"カソードユニットとアノードユニットとを成膜室内に備える成膜装置であって、基板を保持し、前記成膜室外と前記成膜室内との間で移動し、前記カソードユニットと前記アノードユニットとの間に位置する成膜空間に前記基板を搬入搬出するキャリアを備え、前記キャリアは、前記基板の被成膜面が前記カソードユニットと対向するように前記基板を保持する第一保持部と、前記基板を前記キャリアと前記アノードの間で移動させる基板移動手段を有し前記アノードユニットは、前記基板を保持する第二保持部を有し、成膜時には、前記成膜空間から前記キャリアを外すことを特徴とする成膜装置。前記アノードユニットを前記カソードユニットに対して水平に移動させるアノード移動装置を有することを特徴とする請求項1記載の成膜装置。前記基板移動手段は、前記基板を上下させる機構であり、前記成膜室外に、前記基板移動手段を駆動する第一駆動源を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の成膜装置。前記第一保持部材は前記基板の側面を前記キャリア側に支えるサイドクランプ機構を有し、前記サイドクランプ機構は保持状態と解除状態との間で移動し、前記成膜室外に、前記サイドクランプ機構を駆動する第二駆動源を備えたことを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載の成膜装置。前記第二保持部は、前記基板を前記アノードユニットに押しつけて保持する押さえ部材を有し、前記キャリアは、前記押さえ部材の解除を行う制御部材を有することを特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の成膜装置。前記成膜室外に、前記押さえ部材を駆動する第三駆動源を備えたことを特徴とする請求項5記載の成膜装置。前記成膜室は、一対の前記アノードユニット間に前記カソードユニットを配して構成される第一成膜ユニットを複数備えたことを特徴とする請求項1ないし6いずれか1項記載の成膜装置。前記成膜室は、前記カソードユニットと前記アノードユニットから構成される第二成膜ユニットを複数備えたことを特徴とする請求項1ないし6いずれか1項記載の成膜装置。前記成膜室は、前記基板の被成膜面に垂直な方向に並列に複数の前記キャリアを収容可能であることを特徴とする請求項7または8記載の成膜装置。前記第一保持部に基板を保持させたキャリアを、成膜室外から成膜室内に搬入する工程Aと、前記第一保持部に保持されている基板を、前記成膜室のアノードユニットに付設された前記第二保持部に移載させる工程Bと、前記成膜室外に前記キャリアを搬出させる工程Cと、前記アノードユニットを前記カソードユニットに接近させ、前記第二保持部に保持された前記基板に成膜を行う工程Dと、を行うことを特徴とする成膜方法。前記工程Dの後、キャリアを成膜室外から成膜室内へ搬入する工程Eと、前記第二保持部に保持されている成膜後の基板を、前記第一保持部に移載させる工程Fと、を更に備えたことを特徴とする請求項10記載の成膜方法。しかしながら、上述したような従来の成膜装置では、基板を保持させたキャリアごと成膜室に搬入して成膜を行うために、キャリアの基板を保持している部分の周辺領域にも成膜物が堆積してしまう。こうした成膜物が堆積したキャリアを用いて繰り返し基板に成膜を行っていると、キャリアに堆積した成膜物が剥離して基板に再付着し、基板を汚染したり、搬出されたキャリアから堆積物が剥離してロードロック室やクリーンルーム内を汚染してしまったりする懸念がある。このため、一回ないし複数回の成膜を行うごとに基板を保持するキャリアをクリーニングする必要があった。キャリアに堆積した成膜物を除去する手間がかかり、効率的に成膜を行うための障害となっていた。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板を保持するキャリアのクリーニングを行わない、もしくはクリーニング回数を削減しても、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。上記課題を解決するために、本発明は次のような成膜装置、および成膜方法を提供する。即ち、本発明の成膜装置は、カソードユニットとアノードユニットとを成膜室内に備える成膜装置であって、基板を保持し、前記成膜室外と前記成膜室内との間で移動し、前記カソードユニットと前記アノードユニットとの間に位置する成膜空間に前記基板を搬入搬出するキャリアを備え、前記キャリアは、前記基板の被成膜面が前記カソードユニットと対向するように前記基板を保持する第一保持部と、前記基板を前記キャリアと前記アノードの間で移動させる基板移動手段を有し前記アノードユニットは、前記基板を保持する第二保持部を有し、成膜時には、前記成膜空間から前記キャリアを外すことを特徴とする。前記アノードユニットを前記カソードユニットに対して水平に移動させるアノード移動装置を有することを特徴とする。前記基板移動手段は、前記基板を上下させる機構であり、前記成膜室外に、前記基板移動手段を駆動する第一駆動源を備えたことを特徴とする。前記第一保持部材は前記基板の側面を前記キャリア側に支えるサイドクランプ機構を有し、前記サイドクランプ機構は保持状態と解除状態との間で移動し、前記成膜室外に、前記サイドクランプ機構を駆動する第二駆動源を備えたことを特徴とする。前記第二保持部は、前記基板を前記アノードユニットに押しつけて保持する押さえ部材を有し、前記キャリアは、前記押さえ部材の解除を行う制御部材を有することを特徴とする。前記成膜室外に、前記押さえ部材を駆動する第三駆動源を備えたことを特徴とする。前記成膜室は、一対の前記アノードユニット間に前記カソードユニットを配して構成される第一成膜ユニットを複数備えたことを特徴とする。前記成膜室は、前記カソードユニットと前記アノードユニットから構成される第二成膜ユニットを複数備えたことを特徴とする。前記成膜室は、前記基板の被成膜面に垂直な方向に並列に複数の前記キャリアを収容可能であることを特徴とする。本発明の成膜方法は、前記第一保持部に基板を保持させたキャリアを、成膜室外から成膜室内に搬入する工程Aと、前記第一保持部に保持されている基板を、前記成膜室のアノードユニットに付設された前記第二保持部に移載させる工程Bと、前記成膜室外に前記キャリアを搬出させる工程Cと、前記アノードユニットを前記カソードユニットに接近させ、前記第二保持部に保持された前記基板に成膜を行う工程Dと、を行うことを特徴とする。前記工程Dの後、キャリアを成膜室外から成膜室内へ搬入する工程Eと、前記第二保持部に保持されている成膜後の基板を、前記第一保持部に移載させる工程Fと、を更に備えたことを特徴とする。本発明の成膜装置、成膜方法によれば、キャリアは、基板を成膜室に搬送した後、アノードユニット、例えばアノードユニットを構成するヒータに対して基板を移載し、このヒータに基板を保持させる。そして、キャリアを成膜室から搬出させた後に、基板に対して成膜を行う。これによって、キャリアに対して成膜物が堆積することがない。即ち、従来の成膜装置、成膜方法では、基板を保持したキャリアが成膜室に入っている状態で成膜を行っていた。このため、キャリアにも成膜物が付着してしまっていた。しかしながら、本発明の成膜装置、成膜方法のように、キャリアを成膜室から搬出させた後に、基板に対して成膜を行うことによって、キャリアに堆積した成膜物を除去するキャリアクリーニング工程が不要もしくは削減することができる。これによって、一定回数ごとに行っていたキャリアのメンテナンスクリーニングが不要もしくは削減され、生産効率を大幅に向上させることが可能になる。以下、本発明に係る成膜装置および成膜方法について、図面に基づき説明する。なお、本実施形態は発明の趣旨をより良く理解させるために、一例を挙げて説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。薄膜太陽電池まず最初に、本発明の成膜装置によって好適に製造可能な薄膜太陽電池の構成を説明する。図1は薄膜太陽電池の一構成例を示す断面図である。薄膜太陽電池100は、表面を構成する基板ガラス基板Wと、基板W上に設けられた透明導電膜からなる上部電極101と、アモルファスシリコンで構成されたトップセル102と、マイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル104と、透明導電膜からなるバッファ層105と、金属膜からなる裏面電極106とが積層されてなる。こうした構成の薄膜太陽電池100は、a-Si/マイクロクリスタルSiタンデム型太陽電池となっている。このようなタンデム構造の薄膜太陽電池100では、短波長光をトップセル102で、長波長光をボトムセル104でそれぞれ吸収することで発電効率の向上を図ることができる。トップセル102のp層102p、i層102i、n層102nの3層構造がアモルファスシリコンで形成されている。また、ボトムセル104のp層104p、i層104i、n層104nの3層構造がマイクロクリスタルシリコンで構成されている。このような構成の薄膜太陽電池100は、太陽光がi層に当たると光起電力効果により、電子と正孔holeが発生し、電子はn層、正孔はp層に向かって移動する。この光起電力効果により発生した電子を上部電極101と裏面電極106により取り出して、光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。また、基板W側から入射した太陽光は、各層を通過して裏面電極106で反射される。薄膜太陽電池100には光エネルギーの変換効率を向上させるために、上部電極101に入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と光の閉じ込め効果を目的としたテクスチャ構造を採用している。成膜装置図2は本発明の一構成例である成膜装置を示す概略構成図である。図2に示すように、成膜装置10は、成膜室11と、仕込取出室13と、基板脱着室15と、とを備えている。基板Wは、キャリア21図9b参照に置載され、成膜室11、仕込取出室13、基板脱着室15の間を移動する。成膜室11は例えば複数の基板Wに対して同時にマイクロクリスタルシリコンで構成されたボトムセル104半導体層をプラズマCVD法を用いて成膜する。仕込取出室13は、大気と真空間を搬送するためのロードロック室で、成膜室11に搬入される成膜処理前基板W1と、成膜室11から搬出された成膜処理後基板W2と、を同時に収容することができる。基板脱着室15は、キャリア21図9b参照に対して基板W成膜処理前基板W1および成膜処理後基板W2を脱着させる。また、基板Wをキャリア21図9b参照から脱着するための基板脱着ロボット17と、基板Wを別の処理工程との搬送のために収容する基板収容カセット搬送手段19と、を備えている。なお、本実施形態では成膜室11、仕込取出室13および基板脱着室15で構成される基板成膜ライン16が、例えば4つ並列に設けられている。また、基板脱着ロボット17は床面に敷設されたレール18上を移動できるようになっており、全ての基板成膜ライン16への基板Wの受け渡しを1台の基板脱着ロボット17でできるようになっている。さらに、成膜室11と仕込取出室13とで構成されるプロセスモジュール14は一体化されており、例えばトラックに積載可能な大きさで形成されている。図3は成膜室の概略構成図であり、aは斜視図、bはaとは別の角度からの斜視図、cは側面図である。図3に示すように、成膜室11は、例えば箱型に形成されている。成膜室11の仕込取出室13と接続される側面23には、基板Wが保持されたキャリア21が通過可能なキャリア搬出入口24が3箇所形成されている。また、キャリア搬出入口24にはキャリア搬出入口24を開閉するドアバルブ25が設けられている。このドアバルブ25を閉止したときには、キャリア搬出入口24は気密性を確保して閉止される。側面23と対向する側面27には基板Wに成膜を施すための電極ユニット31が、例えば3基取り付けられている。電極ユニット31は、成膜室11から着脱可能に構成されている。また、成膜室11の側面下部28には成膜室11内を真空排気するための排気管29が接続されており、排気管29には真空ポンプ30が設けられている。図4は電極ユニット31の概略構成図であり、aは斜視図、bはaとは別の角度からの斜視図、cは電極ユニット31の一部分解斜視図、dはカソードユニットおよびアノードユニットの部分断面図である。電極ユニット31は、成膜室11の側面27に形成された3箇所の開口部26に着脱可能構成されている図3b参照。電極ユニット31は、下部に車輪61が設けられており床面上を移動可能に構成されている。また、車輪61が取り付けられた底板部62には側板部63が鉛直方向に立設されている。この側板部63は、成膜室11の側面27の開口部26を閉塞する大きさを有している。なお、こうした電極ユニット31全体が成膜室11に対して着脱可能になっている必要は無く、その一部、例えばカソードユニットやアノードユニットが成膜室11に着脱可能にされた構成であっても良い。図4cに示すように、車輪61付の底板部62は、電極ユニット31と分離接続可能な台車構造としてもよい。このように分離可能な台車構造とすることで、電極ユニット31を成膜室11に接続した後は、台車を分離し、共通の台車として、他の電極ユニット31の移動に使用できる。側板部63は成膜室11の壁面の一部を成している。側板部63の一方の面成膜室11の内部を向く面65には、成膜を施す際に基板Wの両面に位置するアノードユニット90とカソードユニット68とが設けられている。本実施形態の電極ユニット31には、カソードユニット68を挟んで両側に離間してアノードユニット90がそれぞれ配置された第一成膜ユニットを構成しており、一つの電極ユニット31で2枚の基板Wを同時に成膜できるようになっている。なお、カソードユニット68とアノードユニット90は、上述した一対のアノードユニット間にカソードユニットを配して構成した第一成膜ユニットを複数備え、複数の基板Wを同時に成膜できる構成以外にも、成膜室に一のカソードユニットと一のアノードユニットから構成される第二成膜ユニットを複数備え、複数の基板Wを同時に成膜できる構成であってもよい。こうした第一成膜ユニットや第二成膜ユニットを複数、成膜室に形成することによって、多数の基板を同時に効率よく成膜することができる。したがって、基板Wは、鉛直方向に沿った状態でカソードユニット68の両面側にそれぞれ対向配置され、2つのアノードユニット90は、各基板Wの厚さ方向外側に各基板Wとそれぞれ対向した状態で配置されている。なお、アノードユニット90は、板状のアノード67とアノードユニット90に設けられたヒータHを有している。また、側板部63の他方の面69には、アノードユニット90を移動させるためのアノード移動装置71と、成膜を施す際にカソードユニット68のカソード中間部材76に給電するためのマッチングボックス72と、が取り付けられている。さらに、側板部63には、カソードユニット68に成膜ガスを供給する配管用の接続部不図示が形成されている。アノードユニット90には、基板Wの温度を制御する温度制御手段として、ヒータHが内蔵されている。こうしたヒータHを含む2つのアノードユニット90,90は、側板部63に設けられたアノード移動装置71により、互いに近接離反する方向水平方向に移動可能に構成される。具体的には、キャリア21とアノードユニット90の間で基板Wを授受する際には、アノードユニット90が成膜室11に搬入されたキャリア21に接近する位置第二位置に移動する。また、キャリア21との間で基板Wを授受した後、キャリア21を成膜室11から搬出させる際には、アノードユニット90が側板部63に向かってキャリア21から退避する位置第三位置に移動する。更に、キャリア21を成膜室11から搬出した後、基板Wに対して成膜を行う際には、アノードユニット90は基板Wを保持してカソードユニット68に近接する位置第一位置に移動する。この際、基板Wとカソードユニット68との離隔距離は所望の距離に調節され、基板Wに成膜を行う。そして、成膜終了後は、成膜室11にキャリア21が搬入可能な位置第三位置まで、アノードユニット90,90が互いに離反する方向に移動する。なお、こうしたキャリア21やアノードユニット90が基板Wを保持し、また授受するための構成は後ほど詳述する。さらに、アノードユニット90は、アノード移動装置71にヒンジ不図示を介して取りつけられており、電極ユニット31を成膜室11から引き抜いた状態で、アノードユニット90アノード67のカソードユニット68側の面67Aが側板部63の一方の面65と略平行になるまで回動できる開くようになっている。つまり、アノードユニット90は平面視において略90°回動できるようになっている図4a参照。カソードユニット68は、シャワープレート75=カソード、カソード中間部材76、排気ダクト79、浮遊容量体82を有している。カソードユニット68には、アノードユニット90アノード67に対向する面にそれぞれ小孔不図示が複数形成されたシャワープレート75が配置されており、成膜ガスを基板Wに向かって噴出できるようになっている。さらに、シャワープレート75,75は、マッチングボックス72と接続されたカソード高周波電極である。2枚のシャワープレート75,75の間には、マッチングボックス72と接続されたカソード中間部材76が設けられている。すなわち、シャワープレート75は、カソード中間部材76の両側面に、このカソード中間部材76と電気的に接続された状態で配置されている。カソード中間部材76とシャワープレートカソード75は導電体で形成され、高周波はカソード中間部材76を介してシャワープレートカソード75に印加される。このため、2枚のシャワープレート75,75には、プラズマ発生のための同電位同位相の電圧が印加される。カソード中間部材76はマッチングボックス72と図示しない配線により接続されている。カソード中間部材76とシャワープレート75との間には空間部77が形成されており、ガス供給装置不図示よりこの空間部77に成膜ガスが供給されるようになっている。空間部77は、カソード中間部材76で分離され、それぞれのシャワープレート75,75毎に対応して別々に形成され、各シャワープレート75,75から放出されるガスが独立して制御されるように構成されている。すなわち、空間部77は、ガス供給路の役割を有している。この実施形態にあっては、空間部77がそれぞれのシャワープレート75、75毎に対応して別々に形成されているので、カソードユニット68は、2系統のガス供給路を有していることになる。また、カソードユニット68の周縁部には略全周に亘って中空状の排気ダクト79が設けられている。排気ダクト79には、成膜空間81の成膜ガスや反応副生成物パウダーを排気するための排気口80が形成されている。具体的には、成膜を施す際の基板Wとシャワープレート75との間に形成される成膜空間81に面して排気口80が形成されている。排気口80はカソードユニット68の周縁部に沿って複数形成されており、全周に亘って略均等に排気できるように構成されている。また、カソードユニット68の下部における排気ダクト79の成膜室11内へ向いた面82には開口部不図示が形成されており、排気した成膜ガスなどを成膜室11内へ排出できるようになっている。成膜室11内へ排出されたガスは成膜室11の側面下部28に設けられた排気管29より外部へ排気されるようになっている。また、排気ダクト79とカソード中間部材76との間には、誘電体および/もしくは積層空間を有する浮遊容量体82が設けられている。排気ダクト79は、設置電位に接続されている。排気ダクト79は、カソード75およびカソード中間部材76からの異常放電を防止するためのシールド枠としても機能する。さらに、カソードユニット68の周縁部には、排気ダクト79の外周部からシャワープレート75=カソードの外周部に至る部位を覆うようにマスク78が設けられている。このマスク78は、成膜空間81の成膜ガスやパーティクルを排気ダクト79に導くためのガス流路Rを形成している。すなわち、キャリア21とシャワープレート75との間、および排気ダクト79との間にガス流路Rが形成されている。このような電極ユニット31を設けることにより、一つの電極ユニット31で、基板Wが挿入されるアノードユニット90とカソードユニット68との隙間が2箇所形成される。したがって、2枚の基板Wを一つの電極ユニット31で同時に成膜することもできる。また、アノードユニット90とカソードユニット68との間に基板Wが配され、アノードユニット90アノード67は、基板Wと当接するとともに、基板Wとカソードユニット68との離隔距離を調整するために移動可能となっている。このため、基板Wに薄膜Si層をプラズマCVD法により成膜する際には、基板Wとカソードユニット68との隙間を5~15mm程度に狭く設定し、成膜前後には、アノード67とカソードユニット68との離隔距離を広げて、基板Wの出し入れを容易にすることができる。これにより、基板Wを出し入れする際に基板Wがアノード67またはカソードユニット68に接触して損傷するのを防止することができる。さらに、アノード67と基板Wとを当接させることができるため、基板WをヒータHで加熱しながら成膜するが、そのヒータHの熱を効果的に基板Wに伝熱することができる。したがって、高品質な成膜を施すことができる。さらに、電極ユニット31のカソードユニット68およびアノードユニット90は堆積した膜の除去などのために定期的にメンテナンスする必要があるが、電極ユニット31を成膜室11から着脱可能に構成したため、容易にメンテナンスを行うことができる。また、予備の電極ユニット31を用意しておけば、成膜室11から電極ユニット31をメンテナンスで取り外しても予備の電極ユニット31を代わりに取り付けることで、製造ラインを停止させずにメンテナンスをすることができる。したがって、生産効率を向上することができる。結果として、低レートの半導体層を基板Wに成膜する際にも、高スループットを実現することができる。図2に戻り、成膜室11と仕込取出室13との間、および、仕込取出室13と基板脱着室15との間をキャリア21が移動できるように移動レール37が成膜室11~基板脱着室15間に敷設されている。なお、移動レール37は成膜室11と仕込取出室13との間で分離され、キャリア搬出入口24はドアバルブ25を閉じることで密閉可能である。図5は仕込取出室13の概略構成図であり、aは斜視図、bはaとは別の角度からの斜視図である。図5に示すように、仕込取出室13は、箱型に形成されている。側面33は成膜室11の側面23と気密性を確保して接続されている。側面33には3つのキャリア21が挿通可能な開口部32が形成されている。側面33と対向する側面34は基板脱着室15に接続されている。側面34には基板Wが搭載されたキャリア21が通過可能なキャリア搬出入口35が3箇所形成されている。キャリア搬出入口35には気密性を確保できるドアバルブ第二開閉部36が設けられている。なお、移動レール37は仕込取出室13と基板脱着室15との間で分離され、キャリア搬出入口35はドアバルブ36を閉じることで密閉可能である。また、仕込取出室13には、キャリア21を移動レール37に沿って成膜室11と仕込取出室13との間を移動させるためのプッシュ-プル機構38が設けられている。図6に示すように、このプッシュ-プル機構38は、キャリア21を係止するための係止部48と、係止部48の両端に設けられ、移動レール37と略平行に配されたガイド部材49と、係止部48をガイド部材49に沿って移動させるためのキャリア移動装置50と、を備えている。こうした仕込取出室13は、成膜室11で基板Wに対して成膜を行う間、成膜室11に基板Wを搬送したキャリア21を成膜室11から退避させるエリアでもある。さらに、仕込取出室13内において、成膜処理前基板W1および成膜処理後基板W2を同時に収容させるために、キャリア21を平面視において移動レール37の敷設方向と略直交する方向に所定距離移動させるための搬送機構不図示が設けられている。そして、仕込取出室13の側面下部41には仕込取出室13内を真空排気するための排気管42が接続されており、排気管42には真空ポンプ43が設けられている。図7は基板脱着室の概略構成図であり、aは斜視図、bは正面図である。図7に示すように、基板脱着室15は、フレーム枠状に形成されており、仕込取出室13の側面34に接続されている。基板脱着室15では、移動レール37に配されているキャリア21に対して成膜処理前基板W1を取り付けることができる。さらに、成膜処理後基板W2をキャリア21から取り外すことができるようになっている。基板脱着室15にはキャリア21が3個並列配置できるように構成されている。基板脱着ロボット17は、駆動アーム45を有しており図2参照、駆動アーム45の先端に基板Wを吸着できるようになっている。また、駆動アーム45は基板脱着室15に配されたキャリア21と基板収容カセット19との間を駆動できるようになっており、基板収容カセット19から成膜処理前基板W1を取り出し、基板脱着室15に配されたキャリア第一キャリア21に成膜処理前基板W1を取り付ける作業、および成膜処理後基板W2を基板脱着室15に戻ってきたキャリア第二キャリア21から取り外し、基板収容カセット19へ搬送することができるようになっている。図8は基板収容カセット19の斜視図である。図8に示すように、基板収容カセット19は、箱型に形成されており、基板Wを複数枚収容可能な大きさを有している。基板Wは被成膜面を水平方向と略並行を成すようにした状態で上下方向に複数枚積層して収容できるようになっている。また、基板収容カセット19の下部にはキャスター47が設けられており、別の処理装置へと移動できるようになっている。なお、基板収容カセット19において、基板Wの被成膜面を重力方向と略並行を成すようにした状態で左右方向に複数枚収容できるようにしてもよい。図9aは、本発明の要部を簡潔に示した概要図である。本発明の成膜装置10では、平行平板型電極として機能し、互いに対向して配されたカソードユニット68とアノードユニット90とを成膜室11内に備えてなる。キャリア21は、成膜室11外と成膜室11内との間で基板Wを搬入出させる。キャリア21は、カソードユニット68とアノードユニット90との間に位置する成膜空間81において、基板Wの被成膜面Waがカソードユニット68と対向するように基板Wを保持する第一保持部51を備えている。また、アノードユニット90は、キャリア21から受け渡された基板Wを保持する第二保持部95を備えている。こうした成膜装置10では、基板Wへの成膜の際には、第一保持部51に基板Wを保持させたキャリア21を図9a中の紙面奥行き方向X1に向けて搬入させる。そして、キャリア21に形成された基板移動手段58によって、キャリア21の第一保持部51に保持された基板Wを、アノードユニット68の第二保持部95に移載させる。その後、キャリア21を紙面手前方向X2に向けて、成膜室11の外に搬出させる。その後、アノードユニット68に保持された基板Wの被成膜面Waに対して成膜を行う。以下、こうした成膜工程での各部の詳細な構成や動きを詳述する。図9bはキャリアの斜視図である。図9bに示すように、キャリア21は、基板Wの一面が略鉛直方向に沿うように保持することが可能な額縁状のフレーム51を一対備えている。つまり、一つのキャリア21に基板Wを2枚取り付けることができるようになっている。基板Wは、フレーム51に形成された開口部56で被成膜面が露出される。2個のフレーム51,51は、その上部において連結部材52により一体化されている。また、連結部材52の上方には移動レール37に載置される車輪53が設けられており、移動レール37上を車輪53が転がることで、キャリア21が移動できるようになっている。フレーム51は、鉛直方向の下部に溝状のフレームホルダ第一保持部材54を備えている。具体的には、このフレームホルダ第一保持部材54は、基板Wの鉛直方向下側の両角部を保持するL字状の溝部材である。また、図10に示すように、フレーム51の下部には、フレームホルダ54に対して基板Wを挿脱させる基板上下動部材基板移動手段58が形成されている。基板上下動部材基板移動手段58は、フレームホルダ54に対して鉛直方向に上下動可能に取り付けられ図10a参照、基板Wの下辺に当接して基板Wを上方向に移動させることによって、フレームホルダ第一保持部材54に嵌合していた基板Wをフレームホルダ54から離脱させることができる図10b参照。図11に示すように、フレーム51は、基板Wの周縁領域、例えば基板Wの鉛直方向上側の両角部を保持可能なサイドクランプ機構第一保持部材59を備えている。このサイドクランプ機構59は、例えば鉛直方向に沿って回動可能に取り付けられており、基板Wの上側の両角部を保持した保持状態図11a参照と、基板Wから退避した解除状態図11b参照との間で回動する。図12は、サイドクランプ機構第一保持部材59の構成例を示す斜視図である。サイドクランプ機構59は、例えば、先端で基板Wを係止する係止バー59a,ピニオン59b~59d、ラック59e、連動棒59fなどから構成される。そして連動棒59fを上下動させることによって、ラック59eからピニオン59b~59dを介して、係止バー59aを回動させることができる。なお、連動棒59fは、後述する第二駆動部材第二駆動源92図15b参照によって上下動させることができる。すなわち、基板Wをフレーム51に保持するための第一保持部材は、フレームホルダ54とサイドクランプ機構59とを有している。さらに、図13に示すように、フレーム51には、連動部材制御部材55が形成されている。この連動部材制御部材55は、後述するアノードユニット90に形成された基板クランプ第二保持部95の一端をを押し下げる係合位置図13a参照と、係合解除位置図13b参照との間で回動可能とされている。こうした連動部材制御部材55の回動によって、基板クランプ第二保持部を基板係止位置基板の固定位置と基板開放位置基板の開放位置との間で動かすことができる。連動部材55は、図14に示すように、基板Wの4辺にそれぞれ相当する位置に形成され、フレーム51中央の連動板55aや、これに繋がる複数のリンク棒55bなどによって、全ての連動部材55が一括して駆動される。図15は、キャリア21が挿入された状態の成膜室11を示す平面図図15a、斜視図図15bである。成膜室11の鉛直方向下面には、第一駆動部材第一駆動源91、第二駆動部材第二駆動源92、および第三駆動部材第三駆動源93が形成されている。これら第一駆動部材91、第二駆動部材92、および第三駆動部材93は、成膜室外に設置された駆動用の動力源を有し、上下動を成膜室内に伝達させる。第一駆動部材第一駆動源91は、フレーム51に形成された基板上下動部材基板移動手段58を上下動させる。また、第二駆動部材第二駆動源92は、連動棒などを介してサイドクランプ機構59に繋がり、このサイドクランプ機構59を基板Wの保持状態と解除状態との間で回動させる。更に、第三駆動部材第三駆動源93は、連動部材55を係合位置と、係合解除位置との間で回動させる。こうした第一駆動部材91、第二駆動部材92、および第三駆動部材93は、例えばエアシリンダーなどを有する。図16に示すように、アノードユニット90には基板クランプ第二保持部95が形成されている。基板クランプ第二保持部95は、一端側が基板Wをアノードユニット90に押しつけて保持する押さえ部材95a、他端側がキャリア21に形成された連動部材55と係合する連動部材係合部95bとされる。この基板クランプ第二保持部95は、図17aに示す基板係止位置と、図17bに示す基板開放位置との間で回動可能にされる。基板クランプ第二保持部95は、キャリア21の連動部材55が図17aに示す係合解除位置にあるときは、例えばバネによる付勢によって、押さえ部材95aが基板Wをアノードユニット90に押し付けて挟持する。一方、連動部材55が図17bに示す係合位置に移動すると、基板クランプ95の連動部材係合部95bが連動部材55と当接して押される。これによって、押さえ部材95aが基板Wから離間する方向に回動し、基板Wはアノードユニット90に対する係合を解除される。さらにアノードユニット90には、基板を載置する基板受け部材96図31参照を有している。すなわち、アノードユニット90に基板を保持する第二保持部は、基板Wをアノードユニット90に押さえる基板クランプ95と、基板Wを載置して下から支える基板受け部材96を有している。以上のような構成の本実施形態の成膜装置10では、上述した成膜室11、仕込取出室13および基板脱着室15とで構成される基板成膜ライン16が、例えば4つ配置構成されているため、24枚の基板Wを略同時に成膜することができるようになっている。成膜方法次に、上述した構成の成膜装置の作用、および本発明の成膜方法の一例を説明する。なお、以下の説明においては、一つの基板成膜ライン16のうち、一方の面の基板に着目して説明するが、他の三つの基板成膜ライン16も略同一の流れで基板を成膜する。また、以下の説明においては、アノードユニット90を構成するヒータHが基板Wを保持する構成を例示する。まず、図18に示すように、成膜処理前基板W1を複数枚収容した基板収容カセット19を所定の位置に配置する。次に、図19に示すように、基板脱着ロボット17の駆動アーム45を動かして、基板収容カセット19から成膜処理前基板W1を一枚取り出し、成膜処理前基板W1を基板脱着室15に設置されているキャリア21に取り付ける。このとき、基板収容カセット19に水平方向に配置された成膜処理前基板W1を、鉛直方向に向きを変えてキャリア21に取り付ける。こうした動作をもう一度繰り返し、一つのキャリア21に2枚の成膜処理前基板W1を取り付ける。さらに、この動作を繰り返して、基板脱着室15に設置されている残り二つのキャリア21にも成膜処理前基板W1をそれぞれ取り付ける。つまり、この段階で成膜処理前基板W1を6枚取り付ける。図20に示すように、成膜処理前基板W1が取り付けられた3個のキャリア21を移動レール37に沿って略同時に移動させ、仕込取出室13内に収容する。仕込取出室13にキャリア21を収容した後、仕込取出室13のキャリア搬出入口35のドアバルブ36を閉じる。その後、仕込取出室13の内部を、真空ポンプ43を用いて真空状態に保持する。図21に示すように、3個のキャリア21を平面視において移動レール37が敷設された方向と直交する方向に移動機構を用いてそれぞれ所定距離半ピッチ移動させる。なお、この所定距離とは一つのキャリア21が隣接する移動レール37,37間に位置する距離である。図22に示すように、成膜室11のドアバルブ25を開状態にし、成膜室11で成膜が終了した成膜処理後基板W2が取り付けられたキャリア21Aを仕込取出室13にプッシュ-プル機構38を用いて移動させる。このとき、キャリア21とキャリア21Aとが平面視において交互に並列するようになっている。そして、この状態を所定時間保持することで成膜処理後基板W2に蓄熱されている熱が成膜処理前基板W1に伝熱させるのが好ましい。これによって、成膜前基板W1が予熱される。ここで、プッシュ-プル機構38の動きを説明する。なお、ここでは成膜室11に位置しているキャリア21Aを仕込取出室13へ移動させる際の動きを説明する。図23aに示すように、プッシュ-プル機構38の係止部48に成膜処理後基板W2が取り付けられたキャリア21Aを係止する。そして、係止部48に取り付けられているキャリア移動装置50に接続された移動アーム57を揺動させる。このとき移動アーム57の長さは可変する。すると、キャリア21Aが係止された係止部48はガイド部材49に案内されるように移動し、図23bに示すように、仕込取出室13内へと移動する。つまり、キャリア21Aが成膜室11から仕込取出室13へと移動される。このように構成することで、成膜室11内にキャリア21Aを駆動させるための駆動源が不要になる。なお、上述した動きの逆の動きをさせることで、仕込取出室13のキャリアを成膜室11へ移動させることができる。図24に示すように、キャリア21およびキャリア21Aを移動機構により移動レール37と直交する方向に移動し、処理前基板W1を保持したキャリア21が移動レール37に沿う位置まで移動させる。図25は、基板を成膜室に搬入して成膜を行うまでの手順を段階的に示したフローチャートである。図26に示すように、プッシュ-プル機構38を用いて処理前基板W1を保持したキャリア21を成膜室11に移動させる。なお、移動完了後もドアバルブ25は開状態にされている。また、成膜室11は真空状態が保持されている。キャリア21に取り付けられた成膜処理前基板W1は、成膜室11内において、アノードユニット90とカソードユニット68との間に一面が鉛直方向と略並行を成すように挿入される。図27は、キャリア21の挿入を示す斜視図図27a、拡大断面図図27bである。キャリア21の搬入時には、アノードユニット90を構成するヒータHは、側板部63に向かってキャリア21が搬入される領域から退避する第三位置キャリア搬送ポジションに移動している。そして、成膜室11内にキャリア21が搬入される図25:S1工程A。成膜室11に移動した直後のキャリア21は、基板上下動部材58が図10aに示す下降位置にあって、基板Wの下側の両角部はフレームホルダ54に嵌合している。また、サイドクランプ機構59が図11aに示す保持状態にあって、基板Wの上側の両角部を保持している。これによって、基板Wはキャリア21に保持された状態となっている。成膜室11にキャリア21が搬入されると、図28aに示すように、基板上下動部材58が押し上げられる図25:S2。即ち、第一駆動部材第一動力源91図15参照によって、基板上下動部材58を上昇させる図28b。これによって、基板Wの下側の両角部がフレームホルダ54から離脱する図28c。次に、図29に示すように、第三駆動部材第三動力源93図15参照によって、連動部材55を係合位置に回動させる図29a。連動部材55が係合位置に来ると図29b,d、ヒータHに設けられた基板クランプ第二保持部95の連動部材係合部95bが連動部材55に押し下げられ図29c,e、基板開放位置に回動する図25:S3。次に、図30に示すように、ヒータHは、キャリア21との間で基板Wを授受するために、キャリア21に接近する第二位置基板受け渡しポジションに水平移動する図25:S4図30a。この時、基板クランプ第二保持部95は、ヒータHの水平移動に伴って、連動部材係合部95bの上面が連動部材55に対して摺動するように移動する図30b。ヒータHの移動により、図31に示すように、基板Wは、ヒータHに形成された基板受け部材96の上部に位置する。図31a参照。そして、基板上下動部材基板移動手段58を降下させることにより、基板Wは基板受け部材96に基板Wの下端が嵌合する位置まで降下する図25:S5。これによって、基板WはヒータH側に移載される図31b参照。次に、図32aに示すように、サイドクランプ機構59が動作する図25:S6。即ち、第二駆動部材92図15参照によって、サイドクランプ機構59を、基板Wの上側の両角部を保持した保持状態図32bから基板Wから退避した解除状態図32cに向けて回動させる。次に、図33aに示すように、第三駆動部材第三駆動源93図15参照を下げて、連動部材55を係合解除位置に回動させる。図33b,dに示す連動部材55の係合位置から係合解除位置に回動すると、基板クランプ第二保持部95は、例えばバネによる付勢によって基板係合位置に回動する図33c,e。これによって、ヒータHに移載された基板Wは、基板クランプ95の押さえ部材95aでヒータHに押し付けられて挟持される図25:S7工程B。次に、図34に示すように、キャリア21に接近する第二位置図34a参照にあったヒータHは、基板Wを保持した状態で再び水平移動に移動して、キャリア21から離れる方向に退避する第三位置図34b参照に移動する図25:S8。次に、図35に示すように、解除状態図35aにあったサイドクランプ機構59を再び回動させて、保持状態に戻す図35b図25:S9。これは、次のキャリア21を搬出させる際にサイドクランプ機構59が成膜室11の開口等に引っかかることを防止するためである。以上の工程を経て基板Wがキャリア21からヒータHアノードユニット90に移載された後、図36に示すように、キャリア21は成膜室11から搬出される図25:S10工程C。基板WをヒータHに渡した後のキャリア21は、この後の成膜中は、例えば、仕込取出室13内で待機すればよい。この後、成膜室11と仕込取出室13とを隔てるドアバルブ25を閉状態にする。成膜室11からキャリア21が搬出した後、図37に示すように、ヒータHがカソードユニット68に近接する第一位置成膜ポジションに移動する図25:S11。即ち、キャリア21の搬出時に第三位置図37aにあったヒータHは、第二位置図37bを経由して、更にカソードユニット68に近接する第一位置図37cまで水平移動する。なお、この時、第一位置での基板Wとカソードユニット68との離隔距離は、所望の距離、即ち成膜に最適な距離に調節される。成膜処理前基板W1とカソードユニット68のシャワープレート75との隙間成膜距離は5~15mmで、例えば5mm程度である。以上の工程を経てヒータHアノードユニット90が基板Wを保持し、カソードユニット68に対面した状態で、基板Wに対して成膜を行う工程D。即ち、図38に示すように、カソードユニット68のシャワープレート75から成膜ガスを噴出させるとともに、カソードユニット68のシャワープレート=カソード75に電圧を印加することで、成膜空間81にプラズマを発生させ、成膜処理前基板W1の表面WOに成膜を施す。このとき、ヒータHにより成膜処理前基板W1が所望の温度に加熱される。ここで、アノードユニット90は成膜処理前基板W1が所望の温度に達すると加熱を停止する。しかしながら、カソードユニット68に電圧が印加されることによって成膜空間81にプラズマが発生する。時間の経過に伴い、プラズマからの入熱によりアノードユニット90が加熱を停止しても成膜処理前基板W1の温度が所望の温度よりも上昇してしまう虞がある。この場合、アノードユニット90を、温度上昇しすぎた成膜処理前基板W1を冷却するための放熱板として機能させることもできる。したがって、成膜処理前基板W1は成膜処理時間の時間経過に関わらず所望の温度に保持される。なお、一度の成膜処理工程で複数の層を成膜する際には、供給する成膜ガス材料を所定時間毎に切り替えることで実施することができる。成膜中および成膜後に、カソードユニット68の周縁部に形成された排気口80より成膜空間81のガスやパーティクルを排気するとともに、排気されたガスは、ガス流路Rを介してカソードユニット68の周縁部の排気ダクト79から開口部カソードユニット68の下部における排気ダクト79の成膜室11内へ向いた面82に形成された開口部を通過させて、成膜室11の排気管から外部へと排気する。そして、基板Wに対して成膜が終了したら、今度は図25に示すフローチャートを逆向きに実行する。即ち、キャリア21を第三位置まで移動させた後、成膜室11に基板を保持していないキャリア21を搬入し工程E、ヒータHに保持されている成膜処理後基板W2をキャリア21に移載する工程F。そして、図39に示すように、成膜処理後基板W2を保持したキャリア21を成膜室11から取り出す。このとき仕込取出室13は排気され、次に成膜される成膜処理前基板W1を取り付けたキャリア21Bが既に位置している。そして、仕込取出室13内で成膜処理後基板W2に蓄熱されている熱を成膜処理前基板W1へ伝熱し、成膜処理後基板W2の温度を下げる。図40に示すように、キャリア21Bが成膜室11内へと移動した後、移動機構によりキャリア21を移動レール37上に配置される位置まで戻す。図41に示すように、ドアバルブ25を閉状態にし、成膜処理後基板W2が所定温度まで低下した後に、ドアバルブ36を開状態にして、キャリア21を基板脱着室15へと移動させる。図42に示すように、基板脱着室15において成膜処理後基板W2を基板脱着ロボット17によりキャリア21から取り外し、基板収容カセット19へと搬送する。全ての成膜処理後基板W2の取り外しが完了したら、基板収容カセット19を次工程の場所まで移動させることで、処理が終了する。本実施形態の成膜装置、成膜方法によれば、キャリア21は、基板Wを成膜室11に搬送した後、アノードユニット90、例えばヒータHに対して基板Wを移載し、このヒータに基板Wを保持させる。そして、キャリア21を成膜室11から搬出させた後に、基板に対して成膜を行う。これによって、キャリア21に対して成膜物が堆積することがない。即ち、従来の成膜装置、成膜方法では、基板を保持したキャリアが成膜室に入っている状態で成膜を行っていた。このため、キャリアにも成膜物が付着してしまっていた。しかしながら、本発明の成膜装置、成膜方法のように、キャリア21を成膜室11から搬出させた後に、基板に対して成膜を行うことによって、キャリア21に堆積した成膜物を除去するキャリアクリーニング工程が不要となる。これによって、一定回数ごとに行っていたキャリアのメンテナンスクリーニングが不要になり、生産効率を大幅に向上させることが可能になる。また、キャリアに成膜物が堆積することが無いので、キャリアを繰り返し使用してもキャリアから剥離した堆積物成膜物が成膜室11内に拡散し、基板Wを汚染してしまうことも確実に防止できる。これによって、より一層、高品質な被膜を基板Wに成膜することが可能になる。なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な形状や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。例えば、本実施形態では一つの成膜室に一つの仕込取出室を連接した場合の説明をしたが、一つの大きな仕込取出室に対して複数の成膜室を並列配置させて連接したプロセスモジュール114を設け、その仕込取出室内をキャリアが移動できるようにしてもよい図43参照。このように構成することで、仕込取出室内をキャリアに取り付けられた基板が移動できるため、各成膜室で異なる成膜材料を供給できるようにすることで、基板に成膜材料の異なる複数の層をより効率よく成膜することができる。また、成膜装置の配置構成を図44のようにしてもよい。この例では基板脱着ロボット17に、成膜室11、仕込取出室13、基板脱着室15からなるモジュールが放射状に設置される。このように構成することで、基板脱着ロボットがレール上を移動する時間を無くすことができる。つまり、基板脱着ロボットの動作時間を短縮して、タクトタイムを短縮することができる。さらに、成膜装置の配置構成を図45のようにしてもよい。この例では基板脱着ロボット17の両側に、成膜室11、仕込取出室13、基板脱着室15からなるモジュールが設置される。このように構成することで、省スペース、かつ、基板脱着ロボットの動作時間の短縮を図ることができる。そして、本実施形態では一台の基板脱着ロボットを配置して基板の脱着をするように構成したが、二台の基板脱着ロボットを配置し、一方を基板の取り付け専用とし、他方を基板の取り外し専用としてもよい。また、一台の基板脱着ロボットに二本の駆動アームを設け、二枚の基板を同時に取り付け、取り外しをするように構成してもよい。"