窒化物半導体レーザ装置であって、熱膨張係数の異方性を示す主面を有する搭載部材と、レーザ構造体及び電極を含むIII族窒化物半導体レーザ素子と、を備え、前記レーザ構造体は、III族窒化物半導体からなる半導体積層及び該半導体積層を搭載する基板を含み、前記半導体積層におけるc軸は前記基板の主面に対する法線軸に対して傾斜しており、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記法線軸に直交する第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記法線軸に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の方向は前記第2の方向に直交し、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数が前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きい熱膨張係数の異方性を有し、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記搭載部材の前記熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて前記搭載部材の前記主面上に搭載されており、前記半導体積層は、第1導電型III族窒化物半導体領域、発光層及び第2導電型III族窒化物半導体領域を含み、前記第1導電型III族窒化物半導体領域、前記発光層及び前記第2導電型III族窒化物半導体領域は、前記法線軸の方向に順に配列されており、前記電極は前記第2導電型III族窒化物半導体領域の主面に接触を成し、前記搭載部材は、前記第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の熱膨張係数は前記第1の熱膨張係数と異なる、窒化物半導体レーザ装置。前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記半導体積層は前記基板と前記搭載部材との間に設けられる、請求項1に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記c軸は前記半導体積層のm軸及びa軸のいずれかの方向に傾斜しており、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、光共振器のための第1及び第2の端面を有し、前記半導体積層は、前記c軸と前記m軸又は前記a軸とによって規定される平面に沿って前記第1及び第2の端面の一方から他方への導波路軸の方向に延在する、請求項1又は請求項2に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記III族窒化物半導体レーザ素子の発光のピーク波長は、500nm以上540nm以下の範囲にある、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記搭載部材が前記III族窒化物半導体レーザ素子に圧縮応力を与えるように、前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数より大きい、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記搭載部材が前記III族窒化物半導体レーザ素子に圧縮応力を与えるように、前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きい、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記搭載部材の異方性係数CMは、前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数/前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数-1で規定され、前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSは、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数/前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数-1で規定され、前記搭載部材の前記異方性係数CMと前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSとの比CM/CSは、0.5以上1.5以下である、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記基板の前記主面は六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、前記基板の前記主面は、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して傾斜した半極性面を有し、前記半導体積層は前記基板の前記主面上にエピタキシャルに成長された半導体層を含む、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記基板の前記主面は、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して10度以上170度以下の範囲内の角度で傾斜している、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記搭載部材の前記主面はCu-Mo合金からなる、請求項1~請求項9のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記搭載部材の前記主面は窒化アルミニウムAlN又は炭化シリコンSiCからなる、請求項1~請求項9のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記搭載部材の前記主面は、銅Cu、タングステンW、鉄Fe、金Au、銀Ag、アルミニウムAlのいずれかからなる、請求項1~請求項9のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記電極を前記搭載部材の前記主面も固定する導電性接着部材を更に備える、請求項1~請求項12のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置。窒化物半導体レーザ装置を作製する方法であって、熱膨張係数の異方性を示す主面を有する搭載部材を準備する工程と、レーザ構造体及び電極を含むIII族窒化物半導体レーザ素子を準備する工程と、前記搭載部材の前記熱膨張係数の異方性に合わせて前記III族窒化物半導体レーザ素子の向き付けを行う工程と、前記III族窒化物半導体レーザ素子の向き付けを行った後に、前記搭載部材の前記主面上に前記III族窒化物半導体レーザ素子を搭載する工程と、を備え、前記レーザ構造体は、III族窒化物半導体からなる半導体積層及び該半導体積層を搭載する基板を含み、前記半導体積層におけるc軸は前記基板の前記主面に対する法線軸に対して傾斜しており、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記法線軸に直交する第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記法線軸に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の方向は前記第2の方向に直交し、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数が前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きいという熱膨張係数の異方性を有し、前記半導体積層は、第1導電型III族窒化物半導体領域、発光層及び第2導電型III族窒化物半導体領域を含み、前記第1導電型III族窒化物半導体領域、前記発光層及び前記第2導電型III族窒化物半導体領域は、前記法線軸の方向に順に配列されており、前記電極は前記第2導電型III族窒化物半導体領域の主面に接触を成し、前記搭載部材は、前記第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の熱膨張係数は前記第1の熱膨張係数と異なる、窒化物半導体レーザ装置を作製する方法。前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数より大きく、前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きい、請求項14に記載された窒化物半導体レーザ装置を作製する方法。前記搭載部材の異方性係数CMは、前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数/前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数-1で規定され、前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSは、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数/前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数-1で規定され、前記搭載部材の前記異方性係数CMと前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSとの比CM/CSは、0.5以上であり、1.5以下である、請求項14又は請求項15に記載された窒化物半導体レーザ装置を作製する方法。前記基板の前記主面は六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、前記基板の前記主面は、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して傾斜した半極性面を有し、前記半導体積層は前記基板の前記主面上にエピタキシャルに成長された半導体層を含む、請求項14~請求項16のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置を作製する方法。前記基板の前記主面は、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して10度以上170度以下の範囲内の角度で傾斜している、請求項14~請求項17のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置を作製する方法。前記搭載部材上に導電性接着材を設ける工程を更に備え、前記III族窒化物半導体レーザ素子を搭載する前記工程では、導電性接着剤を介して前記III族窒化物半導体レーザ素子が前記搭載部材に固定される、請求項14~請求項18のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置を作製する方法。前記搭載部材の前記主面はCu-Mo合金、窒化アルミニウムAlN、炭化シリコンSiC、ガリウム砒素GaAs、銅Cu、タングステンW、鉄Fe、金Au、銀Ag、又はアルミニウムAlのいずれかからなる、請求項14~請求項19のいずれか一項に記載された窒化物半導体レーザ装置を作製する方法。これまで、窒化ガリウム系半導体レーザはGaN基板のc面上に作製されてきた。この窒化ガリウム系半導体レーザは、特許文献1に記載されているように、サブマウント上に搭載される。特許文献1に記載されているように、GaN基板の半極性面上にIII族窒化物半導体レーザのための半導体積層が作製されている。サブマウントといった部材上に窒化ガリウム系半導体レーザを搭載して窒化物半導体レーザ装置を作製し、この窒化物半導体レーザ装置の素子寿命のための試験を行う。この実験によれば、半極性面上のIII族窒化物半導体レーザの発光寿命は、c面上の窒化ガリウム系半導体レーザに比べて短いことが明らかになった。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、発光寿命を改善できる窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とし、またこの窒化物半導体レーザ装置を作製する方法を提供することを目的とする。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置は、a熱膨張係数の異方性を示す主面を有する搭載部材と、bレーザ構造体及び電極を含むIII族窒化物半導体レーザ素子とを備える。前記レーザ構造体は、III族窒化物半導体からなる半導体積層及び該半導体積層を搭載する基板を含み、前記半導体積層におけるc軸は前記基板の主面に対する法線軸に対して傾斜しており、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記法線軸に直交する第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記法線軸に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の方向は前記第2の方向に直交し、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数が前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きい熱膨張係数の異方性を有し、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記搭載部材の前記熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて前記搭載部材の前記主面上に搭載されており、前記半導体積層は、第1導電型III族窒化物半導体領域、発光層及び第2導電型III族窒化物半導体領域を含み、前記第1導電型III族窒化物半導体領域、前記発光層及び前記第2導電型III族窒化物半導体領域は、前記法線軸の方向に順に配列されており、前記電極は前記第2導電型III族窒化物半導体領域の主面に接触を成し、前記搭載部材は、前記第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の熱膨張係数は前記第1の熱膨張係数と異なる。この窒化物半導体レーザ装置によれば、レーザ構造体はIII族窒化物半導体からなる半導体積層及び該半導体積層を搭載する基板を含み、この半導体積層におけるc軸は基板の主面に対する法線軸に対して傾斜している。これ故に、窒化物III族窒化物半導体レーザ素子の半導体積層は、c面ではなく基板の無極性又は半極性面上に作製される。III族窒化物半導体レーザ素子は、III族窒化物半導体レーザ素子の第1の熱膨張係数がIII族窒化物半導体レーザ素子の第2の熱膨張係数より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。このIII族窒化物半導体レーザ素子は搭載部材の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面上に搭載されている。したがって、III族窒化物半導体レーザ素子が、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面上に搭載されるとき、等方的な熱膨張係数を有する搭載部材主面上にレーザ素子を搭載するレーザ装置に比べて、窒化物半導体レーザ装置では熱膨張係数に起因する応力がIII族窒化物半導体レーザ素子において低減される。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記半導体積層が前記基板と前記搭載部材との間に設けられることができる。この窒化物半導体レーザ装置では、III族窒化物半導体レーザ素子は、いわゆるエピダウン形態で実装される。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記c軸は前記半導体積層のm軸及びa軸のいずれかの方向に傾斜しており、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、光共振器のための第1及び第2の端面を有し、前記半導体積層は、前記m軸及び前記a軸のいずれかと前記c軸とによって規定される平面に沿って前記第1及び第2の端面の一方から他方への導波路軸の方向に延在することができる。この窒化物半導体レーザ装置では、III族窒化物半導体レーザ素子は、第1及び第2の端面を有する光共振器を含むので、レーザ発振を可能である。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の発光のピーク波長は500nm以上540nm以下の範囲にあることができる。この窒化物半導体レーザ装置によれば、窒化物III族窒化物半導体レーザ素子の半導体積層はc面ではなく無極性又は半極性面上に作製されるので、この窒化物III族窒化物半導体レーザ素子は、上記の波長範囲の発光を提供できる。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記搭載部材の前記主面は、前記第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数は前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数より大きい。前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数より大きいことが好ましい。2つの第1の熱膨張係数の上記の関係が満たされるとき、長寿命の窒化物半導体レーザ装置が提供される。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、異方的な熱膨張係数を有する搭載部材が窒化物III族窒化物半導体レーザ素子に圧縮応力を与えるように、前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きいことが好ましい。2つの第2の熱膨張係数の上記の関係が満たされるとき、長寿命の窒化物半導体レーザ装置が提供される。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSは、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数CS1Ex/前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数CS2Ex-1で規定される。また、前記搭載部材の異方性係数CMは、前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数CM1Ex/前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数CM2Ex-1で規定される。前記搭載部材の前記異方性係数CMと前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSとの比CM/CSは0.5以上であることができる。また、比CM/CSは1.5以下であることができる。この窒化物半導体レーザ装置によれば、発明者らの実験によれば、上記の比率の範囲において、発光素子の寿命が改善される。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記基板の前記主面は六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、前記基板の前記主面は該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して傾斜した無極性又は半極性面からなり、前記半導体積層は前記基板の前記主面上にエピタキシャルに成長された半導体層を含むことが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置によれば、半導体積層は、六方晶系窒化ガリウム系半導体の半極性面上に結晶軸を合わせて配列された複数の半導体層を含む。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記基板の前記主面は六方晶系窒化ガリウムからなることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置によれば、良好な結晶品質のGaN上に半導体積層を作製可能である。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記無極性又は半極性面は、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して10度以上170度以下の範囲内の角度で傾斜していることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置によれば、上記の角度範囲においては、c面からの傾斜に起因した熱膨張係数の異方性が顕著になる。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記搭載部材の前記主面はCu-Mo合金からなることができる。Cu-Mo合金は、異方的な熱膨張係数を示す搭載主面を有する搭載部材を提供できる。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記搭載部材の前記主面は窒化アルミニウムAlN又は炭化シリコンSiCからなることが好ましい。AlN又はSiCは、異方的な熱膨張係数を示す搭載主面を有する搭載部材を提供できる。これらの材料は六方晶系の結晶構造をとることができる。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記搭載部材の前記主面は、銅Cu、タングステンW、鉄Fe、金Au、銀Ag、アルミニウムAlのいずれかからなることができる。これらの金属又はその合金は、圧延により異方的な熱膨張係数を示す搭載主面を有する搭載部材を提供できる。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記電極を前記搭載部材の前記主面も固定する導電性接着部材を更に備えることができる。この窒化物半導体レーザ装置は、導電性接着部材を用いた固定の際の熱応力は、窒化物半導体レーザ装置において異方的な残留応力を生成する。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置を作製する方法は、a熱膨張係数の異方性を有する主面を有する搭載部材を準備する工程と、bレーザ構造体及び電極を含む窒化物III族窒化物半導体レーザ素子を準備する工程と、c前記搭載部材の前記熱膨張係数の異方性に合わせて前記III族窒化物半導体レーザ素子の向き付けを行う工程と、d前記III族窒化物半導体レーザ素子の向き付けを行った後に、前記搭載部材の前記主面上に前記III族窒化物半導体レーザ素子を搭載する工程とを備える。前記レーザ構造体は、III族窒化物半導体からなる半導体積層及び該半導体積層を搭載する基板を含み、前記半導体積層におけるc軸は前記基板の前記主面に対する法線軸に対して傾斜しており、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記法線軸に直交する第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記法線軸に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の方向は前記第2の方向に直交し、前記III族窒化物半導体レーザ素子は、前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数が前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。前記半導体積層は、第1導電型III族窒化物半導体領域、発光層及び第2導電型III族窒化物半導体領域を含み、前記第1導電型III族窒化物半導体領域、前記発光層及び前記第2導電型III族窒化物半導体領域は、前記法線軸の方向に順に配列されており、前記電極は前記第2導電型III族窒化物半導体領域の主面に接触を成し、前記搭載部材は、前記第1の方向に関する第1の熱膨張係数と、前記第2の方向に関する第2の熱膨張係数とを有し、前記第1の熱膨張係数は前記第1の熱膨張係数と異なる。この作製方法によれば、レーザ構造体はIII族窒化物半導体からなる半導体積層及び該半導体積層を搭載する基板を含み、この半導体積層におけるc軸は基板の主面に対する法線軸に対して傾斜している。これ故に、窒化物III族窒化物半導体レーザ素子の半導体積層は、基板のc面ではなく無極性又は半極性面上に作製される。III族窒化物半導体レーザ素子は、III族窒化物半導体レーザ素子の第1の熱膨張係数がIII族窒化物半導体レーザ素子の第2の熱膨張係数より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。このIII族窒化物半導体レーザ素子は搭載部材の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面上に搭載される。したがって、III族窒化物半導体レーザ素子は、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面上に搭載されるとき、等方的な熱膨張係数を有する搭載部材主面上に搭載されることに比べて、窒化物半導体レーザ装置では熱膨張係数に起因する応力がIII族窒化物半導体レーザ素子において低減される。本発明に係る作製方法では、前記搭載部材の前記第1の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第1の熱膨張係数より大きく、前記搭載部材の前記第2の熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザ素子の前記第2の熱膨張係数より大きいことが好ましい。この作製方法によれば、2つの第1の熱膨張係数の上記の関係が満たされるとき、III族窒化物半導体レーザ素子に内包される応力が低減されて、長寿命の窒化物半導体レーザ装置を作製可能である。本発明に係る作製方法では、前記搭載部材の異方性係数CMは、前記第1の熱膨張係数CM1Ex/前記第2の熱膨張係数CM2Ex-1で規定されることができる。また、前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSは、前記第1の熱膨張係数CS1Ex/前記第2の熱膨張係数CS2Ex-1で規定されることができる。前記搭載部材の前記異方性係数CMと前記III族窒化物半導体レーザ素子の異方性係数CSとの比CM/CSは0.5以上であることができる。また、比CM/CSは1.5以下であることができる。発明者らの実験によれば、上記の比率の範囲において、発光素子の寿命が改善される窒化物半導体レーザ装置を作製できる。本発明に係る作製方法では、前記基板の前記主面は六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、前記基板の前記主面は、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して傾斜した半極性面からなり、前記半導体積層は前記基板の前記主面上にエピタキシャルに成長された半導体層を含むことができる。この作製方法によれば、六方晶系窒化ガリウム系半導体の半極性面上に作製された半導体積層を含む窒化物III族窒化物半導体レーザ素子を用いて、窒化物半導体レーザ装置を作製可能である。本発明に係る作製方法は、前記搭載部材上に導電性接着材を設ける工程を更に備えることができる。前記III族窒化物半導体レーザ素子を搭載する前記工程では、導電性接着剤を介して前記III族窒化物半導体レーザ素子が前記搭載部材に固定されることができる。この作製方法では、導電性接着部材を用いた固定の際の熱応力が窒化物半導体レーザ装置の異方的な残留応力を増加させる可能性があるけれども、異方的な熱膨張係数を有する搭載部材を用いることによって、残留応力の影響を低減できる。本発明に係る作製方法では、前記搭載部材の前記主面はCu-Mo合金からなることができる。Cu-Mo合金は、異方的な熱膨張係数を示す搭載主面を有する搭載部材を提供できる。本発明に係る作製方法では、前記搭載部材の前記主面は窒化アルミニウムAlN又は炭化シリコンSiCからなることが好ましい。AlN又はSiCは、異方的な熱膨張係数を示す搭載主面を有する搭載部材を提供できる。これらの材料は六方晶系の結晶構造をとることができる。本発明に係る作製方法では、前記搭載部材の前記主面は、銅Cu、タングステンW、鉄Fe、金Au、銀Ag、アルミニウムAlのいずれかからなることができる。これらの金属又はその合金は、圧延により異方的な熱膨張係数を示す搭載主面を有する搭載部材を提供できる。本発明に係る作製方法では、前記主面は、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して10度以上170度以下の範囲内の角度で傾斜していることが好ましい。この作製方法によれば、上記の角度範囲においては、c面からの傾斜に起因した熱膨張係数の異方性が顕著になる。以上説明したように、本発明によれば、発光寿命を改善できる窒化物半導体レーザ装置を提供でき、またこの窒化物半導体レーザ装置を作製する方法を提供できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、窒化物半導体レーザ装置、及び窒化物半導体レーザ装置を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光装置を示す図面である。図1のa部を参照すると、窒化物半導体発光装置として、窒化物半導体レーザ装置1が示され、また半導体発光素子として、III族窒化物半導体レーザ素子11が示される。この窒化物半導体レーザ装置1は搭載部材3及びIII族窒化物半導体レーザ素子11を含む。搭載部材3は、熱膨張係数の異方性を有する主面3aを有する。搭載部材3の主面3aには、必要な場合には、第1の電極5a及び第2の電極5bが設けられることができる。搭載部材3はIII族窒化物半導体レーザ素子11といった窒化物半導体発光素子を搭載する。搭載部材3は、例えばサブマウントであることができる。窒化物半導体発光素子11は搭載部材3の第1の電極5a上に位置し、窒化物半導体発光素子のアノード及びカソードの一方は、第1の電極5aに接着される。また、窒化物半導体発光素子11のアノード及びカソードの他方は、ボンディングワイヤといった導電部材9を介して第2の電極5bに接続される。図1のb部は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及び電極15、41を含む。III族窒化物半導体レーザ素子11は、利得ガイド型の構造を有するけれども、本実施の形態は、利得ガイド型の構造に限定されるものではなく、例えばリッジ型の構造にて適用される。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及び電極15を備える。レーザ構造体13は、III族窒化物半導体からなる半導体積層19及び該半導体積層19を搭載する基板17を含む。基板17は、六方晶系III族窒化物半導体からなり、また主面17a及び裏面17bを有する。半導体積層19は、基板17の主面17a上に設けられている。半導体積層19におけるc軸ベクトルVCの方向に向く軸は基板17の主面17aに対する法線軸NXに対して傾斜する。電極15は、レーザ構造体13の半導体積層19上に設けられる。半導体積層19は、第1のクラッド層21と、第2のクラッド層23と、活性層25とを含む。第1のクラッド層21は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。第2のクラッド層23は、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばp型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。活性層25は、第1のクラッド層21と第2のクラッド層23との間に設けられる。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25aは障壁層25bの間に設けられており、これら層25a、25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は量子井戸構造を含むことができる。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、無極性又は半極性主面17aの法線軸NXに沿って配列されている。無極性又は半極性面の利用により、波長430nm以上550nm以下の光の発生に好適である。本実施例におけるIII族窒化物半導体レーザ素子11では、六方晶系III族窒化物半導体のc軸は六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に傾斜している。これ故に、レーザ構造体13は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する第1の端面27及び第2の端面29を含む。なお、六方晶系III族窒化物半導体のc軸は六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に傾斜していることができ、この傾斜のとき、レーザ構造体13の第1の端面27及び第2の端面29は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa-n面に交差し、へき開面ではない割断面からなる。或いは、第1の端面27及び第2の端面29は、基板17の主面17aとm-n面又はa-n面との両方に直交する面に交差していてもよい。図1を参照すると、直交座標系S及び結晶座標系CRが描かれている。法線軸NXは、直交座標系SのZ軸の方向に向く。無極性又は半極性の主面17aは、直交座標系SのX軸及びY軸により規定される所定の平面に平行に延在する。また、図1のb部には、代表的なc面Scが描かれている。基板17の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に法線軸NXに対してゼロより大きい角度ALPHAで傾斜している。III族窒化物半導体レーザ素子11は、絶縁膜31を更に備える。絶縁膜31はレーザ構造体13の半導体積層19の表面19aを覆っており、半導体積層19は絶縁膜31と基板17との間に位置する。基板17は六方晶系III族窒化物半導体からなる。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aは半導体積層19の表面19aと上記のm-n面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。電極15は、開口31aを介して半導体積層19の表面19a例えば第2導電型のコンタクト層33に接触を成しており、上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路は、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25を含み、また上記の交差線LIXの方向に延在する。基板17の主面17aは六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、基板17の主面17は該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して傾斜した無極性又は半極性面を有する。半導体積層19は基板17の主面17a上にエピタキシャルに成長された複数の半導体層21、20、23、33を含む。この窒化物半導体レーザ装置によれば、六方晶系窒化ガリウム系半導体の半極性面上に半導体積層を作製可能である。基板17の主面17aは六方晶系窒化ガリウムからなることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置1によれば、良好な結晶品質のGaN上に半導体積層を作製可能である。III族窒化物半導体レーザ素子11では、既に説明したように、c軸がm軸の方向に傾斜するとき、第1の端面27及び第2の端面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する或いは、c軸がa軸の方向に傾斜するとき、第1の割断面27及び第2の端面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるa-n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は第1及び第2の端面27、29を含み、第1の端面27及び第2の端面29の一方から他方への導波路軸の方向に、レーザ導波路が延在している。レーザ構造体13は第1の面13a及び第2の面13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。これらの端面は、c軸の傾斜方向とレーザ導波路の延在方向とに応じて、へき開面或いは割断面であることができる。第1及び第2の端面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する、本実施例では、レーザ導波路はn-m面にそって延在しており、第1及び第2の端面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なり、光共振器のための割断面からなる。基板17は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な端面27、29を得ることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する第1及び第2の端面27、29がm-n面に交差する。これ故に、m-n面と無極性又は半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。第1及び第2の端面27、29の少なくとも一方、又はそれぞれに設けられた誘電体多層膜43a、43bを更に備えることができる。これらの端面27、29にも端面コートを適用できる。誘電体多層膜43a、43bにより、端面コートにより反射率を調整できる。III族窒化物半導体レーザ素子11は、n側光ガイド層35及びp側光ガイド層37を含む。n側光ガイド層35は、第1の部分35a及び第2の部分35bを含み、n側光ガイド層35は例えばGaN、InGaN等からなる。p側光ガイド層37は、第1の部分37a及び第2の部分37bを含み、p側光ガイド層37は例えばGaN、InGaN等からなる。キャリアブロック層39は、例えば第1の部分37aと第2の部分37bとの間に設けられる。基板17の裏面17bには別の電極41が設けられ、電極41は例えば基板17の裏面17bを覆っている。上記の光ガイド層35、37及び活性層25は、発光層20を構成する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、半導体積層19は、第1導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層21、35a、発光層20及び第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37a、23、33を含む。第1導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層21、35a、発光層20及び第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37b、23、33は法線軸NXの方向に順に配列されている。電極15は、第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37a、23、33の主面に接触を成す。第1導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層21、35a、発光層20及び第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37b、23、33は、それぞれ、法線軸NXに直交する第1~第3の基準平面R1、R2、R3に沿って延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11は、法線軸NXに直交する第1の方向に関する第1の熱膨張係数CS1Exと、法線軸NX及び第1の方向に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数CS2Exとを有する。III族窒化物半導体レーザ素子11は、第1の熱膨張係数CS1Exが第2の熱膨張係数CS2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この異方性は、c軸が基板17の主面17aの法線軸に対して大きく傾斜することに因る。III族窒化物半導体レーザ素子11は、搭載部材3の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて搭載部材3の主面3a上に搭載されている。第1の方向は、例えばレーザ導波路の延在方向であることができ、また第2の方向は例えば端面27、29の延在方向であることができる。搭載部材3は、その主面3aの法線に直交する第3の方向に関する第1の熱膨張係数CM1Exと、上記法線及び第3の方向に直交する第4の方向に関する第2の熱膨張係数CM2Exとを有する。搭載部材3は、第1の熱膨張係数CM1Exが第2の熱膨張係数CM2Exより大きいこを示す熱膨張係数の異方性を有する。搭載部材3の主面3a上には、搭載部材3の熱膨張係数の異方性に合わせた向きでIII族窒化物半導体レーザ素子11が搭載される。例えば、第3の方向は第1の方向に一致するように規定することができ、第4の方向は第2の方向に一致するように規定することができる。この窒化物半導体レーザ装置1によれば、レーザ構造体13はIII族窒化物半導体からなる半導体積層19及び該半導体積層19を搭載する基板17を含み、この半導体積層19におけるc軸ベクトルVCの方向は基板17の主面17aに対する法線軸NXに対して傾斜している。これ故に、III族窒化物半導体レーザ素子11の半導体積層19は、基板17のc面ではなく半極性面17a上に作製される。搭載部材3は、例えば搭載部材主面3aの第1の熱膨張係数CM1Exが搭載部材主面3aの第2の熱膨張係数CM2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。また、III族窒化物半導体レーザ素子11は、III族窒化物半導体レーザ素子11の第1の熱膨張係数CS1Exが半導体発光素子の第2の熱膨張係数CS2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この半導体レーザ素子は搭載部材3の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面3a上に搭載されている。したがって、III族窒化物半導体レーザ素子11は、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面3a上に搭載されるとき、等方的な熱膨張係数を有する搭載部材主面3a上に搭載されることに比べて、窒化物半導体レーザ装置1では、III族窒化物半導体レーザ素子11と搭載部材3との熱膨張係数差に起因する応力がIII族窒化物半導体レーザ素子11において低減される。窒化物半導体レーザ装置1では、例えばIII族窒化物半導体レーザ素子11の半導体積層19が基板17と搭載部材3との間に設けられていてもよい。この窒化物半導体レーザ装置1では、いわゆるエピダウン形態でIII族窒化物半導体レーザ素子11が実装される。活性層25が基板17に比べて搭載部材3の主面3aに近い。搭載部材3の異方性について説明する。窒化物半導体レーザ装置1では、搭載部材3の主面3aはCu-Mo合金からなることができる。Cu-Mo合金は、異方的な熱膨張係数を搭載部材3に提供できる。また、搭載部材3の主面3aは窒化アルミニウムAlN又は炭化シリコンSiCからなることが好ましい。AlN又はSiCは、異方的な熱膨張を搭載部材3に提供できる。これらの材料の結晶構造は六方晶系であることができる。搭載部材3の主面3aは、銅Cu、タングステンW、鉄Fe、金Au、銀Ag、アルミニウムAlのいずれかからなることができる。これらの金属又はその合金は、異方的な熱膨張係数を示す搭載主面を圧延により形成できる。窒化物半導体レーザ装置1は、III族窒化物半導体レーザ素子11の電極例えば電極15と搭載部材3の主面3aとの間に位置する導電性接着部材7を更に備えることができる。電極15は搭載部材3の第1の電極5aに導電性接着部材7を介して固定される。導電性接着部材7を用いた固定の際の熱応力は、窒化物半導体レーザ装置1の異方的な残留応力となる。窒化物半導体レーザ装置1では、無極性又は半極性主面17aは、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して10度以上170度以下の範囲内の角度ALPHAで傾斜していることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置1によれば、上記の角度範囲においては、c面からの傾斜に起因した熱膨張の異方性が顕著になる。無極性又は半極性面17aが該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対してm軸の方向に10度以上170度以下の範囲内の角度ALPHAで傾斜するとき、活性層25の発光のピーク波長は500nm以上540nm以下の範囲にあることができる。III族窒化物半導体レーザ素子11の半導体積層19がc面ではなく主面17a上に作製されるので、このIII族窒化物半導体レーザ素子11は上記の波長範囲の発光例えば緑色の発光を提供できる。図2は、本実施の形態に係る窒化物半導体レーザ装置を作製する方法における主要な工程を示す図面である。この作製方法の工程フロー100では、図1に示された窒化物半導体レーザ装置1の一形態を作製する。工程S101において、熱膨張係数の異方性を示す主面を有する搭載部材を準備する。この搭載部材として、例えば図1に示された搭載部材3を使用できる。後の工程において、搭載部材の主面上には窒化物半導体発光素子が搭載される。具体的に説明すると、搭載部材の主面は、第3の方向に関する第1の熱膨張係数CM1Exと、第3の方向に直交する第4の方向に関する第2の熱膨張係数M2Exとを有する。搭載部材3の主面3aは、例えば搭載部材3の第1の熱膨張係数CM1Exが搭載部材3の第2の熱膨張係数CM1Exより大きい熱膨張係数の異方性を有する。搭載部材3の材料は、例えばCu-Mo合金を用いることがで、またガリウム砒素GaAs、窒化アルミニウムAlN及び炭化シリコンSiCといった半導体が用いられることができ、さらに銅Cu、タングステンW、鉄Fe、金Au、銀Ag、アルミニウムAlのいずれか金属、或いはこれらの合金が用いられることができる。Cu-Mo合金は熱膨張係数の異方性を搭載部材の搭載主面に提供できる。AlN又はSiCの結晶構造は例えば六方晶系であるので、AlN又はSiCのc軸が搭載面の法線に対して傾斜するとき、その搭載面は、異方的な熱膨張係数を有する。また、銅、タングステン、鉄、金、銀、アルミニウムといった金属は、圧延による加工を用いて、熱膨張係数の異方性を搭載面に提供できる。工程S102では、窒化物半導体発光素子を準備する。この窒化物半導体発光素子として、例えばIII族窒化物半導体レーザ素子11を使用できる。理解を容易にするために、引き続く説明において、III族窒化物半導体レーザ素子11の構造物においては、図1に示された参照符号を付する。III族窒化物半導体レーザ素子11はレーザ構造体13及び電極15を含む。半導体発光素子は、例えばレーザ導波路の延在方向における第1の熱膨張係数CS1Exと、レーザ導波路の方向及び法線方向の両方に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数CS2Exとを有する。半導体発光素子は熱膨張係数の異方性を有し、この異方性では、一例として第1の熱膨張係数CS1Exが第2の熱膨張係数CS2Exより大きい或いは、第2の熱膨張係数CS2Exが第1の熱膨張係数CS1Exより大きい。工程S103では、半導体発光素子の搭載に先立って、搭載部材上に導電性接着材を設けることができる。導電性接着材は例えば半田であることができ、半田として、例えばAu-Sn、Ag-Sn等を用いることができる。必要な場合には、導電性接着材は、搭載部材の電極上に予め設けておくことができ、この搭載部材では、工程S103は行われない。工程S104では、搭載部材の熱膨張係数の異方性に合わせて、半導体発光素子の向き付けを行う。例えば、半導体発光素子の第1の方向が搭載部材の第1の方向に整列するように、搭載部材を基準にして半導体発光素子を向き付けされる。搭載部材はこの向き付けのためのマーク例えば図1におけるマーク3cを有することができる。工程S105では、半導体発光素子の向き付けを行った後に、搭載部材3の主面3a上に半導体発光素子を搭載する。搭載部材3上に導電性接着材が設けられている場合、半導体発光素子を搭載する工程では、導電性接着剤を介して半導体発光素子が搭載部材3に固定される。搭載に際して、搭載部材3の温度を半田の溶融より高い温度に上昇させて、半田を溶融させる。溶融している導電性接着材上に、向き付けした素子を配置した後に、搭載部材及び素子の温度を半田の溶融より低い温度に降下させて、半田を固化する。この実施例では、導電性接着材としては、例えばAu-Sn半田融点:摂氏280度を用いる。この作製方法では、導電性接着部材を用いた固定の際の熱応力が窒化物半導体レーザ装置の異方的な残留応力を増加させる可能性があるけれども、異方的な熱膨張係数を有する搭載部材を用いることによって、残留応力の影響を低減できる。この作製方法によれば、レーザ構造体13はIII族窒化物半導体からなる半導体積層19及び該半導体積層19を搭載する基板17を含み、この半導体積層19におけるc軸は基板17の主面17aに対する法線軸NXに対して傾斜している。これ故に、半導体積層19は、c面ではなく無極性又は半極性の主面17a上に作製される。III族窒化物半導体レーザ素子11は、III族窒化物半導体レーザ素子11の第1の熱膨張係数CS1Exが第2の熱膨張係数CS2Exと異なることを示す熱膨張係数の異方性を有する。このIII族窒化物半導体レーザ素子11は搭載部材3の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面3a上に搭載されている。したがって、III族窒化物半導体レーザ素子11は、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面3a上に搭載されるとき、等方的な熱膨張係数を有する搭載部材主面上にIII族窒化物半導体レーザ素子11が搭載される装置に比べて、窒化物半導体レーザ装置1では熱膨張係数に起因する応力がIII族窒化物半導体レーザ素子11において低減される。実施例1窒化物半導体レーザ装置の一実施例を説明する。III族窒化物半導体レーザ素子を準備する。本実施例では、III族窒化物半導体レーザ素子を以下の工程により形成することによって準備する。III族窒化物半導体レーザ素子の作製図3に示すレーザダイオード構造を作製する。m軸方向に51.4度オフしたGaNウエハ90を準備した。このGaNウエハ90の主面の面方位は20-23面である。GaNウエハ90を成長炉に配置した後に、アンモニア及び水素の雰囲気中で熱処理を行う。熱処理温度は摂氏1100度であり、熱処理時間は約10分である。熱処理の後に、TMG98.7μmol/分、TMA8.2μmol/分、NH36slm、SiH4を成長炉に供給して、クラッド層のためのn型AlGaN層91をGaNウエハ90上に摂氏1150度で成長する。n型AlGaN層91の厚さは2300nmである。n型AlGaN層91の成長速度は46.0nm/分である。n型AlGaN層91のAl組成は0.04である。次いで、TMG98.7μmol/分、NH35slm、SiH4を成長炉に供給して、n型AlGaN層91上にn型GaN層92を摂氏1150度で成長する。n型GaN層92の厚さは50nmである。n型GaN層92の成長速度は58.0nm/分である。TMG24.4μmol/分、TMI4.6μmol/分、NH36slmを成長炉に供給して、光ガイド層のためのアンドープInGaN層93aをn型GaN層94上に摂氏840度で成長する。n型InGaN層93aの厚さは65nmである。n型InGaN層93aの成長速度は6.7nm/分である。アンドープInGaN層93aのIn組成は0.05である。次いで活性層94を形成する。TMG15.6μmol/分、TMI29.0μmol/分、NH38slmを成長炉に供給して、アンドープInGaN井戸層を摂氏745度で成長する。InGaN層の厚さは3nmである。InGaN層の成長速度は3.1nm/分である。次いで、成長炉の温度を摂氏745度に維持しながら、TMG15.6μmol/分、TMI0.3μmol/分、NH38slmを成長炉に供給して、アンドープGaN層をInGaN層上に摂氏745度で成長する。GaN層の厚さは1nmである。GaN層の成長速度は3.1nm/分である。アンドープGaN層を成長した後に、成長炉の温度を摂氏745度から摂氏870度に変更する。TMG24.4μmol/分、TMI1.6μmol/分、NH36slmを成長炉に供給して、障壁層のためのアンドープInGaN層をアンドープInGaN井戸層上に摂氏870度で成長する。InGaN層の厚さは15nmである。InGaN層の成長速度は6.7nm/分である。アンドープInGaN層のIn組成は0.02である。次いで、成長炉の温度を摂氏870度から摂氏745度に変更する。この後に、TMG15.6μmol/分、TMI29.0μmol/分、NH38slmを成長炉に供給して、アンドープInGaN井戸層をInGaN層上に摂氏745度で成長する。InGaN層の厚さは3nmである。InGaN層の成長速度は3.1nm/分である。アンドープInGaN層のIn組成は0.25である。井戸層及び障壁層の成長を2回繰り返して行う。この後に、TMG13.0μmol/分、TMI4.6μmol/分、NH36slmを成長炉に供給して、光ガイド層のためのアンドープInGaN層93bを活性層94上に摂氏840度で成長する。InGaN層93bの厚さは65nmである。InGaN層93bの成長速度は6.7nm/分である。次いで、TMG98.7μmol/分、NH35slmを成長炉に供給して、アンドープGaN層96をInGaN層93b上に摂氏1100度で成長する。GaN層96の厚さは50nmである。GaN層96の成長速度は58.0nm/分である。アンドープInGaN層93bのIn組成は0.05である。次いで、TMG16.6μmol/分、TMA2.8μmol/分、NH36slm、Cp2Mgを成長炉に供給して、p型AlGaN層97をGaN層96上に摂氏1100度で成長する。AlGaN層97の厚さは20nmである。AlGaN層97の成長速度は4.9nm/分である。p型AlGaN層97のAl組成は0.15である。TMG36.6μmol/分、TMA3.0μmol/分、NH36slm、Cp2Mgを成長炉に供給して、p型AlGaN層98をp型AlGaN層97上に摂氏1100度で成長する。AlGaN層98の厚さは400nmである。Alの組成は0.06である。AlGaN層98の成長速度は13.0nm/分である。また、TMG34.1μmol/分、NH35slm、Cp2Mgを成長炉に供給して、p型GaN層99をp型AlGaN層98上に摂氏1100度で成長する。GaN層99の厚さは50nmである。p型GaN層99の成長速度は18.0nm/分である。これらの工程によってエピタキシャルウエハが作製される。このエピタキシャルウエハ上にアノードAN及びカソードCTを形成して基板生産物を作製した後に、基板生産物を分離して個々のレーザダイオードを作製できる。アノード電極は、例えば10マイクロメートル幅のストライプ窓を有する絶縁膜を介してp型GaN層に電気的に接続される。この基板生産物をa面及びa面に垂直な面において切断して、一対の共振器のための端面をa面とする600マイクロメートル長及び2マイクロメートル幅のレーザダイオードLD0を作製する。このレーザダイオードLD0の熱膨張係数を測定する。このレーザダイオードLD0は、GaNのc軸がGaNのm軸の方向に51.4度の角度オフ角とも呼ばれるで傾斜するGaNウエハを用いて作製される。レーザダイオードLD0のレーザ導波路の延在方向例えばa軸方向の熱膨張係数CS1Exは5.6×10-6/°Cであり、レーザ共振器端面の延在方向の熱膨張係数CS2Exは4.6×10-6/°Cである。レーザダイオードのレーザ導波路の延在方向はレーザ共振器端面の延在方向例えばm-n面の方向に直交する。発明者の実験によれば、レーザダイオードLD0の熱膨張係数の係数は、GaNウエハのオフ角TH度として、本実施例では以下の式で近似的に表される。熱膨張係数C2=56×cosπ×TH/18023.2×sinπ×TH/18021/2。CuMo合金からなる搭載部材を準備する。等方的CuMo合金搭載部材。このCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張係数が等方性であり、その値は9.0×10-6/°Cである。a第1のCuMo合金搭載部材。第1のCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張が異方的であり、搭載部材の長手方向Lの熱膨張係数が8.5×10-6/°Cであり、搭載部材の幅方向Wの熱膨張係数が7.8×0-6/°Cである。b第2のCuMo合金搭載部材。第2のCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張が異方的であり、搭載部材の長手方向Lの熱膨張係数が8.7×10-6/°Cであり、搭載部材の幅方向Wの熱膨張係数が7.8×0-6/°Cである。c第3のCuMo合金搭載部材。第3のCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張が異方的であり、搭載部材の長手方向Lの熱膨張係数が9.2×10-6/°Cであり、搭載部材の幅方向Wの熱膨張係数が7.8×0-6/°Cである。d第4のCuMo合金搭載部材。第4のCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張が異方的であり、搭載部材の長手方向Lの熱膨張係数が9.4×10-6/°Cであり、搭載部材の幅方向Wの熱膨張係数が7.7×0-6/°Cである。e第5のCuMo合金搭載部材。第5のCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張が異方的であり、搭載部材の長手方向Lの熱膨張係数が9.5×10-6/°Cであり、搭載部材の幅方向Wの熱膨張係数が7.6×0-6/°Cである。f第6のCuMo合金搭載部材。第6のCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張が異方的であり、搭載部材の長手方向Lの熱膨張係数が9.7×10-6/°Cであり、搭載部材の幅方向Wの熱膨張係数が7.3×0-6/°Cである。g第7のCuMo合金搭載部材。第7のCuMo合金搭載部材の搭載主面における熱膨張が異方的であり、搭載部材の長手方向Lの熱膨張係数が9.8×10-6/°Cであり、搭載部材の幅方向Wの熱膨張係数が7.2×0-6/°Cである。これらのCuMo合金搭載部材の熱膨張係数は、例えば特許文献3に示されるように製造方法により実現される。同じ基板生産物から作製されたいくつかレーザダイオードのp型GaNコンタクト層に接触を成す電極を、それぞれ、等方性CuMo合金搭載部材及び第1~第7の異方性CuMo合金搭載部材の搭載面にAu-Sn半田を用いて接着して、図4に示される窒化物半導体レーザ装置を作製する。窒化物半導体レーザ装置では、レーザダイオードの導波路方向が搭載部材の長手方向に向きづけられている。本実施例では、レーザダイオードはいわゆるエピダウン形態で搭載される。窒化物半導体レーザ装置上のレーザダイオードはレーザ光LDをを生成する。これらの窒化物半導体レーザ装置を波長520nm及び出力5mWで連続的に発光させて、寿命を評価する。搭載部材における熱膨張係数の異方性を示すために、異方性係数CMを以下のように定義する。異方性係数CM=長手方向Lの熱膨張係数/幅方向Wの熱膨張係数-1。長手方向は、レーザダイオードの導波路LWG方向にほぼ一致する。この向き付けに関するばらつきは、例えば-5度以上5度以下程度である。レーザダイオードにおける熱膨張係数の異方性を示すために、異方性係数CSを以下のように定義する。異方性係数CS=レーザ導波路方向の熱膨張係数/共振器端面の延在方向の熱膨張係数-1。なお、本実施例では、CS=0.22である。搭載部材の熱膨張係数の異方性とレーザダイオードの熱膨張係数の異方性との比を示すために、異方性比率RATIOを以下のように定義する。異方性比率RATIO=CM/CS。等方的な熱膨張係数のCuMo合金搭載部材を用いた窒化物半導体レーザ装置の寿命は30時間程度である。図5は、異方的な熱膨張係数のCuMo合金搭載部材のための寿命評価の一覧を示す。図5を参照すると、異方性比率RATIOが1に近づくにつれて、装置寿命が長くなる。本実施例では、装置寿命は、5mW発振時の電流量が初期電流量の130を超える時間によって定義される。実施例24H型SiC搭載部材を準備する。c面を搭載面として持つ第1の4H型SiC搭載部材と、m面を搭載面として持つ第2の4H型SiC搭載部材とを準備する。等方性SiC搭載部材の搭載面は等方的な熱膨張係数を有し、つまり直交する第1及び第2の方向における熱膨張係数が互いに等しい。異方性SiC搭載部材の搭載面は異方的な熱膨張係数を有し、つまり直交する第1及び第2の方向における熱膨張係数が互いに異なる。等方性SiC搭載部材。等方性SiC搭載部材の搭載主面c面における熱膨張係数が等方的であり、その値は4.7×10-6/°Cである。異方性SiC搭載部材。異方的SiC搭載部材の搭載主面m面における熱膨張係数が異方的であり、搭載部材のa軸方向の熱膨張係数が4.7×10-6/°Cであり、c軸方向の熱膨張係数が4.2×10-6/°Cである。h異方性SiC搭載部材のa軸方向に合わせて、実施例1で作製したレーザダイオードのレーザ導波路方向a軸の方向を向きづけて、異方性SiC合金搭載部材上にレーザダイオードを実装する。CM=0.12。RATIO=0.55。寿命:200時間。i等方性SiC搭載部材上に、実施例1で作製したレーザダイオードを実装する。寿命:50時間。j異方性SiC搭載部材のc軸方向に合わせて、実施例1で作製したレーザダイオードのレーザ導波路方向a軸の方向を向きづけて、異方性SiC合金搭載部材上にレーザダイオードを実装する。CM=-0.11。RATIO=-0.5。寿命:10時間。SiCの熱膨張係数は実施例1おける窒化物レーザダイオードの異方的な熱膨張係数より小さい。本実施形態では、搭載部材の材料としてCu―Mo及びSiCを用いたが、その熱膨張係数に異方性を示す材料であればよく、Cu、W、Fe、Au、Ag、Al、GaAs、SiC、AlNなどを組み合わせても構わない。また、単一の材料であっても熱膨張係数に異方性があれば良く、例えばC面から傾いた支持面を有するSiC単結晶基材、AlN単結晶基材などを搭載部材に用いることができる。SiCと異なりCu-Mn合金の熱膨張係数は窒化物系半導体発光素子の熱膨張係数より大きく、異方的なCu-Mn合金搭載部材は窒化物系半導体発光素子に圧縮応力を与える。搭載部材からの引っ張り応力を受ける窒化物系半導体発光素子に比べて、圧縮応力を受ける素子の寿命が長くなる。異方的な熱膨張係数を有する搭載部材が窒化物半導体発光素子に圧縮応力を与えるように、第1の方向に関して、搭載部材の第1の熱膨張係数が半導体発光素子の第1の熱膨張係数より大きいことが好ましい。また、異方的な熱膨張係数を有する搭載部材が窒化物半導体発光素子に圧縮応力を与えるように、第2の方向に関して、搭載部材の第2の熱膨張係数が半導体発光素子の第2の熱膨張係数より大きいことが好ましい。さらに、異方的な熱膨張係数を有する搭載部材が窒化物半導体発光素子に圧縮応力を与えるように、搭載部材の第1及び第2の熱膨張係数がそれぞれ半導体発光素子の第1及び第2の熱膨張係数より大きいことが好ましい。熱膨張係数の上記の関係が満たされるとき、長寿命の窒化物半導体レーザ装置が提供される。実施例1及び実施例2に示される実験並びに発明者らの他の実験によれば、搭載部材の異方性係数CMは、異方性比CM/CSは、0.5以上1.5以下であることが好ましい。発明者らの実験によれば、上記の比率の範囲において、本実施の形態に係る窒化物半導体レーザ装置の寿命が改善される。本発明は、実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。