反復構造単位:-[A]-及び-[COM]-を、好ましくは1:20~20:1の[A]:[COM]質量比で含有するポリマーIを含み、ここで、Aが、式II又はIII:のベンゾジチオフェン反復単位であり、COMが、式及びこれらの組み合わせの反復単位から選択される有機半導体材料、層又は部品[式中、G1、G2、G3、G4及びG5は、同一又は異なってもよく、水素、F等のハロゲン、C1~C25アルキル、Oで及び/若しくはSで中断されたC2~C25アルキル、C1~C25アルコキシ、C3~C12シクロアルキル、C2~C25アルケニル、C2~C25アルキニル、C4~C25アリール、C5~C25アルキルアリール又はC5~C25アラルキルから選択され、そのそれぞれは非置換である又は1つ以上のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、-CN又はC6~C18アリールで置換されており、2個以上の炭素原子を有する任意のアルキルは、-O-、-COO-、-OCO-、-S-で中断されていてもよく;R1及びR2は、同一又は異なっていてもよく、水素、C1~C100アルキル基、-COOR103、C1~C100アルキル基これは1つ以上のハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、-CN若しくはC6~C18アリール基で置換されている及び/又は-O-、-COO-、-OCO-若しくは-S-で中断されている;C7~C100アリールアルキル基、カルバモイル基、C5~C12シクロアルキル基これはC1~C8アルキル及び/又はC1~C8アルコキシで1~3回置換されうる、C6~C24アリール基、特にフェニル又は1-若しくは2-ナフチルこれはC1~C8アルキル、C1~C8チオアルコキシ及び/若しくはC1~C8アルコキシで1~3回置換されうる又はペンタフルオロフェニルから選択され;pは、0、1、2又は3であり;R3及びR3’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、C1~C25アルキルこれは1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよい、C7~C25アリールアルキル又はC1~C25アルコキシであり;R4及びR4’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、C1~C25アルキルこれは1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよい、C7~C25アリールアルキル又はC1~C25アルコキシであり;X1及びX2は、互いに独立して、-O-、-S-、-NR8-、-SiR11R11’-、-CR7R7’-、-C=O-、であり、X3及びX4の一方はNであり、他方はCR99であり;X5は、-O-又は-NR8-であり;R5及びR5’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよいC1~C25アルキル;C1~C8アルキル及び/若しくはC1~C8アルコキシで1~3回場合により置換されていてもよいC6~C24アリール;C7~C25アリールアルキル、CN又はC1~C25アルコキシであるか;或いはR5及びR5’は、一緒になって環を形成し、R6は、H、C1~C18アルキルこれは1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよい、C1~C18ペルフルオロアルキル、C6~C24アリールこれはC1~C8アルキル及び/若しくはC1~C8アルコキシで1~3回場合により置換されていてもよい;C2~C20ヘテロアリールこれはC1~C8アルキル及び/若しくはC1~C8アルコキシで1~3回場合により置換されていてもよい;又はCNであり、R7及びR7’は、互いに独立して、水素、C1~C35アルキルこれは1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよい;又はC7~C25アリールアルキルであり、R8及びR8’は、互いに独立して、水素、C6~C18アリール;C1~C18アルキル若しくはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;又は1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよいC1~C25アルキル、特にC4~C25アルキル;又はC7~C25アリールアルキルであり、R11及びR11’は、互いに独立して、C1~C35アルキル基、C7~C25アリールアルキル又はフェニル基これはC1~C8アルキル及び/又はC1~C8アルコキシで1~3回場合により置換されうるであり;R103は、C1~C50アルキル、特にC4~C25アルキルであり;R99、R104及びR104’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、特にF又はC1~C25アルキル基、特にC4~C25アルキルこれは、1個以上の酸素又は硫黄原子で場合により中断されていてもよい、C7~C25アリールアルキル又はC1~C25アルコキシ基であり、R105及びR105’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、C1~C25アルキルこれは1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよい、C7~C25アリールアルキル又はC1~C18アルコキシであり、R107は、H;C6~C18アリール;C1~C18アルキル若しくはC1~C18アルコキシで置換されているC6~C18アリール;C1~C18アルキル;又は-O-で中断されているC1~C18アルキルである]。コポリマーIを含む薄膜半導体が基板に堆積される、基板を含む複合材料の形態の請求項1記載の有機半導体材料。請求項1に定義されたコポリマーIを含む半導体デバイス。有機光起電デバイス太陽電池、ダイオード、フォトダイオード、有機電界効果トランジスターである、請求項3記載の半導体デバイス。コポリマーIにおいて、G1、G2、G3、G4及びG5が、互いに独立して、水素、フルオロ、C1~C25アルキル、Oで及び/若しくはSで中断されたC2~C25アルキル、C1~25アルコキシ、C3~C12シクロアルキル、C2~C25アルケニル、C2~C25アルキニル、フェニル、ナフチル、C1~C12アルキルフェニル、フェニル-C1~C12アルキルから選択され、そのそれぞれは非置換であるか又は1つ以上のフルオロ、-CN、フェニル、ナフチルで置換されており;R1及び2が、同一又は異なっていてもよく、C1~C100アルキル、C5~C12シクロアルキルこれはC1~C8アルキル及び/若しくはC1~C8アルコキシで1~3回置換されうる、フェニル又は1-若しくは2-ナフチルこれはC1~C8アルキル及び/若しくはC1~C8アルコキシで1~3回置換されうる又は-CR101R102-CH2u-A3から選択され、ここでR101及びR102が、水素又はC1~C4アルキルを表し、A3が、フェニル又は1-若しくは2-ナフチルそのそれぞれはC1~C8アルキル及び/若しくはC1~C8アルコキシで1~3回置換されうるを表し、uが、0、1、2又は3を表し;R103が、C1~C25アルキルであり;X3及びX4の一方がNであり、他方がCR99であり、R99、R104及びR104’が、互いに独立して、水素、F又はC1~C25アルキル基、特にC4~C25アルキルこれは、1個以上の酸素又は硫黄原子で場合により中断されていてもよい、C7~C25フェニルアルキル、C1~C25アルコキシであり、R105及びR105’が、互いに独立して、水素、フルオロ、C1~C25アルキルこれは1個以上の酸素若しくは硫黄原子で場合により中断されていてもよい;C7~C25フェニルアルキル又はC1~C18アルコキシであり、R107が、H;C1~C18アルキル若しくはC1~C18アルコキシで場合により置換されているフェニル若しくはナフチル;C1~C18アルキル;又は-O-で中断されているC2~C18アルキルである、請求項1~4のいずれか1項記載の材料又はデバイス。コポリマーIが式I’に一致し、式中、単位[A]及び[COM]の順番が、統計的、ブロック又は特に交互であり;v及びwが、それぞれ4~1000、特に4~200、とりわけ5~100であり;部分COMが、式及びこれらの組み合わせの反復単位から選択される請求項1~5のいずれか1項記載の材料又はデバイス。コポリマーIにおいて、部分COMが、式の反復単位から選択される、請求項1~6のいずれか1項記載の材料又はデバイス。コポリマーIにおいて、G1、G2、G3、G4及びG5が、独立して、水素、フルオロ、C1~C25アルキルから選択され、特に水素であり;R1及びR2が、C1~C35アルキル、特にC8~C35アルキル基であり、各R104及びR104’が、独立して、H、C1~C25アルキルから選択される請求項1~7のいずれか1項記載の材料又はデバイス。コポリマーIが、式XII~XV[式中、nは、4~300、特に10~200である]のいずれかに一致する、請求項1~8のいずれか1項記載の材料又はデバイス。コポリマーIが、質量平均Mwとして示される、5000~約200000、特に約10000~約120000の分子量範囲である、請求項1~9のいずれか1項記載の材料又はデバイス。請求項1~10のいずれか1項に定義されたコポリマーI。液体媒質に溶解又は分散された請求項1~10のいずれか1項に定義された1つ以上のコポリマーIを含む組成物。有機発光ダイオード、太陽電池のような光起電部品、センサー、電池の半導体部品における半導体若しくは電荷輸送材料若しくは薄膜トランジスターとしての又は有機電界効果トランジスター若しくは光導波路としての若しくは電子写真用途における、請求項1~10のいずれか1項に定義されたコポリマーIの使用。請求項2~4のいずれか1項に記載の複合材料又はデバイスの製造方法であって、請求項1又は5~10のいずれか1項に定義されたコポリマーIを液体媒質に溶解し、溶液を形成すること、溶液を特に、スピン塗布、ドロップキャスティング、ディップ塗布、印刷により基板に堆積させること、溶媒を除去し、薄膜半導体を基板上に形成することを含む前記方法。下記式:[式中、-COM1-はCOMで定義されたとおりであり、A及び-COM-は請求項1~10のいずれか1項に定義されたとおりである]のポリマーの製造方法であって、式X10-A-X10の二ハロゲン化物を、式に対応する実質的に等モル量のジボロン酸若しくはジボロネートと反応させる又は下記式:の二ハロゲン化物を、式:X11-A-X11に対応する実質的に等モル量のジボロン酸若しくはジボロネートと溶媒中及び触媒の存在下で反応させることを含み、式中、X10が、ハロゲン、特にBrであり、X11が、それぞれの場合に独立して、-BOH2、-BOY12、であり、ここでY1が、それぞれの場合に独立して、C1~C10アルキル基であり、Y2が、それぞれの場合に独立して、C2~C10アルキレン基であり、Y13及びY14が、互いに独立して、水素又はC1~C10アルキル基であり;或いは式X10-A-X10の二ハロゲン化物を、式に対応する等モル量の有機スズ化合物と反応させる又は式の二ハロゲン化物を、式X11’-A-X11’に対応する等モル量の有機スズ化合物と反応させることを含み、式中、X11’が、それぞれの場合に独立して、-SnR207R208R209であり、ここでR207、R208及びR209が、同一又は異なって、H又はC1~C6アルキルである、或いは基R207、R208及びR209のうちの2つが環を形成し、これらの基が場合により分岐されている、前記方法。