半導体基板を加熱しながら前記半導体基板の上方から原料ガスを供給して、前記半導体基板上に所定の膜を成長させる気相成長方法であって、前記半導体基板は、基板保持冶具に支持されており、前記基板保持冶具は、その少なくとも上面が、酸化膜または窒化膜で被覆されていることを特徴とする気相成長方法。前記基板保持冶具の前記上面から前記半導体基板に至る面も前記酸化膜または前記窒化膜で被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の気相成長方法。前記半導体基板はシリコン基板であり、前記基板保持冶具はSiO2膜またはSi3N4膜で被覆されていることを特徴とする請求項1または2に記載の気相成長方法。前記半導体基板はGaN基板であり、前記基板保持冶具はSi3N4膜で被覆されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の気相成長方法。前記原料ガスとともにHClガスを供給することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の気相成長方法。しかしながら、エッチング処理を成膜室内で行う場合、サセプタをエッチング処理する間はウェハ上での成膜処理をすることができない。そのため、エピタキシャルウェハの生産性を低下させるという問題があった。一方、特許文献2では独立したエッチング室を設けているが、この場合、装置全体が大がかりなものになるという問題がある。こうしたことから、成膜装置の規模を変えずにエッチング処理の回数や時間を低減することのできる技術が求められている。本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、原料ガスに起因した膜がサセプタに付着するのを低減し、エッチング処理の時間を短縮することのできる気相成長方法を提供することにある。本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。本発明の態様は、半導体基板を加熱しながらその半導体基板の上方から原料ガスを供給して、その半導体基板上に所定の膜を成長させる気相成長方法であって、半導体基板は、基板保持冶具に支持されており、その基板保持冶具は、その少なくとも上面が、酸化膜または窒化膜で被覆されていることを特徴とする気相成長方法に関する。本発明の態様において、基板保持冶具の上面から半導体基板に至る面も酸化膜または窒化膜で被覆されていることが好ましい。本発明の態様において、半導体基板はシリコン基板であり、基板保持冶具はSiO2膜またはSi3N4膜で被覆されていることが好ましい。本発明の態様において、半導体基板はGaN基板であり、基板保持冶具はSi3N4膜で被覆されていることが好ましい。本発明の態様において、原料ガスとともにHClガスを供給することが好ましい。本発明の気相成長方法によれば、サセプタへの、原料ガスに起因する膜の付着を低減することができ、サセプタのエッチング処理の時間を低減することができる。エピタキシャル膜の成長については、基板を構成する物質の結晶性が影響する。例えば、シリコンエピタキシャル膜の場合、SiO2二酸化ケイ素とSiシリコンの結晶性の違いにより、Si層上に比べてSiO2層上ではSiが成長し難いことが知られている。本発明では、こうしたエピタキシャル膜の成長に関する性質に着目し、例えば、シリコンウェハ上と比較して、SiO2膜上でのシリコンエピタキシャル膜の成長が抑制される現象を利用する。ウェハを支持するサセプタには、等方性黒鉛の表面にCVDChemicalVaporDeposition法によって高耐熱なSiC炭化珪素を被覆したものを用いることが可能である。本発明では、このSiCで被覆されたサセプタの表面に、さらにCVD法などを用い、例えば、SiO2膜を形成する。特に、サセプタの上面や、サセプタの上面からシリコンウェハに至る面など、エピタキシャル膜形成のための原料ガスに起因する膜の付着が多い部分を選択してSiO2膜で被覆する。こうすることにより、シリコンウェハ上でのエピタキシャル膜の成長と比較して、ウェハを支持するサセプタ上へのシリコン膜の堆積は抑制される。そして、従来の成膜装置を使用した従来の気相成長方法と比較して、基板保持冶具であるサセプタのエッチング処理の回数や時間を減らすことが可能となる。同様にシリコンウェハ上でシリコンエピタキシャル膜を成膜する場合、結晶性の違いに着目し、サセプタの表面をSi3N4窒化ケイ素膜で被覆することも可能である。こうすることにより、シリコンウェハ上でのエピタキシャル膜の成長と比較して、ウェハを支持するサセプタ上への、原料ガスに起因する膜の堆積を抑制することができる。さらに、本発明では、GaN窒化ガリウム基板上と比較して、結晶性の違いにより、Si3N4膜上へのGaN膜の堆積が抑制される現象を利用することも可能である。半導体基板を支持するサセプタには、上記と同様の等方性黒鉛の表面にCVD法によって高耐熱のSiCを被覆したものを用いることが可能である。本発明では、SiCで被覆されたサセプタの表面に、さらにSi3N4膜を形成する。特に、サセプタの上面や、サセプタの上面からGaN基板に至る面など、エピタキシャル膜形成時において、原料ガスに起因する膜の付着が多い部分をSi3N4膜で被覆する。こうすることにより、GaN基板へのGaNエピタキシャル膜の成長に対して、それを支持するサセプタ上への原料ガスに起因する膜の堆積は抑制される。その結果、従来の成膜装置を用いた従来の気相成長方法と比較して、サセプタのエッチング回数や時間を減らすことが可能となる。以上のように、本発明では、例えば、Siに対するSiO2、Siに対するSi3N4並びにGaNに対するSi3N4など、エピタキシャル材料に対する酸化物や窒化物の結晶性の違いを利用する。そして、エピタキシャル膜の成膜時に半導体基板を支持するサセプタの表面をSiO2やSi3N4などの金属の酸化膜や窒化膜で被覆する。その場合、サセプタの構造に別段の制限はなく、多様な構造のサセプタに対して、その表面の少なくとも一部を酸化膜や窒化膜で被覆することができる。そうして、サセプタ上への原料ガスに起因する膜の付着を低減する。以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。実施の形態1.図1は、本実施の形態における枚葉式の成膜装置100の模式的な断面図である。本実施の形態においては、半導体基板としてシリコンウェハ101を用いる。但し、これに限られるものではなく、後述するように、場合に応じて、他の材料からなるウェハを用いてもよい。図1では、成膜装置100のサセプタ102にシリコンウェハ101を載置した状態を示している。成膜装置100は、成膜室としてのチャンバ103を有する。チャンバ103の内部には、本実施の形態のサセプタ102が、回転部104の上方に設けられている。サセプタ102は、高温下にさらされることから、上述したように、例えば、等方性黒鉛の表面にCVD法によって高耐熱のSiCを被覆して構成される。そして、図1に示すように、サセプタ102は、シリコンウェハ101の外周部を支持するリング状の第1のサセプタ部102aと、第1のサセプタ部102aの開口部を遮蔽する第2のサセプタ部102bとを有する。サセプタ102をチャンバ103内に設置すると、第2のサセプタ部102bによって第1のサセプタ部102aの開口部が塞がれるので、P2領域で発生した汚染物質によってシリコンウェハ101が汚染されるのを防ぐことができる。尚、サセプタの構造については、図1に示すサセプタ102は一例であり、サセプタ102の構造に限られるものではなく、成膜室内でシリコンウェハ等の半導体基板を支持できるものであれば特に制限されない。例えば、サセプタを上述の第1のサセプタ部102aと同様に、シリコンウェハ101の外周部を支持するリング状とすることが可能である。また、シリコンウェハ101の外周部を支持するリング状の第1のサセプタ部102aと、第1のサセプタ部102aの開口部を遮蔽する第2のサセプタ部102bとが一体となった構造とすることも可能である。本実施の形態のサセプタ102は、その表面の少なくとも一部がSiO2膜で被覆されている。サセプタ102におけるSiO2膜の被覆については、サセプタ102を構成する第1のサセプタ部102aと第2のサセプタ部102bのそれぞれの全表面をSiO2膜で被覆することが可能である。また、図1に示すように、第1のサセプタ部102aと第2のサセプタ部102bとが組み合わされた状態で、外部に向けて露出するサセプタ102の表面のみをSiO2膜で被覆することも可能である。さらに、図1に示すように、第1のサセプタ部102aと第2のサセプタ部102bとが組み合わされた状態で、サセプタ102の上面のみをSiO2膜で被覆することも可能である。さらにまた、エピタキシャル膜の堆積の多い、サセプタ102の第1のサセプタ部102aについてのみ、その全表面または上面のみをSiO2膜で被覆することも可能である。サセプタ102へのSiO2膜の被覆は、CVD法を用いて行うことができ、その膜厚は5μm~10μmとすることが好ましい。このようにサセプタ102の上面やサセプタ102の上面からシリコンウェハ101に至る面など、サセプタ102の表面の少なくとも一部をSiO2膜で被覆することにより、サセプタ102上でシリコン膜など、原料ガスに起因する膜の付着を抑制できる。そして、シリコンウェハ101とサセプタ102との間にエピタキシャル膜が形成されるなどして、シリコンウェハ101がサセプタ102に貼り付いたり、スリップと称される結晶欠陥がシリコンウェハ101上のエピタキシャル膜に発生したりするのを低減できる。成膜装置100のチャンバ103の上部には、加熱されたシリコンウェハ101の表面にエピタキシャル膜を成長させるための原料ガスを供給するガス供給部123が設けられている。また、ガス供給部123には、原料ガスの吐出孔が多数形成されたシャワープレート124が接続している。シャワープレート124をシリコンウェハ101の表面と対向して配置することにより、シリコンウェハ101の表面に原料ガスが供給される。チャンバ103の下部には、反応後の原料ガスを排気するためのガス排気部125が複数設けられている。ガス排気部125は、調整弁126および真空ポンプ127からなる排気機構128に接続している。また、排気機構128は、図示しない制御機構により制御されてチャンバ103内を所定の圧力に調整する。回転部104は、円筒部104aと回転軸104bを有している。回転軸104bが図示しないモータによって回転することにより、円筒部104aを介してサセプタ102が回転する。図1において、円筒部104aは、上部が解放された構造であるが、サセプタ102が配置されることにより、上部が覆われて中空領域以下、P2領域と称す。を形成する。ここで、チャンバ103内をP1領域とすると、P2領域は、サセプタ102によって実質的にP1領域と隔てられた領域となる。P2領域には、加熱部としてのインヒータ120とアウトヒータ121が設けられている。これらのヒータは、回転軸104b内に設けられた略円筒状の石英製のシャフト108の内部を通る配線109によって給電され、サセプタ102を介してシリコンウェハ101をその裏面から加熱する。加熱により変化するシリコンウェハ101の表面温度は、チャンバ103の上部に設けられた放射温度計122によって計測される。尚、シャワープレート124を透明石英製とすることによって、放射温度計122による温度測定が、シャワープレート124で妨げられないようにすることができる。計測した温度データは、図示しない制御機構に送られた後、インヒータ120およびアウトヒータ121の出力制御にフィードバックされる。これにより、シリコンウェハ101を所望の温度となるように加熱できる。回転部104の回転軸104bは、チャンバ103の外部まで延設されており、図示しない回転機構に接続している。円筒部104aが所定の回転数で回転することにより、サセプタ102を回転させることができ、ひいてはサセプタ102に支持されたシリコンウェハ101を回転させることができる。円筒部104aは、シリコンウェハ101の中心を通り、且つ、シリコンウェハ101に直交する軸を中心として回転することが好ましい。本実施の形態の成膜装置100は以上のような構造を有し、シリコンウェハ101上でのエピタキシャル膜の成膜に際し、サセプタ102への原料ガスに起因する膜の付着を低減することができる。また、サセプタ102にシリコンウェハ101を載置した状態でサセプタ102とシリコンウェハ101との間に形成される隙間202などにおいても、原料ガスに起因する膜が付着することを低減することができ、シリコンウェハ101がサセプタ102に貼り付くことを防止することができる。実施の形態2.本発明の第2の実施形態の成膜装置は、サセプタの少なくとも一部が、SiO2膜に代えてSi3N4膜で被覆されたことを除き、上記した成膜装置100と同様の構造を有している。したがって、共通する構成要素については同一の符号を用い、重複する説明は省略することにする。図2は、本発明の第2の実施の形態における枚葉式の成膜装置300の模式的な断面図である。本実施の形態においては、半導体基板としてGaN基板301を用いる。図2では、成膜装置300のサセプタ302にGaN基板301を載置した状態を示している。成膜装置300は、成膜室としてのチャンバ103を有する。サセプタ302は、高温下にさらされることから、上述したように、例えば、等方性黒鉛の表面にCVD法によって高耐熱のSiCを被覆して構成される。そして、図2に示すように、サセプタ302は、GaN基板301の外周部を支持するリング状の第1のサセプタ部302aと、第1のサセプタ部302aの開口部を遮蔽する第2のサセプタ部302bとを有する。サセプタ302をチャンバ103内に設置すると、第2のサセプタ部302bによって第1のサセプタ部302aの開口部が塞がれるので、P2領域で発生した汚染物質によってGaN基板301が汚染されるのを防ぐことができる。尚、サセプタ302の構造については、上記構造に限られるものではなく、成膜室内でGaN基板等の半導体基板を支持できるものであれば特に制限されない。例えば、サセプタを上述の第1のサセプタ部302aと同様に、GaN基板301の外周部を支持するリング状とすることが可能であり、また、上述の、GaN基板301の外周部を支持するリング状の第1のサセプタ部302aと、第1のサセプタ部302aの開口部を遮蔽する第2のサセプタ部302bとが一体となった構造とすることも可能である。本実施の形態のサセプタ302はその表面の少なくとも一部がSi3N4膜で被覆されている。サセプタ302におけるSi3N4膜の被覆については、サセプタ302を構成する第1のサセプタ部302aと第2のサセプタ部302bのそれぞれの全表面をSi3N4膜で被覆することが可能である。また、図2に示すように、第1のサセプタ部302aと第2のサセプタ部302bとが組み合わされた状態で、外部に向けて露出するサセプタ302の表面のみをSi3N4膜で被覆することも可能である。さらに、図2に示すように、第1のサセプタ部302aと第2のサセプタ部302bとが組み合わされた状態で、サセプタ302の上面のみをSi3N4膜で被覆することも可能である。そしてさらに、エピタキシャル膜の堆積の多い、サセプタ302の第1のサセプタ部302aについてのみ、その全表面または上面のみをSi3N4膜で被覆することも可能である。サセプタ302へのSi3N4膜の被覆の膜厚は5μm~10μmとすることが好ましい。このようにサセプタ302の上面やサセプタ302の上面からGaN基板301に至る面など、サセプタ302の所望とする少なくとも一部をSi3N4膜で被覆することにより、サセプタ302上で原料ガスに起因する膜の付着を抑制できる。そして、GaN基板301とサセプタ302の間に原料ガスに起因する膜が形成されるなどして、GaN基板301がサセプタ302に貼り付いたり、スリップと称される結晶欠陥がGaN基板301上のエピタキシャル膜に発生したりするのを低減できる。尚、本実施の形態の成膜装置300では、GaN基板301の代わりにシリコンウェハを用い、シリコンウェハ上でシリコンエピタキシャル膜を成膜することも可能である。その場合、SiとSi3N4との結晶性の違いにより、シリコンウェハ上でのエピタキシャル膜の成長と比較して、シリコンウェハを支持するサセプタ302上への原料ガスに起因する膜の堆積を抑制することができる。実施形態3.本実施の形態の気相成長方法の一例について説明する。本実施の形態の気相成長方法は、図1に示した成膜装置100を用いて行うことが可能である。この気相成長方法によれば、サセプタ102への、原料ガスに起因する膜の付着を低減しつつ、シリコンウェハ等の半導体基板の上に、膜厚など、均一な特性の膜を成膜することができる。まず、図1のようにサセプタ102の上にシリコンウェハ101を載置する。具体的には、シリコンウェハ101の外周部をリング状の第1のサセプタ部102aで支持し、外周部以外の部分を第2のサセプタ部102bで支持する。第2のサセプタ部102bは、第1のサセプタ部102aの開口部を遮蔽するように配置される。サセプタ102はその表面の少なくとも一部がSiO2膜で被覆されている。具体的には、図1に示すように、第1のサセプタ部102aと第2のサセプタ部102bとが組み合わされた状態で、外部に向けて露出するサセプタ102の表面がSiO2膜で被覆されている。尚、シリコンウェハ101の直径は、例えば、200mmまたは300mmとすることができる。次いで、常圧下または適当な減圧下で水素ガスを流しながら、回転部104に付随させて、シリコンウェハ101を50rpm程度で回転させる。次に、インヒータ120およびアウトヒータ121によってシリコンウェハ101を1100°C~1200°Cに加熱する。例えば、成膜温度である1150°Cまで徐々に加熱する。放射温度計122による測定でシリコンウェハ101の温度が1150°Cに達したことを確認した後は、徐々にシリコンウェハ101の回転数を上げていく。そして、ガス供給部123からシャワープレート124を介して原料ガスをチャンバ103の内部に供給する。本実施の形態においては、原料ガスとしてジクロロシランSiH2Cl2を用いることができ、キャリアガスとしての水素ガスと混合した状態で、ガス供給部123からチャンバ103の内部に導入する。尚、原料ガスとしてはトリクロロシランSiHCl3を用いることも可能である。チャンバ103の内部に導入された原料ガスは、シリコンウェハ101の方に流下する。そして、シリコンウェハ101の温度を1150°Cに維持し、サセプタ102を900rpm以上の高速で回転させながら、ガス供給部123からシャワープレート124を介して次々に新たな原料ガスをシリコンウェハ101に供給する。これにより、高い成膜速度で効率よくエピタキシャル膜を成膜させることができる。このように、原料ガスを導入しつつサセプタ102を回転させることにより、シリコンウェハ101の上に均一な厚さのシリコンのエピタキシャル層を成長させることができる。例えば、パワー半導体の用途では、300mmのシリコンウェハ上に10μm以上、多くは10μm~100μm程度の厚膜が形成される。厚膜を形成するには、成膜時の基板の回転数を高くするのがよく、例えば、上記のように900rpm程度の回転数とするのがよい。このとき、サセプタ102の外部に向けて露出する表面またはサセプタ102の上面からシリコンウェハ101に至る面はSiO2膜で被覆されており、シリコン膜など、原料ガスに起因する膜の付着を抑制することができる。また、サセプタ102とシリコンウェハ101との間の隙間202などでも、原料ガスに起因する膜の付着を低減することができ、シリコンウェハ101がサセプタ102に貼り付くことを防止することができる。尚、シリコンウェハ101のチャンバ103内への搬入、あるいは、チャンバ103外への搬出には、公知の方法を適用することができる。次に、上述したように、本実施の形態の気相成長方法では、原料ガスとしてSiH2Cl2を用い、キャリアガスである水素ガスと混合した状態で、ガス供給部123からチャンバ103の内部に導入する。このとき、SiH2Cl2とともにエッチングガスであるHCl塩化水素ガスを混合してチャンバ103内に導入することが可能である。SiH2Cl2はSiO2膜に付着し難いものの、それが分解した場合、SiやSiCl2となって、SiO2膜に付着することがある。そうした付着物が種となって、サセプタ102の表面に原料ガスに起因する多結晶/アモルファス膜が堆積することがある。そのため、原料ガスにエッチングガスであるHClガスを混合し、HClガスの作用によって、サセプタ102のSiO2膜上に付着した付着物をエッチング除去する。原料ガスにエッチングガスを混合することにより、エピタキシャル膜成長とエッチング反応とが、エピタキシャル膜および多結晶/アモルファス膜に対して同時に相対的に異なる反応速度で生じる。しかし、堆積された多結晶/アモルファス膜は、エピタキシャル膜より高速にエッチングされる傾向がある。したがって、エッチングガスの濃度を適宜選択することによって、シリコンウェハ101上でのエピタキシャル材料の堆積を可能とするとともに、サセプタ102上では多結晶材料の堆積の制限または堆積しないようにすることが可能となる。そのため、原料ガスに混合されるHClガスは、シリコンウェハ101上でのシリコンエピタキシャル膜の成長速度を若干遅くするものの、大きく影響することはなく、一方で、サセプタ102上に堆積した原料ガスに起因する膜を効率的に除去することができる。そして、その表面の少なくとも一部がSiO2膜で被覆されたサセプタを用いる本実施の形態の気相成長方法では、原料ガスにHClガスを混合する方法を組み合わせることにより、サセプタへの原料ガスに起因する膜の堆積をより効果的に抑制することができる。そして、サセプタのエッチング処理回数と時間を大きく低減することができる。尚、本実施の形態の気相成長方法では、半導体基板にシリコンウェハを用い、図1の成膜装置100に代えて、図2の成膜装置300を用いてもよい。また、本実施の形態の気相成長方法では、半導体基板にGaN基板を用い、図1の成膜装置100に代えて、図2の成膜装置300を用いてもよい。その場合、原料ガスとしてGaCH33とアンモニアNH3ガスを用いることができる。エピタキシャル膜成膜時のGaN基板の加熱温度は1000°C~1200°Cとすることが好ましい。尚、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記各実施の形態では、シリコンウェハ等の半導体基板を回転させながら成膜する構成としたが、半導体基板を回転させずに成膜してもよい。また、上記各実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル成長装置を挙げたが、本発明はこれに限られるものではない。成膜室内に原料ガスを供給し、成膜室内に載置される半導体基板を加熱して半導体基板の表面に膜を形成する成膜装置であれば、CVD装置などの他の成膜装置であってもよい。