"透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板と、前記透明導電膜上に配された発電部と、を少なくとも有する太陽電池であって、前記反射防止膜の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さいこと、を特徴とする太陽電池。前記反射防止膜の屈折率が、1.6以上、1.8以下の範囲であること、を特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記反射防止膜の膜厚が、60nm以上、110nm以下の範囲であること、を特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池。前記反射防止膜が、Nを含有する材料からなること、を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池。前記発電部は、p型半導体層p層、実質的に真性なi型半導体層i層、n型半導体層n層を積層したpin型の光電変換ユニットであること、を特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池。透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板と、前記透明導電膜上に配された発電部と、を少なくとも有し、前記反射防止膜の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さい太陽電池の製造方法であって、前記透明基板の一面上に、前記反射防止膜、前記透明導電膜を順に形成する工程Aと、前記透明導電膜上に前記発電部を形成する工程Bと、を有すること、を特徴とする太陽電池の製造方法。前記工程Bにおいて、前記透明導電膜上に、p型半導体層p層、実質的に真性なi型半導体層i層、n型半導体層n層を順に積層することにより、前記発電部としてpin型の光電変換ユニットを形成すること、を特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板であって、前記反射防止膜の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さいこと、を特徴とする太陽電池用透明導電膜付き基板。透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板の製造方法であって、透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜を順に形成する工程を有すること、を特徴とする太陽電池用透明導電膜付き基板の製造方法。本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保した太陽電池を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保した太陽電池を、簡便な方法で製造することが可能な、太陽電池の製造方法を提供することを第二の目的とする。また、本発明は、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による色味の発生、色ムラを抑えた太陽電池用透明導電膜付き基板を提供することを第三の目的とする。また、本発明は、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による色味の発生、色ムラを抑えた太陽電池用透明導電膜付き基板を、簡便な方法で製造することが可能な、太陽電池用透明導電膜付き基板の製造方法を提供することを第四の目的とする。本発明の請求項1に記載の太陽電池は、透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板と、前記透明導電膜上に配された発電部と、を少なくとも有する太陽電池であって、前記反射防止膜の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さいこと、を特徴とする。本発明の請求項2に記載の太陽電池は、請求項1において、前記反射防止膜の屈折率が、1.6以上、1.8以下の範囲であること、を特徴とする。本発明の請求項3に記載の太陽電池は、請求項1又は2において、前記反射防止膜の膜厚が、60nm以上、110nm以下の範囲であること、を特徴とする。本発明の請求項4に記載の太陽電池は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記反射防止膜が、Nを含有する材料からなること、を特徴とする。本発明の請求項5に記載の太陽電池は、請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記発電部は、p型半導体層p層、実質的に真性なi型半導体層i層、n型半導体層n層を積層したpin型の光電変換ユニットであること、を特徴とする。本発明の請求項6に記載の太陽電池の製造方法は、透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板と、前記透明導電膜上に配された発電部と、を少なくとも有し、前記反射防止膜の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さい太陽電池の製造方法であって、前記透明基板の一面上に、前記反射防止膜、前記透明導電膜を順に形成する工程Aと、前記透明導電膜上に前記発電部を形成する工程Bと、を有すること、を特徴とする。本発明の請求項7に記載の太陽電池の製造方法は、請求項6において、前記工程Bにおいて、前記透明導電膜上に、p型半導体層p層、実質的に真性なi型半導体層i層、n型半導体層n層を順に積層することにより、前記発電部としてpin型の光電変換ユニットを形成すること、を特徴とする。本発明の請求項8に記載の太陽電池用透明導電膜付き基板は、透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板であって、前記反射防止膜の屈折率が、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さいこと、を特徴とする。本発明の請求項9に記載の太陽電池用透明導電膜付き基板の製造方法は、透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜が順に配されてなる太陽電池用透明導電膜付き基板の製造方法であって、透明基板の一面上に、反射防止膜、透明導電膜を順に形成する工程を有すること、を特徴とする。本発明の太陽電池は、透明導電膜付き基板において、透明基板と透明導電膜との間に、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する反射防止膜を配しているので、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による反射率の振幅を低減することができる。これにより、特定の波長の光のみを反射するのではなく、可視光域の波長を全体的に反射させることができる。その結果、色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保した太陽電池を提供することができる。また、本発明の太陽電池の製造方法は、透明基板の一面上に、前記反射防止膜、前記透明導電膜を順に形成する工程を有している。これにより本発明では、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保した太陽電池を、簡便な方法で製造することが可能な、太陽電池の製造方法を提供することができる。また、本発明の太陽電池用透明導電膜付き基板は、透明基板と透明導電膜との間に、前記基板の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する反射防止膜を配しているので、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による反射率の振幅を低減することができる。これにより、特定の波長の光のみを反射するのではなく、可視光域の波長を全体的に反射させることができる。その結果、本発明では、色味の発生、色ムラを抑えた太陽電池用透明導電膜付き基板を提供することができる。また、本発明の太陽電池用透明導電膜付き基板の製造方法は、透明基板の一面上に、前記反射防止膜、前記透明導電膜を順に形成する工程を有している。これにより本発明では、透明電極の膜厚に起因する光学干渉による色味の発生、色ムラを抑えた太陽電池用透明導電膜付き基板を、簡便な方法で製造することが可能な、太陽電池用透明導電膜付き基板の製造方法を提供することができる。以下、本発明に係る太陽電池及びその製造方法の最良の形態について、図面に基づき説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。太陽電池本実施形態では、本発明に係る太陽電池1の一実施形態を、p型半導体層p層、実質的に真性なi型半導体層i層、n型半導体層n層を積層したpin型の光電変換ユニットを発電部として有する太陽電池を例に挙げて説明するが、本発明はこれ以外の形態の発電部を有する太陽電池についても適用可能である。特に、本実施形態では、本発明に係る太陽電池1の一実施形態を、第一光電変換ユニット6トップセルとしてアモルファスシリコン型の太陽電池、第二光電変換ユニット7ボトムセルとして微結晶シリコン型の太陽電池として積層したタンデム構造の太陽電池の場合を例に図面に基づいて説明する。まず、本発明の太陽電池について、図1に基づいて説明する。図1は太陽電池1の構成の一例を示す断面図である。太陽電池1は、表面を構成するガラス基板等からなる絶縁性の透明基板2と、透明基板2上に設けられた反射防止膜13と、反射防止膜13上に設けられた酸化亜鉛系の透明導電膜4からなる上部電極3と、アモルファスシリコンで構成された第一光電変換ユニット6と、微結晶シリコンで構成された第二光電変換ユニット7と、透明導電膜からなるバッファー層11と、金属膜からなる裏面電極12とが積層されている。透明基板2と、該透明基板2上に順に設けられた反射防止膜13と、透明導電膜4とは、本発明の透明導電膜付き基板10を構成する。そして本発明の太陽電池1は、透明導電膜付き基板10において、前記反射防止膜13の屈折率が、前記透明基板2の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜4の屈折率よりも小さいこと、を特徴とする。本発明では、透明基板2と透明導電膜4との間に、前記透明基板2の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜4の屈折率よりも小さい屈折率を有する反射防止膜13を配しているので、薄膜特有の膜厚干渉による反射率の振幅を低減することができる。これにより、特定の波長の光のみを反射するのではなく、可視光域の波長を全体的に反射させることができる。その結果、本発明の太陽電池1は、色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保したものとなる。このような反射防止膜13は、Nを含有する材料からなる。具体的には、例えばSiONを用いることが好ましい。反射防止膜13をSiONから構成することで従来のSiO2成膜装置で成膜することができ、反射防止膜13を成膜するための新しい製造装置を設ける必要がない。SiONからなる反射防止膜13は、例えば、スパッタ法においてSiターゲットに酸素O2と窒素N2を任意の値で導入することにより成膜することができる。このとき、酸素O2と窒素N2の比率を変えることによって、反射防止膜13の屈折率を容易に制御することができる。本発明において、反射防止膜13の屈折率は、前記透明基板2の屈折率よりも大きく、前記透明導電膜4の屈折率よりも小さくなされている。具体的には、例えばガラスからなる透明基板2の屈折率が1.5程度であり、酸化亜鉛系の透明導電膜4の屈折率が1.8~2.0程度であるため、反射防止膜13の屈折率は、1.6以上、1.8以下の範囲であることが好ましい。反射防止膜13の膜厚は、例えば60nm以上、110nm以下の範囲であることが好ましい。膜厚が薄いと、膜厚干渉による反射率の振幅を低減することができない。また、膜厚を必要以上に厚くしても、成膜時間が掛かり、かつ、コストも無駄になるため、効果的な反射防止膜を得ることができない。また、反射防止膜13は、透明導電膜4の膜厚に係わらず、どの膜厚においても反射率の振幅を低減することができる。透明導電膜4は、後述する製造方法により成膜されていることで所望の荒さの微細テクスチャーを有するものとなる。これにより、太陽電池1は、テクスチャー構造によるプリズム効果と光の閉じ込め効果を十分に有し、変換効率の高いものとなる。また、太陽電池1は、a-Si/微結晶Siタンデム型太陽電池となっている。このようなタンデム構造の太陽電池1では、短波長光を第一光電変換ユニット6で、長波長光を第二光電変換ユニット7でそれぞれ吸収することで発電効率の向上を図ることができる。なお、上部電極3の膜厚は、2000Å~10000Åの膜厚で形成されている。第一光電変換ユニット6は、p層6p、i層6i、n層6nの3層構造で構成されており、これらp層6p、i層6i及びn層6nはアモルファスシリコンで形成されている。また、第二光電変換ユニット7も、第一光電変換ユニット6と同様にp層7p、i層7i、n層7nの3層構造で構成されており、これらp層7p、i層7i及びn層7nは微結晶シリコンで構成されている。そして太陽電池1は、前記透明導電膜4と、前記光電変換ユニット6を構成する前記p層6pとの間に、結晶質のシリコン系薄膜からなるp層が中間層5として配されている。前記透明導電膜4と、第一光電変換ユニット6を構成するp層6pの間に、結晶質のシリコン系薄膜からなるp層が中間層5として配されているので、透明導電膜4と、アモルファスのシリコン系薄膜からなるp層6pとの界面における不整合を緩和することができる。これにより、第一光電変換ユニットの曲線因子FFを向上させることができる。その結果、太陽電池1は、高い変換効率を有するものとなる。このような構成の太陽電池1は、太陽光に含まれる光子というエネルギー粒子がi層に当たると光起電力効果により、電子と正孔holeが発生し、電子はn層、正孔はp層に向かって移動する。この光起電力効果により発生した電子を上部電極3と裏面電極63により取り出して、光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。また、透明基板2側から入射した太陽光は、各層を通過して裏面電極12で反射される。太陽電池1には光エネルギーの変換効率を向上させるために、上部電極3に入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と光の閉じ込め効果を目的としたテクスチャー構造を採用している。後述するように、上部電極3を構成する透明導電膜4の形成において、ZnOを主成分とした材料を母材として用いてスパッタを行うことにより透明基板2上に前明導電膜を成膜し、その後、透明導電膜4に対してウェットエッチングを行い、表面に微細テクスチャーを形成している。このとき、ウェットエッチングの各種条件を変えることで、テクスチャーの形状を制御することができる。これにより自由度が高く所望の荒さを有する微細テクスチャーを形成することができる。その結果、このようにして得られた太陽電池用透明導電膜付き基板10は、透明導電膜4の表面に自由度が高く所望の荒さを有する微細テクスチャーが形成されたものとなる。これにより太陽電池用透明導電膜付き基板10は、テクスチャー構造によるプリズム効果と光の閉じ込め効果を十分に得ることができる。太陽電池の製造方法次に、このような太陽電池1の製造方法について説明する。本発明の太陽電池の製造方法は、前記透明基板2の一面上に、前記反射防止膜13、前記透明導電膜4を順に形成する工程Aと、前記透明導電膜4上に前記発電部を形成する工程Bと、を有すること、を特徴とする。本発明では、膜厚干渉による色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保した太陽電池1を、簡便な方法で製造することが可能である。以下、工程順に説明する。まず、透明基板2の一面上に、反射防止膜13、透明導電膜を順に形成する工程A。本実施形態においては、所望のプロセスガス雰囲気中にて、前記反射防止膜13の母材をなすターゲットにスパッタ電圧を印加しつつ、該ターゲットの表面に水平磁界を発生させてスパッタを行い、前記透明基板2上に前記反射防止膜13を成膜するステップと、前記透明導電膜4の母材をなすターゲットにスパッタ電圧を印加しつつ、該ターゲットの表面に水平磁界を発生させてスパッタを行い、前記反射防止膜13上に前記透明導電膜4を成膜するステップと、前記透明導電膜4に対してウェットエッチングを行い、該透明導電膜4表面に微細テクスチャーを形成するステップと、を少なくとも順に備える。反射防止膜13の形成において、Siを主成分とした材料を母材として用い、酸素O2と窒素N2を任意の値で導入しつつスパッタを行うことにより、基板上にSiONからなる反射防止膜13を成膜することができる。反射防止膜13は従来の成膜装置で成膜することができ、新しい製造装置を設ける必要がない。このとき、酸素O2と窒素N2の比率を変えることによって、反射防止膜13の屈折率を容易に制御することができる。これにより、透明基板2の屈折率よりも大きく、透明導電膜4の屈折率よりも小さい屈折率を有する反射防止膜13を容易に形成することができる。この反射防止膜13により、得られる透明導電膜付き基板10において、薄膜特有の膜厚干渉による反射率の振幅を低減することができる。これにより、特定の波長の光のみを反射するのではなく、可視光域の波長を全体的に反射させることができる。その結果、得られる本発明の太陽電池1は、色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保したものとなる。このような反射防止膜13は、例えば60nm以上、110nm以下の膜厚で形成することが好ましい。また、透明導電膜4の形成において、ZnOを主成分とした材料を母材として用いてスパッタを行うことにより反射防止膜13上に透明導電膜4を成膜し、その後、透明導電膜4に対してウェットエッチングを行い、表面に微細テクスチャーを形成している。このとき、ウェットエッチングの各種条件を変えることで、テクスチャーの形状を制御することができる。これにより自由度が高く所望の荒さを有する微細テクスチャーを形成することができるので、テクスチャー構造を付加した太陽電池1が得られる。このテクスチャー構造は、プリズム効果と光の閉じ込め効果をもたらすので、太陽電池1は変換効率の高いものとなる。次に、前記透明導電膜上に前記発電部を形成する工程B。本実施形態においては、前記透明導電膜4上に、前記中間層5を形成するステップと、前記n層上に、前記第一光電変換ユニット6のp層6p、i層6i及びn層6nを順に形成するステップと、を少なくとも順に備える。なお、透明導電膜4と、第一光電変換ユニット6を構成するp層6pとの間に、結晶質のシリコン系薄膜からなるp層を中間層5として形成してもよい。透明導電膜4と、第一光電変換ユニット6を構成しアモルファスのシリコン系薄膜からなるp層6pとの間に、結晶質のシリコン系薄膜からなるp層を中間層5として形成することで、透明導電膜4と、アモルファスのシリコン系薄膜からなるp層6pとの界面における不整合を緩和することができる。これにより、第一光電変換ユニット6の曲線因子FFを向上させることができる。このように太陽電池1では、中間層5を挿入することにより、FFを向上することができ、第一光電変換ユニット6の発電効率を向上することができ、ひいては装置全体としての光電変換効率を向上することが可能である。その結果、テクスチャー構造によるプリズム効果と光の閉じ込め効果を十分に得ることができ、変換効率の高い太陽電池1を作製することが可能となる。中間層5の厚さは、例えば5~10nmの範囲であることが好ましい。例えば5nmとすることができる。中間層5の厚さが5~10nmの範囲において、曲線因子FFと電圧Vocが増大し、光電変換効率が増大する効果が認められる。まず、本発明の太陽電池の製造方法において、反射防止膜13、及び上部電極3をなす酸化亜鉛系の透明導電膜4を形成するのに好適なスパッタ装置成膜装置の一例を説明する。スパッタ装置1図2は、本発明の太陽電池1の製造方法に用いられるスパッタ装置成膜装置の一例を示す概略構成図、図3は同スパッタ装置の成膜室の主要部を示す断面図である。スパッタ装置20は、インターバック式のスパッタ装置であり、例えば、無アルカリガラス基板図示せず等の基板を搬入/搬出する仕込み/取出し室22と、基板上に酸化亜鉛系の透明導電膜4を成膜する成膜室真空容器23とを備えている。仕込み/取出し室22には、この室内を粗真空引きするロータリーポンプ等の粗引き排気手段24が設けられ、この室内には、基板を保持搬送するための基板トレイ25が移動可能に配置されている。一方、成膜室23の一方の側面23aには、基板26を加熱するヒータ31が縦型に設けられ、他方の側面23bには、酸化亜鉛系材料のターゲット27を保持し所望のスパッタ電圧を印加するスパッタカソード機構ターゲット保持手段32が縦型に設けられ、さらに、この室内を高真空引きするターボ分子ポンプ等の高真空排気手段33、ターゲット27にスパッタ電圧を印加する電源34、この室内にガスを導入するガス導入手段35が設けられている。スパッタカソード機構32は、板状の金属プレートからなるもので、ターゲット27を口ウ材等でボンディング固定により固定するためのものである。電源34は、ターゲット27に直流電圧に高周波電圧が重畳されたスパッタ電圧を印加するためのもので、直流電源と高周波電源図示略とを備えている。ガス導入手段35は、Ar等のスパッタガスを導入するスパッタガス導入手段35aと、水素ガスを導入する水素ガス導入手段35bと、酸素ガスを導入する酸素ガス導入手段35cと、水蒸気を導入する水蒸気導入手段35dとを備えている。なお、このガス導入手段35では、水素ガス導入手段35b~水蒸気導入手段35dについては、必要に応じて選択使用すればよく、例えば、水素ガス導入手段35bと酸素ガス導入手段35c、水素ガス導入手段35bと水蒸気導入手段35d、のように2つの手段により構成してもよい。スパッタ装置2図4は、本発明の太陽電池の製造方法に用いられる別なスパッタ装置の一例、即ちインターバック式のマグネトロンスパッタ装置の成膜室の主要部を示す断面図である。図4に示すマグネトロンスパッタ装置40が、図2、3に示すスパッタ装置20と異なる点は、成膜室23の―方の側面23aに酸化亜鉛系材料のターゲット27を保持し所望の磁界を発生するスパッタカソード機構ターゲット保持手段42を縦型に設けた点てある。スパッタカソード機構42は、ターゲット27をロウ材等でボンディング固定した背面プレート43と、背面プレート43の裏面に沿って配置された磁気回路44とを備えている。この磁気回路44は、ターゲット27の表面に水平磁界を発生させるもので、複数の磁気回路ユニット図4では2つ44a、44bがブラケット45により連結されて一体化され、磁気回路ユニット44a、44bそれぞれは、背面プレート43側の表面の極性が相互に異なる第1磁石46および第2磁石47とこれらを装着するヨーク48とを備えている。この磁気回路44では、背面プレート43側の極性が異なる第1磁石46および第2磁石47により、磁力線49で表される磁界が発生する。これにより、第1磁石46と第2磁石47との間におけるターゲット27の表面においては、垂直磁界が0水平磁界が最大となる位置50が発生する。この位置50に高密度プラズマが生成することで、成膜速度を向上しうるようになっている。こうした図4に示す成膜装置においては、成膜室23の一方の側面23aに所望の磁界を発生するスパッタカソード機構42を縦型に設けたので、スパッタ電圧を340V以下とし、ターゲット27表面における水平磁界強度の最大値を600ガウス以上とすることにより、結晶格子の整った酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜することができる。この酸化亜鉛系の透明導電膜は、成膜後に高温でアニール処理を行っても酸化され難く、比抵抗の増加を抑制することができ、太陽電池1の上部電極をなす酸化亜鉛系の透明導電膜を耐熱性に優れたものにすることができる。次に、本発明の太陽電池の製造方法の一例として、図2、3に示すスパッタ装置1を用いて、反射防止膜13、及び太陽電池1の上部電極3をなす酸化亜鉛系の透明導電膜4を順に透明基板2上に成膜する方法について例示する。まず、反射防止膜13の母材をなすターゲット27をスパッタカソード機構32にロウ材等でボンディングして固定する。ここで、ターゲット材としては、ケイ素Siを主成分とした材料が挙げられる。次いで、例えばガラスからなる太陽電池1の基板26透明基板2を仕込み/取出し室22の基板トレイ25に収納した状態で、仕込み/取出し室22及び成膜室23を粗引き排気手段4で粗真空引きし、仕込み/取出し室22及び成膜室23が所定の真空度、例えば0.27Pa2.0mTorrとなった後に、基板26を仕込み/取出し室22から成膜室23に搬入し、この基板26を、設定がオフになった状態のヒータ31の前に配置し、この基板26をターゲット27に対向させ、この基板26をヒータ31により加熱して、100°C~600°Cの温度範囲内とする。次いで、成膜室23を高真空排気手段33で高真空引きし、成膜室23が所定の高真空度、例えば2.7×10-4Pa2.0×10-3mTorrとなった後に、成膜室23に、スパッタガス導入手段35により酸素O2,窒素N2等のスパッタガスを導入し、成膜室23内を所定の圧力スパッタ圧力とする。このとき、例えば、酸素O2と窒素N2の流量比を変えることによって、反射防止膜13の屈折率を容易に制御することができる。次いで、電源34によりターゲット27にスパッタ電圧、例えば、直流電圧に高周波電圧を重畳したスパッタ電圧を印加する。スパッタ電圧印加により、基板26上にプラズマが発生し、このプラズマにより励起された酸素O2,窒素N2等のスパッタガスのイオンがターゲット27に衝突し、このターゲット27から原子を飛び出させ、基板26上にSiON系材料からなる反射防止膜13を成膜する。引きつづき、反射防止膜13上に、太陽電池1の上部電極3をなす酸化亜鉛系の透明導電膜4を順に透明基板2上に成膜する。まず、透明導電膜4の母材をなすターゲット27をスパッタカソード機構32にロウ材等でボンディングして固定する。ここで、ターゲット材としては、酸化亜鉛系材料、例えば、アルミニウムAlを0.1~10質量添加したアルミニウム添加酸化亜鉛AZO、ガリウムGaを0.1~10質量添加したガリウム添加酸化亜鉛GZO等が挙げられ、中でも、比抵抗の低い薄膜を成膜することができる点て、アルミニウム添加酸化亜鉛AZOが好ましい。次いで、基板26反射防止膜13が形成された透明基板2を仕込み/取出し室22の基板トレイ25に収納した状態で、仕込み/取出し室22及び成膜室23を粗引き排気手段4で粗真空引きし、仕込み/取出し室22及び成膜室23が所定の真空度、例えば0.27Pa2.0mTorrとなった後に、基板26を仕込み/取出し室22から成膜室23に搬入し、この基板26を、設定がオフになった状態のヒータ31の前に配置し、この基板26をターゲット27に対向させ、この基板26をヒータ31により加熱して、100°C~600°Cの温度範囲内とする。次いで、成膜室23を高真空排気手段33で高真空引きし、成膜室23が所定の高真空度、例えば2.7×10-4Pa2.0×10-3mTorrとなった後に、成膜室23に、スパッタガス導入手段35によりAr等のスパッタガスを導入し、成膜室23内を所定の圧力スパッタ圧力とする。次いで、電源34によりターゲット27にスパッタ電圧、例えば、直流電圧を印加する。スパッタ電圧印加により、基板26上にプラズマが発生し、このプラズマにより励起されたAr等のスパッタガスのイオンがターゲット27に衝突し、このターゲット27からアルミニウム添加酸化亜鉛AZO、ガリウム添加酸化亜鉛GZO等の酸化亜鉛系材料を構成する原子を飛び出させ、反射防止膜13上に酸化亜鉛系材料からなる透明導電膜4を成膜する。ここで、スパッタ時における成膜圧力と成膜速度との関係について説明する。ターゲット材料やプロセスガスの種類にも依存するが、マグネトロンスパッタ法で成膜を行う場合、一般的に2mTorrから10mTorrの間の成膜圧力が選択される。成膜圧力が低い場合、プラズマのインピーダンスが高く放電できなかったり、放電できてもプラズマが不安定になる。逆に成膜圧力が高い場合は、プロセスガスとスパッタされたターゲット材料がスキャッタリングすることにより、基板への付着効率成膜速度が低下したり、カソード周辺部品にスパッタされたターゲット材料が着膜することで、カソードとアースが短絡したりと生産性が低下する。以上のようにして反射防止膜13上に酸化亜鉛系材料からなる透明導電膜4を成膜した後、この基板26透明基板2を成膜室23から仕込み/取出し室2に搬送し、この仕込み/取出し室2の真空を破り、反射防止膜13、及び酸化亜鉛系の透明導電膜4が形成された基板26透明基板2を取り出す。次いで、前記透明導電膜4に対してウェットエッチング処理を行う。特に本実施形態では、このとき、ウェットエッチングの各種条件を変えることで、テクスチャーの形状を制御することができる。これにより、透明導電膜4の表面に自由度が高く所望の形状を有する微細テクスチャーが形成される。このようにして、透明基板2上に、反射防止膜13、酸化亜鉛系の透明導電膜4が順に形成されてなる透明導電膜付き基板10が得られる。透明基板2と透明導電膜4との間に反射防止膜13が配された、透明導電膜付き基板10を太陽電池1に用いることで、薄膜特有の膜厚干渉による反射率の振幅を低減することができる。これにより、特定の波長の光のみを反射するのではなく、可視光域の波長を全体的に反射させることができる。その結果、色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保した太陽電池1を作製することができる。また、この透明導電膜4は、表面に自由度が高く所望の形状を有する微細なテクスチャー構造を有するものとなる。こうした透明導電膜付き基板10を太陽電池1に用いることで、入射した太陽光の光路を伸ばすプリズム効果と光の閉じ込め効果を最大限に得ることができ、光電変換効率の高い太陽電池1を作製することができる。次に、このような透明導電膜付き基板10を用いた、タンデム構造の太陽電池1の製造方法について工程順に説明する。まず、透明導電膜付き基板10の透明導電膜4上に、p型半導体層中間層5、第一光電変換ユニット6のp型半導体層6p、i型半導体層6i、n型半導体層6nと、第二光電変換ユニット7のp型半導体層7pを各々別々のプラズマCVD反応室内で形成する。すなわち、第一光電変換ユニット6のn型半導体層6n上に、第二光電変換ユニット7を構成するp型半導体層7pが設けられた太陽電池第一中間品が形成される。引き続き、第二光電変換ユニット7のp型半導体層7pを大気中に露呈させた後、大気中に露呈されたp型半導体層7p上に、第二光電変換ユニット7を構成するi型シリコン層結晶質シリコン層7i、n型半導体層7nを同一のプラズマCVD反応室内で形成する。すなわち、第一光電変換ユニット6上に、第二光電変換ユニット7が設けられた太陽電池第二中間品が形成される。そして、第二光電変換ユニット7のn型半導体層7n上に、バッファー層11、裏面電極12を形成することにより、図1に示すような太陽電池1とする。特に本実施形態では、透明導電膜4と第一光電変換ユニット6のp層6pとの間に、個別の成膜室で中間層5、を形成することで、良好な特性を有する太陽電池1を得ることができる。次に、この太陽電池1の製造システムを図面に基づいて説明する。本発明に係る太陽電池1の製造システムは、第一光電変換ユニット6におけるp型半導体層6p、i型シリコン層非晶質シリコン層6i、n型半導体層6nと、第二光電変換ユニット7のp型半導体層7pの各層を各々別々に形成するチャンバーと呼ばれる成膜反応室を複数直線状に連結して配置した、いわゆるインライン型の第一成膜装置60と、第二光電変換ユニット7のp層を大気中に露呈させる暴露装置と、第二光電変換ユニット7におけるi型シリコン層結晶質シリコン層7i、n型半導体層7n、を同一の成膜反応室内で、複数の基板を同時に処理して形成する、いわゆるバッチ型の第二成膜装置70とを順に配置したものである。この太陽電池の製造システムを図5に示す。製造システムは、図5に示すように、第一成膜装置60と、第二成膜装置70と、第一成膜装置60で処理した基板を大気に曝した後、第二成膜装置70へ移動する暴露装置80とから構成される。製造システムにおける第一成膜装置60は、最初に基板を搬入し減圧雰囲気下とする仕込L:Lord室61が配置されている。なお、L室の後段に、プロセスに応じて、基板温度を一定温度まで加熱する加熱チャンバーを設けても良い。引き続き、透明導電膜4上に結晶質のシリコン系薄膜からなるp層を中間層5として形成するp層成膜反応室62、第一光電変換ユニット6のp型半導体層6pを形成するp層成膜反応室63、同i型シリコン層非晶質シリコン層6iを形成するi層成膜反応室64、同n型半導体層6nを形成するn層成膜反応室65、第二光電変換ユニット7のp型半導体層7pを形成するp層成膜反応室66、が連続して直線状に配置されている。そして最後に、減圧状態を大気雰囲気に戻し基板を搬出する取出UL:Unlord室67を配置して構成されている。この際、図5中A地点において、透明基板2上に反射防止膜13、透明導電膜4が成膜された透明導電膜付き基板10が準備される。また、図5中B地点において、透明基板2の上に成膜された透明導電膜4上に、p型半導体層中間層5、第一光電変換ユニット6のp型半導体層6p、i型シリコン層非晶質シリコン層6i、n型半導体層6nと、第二光電変換ユニット7のp型半導体層7pの各層が設けられた太陽電池第一中間品が形成される。また、製造システムにおける第二成膜装置70は、最初に第一成膜装置60で処理された太陽電池1第一中間品10aを搬入して減圧雰囲気下としたり、あるいは減圧下にある基板を大気雰囲気として基板を搬出するための仕込取出L/UL室71が配置されている。引き続き、この仕込取出L/UL室71を介して、第二光電変換ユニット7のp型半導体層7p上に、第二光電変換ユニット7のi型シリコン層結晶質シリコン層7i、n型半導体層7n、を同一の反応室内で順次形成する、複数の基板を同時に処理することが可能な成膜反応室72を配置して構成されている。この際、図5中C地点において、第一光電変換ユニット6上に、第二光電変換ユニット7が設けられた太陽電池第二中間品が形成される。また、図5において、インライン型の第一成膜装置60は、2つの基板が同時に処理されるように示され、i層成膜反応室64は4つの反応室64a,64b,64c,64dによって構成されたものとして示されている。また、図5において、バッチ型の第二成膜装置70は、6つの基板が同時に処理されるように示されている。次に、本発明の効果について行った実験例について説明する。図1に示したような構造の太陽電池パネルを作製した。ここで、透明基板の屈折率は1.5、透明導電膜の膜厚は600nmであった。また、反射防止膜は、Siをターゲットとして用い、O2/N2O2を25で導入しながらスパッタを行い、75nmのm膜厚に形成した。図6に示すようにパネル面内の各箇所における、波長と反射率との関係を測定した。その結果を図7に示す。図7から明らかなように、パネル面内の各箇所において、波長に係わらず、ほぼ同等の反射率が得られていることがわかる。すなわち、特定の波長の光のみを反射するのではなく、可視光域の波長を全体的に反射させることができる。その結果、色味はパネル面内で色ムラがなくほぼ同色を示すことができる。このような太陽電池パネルは、目視で基板面内に赤や緑の色ムラがなく、無色、白、灰、黒色などを示す。このように、本発明では、基板と透明導電膜との間に反射防止膜を配することで、色味の発生、色ムラを抑え、建材としての美的外観を確保した太陽電池を実現することができる。上述した実施形態では、タンデム構造の太陽電池について説明したが、本発明は、タンデム構造に限定されず、本発明の透明導電膜付き基板を用いた、シングル構造、トリプル構造の太陽電池についても適用可能であり、同様の効果を得ることができる。以上、本発明の薄膜太陽電池及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。"