導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、を支持体に積層して構成され、二次電池用充電層に接触させて特性評価を行うこと、を特徴とする半導体プローブ。請求項1に記載の半導体プローブにおいて、前記金属酸化物半導体は、p型半導体であること、を特徴とする半導体プローブ。請求項2に記載の半導体プローブにおいて、前記P型半導体は、酸化ニッケル又は銅アルミ酸化物であること、を特徴とする半導体プローブ。請求項1に記載の半導体プローブにおいて、前記金属酸化物半導体は、n型半導体であること、を特徴とする半導体プローブ。請求項4に記載の半導体プローブにおいて、特性評価の対象となる二次電池用充電層は、p型半導体を介して電極に積層されていること、を特徴とする半導体プローブ。請求項4に記載の半導体プローブにおいて、n型金属酸化物半導体は、二酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛のうち何れか1種であること、を特徴とする半導体プローブ。請求項1に記載の半導体プローブにおいて、前記充電層は、電子を捕獲するために、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体に紫外線を照射して、光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成していること、を特徴とする半導体プローブ。請求項1に記載の半導体プローブにおいて、前記支持体は、弾性体であること、を特徴とする半導体プローブ。請求項1に記載の半導体プローブにおいて、前記支持体は、一部に弾性体を備えたこと、を特徴とする半導体プローブ。請求項8又は9のいずれかに記載の半導体プローブにおいて、前記弾性体は、エラストマであること、を特徴とする半導体プローブ。請求項10に記載の半導体プローブにおいて、前記支持体に、独立した前記電極及び前記金属酸化物半導体層を複数個備えたこと、を特徴とする半導体プローブ。導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、を支持体に積層して構成された半導体プローブと、前記半導体プローブに備えられている前記電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加する電圧源と、前記半導体プローブに備えられている前記電極と前記充電層が積層されている前記ベース電極間に流れる電流を測定する電流計と、を備え、前記充電層の電流―電圧特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験装置。導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、を支持体に積層して構成された半導体プローブと、前記半導体プローブに備えられている前記電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加する電圧源と、前記半導体プローブに備えられている前記電極と前記充電層が積層されている前記ベース電極間に流れる電流を測定する電流計と、を使用して、前記充電層の電流―電圧特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験方法。導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、を支持体に積層して構成された半導体プローブと、前記半導体プローブに備えられている前記電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加して充電層を充電する電圧源と、前記電圧源と平行に接続された負荷抵抗と、前記負荷抵抗での電圧を測定する電圧計と、を備え、前記充電層に充電し、その後電圧源を遮断して前記充電層からの電流を前記負荷抵抗に流して、前記負荷抵抗での電圧測定により、電池特性としての前記充電層における充放電特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験装置。導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層と、を支持体に積層して構成された半導体プローブと、前記半導体プローブに備えられている前記電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加して充電層を充電する電圧源と、前記電圧源と平行に接続された負荷抵抗と、前記負荷抵抗での電圧を測定する電圧計と、を使用して、前記充電層に充電し、その後電圧源を遮断して前記充電層からの電流を前記負荷抵抗に流して、前記負荷抵抗での電圧測定により、電池特性としての前記充電層における充放電特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験方法。請求項12に記載の半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験装置において、前記電極と前記金属酸化物半導体層を前記支持体に複数形成し、前記充電層の局所的な複数の領域の電流―電圧特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験装置。請求項13に記載の半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験方法において、前記電極と前記金属酸化物半導体層を前記支持体に複数形成した半導体プローブを用いて、前記充電層の局所的な複数の領域の電流―電圧特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験方法。請求項14に記載の半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験装置において、前記電極と前記金属酸化物半導体層を前記支持体に複数形成し、前記充電層の局所的な複数の領域の充放電特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験装置。請求項15に記載の半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験装置において、前記電極と前記金属酸化物半導体層を前記支持体に複数形成した半導体プローブを用いて、前記充電層の局所的な複数の領域の充放電特性を測定すること、を特徴とする半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験方法。しかしながら、量子電池は新たな原理に基づく全固体型の二次電池であり、その製作プロセスの途中でチップの評価を行う事、そして電池特性としての充放電特性や電流―電圧特性を評価するためには、従来の方法をそのまま適用することはできす、量子電池特有の構造及び特徴を考慮しなければならない。本発明は、量子電池の製作プロセス途中での充電層の電気的特性評価を行う事ができる半導体プローブによる量子電池の試験装置及び試験方法を提供することを目的としている。本発明が被測定物として対象とするのは量子電池であり、基板に、導電性のベース電極と、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲する充電層と、P型半導体層と、導電性の対向電極とを積層して構成されている。さらに安定な動作を行わせるために、ベース電極と充電層の間にn型金属酸化物半導体の層を設けてもよい。量子電池に充電層が積層された時点で充電層の電気的特性を評価するためには、充電層上にさらに積層される層を半導体プローブに形成して、この半導体プローブを充電層に接触させて電気的特性測定することにより、最終的な完成品における充電層の機能を評価することができる。従って、半導体プローブは、導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層とを支持体に積層して構成される。製作途中の測定対象が、導電性のベース電極と充電層、あるいは、導電性のベース電極上にn型金属酸化物半導体層と充電層が設けられている場合は、半導体プローブの金属酸化物半導体は、p型半導体であり、例えば酸化ニッケル又は銅アルミ酸化物である。また、製作途中の測定対象が、導電性の対向電極上にp型金属酸化物半導体層と充電層が設けられている場合は、半導体プローブの導電性層上に、n型金属酸化物半導体層を設けてもよい。n型金属酸化物半導体は、例えば二酸化チタンである。充電層は、電子を捕獲するために、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体に紫外線を照射して、光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成している。半導体プローブの支持体を、弾性体あるいは一部に弾性体部を備えた構成とすることで、充電層へ垂直に押し当てた場合の接触圧を制御し、適正な圧力で接触させることができる。さらに、本発明の半導体プローブを接触させる充電層の表面は微細な粒子の面であり、この面にプローブの面を密着して接触させるためには、圧力だけでなく、プローブ面が柔軟性を持つことも必要となる。弾性体は、材料として例えばエラストマを用いることができる。半導体プローブの先端部の電極及び金属酸化物半導体層は、半導体プローブの先端部より広い面積を持つ充電層面に対して、領域毎に充電特性を評価しながら充電層面全体の電気的特性を評価する。これにより、充電層面の特性の分布やバラツキを評価することができ、各領域間の差分測定も可能である。半導体プローブの支持体を、充電層面を全面的にカバーする大きさとして、独立した電極及び金属酸化物半導体層で構成される層を複数個備える構成とすることで、独立した電極及び金属酸化物半導体層で形成される層を、半導体プローブをコンタクトした状態で、充電層の電気的特性の分布やバラツキが同時に評価できる。上述した半導体プローブを用いた充電層の電流―電圧特性を評価する電気特性試験装置は、導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層とを支持体に積層して構成された半導体プローブと、半導体プローブに備えられている電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加する電圧源と、半導体プローブに備えられている電極と充電層が積層されているベース電極間に流れる電流を測定する電流計とを備え、充電層の電流―電圧特性を測定することを特徴としている。上述した半導体プローブを用いた充電層の電流―電圧特性を評価する電気特性試験方法は、導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層とを支持体に積層して構成された半導体プローブと、半導体プローブに備えられている電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加する電圧源と、半導体プローブに備えられている電極と充電層が積層されているベース電極間に流れる電流を測定する電流計とを使用して、充電層の電流―電圧特性を測定することを特徴としている。上述した半導体プローブを用いた充電層の充放電特性を評価する充放電特性試験装置は、導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層とを支持体に積層して構成された半導体プローブと、半導体プローブに備えられている電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加して充電層を充電する電圧源と、電圧源と平行に接続された負荷抵抗と、負荷抵抗での電圧を測定する電圧計とを備えており、充電層に充電し、その後電圧源を遮断して充電層からの電流を負荷抵抗に流して、負荷抵抗での電圧測定により、電池特性としての充電層における充放電特性を測定することを特徴としている。上述した半導体プローブを用いた充電層の充放電特性を評価する充放電特性試験方法は、導電性の電極と、金属酸化物半導体からなる金属酸化物半導体層とを支持体に積層して構成された半導体プローブと、半導体プローブに備えられている電極と二次電池用充電層を積層したベース電極との間に電圧を印加して充電層を充電する電圧源と、電圧源と平行に接続された負荷抵抗と、負荷抵抗での電圧を測定する電圧計とを使用して、充電層に充電し、その後電圧源を遮断して前記充電層からの電流を前記負荷抵抗に流して、負荷抵抗での電圧測定により、電池特性としての充電層における充放電特性を測定することを特徴としている。充電層の局所的な複数の領域の電流―電圧特性を同時に測定することができれば、特性の分布を把握でき、また、異常箇所や不良箇所の特定と修復が容易となる。このためには、以下の試験装置及び方法を適用する。半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験装置において、電極と金属酸化物半導体層を支持体に複数形成することにより、充電層の局所的な複数の領域の電流―電圧特性を同時に測定することができる。半導体プローブを用いた充電層の電気特性試験方法において、電極と金属酸化物半導体層を支持体に複数形成した半導体プローブを使用することにより、充電層の局所的な複数の領域の電流―電圧特性を同時に測定することができる。半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験装置において、電極と金属酸化物半導体層を支持体に複数形成することで、充電層の局所的な複数の領域の充放電特性を測定することができる。半導体プローブを用いた充電層の充放電特性試験方法において、電極と金属酸化物半導体層を支持体に複数形成した半導体プローブを用いることで、充電層の局所的な複数の領域の充放電特性を測定することができる。本発明によれば、基板と、導電性のベース電極と、絶縁性物質で覆われたn型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー準位を形成して電子を捕獲する充電層と、P型半導体層と、導電性の対向電極とを積層して構成されている量子電池において、電極と金属酸化物半導体層を備えた半導体プローブにより、充電層が積層された製作プロセス途中で充電層の電気的な特性、即ち電流―電圧特性及び充放電特性を評価することができる。半導体プローブの支持体に弾性体を使用することで、半導体プローブ面と充電層面とが密着した均一な接触を可能として、且つ、接触圧が適正に制御できる。また、半導体プローブの支持体を、充電層面を全面的にカバーする大きさとして、独立した電極及び金属酸化物半導体層で構成される層を複数個備える構成とすることで、充電層領域の特性の分布やバラツキ、及び差分測定等が同時に測定可能となり、効率的な特性の把握及び異常個所や不良個所の特定と修復が容易となる。本発明は、充電層に光励起構造変化技術を採用した新たな充電原理に基づく二次電池である量子電池に適用する半導体プローブによる量子電池の試験装置及び試験方法であり、発明をより明確に理解し説明するために、最初に適用対象となる量子電池の構造と原理について説明し、その後に、本発明を実施するための形態を説明する。図1は、本発明を適用する量子電池の断面構造を示す図である。図1において、量子電池10は、基板12に、導電性のベース電極14が形成され、さらに、n型金属酸化物半導体層16、エネルギーを充電する充電層18、p型金属酸化物半導体層20と対向電極22が積層されている。基板12は、絶縁性の物質でも導電性の物質でもよく、例えば、ガラス基板や高分子フィルムの樹脂シート、あるいは金属箔シートが使用可能である。ベース電極14と対向電極22は、導電膜が形成されればよく、例えば金属材料として、アルミニウムAlを含む銀Ag合金膜等がある。その形成方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、真空蒸着、化学蒸着等の気相成膜法を挙げることができる。また、ベース電極14と対向電極22は、電解メッキ法、無電解メッキ法等により形成することができる。メッキに使用される金属としては、一般に銅、銅合金、ニッケル、アルミ、銀、金、亜鉛又はスズ等を使用することが可能である。n型金属酸化物半導体層16は、二酸化チタンTiO2、酸化スズSnO2又は酸化亜鉛ZnOを材料として用いる。図2に示すように、充電層18には、絶縁性の被膜に覆われた微粒子のn型金属酸化物半導体が充填され、紫外線照射により光励起構造変化して、充電機能を備えた層となっている。n型金属酸化物半導体は、シリコーンの絶縁性被膜で覆われている。充電層18で使用可能なn型金属酸化物半導体材料としては、二酸化チタン、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnOが好適であり、二酸化チタンと酸化スズと酸化亜鉛を組み合わせた材料としてもよい。充電層18上に形成したp型金属酸化物半導体は、上部の対向電極22からの電子の注入を防止するために設けられている。p型金属酸化物半導体層20の材料としては、酸化ニッケルNiO、銅アルミ酸化物CuAlO2等が使用可能である。充電層18の二酸化チタンはシリコーンにより絶縁被膜が形成されているが、均一な皮膜となるとは限らずバラツキが生じ、著しい場合は皮膜が形成されずに電極に直接接する場合も生ずる。このような場合は、再結合により電子が二酸化チタンに注入されてしまい、バンドギャップ中にエネルギー準位が形成されず、充電容量が低下する。従って、充電容量の低下を抑え、より高性能な二次電池とするために、図1に示したようにベース電極14と充電層18の間に、n型金属酸化物半導体層16を形成している。図3A、Bは、紫外線照射された充電層が光励起構造変化によって新たなエネルギー準位が形成される基本的な現象を説明するためモデル構造のバンド図を示している。図3Aのバンド図は、電極30と中間結晶層32とn型金属酸化物半導体層34からなっている。伝導帯36と価電子帯38の間にはフェルミレベル40が存在し、電極30のフェルミレベル40は伝導帯36に近く、n型金属酸化物半導体層34のフェルミレベル40は、伝導帯36と価電子帯38の中間に存在する。紫外線42が照射されると、中間結晶層32にある価電子帯38の電子44は伝導帯36に励起される。図3Bに示した紫外線照射中の状態では、紫外線42の照射によって、中間結晶層32の領域における価電子帯38の電子44が伝導帯36に励起され、励起された電子44は伝導帯36の傾斜により電極30の伝導帯36に収容される。一方、価電子帯38には電子44の抜けた正孔46が溜まっている。中間結晶層32においては、紫外線励起と再結合の間に時間差が発生し、この時間差があることにより原子の再配列が行われる。このため、中間結晶層32の価電子帯38に残留している正孔46が、バンドギャップ中に移動し、新たなエネルギー準位48を形成する。図4は、紫外線42の照射により、中間結晶層32のバンドギャップ中に新たなエネルギー準位48が形成された再結合後の状態を示している。電極30とn型金属酸化物半導体層34の界面にのみバンドギャップ中の電子密度の増加、内殻電子のケミカルシフトも観測されており、原子間隔が変化したと考えられる。このように、n型金属酸化物半導体層34に紫外線42を照射することでバンドギャップ内に新たなエネルギー準位48が形成できることを説明したが、二次電池としては、この新たに形成されたエネルギー準位48を利用することになり、電極とn型金属酸化物半導体との間に絶縁層により障壁を形成し、電子をコントロールすることで充電機能を持たせることができる。図1に示した充電層18は、図1及び図2で説明したように、シリコーンによる絶縁被膜28が形成された二酸化チタンを材料としたn型金属酸化物半導体26である。この場合に二酸化チタンとベース電極の間に絶縁層による障壁を持つことになる。量子電池は、バンドギャップに形成されたエネルギー準位に、外部から電圧を印加することにより電界を形成して電子を充満させ、電極に負荷を接続することで、電子を放出してエネルギーを取り出し、電池としての機能を果たす。この現象を繰り返し行うことで、二次電池としての使用が可能である。量子電池の製作プロセスは、基板に機能層を順次積層するプロセスとなるが、充電層の機能は最も重要であり、量子電池としての完成を待たずに充電層が積層された時点で評価できれば、不良品をカットでき効率的な量産プロセスを確立できるばかりでなく、異常個所、不良の特定による原因究明が行え、生産設備の修理、管理も容易となる。図5は、量子電池の製作プロセスに於いて充電層積層後に機能評価を行う、本発明による半導体プローブを示している。なお、充電層積層後とは、充電層が積層され、紫外線を照射して充電層内のn型金属酸化物半導体に光励起構造変化を励起した状態をいう。図5において、半導体プローブ50は、絶縁物である支持体52に導電性金属からなる電極54と金属酸化物半導体56を積層している。図1に示した量子電池10での充電層18積層後の機能層を半導体プローブ50に設け、充電層18が積層された制作途中の量子電池10に対して、充電層18上に垂直に半導体プローブ50を密着させる。これにより、量子電池としての動作を行わせることができ、充電層を評価することができる。評価試験用の半導体プローブ50の電極54は導電性が得られればよく、必ずしも目的とする量子電池10と同じ材料や層厚とする必要はなく、金属板やメッキ板あるいは導電性樹脂等が使用できる。これに対して金属酸化物半導体56は、限定されるものではないが、目的とする量子電池10と同じ材料で同じ層厚とすることが好ましい。充電層18に対して電気的特性の評価精度をより向上させるためである。金属酸化物半導体56の材料は、被測定物である量子電池10の機能層積層順によってことなる。図1に示した量子電池10を、基板12にn型金属酸化物半導体層16と充電層18を積層している状態では、その上にp型金属酸化物半導体層20と対向電極22が積層されるため、半導体プローブ50の金属酸化物半導体56は、p型金属酸化物半導体であり、目的とする量子電池10の材料及び層厚と同じものとしている。量子電池10は、図1に示したような機能層の積層順である必要はなく、基板12の上に、対向電極22、p型金属酸化物半導体層20、充電層18、n型金属酸化物半導体層16とベース電極14を順に積層した構造としてもよい。この場合、充電層18が積層された後の評価に使用する半導体プローブ50は、金属酸化物半導体56をn型金属酸化物半導体とする。支持体52は、半導体プローブ50をハンドリングするために都合のよい形状でよく、また、絶縁性の材料とすることが望ましい。また、支持体52に、半導体プローブ50の先端部を充電層に密着させるための機能を持たせることもでき、この場合、支持体52を弾性体として半導体プローブ50を加圧する。弾性体を通して半導体プローブ50の充電層と18とのコンタクト圧を制御して、適正な圧力で加圧することにより密着性を向上させている。具体的な弾性体材料は、例えばエラストマがあり、各種エラストマが使用可能である。支持体52を弾性体とする目的は、微細な粒子からなる充電層18の凹凸面に沿って適正なコンタクト圧で半導体プローブ50と充電層18の密着性を良好にするためであり、目的からして支持体52の一部を弾性体とし、固体と弾性体の積層構造としてもよい。半導体プローブ50の先端形状、より詳しくは電極54と金属酸化物半導体56の積層部分の形状は、一例として4角形であっても良い。正方形でも長方形でもよく、これは量子電池10が平面的には4角形である場合、充電層18を局所的に電気特性の評価を行い、複数個所の測定により充電層面を全面的にカバーすることができるようにするためである。これにより、異常個所や不良箇所の特定を行う事が容易になる。このため、高精度に異常箇所や不良箇所を特定するには、より小さな面積の先端形状とすればよい。なお、先端形状は四角形に限定されるものでは無く、丸や楕円型または三角形であってもよく、被測定物である量子電池の形状に合わせて効率よく測定できる形状とすることが出来る。複数個所の充電層18を同時に測定するためには、支持体52に、複数の電極54と金属酸化物半導体56の積層部を設けることができる。図6は、半導体プローブ50の一実施例の先端部を正面から見た図であり、支持体52の縦方向と横方向それぞれに、電極54と金属酸化物半導体56の積層部を5個ずつ配列している。図6の破線は、充電層18の充電対応領域58を示している。このように、図6に示した半導体プローブ50を使用することにより、充電層18を部分的に分割した領域について電気的特性を同時に測定できる。このため、電気的特性の分布やバラツキを測定でき、さらに分割された各領域の差分測定を同時に行うことも可能である。なお、製作途中の測定対象が、導電性のベース電極上にn型金属酸化物半導体層と充電層が設けられている場合は、半導体プローブの金属酸化物半導体はp型半導体であり、充電層が形成される前に、n型金属酸化物半導体層にコンタクトして、ダイオード特性としてのPN接合を評価し、n型金属酸化物半導体層の試験も行うことができる。同様に、製作途中の測定対象が、導電性の対向電極上にp型金属酸化物半導体層と充電層が設けられている場合は、n型金属酸化物半導体層を設けた半導体プローブをp型金属酸化物半導体層にコンタクトして、ダイオード特性としてのPN接合を評価し、p型金属酸化物半導体層の試験も行うことができる。次に、本発明による半導体ブローブを用いた電気的な特性を測定する試験装置を説明する。図7は、本発明による半導体ブローブを用いて電流―電圧特性を測定する電気特性試験装置の概略を示した図である。図7において、被測定物60は、製作プロセス中間段階で充電層18が積層された制作途中の量子電池10であり、基板12、ベース電極14、n型金属酸化物半導体層16及び充電層18が積層され、充電層18は紫外線照射による光励起構造変化が生じている。この被測定物60に、半導体プローブ50を垂直方向から接触させ、適正な圧力で密着性を保つ。これにより、量子電池としての機能層がすべて積層された状態となる。電流-電圧特性を測定するためには、半導体プローブ50の電極54と被測定物60のベース電極14との間に、電圧源62と電流計64を直列に接続する。電圧源62は、電圧値が制御でき、電圧源62からの電圧値に対する電流計64での電流値を測定することにより、電流-電圧特性が得られる。図8は、本発明による半導体ブローブを用いて充放電特性を測定する充放電特性試験装置の概略を示した図である。図8において、被測定物60は、製作プロセス中間段階で充電層18が積層された制作途中の量子電池10であり、基板12、ベース電極14、n型金属酸化物半導体層16及び充電層18が積層され、充電層18は紫外線照射による光励起構造変化が生じている。この被測定物60に、半導体プローブ50を垂直方向から接触させ適正な圧力で密着性を保つ。これにより、量子電池としての機能層がすべて積層された状態となる。充放電特性を測定するためには、半導体プローブ50の電極54と被測定物60のベース電極14との間に、電圧源62、電圧計66と負荷抵抗68を並列に接続する。電圧源62は電圧値が制御でき、一定の電圧で充電層18を充電した後、電圧源62を遮断して、負荷抵抗68にかかる電圧を電圧計66で測定し、時間経過に対する電圧値により充放電特性が得られる。実施例1図9は、実際の試作した被測定物60を、本発明の半導体プローブ50を用いた電気特性試験装置で測定する場合の実施例を示している。被測定物60は、基板12にポリイミドフィルム、ベース電極14に銅合金を使用し、n型金属酸化物層16には二酸化チタンを使用した。また、充電層18は、シリコーンで被覆された二酸化チタン微粒子である。半導体プローブ50の支持体にはエラストマ74を使用し、対向電極54は銅合金、金属酸化物半導体56は酸化ニッケルを使用した。エラストマ74の使用により、半導体プローブ50と充電層18の面との密着性を向上させている。この対向電極54と金属酸化物56の積層領域が測定できる測定領域76となる。さらに測定領域76対応する被測定物60の充電層測定領域78の電気特性を測定することになる。測定領域は、8mm×25mmの大きさとしている。電圧源62と電圧計66、さらに電流測定用の電流計64を、エラストマ74に設けられている電極図示せず。と被測定物60のベース電極14に接続する。ベース電極14は、図9に示したように、配線接続のため、基板面12に充電層18より広い領域で形成されている。電圧源62は可変電圧であり、一定の電圧範囲が出力できる。この電気特性試験機により被測定物60を測定することで電圧に対する電流の関係が得られる。図10は、電圧源62の電圧値を電圧計66でモニタしながら、電流計64の値を取得したデータを示した電流―電圧特性特定結果である。電圧値は-2V~6Vまで変化させている。X軸は電圧値Vであり、Y軸は電流値μAである。0V~1V近辺での等価抵抗は約10Mオームであり、ダイオード特性として動作していることが確認できた。なお、半導体プローブ50の測定領域76を、被測定物60の電極14に直接接触させ、電流-電圧特性を測定した場合もダイオード特性が得られており、半導体プローブ50の機能を果たしていることも確認できている。実施例2図11は、実際に試作した被測定物60を、本発明の半導体プローブ50を用いた充放電特性試験装置で測定する場合の実施例を示している。被測定物60は、基板12にポリイミドフィルム、ベース電極14に銅合金を使用し、n型金属酸化物層には二酸化チタンを使用した。また、充電層18は、シリコーンで被覆された二酸化チタン微粒子である。半導体プローブ50の支持体にはエラストマ74を使用し、対向電極54は銅合金、金属酸化物半導体56は酸化ニッケルを使用した。エラストマ74の使用により、半導体プローブ50と充電層18の面との密着性を向上させている。この対向電極54と金属酸化物56の積層領域が測定できる測定領域76となる。さらに測定領域76対応する被測定物60の充電層測定領域78の充放電特性を測定することになる。電圧源62と電圧計66、負荷抵抗68を、エラストマ74に設けられている電極図示せず。と被測定物60のベース電極14に並列に接続する。さらに、充電層18の充電後に電圧源62を遮断するために、スイッチ80が電圧源62と直列に設けられている。ベース電極14は、図11に示したように、配線接続のため、基板面に充電層18より広い領域で形成されている。電圧源62から充電層18の充電層測定領域78を充電し、その後スイッチ80をオフとして、負荷抵抗68の電圧を電圧計で経過時間共に測定する。この充放電特性試験機により被測定物60を測定することで負荷抵抗66に対する放電電圧と経過時間の関係が得られる。図12は、電圧源62で充電層18を1.5Vに充電し、その後スイッチ80をオフとして、負荷抵抗RLを、オーブン10GΩ以上、10MΩ、0.9MΩとした場合に対して、電圧計66でモニタしながら時間経過とともに変化する電圧の値を得た結果である。X軸は経過時間sec、Y軸は電圧値Vである。結果から、二次電池としての放電特性を示していることが確認できた。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。