"誘電率が10以下である有機溶媒に有機金属化合物を溶解させた添加剤溶液と、固体高分子電解質とを接触させ、その後に前記固体高分子電解質を、水又は前記固体高分子電解質の過酸化水素耐性を向上させる作用があるカチオンを含む水溶液と接触させることにより得られる無機-有機複合固体電解質。前記固体高分子電解質は、前記添加剤溶液と接触させる前に、水による膨潤処理が施されたものである請求項1に記載の無機-有機複合固体電解質。前記固体高分子電解質は、炭化水素系ポリマー部分フッ素化炭化水素系ポリマーを含むからなる疎水性ブロックと、炭化水素系ポリマー又はフッ素系ポリマーからなる親水性ブロックとがランダム又は規則的に並んだブロックコポリマーである請求項1又は2に記載の無機-有機複合固体電解質。前記有機溶媒は、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、テルペン類、ギ酸エステル、及び、フッ素系溶媒から選ばれるいずれか1以上である請求項1から3までのいずれかに記載の無機-有機複合固体電解質。前記有機金属化合物は、金属ジオネート、金属フタロシアニン、金属ポルフィリン及びカルボン酸塩から選ばれるいずれか1以上である請求項1から4までのいずれかに記載の無機-有機複合固体電解質。前記有機金属化合物を構成する金属元素は、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、La、Ce、Eu、Gd、Nd、Si、Nb、Al、Bi、Sn、Ti、Y、Zr、Ag、P、Mo及びWから選ばれるいずれか1以上である請求項1から5までのいずれかに記載の無機-有機複合固体電解質。前記水溶液のpHは、3以上9以下である請求項1から6までのいずれかに記載の無機-有機複合固体電解質。誘電率が10以下である有機溶媒に有機金属化合物を溶解させた添加剤溶液と、固体高分子電解質とを接触させることにより得られ、前記有機金属化合物は、炭素数が7以上22以下のカルボン酸塩であり、前記有機金属化合物を構成する金属元素は、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、La、Ce、Eu、Gd、Nd、Si、Nb、Al、Bi、Sn、Ti、Y、Zr、Ag及びMoから選ばれるいずれか1以上である無機-有機複合固体電解質。本発明が解決しようとする課題は、炭化水素系電解質やパーフルオロ系電解質の過酸化水素耐性を向上させることが可能であり、しかも電池性能を低下させるおそれの少ない無機-有機複合固体電解質を提供することにある。また、本発明が解決しようとする他の課題は、高分子電解質の疎水性領域の過酸化水素耐性を向上させることが可能な無機-有機複合固体電解質を提供することにある。上記課題を解決するために本発明に係る無機-有機複合固体電解質は、誘電率が10以下である有機溶媒に有機金属化合物を溶解させた添加剤溶液と、固体高分子電解質とを接触させ、その後に前記固体高分子電解質を、水又は前記固体高分子電解質の過酸化水素耐性を向上させる作用があるカチオンを含む水溶液と接触させることにより得られるものからなる。本発明に係る無機-有機複合固体電解質の2番目は、誘電率が10以下である有機溶媒に有機金属化合物を溶解させた添加剤溶液と、固体高分子電解質とを接触させることにより得られ、前記有機金属化合物は、炭素数が7以上22以下のカルボン酸塩であり、前記有機金属化合物を構成する金属元素は、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、La、Ce、Eu、Gd、Nd、Si、Nb、Al、Bi、Sn、Ti、Y、Zr、Ag及びMoから選ばれるいずれか1以上であることを要旨とする。すなわち、有機金属化合物として、所定の金属元素を含む中鎖カルボン酸塩を用いる場合、有機金属化合物を安定化させるための処理水や水溶液と接触させる処理は、必ずしも必要ではない。有機金属化合物を低誘電率溶媒に溶解させた添加剤溶液と固体高分子電解質とを接触させ、次いで固体高分子電解質と水とを接触させると、ドライ環境下においても優れた過酸化水素耐性を有する無機-有機複合固体電解質が得られる。これは、1有機金属化合物を溶解させる溶媒として低誘電率溶媒を用いることにより、有機金属化合物が固体高分子電解質の疎水性領域に優先的に導入されるため、及び、2水との接触によって、疎水性領域内で有機金属化合物が安定化されるため、と考えられる。また、このような添加剤溶液と固体高分子電解質とを接触させ、次いで過酸化水素耐性を向上させる作用があるカチオンを含む水溶液とを接触させると、さらに優れた過酸化水素耐性を有する無機-有機複合固体電解質が得られる。これは、1疎水性領域に有機金属化合物が優先的に導入されることによって、疎水性領域の過酸化水素耐性が向上するため、及び、2これと同時に、親水性領域にある酸基のプロトンの一部がカチオンでイオン交換されることによって、親水性領域の過酸化水素耐性が向上するため、と考えられる。以下、本発明の一実施の形態について詳細に説明する。[1.無機-有機複合固体電解質]本発明に係る無機-有機複合固体電解質は、誘電率が10以下である有機溶媒に有機金属化合物を溶解させた添加剤溶液と、固体高分子電解質とを接触させ、その後に前記固体高分子電解質を、水又は前記固体高分子電解質の過酸化水素耐性を向上させる作用があるカチオンを含む水溶液と接触させることにより得られる。[1.1.添加剤溶液の作製]まず、誘電率が10以下である有機溶媒に有機金属化合物を溶解させ、添加剤溶液を作製する。有機金属化合物及び有機溶媒には、具体的には、以下のようなものを用いるのが好ましい。[1.1.1.有機金属化合物]本発明において、有機金属化合物は、電解質内部の疎水性領域に優先的に分散固定されていると考えられる。また、疎水性領域に導入された有機金属化合物は、1そのままの形で、2酸化物微粒子若しくは水酸化物微粒子に加水分解された形で、又は、3イオンに加水分解された形で、過酸化物分解触媒又はラジカル捕捉剤として機能すると考えられる。さらに、ある種の有機金属化合物を疎水性領域に導入し、水で処理すると、加水分解縮合反応により、三次元架橋体が形成されると考えられる。三次元架橋体は、過酸化水素分解触媒又はラジカル捕捉剤として機能する化学種主として、有機金属化合物を構成する金属元素が高分子電解質から脱離するのを抑制する作用がある。また、三次元架橋体は、高分子電解質の機械的安定性及び耐熱性の向上にも寄与すると考えられる。有機金属化合物の加水分解により生成する無機微粒子としては、水を含まない酸化物、含水酸化物、水酸化物、オキシ酸化物などがある。また、無機微粒子は、X線的に明白な結晶系を取らないアモルファス構造であっても良く、あるいは、完全に分解する前の有機物を含む架橋構造体例えば、Siにおいては、Si-4-等を含んでいても良い。有機金属化合物は、上述した過酸化物分解触媒又はラジカル捕捉剤としての機能以外に、以下のいずれか1以上の条件をさらに備えているものが好ましい。第1に、有機金属化合物は、毒性が低いものが好ましい。第2に、有機金属化合物は、加水分解反応速度が室温、大気中において遅いもの水分と急激に反応しないものが好ましい。第3に、有機金属化合物は、有機溶媒に対する溶解度が高いものが好ましく、理想的には、有機溶媒に完全に溶解するものが好ましい。但し、有機溶媒に完全に溶解していなくても、大部分が有機溶媒中に沈降せず、サブミクロンサイズの微細な粒子としてコロイド状に分散するものでも良い。第4に、有機金属化合物を優先的に疎水性領域に導入するためには、有機金属化合物は、水への溶解度が小さいものが好ましい。具体的には、有機金属化合物の水への溶解度は、室温で1g/L以下が好ましい。第5に、有機金属化合物の金属元素以外の構成元素は、C、H、Oのみからなるのが好ましい。例えば、有機金属化合物がリン酸根、Cl、Br、I等のF以外のハロゲン元素や、S、Nを含んでいる場合、これらの化合物やその分解生成物が電極触媒金属に吸着し、性能低下が甚だしくなるおそれがある。なお、Fを含む分解生成物による電極被毒作用は小さい。そのため、有機金属化合物の構成元素としてFが含まれていても良い。上述のような条件を満たす有機金属化合物としては、アルキル金属、金属ジオネート、金属アルコキシド、金属フタロシアニン、金属ポルフィリン、カルボン酸塩、メタンスルホン酸塩、金属シクロペンタジエニル化合物メタロセン、カルバミン酸塩などがある。本発明においては、これらのいずれか1種の有機金属化合物を用いても良く、あるいは、2種以上を組み合わせて用いても良い。これらの有機金属化合物の内、アルキル金属や金属アルコキシドは、一般に、加水分解速度が大きい。そのため、例えば、水分に対して著しく不安定な遷移金属アルコキシドを有機金属化合物として用いる場合、作業は、ドライルーム内やドライエアカーテンで隔てた場所で行うのが好ましい。アルキル金属や金属アルコキシド以外の有機金属化合物は、多くの場合、大気中で取り扱っても問題ない。有機金属化合物は、特に、金属ジオネート、金属フタロシアニン、金属ポルフィリン、及び、カルボン酸塩が好ましい。特に好ましいものはカルボン酸塩であり、その中でも炭素数が7以上22以下の中鎖カルボン酸塩が好ましい。例えば、2-エチル-ヘキサン塩等の炭素数が7以上22以下の中鎖カルボン酸塩は、室温においては蒸気圧が低く、水分に対しての反応性や溶解度、及び、毒性も小さいものが多い。さらに、中鎖カルボン酸塩は、誘電率が10以下の有機溶媒への溶解性が著しく大きい。但し、炭素数が23以上の長鎖カルボン酸塩は、誘電率が10以下の有機溶媒への溶解性が小さくなる。これらの点から、炭素数が7以上22以下の中鎖カルボン酸塩は、疎水部に導入するための有機金属化合物として好適である。炭素数が7以上22以下の中鎖カルボン酸塩としては、具体的には、エナント酸塩、カプリル酸塩、ペラルゴン酸塩、カプリン酸塩、ラウリン酸塩、ミリスチン酸塩、ネオデカン酸塩、パルミチン酸塩、マルガリン酸塩、ステアリン酸塩、イソステアリン酸塩、エイコサン酸塩、ベヘン酸塩、リグノセリン酸塩、セロチン酸塩、モニタン酸塩、メリシン酸塩、ベヘニン酸塩、ウンデシレン酸塩、オレイン酸塩、リノール酸塩、リノレン酸塩、ナフテン酸塩、アラギジン酸塩、リグノセリン酸塩、又は、これらの混合物などがある。また、有機金属化合物は、安息香酸塩、トルイル酸塩、フタル酸塩、テレフタル酸塩、イソフタル酸塩、ナフタレン酸塩、フェナントレン酸塩、アントラセン酸塩、サリチル酸塩などの芳香族カルボン酸塩、又は、これらの混合物でも良い。有機金属化合物を構成する金属元素は、有機金属化合物のままの状態、又は、無機粒子若しくはイオンの状態において、過酸化水素及びラジカルの無害化作用があるものであれば良く、特に限定されるものではない。特に、過酸化水素及びラジカルの無害化作用が大きい金属元素としては、具体的には、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、La、Ce、Eu、Gd、Nd、Si、Nb、Al、Bi、Sn、Ti、Y、Zr、Ag、P、Mo、Wなどが挙げられる。有機金属化合物は、これらのいずれか1種の金属元素を含むものでも良く、あるいは、2種以上の金属元素を含む複合化合物又は混合物であっても良い。特に、Ca、Ba、Sn、Zn、Bi、P、La、及び、Ceは、過酸化水素による攻撃を緩和する作用が大きい。また、これらの金属元素を含む有機金属化合物は、低誘電率溶媒への溶解性も高い。上記の金属元素の内、PとW以外の金属元素すなわち、Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、La、Ce、Eu、Gd、Nd、Si、Nb、Al、Bi、Sn、Ti、Y、Zr、Ag及びMoから選ばれるいずれか1以上を含み、かつ、炭素数が7以上22以下のカルボン酸塩は、耐久性向上効果が顕著である。また、これらの中鎖カルボン酸塩は、疎水性領域に導入された後に行われる水との接触処理安定化処理、加水分解処理を必ずしも必要としない。これは、中鎖カルボン酸塩は低誘電率の有機溶媒に対する溶解度が大きく、かつ水分に対して安定であるため、そのままの形で電解質内部に導入することができるためである。一方、長鎖カルボン酸塩の中には有機溶媒への溶解度が小さく、コロイド状となり、電解質表面に付着することがある。そのため、水との接触処理を行うことが好ましい。なお、取り扱い易さの観点から、市販されている長鎖カルボン酸塩の中には、金属元素重量として10wt前後の濃度となるように、ヘキサン、トルエン等の炭化水素溶媒で希釈されている場合があるミネラルスピリット溶液。後述するように、本発明においては、金属元素重量として0.01~1wtの濃度の添加剤溶液を用いる。従って、このようなミネラルスピリット溶液を母液とし、これを誘電率が10以下である適当な有機溶媒で希釈して用いても良い。[1.1.2.有機金属化合物の具体例]有機金属化合物としては、具体的には、以下のようなものがある。[1.1.2.1.Na系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がNaであるNa系有機金属化合物には、酢酸ナトリウム、アクリル酸ナトリウム、ナトリウムアルミニウムハイドライドビスメトキシエトキシド、ナトリウムビス-2-ブトキシド、ナトリウムn-ブトキシド、ナトリウムt-ブトキシド、ナトリウムシクロヘキサンブチレート、ナトリウムシクロペンタジエン、ナトリウムジヒドロビスアルミネート、ナトリウムジアリルオキシアセテート、2-エチルヘキサン酸ナトリウム、ナトリウムエトキシド、ギ酸ナトリウム、ギ酸ナトリウム水和物、フマール酸ナトリウム、ナトリウムヘキサフルオロペンタンジオネート、ナトリウムイソプロポキシド、イタコン酸ナトリウム、ナトリウムマリエート水和物、メタアクリル酸ナトリウム、メタアクリル酸ナトリウム水和物、ナトリウムポリアクリル酸ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムメトキシエトキシド、ナトリウムメチルアセトアセテート、ナトリウム2-メチル-2-ブトキシド、シュウ酸ナトリウム、シュウ酸ナトリウム水和物、ナトリウム2,4-ペンタンジオネート、ナトリウムフェノキシド、ナトリウムフタロシアニン、ポリアクリル酸ナトリウム、ナトリウムポリ-D,L-アスパレート、ナトリウムポリ-L-グルタメート、ナトリウムポリメタアクリレート、ナトリウムn-プロポキシド、ナトリウムi-プロピルシクロペンタジエナイド、ナトリウムテトラフェニルボレート、ナトリウムトリフルオロアセテート、ネオデカン酸ナトリウム、ラウリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミチン酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、12-ヒドロキシステアリン酸ナトリウム、ベヘン酸ナトリウム、モンタン酸ナトリウム、セバシン酸ナトリウムなどがある。[1.1.2.2.Cs系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がCsであるCs系有機金属化合物には、2-エチルヘキサン酸セシウム、ギ酸セシウム、ギ酸セシウム水和物、セシウムメトキシド、オレイン酸セシウム、ステアリン酸セシウムなどがある。[1.1.2.3.Ca系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がCaであるCa系有機金属化合物には、酢酸カルシウム、酢酸カルシウム水和物、アクリル酸カルシウム、カルシウムジピバロイルメタネート、カルシウムエトキシド、2-エチルヘキサン酸カルシウム、ギ酸カルシウム、D-グルコン酸カルシウム、カルシウム6,6,7,7,8,8,8,-ヘプタフルオロ-2,2-ジメチル-3,5-オクタンジオネート、カルシウムヘキサフルオロペンタンジオネート、カルシウムメタアクリレート水和物、カルシウムメトキシド、カルシウムメトキシエトキシド、ネオデカン酸カルシウム、カルシウム2,4-ペンタンジオネート二水和物、オレイン酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、ラウリン酸カルシウム、12-ヒドロキシステアリン酸カルシウム、ベヘン酸カルシウム、モンタン酸カルシウム、カルシウム2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート、ナフテン酸カルシウムなどがある。[1.1.2.4.Ba系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がBaであるBa系有機金属化合物には、酢酸バリウム、アクリル酸バリウム、バリウムシクロヘキサンブチレート、バリウムジピバロイルメタネート、バリウムエトキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウム6,6,7,7,8,8,8,-ヘプタフルオロ-2,2-ジメチル-3,5-オクタンジオネート二水和物、バリウムヘキサフルオロペンタンジオネート、バリウムイソプロポキシド、バリウムメタアクリレート、バリウムIIメトキシプロポキシド、ラウリン酸バリウム、ネオデカン酸バリウム、ステアリン酸バリウム、12-ヒドロキシステアリン酸バリウム、リシノール酸バリウム、バリウム2,4-ペンタンジオネート二水和物、オレイン酸バリウム、ステアリン酸バリウム、バリウム2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート、ナフテン酸バリウム、バリウムトリフルオロメタンスルホネート、バリウム-チタンダブルアルコキシド、バリウム-イットリウムダブルアルコキシド、バリウム-ジルコニウムダブルアルコキシド、ビスバリウム、ビスバリウムテトラグライムアダクト、ビスバリウムトリグライムアダクトなどがある。[1.1.2.5.P系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がPであるP系有機金属化合物には、アルキルホスフィン、アルキルホスフィンオキシド、アルキルホスファイト、アルキルホスフィン酸、アルキルホスホン酸などがある。これらは、水と接触することにより、一部或いは全部が、ホスホン酸、ホスホニウム、ホスフィンオキシドに変化し、安定化される。安定化されたこれらのP系有機金属化合物は、1金属イオンに配位し、金属イオンの触媒活性を不活性化したり、あるいは、2過酸化水素を安定化し、過酸化水素やラジカルからの攻撃を無害化する。例えば、ホスフィン、ホスフィンオキシド、ホスファイトとしては、アセトキシエチルジフェニルホスフィン、アリルジフェニルホスフィン、アリルジフェニルホスフィンオキシド、ベンジルジフェニルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィンオキシド、ビスフェニルホスフィン、1,2-ビスビスホスフィノエタン、1,4-ビスブタン、1,2-ビスエタン、ビスメタン、1,2-ビスエタン、1,2-ビスエタンジオキシド、1,5-ビスペンタン、1,2-ビスベンゼン、ビスホスフィン、1,2-ビスエタン、ビスメタン、1,3-ビスプロパン、1,3-ビスプロパンオキシド、1,2-ビスエタン、ビスアセチレン、1,2-ビスベンゼン、1,4-ビスベンゼン、1,4-ビスブタン、ラセミック-2,2-ビス-1,1-ビナフチル、1,2-ビスエタン、シス-1,2-ビスエチレン、シス-1,2-ビスエチレンジオキシド、トランス-1,2-ビスエチレン、ビス2-フェニルホスフィン、1,6-ビスヘキサン、ビスメタン、1,5-ビスペンタン、1,3-ビスプロパン、ビスフェニルホスフィン、ビスフェニルホスフィン、ビスフェニルホスフィン、1,3-ビスプロパン、n-ブチルジベンジルホスフィン、n-ブチルジ-n-ブチルホスフィン、n-ブチルジエチルホスフィン、n-ブチルジメチルホスフィンオキシド、n-ブチルジフェニルホスフィン、t-ブチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスホラン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、シクロヘキシルホスフィン、シクロヘキシルホスホン酸、n-デシルフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィンオキシド、ジ-アミルフェニルホスフィン、ジ-n-ブチルn-ブチルホスホナイト、ジ-n-ブチルメチルホスフィン、ジ-n-ブチルメチルホスフィンオキシド、ジ-n-ブチルメチルホスホネート、ジ-n-ブチルフェニルホスフィン、ジ-n-ブチルフェニルホスホナイト、ジ-n-ブチルホスフィン、ジ-i-ブチルホスフィン、ジ-t-ブチルホスフィン、ジ-n-ブチルホスフィン酸、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィンオキシド、ジシクロヘキシルホスフィン酸、ジエチルエチルホスホネート、ジエチルエチルホスホナイト、ジエチルヒドロキシメチルホスホネート、ジエチルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスホネート、ジエチルフェニルホスホナイト、ジエチルホスフィン、ジエチルホスフィン酸、ジエチル-i-プロピルホスホナイト、ジ-n-ヘキシルフェニルホスフィン、ジ-n-ヘキシルホスホネート、ジメチルアリルホスホナイト、ジメチルn-ブチルホスホナイト、ジメチルt-ブチルホスホナイト、ジメチルシクロヘキシルホスホナイト、ジメチルドデシルホスフィン、ジメチル-n-ヘキシルホスフィン、ジメチル-n-ヘキシルホスフィンオキシド、ジメチルn-オクタデシルホスホネート、ジメチル-n-オクチルホスフィン、ジメチル-n-オクチルホスフィンオキシド、ジメチルフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィンオキシド、ジメチルホスホン酸、ジメチル-4-トルイルホスフィン、ジ-n-オクチルフェニルホスフィン、ジフェニレンフェニルホスフィン、ジフェニルエチルホスフィンオキシド、ジフェニル-n-ヘキシルホスフィン、ジフェニル-2-メトキシフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン酸、4,4-ジフェニルホスフィノビフェニル、ジフェニル-i-プロピルホスフィン、ジフェニル-n-プロピルホスフィン、ジフェニル-i-プロピルホスフィンオキシド、ジフェニル-m-トルイルホスフィン、ジフェニルビニルホスフィン、ジ-i-プロピルアリルホスホネート、ジ-i-プロピルシクロヘキシルホスホナイト、ジ-i-プロピルフェニルホスフィン、ジ-n-プロピルフェニルホスホナイト、ジ-i-プロピルホスファイト、ジ-n-プロピルn-プロピルホスホネート、ジビニルフェニルホスフィン、エチルジエチルホスフィネート、エチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィナイト、1,2-エチレンビス、エチレン-ビス-フェニルホスフィン、1,2-エチレンジホスホン酸、エチリデンジホスホン酸、1-エチル-3-メチル-3-ホスホレン-1-オキシド、エチルホスホン酸、4-エチル-2,6-7-トリオキサ-1-ホスファビシクロ2.2.2.オクタン、n-ヘキシルホスフィン、n-ヘキシルホスホン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ホスホン酸、ヒドロキシメチルビサイクリックホスファイト、2-ヒドロキシフェニルジフェニルホスフィン、3-ヒドロキシプロピルジフェニルホスフィン、メチルジエトキシホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスファイト、メチルジ-i-プロピルホスフィナイト、メチレンビス、メチレンジホスホン酸、メチルメチル-n-ブチルホスフィナート、メチルメチルフェニルホスフィナート、メチルフェニルホスフィン酸、メチルアセテート、フェニルジメトキシホスフィン、フェニルホスフィン、フェニルホスフィン酸、フェニルホスホン酸、i-プロピルジシクロヘキシルホスフィン、i-プロピルジフェニルホスフィナイト、プロピレンジホスホン酸、n-プロピルホスホン酸、n-プロピルn-プロピルフェニルホスフィネート、テトラエチルブチレンジホスホネート、テトラエチルデカメチレンジホスホネート、テトラエチルメチレンジホスホネート、テトラエチルプロピレンジホスホネート、テトラメチルメチレンジホスホネート、テトラフェニルジホスフィン、テトラ-i-プロピルメチレンジホスホネート、テトラ-n-プロピルメチレンジホスホネート、テトラ-i-プロピルプロピレンジホスホネート、p-トルイルジフェニルホスフィン、トリアリルホスフィン、トリアリルホスフィンオキシド、トリアリルホスファイト、トリ-n-アミルホスフィン、トリ-n-アミルホスフェート、トリベンジルホスフィン、トリベンジルホスフィンオキシド、トリ-n-ブチルホスフィン、トリ-n-ブチルホスフィンオキシド、トリ-i-ブチルホスフィン、トリ-s-ブチルホスフィン、トリ-t-ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィンオキシド、トリシクロヘキシルホスファイト、トリシクロペンチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリエチルホスフィンオキシド、トリ-2-フリルホスフィン、トリ-n-ヘキシルホスフィン、トリホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリメシチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリメチルホスフィンオキシド、トリメチルホスファイト、トリホスフィン、トリ-ネオ-ペンチルホスファイト、トリ-n-オクチルホスフィン、トリ-n-オクチルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンオキシド、トリフェニルホスファイト、1-トリフェニルホスホラニリデン-2-プロパノン、トリ-n-プロピルホスフィン、トリ-n-プロピルホスフィンオキシド、トリ-n-プロピルホスファイト、トリ-i-プロピルホスフィン、トリ-i-プロピルホスフィンオキシド、トリ-i-プロピルホスファイト、トリス2-ジメチルアミノエチルホスファイト、トリスホスフィン、1,1,1-トリスエタン、トリスホスフィン、トリスホスフィン、トリスホスフィンオキシド、トリスホスフィン、トリスホスフィンオキシド、トリスホスフィン、トリスホスフィンオキシド、トリスホスフィン、トリスホスフィンオキシド、トリスホスフィン、トリスホスフィン、トリスホスフィン、トリスホスフィン、トリスホスフィン、トリスホスファイト、トリ-o-トルイルホスフィン、トリ-o-トルイルホスファイト、トリ-m-トルイルホスフィン、トリ-p-トルイルホスフィン、ビニルジフェニルホスフィンなどがある。[1.1.2.6.Si系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がSiであるSi系有機金属化合物には、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、ジアリルジフェニルシラン、ジエチルメチルシラン、ジフェニルメチルシラン、ジフェニルシラン、メチルトリアリルシラン、フェニルシランシラン、フェニルトリアリルシラン、フェニルトリメチルシラン、テトラアリルシラン、テトラメチルシラン、テトラビニルシラン、トリアリルシラン、トリエチルシラン、トリエチルビニルシラン、トリフルオロメチルトリメチルシラン、トリイソブチルシラン、トリイソプロピルシラン、トリメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、1--1-プロピン、トリフェニルシラン、トリフェニルビニルシラン、ビニルメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、ヘキサフェニルジシラン、テトラキスシラン、テトラフェニルジメチルシラン、トリスシラン、デカメチルテトラシロキサン、ジビニルテトラメチルジシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、テトラキスシラン、2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、ビニルトリスシラン、1,2-ビスベンゼン、ビスアセチレン、1,2-ビスベンゼン、1,4-ビスベンゼン、1,4-ビス-1,3-ブタジエン、1,1-ビス-1,3-ブタジエン、1,2-ビスシクロブテン、1,2-ビスエタン、1,1-ビス-3-メチル-1,3-ブタジエン、1,1-ビス-1-プロペン、トリスメタン、ビニルメチルビスシラン、ビニルトリスシラン、テトラブチルオルソシリケート、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、アリルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、3-グリキドキシプロピルトリメトキシシラン、3-ヘプタフルオロイソプロポキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、n-オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリエトキシビニルシラン、3-プロピルメタアクリレート、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリスシラン、2-カルボメトキシエチルジメトキシメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、アリルオキシトリメチルシラン、ジメチルメトキシ-n-プロピルシラン、エトキシトリメチルシラン、1-メトキシ-3--1,3-ブタジエン、プロパラギルオキシトリメチルシラン、2-プロペン、ビニルオキシトリメチルシラン、ジメチルトリメチルシリルホスファイト、エチルアセテート、メチルアセテート、シリコンアセテート、トリエチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、トリイソプロピルシリルトリフルオロメタンスルフォネート、トリメチルシリル-3-メチルブチレート、トリメチルシリルプロピオネート、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ビニルトリアセトキシシランモノマーなどがある。[1.1.2.7.Al系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がAlであるAl系有機金属化合物には、アクリル酸アルミニウム、アルミニウムn-ブトキシド、アルミニウムs-ブトキシド、アルミニウムt-ブトキシド、アルミニウムs-ブトキシドビス、アルミニウムシクロヘキサンブチレート、アルミニウムジ-s-ブトキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムジイソプロポキシジエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウム3-ヒドロキシ-2-メチル-4-ピロネート、アルミニウム8-ヒドロキシキノリネート、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムメタアクリレート、アルミニウム9-オクタデセニルアセトアセテートジイソプロポキシド、アルミニウム2,4-ペンタンジオネート、アルミニウムフェノキシド、アルミニウム2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート、ジエトキシシロキサン-s-ブチルアルミネートコポリマー、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、トリエチルアルミニウム、トリエチルジアルミニウム、トリスアルミニウム、ステアリン酸アルミニウム、12-ヒドロキシステアリン酸アルミニウム、モンタン酸アルミニウム、オクチル酸アルミニウム、などがある。[1.1.2.8.Nb系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がNbであるNb系有機金属化合物には、ニオビウムVn-ブトキシド、ニオビウムVエトキシド、ニオビウムIV2-エチルヘキサネート、ニオビウムオギザレートモノオギザレートアダクト、テトラキスニオビウムIVなどがある。[1.1.2.9.Bi系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がBiであるBi系有機金属化合物には、酢酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸ビスマス、ビスマスヘキサフルオロペンタンジオネート、ビスマスネオデカネート、ビスマスIIIt-ペントキシド、サリチル酸ビスマス、ビスマスIIIテトラメチルヘプタンジオネート、トリメチルビスマス、トリフェニルビスマス、トリスビスマスIIIなどがある。[1.1.2.10.Zn系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がZnであるZn系有機金属化合物には、1ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、ジフェニル亜鉛などのアルキル金属、2ヘキサフルオロアセチルアセトネート亜鉛二水和物、2,4-ペンタジオネート亜鉛水和物、2,26,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネートなどのジオネート、3N,N-ジメチルアミノエトキシド亜鉛、メトキシエトキシド亜鉛などのアルコキシド、4フタロシアニン亜鉛などのフタロシアニン、5プロトポルフィリン亜鉛、メソ-テトラフェニルポルフィリン亜鉛などのポルフィリン亜鉛化合物、6ギ酸亜鉛二水和物、酢酸亜鉛二水和物、プロピオン酸亜鉛、アクリル酸亜鉛、メタクリル酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ウンデシレン酸亜鉛、ミリスチン酸亜鉛、パルミチン酸亜鉛、ネオデカン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、12-ヒドロキシステアリン酸亜鉛、リシノール酸亜鉛、ベヘン酸亜鉛、モンタン酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p-t-ブチル安息香酸亜鉛、シクロヘキサンブチレート二水和物亜鉛塩、2-エチルヘキサン酸亜鉛、ウンデカン酸亜鉛、テレフタル酸亜鉛、2,4-ペンタジオン酸亜鉛、クエン酸亜鉛二水和物、シクロヘキサン酸亜鉛二水和物、グルコン酸亜鉛、ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオン酸亜鉛、乳酸亜鉛三水和物、シュウ酸亜鉛二水和物、フェノールスルホン酸亜鉛八水和物、サリチル酸亜鉛三水和物、p-トルエンスルホン酸亜鉛、トリフルオロ酢酸亜鉛水和物などのカルボン酸塩、7トリフルオロメタンスルホン酸亜鉛などのメタンスルホン酸塩、8ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、ペンタメチレンジチオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛などのカルバミン酸塩、ピリチオン亜鉛などがある。[1.1.2.11.Sn系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がSnであるSn系有機金属化合物には、アクリルオキシトリ-n-ブチルすず、アクリルオキシトリフェニルすず、アリル-n-ブチルすず、アリルトリメチルすず、アリルトリフェニルすず、ビスすず、ビスすず、ビスジメチルすず、ビスアセチレン、ビスアセチレンジカルボキシレート、ビスオキサイド、ビスオキサイド、ビスオキサイド、ビストリスすずオキサイド、n-ブチルすずヒドロキシドオキサイド、n-ブチルトリスすず、シクロペンタジエニエルトリn-ブチルすず、1,3-ジアセトキシ-1,1,3,3-テトラブチルすずオキサイド、ジアセトキシすず、ジアリルジ-n-ブチルすず、ジアリルジフェニルすず、ジ-n-ブチルビスすず、ジ-n-ブチルビスすず、ジ-n-ブチルビスすず、ジ-n-ブチルビスすず、ジ-n-ブチルジアセトキシすず、ジ-t-ブチルジアセトキシすず、ジ-n-ブチルジアクリル酸すず、ジ-n-ブチルジ-n-ブトキシすず、ジ-n-ブチルジフルオロすず、ジ-n-ブチルジラウリルすず、ジ-n-ブチルジメタアクリレートすず、ジ-n-ブチルジメトキシすず、ジ-n-ブチルジフェニルすず、ジ-n-ブチルジビニルすず、ジ-n-ブチルすず、ジ-n-ブチルジラウリルすずビス、ジブチルすずジアセテート、ジ-n-ブチルすずジハイドライド、ジ-n-ブチルすずオキサイド、ジエチルジメチルすず、ジエチルすずオキサイド、ジメチルジネオデカノエートすず、ジメチルジフェニルすず、ジメチルヒドロキシすず、ジメチルすずジフルオライド、ジメチルすずオキサイド、ジオクチルジラウリレートすず、ジオクチルジネオデカノエートすず、ジオクチルすず、ジオクチルすずオキサイド、トリフェニルすず、ジフェニールすずオキサイド、ジビニルジ-n-ブチルすず、1-エトキシビニルトリ-n-ブチルすず、エチルすず酸、エチルトリ-n-ブチルすず、ヘキサ-n-ブチルジすず、ヘキサメチルジすず、ヘキサフェニルジすず、メタアクリルオキシトリ-n-ブチルすず、メチルトリフェニルすず、フェニルエチニルトリ-n-ブチルすず、フェニルトリ-n-ブチルすず、i-プロピルトリメチルすず、ナトリウムすずエトキシド、テトラアセトキシすず、テトラアリルすず、テトラベンジルすず、テトラ-t-ブトキシすず、テトラ-n-ブチルすず、テトラシクロヘキシルすず、テトラエチルすず、テトライソプロポキシすずイソプロパノールアダクト、テトライソプロピルすず、テトラメチルジアセトキシスタノキサン、テトラメチルすず、テトラ-n-オクチルすず、テトラ-n-ペンチルすず、テトラフェニルすず、テトラ-n-プロピルすず、テトラ-i-プロピルすず、テトラ-p-トリルすず、テトラビニルすず、すずIIエトキシド、すずIIヘキサフルオロペンタンジオネート、すずIIメトキシド、シュウ酸すず、すずII2,4-ペンタンジオネート、すずIIフタロシアニン、すずIIタータレート、トリベンジルすずヒドロキシド、トリ-n-ブチルアセトキシすず、トリ-n-ブチルベンゾイルオキシすず、トリ-n-ブチルエトキシすず、トリ-n-ブチルフルオロすず、トリ-n-ブチルメトキシすず、トリ-n-ブチルメチルすず、トリ-n-ブチルすず、トリ-n-ブチルすずハイドライド、トリシクロヘキシルすずフルオライド、トリシクロヘキシルすずヒドロキシド、トリエチルすずヒドロキシド、トリ-n-ブチルすず、トリメチルシリルトリ-n-ブチルすず、トリメチルすずフルオライド、トリメチルすずヒドロキシド、トリ-m-オクチルすずハイドライド、トリフェニルアセトキシすず、トリフェニルフルオロすず、トリフェニルヒドロキシすず、トリフェニルすず、トリ-p-トルイルヒドロキシすず、ビニルトリ-n-ブチルすずなどがある。[1.1.2.12.Sb系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がSbであるSb系有機金属化合物には、酢酸アンチモン、アンチモンIIIn-ブトキシド、アンチモンIII-エトキシド、アンチモンIII-メトキシド、メタクリルオキシジフェニルアンチモン、ポリ、トリ-n-ブチルアンチモン、トリフェニルアンチモン、トリビニルアンチモンなどがある。[1.1.2.13.Zr系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がZrであるZr系有機金属化合物には、ビスジメチルジルコニウム、ジメチルビスジルコニウム、ジメチルビスジルコニウム、ジルコニウムn-ブトキシド、ジルコニウムt-ブトキシド、ジルコニウムジ-n-ブトキシド、ジルコニウムジイソプロポキシドビス、ジルコニウムジメタアクリレートジブトキシド、ジルコニウムエトキシド、2-エチルヘキサン酸ジルコニウム、ジルコニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、ジルコニウムイソプロポキシド、ジルコニウムメタアクリレート、ジルコニウムメタクリルオキシエチルアセトアセテートトリ-n-プロポキシド、ジルコニウム2-メチル-2-ブトキシド、ジルコニウム2,4-ペンタンジオネート、ジルコニウムn-プロポキシド、ジルコニウムIVi-プロポキシド、ジルコニウム2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタジオネートジルコニウムトリフルオロペンタンジオネート、ジルコニウムトリメチルシロキサイド、ジルコニルジメタクリレート、ジルコニルプロピオネートなどがある。[1.1.2.14.Hf系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がHfであるHf系有機金属化合物には、ジメチルビスハフニウムIV、ハフニウムn-ブトキシド、ハフニウムt-ブトキシド、ハフニウムエトキシド、ハフニウム2,4-ペンタンジオネート、ハフニウムIVi-プロポキシドモノイソプロピレート、ハフニウムテトラメチルヘプタンジオネート、ハフニウムトリフルオロペンタンジオネートなどがある。[1.1.2.15.Ce系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がCeであるCe系有機金属化合物には、酢酸セリウム水和物、セリウムIVt-ブトキシド、2-エチルヘキサン酸セリウム、セリウムIII6,6,7,7,8,8,8-ヘプタフルオロ-2,2-ジメチル-3,5-オクタンジオネート、セリウムIVイソプロポキシド、セリウムIVメトキシエトキシド、シュウ酸セリウム9水和物、セリウムIII2,4-ペンタンジオネート含水塩、セリウムIV2,2,6,6-テトラメチルヘプタンジオネート、セリウムIIIトリフルオロアセチルアセトネート、トリスセリウム、トリスセリウム、シュウ酸セリウム水和物などがある。[1.1.2.16.La系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がLaであるLa系有機金属化合物には、酢酸ランタン水和物、ランタン6,6,7,7,8,8,8-ヘプタフルオロ-2,2-ジメチル-3,5-オクタンジオネート、ランタンイソプロポキシド、ランタンメトキシエトキシド、ランタン2,4-ペンタンジオネート水和物、2-エチルヘキサン酸ランタン、ランタン2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート、ランタントリフルオロメタンスルホネート、トリスランタン、トリスランタン、トリスランタン、トリスランタン、トリスランタンテトラグライムアダクト、ナフテン酸ランタン、シュウ酸ランタン水和物などがある。[1.1.2.17.Y系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がYであるY系有機金属化合物には、トリスN,N-ビスアミドイットリウム、トリスイットリウム、トリスイットリウム、トリスイットリウム、トリスイットリウム、トリスイットリウムトリグライムアダクト、酢酸イットリウム水和物、2-エチルヘキサン酸イットリウム、イットリウム6,6,7,7,8,8,8-ヘプタフルオロ-2,2-ジメチル-3,5-オクタンジオナート、イットリウムヘキサフルオロイソプロポキシドジアンモニアコンプレックス、イットリウムヘキサフルオロペンタンジオナート、イットリウムイソプロポキシド、イットリウムメタアクリレート、イットリウムメトキシエトキシド、イットリウムナフトエート、ネオデカン酸イットリウム、シュウ酸イットリウム水和物、イットリウム2,4-ペンタンジオネート、イットリウム2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート、イットリウムトリフルオロアセテート水和物などがある。[1.1.2.18.W系有機金属化合物の具体例]有機金属化合物を構成する金属元素がWであるW系有機金属化合物には、ビスジハイドライドタングステン、タングステンVエトキシド、タングステンIVエトキシド、タングステンIVフェノキシドなどがある。[1.1.3.有機溶媒]通常、誘電率の高い有機溶媒高誘電率溶媒中に溶解又は分散している添加剤有機金属化合物は、結果として水との相性が良い極性の高い親水性領域に濃化されやすい。また、単に添加剤と高分子電解質とを機械的に溶融混合しただけでは、添加剤を優先的に疎水性領域に濃化させることはできない。そこで、本発明においては、疎水性領域に優先的に添加剤が導入されるように、添加剤との親和性が良好であり、かつ、常温における誘電率が10以下である有機溶媒低誘電率溶媒を添加剤のキャリアとして使用する。常温における誘電率は、さらに好ましくは、5以下、さらに好ましくは、3以下である。また、高誘電率溶媒は、高分子電解質を溶解させる作用が大きい。そのため、高分子電解質と高誘電率溶媒とを高温で長時間接触させると、膜強度が低下したり変形する場合がある。これに対し、添加剤を導入するためのキャリアとして低誘電率溶媒を用いると、高分子電解質の強度低下や変形を抑制することもできる。低誘電率溶媒は、誘電率が低いことに加えて、以下のいずれか1以上の条件をさらに備えているものが好ましい。第1に、低誘電率溶媒は、取り扱いやすさの観点から、常温において液体であるものが好ましい。また、低誘電率溶媒は、乾燥加熱、減圧中に容易に揮発するものが好ましい。これらの点を考慮すると、低誘電率溶媒は、沸点大気圧下が50~250°Cの範囲にあるものが好ましい。第2に、低誘電率溶媒は、分子中にN、Sのような吸着力の高い元素を含まないものが好ましい。このような元素を含む溶媒を用いた場合、溶媒が少量でも電解質内に残留すると、触媒を被毒し、電池性能の低下が甚だしくなる。このような条件を満たす低誘電率溶媒としては、具体的には、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、これらの混合物である鉱油-ミネラルスピリッツ、テルペン類、ギ酸エステルなどのエステル類、エーテル類、フッ素系溶媒などがある。これらは、いずれか1種を用いても良く、あるいは、2種以上を組み合わせて用いても良い。低誘電率溶媒は、特に、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、テルペン類、ギ酸エステル及びフッ素系溶媒から選ばれるいずれか1以上が好ましい。これらは、いずれも構成元素としてC、H、O以外の元素例えば、NやSを持たないので、電解質内に残留しても溶媒及び溶媒の分解生成物による触媒元素の被毒は非常に小さい。また、溶媒内に不飽和結合を持つもの鎖式不飽和炭化水素、環式不飽和炭化水素、テルペン類と、シュウ酸エステルは、ラジカル及び過酸化水素を捕捉し、無害化する犠牲剤として働く。そのため、これらの溶媒は、電解質に残留したとしても、電解質を保護する働きがある。さらに、溶媒の中には、Ptイオンの配位子として働き、Ptイオンのフェントン活性を減じる作用があると考えられるものもある。このような溶媒としては、例えば、シメン、タキソールなどがある。後述する低誘電率溶媒の中でも、特に、ヘプタン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、デカリン、リモネン、シュウ酸ジエチル、パーフルオロヘキサンが好ましい。これらを添加剤のキャリアとして用いると、疎水性領域に添加剤を濃化させることができる。一般に、電解質に添加剤を導入する際の溶媒キャスト法、ゾルゲル法は誘電率が10以上であるアルコール、DMSO、DMF、N-メチルピロリドン等の極性溶媒が用いられている。従って、本発明に係る添加剤が本発明に例示した誘電率が10以下の有機溶媒と供に検出された場合には、電解質は本発明の製造方法によったものと推定することができる。[1.1.4.有機溶媒の具体例]以下に、有機溶媒の具体例及びその優劣について説明する。内には、HANDOBOOKofCHEMISTRYandPHYSICS84thEDITION20032004から採った誘電率を示した。[1.1.4.1.脂肪族炭化水素]メタノール330やエタノール253等の脂肪族短鎖アルコール系溶媒は、有機溶媒として不適当である。これらは、添加剤による耐久性向上が見られたとしても、誘電率が高すぎるため、添加剤の大部分が親水部に固定されてしまい、電池性能の低下が甚だしい。但し、アルコール類であっても、誘電率の低い4-オクタノールC8H18O448、4-デカノールC10H22O342等の誘電率が10以下の長鎖アルコールは、本発明に用いることができる。脂肪族長鎖アルコールの炭素数は、7以上が好ましい。アセトンC3H6O2101、メチルエチルケトンC4H8O1856等のケトン系溶媒、エチレングリコールモノエチルエーテルC4H10O21338等のグリコールエーテル系溶媒も高誘電率であり、水と相溶することから好ましくない。N-メチルピロリドンC5H9NO3255やN-メチルアセトアミドC3H7NO179、N,N-ジメチルホルムアミドC3H7NO3825等のアミド系溶媒、ジメチルスルホキシドC2H6OS4724等のスルホキシド系溶媒も、誘電率が高すぎるため、添加剤を疎水性領域に優先的に濃化できない。さらに、これらの高誘電率溶媒は、高分子電解質を溶解させる作用が大きいため、高分子電解質と接触させたときに、膜強度の低下や変形が生じやすい。また、アミド系溶媒やスルホキシド系溶媒は、分子中にNやSを含んでいるので、残留した溶媒が触媒を被毒しやすい。誘電率が低い脂肪族飽和炭化水素には、ペンタンC5H1218371、イソペンタンC5H121845、ネオペンタンC5H121769、n-ヘキサンC6H1418865、n-ヘプタンC7H1619209、オクタンC8H181948、2-メチルヘプタンC8H1819519、3-エチルヘキサンC8H1819617、2,2-ジメチルヘキサンC8H1819498、2,5-ジメチルヘキサンC8H1819619、3,3-ジメチルヘキサンC8H1819645、3,4-ジメチルヘキサンC8H1819814、3-エチル-3-メチルペンタンC8H18196、2,2,3-トリメチルペンタンC8H181960、イソオクタンC8H181943、2,3,3-トリメチルペンタンC8H181978、2,3,4-トリメチルペンタンC8H1819738、ノナンC9H2019722、デカンC10H2219853、ウンデカンC11H2419972、ドデカンC12H262012、トリデカンC13H2820213、テトラデカンC14H3020343、シクロペンタンC5H1019687、シクロヘキサンC6H1220243、シクロヘプタンC7H1420784、シクロオクタンC8H162116、及び、これらの混合組成物であるパラフィン油46~48などがある。誘電率が低い脂肪族不飽和炭化水素には、1-ペンテンC5H102011、1-ヘキセンC6H122077、1-ヘプテンC7H142.092などがある。誘電率が低い脂環式炭化水素には、テトラリンC10H12、デカリンC10H1822などがある。[1.1.4.2.芳香族炭化水素]誘電率が低い芳香族炭化水素には、ベンゼンC6H622825、トルエンC7H82379、o-キシレンC8H102562、m-キシレンC8H102359、p-キシレンC8H1022735、エチルベンゼンC8H10、o-ジエチルベンゼンC10H14、クメンC10H14、及び、これらの芳香族化合物からなる混合物シンナー、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素及び脂環式炭化水素の混合物である鉱油-ミネラルスピリッツ2~25、などがある。[1.1.4.3.テルペン類]テルペン類は、ヘミテルペン、モノテルペン、セスキテルペン、ジテルペンなどのいずれであっても良く、単環式、非環式、多環式のいずれであっても良い。誘電率が低いモノテルペンには、メンタンC10H20、d-リモネンC10H1623746、1-リモネンC10H1623738、フェランドレンC10H16、テルピノレンC10H1622918、テルピネンC10H1624526、シメンC10H142318などがある。誘電率が低い二環式モノテルペンには、カランC10H18、ツジャンC10H18、ピナンC10H1821456などがある。誘電率が低いセキステルペン、ジテルペンには、ゲラニルゲラニオール、フィトール、アビエチン酸、ピマラジエン、ダフネトキシン、タキソール、ピマール酸タキソールなどがある。融点が高いものは、低融点のモノテルペンと混合して使用すればよい。すなわち、これらのテルペン類は、単一成分でも良く、あるいは、これらの混合油いわゆる、テレビン油でも良い。また、これらは、カルボニル基やヒドロキシ基などの官能基を持つテルペノイド誘導体であっても良いが、低誘電率の観点からは、Oを含まないC、Hのみからなるテルペン系化合物が好ましい。例えば、環式モノテルペンの内、炭素数が10~13であるものは、十分な電解質への浸透性と、添加剤を含浸させた後の乾燥性とを併せ持つ。また、これらは、電解質を傷めることが少なく、その使用に際しての制約が少なく、より安全性が高い。一方、炭素数が9以下である場合、その分子の極性が大きくなることで、電解質との接触の際に電解質の傷みが多くなる。また、分子量が小さくなることで、引火点が下がり、取扱が困難となる。逆に、炭素数が14以上である場合、環式モノテルペンの分子量が大きくなり、十分な浸透性と、添加剤を含浸させた後の電解質の乾燥性を得ることができない。また、環式モノテルペンの分子量が大きくなることで、溶剤の生分解性が低下する。そのため、不要となった溶媒の処理が困難になることがある。環式モノテルペンの誘導体には、アルキル基、ビニル基、アルコキシ基、アルデヒド基などの一般的な官能基を付加したものがある。これらの内、極性がないアルキル基、ビニル基を持つ誘導体が好ましい。極性がないことにより、電解質を傷める事が少なく、高い浸透性をもって添加剤を疎水性領域に導入させることができる。p-メンタン類又はツジャン類は、炭素数が10~13の範囲内であり、液状であって取り扱いが容易であることや、皮膚への刺激が比較的少ないため健康上の問題が少ないことから、低誘電率溶媒として好適である。また、これらは、十分な浸透性と乾燥性とを併せ持つ。さらに、これらは、電解質との接触の際に電解質を傷めることが少なく、引火点が40°C以上と比較的高いため、その使用に際しての制約が少なく、より安全性が高い。また、水との分離が容易で、溶剤の再利用を簡単に行うことができる。p-メンタン類及びツジャン類の内、1引火点が40°Cで、水に不溶であるp-メンタン、2引火点が40°Cで、水に不溶であるリモネン、3引火点が51°Cで、水に不溶であるγ-テルピネン、又は、4これらの誘導体、は、添加剤の溶解性や浸透性と、安全性とのバランスが取れているので、低誘電率溶媒として好適である。低誘電率溶媒として好適なp-メンタン類、ツジャン類には、γ-テルピネンC10H1622738、d-リモネンC10H1623746、1-リモネンC10H1623738、テルピノレンC10H1622918、α-ピネンC10H1621787、β-ピネンC10H162497、α-テルピネンC10H1624526、β-ミルセンC10H1623、ピナンC10H1821456、シメンC10H142318などがある。低誘電率溶媒として好適な二環式モノテルペンには、カラン、ピナン21456、ボルナン、フェンカン、イソボルナン、イソカンファンなどがある。セキステルペン、ジテルペン、タキソール、セスタテルペン、ゲラニルファルネソール、トリテルペンなども低誘電率溶媒として用いることができる。[1.1.4.4.エーテル類]誘電率が低いエーテル類には、テトラヒドロフランC4H8O752、1,4-ジオキサンC4H8O222189、ジエチルエーテルC4H10O42666、ジプロピルエーテルC6H14O338、エチレングリコールジエチルエーテルDMEC6H14O273、ジエトキシメタンC5H12O225727、テトラメトキシエタンC5H12O4240、テルペン類でもあるユーカリプトールC10H18O457などがある。[1.1.4.5.エステル類]誘電率が低いエステル類には、1ギ酸プロピルC4H8O2692、酢酸エチルC4H8O260814、メチルプロパネートC5H10O262、コハク酸ジメチルC6H10O4719、酢酸イソアミルC7H14O2472、アジピン酸ジエチルC10H18O46109などのエステル、2シュウ酸ジエチルC6H10O48266、シュウ酸ジイソプロピルC8H14O46403、シュウ酸ジブチルC10H18O4などのシュウ酸エステル、3ジメチルカーボネートDMCC3H6O33087、ジエチルカーボネートDECC5H10O3282などの炭酸エステル、などがある。[1.1.4.6.フッ素系溶媒]フッ素系溶媒フルオラス溶媒は、以下のような特徴を有する溶媒である。1対応する炭化水素系溶媒よりも誘電率が低く、添加剤有機金属化合物の溶解度が高い。例えば、ヘプタンC7H14の誘電率は1.9209であるのに対し、パーフルオロヘプタンC7F14の誘電率は1.847である。2沸点が低く、溶媒の水に対する溶解度が小さい回収しやすい。3難燃性であり、安全対策に要する経費が少ない。フッ素系溶媒は、単位容量当たりの単価は高価であるが、繰り返しリサイクルして使用できるため、総合的に見ると経済的である。フッ素系溶媒は、C-HのすべてがC-Fに置き換わったパーフルオロ化合物である必要はなく、部分的にC-Fに置換した溶媒でも良い。但し、溶媒内にCl、Br、Iのハロゲンを含むものは、残留溶媒から遊離したハロゲンイオンが吸着被毒の素となり、電池性能低下が起きることがある。また、オゾン破壊係数が大きく、環境負荷も大きいため、F以外のハロゲン元素は含まない方が良い。低誘電率のフッ素系溶媒には、1-フルオロペンタンC5H11F3931、2H,3H-デカフルオロペンタンC5H2F10、オクタフルオロシクロペンテンC5F8、ヘキサフルオロベンゼンC6F62029、フルオロベンゼンC6H5F5465、パーフルオロヘキサンC6F14176、テトラデカフルオロ-2-メチルペンタンC6F14、m-ジフルオロベンゼン501、パーフルオロメチルシクロヘキサンC7F14182、パーフルオロヘプタンC7F161847、トリフルオロメチルベンゼンC7H5F3922、o-フルオロトルエンC7H7F423、m-フルオロトルエンC7H7F541、p-フルオロトルエンC7H7F588、オクタフルオロトルエンC7F8、オクタデカフルオロオクタンC8F18、パーフルオロC8F16、パーフルオロC8F16O、1,3-ビスベンゼンC8H4F6598、1-フルオロオクタンC8H17F389、エイコサフルオロノナンC9F20、オクタデカフルオロデカヒドロナフタレンC10F18などがある。これらは、沸点が150°C未満であり、溶媒回収のコストを抑えることができる。これらのフッ素系溶媒は、表面張力が小さいので、疎水性領域の電解質の奥深くまで添加剤を浸透させることができる。この利点は、種々の界面活性剤F系界面活性剤を含むを溶剤に添加して、疎水性領域に添加剤を浸透させる場合よりも遙かに大きい。一般に、界面活性剤分子は分子量が大きく、高沸点化合物である。そのため、細孔内に一端吸着すると、完全に除去するのが困難であり、触媒を被毒し、電池性能の低下が甚だしくなる事が多い。一方、本発明においては、低誘電率の吸着率の弱い低沸点溶媒F系溶媒を含むを用いている。そのため、大気中乾燥、真空乾燥、水洗浄、あるいは、水蒸気洗浄を施せば、電解質から容易に溶媒を除去することができ、電池性能を低下させることがない。なお、添加剤の種類によっては、F系溶媒への溶解度が極めて小さいか、あるいは、分散性が悪い場合がある。そのような場合には、一端、非F系の低誘電率溶媒に添加剤を溶解又は分散させた後、F系の低誘電率溶媒を添加するか、あるいは、F系の低誘電率溶媒と非F系の低誘電率溶媒の混合溶媒を用いると良い。混合溶媒を用いる場合、F系溶媒と非F系溶媒の重量比は、1:99~60:40とするのが好ましい。F系溶媒の重量割合が少なすぎると、F系溶媒の添加効果はほとんど無い。一方、F系溶媒の重量割合が過剰になると、添加剤の溶解度や分散性が低下し、均一な添加剤溶液を得るのが困難となる。[1.1.5.添加剤溶液の組成]添加剤溶液中の有機金属化合物の濃度が低すぎると、電解質中に導入された金属化合物の濃度が低くなり、耐久性向上作用が見られない。従って、添加剤溶液中の有機金属化合物の濃度は、金属含有量として0.01wt以上が好ましい。一方、添加剤溶液中の有機金属化合物の濃度が高すぎると、電解質中に導入された金属化合物の濃度が高くなりすぎ、電解質の導電性が低下したり、あるいは、電解質が脆化する場合がある。従って、添加剤溶液中の有機金属化合物の濃度は、金属含有量として1.0wt以下が好ましい。[1.2.添加剤溶液による処理]次に、固体高分子電解質を添加剤溶液に接触させる。両者を接触させると、添加剤溶液が固体高分子電解質の疎水性領域に優先的に導入される。[1.2.1.固体高分子電解質]本発明が適用される固体高分子電解質は、1C-H結合を含み、C-F結合を含まない炭化水素系電解質2C-H結合とC-F結合の双方を含む部分フッ素化炭化水素系電解質、3C-F結合を含み、C-H結合を含まないパーフルオロ系電解質、のいずれであっても良い。また、固体高分子電解質は、一般に、C-F又はC-H構造体からなる疎水性領域と、末端若しくは側鎖にエーテル結合、スルホン酸基、カルボン酸基、ホスホン酸基等を導入した、極性が高い親水性領域とを備えている。本発明が適用される固体高分子電解質は、1相対的に低分子量の疎水性領域と、相対的に低分子量の親水性領域とが交互に共重合した交互共重合体2相対的に低分子量の疎水性領域と、相対的に低分子量の親水性領域とがランダムに共重合したランダム共重合体、3相対的に高分子量の疎水性領域と、相対的に高分子量の親水性領域とが共重合したブロック共重合体、のいずれであっても良い。固体高分子電解質は、十分な水分が存在する時には、親水性領域と疎水性領域とが明瞭に区別できる、いわゆる相分離構造を取ることが知られている。一方、低湿度状態ドライ環境では、特に疎水性領域の化学的安定性が低下し、主鎖の切断が起こりやすくなるとも言われている。本発明は、フッ素系電解質に比べて過酸化水素やラジカルに攻撃されやすい炭化水素系電解質に特に有効である。また、疎水性ブロック強度と耐水性とを確保する部分と、親水性ブロックイオン導電性と水移動性とを確保する部分とがランダム又は規則的に並んだブロックコポリマーは、疎水性ブロックの過酸化水素やラジカルに対する安定性が十分でないことが多い。そのため、これに対して本発明を適用すると、顕著な効果が得られる。特に、固体高分子電解質が、炭化水素系ポリマー部分フッ素化炭化水素系ポリマーを含むからなる疎水性ブロックと、炭化水素系ポリマー又はフッ素系ポリマーからなる親水性ブロックとがランダム又は規則的に並んだブロックコポリマーである場合、その効果はさらに顕著となる。[1.2.2.接触方法]固体高分子電解質と添加剤溶液との接触方法には、1膜形成前に、固体高分子電解質と多量の添加剤溶液とを混合し、混合液を金属、PET、PTFE、セラミックスなどの基体の上に注ぎ、有機溶媒を加熱除去するキャスト成型法、2膜形成前に、固体高分子電解質と少量の添加剤溶液とを混練し、混練物を押し出し、フィルム状に成型する押し出し成型法、3成型された固体高分子電解質膜を添加剤溶液に浸漬し、又は、固体高分子電解質膜に添加剤溶液をスプレー塗布、インクジェット印刷、スピンコート印刷、転写印刷等により接触させる膜後付添加法、などがある。本発明においては、いずれの方法を用いても良い。しかしながら、一般に固体高分子電解質や有機金属化合物は、低誘電率溶媒への溶解性が不十分なことが多い。そのため、接触方法には、押し出し成型法又は膜後付添加法を用いるのが好ましい。なお、有機溶媒の種類によっては、高温かつ長時間の固体高分子電解質との接触は、電解質の過度の膨潤や溶解を引き起こし、電解質膜のモルフォロジーの変化による導電率低下や機械的強度の低下を招くため、注意が必要である。添加剤溶液と固体高分子電解質の接触温度は、室温が好ましく、接触時間は、数分~数時間が好ましい。[1.2.3.固体高分子電解質の前処理含水前処理、乾燥前処理]後述するように、添加剤溶液を固体高分子電解質に浸透させた後、有機金属化合物を水分に対して安定化加水分解縮合、又は、イオンに分解させるための処理を行う。固体高分子電解質に水分が含まれている場合、この安定化反応は、固体高分子電解質が添加剤溶液に接触した時点から始まる。この反応には、固体高分子電解質に含まれる水と、固体高分子電解質のイオン交換基から放出されるプロトンが関与する。有機金属化合物が水との反応性の低いものである場合、固体高分子電解質に水分が含まれていたとしても、室温付近での反応速度は遅く、水分の供給も不十分な場合が多い。そのため、単に添加剤溶液で処理した固体高分子電解質と水又は水溶液とを接触させるだけでは、有機金属化合物の安定化が十分に進行しないことが多い。しかしながら、添加剤溶液と接触させる前に、予め固体高分子電解質を水で膨潤させておく含水前処理と、後述する水若しくは水溶液による処理時に安定化反応を促進させることができる。また、固体高分子電解質を予め水で膨潤させると、親水性領域が水で満たされる水で蓋をされるため、親水性領域への添加剤溶液の侵入を抑制することができる。すなわち、プロトン伝導性や水移動性に関与する親水性領域のダメージを抑え、結果として電池性能の低下を抑制することができる。含水の方法は、特に限定されるものではなく、種々の方法を用いることができる。含水方法としては、具体的には、1硝酸マグネシウム等の無機塩を水に飽和溶解度以上に溶かした水溶液を入れた密閉容器湿箱に電解質を静置する方法、2恒温恒湿槽に電解質を入れ、平衡含水状態にする方法、3電解質に水蒸気スプレーを噴射する方法、4電解質を水槽にディッピングさせる方法、などがある。一方、ある種の有機金属化合物例えば、遷移金属アルコキシドやアルキル金属は、不安定で、大気中の水分と急激に反応する。このような有機金属化合物と、水分を含んだ固体高分子電解質とを接触させると、発熱による電解質のふくれや、有機金属化合物導入量の不均一化を起こしやすい。このような場合には、予め電解質を十分に真空乾燥してから、低露点の不活性ガスを流したグローブボックスやガスカーテンで仕切られた場所で、添加剤溶液と接触させるのが好ましい。なお、金属ジオネート、金属フタロシアニン、金属ポルフィリン、カルボン酸塩、メタンスルホン酸塩、金属シクロペンタジエニル化合物メタロセン、及び、カルバミン酸の多くは、一般に室温下では水に対して安定である。そのため、これらの有機金属化合物を用いる場合には、電解質の乾燥前処理、及び、ドライボックスやドライルーム内での取り扱いは、必ずしも必要ではない。[1.2.4.固体高分子電解質の後処理乾燥後処理]固体高分子電解質と添加剤溶液を接触した後、後述する水又は水溶液による処理の前に、添加剤溶液に含まれる低誘電率溶媒を除去する乾燥後処理を行っても良い。乾燥後処理を行うことによって、大気中の水分が固体高分子電解質に侵入しやすくなり、有機金属化合物の安定化を促す場合がある。また、有機金属化合物の融点以上の温度で加熱すると、低誘電率溶媒が除去されるだけでなく、有機金属化合物粒子が電解質内部で溶融し、均一に分散するリフロー処理。その結果、少量の有機金属化合物の使用で、耐久性を向上させることができる。[1.3.水又は水溶液による処理]固体高分子電解質と添加剤溶液とを接触させた後、固体高分子電解質を、水又は固体高分子電解質の過酸化水素耐性を向上させる作用があるカチオンを含む水溶液に接触させる。両者を接触させると、主として固体高分子電解質の疎水性領域において、有機金属化合物が安定化される。また、水溶液を用いて処理を行った場合、親水性領域にカチオンが導入される。水又は水溶液による処理は、いずれか一方のみを行っても良く、あるいは、双方を行っても良い。また、双方を行う場合、いずれを先に行っても良い。ここでいう処理とは、単なる室温による純水を用いたすすぎとは異なり、以下で示す様な安定化作用を目的としたものである。[1.3.1.処理方法]水又は水溶液で電解質を処理する主たる目的は、不安定な有機金属化合物を水との平衡状態で十分に安定化加水分解縮合、又は、イオンに分解させることにある。また、水又は水溶液による処理は、不要な有機溶媒の除去を行うためにも行われる。有機溶媒としてある種の低誘電率溶媒を用いた場合において、有機溶媒の除去が不十分であると、電極が有機溶媒で被毒して電池性能が低下したり、あるいは、燃料電池運転中の排水のCODが増加し、悪臭が発生することがあるため、注意が必要である。また、水又は水溶液で処理した場合であっても、現実には、一部の溶媒は治具に付着する等して、電解質から完全に除去できない場合が多い。そのため、本発明においては、有機溶媒として、触媒被毒原因となるS、Nを構成元素としない低誘電率溶媒を用いるのが好ましい。通常、残留溶媒の許容量は、1wt以下であり、さらに好ましくは、1000ppm以下である。一方、有機溶媒の種類によっては、残留溶媒が過酸化水素の犠牲剤やラジカル捕捉剤、あるいは、機械的特性の改良剤可塑剤として働くこともある。このような機能を有する有機溶媒としては、例えば、ギ酸エステル、テルペン類、不飽和結合を含むオクテン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶剤などがある。この場合、有機溶媒の残留量は、1000ppm近くであっても良い。有機金属化合物の加水分解が、室温の大気圧下での吸着水分量で不十分な場合、電解質の温水中への浸漬や、水蒸気による蒸気洗浄例えば、加圧水蒸気洗浄を行う。この過程で、添加した有機金属化合物が安定化すると同時に、不要な有機溶媒を除去することができる。温水浸漬処理においては、複数の浸漬槽で浸漬処理を行い、できるだけ固体高分子電解質から、不要な溶媒及び未含浸の有機金属化合物を洗い流すことが好ましい。[1.3.2.処理液]有機金属化合物の安定化処理で使用する際の処理液は、脱イオン交換水や超純水が好ましいが、固体高分子電解質の過酸化水素耐性を向上させる作用があるカチオンを含む水溶液であっても良い。このような作用を有するカチオンとしては、具体的には、アルカリ金属イオン、アルキルアンモニウムイオン、ホスホニウムイオン、イミダゾリウムイオン、アルカリ土類金属イオンなどがある。また、基本骨格が丈夫なF系電解質においては、カチオンとして、遷移金属イオンや、Ce3、Ce4のような希土類金属イオンを用いることができる。処理液として、所定のカチオンを含む水溶液を用いると、電解質の疎水性領域に適量の有機金属化合物が導入されると同時に、親水性領域にも適量のカチオンが導入され、電解質の化学的耐久性が大きく向上する。処理液として用いる水溶液のpHは、有機金属化合物の安定化加水分解反応が十分進行し、かつ、沈殿生成した無機化合物が電解質から溶出しないように、弱酸性pH3~弱塩基性pH9に保つことが好ましい。一般に、有機金属化合物の加水分解反応は、中性の水よりも酸又は塩基が含まれた水溶液で促進される。従って、これらの弱酸性又は弱塩基性の水溶液で加水分解反応を行うことにより、工程短縮が図られる。[1.3.3.無機化合物又はカチオンの導入量]例えば、有機金属化合物に含まれる金属元素が亜鉛である場合、有機金属化合物を電解質に導入した後、水又は水溶液で処理すると、有機金属化合物が加水分解して酸化亜鉛、水酸化亜鉛若しくは亜鉛イオンとなり、水に安定化な形となって電解質に固定される。この時、添加剤溶液による処理条件、及び、水又は水溶液による処理条件を制御すると、電解質に導入される無機化合物又は金属イオンの量を制御することができる。なお、有機金属化合物が所定の金属元素を含む中鎖カルボン酸塩である場合、水又は水溶液による処理を行わなくても、安定な形で電解質に固定することができる。一般に、有機金属化合物に由来する無機化合物又は金属イオンの導入量が多くなるほど、電解質の耐久性が向上する。このような効果を得るためには、無機化合物又は金属イオンの導入量は、金属元素に換算して20ppm以上が好ましい。一方、無機化合物又は金属イオンの導入量が過剰になると、電解質の機械的性質が低下し、電解質が脆化しやすくなる。また、過度に電解質の親水性が増して水移動性を阻害し、電池性能が低下しやすい。従って、無機化合物又は金属イオンの導入量は、金属元素に換算して20000ppm以下が好ましい。また、所定のカチオンを含む水溶液を用いて安定化処理を行うと、電解質の過酸化水素やラジカルに対する耐性が、水で処理した場合よりも向上する。しかしながら、電解質の酸基をイオン交換する割合が過剰になると、かえって電池性能を低下させる。従って、水溶液中のカチオンで酸基をイオン交換する場合、その割合は、酸基の20mol以下が好ましい。イオン交換の割合は、さらに好ましくは、酸基の5mol以下である。なお、水溶液で処理した場合、電池性能の低下を防ぐため、水溶液で処理した後、電解質に残った対アニオンや未反応のカチオンを純水で洗浄して除去するのが好ましい。[2.無機-有機複合固体電解質の作用]固体高分子電解質は、含水状態では、疎水性領域と親水性領域が明確に分離した相分離構造を呈していると言われている。この場合、電極反応で生成した過酸化水素やラジカルは、専ら親水性領域に偏在している。そのため、過酸化水素耐性を向上させる作用を有する各種添加剤を水や短鎖アルコールのような極性の高い溶媒に溶解させ、これと電解質とを接触させると、添加剤は、専ら親水性領域に濃縮される。その結果、親水性領域に偏在する過酸化水素やラジカルを効率よく分解又は捕捉することができる。しかしながら、固体高分子電解質が乾燥状態になると、親水性領域に偏在していた過酸化水素やラジカルの一部が疎水性領域に漏れ出す。極性の高い溶媒を用いて添加剤を添加した場合、疎水性領域には添加剤がほとんど導入されないので、漏れ出した過酸化水素やラジカルによって、疎水性領域において高分子鎖の切断が起こりやすくなる。この傾向は、疎水性領域が炭化水素系ポリマー部分フッ素化炭化水素系ポリマーを含むからなるブロックコポリマーの場合に顕著となる。これに対し、有機金属化合物を低誘電率溶媒に溶解させた添加剤溶液と固体高分子電解質とを接触させ、次いで固体高分子電解質と水とを接触させると、ドライ環境下においても優れた過酸化水素耐性を有する無機-有機複合固体電解質が得られる。これは、1有機金属化合物を溶解させる溶媒として低誘電率の有機溶媒を用いることにより、有機金属化合物が固体高分子電解質の疎水性領域に優先的に導入されるため、及び、2水との接触によって、疎水性領域内で有機金属化合物が安定化されるため、と考えられる。また、このような添加剤溶液と固体高分子電解質とを接触させ、次いで過酸化水素耐性を向上させる作用があるカチオンを含む水溶液とを接触させると、さらに優れた過酸化水素耐性を有する無機-有機複合固体電解質が得られる。これは、1疎水性領域に有機金属化合物が優先的に導入されることによって、疎水性領域の過酸化水素耐性が向上するため、及び、2これと同時に、親水性領域にある酸基のプロトンの一部がカチオンでイオン交換されることによって、親水性領域の過酸化水素耐性が向上するためと考えられる。実施例1~53、比較例1~13[1.試料の作製]各種有機金属化合物を各種有機溶媒に、濃度0.02モル/L金属濃度:約0.1wtとなるように溶解させた。この添加剤溶液25gに、過酸化水素暴露用の炭化水素系電解質膜を室温×2hrの条件下で浸漬した。浸漬後、電解質膜を80°C×2hrの条件下で真空乾燥した。次に、添加剤溶液で処理した電解質膜に対し、1純水を用いた80°C×2hr×4回の温水洗浄実施例1~8、10~53;最終pHは5.3~6.5、又は、2トリブチルメチルホスホニウムカーボネート水溶液濃度は、膜酸基の2を置換するに等しい量で、pH7.8を用いた80°C×2hrの加水分解80°C×2hr×3回の純水すすぎ実施例9、を行った。その後に膜を引き上げ、80°C×2hr真空乾燥した後、膜を過酸化水素蒸気暴露試験に供した。また、比較として、1有機金属化合物及び有機溶媒に代えて、水溶性金属塩及び水を用いた添加剤溶液に浸漬しただけの電解質膜比較例1、11、2有機金属化合物をエタノールに溶解させた添加剤溶液に浸漬した後、80°C×2hr×4回の純水すすぎを行った電解質膜比較例2~5、7、3有機金属化合物を有機溶媒に溶解させた添加剤溶液に浸漬した後、水又は水溶液による処理を行わなかった電解質膜比較例6、8、4有機金属化合物をアセトンに溶解させた添加剤溶液に浸漬した後、80°C×2hr×4回の温水洗浄処理を行った電解質膜比較例9、5有機金属化合物を水に溶解させた添加剤溶液に浸漬した後、80°C×2hr×4回の温水洗浄処理を行った電解質膜比較例10、6有機金属化合物を含まない溶媒に浸漬しただけの電解質膜比較例12、7入手のままの電解質膜比較例13、も試験に供した。[2.試験方法][2.1.過酸化水素暴露試験]外径120φ、内径90φのポリテトラフルオロエチレンPTFE製暴露容器4台に、それぞれ、PTFE製の内容積500mLの蒸発器を接続し、これらを恒温槽に置いた。パイプ及び継ぎ手は、すべてPTFE製とした。ガスが通過する恒温槽の外にあるフッ素樹脂パイプは、結露しないように、リボンヒーターで105°Cに加熱した。暴露容器の下流側には、それぞれ、暴露容器から排出される酸性ガス成分及びH2O2蒸気を回収するための蒸気回収容器を接続した。蒸気回収容器は、回収率を上げるために、断熱材で囲まれた氷浴中に沈めた。湿度コントロール用のN2ガスをニードルバルブ付きの流量計4台を通して、各蒸発器に送った。N2流量は、0.3L/minとした。過酸化水素水は、テルモ社製の60mLのポリエチレンPE製注射器とKDScientific社製シリンジポンプを用いて、外径2φのPTFEチューブを通して各蒸発器内部に滴下した。送液速度は、0.12mL/minとした。過酸化水素水の濃度は3wt、送液量と時間は36mL/5hrとした。試料の炭化水素系電解質膜60mm×60mm□は、PTFE製の網2枚で挟んで、100°Cに加熱した暴露容器内部に固定した。次いで、蒸発器で過酸化水素水を蒸発させ、N2ガスをキャリアとして、蒸発させたガスを暴露容器に所定時間供給した。試料を通過したガスを、超純水σ<0.1μScm1を100mL入れた内容積500mLのPE製容器にバブリングさせ、酸性ガス成分を捕集した。回収率は約95、回収液総量は約130mLであった。[2.2.評価][2.2.1.排水導電率]捕集された酸成分の量に対する指標として、回収液の導電率を簡易導電率系ハンナ製;PWT2317で調べた。[2.2.2.引張強さ及び破断伸び]過酸化水素蒸気暴露試験後の膜から幅5mm、長さ40mmの引張試験用試験片を切り出した。この試験片を用いて、チャック間距離12mm、速度10mm/minで引張試験を行った。試験後、引張強さ及び破断伸びを測定した。[3.結果][3.1.引張強さ及び破断伸び]表1及び表2に、結果を示す。表1及び表2より、以下のことがわかる。1実施例1、2は、比較例1に比べて、引張強度及び伸びが大きい。これは、添加剤溶液として金属塩水溶液を用いると、電解質の疎水性領域に添加剤が導入されにくくなり、ドライ環境下において疎水部が劣化しやすくなるのに対し、有機金属化合物を溶解させる溶媒として低誘電率溶媒を用いると、電解質の疎水性領域に添加剤が優先的に導入されるためと考えられる。2実施例4は、比較例2に比べて、引張強度及び伸びが大きい。これは、有機金属化合物を溶解する溶媒として低誘電率溶媒p-キシレンを用いることによって、有機金属化合物が疎水性領域に優先的に導入され、ドライ環境下における疎水性領域の劣化が抑制されたためと考えられる。この点は、実施例5、6と比較例3、4、実施例9と比較例5、及び、実施例15と比較例7の関係も同様である。3実施例9は、実施例8に比べて、機械的特性が高い。これは、水溶液で処理することによって、疎水性領域だけでなく、親水性領域も強化されたためと考えられる。4実施例12は、比較例6に比べて、引張強度及び伸びが大きい。これは、添加剤溶液に浸漬した後、温水洗浄処理を行うことによって、添加剤が疎水性領域に確実に固定されるためと考えられる。5実施例44は、比較例8~9に比べて、引張強度及び伸びが大きい。これは、有機金属化合物を溶解させる溶媒として低誘電率溶媒を用いることによって、疎水性領域に優先的に有機金属化合物が導入されるため、及び、添加剤溶液との接触後に温水洗浄処理をすることによって、添加剤が疎水性領域に確実に固定されるためと考えられる。[3.2.排水導電率]比較例6の排水導電率は12.4μScm1であったのに対し、実施例12では8.2μScm1であった。すなわち、温水洗浄処理を行わないと、イオン性の排出物が多くなり、電池性能が低下することが予想される。実施例54~59、比較例14[1.試料の作製]電解質膜として、親疎水共重合体である炭化水素系ブロックコポリマーを用いた。以下、低誘電率溶媒としてペンタンを用いた以外は、実施例1と同様にして、各種有機金属化合物の電解質膜への導入、及び、電解質膜の温水洗浄処理を行った。比較として、未処理の膜比較例14も試験に供した。[2.試験方法]実施例1と同様にして、過酸化水素蒸気暴露試験及び引張試験を行った。[3.結果]表3に、結果を示す。表3より、実施例54~59のいずれも、未処理の比較例14に比べて、劣化が抑制されていることがわかる。実施例60、比較例15~16[1.試料の作製]大きさ60×60mm、厚さ30μmのパーフルオロ系電解質膜を用意した。膜は、室温大気中湿度約50に一晩放置し、大気中で平衡含水状態とした。翌日、p-キシレンに0.02gの2-エチルヘキサン酸セリウムを溶かした50gの添加剤溶液容器はPFA製に膜を1枚入れ、室温で2hr浸漬した。その後、膜を引き上げ、ろ紙に挟み、80°C×2hr真空乾燥処理を行い、溶媒を揮発させた。膜へのCe化合物の添加量は、0.12wtであった。膜酸基がCe3で置換されている場合、この添加量は、膜酸基の約2に相当する。次に、PFA容器に入れた超純水100mLに膜を浸漬し、80°C×2h温水洗浄処理を4回行い、残渣溶媒及び不要のイオンを除去した。その後、膜を引き上げ、ろ紙に挟み、80°C×2hrの真空乾燥処理を行った。この膜をさらに、Pt2イオンリン酸水素アンミン錯体を240μg溶解した水溶液に80°C×8hr浸漬し、Pt2イオンを膜酸基のプロトンとイオン交換した。その後、80°C×2hr温水洗浄処理を4回行い、80°C×2hrの真空乾燥処理を行った。比較として、1硝酸セリウム水溶液を用いて膜酸基の2をCe3でイオン交換した後、Pt2溶液による処理を行った電解質膜比較例15、及び、2Ce塩処理をしていない入手のままの膜を、同様にPt2溶液により処理した電解質膜比較例16、も試験に供した。[2.試験方法H2/Air暴露試験]H2/Air暴露試験は、温度:95°C、加湿器温度:両極とも72°C湿度40、ガス流量:H2、Airともに0.1L/分、背圧:両極とも0.1MPaとした。内面フッ素樹脂被覆したSUS製容器に超純水50gを入れた。その中に両極から排出されるガスをバブリングし、電気導電率及びF濃度を24hr毎に調査した。試験前の超純水の導電率は、0.1μScm1以下であった。[3.結果]表4に、結果を示す。比較例15の場合、96hr後の導電率は、水素側132μScm1F濃度2.5ppm、空気側96μScm1であった。また、比較例16の場合、96hr後の導電率は、水素側192μScm1F濃度3.6ppm、空気側144μScm1F濃度3.0ppmであった。これに対し、実施例60の場合、96hr後の導電率は、水素側25μScm1F濃度0.4ppm、空気側32μScm1F濃度0.5ppmであった。実施例61、比較例17[1.試料の作製]電解質膜として、親疎水共重合体である炭化水素系ブロックコポリマーからなる膜を用い、低誘電率溶媒としてペンタンを用い、添加剤として2エチルヘキサン酸亜鉛を用いた以外は、実施例1と同様にして、無機-有機複合固体電解質膜を作製した。比較として、未処理の膜を試験に供した比較例17。[2.試験方法]実施例60と同様にして、H2/Air暴露試験を行った。[3.結果]表5に、結果を示す。表5より、実施例61は、比較例17に比べ、排水の導電率が大幅に低下していることがわかる。以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改変が可能である。"