固形分換算、数平均分子量以下、Mnと略記する。は5,900、重量平均分子量以下、Mwと略記する。は24,000であった。以下、このポリイミド樹脂溶液をX-1と略記する。合成例2攪拌装置、温度計、コンデンサーを取り付けた20リットルのフラスコに、EDGA4300部と、IPDI-N2070部イソシアネート基として9モルと、1,6-ヘキサンジイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネートイソシアネート基の含有率22.9、イソシアヌレート環含有トリイソシアネート含有率63.3550部イソシアネート基として3モルを仕込み、混合して均一とした後、ポリテールHA2191部水酸基として2モルを加えて攪拌を行ないながら発熱に注意して80°Cに昇温した後、3時間反応を行なった。次いで、TMA1536部8モルを仕込み、160°Cまで昇温した後、4時間反応させた。この際の反応は、発泡とともに進行し、粘度が高くなり、系内が攪拌しにくくなったときに、さらにEDGA2000部を加えて行なった。系内は薄茶色のクリアな液体となり、ポリイミド樹脂の溶液を得た。得られたポリイミド樹脂溶液を用いて実施例1と同様に赤外線吸収スペクトルを測定した結果、イソシアネート基の特性吸収である2270cm-1が完全に消滅し、725cm-1と1780cm-1と1720cm-1にイミド環の吸収、1690cm-1と1460cm-1にイソシアヌレート環の特性吸収、1550cm-1にウレタン結合の特性吸収が確認された。さらに、また、ポリイミド樹脂の酸価は固形分換算で85mgKOH/g、イソシアヌレート環の濃度は0.68ミリモル/g、Mnは5,500、Mwは22,000であった。以下、このポリイミド樹脂溶液をX-2と略記する。合成例3攪拌装置、温度計、コンデンサーを取り付けた20リットルのフラスコに、EDGA5310部と、IPDI-N1380部イソシアネート基として6モルと、ノルボヌレンジイソシアネートから誘導されるイソシアヌレート環を有するポリイソシアネートイソシアネート基含有率18.75、イソシアヌレート環含有トリイソシアネート含有率65.51344部イソシアネート基として6モルを仕込み、80°Cで加熱溶解させ、ポリテールHA2191部水酸基2モルをさらに仕込み、攪拌を行ないながら80°Cにて5時間反応を行なった後、TMA1536部8モルを仕込み、170°Cまで昇温した後、4時間反応させた。反応は発泡とともに進行した。系内は薄茶色のクリアな液体となり、ポリイミド樹脂の溶液が得られた。得られたポリイミド樹脂溶液を用いて実施例1と同様に赤外線吸収スペクトルを測定した結果、イソシアネート基の特性吸収である2270cm-1が完全に消滅し、725cm-1と1780cm-1と1720cm-1にイミド環の吸収、1690cm-1と1460cm-1にイソシアヌレート環の特性吸収、1550cm-1にウレタン結合の特性吸収が確認された。また、ポリイミド樹脂の酸価は固形分換算で75mgKOH/g、イソシアヌレート環の濃度は0.72ミリモル/g、Mnは4,400、Mwは21,000であった。以下、このポリイミド樹脂溶液をX-3と略記する。実施例1~5及び比較例1、2表1に示す配合成分に対し、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、さらに微紛シリカであるアエロジル972を加えて、3本ロールミルにて混練分散し、粘度40dPas±10dPas回転粘度計5rpm、25°Cに調整した熱硬化性樹脂組成物を得た。得られた熱硬化性樹脂組成物のチキソトロピックインデックスTI値は、すべて1.2~2.0の範囲内であった。実施例6~10及び比較例3、4前記実施例1~5及び比較例1、2で得られた熱硬化性樹脂組成物但し、2PHZ2-フェニルヒドロキシエチルイミダゾール、四国化成工業社製に代えて、1B2PZ1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、四国化成工業社製を用いたをそれぞれ、ロールコーターを用いて、フィルムの膜厚が50μmになるようにPETフィルム東レ株式会社製、ルミラー38R75:38μmに塗布し、40~120°Cで乾燥して接着フィルムを得た。このとき150°Cにおけるゲル化タイムはすべてのサンプルにおいて20秒から120秒の範囲内であった。試験例1前記実施例1~5及び比較例1、2で得られた熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ、銅箔35μmにスクリーン印刷し、110°Cで30分乾燥し、次いで150°C×30分さらに170°C×30分の条件で最終硬化させた。この試料の銅箔をエッチングし、それぞれの硬化皮膜として物性を測定した。結果を表2に示す。試験例2前記実施例1~5及び比較例1、2で得られた熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ、1000μmの溝ピッチを有するウレタンゴム製ロールを備えた垂直吊り上げ式ロールコーターファーネス社製を用いて、銅箔18μm厚のガラスエポキシ両面銅張積層板から内層回路を形成し、さらにエッチボンドメック社製処理した基板の両面に同時に塗布し、次いで110°Cで乾燥し、絶縁層となる乾燥塗膜を形成した。次に、前述したプリント配線板の製造方法の第一の形態に従い、乾燥後の基板を150°Cで30分間熱風循環式乾燥炉にて最終硬化させ、CO2レーザー三菱電機社製を用いて穴加工を行なった。次いで、汎用公知の薬品を用いてデスミヤ処理、無電解銅めっき、電解銅めっきを施し、パネルめっき法にて回路形成してプリント配線板を得た。得られたプリント配線板は水分の除去や銅めっきのアニールの目的で170°Cで30分熱処理した。このようにして作製したプリント配線板について、以下の物性及び特性を評価した。結果を表3に示す。上記表2及び表3中の各物性及び特性は、以下のようにして測定評価した。aガラス転移温度Tg:TMA熱機械分析により測定した。bCTEα1Tg以下の線膨張係数:TMAにより測定した。c誘電率Dk及び誘電正接Df:JISK6911に従って測定した。d吸水率硬化皮膜を23°C±2°Cに管理された蒸留水に浸漬し、24時間後の質量変化より求めた。eピール強度:JISC6481に従って測定した。fはんだ耐熱性:288°C±3°Cのはんだ層に、完成したプリント配線板10cm×10cmを10秒間浸漬する。この操作を5回繰り返した後、銅箔と樹脂の剥がれを確認した。なお、表3中の符号の意味は以下のとおりである。OK:剥がれ無しNG:剥がれ有りgパターン形成性:ラインアンドスペース75μm/75μmの回路の剥がれを目視で検査した。なお、表3中の符号の意味は以下のとおりである。OK:剥がれ無しNG:剥がれ有りh難燃性:0.4mmの厚さのFR-4基材に硬化塗膜で80μmになるように両面に絶縁層を形成し、UL-94に従い試験を行なった。なお、表3中の符号の意味は以下のとおりである。NG:サンプル片の炎がクランプまで達し、UL-94のV0不適合である。試験例3前記実施例1~5の基板作成において、ポストキュアー後に320相当と600相当のバフ研磨を2回繰り返した以外は同様に作成した基板の特性はほぼ上記と同様で、さらに内層回路の凹凸に伴う基板表面の凹凸が減少していることが確認された。試験例4前記実施例1~5の基板作成においてパネルめっき法をセミアディティブ法に変更して作成した基板の特性はほぼ上記と同等で、さらにライン/スペース=25μm/25μmの回路が形成でき、剥がれが生じていなかった。試験例5次に、前述したプリント配線板の製造方法の第二の形態に従い、前記実施例2~5及び比較例1、2の熱硬化性樹脂組成物の乾燥塗膜を形成した基板の両面に18μm厚の銅箔ジャパンエナジー社製を重ね、真空ラミネーターMEIKI社製、MVLP-500を用い、5kgf/cm2、150°C、1分、1Torrの条件にて加熱ラミネートし、次いで熱板プレス機で10kgf/cm2、150°C、1分の条件にてレベリングした後、熱風循環式乾燥機で170°C×30分の条件にて硬化させ、積層板を作製した。さらに、この積層板の所定のスルーホール部はドリルで穴をあけ、レーザービア部は、まず、穴位置をエッチングレジストを用いて選択的に銅箔を除去してガイドを設け、レーザー加工機により穴明けを行なった。次に、スルーホール部とレーザービア部のスミヤをデスミヤ処理で除去した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきにより穴を導通させ、市販のエッチングレジストを介したエッチングによりパターン形成し、多層プリント配線板を作製した。このようにして作製した多層プリント配線板について、前記と同様にピール強度、はんだ耐熱性、パターン形成性、難燃性の各特性を評価した。得られた結果を下記表4に示す。試験例6前記実施例6~10及び比較例3、4で作製した接着フィルムを、35μmの銅箔に真空ラミネーターMEIKI社製、MVLP-500を用いて5kgf/cm2、140°C、1分、1Torrの条件にて加熱ラミネートし、次いで熱板プレス機で10kgf/cm2、150°C、1分の条件にてレベリングした後、熱風循環式乾燥機で150°C×60分さらに170°C×30分の条件で硬化させた。そして、得られたサンプルの銅箔を市販のエッチング液でエッチングし、前記試験例1と同様にして物性の評価を行なった。結果を表5に示す。試験例7次に、前述したプリント配線板の製造方法の第一の形態に従い、前記実施例6~10及び比較例3、4で作製した接着フィルムを、銅箔18μm厚のガラスエポキシ両面銅張積層板から内層回路を形成し、さらにエッチボンドメック社製処理した基板の両面に、真空ラミネーターMEIKI社製、MVLP-500を用い、5kgf/cm2、140°C、1分、1Torrの条件にて加熱ラミネートし、次いで熱板プレス機で10kgf/cm2、150°C、1分の条件にてレベリングした後、熱風循環式乾燥機で150°C×60分の条件にて硬化させ、積層板を作製した。さらに、この積層板の所定のスルーホール部、ビアホール部等にドリルとレーザーにより穴明けを行ない、次いで汎用公知の薬品を用いてデスミヤ処理と表面の凹凸形成を行なった。次に、無電解銅めっき及び電解銅めっきにより全面と穴部を導通させた後、水分の除去や銅めっきのアニールの目的で、170°Cで30分熱処理した後、市販のエッチングレジストを介したエッチングによりパターンを形成し、多層プリント配線板を作製した。このようにして作製した多層プリント配線板について、前記試験例2と同様にして表6に示す物性及び特性について試験評価した。結果を表6に示す。試験例8前記実施例6~10の基板作製においてパネルめっき法をセミアディティブ法に変更して作製した基板の特性はほぼ上記と同等で、さらにライン/スペース=25μm/25μmの回路が形成でき、剥がれが生じていなかった。試験例9次に、前述したプリント配線板の製造方法の第一の形態に従い、前記実施例7~10及び比較例3、4で作製した接着フィルムをラミネートした積層板の支持フィルムを剥離し、18μm厚の銅箔ジャパンエナジー社製JTC-AMを重ね、真空ラミネーターMEIKI社製、MVLP-500を用い、5kgf/cm2、150°C、1分、1Torrの条件にて加熱ラミネートし、次いで熱板プレス機で10kgf/cm2、150°C、1分の条件にてレベリングした後、熱風循環式乾燥機で170°C×30分の条件にて硬化させ、積層板を作製した。さらに、この積層板の所定のスルーホール部はドリルで穴をあけ、レーザービア部は、まず穴位置をエッチングレジストを用いて選択的に銅箔を除去してガイドを設け、レーザー加工機により穴明けを行なった。次に、スルーホール部とレーザービア部のスミヤをデスミヤ処理して除去した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきにより穴部を導通させ、市販のエッチングレジストを介したエッチングによりパターンを形成し、多層プリント配線板を作製した。このようにして作製した多層プリント配線板について、前記と同様にピール強度、はんだ耐熱性、パターン形成性、難燃性の各特性を評価した。得られた結果を下記表7に示す。"