反応ガスを供給して基板の被成膜面に成膜する気相成長装置であって、前記基板を保持する基板保持台と、前記基板保持台と対向して配置され、前記基板と対向する位置に貫通穴を有するシャワーヘッドと、内部にパージガスを充満し、前記貫通穴を介して前記基板の被成膜面を臨み得る観察窓を有するビューポートとを備え、前記基板と前記貫通穴の間に流す前記反応ガスの方向と、前記貫通穴と前記観察窓の間に流す前記パージガスの方向が逆方向であることを特徴とする気相成長装置。前記貫通穴は、前記シャワーヘッドの半径方向に偏心させた位置に設けられ、前記ビューポートにおいて、前記パージガスの導入口が、前記貫通穴よりも前記シャワーヘッドの外側に配置され、前記パージガスの排出口が、前記貫通穴よりも前記シャワーヘッドの中心側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。前記貫通穴は、前記シャワーヘッドの半径方向にスリットで形成されていることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。前記貫通穴は、前記シャワーヘッドの半径方向に複数のスポットで形成されていることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。通常、温度観測用貫通穴72を設ける位置はシャワーヘッド部62の中心位置に限られず、基板の位置に合せて対向する位置に取り付けられる。しかしながら、温度観測用貫通穴72の取り付け位置は、シャワーヘッド部62の中心位置から半径方向に偏心するほど原料ガスの流速が強まり、温度観測用貫通穴72から上方に逆拡散する原料ガスが増加するため、特許文献1の気相成長装置では、原料ガスがガス排気通路112を突き抜けて透明観測窓76に膜が付着する問題があった。本発明は、観察窓の位置に係わらず原料ガスの逆拡散を抑え、観察窓の曇りを防止した気相成長装置を提供することである。本発明に係る気相成長装置は、反応ガスを供給して基板の被成膜面に成膜する気相成長装置であって、基板を保持する基板保持台と、基板保持台と対向して配置され、基板と対向する位置に貫通穴を有するシャワーヘッドと、内部にパージガスを充満し、貫通穴を介して前記基板の被成膜面を臨み得る観察窓を有するビューポートとを備え、基板と貫通穴の間に流す反応ガスの方向と、貫通穴と観察窓の間に流すパージガスの方向が逆方向であることを特徴とする。本発明によれば、気相成長装置において、パージガスの流れにより反応ガスの逆拡散を抑え、観察窓の曇りを防止することができる。以下、図面に基づいて本発明を実施するための最良の形態を説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分又は相当部分を表すものとする。図1は、本発明に係る気相成長装置100の概略構成を示す断面図である。気相成長装置100は、反応室10と、シャワーヘッド20と、ビューポート30とからなる。反応室10は、複数の基板11を保持する円盤状の基板保持台12と、基板11及び基板保持台12を回転させるアクチュエータ13と、基板11及び基板保持台12を加熱する加熱ヒータ14とを内部に備えている。シャワーヘッド20は、基板保持台12と対向するように反応室10の上部に配置されている。シャワーヘッド20は、反応ガス1を導入するガス供給部21と、反応ガス1を拡散させるガス分配空間22と、冷媒23を流してシャワーヘッド20を冷却する冷却室24と、反応ガス1を複数のガス吐出孔25から吐き出すガス吐出面26とを備えている。ビューポート30は、石英板などの透明部材からなる観察窓31と、パージガス2のガス導入口32及びガス排出口33とを備え、観察窓31の近辺にパージガス2を充満させるようになっている。ビューポート30は、観察窓31から基板保持台12に保持された基板1の被成膜面を臨み得るようにシャワーヘッド20の上方に配置され、観察窓31と基板1の被成膜面との間でシャワーヘッド20に貫通穴35が設けられている。観察窓31の上方には、基板1の温度や反りなどを光学的に測定する測定機器38が配置される。測定機器38の観測光は、観察窓31から貫通穴35を通って基板1の被成膜面に到達する。図2は、ガス吐出面26の平面図であり、ガス吐出孔25と貫通穴35の配置を示している。貫通穴35は、ガス吐出面26の半径方向にスリット状に形成されている。基板11は基板保持台12に保持されて自転および公転しながらスリットの下方を通過するので、スリットの長さを基板1の径と同等にすることにより、観察窓31から基板11の被成膜面全体を観測することができる。貫通穴35のスリットの幅は、観測の容易さと反応ガス1の逆拡散防止の観点から数ミリ程度が好ましい。ガス吐出孔25から吐出される反応ガス1は、ガス吐出面26と基板保持台12の間を破線で示す矢印のように半径方向の外側に向って流れる。一方、ビューポート30では、パージガス2が外側に配置されたガス導入口32から中心側に配置されたガス排出口33に向って流れている。このように本発明の気相成長装置100は、貫通穴35の上下で、基板11と貫通穴35の間に流す反応ガス1と、貫通穴35と観察窓31の間に流すパージガス2とを逆の方向に流すことを特徴としている。図3は、貫通穴35の近辺で反応ガス1とパージガス2の流れ方をシミュレーションで解析したものである。シミュレーションのモデルは、反応ガス1の通路41とパージガス2の通路42とを貫通穴35で接続し、通路41と通路42のそれぞれの断面積に対応して流速が等しくなるように反応ガス1とパージガス2を流している。具体的には、反応ガス1として水素20slmとアンモニア20slmの混合ガスを通路41に流し、パージガス2として水素20slmを通路42に流して、貫通穴35の近辺において反応ガス1に含まれるアンモニアの濃度分布を解析した。図3aは、本発明のパージガス2の導入方法であって、反応ガス1に対してパージガス2を逆方向に流したものである。図3bは比較例として、反応ガス1に対してパージガス2を同一方向に流したものである。本発明のパージガス2の導入方法は、図3aに示すように、反応ガス1に対してパージガス2を逆方向に流すため、反応ガス1が貫通穴35の下方を通過するときに徐々に上方へ広がろうとする流れが、パージガス2の逆方向の流れによって押し留められ、パージガス2の通路42に拡散されるのを防止できることが判る。一方、比較例のパージガス2の導入方法は、図3bに示すように、反応ガス1に対してパージガス2を同一方向に流すため、反応ガス1が貫通穴35の下方を通過するときに徐々にパージガス2の同一方向の流れに合流し、パージガス2の通路42内で拡散し、貫通穴35の上部にも達することが判る。したがって、観察窓31に反応ガス1による生成物が付着して曇りが生じる。本発明の成膜装置100によれば、上記のシミュレーション結果と同様に、ビューポート30に流れるパージガス2の流れと、反応室10に流れる反応ガス1の流れが逆向きとなり、ビューポート30のパージガス2の流れにより、反応ガス1の貫通穴35からの拡散を抑えられるので、ビューポート30の観察窓31の曇りを防止することができる。図4は、本発明による実施例2の気相成長装置200の概略構成を示す断面図である。実施例1で示した気相成長装置100との違いは、図4に示すように、ビューポート30から基板11の被成膜面を臨み得るように、複数のスポットタイプの貫通穴36が設けられていることである。他の構成は同じであるため詳細な説明は省略する。図5は、実施例2の気相成長装置200におけるガス吐出面26の貫通穴36を示す平面図である。貫通穴36は、断面が直径が約数ミリ程度のスポット形状であり、ガス吐出面26の半径方向に並列して設けられている。貫通穴36を複数のスポットで構成することで流路抵抗が大きくなり、反応ガス1に対してパージガス2を逆方向に流すことにより、反応ガス1の貫通穴36からの拡散がより抑えられ、ビューポート30の観察窓31の曇りを防止することができる。なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。