ガラス蓋基板と、キャビティ付きガラス基板と、いずれかの基板に実装された光センサ素子とを備え、ガラス蓋基板とキャビティ付きガラス基板とが接合された構造であることを特徴とする光センサ装置。前記キャビティ付きガラス基板のコーナーに、分割されて露出したスルーホール電極が設けられた構造であることを特徴とする請求項1記載の光センサ装置。前記スルーホール電極が、対向する2辺に設けられた構造であることを特徴とする請求項2記載の光センサ装置。前記キャビティ付きガラス基板が遮光ガラスからなることを特徴とする請求項1~3のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。前記ガラス蓋基板が、フィルター機能を有していることを特徴とする請求項1~4のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を所定のパターンに形成する工程と、前記導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、ガラス蓋基板と前記ガラス基板とを接着剤で接合する工程と、接合された前記ガラス基板及び前記ガラス蓋基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を含む光センサ装置の製造方法。ガラス蓋基板の片面に導電膜を形成する工程と、前記ガラス蓋基板に形成された導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を形成する工程と、前記ガラス基板に形成された導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記ガラス蓋基板と前記ガラス基板を、導電粒子を添加した接着剤で接合する工程と、接合された前記ガラス基板及びガラス蓋基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を含む光センサ装置の製造方法。前記ガラス基板を切断する工程が、ダイシング法であることを特徴とする請求項6又は7に記載の光センサ装置の製造方法。前記ガラス基板を切断する工程が、超音波切断法であることを特徴とする請求項6又は7に記載の光センサ装置の製造方法。そこで本発明は、信頼性が高く且つ小型で低コストの光センサ装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の光センサ装置は、ガラス蓋基板と、分割されて露出したスルーホール電極を外周部に有するキャビティ付きガラス基板と、いずれかの基板に実装された光センサ素子とを備え、ガラス蓋基板とキャビティを有するガラス基板とが接合された構造にした。また、前記分割されて露出したスルーホール電極をコーナー部に設けた。また、前記分割されて露出したスルーホール電極を対向する外周の2辺に設けた。また、前記キャビティ付きガラス基板に遮光性のあるガラスを用いた。また、前記ガラス蓋基板にフィルター機能を有するガラスを用いた。また、複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、ガラス蓋基板と前記キャビティを有する基板を接着剤で接合する工程と、前記接合されたガラス基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を備えることにした。また、ガラス蓋基板の片面に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記ガラス蓋基板とキャビティを有する基板を、導電粒子を添加した接着剤で接合する工程と、前記接合されたガラス基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を備えることにした。また、前記ガラス基板を切断する工程に、ダイシング法を用いた。また、前記ガラス基板を切断する工程に、超音波切断法を用いた。本発明の光センサ装置は、光センサ素子をガラスで完全に密閉することができ、また、ガラス材だけからなるパッケージ構造であるため膨張係数の差がなく、非常に信頼性の高いパッケージが得られる。さらに、分割されて露出したスルーホール電極を用いることによってパッケージサイズを小型化でき、製造時の取個数アップによる低コスト化が可能になる。したがって、コスト、信頼性にともに優れた光センサ装置を提供することができる。本発明の光センサ装置は、ガラス蓋基板と、分割されて露出したスルーホール電極を外周部に有するキャビティ付きガラス基板と、いずれかの基板に実装された光センサ素子とを備え、ガラス蓋基板とキャビティを有するガラス基板とが接合された構造からなる。実施例1以下、図に基づいて本実施例の光センサ装置の構成を説明する。図1は本実施例を示す模式図であり、図1aはその平面図、bは図1aの一点鎖線XYで切断したときの断面図、cは裏面図である。図1bのガラス基板2以下ガラス蓋基板2は、センサに合わせた特性を有する光フィルター10が設けられている。たとえば照度センサの場合は視感度補正曲線に合わせた光フィルターが使われ、屈折率の異なる金属酸化膜の多層膜をガラス基上に成膜したり、顔料を添加した樹脂をコーティングすることによって光フィルター機能をもたせることができる。また、リン酸塩系ガラス等ガラス基板2自体にフィルター機能をもたせれば、フィルター10を除去することができる。ガラス基板9以下キャビティ基板9は、キャビティ13と、4分割された貫通穴17をコーナーに有しており、貫通穴にはスルーホール電極5、キャビティ内には実装用電極8、キャビティ反対面には接続用の外部電極7が設けられている。これら電極は配線電極6を介して接続している。外部電極7の形状は図1cに一例を図示してあり、実装用電極8、配線電極6の形状は図1aに一例を図示してあるが、電極5~8が導通されていれば、特に形状は問わない。また、図1は4端子のセンサを例にした場合であり、3端子であればコーナーのいずれかの電極を削除できるし、5端子以上の場合は、いずれかの辺に2分割されたスルーホール電極を追加すればよい。図1bのキャビティ基板9のキャビティ部13には、光センサ素子3がダイボンディング剤12によって固定されており、センサ素子3と実装用電極8間はワイヤー4によって電気的導通がとられている。ガラス蓋基板2とキャビティ基板9は、図1bのように接着剤21を介して接合されている。接着剤は熱硬化型、UV硬化型、UV熱硬化型のいずれでも使用できる。ガラス蓋基板2とキャビティを有するガラス基板9によって囲まれている光センサ素子3は密閉された中空状態とすることができる。この結果、光センサ素子3では樹脂モールドによって封止された構造などで発生する素子へのストレスは無く、信頼性を高いものとすることができる。また、分割したスルーホール電極を用いているため、パッケージサイズを小さくすることができ、パッケージコスト低減が図れる。実施例2図2は本実施例を示す模式図であり、図2aはその平面図、bは図2aの一点鎖線XYで切断したときの断面図、cは裏面図である。図2bのガラス基板2以下ガラス蓋基板2は、光フィルター10と実装用電極14が設けられている。センサ素子3はたとえばAuバンプ15を介して実装用電極14にフリップチップボンディングされている。実装用電極14の形状は図2aに図示しているが、センサ素子のフリップチップボンディング部とガラス基板9の配線電極6をつなぐ形状になっていれば、このとおりである必要はない。ガラス基板9以下キャビティ基板9は、キャビティ13と、4分割された貫通穴17をコーナーに有しており、貫通穴にはスルーホール電極5、キャビティ面側には配線電極6、キャビティ反対面には接続用の外部電極7が設けられている。外部電極7の形状は図2cに一例を図示してあり、実装用電極14、配線電極6およびスルーホール電極5の形状は図2aに一例を図示してあるが、電極5~7が導通されていれば、特に形状は問わない。また、図2は4端子のセンサを例にした場合であり、3端子であればコーナーのいずれかの電極を削除できるし、5端子以上の場合は、いずれかの辺に2分割されたスルーホール電極を追加すればよい。ガラス蓋基板1とキャビティ基板9は、図2bのように導電粒子添加の接着剤10を介して接合されており、実装用電極14と配線電極6は接着剤11の導電粒子を介して電気的に接続されている。接着剤は熱硬化型、UV硬化型、UV熱硬化型のいずれでも使用できる。実施例1と同様に、ガラス蓋基板2とキャビティを有するガラス基板9によって囲まれている光センサ素子3は密閉された中空状態とすることができるため、信頼性を高い光センサ装置を提供することができる。また、本実施例ではフリップチップボンディングによる実装を用いているため、ワイヤボンディングエリアが不要になり、分割したスルーホール電極と併せて、よりパッケージサイズの小型化が可能になり、さらなるパッケージコスト低減が図れる。実施例3図3は本実施例を示す模式図であり、図3aはその平面図、b図3aの一点鎖線XYで切断したときの断面図、cは裏面図である。図3bのガラス基板2以下ガラス蓋基板2は、光フィルター10と実装用電極14が設けられている。センサ素子3はたとえばAuバンプを介して実装用電極14にフリップチップボンディングされている。ガラス基板9以下キャビティ基板9は、キャビティ13と、2分割された貫通穴17を対抗する2辺に有しており、貫通穴にはスルーホール電極5、キャビティ面側には配線電極6、キャビティ反対面には接続用の外部電極7が設けられている。外部電極7の形状は図2cに一例を図示してあり、実装用電極14、配線電極6およびスルーホール電極5の形状は図3aに一例を図示してあるが、電極5~7が導通されていれば、特に形状は問わない。また、図3は4端子のセンサを例にした場合であり、3端子であればいずれかのスルーホール電極を削除できるし、5端子以上の場合は、いずれかの辺に2分割されたスルーホール電極を追加すればよい。ガラス蓋基板1とキャビティ基板9は、図3bのように導電粒子添加の接着剤11を介して接合されており、実装用電極14と配線電極6は接着剤11の導電粒子を介して電気的に接続されている。本実施例では、2分割したスルーホール電極を対抗する2辺に設けることにより、スルーホール電極のない辺の面積を最小化でき、更なる小型化によるパッケージコスト低減が図れる。実施例4図4は本実施例の光センサ装置の製造工程を模式的に示す断面図および平面図である。<成型工程>図4aおよびbは、成形工程を示す断面図であり、図4b’は平面図である。図4aのガラス基板を加工し、図4bおよびb’に示すキャビティ13及び貫通穴17を有するキャビティ基板9形成する。加工方法としては、高温下でガラスを軟化させて所定の型形状に成形するいわゆる成型法や、サンドブラスト法、ドリル等が挙げられる。コスト面からは成形法が望ましいが、成形法でキャビティを形成し、貫通穴はドリルで加工するなど複数の工程を組み合わせても良い。<導電膜形成工程>図4cは、キャビティ基板9に導電膜16を成膜した状態を示している。成膜にはメッキ法や、スパッタリング法が挙げられるが、コストや貫通穴17への成膜性からメッキ法が好ましい。メッキ法では、ガラス表面の粗面化、触媒活性化等の処理後、無電解Niメッキで下地メッキを行い、その上に電解メッキでAu膜等を形成するのが一般的である。<パターニング工程>図4dは、導電膜16をスルーホール電極5、配線電極6、外部電極7および実装用電極14にパターニングした状態を示している。パターニングは、電極を残したい領域にフォトリソ法でレジスト膜を残し、ついで電極をエッチングすることにより行う。キャビティ底面へのパターニングが難しい場合は、インクジェット法でナノ金属インクを所定の形状に塗布し、焼成することによって導電膜を形成することも可能である。<素子実装工程>図4eは、光センサ素子3をキャビティ底面にダイボンディングし、ついで光センサ素子の電極と実装用電極14をワイヤー4でワイヤボンディングした状態を示している。ワイヤボンディングはAu、AlやCuワイヤー等が利用できる。<接合工程>図4fは、光フィルター10を有するガラス蓋基板2に接着剤11を塗布した状態を示している。塗布方法としては、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷やディスペンサーによる塗布等があり、パッケージ仕様によって使い分けすることができる。また接着剤11には、エポキシ系、アクリル系等の接着剤が使用できる。図4gは、ガラス蓋基板2とキャビティ基板9を接合した状態を示しており、接着剤11が塗布されたガラス蓋基板2とキャビティ基板9をアライメントし、加圧しながら高温下もしくはUV照射して接着剤を硬化させることによって得られる。<切断工程>図4hは、キャビティ基板9側から見た接合後の平面図であり、破線m-l、m’-l’、m-l、h-i、h’-i、h-iに沿って切断することにより、図4iの光センサ装置1を得ることができる。ガラスの切断方法としては、超硬刃によるスクライブ法、レーザーカット法、ダイシング法、超音波切断法等が挙げられるが、本発明では貫通穴部を切断する必要があるため、ダイシング法か超音波切断法が望ましい。特に超音波切断法はガラスの切断に適しており、ダイシング法より短時間での加工が可能であり、切断面の品質でも優れている。本は発明の製造方法によれば、簡便な工程で光センサ素子をガラスで密閉した中空状態の中に実装することができ、従来の樹脂モールドによって封止された構造などで発生する素子へのストレスが全くない、高信頼性の光センサ装置を提供することができる。また、スルーホール電極を切断によって分割するため、無駄になるエリアがなく、パッケージサイズの小型化と併せてパッケージ取個数を最大化し、大幅なコスト低減を実現できる。また、分割したスルーホール電極を用いているため、パッケージサイズを小さくすることができ、パッケージコスト低減が図れる。実施例5図5は本実施例の光センサ装置の製造工程を模式的に示す断面図および平面図である。<導電膜形成工程1>図5aは、光フィルター10上に導電膜16を成膜したガラス蓋基板2の断面図を示している。平坦な基板上への成膜であるため、導電膜はメッキ法、蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法のいずれでも可能であるが、この導電膜はフリップチップボンディング用の電極としても使用するため、密着性が高く平坦性の優れている真空製膜法によってCrAu、NiAu等の多層膜が適している。<パターニング工程1>図5bは、導電膜16をパターニングし、実装用電極14を形成したガラス蓋基板2の断面図を示している。パターニングはフォトリソ法を用いることにより容易に電極14を形成することができる。他の方法としては、インクジェット法でナノ金属インクを所定の形状に塗布し、焼成することによって導電膜を形成してもよい。この場合は導電膜形成工程とパターニング工程を同時に行うことができる。<素子実装工程>図5cは、光センサ素子3を実装用電極14にフリップチップボンディングした状態を示している。フリップチップボンディングは、あらかじめ光センサ素子にバンプを形成しておき、熱や超音波で実装用電極14と接合させることができる。バンプ材料としてはAuやハンダ等が挙げられるが、バンプを使わずに導電粒子を含む樹脂で接合させることもできる。<導電膜形成工程2>図5dは、実施例4と同様の工程で形成されたキャビティ13、貫通穴17および導電膜16を有するキャビティ基板9の断面図である。<パターニング工程2>図5eは、導電膜16をスルーホール電極5、配線電極6および外部電極7にパターニングした状態を示している。パターニングは、実施例4と同様に行うことができる。<接合工程>図5fは、キャビティ基板9に接着剤11を塗布した状態を示している。塗布方法としては、実施例4と同様に行うことができるが、本実施例ではガラス蓋基板2の電極14とキャビティ基板9の配線電極6を電気的に接続する必要があるため、接着剤にあらかじめ導電粒子を添加しておく。導電粒子としては、Auボール、Wボール等の金属ボールや、プラスチックボールにNiやAuをメッキした導電粒子を用いることができる。図5gは、ガラス蓋基板2とキャビティ基板9を接合した状態を示しており、接着剤11が塗布されたキャビティ基板9とガラス蓋基板2をアライメントし、加圧しながら高温下もしくはUV照射して接着剤を硬化させることによって得られる。<切断工程>図4hは、ガラス蓋基板2側から見た接合後の平面図であり、破線m-l、m’-l’、m-l、h-i、h’-i、h-iに沿って切断することにより、図4iの光センサ装置1を得ることができる。ガラスの切断方法としては、実施例4と同様に行うことができる。本発明の製造方法によれば、フリップチップボンディングによる実装を用いているため、ワイヤボンディングエリアが不要になり、分割したスルーホール電極と併せて、よりパッケージサイズの小型化が可能になり、さらなるパッケージコスト低減が図れる。