電動機が駆動するための電力を供給するU相回路、V相回路、W相回路から成るインバータと、複数台の前記インバータを、前記インバータの電力変換行為から発生する熱を外気へと放散するための冷却機講に設置し、前記冷却機講が前記インバータ複数台で共有されるインバータユニットと、前記インバータユニットは前記インバータで構成され、前記インバータの一部を構成し、前記電動機が駆動可能なように電力を変換するU相のON/OFFのスイッチング動作を行う2つの半導体素子を一つのデバイスパッケージに収納したU相半導体素子デバイスパッケージと、前記インバータの一部を構成し、前記U相半導体素子デバイスパッケージと接続され、前記電動機が駆動可能なように電力を変換するV相のON/OFFのスイッチング動作を行う2つの半導体素子を1つのデバイスパッケージに収納したV相半導体素子デバイスパッケージと、前記インバータの一部を構成し、前記U相及びV相半導体素子デバイスパッケージと接続され、前記電動機が駆動可能なように電力を変換するW相のON/OFFのスイッチング動作を行う2つの半導体素子を一つのデバイスパッケージに収納したW相半導体素子デバイスパッケージと、から成ることを特徴とする電気車制御装置。前記U相半導体素子デバイスパッケージは、U相の上アームとV相の下アームの半導体素子で構成され、前記V相半導体素子デバイスパッケージは、V相の上アームとV相の下アームの半導体素子で構成され、前記W相半導体素子デバイスパッケージは、W相の上アームとW相の下アームの半導体素子で構成されることを特徴とする請求項1記載の電気車制御装置。前記U相半導体素子デバイスパッケージ、前記V相半導体素子デバイスパッケージ、前記W相半導体素子デバイスパッケージにおいて、4つの前記U相半導体素子デバイスパッケージと、4つの前記V相半導体素子デバイスパッケージと、4つの前記V相半導体素子デバイスパッケージが共通する冷却機講に設置されていることを特徴とする請求項1及び2記載の電気車制御装置。前記インバータユニットにおいて、架線から供給される架線電力を整流するフィルタリアクトルと、前記架線電力が前記インバータユニットの故障となる容量で供給された際に前記架線電力を放電する過電圧抑制用直流回路を共有したことを特徴とする請求項1乃至3記載の電気車制御装置。架線から電力の供給を受ける複数の前記インバータユニットにおいて、前記インバータユニットの架線側で前記インバータユニットと架線とを接続するプラス側導体と、前記インバータユニットの架線側で前記インバータユニットと接地とを接続するマイナス側導体と、前記複数のインバータユニットは、前記プラス側導体、前記マイナス側導体、および架線からの電流を充電するために片側端子が前記プラス側導体に接続され、他片側端子が前記マイナス側導体に接続されるフィルタコンデンサを共有することを特徴とする請求項1乃至4記載の電気車制御装置。前記インバータユニットの制御単位は前記インバータごとに制御され、前記インバータ2台を並列に接続したインバータ並列回路と、前記インバータ2台を並列接続した別のインバータ並列回路とを直列に接続することで、前記インバータに印加する電圧は、前記インバータユニットに印加する電圧の1/2とすることで、前記インバータユニットからの発熱量を低減させることを特徴とした請求項1乃至5記載の電気車制御装置。前記インバータユニットの制御単位は前記インバータごとに制御され、前記インバータ2台を直列接続したインバータ直列回路と、前記インバータ2台を直列接続した別のインバータ直列回路を直列接続することで、前記インバータに印加する電圧は、前記インバータユニットに印加する電圧の1/2とすることで、前記インバータユニットからの発熱量を低減させることを特徴とする請求項1乃至6記載の電気車制御装置。前記インバータユニットが複数台Nのインバータで構成されるとき、前記インバータユニットの制御単位は前記インバータごとに制御され、前記インバータ、複数台のうち、半数台N/2の前記インバータを並列に接続した並列インバータ回路と、前記インバータ複数台の残りの半数台N-N/2の前記インバータを並列接続した別の並列インバータ回路とを、直列に接続することを特徴とした請求項1乃至5記載の電気車制御装置。前記インバータの前記U相回路、前記V相回路、前記W相回路において、前記U相回路はU相第一素子、U相第二素子、U相第三素子、U相第四素子が直列接続された直列回路と、直列に接続されたU相第一ダイオード、U相第二ダイオードが前記直列回路に並列に接続され、前記U相第一素子及び前記U相第三素子が第1のU相第一半導体素子デバイスパッケージに収納され、前記U相第二素子及び前記U相第四素子が第2のU相第二半導体素子デバイスパッケージに収納され、前記U相第一ダイオード及び前記U相第二ダイオードが第3のU相第三半導体素子デバイスパッケージに収納され、V相はV相第一素子、V相第二素子、V相第三素子、V相第四素子で直列接続された直列回路と、直列に接続されたV相第一ダイオード、V相第二ダイオードが前記直列回路に並列に接続され、前記V相第一素子及び前記V相第三素子が第1のV相第一半導体素子デバイスパッケージに収納され、前記V相第二素子及び前記V相第四素子が第2のV相第二半導体素子デバイスパッケージに収納され、前記V相第一ダイオード及び前記V相第二ダイオードが第3のV相第三半導体素子デバイスパッケージに収納され、W相はW相第一素子、W相第二素子、W相第三素子、W相第四素子で直列接続された直列回路と、直列に接続されたW相第一ダイオード、W相第二ダイオードが前記直列回路に並列に接続され、前記W相第一素子及び前記W相第三素子がW相第一半導体素子デバイスパッケージに収納され、前記W相第二素子及び前記W相第四素子がW相第二半導体素子デバイスパッケージに収納され、前記W相第一ダイオード及び前記W相第二ダイオードがW相第三半導体素子デバイスパッケージに収納されたことを特徴とする請求項1乃至5記載の電気車制御装置。前記第一のU相半導体素子デバイスパッケージ、前記第二のU相半導体素子デバイスパッケージ、前記第三のU相半導体素子デバイスパッケージ、前記第一のV相半導体素子デバイスパッケージ、前記第二のV相半導体素子デバイスパッケージ、前記第三のV相半導体素子デバイスパッケージ、前記第一のW相半導体素子デバイスパッケージ、前記第二のW相半導体素子デバイスパッケージ、前記第三のW相半導体素子デバイスパッケージを共有する冷却機講に設置する場合、前記U相第三半導体素子デバイスパッケージと、前記V相半導体素子デバイスパッケージと、前記W相半導体素子デバイスパッケージ間の距離が最も遠くなるように配置したことを特徴とする請求項9記載の電気車制御装置。しかしながら、従来のような2in1インバータユニットを使用した永久磁石同期電動機の電気車制御装置では、多くの半導体素子を取り付ける必要があることや2in1インバータユニットごとにフィルタリアクトルや過電圧抑制抵抗器、過電圧抑制抵抗器スイッチを設けているため部品点数が多く、装置全体の小型化や困難であった。本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、永久磁石同期電動機に個別制御を行いかつ、装置全体の小型化が可能となる電気車制御装置を提供することを目的とする。上記を解決するために、本発明による電気車制御装置は、電動機が駆動するための電力を供給するインバータと、複数台の前記インバータを、前記インバータの電力変換行為から発生する熱を外気へと放散するための冷却機講に設置し、前記冷却機講が前記インバータ複数台で共有されるインバータユニットと、前記インバータユニットを構成するインバータは、前記インバータの一部を構成し、前記電動機が駆動可能なように電力を変換するU相の上アームとU相の下アームの半導体素子を一つのデバイスパッケージに収納したU相半導体素子デバイスパッケージと、前記インバータの一部を構成し、前記U相半導体素子デバイスパッケージと接続され、前記電動機が駆動可能なように電力を変換するV相の上アームとV相の下アームの半導体素子を1つのデバイスパッケージに収納したV相半導体素子デバイスパッケージと、前記インバータの一部を構成し、前記U相及びV相半導体素子デバイスパッケージと接続され、前記電動機が駆動可能なように電力を変換するW相の上アームとW相の下アームの半導体素子を一つのデバイスパッケージに収納したW相半導体素子デバイスパッケージとを有することを特徴としている。本発明によれば、永久磁石同期電動機を個別制御し、かつ装置全体を小型化することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。第1の実施形態本発明の第1の実施形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態の回路構成図である。図2は、本発明の第1の実施形態の半導体素子デバイスパッケージの等価回路図である。図3は、本発明の第1の実施形態の半導体素子デバイスパッケージの電圧出力と温度上昇図である。図4は、本発明の第1の実施形態の外観図である。構成:4in1インバータユニット本実施形態の電気車制御装置の回路構成は、図1に示すように、第1の4in1インバータユニット1の直流側は、集電装置4、高速遮断器5、充電抵抗用短絡接触器6、充電抵抗器7、開放接触器8、フィルタリアクトル9、過電圧抑制抵抗器10、過電圧抑制用スイッチング素子11、車輪12、フィルタリアクトル14で構成され、交流側は永久磁石同期電動機22a、2b、2c、2d、モータ開放接触器33a、3b、3c、3d、電流センサ3434a、34b、34c、34dで構成される。集電装置4が高速遮断器5と接続され、高速遮断器5は充電抵抗用短絡接触器6と接続される。充電低効用短絡接触器6は、充電抵抗器7と並列に接続され、開放用接触器8と接続される。開放用接触器8は、フィルリアクトル9と接続される。フィルタリアクトル9は、第1の4in1インバータユニット1の一端と接続され、第1の4in1インバータユニット1のもう一端は車輪12と接続される。過電圧抑制抵抗器10と過電圧抑制用スイッチング素子11が接続された過電圧抑制用直列回路19は、一方の端子側がフィルタリアクトル9と第1の4in1インバータユニット1と接続され、もう一方の端子側は、第1の4in1インバータユニット1と車輪12の間に接続される。フィルタコンデンサ14は、両端が過電圧抑制用直流回路19と第1の4in1インバータユニット1の間に接続されている。第1の4in1インバータユニット1の交流側では、3相線上に電流センサ34a、34b、34c、34dが設けられ、モータ開放接触器3a、3b、3c、3dを介して4つの永久磁石同期電動機2a、2b、2c、2dが接続されている。第1の4in1インバータユニット1は、VVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c及び、VVVFインバータ21dで構成される。また、VVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c及び、VVVFインバータ21dは並列に接続されている。VVVFインバータ21aは、U相半導体素子デバイスパッケージ22a、V相半導体素子デバイスパッケージ22b、W相半導体素子デバイスパッケージ22c、インバータ用フィルタコンデンサ13aで構成されている。U相半導体素子デバイスパッケージ22a、V相半導体素子デバイスパッケージ22b、W相半導体素子デバイスパッケージ22cは並列に接続され、W相半導体素子デバイスパッケージ22cの直流側でインバータ用フィルタコンデンサ13aが並列に接続されている。VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c、VVVFインバータ21dも同様にフィルタコンデンサ13b、13c、13dが接続されている。構成:半導体素子デバイスパッケージ図2は、半導体素子デバイスパッケージの等価回路図である。図3は半導体素子デバイスパッケージ内の半導体素子のスイッチング状態と、そのスイッチングによる半導体素子デバイスパッケージの温度状態を示す図である。図2に示すように、半導体素子デバイスパッケージ22は、上アームの正側素子24aと下アーム負側素子24bが直列に接続され、正側素子24aの入力側と負側素子24bの出力側に電源25が接続され、正側素子24aと負側素子24bの中性点26から電圧が出力される構成である。正側素子24aがONになり、負側素子24bがOFFになることで電源25から正側素子24aへ電流が流れ、中性点26より出力される。また、正側素子24aがOFFになり、負側素子24bがONになることで、電源25から負側素子24bへ電流が流れ、中性点よ26り出力される。このようなスイッチングを繰り返すことによって直流電流が交流電流に変換される。図3aが正側素子のスイッチングによる電圧出力で、図3bが負側端子のスイッチングによる電圧出力である。図3aとbの電圧出力を合成したものが図3cの半導体素子デバイスパッケージ22全体の電圧出力となる。図3dは正側素子の電圧出力による温度上昇を示したグラフになる。図3eは負側端子の電圧出力による温度上昇を示したグラフになる。図3dに示めすように、正側素子24aの温度は、図3aの正側素子24aがON状態のときに上昇し、OFF状態のときは上昇しない。そのためスイッチング動作ON/OFFを繰り返すことによって正側素子24aの温度が逓増する。図3eに示めすように、負側素子24bの温度は、正側素子と同様に図3bのスイッチング動作ON/OFFを繰り返すことによって、逓増することになる。ただし、正側素子24aのON状態と負側素子24bのON状態は、半導体素子デバイスパッケージ22内で交互に行われている。そのため、半導体素子デバイスパッケージ22全体の発熱量は図3fのように一定となる。上記のような半導体素子デバイスパッケージ22を使用した4台のVVVFインバータ21をユニット化したものが4in1インバータユニット1であり、その第1の4in1インバータユニット1の装置の外観を示したものが図4である。図4に示すように、第1の4in1インバータユニット1は、4つのVVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c及び、21dVVVFインバータ21aが一つの冷却機構23が設置された構成である。VVVFインバータ21a、21b、21c、21dは、冷却機講23の一部を構成する受熱板23aの平面状に取り付けられている。受熱板23aのVVVFインバータ21a、21b、21c、21dが取り付けられている平面上と反対側の面に、冷却機講23の残りを構成する放熱器23bが接続されている。作用本実施形態の電気車制御装置の作用について説明する。架線直流電力は、集電装置4を介して電気車制御装装置に供給される。集電装置4を通って供給された直流電力は、通常、投入されている高速遮断器5、充電抵抗器7、投入されている開放用接触器8、フィルタリアクトル9を通って、フィルタコンデンサ14に供給される。フィルタコンデンサ14及び並列に接続された各インバータのフィルタコンデンサ13a、13b、13c、13dに直流電流が流れ、十分な電荷が蓄積されると、充電低効用短絡接触器6が投入され、架線からの直流電力は、高速遮断器5、充電抵抗用短絡接触器6、開放用接触器7、フィルタリアクトル9を通って、第1の4in1インバータユニット1に供給される。インバータ用フィルタコンデンサ13に十分に充電され、第1の4in1インバータユニット1に架線直流電力が供給されると、VVVFインバータ21a、21b、21c、21dのU相半導体素子デバイスパッケージ22a、V相半導体素子デバイスパッケージ22b、W相半導体素子デバイスパッケージ22cに収納されている半導体素子に直流電力が送られることになる。送られた直流電力は、半導体素子のスイッチングによって交流電力に変換される。変換された交流電力は、4つの永久磁石同期電動機2に供給され、永久磁石同期電動機2の駆動が開始される。本実施形態において、例えば、第1の4in1インバータユニット1に1500Vの架線電圧が印加される場合、VVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c及び、VVVFインバータ21dにも同様の1500Vの電圧が印加される。1500Vの電圧がVVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c、VVVFインバータ21dのそれぞれに印加されると、その電圧に見合う電流が永久磁石同期電動機2に流れ、永久磁石同期電動機2は駆動される。このように永久磁石同期電動機2は第1の4in1インバータユニット1の半導体素子の直流電力を交流電力に変換する電力変換行為により駆動可能な状態となるが、その電力変換の際に電力変換損失が発生する。電力変換損失は、熱となって半導体素子から発生する。発生した熱は受熱板23aに伝導し、受熱板23aより放熱器23bに伝導し、放熱器23bから機外へと放熱されることになる。そのため、電力変換損失により発生した熱は、機内に留まることなく機外へと解消されることになる。また、電気車制御装置の駆動中に、第1の4in1インバータユニット1内で1台のVVVFインバータ21が故障を制御装置図示しないが検知した場合、高速度遮断器5を開放することによって4台すべてのVVVFインバータ21が開放されることになる。また、電気車制御装置の駆動中に、架線電圧の変動などにより第1の4in1インバータユニット1へ供給される直流電力が過大になったと直流電圧センサ15が検知した場合には、制御装置図示しないにより過電圧抑制用スイッチング素子11を点弧させて過大分の直流電力を過電圧抑制抵抗器10で消費させる。直流電圧センサの出力により過電圧抑制用スイッチング素子11の点弧、消弧状態を制御している。効果このような構成の電気車制御装置は、U相半導体素子デバイスパッケージ22a、V相半導体素子デバイスパッケージ22b、W相半導体素子デバイスパッケージ22cをそれぞれ4つずつ収納する第1の4in1インバータユニット1の発熱量も装置全体で均一化されるため、共有される放熱器23bより効率的に冷却することが可能である。また、従来のように個別に半導体素子を放熱器23bに設置していた場合、24個の半導体素子の設置スペースを必要としていたが、デバイスパッケージから発生する熱量が均一になるように2つの半導体そしを収納することで冷却器23の使用効率が向上し、小スペースでの設置が可能となり、12個の半導体素子デバイスパッケージ22を放熱器23bに取り付けた4in1インバータユニットを構成することが可能となった。また、フィルリアクトル9や過電圧抑制抵抗器10、過電圧抑制用スイッチング素子11を回路内で共通とすることで部品点数を削減し、電気車制御装置全体の小型化を図ることが可能となる。また、本実施形態の直流電圧センサ15、電流センサ34a、34b、34cc、34d及び、モータ開放接触器3a、3b、3c、3dを4in1インバータユニット1内に収納することも可能である。その場合も本実施形態と同様の効果を得られ、また1つの筐体内に多数の装置を収納することにより配線を簡易化し、装置全体の製造、設置を容易化することが可能である。また、図1ではフィルタコンデンサ13a、13b、13c、13dを削除し、共有のフィルタコンデンサ14を以って4台のVVVFインバータ21を稼動することも可能である。フィルタコンデンサ14を4台のVVVFインバータ21で共有することで、直流側の正側導体と、直流側の負側導体を4台のVVVFインバータで共有することが可能となる。そのため、フィルタコンデンサ13a、13b、13c、13dを設置する場合よりも部品点数を削減することが可能である。第2の実施形態本発明の第2の実施形態について図を参照して説明する。図5は、本発明の第2の実施形態の回路構成図である。図1乃至4と同一の構成をとるものについては、同符号を付して説明を省略する。構成本実施形態の電気車制御装置の回路構成と第1の実施形態の回路構成は、第1の4in1インバータユニット1内のVVVFインバータ21a、21b、21c、21dとは異なる接続状態で、直流電圧センサ32a、32b、32c、32dが追加されている第2の4in1インバータユニット30を用いる点で異なっている。以下にその点について説明する。第2の4in1インバータユニット1内はVVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c及び、VVVFインバータ21dで構成される。直列に接続されたVVVFインバータ21aとVVVFインバータ21bは、インバータ直列回路33aを構成し、直列に接続されたVVVFインバータ21cとVVVFインバータ21dは、インバータ直列回路33bで構成する。インバータ直列回路33aとインバータ直列回路33bは並列に接続される。VVVFインバータ21aのW相半導体素子デバイスパッケージ22cの直流側には、インバータ用フィルタコンデンサ13aと、インバータ用フィルタコンデンサ13aと並列に接続される直流電圧センサ32aが接続されている。VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c、VVVFインバータ21dも、VVVFインバータユニットaと同様の構成でインバータ用フィルタコンデンサ13b、13c、13d及び、直流電圧センサ32b、32c、32dが接続されている。作用本実施形態の電気車制御装置の作用について説明する。本実施形態のおいて、例えば、第2の4in1インバータユニット30に1500Vの架線電圧が印加される場合、インバータ直列回路33a、33bにも同様の1500Vの電圧が印加される。インバータ直列回路33a、33b内では1500Vの架線電圧が2分圧されて、750Vの電圧がVVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c、VVVFインバータ21dのそれぞれに印加され、その電圧に見合う電流が永久磁石同期電動機2に流れ、永久磁石同期電動機2は駆動される。その際に、直流電圧センサ32aはインバータ用フィルタコンデンサ13aの電圧値を検出することでVVVFインバータユニット21aの電圧状態を監視し、直流電圧センサ32bはインバータ用フィルタコンデンサ13bの電圧値を検出することでVVVFインバータユニット21bの電圧状態を監視し、直流電圧センサ32cはインバータ用フィルタコンデンサ13cの電圧値を検出することでVVVFインバータユニット21cの電圧状態を監視し、直流電圧センサ32dはインバータ用フィルタコンデンサ13dの電圧値を検出することでVVVFインバータユニット21dの電圧状態を監視する。効果このような構成の電気車制御装置は、第1の実施形態の効果に加えて、VVVFインバータ21が印加される架線電圧を2分圧する。そのため、第1の実施形態よりも低い電圧で半導体素子のスイッチングを行うため、電力変換損失として発生する熱を低減することが可能となる。熱の発生が低減されることで冷却機講の小型化と装置駆動時の省エネを図ることが可能となる。また、直流電圧センサ32を用いて、それぞれのVVVFインバータ21の電圧値を検出することでより正確に制御することができる。第3の実施形態本発明の第3の実施形態について図を参照して説明する。図6は、本発明の第3の実施形態の回路構成図である。尚、図1乃至4と同一の構成をとるものについては、同符号を付して説明を省略する。構成本実施形態の電気車制御装置の回路構成と第1の実施形態の回路構成は、第1の4in1インバータユニット1内のVVVFインバータ21a、21b、21c、21dとは異なる接続状態で、直流電圧センサ40a、40b及び、フィルタコンデンサ41a、41bが追加されている第3の4in1インバータユニット42を用いる点で異なっている。以下にその点について説明する。第3の4in1インバータユニット42内はVVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c及び、VVVFインバータ21dで構成される。並列に接続されたVVVFインバータ21aとVVVFインバータ21bは、インバータ並列回路43aを構成し、並列に接続されたVVVFインバータ21cとVVVFインバータ21dは、インバータ並列回路43bで構成する。インバータ並列回路43aとインバータ並列回路43bは直列に接続される。インバータ並列回路43aの直流側にはフィルタコンデンサ41aと、フィルタコンデンサ41aと並列に接続される直流電圧センサ40aが接続される。インバータ並列回路43bもインバータ並列回路43aと同様の構成でフィルタコンデンサ41b及び、直流電圧センサ40bが接続される。作用次に本実施形態の作用について説明する。本実施形態において、例えば、第3の4in1インバータユニット42に1500Vの架線電圧が印加される場合、インバータ並列回路43a、43bには分圧された750Vの電圧が印加される。インバータ並列回路43a、43bに750Vの電圧が印加されると、750Vの電圧がVVVFインバータ21a、VVVFインバータ21b、VVVFインバータ21c、VVVFインバータ21dのそれぞれに印加され、その電圧に見合う電流が永久磁石同期電動機2に流れ、永久磁石同期電動機2は駆動される。効果本実施形態は、第1の実施形態と同様の作用を得ることが可能である。また、VVVFインバータ21が印加される架線電圧を2分圧する。そのため、第1の実施形態よりも低い電圧で半導体素子のスイッチングを行うため、電力変換損失として発生する熱を低減することが可能となる。熱の発生が低減されることで冷却機講の小型化と装置駆動時の省エネを図ることが可能となる。また、架線電圧が分圧されるインバータ並列回路43a及び43bの電圧を直流電圧センサ40a、40bで検出するため、制御に必要な電圧値を検出し、かつ、第2の実施形態よりも部品点数を少なくすることができる。第4の実施形態本発明の第4の実施形態について図を参照して説明する。図7は、本発明の第4の実施形態の3レベル電力変換装置のU相回路図である。図8は、本発明の第4の実施形態の電力変換装置の外観図である。尚、図1乃至4と同一の構成をとるものについては、同符号を付して説明を省略する。構成本実施形態は第1の実施形態の半導体素子デバイスパッケージ22を3レベルの電力変換装置である第4のインバータユニット適用したものである。以下、その点について説明する。図7に示すように、本実施形態の3レベル電力変換装置のU相回路は、第一素子65a、第二素子65b、第三素子65c、第四素子65d及び第一クランプダイオード69a、第二クランプダイオード69bから構成される。以下、U相回路66の構成を例にして説明する。第一素子65a、第二素子65b、第三素子65c、第四素子65dは直列に接続されたU相直列回路である。第1クランプダイオード69aと第二クランプダイオード69bは直列に接続され、第1クランプダイオード65aの一端は第一素子65aと第二素子65bの間に接続され、第2クランプダイオード65bの一端は第三素子65cと第四素子65dの間に接続されている。第一素子65a及び第三素子65cは第一のU相半導体素子デバイスパッケージ66aに収納され、第二素子65b及び第四素子65dは第二のU相半導体素子デバイスパッケージ66bに収納され、第一クランプダイオード69a及び第二クランプダイオード69bは第三のU相半導体素子デバイスパッケージ66cに収納される。V相回路67の第一のV相半導体素子デバイスパッケージ67a、第二のV相半導体素子デバイスパッケージ67b、第三のV相半導体素子デバイスパッケージ67c及び、W相回路68の第一のW相半導体素子デバイスパッケージ68a、第二のW相半導体素子デバイスパッケージ68b、第三のW相半導体素子デバイスパッケージ68cは、U相回路66と同様に構成されている。次に、U相回路66、V相回路67、W相回路68を冷却機講23の受熱板23aに設置した図9について説明する。図9に示すように、受熱板23aの端部にU相回路66とW相回路68が配置され、U相回路66とW相回路68の間にV相回路67が配置される。U相回路66は上方向から第一のU相半導体素子デバイスパッケージ66a、第二のU相半導体素子デバイスパッケージ66b、第三のU相半導体素子デバイスパッケージ66cの順列で配置される。V相回路67は上方向から、V相第三の半導体素子デバイスパッケージ67c、V相第二の半導体素子デバイスパッケージ67b、V相第一の半導体素子デバイスパッケージ67aの順列で配置される。W相回路68は上方向から、W相第一の半導体素子デバイスパッケージ68a、W相第三の半導体素子デバイスパッケージ68c、W相第二の半導体素子デバイスパッケージ68bの順列で配置される。作用U相回路66では、半導体素子が電力変換のためのスイッチングを行った場合、第二素子65b及び第三素子65cのインダクタンスが最も大きくなる。つまり、第二素子65b及び第三素子65cからの発熱量が最も大きくなる。次に、第一素子65a及び第四素子56dからの発熱量が大きくなる。第一クランプダイオード69a及び第二クランプダイオード69bからの発熱量は最も少ない。V相回路67及びW相回路68も同様である。そのため、第一素子64aと第三素子65cを組み合わせて収納した第1の半導体素子デバイスパッケージ66a、67a、68aと、第二素子65bと第四素子65dを組み合わせて収納した第2の半導体素子デバイスパッケージ66b、67b、68bから発生する発熱量が同等なる。また、第一クランプダイオード69a、第二クランプダイオード69bを組み合わせて収納した第3の半導体素子デバイスパッケージ66c、67c、68cは、第1の半導体素子デバイスパッケージ66a、67a、68aと第2の半導体素子デバイスパッケージ66b、67b、68bから発生する発熱量よりも低くなる。効果このような構成の電気車制御装置は、発熱量の多い第1の半導体素子デバイスパッケージ66a、67a、68aと第2の半導体素子デバイスパッケージ66b、67b、68bの間に、発熱量の少ない第3の半導体素子デバイスパッケージ66c、67c68cを挟むようにして配置することで、受熱板23aへ伝わる熱が受熱板23a全体で均一化されやすく、冷却機講23で効率よく冷却することが可能となる。そのため半導体素子の数が多い3レベル電力変換装置のおいても従来よりも小型化が可能となる。また、半導体素子デバイスパッケージ22は第1の実施形態から第4の実施形態のような4台のVVVFインバータユニット21を1つの冷却機講23に搭載した4in1インバータユニットだけでなく、2in1インバータユニット等、他の構成においても適用することが可能である。