誘電体基板を複数積層した多層基板と、前記多層基板に実装された半導体デバイスと、前記半導体デバイスの実装領域を略環状に囲うように前記多層基板に接合されて、該多層基板との間にキャビティを形成する金属蓋と、前記多層基板と前記金属蓋とを接合するはんだ層と、前記はんだ層が途切れていることによって前記多層基板と前記金属蓋との間に形成されて、前記キャビティの内外を連通する通気穴と、前記半導体デバイスが出力する信号波の基板内実効波長の略1/2の自然数倍の長さを有して前記多層基板内に形成され、開口部が前記金属蓋との接合部において前記通気穴をまたいで露出し、先端が短絡された抑圧用導波管と、を備えることを特徴とする高周波パッケージ。前記抑圧用導波管は、内層接地導体と、複数のグランドヴィアと、前記内層接地導体及び前記複数のグランドビアの内部に充填された誘電体とを有することを特徴とする請求項1記載の高周波パッケージ。しかしながら、上記基板と蓋体を接合する半田に通気穴を形成する方法においては、半田塗布量のばらつきにより半田フィレットが適切な形状に成形できず、通気穴の大きさが大きくなってしまうことがあった。そのため、従来は半田量の塗布量を厳しく管理して、通気穴が大きくならないようにしているが、製造ばらつきにより、どうしても通気穴の幅が大きくなってしまうものもできてしまう。そして、通気穴の大きさが所定以上に大きいと、高周波パッケージ内部の高周波信号が外部に漏れてしまい、EMI特性の劣化やシステム上のノイズが増えてしまうという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、通気穴からの高周波信号の漏れを低減した高周波パッケージを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、誘電体基板を複数積層した多層基板と、多層基板に実装された半導体デバイスと、半導体デバイスの実装領域を略環状に囲うように多層基板に接合されて、多層基板との間にキャビティを形成する金属蓋と、多層基板と前記金属蓋とを接合するはんだ層と、はんだ層が途切れていることによって多層基板と金属蓋との間に形成されて、キャビティの内外を連通する通気穴と、半導体デバイスが出力する信号波の基板内実効波長の略1/2の自然数倍の長さを有して多層基板内に形成され、開口部が金属蓋との接合部において通気穴をまたいで露出し、先端が短絡された抑圧用導波管と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、通気穴の幅が広くなった場合でも、通気穴からの高周波信号の漏れを抑制できるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態.図1は、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態の構成を示す断面図であり、通気穴部分を示している。図2は、通気穴部分の導体パターンの上面図である。図3は、図1におけるIII-III断面図であり、通気穴部分を横方向からの視点で示している。誘電体基板を複数積層して構成され、半導体デバイスが実装された多層基板1には接地された導体パターン2が設けられており、導体パターン2と金属蓋3とは、はんだ4を介して接合されている。金属蓋3が導体パターン2を介してはんだ4で多層基板1に固定されることで、金属蓋3と多層基板1との間に半導体デバイスを収容するキャビティが形成されている。導体パターン2は、半導体デバイスの実装領域を略環状に囲っていて、導体が無い部分が1カ所あり、それによって通気穴5が形成されている。通気穴5の幅は、λ/2よりも十分狭くなっており、通気穴5を介しての高周波信号の漏洩は防止されている。なお、λは、漏洩防止の対象とする高周波信号多層基板1に実装された半導体デバイスから出力される信号などの中心周波数f0での波長を表している。多層基板1は、グランドヴィア7a、7b及び多層基板1内部の内層接地導体1aと、その内部に充填された誘電体とで構成された抑圧用導波管を備えている。抑圧用導波管開口部6は、多層基板1と金属蓋3との接合領域である導体パターン2内に、通気穴5をまたぐように設けられている。すなわち、導体パターン2には、抑圧用導波管の導波管開口部6のために導体が存在しない部分が設けられている。抑圧用導波管開口部6の幅は、λ/2以上となっており、漏洩防止の対象とする高周波信号にとっては導波管になっている。抑圧用導波管は、導波管開口部6から導波管の奥端のグランドヴィア7bまでの距離がλ/2となっており、抑圧用導波管開口部6を短絡して、通気穴5を通る高周波信号の漏れ量を低減している。すなわち、抑圧用導波管は通気穴5の内部で枝分かれすることによってショートスタブとなっており、抑圧用導波管の長さがλ/2であることにより導波管開口部6での抑圧用導波管の入力インピーダンスは0となっている。よって、通気穴5を通過して外部へ漏れ出ようとする高周波信号は、分岐点である導波管開口部6の部分で一部が反射されパッケージ内へ戻る。このように、抑圧用導波管は、BEFBandEliminationFilterとして機能し、周波数f0を含む帯域の電磁波が通気穴5を通過することを阻止する。以上のように、金属蓋3を搭載する導体パターン2に、外部へ漏れを抑圧する導波管開口部6を設け、この導波管開口部から回路基板1の内部にλ/2長の抑圧用導波管を構成する。この構成を設けることにより、通気穴5を通って漏れる高周波信号に関しては、導波管開口部6において短絡点となり、外部への漏れ量が低減する。したがって、製造ばらつきによりはんだ4の量が少なくなって通気穴5の幅が広がってしまった場合でも、高周波信号はキャビティの外へ漏れにくい。これにより、高周波パッケージの製品歩留まりを向上させることができる。多層基板1の製造プロセスにおいて、グランドヴィア7a、7b、内層接地導体1aを作り込めるため、二次的な組立作業は不要であり、製造工程の簡素化や装置の低コスト化が可能となる。抑圧用導波管は、抑圧用導波管開口部6と、多層基板1内部の内層接地導体1aと、グランドヴィア7a、7bとで構成され、途中で多層基板1の平面方向に曲がっているため、厚さがλ/2に満たない多層基板1でも形成可能である。すなわち、多層基板1の薄型化を実現できる。なお、ここでは導波管開口部6からグランドヴィア7bまでの距離がλ/2である場合を例としたが、λ/2の整数倍であっても同様の効果が得られる。また、ここでは抑圧用導波管が途中で多層基板1の層方向に曲がっている構成を例として説明したが、多層基板1が厚い場合には、抑圧用導波管を曲げずに積層方向に延ばしても良い。この場合には、抑圧用導波管の端部は内層接地導体によって短絡端とすればよい。