"被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が-55mvより小さく-100mv以上であることを特徴とする研磨パッド。該研磨パッドの研磨面の算術平均粗さRaが0μm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1記載の研磨パッド。本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、研磨パッド表面への研磨屑付着を抑制することで被研磨物表面のスクラッチやディフェクトの発生を低減させて、製品の歩留まりを向上させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度が得られる研磨パッドを提供することにある。本発明は、被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が-55mvより小さく-100mv以上であることを特徴とする研磨パッドである。本発明により、ガラス、半導体、誘電/金属複合体および集積回路等の被研磨物を、CMPと呼ばれる研磨をする際に、研磨パッド表面への研磨屑堆積を抑制すること、被研磨物表面のスクラッチやディフェクトを低減させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度を発現する研磨パッドを得ることが出来る。本発明は、被研磨物表面のスクラッチやディフェクトを低減させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度を有する研磨パッドについて鋭意検討した結果、被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が-55mvより小さく-100mv以上であることで、課題を解決することが出来ることを究明したものである。本発明において、研磨パッド表面のゼータ電位は-55mVより小さく、-100mV以上であることが重要である。研磨パッド表面のゼータ電位が-55mVより大きい場合、スラリー中の砥粒との馴染みが良くなり、研磨速度が上昇する一方で、研磨屑との馴染みが良くなり、研磨屑や研磨屑とスラリーの砥粒が絡み合った物体が研磨層表面に堆積しやすくなる場合がある。こうして研磨パッド表面に堆積した研磨屑等により被研磨物の表面にスクラッチと呼ばれる研磨傷や、ディフェクトと呼ばれる異物の付着が発生し、半導体回路の配線を切断したり、ショートさせたりして製品の歩留まりを低下させる場合があるので好ましくない。研磨パッド表面のゼータ電位が-100mVより小さいと、研磨パッド表面に研磨屑等の堆積を抑制することが出来るが、スラリーに含まれる砥粒との馴染みも悪くなる場合があり、被研磨物面内の平坦性が悪化したり、研磨速度が低下する場合があるので好ましくない。好ましい研磨パッド表面のゼータ電位としては、-65mV以下であることが、また-90mV以上であることが、研磨パッド表面に研磨屑等の堆積を防ぐことができる一方で、適当な研磨レートを得ることが出来るので好ましい。なお、本発明の研磨パッドのゼータ電位は、大塚電子株製電気泳動光散乱光度計ELS-800を使用し、次の条件で測定した値を言う。光源:He-Neレーザー測定モード:ヘテロダイン法セル:平板試料用セル測定角度:20°電圧:80V温度:25±2°C測定室雰囲気:23±2°C、50±5RH測定液:0.001MNaCl水溶液研磨パッド表面のゼータ電位が低いほど研磨屑等の付着を抑制でき、結果として被研磨物表面のスクラッチやディフェクトの発生を抑えることが出来る。その一方で、スラリーの砥粒と研磨パッド表面の馴染みも悪くなり、研磨速度は低下する傾向がある。研磨パッドの研磨層が発泡体構造であると、研磨パッド表面の開口した気泡がスラリーを保持することが出来、研磨レートの向上に寄与することが出来る。発泡体は独立気泡であることが、スラリーの流出を防ぎ、スラリーを保持することが出来るので好ましい。平均気泡径は20μm以上150μmであることが、スラリーの保持性と被研磨物の平坦性、研磨速度の観点から好ましい。平均気泡径が20μm未満の場合、スラリーの保持能力が低下し、適度な研磨レートが得られないので好ましくない。平均気泡径が150μmを越えると、被研磨物の平坦性が悪化するので好ましくない。より好ましくは、30μm以上100μm以下、更に好ましくは40μm以上80μm以下である。なお、平均気泡径は、サンプル断面をキーエンス製VK-8500の超深度顕微鏡にて倍率400倍で観察したときに一視野内に観察される気泡のうち、視野端部に欠損した円状に観察される気泡を除く円状気泡を画像処理装置にて断面面積から円相当径を測定し、数平均値を算出することにより求められる。研磨層の硬度は、アスカーD硬度計にて、45~65度であることが好ましい。アスカーD硬度が45度未満の場合には、被研磨物のプラナリティが低下し、また、65度より大きい場合は、プラナリティは良好であるが、被研磨物のユニフォーミティ均一性が低下する傾向にある。特に限定されないが、かかる構造体を形成する材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレア、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリテトラフルオロエチレン、エポキシ樹脂、ABS樹脂、AS樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ネオプレン登録商標ゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコンゴム、フッ素ゴムおよびこれらを主成分とした樹脂等が挙げられる。これらを2種以上用いてもよい。このような樹脂においても、独立気泡径が比較的容易にコントロールできる点でポリウレタンを主成分とする素材がより好ましい。ポリウレタンとは、ポリイソシアネートの重付加反応または重合反応により合成される高分子である。ポリイソシアネートの対称として用いられる化合物は、含活性水素化合物、すなわち、二つ以上のポリヒドロキシ基、あるいはアミノ基含有化合物である。ポリイソシアネートとして、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなど挙げることができるがこれに限定されるものではない。これらを2種以上用いてもよい。ポリヒドロキシ基含有化合物としてはポリオールが代表的であり、ポリエーテルポリオール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、エポキシ樹脂変性ポリオール、ポリエステルポリオール、アクリルポリオール、ポリブタジエンポリオール、シリコーンポリオール等が挙げられる。これらを2種以上用いてもよい。硬度、気泡径および発泡倍率によって、ポリイソシアネートとポリオール、および触媒、発泡剤、整泡剤の組み合わせや最適量を決めることが好ましい。これらのポリウレタン中への独立気泡の形成方法としては、ポリウレタン製造時における樹脂中への各種発泡剤の配合による化学発泡法が一般的であるが、機械的な撹拌により樹脂を発泡させたのち硬化させる方法も好ましく使用することができる。本発明における研磨パッドの一実施態様として好ましいものは、ビニル化合物の重合体およびポリウレタンを含有し、独立気泡を有するパッドである。ビニル化合物からの重合体だけでは靭性と硬度を高めることはできるが、独立気泡を有する均質な研磨パッドを得ることが困難であり、またポリウレタンは、硬度を高くすると脆くなる。ポリウレタン中にビニル化合物を含浸させることにより、独立気泡を含み、靭性と硬度の高い研磨パッドとすることができる。ビニル化合物は、重合性の炭素-炭素二重結合を有する化合物である。具体的にはメチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、n-ブチルアクリレート、n-ブチルメタクリレート、2-エチルヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、n-ラウリルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、2-ヒドロキシブチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、フマル酸、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジプロピル、マレイン酸、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジプロピル、フェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド、イソプロピルマレイミド、アクリロニトリル、アクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、スチレン、α-メチルスチレン、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート等が挙げられる。これらを2種以上用いてもよい。上述したビニル化合物の中で、CH2=CR1COOR2R1:メチル基またはエチル基、R2:メチル基、エチル基、プロピル基またはブチル基が好ましい。中でもメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n-ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレートは、ポリウレタンへの独立気泡の形成が容易な点、モノマーの含浸性が良好な点、重合硬化が容易な点、重合硬化されたビニル化合物の重合体とポリウレタンを含有している発泡構造体の硬度が高く平坦化特性が良好な点で好ましい。これらのビニル化合物の重合体を得るために好ましく用いられる重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、ベンゾイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、イソプロピルパーオキシジカーボネート等のラジカル開始剤を挙げることができる。これらを2種以上用いてもよい。また、酸化還元系の重合開始剤、例えばパーオキサイドとアミン類の組合せを使用することもできる。ビニル化合物のポリウレタン中への含浸方法としては、ビニル化合物が入った容器中にポリウレタンを浸漬する方法が挙げられる。なお、その際、含浸速度を速める目的で、加熱、加圧、減圧、撹拌、振盪、超音波振動等の処理を施すことも好ましい。ビニル化合物のポリウレタン中への含浸量は、使用するビニル化合物およびポリウレタンの種類や、製造される研磨パッドの特性により定められるべきものであり、一概にはいえないが、例えば、重合硬化した発泡構造体中のビニル化合物から得られる重合体とポリウレタンの含有比率が重量比で30/70~55/45であることが好ましい。この範囲であれば、研磨パッドの硬度を充分高くすることができ、かつ、研磨パッド表面のゼータ電位を-55mVより小さく-100mV以上にする事が出来る。なお、ポリウレタン中の重合硬化したビニル化合物から得られる重合体およびポリウレタンの含有率は、熱分解ガスクロマトグラフィ/質量分析手法により測定することができる。本手法で使用できる装置としては、熱分解装置としてダブルショットパイロライザーPY-2010Dフロンティアラボ社製を、ガスクロマトグラフ質量分析装置として、TRIO-1VG社製を挙げることができる。本発明において、半導体基板の局所的凹凸の平坦性の観点から、ビニル化合物から得られる重合体の相とポリウレタンの相とが分離されずに含有されていることが好ましい。定量的に表現すると、研磨パッドをスポットの大きさが50μmの顕微赤外分光装置で観察した赤外スペクトルがビニル化合物から重合される重合体の赤外吸収ピークとポリウレタンの赤外吸収ピークを有しており、色々な箇所の赤外スペクトルがほぼ同一であることである。ここで使用される顕微赤外分光装置として、SPECTRA-TEC社製のIRμsを挙げることができる。研磨パッドは、特性改良を目的として、研磨剤、帯電防止剤、潤滑剤、安定剤、染料等の各種添加剤を含有してもよい。本発明において、研磨層の密度は、局所的な平坦性不良やグローバル段差を低減する観点から、0.3g/cm3以上が好ましく、0.6g/cm3以上がより好ましく、0.65g/cm3以上がより好ましい。一方、スクラッチを低減する観点から、1.1g/cm3以下が好ましく、0.9g/cm3以下がより好ましく、0.85g/cm3以下がより好ましい。なお、本発明における研磨層の密度は、ハーバード型ピクノメーターJISR-3503基準を用い、水を媒体に測定した値である。本発明において研磨される被研磨材としては、例えば半導体ウェハーの上に形成された絶縁層または金属配線の表面が挙げられる。絶縁層としては、金属配線の層間絶縁膜や金属配線の下層絶縁膜や素子分離に使用されるシャロートレンチアイソレーションを挙げることができる。金属配線としては、アルミ、タングステン、銅等を挙げることができ、構造的にダマシン、デュアルダマシン、プラグなどがある。銅を金属配線とした場合には、窒化珪素等のバリアメタルも研磨対象となる。絶縁膜は、現在酸化シリコンが主流であるが、低誘電率絶縁膜も用いられる。半導体ウェハー以外に磁気ヘッド、ハードディスク、サファイヤ等の研磨に用いることもできる。本発明の研磨方法は、ガラス、半導体、誘電/金属複合体および集積回路等に平坦面を形成するために好適に使用される。研磨パッドの研磨層は、厚みムラ解消の他、表面の粗さやゼータ電位を調整する目的で研削することが出来る。目の粗いサンドペーパーで調整した面はパッド表面のゼータ電位が大きくなり、目の細かいサンドペーパーで調整した面はパッド表面のゼータ電位は小さくなる。研削をしていない面ではゼータ電位は更に小さくなる。研磨パッドの厚みムラを解消するために、研磨層の研磨面と反対側の面のみを研削し、研磨面は研削していない面とする事も出来る。必要とする研磨パッドの性能に応じて、研削する面、研削に用いるサンドペーパーの番手は適宜選ぶことが出来、研磨面の算術平均表面粗さRaが0μm以上5μm以下であることが、研磨面のゼータ電位を-55mVより小さく-100mV以上にするために好ましい面の粗さである。なお、本発明の研磨パッドの算術平均表面粗さRaは、東京精密製HANDYSURFE-35Bを使用し、次の条件で測定した値を言う。カットオフ種別:Gaussianカットオフ波長:2.50mm測定長さ:12.5mm以下、実施例によって、さらに本発明の詳細を説明する。しかし、本実施例により本発明が限定して解釈される訳ではない。なお、測定は以下のとおりに行った。マイクロゴムA硬度:高分子計器株製のマイクロゴム硬度計MD-1で測定する。マイクロゴム硬度計MD-1の構成は下記のとおりである。1.1センサ部1荷重方式:片持ばり形板バネ2ばね荷重:0ポイント/2.24gf。100ポイント/33.85gf3ばね荷重誤差:±0.32gf4押針寸法:直径:0.16mm円柱形。高さ0.5mm5変位検出方式:歪ゲージ式6加圧脚寸法:外径4mm内径1.5mm1.2センサ駆動部1駆動方式:ステッピングモータによる上下駆動。エアダンパによる降下速度制御2上下動ストローク:12mm3降下速度:10~30mm/sec4高さ調整範囲:0~67mm試料テーブルとセンサ加圧面の距離1.3試料台1試料台寸法:直径80mm2微動機構:XYテーブルおよびマイクロメータヘッドによる微動。ストローク:X軸、Y軸とも15mm3レベル調整器:レベル調整用本体脚および丸型水準器。気泡径測定:日立製作所株製SEM2400走査型電子顕微鏡を使用し、倍率200倍で観察した写真を画像解析装置で解析することにより、写真の視野枠にかかっている気泡を除いた写真中に存在するすべての気泡径を計測し、その平均値を平均気泡径とした。欠陥検査:KLA-Tencol株製のSP-1を用いて、0.18μm以上の欠陥を測定した。欠陥数が30個以下であれば合格とした。D硬度測定:JISK6253-1997に準拠して行った。作製したポリウレタン樹脂を3cm×3cm厚み:任意の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度23°C±2°C、湿度50±5の環境で24時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計高分子計器社製、アスカーD型硬度計を用い、硬度を測定した。平均研磨レート:アプライドマテリアルズ株のMirra3400を用いて、所定の研磨条件で終点検出を行いながら研磨を行った。研磨特性は、8インチウェハーの最外周2mmを除外して、直径方向に測定した。中心から半径90mm以内の面内を5mm毎に37点、中心から半径91mm以上の面内を1mm毎に16点を測定して平均研磨レートnm/分を算出した。平均研磨レートが190~230nm/分であれば合格とした。実施例1液温を40°Cに保った、ポリエーテルポリオール:サンニックス登録商標FA-909三洋化成工業株製100重量部,鎖伸長剤:エチレングリコール8重量部,アミン触媒:Dabco登録商標33LVエアープロダクツジャパン株製1重量部,アミン触媒:Toyocat登録商標ET東ソー株製0.1重量部,シリコーン整泡剤:TEGOSTAB登録商標B8462Th.GoldschmidtAG社製0.5重量部,発泡剤:水0.2重量部を混合してなるA液と、液温を40°Cに保ったイソシアネート:サンフォーム登録商標NC-70395重量部からなるB液を、RIM成型機により、吐出圧15MPaで衝突混合した後、60°Cに保った金型内に吐出量500g/secで吐出し、10分間放置することで、大きさ700×700mm,厚み10mmの発泡ポリウレタンブロックマイクロゴムA硬度:47度,密度:0.77g/cm3、平均気泡径:37μmを作製した。その後、該発泡ポリウレタンブロックをスライサーで厚み3mmにスライスした。次に該発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル0.1重量部を添加したメチルメタクリレートに浸漬し、メチルメタクリレート含有率を48重量としたメタクリレートが含浸した該発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して2枚のガラス板間に挟み込んで、60°Cで10時間、120°Cで3時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型した後、50°Cで真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートを厚み2.5mmとなるようにスライサーでスライスし、スライスした面とは反対側の面を研削加工することにより厚み2.0mmの研磨層を作製した。得られた研磨層中のメチルメタクリレート含有率は48重量であった。また研磨層のD硬度は54度、密度は0.80g/cm3、独立気泡の平均気泡径は45μmであった。次に該研磨層の研削加工した面に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた後、剥離紙を剥がし、それを厚み0.3mmの熱可塑性ウレタンゴムシートA硬度:84度からなるクッション層の上にラミネーターを使用して貼り合わせた。さらにクッション層の下に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた。この積層体を508mmの直径の円に切り取り、研磨層表面に幅1mm、ピッチ15mm、深さ0.9mmの溝を形成して、研磨パッドとした。得られた研磨パッドの研磨面の算術平均粗さRaは2.8μm、ゼータ電位は-73.0mVであった。上記方法により得られた研磨パッドを、研磨機アプライドマテリアルズ製MIRRA3400の定盤に貼り付けた。酸化膜の8インチウェハをリテナーリング圧力=41kPa約6.0psi、インナーチューブ圧力=28kPa約4.0psi、メンブレン圧力=28kPa約4.0psi、プラテン回転数=76rpm、研磨ヘッド回転数=75rpm、スラリーキャボット社製、SS-25を150mL/分の流量で流し、Saesol製ドレッサーで荷重17.6N約4.0lbf、研磨時間1分、研磨開始から30秒間インサイチュードレッシングをしてウェハ100枚を研磨した。25枚目の酸化膜の平均研磨レートは216.6nm/分であり、100枚目の酸化膜の平均研磨レートは221.5nm/分あった。25枚目の平均研磨レートが100枚目の平均研磨レートの±10であり、問題無い値であった。研磨した酸化膜の8インチウェハをKLA-Tencol社製欠陥検査装置SP-1で0.18μm以上の欠陥数を測定したところ、25枚目のウェハの欠陥数は8個、100枚目のウェハの欠陥数は15個と良好であった。実施例2実施例1と同様に作製した硬質発泡シートを厚み2.5mmとなるようにスライサーでスライスし、スライスした面とは反対側の面を研削加工することにより厚み2.01mmとし、次にスライスした面を120の番手のサンドペーパーで0.01mm研削加工して厚み2.00mmの研磨層を作製した。得られた研磨層中のメチルメタクリレート含有率は48重量であった。また研磨層のD硬度は54度、密度は0.80g/cm3、独立気泡の平均気泡径は45μmであった。次に該研磨層の最初に研削加工した面に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた後、剥離紙を剥がし、それを厚み0.3mmの熱可塑性ウレタンゴムシートA硬度:84度からなるクッション層の上にラミネーターを使用して貼り合わせた。さらにクッション層の下に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた。この積層体を508mmの直径の円に切り取り、研磨層表面に幅1mm、ピッチ15mm、深さ0.9mmの溝を形成して、研磨パッドとした。得られた研磨パッドの研磨面の算術平均粗さRaは4.8μm、ゼータ電位は-58.5mVであった。上記方法により得られた研磨パッドを、実施例1と同様にウェハ100枚を研磨した。25枚目の酸化膜の研磨レートは220.0nm/分であり、100枚目の酸化膜の研磨レートは225.5nm/分あった。25枚目の研磨レートが100枚目の研磨レートの±10であり、問題無い値であった。研磨した酸化膜の8インチウェハをKLA-Tencol社製欠陥検査装置SP-1で0.18μm以上の欠陥数を測定したところ、25枚目のウェハの欠陥数は12個、100枚目のウェハの欠陥数は14個と良好であった。実施例3実施例1と同様に作製した硬質発泡シートを厚み2.5mmとなるようにスライサーでスライスし、スライスした面とは反対側の面を研削加工することにより厚み2.02mmとし、次にスライスした面を120の番手のサンドペーパーで0.02mm研削加工して厚み2.00mmの研磨層を作製した。得られた研磨層中のメチルメタクリレート含有率は48重量であった。また研磨層のD硬度は54度、密度は0.80g/cm3、独立気泡の平均気泡径は45μmであった。次に該研磨層の最初に研削加工した面に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた後、剥離紙を剥がし、それを厚み0.3mmの熱可塑性ウレタンゴムシートA硬度:84度からなるクッション層の上にラミネーターを使用して貼り合わせた。さらにクッション層の下に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた。この積層体を508mmの直径の円に切り取り、研磨層表面に幅1mm、ピッチ15mm、深さ0.9mmの溝を形成して、研磨パッドとした。得られた研磨パッドの研磨面の算術平均粗さRaは5.6μm、ゼータ電位は-55.5mVであった。上記方法により得られた研磨パッドを、実施例1と同様にウェハ100枚を研磨した。25枚目の酸化膜の研磨レートは248.0nm/分であり、100枚目の酸化膜の研磨レートは226.0nm/分あった。25枚目の研磨レートが100枚目の研磨レートの±10であり、問題無い値であった。研磨した酸化膜の8インチウェハをKLA-Tencol社製欠陥検査装置SP-1で0.18μm以上の欠陥数を測定したところ、25枚目のウェハの欠陥数は25個、100枚目のウェハの欠陥数は24個と良好であった。比較例1実施例1と同様に発泡ポリウレタンシートを作成した。次に該発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル0.1重量部を添加したメチルメタクリレートに浸漬し、メチルメタクリレート含有率を48重量としたメタクリレートが含浸した該発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して2枚のガラス板間に挟み込んで、60°Cで10時間、120°Cで3時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型した後、50°Cで真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートの両面を100の番手のサンドペーパーで研削加工することにより厚み2.0mmの研磨層を作製した。得られた研磨層中のメチルメタクリレート含有率は48重量であった。また研磨層のD硬度は54度、密度は0.79g/cm3、独立気泡の平均気泡径は42μmであった。次に該研磨層に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた後、剥離紙を剥がし、それを厚み0.3mmの熱可塑性ウレタンゴムシートA硬度:84度からなるクッション層の上にラミネーターを使用して貼り合わせた。さらにクッション層の下に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた。この積層体を508mmの直径の円に切り取り、研磨層表面に幅1mm、ピッチ15mm、深さ0.9mmの溝を形成して、研磨パッドとした。得られた研磨パッドの研磨面の算術平均粗さRaは6.8μm、ゼータ電位は-28.2mVであった。上記方法により得られた研磨パッドを、実施例1と同様にウェハ100枚を研磨した。25枚目の酸化膜の研磨レートは225.1nm/分であり、100枚目の酸化膜の研磨レートは220.8nm/分であり、ともに合格の値であった。研磨した酸化膜の8インチウェハをKLA-Tencol社製欠陥検査装置SP-1で0.18μm以上の欠陥数を測定したところ、25枚目のウェハの欠陥数は54個、100枚目のウェハの欠陥数は55個と不合格の値であった。比較例2実施例1と同様に発泡ポリウレタンシートを作成した。次に該発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル0.1重量部を添加したメチルメタクリレートに浸漬し、メチルメタクリレート含有率を57重量としたメタクリレートが含浸した該発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して2枚のガラス板間に挟み込んで、60°Cで10時間、120°Cで3時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型した後、50°Cで真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートの両面を100の番手のサンドペーパーで研削加工することにより厚み2.0mmの研磨層を作製した。得られた研磨層中のメチルメタクリレート含有率は57重量であった。また研磨層のD硬度は61度、密度は0.80g/cm3、独立気泡の平均気泡径は44μmであった。次に該研磨層に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた後、剥離紙を剥がし、それを厚み0.3mmの熱可塑性ウレタンゴムシートA硬度:84度からなるクッション層の上にラミネーターを使用して貼り合わせた。さらにクッション層の下に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた。この積層体を508mmの直径の円に切り取り、研磨層表面に幅1mm、ピッチ15mm、深さ0.9mmの溝を形成して、研磨パッドとした。得られた研磨パッドの研磨面の算術平均粗さRaは6.8μm、ゼータ電位は-28.2mVであった。上記方法により得られた研磨パッドを、実施例1と同様にウェハ100枚を研磨した。25枚目の酸化膜の研磨レートは215.5nm/分であり、100枚目の酸化膜の研磨レートは210.0nm/分であり、ともに合格の値であった。研磨した酸化膜の8インチウェハをKLA-Tencol社製欠陥検査装置SP-1で0.18μm以上の欠陥数を測定したところ、25枚目のウェハの欠陥数は122個、100枚目のウェハの欠陥数は145個と不合格の値であった。比較例3実施例1と同様に発泡ポリウレタンシートを作成した。次に該発泡ポリウレタンシートを、アゾビスイソブチロニトリル0.1重量部を添加したメチルメタクリレートに浸漬し、メチルメタクリレート含有率を57重量としたメタクリレートが含浸した該発泡ポリウレタンシートを、塩化ビニル製ガスケットを介して2枚のガラス板間に挟み込んで、60°Cで10時間、120°Cで3時間加熱することにより重合硬化させた。ガラス板間から離型した後、50°Cで真空乾燥を行った。このようにして得られた硬質発泡シートを厚み2.5mmとなるようにスライサーでスライスし、スライスした面とは反対側の面を研削加工することにより厚み2.0mmの研磨層を作製した。得られた研磨層中のメチルメタクリレート含有率は57重量であった。また研磨層のD硬度は61度、密度は0.79g/cm3、独立気泡の平均気泡径は45μmであった。次に該研磨層の研削加工した面に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた後、剥離紙を剥がし、それを厚み0.3mmの熱可塑性ウレタンゴムシートA硬度:84度からなるクッション層の上にラミネーターを使用して貼り合わせた。さらにクッション層の下に両面接着テープ442JS住友スリーエム株製をラミネーターを使用して貼り合わせた。この積層体を508mmの直径の円に切り取り、研磨層表面に幅1mm、ピッチ15mm、深さ0.9mmの溝を形成して、研磨パッドとした。得られた研磨パッドの研磨面の算術平均粗さRaは2.5μm、ゼータ電位は-26.9mVであった。上記方法により得られた研磨パッドを、実施例1と同様にウェハ100枚を研磨した。25枚目の酸化膜の研磨レートは178.5nm/分であり、100枚目の酸化膜の研磨レートは208.0nm/分であり、25枚目の研磨レートが低く、不合格の値であった。研磨した酸化膜の8インチウェハをKLA-Tencol社製欠陥検査装置SP-1で0.18μm以上の欠陥数を測定したところ、25枚目のウェハの欠陥数は162個、100枚目のウェハの欠陥数は150個と不合格の値であった。"