単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を介して前記単結晶半導体基板の一つの面から第1の照射角度で第1の水素イオン照射工程を行い、前記絶縁層を介して前記第1の水素イオン照射工程を行った前記単結晶半導体基板の一つの面から前記第1の照射角度と異なる第2の照射角度で第2の水素イオン照射工程を行うことで、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化領域を形成し、前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で前記脆化領域に亀裂を生じさせ、該亀裂を境に前記単結晶半導体基板を前記脆化領域で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板より単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、前記第1の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して25°以上85°以下であり、かつ前記第2の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して95°以上155°以下であることを特徴とする半導体基板の作製方法。単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を介して前記単結晶半導体基板の一つの面から第1の照射角度で第1の水素イオン照射工程を行い、前記絶縁層を介して前記第1の水素イオン照射工程を行った前記単結晶半導体基板の一つの面に対し異物除去工程を行い、異物除去工程を行った前記単結晶半導体基板の一つの面から前記第1の照射角度と異なる第2の照射角度で第2の水素イオン照射工程を行い、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化領域を形成し、前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で前記脆化領域に亀裂を生じさせ、該亀裂を境に前記単結晶半導体基板を前記脆化領域で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板より単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、前記第1の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して25°以上85°以下であり、かつ前記第2の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して95°以上155°以下であることを特徴とする半導体基板の作製方法。請求項2において、前記異物除去工程として洗浄工程を行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第1の水素イオン照射工程及び前記第2の水素イオン照射工程では、水素イオンは前記単結晶半導体基板全面に対して照射されることを特徴とする半導体基板の作製方法。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体基板の作製方法において形成する前記単結晶半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。SOI基板のような半導体基板の作製工程において、単結晶半導体基板SOI基板の場合は単結晶シリコン基板に付着するパーティクルなどの異物は、得られる半導体基板への半導体膜の接合不良、形成不良などの不良を招き、歩留まりの低下の要因となっている。よって、単結晶半導体基板に付着する異物の影響を低減し、歩留まりよく半導体基板を作製することを目的の一とする。不良を持つ半導体基板に形成した半導体装置では、動作の不良などが起こり、半導体装置の電気特性が低下する恐れがある。よって、パーティクルなどの異物が起因で生じる半導体基板の不良を低減し、安定な電気特性を有する半導体装置を歩留まりよく作製することを目的の一とする。単結晶半導体基板に水素イオンを照射することによって表面から所定の深さに脆化領域を形成し、該脆化領域を劈開面とし、ベース基板支持基板ともいうに薄い単結晶半導体層を接合できる。単結晶半導体基板に水素イオンを照射して、脆化領域を形成する際、単結晶半導体基板表面に対して複数の少なくとも二つ以上の異なる角度で斜め方向から水素イオンを照射する。本明細書における照射角度について図6A及び図6Bを用いて説明する。図6Aは本発明の一態様である半導体基板の作製工程の断面図であり、単結晶半導体基板10に水素イオン11cI、11cII、11cIIIを照射する工程を示している。一方、図6Bは本発明の一態様である半導体基板の作製工程の平面図であり水素イオン11pI、11pII、11pIII、11pIVを照射する工程を示している。照射角度θは、図6Aに示す断面図で定義される照射角度θc、及び図6Bに示す平面図で定義される照射角度θpを含む。図6Aに示すように、水素イオンは単結晶半導体基板10表面に対して斜めに照射されるため、断面図で定義される照射角度θcは、0°より大きく90°より小さい範囲0°<θc<90°、又は90°より大きく180°より小さい範囲90°<θc<180°となる。よって照射角度θcにおいて、照射角度θcI、照射角度θcII、及び照射角度θcIIIはお互いに異なる角度となる。図6Bに示すように、単結晶半導体基板10面内において、平面図で定義される照射角度θpは、0°~360°となる。よって照射角度θpにおいて、照射角度θpI、照射角度θpII、照射角度θpIII、及び照射角度θpIVはお互いに異なる角度となる。本明細書においては、照射角度θIと照射角度θIIにおいて、照射角度θc及び照射角度θpの少なくともどちらか一方が異なる場合を、照射角度が異なる、と定義する。例えば、照射角度θIθcI、θpIと照射角度θIIθcII、θpIIにおいて、照射角度θcIとθcIIとが異なるか、又は照射角度θpIとθpIIとが異なる場合は、照射角度θIと照射角度θIIとは異なるとする。つまり、照射角度θIθcI、θpIと照射角度θIIθcII、θpIIにおいて、照射角度θcIとθcIIとが同じであり、かつ照射角度θpIとθpIIとが同じである場合以外は、照射角度θIと照射角度θIIとは異なる角度であるとする。照射工程は、異なる角度で別々に行ってもよく、また、同照射工程にて、角度を変化させながら行ってもよい。半導体基板作製工程において、単結晶半導体基板上に異物が付着することがある。この場合、異物下にも水素イオンを添加するためには、異物に対して多方向から照射を行うことが好ましい。例えば2つの角度で水素イオン照射工程を行う場合、第1の照射角度は単結晶半導体基板に対して25°以上85°以下とし、かつ第2の照射角度は単結晶半導体基板に対して95°以上155°以下であると好ましい。本明細書において異物とは、例えばクリーンルーム雰囲気を漂うパーティクルであり、装置内の部材、基板がこすれて生じる欠片などである。半導体基板作製工程において不良の原因となる異物は、小さいものでは直径が0.1マイクロメートル程度のものもある。水素イオン照射工程は、絶縁膜を介して、単結晶半導体基板全面に対して行うことが好ましい。また、異物は、水素イオン照射時、あるいは搬送時、移載時に単結晶半導体基板上に付着する恐れがあるので、各水素イオン照射工程前には、洗浄工程やブロー工程などの異物除去工程を行うことが好ましい。水素イオン照射工程は、イオン注入法、もしくはイオンドーピング法を用いることができる。本明細書で開示する発明の構成の一形態は、単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板の一つの面から第1の照射角度で第1の水素イオン照射工程を行い、絶縁層を介して第1の水素イオン照射工程を行った単結晶半導体基板の一つの面から第1の照射角度と異なる第2の照射角度で第2の水素イオン照射工程を行って、単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化領域を形成し、単結晶半導体基板と支持基板とを、絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、脆化領域に亀裂を生じさせ、単結晶半導体基板を脆化領域で分離する熱処理を行い、単結晶半導体基板より単結晶半導体層を支持基板上に形成し、第1の照射角度及び第2の照射角度は単結晶半導体基板に対して斜め方向であり、第1の照射角度は単結晶半導体基板に対して25°以上85°以下であり、かつ第2の照射角度は単結晶半導体基板に対して95°以上155°以下である半導体装置の作製方法である。本明細書で開示する発明の構成の一形態は、単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板の一つの面から第1の照射角度で第1の水素イオン照射工程を行い、絶縁層を介して第1の水素イオン照射工程を行った単結晶半導体基板の一つの面に異物除去工程を行い、異物除去工程を行った単結晶半導体基板の一つの面から第1の照射角度と異なる第2の照射角度で第2の水素イオン照射工程を行って、単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化領域を形成し、単結晶半導体基板と支持基板とを、絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、脆化領域に亀裂を生じさせ、単結晶半導体基板を脆化領域で分離する熱処理を行い、単結晶半導体基板より単結晶半導体層を支持基板上に形成し、第1の照射角度及び第2の照射角度は単結晶半導体基板に対して斜め方向であり、第1の照射角度は単結晶半導体基板に対して25°以上85°以下であり、かつ第2の照射角度は単結晶半導体基板に対して95°以上155°以下である半導体装置の作製方法である。異物による水素イオンの遮断により、単結晶半導体基板中で脆化領域の未形成箇所が生じると、未形成箇所において単結晶半導体層が剥離せず、単結晶半導体層のベース基板への転載不良が起こる。脆化領域未形成箇所を低減することで、単結晶半導体層の転載不良を低減し、均一な単結晶半導体層を有する半導体基板を作製することができる。よって、均一な単結晶半導体層を有する半導体基板を用いることで、安定な特性を有する半導体装置を歩留まりよく作製することできる。半導体基板の作製工程において、単結晶半導体基板に脆化領域を形成する際、単結晶半導体基板表面に対して複数の少なくとも二つ以上の異なる角度で斜め方向から水素イオンを照射することによって、単結晶半導体基板に付着する異物の影響を低減し、均一な単結晶半導体層を有する半導体基板を歩留まりよく作製することができる。不良を持つ半導体基板に形成した半導体装置では、動作の不良などが起こり、半導体装置の電気特性が低下する恐れがある。よって、パーティクルなどの異物が起因で生じる半導体基板の不良を低減し、安定な電気特性を有する半導体装置を歩留まりよく作製することできる。本発明の一態様に係る実施の形態及び実施例について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。従って、実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の一態様において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。また、以下に説明する実施の形態において、特に断りがない限り、本明細書に記載されている他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態1図1を用いて、半導体層が設けられた基板の作製方法の一例について説明する。具体的には、絶縁層を介して単結晶半導体層が設けられた基板の作製方法半導体基板の作製方法について説明する。まず、単結晶半導体基板100を準備する図1A参照。単結晶半導体基板100としては、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板等の第14族元素でなる単結晶半導体基板、又はガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体基板を用いることができる。市販の単結晶シリコン基板としては、直径5インチ125mm、直径6インチ150mm、直径8インチ200mm、直径12インチ300mm、直径16インチ400mmサイズの円形のものが代表的であり、いずれのサイズの単結晶シリコン基板も用いることができる。なお、単結晶半導体基板100の形状は円形に限られず、矩形状等に加工して用いることも可能である。本実施の形態では、単結晶半導体基板100として、単結晶シリコン基板を用いた場合について説明する。次に、単結晶半導体基板100の表面に絶縁層101を形成する図1B参照。絶縁層101を形成する前に希フッ化水素酸希フッ酸ともいうを用いて単結晶半導体基板を洗浄するとよい。このとき、希フッ酸とオゾン水を交互に吐出して洗浄してもよい。必要に応じて、超音波洗浄や2流体ジェット洗浄を組み合わせることが好ましい。超音波洗浄は、メガヘルツ超音波洗浄メガソニック洗浄が好ましい。洗浄により、単結晶半導体基板表面の異物、有機汚染を低減し、絶縁層101を均一に形成することが可能となる。絶縁層101を形成する材料の具体例としては、酸化シリコン膜などが挙げられる。絶縁層101の形成方法の具体例としては、熱酸化法、CVD法、又はスパッタリング法が挙げられる。例えば、熱酸化法を用いて絶縁層101ここでは、酸化シリコン膜を形成する場合には、主成分のガスを酸素O2として、ハロゲンを含む酸化性雰囲気中で熱酸化することが好ましい。例えば、塩素Clを含む酸化性雰囲気中で単結晶半導体基板100に熱酸化処理を行うことにより、酸化された絶縁層101を形成する。この場合、絶縁層101は、塩素を含有する絶縁層となる。絶縁層101中に含有された塩素は、絶縁層101中に歪みを形成する。その結果、絶縁層101の水分に対する吸収割合が向上し、拡散速度が増大する。つまり、絶縁層101表面に水分が存在する場合に、当該表面に存在する水分を絶縁層101中に素早く吸収し、拡散させることができる。熱酸化処理の一例としては、酸素に対し塩化水素HClを0.5~10体積代表的には3体積の割合で含む酸化性雰囲気中で、900°C~1150°Cの温度代表的には1000°Cで行うことができる。処理時間は0.1~6時間、好ましくは0.5~1時間とすればよい。熱酸化処理により形成される酸化膜の厚さは、10nm~1000nm好ましくは50nm~300nm、例えば100nmとすればよい。水素イオン照射前に、純水を用いて絶縁層101の表面を洗浄してもよい。このとき、純水の代わりにオゾン水を用いてもよい。あるいは超音波洗浄、2流体ジェット洗浄を組み合わせてもよい。超音波洗浄は、メガソニック洗浄が好ましい。ただし、希フッ酸洗浄を行うと、絶縁層101表面が疎水性となり、ベース基板との重ね合わせの不良が生じることがある。そのため、希フッ酸洗浄を用いない方が好ましい。洗浄により、絶縁層101表面の異物、有機汚染を低減できる。前述の洗浄を行った後、移載時、又は搬送時に異物が単結晶半導体基板100、及び絶縁層101上に付着する可能性がある。また、異物は、水素イオン照射時にも単結晶半導体基板に付着する可能性がある。半導体基板作製工程において不良の原因となる異物は、直径が0.1マイクロメートル程度の微小なパーティクルを含むため、クリーンルーム雰囲気、装置内環境において、その数をゼロにすることは困難である。よって、たとえ水素イオン照射前に十分な異物除去を行ったとしても、その後の工程における付着まで完全になくすことは困難である。単結晶半導体基板上の異物は、水素イオン照射を妨げるマスクとなり、脆化領域が形成されない箇所ができる。その後の処理により単結晶半導体基板上の該異物を除去したとしても、脆化領域の未形成箇所は、単結晶半導体層が転載されず、半導体装置の不良が生じる箇所となる。本実施の形態では、絶縁層101上に異物102が付着する例を示す図1C参照。次に、絶縁層101を介して運動エネルギーを有する水素イオン103を角度θ1図1Dの断面図においては角度θc1で単結晶半導体基板100の全面に照射することにより、単結晶半導体基板100の表面から所定の深さに脆化領域105を形成する。本実施の形態では、角度は前述の図6Aで示した断面図における照射角度θcで示す。照射角度θc1は、絶縁層101表面に対する角度であり、0°<θc1<90°、好ましくは、θc1は25°以上、85°以下の範囲とする。このとき、異物102の陰となっている箇所で、脆化領域の未形成部分ができる図1D参照。さらに、絶縁層101を介して運動エネルギーを有する水素イオン104を角度θ2図1Eの断面図においては角度θc2で単結晶半導体基板100の全面に照射する。θc2は90°<θc2<180°の範囲とする。好ましくは、95°以上、155°以下の範囲とする。照射角度θ1と照射角度θ2とは、少なくてもθc1とθc2とが異なっているため、お互いに異なる照射角度である。このことにより、単結晶半導体基板100の表面から所定の深さに1回目の水素イオン照射で脆化領域が形成されなかった箇所にも脆化領域105を形成できる。このように、異物102の陰となる箇所にも脆化領域を形成することができる図1E参照。図2を用いて、単結晶半導体基板に対して斜めに水素イオンを照射した場合の断面図における照射角度θcと、脆化領域の形成位置の関係について説明する。まずは絶縁層121が形成されたベース基板120を準備する。ここで、ベース基板120に対し、角度θc3で水素イオン124を照射した場合を考える。このときθc3は、0°<θc3<90°又は90°<θc3<180°の範囲とする図2参照。脆化領域125の形成される深さbは、侵入深さaを用いて、asinθc3と表せる。脆化領域125は回り込み距離cの位置に形成できる。回り込み距離cを、侵入深さaを用いて、acosθc3と表せる。照射角度θc3を付けて斜めから水素イオンを照射した場合、回り込み距離cだけ回り込んだ位置に脆化領域125を形成できる。つまり、直径が回り込み距離c以下の影を持つ異物122が存在したとしても、異物122下に脆化領域を形成することができる。水素イオン照射工程は、イオンドーピング装置によるイオンドーピング法でも、イオン注入装置によるイオン注入法でも行うことができる。本実施の形態においては、イオンドーピング装置を用いることで、質量分離されていないイオンを単結晶半導体基板100に照射する例を示す。イオンドーピング装置の代表的なものは、プロセスガスをプラズマ励起して生成された全てのイオン種をチャンバー内に配置された被処理体に照射する非質量分離型の装置である。本明細書においては、イオンドーピング装置を用いて、ソースガス原料ガスから生成されるイオンを質量分離せず対象物に照射する方法をイオンドーピング法と呼ぶ。イオンドーピング装置の主要な構成は、被処理物を配置するチャンバーと、所望のイオンを発生させるイオン源と、イオンを加速し、照射するための加速機構である。イオン源は、所望のイオン種を生成するためのソースガスを供給するガス供給装置、ソースガスを励起して、プラズマを生成させるための電極等で構成される。プラズマを形成するための電極としては、フィラメント型の電極や容量結合高周波放電用の電極等が用いられる。加速機構は、引出電極、加速電極、減速電極、接地電極等の電極、及びこれらの電極に電力を供給するための電源等で構成される。加速機構を構成する電極には複数の開口やスリットが設けられており、イオン源で生成されたイオンは電極に設けられた開口やスリットを通過して加速される。なお、イオンドーピング装置の構成は上述したものに限定されず、必要に応じた機構が設けられる。なお、イオンを照射する装置としては、イオンドーピング装置の他にイオン注入装置がある。イオン注入装置は、プラズマ中のイオン種を質量分離し、ある特定の質量のイオン種を被処理体に照射する装置質量分離型の装置であり、この点でイオンドーピング装置とは大きく異なるものである。イオンドーピング装置の構成例を示す図3A参照。イオンドーピング装置は、チャンバー壁200と、基板201と、ステージ軸202と、イオン源203とを有する。ここで、バルブ204は基板搬送室へ、バルブ205は真空ポンプへ至る。イオン源203から照射されるイオン206は、直進成分のみ抽出し、線状に成形されて基板201に入射する。基板201は、左右にスライドさせることができ、面内に均一にイオン206が照射されるよう、スキャンさせることができる。このような方法を採ることで、大面積の基板にも、均一性よく水素イオンを照射することができる。また、基板201は、イオン206の入射角度に対し、角度θc4、あるいは角度θc5と傾きを付けイオン206の入射角度方向に対し角度を制御することができる図3A及び図3B参照。このときθc4、θc5は、0°<θc4<90°又は90°<θc4<180°、0°<θc5<90°又は90°<θc5<180°の範囲である。よって、θc4、θc5における照射角度の異なる斜め方向からのイオン照射工程により、より均一に脆化領域を形成することができる。次に、図4を用いて単結晶半導体基板の単結晶半導体層を、ベース基板に転載する方法を説明する。まずは、ベース基板130支持基板ともいうを準備する図4A参照。ベース基板130を用いるに際し、ベース基板130の表面を予め洗浄しておくことが好ましい。具体的には、ベース基板130の表面を、塩酸過水HPM、硫酸過水SPM、アンモニア過水APM、希フッ酸DHF等を用いて超音波洗浄を行う。このような洗浄処理を行うことによって、ベース基板130の表面を平坦化し、かつ残存する研磨粒子を除去することができる。ベース基板130としては、絶縁基板を用いることが好ましい。絶縁基板の具体例としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種のガラス基板や、石英基板、セラミック基板、サファイア基板、プラスチック基板が挙げられる。また、ベース基板130として単結晶半導体基板例えば、単結晶単結晶シリコン基板や多結晶半導体基板例えば、多結晶シリコン基板を用いることも可能であるが、量産性やコストの面を考慮すると、大面積化が可能で安価な絶縁基板を用いることが好ましい。本実施の形態では、ベース基板130として絶縁基板の一つであるガラス基板を用いる場合について説明する。次に、絶縁層101を介して単結晶半導体基板100とベース基板130とを重ね合わせる図4B参照。次に、熱処理を行い、脆化領域105において単結晶半導体基板100を分離することにより、ベース基板130上に単結晶半導体層131を設ける図4C参照。熱処理を行うことにより、脆化領域105に微小な孔が形成され、この微小な孔の中にイオンの照射により添加された元素が析出し、内部の圧力が上昇する。圧力の上昇によって脆化領域105の微小な孔に体積変化が起こり、脆化領域105に亀裂が生じるため、脆化領域105に沿って単結晶半導体基板100が分離する。この結果、単結晶半導体基板100から分離された単結晶半導体層131が、絶縁層101を介してベース基板130上に形成される。分離後に形成される単結晶半導体層131の厚さは、例えば10nm以上500nm以下とすればよく、好ましくは50nm以上200nm以下とする。なお、熱処理を行うための加熱手段としては、抵抗加熱炉等の加熱炉、RTA瞬間熱アニール、RapidThermalAnneal装置、マイクロ波加熱装置等を用いることができる。例えば、RTA装置を用いる場合、加熱温度550°C以上730°C以下、処理時間0.5分以上60分以内で加熱すればよい。単結晶半導体基板中の脆化領域における水素イオン濃度の範囲は、単結晶半導体基板の種類や絶縁層の厚さ、イオン照射を行う装置などの水素イオンの照射条件によって決まる。本実施の形態のように、複数回の水素イオン照射を行う際、単結晶半導体基板の所望の深さにおける合計水素イオン濃度が、単結晶半導体基板中の脆化領域を形成する範囲となるように水素イオンの照射条件を調整すればよい。上述した方法により均一に脆化領域105を形成しているため、分離工程の際に単結晶半導体層の一部が転載不良を生じることを抑制できる。そのため、良好な形状で単結晶半導体層を有する半導体基板を歩留まりよく作製することができる。実施の形態2実施の形態1において、単結晶半導体基板へ2回目の水素イオン照射をする際、異物除去工程を行う例を示す。従って、実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。単結晶半導体基板へ2回目の水素イオン照射工程を行う前に、異物除去工程を追加する。異物除去工程には、純水による洗浄、もしくはブローなどがある。具体的には、図1Dと図1Eとの間に絶縁層101上の異物除去工程を追加する。予め絶縁層101上の異物を除去しておくことで、イオン照射を妨げられることによる脆化領域においての未形成箇所を低減することができる。例えば、絶縁層101の洗浄の方法として、超音波洗浄や純水洗浄、オゾン水洗浄、2流体ジェット洗浄を適宜組み合わせることが好ましい。超音波洗浄は、メガソニック洗浄が好ましい。よって、本実施の形態では、脆化領域未形成箇所が低減し、より歩留まりよく、単結晶半導体基板を作製することができる。本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態3実施の形態1において、単結晶半導体基板へ水素イオン照射をする工程が異なる例を示す。従って、実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。単結晶半導体基板へ水素イオン照射をする際、基板を回転させながら水素イオン照射を行う。このようにすることで、一回の水素イオン照射工程で、複数の異なる角度から水素イオン照射を行ことができ、異物下への水素イオン添加が可能となる。図5を用いて、基板の回転機構を持つイオンドーピング装置について説明する。イオンドーピング装置の構成例を示す図5参照。イオンドーピング装置は、チャンバー壁400と、基板401と、ステージ軸402と、イオン源403とを有する。ここで、バルブ404は基板搬送室へ、バルブ405は真空ポンプへ至る。イオン源403から照射されるイオン406は、直進成分のみ抽出されて、基板401の全面に入射する。基板401は、イオン406の入射方向に対し、角度θc6傾けることができる。このときθc6は、0°<θc6<90°又は90°<θc6<180°の範囲である。基板401は、ステージ軸402の軸を中心に回転させることができる。基板401の回転速度は、例えば1rpmから60rpmの範囲で決める。好ましくは、6rpmから30rpmとする。基板を回転させながら水素イオン照射を行うことにより、一回の水素イオン照射工程にて、複数の異なる角度から水素イオン照射を行った場合と同様に、単結晶半導体基板の脆化領域の未形成箇所を低減することができる。よって、単結晶半導体層の転載不良を低減し、単結晶半導体基板を歩留まりよく作製することができる。本実施の形態は、本明細書の他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態4本実施の形態では、薄型で高性能な半導体素子を有する半導体集積回路を実装し、歩留まりよく作製することを目的とした半導体装置の作製方法の一例としてCMOS相補型金属酸化物半導体:ComplementaryMetalOxideSemiconductor構造の作製方法に関して図7及び図8を用いて説明する。なお、他の実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。図7Aは、ベース基板130上に絶縁層101、単結晶半導体層131が形成されている。図7Aは、図4Cと対応している。なお、ここでは実施の形態1で図4Cに示す構成の半導体基板を適用する例を示すが、本明細書で示すその他の構成の半導体基板も適用できる。単結晶半導体層131には、分離した単結晶半導体基板の導電型含まれる一導電型を付与する不純物元素によって、しきい値電圧を制御するためにnチャネル型電界効果トランジスタ及びpチャネル型電界効果トランジスタの形成領域に合わせて、ボロン、アルミニウム、ガリウムなどのp型を付与する不純物元素、又はリン、砒素などのn型を付与する不純物元素を添加してもよい。不純物元素のドーズ量は1×1012ions/cm2から1×1014ions/cm2程度で行えばよい。単結晶半導体層131をエッチングして、半導体素子の配置に合わせて島状に分離した単結晶半導体層1205、1206を形成する図7B参照。単結晶半導体層上に生じる酸化膜を除去し、単結晶半導体層1205、1206を覆うゲート絶縁層1207を形成する。ゲート絶縁層1207は酸化シリコン、又は酸化シリコンと窒化シリコンの積層構造で形成すればよい。ゲート絶縁層1207は、プラズマCVD法や減圧CVD法により絶縁膜を堆積することで形成してもよいし、プラズマ処理による固相酸化又は固相窒化で形成としてもよい。単結晶半導体層を、プラズマ処理により酸化又は窒化することにより形成するゲート絶縁層は、緻密で絶縁耐圧が高く信頼性に優れているためである。例えば、亜酸化窒素N2OをArで1~3倍流量比に希釈して、10~30Paの圧力にて3~5kWのマイクロ波2.45GHz電力を印加して単結晶半導体層1205、1206の表面を酸化又は窒化させる。この処理により1nm~10nm好ましくは2nm~6nmの絶縁膜を形成する。さらに亜酸化窒素N2OとシランSiH4を導入し、10~30Paの圧力にて3~5kWのマイクロ波電力を印加して気相成長法により酸化窒化シリコン膜を形成してゲート絶縁層を形成する。固相反応と気相成長法による反応を組み合わせることにより界面準位密度が低く絶縁耐圧の優れたゲート絶縁層を形成することができる。また、ゲート絶縁層1207として、二酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、二酸化チタン、五酸化タンタルなどの高誘電率材料を用いてもよい。ゲート絶縁層1207に高誘電率材料を用いることにより、ゲートリーク電流を低減することができる。ゲート絶縁層1207上にゲート電極層1208及びゲート電極層1209を形成する図7C参照。ゲート電極層1208及びゲート電極層1209は、スパッタリング法、蒸着法、CVD法等の手法により形成することができる。ゲート電極層1208及びゲート電極層1209はタンタルTa、タングステンW、チタンTi、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、ネオジムNdから選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、ゲート電極層1208及びゲート電極層1209としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、Ag-Pd-Cu合金を用いてもよい。単結晶半導体層1206を覆うマスク1211を形成する。マスク1211及びゲート電極層1208をマスクとして、n型を付与する不純物元素1210を添加し、第1のn型不純物領域1212a、1212bを形成する図7D参照。本実施の形態では、不純物元素を含むドーピングガスとしてホスフィンPH3を用いる。ここでは、第1のn型不純物領域1212a、1212bに、n型を付与する不純物元素が1×1017~5×1018atoms/cm3程度の濃度で含まれるように添加する。本実施の形態では、n型を付与する不純物元素としてリンPを用いる。次に、単結晶半導体層1205を覆うマスク1214を形成する。マスク1214、ゲート電極層1209をマスクとしてp型を付与する不純物元素1213を添加し、第1のp型不純物領域1215a、第1のp型不純物領域1215bを形成する図7E参照。本実施の形態では、不純物元素としてボロンBを用いるため、不純物元素を含むドーピングガスとしてはジボランB2H6などを用いる。マスク1214を除去し、ゲート電極層1208及びゲート電極層1209の側面にサイドウォール構造の側壁絶縁層1216a乃至1216d、ゲート絶縁層1233a、1233bを形成する図8A参照。側壁絶縁層1216a乃至1216dは、ゲート電極層1208及びゲート電極層1209を覆う絶縁層を形成した後、これをRIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチング法による異方性のエッチングによって加工し、ゲート電極層1208及びゲート電極層1209の側壁に自己整合的にサイドウォール構造の側壁絶縁層1216a乃至1216dを形成すればよい。ここで、絶縁層について特に限定はない。例えば、TEOSTetraethyl-Ortho-Silicate又はシラン等と、酸素又は亜酸化窒素等とを反応させて形成した段差被覆性のよい酸化シリコンとすればよい。絶縁層は熱CVD法、プラズマCVD法、常圧CVD法、バイアスECRCVD法、スパッタリング法等の方法によって形成することができる。ゲート絶縁層1233a、1233bはゲート電極層1208及びゲート電極層1209、及び側壁絶縁層1216a乃至1216dをマスクとしてゲート絶縁層1207をエッチングして形成することができる。また、本実施の形態では、絶縁層をエッチングする際、ゲート電極層上の絶縁層を除去し、ゲート電極層を露出させるが、絶縁層をゲート電極層上に残すような形状に側壁絶縁層1216a乃至1216dを形成してもよい。また、後工程でゲート電極層上に保護膜を形成してもよい。このようにゲート電極層を保護することによって、エッチング加工する際、ゲート電極層の膜減りを防ぐことができる。また、ソース領域及びドレイン領域にシリサイドを形成する場合、シリサイド形成のために成膜する金属膜とゲート電極層とが接しないので、金属膜の材料とゲート電極層の材料とが反応しやすい材料であっても、化学反応や拡散などの不良を防止することができる。エッチング方法は、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく、種々のエッチング方法を用いることができる。本実施の形態では、ドライエッチング法を用いる。エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4もしくはCCl4などを代表とする塩素系ガス、CF4、SF6もしくはNF3などを代表とするフッ素系ガス又はO2を適宜用いることができる。次に単結晶半導体層1206を覆うマスク1218を形成する。マスク1218、ゲート電極層1208、側壁絶縁層1216a、1216bをマスクとしてn型を付与する不純物元素1217を添加し、第2のn型不純物領域1219a、1219b、第3のn型不純物領域1220a、1220bが形成される。本実施の形態では、不純物元素を含むドーピングガスとしてPH3を用いる。ここでは、第2のn型不純物領域1219a、1219bにn型を付与する不純物元素が5×1019~5×1020atoms/cm3程度の濃度で含まれるように添加する。また、単結晶半導体層1205にチャネル形成領域1221が形成される図8B参照。第2のn型不純物領域1219a、第2のn型不純物領域1219bは高濃度n型不純物領域であり、ソース、ドレインとして機能する。一方、第3のn型不純物領域1220a、1220bは低濃度不純物領域であり、LDDLightlyDopedDrain領域となる。第3のn型不純物領域1220a、1220bはゲート電極層1208に覆われていない領域Loffともいうに形成されるため、オフ電流を低減する効果がある。この結果、さらに信頼性の高く、低消費電力の半導体装置を作製することが可能である。マスク1218を除去し、単結晶半導体層1205を覆うマスク1223を形成する。マスク1223、ゲート電極層1209、側壁絶縁層1216c、1216dをマスクとして、p型を付与する不純物元素1222を添加し、第2のp型不純物領域1224a、1224b、第3のp型不純物領域1225a、1225bを形成する。第2のp型不純物領域1224a、1224bにp型を付与する不純物元素が1×1020~5×1021atoms/cm3程度の濃度で含まれるように添加する。本実施の形態では、第3のp型不純物領域1225a、1225bは、側壁絶縁層1216c、1216dにより、自己整合的に第2のp型不純物領域1224a、1224bより低濃度となるように形成する。また、単結晶半導体層1206にチャネル形成領域1226が形成される図8C参照。第2のp型不純物領域1224a、1224bは高濃度p型不純物領域であり、ソース、ドレインとして機能する。一方、第3のp型不純物領域1225a、1225bは低濃度不純物領域であり、LDD領域となる。第3のp型不純物領域1225a、1225bはゲート電極層1209に覆われていない領域に形成されるため、オフ電流を低減する効果がある。この結果、さらに信頼性の高く、低消費電力の半導体装置を作製することが可能である。マスク1223を除去し、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、又はレーザ光の照射を行ってもよい。活性化と同時にゲート絶縁層へのプラズマダメージやゲート絶縁層と単結晶半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。次いで、ゲート電極層、ゲート絶縁層を覆う層間絶縁層を形成する。本実施の形態では、保護膜となる水素を含む絶縁膜1227と、絶縁層1228との積層構造とする。絶縁膜1227と絶縁層1228は、スパッタリング法、又はプラズマCVD法を用いた窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜でもよく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層又は3層以上の積層構造として用いてもよい。さらに、窒素雰囲気中で、300~550°Cで1~12時間の熱処理を行い、単結晶半導体層を水素化する工程を行う。好ましくは、400~500°Cで行う。この工程は層間絶縁層である絶縁膜1227に含まれる水素により単結晶半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。本実施の形態では、410°Cで1時間加熱処理を行う。絶縁膜1227、絶縁層1228としては他に窒化アルミニウムAlN、酸化窒化アルミニウムAlON、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウムAlNO又は酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボンDLC、窒素含有炭素CN、ポリシラザン、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。また、シロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Si-O-Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される。置換基として、有機基例えばアルキル基、アリール基やフルオロ基を用いてもよい。有機基は、フルオロ基を有していてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテンを用いることができる。平坦性のよい塗布法によって形成される塗布膜を用いてもよい。絶縁膜1227、絶縁層1228は、ディップ、スプレー塗布、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、CVD法、蒸着法等を採用することができる。液滴吐出法により絶縁膜1227、絶縁層1228を形成してもよい。液滴吐出法を用いた場合には材料液を節約することができる。また、液滴吐出法のようにパターンが転写、又は描写できる方法、例えば印刷法スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法なども用いることができる。次いで、レジストからなるマスクを用いて絶縁膜1227、絶縁層1228に単結晶半導体層に達するコンタクトホール開口部を形成する。エッチングは、用いる材料の選択比によって、一回で行っても複数回行ってもよい。エッチングによって、絶縁膜1227、絶縁層1228を除去し、ソース領域又はドレイン領域である第2のn型不純物領域1219a、1219b、第2のp型不純物領域1224a、1224bに達する開口部を形成する。エッチングは、ウェットエッチングでもドライエッチングでもよく、両方用いてもよい。ウェットエッチングのエッチャントは、フッ素水素アンモニウム及びフッ化アンモニウムを含む混合溶液のようなフッ酸系の溶液を用いるとよい。エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4もしくはCCl4などを代表とする塩素系ガス、CF4、SF6もしくはNF3などを代表とするフッ素系ガス又はO2を適宜用いることができる。また用いるエッチング用ガスに不活性気体を添加してもよい。添加する不活性元素としては、He、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれた一種又は複数種の元素を用いることができる。開口部を覆うように導電膜を形成し、導電膜をエッチングして各ソース領域又はドレイン領域の一部とそれぞれ電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層1229a、1229b、1230a、1230bを形成する。配線層は、スパッタリング法、CVD法、蒸着法等により導電膜を成膜した後、所望の形状にエッチングして形成することができる。また、液滴吐出法、印刷法、電解メッキ法等により、所定の場所に選択的に導電層を形成することができる。更にはリフロー法、ダマシン法を用いてもよい。配線層の材料は、Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba等の金属、及びSi、Ge、又はその合金、若しくはその窒化物を用いて形成する。また、これらの積層構造としてもよい。以上の工程でCMOS構造のnチャネル型薄膜トランジスタであるトランジスタ1231及びpチャネル型薄膜トランジスタであるトランジスタ1232を含む半導体装置を作製することができる図8D参照。図示しないが、本実施の形態はCMOS構造であるため、トランジスタ1231とトランジスタ1232とは電気的に接続している。本実施の形態に限定されず、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造又は三つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。以上のように、単結晶半導体基板よりベース基板に転載された単結晶半導体層を有する半導体基板を用いるため、単結晶半導体層は結晶性が高い。従って、薄型の高性能な半導体装置を歩留まりよく作製することができる。本実施の形態は、実施の形態1乃至3と適宜組み合わせることができる。実施の形態5実施の形態4で作製された半導体装置を適用することで、様々な電子機器に本発明を実施できる。その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ヘッドマウントディスプレイゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話又は電子書籍等などが挙げられる。それらの一例を図9に示す。また、マイクロプロセッサ、RFIDタグ、IDタグ、ICタグ、ICチップ、RFタグ、無線タグ、電子タグ又は無線チップとも呼ばれる非接触でデータの送受信を行うことのできる演算機能を備えた半導体装置などにも本発明を適用することができる。図9Aに示す携帯情報端末機器は、本体9201、表示部9202等を含んでいる。実施の形態4の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯情報端末機器を提供することができる。図9Bに示すデジタルビデオカメラは、表示部9701、表示部9702等を含んでいる。実施の形態4の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高いデジタルビデオカメラを提供することができる。図9Cに示す携帯電話機は、本体9101、表示部9102等を含んでいる。実施の形態4の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯電話機を提供することができる。図9Dに示す携帯型のテレビジョン装置は、本体9301、表示部9302等を含んでいる。実施の形態4の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの例えば40インチ以上まで、幅広いものに、本発明の半導体装置を適用することができる。図9Eに示す携帯型のコンピュータは、本体9401、表示部9402等を含んでいる。実施の形態4の半導体装置を適用することによって、高性能でかつ信頼性の高い携帯型のコンピュータを提供することができる。