"導体回路層と誘電体層とが交互に積層されてなり、前記誘電体層が少なくとも1層のセラミック層Cと少なくとも1層の樹脂層Pとから構成される複合多層基板であって、前記樹脂層Pが脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体を硬化してなるものである複合多層基板。最外層に位置する2つの誘電体層のいずれもがセラミック層Cからなる請求項1記載の複合多層基板。セラミック層Cの合計厚さと樹脂層Pの合計厚さとの比樹脂層Pの合計厚さ/セラミック層Cの合計厚さが1以下である請求項1又は2記載の複合多層基板。誘電体層がガラス繊維を含まないものである請求項1~3いずれか記載の複合多層基板。しかしながら、本発明者らが、特許文献1に記載の方法で多層配線基板を作製評価したところ、充分な誘電特性が得られず小型化が困難であることが明らかになった。一方、特許文献2に記載の方法で複合多層基板を作製評価したところ、小型化に有効な誘電特性を有するが、高周波での伝送損失が大きくなり、高速化が困難であることが明らかになった。本発明の目的は、小型化可能で、高周波での伝送損失が小さい複合多層基板を提供することにある。本発明者らは前記課題を解決すべく、プリント回路板の誘電体層を構成する材料及び誘電率に着目して鋭意検討した結果、高誘電率が求められる層をセラミックで形成し、低誘電率が求められる層を脂環式構造含有ポリマーを含む組成物で形成し、誘電体層として、それらの層を組合せることで、誘電率の設計自由度を向上でき、誘電特性が安定で、高周波での伝送損失が小さい多層基板が得られることを見出した。本発明者らは、かかる知見に基づき、本発明を完成させるに至った。かくして、本発明によれば、1導体回路層と誘電体層とが交互に積層されてなり、前記誘電体層が少なくとも1層のセラミック層Cと少なくとも1層の樹脂層Pとから構成される複合多層基板であって、前記樹脂層Pが脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体を硬化してなるものである複合多層基板、2最外層に位置する2つの誘電体層のいずれもがセラミック層Cからなる前記1記載の複合多層基板、3セラミック層Cの合計厚さと樹脂層Pの合計厚さとの比樹脂層Pの合計厚さ/セラミック層Cの合計厚さが1以下である前記1又は2記載の複合多層基板、並びに4誘電体層がガラス繊維を含まないものである前記1~3いずれか記載の複合多層基板、が提供される。本発明によれば、小型化可能で、高周波での伝送損失が小さい複合多層基板が提供される。本発明の複合多層基板は、導体回路層と誘電体層とが交互に積層されてなり、前記誘電体層が少なくとも1層のセラミック層Cと少なくとも1層の樹脂層Pとから構成される複合多層基板であって、前記樹脂層Pが脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体を硬化してなるものである。導体回路層導体回路層は、高導電材料からなる導体パターンで構成される。高導電材料としては、特に限定されないが、例えば、銀、銅又は金が挙げられる。中でも、製造コストを抑える観点から、銅が好ましい。導体回路層は、例えば、公知のコア基板上の導体層や、誘電体層上に積層された、銅箔などの金属箔のベタパターン上に、フォトリソグラフィーの手法を用いて、所望の導体パターンが形成されるようにパターニングされたエッチングレジストを形成し、続いて、エッチングを行うことにより形成することができる。導体パターンは、ランド等の層間接続端子や、ストリップライン等の層内伝送線路の他、キャパシタ及びインダクタ等の集中素子や、λ/4ストリップライン共振器及びλ/2ストリップライン共振器等の分布定数素子などを構成するために用いられる。誘電体層本発明の複合多層基板において誘電体層は少なくとも1層のセラミック層Cと少なくとも1層の樹脂層Pとから構成される。セラミック層Cと樹脂層Pはそれぞれ単層からなっても、複数層からなってもよい。また、1層の誘電体層が、1又は複数のセラミック層Cと1又は複数の樹脂層Pとから形成されていてもよい。本発明の複合多層基板中、セラミック層Cと樹脂層Pとの積層位置の関係は特に制限されず、誘電体層について見た場合、セラミック層Cと樹脂層Pとは交互に積層されていてもよく例えば、C/P/C/P;Cはセラミック層、Pは樹脂層、導体回路層は省略。以下、同じ。、セラミック層C及び/又は樹脂層Pが連続して積層されていてもよい例えば、C/C/P/P。樹脂層Pは、セラミック層Cとは異なり接着能を発揮しうることから、積層プロセスを簡略化する観点から、セラミック層C及び/又は樹脂層Pを連続して積層するのが好ましい。誘電体層は、少なくとも1層のセラミック層Cと少なくとも1層の樹脂層Pとから構成されていればよく、誘電体層として、セラミック層Cや樹脂層P以外の誘電体層Oが含まれていてもよい。本発明の複合多層基板中、誘電体層Oの積層位置は、特に制限されるものではない。誘電体層Oの材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂、スチレン樹脂、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂、トリアジン樹脂、及び液晶樹脂などが挙げられる。なお、誘電体層Oの1GHzで20°Cの条件での誘電正接としては、通常、0.008以下、好ましくは0.005以下、より好ましくは0.003以下、2GHzで-30~100°Cの範囲で温度変化する条件での比誘電率の温度変化率としては、絶対値で、好ましくは200ppm/°C以下、より好ましくは100ppm/°C以下である。本発明の複合多層基板の誘電特性の安定性を高める観点から、本発明の複合多層基板の全誘電体層の総層数中、誘電体層Oの層数の割合は、通常、30以下、好ましくは20以下である。本発明の複合多層基板の誘電体層は、セラミック層Cと樹脂層Pのみから構成されているのが特に好ましい。本発明の複合多層基板において基板の反りを抑える観点から、最外層に位置する2つの誘電体層のいずれもがセラミック層Cからなるか、及び/又はセラミック層Cの合計厚さと樹脂層Pの合計厚さとの比樹脂層Pの合計厚さ/セラミック層Cの合計厚さが1以下であるのが好ましい。セラミック層Cセラミック層Cを構成するセラミックとしては、通常、ガラス粉末とセラミック粉末とを混合してなるガラスセラミック粉末が使用される。前記ガラス粉末としては、例えば、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、ホウケイ酸ストロンチウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス、及びホウケイ酸カリウムガラス等を挙げることができる。前記セラミック粉末としては、例えば、クォーツやクリストバライト等のシリカや、アルミナ、ジルコニア、ムライト、フォレステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウム、ケイ酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、及びチタン酸バリウム等を挙げることができる。これらの粉末の平均粒子径としては、セラミック層Cの平滑化を高める等の理由から、0.3μm以上1μm以下であるのが好ましい。当該平均粒子径は、後述の無機充填剤の平均粒子径と同様にして求められる。ガラスセラミック粉末を使用する場合には、例えば、ホウケイ酸ガラス粉末と、セラミックフィラー粉末とを混合し、セラミック組成物とすることができる。セラミック層Cは、かかるセラミック組成物を焼結することにより得られるが、ガラス粉末とセラミック粉末との配合割合としては、ガラス粉末を60~80体積、骨材であるセラミック粉末を40~20体積とすると、強度や焼結性の点で有利である。セラミック層Cは高誘電体層として機能しうるため、本発明の複合多層基板には、当該層の一部を電極で挟み込みキャパシタを形成し、内蔵することが可能である。セラミック層Cを内蔵キャパシタの誘電体として用いる場合には、高誘電体粉末を配合するのが好ましい。高電体粉末としては、例えば、BaTiO、SrTiO3、MgTiO3、及びBaZrO3などの化合物を挙げることができ、これらの結晶構造がペロブスカイト型構造であるものを、好適に使用することができる。高誘電体粉末の配合量としては、セラミック層C中、通常、5~70重量、好ましくは20~50重量である。高誘電体粉末の配合量が5重量未満であると、高誘電率化が難しく、高誘電体粉末の配合量が70重量を越えると、低温での焼結が難しくなる恐れがある。以下、セラミック層Cの形成方法を、誘電体層であるセラミック層Cと導体回路層とを一括積層する態様を例に説明する。セラミック層Cの形成にあたっては、まず、所望の配合に調整したセラミックに、分散媒と添加剤とを配合して混練し、スラリーを調製する。セラミックをスラリー化する分散媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジアセトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、ブロムクロロメタン、エタノール、ブタノール、プロパノール、トルエン、キシレン、及びその他の有機溶剤、並びにα-テルピネオール等の精油成分を挙げることができる。添加剤としては、結合剤、可塑剤、解膠剤、界面活性剤、湿潤剤、及び焼結助剤等を挙げることができる。焼結助剤としては、例えば、SiO2-B2O3系ガラス、SiO2-B2O3-Al2O3系ガラス、SiO2-B2O3-Al2O3-αO系ガラス但し、αはCa、Sr、Mg、Ba又はZnを示す。、SiO2-B2O3-β2O系ガラス但し、βはLi、Na又はKを示す。、SiO2-B2O3-Al2O3-β2O系但し、βは上記と同じである。、Pb系ガラス、及びBi系ガラス等のガラス、又はCuO等の金属酸化物を挙げることができる。こうした焼結助剤は、粒径の小さいものであることが好ましい。いずれの添加剤も公知のものを適宜使用可能である。次いで、調製されたスラリーに適当な有機樹脂バインダーを添加した後、所望の成形手段、例えば、ドクターブレード、圧延法、及び金型プレス等によりシート状に任意の形状に成形し、導体回路層となる導体パターンを印刷した後焼成する。例えば、ドクターブレードによる成形の場合、スラリーと有機樹脂バインダーとの混合物をポリエチレンテレフタレートフィルムなどのバックシート上に塗布し、適度に乾燥させて、グリーンシート用基板を得る。次いで、導体回路層となる導体パターンをグリーンシート用基板上に印刷形成する。例えば、グリーンシート用基板に対して、銅、銀、ニッケル、パラジウム、及び金のうちの1種以上からなる金属粉末に有機バインダー、可塑剤、及び溶剤を添加混合して得た金属ペーストを前記グリーンシート用基板に公知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布する。また、所望により、前記グリーンシート用基板に適当な打ち抜き加工を行ってスルーホールを形成し、スルーホール内にもメタライズペーストを充填する。焼成にあたっては、まず、グリーンシート用基板成形のために配合したバインダー成分を除去する。バインダーの除去は、100~700°Cの水蒸気を含有する窒素雰囲気中で行われる。この時、成形体の収縮開始温度は750~850°C程度であることが望ましい。収縮開始温度がこれより低いとバインダーの除去が困難となる傾向があり、成形体中のガラスの特性、特に屈伏点を制御する必要性が生じる。焼成は、通常、800°C~1100°Cの窒素雰囲気中で行われ、これにより相対密度90以上まで緻密化される。焼成温度が800°Cより低いと緻密化することができず、1100°Cを超えると導体パターンとの同時焼成が難しくなる傾向がある。但し、導体パターンの材料として銅を用いる場合には、940°C~980°Cの非酸化性雰囲気中で行うのが好ましい。セラミック層Cの厚さとしては、通常、10~300μm、好ましくは100~200μmである。セラミック層Cの厚さが10μm未満であると、成形が難しく、300μmを越えると、耐衝撃性が低下する恐れがある。樹脂層P樹脂層Pは、脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体を硬化してなるものである。脂環式構造含有ポリマー本発明に用いる脂環式構造含有ポリマーとは、主鎖及び/又は側鎖に脂環式構造を有するポリマーをいう。機械的強度や耐熱性などを高める観点から、主鎖に脂環式構造を有するものが好ましい。前記脂環式構造としては、飽和環状炭化水素シクロアルカン構造、不飽和環状炭化水素シクロアルケン構造などが挙げられるが、機械的強度や耐熱性などを向上させる観点から、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造が好ましく、中でもシクロアルカン構造がより好ましい。脂環式構造を構成する炭素原子数には、格別な制限はないが、同様の観点より、通常、4~30個、好ましくは5~20個、より好ましくは5~15個の範囲である。脂環式構造含有ポリマー中の、脂環式構造を含有してなる繰り返し単位の割合は、目的に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは50重量以上、より好ましくは70重量以上、さらに好ましくは90重量以上である。脂環式構造含有ポリマー中の、脂環式構造を含有してなる繰り返し単位の割合がこの範囲にあると、得られるポリマーの透明性や耐熱性が向上し、好ましい。脂環式構造含有ポリマーとしては、特に限定はないが、例えば、シクロオレフィンモノマーの開環重合体、シクロオレフィンモノマーとこれと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、シクロオレフィンモノマーの付加重合体、シクロオレフィンモノマーとこれと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体、及びスチレンやα-メチルスチレンなどのビニル芳香族系モノマーからなるポリマーの芳香環部分の水素添加物などが挙げられる。中でも、機械的強度や耐熱性に優れることから、シクロオレフィンモノマーの開環重合体が好ましい。本発明に用いる架橋性樹脂成形体中、これらの脂環式構造含有ポリマーは、それぞれ単独で、又は2種以上が含まれていてもよい。なお、本明細書において、シクロオレフィンとは、炭素-炭素二重結合を含む脂環式構造を有するオレフィンを、シクロオレフィンモノマーとは、シクロオレフィンからなる単量体をいう。脂環式構造含有ポリマーの分子量は、目的に応じて適宜選択すればよいが、テトラヒドロフランを溶離液とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量で、通常、1,000~1,000,000、好ましくは5,000~500,000、より好ましくは10,000~100,000の範囲であれば、機械的強度と樹脂加工性とが良好にバランスされ好適である。脂環式構造含有ポリマーとしては、得られる複合多層基板においてピール強度と配線埋め込み性を向上させる観点から、その主鎖及び/又は末端にカップリング剤の親水基を有する脂環式構造含有ポリマー以下、脂環式構造含有ポリマーAという場合がある。が好ましい。脂環式構造含有ポリマーA中、ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は、特に限定されるものではない。カップリング剤の構造は一般に、TiやAl等の金属元素やSiなどに結合したアルコキシ基等からなる親水基と、樹脂などの疎水性表面と相互作用する疎水基とからなる。親水基中のアルコキシ基等の部分は加水分解し、縮合することで無機物表面と結合しうるため、脂環式構造含有ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は、得られる複合多層基板において層間密着性、例えば、樹脂層と金属箔との密着性の向上に寄与するものと推定される。本発明においてカップリング剤の親水基としては、無機物表面への結合反応性が良好であることから、Ti、Al、又はSiに結合した、ヘテロ原子が含まれていてもよい、直鎖又は分岐鎖の炭素数1~20、好ましくは炭素数1~5の、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキロイル基、又はアルケノイル基からなる親水基Xが好ましく、Siに結合した、ヘテロ原子が含まれていてもよい、直鎖又は分岐鎖の炭素数1~20、好ましくは炭素数1~5の、アルコキシ基、又はアルケニルオキシ基からなる親水基xがより好ましい。へテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン原子、及びハロゲン原子が挙げられる。親水基部分にTiを含むカップリング剤としてはチタネートカップリング剤が、親水基部分にAlを含むカップリング剤としてはアルミネートカップリング剤が、親水基部分にSiを含むカップリング剤としてはシランカップリング剤が、それぞれ挙げられ、前記親水基Xは、これらのカップリング剤の親水基部分に相当する。脂環式構造含有ポリマーA中、親水基は、1種類の親水基からなっても、相異なる2種類以上の親水基からなってもよい。前記チタネートカップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリステアロイルチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルジアクリルチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネートなどが挙げられる。前記アルミネートカップリング剤としては、例えば、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等のアルコキシアルミニウムなどが挙げられる。前記シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル-トリβ-メトキシエトキシシラン等のビニルシラン類;γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリルシラン類;β-3,4-エポキシシクロヘキシルメチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシシラン類;γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-β-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-ジメトキシメチルシリルプロピルエチレンジアミン、N-トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン等のアミノシラン類などが挙げられる。カップリング剤の親水基は、当該親水基の、アルコキシ基等ではなく、アルコキシ基等が結合している、TiやAl等の金属元素やSiなどと脂環式構造含有ポリマーとが、直接的に、又は、例えば、2価の炭素数1~20の有機基を介して間接的に結合することで、脂環式構造含有ポリマーの主鎖及び/又は末端に結合している。前記有機基としては、例えば、へテロ原子を含んでいてもよい、炭素数1~20の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基、へテロ原子を含んでいてもよい、炭素数1~20の直鎖又は分岐鎖のアルケニレン基、及びアリーレン基などが挙げられる。へテロ原子は前記と同様である。脂環式構造含有ポリマーA中、カップリング剤の親水基は、1つのモノマー単位に2以上結合していてもよく、また、必ずしも脂環式構造を有するモノマー単位に結合していなくてもよい。脂環式構造含有ポリマーAの全モノマー単位100モル中、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合は、特に限定されないが、得られる複合多層基板においてピール強度と配線埋め込み性とを効率よく高める観点から、通常、0.005~15モル、好ましくは0.01~10モル、より好ましくは0.05~8モルである。なお、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合が15モルを超えると、得られる効果は、当該割合が15モルの場合と実質的に同じである。カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合は、例えば、NMR核磁気共鳴法により求めることができる。かかる割合は、脂環式構造含有ポリマーへのカップリング剤の親水基の結合量を適宜調整することで調整可能である。脂環式構造含有ポリマーA中、末端にカップリング剤の親水基が結合した脂環式構造含有ポリマーの割合は、特に限定されないが、例えば、後述の連鎖移動基を有するカップリング剤を用いる架橋性樹脂成形体の製造方法において、連鎖移動基を有するカップリング剤と、当該カップリング剤を除く他の連鎖移動剤との配合割合を適宜調整することで調整可能である。本発明における樹脂層Pは、以上の脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体を硬化してなるものである。架橋性樹脂成形体には、樹脂成分として、本発明の効果の発現が阻害されない範囲であれば、前記したような、脂環式構造含有ポリマー以外の公知の任意の樹脂が含まれていてもよい。当該樹脂成分は、架橋性樹脂成形体の基材樹脂をなす。基材樹脂は、通常、脂環式構造含有ポリマーを50重量以上含有してなり、好ましくは脂環式構造含有ポリマーのみからなる。なお、前記架橋性樹脂成形体には、前記任意の樹脂の他、脂環式構造含有ポリマー以外のその他の成分が含まれていてもよい。樹脂層Pの厚さとしては、通常、20~400μm、好ましくは50~200μmである。樹脂層Pの厚さが20μm未満であると、厚みの制御が難しく、400μmを越えると、薄型化が難しくなり、またセラミック層Cとの積層時に反りが発生する恐れがある。また、樹脂層Pの1GHzで20°Cの条件での比誘電率としては、好ましくは7以下、より好ましくは5以下、1GHzで20°Cの条件での誘電正接としては、通常、0.008以下、好ましくは0.005以下、より好ましくは0.003以下、2GHzで-30~100°Cの範囲で温度変化する条件での比誘電率の温度変化率としては、絶対値で、好ましくは200ppm/°C以下、より好ましくは100ppm/°C以下である。樹脂層Pの表面及び/又は内部には能動素子及び/又は受動素子を設けても良い。能動素子とは、入力と出力を持ち、外部からのエネルギー供給によりエネルギーの変換を行う機能を有する、電子回路に用いられる電子部品を指し、具体的にはトランジスタ、電界効果トランジスタFET、集積回路IC、大規模集積回路LSI、送信増幅器PowerAmp、低雑音増幅器LowNoiseAMP、及び電圧制御発振器VCO等が挙げられる。受動素子とは、エネルギー供給源及びエネルギーの変換機能を持たない、電子回路に用いられる電子部品を指し、具体的にはキャパシタ、インダクタ、抵抗、共振回路、及びこれらの組み合わせからなる各種フィルタが挙げられる。架橋性樹脂成形体本発明に用いる架橋性樹脂成形体は脂環式構造含有ポリマーを必須成分としてなり、所望によりその他の成分を含む。架橋性樹脂成形体の製造方法としては、特に限定されないが、当該成形体を効率的に製造可能であることから、シクロオレフィンモノマー、メタセシス重合触媒、及び架橋剤を含む重合性組成物を開環重合する方法が好ましい。脂環式構造含有ポリマーを脂環式構造含有ポリマーAとする場合は、例えば、少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤及び/又は少なくとも1つの連鎖移動基を有するカップリング剤を重合性組成物に配合し開環重合すればよい。シクロオレフィンモノマー前記シクロオレフィンモノマーの脂環構造としては、単環、多環、縮合多環、橋かけ環及びこれらの組み合わせ多環などが挙げられる。シクロオレフィンモノマーとしては、得られる複合多層基板の機械的強度を向上させる観点から、多環のシクロオレフィンモノマーが好ましい。各環構造を構成する炭素原子数に特に限定はないが、通常、4~30個、好ましくは5~20個、より好ましくは5~15個である。シクロオレフィンモノマーは、アルキル基、アルケニル基、アルキリデン基、及びアリール基などの炭素数1~30の炭化水素基や、カルボキシル基や酸無水物基などの極性基を置換基として有していてもよい。本発明において、前記シクロオレフィンモノマーとしては、得られる複合多層基板の機械的強度を向上させる観点から、架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するものが好適に用いられる。本明細書において架橋性炭素-炭素不飽和結合とは、メタセシス開環重合には関与せず、架橋反応に関与する炭素-炭素不飽和結合をいう。前記架橋性炭素-炭素不飽和結合としては、芳香族炭素-炭素不飽和結合を除く炭素-炭素不飽和結合、すなわち、脂肪族炭素-炭素二重結合又は三重結合が挙げられ、本発明においては、通常、脂肪族炭素-炭素二重結合をいう。架橋性炭素-炭素不飽和結合を有するシクロオレフィンモノマー中、該不飽和結合の位置は特に限定されるものではなく、炭素原子で形成される脂環構造内の他、該脂環構造以外の任意の位置、例えば、側鎖の末端や内部に存在していてもよい。例えば、前記脂肪族炭素-炭素二重結合は、ビニル基、ビニリデン基、又はビニレン基として存在し得、良好にラジカル架橋性を発揮することから、ビニル基及び/又はビニリデン基として存在するのが好ましく、ビニリデン基として存在するのがより好ましい。架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、特に、架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。ノルボルネン系モノマーとは、ノルボルネン環構造を分子内に有するシクロオレフィンモノマーをいう。例えば、ノルボルネン類、ジシクロペンタジエン類、及びテトラシクロドデセン類などが挙げられる。架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、3-ビニルシクロヘキセン、4-ビニルシクロヘキセン、1,3-シクロペンタジエン、1,3-シクロへキサジエン、1,4-シクロへキサジエン、5-エチル-1,3-シクロへキサジエン、1,3-シクロへプタジエン、1,3-シクロオクタジエンなどの単環シクロオレフィンモノマー;5-エチリデン-2-ノルボルネン、5-メチリデン-2-ノルボルネン、5-イソプロピリデン-2-ノルボルネン、5-ビニルノルボルネン、5-アリルノルボルネン、5,6-ジエチリデン-2-ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、2,5-ノルボルナジエンなどのノルボルネン系モノマー;を挙げることができる。これらの中では、架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。本発明においてシクロオレフィンモノマーとしては、前記架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーの他、架橋性炭素-炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーが用いられる。架橋性炭素-炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、シクロペンテン、3-メチルシクロペンテン、4-メチルシクロペンテン、3,4-ジメチルシクロペンテン、3,5-ジメチルシクロペンテン、3-クロロシクロペンテン、シクロへキセン、3-メチルシクロへキセン、4-メチルシクロヘキセン、3,4-ジメチルシクロヘキセン、3-クロロシクロヘキセン、シクロへプテンなどの単環シクロオレフィンモノマー;ノルボルネン、5-メチルノルボルネン、5-エチルノルボルネン、5-プロピルノルボルネン、5,6-ジメチルノルボルネン、1-メチルノルボルネン、7-メチルノルボルネン、5,5,6-トリメチルノルボルネン、5-フェニルノルボルネン、テトラシクロドデセン、1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2-メチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2-エチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2,3-ジメチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2-ヘキシル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2-エチリデン-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2-フルオロ-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、1,5-ジメチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2-シクロへキシル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2,3-ジクロロ-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、2-イソブチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレン、1,2-ジヒドロジシクロペンタジエン、5-クロロノルボルネン、5,5-ジクロロノルボルネン、5-フルオロノルボルネン、5,5,6-トリフルオロ-6-トリフルオロメチルノルボルネン、5-クロロメチルノルボルネン、5-メトキシノルボルネン、5,6-ジカルボキシルノルボルネンアンハイドレート、5-ジメチルアミノノルボルネン、5-シアノノルボルネンなどのノルボルネン系モノマー;を挙げることができる。これらの中でも、架橋性炭素-炭素不飽和結合を持たないノルボルネン系モノマーが好ましい。以上のシクロオレフィンモノマーは、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、シクロオレフィンモノマーとして、架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素-炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの混合物が用いられる。重合性組成物に用いるシクロオレフィンモノマー中、架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素-炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの配合割合は所望により適宜選択すればよいが、重量比架橋性炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有するシクロオレフィンモノマー/架橋性炭素-炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーで、通常、5/95~100/0、好ましくは10/90~95/10、より好ましくは15/85~90/15の範囲である。当該配合割合がかかる範囲にあれば、得られる複合多層基板において耐熱性や機械的強度がバランス良く向上し、好適である。なお、本発明に用いる重合性組成物には、本発明の効果の発現が阻害されない限り、以上のシクロオレフィンモノマーと共重合可能な任意のモノマーが含まれていてもよい。メタセシス重合触媒本発明に用いるメタセシス重合触媒は、前記シクロオレフィンモノマーをメタセシス開環重合可能なものであれば、特に限定されない。メタセシス重合触媒としては、遷移金属原子を中心にして、複数のイオン、原子、多原子イオン及び/又は化合物が結合してなる錯体が挙げられる。遷移金属原子としては、5族、6族及び8族長周期型周期表、以下同じ。の原子が使用される。それぞれの族の原子は特に限定されないが、5族の原子としては、好ましくはタンタルが挙げられ、6族の原子としては、好ましくは、モリブデン及びタングステンが挙げられ、8族の原子としては、好ましくは、ルテニウム及びオスミウムが挙げられる。これらの中でも、8族のルテニウムやオスミウムの錯体が好ましく、ルテニウムカルベン錯体が特に好ましい。ルテニウムカルベン錯体は、塊状重合時の触媒活性に優れるため、残留未反応モノマーに由来する臭気が少ない架橋性樹脂成形体を効率的に生産することができる。また、8族のルテニウムやオスミウムの錯体は、酸素や空気中の水分に対して比較的安定であって、失活しにくいので、大気下でも架橋性樹脂成形体の生産が可能である。ルテニウムカルベン錯体の具体例としては、以下の式1又は式2で表される錯体が挙げられる。式1及び2において、R1及びR2は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子若しくは珪素原子を含んでもよい、環状又は鎖状の、炭素数1~20の炭化水素基を表す。X1及びX2は、それぞれ独立して任意のアニオン性配位子を示す。L1及びL2はそれぞれ独立して、ヘテロ原子含有カルベン化合物又はヘテロ原子含有カルベン化合物以外の中性電子供与性化合物を表す。また、R1とR2は互いに結合して、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂肪族環又は芳香族環を形成してもよい。さらに、R1、R2、X1、X2、L1及びL2は、任意の組合せで互いに結合して多座キレート化配位子を形成してもよい。ヘテロ原子とは、周期表15族及び16族の原子をいう。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、砒素原子、及びセレン原子などが挙げられる。これらの中でも、安定なカルベン化合物が得られる観点から、窒素原子、酸素原子、リン原子、及び硫黄原子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。ヘテロ原子含有カルベン化合物は、カルベン炭素原子の両側にヘテロ原子が隣接して結合した構造を有するものが好ましく、さらにカルベン炭素原子とその両側のヘテロ原子とを含んでヘテロ環が形成された構造を有するものがより好ましい。また、カルベン炭素原子に隣接するヘテロ原子に嵩高い置換基を有するものが好ましい。ヘテロ原子含有カルベン化合物としては、以下の式3又は式4で示される化合物が挙げられる。式3又は式4において、R3~R6は、それぞれ独立して水素原子;ハロゲン原子;又はハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子若しくは珪素原子を含んでもよい、環状又は鎖状の、炭素数1~20個の炭化水素基を表す。また、R3~R6は任意の組合せで互いに結合して環を形成していてもよい。前記式3又は式4で表される化合物の具体例としては、1,3-ジメシチルイミダゾリジン-2-イリデン、1,3-ジ1-アダマンチルイミダゾリジン-2-イリデン、1-シクロヘキシル-3-メシチルイミダゾリジン-2-イリデン、1,3-ジメシチルオクタヒドロベンズイミダゾール-2-イリデン、1,3-ジイソプロピル-4-イミダゾリン-2-イリデン、1,3-ジ1-フェニルエチル-4-イミダゾリン-2-イリデン、1,3-ジメシチル-2,3-ジヒドロベンズイミダゾール-2-イリデンなどが挙げられる。また、前記式3又は式4で示される化合物のほかに、1,3,4-トリフェニル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1H-1,2,4-トリアゾール-5-イリデン、1,3-ジシクロヘキシルヘキサヒドロピリミジン-2-イリデン、N,N,N’,N’-テトライソプロピルホルムアミジニリデン、1,3,4-トリフェニル-4,5-ジヒドロ-1H-1,2,4-トリアゾール-5-イリデン、3-2,6-ジイソプロピルフェニル-2,3-ジヒドロチアゾール-2-イリデンなどのヘテロ原子含有カルベン化合物も用い得る。前記式1及び式2において、アニオン陰イオン性配位子X1とX2は、中心金属原子から引き離されたときに負の電荷を持つ配位子であり、例えば、弗素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、ジケトネート基、置換シクロペンタジエニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基などを挙げることができる。これらの中でもハロゲン原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。また、中性電子供与性化合物は、中心金属から引き離されたときに中性の電荷を持つ配位子であればいかなるものでもよい。その具体例としては、カルボニル類、アミン類、ピリジン類、エーテル類、ニトリル類、エステル類、ホスフィン類、チオエーテル類、芳香族化合物、オレフィン類、イソシアニド類、及びチオシアネート類などが挙げられる。これらの中でも、ホスフィン類、エーテル類及びピリジン類が好ましく、トリアルキルホスフィンがより好ましい。前記式1で表される錯体化合物としては、ベンジリデン1,3-ジメシチル-4-イミダゾリジン-2-イリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、ベンジリデン1,3-ジメシチル-4,5-ジブロモ-4-イミダゾリン-2-イリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、1,3-ジメシチル-4-イミダゾリン-2-イリデン3-フェニル-1H-インデン-1-イリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、1,3-ジメシチル-4-イミダゾリジン-2-イリデン3-メチル-2-ブテン-1-イリデントリシクロペンチルホスフィンルテニウムジクロリド、ベンジリデン1,3-ジメシチル-オクタヒドロベンズイミダゾール-2-イリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、ベンジリデン[1,3-ジ1-フェニルエチル-4-イミダゾリン-2-イリデン]トリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、ベンジリデン1,3-ジメシチル-2,3-ジヒドロベンズイミダゾール-2-イリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、ベンジリデントリシクロヘキシルホスフィン1,3,4-トリフェニル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1H-1,2,4-トリアゾール-5-イリデンルテニウムジクロリド、1,3-ジイソプロピルヘキサヒドロピリミジン-2-イリデンエトキシメチレントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、ベンジリデン1,3-ジメシチル-4-イミダゾリジン-2-イリデンピリジンルテニウムジクロリド、1,3-ジメシチル-4-イミダゾリジン-2-イリデン2-フェニルエチリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、1,3-ジメシチル-4-イミダゾリン-2-イリデン2-フェニルエチリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、1,3-ジメシチル-4,5-ジブロモ-4-イミダゾリン-2-イリデン[フェニルチオメチレン]トリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、1,3-ジメシチル-4,5-ジブロモ-4-イミダゾリン-2-イリデン2-ピロリドン-1-イルメチレントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリドなどの、ヘテロ原子含有カルベン化合物及びヘテロ原子含有カルベン化合物以外の中性電子供与性化合物が各々1つ結合したルテニウム錯体化合物;ベンジリデンビストリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、3-メチル-2-ブテン-1-イリデンビストリシクロペンチルホスフィンルテニウムジクロリドなどの、ヘテロ原子含有カルベン化合物以外の2つの中性電子供与性化合物が結合したルテニウム錯体化合物;ベンジリデンビス1,3-ジシクロヘキシル-4-イミダゾリジン-2-イリデンルテニウムジクロリド、ベンジリデンビス1,3-ジイソプロピル-4-イミダゾリン-2-イリデンルテニウムジクロリドなどの、2つのヘテロ原子含有カルベン化合物が結合したルテニウム錯体化合物;などが挙げられる。前記式2で表される錯体化合物としては、1,3-ジメシチル-4-イミダゾリジン-2-イリデンフェニルビニリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド、t-ブチルビニリデン1,3-ジイソプロピル-4-イミダゾリン-2-イリデントリシクロペンチルホスフィンルテニウムジクロリド、ビス1,3-ジシクロヘキシル-4-イミダゾリン-2-イリデンフェニルビニリデンルテニウムジクロリドなどが挙げられる。これらの錯体化合物の中でも、前記式1で表され、かつ配位子として前記式4で表される化合物を1つ有するものが最も好ましい。メタセシス重合触媒の使用量は、触媒中の金属原子:シクロオレフィンモノマーのモル比で、通常、1:2,000~1:2,000,000、好ましくは1:5,000~1:1,000,000、より好ましくは1:10,000~1:500,000の範囲である。メタセシス重合触媒は所望により、少量の不活性溶剤に溶解又は懸濁して使用することができる。かかる溶剤としては、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、流動パラフィン、ミネラルスピリットなどの鎖状脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ジシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素;ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリルなどの含窒素炭化水素;ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの含酸素炭化水素;などが挙げられる。これらの中では、工業的に汎用な芳香族炭化水素や脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素の使用が好ましい。また、メタセシス重合触媒としての活性を低下させないものであれば、液状の老化防止剤、液状の可塑剤、液状のエラストマーを溶剤として用いてもよい。メタセシス重合触媒は、重合活性を制御し、重合反応率を向上させる目的で活性剤共触媒と併用することもできる。活性剤としては、アルミニウム、スカンジウム、スズの、アルキル化物、ハロゲン化物、アルコキシ化物及びアリールオキシ化物などを用いることができる。その具体例としては、トリアルコキシアルミニウム、トリフェノキシアルミニウム、ジアルコキシアルキルアルミニウム、アルコキシジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム、ジアルコキシアルミニウムクロリド、アルコキシアルキルアルミニウムクロリド、ジアルキルアルミニウムクロリド、トリアルコキシスカンジウム、テトラアルコキシチタン、テトラアルコキシスズ、テトラアルコキシジルコニウムなどが挙げられる。活性剤の使用量は、触媒中の金属原子:活性剤のモル比で、通常、1:0.05~1:100、好ましくは1:0.2~1:20、より好ましくは1:0.5~1:10の範囲である。また、メタセシス重合触媒として、5族及び6族の遷移金属原子の錯体を用いる場合には、メタセシス重合触媒及び活性剤は、いずれもモノマーに溶解して用いるのが好ましいが、生成物の性質を本質的に損なわない範囲であれば少量の溶剤に懸濁又は溶解させて用いることができる。架橋剤架橋剤は、本発明に用いられる架橋性樹脂成形体中、基材樹脂において架橋反応を誘起する目的で用いられる。本発明において、架橋剤としては、特に限定されないが、通常、ラジカル発生剤が好適に用いられる。ラジカル発生剤としては、有機過酸化物、ジアゾ化合物、及び非極性ラジカル発生剤などが挙げられる。有機過酸化物としては、例えば、t-ブチルヒドロペルオキシド、p-メンタンヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなどのヒドロペルオキシド類;ジクミルペルオキシド、t-ブチルクミルペルオキシド、α,α’-ビスt-ブチルペルオキシ-m-イソプロピルベンゼン、ジ-t-ブチルペルオキシド、2,5-ジメチル-2,5-ジt-ブチルペルオキシ-3-ヘキシン、2,5-ジメチル-2,5-ジt-ブチルペルオキシヘキサンなどのジアルキルペルオキシド類;ジプロピオニルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシドなどのジアシルペルオキシド類;2,2-ジt-ブチルペルオキシブタン、1,1-ジt-ヘキシルペルオキシシクロヘキサン、1,1-ジt-ブチルペルオキシ-2-メチルシクロヘキサン、1,1-ジt-ブチルペルオキシシクロヘキサンなどのペルオキシケタール類;t-ブチルペルオキシアセテート、t-ブチルペルオキシベンゾエートなどのペルオキシエステル類;t-ブチルペルオキシイソプロピルカルボナート、ジイソプロピルペルオキシジカルボナートなどのペルオキシカルボナート類;t-ブチルトリメチルシリルペルオキシドなどのアルキルシリルペルオキシド類;などが挙げられる。中でも、開環重合反応に対する障害が少ない点で、ジアルキルペルオキシド類及びペルオキシケタール類が好ましい。ジアゾ化合物としては、例えば、4,4’-ビスアジドベンザル4-メチルシクロヘキサノン、4,4’-ジアジドカルコン、2,6-ビス4’-アジドベンザルシクロヘキサノン、2,6-ビス4’-アジドベンザル-4-メチルシクロヘキサノン、4,4’-ジアジドジフェニルスルホン、4,4’-ジアジドジフェニルメタン、2,2’-ジアジドスチルベンなどが挙げられる。非極性ラジカル発生剤としては、2,3-ジメチル-2,3-ジフェニルブタン、2,3-ジフェニルブタン、1,4-ジフェニルブタン、3,4-ジメチル-3,4-ジフェニルヘキサン、1,1,2,2-テトラフェニルエタン、2,2,3,3-テトラフェニルブタン、3,3,4,4-テトラフェニルヘキサン、1,1,2-トリフェニルプロパン、1,1,2-トリフェニルエタン、トリフェニルメタン、1,1,1-トリフェニルエタン、1,1,1-トリフェニルプロパン、1,1,1-トリフェニルブタン、1,1,1-トリフェニルペンタン、1,1,1-トリフェニル-2-プロペン、1,1,1-トリフェニル-4-ペンテン、1,1,1-トリフェニル-2-フェニルエタンなどが挙げられる。これらのラジカル発生剤は、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。2種以上のラジカル発生剤を併用し、その量比を調整することで、架橋性樹脂成形体の基材樹脂のガラス転移温度や溶融状態を任意に制御することが可能である。ラジカル発生剤の1分間半減期温度としては、特に限定はないが、通常、150~300°C、好ましくは180~250°Cの範囲である。ここで1分間半減期温度とは、ラジカル発生剤の半量が1分間で分解する温度である。ラジカル発生剤の1分間半減期温度は、例えば、各ラジカル発生剤メーカー例えば、日本油脂株式会社のカタログやホームページを参照すればよい。架橋剤の配合量は、シクロオレフィンモノマー100重量部に対して、通常、0.1~10重量部、好ましくは0.5~5重量部である。架橋剤の配合量がかかる範囲にあれば、架橋性樹脂成形体の硬化時に基材樹脂が充分な架橋密度を有し、所望の物性を有する多層基板が効率的に得られるので、好適である。シクロオレフィン構造を有するカップリング剤前記少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤とは、カップリング剤の疎水基部分に少なくとも1つのシクロオレフィン構造を含むカップリング剤をいう。かかるカップリング剤は、シクロオレフィン構造の存在によりシクロオレフィンモノマーとして機能し、その存在下にシクロオレフィンモノマーを開環重合すると、得られるポリマー鎖中にモノマー単位として組み込まれうる。シクロオレフィン構造を有するカップリング剤としては、特に限定されないが、シクロオレフィンモノマーとして前記したシクロオレフィンに、カップリング剤の親水基が、好ましくは前記親水基Xが、より好ましくは前記親水基xが、結合してなる化合物が挙げられる。シクロオレフィンとカップリング剤の親水基との結合様式は、脂環式構造含有ポリマーとカップリング剤の親水基との結合様式と同様である。少なくとも1つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤としては、例えば、6-トリエトキシシリル-2-ノルボルネンや2-を得ることができる。なお、本明細書において表面粗度Rzは、AFM原子間力顕微鏡により測定することができる。支持体上に重合性組成物を塗布する方法としては、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、及びスリットコート法などの公知の塗布方法が挙げられる。支持体上に塗布された重合性組成物を所望により乾燥させ、次いで塊状重合する。塊状重合は重合性組成物を所定の温度で加熱して行われる。重合性組成物の加熱方法としては特に制約されず、支持体に塗布された重合性組成物を、加熱プレート上に載せて加熱する方法、プレス機を用いて加圧しながら加熱熱プレスする方法、加熱したローラーで押圧する方法、加熱炉内で加熱する方法などが挙げられる。bの方法によれば、任意の形状の架橋性樹脂成形体を得ることができる。その形状としては、シート状、フィルム状、柱状、円柱状、及び多角柱状等が挙げられる。ここで用いる型としては、従来公知の成形型、例えば、割型構造、すなわち、コア型とキャビティー型を有する成形型を用いることができ、それらの空隙部キャビティーに重合性組成物を注入して塊状重合させる。コア型とキャビティー型は、目的とする成形品の形状にあった空隙部を形成するように作製される。成形型の形状、材質、大きさなどは特に制限されない。さらに、ガラス板や金属板などの板状成形型と所定の厚さのスペーサーとを用意し、スペーサーを2枚の板状成形型で挟んで形成される空間内に重合性組成物を注入し塊状重合することにより、シート状又はフィルム状の架橋性樹脂成形体を得ることもできる。重合性組成物を成形型のキャビティー内に充填する際の充填圧力注入圧は、通常、0.01~10MPa、好ましくは0.02~5MPaである。充填圧力が低すぎると、キャビティー内周面に形成された転写面の転写が良好に行われない傾向にあり、充填圧が高すぎると、成形型の剛性を高くしなければならず経済的ではない。型締圧力は、通常、0.01~10MPaの範囲内である。重合性組成物の加熱方法としては、成形型に配設された電熱器やスチームなどの加熱手段を利用する方法や、成形型を電気炉内で加熱する方法などが挙げられる。cの方法は、シート状又はフィルム状の架橋性樹脂成形体を得るのに好適に使用される。得られる成形体の厚さは、通常、0.001~10mm、好ましくは0.005~1mm、より好ましくは0.01~0.5mmの範囲である。この範囲にあれば、積層時の賦形性、及び多層基板の機械的強度や靭性などが向上し、好適である。例えば、重合性組成物の繊維状強化材への含浸は、重合性組成物の所定量を、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、及びスリットコート法等の公知の方法により繊維状強化材に塗布し、所望によりその上に保護フィルムを重ね、上側からローラーなどで押圧することにより行うことができる。重合性組成物を繊維状強化材に含浸させた後、含浸物を所定温度に加熱することで重合性組成物を塊状重合させ、所望の架橋性樹脂成形体を得る。架橋性樹脂成形体中、繊維状強化材の含有量としては、通常、10~90重量、好ましくは20~80重量、より好ましくは30~70重量の範囲である。この範囲にあれば、得られる多層基板の誘電特性と機械的強度がバランスされ、好適である。繊維状強化材としては、無機系及び/又は有機系の繊維が使用できる。例えば、PETポリエチレンテレフタレート繊維、アラミド繊維、超高分子ポリエチレン繊維、ポリアミドナイロン繊維、及び液晶ポリエステル繊維などの有機繊維;ガラス繊維、炭素繊維、アルミナ繊維、タングステン繊維、モリブデン繊維、ブデン繊維、チタン繊維、スチール繊維、ボロン繊維、シリコンカーバイド繊維、及びシリカ繊維などの無機繊維;などが挙げられる。これらの中でも、有機繊維やガラス繊維が好ましく、特にアラミド繊維、液晶ポリエステル繊維、及びガラス繊維が好ましい。ガラス繊維としては、Eガラス、NEガラス、Sガラス、Dガラス、及びHガラス等の繊維を好適に用いることができる。これらは1種単独で、又は2種以上を組合せて用いることができる。繊維状強化材の形態としては、特に限定されず、例えば、マット、クロス、及び不織布などが挙げられる。繊維状強化材に重合性組成物を含浸させてなる含浸物の加熱方法としては、例えば、含浸物を支持体上に設置して前記aの方法のようにして加熱する方法、予め型内に繊維状強化材を設置しておき、該型内で重合性組成物を含浸させて含浸物を得、前記bの方法のようにして加熱する方法などが挙げられる。なお、本発明の複合多層基板においては、誘電率の均一性並びに表面の平滑性という観点から、誘電体層がガラス繊維を含まないのが好ましく、従って、ガラス繊維を含まない架橋性樹脂成形体により樹脂層Pを形成するのが好ましい。前記a、b及びcのいずれの方法においても、重合性組成物を重合させるための加熱温度は、通常、30~250°C、好ましくは50~200°C、より好ましくは90~150°Cの範囲であって、かつ架橋剤、通常、ラジカル発生剤の1分間半減期温度以下、好ましくは1分間半減期温度の10°C以下、より好ましくは1分間半減期温度の20°C以下である。また、重合時間は適宜選択すればよいが、通常、1秒間~20分間、好ましくは10秒間~5分間である。重合性組成物をかかる条件で加熱することにより未反応モノマーの少ない架橋性樹脂成形体が得られるので好適である。本発明に用いる架橋性樹脂成形体は、その構成樹脂の一部分が架橋されたものであってもよい。例えば、型内で重合性組成物を塊状重合したときには、型の中心部分は重合反応熱が発散しにくいので、型内の一部の温度が高くなりすぎる場合がある。高温部では架橋反応が起き、架橋が生ずることがある。しかし、熱を発散しやすい表面部が架橋性の樹脂で形成されていれば、本発明に用いられる架橋性樹脂成形体は所望の効果を充分に発揮し得る。以上のようにして得られる架橋性樹脂成形体は、例えば、プリプレグとして、本発明の多層基板の製造に好適に用いられる。多層基板の製造方法本発明の複合多層基板において、セラミック層Cと樹脂層Pとは、直接的に、又は誘電体層Oや導体回路層を介して間接的に積層される。それらの積層方法は特に制限されない。例えば、E1公知の接着剤を用いて、セラミック層C、導体回路層、及び樹脂層Pを積層接着し、複合多層基板を得てもよいし、E2接着剤を用いることなく、セラミック層C、導体回路層、及び樹脂層Pを積層接着し、複合多層基板を得てもよい。小型化の観点から、E2の方法により複合多層基板を製造するのが好ましい。以下、E2の方法について説明する。本発明の複合多層基板の製造は、生産効率を高める観点から、前述のようにして得られる架橋性樹脂成形体からなるプリプレグを用いて行うのが好適である。その場合、セラミック層C及び/又は導体層となる金属箔と当該プリプレグとを積層し、加熱プレスして基材樹脂を架橋し硬化すればよい。得られる複合多層基板のQ値を向上させる観点から、金属箔としては、表面粗度Rzが2μm以下であるものが好ましい。金属箔の厚さは、使用目的に応じて適宜選択すればよいが、通常、0.5~50μm、好ましくは1~30μm、より好ましくは2~20μm、最も好ましくは2~15μmの範囲である。金属箔は、その表面が、シランカップリング剤、チオールカップリング剤、チタネートカップリング剤、各種接着剤などで処理されていてもよく、シランカップリング剤で処理されていることが好ましい。、シランカップリング剤で処理されていることで架橋性樹脂成形体との接着力が向上する。加熱プレス時の温度は、基材樹脂において、架橋剤により架橋反応が誘起される温度以上である。例えば、架橋剤としてラジカル発生剤を使用する場合、通常、1分間半減期温度以上、好ましくは1分間半減期温度より5°C以上高い温度、より好ましくは1分間半減期温度より10°C以上高い温度である。典型的には、100~300°C、好ましくは150~250°Cの範囲である。加熱時間は、通常、0.1~180分間、好ましくは05~120分間、より好ましくは1~60分間の範囲である。加熱プレス時の圧力は、通常、0.5~20MPa、好ましくは3~10MPaである。加熱プレスは、真空又は減圧雰囲気下で行ってもよい。加熱プレスは、平板成形用のプレス枠型を有する公知のプレス機、シートモールドコンパウンドSMCやバルクモールドコンパウンドBMCなどのプレス成形機を用いて行なうことができる。導体回路層は、金属箔のベタパターン上に、フォトリソグラフィーの手法を用いて、所望の回路パターンが形成されるようにパターニングされたエッチングレジストを形成し、続いて、エッチングを行うことにより形成することができる。なお、セラミック層C上に積層される導体回路層は、前記のようにして、セラミック層Cの形成と同時に当該層の表面に形成しておくのが好ましい。なお、得られた複合多層基板に対し、前記プリプレグを介するセラミック層C及び/又は導体層となる金属箔の積層、及び回路パターンの形成を1回以上さらに繰り返して行ってもよい。また、得られた複合多層基板に対し、所望により、公知の方法に従って、ビアホール及び/又はスルーホールを形成してもよい。また、形成されたホール内に導電性ペーストを充填して、層間の回路パターンを電気的に接続する為の電気的接続導体や放熱路を形成しても良い。ビアホール及び/又はスルーホールが必要とされる場合には、加工性の観点から、あらかじめ樹脂層P及び/又はセラミック層Cにビアホール及び/又はスルーホールを形成したのち樹脂層Pとセラミック層Cとを積層するのが好ましい。以上のようにして本発明の複合多層基板は効率的に製造可能であるが、当該多層基板は、例えば、高速伝送、マイクロ波の周波数での使用に対応した回路基板、ストリップライン伝送路、キャパシタ、インダクタ、LCフィルタ、ストリップライン共振フィルタ、及び誘電体アンテナ等の誘電体デバイスの製造に好適に用いることができる。キャパシタの用途としては、カップリングおよびデカップリング、バイパス、インピーダンスマッチングおよびシグナルマッチング等が挙げられる。デカップリング、バイパスなどの目的では大容量とすることが好ましい。ストリップライン伝送路のように高速性が求められるデバイスは樹脂層Pに、ストリップライン共振フィルタや誘電体アンテナ等の小型化が求められる素子や、デカップリングキャパシタのように大容量が求められる素子は、セラミック層Cに形成するのが好ましい。本発明の複合多層基板は低誘電かが容易な樹脂層Pと高誘電化が容易なセラミック層Cを有することから、電子機器の高速小型化が可能となる。また、一つの多層基板に複数の誘電体デバイスを形成してモジュール化することで、電子機器の小型化が可能となる。組み合わせる誘電体デバイスは、適宜選択できる。モジュールの例としては、パワーアンプモジュール、マルチチップモジュール、アンテナスイッチモジュール、RF-ICモジュール、フロントエンドモジュール及びRFモジュール等が挙げられる。本発明の多層基板は低誘電正接を有することから、PA等の無線通信機器の送信部に適用されるモジュールの製造に好適に用いられる。本発明の複合多層基板の表面には固体電子部品を搭載し実装することができる。なお、本明細書において実装という場合、電子部品を複合多層基板の導体回路に接続することをいう。また、複合多層基板の表面とは、複合多層基板の上面、すなわち、種々のチップ部品が搭載される主面を言う。固体電子部品としては、特に限定はないが、例えば、大規模集積回路LSI、送信増幅器PowerAmp、低雑音増幅器LowNoiseAMP、電圧制御発振器VCO、又はそれらが多段に集積化されたICなどの能動素子、バンドパスフィルタを始めとする各種高周波フィルタバンドエミッションフィルタ、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、ダイプレクサ、及びデュプレクサ等、及びバランやカプラなどの受動素子の他、ディスクリートタイプのトランジスタ、コンデンサ、レジスタ、コイルも含まれる。固体電子部品を複合多層基板の表面に搭載して実装する場合、実装領域が小さくて済み、高密度実装を可能にできることから、電子部品をチップ状態のまま基板上に実装するベアチップ実装によるのが好ましい。ベアチップ実装の方法としては、リード線を設けたフィルムを用いて基板側の電極とチップ側の電極とを接続するTABTapeAutomatedBonding実装、基板側の電極とチップ側の電極とをワイヤによって接続するワイヤボンディング実装、及びチップの電極部分にバンプ突起電極を形成して基板側の電極とチップ側の電極とを直接接続するフリップチップ実装等が挙げられる。中でも、フリップチップ実装によるのが好ましい。例えば、本発明の複合多層基板の表面に、LSIチップなどの半導体部品を搭載し実装することにより半導体パッケージを製造することができる。本発明の複合多層基板の少なくとも片面上に、半導体部品を前記実装方法により実装し、半導体部品電極と複合多層基板との接続部分をエポキシ樹脂等の封止材料で封止する。なお、封止材料として、本発明に係る、前記重合性組成物を用いることもできる。次に、上記半導体部品が実装された基板には、片面に金属配線によって複数の電極がエリア上に配置され、例えば、ハンダボール等の接続部材が設置される。このような半導体パッケージとしては、例えば、2個以上の複数の半導体部品を実装してなるマルチチップモジュールMCMなどが挙げられる。MCMは、例えば、コンピューターや通信機器に使用したり、接続部材を介して、さらにマザーボード通常のプリント配線板に接続したり、そのままマザーボードとして使用することができる。以下、実施例により、比較例と対比して、本発明をより詳細に説明するが、本発明は当該実施例に限定されるものではない。なお、実施例及び比較例における部及びは、特に断らない限り、重量基準である。実施例及び比較例において積層体の物性評価はそれぞれ、以下の方法に従って行った。比誘電率インピーダンスアナライザーアジレントテクノロジー社製、型番号E4991Aを用いて周波数1GHzで20°Cにおける誘電率εを容量法で測定し、比誘電率εrを算出して以下の基準で評価した。A:7以上B:5以上、7未満C:5未満誘電正接インピーダンスアナライザーアジレントテクノロジー社製、型番号E4991Aを用いて周波数1GHzで20°Cにおける誘電正接を容量法にて測定し、以下の基準で評価した。A:0.003以下B:0.003超、0.008以下C:0.008超耐熱性積層体を20mm角に切断し、試験片を得た。該試験片を260°Cの半田浴上に20秒間フローさせた。かかる操作を別々の試験片を用いて3回繰り返しn=3、それぞれの試験片表面の膨れを目視により観察し、以下の基準で評価した。A:n=3で膨れなしB:n=2で膨れなしC:n=2以上で膨れ発生吸水率JISK7209の方法に準拠して、積層体から40mm×20mm×厚み2mmの試験片誘電体層を切り出し、23°C、48時間、蒸留水に浸漬した。浸漬前後での試験片の重量変化を測定することにより、以下の基準に従って吸水率を評価した。A:0.1以下B:0.1超ピール強度積層体から銅箔を引き剥がすときの強度を、JISC6481に準拠して測定し、以下の基準に従ってピール強度を評価した。A:0.6kN/m超B:0.4kN/m超0.6kN/m以下C:0.4kN/m以下配線形成性積層体の銅箔をエッチングして、配線を形成し下記基準で評価した。ここで、配線形成ができなかったとは、エッチングした後の樹脂面に銅箔の残りが観測されることを表す。A:25/25μmラインアンドスペースL/Sの配線形成ができた。B:30/30μmラインアンドスペースL/Sの配線形成ができた。C:40/40μmラインアンドスペースL/Sの配線形成ができた。D:配線ができなかった。配線埋込性セラミック層Cの一方の面にL/S=15μmの配線を15本形成し、樹脂層Pを重ね、205°Cで10分間、3MPaにて加熱プレスを行い試験用多層板を得た。該試験用多層板を、配線方向に対し垂直な方向で任意に3箇所で切断した。得られた試験用多層板の切断面を目視により観察し、セラミック層上の配線に対する埋め込み性について以下の基準で評価した。A:埋込不良が2本以下B:埋込不良が2本超え、5本以下C:埋込不良が5本超え容量変化積層体について、130°C、85RH、100時間の高温高湿試験を行い、容量変化を、以下の基準で評価した。なお、試験は加速試験機タバイエスペック社製HASTチャンバーEHS-221MDを用いて行った。変化率は、式:変化率=試験前の値-試験後の値/試験前の値×100により求められる値である。A:容量変化が5以下B:容量変化が5超比誘電率の面内分布積層体を300mm×300mmに切り出し、任意の10箇所について比誘電率を測定し、ばらつきを以下の基準で評価した。A:ばらつきが3以下B:ばらつきが3を超え、5以下C:ばらつきが5を超える線膨脹係数誘電体層のXY方向の線膨張係数をセイコーインスツル社製EXSTAR6000TMA/SSを用いて、昇温速度5°C/分にて測定し、以下の基準で評価した。A:30ppm/°C以下B:30ppm/°Cを超え50ppm/°C以下C:50ppm/°Cを超える実施例及び比較例において多層基板の物性評価はそれぞれ、以下の方法に従って行った。耐クラック性多層基板について、-65~150°Cの温度範囲で所定回数の冷熱衝撃試験を行った後に外観観察を行い、絶縁層の剥離の有無を以下の基準に従って評価した。なお、冷熱衝撃試験は、冷熱衝撃試験装置エスペック社製、型番TSA-71H-Wにより行った。A:剥離なしB:一部微小な剥離があり、実質上問題なしC:一部微小な剥離があり、実質上使用不可D:剥離、使用不可絶縁信頼性多層基板に100μmの間隔をあけて一直線上に10個並んだ、互いに電気的に接続されたビアホールの列を、100μmの間隔をあけて平行に2列作製したものを、サンプル基板として用いた。130°Cで85RHの環境下、互いに絶縁が確保されている、一方のビアホールの列と他方のビアホールの列との間に100Vの電圧を所定時間印加し、導通が確認されるまでの時間を測定し、以下の評価基準に従って絶縁信頼性を評価した。A:500時間以上B:200時間以上500時間未満C:100時間以上200時間未満D:100時間未満反り状態の評価多層基板を150mm角に切り出し、260°Cの炉内に30秒投入した後、常温で3分間放置した。上記操作を3回繰り返した。反り量の測定は、多層基板の凸面を下にして平面に置き、片方の端を1点で押さえ、最大の高さをデータとした。以下の基準で評価した。A:0.5mm以下B:0.5mmを超え、2mm以下C:2mmを超える製造例1架橋性樹脂成形体1の作製ベンジリデン1,3-ジメシチル-4-イミダゾリジン-2-イリデントリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジクロリド51部と、トリフェニルホスフィン79部とを、トルエン952部に溶解させて触媒液を調製した。これとは別に、シクロオレフィンモノマーとしてテトラシクロドデセンTCD80部及びジシクロペンタジエン20部、酸化ケイ素粒子アドマテックス社製、商品名SOC02、平均粒子径0.5μm200部、連鎖移動剤としてスチレン0.74部、架橋剤としてジ-t-ブチルペルオキシド1分間半減期温度186°C2部、反応性流動化剤としてベンジルメタクリレート15部、架橋助剤としてトリメチロールプロパントリメタクリレート20部、フェノール系老化防止剤として3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシアニソール1部、並びにメタクリルシラン2部を混合してモノマー液を調製した。ここに上記触媒液をシクロオレフィンモノマー100gあたり0.12mLの割合で加えて撹拌し、重合性組成物を調製した。ついで、得られた重合性組成物をガラスクロスEガラスに含浸させ、これを120°Cにて5分間で重合反応を行い、厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体1を得た。製造例2架橋性樹脂成形体2の作製重合性組成物にメタクリルシランを配合しなかった以外は製造例1と同様にして、厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体2を得た。製造例3架橋性樹脂成形体3の作製ガラスクロスへの含浸を行わなかった以外は製造例1と同様にして、厚さ0.05mmの架橋性樹脂成形体3を得た。製造例4架橋性樹脂成形体4の作製多官能エポキシ20部、硬化剤5部、酸化ケイ素粒子75部を含むトルエン溶液を用いて、ダイコータにより厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体4を得た。製造例5架橋性樹脂成形体5の作製多官能エポキシ20部、硬化剤5部、ジルコン酸化物75部を含むトルエン溶液を用いて、ダイコータにより厚さ0.15mmの架橋性樹脂成形体5を得た。製造例6樹脂配線板P1の作成架橋性樹脂成形体1の両面を銅箔1厚さ12μm、F2銅箔、シランカップリング剤処理電解銅箔、光沢面粗度Rz=1,600nm、古河サーキットホイル社製で挟み、210°Cで20分間、3MPaにて加熱プレスを行い積層体1を得た。次に、リソグラフィー法を用いて積層体1の一方の銅箔に、所定のパターンでドライフィルムを被覆して、露光および現象プロセスによって、所望のエッチング部分のみを露出させた後、エッチング液でエッチングすることによって、回路パターンを形成した。次に、積層体1のもう一方の銅箔に、同様にリソグラフィー法を用いて、回路パターンを形成した。さらにドリルでスルーホールを形成した後、ビアホールに導電性ペーストを充填して層間回路を接続して樹脂配線板P1を得た。製造例7樹脂配線板P2の作製架橋性樹脂成形体1の代わりに架橋性樹脂成形体2を用いた以外は製造例1と同様にして積層体2を得た。積層体1に代えて、積層体2を用いた以外は製造例1と同様にして樹脂配線板P2を得た。製造例8樹脂配線板P3の作製架橋性樹脂成形体1の代わりに架橋性樹脂成形体3を用いた以外は製造例1と同様にして積層体3を得た。積層体1に代えて、積層体3を用いた以外は製造例1と同様にして樹脂配線板P3を得た。製造例9樹脂配線板P4の作製架橋性樹脂成形体1の代わりに架橋性樹脂成形体4を用いた以外は製造例1と同様にして積層体4を得た。積層体1に代えて、積層体4を用いた以外は製造例1と同様にして樹脂配線板P4を得た。製造例10セラミック層Cの作成常法に従い、セラミック粉体とバインダを混合してスラリーを調製し、これをポリエステルフィルム上に塗布して厚さ0.15mmのグリーンシート1を作製した。次いで、所定の箇所にレーザによりビアホールを設け、該ビアホールに導電性ペーストを充填した。次いで、スクリーン印刷により回路パターンを形成した後、回路パターン上に他のグリーンシート1を積層し、800°Cで一時間焼成しセラミック層Cを得た。実施例1複合多層基板1の作製セラミック層C、架橋性樹脂成形体1、及び樹脂配線板P1をこの順番に配置し、210°Cで20分間、3MPaにて加熱プレスを行い複合多層基板1を得た。実施例2実施例1において樹脂配線板P1の代わりに樹脂配線板P2を用いた以外は実施例1と同様にして、複合多層基板2を得た。実施例3実施例1において樹脂配線板P1の代わりに樹脂配線板P3を用いた以外は実施例1と同様にして、複合多層基板3を得た。実施例4セラミック層C、架橋性樹脂成形体1、樹脂配線板P3、架橋性樹脂成形体1、及びセラミック層Cをこの順番で、210°Cで20分間、3MPaにて加熱プレスを行い複合多層基板4を得た。比較例1多層セラミック基板の作製常法に従い、セラミック粉体とバインダを混合してスラリーを調製し、これをポリエステルフィルム上に塗布してグリーンシート1を作製した。セラミック粉体と中空シリカ粒子とバインダを混合してスラリーを調製し、これをポリエステルフィルム上に塗布してグリーンシート2を作製した。次いで、グリーンシート1及びグリーンシート2の所定の箇所にレーザによりビアホールを設け、該ビアホールに導電性ペーストを充填した。次いで、スクリーン印刷により回路パターンを形成した後、グリーンシートを重ね合わせ、800°Cで一時間焼成し多層セラミック基板を得た。比較例2多層樹脂基板の作製架橋性樹脂成形体4の両面を銅箔1厚さ12μm、F2銅箔、シランカップリング剤処理電解銅箔、光沢面粗度Rz=1,600nm、古河サーキットホイル社製で挟み、210°Cで20分間、3MPaにて加熱プレスを行い積層体5を得た。次に、リソグラフィー法を用いて積層体5の一方の銅箔に、所定のパターンでドライフィルムを被覆して、露光および現象プロセスによって、所望のエッチング部分のみを露出させた後、エッチング液でエッチングすることによって、回路パターンを形成した。次に、積層体5の回路が形成された面に、架橋性樹脂成形体5及び銅箔1をこの順に配置し、210°Cで20分間、3MPaにて加熱プレスを行い多層板1を得た。次に、前記積層プロセスによって得られた多層板1の一方の外層銅箔に、通常のリソグラフィー法を用いて、回路パターンを形成した。同様に、リソグラフィー法を用いて、前記多層板1の他方の銅箔に、回路パターンを形成した。さらにドリルでスルーホールを形成した後、導電性ペーストを充填して層間回路を接続して多層樹脂基板を得た。表1より、本発明の複合多層基板は、誘電特性に優れ、高周波での伝送損失が小さい基板であることが分かる。"