"集積回路基板の、一主面側に回路パターンが形成され、他主面側に圧電振動素子が蓋体で気密封止された圧電振動デバイスであって、前記回路パターンから前記他主面側までを貫く貫通孔の、少なくとも内壁面に導電膜が被着された中空状の貫通電極を備え、前記貫通電極の少なくとも一端側に金属バンプが配されるとともに、前記一端側から前記貫通電極の内部に前記金属バンプの一部が埋没した状態で、前記圧電振動素子が前記金属バンプと接合されていることを特徴とする圧電振動デバイス。前記金属バンプが軟質金属からなることを特徴とする請求項1に記載の圧電振動デバイス。前記圧電振動素子が前記金属バンプ上に導電性の樹脂を介して接合されていることを特徴とする請求項1乃至2に記載の圧電振動デバイス。集積回路基板の、一主面側に回路パターンが形成され、他主面側に圧電振動素子が蓋体で気密封止された圧電振動デバイスの製造方法であって、前記回路パターンから前記他主面側までを貫く貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、少なくとも前記貫通孔の内壁面に導電膜が被着された中空状の貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記貫通電極の少なくとも一端側に金属バンプを配するバンプ形成工程と、前記一端側から前記貫通電極の内部に前記金属バンプの一部が埋没した状態で前記圧電振動素子を前記金属バンプと接合する圧電振動素子接合工程とを有することを特徴とする圧電振動デバイスの製造方法。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、小型化に対応するとともに接合信頼性が高い貫通電極を有する圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。上記目的を達成するために本発明は、集積回路基板の、一主面側に回路パターンが形成され、他主面側に圧電振動素子が蓋体で気密封止された圧電振動デバイスであって、前記回路パターンから前記他主面側までを貫く貫通孔の、少なくとも内壁面に導電膜が被着された中空状の貫通電極を備え、前記貫通電極の少なくとも一端側に金属バンプが配されるとともに、前記一端側から前記貫通電極の内部に前記金属バンプの一部が埋没した状態で、前記圧電振動素子が前記金属バンプと接合された圧電振動デバイスとなっている。前記構成によれば、圧電振動デバイスのパッケージと圧電振動素子との接合強度を向上させることができる。具体的に本発明の貫通電極は貫通孔の内壁面に導電膜が被着された中空構造となっている。このような構造により、金属バンプ金属突起を超音波による金属拡散によって貫通電極の一端側と接合する場合、金属バンプの一部が前記貫通電極の開口部分から貫通孔の内部に埋没するため、当該埋没部分が外部応力に対して楔のように機能するいわゆるアンカー効果。このように貫通電極の一端側と接合された金属バンプを圧電振動素子と接合することにより、落下等によって圧電振動デバイスに大きな外部衝撃が加わった場合であっても、金属バンプとパッケージとの十分な接合強度を確保することができる。また、充填構造の貫通電極の場合、熱ストレスが加わった際に貫通孔内の充填材料と貫通孔内壁との間に空隙いわゆるボイドが発生することがある。さらにアスペクト比貫通孔の直径に対する貫通孔の深さの比が大きい貫通孔の場合は、貫通孔の内部に確実に充填材料を充填することが困難になってくる。これに対し、本発明における貫通電極は中空状であるため高アスペクト比の貫通孔であっても、貫通孔内部を完全充填する必要が無いため、前述の空隙や充填の不具合の発生を防止することができる。さらに本発明における貫通電極は貫通孔内壁面に導電膜が被着された中空構造あるため充填材料が不要となり製造コストを削減することができる。また上記目的を達成するために、前記金属バンプが軟質金属からなってもよい。金属バンプに例えば金やアルミニウム等の軟質金属を用いることによって、金属バンプの一部を、中空状の貫通電極の一端側から内部のより深い位置まで埋没させやすくなるため、前述のアンカー効果の機能をより高めることができる。なお前記中空状の貫通電極の内部へ金属バンプの一部が埋没することにより、貫通電極の一端は閉栓されることになるが、一端側だけでなく両端が金属バンプによって閉栓されていてもよい。この場合、貫通電極の両端の各々に接合される金属バンプが同種であれば熱膨張係数差が発生しないため好ましい。また上記目的を達成するために、前記圧電振動素子が前記金属バンプ上に導電性の樹脂を介して接合されていてもよい。例えば前述した金属バンプの表面に導電性の接着材を塗布した後、圧電振動素子をその上に載置し、加熱雰囲気下で前記接着材を硬化させることによって圧電振動素子と貫通電極の一端側とを接合してもよい。この場合、前記金属バンプとして突起を有するスタッドバンプを使用すれば、圧電振動素子との接合前の状態において、突起部分によって電性樹脂接着材が保持され易くなるため好適である。また上記目的を達成するために、集積回路基板の、一主面側に回路パターンが形成され、他主面側に圧電振動素子が蓋体で気密封止された圧電振動デバイスの製造方法であって、前記回路パターンから前記他主面側までを貫く貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、少なくとも前記貫通孔の内壁面に導電膜が被着された中空状の貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記貫通電極の少なくとも一端側に金属バンプを配するバンプ形成工程と、前記一端側から前記貫通電極の内部に前記金属バンプの一部が埋没した状態で前記圧電振動素子を前記金属バンプと接合する圧電振動素子接合工程とを有する製造方法であってもよい。このような製造方法であれば、パッケージと圧電振動素子との接合強度を向上した圧電振動デバイスを得ることができる。具体的に本発明の圧電振動デバイスの製造方法によれば、貫通電極形成工程で得られる貫通電極は貫通孔の内壁面に導電膜が被着された中空構造となっている。さらに金属バンプ金属突起を例えば超音波による金属拡散によって貫通電極の一端側と接合する場合、金属バンプの一部が前記貫通電極の開口部分から貫通孔の内部に埋没するため、当該埋没部分が外部応力に対して楔のように機能するいわゆるアンカー効果。このように貫通電極の一端側と接合された金属バンプを圧電振動素子と接合することにより、落下等によって圧電振動デバイスに大きな外部衝撃が加わった場合であっても、金属バンプとパッケージとの十分な接合強度を確保することができる。また、集合基板である集積回路基板を用いることにより、一括で多数個の圧電振動デバイスを得ることができる。本発明のパッケージは集積回路基板を用いているため、パッケージ素体への各種応力の伝播抑制の点から、パッケージの一主面側に外部接続用電極パッドを形成し、その上に半田ボール等の導電性部材を接合して前記半田ボール等を圧電振動デバイスの外部接続端子としてもよい。このような構成であれば、例えば圧電振動デバイスを外部基板ユーザー基板に実装した際に生じる応力の、圧電振動デバイスへの伝播を抑制することができる。これは前記半田ボール等が緩衝材として機能するためであり、パッケージ素体への応力伝播を抑制することができるため安定した特性の圧電振動デバイスを得ることができる。以上のように、本発明によれば、小型化に対応するとともに接合信頼性が高い貫通電極を有する圧電振動デバイスを提供することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。本発明の実施形態においては圧電振動デバイスとして表面実装型の水晶発振器に例に挙げて説明する。まず本発明の水晶発振器単体について説明した後図1乃至3参照、当該水晶発振器の製造方法の概要について説明する図4乃至16参照。図1は本発明の実施形態に係る水晶発振器の断面図であり、図2は図1において水晶発振器の上面側から見た平面図となっており、圧電振動素子水晶振動素子の表裏に形成された励振電極の記載は省略している。なお図2においては説明のため蓋体を除いた状態で表している。図1において、水晶発振器1の構成部材の一つであるパッケージ2は、集積回路基板の一主面側200に回路パターン5が形成されたシリコンを母材とする平面視矩形状の容器である。集積回路基板の一主面側200は、回路パターン5を保護するための絶縁膜9が形成されており、回路パターン5の上面の周縁付近には回路パターンと電気的に接続された外部接続用電極パッド7が形成されている。この外部接続用電極パッド7の上面には導電性部材8が接合されており、当該導電性部材8が水晶発振器1の外部接続端子となっている。本実施形態では前記外部接続用電極パッド7にアルミニウムが使用されている。なお、外部接続端子となる導電性部材8に半田ボールを使用する場合、外部接続用電極パッド7はアルミニウムの上にニッケルや金の薄膜を積層した構成とすることで半田ボールとの密着性が向上する。パッケージ2の他主面201側には水晶振動素子4を収容するための凹部20が形成されている。そして凹部20の内底面202の一端側には一対の圧電振動素子用電極パッド10,10が並列形成されている。前記圧電振動素子用電極パッド10は、後述する貫通電極6を経由して回路パターン5と電気的に接続されている。一方、凹部20の内底面202他主面201の一部の一端側には、水晶振動素子4と電気的かつ機械的に接合するための一対の貫通電極6の一端が露出している。なお、本実施形態において凹部20を環状に包囲する堤部21の上面はシリコン素地のままとなっているが、前記堤部21の上面に全周囲に亘ってタングステン、ニッケル等からなる金属層図示省略がメタライズ技術、メッキ技術を用いて形成してもよい。または前記金属層に代えてコバール材等の金属リングを用いてもよい。図1および図3に示すようにパッケージ2には一対の貫通電極6,6が並列形成されている。貫通電極6は回路パターン5から集積回路基板パッケージ2の他主面側201までを貫く円筒状の貫通孔である。そして図3に示すように前記貫通孔の内壁面600には絶縁膜60二酸化珪素が形成され、さらにその上に導電性の薄膜以下、導電膜61と表記が形成されている。本実施形態では導電膜61に金が使用されている。なお、導電膜61は貫通孔内壁600から集積回路基板パッケージ2の一主面側200の貫通孔の端部近傍までに亘って形成されており、貫通電極6の内部は空洞となっている。図1において水晶振動素子4は、平面視矩形のATカット水晶振動板の表裏面に水晶振動板を駆動させるための一対の励振電極図示省略が形成されたものであり、前記一対の励振電極はそれぞれ前述の一対の貫通電極6の端部と後述する導電性部材および樹脂接着材によって片持ち支持されるよう水晶振動素子4の一端側に導出されている図2参照。図3において貫通電極6の両端の各々には導電性部材本実施形態では金のスタッドバンプB1およびB2が超音波による金属拡散超音波接合と略によって接合されている。なお、この超音波接合によって金属バンプB1は、中空構造の貫通電極6の内部にその一部が埋没した状態となって接合される。そして貫通電極6の他端側63に接合された金属バンプB1上には、水晶振動素子4が樹脂接着材Sを介して電気機械的に接合されている。金属バンプB1と水晶振動素子4との接合は樹脂接着材Sを加熱雰囲気下で硬化させることによって行われる。図1において蓋3は、平板状の金属性の蓋である。蓋3のパッケージ2との接合面側の周縁には、前述の堤部21の上面に対応して、金とシリコンの合金からなる金属層が形成されている。金とシリコンの合金は低融点の金属ロウ材であり、パッケージ2の母材であるシリコンと組み合わせることにより接合性が良好となる。なお、金とシリコンの合金以外の金属ロウ材を用いることも可能である。また、蓋3は金属板以外にセラミック板等を使用してもよい。パッケージ2と蓋3とは、不活性ガス雰囲気中あるいは減圧雰囲気中で、前記堤部21の上面に形成された金属層と前記蓋体周縁の金属層とを当接させた状態で溶融させることによって気密に接合される。接合方法は蓋3が金属板の場合、周知のシーム溶接、レーザー溶接、電子ビーム溶接等を用いることができる。また、蓋3がセラミック板の場合にはガラス封止や樹脂封止または金属ロウ材封止による接合方法が採用される。前記構成によれば、圧電振動デバイスのパッケージと圧電振動素子との接合強度を向上させることができる。具体的に本発明の貫通電極6は貫通孔Hの内壁面600に導電膜61が被着された中空構造となっている。このような構造により、金属バンプ金属突起のような導電性部材を超音波による金属拡散によって貫通電極の一端側と接合する場合、金属バンプの一部が前記貫通電極の開口部分から貫通孔の内部に埋没するため、当該埋没部分が外部応力に対して楔のように機能するいわゆるアンカー効果。このように貫通電極の一端側と接合された金属バンプを圧電振動素子と接合することにより、落下等によって圧電振動デバイスに大きな外部衝撃が加わった場合であっても、金属バンプとパッケージとの十分な接合強度を確保することができる。また、充填構造の貫通電極の場合、熱ストレスが加わった際に貫通孔内の充填材料と貫通孔内壁との間に空隙いわゆるボイドが発生することがある。さらにアスペクト比貫通孔の直径に対する貫通孔の深さの比が大きい貫通孔の場合は、貫通孔の内部に確実に充填材料を充填することが困難になってくる。これに対し、本発明における貫通電極は中空状であるため高アスペクト比の貫通孔であっても、貫通孔内部を完全充填する必要が無いため、前述の空隙や充填の不具合の発生を防止することができる。さらに本発明における貫通電極は貫通孔内壁面に導電膜が被着された中空構造あるため充填材料が不要となり製造コストを削減することができる。以上が本発明の水晶発振器単体に関する説明である。以降、本発明の水晶発振器の製造方法の主要工程について図4乃至16を参照しながら説明する。なお以下の説明で述べる前記製造方法は一枚のウエハから多数個の水晶発振器を一括で製造する工法であり、説明の便宜上1個の水晶発振器の形成領域を一区画として表示している。図4は本発明の実施形態における製造方法を示す模式図である。まず一主面側200に回路パターン5回路素子および配線が形成されたシリコンウエハ210集積回路基板の他主面側201を研磨加工によって所定の厚みまで薄板化する。なお、図4は前記薄板化された後の状態を表している。一主面側200の表面上には、回路パターン5と電気的に接続された外部接続用電極パッド7と貫通電極用電極パッド64が形成されている。そして回路パターン5を保護するための絶縁膜9が前記外部接続用電極パッド7と貫通電極用電極パッド64の一部を覆うように一定の厚みで形成されている。レジスト形成工程次に図5に示すようにウエハ210の表裏面にレジストRを形成する。なお本実施形態では前記レジストRとしてフッ素系のドライエッチングガスに耐えうるレジストが用いられている。貫通孔形成工程次に貫通電極用電極パッド64に対応する位置にフォトリソグラフィー技術を用いて所定のパターンをレジストRに転写する図6。前記転写によってレジストRには貫通電極用電極パッド64に対応する位置が開口した状態となる。この状態にてドライエッチング法フッ素系のエッチングガス使用によって異方性エッチングを行いウエハ210に複数の貫通孔Hを穿孔する図7。貫通電極形成工程前記複数の穿孔された貫通孔Hのそれぞれの内壁に絶縁層60をスパッタ蒸着法によって形成した後、所定の工程を経て導電性の薄膜61以下、導電膜61と略記をスパッタ蒸着法によって被着することにより貫通電極6が形成される図8。前記絶縁層60および導電膜61の形成方法はスパッタ蒸着法以外にもCVD法ChemicalVaporDepositionやメッキ法電解メッキ法または無電解メッキ法、またはこれらの組み合わせによって形成してもよい。本実施形態において絶縁層60には二酸化珪素SiO2が、導電膜61には金が用いられている。なお導電膜61の材料は金に限定されるものではなく、金以外にも例えば銅や銀を用いてもよい。レジスト再形成工程次にウエハ210の表裏に形成されたレジストRを除去した後、再度レジストRをウエハ210の表裏に形成する図9。このときウエハの一主面200側については、貫通孔Hの一端部H1も被覆するようにレジストRが配される。一方、ウエハの他主面201側については貫通孔Hの他端部H2を含む凹部形成領域を除いた領域にレジストRが配される。凹部形成工程前記レジスト再形成工程の後、反応性イオンエッチング法いわゆるRIE法。ReactiveIonEtchingMethodによって、複数の凹部20,20,,20を形成する図10。凹部20は水晶振動素子を収容可能の大きさと深さで形成され、凹部20の内底面202には貫通電極6の他端側H2が露出している。なお貫通電極6の他端側は凹部20の形成の際にシリコンSiと同時に除去され、凹部形成工程後の貫通電極の他端部63と凹部20の内底面202とは略同一平面に加工されている。前述の工程を経ることにより、回路パターン5から他主面側201までを貫く貫通孔Hの内壁面600に、導電膜61が被着された中空状の貫通電極6が形成されることになる。バンプ形成工程貫通電極6の両端、すなわち一端部62と他端部63の各々に金バンプ本実施形態では金のスタッドバンプB1およびB2がワイヤボンダを用いて超音波による金属拡散超音波接合と略によって接合される図11。貫通電極6の両端が金バンプによって閉栓されることにより、貫通電極の内部を保護することできる。このとき金属バンプB1およびB2は軟質金属からなる金属バンプであるため、前記超音波接合後には他端部63から貫通電極6の内部に金属バンプB1の一部が埋没した状態となる図11参照。同様にB2についても一端部62から貫通電極6の内部に金属バンプB2の一部が埋没した状態となっている。以上のように金属バンプに例えば金やアルミニウム等の軟質金属を用いることによって、金属バンプB1の一部を、中空状の貫通電極6の他端部63から貫通孔Hの内部のより深い位置まで埋没させやすくなるため、前述のアンカー効果の機能をより高めることができる。なお前記中空状の貫通電極6の内部へ金属バンプB1の一部が埋没することにより、貫通電極の一端他端部63は閉栓されることになるが、一端側他端部63だけでなく両端一端部62と他端部63が金属バンプによって閉栓されていてもよい。この場合、貫通電極の両端の各々に接合される金属バンプが同種であれば熱膨張係数差が発生しないため好ましい。圧電振動素子接合工程貫通電極6の他端部63に形成された金属バンプB1上に、導電性の樹脂接着材Sを塗布する図12。このとき導通不良防止の点から金属バンプB1の表面全体を覆わないように塗布する。本実施形態においては前記金属バンプB1および金属バンプB2には、突起を有する金のスタッドバンプが使用されており、当該突起を有することにより圧電振動素子との接合前の状態において樹脂接着材Sが保持され易くなっている。前述の樹脂接着材Sが塗布された金属バンプB1の上に、水晶振動素子4を位置決め載置した後、加熱雰囲気下で樹脂接着材Sを硬化させて水晶振動素子4と金属バンプB1とを電気機械的に接合する図13。そして水晶振動素子4と金属バンプB1とを接合した後、水晶振動素子に形成された励振電極の膜厚をイオンミリング法等の手段で調整することにより周波数調整を行う。気密封止工程圧電振動素子接合工程の後、凹部20を前述の蓋3で気密に封止する図14。具体的にはパッケージ2と蓋3とが、不活性ガス雰囲気中あるいは減圧雰囲気中で、堤部21の上面に形成された金属層と前記蓋体周縁とを当接させた状態で前記金属層を溶融させることにより気密に接合される。接合方法は蓋3が金属板の場合、周知のシーム溶接、レーザー溶接、電子ビーム溶接等を用いることができる。また、蓋3がセラミック板の場合にはガラス封止や樹脂封止または金属ロウ材封止による接合方法が採用される。外部端子形成工程前記気密封止工程の後、外部接続用電極パッド7の上面に導電性部材8を接合する図15。前記導電性部材8が水晶発振器1の外部接続端子となっている。前記外部接続端子の具体的構成としてBGABallGridAlley技術による導電性部材を使用している。本実施形態では前記導電性部材8として金ボールが使用されている。このような導電性部材の外部接続端子であれば、外部接続端子の形成スペースが比較的狭い場合であってもパッケージに対する接続強度を十分に確保できる。なお、金ボール以外の他の球状体例えば半田ボールや、角柱状の導体導体ブロックや、スタッドバンプ、メッキバンプ、導電性接着材の硬化物等を用いることも可能である。またこれら以外にもセラミックや樹脂等で構成されるコア部材の表面を導電性材料で被覆したものを用いてもよい。この場合、導電性材料として金属メッキやペースト状導体等が採用可能である。以上のように外部接続端子として薄膜ではなく、ある程度厚肉厚膜状の導電性部材を使用することにより、当該導電性部材が緩衝材として機能するため圧電振動デバイスの外部接続端子が外部基板ユーザー使用基板に接合された際に生じる応力のパッケージへの伝播を緩和することができる。これにより安定した特性の圧電振動デバイスを得ることができる。個片化工程前記外部端子形成工程の後、隣接する水晶発振器の形成領域図中に一区画と表記間の領域をダイシング法によって縦横に切断して多数個の水晶発振器1,1,,1を得ることができる。なおダイシング法以外にドライエッチング法によって前述の個片化を行ってもよい。以上が本発明の水晶発振器の製造方法の主要工程の説明である。本発明の圧電振動デバイスの製造方法によると、パッケージ2と水晶振動素子4との接合強度を向上した水晶発振器1を得ることができる。具体的に本発明の圧電振動デバイスの製造方法によれば、貫通電極形成工程で得られる貫通電極6は貫通孔Hの内壁面600に導電膜61が被着された中空構造となっている。さらに金属バンプB1を例えば超音波による金属拡散によって貫通電極6の一端側他端部63と接合する場合、金属バンプB1の一部が貫通電極6の開口部分他端部63から貫通孔Hの内部に埋没するため、当該埋没部分が外部応力に対して楔のように機能するいわゆるアンカー効果。このように貫通電極の一端側他端部63と接合された金属バンプB1を水晶振動素子4と接合することにより、落下等によって水晶発振器1に大きな外部衝撃が加わった場合であっても、金属バンプB1とパッケージ2との十分な接合強度を確保することができる。また、集合基板である集積回路基板を用いることにより、一括で多数個の圧電振動デバイスを得ることができる。本発明の実施形態において、パッケージ2は他主面側に圧電振動素子を収容するための凹部を備えた構造となっているが、本発明の適用はこのような構造に限定されるものではない。例えば本発明の実施形態の変形例として示す図17のような構造であってもよい。つまり、パッケージの他主面側に圧電振動素子を収容するための凹部を形成せず、平坦なパッケージの他主面201上に圧電振動素子4を接合し、圧電振動素子4を収容可能な空間を形成する環状の厚肉部30を周縁に備えた蓋3で、圧電振動素子4を気密封止した構造にも本発明は適用可能である。前記構造の場合、シリコン基板のような脆性材料からなるパッケージに凹部を形成しないため、パッケージの強度確保の点から好ましい。また本発明の実施形態では、金属バンプB1の上部に導電性の樹脂接着材Sを介して水晶振動素子4との接合を行っているが、パッケージ2と水晶振動素子4との接合は本構成に限定されるものではなく、金属バンプB1と水晶振動素子4との間に樹脂接着材Sを介在させず、金属バンプB1上に直接水晶振動素子4励振電極から導出された電極をボンディングツールで位置決め載置した状態で超音波を印加することによってパッケージ2金属バンプB1と水晶振動素子4とを接合してもよい。本発明は、水晶に限らず、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した圧電振動素子を備えた圧電振動デバイスへの適用も可能である。本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。"