"金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ部と、金属及び金属酸化物を含む複合材料からなり且つ前記サーミスタ部を挟み込むように配置される一対のコンポジット部と、前記サーミスタ部と前記一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、前記一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極と、を備えたことを特徴とするチップサーミスタ。前記外部電極それぞれは、前記素体の長手方向における各端面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のチップサーミスタ。前記外部電極それぞれは、前記素体の長手方向に伸びる少なくとも一の側面上において互いに対向するように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のチップサーミスタ。前記サーミスタ部は、前記一対のコンポジット部の対向方向が積層方向となるように層状に形成されていることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記一対のコンポジット部それぞれは、前記一対のコンポジット部の対向方向が積層方向となるように層状に形成されていることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記サーミスタ部は、その両側において、前記一対のコンポジット部と略全面で接続していることを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記サーミスタ部は、負特性を有するサーミスタ素子から構成されており、前記一対のコンポジット部の対向方向における前記サーミスタ部の厚みが前記素体の長手方向の長さの0.01倍~0.8倍の間の何れかの長さであることを特徴とする請求項1~6の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記複合材料は、金属酸化物中に金属が分散又は金属中に金属酸化物が分散している材料であることを特徴とする請求項1~7の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記一対のコンポジット部それぞれにおいて、前記複合材料中の金属によって、前記外部電極と前記サーミスタ部との間に導通路が形成されていることを特徴とする請求項1~8の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記外部電極が電気めっきにより形成されていることを特徴とする請求項1~9の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記素体の外表面のうち少なくとも前記サーミスタ部にかかる領域に絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項1~10の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記外部電極は、前記素体の一部を構成する前記コンポジット部に直接めっきされることにより形成されていることを特徴とする請求項1~10の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記外部電極は、前記素体の一部を構成する前記コンポジット部の外表面の略全面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1~12の何れか一項に記載のチップサーミスタ。前記外部電極は、前記素体の一部を構成する前記サーミスタ部を覆わないように形成されていることを特徴とする請求項1~13の何れか一項に記載のチップサーミスタ。金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ層を準備する工程と、金属及び金属酸化物を含む複合材料からなるコンポジット層を準備する工程と、前記コンポジット層の間に所定数の前記サーミスタ層が挟まれるように前記サーミスタ層及び前記コンポジット層を積層して積層体を得る工程と、前記積層体を切断して、複数の素体を取得する工程と、前記サーミスタ層及び前記コンポジット層の積層方向が対向方向となるように前記素体の両端に外部電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とするチップサーミスタの製造方法。ところで、このような構成のチップサーミスタでは、サーミスタ素体の固有抵抗や外部電極間の距離及びその形状といった複数の要素に応じてチップサーミスタ全体の抵抗値が変化してしまうため、所望の抵抗値を得ようとした場合、複数の要素を考慮しなければならず、チップサーミスタの抵抗値を所望の値に調整することが難しい場合があった。特に、チップサーミスタが0402長さ0.4mm×高さ0.2mm×幅0.2mmといった極小サイズとなると、外部電極間の距離等を所望の値に制御することが困難となり、チップサーミスタの抵抗値を所望の値に調整することが更に難しくなるといった問題があった。本発明は、抵抗値の調整を容易に行うことができるチップサーミスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明に係るチップサーミスタは、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ部と、金属及び金属酸化物を含む複合材料からなり且つサーミスタ部を挟み込むように配置される一対のコンポジット部と、サーミスタ部と一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極と、を備えている。本発明に係るチップサーミスタでは、一対のコンポジット部がサーミスタ部を挟むように配置され、この一対のコンポジット部に外部電極が接続される構成となっている。このため、チップサーミスタの抵抗値を調整するのに、サーミスタ部における抵抗を主として考慮すればよく、例えば外部電極間の距離やその形状等をあまり考慮する必要がなくなる。従って、このチップサーミスタによれば、抵抗値の調整を容易に行うことができる。また、略直方体形状の素体の長手方向にコンポジット部がサーミスタ部を挟む構成となっているため、サーミスタ部の厚みの設計幅を比較的広い範囲とすることができ、この点でも抵抗値の調整を容易に行うことができる。また、本発明に係るチップサーミスタでは、一対のコンポジット部がサーミスタ部を挟むように配置され、この一対のコンポジット部に外部電極が接続される構成となっている例えば図2参照。このため、サーミスタ素体に直接外部電極が接続される従来の構成特許文献1の図2等参照に比べ、同一のチップサイズにおいて、低抵抗化を図ることもできる。また、サーミスタ部の厚み等を調整することで抵抗値を変えることができるので、抵抗値の調整範囲を広くすることができる。また、本発明に係るチップサーミスタでは、サーミスタ部と外部電極との間にコンポジット部が配置されており、このコンポジット部が金属及び金属酸化物を含む複合材料により形成されている。このため、チップサーミスタにおける熱を、コンポジット部を介して容易に放熱することができ、放熱性に優れたチップサーミスタを得ることができる。特に、サーミスタは元々、熱によって抵抗値が変わる特性を有しているため、放熱性が優れていることで、熱応答性が向上し、より正確な検出が可能となる。また、放熱性に優れたチップサーミスタであることから、チップサーミスタの定格電力を大きくすることもでき、様々な分野で使用されるチップサーミスタに適用できる。本発明に係るチップサーミスタにおいて、外部電極それぞれは、素体の長手方向における各端面を覆うように形成されていてもよい。この場合、外部電極と素体の一部を構成するコンポジット部との接続をより堅固なものにすることができる。本発明に係るチップサーミスタにおいて、外部電極それぞれは、素体の長手方向に伸びる少なくとも一の側面上において互いに対向するように形成されていてもよい。この場合、外部電極と素体の一部を構成するコンポジット部との接続を更に堅固なものにすることができる。また、素体の側面に外部電極が形成されることから、チップサーミスタを基板等の表面に容易に実装することができる。本発明に係るチップサーミスタにおいて、サーミスタ部は、一対のコンポジット部の対向方向が積層方向となるように層状に形成されていてもよい。この場合、サーミスタ部の厚さコンポジット部の対向方向における厚さをサーミスタ層の積層数によって調整することができ、これにより、サーミスタ部の厚さと比例関係にあるチップサーミスタの抵抗値を容易に調整することができる。また、サーミスタ層の積層数でチップサーミスタの抵抗値を調整することになるので、各チップサーミスタにおける抵抗値のバラツキを容易に抑えることができ、特に、極小サイズのチップサーミスタの場合において、そのバラツキを顕著に抑制することができる。つまり、本構成によれば、検出精度のよい極小サイズのチップサーミスタを容易に得ることができる。本発明に係るチップサーミスタにおいて、一対のコンポジット部それぞれは、一対のコンポジット部の対向方向が積層方向となるように層状に形成されていてもよい。この場合、各コンポジット部の長さコンポジット部の対向方向における長さをコンポジット層の積層数によって容易に調整することができる。特に、サーミスタ部及びコンポジット部の両方を層状に形成するようにした場合、チップサーミスタ全体の長さ等を容易に調整することができ、極小サイズのチップサーミスタの場合であっても、寸法精度のよいチップサーミスタを容易に得ることができる。本発明に係るチップサーミスタにおいて、サーミスタ部は、その両側において、一対のコンポジット部と略全面で接続していてもよい。この場合、サーミスタ部とコンポジット部とが確実に結合される。本発明に係るチップサーミスタにおいて、サーミスタ部は、負特性を有するサーミスタ素子から構成されており、一対のコンポジット部の対向方向におけるサーミスタ部の厚みが素体の長手方向の長さの0.01倍~0.8倍の間の何れかの長さであってもよい。この場合、NTCNegativeTemperatureCoefficientサーミスタとしての抵抗値をより低めに設定することができる。なお、低抵抗化の観点からは、サーミスタ部の厚みが素体の長手方向の長さの0.1倍以下であることが好ましい。本発明に係るチップサーミスタにおいて、複合材料は、金属酸化物中に金属が分散又は金属中に金属酸化物が分散している材料であってもよい。また、一対のコンポジット部それぞれにおいて、複合材料中の金属によって、外部電極とサーミスタ部との間に導通路が形成されているようにしてもよい。本発明に係るチップサーミスタにおいて、素体の外表面のうち少なくともサーミスタ部にかかる領域に絶縁層が形成されていてもよい。この場合、チップサーミスタの抵抗値に対する外部電極間の距離等の影響をより取り除くことができる。また、外部電極が電気めっきにより形成されていてもよい。本発明に係るチップサーミスタにおいて、外部電極は、素体の一部を構成するコンポジット部に直接めっきされることにより形成されていてもよい。この場合、外部電極の一部を為す一の電極層の印刷及び焼き付けといった工程が不要となり、焼き付けによるチップサーミスタへの熱の影響を低減させることができる。また、外部電極の一部を為す一の電極層が不要となるため、チップサーミスタの更なる小型化を図ることが可能となる。また、めっきが素子形状に沿って被覆されることになるため、チップサーミスタの外形の平坦度を向上させることができ、これにより、電子部品連の収納部内において、チップサーミスタの転がり等を抑止して、チップサーミスタの基板等への実装不良を低減することが可能となる。本発明に係るチップサーミスタにおいて、外部電極は、素体の一部を構成するコンポジット部の外表面の略全面を覆うように形成されていてもよい。この場合、コンポジット部の厚みがそのまま外部電極の幅となるため、両外部電極における幅寸法のバラツキを抑えることができる。その結果、外部電極の幅寸法のバラツキによる、はんだ溶融時間の差が一因となって起こる実装時のチップ立ちといった現象を低減させることが可能となる。本発明に係るチップサーミスタにおいて、外部電極は、素体の一部を構成するサーミスタ部を覆わないように形成されていてもよい。この場合、サーミスタ部の厚みが薄くても、抵抗への影響を低減することができる。また、上記課題を解決するため、本発明に係るチップサーミスタの製造方法は、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ層を準備する工程と、金属及び金属酸化物を含む複合材料からなるコンポジット層を準備する工程と、コンポジット層の間に所定数のサーミスタ層が挟まれるようにサーミスタ層及びコンポジット層を積層して積層体を得る工程と、積層体を切断して、複数の素体を取得する工程と、サーミスタ層及びコンポジット層の積層方向が対向方向となるように素体の両端に外部電極を形成する工程と、を備えている。本発明に係るチップサーミスタの製造方法では、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ層と金属及び金属酸化物を含む複合材料からなるコンポジット層とを準備し、コンポジット層の間に所定数のサーミスタ層が挟まれるようにサーミスタ層及びコンポジット層を積層等して、チップサーミスタを製造している。この場合、製造されるチップサーミスタの抵抗値を調整するのに、サーミスタ層の積層数を主として考慮すればよく、例えば外部電極間の距離等をあまり考慮する必要がなくなる。従って、このチップサーミスタの製造方法によれば、チップサーミスタの抵抗値の調整を容易に行ってチップサーミスタを製造することができる。また、本発明に係るチップサーミスタの製造方法では、サーミスタ層の積層数でチップサーミスタの抵抗値を調整することができるので、抵抗値のバラツキを抑えてチップサーミスタを製造することができ、特に、極小サイズのチップサーミスタの場合にバラツキを抑制して製造することができる。また、サーミスタ層及びコンポジット層を積層してチップサーミスタを製造しているため、チップサーミスタ全体の長さ等も容易に調整することができ、極小サイズのチップサーミスタを製造する場合であっても、寸法精度のよいチップサーミスタを容易に製造することが可能である。本発明によれば、抵抗値の調整を容易に行うことができるチップサーミスタ及びその製造方法を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。[第1実施形態]チップサーミスタ1は、NTCサーミスタであり、図1に示されるように、略直方体形状の素体3と、素体3の長手方向の両端に形成された一対の外部電極5,5とを備えている。このチップサーミスタ1は、例えば、図示Y方向における長さが0.4mm、Z方向における高さが0.2mm、X方向における幅が0.2mmといった極小サイズいわゆる0402のサーミスタである。素体3は、サーミスタ部7と、一対のコンポジット部9とを含むように構成されている。素体3は、外表面として、互いに対向し且つ正方形状の端面3a,3bと、端面3a,3bに直交する4つの側面3c~3fとを有している。4つの側面3c~3fは、端面3a,3b間を連結するように伸びている。端面3a,3bは、矩形形状であってもよい。サーミスタ部7は、図1及び図2に示されるように、素体3の略中央部に位置する直方体形状の部分であり、負特性を有するサーミスタ素子から構成される。サーミスタ部7は、図3に示されるように、所定のB定数を有する複数のサーミスタ層7aを図示Y方向コンポジット部9の対向方向に積層した層状の部分として形成される。本実施形態では、複数のサーミスタ層7aを積層してサーミスタ部7の厚みが例えば100μmとなるようにしており、サーミスタ部7の厚みが素体3の長手方向Y方向の長さである400μmの0.25倍25となっている。サーミスタ部7を構成するサーミスタ層7aは、例えば主成分としてMn,Ni及びCoの各金属酸化物を含んだセラミックスから形成される。サーミスタ層7aは、主成分であるMn,Ni及びCoの各金属酸化物の他に、特性の調整のために、Fe,Cu,Al,Zrなどを副成分として含んでいてもよい。また、サーミスタ部7は、Mn,Ni及びCoの各金属酸化物に代えて、Mn及びNiの各金属酸化物やMn及びCoの各金属酸化物から形成されていてもよい。コンポジット部9は、図1及び図2に示されるように、素体3の中央部から両端部側に寄った箇所に位置する略直方体形状の部分であり、サーミスタ部7をその間に挟むようにサーミスタ部7の両側に配置されている。コンポジット部9は、図3に示されるように、Ag-Pd金属と、Mn,Ni及びCoの各金属酸化物とを含む複合材料からなる複数のコンポジット層9aを図示Y方向に積層した層状の部分として形成される。サーミスタ部7を間に挟んで互いに対向する各コンポジット部9は、同数のコンポジット層9aを積層して形成されているため、同じ厚みを有する。なお、コンポジット部9を構成する金属酸化物と同様の材料によって形成されているサーミスタ部7は、その両側において、各コンポジット部9と略全面で接続されるようになっており、しかも、両者が同様の金属酸化物を含むように形成されていることから、サーミスタ部7とコンポジット部9との境界面における接続強度は強固となっている。また、コンポジット部9を構成する複合材料において、Ag-Pdは、上述した金属酸化物中に分散された状態となっており、図4に示されるように、Ag-Pdによって、外部電極5とサーミスタ部7との間を繋ぐ導通路9bが形成されるようになっている。図4では説明を容易にするため、一つの導通路9bのみを示しているが、各コンポジット部9には、多数の導通路9bが形成されるようになっている。コンポジット部9は、含有金属として、Ag-Pdに代えて、Ag,Au,Pd,Pt等の何れかを含むようにしてもよい。また、コンポジット部9は、金属酸化物として、Mn,Ni及びCoの各金属酸化物に代えて、Mn及びNiの各金属酸化物やMn及びCoの各金属酸化物から形成されていてもよい。素体3の側面3c~3fには、図2に示されるように、絶縁層11が形成されている他の図では省略。絶縁層11は、例えばSiO2、ZrO2、Al2O3などから構成される。また、絶縁層11は、少なくともサーミスタ部7の露出面を覆うように形成され、これにより、外部電極5とサーミスタ部7とが直接接続されてしまうことが防止される。チップサーミスタ1において、この絶縁層11を形成しなくてもよい。一対の外部電極5,5は、素体3の各端面3a,3bを覆うように多層に形成されている。外部電極5は、素体3のコンポジット部9に直接接続され且つAg等を主成分とした導電性粉末及びガラスフリットを含む第一電極層5aと、第一電極層5aを覆うように形成され且つNiを主成分とする第二電極層5bと、第二電極層5bを覆うように形成され且つSnを主成分とする第三電極層5cとを含む。次に、チップサーミスタ1の製造方法について図5を参照しながら説明する。まず、公知の方法により、サーミスタ層7aの主成分であるMn,Ni及びCoの各金属酸化物と、副成分であるFe,Cu,Al,Zr等とを所定の割合で混合してサーミスタ材料を調整する。そして、このサーミスタ材料に有機バインダ等を添加してスラリーP1を得るステップS01。同様に、コンポジット層9aを構成する複合材料に含まれるAg-Pdと、Mn,Ni及びCoの各金属酸化物とを所定の割合で混合してコンポジット材料を調整する。そして、このコンポジット材料に、有機バインダ等を添加してスラリーP2を得るステップS01。次に、作成した各スラリーP1,P2をフィルム上に塗布して、サーミスタ層7aに対応するグリーンシートと、コンポジット層9aに対応するグリーンシートとをそれぞれ形成するステップS02。その後、コンポジット層9aに対応するグリーンシートの間にサーミスタ層7aに対応するグリーンシートが所定数、挟まれるように、サーミスタ層7a及びコンポジット層9aに対応する各グリーンシートを積層する図6参照。その後、積層されたグリーンシートに圧力を加えて各グリーンシートを互いに圧着させ、グリーンシート積層体を形成するステップS03。このグリーンシート積層体を乾燥させた後、図6に示されるように、ダイシングソー等により、チップ単位に切断し、複数のグリーン体30焼成前の素体3を得るステップS04。その後、複数のグリーン体30に180°C~400°Cの温度で0.5時間~24時間程度の加熱処理を実施し、脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理の後、空気又は酸素の雰囲気下において800°C以上の温度でグリーン体30を加熱し、サーミスタ部7とコンポジット部9とを一体焼成するステップS05。これにより、素体3が形成される。なお、焼成後、必要に応じてバレル研磨を行ってもよい。その後、素体3の側面3c~3fを覆うように、スパッタ等により、SiO2等からなる絶縁層11を素体3の外表面に形成するステップS06。次に、Ag,Cu又はNiを主成分とした金属粉末及びガラスフリットに有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストを用意する。そして、この導電性ペーストを、素体3の両端面3a,3bを覆うように転写法により塗布し、焼き付けることによって第一電極層5aを形成する。続いて、第一電極層5aを覆うように、Niめっき及びSnめっき等の電気めっき処理を行って第二及び第三電極層5b,5cを形成する。これにより、サーミスタ層7a及びコンポジット層9aの積層方向が対向方向となるように、素体3の両端に外部電極5が形成されステップS07、チップサーミスタ1が完成する。以上のように、本実施形態に係るチップサーミスタ1では、図2に示されるように、一対のコンポジット部9,9がサーミスタ部7を挟むようにその両側に配置され、この一対のコンポジット部9,9に外部電極5,5が接続される構成となっている。つまり、一対のコンポジット部9,9をバルク電極として用いている。このため、チップサーミスタ1の抵抗値を調整するのに、サーミスタ部7における抵抗を主として考慮すればよく、例えば外部電極5,5間の距離やその形状等をあまり考慮する必要がなくなる。従って、このチップサーミスタ1によれば、抵抗値の調整を容易に行うことができる。また、チップサーミスタ1では、上述した構成により、サーミスタ素体に直接外部電極が接続される従来の構成特許文献1の図2等参照に比べ、同一のチップサイズにおいて、低抵抗化を図ることもできる。さらに、サーミスタ部7の厚み等を調整することで抵抗値を変えることができるので、抵抗値の調整範囲を広くすることもできる。また、チップサーミスタ1では、サーミスタ部7と外部電極5,5との間にコンポジット部9,9が配置されており、このコンポジット部9,9が金属及び金属酸化物の複合材料により形成されている。このため、チップサーミスタ1における熱を、コンポジット部9,9を介して容易に放熱することができ、放熱性に優れたチップサーミスタ1を得ることができる。特に、サーミスタは元々、熱によって抵抗値が変わる特性を有しているため、放熱性が優れていることで、熱応答性が向上し、より正確な検出が可能なチップサーミスタ1とすることができる。また、放熱性に優れたチップサーミスタ1であることから、チップサーミスタの定格電力を大きくすることもでき、様々な分野で使用されるチップサーミスタに適用することが可能である。チップサーミスタ1において、サーミスタ部7は、一対のコンポジット部9,9の対向方向が積層方向となるように層状に形成されている。このため、サーミスタ部7の厚さコンポジット部9,9の対向方向における厚さをサーミスタ層7aの積層数によって調整することができ、これにより、サーミスタ部7の厚さと比例関係にあるチップサーミスタ1の抵抗値を容易に調整することができる。また、サーミスタ層7aの積層数でチップサーミスタ1の抵抗値を調整することになるので、チップサーミスタ1の抵抗値のバラツキを容易に抑えることができ、特に、極小サイズのチップサーミスタ1の場合にバラツキを顕著に抑制することができる。言い換えると、本実施形態における構成によれば、検出精度のよい極小サイズのチップサーミスタ1を容易に得ることができる。チップサーミスタ1において、一対のコンポジット部9,9それぞれは、一対のコンポジット部9,9の対向方向が積層方向となるように層状に形成されている。このため、各コンポジット部9,9の長さコンポジット部9,9の対向方向における長さを積層数によって容易に調整することができる。特に、チップサーミスタ1では、サーミスタ部7及びコンポジット部9,9の両方を層状に形成しているため、チップサーミスタ1全体の長さ等を容易に調整することができ、チップサーミスタ1のように、極小サイズ0402のチップサーミスタであっても、寸法精度のよいチップサーミスタを容易に得ることができる。チップサーミスタ1において、サーミスタ部7は、その両側において、一対のコンポジット部9,9と略全面で接続されている。このように広い領域において両者が接続されているため、サーミスタ部7とコンポジット部9,9とが確実に結合される。しかも、本実施形態では、サーミスタ部7とコンポジット部9とが同種の金属酸化物を含んで構成されているため、両者の結合を一層、強固にすることができる。チップサーミスタ1において、サーミスタ部7及び一対のコンポジット部9,9によって略直方体形状の素体3が形成されており、この素体3の、サーミスタ部7にかかる領域を含む側面3c~3fに絶縁層11が形成されている。この絶縁層11により、外部電極5がサーミスタ部7に直接接続されないようになり、チップサーミスタ1の抵抗値に対する外部電極5,5間の距離等の影響をより取り除くことができる。チップサーミスタ1において、外部電極5,5は、素体3の長手方向における各端面3a,3bを覆うように形成されている。このため、外部電極5,5と素体3の一部を構成するコンポジット部9,9との接続をより堅固なものにすることができる。チップサーミスタ1において、外部電極5,5は、素体3の長手方向に伸びる側面3c~3f上において互いに対向するように形成されている。このため、外部電極5,5と素体3の一部を構成するコンポジット部9,9との接続を更に堅固なものにすることができる。また、素体3の側面3d実装面にも外部電極5,5が形成されることから、チップサーミスタ1を基板等の表面に容易に実装することができる。チップサーミスタ1において、外部電極5,5は、素体3の一部を構成するサーミスタ部7を覆わないように形成されている。この場合、サーミスタ部7の厚みが薄くても、抵抗への影響を低減することができる。[第2実施形態]次に、第2実施形態に係るチップサーミスタ21について説明する。チップサーミスタ21は、第1実施形態と同様、NTCサーミスタであり、図7に示されるように、略直方体形状の素体23と、素体23の長手方向の両端に形成された一対の外部電極25,25とを備えている。チップサーミスタ21は、例えば、図示Y方向における長さが0.4mm、Z方向における高さが0.2mm、X方向における幅が0.2mmといった極小サイズいわゆる0402のサーミスタである。以下、第1実施形態と相違する点を中心として、第2実施形態を説明する。素体23は、図8に示されるように、サーミスタ部27と、一対のコンポジット部29とを含むように構成されている。素体23は、その外表面として、互いに対向し且つ正方形状の端面23a,23bと、端面23a,23bに直交する4つの側面23c~23fとを有している。サーミスタ部27は、図7及び図8に示されるように、素体23の長手方向の略中央部に位置する直方体形状の部分であり、負特性を有するサーミスタ素子から構成される。サーミスタ部27は、第1実施形態と同様、所定のB定数を有する複数のサーミスタ層7aを図示Y方向コンポジット部29の対向方向に積層した層状の部分として形成される。本実施形態では、複数のサーミスタ層7aを積層してサーミスタ部27の厚みが例えば200μmとなるようにしており、サーミスタ部27の厚みが素体23の長手方向Y方向の長さである400μmの0.5倍50となっている。コンポジット部29は、図8に示されるように、素体23の中央部から両端部側に寄った箇所に位置する略直方体形状の部分であり、サーミスタ部27をその間に挟むようにサーミスタ部27の両側に配置されている。コンポジット部29は、第1実施形態と同様、Ag-Pd金属と、Mn,Ni及びCoの各金属酸化物とを含む複合材料からなる複数のコンポジット層9aを、図示Y方向に積層した層状の部分として形成される。サーミスタ部27を間に挟んで互いに対向する各コンポジット部29は、同数のコンポジット層9aを積層して形成されているため、同じ厚みを有する。一対の外部電極25,25は、素体23の各端面23a,23bを含むコンポジット部29,29の外表面の略全面を覆うようにそれぞれ形成されている。外部電極25は、素体23の一部を構成するコンポジット部29に直接めっきされることにより形成されており、コンポジット部29に直接接続され且つNiを主成分とする第二電極層25bと、第二電極層25bを覆うように形成され且つSnを主成分とする第三電極層25cとを含んで構成される。本実施形態では、第1実施形態と異なり、外部電極25が、導電性ペースト等から形成される第一電極層を含んでいない。コンポジット部29の略全面を覆うように形成される外部電極25の長手方向Y方向における厚みは100μmであり、基板等の表面実装が可能基板ランド等にはんだで接着可能な程度の厚みとなっている。このような構成を備えたチップサーミスタ21は、第1実施形態と略同様の製造方法によって製造することができる。但し、第2実施形態では、第1実施形態と異なり、絶縁層11を形成しないため、図5に示すステップS06を行わない。また、外部電極の形成ステップS07において、第一電極層を形成せずに、第二電極層25bを形成するNiをコンポジット部29に直接めっきし、その上に、第三電極層25cを形成するSnをめっきする。これにより、二層構造の外部電極25,25を備えたチップサーミスタ21を得る。以上のように、本実施形態に係るチップサーミスタ21では、図8に示されるように、一対のコンポジット部29,29がサーミスタ部27を挟むようにその両側に配置され、この一対のコンポジット部29,29に外部電極25,25が接続される構成となっている。つまり、一対のコンポジット部29,29をバルク電極として用いている。このため、チップサーミスタ21の抵抗値を調整するのに、サーミスタ部27における抵抗を主として考慮すればよく、抵抗値の調整を容易に行うことができ、抵抗値のバラツキを抑えたチップサーミスタを得ることができる。ここで、チップサーミスタ21の上述した作用効果を、従来のチップサーミスタと比較した対比試験に基づいて説明する。この対比試験では、チップサーミスタ21のCV値と、一般的なコンデンサ構造からなり一対の内部電極の重なり部で抵抗値を得る従来タイプのチップサーミスタ内部電極積層構造タイプのCV値とを、以下のように大きさが異なる4種類のチップ形状毎に対比する試験を行った。対比試験に用いたチップ形状11608長さが1.6mm、高さ及び幅が0.8mm21005長さが1.0mm、高さ及び幅が0.5mm30603長さが0.6mm、高さ及び幅が0.3mm40402長さが0.4mm、高さ及び幅が0.2mmこの対比試験に用いたCV値は、25°Cにおける素子抵抗値のバラツキの大きさを示す指標であり、以下の式1で表される。なお、本対比試験では、各サンプル数Nを30個とした。CV値=標準偏差/抵抗の平均値×1001上述した対比試験の結果を以下の表1に示す。表1に示すとおり、チップサーミスタ21によれば、4種類のチップ形状のいずれにおいても、従来のチップ部品よりもCV値を低くすることができた。つまり、チップサーミスタ21によれば、抵抗値のバラツキを抑えることができる。特に、チップサーミスタ21では、チップ形状がより小型例えば0603や0402になると、従来品に比べてCV値が顕著に小さくなる傾向が見られた。これは、従来品のように内部電極を重ねる構造のものでは、チップ形状が小さくなるにつれて、内部電極を印刷する時の印刷バラツキや積層する時の積層バラツキが発生して、抵抗値に与える影響が大きくなるのに対し、第2実施形態に示したチップサーミスタ21によれば、このようなバラツキによる影響を少なくすることができるためであると考えられる。また、チップサーミスタ21では、上述した作用効果に加え、第1実施形態と同様、低抵抗化を図ることや、抵抗値の調整範囲を広くすることもできる。また、チップサーミスタ21における熱を、コンポジット部29,29を介して容易に放熱することができ、放熱性に優れたチップサーミスタ21を得ることができる。特に、サーミスタは元々、熱によって抵抗値が変わる特性を有しているため、チップサーミスタ21では、放熱性が優れていることで、熱応答性が向上し、より正確な検出が可能となる。また、チップサーミスタ21では、外部電極25,25が、コンポジット部29,29に直接めっきされることにより形成されている。このため、導電ペースト等からなる第一電極層の印刷及び焼き付けといった工程が不要となり、焼き付けによるチップサーミスタへの熱の影響を低減させることができる。また、このように第一電極層が不要となるため、チップサーミスタの更なる小型化を図ることが可能となる。また、めっきが素子23の形状に沿って被覆されることになるため、チップサーミスタ21の外形の平坦度を向上させることができ、これにより、電子部品連の収納部内において、チップサーミスタ21の転がり等を抑止して、チップサーミスタ21の基板等への実装不良を低減することが可能となる。また、チップサーミスタ21では、外部電極25,25が、コンポジット部29の外表面の略全面を覆うように形成されている、このため、コンポジット部29,29の厚みがそのまま外部電極25,25の幅となり、両外部電極25,25における幅寸法のバラツキを抑えることができる。その結果、外部電極25,25の幅寸法のバラツキによる、はんだ溶融時間の差が一因となって起こり得る実装時のチップ立ちといった現象を低減させることが可能となる。本実施形態では、外部電極25,25がコンポジット部29の外表面の略全面を覆うように形成しているため、場合によっては外部電極25,25が伸びてサーミスタ部27の端部の一部表面を覆ってしまう場合もあるが、このような場合であっても外部電極25,25を構成するめっきはサーミスタ部27に完全には密着していないので、チップサーミスタ21の抵抗値にはあまり影響しない。以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、第1実施形態では、サーミスタ部7の厚みが100μmである場合について説明し、第2実施形態では、サーミスタ部27の厚みが200μmである場合について説明したが、チップサーミスタの低抵抗化を更に図るため、図9に示されるように、サーミスタ部7の厚みを40μmとして、サーミスタ部7の厚みが素体3の長手方向Y方向の長さである400μmの0.1倍10であるチップサーミスタ1aとしてもよい。チップサーミスタの低抵抗化の観点からは、サーミスタ部7の厚みが素体3の長手方向の長さの0.1倍以下であることがより好ましいが、上述した構成及びサーミスタ層7aを積層する製造方法によれば、このような厚みのサーミスタ部7も容易に形成することができる。但し、本発明に係るチップサーミスタは、上述した製造方法による製造に限定されるわけでなく、他の製造方法で製造してももちろんよい。また、チップサーミスタの低抵抗化を更に図るため、図10に示されるように、サーミスタ部7の厚みを10μmとして、サーミスタ部7の厚みが素体3の長手方向Y方向の長さである400μmの0.025倍2.5であるチップサーミスタ1bとしてもよい。一方、サーミスタ部7,27の厚みを逆に増やして300μmや320μmとし、サーミス部7,27の厚みが素体3,23の長手方向の長さである400μmの0.75倍75~0.8倍80といった値にしてもよい。このように、所望の抵抗値等を得るために、サーミスタ部7の厚みを素体3の長手方向の長さの0.025倍~0.8倍の間の何れかの長さにしてもよいが、サーミスタ部7,27の厚みはこの範囲に限定されるわけではなく、例えば0.01倍~0.8倍の間の何れかの長さを適宜、選択して適用することが可能である。また、上記実施形態では、チップサーミスタ1として、NTCサーミスタを例にとって説明したが、本発明は、これに限定されるわけではなく、PTCPositiveTemperatureCoefficientサーミスタなど他のチップサーミスタに適用してももちろんよい。"