アルミニウム又はアルミニウムを含む合金によって形成された基材と、前記基材表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層と、前記中間層の表面に、銅または銅を含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させた皮膜層と、を備えることを特徴とする積層体。銅又は銅を含む合金によって形成された基材と、前記基材表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層と、前記中間層の表面に、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させた皮膜層と、を備えることを特徴とする積層体。前記積層体は、前記皮膜層を形成後、所定温度で加熱処理したことを特徴とする請求項1または2に記載の積層体。前記加熱処理温度は、300~500°Cであることを特徴とする請求項3に記載の積層体。前記中間層は、前記いずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金の多層積層体であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の積層体。前記中間層の厚さは0.2~20μmであることを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の積層体。前記中間層は、溶射、コールドスプレー、メッキ、スパッタリングまたはCVDにより形成することを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の積層体。請求項3~7のいずれか一つに記載の積層体を使用することを特徴とする導電材料。アルミニウム又はアルミニウムを含む合金によって形成された基材の表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層を形成する中間層形成ステップと、前記中間層の表面に、銅または銅を含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜層を形成する皮膜層形成ステップと、を含むことを特徴とする積層体の製造方法。銅又は銅を含む合金によって形成された基材の表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層を形成する中間層形成ステップと、前記中間層の表面に、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜層を形成する皮膜層形成ステップと、を含むことを特徴とする積層体の製造方法。前記皮膜層形成ステップ後、所定温度で加熱処理するアニール処理ステップを含むことを特徴とする請求項9または10に記載の積層体の製造方法。ところで、コールドスプレー法により金属皮膜を形成した積層体を導電材料等に使用する場合、高い導電性を備えた積層体が好適に使用される。しかしながら、コールドスプレー法により積層された積層体は所望する導電性を有していないため、アニール処理を行う必要がある。銅をアニール処理する場合、通常300~600°C程度でアニール処理を行っているが、アルミニウム基材に銅皮膜を積層した積層体においては、アニール温度を600°Cまで上げることはできない。一般に、高い温度でアニール処理を行うほど、銅皮膜の加工性および導電性の向上を期待できるが、銅/アルミニウム積層体を250°C以上の温度でアニール処理すると、銅とアルミニウムの界面で金属間化合物が生成され、界面の強度低下および積層体の抵抗が増大するという問題を有していた。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、コールドスプレー法を用いて銅皮膜をアルミニウム基材に積層、またはアルミニウム皮膜を銅基材に積層した積層体において、該積層体の界面での金属間化合物の生成を抑制し、積層体の界面の強度の低下を防止するとともに積層体、該積層体を使用する導電材料および積層体の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる積層体は、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金によって形成された基材と、前記基材の表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層と、前記中間層の表面に、銅または銅を含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させた皮膜層と、を備えることを特徴とする。また、本発明にかかる積層体は、銅又は銅を含む合金によって形成された基材と、前記基材の表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層と、前記中間層の表面に、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させた皮膜層と、を備えることを特徴とする。また、本発明にかかる積層体は、上記発明において、前記積層体は、前記皮膜層を形成後、所定温度で加熱処理したことを特徴とする。また、本発明にかかる積層体は、上記発明において、前記加熱処理温度は、300~500°Cであることを特徴とする。また、本発明にかかる積層体は、上記発明において、前記中間層は、前記元素の多層積層体であることを特徴とする。また、本発明にかかる積層体は、上記発明において、前記中間層の厚さは0.2~20μmであることを特徴とする。また、本発明にかかる積層体は、上記発明において、前記中間層は、溶射、コールドスプレー、メッキ、スパッタリング、またはCVDにより形成することを特徴とする。また、本発明の導電材料は、上記のいずれか一つに記載の積層体を使用することを特徴とする。また、本発明にかかる積層体の製造方法は、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金によって形成された基材の表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層を形成する中間層形成ステップと、前記中間層の表面に、銅または銅を含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜層を形成する皮膜層形成ステップと、を含むことを特徴とする。また、本発明にかかる積層体の製造方法は、銅又は銅を含む合金によって形成された基材の表面に、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される中間層を形成する中間層形成ステップと、前記中間層の表面に、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、前記中間層に固相状態のままで吹き付けて堆積させて皮膜層を形成する皮膜層形成ステップと、を含むことを特徴とする。また、本発明にかかる積層体の製造方法は、前記皮膜層形成ステップ後、所定温度で加熱処理するアニール処理ステップを含むことを特徴とする。本発明にかかる積層体は、アルミニウム基材と銅皮膜との間、または銅基材とアルミニウム皮膜との間に、所定の金属等から形成された中間層を設けることにより、該積層体をアニール処理した場合に発生しうるアルミニウムと銅との金属間化合物の生成を抑制して、界面での強度低下を防止し、積層体の導電性を向上するという効果を奏する。さらに、本発明の積層体は、アニール処理を行わない場合においても、長期間の使用環境下で金属間化合物の生成を抑制できるので、積層体の界面での強度を保持できるという効果を奏する。以下、本発明を実施するための形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。すなわち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。まず、本発明の実施の形態にかかる積層体について、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態にかかる積層体の構成を示す模式図である。積層体10は、基材1と、基材1の表面に形成した中間層2と、中間層2に後述するコールドスプレー法によって積層された金属皮膜3とからなる。基材1は、略板状のものが使用され、アルミニウムまたはアルミニウム合金から形成される。中間層2は、基材1の表面に、溶射、コールドスプレー、メッキ、スパッタリングまたはCVDにより形成された皮膜である。中間層2は、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成される。中間層2は0.2~20μmの厚さであることが好ましい。0.2μm未満であると、基材1と後述する金属皮膜3との間の金属間化合物の生成抑制の効果が小さくなり、また20μmより厚さが厚くなると、積層体10の導電性等に影響を及ぼすおそれがあるためである。また、中間層2は、上記のいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金から形成された1層構造の中間層2のほか、上記のいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金からそれぞれ形成された2層以上の多層構造の中間層2としてもよい。金属皮膜3は、中間層2を介して基材1の表面に形成された銅または銅合金の皮膜である。金属皮膜3は、銅または銅合金の粉末材料を、後述するコールドスプレー装置により、該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、中間層2の基材1と接する面と反対の面に固相状態のままで吹き付けて堆積させて形成する。次に、金属皮膜3の形成について、図2を参照して説明する。図2は、金属皮膜3の形成に使用されるコールドスプレー装置の概要を示す模式図である。コールドスプレー装置60は、圧縮ガスを加熱するガス加熱器61と、基材に噴射する粉末材料を収容し、スプレーガン62に供給する粉末供給装置63と、スプレーガン62で加熱された圧縮ガスと混合された材料粉末を基材1に噴射するガスノズル64とを備えている。圧縮ガスとしては、ヘリウム、窒素、空気などが使用される。供給された圧縮ガスは、バルブ65および66により、ガス加熱器61と粉末供給装置63にそれぞれ供給される。ガス加熱器61に供給された圧縮ガスは、例えば50°C以上であって、金属皮膜3の材料粉末である銅または銅合金の融点以下の温度に加熱された後、スプレーガン63に供給される。圧縮ガスの加熱温度は、好ましくは300~900°Cである。粉末供給装置63に供給された圧縮ガスは、粉末供給装置63内の、例えば、粒径が10~100μm程度の材料粉末をスプレーガン62に所定の吐出量となるように供給する。加熱された圧縮ガスは先細末広形状をなすガスノズル64により超音速流約340m/s以上にされる。また、圧縮ガスのガス圧力は、1~5MPa程度とすることが好ましい。圧縮ガスの圧力を1~5MPa程度とすることにより、基材1と金属皮膜3との間の密着強度の向上を図ることができる。2~4MPa程度の圧力で処理することが好ましい。スプレーガン62に供給された粉末材料は、この圧縮ガスの超音速流の中への投入により加速され、固相状態のまま基材に高速で衝突して皮膜を形成する。なお、材料粉末を基材1に固相状態で衝突させて皮膜を形成できる装置であれば、図2のコールドスプレー装置60に限定されるものではない。金属皮膜3を、中間層2を介して基材1上にコールドスプレー装置により形成した後、積層体10を所定温度で加熱処理するアニール処理を行う。アニール処理温度は、300~500°Cで行うことが好ましい。300°C以上の温度で加熱することにより、銅または銅合金からなる金属皮膜3の硬度を低下して加工性を向上させるとともに、積層体10の導電性を向上することができる。また、500°C以下の温度とすることで、積層体10への加熱による影響を少なくすることができる。本発明の実施の形態にかかる積層体10は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材1とコールドススプレー装置60により積層される銅または銅合金の金属皮膜3との間に、アルミニウムと銅との金属間化合物の形成を抑制する所定の金属等からなる中間層2を形成するため、より高い温度でアニール処理を行うことが可能となり、積層体10の界面での強度低下を抑制しながら、積層体10の加工性および導電性向上を図ることができる。なお、上記の本発明の実施の形態は、アルミニウムまたはアルミニウムを基材1として選択し、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金からなる中間層2を基材1上に形成し、銅または銅合金からなる金属皮膜3をコールドスプレー装置60により中間層2の表面に形成した積層体10について説明したが、銅または銅合金を基材1として選択し、銀、金、クロム、鉄、ゲルマニウム、マンガン、ニッケル、ケイ素または亜鉛から選択されるいずれか1種の金属または非金属、あるいは前記いずれか1種の金属を含む合金からなる中間層2を基材1上に形成し、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属皮膜3をコールドスプレー装置60により中間層2の表面に形成する積層体10についても同様にして製造することができる。中間層2を介して銅または銅合金からなる基材1上にアルミニウムまたはアルミニウム合金の金属皮膜3を形成する場合、コールドスプレー装置60で使用する圧縮ガスは、例えば50°C以上であって、金属皮膜3の材料粉末であるアルミニウムまたはアルミニウム合金の融点以下、好ましくは200~400°Cに加熱して行う。銅または銅合金からなる基材1とコールドススプレー装置60により積層されるアルミニウムまたはアルミニウム合金の金属皮膜3との間に、アルミニウムと銅との金属間化合物の形成を抑制する所定の元素からなる中間層2を形成した本発明の積層体10は、高い温度でアニール処理を行うことが可能となり、積層体10の界面での強度低下を抑制しながら、積層体10の加工性および導電性向上を図ることができる。実施例1アルミニウムからなる基材1に、メッキ法により銀またはニッケルの中間層2厚さ:5μmを形成し、コールドスプレー装置60により銅の金属皮膜3を中間層2の基材1と接する面と反対側の面に形成して圧縮ガス温度:800°C、ガス圧力:5MPa、積層体10を形成した。この積層体10を、真空中、400°Cで、アニール処理を4時間行い、アルミニウムと銅との金属間化合物の形成について確認した。また、比較例として、アルミニウムからなる基材1に、所定の中間層2を形成しないで、コールドスプレー装置により銅の金属皮膜3を基材1表面に形成した積層体についても圧縮ガス温度:800°C、ガス圧力:5MPa、同様に、真空中、400°Cで、アニール処理を4時間行い、金属間化合物の形成について確認した。図3は、中間層2を銀で形成した本発明の実施例1にかかる積層体10の断面構造を示す図である。図4は、中間層2をニッケルで形成した本発明の実施例1にかかる積層体10の断面構造を示す図である。図5は、比較例にかかる積層体の断面構造を示す図である。図5に示すように、比較例では、中間層2を有していないため、真空中、400°C、4時間アニール処理により金属間化合物がおよそ16μmの厚みで形成されている。これに対し、厚さ5μmの銀を中間層2としてメッキ法により形成した積層体10では、図3に示すように、金属間化合物がおよそ11μmの厚みに生成が抑制されていることがわかる。また、厚さ5μmのニッケルを中間層2としてメッキ法により形成した積層体10では、図4に示すように、金属間化合物がおよそ2μmの厚みまで生成が抑制された。実施例2アルミニウムからなる基材1に、メッキ法によりニッケルの中間層2厚さ:2μmを形成し、コールドスプレー装置60により銅の金属皮膜3を中間層2の基材1と接する面と反対側の面に形成して圧縮ガス温度:800°C、ガス圧力:5MPa、積層体10を形成した。この積層体10を、大気中、250°C、300時間保持して、積層体10の使用環境下における長時間保持試験を行った。また、比較例として、アルミニウムからなる基材1に、所定の中間層2を形成しないで、コールドスプレー装置により銅の金属皮膜3を基材1表面に形成した積層体についても圧縮ガス温度:800°C、ガス圧力:5MPa、同様に、大気中、250°C、300時間保持して長時間保持試験を行った。図6は、中間層2をニッケルで形成した本発明の実施例2にかかる積層体10の長時間保持試験後の断面構造を示す図である。図7は、比較例にかかる積層体の長時間保持試験後の断面構造を示す図である。図7に示すように、比較例では、大気中、250°C、300時間の長時間保持試験において、約6μmの厚みの金属間化合物が形成された。これに対し、厚さ2μmのニッケルを中間層2としてメッキ法により形成した積層体10では、図6に示すように、金属間化合物の層がほとんど認められず、金属間化合物の生成が抑制されていることがわかる。