以下の工程:A異方性の分子構造を有するリン光性エミッタ及びマトリックス材料を用意する工程、B第一の電極層を基板上に配設する工程、Cエミッタ層を熱力学的制御下で配設する工程、その際前記リン光性エミッタ及び前記マトリックス材料は、真空中で気化され、前記第一の電極層上に堆積され、その結果前記リン光性エミッタの分子の異方性の方向づけが行われ、D第二の電極層をエミッタ層上に配設する工程、を含む、第一の及び第二の電極層及びエミッタ層を有する発光有機エレクトロニクス装置の製造方法。前記エミッタ層の増加率が0.5nm/秒未満であることによって、熱力学的制御が工程Cで実施される、請求項1に記載の方法。堆積工程後及び/又は堆積工程中に堆積されたエミッタ層が室温より高い温度にされる又はそのような温度に保たれることによって、前記熱力学的制御が工程Cで実施される、請求項1又は2に記載の方法。工程Aで異方性の分子構造を有するリン光性エミッタがイリジウム錯体、白金錯体及びパラジウム錯体及びそれらの混合から選択される、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。イリジウム錯体が以下の式から選択され:式中、C∩Nが、イリジウム原子と1つのメタラサイクルを形成する、少なくとも二座配位子であり、及びR1、R2及びR3が、互いに無関係に、非分岐、分岐のアルキル基、縮合した及び/又は環状のアルキル基及び/又はアリール基であり、これらはそれぞれ完全に又は部分的に置換されていてよく、及びその際R2はH又はFであってもよい、請求項4に記載の方法。前記配位子C∩Nが、イリジウム原子と1つの五員又は六員のメタラサイクルを形成する、請求項5に記載の方法。前記配位子C∩Nが、フェニルピリジン、フェニルイミダゾール、フェニルオキサゾール、ベンジルピリジン、ベンジルイミダゾール、ベンジルオキサゾール又は挙げられた化合物の1つを基本骨格として備えている配位子である、請求項6に記載の方法。前記配位子C∩Nが少なくとも3つの、少なくとも一部が縮合した芳香環を備えている、請求項5から7までのいずれか1項に記載の方法。前記用意されたマトリックス材料が異方性の分子構造を備えている、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。タイプA-K-Bのマトリックス材料が選択され、その際構造要素Kは構造Ar1-X-Ar2であり、その際Ar1及びAr2は同じ又は異なる芳香環であり、及びXは単結合、別の芳香族基、又は縮合した環によるAr1及びAr2の結合であり、その際構造要素A及びBが同じ又は異なっており、それぞれ少なくとも1つの芳香環を有している、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。前記構造要素Kの基Ar1及びAr2がそれぞれ窒素ヘテロ環であり及び/又は前記構造要素A及びBがそれぞれ1つの芳香族置換のアミン基を含んでいる、請求項9又は10に記載の方法。前記マトリックス材料がベンジジン誘導体又はフェナントロリン誘導体を含んでいる、請求項11に記載の方法。前記構造要素A及びBが、それぞれ少なくとも1つの、第3級アルキル基で置換した芳香族化合物及び/又はそれぞれ少なくとも1つの縮合した多環式アリール基を含んでいる、請求項9から12までのいずれか1項に記載の方法。前記マトリックス材料がホール輸送及び/又は電子輸送を行なう特性を有する、請求項9から13までのいずれか1項に記載の方法。請求項1から14までのいずれか1項に記載の方法で得られる、発光有機エレクトロニクス装置。