基板と、前記基板上に第1の接着層を介して設けられた制御素子と、前記基板上に前記制御素子を覆うように設けられた第2の接着層と、前記第2の接着層上に設けられた第1の半導体チップと、を備えた半導体装置であって、前記第1の半導体チップの底面積が、前記制御素子の上面の面積よりも大きく、前記制御素子の外縁の少なくとも一辺が前記第1の半導体チップの外縁より突出していることを特徴とする半導体装置。少なくとも前記第1の半導体チップの外縁内における第1の接着層及び前記制御素子の体積に相当する前記第2の接着層が、前記第1の半導体チップの外縁外に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記制御素子の外縁の二辺が前記第1の半導体チップの外縁より突出していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。前記基板と前記制御素子との間に第2の半導体チップが設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。基板上に制御素子を形成し、接着層が設けられた第1の半導体チップの裏面を前記制御素子の上面及び前記基板の表面に圧着する半導体装置の製造方法であって、前記第1の半導体チップを圧着する際、前記第1の半導体チップの底面積が、前記制御素子の上面の面積よりも大きく、前記制御素子の外縁の少なくとも一辺が前記第1の半導体チップの外縁より突出することを特徴とする半導体装置の製造方法。基板上に第1の半導体チップを形成し、前記第1の半導体チップ上に制御素子を形成し、接着層が設けられた第2の半導体チップの裏面を前記制御素子の上面及び前記第1の半導体チップの表面に圧着する半導体装置の製造方法であって、前記第1の半導体チップの底面積が、前記制御素子の上面の面積よりも大きく、前記制御素子の外縁の少なくとも一辺が前記第1の半導体チップの外縁より突出することを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、半導体チップの歪みを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供することである。上記課題を解決するために実施形態に係る半導体装置は、基板を持つ。前記基板上には制御素子が設けられる。前記基板上に前記制御素子を覆うように接着層が設けられる。前記接着層上には第1の半導体チップが設けられる。前記第1の半導体チップの底面積が、前記制御素子の上面の面積よりも大きく、平面視において前記制御素子及び前記第1の半導体チップの一部が重なる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。また、実施の形態の説明における上下左右等方向を示す語は、後述する半田ボール11が設けられる面側を下とした場合における相対的な方向を指す。従って、重力加速度方向を下とした場合の方向と異なる場合がある。第1の実施形態図1及び図3は、第1の実施形態に係る半導体装置1の断面図であり、図2は、第1の実施形態に係る半導体装置1を示す平面図である。ここに例示する半導体装置1は、所謂BGABallGridArray型の半導体パッケージに収容された半導体記憶装置である。半導体チップ9は、例えば、NAND型フラッシュメモリである。制御素子4は、例えばメモリコントローラであり、半導体チップ9の動作を制御する。図1に示すように、半導体装置1は、基板2、基板2上に配置された制御素子4、及び制御素子4上に接着層8を介して設けられた半導体チップ9を備えている。基板2は、例えば多層配線を有するガラスエポキシ基板2が用いられる。制御素子4は、裏面に設けられた接着層3を介して基板2の表面に実装されている。接着層3には、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。接着層3の膜厚は、例えば10μm程度であり、制御素子4の膜厚は、例えば30μm程度である。制御素子4上には電極パッド5が設けられ、電極パッド5と基板2の表面に設けられた接続端子6とは、金属ワイヤ7により電気的に接続されている。制御素子4を覆うように、接着層8が設けられる。接着層8は、制御素子4の一部、すなわち制御素子4の上面又は上面及び側面の一部を覆ってもよく、制御素子4の上面及び側面の全体を覆っていてもよい。接着層8は、半導体チップ9の外縁内における接着層8及び制御素子4の体積に相当する接着層8が、半導体チップ9の外縁外に設けられてもよい。この場合、半導体チップ9外縁内における接着層8が、半導体チップ9の外縁外へ排出されているため、接着層8から半導体チップ9へ加わる応力が減少し、半導体チップ9の歪みが抑制される。接着層8は、例えば半導体チップ9の裏面にダイアタッチフィルムを貼り付けたものを制御素子4に圧着したものである。接着層8は、例えばエポキシ樹脂を含み、接着層8の粘度は、例えば80~160°Cにおいて、100~10000PaSである。接着層8の膜厚は、例えば40~150μmである。接着層8上には半導体チップ9が設けられる。半導体チップ9の底面積は、制御素子4の上面の面積よりも大きい。また、図2のように、半導体チップ9は、平面視において制御素子4の外縁の少なくとも一辺が、半導体チップ9の外縁を突出するように設けられる。図2のように、平面視において制御素子4の外縁の二辺が、半導体チップ9の外縁を突出している場合には、接着層8が半導体チップ9の外縁外に排出されやすく、半導体チップ9の歪みを抑制することができる。半導体チップ9上に設けられた電極パッド5は、基板2の表面に設けられた接続端子6と金属ワイヤ7により接続されている。図3のように、半導体チップ9上に、接着層12を介して半導体チップ13が設けられてもよい。半導体チップ13は、図3に示すように、半導体チップ9及び半導体チップ13上の電極パッド5を露出するように、階段状に水平方向に位置をずらして積層される。半導体チップ9及び半導体チップ13の一層当たりの膜厚は、30~100μm程度である。基板2上の接続端子6は、基板2の内部に形成された配線層図示なしを介して、基板2の裏面に設けられたはんだボール11に電気的に接続されている。はんだボール11は、外部回路に接続され、半導体チップ9及び制御素子4と外部回路とを電気的に接続する。さらに、半導体チップ9及び制御素子4を覆うように封止樹脂10が設けられ、半導体チップ9及び制御素子4は外界に対して封止されている。以上により、第1の実施形態に係る半導体装置1が構成される。次に、第1の実施形態に係る半導体装置1の製造方法について図4を参照して以下説明する。図4a乃至eは、第1の実施形態に係る半導体装置1の製造方法を示す断面図である。まず、図4aに示すように、多層配線を含むガラスエポキシ樹脂を用いた基板2上に接着層3を介して制御素子4を積層する。例えば、接着層3と接着層3上に設けられた制御素子4を基板2上に圧着する。接着層3は、熱硬化性を有する例えばエポキシ樹脂が用いられる。その後、基板2を加熱し、接着層3を硬化させ、制御素子4を基板2上に固定する。次に、図4bに示すように、基板2上に設けられた接続端子6と制御端子上に設けられた電極パッド5とを接続する金属ワイヤ7を形成する。次に、図4cに示すように、制御素子4の上面の一部を覆うように、接着層8が設けられた半導体チップ9の裏面を制御素子4の上面及び基板2の表面に圧着する。このとき、制御素子4の外縁の少なくとも一辺が前記第1の半導体チップ9の外縁より突出するように圧着する。これにより、平面視において半導体チップ9の外縁内における接着層3及び制御素子4の体積に相当する接着層8が、半導体チップ9外縁外へ排出される。このため、接着層8から半導体チップ9へ加わる応力が減少し、半導体チップ9の歪みが抑制される。半導体チップ9の底面積は、制御素子4の上面の面積よりも大きい。接着層8は、例えば、半導体チップ9が設けられた半導体ウェーハの裏面にDAFDieAttachFilmを貼り付けることにより形成する。また、半導体ウェーハの裏面に熱硬化性の樹脂を含んだ接着剤を塗布し、乾燥させることにより形成してもよい。接着層8は、粘度が低い例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。接着層8が硬化される前の粘度は、例えば100~10000Pasであるものとし、硬化後の弾性率を、例えば1~1000MPaとする。接着層8に粘度が低い樹脂を用いることにより、金属ワイヤ7の変形を防止することができる。その後、基板2を加熱し、接着層8を硬化させ、半導体チップ9を制御素子4上に固定する。次に、図4dのように、裏面に接着層12を設けた半導体チップ13を、半導体チップ9上に積層する。半導体チップ9及び半導体チップ13上の電極パッド5を露出するように階段状に水平方向に位置をずらして積層する。その後、基板2を加熱し、半導体チップ13の裏面に形成された接着層12を硬化させ、階段状に積層された半導体チップ13を固定する。次いで、半導体チップ9上に設けられた電極パット5と接続端子6とを接続する金属ワイヤ7を形成する。次に、図4eのように、基板2上に制御素子4及び半導体チップ9を覆うように、封止樹脂10を形成する。その後、基板2の裏面に、はんだボール11を配設する。以上により、図1に示す第1の実施形態に係る半導体装置1が形成される。以上のように、本発明の第1の実施形態によれば、半導体チップ9は、平面視において制御素子4の外縁の少なくとも一辺が、半導体チップ9の外縁を突出するように設けられている。これにより、接着層8が半導体チップ9の外縁外に排出され、接着層8から半導体チップ9へ加わる応力が減少し、半導体チップ9の歪みが抑制される。さらに、平面視において制御素子4の外縁の二辺が、半導体チップ9の外縁を突出している場合には、接着層8が半導体チップ9の外縁外に排出されやすく、半導体チップ9の歪みをさらに抑制することができる。第2の実施形態本発明の第2の実施形態による半導体装置1について図5及び図6を用いて説明する。この第2の実施形態の構成について図1の第1の実施形態の半導体装置1の構成と同一部分は同一符号で示し、その詳細な説明を省略する。第1の実施形態と異なる点は、基板2上に接着層14を介して半導体チップ15が設けられ、半導体チップ15上に接着層3を介して制御素子4が設けられている点である。図6のように、半導体チップ15上に制御素子4が2つ設けられていてもよい。本発明の第2の実施形態による半導体装置1の製造方法について図7を用いて説明する。まず、図7aに示すように、多層配線を含むガラスエポキシ樹脂からなる基板2上に接着層14を介して半導体チップ15を積層する。例えば、接着層14と接着層14上に設けられた半導体チップ15を基板2上に圧着する。接着層14は、熱硬化性を有する例えばエポキシ樹脂が用いられる。その後、基板2を加熱し、接着層14を硬化させ、半導体チップ15を基板2上に固定する。その後、基板2上に設けられた接続端子6と半導体チップ15上に設けられた電極パッド5とを接続する金属ワイヤ7を形成する。次に、図7bに示すように、半導体チップ15上に接着層3を介して、制御素子4を積層する。例えば、接着層3と接着層3上に設けられた制御素子4を半導体チップ15上に圧着する。接着層3は、熱硬化性を有する例えばエポキシ樹脂が用いられる。その後、基板2を加熱し、接着層3を硬化させ、制御素子4を半導体チップ15上に固定する。次いで、基板2上に設けられた接続端子6と制御素子4上に設けられた電極パッド5とを接続する金属ワイヤ7を形成する。次に、図7cに示すように、制御素子4の上面の一部を覆うように、裏面に接着層8が設けられた半導体チップ9を圧着する。このとき、制御素子4の外縁の少なくとも一辺が前記第1の半導体チップ9の外縁より突出するように圧着する。半導体チップ9の底面積は、制御素子4の上面の面積よりも大きい。接着層8は、粘度が低い例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。接着層8が硬化される前の粘度は、例えば1~10000Pasであるものとし、硬化後の弾性率を、例えば1~1000MPaとする。平面視において半導体チップ9の外縁内における接着層3及び制御素子4の体積に相当する接着層8が、半導体チップ9外縁外へ排出される。これにより、接着層8から半導体チップ9へ加わる応力が減少し、半導体チップ9の歪みが抑制される。その後、基板2を加熱し、接着層8を硬化させ、半導体チップ9を制御素子4上に固定する。次に、図7dのように、裏面に接着層12を設けた半導体チップ13を、半導体チップ9上に積層してもよい。半導体チップ9及び半導体チップ13上の電極パッド5を露出するように階段状に水平方向に位置をずらして積層する。その後、基板2を加熱し、半導体チップ13の裏面に設けられる接着層12を硬化させ、階段状に積層された半導体チップ13を固定する。次いで、半導体チップ9及び半導体チップ13上に設けられた電極パット5と接続端子6とを接続する金属ワイヤ7を形成する。次に、第1の実施形態と同様に、図4eのように、基板2上に制御素子4、半導体チップ9及び半導体チップ13を覆うように、封止樹脂10を形成する。その後、基板2の裏面に、はんだボール11を配設する。以上により、第2の実施形態に係る半導体装置1が形成される。なお、基板2上に設けられた接続端子6と制御素子4及び半導体チップ9上に設けられた電極パッド5とを接続する金属ワイヤ7は、基板2上に半導体チップ15、半導体チップ9及び半導体チップ13を積層した後に、一括して形成してもよい。なお、本実施形態においては、基板2と制御素子4との間に、半導体チップ15が1層あるという前提で説明したが、半導体チップ15は2層以上形成されてもよい。以上のように、本発明の第2の実施形態によれば、半導体チップ9は、平面視において制御素子4の外縁の少なくとも一辺が、半導体チップ9の外縁を突出するように設けられている。これにより、接着層8が半導体チップ9の外縁外に排出され、接着層8から半導体チップ9へ加わる応力が減少し、半導体チップ9の歪みが抑制される。さらに、平面視において制御素子4の外縁の二辺が、半導体チップ9の外縁を突出している場合には、接着層8が半導体チップ9の外縁外に排出されやすく、半導体チップ9の歪みをさらに抑制することができる。なお、上述した第1の実施形態及び第2の実施形態に係る半導体装置1は、複数の半導体チップ13を積層した構造であるものとして説明したが、制御素子4上に1層だけ半導体チップ13が設けられたものでもよい。なお、本発明は、上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。