"圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、前記圧電体層は、膜厚が3μm以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。前記圧電体層は、SiO2をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載する液体噴射ヘッド。前記圧電体層は前記ペロブスカイト型化合物に対して0.5モル以上5モル以下のSiO2を含むことを特徴とする請求項2に記載する液体噴射ヘッド。請求項1~3のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子であって、前記圧電体層は、膜厚が3μm以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下であることを特徴とする圧電素子。しかしながら、環境問題の観点から、圧電材料の低鉛化が求められている。鉛を含有しない圧電材料としては、例えばABO3で示されるペロブスカイト構造を有するBiFeO3などがある。このようなBi及びFeを含有するBiFeO3系の圧電材料は、比誘電率が比較的低くそのため圧電特性歪み量が低いという問題がある。なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の装置に搭載されるアクチュエーター装置等の圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境に優しく且つ比誘電率が高い液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、前記圧電体層は、膜厚が3μm以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下であることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、膜厚が3μm以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下である圧電体層とすることにより、低鉛化、すなわち鉛含有量が低く且つ比誘電率が高い圧電体層を有する液体噴射ヘッドとなる。前記圧電体層は、SiO2をさらに含むことが好ましい。これによれば、低鉛化され、比誘電率が高く且つ絶縁性に優れた圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。また、前記圧電体層は、前記ペロブスカイト型化合物に対して0.5モル以上5モル以下のSiO2を含むことが好ましい。これによれば、確実に低鉛化され比誘電率が高く且つ絶縁性に優れた圧電体層を有する液体噴射ヘッドとなる。本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、低鉛化され比誘電率が高い圧電体層を有する液体噴射ヘッドを具備するため、環境に悪影響を与えず、吐出特性に優れた液体噴射装置となる。また、本発明の他の態様は、圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子であって、前記圧電体層は、膜厚が3μm以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下であることを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、膜厚が3μm以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下である圧電体層とすることにより、低鉛化され且つ比誘電率の高い圧電体層を有する圧電素子となる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びそのA-A′線断面図である。図1及び図2に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のリザーバー部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバーの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、窒化チタンアルミニウムTiAlN等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。本実施形態においては、密着層56としてTiAlNを用いたが、密着層56の材質は第1電極60とその下地の種類等により異なるが、例えば、チタン、ジルコニウム、アルミニウムを含む酸化物や窒化物や、SiO2、MgO、CeO2等とすることができる。なお、弾性膜50と密着層56との間に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が形成されていてもよい。さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜で110面に優先配向例えば60以上した圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。そして、本実施形態においては、圧電体層70は、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなるものである。なお、ペロブスカイト型化合物とは、ペロブスカイト構造を有する化合物である。このペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは、酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンを作っているものである。そして、AサイトにBiやBaが、BサイトにFe、MnやTiが位置している。また、圧電体層70は、上述したように110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下である。なお、X線回折広角法XRDによって圧電体層70を測定すると、100面、110面及び111面等に相当する回折強度のピークが発生する。そして、半値幅FWHMFullWidthatHalfMaximumとは、X線回折チャートで示される各結晶面に相当するピーク強度の半値での幅ピークの極値の半分の値を取る2点の回折角度差のことを言う。このように、圧電体層70を、膜厚が3μm以下であり、ペロブスカイト構造を有する鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、110面に優先配向し、且つ、この110面に由来するX線の回折ピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下であるものとすることにより、後述する実施例に示すように、鉛を含有せず且つ比誘電率が高い圧電体層70を有する圧電素子300となる。従って、圧電体層70の圧電特性が良好になり、例えば小さい電圧で振動板を大きく変位させることができる。また、圧電体層70は、SiO2をさらに含むことが好ましい。なお、このSiO2は、ペロブスカイト型化合物中のAサイトやBサイトを置換するのではなく、SiO2のまま、例えばチタン酸バリウム及び鉄酸マンガン酸ビスマスとで形成されるペロブスカイト型化合物例えばBi,BaFe,Mn,TiO3のグレインの界面に存在していると推測される。SiO2を含む圧電体層70とすることにより、後述する実施例に示すように、鉛を含有せず、比誘電率が高く、且つ絶縁性に優れた圧電素子300となる。絶縁性に優れる理由は、SiO2がペロブスカイト型化合物のグレイン界面に存在することにより、リークパスを抑えるためと推測される。また、圧電体層70に含有されるペロブスカイト型化合物は、ペロブスカイト型構造を有するその他の化合物、例えば、BiZn1/2Ti1/2O3、Bi1/2K1/2TiO3、Bi1/2Na1/2TiO3、Li,Na,KTa,NbO3を含有していてもよい。なお、ペロブスカイト型化合物の主成分である鉄酸マンガン酸ビスマスのFeとMnとの比は特に限定されないが、例えば、FeとMnの総モル量に対してMnが1モル超10モル未満となるようにすればよい。また、鉄酸マンガン酸ビスマス、チタン酸バリウム、必要に応じて含有させるSiO2の割合も特に限定されない。例えば、ペロブスカイト型化合物、具体的には、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウム等の総モル量に対して、鉄酸マンガン酸ビスマスは60モル超、好ましくは、70モル以上80モル以下とすればよい。したがって、チタン酸バリウム等のペロブスカイト型構造を有する化合物の割合は、ペロブスカイト型化合物中で40モル未満である。このようなペロブスカイト型化合物が例えば鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムからなる場合は、下記一般式1で表される。xBiFe1-a,MnaO3-yBaTiO310.60<x<1、0<y<0.40、好ましくは、0.70≦x≦0.80、0.20≦y≦0.30であり、xy=1、0.01<a<0.10である。また、圧電体層70がSiO2を含む場合のその含有量も特に制限はないが、例えば、ペロブスカイト型化合物に対して0.5モル以上5モル以下、好ましくは1.5モル以上2.5モル以下のSiO2を含む圧電材料からなる圧電体層70とすればよい。このような圧電素子300を流路形成基板10上に形成する方法は特に限定されないが、例えば、以下の方法で製造することができる。まず、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハーの表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を形成する。次いで、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、窒化チタンアルミニウム等からなる密着層56を形成する。次に、密着層56上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60をスパッタリング法等により全面に形成した後パターニングする。次いで、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属化合物を溶媒に溶解分散した溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、MODMetal-OrganicDecomposition法を用いて圧電体層70を形成できる。なお、圧電体層70の製造方法は、MOD法に限定されず、例えば、ゾル-ゲル法等の化学溶液法や、レーザアブレーション法、スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法などを用いてもよい。例えば、第1電極60上に、金属化合物、具体的には、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiを含有する金属化合物と、必要に応じて添加するSiO2とを、目的とする組成比になる割合で含むゾルやMOD溶液前駆体溶液を、スピンコート法などにより塗布して圧電体前駆体膜を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属化合物を、各金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物をアルコールなどの有機溶媒を用いて溶解または分散させたものである。Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属化合物としては、例えば、金属アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属化合物としては、例えば安息香酸ビスマス、オキシ酢酸ビスマス、オクチル酸ビスマス、オクタン酸ビスマス、くえん酸ビスマス、酢酸ビスマス、トリ-t-アミロキシビスマス、トリエトキシビスマス、トリスジピバロイルメタナトビスマス、トリフェニルビスマス、トリ-i-プロポキシドビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属化合物としては、例えばオクチル酸鉄、オクタン酸鉄、ぎ酸鉄、ステアリン酸鉄、トリエトキシ鉄、トリスアセチルアセトナト鉄、トリ-i-プロポキシ鉄などが挙げられる。Mnを含む金属化合物としては、例えばオクチル酸マンガン、オクタン酸マンガン、酢酸マンガン、マンガンアセチルアセトナトなどが挙げられる。Baを含む金属化合物としては、例えば安息香酸バリウム、オクタン酸バリウム、オクチル酸バリウム、オレイン酸バリウム、ぎ酸バリウム、くえん酸バリウム、酢酸バリウム、しゅう酸バリウム、酒石酸バリウム、ジエトキシバリウム、ジ-i-ブトキシバリウム、ジ-n-ブトキシバリウム、ジ-sec-ブトキシバリウム、ジ-t-ブトキシバリウム、ジ-i-プロポキシバリウム、ジ-n-プロポキシバリウム、ジメトキシバリウム、水酸化バリウム、チオシアン酸バリウム、ナフテン酸バリウム、乳酸バリウム、バリウムジピバロイルメタナート、バリウムジメトキシエトキシド、ビスアセチルアセトナトジアクアバリウム、ビスジピバロイルメタナトバリウム、プロピオン酸バリウム、ラウリン酸バリウムなどが挙げられる。Tiを含む金属化合物としては、例えばオクチル酸チタン、オクタン酸チタン、オレイン酸チタン、ジイソプロポキシビスジピバロイルメタナトチタン、テトラエトキシチタン、テトラキスジエチルアミノチタン、テトラキスジメチルアミノチタン、テトラ-n-ブトキシチタン、テトラ-i-ブトキシチタン、テトラ-sec-ブトキシチタン、テトラ-t-ブトキシチタン、テトラ-i-プロポキシチタン、テトラ-n-プロポキシチタン、テトラメトキシチタンなどが挙げられる。また、前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸等が挙げられる。ここで、前駆体溶液がオクチル酸鉄を含むものであることが好ましい。オクチル酸鉄を含むことにより、自然配向で、すなわち、磁場をかけて配向させる操作や圧電体層70の下地に配向を制御する層を設ける等の操作を行わずに、塗布等して圧電体前駆体膜を形成し加熱して結晶化させることで、110面に優先配向した圧電体層70を形成することができる。前駆体溶液をオクチル酸鉄を含むものとするためには、鉄の原料としてオクチル酸鉄を添加した前駆体溶液でもよく、また、鉄の原料としてオクチル酸鉄以外の金属化合物を用い、溶媒による配位子置換等により、塗布等する前駆体溶液が、オクチル酸鉄を含むものとなるようにしてもよい。なお、オクチル酸鉄を含まず、例えば、トリスアセチルアセトナト鉄等を含む前駆体溶液とした場合は、前駆体溶液を塗布等して圧電体前駆体膜を形成し加熱して結晶化させても、110面に優先配向した圧電体層70を形成することはできない。次いで、この圧電体前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。次に、圧電体前駆体膜を所定温度、例えば600°C~700°C程度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜を形成する焼成工程。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。なお、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返すことにより、複数層の圧電体膜からなる圧電体層を形成してもよい。このような圧電体層70を形成する際に、前駆体溶液のBi、Fe、Mn、Ba及びTiの各元素比を変更することにより、110面に由来するX線の回折ピークの半値幅の値を調整することができる。また、前駆体溶液のBi、Fe、Mn、Ba及びTiの各元素比を変更することや、溶媒や金属化合物を変更して各元素の配位子を調整することにより、圧電体層70の110面の配向の度合いを調整することができる。圧電体層70を形成した後は、圧電体層70上に、例えば、白金等の金属からなる第2電極80を積層し、圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして圧電素子300を形成する。その後、必要に応じて、600°C~700°Cの温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、シリコン基板の表面に熱酸化により膜厚400nmのSiO2膜を形成した。次に、SiO2膜上にRFスパッタ法により膜厚100nmのTiAlN膜を形成した。次に、TiAlN膜上にDCスパッタ法により膜厚100nmのIr膜及び膜厚30nmのIrO2膜を順に形成し、その上に蒸着法により111に配向したPt膜を形成し、第1電極60とした。次いで、第1電極上に圧電体層をスピンコート法により形成した。その手法は以下のとおりである。まず、Bi、Fe、Mn、Ba、Ti、Siの金属化合物、具体的には、オクチル酸ビスマス、オクチル酸鉄、オクチル酸マンガン、オクチル酸バリウム、オクチル酸チタン、SiO2、および溶媒としてオクタンを所定の割合で混合して、前駆体溶液を調製した。なお、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiのモル数の総量が0.25モル/Lの溶液とした。そしてこの前駆体溶液をTiAlN膜及び第1電極が形成された上記基板上に滴下し、1500回転/分で基板を回転させて圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。次に350°Cで3分間乾燥脱脂を行った乾燥及び脱脂工程。この塗布工程乾燥及び脱脂工程を3回繰り返した後に、RapidThermalAnnealingRTAで650°C、1分間焼成を行った焼成工程。この塗布工程乾燥及び脱脂工程を3回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を4回繰り返した後、RTAで650°C、10分間焼成を行うことで、計12回の塗布により全体で厚さ800nmの圧電体層70を形成した。その後、圧電体層70上に、第2電極80としてDCスパッタ法により膜厚100nmの白金膜を形成した後、RTAを用いて650°C、10分間焼成を行うことで、組成比が0.75BiFe0.95Mn0.05O3-0.25BaTiO3のペロブスカイト型化合物と、このペロブスカイト型化合物に対して2モルのSiO2とを有する圧電材料からなる圧電体層70とする圧電素子300を形成した。実施例2前駆体溶液にSiの化合物を添加せず、0.75BiFe0.95Mn0.05O3-0.25BaTiO3のペロブスカイト型化合物からなる圧電材料で構成された圧電体層70となるようにした以外は、実施例1と同様にして、圧電素子300を形成した。実施例3Bi、Fe、Mn、Ba、Tiの金属化合物の混合割合を変更して、0.80BiFe0.95Mn0.05O3-0.20BaTiO3のペロブスカイト型化合物からなる圧電材料で構成された圧電体層70となるようにした以外は、実施例2と同様にして、圧電素子300を形成した。実施例4Bi、Fe、Mn、Ba、Tiの金属化合物の混合割合を変更して、0.70BiFe0.95Mn0.05O3-0.30BaTiO3のペロブスカイト型化合物からなる圧電材料で構成された圧電体層70となるようにした以外は、実施例2と同様にして、圧電素子300を形成した。比較例1Bi、Fe、Mn、Ba、Ti、Siの金属化合物の混合割合を変更して、0.60BiFe0.95Mn0.05O3-0.40BaTiO3のペロブスカイト型化合物と、このペロブスカイト型化合物に対して2モルのSiO2とを有する圧電材料で構成された圧電体層70となるようにした以外は、実施例1と同様にして、圧電素子300を形成した。比較例2前駆体溶液にSiの化合物を添加せず、0.60BiFe0.95Mn0.05O3-0.40BaTiO3のペロブスカイト型化合物からなる圧電材料で構成された圧電体層70となるようにした以外は、比較例1と同様にして、圧電素子300を形成した。試験例1実施例1~4及び比較例1~2の各圧電素子300について、東陽テクニカ社製FCE-1Aで、φ=400μmの電極パターンを使用し、周波数1kHz、3V~60Vの三角波を印加して、P分極量-V電圧の関係を求めた。実施例1のヒステリシスを図3に、実施例2のヒステリシスを図4に、実施例3のヒステリシスを図5に、実施例4のヒステリシスを図6に、比較例1のヒステリシスを図7に、比較例2のヒステリシスを図8に示す。なお、図3~図8に示すように、実施例1~4及び比較例1~2の圧電体層は強誘電体であった。この結果、実施例1~4は、比較例1~2と比較して、分極量が大きかった。また、実施例1では51Vまで良好なヒステリシス曲線が得られた。したがって、実施例1は、絶縁性に優れていることが確認された。試験例2実施例1~4及び比較例1~2の圧電素子300の圧電体層70について、アジレント社製インピーダンスアナライザーHP4294Aを用い1kHz、振幅141mVの条件で25°C~300°Cにおける比誘電率εrを測定した。結果を図9に示す。図9に示すように、実施例1~4の圧電体層70は、比較例1~2と比べて比誘電率εrが顕著に高く、比誘電率εrが320以上であった。具体的には、25°Cでの比誘電率は、図9に示すように、実施例1は370、実施例2は355、実施例3は325、実施例4は415であるのに対し、比較例1は205、比較例2は140であった。試験例3実施例1~4及び比較例1~2の圧電素子について、BrukerAXS社製のD8Discoverを用い、X線源にCuKα線を使用し、室温で、圧電体層の粉末X線回折パターンをφ=ψ=0°で求めた。実施例1の結果を図10に、実施例2の結果を図11に、実施例3の結果を図12に、実施例4の結果を図13に、比較例1の結果を図14に、比較例2の結果を図15に示す。また、2次元検出画像の一例を、実施例1について図16に示す。その結果、全ての実施例1~4及び比較例1~2において、図10~図15に示すようにペロブスカイト型構造ABO3型構造を形成していた。また、圧電体層に由来するピークは、2θ=22.30~22.60°付近に観察される100面に由来するものと、2θ=31.80~32.00°付近に観察される110面に由来するものであった。そして、100面に由来するピーク及び110面に由来するピークの合計に対する110面に由来するピークの面積比で、110面に由来するピークの配向度を求めたところ、実施例1は64、実施例2は77、実施例3は68、実施例4は73で、実施例1~4はいずれも60以上であり、全て110面に優先配向した配向膜となっていた。なお、2θ=40°付近に観察される111面に由来するピークは圧電体層ではなく下地の白金膜に由来するものであり、ψ-2θ方向に関する図16の2次元検出画像を見ると、実施例1の圧電体層は111面のピークは極小さいと判断される。そして、2θ=31.80~32.00°付近に観察される110面に由来するピークの半値幅は、図10に示すように実施例1では0.28°、図11に示すように実施例2では0.24°、図12に示すように実施例3では0.26°、図13に示すように実施例4では0.24°、図14に示すように比較例1では0.44°、図15に示すように比較例2では0.52°であった。これら試験例の結果から、110面に由来するピークの半値幅が0.24°以上0.28°以下の範囲内である実施例1~4は、0.24°以上0.28°以下の範囲外である比較例1~2と比較して、顕著に比誘電率が高く、圧電特性が優れていることが分かる。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、密着層56上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、密着層56及びリード電極90上には、リザーバー100の少なくとも一部を構成するリザーバー部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このリザーバー部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバー100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、リザーバー部31のみをリザーバーとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、密着層56等にリザーバーと各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってリザーバー部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のリザーバー100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバー100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、リザーバー100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、圧電特性を良好にする等のために、Ni、Co、Cr、Sc、V等をさらに有する圧電材料からなる圧電体層としてもよい。また、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、Geなどの半導体基板、SrTiO3、InSnO3、ZnO、Al2O3、SiO2などの透明結晶基板、ガラス基板、ステンレス、Tiなどの金属基板、SOI基板等を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図17は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図17に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態1では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED電界放出ディスプレー等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、赤外センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、加速度センサー、ジャイロセンサー等の各種センサー等の圧電素子にも同様に適用することができる。また、本発明は強誘電体メモリー等の強誘電体素子や、マイクロ液体ポンプ、薄膜セラミックスコンデンサー、ゲート絶縁膜等にも同様に適応することが出来る。"