棒状、管状、繊維状又は板状の酸化チタン構造体Aと、チタニアナノ粒子Bとを含む多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板であって、前記多孔質酸化チタン塗膜は、基板との界面から塗膜最表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなり、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くなることを特徴とする、多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。前記多孔質酸化チタン塗膜は、最表面から塗膜の厚みの0~10の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの濃度が20~100重量であり、最表面から塗膜の厚みの90~100の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの濃度が0~80重量である、請求項1に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。酸化チタン構造体Aの平均アスペクト比が3~200000である、請求項1又は2に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。酸化チタン構造体Aが、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1、チタニアナノチューブA2及びチタニアナノロッドA3よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1~3のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。チタニアナノチューブA2が、チタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2bである、請求項4に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。チタニアナノチューブA2が、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを30以上含むチタニアナノチューブA2cである、請求項4に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。酸化チタン構造体Aの表面に絶縁性酸化物膜を有する、請求項1~6のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。多孔質酸化チタン塗膜が、表面に、絶縁性酸化物膜を有する、請求項1~7のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。請求項1~8のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板を備えた電極基板であって、前記基板が、樹脂基板又はガラス基板と透明導電膜とが一体化した構造を有しており、前記多孔質酸化チタン塗膜は透明導電膜上に形成されており、且つ、前記多孔質酸化チタン塗膜に色素が担持されている、電極基板。請求項1~8のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板と、前記多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板上に形成されたメッシュ状電極とを備えた電極基板であって、前記メッシュ状電極は、前記多孔質酸化チタン塗膜と接し、且つ、覆うように形成されており、前記基板は樹脂基板又はガラス基板であり、前記多孔質酸化チタン塗膜に色素が担持されている、電極基板。前記メッシュ状電極が、ヨウ素イオン及び臭素イオンと反応せず、又は、ヨウ素イオン及び臭素イオンに対する耐腐食性を有する、請求項10に記載の電極基板。前記メッシュ状電極が、チタン、金、白金、タングステン、ニオブ、タンタル、炭素、ステンレス及びマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアよりなる群から選ばれる少なくとも1種からなる、請求項10又は11に記載の電極基板。請求項9~12のいずれかに記載の電極基板を備える、色素増感太陽電池。棒状、管状、繊維状又は板状の酸化チタン構造体Aと、チタニアナノ粒子Bとを含む多孔質酸化チタン塗膜であって、一表面から他表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなり、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くなることを特徴とする、多孔質酸化チタン塗膜。本発明は、逆電子移動を抑制するとともに、イオンと電子の効率的な移動を可能とし、且つ、光拡散を容易にすることで、変換効率の大きい色素増感太陽電池を製造できる多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板を提供することを目的とする。上記目的を鑑み、鋭意検討した結果、棒状、管状、繊維状又は板状の酸化チタン構造体Aと、チタニアナノ粒子Bとを含む多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板において、前記多孔質酸化チタン塗膜を、基板との界面から塗膜最表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くし、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くすることで、上記課題を解決した多孔質酸化チタン塗膜が得られることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の構成からなる。項1.棒状、管状、繊維状又は板状の酸化チタン構造体Aと、チタニアナノ粒子Bとを含む多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板であって、前記多孔質酸化チタン塗膜は、基板との界面から塗膜最表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなり、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くなることを特徴とする、多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項2.前記多孔質酸化チタン塗膜は、最表面から塗膜の厚みの0~10の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの濃度が20~100重量であり、最表面から塗膜の厚みの90~100の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの濃度が0~80重量である、項1に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項3.酸化チタン構造体Aの平均アスペクト比が3~200000である、項1又は2に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項4.酸化チタン構造体Aが、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1、チタニアナノチューブA2及びチタニアナノロッドA3よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、項1~3のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項5.チタニアナノチューブA2が、チタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2bである、項4に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項6.チタニアナノチューブA2が、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを30以上含むチタニアナノチューブA2cである、項4に記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項7.酸化チタン構造体Aの表面に絶縁性酸化物膜を有する、項1~6のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項8.多孔質酸化チタン塗膜が、表面に、絶縁性酸化物膜を有する、項1~7のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板。項9.項1~8のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板を備えた電極基板であって、前記基板が、樹脂基板又はガラス基板と透明導電膜とが一体化した構造を有しており、前記多孔質酸化チタン塗膜は透明導電膜上に形成されており、且つ、前記多孔質酸化チタン塗膜に色素が担持されている、電極基板。項10.項1~8のいずれかに記載の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板と、前記多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板上に形成されたメッシュ状電極とを備えた電極基板であって、前記メッシュ状電極は、前記多孔質酸化チタン塗膜と接し、且つ、覆うように形成されており、前記基板は樹脂基板又はガラス基板であり、前記多孔質酸化チタン塗膜に色素が担持されている、電極基板。項11.前記メッシュ状電極が、ヨウ素イオン及び臭素イオンと反応せず、又は、ヨウ素イオン及び臭素イオンに対する耐腐食性を有する、項10に記載の電極基板。項12.前記メッシュ状電極が、チタン、金、白金、タングステン、ニオブ、タンタル、炭素、ステンレス及びマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアよりなる群から選ばれる少なくとも1種からなる、項10又は11に記載の電極基板。項13.項9~12のいずれかに記載の電極基板を備える、色素増感太陽電池。項14.棒状、管状、繊維状又は板状の酸化チタン構造体Aと、チタニアナノ粒子Bとを含む多孔質酸化チタン塗膜であって、一表面から他表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなり、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くなることを特徴とする、多孔質酸化チタン塗膜。本発明によれば、逆電子移動を抑制するとともに、イオンと電子の効率的な移動を可能とし、且つ、光拡散を容易にすることで、変換効率の大きい色素増感太陽電池を製造できる多孔質酸化チタン塗膜を提供できる。1.多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板本発明の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板は、棒状、管状、繊維状又は板状の酸化チタン構造体Aと、チタニアナノ粒子Bとを含む多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板である。さらに、前記多孔質酸化チタン塗膜は、基板との界面から塗膜最表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなり、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くなるものである。本発明において、酸化チタン又はチタニアとは、二酸化チタンのみを指すものではなく、三酸化二チタンTi2O3;一酸化チタンTiO;Ti4O7、Ti5O9等に代表される二酸化チタンから酸素欠損した組成のもの等も含むものである。また、末端OH基に代表されるように一部酸化チタンの合成に起因するTi-O-Ti以外の基を含んでいても良い。1-1.酸化チタン構造体A本発明において使用される酸化チタン構造体Aは、棒状、管状、繊維状又は板状のものであれば特に制限されない。具体的には、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1、チタニアナノチューブA2、及びチタニアナノロッドA3のいずれでもよい。また、酸化チタン構造体Aの形状も特に制限されるわけではないが、充分な表面積を有しつつ、効率よく電子を伝達する点から、長軸に直交する平均直径が5~500nm、長軸の平均長さが0.1~1000μm、平均アスペクト比長軸の平均長さ/長軸に直交する平均直径が3~200000が好ましく、長軸に直交する平均直径が7~300nm、長軸の平均長さが1~50μm、平均アスペクト比長軸の平均長さ/長軸に直交する平均直径が10~3000がより好ましい。なお、本発明において、酸化チタン構造体Aとして管状のものを使用する場合、その直径とは、外径のことを言う。また、酸化チタン構造体Aの平均直径、平均長さ及び平均アスペクト比は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。さらに、酸化チタン構造体Aは、表面に絶縁性酸化物膜を有することが好ましい。絶縁性酸化物膜に使用できる酸化物としては、特に制限されるわけではないが、電子伝導帯エネルギー準位が酸化チタン構造体Aの電子伝導帯エネルギー準位より真空エネルギー準位側にあり、色素から酸化チタン構造体Aへ電子をトンネル伝導させることが可能であるものを使用すればよい。例えば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ニッケル、酸化クロム、酸化マンガン、酸化銅、酸化ゲルマニウム、酸化ガリウム等を使用すればよく、なかでも、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムが好ましい。これらの酸化物は、1種単独又は2種以上で使用できる。絶縁性酸化物膜の厚みは、特に制限されないが、逆電子移動の防止のため、0.1~100nm、特に0.1~10nm、さらに0.5~5nmとすることが好ましい。なお、酸化チタン構造体Aの表面に絶縁性酸化物膜を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法、浸漬法、スプレー法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法等が挙げられる。これらのなかで、酸化チタン構造体Aの細部まで絶縁性酸化物膜を形成できるため浸漬法が好ましく、具体的には、絶縁性酸化物の前駆体を0.001~1mol/L程度含む溶液中に酸化チタン構造体Aを浸漬し、その後焼成すればよい。絶縁性酸化物の前駆体としては、例えば、該酸化物を構成する金属のアルコキシド、ハロゲン化物、オキソハロゲン化物、カルボニル、有機錯体等が挙げられる。具体的には、例えば、マグネシウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムブトキシド、イットリウムイソプロポキシド等を使用すればよい。焼成条件は、特に制限されるわけではないが、300~600°C程度、特に450~550°C程度にて1~60分程度、特に10~30分程度とすればよい。<A1チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブ>チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1としては、例えば、特開2010-24133号公報に記載のものが使用できる。具体的には、棒状又は繊維状のカーボンの表面が、チタニアナノ粒子が連なってなる被覆層で被覆されてなるものである。連なってなるとは、チタニアナノ粒子が、隣接するチタニアナノ粒子と密接に接し、全体として被覆層を形成していることを言い、これにより、色素を担持させるのに適度な表面が形成される。なお、ほぼ平滑な表面を有する酸化チタン層を有するわけではない。棒状又は繊維状のカーボン棒状又は繊維状のカーボンとしては、特に制限はないが、ナノスケールカーボンチューブを使用することが好ましい。このナノスケールカーボンチューブは、導電性を有する物質で形成されているのが好ましい。また、この棒状又は繊維状のカーボンは、後にできるだけ微細で表面積が大きく、酸化チタンが長く連続した酸化チタン被覆炭素材料を製造できる点から、長軸に直交する平均直径が1~100nm程度、長軸の平均長さが0.1~1000μm程度、平均アスペクト比長軸の平均長さ/長軸に直交する平均直径が5~1000000程度のものが好ましく、長軸に直交する平均直径が1~100nm程度、長軸の平均長さが0.1~1000μm程度、平均アスペクト比長軸の平均長さ/長軸に直交する平均直径が5~10000程度のものがより好ましい。なお、長軸に直交する平均直径、長軸の平均長さ及び平均アスペクト比は、例えば、10000倍以上の電子顕微鏡SEM又はTEM観察により測定できる。ナノスケールカーボンチューブとしては、ナノサイズの直径を有するカーボンチューブを指し、該カーボンチューブのチューブ内空間部には鉄等が内包されていてもよい。かかるナノスケールカーボンチューブとしては、I単層カーボンナノチューブ又は多層カーボンナノチューブ、II本出願人が開発したアモルファスナノスケールカーボンチューブ、IIIナノフレークカーボンチューブ、IVaナノフレークカーボンチューブ及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブよりなる群から選ばれるカーボンチューブとb炭化鉄又は鉄とからなり、該カーボンチューブaのチューブ内空間部の10~90の範囲にbの炭化鉄又は鉄が充填されている鉄-炭素複合体、Vこれらの2種以上の混合物等を例示することができる。カーボンナノチューブIは、黒鉛シート即ち、黒鉛構造の炭素原子面ないしグラフェンシートがチューブ状に閉じた中空炭素物質であり、その直径はナノメートルスケールであり、壁構造は黒鉛構造を有している。カーボンナノチューブIのうち、壁構造が一枚の黒鉛シートでチューブ状に閉じたものは単層カーボンナノチューブと呼ばれ、複数枚の黒鉛シートがそれぞれチューブ状に閉じて、入れ子状になっているものは入れ子構造の多層カーボンナノチューブと呼ばれている。本発明では、これら単層カーボンナノチューブ及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブがいずれも使用できる。単層カーボンナノチューブとしては、長軸に直交する平均直径が1~10nm程度、長軸の平均長さが0.1~500μm程度、平均アスペクト比が10~500000程度のものが好ましく、長軸に直交する平均直径が1~10nm程度、長軸の平均長さが0.1~500μm程度、平均アスペクト比が10~50000程度のものがより好ましい。また、入れ子構造の多層カーボンナノチューブとしては、長軸に直交する平均直径が1~100nm程度、長軸の平均長さが0.1~500μm程度、平均アスペクト比が1~500000程度のものが好ましく、長軸に直交する平均直径が1~100nm程度、長軸の平均長さが0.1~500μm程度、平均アスペクト比が5~10000程度のものがより好ましい。また、アモルファスナノスケールカーボンチューブIIは、WO00/40509日本国特許第3355442号に記載されており、カーボンからなる主骨格を有し、直径が0.1~1000nmであり、アモルファス構造を有するナノスケールカーボンチューブであって、直線状の形態を有し、X線回折法入射X線:CuKαにおいて、ディフラクトメーター法により測定される炭素網平面002の平面間隔d002が3.54Å以上、特に3.7Å以上であり、回折角度2θが25.1度以下、特に24.1度以下であり、2θバンドの半値幅が3.2度以上、特に7.0度以上であることを特徴とするものである。該アモルファスナノスケールカーボンチューブIIは、マグネシウム、鉄、コバルト、ニッケル等の金属の塩化物の少なくとも1種からなる触媒の存在下で、分解温度が200~900°Cである熱分解性樹脂、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリビニルアルコール等を、励起処理することにより得られる。出発原料としての熱分解性樹脂の形状は、フィルム状乃至シート状、粉末状、塊状等の任意の形状であって良い。例えば、基板上に薄膜化アモルファスナノスケールカーボンチューブを形成させた炭素材料を得る場合には、基板上に熱分解性樹脂を塗布あるいは載置した状態で、適切な条件下に励起処理すればよい。該励起処理としては、例えば、不活性雰囲気中、好ましくは450~1800°C程度の温度域でかつ原料の熱分解温度以上で加熱する、室温~3000°C程度の温度域でかつ原料の熱分解温度以上でプラズマ処理する等の処理が例示できる。アモルファスナノスケールカーボンチューブIIは、アモルファス構造非晶質構造を有するナノスケールのカーボンナノチューブで、中空直線状であり、細孔が高度に制御されている。その形状は、主に円柱、四角柱などであり、先端の少なくとも一方が、キャップを有していない開口している場合が多い。先端が閉口している場合には、形状がフラット状である場合が多い。該アモルファスナノスケールカーボンチューブIIとしては、平均外径が1~100nm程度、平均長さが0.1~1000μm程度、平均アスペクト比が1~1000000程度のものが好ましく、平均外径が1~100nm程度、平均長さが0.1~1000μm程度、平均アスペクト比が5~10000程度のものがより好ましい。ここで、アモルファス構造とは、規則的に配列した炭素原子の連続的な炭素層からなる黒鉛質構造ではなく、不規則な炭素網平面からなる炭素質構造を意味し、多数の微細なグラフェンシートが不規則に配列している。代表的な分析手法である透過型電子顕微鏡による像からは、本発明による非晶質構造のナノスケールカーボンチューブは、炭素網平面の平面方向の広がりがアモルファスナノスケールカーボンチューブIIの直径の1倍より小さい。このように、アモルファスナノスケールカーボンチューブIIは、その壁部が黒鉛構造ではなく多数の微細なグラフェンシート炭素網面が不規則に分布したアモルファス構造を有しているため、最外層を構成する炭素網面は、チューブ長手方向の全長にわたって連続しておらず、不連続となっている。特に、最外層を構成する炭素網面の長さは、20nm未満、特に5nm未満である。非晶質炭素は一般的にはX線回折を示さないが、ブロードな反射を示す。黒鉛質構造では、炭素網平面が規則的に積み重なっているので、炭素網平面間隔d002が狭くなり、ブロードな反射は高角側2θに移行して、次第に鋭くなり2θバンドの半値幅が狭くなり、d002回折線として観測できるようになる黒鉛的位置関係で規則正しく積み重なっている場合はd002=3.354Åである。これに対し、非晶質構造は、上記のように一般的にはX線による回折を示さないが、部分的に非常に弱い干渉性散乱を示す。X線回折法入射X線=CuKαにおいて、ディフラクトメーター法により測定される本発明によるアモルファスナノスケールカーボンチューブIIの理論的な結晶学的特性は、以下の様に規定される:炭素網平面間隔d002は、3.54Å以上であり、より好ましくは3.7Å以上である;回折角度2θは、25.1度以下であり、より好ましくは24.1度以下である;前記2θバンドの半値幅は、3.2度以上であり、より好ましくは7.0度以上である。典型的には、アモルファスナノスケールカーボンチューブIIは、X線回折による回折角度2θが18.9~22.6度の範囲内にあり、炭素網平面間隔d002は3.9~4.7Åの範囲内にあり、2θバンドの半値幅は7.6~8.2度の範囲内にある。アモルファスナノスケールカーボンチューブIIの形状を表す一つの用語である直線状なる語句は、次のように定義される。すなわち、透過型電子顕微鏡によるアモルファスナノスケールカーボンチューブII像の長さをLとし、そのアモルファスナノスケールカーボンチューブIIを伸ばした時の長さをL0とした場合に、L/L0が0.9以上となる形状特性を意味するものとする。かかるアモルファスナノスケールカーボンチューブIIのチューブ壁部分は、あらゆる方向に配向した複数の微細な炭素網平面グラフェンシートからなる非晶質構造であり、これらの炭素網平面の炭素平面間隔により活性点を有するためか、樹脂との親和性に優れているという利点を有する。また、鉄-炭素複合体IVは、特開2002-338220号公報特許第3569806号に記載されており、aナノフレークカーボンチューブ及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブよりなる群から選ばれるカーボンチューブとb炭化鉄又は鉄とからなり、該カーボンチューブaのチューブ内空間部の10~90の範囲にbの炭化鉄又は鉄が充填されている。即ち、チューブ内空間部の100の範囲に完全に充填されているものではなく、上記炭化鉄又は鉄がそのチューブ内空間部の10~90の範囲に充填されている即ち、部分的に充填されていることを特徴とするものである。壁部は、パッチワーク状ないし張り子状いわゆるpapermache状のナノフレークカーボンチューブである。本明細書において、ナノフレークカーボンチューブとは、フレーク状の黒鉛シートが複数枚通常は多数パッチワーク状ないし張り子状papermache状に集合して構成されている、黒鉛シートの集合体からなる炭素製チューブを指す。かかる鉄-炭素複合体IVは、特開2002-338220号公報に記載の方法に従って、1不活性ガス雰囲気中、圧力を10-5Pa~200kPaに調整し、反応炉内の酸素濃度を、反応炉容積をAリットルとし酸素量をBNccとした場合の比B/Aが1×10-10~1×10-1となる濃度に調整した反応炉内でハロゲン化鉄を600~900°Cまで加熱する工程、及び2上記反応炉内に不活性ガスを導入し、圧力10-5Pa~200kPaで熱分解性炭素源を導入して600~900°Cで加熱処理を行う工程を包含する製造方法により製造される。ここで、酸素量Bの単位であるNccは、気体の25°Cでの標準状態に換算したときの体積ccという意味である。該鉄-炭素複合体IVは、aナノフレークカーボンチューブ及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブよりなる群から選ばれるカーボンチューブとb炭化鉄又は鉄とからなるものであって、該カーボンチューブ内空間部即ち、チューブ壁で囲まれた空間の実質上全てが充填されているのではなく、該空間部の一部、より具体的には10~90程度、特に30~80程度、好ましくは40~70程度が炭化鉄又は鉄により充填されている。鉄-炭素複合体IVにおいては、特開2002-338220号公報に記載されているように、炭素部分は、製造工程1及び2を行った後、特定の速度で冷却するとナノフレークカーボンチューブとなり、製造工程1及び2を行った後、不活性気体中で加熱処理を行い、特定の冷却速度で冷却することにより、入れ子構造の多層カーボンナノチューブとなる。ナノフレークカーボンチューブa-1と炭化鉄又は鉄bからなる鉄-炭素複合体IVは、典型的には円柱状であるが、そのような円柱状の鉄-炭素複合体特開2002-338220号公報の実施例1で得られたものの長手方向にほぼ垂直な断面の透過型電子顕微鏡TEM写真を図3に示し、側面のTEM写真を図1に示す。また、図4のa-1にそのような円柱状のナノフレークカーボンチューブのTEM像の模式図を示す。図4のa-1において、100は、ナノフレークカーボンチューブの長手方向のTEM像を模式的に示しており、200は、ナノフレークカーボンチューブの長手方向にほぼ垂直な断面のTEM像を模式的に示している。鉄-炭素複合体IVを構成するナノフレークカーボンチューブa-1は、代表的には、中空円筒状の形態を有し、その断面をTEM観察した場合、弧状グラフェンシート像が同心円状に集合しており、個々のグラフェンシート像は、不連続な環を形成しており、その長手方向をTEMで観察した場合、略直線状のグラフェンシート像が、長手方向にほぼ並行に多層状に配列しており、個々のグラフェンシート像は、長手方向全長にわたって連続しておらず、不連続となっているという特徴を有している。より詳しくは、鉄-炭素複合体IVを構成しているナノフレークカーボンチューブa-1は、図3及び図4のa-1の200から明らかなように、その長手方向に垂直な断面をTEM観察した場合、多数の弧状グラフェンシート像が同心円状多層構造のチューブ状に集合しているが、個々のグラフェンシート像は、例えば210、214に示すように、完全に閉じた連続的な環を形成しておらず、途中で途切れた不連続な環を形成している。一部のグラフェンシート像は、211に示すように、分岐している場合もある。不連続点においては、一つの不連続環を構成する複数の弧状TEM像は、図4のa-1の222に示すように、層構造が部分的に乱れている場合もあれば、223に示すように隣接するグラフェンシート像との間に間隔が存在している場合もあるが、TEMで観察される多数の弧状グラフェンシート像は、全体として、多層状のチューブ構造を形成している。また、図1及び図4のa-1の100から明らかなように、ナノフレークカーボンチューブa-1の長手方向をTEMで観察した場合、多数の略直線状のグラフェンシート像が本発明で使用する鉄-炭素複合体IVの長手方向にほぼ並行に多層状に配列しているが、個々のグラフェンシート像110は、鉄-炭素複合体IVの長手方向全長にわたって連続しておらず、途中で不連続となっている。一部のグラフェンシート像は、図4のa-1の111に示すように、分岐している場合もある。また、不連続点においては、層状に配列したTEM像のうち、一つの不連続層のTEM像は、図4のa-1の112に示すように、隣接するグラフェンシート像と少なくとも部分的に重なり合っている場合もあれば、113に示すように隣接するグラフェンシート像と少し離れている場合もあるが、多数の略直線状のTEM像が、全体として多層構造を形成している。かかるナノフレークカーボンチューブa-1の構造は、従来の多層カーボンナノチューブと大きく異なっている。即ち、図4のa-2の400に示すように、入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2は、その長手方向に垂直な断面のTEM像が、410に示すように、実質上完全な円形のTEM像となっている同心円状のチューブであり、且つ、図4のa-2の300に示すように、その長手方向の全長にわたって連続する直線状グラフェンシート像310等が平行に配列している構造同心円筒状ないし入れ子状の構造である。以上より、詳細は未だ完全には解明されていないが、鉄-炭素複合体IVを構成するナノフレークカーボンチューブa-1は、フレーク状のグラフェンシートが多数パッチワーク状ないし張り子状に重なり合って全体としてチューブを形成しているようにみえる。このようなナノフレークカーボンチューブa-1とそのチューブ内空間部に内包された炭化鉄又は鉄bからなる鉄-炭素複合体IVは、特許第2546114号に記載されているような入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2のチューブ内空間部に金属が内包された複合体に比し、カーボンチューブの構造において大きく異なっている。鉄-炭素複合体IVを構成しているナノフレークカーボンチューブa-1をTEM観察した場合において、その長手方向に配向している多数の略直線状のグラフェンシート像に関し、個々のグラフェンシート像の長さは、通常、2~500nm程度、特に10~100nm程度である。即ち、図4のa-1の100に示されるように、110で示される略直線状のグラフェンシートのTEM像が多数集まってナノフレークカーボンチューブa-1の壁部のTEM像を構成しており、個々の略直線状のグラフェンシート像の長さは、通常、2~500nm程度、特に10~100nm程度である。このように、鉄-炭素複合体IVにおいては、その壁部を構成するナノフレークカーボンチューブa-1の最外層は、チューブ長手方向の全長にわたって連続していない不連続なグラフェンシートから形成されており、その最外面の炭素網面の長さは、通常、2~500nm程度、特に10~100nm程度である。鉄-炭素複合体IVを構成するナノフレークカーボンチューブa-1の壁部の炭素部分は、上記のようにフレーク状のグラフェンシートが多数長手方向に配向して全体としてチューブ状となっているが、X線回折法により測定した場合に、炭素網面間の平均距離d002が0.34nm以下の黒鉛質構造を有するものである。また、鉄-炭素複合体IVのナノフレークカーボンチューブa-1からなる壁部の厚さは、49nm以下、特に0.1~20nm程度、好ましくは1~10nm程度であって、全長に亘って実質的に均一である。前記のように、工程1及び2を行った後、特定の加熱工程を行うことにより、得られる鉄-炭素複合体IVを構成するカーボンチューブは、入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2となる。こうして得られる入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2は、図4のa-2の400に示すように、その長手方向に垂直な断面のTEM像が実質的に完全な円を構成する同心円状のチューブであり、且つ、その長手方向の全長にわたって連続したグラフェンシート像が平行に配列している構造同心円筒状ないし入れ子状の構造である。鉄-炭素複合体IVを構成する入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2の壁部の炭素部分は、X線回折法により測定した場合に、炭素網面間の平均距離d002が0.34nm以下の黒鉛質構造を有するものである。また、鉄-炭素複合体IVの入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2からなる壁部の厚さは、49nm以下、特に0.1~20nm程度、好ましくは1~10nm程度であって、全長に亘って実質的に均一である。本明細書において、上記ナノフレークカーボンチューブa-1及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2よりなる群から選ばれるカーボンチューブ内空間部の炭化鉄又は鉄bによる充填率10~90は、鉄-炭素複合体IVを透過型電子顕微鏡で観察し、各カーボンチューブの空間部即ち、カーボンチューブのチューブ壁で囲まれた空間の像の面積に対する、炭化鉄又は鉄bが充填されている部分の像の面積の割合である。炭化鉄又は鉄bの充填形態は、カーボンチューブ内空間部に連続的に充填されている形態、カーボンチューブ内空間部に断続的に充填されている形態等があるが、基本的には断続的に充填されている。従って、鉄-炭素複合体IVは、金属内包炭素複合体ないし鉄化合物内包炭素複合体、炭化鉄又は鉄内包炭素複合体とも言うべきものである。また、鉄-炭素複合体IVに内包されている炭化鉄又は鉄bは、カーボンチューブの長手方向に配向しており、結晶性が高く、炭化鉄又は鉄bが充填されている範囲のTEM像の面積に対する、結晶性炭化鉄又は鉄bのTEM像の面積の割合以下結晶化率というは、一般に、90~100程度、特に95~100程度である。内包されている炭化鉄又は鉄bの結晶性が高いことは、鉄-炭素複合体IVの側面からTEM観察した場合、内包物のTEM像が格子状に配列していることから明らかであり、電子線回折において明確な回折パターンが得られることからも明らかである。また、鉄-炭素複合体IVに炭化鉄又は鉄bが内包されていることは、電子顕微鏡、EDXエネルギー分散型X線検出器により容易に確認することができる。本発明で使用できる鉄-炭素複合体IVは、湾曲が少なく、直線状であり、壁部の厚さが全長に亘ってほぼ一定の均一厚さを有しているので、全長に亘って均質な形状を有している。その形状は、柱状で、主に円柱状である。該鉄-炭素複合体IVとしては、平均外径が1~100nm程度、平均長さが0.1~1000μm程度、平均アスペクト比が1~1000000程度のものが好ましく、平均外径が1~100nm程度、平均長さが0.1~1000μm程度、平均アスペクト比が5~10000程度のものがより好ましい。鉄-炭素複合体IVの形状を表す一つの用語である直線状なる語句は、次のように定義される。即ち、透過型電子顕微鏡により鉄-炭素複合体IVを含む炭素質材料を200~2000nm四方の範囲で観察し、像の長さをWとし、該像を直線状に伸ばした時の長さをWoとした場合に、比W/Woが、0.8以上、特に、0.9以上となる形状特性を意味するものとする。鉄-炭素複合体IVは、バルク材料としてみた場合、次の性質を有する。即ち、本発明では、上記のようなナノフレークカーボンチューブa-1及び入れ子構造の多層カーボンナノチューブa-2から選ばれるカーボンチューブのチューブ内空間部の10~90の範囲に鉄または炭化鉄bが充填されている鉄-炭素複合体IVは、顕微鏡観察によりかろうじて観察できる程度の微量ではなく、多数の該鉄-炭素複合体IVを含むバルク材料であって、鉄-炭素複合体IVを含む炭素質材料、或いは、炭化鉄又は鉄内包炭素質材料ともいうべき材料の形態で大量に得られる。特開2002-338220号公報の実施例1で製造されたナノフレークカーボンチューブa-1とそのチューブ内空間部に充填された炭化鉄bからなる炭素質材料の電子顕微鏡写真を、図2に示す。図2から判るように、鉄-炭素複合体IVを含む炭素質材料においては、基本的にはほとんど全ての特に99又はそれ以上のカーボンチューブにおいて、その空間部即ち、カーボンチューブのチューブ壁で囲まれた空間の10~90の範囲に炭化鉄又は鉄bが充填されており、空間部が充填されていないカーボンチューブは実質上存在しないのが通常である。但し、場合によっては、炭化鉄又は鉄bが充填されていないカーボンチューブも微量混在することがある。また、鉄-炭素複合体IVを含む炭素質材料においては、上記のようなカーボンチューブ内空間部の10~90に鉄又は炭化鉄bが充填されている鉄-炭素複合体IVが主要構成成分であるが、鉄-炭素質複合体IV以外に、スス等が含まれている場合がある。そのような場合は、鉄-炭素質複合体IV以外の成分を除去して、炭素質材料中の鉄-炭素質複合体IVの純度を向上させ、実質上鉄-炭素複合体IVのみからなる炭素質材料を得ることもできる。また、従来の顕微鏡観察で微量確認し得るに過ぎなかった材料とは異なり、鉄-炭素複合体IVを含む炭素質材料は大量に合成できるので、その重量を容易に1mg以上とすることができる。炭素質材料は、該炭素質材料1mgに対して25mm2以上の照射面積で、CuKαのX線を照射した粉末X線回折測定において、内包されている鉄又は炭化鉄bに帰属される40°<2θ<50°のピークの中で最も強い積分強度を示すピークの積分強度をIaとし、カーボンチューブの炭素網面間の平均距離d002に帰属される26°<2θ<27°のピークの積分強度Ibとした場合に、IaのIbに対する比R=Ia/Ibが、0.35~5程度、特に0.5~4程度であるのが好ましく、より好ましくは1~3程度である。本明細書において、上記Ia/Ibの比をR値と呼ぶ。このR値は、鉄-炭素複合体IVを含む炭素質材料を、X線回折法において25mm2以上のX線照射面積で観察した場合に、炭素質材料全体の平均値としてピーク強度が観察されるために、TEM分析で測定できる1本の鉄-炭素複合体IVにおける内包率ないし充填率ではなく、鉄-炭素複合体IVの集合物である炭素質材料全体としての、炭化鉄又は鉄b充填率ないし内包率の平均値を示すものである。尚、多数の鉄-炭素複合体IVを含む炭素質材料全体としての平均充填率は、TEMで複数の視野を観察し、各視野で観察される複数の鉄-炭素複合体IVにおける炭化鉄又は鉄bの平均充填率を測定し、更に複数の視野の平均充填率の平均値を算出することによっても求めることができる。かかる方法で測定した場合、本発明で使用する鉄-炭素複合体IVからなる炭素質材料全体としての炭化鉄又は鉄bの平均充填率は、10~90程度、特に40~70程度である。上記の鉄又は炭化鉄bがナノフレークカーボンチューブa-1のチューブ内空間に部分内包されている鉄-炭素複合体IVを酸処理することにより、内包されている鉄又は炭化鉄bが溶解除去され、チューブ内空間部に鉄又は炭化鉄bが存在しない中空のナノフレークカーボンチューブIIIを得ることができる。上記酸処理に使用する酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等を例示でき、その濃度は0.1~2N程度のものが好ましい。酸処理方法としては、種々の方法により行うことが可能であるが、例えば、1Nの塩酸100mlに対して、1gの鉄内包ナノフレークカーボンチューブを分散し、室温で6時間撹拌処理し、ろ過分離した後、さらに、2回1Nの塩酸100mlで同様の処理を行なうことで、中空のナノフレークカーボンチューブIIIを得ることができる。この酸処理によってもナノフレークカーボンチューブIIIの基本的構成は特に変化を受けない。よって、チューブ内空間部に鉄又は炭化鉄bが存在しない中空のナノフレークカーボンチューブIIIにおいても、その最外面を構成する炭素網面の長さは、500nm以下であり、特に2~500nm、特に10~100nmである。被覆層被覆層は、チタニアナノ粒子が連なってなる。チタニアナノ粒子の結晶構造としては、とくに制限されるわけではないが、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン及びブルッカイト型酸化チタンよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むものが好ましく、光に対する活性が高い点から、アナターゼ型酸化チタンを含むものがより好ましい。なお、チタニアナノ粒子の結晶構造は、例えば、X線回折法、ラマン分光分析等により測定することができる。チタニアナノ粒子の平均粒子径は、より多くの色素を吸着し、光を吸収できる点から、1~200nmが好ましく、1~50nmがより好ましい。ただし、電池内部への光閉じ込め効果の観点から、光散乱の大きい酸化チタン粒子を併用してもよい。なお、平均粒子径は、例えば、電子顕微鏡SEM観察等により測定することができる。被覆層の厚みは、漏れ電流を防止する点から、2~500nmが好ましく、5~200nmがより好ましい。なお、被覆層の厚みは、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1は、棒状又は繊維状のカーボンの表面が、チタニアナノ粒子が連なってなる被覆層で被覆されている。これにより、図5に示すように、棒状又は繊維状の酸化チタン被覆炭素材料の表面には、微細な凹凸が存在している。表面に微細な凹凸を有する酸化チタン被覆炭素材料を色素増感太陽電池用として使用することで、色素を多量に担持し、入射した光を効率よく吸収できる。そして、効率よく電子を発生させ、図6に示すように、芯材となるカーボンを通して、電子を効率よく透明電極に運ぶことができる。なお、図7で示されるような、被覆層で充分に被覆されておらず、カーボンの露出面積が大きいチタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1を使用すると、図8に示すように、光を吸収することにより発生した電子が、カーボンから電解液中に逆電子移動を起こすため、電子を効率的に運ぶことができない。このような観点から、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1は、棒状又は繊維状のカーボンの表面のチタニアナノ粒子の被覆率は、70~100が、特には85~100が好ましい。また、カーボン/チタンの表面元素比率は、0/100~70/30原子比が好ましく、0/100~50/50原子比がより好ましい。なお、表面被覆率カーボンの表面上の、チタニアナノ粒子が連なってなる被覆層で覆われている箇所の割合は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により、また、カーボン/チタンの表面元素比率は、例えば、X線光電子分光分析等により、測定することができる。チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1は、より大きな電流を得られる点から、10MPa下での粉体抵抗が10Ωm以下であるものが好ましく、5Ωm以下であるものがより好ましく、1Ωm以下であるものがさらに好ましい。粉体抵抗は、小さいほうが好ましく、下限値は特に制限されないが、0.0001Ωm程度である。なお、酸化チタン被覆炭素材料の測定方法は、特に限定されないが、例えば、10MPaの圧力で厚さ0.3mmの平板状に加工し、ペレット間に電圧1Vを印加して流れる電流値を測ることにより測定できる。チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1は、表面積を大きくし、色素を多量に担持し、入射した光を効率よく吸収する点から、比表面積が50m2/g以上であるものが好ましく、比表面積が70m2/g以上であるものがより好ましく、80m2/g以上であるものがさらに好ましい。比表面積は、大きいほうが好ましく、上限値は特に制限されないが、3000m2/g程度である。なお、比表面積は、BET法等により測定できる。製造方法また、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1は、棒状又は繊維状のカーボンの表面に、チタンフルオロ錯体からの析出反応により、チタニアナノ粒子が連なってなる被覆層を形成する工程を含む方法により、チタニアナノ粒子からなる被覆層を形成して得られる。チタンアルコキシドを原料とするゾルゲル法又は四塩化チタン等を原料とする湿式法でも、棒状又は繊維状のカーボンの表面に、チタニアナノ粒子が連なってなる被覆層を形成させることができるが、チタンフルオロ錯体からの析出反応によりチタニアナノ粒子を析出させる方法が好ましい。具体的には、例えば、棒状又は繊維状のカーボンを、硝酸、硫酸、塩酸等の酸で処理した後、分散剤を含む溶媒中に分散させ、その後、チタンフルオロ錯体及びホウ酸、塩化アルミニウム等のフッ化物イオン補足剤等を加えて酸化チタンを析出させる方法である。その後、酸化チタン同士の結合を強化するために300~550°Cで熱処理してもよい。ここで、チタンフルオロ錯体としては、特に制限されるわけではないが、例えば、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸、ヘキサフルオロチタン酸カリウム等が挙げられる。前記溶媒としては、特に制限されるものではないが、例えば、水、水とアルコールとの混合溶媒等、チタンフルオロ錯体が溶解する溶媒等が挙げられる。また、分散剤としては、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルマリン縮合物系分散剤、ポリカルボン酸塩系分散剤、マレイン酸α-オレフィン共重合体塩系分散剤、アニオン性界面活性剤等の陰イオン性分散剤;四級アンモニウム塩系分散剤、アルキルアミン塩等の陽イオン性分散剤;セルロース系分散剤、ポリビニルアルコール系分散剤、ポリエーテル系分散剤等の非イオン性分散剤;両性界面活性剤等のその他の分散剤等が挙げられる。これらのなかでも、非イオン性分散剤が好ましく、ポリエーテル系分散剤がより好ましい。上記では、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1としては、棒状又は繊維状のカーボンの表面が、チタニアナノ粒子が連なってなる被覆層で被覆されてなるものを説明したが、その他の形態、例えば、棒状又は繊維状のカーボンの表面が、平滑なチタニア層で被覆されたもの等も使用することができる。<A2チタニアナノチューブ>チタニアナノチューブA2としては、公知のチタニアナノチューブA2aでもよいし、チタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2b、マグネリ相の結晶形態を有する酸化チタンを30以上含むチタニアナノチューブA2c等でもよい。公知のチタニアナノチューブA2a公知のチタニアナノチューブを使用する場合は、例えば、特許第3513738号、特許第3983533号に記載のものを使用すればよい。チタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2bチタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2bとしては、例えば、特開2010-24132号公報に記載のものが使用できる。具体的には、以下に説明するものが使用できる。連なってなるとは、チタニアナノ粒子が、隣接するチタニアナノ粒子と密接に接していることを言い、これにより、色素を担持させるのに適度な表面が形成される。なお、公知のチタニアナノチューブA2aのように、ほぼ平滑な表面を有するチタニアナノチューブではない。チタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2bでは、チタニアナノ粒子が、管状を形成するように連なって、チタニアナノチューブを形成している。これにより、図9に示すように、チタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2bの表面には、微細な凹凸が存在している。これにより、色素を多量に担持し、入射した光を効率よく吸収できる。そして、効率よく電子を発生させ、図10に示すように、隣接するチタニアナノ粒子同士が密接に接触しているため、隣接するチタニアナノ粒子を通して、電子を効率よく透明電極に運ぶことができる。チタニアナノ粒子の結晶構造としては、とくに制限されるわけではないが、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン及びブルッカイト型酸化チタンよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むものが好ましく、光に対する活性が高い点から、アナターゼ型酸化チタンを含むものがより好ましい。なお、チタニアナノ粒子の結晶構造は、例えば、X線回折法やラマン分光分析等により測定することができる。また、チタニアナノ粒子としては、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン及びブルッカイト型酸化チタンに加えて、さらに、3価チタンの酸化物及び4価チタンの酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。チタニアナノ粒子としては、他にも、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを含むことが好ましい。このマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアは、具体的な構成は明らかではないが、組成式:TinO2n-1n:4~10で表され、金属と同程度の導電性を有するものである。このマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを含むことで、チタニアナノチューブA2bの導電性を向上させることができる。チタニアナノ粒子の平均粒子径は、より多くの色素を吸着し、光を吸収できる点から、1~200nmが好ましく、1~50nmがより好ましい。なお、平均粒子径は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。チタニアナノチューブA2bは、色素を多量に担持し、入射した光を効率よく吸収する点から、比表面積が20m2/g以上であるものが好ましく、比表面積が70m2/g以上であるものがより好ましく、80m2/g以上であるものがさらに好ましい。比表面積は、大きいほうが好ましく、上限値は特に制限されないが、3000m2/g程度である。なお、比表面積は、BET法等により測定できる。チタニアナノチューブA2bは、より大きな電流が得られる点から、10MPa下での粉体抵抗が3×106Ωm以下であるものが好ましく、1×105Ωm以下であるものがより好ましい。粉体抵抗は、小さいほうが好ましく、下限値は特に制限されないが、0.1Ωm程度である。なお、チタニアナノチューブA2bの粉体抵抗の測定方法は、特に限定されないが、例えば、10MPaの圧力で厚さ0.3mmの平板状に加工し、ペレット間に電圧1Vを印加して流れる電流値を測ることにより測定することができる。チタニアナノチューブA2bの肉厚は漏れ電流を防止する点から、2~500nm程度が好ましく、5~200nm程度がより好ましい。なお、肉厚とは、チタニアナノチューブA2bにおける外径と内径の差のことを言う。また、チタニアナノチューブA2bの肉厚は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。上記のようなチタニアナノチューブA2bは、例えば、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1中に存在するナノスケールカーボンを消失させる方法により得られる。これにより、チタニアがアナターゼ型結晶構造になるとともに密着性が増す利点がある。なお、ここでは、ナノスケールカーボンチューブを消失させればよく、その手法は特に限定されるものではないが、酸化消失させるのが簡便である。例えば、空気中で加熱して酸化消失させる場合には、その加熱温度は、好ましくは450°C以上、より好ましくは550°C以上、さらに好ましくは600~750°C、特に好ましくは600~700°Cである。マグネリ相の結晶形態を有するチタニアを30以上含むチタニアナノチューブA2cチタニアナノチューブA2cは、チタニアナノ粒子からなり、前記酸化チタン微粒子の30以上が、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアである。なお、チタニアナノチューブA2bも、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを含むが、その量は少なく、30以上とはならない。チタニアナノチューブA2cを構成するチタニアナノ粒子の平均粒子径は、1~100nm、好ましくは30~80nmである。このように、チタニアナノ粒子の平均粒子径を上記範囲内とすることで、活性比表面積を大きくすることができるため、より多くの色素を吸着し、光を吸収しやすくできる。なお、チタニアナノ粒子の平均粒子径は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。チタニアナノチューブA2cでは、チタニアナノ粒子の30以上、好ましくは50以上、さらに好ましくは70以上が、マグネリ相構造の結晶形態を有する酸化チタンである。チタニアナノ粒子の30以上を、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアとすることで、導電性を向上させることができる。チタニアナノチューブA2c中に含まれるマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアは、一般式1:TiOx式中、xは1.75~1.95であるで示され、なかでもxが1.75~1.85のものは金属と同程度の導電性を有するものである。具体的には、例えば、Ti4O7、Ti5O9、Ti6O11、Ti8O15等が挙げられる。中でも、より導電性の高いT4O7が好ましい。これらのマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアは、1種のみを使用してもよいし、2種以上を使用してもよい。チタニアナノチューブA2cには、上記のマグネリ相構造の結晶形態を有する酸化チタン以外にも、アナターゼ型チタニア、ルチル型チタニア、ブルッカイト型チタニア等を含んでいてもよい。マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニア以外のチタニアを含む場合には、上記の3種類のなかでも、光に対する活性が高い点から、アナターゼ型チタニアが好ましい。なお、上記3種類のうち、1種のみを使用してもよいし、2種以上を使用してもよい。チタニアナノ粒子の結晶構造は、例えば、X線回折、電子線回折、ラマン分光分析等により測定することができる。チタニアナノチューブA2cの肉厚は漏れ電流を防止する点から、1~250nm程度が好ましく、5~200nm程度がより好ましい。なお、肉厚とは、チタニアナノチューブA2cにおける外径と内径の差のことを言う。また、チタニアナノチューブA2cの肉厚は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。また、チタニアナノチューブA2cは、その表面が平滑なものであってもよいし、凹凸を有していてもよい。表面に凹凸を有している場合は、チタニアナノチューブA2cは、チタニアナノ粒子が連なってなるものを使用することが好ましい。チタニアナノチューブA2cを、チタニアナノ粒子が連なってなるものとすれば、チタニアナノチューブA2cの表面に、微細な凹凸を形成させることができる。このように、表面に微細な凹凸を有するチタニアナノチューブA2cを色素増感太陽電池用として使用すれば、色素を多量に担持し、入射した光を効率よく吸収し、効率よく電子を発生させることができる。また、チタニアナノチューブA2cは、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを多く含んでいるため、隣接するチタニアを通して、電子を効率よく透明電極に運ぶことができる。チタニアナノチューブA2cは、色素を多量に担持し、入射した光を効率よく吸収する点から、比表面積が20m2/g以上であるものが好ましく、比表面積が70m2/g以上であるものがより好ましく、80m2/g以上であるものがさらに好ましい。比表面積は、大きいほうが好ましく、上限値は特に制限されないが、3000m2/g程度である。なお、比表面積は、BET法等により測定できる。チタニアナノチューブA2cは、より大きな電流が得られる点から、10MPa下での粉体抵抗が3×106Ωm以下であるものが好ましく、1×105Ωm以下であるものがより好ましい。粉体抵抗は、小さいほうが好ましく、下限値は特に制限されないが、1×10-6Ωm以下Ωm程度である。なお、チタニアナノチューブA2cの粉体抵抗の測定方法は、特に限定されないが、例えば、10MPaの圧力で厚さ0.3mmの平板状に加工し、ペレット間に電圧1Vを印加して流れる電流値を測ることにより測定することができる。チタニアナノチューブA2cは、例えば、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1を、還元雰囲気下、950°C以下で熱処理する方法により製造できる。つまり、チタニアナノチューブA2bの製造方法において、熱処理の雰囲気を還元雰囲気とすればよい。これにより、比表面積が大きく、チタニアナノ粒子中のマグネリ相の結晶形態を有するチタニアの量が多いチタニアナノチューブA2cが得られる。還元雰囲気としては、特に制限されるわけではないが、還元性ガスを有する雰囲気とすればよい。還元性ガスとしては、例えば、水素、一酸化炭素、一酸化窒素、不飽和炭化水素性ガスアセチレン、エチレン等、飽和炭化水素性ガスメタン、エタン、プロパン等等が挙げられ、水素、一酸化炭素及びアセチレンよりなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。このように、還元雰囲気下で熱処理することで、得られるチタニアナノチューブA2cにおけるマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアの含有量を大きくすることができる。なお、本発明では、還元雰囲気とは、必ずしも、上記還元性ガスのみからなる雰囲気とする必要はなく、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスを含んでいてもよい。不活性ガスを含む雰囲気とする場合には、還元性ガスは、50モル以上含んでいればよい。また、還元雰囲気で熱処理した場合でも、後述の熱処理温度を満たさない場合、つまり高温で熱処理した場合は、チタニアナノ粒子同士が凝集してしまい、平均粒子径が1μm以上程度となってしまう。このため、活性比表面積を大きくすることができず、充分な導電性が得られない。熱処理温度は950°C以下、好ましくは650~850°Cである。上述のように、熱処理温度が高すぎると、酸化チタン微粒子同士が凝集してしまい、平均粒子径が1μm以上程度となってしまうためである。なお、950°C以下で熱処理した場合でも、還元雰囲気でない場合、例えば大気中、不活性雰囲気下等で熱処理した場合は、得られるチタニアナノチューブA2cにおけるマグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアの含有量を充分に大きくできない。<A3チタニアナノロッド>チタニアナノロッドA3としては、公知のチタニアナノロッドA3aでもよいし、アスペクト比が大きなチタニアナノロッドA3bでもよい。アスペクト比が大きなチタニアナノロッドA3bチタニアナノロッドA3bは、複数の酸化チタン結晶を含有する、アスペクト比が10以上の板状の構造体である。また、長手方向側面の算術平均粗さRaが平均幅の10未満である。板状とは、幅短辺に対して長さ長辺が大きければよく、必ずしも完全な平面である必要はなく、曲面であってもよい。ただし、筒状チューブ状のものは除く。複数の酸化チタン結晶を含有する酸化チタン構造体は、通常は多結晶体である。本発明では、チタニアナノロッドA3bが、複数の板状の結晶からなることを意図している。つまり、チタニアナノロッドA3bは、図11aに示されるように、筒状で長手方向に結晶面が酸化チタン構造体の端から端まで続くような、従来公知の酸化チタンナノチューブでもないし、図11bに示されるように、粒子状結晶が連なってなるものではない。チタニアナノロッドA3bは、直線的で折れ曲がりの少ないものが、チタニアナノロッドA3b同士が絡み合いにくく、分散性を向上させる観点から好ましい。具体的には、電子顕微鏡観察SEM又はTEMによる酸化チタン構造体像の長さをLとし、その酸化チタン構造体を伸ばした時の長さをL0とした場合に、L/L0が0.7以上となる形状特性が好ましい。また、チタニアナノロッドA3bは、向かい合う長辺同士が平行であることが好ましい。本明細書において、平行とは、完全に平行である必要はなく、略平行であるものも含まれる。具体的には、チタニアナノロッドA3bの端部100nmを除いて、向かい合う長辺のなす角が0~10°であることが好ましい。チタニアナノロッドA3bの形状L/L0及び向かい合う長辺のなす角は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。また、チタニアナノロッドA3bは、長手方向側面の算術平均粗さRaが平均幅の10未満、好ましくは0~5程度である。具体的には、長手方向側面の算出平均粗さRaは、5nm未満、好ましくは0~3nm程度とすればよい。なお、長手方向側面の算術平均粗さは、例えば、TEMの電子顕微鏡写真から画像解析装置を用いて、チタニアナノロッドA3bの表面の直線状又は曲線状を測定することにより測定できる。チタニアナノロッドA3bは、複数のチタニア結晶を含有する。本明細書において、複数のチタニア結晶を含有するとは、具体的には、図12aに示すように、一部が結晶化したものを複数含有するもの、図12bに示すように、複数種の長さが短い結晶長さが50nm以下を複数種含有するもの、図12cに示すように、主結晶長さが50nmより大きい中に長さが短い結晶長さが50nm以下を含有するもののいずれも包含する概念である。より詳細には、長手方向の長さが50nm以下である結晶を30以上、特に50以上含むことが好ましい。このように、長手方向の長さが50nm以下の結晶を30以上含むことで、強度、導電性、比表面積を両立しながらも、凝集が起こりにくい。チタニアナノロッドA3bの具体的な結晶構造は、特に制限されるわけではないが、アナターゼ型、ブルッカイト型、TiO2-B型のうち少なくとも1種を含むことが好ましく、アナターゼ型及び/又はTiO2-B型を含むことがより好ましく、少なくともアナターゼ型を含むことがさらに好ましい。チタニアナノロッドA3bの結晶構造は、例えば、X線回折、電子線回折、ラマン分光分析等により測定することができる。チタニアナノロッドA3bは、色素を多量に担持し、入射した光を効率よく吸収できる点から、比表面積は15m2/g以上が好ましく、20m2/g以上がより好ましい。比表面積は、大きいほうが好ましく、上限値は特に制限されないが、3000m2/g程度である。比表面積は、BET法等により測定できる。チタニアナノロッドA3b中のアルカリ金属の含有量は、活性を確保する点から、2000ppm以下が好ましく、500ppm以下がより好ましい。なお、耐熱性を必要とする場合は、Naが多いほうが好ましいことがあるため、アルカリ金属含有量は、目的等に応じて適宜設定すればよい。アルカリ金属の含有量は、イオンクロマトグラフ法、ICP発光分光分析法等により測定できる。チタニアナノロッドA3bは、より大きな電流が得られる点から、10MPa下での粉体抵抗は3×106Ωm以下が好ましく、1×105Ωm以下がより好ましい。粉体抵抗は、小さいほうが好ましく、下限値は特に制限されないが、0.1Ωm程度である。なお、チタニアナノロッドA3bの粉体抵抗の測定方法は、特に限定されないが、例えば、10MPaの圧力で厚さ0.3mmの平板状に加工し、ペレット間に電圧1Vを印加して流れる電流値を測ることにより測定することができる。チタニアナノロッドA3bは、500~900°C程度の高温領域でも形状が崩れず、比表面積及びアスペクト比を維持できる。つまり、チタニアナノロッドA3bは、高温においても、高比表面積、溶液中への分散性及び高強度を維持できる。チタニアナノロッドA3bの製造方法は、例えば、13~20mol/Lのアルカリ水溶液と、平均粒子径が50nm以下のチタニアナノ粒子とを、160°Cより高い温度で接触させる工程を備える。工程1では、具体的には、これに限定されるわけではないが、3~20mol/Lのアルカリ水溶液中に、平均粒子径が50nm以下のチタニアナノ粒子を添加し、その後、160°Cより高い温度に加熱すればよい。アルカリ水溶液としては、原料の酸化チタンの表面を溶解し、反応を促進する点から、アルカリ金属の水酸化物の水溶液が好ましい。なお、アルカリとして、2種類以上のアルカリを含む水溶液としてもよく、水酸化ナトリウムを50重量以上含む水溶液とするのがより好ましい。アルカリとして水酸化ナトリウム以外のアルカリを含む場合は、例えば、水酸化カリウム、水酸化リチウム等を水酸化ナトリウムと併用させればよい。アルカリ水溶液の濃度は、原料の酸化チタンの表面を溶解し、かつ反応液の流動性を保つことにより、アスペクト比の大きい板状チタニア結晶からなるチタニアナノロッドA3bを、長時間かけることなく作製できる点から、3~20mol/L、好ましくは5~15mol/L程度である。なお、2種類以上のアルカリを含む水溶液を使用する場合には、アルカリ水溶液の濃度は、全アルカリの濃度の総和である。使用するチタニアナノ粒子の形態は、特に制限はない。公知又は市販のチタニアナノ粒子をそのまま使用してもよいし、粒径が大きい場合は遊星ボールミル、ペイントシェーカー等を用いて乾式又は湿式で粉砕して用いても良い。また、チタニアナノ粒子は、少なくともアナターゼ型を示すものが好ましい。使用するチタニアナノ粒子の平均粒子径は、より低温、より短時間で本発明のチタニアナノロッドA3bを製造できる点から、50nm以下、好ましくは30nm以下である。使用するチタニアナノ粒子の平均粒子径が大きすぎると、チタニアナノロッドA3bを製造するのが困難である。チタニアナノ粒子の平均粒子径は、小さいほうが好ましく、下限値は特に設定されないが、通常3nm程度である。チタニアナノ粒子の平均粒子径は、例えば、電子顕微鏡SEM又はTEM観察等により測定することができる。アルカリ水溶液中に添加するチタニアナノ粒子の量は、特に制限されないが、反応液の流動性と生産性とのバランスを取る観点から、0.01~1mol/L程度、好ましくは0.05~0.5mol/Lとすればよい。アルカリ水溶液とチタニアナノ粒子とを接触させる温度は、160°Cより高い温度である。接触温度の上限値は、特に制限はないが、通常水の臨界点である370°Cである。好ましくは、180~370°C程度、より好ましくは200~300°C程度とすればよい。接触温度が低すぎるとチタニアナノロッドA3bを製造することはできず、チタニアナノ粒子が凝集した塊状の構造体、又は幅が非常に小さいチタニアナノロッドが絡み合い、全体として塊状の構造体しか製造できない。つまり、高アスペクト比かつ高分散性のチタニアナノロッドは得られない。特許第3513738号及び特許第3983533号では、160°C以上とするとチューブ状のものが生成されにくくなる特許第3513738号の[0024]及び特許第3983533号の[0024]とされているが、逆に、低温で接触させると、チタニアナノロッド同士が絡み合ってしまうため、高アスペクト比且つ高分散性のチタニアナノロッドは得られない。また、接触温度が高すぎると、使用するエネルギー量と安全性の面で望ましくない。アルカリ水溶液とチタニアナノ粒子とを接触させる時間は、特に制限はなく、1~24時間程度とすればよい。チタニアナノ粒子の平均粒子径、接触温度及び接触時間の好ましい範囲には相関関係があり、平均粒子径が大きめのチタニアナノ粒子を使用する場合には、接触温度を高めとすることが好ましい。例えば、平均粒子径7nmのチタニアナノ粒子を用いて接触時間を12時間とした場合には、接触温度を160°Cより高い温度とすればよいが、平均粒子径25nmのチタニアナノ粒子を用いて接触時間を12時間とした場合には、接触温度を185°C以上とすることが好ましい。チタニアナノロッドA3bの製造方法においては、上記の工程1の後、さらに、2工程1で得られたチタニアナノロッドA3bを水、酸及びイオン交換樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種と接触させる工程を備えることが好ましい。具体的には、水又は酸を使用する場合には、例えば、工程1で得られたチタニアナノロッドA3bを、水又は酸性水溶液中に添加すればよく、イオン交換樹脂を使用する場合には、イオン交換樹脂を充填したカラムに生成物を含む液を通過させてもよく、イオン交換樹脂と混合して撹拌するだけでもよい。アルカリ水溶液としてアルカリ金属の水酸化物を用いた場合には、工程1で得られるチタニアナノロッド中に、アルカリ金属が含まれることがあるが、この工程により、チタニアナノロッド中に含まれるアルカリ金属を取り除くことができる。酸としては、アルカリ金属イオンとプロトンを交換できるプロトン酸が好ましい。具体的には、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、フッ酸、酢酸、クエン酸、ギ酸、シュウ酸等の一般的な無機酸又は有機酸が挙げられる。これらの酸は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。イオン交換樹脂としては、例えば、ダイヤイオン三菱化学株製;登録商標、アンバーライトロームアンドハース社製等の陽イオン交換樹脂等が挙げられる。これらのイオン交換樹脂は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。水、酸及びイオン交換樹脂のなかでも、工程1で得られたチタニアナノロッドA3b中に含まれるアルカリ金属を短時間で取り除くことができる点から、酸を用いることが好ましく、塩酸、硝酸、酢酸、シュウ酸等がより好ましい。ただし、酸を用いる場合には、工程1で得られたチタニアナノロッドA3bを酸と接触させた後、チタニアナノロッドA3bを水洗して酸を除去することが好ましい。工程1で得られたチタニアナノロッドA3bと水、酸及びイオン交換樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種とを接触させる時間は、1~48時間程度とすればよく、充分にアルカリ金属を除去する必要がある場合は8時間以上がより望ましい。チタニアナノロッドA3bの製造方法においては、上記の工程2の後、さらに、3工程2で得られたチタニアナノロッドA3bを150°C以上で焼成する工程を備えることが好ましい。工程2で得られたチタニアナノロッドA3bは、一般的に行われる熱風乾燥、減圧乾燥等により乾燥を行ってもよいが、加熱して焼成することが好ましい。これにより、チタニアナノロッドA3bに残存するTi-OH基の脱水反応を行わせることができる。焼成温度は、チタニアナノロッドA3bに残存するTi-OH基の脱水反応を行わせることができる点から150°C以上が好ましく、チタニアナノロッドA3bの結晶性を向上させられる点から300°C以上がより好ましい。なお、焼成温度の上限値は特に制限はないが、通常1000°C程度である。1-2.チタニアナノ粒子Bチタニアナノ粒子Bとしては、特に制限はなく、公知又は市販のものを使用すればよい。チタニアナノ粒子Bの結晶構造としては、とくに制限されるわけではないが、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン及びブルッカイト型酸化チタンよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むものが好ましく、光に対する活性が高い点から、アナターゼ型酸化チタンを含むものがより好ましい。なお、チタニアナノ粒子Bの結晶構造は、例えば、X線回折法、ラマン分光分析等により測定することができる。チタニアナノ粒子Bの平均粒子径は、より多くの色素を吸着し、光を吸収できる点から、1~500nmが好ましく、5~100nmがより好ましい。ただし、電池内部への光閉じ込め効果の観点から、粒径が大きく光散乱の大きい酸化チタン粒子を併用してもよい。なお、チタニアナノ粒子Bの平均粒子径は、例えば、電子顕微鏡SEM観察等により測定することができる。1-3.多孔質酸化チタン塗膜本発明の多孔質酸化チタン塗膜は、上記の酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bを含み、一表面から他表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなり、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くなるものである。多孔質酸化チタン塗膜は、具体的には、酸化チタン構造体Aの含有量が高い側の最表面から塗膜の厚みの0~10の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの含有量を20~100重量、特に70~100重量、酸化チタン構造体Aの含有量が高い側の最表面から塗膜の厚みの90~100の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの含有量を0~80重量、特に0~30重量とするのが好ましい。なお、本発明の多孔質酸化チタン塗膜全体におけるそれぞれの含有量は、特に制限されるわけではないが、酸化チタン構造体Aを5~80重量程度、好ましくは10~50重量程度とし、チタニアナノ粒子Bを20~95重量程度、好ましくは50~90重量程度とすればよい。本発明の多孔質酸化チタン塗膜は、太陽電池電極として用いる場合にはより多くの入射光を吸収できるよう、なるべく厚い方が良いが、電解質が電極膜深部まで浸透するため、あるいは、均質で良好な成膜性の確保の点からは、なるべく薄い方が良く、これらの相反する現象の効果から、厚みは1~80μm程度、特に5~50μm程度が好ましい。1-4.多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板本発明の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板は、基板上に本発明の多孔質酸化チタン塗膜が形成されたものである。ここでは、多孔質酸化チタン塗膜は、基板との界面から塗膜最表面へ向かうにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなり、且つ、チタニアナノ粒子Bの濃度が低くなるものである。このように、基板との界面から最表面に近づくにしたがい、酸化チタン構造体Aの濃度が高くなる濃度勾配を有することで、塗膜の表面近傍には酸化チタン構造体Aを多く、基板との界面近傍にはチタニアナノ粒子Bを多くすることができる。これにより、基板との界面近傍ではチタニアナノ粒子Bが多いため、光をより効率よく吸収することができる。また、表面近傍では、酸化チタン構造体Aが多いため、電極近傍までイオン及び電子をより効率よく運ぶことができる。さらに、基板との界面近傍ではチタニアナノ粒子Bが多く、表面近傍では酸化チタン構造体Aが多いという構成をとることにより、基板側から入射する光を表面近傍の酸化チタン構造体Aが反射し、塗膜内に光を閉じ込めることができるため、効率的に光を利用することができる。多孔質酸化チタン塗膜は、具体的には、最表面基板と反対側から塗膜の厚みの0~10の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの濃度を20~100重量、特に70~100重量、最表面基板と反対側から塗膜の厚みの90~100の範囲の深さにおける酸化チタン構造体Aの濃度を0~80重量、特に0~30重量とするのが好ましい。本発明の多孔質酸化チタン塗膜を基板上に製造する際には、特に制限されるわけではないが、酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bからなり、その濃度が異なる組成物を何種類か用意しておき、酸化チタン構造体Aの濃度が小さいものから順に適当な基板上に塗布及び乾燥をすればよい。この際、組成物を塗布する度に乾燥してもよいし、すべての組成物を塗布してからまとめて乾燥してもよい。なお、多孔質酸化チタン塗膜の総膜厚が1~80μm、好ましくは、5~50μm程度となるようにすればよい。基板としては、特に制限はなく、常温において平滑な面を有するものであり、その面は平面あるいは曲面であってもよく、また応力によって変形するものであってもよい。使用できる基板の具体例としては、例えば、各種ガラス、及びPETポリエチレンテレフタレート、PENポリエチレンナフタレート等の透明樹脂等に透明導電機能が付与されたものが挙げられる。また、色素増感太陽電池用の負極材料として本発明の多孔質酸化チタン塗膜を用い、かつ表面側から集電するバックコンタクト構造の場合は必ずしも基板に透明導電機能が付与されている必要はなく、導電性のあるアルミニウム、チタン、クロム、ステンレス等を集電部材として使用した上で、各種ガラスや透明樹脂等の単なる透明基板を用いても良い。ただし、後述の絶縁性酸化物膜の形成工程等、300°C以上の温度で焼成する場合は、ガラス基板を用いるのが好ましい。塗布方法は特に制限はなく、スクリーン印刷、ディップコート、スプレーコート、スピンコート、スキージ法等の常法を採用すればよい。乾燥条件は、特に制限されないが、100~500°C、好ましくは200~300°Cにて1~10時間、好ましくは1~3時間とすればよい。さらに、本発明の多孔質酸化チタン塗膜が形成された基板において、多孔質酸化チタン塗膜は、表面に絶縁性酸化物膜を有することが好ましい。絶縁性酸化物膜に使用できる酸化物としては、特に制限されるわけではないが、電子伝導帯エネルギー準位が酸化チタン構造体Aの電子伝導帯エネルギー準位より真空エネルギー準位側にあり、色素から酸化チタン構造体Aへ電子をトンネル伝導させることが可能であるものを使用すればよい。例えば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ニッケル、酸化クロム、酸化マンガン、酸化銅、酸化ゲルマニウム、酸化ガリウム等を使用すればよく、なかでも、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムが好ましい。これらの酸化物は、1種単独又は2種以上で使用できる。絶縁性酸化物膜の厚みは、特に制限されないが、逆電子移動の防止のため、0.1~100nm、特に0.1~10nm、さらに0.5~5nmとすることが好ましい。なお、多孔質酸化チタン塗膜の表面に絶縁性酸化物膜を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法、浸漬法、スプレー法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法等が挙げられる。これらのなかで、酸化チタン構造体Aの細部まで絶縁性酸化物膜を形成できるため浸漬法が好ましく、具体的には、絶縁性酸化物の前駆体を0.001~1mol/L程度含む溶液中に、基板上に形成された本発明の多孔質酸化チタン塗膜を浸漬し、その後焼成すればよい。絶縁性酸化物の前駆体としては、例えば、該酸化物を構成する金属のアルコキシド、ハロゲン化物、オキソハロゲン化物、カルボニル、有機錯体等が挙げられる。具体的には、例えば、マグネシウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムブトキシド、イットリウムイソプロポキシドを使用すればよい。焼成条件は、特に制限されるわけではないが、300~600°C程度、特に450~550°C程度にて1~60分程度、特に10~30分程度とすればよい。2.電極基板色素増感太陽電池用の電極基板を形成する際には、本発明の多孔質酸化チタン塗膜を、樹脂基板又はガラス基板特に、樹脂基板又はガラス基板からなる透明基板の上に形成し、色素を担持させる。ただし、後述の絶縁性酸化物膜の形成工程等、300°C以上の温度で焼成する場合は、ガラス基板を用いるのが好ましい。樹脂基板としては、透明であれば特に制限されないが、例えば、ポリエチレンナフタレート樹脂基板PEN樹脂基板、ポリエチレンテレフタレート樹脂基板PET樹脂基板等のポリエステル;ポリアミド;ポリスルホン;ポリエーテルサルホン;ポリエーテルエーテルケトン;ポリフェニレンサルファイド;ポリカーボネート;ポリイミド;ポリメチルメタクリレート;ポリスチレン;トリ酢酸セルロース;ポリメチルペンテン等が挙げられる。ガラス基板としても特に制限はなく、公知又は市販のものを使用すればよく、無色又は有色ガラス、網入りガラス、ガラスブロック等のいずれでもよい。この樹脂基板又はガラス基板としては、板厚が0.05~10mm程度のものを使用すればよい。本発明では、多孔質酸化チタン塗膜は、樹脂基板又はガラス基板の表面上に直接形成されていてもよいが、透明導電膜を介して形成されていてもよい。透明導電膜としては、例えば、スズドープ酸化インジウム膜ITO膜、フッ素ドープ酸化スズ膜FTO膜、アンチモンドープ酸化スズ膜ATO膜アルミニウムドープ酸化亜鉛膜AZO膜、ガリウムドープ酸化亜鉛膜GZO膜等が挙げられる。これらの透明導電膜を介することで、樹脂基板又はガラス基板側から集電するフロントコンタクト構造の場合には、発生した電流を外部にとりだすことが容易となる。これらの透明導電膜の膜厚は、0.02~10μm程度とするのが好ましい。本発明の電極としては、例えば、以下に示す2態様が挙げられる。<態様1:フロントコンタクト構造図13A~C>樹脂基板又はガラス基板上に、本発明の多孔質酸化チタン塗膜を、透明導電膜を介して形成し、本発明の電極とすることができる例えば、図13A。つまり、態様1では、基板として、樹脂基板又はガラス基板特に、樹脂基板又はガラス基板からなる透明基板と透明導電膜とが一体化した構造を有する基板を用い、本発明の多孔質酸化チタン塗膜が、透明導電膜上に形成されている。なお、樹脂基板、ガラス基板及び透明導電膜は上述したとおりのものである。そして、本発明の多孔質酸化チタン塗膜において、酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bの少なくとも1つの表面に、絶縁性酸化物膜を有していてもよい図13B及びC。なお、酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bの両方の表面に絶縁性酸化物膜を形成すれば、全体として、表面に絶縁性酸化物膜を有する多孔質酸化チタン塗膜とすることができる。具体的には、以下のように、電極を形成すればよい。まず、樹脂基板又はガラス基板上に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、ゾル-ゲル法、ナノ粒子コンポジット等により透明導電膜を形成する。これにより得られる基板の表面抵抗は、50Ω/sq.以下とすることが好ましい。そして、その上に、本発明の多孔質酸化チタン塗膜を形成させればよい。なお、多孔質酸化チタン塗膜を形成させる方法は、上述した方法と同様の方法を採用すればよい。また、酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bの表面に、上述したのと同様の絶縁性酸化物膜を形成させた場合にも、同様に多孔質酸化チタン塗膜を形成すればよい。絶縁性酸化物膜の形成方法も上述した方法を採用すればよい。その後、さらに、色素を吸着させればよい。<態様2:バックコンタクト構造図14A~C>樹脂基板又はガラス基板上に、本発明の多孔質酸化チタン塗膜を直接形成し、さらにその上に、多孔質導電膜又はメッシュ状電極を形成して本発明の電極基板としてもよい例えば、図14A。なお、樹脂基板及びガラス基板は上述したとおりのものである。また、樹脂基板又はガラス基板上に、本発明の多孔質酸化チタン塗膜を形成する際には、上記態様1と同様の方法を採用することができる。そして、態様1と同様に、本発明の多孔質酸化チタン塗膜において、酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bの少なくとも1つの表面に、絶縁性酸化物膜を有していてもよい図14B及びC。態様2で使用できる多孔質導電膜としては、ヨウ素イオン、臭素イオン等の電解液中に含まれるイオンに侵されない反応しない、又は、ヨウ素イオン、臭素イオン等の電解液中に含まれるイオンに対する耐腐食性を有する導電性材料であれば特に限定されないが、例えば、チタン、金、白金、タングステン、ニオブ、タンタル、炭素、ステンレス、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニア等が挙げられる。これらの多孔質導電膜を形成することで、多孔質酸化チタン塗膜の表面樹脂基板又はガラス基板と反対側の面側から集電するバックコンタクト構造の場合において、発生した電流を外部にとりだすことが容易となる。これらの多孔質導電膜の表面抵抗は、特に限定されないが、10Ω/sq.以下であれば良く、膜厚も特に限定されないが、150nm以上とするのが好ましい。樹脂基板又はガラス基板上に形成された多孔質酸化チタン塗膜のさらに上に、多孔質導電膜は、スパッタ法などの薄膜形成法により形成すればよい。また、態様2で使用できるメッシュ状電極を構成する材質としては、ヨウ素イオン、臭素イオン等の電解液中に含まれるイオンに侵されない反応しない、あるいはヨウ素イオン、臭素イオン等の電解液中に含まれるイオンに対する耐腐食性を有する導電性材料であれば特に限定されない。具体的には、チタン、金、白金、タングステン、ニオブ、タンタル、炭素、ステンレス、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニア等が挙げられる。これらの材質からなるメッシュ状電極を積層させることで、多孔質導電膜の場合と同様に、多孔質酸化チタン塗膜の表面樹脂基板又はガラス基板と反対側の面側から集電するバックコンタクト構造の場合において、発生した電流を外部にとりだすことが容易となる。これらのメッシュ状電極は、多孔質酸化チタン塗膜との電気的な接触を低抵抗で有し、機械的にも強固に接着していることが好ましく、また、同時に、電解液側からのイオンの進入を阻害しないものが好ましい。樹脂基板又はガラス基板上に形成された多孔質酸化チタン塗膜のさらに上に、メッシュ状電極は、例えば、樹脂基板又はガラス基板上に上記に記載した方法で多孔質酸化チタン塗膜を形成する際に、チタニア材料を印刷法等によって塗布した後、多孔質酸化チタン塗膜が溶媒等によって柔らかい状態で、かつ、寸法安定性を保持している状態のときに、多孔質酸化チタン塗膜の上に、電極の取りしろを残したメッシュ状電極を保持し、乾燥処理やネッキング処理、あるいは焼結処理を施すことで、多孔質酸化チタン塗膜との電気的な接触を低抵抗で有し、機械的にも強固に接着しているバックコンタクト構造のメッシュ状電極を得ることができる。なお、態様1フロントコンタクト構造を採用する場合には、酸化チタン構造体Aとしては、チタニアナノチューブA2、特にチタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2bを用いることが好ましい。これらは、光透過性が高く、結果的に得られる色素増感太陽電池の変換効率が向上するためである。一方、態様2を採用する場合には、多孔質導電膜及びメッシュ状電極のなかでも、メッシュ状電極を形成するのが好ましい。メッシュ状電極は、一般に入手し易く、また、網目が粗いため電解質イオンの透過を妨げにくく、多孔質酸化チタン塗膜との良好な電気的コンタクトが確保できれば、態様2の電極として好ましい。つまり、樹脂基板又はガラス基板特に、樹脂基板又はガラス基板からなる透明基板上に本発明の多孔質酸化チタン塗膜を形成し、さらにその上に、多孔質酸化チタン塗膜と接し、且つ覆うようにメッシュ状電極を形成するのが好ましい。このような構造をとることで、多孔質酸化チタン塗膜の樹脂基板又はガラス基板側に近い側には可視光を吸収しやすい酸化チタン構造体Aの量を減らすことで活物質へのロスの少ない光到達を可能とし、また、メッシュ状電極に近い側には導電性の高い酸化チタン構造体Aの量を増やすことでメッシュ状電極側からスムーズな電子移動を可能とすることができる。これにより、得られる色素増感太陽電池の変換効率を向上させることができる。また、態様2を採用する場合には、構造上、活物質へのロスの少ない光到達が可能となるので、使用する酸化チタン構造体Aの光透過性を考慮する必要はなく、導電性やイオン伝導性等、他の物性に優れたものを広く選択できる。つまり、酸化チタン構造体Aとしては、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを30以上含むチタニアナノチューブA2c等、特にチタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1等を用いるのが好ましい。以上のように、使用する酸化チタン構造体Aの種類によって、チタニアナノ粒子が連なってなるチタニアナノチューブA2b等を使用する場合には態様1を、チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを30以上含むチタニアナノチューブA2c等、着色があるものの電気伝導性やイオン伝導性等の他物性に優れる材料を使用する場合には態様2を採用すればよい。ただし、酸化チタン構造体Aとしてチタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1を使用し、態様2を採用するのが最も好ましい。上述のように、樹脂基板又はガラス基板上に本発明の多孔質酸化チタン塗膜を形成した後、色素を吸着させればよい。また、酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bの表面に、上述したのと同様の絶縁性酸化物膜を用いて塗膜を形成した場合にも同様に、塗膜を形成した後に色素を吸着させればよい。なお、態様2バックコンタクト構造の場合、多孔質酸化チタン塗膜と多孔質導電膜又はメッシュ状電極との電気的コンタクトが確保され、かつ、透過光が多孔質酸化チタン塗膜中の色素に充分に吸収される膜厚位置にあれば、特に作製手順に制約はないが、多孔質酸化チタン塗膜の成膜後、色素添着前で、多孔質酸化チタン塗膜が印刷工程後の湿潤している状態でメッシュ状電極を堆積させてから昇温することが好ましい。すなわち、多孔質酸化チタン塗膜印刷後の湿潤している状態でメッシュ状電極を堆積させてから昇温することで、溶媒等が蒸発、あるいは、分解除去され、かつ、チタニアナノ粒子同士がネッキング、あるいは、焼結され、これら過程に伴う堆積収縮と分子間結合に電極材料が取り込まれるため、多孔質酸化チタン塗膜と電極材料との強固なコンタクトが形成でき、電気的なコンタクトも良好に形成される。また、酸化チタン構造体A及びチタニアナノ粒子Bの表面に、上述したのと同様の絶縁性酸化物膜を形成させた場合には、塗膜を形成し、印刷工程後の湿潤している状態でメッシュ状電極を堆積させた後、同様に昇温、乾燥して色素を吸着させればよい。色素は、可視域や近赤外域に吸収特性を有し、多孔質酸化チタン塗膜の光吸収効率を向上増感させる色素であれば特に限定されないが、金属錯体色素、有機色素、天然色素、半導体等が好ましい。また、多孔質酸化チタン塗膜への吸着性を付与するために、色素の分子中にカルボキシル基、ヒドロキシル基、スルホニル基、ホスホニル基、カルボキシルアルキル基、ヒドロキシアルキル基、スルホニルアルキル基、ホスホニルアルキル基等の官能基を有するものが好ましい。金属錯体色素としては、例えば、ルテニウム、オスミウム、鉄、コバルト、亜鉛、水銀の錯体例えば、メリクルクロム等や、金属フタロシアニン、クロロフィル等を用いることができる。また、有機色素としては、例えば、シアニン系色素、ヘミシアニン系色素、メロシアニン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、金属フリーフタロシアニン系色素等が挙げられるが、これらに限定されない。色素として用いることができる半導体としては、i型の光吸収係数が大きなアモルファス半導体や直接遷移型半導体、量子サイズ効果を示し、可視光を効率よく吸収する微粒子半導体等が好ましい。通常、各種の半導体や金属錯体色素や有機色素の一種、又は光電変換の波長域をできるだけ広くし、かつ変換効率を上げるため、二種類以上の色素を混合することができる。また、目的とする光源の波長域と強度分布に合わせるように、混合する色素とその割合を選ぶことができる。色素を多孔質酸化チタン塗膜に吸着させる方法としては、例えば、溶媒に色素を溶解させた溶液を、多孔質酸化チタン塗膜上にスプレーコートやスピンコート等により塗布した後、乾燥する方法により形成することができる。この場合、適当な温度に基板を加熱しても良い。また、多孔質酸化チタン塗膜を溶液に浸漬して吸着させる方法を用いることもできる。浸漬する時間は色素が充分に吸着すれば特に制限されることはないが、好ましくは10分~30時間、より好ましくは1~20時間である。また、必要に応じて浸漬する際に溶媒や基板を加熱しても良い。溶液にする場合の色素の濃度としては、0.01~100mmol/L、好ましくは0.1~10mmol/L程度である。用いる溶媒は特に制限されるものではないが、水及び有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、t-ブタノール等のアルコール類;アセトニトリル、プロピオニトリル、メトキシプロピオニトリル、グルタロニトリル等のニトリル類;ベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン等の芳香族炭化水素;ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素;シクロヘキサン等の脂環式炭化水素;アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、2-ブタノン等のケトン類;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ニトロメタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホアミド、ジメトキシエタン、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、スルホラン、ジメトキシエタン、アジポニトリル、メトキシアセトニトリル、ジメチルアセトアミド、メチルピロリジノン、ジメチルスルホキシド、ジオキソラン、スルホラン、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリプロピル、リン酸エチルジメチル、リン酸トリブチル、リン酸トリペンチル、リン酸トリへキシル、リン酸トリヘプチル、リン酸トリオクチル、リン酸トリノニル、リン酸トリデシル、リン酸トリストリフフロロメチル、リン酸トリスペンタフロロエチル、リン酸トリフェニルポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール等が挙げられる。色素間の凝集等の相互作用を低減するために、界面活性剤としての性質を持つ無色の化合物を色素吸着液に添加し、半導体層に共吸着させてもよい。このような無色の化合物の例としては、カルボキシル基やスルホ基を有するコール酸、デオキシコール酸、ケノデオキシコール酸、タウロデオキシコール酸等のステロイド化合物やスルホン酸塩類等が挙げられる。未吸着の色素は、吸着工程後、速やかに洗浄により除去するのが好ましい。洗浄は湿式洗浄槽中でアセトニトリル、アルコール系溶媒等を用いて行うのが好ましい。色素を吸着させた後、アミン類、4級アンモニウム塩、少なくとも1つのウレイド基を有するウレイド化合物、少なくとも1つのシリル基を有するシリル化合物、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等を用いて、半導体層の表面を処理してもよい。好ましいアミン類の例としては、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン等が挙げられる。好ましい4級アンモニウム塩の例としては、テトラブチルアンモニウムヨージド、テトラヘキシルアンモニウムヨージド等が挙げられる。これらは有機溶媒に溶解して用いてもよく、液体の場合はそのまま用いてもよい。3.色素増感太陽電池本発明では、本発明の電極の多孔質酸化チタン塗膜の上に対向電極対極を形成し、これら電極間を電解液で満たすことにより光電変換素子を形成する。対極は、導電性材料からなる単層構造でもよいし、導電層と基板とから構成されていてもよい。基板としては、特に限定されず、材質、厚さ、寸法、形状等は目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属、無色又は有色ガラス、網入りガラス、ガラスブロック等が用いられる他、樹脂でもよい。かかる樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、トリ酢酸セルロース、ポリメチルペンテン等が挙げられる。また、電荷輸送層上に直接導電性材料を塗布、メッキ又は蒸着PVD、CVDして対極を形成しても良い。導電性材料としては、白金、金、ニッケル、チタン、アルミニウム、銅、銀、タングステン等の金属;炭素材料;導電性有機物等の比抵抗の小さな材料が用いられる。また、対極の抵抗を下げる目的で金属リードを用いても良い。金属リードは白金、金、ニッケル、チタン、アルミニウム、銅、銀、タングステン等の金属からなるのが好ましく、アルミニウム又は銀からなるのが特に好ましい。本発明では、対極を形成する前に、本発明の電極の光吸収効率を向上すること等を目的として、多孔質酸化チタン塗膜に色素を担持吸着、含有などさせることが好ましい。色素及び色素の担持方法は、上述したとおりである。本発明の色素増感太陽電池は、上記の光電変換素子をモジュール化するとともに、所定の電気配線を設けることによって製造することができる。実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらのみに限定されるものではない。実施例1<チタニアナノチューブA2bの作製>特開2010-24132号公報の実施例1と同様の方法で、チタニアナノチューブA2bを作製した。具体的には、以下の通りである。ナノスケールカーボンチューブ平均直径:35nm、平均長さ:5μm、平均アスペクト比:1430.96gに69硝酸150gを加え、90~95°Cにて6時間保持した。これをろ過し、蒸留水にてろ液がpH6~7になるまで洗浄した後、乾燥させた。これを、ポリエーテル系分散剤3.7gを含む蒸留水100gに超音波ホモジナイザーを用いて分散させた。このナノスケールカーボン分散液に1.0Mに希釈したヘキサフルオロチタン酸アンモニウム及び1.0Mに希釈したホウ酸をそれぞれの濃度が0.20M及び0.4Mとなるように加え、35°Cにて16時間放置した後、ろ過し、乾燥してナノスケールカーボンチューブの表面に酸化チタンが被覆した構造体を得た。この構造体をX線光電子分光分析で測定したところ、カーボン/チタンの原子比は0.1でわずかのカーボンしか検出されなかった。また、電子顕微鏡SEMで観察を行ったところ、酸化チタンの表面被覆率は98程度であった。なお、1nm以上の凹凸がない平滑な部分カーボンチューブの酸化チタンで被覆されていない部分が5nm以上連続して存在する部分を、被覆されずカーボンチューブが露出している部分とみなし、表面被覆率を測定した。X線回折法やラマン分光分析が数マイクロメートルの深さまでの情報を反映するのに対し、X線光電子分光分析は、表面の数ナノメートルの部分の分析なのでナノスケールカーボンチューブが露出せず、酸化チタンが被覆されていることがわかる。この酸化チタン被覆ナノスケールカーボンチューブを空気中で600°Cにて1時間焼成し、ナノスケールカーボンチューブを消失させることで、粒子状酸化チタンが連なってなるチタニアナノチューブA2bを得た。焼成後の構造体についてX線回折法及びラマン分光分析により結晶相を同定したところ、アナターゼ型が主であった。また、ナノスケールカーボンチューブに由来するグラファイトのピークは観測されなかった。また、電子顕微鏡SEM及びTEMにて構造を観察したところ、図9、図15及び図16のような結果になり、5~20nmの酸化チタン微粒子が集合して肉厚が30~50nm程度、平均直径が80~150nm、平均長さが1000~10000nm程度、平均アスペクト比が10~100程度の管状であった。なお、図15酸化チタン構造体の端部のA~C、図16酸化チタン構造体の中央部のD~Fの各点において、電子線回折測定をしたところ、以下の表1のような構造が確認された。また、BET法により比表面積を測定したところ、95m2/gの大きな比表面積であった。<光電変換素子の製造>[ペーストの作製]日本アエロジル株製チタニアナノ粒子P-254.8gをpH0.7の硝酸水溶液2.1gに懸濁させ、増粘剤としてポリエチレングリコール分子量50万0.105gを添加し、さらに、界面活性剤としてTriton-X100ポリオキシエチレン=オクチルフェニルエーテル;ロシュダイアグノスティックス株製を10倍に希釈して、0.14gを添加して、これらを、メノウ乳鉢で混練し1回目塗布用のペーストを作成した。2回目塗布用のペーストは、チタニアナノ粒子P-254.8gの代わりに、チタニアナノ粒子P-253.6g及びチタニアナノチューブA2b1.2gを使用したこと以外は1回目塗布用のペーストと同様に作製した。3回目~5回目塗布用のペーストも同様に、チタニアナノ粒子P-25とチタニアナノチューブA2bの混合比率を変え、ペーストを作製した。1回目~5回目塗布用のペーストの各混合比率を表2に示す。[成膜]上述の1回目塗布用のペーストをスクリーン印刷機にて透明電極付透明ガラス基板に順次塗布した。1回目の膜厚は約3μmとなった。2回目~5回目塗布用のペーストについても同様に塗布した。得られた塗膜を500°Cで1時間焼成し、15μmの膜厚の電極膜を作製した。[光電変換素子の製造]上述によって得られた15μmの膜厚の電極膜を、5×10-5mol/lのルテニウム錯体RuL2NCS2色素N3Dyeの無水エタノール溶液に室温にて18時間浸漬した後、乾燥し、酸化物多孔質電極を作製した。次に、透明電極付透明ガラス基板に白金めっきした対向電極をスペーサーを介して貼りあわせ、その間に電解液として、0.6mol/lのヨウ化リチウムと0.06mol/lのヨウ素、0.5mol/lの4-ターシャルブチルピリジンを含むアセトニトリル溶液を注入し、光電変換素子を作製した。比較例1実施例1において作製した5回目塗布用のペーストチタニアナノチューブA2b100重量を連続で5回塗り、チタニアナノチューブA2bのみからなる15μmの膜厚の塗膜を得、他は、実施例1と同様に光電変換素子を作製した。比較例2実施例1において作製した1回目塗布用のペーストチタニアナノ粒子P-25100重量を連続で5回塗り、チタニアナノ粒子P-25のみからなる15μmの膜厚の塗膜を得、他は、実施例1と同様に光電変換素子を作製した。比較例3実施例1において作製した3回目塗布用のペーストチタニアナノ粒子P-2550重量チタニアナノチューブA2b50重量を連続で5回塗り、組成傾斜のない15μmの膜厚の塗膜を得、他は、実施例1と同様に光電変換素子を作製した。実施例2<チタニアナノチューブA2aの作製>平均粒子径が7nmの酸化チタン微粒子0.5gを40gの蒸留水を加え撹拌した後、16gのNaOHを加えさらに5分間撹拌した酸化チタンの濃度:0.16mol/L、アルカリ水溶液の濃度:10mol/L。この混合液をPTFEライニングしたSUS316製圧力容器に入れて250°C加熱炉中で12時間静置したところ、白色の沈殿が得られた。この沈殿を500mlの蒸留水中で激しく撹拌した後、減圧濾過するという操作を3回繰り返した後、1Mの塩酸500g中で24時間撹拌した。さらに得られた物質を500mlの蒸留水中で撹拌した後減圧濾過するという操作を5回繰り返し、得られた白色のケーキを150°Cで減圧乾燥し、さらに500°Cで熱処理焼成したところ、0.4gの白色の物質が得られた。この物質をSEM及びTEMで観察したところ、酸化チタン多結晶からなる、平均幅65nm、平均長さ5μmの大きいアスペクト比平均アスペクト比:77を有する直線的で折れ曲がりの少なくL/L0:0.7以上、向かい合う長辺同士が平行なす角が0~10°の板状の物質であることがわかった。また、得られた酸化チタン構造体をTEM写真の画像処理を用いて、長手方向側面の算術平均粗さを測定したところ、0.6nm平均幅の0.9であった。得られた酸化チタン構造体をBET法にて比表面積を測定したところ30m2/gであり、ICP発光分光分析法にてアルカリ含有量を測定したところ検出限界以下500ppm以下であった。得られた酸化チタン構造体を800°Cで焼成したところ、平均長さが3μmとなったが、大きいアスペクト比を有する形状平均アスペクト比:46を維持しており、耐熱性に優れることが見出された。また、X線結晶構造解析を行ったところ、アナターゼ型であることがわかった。<光電変換素子の製造>チタニアナノチューブA2bの代わりにチタニアナノチューブA2aを用いること以外は実施例1と同様に、15μmの膜厚の電極膜を作製した。また、さらに実施例1と同様に光電変換素子を作製した。実施例3<チタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1の作製>ナノスケールカーボンチューブ平均直径:35nm、平均長さ:5000nm、平均アスペクト比:1430.96gに69硝酸150gを加え、90~95°Cにて6時間保持した。これをろ過し、蒸留水にてろ液がpH6~7になるまで洗浄した後、乾燥させた。これを、ポリエーテル系分散剤3.7gを含む蒸留水100gに超音波ホモジナイザーを用いて分散させた。このナノスケールカーボン分散液に1.0Mに希釈したヘキサフルオロチタン酸アンモニウム及び1.0Mに希釈したホウ酸をそれぞれの濃度が0.20M及び0.4Mとなるように加え、35°Cにて16時間放置した後、ろ過し、乾燥してナノスケールカーボンチューブの表面に酸化チタンが被覆した構造体を得た。TG-DTA測定したところ、ナノスケールカーボンチューブが550°C付近で激しく燃焼するのに対し、作製したナノスケールカーボンチューブ表面に酸化チタンが被覆した構造体は、550°C以降から700°Cにかけて緩やかに燃焼した。これは、ナノスケールカーボンチューブが酸化チタンで被覆され、燃焼が抑制されたと考えられる。作製した構造体及びこの構造体を500°Cで1時間焼成した構造体についてX線回折法及びラマン分光分析により結晶相を同定したところ、アナターゼ型であった。また、ナノスケールカーボンチューブに由来するグラファイトのピークも観測された。一方、X線光電子分光分析では、カーボン/チタンの原子比は0.1でわずかのカーボンしか検出されなかった。また、電子顕微鏡SEMで観察を行ったところ、酸化チタンの表面被覆率は98程度であった。なお、1nm以上の凹凸がない平滑な部分カーボンチューブの酸化チタンで被覆されていない部分が5nm以上連続して存在する部分を、被覆されずカーボンチューブが露出している部分とみなし、表面被覆率を測定した。X線回折法やラマン分光分析が数マイクロメートルの深さまでの情報を反映するのに対し、X線光電子分光分析は、表面の数ナノメートルの部分の分析なのでナノスケールカーボンチューブが露出せず、酸化チタンが被覆されていることがわかる。SEM及びTEMにて構造を観察したところ図5及び図17のような結果となり、5~20nmの酸化チタン微粒子が集合して厚みが30~50nm程度被覆しており、平均直径が80~150nm、平均長さが1000~10000nm程度、平均アスペクト比が10~100程度の繊維状であった。BET法により比表面積を測定したところ、73m2/gの大きな比表面積であった。<光電変換素子の製造>チタニアナノチューブA2bの代わりにチタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1を用いること以外は実施例1と同様に、15μmの膜厚の電極膜を作製した。また、さらに実施例1と同様に光電変換素子を作製した。実施例4<チタニアナノチューブA2cの作製>ナノスケールカーボンチューブ平均直径:35nm、平均長さ:5μm、平均アスペクト比:1430.96gに69硝酸150gを加え、90~95°Cにて6時間保持した。これをろ過し、蒸留水にてろ液がpH6~7になるまで洗浄した後、乾燥させた。これを、ポリエーテル系分散剤3.7gを含む蒸留水100gに超音波ホモジナイザーを用いて分散させた。このナノスケールカーボン分散液に1.0Mに希釈したヘキサフルオロチタン酸アンモニウム及び1.0Mに希釈したホウ酸をそれぞれの濃度が0.20M及び0.4Mとなるように加え、35°Cにて16時間放置した後、ろ過し、乾燥してナノスケールカーボンチューブの表面に酸化チタンが被覆した構造体を得た。この構造体をX線光電子分光分析で測定したところ、カーボン/チタンの原子比は0.1でわずかのカーボンしか検出されなかった。また、電子顕微鏡SEMで観察を行ったところ、酸化チタンの表面被覆率は98程度であった。なお、1nm以上の凹凸がない平滑な部分カーボンチューブの酸化チタンで被覆されていない部分が5nm以上連続して存在する部分を、被覆されずカーボンチューブが露出している部分とみなし、表面被覆率を測定した。X線回折法及びラマン分光分析が数マイクロメートルの深さまでの情報を反映するのに対し、X線光電子分光分析は、表面の数ナノメートルの部分の分析なのでナノスケールカーボンチューブが露出せず、酸化チタンが被覆されていることがわかる。この酸化チタン被覆ナノスケールカーボンチューブを、750°Cで2時間焼成し、ナノスケールカーボンチューブを消失させることで、マグネリ相構造の結晶形態を有するチタニアを30以上含むチタニアナノチューブA2cを得た。なお、焼成雰囲気は、水素ガスを0.1L/minで導入し、水素ガスのみからなる雰囲気とした。製造したチタニアナノチューブA2cについて、X線回折法及びラマン分光分析により結晶相を同定したところ、約50がマグネリ相Ti4O7であった。また、ナノスケールカーボンチューブに由来するグラファイトのピークは観測されなかった。また、電子顕微鏡SEM及びTEMにて構造を観察したところ、図18~20のような結果になり、平均粒子径30~60nmの酸化チタン微粒子が集合して肉厚が30~200nm程度、平均直径が50~300nm程度、平均長さが1000~10000nm程度、平均アスペクト比が20~200程度の管状であった。なお、図19酸化チタン構造体の中央部のA~C、図20酸化チタン構造体の端部のD~Fの各点において、電子線回折測定をしたところ、以下の表3のような構造が確認された。<光電変換素子の製造>チタニアナノチューブA2bの代わりにチタニアナノチューブA2cを用いること以外は実施例1と同様に、15μmの膜厚の電極膜を作製した。また、さらに実施例1と同様に光電変換素子を作製した。実施例5<チタニアナノチューブA2bへの絶縁性酸化物膜の形成>チタニアナノチューブA2bとしては、実施例1で作製したチタニアナノチューブA2bを用いた。チタニアナノチューブA2b3.0g、エチルセルロース1.5g及びα-テルピネオール10gを混合して得られる酸化チタンペーストを、FTOフッ素ドープ酸化スズガラス日本板硝子株製、抵抗:10Ω/sq上に、厚みが14μmとなるように塗布した。その後、125°Cで乾燥し、500°Cで1時間焼成することで、チタニア電極を作製した。このチタニア電極を、マグネシウムエトキシド0.61gを2-プロパノール20mLの溶解させた溶液マグネシウムエトキシド:0.15mol/Lに60°Cで30分間浸漬した。その後チタニア電極を80°Cの湯に1分間浸漬し、その後450°Cで20分間焼成することで、チタニア電極のチタニア層上に厚み1nmの酸化マグネシウム膜が被覆された絶縁被覆チタニア電極を得た。なお、この絶縁被覆チタニア電極は、チタニア層中のチタニアナノチューブA2bの表面にも、厚さ1nmの酸化マグネシウム膜が被覆されていた。<光電変換素子の製造>上述の絶縁被覆チタニア電極のFTOガラスから、酸化マグネシウム膜が被覆されたチタニアナノチューブA2bを剥がし取った。チタニアナノチューブA2bの代わりに剥がし取った酸化マグネシウム膜が被覆されたチタニアナノチューブA2bを用いること以外は実施例1と同様に、15μmの膜厚の電極膜を作製した。また、さらに実施例1と同様に光電変換素子を作製した。実施例6<光電変換素子の製造>[ペースト]酸化チタン構造体として、実施例4で作製したチタニアナノチューブA2cを使用した。そして、多孔質酸化チタン塗膜作製用のペーストとしては、実施例4で用いたものと同じ1回目~5回目のペーストを使用した。[成膜]1回目塗布用のペーストをスクリーン印刷機にてガラス基板に順次塗布した。1回目の膜厚は約3μmとなった。2回目~5回目塗布用のペーストについても同様に塗布した。[電極基板の作製]5回の塗布が完了後昇温し、200°Cで10分間保持することで、湿潤状態を保ちつつ、寸法安定性も保持できる膜形態として、その上に、メッシュ状チタンを、電極しろを確保した上でのせた。得られたバックコンタクト電極付き塗膜を500°Cで1時間焼成し、15μmの膜厚の電極膜を作製した。[色素の吸着]上述によって得られた15μmの膜厚の電極膜を、5×10-5mol/lのルテニウム錯体RuL2NCS2色素N3Dyeの無水エタノール溶液に室温にて18時間浸漬した後、乾燥し、多孔質酸化チタン塗膜に色素を吸着させた。[光電変換素子の製造]透明電極付透明ガラス基板に白金めっきした対向電極をスペーサーを介して貼りあわせ、その間に電解液として、0.6mol/lのヨウ化リチウムと0.06mol/lのヨウ素、0.5mol/lの4-ターシャルブチルピリジンを含むアセトニトリル溶液を注入し、光電変換素子を作製した。実施例7チタニアナノチューブA2cの代わりに実施例3で作製したチタニア被覆ナノスケールカーボンチューブA1を使用すること以外は実施例6と同様に、15μmの膜厚の多孔質酸化チタン塗膜を有する電極基板を作製した。また、さらに実施例6と同様に光電変換素子を作製した。実験例実施例1~7及び比較例1~3の光電変換素子に疑似太陽光1kW/m2を照射し、電流電圧特性を測定したところ、以下の表4のような結果が得られた。