中心部から外方に向けて放射状に3方向へと延出する入出力端子の間に、各々外方に向けて延在する共振器が形成された平板状の中心導体と、この中心導体を、上記共振器を含んで間に挟む上下部フェライト板と、これら上下部フェライト板を間に挟む上下部磁性金属板とが積層されるとともに、上記上部磁性金属上に磁石が配置され、かつ上記上下部磁性金属板が側板を介して閉磁路を形成する非可逆回路素子において、上記中心導体の上記共振器の先端部に、面外方向に屈曲されて上記上部フェライト板および/または下部フェライト板との間に間隙を形成する屈曲部を形成することにより、上記屈曲部の弾性により上記中心導体に対して上記上部フェライト板および/または下部フェライト板を接離自在に設けたことを特徴とする非可逆回路素子。上記共振器の先端部は、上記外方への延在方向と直交する両方向に突出する突出部によりT字状に形成されるとともに、当該突出部の基端部が屈曲されることにより上記屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。上記中心導体は、銅系の非磁性金属板からなることを特徴とする請求項1または2に記載の非可逆回路素子。上記入出力端子の先端部は、上記外方への延在方向と直交する両方向に突出する突出部によりT字状に形成されるとともに、当該突出部の基端部が屈曲されることにより上記屈曲部と協働する第2の屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の非可逆回路素子。ところが、上記従来の非可逆回路素子にあっては、薄板状の脆い下フェライト板に、入出力端子を挿入するための孔部や上下導体板同士を接続して閉磁路を形成するための側壁を貫通させる穴等の、細長い開口部を多数穿設しているために、当該開口部の加工が難しく、製造コストが嵩むとともに、表面実装後に上記回路基板に曲げ応力が作用したり、あるいは反りが生じたりすると、上記開口部の縁部を起点として割れを生じ易い等の問題点があった。加えて、表面実装部品を実現するためには、実装された回路基板に作用する曲げ応力に対して、十分な耐性を備えていることが必須となるのに対して、低背化を図るためには、上下フェライト板を挟む上下導体板も薄肉となり、この結果、上記曲げ応力に対して一層変形し易い構造となることから、上記問題点の解決が望まれていた。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、簡易な構造で組立性に優れ、かつフェライト板の割れを防止して容易に低背化および小型化を実現することが可能になる非可逆回路素子を提供することを課題とするものである。上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、中心部から外方に向けて放射状に3方向へと延出する入出力端子の間に、各々外方に向けて延在する共振器が形成された平板状の中心導体と、この中心導体を、上記共振器を含んで間に挟む上下部フェライト板と、これら上下部フェライト板を間に挟む上下部磁性金属板とが積層されるとともに、上記上部磁性金属上に磁石が配置され、かつ上記上下部磁性金属板が側板を介して閉磁路を形成する非可逆回路素子において、上記中心導体の上記共振器の先端部に、面外方向に屈曲されて上記上部フェライト板および/または下部フェライト板との間に間隙を形成する屈曲部を形成することにより、上記屈曲部の弾性により上記中心導体に対して上記上部フェライト板および/または下部フェライト板を接離自在に設けたことを特徴とするものである。また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、上記共振器の先端部が、上記外方への延在方向と直交する両方向に突出する突出部によりT字状に形成されるとともに、当該突出部の基端部が屈曲されることにより上記屈曲部が形成されていることを特徴とするものである。さらに、請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、上記中心導体が、銅系の非磁性金属板からなることを特徴とするものである。また、請求項4に記載の発明は、請求項1~3のいずれかに記載の発明において、上記入出力端子の先端部が、上記外方への延在方向と直交する両方向に突出する突出部によりT字状に形成されるとともに、当該突出部の基端部が屈曲されることにより上記屈曲部と協働する第2の屈曲部が形成されていることを特徴とするものである。請求項1~4のいずれかに記載の発明によれば、中心導体の共振器の先端部に、面外方向に屈曲された屈曲部を形成して、上部フェライト板および/または下部フェライト板との間に間隙を形成し、上記屈曲部の弾性によって、中心導体に対して上部フェライト板および/または下部フェライト板を接離自在に設けているために、実装後に回路基板に曲げ応力が作用して反りを生じた場合にも、上記屈曲部が弾性変形することにより上記間隙において吸収することができる。この結果、実装後における回路基板に作用する曲げ応力に対して、柔軟性により上下部フェライト板等の割れを防止して、上下部磁性金属板の薄板化による低背化を実現することができるために、容易に低背化および小型化を図ることが可能になる。さらに、上記間隙の寸法を微調整することにより、加工時に生じる上下部フェライト板の厚さ寸法の誤差を吸収することができ、よって加工マージンを確保して、量産性に優れる。また、予め上記間隙の寸法を適宜調整することにより、中心導体の共振器とその上下の構成要素との間の容量を変化させて、中心周波数を変えたり、あるいは微調整したりすることも可能になる。また、一般に上記磁石や上下部磁性金属板は、温度が高くなるにしたがって磁場の強度磁束密度が低下する特性を有している。このため、上記構成からなる非可逆回路素子においては、温度の上昇に伴って中心周波数が低周波側にシフトする傾向がある。他方、上記非可逆回路素子においては、温度が高くなるにしたがい、磁性金属からなる上記側板の熱伸長によって上記間隙の寸法が大きくなり、この結果上記共振器との間の容量が減少して中心周波数が高周波側にシフトする。したがって、本発明に係る非可逆回路素子によれば、温度変化が生じた際に、上述した上記磁石や上下部磁性金属板の磁場の強度変化に起因する中心周波数の変化と、上記側板の熱伸縮による上記間隙の寸法変化に起因した中心周波数の変化が相殺されることにより、優れた温度特性を実現することが可能になる。なお、上記間隙を形成するための共振器の先端部の屈曲部は、上部フェライト板および/または下部フェライト板との間に間隙を形成することができれば、様々な形態を取ることが可能であるが、例えば請求項2に記載の発明のように、上記共振器の先端部をT字状に形成し、その突出部の基端部を屈曲することによって形成すれば、共振器の特性を損なうことなく、しかも安定的に上記上部フェライト板および/または下部フェライト板との間に間隙を形成することができる。また、中心導体は、非磁性の金属導体であって、かつ屈曲部がバネ材として機能するための所定の弾性係数を有している必要があることから、特に請求項3に記載の発明のように、リン青銅、ベリリウム銅、純銅等の銅系の非磁性金属板によって形成することが好ましい。さらに、請求項4に記載の発明においては、3本の上記共振器の先端部の屈曲部に加えて、隣接する共振器間から放射状に延出する3本の入出力端子の先端部にも、上記共振器の屈曲部と協働する第2の屈曲部を形成しているために、周方向の6箇所より正確には、6箇所×2=12点において、上部フェライト板および/または下部フェライト板と当接している。この結果、周方向に均一な間隙をより一層確実に形成することができ、よって一段と安定した周波数特性を実現することが可能になるとともに、さらにリターンロス特性やアイソレーション特性の変動要因も無くして、特性を安定化させることができる。図1~図4は、本発明に係る非可逆回路素子をアイソレータに適用した一実施形態を示すもので、図中符号1が中心導体である。この中心導体1は、リン青銅等の金属板によって形成されたもので、その中心部1aから外方に向けて放射状に3方向へと延出する入出力端子2a、2b、2cが形成されている。ここで、入出力端子2a、2b、2cは、互いに中心角120°を間に介して、全体としてY字状をなすように形成されており、周方向に隣接する入出力端子2a、2b、2c間には、各々同様に外方に向けて放射状に延在する共振器3が形成されている。なお、共振器3は、入出力端子2a、2b、2cよりも短い長さ寸法に設定されている。また、各々の共振器3は、その先端部3aに上記外方への延在方向と直交する両方向に突出する突出部が形成されることにより、T字状に形成されている。さらに、突出部は、上記先端部3aから突出する基端部が図中上方へと面外方向に屈曲されることにより屈曲部4とされている。そして、この中心導体1は、上部フェライト板5および下部フェライト板6間に挟持されている。これら上下部フェライト板5、6は、各々半径が、中心導体1の中心から入出力端子2a、2b、2cの先端までの長さ寸法より小さく、かつ中心導体1の中心から共振器3の先端までの長さ寸法より大きい寸法に形成されている。そして、これら中心導体1を間に挟んだ上下部フェライト板5、6の上面側および下面側には、各々上部磁性金属板7および下部磁性金属板8が配設されている。ここで、下部磁性金属板8は、外観略六角形の平板状に形成されたもので、下部フェライト板6の半径よりも僅かに大きな内接円となる大きさに形成されている。また、六角形の下部磁性金属板8の周縁の1辺おきには、それぞれ側板9が一体に立設されている。他方、上部磁性金属板7は、上部フェライト板5とほぼ等しい半径の円板状に形成されており、さらに中心角120を間に介した外周部には、方形状に突出する接続部7aが形成されている。なお、各々の接続部7aの幅寸法は、下部磁性金属板8の側板9の長さ寸法に設定されている。そして、下部磁性金属板8上であって側板9内に、中心導体1および上下部フェライト板5、6が収納されるとともに、その上面に上部磁性金属板7が積層されている。ここで、上部磁性金属板7の接続部7aの下面に、下部磁性金属板8の側板9の上縁が当接されている。そして、この上部磁性金属板7上に、円形板状の永久磁石10が載置されて接着剤等により固定されている。この永久磁石10は、上下部フェライト板5、6に、その板面と直交する方向に定磁界を形成させるものである。これにより、中心導体1、上下部フェライト板5、6、上下部磁性金属板7、8および永久磁石10が、機械的、磁気的、かつ電気的に積層され、上下部磁性金属板7、8が側板9を介して閉磁路を形成するとともに、中心導体1の共振器3の先端に形成した屈曲部4により、中心導体1の上面と、上部フェライト板5の下面との間に、図4示すように、間隙Gが形成されている。なお、この間隙Gは、約0.15mm以下となるように、屈曲部4の屈曲量が調整されている。以上の構成からなるアイソレータは、例えば、全体として縦横が約10~20mm角で、高さが約5mmの部品であり、入出力端子2a、2b、2cのうち、入出力端子2aが入力端子とされ、入出力端子2bが出力端子とされるとともに、他の1本の入出力端子2cが接地されて、図示されない回路基板上に実装されることにより、マイクロ波回路の一部として組み込まれている。これにより、入力端子2aに加えられたマイクロ波は、中心導体1において高周波磁界を発生し、上下部フェライト板5、6における磁気モーメントによって、上記マイクロ波の進行方向が曲がって中心角120°右回りに回転した出力端子2bに出力するとともに、出力端子2bに導入されたマイクロ波は、中心角120°右回りに回転した入出力端子2cに出力して接地されるようになっている。そしてさらに、上記構成からなるアイソレータにあっては、中心導体1の共振器3の先端部3aに、面外方向に屈曲された屈曲部4を形成して、上部フェライト板5との間に間隙Gを形成し、屈曲部4の弾性によって中心導体1に対して上部フェライト板5を接離自在に設けているために、実装後に回路基板に曲げ応力が作用して反りを生じた場合にも、屈曲部4が弾性変形することにより間隙Gにおいて吸収することができる。この結果、実装後における回路基板に作用する曲げ応力に対して、柔軟性により上下部フェライト板5、6の割れを防止して、上下部磁性金属板7、8の薄板化による低背化を実現することができるために、容易に低背化および小型化を図ることができる。さらに、間隙Gの寸法を微調整することにより、加工時に生じる上下部フェライト板5、6の厚さ寸法の誤差を吸収することができ、よって加工マージンを確保して、量産性に優れる。また、予め間隙Gの寸法を適宜調整することにより、中心導体1の共振器3とその上下の構成要素との間の容量を変化させて、中心周波数を変えたり、あるいは微調整したりすることも可能になる。また、図6aに示すように、アイソレータにおいては、温度が高くなるにしたがい、磁性金属からなる側板9が熱伸長することによって間隙Gの寸法が大きくなり、この結果、共振器3との間の容量が減少して中心周波数が図中右方の高周波側Fo側にシフトする。これに対して、同図bに示すように、永久磁石10および上下部磁性金属板7、8は、温度が高くなるにしたがって磁場の強度磁束密度が低下することにより、中心周波数が図中右方の低周波側Fo-側にシフトする傾向がある。したがって、中心導体1と上部フェライト板5との間に間隙Gを形成した上記アイソレータによれば、温度変化が生じた際に、永久磁石10や上下部磁性金属板7、8の磁場の強度変化に起因する中心周波数の変化と、側板9の熱伸縮による間隙Gの寸法変化に起因した中心周波数の変化が相殺されることにより、優れた温度特性を実現することが可能になる。次いで、図5は、本発明に係る非可逆回路素子をアイソレータに適用した他の実施形態における中心導体を示すもので、他の構成については、図1~図4に示したものと同一であるために、以下同一符号を用いてその説明を簡略化する。このアイソレータにおいては、中心導体11の入出力端子12の先端部12aが、当該入出力端子12の延在方向と直交する両方向に突出する突出部によりT字状に形成されるとともに、これら突出部の基端部が、上部フェライト板5側に向けて面外方向に屈曲されることにより、第2の屈曲部13が形成されている。そして、これら第2の屈曲部13は、共振器3の先端部3aに形成した屈曲部4とほぼ等しい屈曲量に設定されることにより、全体が曲げ力を受けた際に、屈曲部4と協働して弾性変形するようになっている。この結果、上記中心導体11を備えたアイソレータにおいては、3本の共振器3の先端部3aの屈曲部4に加えて、これら共振器3間から放射状に延出する3本の入出力端子12の先端部12aにも、共振器3の屈曲部4と協働する同様の第2の屈曲部13を形成しているために、中心導体11と上部フェライト板5とが円周方向の6箇所12点において当接している。したがって、本実施形態のアイソレータによれば、図1~図4に示したものと同様の作用効果が得られることに加えて、より一層確実に周方向に均一な間隙Gを形成することができ、よって一段と安定した周波数特性を実現することが可能になるとともに、さらにリターンロス特性やアイソレーション特性の変動要因も無くして、特性を安定化させることができるといった効果が得られる。なお、上記実施形態においては、中心導体1の共振器3の先端部3aあるいは入出力端子12の先端部12aを、いずれも上部フェライト板5側に面外方向に屈曲して屈曲部4、13を形成することにより、中心導体1の上面と上部フェライト板5との間に間隙Gを形成する場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、逆に下部フェライト板6側に向けて屈曲することにより、下部フェライト板6との間に同様の間隙を形成してもよく、さらには交互に上下部フェライト板5、6側に屈曲することにより、上下部フェライト板5、6との間に各々間隙を形成するようにしてもよい。