高温動作のためのZnOサージ防止素子であって、ZnO粒子と、ZnO粒子間の粒子境界層とからなる焼結セラミックを含み、該粒子境界層は、該粒子境界層の10~85モルを占めるPTC正温度係数サーミスタ材料を含有する、ZnOサージ防止素子。前記焼結セラミックは97モルのZnO粒子を含み、該ZnO粒子と前記粒子境界層内の焼結チャージ又は焼結用ガラス粉末との重量比は100:2~100:30である請求項1に記載のZnOサージ防止素子。前記PTCサーミスタ材料は、BaTiO3またはBaTiO3添加SrTiO3である請求項1又は2に記載のZnOサージ防止素子。前記PTCサーミスタ材料は、多結晶またはガラス状の正温度係数サーミスタ材料である請求項3に記載のZnOサージ防止素子。前記BaTiO3はLi1、Ca2、Mg2、Sr2、Ba2、Sn4、Mn4、Si4、Zr5、Nb5、Al3、Sb3、Bi3、Ce3、及びLa3からなるグループから選択された1つ以上の元素イオンが添加されている請求項3に記載のZnOサージ防止素子。最大動作温度が125°Cより高い請求項1又は2に記載のZnOサージ防止素子。最大動作温度が150°Cより高い請求項1又は2に記載のZnOサージ防止素子。最大動作温度が160°Cと180°Cの間の範囲にある請求項1又は2に記載のZnOサージ防止素子。このため、125°Cより高い動作温度で適用可能なZnOサージ防止素子が望まれている。従って、本発明は、ZnOサージ防止素子のZnO粒子間の粒子境界層にPTC正温度係数サーミスタ材料を加えて、動作温度が上昇する時、PTCサーミスタ材料の抵抗が急激に増加して、温度上昇により減少する粒子境界層の従来の材料の抵抗を補うか又は部分的に補うという解決法を提案する。これによりZnOサージ防止素子の粒子境界層は、温度に依存しない抵抗を持つことが出来、ZnOサージ防止素子の高温動作に耐える能力を大きく向上させる。本発明の主な目的の1つは、高温動作のためのZnOサージ防止素子を開示することである。このサージ防止素子の製造時に、PTC正温度係数サーミスタ材料をZnOサージ防止素子のZnO粒子間の粒子境界層に加えて、該粒子境界層の負温度係数サーミスタ材料とPTCサーミスタ材料との相互抵抗温度補償を利用する。動作温度が上昇する時、該PTCサーミスタ材料の抵抗は急激に増加して、該粒子境界層内のNTCサーミスタ材料の温度上昇による抵抗減少を補うか又は部分的に補うことで、ZnOサージ防止素子のリーク電流の増加と、高動作電圧時の降伏電圧の低下を防止する。特に、125°Cより高い、或いは150°Cを超える動作温度での、ZnOサージ防止素子の正常動作が保証される。本発明の別の主な目的は、ZnO粒子と、ZnO粒子間の粒子境界層とからなる焼結セラミック構造体を含む高温動作のためのZnOサージ防止素子を開示することである。該粒子境界層はPTC正温度係数サーミスタ材料を含有しているので、ZnOサージ防止素子は150°Cを超える動作温度においてさえ正常に動作を続ける。前記正温度係数サーミスタ材料は、多結晶BaTiO3、ガラス状BaTiO3、及びBaTiO3添加SrTiO3からなるグループから選択される。前記正温度係数サーミスタ材料は、半導体転移とキュリー点又はキュリー温度の調整とを可能にする希土類イオンを含んでもよい。該希土類イオンはLi1、Ca2、Mg2、Sr2、Ba2、Sn4、Mn4、Si4、Zr5、Nb5、Al3、Sb3、Bi3、Ce3、及びLa3からなるグループから選択された1つ以上を含む。前記正温度係数サーミスタ材料は該粒子境界層の10~85モルを占める。本発明は従来の高温セラミック焼結プロセスにより作製され、加減抵抗特性とサージ吸収特性の両方を有し高温動作に適用可能なZnOサージ防止素子を提供する。このZnOサージ防止素子はディスク型、チップ型、又はリング型であってもよい。本発明のZnOサージ防止素子は、ZnO粒子間の粒子境界層にPTC正温度係数サーミスタ材料を含み高温に耐える焼結セラミックからなる。このPTCサーミスタ材料は粒子境界層の10~85モルを占める。焼結セラミックのZnO粒子はBi2O3、Sb2O3、CaO、Cr2O3、Co2O3、又はMnO等の金属酸化物を添加されたZnO粉末又はZnOを焼結することで形成される。開示したZnOサージ防止素子の焼結セラミックは、好ましくは97モルのZnO粒子を含有する。また、焼結セラミックのZnO粒子と焼結粒子境界層内の焼結チャージ又はガラス粉末との重量比は100:2~100:30である。粒子境界層のPTC正温度係数サーミスタ材料は、多結晶BaTiO3、ガラス状BaTiO3、及びBaTiO3添加SrTiO3からなるグループから選択される。BaTiO3はバリウムチタン系の酸化物であり、BaCO3と二酸化チタンから作られてもよい。同様に、SrTiO3はSrCO3と二酸化チタンから作られてもよい。また、半導体転移を容易にし、焼結後PTCサーミスタ材料の抵抗が大きく増加する温度しきい値即ち、キュリー点又はキュリー温度を設定するために、半導体転移とキュリー点又はキュリー温度の調整を可能にする希土類イオンを加えてもよい。希土類イオンはLi1、Ca2、Mg2、Sr2、Ba2、Sn4、Mn4、Si4、Zr5、Nb5、Al3、Sb3、Bi3、Ce3、及びLa3からなるグループから選択された1つ以上を含む。ZnOサージ防止素子のZnO粒子間の粒子境界層は、BaTiO3系PTCサーミスタ材料を含むので、動作温度が上昇する時、粒子境界層のBaTiO3系成分の抵抗は急激に増加し、粒子境界層の負温度係数NTCサーミスタ材料の温度上昇により減少する抵抗を補うか又は部分的に補う。このような温度抵抗相互補償は、高温動作時、ZnOサージ防止素子のリーク電流が増加せず、降伏電圧が低下しないことを保証する。従って、最大動作温度が125°Cより高い、或いは150°Cより高い例えば、160°Cと180°Cの間動作において、ZnOサージ防止素子は正常に動作を続け、局所熱破壊又は溶融の危険性がない。本発明のZnOサージ防止素子が高温動作に適用可能であることを示すために、幾つかの実施例を下記に示す。しかし、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されない。<実施例1>1.ZnOサージ防止素子のZnO粒子間の粒子境界層の材料を化学共沈法を用いて調製した。粒子境界層の成分の組成と比を下記の表に示す。理論的な計算によれば、本実施例のZnOサージ防止素子のBaTiO3系PTCサーミスタ材料は全粒子境界層の55.4モルを占める。2.沈澱物を洗浄し純水とよく混合した。次に、ZnO粉末を約20:100の重量比で加え、均一になるよう混合した。混合物を230°Cで乾燥させ、次に760°Cで3時間ベークした。ベークの結果としての粉末をすり潰して平均直径が2ミクロン未満の微粒子にした。3.多層バリスタを作製するために、8層プリント内部電極を従来の技術で作製し、焼結して仕様1812の多層バリスタを作製した。得られた多層バリスタの電気特性を様々な温度で測定した。表1に結果を示し、その抵抗値を図1に示す。表1によると、本実施例の多層バリスタは、160°Cまで非常に高い非線形係数αと低リーク電流とを示した。結果は、本実施例の多層バリスタは160°Cまでの動作温度に耐えたことを示す。<実施例2>1.ZnOサージ防止素子のZnO粒子間の粒子境界層の材料をゾルゲル法を用いて調製した。粒子境界層の成分の組成と比を下記の表に示す。理論的な計算によれば、本実施例のZnOサージ防止素子のBaTiO3系PTCサーミスタ材料は全粒子境界層の28.7モルを占める。2.得られたゲルを230°Cで乾燥させて乾燥粉末にし、次にすり潰した。すり潰した粉末を純水で5回洗浄し、次に乾燥させた。ZnO粉末を約20:100の重量比で該乾燥粉末に加え、純水と均一になるよう混合した。混合物を230°Cで乾燥させ、次に760°Cで3時間ベークした。ベークの結果としての粉末をすり潰して平均直径が2ミクロン未満の微粒子にした。3.このように調製された粉末を8mm×1mmのサイズの丸いケークに成形した。このケークをディスク型バリスタに焼結した。ディスク型バリスタの電気特性を様々な温度で測定した。表2に結果を示す。表2によると、本実施例のディスク型バリスタは、175°Cまで非常に高い非線形係数αと低リーク電流とを示した。結果は、本実施例のディスク型バリスタは175°Cまでの動作温度に耐えたことを示す。<比較例>1.ZnOサージ防止素子のZnO粒子間の粒子境界層の材料を化学共沈法を用いて調製した。粒子境界層の成分の組成と比を下記の表に示す。2.沈澱物を洗浄し純水とよく混合した。次に、ZnO粉末を約20:100の重量比で加え、均一になるよう混合した。混合物を230°Cで乾燥させ、次に760°Cで3時間ベークした。ベークの結果としての粉末をすり潰して平均直径が2ミクロン未満の微粒子にした。3.多層バリスタを作製するために、8層プリント内部電極を従来の技術で作製し、焼結して仕様1812の多層バリスタを作製した。得られた多層バリスタの電気特性を様々な温度で測定した。表3に結果を示し、その抵抗値を図1に示す。<結論>1.比較例は、ZnOサージ防止素子のZnO粒子間の粒子境界層がBaTiO3系成分を含まない場合、ZnOサージ防止素子は温度を上昇させた時、抵抗の急激な減少、リーク電流の増加、及び非線形係数αの減少を示した。温度が100°Cに達した時、降伏電圧は低下し、非線形係数αは急激に減少し、その結果、このZnOサージ防止素子は動作しなかった。2.実施例1と実施例2を比較すると、ZnOサージ防止素子の粒子境界層がBaTiO3系成分を含む限り、多結晶かガラス状かにかかわらず、ZnOサージ防止素子の動作温度を160°Cに上げることが出来ることが分かる。BaTiO3をZnOサージ防止素子の粒子境界層に加えることで、PTC特性を持つ追加されたBaTiO3系成分の抵抗は温度上昇とともに急激に増加し、この増加が粒子境界層内の負温度係数物質の温度上昇による抵抗減少を補うことが出来るので、ZnOサージ防止素子の熱耐性を向上させることが出来る。このため、同じ温度において、実施例1と実施例2のZnOサージ防止素子の抵抗は、BaTiO3が加えられていないZnOサージ防止素子より高い。従って、実施例1と実施例2のZnOサージ防止素子は高温動作に適している。3.実施例1の場合、温度が200°Cの時、ZnOサージ防止素子の降伏電圧は高いままであった。温度が180°Cの時、非線形係数αはまだ10より大きかった。実施例2の場合、温度が200°Cの時、ZnOサージ防止素子の非線形係数αはまだ10より大きく、ZnOサージ防止素子はバリスタとして動作を続けた。従って、実施例1と実施例2のZnOサージ防止素子は、動作温度が150°Cより高い動作環境に非常に適している。