"以下のA及びBを含有するレジスト組成物。A式aで表される構造単位を有する樹脂[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a10式a10中、sは0~2の整数を表す。A10及びA12は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A11は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表し、sが2である場合、2つのA11はそれぞれ独立である。X10及びX11は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表し、sが2である場合、2つのX10はそれぞれ独立である。ただし、A10、A11、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。で表される基を表す。R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]B酸発生剤前記式aのA1が炭素数1~6のアルカンジイル基である請求項1記載のレジスト組成物。前記式aのA1がエチレン基である請求項1記載のレジスト組成物。前記Aが、式a1-1で表される構造単位及び式a1-2で表される構造単位からなる群より選ばれる構造単位を、さらに有する樹脂である請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1及びは上記と同じ意味である。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~5の整数を表す。]前記Bが、式B1で表される酸発生剤である請求項1~4のいずれか記載のポジ型レジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]前記Bが、前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である酸発生剤である請求項5記載のポジ型レジスト組成物。1請求項1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記レジスト組成物は、レジストパターン製造時のフォーカスマージンDOFが必ずしも満足できない場合があった。本発明者等は前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、以下の発明を含む。1以下のA及びBを含有するレジスト組成物。A式aで表される構造単位を有する樹脂[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表す。A1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a10式a10中、sは0~2の整数を表す。A10及びA12は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A11は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表し、sが2である場合、2つのA11はそれぞれ独立である。X10及びX11は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表し、sが2である場合、2つのX10はそれぞれ独立である。ただし、A10、A11、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。で表される基を表す。R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]B酸発生剤2前記式aのA1が炭素数1~6のアルカンジイル基である、前記1記載のレジスト組成物。3前記式aのA1がエチレン基である、前記1記載のレジスト組成物。4前記Aが、式a1-1で表される構造単位及び式a1-2で表される構造単位からなる群より選ばれる構造単位を、さらに有する樹脂である、前記1~3のいずれか記載のレジスト組成物。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1及びは上記と同じ意味である。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~5の整数を表す。]5前記Bが、式B1で表される酸発生剤である、前記1~4のいずれか記載のポジ型レジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]6前記Bが、前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である酸発生剤である、前記5記載のポジ型レジスト組成物。71前記1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物によれば、優れたフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できる。本発明は、式aで表される構造単位以下、場合により構造単位aという。を有する樹脂以下、場合により樹脂Aという。と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。及び本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を提供する。以下、これらを順次説明する。本レジスト組成物は、式aで表される構造単位を含む樹脂Aと酸発生剤Bの効果によりフォーカスマージンDOFが良好なレジストパターンを製造できるものである。樹脂Aなどに関する説明に当たり、本明細書に示す種々の化合物などにおいて、官能基基を示すことがあるが、ここで共通する基を定義しておく。このような定義において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基をいう。該脂肪族炭化水素基はさらに鎖式及び脂環式に分類される。本明細書でいう脂肪族炭化水素基とは、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。鎖式の脂肪族炭化水素基鎖式炭化水素基のうち1価のものは、典型的にはアルキル基であり、当該アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式炭化水素基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素炭素二重結合を含んでいてもよいが、このような炭素炭素二重結合などを有さない、飽和の鎖式炭化水素基、特に飽和のアルキル基が好ましい。2価の鎖式炭化水素基は、ここに示したアルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が該当する。脂環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。のうち1価のものは、例えば、脂環式炭化水素から水素原子1個を取り去った基である。当該脂環式炭化水素基には、炭素炭素不飽和結合1個程度を含む不飽和脂環式炭化水素基でもよく、このような炭素炭素不飽和結合を含まない飽和脂環式炭化水素基でもよいが、本明細書でいう脂環式炭化水素基は飽和であると好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式のものであっても、多環式のものであってもよい。ここでは、水素原子を取り去る前の脂環式炭化水素基としては例えば、脂環式炭化水素基が挙げられ、単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロアルカンが好ましい。例えば、式KA-1で表されるシクロプロパンC3、式KA-2で表されるシクロブタンC4、式KA-3で表されるシクロペンタンC5、式KA-4で表されるシクロヘキサンC6、式KA-5で表されるシクロヘプタンC7、式KA-6で表されるシクロオクタンC8、及び、式KA-7で表されるシクロドデカンC12などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素としては例えば、式KA-8で示されるビシクロ2.2.1ヘプタン以下ノルボルナンという場合がある。C7、式KA-9で示されるアダマンタンC10、式KA-10で示される脂環式炭化水素C10、式KA-11で示される脂環式炭化水素C14、式KA-12で示される脂環式炭化水素C17、式KA-13で示される脂環式炭化水素C10、式KA-14で示される脂環式炭化水素C11、式KA-15で示される脂環式炭化水素C15、式KA-16で示される脂環式炭化水素C12、式KA-17で示される脂環式炭化水素C14、式KA-18で示される脂環式炭化水素C15、式KA-19で示される脂環式炭化水素C17、式KA-20で示される脂環式炭化水素C9、式KA-21で示される脂環式炭化水素C8及び、式KA-22で示される脂環式炭化水素C10などが挙げられる。なお、ここに示した脂環式炭化水素を式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素ということがある。2価の脂環式炭化水素基とは、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が該当する。本明細書において、芳香族炭化水素基は1価の芳香族炭化水素基であり、典型的にはアリール基である。具体的にいえば、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントリル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などを挙げることができる。脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。該置換基はそのつど定義するが、ここで当該置換基の代表例を挙げておく。置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられ、該アルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。アシル基としは、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したものに加え、ベンゾイル基C7などのようにアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。該アシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。アリール基としては、上述の芳香族炭化水素基のアリール基として例示したものと同じであり、アリールオキシ基としては、当該アリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。該アルキル基は、鎖式炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、該アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<樹脂A>樹脂Aは、前記式aで表される構造単位以下、場合により構造単位aという。を有する。<構造単位a>前記式aのA1、R2及びR3について具体例を示しつつ説明する。A1は、炭素数1~6のアルカンジイル基又は前記式a10で表される基以下、基a10という。である。該アルカンジイル基は、直鎖状であっても、分岐していてもよく、その具体例はすでに例示したアルカンジイル基のうち、炭素数1~6のものである。かかるアルカンジイル基を構成する水素原子は置換基水素原子以外の1価の基に置換されていてもよく、当該置換基は、ヒドロキシ基及び炭素数1~6のアルコキシ基などである。基a10は、X10及びX11のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基といった酸素原子を含む部分構造を含む、2価の基である。以下、基a10について具体例を示す。酸素原子を有する基a10としては、などが挙げられるは結合手を表す。カルボニル基を有する基a10としては、などが挙げられるは結合手を表す。カルボニルオキシ基を有する基a10としては、などが挙げられるは結合手を表す。オキシカルボニル基を有する基a10としては、などが挙げられるは結合手を表す。以上のようにA1は、アルカンジイル基又は基a10であるが、これらのうち、アルカンジイル基が好ましく、炭素数1~4のアルカンジイル基がより好ましく、エチレン基が特に好ましい。R2は、水素原子又は炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基は部分的に、炭素炭素不飽和結合を有していてもよいが、炭素炭素不飽和結合を有さない飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。好ましい脂肪族炭化水素基としては、アルキル基当該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。及び脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせた脂肪族炭化水素基でもよい。これらアルキル基及び脂環式炭化水素基の具体例は、すでに例示したもののうち、炭素数6以下のものを含む。R3は置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基は部分的に、炭素炭素不飽和結合を有していてもよいが、炭素炭素不飽和結合を有さない飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。好ましい脂肪族炭化水素基としては、アルキル基当該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。及び脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせた脂肪族炭化水素基でもよい。かかる脂肪族炭化水素基のうち、置換基を有さないアルキル基及び置換基を有さない脂環式炭化水素基の具体例は、すでに例示したもののうち、炭素数18以下のものを含む。該アルキル基及び該脂環式炭化水素基は、置換基を有することもあるが、この場合の置換基はハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がさらに好ましい。フッ素原子を有する脂肪族炭化水素基を例にとり、その具体例を挙げると、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基などである。また、R3の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。なお、酸素原子又はカルボニル基に置き換わるメチレン基の個数は最大2個程度である。以上、R3を、具体例を示しつつ説明したが、これらのうち、R3は脂環式炭化水素基及び、該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換えられた基が好ましい。ここで、A1がエチレン基である場合の構造単位aとしては、以下で表される構造単位などが挙げられる。式a-1~式a-18のいずれかで表される構造単位aにおいて、以下に示す部分構造Mを、以下に示す部分構造Aに置き換えたものも構造単位aの具体例として挙げることができる。構造単位aは、樹脂Aの製造において、式a’で表される化合物以下、場合により化合物a’という。から誘導される。式a’中の符号はいずれも、上記と同じ意味を表す。化合物aは、例えば以下に示す反応を実施することにより製造することができる。式as-1で表される化合物と式as-2で表される化合物とを、反応し、化合物a’を製造することができる。かかる反応は通常、溶媒の存在下で行われ、該溶媒としては、アセトニトリルなどが使用できる。式as-1で表される化合物は、市販されているものを種々用いることができるが、好ましいA1であるエチレン基の化合物a’を製造できる点と、入手性の点とでは、メタクリル酸エチルイソシアネートなどが好ましい。式as-2で表される化合物も市販されているものを種々用いることができる。例えば、R3が脂環式炭化水素基である好ましい化合物a’を製造するためには、式as-2で表される化合物として、シクロヘキシルアミンなどを用いればよい。また、化合物a’はドライフィルムレジストのバインダー樹脂製造用として公知のものも用いることができる。かかるバインダー樹脂は例えば、特開2004-302371号公報に記載されており、該公報の合成例に準拠して、化合物a’を製造することもできる。樹脂Aにおいて、該樹脂Aの全構造単位100モルに対する構造単位aの含有割合は1~30モルの範囲が好ましく、2~20モルの範囲がより好ましく、3~15モルの範囲がさらに好ましい。なお、このような含有割合で構造単位aを有する樹脂Aは、樹脂A製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物a’の使用モル量を調節すればよい。本レジスト組成物において、樹脂Aは酸発生剤との相乗効果によりレジストパターンを製造できるものであると好ましい。このような樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有する。なお、ここでいう酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるとは、酸の接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触すると該保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶となる。該保護基により保護されている親水性基を以下、酸不安定基ということにする。該親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。以下、本レジスト組成物に用いる樹脂Aに関し、構造単位a以外に樹脂Aが有する構造単位に関して説明する。該樹脂Aは上述のとおり、酸の接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる特性を有するものが好ましく、かかるこの樹脂Aは、酸不安定基を有する構造単位以下、場合により構造単位a1という。を有する。樹脂A中、該構造単位a1は1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。<酸不安定基>構造単位a1が有する酸不安定基の好適例を説明する。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する該有機残基の原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表される基以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が結合して形成される環、及び該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基は、アルキル基又は脂環式炭化水素基が好ましい。該アルキル基としては、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数が1~8のものが挙げられる。該脂環式炭化水素基も、すでに例示したもののうち、炭素数が8以下のものを挙げることができる。Ra1及びRa2が結合して環を形成するとは、-CRa1Ra2Ra3で表される基が、下記に示すいずれかの基となることをいう。このような環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1としては、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3の全てがアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブチル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表される基以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表し、Rb2及びRb3が結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成してもよい。該炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、Rb2及びRb3が結合して形成される環を構成するメチレン基も、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよく、その具体例も炭素数の上限が20以下である範囲において、すでに例示したものと同じものを含むが、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子の酸不安定基2が好ましい。酸不安定基2としては、以下の基が挙げられる。構造単位a1は、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーから誘導されるものが好ましく、酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーから誘導されるものがさらに好ましい。当該構造単位a1は好ましくは、酸不安定基1又は酸不安定基2を有すると好ましく、これらの酸不安定基をともに有していてもよい。より好ましくは酸不安定基1を有する構造単位a1である。酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂肪族環構造を有する基が好ましい。立体的に嵩高い脂肪族環構造を有する基の構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂肪族環構造を有する酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、式a1-1で表される構造単位以下、構造単位a1-1という場合がある。及び式a1-2で表される構造単位以下、構造単位a1-2という場合がある。が好ましい。酸不安定基を有する樹脂Aは、これらを単独で有していてもよく、2種以上を有していてもよい。式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1及びは上記と同じ意味である。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~5の整数を表す。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n2は、好ましくは0~2の整数、より好ましくは0又は1である。構造単位a1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a1-1-1~式a1-1-38のいずれかで表される構造単位a1-1の具体例において、構造単位aの具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。以上の構造単位a1-1としては、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1、並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2のいずれかで表される構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを製造する際に、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートなどを製造用原料モノマーとして用いればよい。次に、構造単位a1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a1-2-1~式a1-2-12のいずれかで表される構造単位a1-2において、構造単位aの例示と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-2として挙げることができる。なかでも、式a1-2-1、式a1-2-2、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位a1-2、あるいは、これらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものがより好ましく、式a1-2-4及び式a1-2-4のいずれかで表される構造単位a1-2、あるいはこれらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものがより好ましい。このような構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造するためには、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートなどをモノマーとして用いればよい。樹脂Aが、構造単位a1として構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する場合、樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらの構造単位a1の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましく、25~60モルの範囲が一層好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーに対する、これらの構造単位を誘導するモノマーの合計使用量を調節すればよい。具体的には、樹脂Aを製造するために全モノマー量100モルに対して、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量が、10~95モルの範囲であると好ましく、15~90モルの範囲であるとより好ましく、20~85モルの範囲であるとさらに好ましく、25~60モルの範囲であると一層好ましい。樹脂Aには、構造単位a1-1及び構造単位a1-2の他に、酸不安定基を有する構造単位a1他の構造単位a1を有していてもよい。かかる他の構造単位a1として例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という。から誘導されるものが挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra9のヒドロキシ基を有するアルキル基としては例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra10~Ra12の脂肪族炭化水素基としては、鎖式炭化水素基例えば、アルキル基及び脂環式炭化水素基が挙げられ、炭素数20以下の範囲において、すでに例示したものを含む。Ra10及びRa11が結合して形成される環は脂肪族環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環がより好ましい。Ra9の-COORa13としては例えば、メトキシカルボニル基C2及びエトキシカルボニル基C3など、すでに例示したアルコキシ基にカルボニル基がさらに結合した基が挙げられる。モノマーa1-3としては例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いて製造された樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。このように立体的に嵩高い構造単位を有する樹脂Aを含有する本レジスト組成物により、レジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できる点や、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点では、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基1を有する構造単位a1を誘導できるモノマーa1-3について説明したが、次に酸不安定基2を有する構造単位a1を誘導できるモノマー、すなわち酸不安定基2を有するモノマーの具体例を挙げる。酸不安定基2を有するモノマーとしては、例えば、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。が挙げられる。式a1-4中、Ra32は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基ハロゲン化アルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基及び炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。このような置換基としては、炭素数が各々の上限である範囲において、すでに例示したものを含む。Xa2の脂肪族炭化水素基は、鎖式炭化水素基であると好ましく、アルキル基であるとより好ましい。なお、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRc-で示される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3としては、炭素数1~18の炭化水素基であり、好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基を有していてもよい。式a1-4のRa32、Ra33、Ra34、Ra35及びXa2の具体例を挙げる。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基のうち、アルキル基としては、炭素数1~6の範囲において、すでに例示したものを含み、ハロゲン原子を有するアルキル基としては、このアルキル基を構成する水素原子がハロゲン原子に置き換わったものである。具体的にハロゲン原子を有するアルキル基を挙げると、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などである。Ra32及びRa33のハロゲン原子、アルコキシ基及びアシル基の具体例はすでに例示したものを含む。Ra34及びRa35の炭化水素基は、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよい。その具体例は、各々の炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。これらのうち、該鎖式炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましく、該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などが好ましい。該芳香族炭化水素基は、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルが好ましい。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらを構成する水素原子が、ハロゲン原子及びヒドロキシ基などの置換基に置き換わっていてもよいが、このように水素原子が置き換わっている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。ここで、モノマーa1-4としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示すモノマーa1-4において、以下に示す部分構造V’を、以下に示す部分構造P’置き換えたものもモノマーa1-4の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーとして、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という場合がある。も用いることができる。式a1-5中、R31は、水素原子及びメチル基が好ましい。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子である。L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であると好ましい。s1は、1が好ましい。s2は、0~2の整数が好ましい。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Z1としては、単結合又は-CH2-CO-O-で表される基が好ましい。モノマーa1-5としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。ここでは、R31がメチル基である具体例を示すことにするが、このメチル基を水素原子に置き換えたものも、モノマーa1-5の具体例である。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、10~90モルの範囲がより好ましく、10~85モルの範囲がさらに好ましく、10~70モルの範囲が一層好ましい。<酸安定構造単位>樹脂AAとしては、構造単位a及び構造単位a1に加えて、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位という。を有していると好ましい。樹脂Aが酸安定構造単位を有する場合、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、構造単位a1がアダマンタン環を有する構造単位、特に構造単位a1-1を含む場合、構造単位a1の総量100モルに対して、構造単位a1-1の割合を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から製造されるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。なお、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定める場合には、構造単位aを酸安定構造単位に含めて含有割合を算出するとよい。酸安定構造単位としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a2という場合がある。及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a3という場合がある。を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を選択することができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などを露光源とする高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。このように、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a21種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a22種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a2と、それ以外の酸安定構造単位a2とを組み合わせて有していてもよい。<酸安定構造単位a2-1>酸安定構造単位a2-1としては、以下の式a2-1で表される構造単位以下、場合により酸安定構造単位a2-1という。が挙げられる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、より好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a2-1-1~式a2-1-17のいずれかで表される構造単位a2-1の具体例において、構造単位aの具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。例示した酸安定構造単位a2-1の中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される構造単位a2-1、並びにこれらの構造単位a2-1の部分構造Mが部分構造Aに置き換わったものが好ましく、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される構造単位がより好ましい。これらの酸安定構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルなどを、該樹脂A製造用のモノマーとして用いればよい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルが好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、3~30モルの範囲がさらに好ましく、3~15モルが特に好ましい。<酸安定構造単位a2-0>酸安定構造単位a2は、以下の式a2-0で表されるもの以下、酸安定構造単位a2-0という。も挙げることができる。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一であっても異なってもよい。Ra30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基及びハロゲン原子としては、式a1-4のRa32で例示したものと同じである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基としては、式a1-4のRa33で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは、好ましくは、0、1又は2であり、より好ましくは0又は1であり、特に好ましくは0である。酸安定構造単位a2-0としては、以下の酸安定構造単位a2-0を誘導するモノマー以下、酸安定モノマーa2-0という場合がある。などが挙げられる。この酸安定モノマーa2-0の具体例において、ベンゼン環に結合しているメチル基やエチル基を、Ra31として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマーa2-0の具体例である。このような酸安定モノマーa2-0を用いて、樹脂Aを製造する場合は、該酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されているモノマーを用いることもできる。例えば、塩基で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、塩基の接触により該アセチル基が脱保護されるため、酸安定構造単位a2-0の前駆構造単位は、脱保護することにより、酸安定構造単位a2-0となる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を持つ構造単位a1を有しているので、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなるモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、構造単位a1が有する酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。塩基との接触により脱保護する保護基としては例えば、アセチル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノピリジン及びトリエチルアミンなどが挙げられる。酸安定モノマーa2-0の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2及び式a3-3のいずれかで表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1という場合があり、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2という場合があり、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という場合がある。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一であっても異なってもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は、互いに同一であっても異なってもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は、互いに同一であっても異なってもよい。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、式a2-1のLa3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。式a3-1-1~式a3-1-11で表される酸安定構造単位a3-1、式a3-2-1~式a3-2-11で表される酸安定構造単位a3-2及び式a3-3-1~式a3-3-6で表される酸安定構造単位a3-3において、構造単位aの例示と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも、各々酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3として挙げることができる。また、この具体例において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例である。酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルからなる群より選ばれるモノマーから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3からなる群より選ばれる酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルの範囲が好ましく、5~50モルの範囲がより好ましく、10~40モルの範囲がさらに好ましく、15~40モルの範囲が特に好ましく、20~40モルの範囲が一層好ましい。また、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3それぞれの含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルの範囲が好ましく、10~55モルの範囲がより好ましく、20~50モルの範囲がさらに好ましく、20~45モルの範囲が一層好ましい。<酸安定モノマーa4>樹脂Aは、酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3以外の酸安定構造単位を有していてもよい。このような酸安定構造単位を、当該酸安定構造単位を誘導し得る酸安定モノマーを示すことで説明する。以下、酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3以外の酸安定構造単位を誘導し得る酸安定モノマーを、場合により酸安定モノマーa4という。該酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という場合がある。などを挙げることができる。[式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く例えばRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない式a4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが好ましい。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などがさらに好ましい。酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール及び5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-4という場合がある。などが挙げられる。[式a4-4中、La7は、酸素原子又は-T-CH2k2-CO-O-をk2は1~7の整数を表す。Tは酸素原子又はNHである。表し、はカルボニル基との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W10は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。]スルトン環基に含まれるスルトン環とは、脂環式炭化水素を構成するメチレン基のうち、隣り合うメチレン基2つが、一方が酸素原子、他方がスルホニル基に置き換わったものであり、下記に示すものなどが挙げられる。スルトン環基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、結合手に置き換わったものであり、式a4-4においてはLa7との結合手が該当する。置換基を有していてもよいスルトン環基とは、上述の結合手に置き換わった水素原子以外の水素原子がさらに置換基水素原子以外の1価の基に置換されたものであり、該置換基は、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基からなる群より選ばれる。酸安定モノマーa4-4としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-4の具体例において、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-4として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-5という場合がある。も用いることができる。このような酸安定モノマーa4-5の中でも、単環式又は多環式の脂肪族環を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4-6>酸安定モノマーa4として、以下の式3で表される基を有する酸安定モノマー以下、式3で表される基を有する酸安定モノマーを、場合により、酸安定モノマーa4-6という。を挙げることができる。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。は結合手を表す。]R10のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。R10のフッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa4-6としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-6の具体例において、酸安定モノマーa4-4の具体例と同様に、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-6の具体例として含む。また、酸安定モノマーa4-6としては、以下のものも挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-6に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4-7>酸安定モノマーa4としては、以下の式4で表される基を有する酸安定モノマー[以下、式4で表される基を有する酸安定モノマーを、場合により、酸安定モノマーa4-7という。]も挙げられる。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A3は、単結合、-CH2m10-SO2-O-又は-CH2m10-CO-O-を表し、ここに示す-CH2m10-を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、該-CH2m10-に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。m10は、1~12の整数を表す。]R11における炭素数6~12の芳香族炭化水素基の具体例は、炭素数がこの範囲において、すでに例示したものを含む。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。R11としては、以下の基が挙げられる。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基は、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。脂肪族炭化水素基としては、典型的にはアルキル基であり、その具体例は、炭素数1~12の範囲において、すでに例示したものを含む。脂環式炭化水素基の具体例も、炭素数が12以下の範囲において、すでに例示したものを含む。なお、R12が脂肪族炭化水素基である場合、該脂肪族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。R12が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、R11の場合と同じである。A3としては、下記に示す基が挙げられる。式4で表される基を含む酸安定モノマーとしては、例えば、式a4-7で表されるモノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-7という。が挙げられる。[式a4-7中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA3は、上記と同じ意味を表す。]酸安定モノマーa4-7としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-7の具体例において、酸安定モノマーa4-4の例示と同様に、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-7の具体例として含む。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-8で示されるモノマー[以下、場合により酸安定モノマーa4-8という。]も挙げることができる。[式a4-8中、W2は、炭素数3~36の脂肪族環を表す。A4は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、A4のうち、酸素原子に結合している原子は炭素原子である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。R15及びR16は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。W2は、単環式又は多環式の炭素数3~36の脂肪族環であり、その炭素数は5~18の範囲が好ましく、6~12の範囲がより好ましい。より具体的には、すでに脂環式炭化水素基の説明において、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素の形式で示した脂肪族環を挙げることができる。すなわち、式a6-1においてで示される部分構造は、式KA-1~式KA-22で示した脂環式炭化水素を構成する水素原子の1個がA4との結合手に、脂環式炭化水素の環を構成する1つの炭素原子である炭素原子の1つに結合している2つの水素原子が、-O-CO-R15及び-O-CO-R16との結合手に置き換わったものを挙げることができる。W2の脂肪族環は、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環及びノルボルネン環が特に好ましい。A4の脂肪族炭化水素基は、炭素数が17以下の範囲において、すでに例示したアルカンジイル基及び2価の脂環式炭化水素基を挙げることができ、炭素数が17以下の範囲であれば、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であってもよい。また、A4の脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。ここで、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基の代表例を示しておく。かかる脂肪族炭化水素基としては、以下の式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cのいずれかで表される基などが挙げられる。式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基を表し、XX1及びXX2がともに単結合であることはなく、式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基の総炭素数は17以下である。また、すでに述べたように、A4の脂肪族炭化水素基は、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。このような基の代表例としては、例えば、式aの基a-1で例示したものを含む。A4は、単結合又は-CH2s1-CO-O-は-O-との結合手を表し、s1は1~6の整数を表す。で表される基が好ましく、単結合又は-CH2-CO-O-は-O-との結合手を表す。で表される基がより好ましい。R14は、水素原子又はメチル基が好ましい。R14、R15及びR16R14~R16のアルキル基としては、炭素数が1~6の範囲において、すでに例示したものを含む。ハロアルキル基としては、フッ素原子を有するアルキル基が特に好ましい。R15及びR16のハロアルキル基のうち、好ましいものとしては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基などが挙げられ、中でも、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基が挙げられる。酸安定モノマーa4-8としては、以下に示すモノマー等が挙げられる。なお、R14~R16及びA4は、上記と同じ意味を表す。これらの中でも、で表される酸安定モノマーa4-8がより好ましい。酸安定モノマーa4-8として、以下で表されるモノマーが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-8において、酸安定モノマーa4-4の例示と同様に、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-8の具体例として含む。好ましい酸安定モノマーa4-8は例えば、次のようにして製造できる。すなわち、酸安定モノマーa4-8は、式a4-8-aで表される化合物と、式a4-8-bで表される化合物とを反応させることにより製造する。式a4-8-aで表される化合物の代表例は例えば、特開2002-226436号公報に記載されている1-メタクリロイルオキシ-4-オキソアダマンタンなどが挙げられる。また、式a4-8-bで表される化合物としては、例えばペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。この反応は、用いる式a4-8-bで表される化合物の沸点温度付近で加温することにより、実施することが好ましい。[式a4-8-a及び式a4-8-b中、W2、A4、R14、R15及びR16は、上記と同じ意味を表す。]樹脂Aが、酸安定モノマーa4-8に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂A及びその製造方法>樹脂Aは、構造単位aを誘導する化合物a’と、構造単位a1を誘導するモノマー[好ましくは、構造単位a1-1又は構造単位a1-2を誘導するモノマー]を、さらに好ましくは酸安定構造単位を誘導するモノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、化合物a’、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマー、酸安定構造単位a2及び/又は酸安定構造単位a3を誘導するモノマーとを共重合させたものである。樹脂Aは、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1-1及びシクロへキシル基を有する構造単位a1-2のうち、少なくとも1種を有することが好ましく、アダマンチル基を有する構造単位a1-1を有することがさらに好ましい。酸安定構造単位a2としては、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位a2-1を用いることが好ましい。酸安定構造単位a3としては、γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を有することが好ましい。樹脂Aは、上述したようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供して重合共重合させればよい。樹脂Aの全構造単位100モルに対する、構造単位a1の含有割合は、すでに構造単位a1-1及び構造単位a1-2の各々などについて説明したが、これらの合計、すなわち構造単位a1は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、好ましくは10~80モルの範囲であり、より好ましくは20~60モルの範囲である。また、アダマンチル基を有する構造単位特に構造単位a1-1を有する場合には、該構造単位を、構造単位a1の合計100モルに対して15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。樹脂Aの重量平均分子量は、2,500以上50,000以下であると好ましく、3,000以上30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析GPC分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<本レジスト組成物>本レジスト組成物は、樹脂Aを含有することにより、優れたフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できるという効果を発現する。本レジスト組成物は、樹脂A以外に、酸発生剤及び溶剤という構成成分を含有し、さらに必要に応じて、本技術分野でクエンチャーと呼ばれる塩基性化合物などの添加剤を含有することがある。以下、樹脂A以外の成分、すなわち、酸発生剤、添加剤及び溶剤の順で説明していく。なお、以下の説明において、本レジスト組成物から溶剤を取り除いたものを、本レジスト組成物の固形分ということがある。この固形分の本レジスト組成物総質量に対する含有重量割合以下、場合により含有量という。は、液体クロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。<酸発生剤>酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などが代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤としては、例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。本レジスト組成物に含有される酸発生剤は、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1という。が好ましい。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1~6のアルキル基において、該アルキル基を構成する水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。本レジスト組成物に含有される酸発生剤としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がさらに好ましい。Lb1の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1における前記脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子Q1及びQ2と結合している炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本発明のレジスト組成物に用いる酸発生剤としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基である。ここで、好ましい式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基の具体例を挙げる。なお、は結合手を表し、左右のの定義は上述のとおりである。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例はすでに例示したものを含む。式B1におけるYは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、アルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がより好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、該置換基としては例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基のうち、好ましい基は、以下に示す式Y1、式Y2、式Y3、式Y4及び式Y5のいずれかで表される基が挙げられ、なかでも、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5が好ましく、式Y1及び式のいずれかで表される脂環式炭化水素基がより好ましい。なお、これらの脂環式炭化水素基に含まれる水素原子が置換基に置換されていてもよい。置換基を有する脂環式炭化水素基としては例えば、以下のものである。Yの脂環式炭化水素基は、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換基はヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基が好ましい。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9式b1-1-1~式b1-1-1-9で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。前記式b1-1-1~式b1-1-9で表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。以下、好ましいスルホン酸アニオンとして、Lb1が前記式b1-1で表される基であり、Yが、前記式Y1及び前記式で表される脂環式炭化水素基等である具体例を挙げる。Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-1~式b1-s-9のいずれかで表されるものが挙げられる。Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-10~式b1-s-18のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-19~式b1-s-29のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-30~式b1-s-35のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルホン酸環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41のいずれかで表されるものが挙げられる。また、Yはアルキル基であってもよい。このようなスルホン酸アニオンとしては例えば、以下の式b1-s-42で表されるものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどの有機オニウムカチオンが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、より好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4式b2-1~式b2-4のいずれかで表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、該炭化水素基としては、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。該アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であることが好ましく、該脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂肪族環又は、該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものとしては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という場合がある。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数は1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基がより好ましい。該脂肪族炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1としては、以下のものが挙げられる。また、有機カチオンとしては、式b2-3で表される有機カチオンのうち、以下の有機カチオンも好適なものとして挙げることができる。酸発生剤B1を、それを構成するスルホン酸アニオン及び有機カチオンの各々について説明したが、該酸発生剤B1は該スルホン酸アニオン及び該有機カチオンの組合せである。該スルホン酸アニオンと該有機カチオンとは任意に組み合わせることができる。該スルホン酸アニオン及び該有機カチオンの組み合わせを表1に示す。なお、表1において、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表すことにする。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表されるものである。中でも、酸発生剤Bは、中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む塩及びトリトリルスルホニウムカチオンを含む塩が好ましく酸発生剤B1である、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表される塩がより好ましい。また、すでに述べたように、Yが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基が好ましいので、この点では、式B1-2、式B1-3、B1-6、式B1-7及び式B1-11のいずれかで表される塩がより好ましい。酸発生剤Bは、酸発生剤B1とは異なる酸発生剤を含んでいてもよい。この場合は、酸発生剤Bの総量における酸発生剤B1の含有割合は、70質量以上が好ましく、90質量以上がより好ましい。ただし、本レジスト組成物における酸発生剤Bは、実質的に酸発生剤B1のみであることがさらに好ましい。<塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという。>本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cをむことが好ましい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及び、塩基性のアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンのいずれでもよい。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基を構成する水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なっていてもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n43は0~8の整数を表し、n43が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なっていてもよい。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、複数のRc14及び複数のRc15はそれぞれ独立である。Lc1は、炭素数1~6のアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、複数のRc18、複数のRc19及び複数のRc20はそれぞれ独立である。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。<溶剤以下、場合により溶剤Dという。>本レジスト組成物に含有される溶剤Dは、用いる樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤の種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、樹脂A、酸発生剤B[好ましくは、酸発生剤B1]、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含有していてもよい。この構成成分を成分Fという場合がある。かかる成分Fに特に限定はなく、本技術分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B[好ましくは、酸発生剤B1]及び溶剤Dを混合することで、又は、樹脂A、酸発生剤B[好ましくは、酸発生剤B1]、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することで調製することができる。さらに、必要に応じて成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる樹脂Aなどの種類や樹脂Aの溶剤Dに対する溶解度に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。溶剤Dの含有割合は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して、溶剤Dは90質量以上であると好ましい。溶剤Dの含有割合が90質量である本レジスト組成物では、該本レジスト組成物総質量に対する固形分の含有割合は10質量に該当する。このような含有割合で溶剤Dを含有する本レジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有割合は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有割合の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有割合は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。樹脂Aの本レジスト組成物に対する含有割合は、該本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、好ましい範囲が選択される。具体的にいうと、該固形分の総質量に対する樹脂Aの含有割合は、80質量以上99質量以下であると好ましい。本レジスト組成物に対する酸発生剤の含有質量は、本レジスト組成物に含有される樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。酸発生剤が酸発生剤B1である場合、具体的には、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤B1が好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤B1が好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有割合は本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度が好ましい。これら樹脂A、酸発生剤及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの各々の好適な含有量も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、樹脂A、酸発生剤及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>続いて、本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成しておいたりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類などに応じて選択でき、例えばホットプレートを用いる加熱手段の場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するものなど、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線又は超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置を用いて現像する工程である。現像する工程で、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層は該アルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は基板上に残るため、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後、製造されたレジストパターンに、超純水等でリンス処理を行うことが好ましく、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、優れたフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できる。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。工に利用できる。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例1式M-I1で表される化合物の合成式I1-1で表される化合物13.42部及びアセトニトリル40.27部を、反応器に仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、0°Cまで冷却した。得られた混合物に、同温度を保持したまま、式I1-2で表される化合物20.00部を、1時間かけて添加した。その後、クロロホルム40.27部を加え、23°C程度まで昇温し、この23°C程度を保持したまま、3時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム227.92部、5塩酸水溶液9.88部及びイオン交換水56.98部を加え、23°Cで30分間攪拌した。攪拌後、静置分液することにより回収された有機層に、イオン交換水113.96部を仕込み23°Cで30分間攪拌した後、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回行った。回収された有機層を濃縮し、n-ヘプタン99.26部及びtert-ブチルメチルエーテル99.26部を加えて攪拌し、23°Cで1時間攪拌した後、ろ過することにより、式M1-Iで表される化合物29.85部を得た。MS:254.2合成例2式M-I2で表される化合物の合成式I2-1で表される化合物20.24部及びアセトニトリル61.39部を、反応器に仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、0°Cまで冷却した。得られた混合物に、同温度を保持したまま、式I2-2で表される化合物20.00部を、1時間かけて添加した。その後、クロロホルム61.39部を加え、23°C程度まで昇温し、この23°C程度を保持したまま、3時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム300部、5塩酸水溶液10部及びイオン交換水60部を加え、23°Cで30分間攪拌した。攪拌後、静置分液することにより回収された有機層に、イオン交換水150部を仕込み23°Cで30分間攪拌した後、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回行った。回収された有機層を濃縮し、n-ヘプタン100部及びtert-ブチルメチルエーテル100部を加えて攪拌し、23°Cで1時間攪拌した後、ろ過することにより、式M-I2で表される化合物31.42部を得た。MS:306.2合成例3式M-I3で表される化合物の合成式I3-1で表される化合物22.38部及びアセトニトリル67.14部を、反応器に仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、0°Cまで冷却した。得られた混合物に、同温度を保持したまま、式I3-2で表される化合物20.00部を、1時間かけて添加した。その後、クロロホルム67.14部を加え、23°C程度まで昇温し、この23°C程度を保持したまま、3時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム300部、5塩酸水溶液10部及びイオン交換水60部を加え、23°Cで30分間攪拌した。攪拌後、静置分液することにより回収された有機層に、イオン交換水150部を仕込み23°Cで30分間攪拌した後、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を5回行った。回収された有機層を濃縮後、カラムメルクシリカゲル60-200メッシュ、展開溶媒:酢酸エチル分取することにより、式M-I3で表される化合物11.89部を得た。MS:322.2樹脂の合成合成例1で得られた式M-I1、式M-I2、式M-I3で表される化合物を含め、樹脂[樹脂Aなど]の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーを式番号に応じて、モノマーM-A~モノマーM-F、モノマーM-I1、モノマーM-I2及びモノマーM-I3という。合成例4樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーM-A、モノマーM-B、モノマーM-C、モノマーM-D及びモノマーM-I1を用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-D:モノマーM-I1が40:10:17:30:3となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.4×103の樹脂A1共重合体を収率63で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。合成例5樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーM-A、モノマーM-E、モノマーM-B、モノマーM-C、モノマーM-D及びモノマーM-I1を用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-E:モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-D:モノマーM-I1が32:7:8:10:38:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量6.9×103の樹脂A2共重合体を収率70で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。合成例6樹脂A3の合成モノマーとして、モノマーM-A、モノマーM-B、モノマーM-C及びモノマーM-I1を用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-I1が45:22.5:22.5:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.6×103の樹脂A3共重合体を収率62で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。合成例7樹脂A4の合成モノマーとして、モノマーM-A、モノマーM-B及びモノマーM-Cを用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-B:モノマーM-Cが50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂A4共重合体を収率60で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。合成例8樹脂A5の合成モノマーとして、モノマーM-F、モノマーM-E、モノマーM-B、モノマーM-C、モノマーM-D及びモノマーM-I1を用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-E:モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-D:モノマーM-I1が30:14:6:15:30:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.3×103の樹脂A5共重合体を収率62で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有するものである。合成例9樹脂A6の合成モノマーとして、モノマーM-F、モノマーM-E、モノマーM-B、モノマーM-C、モノマーM-D及びモノマーM-I2を用い、そのモル比モノマーM-F:モノマーM-E:モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-D:モノマーM-I2が30:14:6:15:30:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.6×103の樹脂A6共重合体を収率65で得た。この樹脂A6は、以下の構造単位を有するものである。合成例10樹脂A7の合成モノマーとして、モノマーM-F、モノマーM-E、モノマーM-B、モノマーM-C、モノマーM-D及びモノマーM-I3を用い、そのモル比モノマーM-F:モノマーM-E:モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-D:モノマーM-I3が30:14:6:15:30:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.3×103の樹脂A7共重合体を収率60で得た。この樹脂A7は、以下の構造単位を有するものである。実施例1~8及び比較例1<レジスト組成物の調製>合成例4~10で得られた樹脂A1~樹脂A7;以下に示す酸発生剤B1~B2;以下に示す塩基性化合物C1;の各々を表2に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1~A7:樹脂A1~樹脂A7<酸発生剤>B1:B2:<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造及びその評価>実施例1~8の本レジスト組成物及び比較例1のレジスト組成物は以下のようにして液浸露光によるフォーカスマージンDOF評価を行った。以下、本レジスト組成物及び比較例1のレジスト組成物を総称して、レジスト組成物ということがある。<レジスト組成物の液浸露光評価>以下のようにして、レジスト組成物の液浸露光を行い、フォーカスマージンDOF評価を実施した。シリコンウェハーに、有機反射防止膜用組成物ARC-29;日産化学株製を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、ウェハー上に膜厚780Åの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後溶剤除去後の組成物層の膜厚が85nmとなるように塗布スピンコートした。塗布後、シリコンウェハーをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハーに、液浸露光用ArFエキシマステッパーXT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4AnnularX-Y偏光で、コンタクトホールパターンホールピッチ100nm/ホール径70nmを形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、前記シリコンウェハーを、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間、加熱ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。フォーカスマージンDOF評価実効感度において、前記マスクを用いて形成したレジストパターンのホール径が52.2nm以上57.7nm以下を保持するフォーカス範囲をDOFとした。結果を表3に示す。本レジスト組成物実施例1~実施例8を用いて得られるレジストパターンは優れたフォーカスマージンDOFで、レジストパターンを製造することができた。一方、比較例1のレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージンDOFが不良であった。"