ダイアフラムの周縁に複数の圧力感応抵抗素子を形成し、該圧力感応抵抗素子の形成面とは反対側の面にキャビティを形成したセンサ基板に、該キャビティを閉じるようにキャップ基板を接合してなる絶対圧力センサにおいて、上記キャビティの厚みは、キャップ基板の厚み以上となっていることを特徴とする絶対圧力センサ。前記センサ基板及びキャップ基板は、いずれもシリコンSiからなっており、かつ上記センサ基板とキャップ基板とは、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合にて接合されていることを特徴とする請求項1記載の絶対圧力センサ。前記キャビティは、平面形状が円形であることを特徴とする請求項1又は2記載の絶対圧力センサ。しかしながら、上記従来の絶対圧力センサでは、以下の問題点を有している。すなわち、上記特許文献1及び特許文献2のいずれにおいても、図10に示すように、絶対圧力センサの基本構成として、キャビティの上側にダイアフラム及びピエゾ抵抗を有するセンサ基板とベース基板であるキャップ基板とを接合したものからなっている。そして、この構成においては、全体厚みT、ダイアフラム厚みT1、絶対圧力センサ長さD、及びキャビティ長さD1は、搭載装置のサイズ、感度、及びセンサ基板とキャップ基板との接着強度によって制約される。この制約下において、絶対圧力センサのチップサイズを小型にする場合には、ピエゾ抵抗へ外部応力が加わらないように、キャビティの下側に位置するキャップ基板の厚みT3をなるべく厚くしていた。しかしながら、絶対圧力センサでは、ウエハプロセスにて製造することが主流であり、その際、センサ基板側はパターンニング等を行っているので、ウエハの反り及び凹凸が多い。したがって、グラインダー等を用いてウエハを薄型化する際、テープ貼り付けの平坦性が必要であり、かつ荷重に制限があるといった課題がある。この結果、絶対圧力センサの全体厚みを小さくすることができないという問題点を有している。本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供することにある。本発明の絶対圧力センサは、上記課題を解決するために、ダイアフラムの周縁に複数の圧力感応抵抗素子を形成し、該圧力感応抵抗素子の形成面とは反対側の面にキャビティを形成したセンサ基板に、該キャビティを閉じるようにキャップ基板を接合してなる絶対圧力センサにおいて、上記キャビティの厚みは、キャップ基板の厚み以上となっていることを特徴としている。すなわち、従来では、絶対圧力センサのチップサイズを小型にする場合、圧力感応抵抗素子へ外部応力が加わらないように、キャビティの下側に位置するキャップ基板の厚みをなるべく厚くしていた。この結果、従来では、キャビティの厚みは、キャップ基板の厚みよりも薄くなっていた。しかし、絶対圧力センサが搭載される装置においては、絶対圧力センサの全体厚みに制限が加えられることが多く、その制限に対応して感度を維持するためには、ダイアフラムを薄くする必要がある。しかし、ダイアフラムを薄くするにも限界があり、一定以上に薄くすることができないという問題があった。具体的には、キャビティの厚みを薄くするときには、キャップ基板にテープを貼り付けて補強した上で、センサ基板におけるキャビティの上側を薄くすることになるが、そのときのテープを貼り付け均一性を高めることが困難であり、また、ダイアフラム厚みのバラつきも考慮する必要がある。そこで、本発明では、キャビティの厚みは、キャップ基板の厚み以上となっているという構成を採用している。これにより、配線パターン及び圧力感応抵抗素子のないキャップ基板を研削すればよいので、テープを貼り付け均一性及びダイアフラム厚みのバラつきを考慮することなく、容易に研削することができる。そして、結果的に、従来よりも絶対圧力センサの全体厚みを小さくすることができる。したがって、絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供することができる。本発明の絶対圧力センサでは、前記センサ基板及びキャップ基板は、いずれもシリコンSiからなっており、かつ上記センサ基板とキャップ基板とは、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合にて接合されていることが好ましい。すなわち、キャビティは初期には真空になっているものの、センサ基板とキャップ基板との接合界面ではヘリウムHe又は水素H2等の低分子量の気体に対しては完全密閉することはできない。このため、低分子量の気体が経時的にキャビティ内へリークしたときには、絶対圧としての基準値が変動する。この結果、絶対圧力センサの測定精度が低下することになる。そこで、本発明では、センサ基板とキャップ基板とを無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合とすることにより、センサ基板とキャップ基板との接合を無酸化膜状態としている。このため、センサ基板とキャップ基板との接合界面からヘリウムHe又は水素H2等の低分子量の気体が侵入することがない。したがって、絶対圧としての基準値が変動するがないので、絶対圧力センサの測定精度が低下することがない。この結果、長期間の品質安定性を有する絶対圧力センサを提供することができる。本発明の絶対圧力センサでは、前記キャビティは、平面形状が円形であることが好ましい。これにより、ウエハにて絶対圧力センサを複数個並べて製造する場合において個片化するときに、個片化し易くすることができる。本発明の絶対圧力センサは、以上のように、キャビティの厚みは、キャップ基板の厚み以上となっているものである。それゆえ、絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供するという効果を奏する。本発明の一実施形態について図1~図7に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施の形態の絶対圧力センサ1は、図1に示すように、ダイアフラム11の周縁に複数の圧力感応抵抗素子としてのピエゾ抵抗1212とを形成し、該ピエゾ抵抗1212の形成面とは反対側の面にキャビティ13を形成したセンサ基板10と、該キャビティ13を閉じるキャップ基板20とを接合してなっている。詳細には、上記センサ基板10は、シリコン酸化膜SiO214を介して第1シリコン基板10aと第2シリコン基板10bとを貼り合わせてなるSOIシリコンオンインシュレータ基板からなっている。すなわち、第1シリコン基板10aと第2シリコン基板10bは、いずれもシリコンSiからなっている。第1シリコン基板10aは、複数の圧力感応抵抗素子であるピエゾ抵抗1212を形成した回路形成面を有している。この回路形成面は、複数のピエゾ抵抗1212の上方位置を除いて図示しないシリコン酸化膜にて覆われている。このセンサ基板10には、第2シリコン基板10bとシリコン酸化膜SiO214の一部とを第2シリコン基板10b側から除去することによってキャビティ13が形成され、このキャビティ13の上面を構成する第1シリコン基板10aによってダイアフラム11が形成されている。上記ダイアフラム11は、平面形状が例えば円形に形成されており、このダイアフラム11の円形輪郭の各辺にかかるようにして複数のピエゾ抵抗1212が配置されている。ただし、ダイアフラム11の平面形状は、圧力を受けて歪む形状であれば、矩形等の他の形状でもよい。上記キャビティ13は、上述したように、第2シリコン基板10bと第1シリコン基板10aの一部を第2シリコン基板10b側からドライエッチング法により除去して形成されている。このキャビティ13は、例えば、円筒形状の空間部として形成されている。一方、キャップ基板20は、シリコン基板からなり、センサ基板10を支持し、キャビティ13を覆う基板として機能している。このキャップ基板20は、センサ基板10のキャビティ13を有する側の面、すなわち、第2シリコン基板10bに接合されている。ここで、本実施の形態では、センサ基板10の第2シリコン基板10bとキャップ基板20との接合は、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合にて接合されている。すなわち、シリコンウエハはシリコンSiからなっているが、通常、大気中に放置しておくことにより、その表面が酸化されシリコン酸化膜SiO2が形成される。しかし、シリコン酸化膜SiO2が形成された状態で、キャップ基板20とセンサ基板10の第2シリコン基板10bとを接合した場合には、経時変化を経ることによって、キャップ基板20とセンサ基板10の第2シリコン基板10bとの接合界面から、ヘリウムHe又は水素H2等の低分子量の気体が真空状態としたキャビティ13に侵入し、キャビティ13内の真空状態が破られる。その結果、真の絶対圧力が測定できないことになる。そこで、本実施の形態では、これを防止するため、センサ基板10の第2シリコン基板10bとキャップ基板20とを接合する前に、例えば、第2シリコン基板10bの表面及びキャップ基板20の表面をそれぞれプラズマ処理することにより、該キャップ基板20の表面及び第2シリコン基板10bの表面に形成されたシリコン酸化膜SiO2を除去した後、キャップ基板20と第2シリコン基板10bとを接合している。これにより、キャップ基板20と第2シリコン基板10bとは、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合にてなっており、接合後にキャップ基板20と第2シリコン基板10bとの接合界面からヘリウムHe又は水素H2等の低分子量の気体がキャビティ13に侵入することを防止することができる。尚、キャップ基板20と第2シリコン基板10bとは、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合にて、充分な接合強度が得られるものとなっている。上記の接合により、キャビティ13内は長期間安定して真空状態となっている。その結果、上記構成の絶対圧力センサ1は、ダイアフラム11が外面に付加される圧力に応じて歪むと、その歪み度合いに応じて複数のピエゾ抵抗1212の抵抗値が変化し、この複数のピエゾ抵抗1212にて構成されたブリッジ回路の中点電位がセンサ出力として公知の測定装置に出力される。測定装置は、図示しない各パッドを介して絶対圧力センサ1に接続され、この絶対圧力センサ1の出力中点電位変化に基づいて圧力が測定できるようになっている。ところで、本実施の形態では、キャビティ13の厚みT2を、キャップ基板20の厚みT3以上としている。すなわち、キャビティ13の厚みT2≧キャップ基板20の厚みT3としている。その理由について、図1に基づいて詳述する。尚、以下の解析では、キャビティ13が円形であるとしている。すなわち、図1に示すように、ダイアフラム11は圧力変化により撓む必要がある。一方、キャップ基板20は、絶対圧力センサ1を支持するものであるので、撓みが少ない方がよい。ここで、絶対圧力センサ1について、ダイアフラム11を梁と考えて、この梁であるダイアフラム11に等分布荷重pが作用して撓むことを考えると、ダイアフラム11の中心にかかる応力σは、σ=±3pa2/4T12となる。尚、aは、ダイアフラム11の外周から中心までの半径である。すなわち、撓みにより生じる応力は、ダイアフラム11の厚みT1の2乗に反比例することが判る。この結果、例えば、従来の説明図である図10に示すように、キャップ基板の厚みT3>ダイアフラムの厚みT1とする際に、キャップ基板の厚みT3>10×ダイアフラムの厚みT1とした場合には、キャップ基板及びダイアフラムにかかる応力は、キャップ基板の厚みT3の応力>100×ダイアフラムの厚みT1の応力となる。すなわち、キャップ基板の厚みT3>10×ダイアフラムの厚みT1とすれば、応力に対しては、キャップ基板が100倍程度撓み難くなるので、応力による影響を抑制する効果が生じると考えられており、従来では、この考え方に基づいて、キャップ基板の厚みT3>ダイアフラムの厚みT1としていた。ところで、絶対圧力センサにおいては、図10に示すように、絶対圧力センサの全体厚みTは、絶対圧力センサが搭載される装置の厚さによって高さ制限を受ける。また、絶対圧力センサ長さDは、絶対圧力センサが搭載される装置の面積によって制限を受け、キャビティ長さD1は、センサ基板とキャップ基板との接着強度の影響による制限を受ける。さらに、ダイアフラムの厚みT1は、感度に影響する。そこで、従来では、絶対圧力センサの全体厚みTに制限が課せられた場合には、キャップ基板の厚みT3を大きくすることができないので、必然的に、ダイアフラムの厚みT1を薄くしていた。しかしながら、ダイアフラムの厚みT1を薄くする場合には、キャップ基板のウエハにおける裏面にテープを貼り付けた後、センサ基板の表面を研削してウエハを薄くする。その場合、ダイアフラムの厚みT1は、ダイアフラム厚みバラツキとテープ貼り付け均一性とウエハ厚みバラツキとを考慮して決定する必要がある。したがって、ダイアフラムの厚みT1を薄くすることについては、限界があった。そこで、本実施の形態では、この問題を解決するために、図1に示すように、キャビティの厚みT2は、キャップ基板の厚みT3以上となっている。この結果、本実施の形態では、キャップ基板20の厚みT3を薄くするので、ダイアフラム11の厚みT1のバラツキを考慮する必要がなくなる。そのため、本実施の形態においては、ダイアフラムの厚みT1は、テープ貼り付け均一性とウエハ厚みバラツキとの2つを考慮して決定すればそれで足りる。また、ダイアフラム11の厚みT1のバラツキを考慮する必要がなくなるので、テープ貼り付け均一性が低くてもよい。すなわち、キャップ基板20の厚みT3を薄くするよりも、テープ貼り付け均一性を上げる方が高める方が難しい。この結果、本実施の形態の絶対圧力センサ1では、従来のものよりも絶対圧力センサ1の全体厚みTを容易に薄くできものとなっている。具体的には、従来品では、センサ基板の厚みT1T2が25μmであり、かつキャップ基板の厚みT3が175μmであり、その結果、絶対圧力センサの全体厚みTが200μmとなっていた。これに対して、本実施の形態の絶対圧力センサ1では、センサ基板10の厚みT1T2が400μmであり、かつキャップ基板20の厚みT3が200μmであり、その結果、絶対圧力センサ1の全体厚みTを600μmとすることができるものとなっている。尚、実用品として、例えば携帯電話に内蔵させるために、センサ基板10の厚みT1T2を300μmとし、かつキャップ基板20の厚みT3を200μmとし、その結果、絶対圧力センサ1の全体厚みTを500μmとすることが可能である。さらに、例えばHDDHarddiskdriveに内蔵させるために、センサ基板10の厚みT1T2を100μmとし、かつキャップ基板20の厚みT3を100μmとし、その結果、絶対圧力センサ1の全体厚みTを200μmとすることが好ましい。次に、上記構成の絶対圧力センサ1の製造方法について、図2~図6に基づいて説明する。図2はピエゾ抵抗作成工程を示す断面図であり、図3は第2シリコン基板の研削工程を示す断面図であり、図4はキャビティ形成工程を示す断面図であり、図5はキャップ基板接合工程を示す断面図であり、図6はキャップ基板研削工程を示す断面図である。まず、図2に示すように、第1シリコン基板10aと第2シリコン基板10bとを貼り合わせてなるSOIシリコンオンインシュレータ基板であるセンサ基板10上に、ピエゾ抵抗1212を作製する。このとき、本実施の形態では、ダイアフラムの厚みT1の厚さとなる第1シリコン基板10aの厚さは約5μmとなっている。また、第1シリコン基板10aと第2シリコン基板10bとの合計厚みは例えば約700μmとなっている。次に、図3に示すように、センサ基板10における第2シリコン基板10bの研削工程を行う。研削工程においては、BSGバックサイドグラインディングにて、第2シリコン基板10bの裏面を研削する。この場合、ピエゾ抵抗1212を形成した面に両面テープを張り、図示しないステージに接着した状態で、センサ基板10におけるピエゾ抵抗1212の形成面とは反対側の面を研削する。このとき、第1シリコン基板10aと第2シリコン基板10bとの合計厚みが例えば約100μm程度になるまで研削する。その後、CMPケミカルメカニカルポリッシング工程にて、研削した面を鏡面仕上げする。CMPケミカルメカニカルポリッシング工程では、アルミナの砥粒が混入された研磨液を使って、研削面を磨く。次いで、図4に示すように、センサ基板10における第2シリコン基板10bとシリコン酸化膜SiO214とをエッチングし、キャビティ13となる凹部を形成することにより、その上側にダイアフラム11を形成する。具体的には、MEMSMicroElectroMechanicalSystemsプロセスで使用されるDeep-RIEと称されるドライエッチングにより、第2シリコン基板10bをエッチングする。このように、Deep-RIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチングと称される手法を利用することによって、第2シリコン基板10bの表面に対して垂直に、第2シリコン基板10bをエッチングすることができる。尚、キャビティ13の形状は、例えば約400μm程度の円柱形としている。したがって、キャビティ13の形状は、水平断面が円形となる。ただし、必ずしもこれに限らず、キャビティ13の水平断面の形状は、正方形又は六角形等の多角形でもよい。次に、図5に示すように、常温接合と称される手法を用いて、センサ基板10とキャップ基板20を接合し、真空のキャビティ13を形成する。常温接合においては、まず、図示しない接合装置内の高真空チャンバ内において、接合装置のピストンにセンサ基板10を設置すると共に、接合装置のステージにキャップ基板20を設置する。そして、互いの接合面が対向した状態で保持する。続いて、センサ基板10とキャップ基板20とを10cm程度離した状態で保持し、空間内にアルゴンArイオンビームを照射し、センサ基板10及びキャップ基板20の各対向面上の自然酸化膜を除去する。アルゴンArイオンビームを照射した後、ピストンを降下して接合面を密着させた状態で、2t程度の荷重を加えることにより、センサ基板10とキャップ基板20とを接合する。これにより、センサ基板10とキャップ基板20とは、無酸化膜状態にてシリコンSi-シリコンSi接合される。次に、図6に示すように、キャップ基板20の裏面の研削を行う。キャップ基板20の裏面の研削工程においては、前記図3に示すセンサ基板10における第2シリコン基板10bの研削工程と同様にして、BSGバックサイドグラインディングにて、キャップ基板20の裏面を研削する。このとき、センサ基板10のピエゾ抵抗1212側の面に両面テープを張り、図示しないステージに接着した状態で、ピエゾ抵抗1212の形成面とは反対側の面を研削する。ここでは、例えば、キャップ基板20の厚みT3が例えば100μm程度になるまで研削する。以上の工程により、図1に示す絶対圧力センサ1が完成する。このように、本実施の形態の絶対圧力センサ1では、ダイアフラム11の周縁に複数のピエゾ抵抗1212を形成し、該ピエゾ抵抗1212の形成面とは反対側の面にキャビティ13を形成したセンサ基板10に、該キャビティ13を閉じるようにキャップ基板20を接合してなっている。そして、キャビティ13の厚みT2は、キャップ基板20の厚みT3以上となっている。これにより、配線パターン及びピエゾ抵抗1212のないキャップ基板20を研削すればよいので、テープを貼り付け均一性及びダイアフラム11の厚みのバラつきを考慮することなく、容易に研削することができる。そして、結果的に、従来よりも絶対圧力センサ1の全体厚みTを小さくすることができる。したがって、絶対圧力センサ1の全体厚みTを小さくし得る絶対圧力センサ1を提供することができる。また、本実施の形態では、キャビティ13の厚みT2がキャップ基板20の厚みT3以上となっていることによって、キャビティ13の厚みT2を従来品のキャビティの厚みT2よりも大きくすることができる。このことは、キャビティ13の容積を従来品のキャビティの容積よりも大きくすることができることを意味する。この結果、この結果、仮に、センサ基板10とキャップ基板20との接合が間に酸化膜を介した場合に、接合界面ではヘリウムHe又は水素H2等の低分子量の気体がキャビティ13に侵入することになる。しかし、本実施の形態では、キャビティ13の容積が従来品のキャビティの容積よりも大きい。このため、低分子量の気体がキャビティ13に侵入してもキャビティ13の圧力が大きく変動しないというメリットがある。すなわち、気体の状態方程式であるPV=nRTの関係から、PとVとは反比例する。尚、Pは圧力、Vは体積、nは気体のモル数、Rはガス定数、Tは温度である。したがって、この気体の状態方程式により、Vが大きければ、低分子量の気体がキャビティ13に侵入してもキャビティ13の圧力Pは大きくは変動しないことが判る。また、本実施の形態の絶対圧力センサ1では、センサ基板10及びキャップ基板20は、いずれもシリコンSiからなっており、かつセンサ基板10とキャップ基板20とは、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合にて接合されている。すなわち、キャビティ13は初期には真空になっているものの、センサ基板10とキャップ基板20との接合界面ではヘリウムHe又は水素H2等の低分子量の気体に対しては完全密閉することはできない。このため、低分子量の気体が経時的にキャビティ13内へリークしたときには、絶対圧としての基準値が変動する。この結果、絶対圧力センサ1の測定精度が低下することになる。そこで、本実施の形態では、センサ基板10とキャップ基板20とを無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合とすることにより、センサ基板10とキャップ基板20との接合を無酸化膜状態としている。このため、センサ基板10とキャップ基板20との接合界面からヘリウムHe又は水素H2等の低分子量の気体が侵入することがない。したがって、絶対圧としての基準値が変動するがないので、絶対圧力センサ1の測定精度が低下することがない。この結果、長期間の品質安定性を有する絶対圧力センサ1を提供することができる。また、本実施の形態の絶対圧力センサ1では、キャビティ13は、平面形状が円形となっている。これにより、ウエハにて絶対圧力センサ1を複数個並べて製造する場合において個片化するときに、個片化し易くすることができる。尚、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、本実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。実施例1本実施の形態の絶対圧力センサ1について、キャビティ13の厚みT2を、キャップ基板20の厚みT3以上としたことの効果を確認すべく、従来品との比較実験を行った。実験では、2気圧のヘリウムHeの雰囲気下に絶対圧力センサ1を置き、キャビティ13内の真空度の経時変化を求めた。このときのキャビティ13は、平面形状が円形であり、キャビティ13のサイズを半径0.4mmとした。また、キャビティ13の厚みT2を0.4mmとした。一方、従来品は、キャビティの形状として、動揺に、平面形状円形とし、キャビティサイズを半径0.4mmとした。また、キャビティ13の厚みT2を0.2mmとした。尚、両方とも、センサ基板10とキャップ基板20との接合は、酸化膜を介したシリコンSi-酸化膜SiO2-シリコンSi接合とした。その結果、図7に示すように、両者とも放置日数により略直線的に圧力変動することが判った。具体的には、放置日数10日において、キャビティの厚みT2がキャップ基板の厚みT3よりも小さい従来品の絶対圧力センサでは、圧力変動量が3321Paであったのに対して、キャビティ13の厚みT2をキャップ基板20の厚みT3以上とした本実施の形態の絶対圧力センサ1では、圧力変動量が1660Paであった。したがって、本実施の形態の絶対圧力センサ1では、経時的なキャビティ内真空度の変動量が従来品の1/2以下であることが確認できた。すなわち、本実施の形態では、従来品に対して経時的なキャビティ13内真空度の変動量が小さくなる。したがって、低分子気体の経時的なリークに対し、オフセット変動の影響を受け難くなることが把握できた。実施例2次に、センサ基板10とキャップ基板20とを無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合としたときのキャビティ13内におけるヘリウムHeのリークレートを確認した。また、比較として、センサ基板10とキャップ基板20とを酸化膜を介したシリコンSi-酸化膜SiO2-シリコンSi接合の絶対圧力センサについても同様にしてヘリウムHeのリークレートを確認した。その結果を、表1に示す。すなわち、表1に示すように、センサ基板10とキャップ基板20とを酸化膜を介したシリコンSi-酸化膜SiO2-シリコンSi接合とすることにより、ヘリウムHeのリークレートは、6.8×10E-11Pam3/s以下であった。これに対して、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合では、ヘリウムHeのリークレートは、1×10E-11Pam3/s以下である。この結果、無酸化膜状態でのシリコンSi-シリコンSi接合では、ヘリウムHeのリークレートが小さいことが判った。