出力導波路34上に多重化される、対応する複数の異なる波長での複数の光学信号を生成するように構成される光送信器であって、それぞれ第1の波長および異なる第2の波長での光を放射するように構成される、異なる第1の活性材料および第2の活性材料を備える、第1の変換器31aaおよび第2の変換器31abであって、前記第1の活性材料が、前記第2の波長での前記光を吸収するように構成され、前記第2の波長が、前記第1の波長より小さい、第1の変換器31aaおよび第2の変換器31abと、前記第1の変換器31aaおよび前記第2の変換器31abの、前記第1の材料および前記第2の材料を横断する第1の変換器導波路37aであって、前記第2の材料が、前記第1の変換器導波路37aの出力端部にあり、前記第1の材料が、前記第1の変換器導波路37aの前記出力端部の上流である入力端部にあり、前記第2の活性材料が、前記第1の波長での前記光に対して透過的であり、前記第1の変換器導波路37aの前記出力端部が、前記出力導波路34に結合される、第1の変換器導波路37aとを備える、送信器。前記第1の変換器31aaが、前記第1の活性材料を使用する第1のレーザを備え、前記第2の変換器31abが、前記第2の活性材料を使用する第2のレーザを備える、請求項1に記載の送信器。前記第1の変換器31aaが、前記第1の波長に関連付けられる第1の回折格子周期での第1の回折格子36aaを備え、前記第2の変換器31abが、前記第2の波長に関連付けられる第2の回折格子周期での第2の回折格子36abを備える、請求項1乃至2のいずれか1項に記載の送信器。前記第1の変換器31aaの出力端部に、および前記第2の変換器31abの入力端部に布置される半透明反射器35abであって、前記第2の波長での光に対して実質的に反射的である、半透明反射器35abをさらに備える、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の送信器。前記第1の材料および前記第2の材料が、ガリウム、インジウム、アルミニウム、亜リン酸、および/またはヒ化物を含む材料の群からの半導体材料であり、前記送信器が、フォトニック集積回路である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の送信器。前記送信器が、光低密度波長分割多重化送信器である、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の送信器。前記送信器が、k=1、...、Kであり、n=1、...、Nであり、ここでK>1であり、N>1である、N個の変換器CknのK個の群31a、31b、31c、31dを備え、各々の群が、変換器導波路Wk上に多重化される、n=1、...、Nである波長λknでのN個の光学信号を含む直列多重化された光学信号Skを生成するように構成され、前記変換器Cknがそれぞれ、前記波長λknでの光を放射するように構成される異なる活性材料Mknを備え、前記第1の変換器31aaおよび前記第2の変換器31abがそれぞれ、前記変換器C11およびC12に対応し、前記第1の活性材料および前記第2の活性材料がそれぞれ、前記材料M11およびM12に対応し、前記第1の変換器導波路37aが、N個の光変換器C1nの前記第1の群の前記変換器導波路W1に対応し、k=1、...、Kである前記変換器導波路Wkが、光変換器の前記第kの群の、n=1、...、Nである前記N個の活性材料Mknを横断し、材料MkNが、前記導波路Wkの出力端部にあり、材料Mk1が、前記導波路Wkの前記出力端部の上流である入力端部にあり、材料Mkiが、j<iである波長λkjでの光に対して透過的であるように構成され、材料Mkiが、j>iである波長λkjでの光を吸収するように構成され、前記送信器が、前記K個の変換器導波路Wkの前記出力端部での前記K個の直列多重化された光学信号Skを、前記出力導波路34上に多重化するように構成される光コンバイナ32、33を備える、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の送信器。前記変換器Cknがそれぞれ、回折格子周期Λknでの回折格子Gknを備え、前記第1の回折格子36aaおよび前記第2の回折格子36abがそれぞれ、前記回折格子G11およびG12に対応し、前記回折格子周期Λknが、前記対応する変換器Cknにより放射される前記光の前記波長λknに関連付けられる、請求項7に記載の送信器。変換器Cknの前記K個の群が、前記K個のコンバイナ導波路Wkの前記出力端部が相互に対して横方向の距離をおくように、相互に対して横方向に隔置され、前記コンバイナが、前記K個のコンバイナ導波路Wk間の前記横方向の距離が漸進的に低減される、第1の統合部32を備え、前記コンバイナが、前記直列多重化された光学信号Skが、前記出力導波路に通じる接合導波路内部で重畳される、第2の統合部33を備える、請求項7乃至8のいずれか1項に記載の送信器。前記第1の統合部32が、前記K個のコンバイナ導波路Wk間の前記距離を漸進的に低減するように構成される複数のS字導波路を備える、請求項9に記載の送信器。前記コンバイナ32、33が、マルチモード干渉マルチプレクサである、請求項7乃至10のいずれか1項に記載の送信器。前記活性材料Mknおよび前記対応する波長λknが、前記コンバイナ導波路Wkに沿った変換器の前記第kの群の隣接する変換器Cki、Cki1の少なくとも1つの対に対して、変換器Cki1により放射される波長λki1より大きく、変換器Ckiにより放射される波長λkiより小さい、k=1、...、Kであり、n=1、...、Nである波長λknの組のK-1個の波長が存在するように配置構成される、請求項7乃至11のいずれか1項に記載の送信器。前記活性材料Mknおよび前記対応する波長λknが、任意のk>iに対してλkn>λinであり、任意のi>nに対してλkn>λkiであるように配置構成される、請求項12に記載の送信器。出力導波路上に多重化される、対応する複数の異なる波長での複数の光学信号を生成するための方法であって、第1の波長および異なる第2の波長での光を放射するように構成される、異なる第1の活性材料および第2の活性材料を備える、第1の変換器31aaおよび第2の変換器31abを用意するステップであって、前記第1の活性材料が、前記第2の波長での前記光を吸収するように構成され、前記第2の波長が、前記第1の波長より小さいステップと、前記第1の変換器31aaおよび前記第2の変換器31abの、前記第1の材料および前記第2の材料を横断する第1の変換器導波路37aを用意するステップであって、前記第2の材料が、前記第1の変換器導波路37aの出力端部にあり、前記第1の材料が、前記第1の変換器導波路37aの前記出力端部の上流である入力端部にあり、前記第2の活性材料が、前記第1の波長での前記光に対して透過的であり、前記第1の変換器導波路37aの前記出力端部が、前記出力導波路34に結合されるステップとを含む、方法。アクセスネットワークでは、ネットワーク構成要素、例えばWDM送信器のコストは重要な問題点である。結果としてWDMは、非冷却の光放射器を使用するために、例えば20nmの波長間隔を伴って低密度になる可能性が最も高いことになる。さらに、低い製造コストでWDM送信器を提供するためには、高度の集積化を実現することが望ましい、すなわち、PICの限られた空間上で大きな数の異なる波長での光を送信可能なWDM送信器を提供することが望ましい。本文書では、そのようなWDM送信器およびそのようなWDM送信器を実装するための対応する方法を説明する。ある態様にしたがって、光送信器または光放射器を説明する。詳細には、光CWDM放射器または送信器を説明する。放射器または送信器は、フォトニック集積回路PIC上に集積され得る。送信器は、出力導波路上に多重化される、対応する複数の異なる波長での複数の光学信号を生成するように構成され得る。波長は、1300nmから1600nmの範囲内であり得る。波長間の間隔は、約20nm以上であり得る。送信器は、第1の波長および異なる第2の波長での光を放射するように構成される、異なる第1の活性材料および第2の活性材料を備える、第1の変換器および第2の変換器を備え得る。第1の変換器および第2の変換器は、電気信号を光学信号に変換するように構成される電気光変換器であり得る。詳細には変換器は、変調された電気信号を変調された光学信号に変換するように構成され得る。送信器は、第1の変換器および第2の変換器の、第1の材料および第2の材料を、横断または通過する第1の変換器導波路を備え得る。第2の材料は、第1の変換器導波路の出力端部にあり得るものであり、第1の材料は、第1の変換器導波路の出力端部の上流または反対側である入力端部例えば送信器の後方端部にあり得る。第1の変換器導波路の出力端部は、光送信器の出力端部に、すなわち出力導波路に向けられ得る。換言すれば、第1の変換器導波路の出力端部は、典型的には出力導波路に通じる。第2の活性材料は、第1の波長での光に対して透過的であり得る。他方で第1の活性材料は、第2の波長での光を吸収するように構成され得る。このことは、適切な半導体材料、例えばインジウムIn、ガリウムGa、アルミニウムAl、ヒ化物As、および/または亜リン酸Pの適切な組成物を選択することにより実現することができる。詳細にはこのことは、第2の波長が第1の波長より小さい場合に実現することができる。変換器を、第1の変換器の出力端部に、および第2の変換器の入力端部に布置される半透明反射器により離隔することができ、半透明反射器は、第2の波長での光に対して実質的に反射的である。このことを行うことにより、第1の波長と第2の波長との間の後部方向のクロストークを低減することができる。加えて半透明反射器は、第1の波長での光に対して透過的であり得る。第1の変換器が、第1の活性材料を使用する第1のレーザを備え得るとともに、第2の変換器が、第2の活性材料を使用する第2のレーザを備え得る。レーザは、分布帰還型レーザDFBであり得る。そのようなレーザは、第1の変換器導波路に沿った回折格子を備え得る。そのような回折格子は、第1の変換器導波路の材料の屈折率の周期的な変動を含み得るものであり、周期的な変動の長さを、典型的には回折格子周期または回折格子ピッチΛと呼ぶ。詳細には第1の変換器は、第1の回折格子周期での第1の回折格子を備え得るものであり、第1の回折格子周期は、第1の波長に基づいて選択される、すなわち第1の回折格子周期は、第1の波長に関連付けられる。加えて第2の変換器は、第2の回折格子周期での第2の回折格子を備え得るものであり、第2の回折格子周期は、第2の波長に基づいて選択される、すなわち第2の回折格子周期は、第2の波長に関連付けられる。第1の回折格子および第2の回折格子、すなわちそれらの実効屈折率neffおよび/またはそれらの回折格子周期は、典型的にはそれぞれ第1の波長および第2の波長で高い反射率を有するように構成される。さらに第1の回折格子および第2の回折格子はそれぞれ、第1の波長および第2の波長以外の波長で透過的であるように構成され得る。送信器は、k=1、...、Kであり、n=1、...、Nであり、ここでK>1であり、N>1である、N個の変換器CknのK個の群を備え得る。すなわち、変換器の第1の群の一部であり得る第1の変換器および第2の変換器に加えて、送信器は、変換器の追加的な群を備え得る。Kは、2、4、および/または8以上であり得る。Kは、4、8、16、または32以下であり得る。Nは、2、3、4、8以上であり得る。Nは、4、8、16、または32以下であり得る。変換器の各々の群は、対応する変換器導波路Wk上に多重化される、波長λknでのN個の光学信号Sknを生成するように構成され得る。結果として、n=1、...、NであるN個の異なる波長λknを含む直列多重化された光学信号Skが、変換器導波路Wkの出力端部で取得され得る。すなわち第1の変換器導波路に加えて、送信器は、変換器の他の追加的な群に対するさらなる変換器導波路Wkを備え得る。変換器Cknはそれぞれ、波長λknでの光を放射するように構成される異なる活性材料Mknを備え得る。すなわち各々の変換器は、異なる波長での光を放射するように構成される異なる活性材料を備え得る。上記ですでに示したように、第1の変換器および第2の変換器はそれぞれ、変換器C11およびC12に対応し得る。さらに第1の活性材料および第2の活性材料はそれぞれ、材料M11およびM12に対応し得る。加えて第1の変換器導波路は、n=1、...、NであるN個の光変換器C1nの第1の群を横断する変換器導波路W1に対応し得る。第1の変換器導波路に対してと同様の様式で、k=1、...、Kである変換器導波路Wkは、光変換器の第kの群の、n=1、...、NであるN個の活性材料Mknを横断する。換言すれば光変換器の各々の群は、専用の変換器導波路Wkにより横断される。一般性を失うことなく、変換器、波長、および材料のインデックス付けは、すべてのkに対して材料MkNが、導波路Wkの出力端部にあり、材料Mk1が、導波路Wkの出力端部の上流および/または反対側である入力端部にあるようなものである。変換器の第kの群に沿った直列多重化を遂行するために、材料Mkiは、j<iである波長λkjでの光に対して透過的であるように、かつ/または、その光を、影響を受けない状態にしておくように構成され得る。この条件は、すべてのi、j=1、...、Nに対して満たされ得る。代わりに、または加えて、材料Mkiは、j>iである波長λkjでの光を吸収するように構成され得る。この条件は、すべてのi、j=1、...、Nに対して満たされ得る。換言すれば異なる材料Mkiによって、光の選択的な吸収または通過が、光の波長λkjに応じてもたらされ得る。j<iである波長λkjでの光は、材料Mkiを通過可能であり、一方でj>iである波長λkjでの光は、材料Mkiにより吸収され得る。送信器は、K個の変換器導波路Wkの出力端部でのK個の直列多重化された光学信号Skを、出力導波路上に多重化するように構成される光コンバイナを備え得る。このことは、AWGアレイ導波路回折格子多重化またはMMIマルチモード干渉多重化などの並列多重化技法を使用して行うことができる。変換器CknのK個の群は、K個のコンバイナ導波路Wkの出力端部が相互に対して横方向の距離をおくように、相互に対して横方向に隔置され得る。換言すれば変換器の群は、それらのそれぞれのコンバイナ導波路Wkに対して並列に配置され得る。すなわち、変換器CknのK個の群を横断するコンバイナ導波路Wkは並列であり得る。コンバイナは、K個のコンバイナ導波路Wk間の横方向の距離が漸進的に低減される、第1の統合部を備え得る。さらにコンバイナは、コンバイナ導波路Wkで搬送される異なる波長λknでの光、すなわち、K個の直列多重化された光学信号Skが、出力導波路に通じる接合導波路内部で重畳される、第2の統合部を備え得る。第1の統合部は、K個のコンバイナ導波路Wk間の距離を漸進的に低減するように構成される複数のS字導波路を備え得る。好ましくは各々のコンバイナ導波路Wkは、対応するS字導波路に結合される。接合コンバイナ導波路Wk上に多重化される波長間のクロストークを低減するために、活性材料Mknおよび対応する波長λknは、コンバイナ導波路Wkに沿った変換器の第kの群の隣接する変換器Cki、Cki1の一部または全部の対に対して、変換器Cki1により放射される波長λki1より大きく、変換器Ckiにより放射される波長λkiより小さい、k=1、...、Kであり、n=1、...、Nである多重化される波長λknの組のK-1個の波長が存在するように配置構成され得る。ある実施形態では、活性材料Mknおよび対応する波長λknは、任意のk>iに対してλkn>λinであり、任意のi>nに対してλkn>λkiであるように配置構成され得る。上記で概説したように、k=1、...、Kであり、n=1、...、Nである変換器Cknは、レーザ、詳細にはDFBレーザであり得る。したがって変換器Cknはそれぞれ、k=1、...、Kであり、n=1、...、Nである回折格子周期Λknでの、k=1、...、Kであり、n=1、...、Nである対応する回折格子Gknを備え得る。回折格子Gknは、変換器Ckn内部での変換器導波路Wkの屈折率の周期的な変動として実装され得る。すなわち回折格子Gknは、変換器導波路Wk内部に実装され得るものであり、回折格子は、変換器導波路により横断される各々の変換器に対して異なる場合がある。代わりに、または加えて、回折格子Gknは、変換器導波路Wkに平行な別個の層に実装され得る。回折格子Gknの回折格子周期Λknは、波長λknでの光が反射されるように選択され得る、すなわち、回折格子Gknの回折格子周期Λknは、波長λknに関連付けられ得る。さらに回折格子Gknの回折格子周期Λknは、その回折格子が波長λkn以外の波長での光に対して透過的であるように選択され得る。詳細には回折格子Gknの回折格子周期Λknは、その回折格子がj<kに対して、波長λjnでの光に対して透過的であるように選択され得る。ある実施形態では、回折格子周期Λknは次式のように選択される。ただし、neffは回折格子Gknの実効屈折率である。すなわち変換器の回折格子周期は、変換器により放射される波長に比例するように選択され得る。さらなる態様にしたがって、出力導波路上に多重化される、対応する複数の異なる波長での複数の光学信号を生成するための方法を説明する。この方法は、第1の波長および異なる第2の波長での光を放射するように構成される、異なる第1の活性材料および第2の活性材料を備える、第1の変換器および第2の変換器を用意するステップを含み得る。加えてこの方法は、第1の変換器および第2の変換器の、第1の材料および第2の材料を横断する第1の変換器導波路を用意するステップであって、第2の材料が、第1の変換器導波路の出力端部にあり、第1の材料が、第1の変換器導波路の出力端部の上流である入力端部にあるステップを含み得る。第2の活性材料は、第1の波長での光に対して透過的であり得る。第1の変換器導波路の出力端部は、出力導波路に通じ得る。別の態様にしたがって、本文書で説明する光送信器または光放射器を備える光ネットワーク、例えば光アクセスネットワークを説明する。光ネットワークは、多重化された光学信号を送信するための光送信媒体をさらに備え得る。さらに光ネットワークは、対応する光受信器を備え得る。次に本発明の実施形態による装置および方法の一部の実施形態を、単に例として、および添付の図面を参照して説明する。複数の波長例えば4つの波長での光を生成する集積型CWDM放射器は、異なる概念に基づく場合がある。その概念は、複数のCWDM光源により生成される光が接合光導波路上に多重化される方途に基づいて異なる場合がある。異なる波長での光を多重化する第1の選択肢では、シリコンオンインシュレータSOIに基づくアレイ導波路回折格子AWGを使用する場合がある。AWGマルチプレクサは、通常PICとして形設され、多数の入力ファイバ、すなわち多数の光チャネルから入来する光が、第1の導波路部に入り、その後異なる長さのいくつかの導波路を通って伝搬し、第2の導波路部に入り、最後に出力ファイバ内に結合される。波長多重化は、干渉効果、および導波路の異なる光路長に基づくものであり、入力ファイバの少なくとも一部の周波数成分が導波路を通って伝搬し、出力ファイバ内の出力は、少なくとも一部の周波数成分のこれらの寄与の重ね合わせ干渉から結果として生じる。図1は、複数の電気光変換器11例えば4つの個別的なCWDMレーザおよびAWGマルチプレクサを備えるPICの例示的な概略図を示す。AWGマルチプレクサは、複数の導波路12、第1のマルチモード部13、複数のアレイ導波路16、第2のマルチモード部16、および出力導波路14を備え得る。電気光変換器11は、電子信号を光学信号、例えば特定の波長での光のパルスに変換するように構成される。電気光変換器11からの光は、第1の複数の導波路12を通って伝搬し、第1のマルチモード部13に入る。第1のマルチモード部13から、光はアレイ導波路16に入る。アレイ導波路16は、干渉パターンが第2のマルチモード部16で生出されるような、異なる長さのものである。複数の導波路12、第1のマルチモード部13、および複数のアレイ導波路16は、生出される干渉パターンが出力導波路14例えばマルチモード導波路内に信号を集束させるように配置構成される。AWGベースのマルチプレクサを使用することが、小さな多重化損失につながる場合がある。AWGベースのマルチプレクサは、より大きな数のチャネルに対して、すなわちより大きな数の異なるCWDM波長に対してスケーリングされ得る。しかしながらこの解決法は、iハイブリッド集積化は、受動および能動の、導波路および構成要素間で精巧な位置合わせを必要とする場合があるので、およびiiモノリシック集積化は、大きなPICチップの寸法につながる場合があるので、コストが非常に高くなる場合がある。複数のCWDMレーザの光を多重化するための別の選択肢は、集積型MMIマルチモード干渉デバイスまたはマルチプレクサである。MMIマルチプレクサは、PICとして形設され得るものであり、複数の入力ファイバから入来する光が、マルチモード導波路部を通って出力導波路例えば光ファイバ内に伝搬する。MMIマルチプレクサの基本原理は、MMIの自己結像原理である。すなわち、マルチモード導波路部の幅および長さを選択することにより、異なる波長の自己像を、出力導波路内に結合することができる。図2および2aは、複数の電気光変換器21例えば4つのCWDMレーザと組み合わせたMMIマルチプレクサの例示的な概略図を示す。MMIマルチプレクサは、複数の導波路22、マルチモード部23、および出力導波路24を備え得る。電気光変換器21は、電子信号を光学信号、例えば特定の波長での光のパルスに変換するように構成される。電気光変換器21は、分布帰還型DFBレーザであり得る。電気光変換器21からの光は、複数の導波路22を通って伝搬し、マルチモード部23に入る。典型的には複数の導波路22は、複数のS字導波路に対応する。マルチモード部23内の各々のモードは異なる位相速度で伝搬し、したがって、マルチモード部23に沿った位置に依存する干渉パターンが生出される。マルチモード部23の幅および長さ、ならびに、マルチモード部23の下流の出力導波路24の構成および位置を選択することにより、複数の電気光変換器21により提供される異なる波長を、出力導波路24内に多重化することができる。好ましくは、電気光変換器21は、各々の導波路22の曲率が信号損失を回避するために既定のしきい値を超えないように、横方向に布置される。換言すれば、曲率半径は好ましくは十分に大きい。換言すれば、電気光変換器21は横方向にずらされ、それぞれの変換器21からマルチモード部23に通じるS字導波路22の長さを、S字に起因する損失が既定のしきい値より小さく保たれるように選択することができる。図2および2aに図示するような、4つの光チャネルを生成するために4つのCWDMレーザおよびMMIマルチプレクサを備えるPICは、デバイスごとにおよそ2mm2を必要とする場合がある。すなわち、CWDMレーザおよびMMIマルチプレクサを備える最大3500個のデバイスを、4インチのウェハから製造可能である。MMIマルチプレクサの多重化損失はおよそ6dBであるが、この損失はブースタによって補償可能である。これに対して、8つのCWDMチャネルに対しては、すなわちチャネルの数を2倍にする場合、デバイスのサイズは、S字導波路22の同じ曲率半径を維持するためにおおよそ4倍にしなければならないことになる。このことによって、4インチのウェハから製造可能なPICの数は1000未満に低減することになり、したがって集積型CWDM送信器のコストが上昇する。さらにMMIマルチプレクサの損失が9dBより大きくなる場合があり、MMIマルチプレクサの受動導波路ははるかに長くなる場合がある。その結果製作量および多重化損失は、横方向に配置されるDFBレーザすなわち変換器21の数を増大するときに、法外なものとなる場合がある。AWG図1に、およびMMI図2、2aに基づく上述の多重化体系を並列多重化と呼ぶことにする、その理由は、その体系が、複数の並列のすなわち横方向に隔置された電気光変換器11、21から発生する光の多重化を対象とするからである。CWDM送信器のより高い集積化を考慮するために、すなわち、PICの限られた空間上で生成かつ多重化される、より大きな数のCWDM波長を考慮するために、並列多重化の代わりに、または並列多重化に加えて使用可能な、波長のいわゆる直列多重化を以下で説明する。図3は、図2および2aに関して概説したような並列多重化と直列多重化の両方を使用するMMIマルチプレクサの概略図を示す。変換器21は、信号経路に沿って直列に配置される変換器の群31aa、31ab、および31ba、31bbにより置換される。図3は、異なる波長での光を生成するように構成される2つの変換器の2つの枝または群31aa、31ab、および31ba、31bbを例示する。図2を参照して説明したように、MMIマルチプレクサを、複数の電気光変換器31aa、31ab、31ba、31bbから入来する光を多重化するために使用することができる。MMIマルチプレクサは好ましくは、複数のS字導波路32、マルチモード部33、および出力導波路34を備える。マルチモード部33を、複数の導波路32からの光が、例えば図2を参照して説明したような自己結像効果を使用して、出力導波路34内に多重化されるように配置構成することができる。電気光変換器31aa、31ab、31ba、31bbは、発光装置であり得る。発光装置は、発光ダイオードLEDまたはレーザであり得る。レーザは、分布帰還型レーザDFBのレーザであり得る。詳細にはレーザは、直接変調レーザDML、または、電界吸収型変調EAMを使用するレーザ、すなわちいわゆる電界吸収型変調レーザEMLであり得る。そのような変換器31aa、31ab、31ba、31bb用に使用される材料は、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、アンチモン化ガリウム、および窒化ガリウムなどの半導体材料であり得る。図3は、波長の直列多重化が、MMI多重化に基づく並列多重化に加えて使用される配置構成を示す。結果として所与の数のCWDM波長を、許容可能な多重化損失を有する、より小さなMMIマルチプレクサを使用して、出力導波路34上に多重化することができる。直列多重化は、2つ以上の電気光変換器31aa、31abを直列に配置することにより実現される。直列多重化の概念を、図3の変換器31aa、31abの実施形態を示す図4に関して概説する。変換器31aa、31abは、電気信号を光学信号に変換するように構成される異なる活性材料を備える。さらに変換器31aaおよび31abは、放射された光学信号を閉じ込めるための光導波路37を備える。光導波路37は、2つの変換器31aa、31abを横断する。詳細には導波路37は、第1の変換器31aaの第1の活性材料、および第2の変換器31abの第2の活性材料を横断する。第1の活性材料を電気的に刺激することにより、第1の波長区間内の光第1の波長での光と呼ぶが放射され得る。第2の活性材料を電気的に刺激することにより、第2の波長区間内の光第2の波長での光と呼ぶが放射され得る。両方の活性材料を電気的に刺激することにより、第1の波長での光信号および第2の波長での光信号を、導波路37内部で同時に生成することができる、すなわち、光信号を、変換器31aa、31abの導波路37上に直列多重化することができる。導波路37を、図3に図示するMMIマルチプレクサの導波路32のうちの1つに対応する導波路32aに接続することができる。導波路37は、導波路37により搬送される短い波長に対してさえ、シングルモード導波路であり得る。ある実施形態では、第1の活性材料および第2の活性材料から放射される光は、約1450nmから約1750nmまでの波長区間内の波長の光であり得る。変調された電気信号を使用して変換器31aa、31abの活性材料を刺激することにより、それぞれ第1の波長および第2の波長での変調された光学信号を生成することができる。図3および4に例示する配置構成により、電気光変換器、例えば単一波長CWDM放射器により生成される光の並列多重化および直列多重化を、多数の光チャネルを用いる、すなわち多数のCWDM波長を用いる多波長CWDM放射器を設計するために使用することができる。詳細にはこの種の直列多重化は、異なるCWDMチャネル間の波長差が大きく、そのことによって直列多重化されるチャネル間の光クロストークが低減するので、CWDMに関して実行可能である。第1の波長での光が第2の変換器31abを横断するという事実に鑑みて、第2の変換器31abで使用される第2の材料は、好ましくは、第1の波長での光が、損失が小さな状態で通過するように選択される。したがって、第1の変換器31aaおよび第2の変換器31abに対する適切な電気光材料を選択することができる。ある実施形態では、第1の変換器31aaおよび第2の変換器31abの材料は、第2の波長が第1の波長より小さいように選択される。特有の波長を放射するための材料を設計することに加えて、特有の放射される波長より大きな波長での光が、影響を受けずに電気光材料を通過するように、材料を設計することができる。したがって第2の変換器31abの第2の材料を、第2の波長を放射するように設計することができ、その第2の材料を、第2の波長より大きな波長での光例えば第1の波長での光を減衰させないように設計することができる。第1の波長での光を放射することに加えて、第1の変換器31aaの材料を、第2の波長での光、すなわち第1の波長より小さな波長での光が吸収されるように選択することができることに留意されたい。材料に関する上記の条件は、インジウムIn、ガリウムGa、アルミニウムAl、ヒ化物As、および/または亜リン酸Pを含む半導体材料などの電気光材料の適切な組成物を選択することにより実現することができる。第1の変換器31aaおよび第2の変換器31abは、DFBレーザを提供するために、それぞれ第1の回折格子36aaおよび第2の回折格子36abを備え得る。第1の回折格子36aaは、第1の波長でのレーザ発振を考慮する回折格子周期を有し得る。第1の回折格子36aaおよび第2の回折格子36abを、変換器導波路37の材料の屈折率の周期的な変動として実装することができる。屈折率の周期的な変動を、変換器導波路37の黒色および白色の部分の周期的な連続体により図4に例示する。第1の回折格子36aaおよび第2の回折格子36abはそれぞれ、第1の波長および第2の波長でのレーザ発振を考慮する回折格子周期を有し得る。さらに第2の回折格子36abは、第1の波長に対して透過的であり得る。加えて第1の変換器31aaおよび第2の変換器31abはそれぞれ、第1の後部反射器35aaおよび第2の後部反射器35abを備え得る。後部反射器35aa、35abをそれぞれ、それぞれの変換器31aa、31abにより放射される光、すなわち第1の波長および第2の波長での光を反射するように構成することができる。さらに第2の後部反射器35ab、すなわち第2の変換器31abの後部反射器を、第1の波長での光の、例えば50を超える高い割合を通過させるように構成することができる。第1の波長および第2の波長での光は、導波路32aに向かって下流に進行する。したがって、異なる波長間の後方クロストークを低減することができる。さらに、レーザの全体的な効率を向上させることができる。図5は、4対1のMMIマルチプレクサおよび4つの対の直列多重化された変換器31aa、31abの例を示す。したがって、並列多重化および直列多重化を使用する多波長CWDM放射器を例示する。図5によるCWDM放射器では、8つのCWDMチャネルが多重化され、チップの寸法は約0.853mm2となり得る。図2aに示す4対1のMMIマルチプレクサのみを使用するCWDM放射器では、寸法は好ましくは約0.852.5mm2であった。そのことが意味するのは、図5によるCWDM放射器は8つのチャネルを多重化し、このチャネルの数はすなわち、図2に示すCWDM放射器により多重化されるチャネルの数の2倍であるが、1つのウェハあたりのデバイスの数は20だけ減少するだけであり得るということである。さらに直列多重化は、多重化損失を実質的に増大しない。したがって直列多重化を使用することで、寸法および多重化損失の増大を、例えば4チャネルMMIマルチプレクサから8チャネルMMIマルチプレクサに移るときに並列多重化のみを使用するときに直面する、寸法の増大典型的には400および多重化損失の増大と比較して制限することができる。変換器31aa、31abにより生成される異なる波長を、直列多重化される波長間の波長差が大きいように配置構成することができる。このことは、並列多重化用に4つの隣接する波長1471nm、1491nm、1511nm、1531nmを選択することにより、および、それぞれの他方の波長1551nm、1571nm、1591nm、1611nmに、後に続く4つの波長を直列多重化することにより実現することができる。このことを図5に例示する。波長がそのような様式での直列多重化および並列多重化に起因するものと考えることにより、直列多重化される波長間の差を最大にすることができる。本例では、近接の直列多重化される放射器間の約80nmの大きなチャネル間隔を実現することができ、そのことによりクロストークを低減するように、CWDM波長は約20nmだけ隔置される。上記で概説したように、好ましくは、異なる変換器の材料が適切に選択される。約1471nm1491nm、1511nm、および1531nmそれぞれでもでの光を放射するために使用される材料、すなわち第2の変換器31abのために使用される材料は、約1551nm1571nm、1591nm、および1611nmそれぞれでもでの光に対して、すなわち第1の変換器31aaで放射される光に対して透過的であり得る。このことを行うことにより、直列多重化により引き起こされる多重化損失を低減することができる。さらに、約1551nm1571nm、1591nm、および1611nmそれぞれでもでの光を放射するために使用される材料、すなわち第1の変換器31aaのために使用される材料は、約1471nm1491nm、1511nm、および1531nmそれぞれでもでの放射、すなわち第2の変換器31abで放射される光を完全に吸収することができる。このことを行うことにより、後方クロストークを低減することができる。代わりに、または加えて、負バイアス部、または上記で概説したような反射器を、後方クロストークをさらに低減するために近接の変換器31aaと31abとの間に挿入することができる。2つの異なる波長での光を放射かつ多重化するための、図4および5の2つの電気光変換器31aa、31abを例示するが、直列多重化の基礎となる原理は、任意の数の波長に拡張可能であることに留意されたい。一般論的に導波路W37は、n=1、...、NであるNは2以上の任意の整数値である異なる波長λnでの光を放射するN個の直列連結された変換器Cn31aa、31abを横断する場合がある。各々の波長λnは、n=1、...、Nである異なる波長区間Tnに属する。一般性を失うことなく、異なる波長区間Tnは、減少する波長にしたがって順序付けられる、すなわち、TNが最も小さな波長を含み、T1が最も大きな波長を含むものとする。異なる波長λnを放射するために、変換器Cn31aa、31abの連続体は、n=1、...、Nである異なる活性材料Mnを備える、すなわち導波路W37は、異なる活性材料Mnを横断する。各々の活性材料Mnをそれぞれ、波長区間Tnに属する波長λnでの光を放射するように構成することができる。材料MNは変換器Cnの連続体の出力端部に布置されるものとし、材料M1は、直列接続された変換器Cnの出力端部の反対側または上流である、入力端部または後方端部に布置されるものとする。換言すれば、材料MNは導波路W37の出力端部に布置され、材料M1は導波路W37の後方端部に布置される。各々の活性材料Miは、j<iに対して、波長区間Tjに属する波長λjでの光を、影響を受けない状態にしておくように構成される。加えて各々の活性材料Miは、j>iに対して、波長区間Tjに属する波長λjでの光を吸収するように構成され得る。したがって材料Miにより放射される光は、導波路W37の出力端部に到達するように減衰されることなく材料Mi1、...、MNを通過する。その結果直列多重化を、多重化損失が小さな状態で遂行することができる。他方で、導波路W37の後方端部に向かって進行する、すなわち材料Mi-1、...、M1に向かって進行する、材料Miにより放射される光は吸収されることになり、そのことにより後方クロストークを低減する。適宜、異なる領域および材料を、クロストークをさらに低減するために、n=1、...、N-1である異なる反射器Rn、または負バイアス部により離隔することができる。反射器Rnを、変換器Cnの後方端部に配置することができる。各々の反射器Rnを、波長区間Tnからの波長λnを反射するように構成することができる。さらに各々の反射器Rnを、j<nに対して、波長区間Tjからの波長λjを通過させるように構成することができる。同じまたは他の反射器を、レーザキャビティを備える変換器Cnを提供するために使用する場合がある。上記で変換器Cnの直列接続を、より一般論的に説明した。例えば図5に示すように、変換器の複数のK個のそのような直列群を並列に配置することができる、すなわち、変換器のK個のそのような直列接続をPIC上に並列に配置することができる。したがって、n=1、...、Nであり、k=1、...、Kである変換器Cknのマトリックスが得られ、個々の値kに対する変換器Cknが、上記で概説したように共通の導波路Wk37を使用して直列に接続される。導波路Wk37のK個の出力信号を、並列多重化、例えばMMI多重化またはAWG多重化を使用して光学的に多重化することができる。したがって、n=1、...、Nであり、k=1、...、KであるKN個の波長λknを生成かつ多重化するように構成される、CWDM送信器または放射器を提供することができる。CWDM送信器は変換器CknのK個の群を備え、変換器の第kの群は、n=1、...、Nである波長λknでのN個の直列多重化された光学信号を提供する。上記で概説したように、直列多重化を、適切な活性材料Mknを選択することにより実現することができる。直列多重化される波長λkn間のクロストークを低減するために、波長が、変換器Cknのマトリックス内部で、導波路Wkに沿った直列変換器の群の隣接する変換器Cki、Cki1の一部または全部の対に対して、変換器Cki1により放射される波長λki1より大きく、変換器Ckiにより放射される波長λkiより小さい、K-1個の波長λknが存在するように配置構成され得る。ある実施形態ではこのことを、k>iに対してλkn>λinであり、i>nに対してλkn>λkiであるようにマトリックス内部で変換器を配置構成することにより実現することができる。図6は、4対1のMMIマルチプレクサを使用する並列多重化を遂行する前に、変換器の4つの群31a、31b、31c、31dにおいて3つの波長が直列に多重化される配置構成の例示的な概略図を示す。図3から5に関して概説したように、MMIマルチプレクサは、複数の導波路32、マルチモード部33、および出力導波路34を備え得る。電気光変換器の群31a、31b、31c、31dはそれぞれ、3つの変換器31aa~31ac、31ba~31bc、31ca~31cc、および31da~31dcを横断する、導波路37a、37b、37c、37dを備える。各々の導波路37a、37b、37c、37dは、3つの異なる活性材料を、すなわち変換器31aa~31ac、31ba~31bc、31ca~31cc、および31da~31dcごとに1つの活性材料を、横断または通過する。したがって変換器の各々の群31a、31b、31c、31dは、3つの多重化されたCWDM波長を放射し、これらの波長は、4対1のMMIマルチプレクサを使用して後で多重化される。本文書では、異なる波長での光を多重化する方法およびシステムを説明した。詳細には、複数の波長の直列多重化を利用するCWDM送信器を説明した。近接の直列多重化される波長間の距離を増大するために、およびそのことによりクロストークを低減するために、直列多重化を例えばMMIマルチプレクサまたはAWGマルチプレクサを使用する並列多重化と組み合わせることができる。結果として、低コストおよび小さな損失のCWDM送信器を提供することができる。詳細には、高度の回路集積化を伴うCWDM送信器を提供することができる。そのようなCWDM送信器を、光アクセスネットワークで使用するためにPICとして実装することができる。説明および図面は、提案した方法およびシステムの原理を例示するだけのものであることに留意されたい。したがってたとえ本明細書で明示的に説明しなくても、または示さなくても、本発明の原理を実施し、本発明の趣旨および範囲の範囲内に含まれる様々な配置構成を当業者が考案可能となることが理解されよう。さらに本明細書に列挙するすべての例は、発明者により当技術分野の振興のために与えられる、提案した方法およびシステムの原理ならびに概念の理解において読者の一助となる、単に教育的な目的のものであることが明確に主として意図されるものであり、そのような具体的に列挙した例および条件への限定を伴わないと解釈されるべきである。さらに本発明の原理、態様、および実施形態、ならびにそれらの具体例を列挙する本明細書でのすべての記載は、それらの均等物を包含することが意図される。さらに本明細書での任意のブロック図が、本発明の原理を実施する例示的な回路網の概念図を表現することに留意されたい。同様に任意のフローチャート、フロー図、状態遷移図、擬似コード等々が様々な処理を表現し、それらの処理は、コンピュータ可読媒体の形で実質的に表現可能であり、その結果、コンピュータまたはプロセッサにより、そのようなコンピュータまたはプロセッサが明示的に示されようとそうでなかろうと実行可能であることが理解されよう。