"一次コイルと二次コイルが電磁結合されてなる点火コイルと、一次コイルを介在して直流電源の直流電圧を受け、一次コイルの電流をON/OFF制御するスイッチング素子と、スイッチング素子のOFF動作時に二次コイルに誘起される高電圧に基づいて放電する点火プラグと、直流電源の直流電圧に基づいて点火プラグに流れるイオン電流に対応するイオン信号を検出する信号検出回路と、直流電源の直流電圧の電圧レベルを検出する電圧検出回路と、信号検出回路と電圧検出回路の検出出力を受けるコンピュータ回路と、を有して構成され、コンピュータ回路において、直流電源の直流電圧の電圧レベルに基づいて、信号検出回路から受けたイオン信号を評価するよう構成されたことを特徴とするイオン電流検出装置。コンピュータ回路は、直流電源の直流電圧の電圧レベルに基づいて、信号検出回路から受けたイオン信号を補正演算している請求項1に記載のイオン電流検出装置。コンピュータ回路は、直流電源の直流電圧の電圧レベルに基づいて、信号検出回路から受けたイオン信号を取得するか否かを判定している請求項1に記載のイオン電流検出装置。一次コイル及び二次コイルとも直流電源から直流電圧を受けるよう構成され、一次コイルの直流電源側の端子と、二次コイルの直流電源側の端子との間に配置されて点火プラグの放電方向を一方向に規制する電流規制素子が配置されることで、点火プラグの放電時に、グランドから直流電源に向かう一方向の放電経路が形成されている請求項1~3の何れかに記載のイオン電流検出装置。信号検出回路は、電流規制素子の直流電源側の端子と、二次コイルの直流電源側の端子との間に接続される第一抵抗素子及び第二抵抗素子による分圧回路と、第一抵抗素子及び第二抵抗素子の接続点の信号電圧を受けて動作する増幅回路、を有して構成され、増幅回路の出力が、イオン信号としてコンピュータ回路の供給される請求項4に記載のイオン電流検出装置。前記増幅回路は、非反転入力端子に信号電圧を受け、反転入力端子と出力端子との間に第三抵抗素子を配置したOPアンプで構成され、反転入力端子とグランドとの間に、第四抵抗素子を配置している請求項4又は5に記載のイオン電流検出装置。一次コイルと二次コイルは、コイル巻線が逆相に巻かれて構成されている請求項1~6の何れかに記載のイオン電流検出装置。信号検出回路は、直流電源の直流電圧を降下させて生成された第一直流レベルの出力電圧を出力する第一回路と、第一回路の出力電圧をエミッタ端子に受けて動作し、コレクタ端子に接続された負荷抵抗からコレクタ電流に対応する検出電圧を出力する電流増幅素子と、電流増幅素子のベース端子と点火プラグとの間に配置されるバイアス抵抗と、を有して構成され、点火プラグに流れるイオン電流を、電流増幅素子のベース端子に出力される第二直流レベルの電圧に基づいて検出するよう構成された請求項1~3の何れかに記載のイオン電流検出装置。二次コイルは、その一方側端子がバイアス抵抗に接続され、他方側端子が点火プラグに接続されている請求項8に記載のイオン電流検出装置。流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する電流規制素子と、二次コイルと、点火プラグとで、一方向の点火放電経路が構成され、電流規制素子の流出端子は、二次コイルの一方側端子に接続されている請求項9に記載のイオン電流検出装置。しかしながら、図4や図5のような回路構成では、イオン電流を検出するためのバイアス回路として、コンデンサC11とツェナーダイオードZD11が必要となり、回路構成がやや複雑な上に、これらの部品コストが高いという問題があった。すなわち、これらの部品は、高温例えば160°C且つ高圧例えば250V~350V下において所望の動作が保証される必要があり、低コスト化が困難である。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、より低コスト化を実現できるイオン電流検出装置を提供することを課題とする。上記の課題を解決するため、本発明に係るイオン電流検出装置は、一次コイルと二次コイルが電磁結合されてなる点火コイルと、一次コイルを介在して直流電源の直流電圧を受け、一次コイルの電流をON/OFF制御するスイッチング素子と、スイッチング素子のOFF動作時に二次コイルに誘起される高電圧に基づいて放電する点火プラグと、直流電源の直流電圧に基づいて点火プラグに流れるイオン電流に対応するイオン信号を検出する信号検出回路と、直流電源の直流電圧の電圧レベルを検出する電圧検出回路と、信号検出回路と電圧検出回路の検出出力を受けるコンピュータ回路と、を有して構成され、コンピュータ回路において、直流電源の直流電圧の電圧レベルに基づいて、信号検出回路から受けたイオン信号を評価するよう構成した。本発明では、直流電源の直流電圧に基づいて点火プラグに流れるイオン電流に対応するイオン信号を検出する構成を採っているので、高温且つ高圧下において所望の動作が要求される回路素子が不要となり、低コスト化を実現することができる。しかも、信号検出回路と電圧検出回路の検出出力を受けるコンピュータ回路を有するので、コンピュータ回路においてイオン信号を正確に把握することができる。具体的には、コンピュータ回路は、直流電源の直流電圧の電圧レベルに基づいて、信号検出回路から受けたイオン信号を補正演算するか、或いは、直流電源の直流電圧の電圧レベルに基づいて、信号検出回路から受けたイオン信号を取得するか否かを判定している。なお、本発明において一次コイルを介在して直流電圧を受けるとは、実施例のように、スイッチング素子のコレクタ端子に一次コイルが接続されている態様に限定されず、例えば、そのエミッタ端子に一次コイルが接続されるような態様も含む概念である。本発明は、好ましくは、一次コイル及び二次コイルとも直流電源から直流電圧を受けるよう構成され、一次コイルの直流電源側の端子と、二次コイルの直流電源側の端子との間に配置されて点火プラグの放電方向を一方向に規制する電流規制素子が配置されることで、点火プラグの放電時に、グランドから直流電源に向かう一方向の放電経路が形成されるべきである。この場合、信号検出回路は、電流規制素子の直流電源側の端子と、二次コイルの直流電源側の端子との間に接続される第一抵抗素子及び第二抵抗素子による分圧回路と、第一抵抗素子及び第二抵抗素子の接続点の信号電圧を受けて動作する増幅回路、を有して構成され、増幅回路の出力が、イオン信号としてコンピュータ回路の供給されるのが好ましい。ここで、前記増幅回路は、非反転入力端子に信号電圧を受け、反転入力端子と出力端子との間に第三抵抗素子を配置したOPアンプで構成され、反転入力端子とグランドとの間に、第四抵抗素子を配置しているのが典型的である。上記何れの発明でも、一次コイルと二次コイルは、コイル巻線が逆相に巻かれて構成されるとマイナス放電を実現することができる。また、本発明の信号検出回路は、直流電源の直流電圧を降下させて生成された第一直流レベルの出力電圧を出力する第一回路と、第一回路の出力電圧をエミッタ端子に受けて動作し、コレクタ端子に接続された負荷抵抗からコレクタ電流に対応する検出電圧を出力する電流増幅素子と、電流増幅素子のベース端子と点火プラグとの間に配置されるバイアス抵抗と、を有して構成され、点火プラグに流れるイオン電流を、電流増幅素子のベース端子に出力される第二直流レベルの電圧に基づいて検出するよう構成を採るのも好ましい。この場合、二次コイルは、その一方側端子がバイアス抵抗に接続され、他方側端子が点火プラグに接続されているのが典型的である。また、流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する電流規制素子と、二次コイルと、点火プラグとで、一方向の点火放電経路が構成され、電流規制素子の流出端子は、二次コイルの一方側端子に接続されているのが好ましい。ここで、電流規制素子としては、ダイオードが好適に採用されるが、同等の機能を発揮する他の電子素子を使用しても良い。上記した本発明のイオン電流検出装置によれば、高圧下で所望の動作が保証される抗耐熱性の回路部品を必要としないので、回路構成が簡素な上に、低コスト化を実現することができる。以下、図1aの回路図を参照しつつ、第一実施例に係るイオン電流検出装置について説明する。図1bに示す通り、第一実施例のイオン電流検出装置は、一次コイルL1と二次コイルL2が電磁結合された点火コイル1と、一次コイルL1の電流をON/OFF制御するスイッチング素子2と、OPアンプAMPからイオン電流ioに対応する検出電圧Voを出力する電流検出部3と、二次コイルL2に直列接続された点火プラグPGと、一次コイルL1や電流検出部3に直流電圧を供給するバッテリ電源VBと、点火プラグPGの点火放電時にON動作するダイオードD1と、バッテリ電源VBに比例した検出電圧Veを出力する電圧検出回路4と、電流検出部3と電圧検出回路4の検出電圧Vo,Veに基づいて適宜な補正演算を実行するコンピュータ回路5と、を中心に構成されている。特に限定されるものではないが、OPアンプAMPは、バッテリ電源VBから生成された単一電源Vccで動作するよう構成されている。また、スイッチング素子2は、例えばIGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタInsulatedGateBipolarTransistorで構成されている。そして、IGBTのゲート端子には、点火パルスSGが供給され、コレクタ端子は一次コイルL1を経由してバッテリ電源VBに接続され、エミッタ端子はグランドに接続されている。また、IGBTのコレクタ端子とエミッタ端子には、不図示のツェナーダイオードのカソード端子とアノード端子が接続されている。点火コイル1を構成する一次コイルL1と二次コイルL2は、コイル巻線が逆相に巻かれ、スイッチング素子2がOFF遷移して一次コイルL1の電流が遮断されると、二次コイルL2に、図示の向きの高電圧が発生するよう構成されている。その結果、点火プラグPGは、グランドからバッテリ電源VBに向けて点火放電するマイナス放電が実現される図1b破線矢印参照。そして、一次コイルL1と二次コイルL2のバッテリ側の端子には、マイナス放電の電流経路を実現する向きにダイオードD1が接続されている。電流検出部3は、OPアンプAMPと、OPアンプAMPの反転端子-と出力端子間に接続された帰還抵抗R3と、OPアンプAMPの反転端子-とグランド間に接続されたグランド抵抗R4と、OPアンプAMPの非反転端子とグランド間に接続されたツェナーダイオードZDと、OPアンプAMPの反転端子に接続された保護抵抗rと、ダイオードD1の両端に接続された分圧抵抗R1,R2と、を有して構成されている。図示の通り、分圧抵抗R1,R2の接続点は、保護抵抗rを通して、OPアンプAMPの非反転端子に接続されている。そして、OPアンプAMPは、非反転増幅回路として動作して、非反転入力端子の入力電圧Viを1R3/R4倍に増幅する。すなわち、OPアンプAMPの出力電圧Voは、Vo=1R3/R4×Viとなる。なお、保護抵抗rは、OPアンプAMPの保護用素子であり省略しても良い。また、ツェナーダイオードZDは、OPアンプAMPを保護するための回路素子であり、高価な回路素子を使用する必要はない。コンピュータ回路5は、CPUの他に2つのAD変換器AD1,AD2を有して構成されている。第一AD変換器AD1には、電流検出部3の検出電圧Voが供給され、第二AD変換器AD2には、電圧検出回路4の検出電圧Veが供給されている。なお、コンピュータ回路5として、ECUEngineControlUnitそのものを使用しても良いし、ECUに接続されたDSPDigitalSignalProcessorなどの専用コンピュータ回路を使用しても良い。電圧検出回路4は、分圧抵抗R10,R11で構成され、バッテリ電源VBの電圧値Vbに対応する検出電圧Ve=Vb×R11/R10R11が、コンピュータ回路5の第二AD変換器AD2に供給されている。したがって、コンピュータ回路5のCPUは、第二AD変換器AD2の検出電圧Veに基づいて、Ve×R10R11/R11の関係式からバッテリ電圧Vbのレベルを正確に知ることができる。続いて、上記した回路構成を有するイオン電流検出装置の回路動作を説明する。<点火放電時>タイミングt0で立上ることでスイッチング素子2をON動作させた点火パルスSGが、タイミングt1に立下ると、二次コイルL2の誘起電圧に基づいて、点火プラグPGが点火放電し、その放電電流は、二次コイルL2→ダイオードD1→バッテリ電源VB→点火プラグPGの経路で流れる図1b破線矢印参照。なお、この点火放電時、分圧抵抗R1,R2の両端電圧は、ダイオードD1の順方向電圧降下Vfに一致するので、分圧抵抗R1,R2の接続点の電位は、バッテリ電源VBの電圧Vbに対応して、Vb-Vf×R1/R1R2≒Vbとなる。そのため、OPアンプAMPの出力電圧Voは、正方向に飽和して電源電圧レベルとなる。<イオン電流検出時>上記の点火放電動作において、その後、放電エネルギーが収束すると、ON状態のダイオードD1がOFF状態に遷移する。すると、その後は、バッテリ電源VB→分圧抵抗R1→分圧抵抗R2→二次コイルL2→点火プラグPGの経路でイオン電流ioが流れる。ここで、分圧抵抗R2→二次コイルL2→点火プラグPGの経路の抵抗値をRとすると、OPアンプAMPへの入力電圧Viは、Vi=io×Rとなるので、OPアンプAMPの出力電圧Voは、Vo=1R3/R4×R×ioとなり、イオン電流ioに対応した検出電圧Voを得ることができる。図1に示す通り、検出電圧Voは、第一AD変換器AD1に入力されており、コンピュータ回路5のCPUは、第一AD変換器AD1を経由して検出電圧Voを取得している。また、コンピュータ回路5のCPUは、同じタイミングで、第二AD変換器AD2を経由して、電圧検出回路4の検出電圧Veを取得している。そして、CPUは、検出電圧Veから特定されるバッテリ電源VBの電圧値Vbに基づいて、電流検出部3の検出電圧Voを適宜に補正することで、バッテリ電源VBの電圧変動分を吸収したイオン電流ioのレベルを把握している。以上の通り、本実施例によれば、専用のバイアス回路を必要とせず、バッテリ電源VBに基づいてイオン電流に対応した検出電圧Voを正確に把握することができる。しかも、回路構成の簡素化と、装置全体の低コスト化を実現することができる。すなわち、図4や図5に示すような、高価なツェナーダイオードZD11やコンデンサC11を使用することなく所望の動作を実現することができる。以上、第一実施例について説明したが、本発明は、上記の回路構成に限定されない。図2は、第二実施例のイオン電流検出装置を示す回路図である。第二実施例は、電流検出部3の回路構成が第一実施例と相違している。また、点火プラグPGと二次コイルL2とダイオードD1とで点火放電時の閉回路が構成され、ダイオードD1のアノード端子がグランドに接続されている。なお、一次コイルL1と二次コイルL2とは電磁的に結合するだけで、直接的には接続されていない。そして、一次コイルL1と二次コイルL2は、コイル巻線が同相に巻かれ、スイッチング素子2がOFF遷移して一次コイルL1の電流が遮断されると、二次コイルL2に、図示の向きの高電圧が発生するよう構成されている。そのため、点火プラグPGには、二次コイルL2→点火プラグPG→ダイオードD1の経路で放電電流が流れる図2bの破線矢印参照。ところで、第二実施例の電流検出部3は、PNP型トランジスタQ1とNPN型トランジスタQ2とを有して構成され、各トランジスタQ1,Q2に共通のエミッタ電流が流れるよう、互いのエミッタ端子が接続されている。そして、トランジスタQ2のコレクタ端子には、バッテリ電源VBが接続され、コレクタ端子とベース端子にはバイアス抵抗R3が接続されている。また、ベース端子とグランド間には、ツェナーダイオードZDが接続されている。ここで、ツェナーダイオードZDの降伏電圧Vzは、バッテリ電源VBの直流電圧Vbより低いがVz<Vb、これに近い値に設定されているVz≒Vb。そのため、ツェナーダイオードZDは、原則として降伏状態であって、トランジスタQ2のベース電位を一定値Vzに維持し、また、トランジスタQ2のエミッタ電位を、ほぼ一定値のVz-Vbeに維持している。なお、Vbeは、トランジスタQ2のベースエミッタ間の電圧降下である。トランジスタQ1のエミッタ端子は、トランジスタQ2のエミッタ端子に接続され、トランジスタQ1のコレクタ端子は、コレクタ抵抗負荷抵抗R2を経由してグランドに接続されている。また、トランジスタQ1のベース端子は、ベース抵抗R1を経由して、二次コイルL2とダイオードD1の接続点に接続されている。そのため、トランジスタQ1のベース電流ibは、ベース抵抗R1→二次コイルL2→点火プラグPGの経路で流れ、検出すべきイオン電流ioに一致する図2b参照。上記の回路構成において、トランジスタQ1のベース電位Vsは、トランジスタQ1のエミッタ電位よりVbeだけ降下して、ほぼ一定値のVz-2×Vbeとなる。なお、ベースエミッタ間の電圧降下Vbeは、トランジスタQ1、トランジスタQ2において同一であるとした。先に説明した通り、イオン電流ioは、トランジスタQ1のベース電流ibに一致し、これが電流増幅率β倍に増幅されて、トランジスタQ1のコレクタ電流icとなるic=β×io。そのため、コレクタ抵抗負荷抵抗R2の両端電圧Voは、Vo=R2×ic=R2×β×ioとして、イオン電流ioに比例したイオン検出電圧Voとなる。以上の回路構成を有する第二実施例では、点火パルスSGの立下り時t1に、点火プラグPGが点火放電し、その放電電流は、二次コイルL2→点火プラグPG→ダイオードD1の経路で流れる図2b破線矢印参照。上記の点火放電動作において、その後、放電エネルギーが収束すると、トランジスタQ1のベース電位Vs=Vz-2×Vbeをバイアス電圧として、ベース抵抗R1→二次コイルL2→点火プラグPGの経路でイオン電流ioが流れ、上記した通り、イオン検出電圧Vo=R2×β×ioが得られる図2b実線矢印参照。このイオン検出電圧Voは、コンピュータ回路5の第一AD変換器AD1に供給されるので、CPUは、第一AD変換器AD1の出力に基づいて、イオン電流ioのレベルを把握することができる。また、第一実施例の場合と同様、バッテリ電源VBの電圧値Vbは、第二AD変換器AD2を経由してCPUに取得されている。そのため、CPUは、例えば、バッテリ電源VBの電圧Vbが極端に降下して、ツェナーダイオードZDを降伏させることができない異常事態を把握することができ、このような異常時におけるイオン検出電圧Voを適切に無視することができる。以上の通り、第二実施例でも、専用のバイアス回路を必要とせず、回路構成の簡素化と、装置全体の低コスト化を実現することができ、しかも、正確にイオン電流を検出することができる。以上、第二実施例について詳細に説明したが、適宜な変更も可能である。図3a~図3aは、第二実施例を変形した第三実施例~第五実施例を例示したものである。第三実施例図3aでは、一次コイルと二次コイルにダイオードD1を接続することで、点火プラグPG→二次コイルL2→ダイオードD1→バッテリ電源VBの放電経路を実現している。すなわち、第二実施例とは異なりマイナス放電を実現している。また、この放電動作に関連して、一次コイルと二次コイルの巻線は逆相に巻かれている。第四実施例図3bは、マイナス放電を実現する回路構成としては、第三実施例と同じである。しかし、第二実施例や第三実施例とは相違して、トランジスタQ1のベース抵抗は、ダイオードD2を経由して、点火プラグPGの非グランド端子に接続されている。ここで、ダイオードD2は、点火プラグPGの放電時にトランジスタQ1,Q2が絶縁破壊されることを防止している。第五実施例図3cは、第二実施例図2の変形例であり、二次コイルL2→ダイオードD1→点火プラグPGの経路で放電閉回路を構成している。そして、第四実施例と同様に、トランジスタQ1のベース抵抗は、ダイオードD2を経由して、点火プラグPGの非グランド端子に接続されている。以上、第一実施例~第五実施例について説明したが、具体的な回路構成は、何ら本発明を限定するものではない。例えば、OPアンプAMPを例示したが、これと同等に機能する回路素子でよいのは勿論である。同様に、第二実施例~第五実施例において、トランジスタQ1,Q2として、バイポーラ型のトランジスタを例示したが、これと同等に機能する回路素子で良いのは勿論である。また、全ての実施例において、コンピュータ回路5は、バッテリ電源VBの電圧レベルを検出できるので、第一実施例においても、電圧レベルの異常時には、電流検出部3の検出電圧Voを無視する構成を採っても良い。"