"圧力感知ホースアセンブリは、第1及び第2導電層を有するホースを含んでいるホースアセンブリと、ホースアセンブリの第1及び第2導電層に電気的に接続された回路と、電気的応答を受信し、かつ、電気的応答に基づいてホースアセンブリ内の圧力を推定するように構成されたコンピュータシステム、を含み、前記回路は、ホースアセンブリの第1及び第2導電層にわたって電気信号を発生させ、ホースアセンブリは電気信号に対する電気的応答を発生させることを特徴とする圧力感知ホースアセンブリ。圧力はホースアセンブリ内の流体油圧圧力であることを特徴とする請求項1に記載の圧力感知ホースアセンブリ。コンピュータシステムは、ホースアセンブリの壁厚を推定するためのアルゴリズムを適用するように構成されており、コンピュータシステムは、さらに、経時的な壁厚の変化に基づいて圧力を推定するためのヒステリシスモデルを適用するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力感知ホースアセンブリ。第1及び第2導電層は、内側及び外側に同心円状に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力感知ホースアセンブリ。圧力感知ホースアセンブリは、さらに、第1及び第2導電層との間に位置される絶縁弾性層を含むことを特徴とする請求項4に記載の圧力感知ホースアセンブリ。壁厚は絶縁弾性層の厚みを含むことを特徴とする請求項5に記載の圧力感知ホースアセンブリ。弾性層の厚みは、ホースアセンブリ及びホースアセンブリの1つ以上の物理的特性にわたる電気的応答に基づいて計算されることを特徴とする請求項6に記載の圧力感知ホースアセンブリ。ホースアセンブリの1つ以上の物理的特性は、ホースの長さと第1及び第2導電層の半径を含むことを特徴とする請求項7に記載の圧力感知ホースアセンブリ。ホースアセンブリの1つ以上の物理的特性は、ホースアセンブリに用いられる材料を含むことを特徴とする請求項7に記載の圧力感知ホースアセンブリ。回路は、電源及びスカラー抵抗を含んでいる監視回路を含むことを特徴とする請求項1に記載の圧力感知ホースアセンブリ。ホースアセンブリの内部圧力を感知する方法であって、該方法は、電気信号をホースアセンブリに印加すること、電気信号に対するホースアセンブリの応答に基づいて、ホースアセンブリの少なくとも1つの電気的特性を計算すること、及び、電気的特性に少なくとも部分的に基づいて、ホースアセンブリ内の圧力を推定すること、を含むことを特徴とする方法。電気信号をホースアセンブリに印加することは、監視回路を用いてホースアセンブリの第1及び第2導電層にわたる電圧を印加することを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。監視回路は電源及びスカラー抵抗を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。ホースアセンブリの少なくとも1つの電気的特性を計算することは、ホースアセンブリの抵抗値を計算することを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。ホースアセンブリ内の圧力を推定することは、電気的特性に少なくとも部分的に基づいて、ホースアセンブリの壁厚の変化を推定すること、及び、ホースアセンブリ内の圧力を推定するために、ヒステリシスモデルを推定された壁厚の変化に適用すること、を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。ホースアセンブリの壁厚の変化を推定することは、抵抗値に少なくとも部分的に基づいていることを特徴とする請求項15に記載の方法。ホースアセンブリの少なくとも1つの電気的特性を計算することは、キャパシタンスを計算することを含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。ホースアセンブリの壁厚の変化を推定することは、抵抗値及びキャパシタンスに少なくとも部分的に基づいていることを特徴とする請求項17に記載の方法。ヒステリシスモデルは、ホースアセンブリに用いられる特定の一連の材料に対して実験的に決定されることを特徴とする請求項15に記載の方法。ヒステリシスモデルは、ホースアセンブリの第1導電層と第2導電層との間に位置される弾性層の厚み変化の応答性に関するものであることを特徴とする請求項15に記載の方法。ヒステリシスモデルは以下の方程式によって表現されることを特徴とする請求項20に記載の方法。ホースアセンブリの内部圧力を感知する方法であって、該方法は、弾性絶縁層によって分離されるホースアセンブリの同心の第1及び第2導電層にわたって電圧を印加すること、ホースアセンブリにわたる電圧降下を算定すること、ホースアセンブリにわたる電圧降下に基づいてホースアセンブリの抵抗値及びキャパシタンスを計算すること、抵抗値及びキャパシタンスに少なくとも部分的に基づいて、ホースアセンブリの壁厚の変化を推定すること、及び、ホースアセンブリ内の圧力を推定するために、ヒステリシスモデルを推定された壁厚の変化に適用すること、を含むことを特徴とする方法。本願は、添付図面において説明される本発明の開示の例示的な実施形態として詳細に作成されている。可能な限り、同一の参照番号は、すべての図を通して、同一または同等の要素を参照するように用いられている。一般的に、本発明における開示は、ホースアセンブリの内部圧力を測定するための方法とシステムに関するものである。ここで説明される様々な実施形態に従って、同心導電層を含んだホースアセンブリは、圧力によって変化する電気的応答を有する同軸ケーブルとしてモデル化される。導電層間の弾性層がヒステリシス効果を構成することにより、経時的なホースの電気的応答に基づいてホースアセンブリ内の現在の圧力を推定することが可能である。これは、油圧ホースのユーザーが、合理的な精度で、圧力計単体または他の計器を必要とせずに、ホース内の圧力を測定することを許容する。ここで図1を参照すると、概して参照番号10に指定された例示的なホース圧力測定システムが示されている。このホース圧力測定システム10は、概して参照番号12に指定されたホースアセンブリと、ホースアセンブリ12に電気的かつ物理的に連通した監視アセンブリ14と、を含む。ホース圧力測定システム10は、例えば、ホースアセンブリ12内部の現在圧力のようなホースアセンブリ12の現在の動作特性を算出するためか、または、ホースアセンブリ内の劣化及び/または故障を監視するために用いられる。ホースアセンブリ12は、概して参照番号16に指定された多層構造を有するホースを含む。本発明における実施形態において、ホース16は、概して、柔軟性があり、かつ、天然ゴムまたはプラスチックのようなポリマー材料、または、第1導電層20、中間層22、第2導電層24、及び外側カバー26の特定の適用の必要要件に応じた他の材料でできている内部チューブ18を含む。第1,2導電層20,24は、キャパシタンス,インダクタンス及び/または抵抗インピーダンスのようなホースアセンブリ12の電気的特性を定める。本発明における実施形態において、第1導電層20は内部チューブ18を覆い、かつ、中間層22は第1導電層20を覆う。第2導電層24は中間層22を覆う。第1,2導電層20,24は、補強層として構成されている。外側カバー26は、第2導電層24を覆い、かつ、例えば、天然ゴムまたはプラスチックの押出層を含むことができる。外側カバー26は、それ自体に補強層を含むことができる。中間層22は、第1,2導電層20,24を互いに少なくとも部分的に電気的に絶縁するように機能する。中間層22は、あらゆる様々な構造を有することができる。例えば、中間層22は、電気的な抵抗材料から成る単一層で構成することができる。中間層22は、さらに、少なくとも一つの層が電気的な絶縁特性を示す多層で構成することができる。ポリマー材料に結合された繊維織物のような特定の複合材料が、さらに、中間層22において用いられる。様々な他の構造を有する複合材料がさらに用いられる。複合材料は、さらに、中間層22を形成するように他の材料と結合して用いられる。第1,2導電層20,24は、概して、ホースの全長にわたって伸び、かつ、ホースの全周に及ぶ。これは、概して、導電層が、さらに、補強層として機能するときの場合である。中間層22は、さらに、ホースの全長及び全周にわたって伸びることが可能である。しかしながら、第1,2導電層20,24の少なくとも一つが、ホース長の一部分、及び/または、ホースの全周の一部分にわたってのみしか伸びていない場合がある。その場合においては、中間層22が、さらに、導電層20,24を部分的に含んでいるホースの部位にわたって概して伸びるように構成されている。部分的な中間層22は、第1,2導電層20,24を互いに隔てるようにホース内に位置されている。ここで図2,3を参照すると、第1,2導電層20,24は、例えば、図2に示されているような導電性のある網状の補強材料、または、図3に示されているような導電性のある螺旋状の補強材料を含むことができる。この網状の補強材料は、単一層から構成されるか、または、多層を含むことができる。2本のワイヤでの螺旋状の補強配置が図3に描写されているが、4本かつ6本のワイヤ配列のような他の形態でも用いられることは理解されたい。第1,2導電層20,24は同一の形態を各々有することができ、または、各層は異なった形態で構成される。例えば、第1,2導電層20,24は、図2に示されている網状の材料を各々含むことができる一方で、他の形態の第1,2導電層20,24は、図3に示されている螺旋状の材料を各々含むことができる。また、第1,2導電層20,24は、単一層または多層の補強材料を含むことができる。第1,2導電層20,24は、選択された材料に導電性がある、金属ワイヤ、天然または人工の繊維及び編物、及び他の補強材料から構成される。図1を再び参照すると、ホースアセンブリ12は、ホース16を他の部品に流体連結させるための概して参照番号30に指定されたホース継手を含む。このホース継手30は、特定の適用の必要要件に応じたあらゆる様々な構造を、少なくとも部分的に有することができる。本発明の実施形態において、ホース継手30は、ホース16の内側をはめ込む概して参照番号32に指定されたニップル、及び、ホース16の外側をはめ込む概して参照番号34に指定されたソケットを含む。このニップル32は、ホース16の内側チューブ18をはめ込む細長い円筒端部36を含む。ソケット34の円筒形状端部38は、ホース16の外側カバー26をはめ込む。ソケット34及びニップル32は、導電性材料から構成されている。ソケット34及びニップル32は、ホース16を覆っているソケット34の終端部38に波形をつけることによって、ホース16を確実に固定することができる。この波形処理は、ソケット34の端部38を変形させるため、ニップル32とソケット34との間のホース16を圧迫する。本発明の実施形態において、ホース16をはめ込むニップル32及びソケット34の一部分は、ホース継手30をホース16に確実に固定することを促進するためにソケット34が波形をつけられる場合に、比較的柔らかいホース材料に少なくとも部分的に深く留まる一連の鋸歯形状を含む。この鋸歯形状は、鋸歯形状が内側チューブ及び外側カバーを貫通して第1,2導電層20,24に接触することを防止するように構成されている。本発明の実施形態において、ソケット34は、ホース16の端部44に隣接したソケット34の端部42近くに位置される内部に伸びる環状突起40を含む。この突起40は、ソケット34をニップル32に確実に固定するために、突起40に対応するニップル32において形成された環状スロット46をはめ込む。突起40を有するソケット34の端部42は、ソケット34がニップル32に取付けられることを可能にするために、予めニップル32より大きく形成されている。組立工程の間に、ソケット34の端部42が波形をつけられ、ソケット34を変形させ、かつ、突起40を、突起40に対応するニップル32のスロット46にはめ込ませる。ソケット34は、突起40にスロット46をはめ込む部位においてソケット34とニップル32との間に電気的に絶縁するカラー48を配置することによって、ニップル32と電気的に絶縁されている。ホース継手30は、さらに、ニップル32に取付けられるナット50を含む。このナット50は、ホースアセンブリ12を他の部品に確実に固定するための手段を提供する。第1導電層20は、ホース16の内側チューブ18の端部を超えて伸びるように構成されている。第1導電層20は、ニップル32と第1導電層20との間に電気的接続をするためにニップル32にはめ込ませることができる。同様に、第2導電層24は、ホース16の外側カバー26の端部を超えて伸びるように構成されている。第2導電層24は、ソケット34と第2導電層24との間に電気的接続をするためにソケット34にはめ込ませることができる。ホース16の端部を超えて伸びる第1,2導電層20,24の一部分が互いに接触することを防止するために、電気的絶縁スペーサ52が、第1,2導電層20,24の露出された端部の間に配置されている。このスペーサ52は、ソケット34をニップル32から電気的に絶縁するために用いられるカラー48の一部として一体化して形成されている。スペーサ52が、さらに、内側チューブ18及び外側カバー26の端部を超えたホース16の中間層22を延長した付近に形成されている。スペーサ52は、さらに、カラー48及びホース16の中間層22と区別された単体の部品として構成されている。監視アセンブリ14は、あらゆる様々な構造を有することができる。概して、監視アセンブリ14は、図1に具体的に示されているホースアセンブリ12の一部分に接続可能である。監視アセンブリ14は、ホースアセンブリに組み込まれた場合、ホースアセンブリ12、特にニップル32とソケット34の各々に物理的かつ電気的な接続を形成する。概して、監視アセンブリ14は、ニップル32及びソケット34への接続を確認しながら、ホースアセンブリ12の電気的特性を検知する。例示的な監視アセンブリ14が、図4~17と関連して以下でより詳細に記述される。ここで図4,5を参照すると、ホースアセンブリ12、及び、監視アセンブリ14内に含まれる監視回路の概略図が提供されている。図4において、概略的に具現化した図であるホースアセンブリ100が示されている。このホースアセンブリ100は、同心の第1,2導電層102,104を各々備えた同軸ケーブルの外観を概略的に持つ。この第1,2導電層102,104は、本発明の実施形態において上記の図1~3の層20,24に相当する。弾性層106は、第1導電層102と第2導電層104との間に存在し、これら2つの層を電気的に隔てる絶縁体として機能する。従って、図5に示されているように、ホースアセンブリ100は、コンデンサ140と抵抗120の並列回路つまり同軸ケーブルの配置にモデル化されているとして表現される。図4において、弾性層106によって分離される導電層102,104の表面部分が、分離された抵抗要素と分離された蓄電板として機能することが示されている。その結果、図5に示されているように、監視回路200は、第1導電層に印加される電圧Vsensor202及び抵抗Rsensor204という形をとることができ、応答は、第2導電層において検知される。そのようなものとして、抵抗204とホースアセンブリ100との間の箇所の電圧Vhose抵抗120とコンデンサ140の並列回路によって概略的に表現されているは、抵抗Rsensor204の抵抗値の低下またはホースアセンブリ100に起因する全体の電圧Vsensor202の比率を示している。図4,5のホースアセンブリの電気的応答を算定するために、弾性層106の抵抗率ρ、弾性層106の誘電率ε、及び、ホースの全長Lを含めて、ホースアセンブリの様々な物理的特性が考慮される。また、導電層102,104の半径方向の位置が、各々を距離a,bとしてさらに、考慮される。そのようなものとして、電圧Vsensor202のような直流電圧が監視アセンブリ200において印加された場合、抵抗Rhose120とコンデンサChose140は以下の式によって表現される。そのようなものとして、ホースアセンブリ100内部の圧力が増加するにつれて、距離a及びbが変化することに基づいて、ホースアセンブリ100の抵抗120の抵抗値は減少するが、コンデンサ140のキャパシタンスは増大する。また、ホースアセンブリ100の静電容量効果により、ホースアセンブリ100は、経時的な電圧変化に応答する電気的特性を有する。具体的に言うと、ある電圧値が初めに用いられた場合、時間関数としてのホースの電圧応答は、以下に示されている分圧器とRC回路の方程式によって表現される。従って、スイッチが閉じられると、コンデンサを通過している電流は急上昇し、かつ、コンデンサが設定された直流電圧に完全にチャージされるまで指数関数的に減少する。コンデンサを設定電圧に完全にチャージするために要する時間は、時定数τによって決まり、このτは以下の式から定められる。図4,5において示されているモデルは、ホースアセンブリ内の圧力が一定である場合、ホースアセンブリの電気的応答の正確な推定を提供するが、ホースアセンブリ内の圧力が変化する場合、電気的特性の変化を勘定しない。特に、流体がホースを通過する場合に、内部圧力をホースの内壁に及ぼす。この内部圧力は、ホースの内壁に圧力をもたらし、それ故に、内壁を収縮させる。図6~9に示されているように、ホースアセンブリ100の様々な幾何学的特性は、ホースアセンブリ内の圧力変化に伴って変化する。図6において、ホースアセンブリの一つの壁の軸方向の断面図が、ホースアセンブリの中心軸から距離a,bに位置され、かつ、弾性層106によって区分けされている第1,2導電層102,104を含んで示されている。ホースアセンブリ内の圧力が変化すると、第1,2導電層102,104の両方は圧迫され、それぞれ異なる値Δa,Δbで厚みが変化する。さらに、図7に示されているように、弾性層106の厚みは、導電層が圧縮された距離の半分によって調整されるように、距離bとaつまり、ホースの中心軸から導電層102,104の各々の中心軸への距離との差として表現される。さらに、抵抗値及びキャパシタンスが距離の比率の自然対数lnb/aに比例するため、比例抵抗及び比例キャパシタンスは、弾性層の厚みの関数として表現される。図7に明確に示されているように、圧力が時間tの関数として変化するため、経時的な弾性層の厚み変化を示すX2tを変化させる。従って、これは弾性層の厚みT-X2tを変化させる。つまり、lnb/aの値は、以下に示すように、圧力変化に伴って時間とともに変化する。観測によると、圧力が増大するにつれて距離X2は減少し、それ故に、厚みT-X2tは減少する。さらに、抵抗値はΔR減少し、かつキャパシタンスはΔC増加する。特に、ホースの抵抗値は以下のように変化する。さらに、弾性層の厚み変化は、以下のように変化する。従って、ホースアセンブリの抵抗値及びキャパシタンスの両方は、ホースの内部圧力の変化に応じて変化する。具体的に図8を参照すると、図5で示されている配置と比較して、ホースアセンブリ100が修正された電気的な概略モデルが示されている。図に示されているように、ΔCとして示されている追加調整のキャパシタンス145、及び、追加調整の抵抗抵抗120の一部としてのΔRとして示されている抵抗が示されている。図8において、ホースアセンブリ100の整定時間が、ホースの現在圧力に従って同様に変化することを意味している。特に、ホースにわたる電圧降下の整定時間は、抵抗120Rhoseによって変化する。さらに、ホースの抵抗は、圧力の関数として経時的に変化する。これは、以下のような様々なホースのパラメータ及び感知された電圧の関数としての、弾性層106の厚みにおける変化のモデルを導く。感知される電圧の関数として上記の弾性層106厚み変化を推定することに加えて、これらと同様に観測される電圧に基づいて、ホースアセンブリ100内の圧力を推定することが可能である。しかしながら、弾性層106を隔離する弾性特性により、弾性層106の変位とホースアセンブリ100内の流体圧力の変位量との間の関係は、ヒステリシスモデルに追随するが、完全な相互関係があるわけではない。ここで図9を参照すると、グラフ300は、本発明の開示の実施形態に従って、ホースアセンブリ内に含まれる絶縁層の弾性反応性を示している観測されるヒステリシスの第1実験例を示している。この実験例は、図に示されているホースアセンブリの弾性層106に対するヒステリシスモデルを実験的に導き出すような、以下に概略が説明される表1の値を用いる。例えば、スイッチング入力圧力がホースアセンブリ100に印加され、かつ、電圧応答がホースアセンブリの抵抗効果及び静電容量効果を算定するために記録される。圧力入力のスイッチングに対するVhoseの応答の関数としてこの圧力測定及びキャパシタンスの計算から、以下のような関係性がグラフ300から推定される。さらに、ホースアセンブリの弾性層106の圧縮は、ホースアセンブリにおいて用いられる材料に関するパラメータにより決定される定数によって影響されるホースの圧力によって調整されるように、大気圧における弾性層106の厚みの関数として表現される。グラフ300に示されているように、圧力が0から1000psiまで増大すると、キャパシタンスは徐々に増加する。しかしながら、圧力が1000から0psiまで減少すると、キャパシタンスは徐々に減少し、かつ、ヒステリシス効果によりすぐに元の値に戻らない。図5,8において、特定の電圧分配回路が、抵抗120Rhoseが、抵抗120に接続されている第1導電層102、及び、グランドに接続されている第2導電層104を有するホースアセンブリ100の高電圧側に位置される箇所に示されているが、他の実施例においても、この回路配置が同様に用いられることを記しておく。例えば、この回路配置は、追加の構成要素が含まれる回路、または、電圧分配配置が反転されているつまり、抵抗120がホースアセンブリ100とグランドとの間に位置する回路において、用いられる。図10~12を参照すると、ヒステリシスの追加例が示されている。特に、図10において、周期的な高圧力の発生が示されている入力圧力波400が示されている。特に、この入力圧力波400は、約0.2から約1.2MPaまで、または約0から2000psiまでの変化を示している。図に示されているように、入力圧力波400は、低圧力状態402、圧力上昇状態404、高圧力状態406、及び、圧力降下状態408、を含む。図11は、経時的な圧力変化に対するホースの出力電圧Vhoseのグラフ500を描写している。本発明における開示を背景として、領域502つまり、入力圧力領域402への応答に相当する領域において示されているように、ホース内の圧力が約0psiである場合、ホースの出力電圧Vhoseは約4.5Vまたはそれ以上の電圧であることが推定される。しかしながら、ホース内の圧力が増大するにつれて例えば図11の領域404、電圧は領域504において徐々に降下する。最大圧力においても領域406において、電圧は領域506において減少し続ける。圧力降下領域において例えば領域408において、電圧は徐々に増加する領域508。図11に見られるように、同じ圧力値において、異なる電圧測定値が、ホースアセンブリ内の前の圧力に基づいて生じる。そのようなものとして、ヒステリシス曲線のグラフ600が、上述された図9に類似している変形モデルを定める図12に示されている。この変形モデルは、ホースアセンブリ100を形成するために用いられるそれぞれの一連の材料が実質的に決定される、1つ前の圧縮、現在の圧力Pt、及び、定数α及びβ、に基づいた経時的な弾性層の圧縮変化を監視する。特に、弾性層の圧縮変化は以下のように示される。そのようなものとして、ヒステリシスモデルは、経時的なホースアセンブリ100の監視された電圧応答に基づいて弾性層の現在の厚みを計算することができるように、応答が監視されホースの特性が知られている如何なるホースモデルに対しても適用され、その後に、ヒステリシスモデルを弾性層の厚みの計算結果に適用することによって、ホースアセンブリの内部圧力を推定する。ここで図13を参照すると、例示的な実施形態に従って、ホースアセンブリの内部圧力を感知し、かつ、計算するための方法700のフローチャートが示されている。この方法700は、ホースアセンブリ100に関連付けされている信号取得システムに通信可能に接続されたホースまたはコンピュータシステムに関連付けられたマイコンを用いて、様々な実施形態において実施される。ホースアセンブリ100から切り離されたコンピュータシステムが用いられる実施形態において、このコンピュータシステムは、1つ以上のホースモデルを管理するために用いられ、ホースの異常や機能不良を示す基準から外れた圧力または他の問題が検知されるような各ホースの推定圧力に関する更新を提供する。この実施形態において示されるように、方法700は、電源からホースアセンブリ導電層への電気信号を入力しステップ702、かつ、ホースアセンブリの応答を測定するステップ704ことを含む。これは、例えば、図5及び8において示されているような監視回路を用い、かつ時間関数として出力電圧Vhoseの変化を監視するため、ホースアセンブリをまたいだ電圧を印加することを含むことができる。方法700は、さらに、各時間において抵抗とキャパシタンスRt及びCtを含むため、例えば、図8において上記のように提供され説明された推定値を用いて、経時的なホースの電気的な特性を算定するように、信号処理アルゴリズムを出力電圧Vhoseに適用することステップ706を含むことができる。この実施形態に示されているように、方法700は、ホースアセンブリ100の導電層間に位置された弾性層の推定厚みを算定するために、経時的な抵抗及びキャパシタンスの計算された推定値に基づいてアルゴリズムを適用することを含むステップ708。これは、例えば、図8に関連して上述されるように、経時的な厚み変化X2tを算定すること、及び、弾性層106の厚みTへの影響を算定することを含む。ある実施形態において、方法700は、さらに、上記のように導かれたヒステリシスモデルを用いて、経時的な弾性層106の厚み変化に基づいて、ホースアセンブリ100内の圧力を推定することを発展させることを含むステップ710。図13において、方法700がホースアセンブリの内部圧力を算定するための壁厚、及び、それに続くヒステリシスモデルを算定するためのアルゴリズムを適用することが開示されているが、他の実施例においては、ホースアセンブリの電気的応答及びホースアセンブリの特性から直接的に圧力を計算するモデルが用いられることが考慮されている。このような実施形態において、ヒステリシス及び/またはホースの厚みの考慮がホースアセンブリの電気的応答のモデルに組み込まれている。ここで図14~17を参照すると、図13の方法700を実施する例示的な処理を示している図が、変化させた入力圧力波を用いて示されている。図14~17において、24インチ及び60インチの長さのホースが用いられている。図14は、0と0.6MPaとの間の入力圧力において周期的な変化を示している入力圧力波のグラフ800を示している。図15において、グラフ900は、入力電圧Vsensorを一定に保ちながらのホース内の圧力変化に対するVhoseにおける電圧応答を示している。図に示されているような周期的な電圧応答として見られるように、高圧力に切り換える時間において、ホースの電圧は、最大電圧に急上昇し、かつ、直流の電流電圧を示す降下した電圧に戻り、ホースアセンブリの静電容量効果が落ち着いていることを示している。さらに、低圧力に切り換える上で、ホースの電圧は、初めは降下するが、電圧は、ホースアセンブリ100の静電容量効果により放電するため、経時的に降下する。図16は、観測された電圧、及び、既に検証されているホースアセンブリの特性に基づいたX2tの推定値のグラフ1000を示している。このグラフに見られるように、X2tの応答は、概して、経時的な感知された電圧Vhoseの応答と逆になる。圧力を推定するために、最終的に、ヒステリシスモデルが適用され、かつ、図17においてその結果が示されている。特に、図17は、ヒステリシス及び弾性層の厚みの計算に基づいた推定圧力を示す第1波形1102、及び、ホースアセンブリへの実際の入力圧力を示している第2波形1104を示しているグラフ1100を示す。ホースの抵抗性効果及び静電容量効果が導電層間の距離を算定するため、グラフ1100に見られるように、ホースアセンブリ内の圧力は、ホースの導電層からの電圧応答の監視に基づいて十分な精度で算定される。ひとたび、導電層間の弾性絶縁層におけるヒステリシスが補正されても、ホース内の圧力を、ホースの数理モデルから推定することができる。これは、ホース内の内部圧力を、高価な圧力を感知する備品または計測器を必要とせずに、継続的に監視することを許容する。ここで図1~17を参照すると、概して、ここで記述された実施形態においては2つの導電層が説明されているが、本発明における開示の範囲内における他の実施例として、ホースアセンブリ100は2つ以上の導電層を含むことができる。このような配置において、各々の導電層は、単一の絶縁層によって隣接した導電層から分離され、かつ、このホースの構造と同様に変化するホースアセンブリの抵抗特性及び容量特性を、添付のクレームによってここで開示されかつ包含される一般概念内において、それに応じて変化させることができる。上記の仕様、例、及びデータは、本発明の構成を製造して用いるための完全な記述を提供する。本発明の多くの実施形態が本発明の精神と範囲から逸脱することなしに構成されているため、本発明は以下に添付されているクレーム内に属する。"