RF-SiH4プラズマにおけるプラズマ蒸着PECVDによって薄膜太陽電池のからなるa-Si:Hの吸収体層を製造する方法であって、方法は、a0.5mbarより低い処理圧力で前記蒸着を行うステップ、およびb370W/14000cm2より低いRF電力密度で前記蒸着を行うステップのうち少なくとも1つを含む、方法。ステップaおよびステップbを含む、請求項1に記載の方法。前記処理圧力値は、少なくとも0.3mbarとなるように選択される、請求項1または2のいずれか1項に記載の方法。0.45mbarの圧力値でステップaのみが行われる、請求項1に記載の方法。270W/14000cm2の電力密度値でステップbのみが行われる、請求項1に記載の方法。前記処理圧力は0.4mbarに選択され、前記電力密度は230W/14000cm2に選択される、請求項2に記載の方法。a-Si:Hの光起電吸収体層であって、i.10.5未満の微細構造因子R、およびii.13.7より低いH含有量cHatのうち少なくとも1つを備える、a-Si:Hの光起電吸収体層。請求項1~6のいずれか1項に記載の方法により製造される、請求項7に記載の吸収体層。請求項2、3、6のいずれか1項に記載の方法により製造される、請求項7または8に記載の吸収体層。単接合a-Si太陽電池であって、請求項7~9のいずれか1項に記載の吸収体を含む低圧力化学的蒸着LPCVDされたZnOフロント接点層を備える、単接合a-Si太陽電池。吸収体層は、265nmの厚さを有する、請求項10に記載のa-Si太陽電池。I.電流密度Jscが16.8ma/cm2より高い点、およびII.効率が10.62より高い点のうち少なくとも1つの効果がある、請求項10または11のいずれか1項に記載のa-Si太陽電池。I.およびII.の効果がある、請求項12に記載のa-Si太陽電池。1000時間の光照射の後の絶対安定効率が少なくとも8.25であり、相対的光誘起劣化が22未満である、請求項10~12のいずれか1項に記載のa-Si太陽電池。微細太陽タンデム電池であって、上部電池および底部電池を備え、上部電池は、請求項7に記載のa-Si吸収体を含み、i.およびii.が満たされ、請求項9に記載の方法で製造されるのが好ましい、微細太陽タンデム電池。発明の説明本発明の目的は、単一、タンデム、またはより高位の積層構成のいずれにかかわらず、薄膜a-Si太陽電池を向上させることにある。これは、RF-SiH4プラズマにおけるプラズマ蒸着PECVDによって薄膜太陽電池からなるa-Si:Hの吸収体層を製造する方法によって実現され、方法は、a0.5mbarより低い処理圧力で前記蒸着を行うステップ、およびb370W/14000cm2より低いRF電力密度で前記蒸着を行うステップのうち少なくとも1つを含む。本発明は、初期効率を高めると同時にa-Si単接合電池のLIDを減少させる方法を対象とする。これは、材料品質を包括的に向上させ、a-Si電池の吸収体層の特性を調整することによってなされる。この方法を適用することにより、a-Si単接合電池およびタンデム電池において、より高い安定効率が実現される。微細タンデム電池に関しては、上部電池の劣化を減少させることと上部電池の電流を高めることを組み合わせることにより、LIDを大きく下げることができ、より高安定のモジュール電力を大きく高めることができる。本発明に係る方法の1つの変形例において、ステップaおよびステップbの両方が含まれる。本発明に係る方法の1つの変形例において、処理圧力値は、少なくとも0.3mbarとなるように選択される。本発明に係る方法の1つの変形例において、0.45mbarの圧力値でステップaのみが行われる。本発明に係る方法の1つの変形例において、270W/140002の電力密度値でステップbのみが行われる。本発明に係る方法の1つの変形例において、ステップaおよびステップbが行われ、処理圧力は0.4mbarに選択され、電力密度は230W/14000cm2に選択される。本発明は、さらにa-Si:Hの光起電吸収体層を対象とし、i.10.5未満の微細構造因子R、およびii.13.7より低いH含有量cHatのうち少なくとも1つを含む。このため、ある実施形態において、この吸収体層は、本発明に係る方法の様々な変形例の1つによって製造され、特にステップaおよびステップbの両方が行われ、圧力値は最大で0.3mbarが選択される、もしくは処理圧力が0.4mbarであり、電力密度は230W/14000cm2である。本発明は、さらに低圧化学蒸着LPCVDされたZnOフロント接点層を含む単接合a-Si太陽電池を対象とし、吸収体層は、上記の実施形態のうちの1つにおいて、i.10.5未満の微細構造因子R、およびii.13.7より小さいH含有量cHatのうち少なくとも1つを含む。本発明に係る単接合a-Si太陽電池および実施形態の1つにおいて、吸収体層は、265nmの厚さを有する。本発明に係る単接合a-Si太陽電池および実施形態の1つにおいて、I.電流密度Jscが16.8mA/cm2より高い点、およびII.効率が10.62より高い点のうち少なくとも1つの効果がある。本発明に係るa-Si太陽電池の単接合の1つの実施形態において、特徴IおよびIIの効果がある。ある実施形態において、単接合a-Si電池は、1000時間の光照射後の絶対的安定効率が少なくとも8.25であり、相対的光誘起劣化が22未満である。本発明はさらに、上部電池と底部電池とを備える微細太陽タンデム電池を対象とし、上部電池は、i.10.5未満の微細構造因子R、およびii.13.7より低いH含有量cHatの両方を有するa-Si吸収体層を含み、好ましくは上記のようなさらなる変形例と併せてステップaおよびステップbの両方が行われる、本発明に係る方法の変形例によって製造される。好ましくは、微細太陽タンデム電池は、ステップaおよびステップbの両方が行われる変形例における本発明に係る方法、およびその変形例によって製造される。発明の詳細な説明本発明は、図面を参照して以下にさらに例示される。図の全体にわたって、Stdは、先行技術を意味する。本発明の範囲内において、水素化アモルファスSia-Si:H吸収体層を堆積させるためのPECVD処理は、より良好な材料品質およびより高い電流密度を得るために調整される。a-Si電池の電流密度を高める一般的な方法は、SiH4プラズマのH希釈を減少させて吸収体層のバンドギャップエネルギを減少させることである。しかしながら、この方法を適用すると、Vocの減少およびLIDの高まりという少なくとも2つのマイナス効果が現れ得る。一般的な方法とは対照的に、電流密度の上昇と光誘起劣化の減少とを同時に行うために、処理圧力およびRF電力密度の減少の組み合わせがここで用いられる。堆積速度は、この方法においては相殺される要因である。単層a-Siおよびタンデム太陽電池を広域大量生産するための従来技術のa-Si:H吸収層は、1:1の比率でH2によってSiH4ガスを希釈させることによって堆積される。このような吸収層の標準的な堆積速度は、約3.2~3.6Å/秒である。処理圧力0.3mbarまで下げるまたはRF電力密度のいずれかを本発明によって減少させることにより、材料品質を向上させることができ、a-Si:H吸収体層のバンドギャップエネルギを僅かに減少させることができる。これは、表1に示されており、上記のa-Si:H層の処理パラメータおよび単層特性は、処理圧力吸収体1またはRF電力密度吸収体2のいずれかが減少した2つの吸収体層についても示されている。材料内の微小空洞の尺度である材料品質因子またはFTIR測定から派生した微細構造因子Rは、吸収体1および吸収体2については減少しており、Si-H2およびSi-H3結合の小さい高密度材料を意味する。基準a-Si:H吸収体層に対し、吸収体1および吸収体2に組み込まれる向上した材料品質および減少したH含有量は、光誘起劣化の低下に貢献すると考えられる2つの要因である。吸収体1および吸収体2層の堆積速度は、僅かに落ちる。吸収体2層の広範囲1.4m2にわたる層の不均一性は、基準吸収体層よりも僅かに高い。材料品質の大きな向上およびバンドギャップエネルギの大きな減少は、a-Si:HのPECVD処理において処理圧力およびRF電力の減少を組み合わせることによってもたらされる。これは、吸収体3層について表1に示される。吸収体3層の材料パラメータは、基準吸収体、吸収体1および吸収体2と比して大きく向上し、微細構造因子がより良好となる、すなわち、著しく少ない微小空洞および密度の高い材料、および層に組み込まれるH含有量の大きな低下が見られる。バンドギャップエネルギE04は、吸収体3層については僅かに減らされる。吸収体3層の堆積速度は低いが、2Å/秒よりは高い。低い堆積速度において優れた材料品質を有するこのようなa-Si:H吸収体層は、低い光誘起劣化および高い安定電力が必要となるa-Si単接合およびa-Si系タンデム太陽電池の広域大量生産において非常に関心が高い。a-Si単接合の結果上記の吸収体層を有する単接合a-Si太陽電池がLPCVDZnOFC上に準備された。全ての電池について、吸収体層の厚さは265nmであり、異なる吸収体層以外の電池構造は全ての電池について同じであった。異なる吸収体層を有する電池の電流密度Jscおよび電池効率が図2に示される。新しい吸収体層を含む電池の電流密度は、基準a-Si:H吸収体層を含む電池よりも高い。電流密度における最も大きな増加は、減少した処理圧力およびRF電力密度の組み合わせが適用された吸収体3層に対応する。新しい吸収体層を含む太陽電池の電流密度が高くなる理由は、表1に示されるように、バンドギャップエネルギが僅かに低く、材料品質が向上しているためである。上記の電池の無負荷電圧および曲線因子は異なる吸収体層に関しては大きく変化しないため、電池の効率は主に電流密度によって決定される。図2は、電池効率が電流密度と同様の傾向を追従することを示し、最も低い電池効率が基準a-Si:H吸収体層に対応し、最も高いものは吸収体3層に対応する。図2に示される電流密度および電池効率の値は、1.4m2のa-Si太陽電池モジュールにわたって分布した16個の試料電池の平均値である。図3は、異なる吸収体層を含む太陽電池の光誘起劣化による効率の低下を示す。1000時間の光照射の後、基準a-Si:H吸収体層を含む電池の効率は8をわずかに上回る。吸収体1層および吸収体2層を含む電池は、約8.25という同様の安定効率の値を有する。吸収体1層および吸収体2層について得られる効率の利得は、1.4m2の太陽電池a-Siモジュールについての約2.5Wの安定電力の利得に対応する。1000時間の光照射後の8.41という最も高い安定効率は、吸収体3層を含む電池で得られる。吸収体3層による安定効率の差し引き利得は、約0.34absであり、これは1.4m2のa-Si太陽電池モジュールについて約4.5Wの安定電力利得に対応する。図3は、異なる吸収体層全てが265nmの厚さを含む太陽電池の相対的劣化を示す。基準a-Si:H吸収体層を含む電池は、最も低い安定効率を有するだけでなく、新しいa-Si:H吸収体層を含む電池に対して最も大きな相対劣化を示す。吸収体1層および吸収体2層を含む電池は、22をわずかに上回る同様の相対的劣化値を有する。1000時間の光照射の後、20.8という最も低い相対劣化は、吸収体3層に対応する。異なる吸収体層を有する太陽電池の初期性能および安定化性能は、表1に示される異なる吸収体層の単層特性と強く相関する。たとえば、吸収体3層についての最も高い電流密度、最も高い安定効率、および最も低い相対劣化は、他の吸収体層に対する本吸収体層の最良の材料品質の結果である。微細タンデムの結果新しいa-Si:H吸収体層は、微細タンデム電池の上部電池で使用するために、まず最適化される。しかしながら、それらは、電流密度をより高くし、光誘起劣化をより小さくする必要がある場合には、単一、二重、または三重の接合電池にも使用され得る。図4は、2つの1.4m2の微細タンデムモジュールの電流-電圧曲線を示す。2つのモジュールは、上部電池の吸収体層のみが異なっており、一方のモジュールは基準a-Si:H吸収体層を含み、他方は吸収体3層を含む。2つのモジュールの吸収体層の厚さは、上部電池には200nmのa-Si:H吸収体層が用いられ、底部電池には1000nm微結晶Siμc-Si:H吸収体層が用いられる。上部電池において吸収体3を含むモジュールの電流-電圧特性の全てのパラメータは、基準a-Si:H吸収体を含むモジュールよりも僅かに向上し、結果としてa-Si:H吸収体3層を有するモジュールの初期電力が僅かに高くなる。2つのモジュールに対応する逆方向バイアスの外部量子効率曲線が図5に示される。2つのモジュールに対応する上部電池および下部電池の電流も図5に示される。吸収体3層を含む上部電池は、基準a-Si:H吸収体層を含む上部電池と比して高い電流を有する。量子効率データによれば、この電流の利得は、上部電池が吸収する波長範囲の全体にわたって吸収体3が強い光を吸収するためである。基準a-Si:H吸収体層と比して低い吸収体3のバンドギャップエネルギは、750~500nmの波長範囲における強い量子効率利得からも明らかである。このため、量子効率および下部電池の電流は、吸収体3層を含む上部電池における強い吸収によって減少する。これにより、上部電池の電流と底部電池の電流との間に大きな差が生まれる。これ故に、吸収体3層を含むモジュールにおける底部電池の電流の制限は、基準a-Si:H吸収体層を有するモジュールに対応するものよりも相当強くなる。上部電池および底部電池における電流の制限は、上部電池に吸収体3を使用した場合、たとえば、上部電池の電流と比例して底部電池の電流が増大するように底部電池の吸収体層の厚さを増大させることにより、確保することができる。底部の限定タンデムモジュールの場合、初期状態におけるモジュールの電力の大きな増大につながる一方で、吸収体3層の劣化が小さくなることによる光誘起劣化が起こり得る。図6は、上部電池が基準a-Si:H吸収体層と吸収体3層とをそれぞれ含む微細ミニモジュールの相対的劣化を示す。上部電池および底部電池の厚さならびに電池構造は、1.4m2の微細モジュール上記のものと同じである。図6に示されるように、光誘起劣化は、基準a-Si:H吸収体層を含むモジュールよりも、a-Si:H吸収体3層を含む微細モジュールの方がかなり低い。300時間より長い光照射の後、基準a-Si:H吸収体層を有する微細モジュールの相対的劣化は、12を上回り、a-Si:H吸収体3層を含むモジュールの劣化は7未満であった。2つの異なる吸収体層を含むミニモジュールの相対的劣化の大きな違いは、主にi基準a-Si:H吸収体図2に示すに対してa-Si:H吸収体3層の相対的な劣化が小さいこと、およびii基準a-Si:H吸収体層を有する上部電池と比較して吸収体3を含む上部電極の電流が高いことが原因である。量子効率データに示されるように図5、a-Si:H吸収体3層を有する微細モジュールの場合、この高い上部電池の電流により、相対的劣化の低下に付加的に貢献する下部電池の電流の制限が相当に強まる。2つの微細モジュールの相対的な劣化に関するこの大きな違いは、2つのモジュールの安定化電力における大きな違いにつながる。2つの微細モジュールの安定化電力は、基準a-Si:H吸収体層を含む微細モジュールについては約119Wであり、a-Si:H吸収体3層を含む微細モジュールについては僅かに127Wを上回る。これ故に、微細モジュールの僅かに高い安定化電力は、より低速で良好な材料品質のa-Si:H吸収体3層を使用した場合に実現される。