"SiC多孔質体の接着面に形成した溝に、内部空間を有し、前記SiC多孔質体より気孔率が低いSiC体を埋め込み、前記SiC多孔質体同士を接着させた後、金属Siを含浸させて中空構造のSiC/Si複合材料体を得ることを特徴とするSiC/Si複合材料体の製造方法。前記SiC/Si複合材料体のSiC充填率が30体積~95体積であることを特徴とする請求項1に記載のSiC/Si複合材料体の製造方法。前記SiC体の気孔率は5以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のSiC/Si複合材料体の製造方法。内部空間を有するSiC体が内部に埋め込まれていることを特徴とするSiC/Si複合材料体。しかしながら、有機バインダで接着したSiC多孔質体に金属Siを含浸させる方法では、溶融Siは凝固すると膨張するため、降温時にSiC多孔質体から金属Siが染み出し、SiC/Si複合材料体の内部空間が閉塞される可能性がある。一方、ろう材を使用して接合する方法では、SiC/Si複合材料体とろう材との熱膨張差が大きく濡れ性も良好ではないので、接合強度が著しく低下するという問題がある。本発明は、これらの問題に鑑みてなされたものであり、内部空間が閉塞する可能性がなく、有機バインダで接着した場合と接合強度が同程度である、中空構造のSiC/Si複合材料体を得ることが可能なSiC/Si複合材料体の製造方法、及びSiC/Si複合材料体を提供することを目的とする。本発明のSiC/Si複合材料体の製造方法は、SiC多孔質体の接着面に形成した溝に、内部空間を有し、前記SiC多孔質体より気孔率が低いSiC体を埋め込み、前記SiC多孔質体同士を接着させた後、溶融Siを含浸させて中空構造のSiC/Si複合材料体を得ることを特徴とする。本発明のSiC/Si複合材料体の製造方法によれば、内部空間を有するSiC体を埋め込んだSiC多孔質体を接着させた後、溶融Siを含浸させるので、SiC体が埋め込まれて中空構造を有するSiC/Si複合材料体を得ることができる。SiC体はSiC多孔質体より気孔率が低いため、Si含浸時に、SiC体の内部空間にSiC体を介して溶融Siが浸入し難いので、SiC体の内部空間が閉塞される可能性が少ない。なお、SiC体の気孔率が5を超えると、SiC体の気孔に含浸した溶融Siが凝固する際に膨張してSiC体の内部空間を閉塞する可能性がある。よって、SiC体の気孔率は5以下であることが好ましい。さらに、SiCとSiとは濡れ性が良好であるので、SiC/Si複合材料体とSiC体との界面の接合は強固である。さらに、SiC/Si複合材料とSiCの熱膨張係数は同程度であるので、SiC/Si複合材料体とSiC体との界面に熱膨張差によるクラックが発生しない。さらに、ろう材を使用して接合されたものと比較して接合強度は優れている。また、本発明のSiC/Si複合材料体の製造方法において、前記SiC/Si複合材料体のSiC充填率が30体積~95体積であることが好ましい。SiC充填率が30体積未満では、熱膨張係数が小さく、SiC/Si複合材料体とSiC体との界面に熱膨張差によるクラックが生じる。一方、SiC充填率が95体積を超えると、溶融SiがSiC多孔質体の空隙全体に染み込まず、SiC/Si複合材料体の主に中心部に空隙が残存するので、良好なSiC/Si複合材料体を製造すること自体が困難である。本発明のSiC/Si複合材料体は、内部空間を有するSiC体が内部に埋め込まれていることを特徴とする。本発明のSiC/Si複合材料体によれば、SiCとSiとは濡れ性が良好であるので、SiC/Si複合材料体とSiC体との界面の接合は強固である。さらに、SiC/Si複合材料とSiCの熱膨張係数は同程度であるので、SiC/Si複合材料体とSiC体との界面に熱膨張差によるクラックが発生しない。本発明は、図1aから図1cに示すように、プリフォームSiC多孔質体11,12の接着面にSiCチューブ13の外形に合せて形成した溝11aにSiCチューブ13を埋め込み、接着剤14によるプリフォーム11,12同士の接着を行った後、溶融Siを含浸させることによって、中空構造のSiC/Si複合材料体15を製造する方法、及びこれにより得られたSiC/Si複合材料体15に関する。まず、複数のプリフォーム11,12を準備する。プリフォーム11,12の原料は、SiC粉末と有機バインダとからなる。なお、原料にカーボンCを添加してもよい。これらの原料を、ボールミル、ヘンシェルミキサー等を用いて乾式混合する。そして、得られた混合物を熱プレス成形して有機バインダを熱硬化させ、プリフォーム11,12を作製する。なお、原材料の配合は、SiC/Si複合材料体15のSiC充填率が30体積~95体積となるように調整する。なお、SiC充填率とは、SiC/Si複合材料中のSiCの占有率を意味する。SiC充填率が30体積未満では、熱膨張係数が小さく、SiCチューブ13とSiC/Si複合材料体15との界面に熱膨張差によるクラックが生じる。一方、SiC充填率が95体積を超えると、溶融Siがプリフォーム11,12の空隙全体に行き渡らず、SiC/Si複合材料体15の主に中心部に空隙が生じるので、良好なSiC/Si複合材料体15を製造すること自体が困難である。ただし、SiC/Si複合材料体15のSiC充填率は50体積~95体積であることがより好ましい。SiC充填率が50体積以上であれば、熱膨張差によるクラックがより生じ難くなる共に、高剛性となり精密機器の構成品として使用することが可能となる。次に、プリフォーム11,12に適宜な形状に研削、切断加工を施す。このとき、プリフォーム11の接着面側にSiCチューブ13が埋め込み可能な溝11aを切削加工などによって形成する。図1aでは、下方のプリフォーム11にのみ溝11aを形成しているが、これに限定されず、上方のプリフォーム12のみに溝を形成しても、上方のプリフォーム11にSiCチューブ13の上側が埋め込み可能な溝を形成すると共に、下方のプリフォーム11にSiCチューブ13の下側が埋め込み可能な溝を形成してもよい。SiCチューブ13の気孔率はプリフォーム11,12の気孔率より低い。これにより、Si含浸時にSiCチューブ13の内部空間内に溶融Siが侵入し難くなる。ただし、より好ましくは、SiCチューブ13の気孔率は5以下である。SiCチューブ13の気孔率が5を超えると、気孔に含浸した溶融Siが凝固する際に膨張し内部空間を塞ぐ可能性がある。SiCチューブ13は、コバレントマテリアル株式会社製のCERASIC登録商標などの市販品からなるものであっても、適宜な形状に加工したSiC成形体を焼結したものであってもよい。なお、SiCチューブ13のような管状のものに限定されず、内部空間を有しSiCからなる任意形状のSiC体をプリフォームに埋め込むことができる。SiC体の内部空間は、SiC体の内部で閉じていても、外部と連通していてもよい。さらに、2枚のプリフォーム間に複数のSiC体を埋め込んでもよく、3枚以上のプリフォームを積層して、それぞれのプリフォーム間にSiC体を埋め込んでもよい。プリフォーム11の溝11aにSiCチューブ13を埋め込んだ後、図1bに示すように、接着剤14を接着面に塗布して、プリフォーム11,12の同士を張り合わせる。なお、接着剤14は、液体フェノールなどの有機バインダにSiC粉末を添加して調製したものからなる。その後、張り合わせたプリフォーム11,12を150°Cに加熱した状態で1~20時間程度保持し、有機バインダを硬化させ、プリフォーム接着体を得る。次に、このプリフォーム接着体にSi含浸を行う。具体的には、プリフォーム接着体と高純度Si塊を入れた炉内を650°C~1400°Cに加熱してプリフォーム接着体の有機バインダを脱脂する。その後、1550°Cに加熱した真空雰囲気下で1時間~10時間保持してプリフォーム接着体中の空孔に溶融Siを毛細管現象により含浸させる。次に、雰囲気を不活性ガス雰囲気とし1645°Cで24時間~48時間保持し、SiとCを反応させる。その後、炉内でゆっくり冷却炉冷して降温させる。これにより、中空構造を有するSiC/Si複合材料体15を得る。なお、非加圧浸透法の代わりに加圧浸透法等によってSi含浸を行ってもよい。SiCチューブ13の気孔率はプリフォーム11,12の気孔率より低いので、Si含浸時に、SiCチューブ13の内部空間にSiCチューブ13を介して溶融Siが浸入し難く、SiCチューブ13の内部空間が閉塞される可能性が少ない。なお、Si含浸時に、SiCチューブ13の両端面から溶融SiがSiCチューブ13の内部空間内に侵入するが、さほどの量ではなく、問題はない。好ましくは、SiCチューブ13の両端面をSiC製の部材で閉塞しておけばよい。以上のように、プリフォーム11にSiCチューブ13を埋め込み、プリフォーム11,12同士を接着した後、Si含浸を行うことで、SiCチューブ13が埋め込まれて中空構造を有するSiC/Si複合材料体15を得ることができる。そして、プリフォーム11,12同士を接着剤14で接着した後にSi含浸しているので、接合強度は優れている。また、SiCとSiとは濡れ性が良好であるので、SiCチューブ13とSiC/Si複合材料体15との界面の接合は強固である。また、SiC/Si複合材料とSiCの熱膨張係数は同程度であるので、SiCチューブ13とSiC/Si複合材料体15との界面に熱膨張差によるクラックが発生しない。以下、本発明の実施例及び比較例を具体的に挙げ、本発明を詳細に説明する。実施例1SiC粉末信濃電気製錬株式会社製のGP500、平均粒径30μm100質量に有機バインダとしてフェノール樹脂粉末DIC株式会社製のOI-305Aを15質量添加し、ヘンシェルミキサーを毎分1500回転で4分間運転させて混合した。次に、この混合物を成形型に充填して、150°Cに加熱してプレス圧力30kg/cm2を印加した状態を1時間保持して熱プレス成形を行った。これにより、200mm×100mm、厚さ20mmの長方形板状のプリフォームSiC多孔質体を2枚作製した。プリフォームの気孔率は20であった。次に、外形長さ170mm、外形幅20mm、外形高さ10mm、肉厚3mmの矩形管状で気孔率0.1のSiCチューブを準備した。そして、一方のプリフォームの接着面にこのSiCチューブの外形に合せた溝を加工し、この溝にSiCチューブを埋め込んだ。他方のプリフォームの接着面には、液体フェノールにSiC粉末信濃電気製錬株式会社製のGP500、平均粒径30μmを添加して調製した接着剤を適量塗布した。そして、2枚のプリフォームを接着面で張り合わせ、150°Cに加熱した状態を12時間保持して接着剤を熱硬化させ、SiCチューブが内部に埋め込まれたプリフォーム接着体を得た。次に、このプリフォーム接着体を金属Si塊日本電工株式会社製とともに炉内に設置し、650°Cで有機バインダを脱脂して炭化させた後、炉内を真空雰囲気で1550°Cに加熱した状態を3時間保持することにより、プリフォーム接着体の空隙に溶融Siを含浸させた。次に、炉内の雰囲気を不活性ガス雰囲気とし1645°Cで24時間保持し、SiとCとを反応させた。その後、炉冷した。これにより、SiCチューブが埋め込まれた中空構造のSiC/Si複合材料体を得た。このSiC/Si複合材料体は、SiC充填率が55体積であり、熱膨張係数が室温から200°Cまでの測定値で2.85×10-61/Kであった。比較例1比較例1として、フェノール樹脂粉末の添加量を変更してSiC/Si複合材料体のSiC充填率を25体積とした以外は実施例と同様にして、中空構造のSiC/Si複合材料体の作製を試みた。しかし、SiC/Si複合材料体とSiCチューブとの界面にクラックが発生した。なお、SiC/Si複合材料体の熱膨張係数は2.43×10-61/Kであった。比較例2比較例2として、SiCチューブを埋め込まなかったこと以外は実施例と同様にして、中空構造のSiC/Si複合材料体の作製を試みた。しかし、溶融Siの浸入によって、SiC/Si複合材料体の中空部が閉塞した。"