"光ファイバ同士を調心するためのV溝が刻まれたV溝基板と、前記V溝基板上の光ファイバを押さえるための押さえ板を備え、前記V溝基板と前記押さえ板によって収容された光ファイバ同士が突き合わされた部分をCO2レーザにより融着するのに用いられるレーザ融着用ファイバ整列部品であって、前記V溝基板および前記押さえ板の少なくとも一方がシリコン部材を含むことを特徴とするレーザ融着用ファイバ整列部品。前記押さえ板は、前記CO2レーザの主波長に対して吸収波長ピークを持つことを特徴とする請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品。前記押さえ板は、前記V溝基板と対向する面がシリコンで構成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品。前記押さえ板のCO2レーザ照射面は、CO2レーザ波長反射用の誘電体多層膜コートがなされたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品。前記押さえ板のCO2レーザ照射面は、鏡面研磨がなされたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品。前記押さえ板のシリコンで構成された面は、シリコンコートもしくはシリコン板の貼り付けがなされたことを特徴とする請求項3に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品。しかしながら、従来の光ファイバ整列用治具では、照射されたレーザ光によって損傷を受けるという課題がある。図6a~cに、CO2レーザ主波長10.6μmに吸収ピークをもつ石英からなるV溝基板23に通常のレーザ融着照射条件約3Wのレーザ照射条件での連続使用で観察された破損状態の顕微鏡写真を示す。V溝基板23のレーザ照射側付近の矢印で示す部分には、大きなクラックがいくつか現れており、ファイバ整列収容部材V溝基板23のレーザ照射耐性が失われている。また、図6d、eに、一般的にアーク放電融着接続で用いられてきた耐熱性、機械加工特性に優れたジルコニアをV溝基板23として適用した際、誤ってCO2レーザ光を8Wにて基板照射した場合に示した破損状態を示す。この場合にも、V溝基板23には大きな破損が生じている。さらに通常使用条件約3Wの照射においても、ジルコニアのV溝基板23を起源と推察されるジルコニアの光ファイバ界面への混入が観察され、レーザ融着光ファイバの融着接続損失分布に悪影響を及ぼす非特許文献2参照。本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光ファイバのレーザ融着接続において用いる、レーザ損傷の少ないレーザ融着用ファイバ整列部品を提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明は、光ファイバ同士を調心するためのV溝が刻まれたV溝基板と、前記V溝基板上の光ファイバを押さえるための押さえ板を備え、前記V溝基板と前記押さえ板によって収容された光ファイバ同士が突き合わされた部分をCO2レーザにより融着するのに用いられるレーザ融着用ファイバ整列部品であって、前記V溝基板および前記押さえ板の少なくとも一方がシリコン部材を含むことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品において、前記押さえ板は、前記CO2レーザの主波長に対して吸収波長ピークを持つことを特徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品において、前記押さえ板は、前記V溝基板と対向する面がシリコンで構成されていることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品において、前記押さえ板のCO2レーザ照射面は、CO2レーザ波長反射用の誘電体多層膜コートがなされたことを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項1に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品において、前記押さえ板のCO2レーザ照射面は、鏡面研磨がなされたことを特徴とする。請求項6に記載の発明は、請求項3に記載のレーザ融着用ファイバ整列部品において、前記押さえ板のシリコンで構成された面は、シリコンコートもしくはシリコン板の貼り付けがなされたことを特徴とする。本発明は、光ファイバのレーザ融着接続において用いるレーザ融着用ファイバ整列部品のレーザ照射耐性を高める効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。実施形態1図1に、本願発明の実施形態1に係るレーザ融着用ファイバ整列部品を示す。図1の1,2は融着される光ファイバ融着される光ファイバ、4は光ファイバ整列V溝、5は治具ステージ、6は押え板例えば、ジルコニアセラミックス、7は押さえ板保持アーム、8はCO2レーザ、9はレーザのビームウエスト位置、10は光ファイバ融着界面、11は従来技術と異なる本発明固有のシリコンV溝基板である。ここで、シリコンV溝基板11が有するレーザ照射に対する耐性について説明する。図2aに、KOHエッチングによって形成したシリコンV溝基板のCO2レーザ照射損傷の顕微鏡写真を示す。比較のため、図2bに、従来のV溝基板材料として用いてきたジルコニアで構成される光ファイバ用フェルールのCO2レーザ照射損傷の顕微鏡写真を示す。尚、CO2レーザの照射エネルギーは図2a、bいずれも10Wとした。図2aに示すように、10Wのエネルギーを持ったCO2レーザ光の照射に際しても、本発明のシリコンV溝基板は顕微鏡観察下でまったく変化が見られない。一方、図2bの従来より使用されてきたジルコニア材では大きなクラックが生じている。この比較対照結果が示すように、シリコンV溝基板のCO2レーザ照射耐性は従来のジルコニア基板の耐性を著しく上回っている。次に、図1のシリコンV溝基板11を含む光学実験系においてレーザ照射が行われた場合について説明する。CO2レーザ光の照射光学系は従来技術の図5の構成と同様であり、光ファイバの図中記載治具を用いたレーザ融着接続手順については省略する。本実施形態1においても、前述のように、ディフォーカス光学系を用いたCO2レーザ融着では、レーザ光が光ファイバ以外の治具基板にも照射される。但し、本実施形態1では、押さえ板6としてジルコニアを選定することによって、治具に照射されるCO2レーザ光のエネルギーを吸収し、透過したCO2レーザ光がシリコンV溝基板11に収容された光ファイバに照射されることがない構成としている。また、本実施形態1のシリコン製V溝基板11とした結果、融着界面付近からの迷光のCO2レーザ光の吸収をほとんど行わず、基板損傷が生じなかった。その結果、シリコンV溝基板11を用いることによってレーザ光照射によるV溝基板11の劣化損傷を抑えることが可能となり、融着時の安定した光ファイバの精密保持や、融着界面への基板材料の溶け込みを低減でき、融着光ファイバの機械強度の安定化を図ることができる。また、シリコンV溝基板11の当初設計寸法精度が保持できる結果、融着光ファイバの低挿入損失分布を得ることも可能となった。また、従来の図5の構成では、押さえ板26とV溝基板23の両方について交換が必要であったが、本方式によって、押さえ板6のみの交換でレーザ融着の連続照射が可能となった。実施形態2図3に、本発明の実施形態2に係るレーザ融着用ファイバ整列部品を示す。図3の1,2は融着される光ファイバ、4は光ファイバ整列V溝、5はステージ、7は押さえ板保持アーム、8はCO2レーザ、9はCO2レーザのビームウエスト位置、10は光ファイバ融着界面、11は実施形態1と同じシリコン製V溝基板、12はシリコン押さえ板、13はCO2レーザ照射反射処理面を示す。シリコン製押さえ板12、CO2レーザ照射反射処理面13が本実施形態2に固有の構成となる。CO2レーザ光の照射光学系の主だった構成は従来技術の例として述べた図1と同様であり、図中記載治具を用いたレーザ融着接続手順については省略する。本実施形態2においても、前述のように、ディフォーカス光学系を用いたCO2レーザ融着では、レーザ光が光ファイバ以外の治具基板にも照射される。但し、本実施形態2では、押さえ板12として、特にレーザ光照射面について鏡面研磨を施したシリコンを選定することによってCO2レーザ光の迷光がシリコンで反射され、レーザ光8が本発明によるシリコンV溝基板11に収容された光ファイバ1、2に照射されることがない構成としている。また、実施形態1と同様にシリコンV溝基板11とした結果、CO2レーザ光の基板での吸収が抑制され基板損傷が生じなかった。その結果、シリコンV溝基板11と鏡面研磨を施したシリコン押さえ板12を用いることによってレーザ光照射によるV溝基板11と押さえ板12の劣化損傷を抑えることが可能となり、融着時の安定した光ファイバの精密保持や、融着界面への基板材料の溶け込みが防止でき、融着光ファイバの機械強度の安定化を図ることができた。また、シリコンV溝基板11の当初設計寸法精度が保持できた結果、融着光ファイバの低挿入損失分布を得ることも可能となった。なお、本発明による実施例においては、CO2レーザ照射面を鏡面研磨したシリコン板を押さえ板12として用いたが、本形態に限定されるものではなく、例えば、シリコン押さえ板構成面のうち、CO2レーザ照射面の一部について誘電体多層膜で被覆コートして、レーザ主波長を反射する構成としても良いことは言うまでもない。実施形態3図4に、本発明の実施形態3に係るレーザ融着用ファイバ整列部品を示す。図4の1,2は融着される光ファイバ、5はステージ、7は押さえ板保持アーム、11は実施形態1,2と同じシリコン製V溝基板、15は実施形態3固有の押さえ板を示す。図4に示すように、押さえ板15の主材料はCO2レーザの吸収波長をもつ材料から構成される。ここではジルコニアを構成材料として用いている。押さえ板15は、光ファイバ設置側面、すなわち、シリコンV溝基板11上の光ファイバと接する面に、シリコン板14を貼り付けた構成としている。このような構成をとることによって、光ファイバに直接触れる部分はシリコンで覆われてジルコニア基板が直接光ファイバ端面に接触することがないので、ジルコニアの溶出などがあったとしても、光ファイバ界面へのジルコニアの混入が生じない。また、図3で示したようにシリコンはレーザ照射耐性に強いためシリコン材の光ファイバ界面への混入を防止することが可能となる。また、シリコン材のみで押さえ板を構成した場合では一部レーザ光がシリコン基板を透過し、シリコンV溝基板11上に設置した石英光ファイバへの吸収が懸念されたが、押さえ板15のような構成とすることでレーザ光の透過を防止し、レーザ光のシリコンV溝基板11に収容されている光ファイバの融着界面以外の部分へのレーザ光の照射を抑制することが可能となる。なお、本実施例では押さえ板15の主材料としてジルコニアを中心に述べたが、CO2レーザ光を吸収できる材料であればよく、ジルコニアのみならず、アルミナなども用いることが可能である。また、押さえ板15の光ファイバ側に貼付したシリコン板14であるが、貼り付けに限定されるものでなく、スパッタリングなどのコーティング手法によって、被覆できれば良いことは言うまでもない。以上実施形態1~3とともに詳しく説明したように、本発明に関わる、光ファイバ整列部材として、シリコン材を中心としたV溝基板ならびに押さえ板から構成される治具を用いたCO2レーザ照射によるファイバ融着によれば、従来技術のジルコニアセラミックス製もしくは、石英製V溝基板によって実現を図ってきたCO2レーザ照射による光ファイバ融着に比べ、同波長でのシリコンV溝基板の吸収率の著しい低減により、レーザ照射にともなうV溝基板の損傷を防止することができる。その結果、ディフォーカス光学系でのレーザ光の光ファイバに向けた照射を行っても、安定したレーザ融着接続と機械強度が期待でき、高品質な融着光ファイバの実現可能となる。"