"表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段と、前記フッ素含有ガス供給手段及び前記酸素含有ガス供給手段と接続され、前記フッ素含有ガス及び前記酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化した前記フッ素含有ガス及びプラズマ化した前記酸素含有ガスを前記成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、前記成膜チャンバーから排出される排ガスを分析する排ガス分析手段と、前記排ガス分析手段の分析結果に基づき、前記フッ素含有ガス供給手段、前記酸素含有ガス供給手段、及び前記プラズマ発生手段を制御する制御手段と、を含み、前記炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上であることを特徴とする炭化珪素成膜装置。前記成膜チャンバーの内面と前記プラズマ発生手段との間の距離が、20cm以下であることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素成膜装置。前記プラズマ化したフッ素含有ガス及び前記プラズマ化した酸素含有ガスが供給される段階において、前記成膜チャンバーを250~300°Cの温度で加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の炭化珪素成膜装置。前記排ガス分析手段として非分散式赤外線式分析計を用いると共に、前記非分散式赤外線式分析計により四フッ化珪素及び二酸化炭素を分析することを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置。表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、前記フッ素含有ガス供給手段と接続され、前記フッ素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化した前記フッ素含有ガスを前記成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、前記成膜チャンバーからの排ガスを分析する排ガス分析手段と、前記排ガス分析手段の分析結果に基づき、前記フッ素含有ガス供給手段、及び前記プラズマ発生手段を制御する制御手段と、を含み、前記炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上であることを特徴とする炭化珪素成膜装置。前記成膜チャンバーの内面と前記プラズマ発生手段との間の距離が、100cm以下であることを特徴とする請求項5記載の炭化珪素成膜装置。前記プラズマ化したフッ素含有ガスが供給される段階において、前記成膜チャンバーを350~400°Cの温度で加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求項5または6記載の炭化珪素成膜装置。前記排ガス分析手段として非分散式赤外線式分析計を用いると共に、前記非分散式赤外線式分析計により四フッ化珪素及び四フッ化炭素を分析することを特徴とする請求項5ないし7のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置。前記炭化珪素コートに替えて炭化タンタルコートを用いることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置。請求項1ないし9のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置を用いた炭化珪素除去方法であって、前記基板に前記炭化珪素膜を成膜後、前記炭化珪素コートの表面に付着した前記炭化珪素を含む付着物を選択的に除去することを特徴とする炭化珪素除去方法。前記付着物を除去後で、かつ前記炭化珪素膜を成膜する前に、前記成膜チャンバー内をH2による加熱パージ処理することを特徴とする請求項10記載の炭化珪素除去方法。前記H2をプラズマ化させることを特徴とする請求項11記載の炭化珪素除去方法。ところで、炭化珪素成膜装置を用いて、炭化珪素膜を成膜する場合、1500°C以上の高温プロセスを行うため、成膜チャンバーの内面を含む装置部材の大部分が付着物と同様な成分よりなる炭化珪素や炭素のような高耐熱材料により構成されている。そのため、処理チャンバーと一体化したプラズマ発生手段によりガスをプラズマ化して炭化珪素のエッチング処理を行う特許文献1,2の方法では、成膜チャンバーの内面が直接プラズマ放電に触れるため、選択的に炭化珪素を含む付着物を除去することが困難である。つまり、選択比を確保することが困難なため、成膜チャンバーの内面を構成する部材もエッチングされてしまうという問題があった。また、特許文献1,2のように、プラズマ放電が直接触れるような環境下では、プラズマ放電による発熱により、設定した処理温度よりも高温になってしまうと共に、エッチングされた部材処理チャンバーの内面を構成する部材からのコンタミが発生する。つまり、処理チャンバーの温度制御が難しく、コンタミが発生しにくい適切な条件低温の条件で付着物を除去することが困難であった。このような理由により、特許文献1,2では、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバーの内面に付着した炭化珪素を含む付着物をin-situで精度よく除去することが困難であった。また、特許文献1,2では、付着物を構成する炭化珪素の除去ができたか否かの判断ができない言い換えれば、終点検知のシステムがないため、処理時間を長くして炭化珪素の除去処理を行なった場合、処理容器が破損する虞があり好ましくなかった。そこで、本発明は、炭化珪素膜成膜後に成膜チャンバーの内面に付着した炭化珪素を含む付着物をin-situで精度よく除去することで、生産性を向上可能な炭化珪素成膜装置及び炭化珪素除去方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1に係る発明によれば、表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段と、前記フッ素含有ガス供給手段及び前記酸素含有ガス供給手段と接続され、前記フッ素含有ガス及び前記酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化した前記フッ素含有ガス及びプラズマ化した前記酸素含有ガスを前記成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、前記成膜チャンバーから排出される排ガスを分析する排ガス分析手段と、前記排ガス分析手段の分析結果に基づき、前記フッ素含有ガス供給手段、前記酸素含有ガス供給手段、及び前記プラズマ発生手段を制御する制御手段と、を含み、前記炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上であることを特徴とする炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項2に係る発明によれば、前記成膜チャンバーの内面と前記プラズマ発生手段との間の距離が、20cm以下であることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項3に係る発明によれば、前記プラズマ化したフッ素含有ガス及び前記プラズマ化した酸素含有ガスが供給される段階において、前記成膜チャンバーを250~300°Cの温度で加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項4に係る発明によれば、前記排ガス分析手段として非分散式赤外線式分析計を用いると共に、前記非分散式赤外線式分析計により四フッ化珪素及び二酸化炭素を分析することを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項5に係る発明によれば、表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、前記フッ素含有ガス供給手段と接続され、前記フッ素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化した前記フッ素含有ガスを前記成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、前記成膜チャンバーからの排ガスを分析する排ガス分析手段と、前記排ガス分析手段の分析結果に基づき、前記フッ素含有ガス供給手段、及び前記プラズマ発生手段を制御する制御手段と、を含み、前記炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上であることを特徴とする炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項6に係る発明によれば、前記成膜チャンバーの内面と前記プラズマ発生手段との間の距離が、100cm以下であることを特徴とする請求項5記載の炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項7に係る発明によれば、前記プラズマ化したフッ素含有ガスが供給される段階において、前記成膜チャンバーを350~400°Cの温度で加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求項5または6記載の炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項8に係る発明によれば、前記排ガス分析手段として非分散式赤外線式分析計を用いると共に、前記非分散式赤外線式分析計により四フッ化珪素及び四フッ化炭素を分析することを特徴とする請求項5ないし7のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項9に係る発明によれば、前記炭化珪素コートに替えて炭化タンタルコートを用いることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置が提供される。また、請求項10に係る発明によれば、請求項1ないし9のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置を用いた炭化珪素除去方法であって、前記基板に前記炭化珪素膜を成膜後、前記炭化珪素コートの表面に付着した前記炭化珪素を含む付着物を選択的に除去することを特徴とする炭化珪素除去方法が提供される。また、請求項11に係る発明によれば、前記付着物を除去後で、かつ前記炭化珪素膜を成膜する前に、前記成膜チャンバー内をH2による加熱パージ処理することを特徴とする請求項10記載の炭化珪素除去方法が提供される。また、請求項12に係る発明によれば、前記H2をプラズマ化させることを特徴とする請求項11記載の炭化珪素除去方法が提供される。本発明の炭化珪素成膜装置の一観点によれば、表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段と、フッ素含有ガス供給手段及び酸素含有ガス供給手段と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、成膜チャンバーから排出される排ガスを分析する排ガス分析手段と、排ガス分析手段の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段、酸素含有ガス供給手段、及びプラズマ発生手段を制御する制御手段と、を含み、炭化珪素を含む付着物が、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上であることにより、in-situで成膜チャンバーの内面の損傷を抑制した上で、プラズマ化したフッ素含有ガスにより付着物を構成する炭化珪素に含まれる珪素成分を除去すると共に、プラズマ化させた酸素含有ガスにより炭化珪素に含まれる炭素成分を除去することが可能となる。つまり、別途、炭化珪素を除去するための炭化珪素除去装置を用意することなく、in-situで、かつ成膜チャンバーの内面の損傷を抑制した上で、炭化珪素コートに付着した付着物を効率よく除去することが可能となるので、炭化珪素除去装置を用いて付着物の除去を行った場合と比較して、炭化珪素膜の成膜の生産性を向上させることができる。本発明の炭化珪素成膜装置の他の観点によれば、表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、フッ素含有ガス供給手段と接続され、フッ素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガスを成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、成膜チャンバーからの排ガスを分析する排ガス分析手段と、排ガス分析手段の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段、及びプラズマ発生手段を制御する制御手段と、を含み、炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上であることにより、in-situにおいて、炭化珪素コート及び成膜チャンバーが損傷することを抑制した上で、プラズマ化したフッ素含有ガスにより炭化珪素を含む付着物を選択的に効率良く除去することが可能となる。つまり、別途、炭化珪素を除去するための炭化珪素除去装置を用意することなく、in-situで、かつ成膜チャンバーの内面の損傷を抑制した上で、炭化珪素コートに付着した付着物を効率よく除去することが可能となるので、炭化珪素除去装置を用いて付着物の除去を行った場合と比較して、炭化珪素膜の成膜の生産性を向上させることができる。以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の炭化珪素成膜装置の寸法関係とは異なる場合がある。実施の形態図1は、本発明の実施の形態に係る炭化珪素成膜装置の概略構成を示す図である。図1を参照するに、本実施の形態の炭化珪素成膜装置10は、処理チャンバー11と、図示していない加熱手段と、フッ素含有ガス供給手段13と、酸素含有ガス供給手段14と、プラズマ発生手段15と、真空ポンプ16と、ガス管17と、排ガス分析手段19と、制御手段21と、を有する。炭化珪素成膜装置10は、処理チャンバー11内に載置された基板図示せずに炭化珪素膜以下、炭化珪素膜Aというを成膜する装置である。処理チャンバー11は、基板図示せずに炭化珪素膜Aを成膜する反応炉である。そのため、該基板に炭化珪素膜を成膜した際、処理チャンバー11の内面言い換えれば、処理チャンバー11を構成する部材の表面には、炭化珪素を含む付着物以下、付着物Bというが付着する。ここで、付着物Bについて説明する。付着物Bは、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上とされている。処理チャンバー11内には、上記付着物Bを除去する際、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスが供給される。このため、処理チャンバー11の内面を構成する部材付着物Bが付着する部材は、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスに対して十分な耐性を有した材料により構成されている。また、炭化珪素膜Aの成膜プロセスでは、熱的特性により1500°C以上の高温に加熱することが必要とされる。このため、処理チャンバー11の内面を構成する部材についても1500°C以上の温度において安定であること求められる。上記理由から、処理チャンバー11の内面を構成する部材としては、例えば、炭化珪素、炭化タンタル、窒化珪素、窒化ホウ素、及びカーボン等の耐熱材料を使用するとよい。さらに、コストを考慮すると、処理チャンバー11の内面を構成する部材としては、母材がカーボンであって、かつ母材の表面を炭化ケイ素コートしたものを用いるとよい。この場合、該炭化ケイ素コートとしては、例えば、その表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上のものを用いるとよい。カーボンを炭化珪素コートした部材は、シリコン基板にデバイスを形成する半導体製造装置にも広く使用されており、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスに対しても強い耐食性のある材料として実績がある。このように、処理チャンバー11の内面を構成する部材として、表面粗さRaが10以上で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートされたものを用いると共に、炭化珪素を含む付着物Bが、表面粗さRaが10未満で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5~1.5の範囲内であり、かつ111面の占める比率が0.5以上であることにより、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスを用いて、炭化珪素コートへの損傷を抑制した上で、選択的に効率良く付着物Bを除去することができる。加熱手段図示せずは、処理チャンバー11具体的には、処理チャンバー11の内面を構成する部材を加熱するための加熱器例えば、ヒーターである。炭化珪素は化学的に非常に安定しているため、単にプラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスと付着物Bとを接触させただけでは十分な除去能力を得ることは難しい。そこで、処理チャンバー11を加熱する加熱手段図示せずを設けることで、プラズマ化したフッ素含有ガス及び酸素含有ガスと付着物Bを構成する炭化珪素との反応を促進させることができる。プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを用いて付着物Bを除去する際、加熱手段を用いて、成膜チャンバー11の温度が200~400°Cの範囲内、より好ましくは250~300°Cの範囲内となるように加熱するとよい。成膜チャンバー11の温度が250°Cよりも低いと、十分に付着物Bを除去することができない。また、成膜チャンバー11の温度が300°Cよりも高いと、プラズマ化したフッ素含有ガスと付着物Bに含まれる炭素炭素成分との反応も生じ始め、クリーニングの終点管理を的確に行うためにはあまり好ましくない。フッ素含有ガス供給手段13は、プラズマ発生手段15と接続されている。フッ素含有ガス供給手段13は、プラズマ発生手段15にフッ素含有ガスを供給する。フッ素含有ガスは、雰囲気温度成膜チャンバー11内の雰囲気の温度が300°C程度であれば付着物Bに含まれる珪素珪素成分を除去する。また、フッ素含有ガスは、該雰囲気温度が350以上の温度なると、付着物Bに含まれる炭素炭素成分とも反応するため、フッ素含有ガスのみで珪素成分及び炭素成分の除去が可能となる。上記フッ素含有ガスとしては、フッ素、フッ化水素、ハイドロフルオロカーボンのうち、少なくとも1つを含むものを用いることができる。なお、フッ素含有ガスとしては、例えば、フルオロカーボンや六フッ化硫黄、三フッ化窒素、三フッ化塩素、二フッ化カルボニル等を使用することも可能である、しかしながら、これらのガスは温暖化係数の大きなガスであるため、温暖化の観点からあまり好ましくない。GWP値の小さいF2やHF等の低環境負荷ガスが好ましい。酸素含有ガス供給手段14は、プラズマ発生手段15と接続されている。酸素含有ガス供給手段14は、酸素含有ガスを供給する。酸素含有ガス供給手段14は、フッ素含有ガス供給手段13から供給されたフッ素含有ガスと混合された酸素含有ガスをプラズマ発生手段15に供給可能な状態で、プラズマ発生手段15と接続されている。酸素含有ガスは、炭化珪素に含まれる炭素炭素成分を除去するガスである。酸素含有ガスとしては、酸素O2、オゾンO3、窒素酸化物、水蒸気H2Oのうち、少なくとも1つのガスを含むガスを用いることができる。プラズマ発生手段15は、フッ素含有ガス供給手段13、及び酸素含有ガス供給手段14と接続されており、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスが供給される。プラズマ発生手段15は、上記フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを処理チャンバー11内に供給する。プラズマ発生手段15としては、市販の一般的なプラズマ発生装置を用いることが可能である。プラズマ発生手段15としては、200kHz~2.56GHzの発振器であればよい。プラズマ発生手段15の仕様は、プラズマ発生手段15に供給されるガスの組成、流量、圧力等によって決定される。安定したプラズマを放電するためには、プラズマ発生手段15に供給されるガスの圧力は、10torr以下がよい。また、ガスを多く流すことでラジカル等を多く発生させることが可能となるが、該ラジカル等を十分に利用するためには、ラジカルの衝突による消滅を避けるために圧力を下げる必要がある。このため、プラズマ発生手段15に供給されるガスの流量を少なめにして1torr以下で処理する場合と、プラズマ発生手段15に供給されるガスの流量を多めにして10torr以下で処理する場合、の2通りが考えられる。プラズマ発生手段15に供給されるガスの流量及び圧力は、実際にサンプルを処理した時の結果やプラズマ発生条件に伴う各種条件、設備等周りの状況と絡んで、最適な条件を決定することができる。また、成膜チャンバー11の内面とプラズマ発生手段15との間の距離は、20cm以下にするとよい。これにより、付着物Bを構成する炭化珪素のエッチング速度を十分に確保することが可能となる。なお、図1では、フッ素含有ガス供給手段13及び酸素含有ガス供給手段14に対して1台のプラズマ発生手段15を設けた場合を例に挙げてが、フッ素含有ガス供給手段13及び酸素含有ガス供給手段14のそれぞれに対してプラズマ発生手段を設けてもよい。つまり、2台のプラズマ発生手段を設けてもよい。また、クリーニングガスであるフッ素含有ガス及び酸素含有ガスを効率よくプラズマ化させるために、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスに放電ガスとして、Ar,He,Ne等の不活性ガスを添加してもよい。真空ポンプ16は、処理チャンバー11及びガス管17と接続されている。真空ポンプ16は、処理チャンバー11内のガスを排気して、ガス管17に排ガスを導出させる。ガス管17は、真空ポンプ16及び排ガス分析手段19と接続されている。排ガス分析手段19は、ガス管17と接続されている。排ガス分析手段19は、排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度及び二酸化炭素の濃度を測定するガス分析装置である。排ガス分析手段19は、制御手段21と接続されており、測定した四フッ化珪素の濃度及び/又は二酸化炭素の濃度を制御手段21に送信する。排ガス分析手段19として、例えば、非分散型赤外線式分析計を用いるとよい。このように、排ガス分析手段19として非分散型赤外線式分析計を用いることにより、簡便、かつ低コストで四フッ化珪素及び二酸化炭素の濃度を測定することができる。なお、排ガス分析手段19として、例えば、フーリエ変換型赤外分光計、紫外線吸収計、質量分析計、ガスクロマトグラフ等の分析計を用いてもよい。制御手段21は、加熱手段図示せず、フッ素含有ガス供給手段13、酸素含有ガス供給手段14、プラズマ発生手段15、及び排ガス分析手段19と電気的に接続されている。制御手段21は、炭化珪素成膜装置10の制御全般を行なう。例えば、制御手段21は、排ガス分析手段19から送信された四フッ化珪素の濃度及び二酸化炭素の濃度に基づいて、プラズマ発生手段15、加熱手段図示せず、フッ素含有ガス供給手段13、及び酸素含有ガス供給手段14の制御を行なう。制御手段21は、図示していない記憶部や演算部を有している。該記憶部には、予め入力された四フッ化珪素の濃度の閾値、または二酸化炭素の濃度の閾値が格納されている。また、演算部図示せずでは、予め入力された四フッ化珪素の濃度の閾値、または二酸化炭素の濃度の閾値と、排ガス分析手段で測定される濃度との比較が行なわれ、濃度が閾値以下になった際には処理を停止するように、処理チャンバー、プラズマ発生手段、加熱手段図示せず、フッ素含有ガス供給手段13、及び酸素含有ガス供給手段14の制御を行なう。本実施の形態の炭化珪素成膜装置によれば、表面粗さRaが10未満で、111面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物Bが内面に付着した成膜チャンバー11と、フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段13と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段14と、フッ素含有ガス供給手段13及び酸素含有ガス供給手段14と接続され、フッ素含有ガス13及び酸素含有ガス14をプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー11内に供給するプラズマ発生手段15と、成膜チャンバー11からの排ガスを分析する排ガス分析手段19と、排ガス分析手段19の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段13、酸素含有ガス供給手段14、及びプラズマ発生手段15を制御する制御手段21と、を含むことにより、in-situで成膜チャンバー11の内面の損傷を抑制した上で、プラズマ化させたフッ素含有ガスにより付着物Bを構成する炭化珪素に含まれる珪素を除去すると共に、プラズマ化させた酸素含有ガスにより炭化珪素に含まれる炭素を除去することが可能となる。つまり、別途、炭化珪素を除去するための炭化珪素除去装置図示せずを用意することなく、in-situで、かつ成膜チャンバー11の内面の損傷を抑制した上で、炭化珪素コートに付着した付着物を効率よく除去することが可能となるので、炭化珪素除去装置を用いて付着物の除去を行った場合と比較して、炭化珪素膜Aの成膜の生産性を向上させることができる。また、処理チャンバー11の排ガスを分析する排ガス分析手段19と、排ガス分析手段19の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段13、酸素含有ガス供給手段14、及びプラズマ発生手段15を制御する制御手段21と、を有することにより、成膜チャンバー11の内面に付着物Bを構成する炭化珪素が残存しているか否かをモニターしながら、付着物Bに含まれる炭素及び珪素を除去することが可能となるので、成膜チャンバー11内に炭化珪素が残存することを抑制できる。ところで、in-situにおいて、成膜チャンバー11の内面に付着した付着物Bの除去処理を行う場合、炭化珪素を含む付着物Bの除去速度が成膜チャンバー11の内面を構成する部材の除去速度よりも大きいこと言い換えれば、成膜チャンバー11の内面を構成する部材に対して選択比が高いことが非常に重要となる。本発明者は、付着物Bを構成する炭化珪素と、成膜チャンバー11の内面を構成する部材を構成する炭化珪素炭化珪素コートと、が同じ炭化珪素であるに、付着物Bを構成する炭化珪素のみを効率良く選択的に除去することが可能な化学的及び物理的な理由を解明し、in-situおいて付着物Bを構成する炭化珪素の除去処理を行う本願の有効性を見出した。一つ目の理由としては、表面状態の違いが挙げられる。処理チャンバー11の内面に付着した炭化珪素の表面は、凹凸に富み、かつ多数の孔を有した形状の膜であるのに対して、処理チャンバー11の内面を構成する部材の炭化珪素コートの表面は、平滑で、かつ緻密な膜である。実際に、付着物Bを構成する炭化珪素の表面、及び炭化珪素コートの表面の粗度を測定した結果、付着物Bを構成する炭化珪素の表面粗さRaは、10よりも大きいRt>150のに対して、炭化珪素コートの表面粗さRaは、1.61Rt:9.49であり、大きな違いがあった。表面状態具体的には、粗度、表面積、密度等の違いは、ガスとの反応性の確率を大きく左右するものであり、付着物Bを構成する粗度の大きい炭化珪素は、粗度の小さい炭化珪素コートよりも多く除去される。二つ目の理由として、組成の違いが挙げられる。付着物Bを構成する炭化珪素は、主に炭化珪素よりなるが、珪素も混在した混合物であることが多い。これは、処理チャンバー11内に載置された基板の表面近傍は、精密に温度等を制御された環境であるのに対し、処理チャンバーの側壁等は温度ムラやガスの流動ムラ等の影響で不均一な反応が発生したためと推測される。実際に、付着物Bに含まれる炭化珪素の組成を測定したところ、該炭化珪素には、炭化珪素と珪素とが混在し、全体としてSiリッチな混合物であることが判った。また、該珪素は、炭化珪素に比べて、化学的及び物理的に劣る材質であり、フッ素系ガスにより比較的簡単に除去される。このため、上記混合物に含まれる珪素を出発点として反応が進むことで、付着物Bに含まれる炭化珪素は除去されやすい。一方、炭化珪素コートは、均質な炭化珪素の膜であり、反応は表面からその内部に一様に進んで行くことから、付着物Bに含まれる炭化珪素よりも除去されにくい。三つ目の理由として、面配位比率の違いが挙げられる。炭化珪素でコーティングされたカーボン品は既に広く使用されているが、この炭化珪素の精度良く調整することでその耐久性が向上される。また、理論化学計算も活用し、炭化珪素の各面配位とFラジカル等の反応性を調査した結果、炭化珪素の全面配位の中で一般的に最も存在比率の多い面は、他の面、例えば面よりも反応性が大きいことが判った。これは、面にはダングリングボンドを持ったSiが存在し、これが反応の起点になりやすいためと推測される。実際に、炭化珪素コートの面配位比率、及び付着物Bを構成する炭化珪素の面配位比率を調査した結果、炭化珪素コートの面配位比率が0.31であるのに対して、付着物Bを構成する炭化珪素の面配位比率が0.53であった。この結果、面の比率の小さい炭化珪素コートは、付着物Bを構成する炭化珪素よりも除去されにくいものとなる。上記3つの理由により、付着物Bを構成する炭化珪素の方が、炭化珪素コートよりも除去されやすく、炭化珪素コートの損傷を抑制した上で、炭化珪素コートの表面に付着した炭化珪素付着物Bのみを選択的に除去することが可能となった。なお、本実施の形態では、処理チャンバー11の内面を構成する部材の表面が、炭化珪素コートの場合を例に挙げて説明したが、炭化珪素コートに替えて炭化タンタルコートを用いてもよい。この場合も、本実施の形態と同様な効果を得ることができる。図2は、本発明の実施の形態の変形例に係る炭化珪素成膜装置の概略構成を示す図である。図2において、図1に示す本実施の形態の炭化珪素成膜装置10と同一構成部分には、同一符号を付す。図2を参照するに、本実施の形態の変形例に係る炭化珪素成膜装置25は、本実施の形態の炭化珪素成膜装置10に設けられた酸素含有ガス供給手段14を構成要素から除いた以外は、炭化珪素成膜装置10と同様に構成される。炭化珪素成膜装置25では、フッ素含有ガス供給手段13から供給されるフッ素含有ガスにより、炭化珪素を含む付着物Bの除去を行う。このため、炭化珪素に含まれる珪素成分及び炭素成分の両方の成分を、フッ素含有ガスのみで除去可能な温度である350°C以上の温度となるように、成膜チャンバー11を加熱する。このように、350°C程度に加熱することで、炭化珪素に含まれる炭素成分とプラズマ発生手段15によりプラズマ化されたフッ素成分が反応し、四フッ化炭素として除去される。より好ましくは、成膜チャンバー11を350~400°Cに加熱するとよい。成膜チャンバー11を400°Cよりも高い温度で加熱すると、炭化珪素コートとフッ素含有ガスとの反応が進行するため、好ましくない。排ガス分析手段19は、排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度及び四フッ化炭素の濃度を測定するガス分析装置である。排ガス分析手段19は、制御手段21と接続されており、測定した四フッ化珪素の濃度および四フッ化炭素の濃度を制御手段21に送信する。排ガス分析手段19としては、非分散型赤外線式分析計を用いるとよい。このように、排ガス分析手段19として非分散型赤外線式分析計を用いることにより、簡便、かつ低コストで四フッ化珪素及び四フッ化炭素を測定することができる。制御手段21は、加熱手段図示せず、フッ素含有ガス供給手段13、プラズマ発生手段15、及び排ガス分析手段19と電気的に接続されている。制御手段21は、炭化珪素成膜装置25の制御全般を行なう。例えば、制御手段21は、排ガス分析手段19から送信された四フッ化珪素の濃度及び四フッ化炭素の濃度に基づいて、プラズマ発生手段15、加熱手段図示せず、及びフッ素含有ガス供給手段13の制御を行なう。制御手段21は、図示していない記憶部や演算部を有している。該記憶部には、予め入力された四フッ化珪素の濃度の閾値及び四フッ化炭素の濃度の閾値が格納されている。また、演算部図示せずでは、予め入力された四フッ化珪素の濃度の閾値、二酸化炭素の濃度の閾値及び四フッ化炭素の濃度の閾値と、排ガス分析手段で測定される濃度との比較が行なわれ、濃度が閾値以下になった際には処理を停止するように、処理チャンバー、プラズマ発生手段、加熱手段図示せず、及びフッ素含有ガス供給手段の制御を行なう。また、成膜チャンバー11の内面とプラズマ発生手段15との間の距離は、100cm以下にするとよい。これにより、付着物Bを構成する炭化珪素のエッチング速度を十分に確保することが可能となる。上記構成とされた本実施の形態の変形例に係る炭化珪素成膜装置25は、本実施の形態の炭化珪素成膜装置10と同様な効果を得ることができる。図3は、本実施の形態の炭化珪素除去方法を説明するためのフローチャートを示す図である。次に、図1及び図3を参照して、本実施の形態の炭化珪素除去方法について説明する。始めに、図3に示す処理が開始されると、STEP1では、図1に示す炭化珪素成膜装置10の処理チャンバー11内に、基板図示せずが搬入され、処理はSTEP2へと進む。次いで、STEP2では、基板の表面に炭化珪素膜Aを成膜する。このとき、成膜チャンバー11の内面具体的には、成膜チャンバー11の内面を構成し、かつ炭化珪素コートされた部材には、炭化珪素を含む付着物Bが付着する。炭化珪素膜Aの成膜が完了後、処理はSTEP3へと進む。次いで、STEP3では、炭化珪素膜Aが成膜された基板を、成膜チャンバー11の外に搬出し、処理はSTEP4へと進む。次いで、STEP4では、成膜チャンバー11の温度が250~300°Cの範囲内の所定の温度となるように加熱し、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー11内に供給することで、付着物Bを構成する炭化珪素を選択的に除去する。このとき、排ガス分析手段19が測定した排ガスの濃度の結果に基づいて、炭化珪素の除去処理を停止する。その後、処理はSTEP5へと進む。次いで、STEP5では、付着物Bを除去後で、かつ炭化珪素膜Aを成膜する前に、成膜チャンバー11内をH2による加熱パージ処理する。これにより、処理チャンバー11の内面に付着するフッ素含有ガス成分や酸素含有ガス成分STEP4で使用した付着物Bを除去するためのガスの除去を行うことができる。なお、加熱パージに使用するH2をArやHe等の希ガスで希釈してもよい。また、成膜チャンバー11内を加熱パージ処理する際には、水素H2をプラズマ化させ、プラズマ化したH2を用いるとよい。これにより、処理チャンバー11の内面に付着するフッ素含有ガス成分や酸素含有ガス成分の除去を効率良く行うことができる。なお、加熱パージに使用するプラズマ化したH2をArやHe等の希ガスで希釈してもよい。また、成膜チャンバー11内の加熱パージ処理には、H2以外のガスを使用することも可能であり、例えば、NH3、SiH4等を用いることができる。なお、加熱パージ処理で使用するNH3、SiH4等のガスは、ArやHe等の希ガスで希釈してもよい。また、この時の加熱温度としては、STEP4の処理時の成膜チャンバー11の温度をそのまま継続してもよいし、多少加熱してもよい。続く、STEP6では、炭化珪素膜Aを全ての基板に成膜したかどうかの判定が行われる。STEP6において、炭化珪素膜Aを全ての基板に成膜したと肯定判定Yesと判定された場合、図3に示す処理は終了する。また、STEP6において、炭化珪素膜Aを全ての基板に成膜していないと否定判定Yesと判定された場合、処理は、STEP1へと戻り、再度、STEP1の処理が行われる。本実施の形態の炭化珪素除去方法によれば、図1に示す炭化珪素成膜装置10を用いて、基板に炭化珪素膜Aを成膜後、成膜チャンバー11の温度が250~300°Cとなるように加熱し、加熱された成膜チャンバー11内にプラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを供給することで、別途、炭化珪素を除去するための炭化珪素除去装置図示せずを用意することなく、in-situで、かつ成膜チャンバー11の内面の損傷を抑制した上で、炭化珪素コートに付着した付着物を効率よく選択的に除去することが可能となる。これにより、炭化珪素除去装置を用いて付着物Bの除去を行わなかった場合と比較して、炭化珪素膜Aの成膜の生産性を向上させることができる。なお、図3では、図1に示す炭化珪素成膜装置10を用いた場合を例に挙げて説明したが、図2に示す炭化珪素成膜装置25を用いた場合も図3に示すフローチャートに沿って処理を行うことができ、炭化珪素成膜装置10を用いた場合と同様な効果を得ることができる。以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。炭化珪素の粗度、組成、及び結晶性の評価まず、第1のサンプルとして炭化珪素C処理チャンバー11の内面を構成する部材の表面となる炭化珪素コートに相当するよりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着したカットサンプル縦10mm×横10mm×厚さ2mmと、第2のサンプルとして炭化珪素Cよりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着していないカットサンプル縦10mm×横10mm×厚さ2mmと、第3のサンプルとして市販の一般的な炭化珪素Eのカットサンプル縦10mm×横10mm×厚さ2mmと、を準備した。次いで、図1に示す炭化珪素成膜装置10を構成する処理チャンバー11の温度を300°Cに保持し、付着物Bを除去可能な条件を用いて、第1~第3のサンプルを処理した。このときの処理条件としては、フッ素含有ガスとして三フッ化窒素流量が100sccm、酸素含有ガスとして酸素流量が500sccm、プラズマ発生手段15を2.56GHz印加電力1000W、処理チャンバー11内の圧力を2torr、処理時間を10分間とした。また、上記処理を行う際、第1~第3のサンプルとプラズマ発生手段15との距離は15cmとした。次に、触針式段差計小坂研究所社製を用いて、処理後の第1~第3のサンプルの粗度を測定し、XRDX線回折リガク社製とEDXエネルギー分散型X線分光法日本電子社製を用いて、処理後の第1~第3のサンプルの組成を測定し、XRDX線回折リガク社製を用いて、処理後の第1~第3のサンプルの結晶性を測定した。処理チャンバー内の温度を変化させたときの炭化珪素のエッチング速度の評価先に説明した第1~第3のサンプルをそれぞれ4枚準備し、処理チャンバー11の温度を100°C、200°C、250°C、300°C、400°Cとし、これ以外は、上記処理条件を用いて付着物Bの除去処理を行い、このときのエッチング速度を求めた。この結果を表2に示す。表1及び表2を参照するに、粗度が粗く、かつ炭化珪素C,Eと組成が大きく異なる炭化珪素Dのエッチング速度が最も大きいことが確認できた。また、粗度及び結晶性が異なる炭化珪素Cと炭化珪素Eでは、粗度の影響よりも結晶性の影響が大きな影響を与え、炭化珪素Cよりも炭化珪素Eのエッチング速度の方がエッチング速度が大きくなることが確認できた。また、表2を参照するに、処理チャンバー11の温度が300°Cの結果をみると、炭化珪素Dのエッチング速度は25.0μm/minであるのに対し、炭化珪素Cのエッチング速度が0.8μm/min、炭化珪素Eのエッチング速度が5.9μm/minであり、炭化珪素Dと炭化珪素Cとの間には良好な材料選択性があることが確認できた。また、表2を参照するに、処理チャンバー11の温度が上がるにつれて、第1~第3のサンプルのエッチング速度は増大した。ただし、処理チャンバー11の温度を400°Cにすると、炭化珪素Dと炭化珪素Cとの間の材料選択性は、処理チャンバー11の温度が300°Cのときよりも悪くなった。これは、400°C程度の温度で処理することにより、酸素ラジカルによるC成分の除去に加えて、フッ素ラジカルによるC成分の除去も同時に起こるため、第1~第3のサンプルのエッチング速度が増大したものと推測される。この実験結果から、三フッ化窒素及び酸素を用いた処理では、処理チャンバー11の温度として300°Cが最も好ましいことが確認できた。基板とプラズマ発生手段との間の距離を変化させたときの炭化珪素のエッチング速度の評価次に、第1~第3のサンプル付着物Bが付着した成膜チャンバー11の内面に相当するとプラズマ発生手段15との距離を変化させて、付着物Bの除去処理を行い、炭化珪素C,D,Eのエッチング速度を調べた。このとき、第1~第3のサンプル付着物Bが付着した成膜チャンバー11の内面に相当するとプラズマ発生手段15との距離は、20cm、25cm、40cm、50cm、60cmに変えた。この結果を、表3に示す。表3を参照するに、第1~第3のサンプルとプラズマ発生手段15との距離が長くなるにつれて、どの炭化珪素もエッチング速度は減少した。特に、40cm以下になると、その影響は大きくなり、プラズマ発生手段15で発生させたフッ素ラジカル及び酸素ラジカルが基板に十分に届いていなものと思われる。この実験結果から、三フッ化窒素及び酸素を用いた処理では、サンプル付着物Bが付着した成膜チャンバー11の内面に相当するとプラズマ発生手段15との距離は、20cm以下が最も好ましいことが確認できた。炭化珪素の粗度、組成、及び結晶性の評価まず、第1のサンプルとして炭化珪素C処理チャンバー11の内面を構成する部材の表面となる炭化珪素コートに相当するよりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着したカットサンプル縦10mm×横10mm×厚さ2mmと、第2のサンプルとして炭化珪素Cよりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着していないカットサンプル縦10mm×横10mm×厚さ2mmと、第3のサンプルとして市販の一般的な炭化珪素Eのカットサンプル縦10mm×横10mm×厚さ2mmと、を準備した。次いで、図2に示す炭化珪素成膜装置25を構成する処理チャンバー11の温度を所定の温度に保持し、付着物Bを除去可能な条件を用いて、第1~第3のサンプルを処理した。このときの処理条件としては、フッ素含有ガスとして三フッ化窒素流量が100sccm、プラズマ発生手段15を2.56GHz印加電力1000W、処理チャンバー11内の圧力を2torr、処理時間を10分間とした。また、上記処理を行う際、第1~第3のサンプル付着物Bが付着した成膜チャンバー11の内面に相当するとプラズマ発生手段15との距離を90cmとした。また、上記所定の温度として、300°C、350°C、400°C、450°Cを使用した。次に、触針式段差計小坂研究所社製を用いて、処理後の第1~第3のサンプルの粗度を測定し、XRDX線回折リガク社製とEDXエネルギー分散型X線分光法日本電子社製を用いて、処理後の第1~第3のサンプルの組成を測定し、XRDX線回折リガク社製を用いて、処理後の第1~第3のサンプルの結晶性を測定した。この結果を表1に示す。表4を参照するに、処理チャンバー11の温度が400°Cの場合、炭化珪素Dのエッチング速度は15.0μm/minであるのに対し、炭化珪素Cのエッチング速度が1.4μm/min、炭化珪素Eのエッチング速度が2.7μmminであり、炭化珪素Dと炭化珪素Cとの間には良好な材料選択性があることが確認できた。表4を参照するに、処理チャンバー11の温度が上がるにつれて、第1~第3のサンプルのエッチング速度は増大した。ただし、処理チャンバー11の温度が450°Cになると、炭化珪素Dと炭化珪素Cとの間の材料選択性は、処理チャンバー11の温度が400°Cのときよりも悪くなった。これは、450°C程度の温度になることにより、フッ素ラジカルによるC成分の除去の効果が増大して、全体として第1~第3のサンプルのエッチング速度が増大したものと思われる。本実験結果からは、三フッ化窒素を用いた場合、処理チャンバー11の温度としては400°Cが最も好ましいことが確認できた。基板とプラズマ発生手段との間の距離を変化させたときの炭化珪素のエッチング速度の評価次に、第1~第3のサンプル成膜チャンバー11の内面に相当するとプラズマ発生手段15との距離を変化させて、付着物Bの除去処理を行い、炭化珪素C,D,Eのエッチング速度を調べた。このとき、第1~第3のサンプルとプラズマ発生手段15との距離は、15cm、40cm、60cm、100cm、110cmに変えた。この結果を、表5に示す。表5を参照するに、第1~第3のサンプルとプラズマ発生手段15との間の距離が長くなるにつれて、炭化珪素C,D,Eのエッチング速度は減少した。ただし、三フッ化窒素及び酸素を用いた処理と比較して、エッチング速度の減少傾向は緩やかなものとなった。一般的に、酸素ラジカルはフッ素ラジカルよりもその寿命は短いと言われており、本結果も同様な傾向となった。本実験結果から、三フッ化窒素及びアルゴンを用いた処理では、少なくとも100cm以下が好ましいことが確認できた。"