"半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、量子ドットを有する活性層を備えた光導波路とを含み、前記光導波路は、TEモード偏波利得及びTMモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第1の領域と、前記他方が前記一方よりも大きい第2の領域とを備えており、全体としてTEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されてなることを特徴とする光半導体装置。前記光導波路は、TEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が前記所定範囲内となるように前記第2の領域の長さが規定され、前記第2の領域の端部にへき開面が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面に平行であり、前記第2の領域の方向が面に平行であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体装置。前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面から6°~9°傾斜しており、前記第2の領域の方向が面から6°~9°傾斜していることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体装置。前記光導波路は、2箇所の前記第2の領域を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の光半導体装置。前記第1の領域に対応した第1の電極と、前記第2の領域に対応した第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間の屈曲部分に対応した、前記第1の電極及び前記第2の電極と独立な第3の電極とを更に含み、前記第1の電極、前記第2の電極、及び前記第3の電極は、各々独立に電流注入されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光半導体装置。半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、量子ドットを有する活性層を備えた光導波路とを含む光半導体装置の製造方法であって、TEモード偏波利得及びTMモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第1の領域と、前記他方が前記一方よりも大きい第2の領域とを備えた前記光導波路を形成する第1の工程と、前記光導波路のTMモード偏波利得及びTEモード偏波利得を測定する第2の工程と、前記測定の結果に基づいて、前記光導波路のTEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が全体として所定範囲内となるように調節する第3の工程とを含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。前記第3の工程では、前記第2の領域を、TEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が前記所定範囲内となる長さに規定してへき開し、前記第2の領域の端部にへき開面を形成することを特徴とする請求項7に記載の光半導体装置の製造方法。前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面に平行であり、前記第2の領域の方向が面に平行であることを特徴とする請求項7又は8に記載の光半導体装置の製造方法。前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面から6°~9°傾斜しており、前記第2の領域の方向が面から6°~9°傾斜していることを特徴とする請求項7又は8に記載の光半導体装置の製造方法。コラムナ量子ドットの偏波特性は、成長条件に敏感に変化してしまい、ロット間、基板間に大きなばらつきが生じる。そのため、偏波無依存のSOAは、その歩留まりが極めて低い状態であった。歩留まりを改善する手法としては、実際の製造プロセスに先立って、量子ドット活性層の成長条件を決定するための偏波評価を行う方法がある。この手法は、半導体基板上に量子ドット活性層を成長した状態で、端面からの偏波をTE方向、TM方向に分解してその強度比を求め、実験的に導出したSOAの偏波間強度差から偏波無依存となる成長条件を導き出すものである。この手法を用いることにより、SOAの動作時に近い状態で正確な評価が可能となり、ロット間で生じる各製造ロット毎の歩留まりを向上させることができる。偏波無依存のSOAでは、TEモード偏波利得TEモードの入射信号光に対する利得とTMモード偏波利得TMモードの入射信号光に対する利得との差TE-TM偏波間利得差を所期値、例えば1dB以下に抑えることが必要である。上記の手法を用いてSOAを製造した場合、合格品が全く得られない半導体基板が幾つか確認された。この手法では、歩留まりは向上したものの充分なものではなく、ロット全体として歩留まり向上させるには限界がある。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、容易且つ確実にTE-TM偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。光半導体装置の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、量子ドットを有する活性層を備えた光導波路とを含み、前記光導波路は、TEモード偏波利得及びTMモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第1の領域と、前記他方が前記一方よりも大きい第2の領域とを備えており、全体としてTEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されてなる。光半導体装置の製造方法の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、量子ドットを有する活性層を備えた光導波路とを含む光半導体装置の製造方法であって、TEモード偏波利得及びTMモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第1の領域と、前記他方が前記一方よりも大きい第2の領域とを備えた前記光導波路を形成する第1の工程と、前記光導波路のTMモード偏波利得及びTEモード偏波利得を測定する第2の工程と、前記測定の結果に基づいて、前記光導波路のTEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が全体として所定範囲内となるように調節する第3の工程とを含む。上記の各態様によれば、容易且つ確実にTE-TM偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置が実現する。以下、光半導体装置として半導体増幅器SOAに適用した具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。第1の実施形態偏波無依存のSOAにおいて、そのロット全体として歩留まり向上させるには、半導体基板毎の歩留まりを向上させる必要がある。ロット全体として歩留まり向上させるには、コラムナ量子ドットの僅かな成長ばらつきにより発生する、ロット全体のばらつきを少なくする必要がある。一方、これらの状況から判断して、量子ドット活性層のエピタキシャル成長の半導体基板面における製造誤差は少ないことが予想される。本実施形態では、量子ドット活性層の形成工程でばらつきを抑えるのではなく、量子ドット活性層、光導波路の形成等の後に、偏波状態を微妙に制御する手法を開示する。コラムナ量子ドットでは、図1に示すように、各量子ドットの形状が楕円となっているため、面と面とでの光学偏波特性が異なる。コラムナ量子ドットの偏波特性は材料の縦横比に依存しており、縦横比の大きくなる面からの発光はTEモードの成分が支配的となり、面からの発光は縦成分が多くなるためにTMモードの成分が増強される傾向にある。本実施形態では、この特性を利用して、電極の形成工程の終了後に偏波状態を制御する。コラムナ量子ドットの成長条件を最適化することにより、SOAの半導体基板における1つの面ではTE偏波強度が強く、他の面ではTM偏波強度が強い構造とすることができる。図2は、SOAについて、各面方位からの偏波強度を測定した結果を示す特性図であり、aに面、bに面における偏波強度をそれぞれ示す。これは、SOAのへき開面からのPLスペクトルを偏波分解して評価した結果であり、その強度比が面方位で異なることが確認される。本実施形態では、コラムナ量子ドットの成長軸方向で偏波特性が異なるという特徴を利用し、相異なる成長軸方向に沿った光導波路の長さの割合を調節することで偏波状態を制御する。これにより、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させる偏波無依存のSOAを実現する。以下、本実施形態による偏波無依存のSOAの構成について、その製造方法と共に説明する。図3は、本実施形態によるSOAの製造方法を工程順に示すフロー図である。図4~図20は、図3の各工程に対応して、本実施形態によるSOAの製造方法を工程順に示す模式図である。図4~図20の各図において、aが断面図、bが平面図であり、aはbの破線I-Iに沿った断面に相当する。本実施形態によるSOAの製造プロセスは、図3に示すように、条件決定工程群S1と、製品製造工程群S2と、素子長調節工程群S3とを有して構成される。条件決定工程群S1は、量子ドット活性層の形成条件を定めるための諸工程であるS11~S13からなる。製品製造工程群S2は、実際のSOAを製造するための諸工程であるS21~S26からなる。素子長調節工程群S3は、製品製造工程の途中で素子長を調節するための諸工程であるS31,S32からなる。条件決定工程群S1について説明する。工程S11では、図4に示すように、テスト堆積として、n型InPからなる半導体基板1上に、厚みが例えば100nm程度のn-InPバッファ層1aと、厚みが例えば150nm程度のInGaAsPからなる光ガイド層2と、量子ドット活性層5と、厚みが例えば150nm程度のInGaAsPからなる光ガイド層6を順次堆積する。これらの堆積は、例えば何れもMOVPE有機金属気相成長法を用いる。光ガイド層2、量子ドット活性層5、及び光ガイド層6からコア層が構成される。量子ドット活性層5は、量子ドット3とその間を埋める中間層4とから構成される。量子ドット活性層5は、極薄い例えば単原子層以下のInAs層の堆積と、InGaAsP層の堆積とを交互に所定回数例えばInAs層を9層繰り返し堆積することで形成される。InAsは、下地の光ガイド層2又は中間層のInGaAsPと格子定数が大きく異なるので、薄いInAs層は島状に堆積する。その上に堆積されるInGaAsPは、島状のInAsを覆い、ほぼ平坦に堆積する。2層目以上の島状InAsは、自発的に下層の島状InAsの直上に形成される。従って、InAs層とInGaAsP層とを交互に複数回堆積することで、複数の島状InAsが薄いInGaAsP層を介して垂直に積層された量子ドット3が形成される。一方、隣接する量子ドット3の間に堆積したInGaAsP層は、平坦に堆積して量子ドット3を分離する中間層4を形成する。これにより、量子ドット3を中間層4により分離した構造の活性層5が形成される。活性層5の厚みは量子ドット3の形成条件により異なるが、例えば9回のInAs層の堆積により高さ13nm程度の量子ドット3が、即ち厚み13nm程度の量子ドット活性層5が形成される。工程S12では、図5に示すように、光ガイド層6上にInPからなる足し積み層7を、例えばMOVPE法を用いて堆積する。足し積み層7は、SOAの実際の製品におけるクラッド層に対応するものである。足し積み層7の厚みは、クラッド層としてコア層の光閉じ込めに十分な厚み、例えば3μm程度とする。足し積み層7が薄いと光閉じ込め効果が小さく、量子ドット活性層5の偏光特性がフォトルミネッセンス光の偏光特性に十分に反映されないのみならず、足し積み層7の厚みの変動によりフォトルミネッセンス光の偏光特性の変化が生ずるので好ましくない。逆に厚すぎると堆積時間が長いという問題がある。従って、足し積み層7の厚みは、光閉じ込め効果及び測定の安定性の観点から1μm以上、堆積時間の観点から5μm以下とすることが好ましい。以上、工程S11,S12により、評価用の試料10が形成される。試料10は、InPからなる半導体基板1及びInPからなる足し積み層7に対して、コア層の屈折率が高く、フォトルミネッセンス光はコア層内に有効に閉じ込められる。光ガイド層2,6は量子ドット活性層5とほぼ等しい屈折率を有し、これにより光はコア層内に閉じ込められて伝播する。工程S13では、量子ドット活性層の偏波評価偏光特性の評価を行う。試料10の上面に対して、当該上面に垂直な入射方向から、励起光を入射する。励起光は、既述の従来の活性層の評価方法における励起光と同じ方法で作製された。即ち、レーザ光を拡幅しコリメータを通して平行ビームとした後、スリットを通過させて細長い長方形状の断面、例えば幅が約10μm、長さ400μmの長方形断面を有する光ビームに整形して励起光とする。この励起光は、長方形の長辺方向にガウシアン光強度分布を有している。励起光は、長方形断面の光ビームの長辺がへき開面に垂直になるように入射される。従って、足し積み層7の下のコア層より正確には、コア層に含まれる量子ドット活性層5は、へき開面に垂直に延在する線状領域のみが励起され、この量子ドット活性層5の線状領域に沿って光が伝播する光導波路が形成される。なお、この線状領域の左右は励起された領域と励起されない領域との屈折率差により、上下は半導体基板1及び足し積み層7により屈折率差による光閉じ込めがなされる。励起された量子ドット活性層5の線状領域には、フォトルミネッセンス光が生成される。このフォトルミネッセンス光は線状領域を伝播する間に増幅されて、へき開面に表出する量子ドット活性層5の端面から放射されるフォトルミネッセンス光として、へき開面から垂直に出射される。へき開面から放射されるフォトルミネッセンス光は、量子ドット活性層5の面内に平行な偏光方向を有するTEモードの光と、量子ドット活性層5の面内に垂直な偏光方向を有するTMモードの光とを含む。工程S13では、TEモードとTMモードの光強度比を例えば偏光板と分光器を用いて測定する。これらTEモード及びTMモードの光強度は、それぞれ量子ドット活性層のTEモード及びTMモードの偏光に対する光ゲインとの相関がある。従って、このTEモードの光とTMモードの光の光強度比を測定し、その光強度比から量子ドット活性層5の偏光特性を見積ることができる。工程S13では、測定された光強度比が規定値以内であるか否かを評価する。規定値以内にあれば、後述する製品製造工程群S2を開始する。光強度比が規定値の範囲を超える場合は、再び工程S11から工程S13までの条件決定工程群S1の実行を繰り返す。この条件決定工程群S1の繰り返しは、S13で測定される光強度比が規定値以内になるまで行われる。この再度繰り返す条件決定工程群S1では、工程S11における量子ドット活性層5及び中間層の形成条件例えば堆積温度、InAs層の堆積層厚及びInAs層の層数、中間層4の形成条件例えば堆積温度、中間層の組成比及び層厚を調整して、量子ドット活性層5の偏光特性が規定値に近づくように調整する。例えば、TEモードのフォトルミネッセンス光でTMモードのフォトルミネッセンス光より大きな光強度が測定されたとき、堆積温度を下げる、InAs層の堆積層厚を厚くする、又はInAs層の層数を大きくする。これらの量子ドット活性層5の形成条件の調整により、量子ドットの直径に対する高さの比を大きくしてTMモードに対する光ゲインを大きくする。そして、工程S13で測定される光強度比が規定値以内、例えば±0.5dB以内になると、製品とするSOAを製造する製品製造工程群S2を開始する。製品製造工程群S2及び素子長調節工程群S3について説明する。工程S13に引き続き、工程S21では、図6に示すように、半導体基板1上にn-InP層1a、光ガイド層2、量子ドット3並びに中間層4からなる量子ドット活性層5、及び光ガイド層6を順次形成する。光ガイド層2、量子ドット活性層5、及び光ガイド層6からなるコア層の形成は、光強度比が規定値以内になる形成条件、即ち、直前の量子ドット活性層の形成工程S11の形成条件で行われる。本実施形態では、図6bにおいて、端面Aが量子ドット3の面と平行な面、端面Bが量子ドット3の面と平行な面とされる。工程S22では、図7に示すように、光ガイド層6上に低圧CVD法等によりシリコン酸化物SiO2を堆積し、リソグラフィー及びドライエッチングによりシリコン酸化物を加工して、SiO2マスク30を形成する。次に、SiO2マスク30を用いて、光ガイド層2、量子ドット活性層5、及び光ガイド層6からなるコア層をドライエッチングで加工する。これにより、n-バッファInP層1a上に光導波路11が形成される。光導波路11の基本的な構成を図21に示す。光導波路11は、平面視において、端面Aと略平行な第1の領域11aと、端面Bと略平行な第2の領域11bとが一体形成された略L字形状とされている。第1の領域11aは、量子ドットの面に略平行であり、TEモード偏波利得の方がTMモード偏波利得よりも大きい部位とされている。第2の領域11bは、量子ドットの面に略平行であり、TMモード偏波利得の方がTEモード偏波利得よりも大きい部位とされている。後述するように、第2の領域11bの長さを端面A側のへき開により調節すべく、第2の領域11bが所期の長さよりも長めに形成される。図21のような形状に光導波路11を形成しても良いが、本実施形態では、端面A,Bからの光反射を減衰させることを考慮する。図7bのように、第1及び第2の領域11a,11bが端面A,Bから6°~9°、例えば8°傾斜する形状に光導波路11を形成する場合を例示する。工程S23では、図8及び図9に示すように、クラッド層8を形成する。先ず、図8に示すように、SiO2マスク30を用いて平坦に、光導波路11の側面を覆うように、光ガイド層2上にp型InP及びn型InPを例えばMOVPE法により埋め込み成長する。n型InPは電流阻止層8aとなる。続いて、SiO2マスク30を除去した後、図9に示すように、全面を覆うように、p型InPを例えばMOVPE法により平坦化成長する。これにより、p型InP中に電流阻止層8aを有するクラッド層8が形成される。クラッド層8は、条件決定工程群S1の工程S12で形成した足し積み層7に基づいて、その厚み等が決定されて形成される。工程S24では、図10~図20に示すように、第1の電極13、第2の電極14、及び第3の電極15を形成する。先ず、図10に示すように、漏れ電流を低減させるため、クラッド層8の光導波路11の両脇に位置する部位をリソグラフィー及びウェットエッチングで加工し、溝8bを形成する。続いて、図11に示すように、全面を覆うように、例えばSiNをプラズマCVD法等により堆積し、パッシベーション膜12を形成する。続いて、図12に示すように、パッシベーション膜12の光導波路11に沿った部位を、リソグラフィー及びドライエッチングで除去し、パッシベーション膜12に開口12aを形成する。続いて、図13に示すように、例えば蒸着法により、表面全面に表面側電極膜21を形成する。続いて、図14に示すように、表面側電極膜21上にレジストを塗布し、リソグラフィーによりレジストを加工する。これにより、各電極形成部位を露出する開口22a,22b,22cを有するレジストマスク22が形成される。続いて、図15に示すように、レジストマスク22の開口22a,22b,22cを埋め込むように、例えばメッキ法により電極材料、例えばAu20を堆積する。続いて、図16に示すように、レジストマスク22を有機溶剤で除去する。更に、Au20をマスクとして、加工面に露出している表面側電極21を例えば反応性イオンエッチングRIEにより除去する。以上により、第1の電極13、第2の電極14、及び第3の電極15が形成される。第1の電極13は光導波路11の第1の領域11a上に、第2の電極14は第2の領域11b上に、第3の電極15は第1の領域11aと第2の領域11bとを連結する屈曲部分上に、それぞれ位置する。第1~第3の電極13~15は各々独立に、第1の領域11a、第2の電極14、及び屈曲部分に所期の電流注入を行うことができる所期の電圧を印加することができる構造とされている。第1及び第2の電極13,14に加えて、第3の電極15を設けることにより、光導波路11の全域に亘って、その各部位に所期の電流注入を行うことができ、量子ドットによる過剰損失が低減される。続いて、図17に示すように、方端面を形成するため、全面にレジストを塗布し、リソグラフィーによりレジストを加工する。これにより、端面Bで光導波路11の一端を含む所定位置のみを露出する開口23aを有するレジストマスク23が形成される。続いて、図18に示すように、レジストマスク23を用いてドライエッチングし、方端面16を形成する。続いて、図19に示すように、方端面16に反射防止膜AR膜17を形成する。レジストマスク23をアッシング処理等により除去する。続いて、図20に示すように、例えば蒸着法により、裏面側電極18を形成する。工程S24に引き続き、素子長調節工程群S3を行う。工程S24まで行われたSOAが複数形成された半導体基板の一部を切り出し、光導波路11の偏波評価偏光特性の評価を行う。本実施形態では、光導波路11について、TEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差TE-TM偏波間利得差を評価する。ASEスペクトルで偏波強度差を評価しても良い。図22は、工程S24まで行われたSOAについて偏波評価を行う様子を示す概略斜視図であり、aが端面A面から光を入射し、対向する端面面から出射光を得る場合、bが端面B面から光を入射し、対向する端面面から出射光を得る場合を示す。図22では、図示の便宜上、半導体基板1上の構造物をまとめて構造物層9と記載する。本実施形態では、光導波路11の第2の領域11bの長さが相異なる2種以上、例えば3種のSOA工程S24まで行われたものを用いることが望ましい。通常フォトルミネッセンスの評価では光信号が増幅されていないため偏波強度差が小さくSOAの偏波間強度差との誤差が大きくなる。例えば、特開2009-76669号公報に開示された評価方法を用いることで、十分な強度差を得ることができる。図22aに示すように、第1~第3の電極13~15により光導波路11に所期の電流注入を行い、面となる端面Aから光を入射し、端面Aの対向面から出射光を得る。この出射光について、TEモードの偏波利得及びTMモードの偏波利得を導出する。この偏波利得の導出は、光導波路11の第2の領域11bの長さが相異なる3種のSOAの各々について実行する。図22bに示すように、第1~第3の電極13~15により光導波路11に所期の電流注入を行い、面となる端面Bから光を入射し、端面Bの対向面から出射光を得る。この出射光について、TEモードの偏波利得及びTMモードの偏波利得を導出する。この偏波利得の導出は、光導波路11の第2の領域11bの長さが相異なる3種のSOAの各々について実行する。工程S32では、導出されたTEモードの偏波利得及びTMモードの偏波利得に基づいて、光導波路11の第2の領域11bの長さを決定する。TEモードの偏波利得GTE及びTMモードの偏波利得GTMは、各面方位について以下の式が成り立つ。ΓTE,gTE,αTEはTEモードの光閉じ込め係数、材料利得、損失であり、ΓTM,gTM,αTMはTMモードの光閉じ込め係数、材料利得、損失である。Lは光導波路の長さである。GTE=ΓTEgTE-αTEL1GTM=ΓTMgTM-αTML2偏波無依存のSOAとしては、TEモードの偏波利得とTMモードの偏波利得との差が所期値以内、例えば±1dB以内であることを要する。即ち、|GTE-GTM|≦13と規定される。本実施形態では、光導波路11のうち、第1の領域11aの長さは固定されているため、1,2,3式より、各面方位毎に、第2の領域11bの長さの範囲が導出される。ここでは、各面方位毎に3種の相異なる範囲を導出することが望ましい。実際に上記のようにして導出された、偏波利得と光導波路11の第2の領域11bの長さとの関係を示す一例を、図23に示す。図23の例では、3式の規定により、第2の領域11bの長さを1.20mm~1.52mmの範囲内の値とすることにより、偏波無依存のSOAが実現することが判る。本実施形態では、第2の領域11bの長さについて各面方位毎に3種の相異なる範囲を導出することにより、最適な長さを決定することができる。なお本実施形態では、光導波路11について、第1の領域11aの長さを固定し、第2の領域11bの長さを調節する場合を例示したが、第2の領域11bの長さを固定し、第1の領域11aの長さを調節するようにしても良い。工程S32に引き続き、製品製造工程群S2の工程S25を行う。工程S25では、工程S32の結果に基づいて、第2の領域11bの長さが上記の所定範囲内の値となるように、SOAの[1-10]面である端面Aをへき開する。半導体基板1では、複数のSOAがアレイ状に形成されている。本実施形態では、例えば図24に示すように、半導体基板1から切り出された一部所定数のSOAが形成されているであって、製品製造工程群S2を実行したSOAについて、第2の領域11bの長さを調節する。具体的には、上記の例でいえば、第2の領域11bの長さが1.2mm~1.52mmの範囲内の値となるように、例えばポイントスクライバーを用いてスクライブラインSL図24中、破線で示すを書き込み、このSLに沿ってへき開する。そして、半導体基板1から各SOAの素子を切り出す。工程S26では、各SOAの両端面に反射防止膜AR膜を形成する。以上により、本実施形態によるSOAが形成される。各SOAでは、第2の領域11bの長さが上記のように規定された光導波路11を備えており、偏波無依存が達成される。しかる後、各SOAの特性評価を経て、製品の出荷がなされる。本実施形態では、TE-TM偏波間利得差の調整が、実際の製品に対応した半導体基板で調整できるため、従来では仕様外で不合格となった半導体基板から合格製品を得ることが可能となる。その結果、ロット全体でのSOAの歩留まりが大幅に改善される。なお、本実施形態では、半導体基板としてn型InP基板を、量子ドット活性層の量子ドットとしてInAs層を用いる場合を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、半導体基板としてGaAs基板を、量子ドット活性層の量子ドットとしてInAs層を用いる場合にも、適用することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、容易且つ確実にTE-TM偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とするSOAが実現する。第2の実施形態本実施形態では、第1の実施形態と同様にSOAを製造するが、SOAの構成が若干異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態によるSOAの構成部材等と同一のものについては、同符号を付して説明を省略する。図25は、第2の実施形態によるSOAの構成を示す概略平面図である。このSOAでは、第1の実施形態によるSOAの第3の電極の代わりに、プリズム状の反射膜31が設けられている。この反射膜31に適合して、光導波路11における第1の領域11a及び第2の領域11bをそれぞれ略直線状とし、屈曲部分を小さくすることができ、素子の小型化に貢献する。本実施形態によれば、容易且つ確実にTE-TM偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とするSOAが実現する。第3の実施形態本実施形態では、第1の実施形態と同様にSOAを製造するが、SOAの構成が若干異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態によるSOAの構成部材等と同一のものについては、同符号を付して説明を省略する。図26は、第3の実施形態によるSOAの構成を示す概略平面図である。このSOAでは、光導波路11が、第2の領域を2箇所備えた略コ字形状に形成されている。光導波路11には2箇所の屈曲部分が存在し、これに対応して第3の電極15が2箇所設けられている。この構成では、光導波路11の入射と出射が同一の端面で行われるため、反射膜AR膜の形成工程を1回に削減することができる。なお本実施形態でも、第2の実施形態と同様に、第3の電極の代わりにプリズム状の反射膜を設けるようにしても良い。本実施形態によれば、容易且つ確実にTE-TM偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とするSOAが実現する。以下、光半導体装置及びその製造方法の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、量子ドットを有する活性層を備えた光導波路とを含み、前記光導波路は、TEモード偏波利得及びTMモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第1の領域と、前記他方が前記一方よりも大きい第2の領域とを備えており、全体としてTEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されてなることを特徴とする光半導体装置。付記2前記光導波路は、TEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が前記所定範囲内となるように前記第2の領域の長さが規定され、前記第2の領域の端部にへき開面が形成されていることを特徴とする付記1に記載の光半導体装置。付記3前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面に平行であり、前記第2の領域の方向が面に平行であることを特徴とする付記1又は2に記載の光半導体装置。付記4前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面から6°~9°傾斜しており、前記第2の領域の方向が面から6°~9°傾斜していることを特徴とする付記1又は2に記載の光半導体装置。付記5前記光導波路は、2箇所の前記第2の領域を有することを特徴とする付記1~4のいずれか1項に記載の光半導体装置。付記6前記第1の領域に対応した第1の電極と、前記第2の領域に対応した第2の電極とを更に含み、前記第1の電極及び前記第2の電極とは、各々独立に電流注入されることを特徴とする付記1~5のいずれか1項に記載の光半導体装置。付記7前記第1の電極と前記第2の電極との間の屈曲部分に対応した、前記第1の電極及び前記第2の電極と独立な第3の電極を更に含むことを特徴とする付記6に記載の光半導体装置。付記8前記第1の電極と前記第2の電極との間の屈曲部分に設けられた反射部材を更に含むことを特徴とする付記6に記載の光半導体装置。付記9前記所定範囲は、1dB以下であることを特徴とする付記1~8のいずれか1項に記載の光半導体装置。付記10半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、量子ドットを有する活性層を備えた光導波路とを含む光半導体装置の製造方法であって、TEモード偏波利得及びTMモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第1の領域と、前記他方が前記一方よりも大きい第2の領域とを備えた前記光導波路を形成する第1の工程と、前記光導波路のTMモード偏波利得及びTEモード偏波利得を測定する第2の工程と、前記測定の結果に基づいて、前記光導波路のTEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が全体として所定範囲内となるように調節する第3の工程とを含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。付記11前記第3の工程では、前記第2の領域を、TEモード偏波利得とTMモード偏波利得との差が前記所定範囲内となる長さに規定してへき開し、前記第2の領域の端部にへき開面を形成することを特徴とする付記10に記載の光半導体装置の製造方法。付記12前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面に平行であり、前記第2の領域の方向が面に平行であることを特徴とする付記10又は11に記載の光半導体装置の製造方法。付記13前記光導波路は、前記第1の領域の方向が面から6°~9°傾斜しており、前記第2の領域の方向が面から6°~9°傾斜していることを特徴とする付記10又は11に記載の光半導体装置の製造方法。付記14前記光導波路は、2箇所の前記第2の領域を有することを特徴とする付記10~13のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。付記15前記所定範囲は、1dB以下であることを特徴とする付記10~14のいずれか1項に記載の光半導体装置の製造方法。"