導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で低圧化学的気相堆積法により、第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で低圧化学的気相堆積法により、前記第1の導電型である結晶性半導体領域上に、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する真性である結晶性半導体領域を形成するとともに、前記第1の導電型である結晶性半導体領域から前記真性である結晶性半導体領域の方向に、前記第1の導電型を付与する不純物元素を移動させ、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°C以下または650°C以上の温度で低圧化学的気相堆積法により、前記真性である結晶性半導体領域上に第2の導電型である半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で低圧化学的気相堆積法により、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で低圧化学的気相堆積法により、前記第1の導電型である結晶性半導体領域上に、真性である結晶性半導体領域を形成するとともに、前記第1の導電型である結晶性半導体領域から前記真性である結晶性半導体領域の方向に、前記第1の導電型を付与する不純物元素を移動させ、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°C以下または650°C以上の温度で低圧化学的気相堆積法により、前記真性である結晶性半導体領域上に第2の導電型である半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1または請求項2において、前記シリコンを含む堆積性ガスは、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンを用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、前記第2の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記第1の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの一方であり、前記第2の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの他方であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。いずれにしても、シリコン基板の表面に凹凸構造を形成するために、シリコン基板自体をエッチングする方法は、凹凸形状の制御性に問題があり、太陽電池の特性にも影響を与えるので好ましくない。また、シリコン基板のエッチングのためにアルカリ溶液や、多量の洗浄水が必要となり、シリコン基板の汚染にも注意を払う必要があるため、生産性の観点からも好ましくない。そこで、本発明の一形態は、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供することを課題とする。本発明の一形態は、半導体表面に同種または異種の半導体の結晶を成長させて凹凸構造とし、反射防止構造を形成することを要旨とする。これによって、半導体基板または半導体膜の表面をエッチングする必要がなくなる。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。気相成長法によれば、凹凸構造としてウィスカーを複数有する半導体層を成長させることが可能であり、これによって光電変換装置の反射防止構造とすることができる。また、本発明の一形態は、導電層上に設けられた第1の導電型である結晶性半導体領域と、第1の導電型である結晶性半導体領域上に設けられ、結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸表面を有し、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を有する結晶性半導体領域と、凹凸表面を有する結晶性半導体領域の該凹凸表面を被覆するように設けられた第1の導電型とは逆の第2の導電型である結晶性半導体領域と、を有する光電変換装置である。また、本発明の一形態は、電極上に積層された第1の導電型である結晶性半導体領域、真性である結晶性半導体領域、及び第2の導電型である半導体領域を有し、電極及び第1の導電型である結晶性半導体領域の界面が平坦であり、真性である結晶性半導体領域が、結晶性半導体領域、及び当該結晶性半導体領域上に設けられ、結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有することを特徴とする光電変換装置である。即ち、真性である結晶性半導体領域は、複数のウィスカーを有するため、第2の導電型である半導体領域の表面が凹凸状である。更に、真性である半導体領域及び第2の導電型である半導体領域の界面は凹凸状である。そして、第1の導電型である結晶性半導体領域から真性である結晶性半導体領域の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を有している。本発明の一形態は、電極上に積層された第1の導電型である結晶性半導体領域、真性である結晶性半導体領域、及び第2の導電型である半導体領域を有し、電極及び第1の導電型である結晶性半導体領域の界面が平坦であり、第1の導電型である結晶性半導体領域が、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域、及び当該結晶性半導体領域上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有することを特徴とする光電変換装置である。即ち、第1の導電型である結晶性半導体領域は、複数のウィスカーを有するため、第2の導電型である半導体領域の表面が凹凸状である。更に、第1の導電型である結晶性半導体領域及び真性である結晶性半導体領域の界面は凹凸状である。そして、第1の導電型である結晶性半導体領域から真性である結晶性半導体領域の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を有している。なお、上記光電変換装置において、第1の導電型である結晶性半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、第2の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方である。上記光電変換装置において、第2の導電型である半導体領域は、非晶質半導体または結晶性半導体を用いることができる。または、非晶質半導体と結晶性半導体とが混在した半導体材料を用いることができる。上記光電変換装置において、真性である結晶性半導体領域及び第2の導電型である半導体領域は、バンドギャップが異なる材料を用いてもよい。上記光電変換装置において、第2の導電型である半導体領域は、真性である結晶性半導体領域よりバンドギャップの大きい材料を用いてもよい。また、本発明の一形態は、上記第2の導電型である半導体領域上に積層された第3の導電型である半導体領域、真性である半導体領域、及び第4の導電型である半導体領域を有する光電変換装置である。なお、真性である結晶性半導体領域と真性である半導体領域とは、バンドギャップが異なる。なお、上記光電変換装置において、第1の導電型である結晶性半導体領域及び第3の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、第2の導電型である半導体領域及び第4の導電型である半導体領域は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方である。第1の導電型である結晶性半導体領域若しくは真性である結晶性半導体領域に形成される複数のウィスカーの軸の方向は、電極の法線方向であってもよい。または、第1の導電型である結晶性半導体領域若しくは真性である結晶性半導体領域に形成される複数のウィスカーの軸の方向は、不揃いであってもよい。電極は、少なくとも導電層又は混合層の一方を有する。電極は、導電層及び混合層を有する場合もある。また、電極の全部が混合層である場合もある。また、混合層がない場合もある。導電層は、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成することができる。または、導電層は、白金、アルミニウム、銅に代表される金属元素等の導電性の高い材料で形成される層と、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成される層との積層構造とすることができる。混合層は、金属元素及びシリコンを有する。混合層としては、導電層を形成する金属元素及びシリコンを有してもよい。また、導電層をシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する場合、混合層は、シリサイドで形成されてもよい。光電変換装置において、第1の導電型である結晶性半導体領域または真性である結晶性半導体領域に複数のウィスカーを有することで、第2の導電型である半導体領域の表面における光の反射率を低減することができる。さらに、光電変換層に入射した光は、光閉じ込め効果により光電変換層で吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。また、本発明の一形態は、導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で低圧化学的気相堆積法以下、減圧CVD法またはLPCVD:LowPressureChemicalVaporDeposition法とも示す。により、第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で減圧CVD法により、第1の導電型である結晶性半導体領域上に、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する真性である結晶性半導体領域を形成するとともに、第1の導電型である結晶性半導体領域から真性である結晶性半導体領域の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素を移動させ、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°C以下または650°C以上の温度で減圧CVD法により、真性である結晶性半導体領域上に第2の導電型である半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。第1の導電型である結晶性半導体領域を形成する際に、上記導電層及び第1の導電型である結晶性半導体領域の間に混合層が形成される場合もある。また、本発明の一形態は、導電層上に、シリコンを含む堆積性ガス及び第1の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で減圧CVD法により、結晶性半導体領域及び結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用い550°Cより高く650°Cより低い温度で減圧CVD法により、第1の導電型である結晶性半導体領域上に、真性である結晶性半導体領域を形成するとともに、第1の導電型である結晶性半導体領域から真性である結晶性半導体領域の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素を移動させ、シリコンを含む堆積性ガス及び第2の導電型を付与するガスを原料ガスに用い550°C以下または650°C以上の温度で減圧CVD法により、真性である結晶性半導体領域上に第2の導電型である半導体領域を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。第1の導電型である結晶性半導体領域を形成する際に、上記導電層及び第1の導電型である結晶性半導体領域の間に混合層が形成される場合もある。上記において、550°Cより高く650°Cより低い温度で減圧CVD法により第1の導電型である結晶性半導体領域及び真性である結晶性半導体領域を形成することにより、真性である結晶性半導体領域は結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域及び結晶性半導体領域を有することができる。それとともに、第1の導電型である結晶性半導体領域から真性である結晶性半導体領域の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素を移動させることで、第1の導電型である結晶性半導体領域から真性である結晶性半導体領域の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配が生じる。なお、複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域を形成することができる温度であれば、上記温度範囲以外の温度を採用してもよい。複数のウィスカーを形成することができる条件であれば、他の条件を採用してもよい。上記において、550°C以下または650°C以上の温度で減圧CVD法により第2の導電型である半導体領域を形成することにより、ウィスカーを成長させずに、第2の導電型である半導体領域を形成すなわち堆積することができる。なお、ウィスカーを成長させずに半導体領域を堆積することができる温度であれば、上記温度範囲以外の温度を採用してもよい。ウィスカー成長せずに半導体領域を堆積することができる条件であれば、他の条件を採用してもよい。シリコンを含む堆積性ガスは、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンを用いてもよい。また、第1の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの一方であり、第2の導電型を付与するガスは、ジボラン及びホスフィンの他方である。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成される導電層上に、減圧CVD法を用いて光電変換装置を作製することで、複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域または真性である結晶性半導体領域を形成することができる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である実質的に真性である半導体を含むものとする。この真性半導体には、周期表第13族または第15族の不純物元素が含まれるものを含むものとする。従って、真性半導体に換えて、n型又はp型の導電性を示す半導体であっても、課題を解決することができ、同様の作用効果を奏するものであれば、これを用いることができる。本発明の一形態により、第2の導電型である半導体領域の表面を凹凸状にすることで、光電変換装置の特性を高めることができる。すなわち、真性である結晶性半導体領域の光入射側の面に、ウィスカー群を設けることにより、表面反射を低減することができる。また、第1の導電型である結晶半導体領域から真性である結晶性半導体領域の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を設けることにより、光電変換セルの短絡電流の低下を防止することができる。すなわち、ウィスカー群を含む結晶性半導体領域に欠陥が含まれることにより、少数キャリアの寿命時間が短くなった場合でも、短絡電流が低下してしまうことを防ぐことができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。また、本明細書にて用いる第1、第2、第3などの用語は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、第1のを第2のまたは第3のなどと適宜置き換えて説明することができる。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造について、図1乃至図4を用いて説明する。本実施の形態に示す光電変換装置は、導電層上に設けられた第1の導電型である結晶性半導体領域107と、第1の導電型である結晶性半導体領域107上に設けられ、結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸表面を有し、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を有する真性である結晶性半導体領域109と、凹凸表面を有する結晶性半導体領域109の該凹凸表面を被覆するように設けられた第1の導電型とは逆の第2の導電型である結晶性半導体領域111と、を有する。図1は、基板101、電極103、第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、第1の導電型とは逆である第2の導電型である結晶性半導体領域111、及び絶縁層113を有する光電変換装置である。第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111は光電変換層106として機能する。本実施の形態においては、電極103は、少なくとも導電層104又は混合層105の一方を有する。電極103は、導電層104及び混合層105を有する場合もある。また、電極103の全部が混合層105である場合もある。また、混合層105がない場合もある。電極103が導電層104を有する場合、電極103の導電性を高めることができる。また、電極103と第1の導電型である結晶性半導体領域107との界面が平坦である。また、真性である結晶性半導体領域109は、平坦部と複数のウィスカーウィスカー群を有する。即ち、電極103及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の界面は平坦であり、第2の導電型である半導体領域の表面が凹凸状である。さらに、真性である結晶性半導体領域109及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の界面が凹凸状であり、第2の導電型である結晶性半導体領域111及び絶縁層113の界面が凹凸状である。第1の導電型である結晶性半導体領域107は、n型半導体領域及びp型半導体領域の一方であり、第2の導電型である結晶性半導体領域111は、n型半導体領域及びp型半導体領域の他方である。本実施の形態では、第1の導電型である結晶性半導体領域107にp型の結晶性半導体層を用い、第2の導電型である結晶性半導体領域111にn型の結晶性半導体層を用いるが、それぞれ逆の導電型を用いてもよい。基板101は、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等に代表されるガラス基板、サファイア基板、石英基板等を用いることができる。また、ステンレス等の金属基板等に絶縁膜を形成した基板を用いてもよい。本実施の形態では基板101として、ガラス基板を用いる。導電層104は、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する。または、基板101側に、白金、アルミニウム、銅、チタン、またはシリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、もしくはモリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金等に代表される導電性の高い金属元素で形成される層を有し、第1の導電型である結晶性半導体領域107側にシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成される層を有する積層構造としてもよい。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、コバルト、ニッケル等がある。混合層105は、導電層104を形成する金属元素及びシリコンで形成されてもよい。なお、混合層105が導電層104を形成する金属元素及びシリコンで形成される場合、LPCVD法で第1の導電型である結晶性半導体領域を形成する際の加熱により、原料ガスの活性種が堆積部に供給されるため、導電層104にシリコンが拡散し、混合層105が形成される。導電層104をシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する場合、混合層105には、シリサイドを形成する金属元素のシリサイド、代表的には、ジルコニウムシリサイド、チタンシリサイド、ハフニウムシリサイド、バナジウムシリサイド、ニオブシリサイド、タンタルシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、コバルトシリサイド、及びニッケルシリサイドの一以上が形成される。または、シリサイドを形成する金属元素及びシリコンの合金層が形成される。導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の間に混合層105を有する場合、導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の間の界面における抵抗を低減させることが可能であるため、導電層104上に直接第1の導電型である結晶性半導体領域107を積層する場合と比較して、直列抵抗を低減することができる。また、導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の密着性を高めることが可能であり、この結果光電変換装置の歩留まりを向上させることができる。なお、導電層104は箔状、板状、網状であってもよい。このような形状の場合、導電層104は単独で形状保持できるため、基板101を用いる必要はない。このため、コスト削減が可能である。また、導電層104を箔状とすることで、可撓性を有する光電変換装置を作製することができる。第1の導電型である結晶性半導体領域107は、代表的には、導電型を付与する不純物元素が添加された半導体で形成される。半導体材料としては、生産性や価格などの点でシリコンを用いるのが好適である。半導体材料としてシリコンを用いる場合、導電型を付与する不純物元素としては、n型を付与するリンまたはヒ素、p型を付与するホウ素が採用される。ここでは、第1の導電型である結晶性半導体領域107として、p型の結晶性半導体で形成する。なお、本実施の形態では、第1の導電型をp型としているが、第1の導電型をn型としてもよい。真性である結晶性半導体領域109は、結晶性半導体領域109aと、当該結晶性半導体領域109a上に結晶性半導体で形成されるウィスカー109bを複数有するウィスカー群とを有する。なお、結晶性半導体領域109a及びウィスカー109bは、界面が明確ではない。このため、ウィスカー109bの間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ電極103の表面と平行な平面を、結晶性半導体領域109aとウィスカー109bとの界面とする。本実施の形態に示す光電変換装置は、上記ウィスカーを1つ以上有する。結晶性半導体領域109aは、第1の導電型である結晶性半導体領域107を覆う。また、ウィスカー109bは、ひげ状の突起を複数有し、複数の突起が散在している。なお、ウィスカー109bは、円柱状、角柱状等の柱状、円錐状または角錐状の針状でもよい。ウィスカー109bは、頂部が湾曲していてもよい。ウィスカー109bの径は、100nm以上10μm以下、好ましくは500nm以上3μm以下である。また、ウィスカー109bの軸における長さは、300nm以上20μm以下、好ましくは500nm以上15μm以下である。なお、ウィスカー109bの軸における長さhとは、ウィスカー109bの頂点または上面の中心を通る軸における、該頂点または該上面の中心と結晶性半導体領域109aとの距離である。また、真性である結晶性半導体領域109の厚さは、結晶性半導体領域109aの厚さと、ウィスカー109bの頂点から結晶性半導体領域109aまでの垂線の長さすなわち、高さの和となる。また、ウィスカー109bの径とは、結晶性半導体領域109aとウィスカー109bとの界面における、輪切り断面形状の長軸の長さをさす。なお、ウィスカー109bが結晶性半導体領域109aから伸張する方向を長手方向といい、長手方向に沿った断面形状を長手断面形状という。また、長手方向が法線方向となる面を輪切り断面形状という。図1において、真性である結晶性半導体領域109に含まれるウィスカー109bの長手方向は一方向、例えば電極103の表面に対する法線方向に伸張している。なお、ウィスカー109bの長手方向は、電極103の表面に対して法線方向と、略一致していればよく、その場合、方向の差は代表的には5度以内であることが好ましい。なお、図1においては、真性である結晶性半導体領域109に含まれるウィスカー109bの長手方向は一方向、例えば電極103の表面に対する法線方向に伸張しているが、ウィスカーの長手方向は不揃いであってもよい。代表的には、長手方向が法線方向と略一致するウィスカーと、長手方向が法線方向とは異なるウィスカーとを有してもよい。第2の導電型である結晶性半導体領域111は、n型の結晶性半導体で形成される。なお、第2の導電型である結晶性半導体領域111に用いることができる半導体材料は、第1の導電型である結晶性半導体領域107と同様である。本実施の形態では、真性である結晶性半導体領域109及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の界面、第2の導電型である結晶性半導体領域111の表面が凹凸状である。このため、第2の導電型である結晶性半導体領域111から入射する光の反射率を低減することができる。さらに、光電変換層106に入射した光は、光閉じ込め効果により光電変換層106で効率よく吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。なお、図1における第1の導電型である結晶性半導体領域107から真性である結晶性半導体領域109の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を有していることが好ましい。言い換えると、結晶性半導体領域107と結晶性半導体領域109との間接合部分ともいうに、当該不純物元素の濃度勾配を有していることが好ましい。ただし、結晶性半導体領域107と結晶性半導体領域109との界面が明確でないため、当該濃度勾配が、結晶性半導体領域107内にある場合、結晶性半導体領域109内にある場合、その両方の領域内にある場合、又は別の領域内にある場合を含むものとする。図6は、図1におけるウィスカーの拡大図である。図6に示すように、結晶性半導体領域107に含まれる第1の導電型を付与する不純物元素Xの一部が、結晶性半導体領域107から結晶性半導体領域109の方向に移動し、真性である結晶性半導体領域109側から第1の導電型である結晶性半導体領域107に向かって不純物元素Xの濃度が高くなるような濃度勾配が生じる。すなわち、結晶性半導体領域107の不純物元素の濃度は、結晶性半導体領域109の不純物元素の濃度より高い。このように、結晶性半導体領域107から結晶性半導体領域109の方向に、不純物元素の濃度勾配を有することで、光電変換装置の短絡電流の低下を防止することができる。すなわち、ウィスカー群を含む結晶性半導体領域に欠陥が含まれることにより、少数キャリアの寿命時間が短くなった場合でも、短絡電流が低下してしまうことを防ぐことができる。なお、上記の濃度勾配は、不純物元素の濃度が連続的に変化している場合に限定されない。例えば、結晶性半導体領域107と結晶性半導体領域109との間に、結晶性半導体領域109よりも不純物元素の濃度が高く、結晶性半導体領域107より不純物元素の濃度が低い部分を有していればよい。なお、図1においては、第1の導電型である結晶性半導体領域107及び真性である結晶性半導体領域109の界面は平坦であるが、図2に示すように、第1の導電型である結晶性半導体領域108及び真性である結晶性半導体領域109の界面が凹凸状であってもよい。図2に示す第1の導電型である結晶性半導体領域108は、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体領域108a、及び当該結晶性半導体領域108a上に設けられ、第1の導電型を付与する不純物元素を有する結晶性半導体で形成されるウィスカー108bを複数有するウィスカー群を有する。なお、結晶性半導体領域108a及びウィスカー108bは、界面が明確ではない。このため、ウィスカー108bの間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ電極103の表面と平行な平面を、結晶性半導体領域108aとウィスカー108bとの界面とする。ウィスカー108bは、ひげ状の突起を複数有し、複数の突起が散在している。なお、ウィスカー108bは、円柱状、角柱状等の柱状、円錐状または角錐状の針状でもよい。ウィスカー108bは、頂部が湾曲していてもよい。第1の導電型である結晶性半導体領域108に含まれるウィスカー108bの長手方向は一方向、例えば電極103の表面に対する法線方向に伸張している。なお、ウィスカー108bの長手方向は、電極103の表面に対して法線方向と、略一致していればよく、その場合、方向の差は代表的には5度以内であることが好ましい。なお、図2においては、第1の導電型である結晶性半導体領域108に含まれるウィスカー108bの長手方向は一方向、例えば電極103の表面に対する法線方向に伸張しているが、ウィスカーの長手方向は不揃いであってもよい。代表的には、長手方向が法線方向と略一致するウィスカーと、長手方向が法線方向とは異なるウィスカーとを有してもよい。図2に示す光電変換装置において、第1の導電型である結晶性半導体領域108及び真性である結晶性半導体領域109の界面、真性である結晶性半導体領域109及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の界面、第2の導電型である結晶性半導体領域111の表面が凹凸状である。このため、第2の導電型である結晶性半導体領域111から入射する光の反射率を低減することができる。さらに、光電変換層106に入射した光は、光閉じ込め効果により光電変換層106で効率よく吸収されるため、光電変換装置の特性を高めることができる。なお、図2における第1の導電型である結晶性半導体領域108から真性である結晶性半導体領域109の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を有していることが好ましい。言い換えると、結晶性半導体領域108と結晶性半導体領域109との間接合部分ともいうに、当該不純物元素の濃度勾配を有しているとも言える。ただし、結晶性半導体領域108と結晶性半導体領域109との界面が明確でないため、当該濃度勾配が、結晶性半導体領域108内にある場合、結晶性半導体領域109内にある場合、その両方の領域内にある場合、又は別の領域内にある場合を含むものとする。図7は、図2におけるウィスカーの拡大図である。図7に示すように、結晶性半導体領域108に含まれる第1の導電型を付与する不純物元素Xの一部が、結晶性半導体領域108から結晶性半導体領域109の方向に移動し、真性である結晶性半導体領域109側から第1の導電型である結晶性半導体領域107に向かって不純物元素Xの濃度が高くなるような濃度勾配が生じる。すなわち、結晶性半導体領域108の不純物元素の濃度は、結晶性半導体領域109の不純物元素の濃度より高い。このように、結晶性半導体領域108から結晶性半導体領域109の方向に、不純物元素の濃度勾配を有することで、光電変換装置の短絡電流の低下を防止することができる。すなわち、ウィスカー群を含む結晶性半導体領域に欠陥が含まれることにより、少数キャリアの寿命時間が短くなった場合でも、短絡電流が低下してしまうことを防ぐことができる。なお、上記の濃度勾配は、不純物元素の濃度が連続的に変化している場合に限定されない。例えば、結晶性半導体領域108と結晶性半導体領域109との間に、結晶性半導体領域109よりも不純物元素の濃度が高く、結晶性半導体領域108より不純物元素の濃度が低い部分を有していればよい。なお、第2の導電型である結晶性半導体領域111の露出部には、保護層の機能及び反射防止機能を有する絶縁層113を形成することが好ましい。絶縁層113には、屈折率が第2の導電型である結晶性半導体領域111の光入射面と空気の中間である材料を用いる。また、第2の導電型である結晶性半導体領域111への光の入射を妨げないように、所定の波長の光に対する透過性を有する材料を用いる。このような材料を用いることで、第2の導電型である結晶性半導体領域111の光入射面における反射を防ぐことができる。なお、このような材料としては、例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、フッ化マグネシウムなどがある。また、第2の導電型である結晶性半導体領域111上に透光性を有する導電層を形成してもよい。透光性を有する導電層としては、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2、アルミニウムを含む酸化亜鉛等がある。なお、図3に示すように、第2の導電型である結晶性半導体領域111または絶縁層113上に、抵抗を低減するためのグリッド電極115を有してもよい。グリッド電極115は第2の導電型である結晶性半導体領域111の少なくとも一部に接して設ける。例えば、絶縁層113に開口を設けることで、グリッド電極115と第2の導電型である結晶性半導体領域111とを接するように設ける。グリッド電極115は、銀、銅、アルミニウム、パラジウム等の金属元素で形成される層で印刷法、ゾルゲル法、塗布法、インクジェット法等を用いて形成する。グリッド電極115を第2の導電型である結晶性半導体領域111に接して設けることで、抵抗損失を低減でき、特に高照度下での電気特性を向上させることができる。次に、図1に示す光電変換装置の作製方法について、図4を用いて説明する。図4Aに示すように、基板101上に導電層104を形成する。導電層104は、印刷法、塗布法、インクジェット法、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等を適宜用いて形成することができる。なお、導電層104が箔状である場合、基板101を設ける必要はない。また、Roll-to-Rollプロセスを用いることができる。次に、図4Bに示すように、LPCVD法により第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111を形成する。LPCVD法は、原料ガスとして少なくともシリコンを含む堆積性ガスを用い、LPCVD装置の反応室の圧力を原料ガスを流して保持できる圧力の下限以上200Pa以下として加熱して行う。上記LPCVD法において、加熱温度成膜温度ともいうは、LPCVD装置及び導電層104が耐えうる温度以下とし、第1の導電型である結晶性半導体領域107及び真性である結晶性半導体領域109を形成するときは、550°Cより高く650°Cより低いすなわち650°C未満の温度、好ましくは580°C以上650°C未満の温度とする。第2の導電型である結晶性半導体領域111を形成するときは、550°C以下または650°C以上の温度とする。上記において、550°Cより高く650°Cより低い温度、好ましくは580°C以上650°C未満の温度でLPCVD法を用いることにより、結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する第1の導電型である結晶性半導体領域107、又は結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する真性である結晶性半導体領域109を形成することができる。それとともに、第1の導電型である結晶性半導体領域107から真性である結晶性半導体領域109の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素を移動させることで、第1の導電型である結晶性半導体領域107から真性である結晶性半導体領域109の方向に、第1の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配が生じる。上記において、550°C以下または650°C以上の温度でLPCVD法を用いることにより第2の導電型である半導体領域はウィスカーを成長させずに、第2の導電型である結晶性半導体領域111を形成すなわち堆積することができる。ウィスカーを成長させずに、第2の導電型である結晶性半導体領域111を形成すなわち堆積することにより、複数のウィスカーにより形成された凹凸状の表面における傾斜角を制御することができ、表面における傾斜角を適度に緩和することができる。これにより、後で形成する絶縁層113の被覆性を向上させることができ、且つ第2の導電型である結晶性半導体領域111の表面における光の反射率を低減することができる。第2の導電型である結晶性半導体領域111は、成膜温度を550°C以下とすることにより、非晶質半導体又は非晶質半導体と結晶性半導体とが混在した半導体材料を形成することができる。また、成膜温度を650°C以上とすることにより、結晶性半導体を形成することができる。シリコンを含む堆積性ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。なお、原料ガスに、水素を導入してもよい。LPCVD法により第1の導電型である結晶性半導体領域107を形成する際に、導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の間に、混合層105が形成される場合もある。第1の導電型である結晶性半導体領域107の形成工程において、常に原料ガスの活性種が堆積部に供給されるため、第1の導電型である結晶性半導体領域107から導電層104にシリコンが拡散し、混合層105が形成される。混合層105が形成される場合、導電層104及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の界面に、低密度領域粗な領域が形成されにくくなり、電極103及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の界面特性が良好となり、直列抵抗を低減することができる。第1の導電型である結晶性半導体領域107は、原料ガスとして、シリコンを含む堆積性ガス及びジボランをLPCVD装置の反応室に導入し、550°Cより高く650°Cより低い温度のLPCVD法により形成する。第1の導電型である結晶性半導体領域107の厚さは5nm以上500nm以下とする。ここでは、第1の導電型である結晶性半導体領域107として、ボロンが添加された結晶性シリコン層を形成する。次に、LPCVD装置の反応室へのジボランの導入を停止し、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガスをLPCVD装置の反応室に導入し、550°Cより高く650°Cより低い温度のLPCVD法により、真性である結晶性半導体領域109を形成する。真性である結晶性半導体領域109の厚さは1μm以上20μm以下とする。ここでは、真性である結晶性半導体領域109として、結晶性シリコン層を形成する。この工程において、図6に示すように、第1の導電型である結晶性半導体領域107に含まれるボロンXの一部が第1の導電型である結晶性半導体領域107から真性である結晶性半導体領域109の方向に移動し、真性である結晶性半導体領域109側から第1の導電型である結晶性半導体領域107に向かってボロンXの濃度が高くなるような濃度勾配が生じる。次に、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガス及びホスフィンまたはアルシンをLPCVD装置の反応室に導入するLPCVD法により、第2の導電型である結晶性半導体領域111を形成する。第2の導電型である結晶性半導体領域111の厚さは5nm以上500nm以下とする。ここでは、第2の導電型である結晶性半導体領域111として、リンまたはヒ素が添加されたシリコン層を形成する。以上の工程により、第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111で構成される光電変換層106を形成することができる。なお、図1に示す光電変換装置の作製工程において、第1の導電型である結晶性半導体領域107にウィスカーが形成される前に、LPCVD装置の反応室へジボランの導入を停止することで、図1に示すように、第1の導電型である結晶性半導体領域107及び真性である結晶性半導体領域109の界面が平坦となる。一方、第1の導電型である結晶性半導体領域108においてウィスカーが形成された後、LPCVD装置の反応室へジボランの導入を停止した場合は、図2に示すように、第1の導電型である結晶性半導体領域108及び真性である結晶性半導体領域109の界面が凹凸状となる。そして、真性である結晶性半導体領域109を形成する工程において、図7に示すように、結晶性半導体領域108に含まれるボロンXの一部が結晶性半導体領域108から結晶性半導体領域109の方向に移動し、真性である結晶性半導体領域109側から第1の導電型である結晶性半導体領域108に向かってボロンXの濃度が高くなるような濃度勾配が生じる。また、第1の導電型である結晶性半導体領域107を形成する前に、導電層104の表面をフッ酸で洗浄してもよい。当該工程により、電極103及び第1の導電型である結晶性半導体領域107の密着性を高めることができる。また、第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、または窒素を混合してもよい。第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の原料ガスに希ガスまたは窒素を混合することで、ウィスカーの密度を高めることができる。また、第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の一以上を形成した後、LPCVD装置の反応室への原料ガスの導入を停止し、真空状態で温度を保持即ち、真空状態加熱することで、第1の導電型である結晶性半導体領域107または真性である結晶性半導体領域109に含まれるウィスカーの密度を増加させることができる。次に、図4Cに示すように、第2の導電型である結晶性半導体領域111上に絶縁層113を形成する。絶縁層113は、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等で形成することができる。以上の工程により、テクスチャー構造の電極を形成せずとも、変換効率の高い光電変換装置を作製することができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1と比較して、欠陥の少ない光電変換層の作製方法について、説明する。実施の形態1に示す第1の導電型である結晶性半導体領域107、第1の導電型である結晶性半導体領域108、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111のいずれか一以上を形成した後、LPCVD装置の反応室の温度を400°C以上450°C以下とすると共に、LPCVD装置への原料ガスの導入を停止し、水素を導入する。次に、水素雰囲気において400°C以上450°C以下の加熱処理を行うことで、第1の導電型である結晶性半導体領域107、第1の導電型である結晶性半導体領域108、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111のいずれか一以上に含まれるダングリングボンドを水素終端することができる。当該加熱処理を水素化処理ともいう。この結果、第1の導電型である結晶性半導体領域107、第1の導電型である結晶性半導体領域108、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111のいずれか一以上に含まれる欠陥を低減することができる。この結果、欠陥における光励起キャリアの再結合を低減することが可能であり、光電変換装置の変換効率を高めることができる。なお、上記水素化処理は、少なくとも真性である結晶性半導体領域109を形成した後に行うことが好ましい。この結果、スループットを高めつつ、光電変換装置の変換効率を高めることができる。実施の形態3本実施の形態では、光電変換層を複数積層する、いわゆるタンデム構造の光電変換装置の構造について、図5を用いて説明する。なお、本実施の形態では、二つの光電変換層を積層する場合について説明するが、三つ以上の光電変換層を有する積層構造としてもよい。また、以下においては、光入射側の前方光電変換層をトップセルと、後方光電変換層をボトムセルと呼ぶことがある。図5に示す光電変換装置は、基板101と、電極103と、ボトムセルである光電変換層106と、トップセルである光電変換層120と、絶縁層113が積層された構造を有する。ここで、光電変換層106は、実施の形態1に示す第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111で構成される。また、光電変換層120は、第3の導電型である半導体領域121と、真性である半導体領域123と、第4の導電型である半導体領域125との積層構造で構成される。上記光電変換層106に用いられる真性である結晶性半導体領域109と、光電変換層120に用いられる真性である半導体領域123のバンドギャップは異なるものであることが望ましい。バンドギャップが異なる半導体を用いることで、広い波長域にわたる光を吸収することが可能になるため、光電変換効率を向上させることができる。例えば、トップセルにはバンドギャップの大きい半導体を、ボトムセルにはバンドギャップの小さい半導体を用いることができる。もちろん、その逆の構成とすることも可能である。ここでは、一例として、ボトムセルである光電変換層106に結晶性半導体代表的には、結晶性シリコンを採用し、トップセルである光電変換層120に非晶質半導体代表的には、非晶質シリコンを採用する構成について示す。なお、本実施の形態では、光が絶縁層113から入射する構成について示すが、開示する発明の一態様はこれに限定されない。基板101の裏面側図の下方側から光が入射する構成としてもよい。基板101、電極103、光電変換層106、絶縁層113の構成については、先の実施の形態に示す構成と同様であるため、ここでは省略する。トップセルである光電変換層120において、第3の導電型である半導体領域121および第4の導電型である半導体領域125としては、代表的には、導電型を付与する不純物元素が添加された半導体材料を含む半導体層が採用される。半導体材料などの詳細は、実施の形態1に示す第1の導電型である結晶性半導体領域107と同様である。本実施の形態では、半導体材料としてシリコンを用い、第3の導電型としてp型を、第4の導電型としてn型を適用する場合について示す。また、その結晶性は非晶質とする。もちろん、第3の導電型としてn型を、第4の導電型としてp型を適用することも可能であり、他の結晶性の半導体層を用いることも可能である。真性である半導体領域123としては、シリコン、炭化シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、リン化インジウム、セレン化亜鉛、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウムなどが用いられる。他に、有機材料を含む半導体材料や、金属酸化物半導体材料などを用いることも可能である。本実施の形態では、真性である半導体領域123に非晶質シリコンを用いる。もちろん、シリコン以外の半導体材料であって、ボトムセルの真性である結晶性半導体領域109とはバンドギャップの異なるものを用いて形成してもよい。ここで、真性である半導体領域123の厚さは、真性である結晶性半導体領域109の厚さより小さいことが望ましく、代表的には50nm以上1000nm以下、望ましくは、100nm以上450nm以下である。第3の導電型である半導体領域121、真性である半導体領域123、及び第4の導電型である半導体領域125の形成方法としては、プラズマCVD法、LPCVD法などがある。プラズマCVD法を用いる場合には、例えば、プラズマCVD装置の反応室の圧力を代表的には10Pa以上1332Pa以下とし、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガス及び水素を反応室に導入し、電極に高周波電力を供給して、グロー放電させることで、真性である半導体領域123を形成することができる。第3の導電型である半導体領域121は、上記原料ガスに更にジボランを添加することで形成することができる。第3の導電型である半導体領域121は、1nm以上100nm以下、望ましくは、5nm以上50nm以下の厚さとなるように形成する。第4の導電型である半導体領域125は、上記原料ガスに更にホスフィンまたはアルシンを添加することで形成することができる。第4の導電型である半導体領域125は、1nm以上100nm以下、望ましくは、5nm以上50nm以下の厚さとなるように形成する。また、第3の導電型である半導体領域121として、導電型を付与する不純物元素が添加されていない非晶質シリコン層をプラズマCVD法またはLPCVD法などによって形成した上で、イオン注入などの方法でボロンを添加して、第3の導電型である半導体領域121を形成してもよい。第4の導電型である半導体領域125として、導電型を付与する不純物元素が添加されていない非晶質シリコン層をプラズマCVD法またはLPCVD法などによって形成した上で、イオン注入などの方法でリンまたはヒ素を添加して、第4の導電型である半導体領域125を形成してもよい。上述のように、光電変換層120に非晶質シリコンを適用することで、800nm未満の波長の光を効果的に吸収して光電変換することが可能となる。また、光電変換層106に結晶性シリコンを適用することで、より長波長例えば1200nm程度までの光を吸収して光電変換することが可能となる。このように、バンドギャップの異なる光電変換層を積層した構造いわゆるタンデム型の構造とすることで、光電変換効率を大きく向上させることができる。なお、本実施の形態では、トップセルとしてバンドギャップの大きい非晶質シリコンを用い、ボトムセルとしてバンドギャップの小さい結晶性シリコンを用いているが、開示する発明の一態様はこれに限定されない。バンドギャップの異なる半導体材料を適宜組み合わせて、トップセルおよびボトムセルを構成することができる。また、トップセルとボトムセルの構成を入れ替えて光電変換装置を構成することも可能である。さらに、三層以上の光電変換層の積層構造とすることも可能である。以上の構成により、光電変換装置の変換効率を高めることができる。実施の形態4本実施の形態では、光電変換装置の第2の導電型である半導体領域上に湿式法により導電層を形成した例について、図8を用いて説明する。図8は、基板101、電極103、第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、第1の導電型とは逆の第2の導電型である結晶性半導体領域111、及び導電層213を有する光電変換装置である。第1の導電型である結晶性半導体領域107、真性である結晶性半導体領域109、及び第2の導電型である結晶性半導体領域111は光電変換層106として機能する。電極103は、導電層104と、混合層105を有する場合もある。また、電極103と第1の導電型である結晶性半導体領域107との界面が平坦である。また、真性である結晶性半導体領域109は、複数のウィスカーウィスカー群を有する。したがって、真性である結晶性半導体領域109及び第2の導電型である結晶性半導体領域111の界面および第2の導電型である結晶性半導体領域111の表面が凹凸状である。本実施の形態では、第2の導電型である結晶性半導体領域111上の一部または全部に導電層213を湿式法により形成する。これにより、ウィスカーが形成されたことにより、凹凸化した表面を有する第2の導電型である結晶性半導体領域111の表面にカバレッジよく導電層213を形成することができる。ウィスカーが形成されたことにより、凹凸化した表面を有する第2の導電型である結晶性半導体領域111上に、湿式法により導電層213を形成することで、光入射面側の抵抗を下げることができる。また、導電層213を電極として用いてもよい。導電層213に用いる材料は、光電変換層106として機能する半導体領域が吸収しうる波長領域の光に対して透光性を有する材料であることが好ましい。湿式法としては、ディップコート法、スピンコート法、スプレイコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法等を用いることができる。他に、電解メッキ法、無電解メッキ法等を用いることができる。塗布法に用いる塗布液は、導電材料を含む液体、ゾルまたはゲルなどの液状体を用いることができる。導電材料としては、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、酸化錫、アルミニウムを含む酸化亜鉛等の透光性導電材料である金属酸化物の微粒子、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、銀Ag等の金属の微粒子、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホン酸PSS等の導電性高分子等を用いることができる。導電材料として微粒子を用いる場合は、分散性を向上させるために該微粒子の表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電材料を含む液体の溶媒または分散媒としては、水の他、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物等を用いることができる。これらの溶媒または分散媒は、単独で用いてもよく、2種類以上混合して用いてもよい。湿式法として塗布法を用いる場合は、導電材料を含む液体又は液状体を塗布し、乾燥、焼成することにより導電層213を形成することができる。湿式法として塗布法を用いる場合は、導電層213を容易に厚膜化することができ、導電層213を低抵抗化することができる。導電層213を厚膜化した場合には、導電層213の表面は平坦化される。この場合、導電層213の表面を凹凸状に加工してもよい。表面を凹凸状に加工することで、入射する光の反射率を低減することができ、また、光閉じ込め効果により光電変換装置の特性を高めることができる。また、導電層213を形成する前に、第2の導電型である結晶性半導体領域111上の一部又は全部に別の導電層図示せずを形成してもよい。例えば、導電層213を形成する前に、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等の乾式法を用いて、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、酸化錫、アルミニウムを含む酸化亜鉛等の透光性導電材料からなる導電層を形成してもよい。予め別の導電層を形成することで、第2の導電型である結晶性半導体領域111の表面を保護することができる。また、予め別の導電層を形成することで、導電層213と第2の導電型である結晶性半導体領域111との密着性を向上させることができる。また、導電層213として、導電性を有する液体電解質を含む液体を第2の導電型である結晶性半導体領域111上にウィスカーの隙間を充填するように設けて、これを電極として用いてもよい。この場合は、基板101と基板101に対向する第2の基板との間に導電性を有する液体を封入し、封止材で封止することで導電層213を形成することができる。いずれにしても、ウィスカーの隙間を充填するような電極を設けることで、光入射面の抵抗を下げることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。本実施例では、チタン箔、及びチタン箔上にポリシリコンで形成されるウィスカー群を有する試料の正反射率の違いについて、説明する。はじめに、試料の作製方法について、説明する。<試料1>試料1は、直径φ12mmの円形状に切断された厚さ0.1mmのチタン箔を用いた。<試料2>試料1と同様の形状である直径φ12mm及び厚さ0.1mmのチタン箔上に、LPCVD法により、ウィスカー群を有するポリシリコン層を形成した。ここでのポリシリコン層の成膜条件は、圧力13Pa、基板温度600°Cに設定した処理室に、流量300sccmのシランを導入し、2時間15分ポリシリコン層を堆積した。次に、試料1及び試料2それぞれの正反射率を分光光度計日立ハイテク社製日立分光光度計U-4100により測定した結果を図9に示す。ここでは、サンプリング間隔を2nmとして、波長が200nmから1200nmまでの光を各試料に照射した。また、各試料への光の入射角度を5度として、測定された反射率5度正反射率を測定した。試料1の反射率を破線501で示し、試料2の反射率を実線502で示す。横軸を照射光の波長とし、縦軸を反射率とする。図9から、チタン箔表面にウィスカー群を有するポリシリコン層が形成された試料2は光の反射率の最大値が0.14と極めて低く、ほとんど光の反射が生じていない。なお、波長850nmから894nmの範囲では、SN比が小さいため、反射率がマイナスとなっている。一方、チタン箔である試料1は、正反射率が2から15である。以上のことから、チタン箔表面にウィスカー群を有するポリシリコン層を形成することで、反射率を低減することができることがわかる。