真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に露出するスパッタ面を有するターゲットと、前記真空槽内に配置され、前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲むように前記ターゲットに設置された防着部材と、前記ターゲットの前記スパッタ面と逆の裏面側に配置された磁石装置と、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、前記磁石装置を前記ターゲットの前記裏面に平行な方向に移動させる移動装置とを有し、前記磁石装置は、前記ターゲットの前記裏面に対向するリング形状の外周磁石と、前記外周磁石の形成するリングの内側に配置された中心磁石をもち、前記外周磁石が前記ターゲットの前記裏面に対向している部分の磁極の極性と、前記中心磁石が前記ターゲットの前記裏面に対向している部分の磁極の極性が互いに異なるスパッタ成膜装置であって、前記防着部材は絶縁性のセラミックスで形成され、前記移動装置は前記磁石装置を、前記外周磁石の外周全体が前記スパッタ面の外周よりも内側に入る位置と、前記外周磁石の外周の一部が前記スパッタ面の外周の外側にはみ出る位置との間で移動させるスパッタ成膜装置。前記ターゲットはSiであり、前記ガス導入系はO2ガスを放出するO2ガス源を有する請求項1記載のスパッタ成膜装置。前記ターゲットと、前記ターゲットに設けられた前記防着部材と、前記ターゲットの前記裏面側に配置された前記磁石装置とを含むスパッタ部を複数有し、各前記スパッタ部の前記ターゲットは互いに離間して一列に並んで配置され、それぞれ前記スパッタ面は前記真空槽内に搬入された成膜対象物に向けられ、前記電源装置は各前記スパッタ部の前記ターゲットにそれぞれ電圧を印加するように構成され、前記移動装置は一の前記スパッタ部の前記磁石装置を、当該磁石装置の前記外周磁石の外周全体が当該スパッタ部の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周よりも内側に入る位置と、当該外周磁石の外周の一部が当該ターゲットの前記スパッタ面の外周と、当該ターゲットに隣接する他の前記スパッタ部の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間にはみ出る位置との間で移動させる請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のスパッタ成膜装置。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、ターゲットのスパッタ面全体をスパッタしてターゲットの使用効率を高め、アーキングを発生させないスパッタ成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内にガスを導入するガス導入系と、前記真空槽内に露出するスパッタ面を有するターゲットと、前記真空槽内に配置され、前記ターゲットの前記スパッタ面の周囲を取り囲むように前記ターゲットに設置された防着部材と、前記ターゲットの前記スパッタ面と逆の裏面側に配置された磁石装置と、前記ターゲットに電圧を印加する電源装置と、前記磁石装置を前記ターゲットの前記裏面に平行な方向に移動させる移動装置とを有し、前記磁石装置は、前記ターゲットの前記裏面に対向するリング形状の外周磁石と、前記外周磁石の形成するリングの内側に配置された中心磁石をもち、前記外周磁石が前記ターゲットの前記裏面に対向している部分の磁極の極性と、前記中心磁石が前記ターゲットの前記裏面に対向している部分の磁極の極性が互いに異なるスパッタ成膜装置であって、前記防着部材は絶縁性のセラミックスで形成され、前記移動装置は前記磁石装置を、前記外周磁石の外周全体が前記スパッタ面の外周よりも内側に入る位置と、前記外周磁石の外周の一部が前記スパッタ面の外周の外側にはみ出る位置との間で移動させるスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットはSiであり、前記ガス導入系はO2ガスを放出するO2ガス源を有するスパッタ成膜装置である。本発明はスパッタ成膜装置であって、前記ターゲットと、前記ターゲットに設けられた前記防着部材と、前記ターゲットの前記裏面側に配置された前記磁石装置とを含むスパッタ部を複数有し、各前記スパッタ部の前記ターゲットは互いに離間して一列に並んで配置され、それぞれ前記スパッタ面は前記真空槽内に搬入された成膜対象物に向けられ、前記電源装置は各前記スパッタ部の前記ターゲットにそれぞれ電圧を印加するように構成され、前記移動装置は一の前記スパッタ部の前記磁石装置を、当該磁石装置の前記外周磁石の外周全体が当該スパッタ部の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周よりも内側に入る位置と、当該外周磁石の外周の一部が当該ターゲットの前記スパッタ面の外周と、当該ターゲットに隣接する他の前記スパッタ部の前記ターゲットの前記スパッタ面の外周との間にはみ出る位置との間で移動させるスパッタ成膜装置である。ターゲットのスパッタ面全体をスパッタできるので、ターゲットの使用効率が上がり、ターゲットの寿命が延びる。導電性のターゲット上に絶縁物を堆積させないので、アーキングが発生せず、アーキングによるターゲットの損傷を防止でき、また形成する薄膜の不純物による汚染を防止できる。隣り合うターゲットの外周間の隙間を広げることができるので、使用するターゲット材の量を減らすことができ、コストダウンになる。本発明のスパッタ成膜装置の構造を説明する。図1はスパッタ成膜装置10の内部構成図を示し、図2は同A-A線切断断面図、図3は同B-B線切断断面図を示している。スパッタ成膜装置10は真空槽11と複数のスパッタ部201~204とを有している。各スパッタ部201~204の構造は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。スパッタ部201は、真空槽11内に露出されスパッタされるスパッタ面231をもつターゲット211と、バッキングプレート221と、真空槽11内に配置され、ターゲット211のスパッタ面231を取り囲むようにターゲット211に設置された防着部材251と、ターゲット211のスパッタ面231と逆の裏面側に配置された磁石装置261とを有している。ターゲット211は酸素や窒素と反応すると絶縁性の化合物を形成する導電性材料であり、例えばSiである。ターゲット211は、表面の大きさがバッキングプレート221表面よりも小さい平板形状に形成され、ターゲット211の外周全体がバッキングプレート221の外周より内側に位置し、バッキングプレート221の周縁部の全周がターゲット211の外周から露出するようにバッキングプレート221表面に重ねて貼り合わされている。防着部材251は絶縁性のセラミックスであり、リング状にされている。ここでいうリング状とは、ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。ここでは図2に示すように、防着部材251のリングの外周はバッキングプレート221の外周より大きく、リングの内周はターゲット211の外周と同じかそれよりも大きくされている。防着部材251はリングの中心がターゲット211の中心と重なるような相対位置で、バッキングプレート221のターゲット211が固定された表面上に配置され、バッキングプレート221の露出した周縁部を覆い、リングの内周でターゲット211の外周を取り囲んでいる。防着部材251のリングの内周とターゲット211の外周との隙間に後述するプラズマが浸入しないように、リングの内周はなるべく小さい方が好ましい。ターゲット211の両面のうちバッキングプレート221と密着した方の面を裏面、その逆を表面と呼ぶと、防着部材251のリングの内側にはターゲット211の表面全体が露出して、ターゲット211の表面全体がスパッタされるスパッタ面を成している。符号231はスパッタ面を示している。すなわち、防着部材251は、ターゲット211の表面のうちスパッタ面231を含む面が不連続となるターゲット211端部に、スパッタ面231の周囲を取り囲むように設置されている。本発明の防着部材251は、リングの内周がターゲット211の外周と同じかそれより大きい場合に限定されず、図4に示すように、リングの内周がターゲット211の外周よりも小さい場合も含まれる。この場合には、防着部材251を上述のようにターゲット211表面上に配置すると、防着部材251はターゲット211の周縁部を覆うため、ターゲット211表面のうち防着部材251のリングの内側に露出した部分がスパッタされるスパッタ面231になる。磁石装置261は、バッキングプレート221の裏面側に配置され、すなわちターゲット211の裏面側に配置されている。磁石装置261は、ターゲット211の裏面に対向するリング形状の外周磁石27a1と、外周磁石27a1の形成するリングの内側に配置された中心磁石27b1とを有している。ここでいうリング形状とは、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状を示すのであって、必ずしも一つの継ぎ目のない円環であることを意味しない。すなわち、中心磁石27b1の周囲を取り囲む形状であればよく、複数の部品からなってもよいし、ある部分に直線的な形状を有していてもよい。また、閉じた円環又は円環を閉じたまま変形させた形状でもよい。すなわち、磁石装置261は、スパッタ面231に磁場を発生させる向きで設置された、中心磁石26b1と、中心磁石26b1の周囲に連続的な形状で設置された外周磁石26a1とを有している。中心磁石27b1はバッキングプレート221と平行な磁石固定板27c1上に、ここでは直線状に配置され、外周磁石27a1は磁石固定板27c1上で中心磁石27b1の周縁部から所定距離をおいて環状に中心磁石27b1を取り囲んでいる。すなわち、外周磁石27a1はリング状にされ、外周磁石27a1のリングの中心軸線はターゲット211の裏面と垂直に交差するように向けられ、中心磁石27b1は外周磁石27a1のリングの内側に配置されている。外周磁石27a1と中心磁石27b1は、それぞれターゲット211の裏面に、互いに異なる極性の磁極を対向させて配置されている。すなわち、外周磁石27a1がターゲット211の裏面に対向している部分の磁極の極性と、中心磁石27b1がターゲット211の裏面に対向している部分の磁極の極性は互いに異なっている。スパッタ成膜装置10の全体の構造を説明すると、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224は、真空槽11の内側の壁面上に、それぞれ裏面を壁面と対向させて、互いに離間して一列に並んで配置されている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224は柱状の絶縁物14を介して真空槽11の壁面に取り付けられ、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224と真空槽11とは電気的に絶縁されている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224の外周の外側には柱状の支持部24が立設され、各スパッタ部201~204の防着部材251~254は支持部24の先端に固定されている。支持部24が導電性の場合には、支持部24は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224の外周から離間されている。導電性の支持部24は真空槽11に電気的に接続されているが、防着部材251~254は絶縁性のため、たとえ防着部材251~254がバッキングプレート221~224に接触してても、バッキングプレート221~224と真空槽11とは電気的に絶縁されている。各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224には電源装置35が電気的に接続されている。電源装置35は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224にここでは交流電圧を、隣り合う二つのターゲット間では半周期ずらして印加するように構成されているいわゆるACスパッタ方式。隣り合う二つのターゲットに互いに逆極性の交流電圧が印加されると、隣り合う二つのターゲットのうち一方が正電位に置かれるときには他方が負電位に置かれた状態になり、隣り合うターゲット間で放電が生じるようになっている。交流電圧の周波数は、20kHz~70kHz20kHz以上70kHz以下の場合には隣り合うターゲット間での放電を安定させて維持できるので好ましく、さらに好ましくは55kHzである。本発明の電源装置35は各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に交流電圧を印加する構成に限定されず、パルス状の負電圧を複数回印加するように構成してもよい。この場合には、隣り合う二つのターゲットのうち一方のターゲットに負電圧を印加し終えた後でかつ次に負電圧を印加し始める前に、他方のターゲットに負電圧を印加するように構成する。あるいは、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224と後述する成膜対象物保持部32とに交流電源である電源装置35を電気的に接続し、各ターゲット211~214と成膜対象物31とに互いに逆極性の交流電圧を印加するように構成してもよいいわゆるRFスパッタ方式。電源装置35から各バッキングプレート221~224と成膜対象物保持部32とにそれぞれ所定の電圧を印加すると、各ターゲット211~214と成膜対象物31との間で放電が生じるようになっている。RFスパッタ方式では、ACスパッタ方式と比べて、使用するターゲットの数が単数の場合でも実施できるという利点がある。各スパッタ部201~204の磁石装置261~264の磁石固定板27c1~27c4の裏面側にはXYステージである移動装置29が配置され、各磁石装置261~264は移動装置29に取り付けられている。移動装置29には制御装置36が接続され、制御装置36から制御信号を受けると、移動装置29は各スパッタ部201~204の磁石装置261~264を当該スパッタ部201~204のターゲット211~214の裏面に平行な二方向X軸方向及びY軸方向にそれぞれ移動させるように構成されている。各スパッタ部201~204の構成は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明すると、制御装置36には、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る位置が記憶された記憶装置37が接続されている。はみ出る位置はX軸とY軸のそれぞれの移動軸に対して定義されている。制御装置36は、磁石装置261を、外周磁石27a1の外周全体がターゲット211のスパッタ面231の外周より内側に入る位置と、記憶装置37に記憶されたはみ出る位置との間を移動させるように構成されている。後述するはみ出し最小値より長い距離をはみ出る位置が記憶装置37に記憶されていると、このような移動を繰り返す間に、外周磁石27a1の表面がスパッタ面231全体の各点の真裏の点と少なくとも一度ずつ対面し、かつ外周磁石27a1の外周がスパッタ面231の外周全周の各部分と少なくとも一度ずつ交差するようになっている。後述するようにスパッタ中に外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出ると、磁石装置261が形成する磁場に捕捉されたプラズマが防着部材251と接触するが、防着部材251は絶縁性のセラミックスであり、プラズマが防着部材251と接触しても異常放電は発生せず、スパッタ面231の全体がスパッタされるようになっている。そのため、従来よりターゲット211の使用効率が上がり、ターゲット211の寿命が延びることになる。なお、各スパッタ部201~204のうちの一のスパッタ部例えば符号201と、それに隣接する他のスパッタ部202との関係で言うと、制御装置36は、一のスパッタ部201の磁石装置261を、当該磁石装置261の外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周よりも内側に入る位置と、当該外周磁石27a1の外周の一部が当該スパッタ面231の外周と、当該ターゲット211に隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232の外周との間にはみ出る位置との間でも移動させるように構成されている。すなわち、一のスパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周と、当該スパッタ部201に隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232の外周との間を外側領域と呼ぶと、制御装置36は、当該スパッタ部201の磁石装置261を、当該磁石装置261の外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周よりも内側に入る位置と、外側領域にはみ出る位置との間でも移動させるように構成されている。言い換えると、少なくとも一つのターゲット211のスパッタ面231の裏側に設置された磁石装置261は、外周磁石27a1の外周全体が当該ターゲット211のスパッタ面231の周囲を取り囲む防着部材251の内周よりも内側に入る位置と、外周磁石27a1の外周の一部がターゲット211の防着部材251の内周よりも外側と、当該ターゲット211に隣接する他のターゲット212のスパッタ面232の周囲を取り囲む防着部材252の内周との間にはみ出る位置との間で移動するように構成されている。そのため本発明では、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234の大きさを従来と同じにし、かつ一のスパッタ部ここでは符号201のターゲット211のスパッタ面231のうちスパッタされるエロージョン領域の外周と、隣接する他のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232のエロージョン領域の外周との間の幅を従来と同じにする場合には、隣り合うターゲット211~214の外周間の隙間を従来より広くできるので、使用するターゲット材の量を従来より減らすことができ、コストダウンになる。真空槽11の壁面には排気口が設けられ、排気口には真空排気装置12が接続されている。真空排気装置12は排気口から真空槽11内を真空排気するように構成されている。また真空槽11の壁面には導入口が設けられ、導入口にはガス導入系13が接続されている。ガス導入系13はスパッタガスを放出するスパッタガス源と、各スパッタ部201~204のターゲット211~214と反応する反応ガスを放出する反応ガス源とを有し、スパッタガスと反応ガスとの混合ガスを導入口から真空槽11内に導入可能に構成されている。このスパッタ成膜装置10を使用してSiO2の薄膜を形成するスパッタ成膜方法を説明する。先ず、各スパッタ部201~204の磁石装置261~264の外周磁石27a1~27a4の外周の一部を当該スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234の外周からはみ出させる量の最小値であるはみ出し最小値と、最大値であるはみ出し最大値とを求める測定工程を説明する。図2、3を参照し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214が取り付けられたバッキングプレート221~224を真空槽11内に搬入し、絶縁物14上に配置する。ここでは各スパッタ部201~204のターゲット211~214にはSiを使用する。各スパッタ部201~204の防着部材251~254を支持部24に固定して、各スパッタ部201~204の防着部材251~254のリングの内側に当該スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234を露出させておく。ここでは各スパッタ部201~204の防着部材251~254にはAl2O3を使用する。成膜対象物31を真空槽11内に搬入せずに、真空排気装置12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。ガス導入系13から真空槽11内にスパッタガスと反応ガスとの混合ガスを導入する。ここではスパッタガスにArガスを使用し、反応ガスにO2ガスを使用して、真空槽11内に導入されたO2ガスが各スパッタ部201~204のターゲット211~214表面と反応し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214の表面に絶縁性の酸化物SiO2を形成する、いわゆる酸化モードOxideModeを成すような流量で真空槽11内に混合ガスを導入する。ここではArガスを50sccm、O2ガスを150sccmの流量で導入する。真空槽11を接地電位にしておく。電源装置35から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に20kHz~70kHzの交流電圧を印加すると、隣り合うターゲット211~214の間で放電が生じ、各スパッタ部201~204のターゲット211~214上のArガスが電離され、プラズマ化する。プラズマ中のArイオンは各スパッタ部201~204の磁石装置261~264が形成する磁場に捕捉される。電源装置35から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に負電圧が印加されているとき、Arイオンは負電圧を印加されたバッキングプレート221~224上のターゲット211~214のスパッタ面231~234に衝突し、当該スパッタ面231~234に形成されたSiO2を弾き飛ばす。各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234から弾き飛ばされたSiO2の一部は、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234に再付着する。スパッタ中の各スパッタ部201~204の状態は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。図5aは測定工程でのスパッタ中のスパッタ部201の断面を示す模式図である。外周磁石27a1の外周全体がスパッタ面231の外周の内側に位置する移動範囲内で磁石装置261を移動させながらスパッタ面231をスパッタする。スパッタを継続すると、スパッタ面231の中央部はスパッタされて凹形状に削られる。スパッタ面231のうちスパッタされて削られた領域をエロージョン領域と呼ぶ。スパッタ面231のうちエロージョン領域の外側のスパッタされない非エロージョン領域には再付着したSiO2の粒子が堆積する。符号49は堆積したSiO2の薄膜を示している。エロージョン領域の外周が視認できるようになるまでエロージョン領域を削る。次いで、真空槽11内の真空排気中のガス組成や圧力をモニタしながら、磁石装置261の移動範囲を徐々に広げて、外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る量を徐々に大きくする。外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側にはみ出る量が大きくなるに従って、防着部材251上の磁場の水平成分が大きくなり、防着部材251がスパッタされて削られると、真空槽11内の真空排気中のガス組成が変化する。真空槽11内の真空排気中のガス組成の変化から防着部材251のスパッタが確認されたときに、外周磁石27a1の外周のスパッタ面231の外周からのはみ出し量を測定する。後述する生産工程で、仮に防着部材251がスパッタして削られると、防着部材251の粒子が成膜対象物31の表面に付着して、成膜対象物31の表面に形成する薄膜が不純物で汚染されることになるので、ここで測定したはみ出し量をはみ出し最大値とする。防着部材251の硬度がスパッタされないほど大きい場合には、外周磁石27a1の外周の一部が隣接するターゲット212のスパッタ面232の内側にはみ出して、隣接するターゲット212のスパッタ面232が削られると、真空槽11内の圧力が変化する。真空槽11内の圧力の変化から隣接するターゲット212のスパッタ面232のスパッタが確認されたときに、外周磁石27a1の外周の当該スパッタ面231の外周からのはみ出し量を測定する。後述する生産工程で、仮に一のスパッタ部202のターゲット212のスパッタ面232が、隣接するスパッタ部201の磁石装置261の磁場に捕捉されたプラズマによって削られると、成膜対象物31の表面に形成される薄膜の平面性が低下するので、ここで測定したはみ出し量をはみ出し最大値とする。次いで図3を参照し、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224への電圧印加を停止し、ガス導入系13からの混合ガスの導入を停止してスパッタを終了する。各スパッタ部201~204の防着部材251~254を支持部24から取り外し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214をバッキングプレート221~224と一緒に真空槽11の外側に搬出する。図5aを参照し、エロージョン領域の外周を視認して、スパッタ面231のうちスパッタされて削られたエロージョン領域の外周とスパッタ面231の外周との間の間隔L1を求める。外周磁石27a1の外周からここで求めた間隔L1より内側はスパッタされて削られるので、ここで求めた間隔L1をはみ出し最小値とする。外周磁石27a1の外周の一部がスパッタ面231の外周の外側に、求めたはみ出し最小値より長く、かつはみ出し最大値より短い距離をはみ出る位置を記憶装置37に記憶する。次いで生産工程として、図3を参照し、各スパッタ部201~204の未使用のターゲット211~214が取り付けられたバッキングプレート221~224を真空槽11内に搬入し、絶縁物14上に配置する。各スパッタ部201~204の防着部材251~254を支持部24に固定して、各防着部材251~254のリングの内側に当該スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234を露出させる。真空排気装置12により真空槽11内を真空排気する。以後、真空排気を継続して真空槽11内の真空雰囲気を維持する。真空槽11内に成膜対象物31を成膜対象物保持部32に載置して搬入し、各ターゲット211~214のスパッタ面231~234と離間して対面する位置に静止させる。ガス導入系13から真空槽11内にスパッタガスと反応ガスとの混合ガスを、上述の準備工程と同じ流量で導入する。各スパッタ部201~204のターゲット211~214の表面は、真空槽11内に導入された反応ガスであるO2ガスと反応してSiO2が形成される。準備工程と同様に、電源装置35から各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224に20kHz~70kHzの交流電圧を印加して、各スパッタ部201~204のターゲット211~214と成膜対象物31との間のスパッタガスであるArガスをプラズマ化し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234をスパッタする。各スパッタ部201~204のターゲット211~214のスパッタ面231~234から弾き飛ばされたSiO2の一部は、成膜対象物31の表面に付着し、成膜対象物の表面にSiO2の薄膜が形成される。スパッタ中の各スパッタ部201~204の状態は同じであり、符号201のスパッタ部で代表して説明する。スパッタ中に、スパッタ部201の磁石装置261に、外周磁石27a1の外周全体が当該スパッタ部201のターゲット211のスパッタ面231の外周の内側になる位置と、記憶装置37に記憶されたはみ出る位置との間の移動を繰り返させる。防着部材251は絶縁性の材質で形成されているため、磁石装置261の磁場に捕捉されたプラズマが防着部材251に接触しても異常放電アーキングは生じず、スパッタを継続できる。図5bは生産工程でのスパッタ中のスパッタ部201の断面を示す模式図である。外周磁石27a1の外周の一部はスパッタ面231の外周全周の各部分から測定工程で求めたはみ出し最小値より長い距離をはみ出るようにされている。スパッタ面231の外周より内側全体がスパッタされて削られ、スパッタ面231に再付着するSiO2は堆積しない。従来のスパッタ成膜装置では導電性のターゲット211に絶縁性のSiO2が堆積するためにターゲット上で異常放電アーキングが生じていたが、本発明のスパッタ成膜装置10ではターゲット211にSiO2が堆積しないのでターゲット211上でアーキングは生じない。図6は従来のスパッタ成膜装置でスパッタした後のターゲット表面の角部分を撮影した写真を示し、図7は本発明のスパッタ成膜装置でスパッタした後のターゲット表面の角部分を撮影した写真を示している。図7ではターゲットの周縁部上にAl2O3の遮蔽部材を配置している。図6ではターゲットの非エロージョン領域に斑点状のアーキングの痕が確認できるが、図7ではターゲット上にアーキングの痕は確認できず、アーキングは生じなかったことがわかる。本発明では、ターゲット211上でアーキングが生じないため、アーキングによるターゲット211の損傷を防止できる。また成膜対象物31に形成する薄膜の不純物による汚染を防止できる。さらに外周磁石27a1の外周がスパッタ面231の外周からはみ出す距離は、測定工程で求めたはみ出し最大値より短い距離に制限されている。防着部材251がスパッタされて削られることを防止できる。防着部材251の表面には再付着したSiO2の薄膜49が堆積するが、防着部材251は絶縁性の材質で形成されているため、堆積したSiO2の薄膜49で絶縁破壊は起こらず、防着部材251上でもアーキングは発生しない。防着部材251上でアーキングが生じないため、アーキングによる防着部材251の損傷を防止できる。また成膜対象物31に形成する薄膜の不純物による汚染を防止できる。図2、3を参照し、スパッタを所定の時間継続して成膜対象物31の表面に所定の厚みのSiO2の薄膜を形成したのち、各スパッタ部201~204のバッキングプレート221~224への電圧印加を停止し、ガス導入系13からの混合ガスの導入を停止してスパッタを終了する。成膜対象物31を成膜対象物保持部32と一緒に真空槽11の外側に搬出して後工程に流す。次いで、未成膜の成膜対象物31を成膜対象物保持部32に載置して真空槽11内に搬入し、上述の生産工程によるスパッタ成膜を繰り返す。あるいは、成膜対象物保持部32から成膜された成膜対象物31を取り外し、真空槽11の外側に搬出して後工程に流す。次いで、未成膜の成膜対象物31を真空槽11内に搬入し、成膜対象物保持部32に載置して、上述の生産工程によるスパッタ成膜を繰り返す。上記説明ではスパッタ成膜装置10がスパッタ部201~204を複数個有する場合で説明したが、本発明はスパッタ部を一つだけ有する場合も含まれる。上記説明では反応ガスとしてO2ガスを使用したが、反応ガスとしてN2ガス又はO2ガスとN2ガスとの混合ガスを使用して、絶縁性のSiOxNyの薄膜を形成する場合も本発明に含まれるx、yは、xyが0より大きく2以下であるという関係を満たす0以上の実数である。上記説明では図2を参照し、各スパッタ部201~204のターゲット211~214と成膜対象物31とをそれぞれ立てた状態で対面させたが、本発明は各スパッタ部201~204のターゲット211~214と成膜対象物31とが互いに対面するならば上記配置に限定されず、各スパッタ部201~204のターゲット211~214の上方に成膜対象物31を配置して互いに対面させてもよいし、各スパッタ部201~204のターゲット211~214の下方に成膜対象物31を配置して互いに対面させてもよい。各スパッタ部201~204のターゲット211~214の下方に成膜対象物31を配置すると、成膜対象物31にパーティクルが落下して薄膜の品質が低下するため、各スパッタ部201~204のターゲット211~214の上方に成膜対象物31を配置するか、若しくは上述した実施例のように各スパッタ部201~204のターゲット211~214と成膜対象物31とをそれぞれ立てた状態で対面させる方が好ましい。なお、図1では磁石装置261~264の平面形状は細長形状で示されているが、本発明の磁石装置261~264の平面形状は細長形状に限定されない。