"複数のページを有するブロックを含むように論理的に構成されたマルチレベルセルフラッシュメモリの管理方法であって、各ページが複数のセクタを含み、a各ページにパリティセクタを選択し、b前記ブロックに属するページを1またはそれ以上のグループに割り当て、各グループにパリティページを選び、c各ページに対して、前記ページのセクタに格納されたデータに対するセクタパリティ値を算出し、前記セクタパリティ値を前記ページのパリティセクタに格納し、d前記グループの前記ページに格納されたデータのグループパリティ値を算出し、前記パリティページに前記グループパリティ値を格納する、ステップを有することを特徴とする管理方法。さらに、e各グループに対して、ステップcおよびdを繰り返すことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記各ページのセクタにそれぞれセクタ番号が割り当てられており、さらに、f列パリティページを選択し、前記ブロックに属する前記ページの前記セクタ番号を有する全てのセクタに対する列パリティを前記各セクタ番号に対して算出することを特徴とする請求項2に記載のフラッシュメモリの管理方法。各マルチレベルセルは、前記ブロックの少なくとも2つのページによって共有されていることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの管理方法。各グループは8ページからなることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリの管理方法。各マルチレベルセルを共有する前記ページは、異なるグループに割り当てられることを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記グループはそれぞれグループ番号を割り当てられており、ページを共有するマルチレベルセルは、連続するグループ番号を割り当てられることを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリの管理方法。1またはそれ以上の前記グループは、前記ブロックの残余の前記グループのそれぞれに割り当てるように、半分の数のページに割り当てられることを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメモリの管理方法。それぞれ複数のページを有する1またはそれ以上のブロックにおいて論理的に構成されたマルチレベルセルフラッシュメモリの管理方法であって、それぞれのページが複数のセクタを含み、a前記ブロックからパリティブロックを選び、b各ページにパリティセクタを選択し、c前記ブロックに属するページを複数のグループに割り当て、d各ページに対して、各ページのセクタに格納されたデータに対するセクタパリティ値を算出し、前記パリティセクタ内に前記セクタパリティ値を格納し、eグループに属する全てのページへのデータ書き込みに先だって、前記グループに属するページのサブセットに対するサブセットグループパリティを算出し、f前記パリティブロック内に前記サブセットグループパリティを格納する、ステップを有することを特徴とする管理方法。さらに、hステップdからステップfを繰り返す、ことを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記各ページのセクタのそれぞれにセクタ番号が割り当てられており、さらに、f列パリティページを選択し、前記ブロックに属する前記ページの前記セクタ番号を有する全てのセクタに対する列パリティを前記各セクタ番号に対して算出することを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。各グループは8ページからなることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。各マルチレベルセルは、同一グループの2ページによって共有されていることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記パリティブロックは、前記フラッシュメモリの外側に存在することを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記パリティブロックは、不揮発性メモリの外側に存在することを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記パリティブロックに書き込まれたグループの前記サブセットグループパリティは、前記グループのページにデータが完全に書き込まれた後で消去されることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記パリティブロックに書き込まれたグループの前記サブセットグループパリティは、前記グループのページにデータが完全に書き込まれた後でセーブされることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。前記サブセットグループパリティは、前記グループの半分のページのデータから算出されることを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリの管理方法。請求項1に記載の方法によって動作可能なフラッシュメモリデータ記憶システム。請求項9に記載の方法によって動作可能なフラッシュメモリデータ記憶システム。それぞれ複数のページを有するブロックにおいて論理的に構成されたマルチレベルセルフラッシュメモリの管理方法であって、それぞれのページが0から連続的に番号付けされた複数のセクタを含み、a予め決定された速度でページ上にデータを書き込みおよび消去し、bブロックの各ページに対する誤り率を検出し、前記誤り率に基づいて高い誤りページのグループを識別し、そしてc前記予め決定された速度よりも遅い速度で前記識別した高い誤りページのデータの書き込みおよび消去を行なう、ことを特徴とする管理方法。検出回路を含むマルチレベルセルフラッシュメモリの管理方法であって、a第1の検出電圧を用いて、マルチレベルセルの電荷レベルを検出し、それぞれの前記マルチレベルセルのそれぞれの電荷レベルと前記第1の検出電圧との間の第1の相関表を編集し、b前記第1の検出電圧よりも低い第2の検出電圧を選択し、前記第2の検出電圧を用いて前記マルチレベルセルの電荷レベルを検出し、それぞれの前記マルチレベルセルのそれぞれの電荷レベルと前記第2の検出電圧との間の第2の相関表を編集し、c前記第1の相間表を前記第2の相間表に置き換える、ことを特徴とする管理方法。図1は、不揮発性データ記憶装置における従来のNANDフラッシュメディアデバイスの高レベルの概略ブロック図である。図2は、従来のフラッシュメモリデバイスの断面図を示す。図3に従来のマルチレベルMLCフラッシュメモリセルの例が図示されている。ここで、分割チャネルデバイスsplitchanneldeviceは、2つの異なるしきい値電圧、Vt1およびVt2を有している。参照した断面図および等価回路は、米国特許第5,045,940号明細書から入手している。電子状態の変動は、現実のマルチレベルセルシステムにおけるしきい値電圧の範囲を生成する。図4に従来の2ビットマルチレベルセルデバイスのしきい値範囲が描かれている。同一のマルチレベルセルを共有するデータのページは、共有ページsharedpagesと呼ばれている。各製造業者は、この共有ページの間で異なる距離を用いることができる。多くのメモリ販売業者はその距離を4に固定することを好む。例えば、4のペア距離pairdistanceで、ページ0はページ4と対をなし、ページ1はページ5と対をなし、ページ2はページ6と対をなし、および、ページ3はページ7と対をなす。図5は、4のペア距離という概念による対になったページpairedpagesを示す。対になったページは、マルチレベルセルフラッシュメモリシステムにおける同一メモリセルを共有することができる。例えば、2ビットマルチレベルセルフラッシュメモリにおいては、メモリセルのビット0およびビット1は、それぞれ対になったページの第1および第2のページからのビットである。電源切断またはリセットの間などのように書き込み動作が異常に中止されたときには、書き込まれ損傷を受けているページデータだけでなく、対になったページのデータも、それが過去のある時点で正しく書き込まれていたにしても、また損傷を受けているかもしれない。本発明の1実施態様によれば、RAID技術は、2つの次元に沿った方法で適用される。第1の次元、つまり第1の次元のRAIDでは、この方法は同一ページ上のパリティ情報を保存する。第1の次元のRAIDは、同一ページ内の最初のセクタから最後のセクタまでを用いて算出される、行パリティまたはセクタパリティを使用する。図7に示すように、各ページ内にデータの31セクタがあり、それぞれ、セクタ00からセクタ30までラベル付けされている。各ページ内の一つのセクタは、第1の次元のRAIDデータ例えば、行またはセクタのパリティを格納するために予約されている。図7において、p0セクタはページ0のパリティセクタであり、pXはページXのパリティセクタである。1つの共通誤り訂正符号ECCは1ビットの誤り訂正を許容する。余分なパリティビットを用いてダブルビットの誤りが検出できる。従って、パリティセクタのパリティデータは、万一の電源遮断時にそのセクタのECCの能力内でページのいかなるセクタの回復をも許容する。セクタパリティは、データがコントローラからチップのバッファに移動するときにページ内のすべてのデータから算出することができる。第2の次元、つまり第2の次元のRAIDでは、この方法はパリティグループ内の多数のページに渡って算出されたパリティデータを保存する。このようなパリティデータは、グループパリティと呼ばれる。各パリティグループのページ数は可変である。一つの実施例では、例えば、パリティグループ内のページ数は8ページである。ブロック内のすべてのページに渡って対応するセクタのために算出されるグループパリティは、列パリティと呼ばれる。図6は、64ページデータセット内の列パリティを図示する。図6において、それぞれの列パリティ値は、同一のセクタに渡って算出される。例えば、セクタXは全てのページから算出される。そのパリティ値は算出されて、つまり、ブロックの全ページ内の同一セクタに対して算出された列パリティを有して、ブロックに対して指定されたパリティページに書き込まれる。第2の次元のRAIDにおけるグループパリティは、フラッシュメモリデバイスに追加のパリティ保護を提供する。ブロックの全ページよりも少ないページを含むパリティグループのためのグループパリティは、図6に図示されている列パリティよりも高いレベルの保護を定める。第1ステップによれば、パリティグループ内のページの数がグループサイズとして選択される。この数は、対になったページの欠陥から十分な保護を提供するために注意深く選ばれ、しばしば、マルチレベルセルフラッシュメモリ製造業者によって選択される。ペアリング選定のために典型的なグループサイズは8である。図8は、各パリティセクタグループ内に8ページを有するグループパリティを示す。図8において、ページ3、11、58はパリティページである。図10は、本発明の1実施態様による図8に示す構成に適用できるパリティグループ分けの構成を図示する。図10に図示するように、第1のグループ例えば、グループ1は、半分のグループである。8ページからなるその次の各グループにおいて、最初の4ページは、前のグループ内の4ページと対をなしている。例えば、仮に、マルチレベルセルにおけるページ対化の手順pagepairingsequenceが0-4、1-5、2-6、および3-7であれば、例えば、ページ0はページ4と対になり、ページ1はページ5と対になり、ページ2は、ページ6と対になり、およびページ3はページ7と対になる、それは0、1,2ページの各書き込みに対して、対応する2次元のRAIDグループパリティ書き込みがグループパリティページ3上に実行できる。万一、4~6のいずれかのページにおける引き続く書き込みにおいて対応する対になったページ0、1、または2が破損したときには、このデータ損失は前に書き込まれたグループパリティページ3からのRAIDデータを用いて回復できる。このように、グループパリティページは4ページのパリティグループ1内のページ0-2を保護する。グループ2のパリティページはページ11であり、ページ8,9、10をページ12~14の書き込み中の電源遮断により生じる損傷から保護している。図9は、63ページ行および31セクタ列のフラッシュメモリデータセットを示す2次元RAIDグループパリティを要約する表である。図9に示すように、ページ3、ページ11、およびページ59は、8ページグループに対するグループパリティページとして選択されている。各グループの最初の半分は、同一のマルチレベルセルフラッシュメモリデバイス上に対になっている、または、前のグループの2番目の半分とともに存在している。図11は、本発明の別の実施態様におけるパリティグループ分けの構成を図示する。図11では、全てのグループは8ページを含む。マルチレベルセルにおけるページ対化の手順は、0-4、1-5、2-6、および3-7である。例えば、ページ0はページ4と対をなし、ページ1はページ5と対をなし、ページ2はページ6と対をなし、および、ページ3はページ7と対をなす。ページ0から3に対するグループパリティは、データページの外側のパリティブロック内の別設定パリティページsetasideparitypageに書き込まれる。仮に、ページ4から7のいずれかの書き込み中に電源遮断があれば、別設定パリティブロックsetasideparityblock内のパリティページは、ページ0から3の損傷されたデータを回復するために用いることができる。仮に、ページ4~7が成功裏に書き込まれてもデータページ外のパリティブロック内のページ0から3に対するパリティページは将来の参照のために保存しておくことができ、また、もし所望すれば消去することもできる。この方法は全ての8ページに対して繰り返される。このタイプのRAIDの他の長所は、書き込み時にパリティデータを生成するための読み取りを必要としないことである。ただ、書き込まれているページのためにパリティキャッシュが必要なだけである。これは、パリティ生成のために必要なアルゴリズムを簡単にし、書き込み性能における不利益を引き起こさない。万一、ハードのエラーに遭遇するとき、データの再構築の間における時間性能だけは影響を受ける。なお、発明の詳細な説明においてグループのページの数として用いられている8は例示的なものであり、本発明において、グループのページ数は8に限定されない。図11に示す方式を実装するために、第1の次元において、64ページのそれぞれには、パリティセクタ例えば、各ページの第2のセクタ内に配置されているが供給される。各ページのパリティセクタは、第1の次元のRAIDを提供する。第2の次元において、パリティ保護の2つのレベルがある。第1に、全てのページに対する列パリティである。列パリティページ内にては、各セクタは、全てのページについて一致するセクタ全てに基づいて算出された列パリティを格納している。第2に、グループパリテイは、また、選択されたグループサイズに従ってグループ分けされたページに対応して記録されている。グループパリティは別設定パリティブロックに書き込まれてもよい。代替的に、グループパリティは、4番目、11番目、19番目、59番目のページというように、データページに沿って、グループパリティページを格納することができる。別設定パリティブロックを用いる1実施態様によれば、対になったページの第2の半分のグループがいかなる電源遮断もなしに書き込まれた後で、第1の対になったページに対して書き込まれた別設定セットパリティブロックは、消去すること、または、将来の参照のために保存することができる。図12は、本発明の1実施態様において訂正できないセクタの数が生じるときに2次元RAID保護がどのように働くか、を図示する。破損したセクタは、図12に濃く線を引いたブロックによって表わされる。例えば、ページ4のセクタ00、ページ5のセクタ02はそれぞれのページにおいて単一の誤りがある。従って、対応するセクタのデータ喪失はそれらのページ上のそれぞれのパリティセクタからそれぞれ回復できる。しかしながら、ページ7においては、2つのセクタが破損しており、ページ7のセクタ00の破損は、グループパリティページ11から回復できる。同様に、ページ9のセクタ02の破損は、グループパリティページ11から回復できる。上記の訂正に引き続いて、ページ7のセクタ30およびページ9のセクタ30は、それぞれページ7およびページ9のパリティセクタから回復できる。これは、これらのページの他のセクタは既に回復していることによる。従って、1ページまたは1列に2つの不良セクタがあっても、データの回復ができる。対になっているページの数が単一のページまたは単一の列に影響を与えるより厳しい電源遮断のシナリオの場合、グループセクタパリティは、行パリティ、列パリティ、およびグループパリティを組み合わせることによって破損したデータを回復することができる。複数のハードエラーが存在しているときエラーセクタは、濃く線を引いたブロックで表わされるの回復方式の一例が図13に図示されている。ページ0内のセクタ00、ページ1内のセクタ02および、ページ5内のセクタ02は、対応するページに一つのエラーがある。従って、それらは、それぞれ、それらのページ内のパリティセクタから回復することができる。ページ9内のセクタ29は、ページ11のセクタ29のグループパリティから回復することができる。これらの訂正が行われた後で、ページ3のセクタ00は、ページ0-2に渡るセクタ00のグループパリティの再算出によって回復することができる。ページ9のセクタ02は、ページ11のセクタ02のグループパリティから回復することができる。これらの訂正に引き続いて、ページ7のセクタ00は、ページ11のグループパリティから訂正でき、ページ13のセクタ02およびページ13のセクタ29は、グループパリティページ19から回復することができる。上記の訂正に引き続いて、ページ3のセクタ30、ページ7のセクタ30、ページ9のセクタ30およびページ13のセクタ30は、関連するページ内の他の誤ったセクタが回復されたので、対応するパリティセクタから回復することができる。従って、一つの列の中にハードエラーを伴う4つのセクタがあっても、データを回復することができる。データページの外側の別設定パリティブロックがグループパリティの保存に使用される本発明の1実施態様において、データが電源遮断時における書き込み破損に対して保護されるとき、アルゴリズムは、データ書き込み工程に対して書き込むことができる。このアルゴリズムは、8ページのパリティグループに対して次の手順を備える。aページ0からページ3までのページを書き込み、ページ0からページ3に対するグループパリティを算出し;b前記グループパリティページをデータメモリ外部のパリティブロックに書き込み;cページ4から7を書き込み;dページ0から3のパリティブロックを解放し、使用したパリティブロックを保存または消去可能にし;eaからdまでの工程を8ページの全ての引き続くグループに対して繰り返し;f仮に最後のグループが8ページ未満でも、最後のグループも同じように取り扱う。このアルゴリズムを図14に図示する。前述の説明は、添付の特許請求の範囲によって規定される発明の説明を目的としたものであり、その限定を意図したものではない。他の実施態様は、本開示の範囲内である。"