"アンテナを備え該アンテナの先端からプラズマを発生させるアンテナ型プラズマCVDを用い、該アンテナが配設された処理室内に、基材上に形成されカーボンナノチューブ成長の核となる触媒材料層と、該基材と該触媒材料層との間に設けられ該基材と該触媒材料層との反応を防止する反応防止層とを備える基板を保持し、カーボンナノチューブの原料となる気体の流通下、該処理室内を所定の圧力に減圧し、該アンテナにプラズマを発生させて該基板上にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法において、該基板を600~800°Cの範囲の温度に保持し、60~180Wの範囲の電力を印加して該アンテナにプラズマを発生させると共に、該基板を該アンテナの先端からの距離が62.5~82.5mmの範囲の距離になるように保持することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記カーボンナノチューブの原料となる気体は、一酸化炭素のみからなるか、又は水素とメタンとの混合気体からなることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項1又は請求項2記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒材料層はカーボンナノチューブ成長の核となる触媒材料としてFe又はCoを含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項3記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒材料層は0.025~0.5nmの厚さに相当する量を有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造方法において、前記基板は、前記触媒材料層上に形成された保護層を備えることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。しかしながら、プラズマCVD法等により基板上に形成されたカーボンナノチューブを製造するときに、一酸化炭素と二酸化炭素と水素との混合ガスを用いると、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることが難しいという不都合がある。本発明は、かかる不都合を解消して、プラズマCVD法により基板上にカーボンナノチューブを形成するときに、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、一酸化炭素と二酸化炭素と水素との混合ガスを用いたときに優れた品質のカーボンナノチューブが得られ難い理由について種々検討した。この結果、前記混合ガスにプラズマを照射すると、カーボンナノチューブの成長に有効なラジカル以外に、水素イオン、酸素イオン等が副生し、該水素イオン、酸素イオン等の副生物がカーボンナノチューブの成長を阻害することを知見した。本発明者らは前記知見に基づいて、さらに検討を重ねた結果、プラズマの発生領域に対する基板の距離を、プラズマの発生条件に応じて調整することにより、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができることを見い出し、本発明に到達した。すなわち本発明は、前記目的を達成するために、アンテナを備え該アンテナの先端からプラズマを発生させるアンテナ型プラズマCVDを用い、該アンテナが配設された処理室内に、基材上に形成されカーボンナノチューブ成長の核となる触媒材料層と、該基材と該触媒材料層との間に設けられ該基材と該触媒材料層との反応を防止する反応防止層とを備える基板を保持し、カーボンナノチューブの原料となる気体の流通下、該処理室内を所定の圧力に減圧し、該アンテナにプラズマを発生させて該基板上にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法において、該基板を600~800°Cの範囲の温度に保持し、60~180Wの範囲の電力を印加して該アンテナにプラズマを発生させると共に、該基板を該アンテナの先端からの距離が62.5~82.5mmの範囲の距離になるように保持することを特徴とする。本発明のカーボンナノチューブの製造方法では、カーボンナノチューブの原料となる気体の流通下、前記処理室内を所定の圧力に減圧し、前記アンテナにプラズマを発生させる際に、前記基板を600~800°Cの範囲の温度に保持すると共に、60~180Wの範囲の電力を印加して該アンテナにプラズマを発生させる。前記基板の温度及び印加する電力が前記範囲以外では、該アンテナの先端からの該基板の距離を調整したとしても、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができない。そして、本発明のカーボンナノチューブの製造方法では、前記基板の温度及び印加する電力を前記範囲として、前記アンテナにプラズマを発生させる際に、前記基板を該アンテナの先端からの距離が62.5~82.5mmの範囲の距離になるように保持する。このようにすることにより、前記基板には、カーボンナノチューブの成長に有効なラジカルのみが到達することができ、水素イオン、酸素イオン等の副生物は該基板に到達することが阻止される。この結果、本発明のカーボンナノチューブの製造方法によれば、前記カーボンナノチューブの原料となる気体として、水素イオン、酸素イオン等が副生する気体を用いたときにも、該水素イオン、酸素イオン等に阻害されることなくカーボンナノチューブを成長させることができ、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができる。前記基板を前記アンテナの先端から62.5mm未満の距離に保持すると、カーボンナノチューブの成長が水素イオン、酸素イオン等の副生物により阻害され、優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができない。また、前記基板を前記アンテナの先端から82.5mmを超える距離に保持すると、カーボンナノチューブの成長に有効なラジカルが該基板に到達することができず、カーボンナノチューブを成長させることができない。本発明のカーボンナノチューブの製造方法において、前記カーボンナノチューブの原料となる気体は、一酸化炭素のみからなるか、又は水素とメタンとの混合気体からなることが好ましい。前記いずれかの気体によれば、前記基板の温度及び印加する電力を前記範囲とすることにより、カーボンナノチューブの成長に有効なラジカルとして、容易に炭素ラジカルを得ることができる。本発明のカーボンナノチューブの製造方法において、前記触媒材料層はカーボンナノチューブ成長の核となる触媒材料としてFe又はCoを含むことが好ましい。前記触媒材料層がFe又はCoを含むときには、前記カーボンナノチューブは該Fe又はCoを核として成長することができる。このとき、前記触媒材料層は、前記カーボンナノチューブを成長させるために、例えば0.025~0.5nmの厚さを備えることが好ましい。また、本発明のカーボンナノチューブの製造方法において、前記基板は、前記触媒材料層上に形成された保護層を備えるものであってもよい。次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は、図1又は図2に示すアンテナ型プラズマCVD装置を用いて実施することができる。図1に示すアンテナ型プラズマCVD装置1は、箱形のチャンバー処理室2を備え、天井部にカーボンナノチューブの原料となる気体以下、原料ガスと略記するを導入する原料ガス導入部3を備える。また、底部側面にはチャンバー2内のガスを排出するガス排出部4を備えている。ガス排出部4は例えば図示しない真空ポンプに接続されている。また、例えば、プラズマCVD装置1においては、チャンバー2の天井部には、マイクロ波導波管5及びアンテナ6が備えられており、所定の周波数例えば2.45GHzのマイクロ波の印加によりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させるようになっている。この結果、先端部6aの周囲にプラズマ発生領域7が形成される。チャンバー2内には、マイクロ波導波管5に対向する位置に基板加熱部8が上下動自在に設けられており、基板加熱部8上に基板9が載置されている。CVD装置1では、基板加熱部8を上下動させることにより、アンテナ6の先端部6aと基板9との距離dを調整するようになっている。また、図2に示すアンテナ型プラズマCVD装置11は、管状のチャンバー処理室12を備え、チャンバー12の一方の端部から原料ガスを導入すると共に、他方の端部からチャンバー12内のガスを排出するようになっている。チャンバー12のガス排出側の端部は例えば図示しない真空ポンプに接続されている。また、チャンバー12の原料ガス導入側の端部近傍には、CVD装置1と同様のマイクロ波導波管5及びアンテナ6が備えられており、所定の周波数例えば2.45GHzのマイクロ波の印加によりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させるようになっている。この結果、先端部6aの周囲にプラズマ発生領域7が形成される。導入される原料ガスに対し、プラズマ発生領域7の下流側には、チャンバー12を挟んで1対の基板加熱部13a,13bが、チャンバー2の長さ方向に沿ってプラズマ発生領域7に対して進退自在に設けられている。そして、チャンバー12内には、基板加熱部13bに対向して基板載置部14が設けられ、基板載置部14上に基板15が載置されている。CVD装置11では、基板加熱部13a,13bを進退させることにより、アンテナ6の先端部6aと基板15との距離dを調整するようになっている。次に、図1のアンテナ型プラズマCVD装置1を用いる場合を例として、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法について説明する。本実施形態では、まず、Si等の基材上に、スパッタ法を用いてバッファ層となるAl層を所定の厚さに製膜する。次に、前記Al層を大気暴露した後、該Al層上に、スパッタ法を用いてFe又はCoからなりカーボンナノチューブの成長の核となる触媒材料層を、例えば0.02~0.5nmの範囲の厚さに製膜して基板9を形成する。このとき、さらに前記触媒材料層上に保護層となるAl層を、例えば0.025~1.0nmの範囲の厚さに製膜してもよい。基板9において、前記バッファ層は、前記基材と前記触媒材料層との反応を防止する反応防止層として作用する。次に、基板加熱部8上に基板9を載置して、基板9がアンテナ6の先端部6aに対し、62.5~82.5mmの範囲の距離dを存して保持する。次に、チャンバー2内の圧力が例えば3×10-3Pa以下になるまで真空引きした後、原料ガス導入部3から還元ガスを流通し、チャンバー2内の圧力が例えば2.67kPaになるように調節する。そして、基板9を例えば700°Cまで昇温させながら、例えば5分間アニールすることにより、前記触媒材料層を還元する。次に、原料ガス導入部3から原料ガスし、基板加熱部8により基板9を加熱して600~800°Cの範囲の温度に保持し、マイクロ波導波管5に例えば2.45GHzの周波数のマイクロ波を60~180Wの出力で印加することによりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させる。前記の還元ガス、原料ガスの条件としては、これに続く合成時の炭素源ガスが水素とメタンとの混合ガスの場合には、還元ガスもこれと同じガスでよい。一方、炭素ガス源が一酸化炭素の場合には、還元ガスは水素ガスのみが望ましい。これらの結果、基板9上に細径で欠陥の少ない優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができる。次に、本発明の実施例及び比較例を示す。実施例1本実施例では、まず、Si基材上に、スパッタ法を用いてバッファ層となるAl層を5nmの厚さに製膜した。次に、前記Al層を大気暴露した後、該Al層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.1nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、基板加熱部8上に基板9を載置し、アンテナ6の先端部6aとの距離dを72.5mmに設定した。次に、チャンバー2内の圧力が3×10-3Pa以下になるまで真空引きした後、原料ガス導入部3から50sccmの流量で水素ガスを流通し、チャンバー2内の圧力が2.67kPaになるように調節した。次に、基板9を700°Cまで昇温させながら、5分間アニールすることにより、前記触媒材料層を還元した。次に、原料ガス導入部3から、原料ガスとして一酸化炭素を50sccmの流量で流通した。次に、前記原料ガス流通下に、波長2.45GHz、出力60Wのマイクロ波を印加することによりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させ、カーボンナノチューブの形成を30分間行った。その後、室温まで冷却して、得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。前記カーボンナノチューブのラマンスペクトルでは、1600cm-1付近にグラファイト網面に由来するGバンドが観察され、1300cm-1付近に欠陥に由来するDバンドが観察される。従って、GバンドとDバンドとの強度の比G/Dが大きいほど、欠陥が少なく優れた品質を備えているということができる。また、細径の単層カーボンナノチューブが多いときには、Gバンドが1590cm-1のGバンドと1550~1570cm-1のG-バンドとに分裂するので、該分裂により細径の単層カーボンナノチューブの存在を検出することができる。さらに、100~400cm-1の低波数域に観察されるラジアルブリージングモードRBMによってもカーボンナノチューブの直径に関する情報を得ることができる。孤立ナノチューブの場合、その直径Dは、D=C/νCは定数、νはラマンシフトcm-1で表される。従って、RBMによるラマンシフトのピークが高波数域側に観察されるほど、細径のカーボンナノチューブということができる。実施例2本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.025nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.025nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを72.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例3本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.025nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.025nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを77.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例4本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.1nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.15nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを72.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例5本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を1nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを72.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例6本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を1nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを77.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例7本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoとFeとからなる触媒材料層をそれぞれ0.25nm合計0.5nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を1nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを77.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例8本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoとFeとからなる触媒材料層をそれぞれ0.25nm合計0.5nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.5nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを77.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例9本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを72.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例10本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを77.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例11本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.25nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを77.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例12本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.25nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを82.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。実施例13本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.1nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用い、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを77.5mmに設定した以外は、実施例1と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表1に示す。表1から、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを72.5~82.5mmの範囲の距離とすることにより、GバンドとDバンドとの比G/Dが7~24の範囲になり、欠陥の少ない優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができることが明らかである。実施例14本実施例では、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを62.5~77.5mmの範囲で変量した以外は、実施例4と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を図3に示す。図3から、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを62.5~82.5mmの範囲の距離とすることにより、GバンドとDバンドとの比G/Dが6~12の範囲になり、欠陥の少ない優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができることが明らかである。実施例15本実施例では、まず、Si基材上に、スパッタ法を用いてバッファ層となるAl層を5nmの厚さに製膜した。次に、前記Al層を大気暴露した後、該Al層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.1nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.15nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、基板加熱部8上に基板9を載置し、アンテナ6の先端部6aとの距離dを62.5mmに設定した。次に、チャンバー2内の圧力が3×10-3Pa以下になるまで真空引きした後、原料ガス導入部3から、原料ガスとして水素ガスを45sccmの流量で流通すると共にメタンガスを5sccmの流量で流通し合計流量50sccm、チャンバー2内の圧力が2.67kPaになるように調節した。次に、基板9を600°Cまで昇温させながら、5分間アニールすることにより、前記触媒材料層を還元した。次に、前記原料ガス流通下に、波長2.45GHz、出力60Wのマイクロ波を印加することによりアンテナ6の先端部6aにプラズマを集中発生させ、カーボンナノチューブの形成を30分間行った。その後、室温まで冷却して、得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。また、前記ラマン分光装置による分析の結果として得られたラマンスペクトルを図4に示す。比較例1本比較例では、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを50mmに設定した以外は、実施例15と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析した。前記分析の結果として得られたラマンスペクトルを図4に示す。実施例16本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を1nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用いた以外は、実施例15と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。また、前記ラマン分光装置による分析の結果として得られたラマンスペクトルを図5に示す。比較例2本比較例では、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを50mmに設定した以外は、実施例16と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析した。前記分析の結果として得られたラマンスペクトルを図5に示す。図4a、図5aから、実施例15,16の基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを62.5mmとして得られたカーボンナノチューブは、比較例1,2の前記距離dを50mmとして得られたカーボンナノチューブに比較して、G-バンドが低波数側にシフトしており、RBMが高波数になっている。従って、実施例15,16で得られたカーボンナノチューブは、比較例1,2で得られたカーボンナノチューブに比較して、より細径であることが明らかである。また、図4b、図5bから、実施例15,16の基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを62.5mmとして得られたカーボンナノチューブは、比較例1,2の前記距離dを50mmとして得られたカーボンナノチューブに比較して、G/Dが大きく、欠陥の少ない優れた品質のカーボンナノチューブであることが明らかである。比較例3本比較例では、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを87.5mmに設定した以外は、実施例16と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。形成後の基板9をラマン分光装置励起波長633nmにより分析したが、カーボンナノチューブの存在を示すG、Dバンドはバックグラウンドのシグナルと識別困難なほど弱く、基板9上へのカーボンナノチューブの充分な成長がないことが判明した。実施例17本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.5nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用いた以外は、実施例15と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。実施例18本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてFeからなる触媒材料層を0.025nmの厚さに製膜し、さらに該触媒材料層上に保護層となるAl層を0.025nmの厚さに製膜して基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用いた以外は、実施例15と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。また、得られたカーボンナノチューブをエタノールで超音波分散したものを透過型電子顕微鏡にて観察した。この結果、得られたカーボンナノチューブは、直径が0.8~5.1nmの範囲であり、単層カーボンナノチューブが全体の90以上を占めていた。前記カーボンナノチューブの透過型電子顕微鏡写真を図6に示す。実施例19本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.1nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用いた以外は、実施例15と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。実施例20本実施例では、Si基材上にスパッタ法を用いて形成されたバッファ層上に、スパッタ法を用いてCoからなる触媒材料層を0.25nmの厚さに製膜し、保護層を全く設けずに基板9を形成した。次に、本実施例で得られた基板9を用いた以外は、実施例15と全く同一にしてカーボンナノチューブの形成を行った。得られたカーボンナノチューブをラマン分光装置励起波長633nmにより分析し、その品質をバックグラウンドを補正していないGバンドとDバンドとの強度の比G/Dにより評価した。結果を表2に示す。表2から、基板9とアンテナ6の先端部6aとの距離dを62.5mmとすることにより、GバンドとDバンドとの比G/Dが5~20の範囲になり、欠陥の少ない優れた品質のカーボンナノチューブを得ることができることが明らかである。"