レーザ光を出力するレーザ素子であって、基板と、前記基板の表面と垂直な方向に順次形成された下部反射層及び上部反射層と、前記下部反射層及び前記上部反射層の間に形成された活性層と、前記活性層に流れる電流を狭窄する電流狭窄層とを備え、前記電流狭窄層は、前記基板の表面と平行な平行面における前記電流狭窄層の端部から、前記平行面に沿って前記電流狭窄層の中心に向かう方向に延伸して形成され、前記中心側に設けられた先端部と前記端部との間に屈曲点が無いか、または、複数の前記屈曲点が形成された酸化層を有するレーザ素子。前記酸化層は、前記先端部から前記端部に向かって厚さが一定の割合で増加する請求項1に記載のレーザ素子。前記酸化層は、前記平行面に関して上下対称である請求項1または2に記載のレーザ素子。前記酸化層は、前記平行面に関して上下非対称である請求項1または2に記載のレーザ素子。前記酸化層は、前記平行面の上側が下側に比べて層の厚さが厚い請求項4に記載のレーザ素子。前記酸化層は、下面が前記平行面を含む請求項5に記載のレーザ素子。前記電流狭窄層は、AlxGa1-xAs0<x<1を含む第1の層と、前記第1の層の上方に形成されたAlyGa1-yAs0<y<1、x>yを含む第2の層とを有する請求項1から6のいずれか一項に記載のレーザ素子。前記第2の層の厚さは前記第1の層の厚さより厚い請求項7に記載のレーザ素子。前記第2の層は、デジタルアロイを含む請求項7または8に記載のレーザ素子。基材と、請求項1から9のいずれか一項に記載のレーザ素子が、前記基材に一次元または二次元のアレイ状に設けられたレーザ素子アレイ。請求項1から9のいずれか一項に記載のレーザ素子と、前記レーザ素子に印加する電圧を制御する制御回路と、を備える光源。請求項1から9のいずれか一項に記載のレーザ素子と、前記レーザ光を伝搬する光導波路と、前記レーザ素子及び前記光導波路を光学的に結合する光結合部と、を備える光モジュール。しかし、イオン注入する方法は工程が複雑で製造歩留まりが悪い。また、テーパー形状の酸化層は、テーパー部と平坦部との境界に傾きが不連続的に変化する屈曲点が存在するため、熱応力が当該屈曲点に集中し酸化層が破壊されやすい。本発明の第1の態様においては、レーザ光を出力するレーザ素子であって、基板と、基板の表面と垂直な方向に順次形成された下部反射層及び上部反射層と、下部反射層及び上部反射層の間に形成された活性層と、活性層に流れる電流を狭窄する電流狭窄層とを備え、電流狭窄層は、基板の表面と平行な平行面における電流狭窄層の端部から、平行面に沿って電流狭窄層の中心に向かう方向に延伸して形成され、中心側に設けられた先端部と端部との間に屈曲点が無いか、または、複数の屈曲点が形成された酸化層を有するレーザ素子が提供される。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1は、本発明の第1実施形態に係る面発光レーザ素子100の断面斜視図である。面発光レーザ素子100は、基板20と、下部反射層30と、n型クラッド層40と、活性層50と、p型クラッド層60と、電流狭窄層70と、p型クラッド層80と、上部反射層90とを備える。基板20は、その表面に順次積層されるエピタキシャル層を支持する。基板20は、面方位100のn型GaAs基板であってよい。下部反射層30は、上部反射層90との間でレーザ光を共振させる。下部反射層30は、n型DBRミラーであってよい。n型DBRミラーは、面発光レーザの発振波長をλ、材料の屈折率をnとすると、層厚がそれぞれλ/4nのn型Al0.9Ga0.1As層とn型GaAs層とのペアを35.5ペア積層して形成された多層膜であってよい。ここでnは、それぞれの層の屈折率である。上部反射層90は、p型DBRミラーであってよい。p型DBRミラーは、層厚がそれぞれλ/4nのp型Al0.9Ga0.1As層とp型GaAs層とのペアを23ペア積層して形成された多層膜であってよい。活性層50は、下部反射層30及び上部反射層90の間に形成される。活性層50は、ひとつまたは複数の量子井戸層を有してよい。量子井戸層は、GaInNAs、GaInNAsSb、GaAsSb、InGaAsのいずれかであってよい。例えば、活性層50は、GaIn0.37N0.01Asを含む3つの量子井戸層を有してよい。各量子井戸層の厚さは約7.3nmであってよい。活性層50は、光定在波の腹の位置に形成されるように、中央の量子井戸層が下部反射層30の上面からλ/2Nだけ離れた位置に配置されてよい。ここで、Nは共振器の平均屈折率である。n型クラッド層40は、活性層50の下に形成される。p型クラッド層60は、活性層50の上に形成される。n型クラッド層40およびp型クラッド層60は、活性層50よりバンドギャップが大きい。p型クラッド層80は、電流狭窄層70を介して、p型クラッド層60の上に形成される。p型クラッド層80は、電流狭窄層70における電流狭窄部74を介してp型クラッド層60と連結される。p型クラッド層80は、p型クラッド層60と同一の材料で形成されてよい。n型クラッド層40は、n型GaAsクラッド層であってよい。p型クラッド層60及びp型クラッド層80はp型GaAsクラッド層であってよい。n型クラッド層40からp型クラッド層80は、平均の屈折率をNとすると、トータルの厚さがλ/Nになるように積層される。この場合、n型クラッド層40、p型クラッド層60及びp型クラッド層80が、下部反射層30と上部反射層90とに挟まれて共振器長がλ/Nの光共振器が形成される。電流狭窄層70は、活性層50に流れる電流を狭窄する。電流狭窄層70は、基板20の表面と平行な面における略中央に位置する円板状の電流狭窄部74と、電流狭窄部74の外周側において選択酸化によって形成された円環形状の酸化層72とを有する。電流狭窄部74は、酸化層72に形成された開口部分を指す。つまり、電流狭窄部74は、p型クラッド層60およびp型クラッド層80を連結する。電流狭窄部74は、p型のAlGaAsであってよい。n型クラッド層40から上部反射層90まではメサポスト構造を有してよい。このメサポストは例えばポリイミド層32に埋め込んで固定されてよい。上部反射層90及びポリイミド層32の上面にはp型電極34が形成されている。p型電極34は、Ti/Pt/Auの積層構造を有してよい。p型電極34はレーザ光が出射するアパーチャ92を有する。基板20の裏面にはn型電極10が形成される。n型電極10は、AuGeNi/Auの積層構造を有してよい。図2は、面発光レーザ素子100の積層構造を詳細に示す断面図である。電流狭窄層70は、基板20の表面と平行な平行面85における電流狭窄層70の端部73から、平行面85に沿って電流狭窄層70の中心に向かう方向に延伸して形成された酸化層72を有する。ここで、平行面85とは、基板20の表面と平行でかつ電流狭窄層70の中心を通る面を指す。また、電流狭窄層70の端部73とは、メサポストの側面と酸化層72が接する部分を指す。酸化層72は、端部73から先端部71まで、ほぼ屈曲点が無い。ここで、屈曲点とは、先端部71を除く酸化層72の上面または下面において、面の傾斜が不連続に変化する点を指す。なお、当該屈曲点には、酸化層72の上側の稜線と、下側の稜線とが交わる点を含めない。つまり、酸化層72は、先端部分以外に屈曲点を有さない。酸化層72をこのように構成することにより、酸化層72を厚くしつつ、熱応力が特定の箇所に集中することを防ぐことができる。図3は、従来のテーパー形状を有する酸化層12の断面図を示す。酸化層12は上面側にテーパー部14と平坦部16を有する。テーパー部14および平坦部16は、それぞれ異なる傾きを有するので、酸化層12は、テーパー部14と平坦部16との境界に屈曲点13を有する。図3に示す酸化層12は、厚さ10nmのAlAs層及び厚さ140nmのAl0.82GaAs層を順に積層した積層体を酸化して形成されている。なお、Al0.82GaAs層に接して厚さ70nmのGaAs層が形成されている。メサポストの側面から水蒸気により酸化を行うと、メサポストの側面から中心方向に向かって酸化が進む。Al0.82GaAs層に比べAlAs層の方がAlの組成比が大きいので酸化が速く進み、先端部11が形成される。Al0.82GaAs層の酸化は、酸化されたAlAs層の領域から順次進行するので、酸化層12のテーパー部14が形成される。なお、Al0.82GaAsの基板と垂直方向の酸化はGaAs層があるため進行しない。一例として、酸化層12の端部15から先端部11までの長さは約12μmである。酸化層12の端部15での厚さは約150nmである。酸化層12のテーパー部14の水平方向の長さは約4μmである。テーパー部14の傾斜角度θは2°~10°である。従来の酸化層12は、屈曲点13を上面側に一つだけ有している。したがって、熱応力が屈曲点13に集中することとなり、熱衝撃により酸化層12が破壊されやすい。図4は、酸化層72のひとつの例を示す断面図である。酸化層72は、基板20の表面と平行な断面における、酸化層72の中心側に設けられた先端部71と端部73との間に屈曲点を有さ無い。また、本例の酸化層72は、先端部71から端部73に向かって厚さが一定の割合で増加する。酸化層72は、基板20の表面と平行な平行面85に対して第1の傾きを有する上面75と、平行面85に対して第2の傾きを有する下面76を有する。本例において、第1の傾きと第2の傾きの絶対値は等しい。例えば、酸化層72は、基板20の表面と垂直な面で、且つ、酸化層72の中心を通る面において、頂点が対向する2つの二等辺三角形に近い断面形状を有してよい。つまり、酸化層72は、平行面85に関して上下対称である。第1の傾きを形成する角度θは、酸化層72が有するべき容量、メサポストの直径及び電流狭窄部74の開口の直径に応じて選択してよい。メサポストの直径および電流狭窄部74の開口の直径により、酸化層72の平行面85における長さが定まる。また、酸化層72が有するべき容量は、酸化層72の厚さを長さ方向において積分した値に依存するので、酸化層72が有するべき容量が定まれば、酸化層72の角度θを決定できる。一例として、端部73における酸化層72の厚さが50nmから200nmであり、メサポストの直径が約30μm、電流狭窄部74の開口の直径が約6μmの場合、角度θは0.1°から1°であってよい。図5は、酸化層72の他の例を示す断面図である。図5に示す酸化層72は、図4に示した酸化層72に対して、上面75の角度および下面76の傾きの絶対値が互いに異なる点で相違する。他の構造は、図4に示した酸化層72と同一であってよい。つまり、本例では、酸化層72は、平行面85に関して上下非対称である。具体的には、本例の酸化層72は、上面75の傾きの絶対値は、下面76の傾きの絶対値より大きい。つまり、本例の酸化層72は、平行面85の上側に形成された領域が、下側に形成された領域に比べて厚く形成される。酸化層72は以下で詳述するようにAlの組成比の異なるAlxGa1-xAs層を複数層堆積して構成される。AlxGa1-xAs層を酸化すると、Al2O3になる。この際、熱膨張率の違いにより、Al2O3の体積が収縮し、酸化層72は引っ張り歪みを有するようになる。この歪みに起因して活性層50に転位が発生する。酸化層72の下側を上側に比べ薄く形成することにより、活性層50への歪みの影響を小さくすることができる。その結果、活性層50において転位の発生を抑制することができる。酸化層72をこのように構成しても、容量を低減しつつ熱衝撃に強い面発光レーザ素子100を提供することができる。変形例において、酸化層72は、平行面85の下側が上側に比べて厚くてもよい。図6は、酸化層72の他の例を示す断面図である。図6に示す酸化層72は、図4に示した酸化層72に対して、下面76の傾きが略ゼロである点で相違する。他の構造は、図4に示した酸化層72と同一であってよい。下面76は、平行面85に含まれてよい。本例の酸化層72は、平行面85の上側のみが酸化されているので、活性層50への歪みの影響をより低減できる。酸化層72をこのように構成しても、容量を低減しつつ熱衝撃に強い面発光レーザ素子100を提供することができる。図7は、酸化層72の他の例を示す断面図である。酸化層72は、上面75または下面76の少なくとも一方において、先端部71と端部73との間に複数の屈曲点本例では屈曲点81、屈曲点82が形成されている。つまり、本例の酸化層72は、先端部71から端部73に向かって厚さの増加の割合が一定ではない。本例の酸化層72は、上面75に2つの屈曲点81、82を有する。また、本例の酸化層72は、下面76に屈曲点を有しない。具体的には、酸化層72の上面75は、平行面85に対して第1の傾きαを有する面77と、平行面85に対して第2の傾きβを有する面78と、平行面85に対して第3の傾きγを有する面79とを有する。それぞれの傾きの絶対値は、γ<β<αの関係を有する。なお屈曲点の数は2つに限定されない。このように、酸化層72の同一面において屈曲点を複数個形成することで、図3に示した酸化層12の構造に比べ、応力の分散することができる。つまり、酸化層72の各屈曲点に応力が分散するので、容量を低減しつつ熱衝撃に強い面発光レーザ素子100を提供することができる。次に、第1の実施形態に係る面発光レーザ素子100の製造方法について説明する。最初に、図1に示した面発光レーザ素子100の全体の製造工程を説明する。まず、面方位100のn型GaAs基板20を用意する。次に、分子線ビームエピタキシーMBE法、有機金属気相成長法MOCVD法等により、基板20上に、下部反射層30、n型クラッド層40、活性層50、p型クラッド層60、電流狭窄層70、p型クラッド層80、上部反射層90を順次エピタキシャル成長させる。次に、プラズマCVD法により上部反射層90の表面全体にシリコン窒化膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術及び反応性イオンエッチングRIE法により、例えば、直径約30μmの円形マスクパターンを形成する。次に、塩素ガスを用いた反応性イオンビームエッチングRIBE法によって、下部反射層30に達するまでエッチングし、メサポストを形成する。次に、水蒸気雰囲気中で400°Cに加熱し、放置することによって、電流狭窄層70を酸化して酸化層72を形成する。次に、RIE法によりシリコン窒化膜を完全に除去する。その後、メサポストの周囲にポリイミド層32を埋め込む。次に、プラズマCVD法におり、シリコン窒化膜を表面全体に形成する。その後、フォトリソグラフィー及びエッチングによりシリコン窒化膜を電極形状に除去し、Ti/Pt/Auの積層構造からなるp型電極34を形成する。最後に、基板20の裏面にAuGeNi/Auからなるn型電極10を蒸着する。図8は、電流狭窄層70において酸化層72を形成する工程を説明する断面図である。本例では図4に示した酸化層72を形成する場合を説明する。電流狭窄層70は、AlxGa1-xAs0<x<1を含む第1の層705と、第1の層705の上に形成されたAlyGa1-yAs0<y<1、x>yを含む第2の層708と、第1の層705の下に形成されたAlzGa1-zAs0<z<1、x>zを含む第3の層704を有する。第1の層705のAlの組成比は、第2の層708及び第3の層704のAlの組成比より大きい。第1の層705のAlの組成比は、電流狭窄層70において最も大きくてよい。第1の層705のAlの組成比は0.96~0.995であってよい。また、第2の層708及び第3の層704のAlの組成比は、0.7~0.85であってよい。本例において第2の層708及び第3の層704のAlの組成比は同一である。電流狭窄層70は、第3の層704の下に第1の層705から離れるに従いAlの組成比が徐々に減少する複数の層を有してよい。第3の層704とp型クラッド層60との間には、例えば、Al0.2Ga0.8As層701、Al0.4Ga0.6As層702、Al0.6Ga0.4As層703が基板20側から順次堆積されてよい。また、電流狭窄層70は、第2の層708の上に第1の層705から離れるに従いAlの組成比が徐々に減少する複数の層を有してよい。第2の層708と、p型クラッド層80との間には、例えば、Al0.6Ga0.4As層709、Al0.4Ga0.6As層710、Al0.2Ga0.8As層711が第2の層708側から順次堆積されてよい。第2の層708の厚さは第1の層705の厚さより厚い。また、第3の層704の厚さは第1の層705の厚さより厚い。第1の層705の厚さは、メサポストの直径を20μmから60μmとした場合、15nmから60nmであってよい。メサポストの直径が30μmの場合、第1の層705の厚さは25nmであってよい。また、第2の層708及び第3の層704の厚さは、30nmから100nmであってよい。本例では、第2の層708と第3の層704の層厚は等しい。尚、第2の層708及び第3の層704をAlGaAs/AlAsデジタルアロイで構成してもよい。上述した構造において、第1の層705の側面をメサポストの側面に露出させ、第1の層705の側面を介して電流狭窄層70を酸化させる。これにより、第1の層705においては、メサポストの側面から中心方向に向かって酸化が進行する。また、他の各層については、酸化された第1の層705の領域から、垂直方向に向かって酸化が進行する。第1の層705以外の層については、第1の層705が酸化されてから酸化が進行するので、酸化される期間が、メサポストの側面から離れるにしたがって短くなる。このため、各層における酸化層72の厚さは、Al組成に応じた傾きで、メサポストの側面から離れるにしたがって薄くなる。同一の層においてはAl組成が一定なので、酸化層72の傾きもほぼ一定となる。従って、第2の層708及び第3の層704の厚さを十分大きくすることで、端部73から中心に向かう方向に延伸し、中心側に設けられた先端部71と端部73との間に屈曲点がない酸化層72が形成される。本例では、第2の層708及び第3の層704は、等しいAl組成比及び十分大きい膜厚を有する。したがって、図4に示す上下対称な酸化層72が形成される。なお、酸化層72の先端部71とは、電流狭窄層70においてAl組成の最も高い第1の層705と、その上下の第2の層708および第3の層704との境界から、酸化層72の先端までの領域を指す。つまり、酸化層72において、第1の層705と他の層との境界から先端までの領域には、屈曲点が含まれてよい。他の例において、第2の層708と第3の層704とは、Al組成比及び膜厚が異なってもよい。具体的には、第3の層704は、第2の層708に比べより小さいAl組成比及びより薄い膜厚を有してよい。この場合、第3の層704の酸化速度ベクトルは第2の層708の酸化速度ベクトルより小さくなる。その結果、図5に示すような上下非対称な酸化層72が形成される。変形例において、第3の層704はGaAs層であってよい。この場合、第3の層704方向へは酸化が進行しない。その結果、図6に示すような下面76が平行面85を含む酸化層72が形成される。図9は、酸化層72を形成する工程の他の例を説明する断面図である。本例では図7に示した酸化層72を形成する場合を説明する。電流狭窄層70は、AlxGa1-xAs0<x<1を含む第1の層705と、第1の層705の上に形成されたAlyGa1-yAs0<y<1、y<xを含む第2の層708との間に、AlaGa1-aAs0<a<1、y<a<xを含む第4の層706及びAlbGa1-bAs0<b<1、y<b<aを含む第5の層707を有する点で、図8に示す例と異なる。第4の層706のAl組成比は、第1の層705のAl組成比より小さくかつ第2の層708のAl組成比より大きい。また、第5の層707のAl組成比は、第4の層706のAl組成比より小さくかつ第2の層708のAl組成比より大きい。第4の層706及び第5の層707の膜厚は、第1の層705の膜厚以上であり、かつ、第2の層708の膜厚以下である。例えば、第4の層706の膜厚は第1の層705の膜厚より厚く、かつ、第5の層707の膜厚は第4の層706の膜厚より厚い。各層の膜厚およびAl組成比を調整することで、酸化層72に複数の屈曲点を形成できる。例えば、第4の層706の膜厚を所定の厚さより薄くすることで、第4の層706および第5の層707の境界に屈曲点を形成できる。当該所定の厚さとは、第4の層706の酸化が開始されてから、酸化層72の形成が終了するまでの時間で、酸化の進行が第5の層707にまで達する程度の厚さを指す。酸化の進行速度は、第4の層706のAl組成比で定まるので、第4の層706のAl組成比および膜厚を調整することで、先端部71から端部73までの間の所望の箇所に屈曲点を形成できる。同様に、第5の層707のAl組成比および膜厚を調整することで、第5の層707および第2の層708の境界に屈曲点を形成できる。また、第2の層708の膜厚を十分厚くすることで、第5の層707および第2の層708の境界から、端部73までの間には屈曲点が形成されない。このように、電流狭窄層70における各層の厚みおよびAl組成比を調整することで、多様な形状の酸化層72を形成できる。このため、酸化層72における応力を分散することができる。なお、屈曲点の個数は、2個に限定されない。また、酸化層72の下側面に複数の屈曲点を形成してよく、酸化層72の上下両面に複数の屈曲点を形成してもよい。図10は、図3に示す従来の酸化層12と、図4に示す本願発明の酸化層72について、複数のサンプルにおいて熱衝撃試験を行った結果を示す。従来の酸化層12は、約280°Cから壊れ始め、約330°Cで半数が壊れ、約350°Cで全部が壊れている。これは、AlGaAsとAl2O3という熱膨張係数の異なる界面で温度が変化したときに、従来の酸化層12は屈曲点がひとつしか存在しないため、熱応力が集中し、熱衝撃によって酸化層が壊れたためであると考えられる。これに対して、本願の酸化層72では、従来の酸化層12が全部壊れた350°Cにおいて全く壊れていない。温度が約400°Cでも半数が壊れずに残っており、約420°Cでようやく全部が壊れている。これは、本願の酸化層72は屈曲点を有しないため、AlGaAsとAl2O3の界面において熱応力の集中が生じないためであると考えられる。本願発明の酸化層72によれば、容量を低減しつつ熱衝撃に強い面発光レーザ素子を提供できる。また、複雑な製造工程を必要としないため製造歩留まりを向上させることができる。結果として、25~45Gbpsの高速動作が可能な信頼性の高い面発光レーザ素子を提供できる。図11は、本発明の第2の実施形態に係る面発光レーザアレイ装置200を示す。面発光レーザアレイ装置200は、基材210と、面発光レーザアレイ240と、電極パッド220と、制御回路230とを備える。基材210は略中央部に面発光レーザアレイ240及び周囲に複数の電極パッド220を有し、ひとつのチップを構成する。面発光レーザアレイ240には、面発光レーザ素子100が二次元アレイ状に設けられている。それぞれの電極パッド220は面発光レーザアレイ240のそれぞれの面発光レーザ素子100と配線によって接続されている。制御回路230は、基材210の外部に設けられる。制御回路230は、電極パッド220を通じて、面発光レーザアレイ240の各面発光レーザ素子100の発光を制御する。つまり、制御回路230は、電極パッド220を介して、面発光レーザアレイ240の各面発光レーザ素子100にバイアス電圧と変調電圧を印加する。面発光レーザ素子100は、電圧の印加に応じてその上部から所定の波長のレーザ光を出射する。図12は、本発明の第3実施形態に係る光モジュール300を示す。光モジュール300は、面発光レーザ素子100と、光結合部310と、レーザ光を伝搬する光ファイバ330と、検出部340と、制御回路230と、保持部320とを備える。面発光レーザ素子100は、保持部320に固定される。光結合部310は、プリズム状の三角柱形状を有する透明な樹脂から形成される。光結合部310は、面発光レーザ素子100に対向する受光面と、光ファイバ330に対向する出射面と、受光面及び出射面と45度の角度で交わる反射面を有する。光結合部310は、面発光レーザ素子100が出射したレーザ光を受光面で受け取り、反射面で反射し出射面から出射して光ファイバ330に結合させる。つまり、光結合部310は、面発光レーザ素子100と光ファイバ330とを光学的に結合する。出射面から出射されたレーザ光は、光ファイバ330内を伝搬する。検出部340は、光結合部310の反射面を透過した光をモニターする。検出部340は光信号を電気信号に変換し制御回路230に送信する。制御回路230は、検出部340からの信号に基づいて面発光レーザ素子100をフィードバック制御する。光結合部310は、面発光レーザ素子100からのレーザ光を光ファイバ330の方向に反射させる、鏡面加工された反射膜であってもよい。また、光結合部310は、面発光レーザ素子100からのレーザ光を、光ファイバ330に集光させるレンズであっても。例えば面発光レーザ素子100および光ファイバ330が対向して配置される場合、光結合部310は、面発光レーザ素子100および光ファイバ330の間に配置される。図13は、光モジュール300の他の例を示す。本例では、光ファイバ330の端面が光軸に対して略45度傾斜するように加工され光結合部310を構成している。端面には反射膜が形成され鏡面加工されている。面発光レーザ素子100は、保持部320によって光結合部310の下方に位置するように位置決めされている。制御回路230により電圧が印加されると、面発光レーザ素子100は上方に向かってレーザ光を出射する。出射されたレーザ光は光結合部310で反射されて光ファイバ330に結合し、光ファイバ330内を伝搬する。なお、光結合部310は、図12および図13に示した構成以外にも、多様な構成を採用できる。例えば光結合部310は、光ファイバ330の心線の一端を光ファイバ330の本体に対向させ、他端を面発光レーザ素子100に対向して固定するハウジングを有してよい。図14は、本発明の第4の実施形態に係る光通信システム400を示す。光通信システム400は、2つの光送受信モジュール410-1、410-2を備える。2つの光送受信モジュール410-1、410-2は2本の光ファイバ330を介して接続される。光送受信モジュール410-1は、面発光レーザ素子100を有する光モジュール300-1と、受光素子420-1を有する。光モジュール300-1は面発光レーザ素子100が出射したレーザ光を、光ファイバ330を介して送信する。受光素子420-1は、光ファイバ330を介して送信された光信号を受信して、電気信号に変換する。光送受信モジュール420-2は、面発光レーザ素子100を有する光モジュール300-2と、受光素子420-2を有する。光送受信モジュール420-2は、光モジュール300と受光素子420との位置関係が逆になっていることを除いて光送受信モジュール420-1と同様の構成を有する。図15は、本発明の第5の実施形態に係る光源500を示す。ここで、光源500として光ピックアップ用の光源を例に説明するが、これに限定されない。光源500は、面発光レーザ素子100と、基板520と、回折格子530と、ハーフミラー540と、レンズ550と、検出部560と、制御回路230とを備える。面発光レーザ素子100は基板520上に実装されている。面発光レーザ素子100の上方にはハーフミラー540が設けられている。ハーフミラー540と面発光レーザ素子100との間には回折格子530が設けられている。レンズ550はハーフミラー540で反射したレーザ光を外部の光記憶媒体510に集光する。検出部560はハーフミラー540を挟んでレンズ550と反対側に設けられている。制御回路230は面発光レーザ素子100にバイアス電圧と変調電圧を印加する。面発光レーザ素子100は、制御回路230からの電圧印加に応じて上部からレーザ光を出射する。ハーフミラー540は、回折格子530を通過したレーザ光をレンズ550の方向に反射する。レンズ550は、ハーフミラー540で反射したレーザ光を光記憶媒体510の所定の位置に集光させる。検出部560は、光記憶媒体510から反射した光を受光する。検出部560は受光した光信号を電気信号に変換する。変換された電気信号は、外部のパーソナルコンピュータ等に送信され情報の読み出しが行われる。面発光レーザ素子100は光ピックアップ以外に、測量機器、レーザーポインター、光学マウスなどの光学機器、あるいはプリンタ、フォトレジストの走査露光用光源、レーザポンピング用光源や、加工用ファイバレーザの光源として用いてもよい。図16は、本発明の第6の実施形態に係る波長多重伝送システム600を示す。波長多重伝送システム600は、分波部630と、受信部640と、制御部610と、面発光レーザアレイ240と、合波部620とを備える。制御部610は、CPU、MPU、波長制御回路等を有する。面発光レーザアレイ240は発振波長が互いに異なる面発光レーザ素子100を一次元または二次元のアレイ状に配列して構成される。制御部610は、面発光レーザアレイ240に駆動電力を与えるとともに、面発光レーザアレイ240を構成する各面発光レーザ素子100に互いに異なる信号を与えて光信号を出力させる。合波部620は光ファイバにより伝送された各光信号を波長多重合波して一本の光ファイバに結合し、送信信号として通信対象に伝送する。分波部630は通信対象から光ファイバを介して伝送された波長多重合波された受信信号を波長ごとに分波し、各光信号を受信部640に伝送する。受信部640は複数の受光素子を有する。各受光素子は、各光信号を受光して電気信号に変換し、各電気信号を制御部610に伝送する。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。