a無極性または半極性エピタキシー層の成長表面を提供する基板上に第1のiii族窒化物層を形成する段階と、b1つまたは2つ以上のキャビティが内部に形成された第2のiii族窒化物層を横方向成長lateralgrowth方式によって前記第1のiii族窒化物層上に形成する段階と、c前記第2のiii族窒化物層上に第3のiii族窒化物層を形成する段階と、d前記第2のiii族窒化物層の少なくとも一部の厚さに対する化学的エッチングを行い、分離された第3のiii族窒化物層を得る段階とを含んでなり、前記キャビティ内面の少なくとも一領域がN極性を示すことを特徴とする、iii族窒化物基板の製造方法。前記無極性または半極性エピタキシー層の成長表面を提供する基板はm面のサファイア基板であることを特徴とする、請求項1に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記第1のiii族窒化物層は11-22方向の半極性層であることを特徴とする、請求項1に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記横方向成長方式はELOGepitaxiallateralovergrowth方式であることを特徴とする、請求項1に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記段階bは、i前記第1のiii族窒化物層上にパターン化されたマスク層を形成する段階と、ii前記パターン化されたマスク層が形成された第1のiii族窒化物層上にiii族窒化物層を横方向成長させる段階とを含むことを特徴とする、請求項1に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記マスク層は1-100方向にパターン化されたことを特徴とする、請求項5に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記マスク層はSiO2またはSiNx材質であることを特徴とする、請求項5に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記マスク層はストライプパターン状に形成され、前記ストライプの幅及びストライプの間隔はそれぞれ2~50μm及び2~20μmの範囲であることを特徴とする、請求項5に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記第3のiii族窒化物層はHVPEによって形成されることを特徴とする、請求項1に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記第3のiii族窒化物層の厚さは少なくとも200μmであることを特徴とする、請求項1に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記化学的エッチングは溶融アルカリ塩内で行われることを特徴とする、請求項1に記載のiii族窒化物基板の製造方法。前記化学的エッチングは400~600°Cの温度条件下で0.5~20分間行われることを特徴とする、請求項11に記載のiii族窒化物基板の製造方法。aシリコンSi基板上に無極性又は半極性エピタキシー層の成長表面を提供するように異方性エッチングanisotropicetchingを行う段階と、b前記エッチングされたシリコン基板上に1つ又は2つ以上のキャビティを形成しながらiii族窒化物層を成長させる段階と、c前記段階bで成長したiii族窒化物上にiii族窒化物層を形成する段階と、d前記段階bで成長したiii族窒化物層の少なくとも一部の厚さに対する化学的エッチングを行うことにより、前記段階cで形成されたiii族窒化物層を分離する段階とを含んでなり、前記無極性又は半極性エピタキシー層の成長表面が111ファセットfacetを有し、前記キャビティ内面の少なくとも一領域がN極性を示すことを特徴とする、iii族窒化物基板の製造方法。請求項1~13のいずれか1項によって製造されたiii族窒化物基板。請求項14によるiii族窒化物基板を含む電子素子。そこで、本発明の目的は、極性窒化物の使用から引き起こされる問題点を緩和することができるうえ、欠陥が減少した高品質の無極性又は半極性iii族窒化物基板を製造する方法を提供することにある。特に、本発明は、化学リフトオフ方式によって無極性又は半極性iii族窒化物基板を製造する方法を提供しようとする。本発明の第1観点aspectによれば、a無極性または半極性エピタキシー層の成長表面を提供する基板上に第1のiii族窒化物層を形成する段階と、b1つまたは2つ以上のキャビティが内部に形成された第2のiii族窒化物層を横方向成長lateralgrowth方式によって前記第1のiii族窒化物層上に形成する段階と、c前記第2のiii族窒化物層上に第3のiii族窒化物層を形成する段階と、d前記第2のiii族窒化物層の少なくとも一部の厚さに対する化学的エッチングを行い、分離された第3のiii族窒化物層を得る段階とを含んでなり、前記キャビティ内面の少なくとも一領域がN極性を示すことを特徴とする、iii族窒化物基板の製造方法が提供される。本発明の第2観点によれば、aシリコンSi基板上に無極性又は半極性エピタキシー層の成長表面を提供するように異方性エッチングanisotropicetchingを行う段階と、b前記エッチングされたシリコン基板上に1つ又は2つ以上のキャビティを形成しながらiii族窒化物層を成長させる段階と、c前記段階bで成長したiii族窒化物層上にiii族窒化物層を形成する段階と、d前記段階bで成長したiii族窒化物層の少なくとも一部の厚さに対する化学的エッチングを行うことにより、前記段階cで形成されたiii族窒化物層を分離する段階とを含んでなり、前記無極性又は半極性エピタキシー層の成長表面が111ファセットfacetを有し、前記キャビティ内面の少なくとも一領域がN極性を示すことを特徴とする、iii族窒化物基板の製造方法が提供される。また、本発明の第3観点によれば、上述した2つの方法のいずれか一方によって製造された基板、及びこれを用いた電子または光電子素子が提供される。この際、前記電子素子は発光素子LED、レーザーダイオードLD、トランジスタなどが例示される。本発明の具体例によって製造されるiii族窒化物基板は、無極性又は半極性基板であって、極性窒化物が有する技術的限界を緩和することができ、特に化学リフトオフ方式で製造することができるという利点を持つ。本発明は下記の説明によってすべて達成できる。下記の説明は本発明の好適な具体例を記述するものと理解されるべきである。本発明はこれに限定されるものではない。また、添付図面は理解のために、実際層の厚さまたは高さまたは他の層との比率に比べて多少誇張して表現されていることもあり、これは後述する関連記載の具体的趣旨によって適切に理解できる。本明細書において、上におよびの上にという表現は、相対的な位置概念を掲げるために使用されるものであって、掲げられた層に他の構成要素又は層が直接存在する場合だけでなく、それらの間に他の層中間層または構成要素が介在又は存在しうるものと理解できる。これと同様に、下側に、下部に、の下に及び間にという表現も位置についての相対的概念と把握できる。本明細書において、iii族窒化物は、周期律表上のiii族元素と窒素によって形成された半導体化合物を意味することができる。このようなiii族元素の例として、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジルムInなどを例示することができ、これらの単独または2以上の組み合わせを含むことができる。よって、GaN、AlN、InN、AlGaN、AlInN、GaInN、AlInGaNなどを含む概念で理解することができる。これを一般化すると、前記iii族窒化物は例示的に下記一般式1で表示可能である。[一般式1]AlxInyGa1-x-yN式中、0≦x≦1、0≦y≦1、及び0≦xy≦1である。本明細書において、横方向成長または横方向オーバー成長という用語は、横方向エピタキシーオーバー成長LEO、ELOまたはELOG、PENDEOエピタキシーなどを含む概念であり、縦方向成長よりは横方向成長をさらに容易にすることにより、欠陥又は転位dislocationが層の表面に垂直な方向に伝播されることを抑制することができるようにする工程である。このような工程は、通常、MOCVDなどによるc面GaN成長の際に欠陥または転位を減少させるための目的で当業界に知られている。無極性という用語は、c軸に対して垂直な結晶方向例えば、a面及びm面を有することを意味するので、iii族窒化物結晶構造の無極性面は図1aのように示すことができる。半極性という用語は、0001または000-1に対して0~90°の間の結晶方向を有することを意味する。この際、半極性面は六方単位hexagonalunitセルを対角線方向diagonallyに横切って延長され、c軸とは90°以外の角を形成する。特に、極性0001層と比較すると、極性ベクターが成長方向に対して傾いているため、極性による影響が減少する。iii族窒化物内で一般に観察される半極性面として11-22、1-101、10-11、10-13、10-12、20-21、10-14などを例示することができ、但し、本発明が前記具体的な値に限定されるものではない。このような半極性面は図1bのように示すことができるので、例えば11-22方向の半極性GaNの場合、0002面に対して約58°傾いて存在する。図2は本発明に係る一具体例において基板上に第1のiii族窒化物層鋳型が形成されたことを示す図である。前記具体例において、第1、第2及び第3のiii族窒化物はそれぞれ無極性又は半極性層、好ましくは半極性層を意味することができる。図2によれば、まず、基板101上に第1のiii族窒化物のエピタキシー層102を成長させる。この際、基板101として無極性または半極性iii族窒化物層の成長に適した基板であれば、特別な制限なく使用することができる。このような基板は、広義的にはa面a-plane、r面r-planeまたはm面m-planeなどの対称的に同等なsymmetry-equivalent面を含むことができる。また、無極性iii族窒化物層の製造のためにはr面基板を、iii族窒化物層の製造のためには半極性m面基板例えば、1-100の面方向orientationは有するをそれぞれ使用することが好ましい。これに関連して、基板の材質として、サファイア、シリコンカバイドSiC、リチウムアルミネート、スピネルなどを例示することができ、場合によってはiii族窒化物またはその合金材質例えば、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlNなどを使用することもできる。本発明の例示的な具体例によれば、基板として、半極性を実現するためにm面サファイア基板を使用することが好ましい。このような基板101上に窒化物層を形成するに先立って、選択的に反応領域内の残余酸素を除去し、水素及び/または窒素を用いて反応領域をアニーリングまたは熱処理高温、例えば成長温度までする段階などを行うことができる。また、例えばサファイア基板などの場合、無水アンモニアなどを用いて基板の表面を窒化nitridationする段階も含むことができる。本発明の変形例において、前記基板101上に第1のiii族窒化物層102を成長させるに先立って、中間層又はバッファ層図示せずを形成することができる。このような中間層は、より良好なiii族窒化物層102の物性を得るために選択的に導入されるものであって、その材質としては、AlN、AlGaNなどのiii-v族化合物だけでなく、非極性、特に半極性iii族窒化物層の成長促進に適した他の材質などが例示できる。この際、MOCVDやHVPEなどのように、当業界で知られている蒸着deposition又は層成長エピタキシャル成長epitaxialgrowth技術が活用可能である。このように選択的に導入される中間層の寸法は、特に限定されないが、少なくとも約10~50nmの範囲である。また、前記中間層形成のために、例えば常圧条件で約550~750°Cに工程条件を調節することができる。この数値範囲は例示的な意味で理解されるべきであり、本発明を限定するものではないのは明白である。前記具体例において、通常の層成長技術、例えばMOCVD、HVPE、MBEなどを用いて基板又は基板上の中間層に無極性または半極性iii族窒化物層を形成することができるが、一例ではより良好な品質の鋳型templateを確保するためにMOCVDを用いることが好ましい。本発明の特定具体例において、前記第1のiii族窒化物層102は、具体的に約1~10μm、より具体的に約2~5μmの厚さに形成できる。このように第1のiii族窒化物層102を形成するために、例えば約800~1100°Cの温度及び約200~500torrの圧力条件の下で約60~300分間成長反応を行うことができる。前記具体的な成長条件は例示的目的で記載されたものであり、基板などのサイズなどによって変更できるが、本発明はこれに限定されるものではない。また、本具体例において、前記第1のiii族窒化物層102は、半極性方向特性を有することが好ましく、具体的に11-22方向を有するように基板特性及び成長条件を調節することができる。図3及び図4は第1のiii族窒化物層102上に横方向成長又はオーバー成長方式によって再成長した第2のiii族窒化物層104の内部にキャビティcavity105が下部の特定パターン図面ではストライプパターンのマスクに沿って連続的に形成されて一種のトンネルを構成する過程を示す図である。図示した具体例において、横方向成長方式は、例えばアモノサーマル成長ammonothermalgrowth条件の下で行ってもよく、前述した多様な横方向成長法の中でも例示的にELOG方式を用いてもよい。この際、通常の成長方法、例えばMOCVD、HVPEなどが利用できるので、後述の如くキャビティ形成が容易であるようにMOCVDを用いることが好ましい。その理由は、後述の如く横方向成長過程で逆梯形状に成長する傾向を示してキャビティ、特に三角形状のキャビティを実現することが容易であるためである。前記ELOG方式は、選択的結晶成長技術を変形させたもので、既に成長したiii族窒化物層上に部分的に薄膜の絶縁層をパターニングし、初期成長段階で発生する転位の垂直伝播を防止するために用いられている。以下ではELOG方式を中心に記述する。前記図面を参考すると、まず、第1半極性iii族窒化物層102上に、ストライプ状にパターン化されたマスク層103’を形成する。この際、ストライプパターンのマスクは典型的に絶縁性dielectric材質であってもよく、その代表的にはSiO2、SiNx例えば、Si3N4などを例示することができる。前記マスクパターンを形成するために、まず、例えばPECVDplasmaenhancedchemicalvapordepositionによって絶縁性層103を形成する。その後、通常のフォトリソグラフィー法前記方法において、エッチングのために、例えばICP-RIEなどの通常の方式を採用することができるを用いて第1のiii族窒化物層102上に1セットの平行なストライプパターン103’が残るようにする。この際、ストライプパターンのマスク間の領域をウィンドウwindow領域と呼ぶことができる。前記マスクの幅は例えば約2~50μm具体的には約2~10μm、前記ウィンドウの幅は約2~20μmより具体的には約2~10μmの範囲に設定することができる。また、前記マスクは、厚さが約500~2000Åの範囲であれば適当である。また、本具体例によれば、前記マスクは、平面上に置かれる方向のいずれに設定してパターンが形成できるが、好ましくは1-100方向に設定する。このようにマスクパターンの方向を考慮する理由は、オーバー成長するiii族窒化物層のファセットfacet形成などの特性に影響を及ぼすためである。通常、iii族窒化物、特にGaNの場合、c面方向への成長速度が他の面に比べて著しく速い特徴を持つ。上述したように、マスク例を挙げると、SiO2材質パターンを用いてc面方向への成長速度を減少させて均一な速度で成長をさせる場合、全体的な成長層の品質も向上するのはもとより、平らで滑らかな表面を得ることができる。特に、マスクパターンを1-100方向に形成する場合、より滑らかな表面を形成することができる。但し、マスクを-1-123方向にパターン形成する場合、マイクロ単位の凸凹表面が形成できる。よって、本具体例が特定方向のマスクパターンに必ず限定されるものではないにも拘らず、マスクパターンを1-100方向に設定することがより好ましい。その後、iii族窒化物の再成長過程を行うが、このような再成長過程はウィンドウ領域で開始し、この際、下部の第1のiii族窒化物層102の微細構造が再現されるものの、マスク領域上には成長が発生しなくなる。時間が経過するにつれて、ウィンドウ領域で成長する結晶は漸次マスク上に横方向成長オーバー成長する。このように、iii族窒化物の成長層は縦方向及び横方向に延長されるが、この際、横方向に成長する領域をウィングwing領域とし、該領域では欠陥が顕著に減少した高品質の結晶が得られる。また、縦方向垂直方向と横方向水平方向との延長比率は成長条件によるが、時間経過に伴ってウィンドウから横方向例えば、右方向に延長された窒化物オーバー成長層は、隣り合うウィンドウから横方向例えば、左方向に延長された窒化物オーバー成長層に出会って合わせられる。その結果、合わせられる境界boundaryの下側にキャビティ105が設けられるが、このようなキャビティはマスクパターンによって連続的に形成されて1種のトンネル構造を形成する。前記キャビティ105は工程条件などによって三角形、正方形、長方形、円形などの多様な形状をすることができるが、図示の如く三角形の形状が好ましい。前記具体例ではキャビティが連続的に連結されてトンネルを形成する場合を示しているが、これは望ましい趣旨で提示されたものであって、一部の区間で意図的又は非意図的に閉鎖される場合も本発明の範囲に含まれ得る。本具体例では第2のiii族窒化物層内にキャビティが連続的に連結されて1種のトンネルを形成するにあたって主に半極性iii族窒化物が適合であるが、本発明はこれに限定されず、適切な工程条件によって上述のキャビティ形成が可能であれば、無極性iii族窒化物でも構わない。第2のiii族窒化物層104の厚さは例えば約3~10μmの範囲であり、前記キャビティのサイズ直径または高さは約2~50μm、より具体的には約2~10μmの範囲でありうる。このような数値範囲は例示的なものであって、工程条件などの変更によって調節できる。例えば、三角形状のキャビティのサイズは、パターンマスクのサイズによって異なるが、パターンのマスク幅が約7μmの場合、三角形状のキャビティの直径は約6μm程度の幅を有する。もしマスクの幅が大きくなると、三角形状のキャビティの直径もこれに比例して大きくなり、成長時間もマスクの幅が大きくなるにつれて増加する。図示した具体例に係る第2のiii族窒化物層104は、多様なパラメータの組み合わせによって形成成長できる。例えば、成長温度は約700~1100°Cより具体的には約800~1000°C、圧力は約200~400mTorrの範囲であってもよい。例えば、マスクパターンが1-100方向の場合、約800~1100°Cで約240~600分にわたって行うことができる。この際、供給されるGaソース例えば、トリメチルガリウム、トリエチルガリウムなどの流速は約10~30sccmの範囲であってもよい。前記第2のiii族窒化物層104は、ウィンドウから逆梯形の形状に成長しながら漸次三角形状のキャビティ105を形成する。上述したように得られた横方向成長層は、x線回折XRD分析によってその特性を示すことができる。無極性及び半極性層の場合、通常、角度方向角によって異方性anisotropyを示す。これに関連して、本具体例において、横方向成長によって得られる半極性iii族窒化物の場合、例えば約300~500arcsecFWHM値をarcsecで示した値degree×3600であるの範囲を示すことが好ましい。図5は本発明の具体例において第2のiii族窒化物層104上に第3のiii族窒化物層106が形成された断面を示す図である。前記第3のiii族窒化物層106は、後続のリフトオフ工程によって下側の基板と分離され、LED、LD、トランジスタなどの電子または光電子素子を製造するための基板例えば、ホモエピタキシー成長用基板として使用できる。この際、当業界における公知の通常の成長技術が利用できる。MOCVD又はMBEは高品質のエピタキシー層を成長させるには有利であるが、相対的に高費用がかかるうえ、成長速度も遅い。これに対し、HVPEは相対的に成長費用が相対的に低く、特に成長速度が速いため、厚膜の成長層を製造するのに適する。本具体例が特定の成長技術に限定されるのではないが、上述した点を勘案すると、HVPEを用いることが好ましい。HVPE方式を実現する一例は下記のとおり説明できる:通常、2段温度勾配を有する水平型反応器内で約700~900°Cの温度領域にGaを置き、先立って得られたターゲット基板上に第1及び第2のiii族窒化物層が形成された構造物を成長領域例えば、約900~1100°C内に位置させる。石英容器に置かれたGa及びHClガスを反応させ、合成されたGaClをキャリアガスと共にターゲットに供給し、別途の石英板を経てアンモニアガスを前記ターゲットの位置する領域に供給する。その結果、GaClNH3→GaNHClH2GaN成長の場合の反応式によってiii族窒化物がターゲット上に成長する。この際、成長用基板用途に適するように、前記第3のiii族窒化物層106の厚さは少なくとも約200μmであり、より典型的には約300~500μmの範囲である。前記第3のiii族窒化物層106は鋳型に該当する下側の半極性又は無極性の第2のiii族窒化物層と同一の結晶特性、すなわち半極性または無極性を示しうる。追って基板として使用可能な第3のiii族窒化物層106が形成された後には、下部の第2のiii族窒化物層の少なくとも一部の厚さ部位を除去する化学的エッチング段階を行うことができる。これに関連して、図6は本発明の一具体例において第2のiii族窒化物層104に対して化学的エッチングを行って第3のiii族窒化物層を独立基板として適用することができるように分離する過程を概略的に示す図である。図示の如く、特にトンネル状のキャビティを中心に水平方向又は垂直/水平方向にエッチングが行われる。前記具体例において化学的エッチングが可能な理由を下記のとおり説明することができるが、本発明はこれに限定されない:代表的なiii族窒化物であるGaN結晶は、2種の相異なる面、すなわちGa面Ga-face及びN面N-faceを有する。この際、Ga面は末端がガリウム原子で終結するが、N面は末端が窒素原子で終結する。Ga面の場合は化学的に安定しているものの、N面の場合は化学的に不安定であって反応性が高いchemicallyactive。通常、c面基板上で成長した極性窒化物層0001面の場合、表面の末端がGa面であるため、化学的に非常に安定して化学的エッチングが困難である。ところが、被エッチング物、特に第2のiii族窒化物層104の場合、N極性を有する面がキャビティの内面例えば、キャビティ内面の少なくとも一領域に存在する。具体的に説明すると、-c面、及びn-またはr-面がそれぞれ三角形状のキャビティの両面に存在する一方、キャビティの底面はSiO2で形成される。図示した具体例によって、トンネル内の底面を除いた上側の2つの面に、N極性を示す-c面が存在し、またN-極性を部分的に示すn-又はr-面が存在する。通常、N極性面に対して化学的エッチングが可能であるとするとき、N極性を示す面のみエッチングされるのではなく、GaNの一つの粒子においてGaとNの結合エネルギーがさらに大きいため、GaN粒子一つがエッチングされる。よって、N極性が露出すると、露出した面から全てエッチングが可能である。上述したように、トンネル内面からの化学的エッチングが行われると同時に、無極性又は半極性を有する第1及び第2のiii族絶縁層の表面においても化学的エッチングが行われ得る。このように、第1及び第2のiii族窒化物層、特に第2のiii族窒化物層の少なくとも一部の厚さ部位が除去されることにより、第3のiii族窒化合物層は下部の構造物から分離できる。本具体例によれば、大面積例えば、2インチ以上の第3のiii族窒化物層を効果的に分離することができる。前述したように、無極性又は半極性iii族窒化物に対して化学的ウェットエッチングが可能であっても、第2のiii族窒化物層を横切るようにキャビティトンネルが形成されない場合には、エッチング過程中に第3のiii族窒化物層の外面も一定の程度エッチングされる現象を回避することができない。ところが、前記具体例では、キャビティトンネルが数~数十μmの間隔をおいて存在するため、キャビティトンネル間の間隔のみエッチングされると、第3のiii族窒化物層を分離することができる。化学リフトオフを実現するために、多様なウェットエッチング方式を用いることができる。この際、強酸例えば、H3PO4または加熱された溶融した強塩基例えば、NaOH、KOHなどのアルカリ塩又はその混合物を用いてなるべく迅速に第3のiii族窒化物106を分離した方が、エッチングによる損傷を最大限抑制することができて好ましい。この際、溶融アルカリ塩を使用する場合、典型的に少なくとも約300°C、より典型的に約400~600°Cの温度条件の下で約0.5~20分間行われるようにエッチング条件を設定することができる。本発明が前記条件に限定されるものではなく、被エッチング物内の結晶特性、パターンマスクのサイズによるキャビティの直径サイズなどによって変更可能である。例えば、キャビティの直径が大きければ、エッチング速度はさらに速くなりうる。一方、本発明の他の具体例によれば、シリコンSi基板を用いて無極性または半極性のiii族窒化物基板を製造する方法が提供される。図7は本発明の他の具体例によって、シリコン基板上にキャビティが形成されながら無極性又は半極性iii族窒化物層が形成され、これを鋳型として上側に厚膜の無極性又は半極性iii族窒化物層例えば、少なくとも約200μmの厚さが形成された状態を概略的に示す断面図である。図示した具体例において、シリコン基板111の上面に例えば111ファセットfacetが形成されている。この際、シリコン基板は例えば311又は001シリコン基板であってもよい。図示の如く、111ファセットを形成するためにパターン化段階、具体的に異方性anisotropicエッチングによるパターン化過程が行われてもよい。このようにシリコン基板上に形成された111ファセットによってiii族窒化物を選択的に成長形成させることができるすなわち、選択的成長selectivegrowth。すなわち、前記iii族窒化物層114はシリコン基板上に形成された111ファセットによって、例えば三角形状のキャビティ115を形成しながら成長形成できる。前記具体例において、キャビティ115が形成されながら成長したiii族窒化物層114は、半極性例えば、1-101または11-22または無極性例えば、11-20を示すことができる。よって、前記iii族窒化物層114は1種の鋳型として作用し、その上に形成されるiii族窒化物層116も同様に半極性または無極性特性を示すことができる。前記iii族窒化物層116を、例えば少なくとも約200μmの厚さに形成成長させ、前述したように下側にキャビティが形成されたiii族窒化物層114を化学的にエッチングして分離させることにより、自立型freestandingiii族窒化物基板として使用することができる。一方、本具体例によれば、パターンマスク層例えば、SiO2マスクを用いることもできる。例示的な具体例によれば、まず、311シリコン基板上にSiO2マスク例えば、約70nmの厚さ、約1μm以下のマスク幅、約1~3μmのパターン間隔をフォトリソグラフィーテクニックなどを用いてパターン例えば、ストライプパターンを形成し、エッチング液例えば、KOH溶液を用いて約30~50°Cでエッチングした後、例えば、HF例えば、希釈したHF、バッファ酸化エッチングbufferedOxideEtchant、HFNH4F混合物、BOEなどを用いて前記マスク層を除去することができる。前記エッチング処理によってシリコン基板上に111ファセットが形成される。その後、MOCVDなどの再成長によってシリコン基板上に一定の厚さのiii族窒化物層114を形成する。前記成長過程において、前述した中間層又はバッファ層図示せずが選択的に形成されることも可能である。上述したiii族窒化物の成長は、例えば約900~1100°Cで行われ得る。後続的に形成される厚膜のiii族窒化物層116の成長、そして化学的エッチングの原理及び詳細工程は、前述と同様なので省略する。前述した具体例によって製造されたiii族窒化物基板は、現在広く使用されている異種基板例えば、サファイアを使用する場合に引き起こされるヘテロエピタキシーによるミスマッチmismatch現象を抑制してホモエピタキシー成長による電子又は光電子素子の基板として適用することができる。このような電子素子への適用例として、代表的にLEDlightemittingdiode、LDlaserdiode、トランジスタ例えば、HEMTなどを例示することができる。図8は前述した具体例によって得られた第3のiii族窒化物層106、116を分離してLED素子の基板として適用した例を示す図である。図8によれば、LED素子は、下側からiii族窒化物基板201、n型またはp型半導体層202、活性層203及びp型またはn型半導体層204の順に構成される。また、前記p型半導体層204の上部にはp電極205が形成されており、n型半導体層202の露出面上にn電極206が形成されている。図示した層構成は、例示目的で提供されるもので、様々に変形できる。これに関連して、前記基板201上に形成される半導体層202、204及び活性層203の材質は、特に限定されず、当業界でLED製造用として知られている様々な半導体物質iii-v、ii-viなど、例えばGaN、InN、AlN、InP、InS、GaAs、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、AlxGa1-xN、InxGa1-xN、InxGa1-xAs、ZnxCd1-xSなどを使用することができ、これらを単独でまたは組み合わせて使用することができるここで、0<x<1。但し、ホモエピタキシー特性を効果的に具現するために、iii族窒化物を使用することが好ましい。また、活性層203は、例示的にGaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN、InAlGaNなどから選択される少なくとも2種の材質からなってもよい。これらの中でも、エネルギーバンドギャップの小さい物質を量子井戸quantumwellとし、エネルギーバンドギャップの大きい物質を量子障壁quantumbarrierとすることができる。単一または多重量子井戸構造のいずれも可能である。この他にも、電気的印加のための電極205、206の場合、例えば白金Pt、パラジウムPd、アルミニウムAl、金Au、ニッケル/金Ni/Auなどを単独で又は組み合わせて使用することができる。このような電極パターン形成のために、当業界における公知の方式、例えばフォトレジストパターン化-エッチングなどの通常の方式が行われ得る。本発明は下記の実施例によってより明確に理解でき、下記の実施例は本発明の例示目的に過ぎず、発明の領域を限定するものではない。実施例1第1GaN層の成長m-サファイア基板クリスタルオン社:M面2サファイアウエハー、厚さ430μm上にMOCVD装備Veeco社を用いて下記表1の条件の下で平面planar半極性GaN層を形成した。この際、ガリウムソース及び窒素ソースとしてそれぞれトリメチルガリウム及びアンモニアを使用した。HR-XRDで分析した結果、約2μmの厚さ及び11-22の方向を有する半極性GaN層が形成されたことを確認した。第2GaN層の成長一定の間隔を置いて配列されたストライプパターンのマスクを用いて前記第1GaN層上にELOGを行ったサンプル1及び2。この際、マスクとして、まずPECVDによってSiO2層を100nmの厚さに蒸着し、その後、標準フォトリソグラフィー法を用いたICP-RIEエッチングによってストライプの幅マスク領域及びストライプの間隔ウィンドウ領域をそれぞれ7μm及び4μmに調節した。この際、マスクパターンは1-100方向に形成した。その後、GaN層をMOCVDを用いて880°C及び300mTorrで再成長させたELOG。この際、サンプル1の厚さは約2μmであり、サンプル2の厚さは約4μmであった。これとは別に、工程条件を変化させて第1GaN層上に第2GaN層を再成長させてサンプル3及びサンプル4を得た。これらの中でも、サンプル3はマスクパターンなしで再成長させたものであり厚さ:約1.2μm、サンプル4はマスクパターンの方向が-1-123であった厚さ:約2μm。サンプル1~4に対する工程条件を下記表2に示す。前記サンプル1及び2それぞれに対して横方向成長した第2GaN層の断面に対するSEM写真を図9及び図10に示す。図示の如く、ウィンドウ領域から再成長したGaN層は、時間経過に伴って漸次マスク領域上にオーバー成長しながら漸次横方向に延長されており、横方向成長が行われ続けるにつれてウィング領域上で左右から延長した横方向成長層が互いに合わせられた結果、三角形状のキャビティがマスクパターンによって連続的に連結されてトンネルを形成していることを確認することができる。また、マスクパターン形成なしで再成長した場合サンプル3、及び-1-123方向のマスクパターンを用いて再成長した場合サンプル4それぞれにおいて、得られた第2GaN層の断面に対するSEM写真を図11及び図12に示す。サンプル3の場合、図11に示すように平面の再成長層が形成された。また、サンプル4の場合、第1GaN層上にマスクパターンによって三角シリンダー形状の第2GaN層が導出形成されていることが分かる。一方、XRD分析装置PANalytical社、製品名:High-resolutionX-Raydiffractionを用いて、サンプル1~4それぞれに対して方位角azimuthalangleによるFWHMfullwidthathalfmaximum、単位:arcsec値の変化を測定した。その結果、サンプル1~4のFWHM値はそれぞれ733、468、517及び840arcsecであった。上記結果より、サンプル2が他のサンプルに比べて、相対的に優れた半極性特性を示し、低い異方性を示すことを確認することができる。第3GaN層の成長前記実施例においてキャビティトンネルが形成されているサンプル2上にHVPEによって第3GaN層を成長させた厚さ:300μm。前記HVPE工程条件を下記表3に示す。前記条件の下で成長した第3GaN層のSEM写真を図13に示した。図13によれば、下側の第2GaN層すなわち、11-22GaN層と同様に厚膜の第3GaN層すなわち、11-22GaN層が形成されていることが分かる。第3GaN層の分離ビーカー内に、前述した方法によって得られた構造基板上に第1、第2および第3GaN層が形成されるが十分込める程度の高さに溶融moltenKOHを入れ、これをホットプレートhotplate上にのせた。550°Cに昇温させ、KOHが十分に溶融して液相を維持するようにした後、上記構造を投入した。SEM写真より、エッチングによる第2GaN層の変化を確認した。20秒、40秒及び60秒経過後の第2GaN層の変化を図14a~図14cにそれぞれ示した。図示の如く、20秒経過後にキャビティの内面からエッチングが開始したことを確認することができ、40秒経過後にはエッチングが行われるにつれてキャビティと隣り合うキャビティが連結された。60秒経過後には第2GaN層が殆ど全部エッチングされて下側の第1GaN層と上側の第3GaN層が互いに分離されていることを確認した。実施例2311基板上に厚さ70nmのSiO2マスク層をスパッタリング蒸着し、フォトリソグラフィー方法を用いてストライプパターンを形成した1μmのマスク幅、2μmのパターン間隔。その後、前記シリコン基板をKOH溶液25を用いて40°Cでエッチングさせた。その結果、シリコン基板の表面に111ファセットが形成され、このファセットは希釈したHF溶液を用いて除去された。その後、MOCVD装置内でトリメチルガリウムtrimethylgallium:TMG及びアンモニアをソースとして用いてGaNを成長させた。この際、TMG及びアンモニアの流速はそれぞれ15.0μmol/min及び0.5slmであり、成長温度は1050°Cであり、成長時間は60分であった。SEMで観察した結果、シリコン基板上にiii族窒化物層が形成されながらキャビティトンネルが形成されていることを確認した。このように形成されたiii族窒化物層に実施例1と同様に厚膜のGaN層を形成した後、化学的エッチングを行う場合、前記厚膜のGaN層の分離による自立型GaN基板の製作可能性を確認した。本発明の単純な変形または変更は当該分野における通常の知識を有する者によって容易に利用でき、これらの変形または変更はいずれも本発明の領域に含まれるものと見られる。