a内部でプラズマ処理を行うための、周囲を略直交稜線で囲われた壁を有する密閉容器と、b前記壁の内面と外面の間に設けられた、内面側に開口を有する空洞から成るアンテナ配置部と、c前記アンテナ配置部内に配置された高周波アンテナと、d前記壁の内面の前記略直交稜線で囲われた部分全体を覆う誘電体製の仕切板と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。前記空洞が前記外面側に開口を有し、該外面側開口が蓋で密閉されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記高周波アンテナが前記蓋に取り付けられていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記アンテナ配置部が密閉されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記アンテナ配置部内が真空であることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。前記アンテナ配置部内が不活性ガスで満たされていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。前記アンテナ配置部内に誘電体部材が充填されていることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記アンテナ配置部が同一の壁に複数設けられていることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記高周波アンテナの作用部と該作用部に流れる電流に垂直な方向における前記空洞の壁の間の距離が30mm以上であることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記空洞が、前記外面側から前記内面側に向かって幅が広くなるように形成されていることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記アンテナ配置部内において、前記高周波アンテナの作用部の周囲を、前記内面側を除いて磁性体部材で覆っていることを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記磁性体部材の材料がフェライトであることを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。しかしながら、アンテナ表面を誘電体などで被覆しない内部アンテナ方式の誘導結合型プラズマ処理装置では、高周波アンテナとプラズマとが容量的に結合することによりアンテナに電子が流入するため、アンテナに直流のセルフバイアスが発生する。そしてアンテナに発生した直流のセルフバイアス電圧によってプラズマ中のイオンが加速され、高周波アンテナに入射することにより、アンテナ表面がスパッタされるという問題がある。これにより、高周波アンテナの寿命が短くなるうえ、スパッタされた高周波アンテナの材料が被処理物に不純物として混入してしまう。また、内部アンテナ方式では、製膜材料やエッチング時の副生成物が高周波アンテナの表面に付着し、その付着物が落下することにより、基体の表面に粒子状の異物パーティクルが発生してしまうおそれがある。本発明が解決しようとする課題は、外部アンテナ方式のものよりも高い密度でプラズマを生成することができると共に、内部アンテナ方式の問題点である、被処理物への不純物の混入やパーティクルの発生を抑えることができるプラズマ処理装置を提供することである。上記課題を解決するために成された本発明に係るプラズマ処理装置は、a内部でプラズマ処理を行うための、周囲を略直交稜線で囲われた壁を有する密閉容器と、b前記壁の内面と外面の間に設けられた、内面側に開口を有する空洞から成るアンテナ配置部と、c前記アンテナ配置部内に配置された高周波アンテナと、d前記壁の内面の前記略直交稜線で囲われた部分全体を覆う誘電体製の仕切板と、を備えることを特徴とする。ここで略直交稜線とは、前記壁の内面とその周囲の壁の内面とが交わる線であって、その内角が70~120°であるものをいう。本発明に係るプラズマ処理装置は、密閉容器の壁の内面と外面の間にアンテナ配置部を設け、その内部に高周波アンテナを配置したものである。このような構成を採ることにより、外部アンテナ方式の場合よりも強い誘導電磁界を密閉容器内に生成することが可能となる。そして、高周波アンテナと密閉容器の内部を誘電体製の仕切板で仕切ることにより、高周波アンテナがスパッタされたり、高周波アンテナに製膜材料やエッチング時の副生成物が付着してパーティクルが発生したりすることを防ぐことができる。さらには、アンテナ配置部が設けられた壁の内面側全体を仕切板で覆うことにより、壁面と仕切板とで段差が生じないようにしている。一般的に密閉容器内に段差のような凹凸があると、その部分に製膜材料や副生成物が付着してパーティクルが発生する原因となるが、本発明では密閉容器内に無駄な段差が生じないようにしたため、このようなパーティクルが発生する原因を取り除くことができる。なお、前記アンテナ配置部内は真空にするか、又は誘電体部材で充填することが望ましい。これにより、アンテナ配置部内で不要な放電を防ぐことができる。誘電体部材で充填する場合、アンテナ配置部内にできるだけ隙間が生じないようにすることが望ましいが、多少の隙間が生じても差し支えがない。また、誘電体部材で充填したアンテナ配置部内を更に真空排気するという構成を用いることもできる。前記アンテナ配置部は、同一の壁の内部に複数設けてもよい。これにより、密閉容器内に複数の高周波アンテナから誘導電磁界を生成することができるため、より大面積の薄膜の作製や、より大面積の被処理基体の処理を行うことができる。本発明に係るプラズマ処理装置は、密閉容器の壁の内面と外面の間に設けたアンテナ配置部内に高周波アンテナを配置し、そのアンテナ配置部の内部空間と密閉容器の内部空間とを、誘電体製の仕切板によって仕切った構成としている。このような構成を採ることにより、従来の外部アンテナ方式のものよりも強い誘導電磁界を密閉容器の内部に導入することができると共に、高周波アンテナがスパッタされたり、高周波アンテナに製膜材料や副生成物が付着してパーティクルが発生することを防ぐことができる。また、アンテナ配置部が設けられた壁の内面全体を仕切板で覆っているため、仕切板を設けたことによる段差が生まれず、段差の部分に製膜材料や副生成物が付着してパーティクルが発生することを防ぐことができる。図1~図13を用いて、本発明に係るプラズマ処理装置の実施例を説明する。まず、実施例1のプラズマ処理装置10について説明する。プラズマ処理装置10は、図1に示すように、金属製の真空容器11と、真空容器の内部空間111に配置された基体保持部12と、真空容器11の側壁に設けられたガス導入口131と、真空容器11の下壁に設けられたガス排出口132と、真空容器11の上壁112に設けられた貫通孔空洞の内部に高周波アンテナ18が配置されたアンテナ配置部14と、該上壁112の内面1121全体を覆う誘電体製の仕切板15と、を有する。なお、本実施例において内面1121とは略直交稜線113で囲われた領域を指し、上壁112とは該内面1121に対応する壁のことを指すものとする。また、仕切板15の材料としては、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物等を用いることができる。それらの材料の中で、石英、アルミナ、ジルコニア、イットリア、窒化珪素又は炭化珪素を好適に用いることができる。アンテナ配置部14は、上壁112の内面1121側の開口を塞ぐ仕切板15と、外面1122側の開口を塞ぐ蓋16と、内面1121と仕切板15の間及び外面1122と蓋16の間に設けられたガスシール17と、によって内部空間が密閉された構造となっている。蓋16には真空排気口161が設けられており、真空排気口161を介して内部空間の空気を排出することにより、アンテナ配置部14内を真空にすることができる。本実施例で用いる高周波アンテナ18は、棒状導体をU字形に成形したものである。このような巻き数が1未満のコイルから成る高周波アンテナではインダクタンスを低く抑えることができるため、高周波電力の投入時に高周波アンテナ18に印加される電圧が低下し、その結果、被処理基体がプラズマによりダメージを受けることを防ぐことができる。なお、アンテナ導体としてパイプ状のものを用い、パイプ内に冷却水などの冷媒を流す構成としても良い。高周波アンテナ18の両端はフィードスルー162を介して蓋16に取り付けられている。そのため、蓋16を着脱するだけで、高周波アンテナ18をプラズマ処理装置から容易に着脱することができる。高周波アンテナ18の一方の端は高周波電源に接続され、他方の端は接地されている。本実施例のプラズマ処理装置10の動作を、基体保持部12に保持された基体S上に薄膜を形成する製膜処理を例に説明する。まず、基体保持部12に基体Sを保持させ、内部空間111の空気や水蒸気等をガス排出口132から排気すると共に、アンテナ配置部14内の空気や水蒸気等を真空排気口161から排気することにより、内部空間111及びアンテナ配置部14内を真空にする。次に、ガス導入口131からプラズマ生成用ガス及び製膜原料ガスを導入する。そして、高周波アンテナ18に高周波電流を流すことにより、高周波アンテナ18の周囲に誘導電磁界を生成する。この誘導電磁界は仕切板15を通過して内部空間111に導入され、プラズマ生成用ガスを電離する。これによりプラズマが生成される。プラズマ生成用ガスと共に内部空間111に導入された製膜原料ガスは、プラズマにより分解され、基体S上に堆積する。なお、エッチング処理を行う場合のプラズマ処理装置10の動作は、ガス導入口131から製膜原料ガスを導入せず、エッチングのためのプラズマ生成用ガスを導入する点を除いて、上記の製膜処理と同様である。本実施例のプラズマ処理装置10に特徴的な構成として、アンテナ配置部14が設けられた上壁112の内面1121側全体を仕切板15で覆うことにより、内面1121と仕切板15の間に段差が生じないようにした、というものがある。例えば図2に示した比較例のように、仕切板15Aをアンテナ配置部14Aの直下の部分にのみ設けた場合には、仕切板15Aと内面1121の間に段差115が形成される。この段差115の部分には、製膜材料やエッチング時の副生成物が付着しやすくなる。そのような付着物は、基体Sの表面に落下し、パーティクルが発生する原因になる。それに対して本実施例のプラズマ処理装置10は、内面1121の全面を覆うように仕切板15が設けられているため、図2の比較例のような段差がなく、付着物が生じにくい。第1実施例の変形例を図3に示す。図3は、略直交稜線113に囲われた湾曲状の上壁114を有する真空容器11において、該湾曲状の上壁114の内面1141と外面1142の間に複数個のアンテナ配置部14を設けた例である。なお、略直交稜線における内角θはどのような値を取っても理論上は構わないが、実用的には70°~120°程度である上記第1実施例ではθ90°。仕切板15は、第1実施例に示したように内面1141全体を覆うように設けるが、仕切板15を設ける場所が、図3のように湾曲している場合、仕切板15の形状もそれに合わせて湾曲していることが好ましい。図4を用いて、実施例2のプラズマ処理装置10Aについて説明する。本実施例のプラズマ処理装置10Aは、上壁112にアンテナ配置部14を複数設けたものである。高周波アンテナ18は、各アンテナ配置部14に1個ずつ設けられている。これらの高周波アンテナ18は、1個の高周波電源に並列に接続されている。アンテナ配置部14に付属する蓋16、真空排気口161、フィードスルー162、及びガスシール17は、各アンテナ配置部14にそれぞれ設けられている。ただし、仕切板15は、全てのアンテナ配置部14に共通して1枚のみ、内面1121の全面を覆うように設けられている。なお、本実施例及び以下の実施例で述べる上壁112及びその内面1121の定義は、第1実施例と同じである。本実施例のプラズマ処理装置10Aの動作は実施例1のプラズマ処理装置10の動作と同じである。本実施例では、複数の高周波アンテナ18から誘導電磁界を生成することができるため、より大面積の薄膜の形成や、より大面積の被処理基体への処理を行うことができる。また、図5に示した比較例のように、仕切板15Aをアンテナ配置部14Aの直下の部分にのみ設けた場合には、アンテナ配置部14A毎に仕切板15Aと内面1121の間に段差115が生じるのに対して、本実施例のプラズマ処理装置10Aではそのような段差が生じないため、パーティクルが発生しにくくなる。図6を用いて、実施例3のプラズマ処理装置10Bについて説明する。本実施例のプラズマ処理装置10Bは、実施例1のプラズマ処理装置10の構成に加えて、アンテナ配置部14内に誘電体部材21が充填されている。誘電体部材21の材料には、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、ポリエーテルエーテルケトンPEEKその他の樹脂、アルミナ、シリカその他のセラミックス、などを用いることができる。誘電体部材21は、アンテナ配置部14内に隙間無く充填する方が望ましいが、実際に作製すると、金属製である真空容器の壁や高周波アンテナ18と誘電体部材21の間には隙間22が生じることが多い。そのため、本実施例では、実施例1のプラズマ処理装置10と同様に、蓋16に真空排気口161を設け、真空排気口161から空気を排気することにより、アンテナ配置部14内を真空にするようにした。これにより、隙間22において不要な放電が生じることを防ぐことができる。なお、図6では説明の都合上、隙間22を誇張して示している。図6ではアンテナ配置部14を1個のみ設けた例を示したが、図7に示すように、実施例2と同様にアンテナ配置部14を複数設け、各アンテナ配置部14に誘電体部材21を充填した構成を採ってもよい。本発明に係るプラズマ処理装置においてプラズマを効率良く生成するためには、高周波アンテナ18に高周波電流を流すことにより生成される誘導電磁界を、効率良くプラズマ生成に寄与させることが重要となる。本実施例では、効率良くプラズマを生成することができるアンテナ配置部空洞14の構造を示す。アンテナ配置部14内に配置される高周波アンテナ18のU字形導体のうち、プラズマの生成及び基体Sへの表面処理に最も寄与するのは、平行する2本の直線部182の導体ではなく、それらを接続する部分の導体である。以下では、プラズマの生成及び基体Sへの表面処理に最も寄与する部分の導体のことを作用部と呼ぶことにする。本実施例ではまず、この作用部181と空洞14の壁面141の間の距離xに着目する図8。図8は、作用部181の周囲に生成される誘導電磁界を、xを変化させてシミュレーションした結果である。なお、作用部181のアンテナ導体に投入する高周波電力の周波数は1356MHz、アンテナ導体を流れる電流は10Arms、アンテナ導体の径は635mm、アンテナ導体の導電性は1000000Smとした。図8に示すように、x20mmの場合は誘導電磁界の多くが壁面141により遮られることにより、真空容器11の内部空間に放出される誘導電磁界が少なくなる。これに対し、x40mmとすると内部空間に放出される誘導電磁界がx20mmの場合に比べて多くなり、x80mにまで広げるとほとんど壁面141に遮られることなく、効率良く真空容器11の内部空間に放出されていることが分かる。図8には、xを無限遠とした場合に真空容器11の内部空間に放出される誘導電磁界の量を基準100にして、xを変化させたときの内部空間に放出される誘導電磁界の量を、シミュレーションにより比較した結果である。x20mmの時は無限遠とした場合の約30程度しか内部空間に放出されないが、x80mmまで広げると約90程度まで真空容器11の内部空間に誘導電磁界が放出される。本実施例では、無限遠とした場合の50以上の誘導電磁界が内部空間に放出されるよう、x≧30mmとなるようにアンテナ配置部14を設けることにする。図9に、実際にアンテナ配置部14をx20mm又は83mmとしたときの高周波電力に対するプラズマ密度の変化を比較した結果を示す。図9の実験結果では、x20mmとx83mmとではプラズマ密度が大きく異なり、x83mmの場合のプラズマ密度は、x20mmの場合のプラズマ密度の約200倍となった。この結果から、例えば高周波アンテナ18に投入する高周波電力を4倍にするよりもxを4倍にする方が、プラズマの電子密度を高くするうえで効率が良いことが分かる。これにより、高密度のプラズマを低コストで生成することが可能となる。図10に、本実施例のプラズマ処理装置の変形例を示す。本変形例はアンテナ配置部14の形状に着目したものであり、図10の~に示すように、真空容器11の外面1122側よりも内面1121側の方が幅が広い構造を有する。このような構造によっても、高周波アンテナ18の作用部181の周囲に形成される誘導電磁界を、真空容器11の内部空間に放出しやすくすることができる。また、図示していないが、アンテナ配置部14の内部は誘電体材料で充填されていることが望ましい。また、図11に示す変形例を用いることも考えられる。本変形例はアンテナ配置部14の内部において、高周波アンテナ18の作用部181に沿って、真空容器11の内面1121側に開口を有する、フェライト等から成る磁性体部材19を配置したものである。この磁性体部材19によって、真空容器11の外面1122側に放出された誘導電磁界は磁性体部材19の内部を通過し、真空容器11の内部空間に放出されるため、作用部181から放出される誘導電磁界を効率良くプラズマの生成に寄与させることができる。本発明は上記実施例1~4に示したものには限られない。例えば、上記実施例1~4ではいずれもアンテナ配置部14内を真空にするための真空排気口161を蓋16に設けているが、その代わりに、図12に示すように、不活性ガス導入口163及び不活性ガス排出口164を蓋16に設けてもよい。図12の例では、不活性ガス導入口163からアルゴンや窒素などの不活性ガスを導入し、アンテナ配置部14内の空気や水蒸気を不活性ガスで置換して不活性ガス排出口164から排気することにより、アンテナ配置部14内を不活性ガスで満たす。これにより、アンテナ配置部14内に不要な放電が生じることを防ぐことができる。また、上記実施例1~4ではいずれも、アンテナ配置部14は、上壁112に設けられた貫通孔の外面1122の側に蓋16を設けた構成を有するが、図13に示すように、上壁112の内面1121の側だけに開口を有する空洞を設けることによりアンテナ配置部14Bを形成するという構成を用いても良い。この場合、高周波アンテナ18の両端は、上壁112の貫通されずに残った部分に固定される。