"支持部、前記支持部に揺動自在に支持されたカンチレバー部、および前記カンチレバー部における前記支持部側とは反対の先端部に設けられた錘部を有するデバイス基板と、前記デバイス基板の一表面上に形成された第1導電層と、前記第1導電層における前記デバイス基板側とは反対側に形成された圧電材料層と、前記圧電材料層における前記第1導電層側とは反対側に形成された第2導電層とを備え、前記第1導電層のうち前記カンチレバー部に重なる部分からなる第1電極、前記圧電材料層のうち前記第1電極に重なる部分からなる圧電体層、および前記第2導電層のうち前記圧電体層に重なる部分からなる第2電極により構成される発電部と、前記第1導電層のうち前記支持部上に形成され前記圧電材料層と前記第2導電層とが積層されていない部分の一部からなる第1パッドと、前記第1導電層のうち前記第1電極と前記第1パッドとを繋いでいる部分からなる第1配線と、前記第2導電層のうち前記デバイス基板の厚み方向において前記支持部に重なる部分の一部からなる第2パッドと、前記第2導電層のうち前記第2電極と前記第2パッドとを繋いでいる部分からなる第2配線と、前記第2導電層と前記圧電材料層との接触領域を規定する絶縁層を有し、前記絶縁層の一部が前記第2パッドと前記圧電材料層との間に介在し、前記絶縁層の厚みが前記圧電材料層の厚みよりも薄く、且つ、前記絶縁層の絶縁材料の誘電率が前記圧電材料層の圧電材料の誘電率以下であることを特徴とする発電デバイス。前記絶縁層の外周線が、前記第1導電層の外周線よりも外側にあることを特徴とする請求項1記載の発電デバイス。前記圧電材料層は、厚み方向において前記支持部に重なる部分の圧電性を消失させてあることを特徴とする請求項1または請求項2記載の発電デバイス。ところで、図7に示した構成の発電デバイス100において外部へ出力を取り出すためには、第1電極122に接続された第1のパッド図示せずと第2電極124に接続された第2のパッド図示せずとを設ける必要がある。しかしながら、特許文献1には、第1のパッドおよび第2のパッドについて記載されていない。これに対し、図8に示した構成の発電デバイスでは、第1電極222と圧電体層223と第2電極224との積層構造がカンチレバー部212上だけでなく支持部211上にも形成されている。このため、図8に示した構成の発電デバイスでは、発電に寄与しない圧電体層223の平面積が大きく、寄生容量が大きくなってしまう。そして、本願発明者らは、鋭意研究の結果、発電に寄与しない圧電体層223に起因した寄生容量の影響で発電効率および発電出力が低下してしまうという知見を得た。また、図9に示した構成の電気機械変換装置では、絶縁層325を設けることによって、第2配線326bと第1電極322との短絡の回避と、圧電体層323の端部における段差に起因した第2配線326bの断線の回避とを図っている。しかしながら、図9に示した構成の電気機械変換装置を発電デバイスに応用した場合、圧電体層323の厚みによっては第2配線326bが断線して発電出力が得られない懸念がある。要するに、このような発電デバイスでは、製造時の歩留まりが低下してしまい、コストが高くなってしまう懸念がある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、製造時の断線の発生を抑制可能であり且つ発電出力の向上を図ることが可能な発電デバイスを提供することにある。本発明の発電デバイスは、支持部、前記支持部に揺動自在に支持されたカンチレバー部、および前記カンチレバー部における前記支持部側とは反対の先端部に設けられた錘部を有するデバイス基板と、前記デバイス基板の一表面上に形成された第1導電層と、前記第1導電層における前記デバイス基板側とは反対側に形成された圧電材料層と、前記圧電材料層における前記第1導電層側とは反対側に形成された第2導電層とを備え、前記第1導電層のうち前記カンチレバー部に重なる部分からなる第1電極、前記圧電材料層のうち前記第1電極に重なる部分からなる圧電体層、および前記第2導電層のうち前記圧電体層に重なる部分からなる第2電極により構成される発電部と、前記第1導電層のうち前記支持部上に形成され前記圧電材料層と前記第2導電層とが積層されていない部分の一部からなる第1パッドと、前記第1導電層のうち前記第1電極と前記第1パッドとを繋いでいる部分からなる第1配線と、前記第2導電層のうち前記デバイス基板の厚み方向において前記支持部に重なる部分の一部からなる第2パッドと、前記第2導電層のうち前記第2電極と前記第2パッドとを繋いでいる部分からなる第2配線と、前記第2導電層と前記圧電材料層との接触領域を規定する絶縁層を有し、前記絶縁層の一部が前記第2パッドと前記圧電材料層との間に介在し、前記絶縁層の厚みが前記圧電材料層の厚みよりも薄く、且つ、前記絶縁層の絶縁材料の誘電率が前記圧電材料層の圧電材料の誘電率以下であることを特徴とする。この発電デバイスにおいて、前記絶縁層の外周線が、前記第1導電層の外周線よりも外側にあることが好ましい。この発電デバイスにおいて、前記圧電材料層は、厚み方向において前記支持部に重なる部分の圧電性を消失させてあることが好ましい。本発明の発電デバイスにおいては、製造時の断線の発生を抑制可能であり且つ発電出力の向上を図ることが可能となる。実施形態1以下、本実施形態の発電デバイスについて図1に基づいて説明する。発電デバイス1は、支持部11、支持部11に揺動自在に支持されたカンチレバー部12、およびカンチレバー部12における支持部11側とは反対の先端部に設けられた錘部13を有するデバイス基板10を備えている。また、発電デバイス1は、デバイス基板10の一表面上に形成された第1導電層22と、第1導電層22におけるデバイス基板10側とは反対側に形成された圧電材料からなる圧電材料層23と、圧電材料層23における第1導電層22側とは反対側に形成された第2導電層24とを備えている。そして、発電デバイス1は、第1導電層22のうちカンチレバー部12に重なる部分からなる第1電極22aと、圧電材料層23のうち第1電極22aに重なる部分からなる圧電体層23aと、第2導電層24のうち圧電体層23aに重なる部分からなる第2電極24aとで構成される発電部20を備えている。要するに、発電部20は、デバイス基板10の上記一表面側においてカンチレバー部12上に形成されており、第1電極22aと圧電体層23aと第2電極24aとの積層構造を有している。ここにおいて、発電部20は、カンチレバー部12の振動に応じて交流電圧を発生する。また、発電デバイス1は、第1導電層22のうち支持部11上に形成され圧電材料層23と第2導電層24とが積層されていない部分の一部からなる第1パッド22cと、第1導電層22のうち第1電極22aと第1パッド22cとを繋いでいる部分からなる第1配線22bとを備えている。また、発電デバイス1は、第2導電層24のうちデバイス基板10の厚み方向において支持部11に重なる部分の一部からなる第2パッド24cと、第2導電層24のうち第2電極24aと第2パッド24cとを繋いでいる部分からなる第2配線24bとを備えている。また、発電デバイス1は、第2導電層24と圧電材料層23との接触領域を規定する絶縁層25を備えている。この絶縁層25は、第2電極24aと圧電材料層23における圧電体層23aとの接触領域を規定する開口部25aを有している。また、本実施形態の発電デバイス1では、絶縁層25の一部が、デバイス基板10の厚み方向において第2パッド24cと圧電材料層23との間に介在している。デバイス基板10は、基板10aを用いて形成されている。基板10aとしては、一表面が100面である単結晶のシリコン基板を用いているが、これに限らず、多結晶のシリコン基板でもよい。また、単結晶のシリコン基板は、上記一表面が100面のものに限らず、例えば、110面のものでもよい。デバイス基板10において、基板10aと発電部20とは、基板10aの上記一表面側に形成されたシリコン酸化膜からなる第1の絶縁膜10bによって、電気的に絶縁されている。また、デバイス基板10は、基板10aの他表面側に、シリコン酸化膜からなる第2の絶縁膜10cが形成されている。ただし、第2の絶縁膜10cは、必ずしも設ける必要はない。基板10aとしては、シリコン基板に限らず、例えば、SOISilicononInsulator基板、酸化マグネシウムMgO基板、金属基板、ガラス基板、ポリマー基板などを用いてもよい。基板10aとして、MgO基板やガラス基板やポリマー基板などの絶縁性基板を用いる場合、第1の絶縁膜10bも設ける必要はない。デバイス基板10は、支持部11が、枠状ここでは、矩形枠状に形成され、カンチレバー部12および錘部13が、支持部11の内側に配置されている。ここにおいて、デバイス基板10は、カンチレバー部12と錘部13とで構成される可動部を囲む平面視U字状のスリット10dが設けられることによって、カンチレバー部12における支持部11との連結部位以外の部分が、支持部11と空間的に分離されている。なお、支持部11は、カンチレバー部12を揺動自在に支持できる形状であればよく、必ずしも枠状である必要はない。発電部20は、デバイス基板10の上記一表面側に形成されている。発電部20は、圧電体層23aと、この圧電体層23aの厚み方向図1bにおける上下方向の両面に形成され互いに対向する第1電極22aおよび第2電極24aとを備えている。発電部20は、圧電体層23aの厚み方向に沿った分極の向きが、図1bにおいて上向きとなっている。したがって、発電部20により構成されるコンデンサの極性は、図1bにおける上側の第2電極24aがプラス、下側の第1電極22aがマイナスとなる。ただし、発電部20における分極の向きは、図1bにおいて下向きでもよい。この場合、発電部20により構成されるコンデンサの極性は、図1bにおける下側の第1電極22aがプラス、上側の第2電極24aがマイナスとなる。発電部20では、カンチレバー部12の振動によって圧電体層23aが応力を受け第2電極24aと第1電極22aとに電荷の偏りが発生し、交流電圧が発生する。要するに、本実施形態の発電デバイス1は、発電部20が圧電材料の圧電効果を利用して発電する圧電型振動発電デバイスである。圧電体層23aの平面形状は、第1電極22aよりも平面サイズがやや小さく、且つ、第2電極24aよりもやや大きな、矩形状に形成されている。ここで、発電デバイス1は、支持部11とカンチレバー部12と錘部13とを結ぶ方向において、第1電極22aと圧電体層23aと第2電極24aとが重なっている領域の支持部11側の端を、支持部11とカンチレバー部12との境界に揃えてある。これにより、発電デバイス1は、上記領域の支持部11側の端が上記境界よりもカンチレバー部12側にある場合に比べて、カンチレバー部12の振動時に応力が高くなる部分に存在する発電部20の面積を大きくでき、発電効率を向上することが可能となる。圧電材料層23の圧電材料としては、PZTを採用しているが、これに限らず、例えば、PZT-PMNPbMn,NbO3やその他の不純物を添加したPZTでもよい。また、圧電材料は、AlN、ZnO、KNNK05Na05NbO3や、KNKNbO3、NNNaNbO3、KNNに不純物例えば、Li,Nb,Ta,Sb,Cuなどを添加したものなどでもよい。第1導電層22は、デバイス基板10の上記一表面上のPt膜と当該Pt膜上のSrRuO3膜との積層膜により構成してある。ここにおいて、SrRuO3膜は、圧電材料層23の圧電材料がPZTである場合に、緩衝層の機能を兼ねて設けることが好ましい。発電デバイス1は、このような緩衝層を備えていることにより、圧電材料層23の結晶性を向上させることが可能となる。ただし、圧電材料がPZTの場合、緩衝層は、SrRuO3膜に限らず、例えば、LaNiO3膜などでもよい。また、緩衝層の材料は、圧電材料に応じて適宜選択すればよい。また、緩衝層は必ずしも設ける必要はなく、第1導電層22を単一の金属材料のみにより形成してもよい。この場合、第1導電層22の材料としては、例えば、Ptを採用すればよいが、これに限らず、例えば、Au、Al、Irなどでもよい。第2導電層24は、Ti膜とAu膜との積層膜により構成してある。ここにおいて、Ti膜は、第2導電層24と圧電材料層23および絶縁層25との密着性を向上させるための密着層として設けてある。密着層の材料は、Tiに限らず、例えば、Cr、TiN、TaNなどを採用することもできる。また、第2導電層24において密着層以外の部分からなる主要部の材料は、Auに限らず、例えば、Mo、Al、Pt、Irなどでもよい。なお、密着層の材料は、第2導電層24の主要部の材料と圧電材料層23の圧電材料および絶縁層25の絶縁材料との組み合わせに応じて、各種の導電性材料から適宜選択すればよい。また、この組み合わせによっては、密着層を必ずしも設ける必要はない。ところで、本実施形態の発電デバイス1では、絶縁層25の厚みを圧電材料層23の厚みより薄く設定してある。本実施形態の発電デバイス1では、第1導電層22の厚みを500nm、圧電材料層23の厚みを3000nm、第2導電層24の厚みを500nm、絶縁層25の厚みを500nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、絶縁層25は、シリコン酸化膜により構成してあるが、シリコン酸化膜に限らず、例えば、シリコン窒化膜により構成してもよいし、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜により構成してもよい。ここにおいて、絶縁層25の絶縁材料は、SiO2やSi3N4となる。絶縁層25の絶縁材料は、圧電材料層23の圧電材料の誘電率以下の絶縁材料であればよく、SiO2やSi3N4に限らず、例えば、SiONなどでもよい。以下、本実施形態の発電デバイス1の製造方法について図2に基づいて説明する。まず、シリコン基板からなる基板10aの上記一表面側および上記他表面側それぞれにシリコン酸化膜からなる絶縁膜10b,10cを形成する絶縁膜形成工程を行う。その後、基板10aの上記一表面側の全面に第1導電層22を形成する第1導電層形成工程を行う。続いて、基板10aの上記一表面側の全面に圧電材料層23を形成する圧電材料層形成工程を行う。その後、圧電材料層23を圧電材料層23の所定の形状にパターニングする圧電材料層パターニング工程を行う。続いて、第1導電層22を第1導電層22の所定の形状にパターニングする第1導電層パターニング工程を行うことによって、図2aに示す構造を得る。上述の絶縁膜形成工程において絶縁膜10b,10cを形成する方法としては、例えば、熱酸化法を採用すればよいが、これに限らず、CVD法などを採用してもよい。また、上述の第1導電層形成工程において第1導電層22を形成する方法としては、スパッタ法を採用しているが、これに限らず、例えば、CVD法や蒸着法などを採用してもよい。また、上述の圧電材料層形成工程において圧電材料層23を形成する方法としては、スパッタ法を採用しているが、これに限らず、例えば、CVD法やゾルゲル法などを採用してもよい。また、圧電材料層パターニング工程では、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電材料層23をパターニングする。また、第1導電層パターニング工程では、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第1導電層22をパターニングする。上述の第1導電層パターニング工程の後、基板10aの上記一表面側に絶縁層25を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図2bに示す構造を得る。絶縁層形成工程では、基板10aの上記一表面側の全面に絶縁層25をCVD法などにより成膜してから、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して絶縁層25をパターニングする際に開口部25を形成する。絶縁層形成工程では、開口部25aを有する絶縁層25を、リフトオフ法を利用して形成するようにしてもよい。上述の絶縁層形成工程の後、基板10aの上記一表面側の全面に第2導電層24を形成する第2導電層形成工程を行う。その後、第2導電層24を第2導電層24の所定の形状にパターニングする第2導電層パターニング工程を行うことによって、図2cに示す構造を得る。上述の第2導電層形成工程において第2導電層24を形成する方法としては、スパッタ法を採用しているが、これに限らず、例えば、CVD法や蒸着法などを採用してもよい。また、第2導電層パターニング工程では、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第2導電層24をパターニングする。上述の第2導電層配線形成工程の後、第2導電層24の一部からなる第2のパッド24cと第1導電層22の一部からなる第1のパッド22cとの間に電圧を印加することで圧電材料層23において第2電極24aと第1電極22aに挟まれている部分の分極方向を揃える分極処理ポーリング処理工程を行う。なお、分極処理工程は、必要に応じて適宜行えばよい。上述の分極処理工程の後、基板10aの上記一表面側からカンチレバー部12、錘部13および支持部11以外の部位上述のスリット10dの形成予定領域をカンチレバー部12の厚みに対応する分だけエッチングすることで溝を形成する溝形成工程を行う。その後、基板10aの上記他表面側から錘部13および支持部11以外の部位上述のスリット10dの形成予定領域をエッチングすることで錘部13および支持部11と併せてカンチレバー部12を形成するカンチレバー部形成工程を行うことによって、図2dに示す構造の発電デバイス1を得る。上述の溝形成工程では、リソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して溝を形成する。また、上述のカンチレバー部形成工程では、リソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して、錘部13および支持部11と併せてカンチレバー部12を形成する。なお、このカンチレバー形成工程において、スリット10dが形成される。発電デバイス1の製造にあたっては、カンチレバー部形成工程が終了するまでをウェハレベルで行ってから、ダイシング工程を行うことで個々の発電デバイス1に分割するようにしている。以上説明した本実施形態の発電デバイス1は、絶縁層25の一部が第2パッド24cと圧電材料層23との間に介在し、絶縁層25の厚みが圧電材料層23の厚みよりも薄いので、製造時に第2配線24bに断線が発生するのを抑制可能となるとともに、製造後の第2配線24bの信頼性を向上させることが可能となる。しかも、本実施形態の発電デバイス1では、絶縁層25の一部が第2パッド24cと圧電材料層23との間に介在し、絶縁層25の絶縁材料の誘電率が圧電材料層23の圧電材料の誘電率以下であるので、圧電材料層23のうち厚み方向において支持部11に重なる部分23d図1b参照に起因した寄生コンデンサの寄生容量を低減することが可能となり、発電部20の容量に比べて寄生容量を十分に小さくすることが可能となる。しかして、本実施形態の発電デバイス1では、製造時の断線の発生を抑制可能であり且つ発電出力の向上を図ることが可能となる。ここで、本実施形態の発電デバイス1では、チップサイズを変更することなく発電部20の発電出力を向上させることが可能となるから、小型化を図りながらも高出力化を図ることが可能となる。また、本実施形態の発電デバイス1では、上述の断線の発生を抑制することが可能となるから、製造歩留まりの向上および信頼性の向上を図れる。また、本実施形態の発電デバイス1は、絶縁層25の外周線が、第1導電層22の外周線よりも外側にあるので、第2導電層24と第1導電層22との間に絶縁層25を確実に介在させることができるので、発電デバイス1の個体間で寄生容量がばらつくのを抑制することが可能となり、低コスト化を図ることが可能となる。また、本実施形態の発電デバイス1では、上述の製造方法でも説明したように、基板10aの上記一表面側の全面に第1導電層22を形成した後で、基板10aの上記一表面側の全面に圧電材料層23を形成してから、当該圧電材料層23をパターニングするようにしている。したがって、本実施形態の発電デバイス1では、基板10aの上記一表面側に所望の形状の第1導電層22を形成してから、基板10aの上記一表面側の全面に圧電材料層23を形成し、この圧電材料層23をパターニングするような場合に比べて、圧電材料層23の結晶性を向上でき、発電効率の向上を図れる。ところで、発電デバイス1の製造方法は、上述の例に限らず、第1導電層22上に圧電材料層23を形成するにあたって、基板第1基板10aよりも圧電材料層23との格子整合性の良い第2基板の一表面側に圧電材料層23を形成したものを形成した後で、第2基板を透過するレーザ光を利用して圧電材料層23を第1基板10aの上記一表面側に転写するようにしてもよい。このような製造方法では、圧電材料層23の結晶性を向上させることが可能となる。例えば、圧電材料層23の圧電材料がPZTであり、第1基板10aとしてシリコン基板を用いている場合、第2基板としてMgO基板を用いることにより、圧電材料層23の結晶性を向上させることが可能となる。また、MgO基板を再利用することが可能となるので、第1基板10aとしてシリコン基板よりも高価なMgO基板を用いる場合に比べて、低コスト化を図ることが可能となる。なお、第2基板の上記一表面側に圧電材料層23を形成する場合、適宜の緩衝層やシード層を介して圧電材料層23を形成することにより圧電材料層23の結晶性をより向上させることが可能となる。実施形態2本実施形態の発電デバイスについて図3に基づいて説明する。本実施形態の発電デバイス1の基本構成は実施形態1と略同じであり、圧電材料層23のうち厚み方向において支持部11に重なる部分23dの圧電性を消失させてある点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態の発電デバイス1は、圧電材料層23のうち厚み方向において支持部11に重なる部分23dと絶縁層25との間に分極破壊用の電極26が介在している。この電極26は、Ti膜とAu膜との積層膜により構成してある。ここにおいて、Ti膜は、電極26と圧電材料層23との密着性を向上させるための密着層として設けてある。密着層の材料は、Tiに限らず、例えば、Cr、TiN、TaNなどを採用することもできる。また、電極26において密着層以外の部分からなる主要部の材料は、Auに限らず、例えば、Mo、Al、Pt、Irなどでもよい。電極26の厚みと絶縁層25の厚みとの合計厚みを圧電材料層23の厚みよりも小さく設定することにより、第2配線24bの断線の発生を抑制することが可能となる。なお、密着層の材料は、電極26の主要部の材料と圧電材料層23の圧電材料との組み合わせに応じて、各種の導電性材料から適宜選択すればよい。また、この組み合わせによっては、密着層を必ずしも設ける必要はない。以下、本実施形態の発電デバイス1の製造方法について図4~図6に基づいて説明するが、実施形態1において説明した製造方法と同様の工程については説明を適宜省略する。まず、シリコン基板からなる基板10aの上記一表面側および上記他表面側それぞれにシリコン酸化膜からなる絶縁膜10b,10cを形成する絶縁膜形成工程を行う。その後、基板10aの上記一表面側の全面に第1導電層22を形成する第1導電層形成工程を行う。続いて、基板10aの上記一表面側の全面に圧電材料層23を形成する圧電材料層形成工程を行う。その後、圧電材料層23を圧電材料層23の所定の形状にパターニングする圧電材料層パターニング工程を行う。続いて、第1導電層22を第1導電層22の所定の形状にパターニングする第1導電層パターニング工程を行うことによって、図4aに示す構造を得る。上述の第1導電層パターニング工程の後、上述の分極破壊用の電極26を形成する電極形成工程を行うことによって、図4bに示す構造を得る。この電極形成工程では、例えば、基板10aの上記一表面側の全面に電極26の基礎となる第3導電層を形成してから、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第3導電層をパターニングすることによって、第3導電層の一部からなる電極26を形成すればよい。上述の電極形成工程の後、図4cに示すように、第1パッド22cと電極26とにそれぞれ通電用の針27,28を接触させて適宜の電圧を印加することで分極率を略0とする分極破壊工程を行う。この分極破壊工程では、ソーヤタワー回路を利用して分極破壊を行う。すなわち、圧電材料層23が図5aに示すような電界-分極率特性ヒステリシス特性を有しているので、図5bのように電界を変化させ、A3のポイントで電界の変化を停止することにより、分極率を略0とするつまり、圧電性を消失させることが可能となる。なお、図5aの各ポイントA1,A2,A3と図5bの各ポイントA1,A2,A3とは、1対1で対応している。上述の分極破壊工程の後、基板10aの上記一表面側に絶縁層25を形成する絶縁層形成工程を行うことによって、図6aに示す構造を得る。上述の絶縁層形成工程の後、基板10aの上記一表面側の全面に第2導電層24を形成する第2導電層形成工程を行う。その後、第2導電層24を第2導電層の所定の形状にパターニングする第2導電層パターニング工程を行うことによって、図6bに示す構造を得る。上述の第2導電層配線形成工程の後、第2導電層24の一部からなる第2のパッド24cと第1導電層22の一部からなる第1のパッド22cとの間に電圧を印加することで圧電材料層23において第2電極24aと第1電極22aに挟まれている部分の分極方向を揃える分極処理工程を行う。なお、分極処理工程は、必要に応じて適宜行えばよい。上述の分極処理工程の後、基板10aの上記一表面側からカンチレバー部12、錘部13および支持部11以外の部位上述のスリット10dの形成予定領域をカンチレバー部12の厚みに対応する分だけエッチングすることで溝を形成する溝形成工程を行う。その後、基板10aの上記他表面側から錘部13および支持部11以外の部位上述のスリット10dの形成予定領域をエッチングすることで錘部13および支持部11と併せてカンチレバー部12を形成するカンチレバー部形成工程を行うことによって、図6cに示す構造の発電デバイス1を得る。以上説明した本実施形態の発電デバイス1では、圧電材料層23のうち厚み方向において支持部11に重なる部分23dの圧電性を消失させてあるので、寄生容量を更に低減することが可能となる。なお、実施形態1,2の発電デバイス1を発電させることが可能な外部振動としては、例えば、稼動中のFA機器で発生する振動、車両の走行によって発生する振動、人の歩行によって発生する振動など、種々の環境振動がある。ここにおいて、発電デバイス1は、共振周波数が、所定の外部振動の周波数と一致するように構造設計することが好ましい。"