表示部と、センサ部と、を有し、前記表示部は、高分子分散型液晶を有する第1の液晶素子を有し、前記センサ部は、受光素子と、前記受光素子上に設けられ、前記高分子分散型液晶を有する第2の液晶素子と、を有し、前記第1の液晶素子と前記第2の液晶素子とを、独立に駆動させ、前記受光素子は、前記第2の液晶素子を透過した光を受光することを特徴とする表示装置。表示部と、センサ部と、を有し、前記表示部は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶を有する第1の液晶素子を有し、前記センサ部は、受光素子と、前記受光素子上に設けられたセンサ用電極、前記対向電極、及び前記センサ用電極と前記対向電極との間に設けられた前記高分子分散型液晶を有する第2の液晶素子と、を有し、前記画素電極と前記センサ用電極とが電気的に独立していることで、前記第1の液晶素子と前記第2の液晶素子とを電気的に独立して駆動させ、前記受光素子は、前記第2の液晶素子を透過した光を受光することを特徴とする表示装置。表示回路を有する表示部と、センサ回路を有するセンサ部と、を有し、前記表示回路は、ビデオ信号の入力を制御する第1のトランジスタと、該ビデオ信号が入力される第1の液晶素子と、を有し、前記第1の液晶素子は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶を有し、前記センサ回路は、光を電気信号に変換する受光素子と、該電気信号から出力信号を生成する第2のトランジスタと、前記出力信号の読み出しを制御する第3のトランジスタと、第2の液晶素子と、を有し、前記第2の液晶素子は、前記受光素子上に設けられたセンサ用電極、対向電極、及び前記センサ用電極と前記対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶、を有し、前記画素電極と前記センサ用電極とが電気的に独立していることで、前記第1の液晶素子と前記第2の液晶素子とを電気的に独立して駆動させ、前記受光素子は、前記第2の液晶素子を透過した光を受光することを特徴とする表示装置。請求項3において、前記第1のトランジスタ乃至前記第3のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。請求項3において、前記受光素子、及び前記第1のトランジスタ乃至前記第3のトランジスタは、単結晶半導体を用いて同層に形成されていることを特徴とする表示装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の表示装置を用いて作製されたことを特徴とする電子書籍。非特許文献1の表示装置と特許文献1の表示装置と組み合わせれば、視認性が高く、タッチ認識機能を有する表示装置を提供できる。しかしながら、非特許文献1の高分子分散型液晶は光を散乱するため、特許文献1のフォトセンサを搭載した場合、フォトセンサでの光の検出が困難となる可能性がある。そのため、高分子分散型液晶を用い、フォトセンサによりタッチ認識を行う表示装置は実現されていない。そこで、高分子分散型液晶を用い、且つ、フォトセンサでの光の検出を効果的に行うことで、視認性が高く、タッチ認識機能を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高分子分散型液晶を用い、フォトセンサにより光の検出を行う表示装置である。そして、表示装置の画素部は、表示素子として機能する第1の液晶素子と、フォトセンサでの受光を制御する第2の液晶素子とを有している。なお、高分子分散型液晶に代えて上述した高分子ネットワーク型液晶を用いてもよい。また、これらを総称して高分子散乱型液晶とも呼ぶ。第1の液晶素子を有し、表示を行う部分を表示部と呼ぶ。また、第2の液晶素子を有し、光の検出を行う部分をセンサ部と呼ぶ。表示部において、第1の液晶素子は、画素電極、液晶層、対向電極が順に積層された構造を有している。そして、第1の液晶素子の液晶層は、画素電極と対向電極の間に電圧を印加しない場合オフ状態ともいう、液晶粒子が入射した光を散乱することで、透光性を有さない状態となる。また、第1の液晶素子の液晶層は、画素電極と対向電極の間に電圧を印加した場合オン状態ともいう、液晶粒子が配向するため、透光性を有する状態となる。一方、センサ部において、第2の液晶素子は、センサ用電極、液晶層、及び対向電極が順に積層された構造を有している。ここで、センサ用電極が、画素電極とは電気的に独立していることを特徴とする。そして、センサ用電極の下部に、フォトセンサの受光素子が設けられている。なお、液晶層及び対向電極は、第1の液晶素子と共通して用いる。液晶層として、高分子分散型液晶や高分子ネットワーク型液晶を用いることができる。第2の液晶素子の液晶層は、センサ用電極と対向電極との間に電圧を印加しない場合オフ状態ともいうに透光性を有さない状態となり、電圧を印加した場合オン状態ともいうに透光性を有する状態となる。そして、受光素子において受光を行う際に、センサ用電極と対向電極との間に電圧を印加するオン状態。すなわち、第2の液晶素子の液晶層を、透光性を有する状態とすることで、受光素子に光が入射される状態とする。そして、受光素子は、センサ部に接触又は接近した被検出物から照射される光、該被検出物で反射される光、又は該被検出物で遮られる光を検出する。これによりタッチ認識を行う。本発明の一態様は、表示部と、センサ部と、を有し、表示部は、高分子分散型液晶を有する第1の液晶素子を有し、センサ部は、受光素子と、受光素子上に設けられた高分子分散型液晶を有する第2の液晶素子とを有し、第1の液晶素子と第2の液晶素子とを、独立に駆動させ、受光素子は、第2の液晶素子を透過した光を受光する表示装置である。本発明の他の一態様は、表示部と、センサ部と、を有し、表示部は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶を有する第1の液晶素子を有し、センサ部は、受光素子と、受光素子上に設けられたセンサ用電極、対向電極、及びセンサ用電極と対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶を有する第2の液晶素子とを有し、画素電極とセンサ用電極とが電気的に独立していることで、第1の液晶素子と第2の液晶素子とを電気的に独立して駆動させ、受光素子は、第2の液晶素子を透過した光を受光する表示装置である。本発明の他の一態様は、表示回路を有する表示部と、センサ回路を有するセンサ部と、を有し、表示回路は、ビデオ信号の入力を制御する第1のトランジスタと、該ビデオ信号が入力される第1の液晶素子とを有し、第1の液晶素子は、画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶を有し、センサ回路は、光を電気信号に変換する受光素子と、該電気信号から出力信号を生成する第2のトランジスタと、該出力信号の読み出しを制御する第3のトランジスタと、第2の液晶素子とを有し、第2の液晶素子は、受光素子上に設けられたセンサ用電極、対向電極、及びセンサ用電極と対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶、を有し、画素電極とセンサ用電極とが電気的に独立していることで、第1の液晶素子と第2の液晶素子とを電気的に独立して駆動させ、受光素子は、第2の液晶素子を透過した光を受光する表示装置である。上記において、第1のトランジスタ乃至第3のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成することができる。上記において、受光素子、及び第1のトランジスタ乃至第3のトランジスタは、単結晶半導体を用いて同層に形成することができる。本発明の他の一態様は、上記の表示装置を用いて作製された電子書籍である。受光素子上に、画素電極と電気的に独立するセンサ用電極を設けることで、表示素子第1の液晶素子がオン状態かオフ状態かに関わらず、第2の液晶素子の制御によって、受光素子での受光を制御することができる。すなわち、第2の液晶素子の液晶層を、受光のスイッチとして機能させることができる。そして、高分子分散型液晶を用い、且つ、フォトセンサでの光の検出を効果的に行うことが可能であり、視認性が高く、タッチ認識機能を有する表示装置を提供することができる。以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、表示装置の一例について説明する。図1は、表示装置の画素部の一例である。図1Aは断面図、図1Bは上面図を示している。画素部は、表示部101と、センサ部103とを有する。図1Aに示すように、表示部101は、第1の液晶素子105を有する。第1の液晶素子105は、画素電極107及び対向電極109と、それらの電極間に設けられた液晶層111とを有している。すなわち、第1の液晶素子105は、画素電極107、液晶層111、及び対向電極109が順に積層された構造を有する。第1の液晶素子105は、表示素子として機能する。液晶層111は、高分子分散型液晶が用いられており、高分子ネットワークを形成する高分子層中に液晶粒子が分散された状態となっている。そして、画素電極107と対向電極109との間に電圧を印加しない場合オフ状態ともいう、高分子層内に分散している液晶粒子の液晶分子がランダムに配列する。そして、高分子の屈折率と液晶分子短軸の屈折率とが異なるため、液晶粒子によって、入射した光が散乱され、液晶層111は透光性を有さない白濁した状態となる。よって、視認側対向電極109側から確認できる表示は白表示明表示となる。また、画素電極107と対向電極109との間に電圧を印加した場合オン状態ともいう、液晶層111に電界が形成され、液晶粒子内の液晶分子は電界方向に配列する。そして、高分子の屈折率と液晶分子短軸の屈折率とがほぼ一致するため、入射した光は液晶粒子で散乱されず、液晶層111を透過する。よって、液晶層111は透光性を有する状態となる。その際、視認側から確認できる表示は、液晶層111の前後に設けられる材料に依存する。そのため、液晶層111の視認側と反対側画素電極107側に黒色層119を設けておくと、黒色層119が視認できる。よって、視認側から確認できる表示は黒表示暗表示となる。一方、センサ部103は、第2の液晶素子113及び受光素子115を有する。第2の液晶素子113は、センサ用電極117及び対向電極109と、それらの電極間に設けられた液晶層111とを有する。すなわち、第2の液晶素子113は、センサ用電極117、液晶層111、及び対向電極109の順で積層された構造を有する。受光素子115は、センサ用電極117の下部に設けられている。なお、受光素子115のうち受光を行う部分受光部ともいうが、センサ用電極117の下部に設けられていればよい。また、センサ用電極117は、受光部を覆うように設けることが好ましい。受光部を覆うように設けることで、受光部の全面に光を入射させることができるため、受光量を増やすことができる。ここで、液晶層111は、第1の液晶素子105及び第2の液晶素子113に共通して用いられている。また、対向電極109は、第1の液晶素子105及び第2の液晶素子113に共通して用いられる。別々の対向電極とし、配線で電気的に接続してもよい。また、別々の対向電極とし、電気的に独立させてもよい。ただし、共通して用いることで、作製工程を削減できるため好ましい。なお、対向電極109は、共通電極ともよぶ。そして、画素電極107とセンサ用電極117とは、電気的に独立している。したがって、本実施の形態の表示装置は、第1の液晶素子105と第2の液晶素子113とを、電気的に独立して駆動させる機能を有している。図1Bは、図1Aの上面図である。表示部101とセンサ部103とが異なる位置に設けられている。そして、センサ部103において、センサ用電極117の下部に受光素子115が設けられている。なお、図1Bは、図1Aを上面から透過して見た図である。このように、受光素子115上に、画素電極107と電気的に独立するセンサ用電極117を設けることで、第1の液晶素子105表示素子がオン状態かオフ状態かに関わらず、第2の液晶素子113の制御によって、受光素子115での受光を制御することができる。すなわち、第2の液晶素子113の液晶層111を、受光のスイッチとして機能させることができる。次に、表示部101及びセンサ部103の回路構成の一例について説明する。図2Aは、表示部101が有する回路表示回路ともいうの一例である。表示回路は、トランジスタ201、第1の液晶素子105、及び容量素子203を有する。トランジスタ201は、ゲートが配線205ゲート信号線ともいうに電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が配線207ソース信号線ともいうに電気的に接続され、他方が第1の液晶素子105の一方の電極画素電極107及び容量素子203の一方の電極に電気的に接続されている。そして、第1の液晶素子105の他方の電極対向電極109は、配線209に電気的に接続される。また、容量素子203の他方の電極は、配線211に電気的に接続される。配線209と配線211が電気的に接続されていてもよい。トランジスタ201は、スイッチ素子として機能し、配線207から第1の液晶素子105へのビデオ信号の入力書き込みを制御する機能を有する。第1の液晶素子105は、画素電極107に入力されるビデオ信号に応じて、液晶層の透過率が制御され、表示を行う機能を有する。第1の液晶素子105に高分子分散型液晶を用いることで、絵や文字が書かれた紙面と同等の高い視認性を得ることができる。なお、容量素子203は、第1の液晶素子105に入力されたビデオ信号を保持する機能を有する。図2Bは、センサ部103が有する回路センサ回路又はフォトセンサともいうの一例である。センサ回路は、受光素子115、トランジスタ213、トランジスタ215、及び第2の液晶素子113を有する。受光素子115は、一方の電極が配線217リセット信号線ともいうに電気的に接続され、他方の電極が配線218を介してトランジスタ213のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ213は、ソース又はドレインの一方が配線219に電気的に接続され、他方がトランジスタ215のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ215は、ゲートが配線221選択信号線ともいうに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が配線223出力線とも呼ぶに電気的に接続されている。そして、第2の液晶素子113は、一方の電極センサ用電極117が配線225に電気的に接続され、他方の電極対向電極109が配線209に電気的に接続されている。受光素子115は、入射した光を電気信号電荷に変換する機能を有する。変換された電気信号は、トランジスタ213に入力される。図2Bはフォトダイオードの場合を示しているが、フォトトランジスタ等の該機能を有する受光素子を用いてもよい。トランジスタ213は、受光素子115で変換された電気信号が入力される。そして、該電気信号電荷を増幅し、出力信号を生成する機能を有する。そのため、増幅トランジスタとも呼ぶ。トランジスタ215は、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。例えば、複数のセンサ回路のうち所定のセンサ回路からの出力を選択するため、選択トランジスタとも呼ぶ。そして、第2の液晶素子113は、画素電極107と電気的に独立したセンサ用電極117を有することで、第1の液晶素子105と独立して駆動することが可能である。次に、センサ回路の駆動方法の一例を説明する。図3は、図2Bで示したセンサ回路のタイミングチャートの一例である。図3において、信号301乃至信号305は、順に図2における配線225、配線217、配線221、配線218、及び配線223の電位である。時刻Aにおいて、信号302をHHighとすると受光素子115フォトダイオードが導通し、信号304がHとなるリセット動作開始。時刻Bにおいて、信号302をLLowとすると、信号304がHに保持されるリセット動作終了。時刻Cにおいて、信号301をHとすると、第2の液晶素子113がオン状態となり、入射された光を透過し、受光素子115での受光が開始される蓄積動作開始。そして、受光素子115は光が入射されると、逆方向電流が増大するため、入射光の量に応じて信号304は低下する。時刻Dにおいて、信号301をLとすると、信号304は一定となる蓄積動作終了。ここで、信号304は、蓄積動作中に受光素子115が配線218に供給した電荷により決まる。すなわち、受光素子115に入射した光の量に応じてトランジスタ213のゲートに蓄積される電荷が変化する。時刻Eに、信号303をHにすると、トランジスタ215が導通し、配線219と配線223とが、トランジスタ213とトランジスタ215とを介して導通する選択動作読み出し動作ともいう開始。すると、信号305は増加していく。ここで、信号305が増加する速さは、トランジスタ213のソースとドレイン間の電流に依存する。すなわち、蓄積動作中に受光素子115に入射される光の量に応じて変化する。時刻Fにおいて、信号303をLにすると、トランジスタ215が遮断され、信号305は一定値となる。ここで、一定値となる値は、受光素子115に入射されている光の量に応じて変化する。したがって、信号305の電位を取得することで、蓄積動作中に受光素子115へ入射された光の量を検出することができる。なお、配線219の電位はHに固定されており、配線223の電位は予めLとしてある。ただし、これに限定されず、配線219の電位をLに固定し、配線223の電位を予めHとしてもよい。また、時刻Cから時刻Dの期間で蓄積動作を行っているが、この期間の長さを制御することで、受光素子115での受光量を制御することができる。このように、センサ回路は、第2の液晶素子113を制御することで、受光素子115に入射される光を検出することができる。そして、被検出物の接触又は接近により入射される光を検出することで、タッチ認識を行うことが可能である。なお、センサ回路において光の検出を行っている際に、表示回路では第1の液晶素子105を制御することで、上述したように表示を行うことができる。すなわち、第1の液晶素子105と第2の液晶素子113とを電気的に独立して駆動することで、第1の液晶素子105がオン状態かオフ状態かに関わらず、受光素子115での受光を行うことができ、センサ回路は光の検出を行うことが可能である。以上により、高分子分散型液晶を用い、センサ回路での光の検出を効果的に行うことが可能となり、視認性が高く、タッチ認識機能を有する表示装置を提供することができる。そして、表示装置は、例えば、電子書籍電子ペーパーに適用することが可能であり、絵や文字が書かれた紙面と同等の視認性を得ることができる。また、タッチ認識機能を利用して画像の読み取りが可能であるため、スキャナ機能を搭載した表示装置とすることもできる。その場合、被検出物に光を照射するためのライトを設けることにより、より精度良く画像を読み取ることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、表示装置の構造及び作製方法の一例を説明する。図4は、表示装置の画素部の断面図の一例である。画素部は、表示部101及びセンサ部103を有している。表示部101において光1101外光等が入射され、センサ部103において被検出物1103からの光1105が受光素子115に入射される状態を示している。被検出物1103は、例えば指又は紙等である。絶縁物1001上に、トランジスタ201、トランジスタ213、受光素子115、第1の液晶素子105、及び第2の液晶素子113が設けられている。絶縁物1001は、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を用いることができる。これらの基板、半導体基板、又は金属基板等の上に、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を、単層又は積層した絶縁層を設けたものを用いてもよい。安価なガラス基板を用いることでコストが低減できる。トランジスタ201は、図2Aにおける表示回路のトランジスタ201を示している。トランジスタ213は、図2Bにおけるセンサ回路のトランジスタ213を示している。図4では、トランジスタ201及びトランジスタ213としてトップゲート構造の薄膜トランジスタを用いたが、これに限定されない。これらのトランジスタとしてボトムゲート構造の薄膜トランジスタを用いてもよく、チャネルエッチ型又はチャネルストップ型とすることもできる。また、トランジスタ201及びトランジスタ213の半導体層1003は、結晶性半導体層を用いることができる。例えば、多結晶シリコンを用いることができる。しかし、これに限定されず、半導体層1003に、非晶質シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコン、ペンタセン等の有機半導体、又は酸化物半導体等を用いてもよい。半導体層1003として単結晶シリコンを用いる場合、表面から所定の深さに損傷領域が設けられた単結晶シリコン基板と絶縁物1001とを接合し、当該損傷領域で単結晶シリコン基板を分離することによって形成することができる。単結晶シリコンを用いると、電界効果移動度が高いトランジスタとすることができる。ここで、損傷領域は、単結晶シリコン基板に水素イオン等を照射することで損傷された領域を指す。また、半導体層1003として酸化物半導体を用いる場合、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛及びスズから選んだ元素の複合酸化物を用いることができる。酸化物半導体を用いると、オフ電流が極めて低いトランジスタとすることができる。なお、トランジスタ201とトランジスタ213とは、異なる材料を用いてもよく、異なる構造としてもよい。受光素子115は、縦接合型のpinフォトダイオードであり、n型半導体層1005、i型半導体層1007、及びp型半導体層1009が順に積層されて設けられている。n型半導体層1005は、一導電型を付与する不純物元素例えばリンを含む。i型半導体層1007は、真性半導体である。p型半導体層1009は、一導電型を付与する不純物元素例えばボロンを含む。ただし、これに限定されず、横接合型としてもよく、pnフォトダイオードとしてもよい。また、フォトトランジスタ等を用いてもよい。なお、受光素子115の各半導体層は、微結晶シリコン、多結晶シリコン、又は単結晶シリコン等を用いて形成することができる。第1の液晶素子105は、図2Aにおける表示回路の第1の液晶素子105を示している。第1の液晶素子105は、画素電極107及び対向電極109と、それらの電極間に設けられた液晶層111とを有している。そして、画素電極107の下部には、黒色層119が設けられている。画素電極107及び対向電極109は、透光性を有する材料で形成されている。第1の液晶素子105がオフ状態であり、液晶層111が透光性を有さない状態である場合、光1101は液晶層111によって散乱し、白表示が行われる。また、第1の液晶素子105がオン状態であり、液晶層111が透光性を有する状態である場合、光1101は第1の液晶素子105を透過して、黒色層119が視認できる。すなわち、黒表示が行われる。なお、黒色層119の視認性を向上させるため、画素電極107に開口部1011を設けてもよい。開口部1011を設ける場合、画素電極107は、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。また、画素電極107において光の吸収又は反射等により黒表示が可能な場合、黒色層119を設けなくてもよい。第2の液晶素子113は、図2Bにおけるセンサ回路の第2の液晶素子113を示している。第2の液晶素子113は、センサ用電極117及び対向電極109と、それらの電極間に設けられた液晶層111とを有する。そして、センサ用電極117の下部に、受光素子115を設けられている。なお、受光素子115の受光部が、センサ用電極117の下部に設けられていればよい。ここで、実施の形態1で説明したように、画素電極107とセンサ用電極117とが電気的に独立していることで、表示を行いつつ、光の検出を行うことができる。次に、図4に示す液晶表示装置の作製方法の一例について簡単に説明する。まず、絶縁物1001上に、ゲート電極1002、ゲート絶縁膜1013、半導体層1003を有するトップゲート構造の薄膜トランジスタを作製することで、トランジスタ201及びトランジスタ213を同一工程で作製する。これらのトランジスタは、n型薄膜トランジスタ又はp型薄膜トランジスタとすることができる。また、薄膜トランジスタとせずに、バルクトランジスタとすることもできる。その場合、絶縁物1001の代わりに、半導体基板を用いることができる。ゲート電極1002は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層の導電層で形成する。また、これらのトランジスタと同一の工程において、図2Aにおける容量素子203、及び図2Bにおけるトランジスタ215を作製することができる。その場合、容量素子203は、半導体層1003を下部電極とし、容量配線を上部電極とし、トランジスタ201及びトランジスタ213のゲート絶縁膜1013と同一の工程で形成される絶縁膜を誘電体とすればよい。なお、ゲート絶縁膜1013は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜を用いて、単層又は積層で形成する。また、容量配線は、ゲート電極1002と同一の工程で形成してもよい。また、これらのトランジスタ上に絶縁層1015を形成する。絶縁層1015は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜を用いて、単層又は積層で形成する。そして、絶縁層1015にコンタクトホールを形成し、トランジスタ201及びトランジスタ213と電気的に接続される電極1017ソース電極及びドレイン電極等を形成する。電極1017は、アルミニウム、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン等の金属材料又はこれらを主成分とする合金を用いて、単層又は積層の導電層で形成する。次に、電極1017を覆う絶縁層1019を形成する。絶縁層1019は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成する。そして、絶縁層1019にコンタクトホールを形成し、絶縁層1019上に黒色層119、電極1021を形成する。電極1021は、アルミニウム、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン等の金属材料又はこれらを主成分とする合金を用いて、単層又は積層の導電層で形成する。黒色層119は、例えば、黒色の有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また、光を吸収する遮光性の金属膜を用いることもでき、例えばクロムなどを用いればよい。黒色層119の形成方法は特に限定されず、材料に応じて、蒸着法、スパッタ法、CVD法などの乾式法、又はスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等などの湿式法を用い、必要に応じてエッチング法ドライエッチング又はウエットエッチングにより所望のパターンに加工すればよい。また、黒色層119からの汚染物質の拡散を防止するため、黒色層119の上面及び下面にオーバーコート層を設けてもよい。なお、黒色層119の代わりに、赤色、緑色、青色、シアン、マゼンタ、又はイエロー等の他のカラー色を一種若しくは複数種用いてカラー表示を行ってよい。黒色及びその他のカラー色を有する層を有色層という。次に、絶縁層1019上に、トランジスタ213と受光素子115とを電気的に接続させる電極図示せずを形成した後、受光素子115を形成する。受光素子115は、n型半導体層1005、i型半導体層1007及びp型半導体層1009を順に積層して形成する。本実施の形態では、プラズマCVD法を用いることで、リンを含む非晶質シリコンによりn型半導体層1005を形成し、非晶質シリコンによりi型半導体層1007を形成し、ボロンを含む非晶質シリコンによりp型半導体層1009を形成する。次に、黒色層119、電極1021、及び受光素子115上に、絶縁層1023を形成する。絶縁層1023は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、又は樹脂膜等を用いて、単層又は積層で形成する。その後、絶縁層1023にコンタクトホールを形成し、絶縁層1023上に画素電極107及びセンサ用電極117を形成する。画素電極107は、透光性を有する導電層を用いることができる。その場合、第1の液晶素子105を透過して、黒色層119を視認できる。透光性を有する導電層としては、インジウム錫酸化物ITO、酸化インジウムに酸化亜鉛ZnOを混合したIZOindiumzincoxide、酸化インジウムに酸化珪素SiO2を混合した導電性材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物を用いて形成することができる。また、画素電極107は、反射性を有する導電層を用いることができる。その場合、開口部1011を設け、開口部1011から下部の黒色層119を視認できる。反射性を有する導電層としては、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、チタン、白金、アルミニウム、銅、銀等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。この構成とした場合、液晶層111において光の散乱が不十分であっても、画素電極107において光を反射することができるため、白表示が効果的に行われる。センサ用電極117は、透光性を有する導電層を用いることができる。その場合、第2の液晶素子113がオン状態の時に、センサ用電極117の下部に設けられた受光素子115に光が入射される。透光性を有する導電層としては、インジウム錫酸化物ITO、酸化インジウムに酸化亜鉛ZnOを混合したIZOindiumzincoxide、酸化インジウムに酸化珪素SiO2を混合した導電性材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物を用いることができる。また、センサ用電極117は、受光素子115の受光部を覆うように形成することが好ましい。受光部を覆うように形成することで、受光部の全面に光を入射させることができるため、受光量を増やすことができる。次に、絶縁層1023上にスペーサ1025を形成する。スペーサ1025は、柱状スペーサポストスペーサ、又は球状スペーサビーズスペーサを用いることができる。次に、高分子分散型液晶を用いて液晶層111を形成する。高分子分散型液晶は、高分子ネットワークを形成する高分子層中に液晶粒子が分散された構成となっている。液晶粒子としては、ネマティック液晶を用いることができる。また、高分子層ポリマー層としては、光硬化樹脂を用いることができる。光硬化樹脂は、アクリレート、メタクリレートなどの単官能モノマーでもよく、ジアクリレート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多官能モノマーでもよく、これらを混合させたものでもよい。また、液晶性のものでも非液晶性のものでもよく、両者を混合させてもよい。光硬化樹脂は、用いる光重合開始剤の反応する波長の光で硬化する樹脂を選択すれば良く、代表的には紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、液晶層111は、ネマティック液晶を用いた液晶粒子、光硬化樹脂を用いた高分子層、及び光重合開始剤を含む液晶材料に、光硬化樹脂、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して硬化し、形成することができる。光重合開始剤は、光照射によってラジカルを発生させるラジカル重合開始剤でもよく、酸を発生させる酸発生剤でもよく、塩基を発生させる塩基発生剤でもよい。液晶層111を形成する方法としては、ディスペンサ法滴下法、又は、対向基板を形成した後に注入法等を用いて形成することができる。また、液晶層111は、ブルー相を示す液晶を用いて形成してもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、液晶層111に適用するには、温度範囲を改善するために5重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μs~100μsと短く、光学的に等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。次に、対向電極109が設けられた対向基板1027を、シール材を介して絶縁物1001と貼り合わせる。対向電極109は、透光性を有する導電性材料を用いる。例えば、インジウム錫酸化物ITO、酸化インジウムに酸化亜鉛ZnOを混合したIZOindiumzincoxide、酸化インジウムに酸化珪素SiO2を混合した導電性材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物を用いて形成することができる。また、対向基板1027は、視認側に設けられるため、透光性を有する材料を用いて形成する。透光性を有する材料としては、ガラス基板、石英基板、又はプラスチック基板等を用いることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、表示装置の構造及び作製方法の一例を説明する。図5は、表示装置の画素部の断面図の一例である。図4のセンサ部103と異なる構造の例を示す。図5では、受光素子115として横接合型のフォトダイオードを用いている。受光素子115は、n型半導体層1205、i型半導体層1207、及びp型半導体層1209が同層に設けられている。n型半導体層1205は、一導電型を付与する不純物元素例えばリンを含む。i型半導体層1207は、真性半導体である。p型半導体層1209は、一導電型を付与する不純物元素例えばボロンを含む。ただし、これに限定されず、pnフォトダイオードとしてもよい。また、フォトトランジスタ等を用いてもよい。また、横接合型とすることで、受光素子115の各半導体層は、トランジスタ213の半導体層1003と同層に同一工程で作製することができる。同一工程で作製することで、同一材料を用いることができ、作製工程及びコストを低減することができる。特に、受光素子115の各半導体層及びトランジスタ213の半導体層1003として単結晶シリコンを用いる場合、実施の形態2で示したように、表面から所定の深さに損傷領域が設けられた単結晶シリコン基板と絶縁物1001とを接合し、当該損傷領域で単結晶シリコン基板を分離することによって形成することができる。単結晶シリコンを用いると結晶性を高くすることができ、受光素子115の量子効率を向上させることができる。なお、受光素子115の各半導体層とトランジスタ213の半導体層1003を、異なる層に形成してもよく、異なる材料を用いて形成してもよい。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態4上記実施の形態1乃至3において、トランジスタの半導体層に用いることのできる例として酸化物半導体を説明する。実施の形態2のトランジスタ201、トランジスタ213、及びトランジスタ215の半導体層1003として酸化物半導体を用いることができる。半導体層1003に用いる酸化物半導体としては、In-Sn-Ga-Zn-O、In-Ga-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Al-Zn-O、Sn-Ga-Zn-O、Al-Ga-Zn-O、Sn-Al-Zn-O、In-Zn-O、Sn-Zn-O、Al-Zn-O、Zn-Mg-O、Sn-Mg-O、In-Mg-O、In-O、Sn-O、又はZn-Oなどを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O酸化物半導体とは、少なくともInとGaとZnを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、表示回路のトランジスタ201に用いることで、ビデオ信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力をより抑制する効果を奏する。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、電界効果移動度を高くすることができる。よって、表示回路及びセンサ回路のトランジスタ201、トランジスタ213、及びトランジスタ215に用いることで、表示回路及びセンサ回路を高速駆動させることができる。更に、該トランジスタを用いることで、同一基板上に駆動回路部または画素部を作り分けて作製することができるため、表示装置の部品点数を削減することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態では、センサ回路の駆動方法の一例について説明する。図6、図7、及び図8は、図2Bのセンサ回路をn行、m列のマトリクス状に配列した画素部のタイミングチャートである。図6は、第2の液晶素子113が受光素子115へ、常時光を透過する場合を示している。期間600は1フレーム期間を示している。1行目からn行目までの配線225の信号601を常にHにしておくと、光は1行目からn行目までの第2の液晶素子113を透過し、受光素子115へ入射する。時刻Aに1行目の配線217の信号602をHにすると、1行目の画素のリセット動作が開始する。時刻Bに1行目の配線217の信号602をLにすると、1行目の画素のリセット動作が終了し、蓄積動作が開始する。時刻Cに2行目の配線217の信号603をHにすると、2行目の画素のリセット動作が開始する。また、1行目の配線221の信号605をHにすると、1行目の画素の蓄積動作が終了し、読み出し動作が開始する。時刻Dに2行目の配線217の信号603をLにすると、2行目の画素のリセット動作が終了し、蓄積動作が開始する。また、1行目の配線221の信号605をLにすると、1行目の画素の読み出し動作が終了する。同様にしてn行目までの全ての行に対して順次リセット動作、蓄積動作、読み出し動作を行う。以降、時刻Aの動作に戻り、同じ動作を繰り返す。この場合、1行目からn行目までの配線225の信号601は同一であるため、配線の共用化や、信号駆動回路の削減ができ、センサ回路の縮小化や、低消費電力化を図ることができる。また、図7は、1行目からn行目において、第2の液晶素子113が受光素子115に全行同時に光を透過する場合である。期間700は1フレーム期間を示している。時刻Aに1行目からn行目までの配線217の信号702をHにすると、1行目からn行目までの全画素のリセット動作が開始する。時刻Bに1行目からn行目までの配線217の信号702をLにすると、1行目からn行目までの全画素のリセット動作が終了する。時刻Cに1行目からn行目までの配線225の信号701をHにすると、光は1行目からn行目まで第2の液晶素子113を透過し、受光素子115へ入射し、1行目からn行目までの画素の蓄積動作が開始する。時刻Dに1行目からn行目までの配線225の信号701をLにすると、光は1行目からn行目までの第2の液晶素子113の液晶層111で散乱し、受光素子115へ入射せず、1行目からn行目までの全画素の蓄積動作が終了する。時刻Eに1行目の配線221の信号703をHにすると、1行目の画素の読み出し動作が開始する。時刻Fに1行目の配線221の信号703をLにすると、1行目の画素の読み出し動作が終了する。時刻Gに2行目の配線221の信号704をHにすると、2行目の画素の読み出し動作が開始する。時刻Hに2行目の配線221の信号704をLにすると、2行目の画素の読み出し動作が終了する。同様にしてn行目まで全ての行に対して順に選択し、読み出し動作を行う。以降、時刻Aの動作に戻り、同じ動作を繰り返す。この場合、1行目からn行目までの配線225の信号701、及び1行目からn行目までの配線217の信号702は同一であるため、信号線の共用化や、信号駆動回路の削減ができ、センサ回路の縮小化や、低消費電力化を図ることができる。また、図8は、1行目からn行目において、第2の液晶素子113が受光素子115に、逐次光を透過する場合である。期間800は1フレーム期間を示している。時刻Aに1行目の配線217の信号805をHにすると、1行目の画素のリセット動作が開始する。時刻Bに1行目の配線217の信号805をLにすると、1行目の画素のリセット動作が終了する。時刻Cに2行目の配線217の信号806をHにすると、2行目の画素のリセット動作が開始する。また、1行目の配線225の信号801をHにすると、光は1行目の第2の液晶素子113を透過し、受光素子115へ入射し、1行目の画素の蓄積動作が開始する。時刻Dに2行目の配線217の信号806をLにすると、2行目の画素のリセット動作が終了する。また、1行目の配線225の信号801をLにすると、光は1行目の第2の液晶素子113の液晶層111で散乱し、受光素子115へ入射せず、1行目の画素の蓄積動作が完了する。時刻Eに3行目の配線217の信号807をHにすると、3行目の画素のリセット動作が開始する。また、2行目の配線225の信号802をHにすると、光は2行目の第2の液晶素子113を透過し、受光素子115へ入射し、2行目の画素の蓄積動作が開始する。また、1行目の配線221の信号809をHにすると、1行目の画素の読み出し動作が開始する。時刻Fに3行目の配線217の信号807をLにすると、3行目の画素のリセット動作が終了する。また、2行目の配線225の信号802をLにすると、光は2行目の第2の液晶素子113の液晶層111で散乱し、受光素子115へ入射せず、2行目の画素の蓄積動作が終了する。また、1行目の配線221の信号809をLにすると、1行目の画素の読み出し動作が終了する。同様にしてn行目まで全ての行に対して順次リセット動作、蓄積動作、読み出し動作を行う。以降、時刻Aの動作に戻り、同じ動作を繰り返す。図6乃至図8において、配線225の信号のH及びLは、一定期間ごとに反転させることが可能である。そのため、第2の液晶素子113の液晶層111の劣化を抑えることができ、撮像品質の維持を図ることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態6本実施の形態では、センサ回路について、図2Bとは異なる例を説明する。図9A~Gは、センサ回路に適用可能な回路の一例である。これらの回路と開示した第2の液晶素子113とを配置することで、センサ回路とすることができる。ここで示した回路は一例であり、その他の回路を用いてもよい。なお、トランジスタ901は、受光素子115からトランジスタ213のゲートへ電気信号を転送する機能を有する。また、トランジスタ903は、トランジスタ213のゲートを所定の電位にする機能を有する。本実施の形態は、他の実施の形態と組み合わせて実施することができる。実施の形態7本実施の形態では、表示装置の構造について説明する。図10は、表示装置が有する表示パネルの一例である。表示パネル6000は、画素部6001、表示回路制御部6002、及びセンサ回路制御部6003を有する。画素部6001は、マトリクス状に配置された画素6004を有し、画素6004内に表示回路6005及びセンサ回路6006を有する。表示回路制御部6002は、表示回路駆動部6007、6008を有する。そして、センサ回路制御部6003は、センサ回路読み出し部6009及びセンサ回路駆動部6010を有する。当該表示装置は、タッチパネル等に用いられる。センサ回路6006において、他の実施の形態で示したセンサ回路を適用することができる。なお、センサ回路6006は、画素6004の外に設けてもよい。また、センサ回路6006の個数と、表示回路6005の個数とは異なっていてもよい。そして、センサ回路6006は、第2の液晶素子113を有している。また、表示回路6005は、第1の液晶素子105を有している。また、表示回路制御部6002は、表示パネル6000の外に設けてもよい。センサ回路制御部6003も同様である。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態8本実施の形態では、電子機器の一例について説明する。図11A及び図11Bは、電子ペーパー電子書籍、電子ブック等ともいうである。本体4001、4002に、表示装置4101、4102として本明細書で開示した表示装置を用いることで、紙面と同等の視認性を有し、タッチ認識機能を有する電子ペーパーを提供することができる。また、電子ペーパーに限らず、図11Cのテレビ、図11Dの携帯電話、図11Eのパーナルコンピュータ、又は図11Fのゲーム機器等の電子機器に適用することができる。それらの本体4003~4006に、表示装置4103~4106として本明細書で開示した表示装置を用いることで、紙面と同等の視認性を有し、タッチ認識機能を有する電子機器を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態9本実施の形態では、電子機器の一例について説明する。図12は、ライティングボード黒板、ホワイトボード等である。本体9001に表示装置9101として本明細書で開示した表示装置を設けることができる。ここで、表示装置9101の表面には、マーカー等を用いて自由に書き込みができる。なお、定着剤が含まれていないマーカー等を用いれば文字の消去が容易である。また、マーカーのインクを落としやすくするため、表示装置9101の表面は十分な平滑性を有していると良い。例えば、表示装置9101の表面がガラス基板等であれば平滑性は十分である。また、表示装置9101の表面に透明な合成樹脂シート等を貼り付けてもよい。合成樹脂としては例えばアクリル等を用いると好ましい。この場合、合成樹脂シートの表面を平滑にしておくと好ましい。また、表示装置9101が特定の表示を行う際に、表面に絵や文字を記載することができる。そして、表示装置9101はスキャナ機能を有しているため、記載された絵や文字と表示された画像とを合成することができる。更に、フォトセンサを用いているため、記載した後、時間が経った場合でもいつでもセンシングが可能であるが、抵抗膜方式、静電容量方式等を用いた場合、記載と同時にしかセンシングをすることができない。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。