"枠部と該枠部を挟むように対向配置された一対の壁部とで形成される収納空間を有し、前記一対の壁部が放熱部と該放熱部を前記枠部に支持する支持壁とで構成されているケースと、前記壁部に面して前記収納空間に並列して複数配置され、半導体素子の表裏両面に形成された電極面のそれぞれに導体板が接合されている半導体素子ブロックと、前記それぞれの導体板と前記壁部の内周面との間にそれぞれが介在されて両者を絶縁する複数枚の絶縁性シート部材と、前記収納空間に充填されて、前記複数の半導体素子ブロックを封止する樹脂組成部材と、を備え、前記壁部の少なくとも一方に設けられた放熱部は、前記複数の半導体素子ブロックの各々に対向配置する複数の分離放熱部を含み、前記複数の分離放熱部の周囲は前記支持壁によって囲まれ、前記支持壁が、前記枠部から前記分離放熱部にかけてケース内側に窪むように変形して前記複数枚の絶縁性シート部材の各々が前記複数の導体板および前記複数の分離放熱部とそれぞれ密着接合している半導体モジュール。請求項1に記載した半導体モジュールにおいて、前記導体板は、半導体素子側に屈曲するように形成されて、並列配置された他の前記半導体素子ブロックの導体板と接続される連結部を備えている半導体モジュール。請求項1または2に記載した半導体モジュールにおいて、前記導体板は、前記絶縁性シート部材と接する面の端部に傾斜面または段差面が形成されており、前記樹脂組成部材が前記傾斜面または段差面と前記絶縁性シート部材との隙間に充填されている半導体モジュール。請求項1乃至3のいずれか一項に記載した半導体モジュールにおいて、前記絶縁性シート部材の熱伝導率が前記樹脂組成部材の熱伝導率よりも高い半導体モジュール。請求項1乃至4のいずれか一項に記載した半導体モジュールにおいて、前記半導体素子ブロック、前記絶縁性シート部材およびケース内周面と前記樹脂組成部材との間に、ポリアミド樹脂層を形成した半導体モジュール。請求項1乃至5のいずれか一項に記載した半導体モジュールにおいて、前記収納空間における前記複数の半導体素子ブロックの位置を位置決めする、位置決め部を備えた半導体モジュール。請求項1に記載の半導体モジュールを製造するための製造方法であって、前記半導体素子ブロックに設けられた導体板に前記絶縁性シート部材を固着し、前記絶縁性シート部材が固着された複数の前記半導体素子ブロックを、前記絶縁性シート部材が対応する前記分離放熱部と対向するように前記収納空間に並列に配置し、前記分離放熱部のそれぞれをケース内側方向に押圧して前記支持壁を変形して、該分離放熱部を前記絶縁性シート部材に密着接合し、前記収納空間に前記樹脂組成部材を充填して前記複数の半導体素子ブロックを封止する半導体モジュールの製造方法。請求項7に記載の半導体モジュールの製造方法において、前記支持壁を変形して、該分離放熱部を前記絶縁性シート部材に密着接合した後に、前記収納空間に収納された前記複数の半導体素子ブロックおよび前記ケースの内周面にポリアミド樹脂を付着させて、ポリアミド樹脂層を形成し、その後、前記収納空間に前記樹脂組成部材を充填して前記複数の半導体素子ブロックを封止する半導体モジュールの製造方法。特許文献1に記載の構造では、前記ケース内に前記パワー半導体素子を搭載した導電板を複数並列にケース内に絶縁層を介して内蔵すると、部材間の平行度のばらつきにより前記絶縁層の厚さがばらついたり、あるいは、未接着部が形成されたりして、絶縁性能や耐熱サイクル性能が低下するという問題があった。本発明の第1の態様によると、半導体モジュールは、枠部と該枠部を挟むように対向配置された一対の壁部とで形成される収納空間を有し、一対の壁部が放熱部と該放熱部を枠部に支持する支持壁とで構成されているケースと、壁部に面して収納空間に並列して複数配置され、半導体素子の表裏両面に形成された電極面のそれぞれに導体板が接合されている半導体素子ブロックと、それぞれの導体板と壁部の内周面との間にそれぞれが介在されて両者を絶縁する複数枚の絶縁性シート部材と、収納空間に充填されて、複数の半導体素子ブロックを封止する樹脂組成部材と、を備え、壁部の少なくとも一方に設けられた放熱部は、複数の半導体素子ブロックの各々に対向配置する複数の分離放熱部を含み、複数の分離放熱部の周囲は支持壁によって囲まれ、支持壁が、枠部から分離放熱部にかけてケース内側に窪むように変形して複数枚の絶縁性シート部材の各々が複数の導体板および複数の分離放熱部とそれぞれ密着接合している。本発明の第2の態様によると、第1の態様の半導体モジュールにおいて、導体板は、半導体素子側に屈曲するように形成されて、並列配置された他の半導体素子ブロックの導体板と接続される連結部を備えるようにしても良い。本発明の第3の態様によると、第1または2の態様の半導体モジュールにおいて、導体板は、絶縁性シート部材と接する面の端部に傾斜面または段差面が形成されており、樹脂組成部材が傾斜面または段差面と絶縁性シート部材との隙間に充填されている。本発明の第4の態様によると、第1乃至3のいずれか一の態様の半導体モジュールにおいて、絶縁性シート部材の熱伝導率が樹脂組成部材の熱伝導率よりも高いのが好ましい。本発明の第5の態様によると、第1乃至4のいずれか一の態様の半導体モジュールにおいて、半導体素子ブロック、絶縁性シート部材およびケース内周面と樹脂組成部材との間に、ポリアミド樹脂層を形成するのが好ましい。本発明の第6の態様によると、第1乃至5のいずれか一の態様の半導体モジュールにおいて、収納空間における複数の半導体素子ブロックの位置を位置決めする、位置決め部を備えるのが好ましい。本発明の第7の態様によると、第1の態様の半導体モジュールを製造するための製造方法であって、半導体素子ブロックに設けられた導体板に絶縁性シート部材を固着し、絶縁性シート部材が固着された複数の半導体素子ブロックを、絶縁性シート部材が対応する分離放熱部と対向するように収納空間に並列に配置し、分離放熱部のそれぞれをケース内側方向に押圧して支持壁を変形して、該分離放熱部を絶縁性シート部材に密着接合し、収納空間に樹脂組成部材を充填して複数の半導体素子ブロックを封止するものである。本発明の第8の態様によると、第7の態様の半導体モジュールの製造方法において、支持壁を変形して、該分離放熱部を絶縁性シート部材に密着接合した後に、収納空間に収納された複数の半導体素子ブロックおよびケースの内周面にポリアミド樹脂を付着させて、ポリアミド樹脂層を形成し、その後、収納空間に樹脂組成部材を充填して複数の半導体素子ブロックを封止するものである。本発明は、半導体モジュールの絶縁性能および放熱性能の向上を図ることができる。以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。本実施形態に係る半導体モジュールは、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車に搭載される電力変換装置、電車や船舶、航空機などの電力変換装置、さらに工場の設備を駆動する電動機の制御装置として用いられる産業用電力変換装置、或いは家庭の太陽光発電システムや家庭の電化製品を駆動する電動機の制御装置に用いられたりする家庭用電力変換装置に適用可能である。以下では、ハイブリッド自動車の電力変換装置に適用した場合を例に説明する。図1は、ハイブリッド自動車の制御ブロックを示す図である。図1において、ハイブリッド電気自動車以下、HEVと記述する110は1つの電動車両であり、2つの車両駆動用システムを備えている。その1つは、内燃機関であるエンジン120を動力源としたエンジンシステムである。エンジンシステムは、主としてHEVの駆動源として用いられる。もう1つは、モータジェネレータ192,194を動力源とした車載電機システムである。車載電機システムは、主としてHEVの駆動源及びHEVの電力発生源として用いられる。モータジェネレータ192,194は例えば同期機あるいは誘導機であり、運転方法によりモータとしても発電機としても動作するので、ここではモータジェネレータと記す。車体のフロント部には前輪車軸114が回転可能に軸支され、前輪車軸114の両端には1対の前輪112が設けられている。車体のリア部には後輪車軸が回転可能に軸支され、後輪車軸の両端には1対の後輪が設けられている図示省略。本実施形態のHEVでは、いわゆる前輪駆動方式を採用しているが、この逆、すなわち後輪駆動方式を採用しても構わない。前輪車軸114の中央部には前輪側デファレンシャルギア以下、前輪側DEFと記述する116が設けられている。前輪側DEF116の入力側にはトランスミッション118の出力軸が機械的に接続されている。トランスミッション118の入力側にはモータジェネレータ192の出力側が機械的に接続されている。モータジェネレータ192の入力側には動力分配機構122を介してエンジン120の出力側及びモータジェネレータ194の出力側が機械的に接続されている。インバータ部140,142は、直流コネクタ138を介してバッテリ136と電気的に接続される。バッテリ136とインバータ部140,142との相互において電力の授受が可能である。本実施形態では、モータジェネレータ192及びインバータ部140からなる第1電動発電ユニットと、モータジェネレータ194及びインバータ部142からなる第2電動発電ユニットとの2つを備え、運転状態に応じてそれらを使い分けている。なお、本実施形態では、バッテリ136の電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータ192の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、第1電動発電ユニット又は第2電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジン120の動力或いは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。バッテリ136はさらに補機用のモータ195を駆動するための電源としても使用される。補機としては例えば、エアコンディショナーのコンプレッサを駆動するモータ、あるいは制御用の油圧ポンプを駆動するモータである。バッテリ136からインバータ部43に直流電力が供給され、インバータ部43で交流の電力に変換されてモータ195に供給される。インバータ部43は、インバータ部140や142と同様の機能を持ち、モータ195に供給する交流の位相や周波数、電力を制御する。モータ195の容量がモータジェネレータ192や194の容量より小さいので、インバータ部43の最大変換電力がインバータ部140や142より小さいが、インバータ部43の回路構成は基本的にインバータ部140や142の回路構成と同じである。なお、電力変換装置200は、インバータ部140、インバータ部142、インバータ部43に供給される直流電流を平滑化するためのコンデンサモジュール500を備えている。図2を用いてインバータ部140やインバータ部142あるいはインバータ部43の電気回路構成を説明する。なお、図2では、代表例としてインバータ部140の説明を行う。インバータ回路144は、上アームとして動作するIGBT155及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT157及びダイオード158と、からなる上下アーム直列回路150をモータジェネレータ192の電機子巻線の各相巻線に対応して3相U相、V相、W相分を設けている。それぞれの上下アーム直列回路150は、その中点部分中間電極329から交流端子159及び交流コネクタ188を通してモータジェネレータ192への交流電力線交流バスバー186と接続する。上アームのIGBT155のコレクタ電極153は正極端子P端子167を介してコンデンサモジュール500の正極側のコンデンサの電極に、下アームのIGBT157のエミッタ電極は負極端子N端子168を介してコンデンサモジュール500の負極側にコンデンサ電極にそれぞれ電気的に接続されている。制御部170は、インバータ回路144を駆動制御するドライバ回路174と、ドライバ回路174へ信号線176を介して制御信号を供給する制御回路172と、を有している。IGBT155やIGBT157は、制御部170から出力された駆動信号を受けて動作し、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換する。この変換された電力は、モータジェネレータ192の電機子巻線に供給される。IGBT155は、コレクタ電極153と、信号用エミッタ電極151と、ゲート電極154を備えている。また、IGBT157は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164を備えている。ダイオード156が、IGBT155と電気的に並列に接続されている。また、ダイオード158が、IGBT157と電気的に並列に接続されている。スイッチング用パワー半導体素子としてはMOSFET金属酸化物半導体型電界効果トランジスタを用いてもよいが、この場合はダイオード156やダイオード158は不要となる。コンデンサモジュール500は、正極側コンデンサ端子506と負極側コンデンサ端子504と直流コネクタ138を介して電気的に接続されている。なお、インバータ部140は、直流正極端子314を介して正極側コンデンサ端子506と接続され、かつ直流負極端子316を介して負極側コンデンサ端子504と接続される。制御回路172は、IGBT155及びIGBT157のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ以下、マイコンと記述するを備えている。マイコンには入力情報として、モータジェネレータ192に対して要求される目標トルク値、上下アーム直列回路150からモータジェネレータ192の電機子巻線に供給される電流値、及びモータジェネレータ192の回転子の磁極位置が入力されている。目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180から信号線182を介して出力された検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータ192に設けられた回転磁極センサ不図示から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では3相の電流値を検出する場合を例に挙げて説明するが、2相分の電流値を検出するようにしても構わない。制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータ192のd,q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd,q軸の電流指令値と、検出されたd,q軸の電流値との差分に基づいてd,q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd,q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相、V相、W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相、V相、W相の電圧指令値に基づく基本波正弦波と搬送波三角波との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWMパルス幅変調信号として、信号線176を介してドライバ回路174に出力する。ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅したドライブ信号を、対応する下アームのIGBT157のゲート電極に出力する。また、ドライバ回路174は、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT155のゲート電極にそれぞれ出力する。また、制御部170は、異常検知過電流、過電圧、過温度などを行い、上下アーム直列回路150を保護している。このため、制御部170にはセンシング情報が入力されている。例えば各アームの信号用エミッタ電極151及び信号用エミッタ電極165からは各IGBT155とIGBT157のエミッタ電極に流れる電流の情報が、対応する駆動部ICに入力されている。これにより、各駆動部ICは過電流検知を行い、過電流が検知された場合には対応するIGBT155,IGBT157のスイッチング動作を停止させ、対応するIGBT155,IGBT157を過電流から保護する。上下アーム直列回路150に設けられた温度センサ不図示からは上下アーム直列回路150の温度の情報がマイコンに入力されている。また、マイコンには上下アーム直列回路150の直流正極側の電圧の情報が入力されている。マイコンは、それらの情報に基づいて過温度検知及び過電圧検知を行い、過温度或いは過電圧が検知された場合には全てのIGBT155,IGBT157のスイッチング動作を停止させる。図3は、電力変換装置200の設置場所を説明するための分解斜視図を示す。電力変換装置200は、トランスミッション118を収納するためのAlまたはAl合金製の筐体119に固定される。電力変換装置200は、底面及び上面の形状を略長方形としたことで、車両への取り付けが容易となり、また生産し易いという効果がある。冷却ジャケット12は、後述するパワーモジュール300及びコンデンサモジュール500を保持するとともに、冷却媒体によって冷却する。また、冷却ジャケット12は、筐体119に固定され、かつ筐体119との対向面に入口配管13と出口配管14が形成されている。入口配管13と出口配管14が筐体119に形成された配管と接続されることにより、トランスミッション118を冷却するための冷却媒体が、冷却ジャケット12に流入及び流出する。ケース10は、電力変換装置200を覆って、かつ筐体119側に固定される。ケース10の底は、制御回路172を実装した制御回路基板20と対向するように構成される。またケース10は、ケース10の底から外部に繋がる第1開口202と第2開口204を、ケース10の底面に形成する。コネクタ21は、制御回路基板20に接続されており、外部からの各種信号を当該制御回路基板20に伝送する。バッテリ負極側接続端子部510とバッテリ正極側接続端子部512は、バッテリ136とコンデンサモジュール500とを電気的に接続する。コネクタ21とバッテリ負極側接続端子部510とバッテリ正極側接続端子部512は、ケース10の底面に向かって延ばされ、コネクタ21は第1開口202から突出し、かつバッテリ負極側接続端子部510及びバッテリ正極側接続端子部512は第2開口204から突出する。ケース10には、その内壁の第1開口202及び第2開口204の周りにシール部材不図示が設けられる。コネクタ21等の端子の勘合面の向きは、車種により種々の方向となるが、特に小型車両に搭載しようとした場合、エンジンルーム内の大きさの制約や組立性の観点から勘合面を上向きにして出すことが好ましい。特に、本実施形態のように、電力変換装置200が、トランスミッション118の上方に配置される場合には、トランスミッション118の配置側とは反対側に向かって突出させることにより、作業性が向上する。また、コネクタ21は外部の雰囲気からシールする必要があるが、コネクタ21に対してケース10を上方向から組付ける構成となることで、ケース10が筐体119に組付けられたときに、ケース10と接触するシール部材がコネクタ21を押し付けることができ、気密性が向上する。図4は、電力変換装置200の分解斜視図である。冷却ジャケット12には、流路19が設けられ、該流路19の上面には、開口部400a~400cが冷媒の流れ方向418に沿って形成され、かつ開口部402a~402cが冷媒の流れ方向422に沿って形成される。開口部400a~400cがパワーモジュール300a~300cによって塞がれるように、かつ開口部402a~402cがパワーモジュール301a~301cによって塞がれる。また、冷却ジャケット12には、コンデンサモジュール500を収納するための収納空間405が形成される。コンデンサモジュール500は、収納空間405に収納されることにより、流路19内に流れる冷媒によって冷却されることになる。コンデンサモジュール500は、冷媒の流れ方向418を形成するための流路19と、冷媒の流れ方向422を形成するための流路19に挟まれるため、効率良く冷却することができる。冷却ジャケット12には、入口配管13と出口配管14と対向する位置に突出部407が形成される。突出部407は、冷却ジャケット12と一体に形成される。補機用パワーモジュール350は、突出部407に固定され、流路19内に流れる冷媒によって冷やされることになる。補機用パワーモジュール350の側部には、バスバーモジュール800が配置される。バスバーモジュール800は、交流バスバー186や電流センサ180等により構成されるが、詳細は後述する。このように冷却ジャケット12の中央部にコンデンサモジュール500の収納空間405を設け、その収納空間405を挟むように流路19を設け、それぞれの流路19に車両駆動用のパワーモジュール300a~300c及びパワーモジュール301a~301cを配置し、さらに冷却ジャケット12の上面に補機用パワーモジュール350を配置することで、小さい空間で効率良く冷却でき、電力変換装置全体の小型化が可能となる。また冷却ジャケット12の流路19の主構造を冷却ジャケット12と一体にAlまたはAl合金材の鋳造で作ることにより、流路19は冷却効果に加え機械的強度を強くする効果がある。またAl鋳造で作ることで冷却ジャケット12と流路19とが一体構造となり、熱伝達が良くなり冷却効率が向上する。なお、パワーモジュール300a~300cとパワーモジュール301a~301cを流路19に固定することで流路19を完成させ、水路の水漏れ試験を行う。水漏れ試験に合格した場合に、次にコンデンサモジュール500や補機用パワーモジュール350や基板を取り付ける作業を行うことができる。このように、電力変換装置200の底部に冷却ジャケット12を配置し、次にコンデンサモジュール500、補機用パワーモジュール350、バスバーモジュール800、基板等の必要な部品を固定する作業を上から順次行えるように構成されており、生産性と信頼性が向上する。ドライバ回路基板22は、補機用パワーモジュール350及びバスバーモジュール800の上方に配置される。また、ドライバ回路基板22と制御回路基板20の間には金属ベース板11が配置される。金属ベース板11は、ドライバ回路基板22及び制御回路基板20に搭載される回路群の電磁シールドの機能を奏すると共にドライバ回路基板22と制御回路基板20とが発生する熱を逃がし、冷却する作用を有している。図5は、流路19を有する冷却ジャケット12の下面図である。冷却ジャケット12と当該冷却ジャケット12の内部に設けられた流路19は、一体に鋳造されている。冷却ジャケット12に下面には、1つに繋がった開口部404が形成されている。開口部404は、中央部に開口を有する下カバー420によって塞がれる。下カバー420と冷却ジャケット12の間には、シール部材409a及びシール部材409bが設けられ気密性を保っている。下カバー420には、一方の端辺の近傍であって当該端辺に沿って、入口配管13を挿入するための入口孔401と、出口配管14を挿入するための出口孔403が形成される。また下カバー420には、トランスミッション118の配置方向に向かって突出する凸部406が形成される。凸部406は、パワーモジュール300a~300c及びパワーモジュール301a~301c毎に設けられる。冷媒は、流れ方向417のように、入口孔401を通って、冷却ジャケット12の短手方向の辺に沿って形成された第1流路部19aに向かって流れる。そして冷媒は、流れ方向418のように、冷却ジャケット12の長手方向の辺に沿って形成された第2流路部19bを流れる。また冷媒は、流れ方向421のように、冷却ジャケット12の短手方向の辺に沿って形成された第3流路部19cを流れる。第3流路部19cは折り返し流路を形成する。また、冷媒は、流れ方向422のように、冷却ジャケット12の長手方向の辺に沿って形成された第4流路部19dを流れる。第4流路部19dは、コンデンサモジュール500を挟んで第2流路部19bと対向する位置に設けられる。さらに、冷媒は、流れ方向423のように、冷却ジャケット12の短手方向の辺に沿って形成された第5流路部19e及び出口孔403を通って出口配管14に流出する。第1流路部19a、第2流路部19b、第3流路部19c、第4流路部19d及び第5流路部19eは、いずれも幅方向より深さ方向が大きく形成される。パワーモジュール300a~300cが、冷却ジャケット12の上面側に形成された開口部400a~400cから挿入され図4参照、第2流路部19b内の収納空間に収納される。なお、パワーモジュール300aの収納空間とパワーモジュール300bの収納空間との間には、冷媒の流れを澱ませないための中間部材408aが形成される。同様に、パワーモジュール300bの収納空間とパワーモジュール300cの収納空間との間には、冷媒の流れを澱ませないための中間部材408bが形成される。中間部材408a及び中間部材408bは、その主面が冷媒の流れ方向に沿うように形成される。第4流路部19dも第2流路部19bと同様にパワーモジュール301a~301cの収納空間及び中間部材を形成する。また、冷却ジャケット12は、開口部404と開口部400a~400c及び402a~402cとが対向するように形成されているので、アルミ鋳造により製造し易い構成になっている。下カバー420には、筐体119と当接し、電力変換装置200を支持するための支持部410a及び支持部410bが設けられる。支持部410aは下カバー420の一方の端辺に近づけて設けられ、支持部410bは下カバー420の他方の端辺に近づけて設けられる。これにより、電力変換装置200を、トランスミッション118やモータジェネレータ192の円柱形状に合わせて形成された筐体119の側壁に強固に固定することができる。また、支持部410bは、抵抗器450を支持するように構成されている。この抵抗器450は、乗員保護やメンテナンス時における安全面に配慮して、コンデンサセルに帯電した電荷を放電するためのものである。抵抗器450は、高電圧の電気を継続的に放電できるように構成されているが、万が一抵抗器もしくは放電機構に何らかの異常があった場合でも、車両に対するダメージを最小限にするように配慮した構成とする必要がある。つまり、抵抗器450がパワーモジュールやコンデンサモジュールやドライバ回路基板等の周辺に配置されている場合、万が一抵抗器450が発熱、発火等の不具合を発生した場合に主要部品近傍で延焼する可能性が考えられる。そこで本実施形態では、パワーモジュール300a~300cやパワーモジュール301a~301cやコンデンサモジュール500は、冷却ジャケット12を挟んで、トランスミッション118を収納した筐体119とは反対側に配置され、かつ抵抗器450は、冷却ジャケット12と筐体119との間の空間に配置される。これにより、抵抗器450が金属で形成された冷却ジャケット12及び筐体119で囲まれた閉空間に配置されることになる。なお、コンデンサモジュール500内のコンデンサセルに貯まった電荷は、図4に示されたドライバ回路基板22に搭載されたスイッチング手段のスイッチング動作によって、冷却ジャケット12の側部を通る配線を介して抵抗器450に放電制御される。本実施形態では、スイッチング手段によって高速に放電するように制御される。放電を制御するドライバ回路基板22と抵抗器450の間に、冷却ジャケット12が設けられているので、ドライバ回路基板22を抵抗器450から保護することができる。また、抵抗器450は下カバー420に固定されているので、流路19と熱的に非常に近い位置に設けられているので、抵抗器450の異常な発熱を抑制することができる。図6は、コンデンサモジュール500の分解斜視図である。積層導体板501は、薄板状の幅広導体で形成された負極導体板505及び正極導体板507、さらに負極導体板505と正極導体板507に挟まれた絶縁シート517により構成されているので、低インダクタンス化が図られている。積層導体板501は、略長方形形状を成す。バッテリ負極側端子508及びバッテリ負極側端子509は、積層導体板501の短手方向の一方の辺から立ち上げられた状態で形成される。コンデンサ端子503a~503cは、積層導体板501の長手方向の一方の辺から立ち上げられた状態で形成される。また、コンデンサ端子503d~503fは、積層導体板501の長手方向の他方の辺から立ち上げられた状態で形成される。なお、コンデンサ端子503a~503fは、積層導体板501の主面を横切る方向に立ち上げられている。コンデンサ端子503a~503cは、パワーモジュール300a~300cとそれぞれ接続される。コンデンサ端子503d~503fは、パワーモジュール301a~301cとそれぞれ接続される。コンデンサ端子503aを構成する負極側コンデンサ端子504aと正極側コンデンサ端子506aとの間には、絶縁シート517の一部が設けられ、絶縁が確保されている。他のコンデンサ端子503b~503fも同様である。なお、本実施形態では、負極導体板505、正極導体板507、バッテリ負極側端子508、バッテリ負極側端子509、コンデンサ端子503a~503fは、一体に成形された金属製板で構成され、インダクタンス低減及び生産性の向上を図っている。コンデンサセル514は、積層導体板501の下方に複数個設けられる。本実施形態では、8つのコンデンサセル514が積層導体板501の長手方向の一方の辺に沿って一列に並べられ、かつさらに別の8つのコンデンサセル514が積層導体板501の長手方向の他方の辺に沿って一列に並べられ、合計16個のコンデンサセルが設けられる。積層導体板501の長手方向のそれぞれの辺に沿って並べられたコンデンサセル514は、図6に示される破線部AAを境に対称に並べられる。これにより、コンデンサセル514によって平滑化された直流電流をパワーモジュール300a~300c及びパワーモジュール301a~301cに供給する場合に、コンデンサ端子503a~503cとコンデンサ端子503d~503fとの間の電流バランスが均一化され、積層導体板501のインダクタンス低減を図ることができる。また、電流が積層導体板501にて局所的に流れることを防止できるので、熱バランスが均一化されて耐熱性も向上させることができる。また、バッテリ負極側端子508とバッテリ負極側端子509も、図6に示される点線AAを境にて対称に並べられる。同様に、コンデンサ端子503a~503cとコンデンサ端子503d~503fとの間の電流バランスが均一化されて積層導体板501のインダクタンス低減を図ることができ、かつ熱バランスが均一化されて耐熱性も向上させることができる。本実施形態のコンデンサセル514は、コンデンサモジュール500の蓄電部の単位構造体であり、片面にAlなどの金属を蒸着したフィルムを2枚積層し巻回して、2枚の金属の各々を正極、負極としたフィルムコンデンサを用いる。コンデンサセル514の電極は、巻回した軸面がそれぞれ、正極、負極電極となり、Snなどの導電体を吹き付けて製造される。セル端子516及びセル端子518は、正極電極及び負極電極に接続され、かつ積層導体板501の開口部を通ってコンデンサセル514配置側とは反対側まで延ばされ、正極導体板507及び負極導体板505とはんだあるいは溶接により接続される。コンデンサケース502は、コンデンサセル514を収納するための収納部511を備え、当該収納部511は上面及び下面が略長方形状を成す。収納部511の長手方向の一方の辺にはフランジ部515aが設けられ、他方の辺にはフランジ部515bが設けられる。フランジ部515aには、モジュールケース304の挿入口306から延びる各端子を貫通させるための貫通孔519a~519cが設けられる。同様に、フランジ部515bには、貫通孔519d~519fが設けられる。また、貫通孔519a~519fのそれぞれの側部には、コンデンサモジュール500を冷却ジャケット12に固定する固定手段を貫通させるための孔520a~520hが設けられる。パワーモジュールとの間に、孔520b、孔520c、孔520f、孔520gが設けられることで、パワーモジュールと流路19との気密性を向上させている。フランジ部515a及びフランジ部515bは、コンデンサケース502の軽量化と冷却ジャケット12への固定強度を向上させるために、ハニカム構造を成している。収納部511の底面部513は、円筒形のコンデンサセル514の表面形状に合わせるように、なめらかな凹凸形状若しくは波形形状を成している。これにより、積層導体板501とコンデンサセル514が接続されたモジュールをコンデンサケース502に位置決めさることが容易になる。また、積層導体板501とコンデンサセル514がコンデンサケース502に収納された後に、コンデンサ端子503a~503fとバッテリ負極側端子508及びバッテリ負極側端子509を除いて、積層導体板501が覆われるようにコンデンサケース502内に充填材図示せずが充填される。底面部513がコンデンサセル514の形状に合わせて波形形状となっていることにより、充填材がコンデンサケース502内に充填される際に、コンデンサセル514が所定位置からずれることを防止できる。また、コンデンサセル514は、スイッチング時のリップル電流により、内部のフィルム上に蒸着された金属薄膜、内部導体の電気抵抗により発熱する。そこで、コンデンサセル514の熱をコンデンサケース502に逃がし易くするために、コンデンサセル514を充填材でモールドする。さらに樹脂製の充填材を用いることにより、コンデンサセル514の耐湿も向上させることができる。さらに、本実施形態では、コンデンサモジュール500は、収納部511の長手方向の辺を形成する側壁が流路19に挟まれように配置されているので、コンデンサモジュール500を効率良く冷やすことができる。また、コンデンサセル514は、当該コンデンサセル514の電極面の一方が収納部511の長手方向の辺を形成する内壁と対向するように配置されている。これにより、フィルムの巻回軸の方向に熱が伝達し易いので、熱がコンデンサセル514の電極面を介してコンデンサケース502に逃げやすくなっている。図7aは、冷却ジャケット12にパワーモジュールとコンデンサモジュールとバスバーモジュールを組み付けた外観斜視図である。図7bは、図7aの破線囲み部の拡大図である。図7bに示されるように、直流負極端子315B、直流正極端子319b、交流端子321及び第2封止部601bは、コンデンサケース502の貫通孔519を通って、フランジ部515aの上方まで延びている。直流負極端子315b及び直流正極端子319bの電流経路の面積は、積層導体板501の電流経路の面積より非常に小さい。そのため、電流が積層導体板501から直流負極端子315b及び直流正極端子319bに流れる際には、電流経路の面積が大きく変化することになる。つまり、電流が直流負極端子315b及び直流正極端子319bに集中することになる。また、直流負極端子315b及び直流正極端子319bが積層導体板501を横切る方向に突出する場合、言い換えると、直流負極端子315b及び直流正極端子319bが積層導体板501とねじれの関係にある場合、新たな接続用導体が必要になり生産性低下やコスト増大の問題が生じる。そこで、本実施形態では、負極側コンデンサ端子504aは、積層導体板501から立ち上がっている立ち上がり部540と、当該立ち上がり部540と接続されかつU字状に屈曲した折返し部541と、当該折返し部541と接続されかつ立ち上がり部540とは反対側の面が直流負極端子319bの主面と対向する接続部542とにより構成される。また、正極側コンデンサ端子506aは、積層導体板501から立ち上がっている立ち上がり部543と、折返し部544と、当該折返し部544と接続されかつ立ち上がり部543とは反対側の面が直流正極端子315bの主面と対向する接続部545と、により構成される。特に、折返し部544は、立ち上がり部543と略直角に接続されかつ負極側コンデンサ端子504aと直流負極端子315bと直流正極端子319bの側部を跨ぐように構成される。さらに、立ち上がり部540の主面と立ち上がり部543の主面は絶縁シート517を介して対向する。同様に、折返し部541の主面と折返し部544の主面は絶縁シート517を介して対向する。これにより、コンデンサ端子503aが接続部542の直前まで絶縁シート517を介した積層構造を成すため、電流が集中する当該コンデンサ端子503aの配線インダクタンスを低減することができる。また、折返し部544が負極側コンデンサ端子504aと直流負極端子315bと直流正極端子319bの側部を跨ぐように構成される。さらに、直流正極端子319bの先端と接続部542の側辺とは溶接により接続され、同様に直流負極端子315bの先端と接続部545の側辺とは溶接により接続される。これにより、直流正極端子319b及び直流負極端子315bの溶接接続するための作業方向と折返し部544とが干渉することがなくなるので、低インダクタンスを図りながら生産性を向上させることができる。また、交流端子321の先端は交流バスバー802aの先端とは溶接により接続される。溶接をするための生産設備において、溶接機械を溶接対象に対して複数方向に可動出来るように作ることは、生産設備を複雑化させることにつながり生産性及びコスト的な観点から好ましくない。そこで、本実施形態では、交流端子321の溶接箇所と直流正極端子319bの溶接箇所は、冷却ジャケット12の長手方向の辺に沿って一直線状に配置される。これにより、溶接機械を一方向に可動する間に、複数の溶接を行うことができ、生産性が向上する。さらに、図4及び図7aに示されるように、複数のパワーモジュール300a~300cは、冷却ジャケット12の長手方向の辺に沿って一直線状に配置される。これにより、複数のパワーモジュール300a~300cを溶接する際に、更に生産性を向上させることができる。図8は、パワーモジュールとコンデンサモジュールを組み付けた冷却ジャケット12とバスバーモジュール800の分解斜視図である。図9は、保持部材803を除いたバスバーモジュール800の外観斜視図である。図8及び図9に示されるように、第1交流バスバー802a~802fは、電流センサ180a又は電流センサ180bの設置箇所まで、当該第1交流バスバー802a~802fの主面がコンデンサモジュール500の積層導体板501の主面と略垂直になるように形成される。また、第1交流バスバー802a~802fは、電流センサ180aの貫通孔又は電流センサ180bの貫通孔の直前で略直角に折り曲げられる。これにより、電流センサ180a又は電流センサ180bを貫通する第1交流バスバー802a~802fの部分は、その主面が積層導体板501の主面と略平行になる。そして、第1交流バスバー802a~802fの端部には、第2交流バスバー804a~804fと接続する為の接続部805a~805fが形成される接続部805d~805fは図示せず。第2交流バスバー804a~804fは、接続部805a~805fの近傍で、コンデンサモジュール500側に向かって略直角に折り曲げられる。これにより、第2交流バスバー804a~804fの主面がコンデンサモジュール500の積層導体板501の主面と略垂直になるように形成される。さらに第2交流バスバー804a~804fは、電流センサ180a又は電流センサ180bの近傍から、図9に示された冷却ジャケット12の短手方向の一方の辺12aに向かって延ばされ、当該辺12aを横切るように形成される。つまり、複数の第2交流バスバー804a~804fの主面が向かい合った状態で、当該第2交流バスバー804a~804fが辺12aを横切るように形成される。これにより、装置全体を大型化させることなく、冷却ジャケット12の短い辺側から複数の板状交流バスバーを外部に突出させることができる。そして、冷却ジャケット12の一面側から複数の交流バスバーを突出させることで、電力変換装置200の外部での配線の取り回しが容易になり、生産性が向上する。図8に示されるように、第1交流バスバー802a~802f、電流センサ180a~180b及び第2交流バスバー804a~804fは、樹脂で構成された保持部材803によって、保持及び絶縁されている。この保持部材803により、第2交流バスバー804a~804fが金属製の冷却ジャケット12及び筐体119との間の絶縁性を向上させる。また保持部材803が冷却ジャケット12に熱的に接触又は直接接触することにより、トランスミッション118側から第2交流バスバー804a~804fに伝わる熱を、冷却ジャケット12に逃がすことができるので、電流センサ180a~180bの信頼性を向上させることができる。図8に示されるように、保持部材803は、図2に示されたドライバ回路基板22を支持するための支持部材807a及び支持部材807bを設ける。支持部材807aは、複数設けられ、かつ冷却ジャケット12の長手方向の一方の辺に沿って一列に並べて形成される。また、支持部材807bは、複数設けられ、かつ冷却ジャケット12の長手方向の他方の辺に沿って一列に並べて形成される。支持部材807a及び支持部材807bの先端部には、ドライバ回路基板22を固定するための螺子穴が形成されている。さらに、保持部材803は、電流センサ180a及び電流センサ180bが配置された箇所から上方に向かって延びる突起部806a及び突起部806bを設ける。突起部806a及び突起部806bは、それぞれ電流センサ180a及び電流センサ180bを貫通するように構成される。図8に示されるように、電流センサ180a及び電流センサ180bは、ドライバ回路基板22の配置方向に向かって延びる信号線182a及び信号線182bを設ける。信号線182a及び信号線182bは、ドライバ回路基板22の配線パターンとはんだによって接合される。本実施形態では、保持部材803、支持部材807a~807b及び突起部806a~806bは、樹脂で一体に形成される。これにより、保持部材803が電流センサ180とドライバ回路基板22との位置決め機能を備えることになるので、信号線182aとドライバ回路基板22との間の組み付け及びはんだ接続作業が容易になる。また、電流センサ180とドライバ回路基板22を保持する機構を保持部材803に設けることで、電力変換装置全体としての部品点数を削減できる。本実施形態における電力変換装置200はトランスミッション118を収納した筐体119に固定されるので、トランスミッション118からの振動の影響を大きく受ける。そこで、保持部材803は、ドライバ回路基板22の中央部の近傍を指示するための支持部材808を設けて、ドライバ回路基板22に加わる振動の影響を低減している。なお、保持部材803は、冷却ジャケット12に螺子により固定される。また、保持部材803は、補機用パワーモジュール350の一方の端部を固定するためのブラケット809を設ける。また図4に示されるように、補機用パワーモジュール350は突出部407に配置されることにより、当該補機用パワーモジュール350の他方の端部が当該突出部407に固定される。これにより、補機用パワーモジュール350に加わる振動の影響を低減するとともに、固定用の部品点数を削減することができる。図10は、パワーモジュールとコンデンサモジュールとバスバーモジュール800と補機用パワーモジュール350を組み付けた冷却ジャケット12の外観斜視図である。電流センサ180は、約100°Cの耐熱温度以上に熱せられると破壊するおそれがある。特に車載用の電力変換装置では、使用される環境の温度が非常に高温になるため、電流センサ180を熱から保護することが重要になる。特に、本実施形態に係る電力変換装置200はトランスミッション118に搭載されるので、当該トランスミッション118から発せられる熱から保護することが重要になる。そこで、本実施形態では、電流センサ180a及び電流センサ180bは、冷却ジャケット12を挟んでトランスミッション118とは反対側に配置される。これにより、トランスミッション118が発する熱が電流センサに伝達し難くなり、電流センサの温度上昇を抑えられる。さらに、第2交流バスバー804a~804fは、図5に示された第3流路19cを流れる冷媒の流れ方向810を横切るように形成される。そして、電流センサ180a及び電流センサ180bは、第3流路部19cを横切る第2交流バスバー804a~804fの部分よりもパワーモジュールの交流端子321に近い側に配置される。これにより、第2交流バスバー804a~804fが冷媒によって間接的に冷却され、交流バスバーから電流センサ、更にはパワーモジュール内の半導体チップに伝わる熱を和らげることができるため、信頼性が向上する。図10に示される流れ方向811は、図5にて示された第4流路19dを流れる冷媒の流れ方向を示す。同様に、流れ方向812は、図5にて示された第2流路19bを流れる冷媒の流れ方向を示す。本実施形態に係る電流センサ180a及び電流センサ180bは、電力変換装置200の上方から投影したときに、電流センサ180a及び電流センサ180bの投影部が流路19の投影部に囲まれるように配置される。これにより電流センサをトランスミッション118からの熱から更に保護することができる。図11は、制御回路基板20と金属ベース板11を分離した電力変換装置200の分割斜視図である。図10にて示されたように、電流センサ180は、コンデンサモジュール500の上方に配置される。ドライバ回路基板22は、電流センサ180の上方に配置され、かつ図8に示されたバスバーモジュール800に設けられる支持部材807a及び807bによって支持される。金属ベース板11は、ドライバ回路基板22の上方に配置され、かつ冷却ジャケット12から立設された複数の支持部材15によって支持される。制御回路基板20は、金属ベース板11の上方に配置され、かつ金属ベース板11に固定される。電流センサ180とドライバ回路基板22と制御回路基板20が高さ方向に一列に階層的に配置され、かつ制御回路基板20が強電系のパワーモジュール300及び301から最も遠い場所に配置されるので、スイッチングノイズ等が混入することを抑制することができる。さらに、金属ベース板11は、グランドに電気的に接続された冷却ジャケット12に電気的に接続されている。この金属ベース板11によって、ドライバ回路基板22から制御回路基板20に混入するノイズを低減している。本実施形態においては、流路19に流れる冷媒の冷却対象が主に駆動用のパワーモジュール300及び301であるので、当該パワーモジュール300及び301は流路19内に収納されて直接と冷媒と接触して冷却される。一方、補機用パワーモジュール350も、駆動用パワーモジュールほどではないが冷却することが求められる。そこで、本実施形態では、補機用パワーモジュール350の金属ベースで形成された放熱面が、流路19を介して、入口配管13及び出口配管14と対向するように形成される。特に、補機用パワーモジュール350を固定する突出部407が入口配管13の上方に形成されているので、下方から流入する冷媒が突出部407の内壁に衝突して、効率良く補機用パワーモジュール350から熱を奪うことができる。さらに、突出部407の内部には、流路19と繋がる空間を形成している。この突出部407内部の空間によって、入口配管13及び出口配管14近傍の流路19の深さが大きくなっており、突出部407内部の空間に液溜りが生じることになる。この液溜りにより効率良く補機用パワーモジュール350を冷却することができる。電流センサ180とドライバ回路基板22を電気的に繋ぐ際に、配線コネクタを用いると接続工程の増大や、接続ミスの危険性を招くことになる。そこで、図11に示されるように、本実施形態のドライバ回路基板22には、当該ドライバ回路基板22を貫通する第1孔24及び第2孔26が形成される。また第1孔24にはパワーモジュール300の信号端子325U及び信号端子325Lが挿入され、信号端子325U及び信号端子325Lはドライバ回路基板22の配線パターンと半田により接合される。さらに第2孔26には電流センサ180の信号線182が挿入され、信号線182はドライバ回路基板22の配線パターンとはんだにより接合される。なお、冷却ジャケット12との対向面とは反対側のドライバ回路基板22の面側からはんだ接合が行われる。これにより、配線コネクタを用いることなく信号線が接続できるので生産性を向上させることができる。また、パワーモジュール300の信号端子325と電流センサ180の信号線182を、同一方向からはんだにより接合されることにより、生産性を更に向上させることができる。また、ドライバ回路基板22に、信号端子325を貫通させるための第1孔24や、信号線182を貫通させるための第2孔26をそれぞれ設けることにより接続ミスの危険性を少なくすることができる。また、ドライバ回路基板22は、冷却ジャケット12と対向する面側に、ドライバICチップ等の駆動回路図示せずを実装している。これにより、はんだ接合の熱がドライバICチップ等に伝わることを抑制して、はんだ接合によるドライバICチップ等の損傷を防止している。また、ドライバ回路基板22に搭載されているトランスのような高背部品が、コンデンサモジュール500とドライバ回路基板22との間の空間に配置されるので、電力変換装置200全体を低背化することが可能となる。図12は、図11のB面で切り取った電力変換装置200をC方向から見た断面図である。モジュールケース304に設けられたフランジ304Bは、コンデンサケース502に設けれたフランジ515a又はフランジ515bによって冷却ジャケット12に押し付けられる。つまり、コンデンサセル514を収納したコンデンサケース502の自重を利用して、冷却ジャケット12にモジュールケース304を押しつけることにより、流路19の気密性を向上させることができる。パワーモジュール300の冷却効率を向上させるために、流路19内の冷媒をフィン305が形成された領域に流すようにする必要がある。モジュールケース304は薄肉部304Aならびに304A’のスペースを確保するために、モジュールケース304の下部にはフィン305が形成されていない。そこで下カバー420は、モジュールケース304の下部が、当該下カバー420に形成された凹部430に勘合されるように形成される。これにより、冷却フィンが形成されていない空間に冷媒が流れ込むことを防止することができる。図12に示されるように、パワーモジュール300とコンデンサモジュール500とパワーモジュール301の配列方向は、制御回路基板20とドライバ回路基板22とトランスミッション118の配列方向を横切るように並べて配置されている。特に、パワーモジュール300とコンデンサモジュール500とパワーモジュール301は、電力変換装置200の中では、最下層に並べて配置されている。これにより、電力変換装置200全体の低背化が可能となるとともに、トランスミッション118からの振動の影響を低減することができる。[パワーモジュールの構造]図13は、図4に示したパワーモジュール300aの外観を示す斜視図である。図14は、図13のA-A断面図である。図15は、図13のB-B断面図である。以下では、パワーモジュール300aを例に説明するが、他のパワーモジュール300b~300c,301a~301cについてもパワーモジュール300aと同様の構造を有している。パワーモジュール300aは、図16に示した一組の上下アーム直列回路150を含む半導体素子ユニットを、放熱器としての機能を有するモジュールケース304に収納したものである。図16に示す上下アーム直列回路150は、図2に示した電力変換装置200の回路図に示した3組の上下アーム直列回路150の内の一つを示したものである。図2では回路素子を主に示しているが、図15では、回路素子に加えてパワーモジュール300aを構成する部材例えば、リードフレームなども示している。パワーモジュール300aは、図13に示すように、半導体素子ユニットが収納されたモジュールケース304の開口部から上部に突出するように、端子類直流正極端子315B、直流負極端子319B、信号端子325U、信号端子325Lが配置されている。信号端子325Uや信号端子325Lは、樹脂材料から成る補助モールド体600によって一体に成形されている。モジュールケース304は、Cu、Cu合金、Cu-C、Cu-CuOなどの複合材、あるいはAl、Al合金、AlSiC、Al-Cなどの複合材などから構成される。また、溶接など防水性の高い接合法で、あるいは鍛造、鋳造法などによりつなぎ目の無い状態で、ケース状に一体成形されている。モジュールケース304は、半導体素子ユニットを挿入する挿入口306以外に開口を設けていない扁平な缶構造をしている。挿入口306には、開口を囲むような形状のフランジ304Bが形成されている。扁平状のモジュールケース304は、図14に示すように枠部304A3と、枠部304A3を挟むように対向配置された一対の壁部304A1,304A2を備えている。壁部304A1には、分離した2つの厚肉放熱部307A,307Bと、それらの周囲を囲むように形成され、厚肉放熱部307A,307を枠部304A3に支持する支持壁3041が形成されている。後述するように、支持壁3041は変形されるため、変形が容易となるように薄肉構造となっている。図14は変形後の状態を示しており、支持壁3041は、枠部304A3から厚肉放熱部307A,307にかけてケース内側に窪むように変形している。一方、反対側の壁部304A2には、図14に示すように、一つの大きな厚肉放熱部307Cが支持壁3043によって枠部304A3に支持されている。厚肉放熱部307A,307B,307Cの外周面には複数のフィン305が均一に形成されている。モジュールケース304の形状は、正確な直方体である必要はなく、角が曲面を成していても良い。図12に示したように、このフランジ304Bと流路が形成された冷却ジャケット12との間にはシール1200によってシールされる。このような形状の金属性のケースを用いることで、モジュールケース304を水や油などの冷媒が流れる流路内に挿入しても、フランジ304Bの下面に設けられたシール1200により冷媒が封止されるため、冷却媒体がモジュールケース304の内部に侵入するのを簡易な構成で防ぐことができる。次に、ケーシング304内に収納される半導体素子ユニットについて、図16,17,18,19を用いて説明する。図17は、図16に示した上下アーム直列回路150を含む半導体素子ユニット3000の外観を示す斜視図である。図18は、半導体素子ユニット3000の分解斜視図である。前述したように、上下アーム直列回路150は、上アーム303aを構成するIGBT155およびダイオード156と、下アームを構成するIGBT157とダイオード158とを有している。IGBT155,157もダイオード156,158も、チップの表裏両面に電極が形成されている。図18に示すように、IGBT155のコレクタ電極とダイオード156のカソード電極は、金属接合材160によりリードフレーム直流正極導体板315に電気的に接続されている。一方、IGBT155のエミッタ電極とダイオード156のアノード電極は、金属接合材160によりリードフレーム第二交流導体板318に電気的に接続されている。このように、略平行に配置されたリードフレーム315とリードフレーム318との間にIGBT155およびダイオード156を配置し、IGBT155およびダイオード156の表裏両面に形成された電極を金属接合材160によりリードフレーム315,318に接合することにより、上アーム303aを構成する半導体素子ブロック3000Aが形成される。同様に、リードフレーム第一交流導体板316とリードフレーム直流負極導体板319とを略平行に配置する。そして、一方のリードフレーム316にIGBT157のコレクタ電極およびダイオード158のカソード電極を金属接合材160により電気的に接続し、他方のリードフレーム319にIGBT157のエミッタ電極およびダイオード158のアノード電極を金属接合材160により電気的に接続することで、下アーム303bを構成する半導体素子ブロック3000Bが形成される。その後、IGBT155、IGBT157の制御電極と信号端子325Uや信号端子325Lは、金属ワイヤ327図15参照により電気的に接続される。上アーム303aのリードフレーム318および下アーム303bのリードフレーム316には、側方に突出した中間電極329がそれぞれ形成されている。リードフレーム318の中間電極329とリードフレーム316の中間電極329とを金属接合材160により接続することで、上下アーム直列回路150が形成される。すなわち、各中間電極329の接続することにより、半導体素子ブロック3000Aと半導体素子ブロック3000Bとが図17のように並列配置された状態で接続された一体の半導体素子ユニット3000が形成される。リードフレーム315には上方に延びる直流正極配線315Aが一体に形成され、直流正極配線315Aの先端には直流正極端子315Bが形成されている。同様に、リードフレーム319には上方に延びる直流負極配線319Aが一体に形成され、直流負極配線319Aの先端には直流負極端子319Bが形成されている。また、第一交流電極リードフレーム316には上方に延びる交流配線320が一体で形成されており、交流配線320の先端には交流端子321が形成されている。リードフレーム材には、熱伝導率の高いCu、Cu合金やAl、Al合金等が用いられる。金属接合材160には、例えば、はんだ材、微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材、微細金属粒子を含んだ導電性接着剤等が用いられる。なお、図17では図示を省略したが、図15のパワーモジュール断面図に示すように、IGBT155,IGBT157の制御電極と信号端子325Uや信号端子325Lは、金属ワイヤ327例えば、AlやAu等の金属ワイヤにより電気的に接続される。また、リードフレーム318319は、IGBTおよびダイオードと対向する面に突起部322が形成されており、その突起部322の上にIGBTおよびダイオードは接合される。そのため、その後の工程で樹脂材料により封止された際に、図15に示すように、IGBTの制御電極やワイヤ327とエミッタ電極との間に樹脂材料が回り込み、それらの絶縁性が確保される。信号端子325Uおよび信号端子325Lは、樹脂材料から成る補助モールド体600によって一体に成形されている。交流配線320の一部も補助モールド体600によりモールドされており、それによって、信号端子325Uおよび信号端子325Lと交流配線320とは一体となっている。また、直流正極配線315Aと直流負極配線319Aとは、樹脂材料で成形された補助モールド体600を挟むような形で対向しており、略平行状態で上方に延びている。補助モールド体600に用いる樹脂材料は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂かあるいは熱可塑性樹脂が適している。これにより、直流正極配線315Aと直流負極配線319Aと信号端子325Uと信号端子325Lとの間の絶縁性を確保でき、高密度配線が可能となる。さらに、直流正極配線315Aと直流負極配線319Aとを略平行に対向するように配置したことにより、パワー半導体素子のスイッチング動作時に瞬間的に流れる電流が、対向してかつ逆方向に流れる。これにより、電流から発生する磁界が互いに相殺する作用をなし、この作用により低インダクタンス化が可能となる。ここで、低インダクタンス化が起こる作用について、図21,22を用いて説明する。図21において、下アーム側のダイオード158が順方向バイアス状態で導通している状態とする。この状態で、上アーム側IGBT155がON状態になると、下アーム側のダイオード158が逆方向バイアスとなりキャリア移動に起因するリカバリ電流が上下アームを貫通する。この時、各導体板リードフレーム315,316,318,319には、図22の破線で示すようなリカバリ電流360が流れる。このリカバリ電流は直流負極配線319Aと対向に配置された直流正極配線315Aを通り、続いて各リードフレーム315,316,318,319により形成されるループ形状の経路を流れ、再び直流正極配線315Aと対向に配置された直流負極配線319Aを介して実線に示すように流れる。ループ形状経路を電流が流れることによって、リードフレーム318,319が対向する壁部304A1およびリードフレーム315,316が対向する壁部304A2の内周面に渦電流361が流れる。この渦電流361の電流経路に等価回路362が発生する磁界相殺効果によって、ループ形状経路における配線インダクタンス363が低減する。なお、リカバリ電流360の電流経路がループ形状に近いほど、インダクタンス低減作用が増大する。本実施形態では、ループ形状の電流経路は点線で示す如く、リードフレーム315の直流正極端子315B側に近い経路を流れ、IGBT155およびダイオード156内を通る。そしてループ形状の電流経路は実線で示す如く、リードフレーム318の直流正極端子315B側より遠い経路を流れ、その後、点線で示す如くリードフレーム316の直流正極端子315B側より遠い経路を流れ、IGBT157およびダイオード158内を通る。さらにループ形状の電流経路は実線で示す如く、リードフレーム319の直流負極配線319A側に近い経路を流れる。このようにループ形状の電流経路が、直流正極端子315Bや直流負極端子319Bに対して、近い側や遠い側の経路を通ることで、よりループ形状に近い電流経路が形成される。図17に示す半導体素子ユニット3000は、ケース304に収納する前に、リードフレーム316,317,318,319の表面に図19に示すように絶縁シート333がそれぞれ接着される。その後、半導体素子ユニット3000をケース304の挿入口306に対して矢印の方向に挿入する。なお、図15に示すように、ケース304のフランジ304Bおよび補助モールド体600にはねじ固定用のねじ穴および貫通穴が形成されている。そのため、ビス309により補助モールド体600をフランジ304Bに固定することで、半導体素子ユニット3000をケース304内の所定位置に位置決めすることができ、組み立て性が向上を図ることができる。ここでは、ビス309により両者を固定するようにしたが、簡易的に位置決めできれば良いので、一方に凹部を形成し、その凹部に係合する凸部を他方に形成するようにしても良い。図20aは、ケース304内に挿入された半導体素子ユニット3000を示す図であり、図13のA-A断面を示したものである。なお、図20では、厚肉変形部307A~307Cの外周面に形成されているフィン305の図示を省略した。上アーム303aを構成する半導体素子ブロック3000Aと下アーム303bを構成する半導体素子ブロック3000Bとは、ケース304の収納空間3042内に並列配置される。半導体素子ブロック3000A,3000Bの図示下側のリードフレームは、絶縁シート333を介して壁部304A2に形成された厚肉放熱部307Cの内周面とそれぞれ対向している。一方、半導体素子ブロック3000Aの図示上側のリードフレームは、絶縁シート333を介して壁部304A1に形成された厚肉放熱部307Aの内周面と対向し、半導体素子ブロック3000Bの図示上側のリードフレームは、絶縁シート333を介して壁部304A1に形成された厚肉放熱部307Bの内周面と対向している。収納空間3042の厚さ方向寸法は、半導体素子ブロック3000A,3000Bの厚さ寸法よりも大きく設定されており、図20aに示す状態では、半導体素子ブロック3000A,3000Bと壁部304A1の内周面との間には隙間が形成されている。図20aのように半導体素子ユニット3000半導体素子ブロック3000A,3000Bをケース304内に収納したならば、図20bに示すように、厚肉放熱部307A,307Bをケース内側方向に加圧することにより、薄肉構造の支持壁3041を変形させて、厚肉放熱部307A,307Bの内周面を、対向する半導体素子ブロック3000A,3000Bの絶縁シート333に接着させる。これにより、リードフレーム315,316,318,319とケース304との絶縁性が確保される。さらに、収納空間3042の残りの空間は絶縁性の封止樹脂334よって封止され、各電極間ならびにケース304との絶縁性が確保される。絶縁シート333と封止樹脂334の厚さは、リードフレーム315とリードフレーム318間、およびリードフレーム316とリードフレーム319間にかかる電圧と封止樹脂の絶縁破壊電圧値から、耐電圧を確保するために必要な最小の距離が決まり、それによって決定される。なお、封止樹脂334を注入する方法としては、ポッティング法やトランスファーモールド法がある。封止樹脂334としては、例えばノボラック系、多官能系、ビフェニル系のエポキシ樹脂系を基とした樹脂やシリコーン樹脂を用いることができ、SiO2,Al2O3,AlN,BNなどのセラミクスやゲル、ゴムなどを含有させ、熱膨張係数をケース304とリードフレーム315,316,318,319に近づける。これにより、部材間の熱膨張係数差を低減でき、使用環境時の温度上昇にともない発生する熱応力が大幅に低下するため、パワーモジュールの寿命をのばすことが可能となる。一方、絶縁シート333を樹脂製とし、他の絶縁性材料であるセラミクスやガラスよりも柔軟性の高い層をとし、さらにリードフレームを封止樹脂334とともに覆うことにより、熱応力の発生を樹脂で吸収することができ、温度変化の激しい車両用の電力変換装置に使用するにあたって信頼性が向上する。半導体素子チップに導通した際に発生する熱は、チップ表面側からは、金属接合材160、リードフレーム318,319を伝わり絶縁シート333を介してケース304から放出され、チップ裏面側からは、金属接合材160、リードフレーム315,316を伝わり、絶縁シート333を介してケース304から放出される。絶縁シート333は樹脂成分であり、金属接合部160、リードフレーム315,316、モジュールケース304に比較して熱伝導率が低いために、パワーモジュール300の冷却性能は絶縁シート333の熱抵抗に大きく依存する。熱抵抗の大きさは、熱伝導率が低い材料の場合、10ミクロンメートルの厚さ変化でも大幅に変化するので、絶縁シート333の厚さ制御が最も重要となる。このように、本実施の形態では、複数の半導体素子ブロック3000A,3000Bに対応して独立した複数の厚肉放熱部302A,307Bを設け、それらの周囲に可撓性の支持壁3041を形成した。それにより、各厚肉放熱部302A,307Bを加圧して支持壁3041を形成させることで、厚肉放熱部302Aと半導体素子ブロック3000Aの絶縁シート333、厚肉放熱部302Bと半導体素子ブロック3000Bの絶縁シート333とを、個別に確実に接着させることができる。例えば、特許文献1に記載の技術では、ケースに設けられた一対の壁部のいずれにも、図20cに示す厚肉放熱部307Cと同様の厚肉部が形成されている。そのため、半導体素子ブロック3000Aと半導体素子ブロック3000Bの厚さ平行度が異なっていた場合、加圧時に絶縁シート333を変形させて、厚さばらつきや平行度の違いを吸収する必要がある。ところで、絶縁シート333の伝熱性能や絶縁性は、絶縁シート333の厚さにも依存する。そのため、複数の半導体素子ブロックの寸法ばらつきや平行度ばらつきを絶縁シート333の変形で吸収した場合、複数の半導体素子ブロックの間で絶縁シート333の伝熱性能や絶縁性がばらついてしまうことになる。また、寸法ばらつきや平行度ばらつきは半導体素子ブロック毎に異なるので、それに対処するためには絶縁シート333の厚さを余裕を持たせた寸法とする必要があり、熱伝導性や絶縁性のコントロールが難しくなる。また、従来の構造では、封止樹脂のガラス転移温度Tgよりも高い温度で絶縁シートを接着すると、封止樹脂とリードフレームとの熱膨張率の差により、レジンとリードフレームとの間に段差が生じたり剥離が生じたりという問題が生じるおそれがある。このような段差や剥離が生じると、絶縁性能の劣化を引き起こす。一方、本実施の形態では、各半導体素子ブロック3000A,3000Bのそれぞれに対応して、周囲を薄肉構造の支持壁3041で囲まれた厚肉放熱部307A,Bを分離して設けたので、半導体素子ブロック3000A,3000Bの厚さや平行度が異なっていても、絶縁シート333の厚さに合わせて厚肉放熱部307A,Bを各絶縁シート333に接着することが可能となる。その結果、各半導体素子ブロック3000A,3000Bの絶縁シート333の厚さを設計値通りに均一にすることができ、絶縁シート333の厚さを耐電圧が確保できる最小の厚さに設計できるとともに、容易に熱抵抗を低く抑えることができる。また、本実施の形態では、リードフレームおよびケース304に絶縁シート333を接着した後に、封止樹脂334を充填するようにしているので、上述したような絶縁シート接着時の温度影響を防止することができる。なお、図13に示す例では、壁部304A1に厚肉放熱部307A,307Bおよび支持壁3041を形成したが、反対側の壁部304A2にこれらを形成してもよい。さらに、壁部304A1,304A2の両方に厚肉放熱部307A,307Bおよび薄肉構造の支持壁3041を形成するようにしても良い。[変形例1]図23は、上述した実施形態のリードフレームと絶縁シートと封止樹脂の構造に関する変形例を示したものである。図23は上述した図14と同様の断面図であるが、図23では、中間電極329の部分を通る部分の断面を示したものである。図23に示すように、中間電極329は、上アーム301aを構成するリードフレーム316と下アーム301bを構成するリードフレーム318の連結部に相当する。この領域には発熱源であるチップ半導体素子が搭載されていないため、高放熱な絶縁シート333で接着する必要はなく、封止樹脂334で絶縁を確保すればよい。そこで、壁部304A1,304A2から遠ざかるように中間電極329を屈曲させ、絶縁シート333が設けられていない中間電極329と壁部304A1,304A2との隙間に、封止樹脂334が充填されやすい形態とした。その結果、ボイドが形成され難くなり、使用する封止樹脂334の種類やプロセス条件の自由度を増すことができる。さらに、絶縁シート333の形状を図19に示すような形状から矩形に変更することができ、組み立て性が向上する。なお、ここでは中間電極329を例に説明したが、例えばバスバーなど、チップ搭載面以外のリードフレームにも適用することができる。それらの箇所に曲げ、プレス加工などを施すことにより、ケース304との距離を増加させて絶縁シート333と接触しないようにすることで、封止樹脂334が充填しやすくなり組み立て性が向上する。[変形例2]リードフレーム315,316,318,319の端部では、電界集中が生じやすく、その他の領域に比較して高い絶縁特性が必要である。変形例2では、そのような電界集中を抑制する構造について説明する。図24に示す例では、リードフレーム315,316,318,319の端部に加工例えば、プレスやテーパーや曲げや切削加工などを施すことにより、リードフレーム端部とケース304の内周面との距離を増加させ、沿面距離の増加による絶縁信頼性の向上を図るようにした。図25aはリードフレーム319の端部の形状を説明する図である。左から順に3種類の形状を示した。破線は従来の形状を示したものであり、この破線で示す部分を切削加工やプレス加工によって加工することで、実線で示すようテーパ3190や段形状3191を有する形状としている。右側に示す形状では、テーパ3190と段形状とを組み合わせたものである。図24は、封止樹脂334を注入する前の状態を示しているが、リードフレーム端部の部分できた大きな隙間には封止樹脂334が充填される。リードフレーム端部では、その他の領域に比較して大きな熱応力が付与されるが、このような端部加工によって封止樹脂334との接触面積が増え、リードフレーム端部における封止樹脂334の剥離に対する耐性を向上させることができる。図26に示す例では、リードフレーム端部にテーパ3190を形成するとともに、リードフレーム端部とケース内周面との間における封止樹脂334の充填体積が増加するように、ケース304の内周面形状を変更している。図25bは、図26のリードフレーム316の端部の部分の拡大図である。ケース304の壁部304A2の内周面は、リードフレーム316に対向する領域が突出し、その突出部3044の端部にはテーパ3192が形成されている。このような形状とすることにより、リードフレーム端部とケース内周面との間における封止樹脂334の充填体積をさらに増加させることが可能となるとともに、封止樹脂334が充填しやすくなることで組み立て性の向上を図ることができる。また、本実施の形態の構造においては、チップ搭載前に、絶縁シート333とリードフレーム315,316,318,319との接着面の信頼性を向上する処理を行うことが可能である。その方法としては、例えば、サンドブラストなどの物理粗化、酸やアルカリ溶液を用いた化学エッチング法、陽極酸化法などがある。[変形例3]本実施の形態では、ケース304は水密構造となっているため、液状の表面処理を行うことが容易である。例えば、ヤング率の低いポリアミド樹脂を塗布することで、リードフレーム内面や側面、チップや金属接合部160との密着強度を向上できる。この際、ポリアミド樹脂がリードフレームの絶縁樹脂の接着面に付着すると、熱抵抗が大幅に増加するという問題があるが、本実施の形態では、絶縁シート333を接着した後にポリアミド樹脂335を注入しケース304を振動させることで、上記問題は解決し容易に処理することが可能となった。また、袋小路となっているモジュールケース304の底部では、他の部分に比較して封止される体積が大きく、封止樹脂334の硬化収縮により剥離応力が発生しやすい。そこで、ポリアミド樹脂335を注入しケース304を振動させた後、図27に示すようにケース304を垂直に保ってケース304の底部のポリアミド樹脂335を厚く形成し、ポリアミド樹脂335を乾燥させた後に、封止樹脂334を注入し硬化させる。ポリアミド樹脂335を注入した後にケース304を振動させることで、底部だけでなく、側面を含む全体にポリアミド樹脂335が付着する。このようにヤング率の低いポリアミド樹脂335を底部に配置することで、封止樹脂334の硬化収縮による応力を吸収することが可能となる。上述した実施の形態では、ケース304に一組の上下アーム303a,303bを収納する、すなわち、ケース304内に2つの半導体素子ブロック3000A,3000Bを収納する場合について説明した。しかしながら、ケース304内に収納する半導体素子ブロックの数は2つに限らない。図28~30は、ケース304に3つの半導体素子ブロックを挿入する場合を示している。この場合、図28の回路図に示すように、3つの上アームを並列に接続した構成のパワーモジュール300dと3つの下アームを並列に接続した構成のパワーモジュール300eとで、図2のインバータ回路144が構成される。図29はパワーモジュール300dを示したものであり、1つのリードフレーム315と3つのリードフレーム319、319’、319とが略平行に配置されている。リードフレーム315には、ダイオード156、156’、156のカソード電極がそれぞれ金属接合部160で電気的に接続されている。各リードフレーム319、319’、319には、対応するダイオード156、156’、156のアノード電極がそれぞれ金属接合部160で電気的に接続されている。また、リードフレーム315には、IGBT155、155’、155のコレクタ電極がそれぞれ金属接合部160で電気的に接続されている。各リードフレーム319、319’、319には、IGBT155、155’、155のエミッタ電極が金属接合部160により電気的に接続され図示せず、IGBT155、155’、155の信号端子325U、325U’、325Uは金属ワイヤ327により電気的に接続されている図示せず。リードフレーム315、319、319’、319はそれぞれ絶縁シート333を介してケース304に接合される。この場合、各リード319、319’、319を含むそれぞれのブロックが、それぞれ半導体素子ブロックを構成している。リードフレーム319、319’、319が接合される壁部304A1には、リードフレーム319、319’、319に対応して3つの厚肉放熱部3071~3073と、各厚肉放熱部3071~3073の周囲を囲む支持壁3041とが形成されている。一方、リードフレーム315が接合される壁部304A2には、リードフレーム315に対応して1つの厚肉放熱部3074が形成されている。このように、厚肉放熱部3071~3073の周囲を囲むように支持壁3041が形成されているので、各リードフレーム319、319’、319の傾き角度や絶縁シート333の厚さに合わせて厚肉放熱部3071~3073が接合可能となっている。リードフレーム315、319、319’、319間を含む残りの隙間空間は、封止樹脂334により封止され各導電部材間の絶縁性が確保される。図30はパワーモジュール300eを示したものであり、1つのリードフレーム318と3つのリードフレーム316、316’、316とが略平行に配置されている。各リードフレーム316、316’、316には、対応するダイオード158、158’、158のカソード電極がそれぞれ金属接合部160で電気的に接続されている。リードフレーム318には、ダイオード158、158’、158のアノード電極がそれぞれ金属接合部160で電気的に接続されている。また、リードフレーム316、316’、316には、IGBT157、157’、157のコレクタ電極がそれぞれ金属接合部160で電気的に接続されている。リードフレーム318には、IGBT157、157’、157のエミッタ電極が金属接合部160により電気的に接続されている図示せず。IGBT157、157’、157の信号端子325L、325L’、325Lは、金属ワイヤ327により電気的に接続されている図示せず。リードフレーム316、316’、316、318はそれぞれ絶縁シート333を介してケース304に接合される。この場合、各リードフレーム316、316’、316を含むそれぞれのブロックが、それぞれ半導体素子ブロックを構成している。リードフレーム316、316’、316が接合される壁部304A1には、リードフレーム316、316’、316に対応して3つの厚肉放熱部3071~3073と、各厚肉放熱部3071~3073の周囲を囲む支持壁3041とが形成されている。一方、リードフレーム318が接合される壁部304A2には、リードフレーム318に対応して1つの厚肉放熱部3074が形成されている。そのため、各リードフレーム316、316’、316の傾き角度や絶縁シート333の厚さに合わせて厚肉放熱部3071~3073が接合可能となっている。リードフレーム316、316’、316、318間を含む残りの隙間空間は、封止樹脂334により封止され各導電部材間の絶縁性が確保される。パワーモジュール300dでは、リードフレーム315、319、319’、319が、モジュール300eでは、リードフレーム318、316、316’、316がそれぞれのケース304から端子として外部に取り出され、リードフレーム316と319、316’と319’、316と319は、ケース外にて電気的に接続される。この接続により上下アーム直列回路が形成される。この場合、リードフレーム315とリードフレーム318とが1枚の平面で形成できるため、チップを搭載することが容易となる。また、ケース304も2つと減らすことができる。図31,32は、ケース304に6つの半導体素子ブロックを挿入する場合を示している。この場合には、図31に示すように合計6つの上下アームが1つのケース304に収納することで、1つのパワーモジュール300fを構成している。すなわち、上述した図13~17に示した上下アーム直列回路150に対応する半導体素子ユニットを、ケース内に3つ並列に配置した構造となっている。言い換えると、3つの半導体素子ユニットを構成する合計6つの半導体素子ブロックを、ケース304内に並列配置したものである。リードフレーム315と319間にIGBT155とダイオード156が、リードフレーム316と318間にIGBT157とダイオード158が金属接合部160を介して電気的に接続される。また、リードフレーム316と319間は金属接合部160を介して電気的に接続中間電極329され、上下アーム直列回路が形成される。同様に、リードフレーム315’と319’間にIGBT155’とダイオード156’が、リードフレーム316’と318’間にIGBT157’とダイオード158’が金属接合部160を介して電気的に接続される。また、リードフレーム316’と319’間は金属接合部160を介して電気的に接続中間電極329’され、上下アーム直列回路が形成され、リードフレーム315と319間にIGBT155とダイオード156が、リードフレーム316と318間にIGBT157とダイオード158が金属接合部160を介して電気的に接続される。また、リードフレーム316と319間は金属接合部160を介して電気的に接続中間電極329され、上下アーム直列回路が形成される。ケース304には、リードフレーム318、319、318’、319’、318、319に対向して厚肉放熱部3071~3076が形成され、リードフレーム316、315、316’、315’、316、315に対向して厚肉放熱部3077~3079が形成されている。さらに、各厚肉放熱部3071~3079の周囲を囲むように、支持壁3041が形成されている。そのため、各厚肉放熱部3071~3079は、接合される絶縁シート333の傾き角度や厚さに合わせて接合可能となっている。また、それらの隙間空間は、封止樹脂334により封止され各導電部材間の絶縁性が確保される。また、上下対称位置に支持壁3041が形成されている箇所があるので、封止樹脂334で封止する前に複数の厚肉放熱部が形成されている領域を全体的変形させることが可能であり、例えば、ケース304を略曲面状にすることができる。図31,32に示すパワーモジュールの場合には、ケース304を1つに減らすことができるとともに、上述のようにケース304がフレキシブルに折れ曲がることができるため、インバータの小型化を図ることができる。上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、各実施形態はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施形態での効果を単独あるいは相乗して奏することができるからである。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。"