減圧雰囲気の下で基板に加熱処理を行う減圧加熱処理室と、前記減圧加熱処理室内に設けられ、上面側に基板が載置される基板ホルダーと、前記減圧加熱処理室の底側に設けられ、前記基板ホルダーから斜め下方に放射された放射熱線を、放射熱線透過性の窓を介して前記減圧加熱処理室の外部に透過させる透過部と、前記透過部を透過した放射熱線を前記減圧加熱処理室の外部で計測する放射温度計と、前記減圧加熱処理室内に設けられ、前記窓への異物の落下を防止する遮蔽部材と、を備え、前記遮蔽部材は、前記放射温度計で温度計測する上で必要な放射熱線の透過量を確保しつつ、前記窓の上方を覆うことを特徴とする真空処理装置。前記遮蔽部材が、前記斜め下方に延びるように前記透過部に保持される筒状であり、前記遮蔽部材の放射熱線入光側の開口縁が、鉛直方向、または、上部から下部にかけて徐々に前記窓の側へ傾斜する方向に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。前記減圧加熱処理室へガスを導入するガス導入口の位置を、前記窓の近傍にしたことを特徴とする請求項1または2に記載の真空処理装置。前記ガス導入口から導入されたガス流に前記窓の周囲の気体が巻き込まれるように、前記ガス導入口が前記窓から遠ざかる方向に向けられていることを特徴とする請求項3に記載の真空処理装置。しかし、減圧加熱処理室で処理中あるいは処理前後で、減圧加熱処理室内のダストや破片などの異物がこの窓上に落下して載ることで、この異物によって基板ホルダーからの放射熱線が遮られ、正しい温度計測をできないことが起こり得る。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、装置底側に配置した光透過性部材上に異物が載ることを防止した真空処理装置を提供することを課題とする。本発明の一態様によれば、減圧雰囲気の下で基板に加熱処理を行う減圧加熱処理室と、前記減圧加熱処理室内に設けられ、上面側に基板が載置される基板ホルダーと、前記減圧加熱処理室の底側に設けられ、前記基板ホルダーから斜め下方に放射された放射熱線を、放射熱線透過性の窓を介して前記減圧加熱処理室の外部に透過させる透過部と、前記透過部を透過した放射熱線を前記減圧加熱処理室の外部で計測する放射温度計と、前記減圧加熱処理室内に設けられ、前記窓への異物の落下を防止する遮蔽部材と、を備え、前記遮蔽部材は、前記放射温度計で温度計測する上で必要な放射熱線の透過量を確保しつつ、前記窓の上方を覆う真空処理装置が提供される。本発明によれば、装置底側に配置した光透過性部材上に異物が載ることを防止した真空処理装置を実現させることができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。ただし、図面は模式的なものであり、寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。図1は、本発明の一実施形態に係る真空処理装置10の構成を示す模式的側面図である。本実施形態では、真空処理装置10としてインライン式真空処理装置で説明する。真空処理装置10は、処理対象の基板例えば太陽電池を製造するためのウェハを減圧雰囲気の下で加熱処理する減圧加熱処理室12と、減圧加熱処理室12から送り出された基板Pの表面処理を行う反応処理室14と、反応処理室14で処理された基板が搬出されてくるアンロード室16とを備えている。反応処理室14では、例えば、CVDで薄膜を成膜する、などの処理を行う。図2は、真空処理装置10の減圧加熱処理室12の正面部分断面図である。図2に示すように、減圧加熱処理室12には、基板Pが上面側に載置される基板ホルダーカート20と、基板ホルダー20に載置された基板Pを加熱するランプ22図1参照と、基板ホルダー20の下方であって減圧加熱処理室12の底側に設けられた透過部30と、が設けられている。なお、本明細書で基板ホルダーとは、単に基板を載置する基板載置台も含む概念である。透過部30は、基板ホルダー20から斜め下方D水平方向および鉛直下方に対して所定角度で傾斜した方向に放射された放射熱線輻射熱線。放射熱を与える熱線のことをいうを、後述の窓材32図3も参照を介して減圧加熱処理室12の下方側に透過させる構成にされている。そして、透過部30には、窓材32への異物の落下を防止する円筒状の防塵パイプ34が遮蔽部材として取り付けられている。また、透過部30から透過した放射熱線Lを計測する放射温度計38が、減圧加熱処理室12の外部であって透過部30の下部に取り付けられている。[透過部および防塵パイプ]図3は、窓材32および放射温度計38が保持されることを説明する説明図である。図2、図3に示すように、減圧加熱処理室12を形成しているチャンバ底部40には、放射熱線Lを通過させるための貫通孔40Hが形成されている。透過部30は、貫通孔40Hを塞ぐようにチャンバ底部40にネジ止めされる傾斜フランジ44を有する。チャンバ底部40と傾斜フランジ44との間には真空封止部材例えば図3に示すオーリング46が設けられている。傾斜フランジ44は、平板状で中央に貫通孔が形成された平板部46と、平板部46から斜め下方Dに短円筒状に延び出す斜め延出し部48と、を有する。斜め延出し部48には、その中心軸に沿って斜め下方Dに貫通孔48Hが形成されている。斜め延出し部48の下端部には、窓材32を収容する窓材収容部50が形成されている。また、斜め延出し部48の下端部には雄ネジ部52が形成されている。窓材収容部50には、窓材32との間で真空シールするオーリング54が配置されている。また、平板部46と斜め延出し部48とに、防塵パイプ34の下部34Bを保持する円筒状凹部56が形成されている。円筒状凹部56の中心軸Cは斜め下方Dに沿っており、防塵パイプ34が斜め下方Dと同方向に保持されるようになっている。円筒状凹部56の内径は、斜め延出し部48の貫通孔48Hの内径よりも大きい。また、透過部30は、斜め延出し部48の下端側に着脱自在に取り付けられる窓材支え部材60を有する。窓材支え部材60は、雄ネジ部52に係合する雌ネジ部62が内周側に形成されているとともに中央に貫通孔64Hを有するフクロナット部64と、フクロナット部64に連続して斜め下方Dに円筒状に延び、放射温度計38の円筒状の先端部38Tが挿入される被挿入部66と、を有する。また、窓材支え部材60は、フクロナット部64の内側にリング状の窓材当接部材68を備えている。この窓材当接部材68は、雄ネジ部52と雌ネジ部62とがネジ締めされることにより窓材32を斜め延出し部48側に付勢する。傾斜フランジ44と窓材支え部材60とによって形成された窓材収容空間50Sには、放射熱線Lを透過する窓材32が収容、保持されている。本実施形態では、窓材32の法線方向が斜め下方Dと同方向になるように、傾斜フランジ44と窓材支え部材60との形状が予め設定されている。窓材32の材質としては、放射温度計38が検知する波長領域を放射温度計38の機能を満足する範囲で透過させることができる限り、特に限定しない。窓材32の材質としては、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどが例として挙げられる。放射温度計38の側部には、真空処理装置10の温度計取り付け部図示せずにネジ止めなどで固定される被固定部38Sが設けられており、放射温度計38の先端部38Tが被挿入部66に挿入された状態で、被固定部38Sが温度計取り付け部に固定されるようになっている。図2に示すように、防塵パイプ34は円筒状で、上側の開口縁34E、すなわち、放射熱線入光側の開口縁34Eが、鉛直方向Vに形成されている。従って、側面視で、防塵パイプ34の上部が斜めに切断された形状に視認される。また、本実施形態では、図4に示すように、防塵パイプ34の下端部が、一部が円筒内側に直角状に曲がっている内曲がり部36を有していて、内曲がり部36が円筒状凹部56にネジ止めされる構成とされている。また、真空処理装置10は、減圧加熱処理室12へパージ用のガス例えば窒素ガスを導入するガス導入パイプ70を備えている。このガス導入パイプ70の先端部は防塵パイプ34を貫通して防塵パイプ34の内側に開口している。従って、ガス導入パイプ70の下流端であるガス導入口70Mが窓材32の近傍に位置している。そして、ガス導入口70Mから導入されたガス流に窓材32の周囲の気体が巻き込まれるように、ガス導入口70Mが窓材32から遠ざかる方向に向けられている。本実施形態では、ガス導入口70Mは水平方向に向けられているとともに、斜め下方Dとガス導入口70Mからのガス噴き出し方向Wとが鈍角αをなしている。そして、ガス噴き出し方向Wが開口縁34Eの内側に位置しており、ガス導入口70Mからのガス流が防塵パイプ34には直接には当接せずに防塵パイプ34の外部へ流出する構造になっている。以上の構成により、基板ホルダー20の底側下面側から斜め下方Dに放射された放射熱線Lが、防塵パイプ34、貫通孔48H、窓材32、放射温度計38の先端部38Tを順次通って放射温度計38に直接に入射するようになっている。作用、効果以下、本実施形態の作用、効果について説明する。本実施形態では、基板Pを載せた基板ホルダー20を減圧加熱処理室12に搬入し、減圧排気した後、ランプ22で基板Pを加熱する。その際、放射温度計38で基板ホルダー20の温度を計測することで基板Pの温度を計測する。放射温度計38で測定される温度が所定温度に到達したら加熱処理を終了する。なお、所定温度に到達後、一定時間その温度を維持してもよい。次に、所定温度に到達した基板Pを載せた基板ホルダー20を反応処理室14に移送し、基板Pの表面に所定の反応処理例えば薄膜形成を行う。そして、反応処理の終了後、反応処理室14からアンロード室16へ基板ホルダー20を移送し、アンロード室16を大気圧にまで戻した後、基板Pをアンロード室16から装置外へ取り出す。本実施形態の真空処理装置10では、この動作が繰り返される。この一連の繰り返しの動作で、減圧加熱処理室12では、1基板Pを載せた基板ホルダー20の搬入、2減圧排気、3加熱、温度測定、4基板Pを載せた基板ホルダー20の搬出、5大気圧への戻すためのガス導入、の繰り返し動作が行われる。本実施形態では、防塵パイプ34の放射熱線入光側の開口縁34Eが鉛直方向Vに形成されている。従って、この繰り返し動作では、異物基板の破片、チャンバ内に付着して剥がれた薄膜の破片、チャンバ内のダストなどが上方から落下しても、防塵パイプ34によって、これらの異物は、防塵パイプ34の上側に堆積するか、滑り落ちたり跳ね返されたりする。すなわち、防塵パイプ34の内側空間にこれらの異物が入ることが防止されるので、これらの異物が窓材32上に載ることが防止される。軽量の異物であっても真空中では基本的に真下に落下するので、減圧雰囲気ではこの効果は特に大きい。このように異物が窓材32に載ることが防止されることで、太陽電池セルを製造する際など、割れ易いウェハを基板Pとして用いるときに大きな効果を奏する。水平方向Hに対する防塵パイプ34の傾斜角度βは、30~85°の範囲であることが好ましい。30°よりも小さいと基板ホルダー20からの放射熱線が防塵パイプ34で遮られ易くなり、また、85°よりも大きいと異物が防塵パイプ34内に入り易くなるからである。この傾斜角度βが45~75°の範囲であると更に好ましい。また、ガス導入口70Mが窓材32の近傍に位置している。従って、ガスを導入した際に窓材32の周囲にガス流が生じる。そして、斜め下方Dとガス噴き出し方向Wとが鈍角αをなしているので、ガス導入口70Mが窓材32から遠ざかる方向に向けられている。これにより、ガス導入口70Mから導入されたガス流に窓材32の周囲の気体が巻き込まれるようになっている。従って、減圧加熱処理室12内にパージガス等を導入した際に発生するガス流では、窓材32がガス導入口70Mよりも上流側に位置する。これにより、ガス導入によってダストが舞い上がってもこのダストが窓材32に到達することを回避でき、更には、窓材32に載っている異物をガス流で吹き飛ばすことも可能である。また、窓材32に押圧されるオーリング54の付近の部材では、この防塵パイプ34を設けることによって放射熱線の照射量が大幅に減る。このため、オーリング54の付近の部材の温度が従来に比べて大幅に下がり、オーリング54や窓材32が熱で破損することが大幅に防止される。また、フクロナット部64と斜め延出し部48とで窓材収容部50が形成されており、しかもフクロナット部64を回転させることによって傾斜フランジ44と窓材支え部材60とが着脱自在である。従って、窓材32の清掃が容易である。なお、開口縁34Eは、上部から下部にかけて徐々に窓材32の側へ傾斜する方向図2では、上部から下部にかけて紙面左側に傾斜する方向に形成されていてもよい。これにより、上方から落下する異物が、防塵パイプ34内に更に入り難くなる。また、防塵パイプ34は、放射温度計38で温度計測する上で必要な放射熱線の透過量を確保できる限り、パイプ内側に延び出す部位が形成されていてもよい。例えば、図3の二点鎖線で示すように、パイプ内側に延び出す追加遮蔽部35が形成されていてもよい。これにより、上方から落下する異物が、防塵パイプ34内に更に入り難くなる。また、防塵パイプ34が円筒状であるとして説明したが、角筒状であってもよく、楕円形状にすることも可能である。また、本実施形態では、ガス導入口70Mが窓材32から遠ざかる方向に向けられている例で説明したが、ガス導入口70Mからのガスが窓材32に吹き付けられるように、ガス導入口70Mが窓材32に向けられていてもよい。これにより、減圧加熱処理室12内へガスを導入する際に窓材32に載っている異物を吹き飛ばすことができる。<実験例>上記実施形態の真空処理装置10を用い、基板温度を500°Cとして5時間の連続加熱処理を減圧加熱処理室12で行った。この結果、オーリング54の付近の最高温度が139°Cであり、従来の320°C程度の高い温度に比べて大幅に低下していた。従って、オーリング54や窓材32が熱で破損することを大幅に防止できた。また、本実験例では、基板Pの加熱処理で、防塵パイプ34の内曲がり部36と側部円筒部37とで形成された隅部に極微小のダストパーティクルが溜まっていたが、窓材32にはダストは載っていなかった。