"凹部を有し、グランドとなる金属板と、前記凹部に配置され、電極端子を有する機能素子と、前記機能素子を被覆し、前記金属板に接して配置される第1の絶縁層と、該第1の絶縁層を間にして前記金属板と対向する第1の信号配線を含む第1の配線層と、該第1の配線層を被覆する第2の絶縁層と、該第2の絶縁層を間にして前記第1の配線層と対向するグランドプレーンからなるグランド層と、を含むことを特徴とする機能素子内蔵基板。前記第1の信号配線は前記グランド層と前記金属板とでストリップ線路構造を構成している請求項1に記載の機能素子内蔵基板。前記グランド層と前記金属板とは電気的に接続されて同電位のグランドを構成している請求項1又は2に記載の機能素子内蔵基板。さらに、前記第1の信号配線と電気的に接続する第2の信号配線を含み、かつ前記グランド層に囲まれるように前記第2の絶縁層に接して配置される第2の配線層と、を含む請求項1乃至3のいずれかに記載の機能素子内蔵基板。前記グランド層の外側にさらに一層以上の別の配線層を有する請求項1乃至4のいずれかに記載の機能素子内蔵基板。さらに、外部接続用端子を備え、該外部接続用端子の少なくとも一つは前記電極端子と電気的に接続されている請求項1乃至5のいずれかに記載の機能素子内蔵基板。前記外部接続用端子は、前記機能素子と少なくとも前記第1の信号配線を介して電気的に接続される信号用端子と、前記グランド層と電気的に接続されるグランド用端子と、を含む請求項6に記載の機能素子内蔵基板。さらに、前記グランド層及び前記第2の信号配線を被覆する第3の絶縁層を含み、前記グランド層の一部及び前記第2の信号配線の一部が前記第3の絶縁層から開口し、外部接続用端子として機能する請求項4に記載の機能素子内蔵基板。電極端子を有する機能素子と、該機能素子を支持し、グランドとなる金属板と、前記機能素子を被覆し、前記金属板に接して配置される第1の絶縁層と、該第1の絶縁層を間にして前記金属板と対向する第1の信号配線を含む第1の配線層と、該第1の配線層を被覆する第2の絶縁層と、該第2の絶縁層を間にして前記第1の配線層と対向するグランドプレーンからなるグランド層と、を含み、前記金属板と前記第1の信号配線との最短距離をd1、前記第1の信号配線と前記グランド層との距離をd2、前記第1の絶縁層の誘電率をε1、前記第2の絶縁層の誘電率をε2とした場合、ε1/d1はε2/d2以上であることを特徴とする機能素子内蔵基板。前記金属板は凹部を有し、該凹部に前記機能素子が配置され支持されている請求項9に記載の機能素子内蔵基板。前記グランド層と前記金属板とは電気的に接続されて同電位のグランドを構成している請求項9又は10に記載の機能素子内蔵基板。さらに、前記第1の信号配線と電気的に接続する第2の信号配線を含み、かつ前記グランド層に囲まれるように前記第2の絶縁層に接して配置される第2の配線層と、を含む請求項9乃至11のいずれかに記載の機能素子内蔵基板。前記グランド層の外側にさらに一層以上の別の配線層を有する請求項9乃至12のいずれかに記載の機能素子内蔵基板。さらに、外部接続用端子を備え、該外部接続用端子の少なくとも一つは前記電極端子と電気的に接続されている請求項9乃至13のいずれかに記載の機能素子内蔵基板。前記外部接続用端子は、前記機能素子と少なくとも前記第1の信号配線を介して電気的に接続される信号用端子と、前記グランド層と電気的に接続されるグランド用端子と、を含む請求項14に記載の機能素子内蔵基板。さらに、前記グランド層及び前記第2の信号配線を被覆する第3の絶縁層を含み、前記グランド層の一部及び前記第2の信号配線の一部が前記第3の絶縁層から開口し、外部接続用端子として機能する請求項12に記載の機能素子内蔵基板。請求項1乃至16のいずれかに記載の機能素子内蔵基板を含む電子機器。上述のように、機能素子内蔵基板は高集積化及び高機能化の観点から有利であり、特許文献2に記載のような、金属からなる支持板上に半導体チップ等の機能素子を配置し内蔵する技術は、機能素子及び基板自体の反りや放熱特性の観点からも優れている。また、電子機器の高機能化に伴い、高クロック周波数化が進んでおり、基板回路の特性インピーダンス整合が益々重要になってきている。そこで、本発明は、金属板上に機能素子を有する機能素子内蔵基板において、信号配線間のクロストークノイズを低減させ、さらなる特性インピーダンスの整合を図ることができる機能素子内蔵基板を提供することを目的とする。そこで、第一の本発明は、凹部を有し、グランドとなる金属板と、前記凹部に配置され、電極端子を有する機能素子と、前記機能素子を被覆し、前記金属板に接して配置される第1の絶縁層と、該第1の絶縁層を間にして前記金属板と対向する第1の信号配線を含む第1の配線層と、該第1の配線層を被覆する第2の絶縁層と、該第2の絶縁層を間にして前記第1の配線層と対向するグランドプレーンからなるグランド層と、を含むことを特徴とする機能素子内蔵基板である。また、第二の本発明は、電極端子を有する機能素子と、該機能素子を支持し、グランドとなる金属板と、前記機能素子を被覆し、前記金属板に接して配置される第1の絶縁層と、該第1の絶縁層を間にして前記金属板と対向する第1の信号配線を含む第1の配線層と、該第1の配線層を被覆する第2の絶縁層と、該第2の絶縁層を間にして前記第1の配線層と対向するグランドプレーンからなるグランド層と、を含み、前記金属板と前記第1の信号配線との最短距離をd1、前記第1の信号配線と前記グランド層との距離をd2、前記第1の絶縁層の誘電率をε1、前記第2の絶縁層の誘電率をε2とした場合、ε1/d1はε2/d2以上であることを特徴とする機能素子内蔵基板である。本発明により、金属板上に機能素子を有する機能素子内蔵基板であって、信号配線間のクロストークノイズを低減させ、特性インピーダンスの整合を図ることができる機能素子内蔵基板を提供することができる。本発明について以下に説明する。実施形態1本発明の第一発明について、以下に実施形態を示して説明する。図1に本実施形態の機能素子内蔵基板の構成例を示す。図1は、本実施形態の機能素子内蔵基板の構造を模式的に示した断面概略図である。図1において、グランド及び支持体として機能する金属板1には凹部が設けられており、該凹部に接着剤3を介して半導体チップ等の機能素子2が配置されている。機能素子2は、回路面側図1の上側の面に複数の電極端子不図示を有しており、該回路面を上にして金属板1上に配置されている。金属板1は、機能素子2を支持するものであり、機能素子2の裏面側図1の下側の面と接着層3を介して接合されている。機能素子2は第1の絶縁層4によって被覆され、金属板1の凹部と第1の絶縁層4中に内蔵されている。第1の絶縁層4の上には第1の信号配線7を有する第1の配線層が設けられ、第1の信号配線7と機能素子2を電気的に接続する素子用ビア6が第1の絶縁層4中に設けられている。第1の配線層は、第1の信号配線7を主に含む配線層である。第1の信号配線は、機能素子の電極端子と接する素子用ビア上に設けられ、機能素子への入出力用信号を担う役割を有し、面方向に展開している。したがって、第1の信号配線7は第1の絶縁層4を間にして金属板1と対向する。また、第1の配線層は、第1の信号配線の他に、電源配線を含むことができる。第1の配線層は第2の絶縁層8に被覆され、第2の絶縁層8上にはベタ構造のグランド配線であるグランドプレーンからなるグランド層10と、第2の信号配線11を含む第2の配線層とが設けられている。グランド層10は、第2の配線層が設けられる領域以外は第2の絶縁層8の上にほぼ全面に亘って設けられている。また、第2の絶縁層8中には第2層ビア9が設けられており、図1において、第2層ビア9は第2層信号用ビア9aと第2層グランド用ビア9bを含む。第2層信号用ビア9aは、第2の信号配線11と第1の信号配線7を電気的に接続するビアである。また、本発明において金属板1はグランドとしても機能する。図1において、第1の絶縁層4中には、グランド用ビアとしての第1層ビア5が設けられており、グランド層10と金属板1は、少なくとも第1層ビア5と第2層グランド用ビア9bとを介して電気的に接続され、同電位のグランドを構成している。本発明において、グランドとなる金属板1とグランド層10との間に第1の信号配線7を配置する構成とする。また、本発明では、金属板1に凹部を設け、該凹部に機能素子2を配置する構成とする。金属板1に凹部を設け、機能素子を配置する構成とすることで、凹部の深さによって金属板1と第1の信号配線7との距離を調整することができる。したがって、グランドとした金属板1と第1の信号配線7との間の静電容量を調整することができ、第1の信号配線7の特性インピーダンス整合を図ることができる。つまり、従来では配線基板中のグランド層を設けて特性インピーダンス整合を図っていたが、本発明では金属板に凹部を設けてグランドとすることにより、金属板を有効に利用して第1の信号配線の特性インピーダンス整合を図ることができる。また、第1の信号配線の特性インピーダンスの整合性を保ったまま、基板中に設けるグランド層の面積を低減することができる。さらに、本発明では、グランドとなる金属板1と第1の信号配線7とグランド層10とでストリップ線路構造を構成するように凹部の深さを調整することにより、さらなる特性インピーダンス整合を図ることができる。例えば、凹部の深さを調整することにより、特性インピーダンスを約50Ωに整合させることができる。本発明において、凹部の形状により、第1の信号配線7と金属板1との距離を制御することができる。例えば、図2に示すように、図1に比べて凹部を深く形成することにより第1の絶縁層24の厚さ、つまり第1の信号配線7と金属板1との距離を図1に比べて小さくすることができる。また、図2において、第2の絶縁層28の厚さを調整して形成することにより、グランド層10と第1の信号配線7との距離と第1の信号配線7と金属板1との距離とを同程度とすることができ、ストリップ線路構造を形成し易くなる。したがって、本発明は、金属板1と第1の信号配線7との距離を調整できるため、機能素子が厚い場合に特に有効である。なお、金属板1と第1の信号配線7との距離は、図1において、凹部以外の領域の金属板平面部分と第1の信号配線7との最短距離のことを言う。また、第1の信号配線7とグランド層10との距離は、第1の信号配線7の上面とグランド層10の下面との最短距離を言う。図1において、グランド層10は、第2の信号配線11を囲むように配置され、第2の絶縁層8上のほぼ全面に広がった平板状となっている。第2の配線層の第2の信号配線11は、上下に配置されるビアを接続するランドが主であるが、とくにこれに制限されるものではなく、配線線路部を有していてもよい。とくに、本発明では、金属板1がグランドとして機能することにより第1の信号配線7の特性インピーダンス整合を金属板を用いて有効に図ることができるため、グランド層10の配置領域を低減することができ、その分配線線路部を有する第2の信号配線11を設けることができる。また、図1において、グランド層10と第2の信号配線11を含む第2の配線層とを被覆するように第3の絶縁層12が設けられている。第3の絶縁層12の上にはソルダーレジスト14が設けられている。ソルダーレジスト14には外部基板等との接続に用いられる外部接続用端子15が設けられている。また、第3の絶縁層12中には第3層ビア13が設けられており、第3層ビア13は第3層信号用ビア13aと第3層グランド用ビア13bを含む。第3層信号ビア13aは第2の信号配線11と接し、第3層グランド用ビアはグランド層10と接している。また、外部接続用端子15は、信号用端子15aとグランド用端子15bを含む。信号用端子15aは第3層信号用ビア13aと接し、グランド用端子15bは第3層グランド用ビア13bと接する。外部接続用端子は例えばBGAボールが配置され、外部基板と接続される。また、図1においては、外部接続用端子15は、信号配線やグランド配線がソルダーレジスト14に開口する構成であってもよい。つまり、第3の絶縁層12の上にグランド配線や第3の信号配線を有する第3の配線層を設け、該グランド配線及び第3の信号配線の上にそれらの一部が開口するようにソルダーレジスト14を形成することができる。また、外部接続用端子は、例えば半田が流れないように表面を保護することができる。機能素子としては、半導体チップ等の能動部品やコンデンサ等の受動部品が挙げられる。半導体チップとしては、例えばトランジスタ、IC又はLSI等が挙げられる。半導体チップとして、特に制限されるものではないが、例えばCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorを選択することができる。ここで、機能素子の厚さとしては、半導体チップの場合、例えば50~100μmである。チップ型の受動部品の場合、例えば200~400μmである。また、薄膜形状の受動部品の場合、例えば100~200μmである。機能素子は、機能素子内蔵基板内に1又は2以上設けられる。機能素子が複数設けられる場合は、1つの凹部に1つの機能素子を内蔵することが好ましいが、特にこれに制限されるものではなく、1つの凹部に複数の機能素子を並べて内蔵しても構わない。配線層やグランド層、ビアに用いられる導体としては、特に制限されるものではないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、アルミニウムおよびパラジウムからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属又はこれらを主成分とする合金を用いることができる。これらのうち、電気抵抗値及びコストの観点から、導体としてCuが好ましく用いられる。また、ビアの材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されないが、上述以外にも、例えば、ハンダ材料や、熱硬化性樹脂と銅や銀等の導電性金属粉とを含む導電性樹脂ペーストを用いることができる。導電性樹脂ペーストとしては、導電性粒子としてナノ粒子を含むペースト材料であることが好ましい。また、導電性樹脂ペーストとしては、樹脂成分が揮発する材料や、加熱して焼結体に近づける際に樹脂成分が昇華する材料であることがより好ましい。ビアは、更に好ましくは、安定して剛性のある蒸着法、スパッタ法、CVDChemicalVaperDeposition法、ALDAtomicLayerDeposition法、無電解めっき法、電解めっき法などで設けられる。製造方法の例としては、蒸着法、スパッタ法、CVD法、ALD法、無電解めっき法などで給電層を設けた後に電解めっき法や無電解めっき法により所望の膜厚とする方法が挙げられる。また、ビア開口径は、ビア膜厚の1倍程度が好適だが、この限りではない。ビア径に対するビア高さのアスペクト比は0.3以上3以下とすることが好ましく、0.5以上1.5以下とすることがより好ましく、1前後であることがさらに好ましい。第1の信号配線の厚さは、例えば3~40μmである。また、信号配線の特性インピーダンスを50Ωに整合させ易いという観点から、15~20μmとすることが好ましい。また、第1の信号配線の配線線路部の幅は、第1及び第2の絶縁層の比誘電率を考慮して、適宣設定することが望ましい。また、第1の信号配線の配線線路部の幅は、特性インピーダンス整合の観点から、第1の配線層全体にわたって略同一幅であることが好ましい。また、第1の配線層のライン幅スペース幅は、配線厚みと同等程度以上が望ましいが、この限りではない。金属板の材料としては、特に制限されるものではないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、アルミニウムおよびパラジウムからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属又はこれらを主成分とする合金を用いることができる。これらのうち、電気抵抗値及びコストの観点から、金属板の材料として銅を用いることが好ましい。また、金属板は、電磁シールドとしても機能するため、不要電磁放射を低減することが期待される。また、金属板1上に金属層からなるビアランドが設けられても構わない。その場合、第1の絶縁層4に設けられる第1層ビア5と金属板1との密着力を向上させることができる。さらに、金属板1の凹部が設けられた面の反対面は平面であることから、この面にヒートシンクや他の部品を設けてもよい。絶縁層の材料は、絶縁性を有する樹脂であり、通常の配線基板に用いられる絶縁体と同様のものを用いることができる。絶縁層の材料としては、例えば、有機材料を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、又はポリノルボルネン樹脂等を挙げることができる。また、その他にも、BCBBenzocyclobutene、PBOPolybenzoxazole等を挙げることができる。これらの中でもポリイミド樹脂及びPBOは、膜強度、引張弾性率及び破断伸び率等の機械的特性に優れているため、高い信頼性を得ることができる。絶縁層の材料は、感光性、非感光性のいずれであっても構わない。また、絶縁層はガラスクロスまたはアラミド不織布を含有してもよい。絶縁層は、層によって異なる絶縁材料であってもよいし、同じ絶縁材料であってもよい。また、図1又は2では、3つの絶縁層と最外層のソルダーレジストを有する構成を示したが、とくにこれに限るものではなく、図や実施形態に示される層数に限定されるものではない。また、図3に示すように、グランド層70及び第1の信号配線71を含む第2の配線層の上層にさらに1又は2以上の配線層を設けることができる。つまり、グランド層の外側にさらに別の配線層を設けることができる。例えば、図3aに示すように、第3の信号配線72を含む第3の配線層、第4の信号配線73を含む第4の配線層を設け、外部接続用端子74を設けることができる。また、配線層は上下層に設けたグランド層で挟まれる構成とすることができる。例えば図3bに示すように、第3の信号配線72を含む第3の配線層をグランド層70と70’で挟むようにすることもできる。つまり、第2の信号配線71及び第1のグランド層70を被覆するように第3の絶縁層75を形成し、該第3の絶縁層75の上に第3の信号配線72を含む第3の配線層を形成する。この第3の配線層を被覆するように第4の絶縁層76を形成し、この第4の絶縁層76の上に第2のグランド層70’と第4の信号配線73を含む第4の配線層を形成する。第2のグランド層70’は第4の配線層が形成される領域以外の部分の第4の絶縁層76上にほぼ全面に亘って形成される。また、図1又は2では、素子用ビア6を用いて第1の信号配線7と機能素子の電極端子とを電気的に接続しているが、特にこれに限定されるものではなく、素子用ビアの代わりに電極端子上に設けたポスト電極を用いることもできる。また、外部接続用端子とソルダーレジストは略平面に形成することができるが、図1では外部接続用端子15がソルダーレジスト14よりも窪んで形成されている。外部接続用端子15がソルダーレジスト14の表面よりも窪んでいる場合、この面に半田ボール等を形成する際に有利である。また、外部接続用端子15がソルダーレジスト14よりも突出していても構わない。外部接続用端子は、例えば、金、銀、銅、錫及び半田材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属又は合金で形成することができる。外部接続用端子は、例えば厚み3μmのニッケルおよび0.5μmの金を順に積層することができる。外部接続用端子において、そのピッチは例えば50~1000μmであり、より好ましくは50~500μmである。また、図4に、薄型化の観点から特に好ましい本実施形態を示す。図4において、グランド及び支持体として機能する金属板31には凹部が設けられており、該凹部に接着剤33を介して半導体チップ等の機能素子32が配置されている。機能素子2は、回路面側図4の上側の面に複数の電極端子不図示を有しており、該回路面を上にして金属板31上に配置されている。金属板31は、機能素子32を支持するものであり、機能素子32の裏面側図4の下側の面と接着層33を介して接合されている。機能素子32は第1の絶縁層34によって被覆され、金属板31の凹部と第1の絶縁層34中に内蔵されている。第1の絶縁層34の上には第1の信号配線37を含む第1の配線層が設けられ、第1の信号配線37と機能素子32を電気的に接続する素子用ビア36が第1の絶縁層34中に設けられている。第1の信号配線37は、機能素子への入出力用信号を担う役割を有し、第1の絶縁層34上で面方向に展開している。第1の配線層は第2の絶縁層38に被覆され、第2の絶縁層38上にはベタ構造のグランド配線であるグランドプレーンからなるグランド層40と、第2の信号配線41を含む第2の配線層が設けられている。グランド層40は、第2の配線層が設けられる領域以外は第2の絶縁層38の上にほぼ全面に亘って設けられている。また、第2の絶縁層38中には第2層ビア39が設けられており、図4において、第2層ビア39は第2層信号用ビア39aと第2層グランド用ビア39bを含む。第2層信号用ビア39aは、第2の信号配線41と第1の信号配線37を電気的に接続するビアである。また、本発明において金属板31はグランドとしても機能する。図4において、第1の絶縁層34中には、グランド用ビアとしての第1層ビア35が設けられており、グランド層40と金属板31は、少なくとも第1層ビア35と第2層グランド用ビア39bとを介して電気的に接続され、同電位のグランドを構成している。また、グランド層40と第2の信号配線41を被覆するように第3の絶縁層42が設けられている。第3の絶縁層42は例えばソルダーレジストである。また、図4においては、外部接続用端子は、第2の配線層及びグランド層40の一部が第3の絶縁層42に開口することにより構成されている。例えば、第2の配線層及びグランド層40の上に第3の絶縁層42を配置し、第2の配線層及びグランド層40の一部が露出するように第3の絶縁層42をエッチングすることにより、外部接続用端子を形成することができる。図4において、40’はグランド層40の一部が第3の絶縁層42に開口した部分を表し、グランド用端子を構成する。41’は第2の配線層の一部が第3の絶縁層42に開口した部分を表し、信号用端子や電源用端子を構成する。外部接続用端子は例えばBGAボールが配置され、外部基板と接続される。また、外部接続用端子は、例えば半田が流れないように表面を保護することができる。ここで、特性インピーダンスを整合させるための指針について説明する。大抵の場合、機能素子の信号配線は特性インピーダンスが50Ωになるように設計されるため、機能素子に接続される配線基板の特性インピーダンスも50Ωになるように設計される。本発明では、上述のように、凹部を設けた金属板をグランドとして用い、凹部の深さによって金属板と第1の信号配線との距離を調整することにより、第1の信号配線の特性インピーダンス整合を図ることができる。その際、グランドとなる金属板、信号配線及びグランドプレーンとでストリップ線路構造を形成することが好ましい。ストリップ線路構造は配線収容性が高く、特性インピーダンス整合も比較的容易であるためである。また、信号配線がグランドで挟まれるため、外来ノイズ耐性も向上する。特性インピーダンスを整合させるには、線路幅と絶縁層の厚み、絶縁層の誘電率を変化させることで実現できる。ストリップ線路構造として効果を発揮するためには、信号配線を挟んで上下に配置される2層の絶縁層の材料が同一であり、信号配線からグランドとなる金属板までの距離と、信号配線からグランド層までの距離とが等しいことが望ましい。以上のことを踏まえ、本発明では、第1の絶縁層と第2の絶縁層は同じ材料を用い、信号配線からグランドとなる金属板までの距離と、信号配線からグランド層までの距離とが等しくなるように金属板に凹部を設けることが好ましい。本実施形態における、図1に示す矢印A,B,C,Dにおける水平方向の断面図以下、水平断面図と省略するの例をそれぞれ図15~18に示す。また、図4に示す矢印Eにおける水平断面図を図19に示す。図16~19において、点線2’は機能素子の配置位置を示す。図1の矢印Bにおける水平断面図である図16に示すように、第1の信号配線7は、ランドと配線線路部から構成されており、面方向に展開している。図1の矢印Cにおける水平断面図である図17に示すように、グランド層10はベタ構造のグランド配線であるグランドプレーンからなり、第2の配線層が設けられる領域以外は第2の絶縁層上にほぼ全面に亘って設けられている。図1の矢印Dにおける水平断面図である図18に示すように、最上層であるソルダーレジスト14内に、信号配線16黒塗りで表示やグランド層17が形成されている。ソルダーレジスト14中の信号配線16やグランド層17が露出するようにソルダーレジスト14に開口を設けることで、外部接続用端子を形成することができる。図4の矢印Eにおける水平断面図である図19に示すように、最上層であるソルダーレジスト42内に、信号配線41黒塗りで表示やグランド層40が形成されている。ソルダーレジスト14中の信号配線41やグランド層40が露出するようにソルダーレジスト42に開口を設けることで、信号用端子41’やグランド用端子40’等の外部接続用端子を形成することができる。なお、これらの水平断面図はあくまで一例であり、本発明をなんら限定するものではない。本実施形態では、例えば、半導体チップの厚みが50μmのものを用いた場合、凹部の深さを20μm、半導体チップと銅板との接着材3の厚みを5μm、第1の絶縁層の厚みを35μm、第2の絶縁層の厚みを35μm、第1の信号配線の幅及び高さをそれぞれ20μm及び10μm、第1の絶縁層及び第2の絶縁層が同じ材料で比誘電率が約4、とすることで、ストリップ線路構造を形成し、特性インピーダンスを約50Ωとすることができる。次に、本発明の機能素子内蔵基板の製造方法について図13を参照して説明する。図13は、本発明の機能素子内蔵基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である。以下の説明では機能素子として半導体チップを用いる。また、本発明は以下の製造方法に限定されるものではない。まず、図13aに示すように、凹部を有する金属板1を用意する。ここで、金属板1には、半導体チップ2を搭載するための位置マークを設けることができる。位置マークの形成方法としては、例えば、金属板1上に金属を析出させる方法、ウェットエッチングや機械加工により窪みを設ける方法等が挙げられる。次に、図13bに示すように、金属板1凹部に、半導体チップ2を電極端子不図示が上側になるように接着剤3を介して搭載する。接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。次に、図13cに示すように、第1の絶縁層4、第1層ビア5、素子用ビア6及び第1の信号配線7を含む第1の配線層を形成する。より具体的には、半導体チップ2の電極端子側の面と側壁の一部を被覆するように、金属板1上に第1の絶縁層4を形成する。また、電極端子と接続する素子用ビア6と、金属板1と接続する第1層ビア5を第1の絶縁層4中に形成する。また、図13cに示すように、素子用ビア6と第1層ビア5を含む第1の絶縁層4の上に第1の信号配線7を含む第1の配線層を形成する。第1の絶縁層の形成方法は、トランスファーモールディング法、圧縮形成モールド法、印刷法、真空プレス、真空ラミネート、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法などで設けられる。下穴は、第1の絶縁層4が感光性の材料である場合、フォトリソグラフィ法により形成することができる。第1の絶縁層4が非感光性の材料又はパターン解像度が低い材料である場合、下穴は、レーザー加工法、ドライエッチング法又はブラスト法により形成することができる。また、ビアの形成方法としては、電解めっき、無電解めっき、印刷法、溶融金属吸引法等を用いることができる。また、半導体チップの電極端子に接続する素子用ビアとしては、電極端子上に予め通電用の金属ポストを設けておき、第1の絶縁層4の材料を配置した後、研磨等により絶縁材料の表面を削って金属ポストの表面を露出させてビアを形成する方法でも構わない。その場合、第1層ビア5を形成した後に、第1の絶縁層の表面を削って金属ポストの表面を露出させる方法でも、第1の絶縁層の材料の表面を削って金属ポストの表面を露出させた後に、第1層ビア5を形成する方法のどちらでも構わない。研削方法は、例えば、バフ研磨、CMP等が挙げられる。信号配線や電極配線を含む配線は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法又はフルアディティブ法等により、例えばCu、Ni、Sn又はAu等の金属を用いて形成することができる。サブトラクティブ法は、例えば特開平10-51105号公報に開示されている。サブトラクティブ法は、基板又は樹脂上に設けられた銅箔を所望のパターンに形成したレジストをエッチングマスクとし、エッチング後にレジストを除去することにより、所望の配線パターンを得る方法である。セミアディティブ法は、例えば特開平9-64493号公報に開示されている。セミアディティブ法は、給電層を形成した後、所望のパターンにレジストを形成し、レジスト開口部内に電解めっきを析出させ、レジストを除去後に給電層をエッチングすることにより、所望の配線パターンを得る方法である。給電層は、例えば無電解めっき、スパッタ法、CVD法等で形成できる。フルアディティブ法は、例えば特開平6-334334号公報に開示されている。フルアディティブ法では、まず、基板又は樹脂の表面に無電解めっき触媒を吸着させた後にレジストでパターンを形成する。そして、このレジストを絶縁層として残したまま触媒を活性化して無電解めっき法により絶縁層の開口部に金属を析出させ、所望の配線パターンを得る。次に、図13dに示すように、第2の絶縁層8、第2層ビア9、グランド層10及び第2の信号配線11を含む第2の配線層を形成する。より具体的には、第1の信号配線7を含む第1の配線層を被覆するように第2の絶縁層8を形成し、第2の絶縁層8に第2層ビア9を形成する。また、第2の絶縁層8の上にグランド層10と第2の信号配線11を含む第2の配線層とを形成する。グランド層は、例えば、スパッタリング法,真空蒸着法またはメッキ法により金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法により所定の形状に形成することができる。次に、図13eに示すように、第3の絶縁層12、第3層ビア13、ソルダーレジスト14、外部接続用端子15を形成する。より具体的には、第2の信号配線11を含む第2の配線層とグランド層10を被覆するように第3の絶縁層12を形成し、第3の絶縁層12に第3層ビア13を形成する。また、第3の絶縁層12の上に外部接続用端子15及びソルダーレジスト14を形成する。外部接続用端子15は、信号配線やグランド配線を兼ねていてもよく、この場合は該信号配線やグランド配線の一部を露出するようにソルダーレジストをエッチングすることで外部接続用端子を形成できる。また、以下に、具体的な寸法や材料について実施例として記載する。まず、図13aに示すように、凹部を有する金属板1を用意する。金属板1は厚さ0.5mmの銅板を用い、凹部は深さ20μm、縦10mm、横10mmとした。次に、図13bに示すように、金属板1凹部に、半導体チップ2を電極端子不図示が上側になるように接着剤3を介して搭載した。半導体チップ2は、厚さ50μm、縦9.5mm、横9.5mmのLSIチップを用いた。接着剤はエポキシ系接着剤を用い、厚さは5μmとした。次に、図13cに示すように、第1の絶縁層4、第1層ビア5、素子用ビア6及び第1の信号配線7を含む第1の配線層を形成した。第1の絶縁層4にエポキシ樹脂を用い、真空ラミネート法により厚さを35μmとして形成した。第1の配線層はCuを用いたセミアディティブ法により、厚さを10μm、幅を20μmとして形成した。また、第1の配線層のライン幅スペース幅は、配線の厚み以上とした。次に、図13dに示すように、第2の絶縁層8、第2層ビア9、グランド層10及び第2の信号配線11を含む第2の配線層を形成した。第2の絶縁層8にエポキシ樹脂を用い、真空ラミネート法により厚さを35μmとして形成した。第2の配線層及びグランド層はCuを用いたサブトラクティブ法により、厚さを15μmとして形成した。また、第2の配線層のライン幅スペース幅は、配線の厚み以上とした。グランド層については、第2の配線層以外の第2の絶縁層8上の領域にほぼ全面に亘ってグランドプレーンを形成した。次に、図13eに示すように、第3の絶縁層12、第3層ビア13、ソルダーレジスト14、外部接続用端子15を形成した。第3の絶縁層12は、エポキシ樹脂を用い、真空ラミネート法により厚さを35μmとして形成した。実施形態2本発明の第二発明について、以下に実施形態を示して説明する。図5に本実施形態の機能素子内蔵基板の構成例を示す。図5は、本実施形態の機能素子内蔵基板の構造を模式的に示した断面概略図である。図5において、グランド及び支持体として機能する金属板101上に接着剤103を介して半導体チップ等の機能素子102が設けられている。機能素子102は、回路面側図5の上側の面に複数の電極端子不図示を有しており、該回路面を上にして金属板101上に配置されている。金属板101は、機能素子102を支持するものであり、機能素子102の裏面側図5の下側の面と接着層103を介して接合されている。機能素子102は第1の絶縁層104によって被覆され、絶縁層中に内蔵されている。第1の絶縁層104の上には第1の信号配線107を含む第1の配線層が設けられ、第1の信号配線107と機能素子102を電気的に接続する素子用ビア106が第1の絶縁層104中に設けられている。第1の配線層は第2の絶縁層108に覆われ、第2の絶縁層108上にはベタ構造のグランド配線であるグランドプレーンからなるグランド層110と第2の信号配線111を含む第2の配線層とが設けられている。また、第2の絶縁層108中には第2層ビア109が設けられており、図5において、第2層ビアは第2層信号用ビア109aと第2層グランド用ビア109bを含む。第2層信号用ビア109aは、第2の信号配線111と第1の信号配線107を電気的に接続するビアである。また、本発明において金属板101はグランドとしても機能する。図5において、第1の絶縁層104中には、グランド用ビアとしての第1層ビア105が設けられており、グランド層110と金属板101は、少なくとも第1層ビア105と第2層グランド用ビア109bとを介して電気的に接続され、同電位のグランドを構成している。本発明において、グランドとなる金属板101とグランド層110との間に第1の信号配線107が配置される構成となる。また、本発明は、金属板101と第1の信号配線107との距離をd1、第1の信号配線107とグランド層110との距離をd2、第1の絶縁層104の誘電率をε1、第2の絶縁層の誘電率108をε2とした場合、ε1/d1はε2/d2以上である。この構成とすることにより、第1の配線層中の第1の信号配線の特性インピーダンス整合を図りつつ、配線設計の自由度を向上することができる。従来では、配線基板中にグランドプレーンからなるグランド層を設けることにより、上下の層に配置される信号配線の特性インピーダンス整合を図っていた。しかし、グランド層を広く設けることは信号配線を配置可能な面積を低減させることになる。そこで、本発明ではε1/d1がε2/d2以上となるようにする。この構成とすることにより、機能素子の周辺領域の金属板部分の上方に位置する第1の信号配線107は、グランド層110と同等に又はそれ以上に金属板101とマイクロストリップ線路構造を構成することができる。したがって、機能素子の周辺領域の金属板部分の上方に位置する領域においてグランド層を設ける面積を低減させることができ、この部分にさらに信号配線や電源配線を設けることができる。つまり、第1の配線層中の第1の信号配線の特性インピーダンス整合を図りつつ、配線設計の自由度を向上することができる。本発明において、距離d1は、金属板101と第1の信号配線107との最短距離のことを示す。この最短距離は、金属板101の上面と第1の信号配線107の下面の距離を表す。また、距離d2は、第1の信号配線107とグランド層110との距離を示し、該距離は、第1の信号配線107の上面とグランド層110の下面との距離を表す。図5において、グランド層110は、第2の信号配線111を囲むように配置され、全面に広がった平板状となっている。第2の配線層の第2の信号配線111は、上下に配置されるビアを接続するランドが主であるが、とくにこれに制限されるものではなく、配線線路部を有していてもよい。とくに、本発明では、機能素子の周辺領域の金属板部分の上方に位置する第1の信号層107はグランドとなる金属板とマイクロストリップ線路構造をグランド層110と同等又はそれ以上に構成することができる。そのため、機能素子の周辺領域の金属板部分の上方に位置する領域においてグランド層の面積を低減することができ、その分信号配線の面積を増やすことができる。また、第2の配線層において配線線路部を有する信号配線を設ける際も、該信号配線はグランド層に囲まれるように形成されることが望ましい。また、図5において、グランド層110と第2の信号配線111を被覆するように第3の絶縁層112が設けられている。第3の絶縁層112の上にはソルダーレジスト114が設けられている。ソルダーレジスト114には外部基板等との接続に用いられる外部接続用端子115が設けられている。また、第3の絶縁層112中には第3層ビア113が設けられており、第3層ビア113は第3層信号用ビア113aと第3層グランド用ビア113bを含む。第3層信号ビア113aは第2の信号配線111と接し、第3層グランド用ビアはグランド層110と接している。また、外部接続用端子115は、信号用端子115aとグランド用端子115bを含む。信号用端子115aは第3層信号用ビア113aと接し、グランド用端子115bは第3層グランド用ビア113bと接する。外部接続用端子は例えばBGAボールが配置され、外部基板と接続される。また、図5においては、外部接続用端子115は、信号配線やグランド配線がソルダーレジスト114に開口する構成であってもよい。つまり、第3の絶縁層112の上にグランド配線や第3の信号配線を含む第3の配線層を設け、該グランド配線及び第3の配線層の上にそれらの一部が開口するようにソルダーレジスト114を形成することができる。また、外部接続用端子は、例えば半田が流れないように表面を保護することができる。本発明の構成を有する機能素子内蔵基板は、特性インピーダンス整合がとれた、良好な伝送特性を有する。ここで、配線の特性インピーダンスについて以下に説明する。特性インピーダンスは、配線と基準面との距離に依存する。それは、以下の理由による。配線の特性インピーダンスZ0は、単位長さあたりのインダクタンスをL0、基準面および配線間の単位長さあたりのキャパシタンスをC0として、次式で与えられる。数式1Z0=√L0/C0[Ω]ここで、基準面とは、固定電位を有する導電体を意味する。基準面および配線間のキャパシタンスCは、真空の誘電率をε0、配線と基準面との間にある絶縁体の比誘電率をεr、基準面と配線間の距離をd、基準面と配線の対向面積をSとすると、次式で与えられる。数式2C=ε0εrS/d[F]特性インピーダンスの算出においては、単位長さあたりのキャパシタンスが必要である。配線幅をw[mm]、配線と基準面との距離をh[mm]とすると、配線長さ1cmあたりのキャパシタンスC0は、次式で与えられる。数式3C0=10-2×ε0εrw/h[F]また、配線長さ1cmあたりのインダクタンスは、マイクロストリップ線路の式として次式で与えられる。数式4L0=1.97×10-9×ln2πh/w[H]以上より、配線の特性インピーダンスZ0は、数3、数4の計算結果を数1に代入することにより求められる。したがって、配線の特性インピーダンスは、配線と基準面との距離hに依存する。より詳細には、配線の特性インピーダンスは、配線と基準面との距離hが大きいほど大きくなる。ここで、本発明において、ε1/d1はε2/d2以上である。つまり、金属板と第1の信号配線とで構成する静電容量が、第1の信号配線とグランド層とで構成する静電容量と同等又はそれ以上となる条件とする。数式3及び4より、この条件とすることにより、機能素子の周辺領域の金属板部分の上方に位置する第1の信号配線は、グランド層と同等又はそれ以上に金属板とマイクロストリップ線路構造を構成することができる。d1及びd2はそれぞれ第1の絶縁層及び第2の絶縁層の厚さにより制御することができる。例えば図6に示すように第1の絶縁層204の厚さと第2の絶縁層208の厚さを調整することで、d1とd2の距離を選択することができる。図5に示すように、第1の絶縁層104及び第2の絶縁層108を同じ厚さでかつ同じ材料で形成することにより、ε1/d1はε2/d2と等しくすることができる。この場合、機能素子の周辺領域の金属板部分の上方に位置する第1の信号配線107は金属板とグランド層とでストリップ線路構造を構成し易くなり、より特性インピーダンス整合を図ることができるため好ましい。また、特性インピーダンスは約50Ωに整合させることが望ましい。図5は、第1の絶縁層104と第2の絶縁層108が同じ材料で構成され、d1とd2が等しい場合について示した。また、例えば図6に示すように、第1の絶縁層204と第2の絶縁層208に同じ材料を用い、d1よりもd2の方が大きくなる構成とすることにより、ε1/d1をε2/d2よりも大きくすることができる。また、d1を調整する方法として、図7に示すように、金属板301に凹部を形成し、該凹部に機能素子302を配置する手段を挙げることができる。金属板301に凹部を形成し、該凹部に機能素子を配置することにより、第1の信号配線307と金属板301との距離d1を小さくすることができる。さらに、図8に示すように、図7に比べて凹部を深く形成することにより、第1の信号配線407と金属板401との距離d1を図7に比べて小さくすることができる。とくに、本発明では、グランドとなる金属板と第1の信号配線とグランド層10とでストリップ線路構造を構成するように凹部の深さを調整することにより、ε1/d1とε2/d2を同等にすることが好ましい。また、凹部の深さを調整することにより、特性インピーダンスを約50Ωに整合させることが望ましい。また、図9に示すように、機能素子502を薄膜化することで第1の絶縁層504の厚さを小さくすることによりd1を小さくすることもできる。また、ε1及びε2はそれぞれ第1の絶縁層及び第2の絶縁層の材料により制御することができる。図10に示すように、第1の絶縁層604と第2の絶縁層608に異なる材料を用いることができる。また、第1の信号配線のうちのランド間を繋ぐ配線線路部は、第1の配線層に亘って略同一幅であることが好ましい。また、図11に示すように、グランド層710及び第1の信号配線711を含む第2の配線層の上層にさらに1又は2以上の配線層を設けることができる。つまり、グランド層の外側にさらに別の配線層を設けることができる。例えば、図11aに示すように、第3の信号配線712を含む第3の配線層、第4の信号配線713を含む第4の配線層を設け、外部接続用端子714を設けることができる。また、配線層は上下層に設けたグランド層で挟まれる構成とすることができる。例えば図11bに示すように、第3の信号配線712を含む第3の配線層をグランド層710と710’で挟むようにすることもできる。つまり、第2の信号配線711及び第1のグランド層710を被覆するように第3の絶縁層715を形成し、該第3の絶縁層715の上に第3の信号配線712を含む第3の配線層を形成する。この第3の配線層を被覆するように第4の絶縁層716を形成し、この第4の絶縁層716の上に第2のグランド層710’と第4の信号配線713を含む第4の配線層を形成する。第2のグランド層710’は第4の配線層が形成される領域以外の部分の第4の絶縁層716上に全面に亘って形成される。また、図12に、薄型化の観点から特に好ましい本実施形態を示す。図12において、グランド及び支持体として機能する金属板801上に接着剤803を介して半導体チップ等の機能素子802が設けられている。機能素子802は、回路面側図12の上側の面に複数の電極端子不図示を有しており、該回路面を上にして金属板801上に配置されている。金属板801は、機能素子802を支持するものであり、機能素子802の裏面側図12の下側の面と接着層803を介して接合されている。機能素子802は第1の絶縁層804によって被覆され、絶縁層中に内蔵されている。第1の絶縁層804の上には第1の信号配線807を含む第1の配線層が設けられ、第1の信号配線807と機能素子802を電気的に接続する素子用ビア806が第1の絶縁層804中に設けられている。第1の配線層は第2の絶縁層808に覆われ、第2の絶縁層808上にはベタ構造のグランド配線であるグランドプレーンからなるグランド層810と第2の信号配線811を含む第2の配線層とが設けられている。グランド層810は、第2の配線層が設けられる領域以外は第2の絶縁層808の上にほぼ全面に亘って設けられている。また、第2の絶縁層808中には第2層ビア809が設けられている。第2層ビアは第2層信号用ビアと第2層グランド用ビアを含む。第2層信号用ビアは、第2の信号配線811と第1の信号配線807を電気的に接続するビアである。また、本発明において金属板801はグランドとしても機能する。図12において、第1の絶縁層804中には、グランド用ビアとしての第1層ビア805が設けられており、グランド層810と金属板801は、少なくとも第1層ビア805と第2層グランド用ビアとを介して電気的に接続され、同電位のグランドを構成している。また、金属板801と第1の信号配線807との距離をd1、第1の信号配線807とグランド層810との距離をd2、第1の絶縁層804の誘電率をε1、第2の絶縁層の誘電率808をε2とした場合、ε1/d1はε2/d2以上である。この構成とすることにより、第1の配線層中の第1の信号配線の特性インピーダンス整合を図りつつ、配線設計の自由度を向上することができる。また、グランド層810と第2の信号配線811を被覆するように第3の絶縁層812が設けられている。第3の絶縁層812は例えばソルダーレジストである。また、図12においては、外部接続用端子は、第2の配線層及びグランド層810の一部が第3の絶縁層812に開口することにより構成されている。例えば、第2の配線層及びグランド層810の上に第3の絶縁層812を配置し、第2の配線層及びグランド層810の一部が露出するようにエッチングすることにより、外部接続用端子を形成することができる。図12において、810’はグランド層810の一部が第3の絶縁層812に開口した部分を表し、グランド用端子を構成する。811’は第2の配線層の一部が第3の絶縁層812に開口した部分を表し、信号用端子や電源用端子を構成する。外部接続用端子は例えばBGAボールが配置され、外部基板と接続される。また、外部接続用端子は、例えば半田が流れないように表面を保護することができる。次に、本発明の機能素子内蔵基板の製造方法について図14を参照して説明する。図14は、本発明の機能素子内蔵基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である。以下の説明では機能素子として半導体チップを用いる。また、本発明は以下の製造方法に限定されるものではない。まず、図14aに示すように、金属板101を用意する。次に、図14bに示すように、金属板101に、半導体チップ102を電極端子不図示が上側になるように接着剤103を介して搭載する。次に、図14cに示すように、第1の絶縁層104、第1層ビア105、素子用ビア106及び第1の信号配線107を含む第1の配線層を形成する。より具体的には、半導体チップ102の電極端子側の面と側壁を被覆するように、金属板101上に第1の絶縁層104を形成する。また、電極端子と接続する素子用ビア106と、金属板101と接続する第1層ビア105を第1の絶縁層104中に形成する。また、図14cに示すように、素子用ビア106と第1層ビア105を含む第1の絶縁層104の上に第1の信号配線107を含む第1の配線層を形成する。次に、図14dに示すように、第2の絶縁層108、第2層ビア109、グランド層110及び第2の信号配線111を含む第2の配線層を形成する。より具体的には、第101の信号配線107を含む第1の配線層を被覆するように第2の絶縁層108を形成し、第2の絶縁層108に第2層ビア109を形成する。また、第2の絶縁層108の上にグランド層110と第2の信号配線111を含む第2の配線層とを形成する。次に、図14eに示すように、第3の絶縁層112、第3層ビア113、ソルダーレジスト114、外部接続用端子115を形成する。より具体的には、第2の信号配線111を含む第2の配線層とグランド層110を被覆するように第3の絶縁層112を形成し、第3の絶縁層112に第3層ビア13を形成する。また、第3の絶縁層112の上に外部接続用端子115及びソルダーレジスト114を形成する。この出願は、2010年4月6日に出願された日本出願特願2010-087804を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。以上、実施形態及び実施例を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。"