"光伝送路を保持するための保持穴を有する光伝送路保持部材であって、前記光伝送路保持部材の前記保持穴の一方の開口が位置する第1の面に長手方向の少なくとも一部が露出するように埋め込まれた電気リードを有し、該電気リードの両端面の少なくとも一方が前記第1の面に隣接する第2の面に露出してなることを特徴とする光伝送路保持部材。前記電気リードの端面の露出部が、該電気リードを外部に電気接続する接続端子となっていることを特徴とする請求項1記載の光伝送路保持部材。前記電気リードの前記第1の面に露出した部分及び前記電気リードの端面の露出部に、金属メッキが施されていること特徴とする請求項1又は2記載の光伝送路保持部材。前記光伝送路保持部材がガラスフィラーを含む樹脂材料からなり、前記電気リードがCu,Cu合金,42アロイ,若しくはインバー材からなり、前記金属メッキがNi,Au,AgSn,AuSn,SnAgCu,SnZnBi,SnAgIn,SnBiAg,SnPbのうちの1つによる単層又は組み合わせによる多層からなることを特徴とする請求項3記載の光伝送路保持部材。前記電気リードは、前記第1の面内で前記開口の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の光伝送路保持部材。前記電気リードの前記第2の面に沿った断面形状が、第1の面の埋め込み表面部よりも埋め込み深部の方で広がった部分を有することを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の光伝送路保持部材。前記電気リードが長手方向に対して部分的な窪み部を有し、該窪み部が前記第1の面に露出していないことを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の光伝送路保持部材。光伝送路と、該光伝送路を保持するための保持穴を有する光伝送路保持部材と、光半導体素子と、を具備した光モジュールであって、前記光伝送路保持部材の前記保持穴の一方の開口が位置する光素子搭載面に長手方向の少なくとも一部が露出するように埋め込まれた電気リードを有し、該電気リードの両端面の少なくとも一方が前記光素子搭載面に隣接する面に露出してなり、前記電気リードの前記光素子搭載面に露出した部分が前記光半導体素子の電極に接続されていることを特徴とする光モジュール。前記電気リードの端面の露出部が、前記光半導体素子を駆動する駆動素子に電気接続されていることを特徴とする請求項8記載の光モジュール。しかしながら、特許文献1に記載の構造によれば、実装基板の実装面に対して光ファイバを平行に配置するためには、光伝送路保持部材の光半導体素子を搭載する主面の電気配線を、主面から側面にかけて3次元的に形成する必要がある。そのため、電気配線の製造過程に3次元的なプロセスが介在することとなり、工程の煩雑化及びコストアップを招くという問題があった。また、特許文献1に記載の構造では、電気配線は光伝送路保持部材の外面に沿ってL字状に形成され、側面で電気接続を行うため、ボンディングを行った場合に、電極の下地となる伝送路保持部材の基材が直接ボンディングによる内側への歪みを受ける。一方、光伝送路保持部材を安価に製造するために、樹脂を基材とすることが有効であり、多くの製品に採用されている。この場合、基材が樹脂であるためにボンディングによる応力で電極下の基材が内側にめり込むように歪むため、安定したボンディングが困難になると共に、最悪の場合、電極自体が歪みで断線するといった問題があった。本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、光半導体素子と光ファイバ等の光伝送路とを安価に直接光結合させることが可能で、光素子搭載面と実装面との3次元的な電気配線を安定して、且つ容易に実現し、光ファイバと実装基板が平行に配置可能な光伝送路保持部材及びそれを用いた光モジュールを提供することにある。本発明の一態様は、光伝送路を保持するための保持穴を有する光伝送路保持部材であって、前記光伝送路保持部材の前記保持穴の一方の開口が位置する第1の面に長手方向の少なくとも一部が露出するように埋め込まれた電気リードを有し、該電気リードの両端面の少なくとも一方が前記第1の面に隣接する第2の面に露出してなることを特徴とする。また、本発明の別の一態様は、光伝送路を保持するための保持穴を有する光伝送路保持部材と光半導体素子とを具備した光モジュールであって、前記光伝送路保持部材の前記保持穴の一方の開口が位置する光素子搭載面に長手方向の少なくとも一部が露出するように埋め込まれた電気リードを有し、該電気リードの両端面の少なくとも一方が前記光素子搭載面に隣接する面に露出してなり、前記電気リードの前記光素子搭載面に露出した部分が前記光半導体素子の電極に接続されていることを特徴とする。以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係わる光伝送路保持部材の概略構成を示す斜視図である。図中の1は光伝送路保持部材であり、この保持部材1は光伝送路の保持穴2と電気リード3を有している。保持穴2は保持部材1を貫通して設けられ、主面光素子搭載面8上に光伝送路の光入出力端を露出させるための開口4を有している。光伝送路保持部材1は、例えば3~30μm程度のガラスフィラーを80程度混入したエポキシ樹脂を金型による射出成型で形成したものである。電気リード3は、例えばCu,Cu合金,42アロイ,若しくはインバー材からなり、表面にNi,Au,AgSn,AuSn,SnAgCu,SnZnBi,SnAgIn,SnBiAg,SnPbのうち何れか1つによる単層若しくは組み合わせによる多層からなるメッキが施されていてもよい。電気リード3は、光素子搭載面8上に光半導体素子を搭載するために少なくとも一部が露出している。また、電気リード3は高速信号引き出し用の信号用配線5と電源或いはGND用のコモン配線7とが交互に配列された構造となっていることが望ましく、これによって各信号配線間のクロストークが低減される。コモン配線7は、その両端面切断面が光素子搭載面8に隣接する側面32に露出して露出部31を形成している。さらに、信号用配線5の一方の端面も同様に露出部31を形成している。露出部31の表面は、メッキ処理されていても良い。メッキ金属は、例えばNi,Au,AgSn,AuSn,SnAgCu,SnZnBi,SnAgIn,SnBiAg,SnPbのうち何れか1つによる単層若しくは組み合わせによる多層からなっている。ここで、光伝送路保持部材1の側面32に露出する配線5,7の端面に、光半導体素子を駆動するための駆動素子がボンディング等により接続され、側面32と対向する別の側面に露出する配線7の端面が実装基板上にバンプ等を介して接続されることになる。このような構造により、特別の3次元的なプロセスを経ることなく、光素子搭載面8から側面32への擬似的な直交配線を形成することができ、光伝送路保持部材1を光伝送路と平行な面で実装することが容易となる。さらに、この構造により、側面32でのボンディングによる応力を、電気リード3の長手方向で受け止めることができるため、基材沈み込みによる断線やボンディング不良を生じない安定した3次元的な電気接続を実現することができる。上記の構造は、以下のようにして形成可能である。図2~図4を参照して説明する。図2において、10はCuなどからなるリードフレームであり、電気リード3のパターンが形成されている。パターン形成はエッチングでも打ち抜きによってもかまわない。好ましくは、エッチングにより形成することでリードフレーム10の断面に凹凸が形成されやすくなり、樹脂等にインサート成形した場合のアンカー効果が高い。最初は、電気リード3を成す信号用配線5及びコモン配線7は全てタイバー13により連結されている。また、電極パターンが微細になってくると電極幅が非常に狭くなり強度を確保するのが困難となるため、光伝送路保持部材1が形成される部位の直近に図2中の11に示したような補助的なタイバーで連結しておいてもよい。12は、リードフレーム10の位置合わせ穴である。ここでは、1つの光伝送路保持部材用のパターンのみを示したが、図で上下方向に同様のパターンがつながって形成されている。このリードフレーム10に、図2のように光伝送路保持部材1を位置合わせしてインサート成形する。成形は、フープを用いた連続した射出成形を用いることができる。成形後は、図3のようにリードフレーム10に光伝送路保持部材1が形成されたものが連なった構造となっている。これを、光伝送路保持部材1の外形に合わせてカットすることで光伝送路保持部材1の個片が作製される。その後、側面を研磨などすることでバリを取った後にAuなどのメッキを施して完成する。図4に光伝送路保持部材1の断面構造を示す。この図のように、信号用配線5は片側の切断面が、コモン配線7は両方の切断面が光伝送路保持部材1の側面に露出する構造となる。信号用配線5及びコモン配線7共に、リードフレーム10から光伝送路保持部材1の直近でカットされた後、バリ取りの目的で研磨などされる。この場合、配線5,7を形成する電気リード3と光伝送路保持部材1の基材との材料が異なるため、研磨速度に違いが生じ、研磨面は必ずしも平坦にはならない。また、研磨後にメッキを施すため、電極配線部分が側面よりも出っ張る傾向にある。そのため、側面を実装面としたときに平坦性が失われ傾斜する場合がある。そこで、予め光伝送路保持部材1の側面に段差図示せず:約50μm程度が好ましいを設けておいてもよく、研磨は段差の低い方の面で行うことにより、実装面の平坦性を確保できる。このように本実施形態によれば、光伝送路保持部材1の主面光素子搭載面8に電気リード3を埋め込み形成するだけで、光半導体素子を直接アセンブリ可能な安価な構造を実現することができる。そしてこの場合、光半導体素子を搭載する電気リードを光素子搭載面8から側面32にかけて3次元的に配線形成することなく、直線状の電気リード3を光素子搭載面8に埋め込みリード端を側面32に露出させるだけで、側面32に電極引出し用の電極パッドを設けることができる。このため、特別のプロセスを必要とせずに安価に光ファイバを実装面に対して平行に配置して実装することが可能となる。さらに、この構造により、側面32でのボンディングによる応力を、電気リード3の長手方向で受け止めることができるため、基材沈み込みによる断線やボンディング不良を生じない安定した3次元的な電気接続を実現することができる。第2の実施形態図5は、本発明の第2の実施形態に係わる光モジュールの概略構成を示す斜視図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。光伝送路保持部材1は第1の実施形態と同様に構成されている。この光伝送路保持部材1の光素子搭載面8上の電気配線3信号用配線5及びコモン配線7に、受発光面を開口4側に対向させるように光半導体素子14をAuスタッドバンプ図示せずなどによってマウントする。そして、保持穴2に光ファイバ15などを挿入固定することで光モジュール16を作製する。この構造により、光半導体素子を搭載する電気リードを光素子搭載面8から側面32にかけて3次元的に配線形成することなく、直線状の電気リード3を光素子搭載面8に埋め込みリード端を側面32に露出させるだけで、側面32に電極引出し用の電極パッドを設けることができる。このため、特別のプロセスを必要とせずに安価に光ファイバを実装面に対して平行に配置して実装した光モジュールをすることが可能となる。さらに、この構造により、側面32でのボンディングによる応力を、電気リード3の長手方向で受け止めることができるため、基材沈み込みによる断線やボンディング不良を生じない安定した3次元的な電気接続を実現することができる。図6は、本実施形態の光モジュールを実装基板に実装した場合を説明する斜視図である。図5に示す光モジュール16は実装基板17上にアセンブリされ、光モジュール16の側面に露出したリードを電極パッドとして利用し、直近におかれた光半導体素子駆動用IC18の電極パッド19とAuワイヤ20などで電気的に接続されている。このような構成をとることで、直交配線を立体的に形成したと同じ効果を得られるため、非常に小型で安価な光アッセンブリを形成することが可能である。また、より高速信号に対応可能な構造として、配線長を極力短くするためのフリップチップ実装を行った例を、図7に示す。実装基板17上に電気配線40が形成され、この電気配線40に各部材を接続されている。即ち、前記図5に示す光モジュール16は、その側面に露出した電気リード3の端面をバンプ42により電気配線40に接続することによりマウントされている。ここで、電気リード3にはバンプ43により光半導体素子14が予めマウントされている。また、光半導体素子駆動用IC18も同様に、バンプ41により電気配線40に接続することによりマウントされている。このような構成であれば、光半導体素子駆動用IC18と光半導体素子14との間に流れるアナログ信号のパスの長さを短くすることができるため、より高速な信号に対応することができる。第3の実施形態図8は、本発明の第3の実施形態に係わる光伝送路保持部材の概略構成を示す斜視図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。図中の1は光伝送路保持部材であり、光伝送路の保持穴2と電気配線3を有しており、光素子搭載面8上に光伝送路の光入出力端を露出させるための開口4を有している。光伝送路保持部材1は、エポキシ樹脂を金型による射出成型で形成したものであり、電気リード3は、例えばCuからなり表面にAuやSnAgといった半田メッキが施されていても良い。電気リード3は、光素子搭載面8上に光半導体素子を搭載するために少なくとも一部が露出している。また、電気リード3は高速信号引き出し用の信号用配線5と電源或いはGND用のコモン配線7とが交互に配列された構造となっている。ここまでの構成は第1の実施形態と同様であり、本実施形態ではこれに加えて、ダミー配線6が設けられている。即ち、光素子搭載面8側の開口4に対して信号用配線5に対向する位置にダミー配線6が形成されている。コモン配線7は、光素子搭載面8を図で上下方向に横切るように配線されており、従って開口4に対する非対称性を極力排除した配置となっている。このように本実施形態は、基本的には第1の実施形態と同様の構造であり、第1の実施形態と異なるのはダミー配線6を新たに設け、開口4に対して電気リード3の対称性を向上させたことにある。従って、第1の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、電気配線の配置により次のような効果が得られる。即ち、光伝送路保持部材1を形成する際の熱過程で光伝送路保持部材1の基材と電気リード3のメタルの熱膨張係数差に起因する応力が光伝送路の保持穴2の軸方向に直交する主面8の面内で対称とすることができる。従って、保持穴2の変形は軸対称となり少なくとも保持穴2の中心軸の面8内での相対位置のずれ量を極力小さくすることが可能な構造となっている。また、保持穴2の形状寸法の変形も軸対称となるので応力による変形の設計が非常に簡素化されるという利点がある。また、各電気配線5,6,7は、図9に示したように開口4の縁からの距離がなるべく等しくなるように、開口4に近接する部分を開口4の形状に合わせて円弧状に形成されていてもよい。この図9では、信号用配線5及びダミー配線6の方がコモン配線7よりも開口4に近い場合を示しており、より対称性を上げるためにコモン配線7から一部引き出す配線23を形成して、開口4からの距離が等しくなるようにしている。このようにすることで、熱過程における応力分布が上下方向と左右方向の対称性が高くなるため、保持穴2の歪みによる外形の変形をより抑えることが可能である。さらに、図10に示したように、信号用配線5及びダミー配線6の方がコモン配線7よりも開口4に遠い場合、コモン配線7の一部を窪ませた形状24とすればよい。この場合も同様に、熱過程における応力分布が上下方向と左右方向の対称性が高くなるため、保持穴2の歪みによる外形の変形をより抑えることが可能である。第4の実施形態図11は、本発明の第4の実施形態に係わる光伝送路保持部材の概略構成を示す斜視図であり、aは全体構成図、bは一部拡大図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。電気リードのピッチが微細化してくるにつれ、リード自身の幅も非常に狭くなってくる傾向にある。そのため、光伝送路保持部材1に埋め込む際の光伝送路保持部材1の基材に接触する面積が小さくなり、主面法線方向への引っ張り強度が不十分となる傾向にある。そこで本実施形態では、電気リードの断面を単なる矩形ではなく、多角形状にして主面法線方向への引っ張り強度を高めている。具体的には、電気リードの断面において、主面8での露出部の幅よりも光伝送路保持部材1の内部に埋め込まれた部分の幅を広くしている。即ち、電気リード3配線5,7の主面8に沿った断面形状が、埋め込み表面部よりも埋め込み深部の方で広がった部分を有する用にしている。このような構成であれば、電気リード3の露出部31は内部で幅が広く形成されているため、主面法線方向への引っ張り強度を強化することが可能である。このため、光伝送路保持部材1からの電気リード3の脱落を未然に防止することができ、信頼性の向上をはかることができる。なお、上記のような断面形状は、図2で示したような電気リード3を含んだリードフレームを形成する際に両面エッチングを行うことで容易に形成可能である。第5の実施形態図12は、本発明の第5の実施形態に係わる光伝送路保持部材の概略構成を示す断面図である。なお、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。基本的な構成は第1の実施形態と同様であるが、本実施形態ではこれに加えて、電気リード3が長手方向に対して部分的な窪み部33を有した構造となっている。このような構造によれば、窪み部33が光伝送路保持部材1の基材に食い込む形になり、主面に平行な方向への引っ張り強度を高めることができる。この構造は、電気リード3を形成する際に、一部にハーフエッチングを行うことで容易に形成可能である。電気リード3の窪み部33は、図13に示すように、保持穴2の開口4が位置する主面に露出する向きにあっても良い。この場合には、主面8に部分的に露出した電気リード3でパターンを形成することができる。そして、このパターンを光半導体素子のボンディングパターンと一致させておけば、この部分にのみ半田メッキすることができる。そしてこの場合、半田流れによるチップ位置ずれや短絡といった故障を未然に予防することが可能である。変形例なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、電気リードの切断面は光素子搭載面に隣接する側面と面一にしたが、電気リードが側面から外側に突出するようにしても良い。また、実施形態では、光伝送路として光ファイバを用いたが、光導波路を用いることも可能である。さらに、光伝送路保持部材の基材としての材料及び電気配線等の材料は、仕様に応じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。"