"複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体を備え、前記基板本体の面方向に沿って延びかつめっき層からなる内層配線パターンが、隣接する樹脂絶縁層間に挟まれるようにして配置された多層配線基板において、前記内層配線パターンは、上面及び底面を有するとともに、前記上面側にて接する樹脂絶縁層及び前記底面側にて接する樹脂絶縁層の両方に対して埋まっていることを特徴とする多層配線基板。前記内層配線パターンにおいて、前記上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の高さと、前記底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さとの比が、1:9~8:2の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。前記内層配線パターンにおいて、前記上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の最大幅と、前記底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の最大幅との比が、1:1~9:1の範囲内であることを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板。前記内層配線パターンをその延設方向に対して垂直に切断したときの断面において、前記底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分のテーパー率が、80以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板。前記底面側にて接する樹脂絶縁層には、前記内層配線パターンの延設方向に沿って延びる溝が形成されるとともに、底面側導体部分として前記底面に設けられた突条が前記溝に埋まっていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板。前記底面側にて接する樹脂絶縁層には、複数の窪みが形成されるとともに、底面側導体部分として前記底面に設けられた複数の突起が前記複数の窪みに埋まっていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板。前記内層配線パターンは、最大幅が20μm以下の微細パターンであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の多層配線基板。前記溝または前記窪みの深さは、前記底面側にて接する樹脂絶縁層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項5または6に記載の多層配線基板。前記溝または前記窪みの内面は、粗化面であることを特徴とする請求項5または6に記載の多層配線基板。前記内層配線パターンは銅めっき層からなり、前記内層配線パターンにおいて前記上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の表面に、スズ層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の多層配線基板。前記スズ層の表面にシランカップリング処理が施されていることを特徴とする請求項10に記載の多層配線基板。ところが、上記従来技術の多層配線基板によると、不要となっためっきレジストを除去した時点では、銅めっきからなる内層配線パターンは、粗化された樹脂絶縁層のアンカー効果をもって樹脂絶縁層上に密着している。しかしながら、当該内層配線パターンは、その下面側に接する樹脂絶縁層の上にいわば乗っているにすぎない。しかも、近年ではビルドアップ層における内層配線パターンの細線化の要請が高まり、具体的には内層配線パターンのライン幅を20μm以下望ましくは10μm以下にすることが求められている。この場合、内層配線パターンの幅方向寸法に対する高さ方向寸法の比率が増大し、下側に位置する樹脂絶縁層との接触面積が減少する結果、内層配線パターンが構造的に不安定になる。よって、内層配線パターンとその下面側に接する樹脂絶縁層との密着状態を維持できなくなり、微細な内層配線パターンが横倒れしたり剥がれてしまうことがあった。そして、このことが多層配線基板の信頼性や歩留まりを悪化させる原因となっていた。また、上記従来技術の多層配線基板の場合、内層配線パターンの凹凸が樹脂絶縁層に波及し、そのまま樹脂絶縁層表面に凹凸を発生させてしまう。ここで、凹凸の発生を避けるために銅めっきを薄くすると、ビア穴を導体で十分に満たすことができなくなる。ゆえに、通常はビア導体の形成を優先しためっき厚さに設定して銅めっきを行っている。このため、銅めっきの際に同時に形成される内層配線パターンの厚さが厚くなってしまい、配線基板最表層の凹凸が大きくなり、樹脂絶縁層の厚さばらつきが拡大するという問題があった。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、微細な内層配線パターンであっても横倒れや剥がれが起こりにくく、樹脂絶縁層との間に十分な密着性が付与されている多層配線基板を提供することにある。そして上記課題を解決するための手段手段1としては、複数の樹脂絶縁層を積層してなり基板主面及び基板裏面を有する基板本体を備え、前記基板本体の面方向に沿って延びかつめっき層からなる内層配線パターンが、隣接する樹脂絶縁層間に挟まれるようにして配置された多層配線基板において、前記内層配線パターンは、上面及び底面を有するとともに、前記上面側にて接する樹脂絶縁層及び前記底面側にて接する樹脂絶縁層の両方に対して埋まっていることを特徴とする多層配線基板がある。従って、上記手段に係る発明によると、隣接する樹脂絶縁層間に挟まれるようにして配置された内層配線パターンが、上面側にて接する樹脂絶縁層のみならず、底面側にて接する樹脂絶縁層に対しても埋まっている。そのため、内層配線パターンとその上面側に接する樹脂絶縁層との密着状態が維持されるばかりでなく、その下面側に接する樹脂絶縁層との密着状態も維持される。よって、微細な内層配線パターンであっても横倒れや剥がれが起こりにくく、樹脂絶縁層との間に十分な密着性を付与することができる。多層配線基板を構成する複数の樹脂絶縁層は、例えば熱硬化性を有する樹脂などを用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、EP樹脂エポキシ樹脂、PI樹脂ポリイミド樹脂、BT樹脂ビスマレイミド-トリアジン樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、EP樹脂エポキシ樹脂、PI樹脂ポリイミド樹脂、BT樹脂ビスマレイミド-トリアジン樹脂を選択することが好ましい。例えば、エポキシ樹脂としては、いわゆるBPビスフェノール型、PNフェノールノボラック型、CNクレゾールノボラック型のものを用いることがよい。特には、BPビスフェノール型を主体とするものがよく、BPAビスフェノールA型やBPFビスフェノールF型が最もよい。なお、多層配線基板を構成する複数の樹脂絶縁層は、光硬化性を有する樹脂などを用いて形成されてもよく、必要に応じて無機フィラーや有機フィラーを含んでいてもよい。隣接する複数の樹脂絶縁層間には、内層配線パターンが挟まれるようにして配置される。この場合、内層配線パターンの上面側にて接する樹脂絶縁層及び底面側にて接する樹脂絶縁層は、同種の樹脂を用いて形成されたものであってもよく、あるいは異種の樹脂を用いて形成されたものであってもよい。また、内層配線パターンは最大幅が20μm以下の微細パターンであることがよい。内層配線パターンは、めっき層からなり、基板本体の面方向に沿って延びている。めっき層としては特に限定されないが、銅めっき層、ニッケルめっき層、金めっき層、銀めっき層、アルミニウムめっき層、スズめっき層、コバルトめっき層、チタンめっき層などを採用することができる。導電性、コスト性、加工性などを勘案すると、内層配線パターンは銅めっき層からなることが好ましく、特に無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成してなる構造であることがより好ましい。また、内層配線パターンが銅めっき層からなる場合、内層配線パターンにおいて上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の表面には、銅とは異なる1種以上の金属層が形成されていてもよい。このような金属層として、樹脂絶縁層への拡散速度が銅よりも遅い金属からなる層例えばスズ層などが形成されていることが好ましい。このような金属層があると、樹脂絶縁層への銅の拡散を抑制できるため、内層配線パターン同士が異層間でショートすることを防止することができる。なお、スズ層などの金属層は、上面側導体部分の表面の一部例えば上面に形成されていてもよいが、表面の全体即ち上面及び側面に形成されていることが、より好ましい。上面側導体部分の表面にスズ層を形成した場合、スズ層の表面にはシランカップリング処理が施されていることが好ましい。この処理が施されたスズ層上に樹脂絶縁層を形成すると、シランカップリング剤の成分と樹脂絶縁層の成分とが化学的に結合する。つまり、無機材料からなるスズ層と、有機材料からなる樹脂絶縁層との間では、通常強固な結合が得にくいが、この処理によれば比較的強固な結合を得ることができる。この結果、樹脂絶縁層と内層配線パターンとの密着性が向上し、剥がれの発生を効果的に防止することができる。ここで、シランカップリング剤は、有機物とケイ素とから構成される化合物であり、分子中に2種以上の異なった反応基を有したものである。シランカップリング剤としては、ビニル系、エポキシ系、アミノ系などがあり、樹脂絶縁層の種類や性質に応じて適宜選択することができる。樹脂絶縁層との密着を図るための処理としては、シランカップリング処理のほかに、例えば表面粗化処理が知られている。しかし、この処理を施すとパターン表面の凹凸が大きくなり、電気特性の低下につながる可能性がある。その点、シランカップリング処理によれば、パターン表面の凹凸が大きくならないので、電気抵抗値がばらつきにくくなる。よって、電気特性の向上を達成しやすくなるという利点がある。内層配線パターンにおいて、上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の高さと、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さとの比は限定されないが、例えば1:9~8:2の範囲内に設定される。高さの比がこのような好適範囲内であれば、内層配線パターンとその上下両側の樹脂絶縁層に対する密着状態を確実に維持することができる。なお、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の高さは、具体的には5μm以上であることがよい。内層配線パターンにおいて、上面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている上面側導体部分の最大幅と、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分の最大幅との比は限定されないが、例えば1:1~9:1の範囲内に設定される。最大幅の比がこのような好適範囲内であれば、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を確実に維持することができる。内層配線パターンをその延設方向に対して垂直に切断したときの断面において、底面側にて接する樹脂絶縁層に埋まっている底面側導体部分のテーパー率は限定されないが、例えば80以上に設定される。テーパー率とは、底面側導体部分の切断面が逆台形状である場合において、一対の平行な辺のうち短いもの/一対の平行な辺のうち長いもの×100の値であると定義する。この値が80未満であると、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を十分に維持することが困難になる場合がある。底面側にて接する樹脂絶縁層には、内層配線パターンの延設方向に沿って延びる溝が形成されるとともに、底面側導体部分として底面に設けられた突条が溝に埋まっていることがよい。この構成によると、溝に突条が埋まった状態となるため、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を確実に維持することができ、内層配線パターンの横倒れ、剥がれを回避することができる。しかも、このような溝及び突条を内層配線パターンの延設方向に沿って形成した場合、内層配線パターンをその延設方向に直交する方向に等断面形状にすることが可能なため、電気抵抗値を一定にすることができる。底面側にて接する樹脂絶縁層には、複数の窪みが形成されるとともに、底面側導体部分として底面に設けられた複数の突起が複数の窪みに埋まっていることがよい。この構成によると、複数の窪みに複数の突起が埋まった状態となるため、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態を確実に維持することができ、内層配線パターンの横倒れ、剥がれを回避することができる。溝または窪みの深さ即ち突条または突起に代表される底面側導体部分の高さは、底面側にて接する樹脂絶縁層の厚さよりも小さく設定されることがよい。その理由は、当該深さが底面側にて接する樹脂絶縁層の厚さ以上であると、突条または突起が下層の導体層と接してしまうため、絶縁を保つためには下層の導体層を避けてこれらを配置する必要があり、配線自由度が小さくなるからである。なお、下層導体層との導通はビア導体により達成すればよいからである。さらに、狭くて深い箇所にめっきを施そうとしても、めっき層の形成が困難になる場合があるからである。底面側にて接する樹脂絶縁層にビア導体が存在している場合、溝または窪みの深さは、そのビア導体の深さよりも小さく設定されることがよい。内層配線パターンが形成される樹脂絶縁層の表面は、平滑面であるよりもむしろ粗化面であることが好ましい。また、溝または窪みの内面についても同様に粗化面であることが好ましい。これらの面が粗化面であると、粗化面に存在する微細な凹凸により好適なアンカー効果がもたらされるため、内層配線パターンとその底面側にて接する樹脂絶縁層との密着状態をより確実に維持することができる。なお、粗化面の表面粗さRaは例えば1μm以上、好ましくは1μm以上3μm以下であり、溝または窪みの深さはこのRa値よりも大きく設定されることがよい。以下、本発明を具体化した一実施形態の多層配線基板K1を図1~図10に基づき詳細に説明する。図1に示されるように、本実施形態の多層配線基板K1は、表裏両面にビルドアップ層BU1,BU2を有する、いわゆるビルドアップ多層配線基板である。この多層配線基板K1は、基板主面32a及び基板裏面33aを有する基板本体20を備えている。基板本体20の一部をなすコア基板1は、表面2及び裏面3を有する平板状を呈している。コア基板1の表面2側には樹脂絶縁層12が形成され、裏面3側には樹脂絶縁層13が形成されている。コア基板1の表面2側に配置されたビルドアップ層BU1は、樹脂絶縁層16,30と、導体層内層配線パターン10,28,外層配線パターン34とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層12にはビアホール形成用孔12aが形成され、その内部には内層配線パターン10とコア基板側導体層4とを導通させるフィルドビア導体14が形成されている。樹脂絶縁層16にはビアホール形成用孔18が形成され、その内部には内層配線パターン10,28間を導通させるフィルドビア導体26が形成されている。コア基板1の裏面3側に配置されたビルドアップ層BU2は、樹脂絶縁層17,31と、導体層内層配線パターン11,29,外層配線パターン35とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層13にはビアホール形成用孔13aが形成され、その内部には内層配線パターン11とコア基板側導体層5とを導通させるフィルドビア導体15が形成されている。樹脂絶縁層17にはビアホール形成用孔19が形成され、その内部には内層配線パターン11,29間を導通させるフィルドビア導体27が形成されている。ソルダーレジスト32は、樹脂絶縁層30上に形成された外層導体パターン34を全体的に被覆している。ソルダーレジスト32は、所定箇所に開口部36を有しており、これらの開口部36は外層導体パターン34における所定部位即ち第1主面側ランド34aを第1主面32a側に露呈させている。ソルダーレジスト33は、樹脂絶縁層31上に形成された外層導体パターン35を全体的に被覆している。ソルダーレジスト33は、所定箇所に開口部37を有しており、これらの開口部37は外層導体パターン35における所定部位即ち第2主面側ランド35aを第2主面33a側に露呈させている。また、第1主面側ランド34aの上には、第1主面32aよりも高く突出するはんだバンプ38が形成されている。そして、これらのはんだバンプ38上には、はんだを介して図示しないICチップ等の電子部品が接合可能となっている。一方、第2主面側ランド35は、図示しないマザーボード等のプリント配線基板と電気的に接続されるようになっている。図1に示されるように、この配線基板K1の内部にはスルーホールが設けられている。本実施形態のスルーホールは、コア基板1及び樹脂絶縁層12,13を貫通するスルーホール形成用孔6の内壁面に円筒状のスルーホール導体7を析出させるとともに、そのスルーホール導体7の空洞部を充填樹脂9で埋めた構造を有している。そして、このスルーホールのスルーホール導体7によって、コア基板1の表面2側のビルドアップ層BU1における導体部分と、コア基板1の裏面3側のビルドアップ層BU2における導体部分との間の導通が図られている。図1,図2に示されるように、本実施形態の配線基板K1における内層配線パターン28,29は、基板本体20の面方向に沿って延びており、無電解銅めっき層41上に電解銅めっき層42を積層した層構造を有している。内層配線パターン28,29は、特にライン幅及びライン間隔がともに15μm以下の微細な内層配線パターンとなっている。そして、表面2側のビルドアップ層BU1において樹脂絶縁層16上には、樹脂絶縁層30が内層配線パターン層28を覆うようにして積層配置されている。裏面3側のビルドアップ層BU2において樹脂絶縁層17上には、樹脂絶縁層31が配線パターン層29を覆うようにして積層配置されている。表面2側のビルドアップ層BU1において内層配線パターン28は、隣接する2つの樹脂絶縁層16,30間に挟まれるようにして配置されている。樹脂絶縁層30は内層配線パターン28の上面43側にて接しており、樹脂絶縁層16は内層配線パターン28の底面44側にて接している。裏面3側のビルドアップ層BU2において内層配線パターン29は、隣接する2つの樹脂絶縁層17,31間に挟まれるようにして配置されている。樹脂絶縁層31は内層配線パターン29の上面43側にて接しており、樹脂絶縁層17は内層配線パターン29の底面44側にて接している。内層配線パターン28の底面44の中央部には、底面側導体部分としての突条46が内層配線パターン28の延設方向に沿って等幅で延びるように形成されている図2、図9参照。同様に、内層配線パターン29の底面44の中央部には、底面側導体部分としての突条46が内層配線パターン29の延設方向に沿って等幅で延びるように形成されている。底面44側にて接する樹脂絶縁層16,17には、内層配線パターン28,29の延設方向に沿って延びる溝51が形成され、突条46がその溝51を埋めている。つまり、内層配線パターン28は樹脂絶縁層16,30の両方に対して埋まっており、内層配線パターン29は樹脂絶縁層17,31の両方に対して埋まっている。図2に示されるように、内層配線パターン28,29において、上面43側にて接する樹脂絶縁層30,31に埋まっている上面側導体部分42の高さをh11とし、底面44側にて接する樹脂絶縁層16,17に埋まっている底面側導体部分突条46の高さをh12とする。本実施形態では、高さh11が約15μmであり、高さh12が約5μmとなっている。ゆえに、両者の高さの比h11:h12が15:5であって、その好適範囲内1:9~8:2となるように設定されている。なお、本実施形態の場合、底面44側にて接する樹脂絶縁層16,17の厚さT1が約30μmであるため、突条46の高さh12換言すると溝51の深さはそれよりも小さくなっている。ゆえに、突条46は樹脂絶縁層16,17を貫通しておらず、その下層に位置する内層配線パターン10にも接しない状態となっている。また、本実施形態の内層配線パターン28,29では、上面側導体部分45の最大幅W1が約15μm、底面側導体部分突条46の最大幅W2が約10μmとなっている。ゆえに、両者の最大幅の比W1:W2が15:10であって、その好適範囲内1:1~9:1となっている。さらに、内層配線パターン28,29をその延設方向に対して垂直に切断したときの断面において、底面側導体部分突条46のテーパー率が約85となっている。次に、本実施形態の配線基板K1の製造方法を図3~図10に基づいて説明する。まず、ビスマレイミドトリアジンBT樹脂を主体とするコア基板1を用意する。コア基板1の表面2及び裏面3には銅箔があらかじめ貼着されている。このようなコア基板1の銅箔を従来公知の手法ここではサブトラクティブ法でパターニングし、表面2上及び裏面3上にコア基板側導体層4,5を形成する。次に、コア基板1における表面2上及び裏面3上に樹脂絶縁層12,13を形成し、さらにビアホール形成用孔12a,13aを形成する。ここで、樹脂絶縁層12,13は、熱硬化性を有するビルドアップ層形成用樹脂材料いわゆるビルドアップ材を用いて形成される。本実施形態で使用するのに好適なビルドアップ材としては、例えばエポキシ樹脂中に無機フィラーを分散させてなる絶縁性フィルム等が挙げられる。次に、コア基板1及び樹脂絶縁層12,13を貫通するスルーホール形成用孔6を形成した後、無電解銅めっき及び電解銅めっきを施し、スルーホール導体7及びフィルドビア導体14,15を形成する。次に、スルーホール導体7の空洞部を充填樹脂9のペーストで穴埋めした後、電解銅めっきを行って銅めっき膜上にさらに銅めっき膜を形成する。このとき、同時に充填樹脂9の両端面を蓋めっき10a,11aで覆うようにする。続いて、これら2層の銅めっき膜を従来公知のサブトラクティブ法によりエッチングし、図3に示すような内層配線パターン10,11をそれぞれ形成する。これら内層配線パターン10,11はビルドアップ層BU1,BU2における1層目の導体層となる。次に、図4に示されるように、コア基板1側の樹脂絶縁層12及び1層目の内層配線パターン10の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、1層目の樹脂絶縁層16を形成する。同じく、コア基板1側の樹脂絶縁層13及び1層目の内層配線パターン11の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、1層目の樹脂絶縁層17を形成する。次に、樹脂絶縁層16,17の表面における所定の位置にレーザを照射することにより、ビアホール形成用孔18,19を形成するとともに、内層配線パターン28,29の形成予定箇所に溝51を形成する図5参照。この場合、ビアホール形成用孔18,19と溝51とで加工深さを異ならせる必要があることから、例えばレーザの出力、ショット数、照射時間などを変更して照射を行うようにする。次に、デスミア処理を行って、ビアホール形成用孔18,19の内壁面及び溝51の内壁面のスミアを除去するとともに、これら内壁面を含む樹脂絶縁層16,17の表面全体を粗面化表面粗さRaを2μm程度にする。そして、めっき触媒をあらかじめ塗布した後、無電解銅めっきを施すことより、厚さ約0.5μmの無電解銅めっき層41を全面に形成する図6参照。次に、無電解銅めっき層41の表面全体に、厚さ約25μmの感光性及び絶縁性のドライフィルム材を貼着し、露光及び現像を行って、所定位置に開口部49aを有するめっきレジスト49を形成する図7参照。開口部49aは、ビアホール形成用孔18,19及び溝51を露出させる位置に形成される。次に、開口部49aにて露出する無電解銅めっき層41に対し、従来公知の手法により電解銅めっきを行って電解銅めっき層42を15μm~20μm程度析出させる。続いて、専用の剥離液を用いてめっきレジスト49を剥離し、さらに無電解銅めっき層41の露出箇所を所定のエッチング液でエッチングすることにより、フィルドビア導体26,27及び内層配線パターン28,29をそれぞれ形成する図8、図9参照。この後、1層目の樹脂絶縁層16及び2層目の内層配線パターン28の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、2層目の樹脂絶縁層30を形成する図10参照。同じく、1層目の樹脂絶縁層17及び2層目の内層配線パターン29の上に先ほどの絶縁性フィルムを貼り付けて、2層目の樹脂絶縁層31を形成する。その結果、内層配線パターン28が、隣接する2つの樹脂絶縁層16,30間に挟まれるようにして配置されるとともに、2つの樹脂絶縁層16,30の両方に埋められた状態となる。また、内層配線パターン29が、隣接する2つの樹脂絶縁層17,31間に挟まれるようにして配置されるとともに、2つの樹脂絶縁層17,31の両方に埋められた状態となる。そして、セミアディティブ法により外層配線パターン34,35の形成を行った後、2層目の樹脂絶縁層30,31上に厚さ25μmのソルダーレジスト32,33をそれぞれ設ける。さらに、開口部36を介して露呈する第1主面側ランド34a上にニッケル-金めっきを施したうえではんだバンプ38を形成し、開口部37を介して露呈する第2主面側ランド35aにニッケル-金めっきを施す。以上の結果、図1に示したような表裏両面にビルドアップ層BU1,BU2を備える多層配線基板K1が完成する。従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。1本実施形態の多層配線基板K1では、内層配線パターン28,29が、上面43側にて接する樹脂絶縁層30,31のみならず、底面44側にて接する樹脂絶縁層16,17に対しても埋まっている。そのため、内層配線パターン28,29とその上面43側に接する樹脂絶縁層30,31との密着状態が維持されるばかりでなく、その下面44側に接する樹脂絶縁層16,17との密着状態も維持される。よって、微細な内層配線パターン28,29であっても横倒れや剥がれが起こりにくく、樹脂絶縁層16,17との間に十分な密着性を付与することができる。従って、信頼性が高くかつ歩留まりに優れた多層配線基板K1を提供することができる。2また、本実施形態の多層配線基板K1の場合、内層配線パターン28,29の一部が下面44側に接する樹脂絶縁層16,17側に埋まることになった結果、上面43側に接する樹脂絶縁層30,31の表面に凹凸が発生しにくくなる。よって、樹脂絶縁層30,31の厚さばらつきを低減することができるという利点がある。従って、ICチップ搭載面の平坦性を向上させることができる。3下層の絶縁層に溝トレンチを形成しそこを銅めっきで埋めて配線パターンを形成する手法としては、いわゆるトレンチフィリング法が従来知られている例えば特開平11-87276号を参照。ところが、この手法は、溝内の銅めっきを残しつつ絶縁層から突出した銅めっきを全部除去する加工を行う必要があるため工程上困難であり、加工精度が低いと配線切れや短絡が発生するという課題がある。その点、本実施形態の多層配線基板K1の製造方法によれば、特にそのような全部除去工程を要しないため、配線切れや短絡のリスクもなく、多層配線基板K1を比較的簡単にかつ高歩留まりで製造することができる。なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。上記実施形態では、本発明をコア基板1を有する多層配線基板に具体化したが、いわゆるコア基板を有しない多層配線基板に具体化することもできる。上記実施形態では、内層配線パターン28,29が、最大幅20μm以下の微細パターンである場合について突条46を設け、溝51を埋めるようにしたが、最大幅が20μm超である場合についても同様の構成を採用してもよい。上記実施形態では、内層配線パターン28,29における高さがh11>h12となっているものを例示したが、例えば図11に示す別の実施形態の内層配線パターン28Aのように高さがh11<h12となっていてもよい。ただし、この場合にあっても高さの比h11:h12は1:9~8:2という好適範囲内に設定されることがよい。上記実施形態では、内層配線パターン28,29の底面44の中央部に1本の突条46を設けた例を示したが、例えば図12に示す別の実施形態の内層配線パターン28Bのように底面44の両側部に2本の突条46を設けるようにしてもよい。上記実施形態では、等幅の突条46を設けた内層配線パターン28,29を例示したが、例えば図13に示す別の実施形態の内層配線パターン28Cのように、他の内層配線パターンよりも幅が狭くなっている幅狭部46cを有する突条46を設けるようにしてもよい。図13のものでは、内層配線パターン28Cの屈曲部に対応して幅狭部46cを配置している。直線部に比べて屈曲部は内層配線パターン28Cの幅が広くなるので、そこだけ断面積が増大するが、幅狭部46cを配置することで断面積の増大分を相殺することができる。よって、内層配線パターン28Cの電気抵抗値を一定にすることができる。なお、屈曲部に対応して幅狭部46cを設ける代わりに、他の部分よりも突条46の高さを低くすることで、電気抵抗値の一定化を図ってもよい。上記実施形態では、内層配線パターン28,29に突条46を設け、その突条46で溝51を埋めるようにした例を示したが、例えば図14に示す別の実施形態の内層配線パターン28Dのように複数の突起54を設け、それら突起54で複数の窪み53をそれぞれ埋めるようにしてもよい。上記実施形態では、隣接する2つの同種の樹脂絶縁層16,30間に、突条46を有する内層配線パターン28を配置した例を示したが、例えば隣接する2つの異種の樹脂絶縁層間に同様の構造を有する内層配線パターンを配置してもよい。上記実施形態では、内層配線パターン28,29は、無電解銅めっき層41上に電解銅めっき層42を積層した層構造を有するものであった。これに代えて、例えば、図15~図17に示す別の実施形態のような層構造を採用してもよい。図17に示される内層配線パターン28Eは、無電解銅めっき層41及び電解銅めっき層42に加え、さらにスズ層としてのスズめっき層61とシランカップリング処理層62とを備えている。スズめっき層61は、電解銅めっき層42において樹脂絶縁層16から露出している部分の全体即ち上面側導体部分45の表面全体を覆うように形成されている。シランカップリング処理層62は、そのようなスズめっき層61を全体的に覆うように形成されている。なお、フィルドビア導体26Eについても、同様の層構造を有するものとなっている。ここで、内層配線パターン28Eの形成手順を説明する。まず、上記実施形態の手順に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行った後、無電解銅めっき層41のエッチングを行い、図8に示す状態のものを作製する。次に、従来公知のスズめっき浴を用いて電解スズめっきを行い、内層配線パターン28E及びフィルドビア導体26Eの表面全体にスズめっき層61を形成する図15参照。この場合、スズめっき層61の厚さは限定されないが、例えば0.1μm~5μm程度としてもよい。また、この段階でスズめっき層61を平滑化するための熱処理を必要に応じて行ってもよく、スズめっき層61が所定の厚み以上に形成された場合には、硝酸洗浄などにより余剰部分を除去してもよい。続いて、従来公知のシランカップリング剤例えば信越化学株式会社製のものを塗布処理し、スズめっき層61の表面全体にシランカップリング処理層62を形成する図16参照。この後、1層目の樹脂絶縁層16及び2層目の内層配線パターン28Eの上に絶縁性フィルムを貼り付けて、2層目の樹脂絶縁層30を形成する図17参照。この構成によると、スズめっき層61の存在によって樹脂絶縁層30への銅の拡散を抑制することができる。そのため、内層配線パターン28E同士、あるいは内層配線パターン28Eと他の導体とが異層間でショートすることを防止することができる。さらに、スズめっき層61上にはシランカップリング処理層62が形成されていることから、樹脂絶縁層30と内層配線パターン28Eとの密着性を向上させることができる。ゆえに、剥がれの発生を効果的に防止することができる。なお、図17のものでは、スズ層としてスズめっき層61を無電解めっきにより形成する手法を採用したが、無電解めっき以外の手法で形成されたスズ層例えば電解スズめっき層やスズスパッタ層などを採用することもできる。次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。1手段1において、前記複数の樹脂絶縁層は、熱硬化性を有する同種の樹脂絶縁層からなることを特徴とする多層配線基板。2手段1において、前記多層配線基板は、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板であることを特徴とする多層配線基板。3手段1、思想1,2のいずれか1項において、前記底面側にて接する樹脂絶縁層にはビアホール形成用孔が形成され、そのビアホール形成用孔内にはフィルドビア導体が形成され、前記底面側導体部分の高さが、前記ビアホール形成用孔の深さよりも小さくなるように設定されていることを特徴とする多層配線基板。4手段1、思想1乃至3のいずれか1項において、前記多層配線基板はコア基板を有することを特徴とする多層配線基板。5手段1、思想1乃至3のいずれか1項において、前記多層配線基板はコア基板を有しないことを特徴とする多層配線基板。"