"基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープを、半導体ウエハの回路が形成された面に貼り付ける工程1と、前記半導体ウエハの、バックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削する工程2と、光を照射して前記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させる工程3と、前記半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける工程4と、前記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させるとともに、前記熱融着時の熱によって前記バックグラインドテープの粘着剤層から気体を発生させ、バックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部を剥離して剥離起点を形成する工程5と、前記剥離テープを引っ張ることにより、半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得る工程6と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程7とを有することを特徴とする半導体チップの製造方法。基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有することを特徴とするバックグラインドテープ。本発明は、容易にかつ高い歩留まりで半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法、及び、該半導体チップの製造方法に用いるバックグラインドテープを提供することを目的とする。本発明は、基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープを、半導体ウエハの回路が形成された面に貼り付ける工程1と、前記半導体ウエハの、バックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削する工程2と、光を照射して前記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させる工程3と、前記半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける工程4と、前記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させるとともに、前記熱融着時の熱によって前記バックグラインドテープの粘着剤層から気体を発生させ、バックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部を剥離して剥離起点を形成する工程5と、前記剥離テープを引っ張ることにより、半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得る工程6と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程7とを有する半導体チップの製造方法である。以下に本発明を詳述する。本発明者は、鋭意検討の結果、特定の構造を有するバックグラインドテープを用いることにより、ダイシングテープ、半導体ウエハ、バックグラインドテープの積層体からバックグラインドテープを剥離する際に、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープを熱融着させた場合であっても、バックグラインドテープを確実に剥離できることを見出し、本発明を完成した。上述のように、従来のバックグラインドテープを用いた場合には、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープを熱融着しても、剥離起点が生じず、バックグラインドテープを剥離できないことがある図1b。これに対して、基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープを用いた場合には、剥離テープの熱融着する際の熱によってバックグラインドテープの粘着剤層に含まれる記載発生剤から気体が発生し、該気体の圧力によってバックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部が剥離して剥離起点が形成されることから、確実にバックグラインドテープを剥離できると考えられる。本発明の半導体チップの製造方法は、バックグラインドテープを半導体ウエハの回路が形成された面に貼り付ける工程1を有する。この時点での半導体ウエハは、高純度なシリコン単結晶やガリウム砒素単結晶等をスライスして半導体ウエハとし、ウエハの表面に所定の回路パターンが形成されたものであり、厚さ500μm~1mm程度のものである。バックグラインドテープは、半導体ウエハの回路が形成されている面に貼り付ける。バックグラインドテープを貼り付けることにより半導体ウエハが保護され、工程2において半導体ウエハを研削する際に欠けや割れが発生するのを防止することができる。本発明で用いるバックグラインドテープは、基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する。このようなバックグラインドテープに光を照射すると、粘着剤層が硬化して粘着力が低下するものの、気体発生剤から気体は発生しないことから、気体による剥離圧力は発生せず、剥離してしまうことはない。一方、粘着剤層を硬化させた後に加熱すると、気体発生剤から気体が発生し、該気体による剥離圧力によって被着体との接着面の少なくとも一部が剥離する。上記バックグラインドテープの基材は、光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリアクリル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタレートPET、ナイロン、ポリウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。上記バックグラインドテープの粘着剤層は、気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる。上記光硬化型粘着剤は、例えば、ベース樹脂と光硬化性化合物とを含有する粘着剤が挙げられる。このような光硬化型粘着剤は、光照射前は充分なタックを有して貼り合わせ性や保持性に優れる一方、光照射によって粘着剤層が充分に硬化し、粘着力を低減させることができる。上記ベース樹脂は特に限定されないが、ガラス転移温度が10°C以上である樹脂が好ましく、ホモポリマーであればモノマーの種類を、コポリマーであればモノマーの組み合わせや量を適宜調整すればよい。上記光硬化性化合物は、ラジカル重合性の不飽和結合を有するモノマー又はオリゴマーが挙げられる。なかでも、分子量が5000以下であり、かつ、分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2~20個である多官能モノマー又は多官能オリゴマーが好適である。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート等が挙げられる。また、1,4-ブチレングリコールジメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、市販のオリゴエステルメタアクリレートも用いることができる。これらの光硬化性化合物は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。なお、本明細書において、メタアクリレートは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。上記ベース樹脂100重量部に対する上記光硬化性化合物の配合量の好ましい下限は10重量部、好ましい上限は40重量部である。上記光硬化性化合物の配合量が10重量部未満であると、光を照射しても充分に硬化しないことがあり、40重量部を超えると、粘着力が低下してしまうことがある。上記光硬化性化合物の配合量のより好ましい下限は15重量部、より好ましい上限は30重量部である。上記光硬化性化合物は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、250~800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。上記光重合開始剤は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビスη5-シクロペンタジエニルチタノセン誘導体化合物や、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンや、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記気体発生剤は、加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤である。このような気体発生剤を用いることにより、剥離テープを熱融着させる際の熱によって、はじめて気体を発生させることができ、剥離起点を有効に形成することができる。本明細書において光照射によっては気体を発生しない気体発生剤とは、特に400nm以下の紫外光領域に吸収領域を有さない気体発生剤を意味する。上記気体発生剤は、具体的には例えば、N,N-ジニトロソペンタメチレンテトラミン、4,4-オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジド、ヒドラゾカルボンアミド、炭酸水素ナトリウムと発泡促進剤の組み合わせ等が挙げられる。上記粘着剤層中における上記気体発生剤の配合量は特に限定されないが、上記光硬化型粘着剤100重量部に対する好ましい下限は5重量部、好ましい上限は25重量部である。上記気体発生剤の配合量が5重量部未満であると、加熱しても充分な量の気体が発生せず有効な剥離起点を形成できないことがあり、25重量部を超えると、上記粘着剤層の初期粘着力が不充分となることがある。上記気体発生剤の配合量のより好ましい下限は7重量部、より好ましい上限は20重量部である。上記バックグラインドテープの粘着剤層は、ゲル分率の好ましい下限が20、好ましい上限が50である。このような範囲のゲル分率を示すことにより、貼り合わせ性に優れ、特に、ウエハの微細な凹凸に追従しやすくなる。特に、上述したベース樹脂を含有し、かつ、ゲル分率が好ましい範囲に調整されていることにより、貼り合わせの際に加熱することにより、粘性の低い状態となり、ウエハの微細な凹凸に好適に追従する。上記バックグラインドテープの粘着剤層の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は10μmである。上記粘着剤層の厚さが10μm未満であると、凹凸に追従できなかったり、接着力が不足し研削工程時に充分に半導体ウエハを固定できないことがある。上記バックグラインドテープの粘着剤層は、半導体ウエハの回路に形成されたバンプの高さより、30μm以上厚いことが好ましい。基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープもまた、本発明の1つである。本発明の半導体チップの製造方法は、上記半導体ウエハの、バックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削する工程2を有する。バックグラインドテープにより補強されていることにより、研削時に半導体ウエハが欠けたり割れたりするのを防止することができる。上記研削する方法は特に限定されず、例えば、従来公知の研削方法により研削することができる。本発明の半導体チップの製造方法は、光を照射して上記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させる工程3を有する。光を照射することにより、上記バックグラインドテープの粘着剤層が硬化し、粘着力が低下する。しかしながら、この時点では粘着剤層中に含まれる気体発生剤からは気体は発生しないことから、完全に剥離してしまうことはなく、工程4においてダイシングテープを貼り付ける際の補強効果は維持できる。上記光の照射量としては、上記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させて、粘着力を低減することができれば特に限定されない。上記光を照射する方法としては特に限定されないが、透明な基材を用いた場合には基材側から光を照射すればよい。また、照射装置としては特に限定されないが、スキャン式の照射装置は均一な照射が難しいことから、照射面に均一に光を照射することができる照射装置で照射することが好ましい。本発明の半導体チップの製造方法は、上記半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける工程4を有する。上記ダイシングテープは特に限定されず、市販のダイシングテープを用いることができる。本発明の半導体チップの製造方法は、上記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させるとともに、上記熱融着時の熱によって上記バックグラインドテープの粘着剤層から気体を発生させ、バックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部を剥離して剥離起点を形成する工程5を有する。上記剥離テープは、上記バックグラインドテープに熱融着可能なものであれば特に限定されない。例えば、日東電工社製のBT-315等の市販品を好適に用いることができる。上記剥離テープは、上記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧することによりバックグラインドテープに熱融着させる。加熱ヘッドの位置をバックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置とすることにより、誤って剥離テープがダイシングテープにまで熱融着してしまったり、誤って剥離テープが半導体ウエハのエッジ部分にも融着してしまったりすることがない。一方、剥離テープの熱融着する際の熱によってバックグラインドテープの粘着剤層に含まれる記載発生剤から気体が発生し、該気体の圧力によってバックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部が剥離することから、確実に剥離起点が形成される。ここで、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧するとは、外周部からはみ出さなければよく、加熱ヘッドの端部が、バックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部と一致するように押圧すればよい。また、10mm以内であれば、加熱ヘッドの端部がバックグラインドテープの端部から内側の位置となるように押圧してもよい。10mm以内であれば、熱融着する際の熱によって発生した気体の圧力によって確実に剥離起点を形成させることができる。上記加熱ヘッドによりバックグラインドテープに剥離テープを熱融着する条件は特に限定されず、剥離テープを融着させることができ、かつ、上記気体発生剤より気体を発生させることができる温度を選べばよい。例えば、150~200°C程度の温度に設定した加熱ヘッドを、0.1~0.5Pa程度の圧力で押圧する方法等が挙げられる。バックグラインドテープの粘着剤層が溶融しないようにという観点で、押圧時間は20秒以内であることが好ましい。図2に、工程5において剥離起点が形成されるのを説明する模式図を示した。図21では、本発明のバックグラインドテープ7、半導体ウエハ1、ダイシングテープ2の積層体のバックグラインドテープ7上に剥離テープ4を重ね、加熱ヘッド5を押圧している。このとき、加熱ヘッド5は、その端部がバックグラインドテープ7と半導体ウエハ1との接着面の外周部と一致するように押圧する。このような位置で加熱ヘッド5を押圧することにより、バックグラインドテープ7と剥離テープ4との熱融着位置6は、バックグラインドテープ7と半導体ウエハ1との接着面の最外端部よりも若干内側となることもある。しかしながら、熱融着時の熱によりバックグラインドテープ7の粘着剤層から気体が発生して、該気体の圧力によってバックグラインドテープ7と半導体ウエハ1との少なくとも一部が剥離することから、剥離起点が形成される図22。このため、剥離テープを引っ張れば、容易に半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離することができる図23。本発明の半導体チップの製造方法は、上記剥離テープを引っ張ることにより、半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得る工程6を有する。上記工程5において剥離起点が形成されていることから、剥離テープを引っ張ることにより、容易に半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得ることができる。本発明の半導体チップの製造方法は、半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程7とを有する。上記ダイシングの方法は特に限定されず、例えば、従来公知の方法によりダイシングすることができる。このようにして得られた個々の半導体チップは、従来公知のピックアップ方法によりダイシングテープからピックアップすればよい。本発明によれば、容易にかつ高い歩留まりで半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法、及び、該半導体チップの製造方法に用いるバックグラインドテープを提供することができる。以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。実施例11バックグラインドテープの製造ベース樹脂としてエチルアクリレート57重量部とメタクリル酸メチル40重量部とヒドロエチルメタクリレート3重量部とを共重合させて得られた共重合体重量平均分子量が40万、ガラス転移温度が18°C100重量部、光硬化性化合物としてウレタンジアクリレートU-324A、新中村化学社製20重量部、光反応開始剤としてイルガキュア651チバスペシャリティーケミカルズ1重量部、気体発生剤としてカルボンジアミド化合物ネオセルボンM-1000、永和化成社製、400nm以下の波長領域における吸光係数が0、365nmにおける吸光係数が0.1以下15重量部をメチルエチルケトンMEKに溶解させて、粘着剤溶液を調製した。片面にコロナ処理を施した厚さ75μmの透明なポリエチレンテレフタレートPETフィルム上に、得られた粘着剤溶液を乾燥皮膜の厚さが約15μmとなるようにドクターナイフで塗工し、110°C、5分間加熱して乾燥させて、バックグラインドテープを得た。なお、乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。2半導体チップの製造得られたバックグラインドテープを、厚さ725μm、直径20cmのシリコンウエハの電極回路面に貼りつけた。次いで、研削後の厚さが50μmとなるまで、半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削した。バックグラインドテープ側から超高圧水銀灯を用いて、365nmの紫外線をバックグラインドテープ表面への照度が25mW/cm2となるよう照度を調節して20秒間照射した。次いで、半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープリンテック社製、D-651を貼り付けた。次いで、バックグラインドテープ上に剥離テープ日東電工社製、BT-315を重ね、200°Cに加熱した加熱ヘッドを、その端部がバックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部と一致するようにして0.2MPaの圧力で押圧して、剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させた。その後、剥離テープを引っ張ると、容易に半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離することができ、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体が得られた。その後、半導体ウエハをダイシングして、半導体チップを得た。上記操作を10の半導体ウエハについて行ったところ、全ての場合において問題なく半導体チップを製造することができた。比較例1粘着剤層に気体発生剤を配合しなかった以外は実施例1と同様にしてバックグラインドテープを製造し、得られたバックグラインドテープを用いた以外は実施例1と同様にして半導体チップを製造した。この操作を10の半導体ウエハについて行ったところ、8回は問題なく半導体チップを製造することができたものの、2回は半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離の際に端部にクラックが発生してしまい、半導体チップを製造することができなかった。比較例2粘着剤層に気体発生剤を配合しなかった以外は実施例1と同様にしてバックグラインドテープを製造した。得られたバックグラインドテープを用い、加熱ヘッドの押圧位置をバックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部から0.5mmはみ出した位置とした以外は実施例1と同様にして半導体チップを製造した。この操作を10の半導体ウエハについて行ったところ、3回は問題なく半導体チップを製造することができたものの、7回は剥離テープがダイシングテープに融着してしまい、バックグラインドテープを剥離することができず、半導体チップを製造することができなかった。"