処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を備え、前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第1合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第2合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。前記工程は、少なくとも前記支燃性ガス供給管を介して前記支燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する第1工程と、前記第2合計量を前記第1工程よりも多くする第2工程と、前記第2合計量を前記第2工程よりも少なくする第3工程と、を有することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記第1工程及び前記第3工程において、前記第2合計量をゼロとすることを特徴とする請求項2記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記第1工程、前記第2工程及び前記第3工程において、前記第1合計量を一定とすることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記工程は、前記第1合計量及び前記第2合計量の双方をゼロよりも大きい値とする両ガス供給工程と、前記第1合計量をゼロよりも大きい値とし、前記第2合計量をゼロとする支燃性ガス供給工程と、を有し、前記両ガス供給工程と前記支燃性ガス供給工程とを交互に実施することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介する前記無反応ガスの第1の供給量及び前記可燃性ガス供給管を介する前記無反応ガスの第2の供給量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記第1の供給量及び前記第2の供給量の合計量は一定であり、前記工程は、前記第1の供給量を相対的に多くし、前記第2の供給量を相対的に少なくする第1の工程と、前記第1の供給量を相対的に少なくし、前記第2の供給量を相対的に多くする第2の工程と、を有し、前記第1の工程と前記第2の工程とを交互に実施することを特徴とする請求項6記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記無反応ガスは室温であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体製造装置のクリーニング方法。前記支燃性ガスはフッ素ガスであり、前記可燃性ガスは水素ガスであり、前記無反応ガスは窒素ガスであることを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体製造装置のクリーニング方法。処理チャンバーと、前記処理チャンバーの内部に支燃性ガス、並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給する支燃性ガス供給管と、前記処理チャンバーの内部に前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する可燃性ガス供給管と、を備え、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第1合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第2合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させることを特徴とする半導体製造装置。半導体製造装置の処理チャンバー内において、被処理物上に薄膜を形成する工程と、前記半導体製造装置をクリーニングする工程と、を備え、前記クリーニングする工程は、処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を有し、前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第1合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第2合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の目的は、クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。本発明の一態様によれば、処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を備え、前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第1合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第2合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法が提供される。本発明の一態様によれば、処理チャンバーと、前記処理チャンバーの内部に支燃性ガス、並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給する支燃性ガス供給管と、前記処理チャンバーの内部に前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する可燃性ガス供給管と、を備え、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第1合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第2合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させることを特徴とする半導体製造装置が提供される。本発明の一態様によれば、半導体製造装置の処理チャンバー内において、被処理物上に薄膜を形成する工程と、前記半導体製造装置をクリーニングする工程と、を備え、前記クリーニングする工程は、処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を有し、前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第1合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第2合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、クリーニングによる損傷を防止することができる半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を実現することができる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係る半導体製造装置を例示する模式図であり、図2は、図1に示す反応冷却手段を例示する断面図である。本実施形態に係る半導体製造装置は、LSILargeScaleIntegratedcircuit:大規模集積回路チップ等の半導体装置を製造する装置であり、例えば、LPCVD装置である。図1に示すように、本実施形態に係るLPCVD装置1においては、LPCVD法によってシリコンウェーハ等の被処理物上に薄膜を形成する処理チャンバー11が設けられている。また、処理チャンバー11内には、シリコンウェーハ等の被処理物図示せずを保持するウェーハボート12等の治具が設けられている。処理チャンバー11及びウェーハボート12等の治具は、石英により形成されている。LPCVD装置1においては、その使用に伴い、処理チャンバー11の内部、すなわち、処理チャンバー11の内壁及びウェーハボート12等の治具の表面に堆積膜が形成される。そこで、本実施形態においては、フッ化水素ガスHFをクリーニングガスとして使用し、この堆積膜を除去する。フッ化水素ガスHFは、水素ガスH2とフッ素ガスF2との燃焼反応によって生成される。なお、本明細書において、燃焼反応とは、発熱を伴う化学反応をいい、それぞれ1種以上の可燃性ガスと支燃性ガスとの結合によって引き起こされる。支燃性ガスは必ずしも酸素には限定されず、例えば、本実施形態においては、フッ素である。処理チャンバー11の外部には、反応室13が設けられている。反応室13と処理チャンバー11とは、HF供給管14によって連通されている。反応室13及びHF供給管14は、例えばアルミナAl2O3により形成されている。また、HF供給管14には弁14aが設けられている。反応室13には、水素ガス供給管15及びフッ素ガス供給管16が連通されている。水素ガス供給管15及びフッ素ガス供給管16は、それぞれ、反応室13内に水素ガスH2及びフッ素ガスF2を供給するものであり、例えばステンレス鋼により形成されている。また、水素ガス供給管15及びフッ素ガス供給管16には、それぞれ、弁15a及び16aが設けられている。また、処理チャンバー11には、他のフッ素ガス供給管17も連通されている。フッ素ガス供給管17は、フッ素ガスをF2を処理チャンバー11内に反応室13を介さずに直接供給するものであり、例えばステンレス鋼により形成されている。フッ素ガス供給管17には、弁17aが設けられている。更に、処理チャンバー11の外部には、排気ポンプ18が設けられており、処理チャンバー11と排気ポンプ18とは、排気管19によって連通されている。図1及び図2に示すように、反応室13の周囲には、冷却手段としての水冷装置21が設けられている。水冷装置21は、例えば金属からなる中空構造体であり、外壁が反応室13の外壁に接している。そして、この中空構造体内に冷却水が流通されることにより、水冷装置21は反応室13を冷却する。また、HF供給管14の外面には、加熱手段としてのジャケットヒーター22が巻き付けられている。ジャケットヒーター22は、シート状の保温材中に電熱線が設けられた電気ヒーターであり、通電されることにより発熱し、HF供給管14を加熱する。更に、HF供給管14の外面には、熱電対等の温度センサー23が取り付けられている。反応室13、HF供給管14、水冷装置21、ジャケットヒーター22及び温度センサー23により、反応冷却手段25が構成されている。次に、上述の如く構成された本実施形態に係る半導体製造装置の動作、すなわち、本実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法について説明する。弁14a、15a及び16aを開き、排気ポンプ18を作動させて処理チャンバー11内を排気しながら、水素ガス供給管15に水素ガスH2を例えば1slm標準リットル/分の流量で供給すると共に、フッ素ガス供給管16にフッ素ガスF2を例えば1slmの流量で供給する。一方、フッ素ガス供給管17を介して処理チャンバー11内にフッ素ガスF2を導入する。また、水冷装置21を作動させて、水冷装置21内に冷却水を流通させる。更に、温度センサー23を作動させる。これにより、反応室13内に水素ガス及びフッ素ガスが供給される。水素ガスは可燃性ガスでありフッ素ガスは支燃性ガスであるため、両ガスは反応してフッ化水素ガスHFが生成する。このフッ化水素ガスがクリーニングガスとなる。このとき、水素ガスとフッ素ガスが反応することにより反応熱が発生するが、この反応熱は反応室13を介して水冷装置21に伝達され、水冷装置21内を流れる冷却水によって排出される。すなわち、水冷装置21は反応室13を介してクリーニングガスを冷却する。そして、冷却されたクリーニングガスが、HF供給管14を介して処理チャンバー11内に導入される。HF供給管14から処理チャンバー11内に導入されたフッ化水素ガスHFは、フッ素ガス供給管17を介して処理チャンバー11内に導入されたフッ素ガスF2と混合される。そして、この混合ガスにより、処理チャンバー11の内壁及びウェーハボート12等の治具の表面がエッチングされ、堆積膜が除去される。これにより、処理チャンバー11内のクリーニングが行われる。このとき、水素ガス及びフッ素ガスは、処理チャンバー11の外部に配置された反応室13内で反応してフッ化水素ガスとなり、水冷装置21によって十分に冷却された後、処理チャンバー11内に導入される。このため、水素ガスとフッ素ガスが処理チャンバー11内で反応して局所的に高温になることはなく、処理チャンバー11及びウェーハボート12等の治具に損傷を与えることがない。また、温度センサー23によりHF供給管14内を流通するクリーニングガスの温度を測定する。そして、クリーニングガスの温度が下がりすぎた場合には、ジャケットヒーター22を作動させてクリーニングガスを加熱する。これにより、クリーニングガスの温度が一定温度、例えば、50°Cに保たれる。この結果、一定の条件下でのエッチングが可能となる。次に、本実施形態の効果について説明する。上述の如く、本実施形態によれば、処理チャンバー11の外部に配置された反応室13内で水素ガスとフッ素ガスを反応させてフッ化水素ガスを生成し、このフッ化水素ガスを水冷装置21によって十分に冷却してから処理チャンバー11内に導入している。このため、水素ガスとフッ素ガスとを処理チャンバー11内で反応させることにより、高温の炎が生じ、その熱によって処理チャンバー11及びウェーハボート12等が損傷を受けることがない。すなわち、クリーニングによる損傷を防止することができる。また、反応室13及びHF供給管14はアルミナにより形成されているため、耐熱性及び熱伝導性が優れており、フッ化水素ガス及び反応熱によって損傷を受けることがなく、且つ、クリーニングガスを効率的に冷却することができる。なお、反応室13及びHF供給管14の材料はアルミナには限定されず、耐熱性及び熱伝導性が優れた材料であればよい。更に、クリーニングガスを冷却する冷却手段を水冷装置21によって構成しているため、低コストで、調達及びメンテナンスが容易で、且つ冷却効率が高い冷却手段を実現することができる。更にまた、反応室13には水素ガス及びフッ素ガスが別々に供給されるため、水素ガス供給管15及びフッ素ガス供給管16をステンレス鋼により形成しても、これらの供給管がフッ化水素ガスによって腐食することがない。これにより、水素ガス供給管15及びフッ素ガス供給管16として、汎用のステンレス管を用いることができる。更にまた、本実施形態においては、ジャケットヒーター22を設けているため、クリーニングガスの温度が下がりすぎることがなく、堆積膜を適切な条件でエッチングすることができる。また、温度センサー23を設けているため、クリーニングガスの温度を正確に把握することができる。なお、ジャケットヒーター22が設けられていなくても、クリーニングガスは水素ガスとフッ素ガスとの反応により加熱され、水冷装置21によって冷却されるため、この加熱と冷却のバランスをとることによって、クリーニングガスの温度を一定に保つことは可能である。また、温度センサー23が設けられていなくても、例えば処理チャンバー11に設けられている温度センサー図示せずにより、クリーニングガスの温度を把握することは可能である。しかし、ジャケットヒーター22及び温度センサー23を設けることにより、より容易に且つ精度よくクリーニングガスの温度を制御することができる。次に、本実施形態の比較例について説明する。図3は、本比較例に係る半導体製造装置を例示する模式図である。図3に示すように、本比較例に係るLPCVD装置101においては、前述の第1の実施形態に係るLPCVD装置1図1参照と比較して、反応冷却手段25が設けられておらず、水素ガスH2及びフッ素ガスF2は、それぞれ水素供給管102及びフッ素供給管103を介して、処理チャンバー11内に直接供給されるようになっている。これにより、処理チャンバー11の内部で水素ガスとフッ素ガスが反応し、フッ化水素ガスHFが生成する。そして、このフッ化水素ガスHFとフッ素ガスF2との混合ガスを用いて、堆積膜をエッチングする。なお、図3においては、図を見易くするために、ウェーハボート12図1参照は示されていない。本比較例においては、処理チャンバー11内において水素ガスとフッ素ガスとが混触されるが、水素とフッ素は烈しく反応して反応熱を発生させるため、局所的に高温の炎が発生する。この炎は処理チャンバー11内に導入された水素ガスとフッ素ガスとがぶつかる位置で発生するため、常に同じ領域112で発生する。このため、この領域112において、石英からなる処理チャンバー11及びウェーハボート等の治具が反応熱によるダメージを受けてしまい、局所的な損傷113が発生する。これにより、頻繁に部材の交換を行う必要が生じる。また、損傷部分からダストが発生する。この結果、半導体装置の生産性が低くなる。これに対して、前述の第1の実施形態によれば、クリーニングによる処理チャンバー等への損傷を防止できるため、部材の交換頻度が低く、ダストの発生も少ない。このため、半導体装置を生産性よく製造することができる。次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図4は、本実施形態に係る半導体製造装置を例示する模式図であり、図5は、図4に示す三重管を例示する斜視図である。本実施形態に係る半導体製造装置も、LPCVD装置である。図4に示すように、本実施形態に係るLPCVD装置2においては、前述の第1の実施形態に係るLPCVD装置1図1及び図2参照と比較して、反応冷却手段25の代わりに、反応冷却手段として三重管31が設けられている。三重管31の端部は処理チャンバー11に連結されている。図4及び図5に示すように、三重管31においては、外側から順に、外筒32、中筒33及び内筒34が同軸状に設けられている。すなわち、中筒33は外筒32の内部に配置されており、内筒34は中筒33の内部に配置されている。外筒32、中筒33及び内筒34は、例えばアルミナにより形成されている。そして、外筒32の端部は処理チャンバー11に連結されており、外筒32の内部は処理チャンバー11の内部に連通されている。また、中筒33は処理チャンバー11から離隔した位置で終端しており、終端部は外筒32の内部に対して開口している。更に、内筒34も処理チャンバー11から離隔した位置で終端しており、終端部は外筒32の内部に対して開口している。例えば、中筒33及び内筒32は同じ位置で終端している。これにより、外筒32における処理チャンバー11側の部分の内部には中筒33及び内筒34が配置されておらず、1つの連続した空間35となっている。内筒34内には、水素ガスH2が供給される。また、内筒34と中筒33との間には、フッ素ガスF2が供給される。更に、中筒33と外筒32との間には、冷却ガスが供給される。冷却ガスは、可燃性ガス及び支燃性ガスと反応しないガスである。本実施形態においては、冷却ガスは水素ガスH2及びフッ素ガスF2と反応しないガスであり、例えば、窒素ガスN2である。また、冷却ガスの温度は室温以下とすることが好ましい。すなわち、冷却ガスは室温でもよく、室温よりも低い温度に冷却されていてもよいが、少なくとも積極的には加熱されていないことが好ましい。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。次に、本実施形態の動作及び効果について説明する。三重管31に、処理チャンバー11に連通されていない部分から、可燃性ガス、支燃性ガス及び冷却ガスを供給する。このとき、内筒34内に可燃性ガスである水素ガスH2を供給し、内筒34と中筒33との間に支燃性ガスであるフッ素ガスF2を供給し、中筒33と外筒32との間に冷却ガスである窒素ガスN2を供給する。これらのガスは、三重管31における中筒33及び内筒34が配置されている部分では相互に隔離して流通するが、空間35において混ざり合う。これにより、水素ガスとフッ素ガスとが反応し、フッ化水素ガスHFが生成される。このとき、反応熱が発生するが、温度が室温以下の窒素ガスによって冷却される。そして、フッ化水素ガスは、反応がほぼ完了し、十分に冷却された状態で、処理チャンバー11内に導入される。本実施形態においても、前述の第1の実施形態と同様に、処理チャンバー11の外部で水素ガスとフッ素ガスが反応してフッ化水素ガスが生成され、このフッ化水素ガスが冷却された後、処理チャンバー11内に導入されるため、反応熱によって処理チャンバー11等に損傷を与えることを防止できる。また、未反応の水素ガス及びフッ素ガスが処理チャンバー11内に導入されたとしても、これらのガスは窒素ガスによって希釈されているため、反応を抑制することができ、処理チャンバー11等に損傷を与えることを防止できる。本実施形態における上記以外の動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。なお、本実施形態においては、三重管31に対して、内側から順に水素ガス、フッ素ガス及び窒素ガスを供給する例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、内側からフッ素ガス、水素ガス及び窒素ガスの順で供給してもよい。また、冷却ガスは窒素ガスに限定されず、水素ガス及びフッ素ガスと反応しないガスであればよい。このとき、冷却ガスとして二酸化炭素CO2のような比熱が大きいガスを用いれば、冷却効率を向上させることができる。更に、三重管31の材料はアルミナには限定されず、耐熱性及び熱伝導性が優れた材料であればよい。次に、本実施形態の変形例について説明する。図6は、本変形例における三重管を例示する斜視図である。図6に示すように、本変形例においては、三重管31の外面に、水冷装置36、ジャケットヒーター37及び温度センサー38が取り付けられている。水冷装置36、ジャケットヒーター37及び温度センサー38の動作は、前述の第1の実施形態において説明したとおりである。これにより、本変形例によれば、クリーニングガスの温度をより容易に精度よく制御することができる。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第2の実施形態と同様である。次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図7は、本実施形態の半導体製造装置を例示する模式図であり、図8は、横軸に時間をとり、縦軸にガスの供給量をとって、本実施形態における各ガスの供給量の変化を例示するグラフ図である。なお、本明細書において供給量とは、単位時間当たりに処理チャンバー11内に導入されるガスの量である。図7に示すように、本実施形態において使用するLPCVD装置3は、前述の第1の実施形態に係るLPCVD装置1図1参照と比較して、反応冷却手段25が設けられていない。そして、水素/窒素供給管41及びフッ素/窒素供給管42が処理チャンバー11に直接連通されている。LPCVD装置3における上記以外の構成は、第1の実施形態に係るLPCVD装置1と同様である。次の、本実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法について説明する。図7に示すように、本実施形態においては、LPCVD装置3について、水素ガスH2と窒素ガスN2の混合ガス以下、H2/N2ガスというを水素/窒素供給管41を介して処理チャンバー11内に導入し、フッ素ガスF2と窒素ガスN2の混合ガス以下、F2/N2ガスというをフッ素/窒素供給管42を介して処理チャンバー11内に導入する。各ガスの温度は、例えば室温とする。また、各ガスは、処理チャンバー11内に導入される直前ではなく、処理チャンバー11から遠く離隔した位置で混合されている。例えば、水素ガス及びフッ素ガスを貯蔵しているボンベから出た直後の位置で、水素ガス及びフッ素ガスは窒素ガスと混合されている。そして、図8に示すように、フッ素/窒素供給管42を介して処理チャンバー11内に導入するF2/N2ガスの流量は一定としつつ、H2/N2ガスを断続的に供給する。これにより、処理チャンバー11内に可燃性ガスである水素ガスと支燃性ガスであるフッ素ガスの双方を供給する工程と、支燃性ガスであるフッ素ガスのみを供給する工程とを、交互に実施する。例えば、F2/N2ガスを連続的に供給しながら、H2/N2ガスを10秒間供給し、20秒間停止するサイクルを繰り返し実行する。本実施形態によれば、処理チャンバー11内にF2/N2ガスとH2/N2ガスの双方を供給しているときは、処理チャンバー11内でフッ素ガスF2と水素ガスH2との反応が生じ、フッ化水素ガスHFが生成されると共に、反応熱が発生する。これにより、生成したフッ化水素ガスHF及びフッ素ガスF2により処理チャンバー11及びウェーハボート12等に被着した堆積膜がエッチングされるが、同時に、反応熱によって処理チャンバー11及びウェーハボート12等が加熱される。また、H2/N2ガスの供給を停止し、処理チャンバー11内にF2/N2ガスのみを供給しているときは、フッ素ガスF2と水素ガスH2との反応はほとんど生じず、既に生成されているフッ化水素ガス及びフッ素ガスによってエッチングが進行する。また、このとき、反応熱は生じないため、処理チャンバー11及びウェーハボート12等は冷却される。このように、本実施形態によれば、処理チャンバー11及びウェーハボート12等が加熱されては冷却されるため、これらの温度が著しく上昇することがない。これに対して、水素ガスの合計の供給量は同じであっても、一定の流量で連続的に供給すると、処理チャンバー11内の同じ領域で反応熱が生成し続け、処理チャンバー11及びウェーハボート12等の同じ部分が加熱され続けるため、この部分は最終的には相当な高温に達し、損傷を受けてしまう。いわば、本実施形態においては、水素ガスとフッ素ガスとの反応による炎であって、大きな炎を断続的に形成しているため、小さな炎を継続的に形成する場合と比較して、局所的な加熱を防止することができる。このように、本実施形態によっても、処理チャンバー11及びウェーハボート12等のクリーニングによる損傷を抑制することができる。また、本実施形態においては、処理チャンバー11内に、可燃性ガスである水素ガス、支燃性ガスであるフッ素ガスの他に、冷却ガス及び希釈ガスとして窒素ガスを供給することにより、処理チャンバー11内の雰囲気を冷却しつつ、堆積膜をエッチングすることができる。これによっても、反応熱による損傷を抑えることができる。更に、水素ガス及びフッ素ガスを窒素ガスによって希釈することによっても、局所的なエッチングを抑制することができる。更にまた、処理チャンバー11から遠い位置で水素ガス及びフッ素ガスを窒素ガスと混合させることにより、混合効果を高めることができる。次に、本発明の第4の実施形態について説明する。図9は、横軸に時間をとり、縦軸にガスの供給量をとって、本実施形態における各ガスの供給量の変化を例示するグラフ図である。本実施形態において使用するLPCVD装置は、前述の第3の実施形態において使用したLPCVD装置3図7参照と同様である。以下、本実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法について説明する。図7に示すように、本実施形態においても、前述の第3の実施形態と同様に、LPCVD装置3において、H2/N2ガスを水素/窒素供給管41を介して処理チャンバー11内に導入し、F2/N2ガスをフッ素/窒素供給管42を介して処理チャンバー11内に導入する。このとき、図9に示すように、水素ガス及びフッ素ガスの供給量は一定としつつ、水素ガスを希釈する窒素ガス、すなわち、水素/窒素供給管41を介して供給される窒素ガスの供給量以下、第1の供給量というと、フッ素ガスを希釈する窒素ガス、すなわち、フッ素/窒素供給管42を介して供給される窒素ガスの供給量以下、第2の供給量というを、それぞれ経時的に変化させる。具体的には、第1の供給量及び第2の供給量の合計量を一定としつつ、第1の供給量と第2の供給量とを相補的に変化させる。すなわち、第1の供給量を相対的に多くし、第2の供給量を相対的に少なくする工程と、第1の供給量を相対的に少なくし、第2の供給量を相対的に多くする工程とを、交互に実施する。本実施形態によれば、H2ガス希釈用のN2ガスの供給量第1の供給量とF2ガス希釈用のN2ガスの供給量第2の供給量とを相補的に変化させているため、処理チャンバー11内において、水素ガスとフッ素ガスとが衝突し反応する領域が経時的に変化し、従って、反応熱が発生する領域も経時的に変化する。この結果、処理チャンバー11内の温度分布が均一化され、同じ部分が継続的に加熱されることがなくなり、処理チャンバー11及びウェーハボート12等の治具における局所的な損傷を防止することができる。すなわち、本実施形態においては、炎の位置を経時的に移動させることにより、特定の部分が集中的に加熱されることを防止できる。また、本実施形態においても、前述の第3の実施形態と同様に、窒素ガスを導入することによる冷却効果を得ることができる。このように、本実施形態によっても、処理チャンバー11及びウェーハボート12等のクリーニングによる損傷を抑制することができる。更に、本実施形態によれば、水素ガス及びフッ素ガスの供給量は一定とし、窒素ガスの合計の供給量、すなわち、上述の第1の供給量と第2の供給量の合計量も一定としているため、反応の総量を一定とすることができる。これにより、安定したエッチングが可能となる。更にまた、本実施形態においても、前述の第3の実施形態と同様に、反応に関与する実ガスである水素ガス及びフッ素ガスを、反応に関与しない窒素ガスによって希釈することにより、処理チャンバー11内における局所的なエッチングを抑制することができる。なお、水素ガスと窒素ガスの混合、及びフッ素ガスと窒素ガスの混合は、処理チャンバー11から遠く離れた場所で行うことが好ましい。これにより、混合の効果をより高めることができる。次に、第4の実施形態の第1の変形例について説明する。図10は、横軸に時間をとり、縦軸にガスの供給量をとって、本変形例における各ガスの供給量の変化を例示するグラフ図である。図10に示すように、本変形例において、水素ガスを希釈する窒素ガスの供給量第1の供給量と、フッ素ガスを希釈する窒素ガスの供給量第2の供給量とを、合計量は一定としつつ相補的に変化させる点は、前述の第4の実施形態と同じである。但し、本変形例においては、第1及び第2の供給量に、それぞれ多段階の値をとらせている。本変形例によれば、処理チャンバー11内において、水素ガスとフッ素ガスとの反応位置を3ヶ所以上の位置間で変化させることができ、処理チャンバー11内の温度をより効果的に均一化することができる。この結果、処理チャンバー11及びウェーハボート12等の治具における局所的な損傷をより効果的に防止することができる。本変形例における上記以外のクリーニング方法及びその効果は、前述の第4の実施形態と同様である。次に、第4の実施形態の第2の変形例について説明する。図11は、横軸に時間をとり、縦軸にガスの供給量をとって、本変形例における各ガスの供給量の変化を例示するグラフ図である。図11に示すように、本変形例においても、第1の供給量と第2の供給量との合計量は一定としつつ、これらを相補的に変化させる点は、前述の第4の実施形態と同じである。但し、本変形例においては、第1及び第2の供給量を、それぞれ段階的に変化させている。すなわち、第1の供給量を最小値とし、第2の供給量を最大値とした状態から、第1の供給量を段階的に増加させていくと共に、第2の供給量を段階的に減少させていく。そして、第1の供給量を最大値とし、第2の供給量を最小値とする。その後、第1の供給量を段階的に減少させていくと共に、第2の供給量を段階的に増加させていき、第1の供給量を最小値とし、第2の供給量を最大値とする。このサイクルを繰り返す。本変形例においては、処理チャンバー11内において、水素ガスとフッ素ガスとの反応位置を段階的に変化させることができる。これにより、処理チャンバー11内の温度をより均一化し、処理チャンバー11等における局所的な損傷をより効果的に防止することができる。本変形例における上記以外のクリーニング方法及びその効果は、前述の第4の実施形態と同様である。なお、上述の第4の実施形態並びにその第1及び第2の変形例においては、第1の供給量と第2の供給量の合計量を一定とする例を示したが、これには限定されず、合計量を変化させてもよい。この場合、第1の供給量及び第2の供給量のうち一方のみを変化させてもよい。また、上述の第4の実施形態並びにその第1及び第2の変形例においては、第1及び第2の供給量をステップ状に変化させる例を示したが、第1及び第2の供給量は連続的に変化させてもよい。次に、本発明の第5の実施形態について説明する。図12は、本実施形態に係る半導体製造装置を例示する平面図であり、図13は、横軸に時間をとり、縦軸にガスの供給量をとって、本実施形態に係るクリーニング方法を例示するグラフ図である。本実施形態に係る半導体製造装置も、LPCVD装置である。図12に示すように、本実施形態に係るLPCVD装置5においては、前述の第3の実施形態におけるLPCVD装置3図7参照と比較して、水素ガスH2と窒素ガスN2の混合ガスH2/N2ガスを処理チャンバー11内に導入する水素/窒素供給管が複数本設けられており、処理チャンバー11における相互に異なる位置に連結されている。例えば、図12に示す例では、3本の水素/窒素供給管41a、41b、41cが設けられており、同一水平面上において、フッ素/窒素供給管42側からこの順に配置されている。なお、図12においては、図示の便宜上、処理チャンバー11、水素/窒素供給管41a、41b、41c、フッ素/窒素供給管42以外の構成要素は、図示を省略されている。次に、上述の如く構成された本実施形態に係るLPCVD装置の動作、すなわち、本実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法について説明する。図12及び図13に示すように、本実施形態においては、3本の水素/窒素供給管41a、41b、41cのうち、H2/N2ガスを流通させる供給管を経時的に変化させる。例えば、処理チャンバー11の内部に対して、先ず、水素/窒素供給管41aを介してH2/N2ガスを供給し、次に、水素/窒素供給管41bを介してH2/N2ガスを供給し、次に、水素/窒素供給管41cを介してH2/N2ガスを供給する。以後、このサイクルを繰り返す。一方、F2/N2ガスは、同一のフッ素/窒素供給管42を介して処理チャンバー11内に供給する。このように、H2/N2ガスを流通させる水素/窒素供給管を経時的に切替えることにより、処理チャンバー11内において、H2/N2ガスとF2/N2ガスとが衝突し水素ガスとフッ素ガスとが反応する位置が、経時的に変化する。例えば、図12に示す例では、水素/窒素供給管41aを使用しているときには、水素ガスとフッ素ガスとは主として領域Raにおいて反応し、水素/窒素供給管41bを使用しているときには主として領域Rbにおいて反応し、水素/窒素供給管41cを使用しているときには主として領域Rcにおいて反応する。これにより、いわば炎の位置が経時的に移動することになるため、処理チャンバー11内の温度分布が均一化される。この結果、処理チャンバー11及びウェーハボート12等の治具における特定の部分が集中的に加熱されることがなくなり、局所的な損傷を抑えることができる。このように、本実施形態によっても、処理チャンバー11及びウェーハボート12等のクリーニングによる損傷を抑制することができる。また、本実施形態においても、前述の第3及び第4の実施形態と同様に、水素ガス及びフッ素ガスを窒素ガスによって希釈することにより、処理チャンバー11内における局所的なエッチングを抑制することができる。この場合、ガスの混合は処理チャンバー11から離隔した場所で行うことが好ましい。これにより、混合の効果をより高めることができる。なお、本実施形態においては、フッ素/窒素供給管42を1本だけ設け、水素/窒素供給管を複数本設ける例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、水素/窒素供給管を1本だけ設け、フッ素/窒素供給管を複数本設けてもよく、又は、水素/窒素供給管及びフッ素/窒素供給管の双方を複数本設けてもよい。また、本実施形態においては、複数本の水素/窒素供給管を1本ずつ使用する例を示したが、本発明はこれに限定されず、任意のタイミングにおいて、複数本の水素/窒素供給管を組み合わせて使用してもよい。例えば、第1の期間に水素/窒素供給管41aを使用し、第2の期間に水素/窒素供給管41bを使用し、第3の期間に水素/窒素供給管41cを使用し、第4の期間に水素/窒素供給管41a及び41bを使用し、第5の期間に水素/窒素供給管41b及び41cを使用し、第6の期間に水素/窒素供給管41c及び41aを使用し、第7の期間に水素/窒素供給管41a、41b、41cを使用してもよい。これにより、処理チャンバー11内における反応位置をより複雑に変化させることができ、処理チャンバー11内の温度分布をより効果的に均一化することができる。更に、本実施形態においては、処理チャンバー11内に水素ガスと窒素ガスの混合ガスH2/N2ガス及びフッ素ガスと窒素ガスの混合ガスF2/N2ガスを導入する例を示したが、窒素ガスの代わりに水素ガス及びフッ素ガスと反応しない他の希釈ガスを用いてもよく、希釈ガスを用いなくてもよい。以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。例えば、前述の第1の実施形態においても、前述の第2の実施形態のように、冷却ガスとして窒素ガスを導入してもよい。また、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、前述の各実施形態においては、半導体製造装置としてLPCVD装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、半導体装置を製造する半導体製造装置であって、使用に伴って堆積膜が形成される装置であれば、適用可能である。例えば、本発明は各種の成膜装置及びエッチング装置等の加工装置に好適に適用可能である。この場合は、処理チャンバーとは、内部にシリコンウェーハ等の被処理物を収納し、内部の雰囲気を制御しつつ、この被処理物に対して成膜又は加工等の何らかの処理を施す装置である。また、前述の各実施形態においては、可燃性ガスとして水素ガスH2を用い、支燃性ガスとしてフッ素ガスF2を用いる例を示したが、本発明はこれに限定されず、発熱反応によってクリーニングガスを生成する2種以上のガスであれば、可燃性ガス及び支燃性ガスとして使用可能である。更に、前述の各実施形態においては、冷却手段として水冷装置又は窒素ガスN2等の冷却ガスを用いる例を示したが、本発明はこれに限定されず、他の冷却手段を用いてもよい。例えば、第1の実施形態における反応室13を強制空冷してもよい。