結晶成長炉内に下地基板を準備する工程、およびIII族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて前記下地基板上にC面とC面以外のファセット面を混在させながらIII族窒化物半導体結晶を成長させる成長工程、を含むIII族窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記成長工程は、ケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入し、かつC面以外のファセット面で成長した領域に酸素を含有させながらIII族窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とする、III族窒化物半導体結晶の製造方法。前記成長工程におけるケイ素含有物質は、ガスとして導管から前記結晶成長炉内に導入されることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体結晶の製造方法。上記引用文献1では、C面とC面以外のファセット面を同時に出現させながら結晶を成長させる方法において、酸素をドーピングすることで酸素のドーピング量を正確に制御することができるとされている。しかしながら、本発明者らが検討したところ、酸素ドーピングした場合であってもC面成長する箇所のキャリア濃度が極端に低くなるため、結晶内でキャリア濃度が不均一になってしまうことが判明した。そのため、得られた窒化物半導体結晶を半導体基板などとして用いる際に、キャリア濃度が低い部分については抵抗率が低く導電性が不十分であるという課題を見出した。結晶中のキャリア濃度が低い箇所は、高品質な結晶が求められる市場の要求を満たすことができず製品化されないことから、製造効率に問題が生じる。本発明はこのような状況下なされたものであり、C面とC面以外のファセット面を同時に出現させながら結晶を成長させる方法において、結晶中にキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を製造する方法を提供することを課題とするものである。本発明者らは結晶内でキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶を求めて鋭意研究を積み重ね、C面エリアとファセットエリアとを有するIII族窒化物半導体結晶を成長させる際、C面成長する箇所のキャリア濃度を補うために、ケイ素元素をドーピングしながら結晶を成長させることで、結晶内のキャリア濃度のムラの少ない窒化物半導体結晶が得られることを見出し、発明を完成させた。即ち本発明は以下のとおりである。結晶成長炉内に下地基板を準備する工程、およびIII族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて前記下地基板上にC面とC面以外のファセット面を混在させながらIII族窒化物半導体結晶を成長させる成長工程、を含むIII族窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記成長工程は、ケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入し、かつC面以外のファセット面で成長した領域に酸素を含有させながらIII族窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とする、III族窒化物半導体結晶の製造方法。また、前記成長工程におけるケイ素含有物質は、ガスとして導管から前記結晶成長炉内に導入されることが好ましい。本発明の製造方法により製造された窒化物半導体結晶は、結晶内のキャリア濃度のムラが少ないため、高い導電率を要求される場合であっても、結晶内の大部分を製品として使用できるため、製造ロスが少なく製造効率が非常に高い。また、C面エリアとファセットエリアとを有する結晶であるため、高い耐クラック性を有する結晶である。本発明により、このような高品質の窒化物半導体結晶を提供することができる。本発明の窒化物半導体結晶の製造方法について、以下詳細に説明する。構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づきされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。1結晶成長炉内に下地基板を準備する工程本発明の製造方法は、結晶成長炉内に下地基板を準備する工程を含む。本発明の製造方法に用いる結晶成長炉は、結晶成長に用いることができるものであれば特段制限なく使用することが可能であり、少なくとも下地基板を結晶成長炉内に準備できればよい。そして下地基板は、結晶成長炉内において通常結晶成長が可能な位置に配置される。本発明に用いる下地基板の種類は特段限定されず、シリコン、サファイア、ガリウム砒素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛などから適宜選択することができる。2III族窒化物半導体結晶成長工程本発明の結晶成長工程は、III族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて前記下地基板上にC面とC面以外のファセット面を混在させながらIII族窒化物半導体結晶を成長させる成長工程である。本発明の製造方法に用いるIII族元素のハロゲン化物は、III族窒化物半導体結晶の原料となるものであれば特段の限定はされず、具体的にはガリウムのハロゲン化物、インジウムのハロゲン化物等が挙げられる。また、ハロゲン化物としてはフッ化物、塩化物、臭化物が挙げられる。また、本発明の製造方法に用いる窒素元素を含む化合物は、III族窒化物半導体の原料として用いることができるものであれば特段の限定はされず、アンモニアが好ましく用いられる。本発明の製造方法では、III族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を、結晶成長炉内の下地基板上で反応させてIII族窒化物半導体結晶を成長させることができる。本発明の結晶成長工程は、C面とC面以外のファセット面を混在させながらIII族窒化物半導体結晶を成長させるものである以下、ファセット成長ともいう。。そのため、本発明の製造方法で得られたIII族窒化物半導体結晶は、C面エリアとファセットエリアとを有する結晶となる。本発明においてC面とは、六方晶での0001面およびそれと等価な面をいう。また、本明細書にてC面という場合には、C面からa軸および/またはm軸方向にオフ角を有するC面を含む。オフ角としては、-10~10°が好ましく、より好ましくは-5~5°である。そして、任意の結晶表面において、結晶成長中にC面を露出しながら成長した領域をC面エリアという。また、ファセット面とは、C面以外の面をいい、任意の結晶表面において、結晶成長中にファセット面を露出しながら成長した領域をファセットエリアという。通常、任意の結晶表面を蛍光顕微鏡で観察した場合には、C面エリアが明るく、ファセットエリアが暗く見ることができる。ファセット成長では、C面を上面主面とする結晶を成長させるものの、C面以外のファセット面を有する結晶が得られることから、ファセット面を通して酸素を結晶内にドープすることが可能となる。ファセット成長の具体的な方法としては、例えば図1の1に示すように、基板21の結晶成長面を凹凸面とし、凹部及び/又は凸部からファセット構造を形成しながら結晶成長させる方法がある。この方法では、基板21の結晶成長面に凹凸形状部22a、22bを形成した結晶成長面を準備し、MOCVD法などにより窒化物半導体層を成長させることで、図12に示すように、凹部22a及び凸部22bの双方でファセット面を形成しながら成長が進む。このような状況下、結晶成長が続くと凹部及び凸部の双方で結晶成長が進み、やがて図13に示すように、膜がつながり凹凸面を覆うことになる。このようなファセット成長は、例えば特開2002-164296号公報に開示されている。その他ファセット成長の具体的な方法としては、例えば、成長阻害層を下地基板に設ける方法がある。窒化ガリウムのエピタキシャル成長において、下地基板を準備し、下地基板の上にエピタキシャル成長を阻害する材料によって任意のマスクパターンを部分的に形成し、マスクに覆われた被覆部とマスクに覆われない露出部を設ける。例えば、図21のように、下地基板31の上にマスク被覆部32をCVD、スパッタリングなどによって設ける。マスクの形状は特段限定されず、下地基板上でマスク被覆部と基板露出部が区別できればよい。具体的にはピット状、ストライプ状などがあげられる。ドットマスクの場合には、ドットは円、矩形などその形状は限定されないが、直径dは通常5μm~100μm程度である。ストライプマスクの場合には、被覆部の幅wは通常5μm~100μm程度である。露出部の幅は通常200μm~400μm程度である。また、マスクの材質は、エピタキシャル成長を阻害するものであれば特段限定されず、具体的にはSiO2、SiN、Al2O3、AlN、ZrO2、Y2O3、MgOなどがあげられる。図22は、エピタキシャル成長させている図である。下地基板上から窒化ガリウムをエピタキシャル成長させ、そのエピタキシャル成長の初期に、露出部では窒化物半導体単結晶34が成長されるが、マスク被覆部32ではエピタキシャル成長がなされず、被覆部32の端から露出部にかけて、窒化ガリウムのファセット面からなる斜面が形成され、その斜面から、露出部の窒化ガリウムとは極性が180度異なり反転した窒化ガリウムの突起がマスク被覆部の微細多結晶粒より上方に形成される。ファセット面を維持したまま成長を続けることで、図23に示すように全体の厚さが増加し、当該マスク被覆部領域上にのみ、極性反転領域を形成し、極性反転領域以外はファセット成長する。また、ファセット成長領域の一部に酸素が混入しないC面成長領域が混在することもある。このようなファセット成長は、例えば特許第4182935号に開示されている。その他ファセット成長の方法としては、ファセットの核となる結晶や微細な凹凸を下地基板上に形成させる方法がある。また、ファセットの核の形成方法は、ファセット面を有する核が形成できる方法であれば特段限定されず、具体的には成長初期で下地基板上に微小の結晶を堆積させてファセットの核を形成させる方法や、下地基板の表面に微細な凹凸が発生するように研磨仕上げを行う方法などがあげられる。本発明の製造方法では、上記説明したとおりファセット成長により結晶成長させるが、この際にケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入し、かつC面以外のファセット面で成長した領域に酸素を含有させながらIII族窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とする。このような製造方法により得られた結晶は、結晶内のキャリア濃度のムラの少ない、高品質の結晶となる。本発明の製造方法において、ケイ素含有物質を前記結晶成長炉内に導入する方法は特段限定されず、例えばケイ素含有物質をガスとして外部から結晶成長炉内に流入させる方法などが挙げられる。外部から結晶成長炉内に流入させるケイ素含有物質としては、シランガス、モノクロロシランガス、ジクロロシランガス、トリクロロシランガス、テトラクロロシランガス、四フッ化ケイ素ガスなどが挙げられる。これらのガスを適宜結晶成長炉内に導入するが、この際、ハロゲン元素含有物質を同一の導管から結晶成長炉内に導入することが好ましい。ケイ素含有物質を、ハロゲン元素含有物質と同一の導管から導入することで、ケイ素含有物質が結晶に取り込まれる前に分解することを防ぎ、得られる結晶へのケイ素のドープが確実に行われるため、結晶内のキャリア濃度がより均一で高品質の結晶が得られる。ハロゲン元素含有ガスとしては、特に限定されないがHCl、HBr、HFなどのハロゲン化水素;Cl2、Br2、F2などのハロゲンガス;ハロゲン元素を放出するガスなどが挙げられる。本発明の窒化物半導体結晶の製造方法としては、1ハライド気相成長法HVPE法、2有機金属化学蒸着法MOCVD法3有機金属塩化物気相成長法MOC法4昇華法などの公知の方法を適宜採用することができる。本発明の製造方法においては気相成長法を採用することが好ましく、量産性の観点からHVPE法またはMOCVD法を採用することがより好ましく、HVPE法を採用することが特に好ましい。以下、HVPE法を採用した製造方法における製造装置を、図3を用いて説明する。図3には、HVPE法を採用した製造方法に用いられる製造装置の概念図を示す。図3の窒化物半導体製造装置は、反応容器リアクター1と、反応容器1内に配置され下地基板8を支持する支持部7と、ヒーター11とを備えている。下地基板の種類は特段限定されず、シリコン、サファイア、ガリウム砒素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛などから適宜選択することができる。反応容器1には、導管2、3を通して、キャリアガス例えばH2ガス、N2ガス、これらの混合ガスG2と、V族原料ガス例えばNH3ガスG3がそれぞれ供給される。反応容器1内のリザーバー5には、導管4を通して反応ガス例えばHClガスが供給される。反応ガスは、リザーバー5内のIII族原料例えばGaと反応してIII族原料ガス例えばGaClガスG1を発生し、導管6を通して供給される。Siドープのために、ケイ素含有物質をガスとしてを供給する場合には、例えば導管2からHClガスとともにジクロロシランガスなどを導入することができる。ここで、ケイ素含有物質のガスを反応容器1に導入する方法は限定されず、III族原料ガスなどと同一の導管から導入してもかまないが、ハロゲン元素含有物質と同一の導管から導入することが好ましい。このような構成により、支持部7で支持された下地基板8には、III族原料ガスG1と、キャリアガスG2と、V族原料ガスG3が供給され、下地基板8上に目的とする窒化物半導体9を成長させることができる。反応容器1内のガスは、排気管10を通して製造装置外へ排気される。各ガスの流量は、典型的には、マスフローコントローラーMFCで制御される。なお、ここでいう導管はノズルを包含する概念である。また、導管の中で複数の物質を混合して反応させてもよい。以下、図3の製造装置を用いた結晶製造方法についてより詳しく説明する。まず、製造装置の反応容器1をNH3の存在下で900~1150°Cに昇温し、リザーバー5の温度を750~850°Cに調整する。その後、リザーバー5中のGaに導管4を通してHClガスを導入し、発生したGaClガスG1を、H2とN2の混合キャリアガスG2、NH3ガスG3とともに下地基板8に供給しながら、下地基板8上にGaN結晶9を成長させる。この成長工程において、成長圧力は5×104~5×105Paとし、GaClガスG1の分圧は3×101~3×104Paとし、NH3ガスG3の分圧は1×103~3×105Paとすることが好ましい。キャリアガスの分圧は4.9×104~4.9×105Paとすることが好ましい。また、Siドープのためにジクロロシランガスを導入する場合、ジクロロシランガスの導入方法によって結晶へのSiの取り込み効率は変化するが、ジクロロシランガスの分圧は1×103~1×101Paとすることが好ましい。この成長工程の終了後に反応容器1を取り出し可能な温度まで降温する。このようにして得られる窒化物半導体の種類はIII族窒化物半導体であれば特段限定されず、具体的には窒化ガリウム、窒化インジウム、またはこれらの混晶を挙げることができる。3本発明のIII族窒化物半導体結晶本発明の製造方法により得られたIII族窒化物半導体結晶は、同一結晶内におけるキャリア濃度にムラがなく、高品質の結晶である。具体的には、本発明の製造方法により得られた結晶は、上記C面エリアの酸素含有量が1×1018cm3以下であり、かつケイ素含有量が2×1017cm3以上であることが好ましい。また、より好ましくは、C面エリアの酸素含有量は1×1017cm3以下であって、2×1016cm3以下であることがさらに好ましい。C面エリアのケイ素含有量は5×1017cm3以上であることがより好ましい。また、C面エリアの酸素含有量とケイ素含有量の合計と、ファセットエリアの酸素含有量とケイ素含有量の合計の差が4×1018cm3以下であることが好ましい。上記差は2×1018cm3以下であることがより好ましい。また、ファセットエリアの酸素含有量が1×1018cm3以上であり、かつケイ素含有量が1×1019cm3以下であることが好ましい。上記ファセットエリアの酸素含有量は2×1018cm3以上であることがより好ましく、上記ケイ素含有量は1×1018cm3以下であることがより好ましい。上記結晶内のC面エリア、ファセットエリアに含まれるドーパントの含有量は、二次イオン質量分析法SIMSを用いて測定することができる。また、本発明の製造方法で製造された窒化物半導体結晶は、結晶内キャリア濃度が1×1018cm3以上1×1019cm3以下であることが好ましい。結晶内のキャリア濃度が上記範囲内である場合には、結晶内の抵抗率が低く、導電性に優れた半導体結晶となる。上記結晶内のキャリア濃度は、vanderPauw法によるホール測定を用いて測定することができる。以下、実施例と比較例を挙げて、本発明を更に詳細に説明するが、以下の実施例に示す具体的な形態にのみ限定的に解釈されることはない。<実施例1>下地基板として、極性反転領域を有するGaN結晶をCMPにて研磨仕上げを行い表面に微細な凹凸を有するGaN半導体基板を準備し、図3に示す製造装置を用いて、HVPE法によりGaN半導体結晶を製造した。装置の支持部7上にGaN半導体基板を、C0001面を上向きにして設置した。この際、-C000-1面は支持部7に接しており、直接原料ガスと触れない。反応装置中の反応容器1の温度を1005°Cとし、導管G1からGaClガス、導管G2からキャリアガスとしてH2とN2の混合ガス、導管G3からNH3ガスを供給するとともに、ジクロロシランガスは、HClとNH3ガスがジクロロシランと基板表面上で合流するように導管G2から供給した。これらの原料ガスは、窒化物半導体基板のC面方向から供給している。この結晶成長工程では、酸素ドープはGaN半導体結晶のファセット成長により実現し、Siドープはジクロロシランガスの供給により実現している。34時間成長させた後、反応装置の温度を室温まで降温し、GaN単結晶1を得た。得られたGaN単結晶1の形状は異状成長のない円状であり、c軸方向の厚みが4.3mmであった。また、クラックもみられなかった。GaN単結晶1について、東陽テクニカ製Resitest8300によりキャリア濃度を測定したところ、4.15×1018/cm3であった。次にCAMECA社製ims-4fを用いたSIMS測定により、C面エリア、ファセットエリアそれぞれについて酸素濃度、およびケイ素濃度を測定した。結果を表2に示す。なお、参考実施例1で製造した結晶中のC面エリアは非常に範囲が狭かったため、C面エリアの酸素濃度およびケイ素濃度の測定はできなかった。しかしながら、C面エリアの存在は確認できていることから、当該部分の酸素濃度は低いことが推測される。また、結晶のキャリア濃度が高いことからC面エリアにおけるケイ素濃度は十分に高いことが推測される。<実施例2>反応装置の温度、原料ガスの分圧、及び結晶成長時間を表1に示すとおりに変更した以外は実施例1と同様の方法にて、c軸方向の厚みが2.4mmのGaN単結晶2を得た。GaN単結晶2には、クラックはみられなかった。GaN単結晶2についてSIMS測定により、C面エリア、ファセットエリアそれぞれについて酸素濃度、およびケイ素濃度を測定した。結果を表2に示す。<比較例1>反応装置の温度、原料ガスの分圧、及び結晶成長時間を表1に示すとおりに変更した以外は実施例1と同様の方法にて、c軸方向の厚みが2.1mmのGaN単結晶3を得た。GaN単結晶3について、東陽テクニカ製Resitest8300によりキャリア濃度を測定したところ、5.99×1018/cm3であった。次に、SIMS測定により、C面エリア、ファセットエリアそれぞれについて酸素濃度、およびケイ素濃度を測定した。結果を表2に示す。酸素ドープがされていないC面エリアについて、Siドープが十分にされていなかった。<比較例2>実施例1において、支持部7上のGaN半導体基板に、ファセット成長させるための操作を施さず、反応装置の温度、原料ガスの分圧、及び結晶成長時間を表1に示すとおりに変更した以外は実施例1と同様の方法にて、c軸方向の厚みが2.4mmのGaN単結晶4を得た。GaN単結晶4について、キャリア濃度を測定したところ、5.80×1017/cm3であり、ファセット成長により製造したGaN結晶と比較してキャリア濃度が著しく低く、導電性が低かった。<比較例3>原料ガス中にジクロロシランガス及びHCl混入せず、反応装置の温度、原料ガスの分圧、及び結晶成長時間を表1に示すとおりに変更した以外は比較例2と同様の方法にて、c軸方向の厚みが4.7mmのGaN単結晶5を得た。GaN単結晶5について、キャリア濃度を測定したところ、1.30×1017/cm3であり、ファセット成長により製造したGaN結晶と比較してキャリア濃度が著しく低く、導電性が低かった。