光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの封止構造において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去し裸線を露出させてなる裸線部の表面にZnを含む面が形成され、前記Znを含む面と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材が充填されていることを特徴とする光デバイスの封止構造。請求項1に記載の光デバイスの封止構造において、前記封止材はZnを含有することを特徴とする光デバイスの封止構造。光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記裸線部の表面にZnを有する層を形成する工程と前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記Znを含む面と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材を充填する工程と、を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記裸線部にZn含有半田を塗布する工程と、前記Zn含有半田を除去することにより前記裸線部の表面にZnを含む面を形成する工程と、前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記Znを含む面と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材を充填する工程と、を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記裸線部にZn含有半田を塗布する工程と、前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記裸線部上のZn含有半田と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材を充填する工程と、を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記裸線部と前記貫通孔の内周面との間にZn含有半田を充填する工程と、を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。光ファイバが挿通された貫通孔を半田封止する場合、半田と光ファイバの密着性が悪く、そのままでは封止することができないため、光ファイバ表面に、密着性を向上させるため、通常AuめっきによりAu膜が形成されていた。しかしこの場合、少なくとも光ファイバの先端部分のAu膜は、光ファイバの先端部分をV溝に配置する際の位置精度の劣化防止や、ファイバ先端部分を他部品へ接着する際に接着強度補強用として用いる部材のファイバ挿入穴に光ファイバの先端部分が挿入できないという問題を回避するために除去しなければならず、手間とコストが掛かるものであった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、光ファイバの挿通部位を簡便に封止することができる光デバイスの封止構造、及び光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明の光デバイスの封止構造は、光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの封止構造において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去し裸線を露出させてなる裸線部の表面にZnを含む面が形成され、前記Znを含む面と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材が充填されていることを特徴とする。前記封止材はZnを含有する構成としてもよい。前記封止材に含まれるZnが前記裸線部の表面に偏在している構成としてもよい。本発明の光デバイスの製造方法は、光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記裸線部の表面にZnを有する層を形成する工程と前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記Znを含む面と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材を充填する工程と、を有することを特徴とする。本発明の光デバイスの製造方法は、光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記裸線部にZn含有半田を塗布する工程と、前記Zn含有半田を除去することにより前記裸線部の表面にZnを含む面を形成する工程と、前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記Znを含む面と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材を充填する工程と、を有することを特徴とする。本発明の光デバイスの製造方法は、光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記裸線部にZn含有半田を塗布する工程と、前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記裸線部上のZn含有半田と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材を充填する工程と、を有することを特徴とする。本発明の光デバイスの製造方法は、光学素子が内部に配置された金属の筐体と、前記筐体の貫通孔に挿通された光ファイバとを備えた光デバイスの製造方法において、前記光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、前記光ファイバを前記貫通孔に挿入し、前記裸線部と前記貫通孔の内周面との間にZn含有半田を充填する工程と、を有することを特徴とする。本発明の光デバイスの封止構造によれば、裸線部の表面に形成されたZnを含む面において、Snを含む封止材と強固な結合が得られる。これにより、従来用いていたAu膜などの高価な部材を用いる必要がなくなるため、部材コストを削減できるとともに、良好な封止性を得ることができる。また本発明の光デバイスの製造方法によれば、裸線部の表面にZnを含む面を浸漬などにより形成した後、あるいはZnを含む面を形成しつつ、貫通孔に半田を充填して封止を行うので、従来用いていたAuなどの高価な部材を用いることはなく、且つマスクパターン等を用いて裸線部に部分的にめっきを形成する必要がなくなるため、部材コストを削減し、工程を簡素化しつつも、良好な封止性を有する光デバイスを製造することができる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。なお、以下では、光学素子の一例として光導波路素子を挙げ、光デバイスの一例として光導波路パッケージを挙げて説明するが、本発明に係る光学素子及び光デバイスはこれらに限定されるものではない。例えば、レーザーダイオードとそのパッケージや、フォトダイオードとそのパッケージであってもよい。第1の実施形態図1は、本発明の光デバイスの一実施の形態である光導波路パッケージを示す図である。図2は、光導波路パッケージの封止構造の説明図である。図1に示す光導波路パッケージ光デバイス100は、有底箱状の筐体10と、筐体10の内部に実装された光導波路素子光学素子20と、筐体10の開口端に被せられ固着された蓋部11と、光導波路素子20に接続された入力用及び出力用の光ファイバ31と、を有する。なお、図1においては、内部に実装された光導波路素子20が見えるように、筐体10及び蓋部11の一部を切り欠いて描いている。光導波路素子20は、ニオブ酸リチウムLiNbO3;LN基板上にマッハツェンダー型の光導波路21と電極22を形成したものであり、筐体10内の台座14上に所定の接着剤を用いて固定されている。光導波路21の一方の端部には、ファイバ固定具23を介して入力用の光ファイバ31が接続されている。入力用の光ファイバ31は、筐体10の側壁に設けられた貫通孔を通じて筐体10の内部から外部へ引き出され、光源41に接続されている。光ファイバ31が挿通された筐体10の貫通孔10aには、半田が充填され、筐体10を密閉する封止部12とされている。一方、光導波路素子20における光導波路21の他方の端部にも、上記と同様に出力用の光ファイバ31が接続されている。出力用の光ファイバ31は筐体10の他方の貫通孔を通して筐体10の外部に引き出されるとともに、入力用の光ファイバ31と同様、筐体10の他方の貫通孔には半田が充填され封止されている。そして出力用の光ファイバ31は受光器42に接続される。さらに受光器42は配線を介して測定器43と接続されている。また、光導波路素子20の電極22には、RFコネクタ及び配線を介して駆動回路44が接続されている。このような構成により、光導波路素子20は光強度変調器として機能する。すなわち、入力用の光ファイバ31から入力部へ信号光が入力され、光導波路21中を所定数の経路に分岐されて伝搬する間に電極22から位相変調を受けた後、再び出力部において合波される。電極22へは、所定の変調信号電圧が印加され、この変調信号電圧に基づく電界が基板内光導波路21部分に印加されて、電気光学効果を介して上記変調信号に応じた屈折率変化が誘起される。この屈折率変化により、分岐された光導波路21中を伝搬する光が位相変調された後に合波されることにより、強度変調された信号光が得られる。図2aは、図1に示す封止部12を拡大して示す図である。図2bは、光ファイバ31の先端構造を示す図である。図2cは、光ファイバ31の先端部分の断面図である。本実施形態において、光導波路パッケージ100と接続される光ファイバ31は、図2bに示すように、その先端部分において被覆32が除去され、光ファイバの裸線コア及びクラッドが露出した裸線部33が形成されている。また本実施形態の場合、図2cに示すように、裸線部33の表面に、Znを少なくとも含むZn被膜Znを含む面33zが形成されている。裸線部33は、筐体10に形成された貫通孔10aに挿通され、裸線部33の先端が光導波路素子20のファイバ固定具23に挿入されている。裸線部33が挿通された貫通孔10aには、少なくとも裸線部33表面のZn被膜33zと貫通孔10aの内壁との間に、半田材封止材45が充填されており、これにより貫通孔10aを封止する封止部12が形成されている。封止部12に充填されている半田材45は少なくともSnを含有する半田であり、例えばSn-Ag系半田、Sn-In系半田、Sn-Ag―Cu系半田、Sn-Cu系半田、Sn-Ag-In系半田、Sn-Bi系半田、Sn-Zn-Bi系半田、Sn-Zn-Al系半田等を用いることができる。以上の構成を備えた本実施形態の封止構造によれば、光ファイバ31の裸線部33の表面にZn被膜33zが形成されていることで、Zn被膜33zと半田材45との間で高い密着性を得ることができる。これにより、良好な封止性を有する封止部12を形成することができる。より詳しくは、Zn被膜33zが、裸線部33の構成成分であるSiO2の酸素Oと共有結合したZnを含むものであることから、裸線部33表面に対して強固に結合している。さらに、Zn被膜33zのZnの一部に対して、半田材45に含まれるSnが金属結合することから、Zn被膜33zと半田材45との間でも強固な接合が得られる。以上から、裸線部33と半田材45と間で良好な封止性が得られるものと考えられる。[製造方法]次に、光導波路パッケージ100の製造方法について、図3を参照しつつ説明する。図3は、第1実施形態の光導波路パッケージの製造方法を示す図である。なお、本実施形態は光ファイバと筐体の封止構造に特徴を有するものであるから、光導波路パッケージの製造工程のうち、光ファイバの接続工程についてのみ詳細に説明する。本実施形態の製造方法は、光ファイバの被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部を形成する工程と、裸線部にZn含有半田を塗布する工程と、Zn含有半田を除去することにより裸線部の表面にZnを含む面を形成する工程と、光ファイバを貫通孔に挿入し、Znを含む面と前記貫通孔の内周面との間にSnを含む封止材を充填する工程と、を有する製造方法である。まず、光導波路パッケージ100に接続される光ファイバ31を用意する。光ファイバ31は、通常、図3aに示すように、その先端部分まで被覆32が形成されているので、ジャケットリムーバーを用いて先端部分の被覆32を除去し、裸線を露出させた裸線部33を形成する。ジャケットリムーバーとしては、ブレードで被覆32をそぎ落とす装置や、CO2レーザー等により被覆32を焼失させる装置を用いることができる。形成する裸線部33の長さは、図2aに示したように、光導波路素子20に接続したときに被覆32が筐体10の外側に位置する長さとする。次に、図3bに示すように、裸線部33を、Zn含有半田槽51に浸漬し、裸線部33の表面にZn含有半田を塗布する。Zn含有半田槽51は、超音波槽中に、液状のSn-Zn-Bi系半田、Sn-Zn-Al系半田等を張ったものである。Zn含有半田槽51に裸線部33を浸漬すると、超音波印加と熱の作用により、裸線部33上にZn含有半田が付着する。その後、裸線部33をZn含有半田槽51から引き上げ、半田を硬化させると、図3cに示すように、裸線部33を覆ってZn含有半田46が形成される。次に、図3cに示すように、Zn含有半田46を、溶解槽52に浸漬することで、裸線部33上のZn含有半田46を溶解させる。溶解槽52は、硝酸や触媒を含む塩酸等の半田を溶解させる溶液を張った槽である。溶解槽52への浸漬により、Zn含有半田46の大部分は溶解除去される。しかし、裸線部33の表面では、ガラスの構成成分であるSiO2と強固に固着したZnが存在する。このZnはほとんど溶出しないため、溶解槽52から裸線部33を引き上げると、その表面にZn被膜33zが形成されたものが得られる。以上の工程により、裸線部33表面にZn被膜33zを有する光ファイバ31を作製することができる。次に、図2aに示したように、Zn被膜33zが形成された裸線部33を筐体10の貫通孔10aに挿入し、さらに裸線部33の先端を、筐体10内に実装されている光導波路素子20のファイバ固定具23の接続孔に挿入する。これにより、光ファイバ31と光導波路素子20とを接続する。このとき、裸線部33の表面にはZn被膜33zが形成されているが、Zn被膜33zはごく薄い層であるため、Zn被膜33zの膜厚を考慮した穴径を有するファイバ固定具23を新たに用意する必要はなく、裸線部33の径に合わせて形成されているこれまで使用していたファイバ固定具23を使用することができる。次に、貫通孔10aにおいて、Zn被膜33zと貫通孔10aの内壁面との間に、半田材45を充填することで、貫通孔10aを閉塞し、封止部12を形成する。本実施形態では、裸線部33の表面にZn被膜33zが形成されているため、半田材45としては、ガラスに付着しにくいSn-Ag系半田、Sn-In系半田、Sn-Ag―Cu系半田、Sn-Cu系半田、Sn-Ag-In系半田、Sn-Bi系半田等を用いることができる。これらを用いた場合にも、半田材45に含まれるSnとZn被膜33zのZnとが金属結合するため、強固な結合を得ることができる。上記の製造方法により作製した光導波路パッケージを、85°C/85RH雰囲気に500時間放置し、その後に筐体内部の水分量を測定したところ、5000ppm以下であり、TelcordiaGR468規格を満たす良好な封止性が得られることが確認された。TelcordiaGenericReliabilityAssuranceRequirementsforOptoelectronicDevicesUsedinTelecommunicationsEquipmentGR468CORE以上に説明した本実施形態の製造方法によれば、裸線部33をZn含有半田槽51と溶解槽52に順次浸漬するという簡便な工程により、裸線部33の表面にZn被膜33zを形成することができ、半田材45と裸線部33との良好な密着性を得ることができる。また、液槽への浸漬であるため、大量の光ファイバ31を一括して処理することができる。したがって、従来のように裸線部33上にAuのめっき層をパターン形成する場合と比較して、大幅に工程を簡素化することができ、且つ、従来用いていたAuなどの高価な部材を用いることがなくなるため製造コストを大幅に削減することができる。また、貫通孔10aを封止する半田材45として、ガラスに付着しない半田を用いても、Zn被膜33zと良好な密着性を得ることができるため、半田付け作業に超音波印加が不要になり、作業性を向上させることができる。また、上記実施の形態では、Zn被膜33zの形成にZn含有半田槽51を用いる場合について説明したが、Zn被膜33zの形成方法は、これに限られるものではない。例えば、スパッタやCVDなどの成膜法を用いてZn膜又はZn合金膜を裸線部33上に形成した後、これを加熱して裸線部33の表面とZnとを反応させることによりZnを有する層を形成し、その後にZn膜又はZn合金膜を溶解させることで、図3dに示したZn被膜33zを得ることができる。第2の実施形態次に、図4を参照して第2の実施形態について説明する。図4は、第2実施形態に係る光導波路パッケージの製造方法を示す説明図である。本実施形態の製造方法は、光ファイバ31の被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部33を形成する工程と、裸線部33にZn含有半田46を塗布する工程と、光ファイバ31を筐体10の貫通孔10aに挿入し、裸線部33上のZn含有半田46と貫通孔10aの内周面との間にSnを含む半田材45を充填する工程と、を有する製造方法である。まず、図4aに示すように、光ファイバ31に裸線部33を形成する。具体的な手順は、先の第1実施形態と同様である。次に、図4bに示すように、光ファイバ31の裸線部33上の所定の位置に、Zn含有半田46を部分的に塗布する。Zn含有半田46は、先の実施形態と同様に、ガラスに付着する半田であり、例えば、Sn-Zn-Bi系半田や、Sn-Zn-Al系半田を用いることができる。Zn含有半田46の塗布方法は特に限定されず、手付けのほか、リフローにより実施してもよい。上記の塗布工程により、比較的厚いZn含有半田46が裸線部33の表面に形成されるが、塗布時の超音波印加と加熱により、裸線部33とZn含有半田46とは強固に固着される。次に、図4cに示すように、Zn含有半田46が形成された裸線部33を筐体10の貫通孔10aに挿入し、さらに裸線部33の先端を、筐体10内に実装されている光導波路素子20のファイバ固定具23の接続孔に挿入する。これにより、光ファイバ31と光導波路素子20とを接続する。なお、本実施形態では、裸線部33の先端部にはZn含有半田46は形成されていないため、ファイバ固定具23の接続孔への挿入に不具合を生じることはない。また上記の挿入工程において、裸線部33上のZn含有半田46を貫通孔10a内に配置する。Zn含有半田46は、裸線部33のうちファイバ固定具23に挿入される部分以外の表面に形成することができるため、Zn含有半田46の塗布長さを貫通孔10aの長さよりも大きくしておくことで、精密な位置決めは不要になる。次に、貫通孔10aにおいて、Zn含有半田46と貫通孔10aの内壁面との間に、半田材45を充填することで、貫通孔10aを閉塞し、封止部12を形成する。半田材45としては、先の実施形態と同様のものを用いることができる。本実施形態では、裸線部33上にZn含有半田46が塗布されているため、半田材45として、ガラスに付着しにくいSn-Ag系半田、Sn-In系半田、Sn-Ag―Cu系半田、Sn-Cu系半田、Sn-Ag-In系半田、Sn-Bi系半田等を用いてもよい。これらを用いた場合にもZn含有半田46と半田材45とは強固に固着する。なお、半田材45を充填する過程で、Zn含有半田46の一部又は全部が溶融し、半田材45と一体の封止材を形成してもよい。このようにZn含有半田46が溶融した場合にも、裸線部33の表面には、SiO2と強固に固着したZnが存在するため、このZnと半田材45に含まれるSnとが金属結合することにより、強固な結合を得ることができる。上記の製造方法により作製した光導波路パッケージを、85°C/85RH雰囲気に500時間放置し、その後に筐体内部の水分量を測定したところ、5000ppm以下であり、良好な封止性が得られることが確認された。以上に説明した本実施形態の製造方法によれば、裸線部33に部分的にZn含有半田を塗布するという簡便な工程により、裸線部33の表面にZn含有半田46を形成することができる。そして、かかるZn含有半田46上に半田材45を塗布することで、半田材45をZn含有半田46に対して強固に接合させ、あるいは、Zn含有半田46と溶融一体化させて、裸線部33に対して強固に接合させることができる。これにより、良好な封止性を有する封止部12を簡便な工程で形成することができる。したがって、従来のように裸線部33上にAuのめっき層をパターン形成する場合と比較して、大幅に工程を簡素化することができ、且つ、従来用いていたAuなどの高価な部材を用いることがなくなるため製造コストを大幅に削減することができる。また、貫通孔10aを封止する半田材45として、ガラスに付着しない半田を用いることができるため、半田付け作業に超音波印加が不要になり、作業の煩雑性の低減及び工程の簡素化を図ることができる。第3の実施形態次に、図5を参照して第3の実施形態について説明する。図5は、第3実施形態に係る光導波路パッケージの製造方法を示す説明図である。本実施形態の製造方法は、光ファイバ31の被覆を部分的に除去することにより裸線が露出した裸線部33を形成する工程と、光ファイバ31を筐体10の貫通孔10aに挿入し、裸線部33と貫通孔10aの内周面との間にZn含有半田46を充填する工程と、を有する製造方法である。まず、図5aに示すように、光ファイバ31に裸線部33を形成する。具体的な手順は、先の第1実施形態と同様である。次に、図5bに示すように、光ファイバ31の裸線部33を筐体10の貫通孔10aに挿入し、さらに裸線部33の先端を、筐体10内に実装されている光導波路素子20のファイバ固定具23の接続孔に挿入する。これにより、光ファイバ31と光導波路素子20とを接続する。なお、本実施形態では、裸線部33の表面には何も形成されていないため、ファイバ固定具23の接続孔への挿入に不具合を生じることはない。次に、貫通孔10aにおいて、裸線部33と貫通孔10aの内壁面との間に、Zn含有半田46を充填する。Zn含有半田46は、ガラスに付着する半田であり、例えば、Sn-Zn-Bi系半田や、Sn-Zn-Al系半田を用いることができる。Zn含有半田46を充填することで、貫通孔10aを閉塞し、封止部12を形成することができる。本実施形態では、Zn含有半田46を充填する過程での超音波印加と加熱により、裸線部33とZn含有半田46とは強固に固着される。上記の製造方法により作製した光導波路パッケージを、85°C/85RH雰囲気に500時間放置し、その後に筐体内部の水分量を測定したところ、5000ppm以下であり、良好な封止性が得られることが確認された。以上に説明した本実施形態の製造方法によれば、裸線部33にAuのめっきをパターン形成せずに筐体10に装着し、その後にZn含有半田を充填することで、封止部12を形成する。したがって、従来のように裸線部33上にAuのめっき層をパターン形成する場合と比較して、大幅に工程を簡素化することができ、且つ、従来用いていたAuなどの高価な部材を用いることがなくなるため製造コストを大幅に削減することができる。ただし、濡れ性の悪いZn含有半田を用いて貫通孔10aを封止するため、半田付け作業に超音波印加が必要である。