抵抗発熱体と熱電対温度計を用いた温度制御により1600~1900°Cの熱処理を可能とする半導体基板の熱処理装置であって、抵抗発熱体と熱電対温度計との構成金属の主成分が共通である熱処理装置。毎分100°C以上の温度上昇を可能とする請求項1記載の熱処理装置。複数の面を有する屈曲したプレート型金属発熱体が筒型に配置され、その内側に高融点材料で形成された加熱室を有する請求項1又は2記載の熱処理装置。屈曲したプレート型金属発熱体が3面に屈曲している請求項3記載の熱処理装置。加熱室がSiCチューブで形成されている請求項3記載の熱処理装置。しかしながら、上述の高周波加熱を用いる熱処理装置では、基板を高温領域に留める治具の構造上、一度に熱処理できる基板が4~8枚に制限されるので、処理基板の量産性が劣る。また、従来、熱処理装置における温度制御は、多くは、放射温度計で基板の温度を測定することにより行われていたが、放射温度計は測定対象とする物質によって熱放射の放射率が異なるので、他の温度測定方法によって校正曲線を求めておかなくてはならず煩雑である。また、放射温度計は測定対象物の表面状態の影響を大きく受け、測定ポートの汚れによっても正確な温度を測定することが困難となる。これに対し、放射温度計に代えて熱電対温度計を使用することが考えられるが、高周波加熱装置で熱電対温度計を使用すると、誘導による自己加熱やノイズにより正確に温度を測定することができない。そこで、加熱方法を高周波加熱から抵抗加熱とすると、自己加熱の問題は解消するが、イオン注入後の活性化熱処理では温度の上昇速度と降下速度が大きいため、例えば、セラミックヒータを加熱手段とし、イリジウムロジウム合金を用いた熱電対温度計を用いると、粒界により熱電対がぼろぼろになって切れてしまう。以上の従来技術の課題に対し、本発明は、温度1600~1900°Cへの急速な温度上昇を可能とする加熱手段と、急速な温度上昇と温度降下を繰り返しても精確に温度計測をすることができる温度計を備え、一度に熱処理できる基板の枚数が多く、SiC基板のイオン注入後の熱処理を量産性よく行うことのできる熱処理装置を提供することを目的とする。本発明者は、熱処理装置における加熱方法を抵抗加熱とし、その温度制御に熱電対温度計を用いるにあたり、抵抗加熱を担う発熱体と熱電対の各々の構成金属の主成分を共通にすると、双方に適した雰囲気も共通になるので、温度の急激な上昇と降下を繰り返すにあたり、最適の熱処理条件を設定しやすくなり、精確な熱制御を維持できる熱処理装置を構成できることを見出した。即ち、本発明は、抵抗発熱体と熱電対温度計を用いた温度制御により1600~1900°Cの熱処理を可能とする半導体基板の熱処理装置であって、抵抗発熱体と熱電対温度計との構成金属の主成分が共通である熱処理装置を提供する。本発明の熱処理装置によれば、抵抗加熱を行う抵抗発熱体と、該抵抗発熱体と主成分を共通にする熱電対温度計を用いて基板の熱処理の温度制御を行うので、温度1600~1900°Cへの急速な温度上昇が可能となり、また、急激な温度上昇と温度降下を繰り返しても、熱処理を精確に温度制御することができる。このため、SiC基板のイオン注入後の熱処理を良好に行うことができる。加えて、一度の熱処理で数十枚の基板を処理することができるので、基板の熱処理を量産性よく行うことができる。以下、図面を参照しつつ本発明を具体的に説明する。図1は、本発明の一実施例の熱処理装置1の縦断面図であり、図2はそのX-X断面図である。この熱処理装置1は、SiC基板2にイオン注入後の活性化処理を行う装置であって、20枚以上のSiC基板2を同時に載置することのできる縦型ボート3、高融点材料例えばSiCで形成されたチューブ型容器以下、SiCチューブという4、SiCチューブ4内の上部領域に形成された加熱室5にボート3を挿入あるいは引き出す搬送装置6、加熱室5の周囲を囲むように筒型に配置された抵抗発熱体7、抵抗発熱体7とSiCチューブ4との間に先端部が配置された第1の熱電対温度計8a、加熱室5内に先端部が配置された第2の熱電対温度計8bを備えている。筒型に配置された抵抗発熱体7の外側はタングステンモリブデン合金からなる反射板11で囲まれている。抵抗発熱体7としては、より具体的には、3つの面に屈曲したプレート型発熱体が3個用いられ、これら3個の屈曲したプレート型発熱体7a、7b、7cが、加熱室5を形成するSiCチューブ4の外周を囲んで筒型を形成している。この場合、図2に示すように、筒状体の横断面は略正12角形をなし、3個の屈曲したプレート型発熱体7a、7b、7cで略正12角形の9辺が占められている。また、3個の屈曲したプレート型発熱体7a、7b、7cに対応して3本のヒータ電極9とその導入管10が設けられている。複数のプレート型発熱体を筒型に配置するにあたり、加熱室5の横断面の均熱性の点からは、その横断面において、発熱体で円が形成されるようにすることが好ましいが、例えば、外径145mm以上、より好ましくは145~185mmのSiCチューブ4に対して、辺数6以上の正多角形が形成されるようにプレート型発熱体を配置することで、十分に横断面の均熱性を確保することができる。また、複数のプレート型発熱体を筒型に配置するにあたり、必ずしも全周が発熱体で占められるようにする必要はなく、個々のプレート型発熱体同士に間隙をあけて配置してもよいが、発熱体が存在しない領域が多すぎると加熱室5の温度を1600~1900°Cへ急速に昇温させることができない。そのため、例えば、複数のプレート型発熱体で辺数12以上の正多角形を形成する場合に、辺数の34以上が発熱体で占められるようにすることが好ましい。したがって、3つの矩形面を連続させた屈曲したプレート型発熱体7a、7b、7cを3個用い、これらで略正12角形が形成されるようにした本実施例の抵抗発熱体7は、加熱室5の均熱性に優れている。さらに、プレート型発熱体を、それらで横断面が多角形の筒型が形成されるように配置するにあたり、隣り合う複数の面、より好ましくは2~4個の側面を連続させた屈曲したプレート型発熱体を使用すると、発熱体のトータルの個数を減らし、発熱体の製造コストを低減させることができるのでより一層好ましい。これに対し、タングステン製の抵抗発熱体としては、従来、メッシュで筒型に成形したものが知られているが、本実施例のように、屈曲したプレート型発熱体を筒型に配置して発熱体とすることにより、発熱体の加工コストを15~20低減させることができる。なお、プレート型発熱体に代えて棒状発熱体を筒型に配置することも考えられるが、電極の本数が増え、加熱室5の外套の加工や構造が複雑になるので好ましくない。一方、この熱処理装置1は、第1の熱電対温度計8a、第2の熱電対温度計8bとして、上述のプレート型発熱体7a、7b、7cと主成分を共通にするタングステンレニウム合金熱電対レニウム5、26を備えている。したがって、この熱処理装置1は、還元雰囲気での高温使用が可能となる。また、この熱処理装置1によれば、高周波加熱によらず、抵抗加熱と熱電対温度計により加熱制御を行うため、繰り返し熱処理を行っても、1900°Cに対して±1°C以内の加熱精度を維持することが可能となる。従来の高周波加熱と放射温度計との組み合わせで加熱室を加熱する場合、約±10°C程度の誤差があるので、本実施例の熱処理装置1によれば、温度の制御精度が非常に改善されていることがわかる。この熱処理装置1は、雰囲気調整手段として、加熱室5を形成しているSiCチューブ4内にアルゴン、窒素などの不活性ガスを導入するガス導入管12と、SiCチューブ4からの排気を行うガス排気管13を有し、SiCチューブ4の下方は、オーリング15を介して石英板16で閉じられている。なお、SiCチューブ4内の加熱室5の下方には、加熱室5を保温するためにダミープレート14が載置され、さらに下方領域は、SiCチューブ4を冷却するために、内部に水が通されるサブチャンバー17で囲まれている。また、反射板11の外側には、ステンレス製の水冷管18が設けられている。この熱処理装置1は、次のように使用される。加熱室5の温度300°C以下で、ボート3に載置した基板2を、搬送装置6を動かすことにより加熱室5内に挿入し、アルゴン等の不活性ガスをガス導入管12を通してSiCチューブ4の上端部から導入し、酸素、水分をSiCチューブ4の下端部からガス排気管13を通して排気する。次に、抵抗発熱体7によって急速加熱し、加熱室5内を1600°C以上に昇温させ、数分間おいて熱処理を完了し、加熱室5を冷却する。図3は、この場合の加熱室5の内側と外側の温度変化の一例である。このようにこの加熱装置によれば、毎分100°C以上、好ましくは毎分200°C以上という急速な温度上昇が可能となる。したがって、基板内の不純物を拡散させることなく、イオン注入後の熱活性化処理を行うことができる。