基板の表面に、III-V族化合物半導体を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加された中間層を形成する、中間層形成工程と、形成した前記中間層の表面に前記III-V族化合物半導体を形成する、半導体形成工程と、を有する、III-V族化合物半導体の製造方法。前記基板がIV族半導体基板であり、前記基板に、Ge、Si、及び、Cからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれる、請求項1に記載のIII-V族化合物半導体の製造方法。前記III族元素に、Ga、In、及び、Alからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれる、請求項1又は2に記載のIII-V族化合物半導体の製造方法。前記V族元素に、As、及び、Pからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれる、請求項1~3のいずれか1項に記載のIII-V族化合物半導体の製造方法。特許文献1に開示されている技術では、Si基板の上にIII-V族化合物半導体層を形成する際に、III-V族化合物半導体層を構成するIII族元素やV族元素がSi基板側へ拡散する。その結果、Si基板の表面近傍における、結晶成長初期のIII-V族化合物半導体の品質が低下し、欠陥が発生してしまうという問題があった。そこで本発明は、基板側の品質低下領域を低減したIII-V族化合物半導体を製造することが可能な、III-V族化合物半導体の製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、鋭意検討の結果、基板上に形成するIII-V族化合物半導体に含まれるIII族元素及び/又はV族元素を固溶限界まで添加した中間層を基板上に形成し、この中間層の表面にIII-V族化合物半導体を形成することにより、III-V族化合物半導体から基板へと向かうIII族元素やV族元素の拡散を抑制することが可能になり、基板側の品質低下領域を低減することが可能になることを知見した。本発明は、当該知見に基づいて完成させた。上記課題を解決するために、本発明は以下の手段をとる。すなわち、本発明は、基板の表面に、III-V族化合物半導体を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加された中間層を形成する、中間層形成工程と、形成した中間層の表面にIII-V族化合物半導体を形成する、半導体形成工程と、を有する、III-V族化合物半導体の製造方法である。ここで、固溶限界とは、III-V族化合物半導体を形成する際の温度における固溶限界をいう。本発明では、基板の表面に中間層を形成し、この中間層の表面にIII-V族化合物半導体を形成する。中間層には、III-V族化合物半導体を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加されているので、中間層の表面にIII-V族化合物半導体を形成する際に、基板側へと向かうIII族元素やV族元素の拡散を抑制することができる。基板側へと向かうIII族元素やV族元素の拡散を抑制することにより、品質が低下したIII-V族化合物半導体の領域基板側の品質低下領域を低減することができる。また、上記本発明において、基板がIV族半導体基板であり、該基板に、Ge、Si、及び、Cからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれていても良い。かかる形態であっても、品質が低下したIII-V族化合物半導体の領域基板側の品質低下領域を低減することができる。また、上記本発明において、III族元素に、Ga、In、及び、Alからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれていても良い。かかる形態であっても、品質が低下したIII-V族化合物半導体の領域基板側の品質低下領域を低減することができる。また、上記本発明において、V族元素に、As、及び、Pからなる群より選択された少なくとも1以上の元素が含まれていても良い。かかる形態であっても、品質が低下したIII-V族化合物半導体の領域基板側の品質低下領域を低減することができる。本発明によれば、基板側の品質低下領域を低減したIII-V族化合物半導体を製造することが可能な、III-V族化合物半導体の製造方法を提供することができる。以下、図面を参照しつつ、本発明について説明する。なお、以下に示す形態は本発明の例示であり、本発明は以下に示す形態に限定されない。図1は、本発明のIII-V族化合物半導体の製造方法以下において、単に本発明ということがある。を説明する図であり、図2は、本発明によって製造したIII-V族化合物半導体を説明する図である。また、図3は、従来の方法によって製造したIII-V族化合物半導体を説明する図である。図1に示したように、本発明は、中間層形成工程S1と、半導体形成工程S2と、を有し、これらの工程を経て、III-V族化合物半導体を製造する。中間層形成工程以下において、S1ということがある。は、基板の表面に、III-V族化合物半導体を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加された中間層を形成する工程である。図2に示したIII-V族化合物半導体1を本発明によって製造する場合、S1は、基板3の表面に、III-V族化合物半導体1を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加された中間層2を形成する工程である。S1で中間層を形成する方法は特に限定されず、例えば、化学気相成長CVD法や、分子線エピタキシャルMBE法や、イオン注入法等を例示することができる。半導体形成工程以下において、S2ということがある。は、上記S1で形成した中間層の表面に、III-V族化合物半導体を形成する工程である。図2に示したIII-V族化合物半導体1を本発明によって製造する場合、S2は、S1で基板3に形成した中間層2の表面に、III-V族化合物半導体1を形成する工程である。本発明では、III-V族化合物半導体1を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加された中間層2の表面に、III-V族化合物半導体1を形成する。それゆえ、III-V族化合物半導体1から基板3の方へと向かう、III族元素及び/又はV族元素の拡散を抑制できる。一方、従来法によって、基板3の表面にIII-V族化合物半導体1を直接形成すると、基板3とIII-V族化合物半導体1とでは、III族元素の濃度差及びV族元素の濃度差が大きい。そのため、図3に示したように、III-V族化合物半導体1の基板3側に、品質低下領域Yが形成されてしまう。これに対し、本発明では、中間層2の表面にIII-V族化合物半導体1を形成することによって、基板3の方へと向かうIII族元素及び/又はV族元素の拡散を抑制する。基板3の方へと向かうIII族元素及び/又はV族元素の拡散を抑制することにより、図2及び図3に示したように、III-V族化合物半導体1の基板3側に存在し得る品質低下領域Xの厚さを、従来の品質低下領域Yの厚さよりも低減することができる。したがって、S1及びS2を有する形態とすることにより、本発明によれば、基板側の品質低下領域を低減したIII-V族化合物半導体を製造することが可能な、III-V族化合物半導体の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、デバイス領域としては適切でない品質低下領域を低減できるので、III-V族化合物半導体1の厚さを従来の厚さよりも薄くしても、従来と同等の性能を確保することができる。したがって、本発明によれば、デバイスの低コスト化を図ることも可能になる。さらに、本発明によれば、基板側へと向かうIII族元素及び/又はV族元素の拡散を抑制できるので、当該拡散に起因するIII-V族化合物半導体の組成ずれを抑制することも可能になる。本発明において、表面に中間層2が形成される基板3の形態は特に限定されず、III-V族化合物半導体を形成する際に使用可能な公知の基板を適宜用いることができる。そのような基板3としては、Ge、Si、SiGe、SiC等に代表されるIV族半導体基板等を例示することができる。基板3の厚さは、例えば数百μm程度とすることができる。また、中間層2は、製造されるIII-V族化合物半導体1を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素が固溶限界まで添加されていれば、その形態は特に限定されない。中間層2は、III-V族化合物半導体1を構成すべきIII族元素及び/又はV族元素に加え、必要に応じて基板3の構成元素を用いて形成することができる。例えば、半導体形成工程で、III-V族化合物半導体1であるGaAsを600°Cにて成長させる場合であって、且つ、基板3としてGeを用い、中間層2にGaを固溶限界まで添加する場合、600°CにおけるGe中へのGaの固溶限界は、およそ5×1020cm-3との報告があるFATrumboreSolidsolubilitiesofimpurityelementsingermaniumandsiliconBellSystTechJVol39no1p2052331960。そのため、この濃度のGaを添加した中間層2を形成した後、中間層2の表面にGaAsを形成することにより、基板3側へと向かうGaの拡散を抑制することができる。なお、ここでは、中間層2にGaのみを添加する形態について言及したが、中間層2にはAsのみを添加しても良く、Ga及びAsを添加しても良い。また、中間層2の厚さは特に限定されず、例えば数百nm程度とすることができる。また、本発明で製造されるIII-V族化合物半導体1の形態は特に限定されず、公知のIII-V族化合物半導体を製造することができる。そのようなIII-V族化合物半導体としては、GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs等の2元系のほか、AlGaAs、InGaP、InGaAsP等の3元以上の混晶系等を例示することができる。上述したように、中間層2は、例えば、CVD法や、MBE法や、イオン注入法等で形成することができる。そこで、以下に、これらの方法を用いて中間層2を形成する具体的な形態例について説明する。図4は、CVD装置10を説明する概念図である。図4に示したCVD装置10は、基板11を加熱可能であり且つ回転可能に構成された試料台12を備える試料室13を有し、試料室13には、IV族原料が充填されたボンベ14と、V族原料が充填されたボンベ15と、液体のIII族原料をバブリング可能に構成された容器16と、キャリアガスが充填されたボンベ17と、減圧ポンプ18と、が接続されている。ボンベ14と試料室13とを繋ぐ配管14pには、圧力調整器14x、流量調整器14y、及び、バルブ14zが接続されており、ボンベ15と試料室13とを繋ぐ配管15pには、圧力調整器15x、流量調整器15y、及び、バルブ15zが接続されている。また、容器16と試料室13とを繋ぐ配管16pには、バルブ16zが接続されており、ボンベ17と試料室13とを繋ぐ配管17pには、圧力調整器17x、流量調整器17y、及び、バルブ17zが接続されている。また、配管17pに接続された圧力調整器17xと流量調整器17yとの間から分岐して容器16に接続された配管19pには、バルブ19z及び流量調整器19yが接続されている。CVD装置10を用いて、試料台12に設置したGe基板11の表面に、Asが固溶限界まで添加された中間層を形成する場合、例えば、試料室13に供給するIV族原料としてはGeH4を、V族原料としてはAsH3を、キャリアガスとしてはH2を用いることができ、中間層を形成する際の原料の成分比は、GeH4:AsH3:H2=10:10:80、基板11の加熱温度は600°C、試料室13内の圧力は6.65kPaとすることができる。このような条件により、GeにAsが固溶限界まで添加された中間層を形成することができる。こうして中間層を形成したら、例えば、III族原料として液体のTMGトリメチルガリウム、AsH3を用いることにより、CVD装置10を用いて、中間層の表面にIII-V族化合物半導体GaAsを形成することができる。このようにして中間層を形成することにより、中間層に添加される元素の添加量を、中間層の厚さ方向へ一定に保つことが可能になる。また、中間層の厚さを制御することにより、III-V族化合物半導体からの拡散を抑制することができる。なお、CVD装置10を用いる際に、Asが固溶限界まで添加された中間層を形成する形態を例示したが、Asに代えて、又は、Asと共に、Gaを添加しても良い。また、CVD装置10を用いる際に、IV族原料及びV族原料をボンベ14、15で供給する形態を例示したが、本発明は当該形態に限定されず、液体原料をバブリングして供給する形態であっても良い。また、CVD装置10に減圧ポンプ18が接続されている形態を例示したが、中間層を形成する際の試料室内の圧力は、減圧及び大気圧のいずれであっても良い。図5は、MBE装置20を説明する概念図である。図5に示したMBE装置20は、基板21を加熱可能であり且つ回転可能に構成された試料台22を備える試料室23を有し、試料室23には減圧ポンプ24が接続されている。さらに、試料室23には、IV族固体原料を収容可能なセル25、III族固体原料を収容可能なセル26、及び、V族固体原料を収容可能なセル27が接続されている。これらのセル25、26、27は、不図示のヒーターによって加熱可能に構成されており、セル25、26、27には、それぞれ、シャッター25s、26s、27sが備えられている。MBE装置20を用いて、例えば、試料台22に設置したGe基板21の表面に、Pが固溶限界まで添加された中間層を形成する場合には、試料室23内を減圧した後、Ge基板21を所望の温度へ加熱する。そして、Geを収容したセル25及びPを収容したセル27を昇温し、セル25のシャッター25s及びセル27のシャッター27sを開いて分子線を基板21へ照射することにより、中間層を形成することができる。中間層形成時の条件は、例えば以下のようにすることができる。分子線フラックス:IV族固体原料Ge1.33×10-6PaV族固体原料P1.33×10-6Pa基板21の加熱温度:500°Cバックグラウンド圧力:1.33×10-8Paこのような条件で中間層を形成したら、例えば、III族固体原料としてIn及びGaを用いることにより、MBE装置20を用いて、中間層の表面にIII-V族化合物半導体InGaPを形成することができる。このようにして中間層を形成することにより、中間層に添加される元素の添加量を、中間層の厚さ方向へ一定に保つことが可能になる。また、中間層の厚さを制御することにより、III-V族化合物半導体からの拡散を抑制することができる。なお、MBE装置20を用いる際に、Pが固溶限界まで添加された中間層を形成する形態を例示したが、Pに代えて、又は、Pと共にInやGaを添加しても良い。図6は、イオン注入装置30を説明する概念図である。図6に示したイオン注入装置30は、イオンを作製するイオン源31と、作製されたイオンの質量を分析する質量分析部32と、イオンの方向を制御するスリット33と、イオンを加速する加速器34と、イオンを収束させる収束レンズ35と、基板36上でイオンを走査するためのビーム走査部37と、基板36が配置される試料室38と、を有している。Si基板36へIII-V族化合物半導体GaPを形成する前に、イオン注入装置30を用いて、Pが固溶限界まで添加された中間層を形成する場合について、以下に説明する。イオン注入装置30を用いて、試料室38に設置したSi基板36の表面に、Pが固溶限界まで添加された中間層を形成する場合には、例えば、イオン源31で作製したPのビームを引き出し、質量分析部32及びスリット33にて、Pのビームのみに分離した後、加速電圧60keVでPのビームを加速し、収束レンズ35にて基板36の表面に収束させたPのビームをビーム走査部37で走査して、基板36の全面に均一に照射することにより、中間層を形成することができる。なお、ドーズ量は、例えば1×1015cm-2とすることができる。中間層を形成したら、公知の方法で、中間層の表面にGaPを形成することができる。イオン注入装置30を用いる場合に関する上記説明では、Pが固溶限界まで添加された中間層を形成する形態を例示したが、Pに代えて、又は、Pと共にGaを添加しても良い。また、加速電圧が60keVである形態を例示したが、加速電圧はこれに限定されず、複数の加速電圧、及び、それに応じたドーズ量を設定し、任意の添加プロファイルを形成しても良い。イオン注入装置30を用いて中間層を形成する場合には、加速電圧及びドーズ量を制御してイオンを複数回注入することにより、中間層に添加される元素の添加量を、中間層の厚さ方向へ一定に保つことが可能になる。また、中間層の厚さを制御することにより、III-V族化合物半導体からの拡散を抑制することができる。