第1電極板と、第2電極板と、絶縁性スペーサとを備える静電レンズアレイであって、前記第1電極板及び前記第2電極板のそれぞれは、荷電粒子線を通過させる3つ以上の開口をそれぞれ含んで開口どうしが互いに整列している複数の開口サブセット領域を含み、前記絶縁性スペーサは、前記第1電極板及び前記第2電極板における前記複数の開口サブセット領域にそれぞれ対応し、且つ、対応する開口サブセット領域の外形より大きい外形をそれぞれ有する複数の貫通孔を含み、前記絶縁性スペーサは、前記第1電極板における前記複数の開口サブセット領域の間の領域において前記第1電極板と接触し、前記第2電極板における前記複数の開口サブセット領域の間の領域において前記第2電極板に接触し、且つ、前記複数の貫通孔のそれぞれが前記第1電極板及び前記第2電極板における対応する開口サブセット領域に整列するように、前記第1電極板と前記第2電極板との間に配置されている、ことを特徴とする静電レンズアレイ。前記複数の開口サブセット領域のそれぞれの外形は、平行六辺形である、ことを特徴とする請求項1に記載の静電レンズアレイ。真空の誘電率をε、前記第1電極板及び前記第2電極板のヤング率をE、前記第1電極板及び前記第2電極板のポアソン比をν、前記第1電極板及び前記第2電極板の厚さをt、前記第1電極板と前記第2電極板との間隔をg、前記第1電極に印加される電位と前記第2電極に印加される電位との間の電位差をΔφ、前記貫通孔の外形に接する接線間の距離の最大値をL、前記開口サブセット領域の外形に接する接線間の距離の最大値をD、前記第1電極板と前記第2電極板との間隔の許容精度をwとすると、を満たすように構成されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の静電レンズアレイ。前記第1電極板と前記第2電極板との間隔をg、前記第1電極板に印加される電位と前記第2電極板に印加される電位との間の電位差をΔφ、前記荷電粒子線の加速電圧絶対値をφacc、前記荷電粒子線の軸間距離精度の許容値をs、前記貫通孔の外形と前記開口サブセット領域の外形との間の距離の最小値をlとすると、を満たすように構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の静電レンズアレイ。前記第1電極板及び前記第2電極板は、シリコンウエハ又はSOIウエハで構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の静電レンズアレイ。前記絶縁性スペーサは、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス及び絶縁性セラミックのいずれかで構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の静電レンズアレイ。複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を射出する荷電粒子光学系を有し、前記荷電粒子光学系は、請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の静電レンズアレイを含む、ことを特徴とする描画装置。請求項7に記載の描画装置を用いて基板に描画を行うステップと、前記ステップで描画を行われた前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。非特許文献1では、シリコン電極板と絶縁性スペーサとを陽極接合した静電型レンズを1つのユニットとして、かかるユニットを複数配置アレイ化している。しかしながら、このような配置では、各静電型レンズの配線及び支持が必要となるため、レンズ全体のサイズが増大し、荷電粒子線数を多くすることができない。また、絶縁性スペーサの帯電や電極板間の静電力による変形の影響が考慮されていない。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、複数の荷電粒子線を屈折させる正確さ及びサイズの小ささの両立に有利な静電レンズアレイを提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての静電レンズアレイは、第1電極板と、第2電極板と、絶縁性スペーサとを備える静電レンズアレイであって、前記第1電極板及び前記第2電極板のそれぞれは、荷電粒子線を通過させる3つ以上の開口をそれぞれ含んで開口どうしが互いに整列している複数の開口サブセット領域を含み、前記絶縁性スペーサは、前記第1電極板及び前記第2電極板における前記複数の開口サブセット領域にそれぞれ対応し、且つ、対応する開口サブセット領域の外形より大きい外形をそれぞれ有する複数の貫通孔を含み、前記絶縁性スペーサは、前記第1電極板における前記複数の開口サブセット領域の間の領域において前記第1電極板と接触し、前記第2電極板における前記複数の開口サブセット領域の間の領域において前記第2電極板に接触し、且つ、前記複数の貫通孔のそれぞれが前記第1電極板及び前記第2電極板における対応する開口サブセット領域に整列するように、前記第1電極板と前記第2電極板との間に配置されている、ことを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、複数の荷電粒子線を屈折させる正確さ及びサイズの小ささの両立に有利な静電レンズアレイを提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1a及び図1bは、本発明の一側面としての荷電粒子レンズ静電レンズアレイ1の構成を示す概略図であって、図1aは荷電粒子レンズ1の分解図であり、図1bは第1電極板100第2電極板200の拡大図である。荷電粒子レンズ1は、例えば、複数の荷電粒子線で基板の上にパターンを描画する荷電粒子線露光装置描画装置に使用される静電型レンズである。荷電粒子線露光装置に使用される静電型レンズには、一般に、露光装置の三大性能である解像力、スループット及びオーバーレイ精度を高めることが要求される。例えば、解像力を高めるためには、レンズ強度を高める、即ち、電極板の厚さの薄型化、電極板間距離間隔の近接化及び電極板に印加する電位差の増加が必要となる。但し、これらは、電極板間の静電力による変形に起因する収差悪化や絶縁性スペーサの帯電に起因する荷電粒子線の偏向ずれを招いてしまう。なお、特開2001-283756号公報や特開2004-55166号公報には、これらの問題のうち幾つかを解決することが可能なレンズ構成が提案されている。具体的には、特開2001-283756号公報では、電極板の開口近傍に絶縁スペーサを配置することで電極板間の静電力による変形を低減している。しかしながら、電極板の開口近傍に配置した絶縁性スペーサの帯電の影響が配慮されていない。また、特開2004-55166号公報では、絶縁支持部材と、電極板の開口の間に金属シールドを配置することで絶縁支持部材の帯電の影響を低減している。しかしながら、電極板間の静電力による変形が考慮されていない。また、シールド金属を配置することで、レンズのサイズが増大し、荷電粒子線の数を多くすることができない。このように、従来技術では、解像力、スループット及びオーバーレイ精度を高めることが非常に困難である。そこで、本実施形態の荷電粒子レンズ1は、解像力、スループット及びオーバーレイ精度を高めることを実現するために、以下の構成を有する。荷電粒子レンズ1は、本実施形態では、2つの電極板及び1つの絶縁性スペーサ、即ち、第1電極板100と、第2電極板200と、絶縁性スペーサ300とを備える。但し、荷電粒子レンズ1は、図1aに示す構成に限定されるものではない。例えば、荷電粒子レンズ1は、3つの電極板及び2つの絶縁性スペーサを備え、両端の電極を等電位とし、中間の電極に高電圧を印加するアインツェルレンズであってもよい。第1電極板100及び第2電極板200は、光軸方向を法線とする平板である。第1電極板100及び第2電極板200のそれぞれは、荷電粒子線を通過させる複数の開口電極を貫通する貫通孔OPを有する。なお、第1電極板100及び第2電極板200のそれぞれにおいて、複数の開口OPは、2次元状に形成され、3つ以上の開口OPをそれぞれ含んで開口OPどうしが互いに整列している複数の開口サブセット領域SBRを構成する。複数の開口サブセット領域SBRは、内部に含む開口OPの中心点についての凸包convexhullで定義され、互いに重なり合わないように配置される。ここで、凸包とは、内部の点を含む最小の多角形を意味する。絶縁性スペーサ300は、第1電極板100及び第2電極板200と同様に、光軸方向を法線とする平板であって、第1電極板100と第2電極板200との間に挟まれて配置される。絶縁性スペーサ300は、第1電極板100及び第2電極板200における開口サブセット領域SBRに対応する複数の貫通孔THを含む。複数の貫通孔THのそれぞれは、光軸方向に沿って両側に位置する第1電極板100及び第2電極板200における開口サブセット領域SBRの外形より大きい外形を有する。絶縁性スペーサ300は、複数の貫通孔THのそれぞれで第1電極板100及び第2電極板200における複数の開口サブセット領域SBRのそれぞれを取り囲む。また、絶縁性スペーサ300は、第1電極板100における複数の開口サブセット領域SBRの間の領域IVRにおいて第1電極板100と接触し、第2電極板200における複数の開口サブセット領域SBRの間の領域IVRにおいて第2電極板200に接触する。換言すれば、複数の貫通孔THのそれぞれが第1電極板100及び第2電極板200における対応する開口サブセット領域SBRに整列する。従って、荷電粒子線は、第1電極板100の開口サブセット領域SBRに含まれる開口、絶縁性スペーサ300の貫通孔TH及び第2電極板200の開口サブセット領域SBRに含まれる開口を通過することになる。ここで、図2を参照して、第1電極板100及び第2電極板200における開口サブセット領域SBRについて詳細に説明する。図2において、xy平面は、第1電極板100、第2電極板200及び絶縁性スペーサ300に平行な面である。Lは、絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形の対蹠点長の最大値を表している。対蹠点antipodalpointsとは、それぞれの点を通る平行な接線が存在する2点を意味する。従って、Lは、絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形に接する接線間の距離の最大値を意味する。また、Dは、第1電極板100及び第2電極板200のそれぞれの開口サブセット領域SBRの外形の対蹠店長の最大値、即ち、開口サブセット領域SBRの外形に接する接線間の距離の最大値を表している。lは、絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形と開口サブセット領域SBRの外形との間の距離の最小値を表している。lを有限な値とすることで、絶縁性スペーサ300の帯電に起因する荷電粒子線の偏向ずれを低減することができる。また、Lを有限な値とすることで、第1電極板100と第2電極板200との間の静電力による変形を低減することができる。更に、開口サブセット領域SBRにおける開口OPを高密度に配置する即ち、開口OPの数を多くするためには、Lに対してDを大きくすればよい。但し、本実施形態では、開口サブセット領域SBRにおける開口OPの配置については、特に制限するものではない。l、D及びLに対する上述した条件は相反するが、本実施形態では、l及びLに対する条件の下でDを最大化することで、開口サブセット領域SBRにおける開口OPを高密度に配置している。また、複数の開口サブセット領域SBRを同一平面内に有限な距離を離して形成することで、荷電粒子線の数を確保している。これにより、荷電粒子レンズ1は、荷電粒子線露光装置の三大性能解像力、スループット及びオーバーレイ精度を高めることを実現している。なお、第1電極板100及び第2電極板200において、より多くの開口サブセット領域SBRを配置するために、開口サブセット領域SBRの外形は、平行六辺形であるとよい。更に、開口サブセット領域SBRにおいて、より多くの開口OPを配置するために、開口サブセット領域SBRの外形は、正六角形であるとよい。絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形に接する接線間の距離の最大値L及び開口サブセット領域SBRの外形に接する接線間の距離の最大値Dに対する条件について説明する。かかる条件は、第1電極板100と第2電極板200との間の静電力による変形を低減するために必要となる。開口サブセット領域SBRにおける電極板の変形を円板変形と近似すると、開口サブセット領域SBRにおける変形分布は、静力学的に以下の式1で表される。式1において、εは真空の誘電率を表し、Eは第1電極板100及び第2電極板200のヤング率を表し、νは第1電極板100及び第2電極板200のポアソン比を表し、tは第1電極板100及び第2電極板200の厚さを表している。また、gは第1電極板100と第2電極板200との間隔を表し、Δφは第1電極板100に印加される電位と第2電極板200に印加される電位との電位差を表し、wは第1電極板100と第2電極板200との間隔gの許容精度を表している。この場合、LとDとの比D/Lは、以下の式2を満たす必要がある。式2を参照するに、DとLとの比D/Lは、L=L0で極大となる。また、数十nm以下の解像力を実現するためには、光学性能の要求から、g及びtを数百μm以下、Δφを数kV以上、wを数百nm以下にする必要がある。従って、解像力を高くするほどL0が小さくなり、L及びDも制約されやすくなる。絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形と開口サブセット領域SBRの外形との間の距離の最小値lに対する条件について説明する。かかる条件は、絶縁性スペーサ300の帯電に起因する荷電粒子線の偏向ずれ及び荷電粒子線の軸間距離精度の悪化を低減するために必要となる。数mm程度のギャップに高電圧を印加した場合における絶縁性スペーサの帯電特性については、例えば、石英ガラスの帯電絶縁特性山本、永田、福田、原澤、宅間、電学論A、123巻5号、2003に記載されている。絶縁性スペーサの帯電特性に基づいて、帯電分布を境界条件とした静電場解析及び荷電粒子線軌道解析を行うことで、絶縁性スペーサ300からの距離に応じて、荷電粒子線の軸間距離がどの程度ずれるのかを数値計算することができる。その結果、絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形と開口サブセット領域SBRの外形との間の距離の最小値lは、荷電粒子線の軸間距離精度の許容値sに対して、以下の式3を満たす必要があることがわかる。なお、式3において、φaccは荷電粒子線の加速電圧絶対値を表し、数値はMKSA単位系としている。一方、上述したように、開口サブセット領域SBRの外形に接する接線間の距離の最大値Dを大きくしていくことを考えると、L及びDは、以下の式4を満たす必要がある。従って、LとDとの差分は、以下の式5を満たす必要がある。ここで、LとDとの比D/L、及び、LとDとの差分L-Dに関する条件条件式の数値例を図3に示す。図3では、横軸にLを採用し、縦軸にDを採用している。また、実現可能な条件として、tは150μmとし、gは300μmとし、Δφは3.7kVとし、φaccは5kV、w=300nmとし、sは0.2mmとした。なお、第1電極板100及び第2電極板200の物性値は、シリコンSi単結晶の物性値とした。図3を参照するに、ハッチング網掛けで示す領域が上述した条件を同時に満たす有効領域である。Dを大きくするためには、Lに適した範囲があり、D及びLは少なくとも数mm以上の値が必要であることがわかる。一方、開口サブセット領域SBRにおける開口OPの径は、荷電粒子線の密度の観点から、少なくとも数百μm以下であるとよい。従って、D及びLと開口OPの径との間には、少なくとも10倍以上の差があるとよい。また、本実施形態の荷電粒子レンズ1は、製造上においても有益な効果を有する。本実施形態の荷電粒子レンズ1においては、荷電粒子線に対して同一位置では、第1電極板100、第2電極板200及び絶縁性スペーサ300のそれぞれを平板状の同一部材とし、荷電粒子レンズ1を構成する部材の数を最小にしている。これにより、荷電粒子レンズ1を構成する各部材第1電極板100、第2電極板200、絶縁性スペーサ300などを容易、且つ、高精度に加工することが可能となる。また、荷電粒子レンズ1を構成する各部材の位置合わせ組み立て精度も向上させることが可能となる。更に、第1電極板100及び第2電極板200における開口OPや絶縁性スペーサ300における貫通孔THは、平板ごとに形成することができる。各部材の加工精度を平板ごとに管理することが可能となり、デバイスの歩留まりを向上させることができる。また、第1電極板100及び第2電極板200の厚さを薄くすることができるため、開口OPの径の精度や真円度を向上させることが可能となり、荷電粒子線に対する収差を低減させることができる。ここで、荷電粒子レンズ1の具体的な数値例を説明する。図4aは、荷電粒子レンズ1を構成する第1電極板100及び絶縁性スペーサ300を示す図である。なお、第2電極板200は、第1電極板100と同じであるため、図示を省略している。また、図4bは、第1電極板100と第2電極板200との間に絶縁性スペーサ300を配置した場合における第1電極板100と絶縁性スペーサ300との位置関係を示す図である。第1電極板100及び第2電極板200は、図4aに示すように、外径が100nm、厚さが0.15mmのシリコンウエハで構成されている。但し、第1電極板100及び第2電極板200は、シリコンウエハに限定されるものではなく、SOIウエハで構成されてもよい。また、第1電極板100及び第2電極板200のそれぞれには、正六角形の外形を有する開口サブセット領域SBRが19個配置されている。開口サブセット領域SBRにおける開口OPは、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザ加工、或いは、それらの組み合わせによって形成される。絶縁性スペーサ300は、図4aに示すように、外径が100nm、厚さが0.3mmのホウケイ酸ガラスで構成されている。但し、絶縁性スペーサ300は、ホウケイ酸ガラスに限定されるものではなく、無アルカリガラス又は絶縁性セラミックで構成されてもよい。また、絶縁性スペーサ300には、開口サブセット領域SBRの数にあわせて、円形の外形を有する貫通孔THが19個形成されている。貫通孔THは、機械加工やレーザ加工などによって形成される。また、絶縁性スペーサ300と第1電極板100及び第2電極板200のそれぞれとの間は、陽極接合、表面活性化接合、共晶接合、シリコンフュージョンボンディング、ブレージング、エポキシ接着などによって固定される。図4bに示すように、貫通孔THの外形に接する接線間の距離の最大値Lは12.42mmであり、開口サブセット領域SBRの外形に接する接線間の距離の最大値Dは8.68mmである。また、絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形と開口サブセット領域SBRの外形との間の距離の最小値lは1.87mmである。また、貫通孔THと貫通孔THとの間の距離絶縁性スペーサ300の最小幅dは0.6mmであり、開口サブセット領域SBRのピッチpは13.02mmである。図5は、開口サブセット領域SBRにおける開口OPの具体的な配置例を示す図である。図5に示すように、開口サブセット領域SBRの外形に接する接線間の距離の最大値Lは8.68mmであり、開口OPは、各辺の長さが43.2μmの正三角形の頂点に位置するように配置されている。この場合、1つの開口サブセット領域SBRには、約3万個の開口OPを形成することができる。また、開口サブセット領域SBRの数は19個であるため、第1電極板100及び第2電極板200のそれぞれには、約57万個の開口を形成することができる荷電粒子レンズ1に対して約57万本の荷電粒子線を用いることができる。図6a及び図6bは、荷電粒子レンズ1の具体的な別の数値例を説明するための図である。図6aは、荷電粒子レンズ1を構成する第1電極板100及び絶縁性スペーサ300を示す図である。なお、第2電極板200は、第1電極板100と同じであるため、図示を省略している。また、図6bは、第1電極板100と第2電極板200との間に絶縁性スペーサ300を配置した場合における第1電極板100と絶縁性スペーサ300との位置関係を示す図である。第1電極板100及び第2電極板200は、図6aに示すように、外径が100nm、厚さが0.10mmのシリコンウエハで構成されている。また、第1電極板100及び第2電極板200のそれぞれには、長方形の外形を有する開口サブセット領域SBRが48個配置されている。絶縁性スペーサ300は、図6aに示すように、外径が100nm、厚さが0.4mmのホウケイ酸ガラスで構成されている。また、絶縁性スペーサ300には、開口サブセット領域SBRの数にあわせて、長方形の外形を有する貫通孔THが48個形成されている。図6bに示すように、貫通孔THの外形に接する接線間の距離の最大値Lは11.3mmであり、開口サブセット領域SBRの外形に接する接線間の距離の最大値Dは6.2mmである。また、絶縁性スペーサ300の貫通孔THの外形と開口サブセット領域SBRの外形との間の距離の最小値lは1.8mmである。また、貫通孔THと貫通孔THとの間の距離絶縁性スペーサ300の最小幅dは0.7mmであり、開口サブセット領域SBRのピッチpは8.7mmである。図7を参照して、荷電粒子レンズ1を適用した荷電粒子線露光装置600について説明する。図7は、本発明の荷電粒子線露光装置600の構成を示す図である。荷電粒子線露光装置600は、荷電粒子線を用いて基板の上にパターンを描画する描画装置である。荷電粒子線露光装置600は、電子銃601と、コンデンサーレンズ602と、補正光学系603と、縮小光学系604と、偏向器606と、ダイナミックフォーカスコイル607と、ダイナミックスティグコイル608と、基板ステージ609とを有する。電子銃601は、カソード601aと、グリッド601bと、アノード601cとを含む。電子銃601は、グリッド601bとアノード601cとの間に、カソード601aからの荷電粒子線のクロスオーバー像を形成する。コンデンサーレンズ602は、電子銃601からの荷電粒子線を略平行にして、補正光学系603に入射させる。補正光学系603は、アパーチャアレイ、ブランカーアレイ、荷電粒子レンズ、ストッパーアレイなどを含み、複数の中間像を形成する。縮小光学系604は、補正光学系603によって形成された複数の中間像のそれぞれを基板605の上に縮小投影する即ち、基板605の上に光源像を形成する。偏向器606は、補正光学系603からの荷電粒子線を偏向させて、基板605の上において、複数の光学像をx軸方向及びy軸方向に略同一の変位量だけ変位させる。換言すれば、偏向器606は、基板605の上に導かれる荷電粒子線が基板605の上で移動するように偏向する。ダイナミックフォーカスコイル607は、偏向器606によって荷電粒子線を偏向させた際に発生する偏向収差による光源像のフォーカス位置のずれを補正する。ダイナミックスティグコイル608は、ダイナミックフォーカスコイル607と同様に、荷電粒子線の偏向により発生する偏向収差の非点収差を補正する。基板ステージ609は、光軸z軸方向及びx軸回りの回転方向に移動可能なθ-zステージと、光軸と直交するx軸方向及びy軸方向に移動可能なxyステージとを含み、基板605を保持する。なお、基板ステージ609には、補正光学系603からの荷電粒子線が形成する光源像の電荷量を検出するファラデーカップなどが配置される。荷電粒子線露光装置600において、補正光学系603や縮小光学系604などの荷電粒子線を射出する荷電粒子光学系は、上述した荷電粒子レンズ1を含む。従って、荷電粒子線露光装置600では、図8に示すように、各開口サブセット領域SBRにおける各開口OPを通過した荷電粒子線を用いて基板605を露光する即ち、パターンを描画する。基板605を露光する荷電粒子線は、互いに隣接する荷電粒子線が干渉しない範囲において、偏向器606によって偏向される。その際、基板ステージ609は、荷電粒子線の偏向方向に直交する方向スキャン方向に移動する即ち、基板605をスキャンする。これにより、基板605の全面が露光される。なお、1回の露光領域例えば、径100mmよりも基板605が大きい場合例えば、径300mmには、図9に示すように、基板ステージ609を移動させて、荷電粒子線に対する基板605の位置を変更すればよい。具体的には、基板605を露光するたびに、開口サブセット領域SBRの外形の径と同程度の距離を移動させるサブステップと、荷電粒子レンズ1の大きさと同程度の距離を移動させるメインステップとを繰り返す。これにより、基板605の全面が露光される。なお、図9に示す露光順序は一例であり、基板ステージ609が受ける露光熱などに応じて、任意に選択することができる。このように、荷電粒子線露光装置600は、荷電粒子光学系に荷電粒子レンズ1を含んでいるため、上述したように、優れた解像力、スループット及びオーバーレイ精度を実現することができる。従って、荷電粒子線露光装置600は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等を提供することができる。ここで、デバイスは、荷電粒子線露光装置600を用いてフォトレジスト感光剤が塗布された基板ウエハ、ガラスプレート等にパターンを描画する工程と、パターンが描画された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることにより製造される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。