導電性高分子を形成するためのモノマー溶液の製造方法であって、p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤を加熱して脱水する脱水工程と、前記脱水工程で脱水された酸化剤と、前記導電性高分子を形成する原料モノマーと、溶媒とを混合してモノマー溶液を得る混合工程と、を含むモノマー溶液の製造方法。p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤を加熱して脱水する脱水工程と、前記脱水工程で脱水された酸化剤と、導電性高分子を形成する原料モノマーと、溶媒とを混合してモノマー溶液を得る混合工程と、前記モノマー溶液を基板上に塗布する塗布工程と、前記基板上に塗布した前記モノマー溶液を加熱して前記モノマー溶液中の前記原料モノマーを重合させ、導電性高分子膜を形成する重合工程と、を含む導電性高分子膜の形成方法。前記脱水工程において、前記酸化剤を脱水するときの脱水温度が、前記重合工程において前記モノマー溶液中の前記原料モノマーを重合させるときの重合温度よりも高い、請求項2に記載の導電性高分子膜の形成方法。p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤を加熱して脱水する脱水工程と、前記脱水工程で脱水された酸化剤と、導電性高分子を形成する原料モノマーと、溶媒とを混合してモノマー溶液を得る混合工程と、前記モノマー溶液を基板上に塗布する塗布工程と、前記基板上に塗布した前記モノマー溶液を加熱して前記モノマー溶液中の前記原料モノマーを重合させ、導電性高分子膜を形成し、前記基板と前記導電性高分子膜とを備える導電性基板を製造する重合工程と、を含む導電性基板の製造方法。しかし、上記非特許文献1に記載の透明導電膜の製造方法は、以下に示す課題を有していた。すなわち、上記非特許文献1に記載の透明導電膜の製造方法は、得られる透明導電膜のシート抵抗を十分に低くすることができず、その透明導電膜をタッチパネル等の電子機器や色素増感太陽電池などの光電変換素子における電極に適用することが困難であった。従って、優れた導電性を有する透明導電膜を製造できる方法が求められていた。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、優れた導電性を有する導電性高分子膜を形成できるモノマー溶液の製造方法、導電性高分子膜の形成方法及び導電性基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題が生じる原因について検討した結果、非特許文献1で透明導電膜の原料液に含まれるp-トルエンスルホン酸第二鉄が水和物の形態をとっており、このことが、得られる透明導電膜の導電性を高くすることができない原因になっているのではないかと考えた。ここで、p-トルエンスルホン酸第二鉄が水和物の形態をとっているならば、EDOTを加熱して重合させる際にp-トルエンスルホン酸第二鉄の水和物が脱水され、その結果得られる透明導電膜の導電性が確保されるとも考えられる。しかし、本発明者らは、EDOTを加熱して重合させる際にp-トルエンスルホン酸第二鉄の水和物が十分に脱水されず、その結果、得られる透明導電膜の導電性を高くすることができないのではないかと考えた。そこで、本発明者らはさらに鋭意研究を重ねた結果、以下の発明により上記課題を解決し得ることを見出した。即ち本発明は、導電性高分子を形成するためのモノマー溶液の製造方法であって、p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤を加熱して脱水する脱水工程と、前記脱水工程で脱水された酸化剤と、前記導電性高分子を形成する原料モノマーと、溶媒とを混合してモノマー溶液を得る混合工程とを含むモノマー溶液の製造方法である。このモノマー溶液の製造方法によれば、p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤が脱水される。このため、脱水された酸化剤と、原料モノマーと、溶媒とを混合して得られるモノマー溶液を加熱することによりモノマー溶液中の原料モノマーを重合させて導電性高分子を得ると、優れた導電性を有する導電性高分子膜を得ることができる。このように優れた導電性を有する導電性高分子膜を得ることができる理由については定かではないが、酸化剤中の水分量が低くなることが、得られる導電性高分子のドーピング準位に影響を与えるためではないかと本発明者らは推測する。別言すると、酸化剤中の水分量が低くなることで、原料モノマーの重合中に、導電性高分子の骨格バックボーンに沿った共役長が大きくなるためではないかと本発明者らは推測している。また本発明は、p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤を加熱して脱水する脱水工程と、前記脱水工程で脱水された酸化剤と、導電性高分子を形成する原料モノマーと、溶媒とを混合してモノマー溶液を得る混合工程と、前記モノマー溶液を基板上に塗布する塗布工程と、前記基板上に塗布した前記モノマー溶液を加熱して前記モノマー溶液中の前記原料モノマーを重合させ、導電性高分子膜を形成する重合工程とを含む導電性高分子膜の形成方法である。この導電性高分子膜の形成方法によれば、p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤が脱水される。このため、脱水された酸化剤と、原料モノマーと、溶媒とを混合して得られるモノマー溶液を加熱することによりモノマー溶液中の原料モノマーを重合させて導電性高分子を得ると、優れた導電性を有する導電性高分子膜を得ることができる。上記導電性高分子膜の形成方法においては、前記脱水工程において、前記酸化剤を脱水するときの脱水温度が、前記重合工程において前記モノマー溶液中の前記原料モノマーを重合させるときの重合温度よりも高いことが好ましい。この場合、より優れた導電性を有する導電性高分子膜を得ることができる。また本発明は、p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤を加熱して脱水する脱水工程と、前記脱水工程で脱水された酸化剤と、導電性高分子を形成する原料モノマーと、溶媒とを混合してモノマー溶液を得る混合工程と、前記モノマー溶液を基板上に塗布する塗布工程と、前記基板上に塗布した前記モノマー溶液を加熱して前記モノマー溶液中の前記原料モノマーを重合させ、導電性高分子膜を形成し、前記基板と前記導電性高分子膜とを備える導電性基板を製造する重合工程とを含む導電性基板の製造方法である。この導電性基板の製造方法によれば、p-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤が脱水される。そして、脱水された酸化剤と、原料モノマーと、溶媒とを混合して得られるモノマー溶液を基板上に塗布して加熱することによりモノマー溶液中の原料モノマーを重合させて導電性高分子を得ると、優れた導電性を有する導電性高分子膜を有する導電性基板を得ることができる。本発明によれば、優れた導電性を有する導電性高分子膜を形成できるモノマー溶液の製造方法、導電性高分子膜の形成方法及び導電性基板の製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図1を用いて詳細に説明する。図1は、本発明に係る導電性基板の製造方法により得られる導電性基板を示す断面図である。図1には、導電性基板としてタッチパネルに用いられる透明電極が示されている。図1に示すように、導電性基板としての透明電極100は、透明基板10と、透明基板10の上に設けられる透明導電性高分子膜20とを備えている。透明導電性高分子膜20は、導電性高分子と、p-トルエンスルホン酸からなるドーパントとを含む。次に、透明電極100の製造方法について説明する。透明電極100は、以下の1~4の工程を順次行うことにより製造される。1ドーパントであるp-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤を加熱して脱水する脱水工程2脱水工程で脱水された酸化剤と、導電性高分子を形成する原料モノマーと、溶媒とを混合してモノマー溶液を得る混合工程3モノマー溶液30を透明基板10上に塗布する塗布工程図2参照、及び、4透明基板10上に塗布したモノマー溶液30を加熱してモノマー溶液30中の原料モノマーを重合させ、透明導電性高分子膜20を形成し、透明電極100を製造する重合工程上記透明電極100の製造方法によれば、ドーパントであるp-トルエンスルホン酸の金属塩化合物の水和物を含む酸化剤が脱水される。このため、脱水された酸化剤と、原料モノマーと、溶媒とを混合して得られるモノマー溶液30を透明基板10上に塗布して加熱することによりモノマー溶液30中の原料モノマーを重合させて導電性高分子を得ると、優れた導電性を有する透明導電性高分子膜20を含む透明電極100を得ることができる。以下、上記各工程について詳細に説明する。[脱水工程]脱水工程で脱水される酸化剤は、原料モノマーを酸化重合させるための触媒として機能するものであり、酸化剤において、p-トルエンスルホン酸TsOの金属塩化合物は、具体的には下記式で表される。MTsOn式中、Mはn価の金属イオンを表し、nは2~3の整数を表すMとしては、例えばFeII、FeIII、MnIVなどが挙げられる。中でも、FeIIIが好ましい。これは、溶媒としてアルコールを使用する場合、MがFeIIIであると、TsOの金属塩化合物が、アルコールに対してより優れた可溶性を有するためである。またFeIIIは、TsOからなるアニオンと共に金属塩化合物を形成すると、非常に優れた反応性を示すからである。脱水は加熱により行う。脱水をする際の脱水温度は通常60~220°Cであり、好ましくは80~100°Cである。脱水温度が80~100°Cの範囲内にあると、この範囲を外れる場合に比べて、透明導電性高分子膜20のシート抵抗をより十分に低下させることができ、透明導電性高分子膜20の導電性をより向上させることができる。脱水の時間は通常、15~90分であり、好ましくは30~45分である。[混合工程]透明導電性高分子膜20に含まれる導電性高分子を形成する原料モノマーは、導電性高分子を形成し得るものであればよく、このような導電性高分子としては、例えばPEDOTなどのポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレンスルフィドなどが挙げられる。脱水された酸化剤は、完全に脱水されていることが好ましいが、一部のみ脱水されていてもよい。なお、モノマー溶液30には、重合速度調整剤がさらに配合されてもよい。重合速度調整剤は、透明導電性高分子膜20が形成できるように原料モノマーの重合速度を低下させるためのものであり、このような重合速度調整剤は酸化剤によって異なる。具体的には、酸化剤がp-トルエンスルホン酸鉄IIIである場合には、例えばイミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾールなどが用いられる。溶媒は、原料モノマー、脱水された酸化剤及び必要に応じて配合される重合速度調整剤を全て溶解させる溶媒であればよい。このような溶媒としては、例えば、原料モノマーがEDOTであり、酸化剤がp-トルエンスルホン酸鉄IIIであり、かつ、重合速度調整剤がイミダゾールである場合には、n-ブタノール、メタノール、エタノール、プロパノールが用いられる。重合速度調整剤、脱水された酸化剤、原料モノマー及び溶媒のモル比は、好ましくは0~3:1.5~2.5:1:18~74であり、より好ましくは2~2.5:1.75~2.25:1:37である。[塗布工程]透明基板10は、透明導電性高分子膜20を支持可能で且つ透明な材料で構成されるものであれば特に制限されない。例えば透明基板10としては、ガラス、ポリエチレンテレフタレートPETフィルム、ポリエチレンナフタレートPENフィルム、ポリメチルメタクリレートPMMAフィルムなどが用いられる。中でも、透明基板10としては、優れた耐久性及び可撓性を有することから、ポリエチレンテレフタレートPETフィルムが好ましい。透明基板10の厚さはタッチパネルの大きさに応じて適宜決定される。透明基板10の厚さは通常は30~100μmである。モノマー溶液30の塗布方法としては、例えばスピンコート法及びキャスト法が挙げられる。[重合工程]原料モノマーを重合させるときの重合温度は、原料モノマーを重合させることが可能な温度であれば特に制限されない。例えば原料モノマーがEDOTである場合には、重合温度は通常、20~30°Cである。このとき、重合温度は、酸化剤の脱水時の脱水温度よりも低いことが好ましい。この場合、より優れた導電性を有する透明導電性高分子膜20を得ることができる。ここで、酸化剤の脱水温度と原料モノマーの重合温度との差は、好ましくは60~90°Cであり、より好ましくは70~80°Cである。酸化剤の脱水温度と原料モノマーの重合温度との差が上記範囲内にあると、上記範囲を外れる場合に比べて、より優れた導電性を有する透明導電性高分子膜20を得ることができる。透明導電性高分子膜20の厚さはタッチパネルの大きさに応じて適宜決定される。透明導電性高分子膜20の厚さは通常は100nm~200nmである。本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、本発明の導電性基板の製造方法により製造される導電性基板としてタッチパネルの透明電極が使用されているが、導電性基板は、色素増感太陽電池などの光電変換素子における透明電極や有機ELディスプレイOLEDにおける透明電極であってもよい。以下、実施例及び比較例を挙げて本発明の内容をより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、酸化剤として、p-トルエンスルホン酸TsO鉄IIIの水和物であるFeIIITsO36H2Oの粉末を用意した。次に、上記酸化剤粉末を100°Cで45分間加熱処理して脱水した。このとき、上記酸化剤粉末が脱水されたかどうかは、加熱処理前と加熱処理後における上記酸化剤粉末の重量を比較することによって確認した。次に、上記のようにして脱水された酸化剤粉末、イミダゾール、EDOT及びn-ブタノールを、2:2.5:1:37のモル比で混合し、モノマー溶液を得た。次に、25mm×25mm×1.2mmのガラス基板を用意し、スピンコータにセットした。そして、ガラス基板の表面上に、上記のようにして得られたモノマー溶液を塗布した後、スピンコータによりガラス基板を回転させた。このとき、ガラス基板の回転数は2000rpmとし、回転時間は20秒とした。次に、モノマー溶液を50°Cで5分間加熱し、モノマー溶液中の原料モノマーであるEDOTを重合硬化させた。これにより、ガラス基板上には、PEDOT及びTsOを含む導電性高分子膜と、FeIITsO2を含む層との積層体が形成された。最後に、表面にあるFeIITsO2を含む層をエタノールで洗い流し、基板上に厚さ50nmの導電性高分子膜を得た。こうして導電性基板が得られた。実施例2酸化剤粉末の脱水時間を15分としたこと以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。実施例3酸化剤粉末の脱水時間を30分としたこと以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。実施例4原料モノマーの重合温度を75°Cとしたこと以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。実施例5原料モノマーの重合温度を25°Cとしたこと以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。比較例1酸化剤粉末の脱水を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして導電性基板を得た。実施例1~5及び比較例1で得られた導電性基板について、以下の特性を評価した。[特性評価]1導電性実施例1~5及び比較例1で得られた導電性基板について、抵抗測定器製品名:ロレスタGP、MCP-T1600、株式会社三菱化学アナリテック製を用い、四端子法にてシート抵抗を測定した。結果を表1に示す。2透明性実施例1~5及び比較例1で得られた導電性基板について、ヘーズメータ製品名:HM-150、株式会社村上色彩技術研究所製を用いて360~780nmの波長における透過率を測定した。結果を表1に示す。表1に示す結果より、実施例1~5の導電性基板は、比較例1の導電性基板と比較して、導電性を十分に低下させられることが分かった。このことから、本発明の導電性基板の製造方法によれば、優れた導電性を有する導電性高分子膜を形成できることが確認された。