"キャリアガスの非存在下で真空中に蒸気を送達するように構成された気化デバイスであって;真空チャンバと;第1の面が真空チャンバに流体連絡している膜と、前記膜の第2の面上にソース液体を収容するように構成されたチャンバとを具備する膜アセンブリとを含み、前記膜は、それを通しての前記ソース液体の通過を許可するように構成されており、それによって前記ソース液体は、前記膜アセンブリを通過して、前記真空チャンバ内にソース蒸気をもたらし、前記膜アセンブリは、加熱器、前記チャンバ内の前記ソース液体の温度を測定するように構成された温度センサ、及び前記加熱器の電流及び電圧を測定するためのセンサを備えており、前記気化デバイスは、前記膜アセンブリが動作する温度が、理論的物質移動情報を使用して較正されるように構成されている気化デバイス。前記加熱器への電力を調節するために、前記温度センサと、前記加熱器の電流及び電圧を測定するための前記センサとからのデータを用いる制御ループをさらに含み、電力調節を介した温度修正が、実際の電力消費量と計算された電力消費量とを比較して、システムの初期較正によって決定された温度設定点への修正を行うことによって行われる請求項1に記載の気化デバイス。前記真空チャンバ内の圧力を測定するための圧力変換器をさらに含む請求項1に記載の気化デバイス。前記膜アセンブリがイオン膜を具備する請求項1に記載の気化デバイス。前記膜アセンブリが過フッ素化イオノマーを含むイオン交換膜を具備する請求項1に記載の気化デバイス。前記膜アセンブリがスルホン酸基を含有するフルオロポリマー膜を具備する請求項1に記載の気化デバイス。前記気化デバイスが水蒸気を発生させるように構成されており、前記膜アセンブリが、標準的な雰囲気及び圧力下での水蒸気以外の気体の漏れ率が約103cm3/cm2/秒未満である実質的に気体不透過性の膜を具備する請求項1に記載の気化デバイス。前記膜アセンブリが、水蒸気に対する透過性が他の気体に対するよりも少なくとも約100:1の比で高い、実質的に気体不透過性の膜を具備する請求項7に記載の気化デバイス。前記温度センサが、熱電対、サーミスタ、測温抵抗体、及び光学温度センサからなる群より選択される請求項1に記載の気化デバイス。有機金属化合物蒸気を発生させるように構成された請求項1に記載の気化デバイス。前記気化器が1分当たり約1マイクログラムから1分当たり約10グラムの制御された割合でソース蒸気を送達するように構成されている請求項1に記載の気化デバイス。前記膜アセンブリがポリマー膜を具備し、前記ポリマーが、ゴム状膜、ガラス状膜、ニトリルゴム、ネオプレン、シリコーンゴム、ポリジメチルシロキサン、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリシリコーン-カルボネートコポリマー、フルオロエラストマー、フッ素化エチレンプロピレンコポリマー、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、cis-ポリブタジエン、cis-ポリイソプレン、ポリ1-ブテンポリスチレン-ブタジエンコポリマー、スチレン/エチレン/ブチレンブロックコポリマー、スチレン/ブタジエン/スチレンブロックコポリマー、パーフルオロ-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソールのポリマー、及び以下の一般構造式の置換ポリアセチレンからなる群より選択される請求項1に記載の気化デバイス。式中、R1及びR2は独立して水素、ハロゲン、C6H5、線状アルキル、及び分枝アルキル基からなる群より選択される。請求項1に記載の気化デバイスから有機金属蒸気を提供することと;前記有機金属蒸気から基板上に半導体被膜を堆積させることとを含む半導体被膜を成長させるための方法。"