SiC半導体ウェハを用意する工程と、レーザヘッドから前記SiC半導体ウェハにレーザを照射しつつ、前記レーザヘッドを前記SiC半導体ウェハに対して移動させることにより、前記SiC半導体ウェハの表面に前記レーザの照射痕から成る所定パターンを刻印するマーキング工程とを備え、前記レーザは、YAGレーザの4倍高調波を用いたパルスレーザであり、前記マーキング工程において、前記レーザヘッドは、前記パルスレーザの連続するパルスの照射痕が重ならない速度で、且つ、先に形成された前記照射痕に重ねて前記パルスレーザが照射されない軌道で移動することを特徴とするSiC半導体ウェハのマーキング方法。前記所定パターンは、互いに重ならないドットの集合体であり、前記マーキング工程は、互いに重ならない複数の前記照射痕により1つのドットを描画する第1マーキング工程と、前記第1マーキング工程を繰り返し行うことで複数のドットから成る前記所定パターンを描画する第2マーキング工程とを含む請求項1記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。前記レーザヘッドの移動速度および前記パルスレーザのQスイッチ周波数の少なくとも片方を調整することにより、連続して形成される前記照射痕の中心間の距離を設定する工程をさらに含む請求項1または請求項2記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。連続して形成される前記照射痕の中心間の距離は、当該照射痕の直径の2倍以上になるように設定される請求項3記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。前記パルスレーザの1パルス当たりのエネルギーは5~10μJである請求項1から請求項4のいずれか一項記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。前記照射痕の深さは0.1~0.7μmである請求項1から請求項4のいずれか一項記載のSiC半導体ウェハのマーキング方法。表面にレーザの照射痕から成る所定パターンが刻印されたSiC半導体ウェハであって、前記所定パターンは、互いに重ならない深さ0.1~0.7μmの前記照射痕の集合体により構成されていることを特徴とするSiC半導体ウェハ。前記所定パターンは、互いに重ならないドットの集合体であり、前記ドットのそれぞれが前記照射痕の集合体である請求項7記載のSiC半導体ウェハ。隣接する前記照射痕の中心間の距離は、当該照射痕の直径の2倍以上である請求項7または請求項8記載のSiC半導体ウェハ。半導体ウェハプロセスでは、クリーンルーム内や半導体製造装置内、ウェハ上など、あらゆる環境でのパーティクル管理が重要である。これを怠るとパーティクルに起因して、クリーンルーム内や製造装置内への2次汚染や、製造プロセス不良、ひいては形成された半導体デバイスの特性不良など、多くの悪影響が及ぶ。そのため各製造装置において、パーティクル発生量の低減や、発生したパーティクルへの対策を図ることは、重要な課題である。特に、半導体ウェハへのマーキング処理は、レーザ等で半導体ウェハを直接加工するため、大量のパーティクルを発生させる。マーキング処理で生じたパーティクルはマーキング装置内での集塵や、半導体ウェハの工程などで除去しているが、除去しきれなかったパーティクルが上記の問題を引き起こす場合がある。ところで、SiC半導体ウェハ以下SiCウェハは、従来のSiウェハに比べレーザ透過性が高いので、グリーンレーザなど比較的波長が短いレーザを用いてマーキングを行う場合でも、照射痕の視認性を確保するためには、より高い出力パワーによるレーザ照射が必要となる。そのため従来のSiウェハと同じマーキング手法では、SiC結晶構造の破壊などによってパーティクルが過剰に発生する問題が生じる。本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、SiCウェハへのレーザマーキングにおいて、刻印したパターンの高い視認性を確保しつつ、パーティクルの発生を抑制できるマーキング方法を提供することを目的とする。本発明に係るSiC半導体ウェハのマーキング方法は、SiC半導体ウェハを用意する工程と、レーザヘッドから前記SiC半導体ウェハにレーザを照射しつつ、前記レーザヘッドを前記SiC半導体ウェハに対して移動させることにより、前記SiC半導体ウェハの表面に前記レーザの照射痕から成る所定パターンを刻印するマーキング工程とを備え、前記レーザは、YAGレーザの4倍高調波を用いたパルスレーザであり、前記マーキング工程において、前記レーザヘッドが、前記パルスレーザの連続するパルスの照射痕が重ならない速度で、且つ、先に形成された前記照射痕に重ねて前記パルスレーザが照射されない軌道で移動するものである。本発明によれば、SiC半導体ウェハに対して吸収率の高い透過率の低いYAGレーザの4倍高調波を用いたパルスレーザを使用するためパルスレーザの出力パワーを低くでき、且つ、パルス毎の照射痕を重ねないことにより、照射痕の形状を安定スプラッシュ状の突起物が形成されないする。よってパーティクルの発生が抑制される。低い出力パワーで形成した照射痕は単独では視認性に問題があるが、レーザヘッドを移動させながら連続して形成することで照射痕が密集するため、その集合体であるパターンの視認性は確保される。図1aは、本発明の実施の形態に係るSiCウェハ100の構成の一例を示す図である。同図の如く、SiCウェハ100の表面にはレーザマーキングによって識別子101のパターンが刻印されている。ここでは識別子101の例としてABC123...の文字を示している。図1bは、識別子101の文字Aのパターンを含む領域101aの拡大図である。識別子101のパターンは、互いに重ならない複数のドット10の集合体である。例えば図1bに示す文字Aは16個のドット10の集合体である。ドット10はパルスレーザの照射によって形成されるが、それぞれのドット10において、パルスレーザの一つのパルスで形成される照射痕パルス照射痕1は互いに重なっていない。つまりドット10は、それぞれ独立したパルス照射痕1が密集した集合体である。本実施の形態では、パルス照射痕1は、直径10μm程度の小さいものとしている。小さいパルス照射痕1は、単独では視認性が悪いが、それを密集させてドット10を構成することにより、ドット10の視認性すなわち識別子101の視認性は確保される。以下、本実施の形態に係るSiCウェハのマーキング方法を説明する。本発明では、マーキングに用いるレーザとして、比較的吸収率が高い透過率が低いYAGレーザの4倍高調波UVレーザλ=266nmを用いたパルスレーザを使用する。まず、マーキングの対象となるSiCウェハ100を用意し、UVレーザを用いたパルスレーザを出力可能なマーキング装置に固定する。そしてマーキング装置のレーザヘッドからSiCウェハ100にUVレーザのパルスレーザを照射しつつ、レーザヘッドをSiCウェハ100に対して移動させることにより、SiCウェハ100の表面にパルス照射痕1から成る識別子101のパターンを刻印するマーキングを行う。このマーキング工程は、互いに重ならない複数のパルス照射痕1によって1つのドット10を描画する第1マーキング工程と、その第1マーキング工程を繰り返し行うことで複数のドット10から成る識別子101のパターン例えば文字Aのパターンを描画する第2マーキング工程とから成る。第1マーキング工程において、ドット10を、独立したパルス照射痕1の集合体として形成するには、レーザヘッドを、連続するパルス照射痕1が重ならない速度で、且つ、先に形成されたパルス照射痕1に重ねてレーザが照射されないように移動させながら、パルスレーザをSiCウェハ100の所定個所に照射する必要がある。上記のとおり、パルスレーザは点滅を繰り返す間欠的なレーザである。本実施の形態ではパルスレーザにおけるレーザ照射時間パルス幅よりも間欠時間パルス間隔を充分に長くしている。そのためレーザヘッドの移動速度レーザヘッド速度を一定以上にすると、レーザヘッドがレーザの間欠時間内にパルス照射痕の直径よりも長く移動するようになり、連続するパルス照射痕が重ならなくなる。つまり図2のようにレーザヘッドの移動方向に並ぶ独立したパルス照射痕1が形成されるようになる。なお図2において、長さd1はパルス照射痕1の直径を示しており、長さd2は連続するパルス照射痕1の中心間の距離を示している。また第1マーキング工程において、先に形成されたパルス照射痕1に重ねてレーザが照射されないようにする方法としては、レーザヘッドを同じところを通らない軌道で移動させるのが最も簡単である。図3は、ドット10の拡大図である。本実施の形態では、レーザヘッドをらせん状の軌道破線矢印で移動させてドット10を描画している。らせん状の軌道は同じところを通らないため、先に形成されたパルス照射痕1に重ねてレーザが照射されることは防止される。また第1マーキング工程を行う際、パルスレーザの照射に関する各種のパラメータ照射パラメータが設定される。照射パラメータとしては、例えば出力パワー[W]、レーザヘッド速度[mm/s]、QスイッチQ-SW周波数[Hz]などが挙げられる。ここではそれらの照射パラメータについて説明する。出力パワーは、パルスレーザの照射強度に対応し、形成されるパルス照射痕1の深さに寄与するパラメータである。図4は、パルスレーザの出力パワーとパルス照射痕1の深さとの関係を示す図である。Qスイッチ周波数が一定の場合、パルスレーザの出力パワーを大きくすると、1パルス当たりのエネルギーパルスエネルギー[J]が大きくなるため、パルス照射痕1は深く形成されるようになる。パルス照射痕1の深さが大きければドット10の視認性は向上するが、その反面、形成時にパーティクルが生じやすくなる。レーザヘッドの移動速度レーザヘッド速度は、連続して形成されるパルス照射痕1の間隔に寄与するパラメータである。図5は、レーザヘッド速度とパルス照射痕1の間隔との関係を示す図である。Qスイッチ周波数が一定の場合、レーザヘッド速度が高くなると、パルス照射痕1の間隔は広くなる。パルス照射痕1の間隔を広げればパルス照射痕1の重複を防止してパーティクルの発生を抑えることができるが、間隔が広すぎるとパルス照射痕1が疎になるためドット10の視認性が下がる。Qスイッチ周波数は、パルスレーザのパルス周期[s]と1パルス当たりのエネルギーパルスエネルギー[J]に寄与するパラメータである。図6は、パルスレーザのQスイッチ周波数と、パルス照射痕1の深さおよび間隔との関係を示す図である。出力パワーおよびレーザヘッド速度が一定の場合、Qスイッチ周波数を小さくすると、パルスレーザのパルス周期が長くなると共に1パルス当たりのエネルギーが大きくなるので、パルス照射痕1の深さと間隔の両方が大きくなる。逆にQスイッチ周波数を大きくすると、パルスレーザのパルス周期が短くなると共に1パルス当たりのエネルギーが小さくなるので、パルス照射痕1の深さと間隔の両方が小さくなる。なお、パルスレーザの出力パワー[W/s]、Qスイッチ周波数[Hz]およびパルスエネルギー[J]は、パルスエネルギー=出力パワー÷Qスイッチ周波数...1の関係が成り立つ。以上のように本実施の形態では、SiCウェハ100に刻印する識別子101が、独立したパルス照射痕1の集合体であるより具体的には、識別子101を構成するドット10のそれぞれがパルス照射痕1の集合体である。パルス照射痕1同士が重ならないことにより、各パルス照射痕1の形状が安定するためスプラッシュ状の突起物が形成されない、パーティクルの発生が抑制される。さらにマーキングに使用するパルスレーザは、吸収率が高い透過率が低いUVレーザλ=266nmであるので、出力パワーを小さくでき、それによっても照射痕の形状が安定するため、パーティクルの発生が抑えられる。また本実施の形態では、パルス照射痕1を約10μm程度の小さいものとしている。従来のように大きな照射痕を形成する場合、レーザの出力パワーを大きくする必要があり照射痕の形状が安定しなかったが、小さいパルス照射痕1は出力パワーの小さいレーザで形成できるため、パーティクルの発生がさらに抑制される。小さいパルス照射痕1は単独では視認性が悪いが、それが密集して成るドット10およびその集合体である識別子101のパターンは、充分な視認性を確保できる。このように本実施の形態によれば、SiCウェハ100に形成する識別子101の視認性を確保しつつ、パーティクルの発生飛散残留液垂れ等が低減され、その後のプロセスがパーティクルに起因する汚染の影響を受けることを防止できる。なお、第1マーキング工程で設定される各照射パラメータは一定の値でなくてもよく、必要に応じて変更してもよい。例えばパルス照射痕1の間隔を大きくするとドット10の視認性が低下するが、パーティクルの発生量が少なくなりスループットが向上するという利点もある。識別子101に要求される視認性と、パーティクルの発生量およびスループットとのトレードオフの関係を考慮して、各照射パラメータを適宜調整することにより、マーキングの目的に応じた効率的なレーザ照射が可能になる。またマーキング装置の性能の観点から、パルス照射痕1の位置や大きさのバラツキを考慮して、照射パラメータを決定することも有効である。例えば図2において、連続するパルス照射痕1の中心間の距離d2を、パルス照射痕1の直径d1の2倍以上とすれば、パルス照射痕1の位置や径に、直径d1の半分程度のバラツキが生じたとしても、パルス照射痕1同士が重なることを防止することができる。また本発明者は実験により、パルスレーザの1パルス当たりのエネルギーパルスエネルギーを5μJ以上にすれば、SiCウェハ100に刻印する識別子101の充分な視認性を確保できることを確認している。一方、パルスエネルギーが10μJを超えると、SiCウェハ100の結晶ダメージが生じたり、パルス照射痕1が過剰に深く形成されてパーティクルが増加したりする問題が確認された。つまり視認性の確保とパーティクル抑制の両立の観点からは、パルスエネルギーが5~10μJの範囲となるように出力パワーおよびQスイッチ周波数を決定することが好ましい。またパルス照射痕1の深さに注目すると、その深さは0.1μm以上であれば、SiCウェハ100に刻印する識別子101の充分な視認性を確保できることが確認された。またパルス照射痕1の深さを0.7μm以上にすると、パーティクルの増大が目立つようになった。よって視認性の確保とパーティクル抑制の両立の観点から、パルス照射痕1の深さが0.1μm~0.7μmの範囲となるように出力パワーおよびQスイッチ周波数を決定することが好ましい。