"接合を形成する半導体膜と、絶縁膜、金属膜の材料を組み合わせた積層膜を基板面に形成してあって、当該接合の端面が当該絶縁膜に接触させてあることを特徴とする太陽電池。前記絶縁膜の上で切断されて、切断された端面に前記絶縁膜が現れてあることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記基板に形成する半導体膜はゲルマニューム、シリコンを含む元素半導体膜、またはカーボン、ガリューム、カドミューム、亜鉛、銅、インジューム、チタン、イオウ、セレンいずれか、または複数を含む化合物半導体膜であることを特徴とする請求項1、2記載の太陽電池。前記基板が金属板であって、タングステン、鉄、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、チタン、アルミニューム、の元素を含む金属板かまたはこれらの積層構造の金属板であることを特徴とする請求項1~3記載の太陽電池。前記半導体膜、前記絶縁膜、前記金属膜の少なくとも一つの膜は、塗布材料を島状パタンまたはリング状パタンで前記金属板の上に転写して、これを焼成した転写パタン膜であることを特徴とする請求項1~4記載の太陽電池。前記転写パタン膜がシリコン、亜鉛、錫、酸素、窒素、インジューム、炭素、アルミニューム、銀の元素の少なくともいずれかを含む転写パタン膜であることを特徴とする請求項1~5記載の太陽電池。前記金属板の厚みが0.2mm以下であることを特徴とする請求項1~6記載の太陽電池。前記太陽電池を複数枚並べた板。連続した金属板や大型ガラス基板上に半導体pn接合と透明導電膜を成長させると太陽電池の基本的なダイオードの標準構造ができる。これを、切断して太陽電池セルを作るとき、切断面端面にもこの構造が現れる。このpn接合の端面は空気と触れていると、電流のリークパスとなり、また水分や汚れの浸入場所となり、ダイオード特性は維持できなくなり太陽電池を劣化させる。これが連続製造したpn接合デバイスを切断したときの課題である。切断よるものでない場合でもpn接合端面の大気露出は課題である。pn接合の端面を露出させないセル構造とセル切断方法が必要である。本発明は、請求項1に記載のように、接合を形成する半導体膜と、絶縁膜、金属膜の材料を組み合わせた積層膜を基板面に形成してあって、当該接合の端面が当該絶縁膜に接触させてあることを特徴とする太陽電池である。また、請求項2に係る発明は、前記絶縁膜の上で切断されて、切断された端面に前記絶縁膜が現れてあることを特徴とする請求項1記載の太陽電池である。請求項3に係る発明は、前記基板に形成する半導体膜はゲルマニューム、シリコンを含む元素半導体膜、またはカーボン、ガリューム、カドミューム、亜鉛、銅、インジューム、チタン、イオウ、セレンいずれか、または複数を含む化合物半導体膜であることを特徴とする請求項1、2記載の太陽電池である。請求項4に係る発明は、前記基板が金属板であって、タングステン、鉄、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、チタン、アルミニューム、の元素を含む金属板かまたはこれらの積層構造の金属板であることを特徴とする請求項1~3記載の太陽電池である。請求項5に係る発明は前記半導体膜、前記絶縁膜、前記金属膜の少なくとも一つの膜は、塗布材料を島状パタンまたはリング状パタンで前記金属板の上に転写して、これを焼成した転写パタン膜であることを特徴とする請求項1~4記載の太陽電池である。請求項6に係る発明は前記転写パタン膜がシリコン、亜鉛、錫、インジューム、酸素、窒素、炭素、アルミニューム、銀の元素の少なくともいずれかを含む転写パタン膜であることを特徴とする請求項1~5記載の太陽電池である。請求項7に係る発明は前記金属板の厚みが0.2mm以下であることを特徴とする請求項1~6記載の太陽電池である。そして、請求項8に係る発明は前記太陽電池を複数枚並べた板である。連続した金属板や大型のガラス板に薄膜半導体、例えばシリコン薄膜を積層した太陽電池を作製するとき、半導体の積層構造は金属板の切断面で不連続となり接合面の端面が切断面に露出する。よって、請求項1、2、3に係る発明によれば、半導体の接合面の端面が外部に露出されないので、この領域で切断しても信頼性を劣化させない。即ち、安価に堅牢な金属板、例えば鉄板の上に地球上で最も豊富なシリコンの太陽電池の作製が可能である。また大型のガラス基板の上に太陽電池の作製が可能である。請求項4から6に係る発明によれば、さまざまの材料を用いた鉄板上の太陽電池製造が可能となる。また、請求項7と8に係る発明によれば、軽量で堅牢な鉄板上の太陽電池が可能となり適用場所を拡大できる。太陽電池の現状コストの1/3を占める据付工事費が、これにより安価になる。さらに、これは堅牢であるため、屋根だけでなく外壁にも使用できる。また連続して金属板のロールから製造することを可能となるので、太陽電池の普及の障害である製造コストの障害が除かれ、自然エネルギーを利用したエネルギー利用を促進させる。以下、本発明を実施するための形態について説明する。ここで、まず課題を解決する方法の概要を含めて、再び図面を用いて詳説する。図2に金属基板の上に作製した太陽電池金属板太陽電池の基本構造例の断面模式図を示す。現在、鉄板やアルミニュームの缶に用いる金属薄板が安価に入手できる。缶に用いる金属板の厚さは0.2mm以下であり、最も標準的には0.1mmの薄板が流通している。需要によってはタングステン、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、チタンの元素を含む金属板も使用可能である。この厚さの金属板は屈曲が容易でプレス機構で突起を作ること、孔をあけることが容易であり、加工しやすい。半導体膜の層は、第1の導電型の半導体層201と第2の導電型の半導体層202があり、その上に透明導電膜203、反射防止膜層204がある。真性の半導体を挿入することがあるが、簡単のために真性の半導体層と電極層はこの図では示していない。半導体の薄膜としてシリコンが一般的であり、アモルファスや結晶を用いることが可能である。塗布して、それを焼成してシリコン結晶のpn接合をつくることも可能となっている。課題は金属基板の切断面205にあり、連続した金属板太陽電池を切断してセルを作るとき、その接合面の端面が露出することであった。基板を切断しないとき、例えば大型ガラス基板の上に半導体接合のセルを多数分離して作るときも、その接合端面を大気露出させることは避けなければならない。図3にその解決方法の模式図を示す。金属板200の上に第1導電型半導体層201を成長させる。説明を簡単にするためここでも真性層i型層は示していない。その上に、リング状塗布絶縁膜302を転写してつける。その上に第2導電型半導体層202をつける。その上に透明導電膜203、反射防止膜層204をつける。第1の導電型の半導体層201と第2の導電型の半導体層202の接合面の端301はリング状塗布絶縁膜302に接触している。これを切断可能面305で切断する。図4に切断する場所をリング状塗布絶縁膜302の平面図を参照して示す。切断面には接合面の端301は現れない。このようにして構造課題は解決した。接合を形成する第1、第2の導電型半導体層は具体的にはシリコンまたはゲルマニューム半導体膜であっても良い。またカーボン、ガリューム、カドミューム、亜鉛、銅、インジューム、チタン、イオウ、セレンいずれかを含む化合物半導体膜であっても良い。当該絶縁膜302としては、転写可能なシリコン酸化膜を主成分とするスピンオンガラスを選べる。このほか転写可能な、例えば、窒素や炭素を含む塗布材料を選べる。透明導電膜203は亜鉛や錫、インジューム、アルミニューム、酸素を含むZnO膜の塗布材料を選べる。反射防止膜204はシリコンや炭素、窒素、酸素を含む転写可能な塗布材料を選べる。またそれは、CVDで成長させるCVD膜であっても良い。次に、具体的に実施例を詳説する。実施例1を図5に示す。図5は基板として連続鉄板を用いた太陽電池の断面模式図である。鉄板500の上に1X1017/cm3以上に高濃度にボロンドープしたp型シリコン結晶層501を大気から機密分離して常圧CVD法で形成する。ボロンのドーピングガスはジボランである。ボロンは鉄と結合を作るので、ボロンドープは鉄の拡散を阻止する。鉄が当該層501に拡散しないように、チタンやチタンナイトライド、タングステン膜をつけた鉄板を用いても良い。モノシランは600°C以上で熱分解するので、ここでは鉄板の温度は700°C以上を選ぶ。CVDの原料ガスとしてはモノシランを、キャリアーガスとして水素が選べる。モノシランの代わりに高次のシランやシクロペンタシランなどの液体シランも選べる。大気に出さずに連続して、n型シリコン結晶層を成長させる。n型ドーピングにはホスフィンPH3をドーピングガスとして用いた。n型ドーピング濃度はp型のそれより低くした。加熱した基板部分だけボロンとリンを相互拡散させp型化させるためである。この層は後の熱分離のための加熱工程で分離されたn型シリコン結晶層502、503に分かれる。次にリング状塗布シリコン酸化膜504を形成する。シリコン酸化膜としては塗布材料であるスピンオンガラスSOGを用いる。SOGは500°C以上の加熱でよく焼成してシリコン酸化膜となる。図6に当該塗布材料を形成する方法を示す。基板500は、ここでは金属板である。転写するパタンの金型601の先に、塗布材料吸収材602があり例えばスポンジである、それに転写する塗布材料603を付着させてある。これを金属板500に押し付けると塗布材料の転写ができる。この場合、当該パタンはリング状であり、塗布材料はSOGである。この方法でリング状塗布シリコン酸化膜504を形成する。次に透明導電膜を形成する。図6に示した方法で島状塗布透明導電膜505、506を形成する。透明導電膜は塗布材料のZnOである。この場合、前記パタンは島状である。次に反射防止膜204を成長させる。反射防止膜はモノシランとアンモニアからCVDの方法で成長させる方法がある。シリコンと炭素、酸素、窒素を含む塗布膜でも良い。塗布膜としては、加熱で硬化する市販材料がある韓国のAPM社製の商品名ミラスピン。ここではこれを連続塗布して350°Cで加熱して用いた。次にリング状塗布シリコン酸化膜504を加熱切断面509に沿って、レーザーで鉄板500を加熱する。800°C~900°Cで加熱すると、ボロンが熱拡散し、拡散分離領域507が形成される。この結果、n型シリコン結晶層は分離されて分離n型シリコン結晶層502、503に分かれる。接合面の端508が形成されてリング状塗布シリコン酸化膜504に接触する。リング状塗布シリコン酸化膜504の酸素はシリコンを酸化するのでシリコン酸化膜が界面に形成されて、接合面の端508は安定な酸化シリコンの薄い膜で覆われる。加熱切断面509を出力を上げたレーザーで加熱切断すると、切断が完成する。以上は切断面509でセルが分離される例である。セルを分離して形成して鉄板とセルを分離することも可能である。図7は分離リング状塗布絶縁膜が分離されて配置された例である。セル700は分離リング状塗布絶縁膜702で分離され、分離リング状塗布絶縁膜702上の切断面701でレーザー分離される。分離は機械的な金型切断やシャー切断でも良い。またそれらが加熱された刃物であっても良い。以上説明した切断領域構造にはセル内部の転写可能な塗布材料である電極は示されてない。電極材料としては銀を主成分とする転写可能な塗布材料を用いる。実施例2はガラス基板の太陽電池である。図8に切断可能領域を形成したガラス基板の太陽電池の断面模式図を示す。図6に示す方法でガラス基板800に塗布材料の透明導電膜のパタン801を転写する。基板はガラス基板800であり、塗布材料はアルミニュームをドープしたZnOである。これを600°Cでアニールして抵抗を下げる。このパタンは魚の骨のように枝を持つ。この上に、p型シリコンの膜802を大気から機密分離して常圧CVD法で、650°Cの温度でモノシランから成長させる。1X1017/cm3以上に高濃度にボロンドープした。ボロンのドーピングガスはジボランである。モノシランの代わりに高次のシランやシクロペンタシランなどの液体シランも選べる。大気に出さずに連続して、n型シリコン膜803を成長させる。n型ドーピングにはホスフィンPH3をドーピングガスとして用いた。n型ドーピング濃度はp型のそれより低くした。後にレーザーアニールで加熱して切断するとき、または小さなセルに分離するとき、加熱した部分だけボロンとリンを相互拡散させp型化させるためである。n型膜803はこのp型膜により囲われて、その接合面の端面はこのあとの工程で転写する絶縁膜で終端される。次にリング状塗布絶縁膜804,805を図6に示した方法で転写する。ここでは塗布絶縁膜はスピンオンガラスSOGである。SOGは500°C以上の加熱でよく焼成してシリコン酸化膜となる。ここでは700°Cを用いた。この方法でリング状塗布絶縁膜804,805を形成した。絶縁膜804と805の間にリング状の隙間があり、この部分に塗布電極1806の材料が転写される。図6に示した方法で透明導電膜807を形成する。透明導電膜は塗布材料のZnOである。この場合、パタンは島状である。次に図6に示した方法で塗布絶縁膜808を転写する。この場合、塗布絶縁膜808はSi,C、O,Nを含む有機材料の反射防止膜である韓国APM社製ミラスピン。焼成は350°Cである。塗布絶縁膜の転写パタンは塗布電極1806と塗布電極2809が接触すべきところには窓抜きしてあるパタンの設計とした。次にリング状塗布絶縁膜804と805に沿ってレーザー光をあててアニールして、アニール領域をp型に変換する。n型シリコン膜803とp型シリコン膜802の接合はリング状塗布絶縁膜805の下に終端していて外部に露出しない。n型のシリコン膜はp型シリコン膜の海の中に浮いているダーオード構造となる。塗布電極を図6に示した方法で転写する。塗布電極の材料は銀ペーストである。当該アニール領域であるリング状塗布絶縁膜804と805間の窓抜きリング状領域には塗布電極1806が電気接続する。この接続はp型シリコン膜802と接触する接続である。塗布電極2809は透明導電膜807と接続するので、n型シリコン膜との電気接続である。このようにして、ガラス基板の片側にプラスとマイナスの電極が形成されたガラス基板太陽電池が形成された。次にリング状塗布絶縁膜804の上でガラス基板をレーザーで切断する。切断面810はリング状塗布絶縁膜804の上にある。以上で切断が完成した。この実施例の構造では塗布絶縁膜が反射防止膜であるので電極側からも光が入ることが可能である構造が提供された。従って、図8に示した太陽電池は片面コンタクトの両面受光の太陽電池である。"