"シリコンを含む炭素鋼素材を加熱炉に装入するステップと、前記素材を予熱するステップと、前記素材の温度を上昇させる第1加熱ステップと、前記加熱炉の温度を下降させて、素材の表面と内部との温度偏差を減少させる第2加熱ステップと、前記素材の温度を上昇させる第3加熱ステップと、前記素材の表面と内部との温度偏差を減少させる亀裂ステップとを含み、前記加熱炉内における素材の温度がファイアライトの融点以下に維持されることを特徴とする素材の加熱方法。前記素材は、0.15重量ないし1.20重量の炭素と、0.10重量以上のシリコンとを含むことを特徴とする請求項1に記載の素材の加熱方法。前記第1加熱ステップを行う前記加熱炉の第1加熱帯の温度T1、前記第2加熱ステップを行う前記加熱炉の第2加熱帯の温度T2、前記第3加熱ステップを行う前記加熱炉の第3加熱帯の温度T3、および前記亀裂ステップを行う前記加熱炉の亀裂帯の温度T4が、T2<T4<T3<T1であることを特徴とする請求項1に記載の素材の加熱方法。前記T1は、1,190°Cないし1,210°Cであることを特徴とする請求項3に記載の素材の加熱方法。前記T2は、1,130°Cないし1,160°Cであることを特徴とする請求項3に記載の素材の加熱方法。前記T3は、1,170°Cないし1,190°Cであることを特徴とする請求項3に記載の素材の加熱方法。前記T4は、1,160°Cないし1,180°Cであることを特徴とする請求項3に記載の素材の加熱方法。前記T1は1,200°C、前記T2は1,150°C、前記T3は1,180°C、前記T4は1,170°Cであることを特徴とする請求項3に記載の素材の加熱方法。前記素材の在炉時間が160分ないし230分であることを特徴とする請求項1に記載の素材の加熱方法。前記第1加熱ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT1、前記第2加熱ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT2、前記第3加熱ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT3、前記亀裂ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT4の間に、ΔT4<ΔT2、ΔT3<ΔT1の関係を満足させることを特徴とする請求項1に記載の素材の加熱方法。本発明の目的は、素材の表面品質を画期的に向上させることができる素材の加熱方法を提供することである。本発明の他の目的は、赤スケールを根本的に除去することができる素材の加熱方法を提供することである。本発明のさらに他の目的は、0.15重量ないし1.20重量の炭素と、0.10重量以上のシリコンとを含む素材の表面品質を向上させることができる素材の加熱方法を提供することである。本発明の一態様にかかる素材の加熱方法は、シリコンを含む炭素鋼素材を加熱炉に装入するステップと、前記素材を予熱するステップと、前記素材の温度を上昇させる第1加熱ステップと、前記加熱炉の温度を下降させて、素材の表面と内部との温度偏差を減少させる第2加熱ステップと、前記素材の温度を上昇させる第3加熱ステップと、前記素材の表面と内部との温度偏差を減少させる亀裂ステップとを含み、前記加熱炉内における素材の温度がファイアライトの融点以下に維持されることを特徴とする。前記素材は、0.15重量ないし1.2重量の炭素と、0.1重量以上のシリコンとを含むことができる。前記第1加熱ステップを行う前記加熱炉の第1加熱帯の温度T1、前記第2加熱ステップを行う前記加熱炉の第2加熱帯の温度T2、前記第3加熱ステップを行う前記加熱炉の第3加熱帯の温度T3、および前記亀裂ステップを行う前記加熱炉の亀裂帯の温度T4が、T2<T4<T3<T1であり得る。具体的には、前記T1は、1,190°Cないし1,210°Cであり得る。具体的には、前記T2は、1,130°Cないし1,160°Cであり得る。具体的には、前記T3は、1,170°Cないし1,190°Cであり得る。具体的には、前記T4は、1,160°Cないし1,180°Cであり得る。より具体的には、前記T1は1,200°C、前記T2は1,150°C、前記T3は1,180°C、前記T4は1,170°Cであり得る。前記素材の在炉時間が160分ないし230分であり得る。前記第1加熱ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT1、前記第2加熱ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT2、前記第3加熱ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT3、前記亀裂ステップを終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT4の間に、ΔT4<ΔT2、ΔT3<ΔT1の関係を満足させることができる。本発明によれば、加熱工程の制御によって素材の表面品質を画期的に向上させることができる。特に、0.15重量ないし1.2重量の炭素と、0.1重量以上のシリコンとを含む素材の赤スケールを根本的に除去することができる。以下、添付した図面を参照して、本発明にかかる素材の加熱方法の一実施形態を説明する。この過程で図面に示された線の厚さや構成要素の大きさなどは、説明の明瞭性と便宜上誇張されて示されていることがある。また、後述する用語は、本発明における機能を考慮して定義された用語であり、これは使用者、運用者の意図または慣例によって異なることがある。そのため、このような用語に対する定義は、本明細書全般にわたる内容に基づいて行われなければならない。図1は、本発明の一実施形態にかかる素材の温度プロファイルと加熱炉の温度を示す図、図2は、本発明の一実施形態にかかる加熱炉の一部構成断面図、図3は、本発明の一実施形態にかかる圧延装置の斜視図、図4は、本発明の一実施形態にかかる素材の界面構造を示す断面図である。本発明は、シリコンを含む炭素鋼素材の加熱方法に関するものであって、より具体的には、0.15重量ないし1.20重量の炭素Cと、0.10重量以上のシリコンSiとを含む素材を加熱する方法に関するものである。本発明において、加熱炉で加熱対象となる品物および熱間圧延を経る品物を素材と通称する。すなわち、前記素材とは、連鋳工程などを経て製造されたスラブSlab、ブルームBloom、ビレットBilletなどを指すことができる。また、前記スラブまたはブルームを加熱炉に供給して加熱した後、粗圧延、仕上げ圧延などを進行させるが、前記素材は、粗圧延後のバーBar、仕上げ圧延後のストリップStripなどを指す用語として使われることもある。シリコンは、フェライトFerrite安定化元素でかつ、炭素の活動度を向上させる元素である。熱処理時、パーライトPerlite組織のセメンタイトCementite内の炭素の移動を補助してその組織内の炭素含有量を減少させ、靭性と延性を向上させる。また、シリコンは、製鋼工程中に鋼中の酸素を除去する脱酸剤として添加され、フェライトに固溶して強度を増加させる役割を果たす。しかし、鋼中にシリコンが添加されると、熱間圧延工程で赤スケールRedscaleが発生し、前記赤スケールはデスケーラDescalerでよく剥離されず、熱延鋼板の表面品質を低下させる。特に、0.15重量ないし1.20重量の炭素を含む高炭素鋼の場合、熱処理性を向上させるためにシリコン含有量を一般的な鋼材より高くする。すなわち、0.10重量以上、特に0.30重量以上にシリコン含有量を高くする場合が多いが、この場合、素材の熱間圧延で赤スケールが多く発生する。赤スケールは、素材の表面に形成されるファイアライトFayalite、Fe2SiO4によって生成されることが知られている。本発明は、素材が加熱炉を通過する間、素材の温度をファイアライトの融点約1,173°C以下に維持させ、ファイアライトの生成を抑制することができる。また、加熱炉における加熱条件を調節して素材の表面と内部との温度偏差を減少させ、赤スケールを含むスケール性欠陥の生成を防止し、素材の加熱温度を低くしながらも、後の圧延工程が円滑になるようにすることができる。図1および図2を参照すれば、本発明の一実施形態にかかる素材の加熱方法は、素材を予熱する予熱ステップ図示せずと、第1加熱ステップと、第2加熱ステップと、第3加熱ステップと、亀裂ステップとを含む。図1に示された図中の素材の温度-時間グラフにおいて、実線は素材の内部中心部の温度変化を示すものであり、一点鎖線は素材の表面の温度変化を示すものである。予熱ステップは、加熱炉100の予熱帯F0、第1加熱ステップS1は加熱炉100の第1加熱帯F1、第2加熱ステップS2は加熱炉の第2加熱帯F2、第3加熱ステップS3は加熱炉100の第3加熱帯F3、亀裂ステップS4は加熱炉の亀裂帯F4に対応する。予熱ステップ図示せずは、加熱炉100に装入された素材Sを予熱させるステップである。前記予熱ステップは、その後に進行する加熱ステップS1、S2、S3と亀裂ステップS4のために設けられた加熱炉の加熱装置112、116、120、124から出る熱熱風を利用して素材を予熱させる区間であり得る。すなわち、加熱炉100の予熱帯F0には、素材Sの上下部などに加熱装置が存在しなくてもよい。もちろん、加熱炉100の構成によって予熱帯F0に加熱装置を具備するようにしてもよい。第1加熱ステップS1は、予熱ステップを通過した素材の温度を上昇させる区間で、素材を圧延するために一定の温度に加熱する区間である。第1加熱ステップS1において、加熱炉100の温度は、T1に設定される。素材Sは表面から加熱されるため、素材Sの表面の温度がより高く維持され内部に熱伝逹されて、素材Sの内部も次第に温度が上昇する。第1加熱ステップS1を終えた後、素材Sの表面と内部との温度差は、ΔT1となる。本発明において、素材Sの内部の温度は、素材Sの厚さの中心、長さの中心、そして幅の中心に位置する地点の温度を意味し、より具体的には、素材Sの重心における温度を意味する。第2加熱ステップS2は、加熱炉の温度を下降させて、素材Sの表面と内部との温度偏差を減少させる区間である。このために、第2加熱ステップS2を経る間、加熱炉100の温度は、第1加熱ステップS1より低いT2T2<T1に設定される。素材Sの表面から次第に冷却されるため、一定時間が経た後には、素材の表面と内部との温度偏差が減少する。すなわち、第2加熱ステップS2を経た後、素材Sの表面と内部との温度差ΔT2は、ΔT1より小くなる。第3加熱ステップS3は、前記素材Sの温度を再び上昇させる区間である。赤スケールの生成を防止するために、素材Sの温度すなわち、素材の表面と内部との温度をファイアライトの融点Tm以下に維持させることが好ましいが、圧延負荷を低減させるためには、できるだけ温度を高く維持することが好ましい。したがって、第3加熱ステップS3は、素材の温度をファイアライトの融点Tm以下に維持しながら素材の表面と内部との温度をできるだけ高く上昇させて、圧延が円滑になるようにする区間である。このために、加熱炉の温度T3は、T2よりは高く、T1よりは低く設定することが好ましい。第3加熱ステップS3を通過した後の素材Sの表面と内部との温度差ΔT3は、ΔT2より小さくても大きくてもよいが、ΔT1よりは小さく維持されることが好ましい。すなわち、第2加熱ステップS2の加熱時間工程時間、加熱炉の温度、第3加熱ステップS3の加熱時間、加熱炉の温度、そして素材Sの形態、物性などによって変化し得る。亀裂ステップS4は、最終的に素材Sの表面と内部との温度差を減少させる区間である。亀裂ステップS4でも、素材Sの表面と内部との温度をファアライトの融点Tm以下に維持させ、できるだけ素材の表面と内部との温度差を減少させることが好ましい。こうすることで、赤スケールを含むスケール発生の抑制、圧延負荷の減少、素材の表面と内部との温度偏差による圧延不良の防止などが可能である。すなわち、亀裂ステップS4を終えた後の素材の表面と内部との温度差ΔT4が最小となるようにすることが好ましい。具体的には、ΔT4<ΔT2、ΔT3<ΔT1となるようにすることが好ましい。ΔT4が0°Cとなるのが理想的であるが、生産工程の限界上、若干の温度偏差が発生せざるを得ない。前記予熱ステップ、第1加熱ステップS1、第2加熱ステップS2、第3加熱ステップS3、および亀裂ステップS4を経る間の総工程時間、すなわち在炉時間は160分ないし230分が好ましい。160分未満であれば、ファイアライトの融点Tm以下で素材Sを加熱しながら素材の表面と内部との温度偏差を減少させることが難しく、230分を超えると、生産性の面で好ましくない。したがって、在炉時間は、160分ないし230分に設定することが有効であり得、好ましくは180分ないし200分であり得る。具体的には、前記在炉時間の範囲内で、予熱ステップは50分±10分、第1加熱ステップS1は30分±10分、第2加熱ステップS2は25分±10分、第3加熱ステップS3は35分±10分、亀裂ステップS4は40分±10分が有効であり得るが、各加熱ステップおよび亀裂ステップの在炉時間に制限があるわけではない。加熱炉100内を通過する間、素材Sがファイアライトの融点以下に維持されなければならない。このために、第1加熱帯の温度T1、第2加熱帯の温度T2、第3加熱帯の温度T3、亀裂帯の温度T4の間に、T2<T4<T3<T1を満足するように設定することが、赤スケールなどのスケールの抑制、素材の表面と内部との温度差の減少、および圧延効率の面で好ましい。前記温度関係は一実施形態に過ぎず、素材Sがファイアライトの融点Tm以下に維持されると、加熱炉の温度設定方法に制限があるわけではない。具体例として、素材Sを加熱させる第1加熱ステップS1を行う第1加熱帯F1の温度は、1,190°Cないし1,210°C、好ましくは1,200°Cに設定できる。前記温度範囲で30分±10分加熱させることが好ましい。第2加熱ステップS2を行う第2加熱帯F2の温度は、1,130°Cないし1,160°C、好ましくは1,140°Cないし1,150°C、より好ましくは1,150°Cに設定できる。前記温度範囲で25分±10分加熱させることが好ましい。第3加熱ステップS3を行う第3加熱帯F3の温度は、1,170°Cないし1,190°C、好ましくは1,180°Cに設定できる。前記温度範囲で35分±10分加熱させることが好ましい。亀裂ステップS4を行う亀裂帯F4の温度は、1,160°Cないし1,180°C、好ましくは1,170°Cに設定できる。前記温度範囲で40分±10分亀裂させることが好ましい。図2を参照すれば、本発明の一実施形態にかかる加熱炉100は、予熱帯F0と、第1加熱帯F1と、第2加熱帯F2と、第3加熱帯F3と、亀裂帯F4とを含む。素材Sは、装入部102を介して装入され、抽出部104を介して加熱炉から抽出される。装入部102は、装入ドア106によって開閉され、抽出部104は、抽出ドア108によって開閉されるように構成できる。加熱炉100は、装入部102から抽出部104まで連続的に配列され、その上に加熱しようとする素材Sが載置されて移送されるスキッドビーム110を追加的に含むことができる。スキッドビーム110は、大別して、素材Sを支持するための固定ビームと、素材Sを前進させるためのウォーキングビームとからなり得、加熱炉100内で素材Sが加熱される間、ウォーキングビームは、素材Sを上昇、前進、下降および後進させることによって、装入部102から抽出部104の方向に素材Sを漸進的に移送させることができる。第1加熱帯F1には、第1加熱装置112が具備され、第1加熱帯F1の温度を測定する第1温度測定装置114が具備され得る。第2加熱帯F2、第3加熱帯F3、および亀裂帯F4にもそれぞれ、第2加熱装置116と第2温度測定装置118、第3加熱装置120と第3温度測定装置122、第4加熱装置124と第4温度測定装置126が具備できる。予熱帯F0には、加熱装置と温度測定装置が存在しても存在しなくてもよく、加熱装置は存在しないが、温度測定装置は存在してもよい。前記温度測定装置114、118、122、124の位置に制限があるわけではなく、加熱炉100上部の蓋部分などに設置できる。第1加熱装置112、第2加熱装置116、第3加熱装置120、および第4加熱装置124は、重油、天然ガス、コークス炉ガスCOG:CokeOvenGasのようなガスを燃焼させ、熱風によって加熱炉100内の温度を上昇させるバーナであってもよく、赤外線ヒータIRheaterであってもよいが、費用の面でバーナが好ましい。前記バーナは、複数個設置され得、素材Sの上部および下部にすべて設けられてもよく、上部または下部のうちのいずれか一方にのみ設けられてもよい。第1温度測定装置114、第2温度測定装置118、第3温度測定装置122、および第4温度測定装置126は、温度を測定可能な装置であれば制限なく用いることができるが、サーモカップルThermocoupleが好ましい。素材Sの初期温度、抽出時に要求される最終温度などに応じて、予熱帯F0、第1加熱帯F1、第2加熱帯F2、第3加熱帯F3、および亀裂帯F4内における目標温度、昇温速度および滞留時間などがそれぞれ制御される。素材Sの温度がファイアライトの融点以下に維持されるようにしなければならず、このために、第1加熱帯F1の温度T1、第2加熱帯F2の温度T2、第3加熱帯F3の温度T3、亀裂帯F4の温度T4の間に、T2<T4<T3<T1を満足するように設定することが、赤スケールなどのスケールの抑制、素材の表面と内部との温度差の減少、および圧延効率の面で好ましい。図3を参照すれば、本発明の一実施形態にかかる圧延装置は、加熱炉100、サイジングプレス200、粗圧延機210、エッジヒータ220、デスケーラ230、仕上げ圧延機240、ランアウトテーブル250、冷却部260、巻取機270などを含むことができる。加熱炉100は、素材Sを熱間圧延するために再加熱する炉Reheatingfurnaceであり、加熱炉100の構成および工程時間は前述したので、その詳細な説明を省略する。サイジングプレス200、SlabSizingPressは、素材Sの長さ方向の幅偏差を減少させ、最終需要者の要求に合わせて一定幅に圧延する幅圧延機である。粗圧延機210、RoughingMillは、仕上げ圧延で要求される適正な厚さおよび幅に圧延する。粗圧延機210の入側から出側への素材Sの移動、または出側から入側への素材Sの移動をパスPassというが、このパスを複数回行うことができ、各パス後、復熱現象を利用して素材Sの温度勾配を低減少させるための待機時間を設定することができる。エッジヒータ220は、素材Sのエッジ部の温度降下を防ぐ用途で設置され得、デスケーラ230は、高圧水で素材Sの表面のスケールを除去することができる。仕上げ圧延機240は、鋼板を顧客または冷間圧延工程で要求される厚さ、幅などの最終形状に製造する機器である。仕上げ圧延機240を通過した素材Sは、ランアウトテーブル250を通過する間、冷却部260から出たラミナーフローLaminarflow冷却水によって目標温度に水冷可能であり、以後、巻取機270によって巻取られるとよい。前記冷却水による冷却の代わりに空冷されてもよい。前述した圧延装置は一実施形態に過ぎず、前記圧延装置を構成する機器の一部は省略されてもよく、他の追加的な機器がさらに含まれてもよい。例えば、粗圧延機の前後またはその内部にデスケーラが追加されてもよい。他の例として、サイジングプレス200の前後にデスケーラが追加されてもよい。さらに他の例として、サイジングプレスによって発生する幅偏差を均一化するためのエッジャーEdgerMillをさらに含むこともできる。また、前述した機器の名称は便宜上名づけたもので、別の名称を使うこともできる。図4を参照すれば、鋼材素材は、ベース鉄Basesteel、Aの表面に順次にウスタイトB、Wustite、FeO、マグネタイトC、Magnetite、Fe3O4、ヘマタイトD、Hematite、Fe2O3からなるスケールが生成されて存在し得る。本発明の一実施形態にかかる素材の加熱方法は、素材の温度をファイアライトの融点以下に下降させることによって、ベース鉄AとウスタイトBとの間にファイアライトが生成されないか、生成されてもその接着力を大きく弱めることができる利点がある。ファイアライトは、ウスタイトBおよびベース鉄A内に存在するシリコン由来のシリコン酸化物SiO2の反応によって生成されるが、ベース鉄Aとの密着性が高くてデスケーラによって除去されず、圧延工程を終えた後に赤スケールを誘発する。特に、ファイアライトは、溶解して冷却されながらベース鉄Aとの接着力が大きく増大し、デスケーラによって除去されない特徴がある。本発明は、加熱炉における素材の温度をファイアライトの融点以下に維持させることによって、ファイアライトの発生を抑制するか、発生したファイライトの接着力を大きく弱め、デスケーラによってスケールを容易に除去することができ、圧延工程を終えた後の素材の表面品質を大きく向上させることができる。また、圧延工程を終えた後、前記スケールが除去されないか、再び生成されても酸洗工程などで容易に除去することができる。本発明は、図面に示された一実施形態を参照して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術の属する分野における通常の知識を有する者であれば、これより多様な変形および均等な他の実施形態が可能である点を理解することができる。また、図示の圧延装置などは例示的なものに過ぎず、他の圧延装置にも本発明の技術的思想が適用可能である。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、下記の特許請求の範囲によって定められなければならない。"