基板に載置される半導体装置であって、第1電極を有するウェハと、前記ウェハに積層された絶縁樹脂層であって前記絶縁樹脂層の積層方向に開口し前記第1電極に開口する第1開口部と前記絶縁樹脂層において前記基板が配置される側の表面のうち前記第1開口部の開口の周囲の平坦表面とを有する絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の前記表面の上側に形成された再配線層であって前記平坦表面に延在した第1接続部と前記第1接続部とは異なる位置に形成された第2接続部とを有する再配線層と、前記再配線層を覆う再配線層保護層であって前記第1接続部が露出するように前記第1開口部に開口する第2開口部と前記第2接続部が露出するように開口する第3開口部とを有する絶縁性の再配線保護層と、前記第1開口部と前記第2開口部とに形成された導電性ポストであって前記導電性ポストの一端部が前記第1電極に電気的に接続し、かつ、前記導電性ポストの他端部が前記第1接続部に電気的に接続した導電性ポストと、前記第2接続部に電気的に接続するように、前記第3開口部に形成されためっき層と、前記めっき層が露出するように、前記導電性ポストを覆う封止樹脂層と、前記めっき層に形成された外部電極と、を備え、前記第2開口部の内径は、前記第1開口部の内径よりも大きい、半導体装置。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第1電極を有するウェハ及び前記第1電極の上に前記絶縁樹脂層を形成する工程と、前記第1電極が露出するように、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、前記絶縁樹脂層に前記第1開口部を形成する工程と、前記第1接続部と前記第2接続部とが互いに電気的に接続するように、前記絶縁樹脂層の上に前記再配線層を形成する工程と、前記再配線層を覆うように、前記再配線層の上に前記再配線保護層を形成する工程と、前記第1接続部及び前記第2接続部が露出するように、それぞれ、前記再配線保護層の一部を除去して、前記再配線保護層に前記第2開口部及び前記第3開口部を形成する工程と、前記第1電極と前記第1接続部とが電気的に接続するように、前記第1開口部及び前記第2開口部内にポスト用めっきを充填させて前記導電性ポストを形成する工程と、前記第2接続部に電気的に接続するように、前記第3開口部内に第1めっきを充填させて第1めっき層を形成する工程と、前記めっき層及び前記導電性ポストを前記封止樹脂層で覆う工程と、前記めっき層が露出するように、かつ、前記導電性ポストが露出しないように、前記封止樹脂層を研磨する工程と、露出した前記めっき層にバンプ層を形成する工程と、前記外部電極が形成されるように、前記バンプ層を溶融させる工程と、前記ウェハを切断して前記半導体装置を得る工程と、を備える半導体装置の製造方法。本発明では、応力緩和機能を有するウェハレベルCSPと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る基板に載置される半導体装置は、第1電極チップパッドを有するウェハと、前記ウェハに積層された絶縁樹脂層であって前記絶縁樹脂層の積層方向に開口し前記第1電極チップパッドに開口する第1開口部と前記絶縁樹脂層において前記基板が配置される側の表面のうち前記第1開口部の開口の周囲の平坦表面とを有する絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の前記表面の上側に形成された再配線層であって前記平坦表面に延在した第1接続部と前記第1接続部とは異なる位置に形成された第2接続部とを有する再配線層と、前記再配線層を覆う再配線層保護層であって前記第1接続部が露出するように前記第1開口部に開口する第2開口部と前記第2接続部が露出するように開口する第3開口部とを有する絶縁性の再配線保護層と、前記第1開口部と前記第2開口部とに形成された導電性ポストであって前記導電性ポストの一端部が前記第1電極チップパッドに電気的に接続し、かつ、前記導電性ポストの他端部が前記第1接続部に電気的に接続した導電性ポストと、前記第2接続部に電気的に接続するように、前記第3開口部に形成されためっき層と、前記めっき層が露出するように、前記導電性ポストを覆う封止樹脂層と、前記めっき層に形成された外部電極と、を備える。前記第2開口部の内径は、前記第1開口部の内径よりも大きい。本発明に係る上記半導体装置の製造方法は、前記第1電極チップパッドを有するウェハ及び前記第1電極チップパッドの上に前記絶縁樹脂層を形成する工程と、前記第1電極チップパッドが露出するように、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、前記絶縁樹脂層に前記第1開口部を形成する工程と、前記第1接続部と前記第2接続部とが互いに電気的に接続するように、前記絶縁樹脂層の上に前記再配線層を形成する工程と、前記再配線層を覆うように、前記再配線層の上に前記再配線保護層を形成する工程と、前記第1接続部及び前記第2接続部が露出するように、それぞれ、前記再配線保護層の一部を除去して、前記再配線保護層に前記第2開口部及び前記第3開口部を形成する工程と、前記第1電極チップパッドと前記第1接続部とが電気的に接続するように、前記第1開口部及び前記第2開口部内にポスト用めっきを充填させて前記導電性ポストを形成する工程と、前記第2接続部に電気的に接続するように、前記第3開口部内に第1めっきを充填させて第1めっき層を形成する工程と、前記めっき層及び前記導電性ポストを前記封止樹脂層で覆う工程と、前記めっき層が露出するように、かつ、前記導電性ポストが露出しないように、前記封止樹脂層を研磨する工程と、露出した前記めっき層にバンプ層を形成する工程と、前記外部電極が形成されるように、前記バンプ層を溶融させる工程と、前記ウェハを切断して前記半導体装置を得る工程と、を備える。本発明では、絶縁樹脂層に傾斜部を設けないで、第1電極と外部電極との間を電気的に接続することができる。そのため、外部電極の配置の自由度が高い。これによって、外部電極の数の増加に対応可能な半導体装置及びその製造方法を提供することができる。絶縁樹脂層の一部に第1開口部を形成して第1電極を露出させる際、第1開口部の形状のアスペクトが高く、第1電極と再配線層との間を電気的に接続するシード層が第1開口部内に十分に形成することができなくても、第1開口部の基板側の開口の周囲に第1接続部が延在しているので、一端部及び他端部がそれぞれ第1電極及び第1接続部に電気的に接続する導電性ポストを第1開口部内に形成することにより、第1電極と第1接続部との間は、導電性ポストによって確実に電気的に接続することができる。第2開口部の内径は第1開口部の内径よりも大きいので、第2開口部内に導電性ポストを形成する工程におけるめっきの表面が上昇する速度は、第1開口部内に導電性ポストを形成する工程におけるめっきの表面の位置が上昇する速度よりも、遅い。このため、導電性ポストの高さを高い精度で制御することが可能になる。導電性ポストを適切な高さに精度よく形成することができるので、ウェハレベルCSPと称される半導体装置を基板に実装するときに、半導体装置に印加する熱により、導電性ポストの一端部が基板側へ垂れ落ちる問題や、導電性ポストの一端部が基板側の回路に電気的に接続する問題を防ぐことができる。以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明に係る半導体装置の製造方法によって得た半導体装置の部分断面図である。図1に示すように、ウェハレベルCSPと称される半導体装置1は、チップ10pと、絶縁樹脂層20と、再配線層13と、絶縁性の再配線保護層21と、導電性ポスト18と、めっき層15と、外部電極17とを備える。チップ10pはその一方の表面10aにチップパッドのような第1電極30を有する。絶縁樹脂層20は、チップ10pの一方の表面10aに積層されている。絶縁樹脂層20は、絶縁樹脂層20の積層方向Yに開口し第1電極30に開口する第1開口部31と、絶縁樹脂層20において基板が配置される側の表面のうち第1開口部31の開口の周囲の平坦表面51とを有する。再配線層13は、絶縁樹脂層20において基板が配置される側の表面以下、基板側表面という。の上側に形成されている。再配線層13は、平坦表面51に延在した第1接続部13cと、基板側表面において、第1接続部13cとは異なる位置に形成された第2接続部36とを有する。再配線保護層21は、再配線保護層21が再配線層13を覆うように、絶縁樹脂層20の基板側表面に形成されている。再配線保護層21には、第1接続部13cが露出するように第1開口部31に開口する第2開口部32と、第2接続部36が露出するように開口する第3開口部33とが形成されている。導電性ポスト18は、第1開口部31内と第2開口部32内とに形成されている。導電性ポスト18は、第1電極30に電気的に接続している一端部と、第1接続部13cに電気的に接続している他端部とを有する。めっき層15は、第2接続部36に電気的に接続するように、第3開口部33に形成されている。封止樹脂層43は、めっき層15が露出するように、導電性ポスト18を覆う。外部電極17は、めっき層15に形成されている。第2開口部32の内径D2は、第1開口部31の内径D1よりも大きい図11参照。以上の半導体装置1は、絶縁樹脂層20に傾斜部を設けないで、第1電極30と外部電極17とを電気的に接続する再配線層13を有する。そのため、外部電極17の配置の自由度が高い。以上のウェハレベルCSPと称される半導体装置1は、以下のようにして製造することができる。図2~図19は、本発明によるウェハレベルCSPと称される半導体装置1の製造方法を説明するための部分断面図である。図2に、前工程が完了した円盤状のウェハ10の部分断面図を示す。図2に示すように、前工程は、円盤状のウェハ10の一方の表面10aに、複数の半導体集積回路図示せずを形成して完了する。ウェハ10の一方の表面10aには、各半導体集積回路に対して複数の第1電極30が形成されている。第1電極30は、半導体集積回路の外部に電気的に接続するための電極である。ウェハ10の表面10aには、半導体集積回路を保護するための膜であるパッシベーション層11が形成されている。パッシベーション層11には、パッシベーション層11の厚さ方向Yに開口する複数の開口11aが形成されている。開口11aは、第1電極30の表面30aが露出するよう、パッシベーション層11に形成されている。パッシベーション層11は、SiNなどの無機膜で成膜されるが、これに限るものではなく、例えば、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールのような有機膜でもよい。また、パッシベーション層11は、無機膜の上に有機膜を形成した構造であってもよい。図3に示すように、ウェハ10の上、すなわち、パッシベーション層11の上に絶縁樹脂層20を形成する。これにより、絶縁樹脂層20は、パッシベーション層11の上面、パッシベーション層11の開口11aの中及び開口11aから露出している第1電極30の表面30aを覆った状態となる。絶縁樹脂層20としては、感光性のポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン、エポキシなどが望ましい。絶縁樹脂層20は、スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによってウェハ10の表面10aすなわちパッシベーション層11の上に塗布し、その後、乾燥させて形成する。このようにして形成された絶縁樹脂層20の厚さは2μm~200μmであることが好ましい。絶縁樹脂層20は、半導体装置1に加わる熱応力や機械的応力によるチップ10pと再配線層13との間のズレを吸収するように、低弾性率であることが好ましい。図4に示すように、絶縁樹脂層20をパターニングして、絶縁樹脂層20に複数の第1開口部31を形成する。第1開口部31は、絶縁樹脂層20の積層方向Yにおいて、開口11aの位置の上側に形成することが好ましい。第1開口部31の形状は、対応する開口11aの形状と同じであることが好ましい。第1開口部31は、例えば、フォトリソグラフィ技術によって第1電極30の上に設けられる。これにより、第1電極30の表面30aは、開口11a及び第1開口部31を介して、絶縁樹脂層20から露出した状態となる。図5に示すように、絶縁樹脂層20の上にシード層12を形成する。シード層12は、絶縁樹脂層20と再配線層13図7参照との間の密着性を確保するように、絶縁樹脂層20の基板側表面に形成された下層12aと、第1電極30の表面30aに形成された上層12bとを備える。下層12aは密着層として機能する。上層12bは、再配線層13を形成するときに給電層とされる。シード層12は、上層12bと下層12aとの間が電気的に接続するように、第1開口部31の側面31aにも形成することが好ましい。これにより、絶縁樹脂層20の基板側表面及び第1開口部31の側面31aは、シード層12で覆われている状態となる。シード層12は、蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによって形成される。密着層としては、例えば、クロム、チタン、チタン-タングステン合金などの金属が用いられる。密着層の厚さは10nm~3000nmであることが好ましい。給電層としては、例えば、銅、クロム、チタン、チタン-タングステン合金などの金属が用いられる。給電層の厚さは100nm~3000nmであることが好ましい。図6に示すように、シード層12の上にめっき用レジスト40を形成し、次いで、密着層及び給電層となる部分が露出するように、フォトリソグラフィ技術によってパターニングを行い、開口40aを形成する。これにより、シード層12のうち上層12bと下層13aの一部がめっき用レジスト40の開口40aから露出している状態となる。めっき用レジスト40は、次の工程で成長させるめっき再配線層13の厚さよりも厚いことが好ましい。図7に示すように、シード層12の上に再配線層13をめっき処理にて形成する。めっき処理によって、再配線層13は、シード層12の上層12bを介して第1電極30に電気的に接続する上層13bと、下層12aを介して絶縁樹脂層20の表面に密着状態に形成される下層13aとを含む。再配線層13は、第1開口部31の側面31aに形成されたシード層12にも形成することが好ましい。これにより、再配線層13は、めっき用レジスト40の開口40aに露出していたシード層12に覆うように、めっき用レジスト40の開口40a内に形成された状態となる。めっき処理の方法としては、電解めっき及び無電解めっきの両方式を利用することができる。めっき金属としては銅、銅合金などが用いられる。再配線層13の厚さは1μm~10μmであることが好ましい。図8に示すように、めっき用レジスト40を除去する。具体的には、めっき用レジスト40を溶解することができるはく離液でめっき用レジスト40を除去する。これにより、絶縁樹脂層20の全面に形成されたシード層12のうち、再配線層13によって覆われていない不要なシード層12が露出した状態となる。図9に示すように、シード層12のうち、めっきにより再配線層13を形成した部分以外のシード層12を除去する。これにより、絶縁樹脂層20の基板側表面の一部が露出した状態となる。不要なシード層12を除去する方法としては、エッチング液を用いる方法や、プラズマを用いる方法を挙げることができる。図10に示すように、再配線層13を覆うように、再配線層13及び露出した絶縁樹脂層20の上に再配線保護層21を形成する。再配線保護層21は、第1開口部31の内部にも充填される。これにより、再配線層13が再配線保護層21によって保護された状態となる。再配線保護層21としては、感光性のポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン、エポキシなどが望ましい。スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによってウェハ10の全面に塗布乾燥して再配線保護層21を形成する。このようにして形成された再配線保護層21の厚さは2μm~20μmであることが好ましい。図11に示すように、再配線保護層21の一部に第2開口部32を形成して、再配線層13の上層13b及び再配線層13の下層13aの一部を第1接続部13cとして露出させる。また、再配線保護層21の他の一部に第3開口部33を形成して、再配線層13の下層13aの一部を第2接続部36として露出させる。これにより、第1電極30は、上層12b及び上層13bを介して電気的に接続可能な状態となる。なお、第2接続部36は、バンプパッドとも呼ばれる。第2開口部32及び第3開口部33は、例えば、フォトリソグラフィ技術によって再配線保護層21をパターニングして、第1電極30及び第2接続部36の上に形成される。第1電極30の上の再配線保護層21の第2開口部32の内径D2は、第1電極30の上の絶縁樹脂層20の第1開口部31の内径D1よりも大きいD2>D1ことが好ましい。これにより、積層方向から見た場合、第2開口部32の内側に、第1開口部31の開口の周囲に形成された平坦表面51が位置する。平坦表面51には、再配線保護層21の第2開口部32に露出している再配線層13の一部が積層されている。図12に示すように、再配線保護層21の上にバリア層14を形成する。このとき、第1開口部31、第2開口部32、第3開口部33の内側、平坦表面51の上側、上層13bにもバリア層14が形成される。バリア層14は、例えば、蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによって形成される。バリア層14は、再配線層13とバンプ状の外部電極17とが拡散することを防ぐと共に、再配線層13とバンプ状の外部電極17との間の密着を強化する機能を有する。また、バリア層14は、再配線層13と導電性ポスト18とが拡散すること防ぐと共に、再配線層13と導電性ポスト18との間の密着を強化する機能を有する。バリア層14としては、例えば、チタン-銅、チタン-タングステン合金、クロム-銅などの金属が用いられる。バリア層14の厚さは0.1μm~1μm程度であることが好ましい。図13に示すように、バリア層14の上にめっき用レジスト41を形成し、フォトリソグラフィ技術によって、第1開口部31及び第2開口部32が露出するように、めっき用レジスト41に開口34を形成するパターニング並びに第3開口部33が露出するように、めっき用レジスト41に開口35を形成するパターニングを行う。めっき用レジスト41に開口34を形成するパターニングをすることにより、めっき用レジスト41に開口34を形成すると共に第1開口部31及び第2開口部32の中にあっためっき用レジスト41が除去され、バリア層14の一部が露出し、第1電極30がバリア層14、上層12b及び上層13bを介して電気的に接続可能な状態となる。図14に示すように、充填するポスト用めっきが第2開口部32の内側の再配線層13及びバリア層14を覆うまで、第1開口部31内及び第2開口部32内にポスト用めっきを充填させて導電性ポスト18を形成する。また、充填するめっきが第3開口部33の内側の再配線層13及びバリア層14を覆うまで、第3開口部33内にめっきを充填させてめっき層15を形成する。導電性ポスト18は、めっき層15よりも低いことが好ましい。これにより、導電性ポスト18の一部は、第2開口部32の内側において、平坦表面51に積層されている第1接続部13cを介してバリア層14に電気的に接続した状態となる。また、導電性ポスト18の他の一部は第1電極30の表面30aに積層された上層12bを介して上層13bに電気的に接続している状態となる。めっき法によってめっき用レジスト41が被覆されていないバリア層14の領域には、導電性ポスト18及びバンプ状の外部電極17となるための金属、好ましくははんだ合金がめっきされる。導電性ポスト18がバリア層14を介して再配線層13に電気的に接続する領域は、平坦表面51に積層された第1接続部13cの領域と略同じである。平坦表面51に積層された第1接続部13cは、第2開口部32の断面積から第1開口部31の断面積を引いた面積πD22-D12/4であり、再配線層13と導電性ポスト18とがバリア層14を介して電気的に接続するために十分な面積を有する。また、導電性ポスト18がバリア層14、上層13b及び上層12bを介して第1電極30に電気的に接続する範囲は、第1開口部31の断面積と略同じである。第1開口部31は、導電性ポスト18がバリア層14、上層13b及び上層12bを介して第1電極30に電気的に接続するために十分な断面積を有する。したがって、絶縁樹脂層20の第1開口部31の側面31aに、シード層12又は再配線層13が電気的な接続が可能に形成されない場合であっても、第2開口部32に形成された導電性ポスト18と平坦表面51に積層された再配線層13の第1接続部13cとの間が確実に電気的に接続し、導電性ポスト18と第1電極30との間が電気的に接続するので、再配線層13と第1電極30との間は、確実に電気的に接続する。なお、シード層12又は再配線層13が側面31aに十分に形成されない場合としては、第1開口部31のアスペクト比が高い場合に、シード層12をスパッタ形成する工程において、スパッタ粒子が第1開口部31の奥まで入り込まない可能性などが挙げられる。図15に示すように、めっき用レジスト41を溶解することができるはく離液でめっき用レジスト41を除去する。めっき層15と第2接続部36との間は、開口35の内側に形成されているバリア層14を介して確実に電気的に接続した状態を維持する。また、導電性ポスト18は、再配線保護層21からわずかに突出している形状を維持している。したがって、導電性ポスト18は、めっき層15よりも低い。図16に示すように、バリア層14のうち、めっきにより形成した導電性ポスト18及びめっき層15に覆われている部分以外の不要なバリア層14を除去する。これにより、再配線保護層21の表面には、導電性ポスト18とめっき層15とが露出している状態となる。不要なバリア層14を除去する方法としては、エッチング液を用いる方法や、プラズマを用いる方法を挙げることができる。図17に示すように、導電性ポスト18及びめっき層15及び導電性ポスト18を含む再配線保護層21の上面全体に封止樹脂層43を形成する。封止樹脂層43としては、エポキシ系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリイミド系樹脂が挙げられる。封止樹脂層43をトランスファモールド法、ディスペンサ法、スピンコーティング法、印刷法などによって形成する。封止樹脂層43の表面と再配線保護層21の表面との間の厚さは、めっき層15の表面と再配線保護層21の表面との間すなわちめっき層15の高さよりも若干厚いことが好ましい。したがって、この状態では、導電性ポスト18及びめっき層15の上面は封止樹脂層43によって覆われている。図18に示すように、封止樹脂層43及びめっき層15の上面側を研磨する。めっき層15の上面が露出するように、封止樹脂層43及びめっき層15の上面側を研磨する。このとき、導電性ポスト18が封止樹脂層43に覆われたままになるように、研磨する量を調節する。これにより、露出されためっき層15の上面が封止樹脂層43の上面と同一となった状態となり、また、めっき層15の上面が露出した状態となる。導電性ポスト18は封止樹脂層43によって覆われているので、リフロー工程において、導電性ポスト18が基板側へ垂れ落ちるという問題や、導電性ポスト18が基板側の回路と電気的に接続する問題は生じない。図19に示すように、露出しためっき層15の上にバンプ金属17aを形成する。バンプ金属17aとしては、銅、銅合金、はんだなどが用いられる。バンプ金属18aの形成方法としては、無電解めっき法、印刷法などが挙げられる。図1に示すように、ウェハ10を加熱して、バンプ金属17aを溶融させて、バンプ金属17aが溶融した溶融金属の表面張力によってバンプ状の外部電極17を形成し、冷却させる。その後、ウェハ10を所定のサイズで切断して、チップ10pに分割し、複数のウェハレベルCSPと称される複数の半導体装置1を得る。バンプ状の外部電極17の高さは、めっき層15及びバンプ金属17aに応じて定まる。したがって、めっき層15及びバンプ金属17aの高さを制御することにより、バンプ状の外部電極17の高さを制御することができる。