反対側に面している第1の面及び第2の面と、該面の間に延在している1つ又は複数の開口部と、を有する誘電体素子であって、その上に導電性素子を更に有するものである、誘電体素子と、裏面と、前記誘電体素子の前記第1の面に面している表面と、を有する第1の超小型電子素子であって、第1の縁と該第1の超小型電子素子の前記表面において露出している複数のコンタクトと、を有するものである、第1の超小型電子素子と、裏面と、前記第1の超小型電子素子の前記裏面に面している表面と、を有することを含む第2の超小型電子素子であって、該第2の超小型電子素子の前記表面の突出部分は前記第1の超小型電子素子の前記第1の縁を越えて延在し、前記突出部分は、前記誘電体素子の前記第1の面から間隔を空けて配置され、該第2の超小型電子素子は前記表面の前記突出部分において露出する複数のコンタクトを有するものである、第2の超小型電子素子と、前記超小型電子素子のコンタクトから前記少なくとも1つの開口部を通って前記導電性素子のうちの少なくとも幾つかまで延在するリードと、前記第1の超小型電子素子又は前記第2の超小型電子素子のうちの少なくとも一方に熱的に結合されたヒートスプレッダと、を備える、超小型電子アセンブリ。前記リードはワイヤボンドである、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは部分的に又は全体的にグラファイトから作製されている、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは金属シートを含む、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、少なくとも前記第1の超小型電子素子の前記裏面を覆う、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、少なくとも前記第2の超小型電子アセンブリの前記裏面を覆う、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、前記第1の超小型電子素子の前記裏面及び第2の超小型電子素子の前記裏面を覆う、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、前記第1の超小型電子素子の上に配置された第1の部分と、前記第2の超小型電子素子の上に配置された第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分との間の段と、を備える、請求項7に記載の超小型電子アセンブリ。前記誘電体素子に熱的に結合された複数の熱伝導性ボールを更に備える、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記複数の熱伝導性ボールは、前記誘電体素子の第2の面に取り付けられている、請求項9に記載の超小型電子アセンブリ。前記複数の熱伝導性ボールの各々には金属コアが埋め込まれている、請求項9に記載の超小型電子アセンブリ。前記誘電体素子を通って延在し、前記複数の熱伝導性ボールのうちの1つを前記誘電体素子に結合する熱伝導性コネクタを更に備える、請求項9に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダ全体は平面に沿って延在している、請求項1に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダと、前記第1の超小型電子素子との間の支持素子と、を更に備える、請求項13に記載の超小型電子アセンブリ。超小型電子アセンブリであって、第1のユニット及び第2のユニットであって、前記ユニットの各々は、1反対側に面している第1の面及び第2の面と、該面の間に延在する少なくとも1つの開口部と、を有する誘電体素子であって、上に導電性素子を有しているものである、誘電体素子と、2裏面と、前記誘電体素子の前記第1の面に面している表面と、縁と、前記表面の上の複数のコンタクトと、を有する第1の超小型電子素子と、3裏面と、前記第1の超小型電子素子に面している表面と、前記第1の超小型電子素子の前記縁を越えて突出する前記表面上の複数のコンタクトと、を有する第2の超小型電子素子と、4前記第1の超小型電子素子及び前記第2の超小型電子素子の前記複数のコンタクトから前記少なくとも1つの開口部を通って前記誘電体素子の上の前記導電性素子のうちの少なくとも幾つかまで延在する信号リードと、を備え、前記第2のユニットは前記第1のユニットの前記超小型電子素子の上に重なり、該アセンブリは、前記第1のユニットの前記誘電体素子の上の前記導電性素子のうちの少なくとも幾つかを、前記第2のユニットの前記誘電体素子の上の前記導電性素子のうちの少なくとも幾つかに電気的に接続する積層体相互接続を更に備える、第1のユニット及び第2のユニットと、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの間に配置された少なくとも1つのヒートスプレッダと、を備える、超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、前記第1のユニットの前記第1の超小型電子素子及び前記第2の超小型電子素子の前記コンタクトと実質的に位置合せされる開口部を有するモノリシック構造体である、請求項15に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、互いに間隔を空けて配置されたヒートスプレッダ部分を含む、請求項15に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、前記第1のユニットの前記誘電体素子の前記第2の面に取り付けられている、請求項15に記載の超小型電子アセンブリ。前記リードはワイヤボンドである、請求項15に記載の超小型電子アセンブリ。前記ヒートスプレッダは、前記第1のユニットの前記第1の超小型電子素子及び前記第2の超小型電子素子のそれぞれの裏面に向かって面している実質的に平面の面を有している、請求項15に記載の超小型電子アセンブリ。請求項1に記載のアセンブリと、該アセンブリに電気的に接続された1つ又は複数の他の電子コンポーネントと、を備えるシステム。ハウジングを更に具備し、前記アセンブリ及び前記他の電子コンポーネントは該ハウジングに実装される、請求項21に記載のシステム。請求項15に記載のアセンブリと、該アセンブリに電気的に接続された1つ又は複数の他の電子コンポーネントと、を備えるシステム。ハウジングを更に具備し、前記アセンブリ及び前記他の電子コンポーネントは該ハウジングに実装される、請求項23に記載のシステム。本技術分野におけるこれらの努力にも関らず、コンタクトが実質的にチップの中心領域に位置するチップ用のマルチチップパッケージの場合、更なる改良が望ましい。幾つかのメモリチップ等の或る特定の半導体チップは、一般に、1列又は2列のコンタクトがチップの中心軸に実質的に沿って位置するように作製される。超小型電子アセンブリが、反対側に面している第1の面及び第2の面と、該面の間に延在している1つ又は複数の開口部と、を有する誘電体素子であって、その上に導電性素子を更に有するものである、誘電体素子と、面と前記誘電体素子の前記第1の面に面している表面とを有する第1の超小型電子素子であって、第1の縁と該第1の超小型電子素子の前記表面において露出している複数のコンタクトとを有するものである、第1の超小型電子素子と、裏面と前記第1の超小型電子素子の前記裏面に面している表面とを有することを含む第2の超小型電子素子であって、該第2の超小型電子素子の前記表面の突出部分は前記第1の超小型電子素子の前記第1の縁を越えて延在し、前記突出部分は、前記誘電体素子の前記第1の面から間隔を空けて配置され、該第2の超小型電子素子は前記表面の前記突出部分において露出する複数のコンタクトを有するものである、第2の超小型電子素子と、前記超小型電子素子のコンタクトから前記少なくとも1つの開口部を通って前記導電性素子のうちの少なくとも幾つかまで延在するリードと、前記第1の超小型電子素子又は前記第2の超小型電子素子のうちの少なくとも一方に熱的に結合されたヒートスプレッダと、を備える。図1を参照すると、本発明の一実施形態による積層型超小型電子アセンブリ10は、第1の超小型電子素子12及び第2の超小型電子素子14を備えている。幾つかの実施形態では、第1の超小型電子素子12及び第2の超小型電子素子14を、半導体チップ、ウェハ等とすることができる。第1の超小型電子素子12は、表面16と、表面から離れている裏面18と、表面と裏面との間に延在している第1の縁27及び第2の縁29と、を有している。第1の超小型電子素子12の表面16は、第1の端部領域15及び第2の端部領域17と、第1の端部領域15と第2の端部領域17との間に位置する中心領域13と、を備えている。第1の端部領域15は、中心領域13と第1の縁27との間に延在し、第2の端部領域17は、中心領域13と第2の縁29との間に延在している。第1の超小型電子素子12の表面16において電気コンタクト20が露出している。本開示で用いるとき、導電性素子が構造体の表面において露出しているという記述は、導電性素子が、表面に対して垂直である方向において、構造体の外側から表面に向かって移動している理論的な点に接触することができることを示す。したがって、構造体の表面において露出している端子又は他の導電性素子は、こうした表面から突出することができるか、こうした表面と同一平面とすることができるか、又はこうした表面に対して凹状であり、構造体の孔又は窪みを通して露出することができる。第1の超小型電子素子12のコンタクト20は、中心領域13内の表面16において露出している。例えば、コンタクト20を、第1の面16の中心に隣接して1つ又は2つの平行な列で配置することができる。第2の超小型電子素子14は、表面22と、表面から離れている裏面24と、表面と裏面との間に延在している第1の縁35及び第2の縁37と、を有している。第2の超小型電子素子14の表面22は、第1の端部領域21及び第2の端部領域23と、第1の端部領域21と第2の端部領域23との間に位置する中心領域19とを備えている。第1の端部領域21は、中心領域19と第1の縁35との間に延在し、第2の端部領域23は、中心領域19と第2の縁37との間に延在している。第2の超小型電子素子14の表面22において電気コンタクト26が露出している。第2の超小型電子素子14のコンタクト26は、中心領域19内の表面22において露出している。例えば、コンタクト26を、第1の面22に隣接して1つ又は2つの平行な列で配置することができる。図1に示すように、第1の超小型電子素子12及び第2の超小型電子素子14は、互いに対して積層されている。幾つかの実施形態では、第2の超小型電子素子14の表面22及び第1の超小型電子素子12の裏面18は互いに面している。第2の超小型電子素子14の第2の端部領域23の少なくとも一部が、第1の超小型電子素子12の第2の端部領域17の少なくとも一部の上に重なっている。第2の超小型電子素子14の中心領域19の少なくとも一部が、第1の超小型電子素子12の第2の縁29を越えて突出している。したがって、第2の超小型電子素子14のコンタクト26は、第1の超小型電子素子12の第2の縁29を越えた位置に配置されている。超小型電子アセンブリ10は、反対側に面している第1の面32及び第2の面34を有する誘電体素子30を更に備えている。図1は、1つの誘電体素子30しか示していないが、超小型電子アセンブリ10は、2つ以上の誘電体素子を備えることができる。誘電体素子30の第1の面32において、1つ又は複数の導電性素子又は端子36が露出している。少なくとも幾つかの端子36を、第1の超小型電子素子12及び/又は第2の超小型電子素子14に対して移動可能とすることができる。誘電体素子30は、1つ又は複数の開口部を更に備えることができる。図1に示す実施形態では、誘電体素子30は、第1の超小型電子素子12の中心領域13と実質的に位置合せされる第1の開口部33と、第2の超小型電子素子14の中心領域19と実質的に位置合せされる第2の開口部39とを備えており、それにより、コンタクト20及び26に対するアクセスを可能にする。図1に示すように、誘電体素子30は、第1の超小型電子素子12の第1の縁27及び第2の超小型電子素子14の第2の縁35を越えて延在することができる。誘電体素子30の第2の面34を、第1の超小型電子素子12の表面16と並置することができる。誘電体素子30を、任意の適切な誘電体材料から部分的に又は全体的に作製することができる。例えば、誘電体素子30は、ポリイミド、BT樹脂、又はテープ自動化接合tapeautomatedbondingTABテープを作製するために一般に使用される他の誘電体材料の層等、可撓性材料の層を含むことができる。代替的に、誘電体素子30は、Fr-4基板又はFr-5基板等、繊維補強エポキシの厚い層等の比較的剛性の板状材料を含むことができる。採用する材料に関らず、誘電体素子30は、誘電体材料の単層又は複数の層を含むことができる。誘電体素子30はまた、第1の面32において露出している導電性素子40と導電性トレース42とを備えることができる。導電性トレース42は、導電性素子40を端子36に電気的に結合する。接着剤層等、スペーサ素子又は支持素子31を、第2の超小型電子素子14の第1の端部領域21と誘電体素子30の一部との間に配置することができる。スペーサ層31が接着剤を含む場合、接着剤は、第2の超小型電子素子14を誘電体素子30に接続することができる。第2の超小型電子素子14の第2の端部領域23と第1の超小型電子素子12の第2の端部領域17との間に、別のスペーサ層60を配置することができる。このスペーサ層60は、第1の超小型電子素子12及び第2の超小型電子素子14を合わせて接合する接着剤を含むことができる。こうした場合、スペーサ層60を、ダイアタッチ接着剤から部分的に又は全体的に作製することができ、シリコーンエラストマ等の低弾性率材料から構成することができる。しかしながら、2つの超小型電子素子12及び14が同じ材料から形成された従来の半導体チップである場合、超小型電子素子が、温度変化に応じて一斉に膨張し収縮する傾向があるため、スペーサ層60を、高弾性率接着剤又ははんだの薄層から全体的に又は部分的に作製することができる。採用する材料に関らず、スペーサ層31及び60の各々は、単層又は複数の層を含むことができる。図1及び図2に見られるように、電気的接続又はリード70が、第1の超小型電子素子12のコンタクト20を誘電体素子30上の幾つかの導電性素子40に電気的に接続する。電気的接続70は、超小型電子素子12のコンタクトを導電性素子40に電気的に接続する複数のワイヤボンド72、74を含むことができる。ワイヤボンド72、74は、第1の開口部33を通って延在し、互いに対して実質的に平行に向けられている。ワイヤボンド72及び74の各々は、コンタクト20を、誘電体素子の対応する導電性素子40に電気的に結合する。本実施形態による複数ワイヤボンド構造体は、接続されたコンタクト間を電流が流れるための追加の経路を提供することにより、ワイヤボンド接続のインダクタンスを実質的に低下させることができる。他の電気的接続又はリード50が、第2の超小型電子素子14のコンタクト26を幾つかの導電性素子40に電気的に結合する。電気的接続50は、超小型電子素子14のコンタクトを導電性素子40に電気的に接続する複数のワイヤボンド52、54を含むことができる。ワイヤボンド52、54は、第2の開口部39を通って延在し、互いに対して実質的に平行に向けられている。ワイヤボンド52及び54はともに、コンタクト26を誘電体素子30の対応する素子40に電気的に結合する。本実施形態による複数ボンドワイヤ構造体は、接続されたコンタクト間を電流が流れるための追加の経路を提供することにより、ワイヤボンド接続のインダクタンスを実質的に低下させることができる。超小型電子アセンブリ10は、少なくとも第1の超小型電子素子12及び第2の超小型電子素子14を覆うオーバーモールド11を更に備えている。図1に見られるように、オーバーモールド11は、第1の超小型電子素子12の第1の縁27及び第2の超小型電子素子14の第1の縁35を越えて延在する誘電体素子30の部分も覆うことができる。図3は、少なくとも2つの積層されかつ電気的に相互接続された超小型電子アセンブリ900を備える装置1000を示す。超小型電子アセンブリ900A及び900Bを、上述したアセンブリのうちの任意のものとすることができる。超小型電子アセンブリのうちの少なくとも1つに対して、その端子に、はんだボール981、又は、接合材及び金属、例えば錫、インジウム若しくはそれらの組合せの他の塊等、導電性接合ユニットを取り付けることができる。2つの超小型電子アセンブリ900は、任意の適切な導電性接続を介して互いに電気的に接続される。例えば、アセンブリを、それぞれの超小型電子素子のうちの誘電体素子930A、930B上のパッド図示せずに接合されたはんだカラム990を介して電気的に相互接続することができる。同様に図3に示す特定の実施形態では、導電性ポスト992及びはんだ994を使用して、2つの超小型電子アセンブリ900A及び900Bを電気的に相互接続することができる。ポスト992は、第1のアセンブリから若しくは第2のアセンブリから他方のアセンブリまで延在することができるか、又は両アセンブリに設けられたポストが互いに向かって延在することができる。続けて図3を参照すると、積層された超小型電子アセンブリの装置内で熱を均一に分散させるのに役立つように、第1の超小型電子アセンブリ900Aと第2の超小型電子アセンブリ900Bとの間にヒートスプレッダ970を配置することができる。ヒートスプレッダ970はまた、周囲環境への熱放散を向上させることもできる。ヒートスプレッダを、任意の適切な熱伝導性材料から部分的に又は全体的に作製することができる。適切な熱伝導性材料の例としては、限定されないが、金属、グラファイト、熱伝導性接着剤、例えば熱伝導性エポキシ、はんだ等、又はこうした材料の組合せが挙げられる。一例では、ヒートスプレッダを、実質的に連続した金属のシートとすることができる。特定の実施形態では、金属又は他の熱伝導性材料から作製された予備成形されたヒートスプレッダ970を、熱伝導性接着剤又は熱伝導性グリース等の熱伝導性材料等により、第2の超小型電子アセンブリ900Bの誘電体素子930Bの表面932Bに取り付けるか又は配置することができる。存在する場合は、接着剤をコンプライアント材料とすることができ、それにより、コンプライアントに取り付けられた素子の間の異なる熱膨張に適合する等のために、ヒートスプレッダと、超小型電子素子又はそれが取り付けられる誘電体素子との間の相対移動が可能になる。ヒートスプレッダ970を、モノリシック構造体とすることができ、ヒートスプレッダ970は、誘電体素子930Bの開口部933B、939Bとそれぞれ実質的に位置合せされる1つ又は複数の開口部972、974を備えることができる。1つの実施形態では、ヒートスプレッダ970の開口部972、974の各々を、誘電体素子930Bの開口部933B又は939Bを覆う封止材980B又は982Bを受け入れるような寸法とすることができる。代替的に、ヒートスプレッダ970は、互いに間隔を空けて配置された複数のスプレッダ部分を含むことができる。図示しないが、ヒートスプレッダ970を、代替的に、超小型電子アセンブリ900Aの第2の超小型電子素子914Aの裏面924Aに、第1の超小型電子アセンブリ900Aの第1の超小型電子素子912Aの裏面918Aに、又は両超小型電子素子912A、914Aの裏面に取り付けることができる。特定の実施形態では、ヒートスプレッダは、第1の超小型電子素子912A及び第2の超小型電子素子914Aのうちの1つ又は複数の裏面の少なくとも一部に直接接合されたはんだの層とするか又はそれを含むことができる。本明細書に記載する実施形態のうちの任意のものにおいて、超小型電子アセンブリは、超小型電子アセンブリの他の位置に配置された追加のヒートスプレッダを備えることができる。図4は、ヒートスプレッダ1280が少なくとも第2の超小型電子素子1214の裏面1224に取り付けられている、上述したような超小型電子アセンブリ1200を示す。ヒートスプレッダ1280は、第2の超小型電子アセンブリ1214の裏面1224全体と熱伝導連通することができ、第2の超小型電子素子の第1の縁1235及び第2の縁1237を越えて延在することができる。支持素子1290を、シリコン又は他の任意の適切な材料から作製することができ、ヒートスプレッダ1280と第1の超小型電子素子1212の第1の端部領域1215との間に配置することができる。支持素子を、金属、金属充填ポリマー材料、例えば導電性エポキシ、グラファイト、接着剤、はんだ、又はアセンブリ内及びアセンブリと環境との間の熱の伝達及び放散を向上させるのに適している任意の材料等、熱伝導性材料から作製することができる。別の支持素子1292を、第2の超小型電子素子1214の第1の端部領域1221と誘電体素子1230との間に配置することができる。支持素子1292を、シリコンから部分的に又は全体的に作製することができる。ヒートスプレッダ1280は、第1の超小型電子素子の第1の縁1227及び第2の縁1229を越えて延在することができる。上述したように、ヒートスプレッダ1280を、金属、グラファイト、又は他の任意の適切な熱伝導性材料から全体的に又は部分的に作製することができ、コンプライアントであり得る熱伝導性接着剤又は熱伝導性グリースにより、アセンブリの他の部品に取り付けるか又はそれらの部品と熱的に連通させることができる。一実施形態では、特に、超小型電子素子が、本質的に1つのタイプの半導体材料、例えばシリコンから構成される場合、支持素子1290、1292を、本質的に同じ半導体材料から構成することができる。ヒートスプレッダ1280に加えて、超小型電子アセンブリ1200は、1つ又は複数の熱伝導性ボール1282、1284を備えることができる。ボール1282、1284は、通常、はんだから作製されるが、1283に示すように、その内部の銅ボール又は銅ポスト等、熱伝導性金属のコアを備えることができる。熱伝導性ボール1282を、第1の超小型電子素子1212の第1の縁1227と実質的に位置合せして誘電体素子1230の表面1232に取り付けることができる。1つ又は複数の熱伝導性ボール1282に、熱伝導性コネクタ1286を取り付けることができ、それは、誘電体素子1230を通って延在することができる。熱伝導性ボール1284を、第2の超小型電子素子1214の第1の縁1235と実質的に位置合せして誘電体素子1230の表面1232に取り付けることができる。1つ又は複数の熱伝導性ボール1284に、熱伝導性コネクタ1288を取り付けることができ、それは誘電体素子1230を通って延在することができる。図5は、図4に示す実施形態の変形を示す。この変形では、超小型電子アセンブリ1300は、第1の超小型電子1314の第1の端部領域1315とヒートスプレッダ1380との間に支持素子を備える必要がない。ヒートスプレッダ1380は、第2の超小型電子素子1314の第2の縁1337に隣接して段1398を備えることができる。段1398により、ヒートスプレッダ1380は、第1の超小型電子素子1312の裏面1318と接触するか又は少なくともそれに近接することができる。図6は、図3に示す実施形態の変形を示す。図6に示す変形では、ヒートスプレッダ971は、超小型電子アセンブリ900Bの第1の超小型電子素子912B及び第2の超小型電子素子914Bと熱的に連通している。ヒートスプレッダ971は、第1の超小型電子素子912B及び第2の超小型電子素子914Bのそれぞれの裏面918B及び924Bから離れる方向に向いている第1の実質的に平面の面987を有することができる。さらに、ヒートスプレッダ971は、第1の超小型素子912B及び第2の超小型電子素子914Bのそれぞれの裏面918B及び924Bに向かって面している第2の実質的に平面の面989A及び第3の実質的に平面の面989Bを有することができる。ヒートスプレッダ971は、第2の超小型電子素子914Bの裏面924Bと熱的に連通するとともにその上に重なる第1の部分973と、第1の超小型電子素子912Bの裏面918Bと熱的に連通するとともにその上に重なる第2の部分975とを備えることができる。1つの特定の実施形態では、ヒートスプレッダ971の第1の部分973は、例えば、はんだ、熱伝導性グリース又は熱伝導性接着剤等を介して、第2の超小型電子素子914Bの裏面924Bの一部又は全体と熱的に接触することができる。同様に、ヒートスプレッダ971の第2の部分975は、第1の超小型電子素子912Bの裏面918Bの一部又は全体と熱的に接触することができる。ヒートスプレッダ971の第2の部分975を、第1の部分973より厚くすることができる。続けて図6を参照すると、別のヒートスプレッダ977が、超小型電子アセンブリ900Aの第1の超小型電子素子912A及び第2の超小型電子素子914Aと熱的に連通することができる。ヒートスプレッダ977は、第1の超小型電子素子912A及び第2の超小型電子素子914Bから離れる方向に向いている第1の実質的に平面の面991を有することができる。さらに、ヒートスプレッダ977は、第1の超小型電子素子912A及び第2の超小型電子素子914Aのそれぞれの裏面918A及び924Aに向かって面している第2の実質的に平面の面993A及び993Bを備えることができる。さらに、ヒートスプレッダ977は、第2の超小型電子素子914Aの裏面924Aと熱的に連通するとともにその上に重なる第1の部分979と、第1の超小型電子素子912Aの裏面918Aと熱的に連通するとともにその上に重なる第2の部分983とを備えることができる。1つの特定の実施形態では、ヒートスプレッダ977の第1の部分979は、ヒートスプレッダ971の構成と同様に、第2の超小型電子素子914Aの裏面924Aの一部又は全体と熱的に接触することができる。同様に、ヒートスプレッダ977の第2の部分983は、第1の超小型電子素子918Aの裏面918Aの一部又は全体と熱的に接触することができる。ヒートスプレッダ977の第2の部分983を、その第1の部分973より厚くすることができる。ヒートスプレッダ977と誘電体素子930Bとの間に、熱伝導性材料985を配置することができる。熱伝導性材料985は、任意の適切な材料の1つ又は複数の層を含むことができ、25ミクロンから100ミクロンの厚さとすることができる。適切な熱伝導性材料としては、限定されないが、熱伝導性グリース、はんだ、インジウム又は任意の適切な熱伝導性接着剤が挙げられる。熱伝導性材料985を、誘電体素子930B及びヒートスプレッダ977の一方又は両方の面に、液体又は完全に使用されていない状態で塗布することができる。そのように、材料は、それらの間の空間に流れ込むことができる。したがって、熱伝導性材料は、それが接触する面の高さの変動に従うことができる。幾つかの実施形態では、熱伝導性材料985を、第1の超小型電子素子912B及び第2の超小型電子素子914Bのコンタクト920及び926と実質的に位置合せされた1つ又は複数の開口部999を含むモノリシック構造体又は一体構造体とすることができる。代替的に、熱伝導性材料985は、複数の間隔を空けて配置された別個の部分を含むことができる。特定の実施形態では、熱伝導性材料985を、導電性とすることができる。こうした実施形態では、こうした導電性材料を、導電性面として使用することができ、グランドに電気的に接続することができる。超小型電子アセンブリ900Aは、第2の超小型電子素子914Aと誘電体素子930Aとの間に支持素子931を備えることができる。図6に示すように、本明細書に記載する超小型電子アセンブリの任意のものを、回路パネル又は回路基板に電子的に結合することができる。例えば、超小型電子アセンブリ500は、はんだボール581又は銅ピラー等、複数の接合ユニットを備えることができる。はんだボール981は、超小型電子アセンブリ900Aを回路パネル1300に電気的に接続する。図6は、超小型電子アセンブリ500を回路パネル1300に接続するはんだボール981のみを示しているが、任意の導電性素子が、回路パネル1300及び超小型電子アセンブリ900Aを相互接続することができることが企図されている。回路パネル1300の第1の面1304において、1つ又は複数の導電性素子又は端子1302が露出している。回路パネル1300の第1の面1304は、はんだボール981に面している。はんだボール981は、端子1302に取り付けられ、したがって、回路パネル1300の回路の少なくとも幾つかと電気的に相互接続される。上述した超小型電子アセンブリを、図7に示すように、さまざまな電子システムの構築に利用することができる。例えば、本発明の更なる実施形態によるシステム1100は、他の電子コンポーネント1108及び1110ともに上述したような超小型電子アセンブリ1106を備えている。図示する例では、コンポーネント1108は半導体チップであり、コンポーネント1110はディスプレイスクリーンであるが、他の任意のコンポーネントを使用することができる。当然ながら、例示を明確にするために図24には2つの追加のコンポーネントしか示していないが、本システムは、任意の数のこうしたコンポーネントを備えることができる。超小型電子アセンブリ1106を、上述したアセンブリのうちの任意のものとすることができる。更なる変形では、任意の数のこうした超小型電子アセンブリを使用することができる。超小型電子アセンブリ1106並びにコンポーネント1108及び1110は、破線で概略的に示す共通ハウジング901に実装され、所望の回路を形成するように必要に応じて互いに電気的に相互接続される。図示する例示的なシステムでは、システムは、フレキシブルプリント回路基板等の回路パネル1102を備え、回路パネルは、コンポーネントを互いに相互接続する多数の導体1104を備え、それらのうちの1つのみが図13に示されている。しかしながら、これは単に例示的なものであり、電気的接続を行うために任意の適切な構造を使用することができる。ハウジング1101は、例えば携帯電話又は携帯情報端末において使用可能なタイプの携帯型ハウジングとして示されており、スクリーン1110は、ハウジングの表面において露出している。構造体1106が、撮像チップ等の感光素子を備えている場合、構造体に光を向けるためにレンズ1111又は他の光学素子もまた設けることができる。この場合もまた、図7に示す簡略化したシステムは単に例示的なものであり、デスクトップコンピュータ、ルータ等、固定構造体として一般にみなされるシステムを含む他のシステムを、上述した構造体を使用して作製することができる。種々の従属請求項及びそれらの従属請求項に記載の他の特徴は、初期の請求項において提示されるのとは異なる方法において組み合わせることができることは理解されよう。また、個々の実施形態との関連で説明された特徴は、記述される実施形態のうちの他の実施形態と共用できることも理解されよう。本発明は特定の実施形態を参照しながら本明細書において説明されてきたが、これらの実施形態は本発明の原理及び応用形態を例示するにすぎないことは理解されたい。それゆえ、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、例示的な実施形態に数多くの変更を加えることができること、及び他の構成を考案することができることは理解されたい。