"対向する2方向から光を射出するSLDと前記光の進行方向を変えて前記光を第1場所と第2場所とから同じ向きに射出する光路変更部とを備え配列された発光素子と、前記第1場所及び前記第2場所から射出する前記光を偏光させる偏光部と、前記第1場所及び前記第2場所の一方に設置された1/2波長板と、を備え、前記第1場所と前記第2場所との距離を第1距離とし、隣り合う前記発光素子の前記第1場所と前記第2場所との距離のうち短い方の距離を第2距離とするとき、前記第2距離が前記第1距離より短い距離となるように前記第1場所と前記第2場所とが配置され、前記偏光部は前記第1場所にて射出する光の偏光方向と、前記第2場所にて射出する光の偏光方向とを直交させることを特徴とする発光装置。請求項1に記載の発光装置において、前記偏光部は、金属線が所定の間隔で平行に整列した構造を有し、前記第1場所と前記第2場所に形成された前記金属線の方向が互いに直交することを特徴とする発光装置。請求項2に記載の発光装置において、前記第1場所及び前記第2場所で光を射出する光射出部は1方向に長く形成され、前記金属線は、前記光射出部の長手方向に対して斜めの方向に配置されることを特徴とする発光装置。請求項3に記載の発光装置において、前記光を平行光にするレンズが配列したコリメートレンズを有し、前記第1場所及び前記第2場所から射出する一対の前記光が1つの前記レンズを通過することを特徴とする発光装置。しかしながら、透過型液晶や、反射型液晶等のような偏光制御型のLVを用いた画像表示デバイスでは、発光装置から射出される光の偏光がそろっていることが不可欠である。特許文献1に記載の発光装置から射出される光線の偏光は増幅を受ける活性層領域の結晶のひずみ引っ張り、圧縮により各偏光成分の増幅に違いが生じることがある。このとき、射出光量の分布にばらつきが生じるとともに、偏光がそろわないという課題があった。そこで、射出光量の分布にばらつきが少なく、偏光がそろった発光装置が望まれていた。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる発光装置は、対向する2方向から光を射出するSLDと前記光の進行方向を変えて前記光を第1場所と第2場所とから同じ向きに射出する光路変更部とを備え配列された発光素子と、前記第1場所及び前記第2場所から射出する前記光を偏光させる偏光部と、前記第1場所及び前記第2場所の一方に設置された1/2波長板と、を備え、前記第1場所と前記第2場所との距離を第1距離とし、隣り合う前記発光素子の前記第1場所と前記第2場所との距離のうち短い方の距離を第2距離とするとき、前記第2距離が前記第1距離より短い距離となるように前記第1場所と前記第2場所とが配置され、前記偏光部は前記第1場所にて射出する光の偏光方向と、前記第2場所にて射出する光の偏光方向とを直交させることを特徴とする。尚、SLDはSuperLuminescentDiodeを示す。本適用例によれば、対向する2方向から光を射出するSLDと光の進行方向を変える光路変更部とを備えている。LDLaserDiodeに比べ広帯域な波長幅を有するSLDを使用することにより同一方向へ低スペックル光線を射出できる。光路変更部は光の進行方向を変えて前記光を第1場所と第2場所とから同じ向きに射出する。第1場所及び前記第2場所には光を偏光させる偏光部が設置されている。そして、偏光部は、第1場所と第2場所からの射出光を直交した偏光にする。このとき、第1場所と第2場所からの射出光の強度はSLDの偏光比により異なる。発光素子が配列した構造をとり、第2距離は第1距離より短い距離にされている。従って、第1場所と隣り合う発光素子の第2場所とが接近した配置となっている。その結果、第1場所と隣り合う発光素子の第2場所から射出する光を合わせた射出光量の分布が同じ光量の分布となる配列を作ることができる。この組み合わせにより各光源の偏光比のばらつきによって生じる射出光量のばらつきを効果的に抑制することができる。また、第1場所及び第2場所から射出される光線の偏光面が互いに直交しているが、一方に1/2波長板を備えることにより、1/2波長板通過後の光線の偏光面を90度回転することができるため、射出される光線の偏光面をSLDの活性層領域の結晶のひずみ引っ張り、圧縮によらず、同一方向に揃えることができる。[適用例2]上記適用例に記載の発光装置において、前記偏光部は、金属線が所定の間隔で平行に整列した構造を有し、前記第1場所と前記第2場所に形成された前記金属線の方向が互いに直交することが好ましい。本適用例によれば、偏光部を金属線が所定の間隔で平行に整列した構造を有している。これにより、偏光部はワイヤーグリッド以下WGと称すと呼ばれる反射型偏光素子を構成する。これにより、不要な偏光を反射し、SLDの出力低下を引き起こす発熱を抑えることができる。さらに、WGは光線の入射角度の許容が広いため、良好な偏光を広い角度で獲得することができる。また、第1場所と第2場所に形成された金属線の方向が互いに直交する配置を取ることで互いの偏光軸が直交するため、1/2波長板と合わせることにより反射した偏光成分の偏光軸を揃えて射出することができる。[適用例3]上記適用例に記載の発光装置において、前記第1場所及び前記第2場所で光を射出する光射出部は1方向に長く形成され、前記金属線は、前記光射出部の長手方向に対して斜めの方向に配置されることが好ましい。本適用例によれば、金属線が、前記第1場所及び前記第2場所に形成された光射出部の長手方向に対して斜めに配置されている。これにより、光射出部に金属線が複数本含むように配置することが可能になる。従って、光射出部で偏光部が光を確実に偏光させることができる。[適用例4]上記適用例に記載の発光装置において、前記光を平行光にするレンズが配列したコリメートレンズを有し、前記第1場所及び前記第2場所から射出する一対の前記光が1つの前記レンズを通過することが好ましい。本適用例によれば、発光素子が配列した構造をとり、第2距離は第1距離より短い距離にすることで、第1場所と第2距離離れた第2場所から射出させる光を近い場所から射出させている。そして、第1場所及び第2場所から射出する一対の光が1つのレンズを通過させている。従って、発光装置は、コリメートレンズの各レンズから射出される光の光量の分布が均一となる平行光線を射出することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。実施形態1図1は、第1の実施形態にかかる発光装置の構成を示す概略斜視図である。まず、実施形態1にかかる発光装置100の概略構成について説明する。また、ここでは、発光装置100がInGaAlP系赤色の半導体発光装置である場合について説明する。図1に示すように、発光装置100には発光素子101が配列して配置されている。発光素子101は、発光半導体基板10、SLDとしての導波路30、進行方向を変える光路変更部20、端面に形成された光射出部31、偏光部40、1/2波長板50等から構成されている。発光半導体基板10は、例えば、第1導電型例えばn型のGaAs基板等を用いることができる。導波路30は、発光半導体基板10上に第1クラッド層と光34を閉じ込める活性層と第2クラッド層とが積層された構成となっている。活性層は、InGaPウェル層とInGaAlPバリア層とから構成される量子井戸構造を3つ重ねた多重量子井戸MQW構造を有する。第1クラッド層としては、例えばn型AlGaP層等を用いることができる。第2クラッド層は、例えば第2導電型例えばp型の半導体からなるp型AlGaP層等を用いることができる。進行方向を変える光路変更部20は、導波路30の直線部分の両端に設置されている。光路変更部20は光34を反射させて進行方向を変えている。光路変更部20は、誘電体多層膜や、発光半導体基板10と空気層等により形成された全反射面を用いることができる。光路変更部20により導波路30は光34の進行方向が変更される。偏光部40は、金属線が所定の間隔で平行に整列した構造を有したワイヤーグリッド以降WGと称すと呼ばれる反射型偏光素子により形成される。1/2波長板50は、複屈折により偏光部40より射出された直線偏光を1/2波長回転させ偏光方向を90度回転させる。導波路30の端面から発光される偏光は増幅を受ける活性層領域の結晶のひずみ引っ張り、圧縮により各偏光成分の増幅に違いが生じ、偏光比が影響を受ける。そのため、光34は完全には偏光していない。そのため、発光させる波長帯域や結晶系によっては、透過型液晶や反射型液晶のような偏光制御型表示デバイスに用いるには十分な偏光比が確保できないといった問題が生じる。そのため、導波路30の端面に偏光部40をもうけることにより、発光装置100は射出する光34を偏光光にすることができる。しかしながら、導波路30の端面の光射出部31から発光される光34の射出角度が大きく通常のヨウ素等の吸収型偏光板を用いた場合には、高い偏光比を得られない。吸収型偏光板は透過軸以外の偏光成分を吸収して発熱するため耐光性に問題がある。これらの課題を解消する偏光部40として、WGという反射分離型の偏光板がある。図2は、第1の実施形態にかかる偏光部の構造を示す概略斜視図である。図2に示すように、偏光部40は、発光半導体基板10の光射出部31上に、もしくは透明支持基板200を介した上に、金属線210が所定の間隔で平行に整列した構造である。可視光の場合、間隔は100~150nmである。WGは、偏光面と金属線210とが平行なときには、偏光面により金属線210中の自由電子が揺さぶられ逆位相の電場を発生する。そのため、偏光面の電場と光34に属する電場とが合成した結果光34は反射されてしまい透過できない。自由電子は金属線210の長手方向には自由に動けるが、金属線210と直交する方向には動けない。このことから、偏光面と金属線210とが直交する方向には金属線中の自由電子はほとんど揺さぶられることができないため、電磁波を発生できない。そのため、ほとんど何の干渉もなしに金属線210と垂直な偏光は透過できる。この性質から、WGへの光34の入射角度依存性は低く、入射角度が20~30度程度変化しても高い偏光比を保持できる。そのため、端面の光射出部31から射出された幅広い角度の光34に対して高い偏光比を確保できる。また、WGは反射型偏光板のため端面の光射出部31から射出された光34の偏光成分のうち偏光部40の金属線210と垂直方向の偏光成分は反射される。そのため、偏光部40で熱が発生せず高い耐光性が得られる。図3は、発光装置の構成を示す概略斜視図である。図3に示すように、導波路30の両端の発光部をそれぞれ第1場所32と第2場所33とする。第1場所32と第2場所33とに透過時の偏光が直交するように偏光部40を配置する。発光装置100をこのような構造にすれば、第1場所32で反射された偏光は第2場所33から射出され、第2場所33で反射された偏光は第1場所32より射出される。このため、発光装置100は光量を落とすことなく効果的に偏光光線を取り出すことができる。第1場所32と第2場所33とに透過時の偏光が直交するように偏光部40を配置する。第1場所32と第2場所33との距離を第1距離70とし、隣り合う発光素子101の第1場所32と第2場所33との距離のうち短い方の距離を第2距離60とする。たとえば、偏光部40を通過後に第1場所32からはP波が射出され、第2場所33からはS波が射出されるとする。このとき、同一基板上に形成されているため導波路30で作られる偏光比は一定である。このため、第2距離60を隔てた第1場所32から射出されるP波と第2場所33から射出されるS波の光量の和は、製造条件が変動しても常に同じ光量となる。たとえば、導波路30でP波とS波の比率が8:2と3:7と変動する場合を考える。このとき、第2距離60を隔てた第1場所32から射出するP波と、第2場所33から射出するS波とはそれぞれ8:2と3:7となるがその光量の和は常に一定である。図4は、光射出部と金属線との関係を説明するための模式側面図である。図4に示すように、導波路30の光射出部31は活性層の形状を反映し、1方向に長い形状となっている。光射出部31の形状は、例えば、厚みが数十nmから数百nmであるのに対して横方向は数十μmである。一方、金属線210の間隔が100~150nmとなる。そのため、金属線210aが光射出部31と平行になってしまうと、光射出部31に金属線210aがかからなくなってしまう。そうすると、偏光部40としての機能が減少する。そのため、金属線210bのように、光射出部31の長手方向に対して斜めの方向に配置されることが望ましい。そして、図1に示すように、第1場所32と第2場所33のどちらか、一方に1/2波長板50を付加したならば、偏光方向を同一にした光34のみを射出することができる。本実施形態にかかる発光装置100は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置等の光源に適用されることができる。このことは、後述する実施形態についても同様である。以上述べたように、本実施形態にかかる発光装置100によれば、以下の効果を得ることができる。1本実施形態によれば、第1場所32及び第2場所33には光34を偏光させる偏光部40を有することで、第1場所32と第2場所33からの射出光はそれぞれ直交した偏光を持つ。このとき、第1場所32と第2場所33から射出する光34の強度は導波路30の偏光比により異なる。そして、第1場所32と第2場所33とを接近させている。その結果、第1場所32と隣り合う発光素子101の第2場所33から射出する光34を合わせた射出光量の分布が同じ光量の分布となる配列を作ることができる。この組み合わせにより各光源の偏光比のばらつきによって生じる射出光量のばらつきを効果的に抑制することができる。また、射出される光34の偏光面が互いに直交しているが、片方に1/2波長板50を備えることにより、1/2波長板50通過後の光34の偏光面を90度回転することができるため、射出される光34の偏光面を活性層領域の結晶のひずみ引っ張り、圧縮によらず、同一方向に揃えることができる。2本実施形態によれば、偏光部40は金属線210が所定の間隔で平行に整列した構造を有している。そして、偏光部40はWGと呼ばれる反射型偏光素子を構成する。これにより、偏光部40は不要な偏光を反射し、SLDの出力低下を引き起こす発熱を抑えることができる。さらに、WGは光34の入射角度の許容が広いため、良好な偏光を広い角度で獲得することができる。また、第1場所32と第2場所33に形成された金属線210の方向が互いに直交する配置を取ることで互いの偏光軸が直交するため、1/2波長板50と合わせることにより反射した偏光成分の偏光軸を揃えて射出することができる。3本実施形態によれば、金属線210が、第1場所32及び第2場所33に形成された光射出部31の長手方向に対して斜めに配置されている。これにより、光射出部31に金属線210が複数本含むように配置することが可能になる。従って、光射出部31で偏光部40が光34を確実に偏光させることができる。実施形態2図5は、第2の実施形態にかかる発光装置の構造を示す概略斜視図である。本実施形態にかかる発光装置について、これらの図を参照して説明する。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。図5に示すように、発光装置400は実施形態1の発光装置100を三層に重ねた構造となっている。そして、光射出部31では1/2波長板50を覆ってコリメートレンズとしてのレンズアレイ300が設置されている。レンズアレイ300にはコリメートレンズであるレンズ310が格子状に配置されている。そして、同一基板上に形成された第1場所32と第2距離60だけ離れた第2場所33からの射出する光34を1つのレンズ310に通過させて、平行光にすることができる。レンズ通過後の光34は第1場所32と第2場所33とが近接しているので一光源とみなせる。そのため、発光装置400のような構造を用いれば同一の偏光でかつ、発光量の等しい発光点を格子状に配列させて配置することができる。以上述べたように、本実施形態にかかる発光装置400によれば、実施形態1での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。第1場所32と第2距離60離れた第2場所33からの射出光量が同じとなる組み合わせの光34についてレンズ310を設けることで、レンズ一個あたりからは、活性層領域の結晶のひずみ引っ張り、圧縮によらず、光量の分布が均一な平行光線を射出することができる。実施形態3以下、本発明の実施形態3について図6を参照して説明する。本実施形態では、上記第1~第2の実施形態の光源装置を備えるプロジェクターについて説明する。図6はプロジェクターの概略構成図である。本実施形態のプロジェクター1100は、赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ射出する赤色発光装置100R、緑色発光装置100G、青色発光装置100Bを備えている。赤色発光装置100R、緑色発光装置100G、青色発光装置100Bは上記の発光装置100となっている。プロジェクター1100は、上記の赤色発光装置100R、緑色発光装置100G、青色発光装置100Bから射出された各色光をそれぞれ変調する透過型の液晶ライトバルブ光変調装置104R,104G,104Bを備えている。さらに、プロジェクター1100は、液晶ライトバルブ104R,104G,104Bから射出された光を合成して投射レンズ107に導くクロスダイクロイックプリズム色合成手段106と、液晶ライトバルブ104R,104G,104Bによって形成された像を拡大してスクリーン710に投射する投射レンズ投射装置107と、を備えている。さらに、プロジェクター1100は、発光装置としての発光装置100R,100G,100Bから射出された光34の照度分布を均一化させるための均一化光学系102R,102G,102Bを備えており、照度分布が均一化された光によって液晶ライトバルブ104R,104G,104Bを照明している。本実施形態では、均一化光学系102R,102G,102Bは、例えば、ロッドインテグレーター102aとフィールドレンズ102bによって構成されている。各液晶ライトバルブ104R,104G,104Bによって変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム106に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投射光学系である投射レンズ107によりスクリーン710上に投射され、拡大された画像が表示される。尚、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、反射型のライトバルブを用いても良いし、液晶以外の光変調装置を用いても良い。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型液晶ライトバルブやデジタルマイクロミラーデバイスDigitalMicromirrorDeviceが挙げられる。投射光学系の構成は、使用されるライトバルブ種類によって適宜変更すればよい。上述したように、本実施形態によれば、赤色発光装置100R、緑色発光装置100G、青色発光装置100Bは上記の発光装置100となっている。発光装置100は、射出光量のばらつきが少ない光34を射出する。従って、プロジェクター1100は射出光量のばらつきが少ない光34を射出する発光装置100を備えたプロジェクターとすることができる。実施の形態4以下、本発明の実施形態4について図7を参照して説明する。本実施形態では、走査型の画像表示装置光学装置について説明する。図7は、画像表示装置の概略構成図である。図7に示すように、本実施形態の画像表示装置500は、上記の発光装置100を備えた光源110と、光源110から射出された光34をスクリーン710に向かって走査するMEMSミラー走査手段202と、光源110から射出された光34をMEMSミラー202に集光させる集光レンズ203とを備えている。光源110と集光レンズ203との間には波長変換素子45及び波長選択フィルター44が設置されている。発光装置100から射出された光は、MEMSミラー202の駆動によってスクリーン710上を水平方向、垂直方向に走査される。カラー画像を表示する場合は、例えば、光源110を構成する複数の発光装置100を、赤、緑、青のピーク波長を持つ発光装置100の組み合わせによって構成すれば良い。尚、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施形態で例示した各構成要素の形状、寸法、個数、設置位置等に関する具体的な記載は、適宜変更が可能である。"