相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン及び前記ゲートバスラインと概垂直方向に配置されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続された第1のTFTと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し、前記データバスラインから前記第1のTFTを介して表示電圧が印加される制御電極と、前記制御電極と容量結合した副画素電極と、前記第1のTFTに接続した副画素電極の間、又は一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスラインとの間、に前記第1のTFTが接続されたゲートバスラインとは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFTを有している液晶表示装置において、1画素内において、副画素電極と、隣接画素の副画素電極と等電位の配向制御電極とによって形成されるスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン及び前記ゲートバスラインと概垂直方向に配置されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続された第1のTFTと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し、前記データバスラインから前記第1のTFTを介して表示電圧が印加される制御電極と、前記制御電極と容量結合した副画素電極と、前記第1のTFTに接続した副画素電極の間、又は一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスラインとの間、に前記第1のTFTが接続されたゲートバスラインとは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFTを有している液晶表示装置において、1画素内において、副画素電極と、隣接画素の前記制御電極と等電位の配向制御電極とによって形成されるスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン及び前記ゲートバスラインと概垂直方向に配置されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続された第1のTFTと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し、前記データバスラインから前記第1のTFTを介して表示電圧が印加される制御電極と、前記制御電極と容量結合した副画素電極と、前記第1のTFTに接続した副画素電極の間、又は一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスラインとの間、に前記第1のTFTが接続されたゲートバスラインとは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFTを有している液晶表示装置において、画素電極の一部が、前記第2のTFTのソース電極に電気的に接続された電極部と当該画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを形成し、当該画素電極の一部が、当該画素画素電極の残りの部分とで形成されるスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。前記第2のTFTのドレイン電極と前記制御電極の延長部分が電気的に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記制御電極の延長部分は第1のTFTのゲート電極の周辺で、前記画素電極の外周に沿う形で配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記画素電極の一部が、前記第2のTFTのソース電極に電気的に接続された電極部と当該画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを形成し、当該画素電極の一部が、当該画素画素電極の残りの部分とで形成される前記スリットはデータバスラインに近い側が開放されていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。MVA方式では液晶分子に電圧を印加すると、スリットあるいは土手をきっかけに液晶分子が傾斜し、その傾斜が伝播することによって画素全体の液晶分子が所定の方向へ傾斜するよう設計されている。しかし、伝播距離が長いと配向方向が伝播してくる前に伝播方向とは異なる方向に倒れる液晶分子が現れ、全体の液晶分子の配向を乱す。各画素の角の部分は特に伝播距離が長くなり配向が乱れやすい。図3に従来例を示す。微細スリット46aは画素の角の部分にあって特に長い。そのため微細スリット46a上の液晶分子は所定の方向とは逆方向に倒れることがある。所定の方向に液晶分子が倒れた領域と所定とは逆方向に液晶分子が倒れた領域の境界は暗線となる。この暗線は全ての液晶分子が所定の方向に再配向しないと消えないが、それには数秒以上を要することがある。液晶表示装置の一部でこのような暗線の発生した画素があると、その画素のみが僅かに暗く感じられ、残像などの表示品位低下の原因となる。また、ゲートバスラインの電位はほとんどの時間は画素電極に比べて数ボルトから十数ボルト低い状態に置かれるため、ゲートバスラインと画素電極間に大きな電位差が水平方向に発生し、液晶配向かく乱要因の一つとなっている。先に述べた第2のTFT60と副画素Aのコンタクトホール64はゲートバスライン12の近傍に設けられるが、図3に示すようにコンタクトホール64を設けた部分は微細スリットを設けることができず線状突起42からも遠いため、所定の方向とは異なる方向に傾斜する液晶分子が多くなる。液晶分子が所定の方向とは異なる方向に傾斜すると、傾斜方向によっては暗領域が発生し、あるいは液晶分子が異なる方向に傾斜した領域どうしの境界が暗線となる。液晶分子が所定の方向に再配向し、これら暗領域や暗線が消滅するまで数秒程度を要することがあり、それが残像などの表示品位低下の原因になる。本発明の目的は、フローティング副画素を使用するハーフトーン法のMVA方式で焼付きを防止するためにTFTに直結する副画素とフローティング副画素の間に第2のTFT60を設けた液晶表示装置においてその配向を改善し表示品位を向上させることにある。図1に原理構成図第一の実施例でもあるを示す。相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン12及びデータバスライン14と、前記ゲートバスライン12及び前記データバスライン14に接続された第1のTFT20と、前記ゲートバスライン12及び前記データバスライン14により区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し前記データバスライン14から前記第1のTFT20を介して表示電圧が印加される制御電極とを有する。更に、前記TFT20が接続されたゲートバスライン12とは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFT60を有している。ここで、第2のTFT60は、前記制御電極と容量結合した副画素電極と一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスライン18aとの間を短絡させるか、あるいは、前記制御電極と容量結合した副画素電極と前記第1のTFT20に接続した副画素電極との間を短絡させる。そして、上記伝播距離が長いために液晶分子の配向乱れの原因になっていた各画素の角の部分に隣接する画素の制御電極を延長し配置した。図3における従来構造で微細スリット46aが存在していた場所に三角形状の配向制御電極65を配置した。配向制御電極65は、隣接画素の副画素A、Bの間に設けられた第2のTFT60のソース電極62と電気的に接続されている。配向制御電極65は画素電極17aとの間にスリット48を形成する。配向制御電極65の延長部66aはゲートバスライン12を横切りコンタクトホール64で画素電極17cと電気的に接続される。第一の作用は、液晶分子の傾斜が伝播する距離を短くして、所定の方向以外に液晶分子が傾斜することを防ぐ点である。図3における従来構造では、微細スリット46aがあるもの液晶分子の傾斜が伝播する距離が長いため配向が乱れていたが、本実施形態ではスリット48を形成したことにより液晶分子の傾斜が伝播する距離が短くなり、所定の方向以外に液晶分子が傾斜することがなくなり配向が安定する。第二の作用は、配向制御電極65は画素電極17aとの間の横電界によって得られる。ドット反転駆動を行うとき、共通電極41を基準電位とすると配向制御電極65と画素電極17aの電位は互いに逆極性の関係となる。従って、配向制御電極65と画素電極17aの間には常に少なくとも黒電圧の2倍以上の電位差を有する横電界が発生することになる。この横電界によってスリット48上の液晶分子は基板に対して垂直方向に立った状態を維持する。所定の方向とは異なる方向に液晶分子が傾斜してもその伝播はスリット48を超えることはない。液晶分子の傾斜が伝播するには、共通電極41と画素電極16、17の間に縦電界が生じて液晶分子が傾斜する力が加わらねばならないが、横電界中の液晶分子には傾斜する力が働かないため液晶分子が傾斜せず、従って傾斜方向も伝播し得ない。特に、ゲートバスラインは通常画素電極より数ボルトから十数ボルト低い電位であるため、ゲートバスライン近傍では所定の配向方向とは異なる方向に横電界が発生し液晶分子は所定の方向とは異なる方向へ傾斜するが、その伝播はスリット48で遮蔽され、画素電極17a上の液晶分子の配向は安定する。このように、上記の課題は、相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン及びデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続された第1のTFTと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し前記データバスラインから前記第1のTFTを介して表示電圧が印加される制御電極と、一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスラインとを有し、前記制御電極と容量結合した副画素電極と前記補助容量バスラインとの間、又は前記制御電極と容量結合した副画素電極と前記第1のTFTに接続した副画素電極との間に、前記TFTが接続されたゲートバスラインとは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFT60を有している液晶表示装置において、第2のTFT60と副画素電極の接続部を、上記伝播距離が長いために液晶分子の配向乱れの原因になっていた各画素の角の部分に設け、その接続部を形成する画素電極には当該接続部近傍にスリットを形成して配向制御機能を持たせることにより解決される。本発明によれば、良好な表示特性、特に残像のない良好な表示の得られる液晶表示装置を実現できる。第1の実施の形態本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置について図4、図5、及び図7を用いて説明する。図4は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図4に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン12及びドレインバスライン14と、画素毎に形成されたTFT及び画素電極とを備えたTFT基板2を有している。また、液晶表示装置は、TFT基板2に対向配置されてCFや共通電極が形成された対向基板4と、両基板2、4間に封止された例えば負の誘電率異方性を有する液晶6図4では図示せずとを備えている。TFT基板2及び対向基板4の液晶6との界面には、液晶6を垂直配向させる垂直配向膜図示せずが形成されている。図7に示すように、TFT基板2には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバICが実装されたゲートバスライン駆動回路80と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバICが実装されたドレインバスライン駆動回路82とが接続されている。これらの駆動回路80、82は、制御回路84から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。TFT基板2のTFT素子形成面と反対側の面には偏光板87が配置され、対向基板4の共通電極形成面と反対側の面には、偏光板87とクロスニコルに配置された偏光板86が配置されている。偏光板87のTFT基板2と反対側の面にはバックライトユニット88が配置されている。図4は、本実施の形態による液晶表示装置として、容量結合HT法を用いたMVA方式の液晶表示装置の1画素および上下の隣接する画素の一部分の構成を示している。図5は図4のX-X線で切断した液晶表示装置の断面構成と液晶分子の配向とを示している。図5に示すように、液晶表示装置のTFT基板2は、ガラス基板10上に形成され、図4中左右方向に延びる複数のゲートバスライン12と、絶縁膜30を介してゲートバスライン12に交差して形成され、図4中上下方向に延びる複数のドレインバスライン14とを有している。ゲートバスライン12及びドレインバスライン14の交差位置近傍には、スイッチング素子として画素毎に形成された第1のTFT20が配置されている。第1のTFT20のゲート電極23はゲートバスライン12に電気的に接続されている。ゲート電極23上には動作半導体層図示せずが形成され、動作半導体層上にはチャネル保護膜28が形成されている。チャネル保護膜28上には、棒状のソース電極22と、所定の間隙を介してソース電極22を囲むC字状のドレイン電極21とが形成されている。ドレイン電極21はドレインバスライン14に電気的に接続されている。ソース電極22上及びドレイン電極21上の基板全面には、保護膜31が形成されている。また、ゲートバスライン12及びドレインバスライン14により画定された画素領域を横切って、ゲートバスライン12に並列して延びる蓄積容量バスライン18が形成されている。蓄積容量バスライン18上には、絶縁膜30を介して蓄積容量電極19が画素毎に形成されている。蓄積容量電極19は、制御容量電極25を介して第1のTFT20のソース電極22に電気的に接続されている。蓄積容量バスライン18と蓄積容量電極19との間には、蓄積容量Csが形成される。画素領域は、副画素Aと副画素Bとを有している。副画素Aは例えば台形状の形状を有し、画素領域の中央部左寄りに配置されている。副画素Bは、画素領域のうち副画素Aの領域を除いた図4中上部、下部及び中央部右側端部に配置されている。副画素A、Bの配置は、蓄積容量バスライン18に対し1画素内でそれぞれほぼ線対称になっている。副画素Aには画素電極16が形成され、副画素Bには画素電極16から分離された画素電極17が形成されている。尚、図4では便宜上画素電極17を蓄積容量バスラインより下部を17a、蓄積容量バスラインより上部を17b、コンタクトホール24が形成される17cとしている。17aと17bは電気的に接続され、17bは15aと15bを介して17cと電気的に接続されている。特に断りがない限り、画素電極17とは17a、17b、17c全体をさすものとする。画素電極16、17は、例えば共に透明導電膜からなり互いに同層に形成されている。画素電極16は、蓄積容量電極19上の保護膜31が開口されたコンタクトホール24を介してTFT20のソース電極22に電気的に接続されている。一方、画素電極17は電気的にフローティング状態になっている。画素電極17は、保護膜31を介して制御容量電極25に対向する領域を画素領域の図4中上部および下部に有している。画素電極17は、当該領域に形成される制御容量部の制御容量Ccを介した容量結合により、ソース電極22に間接的に接続されている。画素電極16、17は、台形状の画素電極16の3辺を略くの字状に囲むスリット44、47によって互いに分離されている。スリット44は画素領域端部に対し斜めに延び、スリット47は画素領域右側端部に沿って延びている。スリット44は、液晶6の配向を規制する配向規制用構造物としても機能する。スリット44、47の幅は、画素電極16、17が電気的に短絡しないように十分に太くする必要がある例えば10μm以上。液晶6を介しTFT基板2に対向して配置された対向基板4は、ガラス基板11上に形成された共通電極対向電極41を有している。液晶6を介して対向する副画素Aの画素電極16と共通電極41との間には液晶容量Clc1が形成され、同様に副画素Bの画素電極17と共通電極41との間には液晶容量Clc2が形成される。共通電極41上には、スリット44に並列して画素領域端部に対して斜めに延び、配向規制用構造物として機能する土手状の線状突起樹脂構造物42が形成されている。スリット44及び線状突起42は、TFT基板2及び対向基板4を挟んで外側に配置される偏光板86、87の偏光軸に対して約45°の角度をなす方向に延びている。線状突起42は、ノボラック樹脂等のポジレジスト材料で形成されている。例えば線状突起42の高さは1.0μmであり、幅は10μmである。線状突起42は、液晶6の配向方位の異なる領域を副画素A、Bでそれぞれほぼ等分するために、副画素A、Bのそれぞれほぼ中央部に配置されている。また線状突起42は、蓄積容量バスライン18に対し1画素内でほぼ線対称に配置されている。これにより、副画素A、Bの液晶6は、1画素内で直交4方向にそれぞれほぼ均等に配向する。ソース電極22と蓄積容量電極19とを接続する制御容量電極25は、基板面に垂直に見て線状突起42に重なって配置されている。また、線状突起42と画素電極16、17の端部とが交差する領域近傍であって、基板面に垂直に見て線状突起42の延びる方向と画素電極16、17の端部とが鈍角をなす領域には、補助突起43が形成されている。補助突起43は例えば線状突起42と同層に形成され、ドレインバスライン14にほぼ平行に延びている。補助突起43は、画素電極16、17の端部近傍での電界の影響を打ち消すために設けられ、基板面に垂直に見て画素電極16、17の端部に重なって配置される。TFT20がオン状態になって画素電極16に電圧が印加され、副画素Aの液晶層に電圧Vpx1が印加されるとする。このとき、液晶容量Clc2と制御容量Ccとの容量比に従って電位が分割されるため、副画素Bの画素電極17には画素電極16とは異なる電圧が印加される。副画素Bの液晶層に印加される電圧Vpx2は、Vpx2=Cc/Clc2Cc×Vpx1となる。ここで、0<Cc/Clc2Cc<1であるため、Vpx1=Vpx2=0以外では|Vpx1|>|Vpx2|となる。このように、本実施の形態による液晶表示装置では、副画素Aの液晶層に印加される電圧Vpx1と、副画素Bの液晶層に印加される電圧Vpx2とを1画素内で互いに異ならせることができる。これにより、T-V特性の歪みが1画素内で分散されるため、斜め方向から見たときに画像の色が白っぽくなる現象を抑制でき、視角特性が改善される。配向改善のため、基板面に垂直に見て線状突起42に重なる領域の一部に、液晶6の配向ベクトルの特異点の位置を制御する特異点制御用の開口部50、51が形成されている。開口部50は副画素Bの画素電極17を部分的に除去して形成され、開口部51は副画素Aの画素電極16を部分的に除去して形成されている。例えば各開口部50、51の幅は約5μmであり、長さは約15μmである。開口部50、51の長手方向は、例えば線状突起42の延びる方向にほぼ直交している。開口部50は副画素Bに少なくとも1つ設けられ、開口部51は副画素Aに少なくとも1つ設けられる。また、副画素Bの焼付きの原因となる不要蓄積電荷を放電するため、第2のTFT60が設けられている。TFT60のゲート電極はゲートバスライン12が兼ねている。ゲート電極上には動作半導体層図示せずが形成され、動作半導体層上にはチャネル保護膜28が形成されている。チャネル保護膜28の上には、ソース電極62とドレイン電極63が形成されている。コンタクトホール64を介して副画素Bはソース電極62に電気的に接続され、制御容量電極25を延長した部分がドレイン電極63を構成する。第2のTFT60は、画素電極16、17各々に第1のTFT20によって所定の電圧が書き込まれる直前にONとなり、画素電極16と17が電気的に接続される。画素電極16には第1のTFT20によって所定の電圧が書き込まれるので、画素電極17に累積的に不要電荷が蓄積されることはなくなり焼付きが抑えられる。本実施の形態では、図3における従来構造で微細スリット46aが存在していた場所に三角形状の配向制御電極65を配置している。配向制御電極65は、隣接画素の副画素A、Bの間に設けられた第2のTFT60のソース電極62と電気的に接続されている。配向制御電極65は画素電極17aとの間にスリット48を形成する。配向制御電極65の延長部66aはゲートバスライン12を横切りコンタクトホール64で画素電極17cと電気的に接続される。この配向制御電極65には2つの点で液晶分子の配向を安定させる効果がある。第一の効果は、液晶分子の傾斜が伝播する距離を短くして、所定の方向以外に液晶分子が傾斜することを防ぐ点である。図3における従来構造では、微細スリット46aがあるもの液晶分子の傾斜が伝播する距離が長いため配向が乱れていたが、本実施形態ではスリット48を形成したことにより液晶分子の傾斜が伝播する距離が短くなり、所定の方向以外に液晶分子が傾斜することがなくなり配向が安定する。第二の効果は、配向制御電極65は画素電極17aとの間の横電界によって得られる。ドット反転駆動を行うとき、共通電極41を基準電位とすると配向制御電極65と画素電極17aの電位は互いに逆極性の関係となる。従って、配向制御電極65と画素電極17aの間には常に少なくとも黒電圧の2倍以上の電位差を有する横電界が発生することになる。この横電界によってスリット48上の液晶分子は基板に対して垂直方向に立った状態を維持する。所定の方向とは異なる方向に液晶分子が傾斜してもその伝播はスリット48を超えることはない。液晶分子の傾斜が伝播するには、共通電極41と画素電極16、17の間に縦電界が生じて液晶分子が傾斜する力が加わらねばならないが、横電界中の液晶分子には傾斜する力が働かないため液晶分子が傾斜せず、従って傾斜方向も伝播し得ない。特に、ゲートバスラインは通常画素電極より数ボルトから十数ボルト低い電位であるため、ゲートバスライン近傍では所定の配向方向とは異なる方向に横電界が発生し液晶分子は所定の方向とは異なる方向へ傾斜するが、その伝播はスリット48で遮蔽され、画素電極17a上の液晶分子の配向は安定する。本実施の形態では、コンタクトホール64を形成する画素電極17cと画素電極17bの間にスリット49を形成する。図3に示す従来画素では、コンタクトホール64部分は線状突起42からの距離が遠く、微細スリット46cが設けられていないことが原因で、液晶の傾斜方向は大きく乱れていたが、スリット49によって液晶分子の傾斜が伝播する距離を短くし、所定の方向以外に液晶分子が傾斜することを防いだ。また、コンタクトホール64近傍の液晶分子の配向の乱れの伝播をスリット49で防ぐことができる。本実施の形態では、制御容量電極25の延長部67はゲート電極23近傍で画素電極17b内部に画素電極17bの外形に沿う形で形成され、第2のTFT60のドレイン電極63に電気的に接続されている。制御容量電極25あるいは67は金属層で光を透過しないので、画素電極17内部に占める面積は小さいことが望ましい。一方、延長部67の近傍の画素電極17の端はゲート電極23の周辺を囲う形状をしているが、この部分が発生する電界は画素電極17b上で望まれる配向方向を実現する電界とは異なる方向である。したがって延長部67近傍では液晶分子の配向が乱れて暗線が発生する。従って、延長部67による輝度低下はほとんどない。本実施の形態では、ゲートバスライン12の配向制御電極65と画素電極17aに面する部分は凹凸がない。この効果は以下の通りである。ゲートバスライン12の凹凸に応じて液晶分子の配向が乱れるので、ゲートバスライン12はできるだけ単純な形状であることが望ましい。ところが、ゲート電極23を形成するためゲートバスライン12の幅を広げる必要があるので、ゲートバスライン12の一部分に凹凸が生じることは避けられない。一方、コンタクトホール64は一定以上例えば10ミクロンの大きさがあり、ゲートバスラインから離れるほど画素電極17bの面積が小さくな。そこで、コンタクトホール64の形成に必要な画素電極17cとデータバスライン12の凸部を組み合わせ、開口率低下を最小限に抑えると同時に、ゲートバスライン12の配向制御電極65に面する側を直線にすることで配向乱れを最小限に抑えることができる。第2の実施の形態次に、本発明の第2の実施の形態による液晶表示装置について図6を用いて説明する。図6は本実施の形態による液晶表示装置の1画素およびそれに隣接する上下の画素の1部分の構成を示している。図6に示すように、本実施の形態では第1の実施の形態図4参照とは異なり、制御容量電極25の延長部67の再延長部66bがゲートバスライン12をまたぎ、隣接画素にある配向制御電極65と電気的に接続されている。配向制御電極65は第2のTFT60のドレイン電極63と電気的に接続されている。一方、コンタクトホール64は第2のTFT60のソース電極62と電気的に接続されている。副画素A、Bは、第2のTFT60を駆動するゲートバスライン12がオフ電圧になる瞬間に、副画素A、B各々とゲートバスライン12の間の静電容量によって共に電位が低下する。その直後、副画素Aには第1のTFT20によって新たに電位が書き込まれ、第2のTFTを駆動するゲートバスライン12の影響はほとんどなくなるが、副画素Bには制御容量電極25を介した容量分割によって新たに電位が決められるのみであって、直前に低下した電位の情報が残る。そのため、副画素Bと第2のTFT60を駆動するゲートバスライン12の間の静電容量が大きいと、副画素Aと副画素B各々の電位の振幅中心のずれが大きくなり、フリッカーや焼付きといた表示品位低下の原因となる。そこで、本実施形態では、コンタクトホール64を直接第2のTFTのソース電極62に電気的に接続した。これにより延長部66aがゲートバスライン12と形成した静電容量がなくなり第2のTFTを駆動するゲートバスライン12と副画素Aの間の静電容量が最小となった。一方、延長部66bがゲートバスライン12との間に新たに静電容量を発生するが、延長部66bは副画素Bにつながるため電位低下は第1のTFTの書込みによってほとんど起きない。第3の実施の形態次に、本発明の第3の実施の形態による液晶表示装置について図8、図9を用いて説明する。本実施の形態では第1および第2の実施の形態とは異なり、画素電極17bと画素電極17cを接続する部分15bがなくなり、スリット49は片側が開放された形になっている。図8は図6のスリット49付近を拡大し、スリット49付近に発生する暗線を模式的に示した図、図9は図1のスリット49付近を拡大し、スリット49付近に発生する暗線を模式的に示した図である。図8に示す接続する部分15bが存在する画素電極形状では、暗線71a、71bがうねって画素電極16内部に入り、暗領域をも発生させていたが、図9に示す接続する部分15bが存在しないでは暗線71a、71bの形状が画素電極16に沿った単純な形になり、スリット49の内部に留まっている。その結果、配向の安定性が向上した。以上説明した本実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。付記1相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン及び前記ゲートバスラインと概垂直方向に配置されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続された第1のTFTと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し、前記データバスラインから前記第1のTFTを介して表示電圧が印加される制御電極と、前記制御電極と容量結合した副画素電極と、前記第1のTFTに接続した副画素電極の間、又は一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスラインとの間、に前記第1のTFTが接続されたゲートバスラインとは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFTを有している液晶表示装置において、1画素内において、副画素電極と、隣接画素の副画素電極と等電位の配向制御電極とによって形成されるスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。付記2相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン及び前記ゲートバスラインと概垂直方向に配置されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続された第1のTFTと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し、前記データバスラインから前記第1のTFTを介して表示電圧が印加される制御電極と、前記制御電極と容量結合した副画素電極と、前記第1のTFTに接続した副画素電極の間、又は一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスラインとの間、に前記第1のTFTが接続されたゲートバスラインとは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFTを有している液晶表示装置において、1画素内において、副画素電極と、隣接画素の前記制御電極と等電位の配向制御電極とによって形成されるスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。付記3相互に対向して配置された第1及び第2の基板と、前記第1及び第2の基板間に封入された液晶と、前記第1の基板に形成されたゲートバスライン及び前記ゲートバスラインと概垂直方向に配置されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続された第1のTFTと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより区画される画素領域内に形成された複数の副画素電極と、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも1つと容量結合し、前記データバスラインから前記第1のTFTを介して表示電圧が印加される制御電極と、前記制御電極と容量結合した副画素電極と、前記第1のTFTに接続した副画素電極の間、又は一定の電位に保持され前記制御電極との間で補助容量を構成する補助容量バスラインとの間、に前記第1のTFTが接続されたゲートバスラインとは別のゲートバスラインに流れる信号で駆動する第2のTFTを有している液晶表示装置において、画素電極の一部が、前記第2のTFTのソース電極に電気的に接続された電極部と当該画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを形成し、当該画素電極の一部が、当該画素画素電極の残りの部分とで形成されるスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。付記4前記第2のTFTのドレイン電極と前記制御電極の延長部分が電気的に接続されることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。付記5前記制御電極の延長部分は第1のTFTのゲート電極の周辺で、前記画素電極の外周に沿う形で配置されていることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。付記6前記画素電極の一部が、前記第2のTFTのソース電極に電気的に接続された電極部と当該画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを形成し、当該画素電極の一部が、当該画素画素電極の残りの部分とで形成される前記スリットはデータバスラインに近い側が開放されていることを特徴とする付記3乃至5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。