"セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層が積層されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、両金属層を前記セラミックス基板の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、前記金属層に塑性変形を生じさせることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。請求項1記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、前記セラミックス基板の両面に積層される厚みの厚い金属層に対する薄い金属層の厚さの比率を0.2以上0.9以下で構成し、厚さ方向に9.8×104Pa以上343×104Pa以下で加圧した状態で-5°C以下-70°C以上の範囲内に冷却することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。このように、両金属層とも同じ組成、同じ性状であるとすると、回路層と放熱層との厚さの差から、ろう付けのための加熱処理を経由するとパワーモジュール用基板の全体に反りが生じて、その後のヒートシンクとの接合が困難になるという問題があった。また、特許文献2記載の技術では、2枚の金属層の材料を変えなければならず、同じ材料のものを用いる場合には適用できないという問題があった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層が積層されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、両金属層を前記セラミックス基板の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、前記金属層に塑性変形を生じさせることを特徴とする。厚さを異ならせた金属層では熱伸縮の差が大きいので、これらをセラミックス基板の両面に接合した場合は、加熱接合後の冷却過程において薄肉の金属層側を凸とする反りを生じさせる応力が発生する。本発明においては、両金属層とセラミックス基板との接合後において、厚さ方向に加圧した状態で冷却されることにより、反りの発生が抑制される。両金属層とセラミックス基板との接合後において、常温以下の低温まで冷却を進めると、厚肉の金属層の熱収縮による応力が大きくなるが、両金属層とセラミックス基板とは加圧されて拘束された状態であるので、反りとしては変形できなくなる。これをさらに冷却すると、金属層に塑性変形が生じる。この塑性変形は、反りとは逆方向の変形であり、その塑性変形領域まで冷却した後に常温まで戻すと、塑性変形した分、反りが相殺されて、冷却前の常温時に生じていた反りよりも小さくなる。このように、両金属層とセラミックス基板とを厚さ方向に加圧した状態で冷却することで、両金属層に、熱伸縮による反りと逆向きの塑性変形を生じさせることができ、パワーモジュール用基板全体の反りを低減することができる。本発明のパワーモジュール用基板の製造方法において、前記セラミックス基板の両面に積層される厚みの厚い金属層に対する薄い金属層の厚さの比率を0.2以上0.9以下で構成し、厚さ方向に9.8×104Pa以上343×104Pa以下で加圧した状態で-5°C以下-70°C以上の範囲内に冷却するとよい。このように、両金属層の厚さの比率に合わせて加圧と冷却の条件を設定することにより、冷却過程において生じる反りの発生を防止して、パワーモジュール用基板の接合信頼性を向上させることができる。本発明によれば、セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合により発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供することができる。また、両金属層が同じ材料であっても適用できることから、種々のパワーモジュール用基板の製造に応用することができる。以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態のパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示している。このパワーモジュール1は、セラミックス等からなるセラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3の裏面に接合されたヒートシンク5とから構成される。パワーモジュール用基板3は、セラミックス基板2の両面に金属層6,7が積層されており、その一方の金属層6が回路層となり、その表面に電子部品4がはんだ付けされる。また、他方の金属層7は放熱層とされ、その表面にヒートシンク5が取り付けられる。セラミックス基板2は、例えば、AlN窒化アルミニウム、Si3N4窒化珪素等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3アルミナ等の酸化物系セラミックスやSiC炭化珪素等の炭化物系セラミックスにより形成され、その厚さは例えば0.635mmとされる。金属層6,7は、いずれも純度99.90質量以上のアルミニウムが用いられ、JIS規格では、1N90純度99.90質量以上:いわゆる3Nアルミニウム又は1N99純度99.99質量以上:いわゆる4Nアルミニウムを用いることができる。なお、金属層6,7には、アルミニウムの他、Cuを用いることもできる。このパワーモジュール用基板3は、放熱層となる金属層7に緩衝機能を持たせたるため、回路層となる金属層6よりも肉厚に形成されたものを用いている。この場合、回路層及び放熱層となる金属層6,7の厚さは、その金属層7に対する金属層6の厚さの比率金属層6の厚さ/金属層7の厚さが0.2以上0.9以下となるように形成されている。本実施形態のパワーモジュール用基板3においては、例えば、回路層となる金属層6の厚さは0.6mmとされ、放熱層となる金属層7の厚さが1.6mmとされており、その厚さの比率は0.375となる。これら金属層6,7は、プレス加工により所望の外形に打ち抜いたものをセラミックス基板2に接合するか、あるいは、平板状のものをセラミックス基板2に接合した後に、エッチング加工により所望の外形に形成するか、いずれの方法も採用することができる。なお、本実施形態のパワーモジュール用基板3は、放熱層となる金属層7の厚さの方が回路層となる金属層6の厚さよりも厚い例であるが、逆の形態として、放熱層となる金属層7の厚さの方が回路層となる金属層6の厚さよりも薄く設けられるものであってもよい。以下、特に指定しない限り、金属層7の厚さの方が金属層6の厚さよりも厚いものとして説明する。また、両金属層6,7の厚さは、上述の厚さに限定されることはなく、例えば、0.6mmよりも薄いものや、1.6mmよりも厚いものも用いられる。セラミックス基板2と回路層及び放熱層となる金属層6,7とは、ろう付けにより積層されている。ろう材としては、Al-Si系、Al-Ge系、Al-Cu系、Al-Mg系またはAl-Mn系等の合金が使用される。なお、金属層6と電子部品4との接合には、Sn-Ag-Cu系,Zn-Al系もしくはPb-Sn系等のはんだ材が用いられる。図中符号8がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品4と金属層6の端子部との間は、アルミニウム等からなるボンディングワイヤ図示略により接続される。また、ヒートシンク5は、平板状のもの、熱間鍛造等によって多数のピン状フィンを一体に形成したもの、押出成形によって相互に平行な帯状フィンを一体に形成したもの等、適宜の形状のものを採用することができる。放熱層となる金属層7とヒートシンク5との間の接合法としては、Al-Si系、Al-Ge系、Al-Cu系、Al-Mg系またはAl-Mn系等の合金のろう材によるろう付け法や、Al-Si系のろう材にフラックスを用いたノコロックろう付け法、金属層およびヒートシンクにNiめっきを施し、Sn-Ag-Cu系、Zn-AlもしくはPb-Sn系等のはんだ材によりはんだ付けする方法が用いられ、あるいは、シリコングリースによって密着させた状態でねじによって機械的に固定される。このように構成される本実施形態のパワーモジュール1は、以下のようにして製造される。まず、セラミックス基板2の一方の面に回路層となる金属層6をろう材箔を介して積層し、セラミックス基板2の他方の面に放熱層となる金属層7もろう材箔を介して積層する。そして、この積層体Sを図2に示す加圧装置110に設置する。この加圧装置110は、ベース板111と、ベース板111の上面の四隅に垂直に取り付けられたガイドポスト112と、これらガイドポスト112の上端部に固定された固定板113と、これらベース板111と固定板113との間で上下移動自在にガイドポスト112に支持された押圧板114と、固定板113と押圧板114との間に設けられて押圧板114を下方に付勢するばね等の付勢手段115とを備えている。固定板113および押圧板114は、ベース板111に対して平行に配置されており、ベース板111と押圧板114との間に前述の積層体Sが配置される。積層体Sの両面に加圧を均一にするためにカーボンシート116が配設される。この加圧装置110により積層体Sを加圧した状態で、加圧装置110ごと図示略の加熱炉内に設置し、真空雰囲気中で例えば630°Cのろう付け温度に加熱してろう付けを行うことにより、パワーモジュール用基板3を製造する。図1に示すパワーモジュール用基板3のように、回路層及び放熱層となる金属層6,7の厚さを異ならせた場合、ろう付け時の加熱による熱伸縮の差が大きいので、接合後の冷却過程で発生する残留応力のために、常温まで戻して加圧状態を解放すると薄肉の金属層6側を凸とする反りが生じる。冷却過程において、常温以下の低温までさらに冷却を進めると、熱収縮による変形反り量は、さらに増加することとなる。本実施形態においては、この金属層6側を凸とする反りが生じたパワーモジュール用基板に対して、反りを矯正するように荷重を負荷し、厚さ方向に加圧した状態で冷却を行う。その際、9.8×104Pa1kg/cm2以上343×104Pa35kg/cm2以下で加圧した状態で-5°C以下-70°C以上の範囲内に冷却することが好ましい。加圧状態のパワーモジュール用基板を冷却する場合、図2に示す加圧装置ごと冷却器に投入すると、通常5分程度でパワーモジュール用基板も雰囲気温度に到達することから、保持時間としては、パワーモジュール用基板をその冷却温度まで冷却するために、冷却器へ投入後5分程度放置するとよい。より好ましくは、-10°C~-20°Cで10分間の冷却を行うとよい。この場合、両金属層6,7とセラミックス基板2とは厚さ方向に加圧され、反りが生じないように拘束されていることから、冷却時において見かけ上は変化がないように見えるが、応力に抗して加圧されていることにより金属層6,7に塑性変形が生じる。両金属層6,7の塑性変形は、反りとは逆方向の変形であり、その塑性変形領域まで冷却した後に常温まで戻すと、塑性変形した分、反りが相殺されて、冷却前の常温時に生じていた反りよりも、冷却後の常温時の反りの方が小さくなる。したがって、冷却前の常温時の応力よりも、冷却後の常温時の応力の方が小さくなる。このように、両金属層6,7とセラミックス基板2とを厚さ方向に加圧した状態で冷却することにより、両金属層6,7に、熱伸縮による反りと逆向きの塑性変形を生じさせ、パワーモジュール用基板3の全体の反りを低減させることができる。次に、本発明の効果を確認するために行った実施例および比較例について説明する。回路層及び放熱層ともにアルミニウム純度99.99質量の28mm角の金属層を用い、回路層となる金属層6の厚さは0.6mm、放熱層となる金属層7の厚さは1.6mmとした。これらの金属層の厚さの比率回路層の厚さ/放熱層の厚さは0.375である。セラミックス基板2には、AlNを用い、厚さ0.635mmとした。これら金属層6,7とセラミックス基板2とは、厚さ10μm~15μmのAl-Si系ろう材を用いて接合した。このように構成されたパワーモジュール用基板の製造には、まず、金属層6の裏面とセラミックス基板2の表面、および金属層7の表面とセラミックス基板2の裏面を、それぞれろう材を挟んで当接させ、これらを積層したセラミックス基板2および金属層6,7を厚さ方向に加圧しながら、真空雰囲気中、600°C~650°Cで約1時間加熱することにより、セラミックス基板2と両金属層6,7とをろう付け接合し、試料1~15のパワーモジュール用基板を製造した。その後、セラミックス基板2と金属層6,7とを加圧した状態で常温まで冷却し、加圧を解放した。この状態では、薄肉の金属層6側を凸とする反りが認められた。そして、これら接合後のパワーモジュール用基板について全体の反りを測定した。これらの測定結果を接合後の反り量として28mm長さ当たりの平面度を表1に示す。次に、各試料1~15について、平面度改善のために3種類の処理を実施し、これらの平面度改善後の各試料1~15の反り量について測定を行った。試料1~5については、接合後に53.9×104Pa5.5kg/cm2で厚さ方向に加圧し、その加圧状態を20分間保持した後に加圧を解く方法で平面度改善を行った。試料6~10については、接合後に加圧を解いた状態で-70°Cまで冷却し、全体の温度が一定となるように20分間保持した後に、再度-70°Cから常温まで戻す方法で行った。また、試料11~15については、接合後に53.9×104Pa5.5kg/cm2で厚さ方向に加圧し、その加圧状態で-70°Cまで冷却し、冷却および加圧を20分間保持した後に、再度-70°Cから常温まで戻し、加圧を解く方法で行った。これら試料1~15の平面度改善後の反り量の測定結果を表1に示す。なお、平面度は、定盤上にパワーモジュール用基板を載置し、上部よりレーザー変位計で測定した。また、平面度変化率Zは、接合後の平面度をXとし、平面度改善後の平面度をYとした場合に、Z=X-Y/X×100により算出される値である。表1からわかるように、試料11~15については、所定の荷重を付加し、その加圧状態で冷却を行うことにより、平面度改善前と比べて反り量が大幅に低減された。平面度改善の方法として加圧のみ行う場合試料1~5や、冷却のみ行う場合試料6~10においても反り量は低減されたが、加圧と冷却とを同時に行う場合試料11~15と比べて、効果は小さかった。なお、上記においては、セラミックス基板と両金属層とを-70°Cまで冷却したが、金属層に塑性変形が生じる温度領域まで冷却すればよい。どの程度まで冷却するかは、パワーモジュール用基板の面積、板厚、材質等によって生じる反り量の程度に応じて設定すればよい。例えば、少なくとも-10°C~-20°Cまで冷却し、その状態を10分間保持することが好ましい。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態においては、セラミックス基板と両金属層との接合後に一度加圧を解放し、冷却過程において再度の加圧を行っていたが、接合後に加圧を解放せずに、そのまま連続して冷却を行ってもよい。また、セラミックス基板と金属層との接合は、ろう付け以外にもはんだ付けも可能である。また、TLP接合法TransientLiquidPhaseBondingと称される過渡液相接合法によって接合してもよい。この過渡液相接合法においては、金属層の表面に蒸着させた銅層を、金属層とセラミックス基板との界面に介在させて行う。加熱により、金属層のアルミニウム中に銅が拡散し、金属層の銅層近傍の銅濃度が上昇して融点が低下し、アルミニウムと銅との共晶域にて接合界面に金属液相が形成される。この金属液相が形成された状態で温度を一定に保持しておくと、金属液相がセラミックス基板と反応するとともに、銅がさらにアルミニウム中に拡散することに伴い、金属液相中の銅濃度が徐々に低下して融点が上昇し、温度を一定に保持した状態で凝固が進行する。これにより、金属層とセラミックス基板との強固な接合が得られる。また、セラミックス基板と金属層とを、活性金属ろう材を用いて接合する方法を採用することもできる。例えば、活性金属であるTiを含む活性金属ろう材Ag‐27.4質量Cu‐2.0質量Tiを用い、金属層とセラミックス基板との積層体を加圧した状態で真空中で加熱し、活性金属であるTiをセラミックス基板に優先的に拡散させて、Ag‐Cu合金を介して金属層とセラミックス基板とを接合できる。"