"ドナー元素を含むガラス粒子及びシリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のドナー元素を含む無機粒子、又はアクセプタ元素を含むガラス粒子、窒化ホウ素粒子及びシリコンアルコキシドとホウ素化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のアクセプタ元素を含む無機粒子と、分散媒とを含む、インクジェット用の不純物拡散層形成組成物。前記ドナー元素を含むガラス粒子は、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種のドナー元素を含む請求項1に記載の不純物拡散層形成組成物。前記ドナー元素を含むガラス粒子は、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質とを含有する請求項1又は請求項2に記載の不純物拡散層形成組成物。前記アクセプタ元素を含むガラス粒子は、Bほう素、Alアルミニウム及びGaガリウムから選択される少なくとも1種のアクセプタ元素を含む請求項1に記載の不純物拡散層形成用組成物。前記アクセプタ元素を含むガラス粒子は、B2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質とを含有する請求項1又は請求項4に記載の不純物拡散層形成用組成物。前記分散媒は、水及び有機溶剤から選ばれる少なくとも1種を含む請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。前記分散媒は、水溶性高分子化合物を含む請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。前記ドナー元素を含む無機粒子又はアクセプタ元素を含む無機粒子の含有率が1~30質量である請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。さらにチキソ剤を含む請求項1~請求項8のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。さらに界面活性剤を含む請求項1~請求項9のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。半導体基板上に、請求項1~請求項10のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物を、インクジェット方式により吐出してパターン状の組成物層を形成する工程と、前記組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記ドナー元素又はアクセプタ元素を前記半導体基板中に拡散させる工程と、を含む不純物拡散層の製造方法。前記組成物層は線状パターンであり、その線幅が10μm~100μmである請求項11に記載の不純物拡散層の製造方法。請求項11又は請求項12に記載の不純物拡散層の製造方法により不純物拡散層が形成された半導体基板と、前記不純物拡散層上に配置された電極とを備える太陽電池素子。請求項13に記載の太陽電池素子と、前記太陽電池素子の電極上に配置されたタブ線とを備える太陽電池。しかしながら、上述のインクジェット方式を用いてパターニングする方法において、用いられる不純物拡散層形成組成物に含まれる不純物拡散成分の種類によっては、選択的に不純物拡散層を形成することが困難な場合があった。つまり、不純物拡散層を形成する高温において不純物拡散成分の揮発性が高い場合には、インクジェット方式によって選択的に不純物拡散層形成組成物を付与した領域以外にも、揮発した不純物拡散成分によって拡散層が形成されてしてしまうアウトディフュージョンという問題が有った。本発明は、以上の従来の問題点に鑑みてなされたものであり、半導体基板上の所望の領域以外に不純物拡散層が形成されることを抑制可能なインクジェット方式によるパターン形成用の不純物拡散層形成組成物、当該不純物拡散層形成組成物を用いた不純物拡散層の製造方法を提供することにある。前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。<1>ドナー元素を含むガラス粒子及びシリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のドナー元素を含む無機粒子、又はアクセプタ元素を含むガラス粒子、窒化ホウ素粒子及びシリコンアルコキシドとホウ素化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のアクセプタ元素を含む無機粒子と、分散媒とを含む、インクジェット用の不純物拡散層形成組成物。<2>前記ドナー元素を含むガラス粒子は、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種のドナー元素を含む前記<1>に記載の不純物拡散層形成組成物。<3>前記ドナー元素を含むガラス粒子は、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種のドナー元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質とを含有する前記<1>又は<2>に記載の不純物拡散層形成組成物。<4>前記アクセプタ元素を含むガラス粒子は、Bほう素、Alアルミニウム及びGaガリウムから選択される少なくとも1種のアクセプタ元素を含む前記<1>に記載の不純物拡散層形成用組成物。<5>前記アクセプタ元素を含むガラス粒子は、B2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種のアクセプタ元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種のガラス成分物質とを含有する前記<1>又は<4>に記載の不純物拡散層形成用組成物。<6>前記分散媒は、水及び有機溶剤から選ばれる少なくとも1種を含む前記<1>~<5>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。<7>前記分散媒は、水溶性高分子化合物を含む前記<1>~<6>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。<8>前記ドナー元素を含む無機粒子又はアクセプタ元素を含む無機粒子の含有率が1~30質量である前記<1>~<7>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。<9>さらにチキソ剤を含む前記<1>~<8>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。<10>さらに界面活性剤を含む前記<1>~<9>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物。<11>半導体基板上に、前記<1>~<10>のいずれか1項に記載の不純物拡散層形成組成物を、インクジェット方式により吐出してパターン状に組成物層を形成する工程と、前記組成物層が形成された半導体基板を熱処理して前記ドナー元素又はアクセプタ元素を前記半導体基板中に拡散させる工程と、を含む不純物拡散層の製造方法。<12>前記組成物層は線状パターンであり、その線幅が10μm~100μmである前記<11>に記載の不純物拡散層の製造方法。<13>前記<11>又は<12>に記載の不純物拡散層の製造方法により不純物拡散層が形成された半導体基板と、前記不純物拡散層上に配置された電極とを備える太陽電池素子。<14>前記<13>に記載の太陽電池素子と、前記太陽電池素子の電極上に配置されたタブ線とを備える太陽電池。本発明によれば、半導体基板上の所望の領域以外に不純物拡散層が形成されることを抑制可能なインクジェット方式によるパターン形成用の不純物拡散層形成組成物、当該不純物拡散層形成組成物を用いた不純物拡散層の製造方法、および太陽電池素子の製造方法を提供することが可能となる。まず、本発明の不純物拡散層形成組成物について説明し、次に拡散層形成組成物を用いる不純物拡散層及び太陽電池素子の製造方法について説明する。本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において~を用いて示された数値範囲は、~の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。さらに本明細書において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。<不純物拡散層形成組成物>本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粒子及びシリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のドナー元素を含む無機粒子、又はアクセプタ元素を含むガラス粒子、窒化ホウ素粒子及びシリコンアルコキシドとホウ素化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のアクセプタ元素を含む無機粒子と、分散媒とを含むものであって、インクジェット方式によってパターン状の不純物拡散層形成組成物層以下、単に組成物層ともいうを形成するために用いられるものである。また前記不純物拡散層形成組成物は必要に応じてその他の成分を含んでもよい。不純物拡散層形成組成物が上記構成であることで、半導体基板上の所望の領域以外に不純物拡散層が形成されることアウトディフュージョンを抑制可能で、インクジェット方式によるパターン状の組成物層形成用以下、単にインクジェット用ともいうとして好適に用いられる。ここで不純物拡散層形成組成物とは、ドナー元素又はアクセプタ元素を含む無機粒子と、分散媒とを含有し、半導体基板に塗布した後にこのドナー元素又はアクセプタ元素を熱拡散することで不純物拡散層を形成することが可能な材料をいう。なお、本明細書ではn型拡散層及びp型拡散層を総称して不純物拡散層ということがある。前記不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粒子及びシリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のドナー元素を含む無機粒子、又はアクセプタ元素を含むガラス粒子、窒化ホウ素粒子及びシリコンアルコキシドとホウ素化合物との反応生成物を含む粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種のアクセプタ元素を含む無機粒子という特定の無機粒子を含むことで、ドナー元素又はアクセプタ元素を含む化合物がアウトディフュージョンすることが抑制され、所望の領域にのみ不純物拡散層を形成することが可能になる。半導体基板上に不純物拡散層形成組成物を用いて形成されたパターン状の組成物層は、後述する熱拡散処理によって形成される不純物拡散層が形成される半導体基板上の領域に対応するものであり、本発明においては該パターン以外の領域には不純物拡散層は形成されない。また前記不純物拡散層形成組成物をインクジェット方式により半導体基板上に付与することで、高精度に不純物拡散層を形成する領域を制御することができる。前記不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む特定の無機粒子、又はアクセプタ元素を含む特定の無機粒子を含有する。不純物拡散層形成組成物がドナー元素を含む特定の無機粒子を含有する場合には、n型拡散層を形成することができる。また不純物拡散層形成組成物がアクセプタ元素を含む特定の無機粒子を含有する場合には、p型拡散層を形成できる。前記ドナー元素を含む特定の無機粒子は、ドナー元素を含むガラス粒子、及びシリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を含むリン含有ケイ素酸化物粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種である。また前記アクセプタ元素を含む特定の無機粒子は、アクセプタ元素を含むガラス粒子、窒化ホウ素粒子、及びシリコンアルコキシドとホウ素化合物との反応生成物を含むホウ素含有ケイ素酸化物粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種である。ドナー元素を含むガラス粒子ドナー元素を含む無機粒子としてドナー元素を含むガラス粒子を用いることで所望の領域にのみn型拡散層を形成することができる。すなわちガラス粉末中のドナー成分は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって表面のみでなく裏面や側面にまでn型拡散層が形成されるということが抑制される。この理由として、ドナー成分がガラス粉末中の元素と結合しているか、又はガラス中に取り込まれているため、揮散しにくいものと考えられる。ドナー元素とは、半導体基板中にドーピングさせることによってn型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第15族の元素が使用でき、例えばPリン、Sbアンチモン、Biビスマス、Asヒ素等が挙げられる。安全性、ガラス化の容易さ等の観点から、P又はSbが好適である。ドナー元素をガラス粒子に導入するために用いるドナー元素含有物質としては、P2O3、P2O5、Sb2O3、Bi2O3及びAs2O3が挙げられ、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。また、ドナー元素を含むガラス粒子は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記すガラス成分物質を含むことが好ましい。ガラス成分であることの確認は、粉末X線回折法によって行う事ができる。具体的には粉末X線回折図から非晶質であることが確認できる。ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、MoO3、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2及びLu2O3等が挙げられ、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。ドナー元素を含むガラス粒子の具体例としては、前記ドナー元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられ、P2O5-SiO2系ドナー元素含有物質-ガラス成分物質の順で記載、以下同様、P2O5-K2O系、P2O5-Na2O系、P2O5-Li2O系、P2O5-BaO系、P2O5-SrO系、P2O5-CaO系、P2O5-MgO系、P2O5-BeO系、P2O5-ZnO系、P2O5-CdO系、P2O5-PbO系、P2O5-V2O5系、P2O5-SnO系、P2O5-GeO2系、P2O5-TeO2系等のドナー元素含有物質としてP2O5を含む系、前記のP2O5を含む系のP2O5の代わりにドナー元素含有物質としてSb2O3を含む系のガラス粒子が挙げられる。なお、P2O5-Sb2O3系、P2O5-As2O3系等のように、2種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粒子でもよい。上記では2成分を含む複合ガラスを例示したが、P2O5-SiO2-V2O5、P2O5-SiO2-CaO等、3成分以上の物質を含むガラス粒子でもよい。前記ガラス粒子は、P2O3、P2O5から選択される少なくとも1種のリン元素含有物質と、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、MoO3、GeO2、Y2O3、CsO2及びTiO2から選択される少なくとも1種のガラス成分物質と、を含有することが好ましく、P2O5であるリン元素含有物質と、SiO2、ZnO、CaO、Na2O、Li2O及びBaOから選択される少なくとも1種のガラス成分物質とを含有することがより好ましい。これにより、形成されるn型拡散層のシート抵抗をより低くすることが可能となる。ガラス粒子中のドナー元素含有物質の含有比率は、ドナー元素の半導体基板中へのドーピング濃度、ガラス粒子の溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、1質量以上75質量以下であることが好ましい。ガラス粒子中のドナー元素含有物質の含有比率が1質量以上であることで、ドナー元素の半導体基板中へのドーピング濃度が低くなりすぎず、n型拡散層が充分に形成される。またP2O5などのドナー元素含有物質の含有比率が75質量以下であることで、ガラス粒子中でドナー元素含有物質が吸湿し、例えば、ドナー元素含有物質がP2O5の場合にはリン酸H3PO4を形成することを抑制できる。この結果、H3PO4などの吸湿物質が熱拡散処理中に揮散してしまうことを抑制し、Pリンなどのドナー元素の拡散が側面及び裏面にも及び、表面のみならず、所望の部位以外の側面、裏面にもn型拡散層が形成されることを抑制できる。また、n型拡散層が充分に形成されるドナー元素の量を勘案しつつ、n型拡散層形成組成物にドナー元素を一定量以上添加しても形成したn型拡散層を有する表面のシート抵抗は一定値以上には低下しなくなる点と、ドナー元素含有物質の揮散の影響を抑える必要がある点を考慮すると、ガラス粒子中におけるドナー元素含有物質の含有率は、2質量以上75質量以下であることが好ましく、10質量以上70質量以下であることがより好ましい。特に、n型拡散層形成組成物を塗布した側の加熱処理後の表面のシート抵抗を変化させず、H3PO4などの吸湿物質の揮散の影響を抑えることを考慮すると、ガラス粒子中のドナー元素含有物質の含有比率は30質量以上70質量以下であることがいっそう好ましい。また、ガラス粒子中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、0.5質量以上90質量以下であることがより好ましい。具体的には、P2O5-SiO2系ガラスの場合には、SiO2の含有比率は、1質量以上90質量以下であることが好ましく、3質量以上80質量以下であることがより好ましい。アクセプタ元素を含むガラス粒子アクセプタ元素を含む無機粒子としてアクセプタ元素を含むガラス粒子を用いることで所望の領域にのみp型拡散層を形成することができる。すなわちガラス粉末中のアクセプタ成分は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によって表面のみでなく裏面や側面にまでp型拡散層が形成されるということが抑制される。この理由として、アクセプタ成分がガラス粉末中の元素と結合しているか、又はガラス中に取り込まれているため、揮散しにくいものと考えられる。アクセプタ元素とは、半導体基板中にドーピングさせることによってp型拡散層を形成することが可能な元素である。アクセプタ元素としては第13族の元素が使用でき、例えばBほう素、Alアルミニウム及びGaガリウム等が挙げられる。アクセプタ元素をガラス粒子に導入するために用いるアクセプタ元素含有物質としては、B2O3、Al2O3、及びGa2O3が挙げられ、B2O3、Al2O3及びGa2O3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。また、アクセプタ元素を含むガラス粒子は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記す成分を含むことが好ましい。ガラス成分であることの確認は、粉末X線回折法によって行う事ができる。具体的には粉末X線回折図から非晶質であることが確認できる。ガラス成分物質としては、SiO2、Bi2O3、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、Tl2O、SnO、ZrO2、MoO3、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、GeO2、TeO2及びLu2O3等が挙げられ、SiO2、Bi2O3、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、Tl2O、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、SiO2、Bi2O3、ZnO、CaO、Na2O、Li2O及びBaOから選ばれる少なくとも1種を用いることがより好ましい。アクセプタ元素を含むガラス粒子の具体例としては、前記アクセプタ元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられ、B2O3-SiO2系アクセプタ元素含有物質-ガラス成分物質の順で記載、以下同様、B2O3-ZnO系、B2O3-PbO系、B2O3単独系等のアクセプタ元素含有物質としてB2O3を含む系、Al2O3-SiO2系等のアクセプタ元素含有物質としてAl2O3を含む系、Ga2O3-SiO2系等のアクセプタ元素含有物質としてGa2O3を含む系などのガラスが挙げられる。また、Al2O3-B2O3系、Ga2O3-B2O3系等のように、2種類以上のアクセプタ元素含有物質を含むガラス粒子でもよい。上記では1成分ガラスあるいは2成分を含む複合ガラスを例示したが、B2O3-SiO2-Na2O等必要に応じて3種類以上の複合ガラスでもよい。ガラス粒子中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化温度、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、0.5質量以上90質量以下であることがより好ましい。ガラス粒子の性質前記不純物拡散層形成組成物が、ドナー元素を含むガラス粒子又はアクセプタ元素を含むガラス粒子以下、両者を合せて単にガラス粒子ともいうを含む場合、ガラス粒子は以下の性質を示すことが好ましい。ガラス粒子の軟化点は、拡散処理時の拡散性、液だれの観点から、200°C~1200°Cであることが好ましく、300°C~900°Cであることがより好ましい。ドナー元素又はアクセプタ元素を半導体基板中へ拡散する温度は通常600°C~1200°Cであり、軟化点が1200°C以下であると、熱拡散時にガラス粒子が溶融し、溶融ガラスと半導体基板との接触が充分に行なわれ、拡散が均一に行われる傾向にある。ガラス粒子中に一部結晶相が析出してもなんら問題はなく、結晶化ガラスなども使用することもできる。ガラス粒子の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状及び鱗片状等が挙げられ、n型拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から、略球状、扁平状又は板状であることが望ましい。ガラス粒子の粒径は、100μm以下であることが好ましい。100μm以下の粒径を有するガラス粒子を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、ガラス粒子の粒径は、インクジェット方式における吐出安定性の観点から、50μm以下であることがより好ましく、10μm以下であることがさらに好ましい。なお、下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましく、分散安定性の観点から、0.5μm以上であることがより好ましい。ここで、ガラス粒子の粒径は、体積平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。ドナー元素又はアクセプタ元素を含むガラス粒子は、以下の手順で作製される。最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質又はアクセプタ含有物質と、ガラス成分物質とを秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金-ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられるが、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。続いて得られた融液をジルコニア基板やカーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。前記不純物拡散層形成組成物中のガラス粒子の含有比率は、インクジェット方式による吐出安定性、ドナー元素及びアクセプタ元素の拡散性等を考慮して決定される。前記不純物拡散層形成組成物がガラス粒子を含む場合、不純物拡散層形成組成物中におけるガラス粒子の含有率は1質量~30質量であることが好ましく、5質量~25質量であることがより好ましい。1質量以上であると、充分なドナー元素又はアクセプタ元素の拡散能力が得られ、不純物拡散層が形成された半導体基板の低抵抗化が容易になる傾向にある。また30質量以下であると不純物拡散層形成組成物のインクジェット方式による吐出性がより向上する傾向にある。窒化ホウ素粒子前記窒化ホウ素粒子は、窒化ホウ素を含むものであれば特に制限されない。窒化ホウ素粒子は必要に応じて、窒化ホウ素以外のその他のホウ素化合物や窒化ホウ素に由来する酸化物をさらに含んでいてもよい。不純物拡散層形成組成物が窒化ホウ素を含んで構成されることで、吸湿性や分散媒との反応性を抑止することができ、保存安定性が向上する。また半導体基板としてシリコン基板を用いる場合、熱拡散処理時においてホウ素化合物に由来するシリコンとの反応生成物の生成を抑制することができ、優れた特性のp型拡散層を形成することができる。これは例えば窒化ホウ素は、他のホウ素化合物に比べて化学的な安定性が高いためと考えることができる。さらに窒化ホウ素粒子が後述する分散媒中に分散されていることで、ホウ素原子の拡散状態がより均一なp型拡散層を形成することができる。前記窒化ホウ素粒子の粒子形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状、および鱗片状等が挙げられ、拡散剤とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から略球状、扁平状、または板状であることが好ましく、扁平状または板状であることが更に好ましい。アスペクト比の高い扁平状や板状の窒化ホウ素粒子を用いることで、窒化ホウ素粒子を含む不純物拡散層形成組成物を半導体基板に付与した際に窒化ホウ素粒子が配向しやすくなり、形成されるp型拡散層の低抵抗化が可能となる。詳細な理由は不明であるが、熱拡散時において、窒化ホウ素粒子が配向していることで、窒化ホウ素粒子で半導体基板を覆いやすくなり、窒化ホウ素粒子から揮発するホウ素化合物の外気への拡散を抑制し、ホウ素化合物気体と半導体基板との接触がより容易になるため、ホウ素原子の拡散が促進されるものと考えられる。窒化ホウ素粒子の体積平均粒子径は10nm~15μmであることが好ましく、50nm~10μmであることが更に好ましい。本発明おける体積平均粒子径とは、メジアン径を指し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。前記窒化ホウ素粒子は、機械的表面改質処理されたものであることが好ましい。これにより、ホウ素原子の拡散性がより向上する。ここでいう機械的表面改質処理とは、窒化ホウ素粒子を粉砕処理する方法や、窒化ホウ素粒子に剪断力を与える方法により粒子表面の物理化学的状態を変化させて表面を改質する処理方法を指す。この中でも粉砕処理を施すことが好ましい。粉砕処理としては、乾式粉砕処理及び湿式粉砕処理を挙げることができる。乾式粉砕処理としては、ジェットミル、振動ミル、ボールミル等を用いた粉砕処理を挙げることができる。また湿式粉砕処理としてはビーズミル、ボールミル等を用いて分散媒中で粉砕処理する方法を挙げることができる。粉砕処理に際して粉砕装置に起因する不純物が窒化ホウ素粒子に混入すると、ドーパント特性が劣化する場合があるため、粉砕容器、ビーズ及びボール等の材質はドーパント特性への影響の少ない材質を選択することが好ましい。具体的には、ナイロン、アルミナ、部分安定化ジルコニア等を使用することができる。窒化ホウ素粒子の粉砕処理は、p型拡散層の低抵抗化の観点から、湿式粉砕処理であることが好ましい。湿式粉砕処理に用いられる分散媒は特に制限されず、水であっても、溶剤であっても、これらの混合溶媒であってもよい。溶剤として具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-iso-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤;ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル-n-プロピルエーテル、ジ-iso-プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のエーテル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン等のエステル系溶剤;アセトニトリル、N-メチルピロリジノン、N-エチルピロリジノン、N-プロピルピロリジノン、N-ブチルピロリジノン、N-ヘキシルピロリジノン、N-シクロヘキシルピロリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤;メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤;α-テルピネン、α-テルピネオール、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、α-ピネン、β-ピネン、ターピネオール、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン系溶剤が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。分散媒としてはこれらの中でも水を用いることが好ましい。これにより純度の管理が容易となり、また、窒化ホウ素粒子の粉砕が容易となる傾向になる。また粉砕処理時の分散媒と不純物拡散層形成組成物の分散媒が異なる場合には、粉砕処理後に乾燥し、再度別の分散媒に分散して使用することができる。機械的粉砕処理をすることで、結晶性の高い窒化ホウ素粒子であっても拡散能力が向上する傾向にある。粉砕処理における処理条件は特に制限されず、用いる粉砕装置や、分散媒等に応じて適宜選択することができる。また粉砕装置以外の表面改質装置としては、公知の表面改質装置を挙げることができる。粉砕装置以外の表面改質装置を用いた機械的表面改質処理における処理条件は特に制限されず、用いる表面改質装置に応じて適宜選択することができる。前記窒化ホウ素粒子の結晶形は、六方晶hexagonal、立方晶、菱面体晶rhombohedralのいずれであってもよいが、粒子径を容易に制御できる点、また配向性の点から六方晶が好ましい。前記窒化ホウ素粒子の調製方法は特に制限されず、通常の方法で調製することができる。例えば、ホウ素粉末を窒素気流中で1500°C以上に加熱する方法、融解した無水ホウ酸と窒素あるいはアンモニアをリン酸カルシウム存在下で反応させる方法、ホウ酸やホウ化アルカリと、尿素、グアニジン、メラミンなどの有機窒素化合物を高温の窒素-アンモニア雰囲気中で反応させる方法、融解ホウ酸ナトリウムと塩化アンモニウムをアンモニア雰囲気中で反応させる方法、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法等を例示する事ができるが、上記以外の製造方法でもなんら問題ない。上記製造方法の中では、高純度の窒化ホウ素を得る事ができることから、三塩化ホウ素とアンモニアを高温で反応させる方法を用いることが好ましい。前記不純物拡散層形成組成物中の窒化ホウ素粒子の含有比率は、インクジェット方式による吐出安定性、ホウ素の拡散性等を考慮して決定される。前記不純物拡散層形成組成物が窒化ホウ素粒子を含む場合、不純物拡散層形成組成物中における窒化ホウ素粒子の含有比率は、1質量~30質量であることが好ましく、5質量~25質量であることがより好ましい。1質量以上であると、十分なホウ素拡散能力が得られ、p型拡散層が形成された半導体基板の低抵抗化が容易になる傾向にあり、30質量以下であると不純物拡散層形成組成物のインクジェット方式による吐出性がより向上する傾向にある。リン含有ケイ素酸化物粒子ドナー元素を含む無機粒子が、シリコンアルコキシド及びリン化合物の反応生成物であるリン含有ケイ素酸化物を含む粒子であることで、必要とされる領域以外にも不純物拡散層が形成されることを抑制することができる。またリン原子は前記反応生成物中で拡散することが可能であるため、熱拡散処理中において、不純物拡散層形成組成物の拡散性能を保持することが可能である。これは例えば以下のように考えることができる。シリコンアルコキシドとリン化合物とを反応させて得られるリン含有ケイ素酸化物においては、リン化合物に由来する構造がシリカゲルマトリクス中に分散して存在していると考えられる。そのためリン化合物自体の性質と大きく異なる性質を示すと考えられる。例えば、リン化合物自体の揮発性が抑制されるため、半導体基板例えば、シリコン基板に不純物拡散層を形成する高温におけるリン化合物のアウトディフュージョンを抑制できる。すなわち所望の領域にのみ不純物拡散層を形成することができる。前記リン含有ケイ素酸化物は、シリコンアルコキシドとリン化合物とを反応させて得られる反応生成物であれば、特に制限されない。また前記リン含有ケイ素酸化物は、シリコンアルキキシドとリン化合物とを反応させた後、未反応のリン化合物等の少なくとも一部を除去して得られるものであることが好ましい。これによりアウトディフュージョンをより効果的に抑制することができる。前記シリコンアルコキシドとしては、ゾル-ゲル反応を起こしうる化合物であれば特に制限なく通常用いられる化合物から適宜選択することができる。ここでいうゾル-ゲル反応とは、シリケートの加水分解とシラノール基の縮合反応を意味し、結果としてケイ素-酸素結合を繰り返し単位とする三次元架橋したシリカゲルマトリックスを形成する反応である。前記シリコンアルコキシドを構成するアルコキシ基の数は1以上であれば特に制限されない。アウトディフュージョン抑制の観点から、アルコキシ基の数が2~4であることが好ましく、3~4であることがより好ましく、4であることがさらに好ましい。またシリコンアルコキシドを構成するアルコキシ基の数が3以下の場合、シリコンアルコキシドは、ケイ素原子の原子価が4になるように水素原子、ヒドロキシ基及び炭化水素基から選ばれる置換基をさらに有することが好ましい。前記炭化水素基としては、脂肪族基であっても芳香族基であってもよい。中でも炭素数1~10のアルキル基、及び炭素数2~10のアルケニル基等が好ましい。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、プロペニル基、ブテニル基等を挙げることができる。前記シリコンアルコキシドとしては、炭素数1~10のアルコキシ基を有するテトラアルコキシシランであることが好ましく、炭素数1~4のアルコキシ基を有するテトラアルコキシシランであることがより好ましい。前記アルコキシ基におけるアルキル基部分は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれのアルキル基であってもよい。中でも直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状のアルキル基がより好ましい。またシリコンアルコキシドが有する複数のアルキコキシ基は、同一のアルコキシ基であっても、互いに異なるアルコキシ基であってもよい。シリコンアルコキシドとして具体的には、シリコンメトキシド例えば、テトラメトキシシラン、シリコンエトキシド例えば、テトラエトキシシラン、シリコンプロポキシド例えば、テトラプロピルオキシシラン、シリコンブトキシド例えば、テトラブトキシシランなどを例示することができる。中でも、入手の容易さからシリコンメトキシド、シリコンエトキシドを用いることが好ましい。また前記リン化合物としては、リン原子と酸素原子を含んで構成される化合物であれば特に制限はない。具体的には、リン酸、リン酸水素アンモニウム塩、五酸化二リン、三酸化二リン、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸、ホスフィン酸、ホスフィン、リン酸エステル及び亜リン酸エステル等を挙げることができ、これらからなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。また前記リン化合物は、リン酸エステル及び亜リン酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも1種であることがより好ましい。リン酸エステル及び亜リン酸エステルは、シリコンアルコキシドと混合した状態でゾル-ゲル反応が進行する際に、例えば、P-O-Si結合を形成しやすく、リン化合物に起因するアウトディフュージョンがより抑制されやすくなる傾向にある。前記リン酸エステルは、下記一般式Iで表される化合物であることが好ましい。一般式I中、R1、R2及びR3は各々独立に、炭素数1~10の有機基又は水素原子を示し、R1、R2及びR3のうち少なくとも1つは炭素数1~10の有機基である。前記有機基としては炭素原子と水素原子を少なくとも含んで構成される基であれば特に制限されない。前記有機基は、アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基等の脂肪族基であっても、芳香族基であってもよい。前記脂肪族基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、さらに置換基を有していてもよい。また前記芳香族基は、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基のいずれであってもよく、さらに置換基を有していてもよい。脂肪族基及び芳香族基における置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ハロゲン原子等を挙げることができる。また芳香族複素環基におけるヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を挙げることができる。前記有機基における炭素数は1~10であるが、1~5であることが好ましい。また前記有機基が置換基を有する場合、置換基に含まれる炭素原子を含めた炭素数が1~10である。前記炭素数1~10の有機基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数1~10のアルキル基;プロペニル基、ブテニル基等の炭素数2~10のアルケニル基;炭素数6~10のアリール基例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基等などが挙げられる。これらのなかでも、炭素数1~6のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。また一般式IにおけるR1~R3のうち少なくとも1つは炭素数1~10の有機基であるが、R1~R3のうち少なくとも2つが炭素数1~10の有機基であることが好ましく、R1~R3のすべてが炭素数1~10の有機基であることがより好ましい。またR1~R3のうち2以上が炭素数1~10の有機基の場合、それらは同一であっても、互いに異なっていてもよい。前記リン酸エステルとしては、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリプロピル、及びリン酸トリブチルからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。前記亜リン酸エステルは、下記一般式IIで表される化合物であることが好ましい。一般式II中、R1、R2及びR3は各々独立に、炭素数1~10の有機基又は水素原子を示し、R1、R2及びR3のうち少なくとも1つは炭素数1~10の有機基である。一般式IIにおける炭素数1~10の有機基は、前記一般式Iにおける有機基と同義であり、好ましい態様も同様である。また一般式IIにおけるR1~R3のうち少なくとも1つは炭素数1~10の有機基であるが、R1~R3のうち少なくとも2つが炭素数1~10の有機基であることが好ましく、R1~R3のすべてが炭素数1~10の有機基であることがより好ましい。またR1~R3のうち2以上が炭素数1~10の有機基の場合、それらは同一であっても、互いに異なっていてもよい。前記亜リン酸エステルとしては、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリプロピル、及び亜リン酸トリブチルからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。前記リン含有ケイ素酸化物に含まれるケイ素原子とリン原子との比率は特に制限されず目的に応じて適宜選択することができる。拡散性とアウトディフュージョン抑制の観点から、ケイ素原子1モルに対してリン原子が0.1~5.0モルであることが好ましく、0.5~3.0モルであることがより好ましい。前記比率が、0.1以上であると拡散能力がより向上する傾向にある。また5.0以下であるとアウトディフュージョンをより効果的に抑制できる傾向にある。なお、リン含有ケイ素酸化物に含まれるケイ素原子とリン原子との比率は、ICP発光分光分析装置、グロー放電質量分析等を用いて常法により測定することができる。前記リン含有ケイ素酸化物の製造方法は、前記シリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を得ることが可能であれば特に制限されない。例えば、シリコンアルコキシドとリン化合物とを、溶媒中に溶解又は分散し、必要に応じて酸又はアルカリ等の触媒を加えて、溶媒及びシリコンアルコキシドに由来するアルコールの少なくとも一部を除去する方法を挙げることができる。このような製造方法においては、シリコンアルコキシドの加水分解反応及び脱水反応に伴うゾル-ゲル反応が進行して、ケイ素-酸素結合のネットワークシリカゲルマトリクス中にリン化合物に由来する構造を含むリン含有ケイ素酸化物を得ることができる。前記溶媒としては、前記ゾル-ゲル反応の進行が可能な溶媒であれば特に制限はない。中でもシリコンアルコキシドの加水分解反応及び脱水反応によって生成する重合前駆体を溶解可能なものであることが好ましい。具体的にはカーボネート化合物エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等、複素環化合物3-メチル-2-オキサゾリジノン、N-メチルピロリドン等、環状エーテル類ジオキサン、テトラヒドロフラン等、鎖状エーテル類ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル、ポリエチレングリコールジアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールジアルキルエーテル等、アルコール類メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールモノアルキルエーテル等、多価アルコール類エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等、ニトリル化合物アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等、エステル類カルボン酸エステル、リン酸エステル、ホスホン酸エステル等、非プロトン極性溶剤ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等、非極性炭化水素溶剤トルエン、キシレン等、塩素系溶剤メチレンクロリド、エチレンクロリド等、水等を用いることができる。中でも、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル化合物、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類等が好ましい。これらは1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。前記製造方法に用いる溶媒の量は、シリコンアルコキシド1質量部に対して100質量部以下であることが好ましく、1~10質量部であることがより好ましい。100質量部以下であることでシリコンアルコシキドのゾル-ゲル反応の速度低下を抑制できる傾向がある。また前記製造方法においては、酸及びアルカリ等の触媒を用いてもよい。触媒を用いることで加水分解及び脱水縮重合を容易に調節することができる。アルカリとしては特に制限されず、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属の水酸化物、アンモニア等の一般的なものから適宜選択することができる。また酸としては、無機プロトン酸及び有機プロトン酸を挙げることができる。無機プロトン酸としては、塩酸、硫酸、硼酸、硝酸、過塩素酸、テトラフルオロ硼酸、ヘキサフルオロ砒素酸、臭化水素酸等が挙げられる。また有機プロトン酸としては、酢酸、シュウ酸、メタンスルホン酸等が挙げられる。前記製造方法に触媒を用いる場合、用いる触媒の量はその種類等に応じて適宜選択できる。例えばシリコンアルコキシド1質量部に対して0.0001質量部~1質量部とすることができ、0.001~0.1質量部であることが好ましい。特に触媒として酸を用いる場合、酸の量によりゾルの溶媒への溶解度が変化するため、ゾルが可溶な溶解度になるように調節することが好ましい。また前記製造方法においては、金属の塩を含む溶液をシリコンアルコキシドのゾル溶液に添加して、ゾル-ゲル反応を進行させて、複合酸化物を形成させてもよい。金属の塩としては、硝酸塩、塩化物塩等のハロゲン化物塩、及び硫酸塩等を挙げることができる。また金属としては、鉄、ジルコニウム、及びチタン等を挙げることができる。前記金属の塩として具体的には、硝酸鉄、オキシ硝酸ジルコニウム、塩化チタン、オキシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、及び硫酸チタン等が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。金属の塩の溶媒としては塩を溶解するものであれば特に制限はない。例えばカーボネート化合物エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等、複素環化合物3-メチル-2-オキサゾリジノン、N-メチルピロリドン等、環状エーテル類ジオキサン、テトラヒドロフラン等、鎖状エーテル類ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールジアルキルエーテル、ポリエチレングリコールジアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールジアルキルエーテル等、アルコール類メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールモノアルキルエーテル等、多価アルコール類エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等、ニトリル化合物アセトニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等、エステル類カルボン酸エステル、リン酸エステル、ホスホン酸エステル等、非プロトン極性物質ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等、非極性溶媒トルエン、キシレン等、塩素系溶媒メチレンクロリド、エチレンクロリド等、水を用いることができる前記製造方法に金属の塩を用いる場合、金属の塩の添加量は金属の塩の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、シリコンアルコキシド1質量部に対して、0.01~1質量部とすることができ、ドナー元素の基板内への拡散性の観点から、0.02~0.1質量部であることが好ましい。前記製造方法におけるシリコンアルコキシドとリン化合物の反応温度は、用いるシリコンアルコキシド、リン化合物及び溶媒等に応じて適宜選択することができる。例えば、シリコンアルコキシド及びリン化合物に由来して生成するアルコールの沸点以上であることが好ましく、前記アルコール及び溶媒の沸点以上であることが好ましい。具体的には40~500°Cであることが好ましく、100~300°Cであることがより好ましい。また前記反応は、減圧下で行なってもよく、その場合は減圧下における前記アルコールや溶媒の沸点等に応じて反応温度を適宜選択することができる。また前記製造方法におけるシリコンアルコキシドとリン化合物の反応時間は、反応温度等に応じて適宜選択することができる。例えば10分間~20時間とすることができ、製造工程の簡略化の観点から、10分間~10時間であることが好ましい。前記製造方法におけるシリコンアルコキシドとリン化合物の添加量の比率は特に制限されず目的に応じて適宜選択することができる。拡散性とアウトディフュージョン抑制の観点から、ケイ素原子1モルに対してリン原子が0.1~5.0モルとなるようにシリコンアルコキシドとリン化合物の添加量を調整することが好ましく、0.5~3.0モルとなるように調整することがより好ましい。前記比率が、0.1以上であると拡散能力がより向上する傾向にある。また5.0以下であるとアウトディフュージョンをより効果的に抑制できる傾向にある。リン含有ケイ素酸化物粒子の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状、および鱗片状等が挙げられる。不純物拡散層形成拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から略球状、扁平状、または板状であることが望ましい。またリン含有ケイ素酸化物粒子の粒径は、50μm以下であることが望ましい。粒径が50μm以下のリン含有ケイ素酸化物を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、前記粒径は10μm以下であることがより望ましい。なお、下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましい。ここで、リン含有ケイ素酸化物粒子の粒径は、体積平均粒径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。前記不純物拡散層形成組成物がリン含有ケイ素酸化物粒子を含む場合、不純物拡散層形成組成物中におけるリン含有ケイ素酸化物粒子の含有比率は、1質量~30質量であることが好ましく、5質量~25質量であることがより好ましい。1質量以上であると、十分な不純物拡散能力が得られ、不純物拡散層が形成された半導体基板の低抵抗化が容易になる傾向にあり、30質量以下であると不純物拡散層形成組成物のインクジェット方式による吐出性がより向上する傾向にある。ホウ素含有ケイ素酸化物アクセプタ元素を含む無機粒子が、シリコンアルコキシド及びホウ素化合物の反応生成物であるホウ素含有ケイ素酸化物を含む粒子であることで、必要とされる領域以外にも不純物拡散層が形成されることを抑制することができる。またホウ素原子は前記反応生成物中で拡散することが可能であるため、熱拡散処理中において、不純物拡散層形成組成物の拡散性能を保持することが可能である。これは例えば以下のように考えることができる。シリコンアルコキシドとホウ素化合物とを反応させて得られるホウ素含有ケイ素酸化物においては、ホウ素化合物に由来する構造がシリカゲルマトリクス中に分散して存在していると考えられる。そのためホウ素化合物自体の性質と大きく異なる性質を示すと考えられる。例えば、ホウ素化合物自体の揮発性が抑制されるため、半導体基板例えば、シリコン基板に不純物拡散層を形成する高温におけるホウ素化合物のアウトディフュージョンを抑制できる。すなわち所望の領域にのみ不純物拡散層を形成することができる。前記ホウ素含有ケイ素酸化物は、シリコンアルコキシドとホウ素化合物とを反応させて得られる反応生成物であれば、特に制限されない。また前記ホウ素含有ケイ素酸化物は、シリコンアルキキシドとホウ素化合物とを反応させた後、未反応のホウ素化合物等の少なくとも一部を除去して得られるものであることが好ましい。これによりアウトディフュージョンをより効果的に抑制することができる。前記シリコンアルコキシドとしては、リン含有ケイ素酸化物粒子の項におけるシリコンアルコキシドと同義であり、好ましい態様も同様である。また前記ホウ素化合物としては、ホウ素原子と酸素原子を含んで構成される化合物であれば特に制限はない。具体的には、ホウ酸、酸化ホウ素、及びホウ酸エステル等を挙げることができ、これらからなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。酸化ホウ素とはB2O3で表される化合物であり、結晶化物であっても、ガラス質であってもどちらでもよい。ホウ酸とはH3BO3、又はBOH3で表される化合物である。これらの化合物は水に溶解してH3BO3の状態で存在し、シリコンアルコキシドと反応生成物を形成し得る。従って、酸化ホウ素、ホウ酸以外にも、水に溶解してH3BO3となる化合物であれば前記ホウ素化合物として用いることができる。また前記ホウ素化合物は、ホウ酸エステルから選ばれる少なくとも1種であることがより好ましい。ホウ酸エステルは、シリコンアルコキシドと混合した状態でゾル-ゲル反応が進行する際に、例えば、B-O-Si結合を形成しやすく、ホウ素化合物に起因するアウトディフュージョンがより抑制されやすくなる傾向にある。前記ホウ酸エステルは、下記一般式Iで表される化合物であることが好ましい。一般式I中、R1、R2及びR3は各々独立に、炭素数1~10の有機基又は水素原子を示し、R1、R2及びR3のうち少なくとも1つは炭素数1~10の有機基である。前記有機基としては炭素原子と水素原子を少なくとも含んで構成される基であれば特に制限されない。前記有機基は、アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基等の脂肪族基であっても、芳香族基であってもよい。前記脂肪族基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、さらに置換基を有していてもよい。また前記芳香族基は、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基のいずれであってもよく、さらに置換基を有していてもよい。脂肪族基及び芳香族基における置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ハロゲン原子等を挙げることができる。また芳香族複素環基におけるヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を挙げることができる。前記有機基における炭素数は1~10であるが、1~5であることが好ましい。また前記有機基が置換基を有する場合、置換基に含まれる炭素原子を含めた炭素数が1~10である。前記炭素数1~10の有機基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数1~10のアルキル基;プロペニル基、ブテニル基等の炭素数2~10のアルケニル基;炭素数6~10のアリール基例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基等などが挙げられる。これらのなかでも、炭素数1~6のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。また一般式IにおけるR1~R3のうち少なくとも1つは炭素数1~10の有機基であるが、R1~R3のうち少なくとも2つが炭素数1~10の有機基であることが好ましく、R1~R3のすべてが炭素数1~10の有機基であることがより好ましい。またR1~R3のうち2以上が炭素数1~10の有機基の場合、それらは同一であっても、互いに異なっていてもよい。前記ホウ酸エステルとしては、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル、及びホウ酸トリブチルからなる群より選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。前記ホウ素含有ケイ素酸化物に含まれるケイ素原子とホウ素原子との比率は特に制限されず目的に応じて適宜選択することができる。拡散性とアウトディフュージョン抑制の観点から、ケイ素原子1モルに対してホウ素原子が0.1~5.0モルであることが好ましく、0.2~3.0モルであることがより好ましい。前記比率が、0.1以上であると拡散能力がより向上する傾向にある。また5.0以下であるとアウトディフュージョンをより効果的に抑制できる傾向にある。なお、ホウ素含有ケイ素酸化物に含まれるケイ素原子とホウ素原子との比率は、ICP発光分光分析装置、グロー放電質量分析等を用いて常法により測定することができる。前記ホウ素含有ケイ素酸化物の製造方法は、前記シリコンアルコキシドとホウ素化合物との反応生成物を得ることが可能であれば特に制限されない。例えば、既述のシリコンアルコキシドとリン化合物との反応生成物を得る方法と同様の製造方法を挙げることができる。ホウ素含有ケイ素酸化物粒子の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状、および鱗片状等が挙げられる。不純物拡散層形成拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から略球状、扁平状、または板状であることが望ましい。またホウ素含有ケイ素酸化物粒子の粒径は、50μm以下であることが望ましい。粒径が50μm以下のリン含有ケイ素酸化物を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、前記粒径は10μm以下であることがより望ましい。なお、下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましい。ここで、ホウ素含有ケイ素酸化物粒子の粒径は、体積平均粒径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。前記不純物拡散層形成組成物がホウ素含有ケイ素酸化物粒子を含む場合、不純物拡散層形成組成物中におけるホウ素含有ケイ素酸化物粒子の含有比率は、1質量~30質量であることが好ましく、5質量~25質量であることがより好ましい。1質量以上であると、十分な不純物拡散能力が得られ、不純物拡散層が形成された半導体基板の低抵抗化が容易になる傾向にあり、30質量以下であると不純物拡散層形成組成物のインクジェット方式による吐出性がより向上する傾向にある。前記不純物拡散層形成組成物における、ドナー元素を含む特定の無機粒子又はアクセプタ元素を含む特定の無機粒子の含有率は、インクジェット方式における吐出性、拡散性等を考慮し決定される。一般には、不純物拡散層形成組成物中のドナー元素を含む特定の無機粒子又はアクセプタ元素を含む特定の無機粒子の含有率は、1質量以上30質量以下であることが好ましく、5質量以上25質量以下であることがより好ましい。前記不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素を含む特定の無機粒子の少なくとも1種又はアクセプタ元素を含む特定の無機粒子の少なくとも1種を含むものであり、ドナー元素を含む特定の無機粒子及びアクセプタ元素を含む特定の無機粒子のいずれか一方のみを含むことが好ましい。前記不純物拡散層形成組成物がドナー元素を含む特定の無機粒子を含む場合、アクセプタ元素であるB、Al、Ga、Tl及びInの各元素の総含有率が1質量以下であることが好ましい。該含有率が1質量以下であることで、ドナー元素の拡散が充分に行なわれる。また前記不純物拡散層形成組成物がアクセプタ元素を含む特定の無機粒子を含む場合、ドナー元素であるP、Sb、As及びBiの各元素の総含有率が1質量以下であることが好ましい。該含有率が1質量以下であることで、アクセプタ元素の拡散が充分に行なわれる。また、本発明の不純物拡散層形成組成物はSc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt及びAuの合計含有量が1質量未満であることが好ましい。これらの元素は空の3dまたは4d軌道を持っており、ライフタイムキラー元素として働く可能性がある。つまり、半導体中の少数キャリアのライフタイムを低下させるため、半導体性能を劣化させる可能性がある。前記不純物拡散層形成組成物は、分散媒を含む。分散媒とは、不純物拡散層形成組成物中において前記ドナー元素を含む特定の無機粒子又はアクセプタ元素を含む特定の無機粒子を分散させる媒体である。具体的に分散媒としては、水及び有機溶剤等の液体と、水溶性高分子化合物等のバインダーを含んで構成される。前記不純物拡散層形成組成物における分散媒は、水及び有機溶剤から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。有機溶剤の具体例としては、既述の窒化ホウ素粒子の粉砕処理における分散媒として例示した溶剤と同様のものを挙げることができる。これらの分散媒の中でもp型拡散層形成組成物とした場合のインクジェット方式による吐出性の観点から、水、アルコール、α-テルピネオール、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルが好ましく、水、アルコールがより好ましく、少なくとも水を含むことがさらに好ましい。分散媒が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は1種単独でも2種以上を組み合わせてもよく、また水との混合溶媒としてもよい。前記不純物拡散層形成組成物における分散媒は、バインダーの少なくとも1種を含むことが好ましい。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン及びキサンタン誘導体、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント及びトラガント誘導体、デキストリン誘導体及びデキストリン誘導体、並びに、メタアクリル酸樹脂、メタアクリル酸エステル樹脂例えば、アルキルメタアクリレート樹脂、ジメチルアミノエチルメタアクリレート樹脂等、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂及びこれらの共重合体、シロキサン樹脂、金属アルコキシドなどから適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。これらの中でも、インクジェット方式による吐出性の観点から、水溶性高分子であるポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましく、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、及びポリエチレンオキサイド類から選ばれる少なくとも1種を含むことがより好ましい。バインダーの分子量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが望ましい。例えば、重量平均分子量を1万~50万とすることができ、5万~30万であることが好ましい。不純物拡散層形成組成物におけるバインダーの含有率は特に制限されず、組成物としての所望の粘度や、インクジェット方式における吐出性を鑑みて適宜調整することができる。例えば不純物拡散層形成組成物中に0.5質量~10質量とすることができ、2質量~8質量であることが好ましい。不純物拡散層形成組成物中の分散媒の含有比率は、インクジェット方式における吐出安定性、ドナー元素又はアクセプタ元素の濃度等を考慮して、適宜決定される。前記不純物拡散層形成組成物は、上記必須成分の他に各種の添加剤、増粘剤、湿潤剤等を含んでいてもよい。例えば、界面活性剤、チキソ剤、無機粉末、有機ホウ素化合物、有機アルミニウム化合物などが挙げられる。これらの中でも、界面活性剤及びチキソ剤を含むことが好ましい。界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤などが挙げられる。半導体デバイスへのアルカリ金属や重金属等の不純物の持ち込みが少ないことからノニオン系界面活性剤又はカチオン系界面活性剤が好ましい。更にはノニオン系界面活性剤としてシリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤が例示されるが、熱拡散処理等の加熱時に速やかに焼成されることから、炭化水素系界面活性剤が好ましい。また基板への濡れ性の観点から、界面活性剤としてシリコン系界面活性剤を用いることもまた好ましい。炭化水素系界面活性剤としては、エチレンオキサイド-プロピレンオキサイドのブロック共重合体、アセチレングリコール化合物等が例示される。半導体デバイスの抵抗値のバラツキをより低減することから、アセチレングリコール化合物が好ましい。不純物拡散層形成組成物が界面活性剤を含む場合、不純物拡散層形成組成物中の界面活性剤の含有量は、後述する所望の液物性となるように含まれることが好ましい。具体的には不純物拡散層形成組成物中に0.1質量~50質量であることが好ましく、1質量~20質量であることがより好ましい。チキソ剤としては、シリカ粉末、酸化チタン粉末、酸化アルミニウム粉末、酸化チタン粉末、窒化珪素粉末、炭化珪素粉末、タルク粉末、マイカ粉末、ガラスフレーク、金属ウィスカー、セラミッックウィスカー、硫酸カルシウムウィスカー、アスベスト、スメクタイト等を挙げることができ、特に、シリカ粉末、酸化チタンを用いることが好ましい。不純物拡散層形成組成物がチキソ剤を含む場合、不純物拡散層形成組成物中のチキソ剤の含有量は、後述する所望の液物性となるように含まれることが好ましい。具体的には不純物拡散層形成組成物中に0.05質量~10質量であることが好ましく、0.1質量~5質量であることがより好ましい。しい。有機ホウ素化合物としては、有機ホウ素ポリマーを挙げることができる。有機ホウ素ポリマーとしては、分子中に10個以上のホウ素原子を含むものであればよく、分子構造に特に制約はない。前記不純物拡散層形成組成物が、ドナー元素を含む特定の無機粒子を含んで構成される場合、有機ホウ素化合物の含有率は1質量以下であることが好ましい。有機アルミニウム化合物としては、AlR1R2R3式中、R1およびR2は同一または互いに異なり、炭素数1~10の炭化水素基または水素原子を示し、R3は炭素数1~10の炭化水素基を示す。ただし、R3は上記R1またはR2と同一または異なっていてもよいが挙げられる。具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ-n-プロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリ-n-ブチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ-t-ブチルアルミニウム、トリペンチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリシクロヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、水素化ジエチルアルミニウム、水素化ジ-n-プロピルアルミニウム、水素化ジ-n-ブチルアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ジヘキシルアルミニウム、水素化ジイソヘキシルアルミニウム、水素化ジオクチルアルミニウム、水素化ジイソオクチルアルミニウム、エチルアルミニウムジハイドライド、n-プロピルアルミニウムジハイドライド、イソブチルアルミニウムジハイドライドなどが挙げられる。前記不純物拡散層形成組成物の25°Cにおける粘度は0.1mPas~500mPasであるが、吐出安定性の観点から、1mPas~100mPasであることが好ましい。25°Cにおける粘度が前記範囲外ではインクジェット方式における吐出性が充分に得られない場合がある。前記不純物拡散層形成組成物の粘度は、25°Cにおいて、B型粘度計、E型粘度計等を用いて測定される。前記不純物拡散層形成組成物の粘度を前記範囲とする方法は、通常用いられる方法から適宜選択することができる。例えば、ドナー元素を含む特定の無機粒子及びアクセプタ元素を含む特定の無機粒子の含有率を調整する方法、分散媒の構成を適宜選択する方法、チキソ剤や界面活性剤を添加する方法等を挙げることができる。また前記不純物拡散層形成組成物の25°Cにおける表面張力は、吐出安定性の観点から、1mN/m~200mN/mであることが好ましく、5mN/m~100mN/mであることがより好ましい。25°Cにおける表面張力が前記範囲内であると、インクジェット方式における吐出安定性がより向上し、より精度の高いパターンを形成することができる。前記不純物拡散層形成組成物の表面張力は、25°Cにおいて、通常用いられる表面張力計を用いて測定される。前記不純物拡散層形成組成物の表面張力を前記範囲とする方法は、通常用いられる方法から適宜選択することができる。例えば、ドナー元素を含む特定の無機粒子及びアクセプタ元素を含む特定の無機粒子の含有率を調整する方法、分散媒の構成を適宜選択する方法、チキソ剤や界面活性剤を添加する方法等を挙げることができる。前記不純物拡散層形成組成物以下、単に組成物ともいうは、インクジェット方式によって半導体基板上に付与される。インクジェット方式としては、公知の方式から適宜選択して用いることができる。具体的にはピエゾ素子の振動圧力を利用して組成物を吐出するピエゾ方式、組成物を加熱して気泡を形成し、生じた圧力を利用するサーマルインクジェット方式、電気信号を音響ビームに変換しこれを組成物に照射して、放射圧を利用して組成物を吐出させる音響インクジェット方式、及び静電誘引力を利用して組成物を吐出させる電荷制御方式等を挙げることができる。中でもピエゾ方式は組成物に急激な温度変化が発生しないなどの点から好ましい。インクジェット方式に用いるインクジェット装置としては、通常用いられるものから適宜選択することができ、市販のインクジェット装置を用いてもよい。インクジェット装置が備えるヘッドのノズル径は、不純物拡散層形成組成物の構成や形成するパターン等に応じて適宜選択することができる。前記不純物拡散層形成組成物によって、半導体基板上に形成されるパターン組成物層の形状は目的に応じて適宜選択することができる。例えば線状のパターンを形成する場合、その線幅は10μm~100μmであることが好ましく、30μm~50μmであることがより好ましい。形成されるパターンの線幅が10μm~100μmであることで、熱拡散処理によって形成される不純物拡散層の幅もおおよそ10μm~100μmとなり、不純物拡散層の上に形成する電極材の幅の制御も容易となる傾向にある。またパターン組成物層の厚みは、不純物拡散層形成組成物の組成等に応じて適宜選択される。例えば、0.5μm~20μmとすることができる。<不純物拡散層及び太陽電池素子の製造方法>次に、n型拡散層の製造方法、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法について説明するn型拡散層及び太陽電池素子の製造方法本発明の不純物拡散層としてのn型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法について、図1を参照しながら説明する。図1は本発明の太陽電池素子の製造工程の一例を概念的に表す模式断面図である。以降の図面においては、共通する構成要素に同じ符号を付す。図11では、p型半導体基板10であるシリコン基板にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を20質量苛性ソーダで除去する。次いで1質量苛性ソーダと10質量イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造不図示を形成する。太陽電池素子は、受光面表面側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。図12では、p型半導体基板10の表面すなわち受光面となる面に、上記n型拡散層形成組成物をインクジェット方式で付与して、n型拡散層形成組成物層11をp型半導体基板10上にパターンとして形成する。インクジェット方式としては特に制限されず、通常用いられるインクジェット方式から適宜選択される。上記n型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無いが、例えば、ガラス粒子量として0.01g/m2~100g/m2とすることができ、0.1g/m2~10g/m2であることが好ましい。またp型半導体基板10上に形成されるn型拡散層形成組成物層11の形状は、特に制限されず目的に応じて適宜選択することができる。例えば、線状のパターンを形成することができ、その線幅は10μm~100μmであることが好ましく、30μm~50μmであることがより好ましい。前記n型拡散層形成組成物を用いて、かかる線幅でn型拡散層形成組成物層11を形成することで、後述する熱拡散処理で形成されるn型拡散層の線幅がn型拡散層形成組成物層11の線幅とおよそ同じ線幅となる。これによりn型拡散層上に電極を形成する際の電極の線幅の制御が容易になる。またn型拡散層形成組成物をインクジェット方式でp型半導体基板上に付与することで、所望のパターンを高精度に、生産性よく形成することができる。なお、n型拡散層形成組成物の組成によっては、塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、80°C~300°C程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は1分~10分、乾燥機などを用いる場合は10分~30分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、n型拡散層形成組成物の溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。次いで、上記n型拡散層形成組成物11が形成されたp型半導体基板10を、例えば、600°C~1250°Cで、好ましくは800°C~1000°Cで熱拡散処理する。600°C以上であると、不純物の拡散が充分に行なわれ、充分なBSF効果が得られる。また1250°C以下であると、半導体基板の劣化を抑制できる。この熱拡散処理により、図13に示すようにp型半導体基板中にドナー元素が拡散し、n型拡散層12が形成される。熱処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。熱拡散処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等により適宜調整できる。中でも酸素の割合が5体積未満であることが好ましい。熱拡散処理時間は、n型拡散層形成組成物に含まれるドナー元素の含有率などに応じて適宜選択することができる。例えば、1分~60分とすることができ、2分~30分であることがより好ましい。また前記拡散処理は、短時間熱処理RTP技術を用いて実施することもできる。形成されたn型拡散層12の表面には、リン酸ガラスなどのガラス層不図示が形成されているため、このリン酸ガラスをエッチングにより除去する。エッチングとしては、ふっ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。図12及び3に示される、上記n型拡散層形成組成物を用いてn型拡散層12を形成する本発明のn型拡散層の製造方法では、所望の部位にn型拡散層12が形成され、裏面や側面には不要なn型拡散層が形成されない。したがって、従来広く採用されている気相反応法によりn型拡散層を形成する方法では、側面に形成された不要なn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程が必須であったが、本発明の製造方法によれば、サイドエッチング工程が不要となり、工程が簡易化される。また、本発明の製造方法を用いる場合には、裏面のp型拡散層高濃度電界層14の製造方法はアルミニウムによるn型拡散層からp型拡散層への変換による方法に限定されることなく、いずれの方法も採用でき、製造方法の選択肢が広がる。また後述するように、裏面の表面電極20に用いる材料は第13族のアルミニウムに限定されず、例えばAg銀やCu銅などを適用することができ、裏面の表面電極20の厚さも従来のものよりも薄く形成することが可能となる。図14では、n型拡散層12の上に反射防止膜16を形成する。反射防止膜16は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜16がシリコン窒化膜の場合には、SiH4とNH3の混合ガスを原料とするプラズマCVD法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化水素パッシベーションする。より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05~1.0、反応室の圧力が13.3Pa0.1Torr~266.6Pa2Torr、成膜時の温度が300°C~550°C、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。図15では、表面受光面の反射防止膜16上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、表面電極18を形成する。表面電極用金属ペーストは、1金属粒子と2ガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて3樹脂バインダー、4その他の添加剤などを含む。次いで、上記裏面の高濃度電界層14上にも裏面電極20を形成する。前述のように、本発明では裏面電極20の材質や形成方法は特に限定されない。例えば、アルミニウム、銀、銅などの金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極20を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程における素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。図16では、電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。600°C~900°Cの範囲で数秒~数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜16が溶融し、更にシリコン10表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子例えば銀粒子がシリコン基板10と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極18とシリコン基板10とが導通される。これはファイアースルーと称されている。次に、表面電極18の形状について説明する。表面電極18は、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32で構成される。図2Aは、表面電極18を、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32からなる構成とした太陽電池素子を表面から見た平面図であり、図2Bは、図2Aの一部を拡大して示す斜視図である。このような表面電極18は、例えば、上述の電極用金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着等の手段により形成することができる。バスバー電極30とフィンガー電極32とからなる表面電極18は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。第一のp型拡散層の製造方法半導体基板好ましくは、シリコン基板に不純物拡散層としてp型拡散層を形成する第一の製造方法は、上記n型拡散層の製造方法において、n型拡散層形成組成物をp型拡散層形成組成物に、n型拡散層をp型拡散層にそれぞれ読み替えて適用する方法である。つまり、図12において、n型拡散層形成組成物を付与してn型拡散層形成組成物層11を形成し、そして熱拡散処理を行って、図13に示すn型拡散層12を形成するのと同様に、上述のp型拡散層形成組成物を付与してp型拡散層形成組成物層13を形成し、そして熱拡散処理を行って、図13に示すp型拡散層14を形成する。この製造方法では、n型拡散層形成組成物層11及びp型拡散層形成組成物層13を形成した後、熱拡散処理を行って、n型拡散層12及びp型拡散層14を形成することが好適である。この熱拡散処理により、表面ではp型半導体基板中へドナー元素が拡散してn型拡散層12が形成され、裏面ではアクセプタ元素が拡散してp型拡散層14が形成される。この工程以外は上記n型拡散層の製造方法と同様の工程により、太陽電池素子が作製される。第二のp型拡散層の製造方法第二のp型拡散層の製造方法では、オキシ塩化リンPOCl3を含む混合ガスによって裏面にも形成されたn型拡散層をp拡散層に変換する方法について説明する。以下では、p型半導体基板にp型拡散層を形成する方法を例示するが、n型半導体基板にp型拡散層を形成する方法も同様に適用できる。まず、p型半導体基板であるシリコン基板にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。この工程は、n型拡散層の形成において、図11を参照しながら説明したものと同様である。次に、オキシ塩化リンPOCl3、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において800°C~900°Cで数十分の処理を行って、基板上に一様にn型拡散層を形成する。このとき、オキシ塩化リン雰囲気を用いた方法では、リンの拡散は側面及び裏面にも及び、n型拡散層は表面のみならず、側面、裏面にも形成される。そのために、側面のn型拡散層を除去するために、サイドエッチング処理が施される。そして、p型半導体基板の裏面すなわち受光面ではない面のn型拡散層の上に、上記p型拡散層形成組成物を塗布する。本発明では、塗布方法には制限がないが、例えば、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法などを挙げることができる。前記p型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無く、例えば、ガラス粒子量として0.01g/cm2~100g/cm2とすることができ、0.05g/cm2~10g/cm2であることが好ましく、0.1g/m2~10g/m2であることが好ましい。塗布量が多くなるほど、半導体基板へのアクセプタ元素の拡散が容易になる傾向にある。尚、p型拡散層形成組成物の組成によっては、塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程を設けることが好ましい場合がある。この場合には、80°C~300°C程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は1分~10分、乾燥機などを用いる場合は10分~30分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、n型拡散層形成組成物の溶剤組成によって適宜選択可能であり、本発明では特に上記条件に限定されない。上記p型拡散層形成組成物を塗布した半導体基板を、例えば、600°C以上で、好ましくは、800°C以上で熱拡散処理する。熱拡散処理の上限温度としては、例えば、1250°C以下であることが好ましく、1000°C以下であることがより好ましい。この熱拡散処理により、半導体基板中へアクセプタ元素が拡散し、p型拡散層が形成される。熱処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。熱拡散雰囲気は酸素の割合が5体積未満であることが好ましい。熱処理温度が600°C以上であると、アクセプタ元素の拡散が十分に行われ、十分なBSF効果が得られる。また1250°C以下であると、基板が劣化することを抑制できる。熱拡散処理時間は、p型拡散層形成組成物に含まれるアクセプタ元素の含有率などに応じて適宜選択することができる。例えば、1分~60分とすることができ、2分~30分であることがより好ましい。尚、拡散層を形成する熱処理は、短時間熱処理RTP技術を用いて実施することもできる。そして、ガラスをエッチングにより除去した後、上記形成したn型拡散層の上に反射防止膜を形成する。この工程は、n型拡散層の形成において、図14を参照しながら説明したものと同様である。表面受光面の反射防止膜上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、表面電極を形成する。この工程は、n型拡散層の形成において、図15を参照しながら説明したものと同様である。次いで、上記裏面のp型拡散層上にも裏面電極を形成する。この裏面電極の形成工程も、n型拡散層で説明したものと同様である。上記電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。この工程は、n型拡散層の形成において、図16を参照しながら説明したものと同様である。p型拡散層の表面には、ガラス層が形成されているため、このガラスをエッチングにより除去する。エッチングとしては、ふっ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。他の形態のn型拡散層およびp型拡散層の製造方法上記では、表面にn型拡散層、裏面にp型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明のn型拡散層形成組成物及びp型拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明のn型拡散層形成組成物及びp型拡散層形成組成物は、特定の部位にn型拡散部位及びp型拡散層部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。具体的には、例えば図3にその一例の概略を示すような製造工程を含む製造方法で、バックコンタクト型の太陽電池素子の製造することができる。p型半導体基板1の表面にp型拡散層形成組成物及びn型拡散層形成組成物を、インクジェット方式により、それぞれが所望のパターンを形成するように付与する。ついで、これを熱拡散処理することで、p型拡散層3及びn型拡散層6を、それぞれ特定の領域に形成することができる。熱拡散処理により図3aに示すように、p型半導体基板1のp型拡散層3の上にはp型拡散層形成組成物の熱処理物層2が形成され、n型拡散層6の上にはn型拡散層形成組成物の熱処理物層5が形成される。次いで、p型拡散層3の上に形成されたp型拡散層形成組成物の熱処理物層2、及び、n型拡散層6の上に形成されたn型拡散層形成組成物の熱処理物層5をエッチング等により除去する。これにより図3bに示すように、図3aにおけるp型拡散層形成組成物の熱処理物層2及びn型拡散層形成組成物の熱処理物層5がエッチング除去され、表面近傍にp型拡散層3とn型拡散層6とが選択的に形成されたp型半導体基板1が得られる。次いでp型半導体基板1の上に反射膜又は表面保護膜7を常法により形成する。このとき図3c1に示すように、p型拡散層3とn型拡散層6とが表面に露出するように部分的に反射膜又は表面保護膜7を形成してもよい。また図3c2に示すように、p型半導体基板1の全面に反射膜又は表面保護膜7を形成してもよい。次いでp型拡散層3及びn型拡散層6の上に、電極用金属ペーストを選択的に塗布し熱処理することで、図3dに示すようにp型拡散層3及びn型拡散層6の上に、電極4及び電極8をそれぞれ形成することができる。尚、図3c2に示すようにp型半導体基板1の全面に反射膜又は表面保護膜を形成した場合は、電極ペーストとしてファイアースルー性を有するガラス粉末を含むものを用いることで、図3dに示すようにp型拡散層3及びn型拡散層6の上に、電極4及び電極8をそれぞれ形成することができる。図3に示す製造工程を含む製造方法で製造される太陽電池素子では、受光面に電極が存在しないため、太陽光を有効に取り込むことができる。上述したバックコンタクト型の太陽電池素子の作製では、p型半導体基板を用いた場合について説明を行ったが、n型半導体基板を用いても同様にして、太陽電子素子を作製することができる。<太陽電池>本発明の太陽電池は、前記太陽電池素子の少なくとも1つを含み、太陽電池素子の電極上にタブ線が配置されて構成される。太陽電池はさらに必要に応じて、タブ線を介して複数の太陽電池素子が連結され、さらに封止材で封止されて構成されていてもよい。前記タブ線及び封止材としては特に制限されず、当業界で通常用いられているものから適宜選択することができる。尚、本明細書において太陽電池素子とは、pn接合が形成されたシリコン基板と、シリコン基板上に形成された電極とを有するものを意味する。また太陽電池とは、太陽電池素子の電極上にタブ線が設けられ、必要に応じて複数の太陽電池素子がタブ線を介して接続されて構成され、封止樹脂等で封止された状態のものを意味する。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。または断りがない限り質量を意味する。<実施例1>不純物拡散層形成組成物1の調製ポリビニルアルコール分子量10000、部分けん化型、和光純薬工業製を水に溶解し10ポリビニルアルコール水溶液を調製した。この溶液8gと、六方晶の窒化ホウ素和光純薬工業製、試薬特級、体積平均粒子径:12μm1.5g、ヒュームドシリカ日本アエロジル製R200、界面活性剤SH28PAシリコーン系界面活性剤、東レダウコーニングシリコーン株製02gを自動乳鉢混練装置で混合して、不純物拡散層形成組成物1を調製した。不純物拡散層形成組成物1の粘度25°Cは17mPasであった。なお、不純物拡散層形成組成物の粘度は25°Cにおいて、E型粘度計を用いて常法により測定した。熱拡散及びエッチング工程スライスしたn型シリコン基板以下、n型スライスシリコン基板ともいう表面上に、不純物拡散層形成組成物1をインクジェット装置エプソン社製を用いて、線幅が50μm、長さ40mmの線状のパターンとなるように付与した。次いで150°Cのホットプレート上で5分間乾燥させて、膜厚が11μmの不純物拡散層形成組成物層を形成した。続いて、空気を5L/minで流した600°Cの環状炉で1分間、熱処理をした。次いで窒素ガスを5L/min.で流した950°Cのトンネル炉で20分間、熱拡散処理を行った。冷却後、n型シリコン基板を流水水洗し、n型シリコン基板表面上に形成されたガラス層を除去するため、基板を、2.5HF水溶液に5分間浸漬し、次いで流水洗浄、超音波洗浄、乾燥を行って、不純物拡散層p型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板を得た。[評価]シート抵抗の測定得られたn型スライスシリコン基板の表面のp型拡散層が形成された領域のシート抵抗を、三菱化学株製Loresta-EPMCP-T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。不純物拡散層形成組成物1を付与した部分は120Ω/□であり、Bほう素が拡散しp型拡散層が形成されていた。一方、不純物拡散層形成組成物1を付与した領域から5mm離れた位置である非付与領域のシート抵抗は1000Ω□以上であり、実質的に不純物拡散層p型拡散層が形成されていないと判断された。また上記で得られたp型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板には反りが発生していなかった。さらにn型スライスシリコン基板表面を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察したところ、窒化ホウ素を含むペーストを塗布した部分と塗布していない部分に違いは観察されなかった。<実施例2>ガラス粒子の調製SiO2和光純薬工業製、P2O5和光純薬工業製、CaCO3和光純薬工業製を原料として用い、それぞれのモル比がSiO2:P2O5:CaO=30:60:10となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、1400°Cまで400°C/hで昇温後、1時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、ドナー元素を含むガラス粒子を得た。得られたガラス粒子の粉末X線回折XRDパターンをNiフィルターを用いたCu-Kα線を用いて、X線回折装置理学製、RINT-2000により測定したところ、得られたガラス粒子は非晶質であることが確認された。また、ガラス粒子の体積平均粒子径をレーザー回折式粒度分布測定装置により、測定したところ、8μmであった。不純物拡散層形成組成物2の調製窒化ホウ素の替わりに上記SiO2P2O5CaOガラスを用いたこと以外は、実施例1と同様にして不純物拡散層形成組成物2を調製した。不純物拡散層形成組成物2の粘度25°Cは19mPasであった。熱拡散及びエッチング工程スライスしたn型シリコン基板の替わりにテクスチャー加工をしたp型シリコン基板を用いた以外は実施例1と同様にして、不純物拡散層形成組成物2を付与した後、同様にして不純物拡散層を形成して、不純物拡散層n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。得られたp型シリコン基板について同様にして評価を行なった。不純物拡散層形成組成物2を付与した領域のシート抵抗は30Ω/□であり、Pリンが拡散し不純物拡散層n型拡散層が形成されていた。一方、不純物拡散層形成組成物2を付与した領域から5mm離れた位置である非付与領域のシート抵抗は1000Ω□以上であり、実質的に不純物拡散層n型拡散層が形成されていないと判断された[実施例3]ガラス粒子の調製SiO2和光純薬工業製、B2O3和光純薬工業製、ZnO和光純薬工業製を原料として用い、それぞれのモル比がSiO2:B2O3:ZnO=10:40:50となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて、1400°Cまで400°C/hで昇温後、1時間保持し、次いで急冷した。これを自動乳鉢混練装置を用いて粉砕して、アクセプタ元素を含むガラス粒子を得た。得られたガラス粒子の粉末X線回折XRDパターンをNiフィルターを用いたCu-Kα線を用いて、X線回折装置理学製、RINT-2000により測定した。XRDパターンを図1に示す。図1から、得られたガラス粒子は非晶質であることが確認された。また、ガラス粒子の体積平均粒子径をレーザー回折式粒度分布測定装置により、測定したところ、8μmであった。不純物拡散層形成組成物3の調製窒化ホウ素の替わりに上記SiO2B2O3ZnOガラスを用いたこと以外は、実施例1と同様にして不純物拡散層形成組成物3を調製した。不純物拡散層形成組成物3の粘度25°Cは18mPasであった。熱拡散及びエッチング工程次に不純物拡散層形成組成物3を用いたこと以外は、実施例1と同様にして不純物拡散層を形成して、不純物拡散層n型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板を得た。得られたn型スライスシリコン基板について同様にして評価を行なった。不純物拡散層形成組成物3を付与した領域のシート抵抗は45Ω/□であり、Bほう素が拡散し不純物拡散層p型拡散層が形成されていた。一方、不純物拡散層形成組成物3を付与した領域から5mm離れた位置である非付与領域のシート抵抗は1000Ω□以上であり、実質的に不純物拡散層p型拡散層が形成されていないと判断された比較例1窒化ホウ素の替わりにB2O3粉末高純度化学研究所製を用いた以外は、実施例1と同様にして不純物拡散層形成組成物C1を調製した。ただし、B2O3粉末を水に溶解するため、5分間、25°Cにて攪拌した。不純物拡散層形成組成物C1の粘度25°Cは11mPasであった。次に実施例1と同様にして不純物拡散層を形成して、不純物拡散層n型拡散層が形成されたn型スライスシリコン基板を得た。得られたn型スライスシリコン基板について同様にして評価を行なった。不純物拡散層形成組成物C1を付与した領域のシート抵抗は40Ω/□であり、Bほう素が拡散し不純物拡散層p型拡散層が形成されていた。また不純物拡散層形成組成物C1を付与した領域から5mm離れた位置である非付与領域のシート抵抗は180Ω□であり、不純物拡散層p型拡散層が形成されていた。比較例2実施例2において、SiO2P2O5CaOガラスの替わりにP2O5粉末を用いたこと以外は、実施例2と同様にして不純物拡散層形成組成物C2を調製した。不純物拡散層形成組成物C2の粘度25°Cは17mPasであった。次に実施例2と同様にして不純物拡散層を形成して、不純物拡散層n型拡散層が形成されたp型シリコン基板を得た。得られたp型シリコン基板について同様にして評価を行なった。不純物拡散層形成組成物C2を付与した領域のシート抵抗は40Ω/□であり、Pリンが拡散し不純物拡散層n型拡散層が形成されていた。一方、不純物拡散層形成組成物C2を付与した領域から5mm離れた位置である非付与領域のシート抵抗は140Ω□であり、不純物拡散層n型拡散層が形成されていた。本発明の不純物拡散層形成組成物を用いることで、不要な領域に不純物拡散層が形成されることアウトディフュージョンを抑制しながら、低いシート抵抗を実現することができる。"