"窒素元素含有量が0.1質量以上3質量以下であり、炭素単体、並びに/あるいはLa、C、O及びBの中から選ばれる少なくとも2種の元素から構成された不純物の含有量が0.3体積以下であって、焼結体の相対密度が88以上であることを特徴とする六ホウ化ランタン焼結体。炭素含有量が0.1質量未満であり、かつ酸素含有量が1.0質量未満である請求項1に記載の六ホウ化ランタン焼結体。格子定数が4.1570Å以上4.1750Å以下である請求項1又は2に記載の六ホウ化ランタン焼結体。請求項1乃至3のいずれか1に記載の六ホウ化ランタン焼結体を用いたことを特徴とするターゲット。請求項4に記載のターゲットをスパッタリングすることにより製膜された、紫外線光電子分光法による仕事関数が3.1eV以下である六ホウ化ランタン膜。a六ホウ化ランタン粉末を、大気中にて600°C以上800°C以下の温度で加熱処理する工程、b前記a工程で得られた六ホウ化ランタン粉末の加熱処理物を酸処理する工程、及びc前記b工程で得られた六ホウ化ランタン粉末の酸処理物を、窒素ガス雰囲気下において、温度1800°C以上、圧力30MPa以上の条件で焼結する工程を含み、かつ前記b工程において、得られる六ホウ化ランタン粉末の酸処理物中の酸素含有量を1.0質量未満に、かつ炭素含有量を0.1質量未満に調整することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。前記b工程後の六ホウ化ランタン粉末の酸処理物は、平均粒径が1μm以上5μm以下であり、前記b工程とc工程間に、さらにb’工程として、前記酸処理物を、平均粒径が50nm以上500nm以下の微細六ホウ化ランタン粉末と混合して混合粉末を得る工程を有しており、前記c工程において、前記混合粉末を前記条件で焼結する請求項6に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。前記b’工程において、前記酸処理物の質量MNと前記微細六ホウ化ランタン粉末の質量MSとを、質量比MN/MSが97/3乃至70/30の割合で混合する請求項7に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。前記微細六ホウ化ランタン粉末が、ランタン含有化合物とホウ素含有化合物とを、真空中又は不活性ガス雰囲気下、1200°C以上1500°C以下の温度にて熱還元処理した後、得られた生成物中の不純物を低減させる処理を施したものである請求項7又は8に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。六ホウ化ランタン焼結体がターゲット用の焼結体である請求項7乃至9のいずれか1に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。本発明者らは、スパッタリング用ターゲットの構成材料として好適な高純度かつ高密度高緻密性の金属ホウ化物焼結体、特に仕事関数の小さなホウ化ランタン薄膜を得ることのできるホウ化ランタン焼結体の効果的な製造方法について研究を重ねた。その結果、本発明者らは、純度が高いホウ化ランタン焼結体を得るには無機酸中で洗浄したホウ化ランタン粉末を焼結する手法が有効であるという知見を得た。具体的には、金属ホウ化物粉末を無機酸で洗浄する場合、不純物酸化物として含まれている金属酸化物、ホウ素酸化物、金属-ホウ素複合酸化物は無機酸に溶解するが、不純物炭化物として含まれている金属炭化物、ホウ素炭化物は無機酸には溶解しない。本発明者らは、金属ホウ化物粉末を大気中にて、特定の温度で加熱することにより、不純物炭化物を酸化して酸化物とし、この酸化処理を行った粉末を酸洗浄することで酸化物化した不純物を除去し得ることを見出した。しかしながら、上記技術で得た高純度化したLaB6焼結体からなるターゲットを用いて形成されたLaB6スパッタ膜は、適用可能な基板が限られてしまい、上述の通り製膜基板とLaB6の物性が大きく異なる場合、得られるスパッタ膜の特性が充分ではなかった。本発明は、このような状況下になされたものであり、高純度で緻密であって、結晶性に優れ、かつ仕事関数の良好なLaB6薄膜の製造用のスパッタリングターゲットなどとして好適なLaB6焼結体、それを用いてなるターゲット、前記ターゲットを用いて製膜された六ホウ化ランタン膜、及び前記LaB6焼結体の効果的な製造方法を提供することを目的とするものである。前述したように一般的にスパッタリングにより製膜基板と異なる組成や結晶構造を有する膜を製膜した場合には、基板と膜との物性の違いによりスパッタ膜内に内部応力が発生し、膜の結晶性が悪くなってしまい、膜の剥離が発生してしまう。本発明者らは、ターゲット用の焼結体中に他元素を固溶させることで、LaB6結晶格子内に歪みが発生し、この歪みがスパッタ製膜時の内部応力を緩和させることに着目し、鋭意研究を重ねた結果、LaB6焼結体に窒素を固溶させることでスパッタ膜の内部応力を緩和できることを見出した。また、LaB6の仕事関数を大きくしてしまう不純物がLaB6との混合物として存在するのと異なり、上記窒素はLaB6焼結体の格子内に固溶する。このような窒素の固溶したLaB6焼結体をターゲットに用いることにより、窒素が固溶したLaB6スパッタ膜が製膜される。スパッタ膜内の窒素固溶量は、ターゲット用のLaB6焼結体中の窒素固溶量と必ずしも一致しないが、ターゲット用のLaB6焼結体中の窒素含有量を0.1質量以上3.0質量以下とすることでLaB6スパッタ膜の結晶性が高くなることが見出された。さらに、窒素の含有量を上記範囲にすると共に、炭素単体、並びに/あるいはLa、C、O及びBの中から選ばれる少なくとも2種の元素から構成された不純物の含有量を0.3体積以下としたLaB6焼結体は、高純度であって、相対密度が88以上の緻密性を有し、結晶性に優れ、かつ仕事関数の良好なLaB6薄膜を製造するためのスパッタリングターゲットなどとして好適であることが見出された。このLaB6焼結体は、LaB6粉末を原料として用い、特定の工程を施すことにより効果的に製造することができる。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明は、[1]窒素元素含有量が0.1質量以上3質量以下であり、炭素単体、並びに/あるいはLa、C、O及びBの中から選ばれる少なくとも2種の元素から構成された不純物の含有量が0.3体積以下であって、焼結体の相対密度が88以上であることを特徴とする六ホウ化ランタン焼結体、[2]炭素含有量が0.1質量未満であり、かつ酸素含有量が1.0質量未満である[1]に記載の六ホウ化ランタン焼結体、[3]格子定数が4.1570Å以上4.1750Å以下である[1]又は[2]に記載の六ホウ化ランタン焼結体、[4][1]乃至[3]のいずれか1に記載の六ホウ化ランタン焼結体を用いたことを特徴とするターゲット、[5][4]に記載のターゲットをスパッタリングすることにより製膜された、紫外線光電子分光法による仕事関数が3.1eV以下である六ホウ化ランタン膜、[6]a六ホウ化ランタン粉末を、大気中にて600°C以上800°C以下の温度で加熱処理する工程、b前記a工程で得られた六ホウ化ランタン粉末の加熱処理物を酸処理する工程、及びc前記b工程で得られた六ホウ化ランタン粉末の酸処理物を、窒素ガス雰囲気下において、温度1800°C以上、圧力30MPa以上の条件で焼結する工程を含み、かつ前記b工程において、得られる六ホウ化ランタン粉末の酸処理物中の酸素含有量を1.0質量未満に、かつ炭素含有量を0.1質量未満に調整することを特徴とする[1]乃至[3]のいずれか1に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法、[7]前記b工程後の六ホウ化ランタン粉末の酸処理物は、平均粒径が1μm以上5μm以下であり、前記b工程とc工程間に、さらにb’工程として、前記酸処理物を、平均粒径が50nm以上500nm以下の微細六ホウ化ランタン粉末と混合して混合粉末を得る工程を有しており、前記c工程において、前記混合粉末を前記条件で焼結する[6]に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法、[8]前記b’工程において、前記酸処理物の質量MNと前記微細六ホウ化ランタン粉末の質量MSとを、質量比MN/MSが97/3乃至70/30の割合で混合する[7]に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法、[9]前記微細六ホウ化ランタン粉末が、ランタン含有化合物とホウ素含有化合物とを、真空中又は不活性ガス雰囲気下、1200°C以上1500°C以下の温度にて熱還元処理した後、得られた生成物中の不純物を低減させる処理を施したものである[7]又は[8]に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法、[10]六ホウ化ランタン焼結体がターゲット用の焼結体である[7]乃至[9]のいずれか1に記載の六ホウ化ランタン焼結体の製造方法、を提供するものである。本発明によれば、高純度で緻密であって、結晶性に優れ、かつ仕事関数の良好なLaB6薄膜を製造するためのスパッタリングターゲットなどとして好適なLaB6焼結体、それを用いてなるターゲット、前記ターゲットを用いて製膜された六ホウ化ランタン膜及び前記LaB6焼結体の効果的な製造方法を提供することができる。まず、本発明のLaB6焼結体について説明する。[LaB6焼結体]本発明のLaB6焼結体は、窒素元素含有量が0.1質量以上3質量以下であり、炭素単体、並びに/あるいはLa、C、O及びBの中から選ばれる少なくとも2種の元素から構成された不純物の含有量が0.3体積以下であって、焼結体の相対密度が88以上であることを特徴とする。窒素元素のLaB6焼結体格子内への固溶一般的に、スパッタリングにより製膜基板と異なる組成や結晶構造を有する膜を製膜した場合には、基板と膜との物性の違いによりスパッタ膜内に内部応力が発生し、膜の結晶性が悪くなってしまい、膜の剥離が発生したりするなどの問題が生じる。本発明のLaB6焼結体は、このような問題に対処するために、該焼結体のLaB6結晶格子内に窒素元素を固溶させて、スパッタ膜内の内部応力を緩和させ、結晶性を改善させたものである。本発明のLaB6焼結体における窒素元素の含有量は、0.1質量以上3.0質量以下であることを要する。この窒素含有量が0.1質量未満ではLaB6結晶格子の歪みが小さく、製膜基板とLaB6膜の物性差により生じる膜内部応力を十分に緩和できないためLaB6スパッタ膜の結晶性が改善されない。また、窒素含有量が3質量を超えると、LaB6結晶格子の歪が緩和し得る膜内部応力以上に大きくなり、LaB6スパッタ膜の結晶性が悪くなる。このような観点から、該窒素元素の含有量は、0.1質量以上2.0質量以下であることが好ましく、0.2質量以上1.0質量以下であることがより好ましい。窒素元素は、周期表長周期型15族に属する元素である。窒素元素以外の他の15族元素P、As、Sb、BiはLaB6に固溶しないか、固溶できたとしても、窒素を固溶させたものと同様の結果は得られない。この理由は、窒素元素以外の他の15族元素はvanderwaals半径が著しく大きいため、窒素元素以外の15族元素が存在すると、LaB6結晶格子の歪みが大きくなりすぎ、製膜基板とLaB6膜の特性差により発生する膜内応力を緩和できなくなるためと考えられる。一方、Vanderwaals半径が小さい窒素はLaB6の結晶格子内に比較的簡単に固溶する。また、15族元素はLaB6と比較して仕事関数が大きいため、固溶できない15族元素がLaB6膜内に存在していると仕事関数が大きくなる。しかし、窒素元素の固溶量が少量であれば、結晶構造が大きく変化しないため、LaB6の仕事関数に影響を殆ど与えないことがわかった。したがって、窒素を固溶させることで仕事関数に影響を与えることなく、スパッタ膜の内部応力を緩和することができる。なお、LaB6焼結体に窒素が固溶する場合、基本的にはLaB6結晶格子の原子間隙に窒素が侵入する侵入型固溶体となる。侵入型固溶体を形成する場合、無固溶体と比較して格子定数が大きくなる。そこで、LaB6焼結体の格子定数をXRDX線回折法により評価することにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることを確認することができる。窒素元素含有量とLaB6焼結体の格子定数との間には必ずしも一定の関係は成立しないが、該窒素元素の含有量が0.1質量以上3質量以下である場合、LaB6焼結体の格子定数を4.1570Å以上4.1750Å以下に収めることが、結晶性に優れたスパッタ膜を得ることができる点で好ましい。前記窒素元素の含有量が1質量以下である場合には、格子定数が4.1590Å以下であれば、より結晶性の良いLaB6スパッタ膜を得ることができるので、より好ましい。また、LaB6焼結体中の窒素元素含有量は、粉砕した焼結体をグラファイト坩堝内に入れ、燃焼管内でHeガス中で加熱融解させ、発生したガス中の窒素を熱伝導度法により測定することで確認することができる。LaB6焼結体の格子内に窒素元素を固溶させる方法については、後述する本発明のLaB6焼結体の製造方法において詳述する。不純物本発明のLaB6焼結体は、炭素単体、並びに/あるいはLa、C、O及びBの中から選ばれる少なくとも2種の元素から構成された不純物の含有量が0.3体積以下であることを要する。上記不純物含有量が0.3体積を超えると、当該LaB6焼結体を用いて得られたターゲット中の不純物含有量が多くなる。その結果スパッタ膜にも不純物が取り込まれてしまい、純度が高く、結晶性に優れるLaB6膜が得られない。好ましい不純物含有量は0.2体積以下であり、より好ましくは0.1体積以下である。なお、当該LaB6焼結体における不純物含有量は、SEM観察により、視野内の不純物相の面積比より求めた値である。1視野の大きさは、720μm×940μmであり、20視野の観察値を合計して、該面積比を求めた。当該LaB6焼結体における前記不純物含有量は、LaB6焼結体中の酸素含有量及び炭素含有量として示すことができ、酸素含有量は好ましくは1.0質量未満であり、より好ましくは0.5質量以下であり、かつ炭素含有量は好ましくは0.1質量未満であり、より好ましくは0.05質量以下である。なお、前記の不純物に基く酸素含有量及び炭素含有量は、以下に示す方法で測定した値である。まず、LaB6焼結体試料を破砕粉にし、測定試料とする。酸素含有量は、グラファイト坩堝中の測定試料を不活性ガス雰囲気で加熱し、測定試料から分解あるいは解離した酸素を炭素と反応させ、生成した一酸化炭素あるいは二酸化炭素を赤外線吸光度で定量する方法、すなわち通常不活性ガス溶融法と呼ばれる方法により測定する。また、炭素含有量は、石英管状炉内で測定試料を加熱し、測定試料から揮発、分解、燃焼等により発生した炭素成分を赤外線吸収法を用いて測定する。当該不純物としては、例えば炭素単体、ランタン炭化物、ホウ素炭化物、ランタン酸化物、ホウ素酸化物及びランタン-ホウ素複合酸化物の中から選ばれる1種ないしは2種以上を挙げることができる。当該LaB6焼結体中の窒素元素以外の不純物含有量を0.3体積以下にするためには、原料のLaB6粉末中に含まれる不純物を除去する高純度化処理を施すことが好ましい。この高純度化処理については、後述する本発明のLaB6焼結体の製造方法において詳述する。なおここで、LaB6焼結体に窒素が固溶する場合、前記LaB6結晶格子の原子間隙に窒素が侵入した侵入型固溶体のほかに、ランタンと窒素がアモルファス状態で固溶したランタン窒化物の存在が考えられる。しかしながら、このランタン窒化物は、LaB6スパッタ膜の内部応力を緩和できる可能性があることから、窒素及びその化合物は、前記不純物の範囲とはしていない。当該LaB6焼結体は、前述したように、窒素元素含有量が0.1質量以上3質量以下及び窒素元素以外の不純物含有量が0.3体積以下であると共に、焼結体相対密度が88以上であることを要する。この相対密度が88未満であると、当該LaB6焼結体を用いて得られたターゲット中に多量の空孔が含まれるため、該空孔内に吸着されている有機成分や水分などが、スパッタリングの際に真空チャンバー内に放出されて、チャンバー内を汚染したり、スパッタ膜に取り込まれて、該スパッタ膜の性能低下を引き起こす。なお、前記相対密度とは、理論密度に対する実際の焼結体の密度比を指す。次に、本発明のLaB6焼結体の製造方法について説明する。[LaB6焼結体の製造方法]本発明のLaB6焼結体の製造方法は、aLaB6粉末を、大気中にて600°C以上800°C以下の温度で加熱処理する工程、b前記a工程で得られたLaB6粉末の加熱処理物を酸処理する工程、及びc前記b工程で得られたLaB6粉末の酸処理物を、窒素ガス雰囲気下において、温度1800°C以上、圧力30MPa以上で焼結する工程を含み、かつ前記b工程において、得られるLaB6粉末の酸処理物中の酸素含有量を1.0質量未満に、かつ炭素含有量を0.1質量未満に調整することを特徴とする。本発明のLaB6焼結体の製造方法においては、得られるLaB6焼結体における、窒素元素以外の不純物含有量を0.3体積以下にするために、原料として用いられるLaB6粉末の高純度化処理が行われる。原料LaB6粉末の高純度化処理本発明の製造方法においては、高純度化処理として、上記a工程及びb工程が施される。これらa工程及びb工程の詳細は、以下の通りである。<a工程>当該高純度化処理におけるa工程は、原料のLaB6粉末を大気中にて、600°C以上800°C以下の温度で加熱処理する工程である。原料のLaB6粉末は、合成したものを用いてもよいし、市販品を用いてもよい。これら該LaB6粉末中には、製造時に不可避的に混入される炭素単体、ランタン酸化物、ランタン炭化物、ホウ素酸化物、ランタンホウ素複合酸化物及びホウ素炭化物の中から選ばれる1種ないしは2種以上の不純物が含まれている。本発明の製造方法においては、まず、原料のLaB6粉末を大気中で加熱処理して、ランタン炭化物やホウ素炭化物を、それぞれ酸化物に変換する。ランタン酸化物、ホウ素酸化物及びランタンホウ素複合酸化物は、次工程のb酸処理工程によって、容易に除去することができる。なお、炭素単体は、本工程により二酸化炭素として除去される。本発明の製造方法においては、大気中酸化処理温度は、600°C以上800°C以下である。その理由は、600°C未満では炭素単体やランタン炭化物及びホウ素炭化物が十分に酸化されないためであり、800°Cを超えるとLaB6自体が酸化されて収率が低下するためである。使用LaB6粉末の平均粒径は、後述のc焼結工程における焼結性の観点から、好ましくは0.1μm以上20μm以下、より好ましくは0.5μm以上10μm以下、更に好ましくは1μm以上5μm以下である。平均粒径が0.1μm以上であると、酸素、炭素の除去が容易であり、また、製造コストも低い。平均粒径が20μm以下であると、焼結の駆動力となる表面エネルギーが大きくなり高密度の焼結体を得ることが容易である。<b工程>当該高純度処理におけるb工程は、前記a工程で得られたLaB6粉末の加熱処理物を酸処理する工程である。当該b工程における酸化した不純物を溶出させるための無機酸は、塩酸、硫酸、硝酸から選択することができる。ここで、使用する無機酸の種類、濃度、処理温度及び処理時間は、溶解させる酸化物の成分や含有量により、選択することが好ましい。この理由は、無機酸の酸化力が高すぎる場合は、酸化物のみならずLaB6自体を酸化溶解させてしまい、LaB6自体の収率が低下してしまうためであり、一方、無機酸の酸化物溶解力が低い場合には、酸化物の溶解に時間を要したり、場合によっては溶解が不十分となり酸化物が十分に除去できなくなるためである。なお、無機酸としては、リン酸、フッ酸もあるが、リン酸は溶解力に乏しく、フッ酸は溶解力が強く、LaB6自体も溶解する上、毒物であり危険性が高い等の欠点を有しており、好適な無機酸ではない。一方、有機酸は酸化物溶解力に乏しいため不適当である。硝酸、硫酸は強い酸化力を有しているためにLaB6自体を酸化溶解させてしまう可能性が高く、処理条件の選択や制御を厳密に行う必要が生じるため、使用には注意を要する。一方、塩酸は酸化力がほとんど無いことから、LaB6自体を酸化溶解させてしまう可能性が低く、好適に用いることができる。例えば、塩酸を使用する場合、濃度は1mol/dm3以上かつ6mol/dm3以下が好ましい。その理由は1mol/dm3未満では不純物の溶出速度が遅く時間がかかるためであり、6mol/dm3を越えるとLaB6自体が酸化されやすくなるためである。より好ましい濃度は、2mol/dm3以上6mol/dm3以下であり、特に好ましい濃度は4mol/dm3以上6mol/dm3以下である。また、この処理は常温で行ってもよいが、加熱して行うのが好ましい。加熱処理する場合の処理温度は、40°C以上かつ80°C以下が望ましい。40°C未満では不純物の溶出に時間がかかるためであり、80°Cを越えるとLaB6自体が酸化されやすくなるからである。酸処理後の粉末は、純水やイオン交換水にて酸成分を除去した後に水分を除去するために乾燥処理、特に真空乾燥処理することが好ましい。真空乾燥する理由は、水分が蒸発する際にLaB6と反応して酸化不純物を生成するのを避けるためである。このようにして、原料LaB6粉末に対して高純度化処理a工程及びb工程を施すことにより、得られるLaB6粉末の酸処理物中の酸素含有量を好ましくは1.0質量未満、より好ましくは0.5質量未満に、かつ炭素含有量を好ましくは0.1質量未満、より好ましくは0.05質量未満に調整する。<b’工程>前記b工程と後述するc工程との間に、さらにb’工程として、前記a工程及びb工程からなる高純度化処理を施したLaB6粉末前記LaB6粉末の酸処理物を、該LaB6粉末よりも平均粒径の小さい微細LaB6粉末と混合して混合粉末を得る工程を設けてもよい。なお、このb’工程に関する記載においては、前記高純度化処理を施したLaB6粉末をLaB6粉末Nと称し、この微細LaB6粉末を微細LaB6粉末Sと称することがある。このように、異なる平均粒径を有する2種類の六ホウ化ランタン粉末を混合し、後述するc工程でこの混合粉末を成形、焼結することにより、高純度かつ高密度の六ホウ化ランタン焼結体を製造することができる。LaB6粉末Nこのb’工程で使用する場合にあっては、LaB6粉末Nの平均粒径は、微細LaB6粉末Sよりも大きくする観点から、1μm以上5μm以下とすることが好ましい。このLaB6粉末Nの平均粒径は、より好ましくは1μm以上4μm以下、更に好ましくは1μm以上3μm以下である。なお、原料のLaB6粉末を前記高純度化処理によりLaB6粉末Nとした際の粒径減少率は高々数程度であることから、LaB6粉末Nの平均粒径を規定する代わりに原料のLaB6粉末の平均粒径を上記範囲に規定しても、実質的な差異はない。微細LaB6粉末S微細LaB6粉末Sは、前述したLaB6粉末Nに比べて、平均粒径が小さいことから、表面積が大きく、焼結の駆動力となる表面エネルギーが大きいため、粒子自身は焼結性に優れている。しかし、粒径が小さいために強いファンデルワールス力により粒子が不均一に凝集体を形成して、粒子の充填性が悪くなる。その結果、粒子同士の接触が不十分となり、焼結反応が開始されにくいという問題がある。本発明者らは、この微細LaB6粉末Sよりも平均粒径が大きく充填性に優れるLaB6粉末N中に微細LaB6粉末Sを適量添加して粒子の接触が十分取れるようにすれば、当該微細LaB6粉末Sの大きな表面エネルギーにより優れた焼結性が示されることを見出した。当該微細LaB6粉末Sは、平均粒径が50nm以上500nm以下であることが好ましい。この平均粒径が50nm未満では、大量に製造するのが困難であり、経済的ではない。また、平均粒径が500nmより大きいと、ホウ化ランタン焼結体の相対密度を向上させる効果が見られない。この平均粒径は、より好ましくは50nm以上300nm以下、更に好ましくは60nm以上200nm以下である。当該微細LaB6粉末Sの製造方法は限定されないが、市販のLaB6粉末をジェットミル、ビーズミル等で粉砕し所定の粒径に調整しても良い。また、ランタン化合物と炭化ホウ素との還元雰囲気下での熱還元合成、熱プラズマでの合成、あるいは還元剤を添加し水熱合成法で合成しても良い。さらに、これらの得られた粉末を、ジェットミル、ビーズミル等で粉砕し所定の粒径に調整しても良い。微細LaB6粉末Sの好ましい製造方法としては、ランタン含有化合物とホウ素含有化合物とを、真空中又は不活性ガス雰囲気下、1200°C以上1500°C以下程度の温度にて熱還元処理した後、得られたホウ化ランタンを含む生成物中の不純物を低減させる処理を施す方法を挙げることができる。ここで、不純物を低減させる処理は各種方法で行うことができ、その方法は限定されないが、無機酸と水の混合物により酸洗浄等する方法が挙げられる。酸洗浄に使用する無機酸としては、得られたホウ化ランタンの酸化を抑えるために、塩酸が好ましい。熱還元処理で得られた生成物は、ホウ化ランタン以外に、原料起因の不純物を多く含んでいる。酸洗浄による不純物を低減させる処理を行うことで、例えば、生成物中の炭素含有量を2.0質量以下、酸素含有量を3.0質量以下とすることができる。また、前述したLaB6粉末Nを得るための方法と同様の高純度化処理、すなわち前記工程aの加熱処理及び前記工程bの酸処理を施して、不純物含有量を市販品と同程度の、例えば炭素含有量を0.5質量以下、酸素含有量を1.0質量以下とすればより好ましく、前述したLaB6粉末Nと同程度の不純物含有量とすれば、さらに好ましい。なお、前記のLaB6粉末Nと微細LaB6粉末Sの平均粒径は、走査型電子顕微鏡SEMにより測定した値である。また、これら炭素含有量及び酸素含有量は、前記した赤外線吸収法及び不活性ガス溶融法により測定した値である。LaB6粉末Nと微細LaB6粉末Sとの混合割合、及び混合方法本発明の製造方法においては、LaB6粉末Nの質量MNと微細LaB6粉末Sの質量MSとを、好ましくは質量比質量MN/質量MS97/3乃至70/30、より好ましくは96/4乃至90/10の割合で混合する。LaB6粉末Nと微細LaB6粉末Sとの合計量に対して、微細LaB6粉末Sの含有量が3質量未満であると、微細LaB6粉末Sの大きな表面エネルギーが寄与するには添加量が不十分なため、相対密度向上の効果が得られない場合がある。30質量より多いと、微細LaB6粉末Sの凝集の影響により、充填性が低下して、焼結反応が起こりにくくなる場合がある。また、30質量より多いと、なんらかの方法で凝集を回避したとしても、微細LaB6粉末Sの製造コストの面で実用的ではない。また、微細LaB6粉末Sは表面積が大きく表面酸化物層由来の酸素含有量が多いため、微細LaB6粉末Sの添加量が多すぎると焼結体中に含まれる酸素含有量が多くなり、ターゲット材料として使用された際、スパッタ膜の性能低下を引き起こす場合がある。混合方法については各種方法をとることができ、その方法は限定されないが、例えば、有機溶媒中でスラリー化しボールミル混合等を行う方法が挙げられる。また、任意のバインダーを添加し、有機溶媒中でスラリー化しボールミル混合を行ってもよい。混合した粉末は、減圧下あるいは不活性雰囲気中乾燥するのが望ましい。またスプレードライ等で乾燥、造粒させ顆粒にしても良い。<c工程>このc工程は、前述したb工程により得られたLaB6粉末の酸処理物か、又はb’工程により得られたLaB6粉末Nと微細LaB6粉末Sとの混合粉末を、窒素ガス雰囲気下において、温度1800°C以上、圧力30MPa以上の条件で焼結することにより、緻密なLaB6焼結体を得るとともに、得られるLaB6焼結体の格子内に、窒素元素を固溶させる工程である。この焼結工程においては、高純度化処理して得られたLaB6粉末はそのまま成型して焼結してもよいし、任意のバインダーとともに溶媒中に添加してスラリー化し、造粒した後に成型、脱脂しても良い。一般的にLaB6粉末は難焼結性であるが、高純度化処理したLaB6粉末を窒素ガス中で1800°C以上、プレス圧30MPa以上にて加圧焼結することで、窒素含有量が0.1質量以上3質量以下、窒素以外の不純物含有量が0.3体積以下で相対密度が88以上のLaB6焼結体を得ることができる。加圧焼結は、ホットプレス装置を用いて行うのが適当である。ホットプレス装置内の黒鉛モールドに、得られたLaB6粉末を充填して、窒素ガス中にて1800°C以上1950°C以下程度、プレス圧30MPa以上40MPa以下程度で加圧焼結する。これにより、不純物含有量が0.3体積以下、窒素含有量が0.1質量以上3質量以下であり、相対密度88以上の焼結体を得ることができる。1800°C未満では緻密化に必要な温度に足りないために、加圧量を増しても相対密度が88以上の焼結体を得ることができず、1950°Cを越えると粒成長が促進されるために、相対密度が低下するおそれがある。また圧力が30MPa未満では、十分な緻密化が行われず、相対密度が88以上の焼結体を得ることができない。加圧力は高い方が良いが、通常ホットプレス焼結に使用する焼結冶具の耐圧力は40MPaであり、それ以上の高耐圧冶具はほとんど存在しないことから、上限は40MPaが目安となる。窒素を固溶させる他の方法としては、焼結前のLaB6粉末を窒素中で加熱処理する方法がある。この加熱温度は1000°C以上が必要である。窒素を十分固溶させるために加熱温度を上げると粒成長により焼結活性が低下するので、再度粉砕を行う必要がある。この場合、粉砕による酸化でLaB6粉末中に不純物が含有することは避けられない。したがって、窒素雰囲気中で焼結することが、窒素を固溶する方法としては好ましい。なお、条件が整えば、熱間等方圧プレスHIP焼結法など、他の焼結法を用いてもよい。このような本発明のLaB6焼結体の製造方法により、高純度で緻密であって、結晶性に優れ、かつ仕事関数の良好なLaB6薄膜の製造用のスパッタリングターゲットなどとして好適なLaB6焼結体を、効果的に製造することができる。[ターゲット及びLaB6スパッタ膜]本発明はまた、前述した性状を有する本発明のLaB6焼結体を用いたことを特徴とするターゲットと、このターゲットをスパッタリングしてなるLaB6スパッタ膜をも提供する。不純物含有量が少なく、窒素含有量を適切に制御したLaB6を用いたターゲットを使用してスパッタリングすることで、従来のLaB6ターゲットを用いた場合と比較して純度が高く、結晶性に優れたLaB6スパッタ膜を得ることができる。即ち、結晶性に優れ、純度が高いLaB6スパッタ膜を製膜するためには、ターゲットに用いるLaB6焼結体として、88以上の相対密度を有し、窒素含有量が0.1質量以上3質量以下で、且つ窒素以外の不純物含有量が0.3体積以下であるものを用いる。このLaB6焼結体は、不純物に基く酸素含有量が好ましくは1.0質量未満、より好ましくは0.5質量以下であり、炭素含有量が好ましくは0.1質量未満であり、より好ましくは0.05質量以下である。このようにして得られる、純度が高く、結晶性に優れたLaB6スパッタ膜は、仕事関数が小さいものとなる。このLaB6スパッタ膜の仕事関数は、好ましくは3.1eV以下、より好ましくは2.8eV以下、更に好ましくは2.7eV以下である。なお、仕事関数の測定法としては、紫外線光電子分光法UPS:UltravioletPhotoelectronSpectroscopy、X線光電子分光法XPS:XrayPhotoelectronSpectroscopyといった光電子分光法のほか、ケルビンプローブ法が挙げられる。光電子分光法は、測定精度が高いが、装置が高価であり、測定費用が高くつく。一方、ケルビンプローブ法は、装置が安価であり、測定費用が安いが、測定精度にやや劣る。よって、本発明では、光電子分光法のうち紫外線光電子分光法UPSによる測定値を仕事関数の値として採用し、ケルビンプローブ法により測定した仕事関数の値は参考として用いる。スパッタリング装置としては、一般的に2極DCグロー放電スパッタ装置、マグネトロンスパッタ装置、イオンビームスパッタ装置等があるが、本発明のLaB6焼結体を用いたターゲットは、いずれのスパッタリング装置にも適用できる。スパッタリング時の雰囲気は、Arガス等の不活性ガス雰囲気であることが好ましい。LaB6スパッタ膜を製膜させる対象物基板等の材料には特に限定はないが、例えば、タングステンや銅等の金属、ガラス、Siウェハ、及びポリアミド樹脂等の合成樹脂が挙げられる。スパッタリング時の温度は、0°C以上300°C以下であることが好ましい。スパッタリング時の温度が高い方が結晶性に優れたLaB6スパッタ膜が得られるが、300°C以上であると、成膜後、室温まで冷却した場合における熱応力が過大になる可能性があり、またスパッタチャンバー内に基板を導入した際に基板温度が均一になるまで時間が掛かり生産性に乏しくなるからである。また、スパッタリング温度の上限は製膜基板により決定される。例えば金属やSiウェハ等耐熱性を有する基板にスパッタする場合は問題ないが、樹脂基板にスパッタする場合、当該樹脂の耐熱温度以下で製膜する必要がある。従って、より一般的に適用するためには好ましくは100°C以下で製膜することが望ましい。一方、スパッタリング時の温度が0°C以下の場合、スパッタチャンバー内の温度を冷却するために水以外の冷媒が必要となるため好ましくない。従ってスパッタリング時の温度は、好ましくは0°C以上300°C以下、より好ましくは0°C以上100°C以下である。次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。なお、各例における諸特性は、下記の方法に従って測定した。また、各種粉末の平均粒径は、走査型電子顕微鏡SEM[日立製作所社製、S-4000]により測定した。各種粉末ごとに、300~500個程度の粒子について最長径を測定し、その平均を平均粒径とした。<高純度化処理LaB6粉末>1酸素含有量及び炭素含有量の測定酸素含有量は、試料粉末50mgを取り、酸素窒素同時分析装置[LECO社製、TC-436]を用いて、前記不活性ガス溶融法にて測定した。また、炭素含有量は、試料粉末100mgを取り、炭素分析装置[LECO社製、WC-200]を用いて,前記赤外線吸収を用いる方法にて測定した。<微細LaB6粉末>2酸素含有量及び炭素含有量の測定上記高純度化処理LaB6粉末と同様の方法にて、酸素含有量及び炭素含有量を測定した。<LaB6粉末の焼結体>3酸素含有量及び炭素含有量焼結体試料を破砕粉にしたのち、前記LaB6粉末と同様にして、酸素含有量及び炭素含有量を測定した。4不純物含有量破砕粉にされた焼結体試料について、走査型電子顕微鏡SEM[日立製作所製、S-4000]にて観察し、視野内の不純物相の面積比より不純物含有量を求めた。なお、1視野の大きさは、720μm×940μmであり、20視野の観察値を合計して、該面積比を求めた。5不純物種の同定上記SEM観察視野内の不純物相について、電子プローブマイクロアナライザEPMA:Electronprobemicroanalyser[日本電子社製、JXA-8800]を用いて元素分析を行った。6相対密度市販の電子天秤を用いて、焼結体試料の空気中の重量と水中の重量を測定し、得られた浮力値から密度を計算する、いわゆるアルキメデス法を用いて密度を求め、理論密度に対する密度比相対密度を求めた。7窒素元素の含有量焼結体の窒素含有量は、試料粉末50mgを取り、酸素窒素同時分析装置[LECO社製、TC-436]を用いて、前記熱伝導度法により測定した。8LaB6焼結体の格子内への窒素元素固溶の確認X線回折装置[スペクトリス社製、PANalyticalXPertPRO]を用い、LaB6の400面、410面、411面、331面、420面、421面のピークを用いて格子定数を算出し、理論値と比較することにより、LaB6焼結体の格子内に窒素元素が固溶していることを確認した。<LaB6スパッタ膜>9真空UPS法による仕事関数の測定紫外線光電子分光装置[PHI社製、MUL-010HI]を用い、圧力1.33×106Paにて、LaB6スパッタ膜の仕事関数を測定した。10ケルビンプローブ法による仕事関数の測定ケルビンプローブ[KPテクノロジー社製、走査型ケルビンプローブSKP5050]を用い、大気中にて、LaB6スパッタ膜の仕事関数を測定した。11薄膜XRD測定薄膜X線回折装置[日本フィリップス社製、PW3040/00]を用いて、X線回折測定を行った。X線源としてはCuKα線波長λ;0.154nmを用い、測定角度2θを20~100度とした。得られた結果から、最も強度の強い結晶面のピークに関し、各スパッタ膜ごとにピーク強度を比較した。実施例11LaB6市販粉末の高純度化処理LaB6市販粉末を大気中700°Cにて酸化処理を行い、次いで6mol/dm3塩酸中で60°Cにて酸処理を行った。酸処理後の粉末をイオン交換水にて、濾液のpHが6以上、塩素イオン濃度が1mg/dm3以下になるまで洗浄し、110°Cにて真空乾燥した。得られたLaB6粉末は、不純物に基く酸素含有量が0.38質量、炭素含有量が0.006質量であった。また、得られたLaB6粉末の平均粒径は、1.5μmであった。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理したLaB6粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1950°C、プレス圧40MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、92.4の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.44質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素以外の不純物含有量は0.006体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.011質量、酸素含有量で0.21質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1578Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるピーク強度が約2.5倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数はケルビンプローブ法では3.6eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。実施例21LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理した粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1950°C、プレス圧30MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、91.5の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.42質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素以外の不純物含有量は0.008体積であり、その不純物含有量は炭素含有量で0.015質量、酸素含有量で0.25質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1576Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるピーク強度が約2.0倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.6eV、真空UPS法では2.6eVであり、比較例1と比較して小さい値を有していた。処理条件及び結果を第1表に示す。実施例31LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理したLaB6粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1950°C、プレス圧40MPaにて3時間焼結した。得られた焼結体は、91.7の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.99質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.005体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.018質量、酸素含有量で0.18質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1581Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるピーク強度が約1.7倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.7eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。実施例41LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理した粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1950°C、プレス圧40MPaにて6時間焼結した。得られた焼結体は、89.5の相対密度を有し、窒素元素含有量が2.9質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素以外の不純物含有量は0.01体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.038質量、酸素含有量で0.17質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1736Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるピーク強度が約1.5倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.7eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。実施例51LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理したLaB6粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1800°C、プレス圧40MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、90.8の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.28質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素以外の不純物含有量は0.005体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.013質量、酸素含有量で0.27質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1574Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力6.7Paにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素元素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるピーク強度が約2.0倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.6eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。実施例61LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理したLaB6粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1800°C、プレス圧30MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、89.6の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.15質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.009体積であった。その不純物含有量は炭素含有量で0.015質量、酸素含有量で0.28質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1573Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力6.7Paにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素元素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるピーク強度が約1.5倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.7eV、真空UPS法では3.0eVであり、比較例1と比較して小さい値を有していた。処理条件及び結果を第1表に示す。実施例71LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理して得られた平均粒径1.5μmのLaB6粉末に、LaB6微粒子平均粒径:100nm、酸素含有量0.7質量、炭素含有量0.1質量を5質量添加し、ホットプレス装置にて窒素ガス中、1800°C、プレス圧30MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、94.3の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.33質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.007体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.024質量、酸素含有量で0.20質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1576Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素元素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるピーク強度が約2.6倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数はケルビンプローブ法による評価では3.5eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。実施例81LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理して得られた平均粒径1.5μmのLaB6粉末に、実施例7と同様のLaB6微粒子を5質量添加し、ホットプレス装置にて窒素ガス中、1950°C、プレス圧30MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、96.1の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.40質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.011体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.031質量、酸素含有量で0.15質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1577Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素元素以外の不純物が殆ど含有されておらず、後述する比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定のピーク強度が約2.8倍であり、結晶性が高かった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.45eV、真空UPS法では2.4eVであり、比較例1と比較して小さい値を有していた。処理条件及び結果を第1表に示す。比較例11LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理したLaB6粉末をホットプレス装置にてアルゴンガス中、1950°C、プレス圧40MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、89.5の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.006質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.005体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.015質量、酸素含有量で0.31質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1567Åであり、理論値と殆ど変わらなかった。これにより、窒素元素はLaB6焼結体の格子内にはほとんど固溶していないことが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素元素以外の不純物が殆ど含有されておらず、実施例1の窒素元素が固溶させたLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるLaB6のピーク強度は40程度であり、結晶性が低かった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.9eV、真空UPS法では3.7eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。比較例21LaB6市販粉末を用いたLaB6焼結体の作製LaB6市販粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1950°C、プレス圧40MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、91.5の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.45質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.9体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.3質量、酸素含有量で1.8質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1576Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。2LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記1で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力6.7Paにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は、高純度化処理の後に窒素ガス中で焼結してなる実施例1のLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるLaB6のピーク強度は同等の値を有していたものの、LaB6の結晶構造以外の結晶構造をもつ不純物が多量に含まれていた。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では3.8eV、真空UPS法では3.2eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。比較例31LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理したLaB6粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1800°C、プレス圧20MPaにて2時間焼結した。得られた焼結体は、86.5の相対密度を有し、窒素元素含有量が0.10質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.08体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.020質量、酸素含有量で0.33質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1571Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に少量ながら固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素元素以外の不純物が殆ど含有されておらず、実施例1の窒素元素を適切な範囲内で固溶させたLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定によるLaB6のピーク強度は20程度と結晶性の低い膜であった。また、仕事関数は、ケルビンプローブ法では4.8eV、真空UPS法では4.2eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。比較例41LaB6市販粉末の高純度化処理実施例11と同様である。2LaB6焼結体の作製上記1で高純度化処理したLaB6粉末をホットプレス装置にて窒素ガス中、1950°C、プレス圧20MPaにて6時間焼結した。得られた焼結体は、87.5の相対密度を有し、窒素元素含有量が3.5質量、非晶質ホウ素炭化物と非晶質ランタン-ホウ素複合酸化物から構成された窒素元素以外の不純物含有量は0.2体積であった。その不純物含有量は、炭素含有量で0.042質量、酸素含有量で0.11質量であった。また、得られたLaB6焼結体の格子定数は4.1759Åであり、理論値と比較して格子定数が大きくなっていた。これにより、窒素元素がLaB6焼結体の格子内に固溶していることが確認された。3LaB6焼結体をターゲットとするスパッタリング製膜上記2で得られたLaB6焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング装置を用い、Arガス中、圧力0.5Pa、温度20°Cにてスパッタリング製膜を行った。得られたLaB6膜は窒素元素以外の不純物が殆ど含有されておらず、比較例1のLaB6焼結体をターゲットに用いた場合と比較して、薄膜XRD測定においてLaB6のピーク強度は90程度と結晶性の低い膜であった。また、仕事関数はケルビンプローブ法では4.0eVであった。処理条件及び結果を第1表に示す。[注]1実施例1~実施例8、比較例1及び比較例3は、焼結体の原料として、LaB6市販粉末を高純度化処理してなる、不純物に基く酸素含有量が0.38質量、炭素含有量が0.006質量、平均粒径1.5μmのものを用いた。実施例7,8では、さらにLaB6微粒子として、酸素含有量が0.7質量、炭素含有量が0.1質量、平均粒径100nmのものを用いた。2比較例2は、焼結体の原料として、LaB6市販粉末をそのまま用いた。1は、実施例1のスパッタ膜と同等のピーク強度を有しているものの、薄膜XRD測定においてLaB6結晶構造以外の結晶構造をもつ不純物が多量に含まれていたことを指す。第1表から明らかなように、実施例1~8のLaB6焼結体はいずれも、窒素元素含有量が0.1質量以上3質量以下の範囲内にあり、かつ窒素元素以外の不純物含有量が0.3体積未満であって、相対密度が88より高い。また、実施例1~8のスパッタ膜は、比較例1の窒素元素が固溶されていないLaB6焼結体をターゲットとするスパッタ膜に比べて、薄膜XRD測定におけるピーク強度比が約1.5倍以上約2.5倍以下と結晶性が高く、またケルビンプローブ法による仕事関数が0.2~0.45eVも低い。なお、実施例2,6,8及び比較例1~3から明らかなとおり、ケルビンプローブ法により測定された仕事関数の順位と真空UPS法により測定された仕事関数の順位は同一である。このことから、実施例1~8のスパッタ膜の真空UPS法による仕事関数も、比較例1のスパッタ膜よりも低いことが予測される。これに対し、比較例1のLaB6焼結体は、アルゴンガス中で焼結しているため、窒素元素が固溶されていない。また、比較例1のスパッタ膜は、ピーク強度比が実施例1のスパッタ膜の約40と結晶性が低く、ケルビンプローブ法及び真空UPS法による仕事関数が高い。比較例2は、LaB6市販粉末をそのまま用いているため、得られたLaB6焼結体は、窒素元素以外の不純物含有量が0.9体積と高く、該LaB6焼結体をターゲットとするスパッタ膜中にも、LaB6以外の不純物が多く含まれており、ケルビンプローブ法及び真空UPS法による仕事関数も高い。比較例3は、焼結圧力が20MPaと低いため、得られたLaB6焼結体は、相対密度が86.5と低く、ケルビンプローブ法及び真空UPS法による仕事関数も高い。比較例4は、窒素元素含有量が3.5質量と高いため、該LaB6焼結体をターゲットとするスパッタ膜は、ピーク強度比が比較例1のスパッタ膜の約90と結晶性が低く、ケルビンプローブ法による仕事関数も高い。実施例7,8では、平均粒径の異なる2種類の粒子LaB6粒子とLaB6微粒子を用いている。このため、実施例7,8では実施例1~6及び比較例1~4と比べて、LaB6焼結体の相対密度94.3及び96.1が高い。また、実施例7,8では実施例1~6及び比較例1~4と比べて、LaB6スパッタ膜のピーク強度比2.6倍及び2.8倍が高くて結晶性が高く、また、ケルビンプローブ法による仕事関数3.5及び3.45eVが低い。さらに実施例8の真空UPS法による仕事関数は2.4eVであり、実施例1~8及び比較例1~4の中で最低である。なお、実施例1のLaB6焼結体のSEM写真を図1に示し、相対密度が最も低い比較例3のLaB6焼結体のSEM写真を図2に示す。上記実施例1~8及び比較例1~4のLaB6焼結体の元素分析結果を表2に示す。なお、La、C、O及びBは前記EPMA分析による値を示すが、Nについては前記熱伝導度法により測定した結果による値である。表2から明らかなとおり、不純物は、炭素単体、並びに/あるいはLa、C、O及びBの中から選ばれる少なくとも2種の元素から構成されていた。"