"ディスプレイ要素を製造する方法であって、前記方法は、第1の表面と第2の表面とを有する基板中にマイクロレンズを形成することであって、前記第1の表面が前記第2の表面から離間され、前記マイクロレンズが前記基板の前記第1の表面に隣接して配設された、形成することと、前記基板の前記第1の表面上に光変調器を形成することであって、前記光変調器が、前記マイクロレンズ上に配設され、前記光変調器が、光を干渉的に変調するように調整されるように構成された光キャビティを備える、形成することとを備える、方法。前記マイクロレンズを形成することは、前記基板の前記第1の表面中にキャビティを形成することと、前記第1の表面上に第1の誘電体層を形成することであって、前記第1の誘電体層が、前記基板の屈折率とは異なる屈折率を備え、前記第1の誘電体層が、前記基板の前記第1の表面中の前記キャビティを少なくとも部分的に充填する、形成することとを備える、請求項1に記載の方法。前記第1の誘電体層の前記屈折率が前記基板の前記屈折率よりも大きい、請求項2に記載の方法。前記基板がガラスを備え、前記第1の誘電体層が、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、およびポリイミドのうちの少なくとも1つを備える、請求項2に記載の方法。前記キャビティを形成することは、マスクで前記基板の前記第1の表面の少なくとも一部分をマスキングすることであって、前記マスクが少なくとも1つの開口を備える、マスキングすることと、エッチング液で前記基板をエッチングすることとを備える、請求項2に記載の方法。前記エッチング液が等方性エッチング液を備える、請求項5に記載の方法。前記基板がガラスを備え、前記エッチング液がフッ化水素を備える、請求項5に記載の方法。前記マイクロレンズを形成することが、前記第1の誘電体層を平坦化することをさらに備える、請求項2に記載の方法。前記第1の誘電体層を平坦化することが、前記第1の誘電体層の表面を化学機械研磨することを備える、請求項8に記載の方法。前記マイクロレンズを形成することが、前記平坦化された第1の誘電体層上にスペーサ層を形成することをさらに備える、請求項8に記載の方法。前記マイクロレンズを形成することが、前記第1の誘電体層上に第2の誘電体層を形成することであって、前記第2の誘電体層が、前記第1の誘電体層の前記屈折率とは異なる屈折率を備える、形成することをさらに備える、請求項2に記載の方法。少なくとも前記第2の誘電体層を平坦化することをさらに備える、請求項11に記載の方法。前記マイクロレンズを形成することは、マスクで前記基板の前記第1の表面の少なくとも一部分をマスキングすることであって、前記マスクが少なくとも1つの開口を備える、マスキングすることと、前記基板中にドーパントを拡散させることであって、前記ドーパントが、前記基板の屈折率を変化させるように選択された、拡散させることとを備える、請求項1に記載の方法。前記ドーパントが、前記基板の前記屈折率を増加させるように選択された、請求項13に記載の方法。前記基板がガラスを備え、前記ドーパントがホウ素を備える、請求項13に記載の方法。前記ドーパントを拡散させることが、前記基板を加熱することを備える、請求項13に記載の方法。前記光変調器を形成することは、前記基板の前記第1の表面上に部分反射体を形成することと、前記部分反射体上に可動反射体を形成することであって、前記可動反射体が、前記光キャビティを与えるために前記部分反射体から離間され、前記可動反射体が、前記光キャビティ中の光を干渉的に変調するために前記部分反射体に対して移動するように構成された、形成することとを備える、請求項1に記載の方法。各ディスプレイ要素が請求項1に記載の方法に従って製造された、複数のディスプレイ要素を備えるディスプレイ。前記ディスプレイと通信するように構成されたプロセッサであって、画像データを処理するように構成された、プロセッサと、前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスとをさらに備える、請求項18に記載のディスプレイ。前記ディスプレイに少なくとも1つの信号を送るように構成されたドライバ回路をさらに備える、請求項19に記載のディスプレイ。前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送るように構成されたコントローラをさらに備える、請求項20に記載のディスプレイ。前記プロセッサに前記画像データを送るように構成された画像ソースモジュールをさらに備える、請求項19に記載のディスプレイ。前記画像ソースモジュールが、受信機、トランシーバ、および送信機のうちの少なくとも1つを備える、請求項22に記載のディスプレイ。入力データを受信することと、前記プロセッサに前記入力データを通信することとを行うように構成された入力デバイスをさらに備える、請求項19に記載のディスプレイ。電気機械システムデバイスであって、前記デバイスは、第1の面と第2の面とを有する基板であって、基板屈折率を有する、基板と、前記基板中に配設されたマイクロレンズであって、前記マイクロレンズが、前記基板の前記第1の面に隣接し、前記マイクロレンズが、第1の屈折率を有する第1のレンズと第2の屈折率を有する第2のレンズとを備え、前記第2の屈折率が前記第1の屈折率とは異なり、前記第1の屈折率および前記第2の屈折率のうちの少なくとも1つが前記基板屈折率とは異なる、マイクロレンズと、前記基板の前記第1の面上に配設された光変調器であって、前記光変調器が、前記マイクロレンズと実質的に整合され、前記光変調器が、光を干渉的に変調するように調整されるように構成された光キャビティを備える、光変調器とを備える、電気機械システムデバイス。前記第2の屈折率が前記第1の屈折率よりも小さい、請求項25に記載のデバイス。前記第1のレンズ、前記第2のレンズ、または前記第1のレンズと前記第2のレンズの両方が、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、およびポリイミドのうちの少なくとも1つを備える、請求項25に記載のデバイス。前記第1のレンズが第1の表面と第2の表面とを有し、前記第1の表面が前記第2の表面よりも前記基板の前記第2の面に近接して延在し、前記第2のレンズが第3の表面と第4の表面とを有し、前記第3の表面が前記第4の表面よりも前記基板の前記第2の面に近接して延在し、前記第3の表面が前記第2の表面と接触している、請求項25に記載のデバイス。前記第1の表面、前記第2の表面、および前記第3の表面が、実質的に球体の部分である、請求項28に記載のデバイス。前記光変調器が第1の横サイズを有し、前記マイクロレンズが第2の横サイズを有し、前記第2の横サイズが前記第1の横サイズをほぼ下回る、請求項25に記載のデバイス。前記マイクロレンズの焦点距離が前記光変調器の前記第1の横サイズをほぼ上回る、請求項30に記載のデバイス。前記第2のレンズが前記第1のレンズ中に少なくとも部分的に配設された、請求項25に記載のデバイス。前記第1のレンズが、実質的に平面の第1の表面を備え、前記第2のレンズが、実質的に平面の第2の表面を備え、前記第1の表面および前記第2の表面が、前記基板の前記第1の面と実質的に共面である、請求項25に記載のデバイス。前記第1のレンズが、湾曲した第3の表面を備え、前記第2のレンズが、湾曲した第4の表面を備え、前記第3の表面の少なくとも一部分および前記第4の表面の少なくとも一部分が、前記基板の前記第1の面から離れて前記基板の前記第2の面に向かって延在する、請求項33に記載のデバイス。前記第3の表面および前記第4の表面のうちの少なくとも1つが実質的に球体の一部分である、請求項34に記載のデバイス。前記第1のレンズがメニスカスレンズを備え、前記第2のレンズが平凸レンズを備える、請求項25に記載のデバイス。前記光変調器が、前記基板の前記第1の面上に配設された部分反射体と、前記部分反射体からギャップによって離間され、それによって前記光キャビティを与える、可動反射体とを備える、請求項25に記載のデバイス。前記基板の前記第1の面と前記光変調器との間に配設されたスペーサ層をさらに備える、請求項25に記載のデバイス。電気機械システムデバイスであって、前記デバイスは、光を屈折させるための手段であって、前記屈折手段が、第1の面および第2の面と基板屈折率とを有する基板中に配設され、前記屈折手段が、前記基板の前記第1の面に隣接して配設され、前記屈折手段が、第1の屈折率を有する光を屈折させるための第1の手段と、第2の屈折率を有する光を屈折させるための第2の手段とを備え、前記第2の屈折率が前記第1の屈折率とは異なり、前記第1の屈折率および前記第2の屈折率のうちの少なくとも1つが前記基板屈折率とは異なる、光を屈折させるための手段と、前記基板の前記第1の面上に配設された、光を変調するための手段であって、前記光変調手段が、前記屈折手段と実質的に整合され、前記光変調手段が、光を干渉的に変調するように調整されるように構成された光キャビティを備える、光を変調するための手段とを備える、電気機械システムデバイス。前記第2の屈折率が前記第1の屈折率よりも小さい、請求項39に記載のデバイス。光を屈折させるための前記手段がマイクロレンズを備え、前記第1の屈折手段が第1のレンズを備え、前記第2の屈折手段が第2のレンズを備える、請求項39に記載のデバイス。前記第2のレンズが前記第1のレンズ中に少なくとも部分的に配設された、請求項41に記載のデバイス。前記第1のレンズがメニスカスレンズであり、前記第2のレンズが平凸レンズである、請求項41に記載のデバイス。前記光変調手段が干渉光変調器を備える、請求項39に記載のデバイス。前記干渉光変調器が、前記基板の前記第1の面上に配設された部分反射体と、前記部分反射体からギャップによって離間され、それによって前記光キャビティを与える、可動反射体とを備える、請求項44に記載のデバイス。前記光屈折手段と前記光変調手段とを分離するための手段をさらに備え、前記分離手段が前記基板の前記第1の面と前記光変調手段との間に配設された、請求項39に記載のデバイス。前記分離手段がスペーサ層を備える、請求項46に記載のデバイス。様々な図面中の同様の参照番号および名称は、同様の要素を示す。以下の詳細な説明は、発明的態様について説明する目的で、いくつかの実装形態を対象とする。しかしながら、本明細書の教示は、多数の異なる方法で適用され得る。説明する実装形態は、動いていようとたとえば、ビデオ、静止していようとたとえば、静止画像、およびテキストであろうと、グラフィックであろうと、絵であろうと、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実装され得る。より詳細には、実装形態は、限定はしないが、携帯電話、マルチメディアインターネット対応セルラー電話、モバイルテレビジョン受信機、ワイヤレスデバイス、スマートフォン、Bluetooth登録商標デバイス、携帯情報端末PDA、ワイヤレス電子メール受信機、ハンドヘルドまたはポータブルコンピュータ、ネットブック、ノートブック、スマートブック、プリンタ、コピー機、スキャナ、ファクシミリデバイス、GPS受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、クロック、計算器、テレビジョンモニタ、フラットパネルディスプレイ、電子リーディングデバイスたとえば、電子リーダー、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイたとえば、オドメータディスプレイなど、コックピットコントロールおよび/またはディスプレイ、カメラビューディスプレイたとえば、車両における後部ビューカメラのディスプレイ、電子写真、電子ビルボードまたは標示、プロジェクタ、アーキテクチャ構造物、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダーまたはプレーヤ、DVDプレーヤ、CDプレーヤ、VCR、ラジオ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機/乾燥機、パーキングメータ、パッケージングたとえば、MEMSおよび非MEMS、審美構造物たとえば、1つの宝飾品上の画像のディスプレイ、ならびに様々な電気機械システムデバイスなど、様々な電子デバイス中に実装されるかまたはそれらに関連付けら得ると考えられる。また、本明細書の教示は、限定はしないが、電子スイッチングデバイス、無線周波フィルタ、センサー、加速度計、ジャイロスコープ、動き感知デバイス、磁力計、コンシューマーエレクトロニクスのための慣性構成要素、コンシューマーエレクトロニクス製品の部品、バラクタ、液晶デバイス、電気泳動デバイス、駆動方式、製造プロセス、電子テスト機器など、非ディスプレイ適用例において使用され得る。したがって、本教示は、単に図に示す実装形態に限定されるものではなく、代わりに、当業者に直ちに明らかになるであろう広い適用性を有する。光変調器のいくつかの実装形態では、入射光が光変調器の中央領域に向けておよび光変調器のエッジから離して導かれた場合、その変調器によって生成される反射率および/または色飽和度colorsaturationは改善され得る。光変調器に電力を与える電気的接続はディスプレイデバイス上の設計スペースを占め、それらの接続に入射する光は、一般に、デバイスによって生成される画像に寄与しない。変調器の中央領域に向けて入射光を導くことは、通常ならば電気的接続に入射するであろう光が、変調器によって変調され、画像に寄与することを可能にし得、これによりデバイスの輝度を改善することができる。したがって、本明細書で説明するディスプレイデバイスのいくつかの実装形態は、光変調器と、光変調器の中央領域に向けて入射光を集中、集束、および/または合焦させるためのマイクロレンズとをそれぞれ含む、複数のディスプレイ要素を含む。マイクロレンズは、光変調器がその上に配設された実質的に透明な基板たとえば、ガラスの表面に隣接して、その基板中に埋め込まれ得る。いくつかのそのような実装形態では、マイクロレンズは、たとえば、光変調器から離れて基板の反対側の表面に配設されたマイクロレンズと比較して光変調器に比較的近接し、比較的広い範囲の角度から光を集中させることができる。マイクロレンズは、単一要素レンズ、2つ以上の要素を含む複合レンズ、またはグレーデッドインデックスまたはグラディエントインデックスレンズであり得る。本開示で説明する主題の特定の実装形態は、以下の潜在的な利点のうちの1つまたは複数を実現するように実装され得る。マイクロレンズを有するディスプレイ要素を含むディスプレイデバイスは、改善された反射率、色飽和度、輝度、および/またはコントラストを与え得る。たとえば、マイクロレンズは、反射率の変動および/または色飽和度低下colordesaturationの量が低減され得るように、ディスプレイ要素の反射層の中央領域に向けておよび反射層のエッジから離して入射光を集束または集中させ得る。また、反射層の中央領域に向けて入射光を集束または集中させることによって、通常ならば黒いマスク使用する場合に入射するであろう一部の光が、ディスプレイ要素によって反射されることになり、それにより、ディスプレイデバイスによって生成される画像に寄与することになる。説明する実装形態が適用され得る好適なMEMSデバイスの一例は反射型ディスプレイデバイスである。反射型ディスプレイデバイスは、光学干渉の原理を使用してそれに入射する光を選択的に吸収および/または反射するために干渉変調器IMODを組み込むことができる。IMODは、吸収器、吸収器に対して可動である反射体、ならびに吸収器と反射体との間に画定された光共振キャビティを含むことができる。反射体は、2つ以上の異なる位置に移動され得、これは、光共振キャビティのサイズを変化させ、それにより干渉変調器の反射率に影響を及ぼすことがある。IMODの反射スペクトルは、かなり広いスペクトルバンドをもたらすことができ、そのスペクトルバンドは、異なる色を生成するために可視波長にわたってシフトされ得る。スペクトルバンドの位置は、光共振キャビティの厚さを変更することによって、すなわち、反射体の位置を変更することによって調整され得る。図1は、干渉変調器IMODディスプレイデバイスの一連のピクセル中の2つの隣接ピクセルを示す等角図の一例を示している。IMODディスプレイデバイスは、1つまたは複数の干渉MEMSディスプレイ要素を含む。これらのデバイスでは、MEMSディスプレイ要素のピクセルが、明状態または暗状態のいずれかにあることがある。明緩和、開またはオン状態では、ディスプレイ要素は、たとえば、ユーザに、入射可視光の大部分を反射する。逆に、暗作動、閉またはオフ状態では、ディスプレイ要素は入射可視光をほとんど反射しない。いくつかの実装形態では、オン状態の光反射特性とオフ状態の光反射特性は逆にされ得る。MEMSピクセルは、黒および白に加えて、主に、カラーディスプレイを可能にする特定の波長において、反射するように構成され得る。IMODディスプレイデバイスは、IMODの行/列アレイを含むことができる。各IMODは、光ギャップまたはキャビティとも呼ばれるエアギャップを形成するように互いから可変で制御可能な距離をおいて配置された反射層のペア、すなわち、可動反射層と固定部分反射層とを含むことができる。可動反射層は少なくとも2つの位置の間で移動され得る。第1の位置、すなわち、緩和位置では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きい距離をおいて配置され得る。第2の位置、すなわち、作動位置では、可動反射層は、部分反射層により近接して配置され得る。それら2つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて、強め合うようにまたは弱め合うように干渉し、各ピクセルについて全反射状態または無反射状態のいずれかを引き起こすことがある。いくつかの実装形態では、IMODは、作動していないときに反射状態にあり、可視スペクトル内の光を反射し得、また、作動していないときに暗状態にあり、可視範囲外の光たとえば、赤外光を反射し得る。ただし、いくつかの他の実装形態では、IMODは、作動していないときに暗状態にあり、作動しているときに反射状態にあり得る。いくつかの実装形態では、印加電圧の導入が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。いくつかの他の実装形態では、印加電荷が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。図1中のピクセルアレイの図示の部分は、2つの隣接する干渉変調器12を含む。図示のような左側のIMOD12では、可動反射層14が、部分反射層を含む光学スタック16からの所定の距離における緩和位置に示されている。左側のIMOD12の両端間に印加された電圧V0は、可動反射層14の作動を引き起こすには不十分である。右側のIMOD12では、可動反射層14は、光学スタック16の近くの、またはそれに隣接する作動位置に示されている。右側のIMOD12の両端間に印加された電圧Vbiasは、可動反射層14を作動位置に維持するのに十分である。図1では、ピクセル12の反射特性が、概して、ピクセル12に入射する光を示す矢印13と、左側のピクセル12から反射する光15とを用いて示されている。詳細に示していないが、ピクセル12に入射する光13の大部分は透明基板20を透過され、光学スタック16に向かうことになることを、当業者なら理解されよう。光学スタック16に入射する光の一部分は光学スタック16の部分反射層を透過されることになり、一部分は反射され、透明基板20を通って戻ることになる。光学スタック16を透過された光13の部分は、可動反射層14において反射され、透明基板20に向かっておよびそれを通って戻ることになる。光学スタック16の部分反射層から反射された光と可動反射層14から反射された光との間の強め合うまたは弱め合う干渉が、ピクセル12から反射される光15の1つまたは複数の波長を決定することになる。光学スタック16は、単一の層またはいくつかの層を含むことができる。その1つまたは複数の層は、電極層と、部分反射および部分透過層と、透明な誘電体層とのうちの1つまたは複数を含むことができる。いくつかの実装形態では、光学スタック16は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であり、たとえば、透明基板20上に上記の層のうちの1つまたは複数を堆積させることによって、作製され得る。電極層は、様々な金属、たとえば酸化インジウムスズITOなど、様々な材料から形成され得る。部分反射層は、様々な金属、たとえば、クロムCr、半導体、および誘電体など、部分的に反射性である様々な材料から形成され得る。部分反射層は、材料の1つまたは複数の層から形成され得、それらの層の各々は、単一の材料または材料の組合せから形成され得る。いくつかの実装形態では、光学スタック16は、光吸収器と導体の両方として働く、金属または半導体の単一の半透明の膜thicknessを含むことができるが、たとえば、光学スタック16の、またはIMODの他の構造の異なる、より伝導性の高い層または部分が、IMODピクセル間で信号をバスで運ぶbusように働くことができる。光学スタック16は、1つまたは複数の伝導性層または伝導性/吸収層をカバーする、1つまたは複数の絶縁層または誘電体層をも含むことができる。いくつかの実装形態では、光学スタック16の1つまたは複数の層は、以下でさらに説明するように、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。当業者によって理解されるように、パターニングという用語は、本明細書では、マスキングプロセスならびにエッチングプロセスを指すために使用される。いくつかの実装形態では、アルミニウムAlなどの高伝導性および反射性材料が可動反射層14のために使用され得、これらのストリップはディスプレイデバイスにおける列電極を形成し得る。可動反射層14は、光学スタック16の行電極に直交する1つまたは複数の堆積された金属層の一連の平行ストリップとして形成されて、ポスト18の上に堆積された列とポスト18間に堆積された介在する犠牲材料とを形成し得る。犠牲材料がエッチング除去されると、画定されたギャップ19または光キャビティが可動反射層14と光学スタック16との間に形成され得る。いくつかの実装形態では、ポスト18間の間隔は1~1000μm程度であり得、ギャップ19は<10,000オングストロームÅ程度であり得る。いくつかの実装形態では、IMODの各ピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタである。電圧が印加されないとき、可動反射層14aは、図1中の左側のピクセル12によって示されるように、機械的に緩和した状態にとどまり、可動反射層14と光学スタック16との間のギャップ19がある。しかしながら、電位差、たとえば、電圧が、選択された行および列のうちの少なくとも1つに印加されたとき、対応するピクセルにおける行電極と列電極との交差部に形成されたキャパシタは帯電し、静電力がそれらの電極を引き合わせる。印加された電圧がしきい値を超える場合、可動反射層14は、変形し、光学スタック16の近くにまたはそれに対して移動することができる。光学スタック16内の誘電体層図示せずが、図1中の右側の作動ピクセル12によって示されるように、短絡を防ぎ、層14と層16との間の分離距離を制御し得る。その挙動は、印加電位差の極性にかかわらず同じである。いくつかの事例ではアレイ中の一連のピクセルが行または列と呼ばれることがあるが、ある方向を行と呼び、別の方向を列と呼ぶことは恣意的であることを、当業者は容易に理解されよう。言い換えれば、いくつかの配向では、行は列と見なされ得、列は行であると見なされ得る。さらに、ディスプレイ要素は、直交する行および列に一様に配置されるかアレイ、または、たとえば、互いに対して一定の位置オフセットを有する、非線形構成で配置され得るモザイク。アレイおよびモザイクという用語は、いずれかの構成を指し得る。したがって、ディスプレイは、アレイまたはモザイクを含むものとして言及されるが、その要素自体は、いかなる事例においても、互いに直交して配置される必要がなく、または一様な分布で配設される必要がなく、非対称形状および不均等に分布された要素を有する配置を含み得る。図2は、3×3干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示している。電子デバイスは、1つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得るプロセッサ21を含む。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサ21は、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含む、1つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。プロセッサ21は、アレイドライバ22と通信するように構成され得る。アレイドライバ22は、たとえば、ディスプレイアレイまたはパネル30に、信号を与える行ドライバ回路24と列ドライバ回路26とを含むことができる。図2には、図1に示したIMODディスプレイデバイスの断面が線1-1によって示されている。図2は明快のためにIMODの3×3アレイを示しているが、ディスプレイアレイ30は、極めて多数のIMODを含んでいることがあり、列におけるIMODの数とは異なる数のIMODを行において有し得、その逆も同様である。図3Aは、図1の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す図の一例を示している。MEMS干渉変調器の場合、行/列すなわち、コモン/セグメント書込みプロシージャが、図3Aに示すこれらのデバイスのヒステリシス特性hysteresispropertyを利用し得る。干渉変調器は、可動反射層またはミラーに緩和状態から作動状態に変更させるために、たとえば、約10ボルトの電位差を必要とし得る。電圧がその値から低減されると、電圧が低下して、たとえば、10ボルトより下に戻ったとき、可動反射層はそれの状態を維持するが、電圧が2ボルトより下に低下するまで、可動反射層は完全には緩和しない。したがって、図3Aに示すように、印加電圧のウィンドウがある電圧の範囲、約3~7ボルトが存在し、そのウィンドウ内でデバイスは緩和状態または作動状態のいずれかで安定している。これは、本明細書ではヒステリシスウィンドウまたは安定性ウィンドウと呼ばれる。図3Aのヒステリシス特性hysteresischaracteristicsを有するディスプレイアレイ30の場合、行/列書込みプロシージャは、一度に1つまたは複数の行をアドレス指定するように設計され得、その結果、所与の行のアドレス指定中に、作動されるべきアドレス指定された行におけるピクセルは、約10ボルトの電圧差にさらされ、緩和されるべきピクセルは、ほぼ0ボルトの電圧差にさらされる。アドレス指定後に、それらのピクセルは、それらが前のストローブ状態にとどまるように、約5ボルトの定常状態またはバイアス電圧差にさらされる。この例では、アドレス指定された後に、各ピクセルは、約3~7ボルトの安定性ウィンドウ内の電位差を経験する。このヒステリシス特性の特徴は、たとえば、図1に示した、ピクセル設計が、同じ印加電圧条件下で作動または緩和のいずれかの既存の状態で安定したままであることを可能にする。各IMODピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタであるので、この安定状態は、電力を実質的に消費するかまたは失うことなしに、ヒステリシスウィンドウ内の定常電圧において保持され得る。その上、印加電圧電位が実質的に固定のままである場合、電流は本質的にほとんどまたはまったくIMODピクセルに流れ込まない。いくつかの実装形態では、所与の行におけるピクセルの状態の所望の変化もしあればに従って、列電極のセットに沿ってセグメント電圧の形態のデータ信号を印加することによって、画像のフレームが作成され得る。次に、フレームが一度に1行書き込まれるように、アレイの各行がアドレス指定され得る。第1の行におけるピクセルに所望のデータを書き込むために、第1の行におけるピクセルの所望の状態に対応するセグメント電圧が列電極上に印加され得、特定のコモン電圧または信号の形態の第1の行パルスが第1の行電極に印加され得る。次いで、セグメント電圧のセットは、第2の行におけるピクセルの状態の所望の変化もしあればに対応するように変更され得、第2のコモン電圧が第2の行電極に印加され得る。いくつかの実装形態では、第1の行におけるピクセルは、列電極に沿って印加されたセグメント電圧の変化による影響を受けず、第1のコモン電圧行パルス中にそれらのピクセルが設定された状態にとどまる。このプロセスは、画像フレームを生成するために、一連の行全体、または代替的に、一連の列全体について、連続方式で繰り返され得る。フレームは、何らかの所望の数のフレーム毎秒でこのプロセスを断続的に反復することによって、新しい画像データでリフレッシュおよび/または更新され得る。各ピクセルの両端間に印加されるセグメント信号とコモン信号の組合せすなわち、各ピクセルの両端間の電位差は、各ピクセルの得られる状態を決定する。図3Bは、様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示している。当業者によって容易に理解されるように、セグメント電圧は、列電極または行電極のいずれかに印加され得、コモン電圧は、列電極または行電極のうちの他方に印加され得る。図3Bにならびに図4Bに示すタイミング図に示すように、開放電圧VCRELがコモンラインに沿って印加されたとき、コモンラインに沿ったすべての干渉変調器要素は、セグメントラインに沿って印加された電圧、すなわち、高いセグメント電圧VSHおよび低いセグメント電圧VSLにかかわらず、代替的に開放または非作動状態と呼ばれる、緩和状態に入れられることになる。特に、開放電圧VCRELがコモンラインに沿って印加されると、そのピクセルのための対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧VSHが印加されたときも、低いセグメント電圧VSLが印加されたときも、変調器の両端間の潜在的な電圧代替的にピクセル電圧と呼ばれるは緩和ウィンドウ図3A参照。開放ウィンドウとも呼ばれる内にある。高い保持電圧VCHOLDHまたは低い保持電圧VCHOLDLなどの保持電圧がコモンライン上に印加されたとき、干渉変調器の状態は一定のままであることになる。たとえば、緩和IMODは緩和位置にとどまることになり、作動IMODは作動位置にとどまることになる。保持電圧は、対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧VSHが印加されたときも、低いセグメント電圧VSLが印加されたときも、ピクセル電圧が安定性ウィンドウ内にとどまることになるように、選択され得る。したがって、セグメント電圧スイングvoltageswing、すなわち、高いVSHと低いセグメント電圧VSLとの間の差は、正または負のいずれかの安定性ウィンドウの幅よりも小さい。高いアドレス指定電圧VCADDHまたは低いアドレス指定電圧VCADDLなどのアドレス指定または作動電圧がコモンライン上に印加されたとき、それぞれのセグメントラインに沿ったセグメント電圧の印加によって、データがそのコモンラインに沿った変調器に選択的に書き込まれ得る。セグメント電圧は、作動が印加されたセグメント電圧に依存するように選択され得る。アドレス指定電圧がコモンラインに沿って印加されたとき、一方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウ内のピクセル電圧をもたらし、ピクセルが非作動のままであることを引き起こすことになる。対照的に、他方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウを越えるピクセル電圧をもたらし、ピクセルの作動をもたらすことになる。作動を引き起こす特定のセグメント電圧は、どのアドレス指定電圧が使用されるかに応じて変動することができる。いくつかの実装形態では、高いアドレス指定電圧VCADDHがコモンラインに沿って印加されたとき、高いセグメント電圧VSHの印加は、変調器がそれの現在位置にとどまることを引き起こすことがあり、低いセグメント電圧VSLの印加は、変調器の作動を引き起こすことがある。当然の結果として、低いアドレス指定電圧VCADDLが印加されたとき、セグメント電圧の影響は反対であり、高いセグメント電圧VSHは変調器の作動を引き起こし、低いセグメント電圧VSLは変調器の状態に影響しないすなわち、安定したままであることがある。いくつかの実装形態では、常に変調器の両端間で同じ極性電位差を引き起こす保持電圧、アドレス電圧、およびセグメント電圧が使用され得る。いくつかの他の実装形態では、変調器の電位差の極性を交番する信号が使用され得る。変調器の両端間の極性の交番すなわち、書込みプロシージャの極性の交番は、単一の極性の反復書込み動作後に起こることがある電荷蓄積を低減または抑止し得る。図4Aは、図2の3×3干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示している。図4Bは、図4Aに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についてのタイミング図の一例を示している。それらの信号は、たとえば、図2の3×3アレイに印加され得、これは、図4Aに示すライン時間60eディスプレイ配置を最終的にもたらすことになる。図4A中の作動変調器は暗状態にあり、すなわち、その状態では、反射光の実質的部分が、たとえば、閲覧者に、暗い外観をもたらすように可視スペクトルの外にある。図4Aに示すフレームを書き込むより前に、ピクセルは任意の状態にあることがあるが、図4Bのタイミング図に示す書込みプロシージャは、各変調器が、第1のライン時間60aの前に、開放されており、非作動状態に属すると仮定する。第1のライン時間60a中に、開放電圧70がコモンライン1上に印加され、コモンライン2上に印加される電圧が、高い保持電圧72において始まり、開放電圧70に移動し、低い保持電圧76がコモンライン3に沿って印加される。したがって、コモンライン1に沿った変調器コモン1,セグメント1、1,2および1,3は、第1のライン時間60aの持続時間の間、緩和または非作動状態にとどまり、コモンライン2に沿った変調器2,1、2,2および2,3は、緩和状態に移動することになり、コモンライン3に沿った変調器3,1、3,2および3,3は、それらの前の状態にとどまることになる。図3Bを参照すると、コモンライン1、2または3のいずれも、ライン時間60a中に作動を引き起こす電圧レベルにさらされていないのですなわち、VCREL-緩和、およびVCHOLDL-安定、セグメントライン1、2および3に沿って印加されたセグメント電圧は、干渉変調器の状態に影響しないことになる。第2のライン時間60b中に、コモンライン1上の電圧は高い保持電圧72に移動し、コモンライン1に沿ったすべての変調器は、アドレス指定または作動電圧がコモンライン1上に印加されなかったので、印加されたセグメント電圧にかかわらず、緩和状態にとどまる。コモンライン2に沿った変調器は、開放電圧70の印加により、緩和状態にとどまり、コモンライン3に沿った変調器3,1、3,2および3,3は、コモンライン3に沿った電圧が開放電圧70に移動するとき、緩和することになる。第3のライン時間60c中に、コモンライン1は、コモンライン1上に高いアドレス電圧74を印加することによってアドレス指定される。このアドレス電圧の印加中に低いセグメント電圧64がセグメントライン1および2に沿って印加されるので、変調器1,1および1,2の両端間のピクセル電圧は変調器の正の安定性ウィンドウの上端よりも大きくすなわち、電圧差は、あらかじめ定義されたしきい値を超えた、変調器1,1および1,2は作動される。逆に、高いセグメント電圧62がセグメントライン3に沿って印加されるので、変調器1,3の両端間のピクセル電圧は、変調器1,1および1,2のピクセル電圧よりも小さく、変調器の正の安定性ウィンドウ内にとどまり、したがって変調器1,3は緩和したままである。また、ライン時間60c中に、コモンライン2に沿った電圧は低い保持電圧76に減少し、コモンライン3に沿った電圧は開放電圧70にとどまり、コモンライン2および3に沿った変調器を緩和位置のままにする。第4のライン時間60d中に、コモンライン1上の電圧は、高い保持電圧72に戻り、コモンライン1に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン2上の電圧は低いアドレス電圧78に減少される。高いセグメント電圧62がセグメントライン2に沿って印加されるので、変調器2,2の両端間のピクセル電圧は、変調器の負の安定性ウィンドウの下側端部を下回り、変調器2,2が作動することを引き起こす。逆に、低いセグメント電圧64がセグメントライン1および3に沿って印加されるので、変調器2,1および2,3は緩和位置にとどまる。コモンライン3上の電圧は、高い保持電圧72に増加し、コモンライン3に沿った変調器を緩和状態のままにする。最後に、第5のライン時間60e中に、コモンライン1上の電圧は高い保持電圧72にとどまり、コモンライン2上の電圧は低い保持電圧76にとどまり、コモンライン1および2に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン3上の電圧は、コモンライン3に沿った変調器をアドレス指定するために、高いアドレス電圧74に増加する。低いセグメント電圧64がセグメントライン2および3上に印加されるので、変調器3,2および3,3は作動するが、セグメントライン1に沿って印加された高いセグメント電圧62は、変調器3,1が緩和位置にとどまることを引き起こす。したがって、第5のライン時間60eの終わりに、3×3ピクセルアレイは、図4Aに示す状態にあり、他のコモンライン図示せずに沿った変調器がアドレス指定されているときに起こり得るセグメント電圧の変動にかかわらず、保持電圧がコモンラインに沿って印加される限り、その状態にとどまることになる。図4Bのタイミング図では、所与の書込みプロシージャすなわち、ライン時間60a~60eは、高い保持およびアドレス電圧、または低い保持およびアドレス電圧のいずれかの使用を含むことができる。書込みプロシージャが所与のコモンラインについて完了されるとまた、コモン電圧が、作動電圧と同じ極性を有する保持電圧に設定されると、ピクセル電圧は、所与の安定性ウィンドウ内にとどまり、開放電圧がそのコモンライン上に印加されるまで、緩和ウィンドウを通過しない。さらに、各変調器が、変調器をアドレス指定するより前に書込みプロシージャの一部として開放されるので、開放時間ではなく変調器の作動時間が、必要なライン時間を決定し得る。詳細には、変調器の開放時間が作動時間よりも大きい実装形態では、開放電圧は、図4Bに示すように、単一のライン時間よりも長く印加され得る。いくつかの他の実装形態では、コモンラインまたはセグメントラインに沿って印加される電圧が、異なる色の変調器など、異なる変調器の作動電圧および開放電圧の変動を相殺するように変動し得る。上記に記載した原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は大きく異なり得る。たとえば、図5A~図5Eは、可動反射層14とそれの支持構造とを含む、干渉変調器の異なる実装形態の断面図の例を示している。図5Aは、金属材料のストリップ、すなわち、可動反射層14が、基板20から直角に延在する支持体18上に堆積される、図1の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示している。図5Bでは、各IMODの可動反射層14は、概して形状が正方形または長方形であり、コーナーにおいてまたはその近くでテザー32に接して支持体に取り付けられる。図5Cでは、可動反射層14は、概して形状が正方形または長方形であり、フレキシブルな金属を含み得る変形可能層34から吊るされる。変形可能層34は、可動反射層14の外周の周りで基板20に直接または間接的に接続することがある。これらの接続は、本明細書では支持ポストと呼ばれる。図5Cに示す実装形態は、変形可能層34によって行われる可動反射層14の機械的機能からのそれの光学的機能の分離から派生する追加の利益を有する。この分離は、反射層14のために使用される構造設計および材料と、変形可能層34のために使用される構造設計および材料とが、互いとは無関係に最適化されることを可能にする。図5Dは、可動反射層14が反射副層14aを含む、IMODの別の例を示している。可動反射層14は、支持ポスト18などの支持構造上に載る。支持ポスト18は、たとえば、可動反射層14が緩和位置にあるとき、可動反射層14と光学スタック16との間にギャップ19が形成されるように、下側静止電極すなわち、図示のIMODにおける光学スタック16の一部からの可動反射層14の分離を可能にする。可動反射層14は、電極として働くように構成され得る伝導性層14cと、支持層14bとをも含むことができる。この例では、伝導性層14cは、基板20から遠位にある支持層14bの一方の面に配設され、反射副層14aは、基板20の近位にある支持層14bの他方の面に配設される。いくつかの実装形態では、反射副層14aは、伝導性であることがあり、支持層14bと光学スタック16との間に配設され得る。支持層14bは、誘電材料、たとえば、酸窒化ケイ素SiONまたは二酸化ケイ素SiO2の、1つまたは複数の層を含むことができる。いくつかの実装形態では、支持層14bは、たとえば、SiO2/SiON/SiO23層スタックなど、複数の層のスタックであり得る。反射副層14aと伝導性層14cのいずれかまたは両方は、たとえば、約0.5のCuまたは別の反射金属材料を用いた、Al合金を含むことができる。誘電支持層14bの上および下で伝導性層14a、14cを採用することは、応力のバランスをとり、伝導の向上を与えることができる。いくつかの実装形態では、反射副層14aおよび伝導性層14cは、可動反射層14内の特定の応力プロファイルを達成することなど、様々な設計目的で、異なる材料から形成され得る。図5Dに示すように、いくつかの実装形態は黒いマスク構造23をも含むことができる。黒いマスク構造23は、周辺光または迷光を吸収するために、光学不活性領域においてたとえば、ピクセル間にまたはポスト18の下に形成され得る。黒いマスク構造23はまた、光がディスプレイの不活性部分から反射されることまたはそれを透過されることを抑止し、それによりコントラスト比を増加させることによって、ディスプレイデバイスの光学的特性opticalpropertiesを改善することができる。さらに、黒いマスク構造23は、伝導性であり、電気的バス層として機能するように構成され得る。いくつかの実装形態では、行電極は、接続された行電極の抵抗を低減するために、黒いマスク構造23に接続され得る。黒いマスク構造23は、堆積およびパターニング技法を含む様々な方法を使用して形成され得る。黒いマスク構造23は1つまたは複数の層を含むことができる。たとえば、いくつかの実装形態では、黒いマスク構造23は、光吸収器として働くモリブデンクロムMoCr層と、SiO2層と、反射体およびバス層として働く、アルミニウム合金とを含み、それぞれ、約30~80Å、500~1000Å、および500~6000Åの範囲内の厚さである。1つまたは複数の層は、たとえば、MoCr層およびSiO2層の場合は、CF4および/またはO2、ならびにアルミニウム合金層の場合は、Cl2および/またはBCl3を含む、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを含む、様々な技法を使用してパターニングされ得る。いくつかの実装形態では、黒いマスク23はエタロンまたは干渉スタック構造であり得る。そのような干渉スタック黒マスク構造23では、伝導性吸収器は、各行または列の光学スタック16における下側静止電極間で信号を送信するかまたは信号をバスで運ぶために使用され得る。いくつかの実装形態では、スペーサ層35が、概して、黒いマスク23中の伝導性層から吸収層16aを電気的に絶縁するのに、役立つことができる。図5Eは、可動反射層14が自立している、IMODの別の例を示している。図5Dとは対照的に、図5Eの実装形態は支持ポスト18を含まない。代わりに、可動反射層14は、複数のロケーションにおいて、下にある光学スタック16に接触し、可動反射層14の湾曲は、干渉変調器の両端間の電圧が作動を引き起こすには不十分であるとき、可動反射層14が図5Eの非作動位置に戻るという、十分な支持を与える。複数のいくつかの異なる層を含んでいることがある光学スタック16は、ここでは明快のために、光吸収器16aと誘電体16bとを含む状態で示されている。いくつかの実装形態では、光吸収器16aは、固定電極としても、部分反射層としても働き得る。図5A~図5Eに示す実装形態などの実装形態では、IMODは直視型デバイスとして機能し、直視型デバイスでは、画像が、透明基板20の正面、すなわち、変調器が配置された面の反対の面から、閲覧される。これらの実装形態では、デバイスの背面部分すなわち、たとえば、図5Cに示す変形可能層34を含む、可動反射層14の背後のディスプレイデバイスの任意の部分は、反射層14がデバイスのそれらの部分を光学的に遮蔽するので、ディスプレイデバイスの画質に影響を及ぼすことまたは悪影響を及ぼすことなしに、構成され、作用され得る。たとえば、いくつかの実装形態では、バス構造図示せずが可動反射層14の背後に含まれ得、これは、電圧アドレス指定およびそのようなアドレス指定に起因する移動など、変調器の電気機械的特性から変調器の光学的特性を分離する能力を与える。さらに、図5A~図5Eの実装形態は、処理たとえば、パターニングを簡略化することができる。図6は、干渉変調器のための製造プロセス80を示す流れ図の一例を示しており、図7A~図7Eは、そのような製造プロセス80の対応する段階の断面概略図の例を示している。いくつかの実装形態では、製造プロセス80は、図6に示されていない他のブロックに加えて、たとえば、図1および図5に示す一般的なタイプの干渉変調器を製造するために実装され得る。図1、図5および図6を参照すると、プロセス80はブロック82において開始し、基板20上への光学スタック16の形成を伴う。図7Aは、基板20上に形成されたそのような光学スタック16を示している。基板20は、ガラスまたはプラスチックなどの透明基板であり得、それは、フレキシブルであるかまたは比較的固く曲がらないことがあり、光学スタック16の効率的な形成を可能にするために、事前準備プロセス、たとえば、洗浄にかけられていることがある。上記で説明したように、光学スタック16は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であることがあり、たとえば、透明基板20上に、所望の特性を有する1つまたは複数の層を堆積させることによって、作製され得る。図7Aでは、光学スタック16は、副層16aおよび16bを有する多層構造を含むが、いくつかの他の実装形態では、より多いまたはより少ない副層が含まれ得る。いくつかの実装形態では、副層16a、16bのうちの1つは、組み合わせられた導体/吸収器副層16aなど、光吸収特性と伝導特性の両方で構成され得る。さらに、副層16a、16bのうちの1つまたは複数は、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。そのようなパターニングは、当技術分野で知られているマスキングおよびエッチングプロセスまたは別の好適なプロセスによって実行され得る。いくつかの実装形態では、副層16a、16bのうちの1つは、1つまたは複数の金属層たとえば、1つまたは複数の反射層および/または伝導性層上に堆積された副層16bなど、絶縁層または誘電体層であり得る。さらに、光学スタック16は、ディスプレイの行を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。プロセス80はブロック84において続き、光学スタック16上への犠牲層25の形成を伴う。犠牲層25は、キャビティ19を形成するために後でたとえば、ブロック90において除去され、したがって、犠牲層25は、図1に示した得られた干渉変調器12には示されていない。図7Bは、光学スタック16上に形成された犠牲層25を含む、部分的に作製されたデバイスを示している。光学スタック16上への犠牲層25の形成は、後続の除去後に、所望の設計サイズを有するギャップまたはキャビティ19図1および図7Eも参照を与えるように選択された厚さの、モリブデンMoまたはアモルファスシリコンSiなど、フッ化キセノンXeF2エッチング可能材料の堆積を含み得る。犠牲材料の堆積は、物理蒸着PVD、たとえば、スパッタリング、プラズマ強化化学蒸着PECVD、熱化学蒸着熱CVD、またはスピンコーティングなど、堆積技法を使用して行われ得る。プロセス80はブロック86において続き、支持構造、たとえば、図1、図5および図7Cに示すポスト18の形成を伴う。ポスト18の形成は、支持構造開口を形成するために犠牲層25をパターニングすることと、次いで、PVD、PECVD、熱CVD、またはスピンコーティングなど、堆積方法を使用して、ポスト18を形成するために開口中に材料たとえば、ポリマーまたは無機材料、たとえば、酸化ケイ素を堆積させることとを含み得る。いくつかの実装形態では、犠牲層中に形成された支持構造開口は、ポスト18の下側端部が図5Aに示すように基板20に接触するように、犠牲層25と光学スタック16の両方を通って、下にある基板20まで延在することがある。代替的に、図7Cに示すように、犠牲層25中に形成された開口は、犠牲層25は通るが、光学スタック16は通らないで、延在することがある。たとえば、図7Eは、光学スタック16の上側表面と接触している支持ポスト18の下側端部を示している。ポスト18、または他の支持構造は、犠牲層25上に支持構造材料の層を堆積させることと、犠牲層25中の開口から離れて配置された支持構造材料の部分をパターニングすることとによって形成され得る。支持構造は、図7Cに示すように開口内に配置され得るが、少なくとも部分的に、犠牲層25の一部分の上に延在することもある。上述のように、犠牲層25および/または支持ポスト18のパターニングは、パターニングおよびエッチングプロセスによって実行され得るが、代替エッチング方法によっても実行され得る。プロセス80はブロック88において続き、図1、図5および図7Dに示す可動反射層14などの可動反射層または膜の形成を伴う。可動反射層14は、1つまたは複数のパターニング、マスキング、および/またはエッチングステップとともに、1つまたは複数の堆積ステップ、たとえば、反射層たとえば、アルミニウム、アルミニウム合金堆積を採用することによって、形成され得る。可動反射層14は、電気伝導性であり、電気伝導性層と呼ばれることがある。いくつかの実装形態では、可動反射層14は、図7Dに示すように複数の副層14a、14b、14cを含み得る。いくつかの実装形態では、副層14a、14cなど、副層のうちの1つまたは複数は、それらの光学的特性のために選択された高反射性副層を含み得、別の副層14bは、それの機械的特性のために選択された機械的副層を含み得る。犠牲層25は、ブロック88において形成された部分的に作製された干渉変調器中に依然として存在するので、可動反射層14は、一般にこの段階では可動でない。犠牲層25を含んでいる部分的に作製されたIMODは、本明細書では非開放unreleasedIMODと呼ばれることもある。図1に関して上記で説明したように、可動反射層14は、ディスプレイの列を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。プロセス80はブロック90において続き、キャビティ、たとえば、図1、図5および図7Eに示すキャビティ19の形成を伴う。キャビティ19は、ブロック84において堆積された犠牲材料25をエッチング液etchantにさらすことによって形成され得る。たとえば、MoまたはアモルファスSiなどのエッチング可能犠牲材料が、ドライ化学エッチングによって、たとえば、一般に、キャビティ19を囲む構造に対して選択的に除去される、所望の量の材料を除去するのに有効である時間期間の間、固体XeF2から派生した蒸気などの気体または蒸気エッチング液に犠牲層25をさらすことによって、除去され得る。他のエッチング方法、たとえば、ウェットエッチングおよび/またはプラズマエッチングも使用され得る。犠牲層25がブロック90中に除去されるので、可動反射層14は、一般に、この段階後に可動となる。犠牲材料25の除去後に、得られた完全にまたは部分的に作製されたIMODは、本明細書では開放IMODと呼ばれることがある。いくつかの実装形態では、干渉変調器を含むディスプレイは、ディスプレイによって生成される画像の品質の低減につながることがあるいくつかの欠陥を有することがある。たとえば、干渉変調器の反射層14の反射率は反射層14にわたって非一様であり得、これは、変調器から反射される光の非一様性につながることある。反射層14は、非フラット、たとえば、わずかに湾曲していることがあり、これは、変調器によって反射される光の色の変動につながることがある。そのような色変動は、変調器によって生成される色の飽和度を低下させる傾向がある。また、変調器に電圧を与える電気的接続は、ディスプレイ上のスペースを占め、それにより、画像のための光を反射するために使用可能であるエリアを低減する。いくつかの実装形態では、電気的接続は、ディスプレイのコントラスト比を維持するために、黒いマスクによって隠される。黒いマスクに入射する光は、ディスプレイによって生成される反射画像に寄与しない。本明細書で説明する実装形態は、これらの欠陥の一部または全部を低減または回避するように構成される。たとえば、いくつかの実装形態では、反射層14の中央領域は、反射層14全体と比較して、より平坦であり、波長に応じてより一様な反射率を有する傾向がある。したがって、反射層14の中央領域に向けておよび反射層のエッジから離して入射光を集束または集中させることは、反射率の変動と変調器の色飽和度低下の量とを低減し得る。また、変調器の中央領域に向けて入射光を集束または集中させることによって、通常ならば黒いマスクに入射するであろう一部の光が、変調器によって反射され、それにより、ディスプレイによって生成される画像に寄与することになる。変調器の中央に向けて光を集束または集中させるために、本明細書で開示するいくつかの実装形態は、変調器に隣接して基板中に埋め込まれたマイクロレンズのアレイを使用する。入射光は、マイクロレンズによって屈折され、反射層の中央領域上に集束、集中、および/または合焦される。図8は、複数のディスプレイ要素801を含むディスプレイ800の断面の一例を示している。ディスプレイ要素801は1次元アレイまたは2次元アレイで配置され得、これは周期的および/または非周期的であり得る。図示した実装形態では、各ディスプレイ要素801は、レンズまたはマイクロレンズ804と光変調器802とを含む。様々な実装形態では、光変調器802は、たとえば、図1および図5A~図5Eを参照しながら図示および説明した干渉変調器のいずれかなど、本明細書で説明する光変調器のいずれかを含むことができる。図8に示す実装形態では、光変調器802は、たとえば、光学スタック16内などの、部分反射体と、たとえば、可動反射層14などの、可動反射体とを含む。部分反射体は、光キャビティ806を与えるために、たとえば、ポスト18によって可動反射体から離間されるか、またはそれから離れて配置される。可動反射体は、光キャビティ806とギャップ19の高さとを調整し、それにより光キャビティ806中の光の干渉変調を調整するために、好適な電気信号に応答して部分反射体に向かってまたはそれから離れて移動され得る。光変調器802は、基板20の第1の表面818上に配設され得る。たとえば、図8に示す実装形態では、光変調器802は第1の表面818に配設されるたとえば、光学スタック16は第1の表面818に配設される。他の実装形態では、1つまたは複数の層たとえば、スペーサ層、パッシベーション層、フィルタ層、ディフューザ層などが、基板20の第1の表面818と光変調器802との間に配設され得る。基板20は、基板20の厚さによって第1の表面818から離間された第2の表面816を有する。使用中に、ディスプレイ800は、概して、基板20の第2の表面816がユーザの近位にあり、基板20の第1の表面818がユーザの遠位にあるように、配向される。ディスプレイ800に入射する光は、光変調器802が開状態と閉状態との間で作動されるにつれて、様々な量で反射される。図8に示す実装形態では、マイクロレンズ804は、開状態と閉状態との間で作動される第1の表面818に隣接して基板20中に配設されるたとえば、基板20中に埋め込まれる。マイクロレンズ804は、マイクロレンズ804が基板20の第2の表面816から離間されるように、サイズ決定され、整形され得る。図8に概略的に示すように、マイクロレンズ804の一部分たとえば、表面819は、基板20の第1の表面818と実質的に同一平面であり得る。様々な実施形態では、マイクロレンズ804の各々は、マイクロレンズが第1の表面818の内部に埋め込まれるかまたは第1の表面818から突出しているように、第1の表面818の約100μm以内に配設された、表面819を有する。他の実装形態では、マイクロレンズ804の表面819は、第1の表面818の約50μm以内、第1の表面818の約25μm以内、第1の表面818の約15μm以内、第1の表面818の約10μm以内、第1の表面818の約5μm以内、または第1の表面818からの何らかの他の好適な距離内にある。いくつかの実装形態では、マイクロレンズ804は、光変調器802のピッチをほぼ下回るピッチで第1の表面818に隣接して配設される。マイクロレンズ804は、基板20の屈折率とは異なる屈折率または複数の屈折率を有する1つまたは複数の材料を含むことができる。マイクロレンズの屈折率は、マイクロレンズ804が正のまたは集束レンズであるように、基板20の屈折率よりも大きいことがある。たとえば、マイクロレンズ804は、約2.05の屈折率を有する窒化ケイ素SiNを含み得、基板20は、約1.51の屈折率を有するガラスたとえば、SiO2を含み得る。マイクロレンズ804は、追加または代替として酸窒化ケイ素SiON、ポリイミド、酸化インジウムスズITO、アモルファスシリコン、二酸化チタンTiO2、酸化アルミニウムAl2O3、またはそれらの組合せを含み得る。図8に概略的に示すように、マイクロレンズ804は、平凸レンズを形成するように実質的に球体の一部分たとえば、半球として整形され得る。たとえば、楕円体、卵形、円柱、角柱、多面体など、他の形状も使用され得る。マイクロレンズ804のサイズは、光変調器802のピッチに相当することがある。たとえば、マイクロレンズの直径または横サイズは、上記ピッチをほぼ下回るかまたはそれにほぼ等しいことがある。マイクロレンズ804の曲率半径は、光変調器のサイズをほぼ上回るか、それにほぼ等しいか、またはそれをほぼ下回ることがある。たとえば、図8に概略的に示すマイクロレンズ804の曲率半径は、光変調器802のサイズの約1/2である。いくつかの実装形態では、マイクロレンズ804の曲率半径は、光変調器のピッチDの約1/2であるたとえば、図9A参照。マイクロレンズの曲率半径は、光変調器の中央に向けた光の集束または集中の好適な程度を与えるように選択され得る。いくつかの実装形態では、マイクロレンズ804のピッチは、光変調器のピッチDに実質的に一致している。いくつかの実装形態では、各光変調器802は、対応するマイクロレンズ804上に実質的に配設される。たとえば、図8に概略的に示すように、各光変調器802の中央は、それの対応するマイクロレンズ804の中心と実質的に整合される。他の実装形態では、光変調器802は、2つ以上のマイクロレンズ上に配設され得る。図8は、埋込みマイクロレンズ804の特徴を例示するためのものであり、その特徴を限定するためのものでない、一例を概略的に示している。図8では、光線812が、ディスプレイ800に入射するものとして示されている。ディスプレイ800中でマイクロレンズ804が使用されていなければ、光線812は、点線によって概略的に示される経路に沿って伝搬し、位置807において反射層14と交わるであろう。ディスプレイ800中にマイクロレンズ804が存在することにより、光線812は、破線によって概略的に示される経路に沿って屈折し、位置807よりも反射層の中央に近接している位置808において反射層14と交わる。したがって、この例は、マイクロレンズ804が反射層14の中央に向けて光をどのように集束または集中させることができるかを概略的に示している図11Aおよび図11Bも参照。いくつかの実施形態では、マイクロレンズ804の焦点距離は、反射層14上に光を合焦させるように、または光キャビティ806中で焦点を与えるように、選択され得る。マイクロレンズアレイが基板20の第1の表面818に隣接して配設されたディスプレイ800の実装形態は、マイクロレンズアレイが基板の第2の表面816たとえば、ユーザの近位にある表面に隣接して配設されたディスプレイ800と比較して利点を有し得る。いくつかの実装形態では、基板20の厚さは、一般に、隣接するディスプレイ要素間のピッチまたは間隔よりもはるかに大きいことがある。たとえば、ピッチは約10μmから50μmまでの範囲内にあり得、基板厚さは約200μmから1000μmまでの範囲内にあり得る。したがって、基板20の第1の表面818に隣接して配設されたマイクロレンズアレイは、一般に、基板20の第2の表面816に隣接して配設されたマイクロレンズアレイよりも、光変調器にはるかに近接していることになる。光変調器802の近くに配設されたマイクロレンズアレイは、基板20にほぼ垂直である狭い範囲の角度のみから変調器上に光を集中させることができる、変調器からはるかに遠くに配設されたマイクロレンズアレイよりも、広い範囲の角度から変調器に向けて光を集中させるように実装され得る。また、第1の表面818に隣接して基板20中に配設されたマイクロレンズアレイは、基板の第2の表面816中にまたは第2の表面816に配設されたマイクロレンズアレイであって、より露出しやすく、かき傷をつけられるかまたは損傷を与えられることがあるマイクロレンズアレイよりも、ディスプレイ800の日常的な使用によって損傷を与えられる可能性が低いことになる。マイクロレンズアレイの詳細は大きく異なり得る。図9A~図9Eは、マイクロレンズ804のアレイを含むディスプレイ800の異なる実装形態を概略的に示す断面の例を示している。図9Aは、図8に示した例と概して同様である一例を示している。光変調器802またはディスプレイ要素801のアレイのピッチはDである。この実装形態では、各変調器802は、対応するマイクロレンズ804上に配設され、したがって、マイクロレンズ804のアレイのピッチもDである。いくつかの実装形態では、マイクロレンズ804の焦点距離は、光変調器802のアレイのピッチDに相当するように選択される。図9Bは、スペーサ層820がマイクロレンズ804と光変調器802とを分離する、ディスプレイ800の一実装形態を示している。スペーサ層820は、マイクロレンズ804によって屈折された光が、スペーサ層820を有しないいくつかの実装形態においてよりも、光変調器802の中央に近づくことを可能にすることがある。いくつかの実装形態では、スペーサ層820の厚さは約0.01μmから約2μmまでの範囲内にある。たとえば、約5μm未満、約10μm未満など、スペーサ層820の他の厚さも使用され得る。スペーサ層820は実質的に透明な材料たとえば、ガラスであり得る。いくつかの実装形態では、スペーサ層820は、基板20の屈折率にほぼ等しい屈折率をもつ材料を含む。スペーサ層820は、光をフィルタ処理するためのフィルタ材料たとえば、カラーフィルタおよび/または光を拡散させるためのディフューザ材料を含み得る。いくつかの実装形態では、複数のスペーサ層820、たとえば、実質的に透明なスペーサ層およびディフューザ層が使用され得る。スペーサ層820の多くの変形形態が可能である。1つまたは複数のスペーサ層820が、本明細書で説明する実装形態のいずれかとともに使用され得る。図9Cは、マイクロレンズ804が、互いにマージされ、基板20の第1の表面818の近くで重なり、互いから離間された個別要素でない、実装形態を概略的に示している。基板20の第1の表面818に隣接するマイクロレンズアレイの一部分822が、実質的に、マイクロレンズ804と光変調器802とを分離するスペーサ層として、機能する。図9Dは、マイクロレンズ804が、第1のレンズ824と第2のレンズ828とを含む複合レンズを含む、実装形態を概略的に示している。この実装形態では、第1のレンズ824は、凸外表面832aと、凹内表面832bと、実質的に平面の表面832cとを有するメニスカスレンズである。第2のレンズ828は、凸外表面834aと実質的に平面の表面834bとを有する平凸レンズである。図示した実装形態では、第2のレンズ828の凸外表面834aは、第1のレンズ824の凹内表面832bと接触している。第1のレンズ824は、第2のレンズ828を含む材料の屈折率とは異なる屈折率を有する材料を含むことができる。第1および第2のレンズ824、828の屈折率の一方または両方が、基板20の屈折率とは異なることがある。いくつかの実装形態では、第2のレンズ828の屈折率は第1のレンズ824の屈折率よりも小さい。そのような実装形態の1つの潜在的な利点は、第2のレンズ828が反射層14に垂直な方向に向けて光を屈折させる傾向があり、これにより変調器802の色応答を改善し得ることである。他の実装形態では、複合レンズは、図9Dに概略的に示す2つのレンズ824、828よりも多くのレンズを含むことができる。また、他の実装形態では、レンズ824、828は、図9Dに概略的に示すのとは別様に整形および/またはサイズ決定され得る。様々な実装形態では、第2のレンズ828は、第1のレンズ824中に少なくとも部分的に配設されるかまたは埋め込まれる。第1のレンズ824は、実質的に平面の表面832cを含むことができ、第2のレンズは、実質的に平面の表面834bを含むことができ、その結果、実質的に平面の表面832cおよび実質的に平面の表面834bは、基板20の第1の表面818と実質的に共面である。いくつかの実装形態では、外表面832aの少なくとも一部分および/または外表面834aの少なくとも一部分は、基板20の第1の表面818から離れて基板の第2の表面816に向かって延在する。表面832a、834aのうちの少なくとも1つは、実質的に球体の一部分であり得る。図9Eは、マイクロレンズ804がグレーデッドインデックスまたはグラディエントインデックスレンズを含む、実装形態を概略的に示している。グレーデッドインデックスレンズでは、屈折率はたとえば、マイクロレンズ804に示す斑点stipplingによって概略的に表されるようにレンズの中心と表面との間で変動する。グレーデッドインデックスレンズのいくつかの実装形態では、屈折率は、レンズの表面の近くでよりも、レンズの中心の近くで大きい。ファクタの中でも屈折率の変動は、レンズによって屈折される光の集束または集中の所望の程度を与えるように選択され得る。図10は、基板中に埋め込まれたマイクロレンズによる光の集束によって生じる、光変調器の中央の近くでの照度の増加の例示的な計算を示すグラフを示している。垂直軸は輝度効率比であり、これは、マイクロレンズがない場合に発生するであろう平均光強度に対する図9A~図9Eに示す構成において、マイクロレンズの中心の真上で変調器の中央において測定されたピーク光強度の比である。水平軸は、基板20の第1の表面818と光変調器802との間の分離である。この例示的な計算は、アリゾナ州ツーソンのBreaultResearchOrganizationから入手可能なAdvancedSystemsAnalysisProgramASAP登録商標を使用して実行された。この計算では、マイクロレンズは、15μmの半径の半球状であり、SiNから形成され、2.05の屈折率をもつと仮定された。基板は、ガラスであり、1.51の屈折率をもつと仮定された。光は基板に対して垂直に入射した。図10は、この例示的な計算において輝度効率比が約1.60.01μmの分離の場合から約2約2μmの分離の場合に増加することを示している。図11Aおよび図11Bは、マイクロレンズを有する光変調器についての光強度の分布の例示的な計算の平面図を示す照度プロットを示している。図11Aおよび図11Bでは、基板20の第1の表面818と光変調器との間の分離は、それぞれ0.01μmおよび2.0μmである。これらの例示的な平面図では、光変調器は、図11Aおよび図11BのX-Y平面における方向の各々において-100μmから100μmの間に延在する。マイクロレンズの中心は照度プロットの中心にたとえば、X=0,Y=0に配置される。マイクロレンズの断面は、曲線852によって示す円形であり、15μmの半径を有する。各グラフの右側および下部の挿入図は、照度プロットの中心を通る、それぞれ垂直カットおよび水平カットに沿った強度プロファイルたとえば、任意の単位での、フラックス/μm2を示している。照度プロットおよび挿入図は、マイクロレンズの中心の真下の位置850における光強度が、レンズ852の外側の位置853における強度と比較して増加していることを示している。中心850に向けた光の集束により、照度分布は、中心850から約15μmの距離のところでより低い強度の円形の谷854を有する。以下の表に、基板の下側表面と光変調器との間の異なる分離の場合の例示的な任意の単位での強度と輝度効率比とを列挙する。図12A~図12Gは、マイクロレンズと光変調器とを含むディスプレイ要素のアレイを含むディスプレイを製造する方法を概略的に示す例示的な断面を示している。この実装形態では、マイクロレンズおよび光変調器は、ピッチDを有する周期的アレイで配設される。アレイが2次元である実装形態では、ピッチは各次元で異なることがある。他の実装形態では、マイクロレンズおよび/または光変調器は、1次元または2次元で非周期的に配置され得る。いくつかの実装形態では、アレイの一方または両方の次元での光変調器のピッチは、一方または両方の次元でのマイクロレンズのピッチに実質的に一致していることがある。図12Aでは、基板20の第1の表面818は、マイクロレンズのピッチDで離間された開口1008を用いてパターニングされたマスク1004でマスキングされる。各開口1008はマイクロレンズの中心に対応することがある。開口1008は、たとえば、リソグラフィを介して、形成され得る。マスク1004は、開口1008を通って基板20をエッチングすることができるエッチング液の影響を阻止するために使用される。基板20の第2の表面816も、第2の表面816のエッチングを防ぐために開口なしにマスキングされ得る図12Aには示されていない。実質的に対称型のマイクロレンズが望まれる実装形態では、ガラスSiO2基板をエッチングするために、たとえば、フッ化水素酸HFなど、等方性エッチング液が使用され得る。図12Bを参照すると、基板20は、キャビティ1112を形成するのに十分な時間の間、エッチング液に浸漬され得る。等方性エッチングの場合、キャビティ1112は実質的に半球状であり得る。マイクロレンズが個別の分離された要素であるディスプレイ実装形態の場合たとえば、図9Aおよび図9B参照、エッチングは、キャビティ1112が、互いにマージし、少なくとも部分的に重なる前に、停止されるたとえば、キャビティの半径はピッチDの1/2よりも小さい。マイクロレンズが互いにマージするディスプレイ実装形態の場合たとえば、図9C参照、エッチングは、キャビティ1112が所望の量だけ重なるように、より長い時間の間、続けられる。エッチングの後で、マスク1004は除去され得るたとえば、図12C参照。図12Dに概略的に示すように、基板20の屈折率とは異なる屈折率を有する誘電材料の層1116が、基板20の第1の表面818に形成され得る。たとえば、基板20がガラスを含む場合、層1116は、SiN、SiON、またはポリイミドなどの誘電材料を含み得る。誘電体層1116は、誘電材料でキャビティ1112を実質的に充填するのに十分である厚さを有することができる。たとえば、図12Dに概略的に示す実装形態では、誘電体層1116はキャビティ1112を充填し、誘電体層1116の一部分は表面818の下方に延在する。いくつかの実装形態では、誘電体層1116はキャビティ1112を少なくとも部分的に充填する。層1116が、平坦化され得る材料を含むならば、有利である。誘電体層1116は、共形の層、膜、またはコーティングを含み得る。層1116は、たとえば、化学蒸着CVDなど、薄膜技法を使用して基板20上に堆積され得る。たとえば、光変調器を形成するための後の処理ステップが高温を使用し得るので、誘電体層1116が、高温処理に耐えることができる材料を含むならば、有利である。図12Eに概略的に示すように、誘電体層1116は、基板20の第1の表面818まで平坦化され得る。それにより、マイクロレンズ804が第1の表面818に隣接して基板20中に形成される。いくつかの実装形態では、表面を平坦化するために化学機械研磨CMPが使用され得る。たとえば、CMPは、誘電体層1116がSiONを含むときに使用され得る。他の実装形態では、表面818をカバーする誘電体層1116が十分に厚い場合、平坦化のために均一なエッチングバックが使用され得る。たとえば、酸化、化学エッチング、スパッタリングなど、他の平坦化技法が使用され得る。図12Fは、マイクロレンズ840と光変調器802との間にスペーサ層820を与えるために使用され得る随意のステップを概略的に示している。この随意のステップでは、スペーサ層820は、基板20の第1の表面818に形成される。スペーサ層820は、たとえば、CVDによって堆積され得る。スペーサ層820は、たとえば、ガラスなど、誘電材料を含むことができる。所望される場合、追加のスペーサ層、フィルタ層、ディフューザ層、パッシベーション層などを与えるために、追加の随意の処理ステップが使用され得る。図9Cに示したディスプレイ800に関して説明したように、他の実装形態では、図12Bを参照しながら上記で説明したように、キャビティ1112を形成するためのエッチング時間を増加させることによって、スペーサ層824が与えられ得る。いくつかの実装形態では、エッチング時間は、マイクロレンズ804が、少なくとも部分的に重なり、層824を形成するのに、十分に長く、スペーサ層820も基板20の第1の表面818に形成される。図12Gに概略的に示すように、光変調器802のアレイが、基板20の第1の表面818上に形成され得る。いくつかの実装形態では、光変調器802は、部分反射体を含む光学スタック16と、可動反射層14とを含み、光学スタック16と可動反射層14とは、それらの間に光キャビティ806を画定する。光変調器802は、たとえば、基板20の第1の表面818上に部分反射体を形成することと、支持構造たとえば、ポスト18を形成することと、部分反射体上に犠牲層を形成することと、犠牲層上に可動反射体を形成することとによって、基板20の第1の表面818上に形成され得る。犠牲層は、光キャビティ806を形成するためにエッチング除去され得る。基板20上に形成された光変調器802のアレイは、基板20中に埋め込まれたマイクロレンズ804のアレイと同じピッチDを有することができる。いくつかの実装形態では、各光変調器802は、対応するマイクロレンズ804と整合される。たとえば、各光変調器802の中央は、各マイクロレンズ804の中心と実質的に整合され得る。いくつかの実装形態では、基板20上のマイクロレンズ804のパターンは、処理中に容易に検出可能であることがあり、対応するマイクロレンズ804との光変調器802の整合は容易に達成され得る。光変調器802を形成するための別の実装形態では、光学スタック16の層が、基板20の第1の表面818上に形成され、平行ストリップにパターニングされ得る。平行ストリップはディスプレイ800における行電極を形成し得る。いくつかの実装形態では、光学スタック16は、たとえば、酸化インジウムスズITOなどの電極層、クロムなどの部分反射層、および透明誘電体のうちの1つまたは複数を含むことができる、いくつかの層を含む。いくつかの実装形態では、光学スタック16の層のうちの1つまたは複数が堆積によって形成される。可動反射層14は、行電極に直交する1つまたは複数の堆積された金属層の一連の平行ストリップとして形成されて、ポスト18の上に堆積された列とポスト18間に堆積された介在する犠牲材料とを形成し得る。犠牲材料がエッチング除去されると、可動反射層14はギャップ19によって光学スタック16から分離され、それによって、光を変調するための光キャビティ806を与える。光変調器802は、電気信号に応答してたとえば、行電極および列電極を介して個々にアドレス指定可能であり、作動されるように、構成され得る。たとえば、可動反射層14は、光キャビティ806中の光を干渉的に変調するために、光学スタック16に向かってまたはそれから離れて移動するように電気的に作動され得る。光変調器802は、基板20の第1の表面818に形成され得る。たとえば、光学スタック16は第1の表面818に形成され得る。随意のスペーサ層820を含む実装形態では、光変調器802は、スペーサ層820の下側表面に形成され得る。図13A~図13Gは、複合マイクロレンズと光変調器とを含むディスプレイ要素のアレイを含むディスプレイ800を製造する方法を概略的に示す例示的な断面を示している。本方法では、図13A~図13Cに示す処理が、図12A~図12Cに示した処理と概して同様であることがある。図13Dに概略的に示すように、基板20の屈折率とは異なる屈折率を有する誘電材料の第1の層1116aが、基板20の第1の表面818に形成され得る。第1の誘電体層1116aは、共形の層、膜、またはコーティングを含むことができる。第1の誘電体層1116aは、たとえば、CVDなど、薄膜技法を使用して基板20上に堆積され得る。第1の誘電体層1116aは、基板20中に形成されたキャビティ1112を少なくとも部分的に充填するのに十分に厚く、第1の誘電体層1116aの下側表面1117の下方に開口1120を与えるのに十分に薄い、厚さを有することができる。第1の誘電体層1116aは、以下で説明するように複合マイクロレンズを形成するための追加の材料の導入を可能にするために、開口1120が基板20の第1の表面818の上方に延在するように、構成され得る。いくつかの実装形態では、開口1120は、ほぼ球体の一部分である形状たとえば、半球を有する。たとえば、卵形、楕円体、円柱、角柱、多面体など、他の形状が可能である。図13Eに概略的に示すように、第2の誘電体層1116bが第1の誘電体層1116b上に形成される。第2の誘電体層1116bは、共形の層、膜、またはコーティングを含み得る。図13Eに示す実装形態では、第2の誘電体層1116bは開口1120を実質的に充填する。第2の誘電体層1116bは、第1の誘電体層1116aの屈折率とは異なる屈折率をもつ材料を含むことができる。いくつかの実装形態では、たとえば、図9Dを参照しながら上記で説明したように第2の層1116bの屈折率は第1の層1116aの屈折率よりも小さい。層1116a、1116bは、たとえば、SiN、SiON、またはポリイミドなど、様々な誘電材料を含み得る。いくつかの実装形態では、層1116a、1116bが、平坦化され得る材料であって、光変調器を形成するために一般に使用されるより高い処理温度に耐えることができる材料を含むならば、有利であり得る。図13Fに概略的に示すように、誘電体層1116aおよび1116bは、基板20の第1の表面818まで平坦化される。たとえば、いくつかの実装形態では、平坦化のためにCMPが使用され得る。それにより、複合マイクロレンズ804が第1の表面818に隣接して基板20中に形成される。図13Fに示す複合マイクロレンズ804は、第1の誘電体層1116aからの材料を含む第1のレンズ824と第2の誘電体層1116bからの材料を含む第2のレンズ828とを含む。ファクタたとえば、キャビティ1120の半径の中でも、誘電体層1116a、1116bの屈折率および/または厚さは、マイクロレンズ804の所望の光学的特性opticalcharacteristicsたとえば、焦点距離を与えるように選択され得る。他の実装形態では、平坦化より前に、3つ以上のレンズを含む複合レンズを形成するために追加の誘電体層が第1の層1116aおよび第2の層1116b上に形成され得る。図13Gに概略的に示すように、光変調器802のアレイが、基板20の第1の表面818上に形成される。光変調器802は、図12Gを参照しながら上記で説明したのと概して同様に形成され得る。いくつかの実装形態では、光変調器を形成するより前に、1つまたは複数のスペーサ層、フィルタ層、ディフューザ層、パッシベーション層などが、基板20の第1の表面818上に形成され得るたとえば、図12F参照。図14A~図14Cは、グレーデッドインデックスまたはグラディエントインデックスマイクロレンズと光変調器とを含むディスプレイ要素のアレイを含むディスプレイを製造する方法を概略的に示す例示的な断面を示している。図14Aに概略的に示すように、基板20の第1の表面818は、ドーパントを実質的に通さない材料を含むマスク1130でマスキングされる。マスク1130は、ドーパントが開口1134を通って基板20中に拡散することを可能にする、開口1134を用いてパターニングされる。図14Aに示す実装形態では、開口1134は、マイクロレンズのアレイのためのピッチDで離間される。いくつかの実装形態では、基板の第2の表面816は、第2の表面816を通って基板20中にドーパントが拡散することを抑止するために、開口なしにマスキングされる。ドーパントは、基板20の光学的特性を変化させるように選択され得る。たとえば、ドーパントは、基板20の屈折率を変化させるたとえば、増加または減少させるように選択され得る。ガラスたとえば、SiO2基板の場合、ドーパントの一例は、ガラスの屈折率を増加させるホウ素である。他の実装形態では、追加のおよび/または異なるドーパントが使用され得る。たとえば、いくつかの実装形態では、リンがドーパントとして使用され得る。基板20は、ドーパントがある場合、開口1134を通っておよび基板20中にドーパントを拡散させるのに十分な温度まで加熱され得る。いくつかの実装形態では、基板20は、所望の量のドーパントが基板20に拡散することを可能にするのに、および/または基板20において所望の濃度勾配を与えるのに、十分な持続時間の間、この温度に維持される。拡散プロセスは、ドーパントの濃度が、開口1134の近くで概して最も高く、開口1134から離れるにつれて減少するように、その濃度の勾配を作成する。基板の屈折率を変化させるドーパントの場合、そのドーパントの濃度勾配は、各開口1134の近くで基板20の屈折率の勾配を与えたとえば、図9E、図14Bおよび図14C参照、それによりグレーデッドインデックスマイクロレンズ804を与える。様々な実装形態では、加熱の持続時間および/または温度、ドーパントのタイプ、開口1134のサイズ/形状などを含むファクタは、グレーデッドインデックスマイクロレンズ804の所望の光学的特性たとえば、マイクロレンズの焦点距離、サイズ/形状などを与えるように選択され得る。マスク1130および/または使用する場合、第2の表面816上のマスクがディスプレイ800の所望の光学的特性に干渉する場合、一方のまたは両方のマスクは除去され得る図14Bは、マスク1130が除去されている実装形態を示している。いくつかの実装形態では、図14A~図14Cを参照しながら図示および説明する処理ステップへの追加の処理ステップが使用され得る。たとえば、基板20の第1の表面818は、マイクロレンズ804の形成後にたとえば、CMPを介して平坦化され得る。第1の表面818に隣接したグレーデッドインデックスマイクロレンズの形成からの応力が、基板20のゆがみを引き起こす傾向があり得る場合、その応力を補償するために、同様の、ただしパターニングされていないunpatternedドーパントが第2の表面816に適用され得る。1つまたは複数のスペーサ層、ディフューザ層、フィルタ層、および/またはパッシベーション層が、基板20の第1の表面818に形成され得る。図14Cに概略的に示すように、図12Gおよび図13Gを参照しながら上記で説明した方法を使用して、光変調器802が、基板20の第1の表面818上に形成され得る。所望される場合、マイクロレンズのアレイは、そのアレイが単一要素レンズたとえば、図8および図9A~図9C参照、複合レンズたとえば、図9D参照、および/またはグレーデッドインデックスレンズたとえば、図9D参照を含むように、基板中に形成され得る。たとえば、基板20はマスキングされ得、図12A~図12Eを参照しながら説明した方法を使用して、第1の複数の単一要素レンズが形成され得る。次いで、基板20は再びマスキングおよびパターニングされ得、図13A~図13Fを参照しながら説明した方法を使用して、第2の複数の複合レンズが形成され得、ならびに/または図14Aおよび図14Bを参照しながら説明した方法を使用して、第3の複数のグレーデッドインデックスレンズが形成され得る。本明細書で説明するようにそれらのマイクロレンズ上に光変調器が形成され得る。多くの変形形態が可能であり、本明細書で説明する方法およびプロセスのいずれも、互いとともにおよび/または他の製造プロセスとともに使用され得る。図15は、光変調器802とマイクロレンズ804とを含むディスプレイ要素801を製造する方法1200を示すフローチャートの一例を示している。ブロック1204において、基板20の第1の表面818に隣接して基板20中にマイクロレンズ804を形成する。様々な実装形態では、マイクロレンズ804は、図12A~図12Eを参照しながら説明したように単体レンズたとえば、単一の要素として、図13A~図13Fを参照しながら説明したように複合レンズたとえば、2つの要素として、および/または図14A~図14Bを参照しながら説明したようにグレーデッドインデックスレンズとして形成され得る。随意のブロック1208において、基板20の第1の表面818上に1つまたは複数のスペーサ層820、824を形成する。スペーサ層のうちの1つまたは複数は、フィルタ層、ディフューザ層、パッシベーション層などを含み得る。ブロック1212において、基板20の第1の表面818上に光変調器802を形成する。したがって、そのような実装形態では、基板20中にマイクロレンズ804が形成された後、基板20上に光変調器802が形成される。光変調器802は、マイクロレンズ804と実質的に整合され得る。光変調器802は、本明細書で説明する光変調器の実装形態のいずれかを含むことができる。たとえば、光変調器802は、反射型光変調器、干渉光変調器などを含み得る。いくつかの実装形態では、光変調器802は、基板20の第1の表面818に形成されるか、または、随意のスペーサ層820が使用される場合、スペーサ層の下側表面に形成される。ディスプレイ要素801は、1次元アレイまたは2次元アレイ規則的または不規則的で形成され得る。ディスプレイ要素801は、使用中に、ディスプレイ800に入射するたとえば、第2の表面816に入射する光が、基板20を通過し、次いでマイクロレンズ804を通過し、次いでスペーサ層820使用する場合を通過し、次いで光変調器802の光キャビティ806に入るように、構成され得る。ディスプレイ800は複数のディスプレイ要素801を含むことができ、ディスプレイ要素801の各々は方法1200に従って形成される。図16Aおよび図16Bは、複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイス40を示すシステムブロック図の例を示している。ディスプレイデバイス40は、たとえば、セルラー電話または携帯電話であり得る。ただし、ディスプレイデバイス40の同じ構成要素またはディスプレイデバイス40の軽微な変形が、テレビジョン、電子リーダーおよびポータブルメディアプレーヤなど、様々なタイプのディスプレイデバイスを示す。ディスプレイデバイス40は、ハウジング41と、ディスプレイ30と、アンテナ43と、スピーカー45と、入力デバイス48と、マイクロフォン46とを含む。ハウジング41は、射出成形および真空成形を含む様々な製造プロセスのうちのいずれかから形成され得る。さらに、ハウジング41は、限定はしないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組合せを含む、様々な材料のうちのいずれかから製作され得る。ハウジング41は、異なる色の、または異なるロゴ、ピクチャ、またはシンボルを含んでいる、他の取外し可能な部分と交換され得る、取外し可能な部分図示せずを含むことができる。ディスプレイ30は、本明細書で説明する、双安定またはアナログディスプレイを含む様々なディスプレイのうちのいずれかであり得る。ディスプレイ30はまた、プラズマ、EL、OLED、STNLCD、またはTFTLCDなど、フラットパネルディスプレイ、あるいはCRTまたは他の管デバイスなど、非フラットパネルディスプレイを含むように構成され得る。さらに、ディスプレイ30は、本明細書で説明する干渉変調器ディスプレイを含むことができる。ディスプレイデバイス40の構成要素は図16Bに概略的に示されている。ディスプレイデバイス40は、ハウジング41を含み、それの中に少なくとも部分的に密閉された追加の構成要素を含むことができる。たとえば、ディスプレイデバイス40は、トランシーバ47に結合されたアンテナ43を含むネットワークインターフェース27を含む。トランシーバ47はプロセッサ21に接続され、プロセッサ21は調整ハードウェア52に接続される。調整ハードウェア52は、信号を調整するたとえば、信号をフィルタ処理するように構成され得る。調整ハードウェア52は、スピーカー45およびマイクロフォン46に接続される。プロセッサ21は、入力デバイス48およびドライバコントローラ29にも接続される。ドライバコントローラ29は、フレームバッファ28に、およびアレイドライバ22に結合され、アレイドライバ22は次にディスプレイアレイ30に結合される。電源50が、特定のディスプレイデバイス40設計によって必要とされるすべての構成要素に電力を与えることができる。ネットワークインターフェース27は、ディスプレイデバイス40がネットワークを介して1つまたは複数のデバイスと通信することができるように、アンテナ43とトランシーバ47とを含む。ネットワークインターフェース27はまた、たとえば、プロセッサ21のデータ処理要件を軽減するための、何らかの処理能力を有し得る。アンテナ43は信号を送信および受信することができる。いくつかの実装形態では、アンテナ43は、IEEE16.11a、b、またはgを含むIEEE16.11規格、あるいはIEEE802.11a、b、g、またはnを含むIEEE802.11規格に従って、RF信号を送信および受信する。いくつかの他の実装形態では、アンテナ43は、BLUETOOTH規格に従ってRF信号を送信および受信する。セルラー電話の場合、アンテナ43は、3Gまたは4G技術を利用するシステムなどのワイヤレスネットワーク内で通信するために使用される、符号分割多元接続CDMA、周波数分割多元接続FDMA、時分割多元接続TDMA、GlobalSystemforMobilecommunicationsGSM登録商標、GSM/GeneralPacketRadioServiceGPRS、EnhancedDataGSMEnvironmentEDGE、TerrestrialTrunkedRadioTETRA、広帯域CDMAW-CDMA、EvolutionDataOptimizedEV-DO、1xEV-DO、EV-DORevA、EV-DORevB、高速パケットアクセスHSPA、高速ダウンリンクパケットアクセスHSDPA、高速アップリンクパケットアクセスHSUPA、発展型高速パケットアクセスHSPA、LongTermEvolutionLTE、AMPS、または他の知られている信号を受信するように設計される。トランシーバ47は、アンテナ43から受信された信号がプロセッサ21によって受信され、プロセッサ21によってさらに操作され得るように、その信号を前処理することができる。トランシーバ47はまた、プロセッサ21から受信された信号がアンテナ43を介してディスプレイデバイス40から送信され得るように、その信号を処理することができる。いくつかの実装形態では、トランシーバ47は受信機によって置き換えられ得る。さらに、ネットワークインターフェース27は、プロセッサ21に送られるべき画像データを記憶または生成することができる画像ソースによって置き換えられ得る。プロセッサ21は、ディスプレイデバイス40の全体的な動作を制御することができる。プロセッサ21は、ネットワークインターフェース27または画像ソースから圧縮された画像データなどのデータを受信し、そのデータを生画像データに、または生画像データに容易に処理されるフォーマットに、処理する。プロセッサ21は、処理されたデータをドライバコントローラ29に、または記憶のためにフレームバッファ28に送ることができる。生データは、一般に、画像内の各ロケーションにおける画像特性を識別する情報を指す。たとえば、そのような画像特性は、色、飽和、およびグレースケールレベルを含むことができる。プロセッサ21は、ディスプレイデバイス40の動作を制御するためのマイクロコントローラ、CPU、または論理ユニットを含むことができる。調整ハードウェア52は、スピーカー45に信号を送信するための、およびマイクロフォン46から信号を受信するための、増幅器およびフィルタを含み得る。調整ハードウェア52は、ディスプレイデバイス40内の個別構成要素であり得、あるいはプロセッサ21または他の構成要素内に組み込まれ得る。ドライバコントローラ29は、プロセッサ21によって生成された生画像データをプロセッサ21から直接、またはフレームバッファ28から取ることができ、アレイドライバ22への高速送信のために適宜に生画像データを再フォーマットすることができる。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ29は、生画像データを、ラスタ様フォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることができ、その結果、そのデータフローは、ディスプレイアレイ30にわたって走査するのに好適な時間順序を有する。次いで、ドライバコントローラ29は、フォーマットされた情報をアレイドライバ22に送る。LCDコントローラなどのドライバコントローラ29は、しばしば、スタンドアロン集積回路ICとしてシステムプロセッサ21に関連付けられるが、そのようなコントローラは多くの方法で実装され得る。たとえば、コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ21中に埋め込まれるか、ソフトウェアとしてプロセッサ21中に埋め込まれるか、またはハードウェアにおいてアレイドライバ22と完全に一体化され得る。アレイドライバ22は、ドライバコントローラ29からフォーマットされた情報を受信することができ、ビデオデータを波形の並列セットに再フォーマットすることができ、波形の並列セットは、ディスプレイのピクセルのx-y行列から来る、数百の、および時には数千のまたはより多くのリード線に毎秒何回も適用される。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22、およびディスプレイアレイ30は、本明細書で説明するディスプレイのタイプのうちのいずれにも適している。たとえば、ドライバコントローラ29は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラたとえば、IMODコントローラであり得る。さらに、アレイドライバ22は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバたとえば、IMODディスプレイドライバであり得る。その上、ディスプレイアレイ30は、従来のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイたとえば、IMODのアレイを含むディスプレイであり得る。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ29はアレイドライバ22と一体化され得る。そのような実装形態は、セルラーフォン、ウォッチおよび他の小面積ディスプレイなどの高集積システムでは一般的である。いくつかの実装形態では、入力デバイス48は、たとえば、ユーザがディスプレイデバイス40の動作を制御することを可能にするように、構成され得る。入力デバイス48は、QWERTYキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、ロッカー、タッチセンシティブスクリーン、あるいは感圧膜または感熱膜を含むことができる。マイクロフォン46は、ディスプレイデバイス40のための入力デバイスとして構成され得る。いくつかの実装形態では、ディスプレイデバイス40の動作を制御するために、マイクロフォン46を介したボイスコマンドが使用され得る。電源50は、当技術分野でよく知られている様々なエネルギー蓄積デバイスを含むことができる。たとえば、電源50は、ニッケルカドミウムバッテリーまたはリチウムイオンバッテリーなどの充電式バッテリーであり得る。電源50はまた、再生可能エネルギー源、キャパシタ、あるいはプラスチック太陽電池または太陽電池塗料を含む太陽電池であり得る。電源50はまた、壁コンセントから電力を受け取るように構成され得る。いくつかの実装形態では、制御プログラマビリティがドライバコントローラ29中に存在し、これは電子ディスプレイシステム中のいくつかの場所に配置され得る。いくつかの他の実装形態では、制御プログラマビリティがアレイドライバ22中に存在する。上記で説明した最適化は、任意の数のハードウェアおよび/またはソフトウェア構成要素において、ならびに様々な構成において実装され得る。本明細書で説明するデバイスたとえば、ディスプレイ、ディスプレイ要素、マイクロレンズ、および/または光変調器を形成するためのプロセスにおける変形形態が可能である。たとえば、追加のステップが含まれ得、ステップが削除され得、ステップが組み合わせられ得、および/またはステップの順序が変更され得る。同様に、デバイスは、本明細書で図示および説明するのとは別様に構成され得る。たとえば、追加の構成要素が追加され得、構成要素が削除され得、構成要素が組み合わせられ得、あるいは構成要素の順序および/または配置が変更され得る。構成要素は、異なるサイズ、形状、および/または構成要素に組み込まれた特徴を有し得る。構成要素はまた、追加のおよび/または異なる材料を含み得る。構成要素の要素の配置およびその構成、ならびにデバイスの使用方法および/またはデバイスを製造する方法における、さらに他の変形形態も可能である。本明細書で開示する実装形態に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装され得る。ハードウェアとソフトウェアの互換性が、概して機能に関して説明され、上記で説明した様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路およびステップにおいて示された。そのような機能がハードウェアで実装されるか、ソフトウェアで実装されるかは、特定の適用例および全体的なシステムに課された設計制約に依存する。本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、および回路を実装するために使用される、ハードウェアおよびデータ処理装置は、汎用シングルチップまたはマルチチッププロセッサ、デジタル信号プロセッサDSP、特定用途向け集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGAまたは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、あるいは本明細書で説明した機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実装または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、あるいは任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であり得る。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、DSPとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアと連携する1つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは任意の他のそのような構成として実装され得る。いくつかの実装形態では、特定のステップおよび方法が、所与の機能に固有である回路によって実行され得る。1つまたは複数の態様では、説明した機能は、本明細書で開示する構造を含むハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、およびそれらの上記構造の構造的等価物において、またはそれらの任意の組合せにおいて実装され得る。また、本明細書で説明する主題の実装形態は、1つまたは複数のコンピュータプログラムとして、すなわち、データ処理装置が実行するためにコンピュータ記憶媒体上に符号化された、またはデータ処理装置の動作を制御するための、コンピュータプログラム命令の1つまたは複数のモジュールとして、実装され得る。本開示で説明する実装形態への様々な修正は当業者には容易に明らかであり得、本明細書で定義した一般原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の実装形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で示した実装形態に限定されるものではなく、本明細書で開示する特許請求の範囲、原理および新規の特徴に一致する、最も広い範囲を与られるべきである。例示的という単語は、本明細書ではもっぱら例、事例、または例示の働きをすることを意味するために使用される。例示的として本明細書で説明するいかなる実装形態も、必ずしも他の実装形態よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。さらに、上側および下側という用語は、図の説明を簡単にするために時々使用され、適切に配向されたページ上の図の配向に対応する相対位置を示すが、実装されたIMODの適切な配向を反映しないことがあることを、当業者は容易に諒解されよう。また、別個の実装形態に関して本明細書で説明されたいくつかの特徴は、単一の実装形態において組合せて実装され得る。また、逆に、単一の実装形態に関して説明された様々な特徴は、複数の実装形態において別個に、あるいは任意の好適な部分組合せで実装され得る。その上、特徴は、いくつかの組合せで働くものとして上記で説明され、初めにそのように請求されることさえあるが、請求される組合せからの1つまたは複数の特徴は、場合によってはその組合せから削除され得、請求される組合せは、部分組合せ、または部分組合せの変形形態を対象とし得る。同様に、動作は特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成するために、そのような動作が、示される特定の順序でまたは順番に実行されることを、あるいはすべての図示の動作が実行されることを必要とするものとして理解されるべきでない。いくつかの状況では、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。その上、上記で説明した実装形態における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実装形態においてそのような分離を必要とするものとして理解されるべきでなく、説明するプログラム構成要素およびシステムは、概して、単一のソフトウェア製品において互いに一体化されるか、または複数のソフトウェア製品にパッケージングされ得ることを理解されたい。さらに、他の実装形態が以下の特許請求の範囲内に入る。場合によっては、特許請求の範囲に記載の行為は、異なる順序で実行され、依然として望ましい結果を達成することができる。"