"太陽光が入射する入射面に形成された凹部及び凸部と、前記凹部及び前記凸部にそれぞれ形成され、前記凹部及び前記凸部よりも小さい大きさを有する微細凹凸構造体と、を備え、前記凹部又は前記凸部は、前記入射面上の所定の点を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に平行な第1の線状部、又は前記所定の点を通る他の線上に位置する第2の線状部を含む外形形状を有することを特徴とする太陽光発電装置。前記凹部又は前記凸部は、前記第1の線状部を含む方形状、若しくは、外円弧部,内円弧部,及び前記外円弧部と前記内円弧部との各端部をそれぞれ連結する前記第1の線状部又は前記前記第2の線状部を含む外形形状を有することを特徴とする請求項1記載の太陽光発電装置。前記微細凹凸構造体は、高さが300nm以下であり、かつ、底面に対する高さのアスペクト比が1以上である複数の円錐形状部を有することを特徴とする請求項1記載の太陽光発電装置。前記微細凹凸構造体は、前記凹部の底面及び前記凸部の上面にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の太陽光発電装置。特許文献1に開示されているような太陽光発電装置は、一般的に、透明基板側から入射した太陽光をテクスチャ構造により効率的に光電変換層に導くものである。しかしながら、このような太陽光発電装置は、透明基板内に入射した太陽光に対してはテクスチャ構造により効率的に光電変換層に導くことができるものの、太陽光が入射する透明基板の入射面が平坦なため、この入射面で太陽光の一部が反射してしまい光電変換に寄与しない。そのため、より効率的な光電変換が可能な太陽光発電装置の開発が望まれている。また、透明基板の入射面に対して太陽光の入射方向が経時的に変化するので、太陽光の入射方向の経時的な変化に対しても効率的な光電変換が可能な太陽光発電装置の開発が望まれている。また、特許文献1に開示されているような太陽光発電装置のテクスチャ構造は複数の角錐形状部を有して構成されており、このような角錐形状部をサブミクロンの微細なサイズに形成しようとした場合、レーザ光や電子線ビーム等による現状の微細リソグラフィ技術では、サブミクロンサイズの微細な角錐形状を精度良く作製することは困難であり、その改善が望まれる。また、サブミクロンサイズの微細な角錐形状のテクスチャ構造を有するスタンパを仮に形成できたとしても、このスタンパを用いて成形を行った場合、角錐形状の角部がだれてしまうため、テクスチャ構造を精度良く転写することは困難であり、その改善が望まれる。そこで、本発明は、特に太陽光の入射方向の経時的な変化に対しても効率的な光電変換が可能な太陽光発電装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明は次の太陽光発電装置を提供する。1太陽光Lが入射する入射面2Aに形成された凹部10及び凸部11と、前記凹部10及び前記凸部11にそれぞれ形成され、前記凹部10及び前記凸部11よりも小さい大きさを有する微細凹凸構造体12と、を備え、前記凹部10又は前記凸部11は、前記入射面2A上の所定の点C0~C2を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に平行な第1の線状部51c,51d、又は前記所定の点C0を通る他の線上に位置する第2の線状部61c,61dを含む外形形状を有することを特徴とする太陽光発電装置。2前記凹部10又は前記凸部11は、前記第1の線状部を含む方形状、若しくは、外円弧部51a,61a,内円弧部51b,61b,及び前記外円弧部51a,61aと前記内円弧部51b,61bとの各端部をそれぞれ連結する前記第1の線状部51c,51d又は前記前記第2の線状部を61c,61d含む外形形状を有することを特徴とする1記載の太陽光発電装置。3前記微細凹凸構造体12は、高さH13が300nm以下であり、かつ、底面に対する高さのアスペクト比が1以上である複数の円錐形状部13を有することを特徴とする1記載の太陽光発電装置。4前記微細凹凸構造体12は、前記凹部10の底面10A及び前記凸部11の上面11Aにそれぞれ形成されていることを特徴とする1~3のいずれかに記載の太陽光発電装置。本発明の太陽光発電装置によれば、特に太陽光の入射方向の経時的な変化に対しても効率的な光電変換が可能になるという効果を奏する。本発明に係る太陽光発電装置の一実施の形態について図1~図8を用いて説明する。<第1の実施の形態>図1~図6参照本発明に係る太陽光発電装置における第1の実施の形態を図1~図4を用いて説明する。図1aは第1の実施の形態である太陽光発電装置1を、太陽光Lが入射する入射面側から見たときの平面図である。図1bは図1aのA-A線における断面図である。図1に示すように、太陽光発電装置1は、太陽光Lが入射する入射面2A、及び入射面2Aに対向し、入射面2Aから入射した太陽光Lを出射する出射面2Bを有する透明基板2と、透明基板2の出射面2B上{図1bでは下側}に形成された透明電極3と、透明電極3上{図1bでは下側}に形成されたp型光電変換層4と、p型光電変換層4上{図1bでは下側}に形成された光電変換混合層5と、光電変換混合層5上{図1bでは下側}に形成されたn型光電変換層6と、n型光電変換層6上{図1bでは下側}に形成されたバッファ層7と、バッファ層7上{図1bでは下側}に形成された反射電極8と、を有して構成されている。透明基板2の材料として、射出成形が容易であり、絶縁性及び耐熱性に優れ、成形後の透明度が太陽光Lの波長領域に対して十分に確保できる材料、例えばポリカーボネート,ポリエチレンナフタレート,及びポリメチルメタクリレートを用いることが望ましい。また、透明基板2としてフィルム状の非常に薄い透明基板を用いる場合は、転写性に優れ、成形後の透明度が太陽光Lの波長領域に対して十分に確保できる材料、例えばポリエチレンナフタレート,ポリエーテルサルホン,及びポリイミドを用いることが望ましい。透明電極3の材料として例えばITO酸化インジウム錫を用いることができる。一方、反射電極8の材料としては例えばAlアルミニウムを用いることができる。p型光電変換層4の材料として例えばZnフタロシアニンを用いることができる。n型光電変換層6の材料として例えばフラーレンを用いることができる。p型光電変換層4とn型光電変換層6との間に形成される光電変換混合層5は、p型材料とn型材料との接触を増加させるバルクヘテロジャンクションを形成して光電変換効率を向上させるための層であり、p型材料例えばZnフタロシアニンとn型材料例えばフラーレンとの混合物を主成分とする。バッファ層7は光電変換効率を向上させるための層であり、その材料として例えばBCPバトクプロインを用いることができる。次に、透明基板2の入射面2Aについて図1と共に図2を用いて説明する。図2は、図1a中にBで示す領域を紙面右下の手前側から左上の奥側に向かって見たときの模式的斜視図である。図1aに示すように、透明基板2の入射面2Aには外形形状が方形状である複数の凹部10が、中心点C0に対して放射状に互いに離間して配置されている。また、複数の方形状の凹部10は中心点C0に対して同心円状または螺旋状に互いに離間して配置されている。なお、図1aでは一例として複数の方形状の凹部10が同心円状に配置された場合を示している。即ち、図1aに示すように、複数の方形状の凹部10は、中心点C0を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に対して平行な線状部を含む外形形状を有している。凹部10以外の領域11は凹部10に対して凸状である凸部11である。図2に示すように、凹部10の底面10Aおよび凸部11の上面11Aには凸状の複数の円錐形状部13を有する微細凹凸構造体12がそれぞれ形成されている。なお、図1aでは凹部10と凸部11との区別をわかりやすくするために、凹部10底面10A:図2参照には微細凹凸構造体12を表示し、凸部11上面11A:図2参照には微細凹凸構造体12の表示を省略している。図2に示すH13は円錐形状部13の高さを示し、R13は円錐形状部13の底面の直径を示し、P13は隣接する円錐形状部13同士のピッチを示すものである。微細凹凸構造体12の円錐形状部13の底面の直径R13及びピッチP13を300nm以下とし、かつ円錐形状部13における底面の直径R13に対する高さH13のアスペクト比を1以上とすることによって、350nm~800nmの波長範囲に主ピークを有する太陽光に対し、上記波長範囲内における各波長での透過率をそれぞれ80以上にすることができる。次に、上述した太陽光発電装置1の製造方法の実施例について図1,図2と共に図3,図4を用いて説明する。まず、上述した太陽光発電装置1における透明基板2の入射面2Aを形成するための成形用の母型の製造方法の実施例について図3及び図4を用いて説明する。図3aに示すように、まず、石英ガラス基盤30上に無機レジスト膜31を形成成膜する。無機レジスト膜31は石英ガラス基盤30をエッチングするときのマスクとして機能するため、石英ガラス基盤30に対してエッチング選択性のよい材料、即ちエッチング速度の遅い材料を用いる。無機レジスト膜31の材料としては、遷移金属の酸化物を主成分とする感光性アモルファス無機材料を用いることが好ましい。このような材料として、例えば酸化タングステンWO、またはタングステンとモリブデンとの合金酸化物WMoOを主成分とする感光性アモルファス無機材料が挙げられる。また、ゲルマニウムとアンチモンとテルルとの合金GeSbTe系の相変化材料を用いることもできる。また、無機レジスト膜31の形成成膜方法は特に限定されるものではないが、例えば高真空度の減圧状態下のチャンバー内に所定の流量で酸素O2ガスを導入しながら、タングステンとモリブデンとの合金からなるターゲットを用いてスパッタリングを行う、所謂、反応性スパッタリング法が好適である。また、無機レジスト膜31の厚さについても特に限定されるものではなく、石英ガラス基盤30に形成される凹部33の深さ凸部34の高さ及び石英ガラス基盤30と無機レジスト膜31とのエッチング速度差に応じて適宜設定されるものである。なお、凹部33及び凸部34のサイズは、後述する微細凹凸構造体40に比べて非常に大きいので、無機レジスト膜31を厚く形成してもパターニングが可能である。次に、無機レジスト膜31の所定の領域に、集光されたレーザ光Laを照射して上記所定の領域における無機レジスト膜31を感光させる。石英ガラス基盤30に形成された無機レジスト膜31は非晶質状態であり、レーザ光Laが照射された領域の無機レジスト膜31はレーザ光Laの照射エネルギーによって発生する熱によって結晶状態になる。なお、図3aでは、説明をわかりやすくするために、無機レジスト膜31が感光した領域、即ち結晶状態となった領域をハッチング領域で示している。その後、図3bに示すように、アルカリ現像液例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを用いて上記感光した領域の無機レジスト膜31を選択的に除去する。これにより、石英ガラス基盤30に、中心点図1の中心点C0に対応するを通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に対して平行な線状部を含む外形形状を有する、複数の方形状パターンが、上記中心点に対して同心円状または螺旋状に互いに離間して配置された無機レジストパターン32が形成される。次に、図3cに示すように、無機レジストパターン32をマスクにして、石英ガラス基盤30をエッチングする。上記エッチングとして例えばフルオロカーボン系ガスを用いたRIEリアクティブイオンエッチングを行った。フルオロカーボン系ガスとして、CF4,CHF3,C3F8,及びC4F8等を用いることができる。エッチングガスの成分やガス圧を調整することにより、異方性のエッチングを行うことができるので、図3cに示すように、石英ガラス基盤30はその深さ方向に選択的にエッチングされる。その後、図3dに示すように、無機レジストパターン32を強アルカリ溶液例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを用いて除去することにより、石英ガラス基盤30の表面に、中心点図1の中心点C0に対応するを通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に対して平行な線状部を含む外形形状を有する、複数の凹部33が、上記中心点に対して同心円状または螺旋状に互いに離間して形成される。なお、石英ガラス基盤30の表面において、凹部33が形成されていない領域は凹部33に対して凸状である凸部34となる。34Aは凸部34の上面を示す。凹部33の底面33Aは例えば一辺が1.5μmの正方形であり、凹部33と凸部34との高低差、即ち凹部33の底面33Aから凸部34の上面34Aまでの高さ方向深さ方向の距離は例えば1.0μmである。なお、これら寸法は特に限定されるものではない。次に、図4aに示すように、凹部33及び凸部34が形成された石英ガラス基盤20の表面に無機レジスト膜35を形成成膜する。無機レジスト膜35は前述した無機レジスト膜31と同じ材料及び成膜方法で形成することができる。なお、無機レジスト膜35は後述する微細凹凸構造体40を形成するためのエッチングマスクとして機能するため、石英ガラス基盤30のエッチング量が少なくて済むので、前述した無機レジスト膜31よりも薄く形成することができる。例えば、無機レジスト膜35の材料に酸化タングステンWOを用いて石英ガラス基盤30に高さ300nmの微細凹凸構造体40を形成する場合、酸化タングステンと石英ガラスとのエッチング速度比は1:3~1:4程度なので、無機レジスト膜35は80nm~100nm程度の厚さが必要になる。次に、無機レジスト膜35の所定の領域に、集光されたレーザ光Laを照射して上記所定の領域における無機レジスト膜35を感光させる。石英ガラス基盤30に形成された無機レジスト膜35は非晶質状態であり、レーザ光Laが照射された領域の無機レジスト膜35はレーザ光Laの照射エネルギーによって発生する熱によって結晶状態になる。なお、図4aでは、説明をわかりやすくするために、無機レジスト膜35が感光した領域、即ち結晶状態となった領域をハッチング領域で示している。その後、図4bに示すように、アルカリ現像液例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを用いて上記感光した領域の無機レジスト膜35を除去する。これにより、石英ガラス基盤30における複数の凹部33の各底面33AにピッチP36が例えば250nmで円板状の無機レジストパターン36が一度に複数形成されると共に、凸部34の上面34AにピッチP37が例えば250nmで円板状の無機レジストパターン37が一度に複数形成される。次に、図4cに示すように、無機レジストパターン36,37をマスクにして、石英ガラス基盤30における複数の凹部33の各底面33A及び凸部34の上面34Aを一度にエッチングする。上記エッチングとして、フルオロカーボン系ガスを用いたRIEリアクティブイオンエッチングを行った。フルオロカーボン系ガスとして、CF4,CHF3,C3F8,及びC4F8等を用いることができる。エッチングガスの成分やガス圧を調整することにより、等方性のエッチングを行うことができるので、図4dに示すように、石英ガラス基盤30はその深さ方向にエッチングされると共に面方向にもエッチングされる。その後、無機レジストパターン36,37を強アルカリ溶液例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを用いて除去することによって、図4eに示すように、石英ガラス基盤30における複数の凹部33の各底面33A及び凸部34の上面34Aに、凸状の複数の円錐形状部41を有する微細凹凸構造体40がそれぞれ形成される。複数の凹部33、凸部34、及び微細凹凸構造体40が表面に形成された石英ガラス基盤30は、太陽光発電装置1における透明基板2の入射面2Aを形成するための入射面成形用の母型となる。即ち、複数の凹部33、凸部34、微細凹凸構造体40、及び円錐形状部41は、図1及び図2に示す、複数の凹部10、凸部11、微細凹凸構造体12、及び円錐形状部13にそれぞれ対応するものであり、上記の入射面成形用の母型から複数の凹部33、凸部34、及び微細凹凸構造体40の凹凸が反転して転写されたスタンパを作製し、このスタンパから再度、複数の凹部33、凸部34、及び微細凹凸構造体40の凹凸が反転して転写された入射面2Aを有する透明基板2を作製することができる。太陽光発電装置1における透明基板2の出射面2Bを形成するための成形用の母型の製造方法は、上述した入射面2Aを形成するための成形用の母型の製造方法に対して、凹部33及び凸部34を形成しないこと以外は同じである。従って、図3aから図3dまでの工程を行わずに、かつ、図4aから図4eまでの工程と同様の工程を石英ガラス基盤の表面に対して実施することにより、微細凹凸構造体40が表面全体に一様に形成された石英ガラス基盤が得られる。微細凹凸構造体40が表面全体に一様に形成された石英ガラス基盤は、太陽光発電装置1における透明基板2の出射面2Bを形成するための出射面成形用の母型となる。即ち、透明基板2の出射面2Bを形成するための出射面成形用の母型に形成された微細凹凸構造体40円錐形状部は、透明基板2の入射面2Aを形成するための入射面成形用の母型に形成された微細凹凸構造体40円錐形状部41と同じ形状を有している。また、出射面成形用の母型に形成された微細凹凸構造体40は、図1bに示す、透明基板2の出射面2Bに一様に形成された微細凹凸構造体14に対応するものであり、上記の出射面成形用の母型から微細凹凸構造体40の凹凸が反転して転写されたスタンパを作製し、このスタンパから再度、微細凹凸構造体40の凹凸が反転して転写された出射面2Bを有する透明基板2を作製することができる。上述した入射面成形用の母型及び出射面成形用の母型を用いてこれら母型の凹凸が反転して転写されたスタンパをそれぞれ作製し、これらスタンパを用いて両面成形することにより、図1bに示すように、複数の凹部10、凸部11、及び微細凹凸構造体12が形成された入射面2Aと、微細凹凸構造体14が全面に形成された出射面2Bと、を有する透明基板2が得られる。次に、透明基板2の微細凹凸構造体14が形成された出射面2B上{図1bでは下側}に、例えば厚さ40nmのITO膜をDCスパッタリング法を用いて成膜し、透明電極3を形成する。次に、透明電極3上{図1bでは下側}に、例えば厚さ5nmの有機色素膜であるZnフタロシアニン膜を真空蒸着法を用いて成膜し、p型光電変換層4を形成する。次に、p型光電変換層4上{図1bでは下側}に、例えばZnフタロシアニンとフラーレンとを成膜速度が1:1になるように共蒸着させ、Znフタロシアニンとフラーレンとの組成比率が1:1であり、かつ厚さが15nmである混合膜を成膜し、光電変換混合層5を形成する。次に、光電変換混合層5上{図1bでは下側}に、例えば厚さ30nmのフラーレン膜を真空蒸着法を用いて成膜し、n型光電変換層6を形成する。p型光電変換層4、光電変換混合層5、及びn型光電変換層6は、真空チヤンバー内で、即ち真空状態を維持した状態で連続して形成することができる。次に、n型光電変換層6上{図1bでは下側}に、例えば厚さ5nmのBCP膜を成膜してバッファ層7を形成する。次に、バッファ層7上{図1bでは下側}に、例えば厚さ50nmのAl膜を真空蒸着法を用いて成膜し、反射電極8を形成する。その後、真空状態を保持した状態で、即ち大気中に曝す前に、窒素雰囲気中で封止して劣化対策を行った後に、上記工程を経て作製された太陽光発電装置1を大気中に取り出す。上述したように、透明基板2の微細凹凸構造体14が形成された出射面2B上{図1bでは下側}に順次形成される、透明電極3,p型光電変換層4,光電変換混合層5,n型光電変換層6,バッファ層7,及び反射電極8の各厚さは、微細凹凸構造体14円錐形状部の高さ図2中のH13に相当するに対して薄いので、各層4~7及び各電極3,8は透明基板2の微細凹凸構造体14の形状を順次トレースしていくため、各層4~7及び各電極3,8の表面には微細凹凸構造体14と略同じ形状の微細凹凸構造体が形成される。ここで、図1aに示すように、透明基板2の入射面2Aにおいて、複数の凹部10を、中心点C0を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に対して平行な線状部を含む外形形状とした理由について、図5及び図6を用いて説明する。図5は比較例の太陽光発電装置100を説明するための模式的平面図であり、図1aに対応するものである。図6a及びbは本発明に係る第1の実施の形態である太陽光発電装置1、及び比較例の太陽光発電装置100に、紙面右下の手前側から紙面左上の奥側に向かって太陽光Lが照射されたときに生じる影の領域を説明するための模式的平面図である。図6aに示すように、上述した第1の実施の形態である太陽光発電装置1では凹部10a~10dが中心点C0に対して放射状に配置されているのに対し、図5及び図6bに示す比較例の太陽光発電装置100では凹部10e~10iが市松模様状に配置されている点で相違し、それ以外の構成は太陽光発電装置1と同じである。ところで、太陽光発電装置は、通常、所定の場所に設置されており、入射面に入射する太陽光Lの入射角度が90度になるように設置することが望ましい。しかしながら、太陽光発電装置の入射面に対する太陽光Lの入射方向は経時的に変化してしまう。例えば、図6bに示すように、太陽光発電装置100の入射面紙面に相当するに対して紙面右下の手前側から紙面左上の奥側に向かって太陽光Lが照射された場合、比較例の太陽光発電装置100の凹部10e~10iには影101が一様に生じる。影101の領域には太陽光Lが照射されないので、太陽光Lの取り込み効率を悪化させる要因となる。それに対して、図6aに示すように、第1の実施の形態である太陽光発電装置1では、入射面紙面に相当するに対して紙面右下の手前側から紙面左上の奥側に向かって太陽光Lが照射された場合、凹部10aに生じる影102の領域は、比較例の太陽光発電装置100の凹部10e~10iに一様に生じる影101の領域と同じだが、他の凹部10b~10dについては影103~105の領域を低減することができる。そのため、凹部10が放射状に配置されている太陽光発電装置1では、凹部10が市松模様状に配置されている比較例の太陽光発電装置100よりも太陽光の取り込み効率を向上させることができる。<第2の実施の形態>図7参照本発明に係る太陽光発電装置における第2の実施の形態を図7を用いて説明する。図7は図1aに対応するものであり、第2の実施の形態である太陽光発電装置50を、太陽光Lが入射する入射面側から見たときの模式的平面図である。なお、説明をわかりやすくするために、図7及び以下の記載では、第1の実施の形態における構成部と同じ構成部については同じ符号を付す。図1a示すように、第1の実施の形態である太陽光発電装置1では凹部10の外形形状が方形状であったのに対し、図7に示すように、第2の実施の形態である太陽光発電装置50は、凹部51の外形形状が、外円弧部51aと、内円弧部51bと、これら外円弧部51aと内円弧部51bとの各端部をそれぞれ連結する平行線状部51c,51dとによって形成される略扇形の形状とした点で相違し、それ以外の構成は第1の実施の形態である太陽光発電装置1と同じである。即ち、透明基板2の入射面2Aには外形形状が略扇形の形状である複数の凹部51が中心点C1に対して放射状に互いに離間して配置されている。また、略扇形の形状を有する複数の凹部51は中心点C1に対して同心円状または螺旋状に互いに離間して配置されている。なお、図7では一例として複数の略扇形の形状の凹部51が同心円状に配置された場合を示す。即ち、図7に示すように、略扇形の形状を有する複数の凹部51は、中心点C1を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に対して平行な平行線状部51c,51dを含む外形形状を有している。また、図7では、中心点C1を含むその近傍の領域に配置された凹部53の外形形状を円形状として表示しているが、円形状に限定されるものではなく、他の形状としてもよい。凹部51以外の領域52は凹部51に対して凸状である凸部52である。凹部51の底面図2の10Aに相当するおよび凸部52の上面図2の11Aに相当するには凸状の複数の円錐形状部13を有する微細凹凸構造体12がそれぞれ形成されている。なお、図7では凹部51と凸部52との区別をわかりやすくするために、凹部51底面10A:図2参照には微細凹凸構造体12を表示し、凸部52上面11A:図2参照には微細凹凸構造体12の表示を省略している。図7に示す凹部51の底面および凸部52の上面にそれぞれ形成される微細凹凸構造体12円錐形状部13は第1の実施の形態で説明した微細凹凸構造体12円錐形状部13と同じであり、微細凹凸構造体12の円錐形状部13図2参照の底面の直径R13及びピッチP13を300nm以下とし、かつ円錐形状部13における底面の直径R13に対する高さH13のアスペクト比を1以上とすることによって、350nm~800nmの波長範囲に主ピークを有する太陽光に対し、上記波長範囲内における各波長での透過率をそれぞれ80以上にすることができる。第2の実施の形態である太陽光発電装置50は、入射面2Aに、略扇形の形状を有する複数の凹部51が、中心点C1を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に対して平行な平行線状部51c,51dを含む外形形状を有しているので、前述した理由と同様の理由により、第1の実施の形態である太陽光発電装置1と同様の効果、即ち、市松模様状に配置されている比較例の太陽光発電装置100よりも太陽光の取り込み効率を向上させることができるという効果を奏する。<第3の実施の形態>図8参照本発明に係る太陽光発電装置における第3の実施の形態を図8を用いて説明する。図8は図1a及び図7にそれぞれ対応するものであり、第3の実施の形態である太陽光発電装置60を、太陽光Lが入射する入射面側から見たときの模式的平面図である。なお、説明をわかりやすくするために、図8及び以下の記載では、第1及び第2の実施の形態における構成部と同じ構成部については同じ符号を付す。図1a示すように、第1の実施の形態である太陽光発電装置1では凹部10の外形形状が方形状であったのに対し、図8に示すように、第3の実施の形態である太陽光発電装置60は、凹部6162~65も同様の外形形状が、外円弧部61aと、内円弧部61bと、これら外円弧部61aと内円弧部61bとの各端部をそれぞれ連結する非平行線状部61c,61dとによって形成される扇形の形状とした点で相違し、それ以外の構成は第1及び第2の実施の形態である太陽光発電装置1及び50と同じである。即ち、透明基板2の入射面2Aには、扇形の形状を有する複数の凹部61,63,65が中心点C2に対して放射状に配置されており、扇形の形状を有する複数の凹部62,64,66が同じく中心点C2に対して放射状に配置されている。また、各凹部61~66は中心点C2に対してそれぞれ同心円状または螺旋状に配置されている。なお、図8では一例として複数の扇形の形状の凹部61~66がそれぞれ同心円状に配置された場合を示している。即ち、図8に示すように、扇形の形状を有する複数の凹部61~66は、中心点C2を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、非平行線状部61c,61dが中心点C2を通る他の線上にそれぞれ位置する外形形状を有している。凹部61~66以外の領域67は凹部61~66に対して凸状である凸部67である。凹部61~66の各底面図2の10Aに相当するおよび凸部67の上面図2の11Aに相当するには凸状の複数の円錐形状部13を有する微細凹凸構造体12がそれぞれ形成されている。なお、図8では凹部61~66と凸部67との区別をわかりやすくするために、凹部61~66底面10A:図2参照には微細凹凸構造体12を表示し、凸部67上面11A:図2参照には微細凹凸構造体12の表示を省略している。図8に示す凹部61~66の底面および凸部67の上面にそれぞれ形成される微細凹凸構造体12円錐形状部13は第1の実施の形態で説明した微細凹凸構造体12円錐形状部13と同じであり、微細凹凸構造体12の円錐形状部13図2参照の底面の直径R13及びピッチP13を300nm以下とし、かつ円錐形状部13における底面の直径R13に対する高さH13のアスペクト比を1以上とすることによって、350nm~800nmの波長範囲に主ピークを有する太陽光に対し、上記波長範囲内における各波長での透過率をそれぞれ80以上にすることができる。第3の実施の形態である太陽光発電装置60は、入射面2Aに、扇形の形状を有する複数の凹部61~66を、中心点C2を通る複数の線上に放射状に配置し、かつ、非平行線状部61c,61dが中心点C2を通る他の線上にそれぞれ位置する外形形状を有しているので、前述した理由と同様の理由により、第1の実施の形態である太陽光発電装置1と同様の効果、即ち、市松模様状に配置されている比較例の太陽光発電装置100よりも太陽光の取り込み効率を向上させることができるという効果を奏する。本発明の実施の形態は、上述した構成や手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。例えば、各実施の形態において、透明基板の入射面を、凹部と凸部とが反転した形状としてもよい。また、各実施の形態において、微細凹凸構造体の円錐形状部を入射面に対して凸状としたが、凹状の反転した形状としてもよい。また、凹部又は凸部の外形形状は、各実施の形態で説明した形状に限定されるものではなく、所定の点中心点を通る複数の線上に放射状に配置され、かつ、配置された線に平行な線状部、又は、所定の点中心点を通る他の線上に位置する線状部を含む形状であればよい。"