"放熱ベース上に接合された導電パターン付絶縁基板と、該導電パターン付絶縁基板上に接合した半導体チップと、前記導電パターン付絶縁基板および前記半導体チップを収納し前記放熱ベースに接着された樹脂ケースと、該樹脂ケース内に充填された保護材とを備えるパワー半導体装置の製造方法において、導電パターン付絶縁基板上に半導体チップを接合する工程と、放熱ベースに前記導電パターン付絶縁基板を接合する工程と、前記放熱ベースに樹脂ケースを接着する工程と、前記放熱パターン付絶縁基板の表面および前記半導体チップの表面に酸素プラズマ表面処理を施す工程と、前記放熱パターン付絶縁基板および前記半導体チップを高温加熱し、湿気を除去する工程と、樹脂ケース内に保護材を充填する工程と、を含むことを特徴とするパワー半導体装置の製造方法。前記酸素プラズマ表面処理条件において、プラズマのパワーが200W~600Wであり、プラズマ処理時間が30秒~700秒であり、酸素O2の流量が30ml/分~100ml/分であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記の高温加熱の条件は、温度は100°C以上で200°C以下、加熱時間は30分以上で2時間以下であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記保護材がシリコーンゲルもしくはエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記導電パターン付絶縁基板を構成する絶縁基板の材質が、Al2O3、Si3N4もしくはAlNであり、導電パターンの材質が銅であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体装置の製造方法。前記の図11の従来の工程および図12~図16の従来の製造方法では、パワー半導体装置の耐絶縁特性として、常温環境と比較して高温環境下例えば150°C雰囲気においては、図17に示すように、絶縁破壊電圧絶縁耐圧が低下する。2通常、パワー半導体装置はパワー半導体チップ2の発熱により、高温状態で使用されるため、高温下での絶縁耐圧の低下は信頼性の低下を招く。これらは、導電パターン付絶縁基板1およびパワー半導体チップ2とシリコーンゲル9との密着性が低下したために起こる現象である。これを防ぐために、前記の特許文献1,2のようなO2プラズマによる表面処理を施す方法がある。しかし、特許文献1,2に示されているプラズマ表面処理では、高温環境下で用いられるパワー半導体モジュールなどのパワー半導体装置に対しては不十分であり、絶縁破壊電圧の低下と絶縁耐量の低下による信頼性の低下が懸念される。図17は、従来のIGBTモジュール温度と絶縁破壊耐圧の関係を示す図である。常温での絶縁破壊電圧が7.0kV~8.0kVである場合、150°Cの高温になると5.0kV~6.0kVに低下する。また、前記の特許文献1,2では、ICが対象の半導体装置であり、印加される電圧も数十V程度で低い。それに対して、パワー半導体装置では、数1000Vと高く、ICよりも絶縁破壊を起こし易い。また、前記の特許文献1,2では、プラズマ表面処理を施す対象がエポキシ樹脂であり、シリコーンゲルを対象とした記述はされていない。また、プラズマ表面処理した後、保護材で表面を被覆する前に予備加熱することについては記載されていない。パワー半導体装置において、特に大きい樹脂ケース5が使用される場合には、シリコーンゲルの代わりにエポキシ樹脂を用いると、エポキシ樹脂は柔軟性が乏しく熱応力が大きいので樹脂ケースや導電パターン付絶縁基板にクラックが入ったり割れたりするため使用することが出来ない。また、前記の特許文献2では、基板のレジストと樹脂モールドとの密着性の向上については記載されているが、導電パターン付絶縁基板セラミック基板と回路配線パターンとシリコーンゲルとの密着性については記載されていない。また、前記の特許文献では、外力によるダメージや異物の侵入を防止するために密着性の向上を図るということについては記載されているが、本発明のように半導体装置の絶縁耐圧が向上するということについては記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、高温環境下での絶縁耐圧と信頼性の向上を図ることができるパワー半導体装置の製造方法を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、放熱ベース上に接合された導電パターン付絶縁基板と、該導電パターン付絶縁基板上に接合した半導体チップと、前記導電パターン付絶縁基板および前記半導体チップを収納し前記放熱ベースに接着された樹脂ケースと、該樹脂ケース内に充填された保護材とを備えるパワー半導体装置の製造方法において、導電パターン付絶縁基板上に半導体チップを接合する工程と、放熱ベースに前記導電パターン付絶縁基板を接合する工程と、前記放熱ベースに樹脂ケースを接着する工程と、前記放熱パターン付絶縁基板の表面および前記半導体チップの表面に酸素プラズマ表面処理を施す工程と、前記放熱パターン付絶縁基板および前記半導体チップを高温加熱し、湿気を除去する工程と、樹脂ケース内に保護材を充填する工程と、を含むことを特徴とする製造方法とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記酸素プラズマ表面処理条件において、プラズマのパワーが200W~600Wであり、プラズマ処理時間が30秒~700秒であり、酸素O2の流量が30ml/分~100ml/分であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項3に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記の高温加熱の条件は、温度は100°C以上で200°C以下、加熱時間は30分以上で2時間以下であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記保護材がシリコーンゲルもしくはエポキシ樹脂であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記導電パターン付絶縁基板を構成する絶縁基板の材質が、Al2O3、Si3N4もしくはAlNであり、導電パターンの材質が銅であるとよい。なお、本願発明における酸素プラズマ表面処理とは、酸素等の酸化性ガスを用いて発生させたプラズマ中のイオンまたは活性種により、処理対象の表面をクリーニングもしくは親水化処理することをいう。この発明では、酸素プラズマ表面処理工程と、シリコーンゲル注入前の予備加熱工程を組み合わせることで、シリコーンゲル保護材と導電パターン付絶縁基板および半導体チップとの密着性を向上させ、高温環境下でのパワー半導体装置の絶縁耐圧と信頼性の向上を図ることができる。実施の形態を以下の実施例で説明する。従来と同一部位には同一符号を付した。<実施例1>図1は、この発明の第1実施例のパワー半導体装置の製造工程図である。この工程図はシリコーンゲルが注入されるまでを示している。この各工程の詳細説明を以下の図2~図8で示す。図2~図8は、この発明の第1実施例のパワー半導体装置の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。また、パワー半導体装置とは、ここではIGBTやパワーMOSFETなどのパワー半導体チップを収納したパワー半導体モジュールなどである。まず、図2工程1において、導電パターン付絶縁基板1上にパワー半導体チップ2を接合し、パワー半導体チップ2と導電パターン付絶縁基板1の図示しない導電パターンをボンディングワイヤ3などの接続導体で接続する。導電パターン付絶縁基板1とは、図示しないが、セラミックなどの絶縁基板上に回路配線パターンとなる導電パターンが接合し、裏面には裏面導電層が接合したものである。この導電パターンは通常、銅箔などで形成される。つぎに、図3工程2において、導電パターン付絶縁基板1の図示しない裏面導電層を放熱ベース4に図示しない半田などで接合する。つぎに、図4工程3において、樹脂ケース5の底部を放熱ベース4の側面に接着剤で固定する。接着剤はエポキシ樹脂系の接着剤であり、接着条件としては処理温度が150°C程度で処理時間が3分程度である。つぎに、図5工程4において、パワー半導体チップ2および導電パターンと樹脂ケース5に固定されている外部導出端子6をボンディングワイヤ3などの接続導体で接続する。つぎに、図6工程5において、プラズマ処理装置50内で、導電パターン付絶縁基板1の表面およびパワー半導体チップ2の表面に酸素プラズマ表面処理を行う。前記したように導電パターン付絶縁基板1の導電パターンは銅箔であり、絶縁基板の材質は、Al2O3,Si3N4,AlNなどのセラミックである。つぎに、図7工程6において、シリコーンゲル9を注入する前に、予備加熱を行なうこの予備加熱の条件は、加熱温度が150°C程度、加熱時間は1時間程度である。この予備加熱は恒温槽8や熱板を用いて行なう。つぎに、図8工程7において、シリコーンゲル9を樹脂ケース5内に注入する。前記の図6工程5において、プラズマ処理装置50内に設けられた、酸素プラズマを発生させる平行平板型の電極7の大きさは、例えばL縦×W横=約250mm×150mm程度である。電極間距離Dは、例えば50mm~100mm程度である。プラズマ発生の発振周波数fは13.56MHzである。また、プラズマ処理装置内に導入される酸素O210の流量Qは50ml/分程度が好適である。この流量Qは30ml以上で100ml以下がよい。流量Qが100ml超ではプラズマ酸化膜の膜質が変質して絶縁耐圧の低下を招く。一方、30ml未満ではプラズマ酸化膜が薄すぎて、密着性が低下し絶縁耐圧の低下を招く。プラズマ処理に用いる酸化性ガスとしては、酸素のほか、亜酸化窒素N2O等を用いてもよい。また、前記の図6工程5において、酸素プラズマ処理条件と絶縁耐圧について実験した結果について説明する。図9は、酸素プラズマ処理条件と絶縁耐圧の関係を示す図である。図中の○は絶縁耐圧向上、△は絶縁耐圧変化なし、×は絶縁耐圧低下を示す。酸素プラズマ表面処理条件として、プラズマのパワーPは200W~600W、プラズマ処理時間tは30秒700秒である。プラズマのパワーPやプラズマの処理時間tがこの範囲を超えると、熱酸化膜が成長してプラズマ酸化膜から膜質が変質する。そのため、密着性が低下して絶縁耐量が低下する。一方、この範囲より小さい場合は、プラズマ酸化膜の厚みが薄くなり、やはり密着性が低下して絶縁耐量が低下する。また、プラズマのパワーPが250W~600W、プラズマ処理時間tが30秒~600秒の範囲が絶縁耐圧向上の面からさらに好ましい。また、図9から分かるように、好ましい酸素プラズマ表面処理条件には、プラズマのパワーPとプラズマ処理時間tの関係には逆比例の関係がある。図18はこの関係を示したものであり、斜線部が好ましい条件の範囲を示している。従って、図9、18の範囲内で、プラズマのパワーPを増大させたときは、プラズマ処理時間tを減少させると、絶縁耐量を向上させることができる。なお、絶縁耐量が向上する理由は不明であるが、上記の条件においてプラズマ酸化膜の膜厚が数nm以上になるとシリコーンゲル9の密着性が向上する。本実施例では前記の工程5の酸素プラズマ表面処理をした後で、前記の工程6の予備加熱することで、シリコーンゲル9が密着する相手側の導電パターン付絶縁基板1およびパワー半導体チップ2の表面が乾燥し、湿気が除去される。そのため、予備加熱しない場合に比べて、シリコーンゲル9と導電パターン付絶縁基板1やパワー半導体チップ2との密着性を向上させることができる。前記の図7工程6において、予備加熱条件としては、加熱温度は100°C以上で200°C以下、加熱時間は30分以上で2時間以下がよい。この範囲から外れると酸化や不十分な湿気除去などの不具合が生じる。前記のように、酸素プラズマ表面処理工程と、シリコーンゲルを注入する前の予備加熱工程の組み合わせにより、シリコーンゲル9と導電パターン付絶縁基板1間での密着性、シリコーンゲル9とパワー半導体チップ1間での密着性を改善できる。密着性が改善することで、高温環境例えば、150°C程度下でのパワー半導体装置の絶縁耐圧の低下が防止され、パワー半導体装置の信頼性を向上させることができる。図10は、本発明の製造方法を適用したときのIGBTモジュール温度と絶縁破壊耐圧の関係を示す図である。常温での絶縁破壊電圧が7.0kV~8.0kV程度である場合、150°Cの高温では7.0kV~9.5kV程度の絶縁破壊電圧となる。従来の製造方法での高温での絶縁破壊電圧と本発明の高温での絶縁破壊電圧を比べると確実に本発明の製造方法を適用したIGBTモジュールの高温での絶縁破壊電圧は高くなっている。つまり、本実施例では、半導体装置の製造方法において、酸素プラズマ表面処理工程と、シリコーンゲル注入前の予備加熱工程を組み合わせることにより、シリコーンゲル保護材と導電パターン付絶縁基板および半導体チップとの密着性を向上させることができるので、パワー半導体装置の絶縁耐圧を向上させることができる。なお、前記の工程6は、前記工程7の直前に入れた場合について説明した。これは、前記工程7の直前に入れると前記工程7までの放置時間が短くなり好ましいからである。しかし、前記工程7の直前に入れずに、前記工程2と前記工程7の間の工程に入れても絶縁耐圧の向上は見られた。このパワー半導体装置の絶縁性能を確保する保護材として、シリコーンゲル9について説明したが、絶縁性と弾力性が高い保護材であればこれに限るものではない。また、パワー半導体装置の樹脂ケースが比較的小さい場合には、エポキシ樹脂を用いることもある。特に、SiCやGaNで製造されるパワー半導体装置では、樹脂ケース5の大きさが比較的小さく、また高温動作のために、保護材としてエポキシ樹脂を用いる。この場合も本発明の製造方法を用いることで同様の効果を得ることができる。"