"不飽和化合物を合成ガスとしての一酸化炭素及び水素の混合物でヒドロホルミル化する方法であって、a1該不飽和化合物及び触媒を60~200°Cの反応温度に加熱し、かつa2次いで該合成ガスを供給するか、又はb1該不飽和化合物及び該触媒を予備形成工程において純COと常温で接触させ、b2該混合物を60~200°Cの該反応温度に加熱し、かつb3該反応温度に達した際に該COを該合成ガスにより置換し、ここで、該反応圧は0.1~20.0MPaの範囲内であり、該合成ガス中のCO:H2の比は1:1~50:1の範囲内であり、かつ該不飽和化合物を、極性溶剤及びイリジウム触媒の存在下で反応させ、その際に該イリジウム含有触媒が、リンを含有する配位子を1:1~1:100の範囲内のイリジウム:配位子の比で含み、かつ全ての比がモル比であることを特徴とする、不飽和化合物をヒドロホルミル化する方法。1:1~10:1の範囲内のCO:H2比を有する合成ガスを使用する、請求項1記載の方法。2~20の炭素数、特に4~12の炭素数を有する末端アルケン、シクロアルケン及び芳香族オレフィン又はこれらのオレフィンの混合物を不飽和化合物として使用する、請求項1又は2記載の方法。該溶剤が、水又は不活性有機溶剤である、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前駆物質として、反応条件下で、合成ガス及びリンを含有する配位子と、触媒活性なイリジウムヒドリドカルボニル錯体を形成するイリジウムを含有する塩又は錯体を使用する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。イリジウムを含有する前駆物質として、ハロゲン化IrI、ハロゲン化IrII、カルボン酸IrI、カルボン酸IrIII、IrIIIのイリジウム酸塩、IrIVのイリジウム酸塩を使用し、その際に該Ir-カルボニル錯体、Ir-オレフィン錯体、Ir-ヒドリド錯体、Ir-アレーン錯体又はIr-アリル錯体中のイリジウムが-I~Vの酸化状態で存在する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。該リンを含有する配位子が、イリジウム中心に対して単座又は多座の結合を形成することができ、かつ特にホスフィン、ホスフィット、ホスホルアミダイト、ホスホニット、ホスフィニット、トリアリールホスフィン、トリアルキルホスフィン、キサントホス9,9-ジメチル-9H-キサンテン-4,5-ジイルビスジフェニルホスフィン、BINAP2,2′-ビスジフェニルホスフィノ-1,1′-ビナフチル、NaPhos2,2′-ビスジフェニルホスフィノメチル-1,1′-ビナフチル及びそれらの混合物の中から選択されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。80~200°Cの範囲内、特に80~180°C、好ましくは100~160°Cの反応温度で操作する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。0.1~10.0MPa、特に1.0~5.0MPaの反応圧で操作する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。イリジウム:配位子の比が1:1~1:50の範囲内、特に1:1~1:8の範囲内である、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。該リンを含有する配位子が、トリフェニルホスフィン、2-ジフェニルホスフィノ-1-フェニル-1H-ピロール、トリシクロヘキシルホスフィン11bS-4-t-ブチル-4,5-ジヒドロ-3H-ジナフト[2,1-c:1′,2′-e]ホスフェピンを含む群から選択されている、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。該オレフィン基質を基準としてイリジウム0.02~0.4molを使用する、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。"