"凹凸が形成された第1の被着面を有する第1の被着物と、第2の被着面を有する第2の被着物とを、ダイボンディングフィルムを介して熱圧着する接着工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記接着工程では、厚さが前記凹凸の段差の2倍以上である前記ダイボンディングフィルムを前記第1及び第2の被着面の間に介在させ、前記ダイボンディングフィルムの溶融粘度が1000Pas以上20000Pas以下となるように加熱しながら、前記第1の被着物と前記第2の被着物とを熱圧着することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半導体チップの電極と前記支持部材の電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング工程を更に備え、前記接着工程を前記ワイヤボンディング工程よりも前に行うことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記接着工程の後に、前記ダイボンディングフィルムに加熱する加熱工程を更に備えることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。前記接着工程では、前記ダイボンディングフィルムの温度が40°C以上110°C以下となるように加熱し、前記加熱工程では、前記ダイボンディングフィルムの温度が100°C以上180°C以下となるように加熱することを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。前記加熱工程では、前記ダイボンディングフィルムの温度が0.5時間以上3時間以内に亘って前記接着工程における温度よりも高くなるように加熱することを特徴とする請求項3又は4記載の半導体装置の製造方法。前記接着工程では、10000以上100000以下の重量平均分子量のポリイミド樹脂と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーと、を含有する前記ダイボンディングフィルムを介して前記第1の被着物と第2の被着物とを熱圧着することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。前記接着工程では、厚さが3μm以上60μm以下である前記ダイボンディングフィルムを介して前記第1の被着物と第2の被着物とを熱圧着することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。請求項1~7のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。上述した半導体装置の製造方法では、ダイボンディングフィルムをなす接着剤が第1の被着面の凹部内に十分に入り込まず、被着物同士の間に空隙が形成される可能性がある。被着物同士の間に多くの空隙が形成されると、リフロー処理によって半導体装置が再加熱されたときに、空隙を起点に被着物同士の剥離が生じ易くなる。このため、半導体装置のリフロー耐性が低下し、特に、半導体装置が吸湿した状態では、十分なリフロー耐性が得られないおそれがある。本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、被着物同士の間における空隙の形成を抑制し、吸湿した状態でも十分なリフロー耐性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置の製造方法は、凹凸が形成された第1の被着面を有する第1の被着物と、第2の被着面を有する第2の被着物とを、ダイボンディングフィルムを介して熱圧着する接着工程を備える半導体装置の製造方法であって、接着工程では、厚さが凹凸の段差の2倍以上であるダイボンディングフィルムを第1及び第2の被着面の間に介在させ、ダイボンディングフィルムの溶融粘度が1000Pas以上20000Pas以下となるように加熱しながら、第1の被着物と第2の被着物とを熱圧着することを特徴とする。このようなダイボンディングフィルムの製造方法によれば、ダイボンディングフィルムの厚さが凹凸の段差の2倍以上であり、且つダイボンディングフィルムの溶融粘度が20000Pas以下となるように加熱されるため、第1の被着面の凹部内に隙間なくダイボンディングフィルムが充填される。また、ダイボンディングフィルムの溶融粘度が1000Pa以上となるように加熱されるため、被着物同士の間からのダイボンディングフィルムの流出が防止される。従って、被着物同士の間における空隙の形成を抑制し、吸湿した状態でも十分なリフロー耐性が得られる半導体装置を製造することができる。ここで、半導体チップの電極と支持部材の電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディング工程を更に備え、接着工程をワイヤボンディング工程よりも前に行うことが好ましい。この場合、ワイヤボンディング工程で加わる熱によってダイボンディングフィルムが硬化する前に接着工程が行われるため、被着物同士の間における空隙の形成を更に抑制することができる。また、接着工程の後に、ダイボンディングフィルムに加熱する加熱工程を更に備えることが好ましい。この場合、加熱工程を行うことによって、被着物同士の間における空隙を更に縮小削減することができる。また、加熱工程によってダイボンディングフィルムが硬化するため、空隙を縮小削減した状態が定着し、被着物同士の間における空隙の形成を更に抑制することができる。また、接着工程では、ダイボンディングフィルムの温度が40°C以上110°C以下となるように加熱し、加熱工程では、ダイボンディングフィルムの温度が100°C以上180°C以下となるように加熱することが好ましい。この場合、被着物同士の間における空隙の形成を更に抑制することができる。また、加熱工程では、ダイボンディングフィルムの温度が0.5時間以上3時間以内に亘って接着工程における温度よりも高くなるように加熱することが好ましい。この場合、被着物同士の間における空隙の形成を更に抑制することができる。また、接着工程では、接着工程では、10000以上100000以下の重量平均分子量のポリイミド樹脂と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーと、を含有するダイボンディングフィルムを介して第1の被着物と第2の被着物とを熱圧着することが好ましい。この場合、被着物同士の間における空隙の形成を更に抑制することができる。また、接着工程では、厚さが3μm以上60μm以下であるダイボンディングフィルムを介して第1の被着物と第2の被着物とを熱圧着することが好ましい。この場合、被着物同士の間における空隙の形成を更に抑制することができる。また、本発明に係る半導体装置は、半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。このような半導体装置では、被着物同士の間における空隙の形成が抑制されるため、吸湿した状態でも十分なリフロー耐性が得られる。本発明によれば、被着物同士の間における空隙の形成を抑制し、吸湿した状態でも十分なリフロー耐性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は、本発明に係る半導体装置の一実施形態の断面図である。図1に示すように、半導体装置1は、板状の支持部材2と、板状の半導体チップ3,3とを有している。支持部材2被着物は、基板4と、基板4の一方面4a上に設けられた複数の電極5,5とを有している。一方面4a上に電極5,5が設けられていることにより、支持部材2の一方面2a被着面には凹凸が形成されている。各電極5の一方面5aは、基板4の一方面4aから突出した凸部P1をなしている。一方面4aのうち電極5,5が設けられていない部分は、一方面5aから凹んだ凹部S1をなしている。凸部P1と凹部S1との段差は、例えば4μm以上12μm以下である。基板4のうち、電極5と対応する部分には、一方面4aと他方面4bとに開口する貫通孔4cが形成されている。各貫通孔4cには、電極5の他方面5bに接するように半田が充填され、半田部17が形成されている。各半田部17は、基板4の他方面4bから半球状に膨出している。各半導体チップ3被着物は、チップ本体6と、チップ本体6の一方面6a上に設けられた複数の電極7,7とを有している。一方面6a上に電極7,7が設けられていることにより、半導体チップ3の一方面3a被着面には凹凸が形成されている。各電極7の一方面7aは、チップ本体6の一方面6aから突出した凸部P2をなしている。一方面6aのうち電極7,7が設けられていない部分は、一方面7aから凹んだ凹部S2をなしている。凸部P2と凹部S2との段差は、例えば4μm以上12μm以下である。複数の半導体チップ3,3は、互いに重なった状態で、支持部材2の一方面2a上に配置されている。各半導体チップ3の他方面3bは、支持部材2の一方面2a又は他の半導体チップ3の一方面3aにダイボンディングフィルム8を介して貼り合わされている。各半導体チップ3の電極7と、支持部材2の電極5又は他の半導体チップ3の電極7とは、ボンディングワイヤ9によって接続されている。支持部材2の一方面2a上には、樹脂を成形したモールド部10が形成され、各半導体チップ3はモールド部10内に封入されている。続いて半導体装置1の製造方法について説明する。図2は、支持部材の断面図、図3は、半導体チップの断面図である。図4は、接着フィルム上に半導体ウェハを設置する過程を示す図、図5は、図4の半導体ウェハをダイシングする過程を示す図、図6は、図5の半導体チップをピックアップする過程を示す図、図7は、半導体チップを支持部材に接着する過程を示す図、図8は、電極同士をボンディングワイヤで接続する過程を示す図である。まず、図2及に示す支持部材2を準備する。次に、図3に示すように、半導体チップ3の他方面3bにダイボンディングフィルム8が貼り合わされた中間体Mを準備する。中間体Mは、半導体ウェハと、接着剤からなる接着フィルムとを貼り合わせ、共に切断して個片化することによって得られる。具体的には、まず、図3に示すように、ダイシングダイボンディングシートGを準備し、ダイシングダイボンディングシートGの上に環状のリングフレーム11を設置する。また、ダイシングダイボンディングシートGのうち、リングフレーム11の内側の部分の上に半導体ウェハ12を設置する。ダイシングダイボンディングシートGは、ダイシング用の接着剤からなる接着フィルム13と、ダイシング用の基材フィルム14とを有する。基材フィルム14の一方面14aには、粘着剤からなる粘着フィルム15が形成されている。接着フィルム13の他方面13bは、粘着フィルム15の一方面15aに貼り合わされている。基材フィルム14及び粘着フィルム15の外縁は、接着フィルム13の外縁よりも外側に張り出している。基材フィルム14は、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、又はポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムである。基材フィルム14の一方面14aには、プライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理及びエッチング処理などの表面処理が施されていてもよい。接着フィルム13は、半導体ウェハ12と共に個片化され、ダイボンディングフィルム8に個片化されるフィルムである。接着フィルム13の厚さは、支持部材2の一方面2aにおける凸部P1と凹部S1との段差の2倍以上であると共に、半導体チップ3の一方面3aにおける凸部P2と凹部S2との段差の2倍以上である。これに加え、接着フィルム13の厚さは、3μm以上60μm以下であることが好ましい。接着フィルム13の厚さが3μm未満であると、成膜性及び取り扱いが低下する傾向がある。60μmを超えると、成形性が低下する傾向がある。また、60μmを超えると、支持部材2と半導体チップ3との間、及び半導体チップ3同士の間に位置するダイボンディングフィルム8が厚くなるため、半導体装置1の内部に半導体チップ3を多数積層させることが困難となる。更に、60μmを超えると経済的にも不利である。これらの観点から、接着フィルム13の厚みは5μm以上40μm以下であることがより好ましく、5μm以上25μm以下であることが更に好ましい。接着フィルム13の厚さが3μm以上60μm以下であるとき、接着フィルム13の40°Cにおけるタック力は、1000mN以下であることが好ましく、500mN以下であることがより好ましい。これにより、中間体Mのピックアップ性が改善される。タック力が過剰であると、ピックアップの際、隣り合う半導体チップ3のダイボンディングフィルム8同士が付着して、複数の半導体チップ3が同時にピックアップされる可能性がある。接着フィルム13のタック力は、40°Cのステージにサンプルの測定面を上にして固定し、40°Cのプローブ直径5.1mmφのSUS304を押し付けた後に、プローブを引き剥がす力を測定する方法により求められる。プローブを押し付ける際の押し込み速度は2mm/秒、プローブを押し付ける荷重は100gf/cm2、プローブを押し付ける時間は1秒、プローブを引き剥がす速度は10mm/秒である。接着フィルム13のガラス転移温度は、10°C以上80°C以下であることが好ましい。ガラス転移温度が10°Cよりも低いと、接着フィルム13の硬化前Bステージ状態の溶融粘度が低くなり、ダイボンディングフィルム8の流動性が過剰となる傾向がある。ガラス転移温度が80°Cを超えると、接着フィルム13の硬化前Bステージ状態の溶融粘度が高くなり、ダイボンディングフィルム8の流動性が不足する傾向がある。同様の観点から、接着フィルム13のガラス転移温度は10°C以上70°C以下であることがより好ましく、さらに好ましくは10°C以上60°C以下であることが更に好ましい。上述した物性を有する接着フィルム13は、例えば、キャリアフィルムに接着剤ワニスを塗布し、塗布された接着剤ワニスを乾燥する方法によって得られる。接着剤ワニスは、熱可塑性樹脂と、熱硬化性成分と、無機フィラーとを含有する。熱可塑性樹脂は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。特に、2種以上の酸無水物と3種以上のアミンとから形成されるポリイミド樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は10000以上100000以下であることが好ましい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量が10000未満であると、ダイボンディングフィルム8の流動性が増加するものの、加熱されたときに発泡し易くなる可能性がある。熱可塑性樹脂の重量平均分子量が100000を超えると、ダイボンディングフィルム8の粘度が高くなり、支持部材2の一方面2aの凹部S1や半導体チップ3の一方面3aの凹部S2に隙間なくダイボンディングフィルム8が充填されなくなる可能性がある。これらの観点から、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は10000以上70000以下であることがより好ましく、10000以上50000以下であることが更に好ましい。ここでいう重量平均分子量は、GPC測定により求められる標準ポリスチレン換算値である。熱可塑性樹脂の含有割合は、接着フィルム13全体に対して、20質量以上50質量以下であることが好ましい。熱硬化性成分は、熱により架橋反応を起こす反応性化合物である熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスアリルナジイミド、2官能以上のメタアクリレート化合物、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス2-ヒドロキシエチルイソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化により形成される熱硬化性樹脂が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は単独又は組み合わせて用いることができる。熱硬化性成分の含有量は、低アウトガス性とフィルム形成性靭性との両立、及び硬化後の耐熱性当の観点から、適宜調整される。熱硬化性成分の含有割合は、接着フィルム13全体に対して、10質量以上40質量以下であることが好ましい。熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂を硬化させるために、硬化剤又は触媒を含んでいてもよい。必要に応じて、硬化剤と硬化促進剤とを併用し、又は触媒と助触媒とを併用することができる。無機フィラーとしては、例えば、酸化ケイ素フィラー及び窒化ホウ素フィラーが挙げられる。無機フィラーは、粒径の異なる2種のフィラーから構成されていてもよい。無機フィラーの含有割合は、接着フィルム13全体に対して、20質量以上50質量以下であることが好ましい。これらの各成分を有機溶媒中で混合及び混練することにより、接着剤ワニスとして調製することができる。接着剤ワニスの調製のための混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。接着剤ワニスの調製に用いる有機溶媒は、各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであればよく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N―メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらのなかでも、乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン及びシクロヘキサノンが好ましい。接着剤ワニスの調製に用いられる有機溶媒の量に特に制限はない。キャリアフィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム及びメチルペンテンフィルム等である。キャリアフィルムは、2種以上のフィルムから構成される多層フィルムであってもよい。キャリアフィルムの表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されていてもよい。接着剤ワニスがキャリアフィルムに塗布された後、有機溶媒が加熱乾燥等により除去され、接着フィルム13が得られる。ワニスの塗布には、例えばアプリケータ自動塗工機を用いることができる。塗工厚みは、最終的なダイボンディングフィルムの厚さを考慮して決定されるが、3μm以上100μm以下であることが好ましい。接着フィルム13に残存する有機溶媒量残存揮発分は、接着フィルム13全体に対して、0.01質量以上3質量以下であることが好ましい。耐熱信頼性の観点からは全重量基準で、0.01質量以上2質量以下であることが好ましく、0.01質量以上1.5質量以下であることがより好ましい。接着剤ワニスの加熱乾燥の条件は、接着剤ワニス中の有機溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常、50°C以上200°C以下、0.1分間以上90分間以下の温度に加熱することで乾燥される。このようにして、接着フィルム13が形成される。接着フィルム13は、通常は、キャリアフィルムと共に供給される。接着フィルム13は、複数の層からなるものであってもよい。リングフレーム11の他方面11bは、粘着フィルム15の一方面15aのうち、接着フィルム13よりも外側の部分に貼り合わされている。半導体ウェハ12の他方面12bは、リングフレーム11の内側において、接着フィルム13の一方面13aに貼り合わされている。半導体ウェハ12の一方面12aには、半導体チップ3の電極7に対応する電極不図示が形成されている。半導体ウェハ12の厚さは、100μm以下であることが好ましく、75μm以下であることがより好ましく、50μm以下であることが更に好ましい。これにより、吸湿した状態でのリフロー耐性を向上させることができる。半導体ウェハ12の他方面12bは、ドライポリッシュ又は、ゲッタリングドライポリッシュによって研削された面であることが好ましい。これにより、ハンドリング性や接着フィルム13との密着性が向上すると共に、抗折強度が高くなる。次に、図5に示すように、回転刃等のブレード16によって半導体ウェハ12及び接着フィルム13を切断し、複数の半導体チップ3及びダイボンディングフィルム8に個片化するダイシング工程。ダイシング工程には、市販されているダイサーを使用することができる。ダイサーとしては、例えば、株式会社ディスコ社製のフルオートマチックダイシングソー6000シリーズやセミオートマチックダイシングソー3000シリーズ等が挙げられる。ブレード16としては、例えば、株式会社ディスコ社製のダイシングブレードNBC-ZH05シリーズやNBC-ZHシリーズ等が挙げられる。また、ダイシング工程には、ブレード16の代わりにレーザを用いることができる。レーザを用いた切断方式としては、レーザーアブレーション加工又はステルスダイシング加工が挙げられる。レーザ式のダイサーとしては、例えば、株式会社ディスコ社製のフルオートマチックレーザソー7000シリーズ等が挙げられる。次に、図6に示すように、半導体チップ3及びダイボンディングフィルム8の各対をピックアップする。これにより、中間体Mが得られる。中間体Mにおいて、ダイボンディングフィルム8の厚さは、支持部材2の一方面2aにおける凸部P1と凹部S1との段差の2倍以上であると共に、半導体チップ3の一方面3aにおける凸部P2と凹部S2との段差の2倍以上である。ピックアップには、市販されているピックアップダイボンダーを用いることができる。ピックアップダイボンダーとしては、例えば、ルネサス東日本セミコンダクタ社製のフレキシブルダイボンダーDB-730又はDB-700、株式会社新川製のダイボンダーSPA-300又はSPA-400、キャノンマシナリ株式会社製BESTEM-D02が挙げられる。なお、あらかじめ個片化された半導体ウェハ12を接着フィルム13に貼り合わせたのち、接着フィルム13を半導体チップ3に合わせて個片化してもよい先ダイシング工法。この場合、接着フィルム13は、レーザによる切断や、冷却エキスパンドによって個片化することができる。次に、図7に示すように、支持部材2の一方面2a上に中間体Mを積層し、ダイボンディングフィルム8の他方面8bを一方面2aに貼り合わせる。このとき、ダイボンディングフィルム8の溶融粘度が1000Pas以上20000Pas以下となるように加熱しながら、支持部材2と半導体チップ3とを熱圧着する接着工程。更に、他の中間体Mを順次積層し、積層の度にダイボンディングフィルム8の他方面8bを半導体チップ3の一方面3aに貼り合わせる。このとき、ダイボンディングフィルム8の溶融粘度が1000Pas以上20000Pas以下となるように加熱しながら、半導体チップ3同士を熱圧着する接着工程。熱圧着の圧力は、例えば0.01MPa以上1MPaである。熱圧着の加圧時間は、例えば0.1秒以上3秒以下である。ダイボンディングフィルム8の溶融粘度は、JournalofAppliedPhysics17P4581946に示される平行平板プラストメータ法により測定される。例えば、直径6mmの円形のダイボンディングフィルム8を厚さ150μmの2枚のスライドガラスで挟んで試験用サンプルを準備し、この試験用サンプルに対して、ダイボンディングフィルム8を所定の温度まで加熱しながら、所定の圧力例えば1MPaを例えば3秒間付加し、加圧前後のダイボンディングフィルム8の厚さから、下記式にしたがって、所定の温度におけるダイボンディングフィルム8の溶融粘度ηPasを求めることができる。Z0m:加圧前のダイボンディングフィルムの厚さZm:加圧後のダイボンディングフィルムの厚さVm3:ダイボンディングフィルムの体積FPa:加えた荷重の大きさt秒:荷重を加えた時間ダイボンディングフィルム8の溶融粘度を1000Pas以上20000Pas以下とするには、ダイボンディングフィルム8の温度が40°C以上110°C以下となるように加熱することが好ましい。ダイボンディングフィルム8の温度が40°Cよりも低いと、ダイボンディングフィルム8の溶融粘度が下がらず、支持部材2の一方面2aの凹部S1や半導体チップ3の一方面3aの凹部S2に隙間なくダイボンディングフィルム8が充填されなくなる可能性がある。ダイボンディングフィルム8の温度が110°Cを超えると、支持部材2や半導体チップ3の反りが増大する可能性がある。これらの観点から、ダイボンディングフィルム8の温度が55°C以上95°C以下となるように加熱することがより好ましく、55°C以上85°C以下となるように加熱することが更に好ましい。ダイボンディングフィルム8を上述した温度範囲とする加熱方法として、支持部材2を介してダイボンディングフィルム8に加熱する方法が挙げられる。支持部材2を介してダイボンディングフィルム8に加熱する場合、支持部材2の温度が60°C以上140°C以下となるように加熱することが好ましく、70°C以上130°C以下となるように加熱することがより好ましく、80°C以上120°C以下となるように加熱することが更に好ましい。ここで、中間体Mを積層する際には、支持部材2の一方面2aや半導体チップ3の一方面3aの凹凸に起因して、一方面2a,3aとダイボンディングフィルム8の他方面8bとの間に空隙Vが生じる可能性がある。これに対し、ダイボンディングフィルム8の厚さが一方面2aの凸部P1と凹部S1との段差及び一方面3aの凸部P2と凹部S2との段差の2倍以上であり、且つダイボンディングフィルム8の溶融粘度が20000Pas以下となるように加熱されるため、一方面2aの凹部S1内及び一方面3aの凹部S2内に隙間なくダイボンディングフィルム8が充填される。また、ダイボンディングフィルム8の溶融粘度が1000Pa以上となるように加熱されるため、支持部材2と半導体チップ3との間及び半導体チップ3同士の間からのダイボンディングフィルム8の流出が防止される。従って、空隙Vの形成は十分に抑制される。具体的には、ダイボンディングフィルム8の断面積と空隙Vの断面積との和に対して、ダイボンディングフィルム8の断面積が占める割合は、90以上であることが好ましく、95以上であることがより好ましく、100であることが最も好ましい。この割合が90よりも低いと、後述の加熱工程によって空隙Vを十分に縮小削減することが困難になる可能性がある。次に、ダイボンディングフィルム8の温度が180°C以下となるように加熱する加熱工程。ダイボンディングフィルム8の温度が80°C以上150°C以下となるように加熱することがより好ましく、ダイボンディングフィルム8の温度が100°C以上120°C以下となるように加熱することがさらに好ましい。また、ダイボンディングフィルム8の温度が、0.5時間以上3時間以下に亘って上記温度範囲となるように加熱することが好ましく、0.5時間以上1時間以下に亘って上記温度範囲となるように加熱することが更に好ましい。加熱工程を行うことによって、空隙Vを更に縮小削減することができる。また、加熱工程によってダイボンディングフィルム8が硬化するため、空隙Vを縮小削減した状態が定着し、空隙Vの形成を更に抑制することができる。次に、半導体チップ3の電極7と、支持部材2の電極5又は他の半導体チップ3の電極7とをボンディングワイヤ9で接続するワイヤボンディング工程。ワイヤボンディング工程においても、ダイボンディングフィルム8に熱が伝わるためダイボンディングフィルム8の硬化が進行する。このとき、既に接着工程が行われているため、空隙Vの形成は抑制されている。また、加熱工程も行われているため、空隙Vの形成は更に抑制されている。したがって、ワイヤボンディング工程においてダイボンディングフィルム8の硬化が進行しても、空隙Vの形成の抑制に悪影響はない。次に、支持部材2の一方面2a上にモールド部10を形成し、各半導体チップ3をモールド部10内に封入する。その他、仕上げ工程等を経て半導体装置1が完成する。この状態において、空隙Vは十分に縮小削減されていることが好ましい。具体的には、ダイボンディングフィルム8の断面積と空隙Vの断面積との和に対して、ダイボンディングフィルム8の断面積が占める割合は、95以上であることが好ましく、98以上であることがより好ましく、100であることが最も好ましい。この割合が95よりも低いと、半導体装置1が吸湿した状態で、リフロー処理によって半導体装置1が再加熱されたときに、空隙を起点に半導体チップ3と支持部材2との剥離や、半導体チップ3同士の剥離が生じ易くなる。以上半導体装置及びその製造方法の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。例えば、中間体Mを積層する度に熱圧着を行うのではなく、全ての中間体Mを積層した後にまとめて熱圧着を行ってもよい。続いて、本実施形態の実施例について説明する。接着フィルムの準備表1に示す配合比率の接着剤組成物を溶剤に溶解し、接着剤ワニスを調整した。溶剤としてN-メチル-2-ピロリドンを用いた。実施例及び比較例の接着剤ワニスを、それぞれキャリアフィルム離型剤で表面処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に、20μmの厚さで塗布した。接着剤ワニスの塗布には、アプリケータ自動塗工機を用いた。塗布された接着剤ワニスを、120°Cのオーブンで10分間加熱して乾燥させた。乾燥後、キャリアフィルムを除去して接着フィルム13Bステージ状態のフィルムを得た。表1に示す各成分の詳細は、以下のとおりである。1ベース樹脂A温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、4,4’オキシジフタル酸二無水物マナック社製、ODPA-M7.6g0.7mol、デカメチレンビストリメリテート二無水物黒金化成社製6.5g0.3mol、1,3-ビス3-アミノプロピル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン東レダウコーニングシリコーン社製、BY16-871EG5g0.5mol及びN-メチル-2-ピロリドン30gを仕込んで反応液を調製した。反応液を攪拌し、窒素ガスを吹き込みながら180°Cで加熱することにより、水と共に50のN-メチル-2-ピロリドンを共沸除去し、ベース樹脂Aとしてのポリイミド樹脂を得た。得られたポリイミド樹脂のGPCを測定したところ、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwが52800であった。得られたポリイミド樹脂のガラス転移温度Tgは、72°Cであった。2ベース樹脂B温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した300mLフラスコ中に、デカメチレンビストリメリテート二無水物黒金化成社製386g1.0mol、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルプロパンBAPP:和歌山精化153g0.5mol、4,9-ジオキサデカン-1,12-ジアミンB-12:BASF76.5g0.5mol及びN-メチル-2-ピロリドン500gを仕込んで反応液を調製した。反応液を攪拌し、窒素ガスを吹き込みながら180°Cで加熱することにより、水と共に50のN-メチル-2-ピロリドンを共沸除去し、ベース樹脂Bとしてのポリイミド樹脂を得た。得られたポリイミド樹脂のGPCを測定したところ、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwが53800であった。得られたポリイミド樹脂のガラス転移温度Tgは、38°Cであった。3エポキシ樹脂下記構造を有する多官能エポキシ樹脂VG-3010:三井化学を用いた。4硬化促進剤テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラートナジイミド樹脂TPPK:東京化成を用いた。5ナジイミド樹脂下記構造を有するキシリレン型ビスアリルナジイミドBANI-X:丸善石油化学を用いた。6アクリレートエトキシ化ビスフェノールFジアクリレートR-712:日本化薬を用いた。7硬化剤フェノール樹脂クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物カヤハードNHN:日本化薬を用いた。8ビスマレイミド2,2’-ビス[4-4-マレイミドフェノキシフェニル]プロパンBMI-80:ケイアイ化成を用いた。9フィラー酸化ケイ素平均粒径5μmH26:CIKナノテックと酸化ケイ素平均粒径0.5μmH27:CIKナノテックとを1:2の比率で用いた。中間体の準備ダイシングダイボンディングシートGに、厚さ50μmの半導体ウェハ12をホットプレート上でラミネートして、半導体ウェハ12とダイシングダイボンディングシートGとで構成されるダイシングサンプルを作製した。ラミネート時のホットプレート表面温度は60~80°Cに設定した。得られたダイシングサンプルを、株式会社ディスコ社製、商品名フルオートマチックダイシングソーDFD-6361を用いて切断した。ブレード1枚で加工を完了するシングルカット方式を採用し、株式会社ディスコ社製のダイシングブレードZH05-SD4800-N1-70-BBをブレード16として用いた。ブレード16の回転数を35000rpm、ブレード16の送り速度を30mm/秒とした。また、基材フィルム14に深さ25μmで切り込むようにブレードハイトを設定した。このようにして、半導体ウェハ12及び接着フィルム13を7.5mm×7.5mmの半導体チップ3及びダイボンディングフィルム8に個片化した。半導体チップ3及びダイボンディングフィルム8の各対をピックアップし、中間体Mを得た。接着フィルムの溶融粘度の評価厚さ100μmの未硬化の接着フィルム13から、打ち抜き型を用いて直径6mmのサンプルを切り出した。サンプルの両面に厚さ150μmのスライドガラスを貼り付けて試験サンプルを作製した。この試験サンプルをCOBボンダ日立化成工業株式会社製、AC-SC-400Bを用いて熱圧着した。このとき、試験サンプルに80~140°Cのホットプレートで加熱した。また、熱圧着の圧力を1MPaとし、加圧時間を3秒とした。加圧前後のサンプルをスキャナで取り込み、画像解析ソフトで面積を計算し、圧着前後の接着フィルム13の厚さを算出した。算出された値から、上述の計算式に従って、接着フィルム13の溶融粘度ηを求めた。充填性の評価中間体の準備で得られた中間体Mを、一方面2aにおける凸部P1と凹部S1との段差が4~12μmである支持部材2に積層し、熱圧着した接着工程。積層には、株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ製、商品名フレキシブルダイボンダーDB-730を用いた。熱圧着のときには、80~120°Cのホットプレートで支持部材2に加熱することで、支持部材2を介してダイボンディングフィルム8に加熱した。熱圧着の圧力を0.1MPaとし、加圧時間を1秒とした。熱圧着の後、ダイボンディングフィルム8を、超音波映像診断システムインサイト株社製Insight-300ScanningAcousticMicroscope:SAMを用いて観察して、ダイボンディングフィルム8と支持部材2との界面近傍における空隙の有無に基づいて、充填性を評価した。観察には周波数180MHz、焦点距離5.9mmのプローブを用いた。実施例及び比較例のそれぞれにサンプルを12個ずつ作製し、各サンプルについて充填姓を評価した。超音波映像診断システムによる観察画像を画像解析ソフトによって解析することで、ダイボンディングフィルム8の断面積と空隙Vの断面積との和に対し、ダイボンディングフィルム8の断面積が占める割合を算出し、充填性を評価した。この割合が95以上であるものを充填性良好、1サンプルでも90未満であったものを充填性不良と判定した。リフロー耐性の評価充填性の評価用のサンプルと同様のサンプルを作成し、リフロー耐性を評価した。具体的には、室温から120°Cまで30分間で昇温した後、120°Cで1時間加熱する条件によりダイボンディングフィルム8に加熱し、ダイボンディングフィルム8を硬化させた加熱工程。支持部材2の一方面2a上に、日立化成工業株式会社製の封止材商品名CEL-9750ZHFを成形し、175°Cで5時間の硬化処理を行い、モールド部10を形成した。これにより、半導体装置1のサンプルを作成した。超音波映像診断システムインサイト株社製、Insight-300ScanningAcousticMicroscope:SAMにより、サンプル内部の剥離や空隙の有無を観察した後、125°Cで12時間乾燥した。乾燥後の半導体装置1のサンプルに対し、85°C、60RH、168時間の条件で吸湿処理を行った。その後、最大温度265°C、30秒の設定でリフロー処理を3回行った。リフロー処理後のサンプルを再度、超音波映像診断システムで観察し、サンプル内部の剥離や空隙の有無を観察した。実施例及び比較例のそれぞれにサンプルを12個ずつ作製し、各サンプルについてリフロー処理後の剥離や空隙の有無を観察した。リフロー処理後に剥離又は空隙が存在しなかったものをリフロー耐性良好、1サンプルでも剥離又は空隙が存在したものをリフロー耐性不良と判定した。評価結果以上の評価結果を表2に示す。実施例1~6では、充填性及びリフロー耐性は共に良好であった。比較例1,2,4~5,8,10では、ダイボンディングフィルム8の厚さが凸部P1と凹部S1との段差の2倍以上であるが、ダイボンディングフィルム8の溶融粘度が20000Pasを超えているため、充填性が不良であった。そのため、リフロー耐性も不良であった。比較例3では、ダイボンディングフィルム8の溶融粘度が20000Pasを超え、且つダイボンディングフィルム8の厚さが凸部P1と凹部S1との段差の2倍よりも小さいため、充填性が不良であった。比較例6~7,9,11では、熱圧着中に達する温度におけるダイボンディングフィルム8の溶融粘度が20000Pas以下であるが、ダイボンディングフィルム8の厚さが凸部P1と凹部S1との段差の2倍よりも小さいため、充填性が不良であった。"