"III族窒化物半導体レーザ素子であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記レーザ構造体は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm-n面に交差する第1及び第2の割断面を含み、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第2の面は前記第1の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記支持基体との間に位置し、前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、前記レーザ構造体は、前記第1の割断面の一端に、前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在するスクライブ跡を有し、前記スクライブ跡は、前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在する凹形状を有する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、前記半導体領域の前記活性層における端面と前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面との成す角度は、前記III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す、ことを特徴とする請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記角度は、前記第1平面及び前記法線軸に直交する第2平面において-5度以上5度以下の範囲になる、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記支持基体の厚さは、50μm以上150μm以下である、ことを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲である、ことを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記活性層からのレーザ光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している、ことを特徴とする請求項1~請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。当該III族窒化物半導体レーザ素子におけるLEDモードにおける光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光成分I1と、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向に偏光成分I2を含み、前記偏光成分I1は前記偏光成分I2よりも大きい、ことを特徴とする請求項1~請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかの面から-4度以上4度以下の範囲でオフした微傾斜面である、ことを特徴とする請求項1~請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかである、ことを特徴とする請求項1~請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記支持基体の積層欠陥密度は1×104cm-1以下である、ことを特徴とする請求項1~請求項9のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記支持基体は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなる、ことを特徴とする請求項1~請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記第1及び第2の割断面の少なくともいずれか一方に設けられた誘電体多層膜を更に備える、ことを特徴とする請求項1~請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記活性層は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた発光領域を含む、ことを特徴とする請求項1~請求項12のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。前記活性層は、波長430nm以上550nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含む、ことを特徴とする請求項1~請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。III族窒化物半導体レーザ素子であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第2の面は前記第1の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記支持基体との間に位置し、前記レーザ構造体は、当該レーザ構造体の端部に設けられており前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸とによって規定される平面に沿って延びる第1及び第2のスクライブ跡を有し、前記第1及び第2のスクライブ跡は、前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在する凹形状を有し、前記レーザ構造体の前記端部は、前記第1及び第2のスクライブ跡のそれぞれのエッジと、前記第1及び第2の面のそれぞれのエッジとを繋ぐ割断面を有し、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は、前記割断面を含む、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ素子。III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に前記基板生産物の第1の面を部分的にスクライブする工程と、前記基板生産物の第2の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備え、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、前記アノード電極及びカソード電極は、前記レーザ構造体上に形成され、前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記第1及び第2の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm-n面に交差し、前記第1及び第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面に対して、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される平面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成し、前記スクライブする工程では、前記基板生産物の前記第1の面から前記第2の面に貫通し前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に長く延びている形状を有する複数のスクライブ貫通孔を、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸に沿って形成する、ことを特徴とする方法。前記スクライブ貫通孔は、レーザスクライバを用いて、前記レーザ構造体の前記第1の面、あるいは前記第2の面からのレーザ照射によって形成される、ことを特徴とする請求項16に記載された方法。窒化ガリウム系半導体のバンド構造によれば、レーザ発振可能ないくつかの遷移が存在する。発明者の知見によれば、c軸がm軸の方向に傾斜した半極性面の支持基体を用いるIII族窒化物半導体レーザ素子では、c軸及びm軸によって規定される面に沿ってレーザ導波路を延在させるとき、しきい値電流を下げることができると考えている。このレーザ導波路の向きでは、これらのうち遷移エネルギ伝導帯エネルギと価電子帯エネルギとの差の最も小さいモードがレーザ発振可能になり、このモードの発振が可能になるとき、しきい値電流を下げることができる。しかしながら、このレーザ導波路の向きでは、共振器ミラーのために、c面、a面又はm面という従来のへき開面を利用することはできない。これ故に、共振器ミラーの作製のために、反応性イオンエッチングRIEを用いて半導体層のドライエッチング面を形成してきた。RIE法で形成された共振器ミラーは、レーザ導波路に対する垂直性、ドライエッチング面の平坦性又はイオンダメージの点で、改善が望まれている。また、現在の技術レベルにおける良好なドライエッチング面を得るためのプロセス条件の導出が大きな負担となる。発明者が知る限りにおいて、これまで、上記の半極性面上に形成された同一のIII族窒化物半導体レーザ素子において、c軸の傾斜方向オフ方向に延在するレーザ導波路とドライエッチングを用いずに形成された共振器ミラー用端面との両方が達成されていない。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものである。本発明の目的は、六方晶系III族窒化物のc軸からm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供することにあり、またこのIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供することにある。本発明の一側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、a六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、b前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極とを備える。前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記レーザ構造体は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm-n面に交差する第1及び第2の割断面を含み、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第2の面は前記第1の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記支持基体との間に位置し、前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、前記レーザ構造体は、前記第1の割断面の一端に、前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在するスクライブ跡を有し、前記スクライブ跡は、前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在する凹形状を有する。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、第1の割断面の一端に第1の面のエッジから第2の面のエッジまで延在する凹形状のスクライブ跡に沿って割断面が設けられているので、割断面の垂直性や平坦性が見込まれ、割断面は共振器ミラーとして十分な垂直性及び平坦性することが可能となる。よって、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、前記半導体領域の前記活性層における端面と前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面との成す角度は、前記III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度に関して、上記の垂直性を満たす端面を有することができる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記角度は、前記第1平面及び前記法線軸に直交する第2平面において-5度以上5度以下の範囲になる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、半極性面の法線軸に垂直な面において規定される角度に関して、上記の垂直性を満たす端面を有することができる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体の厚さは、50μm以上150μm以下である。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、厚さ50μm以上であれば、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりが向上する。150μm以下であれば、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために更に好適である。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度は、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲である。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、63度以上80度以下又は100度以上117度以下の範囲では、押圧により形成される端面が、基板主面に垂直に近い面が得られる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層からのレーザ光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、低しきい値電流を実現できるバンド遷移は偏光性を有する。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、当該III族窒化物半導体レーザ素子におけるLEDモードにおける光は、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光成分I1と、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向に偏光成分I2を含み、前記偏光成分I1は前記偏光成分I2よりも大きい。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、LEDモードにおいて大きな発光強度のモードの光を、レーザ共振器を用いてレーザ発振させることができる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかの面から-4度以上4度以下の範囲でオフした微傾斜面である。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これら典型的な半極性面からの微傾斜面においても、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い第1及び第2の端面を提供できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかである。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これら典型的な半極性面においても、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い第1及び第2の端面を提供できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体の積層欠陥密度は1×104cm-1以下である。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、積層欠陥密度が1×104cm-1以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び/又は垂直性が乱れる可能性が低い。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記支持基体は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなる。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な第1及び第2の端面を得ることができる。AlN基板又はAlGaN基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。InGaN基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記第1及び第2の割断面の少なくともいずれか一方に設けられた誘電体多層膜を更に備える。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、破断面にも端面コートを適用できる。端面コートにより反射率を調整できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた発光領域を含む。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、半極性面の利用により、LEDモードの偏光を有効に利用したIII族窒化物半導体レーザ素子を得ることができ、低しきい値電流を得ることができる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子では、前記活性層は、波長430nm以上550nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含む。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、半極性面の利用により、ピエゾ電界の低減と発光層領域の結晶品質向上によって量子効率を向上させることが可能となり、波長430nm以上550nm以下の光を発生できる。本発明の他の側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子は、a六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、b前記レーザ構造体の前記半導体領域上に設けられた電極とを備える前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第2の面は前記第1の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記支持基体との間に位置し、前記レーザ構造体は、当該レーザ構造体の端部に設けられており前記法線軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸とによって規定される平面に沿って延びる第1及び第2のスクライブ跡を有し、前記第1及び第2のスクライブ跡は、前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在する凹形状を有し、前記レーザ構造体の前記端部は、前記第1及び第2のスクライブ跡のそれぞれのエッジと、前記第1及び第2の面のそれぞれのエッジとを繋ぐ割断面を有し、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は、前記割断面を含む。このIII族窒化物半導体レーザ素子によれば、第1の割断面の一端に第1の面のエッジから第2の面のエッジまで延在する凹形状のスクライブ跡に沿って割断面が設けられているので、割断面の垂直性や平坦性が見込まれ、割断面は共振器ミラーとして十分な垂直性及び平坦性することが可能となる。よって、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供できる。本発明の他の側面に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法は、a六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板を準備する工程と、b前記半極性主面上に形成された半導体領域と前記基板とを含むレーザ構造体、アノード電極、及びカソード電極を有する基板生産物を形成する工程と、c前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に前記基板生産物の第1の面を部分的にスクライブする工程と、d前記基板生産物の第2の面への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程とを備える。前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、前記アノード電極及びカソード電極は、前記レーザ構造体上に形成され、前記半導体領域は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第1のクラッド層と、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなる第2のクラッド層と、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に設けられた活性層とを含み、前記第1のクラッド層、前記第2のクラッド層及び前記活性層は、前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、前記活性層は窒化ガリウム系半導体層を含み、前記基板の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に前記法線軸に対して有限な角度ALPHAで傾斜しており、前記角度ALPHAは、45度以上80度以下又は100度以上135度以下の範囲であり、前記第1及び第2の端面は、前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び前記法線軸によって規定されるm-n面に交差し、前記第1及び第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記六方晶系窒化物半導体からなる支持基体のm軸に直交する基準面に対して、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される平面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成し、前記スクライブする工程では、前記基板生産物の前記第1の面から前記第2の面に貫通し前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に長く延びている形状を有する複数のスクライブ貫通孔を、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸に沿って形成する。この方法によれば、前記基板生産物の前記第1の面から前記第2の面に貫通するスクライブ貫通孔を設け、前記基板生産物の分離を行うので、当該分離によって形成される端面は、第1の面側から第2の面側にわたってレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い共振ミラー面が提供される。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法では、前記スクライブ貫通孔は、レーザスクライバを用いて、前記レーザ構造体の前記第1の面、あるいは前記第2の面からのレーザ照射によって形成される。この方法によれば、第1の面又は第2の面の何れからレーザを照射してもよく、特に前記第2の面からレーザを照射すれば、エピ面のダメージやデブリーが減少する。本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。以上説明したように、本発明によれば、六方晶系III族窒化物のc軸がm軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される、また、本発明によれば、このIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法が提供される。本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のIII族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、利得ガイド型の構造を有するけれども、本発明の実施の形態は、利得ガイド型の構造に限定されるものではない。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及び電極15を備える。レーザ構造体13は、支持基体17及び半導体領域19を含む。支持基体17は、六方晶系III族窒化物半導体からなり、また半極性主面17a及び裏面17bを有する。半導体領域19は、支持基体17の半極性主面17a上に設けられている。電極15は、レーザ構造体13の半導体領域19上に設けられる。半導体領域19は、第1のクラッド層21と、第2のクラッド層23と、活性層25とを含む。第1のクラッド層21は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。第2のクラッド層23は、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばp型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。活性層25は、第1のクラッド層21と第2のクラッド層23との間に設けられる。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25a及び障壁層25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。半極性面の利用により、波長430nm以上550nm以下の光の発生に好適である。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、半極性主面17aの法線軸NXに沿って配列されている。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ構造体13は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する第1の割断面27及び第2の割断面29を含む。図1を参照すると、直交座標系S及び結晶座標系CRが描かれている。法線軸NXは、直交座標系SのZ軸の方向に向く。半極性主面17aは、直交座標系SのX軸及びY軸により規定される所定の平面に平行に延在する。また、図1には、代表的なc面Scが描かれている。支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に法線軸NXに対して有限な角度ALPHAで傾斜している。III族窒化物半導体レーザ素子11は、絶縁膜31を更に備える。絶縁膜31はレーザ構造体13の半導体領域19の表面19aを覆っており、半導体領域19は絶縁膜31と支持基体17との間に位置する。支持基体17は六方晶系III族窒化物半導体からなる。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aは半導体領域19の表面19aと上記のm-n面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。電極15は、開口31aを介して半導体領域19の表面19a例えば第2導電型のコンタクト層33に接触を成しており、上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路は、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25を含み、また上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1の割断面27及び第2の割断面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は第1及び第2の割断面27、29を含み、第1の割断面27及び第2の割断面29の一方から他方に、レーザ導波路が延在している。レーザ構造体13は第1の面13a及び第2の面13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。第1及び第2の割断面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する。第1及び第2の割断面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。このIII族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する第1及び第2の割断面27、29がm-n面に交差する。これ故に、m-n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。III族窒化物半導体レーザ素子11は、n側光ガイド層35及びp側光ガイド層37を含む。n側光ガイド層35は、第1の部分35a及び第2の部分35bを含み、n側光ガイド層35は例えばGaN、InGaN等からなる。p側光ガイド層37は、第1の部分37a及び第2の部分37bを含み、p側光ガイド層37は例えばGaN、InGaN等からなる。キャリアブロック層39は、例えば第1の部分37aと第2の部分37bとの間に設けられる。支持基体17の裏面17bには別の電極41が設けられ、電極41は例えば支持基体17の裏面17bを覆っている。レーザ構造体13は、第1の割断面27の一端に、III族窒化物半導体レーザ素子11の素子表面11aのエッジ13cから素子裏面11bのエッジ13dまで延在するスクライブ跡SM1を有し、第1の割断面27の他端に、III族窒化物半導体レーザ素子11の素子表面11aのエッジ13cから素子裏面11bのエッジ13dまで延在するスクライブ跡SM2を有する。また、レーザ構造体13は、第2の割断面29側においても同様に、スクライブ跡SM3,SM4を有する。スクライブ跡SM1,SM2,SM3,SM4は、III族窒化物半導体レーザ素子11の素子表面11aから素子裏面11bまで延在する凹形状を有する。また、スクライブ跡SM1,SM2,SM3,SM4は、レーザ構造体13の端部m-n面に交差する端部にそれぞれ設けられており、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のa軸とによって規定される平面に沿って延びる。レーザ構造体13の上記の端部m-n面に交差する端部は、第1の割断面27を有するものと、第2の割断面29を有するものとがある。第1の割断面27は、スクライブ跡SM1及びスクライブ跡SM2のそれぞれのエッジ13e及び13fと、素子表面11a及び素子裏面11bのそれぞれのエッジ13c及び13dとを繋ぐ面であり、第2の割断面29は、スクライブ跡SM3及びスクライブ跡SM4のそれぞれのエッジと、素子表面11a及び素子裏面11bのそれぞれのエッジ13c及び13dとを繋ぐ面である。このように、III族窒化物半導体レーザ素子11の素子表面11aから素子裏面11bまで延在する凹形状のスクライブ跡SM1等に沿って第1及び第2の割断面27,29が設けられているので、割断面の垂直性や平坦性が見込まれ、第1及び第2の割断面27,29は共振器ミラーとして十分な垂直性及び平坦性することが可能となる。図2は、III族窒化物半導体レーザ素子における活性層におけるバンド構造を示す図面である。図3は、III族窒化物半導体レーザ素子11の活性層25における発光の偏光を示す図面である。図4は、c軸及びm軸によって規定される断面を模式的に示す図面である。図2aを参照すると、バンド構造BANDのΓ点近傍では、伝導帯と価電子帯との間の可能な遷移は、3つある。Aバンド及びBバンドは比較的小さいエネルギ差である。伝導帯とAバンドとの遷移Eaによる発光はa軸方向に偏光しており、伝導帯とBバンドとの遷移Ebによる発光はc軸を主面に投影した方向に偏光している。レーザ発振に関して、遷移Eaのしきい値は遷移Ebのしきい値よりも小さい。図2bを参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11におけるLEDモードにおける光のスペクトルが示されている。LEDモードにおける光は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向の偏光成分I1と、六方晶系III族窒化物半導体のc軸を主面に投影した方向の偏光成分I2を含み、偏光成分I1は偏光成分I2よりも大きい。偏光度ρはI1-I2/I1I2によって規定される。このIII族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を用いて、LEDモードにおいて大きな発光強度のモードの光をレーザ発振させることができる。図3に示されるように、第1及び第2の割断面27、29の少なくとも一方、又はそれぞれに設けられた誘電体多層膜43a、43bを更に備えることができる。第1及び第2の割断面27、29にも端面コートを適用できる。端面コートにより反射率を調整できる。図3bに示されるように、活性層25からのレーザ光Lは六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に偏光している。このIII族窒化物半導体レーザ素子11において、低しきい値電流を実現できるバンド遷移は偏光性を有する。レーザ共振器のための第1及び第2の割断面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なる。しかしながら、第1及び第2の割断面27、29は共振器のためのミラーとしての平坦性、垂直性を有する。これ故に、第1及び第2の割断面27、29とこれらの第1及び第2の割断面27、29間に延在するレーザ導波路とを用いて、図3bに示されるように、c軸を主面に投影した方向に偏光する遷移Ebの発光よりも強い遷移Eaの発光を利用して低しきい値のレーザ発振が可能になる。III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1及び第2の割断面27、29の各々には、支持基体17の端面17c及び半導体領域19の端面19cが現れており、端面17c及び端面19cは誘電体多層膜43aで覆われている。支持基体17の端面17c及び活性層25における端面25cの法線ベクトルNAと活性層25のm軸ベクトルMAとの成す角度BETAは、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面S1において規定される成分BETA1と、第1平面S1理解を容易にするために図示しないがS1として参照する及び法線軸NXに直交する第2平面S2理解を容易にするために図示しないがS2として参照するにおいて規定される成分BETA2とによって規定される。成分BETA1は、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面S1においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲であることが好ましい。この角度範囲は、図4において、代表的なm面SMと参照面FAとの成す角度として示されている。代表的なm面SMが、理解を容易にするために、図4において、レーザ構造体の内側から外側にわたって描かれている。参照面FAは、活性層25の端面25cに沿って延在する。このIII族窒化物半導体レーザ素子11は、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAに関して、上記の垂直性を満たす端面を有する。また、成分BETA2は第2平面S2において-5度以上5度以下の範囲であることが好ましい。ここで、BETA2=BETA12BETA22である。このとき、III族窒化物半導体レーザ素子11の端面第1及び第2の割断面27、29は、半極性面17aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度に関して上記の垂直性を満たす。再び図1を参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは50μm以上150μm以下であることが好ましい。III族窒化物半導体レーザ素子11の支持基体17がこの厚みを有することにより、III族窒化物半導体レーザ素子11を含む基板生産物後述の基板生産物SPに対し、スクライブ跡SMに対応するスクライブ貫通孔図6に示す後述のスクライブ貫通孔65aを参照の形成が容易となる。後述するように、このスクライブ貫通孔を用いて得られる端面割断面は、十分な垂直性及び平坦性を有する良好な共振器ミラーとして利用できる。従って、III族窒化物半導体レーザ素子11の第1及び第2の割断面27,29は、良好な共振器ミラーとなることができる。III族窒化物半導体レーザ素子11では、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度ALPHAは45度以上であることが好ましく、また80度以下であることが好ましい。また、角度ALPHAは100度以上であることが好ましく、また135度以下であることが好ましい。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。III族窒化物半導体レーザ素子11では、更に好ましくは、法線軸NXと六方晶系III族窒化物半導体のc軸との成す角度ALPHAは63度以上であることが好ましく、また80度以下であることが好ましい。また、角度ALPHAは100度以上であることが好ましく、また117度以下であることが好ましい。63度未満及び117度を越える角度では、押圧により形成される端面の一部に、m面が出現する可能性がある。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。半極性主面17aは、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかであることができる。更に、これらの面から-4度以上4度以下の範囲で微傾斜した面も前記主面として好適である。これら典型的な半極性面17aにおいて、当該III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の第1及び第2の端面第1及び第2の割断面27、29を提供できる。また、これらの典型的な面方位にわたる角度の範囲において、十分な平坦性及び垂直性を示す端面が得られる。III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の積層欠陥密度は1×104cm-1以下であることができる。積層欠陥密度が1×104cm-1以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び/又は垂直性が乱れる可能性が低い。また、支持基体17は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な端面第1及び第2の割断面27、29を得ることができる。AlN又はAlGaN基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。InGaN基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。図5は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。図6aを参照すると、基板51が示されている。工程S101では、III族窒化物半導体レーザ素子の作製のための基板51を準備する。基板51の六方晶系III族窒化物半導体のc軸ベクトルVCは、六方晶系III族窒化物半導体のm軸方向ベクトルVMに法線軸NXに対して有限な角度ALPHAで傾斜している。これ故に、基板51は、六方晶系III族窒化物半導体からなる半極性主面51aを有する。工程S102では、基板生産物SPを形成する。図6aでは、基板生産物SPはほぼ円板形の部材として描かれているけれども、基板生産物SPの形状はこれに限定されるものではない。基板生産物SPを得るために、まず、工程S103では、レーザ構造体55を形成する。レーザ構造体55は、半導体領域53及び基板51とを含んでおり、工程S103では、半導体領域53は半極性主面51a上に形成される。半導体領域53を形成するために、半極性主面51a上に、第1導電型の窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61を順に成長する。窒化ガリウム系半導体領域57は例えばn型クラッド層を含み、窒化ガリウム系半導体領域61は例えばp型クラッド層を含むことができる。発光層59は窒化ガリウム系半導体領域57と窒化ガリウム系半導体領域61との間に設けられ、また活性層、光ガイド層及び電子ブロック層等を含むことができる。窒化ガリウム系半導体領域57、発光層59、及び第2導電型の窒化ガリウム系半導体領域61は、半極性主面51aの法線軸NXに沿って配列されている。これらの半導体層はエピタキシャル成長される。半導体領域53上は、絶縁膜54で覆われている。絶縁膜54は例えばシリコン酸化物からなる。絶縁膜54の開口54aを有する。開口54aは例えばストライプ形状を成す。工程S104では、レーザ構造体55上に、アノード電極58a及びカソード電極58bが形成される。また、基板51の裏面に電極を形成する前に、結晶成長に用いた基板の裏面を研磨して、所望の厚さDSUBの基板生産物SPを形成する。電極の形成では、例えばアノード電極58aが半導体領域53上に形成されると共に、カソード電極58bが基板51の裏面研磨面51b上に形成される。アノード電極58aはX軸方向に延在し、カソード電極58bは裏面51bの全面を覆っている。これらの工程により、基板生産物SPが形成される。基板生産物SPは、第1の面63aと、これに反対側に位置する第2の面63bとを含む。半導体領域53は第1の面63aと基板51との間に位置する。工程S105では、図6bに示されるように、基板生産物SPの第1の面63aをスクライブする。このスクライブは、レーザスクライバ10aを用いて行われる。スクライブにより複数のスクライブ貫通孔65aが形成される。図6bでは、いくつかのスクライブ貫通孔が既に形成されており、レーザビームLBを用いてスクライブ貫通孔65bの形成が進められている。スクライブ貫通孔65a等は、第1の面63aから第2の面63bに貫通する貫通孔であり、第1の面63a又は第2の面63bからみて、六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向に延びている形状を有する。すなわち、六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向におけるスクライブ貫通孔65a等の幅は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向に直交する方向の幅よりも長い。六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向におけるスクライブ貫通孔65a等の幅は、例えば、50μm以上300μm以下とすることができ、六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向に直交する方向におけるスクライブ貫通孔65a等の幅は、例えば、5μm以上15μm以下とすることができる。複数のスクライブ貫通孔65a等は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向に沿って例えば400μm程度のピッチで形成される。六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向に並んで形成される複数のスクライブ貫通孔65aを含む複数の列は、六方晶系III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される面に沿って、基板生産物SPに略等間隔のピッチで形成される。スクライブ貫通孔65a等は、後述の1次及び2次ブレークにおいて、III族窒化物半導体レーザ素子11が基板生産物SPから分離されることによって、III族窒化物半導体レーザ素子11の有するスクライブ跡SM1等となる。スクライブ貫通孔65a等の長さは、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa-n面と第1の面63aとの交差線AISの長さよりも短く、交差線AISの一部分にレーザビームLBの照射が行われる。レーザビームLBの照射により、特定の方向に延在し半導体領域に到達する貫通孔が第1の面63aに形成される。スクライブ貫通孔65a等は例えば基板生産物SPの一エッジに形成されることができる。工程S106では、図6cに示されるように、基板生産物SPの第2の面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。押圧は、例えばブレード69といったブレイキング装置を用いて行われる。このレーザバーLB1等を形成するためのブレイキング1次ブレークは、y軸方向に進められる。ブレード69は、一方向に延在するエッジ69aと、エッジ69aを規定する少なくとも2つのブレード面69b、69cを含む。また、基板生産物SP1の押圧は支持装置71上において行われる。支持装置71は、支持面71aと凹部71bとを含み、凹部71bは一方向に延在する。凹部71bは、支持面71aに形成されている。基板生産物SP1のスクライブ貫通孔65aの向き及び位置を支持装置71の凹部71bの延在方向に合わせて、基板生産物SP1を支持装置71上において凹部71bに位置決めする。凹部71bの延在方向にブレイキング装置のエッジの向きを合わせて、第2の面63bに交差する方向からブレイキング装置のエッジを基板生産物SP1に押し当てる。交差方向は好ましくは第2の面63bにほぼ垂直方向である。これによって、基板生産物SPの分離を行って、基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。押し当てにより、第1及び第2の端面67a、67bを有するレーザバーLB1が形成され、これらの端面67a、67bは少なくとも発光層の一部は半導体レーザの共振ミラーに適用可能な程度の垂直性及び平坦性を有する。形成されたレーザバーLB1は、上記の分離により形成された第1及び第2の端面67a、67bを有し、端面67a、67bの各々は、第1の面63aから第2の面63bにまで延在する。これ故に、端面67a、67bは、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、XZ面に交差する。このXZ面は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に対応する。この方法によれば、六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に基板生産物SPの第1の面63aをスクライブした後に、基板生産物SPの第2の面63bへの押圧により基板生産物SPの分離を行って、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1を形成する。これ故に、m-n面に交差するように、レーザバーLB1に第1及び第2の端面67a、67bが形成される。この端面形成によれば、第1及び第2の端面67a、67bに当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性が提供される。また、この方法では、形成されたレーザ導波路は、六方晶系III族窒化物のc軸の傾斜の方向に延在している。ドライエッチング面を用いずに、このレーザ導波路を提供できる共振器ミラー端面を形成している。この方法によれば、基板生産物SP1の割断により、新たな基板生産物SP1及びレーザバーLB1が形成される。工程S107では、押圧による分離を繰り返して、多数のレーザバーを作製する。この割断は、レーザバーLB1の割断線BREAKに比べて短いスクライブ貫通孔65aを用いて引き起こされる。工程S108では、レーザバーLB1の端面67a、67bに誘電体多層膜を形成して、レーザバー生産物を形成する。工程S109では、このレーザバー生産物を個々の半導体レーザのチップに分離する2次ブレーク。本実施の形態に係る製造方法では、角度ALPHAは、45度以上80度以下及び100度以上135度以下の範囲であることができる。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面がm面からなる可能性が高くなる。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。更に好ましくは、角度ALPHAは、63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲であることができる。45度未満及び135度を越える角度では、押圧により形成される端面の一部に、m面が出現する可能性がある。また、80度を越え100度未満の角度では、所望の平坦性及び垂直性が得られないおそれがある。半極性主面51aは、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかであることができる。更に、これらの面から-4度以上4度以下の範囲で微傾斜した面も前記主面として好適である。これら典型的な半極性面において、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性でレーザ共振器のための端面を提供できる。また、基板51は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNのいずれかからなることができる。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、レーザ共振器として利用可能な端面を得ることができる。基板51は好ましくはGaNからなる。基板生産物SPを形成する工程S104において、結晶成長に使用された半導体基板は、基板厚が50μm以上150μm以下になるようにスライス又は研削といった加工が施され、第2の面63bが研磨により形成された加工面であることができる。この基板厚では、スクライブ貫通孔65aの形成が容易となり、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性、垂直性又はイオンダメージの無い端面67a、67bを歩留まりよく形成できる。本実施の形態に係るレーザ端面の製造方法では、レーザバーLB1においても、図3を参照しながら説明された角度BETAが規定される。レーザバーLB1では、角度BETAの成分BETA1は、III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定される第1平面図3を参照した説明における第1平面S1に対応する面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲であることが好ましい。レーザバーLB1の端面67a、67bは、c軸及びm軸の一方から他方に取られる角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。また、角度BETAの成分BETA2は、第2平面図3に示された第2平面S2に対応する面において-5度以上5度以下の範囲であることが好ましい。このとき、レーザバーLB1の端面67a、67bは、半極性面51aの法線軸NXに垂直な面において規定される角度BETAの角度成分に関して上記の垂直性を満たす。端面67a、67bは、半極性面51a上にエピタキシャルに成長された複数の窒化ガリウム系半導体層への押圧によるブレークによって形成される。半極性面51a上へのエピタキシャル膜であるが故に、端面67a、67bは、これまで共振器ミラーとして用いられてきたc面、m面、又はa面といった低面指数のへき開面ではない。しかしながら、半極性面51a上へのエピタキシャル膜の積層のブレークにおいて、端面67a、67bは、共振器ミラーとして適用可能な平坦性及び垂直性を有する。実施例図7に示されるレーザーダイオードを有機金属気相成長法により成長した。原料にはトリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、トリメチルインジウムTMIn、アンモニアNH3、シランSiH4を用いた。基板71を準備した。基板71には、HVPE法で厚く成長した0001GaNインゴットからm軸方向に0度から90度の範囲の角度でウェハスライス装置を用いて切り出し、m軸方向へのc軸の傾斜角度ALPHAが、0度から90度の範囲の所望のオフ角を有するGaN基板を作製した。例えば、75度の角度で切り出したとき、{20-21}面GaN基板が得られる。成長前に、基板の積層欠陥密度を調べるため、カソードルミネッセンス法によって、基板を観察した。カソードルミネッセンスでは、電子線によって励起されたキャリアの発光過程を観察するが、積層欠陥が存在すると、その近傍ではキャリアが非発光再結合するので、暗線状に観察される。その暗線の単位長さあたりの密度線密度を求め、積層欠陥密度と定義した。ここでは、積層欠陥密度を調べるために、非破壊測定のカソードルミネッセンス法を用いたが、破壊測定の透過型電子顕微鏡を用いてもよい。透過型電子顕微鏡では、a軸方向から試料断面を観察したとき、基板から試料表面に向かってm軸方向に伸びる欠陥が、支持基体に含まれる積層欠陥であり、カソードルミネッセンス法の場合と同様に、積層欠陥の線密度を求めることができる。この基板71を反応炉内のサセプタ上に配置した後に、以下の成長手順でエピタキシャル層を成長した。まず、厚さ1000nmのn型GaN72を成長した。次に、厚さ1200nmのn型InAlGaNクラッド層73を成長した。引き続き、厚さ200nmのn型GaNガイド層74a及び厚さ65nmのアンドープInGaNガイド層74bを成長した後に、GaN厚さ15nm/InGaN厚さ3nmから構成される3周期MQW75を成長した。続いて、厚さ65nmのp型のInGaNガイド層76a、厚さ20nmのp型AlGaNブロック層77及び厚さ200nmのp型のInGaNガイド層76bを成長した。次に、厚さ400nmのp型InAlGaNクラッド層77を成長した。最後に、厚さ50nmのp型GaNコンタクト層78を成長した。SiO2の絶縁膜79をコンタクト層78上に成膜した後に、フォトリソグラフィを用いて幅10μmのストライプ窓をウェットエッチングにより形成した。ここで、M方向コンタクト窓がc軸及びm軸によって規定される所定の面に沿った方向にストライプ方向のコンタクト窓を形成した。ストライプ窓を形成した後に、Ni/Auから成るp側電極80aとTi/Alから成るパッド電極を蒸着した。次いで、GaN基板GaNウエハの裏面をダイヤモンドスラリーを用いて80μm又は60μmまで研磨し、裏面がミラー状態の基板生産物を作製した。このとき、接触式膜厚計を用いて基板生産物の厚みを測定した。厚みの測定には、試料断面からの顕微鏡によっても行っても良い。顕微鏡には、光学顕微鏡や、走査型電子顕微鏡を用いることができる。GaN基板GaNウエハの裏面研磨面にはTi/Al/Ti/Auから成るn側電極80bを蒸着により形成した。レーザストライプに対する共振器ミラーの作製には、波長355nmのYAGレーザを用いるレーザスクライバを用いた。レーザスクライバを用いてブレークした場合には、ダイヤモンドスクライブを用いた場合と比較して、発振チップ歩留まりを向上させることが可能である。基板生産物SPの第1の面63aから第2の面63bに至るスクライブ貫通孔65a等の形成方法として以下の方法A、Bを用いた:基板厚さμmレーザ出力mWレーザ走査速度mm/s方法A802501方法B602501なお、下記の方法Cによって、スクライブ貫通孔ではなく、基板生産物SPの第1の面63aに形成されているが第2の面63bには至らないスクライブ溝SL1,SL2図8等を参照も形成した。スクライブ溝SL1,SL2は、基板生産物SPの第2の面63bには至らないが第1の面63aに形成されている溝である。このスクライブ溝SL1,SL2を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を、特に、III族窒化物半導体レーザ素子111、という。基板厚さμmレーザ出力mWレーザ走査速度mm/s方法C801005400μmピッチで基板の絶縁膜開口箇所を通してエピ表面に直接レーザ光を照射することによって、スクライブ貫通孔及びスクライブ溝を形成した。共振器長は600μmとした。形成されたスクライブ貫通孔は、例えば、長さ200μm、幅12μmであり、スクライブ溝は、例えば、長さ200μm、幅8μm、深さ40μm程度であった。ブレークによって形成された割断面を走査型電子顕微鏡で観察した結果、顕著な凹凸は観察されなかった。このことから、割断面の平坦性凹凸の大きさは、20nm以下と推定される。更に、割断面の試料表面に対する垂直性は、±5度の範囲内であった。レーザバーの端面に真空蒸着法によって誘電体多層膜をコーティングした。誘電体多層膜は、SiO2とTiO2を交互に積層して構成した。膜厚はそれぞれ、50~100nmの範囲で調整して、反射率の中心波長が500~530nmの範囲になるように設計した。片側の反射面を10周期とし、反射率の設計値を約95に設計し、もう片側の反射面を6周期とし、反射率の設計値を約80とした。通電による評価を室温にて行った。電源には、パルス幅500ns、デューティ比0.1のパルス電源を用い、表面電極に針を落として通電した。光出力測定の際には、レーザバー端面からの発光をフォトダイオードによって検出して、電流-光出力特性I-L特性を調べた。発光波長を測定する際には、レーザバー端面からの発光を光ファイバに通し、検出器にスペクトルアナライザを用いてスペクトル測定を行った。偏光状態を調べる際には、レーザバーからの発光に偏光板を通して回転させることで、偏光状態を調べた。LEDモード光を観測する際には、光ファイバをレーザバー表面側に配置することで、表面から放出される光を測定した。全てのレーザで発振後の偏光状態を確認した結果、a軸方向に偏光していることがわかった。発振波長は500~530nmであった。図8は、方法Cによって基板生産物SPに対しスクライブ溝が形成された基板の模式図である。なお、図8においては、理解を容易にするために、1次ブレークのためのy方向へのスクライブ溝スクライブ溝SL1に加えて、2次ブレークのためのx方向へのスクライブ溝スクライブ溝SL2も形成されているが、実際のプロセスにおいては2次ブレークのためのスクライブ溝SL2は1次ブレークの後に形成される。1次、2次のブレークを終えてチップ化された半極性面上LDIII族窒化物半導体レーザ素子111のエピ面を光学顕微鏡観察で観察した結果を図9に示す。図9において、ブレークの進行方向はy方向である。図9によれば、ブレークのき裂図中符号D1に示すは、導波路に垂直な方向y方向からc軸の方向c軸をエピ面に投影した方向D2であり、-x方向に対応するに向きを変えて進展していることが分かる。結果として、導波路に垂直な共振器ミラーが得られず、発振歩留まりの低下や発振しきい値電流の増大が起こることが予想される。このように、方法Cによってスクライブ溝SL1,SL2を形成する技術では共振器ミラーの品質が不安定となる場合がある。この半極性面上LDIII族窒化物半導体レーザ素子111の端面z-x断面を観察した結果を図10に示す。図10aは、III族窒化物半導体レーザ素子111のエピ面の表面をみた図であり、図10bは、図10aに示す領域D3内のIII族窒化物半導体レーザ素子111の側面をみた図である。図10によれば、スクライブ溝SL1から深さ方向-z方向にき裂が進展する際に、き裂はスクライブ溝SL1の深さ方向に平行な方向D4ではなく、c軸図中符号D5に示す方向に垂直な方向に進展していることが分かる。すなわち、スクライブ溝SL1の下側にはc面が現れていることになる。このように、導波路をオフ方向に設けた半極性面上LDIII族窒化物半導体レーザ素子111の共振器ミラー形成時に、スクライブ溝SL1の下側に低指数のへき開面が現れることが、端面不良の原因であることは容易に推察される。図11に、導波路に垂直な方向y方向へのき裂の進展に伴って、端面の深さ方向の様子がどのように変化しているかを観察した様子を示す。上述のように、スクライブ溝SL1が形成された領域においては、端面は、スクライブによって形成されたエピ面に比較的垂直な面と、スクライブ溝SL1の下側に出現したc面との二面によって構成されており、二面の交線としてのエッジを有する。図11のように、き裂がy方向に進展してスクライブ溝の形成されていない領域図11においては、200μm<y<400μmに達すると、端面を構成していた上記二面は次第にエッジをなくすように滑らかに接続しようとする。その結果、端面は曲面となる。発明者は、図11に示す結果に基づき、き裂進展のメカニズムを図12に示すように理解した。なお、発明者の知見によれば、ブレーク時にブレードを押し当てた側基板裏面D8側の表面には、ブレードの押圧により真直ぐなエッジが現れることが分かっている。上述のように、スクライブ溝の裏面D8側図中符号D6に示す領域にはc面が現れる。図中符号D7に示す領域において、き裂がスクライブ溝の形成されていない領域図中符号D7に示す領域に達すると、端面は曲面化していくが、裏面にはブレードの押圧により真直ぐなエッジが現れるため、結果としてエピ面上に現れるき裂は-x方向に向きを変えて進展することとなる。上記の方法Cを用いた場合において導波路に垂直な共振器ミラーが安定して得られない原因は、スクライブ溝SL1の基板裏面側に現れるc面にある可能性が高いことがわかった。そこで、スクライブ溝SL1の基板裏面側のc面の出現を抑制すれば、導波路に垂直な共振器ミラーが安定して得られると考え、前記のレーザスクライバを用いてエピ面から基板裏面に至る貫通孔スクライブ貫通孔65a等を形成してブレークする上記の方法A、Bを見い出した。図13a及び図13bは方法Aによって得られたサンプルレーザバーLB1等の光学顕微鏡写真である。図13aはエピ面からの観察結果であり、図13bは端面からの観察結果である。図13aを見ると、図9で見られたような、導波路に垂直な方向からの共振器ミラーの角度ずれは確認されない。このとき、確かに貫通孔が形成されていることは図13bから明らかである。なお、方法Bにおいても貫通孔スクライブ貫通孔65aが形成されていることを確認した。このサンプルレーザバーLB1等の導波路近傍の端面の様子を観察した結果が図14aである。端面はエピ面にほぼ垂直であり、なおかつこれまでのへき開面とは異なる。この端面の候補を見いだすために、20-21面に90度近傍の角度を成す面指数を計算により求めた。図14bを参照すると、以下の角度及び面指数が、20-21面に対して90度近傍の角度を有する。具体的な面指数{20-21}面に対する角度-101692.46度-101790.10度-101888.29度各面指数のへき開性や、スクライブ時のレーザの垂直性±5度程度に依存して、このような高指数面が端面として得られている可能性が考えられる。方法A~Cで得られたサンプルレーザバーLB1等のエピ面からの観察結果から、スクライブ貫通孔スクライブ溝が配列された線図12におけるy軸からの端面の角度ずれGAMMAを測定した結果を図15に示す。図15に示す棒グラフNU11,NU12,NU13は、方法Aによってスクライブ貫通孔65aを形成した場合の結果を表し、棒グラフNU21,NU22は、方法Bによってスクライブ貫通孔65aを形成した場合の結果を表し、棒グラフNU31,NU32,NU33は、方法Cによってスクライブ溝SL1等を形成した場合の結果を表す。図15によれば、スクライブ貫通孔65a等を形成する方法方法Aおよび方法Bによって得られたサンプルレーザバーLB1等においては、角度ずれGAMMAが低減していることを確認できる。図15に示されたデータは以下のものである。角度ずれGAMMA方法A方法B方法C0以上1未満161891以上2未満87222以上3未満1053以上4未満000なお、各方法A~Cにおける角度ずれGAMMAの平均値、標準偏差は以下の通りである。平均値標準偏差方法A0.670.63方法B0.630.57方法C1.380.57また、III族窒化物半導体レーザ素子11のGaN基板支持基体17のm軸方向へのc軸の傾斜角と発振歩留まりとの関係を、方法Aを用いて測定した。この測定結果を図16に示す。本実施例では、発振歩留まりについては、発振チップ数/測定チップ数と定義した。また、図16に示す測定結果は、積層欠陥密度が1×104cm-1以下のGaN基板を用いて得られたものである。図16によれば、オフ角が45度以下では、発振歩留まりが極めて低いことがわかる。このオフ角度領域においては、き裂が進展してスクライブ貫通孔65a等スクライブ跡SM1等に対応の形成されていない領域に達すると、へき開性の強いm面が出現しようとするため、図12と同様のメカニズムにより、端面の導波路に対する垂直性が悪化する。その結果、発振歩留まりが低下していると考えられる。以上より、GaN基板支持基体17のオフ角度の範囲は、63度以上80度以下が最適である。なお、この結晶的に等価な端面を有することになる角度範囲である、100度以上117度以下の範囲でも、同様の結果が得られる。図16に示されたデータは以下のものである。傾斜角、歩留まり1001430158436371669071967588797985529036積層欠陥密度と発振歩留まりとの関係を、方法Aを用いて調べた結果、図17に示す結果が得られた。発振歩留まりの定義については、上記と同様である。図17によれば、GaN基板支持基体17の積層欠陥密度が1×104cm-1を超えると急激に発振歩留まりが低下することがわかる。また、端面状態を光学顕微鏡で観察した結果、発振歩留まりが低下したサンプルでは、端面の凹凸が激しく平坦な端面が得られていないことがわかった。積層欠陥の存在によって、割れ易さに違いが出たことが原因と考えられる。以上のことから、GaN基板支持基体17に含まれる積層欠陥密度は、1×104cm-1以下である必要がある。なお、本実施例において、スクライブ時にエピ面基板生産物SPの第1の面63aからレーザを照射し、基板裏面に至るスクライブ貫通孔65a等を形成したが、基板裏面基板生産物SPの第2の面63bからレーザを照射してエピ面に至るスクライブ貫通孔65a等を形成することによって、エピ面のダメージやデブリーが減少することを光学顕微鏡により確認した。この方法によりLDIII族窒化物半導体レーザ素子11の歩留まり向上の可能性がある。図17に示されたデータは以下のものである。積層欠陥密度cm-1、歩留まり500951000914000728000641000018500003図18は、20-21面と-101-6面及び-1016面における原子配置を示す図面である。図19は、20-21面と-101-7面及び-1017面における原子配置を示す図面である。図20は、20-21面と-101-8面及び-1018面における原子配置を示す図面である。図18~図20に示されるように、矢印によって示される局所的な原子配置は電荷的に中性な原子の配列を示し、電気的中性の原子配置が周期的に出現している。成長面に対し、比較的垂直な面が得られる理由は、この電荷的に中性な原子配列が周期的に現れることで、割断面の生成が比較的安定となっていることが考えられる可能性がある。上記の実施例を含めた様々な実験によって、角度ALPHAは、45度以上80度以下及び100度以上135度以下の範囲であることができる。発振チップ歩留を向上させるためには、角度ALPHAは、63度以上80度以下及び100度以上117度以下の範囲であることができる。典型的な半極性主面、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかであることができる。更に、これらの半極性面からの微傾斜面であることができる。例えば、半極性主面は、{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及び{10-1-1}面のいずれかの面から、m面方向に-4度以上4度以下の範囲でオフした微傾斜面であることができる。好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。"