"III族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板と、前記異組成基板に貼り合わされたIII族窒化物層と、含み、前記III族窒化物層は、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイルに分離している複合基板。前記III族窒化物タイルが有する前記平面形状は、縞形状、三角形状、四角形状および六角形状からなる群から選ばれる少なくとも1種類である請求項1に記載の複合基板。前記III族窒化物タイルの最長辺の長さが2000μm以下である請求項1または請求項2に記載の複合基板。前記III族窒化物タイルの転位密度が1×107cm2以下である請求項1から請求項3のいずれかに記載の複合基板。請求項1に記載の複合基板と、前記複合基板の前記III族窒化物層上に形成されたIII族窒化物エピタキシャル層と、を含む複合ウエハ。請求項1に記載の複合基板の製造方法であって、III族窒化物基板の一方の主面側にイオン注入領域を形成する工程と、前記異組成基板の一方の主面側に、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部を形成する工程と、前記III族窒化物基板の前記イオン注入領域が形成された側の主面と、前記異組成基板の前記凸部が形成された主面と、を貼り合わせる工程と、前記III族窒化物基板を前記イオン注入領域で、前記異組成基板に貼り合わされた前記III族窒化物層と、残りのIII族窒化物基板と、に分離する工程と、を含む複合基板の製造方法。請求項1に記載の複合基板の製造方法であって、III族窒化物基板の一方の主面側にイオン注入領域を形成する工程と、前記III族窒化物基板の前記イオン注入領域が形成された主面側に、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部を形成する工程と、前記III族窒化物基板の前記イオン注入領域が形成された側の前記凸部が形成された主面と、前記異組成基板の一方の主面と、を貼り合わせる工程と、前記III族窒化物基板を前記イオン注入領域で、前記異組成基板に貼り合わされた前記III族窒化物層と、残りのIII族窒化物基板と、に分離する工程と、を含む複合基板の製造方法。しかし、特開2008-10766号公報特許文献1に記載の貼り合わせ基板においては、GaNと化学組成が異なる異組成基板たとえば、サファイア基板などが用いられているため、貼り合わせ基板のGaN薄膜上にGaN系半導体層を成長させると、異組成基板とGaN薄膜およびGaN系半導体層との間の熱膨張係数の差により、貼り合わせ基板に成長したGaN系半導体層には反りまたはクラックが発生するため、得られるGaN系半導体デバイスの歩留まりが低減する問題点があった。本発明は、III族窒化物とは化学組成の異なる異組成基板とIII族窒化物層とが貼り合わされた複合基板であっても、反りおよびクラックを発生させることなくその複合基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成することができる複合基板およびその製造方法、ならびにかかる複合基板とIII族窒化物エピタキシャル層とを含む複合ウエハを提供することを目的とする。本発明は、III族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板と、異組成基板に貼り合わされたIII族窒化物層と、含み、III族窒化物層は、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイルに分離している複合基板である。本発明にかかる複合基板は、III族窒化物タイルが有する平面形状を、縞形状、三角形状、四角形状および六角形状からなる群から選ばれる少なくとも1種類とすることができる。また、III族窒化物タイルの最長辺の長さを2000μm以下とすることができる。また、III族窒化物タイルの転位密度を1×107cm2以下とすることができる。また、本発明は、上記の複合基板と、複合基板のIII族窒化物層上に形成されたIII族窒化物エピタキシャル層と、を含む複合ウエハである。また、本発明は、上記の複合基板の製造方法であって、III族窒化物基板の一方の主面側にイオン注入領域を形成する工程と、異組成基板の一方の主面側に、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部を形成する工程と、III族窒化物基板のイオン注入領域が形成された側の主面と異組成基板の凸部が形成された主面とを貼り合わせる工程と、III族窒化物基板をイオン注入領域で、異組成基板に貼り合わされたIII族窒化物層と残りのIII族窒化物基板とに分離する工程と、を含む複合基板の製造方法である。また、本発明は、上記の複合基板の製造方法であって、III族窒化物基板の一方の主面側にイオン注入領域を形成する工程と、III族窒化物基板のイオン注入領域が形成された主面側に、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部を形成する工程と、III族窒化物基板のイオン注入領域が形成された側の凸部が形成された主面と異組成基板の一方の主面とを貼り合わせる工程と、III族窒化物基板をイオン注入領域で、異組成基板に貼り合わされたIII族窒化物層と残りのIII族窒化物基板とに分離する工程と、を含む複合基板の製造方法である。本発明によれば、III族窒化物とは化学組成の異なる異組成基板とIII族窒化物層とが貼り合わされた複合基板であっても、反りおよびクラックを発生させることなくその複合基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を形成することができる複合基板およびその製造方法、ならびにかかる複合基板とIII族窒化物エピタキシャル層とを含む複合ウエハを提供できる。[複合基板]{実施形態1}図1~10を参照して、本発明にかかる複合基板の一実施形態は、III族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板10と、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、含み、III族窒化物層21は、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21rに分離している。本実施形態の複合基板2Dは、III族窒化物層21が複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21rに分離しているため、複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21r上に、反りおよびクラックを発生させることなく、結晶性の高いIII族窒化物エピタキシャル層を成長させることができる。異組成基板本実施形態の複合基板2Dの異組成基板10は、III族窒化物以外の化学組成を有する基板であり、たとえば、サファイア基板、SiC基板、Si基板などが挙げられる。III族窒化物層本実施形態の複合基板2DのIII族窒化物層21は、III族窒化物で形成されている層であり、たとえば、AlxInyGa1xyN層0≦x、0≦y、xy≦1などが挙げられる。また、かかるIII族窒化物層21は、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21rに分離している。III族窒化物タイル本実施形態の複合基板2DのIII族窒化物タイル21p,21q,21rは、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する。ここで、平面充填とは、平面内を有限種類の平面図形タイルで敷き詰める操作をいう。本実施形態の複合基板2DのIII族窒化物タイル21p,21q,21rが有する平面形状は、縞形状、三角形状、四角形状および六角形状からなる群から選ばれる少なくとも1種類であることが好ましい。以下、詳細に説明する。1種類で平面充填が可能な平面形状は、たとえば、任意の三角形、任意の平行四辺形、任意の平行六辺形、任意の四角形、任意の縞形状などが挙げられる。ここで、かかる平面形状は、対称性が高い観点から、正三角形図3、正六角形図4、菱形図6~8、正四角形図9、平行直線縞形図10などが好ましい。また、かかる平面形状は、III族窒化物タイルおよびその上に成長させるIII族窒化物エピタキシャル層がいずれも六方晶系のウルツ鉱型の結晶構造を有する点に着目しそれらの反りおよびクラックを抑制しつつ大きな平面面積を確保する観点から、六回回転対称に平面充填することが可能な形状、たとえば、正三角形図3、正六角形図4、菱形図8などが好ましい。また、かかる平面形状は、複合基板の複数のIII族窒化物タイル上に成長させたIII族窒化物エピタキシャル層をチップ化する際に全て直線でスクライブを形成できる観点から、正三角形図3、菱形図6、正四角形図9、平行直線縞形図10などが好ましい。また、かかる平面形状を有する複数のIII族窒化物タイルの配置は、III族窒化物タイルおよびその上に成長させるIII族窒化物エピタキシャル層がいずれも六方晶系のウルツ鉱型の結晶構造を有する点に着目しそれらの反りおよびクラックを抑制しつつ大きな平面面積を確保する観点から、正三角形、正六角形、菱形などの平面形状を有する複数のIII族窒化物タイルが六回回転対称に平面充填されるように配置されていることが好ましい図3、4および8。なお、III族窒化物タイルおよびその上に成長させるIII族窒化物エピタキシャル層の結晶性を高めるために、図6~8に示す平面形状が菱形の複数のIII窒化物タイルの平面配置の好ましい順は、回転対称性が高い順、すなわち、図8に示す六回回転対称の配置、図7に示す二回回転対称の配置、図6に示す一回回転対称の配置の順である。また、2種類以上で平面充填が可能な平面形状は、たとえば、正三角形と正四角形、正三角形と正六角形図5などが挙げられる。かかる平面形状は、III族窒化物タイルおよびその上に成長させるIII族窒化物エピタキシャル層がいずれも六方晶系のウルツ鉱型の結晶構造を有する点に着目しそれらの反りおよびクラックを抑制しつつ大きな平面面積を確保する観点から、六回回転対称に平面充填することが可能な形状、たとえば、正三角形および正六角形図5などが好ましい。また、かかる形状は、複合基板の複数のIII族窒化物タイル上に成長させたIII族窒化物エピタキシャル層を分離する際に全て直線でスクライブを形成できる観点から、たとえば、正三角形および正六角形図5などが好ましい。また、かかる平面形状を有する複数のIII族窒化物タイルの配置は、III族窒化物タイルおよびその上に成長させるIII族窒化物エピタキシャル層がいずれも六方晶系のウルツ鉱型の結晶構造を有する点に着目しそれらの反りおよびクラックを抑制しつつ大きな平面面積を確保する観点から、正三角形、正六角形、菱形などの平面形状を有する複数のIII族窒化物タイルが六回回転対称に平面充填されるように配置されていることが好ましい図5。図3~10を参照して、本実施形態の複合基板2Dにおける複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21rは、それらの上に反りおよびクラックを発生させることなくIII族窒化物エピタキシャル層を成長させる観点から、III族窒化物タイル21p,21q,21rの最長辺の長さSが、2000μm以下が好ましく、800μm以下がより好ましい。また、図1および3~10を参照して、本実施形態の複合基板2Dにおける互いに分離された複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21r間の距離Dは、特に制限はないが、それらの上に反りおよびクラックを発生させることなくIII族窒化物エピタキシャル層を成長させる観点から、III族窒化物層と下地基板との間の熱膨張係数の差と最長辺の長さとの積の100倍以上の距離が好ましく、500倍以上2000倍以下の距離がより好ましい。なお、複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21r上に成長するIII族窒化物エピタキシャル層は、特に制限はないが、反りおよびクラックを発生させない観点から、複数のIII族窒化物エピタキシャルタイルに分離していることが好ましい。また、本実施形態の複合基板2Dにおける複数のIII族窒化物タイル21p,21q,21rは、それらの上に転位密度が低く結晶性のよいIII族窒化物エピタキシャル層を成長させる観点から、III族窒化物タイル21p,21q,21rの転位密度が、1×107cm2以下が好ましく、5×106cm2以下がより好ましい。ここで、III族窒化物タイル21p,21q,21rの転位密度は、KOHによるエッチングにより形成された単位面積当りのエッチピットの数のカウント、CLカソードルミネッセンスにより観測される単位面積当りの暗点の数のカウントなどにより測定される。なお、本実施形態の複合基板2Dにおいては、異組成基板10と互いに分離したIII族窒化物タイル21p,21q,21rを含むIII族窒化物層21との接合強度を高めるために、それらの間に接合膜30が介在していることが好ましい。接合層本実施形態の複合基板2Dにおいて、好ましく用いられる接合膜30は、特に制限はないが、異組成基板10とIII族窒化物層21との接合強度を高くする観点から、SiO2膜、ZnO膜、TiO2膜、Ga2O3膜、SnO2膜、In2O3膜、Sb2O3膜、Sb2O5膜、TiN膜などが好適に挙げられる。[複合基板の製造方法]本発明にかかる複合基板の製造方法は、実施形態1の複合基板2Dを製造するのに適した方法であれば特に制限はないが、複合基板2Dを効率よく製造する観点から、以下の実施形態が好適に挙げられる。{実施形態2}図11を参照して、本発明にかかる複合基板の製造方法の一実施形態は、III族窒化物基板20の一方の主面側にイオン注入領域20iを形成する工程と、異組成基板10の一方の主面側に、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部31pを形成する工程と、III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された側の主面と、異組成基板10の凸部が形成された主面と、を貼り合わせる工程と、III族窒化物基板20をイオン注入領域20iで、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、残りのIII族窒化物基板22と、に分離する工程と、を含む。本実施形態の複合基板の製造方法によれば、実施形態1の複合基板2Dをきわめて効率的に製造することができる。なお、本実施形態の複合基板の製造方法においては、異組成基板10の一方の主面およびIII族窒化物基板20の一方の主面の少なくとも一つに、これらの間の接合強度を高めるために接合層31,32を形成することが好ましい。かかる接合層31,32は、特に制限はないが、異組成基板10とIII族窒化物層21との接合強度を高くする観点から、SiO2層、ZnO層、TiO2層、Ga2O3層、SnO2層、In2O3層、Sb2O3膜、Sb2O5膜、TiN層などが好適に用いられる。III族窒化物基板におけるイオン注入領域の形成工程図11のB1を参照して、好ましくは、III族窒化物基板20の一方の主面側に、CVD化学的気相成長法、スパッタ法、PVD物理的気相成長法、めっき法などにより、接合層32を形成する。次いで、図11のB2を参照して、III族窒化物基板20の一方の主面側接合層32を形成した場合は、かかる接合層32が形成された主面側から、水素、ヘリウムなどの質量数が低いイオンIを注入することにより、III族窒化物基板20の上記の主面から所定の深さの領域に、イオン注入領域20iを形成する。かかるイオン注入領域20iは、それ以外の領域に比べて、脆化される。異組成基板における凸部の形成工程図11のA1を参照して、好ましくは、異組成基板10の一方の主面側にCVD法、スパッタ法、PVD法、めっき法などにより、接合層31を形成する。次いで、図11のA2を参照して、接合層31を形成した場合は、接合層31の一部を除去することにより除去部分31d、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部31pを形成する。かかる凸部31pの形成工程において、接合層の一部を除去する方法は、特に制限はなく、スクライバで除去する方法、レーザで除去する方法、ドライエッチングおよびウェットエッチングのいずれかで除去する方法などが好適に挙げられる。また、異組成基板10上に接合層31を形成しなかった場合は、上記と同様の方法を用いて異組成基板10の一方の主面側の一部を除去することにより、異組成基板10に平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部31pを直接形成することもできる。しかし、かかる方法は、異組成基板10の種類によってその一部を除去する方法が制約されるため、異組成基板10に接合層31を形成し、かかる接合層31を上記のようにパターニングすることにより、複数の凸部31pを形成することが好ましい。なお、図11のB1およびB2で示される工程III族窒化物基板における接合層およびイオン注入領域の形成工程と、図11のA1およびA2で示される工程異組成基板における接合層および凸部の形成工程とは、いずれが先に行なわれてもよい。III族窒化物基板と異組成基板との貼り合わせ工程次に、図11のC1を参照して、III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された側の主面具体的には、接合層32の主面と、異組成基板10の凸部31pが形成された主面具体的には、接合層31の凸部31pの主面と、を貼り合わせる。ここで、貼り合わせる方法には、特に制限はないが、接合強度を高くする観点から、接合層たとえばSiO2層のOH基が導入された表面どうしを圧着しその後脱水することにより接合する表面活性化法、接合層の表面どうしを超高真空中で圧着後加熱することにより接合する高真空圧着法などが好適に挙げられる。こうして、III族窒化物基板20に形成された接合層32と異組成基板10に形成された接合層31の凸部31pとが一体化した接合膜30により、III族窒化物基板20と異組成基板10とが貼り合わされた接合基板1DAが得られる。得られた接合基板1DAにおける接合膜30には、接合層31の除去部分31dによる空隙が形成されている。III族窒化物基板の分離工程次に、図11のC1およびC2を参照して、接合基板1DAに熱または応力をかけることにより、III族窒化物基板20をイオン注入領域20iで、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、残りのIII族窒化物基板22と、に分離する。このとき、接合膜30において接合層31の凸部31pと接合層32とが接合した領域では、III族窒化物基板20はイオン注入領域20iで分離するが、接合膜30において接合層31の除去部分31dが存在する領域では、III族窒化物基板20は分離しない。こうして、異組成基板10上に接合膜30の複数の凸部30pを介在させて複数のIII族窒化物タイル21pが貼り合わされた複合基板2Dが得られる。得られた複合基板2Dは、接合層31の除去部分31dに対応する領域におけるIII族窒化物層21の部分が除去されること除去部分21dにより、複数のIII族窒化物タイル21pが形成されている。{実施形態3}図12を参照して、本発明にかかる複合基板の製造方法の別の実施形態は、III族窒化物基板20の一方の主面側にイオン注入領域20iを形成する工程と、III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された主面側に、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部32pを形成する工程と、III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された側の凸部32pが形成された主面と、異組成基板10の一方の主面と、を貼り合わせる工程と、III族窒化物基板20をイオン注入領域20iで、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、残りのIII族窒化物基板22と、に分離する工程と、を含む。本実施形態の複合基板の製造方法によれば、実施形態1の複合基板2Dをきわめて効率的に製造することができる。なお、本実施形態の複合基板の製造方法においても、異組成基板10の一方の主面およびIII族窒化物基板20の一方の主面の少なくとも一つに、これらの間の接合強度を高めるために接合層31,32を形成することが好ましい。かかる接合層31,32は、特に制限はないが、異組成基板10とIII族窒化物層21との接合強度を高くする観点から、SiO2層、ZnO層、TiO2層、Ga2O3層、SnO2層、In2O3層、Sb2O3膜、Sb2O5膜、TiN層などが好適に用いられる。III族窒化物基板におけるイオン注入領域の形成工程図12のB1を参照して、好ましくは、III族窒化物基板20の一方の主面側に、CVD法、スパッタ法、PVD法、めっき法などにより、接合層32を形成する。次いで、図12のB2を参照して、III族窒化物基板20の一方の主面側接合層32を形成した場合は、かかる接合層32が形成された主面側から、水素、ヘリウムなどの質量数が低いイオンIを注入することにより、III族窒化物基板20の上記の主面から所定の深さの領域に、イオン注入領域20iを形成する。かかるイオン注入領域20iは、それ以外の領域に比べて、脆化される。III族窒化物基板における凸部の形成工程次に、図12のB3を参照して、接合層32を形成した場合は、接合層32の一部を除去することにより除去部分32d、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部32pを形成する。かかる凸部32pの形成工程において、接合層の一部を除去する方法は、特に制限はなく、スクライバで除去する方法、レーザで除去する方法、ドライエッチングおよびウェットエッチングのいずれかで除去する方法などが好適に挙げられる。また、III族窒化物基板20上に接合層32を形成しなかった場合は、上記と同様の方法を用いてIII族窒化物基板20の一方の主面側の一部を除去することにより、III族窒化物基板20に平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数の凸部32pを直接形成することもできる。しかし、かかる方法は、III族窒化物基板20の一部を除去する方法が制約されているため、III族窒化物基板20に接合層32を形成し、かかる接合層32を上記のようにパターニングすることにより、複数の凸部32pを形成することが好ましい。異組成基板の準備工程図12のA1を参照して、好ましくは、異組成基板10の一方の主面側にCVD法、スパッタ法、PVD法、めっき法などにより、接合層31を形成する。なお、図12のB1~B3で示される工程III族窒化物基板における接合層、イオン注入領域および凸部の形成工程と、図12のA1で示される工程異組成基板における接合層の形成工程とは、いずれが先に行なわれてもよい。III族窒化物基板と異組成基板との貼り合わせ工程次に、図12のC1を参照して、III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された側の凸部32pが形成された主面具体的には、接合層32の凸部32pの主面と、異組成基板10の一方の主面具体的には、接合層31の主面と、を貼り合わせる。ここで、貼り合わせる方法は、実施形態2の場合と同様である。こうして、III族窒化物基板20に形成された接合層32の凸部32pと異組成基板10に形成された接合層31とが一体化した接合膜30により、III族窒化物基板20と異組成基板10とが貼り合わされた接合基板1DBが得られる。得られた接合基板1DBにおける接合膜30には、接合層32の除去部分32dによる空隙が形成されている。III族窒化物基板の分離工程次に、図12のC1およびC2を参照して、接合基板1DBに熱または応力をかけることにより、III族窒化物基板20をイオン注入領域20iで、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、残りのIII族窒化物基板22と、に分離する。このとき、接合膜30において接合層32の凸部32pと接合層31とが接合した領域では、III族窒化物基板20はイオン注入領域20iで分離するが、接合膜30において接合層32の除去部分32dが存在する領域では、III族窒化物基板20は分離しない。こうして、異組成基板10上に接合膜30の複数の凸部30pを介在させて複数のIII族窒化物タイル21pが貼り合わされた複合基板2Dが得られる。得られた複合基板2Dは、接合層32の除去部分32dに対応する領域におけるIII族窒化物層21の部分が除去されること除去部分21dにより、複数のIII族窒化物タイル21pが形成されている。{実施形態4}図13を参照して、本発明にかかる複合基板の製造方法のさらに別の実施形態は、III族窒化物基板20の一方の主面側にイオン注入領域20iを形成する工程と、III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された側の主面と異組成基板10の一方の主面とを貼り合わせる工程と、III族窒化物基板20をイオン注入領域20iで、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、残りのIII族窒化物基板22と、に分離する工程と、III族窒化物層21を、平面充填が可能な少なくとも1種類の平面形状を有する複数のIII族窒化物タイル21pに分離する工程と、を含む。本実施形態の複合基板の製造方法によれば、実施形態1の複合基板2Dを効率的に製造することができる。なお、本実施形態の複合基板の製造方法においても、異組成基板10の一方の主面およびIII族窒化物基板20の一方の主面の少なくとも一つに、これらの間の接合強度を高めるために接合層31,32を形成することが好ましい。かかる接合層31,32は、特に制限はないが、異組成基板10とIII族窒化物層21との接合強度を高くする観点から、SiO2層、ZnO層、TiO2層、Ga2O3層、SnO2層、In2O3層、Sb2O3膜、Sb2O5膜、TiN層などが好適に用いられる。III族窒化物基板におけるイオン注入領域の形成工程図13のB1を参照して、好ましくは、III族窒化物基板20の一方の主面側に、CVD法、スパッタ法、PVD法、めっき法などにより、接合層32を形成する。次いで、図13のB2を参照して、III族窒化物基板20の一方の主面側接合層32を形成した場合は、かかる接合層32が形成された主面側から、水素、ヘリウムなどの質量数が低いイオンIを注入することにより、III族窒化物基板20の上記の主面から所定の深さの領域に、イオン注入領域20iを形成する。かかるイオン注入領域20iは、それ以外の領域に比べて、脆化される。異組成基板の準備工程図13のA1を参照して、好ましくは、異組成基板10の一方の主面側にCVD法、スパッタ法、PVD法、めっき法などにより、接合層31を形成する。なお、図13のB1およびB2で示される工程III族窒化物基板における接合層およびイオン注入領域の形成工程と、図12のA1で示される工程異組成基板における接合層の形成工程とは、いずれが先に行なわれてもよい。III族窒化物基板と異組成基板との貼り合わせ工程次に、図13のC1を参照して、III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された側の主面具体的には、接合層32の主面と、異組成基板10の一方の主面具体的には、接合層31の主面と、を貼り合わせる。ここで、貼り合わせる方法は、実施形態2の場合と同様である。こうして、III族窒化物基板20に形成された接合層32と異組成基板10に形成された接合層31とが一体化した接合膜30により、III族窒化物基板20と異組成基板10とが貼り合わされた接合基板1が得られる。III族窒化物基板の分離工程次に、図13のC1およびC2を参照して、接合基板1に熱または応力をかけることにより、III族窒化物基板20をイオン注入領域20iで、異組成基板10に貼り合わされたIII族窒化物層21と、残りのIII族窒化物基板22と、に分離する。こうして、異組成基板10上に接合膜30を介在させてIII族窒化物層21が貼り合わされた複合基板2が得られる。III族窒化物タイルへの分離工程次に、図13のC3を参照して、複合基板2のIII族窒化物層21の一部を除去すること除去部分21dにより、異組成基板10上に接合膜30の複数の凸部30pを介在させて複数のIII族窒化物タイル21pが貼り合わされた複合基板2Dが得られる。ここで、III族窒化物層21の一部を除去する方法は、特に制限はなく、スクライバで除去する方法、レーザで除去する方法、ドライエッチングおよびウェットエッチングのいずれかで除去する方法などが好適に挙げられる。[複合ウエハ]{実施形態5}図2を参照して、本発明にかかる複合ウエハの一実施形態は、実施形態1の複合基板2Dと、複合基板2DのIII族窒化物層21上に形成されたIII族窒化物エピタキシャル層40と、を含む。本実施形態の複合ウエハ3Dにおいては、III族窒化物層21の互いに分離している複数のIII族窒化物タイル21p上に複数のIII族窒化物エピタキシャルタイル40pがそれぞれ形成され、これらのIII族窒化物エピタキシャルタイル40pによりIII族窒化物エピタキシャル層40が構成されている。このため、複合ウエハ3Dは、結晶性の高いIII族窒化物エピタキシャルタイル40pおよびIII族窒化物エピタキシャル層40を有する。また、複合ウエハ3Dの反りおよびクラックの発生を防止する観点から、III族窒化物エピタキシャルタイル40pは互いに分離していることが好ましい。本実施形態の複合ウエハ3Dにおいて、複合基板2DにおけるIII族窒化物層21互いに分離した複数のIII族窒化物タイル21p上に、III族窒化物エピタキシャル層40を形成する方法は、特に制限はないが、結晶性の高いIII族窒化物エピタキシャル層40を成長させる観点から、MOVPE有機金属気相成長法、MBE分子線成長法、HVPEハイドライド気相成長法、昇華法などの気相法、フラックス法、高窒素圧溶液法などの液相法などが好適に挙げられる。実施例11.III族窒化物基板におけるイオン注入領域の形成図11のB1を参照して、HVPE法により形成した直径2インチ5.08cmで厚さ500μmの2つの主面が0001面Ga原子表面および000-1面N原子表面であるGaN基板III族窒化物基板20を準備し、そのGaN基板の1つの主面であるN原子表面上にプラズマCVD法により厚さ100nmのSiO2層接合層32を形成した。次いで、図11のB2を参照して、GaN基板III族窒化物基板20のN原子表面上のSiO2層接合層32側から、GaN基板のN原子表面から約200nmの深さの領域に、水素イオンイオンIを注入した。水素イオンの注入条件は、加速電圧が50keV、ドーズ量が7×1017cm2であった。2.異組成基板における凸部の形成図11のA1を参照して、直径2インチ5.08cmで厚さが500μmの1つの主面が0001面であるサファイア基板異組成基板10を準備し、そのサファイア基板のその主面0001面上に、プラズマCVD法により厚さ100nmのSiO2層接合層31を形成した。次いで、図11のA2を参照して、スクライブにより、サファイア基板異組成基板10上に形成させたSiO2層接合層31の一部を除去することにより、一辺が800μmの正三角形の平面形状を有する凸部31pが、幅20μmの溝状の除去部分31dの距離Dの間隔をあけて、図3に示すような平面充填をするように配置させた。3.III族窒化物基板と異組成基板との貼り合わせ次に、図11のC1を参照して、GaN基板III族窒化物基板20のイオン注入領域20iが形成された側の主面N原子表面に形成されたSiO2層接合層32と、サファイア基板異組成基板10の主面上に形成されたSiO2層接合層31の凸部31pとを、表面活性化法により、貼り合わせることにより、SiO2層接合層32とSiO2層接合層31の凸部31pとが一体化して接合膜30が形成され、サファイア基板異組成基板10とGaN基板III族窒化物基板20とが接合膜30を介在させて貼り合わされた接合基板1DAが得られた。得られた接合基板1DAにおける接合膜30には、接合層31の除去部分31dによる空隙が形成されていた。4.III族窒化物基板の分離次に、図11のC2を参照して、接合基板1DAに応力を加えることにより、GaN基板III族窒化物基板20をイオン注入領域20iで、サファイア基板異組成基板10に形成された接合膜30に貼り合わされたGaN層III族窒化物層21と、残りのGaN基板残りのIII族窒化物基板22とに分離した。こうして、サファイア基板異組成基板10上に厚さ200nmの接合膜30の複数の凸部30pを介在させて、厚さ200nmのGaN層III族窒化物層21の複数のGaNタイルIII族窒化物タイルが貼り合わされた複合基板2Dが得られた。5.III族窒化物エピタキシャル層の成長図2を参照して、上記で得られた複合基板2DのGaN層III族窒化物層21の複数のGaNタイルIII族窒化物タイル上に、MOVPE法により、厚さ5μmのGaNエピタキシャル層III族窒化物エピタキシャル層40を成長させた。成長されたGaNエピタキシャル層III族窒化物エピタキシャル層40は、GaN層III族窒化物層21の複数のGaNタイルIII族窒化物タイル21pにそれぞれ成長した複数のGaNエピタキシャルタイルIII族窒化物エピタキシャルタイル40pに分離しており、いずれのGaNエピタキシャルタイルIII族窒化物エピタキシャルタイル40pにおいても反りおよびクラックは発生しなかった。実施例2サファイア基板異組成基板10における凸部31pの形成において、一辺が800μmの正六角形の平面形状を有する凸部31pが、幅20μmの溝状の除去部分31dの距離Dの間隔をあけて、図4に示すような平面充填をするように配置させたこと以外は、実施例1と同様にして、複合基板2Dを作製し、複合基板2D上にGaNエピタキシャル層III族窒化物エピタキシャル層40を成長させた。成長されたGaNエピタキシャル層III族窒化物エピタキシャル層40は、GaN層III族窒化物層21の複数のGaNタイルIII族窒化物タイル21pにそれぞれ成長した複数のGaNエピタキシャルタイルIII族窒化物エピタキシャルタイル40pに分離しており、いずれのGaNエピタキシャルタイルIII族窒化物エピタキシャルタイル40pにおいても反りおよびクラックは発生しなかった。実施例3サファイア基板異組成基板10における凸部31pの形成において、一辺が800μmの正四角形の平面形状を有する凸部31pが、幅20μmの溝状の除去部分31dの距離Dの間隔をあけて、図9に示すような平面充填をするように配置させたこと以外は、実施例1と同様にして、複合基板2Dを作製し、複合基板2D上にGaNエピタキシャル層III族窒化物エピタキシャル層40を成長させた。成長されたGaNエピタキシャル層III族窒化物エピタキシャル層40は、GaN層III族窒化物層21の複数のGaNタイルIII族窒化物タイル21pにそれぞれ成長した複数のGaNエピタキシャルタイルIII族窒化物エピタキシャルタイル40pに分離しており、いずれのGaNエピタキシャルタイルIII族窒化物エピタキシャルタイル40pにおいても反りおよびクラックは発生しなかった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。"