"スパッタ成膜により被膜を形成すべき基板を内部に配置するチャンバと、前記チャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと、前記チャンバの内部に配置された基板支持台と、前記基板支持台を回転させる駆動手段と、前記ターゲットが装着され前記基板支持台の上の基板に対してスパッタ粒子を斜め方向から入射させるスパッタリングカソードと、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間であって、前記支持台が所定の回転周期で回転するスパッタ成膜時間が、前記基板支持台の回転周期の整数倍となるように回転周期を定め、前記駆動手段の制御を行う制御装置と、を備えることを特徴とする成膜装置。前記制御装置は、前記基板支持台の回転周期が所定の回転周期となるまでの加速中、及び、成膜終了後の減速中の加速時間及び減速時間を等しく、かつ、加速時間及び減速時間が前記回転周期の整数倍となるように設定した上で、前記加速中及び減速中においてもスパッタ成膜を行うように、前記駆動手段を制御することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。スパッタ成膜により被膜を形成すべき基板を内部に配置するチャンバと、前記チャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと、前記チャンバの内部に配置された基板支持台と、前記基板支持台を回転させる駆動手段と、前記ターゲットが装着され前記基板支持台の上の基板に対してスパッタ粒子を斜め方向から入射させるスパッタリングカソードと、を備えた成膜装置を用いた成膜方法であって、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間であって、前記支持台が所定の回転周期で回転するスパッタ成膜時間が、前記基板支持台の回転周期の整数倍となるように回転周期を定め、前記駆動手段の制御を行うことを特徴とする成膜方法。最長回転周期を設定し、前記回転周期が前記最長回転周期よりも長くならないように回転周期を定めることを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。前記基板支持台の回転周期が所定の回転周期となるまでの加速中、及び、成膜終了後の減速中の加速時間及び減速時間を等しく、かつ、加速時間及び減速時間が前記回転周期の整数倍となるように設定した上で、前記加速中及び減速中においてもスパッタ成膜を行うことを特徴とする請求項3又は4に記載の成膜方法。ところで、このような用途のスパッタリング装置においては、LED、光学膜等の成膜工程では、要求される膜厚が薄くなってきていると共に、膜厚均一性よく成膜できることが強く要求されている。上述したような、基板を回転させるタイプの場合は、より膜厚均一性を高めるためには、基板の回転周期に対して成膜時間は十分長いことが好ましい。しかし、薄膜化及び投入パワーの増加に伴って成膜時間が短縮化されているため、基板の回転周期に対して、成膜時間が十分ではなくなってきているという問題がある。例えば、基板の回転周期が1秒60rpmであることに対し、スパッタ成膜時間が1.5秒であるとすると、スパッタ成膜時間の間に基板は1回転半することになる。この場合、1.5秒のスパッタ成膜時間のうち、最後の0.5秒が膜厚不均一の要因となり、膜厚分布が大きく損なわれてしまう。言い換えれば、スパッタ成膜時間1.5秒間で、基板が540°回転してしまうため、一周360°に対する余剰の回転180°において、不均一な膜厚が形成されてしまう。この問題に対しては、回転速度を更に速くすることで膜厚分布を改善する方法が考えられる。しかしながら、回転速度を速くすることによって、成膜装置の消費電力の増加や、回転装置の短寿命化を招くという問題がある。また、スループットに直結する基板1枚当たりの処理室滞在時間には、スパッタ成膜時間のみならず、基板支持台に基板を載置してから、基板の回転速度を所定の回転速度まで加速させる時間、及び減速させる時間が含まれる。回転速度を速くしようとすると、加速時間及び減速時間も長くなるため、スループットが悪化するという問題がある。この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、膜厚均一化を図ることができ、スパッタリング時の消費電力を抑えるとともに、基板支持台を回転させる駆動手段の長寿命化を実現し、かつ、より短時間でスパッタリングを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供することにある。上記の目的を達成するために、この発明は以下の手段を提供している。本発明の成膜装置は、スパッタ成膜により被膜を形成すべき基板を内部に配置するチャンバと、前記チャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと、前記チャンバの内部に配置された基板支持台と、前記基板支持台を回転させる駆動手段と、前記ターゲットが装着され前記基板支持台の上の基板に対してスパッタ粒子を斜め方向から入射させるスパッタリングカソードと、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間であって、前記支持台が所定の回転周期で回転するスパッタ成膜時間が、前記基板支持台の回転周期の整数倍となるように回転周期を定め、前記駆動手段の制御を行う制御装置とを備えることを特徴とする。また、前記制御装置は、前記基板支持台の回転周期が所定の回転周期となるまでの加速中、及び、成膜終了後の減速中の加速時間及び減速時間を等しく、かつ、加速時間及び減速時間が前記回転周期の整数倍となるように設定した上で、前記加速中及び減速中においてもスパッタ成膜を行うように、前記駆動手段を制御することが好ましい。本発明の成膜方法は、スパッタ成膜により被膜を形成すべき基板を内部に配置するチャンバと、前記チャンバ内に配置された、前記被膜の形成材料を含むターゲットと、前記チャンバの内部に配置された基板支持台と、前記基板支持台を回転させる駆動手段と、前記ターゲットが装着され前記基板支持台の上の基板に対してスパッタ粒子を斜め方向から入射させるスパッタリングカソードと、を備えた成膜装置を用いた成膜方法であって、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間であって、前記支持台が所定の回転周期で回転するスパッタ成膜時間が、前記基板支持台の回転周期の整数倍となるように回転周期を定め、前記駆動手段の制御を行うことを特徴とする。また、前記成膜方法は、最長回転周期を設定し、前記回転周期が前記最長回転周期よりも長くならないように回転周期を定めることが好ましい。また、前記成膜方法は、前記基板支持台の回転周期が所定の回転周期となるまでの加速中、及び、成膜終了後の減速中の加速時間及び減速時間を等しく、かつ、加速時間及び減速時間が前記回転周期の整数倍となるように設定した上で、前記加速中及び減速中においてもスパッタ成膜を行うことが好ましい。本発明によれば、ターゲットが装着され基板支持台の上の基板に対してスパッタ粒子を斜め方向から入射させるスパッタリングカソードを備えた成膜装置において、所望の膜厚の被膜の形成に要するスパッタ成膜時間が、基板支持台の回転周期の整数倍となるように回転周期を定め、基板支持台の駆動手段の制御を行う制御装置を備える構成としたことによって、膜厚分布をより均一にすることができる。また、基板支持台の回転速度が低下することになるため、消費電力が抑えられ、装置の長寿命化を実現することができる。また、基板支持台の回転周期が所定の回転周期となるまでの加速中、及び、成膜終了後の減速中においてもスパッタ成膜を行うことによって、さらに成膜時間を短縮することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。スパッタリング装置図1は、本実施形態に係る成膜装置1の概略断面図である。本実施形態において、成膜装置1は、マグネトロンスパッタ装置として構成されている。成膜装置1は、内部を気密封止しうるチャンバ2と、この真空チャンバ2の内部に配置された基板支持台3と、この基板支持台3を回転軸4を軸心として回転させる駆動手段7と、真空チャンバ2の内部に配置された複数本実施の形態においては3組のスパッタリングカソード5A,5B,5C等を備えている。真空チャンバ2は、内部に処理室6を画成しており、図示しない真空排気手段を介して処理室6を所定の真空度にまで減圧可能とされている。また、処理室6の内部にアルゴンガス等のプロセスガスや酸素、窒素等の反応性ガスを導入するためのガス導入ノズル図示せずが真空チャンバ2の所定位置に取り付けられている。基板支持台3は、図示しない温度調整手段を用いて、基板支持台3上に載置された基板Wを所定温度に加熱可能に構成されている。また、基板Wは、例えば、静電チャックによって基板支持台3に固定される。回転軸4は、モータ等の駆動手段7を介して回転可能に構成されている。これにより、基板Wをその中心のまわりに自転させる基板回転機構が構成される。回転軸4の軸シールには、磁性流体シールが用いられている。スパッタリングカソード5A~5Cは、図2に示すように、真空チャンバ2の上部において、基板Wを中心とする同心円上に等角度間隔に配置されている。これらスパッタリングカソード5A~5Cは、処理室6内においてプラズマを形成するための高周波電源やマグネット機構などのプラズマ発生源が、各々独立して配備されているものとする。各々のスパッタリングカソード5A~5Cには基板Wに成膜する任意の材料からなるターゲットがそれぞれ保持されている。スパッタリングカソード5A~5Cは、プラズマ中のアルゴンイオンによってターゲットから叩き出されたスパッタ粒子が基板Wの法線方向に対して斜め方向から入射するように各々所定角度傾斜させてチャンバ2に設置されている。駆動手段7は、制御装置8によって制御されている。制御装置8は、回転軸4を所定の回転速度に回転可能に構成されている。すなわち、使用者は、基板Wを所望の回転速度、及び回転周期で回転させることができる。制御装置8は、成膜装置1の仕様等によって決定されるスパッタ成膜速度と、使用者が所望する成膜膜厚から、スパッタ成膜時間T秒を計算する機能を有する。さらに、制御装置8は、計算されたスパッタ時間Tに応じて、回転周期P秒を決定する機能を有する。ここで、回転周期Pとは、基板支持台3が1回転するのに要する時間秒であり、基板支持台3の回転速度をSrpm回転/分とすると、P=60/Sで計算される値である。制御装置8は、スパッタ成膜時間Tが、回転周期Pの整数倍となるように制御する。つまり、スパッタ成膜時間をTとすると、回転周期Pは、以下の数式1ように計算される。nは整数を表わす。T=n×P1すなわち、以下の数式2で、回転周期Pが計算される。P=1/n×T2このような方法で算出された回転周期Pとなるような回転速度Sで基板支持台3を回転させる制御を行うことによって、基板支持台3基板Wは、スパッタ成膜時間Tの間に正確にn回転する。言い換えれば、スパッタ成膜時間Tの間、基板支持台3が一定速度で正確に360×n°回転するように、回転周期P回転速度Sが決定される。当然のことながら、スパッタ成膜が行われる時間スパッタ成膜時間Tも正確に制御される。消費電力や駆動手段7の寿命を考慮すると、回転速度Sは遅いこと回転周期Pは長いことが好ましい。つまり、nは小さい整数であることが好ましい。しかしながら、回転周期Pが長すぎる場合、すなわち回転速度Sが遅くなりすぎることによって、膜厚均一度及び駆動モータの振動等の問題が生じるため、最長回転周期Pmax最低回転速度を設定しておくことが好ましい。計算された回転周期Pが、最長回転周期Pmaxに満たない場合は、上記計算式のnの値を順次大きくすることによって最長回転周期Pmaxを超えないようにする再計算を行う。一方、駆動手段7の仕様によって最短回転周期Pmin最高回転速度を設定することが好ましい。n=1とした場合でも、最短回転周期Pminを下回る回転周期Pが計算された場合は、図示しない表示装置に警告を表示後、最短回転周期Pminで処理を行う。また、スパッタ成膜時間Tがある程度予測できる場合は、予め、スパッタ成膜時間Tに対する回転回数上記した計算式における整数nを定めておく方法としてもよい。例えば、スパッタ成膜時間Tが60秒以下であると予測できる場合は、スパッタ成膜時間が1秒以上30秒未満の場合は、スパッタ成膜時間Tで基板支持台3を1回転させるように制御するように定める。また、スパッタ成膜時間Tが30秒以上60秒以下の場合は、スパッタ成膜時間Tで、基板支持台3を2回転させるように制御するように定める。このようなデータテーブルを用意することで、より容易に回転周期P回転速度Sを計算することができる。例えば、上述したようなデータテーブルの場合、スパッタ成膜時間Tが50秒と計算された場合、基板支持台3を2回転させるように制御を行う。つまり、回転周期Pは、50秒/2回転=25秒と算出される。また、基板支持台3を所定の回転速度Sで回転させる場合、実際の処理室滞在時間には、所定の回転速度Sまで加速させる時間加速時間、及び減速させる時間減速時間が必要となる。更なる処理室滞在時間の短縮のため、以下のような方法で加速時間及び減速時間においてもスパッタ成膜を行うことが好ましい。つまり、加速時間における加速度を一定にするとともに、減速時間における加速度を一定にし、かつ、加速時間の加速度と減速時間の加速度の絶対値を等しくするように加速減速を行わせることによって、加速時間及び減速時間においてもスパッタ成膜を行う。加速時の膜厚分布は偏ったものとなるが、減速時の膜厚分布の偏りがそれを補完する。以上のような方法により、加速減速中にもスパッタ成膜を行うことができるため、膜厚分布を悪化させることなく、処理室滞在時間を短縮させることができる。ただし、加速時間及び減速時間は、回転速度Sの回転周期Pの整数倍とする必要がある。以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。<実施例1>実施例1では、図1、2に示す成膜装置1を用い、Cu膜を成膜した。基板Wとして、φ300mmのSiウエハを用いた。また、ターゲットとして、Cuの組成比が99で、スパッタ面の径がφ125mmに作製したものを用いた。成膜するCu膜の膜厚は1.5μmとした。まず、成膜装置1のスパッタ速度と、形成するCu膜の膜厚から、スパッタ成膜時間を計算した。スパッタ成膜時間は1.5秒となった。この1.5秒間で、基板支持台3を1回転させるとすると、P=1/n×Tより、回転周期Pは1/1×1.5=1.5秒40rpmとなる。この条件で成膜を行ったところ、1.5秒の成膜時間で、基板支持台3が正確に1回転するため、膜厚均一度の高い成膜を行うことができた。<比較例1>回転周期P回転速度を制御しないこと以外は、実施例1と同様の方法で成膜を行った。回転周期Pは1秒回転速度60rpmとした。成膜装置1が同じであるため、スパッタ成膜時間Tは1.5秒である。この条件で成膜を行ったところ、1.5秒の成膜時間で、基板支持台3が1.5回転するため、膜厚分布が大きく損なわれる結果となった。以上のように、実施例1と比較例1とを比較すると、同じスパッタ成膜時間Tでありながら、実施例1の方が膜厚均一度の高い成膜を実現することができた。<実施例2>実施例2では、図1に示す成膜装置1を用い、Cu膜を成膜した。基板Wとして、φ300mmのSiウエハを用いた。また、ターゲットとして、Cuの組成比が99で、スパッタ面の径がφ125mmに作製したものを用いた。成膜するCu膜の膜厚は180μmとした。つまり、実施例1と比較して、Cu膜の膜厚を厚くした。また、最短回転周期を1秒60rpm、最長回転周期を60秒1rpmと設定した上で、以下に記すようなデータテーブルを準備した。1≦T≦10秒:n=1回転10<T≦20秒:n=2回転20<T≦60秒:n=3回転60<T≦120秒:n=4回転120<T≦300秒:n=5回転まず、成膜装置1のスパッタ速度と、形成するCu膜の膜厚から、スパッタ成膜時間を計算した。スパッタ成膜時間は120秒となった。上記したデータテーブルより、スパッタ成膜時間Tの間に回転する基板支持台3の回転回数は4となる。前記した式、P=1/n×Tより、回転周期Pは1/4×120=30秒となる。回転周期P=30秒の回転を、回転速度に換算すると、2rpm回転/分である。本実施例で使用される成膜装置は、回転速度2rpmまで加速するのに要する時間、及び2rpmから基板支持台3を停止させるまでに要する時間は、それぞれ2秒であるため、図3に示すように、1枚当たりの処理室滞在時間は、1204=124秒となった。<実施例3>基板支持台3の加速中、及び基板支持台3の減速中においてもスパッタ成膜を行うこと以外は、実施例2と同様の方法で成膜を行った。基板支持台3を2rpmまで加速するのに必要な時間は2秒であるが、加速時間、及び減速時間は、少なくとも2rpmにおける回転周期P=30秒の整数倍とする必要があるため、加速時間及び減速時間はそれぞれ30秒とした。また、加速中の加速度と減速中の加速度は一定であり、かつ、加速中の加速度と減速中の加速度の絶対値が等しくなるように、加速、減速を行った。図4に示すように、加速減速中になされたスパッタ成膜は、回転速度2rpmでのスパッタ成膜における60秒のスパッタ成膜に相当する。よって、計算されたスパッタ成膜時間を、120秒から60秒に短縮することができる。よって、1枚当たりの処理室滞在時間は、6060=120秒となった。<比較例2>従来の方法で、成膜を行った。成膜時間は、実施例と同様に120秒である。一方、ステージ回転速度は、60rpm回転周期1秒とした。また、60rpmまで加速するのに必要な時間は30秒であり、60rpmから停止させるのに必要な時間も30秒である。この場合、ステージ回転速度が十分に速いため、膜厚均一度には問題はなかった。1枚当たりの処理室滞在時間は、12030×2=180秒となる。実施例2と比較例2を比較すると、1枚当たりの処理室滞在時間は、180秒-120秒=60秒と、比較例2の方が大幅に時間がかかる結果となった。これは、基板支持台3を所定の回転速度まで加速する時間、及び停止させるために減速する時間の差によるものである。また、スパッタ時間Tで、基板支持台3が正確に2回転するように制御することによって、回転速度が比較例2よりも遅いにもかかわらず、膜厚均一度に問題はない。さらに、実施例3のように、加速中及び減速中においても、スパッタ成膜を行うことによって、実施例2に対して更に4秒の処理時間の短縮が可能となる。"