a金属酸化物粒子を含有するスラリーを塗布し、熱処理して多孔性電子伝達層electrontransportinglayerを形成する段階;b前記多孔性電子伝達層の金属酸化物粒子の表面に無機半導体を形成する段階;及び、c前記無機半導体が形成された多孔性電子伝達層に下記一般式1である有機光電物質organicphotovoltaicmaterialを含有する溶液を含浸して正孔伝達層holetransportinglayerを形成する段階;を含む太陽電池の製造方法。[一般式1]式中、R1及びR2は、互いに独立に水素またはC1~C12アルキル基から選択され、R1及びR2のうちいずれか一つは、C1~C12アルキル基であり、R1及びR2が同時に水素ではなく、nは2~10000である。b段階の無機半導体は、気孔による表面を含む多孔性電子伝達層の表面に接して形成されたナノ粒子である請求項1に記載の太陽電池の製造方法。a段階前、第1の電極の上部に金属酸化物薄膜を形成する段階;及び、c段階後、正孔伝達層の上部に第2の電極を形成する段階;をさらに含む請求項1に記載の太陽電池の製造方法。b段階は、化学浴析出法CBD;chemicalbathdepositionmethod;及び、連続イオン層吸着及び反応法SILAR;SuccessiveIonicLayerAdsorptionandReactionmethod;から一つ以上選択された方法により実行される請求項1に記載の太陽電池の製造方法。無機半導体は、気孔による表面を含む多孔性電子伝達層の表面を覆う膜を形成する請求項1に記載の太陽電池の製造方法。a段階の塗布は、金属酸化物粒子を含有したスラリーを用いて、スクリーンプリンティングscreenprinting;スピンコーティングSpincoating;バーコーティングBarcoating;グラビアコーティングGravurecoating;ブレードコーティングBladecoating;及び、ロールコーティングRollcoating;から一つ以上選択された方法により実行される請求項1に記載の太陽電池の製造方法。正孔伝達物質は、P3HTpoly3-hexylthiophene、P3ATpoly3-alkylthiophene、P3OTpoly3-octylthiophene、及びPEDOT:PSSPoly34-ethylenedioxythiophenepolystyrenesulfonateから一つ以上選択された物質である請求項1に記載の太陽電池の製造方法。c段階は、含浸により、有機光電物質で多孔性電子伝達層の気孔が充填され、前記塗布された有機光電物質と無機半導体が接する請求項1に記載の太陽電池の製造方法。無機半導体は、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、Bi2S3、Bi2Se3、InP、InCuS2、InCuGaSe2、Sb2S3、Sb2Se3、SnSx1≦x≦2、NiS、CoS、FeSy1≦y≦2、In2S3、MoS、MoSe、及びこれらの合金から一つ以上選択される請求項1に記載の太陽電池の製造方法。金属酸化物粒子は、TiO2、SnO2、ZnO、WO3、及びNb2O5から一つ以上選択される請求項1に記載の太陽電池の製造方法。無機半導体の平均粒子直径は、05nm乃至10nmである請求項1に記載の太陽電池の製造方法。多孔性電子伝達層の比表面積は、10乃至100m2gである請求項1に記載の太陽電池の製造方法。多孔性電子伝達層の厚さは、01乃至5μmである請求項1に記載の太陽電池の製造方法。a2金属酸化物粒子の金属元素を含有する金属前駆体溶解液に多孔性電子伝達層を含浸した後、含浸した前記多孔性電子伝達層を熱処理する段階;をb段階前にさらに含む請求項1~13のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。a段階の熱処理、及びa2段階の熱処理は、各々、空気中で200乃至550°Cで実行される請求項14に記載の太陽電池の製造方法。本発明の目的は、液体電解質と高価のルテニウム系色素の使用による色素増感型太陽電池の問題点、空気中で急激に効率が低下される有機太陽電池の問題点、及び高価の原料と装備を使用して製造される無機半導体薄膜型太陽電池の問題点を改善しつつ、固体型色素増感型太陽電池の長所、溶液で製造される無機半導体或いは量子ドットナノ粒子の長所、及び溶液工程が可能な有機太陽電池の長所を全て有する高効率且つ安定性が優れ、低価対応が可能な新規な構造の太陽電池を提供することであり、その製造方法を提供することである。より詳しくは、色素増感型太陽電池、有機太陽電池、及び半導体ベースの薄膜型無機太陽電池が結合され、高効率を有し、安定性が優れ、低価の原料及び緩和された工程条件で大量生産可能な新規な太陽電池を提供することであり、その製造方法を提供することである。以下、添付図面を参照して本発明の太陽電池及びその製造方法を詳細に説明する。次に、開示される図面は、当業者に本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として提供されるものである。従って、本発明は、以下に提示される図面に限定されず、他の形態に具体化されてもよく、以下に提示される図面は、本発明の思想を明確にするために誇張されて示すことができる。また、明細書の全体にわたって同じ参照番号は同じ構成要素を示す。この時、使われる技術用語及び科学用語において、他の定義がない限り、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有する者が通常的に理解している意味を有し、以下の説明及び添付図面で本発明の要旨を不明瞭にする公知機能及び構成に対する説明は省略する。本発明による太陽電池は、光アノード、太陽光を吸収して光電子-光正孔を生成する光吸収層sensitizer、正孔伝達層が全て固体である全固体型fullsolidstate太陽電池であるという特徴がある。また、本発明による太陽電池は、有機物と無機物が界面をなして結合したヘテロ接合構造を有する特徴がある。なお、本発明による太陽電池は、光感応物質が色素dyeでない無機半導体であるという特徴がある。さらに、本発明による太陽電池は、前記無機半導体と共に太陽光を吸収してエキシトンexcitonを生成する有機光電物質organicphotovoltaicmaterialが正孔伝達物質として使われる特徴がある。詳細に、本発明による太陽電池は、電子伝達物質electrontransportingmaterialとして金属酸化物を採択し、光吸収体sensitizerとして無機半導体を採択し、有機正孔伝達物質organicholetransportingmaterialとして下記一般式1の有機光電物質organicphotovoltaicmaterialを採択する特徴がある。[一般式1]式中、R1及びR2は、互いに独立に水素またはC1~C12アルキル基から選択され、R1及びR2のうちいずれか一つは、C1~C12アルキル基であり、R1及びR2が同時に水素ではなく、nは2~10000である。詳細に、本発明による太陽電池は、金属酸化物粒子を含む多孔性の無機電子伝達層electrontransportinglayer;無機半導体を含む光吸収体;及び、一般式1の有機光電物質を含む有機正孔伝達層organicholetransportinglayer;を含む。前記無機半導体は、前記電子伝達層と有機正孔伝達層との間に位置し、前記電子伝達層及び前記有機正孔伝達層の各々とヘテロ接合界面heterojunctioninterfaceをなして界面接触する特徴があり、前記有機正孔伝達層は、無機半導体型光吸収体で吸収されない太陽光を追加的に吸収してエキシトンexcitonを生成する能力と正孔伝達能力を有する。前記光吸収体である無機半導体は、太陽光を吸収して光電子-光正孔対を生成する無機半導体物質を意味し、バンドギャップbandgapが小さく、光吸収係数が高くて太陽光を効率的に吸収しつつ、電子伝達層と有機正孔伝達層との間に位置し、各要素成分間エネルギーバンドマッチングが優れ、光により生成されたエキシトンの効率的な分離及び伝達が可能な無機半導体であるのが好ましい。前記バンドギャップは、無機半導体物質が有する伝導帯conductionbandと価電子帯valencebandとの差を意味し、物質固有の特性に依存したバンドギャップまたは粒子の大きさが小さい場合、量子拘束効果Quantumconfinementeffectによりナノ粒子大きさによって物質固有の特性から変化されたバンドギャップを含む。前記無機半導体を含む前記光吸収体は、無機半導体の粒子、無機半導体粒子が不連続的に連結された膜形状である不連続層または無機半導体粒子が連続的に連結された膜形状である連続層を含む。前記無機半導体粒子は、量子拘束効果を有するナノ大きさの粒子量子ドットquantumdotを含むを意味し、平均粒子大きさが数nm乃至数十nmである粒子を意味し、好ましくは、平均粒子直径が05nm乃至10nmである粒子を含む。前記光吸収体が無機半導体粒子を含んで構成される場合、多数個の無機半導体粒子が均一に分布され、電子伝達層の金属酸化物に接して付着される。詳細に、前記光吸収体が無機半導体粒子を含んで構成される場合、前記無機半導体は、前記多孔性無機電子伝達層の気孔による表面を含む前記無機電子伝達層の表面に接して形成される。無機半導体が無機電子伝達層の表面に接する状態は、前記無機半導体が前記無機電子伝達層の無機半導体粒子に2次元の界面をなして付着された状態を含む。前記光吸収体が無機半導体粒子の不連続層discontinuouslayerを含んで構成される場合、前記不連続層を含んで構成される光吸収体は、無機半導体粒子が隣接無機半導体粒子と粒界をなして接しておらず、無機半導体粒子間互いに分離された状態を含む。また、前記不連続層を含んで構成される光吸収体は、無機半導体粒子が少なくても一つ以上の隣接無機半導体粒子と粒界をなして接しており、無機半導体粒子間に無機粒子を互いに分離させる気孔が均質に存在して全体的に無機半導体ナノ粒子からなる膜の形状を有するが、膜を貫通する気孔の存在する多孔構造を含む。前記光吸収体が無機半導体粒子の連続層continuouslayerを含んで構成される場合、前記連続層を含んで構成される光吸収体は、無機半導体粒子が全ての隣接無機半導体粒子と粒界をなして接しており、無機半導体粒子間で連続的に互いに連結された構造を有し、全体的に膜の形状を有する構造を意味する。この時、前記連続層continuouslayerは、気孔がない緻密な膜、粒界のトリプルポイントtriplepointに閉じられている気孔が存在する膜、または膜を厚さ方向に貫通する気孔が部分的に不均一に存在する膜を含む。前記無機半導体は、多孔性の電子伝達層の表面に接して備えられ、前記電子伝達層の表面は、多孔性電子伝達層の開いている気孔による表面を含む。前記無機半導体が開いている気孔による表面に備えられることは、前記無機半導体が多孔性電子伝達層の気孔内に前記金属酸化物粒子と接して備えられる状態を含む。前記無機半導体が前記電子伝達層の表面に備えられることによって、前記無機半導体は、前記電子伝達層の金属酸化物粒子と接するようになり、前記電子伝達層の気孔を充填するようになる有機正孔伝達物質とも接するようになる。前記有機正孔伝達層物質は、太陽光を吸収してエキシトンexcitonを生成し、正孔が移動される有機物を意味し、好ましくは、最高被占分子軌道HOMO;HighestOccupiedMolecularOrbitalエネルギー準位以下、HOMOレベルと最低空分子軌道LUMO;LowestUnoccupiedMolecularOrbitalエネルギー準位以下、LUMOレベルとの差が太陽光を吸収することができる大きさである05乃至35eVである有機物であり、より好ましくは、前記有機正孔伝達層物質は、下記一般式1の有機物である。[一般式1]式中、R1及びR2は、互いに独立に水素またはC1~C12アルキル基から選択され、R1及びR2のうちいずれか一つは、C1~C12アルキル基であり、R1及びR2が同時に水素ではなく、nは2~10000である。多孔性電子伝達層は、無機物である金属酸化物粒子または金属酸化物棒が開いている気孔を有しつつ、互いに接触した形態を意味する。前記電子伝達層の前記多孔性構造は、開いている気孔構造を必須的に含み、一部閉じられている気孔構造をさらに含むことができる。前記電子伝達層の気孔には無機半導体が位置するようになり、無機半導体が位置した電子伝達層の気孔は、前記正孔伝達物質で充填されるようになる。そのため、前記正孔伝達層は、前記電子伝達層の上部を覆い、電子伝達層の開いている気孔を充填した構造を有するようになる。前述したように、本発明による太陽電池は、電子伝達物質が金属酸化物を含む無機物で形成され、太陽光を吸収して光電子-光正孔対を生成する光吸収体が色素でない無機半導体で形成され、正孔伝達物質として無機半導体光吸収層が吸収されない太陽光を追加的に吸収して光電子-光正孔対のエキシトンexcitonを生成する一般式1の有機光電物質を含む有機物で正孔伝達物質が形成され、無機物の電子伝達層の上部に存在する無機半導体光吸収体と界面interphaseinterfaceをなし、無機半導体光吸収体で分離された正孔を伝達する能力と自体生成したエキシトンを界面で再び分離することができるカスケードcascade型エネルギーマッチングが形成されるという特徴がある。本発明による太陽電池は、色素増感型太陽電池の有機色素dyeの代わりに薄膜型無機太陽電池に使われる無機半導体型光吸収体を採択し、正孔伝導性物質として有機太陽電池の活性層を構成するp型有機半導体物質を採択し、各々の太陽電池が有する長所を結合した構造を考案して高効率を有し、取扱が容易で、熱的、光的、化学的、物理的に安定であり、低価の原料及び緩和された工程条件で大量生産可能であるという特徴がある。本発明による太陽電池は、光吸収体として無機半導体を採択し、有機正孔伝達物質organicholetransportingmaterialとして一般式1の有機光電物質organicphotovoltaicmaterialを採択することによって、前記無機半導体光吸収体及び前記正孔伝達物質正孔伝達層から互いに補完的に太陽光を吸収して光電子-光正孔対を生成する特徴がある。前記無機半導体で生成された光電子は、前記電子伝達層に分離及び移動し、前記有機光電物質で生成された光電子は、前記無機半導体及びまたは電子伝達層に分離及び移動する。前記一般式1の正孔伝達物質の太陽光吸収により生成されたエキシトンは、ヘテロ接合界面光吸収体の無機半導体と正孔伝達物質との間のヘテロ接合界面、及びまたは電子伝達層の金属酸化物と正孔伝達物質との間のヘテロ接合界面で分離され、光電子は光吸収体の無機半導体と金属酸化物粒子;または金属酸化物粒子;を介して素子外部に移動し、光正孔は自体の媒質正孔伝達物質を介して移動し、追加的な光電流生成が可能であるという特徴があるため、効率がさらに向上した特徴がある。特徴的に、前記無機半導体光吸収体で生成された光電子は、無機物の電子伝達層に移動し、前記無機半導体光吸収体で生成された光正孔は、前記有機光電物質を含有する正孔伝達層に移動し、光電子と光正孔が分離される特徴があり、前記有機光電物質で生成されたエキシトン有機光電物質で生成された光電子-光正孔が互いに分離される前状態をエキシトンと呼ぶは、前記無機半導体と前記有機光電物質正孔伝達層との間の界面で光電子-光正孔の分離が発生し、前記光電子は無機半導体光吸収体に移動し、前記光正孔は正孔伝達物質自体媒質を介して移動する特徴がある。詳細に、光吸収体無機半導体と正孔伝達層の各々で相互補完的に太陽光を吸収して光電子と光正孔対を生成し、前記光吸収体で生成された光電子-光正孔対は、前記電子伝達層と正孔伝達層により光電子-光正孔対の分離及び移動が発生し、前記正孔伝達層で生成された光電子-光正孔対は、前記光吸収体と正孔伝達層の界面で光電子-光正孔対が分離され、光電子は前記光吸収体を介して前記電子伝達層に移動し、光正孔は正孔伝達層を介して移動する。前記正孔伝達層正孔伝達物質が前記多孔性電子伝達層の開いている気孔を充填する構造を有することによって、前記正孔伝達層正孔伝達物質が光吸収体でない電子伝達層金属酸化物とも接するようになり、この時、前記正孔伝達層正孔伝達物質で生成された光電子-光正孔対は、前記正孔伝達層正孔伝達物質と前記正孔伝達層正孔伝達物質の界面で、光電子は電子伝達層に分離及び移動し、光正孔は正孔伝達層に移動する特徴がある。前記太陽電池は、光吸収体と正孔伝達層の各々で相互補完的に太陽光を吸収することによって、前記太陽電池は、前記光吸収体による第1の太陽光吸収スペクトルabsorptionspectraと共に前記正孔伝達層の有機光電物質による第2の太陽光吸収スペクトルabsorptionspectraを有する特徴がある。従って、本発明による太陽電池は、より広い波長帯域の太陽光を吸収する特徴があり、前記光吸収体で吸収されない太陽光が太陽電池の外部に損失されずに、前記正孔伝達層で吸収され、同じ光量でより多くの太陽光を吸収することができる特徴がある。また、前記光吸収体が量子拘束効果を有するナノ粒子からなる場合、ナノ粒子の物質、ナノ粒子の平均粒子の大きさ、及びナノ粒子の粒度分布によって広い波長帯域を有する太陽光のスペクトルを均等に吸収することができるという長所がある。太陽光が前記光吸収体及び正孔伝達物質の各々で相互補完的に吸収される本発明の構成で、一定光量の太陽光をより多く吸収し、より広い波長帯域を吸収し、波長別により等しく吸収するために。前記第1の太陽光吸収スペクトルで吸収ピークpeakの中心波長は350乃至650nmであり、前記第2の太陽光吸収スペクトルで吸収ピークpeakの中心波長は550乃至800nmであるのが好ましい。本発明による太陽電池は、互いに対向する第1の電極及び第2の電極をさらに含み、前記電子伝達層の下部図1の下部に第1の電極が備えられ、前記正孔伝達層の上部図1の上部に第2の電極が備えられることができる。前記第1の電極及び第2の電極がさらに備えられる場合、前記光吸収体で生成された光電子は、前記電子伝達層の伝導帯の拡散により前記第1の電極に移動し、前記光吸収体で生成された光正孔は、前記正孔伝達層を介して前記第2の電極に移動し、前記正孔伝達層で生成された光電子は、前記光吸収体及び前記電子伝達層を介して前記第1の電極に移動し、前記正孔伝達層で生成された光正孔は、前記自体媒質正孔伝達層を介して第2の電極に移動する。本発明による太陽電池は、前記第1の電極と前記電子伝達層との間に形成された金属酸化物薄膜をさらに含み、そのため、第1の電極-金属酸化物薄膜-電子伝達層が順次積層された構造を有するのが好ましい。前記金属酸化物薄膜は、前記電子伝達層の気孔を充填する正孔伝達物質と前記第1の電極が互いに接触することを防止し、前記電子伝達層を介して移動する電子の円滑な流れを誘導する。電子の円滑な流れ観点で、前記金属酸化物薄膜の金属酸化物は、前記電子伝達層金属酸化物粒子と同じ物質であるのが好ましい。前述したように、本発明による太陽電池は、色素増感型太陽電池で色素の代わりに無機半導体を光感応物質として採択し、正孔伝達物質として前記無機半導体と相互補完的に太陽光を吸収してエキシトンを生成する一般式1の有機感光物質を採択し、金属酸化物粒子で構成された開いている気孔を有する多孔性電子伝達層の表面及び開いている気孔の内部に前記無機半導体を前記金属酸化物粒子と接するように備え、前記有機感光物質が前記多孔性電子伝達層の気孔を充填するように形成され、よく規定されたwelldefinedパーコレイションpercolation構造を有し、人工太陽光エネルギーが100mWcm21sunの光量で変換効率energyconversionefficiency5以上であり、光量の変化に関係なく変換効率energyconversionefficiencyがほぼ一定であるという特徴がある。図1に示す好ましい一例に基づき、本発明による太陽電池の構造を説明する。図1aに示すように、本発明による太陽電池は、好ましくは、第1の電極10、前記第1の電極の上部に形成され、電子の移動経路を提供する多数個の金属酸化物粒子31を含んで構成された多孔性電子伝達層30、前記電子伝達層30の金属酸化物粒子31と接する無機半導体40を含む光吸収体、有機光電物質を含み、前記多孔性電子伝達層30の気孔を充填し、前記電子伝達層30の一面を覆う正孔伝達層50、及び前記第1の電極と対向するように前記正孔伝達層50の上部に形成される第2の電極60を含んで構成される。光電子の移動経路を提供する電子伝達層30は、多数個の金属酸化物粒子31を含んで構成されて開いている気孔を有する多孔性構造である。開いている気孔構造を有する多孔性電子伝達層30の気孔内部に金属酸化物粒子31と接して光吸収体40が備えられ、正孔伝達層50が多孔性電子伝達層30の空隙を充填する構造は、有機太陽電池のパーコレイションpercolation構造と同様に光を吸収することができる領域である光感応領域を極大化させ、多孔性電子伝達層30の開いている気孔を充填した正孔伝達物質で発生したエキシトンの分離効率を増加させる。光感応領域の極大化及び正孔伝達物質で生成されたエキシトンの分離効率極大化と共に金属酸化物粒子31を介して円滑に電子が移動されるために、前記無機電子伝達層の比表面積は、10乃至100m2gであるのが好ましい。前記比表面積は、電子が円滑に移動されて電子伝達層30を介した移動時の電子の消滅を抑制し、多量の光吸収体40が担持され、光感応領域を増加させ、正孔伝達物質で生成されたエキシトンが消滅される前に金属酸化物粒子31と正孔伝達物質50との界面または無機半導体40と正孔伝達物質50との界面で光電子と光正孔が円滑に分離される比表面積である。より詳しく、前記10乃至100m2gの比表面積は、前記多孔性電子伝達層30の開いている気孔が有機光電物質により充填され、無機半導体40と正孔伝達層50の両方で太陽光を吸収して光電子-光正孔対を生成することによって、前記無機半導体40で生成される光正孔の円滑な伝達、金属酸化物粒子31を介した光電子の円滑な伝達、太陽電池の太陽光吸収効率、及び前記開いている気孔に充填されている有機光電物質で発生する光正孔の円滑な伝達が行われる比表面積である。また、前記金属酸化物粒子31で構成された前記多孔性電子伝達層30の厚さは、高い光電効率、円滑な光電流の流れ側面で、01乃至5μmが好ましい。前記多孔性半導体層30の厚さが01μm未満である時は、多孔性電子伝達層30に形成される無機半導体40の量が減少するため素子の効率が減少し、厚さが5μmを超過する時は、無機半導体40及び正孔伝達層50で生成された光電流の移動距離が長くなるため素子の効率が減少するおそれがある。前記無機電子伝達層30は、TiO2、SnO2、ZnO、及びNb2O5から一つ以上選択された物質であり、高い電子移動度及び電子の消滅防止側面でTiO2であるのが好ましい。金属酸化物粒子31は、TiO2、SnO2、ZnO、WO3、及びNb2O5から一つ以上選択された粒子であり、高い電子移動度及び電子の消滅防止側面でTiO2粒子であるのが好ましい。光吸収体である無機半導体40は、前記多孔性電子伝達層30の表面または気孔内部に備えられ、前記金属酸化物粒子31と面接触して界面を形成する。前記金属酸化物粒子31と前記無機半導体40が面接触して異相粒界interphaseboundaryを形成することで、前記無機ナノ粒子30と無機電子伝達層30との間にはビルトインポテンシャルbuiltinpotentialが形成され、前記異相粒界を中心にビルトインポテンシャルによる電界が形成される特徴がある。前記電界により光電子-光正孔対の分離がより円滑且つ効果的に行われ、光電子-光正孔の再結合が防止されるため、素子の効率を増加させる。前記光吸収体は、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、Bi2S3、Bi2Se3、InP、InCuS2、InCuGaSe2、Sb2S3、Sb2Se3、SnSx1≦x≦2、NiS、CoS、FeSy1≦y≦2、In2S3、MoS、MoSe、及びこれらの合金から一つ以上選択された物質であるのが好ましく、より好ましくは、環境親和的であり、バンドギャップが相対的に狭くて太陽電池の吸収を多くすることができ、リソースとして豊富でコストが低廉なBi2S3、Bi2Se3、InP、InCuS2、InCuGaSe2、Sb2S3、Sb2Se3、SnSx1≦x≦2、NiS、CoS、FeSy1≦y≦2、In2S3、MoS、MoSe、及びこれらの合金から一つ以上選択された物質であるのが好ましい。この時、前述したように、前記光吸収体は、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、Bi2S3、Bi2Se3、InP、InCuS2、InCuGaSe2、Sb2S3、Sb2Se3、SnSx1≦x≦2、NiS、CoS、FeSy1≦y≦2、In2S3、MoS、MoSe、及びこれらの合金から一つ以上選択された物質であり、好ましくは、Bi2S3、Bi2Se3、InP、InCuS2、InCuGaSe2、Sb2S3、Sb2Se3、SnSx1≦x≦2、NiS、CoS、FeSy1≦y≦2、In2S3、MoS、MoSe、及びこれらの合金から一つ以上選択された物質であり、前記光吸収体は、互いに分離された多数個のナノ粒子、ナノ粒子の不連続層または連続層の構造を有する。前記正孔伝達層50は、前記多孔性電子伝達層30の気孔を充填し、前記電子伝達層30と前記第2の電極60が分離されるように前記多孔性電子伝達層30の前記第2の電極が備えられる方向の面を覆うように備えられる。前述したように、前記正孔伝達層正孔伝達物質50は、有機光電物質を含有し、前記有機光電物質は、共役高分子conjugatedpolymerであるという特徴があり、詳細に、HOMOレベルとLUMOレベルのエネルギー差が05eV乃至35eVであり、太陽光を吸収してエキシトンを生成する共役高分子であるという特徴がある。より詳細に、前記有機光電物質は、下記一般式1である特徴があり、P3HTpoly3-hexylthiophene、P3ATpoly3-alkylthiophene、P3OTpoly3-octylthiophene、及びPEDOT:PSSPoly34-ethylenedioxythiophenepolystyrenesulfonateから一つ以上選択された物質であるのが好ましい。[一般式1]式中、R1及びR2は、互いに独立に水素またはC1~C12アルキル基から選択され、R1及びR2のうちいずれか一つは、C1~C12アルキル基であり、R1及びR2が同時に水素ではなく、nは2~10000である。前記一般式1の有機光電物質は、無機半導体40及び金属酸化物の電子伝達層30を採択した本発明の太陽電池で、無機半導体40と補完的に太陽光を吸収して多量のエキシトンを生成し、正孔伝達物質で生成されたエキシトンの消滅を抑制し、正孔伝達物質及び無機半導体で生成された光正孔が円滑に移動し、移動時に正孔の消滅を防止する。第2の電極60は、金、銀、白金、パラジウム、銅、アルミニウム、及びこれらの複合物から一つ以上選択された物質であり、前記正孔伝達層50の上部に備えられる。この時、図面に示していないが、前記第2の電極60と前記正孔伝達層50との間に、第2の電極60と正孔伝達層50との間の結合力を向上させるポリチオフェン系有機光電物質を含有する接合層がさらに備えられることができる。図1bは、本発明による太陽電池の他の例を示すものであり、図1bに示すように、本発明による太陽電池は、金属酸化物薄膜20をさらに含み、前記金属酸化物薄膜20が前記電子伝達層30の下部に備えられる特徴がある。この時、前記金属酸化物薄膜20の物質は、前記電子伝達層30の金属酸化物粒子31と同じ物質であるのが好ましい。前記金属酸化物薄膜20は、開いている気孔構造を有する電子伝達層30で気孔を正孔伝達物質50が充填することによって、正孔伝達物質50と第1の電極10を分離させるためのものであり、前記正孔伝達層50が第1の電極10と接しないようにする役割を主に実行する。緻密構造の前記金属酸化物薄膜20は、前記電子伝達層30の金属酸化物粒子31と同じ物質であるのが好ましく、詳細に、TiO2、SnO2、ZnO、WO3、及びNb2O5から一つ以上選択された物質である。第1の電極10と電子伝達層30との間で電子の円滑な移動経路を提供し、正孔伝達層50の正孔が第1の電極10に移動することを防止するために、前記金属酸化物薄膜20の厚さは、30nm以上であるのが好ましく、実質的に50nm乃至100nmである。図2は、本発明による太陽電池の他の好ましい例を示すものであり、本発明による太陽電池は、透明基板70をさらに含み、前記第1の電極10で前記金属酸化物薄膜20と接する面の対向面または前記第2の電極60で前記正孔伝達物質50と接する面の対向面に前記透明基板70が備えられる。図2に示すように、前記透明基板70は、太陽光図2のsunlightが入射される側に備えられ、外部から素子を物理化学的に保護する役割を実行する。前記透明基板70が備えられる側の電極第1の電極または第2の電極は、透明電極であるのが好ましく、前記透明電極は、FTOFluorinedopedTinOxideまたはITOIndiumdopedTinOxideを含む。この時、図2に示すように、前記第1の電極10と前記第2の電極60が外部の負荷図2のLoadと連結され、光起電効果により太陽電池で生成された電圧がワークworkを実行することができることはもちろんである。図3は、本発明による太陽電池の他の好ましい例を示すものであり、本発明による太陽電池で前記光吸収体40′は、隣接する無機半導体粒子間で粒界をなし、物理的に互いに接触されて無機半導体粒子図3のNP間で連続的に連結された連続層continuouslayerの構造である場合を示す。前記光吸収体40′が無機半導体の連続層で構成された場合、太陽電池に担持される無機半導体光吸収体の担持量を極大化することができ、前記電子伝達層と前記光吸収体との間のビルトインポテンシャルが形成される異相粒界面積が極大化され、前記ビルトインポテンシャルの電界による光電子-光正孔の分離効率が増大され、分離された光電子と光正孔の再結合が効果的に防止される特徴がある。図3のように無機半導体の連続層に光吸収体40′が形成される場合、大部分の正孔伝達物質50は、無機半導体と異相粒界を形成し、そのため、前記正孔伝達層で生成された大部分の光電子は、前記無機半導体の連続層及び前記電子伝達層を介して前記第1の電極に移動するようになる。図4は、前述した本発明による太陽電池で金属酸化物粒子31を含んで構成される電子伝達層30、光吸収体である無機半導体40、有機光電物質を含んで構成される正孔伝達層50間のエネルギー準位を示す概念図である。図4に示すように、前記電子伝達層30のバンドギャップエネルギーは、前記無機半導体40のバンドギャップエネルギーより大きい特徴があり、前記無機半導体40と前記電子伝達層30の伝導帯conductionbandの電位差図4のelectrontransportinglayerとnanoparticleとの間のEcレベル差により、前記無機半導体40で生成された光電子は、前記電子伝達層30の金属酸化物粒子31の伝導帯conductionbandに注入injectionされる特徴がある。また、正孔伝導性を有する前記正孔伝達層50は、電子伝達層30に面接触して付着されている無機半導体40が電子伝達層30の伝導帯に光電子を注入し、残っている光正孔を効果的に伝導するために、無機半導体40の価電子帯図4のnanoparticleのEvレベルより高いHOMO電位を有して電位差図4のnanoparticleのEvレベルとHOMOレベルとの差により、前記無機半導体40で生成された光正孔は、自発的spontaneousに正孔伝達層50に移動する特徴がある。また、前記正孔伝達層の自体で太陽光を吸収して生成された光電子が自発的に前記無機半導体40に移動するために、前記正孔伝達層50は、前記無機半導体の伝導帯図4のnanoparticleのEcレベルより高いLUMO電位図4のLUMOレベルを有して電位差図4のnanoparticleのEcレベルとLUMOレベルとの差により、前記正孔伝達層50で生成された光電子は、自発的spontaneousに前記無機半導体40に移動する特徴がある。前記第1の電極10は、前記電子伝達層30の伝導帯図4のelectrontransportinglayerのEcレベルより低いフェルミレベルFermilevelを有するのが好ましく、前記第2の電極60は、前記正孔伝達層50のHOMO電位図4のHOMOレベルより高いフェルミレベルFermilevelを有するのが好ましい。図1乃至図3に基づいて詳述した金属酸化物、無機半導体、及び有機光電物質は、図4に基づいて詳述したエネルギーバンド関係を満たす物質であるのが好ましい。図1乃至図4に基づいて詳述した本発明による太陽電池の一例に、金属酸化物粒子としてTiO2粒子が採択され、無機半導体としてSb2S3が採択され、正孔伝達物質としてP3HTpoly3-hexylthiopheneが採択されるのが好ましい。この時、第1の電極としてFTOFluorinedopedTinOxide、SnO2:Fが採択され、第2の電極として金Auが採択されるのが好ましい。以下、本発明による太陽電池の製造方法を説明する。本発明による太陽電池の製造方法は、a金属酸化物粒子を含有するスラリーを塗布し、熱処理して多孔性電子伝達層electrontransportinglayerを形成する段階;b前記多孔性電子伝達層の金属酸化物粒子の表面に無機半導体を形成する段階;及び、c前記無機半導体が形成された多孔性電子伝達層に下記一般式1である有機光電物質organicphotovoltaicmaterialを含有する溶液を含浸して正孔伝達層holetransportinglayerを形成する段階;を含んで実行される特徴がある。図5に基づいて好ましい本発明の製造方法を説明する。好ましくは、本発明による太陽電池の製造方法は、第1の電極10または透明基板70に積層された第1の電極10の上部に金属酸化物粒子31を含有するスラリーを塗布した後、熱処理して多孔性電子伝達層electrontransportinglayer30を形成する段階電子伝達層形成段階、前記多孔性電子伝達層の勤続酸化物粒子の表面に太陽光を吸収して光電子-光正孔対を生成する無機半導体光吸収体40を形成する段階光吸収層形成段階、及び前記半導体光吸収体40が形成された多孔性電子伝達層30に太陽光を吸収してエキシトンexcitonを生成する正孔伝導性有機光電物質organicphotovoltaicmaterialが溶解された有機溶液を塗布して正孔伝達層holetransportinglayer50を形成する段階正孔伝達層形成段階を含んで実行され、好ましくは、前記正孔伝達層50の上部に第2の電極60を形成する段階対電極形成段階を含んで実行される特徴がある。より好ましくは、本発明による太陽電池の製造方法は、図5cの前記電子伝達層形成段階が実行される前、図5bのように金属酸化物の薄膜20を前記第1の電極10上に形成する段階薄膜形成段階がさらに実行される。前記薄膜形成段階は、通常の半導体工程で使われる化学的または物理的蒸着により実行されることができ、噴霧熱分解法SPM;spraypyrolysismethodにより実行されることができる。この時、前記金属酸化物薄膜20の金属酸化物は、前記電子伝達層30の金属酸化物粒子31と同じ物質であるのが好ましい。図5cの前記電子伝達層形成段階s10は、金属酸化物粒子を含有したスラリーを用いて、前記スラリーの塗布は、スクリーンプリンティングscreenprinting;スピンコーティングSpincoating;バーコーティングBarcoating;グラビアコーティングGravurecoating;ブレードコーティングBladecoating;及び、ロールコーティングRollcoating;から一つ以上選択された方法により実行されるのが好ましい。前記金属酸化物粒子は、TiO2、SnO2、ZnO、WO3、及びNb2O5から一つ以上選択されたのが好ましく、TiO2であるのがより好ましい。前記電子伝達層形成段階で塗布されたスラリーが乾燥された後、熱処理されて製造される前記電子伝達層の比表面積が10乃至100m2gになるように、前記スラリーの濃度、塗布時に印加される圧力、スラリーに含まれている金属酸化物粒子の平均大きさ、スラリーに含まれている金属酸化物粒子の粒度分布、熱処理温度、及び熱処理時間から選択された一つ以上の因子factorを調節するのが好ましい。前記電子伝達層の比表面積及び開いている気孔構造に大きく影響を及ぼす因子は、金属酸化物粒子の平均粒子大きさと電子伝達層を形成するために実行される熱処理温度であり、好ましくは、前記金属酸化物粒子の平均粒子大きさは、5乃至100nmであるのが好ましく、前記熱処理は、空気中で200乃至550°Cで実行されるのが好ましい。前記電子伝達層形成段階で塗布されたスラリーが乾燥された後、熱処理されて製造される前記電子伝達層の厚さが01乃至5μmになるように、前記スラリーの塗布厚さを調節するのが好ましい。前記電子伝達層の形成時、前記金属酸化物粒子の金属元素を含有する金属前駆体溶解液に多孔性電子伝達層を含浸する後処理段階がさらに実行されるのが好ましい。前記後処理段階の金属前駆体は、金属塩化物、金属フッ化物、金属ヨウ化物を含む金属ハライドであるのが好ましく、前記金属前駆体溶解液は、金属前駆体が10乃至40mMの低濃度に溶解された液であるのが好ましく、前記含浸が6乃至18時間実行された後、基板を分離回収するのが好ましい。前記後処理で金属酸化物粒子を含有するスラリーを塗布した後、熱処理により製造される多孔性電子伝達層を相当うすい金属前駆体溶解液に放置すると、時間増加に応じて常温でも加水分解により相当小さい金属酸化物粒子が多孔性電子伝達層に付着されて生成される。このような後処理により生成された相当微細な金属酸化物粒子後処理粒子は、欠陥defectが相対的に多くの多孔性電子伝達層の粒子と粒子との間等に存在するようになって、多孔性構造を有する電子伝達層の電子流れを良くし、消滅を防止して素子の効率を増加させ、また、電子伝達層の比表面積を増加させて光吸収体の付着量を増加させる。前記後処理段階で前記金属前駆体溶解液への含浸が実行された後、熱処理が実行されることができ、前記金属前駆体溶解液への含浸後に実行される熱処理は、空気中で200乃至550°Cで実行されるのが好ましい。より好ましくは、前記後処理以後に実行される熱処理は、前記電子伝達層の形成のための熱処理の延長であり、前記熱処理の延長は、電子伝達層の形成のための熱処理を中間で止め、金属前駆体溶解液に熱処理された電子伝達層を一定時間含浸した後に分離回収し、また、電子伝達層の形成のための熱処理を再開することを意味する。図5dの光吸収層形成段階は、コロイド状のナノ粒子分散液の塗布吸着による付着方法;噴霧熱分解法SPM;spraypyrolysismethod;化学浴析出法CBD;chemicalbathdepositionmethod;及び、連続イオン層吸着及び反応法SILAR;SuccessiveIonicLayerAdsorptionandReactionmethod;から一つ以上選択された方法により実行されることができるが、金属酸化物粒子と無機半導体との間の面接触を容易に形成し、多孔性の電子伝達層表面及び内部気孔に均一に分布する無機ナノ粒子を形成するために、化学浴析出法CBD;chemicalbathdepositionmethod及び連続イオン層吸着及び反応法SILAR;SuccessiveIonicLayerAdsorptionandReactionmethodから一つ以上選択された方法により実行されるのがより好ましい。前記無機半導体光吸収体は、互いに分離された多数個の粒子または気孔による表面を含む前記電子伝達層の表面を覆う膜形状に製造される特徴がある。好ましくは、前記無機半導体光吸収体は、前記電子伝達層をなす金属酸化物粒子の表面を覆う連続層または不連続層の膜形状である。無機半導体の膜を形成するために、前記b段階は、化学浴析出法CBD;chemicalbathdepositionmethod及び連続イオン層吸着及び反応法SILAR;SuccessiveIonicLayerAdsorptionandReactionmethodから一つ以上選択された方法により実行されるのが好ましく、均質且つ均一な厚さを有して緻密な連続層を形成するために化学浴析出法CBD;chemicalbathdepositionmethodを用いて実行されるのが好ましい。SILARの場合、無機半導体を構成する各元素の前駆体を前駆体別に溶解させて前駆体溶液を製造した後、多孔性電子伝達層が形成された溶解された第1の電極を前駆体溶液別に交代に浸漬した後、洗浄する工程を単位工程とし、前記単位工程の繰り返し回数を調節して各々が島island形態に金属酸化物粒子の表面に付着された無機半導体または金属酸化物粒子の表面に膜を形成する無機半導体を製造することができる。前駆体として、塩化物、ヨウ化物、フッ化物、窒化物、有機物または無機物が使われることができ、一例に、無機半導体がSb2S3である場合、Sbの前駆体としてSb2O3を酒石酸tartaricacidのようなキレート剤に溶かし、Sの前駆体としてNa2S2O3を主に使用する。CBDの場合、無機半導体を構成する各元素の前駆体を前駆体別に溶解させて前駆体溶液を製造した後、各前駆体溶液を混合して混合溶液を製造し、多孔性電子伝達層が形成された第1の電極を混合溶液に含浸させて前記光吸収体を製造する。この時、前記混合溶液の前駆体濃度または混合溶液への含浸時間を調節し、各々が島island形態に金属酸化物粒子の表面に付着された無機半導体または金属酸化物粒子の表面に膜を形成する無機半導体を製造することができる。前駆体として、塩化物、ヨウ化物、フッ化物、窒化物、有機物または無機物が使われることができ、一例に、無機半導体がSb2S3である場合、Sbの前駆体としてSbの塩化物を使用し、Sの前駆体として硫黄含有有機物または硫黄含有無機物を使用し、好ましくは、硫黄含有無機物としてNa2S2O3を使用し、前記CBDは10°C以下で実行されるのが好ましい。光吸収層形成段階で製造される前記無機半導体は、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、Bi2S3、Bi2Se3、InP、Sb2S3、Sb2Se3、SnSx1≦x≦2、NiS、CoS、FeSy1≦y≦2、In2S3、MoS、MoSe、及びこれらの合金から一つ以上選択されたのが好ましく、無機半導体が粒子として存在する場合、粒子の平均直径は05nm乃至10nmであるのが好ましく、無機半導体が不連続層または連続層に存在する場合、平均直径が05nm乃至10nmである粒子grainからなる05nm乃至20nm厚さの膜であるのが好ましい。正孔伝達層形成段階s30は、前記多孔性電子伝達層30に存在する空隙を充填し、多孔性電子伝達層30の上部を覆うように有機光電物質を含有する溶液を含浸する段階である。前記含浸は、スピンコーティングにより実行されるのが好ましい。前記電子伝達層30の最上部を基準に前記電子伝達層を覆った有機光電物質の厚さは、30nm乃至200nmであるのが好ましい。前記正孔伝導性の有機光電物質は、共役高分子conjugatedpolymerである特徴があり、下記一般式1であるのが好ましく、P3HTpoly3-hexylthiophene、P3ATpoly3-alkylthiophene、P3OTpoly3-octylthiophene、PEDOT:PSSPoly34-ethylenedioxythiophenepolystyrenesulfonate及びMEH-PPVpoly2-methoxy-5-2-ethy-hexyloxy-14-phenylenevinyleneから一つ以上選択された物質であるのがより好ましい。これは、太陽光を吸収して多量のエキシトンを生成し、正孔伝達物質で生成されたエキシトンの消滅を抑制し、正孔伝達物質及び無機ナノ粒子の生成された光正孔が円滑に移動し、移動時に正孔の消滅を防止するためである。[一般式1]式中、R1及びR2は、互いに独立に水素またはC1~C12アルキル基から選択され、R1及びR2のうちいずれか一つは、C1~C12アルキル基であり、R1及びR2が同時に水素ではなく、nは2~10000である。より好ましくは、本発明による太陽電池の製造方法は、含浸により前記正孔伝達層50を形成した後、第2の電極60と正孔伝達層50との間の結合力を向上させる接合層を形成する段階がさらに実行される。前記接合層は、ポリチオフェン系有機光電物質を含有する溶液の塗布により形成され、前記塗布は、スピンコーティングであるのが好ましい。前記第2の電極60は、物理的蒸着physicalvapordepositionまたは化学的蒸着chemicalvapordepositionを用いて実行されることができ、熱蒸着thermalevaporationにより製造されるのが好ましい。本発明は、太陽光の入力を受けて光電子と光正孔を生成する無機半導体量子ドットナノ粒子、不連続層、連続層を含む及び固体状の正孔伝達有機物を含んで構成される全固体状ナノ構造無機有機ヘテロ接合型太陽電池である特徴があり、無機半導体を用いて光電子と光正孔を生成し、光を吸収しないn型半導体を用いて光電子の自発的分離及び移動経路を提供し、正孔伝達有機物を用いて光電子の自発的分離及び移動経路を提供する知られた構造の固体状ナノ構造無機有機ヘテロ接合型太陽電池であり、さらに、正孔伝達有機物が無機ナノ粒子に吸収されない余分の太陽光を吸収するようにするヘテロ構造型太陽電池との融合構造を有する全固体状ナノ構造無機有機ヘテロ接合型太陽電池である特徴がある。詳細に、本発明による太陽電池は、全固体状の特徴により、取扱が容易で、シーリングsealingのような後続処理が不必要で、熱的、光的、化学的、物理的に安定であり、ルテニウム系色素のような高価の原料を使用せずに低価の原料及び緩和された工程条件で大量生産可能であるという特徴がある。詳細に、本発明による太陽電池は、人工太陽光エネルギーが100mWcm21sunの光量で変換効率energyconversionefficiency5以上であり、光量の変化に関係なく変換効率energyconversionefficiencyがほぼ一定であるという特徴がある。詳細に、本発明の太陽電池は、既存の色素増感型太陽電池及び有機太陽電池が有する短所を最小化し、より広い波長帯域の太陽光を吸収する特徴があり、無機ナノ粒子である光吸収体で吸収されない太陽光が太陽電池の外部に損失されずに正孔伝達層で吸収され、同じ光量でより多くの太陽光を吸収することができる特徴がある。以下、図1乃至図4を基に詳述した本発明の核心思想による一製造例に基づいて一層具体化して詳述するが、以下に提示される製造例は、本発明の優秀さを実験的に立証するための一例示であり、本発明が詳述する製造例により限定されるものではない。製造例1フッ素含有酸化錫第1の電極がコーティングされたガラス基板FTO;F-dopedSnO2、8ohmssq、Pilkington、以下、FTO基板というを25×25mm大きさに切断した後、図5と同様に端部をエッチングして部分的にFTOを除去した。切断及び部分エッチングされたFTO基板上に再結合防止膜として約50nm厚さの緻密な構造のTiO2薄膜を噴霧熱分解法で製造した。前記噴霧熱分解は、TAATitaniumacetylacetonate:EtOH1:9vv溶液を用いて実行され、450°Cに維持された熱板上に載せられたFTO基板上に3秒間噴霧し、10秒間停止する方法を繰り返す方法で厚さを調節した。平均粒子大きさ60nmのTiO2粉末TiO2基準に1重量が溶解されたtitaniumperocomplex水溶液を250°Cで12時間水熱処理して製造にエチルセルロースethylcelluloseが10重量でエチルアルコールに溶解されたエチルセルロース溶液をTiO21g当たり5ml添加し、テルピネオールterpineolをTiO21g当たり5g添加して混合した後、エチルアルコールを減圧蒸留法で除去してTiO2粉末ペーストを製造した。基板のTiO2薄膜上に、製造されたTiO2粉末ペーストを用いてスクリーンプリンティング方法でコーティングし、500°Cで30分間熱処理した後、20mMTiCl4水溶液に熱処理された基板を浸漬した後、約12時間放置した後、脱イオン水とエタノールで洗浄及び乾燥し、500°Cで30分間熱処理し、比表面積が50m2gであり、厚さが1μmである多孔性電子伝達層を製造した。25mLのアセトンにSbCl3Junsei065gを添加して溶解した第1の前駆体溶液と25mLのイオン交換水にNa2S2O3Aldrich395gを溶かした第2の前駆体溶液を混合して混合溶液を製造し、多孔性電子伝達層が形成された基板を製造された混合溶液に含浸させ、10°C以下の温度で1、2、3または4時間放置する化学浴析出法CBDでSb2S3光吸収体を形成した。形成されたSb2S3光吸収体は、Ar雰囲気で330°Cで30分間アニーリングannealingされた。図6は、化学浴析出法を3時間実行して形成された光吸収体の透過電子顕微鏡写真であり、多孔性電子伝達層をなす金属酸化物粒子の表面に図3と同様に連続的な膜をなして光吸収体が形成されることが分かる。光吸収体が形成された多孔性電子伝達層上に正孔伝導性有機感光物質であるP3HTpoly3-hexylthiophene、Aldrichをo-ジクロロベンゼンo-dichlorobenzeneに15mgmL濃度で溶かした溶液を900rpm10秒及び2500rpm50秒の条件で2段階にスピンコーティングし、多孔性電子伝達層の内部気孔をP3HTで充填し、多孔性電子伝達層の上部がP3HTで覆われるようにし、スピンコーティング後、90°Cで30分間熱処理を実行した。以後、正孔伝達層の上部に高真空5×10-6torr以下の熱蒸着器thermalevaporatorでAuを真空蒸着し、厚さが約70nmのAu電極第2の電極を形成した。製造例2フッ素含有酸化錫第1の電極がコーティングされたガラス基板FTO;F-dopedSnO2、8ohmssq、Pilkington、以下、FTO基板というを25×25mm大きさに切断した後、図5と同様に端部をエッチングして部分的にFTOを除去した。切断及び部分エッチングされたFTO基板上に再結合防止膜として約50nm厚さの緻密な構造のTiO2薄膜を噴霧熱分解法で製造した。前記噴霧熱分解は、TAATitaniumacetylacetonate:EtOH1:9vv溶液を用いて実行され、450°Cに維持された熱板上に載せられたFTO基板上に3秒間噴霧し、10秒間停止する方法を繰り返す方法で厚さを調節した。平均粒子大きさ60nmのTiO2粉末TiO2基準に1重量が溶解されたtitaniumperocomplex水溶液を250°Cで12時間水熱処理して製造にエチルセルロースethylcelluloseが10重量でエチルアルコールに溶解されたエチルセルロース溶液をTiO21g当たり5ml添加し、テルピネオールterpineolをTiO21g当たり5g添加して混合した後、エチルアルコールを減圧蒸留法で除去してTiO2粉末ペーストを製造した。基板のTiO2薄膜上に、製造されたTiO2粉末ペーストを用いてスクリーンプリンティング方法でコーティングし、500°Cで30分間熱処理した後、20mMTiCl4水溶液に熱処理された基板を浸漬した後、約12時間放置した後、脱イオン水とエタノールで洗浄及び乾燥し、再度500°Cで30分間熱処理し、比表面積が50m2gであり、厚さが1μmである多孔性電子伝達層を製造した。25mLのアセトンにSbCl3Junsei065gを添加して溶解した第1の前駆体溶液と25mLのイオン交換水にNa2S2O3Aldrich395gを溶かした第2の前駆体溶液を混合して混合溶液を製造し、多孔性電子伝達層が形成された基板を製造された混合溶液に含浸させ、10°C以下の温度で1、2、3または4時間放置する化学浴析出法CBDでSb2S3光吸収体を形成した。形成されたSb2S3光吸収体は、Ar雰囲気で330°Cで30分間アニーリングannealingされた。光吸収体が形成された多孔性電子伝達層上に正孔伝導性有機感光物質であるP3HTpoly3-hexylthiophene、Aldrichをo-ジクロロベンゼンo-dichlorobenzeneに15mgmL濃度で溶かした溶液を900rpm10秒及び2500rpm50秒の条件で2段階にスピンコーティングし、多孔性電子伝達層の内部気孔をP3HTで充填し、多孔性電子伝達層の上部がP3HTで覆われるようにし、スピンコーティング後、90°Cで30分間熱処理を実行した。以後、上記のP3HT層上に金属電極との接触を増加させるための方法として、PEDOT:PSSPoly34-ethylenedioxythiophenepolystyrenesulfonate溶液HCStark;BaytronPVPAI40831mLをMeOH2mLと混合して2000rpmで30秒間スピンコーティングした。以後、正孔伝達層の上部に高真空5×10-6torr以下の熱蒸着器thermalevaporatorでAuを真空蒸着し、厚さが約70nmのAu電極第2の電極を形成した。比較例製造例で化学浴析出法による光吸収体を形成しないことを除き、製造例と同様な方法で比較対象太陽電池を製造した。製造された太陽電池の電流-電圧特性を測定するために、人工太陽装置ORIELclassAsolarsimulator、Newport、model91195Aとソースメーターsourcemeter、Kethley、model2420を使用し、EQEexternalquantumefficiencyは、300WクセノンランプXenonlamp、Newport、分光器monochromator、Newportcornerstone260、及びマルチメーターmultimeter、Kethleymodel2002を使用して測定した。全ての測定値は、同様に製造された4個の素子を素子別に5回ずつ測定した後、これを平均した値を使用した。製造例1乃至製造例2で製造された太陽電池が類似する電流-電圧特性を有し、100mWcm2の光量で5以上の変換効率energyconversionefficiencyを有し、光量の大きさに関係なく変換効率energyconversionefficiencyが一定であることを確認した。製造例2のようにポリチオフェン系有機光電物質を含有する物質で接合層を形成した場合、電極第2の電極と正孔伝導層の結合力が向上されて素子の耐久性が増大された。製造例1乃至製造例2で製造された太陽電池が類似する光電特性を有することにより、以下、素子の物理的耐久性がより増大された製造例2で製造された太陽電池の光特性に基づいて本発明による太陽電池の光特性を説明する。図7は、前述した製造例でSb2S3光吸収体を形成させるための含浸時間1、2、3または4時間による本発明の太陽光素子以下、TiO2Sb2S3P3HT素子と比較例で製造された太陽光素子以下、TiO2P3HT素子のIPCEincidentphotontocurrentconversionefficiencyを測定図示したものである。図7で、1、2、3及び4時間Sb2S3光吸収体を形成させるために混合溶液に含浸された時間を意味する。図7から分かるように、TiO2P3HT素子図7のmp-TiO2P3HTAuのIPCEは、500nmで5以下に相当低いが、本発明の太陽光素子の場合、IPCEが相当急激に増加することが分かる。光感応体であるSb2S3が多孔性電子伝達層に付着される量が増加することでIPCE値も増加して3時間で一番大きいIPCEが現れることが分かる。しかし、4時間ではむしろIPCEが減少することが分かり、これは過度に生成されたSb2S3により正孔伝導性有機光電物質が多孔性である電子伝導層の気孔内への充填性の不十分insufficientporefillingと無機ナノ粒子の連続層の厚さがあまり厚くて、再結合recombinationにより消滅される光電流の増加のためであると類推される。製造されたTiO2Sb2S3P3HT素子CBD含浸時間3時間基準は、350nm~530nm範囲でIPCEが70以上であり、430nmではIPCEが76であることが分かり、電極での損失などを考慮すると、IQEinternalquantumefficiencyは95に達すると推定される。図8は、製造されたTiO2Sb2S3P3HT素子CBD含浸時間1~4時間の電流密度Jと電圧Vを測定図示したものであり、1sun100mWcm2の条件で測定されたものである。下記表1は、図8の測定結果を整理したものであり、Vocopencircuitvoltage、JSCshortcircuitcurrentdensity、FFfillfactor、及び総変換効率η、overallconversionefficiency、表1のEffの光電パラメーターphotovoltaicparameterを整理図示したものである。下記表1でTiO2P3HTは、比較例で製造された素子の結果を意味し、1、2、3及び4は、CBDを1、2、3及び4時間実行して製造されたTiO2Sb2S3P3HT素子を意味する。図8及び表1から分かるように、CBD含浸時間を3時間にして製造したTiO2Sb2S3P3HT素子の場合、1sun100mWcm2の条件で126mAcm2の相当大きい電流密度と556mVのVocを有し、全体光エネルギー変換効率Effが5以上であることが分かる。図9は、TiO2Sb2S3P3HT素子に対して光パワーを変更して測定図示した電流密度-電圧グラフであり、下記表2は、図9の測定結果を整理したものであり、照射される光量別に、Voc、JSC、FF、及び総変換効率effの光電パラメーターphotovoltaicparameterを整理図示したものである。図9及び表2から分かるように、照射される光量に関係なくエネルギー変換効率Effがほぼ類似することが分かり、本発明の太陽電池が安定した効率でよく駆動されていることが分かる。以上のように、本発明では特定された事項と限定された実施例及び図面により説明されたが、これは本発明のより全般的な理解のために提供されたものであり、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、このような記載から多様な修正及び変形が可能である。従って、本発明の思想は、説明された実施例に限定されて決まってはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等或いは等価的変形がある全ては本発明の思想の範疇に属する。