抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法であって、前記抵抗変化素子に供給される書込み電流あるいは電圧を任意の時間刻み毎に計測し、前記書込み電流電圧によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、前記時定数を用いて前記抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間書き込み時間を計算することを含む抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。書込み電流電圧から計算される前記時定数を有するRLC回路を仮想的に定義し、前記RLC回路に用いられる抵抗素子、容量素子、インダクタ素子の内、少なくとも一素子のパラメータを前記時定数に基づいて変化させることを含む請求項1記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。前記書込み電流電圧が任意のしきい値を超えた場合に、前記RLC回路へステップ波形を入力し、前記しきい値を下回った場合に、前記ステップ入力を停止することを特徴とする請求項2記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。前記RLC回路出力のステップ応答から抵抗値を変化させるか否かを判定することを含む請求項3記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。前記書込み電流電圧が任意のしきい値よりも大きい場合に、書込み電流電圧から前記時定数を計算し、前記しきい値よりも小さい場合は、予め規定された時定数に設定されることを特徴とする請求項2記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。前記しきい値を複数有し、前記書込み電流電圧と複数のしきい値との大小関係によってそれぞれ異なる計算式によって前記時定数が計算されることを特徴とする請求項5記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。前記抵抗変化素子が磁気抵抗素子MTJ素子であることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。書込み電流電圧から計算される前記時定数を有するRC回路を仮想的に定義し、前記RC回路に用いられる抵抗素子、容量素子の内、少なくとも一素子のパラメータを前記時定数に基づいて変化させることを含む請求項1記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、前記書込み電流電圧が任意のしきい値を超えた場合に、前記RC回路へステップ波形を入力し、前記しきい値を下回った場合に、前記ステップ入力を停止することを特徴とする請求項8記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。請求項1乃至9のいずれか1に記載の抵抗変化素子の動作シミュレーションする方法によって抵抗変化素子の抵抗値を変化させるタイミングを計算する回路シミュレータプログラム。抵抗変化素子に供給される書込み電流あるいは電圧を任意の時間刻み毎に計測し、前記書込み電流電圧によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、前記時定数を用いて前記抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間書き込み時間を計算することを含む抵抗変化素子の動作をシミュレーションする回路シミュレータ。スピントロニクス素子を組み込んだ論理集積回路を設計するには、回路が仕様通りに動作するか回路シミュレータでシミュレーションして確認する必要がある。しかし、現在流通している商用の回路シミュレータ一般にSPICEと呼ばれるは、トランジスタや抵抗、容量、インダクタのモデルには対応するものの、MTJ素子のモデルに対応するものは存在しない。従って、MTJ素子の磁化反転過程、及び、抵抗特性を理想電源や理想トランジスタあるいは理想スィッチ等を使って等価回路を作成し、それをサブサーキットとして利用する方法が考えられる。この方法では、1つのMTJ素子を再現するのに数10素子を要し、さらに端子数も数10に達する。このため、計算量が著しく増大し、シミュレーション時間が爆発的に増加してしまう。よって、大規模な論理演算回路の設計に適用することが困難である。また、上記の簡易的なMTJ素子のサブサーキットモデルでは、実デバイス上の諸特性が様々なパラメータによってアナログ的に変化する振る舞いを完全に模擬することが不可能である。例えば、MTJ抵抗値が両端電圧によって変化するバイアス依存性や温度依存性、また、磁化反転に要する電流値が書込み電流のパルス幅や温度によって変化すること等があげられる。このMTJ素子特有の諸特性が高精度にモデル化されていないと、致命的な回路設計ミスを起こしかねない。例えば、動作電圧や温度を保証する設計が困難になったり、電流パルス幅が適切でないために書込み動作が不安定になる等、動作不良を未然に防ぐ設計をすることが困難である。このように、MTJ素子を実素子の特性に合わせて忠実に再現できるモデル化を行い、そのモデルを回路シミュレータに組み込んで高速にシミュレーションできるようにすることはスピントロニクス論理集積回路を設計する上で必要不可欠な技術である。しかし、磁化反転に係る過渡応答については、スピントロニクス分野の物理的な動作原理を、エレクトロニクス分野電荷モデルによる計算手法を組み込んだ従来の回路シミュレータに組み込むのは多大な開発期間と費用を要してしまう。本発明は、回路シミュレーションのための抵抗変化素子の動作モデルを高精度に実現し、シミュレーション時間のオーバヘッドを少なくすることのできる、抵抗変化素子、及び、抵抗変化素子を含む回路の動作をシミュレーションする方法を提供する。本発明によれば、MTJ素子等の抵抗変化素子に供給される書込み電流あるいは電圧を任意の時間刻み毎に計測し、上記書込み電流電圧によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、その時定数を用いて抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間書き込み時間を計算することを含む抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法が得られる。また、一実施形態では、シミュレーションする方法は、書込み電流電圧から計算される前記時定数を有するRLC回路を仮想的に定義し、前記RLC回路に用いられる抵抗素子、容量素子、インダクタ素子の内、少なくとも一素子のパラメータを前記時定数に基づいて変化させることを含む。また、一実施形態では、シミュレーションする方法は、前記書込み電流電圧が任意のしきい値を超えた場合に、前記RLC回路へステップ波形を入力し、前記しきい値を下回った場合に、前記ステップ入力を停止することを含む。また、一実施形態では、シミュレーションする方法は、上記RLC回路出力のステップ応答から抵抗値を変化させるか否かを判定することを含む。また、一実施形態では、前記書込み電流電圧が任意のしきい値よりも大きい場合に、書込み電流電圧から前記時定数を計算し、前記しきい値よりも小さい場合は、予め規定された時定数に設定される。また、一実施形態では、上記しきい値を複数有し、上記書込み電流電圧と複数のしきい値との大小関係によってそれぞれ異なる計算式によって上記時定数が計算される。また、本発明によれば、MTJ素子等の抵抗変化素子に供給される書込み電流あるいは電圧を任意の時間刻み毎に計測し、上記書込み電流電圧によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、その時定数を用いて抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間書き込み時間を計算することを含む抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法をコンピュータで実行するためのプログラムが得られる。また、本発明によれば、抵抗変化素子に供給される書込み電流あるいは電圧を任意の時間刻み毎に計測し、前記書込み電流電圧によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、前記時定数を用いて前記抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間書き込み時間を計算することを含む抵抗変化素子の動作をシミュレーションする回路シミュレータが得られる。本発明は、MTJ素子等の抵抗変化素子の磁化反転に要する電流値と時間との依存性が含まれるようにモデル化したものでであって、このモデルは従来の回路シミュレータに組み込み易い。さらに、本発明によって高速、且つ、高精度に抵抗変化素子及び抵抗変化素子を含む回路の動作をシミュレーションすることができる。本発明の実施形態を説明する前に、典型的なMTJ素子における磁化反転電流と時間の関係について詳述する。図3は非特許文献2に記載の磁化反転電流本文献では臨界電流ICと称していると磁化緩和時定数τpの関係を図示したものである。図3の1tの線は、熱アシストモデルによる臨界電流ICを示しており、次式で表される。IC=IC0{1-kBT/ElnτP/τ0}1ここで、kBはボルツマン定数、Tは絶対温度、Eはエネルギーバリア、τ0は熱反転における試行時間~1nsである。スピン注入磁化反転方式の場合は、τPが20ns程度以上の場合において1式が実測値に良く合致することが知られている。また、印加磁場による磁化反転方式の場合は、IC=IC0[{1-kBT/ElnτP/τ0}0.5]1’のように変形され、τPが数ns程度以上の場合において1’式が実測値に良く合致することが知られている。さらに、図3の2sの線は、スピン注入方式におけるスピントルク効果モデルによる臨界電流ICを示しており、次式で表される。IC=IC0[1τrelax/τPln{π/2√kBT/E}]2ここで、τrelaxは磁気モーメントの緩和時間である。図3に示すように、τPが20ns程度以下の場合において2式が実測値に良く合致することが知られている。磁化反転電流と電流印加時間電流パルス幅依存性を調べる実験においては、電流パルス幅tW=τPに対して磁化反転確率が63となる電流値Iw=ICを調査する。即ち、図3のA線の方向で計測が行われる。しかし、回路シミュレーションを行う際には、MTJ素子に流れる書込み電流IWをモニタしながら磁化反転に要する時間tWを計算図3のB線の方向する必要がある。本発明は、モデル化された物理パラメータから磁化反転時間tWを高精度に効率よく計算するためのアルゴリズムに係るものであり、以下、実施の形態を図面に基づいて説明する。本発明による回路シミュレータにおけるMTJ素子の磁化反転時間を計算するアルゴリズムについて、図4を用いながら説明する。先述したように、臨界電流ICは磁化反転緩和時定数τPの式で表される。即ち、1~2式を緩和時定数τPを臨海電流ICの式で表すと、それぞれ以下のようになる。τP=τ0exp[E/kBT{1-IC/IC0}n]3τP=τrelaxln{π/2√kBT/E}/{IC/IC0-1}4ここで、3式は1式、及び、1’式から導出された熱アシストモデルにおける逆算式であり、スピン注入素子の場合はn=1、磁場書き方式の素子の場合はn=2とする。4式は2式から導出されたスピントルク効果モデルにおける逆算式である。回路シミュレーションにおいて、MTJ素子に流れる電流IWを3式、4式のICとして代入して得られるτPの値は、電流IWが素子に印加された時刻からτP経過すると、磁化反転確率が63となることを表している。即ち、電流印加時刻から時間t経過した時の磁化反転確率Pは次式のようになる。P=1-exp-t/τP5もし、図4に示すRC回路の時定数をτPと等しくすれば、そのステップ応答は磁化反転確率と等価的に見ても差し支えない。従って、任意の書込み電流IWがMTJ素子に印加された場合の磁化反転時間の計算アルゴリズムはおよそ以下のようになる。iIWが任意のしきい値電流Ic_minを越えるとステップ入力をRC回路に印加する。ここで、しきい値電流Ic_minは式1においてτPが1秒程度の時のICの値を設定する。ii3式、あるいは4式からτPを求め、τP=RPRBCPRBからRPRBとCPRBの値を決定する。iiiRC回路の出力電圧が任意のしきい値を越えると磁化反転したとみたて、MTJ素子抵抗値を変化させる。回路シミュレーションで過渡応答を計算する場合、時間刻みΔtで変化する時刻毎に上記i~iiiのアルゴリズムに基づいて計算を行う。より詳細な計算アルゴリズムを図5に示す。ここで、シミュレーション上の時刻t0からt1=t0Δtに変化したと仮定するA0。また、書込み電流値IWは書込みデータに応じて正負の符号を持つが、平行化、及び反平行化のいずれの場合も同じ計算フローであるため、図5では絶対値として取り扱うこととする。時刻t1において、MTJ素子に流れる書込み電流値|IWt1|が任意のしきい値電流値|Ic_min|よりも大きいか否かを比較するA1。もし、書込み電流値がしきい値電流値よりも大きい場合はRC回路にステップ入力、即ち、|VRCINt1|=|VH|の電圧を印加するA2。同時に、τPの算出を行いA3、RPRBt1、あるいはCPRBt1の値を変更するA4。RC回路のステップ応答が任意のしきい値電圧|PTH|に対して、|VRCOUTt0|<|PTH|かつ、|VRCOUTt1|≧|PTH|であればA5、MTJ素子の磁化を反転させるA6。上記A1の分岐で、もし書込み電流値がしきい値電流値よりも小さい場合はRC回路にステップ入力を印加しない。即ち、|VRCINt1|=|VL|=0VのままであるB2。また、τPは磁化反転しない固有の時定数τNOSWに設定されB3、その時定数に応じてRPRBt1、あるいはCPRBt1を変更するB4。この場合、磁化反転はさせず磁化状態を保持する。図6は、図5のフローチャートに基づいて過渡応答をシミュレーションした場合の概略図を示している。MTJ素子の磁化を平行化するため、時刻T0からT1の期間において書込み電流パルスIW0を正の方向に印加している。さらに、磁化を反平行化するために時刻T2からT3の期間において書込み電流パルスIW1を負の方向に印加している。時刻T0においてIW0>Ic_min0であるから、3式よりτP0が計算され、RPRBCPRBは固定値と仮定が計算される。τP0とRPRBはシミュレーション時間刻み毎に再計算され更新される。さらに時刻T0において、RC回路にステップ波形VRCIN=1Vが入力される。RC回路のステップ応答VRCOUTが、予め規定されたしきい値PTHよりも大きくなるタイミング時刻TR0でMTJ素子の磁化を反転させ、MTJ素子抵抗は低抵抗のRPとなる。時刻T1に達すると、書込み電流の供給が停止されIW0>Ic_min0、RC回路の時定数は予め規定されたτNOSWに設定される。同時にRC回路へ入力されていたステップ波形が停止となるVRCIN=0V。時刻T2においてIW1<-Ic_min1であるから、3式よりτP1が計算され、RPRBが計算される。さらに時刻T2において、RC回路にステップ波形VRCIN=-1Vが入力され、そのステップ応答VRCOUTが、予め規定されたしきい値-PTHよりも小さくなるタイミング時刻TR1でMTJ素子の磁化を反転させ、MTJ素子抵抗は高抵抗のRAPとなる。時刻T3に達すると、書込み電流の供給が停止されIW0<-Ic_min1、RC回路の時定数は予め規定されたτNOSWに設定される。同時にRC回路へ入力されていたステップ波形が停止となるVRCIN=0V。以上、本発明によるMTJ素子の磁化反転を組み込んだ過渡応答シミュレーションの計算アルゴリズムを説明したが、図6の例では書込み電流波形が単純なパルス波形であった。実際には、図7に示すように電流波形の立ち上がりがなまっていたり、リンギング波形であったりする。本計算アルゴリズムでは、シミュレーション時間刻み毎に時定数τPを変化させることが可能であるから、電流波形形状による磁化反転時間を正確に計算することが可能である。また、先述したサブサーキットモデルを用いた場合は一つのMTJ素子につき計算を要する端子数が数10端子にも及んだ。本発明による計算方法によれば、計算を要する端子数の増分をわずか2端子図4では、VRCINとVRCOUTに抑えられるため、大規模な回路シミュレーションにも適用できる。さらに、図4のRC回路の過渡応答式をプログラムに組み込むことでさらに高速化を図ることが可能である。先の第一実施例では、磁化反転が数10nsの領域である熱アシストモデル図3の1tの特性、及び、式1、3に基づいて説明を行った。スピン注入方式のMTJ素子の場合は、磁化反転が数nsである領域はスピントルク効果モデルも考慮する必要がある。即ち、回路シミュレーションの計算過程、具体的にはτPの計算において、書込み電流値によって式3と式4を使い分ける必要がある。この場合の計算アルゴリズムを図8に示す。また、書込み電流値IWは書込みデータに応じて正負の符号を持つが、平行化、及び反平行化のいずれの場合も同じ計算フローであるため、図8では絶対値として取り扱うこととする。図8に示すように、本実施例では書込み電流値が|Ic_min|よりも大きいか否かだけではなく、式2の|IC0|よりも大きいか否かもモニタする。時刻t1において書込み電流値|IWt1|≧|Ic_min|である場合A1、RC回路にステップ入力、即ち、|VRCINt1|=|VH|の電圧を印加するA2。さらに、|IWt1|≧|IC0|である場合A7、スピントルク効果モデルの式4を使ってτPを計算するA3’。もし、|IWt1|<|IC0|であれば、熱アシストモデルの式3を使ってτPを計算するA3。その後の計算フローA4~A6は第一実施例と同じであるので説明を省略する。また、ステップA1で|IWt1|<|Ic_min|であった場合の計算フローB2~B6についても第一実施例と同じであるため説明を省略する。本実施例の計算アルゴリズムによると、過渡応答シミュレーションにおける磁化反転時間tWの精度がさらに向上する。例えば、図9のように書込み電流波形が変化した場合を考える。時刻T0からT1の期間は、書込み電流値IWはIc_minよりも大きく、且つ、IC0よりも小さいので熱アシストモデルの式3からτPが計算される。時刻T1からT2の期間は、IWはIC0よりも大きくなるのでスピントルク効果の式4からτPが計算される。時刻T2からT3の期間は、IWはIc_minよりも大きく、且つ、IC0よりも小さいので熱アシストモデルの式3からτPが計算される。図9の実線は、この方法によって計算されるτPを表し、点線は第一実施例によるτPを表している。本実施例による計算方法では、IW≧IC0の条件下時刻T1-T2において、式4から計算されるτPスピンが、式3から計算されるτP熱よりも大きい値になる。即ち、IW≧IC0の条件下では磁化反転特性がスピントルク効果に支配的になる図3の特性に合っていることを意味しており、シミュレーション精度が向上する。本発明の実施形態によれば、回路シミュレーションのためのMTJ素子の動作モデルを高精度に実現でき、且つ、シミュレーション時間のオーバヘッドを最小限にする計算アルゴリズムが得られ、さらに、MTJ素子モデルを適用できる回路シミュレータを最小限のプログラム変更で実現できる。本発明は上記実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変更され得ることは明らかである。例えば、上述の実施形態は二端子のMTJ素子図1を例に説明したが、図2に記載の三端子のMTJ素子は書込み電流経路が異なるだけであり、この素子への適用も本発明の範囲内にあることは明確である。また、上述の実施例では、書込み電流電圧から計算される時定数を有するRC回路を仮想的に定義し、RC回路に用いられる抵抗素子、容量素子の内、少なくとも一素子のパラメータを前記時定数に基づいて変化させることにしたが、RC回路は、RLC回路であってもよい。この場合、RLC回路に用いられる抵抗素子、容量素子、インダクタ素子の内、少なくとも一素子のパラメータを前記時定数に基づいて変化させる。上述した実施形態の1部又は、全部は、以下の付記のようにも記載できるが、これらには限らない。付記1抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法であって、前記抵抗変化素子に供給される書込み電流あるいは電圧を任意の時間刻み毎に計測し、前記書込み電流電圧によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、前記時定数を用いて前記抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間書き込み時間を計算する回路シミュレータの計算アルゴリズムによって抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記2前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、書込み電流電圧から計算される前記時定数を有するRLC回路を仮想的に定義し、前記RLC回路に用いられる抵抗素子、容量素子、インダクタ素子の内、少なくとも一素子のパラメータを前記時定数に基づいて変化させることを特徴とする付記1記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記3前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、前記書込み電流電圧が任意のしきい値を超えた場合に、前記RLC回路へステップ波形を入力し、前記しきい値を下回った場合に、前記ステップ入力を停止することを特徴とする付記2記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記4前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、前記RLC回路出力のステップ応答から抵抗値を変化させるか否かを判定することを特徴とする付記3記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記5前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、前記書込み電流電圧が任意のしきい値よりも大きい場合に、書込み電流電圧から前記時定数を計算し、前記しきい値よりも小さい場合は、予め規定された時定数に設定されることを特徴とする付記2記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記6前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、前記しきい値を複数有し、前記書込み電流電圧と複数のしきい値との大小関係によってそれぞれ異なる計算式によって前記時定数が計算されることを特徴とする付記5記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記7前記抵抗変化素子が磁気抵抗素子MTJ素子であることを特徴とする付記1記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記8前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、書込み電流電圧から計算される前記時定数を有するRC回路を仮想的に定義し、前記RC回路に用いられる抵抗素子、容量素子の内、少なくとも一素子のパラメータを前記時定数に基づいて変化させることを特徴とする付記1記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記9前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、前記書込み電流電圧が任意のしきい値を超えた場合に、前記RC回路へステップ波形を入力し、前記しきい値を下回った場合に、前記ステップ入力を停止することを特徴とする付記8記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記10付記1乃至9のいずれか1に記載の抵抗変化素子の動作シミュレーション方法によって抵抗変化素子の抵抗値を変化させるタイミングを計算する回路シミュレータプログラム。付記11前記回路シミュレータの計算アルゴリズムは、前記RC回路出力のステップ応答から抵抗値を変化させるか否かを判定することを特徴とする付記8記載の抵抗変化素子の動作をシミュレーションする方法。付記12抵抗変化素子に供給される書込み電流あるいは電圧を任意の時間刻み毎に計測し、前記書込み電流電圧によって時間刻み毎に変化する時定数を定義し、前記時定数を用いて前記抵抗変化素子の抵抗値が変化するのに要する時間書き込み時間を計算することを含む抵抗変化素子の動作をシミュレーションする回路シミュレータ。