ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第1のガス拡散室と、前記第1のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から前記成膜ガスが導入される第2のガス拡散室と、を介して、前記第2のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から前記成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を2000Pa以上100000Pa以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の対向する電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。請求項1において、前記結晶核を成長させる時の前記処理室内の圧力が4000Pa以上50000Pa以下であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。ゲート電極を形成し、前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に請求項1または請求項2に記載の結晶性半導体膜の作製方法により結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。微結晶半導体膜は多数の結晶粒で構成されており、該結晶粒を大粒径化することで、微結晶半導体膜のキャリア移動度を向上させることができる。このような結晶粒は、まず、結晶核が生成し、該結晶核が成長することで形成される。そのため、結晶粒を大粒径化するには、結晶粒の核を被形成面上に均一に生じさせる必要がある。本発明の一態様は、結晶性半導体膜の結晶粒の結晶核を被形成面上に均一に形成することができる結晶性半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、均一性の高いプラズマを生成することが可能なプラズマCVD装置を用いた結晶性半導体膜の作製方法である。プラズマの均一性を向上させるためには、上部電極と下部電極の間の電界強度の時間平均、及び導入したガスの分布を均一にするとよい。本発明の一態様は、ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第2のガス拡散室と、前記第2のガス拡散室とガス管と対向する位置にはガス孔が設けられていない分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から前記成膜ガスが導入される第1のガス拡散室と、を介して、前記第1のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から前記成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を2000Pa以上100000Pa以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の対向する電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法である。なお、序数は便宜上付したものであり、第1のガス拡散室を第2のガス拡散室と呼んでもよいし、第2のガス拡散室を第1のガス拡散室と呼んでもよい。なお、前記構成の本発明の一態様である結晶性半導体膜の作製方法において、前記処理室内の圧力以外の条件は、前記対向する電極の間にグロー放電プラズマを生成させることが可能な条件であれば、特に限定されるものではない。前記構成の本発明の一態様である結晶性半導体膜の作製方法に用いるプラズマ処理装置は、上部電極と上部電極を覆うチャンバー壁が同軸形状であり、前記上部電極内のガス管を経て導入されたガスが、分散板と、シャワー板を経て処理室に導入される構成を有し、前記分散板が、前記上部電極内の前記ガス管と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部と、前記分散板中央部を囲い、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部と、を有していればよい。前記構成の本発明の一態様である結晶性半導体膜の作製方法は、上部電極の電極面と下部電極の電極面が対向し、チャンバー壁により覆われた処理室と、前記処理室とは前記上部電極と絶縁物により隔てられ、前記チャンバー壁と同一のチャンバー壁により覆われたライン室と、を有し、前記処理室は、分散板とシャワー板の間に設けられた第1のガス拡散室に接続され、前記第1のガス拡散室は、前記分散板と前記上部電極の電極面の間に設けられた第2のガス拡散室に接続され、前記第2のガス拡散室は前記上部電極内の第1のガス管に接続され、前記上部電極内の前記第1のガス管は第2のガス管に接続され、前記第2のガス管は処理用ガス供給源に接続されており、前記ライン室は、不活性ガス導入口と、同軸で設けられた前記上部電極と前記チャンバー壁を有し、前記分散板は、前記上部電極の電極面に接続された前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部と、前記分散板中央部を囲い、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部と、を有するプラズマCVD装置を用いて成膜することを特徴とする。前記構成の本発明の一態様である結晶性半導体膜の作製方法は、プラズマ処理を4000Pa以上50000Pa以下の圧力下で行うことが好ましい。前記構成のプラズマCVD装置において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の数は、前記分散板のガス孔の数よりも多いことが好ましい。または、前記構成において、前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、前記シャワー板のガス孔の総面積は、前記分散板のガス孔の総面積よりも大きいことが好ましい。第1のガス拡散室において、ガスを十分に均一に分散させることができるからである。前記構成のプラズマCVD装置において、前記上部電極には温度計が接続され、前記上部電極における前記温度計の接続箇所は、前記上部電極の電極面の中心点を基準として前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口と点対称であることが好ましい。前記上部電極からの電界の均一性を高くすることができるからである。前記構成のプラズマCVD装置において、前記上部電極には、前記上部電極内の前記第1のガス管のガス導入口近傍を迂回する冷却媒体の経路が設けられていることが好ましい。冷却媒体としては、例えば、水または油などを用いることができる。本発明の一態様は、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に前記構成の結晶性半導体膜の作製方法により結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。なお、本明細書において、結晶粒は膜中に含まれるものであり、結晶核は未だ膜としての形態を有していないものである。すなわち、本明細書において結晶核は結晶粒となる初期核のみを指すものではなく、結晶核がやや成長した微小結晶粒をも含むものとする。本発明の一態様によれば、結晶性半導体膜の結晶粒の結晶核を被形成面上に均一に形成することができる。本発明の一態様によれば、結晶性半導体膜の結晶粒を大粒径化することが可能になり、キャリア移動度の高い結晶性半導体膜を得ることができる。そのため、電界効果移動度の高い半導体装置を得ることができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である結晶性半導体膜の作製方法について説明する。本発明の一態様である結晶性半導体膜の作製方法では、均一性の高いプラズマにより被形成面上に結晶核を生成させる。少なくとも結晶核の生成には、図1に概略図を示したプラズマCVD装置を用いる。図1Bには、主要な構成についてのプラズマ処理装置100全体の断面図を示し、図1Aには、図1BのA-Bにおける断面図を示す。図1に示すプラズマ処理装置100は、処理室102とライン室104を有する。処理室102はチャンバー壁114により覆われており、処理室102では上部電極110の電極面と下部電極112の電極面が対向して設けられている。ライン室104はチャンバー壁114により覆われており、処理室102とは上部電極110と絶縁物127により隔てられている。上部電極110には温度計128が接続されている。処理室102は、分散板116とシャワー板118の間に設けられた第1のガス拡散室106に接続され、第1のガス拡散室106は、分散板116と上部電極110の電極面の間に設けられた第2のガス拡散室108に接続され、第2のガス拡散室108は上部電極110内の第1のガス管120に接続され、上部電極110内の第1のガス管120は第2のガス管122に接続され、第2のガス管122は処理用ガス供給源124に接続されている。ライン室104は、不活性ガス供給源に接続されたガス導入口126と、同軸で設けられた上部電極110とチャンバー壁114を有する。ライン室104は、陽圧の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。なお、本明細書において、陽圧の雰囲気とは、好ましくは大気圧よりも高い気圧をいうが、これに限定されない。少なくとも処理室内よりも高い気圧であればよい。ここで、ライン室104内を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、ライン室104内の部品が酸化されることなどを防ぎ、メンテナンス頻度を低下させ、平均故障間隔MTBF;MeanTimeBetweenFailureを大きくすることができる。そして、図1に示すプラズマ処理装置では、上部電極110とチャンバー壁114を同軸形状とするため、導入した不活性ガスの経路が阻害されない。そのため、上部電極110のライン部において、同一の高さにおける温度分布の均一性が高まり、上部電極110に供給する電力が高周波である場合の上部電極のライン部の表面における電力の伝播を安定なものとすることができる。従って、上部電極110とチャンバー壁114を同軸形状にすることで、インピーダンスを小さくすることができ、伝送効率を高めることができる。更には、上部電極110における電界の分布を均一性の高いものとすることができる。ここで、上部電極110のライン部の直径をd、チャンバー壁114の内側の直径をD、ライン室104の雰囲気の比誘電率をεとすると、インピーダンスZは式1で表される。上記式1によれば比誘電率εを大きくすることでインピーダンスZを小さくすることができる。ライン室104内に導入するガスは適宜選択可能なため、比誘電率εの大きいガスを選択してインピーダンスZを小さくすることができる。例えば、ライン室104の雰囲気を窒素雰囲気とすると、ライン室104の雰囲気中の温度が20°Cのときに比誘電率ε=5.47程度となる。または、ライン室104の雰囲気をアルゴン雰囲気とすると、ライン室104の雰囲気中の温度が20°Cのときに比誘電率ε=5.17程度となる。また、ライン室104内を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、ライン室104内の部品の除熱も可能であるため、例えば上部電極110にヒーターが備えられている場合であっても、上部電極110が過熱されることを防ぐことができる。また、ライン室104内を陽圧の不活性ガス雰囲気とすることで、チャンバー壁114にリークが生じた場合であっても、処理室102への大気成分の侵入を抑制することも可能である。図2は、分散板116の一主表面の概略を示す。図2に示す分散板116は、分散板中央部130と分散板周辺部132を有する。分散板中央部130は、上部電極110の電極面に接続された上部電極110内の第1のガス管120のガス導入口と対向して配される部分であり、ガス孔が設けられていない。分散板周辺部132には、複数のガス孔が設けられている。なお、シャワー板118には複数のガス孔が設けられており、シャワー板118のガス孔の数は、分散板116のガス孔の数よりも多いことが好ましい。または、シャワー板118には複数のガス孔が設けられており、シャワー板118のガス孔の総面積は、分散板116のガス孔の総面積よりも大きいことが好ましい。ガスを十分に均一に分散させることができるからである。上記のように、分散板116の分散板中央部130にガス孔が設けられていないため、第1のガス管120のガス導入口から導入されたガスが十分に拡散されずに第1のガス拡散室106に導入されることを防ぎ、処理室102に導入されるガスの均一性を高くすることができる。図3は、上部電極110の電極面の一例を示す。なお、図3は、上部電極110の電極面を下部電極112の反対側から見た図である。図3に示す上部電極110には、第1のガス管120のガス導入口144と、温度計128の接続箇所146と、冷却媒体経路140が設けられており、冷却媒体経路140は、第1のガス管120のガス導入口144の近傍に迂回部142を有する。温度計128の接続箇所146は、上部電極110の電極面の中心点を基準として上部電極110内の第1のガス管120のガス導入口144と点対称の位置であることが好ましい。上部電極110からの電界の均一性を低下させずに温度計を接続させることができるからである。迂回部142は、第1のガス管120のガス導入口144近傍に設けられていることが好ましい。冷却媒体としては、例えば、水または油などを用いることができる。なお、冷却媒体経路140は、図3に示した形態に限定されない。従って、迂回部142が設けられていなくてもよい。第1のガス管120の主要部の断面の直径d1及び第2のガス管122の主要部の断面の直径d2は、上部電極110に電力が供給された際に、第1のガス管120中または第2のガス管122中で放電が生じない程度の大きさとする。また、d1とd2は、概ね等しい大きさとするとよい。第1のガス管120のガス導入口の直径d3は、上部電極110の電極面と、第1のガス管120がなす角をθとすると、d3=d1/sinθと表される。ただし、第1のガス管120の直径は、ガス導入口において拡大されていてもよい。なお、第1のガス管120のガス導入口の直径d3も放電が生じない程度の大きさとする。分散板中央部の直径d4は、第1のガス管120のガス導入口の直径d3よりも大きいことが好ましい。第1のガス管120のガス導入口から導入されたガスが、拡散されることなく第1のガス拡散室106に導入されることを防ぐためである。図4A~Cは、図1のプラズマ処理装置100における処理室102に処理ガスを導入し、上部電極110と下部電極112に電圧を印加したときのC-Dにおける電界強度の分布図4Aと、C-Dにおける処理ガスの分布図4BとE-Fにおける反応性物質の分布図4Cの概念図を示す。図4Aに示すように、電界強度は上部電極110及び下部電極112の中央部と重畳する位置にピークを有するが、図1に示すプラズマ処理装置100では電界強度の均一性が高いため、その勾配は緩やかである。そして、図4Bに示すように、処理ガスの分布は分散板中央部130と重畳する位置を避けて二つのピークを有する。図4Aに示す電界強度と、図4Bに示す処理ガスの分布から、反応性物質電離した材料物質は図4Cに示すように分布すると考えられる。図4Cに示すように反応性物質電離した材料物質が分布すると、例えばプラズマ処理装置100を用いてプラズマCVD法により基板上に成膜を行う場合には、基板面内における膜厚のばらつきを小さくし、均一性が高いものとすることができる。または、成膜を行う場合でなくても、基板に対して高い均一性でプラズマ処理を行うことができる。なお、本実施の形態の結晶性半導体膜の作製方法は、プラズマ処理を2000Pa以上100000Pa以下、好ましくは4000Pa以上50000Pa以下の圧力下で行うとよい。以上説明したように、図1に示すプラズマCVD装置を用いることで、プラズマの均一性を高くすることができ、基板上に結晶性半導体膜の結晶核を高い均一性で作製することができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法について説明する。具体的には、実施の形態1にて説明した結晶性半導体膜の作製方法を適用した薄膜トランジスタの作製方法について、図5及び図6を参照して説明する。なお、薄膜トランジスタとしては、画素トランジスタを例示する。まず、基板200上に第1の導電層202を形成し、第1の導電層202を覆って第1の絶縁層204を形成する図5A。基板200は、絶縁性基板である。基板200として、例えば、ガラス基板、石英基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板などを用いることができる。基板200がガラス基板である場合には、第1世代例えば、320mm×400mm~第10世代例えば、2950mm×3400mmのものを用いればよいが、これに限定されるものではない。なお、実施の形態1にて説明した本発明の一態様である結晶性半導体膜の作製方法を採用することで、基板面内における半導体膜の結晶粒の小粒径化、粒径のばらつき及び膜厚のばらつきを抑えることができるため、基板面内における半導体層の特性及び厚さのばらつきを抑えることができ、第8世代以降の大面積基板を用いる場合に、本発明の効果が、特に強く表れる。第1の導電層202は、例えば、スパッタリング法を用いて導電膜例えば金属膜、または一導電型の不純物元素が添加された半導体膜などを形成し、該導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことで選択的に形成すればよい。または、インクジェット法などを用いてもよい。なお、第1の導電層202となる導電膜は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層によりAl層を挟持した3層の積層構造とすればよい。なお、第1の導電層202は、少なくとも走査線とゲート電極を構成する。第1の絶縁層204は、例えば、プラズマCVD法を用いて絶縁性材料例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンなど膜を形成すればよい。なお、第1の絶縁層204は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。ここでは、例えば、窒化シリコン層上に酸化窒化シリコン層が積層された2層の積層構造とする。なお、第1の絶縁層204は、少なくともゲート絶縁層を構成する。なお、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。次に、第1の絶縁層204上に複数の結晶核205を形成する図5A。複数の結晶核205は、実施の形態1にて説明したように作製する。複数の結晶核205を実施の形態1にて説明したように作製することで、結晶性半導体膜の結晶核を被形成面上に均一に形成することができる。なお、結晶核205を形成する前に酸素を含むガス例えば、N2Oガスによりプラズマ処理を行うことが好ましい。次に、結晶核205を成長させて第1の半導体膜206を形成し、第1の半導体膜206上に、第2の半導体膜208及び不純物半導体膜210を形成する図5B。第1の半導体膜206は、大部分が結晶性である半導体膜である。結晶性半導体としては、例えば、微結晶半導体が挙げられる。ここで、微結晶半導体とは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含む。の中間的な構造の半導体をいう。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは20nm以上50nm以下の柱状または針状の結晶粒が基板表面に対して法線方向に成長している半導体である。このため、柱状または針状の結晶粒の界面には、粒界が形成されることもある。なお、ここでの結晶粒径は、基板表面に対して平行な面における結晶粒の最大直径である。また、結晶粒は、非晶質半導体領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子を有する。なお、結晶粒は双晶を有する場合もある。微結晶半導体としては、微結晶シリコンを用いればよい。微結晶半導体の一である微結晶シリコンでは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側にシフトしている。すなわち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。さらに、He、Ar、Kr、またはNeなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。なお、結晶性半導体膜に含まれる酸素及び窒素の濃度二次イオン質量分析法による測定値を低くし、好ましくは1×1018cm-3未満とすると、結晶性を高めることができる。第2の半導体膜208は、バッファ層として機能し、大部分が非晶質である半導体膜である。好ましくは、非晶質半導体と微小半導体結晶粒を有し、従来の非晶質半導体と比較して、一定光電流法CPM:ConstantPhotocurrentMethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体膜である。このような半導体膜は、従来の非晶質半導体膜と比較して欠陥が少なく、価電子帯のバンド端移動度端における準位のテイル裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体膜である。第2の半導体膜208には、ハロゲン、窒素を含んでいてもよい。窒素が含まれる場合には、NH基またはNH2基として含んでいてもよい。なお、ここで、第1の半導体膜206と第2の半導体膜208の界面領域は、微結晶半導体領域、及び当該微結晶半導体領域の間に充填される非晶質半導体領域を有する。具体的には、第1の半導体膜206から錐形状に伸びた微結晶半導体領域と、第2の半導体膜208と同様の非晶質半導体を含む膜と、で構成される。第2の半導体膜208によりバッファ層が設けられるため、トランジスタのオフ電流を小さくすることができる。また、上記の界面領域において、錐形状に伸びた微結晶半導体領域を有するため、縦方向厚さ方向の抵抗、すなわち、第2の半導体膜208と、不純物半導体膜210により構成されるソース領域またはドレイン領域と、の間の抵抗を低くすることができ、トランジスタのオン電流を高めることができる。すなわち、従来の非晶質半導体を適用した場合と比較すると、オフ電流を十分に低減させつつ、オン電流の低下をも抑制することができ、トランジスタのスイッチング特性を高くすることができる。なお、完成したトランジスタにおいて、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層が薄くなるとオン電流が低下し、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層が厚くなると、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層と後に形成される第2の導電層の接触面積が広くなり、オフ電流が増大する。従って、オンオフ比を高くするためには、第1の半導体膜206を厚くし、更には後述するように、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層を含む薄膜積層体212の側壁に絶縁化処理を行うことが好ましい。上記の微結晶半導体領域は、第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって先端が細くなる錐形状の結晶粒により大部分が構成されているとよい。または、第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって幅が広がる結晶粒により大部分が構成されていてもよい。上記の界面領域において、微結晶半導体領域が第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって先端が細くなる錐形状に伸びた結晶粒である場合には、第1の半導体膜206側のほうが、第2の半導体膜208側と比較して、微結晶半導体領域の占める割合が高い。微結晶半導体領域は、第1の半導体膜206の表面から厚さ方向に成長するが、原料ガスにおいて堆積性ガス例えば、シランに対する水素の流量が小さくすなわち、希釈率が低く、または窒素を含む原料ガスの濃度が高いと、微結晶半導体領域における結晶成長が抑制され、結晶粒が錐形状になり、堆積されて形成される半導体は、大部分が非晶質半導体となる。なお、上記の界面領域は、窒素、特にNH基若しくはNH2基を含有することが好ましい。これは、微結晶半導体領域に含まれる結晶の界面、微結晶半導体領域と非晶質半導体領域の界面において、窒素、特にNH基若しくはNH2基がシリコン原子のダングリングボンドと結合すると、欠陥を低減させ、キャリアが流れやすくなるためである。このため、窒素、好ましくはNH基若しくはNH2基を1×1020cm-3乃至1×1021cm-3の濃度で含有させると、シリコン原子のダングリングボンドを窒素、好ましくはNH基若しくはNH2基で架橋しやすくなり、キャリアがより流れやすくなる。この結果、結晶粒界や欠陥におけるキャリアの移動を促進する結合ができ、上記の界面領域のキャリア移動度が向上する。そのため、トランジスタの電界効果移動度が向上する。なお、上記の界面領域の酸素濃度を低減させることにより、微結晶半導体領域と非晶質半導体領域の界面または結晶粒間の界面における欠陥密度を低減させ、キャリアの移動を阻害する結合を低減させることができる。不純物半導体膜210は、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体により形成する。トランジスタがn型である場合には、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体として、例えば、PまたはAsを添加したシリコンが挙げられる。または、トランジスタがp型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えば、Bを添加することも可能であるが、トランジスタはn型とすることが好ましい。そのため、ここでは、一例として、Pを添加したシリコンを用いる。なお、不純物半導体膜210は、非晶質半導体により形成してもよいし、微結晶半導体などの結晶性半導体により形成してもよい。不純物半導体膜210を非晶質半導体により形成する場合には、堆積性ガスの流量に対する希釈ガスの流量を1倍以上10倍以下、好ましくは1倍以上5倍以下とすればよい。不純物半導体膜210を結晶性半導体により形成する場合には、堆積性ガスの流量に対する希釈ガスの流量を10倍以上2000倍以下、好ましくは50倍以上200倍以下とすればよい。なお、第1の絶縁層204から不純物半導体膜210までは同一チャンバー内で連続して形成することが好ましい。第1の絶縁層204から不純物半導体膜210までの各々の層間の界面に不純物が含まれてしまうことを防止するためである。次に、不純物半導体膜210上にエッチングマスク211を形成し、エッチングマスク211を用いて第1の半導体膜206と、第2の半導体膜208と、不純物半導体膜210と、をエッチングする。その後、エッチングマスク211を除去することで、薄膜積層体212を得ることができる図5C。エッチングマスク211は、レジスト材料により形成すればよい。なお、ここで、上述したように、薄膜積層体212の側壁に対して絶縁化処理を行うことが好ましい。なぜなら、完成したトランジスタの第1の半導体層と第2の導電層が接するとオフ電流が増大してしまうことが多いからである。ここで絶縁化処理としては、薄膜積層体212の側壁を酸素プラズマ若しくは窒素プラズマに曝す処理、または薄膜積層体212の側壁が露出された状態で絶縁膜を形成し、該絶縁膜に対し異方性の高いエッチング方法により基板200の表面に垂直な方向のエッチングを行うことで、薄膜積層体212の側壁に接してサイドウォール絶縁層を形成する処理が挙げられる。次に、第1の絶縁層204及び薄膜積層体212上に導電膜214を形成する。導電膜214上にはエッチングマスク215を形成する図5D。導電膜214は、第1の導電層202と同様に、導電性材料例えば金属、または一導電型の不純物元素が添加された半導体などにより形成すればよい。なお、導電膜214は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層によりAl層を挟持した3層の積層構造として形成する。次に、エッチングマスク215を用いて導電膜214をエッチングすることで、第2の導電層222を形成する図6A。その後、エッチングマスク215を除去する。なお、第2の導電層222は、少なくとも信号線、ソース電極及びドレイン電極を構成する。次に、第2の導電層222をエッチングマスクとして用いて薄膜積層体212のエッチングを行う。ここで、エッチングは、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いて行うことが好ましい。Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスによれば、結晶性半導体膜のエッチングレートを小さくし、非晶質半導体膜のエッチングレートを大きくすることができる。すなわち、第1の半導体膜206が結晶性半導体膜であり、第2の半導体膜208が非晶質半導体膜である場合には、第1の半導体膜206により形成された層と第2の半導体膜208により形成された層のエッチング選択比を大きくとることができる。第2の導電層222と重畳していない部分の第2の半導体膜208を除去し、第2の導電層222と重畳していない部分の第1の半導体膜206により形成される層を露出させる場合であっても、第2の導電層222と重畳していない部分の第1の半導体層216の膜減りを抑えることができる。このようにして第1の半導体層216、第2の半導体層218及び不純物半導体層220を形成する図6B。なお、Br系ガスとしては、例えばHBrガスが挙げられ、F系ガスとしては、例えばSF6ガス、CF4ガス、またはNF3ガスが挙げられる。なお、混合ガスを用いた前記エッチングは、エッチングマスク215を用いて行ってもよい。そして、上記説明したように露出させた第1の半導体層216は、H2Oプラズマに曝すとよい。または、H2Oプラズマに代えて、水素と酸素の混合ガスにより生じさせたプラズマを用いるとよい。以上説明したように、トランジスタを作製することができる。このようなトランジスタは、表示装置の画素に用いる画素トランジスタに適用することができる。画素トランジスタとして用いる場合には、その後、これらを覆って第2の絶縁層224を形成する。なお、第2の絶縁層224は、少なくとも第1の半導体層216の露出された部分を覆って形成する。その後、第2の絶縁層224に開口部225を形成する図6C。開口部225は、第2の絶縁層224上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことにより形成する。次に、開口部225を介して第2の導電層222により形成されるソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続されるように第3の導電層226を選択的に形成する図6D。第3の導電層226は、画素トランジスタに接続される画素電極を構成することから、透光性を有する材料により形成するとよい。第3の導電層226は、第2の絶縁層224上に導電膜を形成し、この導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことにより形成する。第3の導電層226は、透光性を有する導電性高分子導電性ポリマーともいう。を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した第3の導電層226は、シート抵抗が10000Ω/□以下であり、且つ波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましい。なお、導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、または、アニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体若しくはその誘導体が挙げられる。第3の導電層226は、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などを用いて形成することができる。なお、図示していないが、第2の絶縁層224と第3の導電層226との間に、スピンコーティング法などにより形成した有機樹脂により形成される絶縁層を有していてもよい。なお、上記説明した本実施の形態の薄膜トランジスタは好ましい一形態であり、これに限定されるものではない。例えば、第2の半導体膜208には微小半導体結晶粒が含まれていなくてもよい。以上説明したように、薄膜トランジスタを作製することができる。本実施の形態によれば、結晶性半導体膜の結晶粒を大粒径化することが可能になり、キャリア移動度の高い結晶性半導体膜を得ることができる。そのため、電界効果移動度の高い半導体装置を得ることができる。なお、本発明の一態様である半導体装置の作製方法は、実施の形態1で説明した作製方法により、被形成面上に結晶性半導体膜を形成することで作製することができるものであれば、本実施の形態で説明したものに特に限定されない。実施の形態3実施の形態2で説明した薄膜トランジスタには、チャネル形成領域と重畳して第3の導電層226が設けられており、これがバックゲート電極として機能する。本実施の形態では、薄膜トランジスタへのバックゲート電極の配し方について説明する。図7A乃至Dは、バックゲート電極が設けられた薄膜トランジスタの上面図を示す。なお、断面構造は、実施の形態2で説明したものと同様である。まず、図7Aに示すように、バックゲート308Aは、ゲート300Aと電気的に接続させることなく、独立に引き回して形成することができる。図7Aに示すようにバックゲート308Aを配することで、バックゲート308Aに供給する電位と、ゲート300Aに供給する電位を制御し、各々の電位を独立したものとすることができる。このため、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。また、キャリアが流れる領域が、第1の半導体層により構成されるチャネル形成領域のゲート側及びバックゲート側の双方に形成されるため薄膜トランジスタのオン電流を大きくすることができる。なお、図7Aに示すゲート300Aは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図7Aに示す配線302Aは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Aに示す電極304Aは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Aに示す画素電極306Aは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Aに示すバックゲート308Aは、バックゲート電極とバックゲート配線であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Aに示す開口部310Aは、実施の形態2における開口部225に相当する。または、図7Bに示すように、バックゲートは、ゲートと電気的に接続させてもよい。図7Bでは、ゲート300Bとバックゲート308Bが、開口部312で電気的に接続されている。このため、ゲートの電位とバックゲートの電位は、ほぼ等しいものとなる。従って、図7Aと同様に、キャリアが流れる領域が、第1の半導体層により構成されるチャネル形成領域のゲート側及びバックゲート側の双方に形成されるため薄膜トランジスタのオン電流を大きくすることができる。なお、図7Bに示すゲート300Bは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図7Bに示す配線302Bは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Bに示す電極304Bは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Bに示す画素電極306Bは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Bに示すバックゲート308Bは、バックゲート電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Bに示す開口部310Bは、実施の形態2における開口部225に相当する。なお、図7Bに示す開口部312は、実施の形態2における開口部225と同一の工程により設けられたものである。開口部312において、ゲート300Bとバックゲート308Bが接続されている。または、図7Cに示すように、バックゲートは、ゲート電極と電気的に接続させず、且つ独立に引き回すことなく、フローティングにしてもよい。なお、図7Cに示すゲート300Cは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図7Cに示す配線302Cは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Cに示す電極304Cは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Cに示す画素電極306Cは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Cに示すバックゲート308Cは、バックゲート電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Cに示す開口部310Cは、実施の形態2における開口部225に相当する。または、図7Dに示すように、バックゲートは、ソース電極及びドレイン電極と重畳して設けられていてもよい。ここでは、図7Aに示す構造の薄膜トランジスタについて示したが、図7B及び図7Cに示すバックゲートも同様に第2の導電層222により構成されるソース電極及びドレイン電極と重畳していてもよい。なお、図7Dに示すゲート300Dは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図7Dに示す配線302Dは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Dに示す電極304Dは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図7Dに示す画素電極306Dは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Dに示すバックゲート308Dは、バックゲート電極とバックゲート配線であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図7Dに示す開口部310Dは、実施の形態2における開口部225に相当する。実施の形態4上記実施の形態にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパーが挙げられる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、デジタルサイネージ、PIDPublicInformationDisplay、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図8に示す。図8は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍400は、筐体401および筐体403の2つの筐体で構成されている。筐体401および筐体403は、軸部411により一体とされており、該軸部411を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍と同様に取り扱うことが可能となる。筐体401には表示部405及び光電変換装置406が組み込まれ、筐体403には表示部407及び光電変換装置408が組み込まれている。表示部405及び表示部407は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図8では表示部405に文章を表示し、左側の表示部図8では表示部407に画像を表示することができる。また、図8では、筐体401に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体401において、電源421、操作キー423、スピーカ425などを備えている。操作キー423により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍400は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍400は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。実施の形態5上記実施の形態にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパー以外にもさまざまな電子機器遊技機も含むが挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図9Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置500は、筐体501に表示部503が組み込まれている。表示部503により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド505により筐体501を支持した構成を示している。テレビジョン装置500の操作は、筐体501が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機510により行うことができる。リモコン操作機510が備える操作キー509により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部503に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機510に、当該リモコン操作機510から出力する情報を表示する表示部507を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置500は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図9Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム520は、筐体521に表示部523が組み込まれている。表示部523は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム520は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部523に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム520は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図10は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。図10の携帯型のコンピュータは、上部筐体541と下部筐体542とを接続するヒンジユニットを閉状態として表示部543を有する上部筐体541と、キーボード544を有する下部筐体542とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部543を見て入力操作を行うことができる。また、下部筐体542はキーボード544の他に入力操作を行うポインティングデバイス546を有する。また、表示部543をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体542はCPUやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体542は他の機器、例えばUSBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート545を有している。上部筐体541には更に上部筐体541内部にスライドさせて収納可能な表示部547を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部547の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部547をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。表示部543または収納可能な表示部547は、液晶表示パネル、有機発光素子または無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。また、図10の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体541と下部筐体542とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部547をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部543を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。本実施例では、従来のプラズマCVD装置を用いて結晶核を形成した比較例サンプルであるサンプル1と、図1に示すプラズマCVD装置を用いて結晶核を形成した実施例サンプルであるサンプル2を作製して比較する。なお、サンプル1の作製に際して用いた従来のプラズマCVD装置において、分散板には分散板中央部にも複数のガス孔が設けられており、上部電極とチャンバー壁は同軸で設けられておらず、温度計の接続箇所は、上部電極の電極面の中心点を基準として上部電極内の第1のガス管のガス導入口と点対称の位置を避けて配されている。まず、ガラス基板上に厚さ200nmの窒化シリコン膜をプラズマCVD法により形成した。具体的には、基板が搬入された処理室内にモノシランガスを15sccm、アンモニアガスを500sccm、窒素ガスを180sccm、水素ガスを200sccmで導入して該反処理室の圧力を100Paとし、処理室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を26mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、200Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、該窒化シリコン膜の表面にプラズマ処理を行った。具体的には、基板が搬入された処理室内に一酸化二窒素N2Oガスを400sccmで導入して処理室内の圧力を60Paとし、処理室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を30mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、300Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。上記のプラズマ処理された窒化シリコン膜が、結晶核の被形成面となる。次に、サンプル1の結晶核の被形成面に結晶核を形成した。具体的には、基板が搬入された処理室内にモノシランガスを2.5sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して処理室内の圧力を3000Paとし、処理室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を7mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、175Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。成膜には、従来のプラズマCVD装置を用いた。そして、サンプル2の結晶核の被形成面にも結晶核を形成した。具体的には、基板が搬入された処理室内にモノシランガスを2.5sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して処理室内の圧力を3000Paとし、処理室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を7mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、175Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は0°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。成膜には、図1のプラズマCVD装置を用いた。サンプル1とサンプル2のそれぞれについて、図11に示すように基板内の5箇所でSEMScanningElectronMicroscopy観察を行った。すなわち、基板右上端部を領域A、基板中央部を領域C、基板左下端部を領域Eとし、領域Aと領域Cの間を領域B、領域Cと領域Eの間を領域Dとした。図12乃至図17には、SEM像を示す。図12Aは、サンプル1の領域AにおけるSEM像を示す。図12Bは、サンプル1の領域BにおけるSEM像を示す。図13Aは、サンプル1の領域CにおけるSEM像を示す。図13Bは、サンプル1の領域DにおけるSEM像を示す。図14は、サンプル1の領域EにおけるSEM像を示す。図15Aは、サンプル2の領域AにおけるSEM像を示す。図15Bは、サンプル2の領域BにおけるSEM像を示す。図16Aは、サンプル2の領域CにおけるSEM像を示す。図16Bは、サンプル2の領域DにおけるSEM像を示す。図17は、サンプル2の領域EにおけるSEM像を示す。図12乃至図14のSEM像に示されるように、比較例であるサンプル1では、微小な結晶核が多く形成されている。更には、例えば、領域Cと領域Eを比較すると、領域Cでは微小な結晶核が多く形成されているが、領域Eでは領域Cよりもサイズの大きい結晶核が形成されており、結晶核の数も少ない。このように比較例であるサンプル1では、基板面内における結晶核のサイズ及び結晶核の数に大きなばらつきが生じている。一方で、図15乃至図17のSEM像に示されるように、実施例であるサンプル2では、サンプル1よりもサイズの大きい結晶核が形成されており、結晶核の数も少ない。更には、領域A~Eのすべてにおいて、形成される結晶核のサイズは概ね同じであり、且つ形成される結晶核の数にもばらつきが少ない。ここで、サンプル1とサンプル2の膜厚を分光エリプソメータ株式会社堀場製作所製、全自動超薄膜計測システムUT-300により測定した。膜厚は25点について測定し、最大膜厚TMAX.と最小膜厚Tmin.を取得した。そして、最大膜厚TMAX.と最小膜厚Tmin.から、均一性Unif.と表す。を以下の式2により算出した。前記式2によると、サンプル1のUnif.は±10.6であり、サンプル2のUnif.は±2.0であった。サンプル1のUnif.に比べてサンプル2のUnif.は小さくばらつきが小さく、均一性が高いことがわかる。図18は、結晶核形成時のモノシラン流量を2.5sccmS2.5または3sccmS3とし、供給する高周波電力を75W、125Wまたは175WとしたときのUnif.を示す。結晶核形成時のモノシラン流量を3sccmとした場合にも、サンプル1の均一性に比べてサンプル2の均一性が高い傾向が見られた。そして、供給する高周波電力を75Wまたは125Wとしたときにも、サンプル1の均一性に比べてサンプル2の均一性が高い傾向が見られた。以上説明したように、本発明の一態様を適用することで、基板面内において結晶核のサイズ及び個数のばらつきを小さくして結晶核を形成することができる。