"圧力に応じて発振周波数が変化する振動子と、前記振動子を発振させ、前記圧力に対応する周波数の信号を出力する第1の発振回路と、ATカット水晶振動子と、前記ATカット水晶振動子を発振させ、基準クロック信号を出力する第2の発振回路と、前記第1の発振回路から出力された信号の周期に基づいたゲート期間における前記基準クロック信号をレシプロカルカウント方式にて計測する計測手段と、前記振動子または前記振動子の周囲の温度を検出する温度検出手段とを備え、前記計測手段の計測値の周波数温度特性には、前記ATカット水晶振動子の周波数温度特性と前記振動子の周波数温度特性とが加味されており、前記計測手段の周波数温度特性を補償する第1の補正値を求めるための第1の近似多項式の係数が記憶された記憶手段を備えることを特徴とする圧力検出装置。前記第1の補正値は、前記温度検出手段の検出結果および前記第1の近似多項式に基づいて求められた値であり、前記第1の補正値で前記計測手段の計測値を補正する第1の補正手段を備える請求項1に記載の圧力検出装置。前記記憶手段には、第2の近似多項式の係数が記憶されており、前記第2の近似多項式に基づき、前記第1の補正値で補正された前記計測値を更に補正する第2の補正手段を備え、前記第2の近似多項式は、前記第2の補正手段で補正された結果の値と、前記圧力とが比例関係を有するように、前記第1の補正値で補正された前記計測値を更に補正するためのものである請求項1または2に記載の圧力検出装置。前記第1の近似多項式の次数は、3次以上である請求項1ないし3のいずれかに記載の圧力検出装置。前記第2の近似多項式の次数は、3次以上である請求項1ないし4のいずれかに記載の圧力検出装置。前記ATカット水晶振動子は、密閉された空間に配置されている請求項1ないし5のいずれかに記載の圧力検出装置。前記振動子は、双音叉型振動子である請求項1ないし6のいずれかに記載の圧力検出装置。本発明の目的は、消費電力を低減し、圧力の測定精度を向上させることができる圧力検出装置を提供することにある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本発明の圧力検出装置は、圧力に応じて発振周波数が変化する振動子と、前記振動子を発振させ、前記圧力に対応する周波数の信号を出力する第1の発振回路と、ATカット水晶振動子と、前記ATカット水晶振動子を発振させ、基準クロック信号を出力する第2の発振回路と、前記第1の発振回路から出力された信号の周期に基づいたゲート期間における前記基準クロック信号をレシプロカルカウント方式にて計測する計測手段と、前記振動子または前記振動子の周囲の温度を検出する温度検出手段とを備え、前記計測手段の計測値の周波数温度特性には、前記ATカット水晶振動子の周波数温度特性と前記振動子の周波数温度特性とが加味されており、前記計測手段の周波数温度特性を補償する第1の補正値を求めるための第1の近似多項式の係数が記憶された記憶手段を備えることを特徴とする。これにより、振動子の周波数温度特性およびATカット水晶振動子の周波数温度特性の両方を補償することができるので、圧力の測定精度を向上させることができる。また、第1の近似多項式を用いて、振動子の周波数温度特性とATカット水晶振動子の周波数温度特性とを込みの状態で補償することができるので、振動子の周波数温度特性とATカット水晶振動子の周波数温度特性とをそれぞれ個別に補償する場合に比べて、演算処理や制御を簡素化することができる。また、基準クロック発振器として温度補償用ICを有するTCXOを用いる場合に比べて、消費電力を低くすることができる。また、ATカット水晶振動子は、音叉型振動子や双音叉型振動子に比べて発振周波数共振周波数が高く、そのATカット水晶振動子を発振させて基準クロック信号を生成し、レシプロカルカウント方式を用いて前記基準クロック信号をカウントし、圧力を求めるので、圧力の測定に要する時間を短縮することができる。また、圧力検出装置の外部から前記第1の近似多項式を読み出し、温度検出手段の検出結果に基づいて、計測手段の計測値の周波数温度特性の補正を外部で行うことが可能となるので、圧力検出装置の回路規模を小さくして消費電力を軽減することが可能になる。[適用例2]本発明の圧力検出装置では、前記第1の補正値は、前記温度検出手段の検出結果および前記第1の近似多項式に基づいて求められた値であり、前記第1の補正値で前記計測手段の計測値を補正する第1の補正手段を備えることが好ましい。これにより、圧力検出装置において計測手段の計測値の周波数温度特性の補正を行うことができる。[適用例3]本発明の圧力検出装置では、前記記憶手段には、第2の近似多項式の係数が記憶されており、前記第2の近似多項式に基づき、前記第1の補正値で補正された前記計測値を更に補正する第2の補正手段を備え、前記第2の近似多項式は、前記第2の補正手段で補正された結果の値と、前記圧力とが比例関係を有するように、前記第1の補正値で補正された前記計測値を更に補正するためのものであることが好ましい。これにより、振動子の圧力周波数特性を補償することができるので、測定精度をさらに向上させることができる。[適用例4]本発明の圧力検出装置では、前記第1の近似多項式の次数は、3次以上であることが好ましい。ATカット水晶振動子の周波数温度特性を示すグラフは3次曲線となるので、これにより、第1の近似多項式の次数を2次以下にする場合に比べて、測定精度を高くすることができる。[適用例5]本発明の圧力検出装置では、前記第2の近似多項式の次数は、3次以上であることが好ましい。これにより、第2の近似多項式の次数を2次以下にする場合に比べて、測定精度を高くすることができる。[適用例6]本発明の圧力検出装置では、前記ATカット水晶振動子は、密閉された空間に配置されていることが好ましい。これにより、ATカット水晶振動子への圧力変動による影響を防止することができ、測定精度を向上させることができる。[適用例7]本発明の圧力検出装置では、前記振動子は、双音叉型振動子であることが好ましい。これにより、圧力に対する周波数感度を高め、高精度な圧力検出装置とすることができる。以下、本発明の圧力検出装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。<第1実施形態>図1は、本発明の圧力検出装置を圧力センサーに適用した場合の第1実施形態を示す断面図、図2は、図1に示す圧力センサーのセンサーチップの平面図、図3は、図2に示すセンサーチップの断面図図2中A-A線断面図、図4は、図3に示すセンサーチップの圧電振動片層の平面図、図5は、図3に示すセンサーチップの双音叉型圧電振動片の斜視図、図6は、センサーチップの作動を説明する断面図、図7は、図1に示す圧力センサーの回路構成を示すブロック図、図8は、図1に示す圧力センサーにおけるレシプロカルカウント方式を説明するためのタイミングチャート、図9および図10は、それぞれ、図1に示す圧力センサーにおける基準クロック信号のカウント値の補正を説明するためのグラフ、図11は、図1に示す圧力センサーの制御動作を示すフローチャートである。なお、以下では、図1、図3、図7中の上側を上、下側を下として説明を行う図12および図13も同様。また、以下では、図1に示すように、圧力センサーの平面視にて、互いに直交する2つの軸をX軸およびY軸とし、X軸およびY軸のそれぞれの軸に直交する軸をZ軸とする。また、X軸に平行な方向をX軸方向と言い、Y軸に平行な方向をY軸方向と言い、Z軸に平行な方向をZ軸方向と言う他の図についても同様。X軸方向はセンサーチップの長手方向に一致し、Y軸方向はセンサーチップの短手方向と一致する。また、図1では、センサーチップ、ATカット水晶振動子およびICチップ等、一部は、摸式的に示されている図12および図13も同様。また、図1では、各ワイヤー、各配線、各電極および各端子等の図示は、省略されている図12および図13も同様。図1に示す圧力センサー圧力検出装置1は、圧力を検出するセンサー装置である。なお、本発明では、検出する圧力には、例えば、気体、液体流動体、紛体および固体等のそれぞれから加わる圧力や力が含まれる。図1に示すように、圧力センサー1は、パッケージ2と、パッケージ2内に収納されたセンサーチップセンサー素子3、ATカット水晶振動子厚みすべり振動子11およびICチップ12等を有している。以下、圧力センサー1が有する各構成について、順次詳細に説明する。パッケージ2の平面視形状XY平面における形状は、X軸方向を長手とする長方形である。なお、パッケージ2の平面視形状としては、これに限定されず、例えば円形、正方形、五角形以上の多角形、異形等であってもよい。パッケージ2は、ベース本体21とリッド蓋体22とを接合して構成されている。ベース21とリッド22との接合方法としては、特に限定されず、例えばエポキシ系の接着剤等を用いて接合することができる。その他、ベース21およびリッド22の構成材料等によっては、陽極接合や、直接接合等の各種接合方法を用いることもできる。ベース21は、平板状をなしており、ベース21の上側のその中央部には、凹部211が形成されている。この凹部211は、3段に形成されている。ベース21の構成材料としては特に限定されないが、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス等の各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ABS樹脂、エポキシ樹脂等の各種樹脂材料などの絶縁性材料であることが好ましい。これにより、優れた機械的強度を有するパッケージ2を得ることができる。また、ベース21に設けられた図示しない一対の電極を簡単に絶縁することができる。ベース21に形成された一対の電極導電部は、パッケージ2の内外を電気的に接続する機能を有している。この一対の電極を介してICチップ12と外部の装置等とを電気的に接続することができる。このような各電極の構成材料としては、実質的に導電性を有していれば特に限定されず、例えば、金、銀、銅、アルミニウムまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリフルオレンまたはこれらの誘導体等の電子導電性高分子材料、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート等のマトリックス樹脂中に、NaCl、CuCF3SO32等のイオン性物質を分散させたイオン導電性高分子材料、インジウム酸化物IO、インジウムスズ酸化物ITO、フッ素ドープ酸化スズFTO等の導電性酸化物材料のような各種導電性材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。リッド22は、平板状の上壁221と、上壁221の縁部から下方に向って立設する枠状の枠部222とを有し、箱状枡状をなしている。リッド22は、ベース21上に設けられており、ベース21により、リッド22の開口が塞がれている。これにより、ベース21およびリッド22の内壁で囲まれた空間キャビティS1が形成される。また、リッド22には、パッケージ2の内外、すなわち圧力センサー1の外部と空間S1とを連通する貫通孔223が形成されている。これにより、圧力センサー1の外部および空間S1の圧力を等しく保つことができる。リッド22の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス等の各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ABS樹脂、エポキシ樹脂等の各種樹脂材料や、鉄、銅、アルミニウム等の各種金属材料合金を含む等が挙げられる。また、ベース21の凹部211上には、シームリング14を介してリッド蓋体13が接合され、リッド13により、凹部211の開口が塞がれている。これにより、リッド13、シームリング14およびベース21の内壁で囲まれた空間キャビティS2が形成される。この空間S2は、密閉、すなわち、気密に封止されている。また、空間S2は、真空状態であるか、または空間S2に、ヘリウムガスが充填されていることが好ましい。この空間S2には、ATカット水晶振動子11およびICチップ12がそれぞれ収納されるので、これにより、ATカット水晶振動子11への圧力変動による影響を防止することができ、圧力の測定精度を向上させることができる。リッド13の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス等の各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ABS樹脂、エポキシ樹脂等の各種樹脂材料や、鉄、銅、アルミニウム等の各種金属材料合金を含む等が挙げられる。また、ベース21とシームリング14とリッド13との接合方法としては、特に限定されず、例えば、溶接等の各種接合方法を用いることができる。また、空間S2を真空状態とするには、例えば、真空状態真空の環境下でリッド13、シームリング14およびベース21を接合する方法や、ベース21に貫通孔をあけておき、常圧下でリッド13、シームリング14およびベース21を接合した後、前記貫通孔を介して空間S2を真空状態とし、貫通孔に充填物例えば金錫AuSnや金ゲルマAuGe等を充填し封止する方法などが挙げられる。なお、空間S2にヘリウムガスを充填する場合も同様である。また、ICチップ12は、パッケージ2内に搭載されている。具体的には、ICチップ12は、パッケージ2の空間S2に収納されており、接着剤43によってベース21の凹部211の底側から1段目の部位最も深い部位212に固定されている。接着剤43としては、ICチップ12をパッケージ2に接合することができれば特に限定されず、例えば、エポキシ系、ポリイミド系等の接着剤を用いることができる。また、ICチップ12には、センサーチップ3の感圧素子である後述する双音叉型圧電振動片双音叉型振動子8およびATカット水晶振動子11が、それぞれ、図示しないワイヤー等の配線により、電気的に接続されている。なお、ICチップ12については、後で詳述する。また、図1に示すように、ATカット水晶振動子11は、パッケージ2内に搭載されている。具体的には、ATカット水晶振動子11は、パッケージ2の空間S2にパッケージ2の内壁、ICチップ12、シームリング14およびリッド13等の他の部材と接触しないように収納されており、そのATカット水晶振動子11の端部は、接着剤42によってベース21の凹部211の底側から3段目の部位最も浅い部位213に固定されている。接着剤42としては、ATカット水晶振動子11をパッケージ2に接合することができれば特に限定されず、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、シリコーン系等の接着剤を用いることができる。このATカット水晶振動素子は、ICチップ12の発振回路102に電気的に接続されている。また、センサーチップ3は、感圧素子として、感圧部に生じる内部応力引張り応力や圧縮応力に応じて発振周波数共振周波数が変化する振動子である双音叉型圧電振動片双音叉型振動子8を有しており、パッケージ2内に搭載されている。具体的には、センサーチップ3は、パッケージ2の空間S1にパッケージ2の内壁およびリッド13と接触しないように収納されており、接着剤41によってリッド13に固定されている。接着剤41としては、センサーチップ3をパッケージ2に接合することができれば特に限定されず、例えば、エポキシ系、ポリイミド系等の接着剤を用いることができる。図2に示すように、センサーチップ3の平面視形状XY平面における形状は、X軸方向を長手とする長方形である。このような形状のセンサーチップ3は、その長手方向が、パッケージ2の長手方向と一致するようにパッケージ2内に載置されている。これにより、パッケージ2の空間S1を効率的に用いることができ、圧力センサー1の小型化を図ることができる。図3に示すように、センサーチップ3は、ダイヤフラム5と、圧電振動片層6と、基台7とを有しており、これらを図3中上側から順に積層することにより構成されている。また、センサーチップ3は、圧電振動片層6および基台7がダイヤフラム5からX軸方向に突出した突出部31を有している。ダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7は、それぞれ水晶で構成されている。このように、ダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7を互いに同一の材料で構成することにより、線膨張率の違いから生じる圧電振動片本体61の不本意な反りや撓みを抑制することができ、圧力の測定精度を向上させることができる。センサーチップ3の不本意な反りや撓み、およびこれらに起因するクラックの発生等を抑制することもできる。また、圧電振動片層6を水晶で構成することにより、優れた温度特性および振動特性を有するセンサーチップ3を得ることができる。ダイヤフラム5と圧電振動片層6および圧電振動片層6と基台7は、それぞれ、例えば低融点ガラスやエポキシ系の接着剤等を用いて接合されている。これにより、各部材を強固に接合することができる。また、これらを陽極接合や直接接合を用いて接合してもよい。ダイヤフラム5は、外部からの圧力図3では上方からの圧力を受けることにより変形する可撓性を有する薄肉部51と、この薄肉部51の周囲に形成された枠部52とを有している。すなわち、ダイヤフラム5は、その下面の縁部を除く中央部に開放する凹部を有し、底面が薄肉な箱状枡状をなしているとも言える。また、ダイヤフラム5は、薄肉部51の下面基台7側の面に形成された一対の支持部53、54を有している。一対の支持部53、54には、圧電振動片層6が有する後述する圧電振動片本体61双音叉型圧電振動片8が固定されている。このようなダイヤフラム5と対向して基台7が設けられている。基台7は、板状の基部71と、基部71の縁部から立設した枠部72とを有している。すなわち、基台7は、上面の縁部を除く中央部に開放する凹部を有する箱状枡状をなしているとも言える。そして、基台7に形成された前記凹部が、ダイヤフラム5に形成された前記凹部と対向することにより空間S3が形成され、この空間S3内に、双音叉型圧電振動片8が収納されている。空間S3は、真空状態であるのが好ましい。これにより、双音叉型圧電振動片8のCICrystalImpedance値を低下させ、周波数安定性を向上させることができる。空間S3を真空状態とするには、例えば、真空状態真空の環境下でダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7を接合する方法や、基台7に貫通孔をあけておき、常圧下でダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7を接合した後、前記貫通孔を介して空間S3を真空状態とし、貫通孔に充填物例えば金錫AuSnや金ゲルマAuGe等を充填し封止する方法などが挙げられる。このような基台7とダイヤフラム5に狭持されるように圧電振動片層6が設けられている。図4に示すように、圧電振動片層6は、圧電振動片本体61と、圧電振動片本体61の周囲を囲むように設けられた枠状の枠部62と、圧電振動片本体61と枠部62とを連結する4本の連結部631、632、633、634とを有している。圧電振動片本体61は、互いに離間して設けられた一対の基部611、612および基部611、612を連結する双音叉型の振動部613で構成されている。振動部613は、間隔を隔てて互いに平行にかつX軸方向に延在する長手形状の2本の振動ビーム柱状ビーム613a、613bを有している。このように2本の振動ビーム613a、613bを備えることにより、振動部613の振動漏れ等を抑制することができ、優れた分解能を発揮するセンサーチップ3を得ることができる。なお、振動ビームの数としては、本実施形態のような2本に限定されず、1本であっても、3本以上であってもよい。この圧電振動片本体61は、基部611、612でダイヤフラム5の支持部53、54に固定されている。基部611、612と支持部53との固定方法としては、特に限定されず、例えば低融点ガラスやエポキシ系の接着剤等を用いて接合することができる。枠部62は、圧電振動片本体61の周囲を囲むように設けられており、その内形および外形ともに矩形をなしている。4本の連結部631~634のうちの連結部631、632は、圧電振動片本体61の基部611と枠部62とを連結し、連結部633、634は、基部612と枠部62とを連結している。また、これら4本の連結部631~634は、それぞれ、Y軸方向に延在するように設けられている。なお、連結部の数や延在方向としては、圧電振動片本体61を枠部62に連結することができれば特に限定されず、例えば、各基部611、612に対して1本または3本以上の連結部が形成されていてもよい。以上、ダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7の構成形状について説明したが、これらの外形形状は、それぞれ、例えば、フォトリソグラフィ技法とドライエッチングやウエットエッチング等の各種エッチング法とを用いて一枚の水晶平板から形成することができる。圧電振動片本体61には、図5に示すような一対の励振電極91、92が形成されており、圧電振動片本体61と一対の励振電極91、92とで双音叉型圧電振動片8が構成されている。双音叉型圧電振動片8は、伸張圧縮応力に対する感度が良好であり、感圧素子としての分解能が優れている。そのため、このような双音叉型圧電振動片8を用いたセンサーチップ3は、優れた圧力検知能力を発揮することができる。一対の励振電極91、92は、双音叉型圧電振動片8の振動モードが双音叉型圧電振動片8の中心軸に対して対称なモードで振動するように配置されている。図5Aは、双音叉型圧電振動片8を基台7側から見た斜視図であり、図5B~Dは、それぞれ、双音叉型圧電振動片8の断面図である。図5A~Dに示すように、励振電極91は、振動ビーム613a、613b上に形成された複数の電極片911と、基部611に形成された引き出し電極912とを有しており、これらが電気的に接続されている。これと同様に、励振電極92も、振動ビーム613a、613b上に形成された複数の電極片921と、基部612に形成された引き出し電極922とを有し、これらが電気的に接続されている。なお、引き出し電極912、922は、それぞれ、圧電振動片層6の基台7側の面に形成されている。電極片911、921は、振動ビーム613a、613bの長手方向および周方向のそれぞれの方向について交互に位置するように形成されており、かつ、振動ビーム613aと振動ビーム613bとで配置が逆となるように形成されている。このような電極配置とすることにより、効率的に前述の振動モードで双音叉型圧電振動片8を振動させることができる。励振電極91は、連結部631および枠部62上に形成された配線を介して突出部31に形成された端子95に電気的に接続されている。端子95は、導電性を有するワイヤー97および図示しない配線によってICチップ12と電気的に接続されている。また、励振電極92は、連結部634および枠部62上に形成された配線を介して突出部31に形成された端子96に電気的に接続されている。端子96は、導電性を有するワイヤー98および図示しない配線によってICチップ12と電気的に接続されている。励振電極91、92、端子95、96および前記配線の構成材料としては、実質的に導電性を有していれば特に限定されず、例えば、前述したベース21に形成された一対の電極と同様の構成材料を用いることができる。圧力センサー1センサーチップ3は、図6aに示すような圧力がダイヤフラム5の受圧面に加わると、図6bに示すように、2つの支持部53、54の下面双音叉型圧電振動片8との接合面が拡開するようにダイヤフラム5の薄肉部51が撓む。薄肉部51の撓みによって、支持部53、54に固定された双音叉型圧電振動片8にも曲げ方向の力が加えられると共に、一対の支持部53、54の拡開に伴う引っ張り長手方向に向けた延びの力が加えられる。すなわち、双音叉型圧電振動片8に引張り応力伸長応力が生じる。双音叉型圧電振動片8は、振動部613の振動ビーム613a、613bに引っ張り応力が付与されると発振周波数共振周波数が高くなる特性を有しているため、圧力センサー1センサーチップ3に付与された圧力の大きさは、後述するように、双音叉型圧電振動片8の発振周波数を検出し、その発振周波数の検出値に基づいて導き出すことができる。なお、双音叉型圧電振動片8に圧縮応力が生じた場合は、双音叉型圧電振動片8の発振周波数は、減少する。ここで、圧力センサー1に付与された圧力の大きさは、前記発振周波数のみならず、その発振周波数と一定の関係を有する値、例えば、その発振における周期や、後述するゲート期間における基準クロック信号のカウンター104によるカウント値計測値等が挙げられる。なお、本実施形態では、前記カウント値に基づいて圧力を求めるようになっている。なお、感圧素子である振動子としては、双音叉型圧電振動片8に限定されず、圧力に応じて発振周波数共振周波数が変化する振動子、すなわち、引張り応力伸長応力、圧縮応力によって発振周波数が変化する振動子であればよく、その他、例えば、音叉型振動子、AT振動子やSAW共振子、等を用いることができる。次に、ICチップ12について説明する。図7に示すように、ICチップ12は、双音叉型圧電振動片8を発振させ、双音叉型圧電振動片8がダイヤフラムの受圧面で受圧した圧力に対応する周波数の信号を出力する発振回路第1の発振回路101と、ATカット水晶振動子11を発振させ、基準クロック信号を出力する発振回路第2の発振回路102と、ゲート期間を作成するゲート回路103と、カウンター104と、制御部制御手段105と、双音叉型圧電振動片8または双音叉型圧電振動片8の周囲の温度を検出する温度センサー温度検出手段106と、記憶部記憶手段107とを有している。この圧力センサー1では、圧力を測定検出する際は、発振回路101により、双音叉型圧電振動片8を励振する発振させとともに、発振回路101により、ATカット水晶振動子11を励振し発振させ、基準クロック信号を生成する。発振回路102から出力された信号以下、検出信号とも言うおよび発振回路102から出力された基準クロック信号は、それぞれ、ゲート回路103に入力される。なお、基準クロック信号の周波数は、既知である。ゲート回路103は、圧力測定圧力検出において、レシプロカルカウント方式により基準クロック信号をカウント計測するに当たり、ゲート期間を設定する。すなわち、検出信号は、ゲート回路103に入力され、ゲート回路103は、その検出信号の周期に基づいて、ゲート期間を設定し、そのゲート期間を示すタイミング信号をカウンター104に出力する。図8に示すように、このゲート期間は、検出信号の周期の複数倍複数周期分に設定される。基準クロック信号は、ゲート回路103に入力され、ゲート回路103からカウンター104に入力される。カウンター104は、圧力測定においてレシプロカルカウント方式によりゲート期間における基準クロック信号をカウント計測する図8参照。この基準クロック信号のカウント値計測値は、制御部105に入力される。なお、ゲート回路103およびカウンター104により、計測手段が構成される。制御部105は、例えば、CPU、ROM、RAM等を有するマイクロコンピューター等で構成され、圧力センサー1における各種の演算処理や圧力センサー1全体の制御等を行う。具体的には、制御部105は、圧力測定の際、ゲート期間における基準クロック信号のカウンター104によるカウント値以下、単に基準クロック信号のカウント値とも言うに基づいて、双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力を求める。この際は、後述する第1の近似多項式および第2の近似多項式を用いて、補正を行う。なお、制御部105により、圧力算出手段、第1の補正手段、第2の補正手段の主機能が達成される。温度センサー106は、双音叉型圧電振動片8または双音叉型圧電振動片8の周囲の温度を検出するものである。本実施形態では、この温度センサー106により、パッケージ2内の温度、すなわち、双音叉型圧電振動片8の周囲の温度を検出する。検出した温度の情報は、制御部105に入力され、前記補正において用いられる。記憶部107は、各種の情報、例えば、データ、演算式、テーブル、プログラム等が記憶される記憶媒体を有しており、この記憶媒体は、例えば、RAM等の揮発性メモリー、ROM等の不揮発性メモリー、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリー等の書き換え可能消去、書き換え可能な不揮発性メモリー等、各種半導体メモリーICメモリー等で構成される。この記憶部107には、後述する第1の近似多項式および第2の近似多項式等の圧力測定に用いる各演算式が記憶される。なお、第1の近似多項式および第2の近似多項式について、それぞれ、各係数を記憶するようにしてもよい。記憶部107における書き込み記憶、書き換え、消去、読み出し等の制御は、制御部105によりなされる。ここで、双音叉型圧電振動片8およびATカット水晶振動子11は、それぞれ、温度に応じてその発振周波数共振周波数が変化する周波数温度特性を有している。そこで、この圧力センサー1では、制御部105において、圧力測定の際は、双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性およびATカット水晶振動子11の周波数温度特性を補償するため、温度センサー106により検出された温度の検出値に基づいて、基準クロック信号のカウント値を補正する。この補正では、ATカット水晶振動子11の周波数温度特性および双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性を補償する、基準クロック信号のカウント値の第1の補正値と、双音叉型圧電振動片8の温度温度センサー106により検出された温度との関係を示す第1の近似多項式を用いる。すなわち、補正の際は、まず、温度センサー106により検出された温度に基づいて、第1の近似多項式により、第1の補正値を求め、第1の補正値により、前記基準クロック信号のカウント値を補正する。第1の近似多項式は、双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性のみでなく、ATカット水晶振動子11の周波数温度特性も加味したものであるので、双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性とATカット水晶振動子11の周波数温度特性とをそれぞれ個別に補償する場合に比べて、演算処理や制御を簡素化することができる。また、第1の近似多項式の次数は、特に限定されないが、3次以上であることが好ましく、4次以上であることがより好ましく、4~6次であることがさらに好ましい。その理由は、双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性を示すグラフは2次曲線となるので、第1の近似多項式の次数は、2次以上が好ましく、また、ATカット水晶振動子11の周波数温度特性を示すグラフは3次曲線となるので、第1の近似多項式の次数は、3以上が好ましく、この両者を考慮すると、第1の近似多項式の次数は、3次以上が好ましい。これにより、圧力の測定精度をさらに向上させることができる。第1の近似多項式の各係数は、予め、測定および計算で求められ、記憶部107に記憶される。なお、第1の近似多項式については、後で詳述する。また、双音叉型圧電振動片8センサーチップ3が受圧した圧力と、検出信号の周波数との関係双音叉型圧電振動片8の圧力周波数特性を示すグラフ、すなわち、双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力と、基準クロック信号のカウント値との関係を示すグラフは、直線にはならない。換言すれば、双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力と検出信号の周波数、すなわち、双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力と基準クロック信号のカウント値とは、比例関係を有していない。そこで、この圧力センサー1では、制御部105において、第2の近似多項式により前記第1の補正値で補正された基準クロック信号のカウント値を更に補正する双音叉型圧電振動片8の圧力周波数特性を補償する。この第2の近似多項式は、更に補正された基準クロック信号のカウント値と、双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力とが比例関係を有するように、前記第1の補正値で補正された基準クロック信号のカウント値を補正するためのものである。これにより、圧力の測定精度をさらに向上させることができる。この第2の近似多項式の各係数は、予め、測定および計算で求められ、記憶部107に記憶される。なお、第2の近似多項式については、後で詳述する。また、第2の近似多項式の次数は、特に限定されないが、3次以上であることが好ましく、4次以上であることがより好ましく、4~6次であることがさらに好ましい。その理由は、双音叉型圧電振動片8の圧力周波数特性には、2次の成分が含まれており、その2次の成分を除去するには、第2の近似多項式の次数は、2以上が好ましく、そして、より精度の高い補正を行うため、3次以上が好ましい。これにより、圧力の測定精度をさらに向上させることができる。次に、基準クロック信号のカウント値の補正について説明する。なお、ここでは、第1の近似多項式の次数および第2の近似多項式の次数がそれぞれ3次の場合について説明する。まず、検出信号の周波数fpと温度Tとの関係を示すグラフは、図9aのようになり、基準クロック信号の周波数fmclkと温度Tとの関係を示すグラフは、図9bのようになる。また、ゲート期間と温度Tとの関係を示すグラフは、図9cのようになり、基準クロック信号の周期と温度Tとの関係を示すグラフは、図9dのようになる。また、ゲート期間と温度Tとの関係を示すグラフと、基準クロック信号の周期と温度Tとの関係を示すグラフとを重ねると、図9eのようになる。また、基準クロック信号のカウント値Foutと温度Tとの関係を示すグラフは、図10fの実線で示される。このカウント値Foutは、第1の補正および第2の補正を行っていないものであり、双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力をP、温度をTとしたとき、下記1式で表わされる。Fout=eT3fT2gThΔP1なお、ΔPは、圧力に依存する項、hは、圧力および温度に依存しない項、eT3fT3gT3の各項は、それぞれ、温度に依存する項であり、e、f、gは、それぞれ、係数である。第1の近似多項式fTは、カウント値Foutから、eT3fT2gTの各項に相当する値を差し引くために用いるものであり、グラフ上に表わすと、図10fの破線で示される。この第1の近似多項式fTは、下記2式で表わされる。fT=-eT3-fT2-gT2また、カウント値Foutを第1の補正値で補正してなるカウント値Foutαを表す式は、1式に2式を加算してなるhΔPであり、グラフ上に表わすと、図10fの一点鎖線で示される。なお、前記2式の各係数e、f、g、hは、それぞれ、各圧力センサー1毎に、予め、測定および計算で求め、記憶部107に記憶する。各係数e、f、g、hは、例えば、下記のようにして求めることができる。まず、一定の圧力下で、温度を4点以上振り、それぞれ、カウント値Foutを測定する。そして、各温度と、各カウント値Foutと、1式とを用いて、例えば、最小2乗法等により、2式の各係数e、f、g、hをそれぞれ求める。また、カウント値Foutαと圧力Pとの関係を示すグラフは、図10gの実線で示される。このカウント値Foutαは、第1の補正値による第1の補正を行い、第2の補正を行っていないものであり、双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力をPとしたとき、下記3式で表わされる。Foutα=hΔP3ここで、カウント値Foutαには圧力依存項ΔPが含まれている。そこで、以下の第2の近似多項式を用いてカウント値Foutαを更に補正したFoutβを求める。Foutβ=kFoutα3lFoutα2mFoutαn4但し、k、l、m、n:補正定数なお、このFoutβと双音叉型圧電振動片8が受圧した圧力Pとの間に比例関係を持たせることを目的として4式を導入している。次に、下記5式により、4式で求めたFoutβを圧力に換算する。P=qFoutβ5但し、q:変換定数。4式第2の近似多項式は、カウント値Foutαの圧力Pに対する特性の直線性を改善するために用いるものであり、グラフ上に表わすと、図10gの一点鎖線に相当する。なお、前記4式の各係数k、l、mおよび定数nは、それぞれ、各圧力センサー1毎に、予め、測定および計算で求め、記憶部107に記憶する。各係数k、l、mおよび定数nは、例えば、下記のようにして求めることができる。まず、一定の温度下で、圧力を4点以上振り、それぞれ、カウント値Foutを測定する。そして、カウント値Foutαを求め、各圧力と、各カウント値Foutαと、4式とを用いて、例えば、最小2乗法等により、前記4式の各係数k、l、mおよび定数nをそれぞれ求める。次に、図11に示すフローチャートに基づいて、圧力センサー1が圧力を検出する際の作用について説明する。なお、ここでは、第1の近似多項式の次数および第2の近似多項式の次数がそれぞれ3次の場合について説明する。まず、カウンター104により、ゲート期間における基準クロック信号をカウントし、そのカウント値Foutを求めるステップS101。次いで、温度センサー106により、双音叉型圧電振動片8の周囲の温度を検出するステップS102。なお、ステップS101とステップS102とは、いずれを先に実行してもよい。次いで、第1の補正値を求め、その第1の補正値で、基準クロック信号のカウント値Foutを補正するステップS103。このステップS103では、まず、前記2式に検出した温度を代入し、第1の補正値を求める。そして、カウント値Foutに第1の補正値を加算する。これにより、カウント値Foutを第1の補正値で補正してなるカウント値Foutαが得られる。次いで、ステップS104で求めたカウント値Foutαを第2の近似多項式で補正するステップS104。このステップS104では、まず、前記4式にステップS103で求めたカウント値Foutαを代入し、Foutβを求める。次いで、前記5式にカウント値Foutβを代入し、圧力Pを求めるステップS105。以上説明したように、この圧力センサー1によれば、双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性およびATカット水晶振動子11の周波数温度特性の両方を補償することができるので、圧力の測定精度を向上させることができる。また、第1の近似多項式を用いて、双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性とATカット水晶振動子11の周波数温度特性とを込みの状態で補償することができるので、双音叉型圧電振動片8の周波数温度特性とATカット水晶振動子11の周波数温度特性とをそれぞれ個別に補償する場合に比べて、演算処理や制御を簡素化することができる。また、基準クロック発振器として温度補償用ICを有するTCXOを用いる場合に比べて、消費電力を低くすることができる。また、ATカット水晶振動子11は、音叉型振動子や双音叉型振動子に比べて発振周波数共振周波数が高く、そのATカット水晶振動子11を発振させて基準クロック信号を生成し、レシプロカルカウント方式を用いて前記基準クロック信号をカウントし、圧力を求めるので、圧力の測定に要する時間を短縮することができる。なお、レシプロカルカウント方式における基準クロック信号の発生源として、音叉型振動子や双音叉型振動子を用いる場合は、信号を逓倍化する回路が必要であり、その場合は、その回路を作動させる電力が必要となり、消費電力が増大する。これに対し、この圧力センサー1では、比較的周波数が高いATカット水晶振動子11を用いるので、信号を逓倍化する回路は不要であり、これにより、消費電力を低減することができる。なお、圧力Pの算出方法は、前記の方法には限定されず、例えば、下記のようにして行ってもよい。すなわち、前記1式から、直接、周波数温度特性および圧力周波数特性を補償していない状態の圧力Paの換算式を求め、求めた圧力Paの換算式から、2次および3次の項をキャンセルするように補正を行うようにしてもよい。なお、下記6式は、周波数温度特性を補償した状態の圧力Pbの換算式であり、7式は、周波数温度特性および圧力周波数特性を補償した状態の圧力Pの換算式である。Pb=h1k1Fout3l1Fout2m1Fout6P=h1m1Fout7なお、以上説明した実施形態においては,ICチップ12に制御部105、記憶部107が内蔵され、カウンター104のカウント値Foutの補正と圧力の算出を圧力センサー1の内部で実行するものとして説明したが、本願発明にあってはこれに限らず。カウンター104のカウント値Foutの補正と圧力の算出の処理を圧力センサー1の外部で実行するようにしても良い。例えば、制御部105の機能の一部補正と圧力の算出と記憶部107を外部装置側に備えるようにして、カウンター104のカウント値Foutの補正と圧力の算出を外部装置側において実行するようにしても良い。或いは、制御部105の機能の一部補正と圧力の算出を外部装置側に備えさせ、ICチップ12側に記憶部107を備えるようにしても良い。すなわち、記憶部107に記憶された第1の近似多項式の係数、或いは第1の近似多項式及び第2の近似多項式の係数を外部装置側から読み出し、外部装置側でカウンター104のカウント値Foutの補正と圧力の算出を実行するようにしても良い。このようにすれば、圧力センサー1内部において補正と圧力の算出を行うための処理回路が不要になり、ICチップ12の回路規模が小さくなり消費電力も軽減され、コストダウンを図ることが可能になる。<第2実施形態>図12は、本発明の圧力検出装置を圧力センサーに適用した場合の第2実施形態を示す断面図である。以下、第2実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図12に示すように、第2実施形態の圧力センサー1では、ベース21の下側のその中央部に、凹部211が形成されている。また、ベース21の凹部211の底側から3段目の部位213には、シームリング16を介してリッド蓋体15が接合され、リッド15により、凹部211の開口が塞がれている。これにより、リッド15、シームリング16およびベース21の内壁で囲まれた空間キャビティS4が形成される。この空間S4は、第1実施形態における空間S2と同様に、密閉、すなわち、気密に封止されている。また、空間S4は、真空状態であるか、または空間S4に、ヘリウムガスが充填されていることが好ましい。リッド15の構成材料としては、特に限定されず、例えば、第1実施形態におけるリッド13と同様の構成材料を用いることができる。また、ICチップ12は、パッケージ2内に搭載されている。具体的には、ICチップ12は、パッケージ2の空間S4に収納されており、接着剤43によってベース21の凹部211の底側から1段目の部位212に固定されている。また、ATカット水晶振動子11は、パッケージ2内に搭載されている。具体的には、ATカット水晶振動子11は、パッケージ2の空間S4にパッケージ2の内壁、ICチップ12、シームリング16およびリッド15等の他の部材と接触しないように収納されており、そのATカット水晶振動子11の端部は、接着剤44によってベース21の凹部211の底側から2段目の部位214に固定されている。接着剤44としては、ATカット水晶振動子11をパッケージ2に接合することができれば特に限定されず、例えば、第1実施形態における接着剤42と同様のものを用いることができる。また、センサーチップ3は、パッケージ2内に搭載されている。具体的には、センサーチップ3は、パッケージ2の空間S1にパッケージ2の内壁と接触しないように収納されており、接着剤41によってベース21に固定されている。以上のような第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。<第3実施形態>図13は、本発明の圧力検出装置を圧力センサーに適用した場合の第3実施形態を示す断面図である。以下、第3実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。図13に示すように、第3実施形態の圧力押圧力センサー1bは、圧力センサー本体10bと、その圧力センサー本体10bを収納するパッケージ第2のパッケージ20とを有している。圧力センサー本体10bの構造は、前述した第1実施形形態の圧力センサー1の構造と同様である。また、制御については、圧力センサー1は、気圧を求めるものであるのに対し、圧力センサー本体10bは、最終的には、パッケージ20に加わる力押圧力を求めるものである点が異なっている。また、パッケージ20は、ベース本体201と、変形可能なリッド蓋体202とを接合して構成され、パッケージ20内は、密閉気密に封止されている。圧力センサー1bは、パッケージ20内の底壁に固定されている。また、圧力センサー本体10bの側部および上部と、パッケージ20との間には、それぞれ、隙間が形成されている。特に、圧力センサー本体10bの上部とパッケージ20との間に隙間が形成さていることにより、測定の際、パッケージ20の上部が押圧されたとき、そのパッケージ20の上部が圧力センサー本体10bの上部に当接してしまうことを防止することができ、測定精度の低下を防止することができる。次に、圧力センサー1bの作用について説明する。まず、例えば、手指等で圧力センサー1bのパッケージ20のリッド202の上壁203が下方に押圧されると、そのパッケージ20のリッド202の上壁203は、下方が凸となるように湾曲し、パッケージ20内の圧力が上昇する。圧力センサー本体10bにおいては、前述した圧力センサー1と同様にして、各補正を行って、パッケージ20内の圧力を求め、その圧力に基づいて、パッケージ20のリッドを押圧した押圧力を求める。なお、前記パッケージ20内の圧力と押圧力との関係を示す検量線例えば、演算式、テーブル等は、予め、実験的に求められ、記憶部107に記憶されている。以上のような第3実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。なお、パッケージ2のリッド22およびパッケージ20を省略し、例えば、手指等で、直接、ダイヤフラム5が押圧されるように構成してもよい。また、第3実施形態は、第2実施形態にも適用することができる。以上、本発明の圧力検出装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成特徴を組み合わせたものであってもよい。"