"基体と、前記基体上に配置された、光反射性を有する反射層と、前記反射層上に絶縁層を介して画素毎に配置された、光透過性を有する第1電極と、前記第1電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された、光反射性および光透過性を有する第2電極と、前記反射層と前記第2電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、前記第1電極から、前記第2電極までの、積層構造からなる前記画素を駆動するための少なくとも保持容量を含む画素回路と、を備え、前記反射層と前記絶縁層と前記第1電極とを用いて、前記保持容量を構成することを特徴とする有機EL装置。基体と、前記基体上に配置された、光反射性および光透過性を有する反射半透過層と、前記反射半透過層上に絶縁層を介して画素毎に配置された、光透過性を有する第1電極と、前記第1電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された、光反射性を有する第2電極と、前記反射半透過層と前記第2電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、前記第1電極から、前記第2電極までの、積層構造からなる前記画素を駆動するための少なくとも保持容量を含む画素回路と、を備え、前記反射半透過層と前記絶縁層と前記第1電極とを用いて、前記保持容量を構成することを特徴とする有機EL装置。請求項1又は2に記載の有機EL装置であって、隣り合う前記画素は異なる色の発光が得られることを特徴とする有機EL装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。しかしながら、特許文献2に記載の有機EL装置では、図7に示すように、画素選択用トランジスターや駆動用トランジスター8Fと容量素子8Gとを平面上に並べて形成する必要が生じ、結果として、必要な容量を確保できずに、表示品質を低下させ得るという課題がある。また、画素回路の大きさに限界があり、結果として装置全体の大きさを小型化し難いという課題がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る有機EL装置は、基体と、前記基体上に配置された、光反射性を有する反射層と、前記反射層上に絶縁層を介して画素毎に配置された、光透過性を有する第1電極と、前記第1電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された、光反射性および光透過性を有する第2電極と、前記反射層と前記第2電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、前記第1電極から、前記第2電極までの、積層構造からなる前記画素を駆動するための少なくとも保持容量を含む画素回路と、を備え、前記反射層と前記絶縁層と前記第1電極とを用いて、前記保持容量を構成することを特徴とする。本適用例によれば、前記有機機能層上に配置された、前記反射層と前記第2電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器を備えると同時に、前記反射層と前記絶縁層と前記第1電極とを用いて、保持容量が構成されているので、保持容量を確保すると同時に、画素の開口率を大きく取ることが可能となり、これによって、画素を微細化することができる。従って、小型且つ高品位なトップエミッション型の有機EL装置を提供することができる。[適用例2]上記適用例の有機EL装置において、基体と、前記基体上に配置された、光反射性および光透過性を有する反射半透過層と、前記反射半透過層上に絶縁層を介して画素毎に配置された、光透過性を有する第1電極と、前記第1電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された、光反射性を有する第2電極と、前記反射半透過層と前記第2電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器と、前記第1電極から、前記第2電極までの、積層構造からなる前記画素を駆動するための少なくとも保持容量を含む画素回路と、を備え、前記反射半透過層と前記絶縁層と前記第1電極とを用いて、前記保持容量を構成することを特徴とする。本適用例によれば、前記有機機能層上に配置された、前記反射半透過層と前記第2電極との間に形成された、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器を備えると同時に、前記反射半透過層と前記絶縁層と前記第1電極とを用いて、保持容量が構成されているので、保持容量を確保すると同時に、画素の開口率を大きく取ることが可能となり、これによって、画素を微細化することができる。従って、小型且つ高品位なボトムエミッション型の有機EL装置を提供することができる。[適用例3]上記適用例に記載の有機EL装置において、隣り合う画素は異なる色の発光が得られることが好ましい。本適用例によれば、隣り合う画素は異なる色の発光が得られるため、例えば赤色、緑色、青色などによる自然な表示を可能とすることができる。従って、有機EL装置が自然な表示を可能にする効果を得ることができる。[適用例4]本適用例の電子機器は、上記適用例の有機EL装置を備えたことを特徴とする。これによれば、高精細な表示を可能とすると共に、小型な電子機器を実現することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。第1実施形態<有機EL装置>まず、本実施形態に係る有機EL装置の概略構成について図1~図4を参照して説明する。図1は、本実施形態の有機EL装置の構成を模式的に示す図、図2は本実施形態の有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図、図3は本実施形態の有機EL装置における画素の構成を示す概略平面図、図4は本実施形態の有機EL装置における画素の構造を示す概略断面図である。図1に示すように、本実施形態の有機EL装置100は、スイッチング素子として薄膜トランジスターThinFilmTransistor、以下、TFTと呼ぶを用いたアクティブマトリクス型の有機EL装置である。有機EL装置100は、基体としての基板10と、基板10上に設けられた走査線GLと、走査線GLに並列に延びる電源線PLと、走査線GLに対して交差する方向に延びる信号線DLを備えている。有機EL装置100において、これら走査線GLと信号線DLとに囲まれた領域に画素101が配置されている。画素101は、例えば、走査線GLの延在方向と信号線DLの延在方向とに沿ってマトリクス状に配列されている。複数の画素101が設けられた領域の周辺には、複数の走査線GLが接続される走査線駆動回路102と、複数の信号線DLが接続される信号線駆動回路103とが設けられている。なお、ここでは図示しないが、基板10上には、走査線駆動回路102、信号線駆動回路103、の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。図2に示すように、画素101は、発光素子である有機EL素子2Dと、画素選択用トランジスター2Aと、駆動用トランジスター2Bと、保持容量2Cとを含む。画素選択用トランジスター2Aは、そのゲートが対応する走査線GL101に接続され、そのソース及びドレインの一方が対応する信号線DL101に接続され、他方が駆動用トランジスター2Bのゲートgに接続されている。駆動用トランジスター2Bは、そのソースs及びドレインdの一方が有機EL素子2Dに接続され、他方が対応する電源線PL101に接続されている。本実施形態では、駆動用トランジスター2Bのドレインdが電源線PL101に接続され、ソースsが有機EL素子2Dのアノードに接続されている。有機EL素子2Dのカソードは電源配線2Gに接続されている。なおこの電源配線2Gは全ての画素101に対して共通に配線されている。保持容量2Cは、駆動用トランジスター2Bのソースsとゲートgの間に接続されている。画素101では、走査線GL101が駆動されて画素選択用トランジスター2Aがオン状態になると、信号線DL101を介して供給される画像信号が保持容量2Cに保持され、保持容量2Cの状態に応じ駆動用トランジスター2Bのオンオフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター2Bを介して電源線PL101に電気的に接続したとき、電源線PL101から有機EL素子2Dに駆動電流が流れる。有機EL素子2Dは、有機EL素子2Dのアノード第1電極としての陽極とカソード第2電極としての陰極との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。図3に示すように、画素101は、例えば、4つの角が丸く形成された略矩形の平面形状を有している。画素101の短辺に沿った方向が、走査線GL101図2参照の延在方向である。また、画素101の長辺に沿った方向が、信号線DL101図2参照の延在方向である。画素101毎に、有機EL素子2Dの第1電極としての陽極3Aが配置されている。また、陽極3Aと平面的に重なる開口部3Dを有する絶縁層3Fを有している。画素101の領域は、有機EL素子2Dにより発光が得られる領域であり、開口部3Dの外形によって規定される。画素101は、表示部3Bと、コンタクト部3Cとを有している。画素101毎に、反射層3Eが配置されている。図3では、構成をわかりやすく示すため、絶縁層3Fに斜線を施して表示している。平面視で絶縁層3Fの開口部3Dに重なる領域が、表示部3Bである。表示部3Bは、画素101の領域のうち実質的に表示に寄与する領域である。表示部3Bにおいて、有機EL素子2Dから発せられた光が反射層3Eで反射されカラーフィルター4L図4参照側に射出される。反射層3E上には、絶縁層としての第3層間絶縁膜4H図4参照が配置されている。第3層間絶縁膜4Hは、画素101毎に開口部4Iを有している。平面視で開口部4Iに重なる領域が、コンタクト部3Cである。コンタクト部3Cは、駆動用トランジスター2Bの配置位置に対応して配置されている。コンタクト部3C開口部4Iにおいて、第3層間絶縁膜4H上に位置する陽極3Aが導電接続される。コンタクト部3Cは、例えば、画素101の長辺に沿った方向における一端側に位置している。なお、コンタクト部3Cの配置位置は、この形態に限定されず、駆動用トランジスター2Bの配置位置に対応して、例えば画素101の中央部などに配置されていてもよい。図4に示すように、素子基板10には、基板表面に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる下地保護膜4Aが形成されているとともに、その表面側において、薄膜トランジスター4Ba画素選択用トランジスター2A及び薄膜トランジスター4Bb駆動用トランジスター2Bが形成されている。薄膜トランジスター4Ba及び薄膜トランジスター4Bbは、島状の多結晶シリコン膜4Cに対して、チャネル形成領域4Ca、高濃度ソースドレイン領域4Cb、低濃度ソースドレイン領域4Cc、が形成されたLDDLightlyDopedDrain構造を備えており、チャネル形成領域4Caに対して、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁層4Dを介して配置されたゲート電極4Eを有している。本実施形態において、多結晶シリコン膜4Cは、素子基板10に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化された多結晶シリコン膜である。低濃度ソースドレイン領域4Ccは、ゲート電極4Eをマスクとして、例えば、約0.1×1013/cm2~約10×1013/cm2のドーズ量で低濃度N型の不純物イオンリンイオンを自己整合的に導入することにより形成された半導体領域であり、高濃度ソースドレイン領域4Cbは、レジストマスクを用いて、約0.1×1015/cm2~約10×1015/cm2のドーズ量で高濃度N型の不純物イオンリンイオンを導入することにより形成された半導体領域である。薄膜トランジスター4Ba、及び薄膜トランジスター4Bbの上層側には、シリコン酸化膜からなる第1層間絶縁膜4Fa、シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜としての第2層間絶縁膜4Fbがこの順に形成されている。第1層間絶縁膜4Faと第2層間絶縁膜4Fbとの層間には信号配線4Gが形成されている。第2層間絶縁膜4Fbの表面にはAl膜からなる反射層3Eが形成されている。反射層3E上には、シリコン窒化膜からなる第3層間絶縁膜4Hが形成されている。第3層間絶縁膜4H上には、ITO膜からなる第1電極としての陽極3Aが形成されている。薄膜トランジスター4Baは、等価回路図上の画素選択用トランジスター2Aである。薄膜トランジスター4Baのソース領域には、コンタクトホール4Maを通じて信号配線4Gからなる信号線DL101が接続されている。薄膜トランジスター4Baのドレイン領域には、コンタクトホール4Mbを通じて信号配線4Gからなる信号配線4Ggへと接続されている。信号配線4Ggは、コンタクトホール4Mdにて、薄膜トランジスター4Bbのゲート電極4Egへと接続されている。薄膜トランジスター4Baは、等価回路図上の画素選択用トランジスター2Bである。薄膜トランジスター4Bbのドレイン領域には、コンタクトホール4Mcを通じて信号配線4Gからなる電源線PL101が接続されている。図中ではコンタクトホール4Mc及び電源線PL101は、信号配線4Ggと区別するために破線で示してある。薄膜トランジスター4Bbのソース領域には、コンタクトホール4Meを通じて信号配線4Gsへ接続されている。信号配線4Gsはコンタクトホール4Mgを通じて反射層3Eからなる信号配線3Esへと接続されている。信号配線3Esはコンタクトホール4Iを通じて陽極3Aへと接続されている。反射層3Eからなる信号配線3Egは、コンタクトホール4Mfを通じて、信号配線4Ggへと接続されている。また、画素101の一部では、第3層間絶縁膜4Hを介して、信号電極3Egが下電極として陽極3Aが上電極として対向することにより、保持容量2Cが構成されている。陽極3A上には、シリコン酸化膜からなる第4層間絶縁膜3Fが形成されている。第4層間絶縁膜3Fには、開口部3Dが設けられている。第4層間絶縁膜3Fおよび、開口部3D上には、有機機能層4Jが形成されている。有機機能層4J上には、例えばMgとAgの合金からなる第2電極としての陰極2Gが形成されている。また、開口部3Dの領域において、陽極3Aと有機機能層4Jを介して、陰極2Gが対向する、有機EL素子2Dが構成されている。陰極2Gと反射層3Eで、有機機能層4Jからの光を共振させる光共振器4Nが構成されている。共振させたい波長に合わせて陰極2Gと反射層3Eとの距離が設計されている。光共振器4Nにおける共振波長は、反射層3Eと陰極2Gとの間の光学的距離Lを変えることによって調整が可能である。有機機能層4Jで発せられた光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、次のような関係式が成り立つ。Φラジアンは、有機機能層4Jで発せられた光が光共振器4Nの両端例えば、反射層3Eと陰極2Gとで反射する際に生じる位相シフトを表す。たとえば、赤色発光610nmを取り出すためには、第3層間絶縁膜4Hはシリコン窒化膜50nmとし、陽極3AはITO膜100nmとする。有機機能層4Jは膜厚150nmとし、陰極2GはMgとAgの合金で膜厚20nmとする。2L/λΦ/2π=mmは整数陰極2G上には、シリコン酸化膜からなる封止絶縁膜4Kaが形成されている。封止絶縁膜4Ka上には、カラーレジスト層4Lが形成されている。カラーレジスト層4Lは特定の波長を透過する機能を有している。カラーレジスト層4L上には、シリコン酸化膜からなる封止絶縁膜4Kbが形成されている。有機EL素子2Dから発せられた光は、陰極2Gと反射層3Eで構成されている光共振器4Nで特定の波長の光が増幅された後、カラーレジスト層4Lを通過し、パネル表面方向へ出射される。すなわち、有機EL装置100は、有機EL素子2Dからの発光がカラーレジスト層4Lを通過して出射されるトップエミッション型のフルカラー表示を可能とするものである。以上述べたように、本実施形態に係る有機EL装置100によれば、以下の効果を得ることができる。有機機能層4J上に配置された、光反射性および光透過性を有する陰極2Gと、反射層3Eと陰極2Gとの間に形成された、有機機能層4Jからの光を共振させる光共振器4Nを備えると同時に、反射層3Eと絶縁層4Hと陽極3Aとを用いて、保持容量2Cが構成されているため、保持容量2Cと、画素選択用トランジスター2A4Ba及び駆動用トランジスター2B4Bbを、平面上に並べる必要がなく、画素回路の大きさを小型化することができ、これによって、画素101を微細化することができる。従って、小型且つ高品位なトップエミッション型の有機EL装置100を提供することができる。第2実施形態次に、第2実施形態の有機EL装置について図5を参照して説明する。図5は、第2実施形態の有機EL装置における画素の構造を示す概略断面図である。なお、第1実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。第2実施形態は、本発明をボトムエミッション型の有機EL装置に適用したものである。図5に示すように、本実施形態の有機EL装置200は、画素201を有している。画素201の構成は、第2層間絶縁膜4Fb以下の構成が、上記第1実施形態の有機EL装置100と同一である。第2層間絶縁膜4Fbの表面にはAl膜からなる反射半透過層5Aが形成されている。反射半透過層5A上には、シリコン窒化膜からなる第3層間絶縁膜4Hが形成されている。第3層間絶縁膜4H上には、ITO膜からなる第1電極としての陽極3Aが形成されている。薄膜トランジスター4Baは、等価回路図上の画素選択用トランジスター2Aである。薄膜トランジスター4Baのソース領域には、コンタクトホール4Maを通じて信号配線4Gからなる信号線DL101が接続されている。薄膜トランジスター4Baのドレイン領域には、コンタクトホール4Mbを通じて信号配線4Gからなる信号配線4Ggへと接続されている。信号配線4Ggは、コンタクトホール4Mdにて、薄膜トランジスター4Bbのゲート電極4Egへと接続されている。薄膜トランジスター4Baは、等価回路図上の画素選択用トランジスター2Bである。薄膜トランジスター4Bbのドレイン領域には、コンタクトホール4Mcを通じて信号配線4Gからなる電源線PL101が接続されている。図中ではコンタクトホール4Mc及び電源線PL101は、信号配線4Ggと区別するために破線で示してある。薄膜トランジスター4Bbのソース領域には、コンタクトホール4Meを通じて信号配線4Gsへ接続されている。信号配線4Gはコンタクトホール4Mgを通じて反射半透過層5Aからなる信号配線5Asへと接続されている。信号配線5Asはコンタクトホール4Iを通じて陽極3Aへと接続されている。反射半透過層5Agは、コンタクトホール4Mfを通じて、信号配線4Ggへと接続されている。また、画素201の一部では、第3層間絶縁膜4Hを介して、反射半透過層5Agが下電極として、陽極3Aが上電極として対向することにより、保持容量2Cが構成されている。陽極3A上には、シリコン酸化膜からなる第4層間絶縁膜3Fが形成されている。第4層間絶縁膜3Fには、開口部3Dが設けられている。第4層間絶縁膜3Fおよび、開口部3D上には、有機機能層4Jが形成されている。有機機能層4J上には、例えばMgとAgの合金または、Alからなる第2電極としての陰極2Gが形成されている。陰極2Gは、反射層の機能を兼ねる。陰極2G上には、シリコン酸化膜からなる封止絶縁膜4Kaが形成されている。また、開口部3Dの領域において、陽極3Aと有機機能層4Jを介して、陰極2Gが対向する、有機EL素子2Dが構成されている。陰極2Gと反射半透過層5Aで、有機機能層4Jからの光を共振させる光共振器4Nが構成されている。共振させたい波長に合わせて陰極2Gと反射半透過層5Aとの距離が設計されている。たとえば、赤色発光610nmを取り出すためには、反射半透過層5AをAl膜厚20nmとし、第3層間絶縁膜4Hはシリコン窒化膜50nmとし、陽極3AはITO膜100nmとする。有機機能層4Jは膜厚150nmとし、陰極2GはAl膜厚500nmとする。有機EL素子2Dから発せられた光は、陰極2Gと反射半透過層5Aで構成されている光共振器4Nで特定の波長の光が増幅された後、素子基板10を通過しパネル裏面方向へ出射される。以上述べたように、本実施形態に係る有機EL装置200によれば、以下の効果を得ることができる。反射半透過層5Aと絶縁層4Hと陽極電極3Aとを用いて、保持容量2Cを形成することにより、画素回路を構成する保持容量2Cを開口部3Bと積層することができ、画素201を微細化することができる。従って、小型且つ高品位なボトムエミッション型の有機EL装置200を提供することができる。第3実施形態次に、本実施形態の電子機器について、図6を参照して説明する。図6aは電子機器としてのデジタルカメラを示す図、同図bは電子機器としてのヘッドマウントディスプレイHMDを示す図である。図6aに示すように、本実施形態の電子機器としてのデジタルカメラ60Aは、撮像素子などの光学系を有する本体6Bを有している。本体6Bには、被写体を視認するための電子ファインダーEVF6Aと、撮影した画像などを表示するモニター6Cとが設けられている。電子ファインダー6Aとモニター6Cにはそれぞれ上記実施形態の有機EL装置100または有機EL装置200が搭載されている。図6bに示すように、本実施形態の他の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ60Bは、観察者の頭部に装着するための一対の支持部6Hと、一対の支持部6H間に設けられ観察者の左眼と右眼とに向けて画像を表示する表示部6Gとを有している。表示部6Gには、上記実施形態の有機EL装置100または有機EL装置200が搭載されている。上記実施形態の有機EL装置100または有機EL装置200は、小型であり且つ高品位な画像を表示することができるので、小型なデジタルカメラ60Aや軽量なヘッドマウントディスプレイ60Bを実現することができる。上記実施形態の有機EL装置100,200が適用される電子機器は、デジタルカメラ60Aやヘッドマウントディスプレイ60Bに限定されない。例えば、携帯型の電話機やPDA、GPSなどの情報端末装置の表示部として好適に用いることができる。"