インプリントリソグラフィに用いるテンプレート用の基板の処理装置であって、前記テンプレート用の基板の裏面に形成された凹部に整合する凸部を有する載置台と、前記載置台を加熱するヒータと、前記載置台に高周波電力を供給する高周波供給部と、を備え、前記凸部は、下部から上部に向かって断面積が減少し、前記処理装置は、前記テンプレート用の基板を洗浄するために用いられることを特徴とするテンプレート用の基板の処理装置。インプリントリソグラフィに用いるテンプレート用の基板の処理装置であって、前記テンプレート用の基板の裏面に形成された凹部に整合する凸部を有する載置台を備えたことを特徴とするテンプレート用の基板の処理装置。前記凸部は、下部から上部に向かって断面積が減少していることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。前記載置台を加熱するヒータをさらに備えたことを特徴とする請求項2に記載の処理装置。前記処理装置は、前記テンプレート用の基板を洗浄するために用いられることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。前記載置台に高周波電力を供給する高周波供給部をさらに備えたことを特徴とする請求項2に記載の処理装置。インプリントリソグラフィに用いるテンプレート用の基板の処理方法であって、裏面に凹部を有するテンプレート用の基板を用意する工程と、前記テンプレート用の基板の凹部に整合する凸部を有する載置台を用意する工程と、前記テンプレート用の基板の凹部が前記載置台の凸部と一致するようにして、前記テンプレート用の基板を前記載置台に載置する工程と、前記載置台に載置されたテンプレート用の基板に所定の処理を施す工程と、を備え、前記凸部は、下部から上部に向かって断面積が減少し、前記所定の処理は、前記載置台を加熱した状態で行われ、前記所定の処理は、前記テンプレート用の基板を洗浄する処理を含み、前記所定の処理は、前記載置台に高周波電力が供給された状態で行われることを特徴とするテンプレート用の基板の処理方法。インプリントリソグラフィに用いるテンプレート用の基板の処理方法であって、裏面に凹部を有するテンプレート用の基板を用意する工程と、前記テンプレート用の基板の凹部に整合する凸部を有する載置台を用意する工程と、前記テンプレート用の基板の凹部が前記載置台の凸部と一致するようにして、前記テンプレート用の基板を前記載置台に載置する工程と、前記載置台に載置されたテンプレート用の基板に所定の処理を施す工程と、を備えたことを特徴とするテンプレート用の基板の処理方法。前記凸部は、下部から上部に向かって断面積が減少していることを特徴とする請求項8に記載の処理方法。前記所定の処理は、前記載置台を加熱した状態で行われることを特徴とする請求項8に記載の処理方法。前記所定の処理は、前記テンプレート用の基板を洗浄する処理を含むことを特徴とする請求項8に記載の処理方法。前記所定の処理は、前記載置台に高周波電力が供給された状態で行われることを特徴とする請求項8に記載の処理方法。裏面に凹部を有するテンプレート用の基板を用いる場合の問題を解決することが可能なテンプレート用の基板の処理装置及びテンプレート用の基板の処理方法を提供する。実施形態に係るテンプレート用の基板の処理装置は、インプリントリソグラフィに用いるテンプレート用の基板の処理装置であって、前記テンプレート用の基板の裏面に形成された凹部に整合する凸部を有する載置台を備える。以下、実施形態を図面を参照して説明する。なお、本明細書及び特許請求の範囲では、テンプレート用の基板として、テンプレートパターンがすでに形成されている基板、テンプレートパターンが形成される前の基板パターン形成前基板の、両方を含むものとする。また、テンプレート用の基板の表面にテンプレートパターンが形成されているものをテンプレートと呼ぶこととする。実施形態1図1は、インプリントリソグラフィで用いるテンプレートテンプレート用の基板の処理装置の構成を模式的に示した図である。図1の処理装置は、テンプレートを洗浄するためのプラズマ洗浄装置を示している。すなわち、インプリントリソグラフィでは、光硬化性樹脂のようなインプリント剤をテンプレートのパターン面に接触させるため、硬化したインプリント剤がテンプレートのパターン面に付着するという問題がある。そのため、テンプレートの洗浄が必要となる。図1において、処理容器11の内部には載置台12が配置されており、載置台12の内部にはヒータ13が設けられている。このヒータ13により、載置台12上に載置されたテンプレート14を加熱できるようになっている。処理容器11の外部にはマイクロ波導入部15及びガス導入部16が設けられている。ガス導入部16から所定の洗浄ガス例えば、酸素を導入し、マイクロ波導入部15からマイクロ波を導入することで、処理容器11内にプラズマ17が発生する。このプラズマによって洗浄ガスが活性化され、テンプレート14に付着したインプリント剤が除去されるようになっている。また、処理容器11の内部は、排気管18を通してポンプ19によって排気されるようになっている。図2及び図3は、テンプレート14を載置台12上に載置するときの状態を示している。図2に示されるように、テンプレート14の裏面テンプレートパターン14bが形成されたパターン面の反対の面には、ざぐり加工された凹部14aが形成されている。また、載置台12は、テンプレート14の凹部14aに整合する凸部12aを有している。この凸部12aは、載置台12の載置面に平行な断面において、下部から上部に向かって断面積が減少している。より具体的には、凸部12aはテーパー形状を有している。図2に示すように、テンプレート14を載置台12の上方から下降させる。そして、図3に示すように、テンプレート14の凹部14aが載置台12の凸部12aと一致するようにして、テンプレート14が載置台12に載置される。図4は、本実施形態の動作を示したフローチャートである。まず、上述した凸部12aを有する載置台12が設けられた処理装置、及び上述した凹部14aを有するテンプレート14を用意し、テンプレート14を処理容器11内に搬入するS11。次に、搬送機構図示せずにより、テンプレート14を載置台12の上方から下降させ、テンプレート14の凹部14aが載置台12の凸部12aと一致するようにして、テンプレート14を載置台12上に載置するS12。このとき、載置台12にはテンプレート14の凹部14aに整合する凸部12aが設けられているため、載置台12とテンプレート14の接触面積を増やすことができる。そのため、載置台12の内部に設けられたヒータ13によってテンプレート14を加熱する際に、載置台12からテンプレート14に効率的に熱を伝達させることができる。また、載置台12の凸部12a及びテンプレート14の凹部14aがテーパー状になっているため、載置台12とテンプレート14との位置合わせが多少ずれていても、自動的に載置台12の凸部12aとテンプレート14の凹部14aとを一致させることができる。そのため、載置台12とテンプレート14との位置合わせを厳密に行わなくても、載置台12の凸部12aとテンプレート14の凹部14aとを確実に一致させることができる。したがって、高精度の搬送機構を設ける必要がなく、装置のコストを低減することが可能である。次に、載置台12に載置されたテンプレート14に、所定の処理として洗浄処理を施すS13。すなわち、処理容器11内に発生させたプラズマによって洗浄ガスを活性化し、この活性化された洗浄ガスによってテンプレート14に付着したインプリント剤を除去する。この洗浄処理は、載置台12をヒータ13によって加熱した状態で行われるが、載置台12からテンプレート14に効率的に熱が伝導するため、テンプレート14に付着したインプリント剤を確実に除去することができる。以上のように、本実施形態では、テンプレート14の裏面に形成された凹部14aに整合するように、載置台12の上面に凸部12aが設けられている。そのため、載置台12からテンプレート14に効率的に熱を伝達することができ、テンプレートの洗浄を確実に行うことが可能である。また、載置台12の凸部12a及びテンプレート14の凹部14aがテーパー状になっているため、凸部12aと凹部14aとを自動的に一致させることができる。そのため、高精度の搬送機構を設ける必要がなく、装置のコストを低減することが可能である。なお、上述したプラズマ洗浄の後、ウェット洗浄処理をさらに行ってもよい。このウェット洗浄処理の際に加熱を行う場合にも、ウェット洗浄処理装置内の載置台に上述したような凸部を設けてもよい。このような場合にも、上述した効果と同様の効果を得ることが可能である。実施形態2次に、第2の実施形態を説明する。なお、基本的な装置構成や処理動作は第1の実施形態と同様であるため、第1の実施形態で説明した事項についての説明は省略する。図5は、テンプレートパターンが形成される前の基板パターン形成前基板の処理装置の構成を模式的に示した図である。図5の装置は、パターン形成前基板の表面に集積回路用のパターン溝等を形成するためのエッチング装置RIE装置である。なお、図5において、第1の実施形態の図1の構成要素に対応する構成素嘘については同一の参照番号を付し、それらの詳細な説明は省略する。図5に示した装置は、載置台12に高周波RFを供給する高周波供給部RF電源21を備えている。RF電力によってプラズマを発生させ、RIEを行うことで、パターン形成前基板14’の表面に所望のテンプレートパターンが形成される。図6及び図7は、パターン形成前基板14’を載置台12上に載置するときの状態を示している。図6に示されるように、パターン形成前基板14’の裏面には、ざぐり加工された凹部14aが形成されている。載置台12は、第1の実施形態と同様、パターン形成前基板14’の凹部14aに整合する凸部12aを有している。この凸部12aは、載置台12の載置面に平行な断面において、下部から上部に向かって断面積が減少している。より具体的には、凸部12aはテーパー形状を有している。図6に示すように、パターン形成前基板14’を載置台12の上方から下降させる。そして、図7に示すように、パターン形成前基板14’の凹部14aが載置台12の凸部12aと一致するようにして、パターン形成前基板14’が載置台12に載置される。図8は、本実施形態の動作を示したフローチャートである。まず、上述した凸部12aを有する載置台12が設けられた処理装置、及び上述した凹部を有するパターン形成前基板14’を用意し、パターン形成前基板14’を処理容器11内に搬入するS21。次に、搬送機構図示せずにより、パターン形成前基板14’を載置台12の上方から下降させ、パターン形成前基板14’の凹部14aが載置台12の凸部12aと一致するようにして、パターン形成前基板14’を載置台12上に載置するS22。このとき、載置台12にはパターン形成前基板14’の凹部14aに整合する凸部12aが設けられているため、載置台12とパターン形成前基板14’の接触面積を増やすことができる。そのため、載置台12に接続された高周波供給部21からパターン形成前基板14’に高周波電力を供給してRIE処理を行う際に、パターン形成前基板14’に対して効率的にRIE処理を施すことができる。また、載置台12の凸部12a及びパターン形成前基板14’の凹部14aがテーパー状になっているため、載置台12とパターン形成前基板14’との位置合わせが多少ずれていても、自動的に載置台12の凸部12aとパターン形成前基板14’の凹部14aとを一致させることができる。そのため、載置台12とパターン形成前基板14’との位置合わせを厳密に行わなくても、載置台12の凸部12aとパターン形成前基板14’の凹部14aとを確実に一致させることができる。したがって、高精度の搬送機構を設ける必要がなく、装置のコストを低減することが可能である。次に、載置台12に載置されたパターン形成前基板14’に、所定の処理としてRIE処理を施して、テンプレートパターンを形成するS23。すなわち、載置台12に載置されたパターン形成前基板14’に集積回路用のパターンを形成するために、所望のレジストパターンが形成されたパターン形成前基板14’の表面に対してRIE処理を施す。このRIE処理は、載置台12に高周波が供給された状態で行われるが、パターン形成前基板14’の表面に効率的にRIE処理を施すことができるため、パターン形成前基板14’に的確に、半導体集積回路用のテンプレートパターンを形成することができる。以上のように、本実施形態では、パターン形成前基板14’の裏面に形成された凹部14aに整合するように、載置台12の上面に凸部12aが設けられている。そのため、載置台12に載置されたパターン形成前基板14’に効率的RIE電力を供給することができ、パターン形成前基板14’に的確にテンプレートパターンを形成することが可能である。また、載置台12の凸部12a及びパターン形成前基板14’の凹部14aがテーパー状になっているため、凸部12aと凹部14aとを自動的に一致させることができる。そのため、高精度の搬送機構を設ける必要がなく、装置のコストを低減することが可能である。なお、上述した各実施形態で得られたテンプレートは、半導体装置の製造に適用される。図9は、半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。まず、第2の実施形態で示したような方法で作製されたテンプレートを用意するS31。次に、用意されたテンプレートを用いてインプリントを実行するS32。すなわち、光硬化性樹脂等のインプリント剤が塗布された半導体ウェハにテンプレートのパターン面を接触させた後、インプリント剤を硬化させて、インプリントパターンを形成する。所定回数のインプリントを実行した後、テンプレートの表面に付着しているインプリント剤を除去するため、第1の実施形態で示したような方法によってテンプレートを洗浄するS33。その後、洗浄処理のなされたテンプレートを用いて、さらにインプリントを実行することが可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。