半導体発光層を含む発光体と、前記発光体を支持する支持基板と、前記発光体と前記支持基板との間に設けられ、前記発光体と前記支持基板とを接合する接合層と、前記発光体と前記接合層との間に設けられた第1のバリアメタル層であって、ニッケルからなる第1の層と、ニッケルよりも線膨張係数の小さい金属からなる第2の層と、を交互に積層した多層構造を含む第1のバリアメタル層と、前記発光体と前記第1のバリアメタル層との間に設けられ、前記発光体に電気的に接続された電極と、を備えた半導体発光装置。前記電極は、銀Agを含み、前記半導体発光層が放射する光を反射する請求項1記載の半導体発光装置。前記接合層と、前記支持基板と、の間に設けられた第2のバリアメタル層をさらに備え、前記第2のバリアメタル層は、ニッケルからなる第1の層と、ニッケルよりも線膨張係数の小さい金属からなる第2の層と、を交互に積層した多層構造を含む請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置。前記第2の層は、チタンTi、白金Pt、タンタルTaおよびタングステンWから選択された少なくとも1つの金属を含む請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記多層構造は、3層以上の前記第1の層と、3層以上の前記第2の層と、を含む請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。半導体発光層を含む発光体と、支持基板と、が接合された半導体発光装置の製造方法であって、前記支持基板の上にニッケルからなる第1の層と、ニッケルよりも線膨張係数の小さい金属からなる第2の層と、を交互に積層した多層構造を含む第1のバリアメタル層を形成する工程と、前記発光体の上にニッケルからなる第1の層と、ニッケルよりも線膨張係数の小さい金属からなる第2の層と、を交互に積層した多層構造を含む第2のバリアメタル層を形成する工程と、前記第1のバリアメタル層と、前記第2のバリアメタル層と、の間に接合層を挟んで、前記発光体と前記支持基板とを接合する工程と、を備えた半導体発光装置の製造方法。実施形態は、発光体と支持基板とを接合する金属のマイグレーションを抑制し、発光特性を向上させる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、半導体発光層を含む発光体と、前記発光体を支持する支持基板と、前記発光体と前記支持基板との間に設けられ、前記発光体と前記支持基板とを接合する接合層と、を備える。さらに、前記発光体と前記接合層との間に設けられた第1のバリアメタル層であって、ニッケルからなる第1の層と、ニッケルよりも線膨張係数の小さい金属からなる第2の層と、を交互に積層した多層構造を含む第1のバリアメタル層と、前記発光体と前記第1のバリアメタル層との間に設けられ、前記発光体に電気的に接続された電極と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る半導体発光装置100を表す模式断面図である。半導体発光装置100は、例えば、GaN系窒化物半導体を材料とする発光ダイオードLightEmittingDiode:LEDである。また、半導体発光装置100は、所謂ThinFilm構造を有するLEDであり、半導体発光層を含む発光体10と、発光体10を支持する支持基板20と、を備える。図1に示すように、発光体10と支持基板20との間には、発光体10と支持基板20とを接合する接合層30が設けられる。さらに、発光体10と接合層30との間には、第1のバリアメタル層40aが設けられる。第1のバリアメタル層40aは、ニッケルNiからなる第1の層と、ニッケルよりも線膨張係数の小さい金属からなる第2の層、を交互に積層した多層構造を含む。発光体10と第1のバリアメタル層40aとの間には、発光体10に電気的に接続された電極50が設けられる。以下、半導体発光装置100の構成を具体的に説明する。発光体10は、例えば、n型GaN層3と、発光層5と、p型GaN層と、を含む。発光層5は、InGaN井戸層およびGaN障壁層からなる多重量子井戸構造MultiQuantumWell;MQWを有し、例えば、青色の光を発光する。電極50は、例えば、銀Agを含み、発光層5が放射する光を発光面10aの方向に反射する。以下、電極50を反射電極50として説明する。接合層30は、第1の接合金属層30aと、第2の接合金属層30bと、を含む。第1の接合金属層30aは、第1のバリアメタル層40aを介して反射電極50の上に設けられる。第2の接合金属層30bは、第2のバリアメタル層40bを介して支持基板20の上に設けられる。そして、後述するように、第1の接合金属層30aと、第2の接合金属層30bと、を熱圧着することにより、発光体10と支持基板20とを接合する。第2のバリアメタル層40bは、Ni層41と、Niよりも線膨張係数の小さい、例えば、チタンTi層43と、を交互に積層した多層構造を含む。発光体10の発光面10aの上には、n電極60が選択的に設けられる。n電極60は、n型GaN層3にオーミック接触する。支持基板20の裏面20bには、裏面電極70が設けられる。次に、図2~図4を参照して、第1実施形態に係る半導体発光装置100の製造方法を説明する。図2a~図4bは、各製造過程を表す模式断面図である。図2aに示すように、発光体10を含むウェーハ90と、支持基板20と、を準備する。ウェーハ90は、成長基板80と、その上にエピタキシャル成長されたn型GaN層3と、発光層5と、p型GaN層7と、を含む。p型GaN層7の上には、反射電極50が設けられる。成長基板80には、例えば、サファイア基板を用いる。n型GaN層3、発光層5およびp型GaN層7は、MOCVDMetalOrganicVaporDeposition法、MBEMolecularBeamEpitaxy法などを用いて形成することができる。反射電極50は、例えば、Ag層であり、真空蒸着法を用いて形成する。支持基板20は、例えば、p型シリコンウェーハである。次に、ウェーハ90の上に、第1のバリアメタル層40aと、第1の接合金属層30aと、を順に形成する。支持基板20の上には、第2のバリアメタル層40bと、第2の接合金属層30bと、を順に形成する。第1のバリアメタル層40aおよび40bは、例えば、スパッタ法を用いて形成できる。ウェーハ90と、支持基板20と、を同じ装置にセットし、第1のバリアメタル層40aと、第2のバリアメタル層40bと、を同時に形成しても良い。すなわち、第1のバリアメタル層40aは、第2のバリアメタル層40bと同じ構成を有しても良い。第1のバリアメタル層40aは、反射電極50の側から、例えば、第2の層であるTi層43と、第1の層であるNi層41と、を交互に積層した多層構造を有する。Tiの線熱膨張係数は、8.4×10-6/°Cであり、Niの線熱膨張係数1.33×10-5/°Cよりも小さい。例えば、50~500ナノメートルnmの厚さのTi層43と、50~500nmの厚さのNi層41と、を交互に積層する。好ましくは、50~200nmのTi層43と、50~200nmのNi層41と、を交互に積層する。第2のバリアメタル層40bも同様に形成する。第1の接合金属層30aおよび第2の接合金属層30bは、例えば、真空蒸着法、または、スパッタ法を用いて形成する。第1の接合金属層30aと、第2の接合金属層30bと、を同時に形成し、同じ構成としても良い。例えば、第1の接合金属層30aは、第1のバリアメタル層40aの側から、金Auと、金錫AuSnと、を順に積層した構造を有する。Auの厚さは、例えば、10~400nmであり、AuSnの厚さは、100~5000nmである。第2の接合金属層30bも同様に形成する。本実施形態の変形例として、第2のバリアメタル層40bは、第1のバリアメタル層40aと異なる構成であっても良い。また、第1の接合金属層30aおよび第2の接合金属層30bのいずれか一方が、Au/AuSnの積層構造を有し、他方が、Auの単層であっても良い。次に、図3aに示すように、支持基板20の上にウェーハ90を重ね、第1の接合金属層30aの接合面30xと、第2の接合金属層30bの接合面30yと、を接触させる。さらに、成長基板80の裏面側、および、支持基板20の裏面側から圧力を加えた状態で、温度を上昇させ、第1の接合金属層30aと、第2の接合金属層30bと、を熱圧着する。例えば、支持基板20およびウェーハ90の温度を220°C以上、350°C以下とし、1分以上、20分以下の間、加圧した状態で保持する。これにより、図3bに示すように、接合層30を介してウェーハ90と、支持基板20と、を接合することができる。次に、図4aに示すように、成長基板80を、発光体10から分離する。例えば、成長基板80の裏面側からレーザ光を照射し、成長基板80とn型GaN層3との間の界面近傍のGaNを解離させる。これにより、支持基板20の上に発光体10を残して、成長基板80を除去することができる。発光体10は、第1のバリアメタル層40aと第2のバリアメタル層40bとの間に挟まれた接合層30を介して支持基板20に接合される。次に、図4bに示すように、成長基板80が除去された発光体10の発光面10aにn電極60を選択的に形成する。n電極60は、例えば、真空蒸着法を用いて形成され、Al/Ti/Auの積層構造を有する。そして、支持基板20の裏面20bに裏面電極70を形成し、半導体発光装置100を完成する。図5は、半導体発光装置の接合構造の一部を表す模式断面図およびその平面写真である。図5aおよび図5bは、本実施形態に係る接合構造を示し、図5cおよび図5dは、比較例に係る接合構造を示している。図5aは、図5bに示すA-A線に沿った断面構造である。本実施形態では、反射電極50を覆うように、第1のバリアメタル層40aが設けられている。第1のバリアメタル層40aは、反射電極50の側から第2の層であるTi層43と、第1の層であるNi層41と、が交互に積層された構成を有する。そして、それぞれ3層のTi層43およびNi層41が積層されている。さらに、第1のバリアメタル層40aの上には、Au層31と、AuSn層33と、がこの順に積層されている。図5bは、ウェーハ90と、支持基板20と、を接合した後、成長基板80の裏面側から見た反射電極50の反射面を示す写真である。サファイア基板、および、GaN系窒化物半導体は、可視光に対して透明であるから、反射面を直接観察することができる。図5cは、比較例に係る接合構造の断面を示している。比較例では、反射電極50を覆うバリアメタル層45は、Ti層43と、白金Pt層47と、を含む。反射電極50の側から、Ti層43と、Pt層47とが、順に積層されている。バリアメタル層45の上には、Au層31と、AuSn層33と、がこの順に積層されている。図5dは、ウェーハ90と、支持基板20と、を接合した後の反射面を示す写真である。この例では、反射電極50のパターンの外周および内周に沿って、第1の接合金属層30aに含まれる錫Snのマイグレーションが見られる。すなわち、反射電極50と、p型GaN層7と、の界面に、Snが侵入している。これにより、反射電極50の反射面における反射率が低下し、さらに、p型GaN層7と、反射電極50と、の間のオーミックコンタクトが劣化する。このため、半導体発光装置の発光効率が低下する。これに対し、図5bに示すように、本実施形態では、Snのマイグレーションは見られず、第1のバリアメタル層40aの阻止能が高いことがわかる。すなわち、Ti層43と、Ni層41と、を交互に積層し多層構造とすることによりSnの侵入を阻止することが可能となる。これにより、反射電極50の反射率およびオーミックコンタクトの劣化を抑制することができる。例えば、比較例におけるバリアメタル層45においても、Ti層43およびPt層47を厚くすること、もしくは、多層構造とすることにより、Snに対するバリア性を向上させることが可能に思える。しかしながら、TiおよびPtは、共に、反射電極50に含まれるAgよりも線膨張係数が小さい。このため、Ti層43およびPt層47を厚くすると、反射電極50に加わる熱応力が大きくなり、反射電極50とp型GaN層7との界面における剥離が生じ易くなる。本実施形態に係る第1のバリアメタル層40aは、Agに近い線膨脹係数を有するNi1.33×10-5/°Cを含む。このため、反射電極50に加わる応力が低減され、反射電極50のp型GaN層7からの剥離が抑制される。これにより、Snに対するバリア性を向上させることができる。表1は、Ti層43およびNi層41の層数と、Snに対するバリア性と、の関係を示している。本実施形態に係る第1のバリアメタル層40aであっても、層数が少ない場合は、Snのマイグレーションが生じる。すなわち、Ti層43およびNi層41を各2層以下とした場合には、Snのマイグレーションが生じる。一方、Ti層43およびNi層41の積層を各3層以上とした場合には、Snのマイグレーションは生じない。すなわち、第1のバリアメタル層40aは、各3層以上を交互に積層したTi層43とNi層41とを含むことが好ましい。さらに、製造コストを低減する観点からは、それぞれ7層以下とすることが望ましい。Niは、AuおよびSnと反応し易い性質がある。したがって、Ni層41のみでSnに対するバリア性を保持させることは難しい。このため、Ti層43と、Ni層41と、を交互に積層する構造とする。しかし、Ni層41と組み合わせる金属は、Tiに限られる訳ではなく、第1の接合金属層30aと反応し難い金属を用いることができる。表2は、半導体発光装置の電極に用いることができる材料を例示している。表中に示した材料の中で、Agの線膨張係数が最も大きく、次に、Niの線膨張係数が大きい。Tiの線膨張係数と、Ptの線膨張係数とは、ほぼ同じである。融点の高いタンタルTaおよびタングステンWの線膨張係数は、TiおよびPtよりも小さい。Niは、Agと、他の高融点金属と、の間の線膨張係数を有しており、表中に示す高融点金属と組み合わせることにより、本実施形態に係る第1のバリアメタル層40aを構成することが可能である。すなわち、第1のバリアメタル層40aは、第2の層として、チタンTi、白金Pt、タンタルTaおよびタングステンWから選択された少なくとも1つの金属を含むことができる。第2実施形態図6aは、第2実施形態に係る半導体発光装置200を表す模式断面図である。図6bは、半導体発光装置200の反射電極55およびその周辺を表す部分断面図である。半導体発光装置200は、発光体10と、発光体を支持する支持基板20と、を備える。発光体10と支持基板20との間には、発光体10と支持基板と60を接合する接合層30が設けられる。さらに、発光体10と接合層30との間には、第1のバリアメタル層40aが設けられる。第1のバリアメタル層40aは、ニッケルNiからなる第1の層41と、ニッケルよりも線膨張係数の小さい金属からなる第2の層43、を交互に積層した多層構造を含む。本実施形態の反射電極55は、発光体10と第1のバリアメタル層40aとの間に、相互に離間した複数の電極として設けられる。このような構成は、例えば、反射電極55と、p型GaN層7と、の間の密着力が弱い場合に有利である。すなわち、隣り合う反射電極55の間において、p型GaN層7と、第1のバリアメタル層40aと、が接触する。したがって、第1のバリアメタル層40aと、p型GaN層7と、の間の密着力が反射電極55よりも高ければ、反射電極50とp型GaN層7との間の密着を補強し、Snに対するバリア性を向上させる。これにより、反射電極55の反射率およびオーミックコンタクトの劣化を抑制することができる。さらに、図6bに示すように、反射電極55の端55aを傾斜させても良い。これにより、反射電極55の端55aにおける第1のバリアメタル層40aの段差切れを抑制することができる。すなわち、第1のバリアメタル層40aのクラックを介したSnのマイグレーションを抑制することができる。また、端55aの段差を無くすことにより、p型GaN層7から反射電極55を剥離させる方向の応力を緩和することが可能である。これにより、半導体発光装置200における発光効率の劣化を抑制し、信頼性を向上させることができる。本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。