ドープした酸化物からなり、光起電モジュールの電極を構成することができる透明な電気伝導性層と組み合わされた透明ガラス基材であって、前記ガラス基材と前記透明電気伝導性層との間に、当該ガラスに対する付着特性が良好である1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層が挿入され、次いで当該ガラスに対する付着特性が良好である1以上の第2の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物と、透明電気伝導性層を、任意選択的にドープされた状態でもって、構成することができる1以上の第3の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物との混成層が挿入されていることを特徴とする透明ガラス基材。前記第1及び第2の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物が、Si、Al及びTiの窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物、特にSiOC、SiO2、SiON、TiO2、TiN及びAl2O3から選ばれることを特徴とする、請求項1記載の基材。前記第3の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物が、Sn、Zn及びInの窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物、特にSnO2、ZnO及びInOから選ばれることを特徴とする、請求項1又は2記載の基材。前記透明電気伝導性層が、Sn、Zn又はInのドープ酸化物、例えばSnO2:F、SnO2:Sb、ZnO:Al、ZnO:Ga、InO:Sn、ZnO:B又はZnO:Inから構成されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つに記載の基材。前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層が酸炭化ケイ素SiOCの層であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一つに記載の基材。前記混成層がスズケイ素酸化物の層であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一つに記載の基材。前記混成層における[Si]/[Sn]モル比が少なくとも1に等しく、好ましくは少なくとも2に等しいことを特徴とする、請求項6記載の基材。前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層の厚さが少なくとも5nmに等しいことを特徴とする、請求項1~7のいずれか一つに記載の基材。前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層の厚さが80nm以下であることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一つに記載の基材。前記混成層の厚さが少なくとも3nmに等しいことを特徴とする、請求項1~9のいずれか一つに記載の基材。前記混成層の厚さが65nm以下、好ましくは40nm以下であることを特徴とする、請求項1~10のいずれか一つに記載の基材。ドープされた酸化物から構成される前記透明電気伝導性層が非ドープの同じ酸化物の層を挟んで前記混成層に結合されていることを特徴とする、請求項1~11のいずれか一つに記載の基材。前記非ドープの酸化物とドープされた酸化物の2つの層を一緒にした厚さが300~1600nm、好ましくは最大で1100nmに等しく、特に好ましくは最大で900nmに等しく、当該2層の厚さの比が1:4~4:1であることを特徴とする、請求項12記載の基材。請求項1~13の一つに記載の基材を製造するための方法であって、前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層、前記混成層、次に前記透明電気導電性層を連続的な化学気相成長での被着によって得ることを特徴とする製造方法。前記被着を当該ガラス基材の製造ラインで行うことを特徴とする、請求項14記載の方法。請求項1~13のいずれか一つに記載の基材を含む光起電モジュール。請求項1~13のいずれか一つに記載の基材を含む、電気的に加熱される付形ガラス。請求項1~13のいずれか一つに記載の基材を含むプラズマスクリーン。請求項1~13のいずれか一つに記載の基材を含むフラットランプ電極。請求項1~13のいずれか一つに記載の基材を含む低輻射率ガラス。他方において、ガラス上の透明導電性酸化物層には、光起電モジュールあるいは先に挙げた有効である全ての用途において層間剥離する傾向のあることが観察されている。層間剥離は、層がガラスに対する付着力を喪失することを意味するものと理解される。これは、当業者が簡単に検出することができる割れの形成により見てとれる。割れの伝播は層の剥離を招くことがあり、従って貼り付けの機能を失わせることがある。この現象の解明を促進するため、老化試験が開発された。それは、ガラスとその電極をいろいろな時間電場の作用にさらすものである。この試験の目的は、ガラスから層に向かってのアルカリ金属の拡散を強制することであり、後者が層間剥離の発生の原因となるもののうちの一つである。この層間剥離試験は次のようにして行われる。最初に、例えば銀を基礎材料とする対電極をガラスの電気伝導性電極を備えた側と反対の面に被着させる。次に、こうして形成した集成体を、銀を基礎材料とする層をホットプレート上に直接接触させるか、あるいは炉でアニーリングすることのいずれかにより、200°Cにする。熱的平衡が得られたならば、電気伝導性電極にほぼ-200Vの電位を印加し、銀を基礎材料とする対電極は接地する。この結果、ガラスから電気伝導性層へのアルカリ金属の移動を誘起する電場が形成される。この試験は、標準温度及び圧力条件下でのガラスの抵抗率の値に応じて、例えば0.1~40mC/cm2以上の電荷の変化をもたらすように1分から約20分までの範囲のいろいろな時間をかけて行われる。これらの変化した電荷のうちの、層間剥離が起こり始める下限値を観測する。この層間剥離はまた、従来技術で述べられた副層でも観測される。ガラス基材上に被着した透明導電性酸化物層の層間剥離の問題を解決するために、発明者らは、集成体を電場下に、比較的高い温度、すなわち100°Cより高くあるいは200°Cよりも高い温度で配置する条件下で特に、透明導電性酸化物層の付着力を相当に向上させる、ガラス基材を透明導電性酸化物層に結合する副層の積重体を開発した。従って、本発明が対象とするものの一つは、ドープした酸化物からなり、光起電モジュールの電極を構成することができる透明な電気伝導性層と組み合わされた透明ガラス基材であって、ガラス基材と透明電気伝導性層との間に、ガラスに対する付着特性が良好である1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層が挿入され、次いでガラスに対する付着特性が良好である1以上の第2の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物と、透明電気伝導性層を、任意選択的にドープされた状態でもって、構成することができる1以上の第3の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物との混成層が挿入されていることを特徴とする透明ガラス基材である。こうして、本発明は、いろいろな点において、光起電モジュールに好適な層の積重体を得るのを可能にする。ガラス基材上における機械的強度は、電場の存在下において不利な影響を受けず、その原因は光起電モジュールへの電圧の印加又はモジュールの周囲の金属の枠の存在に内在的又は外在的に関連していることが考えられ、そしてその電位は、実際の屋外で日光に暴露される条件下での使用については、変動することが考えられる。ここで言及する太陽スペクトルは、ASTM標準規格で定義されているAM1.5の太陽光スペクトルである。このかなりの改善は、大きなガラス表面フロート全幅、フランス語にてPLFについて得ることができ、と言うのもそのような寸法に適合する被着プロセスが当該層について利用可能であるからである。更に、曇り度計を使って測定される曇り及び拡散透過の局所的なばらつきなどの美観上の欠陥を解決することができ、そのため本発明は光起電モジュールの製造に特に非常によく適している。有利なことに、本発明の基材の機械的強度は、基材の片側における少なくとも100V、好ましくは200Vの電場、及び少なくとも200°Cの温度による、その試験温度でのガラス基材の抵抗率の値に依存して少なくとも1mC/cm2、好ましくは4mC/cm2の電荷の変化を誘起する処理の24時間後において、不利な影響を受けない。機械的強度は、積重体又は積重体の一部分が層間剥離しないことを意味するものと理解される。好ましくは、前記第1及び第2の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物は、Si、Al及びTiの窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物、特にSiOC、SiO2、SiON、TiO2、TiN及びAl2O3から選ばれ、前記第3の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物は、Sn、Zn及びInの窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物、特にSnO2、ZnO及びInOから選ばれ、前記透明電気伝導性層は、Sn、Zn又はInのドープ酸化物、例えばSnO2:F、SnO2:Sb、ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、InO:Sn又はZnO:Inから構成される。基材の所望の光学的特性と機械的強度との最適な組み合わせを提供する実施形態によれば、前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層は、酸炭化ケイ素SiOCの層であり、前記混成層はスズケイ素酸化物の層であり、前記混成層における[Si]/[Sn]比は少なくとも1、好ましくは2であり、発明者らはこの事項が、特に光起電モジュールとして使用する状況において、先に定義したとおりの機械的強度に非常に特別な明白な効果を及ぼすことを認めており、前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層の厚さは少なくとも5nmに等しく、前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層の厚さは80nm以下であり、実際のところ、より厚くなると、例えば機械的強度の観点から、更なる効果をもたらさず、前記混成層の厚さは少なくとも3nmに等しく、前記混成層の厚さは65nm以下、好ましくは40nm以下であり、より厚くなると、最終製品、特に光起電モジュールの美的外観に多かれ少なかれ悪影響を及ぼす曇りの局所的なばらつきが生じることがあり、ドープ酸化物から構成される前記透明電気導電性層は、非ドープの同じ酸化物の層を挟んで前記混成層に結合され、非ドープ酸化物とドープ酸化物の2つの層を一緒にした厚さは特に300~1600nmであり、好ましくは最大で1100nmに等しく、特に好ましくは最大で900nmに等しくて、この場合に2層に厚さの比は1:4~4:1である。本発明が対象とするもう一つは、上述の基材を製造するための方法であって、この場合、前記1以上の第1の窒化物又は酸窒化物、あるいは酸化物又は酸炭化物の層、前記混成層、次に前記透明電気導電性層は、連続的な化学気相成長での被着によって得られる。化学気相成長CVDは、大きなガラス表面上で、特にフロート全幅フランス語でPLF上で、工業的規模にて容易に実施することができる。真空設備は必要とされない。ここで、SiO2の前駆物質SiOC-SiOSnとしては、テトラエトキシシランTEOS、ヘキサメチルジシロキサンHMDSO、シランSiH4が挙げられ、SnO2の前駆物質SiOSn、SnO2、SnO2:Fとしては、モノブチルスズトリクロライドMBTCl、ジブチルスズジアセテートDBTA、四塩化スズSnCl4、ジブチルスズジクロライドDBTClが挙げられ、その他の炭素ベースの前駆物質SiOCとしては、エチレン、二酸化炭素が挙げられ、その他の酸素ベースの前駆物質SiOC、SiOSn、SnO2、SnO2:Fとしては、二酸化炭素、酸素、水が挙げられ、フッ素ベースの前駆物質SnO2:Fとしては、テトラフルオロメタンCF4、オクタフルオロプロパンC3F8、ヘキサフルオロエタンC2F6、フッ化水素HF、ジフルオロクロロメタンCHClF2、ジフルオロクロロエタンCH3CClF2、トリフルオロメタンCHF3、ジクロロジフルオロメタンCF2Cl2、トリフルオロクロロメタンCF3Cl、トリフルオロブロモメタンCF3Br、トリフルオロ酢酸TFA、CF3COOH、三フッ化窒素NF3が挙げられる。前述の連続的な成長被着は、少なくとも500°Cに等しく、650°C以上の値に達することもある基材の温度で実施するのが有利である。例えば、SiOC層をガラス基材製造ラインで被着させ、そしてSiOSn層をこの製造ラインの外部で被着させてもよく、あるいはこれらの層の両方をこの製造ラインの外部で被着させてもよい。とは言え、方法の一つの好ましい実施形態によれば、上述の連続的な化学気相成長はガラス基材製造ラインで、例えば徐冷炉のフロート浴、出口及び開始部を含む部分の連続のリボン上で、行われる。更に、本発明が対象とするそのほかのものは、上述の基材を含む光起電モジュール、上述の基材を含む電気的に加熱される付形ガラス、本発明による基材を含むプラズマスクリーンプラズマ表示パネルのためのPDP、そのような基材を含むフラットランプ電極、そのような基材を含む低輻射率low-eガラス、である。以下の例により本発明を説明する。比較例1以下の全ての例において、ソーダ-石灰フロートガラスの5cm×5cm×3.2mmのサンプルに化学気相成長により層を被着させる。それらのサンプルを600°Cで加熱する。以下において示す比率はモル百分率である。次のものから25nmのSiOC層を被着させる:7.8のSiH4、26.6のC2H4、47.8のN2、17.7のCO2。続いて、次のものから1μmのSnO2:F層を被着させる:3.63のモノn-ブチルスズトリクロライドMBTCl、0.45のトリフルオロ酢酸TFA、20の水、57のN2、19のO2。全ての例において、サンプルの片側を200Vの電圧にさらすとともにサンプルを200°Cの温度にいろいろな時間さらす。この操作の24時間後に、変化した電荷のうちの層間剥離が生じた下限値を観測するこの老化試験の上記の詳しい説明参照。この下限値は、ここでは0.5mC/cm2未満であり、そしてそれは多くの用途にとって、特に光起電モジュールとしては不十分な、比較的低い機械的強度であると認められる。更に、曇りの実質的に局所的なばらつきは観測されなかった。比較例2次のものから40nmのSiOSn層を被着させる。0.08のMBTCl、0.04のテトラエトキシシランTEOS、0.17の水、93.1のN2、6.6のO2。この層のSi/Snモル比は0.5である。次に、例1におけるように1μmのSnO2:F層を被着させる。変化した電荷のうちの0.5mC/cm2未満の値から始まる層間剥離が観測され、これは不十分である。更に、このサンプルは製品の美的外観に悪影響を与える曇りの局所的ばらつきを示した。例3次のものを被着させる:例1におけるとおりの25nmのSiOC層、例2におけるとおりの40nmのSiOSn層Si/Snモル比0.5、前の2つの例におけるとおりの1μmのSnO2:F層。変化した電荷のうちの1mC/cm2未満の値から始まる層間剥離が観測され、これは前の2つの例のものと比べて実質的に改善されているが、対象とする特定の用途においてはなおも不十分なことがある。曇りの局所的なばらつきは観察されなかった。例4次のものを被着させる:例3におけるとおりの25nmのSiOC層、下記のものから出発してSi/Snモル比が1.4の40nmのSiOSn層:0.08のMBTCl、0.11のTEOS、0.17の水、93のN2、6.6のO2、例3におけるとおりのSnO2:F層。変化した電荷のうちの4~5mC/cm2の値から始まる層間剥離が生じ、これは多くの対象とする用途にとって十分である。曇りの局所的なばらつきは観察されなかった。例5例4を、SiOSn層のみを変更して再現し、この層はここではSi/Snモル比が2.7であり、下記のものから得られる:0.08のMBTCl、0.23のTEOS、0.17の水、92.9のN2、6.6のO2。変化した電荷のうちの10mC/cm2の下限値から始まる層間剥離が生じ、これは非常に良好である。曇りの局所的なばらつきは観察されなかった。例6例3~5を、SiOSn層を変更して再現し、この層は厚さが80nm、Si/Snモル比が2.7であり、下記のものから得られる:0.14のMBTCl、0.37のTEOS、0.26の水、86.8のN2、12.4のO2。変化した電荷のうちの15mC/cm2の値から始まる層間剥離が生じ、これは非常に良好である。しかし、曇りの局所的なばらつきが観察された。例7例6を再現するが、下記のものから得られるSiOSn層のSi/Snモル比の値は0.5である:0.14のMBTCl、0.07のTEOS、0.26の水、87.1のN2、12.4のO2。変化した電荷のうちの1mC/cm2未満の値から始まる層間剥離が生じ、これは用途に応じて好適なこともあり好適でないこともあるが、それは比較的小さい。曇りの局所的なばらつきが観察される。一つの解釈は、例6におけるようにSiOSn層の比較的大きな厚さ80nmがその原因であろう。例8次のものを被着させる:下記のものから、50nmのSiOC層:10.2のSiH4、35のC2H4、31.5のN2、23.3のCO2、下記のものから得られる、Si/Snモル比が0.6の20nmのSiOSn層:0.04のMBTCl、0.02のTEOS、0.11の水、96.2のN2、3.6のO2、前の例におけるのと同じSnO2:F。変化した電荷のうちの2mC/cm2未満の値から始まる層間剥離が生じ、これは一定の用途において十分であり得るが、とは言え向上させることができる。曇りの局所的なばらつきは観察されなかった。例9例8を、SiOSn層のみを変更して繰り返すが、今回の層は厚さが50nm、Si/Snモル比が2.7であり、下記のものから得られる:0.10のMBTCl、0.27のTEOS、0.22の水、91.3のN2、8.1のO2。ここでは、変化した電荷のうちの層間剥離が生じる下限値は高く、12mC/cm2である。曇りの局所的なばらつきは観察されなかった。例10例8と9を、SiOSn層のみを変更して繰り返すが、今回の層は厚さが70nm、Si/Snモル比が2.7であり、下記のものから得られる:0.13のMBTCl、0.37のTEOS、0.31の水、88.1のN2、11.1のO2。この例において、変化した電荷のうちの層間剥離が観測され始める下限値は最大であり、20mC/cm2である。しかし、美的外観は、SiOSn層の比較的大きな厚さに起因する曇りの局所的なばらつきによってわずかに悪影響を受けていた。このように、本発明は、高い機械的強度と高い調節可能な光学的特性とを提供する層の積重体であって、厳しい用途に、特に光起電モジュールにとって、完全に好適である層の積重体を利用可能にした。この積重体は、言うまでもなく、現在のところ予期される最高度の光起電モジュールの機能性を得るのと両立し得る。