"Aグリシジルエーテル化合物とB酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤とを含み、かつAグリシジルエーテル化合物が分子内に炭素-塩素結合を含む化合物を実質的に含まないことを特徴とするLED封止材用エポキシ樹脂組成物。前記分子内に炭素-塩素結合を含む化合物が分子内に以下の末端基のいずれか一方又は両方を有する化合物である請求項1に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。前記Aグリシジルエーテル化合物のエポキシ当量が90~1000g/当量である請求項1又は2に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。前記Aグリシジルエーテル化合物が、炭素数が4~20の多価アルコールの多価グリシジルエーテルである請求項1~3のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。前記Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、B成分の酸無水物硬化剤が30~200質量部の割合で配合されている請求項1~4のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。前記Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、B成分のカチオン重合開始剤が001~5質量部の割合で配合されている請求項1~4のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。C脂環式エポキシ化合物をさらに含む請求項1~4のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、C脂環式エポキシ化合物が1~400質量部、Aグリシジルエーテル化合物とC脂環式エポキシ化合物の総和100質量部に対し、B成分の酸無水物硬化剤が30~200質量部の割合で配合されている請求項7に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、C脂環式エポキシ化合物が1~400質量部、Aグリシジルエーテル化合物とC脂環式エポキシ化合物の総和100質量部に対し、B成分のカチオン重合開始剤が001~5質量部の割合で配合されている請求項7に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。酸無水物硬化剤が、飽和脂環式酸無水物である、請求項1~5及び7~8のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。カチオン重合開始剤が、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩である、請求項1~4、6~7及び9のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。フェノール系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤からなる群から選択される酸化防止剤をさらに含む、請求項1~11のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。請求項1~12のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物で封止されたLED装置。請求項1~12のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物を用いてLEDチップを封止する工程を有するLED装置の製造方法。アリルエーテル化合物のアリル基の炭素-炭素二重結合を酸化剤により酸化して対応するAグリシジルエーテル化合物を製造する工程と、前記Aグリシジルエーテル化合物とB酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤とを混合しエポキシ樹脂組成物を調製する工程と、前記エポキシ樹脂組成物を用いてLEDチップを封止する工程と、を有するLED装置の製造方法。本発明は、透明で耐光性及び耐熱黄変性に優れたLED封止材用エポキシ樹脂組成物、その組成物で封止されたLED装置及びその製造方法を提供しようとするものである。本発明者は前記課題について鋭意検討した結果、エピクロルヒドリンを使用しない方法で製造したエポキシ化合物を含む樹脂組成物を封止材として用いることにより耐光性及び耐熱黄変性が改良されることを見出し本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下のLED封止材用エポキシ樹脂組成物、LED装置及びその製造方法に関する。[1]Aグリシジルエーテル化合物とB酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤とを含み、かつAグリシジルエーテル化合物が分子内に炭素-塩素結合を含む化合物を実質的に含まないことを特徴とするLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[2]前記分子内に炭素-塩素結合を含む化合物が分子内に以下の末端基のいずれか一方又は両方を有する化合物である[1]に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[3]前記Aグリシジルエーテル化合物のエポキシ当量が90~1000g/当量である[1]又は[2]に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[4]前記Aグリシジルエーテル化合物が、炭素数が4~20の多価アルコールの多価グリシジルエーテルである[1]~[3]のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[5]前記Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、B成分の酸無水物硬化剤が30~200質量部の割合で配合されている[1]~[4]のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[6]前記Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、B成分のカチオン重合開始剤が001~5質量部の割合で配合されている[1]~[4]のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[7]C脂環式エポキシ化合物をさらに含む[1]~[4]のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[8]グリシジルエーテル化合物100質量部に対し、C脂環式エポキシ化合物が1~400質量部、Aグリシジルエーテル化合物とC脂環式エポキシ化合物の総和100質量部に対し、B成分の酸無水物硬化剤が30~200質量部の割合で配合されている[7]に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[9]Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、C脂環式エポキシ化合物が1~400質量部、Aグリシジルエーテル化合物とC脂環式エポキシ化合物の総和100質量部に対し、B成分のカチオン重合開始剤が001~5質量部の割合で配合されている[7]に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[10]酸無水物硬化剤が、飽和脂環式酸無水物である、[1]~[5]及び[7]~[8]のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[11]カチオン重合開始剤が、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩である、[1]~[4]、[6]~[7]及び[9]のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[12]フェノール系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤からなる群から選択される酸化防止剤をさらに含む、[1]~[11]のいずれか1項に記載のLED封止材用エポキシ樹脂組成物。[13][1]~[12]のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物で封止されたLED装置。[14][1]~[12]のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物を用いてLEDチップを封止する工程を有するLED装置の製造方法。[15]アリルエーテル化合物のアリル基の炭素-炭素二重結合を酸化剤により酸化して対応するAグリシジルエーテル化合物を製造する工程と、前記Aグリシジルエーテル化合物とB酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤とを混合しエポキシ樹脂組成物を調製する工程と、前記エポキシ樹脂組成物を用いてLEDチップを封止する工程と、を有するLED装置の製造方法。本発明のエポキシ樹脂組成物によれば、従来のエピクロルヒドリンを用いて製造されたエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物に比べてその硬化物の耐光性及び耐熱黄変性が著しく改良される。そのため、短波長でかつ高出力なLED装置の封止材として特に好適に適用できる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明のエポキシ樹脂組成物は、Aグリシジルエーテル化合物とB酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤とを含み、かつAグリシジルエーテル化合物が分子内に炭素-塩素結合を含む化合物を実質的に含まないことを特徴とする。Aグリシジルエーテル化合物本発明のエポキシ樹脂組成物中に含まれるグリシジルエーテル化合物は本質的に分子内に炭素-塩素結合を含まない。前述したとおり、従来のエポキシ樹脂組成物で使用されているグリシジルエーテル化合物は、主として脂肪族アルコールやフェノールとエピクロルヒドリンとの縮合反応により製造されているが、その際に以下のような分子内に炭素-塩素結合を含む末端基を有する化合物が副生物として生成する。これらの副生物の分離、除去には非常に手間がかかり、完全に除去することは極めて困難である。これらの副生物が混入したエポキシ樹脂組成物を用いると、その硬化物は耐光性及び/又は耐熱黄変性に劣るため、その硬化物により封止されたLED装置の発光輝度が顕著に低下することがわかった。本発明では、これらの副生物が本質的に生成しない製造方法により製造したグリシジルエーテル化合物を用いることにより耐光性及び耐熱黄変性を改良することができた。本発明において、分子内に炭素-塩素結合を含む化合物を実質的に含まないとは、マススペクトルにおいて炭素-塩素結合を含む化合物及びそのフラグメントに対応するピークが認められないことを意味する。すなわち、グリシジルエーテル化合物のマススペクトルにおいて、脂肪族アルコールやフェノールを原料として用いたエピクロルヒドリン法でグリシジルエーテル化合物を製造する際に副生する炭素-塩素結合を含む化合物及びそのフラグメント等に対応するピークが認められないことを意味する。本発明で使用する、上記副生物を生成しないグリシジルエーテル化合物の製造方法としては、アリルエーテル化合物のアリル基の炭素-炭素二重結合を酸化剤により酸化する方法が挙げられ、より具体的には例えば以下のような方法で製造することができる。1アリルエーテル化合物の炭素-炭素二重結合を過酸過酢酸等を酸化剤として用いて酸化する方法例えば特開平7-145221号公報など2アリルエーテル化合物の炭素-炭素二重結合を過酸化水素より具体的には過酸化水素水溶液を酸化剤として、タングステンやゼオライトのような触媒を用いて酸化する方法例えば特開昭60-60123号公報など3アリルエーテル化合物の炭素-炭素二重結合を過酸化水素より具体的には過酸化水素水溶液を酸化剤として用いてアセトニトリルの共存下塩基性雰囲気で酸化する方法例えば特開昭59-227872号公報など上記方法により得られるグリシジルエーテル化合物は、必要に応じて蒸留や吸着剤処理によって精製して用いることが好ましい。本発明において用いられるグリシジルエーテル化合物は固体であっても液体であってもよい。グリシジルエーテル化合物のエポキシ当量は90~1000g/当量の範囲であることが好ましく、エポキシ当量が110~800g/当量の範囲であることがより好ましい。エポキシ当量が90g/当量未満であると、LEDを封止した時の熱衝撃に対する抵抗力が減少する。また、1000g/当量を越えると、加熱溶融させた時の粘度が非常に高く、取り扱い性が悪くなる。また、本発明において用いられるグリシジルエーテル化合物は、炭素数が4~20である多価アルコールの多価アリルエーテル多価アルコールのヒドロキシル基の少なくとも2つがアリルオキシ基に置換されたものであり、一部のヒドロキシル基が残存するものを含むの炭素-炭素二重結合を酸化剤によりエポキシ化して得られる、炭素数が4~20の多価アルコールの多価グリシジルエーテルを用いることが好ましい。このようなグリシジルエーテルとしては、14ブタンジオールジグリシジルエーテル、16ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、18オクタンジオールジグリシジルエーテル、19ノナンジオールジグリシジルエーテル、110デカンジオールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、トリシクロデカンジメタノールジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールトリグリシジルエーテル等がある。これらの中でも、14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、トリシクロデカンジメタノールジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテルなどの飽和脂環式骨格を持ったものが耐光性及び耐熱黄変性の点で特に好ましい。B酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記Aグリシジルエーテル化合物と反応させて硬化物を形成するための酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤を含む。酸無水物硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の芳香族酸無水物類、無水テトラヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルヘキサヒドロフタル酸、無水メチルエンドエチレンテトラヒドロフタル酸、無水トリアルキルテトラヒドロフタル酸等の環状脂肪族環状の脂肪族のものであって飽和、不飽和のものを含む酸無水物が挙げられる。これらの中で、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルヘキサヒドロフタル酸などの飽和脂環式環状の飽和脂肪族のもの酸無水物を使用することが、本発明のエポキシ樹脂組成物の耐光性が向上する点で好ましい。酸無水物硬化剤の使用量は、前記A成分前記A成分以外に後述のC成分を含む場合は両成分の総和100質量部に対し、30~200質量部の範囲である。カチオン重合開始剤としては、活性エネルギー線によりカチオン種又はルイス酸を発生する活性エネルギー線カチオン重合開始剤、又は熱によりカチオン種又はルイス酸を発生する熱カチオン重合開始剤を用いることができる。これらの開始剤の代表的なものとしては、下記一般式2で示される陽イオンと陰イオンの塩を挙げることができる。上記一般式2において、陽イオン[A]mはオニウムイオンであることが好ましく、例えば、下記一般式3で示される。αは炭素数が1~60であり、炭素原子以外の原子を1以上含んでもよい有機基である。aは1~5の整数である。a個のαは各々独立で、同一でも異なっていてもよい。また、少なくとも1つのαは、芳香環を有する有機基であることが好ましい。QはS、N、Se、Te、P、As、Sb、Bi、O、I、Br、Cl、F、及びN=Nからなる群から選ばれる原子あるいは原子団である。また、陽イオン[A]m中のQの原子価をqとしたとき、m=a-qである但し、N=Nは原子価0として扱う。一方、陰イオン[B]mは、ハロゲン化物錯体であるのが好ましく、例えば、下記一般式4で示される。Lはハロゲン化物錯体の中心原子である金属又は半金属Metalloidであり、B、P、As、Sb、Fe、Sn、Bi、Al、Ca、In、Ti、Zn、Sc、V、Cr、Mn、Co等である。Xはハロゲン原子である。bは3~7の整数である。また、陰イオン[B]m中のLの原子価をpとしたとき、m=b-pである。上記一般式4で示される陰イオン[LXb]mには、テトラフルオロボレートBF4、ヘキサフルオロホスフェートPF6、ヘキサフルオロアンチモネートSbF6、ヘキサフルオロアルセネートAsF6、ヘキサクロロアンチモネートSbCl6等が挙げられる。また陰イオン[B]mは、下記一般式5で示されるものも好ましく用いることができる。L、X、bは上記と同様である。陰イオン[B]mには、さらに過塩素酸イオンClO4、トリフルオロメチル亜硫酸イオンCF3SO3、フルオロスルホン酸イオンFSO3、トルエンスルホン酸イオン、トリニトロベンゼンスルホン酸イオン等が挙げられる。本発明におけるカチオン重合開始剤は、このようなオニウム塩の中でも、下記のイ~ニに例示される芳香族オニウム塩であることがさらに好ましい。これらの中から、その1種を単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。イフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、4-メトキシフェニルジアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-メチルフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート等のアリールジアゾニウム塩ロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ4-メチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等のジアリールヨードニウム塩ハトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル-4-チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル-4-チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4,4’-ビスジフェニルスルホニオフェニルスルフィド-ビス-ヘキサフルオロアンチモネート、4,4’-ビスジフェニルスルホニオフェニルスルフィド-ビス-ヘキサフルオロホスフェート、4,4’-ビス[ジβ-ヒドロキシエトキシフェニルスルホニオ]フェニルスルフィド-ビス-ヘキサフルオロアンチモネート、4,4’-ビス[ジβ-ヒドロキシエトキシフェニルスルホニオ]フェニルスルフィド-ビス-ヘキサフルオロホスフェート、4-[4’-ベンゾイルフェニルチオ]フェニル-ジ-4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4-[4’-ベンゾイルフェニルチオ]フェニル-ジ-4-フルオロフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等のトリアリールスルホニウム塩ニエチルトリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、及びテトラブチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のホスホニウム塩。さらに、本発明におけるカチオン重合開始剤は、鉄アレーン錯体又はアルミニウム錯体と、トリフェニルシラノール等のシラノール類との混合物であってもよい。鉄アレーン錯体には、η5-2,4-シクロペンタジエン-1-イル1,2,3,4,5,6-η-1-メチルエチルベンゼン-アイアン-ヘキサフルオロホスフェート等が含まれ、アルミニウム錯体の例には、トリスアセチルアセトナトアルミニウム、トリスエチルアセトナトアセタトアルミニウム、トリスサリチルアルデヒダトアルミニウム等が挙げられる。これらの塩のいくつかは、光カチオン重合開始剤として、FX-5123M社、UVR-6990及びUVR-6974ユニオンカーバイドUnionCarbide社、UVE-1014及びUVE-1016ゼネラルエレクトリックGeneralElectric社、KI-85デグッサDegussa社、SP-150及びSP-170旭電化社並びにサンエイドSI-60L、SI-80L及びSI-100L三新化学工業社の商品名で入手できる。熱カチオン重合開始剤としては、トリフルオロメタンスルホン酸Triflicacid塩、三弗化硼素エーテル錯化合物、三弗化硼素等のようなカチオン系又はプロトン酸触媒が用いることができる。好ましい熱カチオン重合開始剤としては、トリフルオロメタンスルホン酸塩であり、例としては、3M社からFC-520として入手できるトリフルオロメタンスルホン酸ジエチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリエチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジイソプロピルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸エチルジイソプロピルアンモニウム等がある。また一方、活性エネルギー線カチオン重合開始剤としても用いられる芳香族オニウム塩のうち、熱によりカチオン種を発生するものがあり、これらも熱カチオン重合開始剤として用いることができる。例としては、サンエイドSI-60L、SI-80L及びSI-100L三新化学工業社がある。これらの活性エネルギー線重合開始剤及び熱カチオン重合開始剤の中で、オニウム塩が、取り扱い性と潜在性のバランス、及び硬化性に優れるという点で好ましく、その中で、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ジアゾニウム塩及びホスホニウム塩が取り扱い性と潜在性のバランスに優れるという点で特に好ましい。カチオン重合開始剤の使用量は、前記A成分前記A成分以外に後述のC成分を含む場合は両成分の総和100質量部に対し、0.01~5質量部の範囲、より好ましくは0.02~3質量部の範囲である。上記範囲を外れると、エポキシ樹脂硬化物の耐熱性及び耐湿性のバランスが悪くなるため好ましくない。本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記Aグリシジルエーテル化合物、B酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤の他に以下に記載の任意成分を含むことができる。前記Aグリシジルエーテル化合物以外の樹脂成分として、C脂環式エポキシ化合物を併用すると、エポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を向上させることができるため好ましい。本発明において脂環式エポキシ化合物とは、脂環骨格を構成する隣接する2つの炭素原子と酸素原子により形成されたオキシラン環を含む化合物であり、脂環式オレフィン化合物脂環骨格に炭素-炭素二重結合を有する化合物の炭素-炭素二重結合をエポキシ化することにより得られるものを用いることが好ましい。この方法により得られる脂環式エポキシ化合物は分子内に炭素-塩素結合を実質的に含まない。脂環式エポキシ化合物は分子内に塩素原子以外の原子、例えば、酸素原子、窒素原子等を含んでもよい。脂環式エポキシ化合物の具体例としては、次の化学式6で表される化合物例えば、ダイセル化学社製、セロキサイド2021など、次の一般式7で表される化合物、式中、R1は炭素数2~10の炭化水素基である。次の一般式8で表される化合物、式中、R2は炭素数2~10の炭化水素基である。次の化学式9で表される化合物、次の化学式10で表される化合物例えば、ダイセル化学社製、セロキサイド3000など次の一般式11で表される化合物例えば、ダイセル化学社製、EHPE3150など式中、R3は炭素数2~10の炭化水素基であり、nは3~50の整数である。等が挙げられる。これらの中で、化学式6で示される、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3’,4’-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート及び化学式11で示される、EHPE3150などの固形の脂環式エポキシ化合物が、原料入手の容易さ、及び本発明のエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度向上の改良効果に優れるという点でより好ましい。また、脂環式エポキシ化合物の使用割合については、Aグリシジルエーテル化合物100質量部に対し、C成分の脂環式エポキシ化合物が1~400質量部の範囲であり、より好ましくは5~200質量部の範囲である。脂環式エポキシ化合物が400質量部を越えると硬化物が脆くなり、封止材中にクラックが入りやすくなるため好ましくない。本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は40~250°Cが好ましく、特に好ましいのは50~200°Cの範囲である。ガラス転移温度が40°C未満であると、LED点灯時温度が上昇し、その雰囲気下で封止材が劣化、着色し、発光輝度が低下するため好ましくない。また、250°Cを越えると硬化物は非常に脆くなり、冷熱サイクルでクラックを生じやすくなるため好ましくない。本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は、熱機械分析装置TMAを用い、5°C/分で昇温した時に測定される線膨張率の変化から求めることができる。硬化を促進する目的で、本発明のエポキシ樹脂組成物にD硬化促進剤を配合することができる。硬化促進剤の例としては、3級アミン類、イミダゾール類、有機ホスフィン化合物類又はこれらの塩類、テトラ置換ホスホニウムブロマイド例えばサンアプロ株製U-CAT5003、オクチル酸亜鉛、オクチル酸スズ等の金属石鹸類が挙げられる。硬化促進剤の配合量はエポキシ樹脂組成物100質量部に対して0.01~5質量部である。上記成分C、D以外にも本発明のエポキシ樹脂組成物には必要に応じて以下の成分を添加配合することができる。1粉末状の補強材や充填材、例えば酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物、微粉末シリカ、溶融シリカ、結晶シリカなどのケイ素化合物、ガラスビーズ等の透明フィラー、水酸化アルミニウムなどの金属水酸化物、その他、カオリン、マイカ、石英粉末、グラファイト、二硫化モリブデン等。これらの補強材や充填材は本発明のエポキシ樹脂組成物100質量部に対して、10~200質量部配合される。2着色剤又は顔料、例えば二酸化チタン、モリブデン赤、紺青、群青、カドミウム黄、カドミウム赤等3難燃剤、例えば、三酸化アンチモン、臭素化合物及びリン化合物等4イオン吸着体5カップリング剤6酸化防止剤、紫外線吸収剤これらの添加剤は、各々本発明のエポキシ樹脂組成物100質量部に対して、001~30質量部の範囲で、使用する目的に応じて配合量を決定して配合される。硬化物の特性変化を抑えるために酸化防止剤を使用することが好ましく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが使用できる。フェノール系酸化防止剤としては、例えばペンタエリスリトール-テトラキス3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、チオジエチレン-ビス3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、オクタデシル-3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、N,N’-ヘキサン-1,6-ジイルビス3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオナミド、ジエチル3,5-ビス1,1-ジメチルエチル-4-ヒドロキシフェニルメチルホスフェート、3,3’,3’’,5,5’,5’’-ヘキサ-t-ブチル-a,a’,a’’-メシチレン-2,4,6-トリイルトリ-p-クレゾール、エチレンビスオキシエチレンビス3-5-t-ブチル-4-ヒドロキシ-m-トリルプロピオネート、ヘキサメチレン-ビス3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、1,3,5-トリス3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル-1,3,5-トリアジン-2,4,61H,3H,5H-トリオン、1,3,5-トリス4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-キシリルメチル-1,3,5-トリアジン-2,4,61H,3H,5H-トリオン、2,6-ジ-t-ブチル-4-4,6-ビスオクチルチオ-1,3,5-トリアジン-2-イルアミノフェノール、3,9-ビス2-3-3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニルプロピオニルオキシ-1,1-ジメチルエチル-2,4,8,10-テトラオキサスピロ5,5ウンデカンなどが挙げられ、その中でも、LED封止材が着色し難く極めて優れたものとなることから、ペンタエリスリトール-テトラキス3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、オクタデシル-3-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネート、エチレンビスオキシエチレンビス3-5-t-ブチル-4-ヒドロキシ-m-トリルプロピオネートが特に好ましい。リン系酸化防止剤としては、例えばトリス2,4-ジ-t-ブチルフェニルホスファイト、ビス2,4-ビス1,1-ジメチルエチル-6-メチルフェニルエチルエステル亜リン酸、テトラキス2,4-ジ-t-ブチルフェニル1,1-ビフェニル-4,4’-ジイルビスホスフォナイト、ビス2,4-ジ-t-ブチルフェニルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェニルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス2,4-ジクミルフェニルペンタエリスリトール-ジホスファイト、テトラキス2,4-t-ブチルフェニル1,1-ビフェニル-4,4’-ジイルビスホスフォナイト、ジ-t-ブチル-m-クレジル-ホスフォナイトなどが挙げられ、その中でもLED封止材が着色し難く極めて優れたものとなることから、トリス2,4-ジ-t-ブチルフェニルホスファイト、ビス2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェニルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス2,4-ビス1,1-ジメチルエチル-6-メチルフェニルエチルエステル亜リン酸が特に好ましい。7硬化性モノマー、オリゴマー及び合成樹脂硬化物の性質を改善する目的で種々の硬化性モノマー、オリゴマー及び合成樹脂を配合することができる。例えば、脂肪族エポキシ化合物等のエポキシ樹脂用希釈剤、ジオール又はトリオール類、ビニルエーテル類、オキセタン化合物、フッ素樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の1種又は2種以上の組み合わせを挙げることができる。これらの化合物及び樹脂類の配合割合は、本発明のエポキシ樹脂組成物の本来の性質を損なわない範囲の量、すなわち本発明のエポキシ樹脂組成物100質量部に対して、50質量部以下、より好ましくは2~20質量部の範囲であることが好ましい。LEDチップの封止LED装置の製造方法LEDチップを本発明のエポキシ樹脂組成物で封止する方法は特に限定されないが、組成物が液状である場合、型の中に組成物を流し込みLEDチップを封止する注型法が選択でき、硬化は70~170°Cの温度、05~10時間の範囲の条件である。また、組成物が固体である場合はトランスファー成形機を用いてLEDチップを封止する方法が好ましく、成形は100~200°Cの温度、0.1~20分間の条件でLEDチップを封止する。更に成形後、より封止材性能の向上を図るため、70~170°Cの温度、0.1~10時間の範囲で後硬化を行うことが好ましい。以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。なお、実施例及び比較例中の部は質量部を意味する。[製造例1:ジアリルエーテルの合成]後述の製造例2~4で用いる各種ジアリルエーテルはウィリアムソン合成に基づき合成した。一例として14シクロヘキサンジメタノールジアリルエーテルの合成法を以下に記す。撹拌機、温度計の付いた2リットル三口フラスコに14シクロヘキサンジメタノール新日本理化株式会社製1442g100molを入れ、反応装置系内を窒素置換し、水酸化ナトリウム水溶液50wtを4800g60molを加え、40°Cまで加熱し、テトラブチルアンモニウムブロマイド和光純薬工業株式会社製3224g001molを添加した。反応系内を約40°Cに保ちながら、アリルクロライド鹿島ケミカル株式会社製1683g220molを滴下し、2時間経過後、14シクロヘキサンジメタノール7211g050mol、アリルクロライド8417g110molを追添した。その後、反応温度を徐々に上げながら反応を継続し、反応の進行状況を見ながらアリルクロライドを2525g033molずつ追添し、反応を完結させた。反応終了後、トルエン337gを加え分液処理し、有機層を純水200mL回で中性になるまで洗浄し、分液後、有機層をエバポレーターにより溶媒、塩化アリル等を留去した。溶媒留去後、14シクロヘキサンジメタノールジアリルエーテルを精密蒸留により取得した留出温度が639~677°C11Pa。他のジアリルエーテルも上記操作に準じて合成した。トリシクロデカンジメタノールジアリルエーテルの原料となるトリシクロデカンジメタノールは東京化成工業株式会社から、16ヘキサンジオールジアリルエーテルの原料となる16ヘキサンジオールは宇部興産株式会社からそれぞれ入手した。製造例2:14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの合成]磁気攪拌子を備えた500mL3径ナス型フラスコに、14シクロヘキサンジメタノールジアリルエーテル1000g、045mol、アセトニトリル、メタノールを量りとった。水浴を用いて系内の温度を35°Cにし、飽和水酸化カリウム水溶液によりpHを105に到達させた。反応終了時まで、反応温度が40°Cを超えないように飽和水酸化カリウム水溶液を随時添加しpHを1075~1025の範囲に制御した。45過酸化水素水溶液を300mL滴下漏斗により16時間かけて滴下後、さらに10時間攪拌して反応を終了させた。反応液をガスクロマトグラフィにて測定したところ、基質であるシクロヘキサンジメタノールジアリルエーテルの転化率は100であり、ジエポキシ体であるシクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの収率は885、モノエポキシ体であるモノグリシジルエーテルの収率は26であることを確認した。また過酸化水素の分析により、過酸化水素のエポキシ化選択率は738であることを確認した。得られた反応溶液を、大科工業株製の精密蒸留装置を用いて、真空度13kPa、フラスコ温度265°C、カラム温度190°Cで蒸留することで、ガスクロマトグラフィによる純度が995、エポキシ当量が129の14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルを得た。[製造例3:トリシクロデカンジメタノールジグリシジルエーテルの合成]磁気攪拌子を備えた500mL3径ナス型フラスコに、トリシクロデカンジメタノールジアリルエーテル1000g、036mol、アセトニトリル、メタノールを量りとった。水浴を用いて系内の温度を35°Cにし、飽和水酸化カリウム水溶液によりpHを105に到達させた。反応終了時まで、反応温度が40°Cを超えないように飽和水酸化カリウム水溶液を随時添加しpHを1075~1025の範囲に制御した。45過酸化水素水溶液を100mL滴下漏斗により12時間かけて滴下後、さらに6時間攪拌して反応を終了させた。反応液をガスクロマトグラフィにて測定したところ、基質であるトリシクロデカンジメタノールジアリルエーテルの転化率は100であり、トリシクロデカンジメタノールジグリシジルエーテルの収率は827、モノグリシジルエーテルの収率は57であることを確認した。また過酸化水素の分析により、過酸化水素のエポキシ化選択率は780であることを確認した。得られた反応溶液を、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィにより精製することで、ガスクロマトグラフィによる純度が95、エポキシ当量が149のトリシクロデカンジメタノールジグリシジルエーテルを得た。[製造例4:16ヘキサンジオールジグリシジルエーテルの合成]磁気攪拌子を備えた500mL3径ナス型フラスコに、16ヘキサンジオールジアリルエーテル1000g、050mol、アセトニトリル、メタノールを量りとった。水浴を用いて系内の温度を35°Cに加温し、飽和水酸化カリウム水溶液によりpHを105に到達させた。反応終了時まで、反応温度が40°Cを超えないように飽和水酸化カリウム水溶液を随時添加しpHを1075~1025の範囲に制御した。45過酸化水素水溶液を300mL滴下漏斗により10時間かけて滴下後、さらに5時間攪拌して反応を終了させた。反応液をガスクロマトグラフィにて測定したところ、基質である16ヘキサンジオールジアリルエーテルの転化率は100であり、16ヘキサンジオールジグリシジルエーテルの収率は883、モノグリシジルエーテルの収率は40であることを確認した。また過酸化水素の分析により、過酸化水素のエポキシ化選択率は853であることを確認した。得られた反応溶液を、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィにより精製することで、ガスクロマトグラフィによる純度が98、エポキシ当量が117の16ヘキサンジオールジグリシジルエーテルを得た。硬化物の作製実施例1:14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル樹脂板の作製製造例2で得られた14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル46質量部と、硬化剤として無水メチルヘキサヒドロフタル酸日立化成工業株製HN-5500E53質量部、硬化促進剤としてテトラ置換ホスホニウムブロマイドサンアプロ株製U-CAT50031質量部を均一になるように混合し、硬化性組成物を調製した。この硬化性組成物をアルミニウム製シャーレ上に厚さ1mmとなるように流し込み、60°C-2時間、100°C-2時間、150°C-2時間の温度プロファイルで加熱することにより、無色透明の硬化板を得た。実施例2:トリシクロデカンジメタノールジグリシジルエーテル樹脂板の作製製造例3で得られたトリシクロデカンジメタノールジグリシジルエーテル49質量部と、硬化剤として無水メチルヘキサヒドロフタル酸日立化成工業株製HN-5500E50質量部、硬化促進剤としてテトラ置換ホスホニウムブロマイドサンアプロ株製U-CAT50031質量部を均一になるように混合し、硬化性組成物を調製した。この硬化性組成物をアルミニウム製シャーレ上に厚さ1mmとなるように流し込み、60°C-2時間、100°C-2時間、150°C-2時間の温度プロファイルで加熱することにより、無色透明の硬化板を得た。実施例3:16ヘキサンジオールジグリシジルエーテル樹脂板の作製製造例4で得られた16ヘキサンジオールジグリシジルエーテル43質量部と、硬化剤として無水メチルヘキサヒドロフタル酸日立化成工業株製HN-5500E56質量部、硬化促進剤としてテトラ置換ホスホニウムブロマイドサンアプロ株製U-CAT50031質量部を均一になるように混合し、硬化性組成物を調製した。この硬化性組成物をアルミニウム製シャーレ上に厚さ1mmとなるように流し込み、60°C-2時間、100°C-2時間、150°C-2時間の温度プロファイルで加熱することにより、無色透明の硬化板を得た。実施例4:14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルと3,4-エポキシシクロヘキシルメチル34-エポキシシクロヘキサンカルボキシレートの1:1混合物の樹脂板の作製製造例2で得られた14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル23質量部と、セロキサイド2021ダイセル化学株製3,4-エポキシシクロヘキシルメチル34-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート23質量部、硬化剤として無水メチルヘキサヒドロフタル酸日立化成工業株製HN-5500E54質量部、硬化促進剤としてテトラ置換ホスホニウムブロマイドサンアプロ株製U-CAT50031質量部を均一になるように混合し、硬化性組成物を調製した。この硬化性組成物をアルミニウム製シャーレ上に厚さ1mmとなるように流し込み、60°C-2時間、100°C-2時間、150°C-2時間の温度プロファイルで加熱することにより、無色透明の硬化板を得た。比較例1:分子内に炭素-塩素結合をもつ不純物を含む樹脂板の作製エポトートZX1658GS東都化成株製14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル46質量部、硬化剤としてメチルヘキサヒドロ無水フタル酸日立化成工業株製HN-5500E53質量部、硬化促進剤としてテトラ置換ホスホニウムブロマイドサンアプロ株製U-CAT50031質量部を均一になるように混合し、硬化性組成物を調製した。この硬化性組成物をアルミニウム製シャーレ上に厚さ1mmとなるように流し込み、60°C-2時間、100°C-2時間、150°C-2時間の温度プロファイルで加熱することにより、無色透明の硬化板を得た。なお、エポトートZX1658GSの燃焼-イオンクロマトグラフィにより測定したトータル塩素量は500ppmであった。燃焼-イオンクロマトグラフィは以下の条件で測定した。燃焼-イオンクロマトグラフィ測定条件:<燃焼分解条件>装置:AQF100[株三菱化学アナリテック製]試料量:20mg燃焼管温度:800°C→950°C雰囲気:アルゴン酸素吸収液:30μgmL過酸化水素水溶液吸収液量:5mL<イオンクロマトグラフィ条件>装置:ICS1000[ダイオネクス社製]溶離液:27mM炭酸ナトリウム及び03mM炭酸水素ナトリウムを溶解させた水溶液カラム:DionexIonPacAS12Aカラムオーブン温度:35°C流速:15mLmin注入量:25μL検出器:電気伝導度検出器サプレッサー:DionexASRS300[比較例2:分子内に炭素-塩素結合をもつ不純物を含む樹脂板の作製]エポトートZX1658GSの代わりにデナコールEX216Lナガセケミテックス株製14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルを用いた以外は比較例1と同様に実施した。上記エポトートZX1658GSのトータル塩素量同様燃焼イオンクロマトグラフィにより測定したデナコールEX216Lのトータル塩素量は3100ppmであった。色調の測定実施例1~4及び比較例1,2で得られた厚さ1mmの硬化板を用い、各々測色色差計日本電色工業株式会社製、ZE2000により透過モードでの色数L,a,bを求めた。耐熱性の測定実施例1~4及び比較例1,2で得られた厚さ1mmの硬化板を150°Cの回転ギア付きオーブンに入れ、100時間加熱した後の硬化物の色数L,a,bを測定した。加熱前後の色差ΔEを求めた。ガラス転移温度Tgの測定実施例1~4及び比較例1,2で得られた厚さ1mmの硬化板を約10mm×10mmの大きさに研削加工し、熱機械分析装置TMAを用いて圧縮モードで試験をおこなった。測定は硬化板の厚み方向とし、下記条件で測定をおこなった。測定条件温度プロファイル:30°C~200°C第一昇温:昇温速度:5°Cmin→20°Cminで0°Cまで冷却→0°C~250°C第二昇温:昇温速度:5°Cmin測定雰囲気:窒素ガス雰囲気下ガラス転移温度の読み取り:第二昇温時に得られたTMA曲線の変曲点の低温側及び高温側の直線部に各々接線を引き、その交点の温度をガラス転移温度として読み取った。実施例1~4及び比較例1,2で得られた硬化板を用いて測定した上記特性値を表1にまとめて示す。比較例1,2に比べて実施例1~4のb値及びΔEはいずれも小さく、耐光性及び耐熱黄変性が良好であることがわかる。実施例1と比較例1,2はAグリシジルエーテル化合物としてともに14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルを用いており、両者は分子内に炭素-塩素結合を含むか否かのみが相違する。この結果から分子内に炭素-塩素結合を含まないグリシジルエーテル化合物を用いることにより耐光性及び耐熱黄変性が改良されたことが分かる。実施例4では14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルと脂環式エポキシ化合物とを併用しており、その結果実施例1に比べてTgが顕著に高くなった。図1及び2に実施例1で使用した製造例2で得られた14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル及び比較例1で用いたエポトートZX1658GSのガスクロマトグラフィGCFIDで得られたクロマトグラムを示した。エポトートZX1658GSでは保持時間が約136分の位置に有機塩素化合物に基づくと推定されるピークが存在するのに対して、製造例2で得られた14シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルではピークが認められなかった。図3に比較例1で用いたエポトートZX1658GS下段及び比較例2で用いたデナコールEX216L上段の化学イオン化CI法によるガスクロマトグラフィ質量分析GCMSで得られたトータルイオンクロマトグラムを示した。また、図3の拡大図に示したデナコールEX216L上段のピーク1~3に各々対応する成分のガスクロマトグラフィ質量分析GCMSで得られたマススペクトルを図4に示した上からピーク1,2,3。14シクロヘキサンジメタノールとエピクロルヒドリンとの反応による副生物と考えられる以下の化学式12で表される有機塩素化合物のプロトン付加分子mz293及びそのフラグメントに対応するイオンmz219が認められる。エポトートZX1658GSのマススペクトルは図示していないが、同様にmz293及びmz219にピークが認められた。なお、mz293及びmz219のピーク強度の約13であるmz295及びmz221のピークも認められる。前者は35Clに基づくピークであり、後者は37Clに基づくピークと推定され、これらのピークから有機塩素化合物の存在が示唆される。以上の結果からデナコールEX216L及びエポトートZX1658GSには化学式12で表される有機塩素化合物が存在し、この有機塩素化合物がLED封止材の耐光性及び耐熱黄変性の低下に影響していることがわかる。なお、GCFID及びGCMS測定は以下の条件で実施した。<GCFID測定>装置:7890A[アジレントテクノロジー株製]カラム:AgilentHP5カラムオーブン温度:50°C→20°Cmin→320°Cキャリアガス:Heカラム流量:20mLmin注入モード:スプリット注入口温度:300°C注入量:1μLFID温度:340°C試料調製:50mgmL<GCMS測定>装置:7890AGC部分[アジレントテクノロジー株製]JEOLJMSQ1000GCMkIIMS部分[日本電子株製]カラム:AgilentHP5カラムオーブン温度:50°C→20°Cmin→320°Cキャリアガス:Heカラム流量:15mLmin注入モード:スプリット注入口温度:300°C注入量:1μLトランスファーライン温度:300°Cイオン化法:CICI反応ガス:イソブタンスキャン範囲:mz60~600試料調製:50mgmL"