"A酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、B活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物であって、下記一般式I又はIIにより表される化合物と、Cフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂と、D第1の溶剤と第2の溶剤とを含んだ混合溶剤であって、前記第1及び第2の溶剤の少なくとも一方は標準沸点が200°C以上である混合溶剤とを含有したレジスト組成物。一般式I中、X1及びX2は、各々独立に、フッ素原子、又は、フルオロアルキル基を表す。Lは、m≧2の場合には各々独立に、2価の連結基を表す。mは、0以上の整数を表す。Yは、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONR2-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-OSO2-、-SO2O-、又は、これらの2以上の組み合わせを表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す但し、R1とR2とが同時に水素原子である態様を除く。R1とR2とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。M1は、カチオンを表す。一般式II中、Aは、窒素原子又は炭素原子を表す。Aが窒素原子である場合、pq=2であり、pは1又は2であり、qは0又は1である。Aが炭素原子である場合、pq=3であり、pは1~3の整数であり、qは0~2の整数である。R3は、フッ素原子を含み、且つ、含まれる全フッ素原子の合計質量/含まれる全原子の合計質量により表されるフッ素含有率が0.35以下である1価の有機基を表す。p≧2の場合、複数のR3は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、この場合、複数のR3が互いに結合して、環を形成していてもよい。複数のR3が互いに結合して環を形成している場合、前記フッ素含有率は、この環を構成している2価の基について計算された値を意味している。R4は、電子求引性基を含んだ基を表す。q=2の場合、2つのR4は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。q≧1の場合、R3とR4とが互いに結合して、環を形成していてもよい。この場合、前記フッ素含有率は、R3とR4とにより形成された環を構成している2価の基について計算された値を意味している。M2は、カチオンを表す。前記一般式I又はIIにより表される化合物は、含まれる全フッ素原子の合計質量/含まれる全原子の合計質量により表されるフッ素含有率が0.20以下である請求項1に記載の組成物。前記一般式Iにより表される化合物を含み、前記Yは-CONR2-を表す請求項1又は2に記載の組成物。前記混合溶剤Dは、標準沸点が200°C以上である溶剤の含量が5質量以上である請求項1乃至3の何れか1項に記載の組成物。前記混合溶剤Dは、標準沸点が200°C以上である溶剤の含量が20質量以下である請求項1乃至4の何れか1項に記載の組成物。前記混合溶剤Dは、標準沸点が200°C以上である溶剤として、下記一般式S1乃至S3の何れかにより表される溶剤を含んでいる請求項1乃至5の何れか1項に記載の組成物。式中、R5乃至R11は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。R5及びR6、R7及びR8、並びに、R10及びR11の各々は、互いに結合して、環を形成していてもよい。前記樹脂Cは、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基を備えた繰り返し単位を含んでいる請求項1乃至6の何れか1項に記載の組成物。前記樹脂Cは、下記一般式KY-0により表される部分構造を備えた繰り返し単位を含んでいる請求項1乃至7の何れか1項に記載の組成物。式KY-0中、R2は、n≧2の場合には各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。R3は、o≧2の場合には各々独立に、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭化水素基を表す。R4は、m≧2の場合には各々独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又は、R-C=O-若しくはR-C=OO-で表される基を表す。ここで、Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。m≧2の場合、2つ以上のR4が互いに結合して、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、シクロアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子を表す。Z及びZaは、各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレア結合を表す。n≧2の場合には、複数のZは互いに同一でも異なっていてもよい。は、前記樹脂Cの主鎖又は側鎖への結合手を表す。oは、1~7の整数を表す。mは、0~7の整数を表す。nは、0~5の整数を表す。前記樹脂Aは、シアノ基により置換されたラクトン構造を備えた繰り返し単位を含んでいる請求項1乃至8の何れか1項に記載の組成物。請求項1乃至9の何れか1項に記載の組成物を用いて形成されたレジスト膜。請求項1乃至9の何れか1項に記載の組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。前記露光は液浸液を介して行われる請求項11に記載の方法。請求項11又は12に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項13に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明の目的は、ウォーターマーク欠陥を減少させると共に、良好な形状のレジストパターンを形成可能とするレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供することにある。本発明は、例えば、以下の通りである。1A酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、B活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物であって、下記一般式I又はIIにより表される化合物と、Cフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂と、D第1の溶剤と第2の溶剤とを含んだ混合溶剤であって、前記第1及び第2の溶剤の少なくとも一方は標準沸点が200°C以上である混合溶剤とを含有したレジスト組成物。一般式I中、X1及びX2は、各々独立に、フッ素原子、又は、フルオロアルキル基を表す。Lは、m≧2の場合には各々独立に、2価の連結基を表す。mは、0以上の整数を表す。Yは、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONR2-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-OSO2-、-SO2O-、又は、これらの2以上の組み合わせを表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す但し、R1とR2とが同時に水素原子である態様を除く。R1とR2とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。M1は、カチオンを表す。一般式II中、Aは、窒素原子又は炭素原子を表す。Aが窒素原子である場合、pq=2であり、pは1又は2であり、qは0又は1である。Aが炭素原子である場合、pq=3であり、pは1~3の整数であり、qは0~2の整数である。R3は、フッ素原子を含み、且つ、含まれる全フッ素原子の合計質量/含まれる全原子の合計質量により表されるフッ素含有率が0.35以下である1価の有機基を表す。p≧2の場合、複数のR3は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、この場合、複数のR3が互いに結合して、環を形成していてもよい。複数のR3が互いに結合して環を形成している場合、前記フッ素含有率は、この環を構成している2価の基について計算された値を意味している。R4は、電子求引性基を含んだ基を表す。q=2の場合、2つのR4は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。q≧1の場合、R3とR4とが互いに結合して、環を形成していてもよい。この場合、前記フッ素含有率は、R3とR4とにより形成された環を構成している2価の基について計算された値を意味している。M2は、カチオンを表す。2前記一般式I又はIIにより表される化合物は、含まれる全フッ素原子の合計質量/含まれる全原子の合計質量により表されるフッ素含有率が0.20以下である1に記載の組成物。3前記一般式Iにより表される化合物を含み、前記Yは-CONR2-を表す1又は2に記載の組成物。4前記混合溶剤Dは、標準沸点が200°C以上である溶剤の含量が5質量以上である1~3の何れかに記載の組成物。5前記混合溶剤Dは、標準沸点が200°C以上である溶剤の含量が20質量以下である1~4の何れかに記載の組成物。6前記混合溶剤Dは、標準沸点が200°C以上である溶剤として、下記一般式S1乃至S3の何れかにより表される溶剤を含んでいる1~5の何れかに記載の組成物。式中、R5乃至R11は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。R5及びR6、R7及びR8、並びに、R10及びR11の各々は、互いに結合して、環を形成していてもよい。7前記樹脂Cは、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基を備えた繰り返し単位を含んでいる1~6の何れかに記載の組成物。8前記樹脂Cは、下記一般式KY-0により表される部分構造を備えた繰り返し単位を含んでいる1~7の何れかに記載の組成物。式KY-0中、R2は、n≧2の場合には各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。R3は、o≧2の場合には各々独立に、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭化水素基を表す。R4は、m≧2の場合には各々独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又は、R-C=O-若しくはR-C=OO-で表される基を表す。ここで、Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。m≧2の場合、2つ以上のR4が互いに結合して、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、シクロアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子を表す。Z及びZaは、各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレア結合を表す。n≧2の場合には、複数のZは互いに同一でも異なっていてもよい。は、前記樹脂Cの主鎖又は側鎖への結合手を表す。oは、1~7の整数を表す。mは、0~7の整数を表す。nは、0~5の整数を表す。9前記樹脂Aは、シアノ基により置換されたラクトン構造を備えた繰り返し単位を含んでいる1~8の何れかに記載の組成物。101~9の何れかに記載の組成物を用いて形成されたレジスト膜。111~9の何れかに記載の組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。12前記露光は液浸液を介して行われる11に記載の方法。1311又は12に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。1413に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明によると、ウォーターマーク欠陥を減少させると共に、良好な形状のレジストパターンを形成可能とするレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有していないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有しているアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。また、ここで活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外EUV線、X線又は電子線EBを意味している。光とは、活性光線又は放射線を意味している。露光とは、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。本発明に係るレジスト組成物は、A酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうと、B活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物以下、光酸発生剤ともいうと、Cフッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂以下、疎水性樹脂ともいうと、D溶剤とを含んでいる。このレジスト組成物では、以下に詳しく説明するように、溶剤として、標準沸点が200°C以上である溶剤を含んだ混合溶剤を用いている。本発明者らは、このような構成を採用することにより、疎水性樹脂の表面偏在性が向上することを見出した。即ち、本発明者らは、このような構成を採用することにより、レジスト組成物を用いて形成した膜の疎水性が向上し、ウォーターマーク欠陥を減少させることができることを見出した。しかしながら、更なる検討の結果、上記の溶剤を一般的な光酸発生剤とを組み合わせて用いた場合、パターン形状が丸みを帯びてしまい、矩形のパターンを形成することが困難であることが明らかとなった。即ち、この場合、ウォーターマーク欠陥の低減と矩形のパターンの形成とを両立させることが困難であることが明らかとなった。そこで、本発明者らは、この問題を解決すべく、鋭意検討を行った。その結果、上記の問題は、光酸発生剤が疎水性樹脂と同様に膜の表面に偏在することにより、膜の表面近傍における酸の発生量が過剰になることに起因していることが分かった。そして、本発明者らは、上記の溶剤を、以下で詳しく説明する特定構造の光酸発生剤と組み合わせて用いることにより、ウォーターマーク欠陥の低減と矩形のパターンの形成とを両立できることを見出した。以下、上記のA~Dの各成分について、順に説明する。A酸分解性樹脂本発明に係るレジスト組成物は、酸分解性樹脂以下、樹脂Aともいうを含有している。樹脂Aは、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する。樹脂Aは、好ましくは、アルカリ現像液に不溶又は難溶性である。酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基またはエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20~70molが好ましく、より好ましくは30~50molである。好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0または正の整数を表す。樹脂Aは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式Iで表される繰り返し単位及び一般式IIで表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。式IおよびII中、R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5または6である。R3は好ましくは水素原子またはメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式Iにおける各々と同義である。一般式IIで表される繰り返し単位が、以下の一般式II-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式II-1中、R3~R5は、一般式IIにおけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基を有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは、0~15の整数を表す。pは、好ましくは0~2、より好ましくは0または1である。酸分解性樹脂は、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び一般式IIにより表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。樹脂Aが酸分解性繰り返し単位を併用する場合の、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。樹脂Aは、下記一般式IIIで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。式III中、Aは、エステル結合-COO-で表される基またはアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。R8は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、1~5の整数を表す。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R7におけるアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチル基、プロピオニル基等のアセトキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレンとしては、炭素数1~20のシクロアルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造を有する置換基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として後述する一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に一般式で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式で表される繰り返し単位がより好ましい。一般式に於いて、R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式と同義である。R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。mは、置換基数であって、0~5の整数を表す。mは0または1であることが好ましい。R9のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることがさらに好ましい。Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子またはメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがさらに好ましい。mが1以上である場合、少なくとも1つのR9はラクトンのカルボニル基のα位またはβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。一般式III-1で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。一般式IIIで表される繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂A中の全繰り返し単位に対し、15~60molが好ましく、より好ましくは20~60mol、更に好ましくは30~50molである。樹脂Aは、一般式IIIで表される単位以外にも、ラクトン基を有する繰り返し単位を含有していてもよい。ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14、LC1-17であり、特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。一般式で表される単位以外のラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AII’で表される繰り返し単位も好ましい。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。一般式で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。特に好ましい一般式で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。一般式で表される繰り返し単位以外のラクトンを有する繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~60molが好ましく、より好ましくは20~50mol、更に好ましくは30~50molである。本発明の効果を高めるために、一般式IIIから選ばれる2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式IIIの内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。樹脂Aは、一般式AI及びIII以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~40molが好ましく、より好ましくは5~30mol、更に好ましくは10~25molである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。本発明のレジスト組成物に用いられる樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、0~20molが好ましく、より好ましくは3~15mol、更に好ましくは5~10molである。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH、CH3、CH2OH、またはCF3を表す。本発明の樹脂Aは、更に極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.026]デカン、トリシクロ[4.3.1.125]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。保護基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、0~40モルが好ましく、より好ましくは1~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Aは芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂Aは単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Aは、後述する樹脂Cとの相溶性の観点から、フッ素原子およびケイ素原子を含有しないことが好ましい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、ラクトン基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位5~30モル、更にその他のメタアクリレート系繰り返し単位を0~20モル含む共重合ポリマーも好ましい。本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、樹脂Aは、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明の樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開2009-037108号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を30°C~90°C程度で30分~4時間程度加熱するような工程を加えてもよい。本発明の樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~3であり、好ましくは1~2.6、更に好ましくは1~2、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。また、本発明の樹脂Aは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。本発明において樹脂Aの組成物全体中の配合率は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。B光酸発生剤本発明に係るレジスト組成物は、光酸発生剤として、下記一般式I又はIIにより表される化合物を含んでいる。一般式I中、X1及びX2は、各々独立に、フッ素原子、又は、フルオロアルキル基を表す。Lは、m≧2の場合には各々独立に、2価の連結基を表す。mは、0以上の整数を表す。Yは、-CO-、-COO-、-OCO-、-CONR2-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-OSO2-、-SO2O-、又は、これらの2以上の組み合わせを表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す但し、R1とR2とが同時に水素原子である態様を除く。R1とR2とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。M1は、カチオンを表す。一般式II中、Aは、窒素原子又は炭素原子を表す。Aが窒素原子である場合、pq=2であり、pは1又は2であり、qは0又は1である。Aが炭素原子である場合、pq=3であり、pは1~3の整数であり、qは0~2の整数である。R3は、フッ素原子を含み、且つ、含まれる全フッ素原子の合計質量/含まれる全原子の合計質量により表されるフッ素含有率が0.35以下である1価の有機基を表す。p≧2の場合、複数のR3は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、この場合、複数のR3が互いに結合して、環を形成していてもよい。複数のR3が互いに結合して環を形成している場合、前記フッ素含有率は、この環を構成している2価の基について計算された値を意味している。R4は、電子求引性基を含んだ基を表す。q=2の場合、2つのR4は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。q≧1の場合、R3とR4とが互いに結合して、環を形成していてもよい。この場合、前記フッ素含有率は、R3とR4とにより形成された環を構成している2価の基について計算された値を意味している。M2は、カチオンを表す。まず、一般式Iにより表される化合物について説明する。X1、X2としてのフルオロアルキル基は、好ましくは炭素数1~6であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、X1、X2としてのフルオロアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。X1、X2は、好ましくは、フッ素原子、又は、パーフルオロアルキル基である。X1、X2の具体例としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、及びCH2CH2C4F9が挙げられ、中でも、フッ素原子又はCF3が好ましい。特に、X1及びX2の双方がフッ素原子であることが好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されないが、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアルケニレン基を挙げることができる。このなかでも-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-SO2-、アルキレン基が好ましく、-COO-、-OCO-、-SO2-、アルキレン基がより好ましい。Lとしてのアルキレン基は、直鎖状でも分岐状でもよい。また、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアルケニレン基は、フッ素原子などで置換されていてもよい。mは、0~10が好ましく、0~8がより好ましく、0~4が更に好ましい。Yは、-CO-、-COO-又は-OCO-であることが好ましい。Yは、-CONR2-により表されることも好ましい。即ち、一般式Iにより表される化合物は、下記一般式I-AMにより表されることも好ましい。一般式I-AM中の各記号は、一般式Iにおけるものと同義である。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。アルキル基としては、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~7である。R1、R2の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等が挙げられ、中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基が好ましい。該アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等が挙げられる。R1、R2としての環状構造を有する基としては、単環構造を有する基好ましくは炭素数3~12、及び、多環構造を有する基好ましくは炭素数4~25を挙げることができる。単環構造を有する基としては、単環式炭化水素基、単環式複素環基、及び、これらの少なくともいずれかを含むアルキル基等を挙げることができる。単環式炭化水素基としては、単環式アルキル基、単環式アリール基が挙げられる。単環式アルキル基としては、炭素数3~10のものが好ましい。単環式アルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロドデカニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクタジエニル基等が挙げられ、特にシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が好ましい。単環式アリール基としては、置換又は無置換のフェニル基を挙げることができる。単環式複素環基としては、飽和複素環基と不飽和複素環基とが挙げられ、炭素数5~10のものが好ましい。飽和複素環基としては、1-ピペリジル基、4-ピペリジル基、4-モルホリニル基、1,3-ジオキソラン-2-イルメチル基、アゼパン-2-オン-1-イル基等を挙げることができる。不飽和複素環基としては、ピロール基、フラン基、チオフェン基などが挙げられる。単環式炭化水素基及び単環式複素環基の少なくともいずれかを含むアルキル基としては、炭素数1~5好ましくは炭素数1~3のアルキル基の任意の水素原子が、単環式炭化水素基及び単環式複素環基の少なくともいずれかによって置換された基例えば、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロオクチルメチル基などの、単環式炭化水素または単環式複素環基で置換されたアルキル基を好適に挙げることができる。多環構造を有する基としては、i多環式炭化水素基、ii多環式複素環基、iii単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基の2以上からなる基、iv単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基を2個以上含むアルキル基、v多環式炭化水素基又は多環式複素環基を含むアルキル基等を挙げることができる。多環式炭化水素基及び単環式炭化水素基としては、脂肪族基でも芳香族基でもよく、特に脂環式炭化水素基であることが好ましい。具体的には、多環式炭化水素基としては、炭素数10~20のものが好ましい。多環式炭化水素基の具体例としては、ビシクロ[4.3.0]ノナニル基、ナフタレニル基、デカヒドロナフタレニル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、ボルニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、1,7,7-トリメチルトリシクロ[2.2.1.02,6]ヘプタニル基、3,7,7-トリメチルビシクロ[4.1.0]ヘプタニル基等があげられ、特にノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基が好ましい。多環式複素環基としては、炭素数10~20のものが好ましい。多環式複素環基の具体例としては、インドール基、カルバゾール基等が挙げられる。単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基の2以上からなる基、及び、単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基を2個以上含むアルキル基における、単環式炭化水素基及び単環式複素環基としては、前記したものを挙げることができる。単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基を2個以上含むアルキル基としては、炭素数1~5好ましくは炭素数1~3のアルキル基の任意の2個以上の水素原子が、単環式炭化水素基及び単環式複素環基から選択される基によって置換された基を好適に挙げることができる。多環式炭化水素基又は多環式複素環基を含むアルキル基としては、前記多環式炭化水素基で置換されたアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチルメチル基、ノルボルニルメチル基、デカヒドロナフチルメチル基等の、多環式炭化水素または多環式複素環基で置換されたアルキル基が挙げられる。また、R1とR2は互いに結合し環を形成しても良い。環は単環構造であっても、多環構造であってもよい。R1とR2とで形成し得る環構造としては、ピペリジン環等の単環構造、デカヒドロキノリン環、デカヒドロイソキノリン環等の多環構造が挙げられる。R1、R2としての環状構造を有する基、及び、R1とR2とが互いに結合して形成する環は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。R1とR2が互いに結合し環を形成するか、又は、R1が炭素数5以上のアルキル基、若しくは、環状構造炭素数は5以上であることが好ましいを有する基であることが好ましく、R1とR2が互いに結合し環を形成するか、又は、R1が環状構造炭素数は5以上であることが好ましいを有する基であることがより好ましく、R1とR2が互いに結合し多環を形成するか、又は、R1が、多環構造を有する基であることがさらに好ましい。また、R1が環状構造を有する基である場合、R2も環状構造を有する基であることが好ましい。以下に、一般式Iにより表される化合物のアニオン部分の好ましい例を、対応する酸の構造として列挙する。具体例中、X1及びX2は、各々独立に、フッ素原子、又は、炭素数が1~6のパーフルオロアルキル基を表す。M1により表されるカチオンとしては、下記一般式ZI又はZIIにより表されるものが好ましい。上記一般式ZI中、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。R201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述するカチオンZI-1、ZI-2、ZI-3又はZI-4における対応する基を挙げることができる。尚、一般式ZIで表される構造を複数有するカチオンであってもよい。例えば、一般式ZIで表されるカチオンのR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつのカチオンのR201~R203の少なくとも1つと結合した構造を有する化合物であってもよい。一般式ZIで表されるカチオンとしては、例えば、以下に説明するカチオンZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4を挙げることができる。カチオンZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基であるカチオンである。即ち、カチオンZI-1は、アリールスルホニウムカチオンである。アリールスルホニウムカチオンは、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウムカチオンとしては、例えば、トリアリールスルホニウムカチオン、ジアリールアルキルスルホニウムカチオン、アリールジアルキルスルホニウムカチオン、ジアリールシクロアルキルスルホニウムカチオン、アリールジシクロアルキルスルホニウムカチオンを挙げることができる。アリールスルホニウムカチオンのアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウムカチオンが2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウムカチオンが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がフェニル基の場合には、置換基は、フェニル基のp-位に置換していることが好ましい。次に、カチオンZI-2について説明する。カチオンZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表すカチオンである。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基デカニル、ボルニル、イソボルニル、ノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチル、177トリメチルトリシクロ221026ヘプタニル、377トリメチルビシクロ410ヘプタニル等があげられ、特にノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチルが好ましい。単環式アリール基は、置換又は無置換のフェニル基を意味し、置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。R4により表される基は、酸強度の観点から、電子求引性基を有する基であり、この電子求引性基としては特に限定はされないが、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、ケトン基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、トリフルオロメチル基等のパーフルオロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子などが挙げられる。R4により表わされる電子求引性基を有する基として、特にフッ素原子を有する基であることが好ましく、より好ましくは分子量220以下のフッ素原子を有する基であり、特に好ましくはトリフルオロメチル基である。上記一般式IIで表される化合物は、下記一般式IIIで表される化合物であることが好ましい。一般式III中、A、R4、p、qは、一般式IIにおける各々と同義である。R3Aは、複数ある場合はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、R3Bは水素原子を表す。Lは単結合または連結基を表す。p1は1~8の整数を表し、好ましくは1~3の整数であり、特に好ましくは1である。p2=1または2を表し、p3=0または1を表す。p2=2である場合、2つのR3Aは互いに結合し環構造を形成してもよく、p=2以上である場合、複数あるR3Aは互いに結合し環構造を形成していてもよい。R3Aにより表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の具体例としては、R4の各々において例示した基と同様の基が挙げられる。ここでR3Aは低フッ素含率の観点からフッ素原子を有さないことが好ましい。Lにより表される連結基としては、酸素原子-O-、硫黄原子-S-、窒素原子>N-、カルボキシル基-OC=O-、-CO=O-、アミド基>NC=O-、スルホンアミド基>NSO2-が挙げられる。p2=2であり、2つのR3Aが互いに結合して環を形成する場合、Lはアミド基、スルホンアミド基等の窒素原子を有する連結基であることが好ましい。このときR3AはL上の窒素原子を環内に有する環状アミン残基であることが好ましい。環状アミン残基構造としてはアジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、ヘキサメチレンイミン、ヘプタメチレンイミン、ピペラジン、デカヒドロキノリン、デカヒドロキノリン、8アザビシクロ321オクタン、インドール、オキサゾリジン、チアゾリジン、2-アザノルボルナン、7-アザノルボルナン、モルホリン、チアモルホリン等が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、および環を形成する炭素上のカルボニル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。また、上記一般式IIで表される化合物は、下記一般式IVで表される化合物であることが特に好ましい。一般式IV中、R3Cは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、R3Dは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表す。R3CとR3Dは互いに結合し環を形成していてもよく、pq=2かつp=1又は2、q=0又は1である。R3C及びR3Dにより表わされる置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基の具体例としては、一般式IIにおけるR2の各々において例示した基と同様の基が挙げられる。また、R3CとR3Dが互いに結合して形成される環状アミン構造としては、一般式IIIにおいてLがアミド基>NC=O-である場合に、2つのR3Aが互いに結合して形成される環状アミン構造として先に例示したものと同様のものが挙げられる。一般式IVで表される酸を発生する化合物の合成方法は、特に限定されないが、以下の方法を用いて合成できる。すなわち、対応するアミンとフルオロサルトン又は酸ハライド等から化合物aを合成したのちアンモニアによりスルホンアミドbへと変換した後、スルホンイミドcへ導く、または化合物aと対応するスルホンアミド直接を反応させることによって化合物cへと導き、化合物cの塩交換によって合成することができる。一般式II乃至IVにおいて、M2により表されるカチオンとしては、例えば、先にM1について説明したのと同様のものを挙げることができる。以下に、本発明の一般式IIで表される化合物のアニオン部分の具体例を、対応する酸の構造として挙げる。以下に、一般式IIにより表される化合物の具体例を挙げる。一般式I又はIIにより表される化合物は、含まれる全フッ素原子の合計質量/含まれる全原子の合計質量により表されるフッ素含有率が0.20以下であることが好ましく、0.15以下であることがより好ましく、0.10以下であることが更に好ましい。こうすると、本発明に係るレジスト組成物を用いて形成したパターンの形状が更に良好となる。一般式I又はIIにより表される化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。一般式I又はIIにより表される化合物の含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~30質量が好ましく、より好ましくは、0.5~25質量、更に好ましくは1~23質量、特に好ましくは3~20質量である。また、一般式I又はIIにより表される化合物に加えて、他の化合物を併用してもよい。このような化合物としては、例えば、下記一般式ZI’、ZII’、ZIII’で表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、上述した一般式ZIにおけるR201、R202及びR203各々と同義である。Zは、非求核性アニオン求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンを表す。Zとしては、例えば、スルホン酸アニオン脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど、カルボン酸アニオン脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン等を挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基が挙げられる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他のZ-としては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。Zとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン更に好ましくは炭素数4~8、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸強度の観点からは、発生酸のpKaが-1以下であることが、感度向上のために好ましい。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。Zは、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZの非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。本発明の酸発生剤と併用し得る酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV’、ZV’、ZVI’で表される化合物も挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。本発明の酸発生剤と併用し得る酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。なお、光酸発生剤として、一般式I又はIIにより表される化合物以外の化合物を併用する場合、その含有率は、一般式I又はIIにより表される化合物の総量に対して、好ましくは50質量以下であり、より好ましくは25質量以下であり、更に好ましくは20質量以下である。C疎水性樹脂疎水性樹脂以下、樹脂Cともいうは、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有している。疎水性樹脂に於けるフッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかは、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4であり、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61の少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ及びR65~R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、さらに、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、疎水性樹脂は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。疎水性樹脂は、ケイ素原子を含有してもよい。ケイ素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。フッ素原子又はケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位はメタアクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。以下、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表し、X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂は、下記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bを有することが好ましい。xアルカリ可溶基yアルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基極性変換基z酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する繰り返し単位bとしては、以下の類型が挙げられる。1つの側鎖上に、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかと、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位b’上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及びケイ素原子を有さない繰り返し単位b1つの側鎖上に上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位b疎水性樹脂は、繰り返し単位bとして繰り返し単位b’を有することがより好ましい。すなわち、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bが、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。なお、疎水性樹脂が、繰り返し単位bを有する場合、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位前記繰り返し単位b’、bとは異なる繰り返し単位とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位bにおける、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式K1のような位置関係にあることが好ましい。式中、B1は上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。上記x~zからなる群から選ばれる基は、好ましくは、xアルカリ可溶基又はy極性変換基であり、y極性変換基であることがより好ましい。アルカリ可溶性基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホンイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基が挙げられる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。繰り返し単位bxが、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bxにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位bxにおけるケイ素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。極性変換基yとしては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基-COO-、酸無水物基-COOCO-、酸イミド基-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基-COS-、炭酸エステル基-OCOO-、硫酸エステル基-OSO2O-、スルホン酸エステル基-SO2O-などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。極性変換基yは、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基yを有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。極性変換基yを有する繰り返し単位byの具体例としては、後述の式KA-1-1~KA-1-17で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。更に、極性変換基yを有する繰り返し単位byは、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位であるすなわち、前記繰り返し単位b’、bに相当することが好ましい。該繰り返し単位byを有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。繰り返し単位byとして、例えば、式K0で示される繰り返し単位を挙げることができる。式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。Rk2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。一般式KA-1又はKB-1におけるXは、カルボン酸エステル基:-COO-、酸無水物基:-COOCO-、酸イミド基:-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基:-COS-、炭酸エステル基:-OCOO-、硫酸エステル基:-OSO2O-、スルホン酸エステル基:-SO2O-を表す。Y1及びY2は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。なお、繰り返し単位byは、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式KA-1で表される部分構造、Y1及びY2が1価である場合のKB-1で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結している。一般式KA-1で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。一般式KA-1におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基即ち、KA-1としてラクトン環構造を形成する場合、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。一般式KA-1で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。Zka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環環状エーテル環、ラクトン環などが挙げられる。nkaは0~10の整数を表す。好ましくは0~8の整数、より好ましくは0~5の整数、さらに好ましくは1~4の整数、最も好ましくは1~3の整数である。Zka1としての電子求引性基は、後述のY1及びY2としての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。Zka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。Zka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。Zka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1~30、さらに好ましくは1~20であり、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3~30、さらに好ましくは3~20であり、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、i-ヘキシル基、t-ヘキシル基、i-ヘプチル基、t-ヘプチル基、i-オクチル基、t-オクチル基、i-ノニル基、t-デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Zka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピナニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4等を挙げることができる。また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。一般式KA-1におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式KA-1が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5~7員環ラクトン環であることが好ましい。なお、下記KA-1-1~KA-1-17におけるように、一般式KA-1で表される部分構造としての5~7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。一般式KA-1で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記KA-1-1~KA-1-17におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。一般式KA-1が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記KA-1-1~KA-1-17のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、KA-1-1、KA-1-4、KA-1-5、KA-1-6、KA-1-13、KA-1-14、KA-1-17である。上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式KA-1が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。一般式KB-1のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基-COO-を挙げることができる。一般式KB-1におけるY1及びY2は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。電子求引性基は、下記式EWで示す部分構造である。式EWにおけるはKA-1に直結している結合手、又はKB-1中のXに直結している結合手を表す。式EW中、newは-CRew1Rew2-で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。Yew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、ハロシクロアルキル基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、ハロアリール基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式EWで表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。Yew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結していてもよい。Yew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Rf2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。Rf1~Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、ハロシクロアルキル環、ハロアリール環等が挙げられる。Rf1~Rf3におけるハロアルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。Rf1~Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環におけるパーハロシクロアルキル基及びパーハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは-CnF2n-2Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、-CnFn-1で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5~13のものが好ましく、6がより好ましい。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式KA-1-1~KA-1-17で表される構造が挙げられる。なお、繰り返し単位by中に、一般式KA-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KB-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KA-1で表される部分構造と一般式KB-1で表される部分構造の両方を有していてもよい。なお、一般式KA-1の部分構造の一部又は全部が、一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式KA-1のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基として機能することもあり得る。また、繰り返し単位byが、上記繰り返し単位b又は繰り返し単位bに該当し、かつ、一般式KA-1で表される部分構造を有する場合、一般式KA-1で表される部分構造は、極性変換基が、一般式KA-1で示す構造における-COO-で表される部分構造であることがより好ましい。繰り返し単位byは、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位でありえる。一般式bbにおいて、Z1は、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数存在する場合、互いに同じでも異なっていても良い。Z1は、好ましくはエステル結合を表す。Z2は、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表し、複数存在する場合、互いに同じでも異なっていても良い。Z2は、好ましくは、炭素数1若しくは2のアルキレン基又は炭素数5~10のシクロアルキレン基を表す。Taは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基前記一般式KB-1におけるY1及びY2としての電子求引性基と同義であるを表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、電子求引性基を表し、更に好ましくは電子求引性基を表す。Taが複数個ある場合には、Ta同士が結合して、環を形成しても良い。L0は、単結合又はm1価の炭化水素基好ましくは炭素数20以下を表し、好ましくは単結合を表す。L0としての単結合は、mが1の場合である。L0としてのm1価の炭化水素基は、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、又は、これらの組み合わせから、任意の水素原子をm-1個除いたm1価の炭化水素基を表す。Lは、それぞれ独立に、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はエーテル基を表す。Tcは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基前記一般式KB-1におけるY1及びY2としての電子求引性基と同義であるを表す。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式bbで表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式bbで表される部分構造が結合していてもよい。なお、主鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中に存在する原子への結合手であり、側鎖への結合手とは、主鎖を構成する結合中以外に存在する原子への結合手である。mは、1~28の整数を表し、好ましくは1~3の整数であり、更に好ましくは1である。kは、0~2の整数を表し、好ましくは1である。qは、基Z2-Z1の繰り返し数を示し、0~5の整数を表し、好ましくは0~2である。rは、0~5の整数を表す。なお、-Lr-Tcの代わりに、前記-L0-Tamが置換していてもよい。一般式bbにより表されるラクトン構造のうち上記から最も離れた位置介在する原子数が最大である位置にフッ素原子又はフッ素原子を含んだ基が置換している場合、又は、同一繰り返し単位内の一般式bbにより表されるラクトン側の側鎖と異なる側鎖上にフッ素原子を有する場合上記した繰り返し単位bに該当も好ましい。Z2としてのアルキレン基は、直鎖アルキレン基の場合は好ましくは炭素数1~30、更に好ましくは1~20であり、分岐アルキレン基の場合は好ましくは炭素数3~30、更に好ましくは3~20である。R2としてのアルキレン基の具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基の具体例から任意の水素原子を1個除いた基を挙げることができる。Z2としてのシクロアルキレン基は、好ましくは炭素数3~8であり、その具体例としては、上記したZka1としてのシクロアルキル基から任意の水素原子を1個除いた基を挙げることができる。Ta及びTcとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。Taとしてのアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~8であり、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。Ta及びTcとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数6~12のアリール基、例えば、フェニル基及びナフチル基を挙げることができる。L0としてのアルキレン基、シクロアルキレン基の好ましい炭素数及びその具体例は、Z2としての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。繰り返し単位bbの更に具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位が好ましい。一般式ba-2及びbb-2において、nは、0~11の整数を表し、好ましくは0~5の整数、より好ましくは1又は2を表す。pは、0~5の整数を表し、好ましくは0~3の整数、より好ましくは1又は2を表す。Tbは、独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ニトリル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基又は電子求引性基前記一般式KB-1におけるY1及びY2としての電子求引性基と同義であるを表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、電子求引性基を表す。Tbが複数個ある場合には、Tb同士が結合して、環を形成しても良い。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。すなわち、式ba-2又はbb-2で表される部分構造が主鎖に直結していてもよいし、樹脂の側鎖に、式ba-2又はbb-2で表される部分構造が結合していてもよい。Z1、Z2、Ta、Tc、L、、m、q、rは、一般式bbにおけるものと同意であり、好ましいものも同様である。繰り返し単位byは、一般式KY-0で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。一般式KY-0中、R2は、n≧2の場合には各々独立に、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。R3は、o≧2の場合には各々独立に、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された炭化水素基を表す。R4は、m≧2の場合には各々独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又は、R-C=O-若しくはR-C=OO-で表される基を表す。ここで、Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。m≧2の場合、2つ以上のR4が互いに結合して、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、シクロアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子を表す。Z及びZaは、各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレア結合を表す。n≧2の場合には、複数のZは互いに同一でも異なっていてもよい。は、前記樹脂Cの主鎖又は側鎖への結合手を表す。oは、1~7の整数を表す。mは、0~7の整数を表す。nは、0~5の整数を表す。-R2-Z-の構造として好ましくは、-CH2l-COO-で表される構造が好ましいlは1~5の整数を表す。R2としてのアルキレン基又はシクロアルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式bbのZ2におけるアルキレン基又はシクロアルキレン基で説明したものと同様である。R3としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1~30、更に好ましくは1~20であり、分岐状の場合、好ましくは3~30、更に好ましくは3~20であり、環状の場合、6~20である。R3の具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。R4及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。R4としてのアシル基としては、炭素数1~6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。R4としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。Xとしてのアルキレン基又はシクロアルキレン基の好ましい炭素数及びその具体例は、R2としてのアルキレン基又はシクロアルキレン基について説明したものと同様である。また、繰り返し単位byの具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位も挙げられる。一般式rf-1及びrf-2中、X ́は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されたアルキレン基、フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基である。Aは、単結合又は-CRxRy-で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~6で、フッ素原子等で置換されていてもよい、又はシクロアルキル基好ましくは炭素数5~12で、フッ素原子等で置換されていてもよいを表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されたアルキル基である。Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY1及びY2としての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。なお、X ́がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Aは単結合ではない。極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角は、温度23±3°C、湿度45±5において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、さらに好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。後退接触角とは、液滴-基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。アルカリ現像後における膜の上記後退接触角は、以下に示す膜について、後掲の実施例に記載の拡張収縮法により測定した場合の接触角である。すなわち、シリコンウエハ8インチ口径上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い形成された膜厚98nmの反射防止膜上に、本発明の組成物を塗布し、120°Cで60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成する。この膜をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得られる膜についての、拡張収縮法による接触角である。疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることがさらに好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。ここで疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23°CのTMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量に対して、疎水性樹脂のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。また、繰り返し単位byは、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。繰り返し単位byが少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式KY-1で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式KY-1で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KY-1において、Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部=Oを形成してもよい。Rky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。Rky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky1、Rky4は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。Rky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられる。一般式KY-1で表される構造としては、下記一般式KY-2で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式KY-2で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。式KY-2中、Rky6~Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6~Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y1、Y2におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rky5~Rky10は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。式KY-2で表される構造は、下記一般式KY-3で示す部分構造であることがより好ましい。式KY-3中、Zka1、nkaは各々前記一般式KA-1と同義である。Rky5は前記式KY-2と同義である。Lkyはアルキレン基、シクロアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがさらに好ましい。繰り返し単位bは、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素-炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、スチレン系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。繰り返し単位byが、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位byにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおけるケイ素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位byに対応したモノマーは、例えば、US20100152400A、WO2010067905A、又はWO2010067898Aに記載された方法により合成することができる。疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位byの含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~100molが好ましく、より好ましくは20~99mol、更に好ましくは30~97mol、最も好ましくは40~95molである。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位byの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。Raは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzは、樹脂Aについて説明した酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。繰り返し単位bzが、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bzにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位bzにおけるケイ素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。以上、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bについて説明したが、疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位bの含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~98molが好ましく、より好ましくは3~98mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位b’の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位bの含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~90molが好ましく、より好ましくは3~80mol、更に好ましくは5~70mol、最も好ましくは10~60molである。繰り返し単位bと共に用いられる、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~99molが好ましく、より好ましくは20~97mol、更に好ましくは30~95mol、最も好ましくは40~90molである。繰り返し単位bの含有率は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。疎水性樹脂は、更に、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基、又はフッ素で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、ケイ素原子を含む基等で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。疎水性樹脂は、更に、下記一般式BII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式BII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cと共に脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又はケイ素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。以下に一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。なお、RaがCF3である場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。疎水性樹脂は、樹脂Aと同様に、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、さらに好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。疎水性樹脂は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することもできる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、樹脂Aについて説明した内容と同様である。以下に疎水性樹脂の具体例を示す。また、後掲の表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。本発明のレジスト組成物は、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性樹脂を含有することにより、レジスト組成物から形成された膜の表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対する該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。本発明のレジスト組成物からなる塗膜をベークした後で且つ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3°C、湿度45±5において60°~90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於ける組成物膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能が求められている。疎水性樹脂は、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣スカム、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣スカム、BLO欠陥性能が改善される。疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、疎水性樹脂の分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~100質量であることが好ましく、30~100質量であることがより好ましい。疎水性樹脂がケイ素原子を有する場合、ケイ素原子の含有率は、疎水性樹脂の分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、ケイ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対し、10~90質量であることが好ましく、20~80質量であることがより好ましい。疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは2,000~50,000、更に好ましくは3,000~30,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPCキャリア:テトラヒドロフランTHFによって測定したポリスチレン換算分子量を示す。疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。レジスト組成物中の疎水性樹脂の含有率は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.01~20質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~15質量、更に好ましくは0.1~10質量であり、特に好ましくは0.5~8質量である。D溶剤本発明に係るレジスト組成物は、第1の溶剤と第2の溶剤とを含んだ混合溶剤であって、前記第1及び第2の溶剤の少なくとも一方は標準沸点が200°C以上である混合溶剤を含有している。このような構成を採用すると、疎水性樹脂の表面偏在性が向上し、レジスト膜の疎水性が向上する。それゆえ、このような構成を採用すると、ウォーターマーク欠陥を低減することが可能となる。上記混合溶剤に占める標準沸点が200°C以上である溶剤の含有量は、通常は1質量以上であり、好ましくは5質量以上であり、より好ましくは10質量以上である。また、この含有量は、100質量以下であり、好ましくは50質量以下であり、より好ましくは20質量以下である。このような範囲内とすることにより、ウォーターマーク欠陥を更に低減することが可能となる。標準沸点が200°C以上である溶剤は、下記一般式S1乃至S3の何れかにより表されることが好ましい。式中、R5乃至R11は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。R5及びR6、R7及びR8、並びに、R10及びR11の各々は、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式S1~S3におけるR5乃至R11はアルキル基であることが好ましく、R5及びR6、R7及びR8、並びに、R10及びR11の各々が互いに連結して環を形成していることがより好ましい。また、一般式S1~S3で表わされる構造を有する溶剤としては、一般式S1又はS2で表される溶剤がより好ましく、一般式S1で表される溶剤が最も好ましい。一般式S1~S3で表わされる構造を有する溶剤としては、例えば、γ-ブチロラクトン標準沸点:203°Cなどのラクトン構造を有する溶剤、エチレンカーボネート標準沸点:244°C、プロピレンカーボネート標準沸点:242°C、ブチレンカーボネート標準沸点:251°Cなどのアルキレンカーボネート構造を有する溶剤、N-メチルピロリドン標準沸点:203°Cなどが好ましい。これらのうち、ラクトン構造を有する溶剤及びアルキレンカーボネート構造を有する溶剤が更に好ましく、γ-ブチロラクトン、プロピレンカーボネートが特に好ましく、プロピレンカーボネートが最も好ましい。本発明の溶剤Dが含みうる標準沸点が200°C未満の溶剤としては、特に限定されないが、以下の水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤などが挙げられる。水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、シクロヘキサノンが最も好ましい。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤Dは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有することが好ましい。溶剤Dは、より好ましくは、標準沸点が200°C以上の溶剤と、水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを含む混合溶剤であり、更に好ましくは、標準沸点が200°C以上の溶剤と、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートと、アルキレングリコールモノアルキルエーテルとを含む混合溶剤である。本発明に係るレジスト組成物は、上記A~D以外の成分を更に含有していてもよい。例えば、本発明に係る組成物は、以下の各成分を更に含有していてもよい。<塩基性化合物>本発明の組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式A及びE中、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、または炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式A及びE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン-1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-フェニルジエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、さらに好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH2O-もしくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開20070224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C11~C33が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。塩基性化合物の含有率は、本発明の組成物の全固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の含有割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。<酸の作用により脱離する基を有し、該脱離により塩基性が増大する低分子化合物>本願発明の組成物は、酸の作用により脱離する基を有し、該脱離により塩基性が増大する低分子化合物以下において、低分子化合物Dともいう。を含有することが好ましい。酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物Dの分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が特に好ましい。化合物Dとしては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。化合物Dは、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式d-1で表すことができる。一般式d-1において、R’は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。R’は相互に結合して環を形成していても良い。R’として好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。低分子化合物Dは、上述の塩基性化合物と一般式d-1で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。低分子化合物Dは、下記一般式Aで表される構造を有するものであることが特に好ましい。なお、低分子化合物Dは、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。一般式Aにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシアルキル基を示す。但し、-Cにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1-アルコキシアルキル基又はアリール基である。少なくとも2つのRbが結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。一般式Aにおいて、RaおよびRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。前記Ra及び/又はRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい低分子化合物Dを具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Aで表される化合物は、例えば、特開2009199021号公報に記載されている方法により合成することができる。本発明において、D低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。本発明において、D低分子化合物の含有率は、上述した塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001~20質量、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と低分子化合物Dの組成物中の使用割合は、酸発生剤/低分子化合物D上記塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/低分子化合物D上記塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。<界面活性剤>本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子とケイ素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。本発明の組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、製、フロラードFC430、431、4430製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれるもしくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリオキシアルキレン基としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基などが挙げられ、また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体やポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートなどを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。界面活性剤の含有率は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量溶剤を除く全量に対して、好ましくは0~2質量、さらに好ましくは0~1.5質量、特に好ましくは0~1質量である。<カルボン酸オニウム塩>本発明の組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもよい。カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。アニオン部としては、炭素数1~30の直鎖、分岐、単環または多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2-ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。カルボン酸オニウム塩の組成物中の含有率は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1~20質量、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。<酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物>本発明の組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物以下、溶解阻止化合物ともいうを含有していてもよい。溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE2724355に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、樹脂Aについて説明したものと同様のものが挙げられる。なお、本発明の組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としてはフェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、さらに好ましくは2~6個含有するものである。溶解阻止化合物の添加量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対し、好ましくは3~50質量であり、より好ましくは5~40質量である。以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。<その他の添加剤>本発明の組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号公報、特開平2-28531号公報、米国特許第4,916,210号明細書、欧州特許第219294号明細書等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。<パターン形成方法>本発明の組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明の組成物中の全固形分濃度は、一般的には1~10質量、より好ましくは1~8.0質量、さらに好ましくは1.0~7.0質量である。本発明の組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。例えば、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、膜を形成する。当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1~200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV13nm、電子ビームが好ましい。膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1級アミン、2級アミン、3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理または、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。本発明に係る組成物を用いて形成した膜に対しては、液浸露光を行ってもよい。即ち、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体を満たした状態で、活性光線又は放射線の照射を行ってもよい。これにより、解像性を更に高めることが可能となる。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましい。特に、露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ及び取り扱いのし易さといった点から、水を用いるのが好ましい。また、更なる短波長化を図るべく、屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液であってもよく、有機溶剤であってもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加してもよい。その添加剤としては、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的には、メチルアルコール、エチルアルコール及びイソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。液浸液として用いる水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理がされていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を向上させるための添加剤を水に加えてもよく、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩の水溶液が用いられるが、無機アルカリ、1級アミン、2級アミン、3級アミン、アルコールアミン及び環状アミン等の他のアルカリ水溶液も使用可能である。アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び/又は界面活性剤を添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常は0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常は10.0~15.0である。リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。本発明の態様を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明の範囲は、以下の実施例に限定されるものではない。<樹脂A>合成例1下記表2の樹脂1の行に示すモノマー1、2及び3を、40/10/50の割合モル比で準備した。これらをシクロヘキサノンに溶解させて、固形分濃度15質量の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V-601を1mol加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100°Cに加熱したシクロヘキサノン50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール5Lに晶析させた。析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂1を回収した。NMRから求めたポリマー組成比は40/10/50であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は7800であり、分散度は1.62であった。他の樹脂2~9についても、同様の手法により合成した。下記表2に、樹脂Aの原料モノマー、繰り返し単位の組成比、重量平均分子量、及び分散度を纏める。<樹脂C>合成例2樹脂Cとして、下記1~14を準備した。以下、一例として、樹脂3の合成例を示す。まず、上記樹脂3の各繰り返し単位に対応したモノマーを、95/5の割合モル比で準備した。これらをPGMEAに溶解させて、固形分濃度15質量の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V-601を1mol加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100°Cに加熱したPGMEA50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール5Lに晶析させた。析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂3を回収した。NMRから求めたポリマー組成比は95/5であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は6200であり、分散度は1.55であった。他の樹脂1、2及び4~14についても、同様の手法により合成した。下記表3に、樹脂Cの繰り返し単位の組成比、重量平均分子量、及び分散度を纏める。<光酸発生剤>光酸発生剤として、以下の化合物を準備した。<溶剤>溶剤として、下記表4に示すものを準備した。これらのうち、SL-6~SL-9は、標準沸点が200°C以上である。<塩基性化合物>塩基性化合物として、以下のものを準備した。N-1:N,N-ジブチルアニリン;N-2:2,6-ジイソプロピルアニリン;N-3:トリ-n-オクチルアミン。<界面活性剤>界面活性剤として、以下のものを準備した。W-1:トロイゾルS-366トロイケミカル株製;W-2:PF6320OMNOVA社製;W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製。<レジスト組成物の調製>下記表5に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量の溶液を調製し、これを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過してポジ型レジスト組成物を調製した。なお、表5における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。<レジストパターンの形成>12インチシリコンウエハー上に、有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚が78nmの反射防止膜を形成した。その上に、調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、100°Cで60秒間、ホットプレート上で加熱及び乾燥を行った。このようにして、膜厚が100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーに対し、ArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20を用いて、45nm1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては、超純水を使用した。その後、110°Cで60秒間、ホットプレート上で加熱した。更に2.38質量濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて23°Cで60秒間現像し、40秒間純水にてリンスした後、乾燥して、レジストパターンを得た。<WMウォーターマーク欠陥性能の評価>最適露光量上記評価条件において、線幅45nmのラインアンドスペースパターンがちょうど解像する露光量にて解像した45nmラインアンドスペースパターンの観測において、KLAテンコール社製2360を用い、欠陥検査装置のピクセルサイズを0.16mに、また閾値を20に設定して、ランダムモードで測定し、比較イメージとピクセル単位の重ね合わせによって生じる差異から抽出される現像欠陥を検出した。その後、SEMVISIONG3APPLIEDMATERIALS社製により、現像欠陥の観察を行い、ウエハー上のWM欠陥数を測定した。ウエハー上に観察されたWM欠陥の数が0個を◎、1~4個を○、5~9個を△、10個以上を×で表す。この数が小さいほど、良好なWM欠陥性能であることを示す。<パターン形状の評価>最適露光量にて解像した45nmラインアンドスペースパターンの観測において、断面SEMS4800日立製により、レジストパターン形状の観察を実施した。レジストパターン形状が矩形に近いほど、形状が良好であることを表す。これらの測定結果を、下記表5に示す。表5に示した通り、本発明に係るレジスト組成物を用いることにより、WM欠陥が少なく且つ形状が良好なパターンを形成することができた。本発明の組成物を用いたパターン形成方法は、各種の半導体素子、記録媒体などの電子デバイスの製造におけるリソグラフィープロセスとして、好適に用いることができる。"