"窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられ、n側障壁層と、第1発光層と、を含む発光部であって、前記第1発光層は、前記n側障壁層と前記p形半導体層との間に設けられた第1障壁層と、前記n側障壁層と前記第1障壁層との間においてn側障壁層に接する第1井戸層と、前記第1井戸層と前記第1障壁層との間に設けられ、Alz1Ga1-z1N0.25<z1≦1を含む層状の第1AlGaN層と、を含む発光部と、を備え、前記発光部から放出される光のピーク波長λpは、515ナノメートルよりも長いことを特徴とする半導体発光素子。窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられ、n側障壁層と、第1発光層と、を含む発光部であって、前記第1発光層は、前記n側障壁層と前記p形半導体層との間に設けられた第1障壁層と、前記n側障壁層と前記第1障壁層との間においてn側障壁層に接する第1井戸層と、前記第1井戸層と前記第1障壁層との間に設けられ、Alz1Ga1-z1N0<z1≦1を含む層状の第1AlGaN層と、を含む発光部と、を備え、前記第1AlGaN層におけるIII族中のAl組成比z1と、前記発光部から放出される光のピーク波長λpナノメートルとは、1.15z1>0.0024λp-0.972>0.90z1の関係を満たすことを特徴とする半導体発光素子。前記第1AlGaN層の厚さのRMS値は0.5ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記n形半導体層の主面は、c面であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第1発光層は、前記第1AlGaN層と前記第1障壁層とに接し窒化物半導体を含む第1キャップ層をさらに含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記AlGaN層において、陥没しているまたは貫通孔が設けられている領域の面積は、前記AlGaN層の層面のうちの10未満であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第1障壁層は、Inx1Ga1-x1N0≦x1<1を含み、前記n側障壁層は、Inx2Ga1-x2N0≦x2<1を含むことを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記発光部は、前記第1障壁層と前記p形半導体層との間に設けられた第2障壁層と、前記第1障壁層と前記第2障壁層との間において前記第1障壁層に接する第2井戸層と、前記第2井戸層と前記第2障壁層との間に設けられ、Alz2Ga1-z2N0.25<z2≦1を含み層状の第2AlGaN層と、を含む第2発光層をさらに有することを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。本発明の実施形態は、高輝度の半導体発光素子を提供する。本発明の実施形態によれば、窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられる。前記発光部は、n側障壁層と第1発光層と、を含む。前記第1発光層は、前記n側障壁層と前記p形半導体層との間に設けられた第1障壁層と、前記n側障壁層と前記第1障壁層との間においてn側障壁層に接する第1井戸層と、前記第1井戸層と前記第1障壁層との間に設けられ、Alz1Ga1-z1N0.25<z1≦1を含む層状の第1AlGaN層と、を含む。前記発光部から放出される光のピーク波長λpは、515ナノメートルよりも長い。以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。実施の形態図1a及び図1bは、実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図1aに表したように、実施形態に係る半導体発光素子110は、n形半導体層20と、p形半導体層50と、発光部40と、を備える。n形半導体層20及びp形半導体層50は、窒化物半導体を含む。発光部40は、n形半導体層20とp形半導体層50との間に設けられる。発光部40は、n側障壁層BLNと、第1発光層EL1と、を含む。第1発光層EL1は、n側障壁層BLNとp形半導体層50との間に設けられる。第1発光層EL1は、第1障壁層BL1と、第1井戸層WL1と、第1AlGaN層ML1と、を含む。第1障壁層BL1は、n側障壁層BLNとp形半導体層50との間に設けられる。第1井戸層WL1は、n側障壁層BLNと第1障壁層BL1との間においてn側障壁層BLNに接する。第1AlGaN層ML1は、第1井戸層WL1と第1障壁層BL1との間に設けられ、Alz1Ga1-z1N0.25<z1≦1を含む。第1AlGaN層ML1は、層状である。半導体発光素子110においては、井戸層WLが1つである。このように、発光部40は、単一量子井戸SQW:SingleQuantumWell構成を有することができる。図1bに表したように、実施形態に係る別の半導体発光素子111においては、発光部40は、第2発光層EL2をさらに含む。第2発光層EL2は、第2障壁層BL2と、第2井戸層WL2と、第2AlGaN層ML2と、を含む。第2障壁層BL2は、第1障壁層BL1とp形半導体層50との間に設けられる。第2井戸層WL2は、第1障壁層BL1と第2障壁層BL2との間において第1障壁層BL1に接する。第2AlGaN層ML2は、第2井戸層WL2と第2障壁層BL2との間に設けられ、Alz2Ga1-z2N0.25<z2≦1を含む。第2AlGaN層ML2は、層状である。半導体発光素子111においては、井戸層WLが複数である。このように、発光部40は、多重量子井戸MQW:MultipleQuantumWell構成を有することができる。半導体発光素子111において、井戸層WLの数は4である。すなわち、発光層ELの数は4である。ただし、実施形態に係る半導体発光素子において、井戸層WLの数は、任意である。例えば、発光部40は、複数の発光層EL第1発光層EL1~第n発光層ELnを含む。ここで、nは2以上の整数である。ここで、第i1発光層ELi1は、第i発光層ELiとp形半導体層50との間に設けられるものとする。ここで、iは1以上の整数である。第i発光層ELiは、第i障壁層BLiと、第i井戸層WLiと、第iAlGaN層MLiと、を含む。第i1障壁層BLi1は、第i障壁層BLiとp形半導体層50との間に設けられる。第i1井戸層WLi1は、第i障壁層BLiと第i1障壁層BLi1との間において第i障壁層BLiに接する。第i1AlGaN層MLi1は、第i1井戸層WLi1と第i1障壁層BLi1との間に設けられ、AlziGa1-ziN0.25<zi≦1を含む。第i1AlGaN層MLi1は、層状である。以下では、第1~第n障壁層BL1~BLnを総称して障壁層BLと言う場合がある。第1~第n井戸層WL1~WLnを総称して井戸層WLと言う場合がある。第1~第nAlGaN層ML1~MLnを総称してAlGaN層MLと言う場合がある。複数のAlGaN層においてAl組成比III族中のAl組成比は、互いに同じでも良く、互いに異なっても良い。ただし、任意のAlGaN層において、Al組成比zは、0.25<z≦1に設定される。以下では、説明を簡単にするために、複数のAlGaN層においてAl組成比が同じAl組成比zが一定であるとする。第i井戸層WLiのバンドギャップエネルギーは、第i障壁層BLiのバンドギャップエネルギーよりも小さく、n側障壁層BLNのバンドギャップエネルギーよりも小さい。井戸層WLには例えばInGaN層が用いられ、障壁層BLにはGaN層が用いられる。障壁層BLにInGaN層が用いられる場合は、障壁層BLにおけるIn組成比III族中のIn組成比は、井戸層WLにおけるIn組成比よりも低い。井戸層WLの厚さは、例えば、1.0ナノメートルnm以上5.0nm以下である。井戸層WLの厚さが1.0nmよりも薄いと、515nmよりも長い波長の発光を得ることが難しい。井戸層WLの厚さが5.0nmよりも厚いと、結晶品質の劣化が起き易くなる。さらに、電子と正孔の波動関数の空間的分離が大きくなり、発光強度が弱くなる傾向にある。障壁層BLの厚さは、例えば3nm以上50nm以下である。障壁層BLの厚さが、3nmよりも薄いと、井戸層WL間の間隔が狭まることで、異なる井戸層WL間の波動関数が干渉してしまったり、井戸層WLにおける歪みの緩和が生じやすくなる。50nmよりも厚いと発光層ELが厚くなりすぎてしまい、動作電圧が高くなってしまう。図2は、実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図2に表したように、実施形態に係る半導体発光素子110111は、さらに、基板10と、バッファ層11と、を備えている。基板10及びバッファ層11は、必要に応じて設けられ、省略しても良い。基板10と発光部40との間にn形半導体層20が設けられる。基板10とn形半導体層20との間にバッファ層11が設けられる。基板10には、例えばサファイアが用いられる。例えば、基板10には、サファイア0001基板が用いられる。さらに、基板10には、SiC基板、Si基板またはGaN基板を用いても良い。バッファ層11には、例えばGaN層が用いられる。バッファ層11の上に、n形半導体層20、発光部40及びp形半導体層50が順次形成される。バッファ層11の上に上記の半導体層を形成した後に、基板10を除去しても良い。n形半導体層20、発光部40及びp形半導体層50を含む積層体10sは、第1主面10aと第2主面10bとを有する。第1主面10aはp形半導体層50の側の主面である。第2主面10bは、n形半導体層20の側の主面である。この例では、n形半導体層20の一部が、p形半導体層50と対向する。第1主面10aの側において、p形半導体層50に接するp側電極80が設けられる。さらに、第1主面10aの側において、n形半導体に接するn側電極70が設けられる。ただし、上記のように、基板10及びバッファ層11が除去され、第2主面10bの側において、n側電極70はn形半導体層20に接していても良い。ここで、n形半導体層20からp形半導体層50に向かう方向をZ軸方向とする。Z軸に対して垂直な1つの軸をX軸とする。Z軸とX軸とに対して垂直な軸をY軸とする。n形半導体層20は、例えばn側コンタクト層を含む。n側コンタクト層には、n形の不純物を含むGaN層が用いられる。n形不純物として、例えばSiシリコンが用いられる。p形半導体層50は、例えば、第1p形層51、第2p形層52及び第3p形層53を含むことができる。第2p形層52は、第1p形層51と発光部40との間に設けられる。第3p形層53は、第2p形層52と発光部40との間に設けられる。第3p形層53には、例えば、p形AlGaN層が用いられる。第3p形層53は、例えば、電子オーバーフロー抑制層電子オーバーフロー防止層として機能することができる。第3p形層53は、省略されても良い。第2p形層52には、Mgをドープしたp形GaN層が用いられる。第1p形層51には、高濃度でMgをドープしたp形GaN層を用いることができる。第1p形層51は、コンタクト層として機能する。p形不純物として、例えばMgマグネシウムが用いられる。n形半導体層20の主面は、c面である。p形半導体層50の主面も、c面である。ただし、例えば、n形半導体層20の主面及びp形半導体層50の主面が、c面から若干傾斜していても良い。n側電極70としては、例えば、チタン-白金-金Ti/Pt/Auの複合膜が用いられる。p側電極80には、例えば、酸化インジウムスズITOなどが用いられる。また、p側電極80には、ニッケル-金Ni/Auなどの複合膜を用いることができる。実施形態に係る半導体発光素子において、n形半導体層20と発光部40との間に、多層積層体をさらに設けても良い。図3は、実施形態に係る半導体発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。同図は、多層積層体30の構成を例示している。多層積層体30は、n形半導体層20と発光部40との間に設けられる。多層積層体30は、Z方向に沿って交互に積層された複数の厚膜層SAと複数の薄膜層SBとを含む。薄膜層SBは、厚膜層SAの厚さと同じ、または厚膜層SAよりも薄い厚さを有する。薄膜層SBは、厚膜層SAの組成とは異なる組成を有する。例えば、複数の薄膜層SBは、第1薄膜層SB1~第m薄膜層SBmを含む。ここで、mは2以上の整数である。複数の厚膜層SAは、第1厚膜層SA1~第m厚膜層SAmを含む。複数の厚膜層SAは、第m1厚膜層SAm1をさらに含んでも良い。多層積層体30は、例えば超格子構造を有することができる。厚膜層SAの厚さは、例えば、1nm以上3nm以下である。薄膜層SBの厚さは、例えば、1.5nm未満であり、かつ、厚膜層SAの厚さ以下である。多層積層体30は、窒化物半導体を含むことができる。具体的には、例えば、厚膜層SAはGaNを含む。薄膜層SBは、InGaNを含む。厚膜層SAには、例えば実質的にInを含まないGaN層が用いられる。多層積層体30に含まれる層がInGaN層を含む場合、そのIn組成は、後に成長する井戸層WLのIn組成より低いことが望ましい。多層積層体30は必要に応じて設けられ、場合によっては省略できる。以下では、多層積層体30が設けられる場合として説明する。実施形態に係る半導体発光素子110111においては、発光部40から放出される光のピーク波長λpは、515nmよりも長い。すなわち、ピーク波長λpが515nmを超える場合において、井戸層WLと、その井戸層WLからみてp形半導体層50の側に位置する障壁層BLと、の間に、Al組成比zが0.25よりも高いAlGaN層を設ける。これにより、高い輝度が得られる。この特性は、以下のような実験により見出された。以下、発明者が独自に実施した実験について説明する。以下の半導体層の成長方法として、MOVPE法有機金属気相成長法を用いた。まず、サファイア0001の基板10を、1100°Cのサセプタ温度でサーマルクリーニングを行った。次に、サセプタ温度を500°Cに下げ、基板10の主面上に、バッファ層11GaN層を成長させた。次に、サセプタ温度を1120°Cまで昇温した後に、n形半導体層20として、Siをドープしたn形GaN層を成長させた。その後、多層積層体30を形成した。具体的は、キャリアガスをH2からN2に変え、サセプタ温度を850°Cまで降温し、1nmの厚さのIn0.08Ga0.02N層薄膜層SBと、3nmの厚さのGaN層厚膜層SAと、を1周期として、20周期の層を形成した。これにより、多層積層体30が形成される。薄膜層SB及び厚膜層SAの少なくともいずれかは、Siを含んでも良い。多層積層体30は、n形半導体層20としての機能を含んでも良い。成長を中断しサセプタ温度を950°Cまで昇温し、この温度でn側障壁層BLNを成長させた。この実験では、n側障壁層BLNとしてSiドープのGaN層を成長させた。n側障壁層BLNの厚さは、12.5nmである。なお、n側障壁層BLNには、Siをドープしなくても良い。その後、サセプタ温度を700°C以上800°C以下の範囲の温度に降温し、第1井戸層WL1としてInGaN層を成長させた。第1井戸層WL1の厚さは、約3nmである。In組成比は約0.23である。その後、連続して、第1AlGaN層ML1として、厚さが1.5nmのAl0.30Ga0.70N層を成長させ、さらにその上に、第1キャップ層となる厚さが0.5nmのGaN層を成長させた。すなわち、第1AlGaN層ML1及び第1キャップ層を、第1井戸層WLの成長温度とほぼ同じ温度で成長させる。これにより、第1井戸層WL1及び第1AlGaN層ML1の平坦性を維持できる。次に、サセプタ温度を850°Cまで昇温し、第1障壁層BL1となるGaN層を成長させた。このGaN層の厚さは12.5nmである。これにより第1発光層EL1が形成される。この後、上記と同様にして、第2発光層EL2~第4発光層EL4を形成した。この後、第3p形層53として、MgドープのAlGaN層を形成し、さらに、第2p形層52として、MgドープのGaN層を形成し、さらに、第3p形層53として、Mg高濃度ドープのGaN層を形成した。これにより、p形半導体層50が形成される。この後、試料を反応室から取り出し、エッチング加工、電極形成などのプロセスを経て半導体発光素子111が形成された。上記において、1つのウェーハ基板10から複数の半導体発光素子111が得られる。この実験においては、複数の半導体発光素子111の発光のピーク波長λpを測定すると、複数の半導体発光素子111において、ピーク波長λpが異なっていた。これは、例えば、井戸層WLにおけるIn組成比zのウェーハ面内の変動、及び、井戸層WLの厚さのウェーハ面内の変動などに基づいている。これにより、異なるピーク波長λpを有する複数の半導体発光素子111が得られた。上記のプロセスを用いて、AlGaN層MLにおけるAl組成比zを変更した試料も作製した。AlGaN層MLにおけるAl組成比zを0.09、0.14及び0.18としたものを、それぞれ、第1参考例の半導体発光素子119a、第2参考例の半導体発光素子119b、及び、第3参考例の半導体発光素子119cとする。さらに、AlGaN層MLを形成しない試料第4参考例の半導体発光素子119dも作製した。半導体発光素子119dにおいては、井戸層WLの形成の後、連続してキャップ層を形成し、その後、温度を上記のように上昇し、障壁層BLを成長させた。そして、これを繰り返して発光部40を形成した。他の工程は、半導体発光素子111と同様である。第1~第4参考例の半導体発光素子119a~119dにおいても、それぞれのウェーハから、ピーク波長λpが互いに異なる複数の半導体発光素子が得られる。図4は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。すなわち、これらの図は、実施形態に係る半導体発光素子111、第1~第4参考例の半導体発光素子119a~119dの特性の測定結果を示している。横軸は、各半導体発光素子の試料におけるピーク波長λpに対応する。縦軸は、出力パワーOPに対応する対数表示。出力パワーOPは、20mAの電流を流した時の値である。図4に表したように、半導体発光素子111、第1~第4参考例の半導体発光素子119a~119dのそれぞれにおいて、ピーク波長λpが長くなると出力パワーOPは低下する。特に、AlGaN層MLを用いない第4参考例の半導体発光素子119dにおいては、ピーク波長λpが500nmよりも長くなると、出力パワーOPは著しく低下する。第1~第3参考例の半導体発光素子119a~119cにおいては、500nmよりも長波長領域における出力パワーOPの低下は半導体発光素子119dに比べると改善されているものの、不十分である。これに対し、実施形態に係る半導体発光素子111においては、500nmよりも長波長領域における出力パワーOPの低下が格段に改善されている。一方、半導体発光素子111においては、500nm以下の短波長領域においては、出力パワーOPは、参考例と同程度、または、参考例よりも低かった。このように、AlGaN層MLを用い、そのAl組成比zが0.3と高い条件においては、500nmよりも長波長領域における出力パワーOPが参考例に比べて向上する。図4の結果から、実施形態の半導体発光素子111によれば、Al組成比zが0.3以上で、515nmよりも長波長の領域において、参考例よりも確実に出力パワーOPが向上する。また、上記の実験においては、AlGaN層MLのAl組成比zが0.3であったが、Al組成比zが0.18の第3参考例の半導体発光素子119cの特性との差を考慮すると、AlGaN層MLのAl組成比zが0.25よりも高い条件において、515nmよりも長波長の領域において、確実に出力パワーOPが向上すると考えられる。このような実験により新たに見出された特性に基づいて、実施形態の構成が構築されている。すなわち、発光部40から放出される光のピーク波長λpが、515nmよりも長い半導体発光素子において、AlzGa1-zN0.25<z≦1を含むAlGaN層MLを用いる。このAlGaN層MLは、井戸層WLと、その井戸層WLのp形半導体層50の側の障壁層WLとの間に設けられる。すなわち、第1AlGaN層ML1は、第1井戸層WLと第1障壁層BL1との間に設けられる。これにより、高輝度が得られる。実施形態に係る構成により、上記のように高輝度が得られるのは、量子閉じ込めシュタルク効果による発光効率の低下が抑制されるためであると考えられる。例えば、第4参考例の半導体発光素子119dなどにおいては、井戸層WLには歪みが加わり、ピエゾ電界が発生する。そして、このピエゾ電界によって、正孔の波動関数と電子の波動関数との重なり積分値が減少し、発光効率が低減すると考えられる。すなわち、第4参考例においては、例えば、井戸層WLの電子の波動関数がp形半導体層50の側にしみ出す。特に、500nmよりも長い長波長の井戸層WLにおいては、歪みが大きくなり、この傾向が顕著となる。このとき、井戸層WLのp形半導体層50の側に、AlGaN層MLを設けることで、電子のp形半導体層50の側へのしみ出しが抑制される。電子は有効質量が小さいため、AlGaN層MLを設けることで、正孔の波動関数よりも、電子の波動関数が、n形半導体層20の側に、よりシフトする。これにより、正孔の波動関数と電子の波動関数との重なり積分値を増大できる。この効果は、AlGaN層MLにおけるAl組成比zが高いほど高くなると考えられる。これは、図4に例示した結果と整合する。図4に例示した実験結果から、輝度の向上が十分に発揮できるのは、AlGaN層MLにおけるAl組成比zが0.25よりも高いときであることが分かる。実施形態において、AlGaN層MLにおけるAl組成比zが過度に高いと、結晶品質に悪影響が生じる場合がある。また、Al組成比zが過度に高いと、電子の波動関数がシフトする効果が過度に生じ、正孔の波動関数との重なり積分値が逆に小さくなる傾向にあり、その結果、発光効率が低下する。このように、ピーク波長λpと、AlGaN層MLにおけるAl組成比zと、の間の適正な関係があると考えられる。このため、515nmより長波長の領域において、AlGaN層MLにおけるAl組成比zは、0.25よりも高く、0.5以下に設定されることが望ましい。これにより、高い輝度と、良好な結晶品質と、が得られる。その結果、高輝度で高効率の半導体発光素子が得られる。実施形態においては、基板10の主面は、c面である。これにより、各結晶層n形半導体層20、発光層EL及びp形半導体層50などの主面は、極性面であるc面となる。このとき、上記のようなピエゾ電界による量子閉じ込めシュタルク効果が発生し易くなる。実施形態においては、AlGaN層MLを用いることでこの効果を抑制する。なお、井戸層WLと、その井戸層WLのn形半導体層20の側の障壁層WLとの間に、AlGaN層を設ける構成参考例が考えられる。しかし、この構成においては、電子の波動関数のシフトする方向が上記で説明した方向と逆になり、量子閉じ込めシュタルク効果による発光効率の低下の抑制効果は得られないと考えられる。すなわち、例えば、第1発光層EL1において、第1井戸層WL1と接するn側障壁層BLNには、Inx2Ga1-x2N0≦x2<1が用いられる。また、障壁層BL第1障壁層BL1などには、Inx1Ga1-x1N0≦x1<1が用いられる。図5は、実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する透過型電子顕微鏡写真像である。図5は、半導体発光素子111の結晶層発光部40の断面の像である。図5に表したように、半導体発光素子111において、AlGaN層MLは層状である。例えば、AlGaN層MLには、貫通した孔の領域や、大きく陥没した領域は形成されていない。例えば、AlGaN層MLの陥没や貫通孔などによって、井戸層WLの一部が露出して障壁層BLと実質的に接することもない。図5において、AlGaN層MLの各層において、原子レベルでの平坦性が観察される。例えば、AlGaN層ML第1AlGaN層ML1などの厚さのRMS値は、例えば、0.5nm以下である。井戸層の上にAlGaNの中間層を設け、素子の閾値電圧または駆動電圧を下げる試みがある。この場合には、AlGaNの中間層が、表面が陥没または貫通した複数の領域を有する網目構造になる。陥没または貫通した複数の領域は、中間層の表面の10以上である。このような網目構造は、中間層を低温で形成し、その上の障壁層の成長温度まで温度を上昇させたときに、中間層などが分解して、形成されると考えられている。これに対して、上記のように、実施形態においては、AlGaN層MLの上にキャップ層を形成する。このキャップ層の形成温度は、AlGaN層MLの形成温度と同程度上記の実験においては同じ温度である。そして、そのキャップ層を形成した後に、温度を上昇し、高い温度で障壁層BLを形成する。このようなプロセスにより、AlGaN層MLの一部が分解することなどが抑制される。このため、実施形態においては、AlGaN層MLにおいては、成長させたときの状態である層状態が維持される。すなわち、網目構造ではない。実施形態において、AlGaN層MLにおいて、陥没しているまたは貫通孔が設けられている領域の面積は、AlGaN層MLの層面のうちの10未満である。すなわち、実質的にはそのような領域はない。もし、キャップ層を設けない状態において、AlGaN層MLの上に高い温度で障壁層BLを形成すると、AlGaN層MLに変形が生じる。そして、特に、Al組成比zが0.25よりも高い場合に、この変形が顕著となると考えられる。逆に、Al組成比zが0.25よりも高いAlGaN層MLにおいて、AlGaN層MLが層状平坦である場合には、このようなキャップ層を設けた上で、高温での障壁層BLを形成したと推定される。図6は、実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図6に表したように、実施形態に係る半導体発光素子112においては、キャップ層が設けられる。例えば、第1発光層EL1は、第1AlGaN層ML1と第1障壁層BL1とに接し、窒化物半導体を含む第1キャップ層CLキャップ層CLをさらに含む。これにより、第1AlGaN層ML1においては、層状を維持が維持される。このキャップ層CLは、例えば電子顕微鏡観察などの解析手法により観察される場合もあり、観察されない場合もある。図6に例示した半導体発光素子112はSQW構成を有しているが、実施形態はこれに限らない。MQW構成を有する半導体発光素子111において、キャップ層CLを設けても良い。すなわち、複数の発光層ELが設けられる場合において、第i発光層ELiは、第iAlGaN層MLiと第i障壁層BLiとに接し、窒化物半導体を含む第iキャップ層CLiをさらに含むことができる。これにより、AlGaN層MLが層状になる。すなわち、網目構造ではない。例えば、AlGaN層MLの厚さのRMS値は、0.5nm以下となる。この例では、AlGaN層MLの厚さは、約1.5nmであるため、厚さのばらつきは、AlGaN層MLの平均の厚さのプラスマイナス33以下0.5nm/1.5nmである。実施形態において、障壁層BLの成長温度は、井戸層WLの成長温度以上で、障壁層BLの成長温度と井戸層WLの成長温度との差は、200°C以下であることが望ましい。障壁層BLの成長温度が、井戸層WLの成長温度よりも低いと、障壁層BLにピットが発生し易い。障壁層BLの成長温度が井戸層WLの成長温度よりも高く、障壁層BLの成長温度と井戸層WLの成長温度との差が200°Cを超えると、井戸層WLが劣化し易い。なお、実施形態において、n側障壁層BLNの厚さは、3nm以上20nm以下が好ましい。n側障壁層BLNの厚さが3nm未満の場合は、表面の平坦性が十分でない。n側障壁層BLNの厚さが50nmを超えると、多層積層体30による結晶の歪みの緩和の効果が低くなると共に、駆動電圧が高くなる傾向がある。n側障壁層BLNの厚さが3nm以上50nm以下であるときに、高い平坦性と高い結晶品質と高効率な発光とが得られる。なお、n側障壁層BLNの形成において、サセプタの温度が900°C以上1000°C以下の範囲ではキャリアガスにはN2が望ましい。H2をさらに添加しても良い。ただし、この場合には、H2の流量は、総ガス流量の半分以下に設定される。これにより、高い結晶品質を得易い。図4に示した実験結果から、高い輝度出力パワーOPが得られるための、ピーク波長λpと、AlGaN層MLにおけるAl組成比zと、の間の適正な関係があると考えられる。これに関して、以下説明する。図7は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。この図は、図4に例示した実験のデータを基にして描かれている。図7の横軸は、ピーク波長λpである。縦軸は、AlGaN層MLにおけるAl組成比zである。図中の円形印は、Al組成比zが0.9、0.14、0.18及び0.30のなかで、そのピーク波長λpにおいて高い出力パワーOPが得られるAl組成比zであることを示す。四角形印は、Al組成比zが0.9、0.14、0.18及び0.30のなかで、そのピーク波長λpにおいて出力パワーOPが相対的に低くなるAl組成比zであることを示す。図7に例示したように、Al組成比zが0.30の場合半導体発光素子111においては、ピーク波長λpが515nmよりも長いときに、出力パワーOPが高い。しかしながら、ピーク波長λpが500nm以下では、出力パワーOPは低い。そして、ピーク波長λpが515nmよりも長い領域においては、Al組成比zが0.18以下のときは高い出力パワーOPが得られない。一方、ピーク波長λpと光出力の関係において、400nm~420nmにおいて最も高効率な発光を得られていることが知られている。このため、例えば、AlGaN層MLを用いない第4参考例と同等の構造を用いた窒化物半導体光源例えばブルーレイディスク用などにおいては、高効率な発光が得られる405nmの波長が用いられている。このことから、ピーク波長λpが405nmのときの適正なAl組成比zは0であると仮定できる。この条件を図7における点P0とする。一方、Al組成比zが0.3のときに高い出力パワーOPが得られることが顕著になる条件を図7における点Q0とする。上記の点P0と点Q0とを結ぶ線中心条件線L0の近傍の領域の条件において、上記のAlGaN層MLを設ける効果が発揮されると考えられる。中心条件線L0は、z=0.0024λp-0.972である。ここで、zは、AlGaN層MLにおけるIII属元素中のAl組成比である。λpナノメートルは、発光部40から放出される光のピーク波長である。そして、図7に例示したように、この中心条件線L0の近傍の条件第1境界条件線L1及び第2境界条件線L2に囲まれた領域の条件おいて、高い出力パワーOPが得られる。第1境界条件線L1は、1.15z=0.0024λp-0.972である。そして、第2境界条件線L2は、0.90z=0.0024λp-0.972である。従って、Al組成比zとピーク波長λpとが、以下の関係:1.15z>0.0024λp-0.972>0.90zを満たすときに、高い出力パワーOPが得られる。第1発光層EL1においては、第1AlGaN層ML1のAl組成比z1と、ピーク波長λpと、が以下の関係:1.15z1>0.0024λp-0.972>0.90z1を満たすときに、高い出力パワーOPが得られる。この条件が満たされるときには、515nm以下の波長領域において、高い輝度が得られる。そして、AlGaN層MLにおけるAl組成比zが0.25以下の場合においても、高い輝度が得られる。本実施形態において、Al組成比zは、例えばエネルギー分散X線分光法energydispersiveXrayspectrometry:EDXなどの手法によって測定できる。また、二次イオン質量分析法Secondaryionmicroprobemassspectrometer:SIMSや、X線回折装置を用いたomega2thetascanによる構造解析手法も用いることができる。また、AlGaN層などの結晶層の厚さは、例えば結晶層の断面の電子顕微鏡写真像などから求められる。実施形態に係る半導体発光素子における各半導体層の成長方法には、例えば、有機金属気相堆積MetalOrganicChemicalVaporDeposition:MOCVD法、及び、有機金属気相成長MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy:MOVPE法などを用いることができる。各半導体層の形成の際の原料には、以下を用いることができる。Gaの原料として、例えば、TMGaトリメチルガリウム及びTEGaトリエチルガリウムなどを用いることができる。Inの原料として、例えば、TMInトリメチルインジウム及びTEInトリエチルインジウムなどを用いることができる。Alの原料として、例えば、TMAlトリメチルアルミニウムなどを用いることができる。Nの原料として、例えば、NH3アンモニア、MMHyモノメチルヒドラジン及びDMHyジメチルヒドラジンなどを用いることができる。Siの原料として、例えば、SiH4モノシランなどを用いることができる。Mgの原料として、例えば、Cp2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウムなどを用いることができる。実施形態によれば、高効率の半導体発光素子が提供される。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。なお、本願明細書において、垂直及び平行は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれるn形半導体層、p形半導体層、発光部、発光層、井戸層、障壁層、AlGaN層及び電極などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光素子も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"