"バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素を製造するための半導体光触媒であって、前記半導体光触媒の原子組成比は、M~N-Axであり、ただし、M~NはII族元素~VI族元素であり、またはM~NはIII族元~V族元素であり、前記式の中で、Aは、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀の1つ又は2つ以上の元素であり、0.02≦X≦1.0であることを特徴とする半導体光触媒。前記半導体光触媒の原子組成比は、TiO2-M~N-Ax、SnO2-M~N-AxまたはZnO-M~N-Axであることを特徴とする請求項1に記載の半導体光触媒。請求項1に記載の半導体光触媒を製造する半導体光触媒の製造方法であって、1反応器に、II~VI族の元素またはIII~V族の元素からなる量子ドットを入れる工程と、2沈殿物に、コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、又はパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物を入れ、混合溶液Aを得る工程と、3前記混合溶液Aにバイオマス夕誘導体の水溶液を入れ、混合溶液Bを得る工程と、4前記混合溶液Bに1mol/LのNaOH又は1mol/LのHClを滴下することで混合溶液BのpH値を3~10に調整し、混合溶液Cを得る工程と、5不活性ガスを、工程4における溶液Cへ通気し、又は前記反応器を真空引きし、不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光、可視光、又は紫外光と可視光の混合光ビームにより反応器を照射し、原子組成比がM~N-Axである半導体触媒を、元の場所には生成する工程と、を含む。請求項3に記載の半導体光触媒の製造方法であって、前記バイオマス誘導体は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノース、アスコルビン酸、L-プロリン又はL-システインであることを特徴とする請求項3に記載の半導体光触媒の製造方法。請求項2に記載の半導体光触媒を製造する半導体光触媒の製造方法であって、1反応器にII~VI族の元素またはIII~V族の元素からなる量子ドットを入れ、さらに、TiO2、SnO2またはZnOを加え、PH≧7に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する工程と、2沈殿物に、コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、又はパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物を入れる工程と、3さらに、バイオマス夕誘導体の水溶液を沈殿物に加える工程と、4不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光及び/又は可視光により反応器を照射して原子組成比がTiO2-M~N-Ax、SnO2-M~N-AxまたはZnO-M~N-Axである半導体光触媒を作成する工程と、を含む。請求項3又は4に記載の半導体光触媒の製造方法であって、前記バイオマス誘導体は、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノースである。請求項3又は5に記載の方法であって、前記II~VI族の元素からなる量子ドットは、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、ZnS、ZnSeの1つ又は2つ以上の元素からなる複合構造の量子ドットを含み、前記III~V族の元素からなる量子ドットは、InP、InAsの1つ又は2つからなる複合構造の量子ドットを含む。請求項3又は5に記載の方法であって、工程1において、前記II~VI又はIII~V族の元素からなる量子ドットの濃度が1×10-4g/L以上である。請求項3又は5に記載の方法であって、工程2において、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の、反応体系全体における濃度が1×10-6mol/L以上であり、前記コバルト塩は、ハロゲン化コバルト、硫酸コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、シュウ酸コバルト、酢酸コバルト、リン酸コバルトまたはクロム酸コバルトであり、前記コバルト錯体は、コバルト-アンモニア錯体[CoNH36]3、コバルト-シアン錯体[CoCN6]4-、コバルト-チオシアン錯体[CoSCN4]2-、コバルト-カルボニル基錯体[CoCO4]-、コバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-、コバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-又はコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であり、ただし、コバルト-ジメチルグリオキシム錯体及びその誘導体は、以下の構造式を有し、構造式において、Lは、H2O又はCH3CNであり、Rは、H、NCH32又はCOOCH3であり、前記ニッケル塩は、ハロゲン化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、酢酸ニッケル、リン酸ニッケルまたは亜クロム酸ニッケルであり、前記ニッケル錯体は、ニッケル-アンモニア配位化合物[NiNH36]2、ニッケル-シアン配位化合物[NiCN4]2-、ニッケル-キレート化合物[Nien3]2、ニッケル-カルボニル基配位化合物NiCO4又はニッケル-エチル配位化合物C2H52Niであり、前記鉄塩は、ハロゲン化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、炭酸鉄、シュウ酸鉄、酢酸鉄、リン酸鉄、クロム酸鉄、ハロゲン化第一鉄、硫酸第一鉄、硝酸第一鉄、炭酸第一鉄、シュウ酸第一鉄、酢酸第一鉄、リン酸第一鉄、クロム酸第一鉄または硫酸第一鉄アンモニウムであり、前記鉄錯体は、鉄-シアン錯体[FeCN6]3-、第一鉄-シアン錯体[FeCN6]4-、鉄-チオシアン錯体FeSCN3、鉄-硫黄錯体[Fe2S2CO6]、鉄-カルボニル基錯体FeCO5、鉄-カルボニル基錯体Fe2CO9又は鉄-カルボニル基錯体Fe3CO12であり、前記銅塩は、ハロゲン化銅、硫酸銅五水和物、一水和物および無水、硝酸銅、炭酸銅、シュウ酸銅、酢酸銅、リン酸銅、クロム酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅、脂肪酸銅、ナフテン酸銅、ハロゲン化第一銅、硫酸第一銅、炭酸第一銅、酢酸第一銅であり、前記クロム塩は、ハロゲン化クロム、硫酸クロム、硝酸クロム、炭酸クロム、シュウ酸クロム、酢酸クロム、リン酸クロムであり、前記パラジウム塩は、テトラクロロパラジウムII酸カリウム、ハロゲン化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウムであり、前記白金塩は、テトラクロロ白金II酸カリウム、ハロゲン化白金、硝酸白金であり、前記ルテニウム塩は、ハロゲン化ルテニウム、硫酸ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウムであり、前記ロジウム塩は、ハロゲン化ロジウム、硫酸ロジウム、硝酸ロジウム、酢酸ロジウムであり、前記金塩は、ハロゲン化金、塩化金酸であり、前記銀塩は、ハロゲン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀である。請求項3又は5に記載の方法であって、工程3において、前記バイオマス誘導体の、反応系全体における濃度が、1×10-4mol/L以上であり、またはモルパーセントが0.01以上である。請求項1に記載の半導体光触媒を含み、バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する体系において、原料として、1II~VIまたはIII~V族の元素からなる量子ドットと、2コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、またはパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物と、3バイオマス誘導体の水溶液と、を含み、pH値が3~10であること、および紫外線及び/又は可視光により照射することという条件を含む。請求項2に記載の半導体光触媒を含み、バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素を製造する体系において、原料として、1II~VIまたはIII~V族の元素からなる量子ドットと、2TiO2、SnO2又はZnOと、3コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、またはパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物と、4バイオマス誘導体の水溶液と、を含み、アルカリ条件および紫外線及び/又は可視光により照射するという条件を含む。請求項11又は12に記載の体系であって、前記II~VI又はIII~V族の元素からなる量子ドットの濃度が1×10-4g/Lよりも大きいであり、前記II~VI族の元素からなる量子ドットは、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、ZnS、ZnSeの1つ又は2つ以上を含んでなる複合構造の量子ドットを含み、前記III~V族元素からなる量子ドットは、InP、InAsの1つ又は2つを含んでなる複合構造の量子ドットを含む。請求項11又は12に記載の体系であって、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の、反応体系全体における濃度は、1×10-6mol/L以上であり、前記コバルト塩は、ハロゲン化コバルト、硫酸コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、シュウ酸コバルト、酢酸コバルト、リン酸コバルトまたはクロム酸コバルトであり、前記コバルト錯体は、コバルト-アンモニア錯体[CoNH36]3、コバルト-シアン化物[CoCN6]4-、コバルト-チオシアン錯体[CoSCN4]2-、コバルト-カルボニル基錯体[CoCO4]-、コバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-、コバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-又はコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であり、コバルト-ジメチルグリオキシム錯体及びその誘導体は、以下の構造式を有し、構造式でのLはH2O又はCH3CNであり、Rは、H、NCH32又はCOOCH3であり、前記ニッケル塩は、ハロゲン化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、酢酸ニッケル、リン酸ニッケルまたは亜クロム酸ニッケルであり、前記ニッケル錯体がニッケル-アンモニア配位化合物[NiNH36]2、ニッケル-シアン配位化合物[NiCN4]2-、ニッケル-キレート化合物[Nien3]2、ニッケル-カルボニル基配位化合物NiCO4又はニッケル-エチル配位化合物C2H52Niであり、前記鉄塩は、ハロゲン化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、炭酸鉄、シュウ酸鉄、酢酸鉄、リン酸鉄、クロム酸鉄、ハロゲン化第一鉄、硫酸第一鉄、硝酸第一鉄、炭酸第一鉄、シュウ酸第一鉄、酢酸第一鉄、リン酸第一鉄、クロム酸第一鉄または硫酸第一鉄アンモニウムであり、前記鉄錯体は、鉄-シアン錯体[FeCN6]3-、第一鉄-シアン錯体[FeCN6]4-、鉄-チオシアン錯体FeSCN3、鉄-硫黄錯体[Fe2S2CO6]、鉄-カルボニル基錯体FeCO5、鉄-カルボニル基錯体Fe2CO9又は鉄-カルボニル基錯体Fe3CO12であり、前記銅塩は、ハロゲン化銅、硫酸銅五水和物、一水和物および無水、硝酸銅、炭酸銅、シュウ酸銅、酢酸銅、リン酸銅、クロム酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅、脂肪酸銅、ナフテン酸銅、ハロゲン化第一銅、硫酸第一銅、炭酸第一銅、酢酸第一銅であり、前記クロム塩は、ハロゲン化クロム、硫酸クロム、硝酸クロム、炭酸クロム、シュウ酸クロム、酢酸クロム、リン酸クロムであり、前記パラジウム塩は、テトラクロロパラジウムII酸カリウム、ハロゲン化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウムであり、前記白金塩は、テトラクロロ白金II酸カリウム、ハロゲン化白金、硝酸白金であり、前記ルテニウム塩は、ハロゲン化ルテニウム、硫酸ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウムであり、前記ロジウム塩は、ハロゲン化ロジウム、硫酸ロジウム、硝酸ロジウム、酢酸ロジウムであり、前記金塩は、ハロゲン化金、塩化金酸であり、前記銀塩は、ハロゲン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀である。請求項11に記載の体系であって、前記バイオマス誘導体は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノース、アスコルビン酸、L-プロリン又はL-システインである。請求項12に記載の体系であって、前記バイオマス誘導体は、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノースである。請求項1に記載の半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法であって、1反応器にII~VI族の元素またはIII~V族の元素からなる量子ドットを入れる工程と、2さらに、反応器にコバルト塩、ニッケル塩、鉄塩、コバルト錯体、ニッケル錯体、鉄錯体、銅塩、クロム塩、又はパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物を入れ、混合溶液Aを得る工程と、3前記混合溶液Aにバイオマス夕誘導体の水溶液を入れ、混合溶液Bを得る工程と、4混合溶液BのpH値を3~10に調整し、混合溶液Cを得る工程と、5不活性ガスを工程4における溶液Cへ通気し、又は前記反応器を真空引きし、不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光、可視光、又は紫外光と可視光の混合光ビームにより反応器を照射し、元の場所には生成された光触媒により、バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する工程と、を含む。請求項2に記載の半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法であって、1反応器にII~VI族の元素またはIII~V族元素かななる量子ドットを入れ、さらに、TiO2、SnO2、またはZnOを加え、PH≧7に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する工程と、2沈殿物にコバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、又はパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物を入れる工程と、3さらに、バイオマス夕誘導体の水溶液を沈殿物に加え、pH≧7に調整する工程と、4不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光及び/又は可視光により反応器を照射し、複合型半導体光触媒を得るとともに、バイオマス誘導体を改質して水素ガスを産生する工程と、を含む。請求項17又は18に記載の方法であって、工程1において前記II~VI族の元素又はIII~V族の元素からなる量子ドットの濃度が1×10-4g/Lよりも大きいであり、前記II~VI族の元素からなる量子ドットは、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、ZnS、ZnSeの1つ又は2つ以上からなる複合構造子ドットを含み、前記III~V族の元素からなる量子ドットは、InP、InAsの1つ又は2つからなる複合構造の量子ドットを含む。請求項17又は18に記載の方法であって、工程2において前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の、反応体系全体における濃度は、1×10-6mol/L以上であり、前記コバルト塩は、ハロゲン化コバルト、硫酸コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、シュウ酸コバルト、酢酸コバルト、リン酸コバルトまたはクロム酸コバルトであり、前記コバルト錯体は、コバルト-アンモニア錯体[CoNH36]3、コバルト-シアン錯体[CoCN6]4-、コバルト-チオシアン錯体[CoSCN4]2-、コバルト-カルボニル基錯体[CoCO4]-、コバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-、コバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-又はコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であり、ただし、バルト-ジメチルグリオキシム錯体及びその誘導体は、以下の構造式をし、構造式でのLはH2O又はCH3CNであり、Rは、H、NCH32又はCOOCH3であり、前記ニッケル塩は、ハロゲン化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、酢酸ニッケル、リン酸ニッケルまたは亜クロム酸ニッケルであり、前記ニッケル錯体は、ニッケル-アンモニア配位化合物[NiNH36]2、ニッケル-シアン配位化合物[NiCN4]2-、ニッケル-キレート化合物[Nien3]2、ニッケル-カルボニル基配位化合物NiCO4又はニッケル-エチル配位化合物C2H52Niであり、前記鉄塩は、ハロゲン化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、炭酸鉄、シュウ酸鉄、酢酸鉄、リン酸鉄、クロム酸鉄、ハロゲン化第一鉄、硫酸第一鉄、硝酸第一鉄、炭酸第一鉄、シュウ酸第一鉄、酢酸第一鉄、リン酸第一鉄、クロム酸第一鉄または硫酸第一鉄アンモニウムであり、前記鉄錯体は、鉄-シアン錯体[FeCN6]3-、第一鉄-シアン錯体[FeCN6]4-、鉄-チオシアン錯体FeSCN3、鉄-硫黄錯体[Fe2S2CO6]、鉄-カルボニル基錯体FeCO5、鉄-カルボニル基錯体Fe2CO9又は鉄-カルボニル基錯体Fe3CO12であり、前記銅塩は、ハロゲン化銅、硫酸銅五水和物、一水和物および無水、硝酸銅、炭酸銅、シュウ酸銅、酢酸銅、リン酸銅、クロム酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅、脂肪酸銅、ナフテン酸銅、ハロゲン化第一銅、硫酸第一銅、炭酸第一銅、酢酸第一銅であり、前記クロム塩は、ハロゲン化クロム、硫酸クロム、硝酸クロム、炭酸クロム、シュウ酸クロム、酢酸クロム、リン酸クロムであり、前記パラジウム塩は、テトラクロロパラジウムII酸カリウム、ハロゲン化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウムであり、前記白金塩は、テトラクロロ白金II酸カリウム、ハロゲン化白金、硝酸白金であり、前記ルテニウム塩は、ハロゲン化ルテニウム、硫酸ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウムであり、前記ロジウム塩は、ハロゲン化ロジウム、硫酸ロジウム、硝酸ロジウム、酢酸ロジウムであり、前記金塩は、ハロゲン化金、塩化金酸であり、前記銀塩は、ハロゲン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀である。請求項17又は18に記載の方法であって、工程3において前記バイオマス誘導体の、反応系全体における濃度が1×10-4mol/L以上であり、またはモルパーセントが0.01以上である。請求項17に記載の方法であって、前記バイオマス誘導体は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノース、アスコルビン酸、L-プロリン又はL-システインである。請求項18に記載の体系であって、前記バイオマス誘導体は、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノースである本発明が解決しようとする第一の技術的な課題は、バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素を製造するための半導体光触媒を提供することである。本発明が解決しようとする第二の技術的な課題は、上記半導体光触媒の製造方法を提供することである。本発明が解決しようとする第三の技術的な課題は、上記半導体光触媒を含み、バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する体系を提供することである。本発明が解決しようとする第四の技術的な課題は、上記半導体光触媒によってバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素を製造する方法を提供することである。上記の第一の技術的な課題を解決するために、本発明に係るバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素を製造するための半導体光触媒において、前記半導体光触媒の原子組成比は、M~N-Axであり、ただし、M~NはII族元素~VI族元素であり、またはM~NはIII族元素~V族元素であり、前記式では、Aは、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金または銀の1つ又は2つ以上の元素であり、0.02≦x≦1.0である。本発明では、M~Nは、II族元素とそれに対応するVI族元素とを意味するものであり、又は、III族元素とそれに対応するV族元素とを意味するものである。そのうち、II族元素はIIb族元素のZn、Cdであり、VI族元素はVIa族のS、Se、Te族であり、III族はIIIa族元素のInであり、VはVa族元素のP、Asである。さらに、バイオマス誘導体は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノース、アスコルビン酸、L-プロリン又はL-システインである。さらに、前記半導体光触媒の原子組成比は、TiO2-M~N-Ax、SnO2-M~N-Ax又はZnO-M~N-Axである。前記バイオマス誘導体は、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース又はマンノースである。上記の第二の技術的な課題を解決するために、本発明係る半導体光触媒M~N-Axの製造方法は、1反応器に、II~VI族元素またはIII-V族元素からなる量子ドットを入れる工程と、2反応器に、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金または銀の塩または錯体溶液の1つまたは2つ以上の元素を入れ、混合溶液Aを得る工程と、3前記混合溶液Aにバイオマス夕誘導体の水溶液を入れ、混合溶液Bを得る工程と、4前記混合溶液Bに1mol/LのNaOH又は1mol/LのHClを滴下することで混合溶液BのpH値を3~10に調整し、混合溶液Cを得る工程と、5不活性ガスを、工程4における溶液Cへ通気し、又は前記反応器を真空引きし、不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光、可視光、又は紫外光と可視光の混合光ビームにより反応器を照射し、原子組成比がM~N-Axである半導体触媒を、元の場所には生成する工程と、を含む。さらに、本発明に係る半導体光触媒TiO2-M~N-Ax、SnO2-M~N-Ax又はZnO-M~N-Axの製造方法であって、反応器にII~VI族の元素またはIII-V族の元素からなる量子ドットを入れ、さらに、TiO2、SnO2、ZnOを加え、PH≧7に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する工程と、沈殿物に、コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、又はパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物を入れる工程と、さらに、バイオマス夕誘導体の水溶液を沈殿物に加える工程と、不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光及び/又は可視光により反応器を照射して原子組成比がTiO2-M~N-Ax、SnO2-M~N-Ax又はZnO-M~N-Axである半導体光触媒を製造する工程と、を含み、ただし、前記バイオマス誘導体は、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノース、アスコルビン酸、L-プロリン又はL-システインであり、さらに、工程1において、前記II~VI又はIII~VVI族の元素からなる量子ドットの濃度が1×10-4g/Lよりも大きいであり、前記量子ドットの濃度は、すべての反応物を容器に置き且つ定容された後の、体系での量子ドット濃度であり、前記II~VI族の元素からなる量子ドットは、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、ZnS、ZnSeの1つ又は2つ以上からなる複合構造の量子ドットを含む。前記III~V族の元素からなる量子ドットは、InP、InAsの1つ又は両者からなる複合構造の量子ドットを含む。さらに、工程2において、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の濃度が1×10-6mol/L以上であり、即ち、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体の、反応系全体における濃度は、最大である場合、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の飽和濃度に達することができる。理論的には加え続けることができるが、理論的と経済的な価値は一切ない、前記コバルト塩は、ハロゲン化コバルト、硫酸コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、シュウ酸コバルト、酢酸コバルト、リン酸コバルトまたはクロム酸コバルトであり、前記コバルト錯体は、コバルト-アンモニア錯体[CoNH36]3、コバルト-シアン錯体[CoCN6]4-、コバルト-チオシアン錯体[CoSCN4]2-、コバルト-カルボニル基錯体[CoCO4]-、コバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-、コバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-又はコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であり、ただし、コバルト-ジメチルグリオキシム錯体及びその誘導体は、以下の構造式を有し、構造式でのLはH2O又はCH3CNであり、Rは、H、NCH32又はCOOCH3であり、前記ニッケル塩は、ハロゲン化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、酢酸ニッケル、リン酸ニッケルまたは亜クロム酸ニッケルであり、前記ニッケル錯体は、ニッケル-アンモニア配位化合物[NiNH36]2、ニッケル-シアン配位化合物[NiCN4]2-、ニッケル-キレート化合物[Nien3]2、ニッケル-カルボニル基配位化合物NiCO4又はニッケル-エチル配位化合物C2H52Niであり、前記鉄塩は、ハロゲン化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、炭酸鉄、シュウ酸鉄、酢酸鉄、リン酸鉄、クロム酸鉄、ハロゲン化第一鉄、硫酸第一鉄、硝酸第一鉄、炭酸第一鉄、炭酸第一鉄、シュウ酸第一鉄、酢酸第一鉄、リン酸第一鉄、クロム第一鉄または硫酸第一鉄アンモニウムであり、前記鉄錯体は、鉄-シアン錯体[FeCN6]3-、第一鉄-シアン錯体[FeCN6]4-、鉄-チオシアン錯体FeSCN3、鉄-硫黄錯体[Fe2S2CO6]、鉄-カルボニル基錯体FeCO5、鉄-カルボニル基錯体Fe2CO9又は鉄-カルボニル基錯体Fe3CO12である。前記銅塩は、ハロゲン化銅、硫酸銅五水和物、一水和物および無水、硝酸銅、炭酸銅、シュウ酸銅、酢酸銅、リン酸銅、クロム酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅、脂肪酸銅、ナフテン酸銅、ハロゲン化第一銅、硫酸第一銅、炭酸第一銅、酢酸第一銅であり、前記クロム塩は、ハロゲン化クロム、硫酸クロム、硝酸クロム、炭酸クロム、シュウ酸クロム、酢酸クロム、リン酸クロムであり、前記パラジウム塩は、テトラクロロパラジウムII酸カリウム、ハロゲン化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウムであり、前記白金塩は、テトラクロロ白金II酸カリウム、ハロゲン化白金、硝酸白金であり、前記ルテニウム塩は、ハロゲン化ルテニウム、硫酸ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウムであり、前記ロジウム塩は、ハロゲン化ロジウム、硫酸ロジウム、硝酸ロジウム、酢酸ロジウムであり、前記金塩は、ハロゲン化金、塩化金酸であり、前記銀塩は、ハロゲン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀であり、更に、工程3において前記バイオマス誘導体の、反応系全体における濃度が1×10-4mol/L以上であり、またはモルパーセントが0.01以上であり、前記バイオマス誘導体の濃度またはモルパーセントは、最大である場合、体系における飽和濃度に達することができる。理論的には加え続けることができるが、理論的と経済的な価値は一切ない。上記の第三の技術的な課題を解決するために、本発明の、半導体光触媒M~N-Axを含み且つバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する体系であって、1II~VIまたはIII~V族の元素からなる量子ドットと、2コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、またはパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物と、3バイオマス誘導体の水溶液と、を含み、pH値が3~10であること、および紫外線及び/又は可視光により照射することという条件を含む。本発明は、半導体光触媒TiO2-M~N-Ax、SnO2-M~N-Ax又はZnO-M~N-Axを含み且つバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する体系であって、原料として、1II~VIまたはIII~V族元素からなる量子ドットと、2TiO2、SnO2又はZnOと、3コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、またはパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物と、4バイオマス誘導体の水溶液と、を含み、アルカリ条件および紫外線及び/又は可視光により照射するという条件を含む。さらに、前記II~VI又はIII~V族の元素からなる量子ドットの濃度が1×10-4g/Lより大きいものであり、前記量子ドットの濃度は、すべての反応物を容器に入れ且つ定容された後の、体系での量子ドットの濃度であり、前記II~VI族の元素からなる量子ドットは、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、ZnS、ZnSeの1つ又は2つ以上からなる複合構造の量子ドットを含む。前記III~V族の元素からなる量子ドットは、InP、InAsの1つ又は2つからなる複合構成の量子ドットを含む。さらに、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の濃度は、1×10-6mol/L以上であり、即ち、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体の、反応系全体における濃度は、最大である場合、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の飽和濃度に達することができる。理論的には加え続けることができるが、理論的と経済的な価値は一切ない。前記コバルト塩は、ハロゲン化コバルト、硫酸コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、シュウ酸コバルト、酢酸コバルト、リン酸コバルトまたはクロム酸コバルトであり、前記コバルト錯体は、コバルト-アンモニア錯体[CoNH36]3、コバルト-シアン錯体[CoCN6]4-、コバルト-チオシアン錯体[CoSCN4]2-、コバルト-カルボニル基錯体[CoCO4]-、コバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-、コバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-又はコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であり、その中で、バルト-ジメチルグリオキシム錯体及びその誘導体は、以下の構造式を有し、構造式でのLは、H2O又はCH3CNであり、Rは、H、NCH32又はCOOCH3であり、前記ニッケル塩は、ハロゲン化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、酢酸ニッケル、リン酸ニッケルまたは亜クロム酸ニッケルである。前記ニッケル錯体は、ニッケル-アンモニア配位化合物[NiNH36]2、ニッケル-シアン配位化合物[NiCN4]2-、ニッケル-キレート化合物[Nien3]2、ニッケル-カルボニル基配位化合物NiCO4又はニッケル-エチル配位化合物C2H52Niであり、前記鉄塩は、ハロゲン化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、炭酸鉄、シュウ酸鉄、酢酸鉄、リン酸鉄、クロム酸鉄、ハロゲン化第一鉄、硫酸第一鉄、硝酸第一鉄、炭酸第一鉄、炭酸第一鉄、シュウ酸第一鉄、酢酸第一鉄、リン酸第一鉄、クロム第一鉄または硫酸第一鉄アンモニウムであり、前記鉄錯体は、鉄-シアン錯体[FeCN6]3-、第一鉄-シアン錯体[FeCN6]4-、鉄-チオシアン錯体FeSCN3、鉄-硫黄錯体[Fe2S2CO6]、鉄-カルボニル基錯体FeCO5、鉄-カルボニル基錯体Fe2CO9又は鉄-カルボニル基錯体Fe3CO12であり、前記銅塩は、ハロゲン化銅、硫酸銅五水和物、一水和物および無水、硝酸銅、炭酸銅、シュウ酸銅、酢酸銅、リン酸銅、クロム酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅、脂肪酸銅、ナフテン酸銅、ハロゲン化第一銅、硫酸第一銅、炭酸第一銅、酢酸第一銅であり、前記クロム塩は、ハロゲン化クロム、硫酸クロム、硝酸クロム、炭酸クロム、シュウ酸クロム、酢酸クロム、リン酸クロムであり、前記パラジウム塩は、テトラクロロパラジウムII酸カリウム、ハロゲン化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウムであり、前記白金塩は、テトラクロロ白金II酸カリウム、ハロゲン化白金、硝酸白金であり、前記ルテニウム塩は、ハロゲン化ルテニウム、硫酸ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウムであり、前記ロジウム塩は、ハロゲン化ロジウム、硫酸ロジウム、硝酸ロジウム、酢酸ロジウムであり、前記金塩は、ハロゲン化金、塩化金酸であり、前記銀塩は、ハロゲン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀であり、更に、前記バイオマス誘導体は、反応系全体における濃度が1×10-4mol/L以上であり、またはモルパーセントが0.01以上であり、前記バイオマス誘導体の濃度またはモルパーセントは、最大である場合、体系における飽和濃度に達することができる。理論的には加え続けることができるが、理論的と経済的な価値は一切ない。前記バイオマス誘導体は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノース、アスコルビン酸、L-プロリン又はL-システインである。上記の第四の技術的な課題を解決するために、本発明に係る半導体光触媒M~N-Axを用いてバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法であって、1反応器にII~VI族の元素またはIII~V族の元素からなる量子ドットを入れる工程と、2さらに、反応器にコバルト塩、ニッケル塩、鉄塩、コバルト錯体、ニッケル錯体、鉄錯体、銅塩、クロム塩、又はパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩の1つ又は2つ以上の混合物を入れ、混合溶液Aを得る工程と、3前記混合溶液Aにバイオマス夕誘導体の水溶液を入れ、混合溶液Bを得る工程と、4前記混合溶液Bに1mol/LのNaOH又は1mol/LのHClを滴下することで混合溶液BのpH値を3~10に調整し、混合溶液Cを得る工程と、5不活性ガスを、工程4における溶液Cへ通気し、又は前記反応器を真空引きし、不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光、可視光、又は紫外光と可視光の混合光ビームにより反応器を照射し、元の場所には生成された触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する工程と、含む。前記バイオマス誘導体は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノース、アスコルビン酸、L-プロリン又はL-システインである。本発明に係る半導体光触媒TiO2-M~N-Ax、SnO2-M~N-Ax又はZnO-M~N-AxTiOによりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法であって、1反応器にII~VI族の元素またはIII~V族の元素からなる量子ドットを入れ、さらに、TiO2、SnO2、またはZnOを入れ、PH≧7に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する工程と、2沈殿物に、コバルト塩、コバルト錯体、ニッケル塩、ニッケル錯体、鉄塩、鉄錯体、銅塩、クロム塩、又はパラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金、銀の塩溶液の1つ又は2つ以上の混合物を入れる工程と、3さらに、バイオマス夕誘導体の水溶液を沈殿物に加え、PH≧7に調整する工程と、4不活性ガス又は真空の雰囲気において、紫外光及び/又は可視光により反応器を照射し、複合型半導体光触媒を生成するとともに、バイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する工程と、を含む。前記バイオマス誘導体は、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、グリセリン、グルコース、スクロース、フルクトース、マルトース、マンノースである。更に、工程1において前記II~VI又はIII~V族の元素からなる量子ドットの濃度が1×10-4g/Lより大きいものである。前記量子ドットの濃度は、すべての反応物を容器に入れ、且つ定容される後の、体系での量子ドット濃度である。前記II~VI族の元素からなる量子ドットは、CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、ZnS、ZnSeの1つ又は2つ以上からなる複合構造の量子ドットを含む。前記III~V族元素からなる量子ドットは、InP、InAsの1つ又は2つからなる複合構造の量子ドットを含む。さらに、工程2において、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の濃度は、1×10-6mol/L以上であり、即ち、前記コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体の、反応系全体における濃度は、最大である場合、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀塩または錯体溶液の飽和濃度に達することができる。理論的には加え続けることができるが、理論的と経済的な価値は一切ない。前記コバルト塩は、ハロゲン化コバルト、硫酸コバルト、硝酸コバルト、炭酸コバルト、シュウ酸コバルト、酢酸コバルト、リン酸コバルトまたはクロム酸コバルトであり、前記コバルト錯体は、コバルト-アンモニア錯体[CoNH36]3、コバルト-シアン錯体[CoCN6]4-、コバルト-チオシアン錯体[CoSCN4]2-、コバルト-カルボニル基錯体[CoCO4]-、コバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-、コバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-又はコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であり、ただし、コバルト-ジメチルグリオキシム錯体及びその誘導体は、以下の構造式を有し、構造式でのLは、H2O又はCH3CNであり、Rは、H、NCH32又はCOOCH3であり、前記ニッケル塩は、ハロゲン化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、シュウ酸ニッケル、酢酸ニッケル、リン酸ニッケルまたは亜クロム酸ニッケルであり、前記ニッケル錯体は、ニッケル-アンモニア配位化合物[NiNH36]2、ニッケル-シアン配位化合物[NiCN4]2-、ニッケル-キレート化合物[Nien3]2、ニッケル-カルボニル基配位化合物NiCO4又はニッケル-エチル配位化合物C2H52Niであり、前記鉄塩は、ハロゲン化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、炭酸鉄、シュウ酸鉄、酢酸鉄、リン酸鉄、クロム酸鉄、ハロゲン化第一鉄、硫酸第一鉄、硝酸第一鉄、炭酸第一鉄、炭酸第一鉄、シュウ酸第一鉄、酢酸第一鉄、リン酸第一鉄、クロム第一鉄または硫酸第一鉄アンモニウムであり、前記鉄錯体は、鉄-シアン錯体[FeCN6]3-、第一鉄-シアン錯体[FeCN6]4-、鉄-チオシアン錯体FeSCN3、鉄-硫黄錯体[Fe2S2CO6]、鉄-カルボニル基錯体FeCO5、鉄-カルボニル基錯体Fe2CO9又は鉄-カルボニル基錯体Fe3CO12であり、前記銅塩は、ハロゲン化銅、硫酸銅五水和物、一水和物および無水、硝酸銅、炭酸銅、シュウ酸銅、酢酸銅、リン酸銅、クロム酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅、脂肪酸銅、ナフテン酸銅、ハロゲン化第一銅、硫酸第一銅、炭酸第一銅、酢酸第一銅であり、前記クロム塩は、ハロゲン化クロム、硫酸クロム、硝酸クロム、炭酸クロム、シュウ酸クロム、酢酸クロム、リン酸クロムであり、前記パラジウム塩は、テトラクロロパラジウムII酸カリウム、ハロゲン化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウムであり、前記白金塩は、テトラクロロ白金II酸カリウム、ハロゲン化白金、硝酸白金であり、前記ルテニウム塩は、ハロゲン化ルテニウム、硫酸ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ルテニウムであり、前記ロジウム塩は、ハロゲン化ロジウム、硫酸ロジウム、硝酸ロジウム、酢酸ロジウムであり、前記金塩は、ハロゲン化金、塩化金酸であり、前記銀塩は、ハロゲン化銀、硫酸銀、硝酸銀、酢酸銀であり、更に、工程3において前記バイオマス誘導体は、反応系全体における濃度が1×10-4mol/L以上であり、またはモルパーセントが0.01以上である。前記バイオマス誘導体の濃度またはモルパーセントは、最大である場合、体系における飽和濃度に達することができる。理論的には加え続けることができるが、理論的と経済的な価値は一切ない。前記バイオマスの改質分解とは、バイオマス誘導体主に炭素、水素、酸素という三つの元素で構成するを、水素ガス、及びほかの小分子例えばCO2、CO、CH4等に改質分解することであり、同時に、反応液に多くの中間物質を生成することができる。ここで注意すべきことは、異なる反応物に応じて生成物の種類と割合が異なる。反応液において生成可能な中間物質は、非常に複雑であり、異なるバイオマス誘導体、異なる反応条件例えば、濃度、温度、pH値等及び異なる量子ドットに応じて、生成物の種類と割合がたいぶ異なる。ここでは、一一取り上げることは省略するが、H2、CO2が主な生成物であることは確認できる。本発明は、以下の利点を備える。本発明は、量子ドットが可視光によって光反応を駆動することで簡単かつ迅速に効率の高い半導体触媒を製造でき、バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造することを実現できる。より重要なことは、本方法は、焼成という厳しい条件ではなくても、光の照射によって効率的、安定、安価、合成しやすい、バイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素を製造するための半導体光触媒を生成することができる。本発明の方法は、反応が効率的で、操作はシンプルで、安くて実用的である。以下は、具体的な実施例を取り上げながら、本発明をもっと具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限るものではない。図1、2、3はそれぞれ、本発明のCdSe量子ドット、CdS量子ドット、CdTe量子ドットの紫外-可視吸収スペクトルと発射スペクトルである。図から見れば、CdSe量子ドットの第一吸収ピークが約430nmの位置にあり、CdS量子ドットの第一吸収ピークが約430nmの位置にあり、CdTe量子ドットの第一吸収ピークが約556nmの位置にある。400nmの光によって励起する場合には、CdSe量子ドットは、470nmでの発射ピークがバンド端発光であり、600nmでの発射ピークが欠陥発光である。CdS量子ドットの最大発射ピークの位置が570nmであり、CdTe量子ドットの最大発射ピークの位置が630nmである。図4、5、6はそれぞれ、本発明のCdSe量子ドット、CdS量子ドット、CdTe量子ドットが、水に超音波で分散された後に極薄炭膜に滴下させる場合、HRTEMで観察された地形図である。図に示すように、CdSe量子ドットの平均サイズが2.3±0.3nmであり、CdS量子ドットの平均サイズが2.3±0.3nmであり、CdTe量子ドットの平均サイズが3.4±0.3nmである。ここで説明しておきないのは、量子ドットを合成する反応の時間を調整することによって、異なるサイズの量子ドットを得ることができる。実施例1半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に1×10-1g/Lのセレン化カドミウム量子ドットCdSe量子ドットの原液濃度が2×10-1g/Lを入れ、その後、塩化コバルトの水溶液最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み0.5ml、メタノール最初の濃度が24.75mol/Lで、20°C4mlを加え、pH値を4に調整し、合計体積を10mlに定容し、且つ、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターで試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、反応中において生成された水素ガスを検出する。光によって照射された後、体系は、元の場所には、空洞構造の球状の半導体材料が生成され、球状空洞の外径は約10~20nm程度であり、壁厚は2~5nmである。当該半導体光触媒の原子組成比がCdCoxSeであり、ICP誘導結合プラズマ発射分光器により測定されたxの値が0.13である。実施例2半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に1×10-1g/Lのセレン化カドミウム量子ドットCdSe量子ドットの原液濃度が2×10-1g/Lであるを入れ、その後、塩化コバルトの水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含みとエタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、pH値を5に調整し、合計体積を10mlに定容し、且つ、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターで試験管を照射する。図7は、本発明の実施例2において生成された触媒がエタノールに超音波で分散された後に極薄炭膜に滴下させる場合、高分解能透過電子顕微鏡HRTEMで観察された地形図である。その他のCdSe実施例にも、類似する地形図が得られ、ここで一一取り上げることを省略する。図から分かるように、光によって照射された後、体系は、元の場所には、空洞構造の球状の半導体材料が生成され、球状空洞の外径は約10~20nm程度であり、壁厚は2~5nmである。当該半導体光触媒の原子組成比がCdCoxSeであり、ICP誘導結合プラズマ発射分光器により測定されたxの値が0.16である。エタノールは、バイオマスの発酵により大量に得られるため、エタノールをフォトカタリシス改質して水素を製造することは実用的な意義がある。エタノール水溶液を改質する場合、光触媒の反応の初期段階において、まず、エタノールは酸化されてアセトアルデヒドとなり、それとともにHがH2に還元される。アセトアルデヒトと水が作用して酢酸が生成され、最後、CO2とH2になる。また、アセトアルデヒドは、上述の反応により酢酸を生成するほかに、ヒドロキシラジカルと作用してCO2とH2を直接生成する。図11は、本実施例2のフォトカタリシス改質エタノール体系がフォトカタリシスの反応を行って生成された気相の、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器におけるピークスペクトルのスクリーンショットである。図からわかるように、異なる保持時間でH2とCO2のスペクトルピークが連続して現れた。水素の生成量が73μmolh-1mg-1である。実施例3実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硫酸コバルトで、バイオマス誘導体がエタノールであるという点で異なる。実施例4実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硝酸コバルトで、バイオマス誘導体がエタノールであるという点で異なる。実施例5実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が塩化ニッケルで、バイオマス誘導体がエタノールであるという点で異なる。実施例6実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硫酸ニッケルで、バイオマス誘導体がエタノールであるという点で異なる。実施例7実施例1を繰り返して行うが、ただ、バイオマスが誘導体がスクロースで、濃度が0.1mol/Lであるという点で異なる。実施例8実施例1を繰り返して行うが、ただ、バイオマスが誘導体がグルコースで、濃度が0.1mol/Lであるという点で異なる。実施例9実施例1を繰り返して行うが、ただ、バイオマス誘導体がグリセリンであるという点で異なる。実施例10実施例1を繰り返して行うが、ただ、バイオマス誘導体がL-システインで、濃度が0.1mol/Lであるという点で異なる。実施例11半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に、反応体系全体における濃度が1×10-4g/Lであるセレン化カドミウム量子ドットCdSe量子ドットの原液濃度が2×10-1g/Lを入れ、その後、反応体系全体における濃度が1×10-6mol/Lであるクロム酸コバルト水溶液と反応体系全体における濃度が1×10-4mol/Lであるエチレングリコールを加え、pH値を3に調整し、反応器を真空引きし、500Wの高圧水銀ランプ400nmの短波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。実施例12半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に、反応体系全体における濃度が1×10-3g/Lであるセレン化カドミウム量子ドットCdSe量子ドットの原液濃度が2×10-1g/Lを入れ、その後、反応体系全体における濃度が1×10-5mol/Lであるコバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-、反応体系全体における濃度が1×10-3mol/Lであるスクロースを加え、pH値を10に調整し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプガラス試験管自体は紫外線と可視光線を透過させることができるによって試験管を照射する。実施例13半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に、反応体系全体における濃度が1×10-2g/Lであるセレン化カドミウム量子ドットCdSe量子ドットの原液濃度が2×10-1g/Lを入れ、その後、反応体系全体における濃度が2.1×10-4mol/Lであるコバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-、反応体系全体における濃度が0.1mol/Lであるグルコースを加え、pH値を8に調整し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。光によって照射された後、体系は、元の場所には、空洞構造の球状の半導体材料が生成され、球状空洞の外径は約10-20nm程度であり、壁厚は2-5nmである。当該半導体光触媒の原子組成比がCdCoxSeであり、ICP誘導結合プラズマ発射分光器により測定されたxの値が0.10である。実施例14実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がニッケル二臭化物で、バイオマス誘導体が濃度0.1mol/LのL-プロリンであるという点で異なる。実施例15実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硫酸ニッケルで、バイオマス誘導体が濃度0.1mol/LのL-システインであるという点で異なる。実施例16実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がシュウ酸ニッケルで、バイオマス誘導体がプロパノールであるという点で異なる。実施例17実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が酢酸ニッケルで、バイオマス誘導体がブタノールであるという点で異なる。実施例18実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がリン酸ニッケルであるという点で異なる。実施例19実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がニッケル-アンモニア配位化合物[NiNH36]2であるという点で異なる。実施例20実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がニッケル-シアン配位化合物[NiCN4]2-であるという点で異なる。実施例21実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がニッケル-キレート化合物[Nien3]2であるという点で異なる。実施例22実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がニッケルカルボニルNiCO4であるという点で異なる。実施例23実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がニッケル-エチル配位化合物C2H52Niであるという点で異なる。実施例24実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が塩化鉄であるという点で異なる。実施例25実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が塩化第一鉄という点で異なる。実施例26実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が臭化第一鉄であるという点で異なる。実施例27実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硫酸第一鉄という点で異なる。実施例28実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がフッ化鉄であるという点で異なる。実施例29実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が臭化鉄であるという点で異なる。実施例30実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がヨウ化鉄であるという点で異なる。実施例31実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硫酸鉄であるという点で異なる。実施例32実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硝酸鉄であるという点で異なる。実施例33実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が炭酸鉄であるという点で異なる。実施例34実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がシュウ酸鉄であるという点で異なる。実施例35実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が酢酸鉄であるという点で異なる。実施例36実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がリン酸鉄であるという点で異なる。実施例37実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がクロム酸鉄であるという点で異なる。実施例38実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がフッ化第一鉄であるという点で異なる。実施例39実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がヨウ化第一鉄であるという点で異なる。実施例40実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硝酸第一鉄であるという点で異なる。実施例41実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が炭酸第一鉄であるという点で異なる。実施例42実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がシュウ酸第一鉄であるという点で異なる。実施例43実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が酢酸第一鉄であるという点で異なる。実施例44実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物リン酸第一鉄であるという点で異なる。実施例45実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がクロム酸第一鉄であるという点で異なる。実施例46実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硫酸第一鉄アンモニウムであるという点で異なる。実施例47実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硫酸第一鉄アンモニウムであるという点で異なる。実施例48実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が鉄-シアン錯体[FeCN6]3-であるという点で異なる。実施例49実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が第一鉄-シアン錯体[FeCN6]4-であるという点で異なる。実施例50実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が鉄-チオシアン錯体FeSCN3であるという点で異なる。実施例51実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が鉄-カルボニル基錯体FeCO5であるという点で異なる。実施例52実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が鉄-カルボニル基錯体Fe2CO9であるという点で異なる。実施例53実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が鉄-カルボニル基錯体Fe3CO12であるいう点で異なる。実施例54実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が硝酸ニッケルであるという点で異なる。実施例55実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が炭酸ニッケルであるという点で異なる。実施例56実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が亜クロム酸ニッケルであるという点で異なる。実施例57実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がフッ化ニッケルであるという点で異なる。実施例58実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がヨウ化ニッケルであるという点で異なる。実施例59実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がフッ化コバルトであるという点で異なる。実施例60実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が臭化コバルトであるという点で異なる。実施例61実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がヨウ化コバルトであるという点で異なる。実施例62実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が炭酸コバルトであるという点で異なる。実施例63実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がシュウ酸コバルトであるという点で異なる。実施例64実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物が酢酸コバルトであるという点で異なる。実施例65実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がリン酸コバルトであるという点で異なる。実施例66実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がコバルト-アンモニア錯体[CoNH36]3であるという点で異なる。実施例67実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がコバルト-シアン錯体[CoCN6]4-であるという点で異なる。実施例68実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がコバルト-チオシアン錯体[CoSCN4]2-であるという点で異なる。実施例69実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がコバルト-カルボニル基錯体[CoCO4]-であるという点で異なる。実施例70実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がコバルト-ニトロ基錯体[CoNO34]2-であるという点で異なる。実施例71実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物がコバルト-ニトロソ基錯体[CoNO26]3-であるという点で異なる。実施例72実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、L=H2O。実施例73実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、L=CH3CN。実施例74実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、L=H2O。実施例75実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、L=CH3CN。実施例76実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、R=H。実施例77実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、R=NCH32。実施例78実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、R=COOCH3。実施例79実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、L=H2O。実施例80実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。その中で、L=CH3CN。実施例81実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。実施例82実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。実施例83実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。実施例84実施例1を繰り返して行うが、ただ、ドーパント化合物は、以下の構造を有するコバルト-ジメチルグリオキシム錯体であるという点で異なる。実施例85半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に、1×10-1g/Lの硫化カドミウム量子ドットCdS量子ドットの原液濃度が1g/Lを入れ、その後、塩化コバルトの水溶液最初の濃度が4.2×10-3mol/Lであり、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み0.5ml、エタノール最初の濃度が17.16mol/Lであり、20°C4mlを加え、pH値を8に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。図8は、本発明の実施例85において生成された触媒がエタノールに超音波で分散された後に極薄炭膜に滴下される場合、高分解能透過電子顕微鏡HRTEMで観察された地形図である。その他のCdS実施例にも、このような地形図が得られるが、ここで一一取り上げることを省略する。図から分かるように、光によって照射された後、体系は、元の場所には、空洞構造の球状の半導体材料が生成され、球状空洞の外径は約10~20nm程度であり、壁厚は2~5nmである。当該半導体光触媒の原子組成比がCdCoxSであり、ICP誘導結合プラズマ発射分光器により測定されたxの値が1.0である。図12は、本実施例85のフォトカタリシス改質エタノール体系がフォトカタリシスの反応を行って生成された気相の、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器におけるピークスペクトルのスクリーンショットである。図からわかるように、異なる保持時間でH2とCO2のスペクトルピークが連続して現れた。水素の生成量が43μmolh-1mg-1である。実施例86半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に、1×10-1g/Lのテルル化カドミウム量子ドットCdTe量子ドットの原液濃度が2×10-1g/Lを入れ、その後、塩化コバルトの水溶液最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み0.5ml、エタノール最初の濃度が17.16mol/Lで、20°C4mlを加え、pH値を6に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。図13は、本実施例86のフォトカタリシス改質エタノール体系がフォトカタリシスの反応を行って生成された気相の、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器におけるピークスペクトルのスクリーンショットである。図からわかるように、異なる保持時間でH2とCO2のスペクトルピークが連続して現れた。水素の生成量が8μmolh-1mg-1である。実施例87半導体光触媒によりバイオマス誘導体をフォトカタリシス改質して水素ガスを製造する方法は、Pyrex試験管に、1×10-1g/Lのテルル化カドミウム量子ドットCdTe量子ドットの原液濃度が2×10-1g/Lを入れ、その後、塩化コバルトの水溶液最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み0.5ml、200mg最初の濃度が1.14×10-1mol/Lを加え、pH値を6に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。図9は、本発明の実施例87において生成された触媒がエタノールに超音波で分散された後に極薄炭膜に滴下される場合、高分解能透過電子顕微鏡HRTEMで観察された地形図である。その他のCdTe実施例にも、このような地形図が得られるが、ここで一一取り上げることを省略する。図から分かるように、光によって照射された後、体系は、元の場所には、空洞構造の球状の半導体材料が生成され、球状空洞の外径は約10~20nm程度であり、壁厚は2~5nmである。XRDスペクトル図-10からも、光によって照射された後、空洞構造において新しいCoxTeピークを見られ、当該半導体光触媒の原子組成比がCdCoxTeであり、ICP誘導結合プラズマ発射分光器により測定されたxの値が0.26である。実施例88実施例85を繰り返して行うが、ただ、量子ドットがPbSで、バイオマス誘導体がフルクトースであるという点で異なる。実施例89実施例85を繰り返して行うが、ただ、量子ドットがPbSeで、バイオマス誘導体がマルトースであるという点で異なる。実施例90実施例85を繰り返して行うが、ただ、量子ドットがInPで、バイオマス誘導体がマンノースであるという点で異なる。実施例91実施例85を繰り返して行うが、ただ、量子ドットがInAsで、バイオマス誘導体がエタノールであるという点で異なる。実施例92実施例85を繰り返して行うが、ただ、量子ドットがZnSで、バイオマス誘導体がエタノールであるという点で異なる。実施例93実施例85を繰り返して行うが、ただ、量子ドットがZnSeで、バイオマス誘導体がエタノールという点で異なる。実験条件:量子ドット:CdSe5ml,5×10-4M;遷移金属塩:CoCl26H2O2.1×10-4M、NiCl26H2O2.1×10-4M、NiSO46H2O2.1×10-4M、CoSO42.1×10-4M、CoNO32.1×10-4M;CH3OH4ml、C2H5OH4ml、スクロース0.1M、グルコース0.1Mグリセリン4ml、L-システイン0.1M;pH≧4;500Wの高圧水銀ランプによって照射し、400nmフィルターにより可視光を透過させることを確保し、ガスクロマトグラフィーにより水素の生成を検出する4Å分子篩、TCD測定器、メタンの内部標準法による定量方法。表1からわかるように、本発明の実施例1~10における水素生成レートが参照文献1、2での水素生成レートより速い。また、本発明の実施例2での水素生成レートがもっとも速く、73μmolh-1mg-1である。実施例94複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素を製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に、10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルトの水溶液最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み0.5ml、メタノール最初の濃度が24.75mol/Lで、20°C4mlを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。メタノールは、重要な化学原料であり、化石資源から化学的な方法で合成できるし、バイオマスから製造されることもできる。メタノールの分子構造は簡単なものであり、1つの水酸基官能基のみを含み、ポリオール類バイオマス誘導体のモデル化合物として用いられる。フォトカタリシスの過程において、メタノールが段階的に分解され、まず、メタノールが酸化されてホルムアルデヒドになり、同時にHがH2に還元される。ホルムアルデヒドと水が作用してギ酸が生成され、最後、完全にCO2とH2になる。図16は、本実施例1のフォトカタリシス改質エタノール体系がフォトカタリシスの反応を行って生成された気相の、ガスクロマトグラフィーにおけるピークスペクトルのスクリーンショットである。図からわかるように、異なる保持時間でH2とCO2のスペクトルピークが連続して現れた。水素の生成レートが9.77μmolh-1であり、光照射の前及び後には、高分解能透過電子顕微鏡HRTEM、多結晶の粉末X線回折XRD、元素分析ICP等を利用して、生成された触媒を表徴する外観、構造、組成を比較分析する。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdCoxSeであり、その中で、ICP誘導結合プラズマ発射分光器によって測定されたxの値が0.13である。実施例95複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、5mlのセレン化カドミウム量子ドットCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルトの水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み、エタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lであり、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。図14は、本実施例のCdSe量子ドットとTiO2が吸着した後に、エタノールに超音波で分散された後に極薄炭膜に滴下された場合、HRTEMにて観察された地形図である。図から見れば、CdSe量子ドットがTiO2の表面に吸着している。図17は、本実施例の体系が光によって照射された沈殿物がエタノールに超音波で分散された後に極薄炭膜に滴下された場合、HRTEMで観察された地形図である。図からわかるように、CdSe量子ドットがTiO2の表面に吸着し、複合的な構造になる。図18は、本実施例のP-25型のTiO2、CdSe量子ドットとTiO2が吸着するもの、CdSe量子ドットとTiO2が吸着した後に塩化コバルトを加えたものという三つのサンプルが多結晶の粉末X線回折XRDスペクトルにおける吸収曲線である。図からわかるように、P-25型TiO2が代表的なTiO2の吸収特徴を表している。CdSe量子ドットとTiO2が吸着した後、個所b、cにもP-25型TiO2とCdSe量子ドットの吸収の重ねを表し、CdSe量子ドットがTiO2の表面に吸着していることが証明される。塩化コバルトをさらに加えた後、P-25型TiO2とCdSe量子ドットの吸収の重ねを元に、個所aには、新しい吸収ピークが現れる。図19は、本実施例のP-25型のTiO2、CdSe量子ドットとTiO2が吸着するもの、CdSe量子ドットとTiO2が吸着した後に塩化コバルトを加えたものという三つのサンプルが固体拡散反射紫外-可視DRSスペクトルでの吸収曲線である。図からわかるように、P-25型TiO2が代表的なTiO2の吸収特徴を表している。CdSe量子ドットとTiO2が吸着した後、体系が同時にP-25型TiO2とCdSe量子ドットの吸収の重ねを表し、CdSe量子ドットがTiO2の表面に吸着していることが証明される。塩化コバルトをさらに加えた後、P-25型TiO2とCdSe量子ドットの吸収の重ねに加え、より赤いものを吸収する位置500-700nmには、一つの新しい広い吸収帯が現れる。エタノールは、バイオマスの発酵により大量に得られるため、エタノールをフォトカタリシス改質して水素を製造することは価値がある。エタノール水溶液を改質する場合、フォトカタリシス反応の初期段階において、まずエタノールが酸化されてアセトアルデヒドになり、それとともにHがH2に還元される。アセトアルデヒトと水が作用して、酢酸が生成され、最後、完全にCO2とH2になる。また、アセトアルデヒトは、上述の反応により酢酸を生成するほかに、ヒドロキシラジカルと作用して、CO2とH2を直接生成することができる。図23は、本実施例95のフォトカタリシス改質エタノール体系がフォトカタリシス反応を行って生成された気相の、ガスクロマトグラフィーにおけるピークスペクトルのスクリーンショットである。図からわかるように、異なる保持時間でH2とCO2のスペクトルピークが連続して現れた。水素の生成レートが47.8μmolh-1である。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdCoxSeであり、その中で、ICP誘導結合プラズマ発射分光器によって測定されたxの値が0.26である。実施例96複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に、10mgのP-25型TiO2、5mlのセレン化カドミウム量子ドットCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルトの水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み、スクロース水溶液4ml最初の濃度が0.25mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素の雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが21.7μmolh-1である。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdCoxSeであり、その中で、ICP誘導結合プラズマ発射分光器によって測定されたxの値が0.17である。実施例97複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルトの水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み、グルコース水溶液4ml最初の濃度が0.25mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOH又はHClによりpH値を7に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素の雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターによって試験管を照射する。バイオマスの重要な部分であるグルコースのフォトカタリシス改質を研究するのは重要な意味を持っている。フォトカタリシス反応の初期においては、まず、グルコースが脱水素反応で=C=O、-CH=O又は-COOHグループを生成し、その後、炭素鎖は、触媒の表面のホールによって連続して酸化されてCO2になり、且つHを放出し、HがH2に還元される。中間の生成物に水酸基が含めれているため、すべての炭素がCO2になるまで反応が引き続き行う。図18は、本実施例4のフォトカタリシス改質メタノールがフォトカタリシス反応を行って生成された気相の、ガスクロマトグラフィーにおけるピークスペクトルのスクリーンショットである。図からわかるように、異なる保持時間でH2とCO2のスペクトルピークが連続して現れた。水素の生成レートが26.3μmolh-1である。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdCoxSeであり、その中で、ICP誘導結合プラズマ発射スペクトルによって測定されたxの値が0.16である。実施例98複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化ニッケルの水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化ニッケル六水和物を0.5mg含み、エタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を14に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが25.4μmolh-1である。実施例99複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、硫酸ニッケルの水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、硫酸ニッケル六水和物を0.55mg含み、エタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが28.7μmolh-1である。実施例100複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、1mgのドデカカルボニル三鉄、メタノール4ml最初の濃度が24.75mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが1.8μmolh-1である。実施例101複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、1mgのドデカカルボニル三鉄、エタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが1.5μmolh-1である。実施例102複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdSe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、0.42mgのペンタカルボニル鉄、エタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが0.5μmolh-1である。実施例103複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、1mlのセレン化カドミウム量子ドットCdS量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=5×10-3mol/L、4mlの水を入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルト水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み、メタノール4ml最初の濃度が24.75mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが37.4molh-1である。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdCoxSであり、x=0.02である。実施例104複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、1mlのセレン化カドミウム量子ドットCdS量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=5×10-3mol/Lと4mlの水を入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルト水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み、4mlのエタノール最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが63.6μmolh-1である。実施例105複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、1mlのセレン化カドミウム量子ドットCdS量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=5×10-3mol/Lと4mlの水を入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化ニッケル水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化ニッケル六水和物を0.5mg含み、エタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素の雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが129μmolh-1である。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdNixSであり、その中で、ICP誘導結合プラズマ発射分光器によって測定されたxの値が0.14である。図15は、本実施例のCdS量子ドットとTiO2が吸着した後にエタノールに超音波で分散された後、極薄炭膜に滴下された場合、HRTEMにて観察された地形図である。図に示すように、CdS量子ドットがTiO2の表面に吸着している。図20は、本実施例のP-25型TiO2、CdS量子ドットとTiO2が吸着したもの、CdS量子ドットとTiO2が吸着したうえで塩化コバルトを追加したものという三つのサンプルの、固体拡散反射紫外-可視DRSスペクトルにおける吸収曲線である。図からわかるように、P-25型TiO2が代表的なTiO2の吸収特徴を表している。CdS量子ドットとTiO2が吸着した後、体系は同時にP-25型TiO2とCdS量子ドットの吸収の重ねを表し、CdS量子ドットがTiO2の表面に吸着していることが証明される。塩化コバルトをさらに追加した後、P-25型TiO2とCdS量子ドットの吸収の重ねに加え、より赤いものを吸収する位置500-800nmには、一つの新しい広い吸収帯が現れる。実施例106複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット1mlCdS量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=5×10-3mol/Lと4mlの水を入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、硫酸ニッケル水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、硫酸ニッケルを0.55mg含み、エタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが59.3μmolh-1である。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdNixSであり、x=1.0である。実施例107複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdTe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルト水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み、エタノール4ml最初の濃度が24.75mol/Lで、20°Cを追加し、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが3.58μmolh-1である。本実施例では、当該半導体光触媒の原子組成比がTiO2-CdCoxTeであり、その中で、ICP誘導結合プラズマ発射分光器によって測定されたxの値が0.30である。実施例108複合型半導体光触媒を含有するフォトカタリシス体系がバイオマス誘導体を改質して水素ガスを製造する方法は以下の工程を含む。Pyrex試験管に10mgのP-25型TiO2、セレン化カドミウム量子ドット5mlCdTe量子ドットの原液濃度がカドミウムイオン濃度を基準とし、カドミウムイオン濃度=1×10-3mol/Lを入れ、1mol/Lの水酸化ナトリウムによりpH値を11に調整し、遠心分離して上層の清い溶液を取り除き、沈殿物を保留する。その後、塩化コバルト水溶液0.5ml最初の濃度が4.2×10-3mol/Lで、塩化コバルト六水和物を0.5mg含み、とエタノール4ml最初の濃度が17.16mol/Lで、20°Cを加え、1MのNaOHによりpH値を11に調整し、合計体積を10mlに定容し、それを、密封された窒素ガスの雰囲気に置き、500Wの高圧水銀ランプ400nmの長波通過ガラスフィルターにより試験管を照射する。反応の過程において、ガスクロマトグラフィーTCD熱伝導度検出器により、生成された水素ガスを測定し、水素の生成レートが2.5μmolh-1である。図16は、本実施例のCdTe量子ドットが吸着した後TiO2とともにエタノールに超音波で分散された後に極薄炭膜に滴下された場合、HRTEMにて観察された地形図である。図から見れば、CdTe量子ドットがTiO2の表面に吸着している。図21は、本実施例のP-25型TiO2、CdTe量子ドットとTiO2が吸着したもの、CdTe量子ドットとTiO2が吸着したうえで塩化コバルトを追加したものという三つのサンプルの、固体拡散反射紫外-可視DRSスペクトルにおける吸収曲線である。図からわかるように、P-25型TiO2が代表的なTiO2の吸収特徴を表している。CdTe量子ドットとTiO2が吸着した後、体系が同時にP-25型TiO2とCdTe量子ドットの吸収の重ねを表し、CdTe量子ドットがTiO2の表面に吸着していることが証明される。塩化コバルトをさらに追加した後、P-25型TiO2とCdTe量子ドットの吸収の重ねに加えて、新しい著しい吸収帯が特に現れない。本発明の上述実施例は、本発明を説明するための例だけであり、本発明の実施方法に対する限定ではないことは言うまでもない。当業者は、上述の説明を基礎に、その他の異なる形式の変更と修正を行うことができる。ここで、すべての実施の方式を取り上げることを省略させる。本発明の技術案をベースに行われた明らかな変更と修正は、本発明の保護範囲に属するということである。"