"複数のLEDダイを含む半導体ウェハ上の蛍光体堆積のための方法であって、前記半導体ウェハを特定の厚さのフォトレジスト材料で覆うことと、前記複数のLEDダイと関連付けられた電気接点が露出されないままになるように、前記半導体ウェハの一部分を露出させるために、前記フォトレジスト材料の一部分を除去することと、前記半導体ウェハの前記露出部分上に蛍光体を堆積させることとを含む前記方法。前記電気接点を露出させるために、前記蛍光体を堆積させた後に残っているフォトレジスト材料を除去することを更に含む、請求項1に記載の方法。前記半導体ウェハから複数のダイを切断して個別のダイを形成するためのシンギュレーション工程を行うことを更に含む、請求項2に記載の方法。請求項3に記載の前記工程process、方法を使用して製造されたLEDダイ。前記複数のダイとそれぞれ関連付けられた複数の色温度を決定するために前記電気接点をプロービングすることを更に含む、請求項2に記載の方法。カラーチャートと関連付けられたX値及びY値に、前記複数の色温度をマッピングすることを更に含む、請求項5に記載の方法。関連付けられたX値及びY値をそれぞれ有する個別のダイを形成するために、前記半導体ウェハから前記複数のダイを切断するためのシンギュレーション工程を行うことを更に含む、請求項6に記載の方法。各ビンがX値とY値の範囲を含み、ビンニングテーブル内の1つ又は複数のビンを識別することと、前記ビンニングテーブルにしたがって、前記個別のダイをそれらの関連付けられたX及びY値に基づいて分類することとを更に含む、請求項7に記載の方法。前記半導体ウェハを支持するキャリアウェハを取り付けることを更に含む、請求項1に記載の方法。複数のLEDダイを含む半導体ウェハ上の蛍光体堆積のための装置であって、前記半導体ウェハを特定の厚さのフォトレジスト材料で覆う手段と、前記複数のLEDダイと関連付けられた電気接点が露出されないままになるように、前記半導体ウェハの一部分を露出させるために、前記フォトレジスト材料の一部分を除去する手段と、前記半導体ウェハの前記露出部分上に蛍光体を堆積させる手段とを備えた前記装置。前記電気接点を露出させるために、前記蛍光体を堆積させた後に残っているフォトレジスト材料を除去する手段を更に備えた、請求項10に記載の装置。前記半導体ウェハから複数のダイを切断して個別のダイを形成するためのシンギュレーション工程を行う手段を更に備えた、請求項11に記載の装置。前記複数のダイとそれぞれ関連付けられた複数の色温度を決定するために前記電気接点をプロービングする手段を更に備えた、請求項10に記載の装置。カラーチャートと関連付けられたX値及びY値に、前記複数の色温度をマッピングする手段を更に備えた、請求項13に記載の装置。関連付けられたX値及びY値をそれぞれ有する個別のダイを形成するために、前記半導体ウェハから前記複数のダイを切断するためのシンギュレーション工程を行う手段を更に備えた、請求項14に記載の装置。各ビンがX値とY値の範囲を含み、ビンニングテーブル内の1つ又は複数のビンを識別する手段と、前記ビンニングテーブルにしたがって、前記個別のダイをそれらの関連付けられたX及びY値に基づいて分類する手段とを更に備えた、請求項15に記載の装置。前記半導体ウェハを支持するキャリアウェハを取り付ける手段を更に備えた、請求項10に記載の装置。LEDダイを含む半導体ウェハを特定の厚さのフォトレジスト材料で覆うステップと、前記LEDダイの電気接点が露出されないままになるように、前記半導体ウェハの一部分を露出させるために、前記フォトレジスト材料の一部分を除去するステップと、前記半導体ウェハの前記露出部分上に蛍光体を堆積させるステップと、前記LEDダイの前記電気接点を露出させるために、残っているフォトレジスト材料を除去するステップと、前記半導体ウェハから前記LEDダイを切断するためのシンギュレーション工程を行うステップとを含む工程により作成される前記LEDダイ。1つ又は複数の態様では、シンギュレーション前に半導体ウェハ上に蛍光体被覆及び試験を行うことを可能にするウェハレベル蛍光体堆積システムが提供される。これにより、システムは、蛍光体堆積工程を単純化し、一貫した動作パラメータを有する個別のindivisual、単一のLED半導体ダイを生成する。ある態様において、複数のLEDダイを含む半導体ウェハ上の蛍光体堆積のための方法が提供される。この方法は、前記半導体ウェハを特定の厚さのフォトレジスト材料で覆うことと、前記複数のLEDダイと関連付けられた電気接点が露出されないままになるように、前記半導体ウェハの一部分を露出させるために、前記フォトレジスト材料の一部分を除去することと、前記半導体ウェハの前記露出部分上に蛍光体を堆積させることと、を含む。ある態様において、複数のLEDダイを含む半導体ウェハ上の蛍光体堆積のための装置が提供される。この装置は、前記半導体ウェハを特定の厚さのフォトレジスト材料で覆う手段と、前記複数のLEDダイと関連付けられた電気接点が露出されないままになるように、前記半導体ウェハの一部分を露出させるために、前記フォトレジスト材料の一部分を除去する手段と、前記半導体ウェハの前記露出部分上に蛍光体を堆積させる手段と、を備える。ある態様において、LEDダイを含む半導体ウェハを特定の厚さのフォトレジスト材料で覆う処理と、前記LEDダイの電気接点が露出されないままになるように、前記半導体ウェハの一部分を露出させるために、前記フォトレジスト材料の一部分を除去する処理と、前記半導体ウェハの前記露出部分上に蛍光体を堆積させる処理と、前記LEDダイの前記電気接点を露出させるために、残っているフォトレジスト材料を除去する処理と、前記半導体ウェハから前記LEDダイを切断するためのシンギュレーション工程を行う処理と、を含む工程により作成される前記LEDダイが提供される。代替の態様では、半導体ウェハは、LEDダイ、少なくとも1個のフォトレジストポストpost、棒、柱、及び蛍光体堆積層を有し、少なくとも1個のLEDダイは、少なくとも1個の電気接点contact、コンタクトを有する。フォトレジストポストは、少なくとも1個の電気接点を覆う。フォトレジストポストは、一例では、高さ約200マイクロメートルである。フォトレジストポストは、少なくとも1個の電気接点を覆うように構成された形状を有する。蛍光体堆積層は、半導体ウェハを覆うように構成され、少なくとも1個のフォトレジストポストを取り囲む。半導体ウェハは、一態様では、更に、半導体ウェハに取り付けられたキャリアcarrier、担体、運搬ウェハを含む。一態様では、半導体ウェハは、厚さ約150マイクロメートルである。別の例では、蛍光体堆積層は、少なくとも1個の電気接点を露出させるために使用される少なくとも1個の空所を含む。他の態様は、図面の簡単な説明、明細、及び特許請求の範囲に示された以下の事項を検討した後で明らかになる。本明細書に示された以下の態様は、添付図面と共に以下の説明を参照することにより容易に明らかになる。様々な態様において、シンギュレーション前に半導体ウェハ上に蛍光体被覆及び試験を行うことを可能にするウェハレベル蛍光体堆積システムが提供される。ウェハレベル蛍光体堆積システムについて、様々な実施形態を示した添付図面を参照して、後でより詳しく説明する。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で実施されてもよく、またこの開示全体に示された種々の態様に限定されるように解釈されるべきでない。より正確に言うと、これらの態様は、この開示が、当業者が本発明を完全に理解するのに十分に詳しくなるように提供される。図面に示された本発明の様々な態様は、一律の倍率でないことがある。したがって、様々な特徴の寸法は、分かり易くするために拡張又は縮小されることがある。更に、図面のうちの幾つかは、分かり易くするために単純化されることがある。したがって、図面は、所定の装置例えば、素子又は方法の全ての構成要素を描いているとは限らない。本発明の種々の態様は、本発明の理想化された構成の概略図である図面を参照して本明細書で説明される。したがって、例えば製造技術及び/又は公差の結果として、説明図の形状からの変形が予想される。これにより、この開示の全体にわたって示された本発明の様々な態様は、本明細書に図示され記載された要素例えば、領域、層、区分、基板などの特定の形状に限定されるように解釈されるべきでなく、例えば製造により生じる形状の偏りを含むように解釈されるべきである。一例として、長方形として図示され記載された要素は、要素ごとの個々の変化ではなく、その縁に丸み又は湾曲特徴及び/又は勾配集中を有してもよい。したがって、図面に示された要素は、本質的に概略的であり、それらの形状は、要素の正確な形状を示すものではなく、また本発明の範囲を制限するものではない。領域、層、区分、基板などの要素が、別の要素の上onあるように示されたとき、その要素は、他の要素のすぐ上にあってもよく、介在要素が存在してもよいことを理解されよう。これと対照的に、要素が、別の要素のすぐ上directlyonにあるように示されたときは、介在要素はない。更に、要素が、別の要素上に形成されているformedように示されたとき、その要素は、別の要素又は介在要素上に成長され、堆積され、エッチングされ、取り付けられ、接続され、結合され、又は他の方法で作成又は製造されてもよいことを理解されよう。更に、下側lower又は下bottom、底や上側upper又は上top、上端、最上部などの相対的な用語は、本明細書では、図面に示されたような別の要素に対する要素の関係を述べるために使用されることがある。相対的な用語が、図面に示された向きに加えて、装置の様々な向きを包含するものであることを理解されよう。例えば、図面内の装置がひっくり返された場合、他の要素の下側にあるように示された要素は、他の要素の上側に向けられることになる。したがって、下側という用語は、装置の特定の向きにより、下側と上側の両方の向きを含む。同様に、図面内の装置がひっくり返されたとき、他の要素の下方below又は下beneath、真下と示された要素は、他の要素の上above、上側に向けられる。したがって、下方below又は下beneathという用語は、上と下の両方の向きを包含することができる。特に断らない限り、本明細書で使用される全ての用語技術用語と科学用語を含むは、本発明が属する技術の業者によって一般に理解される意味と同じ意味を有する。更に、一般に使用される辞書に定義されたような用語は、関連技術とこの開示の文脈におけるその用語の意味と一致した意味を有するように解釈されるべきである。本明細書で使用されるとき、単数形a、an及びtheは、文脈で特に明示されない限り、複数形を含むものである。更に、用語comprises含む、備える及び/又はcomprising含む、備えるは、本明細書で使用されるとき、示した特徴、整数integers、ステップ、動作operations、要素elements及び/又は構成要素componentsの存在を示すが、1つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、及び/又はその群の存在又は追加を妨げないことを理解されよう。用語及び/又はは、関連した列挙された項目の1つ又は複数のうちのいずれか又は全ての組み合わせを含む。用語第1と第2は、本明細書において種々の領域、層及び/又は区分を示すために使用されることがあり、これらの領域、層及び/又は区分は、そのような用語によって限定されるべきでないことを理解されよう。これらの用語は、ある領域、層又は区分と別の領域、層又は区分を区別するためにのみ使用される。したがって、後述する第1の領域、層又は区分は、第2の領域、層又は区分と呼ばれることがあり、第2の領域、層又は区分は、同様に本発明の教示から逸脱することなく第1の領域、層又は区分とも呼ばれることがある。図1は、ウェハ製造工程から得られた例示的なLED半導体ウェハ100の側面図を示す。例えば、一実施態様では、LEDウェハ100の厚さtは、約150マイクロメートルである。ウェハ100は、表面102上に露出された任意数のLEDダイを含む。例えば、LEDウェハ100は、表面102に形成された関連した電気接点と発光領域を有する100個以上のLEDダイを含む。動作中、各ダイの電気接点に通電して、関連した発光領域から光を放射させることができる。図2は、キャリアウェハ202に取り付けられた図1のLEDウェハ100を含む例示的なウェハアセンブリ200の側面図を示す。例えば、一実施態様では、キャリアウェハ202は、LEDウェハ100に熱剥離thermalreleaseテープ204で取り付けられたサファイアキャリアウェハを含む。サファイアキャリアウェハ202は、後述する蛍光体堆積工程中にLEDウェハ100を支持するsupport働きをする。熱剥離テープは、LEDウェハ100からサファイアキャリアウェハ202を後で容易に取り外すことを可能にする。蛍光体堆積工程でLEDウェハ100を支持するために、他のタイプのキャリアウェハと取り付け機構を使用してもよいことに注意されたい。一実施態様では、熱剥離テープ204でキャリアウェハ202上にウェハ100を取り付けるために、任意の適切な自動組立て装置が使用される。図3は、ウェハアセンブリ200とフォトレジスト材料層302を含むウェハアセンブリ300の側面図を示す。フォトレジスト材料302は、露光された後でフォトレジスト現像液に溶ける感光材料である。フォトレジスト材料302の露光されない部分は、フォトレジスト現像液に溶けないまま残る。一実施態様では、フォトレジスト材料302は、スピンコートされて、LEDウェハ100上に厚い層を形成する。例えば、フォトレジスト材料302は、厚さ約200マイクロメートルでよい。また、フォトレジスト材料302をウェハアセンブリ200に塗布するために、任意の適切なフォトレジスト堆積装置を使用してもよいことに注意されたい。図4は、フォトリソグラフィ工程を使用してフォトレジスト層302の特定部分を除去した後の、ウェハアセンブリ300を含むウェハアセンブリ400の側面図を示す。例えば、フォトリソグラフィ装置は、光を使用して、フォトマスクからの幾何学パターンを感光フォトレジスト層302上に転写する。次に、フォトレジスト層302の露光部分は、フォトレジスト現像液を使用するフォトリソグラフィ装置によって除去され、非露光部分が残る。この例では、非露光部分は、フォトレジストポスト402として示される。一実施態様では、ポスト402は、高さ約200マイクロメートルで、LEDウェハ100の全てのLEDダイのp及びn電気接点パッドを覆うように配置される。例えば、領域404は、3個のフォトレジストポスト406、408及び410を有する。これらのポストの平面図は、412で示されたように、図5に詳細に説明されている。図5は、図4に示されたアセンブリ400の平面図を示し、平面図指標412の視点から領域404の詳細な説明図を提供する。領域404は、LEDウェハ100のLEDダイのp及びn電気接点を覆うフォトレジストポスト406,408及び410を有する。フォトレジストポスト406、408及び410が、任意の形状又は幾何学形状を含んでもよく、図5に示された形状に限定されないことを注意されたい。フォトレジストポストは、p及びn接点contacts、コンタクトを覆うことによって、これらの接点を、LEDウェハ100の表面502に堆積される蛍光体堆積層から保護する。蛍光体堆積は、LEDウェハ100のダイによって放射される光の色を制御する働きをする。図6は、蛍光体層602の堆積後の、図4に示されたウェハアセンブリ300を含むウェハアセンブリ600の側面図を示す。例えば、蛍光体堆積は、以下の技術のいずれかを利用する堆積装置によって行なわれてもよい。1.電気泳動堆積EPD2.スピンコーティング3.噴射4.小滴堆積DropletDeposition5.真空蒸着蛍光体堆積工程は、蛍光体層の厚さの制御を可能にし、それによりLEDダイから放射される光の色の制御が可能になる。堆積後、蛍光体を硬化させることができる。したがって、任意の適切な蛍光体堆積工程を使用して、適切な厚さを有する蛍光体層をウェハアセンブリ300上に堆積させることができる。更に、所望の色を有する光放射を達成するために、任意の適切な蛍光体物質を使用することができる。図7は、フォトレジストポスト402を除去した後の、図6に示されたウェハアセンブリ600を含むウェハアセンブリ700の側面図を示す。例えば、一実施態様では、フォトレジストポスト402は、フォトリソグラフィ装置によって、ポストを露光し適切なフォトレジスト現像液を塗布することよって除去される。フォトレジストポスト402を除去した後で、蛍光体層は、LEDウェハ100の表面を覆う蛍光体702の領域と、蛍光体層を介してp及びn接点を露光する空所704とを有する。これらの空所704は、露出接点のワイヤボンディングを可能にする。図8は、図7に示されたアセンブリ700の平面図を示し、平面図指標412の視点からの領域404の詳細な説明図を提供する。図8に示された平面図は、フォトレジストポスト406、408及び410を除去した後の領域404の詳細な説明図を提供する。フォトレジストポストを除去した後、ポストの下のp及びn接点が露出される。例えば、ポスト406、408及び410を除去することにより、接点802、804及び806がそれぞれ露出する。蛍光体堆積808によって覆われている半導体表面も示す。図9は、キャリアウェハを除去した後の図7のウェハアセンブリ700を含むウェハアセンブリ900を示す。例えば、熱剥離テープ204を加熱してサファイアキャリアウェハ202を外し、その結果、LEDウェハ100が蛍光体堆積702と共に残る。図10は、ウェハアセンブリ900に行なわれたシンギュレーション工程を示す。シンギュレーション工程は、LEDウェハアセンブリ900を個別のダイに分割する働きをする。一実施態様では、シンギュレーションは、LEDウェハアセンブリ900を個別のダイ即ち、1002、1004及び1006に分割するフロントサイドレーザースクライビング及びブレーキングafront-sidelaserscribingandbreaking装置を使用して行なわれる。図11は、2個のパラメータXとYを色温度colortemperatureと関連付ける例示的なカラーチャート1100を示す。例えば、カラーチャート1100は、横軸に沿ってX値と縦軸に沿ってY値を示す。したがって、破線によって示されたように、0.32のX値と0.33のY値は、約6000ケルヴィンKの色温度に対応する。カラーチャート1100は、ダイのビンニングと分類のためにX値とY値を使用して特定の色を正確に識別することができる手段を提供する。一実施態様では、図9に示されたウェハ900は、X値とY値を各ダイに関連付けるために、コンピュータプロービングprobing装置によってプロービングされ試験される。ウェハ全体を同時にプロービングすることは、シンギュレーション後に個別のダイをプロービングするよりも効率的である。プロービング工程では、各ダイが通電され、種々のダイ特性が決定される。例えば、プロービング装置は、ウェハ900の各ダイの電気接点に触れるように位置決めされる接点を有する。電気接点は、露出され、蛍光体堆積に空所704を介して到達可能である。ダイが通電された後で、プロービング装置は、各ダイと関連した色温度、ルーメン出力、電圧、電流、及び他の動作パラメータを測定する。一態様では、各ダイの測定パラメータは、カラーチャート1100に基づいてX値とY値にマッピングされる。したがって、各ダイは、シンギュレーション前にそれ自体のX値とY値に関連付けられる。図12は、シンギュレーション前にLEDダイを分類しビンニングするために使用することができるグラフ1200及び関連ビンニングテーブルbinningtable1202を示す。例えば、グラフ1200は、図11のカラーチャート1100からのX値とY値の範囲arangeofをそれぞれ含む幾つかのビンbin、値の範囲、容器を定義する。この例では、ビンD4は、0.32のX値と0.33のY値を含む。次にビンニングテーブル1202を参照すると、数値配列が示される。例えば、1204に示されたビンD4は、0.32と0.33をそれぞれ含むX値とY値の範囲と関連付けられる。この範囲のANSI色温度も示される。したがって、各ダイが、シンギュレーション工程中にウェハから切り離されるとき、その関連付けられたX値とY値を使用し、ダイを、ビンニングテーブル1202を用いて適切なビンに分類することができる。次に、各ビン内のダイは、他のパッケージング方法を使用してテープ上に配置されるかパッケージ化されてもよく、その結果、得られた1組のダイが、優れた色一貫性を有する。一実施態様では、例えば、ダイは、各ダイと関連付けられたX値とY値を認識するコンピュータビンニング装置によってビンニングされ分類される。図13は、本発明によりウェハレベル蛍光体堆積を行なう方法を示す。例えば、方法1300を使用して、ウェハ100に関して前述したような蛍光体堆積を行なうことができる。ブロック1302で、LEDウェハが、製造工程から得られる。例えば、ウェハレベル蛍光体堆積工程のために、ウェハ100が得られる。一実施態様では、ウェハ100は、100個以上のLEDダイを含む。ブロック1304で、支持キャリアが、LEDウェハに取り付けられる。例えば、サファイア支持キャリア202が、熱剥離テープ204を使用してLEDウェハに取り付けられる。支持キャリアは、ウェハレベル蛍光体堆積工程中にLEDウェハを支持する働きをする。一実施態様では、ウェハ100を熱剥離テープ204でキャリアウェハ202上に取り付けるために、任意の適切な自動組立て装置が使用される。ブロック1306で、フォトレジスト層が、LEDウェハに堆積される。一実施態様では、フォトレジスト層は、スピンコーティング工程を使用して堆積される。例えば、フォトレジスト層は、LEDウェハ100に堆積され、厚さ約200マイクロメートルである。一実施態様では、任意の適切なフォトレジスト堆積装置を使用して、フォトレジスト材料302をウェハアセンブリ200に堆積させてもよい。ブロック1308で、フォトレジスト層の一部分が除去され、その結果、フォトレジストポストが、LEDウェハのp及びn接点を覆う。例えば、図4に示されたように、フォトリソグラフィ装置は、光を使用して、幾何学パターンをフォトマスクから感光フォトレジスト層に転写する。次に、フォトレジスト層の露光部分が、非露光部分を残すフォトレジスト現像液を使用して除去される。非露光部分は、フォトレジストポスト402として残る。図5は、フォトレジストポストがLEDウェハのp及びn接点を覆っている様子を示す平面図を示す。ブロック1310で、蛍光体が、LEDウェハの表面に堆積される。図6に示したように、蛍光体は、LEDウェハの表面に配置され、フォトレジストポスト402を取り囲む。例えば、堆積装置が、スピンコーティング、EPD及び噴射工程jettingprocessのうちの少なくとも1つを使用して、蛍光体をLEDウェハの表面に堆積させる。ブロック1312で、フォトレジストポストが除去され、p及びn接点が露出される。例えば、一実施態様では、フォトレジストポスト402は、露光し、適切なフォトレジスト現像液を塗布することによって除去される。フォトレジストポスト402が除去され後、蛍光体層は、LEDウェハ100の表面を覆う蛍光体702の領域と、蛍光体層を介してp及びn接点を露出させる空所704とを含む。ブロック1314で、キャリアウェハが除去される。例えば、熱剥離テープを加熱してサファイアキャリアウェハを外す。一実施態様では、任意の適切な自動組立て装置を使用してキャリアウェハ202からウェハ100を取り外す。ブロック1316で、ウェハをプロービングし試験して、色温度、ルーメン出力、電源消費及び、他のLED特性を決定する。更に、各ダイの測定された色温度が、カラーチャート1100によってX値及びY値と関連付けられる。一実施態様では、ウェハは、コンピュータ式プロービング装置によってプロービングされ試験される。ブロック1318で、シンギュレーション工程を行ってLEDウェハを個別のダイに分割するか切断する。一実施態様では、シンギュレーションは、LEDウェハ900を個別のダイに分割するフロントサイドレーザースクライブ及びブレ-キング工程を使用して行なわれる。一実施態様では、シンギュレーションは、LEDウェハアセンブリ900を個別のダイに分割するフロントサイドレーザースクライブ及びブレーキング装置を使用して行なわれる。ブロック1320で、ダイを分類しビンニングする。例えば、ブロック1316のプロービング及び試験工程で決定されたX値とY値を使用して、ダイを、ビンプロットbinplot1200とビンテーブル1202によりビンニングする。例えば、ビンプロット1200は、X値及びY値と関連付けられた1つ又は複数のビンを定義する。ビンは、更に、ビンテーブル1202で定義される。各ダイのX値及びY値は、ダイをグループ化するビン番号を決定するために、ビンテーブル1202で相互参照される。一実施態様において、例えば、ダイは、各ダイと関連付けられたX値とY値を認識するコンピュータ式ビンニング装置によってビンニングされ分類される。したがって、方法1300は、本発明によりウェハレベル蛍光体堆積を行なう働きをする。方法1300が、単に一実施態様であり、方法1300の操作が、種々の態様の範囲内で再調整されるか他の方法で修正されてもよいことに注意されたい。したがって、他の実施態様は、前述の種々の態様の範囲内で可能である。図14は、ウェハレベル蛍光体堆積を行なうための例示的な装置1400を示す。例えば、装置1400は、図6に示された半導体ウェハ600の作成に使用するのに好適である。一態様では、装置1400は、本明細書に示されたような機能を提供するように構成された1つ又は複数のモジュールによって実現される。例えば、一態様では、各モジュールは、ハードウェア及び/又はソフトウェアを実行するハードウェアを含む。装置1400は、半導体ウェハを、特定のselected、選択された厚さのフォトレジスト材料で覆う手段1402を有する第1のモジュールを備え、一態様ではフォトレジスト堆積装置を含む。装置1400は、また、フォトレジスト材料の一部分を除去して半導体ウェハの一部分を露出させて、複数のLEDダイと関連付けられた電気接点が露出されないままにする手段1404を有する第2のモジュールを備え、一態様ではフォトリソグラフィ装置を含む。装置1400は、半導体ウェハの露出部分に蛍光体を堆積させる手段1406を有する第3のモジュールを備え、一態様では蛍光体堆積装置を含む。開示された態様の説明は、当業者が本発明を作成又は使用することを可能にするために提供される。これらの態様に対する種々の修正は、当業者に容易に明らかになり、本明細書に定義された一般的な原理は、本発明の趣旨又は範囲から逸脱することなく、他の態様に適用される。したがって、本発明は、本明細書に示された態様に限定されるものではなく、本明細書に開示された原理及び新規の特徴と矛盾のない最も広い範囲を与えられる。例示的という言葉は、本明細書では、例えば、具体例又は実例として働くことを意味するために排他的に使用される。例示的として本明細書に示された態様は、他の態様より好ましいか又は有利であるように解釈されるとは限らない。したがって、本明細書でウェハレベル蛍光体堆積システムの態様を図示し説明したが、これらの趣旨又は本質的特徴から逸脱することなく態様に種々の変更を行なうことができることを理解されよう。したがって、本明細書の開示と記述は、以下の特許請求の範囲に記載された本発明の範囲の限定でない実例である。"