一面を有する基板10上に、当該一面の法線方向に延びるコイル20を備えてなる半導体装置の製造方法であって、平坦な一面を有する支持基板80を二枚用意する工程と、前記支持基板80それぞれの前記平坦な一面上に、所定パターンの配線部32~62と、前記配線部32~62を覆う絶縁膜31~61と、前記配線部32~62に備えられ、前記絶縁膜31~61から露出する接続部32a、32b~62a、62bと、を含んで構成される構成部材30~60を形成する工程と、二枚の前記支持基板80に配置された前記構成部材30~60を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせ、当該構成部材30~60に備えられている前記支持基板80それぞれの前記平坦な一面を平行としつつ、前記構成部材30~60それぞれの前記配線部32~62を前記接続部32a、32b~62a、62bを介して連結する工程を含む工程を行うことにより、前記配線部32~62および前記接続部32a、32b~62a、62bで構成されるコイル20を内部に含み、積層方向の両端部分に前記支持基板80を備えたコイル層21を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記二枚の支持基板80のうちの少なくともいずれか一方の支持基板80に形成された構成部材に対して、前記支持基板80側と反対側の表面に凹部34、54を形成し、前記コイル層21を形成する工程では、前記凹部34、54により構成される収容空間35、55を形成しつつ、前記構成部材30~60を貼り合わせることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記支持基板80側と反対側の表面のうち、前記配線部32、52と対向する領域であって前記接続部32b、52bが露出する領域と異なる領域に前記凹部34、54を形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記支持基板80側と反対側の表面のうち、前記コイル20が形成されたときに前記コイル20の内部に配置される領域に前記凹部34、54を形成することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、一繋ぎとされていると共に外部と連通されている前記凹部34、54を形成することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記コイル層21を形成する工程では、二枚の前記支持基板80に配置された前記構成部材30~60を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせることにより、積層方向の両端部分に前記支持基板80を備えた積層体90、91を二つ用意する工程と、二つの前記積層体90、91それぞれからいずれか一方の支持基板80を除去する工程と、前記積層体90、91のうち前記支持基板80が除去された側を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記コイル層21を形成する工程では、前記支持基板80を除去する工程の後であって前記貼り合わせる工程の前に、前記二つの積層体90、91のうちの少なくともいずれか一方の前記積層体における前記支持基板80が除去された側の表面に凹部44を形成し、前記貼り合わせる工程において、前記凹部44により構成される収容空間45を形成しつつ、前記構成部材30~60を貼り合わせることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。前記コイル層21を形成する工程では、前記支持基板80が除去された側の表面のうち、当該表面を構成する前記構成部材40の前記配線部42と対向する領域であって前記接続部42aが露出する領域と異なる領域に前記凹部44を形成することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記コイル層21を形成する工程では、前記支持基板80が除去された側の表面のうち、前記コイル20が形成されたときに前記コイル20の内部に配置される領域に前記凹部44を形成することを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置の製造方法。前記コイル層21を形成する工程では、一繋ぎとされていると共に外部と連通されている前記凹部44を形成することを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記構成部材30~60それぞれの配線部32~62のパターンを同じパターンとすることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記支持基板80上に化学変化することにより支持基板80と分離可能とされた剥離層81を配置し、当該剥離層81上に前記構成部材30~60を形成することを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記配線部32~62の外側に、前記支持基板80の前記平坦な一面に対する法線方向に前記構成部材30~60を貫通する導電部33~63を形成し、前記コイル層21を形成する工程では、前記構成部材30~60の導電部33~63をそれぞれ接続し、前記支持基板80上に、前記導電部33~63と前記コイル20とを電気的に接続する接続配線部70を備えたキャップ層100を形成する工程と、前記コイル層21のうち、前記回路基板10側と反対側に備えられた支持基板80を除去すると共に、前記回路基板10側と反対側の部分に前記キャップ層100を配置することにより、前記導電部33~63と前記コイル層21とを電気的に接続する工程と、含むことを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記配線部32~62の外側に、当該配線部30~60を囲み、金属材料で構成されたシールド層110を形成し、前記コイル層21を形成する工程では、前記構成部材30~60の前記シールド層110をそれぞれ接続することを特徴とする請求項1ないし13のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記コイル層21を形成する工程の後、前記コイル層21のうち、少なくとも側面と、前記回路基板10側と反対側の部分を覆う磁性材料で構成された保護部材120を配置する工程を行うことを特徴とする請求項1ないし14のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記構成部材30~60を形成する工程では、前記配線部32~62の外側に、前記絶縁膜31~61より熱伝導率が高い伝熱部材を配置することを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。一面を有する基板10上に、当該一面の法線方向に延びるコイル20を備えてなる半導体装置であって、前記コイル20は、平坦な一面を有する支持基板80の前記一面上に形成された所定パターンの配線部32~62と、前記配線部32~62を覆う絶縁膜31~61と、前記配線部32~62に備えられ、前記絶縁膜31~61から露出する接続部32a、32b~62a、62bと、を含んで構成される複数の構成部材30~60が、前記支持基板80の前記一面を平行としつつ貼り合わされ、前記構成部材30~60それぞれの前記配線部32~62が前記接続部32a、32b~62a、62bを介して連結されることによって構成されており、隣接する二つの構成部材30~60において、少なくとも一方の構成部材における他方の構成部材側の表面には凹部34~54が形成されており、当該凹部34~54と前記他方の構成部材とにより収容空間35~55が形成されていることを特徴とする半導体装置。前記凹部34~54は、当該凹部34~54が構成される前記構成部材30~60の表面のうち前記配線部32~62と対向する領域であって前記接続部32b~52bが露出する領域と異なる領域に形成されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。前記凹部34~54は、当該凹部34~54が構成される前記構成部材30~60の表面のうち前記コイル20の内部に位置する領域に形成されていることを特徴とする請求項17または18に記載の半導体装置。前記凹部34~54は、一繋ぎとされており、外部と連通されていることを特徴とする請求項17ないし19のいずれか1つに記載の半導体装置。しかしながら、このような半導体装置の製造方法では、絶縁膜をスピンコート法等により配置した場合、絶縁膜の表面が平坦とならない。このため、配線部、接続部、および接続部の側面に配置される絶縁膜にて構成される層を1つの構成部材とし、当該構成部材が複数積層されて構成される半導体装置では、コイルの延設方向が構成部材の積層方向に対して傾くことになり、配線部の数に対して所望のインダクタンスを得ることができないという問題がある。なお、積層方向とは、基板の法線方向と平行な方向である。このため、接続部を覆う絶縁膜を配置した後、当該絶縁膜の表面を研磨等により平坦化して平坦化した絶縁膜の表面に配線部を形成することにより、コイルの延設方向と構成部材の積層方向とを一致させることが考えられるが、この製造方法では絶縁膜を配置する毎に平坦化工程を行わなければならず、製造工程が増加してしまうという問題がある。本発明は上記点に鑑みて、配線部、接続部、および接続部の側面に配置される絶縁膜にて構成される構成部材毎に、絶縁膜の表面に対して平坦化する工程を行わなくても、コイルの延設方向が構成部材の積層方向に対して傾くことを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面を有する基板10上に、当該一面の法線方向に延びるコイル20を備えてなる半導体装置の製造方法であって、平坦な一面を有する支持基板80を二枚用意する工程と、支持基板80それぞれの平坦な一面上に、所定パターンの配線部32~62と、配線部32~62を覆う絶縁膜31~61と、配線部32~62に備えられ、絶縁膜31~61から露出する接続部32a、32b~62a、62bと、を含んで構成される構成部材30~60を形成する工程と、二枚の支持基板80に配置された構成部材30~60を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせ、当該構成部材30~60に備えられている支持基板80それぞれの平坦な一面を平行としつつ、構成部材30~60それぞれの配線部32~62を接続部32a、32b~62a、62bを介して連結する工程を含む工程を行うことにより、配線部32~62および接続部32a、32b~62a、62bで構成されるコイル20を内部に含み、積層方向の両端部分に支持基板80を備えたコイル層21を形成する工程と、を含むことを特徴としている。このような半導体装置の製造方法では、二枚の支持基板80に配置された構成部材30~60を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせ、支持基板80それぞれの平坦な一面を平行としつつ、構成部材30~60それぞれの配線部32~62を接続部32a、32b~62a、62bを介して連結する工程を含む工程を行うことにより、コイル層21を製造している。このため、例えば、構成部材30~60の接合面に凹凸が存在するとしても、各支持基板80の平坦な一面同士が平行となるように加圧しながら接続することにより、構成部材30~60を形成した後、研磨により支持基板80側と反対側の表面を平坦化しなくても、構成部材30~60の積層方向に対してコイル20の延設方向が傾くことを抑制することができる。この場合、請求項2に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、二枚の支持基板80のうちの少なくともいずれか一方の支持基板80に形成された構成部材に対して、支持基板80側と反対側の表面に凹部34、54を形成し、コイル層21を形成する工程では、凹部34、54により構成される収容空間35、55を形成しつつ、構成部材30~60を貼り合わせることができる。これによれば、構成部材30~60を加圧しながら貼り合わせて収容空間35、55を形成している。このため、構成部材30~60の間に気泡を噛み込んだ場合には、当該気泡を収容空間35、55に押し出すことができる。したがって、構成部材30~60の間のうち、収容空間35、55を除く部分に気泡が残存することを抑制することができ、各構成部材30~60の電気的な接続不良が発生したり、製品毎にコイル特性がばらついたりすることを抑制することができる。また、請求項3に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、支持基板80側と反対側の表面のうち、配線部32、52と対向する領域であって接続部32b、52bが露出する領域と異なる領域に凹部34、54を形成することができる。これによれば、例えば、配線部32、52の対向する領域の外側の領域に凹部34、54を形成する場合と比較して、配線部32、52と対向する領域のうち収容空間35、55を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。このため、製品毎にコイル特性がばらつくことを抑制することができる。そして、請求項4に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、支持基板80側と反対側の表面のうち、コイル20が形成されたときにコイル20の内部に配置される領域に凹部34、54を形成することができる。これによれば、例えば、配線部32、52の対向する領域の外側の領域に凹部34、54を形成する場合と比較して、コイル20が形成されたときにコイル20の内部のうち収容空間35、55を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。このため、製品毎にコイル特性がばらつくことを抑制することができる。さらに、請求項5に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、一繋ぎとされていると共に外部と連通されている凹部34、54を形成することができる。このような製造方法では、凹部34、54が外部と連通されているため、構成部材30~60の間のうち収容空間35、55を除く領域に気泡が残存することをさらに抑制することができる。また、請求項6に記載の発明のように、コイル層21を形成する工程では、二枚の支持基板80に配置された構成部材30~60を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせることにより、積層方向の両端部分に支持基板80を備えた積層体90、91を二つ用意する工程と、二つの積層体90、91それぞれからいずれか一方の支持基板80を除去する工程と、積層体90、91のうち支持基板80が除去された側を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせる工程と、を含むことができる。この場合、請求項7に記載の発明のように、コイル層21を形成する工程では、支持基板80を除去する工程の後であって貼り合わせる工程の前に、二つの積層体90、91のうちの少なくともいずれか一方の積層体における支持基板80が除去された側の表面に凹部44を形成することができる。そして、貼り合わせる工程では、凹部44により構成される収容空間45を形成しつつ、構成部材30~60を貼り合わせることができる。これによれば、請求項2に記載の発明と同様に、積層体90、91を加圧しながら貼り合わせて収容空間45を形成している。このため、積層体90、91の間に気泡を噛み込んだ場合には、当該気泡を収容空間45に押し出すことができる。したがって、二つの積層体90、91の間のうち収容空間45を除く部分に気泡が残存することを抑制することができる。また、請求項8に記載の発明のように、コイル層21を形成する工程では、支持基板80が除去された側の表面のうち、当該表面を構成する構成部材40の配線部42と対向する領域であって接続部42aが露出する領域と異なる領域に凹部44を形成することができる。そして、請求項9に記載の発明のように、コイル層21を形成する工程では、支持基板80が除去された側の表面のうち、コイル20が形成されたときにコイル20の内部に配置される領域に凹部44を形成することができる。これら請求項8および9に記載の製造方法では、請求項3または4に記載の発明と同様に、表面を構成する構成部材の配線部と対向する領域の外側に凹部44を形成した場合と比較して、コイル特性がばらつくことを抑制することができる。また、請求項10に記載の発明のように、コイル層21を形成する工程では、一繋ぎとされていると共に外部と連通されている凹部44を形成することができる。このような製造方法では、請求項5に記載の発明と同様に、二つの積層体90、91の間のうち収容空間45を除く領域に気泡が残存することをさらに抑制することができる。さらに、請求項11に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、構成部材30~60それぞれの配線部32~62のパターンを同じパターンとすることができる。また、請求項12に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、支持基板80上に化学変化することにより支持基板80と分離可能とされた剥離層81を配置し、当該剥離層81上に構成部材30~60を形成することができる。このような半導体装置の製造方法では、剥離層81を化学反応させることにより支持基板80を除去することができるため、支持基板80を再利用することができる。さらに、請求項13に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、配線部32~62の外側に、支持基板80の平坦な一面に対する法線方向に構成部材30~60を貫通する導電部33~63を形成し、コイル層21を形成する工程では、構成部材30~60の導電部33~63をそれぞれ接続し、支持基板80上に、導電部33~63とコイル20とを電気的に接続する接続配線部70を備えたキャップ層100を形成する工程と、コイル層21のうち、回路基板10側と反対側に備えられた支持基板80を除去すると共に、回路基板10側と反対側の部分にキャップ層100を配置することにより、導電部33~63とコイル層21とを電気的に接続する工程と、含むことができる。また、請求項14に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、配線部32~62の外側に、当該配線部30~60を囲み、金属材料で構成されたシールド層110を形成し、コイル層21を形成する工程では、構成部材30~60のシールド層110をそれぞれ接続することができる。そして、請求項15に記載の発明のように、コイル層21を形成する工程の後、コイル層21のうち、少なくとも側面と、回路基板10側と反対側の部分を覆う磁性材料で構成された保護部材120を配置することができる。さらに、請求項16に記載の発明のように、構成部材30~60を形成する工程では、配線部32~62の外側に、絶縁膜31~61より熱伝導率が高い伝熱部材を配置することができる。また、請求項17に記載の発明は、コイル20は、平坦な一面を有する支持基板80の一面上に形成された所定パターンの配線部32~62と、配線部32~62を覆う絶縁膜31~61と、配線部32~62に備えられ、絶縁膜31~61から露出する接続部32a、32b~62a、62bと、を含んで構成される複数の構成部材30~60が、支持基板80の一面を平行としつつ貼り合わされ、構成部材30~60それぞれの配線部32~62が接続部32a、32b~62a、62bを介して連結されることによって構成されており、隣接する二つの構成部材30~60において、少なくとも一方の構成部材における他方の構成部材側の表面には凹部34~54が形成されており、当該凹部34~54と他方の構成部材とにより収容空間35~55が形成されていることを特徴としている。これによれば、コイル20は、構成部材30~60が支持基板80の一面を平行としつつ貼り合わされて構成されているため、構成部材30~60の積層方向に対してコイル20の延設方向が傾くことを抑制することができる。また、隣接する二つの構成部材30~60の間には、収容空間35~55が形成されているため、収容空間35~55を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。この場合、請求項18に記載の発明のように、凹部34~54を、当該凹部34~54が構成される構成部材30~60の表面のうち配線部32~62と対向する領域であって接続部32b~52bが露出する領域と異なる領域に形成することができる。また、請求項19に記載の発明のように、凹部34~54を当該凹部34~54が構成される構成部材30~60の表面のうちコイル20の内部に位置する領域に形成することができる。そして、請求項20に記載の発明のように、凹部34~54を一繋ぎとすると共に外部と連通させることができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態における半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の断面構成を示す図である。図1に示されるように、半導体装置は、回路基板10の表面上に、コイル20を有するコイル層21が配置された構成とされている。なお、本実施形態では、回路基板10の表面が本発明の回路基板10の一面に相当している。回路基板10は矩形板状とされており、表面には絶縁膜11が配置されている。そして、絶縁膜11には開口部12が形成されており、開口部12には、回路基板10上に形成された図示しない配線と電気的に接続されるCu、Au、Al等で構成される金属膜13が配置されている。また、回路基板10の表面には、当該回路基板10の表面に対する法線方向に巻き回されているコイル20を有するコイル層21が備えられている。このコイル層21は、本実施形態では、第1~第4構成部材30~60が積層されて構成されている。以下に第1~第4構成部材30~60の構成について説明する。図2は、第1~第4構成部材30~60の平面模式図であり、aが第1構成部材30の平面模式図、bが第2構成部材40の平面模式図、cが第3構成部材50の平面模式図、dが第4構成部材60の平面模式図である。なお、図2は、図1中の回路基板10側からコイル層21を視たときの平面模式図であり、図1中のコイル層21の断面構成は図2の第1~第4構成部材30~60における各A-A断面に相当している。図1および図2aに示されるように、第1構成部材30は、外形が低誘電率膜31で構成され、矩形板状とされていると共に、平面寸法が回路基板10の平面寸法と同じとされている。そして、低誘電率膜31の内部に内方から外方に向かって巻き回して構成される螺旋状の配線部32を備えている。本実施形態では、この配線部32は、螺旋構造の中心点と、第1構成部材30の中心点とが一致するパターンとされている。また、配線部32には、外側の端部に低誘電率膜31のうち回路基板10側から露出する第1接続部32aが備えられており、内側の端部に低誘電率膜31のうち第2構成部材40側から露出する第2接続部32bが備えられている。なお、本実施形態では、低誘電率膜31が本発明の絶縁膜に相当しており、低誘電率膜31としては、例えば、ポリイミド系樹脂等が用いられる。また、第1構成部材30は、配線部32が備えられる部分の外縁部分に導電部33が形成されている。本実施形態では、導電部33は、四個備えられており、各導電部33は第1構成部材30の中心点から所定距離だけ離間した位置に点対称配置されている。同様に、第2~第4構成部材40~60は、図1および図2b~dに示されるように、外形が低誘電率膜41~61で構成され、矩形板状とされていると共に、平面寸法が回路基板10の平面寸法と同じとされている。そして、低誘電率膜41~61の内部に内方から外方に向かって巻き回して構成される螺旋状であって、第1構成部材30の配線部32と同一パターンとされた配線部42~62を備えている。言い換えると、配線部42~62は、それぞれ螺旋構造の中心点と、第2~第4構成部材40~60の中心点とが一致するパターンとされている。また、各配線部42~62には、外側の端部に低誘電率膜41~61から露出する第1接続部42a~62aが備えられており、内側の端部に低誘電率膜41~61から露出する第2接続部42b~62bが備えられている。具体的には、第2構成部材40の第1接続部42aは低誘電率膜41のうち第3構成部材50側から露出しており、第2構成部材40の第2接続部42bは低誘電率膜41のうち第1構成部材30側から露出している。また、第3構成部材50の第1接続部52aは低誘電率膜51のうち第2構成部材40側から露出しており、第3構成部材50の第2接続部52bは低誘電率膜51のうち第4構成部材60側から露出している。さらに、第4構成部材60の第1接続部62aは低誘電率膜61のうち第3構成部材50側と反対側から露出しており、第4構成部材60の第2接続部62bは低誘電率膜61のうち第3構成部材50側から露出している。また、第2~第4構成部材40~60それぞれは、配線部42~62が備えられる部分の外縁部分に導電部43~63が備えられている。この導電部43~63は、第1構成部材30と同様に、それぞれ四個備えられており、各導電部43~63は第2~第4構成部材40~60の中心点から所定距離だけ離間した位置に点対称配置されている。そして、第1構成部材30の中心点と導電部33との間の距離と、第2~第4構成部材40~60の中心点と導電部43~63との間の距離が等しくされている。第1~第4構成部材30~60は以上説明したように構成されており、本実施形態では第1~第4構成部材30~60がそれぞれ同一形状、言い換えると同じ構成部材とされている。すなわち、例えば、第1構成部材30を基準に考えると、第1構成部材30を回転したり表裏を反転したりすることにより、第1構成部材30と第2~第4構成部材40~60とが一致するものとなっている。一例として、第2構成部材40について説明する。図3は、第1構成部材30を動かしたときの平面模式図であり、第1構成部材30を回路基板10側から視たときの平面模式図である。図3aに示されるように、第1構成部材30のうち、紙面上側の左右方向に延びる1辺をa、紙面下側の左右方向に延びる一辺をc、紙面右側の上下方向に延びる1辺をb、紙面左側の上下方向に延びる一辺をdとしたとき、第1構成部材30を次のように動かすことにより、第1構成部材30と第2構成部材40とが一致する。すなわち、例えば、図3bに示されるように、第1構成部材30を、第1構成部材30の中心点を基準点として反時計回りに90°回転させ、図3cに示されるように、第1構成部材30の1辺dを基準にして表裏を反転させる上下を反転させることにより、第1構成部材30と第2構成部材40とが一致する。同様に、図示しないが、例えば、第1構成部材30を、第1構成部材30の中心点を基準点として180°回転させることにより、第1構成部材30と第3構成部材50とが一致する。また、第1構成部材30を、第1構成部材30の中心点を基準として反時計周りに90°回転させ、第1構成部材30の1辺cを基準にして表裏を反転させる左右を反転させることにより、第1構成部材30と第4構成部材60とが一致する。そして、図1に示されるように、コイル層21は、このような第1~第4構成部材30~60が積層されることにより構成されている。具体的には、第1、第2構成部材30、40、第2、第3構成部材40、50、第3、第4構成部材50、60がそれぞれ貼り合わされて積層されることにより構成されている。また、コイル層21の内部には、第1構成部材30の第2接続部32bと第2構成部材40の第2接続部42b、第2構成部材40の第1接続部42aと第3構成部材50の第1接続部52a、第3構成部材50の第2接続部52bと第4構成部材60の第2接続部62bとが連結されることにより、配線部32~62および第1、第2接続部32a、32b~62a、62bで構成されるコイル20が形成されている。さらに、コイル層21の内部では、第1構成部材30の導電部33と第2構成部材40の導電部43、第2構成部材40の導電部43と第3構成部材50の導電部53、第3構成部材50の導電部53と第4構成部材60の導電部63とが連結されている。そして、上記のように構成されているコイル層21は、第1構成部材30の第1接続部32aおよび第1構成部材30の導電部33が回路基板10に配置された金属膜13と接続されている。また、コイル層21のうち回路基板10側と反対側の部分には、第4構成部材60の第2接続部62bと導電部63とを電気的に接続する接続配線部70が備えられ、コイル20と導電部33~63とが電気的に接続されている。次に、このような半導体装置の製造工程について説明する。図4~図6は本実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。以下では、第1~第4構成部材30~60が積層されてコイル層21が構成されるものを例に挙げて説明する。まず、図4aに示されるように、ガラスや感光性フィルム等を用いて構成され、平坦な一面を有する支持基板80を用意する。そして、当該支持基板80の平坦な一面上に、紫外線硬化樹脂や感光性レジスト等の化学変化することにより支持基板80と分離可能とされた剥離層81を配置する。そして、剥離層81上に、導電部33aと、第1接続部32aとをスクリーン印刷やマスク蒸着法等により形成する。続いて、図4bに示されるように、低誘電率膜31をスピンコート法等により塗布すると共に加熱硬化する。このとき、導電部33aおよび第1接続部32aにおける支持基板80側と反対側の部分が露出するように低誘電率膜31を配置する。次に、図4cに示されるように、導電部33a上に当該導電部33aと電気的に接続される導電部33bと、低誘電率膜31上に第1接続部32aと電気的に接続される配線部32とをスクリーン印刷やマスク蒸着法等により形成する。なお、配線部32は、上記図2に示されるように、内方から外方に向かって巻き回して構成される螺旋状とされ、配線部32における螺旋構造の中心点と支持基板の80の中心点とが一致するパターンとされており、配線部32のうち外側の端部と第1接続部32aとが接続されている。その後、図4dに示されるように、導電部33b上に当該導電部33bと電気的に接続される導電部33cと、配線部32のうち内側の端部上に当該配線部32と電気的に接続される第2接続部32bとをスクリーン印刷やマスク蒸着法等により形成する。続いて、図4eに示されるように、低誘電率膜31をスピンコート法等により塗布して加熱硬化することにより、支持基板80上に第1構成部材30が製造される。このとき、第2接続部32bおよび導電部33cにおける支持基板80側と反対側の部分が露出するようにする。なお、上記図4a、c、dの工程において、スクリーン印刷により配線部32、第1、第2接続部32a、32b、および導電部33a~33cを形成した場合には、仮焼成を行って溶剤を除去する工程をそれぞれ行う。また、上記のように第2~第4構成部材40~60は第1構成部材30と同一形状とされているので、上記図4a~eと同様の工程を行って、支持基板80上に第2~第4構成部材40~60が構成されたものを用意する。その後、図5aに示されるように、支持基板80に配置された第1、第2構成部材30、40を対向させて配置した後、大気中または低真空中で加圧しながら貼り合わせることにより、積層方向の両端部分に支持基板80を備えた第1積層体90を形成する。具体的には、第1構成部材30の第2接続部32bと第2構成部材40の第2接続部42bとを対向させて配置し、第1、第2構成部材30、40に備えられている支持基板80それぞれの平坦な一面を平行としつつ、第1構成部材30の配線部32と第2構成部材40の配線部42とを第2接続部32b、42bを介して連結して第1積層体90を形成する。なお、第1構成部材30の第2接続部32bと第2構成部材40の第2接続部42bとを対向させて配置するには、次のようにすればよい。すなわち、上記図3に示されるように、第2構成部材40を第1構成部材30と一致する状態とした後、第2構成部材40を支持基板80に配置された状態で、反時計周りに90°回転させると共に上下方向に表裏を反転させることにより、第1構成部材30の第2接続部32bと第2構成部材40の第2接続部42bとを対向させて配置することができる。この工程は、例えば、一般的なボンディング装置を用いて行うことができる。また、第1、第2構成部材30、40の貼り合わせは、例えば、第1、第2構成部材30、40の接合面にArイオンを照射し、接合面を活性化させて接合する表面活性化接合により行うことが好ましい。第1、第2構成部材30、40の貼り合わせを表面活性化接合により行った場合には、表面活性化接合は、接合部材の融点以上で加熱あるいは軟化させて接着する熱圧着等の接合方法と比較して低温接合となる。このため、配線部32、42、低誘電率膜31、41、導電部33、43および各支持基板80の熱膨張係数の違いによる熱応力の発生を抑制することができ、第1積層体90が反ってしまうことを抑制することができる。その後、図5bに示されるように、第1積層体90のうち第2構成部材40側の支持基板80および剥離層81を除去する。例えば、剥離層81として紫外線硬化樹脂を用いた場合には、第2構成部材40側の剥離層81に所定の波長を有する紫外線を照射して剥離層81を硬化させることにより、支持基板80を除去することができる。そして、剥離層81は、例えば、アッシング処理等を行うことにより除去することができる。また、上記図5aと同様の工程を行って、第3構成部材50と第4構成部材60とを貼り合わせて第2積層体を形成する工程を行い、図5bの工程を行って、第2積層体のうち第3構成部材50側の支持基板80および剥離層81を除去したものを用意する。続いて、図5cに示されるように、第1、第2積層体90、91のうち支持基板80が除去された側を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせることにより、両端部分に支持基板80を備えたコイル層21を形成する。具体的には、第1積層体90のうち支持基板80側と反対側に位置する第1接続部42a、言い換えると第2構成部材40の第1接続部42aと、第2積層体91のうち支持基板80側と反対側に位置する第1接続部52a、言い換えると第3構成部材50の第1接続部52aとを対向させて配置する。そして、第1、第2積層体90、91に備えられている支持基板80それぞれの平坦な一面を平行としつつ、第1~第4構成部材30~60の配線部32~62を第1、2接続部32a、32b~62a、62bを介して連結してコイル層21を形成する。これにより、コイル層21の内部に配線部32~62、第1接続部32a~62a、第2接続部32b~62bで構成されるコイル20が構成される。なお、第2構成部材40の第1接続部42aと第3構成部材50の第1接続部52aとを対向させて配置するには、次のようにすればよい。すなわち、第2積層体91を第1積層体90と一致する状態で配置した後、第2積層体91を反時計周りに90°回転させた後、左右方向に表裏を反転させることにより、第2構成部材40の第1接続部42aと、第3構成部材50の第1接続部52aとを対向させて配置させることができる。また、第1、第2積層体90、91の貼り合わせは、上記図5aと同様に、表面活性化接合により行うことができる。その後、図5dに示されるように、コイル層21のうち第1構成部材30側の支持基板80および剥離層81を除去する。例えば、剥離層81として紫外線硬化樹脂を用いた場合には、図5bと同様に、所定の波長を有する紫外線を照射して剥離層81を硬化させることにより、支持基板80を除去することができる。また、剥離層81は、例えば、アッシング処理等により除去することができる。続いて、上記工程により製造されたコイル層21を回路基板10に搭載する。具体的には、図6aに示されるように、まず、回路基板10を用意し、回路基板10の表面上に絶縁膜11を配置すると共に、第1構成部材30の第1接続部32aおよび導電部33と対向する位置に開口部12を形成する。そして、図6bに示されるように、絶縁膜11上に、Au、Cu、Al等を成膜すると共に、フォトエッチングによりパターニングして、開口部12に金属膜13を配置する。その後、図6cに示されるように、図5dの工程にて、コイル層21から第1構成部材30側の支持基板80および剥離層81を除去したものを用意し、第1構成部材30の第1接続部42aと金属膜13、第1構成部材30の導電部33と金属膜13とを接合することにより、コイル層21を回路基板10上に搭載する。この場合、例えば、各接合部の接合強度を向上させるために、回路基板10とコイル層21との間にアンダーフィル材を配置してもよい。その後、図6dに示されるように、コイル層21から第4構成部材60側の支持基板80および剥離層81を除去する。そして、第4構成部材60の導電部63と第1接続部62aとを電気的に接続する接続配線部70を形成してコイル20と導電部33~63とを電気的に接続することにより、上記半導体装置が製造される。なお、接続配線部70は、例えば、Cu、Au、Al等をマスク蒸着等して形成することができる。また、支持基板80および剥離層81の除去は、例えば、上記図5bと同様に、紫外線を照射したり、アッシング処理等により行うことができる。以上説明したように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、内部にコイル20を有するコイル層21を形成した後、当該コイル層21を回路基板10に搭載することにより半導体装置を製造している。そして、コイル層21は、支持基板80に配置された第1~第4構成部材60を加圧しながら貼り合わせ、支持基板80それぞれの平坦な一面を平行としつつ、第1~第4構成部材30~60それぞれの配線部32~62を第1、第2接続部32a、32b~62a、62bを介して連結することにより製造している。このため、例えば、第1、第2構成部材30、40の接合面に凹凸が存在するとしても、支持基板80同士が平行となるように加圧しながら接続することにより、凹凸部分が内部に包含されることになる。すなわち、第1~第4構成部材30~60を形成した後、研磨により支持基板80側と反対側の表面を平坦化しなくても、コイル20の延設方向が第1~第4構成部材30~60の積層方向に対して傾くことを抑制することができる。そして、コイル層21を回路基板10の一面に配置したとき、コイル20の延設方向が回路基板10の一面に対する法線に対して傾くことを抑制することができる。また、本実施形態の半導体装置の製造方法では、第1~第4構成部材30~60は、それぞれ配線部32~62が同じパターンとされている。このため、例えば、マスク蒸着等を行って配線部32~62を形成する場合には、一つのマスクパターンのみを用意すればよい。さらに、本実施形態では、支持基板80上に化学変化することにより支持基板80と分離可能とされた剥離層81を配置し、剥離層81上に第1~第4構成部材30~60をそれぞれ形成している。そして、第1~第4構成部材30~60から支持基板80を除去する際には、剥離層81を化学変化させることにより支持基板80を除去しているため、支持基板80を再利用することが可能である。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、第1~第4構成部材30~60を貼り合わせてコイル層21を形成するため、第1、第2構成部材30、40、第2、第3構成部材40、50、第3、第4構成部材50、60の間に気泡を噛み込んでしまう可能性があり、第1~第4構成部材30~60の間に気泡が存在する場合には以下のような問題が生じる。すなわち、例えば、第1構成部材30における導電部33と第2構成部材40における導電部43との間、第1構成部材30における第2接続部32bと第2構成部材40における第1接続部42aとの間に気泡が存在する場合には、電気的な接続不良が生じるという問題がある。また、第1構成部材30における配線部32と第2構成部材42における配線部42との間に気泡が存在する場合には、気泡によって配線部32と配線部42との間の誘電率が変化してしまい、製品毎にコイル特性がばらつくという問題がある。さらに、第1構成部材30と第2構成部材40との間に気泡が噛み込まれることによってコイル20の内部に気泡が存在する場合には、透磁率が変化してしまい、製品毎にコイル特性がばらつくという問題がある。なお、上記では、第1構成部材30と第2構成部材40との間に気泡を噛み込んだ場合の問題点について説明したが、第2構成部材40と第3構成部材50との間、第3構成部材50と第4構成部材60との間に気泡を噛み込んだ場合も以上の問題が同様に発生する。したがって、本実施形態は、第1実施形態に対して、隣接する二つの構成部材の間に収容空間を形成したものである。なお、その他の構造に関しては上記第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図7は、本実施形態における半導体装置の断面構成を示す図である。図7に示されるように、本実施形態の半導体装置では、第1構成部材30のうち第2構成部材40側の表面に凹部34が形成されており、当該凹部34と第2構成部材40とにより収容空間35が形成されている。同様に、第2構成部材40のうち第3構成部材50側の表面に凹部44が形成されて当該凹部44と第3構成部材50とにより収容空間45が形成されている。そして、第3構成部材50のうち第4構成部材60側の表面に凹部54が形成されて当該凹部54と第4構成部材60とにより収容空間55が形成されている。図8は、第1構成部材30の平面模式図である。なお、図8は回路基板10側からコイル層21を視たときの平面模式図であり、図7中の第1構成部材30の断面構成は図8のB-B断面に相当している。図7および図8に示されるように、本実施形態では、第1構成部材30には、第2構成部材40側の表面に複数の凹部34が形成されている。具体的には、各凹部34は、第1構成部材30における第2構成部材40側の表面のうち、配線部32と対向する領域であって第2接続部32bが露出する領域と異なる領域、および配線部32と対向する領域の内側の領域に離間して形成されている。そして、これら各凹部34と第2構成部材40とにより、第1構成部材30と第2構成部材40との間に収容空間35が形成されている。すなわち、本実施形態では、第1構成部材30と第2構成部材40との間に複数の収容空間35が形成されている。ここで、第1~第4構成部材30~60は、上記のように、同一形状とされており、配線部32~62は螺旋構造の中心点と、構成部材30~60の中心点とが一致するパターンとされている。したがって、配線部32と対向する領域に凹部34が形成されているとは、言い換えると、配線部32と配線部42との間に収容空間35が形成されていることである。また、配線部32と対向する領域の内側の領域とは、コイル20が形成されたときにコイル20の内部に位置する領域のことである。なお、特に図示しないが、第2構成部材40は、第1構成部材30と同様に、複数の凹部44が形成されており、各凹部44は、配線部42と対向する領域であって第1接続部42aが露出する領域と異なる領域、および配線部42と対向する領域の内側の領域に離間して形成されている。また、第3構成部材50は、第1構成部材30と同様に、複数の凹部54が形成されており、各凹部54は、配線部52と対向する領域であって第2接続部52bが露出する領域と異なる領域、および配線部52と対向する領域の内側の領域に離間して形成されている。次に、このような半導体装置の製造方法について説明する。図9および図10は、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図9a~eに示されるように、上記図4a~eと同様の工程を行う。その後、図9fに示されるように、低誘電率膜31のうち支持基板80側と反対側の表面にフォトエッチング等で上記構成の凹部34を形成して第1構成部材30を形成する。なお、本実施形態では、第3構成部材50を構成する低誘電率膜51に対しても同様の工程を行って、凹部54が形成された第3構成部材50を形成する。続いて、図10aに示されるように、支持基板80に配置された第1、第2構成部材30、40を対向させて配置した後、表面活性化接合等によって加圧しながら第1、第2構成部材30、40を貼り合わせることにより、積層方向の両端部分に支持基板80を備えると共に第1、第2構成部材30、40の間に収容空間35が形成された第1積層体90を形成する。なお、この工程では、加圧しながら第1、第2構成部材30を貼り合わせるため、第1構成部材30と第2構成部材40との間に噛み込まれた気泡は収容空間35に押し出される。したがって、第1構成部材30と第2構成部材40との間のうち収容空間35を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。その後、図10bに示されるように、第1積層体90のうち第2構成部材40側の支持基板80および剥離層81を除去する。そして、第1積層体90のうち支持基板80が除去された側の表面、すなわち第2構成部材40における第1構成部材30側と反対側の表面にフォトエッチング等を行って凹部44を形成する。また、図10aと同様の工程を行って、第3構成部材50と第4構成部材60とを貼り合わせて第3構成部材50と第4構成部材60との間に収容空間55が形成された第2積層体91を形成する。その後、第2積層体91のうち第3構成部材50側の支持基板80および剥離層81を除去する。続いて、図10cに示されるように、第1、第2積層体90、91のうち支持基板80が除去された側を対向させて配置した後、表面活性化接合等によって加圧しながら貼り合わせることにより、両端部分に支持基板80を備えると共に第2、第3構成部材40、50の間に収容空間45が形成されたコイル層21を形成する。なお、この工程では、加圧しながら第1、第2積層体90、91を貼り合わせるため、第1積層体90と第2積層体91との間に噛み込まれた気泡、すなわち、第2構成部材40と第3構成部材50との間に噛みこまれた気泡は収容空間45に押し出される。したがって、第2構成部材40と第3構成部材50との間のうち、収容空間45を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。次に、図10dに示されるように、第1構成部材30側の支持基板80および剥離層81を除去する。その後、上記第1実施形態と同様の工程を行い、コイル層21を回路基板10に搭載すると共に接続配線部70を形成することにより、上記半導体装置が製造される。以上説明したように、本実施形態では、第1構成部材30に凹部34を形成しているため、第1構成部材30と第2構成部材40とを貼り合わせた際に、第1構成部材30と第2構成部材40との間に収容空間35が形成される。そして、第1構成部材30と第2構成部材40との貼り合わせは加圧しながら行うため、第1構成部材30と第2構成部材40との間に気泡を噛み込んだ場合には、当該気泡は収容空間35に押し出される。同様に、第3構成部材50に凹部54を形成しているため、第3構成部材50と第4構成部材60とを貼り合わせた際に、第3構成部材50と第4構成部材60との間に収容空間55が形成される。そして、第3構成部材50と第4構成部材60との貼り合わせは加圧しながら行うため、第3構成部材50と第4構成部材60との間に気泡を噛み込んだ場合には、当該気泡は収容空間55に押し出される。また、第2構成部材40に凹部44を形成しているため、第2構成部材40と第3構成部材50とを貼り合わせた際に、第2、第3構成部材40、50の間に収容空間45が形成される。そして、第2構成部材40と第3構成部材50との貼り合わせ、つまり第1積層体90と第2積層体91との貼り合わせは加圧しながら行うため、第2構成部材40と第3構成部材50との間に気泡を噛み込んだ場合には、当該気泡は収容空間45に押し出される。したがって、第1構成部材30と第2構成部材40との間、第2構成部材40と第3構成部材50との間、第3構成部材50と第4構成部材60の間のうち収容空間35~55を除く領域に気泡が残存することを抑制することができ、電気的な接続不良が生じたり、製品毎にコイル特性がばらついたりすることを抑制することができる。さらに、本実施形態では、凹部34~55を配線部32~52と対向する領域に形成している。このため、例えば、凹部34~55を配線部32~52と対向する領域の外側に形成した場合と比較して、各配線部32~62の間のうち収容空間35~55を除く領域に気泡が残存することを抑制することができ、コイル特性がばらつくことを抑制することができる。また、凹部34~54を配線部32~52と対向する領域の内側の領域に形成している。このため、例えば、凹部34~55を配線部32~52と対向する領域の外側に形成した場合と比較して、コイル20の内部のうち収容空間35~55を除く領域に気泡が残存することを抑制することができ、コイル特性がばらつくことを抑制することができる。そして、このような半導体装置を用いることにより、例えば、一次側コイルと二次側コイルとのコイル特性のばらつきが少ない良好なトランスを形成することができる。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は第2実施形態に対して、凹部34~54の形状を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図11は、第1構成部材30の平面模式図であり、図11は回路基板10側からコイル層21を視たときの平面模式図である。図11に示されるように、本実施形態では、凹部34は、一繋ぎとされており、配線部32と対向する領域であって第2接続部32bが露出する領域と異なる領域、および配線部32と対向する領域の内側の領域に形成されている。そして、凹部34は、第1構成部材30における端部まで延設されており、外部と連通されている。すなわち、第1構成部材30と第2構成部材40との間に形成される収容空間35は外部と連通されている。なお、特に図示しないが、第2、第3構成部材40、50に形成されている凹部44、54も凹部34と同様に、一繋ぎとされていると共に外部と連通されている。そして、第2構成部材40と第3構成部材50との間に形成される収容空間45、および第3構成部材50と第4構成部材60との間に形成される収容空間55も外部と連通されている。以上説明したように、本実施形態では、上記第2実施形態と比較して、さらに第1~第4構成部材30~60の間のうち収容空間35~55を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。すなわち、上記第2実施形態では、例えば、第1構成部材30と第2構成部材40との間に、収容空間35の収容可能量を越える気泡を噛み込んだ場合には、当該気泡の一部は収容空間35に押し出されずに第1構成部材30と第2構成部材40との間に残存することになる。しかしながら、本実施形態では、凹部34は外部と連通されており、第1構成部材30と第2構成部材40との間に収容空間35の収容可能量を超える気泡を噛み込むことがないため、第1構成部材30と第2構成部材40との間のうち収容空間35を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。なお、収容空間35~55の収容可能量は、凹部34~54の大きさや構成部材30~60を貼り合わせる際の加圧条件等によって適宜変更されるものである。また、上記では、第1構成部材30と第2構成部材40との間に気泡を噛み込んだ場合について説明したが、第2構成部材40と第3構成部材50、および第3構成部材50と第4構成部材60の間に気泡を噛み込んだ場合も同様である。そして、本実施形態の半導体装置は、例えば、上記第2実施形態において、パターンを変更して凹部34~54を形成することにより製造される。第4実施形態本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態における半導体装置の製造方法は、上記第1実施形態と比較して、キャップ層を形成する工程およびキャップ層とコイル層21とを接続する工程を追加したものであり、その他に関しては上記第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図12は、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。図12aに示されるように、支持基板80を用意すると共に、支持基板80上に剥離層81を配置し、剥離層81上に接続配線部70を形成する。その後、図12bに示されるように、低誘電率膜71をスピンコート法等により塗布すると共に加熱硬化する。このとき、接続配線部70における支持基板80側と反対側の部分が露出するように低誘電率膜71を配置する。その後、図12cに示されるように、上記図5cの工程にて形成したコイル層21を用意し、第4構成部材60側の支持基板80および剥離層81を除去する。そして、第4構成部材60の導電部63および第1接続部62aと、キャップ層100の接続配線部70とを対向させて配置し、コイル層21とキャップ層100とを加圧しながら接続して導電部63および第1接続部62aと、接続配線部70とを接続する。その後、図12dに示されるように、コイル層21にキャップ層100を備えたものを回路基板10に搭載する。このような製造方法では、接続配線部70を形成する際、マスク蒸着法等に加えて、マスク蒸着法より高精度に接続配線部70を形成することができるフォトエッチング等を行うことができると共に、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。他の実施形態上記各実施形態では、配線部32~62や導電部33~63を有するコイル層21を回路基板10の表面に配置してなる半導体装置の製造方法について説明したが、本発明はこのような半導体装置の製造方法に限定されるものではない。図13~図16は、他の実施形態における半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の断面構成を示す図であり、本発明はこれらのような半導体装置の製造方法に適用することも可能である。図13に示される半導体装置は、配線部32~62および導電部33~63を囲み、Cu等の金属材料で構成されたシールド層110が備えられたものである。そして、シールド層110は、金属膜13を介して回路基板10に備えられたグランド配線と電気的に接続されている。このような半導体装置では、回路基板10のグランド配線と接続されたシールド層110が配線部32~62や導電部33~63を囲んで配置されており、外部より浸入する磁力線に対し、渦電流を発生させることで磁力線を打ち消すことができる。これにより、コイル層21がアンテナとなることで回路基板10に侵入する放射ノイズを抑制でき、回路の誤動作を防止することができる。また、シールド層110を、低誘電率膜31~61より熱伝導率が高い材料を用いて構成すれば、コイル層21に発生する熱をシールド層110を介して放熱することもできる。図13に示す半導体装置は、例えば、上記図4a~eの工程にて、第1~第4構成部材30~60を形成する際に、それぞれ配線部32~62等を形成すると共に、スクリーン印刷やマスク蒸着法等により、配線部32~62や導電部33~63を囲み、各構成部材30~60の厚さ方向に貫通するシールド層110の一部を構成する部分を形成する。そして、上記図5aおよびcの工程にて、第1~第4構成部材30~60に備えられたシールド層110の一部を構成する部分をそれぞれ連結する。また、上記図12a、bの工程にて、キャップ層100を形成するときにシールド層110の一部を構成する部分を形成すると共に、当該シールド層110の一部を構成する部分を閉塞する部分を形成する。そして、上記図12cの工程において、コイル層21に形成されたシールド層110の一部を構成する部分と、キャップ層100に形成されたシールド層110の一部を構成する部分とを連結し、これを回路基板10に配置することにより図13に示す半導体装置が製造される。また、図14に示される半導体装置は、図13に示される半導体装置に、コイル層21のうち、側面と、回路基板10側と反対側の部分を覆い、フェライト等の磁性材料を含有する絶縁材料からなる保護部材120を備えたものである。当該半導体装置では、コイル層21を囲む保護部材120により、コイル20から発生する磁束が外部に放射されたり、外部からの磁束がコイル層21の内部に入り込んだりすることを抑制することができる。このような半導体装置は、例えば、図13に示す半導体装置を製造した後、スピンコート法等によりコイル層21に保護部材120を配置することにより製造される。さらに、図15に示される半導体装置は、二つのコイル20を有するノイズカットトランスであり、本発明はこのような半導体装置の製造方法にも適用することができる。図15に示される半導体装置は、二つのコイル20を備えている。そして、第1~第4構成部材30~60およびキャップ層100に、二つのコイル20のうち回路基板10側と反対側に配置されるコイル20と回路基板10とを電気的に接続する導電部36~66、102が形成されている。また、キャップ100層には、二つのコイル層21における導電部63を電気的に接続する導電部103が形成されている。そして、回路基板10側と反対側に位置する第1構成部材30には、接続層130が貼り合わされており、当該接続層130に備えられている接続配線部131により第1接続部32aと配線部32が接続され、接続配線部132により導電部33と導電部36とが電気的に接続されている。また、コイル層21は、図14に示す半導体装置と同様に、保護部材120により覆われている。このような半導体装置は、例えば、まず、上記図12cの工程にて形成されるものを二つ用意し、それぞれキャップ層100側の支持基板80および剥離層81を除去する。なお、キャップ層100としては、接続配線部70における支持基板80側と反対側の部分が低誘電率膜71により覆われているものを貼り合わせておく。また、第1~第4構成部材30~60、およびキャップ層100として、それぞれ導電部36~66、102が形成されたものを用いる。そして、キャップ層100を対向させて配置した後加圧しながら貼り合わせる。続いて、貼り合わせたもののうち、いずれか一方の支持基板80および剥離層81を除去し、支持基板80および剥離層81を除去した側に、接続層130を配置して、接続配線部131により第1接続部32aと配線部32とを接続し、接続配線部132により導電部33と導電部36とを接続する。その後、コイル層21を回路基板10に配置すると共に、コイル層21を覆う保護部材120を配置することとにより製造される。なお、図15に示す半導体装置において、図14に示される半導体装置のようにシールド層110を備えたりすることもちろん可能である。さらに、図16に示される半導体装置は、図15に示される半導体装置に、コイル20の内部に、第1~第4構成部材30~60の積層方向に延びる磁性体140を追加したものである。このような半導体装置では、コイル20内で形成される磁力線と同じ方向に磁性体140が配置されており、磁性体140内に当該磁力線を効果的に通過させることができる。このため、コイル20の内部に磁性体140を有しない半導体装置と比較して、コイル20のインダクタンスを向上させることができる。図16に示す半導体装置は、例えば、上記図4a~eの工程にて、第1~第4構成部材30~60を形成する際に、それぞれ配線部32~62等を形成すると共に、磁性体140の一部を構成する部分を形成する。そして、上記図5aおよびcの工程にて、第1~第4構成部材30~60に含まれる磁性体140の一部を構成する部分をそれぞれ連結させることにより、コイル20の内部に磁性体140を有する半導体装置が製造される。また、上記各実施形態では、配線部32~62が内方から外方に向かって巻き回して構成された螺旋状のものを例に挙げて説明したが、もちろんこれに限定されるものではない。図17は、他の実施形態における第1構成部材30の平面模式図である。なお、第2~第4構成部材40~60の平面模式図も図17と同様である。図17に示されるように、第1~第4構成部材30~60の配線部32~62をL字状とし、例えば、二つの構成部材に渡って配線部が1周するパターンとすることもできる。このような半導体装置では、二つの貼り合わされた構成部材において、接続部を除く領域では、対向する位置に配線部が存在しないため、配線部間で形成される寄生容量を低減することができ、Q値を向上させることが可能になる。なお、配線部32~62としては、例えば、半円弧状のものであってもよいし、くの字状のものであってもよい。さらに、上記各実施形態では、コイル層21が第1~第4構成部材30~60が積層されることにより構成されているものについて説明したが、もちろんさらに構成部材を積層することによりコイル層21を形成することもできる。例えば、上記図5bの第1積層体90から一方の支持基板80を除去したものと、上記図5dの第1~第4構成部材30~60を積層したものから片側の支持基板80を除去したものとを用意し、これらを貼り合わせることにより6層のコイル層21を構成することもできる。また、上記図5bの第1積層体90から一方の支持基板80および剥離層81を除去したものと、上記図4dで構成される構成部材とを貼り合わせて3層のコイル層21を形成することもできる。もちろん、上記図5dの第1~第4構成部材30~60を積層したものから片側の支持基板80を除去したものを二つ用意し、これらを貼り合わせることにより8層のコイル層21を構成することもできるし、さらに構成部材を8層積層したものを二つ用意し、これらを貼り合わせて16層のコイル層21を構成することもできる。また、上記各実施形態の半導体装置において、第1~第4構成部材30~60を形成する際、配線部32の外側の部分に、低誘電率膜31~61より熱伝導率の高い材質で構成された伝熱部材を備えることもできる。このような半導体装置では、伝熱部材により、コイル層21に発生する熱を伝熱部材を介して外部に放熱しやすくすることができる。さらに、第1~第4構成部材30~60と支持基板80との間に配置される各剥離層81を、それぞれ異なる波長で硬化する紫外線硬化樹脂とすることもできる。各剥離層81を異なる波長で硬化する紫外線硬化樹脂とした場合には、例えば、図5bの工程のように、いずれか一方の剥離層81のみを硬化させる際に、他方の剥離層81が硬化することを抑制することができる。また、上記各実施形態において、剥離層81として、例えば、絶縁膜を用いた場合には、支持基板80をエッチングや研磨等により除去することもできる。さらに、上記各実施形態では、図4に示されるように、配線部32および導電部33bを形成した後、導電部33b上に導電部33cを形成すると共に配線部32上に第2接続部32bを形成し、その後、第2接続部32bおよび導電部33cが露出するように低誘電率膜31を塗布して第1構成部材30を形成する例について説明したが、例えば、次のようにすることもできる。すなわち、上記図4cの工程を行った後に、配線部32および導電部33bにおける支持基板80側と反対側の部分が露出するように低誘電率膜31を配置し、低誘電率膜31上に絶縁フィルムを配置する。その後、絶縁フィルムのうち、導電部33cが形成される領域および第2接続部32bが形成される領域にコンタクトホールを形成する。そして、当該コンタクトホールにスクリーン印刷やマスク蒸着法等により導電部33cおよび第2接続部32bを形成することにより第1構成部材30を形成するようにしてもよい。そして、このように、絶縁フィルムを用いる場合には、低誘電率膜31より硬いものを用いることにより、上記第2、第3実施形態のように凹部34を形成する場合、第1構成部材30と第2構成部材40とを貼り合わせる際に凹部34の形状が崩れることを抑制することができ、製品毎に収容空間35の大きさがばらつくことを抑制することができる。なお、上記では、第1構成部材30を例に挙げて説明したが、第2、第3構成部材40、50についても同様でもある。そして、第1積層体90を構成した後に第2構成部材40に凹部44を形成する場合には、例えば、次のようにすることができる。すなわち、第2構成部材40のうち第1構成部材30側と反対側の表面に、低誘電率膜41より硬い絶縁フィルムを配置し、この絶縁フィルムに第1接続部42aおよび導電部43を露出させるコンタクトホールを形成すると共に、凹部44を形成する。そして、コンタクトホールに金属ペーストを埋め込むことにより、第2構成部材40は、表面が絶縁フィルムで構成されているものとすることができる。また、上記第2実施形態では、第1構成部材30における第2構成部材40側の表面、第2構成部材40における第3構成部材50側の表面、第3構成部材50における第4構成部材60側の表面にそれぞれ凹部34~54が形成されている例について説明したが、次のようにしてもよい。すなわち、第2構成部材40における第1構成部材30側の表面、第3構成部材50における第2構成部材40側の表面、第4構成部材60における第3構成部材50側の表面に凹部を形成してもよい。つまり、隣接する二つの構成部材の間に収容空間が形成されるのであれば、収容空間を構成する凹部はいずれの構成部材に形成されていてもよい。さらに、隣接する二つの構成部材において両方の構成部材に凹部が形成されていてもよく、例えば、第1構成部材30における第2構成部材40側の表面に凹部34が形成されていると共に第2構成部材40における第1構成部材30側の表面に凹部が形成されていてもよい。もちろん、第2、3構成部材40、50および第3、第4構成部材50、60においても同様である。さらに、上記第2実施形態を上記第3実施形態と組み合わせることも可能である。すなわち、例えば、凹部34を上記第2実施形態のように複数形成すると共に凹部44、54を上記第3実施形態のように一つのみ形成するようにしてもよい。また、上記第2、第3実施形態において、凹部34~54を配線部32~52と対向する領域の外側の領域に形成することもできる。このように、凹部34~54を配線部32~52と対向する領域の外側の領域に形成したとしても、凹部34~54を形成しない場合と比較して、第1~第4構成部材30~60の間のうち収容空間を除く領域に気泡が残存することを抑制することができる。そして、上記第4実施形態を第2、第3実施形態に組み合わせて、コイル層21にキャップ層100を備えたものとすることもできる。