"光信号を受信する光受信回路であって、前記光信号を電流信号に変換する光電変換手段と、前記電流信号に応じた電荷を蓄積する少なくとも1つの電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷量を検出する検出手段と、前記電荷蓄積手段へ流入する前記電流信号を一定量減少させるバイパス手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると前記バイパス手段を一定時間だけ駆動する制御手段と、を有することを特徴とする光受信回路。前記制御手段は、さらに、前記電荷蓄積手段に対して前記電流信号による充電と放電とを順次実行し、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると、充電時および放電時の両方で前記バイパス手段を前記一定時間だけ駆動することを特徴とする請求項1に記載の光受信回路。複数の電荷蓄積手段を有し、前記制御手段は、前記複数の電荷蓄積手段に対して一定の周期の異なる位相タイミングで前記電流信号による充電と放電とを繰り返し、さらに、各周期の充電および放電により得られる各電荷蓄積手段の残留電荷に基づいて受信信号を生成する出力手段を有することを特徴とする請求項1または2に記載の光受信回路。光信号を電流信号に変換する光電変換手段と、前記電流信号に応じた電荷を蓄積する少なくとも1つの電荷蓄積手段と、を有する光受信回路の制御方法であって、検出手段により前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷量を検出し、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると、バイパス手段を駆動して前記電荷蓄積手段へ流入する前記電流信号を一定量減少させる、ことを特徴とする光受信回路の制御方法。前記電荷蓄積手段に対して前記電流信号による充電と放電とを順次実行し、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると、充電時および放電時の両方で前記バイパス手段を前記一定時間だけ駆動する、ことを特徴とする請求項4に記載の光受信回路の制御方法。複数の電荷蓄積手段を有し、前記複数の電荷蓄積手段に対して一定の周期の異なる位相タイミングで前記電流信号による充電と放電とを繰り返し、各周期の充電および放電により得られる各電荷蓄積手段の残留電荷に基づいて受信信号を生成する、ことを特徴とする請求項4または5に記載の光受信回路の制御方法。光信号を電流信号に変換する光電変換手段と、前記電流信号に応じた電荷を蓄積する少なくとも1つの電荷蓄積手段と、を有する光受信回路の制御機能をプログラム制御プロセッサにより実現するためのプログラムであって、検出手段が前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷量を検出し、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると、バイパス手段が前記電荷蓄積手段へ流入する前記電流信号を一定量減少させる、ように前記プログラム制御プロセッサを機能させることを特徴とするプログラム。前記電荷蓄積手段に対して前記電流信号による充電と放電とを順次実行し、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると、充電時および放電時の両方で前記バイパス手段を前記一定時間だけ駆動する、ように前記プログラム制御プロセッサを機能させることを特徴とする請求項7に記載のプログラム。複数の電荷蓄積手段を有し、前記複数の電荷蓄積手段に対して一定の周期の異なる位相タイミングで前記電流信号による充電と放電とを繰り返し、各周期の充電および放電により得られる各電荷蓄積手段の残留電荷に基づいて受信信号を生成する、ように前記プログラム制御プロセッサを機能させることを特徴とする請求項7または8に記載のプログラム。しかしながら、光信号に強度の強い直流の妨害光が混入すると、受信回路が飽和して目的とする光信号が受信できなくなる問題があった。特に受信回路のフロントエンドにおいて強い直流分を含む光信号が入力されると、高い電圧が発生することによって電気回路が飽和してしまい光信号が受信できなり、後段で回路利得を調整しても防止できない。上述した特許文献1のように半導体可変抵抗素子をフォトダイオードに直列接続する構成では、信号光に大きな直流分の雑音光が重なった場合、半導体可変抵抗素子が常に飽和した状態となり、信号成分自体を受信できなくなる。本発明の目的は、強い光信号直流分による回路飽和を防止する光受信回路およびその制御方法を提供することにある。本発明による光受信回路は、前記光信号を電流信号に変換する光電変換手段と、前記電流信号に応じた電荷を蓄積する少なくとも1つの電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷量を検出する検出手段と、前記電荷蓄積手段へ流入する前記電流信号を一定量減少させるバイパス手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると前記バイパス手段を一定時間だけ駆動する制御手段と、を有することを特徴とする。本発明による光受信回路の制御方法は、検出手段により前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷量を検出し、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷量が所定値を超えると、バイパス手段を駆動して前記電荷蓄積手段へ流入する前記電流信号を一定量減少させる、ことを特徴とする。本発明によれば、強い光信号直流分による回路飽和を有効に防止することができる。本発明による光受信回路は、コンデンサを用いて光電流を電圧に変換しコンデンサの両端の電圧から信号を抽出する基本的な動作に加えて、光強度の高い直流妨害光が入射することでコンデンサの電圧が所定電圧を超えるとバイパス回路を開き光電流を一定量バイパスする。これによって強い直流分の雑音が混入しても受信回路の飽和を防止することができる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。1.第1実施形態1.1構成図1において、フォトダイオード20はバイアス電源10によって逆バイアスされている。フォトダイオード20に入射された光信号30は光電流40に変換される。光電流40は、通常は実線の矢印が示すように、アナログスッチ50、アナログスイッチ51を経由してコンデンサ70に入力し、コンデンサ70に電荷が蓄積され、蓄積電荷によりコンデンサ両端に電圧が生じる。アナログスイッチ50はタイミング制御回路63からの制御信号71によってオン/オフ開/閉制御され、アナログスイッチ51はタイミング制御回路63からの制御信号72によって実線矢印の経路と破線矢印の経路のいずれかに切替制御される。すなわち、アナログスイッチ51は制御信号72によってコンデンサ70内の電荷を光電流40によって充電実線矢印あるいは放電破線矢印する回路接続を実現する。コンデンサ70の両端の電圧は入力インピーダンスの高い差電圧検出回路60によって高精度で検出される。またコンデンサ70の両端にはアナログスイッチ52が並列接続されており、コンデンサ70を短絡して蓄積電圧をリセットする事ができる。差電圧検出回路60の出力である差電圧信号74はサンプルホールド回路61ならびに電圧比較回路62に入力する。サンプルホールド回路61はタイミング制御回路63からの制御信号76によって差電圧信号74の電圧値を所定の期間保持する。電圧比較回路62は制御信号73のタイミングで差電圧信号74と定電圧回路65の所定電圧値V1とを比較し、比較結果をAND回路66へ出力する。ただし電圧比較回路62は比較結果を維持する機能を有する。すなわち、制御信号73のタイミングで差電圧信号74が所定電圧値V1を超えている場合あるいはV1以下である場合には電圧比較回路62は比較結果であるHレベルあるいはLレベルを出力し、それを次の制御信号73まで維持する。またAND回路66にはタイミング制御回路63から制御信号73が入力されるので、電圧比較回路62の比較出力が制御信号73のタイミングでアナログスイッチ53へ出力され、アナログスイッチ53がオン/オフ制御される。アナログスイッチ53がオンの場合は、定電流回路64がアナログスイッチ53経由でフォトダイオード40に接続される。なお、電圧比較回路62、AND回路66およびタイミング制御回路63は、図示しないメモリに格納されたプログラムをCPU等のプログラム制御プロセッサ上で実行することにより同等の機能を実現することもできる。1.2動作続いて、図2~図4を参照しながら図1の受信回路の動作を詳細に説明する。図2は、フォトダイオード20に入射する光信号30が小さい直流分を有し、その強度が前半L2、後半L1と時間変化する場合の動作例を示す。L2はL1より大きい強度レベルである。制御信号71は時刻t1からt3および時刻t4からt6においてHレベルとなる。制御信号72は前半がLレベル、後半がHレベルに変化しアナログスイッチ51の経路を実線矢印の経路から破線矢印の経路へ切り替える。これにより、前半時刻t1からt3においてコンデンサ70が光電流40によって充電され、後半時刻t4からt6において光電流40によって放電される。図2の時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになると、コンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出結果である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L2が余り大きくないので時刻t2においても定電圧回路の電圧V1に達しておらず、従って制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はLレベルである。したがってAND回路66経由でアナログスイッチ53はオンにならない。時刻t3までコンデンサ70は充電され差電圧信号74はV2まで到達する。次に時刻t4からコンデンサ70は光信号30の強度L1に比例する光電流40によって放電されるので、差電圧信号74は電圧V2から減少はじめる。ここで時刻t1からt3までの時間間隔、時刻t4からt6までの時間間隔は同じであるので時刻t6においてはコンデンサ70には電荷が残っており差電圧信号74は時刻t6において正の電圧Vとなっている。サンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値Vを保持して出力信号75が得られる。また制御信号76によってアナログスイッチ52はコンデンサ70の両端をショートさせ初期化も行う。図2は、フォトダイオード20に入射する光信号30が大きい直流分を有し、その強度が強度が前半L4、後半L3と時間変化する場合の例を示す。L4はL3より大きくかつ図2のL2、L1とくらべて直流分が大きい。図2の時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出結果である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。図2の場合、このときの光信号の強度が大きいので時刻t2で定電圧回路の電圧V1以上の電圧V3に達する。したがって制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はHレベルとなり、制御信号73のタイミングでAND回路66を通してアナログスイッチ53をオンにする。これにより定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70に流入する電流が減少し、時刻t2からt3までの差電圧信号74の上昇を小さく抑えることがでる。したがって、差電圧信号74が回路の制限電圧V4に到達する事態を未然に防止できる。続いて、時刻t4からコンデンサ70は光信号30の強度L3に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで電圧比較回路62の出力はHレベルを維持しているので、時刻t5からt6までの時間間隔で制御信号73がHレベルになるとアナログスイッチ53がオンとなり、後半も同様に定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。この結果、時刻t6においてコンデンサ70に残存している電荷が信号分に相当する正の電圧Vとなる。よってサンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、光電流をバイパスすることでコンデンサ70の蓄積電荷量を抑制し受信回路内での飽和を未然に防ぐことができる。これによって光信号が前半から後半にかけて僅かに減少したという変化をVパルスで示す出力信号75を取り出すことができる。図3はフォトダイオード20に入射する光信号30が小さい直流分を有し、その強度が前半L1、後半L2と時間変化する場合の動作例を示す。時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出結果である差電圧信号74は図3に示すように初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L1が余り大きくないので時刻t2においても定電圧回路65の電圧V1に達しておらず、従って制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はLレベルであり、したがってAND回路66経由でアナログスイッチ53はオンにならない。時刻t3までコンデンサ70は充電され差電圧信号はV5まで到達する。次に時刻t4からコンデンサ70は光信号41の強度L1より大きな強度L2に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号74は電圧V5から減少しはじめる。ここで時刻t1からt3までの時間間隔、時刻t4からt6までの時間間隔は同じであるので時刻t6においてはコンデンサ70の差電圧信号74は負の電圧Vとなる。サンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。また制御信号76によってアナログスイッチ52がオンとなりコンデンサ70の両端をショートして初期化も行う。図3は、フォトダイオード20に入射する光信号30が大きい直流分を有し、その強度が前半L3、後半L4と時間変化する場合の例を示す。L4はL3より大きくかつ図3のL2、L1とくらべて直流分が大きい場合である。時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出結果である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度が大きいので時刻t2において定電圧回路の電圧V1以上の電圧V8に達する。これによって制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はHレベルとなりAND回路66経由でアナログスイッチ53は時刻t2からt3の間にオンとなり、定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70に流入する電流が減少する。これにより時刻t2からt3までの差電圧信号74の上昇が小さく抑えられる。すなわち、差電圧信号74は回路の制限値である電圧V4に到達する前に抑制される。図3の時刻t4からコンデンサ70は光信号30の強度L4に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで電圧比較回路62の出力はHレベルを維持しているので、時刻t5からt6までの時間間隔で制御信号73がHレベルになるとアナログスイッチ53がオンとなり、後半も同様に定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。この結果、時刻t6においてコンデンサ70に残存している電荷が信号分に相当する負の電圧Vとなる。よってサンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、光電流をバイパスすることでコンデンサ70の蓄積電荷量を抑制し受信回路内での飽和を未然に防ぐことができる。これによって光信号が前半から後半にかけて僅かに増加したという変化をVパルスで示す出力信号75を得ることができる。図4は、フォトダイオード20に入射する光信号30が小さい直流分を有し、その強度がL2一定で時間変化しない場合の例を示す。時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出結果である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L2が余り大きくないので時刻t2においても定電圧回路の電圧V1に達しておらず、従って制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はLレベルであり、AND回路66経由でアナログスイッチ53はオンにならない。時刻t3までコンデンサ70は充電され差電圧信号はV2まで到達する。次に時刻t4からコンデンサ70は同じ光電流40によって放電されるので、差電圧信号74は電圧V2から減少はじめる。ここで時刻t1からt3までの時間間隔、時刻t4からt6までの時間間隔は同じであるので時刻t6においてはコンデンサ70の差電圧信号74は時刻t6においてゼロとなる。サンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。また制御信号76によってアナログスイッチ52を制御してコンデンサ70の両端をショートして初期化も行う。図4は、フォトダイオード20に入射する光信号30が大きい直流分を有し、その強度がL4一定で時間変化しない場合の例を示す。L4はL2とくらべて直流分が大きい場合である。時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出結果である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L4が大きいので時刻t2において定電圧回路の電圧V1以上の電圧V3に達する。これによって制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はHレベルとなりAND回路66経由でアナログスイッチ53は時刻t2からt3の間にオンとなる。これによって、定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70に流入する電流が減少し、時刻t2からt3までの差電圧信号74上昇が小さく抑えられる。したがって、差電圧信号74は回路の制限電圧V4に到達する前に抑制される。時刻t4からコンデンサ70は光信号30の強度L4に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで電圧比較回路62の出力はHレベルを維持しているので、時刻t5からt6までの時間間隔で制御信号73がHレベルになるとアナログスイッチ53がオンとなり、後半も同様に定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。この結果、時刻t6においてコンデンサ70に残存している電荷がゼロになる。よってサンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、光電流をバイパスすることでコンデンサ70の蓄積電荷量を抑制し受信回路内での飽和を未然に防ぐことができる。これによって光信号が前半から後半にかけて変化がなかったことを示す出力信号75を得ることができる。1.3効果上述したように,本実施形態によれば、光電流を電圧に変換する手段として通常の抵抗に替えてコンデンサを用い、コンデンサの検出電圧が所定値より大きくなると光電流を一定量バイパスする回路を設ける。これよって強い光信号直流分によって高い電圧がコンデンサで発生することがなくなり、後段の電気回路での回路飽和を防止することができる。2.第2実施形態2.1構成図5において、バイアス電源10、フォトダイオード20、アナログスッチ50、アナログスッチ51、コンデンサ70、アナログスイッチ52、差電圧検出回路60、サンプルホールド回路61、電圧比較回路62、定電圧回路65、AND回路66、アナログスイッチ53および定電流回路64は、図1に示す回路と同じ構成および機能を有するので、同じ参照番号を付して説明は省略する。本実施形態による光受信回路は、さらに、図1の回路と同様に接続されたアナログスッチ55、アナログスッチ56、コンデンサ90、アナログスイッチ57、差電圧検出回路80、サンプルホールド回路81、電圧比較回路82、定電圧回路85およびAND回路86を有する。すなわち、光電流40は、通常は実線の矢印が示すように、アナログスッチ55、アナログスイッチ56を経由してコンデンサ70に入力し、コンデンサ90に電荷が蓄積され、蓄積電荷によりコンデンサ両端に生じる電圧が差電圧検出回路80により検出される。以下、図1の回路と同様に、アナログスイッチ57、差電圧検出回路80、サンプルホールド回路81、電圧比較回路82、定電圧回路85およびAND回路86が接続されているので、それらの構成および機能の説明は省略する。異なる構成としては、本実施形態による光受信回路では、図5に示すように、サンプルホールド回路61および81からそれぞれ出力される出力信号75および95が加算回路88により加算されて出力信号99となる。また、AND回路66および86のAND出力がそれぞれOR回路89に入力し、その論理和出力によってアナログスイッチ53がオン/オフ制御される。さらに、タイミング制御回路87は制御信号71をアナログスイッチ50へ、制御信号91をアナログスイッチ55へそれぞれ出力し、制御信号72をアナログスイッチ51および56へ共通に出力し、制御信号76をアナログスイッチ52およびサンプルホールド回路61へ、制御信号96をアナログスイッチ57およびサンプルホールド回路81へそれぞれ共通に出力する。さらに、制御信号73を電圧比較回路62およびAND回路66へ、制御信号93を電圧比較回路82およびAND回路86へそれぞれ共通に出力する。2.2動作続いて、図6および図7を参照しながら図5に示す光受信回路の動作を詳細に説明する。図6は直流分の小さい光信号30の強度がL1、L2と時間変化する場合の例を示す。図6の時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出値である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L2が余り大きくないので時刻t2において定電圧回路65の電圧V1に達しておらず、制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はLレベルである。この時点で他方のアナログスイッチ55側の回路は動作していないので、AND回路66およびOR回路89経由でアナログスイッチ53はオンにならない。時刻t3までコンデンサ70は充電され差電圧信号はV2まで到達する。次に図6の時刻t6からコンデンサ70は光信号41の強度L2より小さい強度L1に比例する光電流30によって放電されるので、差電圧信号74は電圧V2から減少しはじめる。ここで時刻t1からt3までの時間間隔、時刻t6からt8までの時間間隔は同じであるので時刻t8においてはコンデンサ70の差電圧信号74は正の電圧Vとなる。サンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。また制御信号76によってアナログスイッチ52を制御してコンデンサ70の両端をショートして初期化も行う。さらに時刻t11において、アナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電がまた開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出値である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L1が余り大きくないので時刻t12においても定電圧回路65の電圧V1に達しておらず、制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はLレベルである。したがって、AND回路66およびOR回路89経由でアナログスイッチ53はオンにならない。このまま時刻t13までコンデンサ70は充電される。次に時刻t16からコンデンサ70は光信号30のL1より大きな強度L2に比例する光電流30によって放電されるので、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで時刻t11からt13までの時間間隔、時刻t16からt18までの時間間隔は同じであるので時刻t18においてはコンデンサ70の差電圧信号74は負の電圧Vとなる。サンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。また制御信号76によってアナログスイッチ52を制御してコンデンサ70の両端をショートして初期化も行う。ひき続き時刻t21において、アナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が再度開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出値である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L1が余り大きくないので時刻t22においても定電圧回路65の電圧V1に達しておらず電圧比較回路62の出力はLレベルなのでAND回路66およびOR回路89経由でアナログスイッチ53はオンにならない。時刻t23までコンデンサ70は充電される。次に時刻t27からコンデンサ70は同じ光電流40によって放電されるので、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで時刻t21からt23までの時間間隔、時刻t27からt29までの時間間隔は同じであるので時刻t29においてはコンデンサ70の差電圧信号74はゼロとなる。サンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。また制御信号76によってアナログスイッチ52を制御してコンデンサ70の両端をショートして初期化も行う。一方、図6の時刻t8において、アナログスイッチ55が制御信号91によってオンになるとコンデンサ90の充電が再度開始される。コンデンサ90の両端の電圧の検出値である差電圧信号94は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L1が余り大きくないので時刻t10においても定電圧回路85の電圧V1に達しておらず、制御信号93のタイミングで電圧比較回路82の出力はLレベルであり、AND回路86およびOR回路89経由でアナログスイッチ53はオンにならない。このまま時刻t10までコンデンサ90は充電される。次に時刻t13からコンデンサ90は同じレベルL1の光電流30によって放電されるので、差電圧信号94は減少しはじめる。ここで時刻t8からt10までの時間間隔、時刻t13からt15までの時間間隔は同じであるから時刻t15においてはコンデンサ90の差電圧信号94はゼロとなる。サンプルホールド回路81が制御信号96に応じてこの電圧値を保持して出力信号95が得られる。また制御信号96によってアナログスイッチ57を制御してコンデンサ90の両端をショートして初期化も行う。引き続き時刻t18において、アナログスイッチ55が制御信号91によってオンになるとコンデンサ90の充電が再度開始される。コンデンサ90の両端の電圧の検出値である差電圧信号94は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L2が余り大きくないので時刻t19においても定電圧回路85の電圧V1に達しておらず、制御信号93のタイミングで電圧比較回路82の出力はLレベルであるから、AND回路86およびOR回路89経由でアナログスイッチ53はオンにならない。このまま時刻t20までコンデンサ90は充電され差電圧信号はV2まで到達する。次に時刻t23からコンデンサ90は光信号30のL2より小さい強度L1に比例する光電流40によって放電されるので、差電圧信号94は電圧V2から減少はじめる。ここで時刻t18からt20までの時間間隔、時刻t25からt27までの時間間隔は同じであるので時刻t27においてはコンデンサ90の差電圧信号94は正の電圧Vとなる。サンプルホールド回路81が制御信号96に応じてこの電圧値を保持して出力信号95が得られる。また制御信号96によってアナログスイッチ57を制御してコンデンサ90の両端をショートして初期化も行う。そして出力信号75と出力信号95を加算回路88にて処理することによって加算出力信号99が得られる。加算出力信号99は光信号が減少した変化をVパルスで、増加したという変化をVパルスで示す信号として利用することができる。図7は、直流分の大きい光信号30の強度がL4、L3と時間変化する場合の例を示す。L4はL3より大きくかつ図6のL2、L1とくらべて直流分が大きい。時刻t1においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出値である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度が大きいので時刻t2において定電圧回路65の電圧V1以上の電圧に達している。これによって制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はHレベルとなり、AND回路66およびOR回路89経由でアナログスイッチ53は時刻t2からt3の間にオンとなる。これにより定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70に流入する電流が減少し、時刻t2からt3までの差電圧信号74の上昇が抑制される。すなわち、差電圧信号74は回路制限電圧V4に到達する前に抑制されている。続いて、時刻t6からコンデンサ70は光信号30の強度L3に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで電圧比較回路62の出力はHレベルを維持しているので、時刻t7からt8までの時間間隔で制御信号73がHレベルになるとOR回路89を通してアナログスイッチ53がオンとなり定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。これにより時刻t8においてはコンデンサ70には電荷が残っており差電圧信号74は正の電圧Vとなる。よってサンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、受信回路内での飽和を防止でき、光信号が僅かに減少したという変化をVパルスで示す出力信号75を得ることができる。続いて時刻t11において、アナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出値である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって再び上昇する。このときの光信号の強度が大きいので時刻t12において定電圧回路の電圧V1以上の電圧に達する。これによって制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はHレベルとなりAND回路66およびOR回路89経由でアナログスイッチ53は時刻t12からt13の間にオンとなる。これにより定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70に流入する電流が減少する。したがって時刻t12からt13までの差電圧信号74の上昇が小さく抑えられ、回路制限電圧V4に到達するような事態を防止できる。つづいて時刻t16からコンデンサ70は光信号30の強度L4に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで電圧比較回路62の出力はHレベルを維持しているので、時刻t17からt18までの時間間隔で制御信号73がHレベルになるとOR回路89を通してアナログスイッチ53がオンとなり、後半も同様に定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。これにより時刻t18においてコンデンサ70の差電圧信号74は負の電圧Vとなる。よってサンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、受信回路内での飽和を防止でき、光信号が僅かに増加したという変化をVパルスで示す出力信号75を得ることができる。引き続き、時刻t21においてアナログスイッチ50が制御信号71によってオンになるとコンデンサ70の充電が開始される。コンデンサ70の両端の電圧の検出値である差電圧信号74は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L4が大きいので時刻t22においても定電圧回路の電圧V1以上の電圧に達する。これによって制御信号73のタイミングで電圧比較回路62の出力はHレベルとなりAND回路66およびOR回路89経由でアナログスイッチ53は時刻t22からt23の間にオンとなる。これにより定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70に流入する電流が減少し、時刻t22からt23までの差電圧信号74の上昇が小さく抑えられるので、回路の制限電圧V4に到達するような事態を防止できる。時刻t27からコンデンサ70は光信号30の強度L4に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号74は減少しはじめる。ここで電圧比較回路62の出力はHレベルを維持しているので、時刻t28からt29までの時間間隔で制御信号73がHレベルになるとOR回路89を通してアナログスイッチ53がオンとなり、後半も同様に定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。これにより時刻t29においてはコンデンサ70の差電圧信号74はゼロとなる。よってサンプルホールド回路61が制御信号76に応じてこの電圧値を保持して出力信号75が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、受信回路内での飽和を防止でき、光信号が変化が無かったことを示す出力信号75を得ることができる。一方、時刻t8においてアナログスイッチ55が制御信号91によってオンになるとコンデンサ90の充電が開始される。コンデンサ90の両端の電圧の検出値である差電圧信号94は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度L3が大きいので時刻9において定電圧回路の電圧V1以上の電圧に達する。これによって制御信号93のタイミングで電圧比較回路82の出力はHレベルとなりAND回路86およびOR回路89経由でアナログスイッチ53は時刻t9からt10の間にオンとなる。これにより定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ90に流入する電流が減少し、時刻t9からt10までの差電圧信号94の上昇が小さく抑えられるので、回路制限電圧V4に到達するような事態を防止できている。続いて時刻t13からコンデンサ90は光信号30の強度L3に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号94は減少しはじめる。ここで電圧比較回路82の出力はHレベルを維持しているので、時刻t14からt15までの時間間隔で制御信号93がHレベルになるとOR回路89を通してアナログスイッチ53がオンとなり、後半も同様に定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。これにより時刻t15においてコンデンサ90の差電圧信号94はゼロとなり、サンプルホールド回路81が制御信号96に応じてこの電圧値を保持して出力信号95が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、受信回路内での飽和を防止でき、光信号が変化が無かったことを示す出力信号95を得ることができる。さらに、時刻t18においてアナログスイッチ55が制御信号91によってオンになるとコンデンサ90の充電が開始される。コンデンサ90の両端の電圧の検出値である差電圧信号94は初期値ゼロから充電によって上昇する。このときの光信号の強度が大きいので時刻t19において定電圧回路の電圧V1以上の電圧に達する。これによって制御信号93のタイミングで電圧比較回路82の出力はHレベルとなりAND回路66およびOR回路89経由でアナログスイッチ53は時刻t19からt20の間にオンとなる。したがって定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ90に流入する電流が減少し、時刻t19からt20までの差電圧信号94の上昇が小さく抑えられ、差電圧信号94が回路制限電圧V4に到達するような事態を防止できる。続いて時刻t23からコンデンサ90は光信号30の強度L3に比例する光電流40によって放電され、差電圧信号94は減少しはじめる。ここで電圧比較回路82の出力はHレベルを維持しているので、時刻t24からt25までの時間間隔で制御信号93がHレベルになるとOR回路89を通してアナログスイッチ53がオンとなり、後半も同様に定電流回路64の電流値の分だけコンデンサ70から流出する電流を減らすことができる。これにより時刻t25においてコンデンサ90には電荷が残っており差電圧信号74は正の電圧Vとなる。よってサンプルホールド回路81が制御信号96に応じてこの電圧値を保持して出力信号95が得られる。このように直流分の大きな光信号が入力された場合も、受信回路内での飽和を防止でき、光信号が僅かに減少したという変化をVパルスで示す出力信号95を得ることができる。そして出力信号75と出力信号95を加算回路88にて処理することによって加算出力信号99が得られる。加算出力信号99は光信号が減少した変化をVパルスで、増加したという変化をVパルスで示す信号として利用することができる。なお、上述した第1および第2実施形態において、アナログスイッチに替えてトランジスタスイッチ、FETスイッチ、化合物半導体スイッチなどのスイッチを利用しても得られる効果は同様である。2.3効果上述したように,本実施形態によれば、位相をずらしたタイミングで受信信号を得ることができ、さらに第1実施形態と同様に、強い光信号直流分によって高い電圧がコンデンサで発生することがなくなり後段の電気回路での回路飽和を防止できるという効果を得ることができる。"