"複数の配線層を有する第1の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、生成された前記第1の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第2の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応するパターン識別子が登録されているパターンデータベースを参照して、前記第1の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを特徴とする露光データの生成方法。請求項1に記載の露光データの生成方法において、前記第1の多層配線パターンおよび前記第2の多層配線パターンは、更に前記複数の配線層に挟まれたビア層を有し、前記パターンデータベースには、更に前記第2の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録され、前記抽出工程では、更に前記第1の多層配線パターンの前記分割された層パターンのうちのビア層のパターンに対応する部分パターンのパターン識別子を抽出し、前記露光データ生成工程では、更に抽出された前記部分パターンのパターン識別子と抽出された前記部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成することを、特徴とする特徴とする露光データの生成方法。請求項1または2に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールは、第1の配線層、第2の配線層、および第1の配線層と第2の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンを生成するルールであって、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、前記第1の配線層において、第1の方向に延在する第1のトラックに第1のストライプパターンを配置して、前記第1の配線層の層パターンを生成し、前記第2の配線層において、前記第1の方向に交差する第2の方向に延在する第2のトラックに第2のストライプパターンを配置して、前記第2の配線層の層パターンを生成し、前記ビア層において、前記第1のトラックと前記第2のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第1のストライプパターンと前記第2のストライプパターンを接続することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。複数の配線層を有する第1の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、生成された前記第1の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第2の多層配線パターンが有する各層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録されているパターンデータベースを参照して、前記第1の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する部分パターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを特徴とする露光データの生成方法。請求項4に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールは、第1の配線層、第2の配線層、および第1の配線層と第2の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンに含まれる各層の層パターンを生成するルールであって、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、前記第1の配線層において、第1の方向に延在する第1のトラック上に第1のストライプパターンを配置して、前記第1の配線層の層パターンを生成し、前記第2の配線層において、前記第1の方向に交差する第2の方向に延在する第2のトラック上に第2のストライプパターンを配置して、前記第2の配線層の層パターンを生成し、前記ビア層において、前記第1のトラックと前記第2のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第1のストライプパターンと前記第2のストライプパターンを接続することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。請求項5に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、更に、前記第1の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第1のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置し、前記第2の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第2のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。請求項5または6に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、更に、前記ビア層において、前記ビアパターンに隣接する格子点に補助ビアパターンを配置し、前記ビアパターンにより接続される前記第1のストライプパターンおよび前記第2のストライプパターンのうちの前記補助ビアパターンに接続されないストライプパターンと当該補助ビアが配置される格子点の間の領域および当該補助ビアが配置される格子点を有する領域に第3のストライプパターンを配置することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。請求項7に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第1のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限し、或いは、前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第2のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。請求項5乃至8に記載の露光データの生成方法において、前記第1の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点に配置された第1の孤立パターンを有する第1のベースパターン、および第1の孤立パターンの間または前記第1のベースパターンの外周と前記第1の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第1の配線形成パターンであり、前記第2の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第1のベースパターン、および前記第1の孤立パターンの間または前記外周と前記第1の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第2の配線形成パターンであり、前記第1の配線形成パターンおよび前記第2の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを特徴とする露光データの生成方法。請求項5乃至8に記載の露光データの生成方法において、前記第1の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第1の方向に延在し前記格子点を両端に含む第4のストライプパターンおよび前記第4のストライプパターンの延長線上で第4のストライプパターンに隣接する前記格子点に配置される第2の孤立パターンを有するパターン対が前記第1の方向および前記第2の方向に周期的に配置された第2のベースパターン、および前記第4のストライプパターンと前記第2の孤立パターンの間または前記第2のベースパターンの外周と前記パターン対の間に配置される連結パターンを有する第3の配線形成パターンであり、前記第2の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点それぞれに配置された第3の孤立パターンを有する第3のベースパターン、および第3の孤立パターンの間または前記第3のベースパターンの外周と前記第3の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第4の配線形成パターンであり、前記第3の配線形成パターンおよび前記第4の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを特徴とする露光データの生成方法。ブロックマスクに設けられる開口部の形状以下、ブロックパターンとしては、ICのレイアウトパターンに頻出するパターンが選択される。ICのレイアウトパターンは、ゲート回路以下、ゲートと呼ぶやメモリセルのパターンとこれらのパターンを接続する配線のパターンを有している。ゲートやメモリセルのパターンは、同一形状のパターンを多数含んでいる。このためゲートパターンやメモリセルパターンの露光には、CP法が適している。しかし、配線パターンの形状は多様であり、ICの配線パターンから適切なブロックパターンを抽出することは容易ではない。そこで配線パターンの露光には、VSB法が用いられている。このため、電子ビーム露光法には、ICのレイアウトパターン全体に対するスループットが十分に高くはないという問題がある。上記の問題を解決するために、本方法の一観点によれば、パターン生成工程と、パターン分割工程と、抽出工程と、および露光データ生成工程を有する露光データの生成方法が提供される。ここで、パターン生成工程は、複数の配線層を有する第1の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成する工程である。パターン分割工程は、生成された前記第1の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割する工程である。抽出工程は、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第2の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応する前記パターン識別子が登録されているパターンデータベースを参照して、前記第1の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンのパターン識別子を抽出する工程である。露光データ生成工程は、抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程である。本実施の形態によれば、配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットが向上する。以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。実施の形態1図1は、本実施の形態で生成する露光データを用いて、レジスト膜に多層配線パターンを描画する電子ビーム露光装置2の構成図である。尚、露光パターンとは、電子ビームによりレジスト膜14に描画されるパターンのことである。図1に示すように、電子ビーム露光装置2は、電子銃4、コリメート磁気レンズ6a、第1のアパーチャ8a、第1の偏向器10a、第2のアパーチャ8b、および第2の偏向器10bを有している。第1のアパーチャ8aおよび第2のアパーチャ8bの開口部の形状は、矩形である。更に、電子ビーム露光装置2は、ブロックマスク12、フォーカシング磁気レンズ6b、第3の偏向器10c、および可動ステージ18を有している。可動ステージ18には、レジスト膜14が形成された半導体基板16が載置される。電子銃4から放射された電子ビーム20は、コリメート磁気レンズ6aにより平行ビームに変換される。電子ビーム20は、第1のアパーチャ8a、第1の偏向器10a、および第2のアパーチャ8bにより、ブロックパターンと同程度のサイズを有する矩形ビームに成形される。その後、電子ビーム20は、第2の偏向器10bにより、ブロックマスク12に設けられた所定のブロックブロックパターンに対応する開口部を有する領域に照射される。ブロックマスク12を透過した電子ビーム20はフォーカシング磁気レンズ6bと第3の偏向器10cにより、レジスト膜14の所定の領域に結像される。その結果、ブロックパターンがレジスト膜14に結像される。このような露光プロセスは、ICのレイアウトパターンに含まれる全てのパターンがレジスト膜14に転写されるまで繰り返される。電子ビーム露光装置2は、後述する露光データに基づいて、露光制御装置図示せずにより制御される。尚、露光データは、露光制御装置が有する記録媒体に記録される。レジスト膜14は、例えばポジ型レジストで形成されている。従って、ブロックパターンに対応する開口部を有するレジスト膜が形成される。実施の形態2および3においても、同様である。このようなレジスト膜は、ダマシン法による多層配線パターンの形成に適している。尚、レジスト膜14は、ネガ型レジストで形成されてもよい。ネガ型レジスト膜は、非ダマシン法による多層配線パターンの形成に適している。図2は、ブロックマスク12の平面図である。ブロックマスク12の平面形状は、例えば1辺が5cm程度の正方形である。図2に示すように、ブロックマスク12には、複数のブロックエリア22が設けられている。図3は、ブロックエリア22の平面図である。ブロックエリア22は、例えば対角線が44mm程度の矩形領域である。ブロックエリア22の中心部には、図3に示すように、複数のブロック24が設けられている。ブロック24は、例えば一辺が15μm×15μm程度或いは、1.28μm×40nm程度の矩形領域である。ブロック24には、露光パターンに対応する開口部が設けられている。各ブロックエリア22には、ICのレイアウトパターンが有する層例えば、ゲート層、配線層、ビア層ごとに、それぞれの層の描画に用いられるブロックが設けられている。各ブロックエリア22には、例えば4000個程度のブロック24が設けられている。ブロックエリア22の四隅には、VSB法に用いられる矩形スリット26が設けられている。図4は、本実施の形態の露光データの生成方法を実行するコンピュータ28の構成図である。図4に示すように、コンピュータ28は、CPUCentralProcessingUnit28a、ROMReadOnlyMemory28b、RAMRandomAccessMemory28cを有している。更に、コンピュータ28は、第1のHDDHardDiskDrive28d、第2のHDD28e、GBGraphicsBoard28f、I/FInterface28g、バス28h、表示装置28i、および入力装置28jを有している。CPU28aは、コンピュータ28の各ハードウェアを制御するプロセッサである。CPU28は、第1のハードディスク28dに記録されたプログラムをRAM28cにロードし、ロードされたプログラムを実行する。第1のハードディスク28dには、本実施の形態の露光データ生成方法をコンピュータ28に実行させる露光データ生成プログラム30等が記録されている。CPU28aがこの露光データ生成プログラム30を実行することで、コンピュータ28は露光データ生成装置になる。ROM28bには、CPU28aが実行する基本的なプログラム等が記録されている。RAM28cには、プログラム以外にも、CPU28aが各種演算処理を実行する際に、演算途中のデータが一時的に記録される。第2のハードディスク28eには、後述するパターンデータベース32とスタンダードセルライブラリ34が記録されている。スタンダードセルライブラリ34には、スタンダードセル標準的な機能ブロック、以下セルと呼ぶの機能やスタンダードセルのセルパターンが記録されている。GB28fは、CPU28aから受け取った描画命令に従って描画処理を実行し、得られた画像データを映像信号に変換して表示装置28jに供給する。I/F28gは、入力装置28iに入力されたデータの表現形式を変更してCPU28a等に送出する。バス28hには、CPU28a、ROM28b、RAM28c、第1のHDD28d、第2のHDD28e、GB28f、およびI/F28gが接続されている。これらハードウエアの間のデータの受け渡しは、バス28hを介して行われる。表示装置28jは、例えばLCDLiquidCrystalDisplayモニタであり、GB28fが供給する映像信号を表示する。入力装置28iは、例えばキーボードやマウスを有しており、ユーザの操作に応じてデータを生成して、I/FInterface28gに供給する。図5は、本実施の形態の露光パターン生成方法のフローチャートである。本実施の形態の露光パターン生成方法は、図5に示すように、論理設計工程S2、論理合成工程S4、配置配線工程S6、パターンデータ生成工程S8、および露光データ生成工程S10を有している。―論理設計S2および論理合成S4―コンピュータ28は、まずICの仕様を論理式で記述するS2。次に、コンピュータ28は、生成した論理式をネットリストに変換するS4。ネットリストは、セルとセルの接続関係を示すデータである。本工程では、スタンダードセルライブラリ34に登録されているセルを用いて、ネットリストが生成される。スタンダードセルライブラリ34は、論理合成S2のための情報、後述する配置配線S4すなわち回路配線のための情報、およびブロック情報を有している。論理合成のための情報は、例えばスタンダードセルの大きさ、機能、性能などである。配置配線のための情報は、例えばセルの具体的な形セルパターン、配線が接続される入端子や出力端子の位置、セルパターンのパターン識別子などである。ブロック情報は、例えば各セルパターンに対応するブロックの位置ブロックマスク上の位置を示す情報である。―配置配線S6―コンピュータ28は、論理合成工程S4で生成したネットリストにしたがって、ICのレイアウトパターンを生成するS6。このレイアウトパターンには、所定の配線ルールにしたがって生成される第1の多層配線パターンが含まれている。多層配線パターンは、複数の層を有するパターンである。また、このレイアウトパターンには、ゲート層のパターンが含まれている。ゲート層には、ネットリストが有するセルのパターンセルパターンが配置される。このセルパターンは、スタンダードセルライブラリ34から抽出されるパターンである。i多層配線パターン図6は、本工程で生成される第1の多層配線パターン36の一例である。第1の多層配線パターン36は、第1の配線層、第2の配線層、および第1の配線層と第2の配線層の間のビア層を有している。図6には、これらの層が積層された状態で示されている。図7は、第1の配線層38の一例を示す平面図である。図8は、第2の配線層40の一例を示す平面図である。図9は、ビア層42の一例を示す平面図である。第1の配線層38は、層間絶縁膜の一面に接する配線のパターン46aを有している。第2の配線層40は、層間絶縁膜の他面に接する配線のパターン46bを有している。ビア層42は、層間絶縁膜に形成される孔ビアのパターンビアパターン48を有している。ビアは、層間絶縁膜の一面に設けられる配線と他面に設けられる配線を接続する導電材が充填される孔である。第1の配線層38は、図7に示された領域の外側に、セルパターンの一部例えば、セルの入力端子や出力端子を含む領域を有していてもよい。第2の配線層40およびビア層42についても、同様である。尚、図6乃至9には、各層のパターンと共に、第1のトラック50aおよび第2のトラック50bのいずれか一方または双方が示されている。トラックは、配線パターン46a46bが配置される帯状の領域である。ii配線ルール本実施の形態の配線ルールは、第1の配線層38、第2の配線層40、および第1の配線層と第2の配線層の間のビア層42を有する第1の多層配線パターン36が有する各層のパターン以下、層パターンと呼ぶを生成するルールである。層パターンは、多層配線パターンの1層分のパターンである。この所定の配線ルールに従って、コンピュータ28は、図7に示すように、第1の配線層38において、第1の方向56に延在する第1のトラック50aに第1のストライプパターン52aを配置して、第1の配線層38の層パターン54aを生成する。第1のストライプパターン52aは第1のトラック50aに配置されて、第1の配線パターン46aになる。セルパターンの一部等が第1の配線層38に含まれる場合には、コンピュータ28は、更に第1の配線層38の層パターン54aにこれらのパターンを配置する。第2の配線層40およびビア層42についても、同様である。図7には、後述する第2のトラック50bの輪郭58も示されている。第1の配線層38の層パターン54aには、第1のトラック50aおよび第2のトラック50bの輪郭58は含まれない。同様に、他の図面中のトラックおよびトラックの輪郭も、それぞれの図面に示された層パターンに含まれない。また、コンピュータ28は、図8に示すように、上記配線ルールに従って、第2の配線層40において、第2の方向58に延在する第2のトラック50bに第2のストライプパターン52bを配置して、第2の配線層40の層パターン54bを生成する。第2のストライプパターン52bは第2のトラック50bに配置されて、第2の配線パターン46bになる。ここで、第2の方向58は、第1の方向56に交差好ましくは、直交する方向である。更に、コンピュータ28は、図9に示すように、上記配線ルールにしたがって、ビア層42において、格子点62にビアパターン48を配置して、第1のストライプパターン52aと第2のストライプパターン52bを接続する。ここで、格子点62は、第1のトラック50aと第2のトラック50bが立体的に交差する領域である。いま、図7の第1の配線層38の上から1番目ストライプパターン52aの左端LE1に、第1のセルの出力端子図示せずが接続されているとする。2番目ストライプパターン52aの左端LE2に、第2のセルの出力端子図示せずが接続されているとする。一方、3番目ストライプパターン52aの右端RE1には、第3のセルの入力端子図示せずが接続されているとする。4番目ストライプパターン52aの右端RE2には、第4のセルの入力端子図示せずが接続されているとする。図6乃至8に示すように、第1の配線層38のストライプパターン52aは、第2の配線層40のストライプパターン52bおよびビアパターン48を介して、第1の配線層38の他のストライプパターン52aに立体的に接続される。従って、上記所定の配線ルールに従えば、第1のセルの出力端子左端LE1は、第3のセルの入力端子右端RE1および第4のセルの入力端子右端RE2のいずれにも接続することができる。同様に、上記所定の配線ルールに従えば、第2のセルの出力端子左端LE2は、第3のセルの入力端子右端RE1および第4のセルの入力端子右端RE2のいずれにも接続することができる。すなわち、上記配線ルールに従えば、所望の接続関係を実現できる。本実施の形態の配線ルールは、更に格子点62にダミーパターンを配置する工程を有していてもよい。ダミーパターンとは、ダマシン法におけるCMPChemicalMechanicalPolishingが均一に行われるように、層間絶縁膜に設けられる孤立パッドのパターンのことである。この孤立パッドは、層間絶縁膜に設けられる配線と共に形成される。図10は、ダミーパターンを配置するように定められた配線ルール以下、標準配線ルールと呼ぶにしたがって生成される第1の配線層38aの一例である。図11は、この標準配線ルールにしたがって生成される第2の配線層40aの一例である。図12は、標準配線ルールにしたがって生成されるビア層42aの一例である。尚、図10乃至12には、後述する分割工程の説明に用いる分割ライン64も示されている。標準配線ルールにしたがって多層配線パターンを生成する場合、コンピュータ28は、図10に示すように、第1の配線層38aが有する格子点62のうち配置された第1のストライプパターン52aに含まらない格子点に、ダミーパターン66を配置する。また、コンピュータ28は、図11に示すように、第2の配線層40aが有する格子点62のうち配置された第2のストライプパターン52bに含まらない格子点に、ダミーパターン66を配置する。以下の説明は、ダミーパターンを有する図10乃至12の層パターンについて行われる。―パターンデータの生成工程S8―次に、コンピュータ28は、配置配線工程で生成したレイアウトパターンを、GDS形式のパターンデータに変換する。―露光データの生成工程S10―図13は、露光データの生成工程のフローチャートである。iサブフィールド分割工程S20コンピュータ28は、図10乃至12に示すように、配置配線工程S6で生成される第1の多層配線パターン36が有する各層38a40a42aの層パターン54A54B54Cを、分割ライン64に沿って所定のサブフィールド68ごとに分割するS20。すなわち、層パターン54A54B54Cが設けられている領域を、所定のサブフィールド68ごとに分割する。サブフィールド68は、例えば図12に示すように、第1の方向56の反対方向に位置する辺が第2のトラック50bに接し、第2の方向58に位置する辺が第1のトラック50aに接する領域である。また、サブフィールド68は、所定のサイズを有する領域である。所定のサイズとは、例えば第1の方向56におけるサイズが第2のトラック50bの周期の第1の整数倍例えば、2倍であり、第2の方向58におけるサイズが第1のトラック50aの周期の第2の整数倍例えば、2倍であることである。iiパターン識別子の抽出工程S22その後、コンピュータ28は、分割された層パターン54A第1の配線層38aの分割パターンに対応するサブフィールドパターンのパターン識別子を、パターンデータベース32を参照して抽出する。サブフィールドパターンは、サブフィールドに分割された領域が有するパターンである。ここで、サブフィールドパターンは、パターンデータベース32に登録記録された図形データである。また、サブフィールドパターンは、パターン識別子に対応付けられた登録パターンである。パターンデータベース32の登録パターンについては、後述する。同様に、コンピュータ28は、分割された層パターン54B第2の配線層40aの分割パターンに対応するサブフィールドパターンのパターン識別子を、パターンデータベース32を参照して抽出する。この時、コンピュータ28は、分割された層パターン54Bをキーとしてパターンデータベース32を検索し、分割された層パターン54Bにマッチ或いは、一致するサブフィールドパターンを検出する。そして、コンピュータ28は、検出したサブフィールドパターンに対応付けられているパターン識別子を抽出する。更に、コンピュータ28は、分割された層パターンのうちのビア層42aの層パターン54Cを生成する部分パターンに対応するパターン識別子を、パターンデータベース32を参照して抽出する。図14乃至16は、パターンデータベース32の一例である。図14には、パターンデータベース32のうち第1の配線層38に対応する部分が示されている。図15には、パターンデータベース32のうち第2の配線層40に対応する部分が示されている。図16には、パターンデータベース32のうちビア層42に対応する部分が示されている。図14に示すように、パターンデータベース32の第1の配線層に対応する部分には、サブフィールドパターン70aおよびサブフィールドパターン70aに対応するパターン識別子72aが登録されている。サブフィールドパターン70aは、上述した配線ルールにしたがってサブフィールド68に各層のパターンが生成される第2の多層配線パターンが有する第1の配線層の層パターンである。パターンデータベース32には、このサブフィールドパターン70aのバリエーションすなわち、複数の互いに異なるサブフィールドパターン70aが登録されている。同様に、第2の配線層に対応する部分図15参照には、サブフィールドパターン70bおよびサブフィールドパターン70bに対応するパターン識別子72bが登録されている。サブフィールドパターン70bは、上記第2の多層配線パターンが有する第2の配線層の層パターンである。パターンデータベース32には、このサブフィールドパターン70bのバリエーションが登録されている。一方、ビア層に対応する部分図16参照には、上記第2の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターンを形成する部分パターン74およびそのパターン識別子72cが登録されている。パターンデータベース32には、この部分パターン74のバリエーションが登録されている。尚、パターンデータベース32にと登録されたパターンサブフィールパターンおよび部分パターンは、そのパターン識別子と対応付けられている。図14に示すサブフィールドパターン70aは、第1の方向および第2の方向にそれぞれ、トラック2周期分の幅を有する領域である。このような領域に形成可能なサブフィールドパターン70aの数は、16通り=24、2の指数4はサブフィールドに含まれる格子点の数しか存在しない。第2の配線層のサブフィールドパターン70bについても、同様である。電子ビーム露光装置2に装着可能なブロックマスク12の面積は、限られている。しかし、ブロックマスク12に、このような少数のパターンに対応するブロックを設けることは容易である。ビア層のサブフィールドパターンも、16通りしか存在しない。しかも、これら層パターンは、僅か3通り=221、2の指数は一つのトラックに含まれる格子点の数の部分パターン74で形成される。このような少数のパターンに対応するブロックを、ブロックマスク12に設けることは更に容易である。サブフィールドパターンのバリエーション数は、サブフィールド68のサイズに依存している。上述したように、第1の方向56におけるサブフィールドのサイズは、第2のトラック50bの周期の第1の整数倍例えば、2倍である。また、第2の方向58におけるサブフィールドのサイズは、第1のトラック50aの周期の第2の整数倍例えば、2倍である。この第1の整数および第2の整数は、2以上4以下が好ましい。1倍では露光回数が多くなり、スループットが向上しない。一方、第1の整数および第2の整数が、4倍より多いと、サブフィールドパターンに対応する全てのブロックをブロックエリア24に設けることが困難になる。因みに、第1の整数および第2の整数が、それぞれ3および4の場合、サブフィールドパターンのバリエーションは4096通り=23×4である。尚、パターンデータベースは、ブロック情報を有していてもよい。このブロック情報は、サブフィールドパターンおよび部分パターンに対応するブロックの位置ブロックマスク上の位置を示す情報である。iii露光データの形成工程S24最後に、コンピュータ28は露光データを形成する。図17は、本工程で形成する露光データ75の一例である。図17に示すように、露光データ75は、パターン識別子の抽出工程S22で抽出されるパターン識別子72と、抽出されたパターン識別子72に対応するサブフィールドパターンの露光位置76とを有している。露光位置76は、パターン識別子72に対応付けられている。露光位置76は、例えば、半導体基板16上に転写されたブロックパターンの頂点座標である。この座標は、パターンデータの生成工程S8で生成されるGDSデータに基づいて導出される。また、露光データ75は、ゲート層等に配置されたセルパターンのパターン識別子72aおよびその露光位置76aを有している。このパターン識別子72aは、スタンダードセルライブラリに記録された識別子である。コンピュータ28は、パターンデータベース32およびスタンダードセルライブラリ42のいずれにも登録されていないパターンをVSB法で生成する。露光データ75は、このVSB法で生成されるパターンの露光データ図示せずも有している。ところで、サブフィールドパターンに対応するブロック22は、層別にブロックエリア24に設けられている図2および3参照。部分パターンに対応するブロック22についても、同様である。図18は、第1の配線層に対応するブロックエリア22の部分拡大図である。各ブロック24にはサブフィールドパターン70a70bまたは部分パターン74に対応する開口部78が設けられている。尚、図18には、第1の配線層に対応するブロックが示されている。また、ブロックエリア22には、スタンダードセルライブラリ34のセルパターンに対応するブロック図示せずも設けられている。電子ビーム露光装置2の露光制御装置は、パターンデータベース32に登録された登録パターンに対応するブロックの位置ブロックマスク上の位置およびこの登録パターンのパターン識別子を有するブロック位置データベースを有している。電子ビーム露光装置2の露光制御装置は、露光データ75が有するパターン識別子7272aをキーとしてブロック位置データベースを検索し、パターン識別子7272aに対応するブロックの位置を検出する。電子ビーム露光装置2は、検出したブロックの位置および露光データ75が有する露光位置7676aに基づいて、配置配線工程S6で生成したICのレイアウトパターンを層ごとにレジスト膜14に転写する。図19は、第1の配線層38aの層パターン54A図10参照が転写されたレジスト膜14aの平面図である。図20は、ビア層42の層パターン図12参照が転写されたレジスト膜14bの平面図である。図19および20のレジスト膜は、ポジ型のレジストである。従って、レジスト膜14a14bには、それぞれの層の層パターンに対応する開口部78aが形成される。以上のように、本実施の形態によれば、ブロックマスクを用いて所望の配線パターンを形成することができる。従って、配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットが向上する。以上の例では、パターンデータベース32に、ビア層の部分パターンが登録されている。しかし、パターンデータベース32には、ビア層のサブフィールドパターンが登録されてもよい。この場合コンピュータ28は、パターン識別子抽出工程S22において、分割されたビア層パターンに対応するパターン識別子を抽出する。そして、コンピュータ28は、露光データ形成工程S24で、抽出したビア層のパターン識別子とその露光位置を有する露光データを形成する。図12に示すようにサブフィール68に含まれるビアパターンの数は、多くない。従って、ビア層の層パターンは、VSB法で形成されてもよい。実施の形態2サブフィールド68のサイズが大きくなると一回の露光で描画される面積が広くなるので、レイアウトパターンをレジスト膜に転写するための露光回数が少なくなる。その結果、電子ビーム露光のスループットが向上する。一方、サブフィールド68のサイズが大きくなると、サブフィールドパターンの数が増加する。その結果、全てのサブフィールドパターンに対応するブロックを、一つのブロックマスクに設けることが困難になる。そこで、本実施の形態では、第1の配線層38aの層パターンについても、ビア層と同様、部分パターンを用いてブロック数を少なくする。第2の配線層40aの層パターンについても同様である。尚、本実施の形態は、実施の形態1と共通する部分を有している。従って、共通する部分の説明は省略する。―パターンデータベース―図21は、本実施の形態のパターンデータベース32の一例である。図21には、パターンデータベース32のうち第1の配線層38aに対応する部分が示されている。パターンデータベース32の第1の配線層に対応する部分には、第1の配線層第2の多層配線パターンの配線層の部分パターン80a,82aおよびこの部分パターンに対応するパターン識別子72Aが登録されている。第2の配線層およびビア層に対応する部分についても、同様である。第1の配線層の部分パターンは、図21に示すように、第1のベースパターン80aおよび複数の第1の配線形成パターン82aである。ここで、第1の配線層の部分パターン80a82aは、第2の多層配線パターンが有する第1の配線層のサブフィールドパターン第1の配線層に生成されるサブフィールドパターン70aを形成する部分パターンである。第2の多層配線パターンは、実施の形態1で説明したように、所定の配線ルール例えば、標準配線ルールにしたがってサブフィールド68に生成される多層配線パターンである。第1のベースパターン80aは、図21に示すように、サブフィールド68内の格子点それぞれに配置された第1の孤立パターン84aを有するパターンである。第1の配線形成パターン82aは、第1の孤立パターン84aの間または第1のベースパターン80aの外周と第1の孤立パターン84aの間に配置される連結パターン86を有する部分パターンである。第1の配線形成パターン82aは、中心線直線88上に配列された連結86を有する。中心線直線88の方向は、第1の方向56または第2の方向58が好ましい。図22は、第1のベースパターン80aおよび複数の第1の配線形成パターン82a182a2から、第1の配線層に対応するサブフィールドパターン70aを形成するルールを説明する図である。図22には、第1のトラック50aおよび第2のトラック50bが破線で示されている。図22に示すように、第1のベースパターン80a内の第2のトラック50bに挟まれたトラック間領域90a90bのうち左から1番目の領域90aに、第1の配線形成パターン82a1が配置される。更に、トラック間領域90a90bのうち2番目の領域90bに、第1の配線形成パターン82a2が配置される。この時、第1の配線形成パターン82a2は、第1の孤立パターン84aと第1のベースパターン80aの外周の間に配置される。以上により、第1の孤立パターン84aが連結されて、2つのストライプパターン52aが形成される。すなわち、第1の配線層のサブフィールドパターン70aが、第1のベースパターン80aと第1の配線形成パターン80a180a2により形成される。図22に示す例では、第1の配線形成パターン80a180a2の延在方向中心88の方向は、第2の方向58である。従って、第1の方向56に延在する第1のストライプパターン52aは、複数の第1の配線形成パターンにより形成される。第1の配線形成パターン80a180a2は、第1の方向56に延在していてもよい。この場合には、第1のストライプパターン52aは、一つの第1の配線形成パターンで形成される。サブフィールド68の幅がトラック2周期分の場合、第1の配線形成パターン82a1~82a3は、図21に示す3つのパターンだけである。また、第1のベースパターン84aは、図21に示す1つのパターンだけである。従って、4つ=31の部分パターンで、サブフィールド68に形成される16通りのサブフィールドパターン第1の配線層のサブフィールドパターンを全て形成することができる。このため本実施の形態によれば、ブロックマスクに設けるブロックの数を、実施の形態1より更に少なくすることができる。或いは、サブフィールドのサイズを大きくして、露光回数を減らすことができる。第1の配線形成パターンの長手方向例えば、第2の方向58のサイズが第2のトラック50bの周期の16倍の場合、第1の配線形成パターンのパターン数は65,526通り=216存在する。第1の配線形成パターンに対応するブロックの幅は、例えば40nm程度と狭い。従って、65,526通り程度のブロック24をブロックエリア22に設けることは容易である。すなわち、サブフィールド68の一辺例えば、第2の方向に延在する辺が交差するトラック例えば、第1のトラックの周期の16倍程度であれば、第1の配線形成パターンが多くなり過ぎることはない。一方、サブフィールド68の一辺が1トラック周期では、露光回数が多くなり過ぎる。尚、サブフィールド68の他方の辺のサイズが大きくなっても、第1の配線形成パターンの数は変わらない。従って、サブフィールド68の1辺は、交差するトラックの周期の2倍以上16倍以下が好ましい。サブフィールド68の1辺は、交差するトラックの周期の5倍以上10倍以下が好ましい。図23は、図21の部分パターンに対応するブロック24a,24bを有するブロックエリアの部分拡大図である。図23には、第1のベースパターン80aに対応するブロック24aおよび第1の配線形成パターン82aに対応する3つのブロック24bが示されている。図24は、サブフィールドパターン70aがレジスト膜14に転写される過程を説明する図である。まず、第1のベースパターン80aがレジスト膜14に転写される。次に、パターン識別子WL/P1に対応する第1の配線形成パターン82a1が、レジスト膜14に転写される。最後に、パターン識別子WL/P2に対応する第1の配線形成パターン82a2が転写されて、サブフィールドパターン70aがレジスト膜14に転写される。また、パターンデータベース32には、第2の配線層の部分パターンおよびこの部分パターンに対応するパターン識別子が登録されている。図25は、第2の配線層の部分パターンを説明する図である。第2の配線層の部分パターンは、第1の配線層の部分パターンと同様、サブフィールドに生成される第2の多層配線パターンが有する第2の配線層のサブフィールドパターン第2の配線層に生成されるサブフィールドパターン70bを形成する部分パターンである。第2の配線層の部分パターンは、図25に示すように、第1のベースパターン80aおよび複数の第2の配線形成パターン82bである。第1のベースパターン80aは、図22を参照して説明したベースパターンである。第2の配線形成パターン82bは、第1の孤立パターン84aの間または第1のベースパターン80aの外周と第1の孤立パターン84aの間に配置される連結パターン86を有する部分パターンである。また、パターンデータベース32には、ビア層の部分パターンおよびこの部分パターンに対応するパターン識別子が登録されている。ビア層の部分パターンは、上記第2の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターンビア層に生成されるサブフィールドパターンを形成する部分パターンである。ビア層の部分パターンは、図16に示す部分パターン74以下、ビア層形成パターンと呼ぶである。すなわち、ビア層を形成する部分パターンは格子点62に配置されたビアパターン48を有するパターンである。図16および21に示すように、第1の配線形成パターン、第2の配線形成パターン、およびビア層形成パターンは、サブフィールド68より狭いパターンである。但し、第1の配線形成パターン、第2の配線形成パターン、およびビア層生成パターンは、一方の方向例えば、第2の方向58に、他方の方向例えば、第1の方向56に延在するトラック例えば、第1のトラック50aの周期の2以上延在するパターンである。―露光データの生成工程S10―本実施の形態の露光データの生成工程は、実施の形態1の露光データの生成工程と略同じである。但し、パターン識別子の抽出工程S22が、一部異なっている。実施の形態1では、サブフィールド分割工程S20で分割された配線層の層パターンに対応するサブフィールドパターンのパターン識別子が抽出される。一方、本実施の形態では、分割された全ての層パターン第1の配線層のパターン、第2の配線層のパターン、およびビア層のパターンに対応する部分パターンのパターン識別子が抽出される。その他の工程は、実施の形態1と略同じである。実施の形態3実施の形態1および2の配線ルールでは、第1の配線層に配置される第1のストライプパターン52aと、第2の配線層に配置される第2のストライプパターン52bが一つのビアパターンで接続される。一方、本実施の形態では、第1のストライプパターン52aと第2のストライプパターン52bが複数具体的には、2つのビアパターンで接続される。本実施の形態は、実施の形態1および2と共通する部分を有している。従って、共通する部分の説明は省略する。図26Aは、第1のストライプパターン52aと第2のストライプパターン52bが一つのビアパターン48で接続された状態の第1の配線層38bの一例である。第1の配線層38bは、ネットリストおよび所定の配線ルール例えば、標準配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンの層パターンである。図26Aには、参考のため、ビア層に形成されるビアパターン48が白抜きで表されている。下記図26Bにおいても、同様である。図26A乃至26Cに示す層パターンは、サブフィールドに生成される層パターンである。図26Bは、第1のストライプパターン52aと第2のストライプパターン52bが一つのビアパターン48で接続された状態の第2の配線層40bの一例である。また、図26Cは、第1のストライプパターン52aと第2のストライプパターン52bが一つのビアパターン48で接続された状態のビア層42bの一例である。―配線ルール―図27および28は、本実施の形態の配線ルールの説明図である。本実施の形態の配線ルールでは、まず実施の形態1の配線ルールで規定された手順が実行される。その結果、図26A乃至26Cに示すような層パターンが生成される。本実施の形態の配線ルールでは、更に図27に示すようにビア層42bにおいて、ビアパターン48に隣接する格子点に補助ビアパターン48aが配置される。この時、第2のストライプパターン52B図26B参照は、補助ビアパターン48aに接続される。一方、第1のストライプパターン52Aは、補助ビアパターン48aには接続されない図26A参照。次に、図27および28に示すように、第1のストライプパターン52Aと補助ビア48aが配置される格子点62aの間の領域92およびこの格子点62aを有する矩形領域94に、第3のストライプパターン52cが配置される。尚、上記説明から明らかように、第1のストライプパターン52Aは、ビアパターン48により接続される第1のストライプパターン52Aおよび第2のストライプパターン52Bのうちの補助ビアパターン48aに接続されないストライプパターンである。第3のストライプパターン52cを介して、第1のストライプパターン52Aも、補助ビアパターン48aに接続される。すなわち、第1のストライプパターン52Aと第2のストライプパターン52Bは、複数のビアパターンで接続される。―部分パターン―本実施の形態のパターンデータベース32には、実施の形態2と同様、サブフィールドパターンを形成する部分パターンが登録されている。図29A乃至28Dは、本実施の形態の第1の配線層のサブフィールドパターン図26A参照を形成する部分パターンの説明図である。今、図28に示すサブフィールドパターン70Aが、サブフィールド68に生成されたとする。このサブフィールドパターン70Aは、第1の配線層のサブフィールドパターンである。サブフィールドパターン70Aを形成する部分パターンは、第1のベースパターン80aIと複数の第1の配線形成パターン82aIである図29A乃至28D参照。図29A乃至28Dに示すように、サブフィールドパターン70Aは、第1のベースパターン80aIに第1の配線形成パターン80aIを順次重ねることで形成される。図29Aおよび28Dに示す第1の配線形成パターン82aIは、第1のストライプパターン52aを形成するパターンである。図29Bに示す第1の配線形成パターン82aIは、第1のストライプパターン52aと第3のストライプパターン52c図28参照を形成するとパターンである。ここで、第2の方向58を向いた一対の孤立パターン84aが連結パターン86ahにより連結されて、第3のストライプパターン52cが形成される。図29Cに示す第1の配線形成パターン82a1は、第3のストライプパターン52cを形成するパターンである。図29A,29B,29Dに示す第1の配線形成パターン82aIは、第2のトラック52bの周期の15倍分の幅を有している第1の配線形成パターン82aIは、一対の第2のトラック52bを有している。。このように配線形成パターンの幅を広くすることで、第1の配線形成パターンに対応するブロックの数を少なくすることができる。図30は、第2の配線層40bのサブフィールドパターン図26B参照を形成する部分パターンの説明図である。この部分パターンは、第1のベースパターン80aIおよび複数の第2の配線形成パターン82bIである。第1のベースパターン80aIは、図29Aを参照して説明したベースパターンである。第2の配線形成パターン82bIは、第1の孤立パターン84の間または第1のベースパターン80aIの外周と第1の孤立パターン84の間に配置される連結パターン86を有するパターンである。尚、図26Bに示す第2の配線層のサブフィールドパターンは、補助ビアパターンを有してない。しかし、第2の配線層のサブフィールドパターンも、補助ビアパターンを有してもよい。図31は、ビア層のサブフィールドパターン図27参照を形成する部分パターンの一例である。この部分パターン74aは、ビアパターン48および補助ビアパターン48aを有している。この部分パターン74aをサブフィールド68の第2のトラックB図29A参照に配置することで、ビア層のサブフィールドパターンが形成される。ところで、第1の配線形成パターンが複数のトラックを含む場合、第1の配線形成パターンのバリエーションが増加する。このため、第1の配線形成パターンに対応するブロック24をブロックエリア22に配置しきれない場合がある。第2の配線形成パターンについても、同様である。このような場合には、上記配線ルールにおいて、更に補助ビアパターン48aが配置される格子点が、第1のトラック52aのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限されてもよい。これにより、第1の配線形成パターンのバリエーションが少なくなり、ブロック数の増加が抑制される。或いは、補助ビアパターン48aが配置される格子点が、第2のトラック52bのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限されてもよい。図32は、この場合に用いられるベースパターンの変形例第2のベースパターンを示す図である。図33は、第2のベースパターン80aIIに対応する第3の配線形成パターン82cを説明する図である。図33には、第2のベースパターン80aIIが破線で示されている。図33に示すように、第2のベースパターン80aIIに第3の配線形成パターン82cを重ねることで、第1の配線層のサブフィールドパターンが形成される。第2のベースパターン80aIIは、図32に示すように、第4のストライプパターン52dおよび第2の孤立パターン84bを有するパターン対96が、第1の方向56および第2の方向58に周期的に配置されたベースパターンである。第4のストライプパターン52dは、第1の方向56に延在し格子点を両端に含むストライプパターンである。第2の孤立パターン84bは、第4のストライプパターン52dの延長線上で第4のストライプパターン52dに隣接する格子点に配置される孤立パターンである。第3の配線形成パターン82cは、図33に示すように、第4のストライプパターン52dと第2の孤立パターン84bの間または第2のベースパターン80aIIの外周とパターン対96の間に配置される連結パターン86を有するパターンである。第2のベースパターン80aIIおよび第3の配線形成パターン82cによれば、補助ビアパターン48aが配置される格子点を有するトラックを、第2のトラック52bのうちの一部のトラック52Bに制限することができる。第2の配線層のサブフィールドを形成する部分パターンは、第3のベースパターンおよび第4の配線形成パターンを有している。第3のベースパターンは、図30を参照して説明した第1のベースパターン80aIと略同じである。また、第4の配線形成パターンは、図30を参照して説明した第2の配線形成パターン82bIと略同じである。すなわち、第3のベースパターン80cは、サブフィールド内のそれぞれの格子点に配置された第3の孤立パターン84cを有する。第4の配線形成パターンは、第3の孤立パターンの間または第3のベースパターン80cの外周と第3の孤立パターン84cの間に配置される連結パターン86を有する。本実施の形態では、第1の配線パターンと第2の配線パターンが2つのビアで接続される。しかし、第1の配線パターンと第2の配線パターンは、3つ以上のビアで接続されてもよい。その場合には、補助ビアが配置された格子点に隣接する格子に、更に別の補助ビアが配置される。ところで、多層配線パターンの配線層を分割すると、所謂ラインスペース構造になる場合がある。このような場合に対応するため、パターンデータベース32に、ラインスペース構造のパターン以下、LSパターンと呼ぶおよびそのパターン識別子を登録しておいてもよい。サブフィールド分割工程S20でLSパターンが抽出された場合、コンピュータ28は、パターン識別子抽出工程S22でLSパターンに対応するパターン識別子を抽出し、抽出したパターン識別子に基づいて露光データを生成する。図34は、LSパターンの一例である。LSパターンは、図34に示すように、サブフィールド68aの一端から他端に延在するストライプパターン52eを有するパターンである。図34に示す例では、ストライプパターン52eは、第1のトラック50aの上に配置されている。しかし、ストライプパターン52eは、第2のトラック50bの上に配置されてもよい。図35は、LSパターンの変形例である。図35に示す変形例では、ラインパターンが配置されないトラックに、ダミーパターン66cが配置されている。以上の実施の形態1乃至3に関し、更に以下の付記を開示する。付記1複数の配線層を有する第1の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、生成された前記第1の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第2の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応するパターン識別子が登録されているパターンデータベースを参照して、前記第1の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、抽出された前記パターン識別子と当該抽出されたパターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを特徴とする露光データの生成方法。付記2付記1に記載の露光データの生成方法において、前記第1の多層配線パターンおよび前記第2の多層配線パターンは、更に前記複数の配線層に挟まれたビア層を有し、前記パターンデータベースには、更に前記第2の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録され、前記抽出工程では、更に前記第1の多層配線パターンの前記分割された層パターンのうちのビア層のパターンに対応する部分パターンのパターン識別子を抽出し、前記露光データ生成工程では、更に抽出された前記部分パターンのパターン識別子と抽出された前記部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成することを、特徴とする特徴とする露光データの生成方法。付記3付記1または2に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールは、第1の配線層、第2の配線層、および第1の配線層と第2の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンを生成するルールであって、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、前記第1の配線層において、第1の方向に延在する第1のトラックに第1のストライプパターンを配置して、前記第1の配線層の層パターンを生成し、前記第2の配線層において、前記第1の方向に交差する第2の方向に延在する第2のトラックに第2のストライプパターンを配置して、前記第2の配線層の層パターンを生成し、前記ビア層において、前記第1のトラックと前記第2のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第1のストライプパターンと前記第2のストライプパターンを接続することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。付記4付記3に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、更に、前記第1の配線層が有する前記格子点のうち前記第1のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置し、前記第2の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第2のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。付記5複数の配線層を有する第1の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、生成された前記第1の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第2の多層配線パターンが有する各層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録されているパターンデータベースを参照して、前記第1の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する部分パターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを特徴とする露光データの生成方法。付記6付記5に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールは、第1の配線層、第2の配線層、および第1の配線層と第2の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンに含まれる各層の層パターンを生成するルールであって、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、前記第1の配線層において、第1の方向に延在する第1のトラック上に第1のストライプパターンを配置して、前記第1の配線層の層パターンを生成し、前記第2の配線層において、前記第1の方向に交差する第2の方向に延在する第2のトラック上に第2のストライプパターンを配置して、前記第2の配線層の層パターンを生成し、前記ビア層において、前記第1のトラックと前記第2のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第1のストライプパターンと前記第2のストライプパターンを接続することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。付記7付記6に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、更に、前記第1の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第1のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置し、前記第2の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第2のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。付記8付記6または7に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、更に、前記ビア層において、前記ビアパターンに隣接する格子点に補助ビアパターンを配置し、前記ビアパターンにより接続される前記第1のストライプパターンおよび前記第2のストライプパターンのうちの前記補助ビアパターンに接続されないストライプパターンと当該補助ビアが配置される格子点の間の領域および当該補助ビアが配置される格子点を有する領域に第3のストライプパターンを配置することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。付記9付記8に記載の露光データの生成方法において、前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第1のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限し、或いは、前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第2のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限することで生成されること特徴とする露光データの生成方法。付記10付記6乃至9に記載の露光データの生成方法において、前記第1の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点に配置された第1の孤立パターンを有する第1のベースパターン、および第1の孤立パターンの間または前記第1のベースパターンの外周と前記第1の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第1の配線形成パターンであり、前記第2の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第1のベースパターン、および前記第1の孤立パターンの間または前記外周と前記第1の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第2の配線形成パターンであり、前記第1の配線形成パターンおよび前記第2の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを特徴とする露光データの生成方法。付記11付記6乃至9に記載の露光データの生成方法において、前記第1の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第1の方向に延在し前記格子点を両端に含む第4のストライプパターンおよび前記第4のストライプパターンの延長線上で第4のストライプパターンに隣接する前記格子点に配置される第2の孤立パターンを有するパターン対が前記第1の方向および前記第2の方向に周期的に配置された第2のベースパターン、および前記第4のストライプパターンと前記第2の孤立パターンの間または前記第2のベースパターンの外周と前記パターン対の間に配置される連結パターンを有する第3の配線形成パターンであり、前記第2の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点それぞれに配置された第3の孤立パターンを有する第3のベースパターン、および第3の孤立パターンの間または前記第3のベースパターンの外周と前記第3の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第4の配線形成パターンであり、前記第3の配線形成パターンおよび前記第4の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを特徴とする露光データの生成方法。"