インゴットを切断するワイヤソーと、前記ワイヤソーを駆動するローラと、前記ワイヤソーに供給されるスラリーを収容するスラリーバスと、を含む単結晶インゴット切断装置。前記スラリーバスは、前記インゴットの両側にそれぞれ設けられることを特徴とする請求項1に記載の単結晶インゴット切断装置。前記スラリーバスには、ワイヤソーが通過するグルーブが形成されたことを特徴とする請求項1に記載の単結晶インゴット切断装置。前記グルーブは、スラリーバスの側面または上部に形成されたことを特徴とする請求項3に記載の単結晶インゴット切断装置。前記スラリーバスの内部には、ワイヤソーをガイドするガイドローラがさらに設けられることを特徴とする請求項3に記載の単結晶インゴット切断装置。前記ガイドローラは、スラリーバスに収容されたスラリーに浸漬されることを特徴とする請求項5に記載の単結晶インゴット切断装置。前記ガイドローラは、ワイヤソーの移動方向に沿って多数個設けられることを特徴とする請求項6に記載の単結晶インゴット切断装置。インゴットを切断するワイヤソーと、前記ワイヤソーを駆動するローラと、前記ワイヤソーに供給されるスラリーの飛散を防止するスラリー飛散防止カバーと、を含む単結晶インゴット切断装置。前記スラリー飛散防止カバーは、前記ワイヤソーが通過できるグルーブを含む請求項8に記載の単結晶インゴット切断装置。前記グルーブは、上下間の幅が水平方向の幅より広いことを特徴とする請求項9に記載の単結晶インゴット切断装置。本発明は、インゴット切断に使われるワイヤーに付着したスラリー以外の、飛散またはインゴットが切断されてできるウェハとウェハの間に浸透して滞積するスラリーを制御して、ワイヤソー工程に起因する切断形の変形を制御できる単結晶インゴット切断装置を提供することを目的とする。本発明の単結晶インゴット切断装置は、インゴットを切断するワイヤソーと、前記ワイヤソーを駆動するローラと、前記ワイヤソーに供給されるスラリーを収容するスラリーバスとを含む。前記スラリーバスは、前記インゴットの両側にそれぞれ設けることができる。前記スラリーバスには、ワイヤソーが通過するようにグルーブを形成することができる。前記グルーブは、スラリーバスの側面または上部に形成することができる。前記スラリーバスの内部には、ワイヤソーをガイドするガイドローラをさらに設けることができる。前記ガイドローラは、スラリーバスに収容されたスラリーに浸漬される。前記ガイドローラは、ワイヤソーの移動方向に沿って多数個設けることができる。また、本発明の単結晶インゴット切断装置は、インゴットを切断するワイヤソーと、前記ワイヤソーを駆動するローラと、前記ワイヤソーに供給されるスラリーの飛散を防止するスラリー飛散防止カバーを含むことができる。前記スラリー飛散防止カバーは、前記ワイヤソーが通過できるグルーブを含むことができる。前記グルーブは、上下間の幅を水平方向の幅より広くすることができる。本発明の単結晶インゴット切断装置によれば、飛散スラリー及びスラリーカーテン現象の不良によって発生する切断終端部ウェハの切断形の変形を改善することができる。また、本発明によれば、ウェハのワープ品質を改善することができる。本発明で、ワープはウェハの変形程度を現わし、基準面から中間表面までの最大偏差と最小偏差の差をいう。また、本発明によれば、ウェハのウェビネス発生を制御してナノトポグラフィーを改善することができる。また、本発明によれば、スラリーバス内にガイドローラを設けることで、スラリーバス内に引入されるワイヤソーの表面に安定的にスラリーを供給することができる。実施例の説明において、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などが、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などの上にまたは下に形成されると記載される場合、その上と下は直接または他の構成要素を介在して形成されるものを全部含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面における各構成要素の大きさは、説明の便宜を図り誇張して図示される場合があるが、実際適用される大きさを意味するものではない。実施例実施例で、単結晶インゴットは、多結晶シリコンをCZ法またはFZ法等で棒状の単結晶ボディを形成した後、この単結晶ボディの外部表面を加工して一定の直径を有するようにし、一定の長さに切断することで製造される。以後、上記のように製造された単結晶インゴットを所定の切断装置、例えば、ワイヤソーを利用して、テーブルに装着されたインゴットを移動しながらスラリーを供給してウェハ形態に切断することができる。図3は、実施例に係る単結晶インゴット切断装置100の例示図である。実施例は、インゴット切断に使われるワイヤソーに付着したスラリー以外の、飛散またはインゴットが切断されてできるウェハとウェハの間に浸透してするスラリーを制御して、ワイヤソー工程に起因する切断形の変形を制御できる単結晶インゴット切断装置を提供しようとする。このために、実施例に係る単結晶インゴット切断装置100は、インゴットIGを切断するワイヤソーWと、前記ワイヤソーWを駆動するローラR1、R2と、前記ワイヤソーWに供給されるスラリーSの飛散を防止するスラリー飛散防止カバー130とを含む。実施例で、インゴットIGは、ワークプレート110にビーム112等によりマウンティングされた後、単結晶インゴット切断装置100にローディングされて切断される。図4は、実施例に係る単結晶インゴット切断装置のスラリー飛散防止カバーの第1例示図で、図5は、実施例に係る単結晶インゴット切断装置のスラリー飛散防止カバーの第2例示図である。実施例に係る単結晶インゴット切断装置100は、ワイヤソーに付着したスラリーS以外の不必要なスラリーSがインゴットIGに接近できないように、スラリー飛散防止カバー130を設置して、切断された形の品質に悪影響を与える流れを制御することができる。実施例で、前記スラリー飛散防止カバー130は、前記ワイヤソーWが通過できるグルーブを含むことができる。例えば、前記グルーブは、楕円形グルーブG1または四角形グルーブG2からなることができるが、これに限定されるものではなく、前記グルーブは円形にすることもできる。前記グルーブは、上下間の幅を水平方向の幅より広くすることができる。実施例に係る単結晶インゴット切断装置100によれば、高速往復運動するワイヤソーの上にスラリーSを噴射させるので、望まない方向にスラリーが飛散する現象を制御することができる。また、実施例は、スラリー浸透防止カバー130は、ワイヤソーWが通過できるブルーブを有することができ、このグルーブの間隔はワイヤーガイドのピッチ間隔と同一にすることができる。また、実施例で、グルーブはワイヤソーが通過する通路となるので、ワイヤソーに干渉しないように、切断時のインゴットの重さ及びテーブルが下降する荷重にともなうワイヤソーの垂れなどを十分に想定して設計することができる。また、実施例で、スラリー浸透防止カバー130は、ワイヤソーが往復運動するのでインゴットの両側に設置されるが、これに限定されるものではない。図6は、実施例に係る単結晶インゴット切断装置のスラリーバスの例示図で、図7は実施例に係る単結晶インゴット切断装置のスラリーバスの側面図で、図8は実施例に係る単結晶インゴット切断装置のスラリーバスの断面図である。実施例に係る単結晶インゴット切断装置100は、インゴット切断中にスラリーカーテン現象が不均一になることを防止すると共に、スラリーノズルから噴射されるスラリーSの飛散を防止するために、スラリーを収容するスラリーバス140を採用することができる。前記スラリーバス140は前記インゴットの両側にそれぞれ設けることができるが、これに限定されるものではない。また、前記ワイヤソーWは、前記スラリーバス140を通過することでワイヤソーWにスラリーSが供給される。実施例で、スラリーバス140は、既存のノズル方式でインゴット切断中に発生する不均一なスラリーカーテン現象を制御して均一なスラリーカーテン現象となるように制御することができる。また、ワイヤソーWがスラリーバス140を通過しながら往復運動をするので、ノズルによってスラリーをワイヤーに噴射する既存の方式に比べて、不必要なスラリーの飛散を制御することができる。即ち、ワイヤソーWに付着するスラリーS以外のスラリーの流れを制御することができる。実施例で、前記スラリーバス140の底は溝Hとなっており、インゴット切断時に発生するSi、Fe微細粉がスラリーバス140に積もることを防止することができる。この時、前記溝Hの間隔が大き過ぎると、スラリーバス140にスラリーが切断に必要な量だけワイヤソーWに付着せず循環してソーマーク等が発生する虞があるので、前記溝Hの間隔を適切に設計する必要がある。また、実施例に係る単結晶インゴット切断装置100は、メインローラの上側にスラリーノズル120を採用して、インゴット切断時に発生するワイヤーガイドの膨張を制御するための冷却効果を奏することができるが、これに限定されるものではない。この時、前記スラリーバス140からスラリー配管142を介してスラリーノズル120にスラリーが供給されるが、これに限定されるものではない。一方、実施例に係る単結晶インゴット切断装置100は、図3と同じ構造において、下段にスラリー収集バスを設けて上側から落下するスラリーを収集し、収集されたスラリーを所定のフィルタリング処理をした後、スラリーバス140に再循環させることができるが、これに限定されるものではない。また、前記スラリーバス140の対向する両側面には、所定の第2グルーブG3が形成され、ワイヤソーWが該グルーブを通過することができる。例えば、前記第2グルーブG3は楕円形で形成されるが、この他にも四角形または円形に形成することができ、第2グルーブG3の形状はこれに限定されるものではない。前記スラリーバス140の内部には、ワイヤソーWがスラリーに浸漬されるようにするガイドローラ150をさらに形成することができる。このようなガイドローラ150は、第1~第3ガイドローラ152、154、156を含む。第1ガイドローラ152及び第2ガイドローラ154は、ワイヤソーWが引入及び引出される第2グルーブG3の一側に設置される。第1ガイドローラ152と第2ガイドローラ154の間には第3ガイドローラ156が設けられる。第3ガイドローラ156は、スラリーバス140に収容されたスラリーに浸漬されるように、第1ガイドローラ152及び第2ガイドローラ154と上下に離隔配置することができる。これにより、スラリーバス140に引入されたワイヤソーWは、第1ガイドローラ152を経て第3ガイドローラ156に移動し、第3ガイドローラ156を移動する間ワイヤソーWの表面にはスラリーが均一に供給される。上記のように、均一なスラリーが供給されたワイヤソーWは、第2ガイドローラ154を経てスラリーバス140の外部に引出される。前記のようなスラリーバス140及びガイドローラ150は、次のように形成することができる。図9及び図10は、他の実施例に係る単結晶インゴット切断装置のスラリーバスの断面図である。図9に示すように、スラリーバス140の底には溝Hが形成され、スラリーバス140の対向する両側面にはワイヤソーWが引入及び引出される第2グルーブG3が形成される。スラリーバス140の内部にはガイドローラ150が設けられ、このようなガイドローラ150は、スラリーバス140に引入されるワイヤソーWに均一なスラリーが供給されるようにワイヤソーWを移動させる。このためにガイドローラ150は、第1~第4ガイドローラ152、154、156、158を含む。第1ガイドローラ152と第2ガイドローラ154は、ワイヤソーWが引入及び引出される第2グルーブG3の一側に設置される。第3ガイドローラ156及び第4ガイドローラ158は、第1ガイドローラ152及び第2ガイドローラ154と上下に離隔設置され、第3ガイドローラ156と第4ガイドローラ158は、スラリーバス140内に収容されたスラリーに浸漬される。これによって、スラリーバス140に引入されたワイヤソーWは、第3ガイドローラ156及び第4ガイドローラ158を通過する間スラリーバス140内に浸漬され、ワイヤソーWの表面にスラリーがより均一に供給される効果がある。図10に示すように、スラリーバス140の底には溝Hが形成され、スラリーバス140の上部にはワイヤソーWが引入及び引出されるように第2グルーブG3が形成される。スラリーバス140の内部には、ワイヤソーWをスラリーに浸漬させるためのガイドローラ150が設けられる。ガイドローラ150は、スラリーバス140の内部に収容されたスラリーに浸漬されるように配置され、左右に離隔配置されるように多数個形成することができる。これによって、スラリーバス140に引入されたワイヤソーWは、ガイドローラ156、158を通過しながらワイヤソーW表面に均一なスラリーを供給できる効果がある。ここで、スラリーバス140の外側には、ワイヤソーWをスラリーバス140の内部に案内するように補助ローラ162、164をさらに設けることができる。図11は、実施例に係る単結晶インゴット切断装置を適用した場合の切断面形状の例示図である。実施例に係る単結晶インゴット切断装置によれば、飛散スラリー及びスラリーカーテン現象の不良に発生する切断終端部ウェハの切断形の変形を、図11のように改善することができる。また、実施例によれば、ウェハのワープ品質を改善することができる。実施例で、ワープはウェハの変形程度を現わし、基準面から中間表面までの最大偏差と最小偏差の差をいう。実施例によれば、従来ワープ平均が約15μm以上だったものを、実施例の適用によりワープ平均を約15μm未満に改善できる。また、実施例によれば、MC側のウェハのウェビネス発生を制御して、ナノトポグラフィーを改善することができる。例えば、実施例でナノは、約05~25mmの幅を有するウェハ表面における約20~100nm程度の段差を数値で表示したものであり、従来ではPVが約30nmであったが、本実施例の適用によりPVが約26nmに改善された。以上、図面と特定の実施例を参照して本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の思想と特許請求項の範囲を逸脱しない範囲内で、多様な修正と変更が可能であることは、当業者にとって自明である。