"基板の上に、第1電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第2電極とをこの順で前記基板側から有し、前記第2電極に電極配線が電気的に接続された光電変換素子と、制御電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第1及び第2主電極とをこの順で前記基板側から有する薄膜トランジスタと、を有する検出装置の製造方法であって、前記第2電極と、前記電極配線と、前記第1及び第2主電極と、前記半導体層の不純物半導体層と、前記薄膜トランジスタの不純物半導体層は、不純物半導体膜を覆うように、不動態ではない金属材料を含む第2導電膜を前記基板の上に成膜し、前記第2導電膜から前記第1及び第2主電極に含まれる第1導電部材と前記電極配線とを形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記不純物半導体膜と前記電極配線と前記第1導電部材とを覆うように、前記基板の上に透明導電性酸化物膜を成膜し、前記透明導電酸化物膜から前記第1及び第2主電極に含まれる第2導電部材と前記第2電極とを形成し、前記不純物半導体膜から前記薄膜トランジスタの不純物半導体層と前記光電変換素子の不純物半導体層とを形成する第2の工程と、を行って形成され、前記第2の工程は、同一のマスクを用いて、前記第2導電部材と前記第2電極と前記薄膜トランジスタの不純物半導体層と前記光電変換素子の不純物半導体層とを形成する工程であり、前記第1の工程は、前記同一のマスクとは別のマスクを用いて、前記第1導電部材と前記電極配線とを形成する工程であることを特徴とする検出装置の製造方法。前記半導体膜の成膜と前記不純物半導体膜の成膜との間に、前記絶縁膜及び前記半導体膜にコンタクトホールを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項1に記載の検出装置の製造方法。前記コンタクトホールを形成した後に、前記半導体膜から前記光電変換素子の半導体層及び前記薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項2に記載の検出装置の製造方法。前記コンタクトホールの形成と前記不純物半導体膜の成膜との間に、前記半導体膜から前記光電変換素子の半導体層及び前記薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程と、前記光電変換素子の半導体層及び前記薄膜トランジスタの半導体層を覆って成膜された層間絶縁膜から、前記光電変換素子の半導体層の側面と前記薄膜トランジスタの半導体層の側面とを覆う層間絶縁層と、前記薄膜トランジスタのチャネルとなる領域の前記薄膜トランジスタの半導体層を覆うエッチストップ層と、を形成する工程と、を更に有することを特徴とする請求項2に記載の検出装置の製造方法。基板の上に、第1電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第2電極とをこの順で前記基板側から有し、前記第2電極に電極配線が電気的に接続された光電変換素子と、制御電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第1及び第2主電極とをこの順で前記基板側から有する薄膜トランジスタと、を有する検出装置の製造方法であって、前記基板の上に成膜された第1導電膜から前記第1電極及び前記制御電極を第1のマスクを用いて形成する第1の工程と、前記第1電極と前記制御電極とを覆うように、前記基板の上に絶縁膜と半導体膜とをこの順に成膜する第2の工程と、前記半導体膜を覆うように、前記基板の上に、不純物半導体膜と、不動態ではない金属材料を含む第2導電膜と、をこの順に成膜し、前記第2導電膜から、前記電極配線と、前記第1及び第2主電極に含まれる第1導電部材と、を第2のマスクを用いて形成する第3の工程と、前記不純物半導体膜と前記電極配線と前記第1導電部材とを覆うように、前記基板の上に透明導電性酸化物膜を成膜する第4の工程と、前記透明導電性酸化物膜から前記第1及び第2主電極に含まれる第2導電部材と前記第2電極とを、前記不純物半導体膜から前記薄膜トランジスタの不純物半導体層と前記光電変換素子の不純物半導体層とを、第3のマスクを用いて形成する第5の工程と、前記第5の工程の後に、前記半導体膜から前記光電変換素子の半導体層及び前記薄膜トランジスタの半導体層を第4のマスクを用いて形成する第6の工程と、を有することを特徴とする検出装置の製造方法。基板の上に、第1電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第2電極とをこの順で前記基板側から有し、前記第2電極に電極配線が電気的に接続された光電変換素子と、制御電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第1及び第2主電極とをこの順で前記基板側から有する薄膜トランジスタと、を有する検出装置の製造方法であって、前記基板の上に成膜された第1導電膜から前記第1電極及び前記制御電極を第1のマスクを用いて形成する第1の工程と、前記第1電極と前記制御電極とを覆うように、前記基板の上に絶縁膜と半導体膜とをこの順に成膜する第2の工程と、前記半導体膜から前記光電変換素子の半導体層及び前記薄膜トランジスタの半導体層を第2のマスクを用いて形成する第3の工程と、前記光電変換素子の半導体層と前記薄膜トランジスタの半導体層とを覆うように、前記基板の上に成膜された層間絶縁膜から、前記光電変換素子の半導体層の側面と前記薄膜トランジスタの半導体層の側面とを覆う層間絶縁層と、前記薄膜トランジスタのチャネルとなる領域の前記薄膜トランジスタの半導体層を覆うエッチストップ層と、を第3のマスクを用いて形成する第4の工程と、前記光電変換素子の半導体層と前記薄膜トランジスタの半導体層と前記層間絶縁層と前記エッチストップ層とを覆うように、前記基板の上に、不純物半導体膜と、不動態ではない金属材料を含む第2導電膜と、をこの順に成膜し、前記第2導電膜から、前記電極配線と、前記第1及び第2主電極に含まれる第1導電部材と、を第4のマスクを用いて形成する第5の工程と、前記不純物半導体膜と前記電極配線と前記第1導電部材とを覆うように、前記基板の上に透明導電性酸化物膜を成膜する第6の工程と、前記透明導電性酸化物膜から前記第1及び第2主電極に含まれる第2導電部材と前記第2電極とを、前記不純物半導体膜から前記薄膜トランジスタの不純物半導体層と前記光電変換素子の不純物半導体層とを、第5のマスクを用いて形成する第7の工程と、を有することを特徴とする検出装置の製造方法。前記第2の工程と前記第3の工程の間に、前記絶縁膜及び前記半導体膜にコンタクトホールを形成する工程を更に有することを特徴とする請求項5又は6に記載の検出装置の製造方法。前記透明導電性酸化物は、前記第2導電膜より薄く成膜されることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の検出装置の製造方法。前記第2導電膜は0.5~1μmの膜厚で成膜され、前記透明導電性酸化物は50~100nmの膜厚で成膜されることを特徴とする請求項8に記載の検出装置の製造方法。請求項1~9のいずれか1項に記載の製造方法で製造された検出装置と、前記検出装置の前記光電変換素子の上方に配置されたシンチレータと、を具備することを特徴とする放射線検出装置。請求項10に記載の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。特許文献1では、膜厚が1μmである厚いAlを金属層として用いている。この金属層は、低抵抗化のため、半導体デバイスの配線材料として好適に使用される、例えばAlやCu銅等、比抵抗が温度300Kで3.0μΩcm未満の金属材料が、0.5~1μmの膜厚で形成される。これらの金属材料は不動態ではないため、製造工程中に使用したエッチング液の残留成分や水分等による腐食に弱い。そのため、ソース又はドレイン電極を耐湿性の高いパッシベーション膜でカバレッジ良く覆うことが必要となる。耐湿性の高いパッシベーション膜としては、窒化シリコンSiN等のCVD法で形成された無機絶縁膜が用いられる。CVD法で形成された無機絶縁膜は硬質であるため、薄く形成するとその製造工程中の熱処理に伴う熱膨張及び熱収縮により亀裂が生じる恐れがある。そのため、ソース又はドレイン電極を硬質な無機絶縁膜でカバレッジ良く覆うためには、ソース又はドレイン電極と同等の0.5~1μmの膜厚で形成する必要がある。しかしながら硬質の無機絶縁膜は応力が高いため、基板に生じる反りが大きくなる等、厚く形成することは好ましくない。また、厚い無機絶縁膜をCVD法等の蒸着法で形成するのは時間がかかるため、スループットが低下し、製造コストの面でも不利となる。また、特許文献1では、光電変換素子の上部電極を金属層で設けており、光電変換素子全体により均一にバイアスを与えるためには、光電変換素子の不純物半導体層を金属層で広く覆うことが求められる。しかしながら、光電変換素子の不純物半導体層を金属層で広く覆うと、光電変換素子の表面積に対する光電変換素子の半導体層に光が入射できる面積の割合である開口率を低減させてしまう。更に、光電変換素子の上部電極と、TFTのソース又はドレイン電極と、をそれぞれ別に形成すると、マスク数が増加するため、歩留りの低下やコストアップといった問題を生じ得る。本発明は、このような問題を解決しようとするものであり、高い開口率の光電変換素子と腐食に強いTFTとが共通の工程で作製される検出装置を、マスク数の増加に伴うコストアップや歩留まりの低下を招くことなく製造する方法を提供することを目的とする。本発明の検出装置の製造方法は、基板の上に、第1電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第2電極とをこの順で前記基板側から有し、前記第2電極に共通電極配線が電気的に接続された光電変換素子と、制御電極と絶縁層と半導体層と不純物半導体層と第1及び第2主電極とをこの順で前記基板側から有する薄膜トランジスタと、を有する検出装置の製造方法であって、前記第2電極と、前記電極配線と、前記第1及び第2主電極と、前記半導体層の不純物半導体層と、前記薄膜トランジスタの不純物半導体層は、不純物半導体膜を覆うように、不動態ではない金属材料を含む第2導電膜を前記基板の上に成膜し、前記第2導電膜から前記第1及び第2主電極に含まれる第1導電部材と前記電極配線とを形成する第1の工程と、前記不純物半導体膜と前記電極配線と前記第1導電部材とを覆うように、前記基板の上に透明導電性酸化物膜を成膜し、前記透明導電性酸化物膜から前記第1及び第2主電極に含まれる第2導電部材と前記第2電極とを形成し、前記不純物半導体膜から前記薄膜トランジスタの不純物半導体層と前記光電変換素子の不純物半導体層とを形成する第2の工程と、を行って形成され、前記第2の工程は、同一のマスクを用いて、前記第2導電部材と前記第2電極と前記薄膜トランジスタの不純物半導体層と前記光電変換素子の不純物半導体層とを形成する工程であり、前記第1の工程は、前記同一のマスクとは別のマスクを用いて、前記第1導電部材と前記電極配線とを形成する工程であることを特徴とする。本発明により、開口率の高い光電変換素子と腐食に強いTFTとが共通の工程で作製される平面型の検出装置を、コストアップや歩留まりの低下を招くことなく提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。なお、本願明細書において放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子光子を含むの作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。第1の実施形態先ず、図1a及び図1bを用いて本発明の第1の実施形態に係る検出装置の一画素の構成について説明する。図1aは1画素あたりの平面図であり、図1bは図1aのA-A’での断面図である。本発明の検出装置における1つの画素11は、放射線又は光を電荷に変換する光電変換素子12と、光電変換素子12の電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子であるTFT薄膜トランジスタ13とを含む。光電変換素子12は、TFT13と同じ層構成であるMIS型光電変換素子を用いている。光電変換素子12とTFT13とは、ガラス基板等の絶縁性の基板100の上の同一平面内に互いに横に並んで横並びで配置されている。この光電変換素子12とTFT13は、共通の工程で基板100の上に形成される。光電変換素子12は、基板100の上に、基板側から順に設けられた、第1電極121と、絶縁層122と、半導体層123と、半導体層123よりも高不純物濃度の不純物半導体層124と、第2電極125と、を含む。光電変換素子12の第2電極125には、Al等の金属材料を用いた電極配線14が電気的に接合される。第2電極125には、ITO等の透明導電性酸化物が用いられ、半導体層123及び不純物半導体層124が設けられている光電変換素子12の領域において、不純物半導体層124の表面全面と電極配線14とを覆うように、設けられている。第2電極125により、光電変換素子全体により均一にバイアスを与えられ、且つ、開口率の高い光電変換素子12が準備できる。TFT13は、基板100の上に、基板側から順に、制御電極131と、絶縁層132と、半導体層133と、半導体層133よりも不純物濃度の高い不純物半導体層134と、第1主電極及び第2主電極135と、を含む。不純物半導体層134はその一部領域で第1及び第2主電極135と接しており、その一部領域と接する半導体層133の領域の間の領域が、TFTのチャネル領域となる。制御電極131は制御配線15と電気的に接合されており、第1及び第2主電極135の一方は光電変換素子12の第1電極121と電気的に接合されており、第1及び第2主電極135の他方は信号配線16と電気的に接合されている。なお、本実施形態では第1及び第2主電極135の他方と信号配線16とは、同じ導電層で一体的に構成されており、第1及び第2主電極135の他方が信号配線16の一部をなしている。信号配線16、第1及び第2主電極135は、Al等の金属材料を用いた第1導電部材136と、ITO等の透明導電性酸化物を用いた第2導電部材137と、を含む。第1導電部材136は、第2導電部材137に覆われ、第2導電部材137と不純物半導体層134との間に設けられている。ここで、電極配線14及び第1導電部材136は、低抵抗化のために膜厚が約1μmのAlを用いている。第1導電部材136の材料としては、Alの他に、Cu等の比抵抗が温度300Kで3.0μΩcm未満の金属材料や、それらの金属材料を主成分とする合金が好適に用いられる。なお、本願明細書では、温度300Kで比抵抗が3.0μΩcm未満の金属材料やそれらの金属材料を主成分とする合金を、低抵抗金属材料と称する。この低抵抗金属材料は、不動態ではないため、製造工程中に使用したエッチング液の残留成分や水分等による腐食に弱い。ここで不動態とは、金属が熱力学的には腐食する条件にありながら腐食をおこさない状態をいい、腐食とは、金属が使用環境との化学反応によって表面から金属ではない状態になって失われていくことをいう。また、Mo、Cr、Ti等の低抵抗金属材料よりも比抵抗の大きい金属材料及びその合金を、低抵抗金属材料の上下に設ける構成を用いてもよい。これは、Al等と他の部材との抵抗性接触や拡散防止のために設けられるもので、バリア層又はオーミックコンタクト層と称される。ただし、このような構成であっても、エッチングによって形成された電極配線14及び第1導電部材136の側面には、不動態ではない金属材料が現れている。電極配線14及び第1導電部材136の膜厚は、電気抵抗率と成膜プロセスの精度を鑑みると、0.5~1μmが好ましい。一方、第2電極125と第2導電部材137は、ITO等の透明導電性酸化物を用いている。透明導電性酸化物としては、ITOの他に、ZnO、SnO2、CuAlO2等が好適に用いられる。透明導電性酸化物は不動態であるため、その耐腐食性が先の低抵抗金属材料に比べて高い。また、透明導電性酸化物は、スパッタリング法により低い硬度で成膜可能で、CVD法で成膜される無機絶縁膜に比べて、カバレッジ良く第1導電部材136を覆うことができる。このように、不動態ではない低抵抗金属材料を用いた第1導電部材136を、不動態である透明導電性酸化物を用いた第2導電部材137で覆うことにより、耐腐食性の高いTFT13の第1及び第2主電極135を準備できる。また、透明導電性酸化物のエッチングによる後退量サイドエッチング量を抑制するために、透明導電性酸化物の膜厚は約50nmとしている。ここで、平面型の検出装置では、光電変換素子の開口率及びそれに応じたS/N比を考慮すると、光電変換素子の不純物半導体層を広く覆って且つ光透過率の高い光電変換素子の電極と、極力小サイズで且つ高い動作速度のTFTと、が要求される。高い動作速度のTFTを準備するためには、TFTのチャネル幅Wとチャネル長Lの比であるW/Lを大きくすることが重要である。このため、小サイズで且つ高い動作速度のTFTを準備するためには、TFTのチャネル長をより小さくすることが求められる。そのため、透明導電性酸化物の膜厚は、TFTに要求される動作速度と、光電変換素子の開口率とを鑑みて、要求されるW/Lから、100nm以下であることが好ましい。また、透明導電性酸化物の膜厚は、光電変換素子の第2電極125に要求される電気抵抗率を鑑みると、50nm以上であることが好ましい。そして、第2電極125と第2導電部材137の膜厚は共通電極配線14と第1導電部材136の膜厚に比べて、0.02~0.1倍と小さいことが望ましい。そして、第2導電部材137が第1導電部材136を覆うことによって、第2導電部材137が第1及び第2主電極135の端面を規定する構成となる。それにより、TFT13のチャネル長がエッチングによる後退量が抑制された第2導電部材137によって規定されることとなり、TFT13のチャネル長を小さくすることが可能となる。そして、変換素子12及びTFT13は、保護層147で覆われる。次に、図2及び図3を用いて、本発明の第1の実施形態における検出装置の製造方法を説明する。なお、図2及び図3のa,c,eは、それぞれ各工程で使用されるフォトマスクのマスクパターンの平面模式図であり、図2及び図3のb,d,fは、それぞれ図1aのA-A’に対応する位置の各工程における断面模式図である。まず、図2a及びbに示す第1の工程では、絶縁性の基板100の上に、第1導電層141となるAl等の第1導電膜をスパッタリング法により成膜する。そして、図2aに示す第1のマスクを用いて、成膜された第1導電膜をエッチングして、図1bに示した第1電極121及び制御電極131となる第1導電層141を形成する。つまり、第1電極121と制御電極131は同一の第1導電膜から形成された第1導電層141を用いていることとなる。ここで、同一の膜から形成された層を用いるとは、同じ成膜工程で成膜された膜をエッチング等により造形化してそれぞれの層として用いることを指す。次に、図2c及びdに示す第2の工程では、絶縁性の基板100の上から、第1導電層141を覆うように、窒化シリコン膜等の絶縁膜142’と、アモルファスシリコン膜等の半導体膜143’と、をプラズマCVD法によりこの順に成膜する。そして、図2cに示す第2のマスクを用いて、成膜された絶縁膜142’及び半導体膜143’をエッチングして、コンタクトホール200を形成する。絶縁膜142’は後に絶縁層142となり、半導体膜143’は後に半導体層143となる。つまり、絶縁層122と絶縁層132は同一の絶縁膜142’から形成された絶縁層142を用いており、半導体層123と半導体層133は同一の半導体膜143’から形成された半導体層143を用いている。次に、図2e及びfに示す第3の工程では、図2eに示す第3のマスクを用いて、TFT13のチャネルが設けられる領域の半導体膜143’を、ドライエッチングにより薄膜化する。これにより、TFT13のオン抵抗を低減することができる。次に、図3a及びbに示す第4の工程では、絶縁膜142’及び半導体膜143’を覆うように、不純物半導体膜144’としてリン等の5価の元素を不純物として混入したアモルファスシリコン膜をプラズマCVD法により成膜する。なお、ここでは、不純物半導体膜144’としてリン等の5価の元素を不純物として混入したアモルファスシリコン膜を用いたが、本発明はそれに限定されるものではない。不純物半導体膜144’として、ボロン等のホール効果を持つ元素を不純物として混入したアモルファスシリコン膜を用いてもよい。次に、不純物半導体膜144’を覆うように、Alを用いたスパッタリング法により第2導電層145となる第2導電膜を成膜する。ここで、第2導電膜144’は、電気抵抗率と成膜プロセスの精度を鑑みると、0.5~1μmの膜厚が好ましく、本実施形態では、1μmの膜厚となるように成膜される。ここで、第2導電膜の材料としては、低抵抗金属材料が好適に用いられる。また、Mo、Cr、Ti等の低抵抗金属材料よりも比抵抗の大きい金属材料及びその合金と、低抵抗金属材料と、比抵抗の大きい金属材料と、を順次に成膜してもよい。比抵抗の大きい金属材料は、低抵抗金属材料と他の部材との抵抗性接触や拡散防止のために設けられるものである。そして、図3aに示される第4のマスクを用いて、第2導電膜をウエットエッチングして、電極配線14と、TFT13の第1及び第2主電極135に含まれる第1導電部材136となる第2導電層145を形成する。つまり、電極配線14と第1導電部材136は同一の第2導電膜から形成された第2導電層145を用いている。この際、TFT13のチャネルとなる半導体膜の領域上の不純物半導体膜144’は除去されずに残っている。また、このウエットエッチングで使用するエッチング液はリン酸に硝酸と酢酸を混合した混合液であり、このウエットエッチングは等方性エッチングである。この第4の工程により、電極配線14と、TFT13の第1及び第2主電極135に含まれる第1導電部材136と、を同一の第4のマスクを使用して同時に形成することが可能となる。それにより、マスク数及び工程数を増加させることが防止できる。次に、図3c及びdに示す第5の工程では、不純物半導体膜144’と第2導電層145とを覆うように、スパッタリング法により第3導電層146となるITO等の透明導電性酸化物の膜である透明導電性酸化物膜を成膜する。ここで、透明導電性酸化物膜の膜厚は、TFTに要求される動作速度と、光電変換素子の開口率とを鑑みて、要求されるW/Lから、100nm以下であることが好ましい。また、透明導電性酸化物膜の膜厚は、光電変換素子の第2電極125に要求される電気抵抗率を鑑みると、50nm以上であることが好ましい。そして、透明導電性酸化物膜の膜厚は、50~100nmであることから、第1導電層145の膜厚に比べて、0.02~0.1倍と小さいことが望ましい。本実施形態では、透明導電性酸化物膜は、50nmの膜厚となるように成膜される。次に、図3dに示す第4のマスクとは別の第5のマスクを用いて、透明導電性酸化物膜をウエットエッチングして、光電変換素子12の第2電極125と、TFT13の第1及び第2主電極135に含まれる第2導電部材137となる第3導電層146を形成する。つまり、第2電極125と第2導電部材137は同じ透明導電性酸化物膜から形成された第3導電層146を用いている。このウエットエッチングで使用するエッチング液は塩酸と硝酸の混合液であり、このウエットエッチングは等方性エッチングである。そして、第5のマスクを用いて、不純物半導体膜144’と、半導体膜143’の一部と、を連続してドライエッチングする。それにより、不純物半導体層124及び不純物半導体層134となる不純物半導体層144を、第3導電層146と同一の第5のマスクを用いて第3導電層146と順次に形成する。つまり、不純物半導体層124と不純物半導体層134は同一の不純物半導体膜144’から形成された不純物半導体層144を用いている。この第5の工程により、マスク数及び工程数を大幅に増加させることなく、第2電極125及び不純物半導体層124によって規定される光電変換素子12の開口部と、TFT13のチャネルと、を同一の第5のマスクを使用して同時に形成することが可能となる。そして、この第5の工程により、TFT13のチャネルとなる半導体膜の領域上の不純物半導体膜144’は除去される。第5の工程によって、光電変換素子全体により均一にバイアスを与えられ、且つ、光の透過率の高い第2電極125と、腐食に強い第1及び第2主電極と、を同一の第5のマスクを共通に用いて、同時に形成することが可能となる。また、第5の工程によって形成されたTFT13のチャネルは、エッチングによる後退量の少ない、第2導電層145より薄い透明導電性酸化物膜をエッチングして形成された第3導電層146によって規定される。そのため、チャネル長を短く形成することが容易となり、W/Lが大きく高い動作速度のTFTを簡便に準備することが可能となる。次に、図3e及びfに示す第6の工程では、図3eに示す第6のマスクを用いて、不要な半導体膜143’及び絶縁膜142’をエッチングして、素子間の分離を行う。それにより、光電変換素子12の半導体層123及びTFT13の半導体層133となる半導体層143と、光電変換素子の絶縁層122及びTFT13の絶縁層132が形成される。そして、光電変換素子12及びTFT13を覆うように、保護層147を成膜し、共通の製造工程で図1bに示す構成が作製される。上記工程により形成された第2導電層145は、第3導電層146によりすべて覆われた構造となっている。第3導電層146として、腐食に強いITO等の透明導電性酸化物が用いられているため、保護層147を用いて光電変換素子12及びTFT13の全面を覆う必要はない。保護層147として、半導体層143及び不純物半導体層144の側壁及び、チャネルとなる領域の半導体層143が覆える程度の厚さ、例えば第2導電層145の膜厚よりも小さい200nmの膜厚、のCVD法で成膜された無機絶縁膜を用いることができる。もしくは、無機絶縁膜を用いることなく、無機絶縁膜に比べて、腐食に対する耐性は低いが、厚い膜厚で形成することが容易な有機絶縁膜を、保護層147として用いることも可能となる。次に、図4を用いて本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置の概略的等価回路を説明する。なお、図4では説明の簡便化のため3行3列の等価回路図を用いたが、本発明はそれに限定されるものではなく、放射線検出装置はn行m列n,mはいずれも2以上の自然数の画素アレイを有する。本実施形態における検出装置は、基板100の表面上に、行方向及び列方向に配列された複数の画素1を含む光電変換部3が設けられている。各画素1は、放射線又は光を電荷に変換する光電変換素子12と、光電変換素子12の電荷に応じた電気信号を出力するTFT13と、を含む。光電変換素子の第2電極125側の表面光電変換部3の第1表面に、放射線を光電変換素子が感知可能な可視光に波長変換するシンチレータ不図示が配置される。電極配線14は、列方向に配列された複数の光電変換素子12の第2電極125に共通に接続される。駆動線15は、行方向に配列された複数のTFT13の制御電極131に共通に接続され、駆動回路2に電気的に接続される。駆動回路2が列方向に複数配列された駆動配線15に駆動パルスを順次に又は同時に供給することにより、行単位で画素からの電気信号が、行方向に配列された複数の信号配線16に並列に出力される。信号配線16は、列方向に配列された複数のTFT13の第2主電極136に共通に接続され、読出回路4に電気的に接続される。読出回路4は、信号配線16毎に、信号配線16からの電気信号を積分して増幅する積分増幅器5と、積分増幅器5で増幅して出力された電気信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路6を備える。読出回路4は更に、複数のサンプルホールド回路6から並列に出力される電気信号を直列の電気信号に変換するマルチプレクサ7と、出力された電気信号をデジタルデータに変換するA/D変換器8を含む。積分増幅器5の非反転入力端子には電源回路9から基準電位Vrefが供給される。電源回路9は更に、行方向に配列された複数の電極配線14に電気的に接続されており、光電変換素子12の第2電極125にバイアス電位Vs又は初期化電位Vrを供給する。以下に、本実施形態の放射線検出装置の動作について説明する。光電変換素子12の第1電極121にはTFT13を介して基準電位Vrefを与え、第2電極125にはバイアス電位Vsを与えることにより、半導体層123が空乏化するようなバイアスを光電変換素子12に与える。この状態で、被検体に向けて曝射された放射線は、被検体による減衰を受けて透過し、シンチレータで可視光に変換され、この可視光が光電変換素子12に入射し、電荷に変換される。この電荷に応じた電気信号は、駆動回路2から駆動線15に印加される駆動パルスによりTFT13が導通状態となることで、信号配線16に出力され、読出回路4によりデジタルデータとして外部に読み出される。その後、共通電極配線14の電位をバイアス電位Vsから初期化電位Vrに変化させてTFT13を導通状態とすることにより、光電変換素子12で発生し残留した正のキャリアが除去される。その後、共通電極配線14の電位を初期化電位Vrからバイアス電位Vsに変化させてTFT13を導通状態とすることにより、光電変換素子12の初期化がなされる。なお、本実施形態では、制御電極131が制御配線15と電気的に接合され、第1及び第2主電極135の一方は光電変換素子12の第1電極121と電気的に接合された形態を説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。一つの画素11において第1及び第2主電極135の一方が電極配線14と電気的に接合され、第1電極121が複数の光電変換素子12で共通化されていてもよい。その場合、図4bで説明したコンタクトホールを設ける工程は不要となる。第2の実施形態次に、図5a及び図5bを用いて本発明の第2の実施形態に係る検出装置の一画素の構成について説明する。図5aは1画素あたりの平面図であり、図5bは図5aのA-A’での断面図である。なお、第1の実施形態で説明したものと同じものは同じ番号を付与し、詳細な説明は割愛する。本実施形態では、第1の実施形態の構成に加えて、光電変換素子12の半導体層123及びTFT13の半導体層133の側壁を覆う層間絶縁層148と、TFT13のチャネルとなる領域の半導体層133を覆うエッチストップ層149と、を備えている。このような構成により、光電変換素子12及びTFT13の側壁において耐水性が向上する。また、制御配線15と信号配線16との間に絶縁層が2層存在することとなり、信号配線16にかかる寄生容量が低減し、ノイズを低減することが可能となる。次に、図6を用いて、本発明の第2の実施形態における検出装置の製造方法を説明する。なお、図6のa,c,e,gは、それぞれ各工程で使用されるフォトマスクのマスクパターンの平面模式図であり、図6のb,d,f,hは、それぞれ図5aのA-A’に対応する位置の各工程における断面模式図である。なお、第1~3の各工程は第1の実施形態で説明したものと同じであるため、詳細な説明は割愛する。図6a及びbに示す第4の工程では、図6aに示す第4のマスクを用いて、不要な半導体膜143’及び絶縁膜142’をエッチングして、素子間の分離を行う。それにより、光電変換素子12の半導体層123及びTFT13の半導体層133となる半導体層143と、光電変換素子の絶縁層122及びTFT13の絶縁層132が形成される。次に、図6c及びdに示す第5の工程では、絶縁性の基板100の上に、半導体層143を覆うように、層間絶縁層148及びエッチストップ層149となる窒化シリコン膜等の層間絶縁膜をプラズマCVD法により成膜する。そして、図6dに示す第5のマスクを用いて、成膜されたシリコン窒化膜をエッチングして、層間絶縁層148及びエッチストップ層149を形成する。次に、図6e及びfに示す第6の工程では、絶縁層142と半導体層143と層間絶縁層148とエッチストップ層149とを覆うように、プラズマCVD法により不純物半導体層144となる不純物半導体膜144’を成膜する。次に、不純物半導体膜144’を覆うように、Alを用いたスパッタリング法により第2導電層145と第2導電膜を成膜する。ここで、第2導電層145となる第2導電膜は、1μmの膜厚となるように成膜される。そして、図6eに示される第6のマスクを用いて、第2導電層145となる第2導電膜をウエットエッチングして、電極配線14と、TFT13の第1及び第2主電極に含まれる第1導電部材136となる第2導電層145を形成する。つまり、電極配線14と第1導電部材136は同一の第2導電膜から形成された第2導電層145を用いている。この際、TFT13のチャネルとなる半導体膜の領域上の不純物半導体膜144’は除去されずに残っている。また、このウエットエッチングで使用するエッチング液はリン酸に硝酸と酢酸を混合した混合液であり、このウエットエッチングは等方性エッチングである。この第6の工程により、電極配線14と、TFT13の第1及び第2主電極135に含まれる第1導電部材136と、を同一の第6のマスクを使用して同時に形成することが可能となる。それにより、マスク数及び工程数を増加させることが防止できる。次に、図6g及びhに示す第7の工程では、不純物半導体膜144’と第2導電層145とを覆うように、スパッタリング法により第3導電層146となるITO等の透明導電性酸化物膜を成膜する。ここで、透明導電性酸化物膜は、50nmの膜厚となるように成膜される。次に、図6gに示す第6のマスクとは別の第7のマスクを用いて、透明導電性酸化物膜をウエットエッチングして、光電変換素子12の第2電極125と、TFT13の第1及び第2主電極135に含まれる第2導電部材137となる第3導電層146を形成する。つまり、第2電極125と第2導電部材137は同じ透明導電性酸化物膜から形成された第3導電層146を用いている。このウエットエッチングで使用するエッチング液は塩酸と硝酸の混合液であり、このウエットエッチングは等方性エッチングである。そして、第7のマスクを用いて、不純物半導体膜144’と、半導体層143の一部と、を連続してドライエッチングする。それにより、不純物半導体層124及び不純物半導体層134となる不純物半導体層144を、第3導電層146と同一の第7のマスクを用いて第3導電層146と順次に形成する。この第7の工程により、マスク数及び工程数を増加させることなく、第2電極125及び不純物半導体層124によって規定される光電変換素子12の開口部と、TFT13のチャネルと、を同一の第7のマスクを共通に使用して同時に形成することが可能となる。そして、この第7の工程により、TFT13のチャネルとなる半導体層143の領域上の不純物半導体膜は除去される。第7の工程によって、光電変換素子全体により均一にバイアスを与えられ、且つ、光の透過率の高い第2電極125と、腐食に強い第1及び第2主電極135と、を同一の第7のマスクを共通に用いて、同時に形成することが可能となる。また、第7の工程によって形成されたTFT13のチャネルは、エッチングによる後退量の少ない、第2導電層145より薄い透明導電性酸化物をエッチングして形成された第3導電層146によって規定される。そのため、チャネル長を短く形成することが容易となり、W/Lが大きく高い動作速度のTFTを簡便に準備することが可能となる。また、半導体層123の表面及び側面は、層間絶縁層148と第3導電層146によって覆われる構成となる。これにより、半導体層123の側壁がエッチング時のエッチャントによって晒されないため、半導体層123の側壁を流れるリーク電流を防止できる。また、半導体層133の表面及び側面は、層間絶縁層148と第3導電層145とエッチストップ層149によって覆われる構成となる。特に、TFT13のチャネルとなる領域の半導体層133は、第3導電層145とエッチストップ層149によって覆われている。そのため、TFT13のチャネルとなる領域の半導体層133がエッチング時のエッチャントによって晒されないため、TFT13のチャネルでのリーク電流を低減することが可能となる。そして、光電変換素子12及びTFT13を覆って、保護層147を成膜し、共通の製造工程で図5bに示す構成が作製される。なお、本実施形態では、4~6μmと厚い膜厚で形成することが容易な有機絶縁膜を、保護層147として用いる。この保護層147により、平坦な表面を形成することが可能となり、その上にCsI等の柱状結晶構造を有するシンチレータ不図示を堆積法によって形成することが可能となる。なお、このことは第1の実施形態でも同様である。第3の実施形態次に、図7を用いて、本発明の検出装置を用いた放射線検出システムを説明する。放射線源であるX線チューブ6050で発生したX線6060は、患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、シンチレータを光電変換部3の光電変換素子12の上方に配置した放射線検出装置6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換部3で光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。また、この情報は電話回線6090等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ6100により記録媒体となるフィルム6110に記録することもできる。"