"半導体基板と、前記半導体基板に設けられ、同一の配線用途のNN≧3本の配線パターンを含む配線パターン群であって、前記N本の配線パターンの各々は、前記配線パターン群とは別の層の配線郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含み、前記N本の配線パターンは、配線パターンN1と、該配線パターンN1の長手方向と異なる一方向に配置された二つ以上の配線パターンNii≧2とを含み、該二つ以上の配線パターンNiは、前記iの値が大きいほど、前記配線パターンN1から離れた位置に配置され、かつ、前記二つ以上の配線パターンNiは、少なくとも一つ以上の配線パターンNp2≦p<Nと、少なくとも一つ以上の配線パターンNqp<q≦Nとを含み、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNpは、前記pの値が大きいほど、前記長手方向の寸法が長く、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNqは、前記qの値が大きいほど、前記長手方向の寸法が短い、前記配線パターン群とを具備してなることを特徴とする半導体装置。前記配線パターンNjj≧1のそれぞれにおいて、前記接続領域の幅が配線パターン幅よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記配線パターン群は、前記NN≧2本の配線パターンの前記接続領域を除いたスペース内部に配置され、前記NN≧2本の配線パターンと長手方向が同じであり、かつ、前記NN≧2本の配線パターンに相当する周期を有するLSパターンを含むダミーパターンをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記配線パターンNjj≧1の接続領域と、前記配線パターンNj1の接続領域とが、前記一方向に関して、オーバーラップしないように、前記N本の配線パターンが配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記同一の配線用途の配線パターンは、コントロールゲート配線パターンであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置。露光光に対して透明基板と、前記透明基板上に設けられ、請求項1ないし5のいずれかに1項に記載された配線パターン群の複数の配線パターンに対応したパターンとを具備してなることを特徴とする露光マスク。本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、高集積化に有効な複数の配線パターンを含む配線パターン群を備えた半導体装置、前記配線パターン群内の複数の配線パターンのパターンレイアウト作成方法および前記配線パターン群を形成するための露光マスクを提供することにある。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に設けられ、NN≧2本の配線パターンを備えた配線パターン群であって、前記N本の配線パターンの各々の一端は、前記配線パターン群とは別の配線パターン郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含み、前記N本の配線パターンは、配線パターンN1と、該配線パターンN1の長手方向と異なる一方向に配置された少なくとも一つ以上の配線パターンNii≧2とを含み、該少なくとも一つ以上の配線パターンNiは、前記iの値が大きいほど、前記配線パターンN1から離れた位置に配置され、かつ、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNiのうち、前記接続領域が同じ側の端にあるものについては、前記iの値が大きいほど、前記接続領域は前記長手方向に関してより遠い位置に配置される、前記配線パターン群とを具備してなることを特徴とする。本発明に係る他の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に設けられ、NN≧3本の配線パターンを含む配線パターン群であって、前記N本の配線パターンの各々は、前記配線パターン群とは別の配線郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含み、前記N本の配線パターンは、配線パターンN1と、該配線パターンN1の長手方向と異なる一方向に配置された二つ以上の配線パターンNii≧2とを含み、該二つ以上の配線パターンNiは、前記iの値が大きいほど、前記配線パターンN1から離れた位置に配置され、かつ、前記二つ以上の配線パターンNiは、少なくとも一つ以上の配線パターンNp2≦p<Nと、少なくとも一つ以上の配線パターンNqp<q≦Nとを含み、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNpは、前記pの値が大きいほど、前記長手方向の寸法が長く、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNqは、前記qの値が大きいほど、前記長手方向の寸法が短い、前記配線パターン群とを具備してなることを特徴とする。本発明に係るパターンレイアウト作成方法は、配線パターン群内のNN≧2本の配線パターンを配置する際の基準となる配線パターンN1を規定する工程であって、前記N本の配線パターンの各々は前記配線パターン群とは別の配線郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含む、前記工程と、前記配線パターンN1の長手方向とは異なる一方向に、少なくとも一つ以上の配線パターンNii≧2を配置する工程であって、前記iの値が大きいほど前記配線パターンN1から離れた位置に、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNiを配置する工程と、前記iの値が大きいほど、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNiの前記長手方向の寸法を長くする工程とを含むことを特徴する。本発明に係る他のパターンレイアウト作成方法は、配線郡内のNN≧3本の配線パターンを配置する際の基準となる配線パターンN1および配線パターンN1’とを規定する工程であって、前記配線パターンN1と前記配線パターンN1’とは長手方向が同じであり、該長手方向とは異なる一方向に前記配線パターンN1’は前記配線パターンN1から一定距離離れた位置に配置され、かつ、前記N本の配線パターンの各々は前記配線パターン群とは別の配線郡内の配線パターンと電気的に接続するための接続領域を含む、前記工程と、前記NN≧3本の配線パターンから前記配線パターンN1および前記配線パターンN1’を除いた残りの配線パターンを、前記配線パターンN1と前記配線パターンN1’との間に配置する工程であって、少なくとも一つ以上の配線パターンNp2≦p<Nを前記pの値が大きいほど前記配線パターンN1から離れた位置に配置し、前記一つ以上の配線パターンNpを配置した後に、前記残りの配線パターン内に少なくとも一つ以上の配線パターンNqp<q<Nが残っている場合には、前記qの値が大きいほど前記配線パターンN1’から離れた位置、かつ、前記pの値が最も大きい前記配線パターンNpから一定距離離れた位置に、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNqを配置する工程と、前記pの値が大きいほど、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNpの前記長手方向の寸法を長くし、かつ、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNqが残っている場合には、前記qの値が大きいほど、前記少なくとも一つ以上の配線パターンNqの前記長手方向の寸法を小さくし、かつ、前記qの値が最も小さい前記配線パターンNqの前記長手方向の寸法を、前記pの値が最も大きい前記配線パターンNpの前記長手方向の寸法よりも大きくまたは小さくする工程とを含むことを特徴する。本発明に係る露光マスクは、露光光に対して透明基板と、前記透明基板上に設けられ、本発明に係る配線パターン群複数の配線パターンに対応したパターンとを具備してなることを特徴とする。本発明によれば、高集積化に有効な複数の配線パターンを含む配線パターン群を備えた半導体装置、前記配線パターン群内の複数の配線パターンのパターンレイアウト作成方法および前記配線パターン群を形成するための露光マスクを提供することができるようになる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図1には、65nm世代に対応する従来のNAND型フラッシュメモリのコントロールゲート配線パターンCG配線パターンのレイアウトが示されている。図1には、4つのCG配線パターン1が示されている。CG配線パターン1は、CG配線パターンの本体である部分ゲートパターン部と、ゲートパターン部を他の層の配線パターンと電気的に接続するための部分ゲート引き出し部とを備えている。図1においては、破線の右側がゲートパターン部メインパターン部、破線の左側がゲート引き出し部である。ゲートパターン部とゲート引き出し部との境は、一般には、露光の影響露光裕度に基づいて決定される。一般には、ゲートパターン部は、ゲート引き出し部よりも、露光の影響が少ない領域露光裕度が大きい領域内に設けられる。ゲート引き出し部は、フリンジ2と呼ばれる部分を備えている。フリンジ2内において他の層の配線パターンとコンタクトが取られる。図中、参照符号3はフリンジ2と他の層の配線パターンとの間のコンタクト部を示している。以下、ゲート引き出し部のフリンジ2を除いた部分を引き出し配線部という。フリンジ2の面積が小さいと、露光時の合わせずれ等の原因によって、コンタクト不良が生じる恐れがある。したがって、フリンジ2の面積には、ある程度の大きさが求められる。しかし、これは微細化高集積化の妨げとなる。図1に示されるように、4つのCG配線パターン1のゲート引き出し部は、不規則なパターンレイアウトとなっている。それは、必要な大きさの面積を有するフリンジ2が配置されるように、4つのCG配線パターン1のレイアウトCG配線パターンレイアウトが決定された結果である。一方、近年になって、微細なCG配線パターンは、変形照明を用いたリソグラフィプロセスにより、形成されるようになってきている。変形照明を用いたリソグラフィプロセスにとって、LS以外のパターンレイアウト、つまり、不規則なパターンレイアウトを形成することは非常に困難である。上述したとおり、図1に示されたCG配線パターンレイアウトの規則性は、フリンジ2の配置の関係上、崩れている。したがって、図1に示されたゲート引き出し部を、変形照明を用いたリソグラフィプロセスにより形成することは、非常に困難である。すなわち、従来の変形照明を用いたリソグラフィプロセスと従来のCG配線パターンレイアウトとの相性は悪い。ところで、NAND型フラッシュメモリでは、高電圧が印加されたCG配線パターン第1のCG配線パターンと電圧が印加されてないCG配線パターン第2のCG配線パターンとが隣接する状態が起こり得る。このとき、第1のCG配線パターンに印加された高電圧が第2のCG配線パターンに影響を与えたり、あるいは、第1のCG配線パターンと第2のCG配線パターンとの間に絶縁破壊が起こる恐れがある。そのため、少なくとも第1のCG配線パターンの高電圧が印加される部分と第2のCG配線パターンとの間隔が、上記不都合絶縁破壊等が起こらない大きさになるように、第1のCG配線パターンと第2のCG配線パターンとは配置される必要がある。しかし、これは微細化高集積化の妨げとなる。また、コンタクトホールと素子分離領域STIとの間に合わせずれが生じた場合、素子分離領域上に達するコンタクトプラグが形成される恐れがある。この場合、素子分離領域に電圧が印加されるという不都合が生じる。上記不都合を防止するためには、生じる得る合わせずれ分に相当する分だけ、フリンジのサイズを大きくする必要がある。しかし、これは高集積化の妨げとなる。本実施形態では、メモリセルの高集積化微細化が進んでも、ウエハ上に半導体メモリ集積回路を実現するために有効な複数の配線パターンここではコントロールCG配線パターンを含む配線パターン群を備えたNAND型フラッシュメモリについて説明する。ここでは、45nm世代のNAND型フラッシュメモリについて説明する。そのため、NAND型フラッシュメモリを製造するためのフォトリソグラフィプロセスには、変形照明が用いられる。本実施形態は、65nm世代、55nm世代、あるいは45nm世代よりも微細化高集積化が進んだ世代のNAND型フラッシュメモリにも適用できる。微細化高集積化の程度によっては、変形照明を用いずに済む場合もある。一般には、微細化高集積化が進んだ世代においては、変形照明を用いる必要がある。図2は、本実施形態のCG配線パターンレイアウトを示す平面図である。選択ゲートselectgate10,11、32本のCG配線ゲートパターンPP1-P7,P1’-P25’を含む配線パターン群は、半導体基板ウェハ13の上方に配置されている。32本のCG配線ゲートパターンPは、選択ゲート10,11の間に、一定のピッチで配置されている。ピッチは必ずしも一定である必要ない。32本のCG配線ゲートパターンPの長手方向は同じであり、該長手方向と垂直な方向に32本のCG配線ゲートパターンPは配置されている。図2において、簡単のため、参照符号P1’-P25’のうち、P1’,P2’,P3’,P25’のみが記載されている。選択ゲート10下に配置されているCG配線パターンP1-P7は、下側に配置されたものほど、ゲートパターン部の長手方向の寸法が長くなっている。CG配線パターンP2のゲートパターン部の長手方向の寸法は、一定寸法だけ、CG配線パターンP1のゲートパターン部の長手方向の寸法よりも長い。同様に、CG配線パターンP3のゲートパターン部の長手方向の寸法は、一定寸法だけ、CG配線パターンP2のゲートパターン部の長手方向の寸法よりも長い。すなわち、CG配線パターンPii=2-7のゲートパターン部の長手方向の寸法は、一定寸法だけ、CG配線パターンPi-1のゲートパターン部の長手方向の寸法よりも長くなっている。CG配線パターンPiのゲートパターン部の長手方向の寸法とCG配線パターンPi-1のゲートパターン部の長手方向の寸法との差一定寸法は、各iで必ずしも同じである必要はない。CG配線パターンP1よりも一定寸法だけ長いCG配線パターンP2の部分上には、CG配線パターンP1のゲート引き出し部が配置されている。同様に、CG配線パターンP2よりも一定寸法だけ長いCG配線パターンP3の部分上には、CG配線パターンP2のゲート引き出し部が配置されている。すなわち、CG配線パターンPi-1よりも一定寸法だけ長いCG配線パターンPiの部分上オープンスペース内には、CG配線パターンPiのゲート引き出し部が配置されている。したがって、CG配線パターンPi-1のゲート引き出し部とCG配線パターンPiのゲート引き出し部とが、CG配線パターンPの配列方向に関して、オーバーラップしないように、CG配線パターンP1-P7は配置されることになる。一方、選択ゲート11上に配置されているCG配線パターンP1’-P25’は、上側に配置されたものほど、ゲートパターン部の長手方向の寸法が長くなっている。CG配線パターンP2’のゲートパターン部の長手方向の寸法は、一定寸法だけ、CG配線パターンP1’のゲートパターン部の長手方向の寸法よりも長い。同様に、CG配線パターンP3’のゲートパターン部の長手方向の寸法は、一定寸法だけ、CG配線パターンP2’のゲートパターン部の長手方向の寸法よりも長い。すなわち、CG配線パターンPj’j=2-25のゲートパターン部の長手方向の寸法は、一定寸法だけ、CG配線パターンPj-1’のゲートパターン部の長手方向の寸法よりも長くなっている。CG配線パターンPj’のゲートパターン部の長手方向の寸法とCG配線パターンPj-1’のゲートパターン部の長手方向の寸法との差一定寸法は、各jで必ずしも同じである必要はない。CG配線パターンP1’よりも一定寸法だけ長いCG配線パターンP2’の部分上には、CG配線パターンP1’のゲート引き出し部が配置されている。同様に、CG配線パターンP2’よりも一定寸法だけ長いCG配線パターンP3’の部分上には、CG配線パターンP2’のゲート引き出し部が配置されている。すなわち、CG配線パターンPj-1’よりも一定寸法だけ長いCG配線パターンPj’の部分上オープンスペース内には、CG配線パターンPjのゲート引き出し部が配置されている。したがって、CG配線パターンPj-1’のゲート引き出し部とCG配線パターンPj’のゲート引き出し部とが、CG配線パターンPの配列方向に関して、オーバーラップしないように、CG配線パターンP1’-P25’は配置されることになる。本実施形態のCG配線パターンレイアウトは、上から下に配置された7個のゲート引き出し部と、下から上に配置された25個のゲート引き出し部とによって構成された、非対称な山型のパターンレイアウトを備えている。このようなパターンレイアウトを採用する理由を以下に述べる。図3には、上から下に配置されたゲート引き出し部の個数と下から上に配置されたゲート引き出し部の個数とが同じである、対称な山型のパターンレイアウトが示されている。すなわち、CG配線パターンP4を中心にして上下対称に配置された複数のゲート引き出し部を備えたCG配線パターンレイアウトが示されている。CG配線パターンP4の引き出し配線部の上下には、隣接するCG配線パターンP3,P5のフリンジ2が配置されている。この場合、リソグラフィマージンが不十分となり、CG配線パターンP4の引き出し配線部とCG配線パターンP3,P5のフリンジ2とが接触する恐れがある。図4には、上から下に配置されたゲート引き出し部の個数と下から上に配置されたゲート引き出し部の個数とが異なる、非対称な山型のパターンレイアウトが示されている。これは、図2のCG配線パターンレイアウトを簡略したものに相当する。CG配線パターンP2の引き出し配線部上には、それに隣接したCG配線パターンP1のフリンジ2が配置されているが、CG配線パターンP2の引き出し配線部下には、それに隣接したCG配線パターンP3のフリンジ2は配置されていない。CG配線パターンP3の引き出し配線部の上下には、それに隣接したCG配線パターンP3,5のフリンジ2は配置されていない。CG配線パターンP4の引き出し配線部下には、それに隣接したCG配線パターンP5のフリンジ2が配置されているが、CG配線パターンP4の引き出し配線部上には、それに隣接したCG配線パターンP3のフリンジ2は配置されていない。すなわち、引き出し配線部がそれに隣接した上下二つのCG配線パターンのフリンジで挟まれたCG配線パターンは存在しない。図4のCG配線パターンレイアウトの場合、必要なリソグラフィマージンが取れることが確認された。図5に示すように、一方向に対して長手方向の寸法が単調に増大する鋸形状のCG配線パターンレイアウトの場合でも同様に必要なリソグラフィマージンが取れることが確認された。本実施形態の場合、図6に示すように、CG配線パターンPの引き出し部の一方の端部側の領域R内にフリンジが配置される。そのため、CG配線パターンPの引き出し部の一方および他方の端部の間では、周期性対称性が崩れることになる。この場合、両端部においてリソグラフィマージンが低下する。これによって必要なリソグラフィマージンを確保できなくなる場合には、図7に示すCG配線パターンレイアウトを採用すると良い。図7のCG配線パターンレイアウトは以下のような処理1-3が施されたものである。1フリンジ2と隣接するCG配線パターンPとの間の距離Lを広げる。2フリンジ2とCG配線パターンとを斜めに傾いたパターンを含む接続部引き出し配線部4で接続する。3フリンジ2の角部を斜め形状にする。図7では、フリンジ2の一つの角部Cが斜め形状となっているが、複数の角部が斜め形状になっていても構わない。図7のCG配線パターンレイアウトには、上記処理1-3以外の図示されていない処理が施されている。具体的には、フリンジ2のサイズを露光条件によってさらに調整する処理、接続部引き出し配線部4の近傍でCG配線パターンの太さを変化させる処理などがあげられる。これらの全ての処理を必ずしも行う必要はなく、必要なリソグラフィマージンを確保できる範囲で、取捨選択することができる。図2のCG配線パターンレイアウトの作成方法の一例を以下に示す。まず、CG配線郡内の32本のCG配線パターンP1-P7,P1’-P25’を配置する際の基準となる配線パターンP1および配線パターンP1’とが規定される。CG配線パターンP1とCG配線パターンP1’とは長手方向が同じであり、該長手方向とは異なる一方向にCG配線パターンP1’はCG配線パターンP1の下に配置される。32本のCG配線パターンP1-P7,P1’-P25’の各々は、前記CG配線パターン群とは異なる配線パターン群内の配線パターンと電気的に接続するためのフリンジを含む。前記CG配線パターン群と前記配線パターン群とは互いに異なる層に配置されている。次に、32本のCG配線パターンP1-P7,P1’-P25’からCG配線パターンP1,P1’を除いた残りの配線パターンが、CG配線パターンP1とCG配線パターンP1’との間に配置される。このとき、6本のCG配線パターンP2-P7Piはiの値が大きいほどCG配線パターンP1から離れた位置に配置され、かつ、24本のCG配線パターンP2’-P25’Pj’は、jの値が大きいほどCG配線パターンP1’から離れた位置、かつ、CG配線パターンP7よりも下の位置CG配線パターンP7から一定距離離れた位置に配置される。最後に、iの値が大きいほど、CG配線パターンP2-P7Piの長手方向の寸法を長くし、かつ、jの値が大きいほど、CG配線パターンP2’-P25’の長手方向の寸法を大きくし、かつ、CG配線パターンP25’の長手方向の寸法を、CG配線パターンP7の長手方向の寸法よりも大きくする。本実施形態では、CG配線パターンP25’の長手方向の寸法が、CG配線パターンP7の長手方向の寸法よりも長いが、逆に、CG配線パターンP7の長手方向の寸法が、CG配線パターンP25’の長手方向の寸法よりも長くなるように、32本のCG配線パターンP1-P7,P1’-P25’を配置しても構わない。一般には、上から配置されるCG配線パターンの本数ここでは7本と、下から配置されるCG配線パターンの本数ここでは25本とを比べて、本数が多い方の複数のCG配線パターン側の方が上記長手方向の寸法は大きくなる。本数が多い方の複数のCG配線パターンのフリンジのサイズを、本数が少ない方の複数のCG配線パターンのフリンジのサイズよりも小さくできる場合には、上記長手方向の寸法の大小関係は逆にすることも可能である。特に、上から配置されるCG配線パターンの本数と、下から配置されるCG配線パターンの本数との差が小さい場合には、上記長手方向の寸法の大小関係を逆にしやすい。また、ここでは、32本のCG配線パターンを7本上から配置されるCG配線パターンの本数と25本下から配置されるCG配線パターンの本数に分けて非対称な山型のレイアウトを作成したが、32本のCG配線パターンを1本と31本とに分ける場合には、下から配置されるCG配線パターンの本数はゼロとなる。すなわち、基準となる配線パターンP1’は規定されるが、配線パターンP1’から上に向かって配置されるCG配線パターンはない。次に、図5のCG配線パターンレイアウトの作成方法の一例を以下に示す。まず、CG配線パターン群内の4本のCG配線パターンP1-P4を配置する際の基準となる配線パターンP1が規定される。4本のCG配線パターンP1-P4の各々は前記CG配線パターン群と異なる配線郡内配線パターンと電気的に接続するためのフリンジ2を含む。前記CG配線パターン群と前記配線パターン群とは互いに異なる層に配置されている。次に、CG配線パターンP1の長手方向とは異なる一方向に、3本のCG配線パターンNii=2,3,4が配置される。このとき、iの値が大きいほどCG配線パターンN1から離れた位置に、3本のCG配線パターンNiは配置される。最後に、iの値が大きいほど、3本のCG配線パターンNiの長手方向の寸法を長くする。ところで、ゲートパターン部およびフリンジに対する光強度のコントラストは、ゲートパターン部のスペース部内にダミーパターンを配置することにより、向上させることができる。図8はこのことを示す実験結果光強度分布である。図8には、ダミーパターンなし被覆率0、ダミーパターンあり被覆率50およびダミーパターンあり被覆率100の三つのCG配線パターンレイアウトの光強度分布の位置依存性が示されている。CG配線パターンレイアウトの光強度分布は、CG配線パターンレイアウトに対してOPCを施し、該OPCを施して得られたCG配線パターンレイアウトのマスクデータを用いて光学像計算を行い、該光学計算の結果に基づいてウエハ上の光強度分布を算出することにより、取得された。図9a-9cには、ダミーパターンなし被覆率0、ダミーパターンあり被覆率50およびダミーパターンあり被覆率100の三種類のCG配線パターンレイアウトの平面図が示されている。図10a-10cには、図9a-9cのCG配線パターンレイアウトを三次元的に示した斜視図が示されている。図8の光強度分布は、図9a-9cにおいて、太い破線で囲まれた領域フリンジ近傍を含む領域内の横方向X方向に延びた細い破線上における光強度分布方向を示している。図8から、ゲートパターン部およびフリンジに対する光強度のコントラストは、ダミーパターンなし被覆率0、ダミーパターン被覆率100、ダミーパターン被覆率50の順で向上していることが分かった。すなわち、ゲートパターン部のスペース部内に、ゲートパターン部と同程度の周期を有するLSパターンダミーパターンを配置することにより、コントラストが高くなり、特に、被覆率50のダミーパターンを配置することにより、最もコントラストが高くなることが確認された。レチクル作成時のEB露光時間を低減させるためには、必要なところだけに微細なダミーパターンゲートパターン部と同程度の周期を有するLSパターンを配置し、その他のところには大きなダミーパターン大型ダミーパターンを配置すると良い。大型ダミーパターンは、上記LSパターンのスペース幅ライン幅よりも大きな寸法で規定されるパターンを含むものである。図11-図20に、実施形態の他のCG配線パターンレイアウトの平面図を示す。図11はOPCが施されるダミーパターンOPC対象ダミーパターンDP1とOPCが施されないダミーパターンOPC非対称ダミーパターンDP2を含むCG配線パターンレイアウトを示している。図11の例では、OPC非対称ダミーパターンDP2の対象となるダミーパターンは限定されていない。図12は、OPC対象ダミーパターンDP1およびOPC非対称ダミーパターンDP2’を含む、CG配線パターンレイアウトを示している。OPC非対称ダミーパターンDP2’の対象となるダミーパターンは、大型ダミーパターンを含む。大型ダミーパターンにOPCを施さないことにより、OPCの処理時間を短縮できる。MDPを行う場合、大型ダミーパターンにMDPを施さないことにより、MDPの処理時間を短縮できる。図13は、短冊状のダミーパターンDP3を含む、CG配線パターンレイアウトを示している。図14は、ダミーパターンを含まない他のCG配線パターンレイアウトを示している。図15は、選択ゲート10,11間に配置されたSRAFSubResolutionAssistFeature用のパターン補助パターンSPを含む、CG配線パターンレイアウトを示している。図15に示されたCG配線パターンレイアウトは、露光マスク上のレイアウトであるが、その他の実施形態のCG配線パターンレイアウトは、ウェハ上のレイアウトでも構わないし、あるいは露光マスク上のレイアウトでも構わない。図16は、選択ゲート10,11の端がCG配線パターンのゲートパターン部の長手方向にシフトしたCG配線パターンレイアウトを示している。図17は、15本のCG配線パターンが周期的に配置されているCG配線パターンレイアウトを示している。その他に、16、64または3216または32の整数倍本のCG配線パターンが周期的に配置されているCG配線パターンレイアウトでも構わない。さらに、8本のCG配線パターンが周期的に配置されているCG配線パターンレイアウトでも構わない。すなわち、CG配線パターンの本数は特に限定されない。図18は、フリンジ2が左右に分配されて配置されているCG配線パターンレイアウトを示している。図19は、CG配線パターンの左端部および右端部にゲート引し出し部フリンジ2が交互に配置されたCG配線パターンレイアウトを示している。図19では、1本のCG配線毎にゲート引し出し部フリンジ2が左右入れ替わっているが、2本以上のCG配線毎に左右入れ替えても構わない。図20は、1ブロック単位でゲート引し出し部フリンジ2の配置位置が左右入れ替わっているCG配線パターンレイアウトを示している。2ブロック以上を単位にしても構わない。1ブロック中のCG配線パターンの本数は32本以外でも構わない。図21は、図4に示した鋸形状のCG配線パターンレイアウトよりも詳細な鋸形状のCG配線パターンレイアウトを示している。図22は、図5に示したCG配線パターンレイアウトの変形例を示している。図5では複数のCG配線パターンのフリンジ2と反対側の端部の位置は揃っているが、図22では揃っていない。図22では、選択ゲートSG11に最も近いCG配線パターンP基準CG配線パターンから離れたCG配線パターンPのフリンジ2ほど、配線長手方向に関してより遠い位置に配置されている。つまり、フリンジ2側だけを見ると、基準CG配線パターンから離れたCG配線パターンPほど、長手方向の寸法が長くなっている。図23は、図5に示したCG配線パターンレイアウトの他の変形例を示している。図5では複数のCG配線パターンのフリンジ2は全て同じ側左側に配置されている。しかし、図5では複数のCG配線パターンのフリンジ2のフリンジ2は一つ置きに左右が入れ替わって配置されている。さらに、フリンジ2が同じ側に配置された複数のCG配線パターンについて見ると、図22と同様に、基準CG配線パターンから離れたCG配線パターンPのフリンジ2ほど、配線長手方向に関してより遠い位置に配置されている。図5ではフリンジ2は一つ置きに左右が入れ替わって配置されているが、二つ置き以上、あるいは一つ置きと二つ置き以上が混在していても構わない。以上の説明では、変形の種類については特に言及しなかったが、二つ目照明、四つ目のいずれでも構わない。すなわち、本実施形態のレイアウトは、変形照明の種類に関係なく有効である。図24aおよび24bに、変形照明の照明形状の例を示す。図24aに示された照明形状21には、二つ目照明に対応した二つの照明22が含まれている。図24aに示された照明形状21には、二つの照明22の他に、四つの照明23が含まれている。これらの四つの照明23は、二つ目照明の補助に用いられる。また、本実施形態は、変形照明を用いたリソグラフィプロセスだけではなく、光の偏向状態を調整することにより解像度を向上させるリソグラフィプロセスを用いた場合にも有効である。具体的には、液浸露光を用いたリソグラフィプロセスがあげられる。また、本実施形態の露光マスクは、透明基板と、該当透明基板上に設けられ、本実施形態のCG配線パターンレイアウトに対応したパターンとを備えている。前記透明基板は、例えば、ガラス基板である。上記パターンは、例えば、Cr膜等の遮光膜を含む膜で形成されたものである。前記CG配線パターンレイアウトに対応した部分に前記膜が前記透明基板上に存在する。また、本実施形態では、CG配線パターンレイアウトについて説明したが、本発明は、他のNAND型フラッシュメモリ内の他の配線パターンのレイアウトに対しても有効である。さらに、本発明は、NAND型フラッシュメモリ以外の半導体装置内の配線パターンのレイアウトに対しても有効である。なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。"