化合物半導体太陽電池を製造するための化合物半導体太陽電池製造用積層体であって、半導体基板上に、第1エッチングストップ層、および少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体がこの順に配置されており、前記半導体積層体は、前記第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を有し、前記第1エッチングストップ層および前記コンタクト層は、同一種類のV族元素を含む、化合物半導体太陽電池製造用積層体。化合物半導体太陽電池を製造するための化合物半導体太陽電池製造用積層体であって、半導体基板上に、第1エッチングストップ層、および少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体がこの順に配置されており、前記半導体積層体は、前記第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を有し、前記第1エッチングストップ層および前記コンタクト層は、各々V族元素を含み、前記第1エッチングストップ層に含まれる前記V族元素および前記コンタクト層に含まれる前記V族元素は同一種類である、化合物半導体太陽電池製造用積層体。前記第1エッチングストップ層および前記半導体積層体は、エピタキシャル成長層である、請求項1または2に記載の化合物半導体太陽電池製造用積層体。前記第1エッチングストップ層がAlAs層である、請求項1から3のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池製造用積層体。前記半導体基板と前記第1エッチングストップ層との間に、前記第1エッチングストップ層側から第2エッチングストップ層および第3エッチングストップ層がこの順に配置されている、請求項1から4のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池製造用積層体。前記第2エッチングストップ層および前記第3エッチングストップ層は、エピタキシャル成長層である、請求項5に記載の化合物半導体太陽電池製造用積層体。前記第2エッチングストップ層がGaAs層であり、前記第3エッチングストップ層がInGaP層である、請求項5または6に記載の化合物半導体太陽電池製造用積層体。前記コンタクト層がGaAs層である、請求項1から7のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池製造用積層体。請求項1から8のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いて製造された化合物半導体太陽電池であって、前記半導体積層体を含む化合物半導体太陽電池。前記半導体積層体の前記コンタクト層と接する前記第1エッチングストップ層をエッチングすることによって構成される、請求項9に記載の化合物半導体太陽電池。半導体基板上に、第1エッチングストップ層を形成する工程と、前記第1エッチングストップ層上に、少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体の前記第1エッチングストップ層から最も遠い位置に形成された化合物半導体層上に支持基板を配置する工程と、前記第1エッチングストップ層をエッチングする工程と、を含み、前記半導体積層体を形成する工程は、前記第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を形成する工程を含み、前記第1エッチングストップ層および前記コンタクト層は、同一種類のV族元素を含む、化合物半導体太陽電池の製造方法。半導体基板上に、第1エッチングストップ層を形成する工程と、前記第1エッチングストップ層上に、少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体の前記第1エッチングストップ層から最も遠い位置に形成された化合物半導体層上に支持基板を配置する工程と、前記第1エッチングストップ層をエッチングする工程と、を含み、前記半導体積層体を形成する工程は、前記第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を形成する工程を含み、前記第1エッチングストップ層および前記コンタクト層は、各々V族元素を含み、前記第1エッチングストップ層に含まれる前記V族元素および前記コンタクト層に含まれる前記V族元素は同一種類である、化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第1エッチングストップ層を形成する工程は、前記半導体基板上に第3エッチングストップ層を形成する工程と、前記第3エッチングストップ層上に第2エッチングストップ層を形成する工程と、前記第2エッチングストップ層上に前記第1エッチングストップ層を形成する工程と、を含む、請求項11または12に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第1エッチングストップ層をエッチングする工程の前に、前記第3エッチングストップ層をエッチングする工程と、前記第2エッチングストップ層をエッチングする工程と、を含む、請求項13に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第1エッチングストップ層をエッチングする工程、前記第2エッチングストップ層をエッチングする工程、および前記第3エッチングストップ層をエッチングする工程の少なくとも1つの工程において、フッ化水素酸、クエン酸、および塩酸の群からなる酸のうち、少なくともいずれか1種を用いる、請求項14に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。しかしながら、さらに特性の向上した化合物半導体太陽電池は現在も要望されており、さらなる技術の開発が求められている。上記事情に鑑みて、本発明の目的は、特性の優れた化合物半導体太陽電池製造用積層体、化合物半導体太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とする。すなわち、本発明の第1の態様は、化合物半導体太陽電池を製造するための化合物半導体太陽電池製造用積層体であって、半導体基板上に、第1エッチングストップ層、および少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体がこの順に配置されており、半導体積層体は、第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を有し、第1エッチングストップ層およびコンタクト層は、同一種類のV族元素を含む、化合物半導体太陽電池製造用積層体である。また、本発明の第2の態様は、化合物半導体太陽電池を製造するための化合物半導体太陽電池製造用積層体であって、半導体基板上に、第1エッチングストップ層、および少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体がこの順に配置されており、半導体積層体は、第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を有し、第1エッチングストップ層およびコンタクト層は、各々V族元素を含み、第1エッチングストップ層に含まれるV族元素およびコンタクト層に含まれるV族元素は同一種類である、化合物半導体太陽電池製造用積層体である。上記化合物半導体太陽電池製造用積層体において、第1エッチングストップ層および半導体積層体は、エピタキシャル成長層であることが好ましい。上記化合物半導体太陽電池製造用積層体において、第1エッチングストップ層がAlAs層であることが好ましい。上記化合物半導体太陽電池製造用積層体において、半導体基板と第1エッチングストップ層との間に、第1エッチングストップ層側から第2エッチングストップ層および第3エッチングストップ層がこの順に配置されていることが好ましい。上記化合物半導体太陽電池製造用積層体において、第2エッチングストップ層および第3エッチングストップ層は、エピタキシャル成長層であることが好ましい。上記化合物半導体太陽電池製造用積層体において、第2エッチングストップ層がGaAs層であり、第3エッチングストップ層がInGaP層であることが好ましい。上記化合物半導体太陽電池製造用積層体において、コンタクト層がGaAs層であること好ましい。本発明の第3の態様は、上記化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いて製造された化合物半導体太陽電池であって、半導体積層体を含む化合物半導体太陽電池である。上記化合物半導体太陽電池は、半導体積層体のコンタクト層と接する第1エッチングストップ層をエッチングすることによって構成されることが好ましい。本発明の第4の態様は、半導体基板上に、第1エッチングストップ層を形成する工程と、第1エッチングストップ層上に、少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体を形成する工程と、半導体積層体の第1エッチングストップ層から最も遠い位置に形成された化合物半導体層上に支持基板を配置する工程と、第1エッチングストップ層をエッチングする工程と、を含み、半導体積層体を形成する工程は、第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を形成する工程を含み、第1エッチングストップ層およびコンタクト層は、同一種類のV族元素を含む、化合物半導体太陽電池の製造方法である。また、本発明の第5の態様は、半導体基板上に、第1エッチングストップ層を形成する工程と、第1エッチングストップ層上に、少なくとも1つのpn接合を含む半導体積層体を形成する工程と、半導体積層体の第1エッチングストップ層から最も遠い位置に形成された化合物半導体層上に支持基板を配置する工程と、第1エッチングストップ層をエッチングする工程と、を含み、半導体積層体を形成する工程は、第1エッチングストップ層と接する位置にコンタクト層を形成する工程を含み、第1エッチングストップ層およびコンタクト層は、各々V族元素を含み、第1エッチングストップ層に含まれるV族元素およびコンタクト層に含まれるV族元素は同一種類である、化合物半導体太陽電池の製造方法である。上記化合物半導体太陽電池の製造方法において、第1エッチングストップ層を形成する工程は、半導体基板上に第3エッチングストップ層を形成する工程と、第3エッチングストップ層上に第2エッチングストップ層を形成する工程と、第2エッチングストップ層上に第1エッチングストップ層を形成する工程と、を含むことが好ましい。上記化合物半導体太陽電池の製造方法において、第1エッチングストップ層をエッチングする工程の前に、第3エッチングストップ層をエッチングする工程と、第2エッチングストップ層をエッチングする工程と、を含むことが好ましい。上記化合物半導体太陽電池の製造方法において、第1エッチングストップ層をエッチングする工程、第2エッチングストップ層をエッチングする工程、および第3エッチングストップ層をエッチングする工程の少なくとも1つの工程において、フッ化水素酸、クエン酸、および塩酸の群からなる酸のうち、少なくともいずれか1種を用いることが好ましい。本発明によれば、特性に優れた化合物半導体太陽電池製造用積層体、化合物半導体太陽電池、およびその製造方法を提供することができる。本発明者らは、特許文献1の技術についてさらに研究を進めたところ、所望の変換効率の得られない化合物半導体太陽電池が製造される場合があり、このため、化合物半導体太陽電池の歩留まりが低い傾向にあることが分かった。そこで、この歩留まりの低下の原因について鋭意検討を進めたところ、以下のことが原因であることを突き止めた。すなわち、特許文献1の技術において、成長基板となる半導体基板上に、InGaPからなるエッチングストップ層が形成され、該エッチングストップ層と接するように、化合物半導体太陽電池を構成するコンタクト層が形成される。半導体基板上にエッチングストップ層をエピタキシャル成長させる際には、半導体基板が配置されたMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置内に、PH3ホスフィンガスを含む混合ガスが導入される。エッチングストップ層上にコンタクト層をエピタキシャル成長させる際には、同MOCVD装置内に、AsH3アルシンガスを含む混合ガスが導入される。このため、MOCVD装置内において、PH3ガスを含む混合ガスからAsH3ガスを含む混合ガスに切り替えを行う必要があるが、この切り替えの際に、両ガスが混在する状態が存在し、これによって、エッチングストップ層とコンタクト層との界面に、意図しない変性層が形成されてしまうことがわかった。このような変性層は、In、GaなどのIII族元素と、As、PなどのV族元素との組成が急激に変化する混晶領域であると考えられた。この変性層がコンタクト層の界面に存在することにより、コンタクト層とコンタクト層上に形成される金属層との接触が阻害され、これによって、化合物半導体太陽電池内の直列抵抗が増加し、結果的に、所望の変換効率を得ることができない。そこで、本発明者らは、上記のような変性層の形成を抑制することに着目して鋭意検討を進め、本発明を完成するに至った。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、本明細書において、化合物の化学式において化合物を構成する元素の組成比が記載されておらず、その組成について特に言及されていないものについては、その組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能であることを意味している。<実施形態1>図1は、実施形態1の化合物半導体太陽電池製造用積層体の一例の模式的な断面構成図である。この化合物半導体太陽電池製造用積層体において、n型GaAsからなる半導体基板100たとえば直径100mm上に、n型InGaPからなる第3エッチングストップ層101たとえば厚さ0.05μm~0.3μm、n型GaAsからなる第2エッチングストップ層102たとえば厚さ0.3μm~0.7μm、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層103たとえば厚さ0.01μm~0.1μm、および半導体積層体10がこの順に連続するように配置されている。半導体積層体10は、第1エッチングストップ層103と接する側から、n型GaAsからなるコンタクト層104たとえば厚さ0.3μm~1.0μm、n型AlInPからなる窓層105たとえば厚さ0.01μm~0.05μm、トップセル11たとえば厚さ0.5μm~1.0μm、p型AlInPからなるBSFBackSurfaceField層108たとえば厚さ0.03μm~0.1μm、pInGaP層109たとえば厚さ0.015μm~0.04μm、トンネル接合層21、nAlInP層112たとえば厚さ0.015μm~0.04μm、n型AlInPからなる窓層113たとえば厚さ0.01μm~0.05μm、ミドルセル12たとえば厚さ2.0μm~5.0μm、p型InGaPからなるBSF層116たとえば厚さ0.05μm~0.2μm、pInGaP層117たとえば厚さ0.02μm~0.07μmトンネル接合層22たとえば厚さ0.05μm~0.2μm、およびnAlInP層120たとえば厚さ0.015μm~0.04μm、n型InGaPからなるバッファ層121たとえば厚さ2.0μm~3.0μm、n型InGaPからなる窓層122たとえば厚さ0.05μm~0.15μm、ボトムセル13たとえば厚さ2.0μm~5.0μm、p型InGaPからなるBSF層125たとえば厚さ0.1μm~0.3μm、およびp型InGaAsからなるコンタクト層126たとえば厚さ0.3μm~0.8μmがこの順序で積層されている。トップセル11は、窓層105上に積層されたn型InGaPからなるエミッタ層106たとえば厚さ0.03μm~0.1μmと、その上に積層されたp型InGaPからなるベース層107たとえば厚さ0.4μm0.9μmとの接合体である。ミドルセル12は、窓層113上に積層されたn型InGaPからなるエミッタ層114たとえば厚さ0.05μm~0.15μmと、その上に積層されたp型GaAsからなるベース層115たとえば厚さ2.0μm~5.0μmとの接合体である。ボトムセル13は、窓層122上に積層されたn型InGaAsからなるエミッタ層123たとえば厚さ0.05μm~0.15μmと、その上に積層されたp型InGaAsからなるベース層124たとえば厚さ2.0μm~5.0μmとの接合体である。トップセル11、ミドルセル12およびボトムセル13は、それぞれ1つのpn接合を有している。なお、ボトムセル13を構成する化合物半導体層、ミドルセル12を構成する化合物半導体層およびトップセル11を構成する化合物半導体層の順にバンドギャップが大きくなっている。また、窓層122の格子定数およびエミッタ層123の格子定数は、ベース層124の格子定数と同等程度であることが好ましい。トンネル接合層21は、BSF層108側から、pAlGaAs層110たとえば厚さ0.01μm~0.03μmおよびnInGaP層111たとえば厚さ0.01μm~0.03μmがこの順序で積層された構成を有している。また、トンネル接合層22は、BSF層116側から、pAlGaAs層118たとえば厚さ0.01μm~0.03μmおよびnInGaP層119たとえば厚さ0.01μm~0.03μmがこの順序で積層された構成を有している。以下に、上記化合物半導体太陽電池製造用基板の製造方法の一例について説明する。まず、n型GaAsからなる半導体基板100をMOCVD装置内に設置し、この半導体基板100上に、GaAsと選択エッチングが可能なn型InGaPからなる第3エッチングストップ層101、n型GaAsからなる第2エッチングストップ層102およびn型AlAsからなる第1エッチングストップ層103をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層103上に、n型GaAsからなるコンタクト層104、n型AlInPからなる窓層105、n型InGaPからなるエミッタ層106、およびp型InGaPからなるベース層107をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。エミッタ層106およびベース層107により、トップセル11が構成される。次に、p型InGaPからなるベース層107上に、p型AlInPからなるBSF層108、pInGaP層109、pAlGaAs層110、nInGaP層111、およびnAlInP層112をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。pAlGaAs層110およびnInGaP層111により、トンネル接合層21が構成される。次に、nAlInP層112上に、n型AlInPからなる窓層113、n型InGaPからなるエミッタ層114、およびp型GaAsからなるベース層115をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。エミッタ層114およびベース層115により、ミドルセル12が構成される。次に、p型GaAsからなるベース層115上に、p型InGaPからなるBSF層116、pInGaP層117、pAlGaAs層118、nInGaP層119、およびnAlInP層120をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。pAlGaAs層118およびnInGaP層119により、トンネル接合層22が構成される。次に、nAlInP層120上に、n型InGaPからなるバッファ層121、n型InGaPからなる窓層122、n型InGaAsからなるエミッタ層123、p型InGaAsからなるベース層124、p型InGaPからなるBSF層125、およびp型InGaAsからなるコンタクト層126をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。エミッタ層123およびベース層124により、ボトムセル13が構成される。なお、各化合物半導体層の導電型は、リンPなどのn型の不純物を含ませることによってn型とすることができ、ホウ素Bなどのp型の不純物を含ませることによってp型とすることができる。ここで、InGaPからなる化合物半導体層は、TMIトリメチルインジウム、TMGトリメチルガリウムおよびPH3の各ガスを用いることによって、GaAsからなる化合物半導体層は、AsH3およびTMGの各ガスを用いることによって、AlInPからなる化合物半導体層の形成には、TMAトリメチルアルミニウム、TMIおよびPH3の各ガスを用いることによって、それぞれエピタキシャル成長させることができる。また、AlGaAsからなる化合物半導体層は、TMA、TMG、およびAsH3の各ガスを用いることによって、InGaAsからなる化合物半導体層は、TMI、TMG、およびAsH3の各ガスを用いることによって、AlAsからなる化合物半導体層は、TMAおよびAsH3の各ガスを用いることによって、それぞれエピタキシャル成長させることができる。したがって、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層103を形成した後に、n型GaAsからなるコンタクト層104を形成する際、MOCVD装置内のガスは、エッチングストップ層103を形成するためのTMAおよびAsH3から、コンタクト層104を形成するためのTMGおよびAsH3に切り替えられることになる。すなわち、実質的に、TMAをTMGに切り替えるのみで足りる。このため、第1エッチングストップ層103とコンタクト層104とを連続して形成する際に、従来のような、PH3ガスを含む混合ガスからAsH3ガスを含む混合ガスへの切り替えを行う必要がない。このように、エッチングストップ層とコンタクト層とを連続して形成する際に、III族元素供給用の原料ガスのみを切り替え、V族元素供給用の原料ガスを切り替えないことが、意図しない変性層の形成の要因となる原料ガスの混合を抑制するために重要であることを本発明者らは見出したのである。このため、第1エッチングストップ層103とコンタクト層104との界面での意図しない変性層の形成を抑制することができる。したがって、結果的に、特性の優れた化合物半導体太陽電池製造用基板を提供することができる。次に、図2~図8の断面構成図を参照して、図1に示す構成の化合物半導体太陽電池製造用基板を用いた、化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。図2~図7のそれぞれは、図1の化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いた化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の製造工程の各一部を図解する模式的な断面構成図であり、図8は、製造される化合物半導体太陽電池の一例の模式的な断面構成図である。まず、図2に示すように、p型InGaAsからなるコンタクト層126の表面上に、たとえばAuたとえば厚さ0.1μm/Agたとえば厚さ3μmの積層体からなる金属層202を、たとえば真空蒸着し、この金属層202の表面上に支持基板201を貼り付ける。支持基板201の材料は特に制限されず、たとえば、ポリイミドなどの有機材料を用いることができる。次に、図3に示すように、n型GaAsからなる半導体基板100をアルカリ水溶液でエッチング除去する。アルカリ水溶液としては、たとえば、NH4OH:H2O2:H2Oを体積比で1:1:4で混合させた水溶液を用いることができる。次に、図4に示すように、n型InGaPからなる第3エッチングストップ層101を酸水溶液でエッチング除去する。酸水溶液としては、たとえば、塩酸HCl:H2Oを重量比で96:4で混合させた水溶液を用いることができる。n型InGaPからなる第3エッチングストップ層101を塩酸水溶液でエッチング除去することは、n型GaAsからなる第2エッチングストップ層102のエッチング速度が、第3エッチングストップ層101のエッチング速度と比較して十分に遅いため、第2エッチングストップ層102をエッチングすることなく、第3エッチングストップ層101をエッチング可能となる点で好ましい。次に、図5に示すように、n型GaAsからなる第2エッチングストップ層102を酸水溶液でエッチング除去する。酸水溶液としては、たとえば、クエン酸:H2Oを体積比で1:1で混合させたクエン酸水溶液を用いることができる。n型GaAsからなる第2エッチングストップ層102をクエン酸水溶液でエッチング除去することは、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層103のエッチング速度が、第2エッチングストップ層102のエッチング速度と比較して十分に遅いため、第1エッチングストップ層103をエッチングすることなく、第2エッチングストップ層102をエッチング可能となる点で好ましい。次に、図6に示すように、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層103を酸水溶液でエッチング除去する。酸水溶液としては、たとえば、10体積のフッ化水素酸HF水溶液を用いることができる。n型AlAsからなる第1エッチングストップ層103をフッ化水素酸水溶液でエッチング除去することは、n型GaAsからなるコンタクト層104のエッチング速度が、第1エッチングストップ層103のエッチング速度と比較して十分に遅いため、コンタクト層104をエッチングすることなく、第1エッチングストップ層103をエッチング可能となる点で好ましい。これにより、コンタクト層104の表面が露出する。次に、図7に示すように、n型GaAsからなるコンタクト層104上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、コンタクト層104の一部をアルカリ水溶液を用いてエッチング除去する。次に、真空蒸着装置を用いて、たとえばAuGe12/Ni/Au/Agの積層体からなる電極層203を形成する。次に、図8に示すように、たとえばTiO2膜およびAl2O3膜の積層体からなる反射防止膜204を窓層105の表面上に形成する。次に、支持基板201を取り除く。これにより、化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図8に示す構成の化合物半導体太陽電池を得ることができる。この化合物半導体太陽電池は、コンタクト層104とその上に形成された電極層203との間に変性層が存在しないため、コンタクト層104と電極層203との接触の阻害を抑制することができる。このため、従来の化合物半導体太陽電池と比較して、電気特性に優れている。特に、本実施形態において、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層AlAsとn型GaAsからなる半導体基板100との間に、n型GaAsからなる第2エッチングストップ層102、n型InGaPからなる第3エッチングストップ層101が配置された化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いて製造される。これにより、結果的に、製造される化合物半導体太陽電池の直列抵抗を従来よりも小さくすることができる。その理由を、特許文献1の技術従来の技術と対比して以下に説明する。すなわち、従来の技術では、成長基板となる半導体基板上に、InGaPからなるエッチングストップ層が形成され、該エッチングストップ層と接するように、化合物半導体太陽電池を構成するコンタクト層が形成される。半導体基板上にエッチングストップ層をエピタキシャル成長させる際には、半導体基板が配置されたMOCVD装置内に、PH3ガスを含む混合ガスが導入される。エッチングストップ層上にコンタクト層をエピタキシャル成長させる際には、同MOCVD装置内に、AsH3ガスを含む混合ガスが導入される。このため、従来の技術では、MOCVD装置内において、PH3ガスを含む混合ガスからAsH3ガスを含む混合ガスに切り替えを行う必要があるが、この切り替えの際に、両ガスが混在する状態が存在し、これによって、エッチングストップ層とコンタクト層との界面に、意図しない変性層が形成されてしまう。上記変性層は、InGaPからなるエッチングストップ層のエッチングを行なう酸水溶液、またはGaAsからなるコンタクト層のエッチングを行なうアルカリ水溶液のいずれによってもエッチングが困難なため、従来の技術では、その後の工程でコンタクト層上に電極層の形成を行った際、変質層が電極層とコンタクト層の界面に存在することになる。変質層の存在によってコンタクト層と電極層との接触が阻害されることにより、化合物半導体太陽電池内の直列抵抗が増加し、結果的に、所望の変換効率を得ることができない。これに対し、本実施形態1によれば、第1エッチングストップ層103とコンタクト層104との間に変質層が形成されることがない。このため、所望のキャリア濃度を有するコンタクト層104と、電極層203との接触が阻害されること無く、両層が直接均一に接触することができる。したがって、結果的に、製造される化合物半導体太陽電池の直列抵抗を小さくすることができる。<実施形態2>図9は、実施形態2の化合物半導体太陽電池製造用積層体の一例の模式的な断面構成図である。この化合物半導体太陽電池製造用積層体は、n型GaAsからなる半導体基板100たとえば直径100mm上に、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層301たとえば厚さ0.01μm~0.1μm、および半導体積層体10がこの順に連続するように配置されている以外は、実施形態1の化合物半導体太陽電池製造用積層体と同様の構成である。このため、その構造の説明は繰り返さない。また、この化合物半導体太陽電池製造用積層体の製造方法は、半導体基板100上に、GaAsと選択エッチングが可能なn型AlAsからなる第1エッチングストップ層301をMOCVD法によりエピタキシャル成長させる以外は、実施形態1の化合物半導体太陽電池製造用積層体の製造方法と同様である。このため、その製造方法の説明は繰り返さない。本実施形態においても、第1エッチングストップ層301とコンタクト層104とを連続して形成する際に、TMAをTMGに切り替えるのみで足りる。このため、第1エッチングストップ層103とコンタクト層104とを連続して形成する際に、従来のような、PH3ガスを含む混合ガスからAsH3ガスを含む混合ガスに切り替えを行う必要がない。このため、第1エッチングストップ層301とコンタクト層104との界面での意図しない変性層の形成を抑制することができる。したがって、結果的に、特性の優れた化合物半導体太陽電池製造用基板を提供することができる。次に、図10、図11、図6~8の断面構成図を参照して、図9に示す化合物半導体太陽電池製造用基板を用いた、化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。図10、図11、図6および図7のそれぞれは、図9の化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いた化合物半導体太陽電池の製造方法の一例の製造工程の各一部を図解する模式的な断面構成図であり、図8は、製造される化合物半導体太陽電池の一例の模式的な断面構成図である。まず、図10に示すように、p型InGaAsからなるコンタクト層126の表面上に、実施形態1と同様に、金属層202を形成し、この金属層202の表面上に支持基板201を貼り付ける。次に、図11に示すように、n型GaAsからなる半導体基板100を酸水溶液でエッチング除去する。酸水溶液としては、たとえば、クエン酸:H2Oを体積比で1:1で混合させたクエン酸水溶液を用いることができる。次に、図6に示すように、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層301を酸水溶液でエッチング除去する。酸水溶液としては、たとえば、実施形態1と同様に、10体積のフッ化水素酸水溶液を用いることができる。ここで、実施形態1では、半導体基板100をアルカリ水溶液でエッチング除去しているが、実施形態2において、半導体基板100のエッチング除去をアルカリ水溶液で行なうと、半導体基板100を除去する際に、AlAsからなる第1エッチングストップ層301およびGaAsからなるコンタクト層104もエッチングされてしまう。すなわち、実施形態2において、半導体基板100をアルカリ水溶液でエッチング除去する場合、第1エッチングストップ層301がそのエッチングストップ層としての機能を果たさなくなる。このため、実施形態2では、半導体基板100をクエン酸水溶液を用いてエッチング除去する。AlAsからなる第1エッチングストップ層301はクエン酸水溶液によってエッチング除去されないため、もって、エッチングストップ層として機能することができる。次に、実施形態1と同様に、図7に示すように、コンタクト層104の表面上に電極層203を形成し、さらに、図8に示すように、窓層105の表面上に反射防止膜204を形成し、支持基板201を取り除く。これにより、化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図8に示す構成の化合物半導体太陽電池を得ることができる。この化合物半導体太陽電池は、コンタクト層104とその上に形成された電極層203との間に変性層が存在しないため、コンタクト層104と電極層203との接触の阻害を抑制することができる。このため、結果的に、従来の化合物半導体太陽電池と比較して、電気特性に優れている。特に、実施形態2において、1層のエッチングストップ層を有する化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いて化合物半導体太陽電池を製造することができるため、実施形態1と比較して、エッチング除去の工程を少なくすることができ、もって、製造工程を簡略化することができる。また、実施形態2において、第1エッチングストップ層301を酸水溶液たとえば、10質量のフッ化水素酸水溶液を用いて、エピタキシャルリフトELO法によって第1エッチングストップ層301の側面よりエッチングしてもよい。この場合、第1エッチングストップ層301と半導体基板100とを同時に除去することができ、さらに製造工程を簡略化することができる。実施形態2における上記以外の説明は、実施形態1と同様であるため、その説明については省略する。<実施例1>≪化合物半導体太陽電池製造用積層体の作製≫図12に示す化合物半導体太陽電池製造用積層体を作製した。具体的には、まず、図12に示すように、直径100mmのn型GaAsからなる半導体基板400をMOCVD装置内に設置し、この半導体基板400上に、厚さ150nmのn型InGaPからなる第3エッチングストップ層401、厚さ500nmのn型GaAsからなる第2エッチングストップ層402、および厚さ30nmのn型Al05As05からなる第1エッチングストップ層403をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。次に、第1エッチングストップ層403上に、厚さ500nmのn型GaAsからなるコンタクト層404、厚さ50nmのn型AlInPからなる窓層405、厚さ50nmのn型In048Ga052Pからなるエミッタ層406、厚さ650nmのp型In048Ga052Pからなるベース層407、および厚さ50nmのp型AlInPからなるBSF層408をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。なお、エミッタ層406およびベース層407により、トップセル41が構成された。次に、BSF層408上に、厚さ50nmのpIn048Ga052P層409、厚さ20nmのpAlGaAs層410、厚さ20nmのnIn048Ga052P層411、および厚さ50nmのnAlInP層412をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。pAlGaAs層410およびnIn048Ga052P層411により、トンネル接合層51が構成された。次に、nAlInP層412上に、厚さ100nmのn型AlInPからなる窓層413、厚さ100nmのn型In048Ga052Pからなるエミッタ層414、厚さ3000nmのp型GaAsからなるベース層415、および厚さ100nmのp型In048Ga052PからなるBSF層416をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。エミッタ層414およびベース層415により、ミドルセル42が構成された。次に、BSF層416上に、厚さ50nmのpIn048Ga052P層417、厚さ20nmのpAlGaAs層418、厚さ20nmのnInGaP層419、および厚さ50nmのnAlInP層420をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。pAlGaAs層418およびnIn048Ga052P層419により、トンネル接合層52が構成された。次に、nAlInP層420上に、厚さ3000nmのn型InxGa1xPX=0.48~0.82からなるバッファ層421、厚さ100nmのn型InGaPからなる窓層422、厚さ100nmのn型InGaAsからなるエミッタ層423、厚さ3000nmのp型InGaAsからなるベース層424、厚さ100nmのp型InGaPからなるBSF層425、および厚さ400nmのp型InGaAsからなるコンタクト層426をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。エミッタ層423およびベース層424により、ボトムセル53が構成された。これにより、図12に示す化合物半導体太陽電池製造用積層体が作製された。なお、各化合物半導体層の導電型は、各化合物半導体層にリンPを含ませることによってn型とし、ホウ素Bを含ませることによってp型とした。≪化合物半導体太陽電池の作製≫次に、図12に示す化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いて、図13に示す化合物半導体太陽電池を作製した。具体的には、まず、図12に示す化合物半導体太陽電池製造用積層体におけるp型InGaAsからなるコンタクト層426の表面上に、Au厚さ0.1μm/Ag厚さ3μmの積層体からなる金属層502図13参照。を真空蒸着し、この金属層502の表面上にポリイミドからなる支持基板を貼り付けた。次に、n型GaAsからなる半導体基板400を、NH4OH:H2O2:H2Oを体積比で1:1:4で混合させたアルカリ水溶液を用いてエッチング除去し、n型InGaPからなる第3エッチングストップ層401を100の塩酸水溶液を用いてエッチング除去した。さらに、n型GaAsからなる第2エッチングストップ層402をクエン酸:H2Oを体積比で1:1で混合させたクエン酸水溶液を用いてエッチング除去し、その後、n型AlAsからなる第1エッチングストップ層403を10体積のフッ化水素酸水溶液を用いてエッチング除去した。次に、n型GaAsからなるコンタクト層404上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、コンタクト層404の一部をアルカリ水溶液を用いてエッチング除去し、残されたコンタクト層404の表面上に再度フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した。そして、真空蒸着装置を用いて、AuGe12/Ni/Au/Agの積層体からなる電極層503図13参照。を形成した。次に、EB蒸着法により、TiO2膜およびAl2O3膜の積層体からなる反射防止膜504をn型AlInPからなる窓層405に形成した。さらに、支持基板を取り除いた。これにより、化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図13に示す構成の化合物半導体太陽電池が作製された。<比較例1>≪化合物半導体太陽電池製造用積層体の作製≫図14に示す化合物半導体太陽電池製造用積層体を作製した。具体的には、まず、図14に示すように、直径100mmのn型GaAsからなる半導体基板400をMOCVD装置内に設置し、この半導体基板400上に、厚さ150nmのn型In048Ga052Pからなるエッチングストップ層430をMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。エッチングストップ層430上に形成される半導体積層体の構成およびその作製方法は実施例1と同様であったため、その説明は繰り返さない。≪化合物半導体太陽電池の作製≫次に、図14に示す化合物半導体太陽電池製造用積層体を用いて、図13に示す化合物半導体太陽電池を作成した。具体的には、まず、図14に示す化合物半導体太陽電池製造用積層体におけるp型InGaAsからなるコンタクト層426の表面上に、Au厚さ0.1μm/Ag厚さ3μmの積層体からなる金属層502を真空蒸着により形成し、この金属層502の表面上にポリイミドからなる支持基板を貼り付けた。次に、n型GaAsからなる半導体基板400を、NH4OH:H2O2:H2Oを体積比で1:1:4で混合させたアルカリ水溶液を用いてエッチング除去し、n型In048Ga052Pからなるエッチングストップ層430を塩酸HCl:H2Oを重量比で96:4で混合させた水溶液を用いてエッチング除去した。次に、n型GaAsからなるコンタクト層404上に、実施例1と同様の方法により、AuGe12/Ni/Au/Agの積層体からなる電極層503図13参照および反射防止膜504図13参照を形成し、さらに、支持基板を取り除いた。これにより、化合物半導体太陽電池の受光面が化合物半導体の成長方向と反対側に位置する図13に示す構成の化合物半導体太陽電池が作製された。<評価>実施例1において作製された化合物半導体太陽電池と、比較例1において作製された化合物半導体太陽電池とのそれぞれの電流-電圧特性を測定した。なお、電流-電圧特性は、ソーラーシミュレータ光AM1.5、エネルギ密度100mW/cm2、25°C環境下を用いて測定した。図15は、実施例1および比較例1の各化合物半導体太陽電池の電流-電圧特性を示すグラフである。グラフ中の実線が実施例1の化合物半導体太陽電池の電流-電圧特性を示しており、点線が比較例1の化合物半導体太陽電池の電流-電圧特性を示している。図15に示されるように、実施例1の化合物半導体太陽電池と、比較例1の化合物半導体太陽電池において、短絡電流Iscおよび開放電圧Vocについては、大きな差はみられなかったが、曲線因子F.Fについて、実施例1の化合物半導体太陽電池のほうが優れていることがわかった。これは、コンタクト層404と金属層503との接触性に関し、実施例1の化合物半導体太陽電池のほうが優れていたためと考えられる。また、実施例1において、エッチングストップ層を3層としたことによって、太陽電池の直列抵抗が小さくなったことも起因していると考えられる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。