半導体基板と、前記半導体基板上に少なくとも第1の層と第2の層とを含んで形成される回路部と、前記半導体基板上に前記回路部の前記第1の層と同工程において形成される低反射パターンと、前記低反射パターン上に形成され、前記回路部の前記第2の層と同工程において形成される高反射パターンとを有する半導体装置。前記第1の層は、磁気抵抗膜であり、前記第2の層は、磁気抵抗膜と電気的に接続される電極である請求項1に記載の半導体装置。半導体基板上に回路部用のパターンと低反射パターンとを含む第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に前記回路部用のパターンと高反射パターンとを含む第2の層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。しかし、特許文献1に示す半導体装置は、低反射率パターンとして酸化膜層を用いることで照射される光が基板に達するために低反射パターンの反射率が基板の反射率にも依存し、さらにはウエハ上において基板の反射率のばらつきがある場合には、高反射率パターンと低反射率パターンのコントラストが十分でないものが製造され、識別性が確保できない場合があった。従って、本発明の目的は、基板の反射率に依存せず、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板上に少なくとも第1の層と第2の層とを含んで形成される回路部と、前記半導体基板上に前記回路部の前記第1の層と同工程において形成される低反射パターンと、前記低反射パターン上に形成され、前記回路部の前記第2の層と同工程において形成される高反射パターンとを有する半導体装置を提供する。上記半導体装置の前記第1の層は、磁気抵抗膜であってもよく、前記第2の層は、磁気抵抗膜と電気的に接続される電極であってもよい。また、本発明の一態様は、半導体基板上に回路部用のパターンと低反射パターンとを含む第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に前記回路部用のパターンと高反射パターンとを含む第2の層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。本発明によれば、基板の反射率に依存せず、アライメントマークの識別性を確保することができる。半導体装置の構成図1Aは、実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示す概略平面図である。また、図1Bは、実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示す概略断面図である。この半導体装置1は、半導体プロセスによって作製された、位置合わせ用のアライメントマーク2と、磁気抵抗素子3A及びバイポーラトランジスタ3Bを含む回路部3とを有する。アライメントマーク2は、シリコン基板24上に形成された酸化膜23と、酸化膜23上に形成された低反射パターンとしてのNiCoパターン22と、NiCoパターン22上に形成された窒化膜21と、窒化膜21上に形成された高反射パターンとしてのアルミパターン20とを有する。磁気抵抗素子3Aは、シリコン基板24上に形成された酸化膜23と、酸化膜23上に形成された磁気抵抗膜としてのNiCoパターン31と、NiCoパターン31上に形成された窒化膜21と、窒化膜21に開口部を設けてNiCoパターン31上に形成されたアルミ電極30とを有する。バイポーラトランジスタ3Bは、シリコン基板24に形成されたコレクタ35、エミッタ36及びベース37と、シリコン基板24上に形成された酸化膜23と、酸化膜23上に形成された窒化膜21と、酸化膜23及び窒化膜21に開口を設けてコレクタ35上に形成されたアルミ電極32と、エミッタ36上に形成されたアルミ電極33と、ベース37上に形成されたアルミ電極34とを有する。図2は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示す概略平面図である。半導体装置1は、直径4インチのシリコンウエハ10上に複数作製される。ここで、シリコンウエハ10は、裏面の荒さが各領域で均一ではないため、アライメントマーク2が作製される前は、裏面の荒さが影響してシリコンウエハ10自体の反射率が各領域において異なる値となる。一例として、シリコンウエハ10の領域をCENTER、LEFT、RIGHT、TOP、BOTTOMと分けたとき、後述する図6bに示すように各領域の半導体装置1Center、1Left、1Right、1Top、1Bottomの反射率がばらつく。反射率の測定アライメントマークの反射率を測定するため、図3a及びbに示す2つの例を比較した。図3aは、本実施の形態に係る半導体装置のアライメントマーク付近を拡大した断面図であり、図3bは、従来用いられてきた半導体装置のアライメントマーク付近を拡大した断面図である。図3aに示すように、半導体装置1の上方からアライメントマーク2全体を走査する場合を測定L、アルミパターン20を走査する場合を測定M、NiCoパターン22を走査する場合を測定Nとする。なお、各測定は、波長1300nmのレーザー光を照射して、その反射光の強度を測定し、照射光と反射光の強度比から反射率を算出することで行う。また、図3bに示すように、従来のアライメントマーク4全体を走査する場合を測定L、アルミパターン20を走査する場合を測定M、アルミパターン20以外の低反射パターンを走査する場合を測定Nとする。図4a及びbは、本実施の形態に係る半導体装置及び従来の半導体装置のアライメントマーク全体を走査した場合測定Lの反射強度を示すグラフ図である。また、図5a及びbは、本実施の形態に係る半導体装置及び従来の半導体装置のアルミパターンを走査した場合測定Mの反射強度を示すグラフ図である。また、図6a及びbは、本実施の形態に係る半導体装置及び従来の半導体装置のアルミパターン以外を走査した場合測定Nの反射強度を示すグラフ図である。シリコンウエハ10の各領域における半導体装置1Center、1Left、1Right、1Top、1Bottomのいずれにおいても、図5aに示すように、アルミパターン20の反射率のばらつきが少ない。また、図6aに示すように、NiCoパターン22の反射率のばらつきが少ない。さらに、図4aに示すように、アルミパターン20の反射率とNiCoパターン22の反射率との差が25程度である。一方、シリコンウエハ10の各領域における従来の半導体装置1Center、1Left、1Right、1Top、1Bottomにおいて、図5bに示すように、アルミパターン20の反射率が多少ばらつき、かつ図5aの場合に比べて反射率が劣る。また、図6bに示すように、アルミパターン20以外の領域の反射率がばらつき、最大10程度の差がある。さらに、図4bに示すように、アルミパターン20の反射率とアルミパターン20以外の領域の反射率との差が最大でも10程度、最小では数であり、本実施の形態の半導体装置1に比べてコントラストが低い。製造工程図7a~eは、本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。まず、図7aに示すように、シリコン基板24にバイポーラトランジスタ3Bのコレクタ35、エミッタ36及びベース37を形成する。次に、図7bに示すように、シリコン基板24上にSiO2等の酸化膜23をプラズマCVD法又は熱酸化法等により形成する。なお、適宜マスクの形成やエッチング等により酸化膜23に開口を設ける。次に、図7cに示すように、酸化膜23上にNiCoパターン22及びNiCoパターン31を同時にプラズマCVD法又はスパッタリング等により形成する。次に、図7dに示すように、NiCoパターン22、31、酸化膜23上にSiNx等のプラズマCVD法により窒化膜21を形成する。次に、図7eに示すように、アルミパターン20、アルミ電極30、32、33を同時にスパッタリング等により形成する。実施の形態の効果上記した実施の形態によると、アライメントマーク2の低反射パターンにNiCoパターン22を用いたため、低反射パターンの反射率がシリコン基板24の裏面の荒さの影響を受けず、シリコンウエハ10のいずれの領域から半導体装置1を作製したとしても低反射パターンの反射率のばらつきが少なくなる。これにより、高反射パターンであるアルミパターン20と低反射パターンであるNiCoパターン22との反射率の差のばらつきも少なくなり、アライメントマーク2の識別性を確保できる。また、NiCoパターン22は、磁気抵抗素子3AのNiCoパターン31の作製工程において同時に作製し、アルミパターン20は、アルミ電極30、32、33、34の作製工程において同時に作製するため、半導体装置1の製造工程を増加させることがない。なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは調整しない範囲内で種々の変形が可能である。例えば、低反射パターン及び高反射パターンの材料は、NiCo及びAlに限らず低反射パターンと高反射パターンの反射率の差がアライメントマークを識別する装置又は利用者の識別能力内にあれば他の材料を用いることができる。