積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のAl/Si合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Al/Si合金のAl/Si比が85/15以上であることを特徴とする、積層セラミック電子部品。前記セラミック層の主成分がチタン酸バリウム系ペロブスカイト化合物であり、前記積層セラミック電子部品が積層セラミックコンデンサである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。前記セラミック層の主成分が、Mn-Ni-Fe-Ti酸化物系であり、前記積層セラミック電子部品が積層チップコイルである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。しかしながら、特許文献1における積層セラミック電子部品においては、焼成雰囲気が窒素雰囲気であるため、セラミック材料の再酸化処理が必要となり、工程が煩雑となった。さらに、特許文献1における積層セラミック電子部品においては、焼成工程の降温時の収縮挙動の影響から大きな応力がかかり、デラミネーションが生じやすいという問題があった。そこで、本発明の目的は、卑金属合金からなる内部電極を有する積層セラミック電子部品において、デラミネーションなどの機械的不具合が抑制されており、かつ、大気中においても焼成可能な積層セラミック電子部品を提供することにある。すなわち本発明は、積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の特定の界面に沿って形成される複数のAl/Si合金を主成分とする内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記Al/Si合金のAl/Si比が85/15以上であることを特徴とする。本発明によれば、内部電極からセラミック層にかかる応力が小さいため、デラミネーション発生の抑えられた積層セラミック電子部品を得ることができる。また、内部電極のAlに対し一定量のSiが含有されることで、内部電極の耐蝕性が高まり、高湿の環境においても信頼性の高い積層セラミック電子部品を得ることができる。また、本発明の積層セラミック電子部品は、卑金属の内部電極でありながら大気中にて焼成可能であるため、セラミック材料設計の自由度が高まる。よって、様々な特性を有する積層セラミック電子部品を得ることができる。本発明の積層セラミック電子部品は、その内部電極の主成分がAl/Si合金である。このAl/Si比が85/15以上である場合、セラミック層と内部電極との間の応力集中が緩和され、デラミネーション不良が効果的に抑えられる。また、本発明の積層セラミック電子部品を、酸素分圧が1×104MPa以上大気中を含むとした場合、内部電極の表層部、すなわちセラミック層と接する箇所が、Al2O3を主成分とする層で構成されることがある。これは、主として、Al内部電極の表面が酸化したことに因るものである。このAl2O3層が、Al内部電極の電極切れを防ぎ、Al内部電極の導電率を良好に保つ。また、このAl2O3層は、Al内部電極層を平滑にする効果がある。これらの効果を発現するには、Al2O3層の厚みは内部電極の厚みの0.25以上であることが好ましい。また、Al2O3層の厚みが内部電極の厚みの10超となると、内部電極層の総厚の20がAl2O3で構成されることとなり、上記の導電率向上の効果が薄まる。よって、Al2O3層の厚みは内部電極の厚みの10以下であることが好ましい。次に、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法について、積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。まず、セラミック原料が用意される。このセラミック原料は、溶媒中にて必要に応じて有機バインダ成分と混合され、セラミックスラリーとされる。このセラミックスラリーをシート成形することにより、セラミックグリーンシートが得られる。次に、Al/Si合金を主成分とする内部電極がセラミックグリーンシート上に形成される。これにはいくつかの方法があり、Al/Si合金粉と有機ビヒクルとを含む導電ペーストを所望のパターンにスクリーン印刷する方法が簡便である。その他にも、金属箔を転写する方法や、真空薄膜形成法によりマスキングしながらAl/Si膜を形成する方法もある。このようにして、セラミックグリーンシートと内部電極層とが多数層重ねられ、圧着されることにより、焼成前の生の積層体が得られる。この生の積層体は、焼成炉において、所定の雰囲気温度にて焼成される。たとえば、焼成時の酸素分圧を1×104MPa以上とし、焼成温度を600°C以上とした場合、内部電極の表面の酸化が進み、適度な厚みを有するAl2O3層が形成されることがある。また、たとえば、焼成温度を1000°C以下とすると、内部電極の電極切れが効果的に防がれやすい。酸素分圧に関しては、工程の簡便さを考慮すると、大気圧が最も好ましい。また、焼成工程における、室温~TOP温度までの昇温速度を100°C/分以上とすると、セラミック材料組成等の種々の変化があっても、より確実に内部電極の表層にAl2O3層が形成されやすい。なお、Alの融点は約660°Cであるが、本発明の製造方法によれば、660°C以上の温度でもセラミックと共焼成可能となる。これはAl内部電極の表層部に形成されたAl2O3層に因るものと考えられる。このため、使用するセラミックの材料組成設計にも大きな自由度が生じ、様々なアプリケーションに応用可能となる。なお、本発明の積層セラミック電子部品におけるセラミック組成は特に限定されるものではない。チタン酸バリウム系Ca、Sr、Zr等で置換されたものも含む、チタン酸鉛系またはチタン酸ジルコン酸鉛系、アルミナ系ガラスセラミック、フェライト、遷移元素酸化物系半導体セラミック、など、本発明の目的を損なわない範囲で様々な材料を適用可能である。また、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、積層型圧電素子、積層サーミスタ素子、積層チップコイル、セラミック多層基板など様々な電子部品に適用可能である。本実施例は、内部電極におけるAl/Si比を変化させ、それがデラミネーションに与える影響をみたものである。セラミック材料としては3種類の組成のものを用意した。まず、第1のセラミック材料として、BaTiO3、Bi2O3、CuO、の粉末を用意した。これらの粉末を表1の材料1に記載の組成比を満足するよう混合し、第1のセラミック原料を得た。同様にして、第2のセラミック材料として、Mn3O4、NiO、Fe2O3、TiO2の粉末を用意した。これらの粉末を表1の材料2に記載の組成比を満足するよう混合し、第2のセラミック原料を得た。同様にして、第3のセラミック材料として、BaTiO3、Bi2O3、B2O3の粉末を用意した。これらの粉末を表1の材料3に記載の組成比を満足するよう混合し、第3のセラミック原料を得た。これらのセラミック原料それぞれに、エタノール系の有機溶剤およびポリビニルブチラール系バインダを加え、ボールミルで湿式混合し、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーをシート成形し、セラミックグリーンシートを得た。一方で、Al/Si比を、表1に記載のように、99.9/0.1~83/17の範囲で変化させたAl/Si合金粉を用意した。この合金粉に、アセテート系有機溶剤およびセルロース系バインダを混合し、それぞれAl/Siペーストを得た。次に、前記3種のセラミックグリーンシート上に、Al/Si比を99.9/0.1~83/17の範囲で変化させたAl/Siペーストを、それぞれにスクリーン印刷により塗布し、Al/Siペースト層を形成した。このAl/Siペースト塗布後のセラミックグリーンシートを、Al/Siペースト層の引き出されている側が互い違いになるように積層し、圧着し、生の積層体を得た。この生の積層体を大気中にて270°Cにて加熱し、バインダを除去した。この後、100°C/分の昇温速度にて昇温し、大気中にて表2に示す焼成温度にて1分間焼成した。得られた積層体の両端面にBaOSiO2BaO系ガラスフリットを含有するAgペーストを塗布し、大気中にて600°Cで焼き付け、これを内部電極と接続する外部電極とした。以上のようにして得られた積層セラミック電子部品は、長さ2.0mm、幅1.0mm厚さ1.0mmであり、セラミック層の一層あたりの厚みは15μm、内部電極層の一層あたりの厚みは5μm、静電容量に寄与する有効層数は30であった。また、1層あたりの内部電極の対向する部分の面積は、1.7×106m2であった。得られた試料について、静電容量および誘電損失を計測したところ、積層セラミック電子部品として成り立っており、内部電極の導電性に問題ないことがわかった。また、Al/Si合金の内部電極の表面には薄いAl2O3酸化膜が形成されているとともに、内部電極の平滑性および連続性は良好であった。次に、得られた試料30個について、超音波探傷にてデラミネーションの有無を観察した。デラミネーションが少しでもみられた試料を不良とし、その個数を表1に示した。表1の結果より、上述の3種のセラミック材料を用いた積層セラミックコンデンサにおいて、その内部電極のAl/Si比が99.9/0.1~85/15を満たす試料においては、デラミネーションの不良個数がゼロとなった。一方でAl/Si比が85/15未満である試料については、デラミネーション不良が発生した。