"20nm乃至200nmの平均一次粒子径を有するサブミクロンサイズのSiベースの粉末であって、前記粉末は0<x<2のSiOxを含む表面層を有し、前記表面層は0.5nm乃至10nmの平均厚さを有し、かつ前記粉末は室温で3質量以下の全酸素含量を有する、粉末。前記表面層が0.5nm乃至5nmの厚さを有する、請求項1に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末。1≦x<2のSiOxを含む酸化表面層を有する、請求項1に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末。少なくとも98atSiの純度を有する、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末。大気条件下および空気中、500°Cで1時間エージングした後4質量未満の全酸素含量を有する、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末。大気条件下および空気中、700°Cで1時間エージングした後5質量未満の全酸素含量を有する、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末。遷移金属、半金属、IIIa族元素および炭素からなる群から選択される元素Mをさらに含む、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末。前記Mが、ニッケル、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびコバルトからなる群の元素のいずれか1つを含む、請求項7に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末。Liイオン二次電池中において負極材料としての、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末の使用。-Siベースの前駆体を提供するステップと、-少なくとも1727°Cの温度でガス流を提供するステップと、-前記ガス流中に前記Siベースの前駆体を注入することによって、前記Si前駆体を気化させるステップと、-前記気化したSi前駆体を含む前記ガス流を1327°C未満の温度まで冷却することによって、サブミクロンサイズのSi粒子を得るステップと、-前記サブミクロンサイズのSi粒子を、酸素含有ガス中、700°C未満、好ましくは、450°C未満の温度でパッシベートするステップと、-前記Si粒子を前記ガス流から分離するステップとを含む、請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のサブミクロンサイズのSiベースの粉末を製造する方法。前記パッシベーションステップは室温乃至100°Cの温度で行われる、請求項10に記載の方法。前記ガス流がガスバーナー、水素バーナー、RFプラズマまたはDCアークプラズマのいずれか1つの手段により提供される、請求項10または請求項11に記載の方法。前記パッシベーションステップは酸素の他に、Ar、N2、H2、COおよびCO2からなる群のいずれか1つ以上を含む酸素含有ガス中で行われる、請求項10乃至請求項12のいずれか一項に記載の方法。前記酸素含有ガスは酸素が1質量未満である、酸素と窒素の混合物である、請求項13に記載の方法。前記パッシベーションステップが60分未満、好ましくは、10分未満の間行われる、請求項10乃至請求項14のいずれか一項に記載の方法。前記ガス流が高周波誘導結合プラズマで提供され、かつ前記ガス流がアルゴンガスを含む、請求項10乃至請求項15のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、これらの問題を改善、またはさらに克服し、単純かつ経済的なプロセスにより製造できる良好な負極材料を提供することである。第1の態様によれば、本発明は、20nm乃至200nmの平均一次粒子径を有するサブミクロンサイズのSiベースの粉末を提供することができ、前記粉末は、SiOx0<x<2を含む表面層を有し、前記表面層は0.5nm乃至10nmの平均厚さを有し、かつ前記粉末は室温で3質量以下の全酸素含量を有する。表面層はまた、SiOx0<x<2のみからなっていてもよい。一実施形態において、表面層は、第1サイクル中大きな不可逆容量を回避するために、5nmより薄く、他の実施形態においては、空気または酸化ガスに晒されたときにさらに酸化しないよう安定したパッシベート粉末を得るために、0.5nmより厚い。酸化層の厚さは、本明細書では、透過型電子顕微鏡TEM写真で測定した層の平均厚さとして表わされる。Siベースの粉末は純Siからなっていてよい。Siベースの粉末はまた、ナノサイズ、すなわち、平均一次粒子径が20nm乃至200nmであってもよい。一実施形態において、サブミクロンサイズのSiベースの粉末は、SiOx1≦x<2を含む酸化表面層を有する。他の実施形態において、粉末は、少なくとも98atSiの純度を有する。Siベースの粉末は、純Siからなっていてもよい。他の実施形態において、サブミクロンサイズのSiベースの粉末は、大気条件下および空気中、500°Cで1時間エージングした後4質量未満の全酸素含量を有する。さらに他の実施形態において、サブミクロンサイズのSiベースの粉末は、大気条件下および空気中、700°Cで1時間エージングした後5質量未満の全酸素含量を有する。これらの条件は、Siベースの粉末のパッシベーション層が安定で、さらなる酸化が生じないであろうことを保証する。上述したサブミクロンサイズのSiベースの粉末は、遷移金属、半金属、IIIa族元素および炭素からなる群から選択される元素Mをさらに含むことができる。一実施形態において、Mは、ニッケル、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびコバルトからなる群の元素のいずれか1つを含む。第2の態様によれば、本発明は、Liイオン二次電池において負極材料としての、サブミクロンサイズのSiベースの粉末の使用も提供することができる。第3の態様によれば、本発明は、-Siベースの前駆体を提供するステップと、-少なくとも1727°C2000Kに相当の温度でガス流を提供するステップと、-ガス流中にSiベースの前駆体を注入することによって、Si前駆体を気化させるステップと、-気化したSi前駆体を含むガス流を1327°C1600Kに相当未満の温度まで冷却することによって、サブミクロンサイズのSi粒子を得るステップと、-サブミクロンサイズのSi粒子を、酸素含有ガス中、700°C未満、好ましくは、450°C未満の温度でパッシベートするステップと、-Si粒子をガス流から分離するステップとを含む上述したSiベースの粉末を製造する方法を提供することができる。かかるプロセスは、制御されたパッシベーティングステップを、その他のプロセスステップと組み合わせて、Si亜酸化物SiOx、x<2の混合物を含む表面層を備えたサブミクロンサイズのSiベースの粉末を生じさせる。一実施形態において、パッシベーションステップは、室温乃至100°Cの間の温度で実施される。他の実施形態において、ガス流は、ガスバーナー、水素バーナー、RFプラズマまたはDCアークプラズマのいずれか1つの手段により提供される。さらに他の実施形態において、パッシベーションステップは、Ar、N2、H2、COおよびCO2からなる群のいずれか1つ以上からなる二次ガスをさらに含む酸素含有ガスで実施される。さらに他の実施形態において、酸素含有ガスは、酸素と窒素の混合物であり、酸素1質量未満である。さらなる実施形態において、パッシベーションステップは、60分未満、好ましくは、10分未満の間実施することができる。他のさらなる実施形態において、ガス流は、高周波誘導結合プラズマにおいて提供され、このガス流はアルゴンガスを含む。表面の酸素レベルの制御されたサブミクロンサイズのシリコンベースの粉末は、リチウムイオン二次電池において負極材料として用いると、高可逆容量を保ちながら、この負極の一次不可逆容量を制限することができる。これは、低酸素含量と組み合わせられた、粉末の小さな粒径およびそれに対応する大表面積による。粉末は、酸化物の非常に薄い均一な層で被われたシリコン粒子からなり得る。粒子の全酸素含量は、室温で3wt未満である。一実施形態において、シリコンサブミクロン粉末は、20nm乃至200nmの平均一次粒径を有する。ここで、平均一次粒径davは、式に従って、等しいサイズの球状粒子を仮定して、比表面積から計算される。ここで、ρとは、粉末の理論密度を指し2,33g/cm3、BETとは、ブルナウアー-エメット-テラーBET技術のN2吸着方法により求めた比表面積m2/gを指す。本発明はまた、Siベースの前駆体を提供することによって、少なくとも1727°Cの温度でガス流を提供し、Siベースの前駆体を、ガス流に注入することによって、Si前駆体を気化し、ガス流を1327°C未満の温度で冷却することによって、サブミクロンサイズのSi粒子を得て、最終的に、酸化ガス中、700°C未満の温度でパッシベートする、このSiベースの粉末を製造する方法も提供することができる。ガス流は、高周波誘導結合プラズマにより提供することができ、ガス流は、アルゴンガスを含むことができる。本発明は、例えば、後述する異なる実施例により実施してよい。実施例1ミクロンサイズのSi粉末をSi前駆体として提供した。2.5Nm3/hアルゴンガスによるアルゴンプラズマを用いて、60kW高周波RF誘導結合プラズマICPを適用した。固体シリコン前駆体を220g/hのレートでプラズマに注入すると、2000Kを超える一般的なすなわち、反応ゾーンにおける温度となった。この第1の処理ステップにおいて、Si前駆体は完全に気化し、その後、核生成により、サブミクロンサイズのSi粉末となった。ガスの温度を1600K未満に下げるために、10Nm3/hのアルゴンフローを、反応ゾーン直下流の冷却ガスとして用いた。このやり方で、金属核が形成されるであろう。最後に、0.15モル酸素を含有するN2/O2混合物を100L/hで添加することにより、パッシベーションステップを、100°Cの温度で5分間行った。サブミクロンサイズのSi粉末は、立方結晶相および40±2m2/gの比表面積BET技術により測定を有し、これは、約60nmの平均一次粒径に相当した。化学分析によれば、酸素含量は、2.8wtであることが示され、一方、TEM特性評価によれば、図1に示したとおり、1乃至2nmの厚さの薄いアモルファスSiOx表面層の存在が示された。得られたシリコン粉末を2Na-CMC水ベースの溶液に添加することにより、ペーストを調製した。続いて、アセチレンブラックを添加した。50/25/25のシリコン/CMC/アセチレンブラック比を有する最終ペーストを、最後に、30分間ボールミルした。厚さ20乃至30μmのコーティングを、ドクターブレードコーティングにより銅ホイルに堆積した。ペーストの第1の乾燥は、従来のホットエア炉を用いて行ったが、室温で、または真空オーブン、コンベヤー炉、加熱表面での乾燥、赤外照射による乾燥、遠赤外照射による乾燥、誘導システムによる乾燥、加熱電極でのコーティング、不活性雰囲気中での乾燥を用いて行うこともできる。乾燥方法、温度および順番は、ペーストの安定性、内部応力および乾燥電極における起こり得る亀裂に影響する。最終的に、コインセル型電池を、対電極としてLiホイルを用いてグローブボックスにおいて作製した。バッテリーテストbatterytestを、以下の条件で電極に実施した。C/20のレートで0.01乃至1.0Vのサイクル。ここで、Cは、1時間当たり3572mAh/gのレートでの充電/放電と定義される。表1に、第1の脱リチウムステップの容量の概要を示した。表の値は3つのコインセルの平均である。3700mAh/gシリコンの容量を測定すると、8未満の非常に低い不可逆容量が第1サイクルの後得られた表1および図2。比較例CE2実施例1に記載したとおり、60kW高周波RF誘導結合プラズマICPでシリコン粉末を作製した。しかしながら、冷却後、変形パッシベーションステップを、0.15モル酸素を含有するN2/O2混合物を150L/hで添加することにより、500°Cの温度で5分間行った。粉末は、立方結晶相および40±2m2/gの比表面積BET技術により測定を有し、これは、約60nmの平均一次粒径に相当した。化学分析によれば、酸素含量は、6.8wtであることが示され、一方、TEM特性評価によれば、2乃至5nmの厚さの薄いアモルファスSiOx表面層の存在が示された。実施例1に記載したとおりに、ペーストを調製し、コインセルを作製し試験した。3500mAh/gシリコンの脱リチウム容量を測定すると、第1サイクルの後、573mAh/g14の不可逆容量が得られており表1参照、これは非常に高いと考えられる。比較例CE3-42つの市販のシリコン試料を購入した。それぞれの酸素含量は、19.3wt比較例3、カイアー、中国Kaier,CNより入手、BET値20m2/gおよび推定平均一次粒径130nmおよび25wt比較例4、アルドリッチ、米国Aldrich,USより入手、BET値34m2/gおよび推定平均一次粒径75nmであった。比較例3の表面層の平均厚さは15nmであった表面層厚さと酸素含量は互いに関係している。実施例1に記載したとおりに、ペーストを調製し、コインセルを作製し試験した。その結果、それぞれ、2800と1500mAh/gシリコンの低脱リチウム容量となった表1参照。さらに、第1サイクルの後、600mAh/g17比較例3および644mAh/g30比較例4の高不可逆容量値が得られ、これは実施例1より高かった。図2は、第1サイクルについての実施例1および比較例4のコインセルの電極中のシリコンの容量mAh/gを示す。実施例5時間および温度の関数としての粉末の安定性を、安定性実験において検査した。実施例1で得た粉末を空気中、異なる温度で1時間アニールし、得られた粉末の酸素含量を化学分析により測定した。酸素レベルは、空気中、700°Cまで安定なままで、その後、50wt酸素までの急激な増加が生じることが図3に示されている。図3において、酸素レベル実線は、wtで左側にあり、一方、対応のBET値m2/g、点線は、右側に示され、両方共、温度°Cの関数である。酸素レベルwtを日数での時間に対して示す図4に示されるとおり、室温で、時間に応じての酸素レベルの大幅な増加は観察されなかった。本発明の原理の応用を示すために、本発明の特定の実施形態および/または詳細を示し上述してきたが、本発明は、かかる原理から逸脱することなく、請求項により完全に記載されるものとして、またはその他当業者に公知されているものとしてあらゆる等価物を含めて、実施してよいものと考えられる。"