"面内に複数のチップが搭載又は形成された第1のウエハと該第1のウエハに対向する第2のウエハとを備え、上記第1のウエハと第2のウエハとは各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合されているウエハレベルパッケージにおいて、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間には隙間が形成されていると共に、互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部が設けられていることを特徴とするウエハレベルパッケージ。前記複数のチップは、第1のウエハの面内においてアレイ状に配列されて搭載又は形成されていると共に、前記部分連結部は、互いに対向するシール枠の対向側中心部に設けられていることを特徴とする請求項1記載のウエハレベルパッケージ。前記部分連結部の幅は、前記シール枠の幅と同じになっていることを特徴とする請求項2記載のウエハレベルパッケージ。前記部分連結部の幅は、少なくとも1μm以上であることを特徴とする請求項1,2又は3記載のウエハレベルパッケージ。前記部分連結部は、第1のウエハの面内に搭載又は形成されたチップのうち第1のウエハの外周部に搭載又は形成された各チップにおける前記シール枠のみの隙間に設けられていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のウエハレベルパッケージ。前記部分連結部は、第1のウエハの面内に搭載又は形成されたチップのうち第1のウエハの最外周に搭載又は形成された各チップにおける前記シール枠のみの隙間に設けられていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のウエハレベルパッケージ。面内に複数のチップが搭載又は形成された第1のウエハと該第1のウエハに対向する第2のウエハとを、各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合したウエハレベルパッケージを個片化したチップサイズパッケージデバイスにおいて、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間には隙間が形成されており、かつ互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部が形成されていると共に、上記第1のウエハと第2のウエハとを各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合した後、上記隙間及び部分連結部をダイシングして個片化されていることを特徴とするチップサイズパッケージデバイス。面内に複数のチップが搭載又は形成された第1のウエハと該第1のウエハに対向する第2のウエハとを、各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合したものを個片化するウエハレベルパッケージの製造方法において、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間に隙間を形成し、かつ互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部を有するようにシール枠を形成するシール枠形成工程と、上記第1のウエハと第2のウエハとを各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合した後、上記隙間及び部分連結部をダイシングして個片化するダイシング工程とを含んでいることを特徴とするウエハレベルパッケージの製造方法。しかしながら、上記従来の特許文献1に記載のウエハレベルパッケージ100では、ダイシングライン107がシールリング105に存在するため、ダイシング時に発生したクラックがシールリング105に残り、信頼性試験において劣化要因となるという問題点を有している。また、上記従来の特許文献2に記載のウエハレベルパッケージ200では、隣接するガスケット204204の間に隙間207が存在する。このため、ウェットプロセスや液体での浸漬洗浄においては、この隙間207に液体が浸入するので、ウェットプロセスや液体洗浄後に高温のプロセスを通すと、水等の液体が一気に蒸発してキャップウエハ201とデバイス202を搭載又は形成した基部ウエハ203とが剥離してしまうという問題点を有している。したがって、この問題を回避するためには100°Cで長時間ベークをしなければならず、作業時間の増大を招く。特許文献3に記載のウエハレベルパッケージでも同様である。本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、ダイシング時におけるシール枠のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ、チップサイズパッケージデバイス及びウエハレベルパッケージの製造方法を提供することにある。本発明のウエハレベルパッケージは、上記課題を解決するために、面内に複数のチップが搭載又は形成された第1のウエハと該第1のウエハに対向する第2のウエハとを備え、上記第1のウエハと第2のウエハとは各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合されているウエハレベルパッケージにおいて、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間には隙間が形成されていると共に、互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部が設けられていることを特徴としている。本発明のチップサイズパッケージデバイスは、上記課題を解決するために、面内に複数のチップが搭載又は形成された第1のウエハと該第1のウエハに対向する第2のウエハとを、各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合したウエハレベルパッケージを個片化したチップサイズパッケージデバイスにおいて、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間には隙間が形成されており、かつ互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部が形成されていると共に、上記第1のウエハと第2のウエハとを各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合した後、上記隙間及び部分連結部をダイシングして個片化されていることを特徴としている。本発明のウエハレベルパッケージの製造方法は、上記課題を解決するために、面内に複数のチップが搭載又は形成された第1のウエハと該第1のウエハに対向する第2のウエハとを、各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合したものを個片化するウエハレベルパッケージの製造方法において、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間に隙間を形成し、かつ互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部を有するようにシール枠を形成するシール枠形成工程と、上記第1のウエハと第2のウエハとを各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合した後、上記隙間及び部分連結部をダイシングして個片化するダイシング工程とを含んでいることを特徴としている。上記の発明によれば、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間には隙間が形成されている。このため、ダイシング工程にて個片化する場合には、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間に形成された隙間をダイシングすることができる。この結果、シール枠を直接的にダイシングするのではないので、シール枠にクラックが残らない。また、互いに隣接する各チップにおけるシール枠間の隙間が部分連結部にて塞がれている。このため、第1のウエハと第2のウエハとをシール枠を挟んで接合した状態においても、外部から水等の液体が浸入しない。この結果、第1のウエハと第2のウエハとをシール枠を挟んで接合した状態において、ウェットプロセスや液体洗浄を施し、かつその後に高温のプロセスを通しても、液体が一気に蒸発して接合ウエハが剥離するということがない。したがって、ダイシング時におけるシール枠のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ、チップサイズパッケージデバイス及びウエハレベルパッケージの製造方法を提供することができる。本発明のウエハレベルパッケージでは、前記複数のチップは、第1のウエハの面内においてアレイ状に配列されて搭載又は形成されていると共に、前記部分連結部は、互いに対向するシール枠の対向側中心部に設けられていることが好ましい。一般的に、異なる材料が積層されたデバイスでは、温度変化時における熱膨張係数の差によって応力が発生する。この応力はデバイスの中心から遠い場所程大きくなってしまうため、部分連結部を最もデバイスの中心に近い位置、すなわち、複数のチップが、第1のウエハの面内においてアレイ状に配列されて搭載又は形成されている場合には、部分連結部をシール枠におけるx方向y方向それぞれの中心部の位置に配置することによって、最も耐環境性が高くなる。この点、本発明では、部分連結部は、互いに対向するシール枠の対向側中心部に設けられているので、熱膨張時の熱応力が最も小さいところに部分連結部が設けられていることになる。したがって、熱膨張時において、部分連結部が破壊される可能性が最も小さくなる。また、本発明のように、部分連結部が、互いに対向するシール枠の対向側中心部に設けられていることによって、局所的に見た場合のシール枠の面積比が、ウエハ面内で均一化される。したがって、シール枠をレジストモールドでパターニングし、電解めっきにて形成する場合には、シール枠の対向側中心部に部分連結部を形成する方が、めっきの際の電束密度が均一化される。その結果、めっきの析出スピードがウエハ面内で均一になり、めっきの厚みばらつきが小さくなり、接合面間への封止材の回り込みを安定化することが可能となる。本発明のウエハレベルパッケージでは、前記部分連結部の幅は、前記シール枠の幅と同じにすることができる。すなわち、第1のウエハと第2のウエハとの接合面、詳細にはシール枠と第1のウエハ及び/又は第2のウエハとの接合面を接着剤にて接着する場合、接着剤が接合面に濡れ広がるときに、部分連結部のパターン幅とシール枠のパターン幅とに差があると表面張力の影響でパターン幅が大きい方へ接着剤が移動してしまう。この点、本発明では、部分連結部の幅はシール枠の幅と同じになっているので、部分連結部とシール枠との両方に安定して接着剤が濡れ広がった状態で接合することが可能となる。また、シール枠をモールドめっきにて形成する場合には、部分連結部の幅とシール枠の幅とを同じにすることによって、めっきの析出スピードが面内で均一になる。この結果、めっきの厚みばらつきが小さくなり、接合面間への封止材の回り込みを安定化することが可能となる。本発明のウエハレベルパッケージでは、前記部分連結部の幅は、少なくとも1μm以上であるとすることができる。すなわち、部分連結部を各シール枠の側面に1本とし、その幅を安定して接合可能な範囲でできるだけ小さくすることにより、ダイシングされる接合部の長さをより小さくすることができる。これにより、ダイシング時に発生する接合部のクラックを最小限に抑えることができ、高い信頼性を確保することができる。この観点からすると、部分連結部の幅の最小値は、エッチングにて形成可能であること及び接合時の位置合わせ精度の制約を考慮すると、少なくとも1μm以上であることが好ましい。本発明のウエハレベルパッケージでは、前記部分連結部は、第1のウエハの面内に搭載又は形成されたチップのうち第1のウエハの外周部に搭載又は形成された各チップにおける前記シール枠のみの隙間に設けられているとすることができる。尚、第1のウエハの外周部とは、具体的には、第1のウエハの最外周のチップからx方向y方向の両方で少なくとも3番目までのチップの周りに形成されたシール枠をいう。これにより、第1のウエハ及び第2のウエハの外周部においてのみシール枠の部分連結部を形成しておけば、第1のウエハ及び第2のウエハにおけるウエハ中央部のシール枠では、ダイシングラインを横断する部分連結部が存在しない。したがって、シール枠のクラックの発生を抑制することができる。本発明のウエハレベルパッケージでは、前記部分連結部は、第1のウエハの面内に搭載又は形成されたチップのうち第1のウエハの最外周に搭載又は形成された各チップにおける前記シール枠のみの隙間に設けられているとすることができる。これにより、部分連結部の形成を最小限にすることにより、シール枠にダイシングラインがかかるチップを最小限にすることができ、シール枠のクラックの発生をさらに抑制することができる。本発明のウエハレベルパッケージは、以上のように、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間には隙間が形成されていると共に、互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部が設けられているものである。また、本発明のチップサイズパッケージデバイスは、以上のように、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間には隙間が形成されており、かつ互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部が形成されていると共に、上記第1のウエハと第2のウエハとを各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合した後、上記隙間及び部分連結部をダイシングして個片化されているものである。さらに、本発明のウエハレベルパッケージの製造方法は、以上のように、互いに隣接する各チップにおけるシール枠同士の間に隙間を形成し、かつ互いに隣接する各チップのシール枠の隙間には、両シール枠を互いに部分的に連結する部分連結部を有するようにシール枠を形成するシール枠形成工程と、上記第1のウエハと第2のウエハとを各チップの周りを封止する枠状のシール枠を挟んで接合した後、上記隙間及び部分連結部をダイシングして個片化するダイシング工程とを含んでいる方法である。それゆえ、ダイシング時におけるシール枠のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ、チップサイズパッケージデバイス及びウエハレベルパッケージの製造方法を提供するという効果を奏する。実施の形態1本発明の一実施形態について図1~図6に基づいて説明すれば、以下のとおりである。最初に本実施の形態にて製造される個々のチップサイズパッケージデバイス10、及びウエハレベルパッケージ20Aの構造について、図1a~eに基づいて説明する。図1aはウエハレベルパッケージ20Aの要部構成を示す平面図であり、図1bはウエハレベルパッケージ20Aの要部構成を示す斜視図であり、図1cはダイシング直後のウエハレベルパッケージ20Aを、カバーウエハを省略して示す平面図であり、図1dはダイシング直後のウエハレベルパッケージ20Aを示す正面図であり、図1eは個片化されたチップサイズパッケージデバイス10の構成を示す斜視図である。尚、本明細書においては、ダイシング前の状態であるウエハレベルパッケージングされた接合ウエハを、ウエハレベルパッケージと称している。また、ウエハレベルパッケージをダイシングして個片化した状態のものをチップサイズパッケージデバイスと称している。本実施の形態のウエハレベルパッケージの製造方法にて製造される個々のチップサイズパッケージデバイス10は、図1c~eに示すように、チップとしての半導体チップ1を搭載又は形成した基部2と、その上を覆うカバー部3とを、各半導体チップ1の周りを封止する枠状のシール枠4を挟んで接着剤5にて接合されたものからなっている。上記チップとしての半導体チップ1は、本発明においては必ずしもこれに限らず、マイクロエレクトロメカニカルシステムMEMS構造のデバイス又は電子回路等のチップであればよい。また、上記半導体チップ1とシール枠4との間は、半導体チップ1が気密封止されるものであれば、完全な真空であっても、不活性気体又は他の樹脂等の物質に満たされたものであってもよい。上記接着剤5は、許容し得る接着性、封止力、密封性、及び外部環境から半導体チップ1がダメージを受けないことを保証するものであれば足りる。したがって、接着剤5は、導電性又は非導電性のいずれでもでもよい。また、接着剤5は、本実施の形態では、シール枠4とカバー部用ウエハ23との間に接着剤5を配置又は形成しているが、必ずしもこれに限らず、シール枠4をカバー部用ウエハ23側に形成し、シール枠4と基部用ウエハ22との間に接着剤5を配置又は形成して接合してもよい。また、シール枠4と基部用ウエハ22との間、及びシール枠4とカバー部用ウエハ23との両方に接着剤5を配置又は形成してもよい。尚、上記形態の接着剤5は、シール枠4を個別の部品として設けた場合だけではなく、後述するように、シール枠4を基部用ウエハ22又はカバー部用ウエハ23から削り出して形成した場合についても適用できる。また、接着剤5の配置又は形成方法について、接着剤5は、樹脂等の液体を塗布して形成することもあるが、金属を蒸着することにより接着させることも可能である。上記のチップサイズパッケージデバイス10は、製造されるときには、図1abに示すように、面内に複数の半導体チップ1...が搭載又は形成された第1のウエハとしての基部用ウエハ22とその基部用ウエハ22に対向する第2のウエハとしてのカバー部用ウエハ23とが、各半導体チップ1の周りを封止するシール枠4を挟んで接合されたウエハレベルパッケージ20Aとなっている。上記複数の半導体チップ1は、基部用ウエハ22の面内においてアレイ状に配列されて搭載又は形成されている。具体的には、正方格子状に複数設けられている。ここで、基部用ウエハ22及びカバー部用ウエハ23は、シリコン製のものからなっている。ただし、本発明においては、必ずしもこれに限らず、基部用ウエハ22及びカバー部用ウエハ23がガラス、セラミック又は他の半導体材料からなっていてもよい。シール枠4は、例えば、モールドによる金属めっきにて形成されている。ただし、必ずしも金属めっきに限らず、シール枠4は、樹脂等の他の材料であってよく、又は図2に示すように、例えば、基部用ウエハ22の表面を削り出して凹部にした後、金属成膜モールドめっき等及び接着剤5を成膜して形成したものであってもよい。また、シール枠4は、本実施の形態では四角枠となっている。ただし、シール枠4は、各半導体チップ1の周りを封止する枠状のものであれば、その枠形状はいずれの形状かを問わない。例えば、三角形、五角形等の多角形の枠や円、楕円の枠等でもよい。ここで、本実施の形態では、隣接するシール枠44の間には、図1aに示すように、隙間24が形成されている。この結果、図1cに示すように、この隙間24の略中央をダイシングライン25としてダイシングすることによって、ダイシング時のシール枠4におけるクラックの発生を防止することができる。また、本実施の形態では、互いに隣接する各半導体チップ1のシール枠44の隙間24には、両シール枠44を互いに部分的に連結する部分連結部26が設けられている。この結果、隙間24は、シール枠44及び部分連結部26に囲まれた密閉空間となっている。それゆえ、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23とをシール枠4を挟んで接合した状態においても、外部から水等の液体が浸入しない。この結果、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23とをシール枠4を挟んで接合した状態において、ウェットプロセスや液体洗浄を施し、かつその後に例えば100°C以上の高温のプロセスを通しても、液体が一気に蒸発して接合された基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23が剥離するということがない。したがって、ダイシング時におけるシール枠4のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ20Aを提供することができる。ここで、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aでは、図1aに示すように、複数の半導体チップ1が、基部用ウエハ22の面内においてアレイ状に配列されて搭載又は形成されている場合において、部分連結部26は、互いに対向するシール枠4の対向側中心部に設けられていることが好ましい。すなわち、一般的に、異なる材料が積層されたデバイスでは、温度変化時における熱膨張係数の差によって応力が発生する。この応力はデバイスの中心から遠い場所程大きくなってしまうため、部分連結部26を最もデバイスの中心に近い位置、つまり、複数の半導体チップ1が基部用ウエハ22の面内においてアレイ状に配列されて搭載又は形成されている場合には、部分連結部26をシール枠4におけるx方向y方向それぞれの中心部の位置に配置することによって、最も耐環境性が高くなる。この点、本実施の形態では、部分連結部26は、互いに対向するシール枠4の対向側中心部に設けられているので、熱膨張時の熱応力が最も小さいところに部分連結部26が設けられていることになる。したがって、熱膨張時において、部分連結部26が破壊される可能性が最も小さくなる。また、本実施の形態のように、シール枠4をモールドめっきにて形成する場合には、部分連結部26が、互いに対向するシール枠4の対向側中心部に設けられていることによって、各部分連結部26の面積比が均一化する。その理由は、シール枠4をモールドめっきにて形成する場合には、シール枠4の対向側中心部に部分連結部26を形成する方がめっきの析出スピードが面内で均一になるためである。その結果、めっきの厚みばらつきが小さくなり、接合面間への封止材の回り込みを安定化することが可能となる。ここで、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aでは、図3に示すように、部分連結部26の幅としてのパターン幅Cは、シール枠4の幅としてのパターン幅Sと同じにすることができる。すなわち、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23との接合面、詳細にはシール枠4とカバー部用ウエハ23との接合面を接着剤5にて接着する場合、接着剤5が接合面に濡れ広がるときに、部分連結部26のパターン幅Cとシール枠4のパターン幅Sとに差があると表面張力の影響でパターン幅の大きい方へ接着剤5が移動してしまう。具体的には、図4aに示すように、部分連結部26のパターン幅Cがシール枠4のパターン幅Sよりも小さいときには、部分連結部26に塗布された接着剤5はシール枠4側に移動し、部分連結部26における接着剤5の濡れ面積が小さくなる。このため、部分連結部26の密封性が容易に破壊される虞がある。一方、図4bに示すように、部分連結部26のパターン幅Cがシール枠4のパターン幅Sよりも大きいときには、シール枠4に塗布された接着剤5は部分連結部26側に移動し、シール枠4における接着剤5の濡れ面積が小さくなる。この結果、シール枠4の密封性が不十分となる虞がある。この点、部分連結部26のパターン幅Cをシール枠4のパターン幅Sと同じにすることによって、部分連結部26とシール枠4との両方に安定して接着剤5が濡れ広がった状態で接合することが可能となる。また、シール枠4をモールドめっきにて形成する場合には、部分連結部26のパターン幅Cとシール枠4のパターン幅Sとを同じにすることによって、めっきの析出スピードが面内で均一になる。この結果、めっきの厚みばらつきが小さくなり、接合面間への封止材、つまりシール枠4とそこに接着されるカバー側との間に濡れ広がって封止する接着剤5の回り込みを安定化することが可能となる。また、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aでは、図5に示すように、部分連結部26のパターン幅Cは、少なくとも1μm以上となっている。すなわち、部分連結部26を各シール枠4の側面に1本とし、その部分連結部26のパターン幅Cを安定して接合可能な範囲でできるだけ小さくすることにより、ダイシングされる接合部の長さをより小さくすることができる。これにより、ダイシング時に発生する接合部のクラックを最小限に抑えることができ、高い信頼性を確保することができる。この観点からすると、部分連結部26のパターン幅Cの最小値は、エッチングにて形成可能であること及び接合時の位置合わせ精度の制約を考慮すると、少なくとも1μm以上であることが好ましい。次に、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aの製造方法について、以下に説明する。まず、図1abに示すように、基部用ウエハ22の面内に複数の半導体チップ1をアレイ状に搭載又は形成する。次いで、シール枠形成工程としてのシール枠形成工程において、各半導体チップ1の周りを封止する枠状のシール枠4を例えばモールドめっきにより形成する。このとき、各半導体チップ1におけるシール枠4同士の間に隙間24を形成する。そして、隙間24には、両シール枠44を互いに部分的に連結する部分連結部26を有するようにシール枠4を形成する。次いで、図1bdに示すように、シール枠4に接着剤5を配置又は形成し、位置合わせをした後、カバー部用ウエハ23を被せる。その後、図1cdに示すように、ダイシング工程にてシール枠44の隙間24をダイシングライン25にてダイシング個片化する。これにより、図1eに示すように、個々のパッケージに細分化されたチップサイズパッケージデバイス10が完成する。このように、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aは、面内に複数の半導体チップ1が搭載又は形成された基部用ウエハ22と該基部用ウエハ22に対向するカバー部用ウエハ23とを備え、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23とは各半導体チップ1の周りを封止する枠状のシール枠4を挟んで接合されている。そして、互いに隣接する各半導体チップ1におけるシール枠4同士の間には隙間24が形成されていると共に、互いに隣接する各半導体チップ1のシール枠4の隙間24には、両シール枠4を互いに部分的に連結する部分連結部26が設けられている。これにより、ダイシング工程にて個片化する場合には、互いに隣接する各半導体チップ1におけるシール枠44同士の間に形成された隙間24をダイシングすることができる。この結果、シール枠4を直接的にダイシングするのではないので、シール枠4にクラックが残らない。また、互いに隣接する各半導体チップ1におけるシール枠4間の隙間24が部分連結部26にて塞がれている。この結果、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23とをシール枠4を挟んで接合した状態において、ウェットプロセスや液体洗浄を施し、かつその後に高温のプロセスを通しても、液体が一気に蒸発して接合ウエハが剥離するということがない。したがって、ダイシング時におけるシール枠4のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ20Aを提供することができる。尚、波及効果として、ウエハの外周にプロテクトリングを形成する場合に比べて、ウエハ1枚当たりのチップサイズパッケージデバイス10の取数が多くなる。また、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23との接合状態において外周の隙間を塞がなくてもウェットプロセスや洗浄と高温のプロセスの処理が可能になる。また、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aでは、複数の半導体チップ1は、基部用ウエハ22の面内においてアレイ状に配列されて搭載又は形成されていると共に、部分連結部26は、互いに対向するシール枠4の対向側中心部に設けられている。これにより、熱膨張時の熱応力が最も小さいところに部分連結部26が設けられていることになるので、熱膨張時において、部分連結部26が破壊される可能性が最も小さくなる。また、本実施の形態のように、部分連結部26が、互いに対向するシール枠4の対向側中心部に設けられていることによって、局所的に見た場合のシール枠4の面積比が、ウエハ面内で均一化される。したがって、図6abに示すように、シール枠4をレジストモールドRでパターニングし、電解めっきにて形成する場合には、シール枠4の対向側中心部に部分連結部26を形成する方が、電解めっきの際の電束密度が均一化される。その結果、電解めっきの析出スピードがウエハ面内で均一になり、めっきの厚みばらつきが小さくなり、接合面間への封止材の回り込みを安定化することが可能となる。詳述すると、図6abに示すように、電解めっきでは、めっき液中の金属イオンが電界で基部用ウエハ22のウエハ表面に引っ張られ、表面を成膜する。電気力線Eは、電気が流れる場所レジストモールドRが無く、シードメタルSMがむき出しの場所に集中して流れる。この結果、図6cdに示すように、パターンが疎な部分では電束密度が密になり、パターンが密な部分では電束密度が疎になるため、パターンに疎密の差があると、単位面積単位時間あたりに成膜されるメタルの量めっきの析出スピードが異なってしまう。そこで、前述したように、部分連結部26が、互いに対向するシール枠4の対向側中心部に設けられていることによって、局所的に見た場合のシール枠4の面積比が、ウエハ面内で均一化され、電解めっきの析出スピードがウエハ面内で均一になり、めっきの厚みばらつきが小さくなり、接合面間への封止材の回り込みを安定化することが可能となる。また、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aでは、部分連結部26のパターン幅Cは、シール枠4のパターン幅Sと同じにすることができる。これにより、シール枠4と部分連結部26との両方に安定して接着剤5が濡れ広がった状態で接合することが可能となる。また、シール枠4をモールドめっきにて形成する場合には、めっきの厚みばらつきが小さくなり、接合面間への封止材の回り込みを安定化することが可能となる。また、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aでは、部分連結部26のパターン幅Cは、少なくとも1μm以上であるとすることができる。これにより、ダイシング時に発生する接合部のクラックを最小限に抑えることができ、高い信頼性を確保することができる。また、本実施の形態のチップサイズパッケージデバイス10は、面内に複数の半導体チップ1が搭載又は形成された基部用ウエハ22と該基部用ウエハ22に対向するカバー部用ウエハ23とを、各半導体チップ1の周りを封止する枠状のシール枠4を挟んで接合したウエハレベルパッケージ20Aを個片化したものである。そして、互いに隣接する各半導体チップ1におけるシール枠44同士の間には隙間24が形成されており、かつ互いに隣接する各半導体チップ1のシール枠4の隙間24には、両シール枠44を互いに部分的に連結する部分連結部26が形成されていると共に、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23とを各半導体チップ1の周りを封止する枠状のシール枠4を挟んで接合した後、隙間24及び部分連結部26をダイシングして個片化されている。また、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Aの製造方法は、面内に複数の半導体チップ1が搭載又は形成された基部用ウエハ22と該基部用ウエハ22に対向するカバー部用ウエハ23とを、各半導体チップ1の周りを封止する枠状のシール枠4を挟んで接合したものを個片化する。その際、互いに隣接する各半導体チップ1におけるシール枠4同士の間に隙間24を形成し、かつ互いに隣接する各半導体チップ1のシール枠4の隙間24には、両シール枠44を互いに部分的に連結する部分連結部26を有するようにシール枠4を形成するシール枠形成工程と、基部用ウエハ22とカバー部用ウエハ23とを各半導体チップ1の周りを封止する枠状のシール枠4を挟んで接合した後、隙間及び部分連結部26をダイシングして個片化するダイシング工程とを含んでいる。これにより、ダイシング時におけるシール枠4のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ20A、チップサイズパッケージデバイス10及びウエハレベルパッケージ20Aの製造方法を提供することができる。実施の形態2本発明の他の実施の形態について図7及び図8に基づいて説明すれば、以下のとおりである。尚、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。前記実施の形態1のウエハレベルパッケージ20Aでは、図1bに示すように、全ての半導体チップ1の周りにおけるシール枠4に部分連結部26が形成されていた。しかし、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Bは、図7abcに示すように、基部用ウエハ22の外周部のシール枠4のみに部分連結部26が形成されている点が異なっている。すなわち、本実施の形態のウエハレベルパッケージ20Bでは、図7abに示すように、基部用ウエハ22の外周部OUTERに搭載又は形成された半導体チップ1のシール枠4には、部分連結部26がシール枠4の中央に形成されている。一方、図7acに示すように、基部用ウエハ22の中央部INNERに搭載又は形成された半導体チップ1のシール枠4には、部分連結部26が形成されていない。尚、基部用ウエハ22の外周部OUTERにおける半導体チップ1のシール枠4とは、具体的には、基部用ウエハ22の最外周の半導体チップ1からx方向y方向の両方で少なくとも3番目までの半導体チップ1の周りに形成されたシール枠4とするのが好ましい。これにより、基部用ウエハ22及びカバー部用ウエハ23の外周部OUTERにおいてのみシール枠4の部分連結部26を形成しておけば、基部用ウエハ22及びカバー部用ウエハ23における中央部INNERのシール枠4では、ダイシングラインを横断する部分連結部26が存在しない。したがって、シール枠4のクラックの発生を抑制することができる。尚、上記の説明では、シール枠4の隙間24に形成された部分連結部26が存在するのは、基部用ウエハ22の外周部OUTERのみであるとして説明した。しかし、必ずしもこれに限らず、例えば、図8abに示すように、部分連結部26は、第1のウエハとしての基部用ウエハ22の面内に搭載又は形成された半導体チップ1のうち基部用ウエハ22の最外周に搭載又は形成された各半導体チップ1におけるシール枠4のみの隙間24に設けられているとすることができる。これにより、部分連結部26の形成を最小限にすることにより、シール枠4に前記ダイシングライン25がかかる半導体チップ1を最小限にすることができ、シール枠4のクラックの発生をさらに抑制することができる。尚、このように考えると、前述した基部用ウエハ22及びカバー部用ウエハ23の外周部OUTERにおいてのみシール枠4の部分連結部26を形成する意義がないようにも思える。しかしなながら、部分連結部26を基部用ウエハ22の最外周に搭載又は形成された各半導体チップ1におけるシール枠4のみの隙間24に設けられているとした場合には、ダイシングにおけるシール枠4のクラックの発生により、シール性が破壊される虞がある。この点、前述した基部用ウエハ22及びカバー部用ウエハ23の外周部OUTERにおいてのみシール枠4の部分連結部26を形成しておけば、そのようなことがあっても、ウエハの中央部INNERのシール性が破壊されることはない。尚、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。"