基板上に、陽極、有機層及び陰極が積層されてなる有機電界発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、及び正孔阻止層からなる群れから選ばれる少なくとも一つの層に一般式1で表されるカルバゾール化合物を含有させたことを特徴とする有機電界発光素子。一般式1中、Xはそれぞれ独立してCY又は窒素を表し、Yはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~11のシクロアルキル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~18の芳香族複素環基を表す。nは2~4の整数を表し、Aはn価の炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を表し、Lは直接結合、縮環構造でない2価の炭素数6~10の芳香族炭化水素基又は炭素数3~10の芳香族複素環基を表し、Rはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10のアルキル基又は炭素数3~11のシクロアルキル基を表す。但し、Lが直接結合の場合、Aは縮環構造ではない。一般式1において、Lが直接結合、5員環又は6員環で構成される2価の芳香族炭化水素基、又は5員環又は6員環で構成される2価の芳香族複素環基の何れかであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。一般式1において、Lが直接結合、フェニレン基、又は6員環で構成される2価の芳香族複素環基の何れかであり、かつ、nが2又は3であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。一般式1で表されるカルバゾール化合物を含有させた層が、燐光発光ドーパントを含有する発光層であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の有機電界発光素子。本発明の有機電界発光素子は、前記一般式1で表されるカルバゾール化合物を特定の層に含有する。一般式1において、nは2~4の整数であり、Aはn価の炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基である。すなわち、一般式1で表されるカルバゾール化合物は、n個のカルバゾール含有基が、n価の基Aに結合した構造を有する。一般式1において、Xはそれぞれ独立してCY又は窒素を表し、Yは水素、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~11のシクロアルキル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~17の芳香族複素環基を表す。Yが複数存在する場合は、同一であっても、異なってもよい。一般式1において、Xはそれぞれ独立してCY又は窒素を表すが、Xが窒素である場合、その数は1~3個が好ましく、より好ましくは1~2個である。一般式1において、XがCYである場合、Yはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~11のシクロアルキル基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又は炭素数3~17の芳香族複素環基を表す。好ましくは、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~8のシクロアルキル基、炭素数6~14の芳香族炭化水素基又は炭素数3~13の芳香族複素環基である。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である場合、縮環構造でないことが好ましい。アルキル基又はシクロアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基等が挙げられ、直鎖であっても、分岐していても構わない。好ましくは、炭素数1~6のアルキル基又はシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基である。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、フェナントレン、フルオランテン、ピレン、クリセン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ナフチリジン、カルバゾール、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、キサンテン、オキサントレン、フェノキサジン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、チオキサンテン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノチアジン又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる1価の基等が挙げられる。上記芳香環が複数連結された芳香族化合物の具体例としては、例えばビフェニル、ターフェニル、ビピリジン、ビピリミジン、ビトリアジン、ビストリアジルベンゼン、ビナフタレン、フェニルピリジン、ジフェニルピリジン、ジフェニルピリミジン、ジフェニルトリアジン、フェニルカルバゾール、ピリジルカルバゾール等から水素を除いて生じる1価の基等が挙げられ、結合位置は限定されず、末端の環であっても中央部の環であっても構わない。好ましい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例としては、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ジベンゾフラン、オキサントレン、フェノキサジン、ジベンゾチオフェン、チアントレン、フェノチアジン又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる1価の基であり、より好ましくは、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物から水素を除いて生じる1価の基である。一般式1において、複数のRはそれぞれ独立して水素、炭素数1~10のアルキル基又は炭素数3~11のシクロアルキル基を表す。好ましくは、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~8のシクロアルキル基である。アルキル基又はシクロアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。好ましいRは、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基であり、より好ましくは水素である。一般式1において、nは2~4の整数を表す。好ましくは、nは2又は3、より好ましくは2である。一般式1において、Aはn価の炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は炭素数3~50の芳香族複素環基を表す。好ましくは、n価の炭素数6~36の芳香族炭化水素基又は炭素数3~36の芳香族複素環基である。Aが芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である場合、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例としてはベンゼン、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、フェナントレン、フルオランテン、ピレン、クリセン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ナフチリジン、カルバゾール、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、キサンテン、オキサントレン、フェノキサジン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、チオキサンテン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノチアジン又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物からn個の水素を除いて生じるn価の基等が挙げられる。好ましくは、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、アントラセン、フェナントレン、フルオランテン、ピレン、クリセン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、ナフチリジン、カルバゾール、アクリジン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、フェノキサジン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、フェノチアジン又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物からn個の水素を除いて生じるn価の基であり、より好ましくは、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン又はこれらの芳香環が複数連結された芳香族化合物からn個の水素を除いて生じるn価の基である。上記芳香環が複数連結される場合、それらは同一でも異なっていてもよい。上記芳香環が複数連結された芳香族化合物からn個の水素を除いて生じるn価の基の具体例としては、例えばビフェニル、ターフェニル、ビピリジン、ビピリミジン、ビトリアジン、ビストリアジルベンゼン、ビナフタレン、フェニルピリジン、ジフェニルピリジン、ジフェニルピリミジン、ジフェニルトリアジン、フェニルカルバゾール、ピリジルカルバゾール等から水素を除いて生じる基が挙げられ、結合するL又はカルバゾールの1位との連結位置は限定されず、末端の環であっても中央部の環であっても構わない。上記芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は、置換基を有してもよく、置換基を有する場合、好ましい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基、アセチル基又は炭素数6~24のジアリールアミノ基である。置換基を有する場合、置換基の総数は1~10である。好ましくは1~6であり、より好ましくは1~4である。また、上記芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が2つ以上の置換基を有する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、上記芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の炭素数の計算において、置換基を有する場合、その置換基の炭素数を含む。ここで、芳香環が複数連結された芳香族化合物から生じる基は、2価の基の場合、例えば、下記式で表わされる。Ar1~Ar6は芳香環を表す。一般式1において、Lが直接結合の場合、Aは縮環構造ではないn価の芳香族炭化水素基又はn価の芳香族複素環基である。ここで縮環構造ではないとは、複数の芳香環が連結する場合は、一般式1中のn個のカルバゾール環の1位と最初に連結する芳香環が縮環構造ではないことを意味し、カルバゾール環と連結しない芳香環が縮環であっても構わないが、Aは単環又は単環が複数連結したn価の基であることが好ましい。一般式1において、Lは、直接結合、縮環構造でない2価の炭素数6~10の芳香族炭化水素基又は炭素数3~10の芳香族複素環基を表し、直接結合、5員環又は6員環で構成される2価の芳香族炭化水素基、5員環又は6員環で構成される2価の芳香族複素環基の何れかであることが好ましく、直接結合、フェニレン基、6員環で構成される2価の芳香族複素環基の何れかであることがより好ましい。芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基の具体例としては、ピロール、イミダゾール、フラン、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、ピラゾール、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジンから2個の水素を除いて生じる2価の基等が挙げられる。好ましくは、ベンゼン、ピロール、フラン、チオフェン、ピリジン、ピリミジン、トリアジンから2個の水素を除いて生じる基であり、より好ましくは、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、トリアジンから2個の水素を除いて生じる2価の基である。上記2価の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基は、置換基を有してもよく、置換基を有する場合、好ましい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基又はアセチル基である。一般式1において、好ましいAとしては、以下に示す芳香族化合物からn個の水素を除いて形成される。なお、縮環と単環が連結した構造を有する芳香族化合物の場合は、単環からn個の水素を除いて形成される基であることが好ましい。上記芳香族化合物は、置換基を有してもよく、置換基を有する場合、好ましい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、炭素数1~2のアルコキシ基又はアセチル基である。一般式1で表されるカルバゾール化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。上記一般式1で表されるカルバゾール化合物は、基板上に、陽極、複数の有機層及び陰極が積層されてなる有機EL素子の少なくとも1つの有機層に含有させることにより、優れた有機電界発光素子を与える。含有させる有機層としては、発光層、正孔輸送層、電子輸送層または正孔阻止層が適する。より好ましくは、燐光発光ドーパントを含有する発光層のホスト材料として含有させることが良い。次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、基板上に積層された陽極と陰極の間に、少なくとも一つの発光層を有する有機層を有し、且つ少なくとも一つの有機層は、上記カルバゾール化合物を含む。有利には、燐光発光ドーパントと共に一般式1で表されるカルバゾール化合物を発光層中に含む。次に、本発明の有機EL素子の構造について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機EL素子の構造は何ら図示のものに限定されるものではない。図1は一般的な有機EL素子の構造例を示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を各々表わす。本発明の有機EL素子では発光層と隣接して励起子阻止層を有してもよく、また、発光層と正孔注入層との間に電子阻止層を有しても良い。励起子阻止層は発光層の陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。本発明の有機EL素子では、基板、陽極、発光層及び陰極を必須の層として有するが、必須の層以外の層に、正孔注入輸送層、電子注入輸送層を有することがよく、更に発光層と電子注入輸送層の間に正孔阻止層を有することがよい。なお、正孔注入輸送層は、正孔注入層と正孔輸送層のいずれか又は両者を意味し、電子注入輸送層は、電子注入層と電子輸送層のいずれか又は両者を意味する。なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板1上に陰極7、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、この場合も、必要により層を追加したり、省略したりすることが可能である。-基板-本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機EL素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英などからなるものを用いることができる。-陽極-有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。-陰極-一方、陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。-発光層-発光層は燐光発光層であり、燐光発光ドーパントとホスト材料を含む。燐光発光ドーパント材料としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金から選ばれる少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を含有するものがよい。かかる有機金属錯体は、前記先行技術文献等で公知であり、これらが選択されて使用可能である。好ましい燐光発光ドーパントとしては、Ir等の貴金属元素を中心金属として有するIr3等の錯体類、2Iracac等の錯体類、Ptacac等の錯体類が挙げられる。これらの錯体類の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されない。前記燐光発光ドーパントが発光層中に含有される量は、1~40重量、好ましくは5~30重量の範囲にあることがよい。発光層におけるホスト材料としては、前記一般式1で表されるカルバゾール化合物を用いることが好ましい。しかし、該カルバゾール化合物を発光層以外の他の何れかの有機層に使用する場合は、発光層に使用する材料はカルバゾール化合物以外の他のホスト材料であってもよい。また、カルバゾール化合物と他のホスト材料を併用してもよい。更に、公知のホスト材料を複数種類併用して用いてもよい。使用できる公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する化合物であることが好ましい。このような他のホスト材料は、多数の特許文献等により知られているので、それらから選択することができる。ホスト材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8―キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾール誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリNビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。-注入層-注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。-正孔阻止層-正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層には一般式1で表されるカルバゾール化合物を用いることが好ましいが、カルバゾール化合物を他の何れかの有機層に使用する場合は、公知の正孔阻止層材料を用いてもよい。また、正孔阻止層材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。-電子阻止層-電子阻止層とは、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料から成り、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔が再結合する確立を向上させることができる。電子阻止層の材料としては、後述する正孔輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。電子阻止層の膜厚は好ましくは3~100nmであり、より好ましくは5~30nmである。-励起子阻止層-励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。励起子阻止層の材料としては、例えば、13-ジカルバゾリルベンゼンmCPや、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラトアルミニウムIIIBAlqが挙げられる。-正孔輸送層-正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。正孔輸送層には一般式1で表されるカルバゾール化合物を用いることが好ましいが、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。-電子輸送層-電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。電子輸送材料正孔阻止材料を兼ねる場合もあるとしては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送層には本発明に係る一般式1で表されるカルバゾール化合物を用いることが好ましいが、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。以下、本発明を実施例によって更に詳しく説明するが、本発明は勿論、これらの実施例に限定されるものではなく、その要旨を越えない限りにおいて、種々の形態で実施することが可能である。以下に示すルートにより燐光発光素子用材料となるカルバゾール化合物を合成した。尚、化合物番号は、上記化学式に付した番号に対応する。合成例1化合物A-1の合成窒素雰囲気下、2-ブロモフェニルヒドラジン塩酸塩1500g、無水フタル酸1900g、トルエンを4500ml加え、120°Cで加熱しながら一晩撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後、析出した淡黄色固体をろ取した。得られた淡黄色固体を加熱リスラリーで精製を行い、淡黄色粉末の中間体1を1810g057mol、収率71を得た。窒素雰囲気下、中間体11260g、トリフェニルビスムチン3500g、酢酸銅1080g、脱水塩化メチレン3000mlを加え、氷浴中で撹拌した。内温が5°C以上にならないようにトリエチルアミン413mlをゆっくり加え、50°Cで加熱しながら一晩撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後、析出した淡黄色固体をろ取し、得られた淡黄色固体を再結晶で精製を行い、淡黄色粉末の中間体2を720g018mol、収率45を得た。窒素雰囲気下、中間体2を300g、脱水ベンゼンを1500ml加え、室温で撹拌しながら塩化アルミニウム508gを加えた後、室温で3時間撹拌した。水酸化ナトリウム水溶液900mlを撹拌しながら加えた。反応溶液を室温まで冷却した後、蒸留水とトルエンを撹拌しながら加えた。有機層を蒸留水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として中間体3を80gを得た。窒素雰囲気下、中間体3を210g、ヨードベンゼン870g、よう化銅I650g、三リン酸カリウム724g。脱水14ジオキサン250mlを加え、室温で撹拌しながらtarns12シクロヘキサンジアミン389gを加えた後、90°Cで2時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却した後、セライトを用いてろ過した後、溶媒を減圧除去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、無色液体として中間体4を177gを得た。窒素雰囲気下、中間体4を170g、脱水テトラヒドロフラン300mlを加え、60°Cで撹拌しながらnブチルリチウム416mlを加え、60°Cで1時間撹拌した。その後、60°Cでトリメトキシボラン94mlを加え、室温で1時間撹拌した。さらに2M塩酸50mlを加え、1時間撹拌した後、蒸留水とトルエン200mlを撹拌しながら加えた。有機層を蒸留水100ml×3で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、白色固体として中間体5を91gを得た。窒素雰囲気下、13ジヨードベンゼン43g、中間体5を90g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0081g、トルエン30ml、エタノール6mlを加え、室温で撹拌しながら、2M水酸化ナトリウム水溶液20mlを加えた。90°Cで15時間撹拌した後、室温まで冷却し、有機層を蒸留水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、硫酸マグネシウムをろ別し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、晶析、再結晶で精製することで、白色固体として化合物A1を22gを得た。APCITOFMSmz561MH、1HNMR測定結果測定溶媒:THFd8を図2に示す。実施例1膜厚110nmのITO基板からなる陽極が形成されたガラス基板上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度40×105Paで積層させた。まず、ITO上に銅フタロシアニンCuPcを20nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層として44ビスNNフェニルアミノビフェニルNPBを20nmの厚さに形成した。次に、正孔輸送層上に、ホスト材料としての化合物A1とドーパントとしてのトリス2‐フェニルピリジンイリジウムIIIIr3とを異なる蒸着源から、共蒸着し、30nmの厚さに発光層を形成した。この時、Ir3の濃度は10wtであった。次に、正孔阻止層としてBAlqを10nmの厚さに形成した。次に電子輸送層としてトリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウムAlq3を40nmの厚さに形成した。更に、電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウムLiFを1nmの厚さに形成した。最後に、電子注入層上に、電極としてアルミニウムAlを70nmの厚さに形成し、有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、表1に示すような発光特性を有することが確認された。実施例2発光層のホスト材料として、化合物A8を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例3発光層のホスト材料として、化合物A19を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例4発光層のホスト材料として、化合物B31を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例5発光層のホスト材料として、化合物C4を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例6発光層のホスト材料として、化合物D1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例7発光層のホスト材料として、化合物E3を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。比較例1実施例2における発光層のホスト材料としてmCPを用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。比較例2発光層のホスト材料として、化合物H1を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。実施例2~7及び比較例1~2で得られた有機EL素子について、実施例1と同様にして評価したところ、表1のような発光特性を有することが確認された。なお、実施例2~7及び比較例1~2で得られた有機EL素子の発光スペクトルの極大波長はいずれも540nmであり、Ir3からの発光が得られていると同定された。表1において、輝度、電圧及び発光効率は、20mAcm2での駆動時の値を示す。実施例1は比較例1及び比較例2に対して初期特性が向上している。これより、2つ以上のカルバゾール環を1位で連結基を介して連結させた9位に特定の置換基を有するカルバゾール化合物を有する材料を有機EL素子に使用することで、有機EL素子特性が改善することが判る。同様に、実施例2~7のEL素子特性は良好であり、ここでも一般式1で表されるカルバゾール化合物の優位性が示される。本発明の有機EL素子は、発光特性、駆動寿命ならびに耐久性において、実用上満足できるレベルにあり、フラットパネルディスプレイ携帯電話表示素子、車載表示素子、OAコンピュータ表示素子やテレビ等、面発光体としての特徴を生かした光源照明、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源、表示板や標識灯等への応用において、その技術的価値は大きいものである。