"部品を内蔵した部品内蔵層と、前記部品内蔵層に積層して形成された配線層と、前記部品内蔵層に設けられ、導電性の表面を有する配線用ブロック体と、前記配線用ブロック体の導電性の表面と前記配線層とを接続するビア導体とを備えたことを特徴とする部品内蔵基板。請求項1に記載の部品内蔵基板において、前記配線用ブロック体は、全表面が金属で覆われて形成されていることを特徴とする部品内蔵基板。請求項1に記載の部品内蔵基板において、前記配線用ブロック体は、前記ビア導体の接続面およびその対向面を含む連続した一部の表面が金属で覆われて形成されていることを特徴とする部品内蔵基板。請求項1に記載の部品内蔵基板において、前記配線用ブロック体は、前記ビア導体の接続面およびその対向面が金属で覆われ、前記接続面および前記対向面は、前記配線用ブロック体の内部に形成されたビア導体で接続されていることを特徴とする部品内蔵基板。請求項1~4のいずれかに記載の部品内蔵基板において、前記配線層は、前記部品内蔵層の両主面側に形成されており、前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の一主面側の導電性の表面が、前記ビア導体を介して前記部品内蔵層の一主面側の前記配線層に接続され、前記部品の前記部品内蔵層の他方の主面側の電極と、前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の他方の主面側の導電性の表面とが、前記部品内蔵層の他方の主面側の前記配線層に接続されて、前記部品が、前記部品内蔵層の他方の主面側の前記配線層および前記配線用ブロック体を介して前記部品内蔵層の一主面側の前記配線層に電気的に接続されていることを特徴とする部品内蔵基板。請求項1~4のいずれかに記載の部品内蔵基板において、前記配線層は、前記部品内蔵層の両主面側に形成されており、前記部品の前記部品内蔵層の一主面側の電極および前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の一主面側の導電性の表面が、それぞれビア導体を介して前記一主面側の前記配線層に接続され、前記部品の前記部品内蔵層の他方の主面側の電極および前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の他方の主面側の導電性の表面が、それぞれビア導体を介して前記他の主面側の前記配線層に接続されていることを特徴とする部品内蔵基板。ところで、図9に示す部品内蔵基板500等の従来の部品内蔵基板の場合、ビア導体510,511の形成において、先ずレーザー照射によって絶縁性樹脂層507にビアが形成されるが、これらビアの深さが異なるため、深さが異なるビアごとにレーザー加工条件を変更しなければならず、工程が非常に繁雑になり、製造工程の複雑化によるコストアップを招くおそれがある。また、絶縁性樹脂層507を上下に貫通するビアは、絶縁性樹脂層507の厚さが増すと、ビアの径も長さも大きくなるため、絶縁性樹脂層507の上面側において実装や配線に使用できるエリアが制限されるという問題が生じるおそれがあった。さらに、層間での配線の引き回しが必要な場合には、別途ビルドアップなどの別工法により引き回し用の配線層を形成する必要があり、工程数の増加を招くという問題が生じるおそれがあった。本発明は、ビアごとにレーザー加工条件を変えることもなく、ビア長深さを長くする必要がなくかつビア径を小さく保つことができ、ビルドアップ工法などの別工法を必要とせずにビア形成のみで配線の引き回しを容易に行える部品内蔵基板を提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、本発明の部品内蔵基板は、部品を内蔵した部品内蔵層と、前記部品内蔵層に積層して形成された配線層と、前記部品内蔵層に設けられ、導電性の表面を有する配線用ブロック体と、前記配線用ブロック体の導電性の表面と前記配線層とを接続するビア導体とを備えたことを特徴とする請求項1。また、請求項1に記載の部品内蔵基板において、前記配線用ブロック体は、全表面が金属で覆われて形成されていることを特徴としている請求項2。さらに、請求項1に記載の部品内蔵基板において、前記配線用ブロック体は、前記ビア導体の接続面およびその対向面を含む連続した一部の表面が金属で覆われて形成されていることを特徴としている請求項3。また、請求項1に記載の部品内蔵基板において、前記配線用ブロック体は、前記ビア導体の接続面およびその対向面が金属で覆われ、前記接続面および前記対向面は、前記配線用ブロック体の内部に形成されたビア導体で接続されていることを特徴としている請求項4。また、請求項1~4のいずれかに記載の部品内蔵基板において、前記配線層は、前記部品内蔵層の両主面側に形成されており、前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の一主面側の導電性の表面が、前記ビア導体を介して前記部品内蔵層の一主面側の前記配線層に接続され、前記部品の前記部品内蔵層の他方の主面側の電極と、前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の他方の主面側の導電性の表面とが、前記部品内蔵層の他方の主面側の前記配線層に接続されて、前記部品が、前記部品内蔵層の他方の主面側の前記配線層および前記配線用ブロック体を介して前記部品内蔵層の一主面側の前記配線層に電気的に接続されていることを特徴としている請求項5。また、請求項1~4のいずれかに記載の部品内蔵基板において、前記配線層は、前記部品内蔵層の両主面側に形成されており、前記部品の前記部品内蔵層の一主面側の電極および前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の一主面側の導電性の表面が、それぞれビア導体を介して前記一主面側の前記配線層に接続され、前記部品の前記部品内蔵層の他方の主面側の電極および前記配線用ブロック体の前記部品内蔵層の他方の主面側の導電性の表面が、それぞれビア導体を介して前記他の主面側の前記配線層に接続されていることを特徴としている請求項6。請求項1に係る発明によれば、導電性の表面を有する配線用ブロック体がコンデンサ、チップ抵抗などの部品とともに部品内蔵層に設けられ、ビア導体を介して配線用ブロック体の導電性の表面が配線層に接続されることから、部品内蔵層の部品と配線層、或いは、配線層どうしを接続する場合に、部品内蔵層を上下に貫通するビアを形成する必要がなくほぼ同じビア長深さのビアを形成すればよいため、従来のようにビア長深さの異なるビアごとにレーザー加工条件を大きく変更する必要がなくなり、同じレーザー加工条件ですべてのビア導体を形成することでき、ビア形成工程の繁雑化を招くことなくビアを形成することが可能になる。さらに、部品内蔵層を上下に貫通するビアの形成が不要になるため、従来のように一部のビアのビア径が大きくなることを防止でき、ビア径が大きくなることに起因する基板表層での実装や配線に使用可能なエリアの制限を低減することができ、当該エリアを実装や配線に有効利用することが可能になる。また、請求項2に係る発明によれば、全表面を金属例えば、銅で覆って配線用ブロック体を形成したため、部品内蔵層の上下面の配線層を接続する場合であっても、部品内蔵層を上下に貫通するビアを形成することなく、ビア導体および配線用ブロック体の導電性の全表面を介して部品内蔵層の上下面の配線層を容易に接続することができる。さらに、請求項3に係る発明によれば、配線用ブロック体を、ビア導体の接続面およびその対向面を含む連続した一部の表面を金属で覆って形成したため、部品内蔵層の上下面の配線層どうしを引き回して接続する、いわゆる配線の引き回しが必要な場合であっても、従来のようにビルドアップなどの別工法により引き回し用の配線層を形成する必要がなくなり、工程数の増加を招くことなく配線の引き回しを容易に行うことが可能になる。また、請求項4に係る発明によれば、ビア導体の接続面およびその対向面を金属で覆って配線用ブロック体を形成し、配線用ブロック体のビア導体の接続面および対向面をビア接続したため、この場合もビルドアップなどの別工法により引き回し用の配線層を形成する必要がなくなり、工程数の増加を招くことなく配線の引き回しを容易に行うことができる。さらに、請求項5に係る発明によれば、部品の部品内蔵層の他方の主面側の電極および配線用ブロック体の部品内蔵層の他方の主面側の導電性の表面が、部品内蔵層の他方の主面側に形成された配線層に接続され、部品が、部品内蔵層の他方の主面側の配線層および配線用ブロック体を介して、部品内蔵層の一方の主面側の配線層に電気的に接続された構成であるため、例えば部品がレーザーに対する耐性がなく、部品に対してビア加工のためのレーザ光を照射することが好ましくない場合において、部品に対してビアを形成しなくても部品を部品内蔵層の一方の主面側の配線層に電気的に接続することができ、レーザー照射による部品の損傷を未然に防止することが可能になる。また、請求項6に係る発明によれば、部品の部品内蔵層の両主面側の電極および配線用ブロック体の部品内蔵層の両主面側の導電性の表面を、それぞれビア導体を介して両主面側の配線層に接続したため、部品内蔵層の両主面において異なるパターンの信号配線を行う場合などにおいて、簡単に両主面間の配線を行うことが可能になる。本発明の実施形態について、図1~図7を参照して詳述する。第1の実施形態まず、第1の実施形態について、図1および図2を参照して説明する。図1は第1の実施形態の部品内蔵基板1Aを示す。部品内蔵基板1Aは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化樹脂の樹脂層2内に、コンデンサ、チップ抵抗、チップコイル、ICなどの電子部品である1個または複数個のチップ型の部品3を内蔵した部品内蔵層4を備え、この部品内蔵層4には、部品3と同様の例えば直方体や立方体状などのチップ部品形状を有する大きさの異なる複数の配線用ブロック体5A,5Bが内蔵されている。これら配線用ブロック体5A,5Bは、樹脂からなる基材の全表面6面に、例えば銅めっきによる導電層51A,51Bがそれぞれ形成されている。なお、配線用ブロック体5A,5Bの形状は直方体や立方体状などのチップ部品形状であればよいが、円柱状や多角柱状であってもよく、配線用ブロック体5A,5Bの形状は、部品内蔵層4に内蔵することができればどのような形状であってもよい。また、部品内蔵層4の一主面である上面には、配線層6Aが積層形成され、部品内蔵層4の一主面である下面には、面内配線構造の配線層6Bが形成されており、配線用ブロック体5A,5Bの下面側の導電層51A,51B図2参照、および、例えば銅により形成された部品3の電極3Aが下面側の配線層6Bに接触するように、配線用ブロック体5A,5Bおよび部品3の電極3Aが部品内蔵層4の各々の所定位置に配置されている。さらに、部品内蔵層4の上面側の配線層6Aと、配線用ブロック体5A,5Bの上面側の導電層51A,51B図2参照および部品3の電極3Aとが、部品内蔵層4に設けられたビア導体7により電気的に接続されている。このとき、配線用ブロック体5A,5Bの上面側の導電層51A,51Bおよび部品3の電極3Aの上方位置それぞれに、レーザー光が所定のレーザー加工条件で照射されてビアが形成され、形成された各ビアに例えば銅などの導電性ペーストの充填、或いは、ビアフィルめっき等を施すことにより、ビア導体7が形成される。その後、部品内蔵層4の上面の各ビア導体7に接触する位置に配線層6Aが形成される。ここで、配線用ブロック体5A,5Bが部品3と高さ方向上下方向の寸法がほぼ同じであるため、配線用ブロック体5A,5Bの上面側の導電層51A,51Bおよび部品3の電極3Aの上方位置それぞれに形成するビアは、いずれも同じ程度の長さ深さになる。その結果、従来のように、いずれかのビア長が他のビアよりも大きいことに伴うビア径の増大を招くこともなく、すべてのビアを同じレーザー加工条件の元で形成することができ、ビア径をすべてほぼ同じにすることができる。ところで、図1では、大きい方の配線用ブロック体5Bに対して、2個のビア導体7が形成されているが、これは部品内蔵基板1Aの上下間の配線インピーダンスを低減したり、電流容量を確保するために、部品内蔵基板1Aの上面表層と配線用ブロック体5Bとの間のビア導体7を必要数に設定して形成した例を示したものである。なお、配線用ブロック体5Bに対して形成するビア導体の個数は、2個に限らず1個でもよいのは勿論であり、3個以上形成されていてもよい。また、図1の配線用ブロック体5Aに対しても2個以上のビア導体7を形成してもよいが、この場合、複数のビア加工を行う関係上、配線用ブロック体5Aには図1に示すものよりも大きいものが採用されることになる。したがって、上記した第1の実施形態によれば、ビア導体7を介して配線用ブロック体5A,5Bの導電層51A,51Bおよび部品3の電極3Aが配線層6Aに接続される構成であるため、上下の配線層6A,6Bどうしを接続する場合に、従来のように部品内蔵層4を上下に貫通するビアを形成する必要がなく、ほぼ同じビア長深さのビアを形成すればよい。そのため、従来のようにビア長深さの異なるビアごとにレーザー加工条件を大きく変更する必要がなく、同じレーザー加工条件ですべてのビアを形成することでき、ビア形成工程の繁雑化を招くことなくビア導体7を形成することができる。また、部品内蔵層4を上下に貫通するビアの形成が不要になり、ほぼ同じビアを形成してビア導体7を形成すればよいため、ビア長深さが短くて済み、従来のように一部のビアのビア径が大きくなることを防止でき、ビア径が大きくなることによる部品内蔵基板1Aの上面表層において、実装や配線に使用可能なエリアが制限されることを防止でき、当該エリアを実装や配線に有効利用することができる。さらに、配線用ブロック体5B5Aに2個或いは2個以上のビア導体7を形成することにより、部品内蔵基板1Aの上下間の配線インピーダンスの低減や、電流容量の確保を容易に行うことができる。このとき、形成すべきビア導体7の個数を可変設定することにより、必要な配線インピーダンスの低減量や電流容量に容易に対応することができる。また、配線用ブロック体5A,5Bの全表面の導電層51A,51Bは銅めっきにより容易に形成することができ、銅めっきによる導電層51A,51Bはレーザー照射によりビア加工する場合に非常に好適である。なお、導電層51A,51Bは特に銅めっきに限定されるものではなく、ビア加工が容易であればどのような手法により形成されてもよく、配線用ブロック体5A,5Bそのものを金属などの導電材料により形成してもよい。第2の実施形態つぎに、第2の実施形態について、図3を参照して説明する。図3は第2の実施形態の部品内蔵基板1Bを示し、図1、図2と同一符号は同一のもの若しくは相当するものを示し、主として第1の実施形態と異なる点について以下に説明する。第2の実施形態において、上記した第1の実施形態図1、図2と相違するのは、いわゆる配線の引き回しを、配線用ブロック体およびビア導体を介して行うようにした点である。すなわち、図3に示すように、樹脂基材の上面およびこれに連続する右側面などの一側面およびこれに連続する下面の一部に銅めっきなどにより導電層51Cを形成してなるチップ部品形状の配線ブロック体5Cを、部品3とともに部品内蔵層4に内蔵し、配線用ブロック体5Cの上面側の導電層51Cの上方位置にビア導体7を形成し、部品内蔵層4の下面側の配線層6Bに対し、ビア導体7および配線用ブロック体5Cの上面側の導電層51Cの3つの面にわたる導電層51Cを介して上面側の配線層6Aとの導電路を形成している点が、第1の実施形態と相違する。この場合、引き回しの距離に応じて、配線用ブロック体5Cの大きさを選定してこれに形成すべき導電層51Cによる配線長を設定することにより、必要に応じた引き回し距離の設定を非常に簡単に行うことができる。したがって、第2の実施形態によれば、部品内蔵層4に内蔵する部品3の電極3Aや上下の配線層6A,6Bの位置関係により、部品内蔵層4において配線の引き回しを行う必要がある場合に、ビア導体7および配線用ブロック体5Cの上面側の導電層51Cから連続する3つの面にわたる導電層51Cを介して上下の配線層6A,6Bとの導電路を形成することにより、配線の引き回しを容易に行うことができ、従来のようにビルドアップなどの別工法により引き回し用の配線層を形成する必要がなくなるため、工程数の増加を招くことを防止できる。第3の実施形態第3の実施形態について、図4を参照して説明する。図4は第3の実施形態における部品内蔵基板に内蔵される配線用ブロック体5Dを示し、上記した第2の実施形態における配線用ブロック体5C図3と同様、配線の引き回しに好適な例を示すのものである。すなわち、配線用ブロック体5Dの上下の対向する面に導電層51Dを形成し、これら対向する両面の導電層51Dを、配線用ブロック体5Cのように一側面例えば右側面の導電層により電気的に導通させるのではなく、配線用ブロック体5Dのほぼ中央位置に上下方向に貫通形成されたビア導体9により対向する上下両面の導電層51Dどうしを接続している。このようにすれば、上記した第2の実施形態と同様、配線の引き回しを容易に行うことができる。なお、第3の実施形態の変形例として、図5に示すように、配線用ブロック体5Eの上面全面に導電層51Eを形成するとともに、下面の一部に導電層51Eを形成し、配線用ブロック体5Eの中央よりも片側寄りの位置に上下方向に貫通形成されたビア導体10により、両面の導電層51Eどうしを接続するようにしてもよい。これにより、図4の場合と同等の効果が得られる。第4の実施形態第4の実施形態について、図6を参照して説明する。図6は第4の実施形態の部品内蔵基板1Cを示し、図1、図2と同一符号は同一のもの若しくは相当するものを示し、主として第1の実施形態と異なる点について以下に説明する。図6に示す第4の実施形態において、上記した第1の実施形態図1、図2と相違するのは、部品3に対してビア導体を形成する場合に、部品3自体がレーザーに対する耐性がないなど、部品3に対して直接ビア導体を形成することが好ましくないという制約があるときに、2個の配線用ブロック体5Aの導電層51Aおよび部品内蔵層4の上下の配線層6A,6B1,6B2を介して、部品3の電極3Aの電気的な導通を確保するようにした点である。より詳細には、下面側の配線層が、図6に示すように2つの配線層6B1,6B2に分離して形成されている場合に、配線層6B1,6B2に部品3の両端部の電極3Aがそれぞれ接触するように部品3を部品内蔵層4に配置するとともに、一方の配線層6B1に一方の配線用ブロック体5Aの下面の導電層51Aが接触し、他方の配線層6B2に他方の配線用ブロック体5Aの下面の導電層51Aが接触するように、両配線用ブロック体5Aを部品内蔵層4に配置する。そして、両配線用ブロック体5Aの上面の導電層51Aの上方位置それぞれに、レーザー光を所定のレーザー加工条件で照射してビアを形成し、形成した各ビアに例えば銅などの導電性ペーストの充填、或いは、ビアフィルめっき等を施すことにより、ビア導体7を形成する。その後、各ビア導体7に接触する位置に配線層6Aを部品内蔵層4の上面に形成する。こうして、部品内蔵層4の配線層6A、一方の配線用ブロック体5Aの導電層51A、部品内蔵層4の配線層6B1、部品3、部品内蔵層4の配線層6B1、他方の配線用ブロック体5Aの導電層51A、部品内蔵層4の配線層6Aによる導電路を形成し、部品3の電気的な導通を確保している。したがって、第4の実施形態によれば、部品3自体がレーザーに対する耐性がないなど、部品3に対して直接ビア導体を形成することが好ましくないときであっても、2個の配線用ブロック体5Aの導電層51A、部品内蔵層4の上下の配線層6A,6B1,6B2およびビア導体7を介して、部品3の電極3Aの電気的な導通を確保することができ、回路設計の自由度を広げることができる。第5の実施形態請求項6に対応する第5の実施形態について、図7を参照して説明する。図7は第5の実施形態の部品内蔵基板1Dを示し、図1、図2と同一符号は同一のもの若しくは相当するものを示し、以下においては主として第1の実施形態と異なる点について説明する。図7に示す第5の実施形態において、上記した第1の実施形態図1、図2と相違するのは、電子部品であるコンデンサ、チップ抵抗などの部品3を部品内蔵層4の高さ方向上下方向のほぼ中央に内蔵するとともに、樹脂基材の全表面6面に銅めっきによる導電層が形成され部品3と同様の例えば直方体や立方体状などのチップ部品形状を有する2個の配線用ブロック体5Fを部品3と同じく部品内蔵層4の高さ方向のほぼ中央位置に内蔵し、両配線用ブロック体5Fの上面側の導電層および部品3の電極3Aの上方位置に所定のレーザー加工条件でレーザー光を照射してビアを形成し、形成した各ビアに銅などの導電性ペーストの充填、或いは、ビアフィルめっき等を施すことにより、ビア導体12Aを形成するとともに、両配線用ブロック体5Fの上面側の導電層および部品3の電極3Aの下方位置に上側のビア形成時と同じレーザー加工条件でレーザー光を照射してビアを形成し、形成した各ビアに銅などの導電性ペーストの充填、或いは、ビアフィルめっき等を施すことにより、ビア導体12Bを形成し、部品内蔵層4の上下の両面の各ビア導体12A,12Bに接触する位置に配線層6C,6Dをそれぞれ積層形成した点である。この場合、部品内蔵層4の上下両面の配線層6C,6Dが、上側のビア導体12A、配線用ブロック体5Fの導電層,下側のビア導体12Bを介して電気的に接続されるとともに、両配線層6C,6Dが、上側のビア導体12A、部品の電極3A,下側のビア導体12Bを介して電気的に接続され、これにより部品3の配線のほかに必要な信号配線を確保することができる。したがって、第5の実施形態によれば、上下のビア導体12A,12Bにより、部品3および配線用ブロック体5Fを部品内蔵層4の上下の配線層6C,6Dそれぞれに接続するため、部品内蔵層4の上下の両面において配線を行う場合に非常に好適である。その他図8はその他の例を示し、特に第1の実施形態における部品内蔵基板1Aとほぼ同様の部品内蔵基板1Eにおいて、配線用ブロック体5Bについてその上方位置における配線層が配線層6A1,6A2の2つに分離していて、その分離した配線層6A1,6A2の間にこれらと接触してはいけない別の配線層6Fが存在するような特殊な配線パターンが部品内蔵層4の上面表層に形成されているような場合に、配線用ブロック体5Bについての2個のビア導体7と配線用ブロック体5Bの上面の導電層51B図2参照を介して、分離した配線層6A1,6A2どうしを接続するようにしている。このようにすれば、配線パターンの制約から、分離した配線層6A1,6A2の間にこれらと接触してはいけない別の配線層6Fが存在するような場合であっても、分離した配線層6A1,6A2どうしを容易に接続することができる。また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、部品内蔵層4の樹脂層2は光硬化型の樹脂等で形成されてもよい。"