"有枝鎖シロキサンを合成するための方法であって、i式aによってあらわされる、ケイ素-水素結合をもつシロキサンa式中、nは1~20の整数をあらわすと、ii式bの非対称型直鎖シロキサン式中、Xは任意のハロゲンをあらわし、mは2~10の整数をあらわすとを反応させる工程を含み、該反応させる工程が、有枝鎖シロキサンと副生成物が生成する条件で行われる、方法。前記式aによってあらわされるケイ素-水素結合をもつ前記シロキサンが、3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンである、請求項1に記載の方法。mが2または3のいずれかである、請求項1に記載の方法。前記3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンが、前記非対称型直鎖シロキサンと反応させる前に、水存在下で触媒にさらされる、請求項2に記載の方法。前記触媒が、前記3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンと前記非対称型直鎖シロキサンとを反応させる前に除去される、請求項4に記載の方法。前記触媒がパラジウム触媒である、請求項4に記載の方法。前記非対称型直鎖シロキサンのハロゲンが塩素である、請求項1に記載の方法。合成反応の前記副生成物を除去し、精製した有枝鎖シロキサンを得るために、蒸留によって前記有枝鎖シロキサンを精製する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。精製した前記有枝鎖シロキサンを機能化する工程をさらに含む、請求項8に記載の方法。前記機能化する工程が、アクリレート、メタクリレート、ビニル、エポキシドからなる群から選択される、光架橋可能な部分を結合する工程を含む、請求項9に記載の方法。前記機能化する工程が、ヒドロシリル化を含む、請求項9に記載の方法。図9に示す構造を有する有枝鎖シロキサンSi-12。図6に示す構造を有し、ここで、Xが化学部分である、機能化した有枝鎖シロキサンSi-12。図5に示す構造を有する機能化した有枝鎖シロキサンエポキシ-Si-12。必要なのは、短期間で高収率を与え、有用な化合物を生じる、もっと単純な合成である。本発明は、有枝鎖シロキサン機能化したもの、機能化していないもの、およびこのような化合物を製造するための方法を想定している。一実施形態では、式cによってあらわされる有枝鎖シロキサンを生成するように、aで示される式によってあらわされるケイ素-水素結合をもつシロキサンnは、1~20の整数であると、bで示される式によってあらわされる非対称型直鎖シロキサンXは任意のハロゲンをあらわし、mは1~10、さらに好ましくは、2~10、さらに一般的には、2~3の整数をあらわすとを反応させる工程を含む合成方法を想定している。この物質は、図1に示される一工程反応で、反応成分として非対称型直鎖シロキサンを用いて合成することができる。この経路によって、何工程かに分かれた経路と比較して、合成経路が短くなり、収率が高くなり、原料の費用が70低減する。この合成は、費用が顕著に低く、容易にスケールを変更することができる。有枝鎖シロキサンcをさらに処理し、図3に示されるようなさらなる化学部分または官能基を結合することができる。別の実施形態では、式fによってあらわされる有枝鎖シロキサン図4を参照を生成するように、eで示される式によってあらわされるシロキサンxおよびyは、独立して、1~10の整数をあらわすと、bで示される式によってあらわされる非対称型直鎖シロキサンXは任意のハロゲンをあらわし、mは、1~10、さらに一般的には、2~3の整数をあらわすとを反応させる工程を含む合成方法を想定している。有枝鎖シロキサンfをさらに処理し、図3に示すような化学部分または官能基を結合することができ、ここで、Xは、限定されないが、アクリレート、メタクリレート、ビニル、エポキシドからなる群から選択される任意の部分をあらわす。本発明は、一実施形態では、i式aによってあらわされる、ケイ素-水素結合をもつシロキサン式中、nは1~20の整数をあらわすと、ii式bの非対称型直鎖シロキサン式中、Xは任意のハロゲンをあらわし、mは2~3の整数をあらわすとを反応させる工程であって、この反応が、有枝鎖シロキサンと副生成物が生成する条件で行われる工程を含む、有枝鎖シロキサンを合成するための方法を想定している。本発明が、反応成分として使用するシロキサンの性質に限定されることを意図していない。一実施形態では、上記非対称型直鎖シロキサンは、環状化合物から製造される。一実施形態では、上記環状化合物は、ヘキサメチルシクロトリシロキサンである。一実施形態では、式aによってあらわされるケイ素-水素結合を含む上記シロキサンは、3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンである。一実施形態では、上記3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンは、上記非対称型直鎖シロキサンと反応させる前に、水存在下で触媒にさらされる。一実施形態では、上記触媒は、上記3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンと上記非対称型直鎖シロキサンとを反応させる前に除去される。本発明が特定の触媒に限定されることを意図したものではないが、パラジウム触媒が好ましい触媒である。本発明が特定のハロゲンに限定されることを意図したものではない。しかし、上記非対称型直鎖シロキサンの好ましいハロゲンは塩素である。一実施形態では、本発明は、反応成分および副生成物を含まないまたは実質的に含まない有枝鎖シロキサン生成物を精製することを想定している。一実施形態では、本発明は、合成反応の上記副生成物または少なくとも副生成物の大部分、好ましくは、上記副生成物の少なくとも90を除去し、精製された有枝鎖シロキサンを与えるように、蒸留によって有枝鎖シロキサンを精製するさらなる工程を想定している。一実施形態では、本発明は、この精製された有枝鎖シロキサンを機能化するさらなる工程を想定している。一実施形態では、上記機能化する工程は、化学部分を結合する工程を含み、好ましい実施形態では、化学部分は、光架橋可能な部分であり、この部分は、アクリレート、メタクリレート、ビニル、およびエポキシドからなる群から選択される。一実施形態では、上記機能化する工程は、ヒドロシリル化を含む。また、本発明は、上述の方法にしたがって製造された化合物を含むがそれに限定されない化合物を、ここに記載した組成物compositionofmatterとして、想定している。例えば、本発明は、図10で示される構造を有するSi-12、ならびに、機能化したSi-12図6、例えば、エポキシ-Si-12図5を想定している。この化合物は、種々の用途をもつ。ある好ましい用途は、リソグラフィーのための新規平坦化材料としての用途であり、この場合、機能化した有枝鎖シロキサン、例えば、エポキシ改変された有枝鎖シロキサンエポキシ-Si-12が特に有用である。一実施形態では、本発明は、パターン化した基板の上に機能化した有枝鎖シロキサンを含むスピンコーティング調合物を想定している。一実施形態では、本発明は、本発明の方法によって製造された、機能化した有枝鎖シロキサンを含む平坦化層を想定している。本発明の特徴および利点をさらに完全に理解するために、ここで、本発明の詳細な説明を、添付の図面とともに参照する。定義本発明の理解を促進するために、以下に多くの用語を定義する。ここで定義する用語は、本発明に関連する分野の当業者が一般的に理解しているのと同じ意味を有する。1つのa、1つのan、そのtheのような語句は、単に単数の実体を指すことを意図しているのではなく、説明のために特定の例を使用してもよい一般的な分類を含む。本明細書の専門用語は、本発明の具体的な実施形態を記述するために使用されているが、この用語の使用は、特許請求の範囲で概要を記載する場合以外は、本発明の境界を定めるものではない。シロキサンは、R2SiOという形態の単位から構成される任意の化合物であり、Rは、限定されないが、水素原子、ハロゲン、アルキルまたは芳香族基をはじめとした原子または原子の基groupofatomsをあらわす。シロキサンは、ケイ素と酸素原子が交互に並んだ-Si-O-Si-O-からなる有枝鎖骨格または有枝鎖をもたない骨格を有することができ、側鎖Rがケイ素原子に結合している。これらのシロキサンは、望ましい官能性を有する本明細書に記載するような特定の化学部分を付加することによって機能化していてもよい。本明細書で使用する場合、水素は-Hを意味し、ヒドロキシは-OHを意味し、オキソは=Oを意味し、ハロは、独立して、-F、-Cl、-Brまたは-Iを意味しアミノは-NH2を意味しアミノという用語を含む基、例えば、アルキルアミノの定義については、以下を参照、ヒドロキシアミノは-NHOHを意味し、ニトロは-NO2を意味し、イミノは=NHを意味しイミノという用語を含む基、例えば、アルキルアミノの定義については、以下を参照、シアノは-CNを意味し、アジドは-N3を意味し、メルカプトは-SHを意味し、チオは=Sを意味し、スルホンアミドは-NHSO2-を意味しスルホンアミドという用語を含む基、例えば、アルキルスルホンアミドの定義については、以下を参照、スルホニルは-SO2-を意味しスルホニルという用語を含む基、例えば、アルキルスルホニルの定義については、以下を参照、シリルは-SiH3を意味するシリルという用語を含む基複数可、例えば、アルキルシリルの定義については、以下を参照。アルキルシリルという用語は、置換されたという修飾子を用いずに使用される場合、-SiH2R、-SiHRR’または-SiRR’Rと定義される一価の基を指し、ここで、R、R’、およびRは、同じアルキル基または異なるアルキル基であってもよく、または、R、R’、およびRの任意の2つの組み合わせが一緒になって、ジアルキル置換基をあらわしてもよい。-SiH2CH3、-SiHCH32、-SiCH33、-SiCH32CCH3という基は、非置換アルキルシリル基の非限定的な例である。置換アルキルシリルという用語は、-SiH2R、-SiHRR’または-SiRR’Rを指し、R、R’、およびRのうち、少なくとも1つは置換アルキルであるか、または、R、R’、およびRの任意の2つが一緒になって、置換ジアルキルをあらわしていてもよい。R、R’、およびRのうち、2個以上が置換アルキルである場合、これらは同じであっても異なっていてもよい。置換アルキルでも置換アルカンジイルでもないR、R’、およびRのうち、任意のものがアルキルであってもよく、同じであっても異なっていてもよく、または、一緒になって、2個以上の飽和炭素原子をもち、その少なくとも2個がケイ素原子に結合したジアルキルをあらわしていてもよい。それに加え、本発明の化合物を構成する原子は、このような原子のあらゆる同位体形態を含むことを意図している。同位体は、本明細書で使用する場合、原子番号は同じであるが、質量数が異なる原子を含む。一般的な例として、限定されないが、水素の同位体としては、重水素およびトリチウムが挙げられ、炭素の同位体としては、13Cおよび14Cが挙げられる。同様に、本発明の化合物の1個以上の炭素原子複数可をケイ素原子複数可で置き換えてもよいことが想定されている。さらに、本発明の化合物の1個以上の酸素原子複数可を硫黄原子複数可またはセレン原子複数可で置き換えてもよいことが想定されている。ヘキサメチルシクロトリシロキサンは、以下の構造によってあらわされる。3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンは、以下の構造によってあらわされる。ジメチルクロロシランは、以下の構造によってあらわされる。3-ビニル-7-オキサビシクロ[4.1.0]ヘプタンは、以下の構造によってあらわされる。ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリストリフルオロメチルスルホニルメタニドは、以下の構造によってあらわされる。光酸発生剤photoacidgeneratorまたはPAGは、典型的には、カチオン性光開始剤である。光開始剤は、特に調合物に加えることによって、吸収した光エネルギーUVまたは可視光を開始種の形態すなわち、フリーラジカルまたはカチオンで化学エネルギーに変換する化合物である。カチオン性光開始剤を光学リソグラフィーに広範囲に使用する。ある種のカチオン性光開始剤が、非常に強いプロトン酸またはルイス酸の潜在的な光化学種として役立つ能力は、光画像作成用途でのそれらの使用の基礎となる。従来の光供給触媒photo-suppliedcatalystは強酸であった。トリアリールスルホニウム塩およびジアリールヨードニウム塩は、一般的に合成が簡単であり、熱安定性、酸また、ラジカル発生について量子収量が高く、それらが供給する酸の強度および不揮発性のため、化学的に増幅されたレジスト調合物の標準的なPAG成分となっている。単純なオニウム塩は、DUV、X線、電子放射線に直接的に感受性であり、中程度UVと、これより長い波長の光で十分に機能を発揮するように構造を調節するか、または光感作剤と混合することができる。非イオン性のPAG例えば、フロログルシニルおよびo,o-ジニトロベンジルスルホネート、ベンジルスルホン、およびある種の1,1,1-トリハロゲン化物は、一般的に疎水性媒体との適合性が高いが、その熱安定性および酸発生の量子収量は、低いことが多い。本発明が光酸発生剤PAGの性質によって制限されることは意図していない。PAGの選択において、限定されないが、良好なレジスト感受性のために十分に強い酸の発生を確保する十分な放射線感受性、金属元素が存在しないこと、温度安定性、分解の抑制など、考慮すべきいくつかの課題がある。一実施形態では、トリアリールスルホニウム例えば、トリフェニルスルホニウムノナフラート、またはトリ-p-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフラートまたはジアリールヨードニウム塩が、一般的に合成が簡単であり、熱安定性、強酸また、ラジカル発生について量子収量が高く、それらが供給する酸の強度および不揮発性のため、好ましい。また、本発明が、使用する現像溶媒によって限定されることも意図していない。一実施形態では、現像溶媒は、アルカリ金属水酸化物例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液であってもよい。発明の詳細な説明本発明で想定される合成経路の一実施形態を図1に示す。望ましい有枝鎖シロキサンcは、aであらわされるケイ素-水素結合を有するシロキサンと、bであらわされる非対称型直鎖シロキサンとを用いて得られる。非対称型直鎖シロキサンを、Yoshinoら、1990[3]の定期刊行物の手順に記載されるように、例えば、市販の環状化合物から出発して調製した。必要な水および活性炭の量の決定などの反応条件を最適化した。例えば、望ましい直鎖シロキサンのひとつm=2、X=Clを、収率77.9、純度99.7GC/MSで無色液体として得た。ケイ素-水素結合を有するシロキサンと非対称型直鎖シロキサンとを用いた反応により、望ましい有枝鎖シロキサンだけではなく、望ましくない副生成物も得られる。生成物を精製する最も効果的な方法は、蒸留である。カラムクロマトグラフィーは、直鎖シロキサンが、望ましい有枝鎖シロキサンと同様の性質極性を示すため、副生成物を除去するのに有効ではない。蒸留の後、望ましい有枝鎖シロキサンを無色液体として得る。核磁気分光法NMR、1H、13Cおよび29Siは、標的構造を裏付けるのに有用である。マトリックス支援レーザー脱離イオン化MALDI分光法質量分光法も、望ましい質量数を実証する。Si-12を得るための新しい合成経路を首尾よく開発し、これを図9に示す。最終生成物Si-12への最適化した反応は、たった2工程となった。これは、従来の合成経路と比較して、求められる生成物を顕著により高い収率で、より少ない工程で製造することができる点で、驚異的な向上である。出発材料は、比較的安価であり、市販されている。新規合成経路は、容易にスケールを変えることができ、したがって、産業に適していることも示されてきた。Si-12は、2個のSi-H結合を有し、UVによる硬化可能な有枝鎖シロキサンに変換することができる。エポキシ-Si-12への合成経路を図10に示す。この種の反応をヒドロシリル化と呼ぶ。この反応を首尾よく行い、生成物を高収率で回収した87。得られた有枝鎖シロキサンは、信頼できる化学反応を用いて簡単に機能化することができる。例えば、UVによる硬化可能な官能基例えば、アクリレート、メタクリレートおよびエポキシドを、Si-H部分を介して有枝鎖シロキサンに導入することができる。この反応は、ヒドロシリル化反応と呼ばれ、図3に示されており[4]、ここで、Xは、所望の機能的特性をもつ化学部分である。ヒドロシリル化は、触媒的ヒドロシリル化hydrosilationとも呼ばれ、不飽和結合へのSi-H結合の付加を記載する。通常は、この反応は触媒的に行われ、通常は、基質は、不飽和有機化合物である。アルケンおよびアルキンは、アルキルおよびビニルシランを与え、アルデヒドおよびケトンは、シリルエーテルを与える。機能化した有枝鎖シロキサンは、平坦化層およびパターン化可能な絶縁体を含むプロセスにおいて、半導体産業できわめて有用である。表面ヒドロシリル化本明細書に記載する化合物は、限定されないが、半導体の製造を含め、種々の用途に有用である。例えば、ケイ素ウエハをフッ化水素酸HFでエッチングし、天然の酸化物を除去し、末端が水素のケイ素表面を形成させることができる。次いで、末端が水素の表面を不飽和化合物例えば、末端アルケンおよび末端アルキンと反応させ、表面に安定な単層を形成させることができる。室温でUV光を用いるか、または熱を加えることによって典型的な反応温度は120~200°C、水分および酸素を含まない条件で、ヒドロシリル化反応を開始させることができる。得られた単層は安定であり、不活性であり、基礎となるケイ素層の酸化を防ぐ。この種の表面は、分子エレクトロニクス、生化学、および生体分子の直接的な電子センシングなどの分野での用途を見出すことができる。本発明では、exは1~10をあらわし、yは1~10をあらわすに示されるように出発材料のシロキサンを変化させたとき、他の有枝鎖シロキサンを合成することが可能である。この生成物は、図4に示される反応で示す部分的に有枝鎖したシロキサンである。本発明の化合物を、Ryuzakiら、米国特許出願第11/571,017号本明細書に参考として組み込まれる[5]に見出されるような層で使用することができる。有枝鎖シロキサンを、例えば、アクリレート、メタクリレート、ビニルまたはエポキシドなどの光架橋可能な基で機能化することができる。この反応は、通常は、ヒドロシリル化と呼ばれる方法を用いて、有枝鎖シロキサンのSi-H結合を介して行われる。以下の節では、本発明をかなり詳細に記載する。しかし、本発明は、以下の実施例に限定されない。ヘキサメチルシクロトリシロキサンおよびジメチルクロロシランは、GelestInc.USAから購入した。活性炭およびPtdvs白金0-1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液、Pt2をAldrichUSAから購入した。3H,5H-オクタメチルテトラシロキサンをAlfaAesarUSAから購入した。Pd/C、パラジウム/活性炭5PdをAcrosorganicUSAから購入した。メタクリル酸アリルをTCI日本から購入した。好ましい実施形態の記載好ましい実施形態では、本発明は、図5に示した新規のUVによる硬化可能な有枝鎖シロキサンエポキシ-Si-12の合成である。すでに合成したSi-14から、新規合成経路のためにシロキサン鎖を短くした。エポキシド基は、架橋のために使用するように選択した。エポキシドで機能化したSi-12は、メタクリレート系の架橋よりもUVによる収縮が小さいことが示された。この合成を、従来の有機合成技術を用いて実施した。材料の特性決定は、NMRVARIAN400MHz、GC/MSAgilentTechnologies6890NにHP-5MSキャピラリーカラムを取り付けたもの、Agilent、CI-MASSDionexultimate3000、およびMALDI-MASSVARIANProMALIDI12Teslaによって行った。さらに好ましい実施形態では、本発明は、図6に示される他の機能化した新規のUVによる硬化可能な有枝鎖シロキサン機能化したSi-12の合成に関するもので、ここで、Xは、光硬化可能な官能基をあらわす。以下のエポキシ-Si-12の性質を調べた。外観、ケイ素含有量の比率、蒸気圧、粘度、UVによる硬化後の収縮。ケイ素含有量の比率は、モノマーの分子量から算出した。蒸気圧は、エポキシ-Si-12が入ったチャンバを液体窒素につけ、排気することによって測定した。次いで、減圧状態で密閉することによって、エポキシ-Si-12を解凍した後に、圧力を測定した。粘度は、PhysicaMCR500Rheometerによって測定した。UVによる収縮は、エリプソメータを用いることによって、UVによる硬化前後の基板上の膜厚の差から算出したJ.A.Woollam。最初に、裸のケイ素ウエハで、エポキシ-Si-12のスピンコーティング試験を行った。PGMEA、PGME、シクロヘキサノンまたはブチルアルコールのような溶媒を調合物に加えなかった。0.7wtのPAG光酸発生剤のみこの例は、図7に示されているをエポキシ-Si-12に加え、UVをあてて架橋を開始させた。基板のスピン速度を2500rpmに設定した。一実施形態では、光酸発生剤は、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリストリフルオロメチルスルホニルメタニドである。1インチ×1インチのケイ素基板に対するエポキシ-Si-12の滴下量は、200μlであった。UVをあてた後の膜厚は、楕円偏光法によって測定された。すべての手順をイエロールームUVをフィルタでカットした部屋で実施した。エポキシ-Si-12を用いたS-FIL/Rの実証を行った。プロセスのフロー、使用する調合物、および標的スタックの寸法は、図8に認めることができる。このプロセスは、いくつかの工程からなっている。1基板の調製、2試験形体のインプリントimprinttestfeatures、3エポキシ-Si-12を用いた平坦化、4CHF3によるエッチング、5O2エッチング。第1の工程では、基板を下部層underlayerNCI-NIL-01日産化学工業株式会社日本でコーティングした。このような材料の目的は、輸送層transferlayerとして機能し、接着性を上げ、その後のエッチングプロセスで、ケイ素基板に対するハードマスクとして機能することである。第2の工程では、商業的なインプリントツールであるImprio100MolecularImprintsInc.、USAをオースチンのテキサス大学に設置してインプリントを実施した。80nmの線と180nmの空間をもつ石英のテンプレート鋳型も、オースチンにあるテキサス大学によって購入された。このテンプレートを、インプリンティングの前に、フッ素化表面処理GelestInc.USA製のトリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチルジメチルクロロシランによって剥離層releaselayerとして前処理した。第3の工程では、CHF3によるエッチングをOxfordPlasmalab80で行い、過剰なエポキシ-Si-12層を除去した。エポキシ-Si-12のエッチング比は、正確なエッチング深さになるように決定した。最後の工程で、有機層を貫くbreakthroughように、O2エッチングを実施した。SEMZeissNeon40を使用し、第1の工程を除き、各工程の後に、スタックの厚みとエッチング深さを測定した。Si-12を得るための新しい合成経路を首尾よく開発し、図9に示している。最終生成物Si-12への最適化した反応は、たった2工程となった。これは、従来の合成経路と比較して、所望の生成物を顕著により高い収率で、より少ない工程で製造することができるという点で驚異的な向上である。出発材料は、比較的安価であり、市販されている。新規合成経路は、容易にスケールを変えることができることも示されている。Si-12は、2個のSi-H結合を有し、UVによる硬化可能な有枝鎖シロキサンに変換することができる。エポキシ-Si-12への合成経路を図10に示す。この種の反応をヒドロシリル化と呼ぶ。この反応を首尾よく行い、生成物を高収率で回収した87。実施例1非対称型直鎖シロキサンbm=2、X=Clの合成2L丸底ガラスフラスコに250ml滴下漏斗を取り付けたものを用意した。ヘキサメチルシクロトリシロキサン116.7g、0.524mol、活性炭2.151g、およびヘキサン330mlをフラスコに加えた。ジメチルクロロシラン88.5ml、0.795mol、およびヘキサン110mlを滴下漏斗に加えた。N2下、室温でジメチルクロロシラン溶液を1時間かけてゆっくりと滴下して添加した。この溶液を一晩激しく撹拌した。この反応物をGC/MSによって定期的に監視し、未反応のヘキサメチルシクロトリシロキサンがまだ20より多い量存在していたら、追加の活性炭とジメチルクロロシランを加えた。0.2μmPTFE膜で溶液を濾過し、活性炭を除去した。ロータリーエバポレーターで、減圧下で溶媒を除去した。真空下10Torr未満、170°Cで蒸留し、生成物を精製した。望ましい化合物129.6gを無色液体として得た。CG/MSスペクトルから、純度が99.7であることがわかった。反応物の収率は77.9であった。実施例2有枝鎖シロキサンcn=2、m=3の合成500ml丸底ガラスフラスコに100ml滴下漏斗を取り付けたものを用意した。Pd/C0.16g、水1.9g、0.106mol、およびTHF175mlをこのフラスコに加えた。3H,5H-オクタメチルテトラシロキサン10.0g、0.035molおよびTHF75mlを滴下漏斗に加えた。この溶液をフラスコにゆっくりと滴下して添加し、完全に加え終わった後、反応物を室温で6時間撹拌した。酸で洗浄したCelite商標で溶液を濾過し、Pd/Cを除去した。3Lの丸底ガラスフラスコに250ml滴下漏斗を取り付けたものを用意した。N2加圧条件下で、あらかじめ合成しておいた非対称型直鎖シロキサンb56.4g、0.178mol、トリエチルアミン27.8g、0.275mol、およびジエチルエーテル700mlをフラスコに加えた。Celite商標濾過から得た濾液を滴下漏斗に加え、0°Cでフラスコにゆっくりと滴下した。滴下し終わったらすぐに、氷浴をはずし、懸濁物を室温で一晩撹拌した。この溶液に水1Lを加え、過剰量の非対称型直鎖シロキサンをクエンチした後、水層と有機層を分離した。有機部分を水で3回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。重力による濾過によって硫酸マグネシウムを除去した後、真空中で溶液の容積を減らした。クーゲルロール装置を用い、170°C、2Torrで蒸留を行い、副生成物と不純物を取り除いた。28.9gの無色液体が得られた収率93.1。実施例3機能化した有枝鎖シロキサンdm=3、n=2、X=メタクリレートの合成500mlの丸底ガラスフラスコを用意した。N2雰囲気下、有枝鎖シロキサンcn=2、m=212.0g、13.7mmol、メタクリル酸アリル4.41g、34.9mmol、トルエン130mlをフラスコに加えた。激しく撹拌しつつ、25滴のPtdvs触媒を溶液に加えた。溶液は黄色に変わり、撹拌を一晩続けた。溶媒を真空中で除去した。過剰量のメタクリル酸アリルを真空下1Torr、室温で除去した。14.9gのわずかに黄色の液体が、収率95.8で得られた。実施例4Si-12を得るための新しい合成経路を首尾よく開発し、これを図9に示す。最終生成物Si-12への最適化した反応は、たった2工程となった。これは、従来の合成経路と比較して、求められる生成物を顕著により高い収率で、より少ない工程で製造することができるという点で、驚異的な向上である。出発材料は、比較的安価であり、市販されている。新規合成経路は、容易にスケールを変えることができ、したがって、産業に適していることも示されてきた。Si-12は、2個のSi-H結合を有し、UVによる硬化可能な有枝鎖シロキサンに変換することができる。エポキシ-Si-12への合成経路を図10に示す。この種の反応をヒドロシリル化と呼ぶ。この反応を実施例3に記載した手順を用いて首尾よく行い、生成物を高収率で回収した87。実施例5エポキシ-Si-12の性質エポキシ-Si-12の外観は、わずかに黄色がかった液体であった。生成物に色がついている理由は、精製プロセスで完全には除去されなかった少量の触媒のためであると推測される。この材料は、ケイ素含有量が30.0であり、この量は、O2エッチングプロセスに耐えるのに十分に高い。蒸気圧は、25°Cで0.65Torrである。粘度は、25°Cで29cPである。この性質は両方とも優れた平坦化材料の要求事項を満たす。UVによる収縮は、たった2.2であり、メタクリレート誘導体より小さかったSi-14は5.1であった。性質をすべて図11にまとめている。実施例6エポキシ-Si-12のスピンコート試験得られたスピン曲線を図12に示す。この結果は、1.0μm未満の膜厚を与えるのに約150秒のスピン時間が必要であることを示していた。データは、次のS-FIL/Rの実証に有用であった。実施例7エポキシ-Si-12レジストを用いたS-FIL/Rの実証[6]工程1.NCI-NIL-01日産化学を、下部層として裸のケイ素基板に、厚みが約100nmになるようにスピンコーティングした。工程2.Imprio100登録商標で、80nmの線と空間をもつテンプレートのインプリントを実施した。SFILの形体のひとつは、基板上に液体レジストを分配するインクジェット分配システムだということである。最適化したインプリント分配パターンを図13に示す。残留層residuallayerの均一性だけではなく、レジスト材料の消費量が少ないという観点で、真正のauthenticスピンコート分配システムを利用するために、このシステムを開発した。インクジェットノズルを介し、最適化したレジスト滴の配置によって、一貫性のある良好なインプリントパターンが得られた。インプリントのSEM画像を図14に示す。残留層は、約52nmであると測定され、この厚みは、従来のS-FILプロセスについてのもの20nm未満より少し厚かった。レジストの容積を減らすか、またはインプリント力を変えるなどのさらなる最適化によって、残りの厚みを減らすことができた。しかし、S-FIL/Rプロセスの場合、平坦化層がその形状をコーティングし、覆うことから、それは、許容され得るものであった。インプリントされた線と空間は、テンプレートの形に対応する値を示していた。工程3.エポキシ-Si-12を用いた平坦化を実施し、SEM画像を図15に示している。工程4.エポキシ-Si-12のエッチング速度を決定しCHF3:20sccm、O2:12sccm、RF:50W、DCバイアス:192V、圧力:30mTorr、図16に示している。次いで、平坦化層の実際のエッチングを実施した。図17は、フッ素エッチング工程の後のSEM画像を示している。エポキシ-Si-12は、その後にインプリントされた層の上面まで完全にエッチングされていた。この深さに達するのに、計10分が必要であった。工程5.有機層を貫くように、O2エッチングを実施したO2:3sccm、Ar:30sccm、RF:90W、DCバイアス:300V、圧力:6mTorr、エッチング時間:8分。この結果から、図18に示されているように、有機レジストが除去され、望ましいパターンが得られていることが示された。線および空間の幅は、最初のインプリントパターンと比較して、逆になっており、このことは、リバーストーンS-FILが行われたことを示している。参考文献:"