金属電極を含み、互いに対向して配置される第1基板及び第2基板と、前記第1基板及び第2基板の間に配置される複数の熱電素子と、前記熱電素子にナノ粒子がドープされる、ナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記複数の熱電素子は、ナノ粒子がドープされたN型熱電半導体素子とP型熱電半導体素子が交互に配置される構造で形成される、請求項1に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記複数の熱電素子は、前記第1基板及び第2基板の他面に形成された電極パターンを媒介にして直列接続される構造で配置される、請求項2に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記ナノ粒子がドープされたN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子は、一定の間隔を置いて形成されたフォノン散乱膜をさらに含む、請求項3に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記フォノン散乱膜の厚さは1nm~100nmである、請求項4に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記フォノン散乱膜は001mm~01mmの間隔を置いて形成される、請求項4に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記フォノン散乱膜は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなる、請求項4に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記ナノ粒子の粒径は1nm~100nmである、請求項3又は請求項4に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記ナノ粒子は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなる、請求項8に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。熱電モジュールは、前記金属電極と前記熱電素子との間に形成される拡散防止膜をさらに含む、請求項3又は請求項4に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記拡散防止膜は、Pb、Sn、Pt、Niのうち少なくともいずれか一つからなる、請求項10に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。前記第1及び第2基板は、シリコン基板、アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、感光性ガラス、BeO、PCB基板、アルミナのうちいずれか一つを用いて形成する、請求項11に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュール。ナノ粒子がドープされた複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成し、前記複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を金属電極が形成された第1基板及び第2基板の間に交互に配列して電気的に接続する、ナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュールの製造方法。前記複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成する工程は、前記複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子にナノ粒子をドープし、前記ナノ粒子がドープされた複数のN型半導体及びP型半導体の一端にフォノン散乱膜を形成し、前記フォノン散乱膜が形成されたN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子をそれぞれ接合して、接合された複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成する、請求項13に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュールの製造方法。前記複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子にナノ粒子をドープする工程は、001~01mmの厚さのN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子に1~100nm粒径のナノ粒子をドープする工程である、請求項14に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュールの製造方法。前記複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子にナノ粒子をドープする工程は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなるナノ粒子をドープする工程である、請求項14に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュールの製造方法。前記フォノン散乱膜を形成する工程は、1~100nmの厚さのフォノン散乱膜を形成する工程である、請求項14に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュールの製造方法。前記フォノン散乱膜を形成する工程は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなるフォノン散乱膜を形成するステップである、請求項14に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュールの製造方法。前記ナノ粒子がドープされた複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成した後に、前記複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子の両端に拡散防止膜を形成する工程をさらに含む、請求項13に記載のナノ粒子をドープした熱電素子を含む熱電モジュールの製造方法。本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、バルクタイプのナノ粒子をドープして再結合することにより、フォノンの進路を阻んで高い製造コストがかかることなく既存のバルクタイプよりも高い熱電指数値を有する熱電モジュール及びその製造方法を提供することにある。上述した技術的課題を解決するために本発明は、金属電極を含み、互いに対向して配置される第1及び第2基板、第1及び第2基板の間に配置される複数の熱電素子、熱電素子にはナノ粒子がドープされる、ナノ粒子がドープされた熱電素子を含む熱電モジュールを提供することができる。なお、本発明において複数の熱電素子は、ナノ粒子がドープされたN型熱電半導体素子とP型熱電半導体素子が交互に配置される構造で形成されるナノ粒子がドープされた熱電素子を含む熱電モジュールを提供することができる。なお、上述した複数の熱電素子は、例えば、第1及び第2絶縁基板の他面に形成された電極パターンを媒介にして直列接続される構造で配置される。なお、ナノ粒子がドープされたN型及びP型熱電半導体素子は、一定の間隔を置いて形成されたフォノン散乱膜をさらに含んで構成することができる。この場合、フォノン散乱膜の厚さは1nm~100nmであり、さらにフォノン散乱膜は001mm~01mmの間隔を置いて形成することができる。特に、上述したフォノン散乱膜は、例えば、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなる。上述した本発明において、ナノ粒子の粒径は1nm~100nmである。特に、この場合、ナノ粒子は、例えば、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなる。なお、熱電モジュールは、金属電極と熱電素子との間に形成される拡散防止膜をさらに含んで構成することができる。なお、拡散防止膜は、例えばPb、Sn、Pt、Niのうち少なくともいずれか一つ以上からなる。本発明に係る第1及び第2基板は、シリコン基板、アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、感光性ガラス、BeO、PCB基板、アルミナのうちいずれか一つを用いて形成することができる。上述した本発明に係る熱電モジュールは、次のような工程を経て製造することができる。具体的には、ナノ粒子がドープされた複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成し、複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を金属電極が形成された第1基板及び第2基板の間に交互に配列して電気的に接続することにより構成することができる。このような工程において、上述した複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成する工程は、複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子にナノ粒子をドープし、ナノ粒子がドープされた複数のN型半導体及びP型半導体の一端にフォノン散乱膜を形成し、フォノン散乱膜が形成されたN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子をそれぞれ接合して、接合された複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成する工程で実現することができる。なお、上述した工程において、複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子にナノ粒子をドープする工程は、001~01mmの厚さのN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子に1~100nm粒径のナノ粒子をドープする工程で実現することができる。なお、上述した工程において、複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子にナノ粒子をドープする工程は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなるナノ粒子をドープする工程で実現することができる。なお、本発明に係るフォノン散乱膜を形成する工程は、1~100nmの厚さのフォノン散乱膜を形成する工程で実現することができる。なお、フォノン散乱膜を形成する工程は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなるフォノン散乱膜を形成するステップで実現することができる。なお、本発明に係る製造工程は、ナノ粒子がドープされた複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子を形成した後に、複数のN型熱電半導体素子及びP型熱電半導体素子の両端に拡散防止膜を形成する工程をさらに含んで構成することができる。本発明によると、複数のバルク型熱電半導体に熱の移動を担うフォノンの移動を妨げるために、ナノ粒子をドープすると共に、フォノン散乱のためのフォノン散乱膜を蒸着して再結合することにより、フォノンの進路を阻んで既存のバルクタイプよりも高い熱電指数を有する熱電素子が含まれた熱電モジュールを実現することができる。本発明は、ナノ粒子がドープされた熱電素子を含む熱電モジュール及びその製造方法であって、より詳しくは、複数のバルクタイプの基材上にナノ粒子をドープして再結合することにより、フォノンの進路を阻んでより高い熱電指数値を有する熱電モジュール及びその製造方法に関するものである。このために、本発明は、金属電極を含み、互いに対向して配置される第1及び第2基板と、第1及び第2基板の間に配置される複数の熱電素子とからなり、熱電素子にはナノ粒子がドープされる、ナノ粒子がドープされた熱電素子を含む熱電モジュールを提供することができる。特に、このような本発明に係る熱電モジュールは、ナノ粒子がドープされた複数のN型及びP型熱電半導体素子を形成し、複数のN型及びP型熱電半導体素子を金属電極が形成された第1及び第2基板の間に交互に配列して電気的に接続する製造工程により実現することができる。以下、添付した図面を参照して本発明に係る構成及び作用を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本明細書にわたって同一又は類似する構成要素に対しては同一の参照符号を付す。図2は、本発明の一実施形態によるナノ粒子がドープされた熱電素子を含む熱電モジュールの断面図である。図2を参照すると、本発明の一実施形態によるナノ粒子がドープされた熱電素子を含む熱電モジュールは、金属電極150を含み、互いに対向して配置される第1基板140a及び第2基板140bを備え、第1及び第2基板の間には複数の熱電素子110、115が配置される。特に、熱電素子にはナノ粒子がドープされることが望ましい。第1基板140a及び第2基板140bは、セラミック基板であって、アルミナであることが望ましいが、これに限らず、シリコン基板、アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、PSG、Al2O3、BeO、PCB基板のうちいずれか一つを用いて形成することができる。熱電素子は、第1基板140a及び第2基板140bの間に並列に配置される構造であり、より具体的には、少なくとも一つ以上の熱電素子が第1基板140a及び第2基板140bを支持する柱構造で配置され、より望ましくは、それぞれの熱電素子が一定の間隔を置いて離隔配置され、この場合、それぞれの熱電素子はN型及びP型熱電半導体素子110、115が交互に配置される。特に、この場合、N型及びP型熱電半導体素子110、115の内部には、複数のナノ粒子120がドープされた構造を形成することがより望ましい。したがって、それぞれの熱電素子は、複数のナノ粒子120がドープされた熱電素子、すなわち、ナノ粒子がドープされた複数のN型及びP型熱電半導体素子110、115が互いに離隔されて交互に配列され、金属電極150により電気的に直列接続され、熱的には並列に配置される構成を有するように実現することができる。この時、ナノ粒子120の粒径は、1nm~100nmであることが望ましく、ナノ粒子120は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなることが望ましい。このように、ナノ粒子120により、熱の移動を担うフォノンの移動を妨げることができ、熱電指数を高めて効率を向上させることができる。なお、ナノ粒子120がドープされたN型及びP型熱電半導体素子110、115は、フォノン散乱のために一定の間隔を置いて形成されるフォノン散乱膜130をさらに含むことができる。この場合、フォノン散乱膜130の厚さd2は1~100nmであることが望ましく、フォノン散乱膜130は、アンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなることが望ましい。なお、フォノン散乱膜130は、001~01mmの間隔d1を置いて形成されることが望ましい。フォノン散乱膜130は、001~01mmの厚さd1のナノ粒子120がドープされた複数の熱電半導体素子110、115の一端に蒸着して形成し、その後、フォノン散乱膜130が形成された複数の熱電半導体素子110、115を接合する方式で熱電モジュールに配列する熱電半導体素子を形成するが、これは、以下の製造工程についての説明でより詳しく説明する。なお、金属電極150と熱電半導体素子との間に金属の拡散を防止するために拡散防止膜160をさらに含むことができ、拡散防止膜160はニッケルであることが望ましい。又は、拡散防止膜は、例えばPb、Sn、Pt、Niのうち少なくともいずれか一つ以上からなる。下記の表は、既存のバルク型熱電素子、ナノ粒子のみがドープされた熱電素子、ナノ粒子がドープされ、フォノン散乱膜が形成された熱電素子、及び超格子熱電素子の熱電指数及び製造コストを示すものである。上記の表から分かるように、既存のバルク材の性能指数が10であると、ナノ粒子120がドープされた熱電素子の場合には、既存のバルク材のみを使用した場合よりも性能が50向上し、フォノン散乱膜130を共に形成した場合には、性能が75向上して高い効率を得ることができる。ナノ粒子の形成において既存のものと比較すると、バルクの厚さが薄いため、相対的に容易に粒子を形成することができ、また、大面積が不可能であり、製造コストが高い超格子を使用せずに、フォノンの移動を妨げることができる効果を最大化できる。図3は、本発明の一実施形態によるナノ粒子がドープされた熱電素子を含む熱電モジュールの製造工程図である。図3を参照すると、既存のバルク型熱電半導体素子の厚さ1~2mmよりも薄い001~01mmの厚さd1の複数のN型及びP型熱電半導体素子110を製作するが、熱電半導体素子は、テルル化ビスマス系材料で製作する。その後、熱の移動を担うフォノンの移動を妨げるために、複数の熱電半導体素子110にナノ粒子120を形成させる。この時、ナノ粒子120の粒径は1~100nmであることが望ましく、その材料としてはアンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなることが望ましい。次に、ナノ粒子120がドープされた熱電半導体素子110の一端にフォノン散乱のためのフォノン散乱膜130をコーティングや蒸着により形成させるが、フォノン散乱膜130の厚さは1~100nmであることが望ましく、その材料としては、ナノ粒子120と同様にアンチモン、セレン、ホウ素、ガリウム、又はインジウムのうちいずれか一つからなることが望ましい。フォノン散乱膜130が形成された熱電半導体素子110を一列に接着して熱電モジュールに配列する熱半導体素子を形成し、金属電極150が形成されたアルミナのような第1基板140a及び第2基板140bの間にN型及びP型熱電半導体素子を交互に配列するが、金属電極150を媒介にして電気的に直列接続されるようにする。この時、熱電半導体素子110、115と金属電極150との接続前に、金属の拡散を防止するために、熱電半導体素子の両端に拡散防止膜160を形成することが望ましく、この時、拡散防止膜160は、ニッケルであることが望ましい。このように、ナノ粒子120とフォノン散乱膜130によりフォノンの移動を妨げることにより、高い製造コストがかかることなく熱電指数を高めて効率の高い熱電モジュールを製造することができる。