"薄膜トランジスタ上に設けられた有機材料でなる第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に設けられた第1の金属層と、前記第1の金属層上に設けられ、前記第1の金属層および前記第1層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと接続された第2の金属層と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2の金属層上に設けられた有機材料でなる第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜上に設けられた酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜上に設けられた遮蔽膜と、前記遮蔽膜の表面に設けられた酸化物と、前記酸化シリコン膜及び前記酸化物上に設けられ、前記第2層間絶縁膜及び前記酸化シリコン膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第2の金属層に接続された画素電極と、を有することを特徴とする半導体装置。薄膜トランジスタ上に設けられた有機材料でなる第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に設けられた第1の金属層と、前記第1の金属層上に設けられ、前記第1の金属層および前記第1層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと接続された第2の金属層と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2の金属層上に設けられた有機材料でなる第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜上に設けられたチタン層と、前記第2層間絶縁膜及び前記チタン層上に設けられた有機材料でなる第3層間絶縁膜と、前記第3層間絶縁膜上に設けられ、前記第2層間絶縁膜及び前記第3層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第2の金属層に接続された画素電極と、を有し、前記第1層間絶縁膜、前記第2層間絶縁膜及び前記第3層間絶縁膜は同一材料で形成されることを特徴とする半導体装置。請求項1または請求項2において、前記第2の金属層は、前記第1の金属層よりも低抵抗な金属材料を用いて形成されることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記第2の金属層は窒化チタンであることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記画素電極上に設けられたEL層と、前記EL層上に設けられた陰極と、前記陰極上の充填材と、を有し、前記充填材の中にスペーサが含有されており、前記充填材と前記陰極の間に樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記画素電極上に設けられたラビング処理を施した配向膜と、前記配向膜と、前記画素電極に対向して設けられる透明導電膜との間に液晶を有することを特徴とする半導体装置。絶縁表面上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に保護膜を形成し、前記保護膜上に有機材料でなる第1層間絶縁膜を形成し、前記第1層間絶縁膜上に第1の金属膜を形成し、前記第1の金属膜をパターニングしてマスクを形成し、前記マスクを用いて、前記第1層間絶縁膜及び前記保護膜に第1のコンタクトホールを形成して前記薄膜トランジスタの半導体層を露出させ、前記マスク上および前記第1のコンタクトホール内に第2の金属膜を形成し、前記マスクおよび前記第2の金属膜をパターニングして、前記半導体層に接続される前記第1の金属層及び前記第2の金属層でなる配線を形成し、前記第1層間絶縁膜及び前記配線上に有機材料でなる第2層間絶縁膜を形成し、前記第2層間絶縁膜上に酸化シリコン膜を形成し、前記酸化シリコン膜上に遮蔽膜を形成し、前記遮蔽膜の表面に酸化物を形成し、前記第2層間絶縁膜及び前記酸化シリコン膜に第2のコンタクトホールを形成して前記第2の金属層を露出させ、前記酸化シリコン膜及び前記酸化物上に前記第2のコンタクトホールを介して前記第2の金属層に接続する画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。絶縁表面上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ上に保護膜を形成し、前記保護膜上に有機材料でなる第1層間絶縁膜を形成し、前記第1層間絶縁膜上に第1の金属膜を形成し、前記第1の金属膜をパターニングしてマスクを形成し、前記マスクを用いて、前記第1層間絶縁膜及び前記保護膜に第1のコンタクトホールを形成して前記薄膜トランジスタの半導体層を露出させ、前記マスク上および前記第1のコンタクトホール内に第2の金属膜を形成し、前記マスクおよび前記第2の金属膜をパターニングして、前記半導体層に接続される前記第1の金属層及び前記第2の金属層でなる配線を形成し、前記第1層間絶縁膜及び前記配線上に有機材料でなる第2層間絶縁膜を形成し、前記第2層間絶縁膜上にチタン層を形成し、前記第2層間絶縁膜及び前記チタン層上に有機材料でなる第3層間絶縁膜を形成し、前記第2層間絶縁膜及び前記第3層間絶縁膜に第2のコンタクトホールを形成して前記第2の金属層を露出させ、前記第3層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記第2の金属層に接続する画素電極を形成し、前記第1層間絶縁膜、前記第2層間絶縁膜及び前記第3層間絶縁膜は同一材料で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7または請求項8において、CF4と酸素とHeの混合ガスを用いて前記第1層間絶縁膜及び前記保護膜を同時にエッチングすることで前記第1のコンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。本発明は、層間絶縁膜に有機材料を使用し、有機材料でなる層間絶縁膜にコンタクトホールをドライエッチング法を用いて形成する構成とするものである。従来、ドライエッチング法においてレジストマスクを用いた場合は、構成成分が似ているため、有機材料膜とレジストマスクとの選択比が取りにくく、コンタクトホールの形成、特に微小なコンタクトホールの形成が困難であった。よって、有機材料からなる層間絶縁膜に設けるコンタクトホールの形成にレジストマスクを使用することは避けられていた。本明細書で開示する発明は、上記問題を解決して微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを課題とする。本明細書で開示する本発明の構成は、導電性を有する材料層上に有機材料からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に第1の金属層と、前記第1の金属層上に第2の金属層とを有し、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールの底部で前記導電性を有する材料層と前記第2の金属層が接続されていることを特徴とする半導体装置である。即ち、上記構成は、前記層間絶縁膜及び前記第1の金属層に設けられたコンタクトホールの底部で前記導電性を有する材料層と前記第2の金属層が接していることを特徴としている。さらに、他の発明の構成は、薄膜トランジスタ上に有機材料からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に第1の金属層と、前記第1の金属層上に第2の金属層と、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールの底部で前記薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域と前記第2の金属層が接続されていることを特徴とする半導体装置である。即ち、上記構成は、図1に示すように第1の層間絶縁膜111及び前記第1の金属層112に設けられたコンタクトホールの底部で前記薄膜トランジスタのソース領域105と前記第2の金属層114が接し、第1の層間絶縁膜111及び前記第1の金属層113に設けられたコンタクトホールの底部で前記薄膜トランジスタのドレイン領域106と前記第2の金属層115が接していることを特徴としている。上記各構成における第1の金属層または第2の金属層としては、導電性を有する材料を用いることが可能である。例えば、Al、Ta、Ti、Cr、W、Mo、または導電性が付与されたシリコン等を主成分とする材料層またはそれらの積層膜を用いることができる。なお、第1の金属層としては低抵抗な材料であるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料で構成することが好ましい。また、上記第2の金属層としては、コンタクト特性のよい材料であるチタンまたはチタンを主成分とする材料で構成することが好ましい。上記各構成において、前記層間絶縁膜はポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、アクリル、BCBベンゾシクロブテンを主成分とする有機系の樹脂材料からなることを特徴としている。また、上記構成を実現するため発明の構成は、絶縁表面上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタを覆って有機材料からなる層間絶縁膜を成膜する工程と、前記層間絶縁膜を覆って第1の金属膜を成膜する工程と、前記第1の金属膜をパターニングし、第1の金属層を形成する工程と、前記第1の金属層をマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングし、コンタクトホールを形成する工程と、前記第1の金属層および前記コンタクトホールを覆って第2の金属膜を成膜する工程と、前記第1の金属層および前記第2の金属膜をパターニングし、積層構造を一部有する配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。さらに、他の発明の構成は、絶縁表面上に導電性を有する第1の材料層を形成する工程と、前記第1の材料層を覆って有機材料からなる層間絶縁膜を成膜する工程と、前記層間絶縁膜を覆って第1の金属膜を成膜する工程と、前記第1の金属膜をパターニングし、第1の金属層を形成する工程と、前記第1の金属層をマスクとして、前記層間絶縁膜をエッチングし、コンタクトホールを形成する工程と、前記第1の金属層および前記コンタクトホールを覆って第2の金属膜を成膜する工程と、前記第2の金属膜を覆って、無機絶縁膜を成膜する工程と、前記第1の金属層と前記第2の金属膜と前記無機絶縁膜とをパターニングし、上面に無機絶縁層を有する配線を形成する工程と、前記配線上に接して導電性を有する第2の材料層を形成し、前記無機絶縁層を誘電体として、前記配線と前記第2の材料層とで容量を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。上記各構成において、前記無機絶縁膜は、CVD法で成膜することを特徴としている。また、上記各構成において、前記第1の金属膜および前記第2の金属膜は、スパッタリング法で成膜することを特徴としている。また、上記各構成において、前記層間絶縁膜をエッチングし、コンタクトホールを形成する工程は、ドライエッチング法で行うことを特徴としている。なお、本明細書において、成膜形成した直後のものを膜と呼び、パターニングを施したものを層と呼んでいる。このように、層間絶縁膜に有機材料を用い、第1の金属膜をドライエッチング工程のマスクとして用いることによって、従来よりも微小なコンタクトホール直径が、3μm以下、好ましくは、2μm~0.1μmを有するを形成することが実現できる。また、本発明においては、第1層間絶縁膜が有機材料で形成されているので、無機材料を使用した場合と比較して十分に平坦化することができる。さらに、第2、第3層間絶縁膜を有機材料で形成すると、十分に平坦化された領域に画素電極を形成することができるため、確実なラビング処理を行うことができ、液晶配向の乱れを抑えることができる。また、第2の金属層と比較して低抵抗な金属材料を第1の金属膜として用いることによって、配線を低抵抗化することができる。加えて、半導体層例えばシリコンと良好なコンタクト界面を形成することが可能な金属材料を第2の金属膜として用いることによって、コンタクト不良を低減することができる。また、有機材料とシリコンを主成分とする半導体層との選択比が十分とれるため、微小なコンタクトホールを形成することができ、表示素子のサイズを小さくすることができる。その結果、開口率を大きくすることが実現できる。本発明の実施の形態を図1を用いて以下に説明する。本発明の構成においては、スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜として有機材料からなる材料を用い、且つ、金属膜からなるマスクを用いて、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成することを特徴としている。また、本発明の構成において有機材料膜上に存在している配線112~115は、すくなくとも一部が積層構造第1の金属層下層/第2の金属層上層である。なお、第1の金属層112、113が形成されている領域は、少なくとも積層構造である。また、コンタクトホール内部の配線は積層構造ではなく、第2の金属層114、115で構成され、ソース領域106またはドレイン領域105と接しており電気的に接続されている。本発明の構成での、第1の金属層112、113または第2の金属層114、115としては、導電性を有する材料を用いる。例えば、Al、Ta、Ti、Cr、W、MoまたはTiN等を主成分とする材料層またはそれらの積層膜を用いることができる。なお、第1の金属層としてはアルミニウムのような低抵抗な材料で構成し、第2の金属層としては、成膜後の熱処理によってコンタクト界面から拡散せず、被覆性が良好な材料、例えばチタンを主成分とする材料で構成することが好ましい。なお、本発明は、有機材料からなる層間絶縁膜111、116、118の下に存在する、絶縁基板並びに該基板上に作製された各配線、半導体素子TFTは如何なる構造、例えば、トップゲート型プレーナ型、コプレナー型、スタガー型またはボトムゲート型チャネルエッチ型、チャネルストップ型であっても適用可能である。次に、本発明のコンタクトホールの形成工程を図2及び図3を用いて以下に説明する。まず、基板上に各敗戦または半導体素子を形成し、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、アクリル、BCBベンゾシクロブテン等の有機材料で構成される平坦な第1の層間絶縁膜111を成膜する。なお、これらの有機樹脂材料は熱硬化性であっても光硬化性であってもよい。本発明においては、異なる層間絶縁膜上に設けられた各信号配線との間で発生する寄生容量を低減するために、膜厚0.6~2μmの範囲を有する第1の層間絶縁膜111を設けることが好ましい。図2Aこうして得られた第1の層間絶縁膜上に第1の金属膜を形成し、レジストマスク201を用いてパターニングを施す。図2Bその後、パターニングの施された第1の金属膜204をマスクとしてドライエッチングを行い、コンタクトホール202、203を形成する。図2Cこの工程の際、コンタクトホールの形成と同時にレジストマスク201も除去できる。又、Al、Ti、Cr、W、またはTiNを第1の金属膜に用いた場合は、塩素系のエッチャントガスを用いてエッチングすればよい。Taを第1の金属膜に用いた場合は、フッ素系のエッチャントガスを用いてエッチングすればよい。なお、本発明は、その後の工程でマスクとして用いられた第1の金属膜に再度パターニングを施し、配線の一部として使用することを特徴としている。本発明においては、TFT構造は図1に示す構造に限定されるものではなく、例えば逆スタガ型TFTやシリサイド構造を有するような構造であっても実施者の必要に応じて本発明を適用することは容易である。また、本明細書中では、樹脂材料でなる層間絶縁膜の除去を行うためにドライエッチング法を用いているが、エッチャントガスとして、塩素系、フッ素系、酸素、を必要に応じて適宜使用する。本明細書中でいう塩素系のエッチャントガスとは、塩素若しくは塩素を一部に含む気体を指し、例えば、Cl2、BCl3、SiCl4、HCl、CCl4等の単一気体若しくは混合気体、さらにこれらの単一気体若しくは混合気体を塩素を含まない気体例えばH2、O2、N2等で希釈したものを指す。更に、本明細書中でいうフッ素系のエッチャントガスとは、フッ素若しくはフッ素を一部に含む気体を指し、例えば、F2、BF3、SiF4、HF、CF4等の単一気体若しくは混合気体、さらにこれらの単一気体若しくは混合気体を塩素を含まない気体例えばH2、O2、N2等で希釈したものを指す。さらに、以下に示す実施例でもって半導体装置およびその作製方法の詳細な説明を行うものとする。以下、本発明の実施例を説明するが、この実施例に限定されないことは勿論である。本実施例では、絶縁性基板上に作製された本発明の半導体素子の断面構造図を図1を用いて説明する。図中の100は基板であり、101が下地膜である。また、102はチャネル形成領域、103と104は低濃度不純物領域、105はドレイン領域、106はソース領域、107はゲート絶縁膜、108はゲート配線、109は陽極酸化膜、110は保護膜、111は有機材料膜第1の層間絶縁膜、112と113は第1の金属層、114と115は第2の金属層、116は有機材料膜第2の層間絶縁膜、117はブラックマスク、118は有機材料膜第3の層間絶縁膜、119は画素電極である。本発明の配線112~115は、有機材料膜上に接して設けられた第1の金属膜112、113と該膜上に設けられた第2の金属膜114、115との積層構造を有している。また、有機材料膜に設けられたコンタクトホールの内壁部分および底部に接して、第2の金属膜114、115のみを成膜した構造を有している。第1の金属層または第2の金属層としては、導電性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、Al、Ta、Ti、Mo、WまたはCrを主成分とする材料層またはそれらの積層膜を用いることができる。本実施例では、第1の金属膜としてAlを主成分とする材料を用いたため配線の低抵抗化が図れた。なお、Alを主成分とする材料は、平坦な表面に成膜するのは特に問題はないが、表面に凹凸を有する領域にスパッタ法で成膜した場合、凹凸部へのカバレッジが不良好であり、且つ、コンタクト界面からアルミニウムが半導体層中に拡散する恐れがあるため、半導体層例えばシリコンに接して形成することは避けられている。そこで、本実施例では第2の金属膜として窒化チタンTiNを用いた。窒化チタンは、アルミニウムと比較して抵抗率は高いが、凹凸を有する領域へのカバレッジが良好であり、且つ、半導体層例えばシリコンとのコンタクト界面を良好なものとすることができた。本実施例では、絶縁性表面を有する基板上に、半導体素子の作製工程、特にコンタクトホールの形成工程および配線の形成工程を図2および図3を用いて以下に示す。まず、絶縁表面を有する基板100上に下地膜101を形成する。基板としては、ガラス基板、石英基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることができる。また、プロセス温度が耐えうる温度範囲内であるならプラスチック基板を用いてもよい。本実施例においてはガラス基板を用いた。下地膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜を100~300nmの膜厚で利用することができる。本実施例では、TEOSを原料に用い、酸化珪素膜を200nmの膜厚に形成する。なお、石英基板のように十分平坦性を有しているなら、下地膜は特に設けなくともよい。次に、基板または下地膜の上に活性層を形成する。活性層は膜厚が20~100nm好ましくは25~70nmの結晶性半導体膜代表的には結晶性珪素膜で構成すれば良い。結晶性珪素膜の形成方法は公知の如何なる手段を用いても良いが、本実施例では特開平9-312260号公報記載の技術を用い、50nmの膜厚に形成した。こうして形成した結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、ゲート絶縁膜107を形成する。ゲート絶縁膜は酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜またはこれらの積層膜を100~300nmの膜厚で用いることができる。本実施例ではプラズマCVD法により窒化酸化珪素膜を150nmの膜厚としてゲート絶縁膜107とした。次に、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料本実施例では2wtのスカンジウムを含有したターゲットを使用して成膜した、膜厚400nmのアルミニウム膜をスパッタ法により成膜し、パターニングしてゲート配線108を形成した。次に、特開平7-135318号公報記載の技術を用いて13族または15族元素を添加し、ソース領域106、ドレイン領域105、チャネル形成領域102、LDDLightlydopeddrain領域103、104の形成を行った。本実施例ではソース領域、ドレイン領域とチャネル形成領域との間に05~15μm代表的には07~1μmのLDD領域103、104を形成した。また、本実施例では、ゲート配線108と接して陽極酸化膜109を形成したが特に形成しなくともよい。次に、活性層に添加した不純物元素13族または15族元素を熱アニールまたはレーザー照射によって活性化した。本実施例では、エキシマレーザを用いて活性化させた後、さらに、450°C、2時間の熱アニールを行った。その後、基板全面を覆って、保護膜110を形成する。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜を用いることができる。本実施例では、保護膜となる窒化珪素膜を膜厚25nmで形成した。なお、保護膜成膜後の断面図を図2Aに示した。さらに、基板全面を覆って、第1の層間絶縁膜111として膜厚0.5~3μmの有機材料膜を形成する。成膜方法は、スピナーを用いたスピンコーティング法を利用することにより、容易に表面が平坦な被膜を得ることができる。続いて、250°C、1時間加熱することにより焼成する。本実施例では、アクリルを1μmの膜厚に成膜した。また、第1の層間絶縁膜としてはアクリルの他にポリイミド、BCBベンゾシクロブテンあるいは他の有機材料を使用することが可能である。こうして得られた平坦な第1の層間絶縁膜の上に、第1の金属膜をRFスパッタ法で成膜する。その後、レジスト201を設け、ドライエッチングにより、第1の金属膜をパターニングする。第1の金属膜は100nm~2μm、本実施例では、アルミニウムを主成分とする金属膜を500nmの膜厚に成膜し、塩素系のエッチャントガスでドライエッチングした。図2B次に、パターニングされた第1の金属膜112をマスクとしてドライエッチングを行い、第1の層間絶縁膜にコンタクトホール202、203を形成する。この工程によって同時に、第1の層間絶縁膜の材料と組成が似ている材料からなるレジストも除去される。図2Cなお、本実施例のように保護膜を設けた場合は、再度エッチングを行い、保護膜110を除去してコンタクトホール底部に半導体層106、105を露出させる。本実施例では保護膜である窒化珪素膜をRIEreactiveionetching等による異方性のドライエッチングによってエッチングした。エッチャントガスとしてはフッ素系、CHF3ガスを用いた。また、工程数を低減するために、CF4と酸素とHeの混合ガスを用いて第1の層間絶縁膜及び保護膜を同時にエッチングすることが好ましい。その後、第2の金属膜301をRFスパッタ法で成膜する。図3Aこの工程によって、有機材料膜に設けられたコンタクトホールの底部で、前記薄膜トランジスタのドレイン領域105と第2の金属膜とを接してコンタクトを形成する。第2の金属膜の膜厚は10nm~1μm、本実施例ではTiN膜を150nmの膜厚に成膜した。第1の金属層または第2の金属層としては、スパッタ法が適用できる導電性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、Al、Ta、Ti、Crを主成分とする材料層またはそれらの積層膜を用いることができる。なお、同一の材料を用いて第1の金属層と第2の金属層を形成する構造としてもよい。次に、パターニングを施し、第1の金属膜と第2の金属膜をドライエッチングにより、エッチングしてソース電極とドレイン電極の電極パターンを形成した。本実施例では、塩素系のエッチャントガス、Cl2/BCl3/SiCl4を40sccm/10sccm/180sccmを用いてドライエッチングした。図3Bこうして完成した配線112~115は、有機材料膜上に接して設けられた第1の金属膜と該膜上に設けられた第2の金属膜との積層構造を有している。また、有機材料膜111に設けられたコンタクトホールの内壁部分および底部に接して、第2の金属膜114、115のみを成膜した構造を有している。本実施例では、アルミニウムを主成分とする第1の金属膜を用いたため配線の低抵抗化が図れ、且つ、チタンを主成分とする第2の金属膜をコンタクトに使用し、良好なコンタクトを形成することができた。そして、基板全面を覆って第2の層間絶縁膜116を形成する。なお第2の層間絶縁膜として膜厚0.5~3μmの有機材料膜を形成する。本実施例では再びアクリルを膜厚1μmで成膜した。その上にブラックマスク117としてTiをスパッタ法で成膜し、パターニングする。その後、基板全面を覆って第3の層間絶縁膜118を形成する。なお第3の層間絶縁膜として膜厚0.5~3μmの有機材料膜を形成する。本実施例では再度アクリルを膜厚1μmで成膜した。上記第2の層間絶縁膜及び第3の層間絶縁膜にドレイン電極と電気的に接続をとるためのコンタクトホールを形成する。この工程は、フッ素系のエッチャントガス、本実施例ではCF4/O2/Heを5sccm/95sccm/40sccmを用いたドライエッチングにより行う。なお、本実施例のように第1の層間絶縁膜と第2の層間絶縁膜と第3の層間絶縁膜とを同一材料で形成すると、応力を抑制することができ、各層間絶縁膜同士で優れた密着性を得ることができる。そして、画素電極119となる導電膜を形成し、配線112~115を介してTFTのドレイン領域105と電気的に接続させた。図3C本実施例では、この導電膜にITOを用い、透過型の液晶表示装置を作製したが、画素電極にAlやTi等の反射電極を用いて反射型の液晶表示装置を作製することも可能である。AlやTi等の反射電極は、スパッタ法を用いて形成すればよい。以上の作製工程で画素電極に液晶駆動用の電圧を印加するためのスイッチング素子TFTを完成させ、複数の画素を形成して画素マトリクス回路を有するアクティブマトリクス基板を完成した。画素マトリクス回路内の各画素には少なくとも一つのスイッチング素子と第1の保持容量とを配置すれば良い。なお、本明細書中では、図3Bにおいて構成された素子をスイッチング素子代表的にはTFT、MIM素子でも良いと呼ぶ。なお、アクティブマトリクス基板上には画素マトリクス回路以外にも駆動回路ドライバー回路や信号処理回路γ補正回路、D/Aコンバータ等のロジック回路を形成することが可能である。これらの回路の作製工程は、基本的には本実施例に示した作製工程と同一実際には図3Bの工程で完成するであるため、詳細な説明は省略する。また、本願発明はコンタクトホールの形成および配線の構成に関する発明であるため、同一基板上に形成される他の素子容量素子や記憶素子の構成は如何なるものであっても良い。その様な回路の作製工程や構造は実施者が適宜決定すれば良い。本実施例では、図4にその構造を示したように逆スタガ型のTFTを用いた例である。公知の技術により逆スタガ型TFTを作製する工程と異なる本実施例の工程は、層間絶縁膜411に有機材料を用いる工程と、金属膜をマスクとして用いてドライエッチングによりコンタクトホールを形成する工程と、第1の金属層412と第2の金属膜414とで構成された配線の形成を行う工程を有している。なお、TFT構造は図4に示す構造チャネルストップ型に限定されるものではなく、例えばチャネルエッチ型TFTやシリサイド構造を有するような構造であっても実施者の必要に応じて本発明を適用することは容易である。本実施例は、画素電極に液晶制御用の電圧を印加するためのスイッチング素子TFTと同時に保持容量を形成する例である。図5には、保持容量が作製されたコンタクト部分の断面図を図示した。本実施例は、実施例1の図2Cの工程と同一工程で作製されるため、記載および図面は省略する。従来、CVD法等で作製される無機絶縁膜を有機材料膜の上に設ける際、表面に有機材料が露呈していると有機材料膜から水やメタン等のガスが発生し、良質な膜を得ることは難しかった。本実施例においては、実施例2の図2Cと同一の状態が得られたら、基板全面を覆って第2の金属膜をスパッタ法で成膜し、有機材料が露呈した箇所を完全に無くし上記ガスの発生を防止した後、連続的にCVD法によって無機絶縁膜を成膜した。無機絶縁膜は、プラズマCVD法を用いて膜厚10~100nm、本実施例では窒化珪素膜を膜厚50nmに成膜した。無機絶縁膜は、単層でも良いし、二層以上の積層構造、例えば窒化珪素膜下層/酸化珪素膜上層としても良い。次に、パターニングを行ない、上面が無機絶縁膜521で覆われた配線512、514を形成する。そして、基板全面を覆って第2の層間絶縁層516を形成し、後に保持容量520を構成する部分のみに凹部を設けた。第2の層間絶縁膜は単層でも良いし、二層以上の積層構造としても良い。本実施例では第2の層間絶縁層として、アクリル膜1μmからなる絶縁層を用いる。アクリルの代わりにポリイミド、BCBベンゾシクロブテン等の他の有機材料を用いても構わない。そして、凹部を形成するには、ドライエッチング法によりアクリル膜を開口する。この時、窒化珪素膜521がエッチングストッパとして機能する。従って、凹部の底面には窒化珪素膜が残る。本実施例の場合にはこの膜521を保持容量の誘電体として利用する。勿論、ウェットエッチングを用いてもよい。また、ハーフエッチングにより凹部を形成して薄膜化された部分を保持容量の誘電体として使用しても良い。こうして第2の層間絶縁層に対して凹部を形成した後、所望の位置にブラックマスクを形成する。本実施例ではブラックマスク517としてチタンを用いるが、クロムやタンタル等の他の金属膜であっても良い。この状態で、ドレイン電極512、514とブラックマスク517を上下電極とし、第2の層間絶縁層521正確には窒化珪素膜を誘電体とする保持容量520が形成される。図5こうして、画素電極に液晶制御用の電圧を印加するためのスイッチング素子TFTと同時に保持容量520を形成した。また、上記各実施例における有機材料で構成された上記各層間絶縁膜は、単層でもよいし、二層以上の積層構造としても良い。なお、本実施例は実施例1~3のいずれの構成とも自由に組み合わせることができる。本発明の実施例について図6~図10を用いて説明する。ここでは、同一基板上に画素回路とその画素回路を駆動するための駆動回路とを同時に作製する方法について説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路では、シフトレジスタ回路、バッファ回路等の基本回路であるCMOS回路と、サンプリング回路を形成するnチャネル型TFTとを図示することとする。図6Aにおいて、基板601には、石英基板やシリコン基板を使用することが望ましい。本実施例では石英基板を用いた。その他にも金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを基板としても良い。本実施例の場合、800°C以上の温度に耐えうる耐熱性を要求されるので、それを満たす基板であればどのような基板を用いても構わない。そして、基板601のTFTが形成される表面には、20~100nm好ましくは40~80nmの厚さの非晶質構造を含む半導体膜602を減圧熱CVD方、プラズマCVD法またはスパッタ法で形成する。また、非晶質構造を含む半導体膜としては、非晶質半導体膜、微結晶半導体膜があり、さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜も含まれる。さらに、基板上に下地膜と非晶質シリコン膜とを大気解放しないで連続的に形成することも有効である。そうすることにより基板表面の汚染が非晶質シリコン膜に影響を与えないようにすることが可能となり、作製されるTFTの特性バラツキを低減させることができる。次に、非晶質シリコン膜602上に珪素シリコンを含む絶縁膜でなるマスク膜603を形成し、パターニングによって開口部604a、604bを形成する。この開口部は、次の結晶化工程の際に結晶化を助長する金属元素を添加するための添加領域となる。図6Aなお、珪素を含む絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜を用いることができる。窒化酸化シリコン膜は、珪素、窒素及び酸素を所定の量で含む絶縁膜であり、SiOxNyで表される絶縁膜である。窒化酸化シリコン膜はSiH4、N2O及びNH3を原料ガスとして作製することが可能であり、含有する窒素濃度が25atomic以上50atomic未満とすると良い。また、このマスク膜603のパターニングを行うと同時に、後のパターニング工程の際、位置の基準となるマーカーパターンを形成しておく。次に、特開平10-247735号公報米国出願番号09/034,041に対応に記載された技術に従って、結晶構造を含む半導体膜を形成する。同公報記載の技術は、非晶質構造を含む半導体膜の結晶化に際して、結晶化を助長する元素ニッケル、コバルト、ゲルマニウム、錫、鉛、パラジウム、鉄、銅から選ばれた一種または複数種の元素を用いる結晶化手段である。具体的には、非晶質構造を含む半導体膜の表面に結晶化を助長する金属元素を保持させた状態で加熱処理を行い、非晶質構造を含む半導体膜を、結晶構造を含む半導体膜に変化させるものである。なお、結晶化手段としては、特開平7-130652号公報の実施例1に記載された技術を用いても良い。また、結晶質構造を含む半導体膜には、いわゆる単結晶半導体膜も多結晶半導体膜も含まれるが、同公報で形成される結晶構造を含む半導体膜は結晶粒界を有している。なお、同公報では結晶化を助長する金属元素を含む層をマスク膜上に形成する際にスピンコート法を用いているが、結晶化を助長する金属元素を含む薄膜をスパッタ法や蒸着法といった気相法を用いて成膜する手段をとっても良い。また、非晶質シリコン膜は含有水素量にもよるが、好ましくは400~550°Cで1時間程度の加熱処理を行い、水素を十分に脱離させてから結晶化させることが望ましい。その場合、含有水素量を5atom以下とすることが好ましい。結晶化工程は、まず400~500°Cで1時間程度の熱処理工程を行い、水素を膜中から脱離させた後、500~650°C好ましくは550~600°Cで6~16時間好ましくは8~14時間の熱処理を行う。本実施例では、結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用い、570°Cで14時間の熱処理を行う。その結果、開口部604a、604bを起点として概略基板と平行な方向矢印で示した方向に結晶化が進行し、巨視的な結晶成長方向が揃った結晶構造を含む半導体膜本実施例では結晶質シリコン膜605a~605dが形成される。次に、結晶化の工程で用いたニッケルを結晶質シリコン膜から除去するゲッタリング工程を行う。本実施例では、先ほど形成したマスク膜603をそのままマスクとして15族に属する元素本実施例ではリンを添加する工程を行い、開口部604a、604bで露出した結晶質シリコン膜に1×1019~1×1020atomscm3の濃度でリンを含むリン添加領域以下、ゲッタリング領域という606a、606bを形成する。図6C次に、窒素雰囲気中で450~650°C好ましくは500~550°C、4~24時間好ましくは6~12時間の熱処理工程を行う。この熱処理工程により結晶質シリコン膜中のニッケルは矢印の方向に移動し、リンのゲッタリング作用によって、結晶質シリコン膜中からニッケルが除去されるため、ゲッタリング後の結晶質シリコン膜607a~607dに含まれるニッケル濃度は、1×1017atmscm3以下、好ましくは1×1016atmscm3にまで低減することができる。次に、マスク膜603を除去し、結晶質シリコン膜607a~607d上に後の不純物添加時のために保護膜608を形成する。保護膜608は100~200nm好ましくは130~170nmの厚さの窒化酸化シリコン膜または酸化シリコン膜を用いると良い。この保護膜608は不純物添加時に結晶質シリコン膜が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な濃度制御を可能にするための意味がある。そして、その上にレジストマスク609を形成し、保護膜608を介してp型を付与する不純物元素以下、p型不純物元素というを添加する。p型不純物元素としては、代表的には13族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリウムを用いることができる。この工程チャネルドープ工程というはTFTのしきい値電圧を制御するための工程である。なお、ここではジボランB2H6を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。この工程により1×1015~1×1018atomscm3代表的には5×1016~5×1017atomscm3の濃度でp型不純物元素本実施例ではボロンを含む不純物領域610a、610bを形成する。なお、本明細書中では上記濃度範囲でp型不純物元素を含む不純物領域但し、リンは含まれていない領域をp型不純物領域bと定義する。図6D次に、レジストマスク609を除去し、結晶質シリコン膜をパターニングして島状の半導体層以下、活性層という611~614を形成する。なお、活性層611~614は、ニッケルを選択的に添加して結晶化することによって、非常に結晶性の良い結晶質シリコン膜で形成されている。具体的には、棒状または柱状の結晶が、特定の方向性を持って並んだ結晶構造を有している。また、結晶化後、ニッケルをリンのゲッタリング作用により除去又は低減しており、活性層611~614中に残存するニッケル元素の濃度は、1×1017atomscm3以下、好ましくは1×1016atomscm3である。図6Eまた、pチャネル型TFTの活性層611は意図的に添加された不純物元素を含まない領域であり、nチャネル型TFTの活性層612~614はp型不純物領域bとなっている。本明細書中では、この状態の活性層611~614は全て真性または実質的に真性であると定義する。即ち、TFTの動作に支障をきたさない程度に不純物元素が意図的に添加されている領域が実質的に真性な領域と考えて良い。次に、プラズマCVD法またはスパッタ法により10~100nm厚の珪素を含む絶縁膜を形成する。本実施例では、30nm厚の窒化酸化シリコン膜を形成する。この珪素を含む絶縁膜は、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層で用いても構わない。次に、800~1150°C好ましくは900~1000°Cの温度で15分~8時間好ましくは30分~2時間の熱処理工程を、酸化性雰囲気下で行う熱酸化工程。本実施例では酸素雰囲気中に3体積の塩化水素を添加した雰囲気中で950°C80分の熱処理工程を行う。なお、図6Dの工程で添加されたボロンはこの熱酸化工程の間に活性化される。図7Aこの熱酸化工程の間、珪素を含む絶縁膜とその下の活性層611~614との界面においても酸化反応が進行する。本実施例の熱酸化工程では、60nm厚の活性層のうち25nmが酸化されて活性層611~614の膜厚は45nmとなる。また、30nm厚の珪素を含む絶縁膜に対して50nm厚の熱酸化膜が加わるので、最終的なゲート絶縁膜615の膜厚は110nmとなる。次に、新たにレジストマスク616~619を形成する。そして、n型を付与する不純物元素以下、n型不純物元素というを添加してn型を呈する不純物領域620~622を形成する。なお、n型不純物元素としては、代表的には15族に属する元素、典型的にはリンまたは砒素を用いることができる。図7Bこの不純物領域620~622は、後にCMOS回路およびサンプリング回路のnチャネル型TFTにおいて、LDD領域として機能させるための不純物領域である。なお、ここで形成された不純物領域にはn型不純物元素が2×1016~5×1019atomscm3代表的には5×1017~5×1018atomscm3の濃度で含まれている。本明細書中では上記濃度範囲でn型不純物元素を含む不純物領域をn型不純物領域bと定義する。なお、ここではフォスフィンPH3を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でリンを1×1018atomscm3の濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。この工程では、ゲート膜615を介して結晶質シリコン膜にリンを添加する。次に、600~1000°C好ましくは700~800°Cの不活性雰囲気中で熱処理を行い、図7Bの工程で添加されたリンを活性化する。本実施例では800°C1時間の熱処理を窒素雰囲気中で行う。図7Cこの時、同時にリンの添加時に損傷した活性層及び活性層とゲート絶縁膜との界面を修復することが可能である。この活性化工程は電熱炉を用いたファーネスアニールが好ましいが、ランプアニールやレーザーアニールといった光アニールを併用しても良い。この工程によりn型不純物領域b620~622の境界部、即ち、n型不純物領域bの周囲に存在する真性又は実質的に真性な領域勿論、p型不純物領域bも含むとの接合部が明確になる。このことは、後にTFTが完成した時点において、LDD領域とチャネル形成領域とが非常に良好な接合部を形成しうることを意味する。次に、ゲート配線となる導電膜を形成する。なお、ゲート配線は単層の導電膜で形成しても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜とすることが好ましい。本実施例では、第1導電膜623と第2導電膜624とでなる積層膜を形成する。図7Dここで第1導電膜623、第2導電膜624としては、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、クロムCr、シリコンSiから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする導電膜代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜、または前記元素を組み合わせた合金膜代表的にはMo-W合金、Mo-Ta合金を用いることができる。なお、第1導電膜623は10~50nm好ましくは20~30nmとし、第2導電膜624は200~400nm好ましくは250~350nmとすれば良い。本実施例では、第1導電膜623として、50nm厚の窒化タングステンWN膜を、第2導電膜624として、350nm厚のタングステン膜を用いる。なお、図示しないが、第1導電膜623の下にシリコン膜を2~20nm程度の厚さで形成しておくことは有効である。次に、第1導電膜623と第2導電膜624とを一括でエッチングして400nm厚のゲート配線625~628を形成する。この時、駆動回路に形成されるゲート配線626、627はn型不純物領域b620~622の一部とゲート絶縁膜615を介して重なるように形成する。この重なった部分が後にLov領域となる。なお、ゲート配線628a、628bは断面では二つに見えるが実際は連続的に繋がった一つのパターンから形成されている。図7E次に、レジストマスク629を形成し、p型不純物元素本実施例ではボロンを添加して高濃度にボロンを含む不純物領域630、631を形成する。本実施例ではジボランB2H6を用いたイオンドープ法勿論、イオンインプランテーション法でも良いにより3×1020~3×1021atomscm3代表的には5×1020~1×1021atomscm3濃度でボロンを添加する。なお、本明細書中では上記濃度範囲でp型不純物元素を含む不純物領域をp型不純物領域aと定義する。図8A次に、レジストマスク629を除去し、ゲート配線及びpチャネル型TFTとなる領域を覆う形でレジストマスク632~634を形成する。そして、n型不純物元素本実施例ではリンを添加して高濃度にリンを含む不純物領域635~641を形成する。ここでも、フォスフィンPH3を用いたイオンドープ法勿論、イオンインプランテーション法でも良いで行い、この領域のリンの濃度は1×1020~1×1021atomscm3代表的には2×1020~5×1021atomscm3とする。図8Bなお、本明細書中では上記濃度範囲でn型不純物元素を含む不純物領域をn型不純物領域aと定義する。また、不純物領域635~641が形成された領域には既に前工程で添加されたリンまたはボロンが含まれるが、十分に高い濃度でリンが添加されることになるので、前工程で添加されたリンまたはボロンの影響は考えなくて良い。従って、本明細書中では不純物領域635~641はn型不純物領域aと言い換えても構わない。次に、レジストマスク632~634を除去し、珪素を含む絶縁膜でなる保護膜642を形成する。膜厚は25~100nm好ましくは30~50nmとすれば良い。本実施例では25nm厚の窒化珪素膜を用いることとする。次に、ゲート配線625~628をマスクとして自己整合的にn型不純物元素本実施例ではリンを添加する。こうして形成された不純物領域643~646には前記n型不純物領域bの1/2~1/10代表的には1/3~1/4の濃度但し、前述のチャネルドープ工程で添加されたボロン濃度よりも5~10倍高い濃度、代表的には1×1016~5×1018atomscm3、典型的には3×1017~3×1018atomscm3でリンが添加されるように調節する。なお、本明細書中では上記濃度範囲でn型不純物元素を含む不純物領域但し、p型不純物領域aを除くをn型不純物領域cと定義する。図8Cこの工程では105nmの膜厚の絶縁膜キャップ膜642とゲート絶縁膜615との積層膜を通してリンを添加することになるが、保護膜642もマスクとして機能する。即ち、保護膜642の膜厚に相当する長さのオフセット領域が形成されることになる。なお、この工程ではゲート配線で隠された部分を除いて全ての不純物領域にも1×1016~5×1018atomscm3の濃度でリンが添加されているが、非常に低濃度であるため各不純物領域の機能には影響を与えない。また、n型不純物領域b643~646には既にチャネルドープ工程で1×1015~1×1018atomscm3の濃度のボロンが添加されているが、この工程ではp型不純物領域bに含まれるボロンの5~10倍の濃度でリンが添加されるので、この場合もボロンはn型不純物領域bの機能には影響を与えないと考えて良い。その後、それぞれの濃度で添加されたn型またはp型不純物元素を活性化するために熱処理工程を行った。この工程はファーネスアニール法、レーザーアニール法、ランプアニール法またはそれらを併用して行うことができる。ファーネスアニール法で行う場合は、不活性雰囲気中において500~800°C、好ましくは550~600°Cで行えば良い。本実施例では600°C、4時間の熱処理を行い、不純物元素を活性化する。図8Dなお、本実施例では窒化シリコン膜642を積層した状態でゲート配線を覆い、その状態で活性化工程を行っている。本実施例では窒化シリコン膜を積層しているため、ピンホールの問題を気にせずに高い温度で活性化工程を行うことが可能である。次に、活性化工程の後、3~100の水素を含む雰囲気中で、300~450°Cで1~4時間の熱処理を行い、活性層の水素化を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化プラズマにより励起された水素を用いるを行っても良い。活性化工程を終えたら、500nm~1.5μm厚の第1層間絶縁膜650を形成する。本実施例では第1層間絶縁膜650として1μm厚のアクリルを塗布法により形成する。また、他の第1層間絶縁膜650として、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、BCBベンゾシクロブテン等の有機樹脂膜を用いることも可能である。その後、それぞれのTFTのソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。この時、スパッタ法によりTi膜を全面に成膜した後、レジストマスクを用いてドライエッチングによりTi膜と有機樹脂膜を貫くコンタクトホールを形成する。上記ドライエッチングと同時に、レジストマスクが除去され、アルミニウムを主成分とする膜を全面に形成し、パターニングを行って、ソース配線651~654と、ドレイン配線655~657を形成する。こうして、本発明の実施の形態で示したコンタクト構造を実現する。なお、CMOS回路を形成するためにドレイン配線655はpチャネル型TFTとnチャネル型TFTとの間で共通化されている。また、図示していないが、本実施例ではこの配線を、Ti膜を200nm、Tiを含むアルミニウム膜500nm、を形成した2層構造の積層膜とする。図9Aまた、この後さらに水素化工程を行っても良い。例えば、3~100の水素を含む雰囲気中で、300~450°Cで1~12時間の熱処理を行うと良く、あるいはプラズマ水素化法を用いても同様の効果が得られる。その後、有機樹脂からなる第2層間絶縁膜659を約1μmの厚さに形成する。有機樹脂としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、BCBベンゾシクロブテン等を使用することができる。有機樹脂膜を用いることの利点は、成膜方法が簡単である点や、比誘電率が低いので、寄生容量を低減できる点、平坦性に優れる点などが上げられる。なお上述した以外の有機樹脂膜や有機系SiO化合物などを用いることもできる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用い、300°Cで焼成して形成する。次に、画素回路となる領域において、第2層間絶縁膜659上に遮蔽膜660を形成する。なお、本明細書中では光と電磁波を遮るという意味で遮蔽膜という文言を用いる。遮蔽膜660はアルミニウムAl、チタンTi、タンタルTaから選ばれた元素でなる膜またはいずれかの元素を主成分とする膜で100~300nmの厚さに形成する。本実施例では1wtのチタンを含有させたアルミニウム膜を125nmの厚さに形成する。なお、第2層間絶縁膜659上に酸化シリコン膜等の絶縁膜を5~50nm形成しておくと、この上に形成する遮蔽膜の密着性を高めることができる。また、有機樹脂で形成した第2層間絶縁膜659の表面にCF4ガスを用いたプラズマ処理を施すと、表面改質により膜上に形成する遮蔽膜の密着性を向上させることができる。また、このチタンを含有させたアルミニウム膜を用いて、遮蔽膜だけでなく他の接続配線を形成することも可能である。例えば、駆動回路内で素子間をつなぐ接続配線を形成できる。但し、その場合は遮蔽膜または接続配線を形成する材料を成膜する前に、予め第2層間絶縁膜にコンタクトホールを形成しておく必要がある。次に、遮蔽膜660の表面に陽極酸化法またはプラズマ酸化法本実施例では陽極酸化法により20~100nm好ましくは30~50nmの厚さの酸化物661を形成する。本実施例では遮蔽膜660としてアルミニウムを主成分とする膜を用いたため、陽極酸化物661として酸化アルミニウム膜アルミナ膜が形成される。次に、第3層間絶縁膜659、パッシベーション膜658にドレイン配線657に達するコンタクトホールを形成し、画素電極662を形成する。なお、画素電極663は隣接する別の画素の画素電極である。画素電極662、663は、透過型液晶表示装置とする場合には透明導電膜を用い、反射型の液晶表示装置とする場合には反射性を有する材料膜を用いれば良い。ここでは透過型の液晶表示装置とするために、酸化インジウムスズITO膜を110nmの厚さにスパッタ法で形成する。また、この時、画素電極662と遮蔽膜660とが陽極酸化物661を介して重なり、保持容量キャハ ゚シタンスストレーシ ゙664を形成する。なお、この場合、遮蔽膜660をフローティング状態電気的に孤立した状態か固定電位、好ましくはコモン電位データとして送られる画像信号の中間電位に設定しておくことが望ましい。こうして同一基板上に、駆動回路と画素回路とを有したアクティブマトリクス基板が完成した。なお、図9Bにおいては、駆動回路にはpチャネル型TFT301、nチャネル型TFT802、803が形成され、画素回路にはnチャネル型TFTでなる画素TFT804が形成される。ここでアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を説明する。図9Bの状態の基板に対し、配向膜を形成する。本実施例では配向膜としてポリイミド膜を用いる。また、対向基板には、透明導電膜と、配向膜4とを形成する。なお、対向基板には必要に応じてカラーフィルターや遮蔽膜を形成しても良い。次に、配向膜を形成した後、ラビング処理を施して液晶分子がある一定のプレチルト角を持って配向するように調節する。そして、画素回路と、駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを、公知のセル組み工程によってシール材やスペーサ共に図示せずなどを介して貼りあわせる。その後、両基板の間に液晶を注入し、封止剤図示せずによって完全に封止する。液晶には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。次に、このアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を、図10の斜視図を用いて説明する。なお、図8は、図1~図4の断面構造図と対応つけるため、共通の符号を用いている。アクティブマトリクス基板は、石英基板601上に形成された、画素回路901と、走査ゲート信号駆動回路902と、画像ソース信号駆動回路903で構成される。画素回路の画素TFT804はnチャネル型TFTであり、周辺に設けられる駆動回路はCMOS回路を基本として構成されている。走査信号駆動回路902と、画像信号駆動回路903はそれぞれゲート配線628とソース配線654で画素回路901に接続されている。また、FPC904が接続された外部入出力端子905から駆動回路の入出力端子までの接続配線906、907が設けられている。次に、図10に示したアクティブマトリクス型液晶表示装置の回路構成の一例を図11に示す。本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画像信号駆動回路1001、走査信号駆動回路A1007、走査信号駆動回路B1011、プリチャージ回路1012、画素回路1006を有している。なお、本明細書中において、駆動回路には画像信号処理回路1001および走査信号駆動回路1007が含まれる。画像信号駆動回路1001は、シフトレジスタ回路1002、レベルシフタ回路1003、バッファ回路1004、サンプリング回路1005を備えている。また、走査信号駆動回路A1007は、シフトレジスタ回路1008、レベルシフタ回路1009、バッファ回路1010を備えている。走査信号駆動回路B1011も同様な構成である。なお、本実施例の構成は、図6~9に示した工程に従ってTFTを作製することによって容易に実現することができる。また、本実施例では画素回路と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の作製工程に従えば、その他にも信号分割回路、分周波回路、D/Aコンバータ回路、オペアンプ回路、γ補正回路、さらにはマイクロプロセッサ回路などの信号処理回路論理回路と言っても良いを同一基板上に形成することも可能である。このように本発明は、同一基板上に画素回路と該画素回路を駆動するための駆動回路とを少なくとも含む半導体装置、例えば同一基板上に信号処理回路、駆動回路および画素回路とを具備した半導体装置を実現しうる。また、本実施例の図7Bまでの工程を行うと、結晶格子に連続性を持つ特異な結晶構造の結晶質シリコン膜が形成される。以下、本出願人が実験的に調べた結晶構造の特徴について概略を説明する。なお、この特徴は、本実施例によって完成されたTFTの活性層を形成する半導体層の特徴と一致する。上記結晶質シリコン膜は、微視的に見れば複数の針状又は棒状の結晶以下、棒状結晶と略記するが集まって並んだ結晶構造を有する。このことはTEM透過型電子顕微鏡法による観察で容易に確認できる。本実施例の結晶質シリコン膜は結晶粒内の欠陥が極端に少なく、結晶粒界が実質的に存在しないと見なせるため、単結晶シリコン膜又は実質的な単結晶シリコン膜と考えて良い。なお、本実施例の構成は、実施例1~4のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。本発明は従来のMOSFET上に層間絶縁膜を形成し、その上にTFTを形成する際に用いることも可能である。即ち、三次元構造の半導体装置を実現することも可能である。また、基板としてSIMOX、Smart-CutSOITEC社の登録商標、ELTRANキャノン株式会社の登録商標などのSOI基板を用いることも可能である。なお、本実施例の構成は、実施例1~5のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。本発明はアクティブマトリクス型ELディスプレイに適用することも可能である。その例を図12に示す。図12はアクティブマトリクス型ELディスプレイの回路図である。81は画素回路を表しており、その周辺にはX方向駆動回路82、Y方向駆動回路83が設けられている。また、画素回路81の各画素は、スイッチング用TFT84、コンデンサ85、電流制御用TFT86、有機EL素子87を有し、スイッチング用TFT84にX方向信号線88aまたは88b、Y方向信号線89aまたは89b、89cが接続される。また、電流制御用TFT86には、電源線90a、90bが接続される。本実施例のアクティブマトリクス型ELディスプレイでは、X方向駆動回路82、Y方向駆動回路83または電流制御用TFT86に用いられるTFTを図9Bのpチャネル型TFT301、nチャネル型TFT302または303を組み合わせて形成する。また、スイッチング用TFT84のTFTを図9Bのnチャネル型TFT804で形成する。なお、本実施例のアクティブマトリクス型ELディスプレイに対して、実施例1~6のいずれの構成を組み合わせても良い。本発明によって作製された液晶表示装置は様々な液晶材料を用いることが可能である。そのような材料として、TN液晶、PDLCポリマー分散型液晶、FLC強誘電性液晶、AFLC反強誘性電液晶、またはFLCとAFLCの混合物反強誘電性混合液晶が挙げられる。例えば、HFurueetalCharakteristicsandDrivngSchemeofPolymerStabilizedMonostableFLCDExhibitingFastResponseTimeandHighContrastRatiowithGrayScaleCapabilitySID1998、TYoshidaetalAFullColorThresholdlessAntiferroelectricLCDExhibitingWideViewingAnglewithFastResponseTime841SID97DIGEST1997、SInuietalThresholdlessantiferroelectricityinliquidcrystalsanditsapplicationtodisplays671673JMaterChem61996、または米国特許第5594569号に開示された材料を用いることができる。特に、電場に対して透過率が連続的に変化する電気光学応答特性を示す無しきい値反強誘電性混合液晶ThresholdlessAntiferroelectricLCD:TL-AFLCと略記するにはV字型またはU字型の電気光学応答特性を示すものがあり、その駆動電圧が約±2.5V程度セル厚約1μm~2μmのものも見出されている。そのため、画素回路用の電源電圧が5~8V程度で済む場合があり、駆動回路と画素回路を同じ電源電圧で動作させる可能性が示唆されている。即ち、液晶表示装置全体の低消費電力化を図ることができる。また、強誘電性液晶や反強誘電性液晶はTN液晶に比べて応答速度が速いという利点をもつ。本発明で用いるようなTFTは非常に動作速度の速いTFTを実現しうるため、強誘電性液晶や反強誘電性液晶の応答速度の速さを十分に生かした画像応答速度の速い液晶表示装置を実現することが可能である。また、一般に、無しきい値反強誘電性混合液晶は自発分極が大きく、液晶自体の誘電率が高い。このため、無しきい値反強誘電性混合液晶を液晶表示装置に用いる場合には、画素に比較的大きな保持容量が必要となってくる。よって、自発分極が小さな無しきい値反強誘電性混合液晶を用いるのが好ましい。そういった意味で実施例5の図9Bで示した保持容量は小さい面積で大きな容量を蓄積することができるので好ましい。なお、本実施例の液晶表示装置をパーソナルコンピュータ等の電子機器の表示ディスプレイとして用いることが有効であることは言うまでもない。また、本実施例の構成は、実施例1~7のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。本実施例では、本発明を用いてELエレクトロルミネセンス表示装置を作製した例について説明する。なお、図13Aは本発明のEL表示装置の上面図であり、図13Bはその断面図である。図13Aにおいて、4001は基板、4002は画素部、4003はソース側駆動回路、4004はゲート側駆動回路であり、それぞれの駆動回路は配線4005を経てFPCフレキシブルプリントサーキット4006に至り、外部機器へと接続される。このとき、画素部4002、ソース側駆動回路4003及びゲート側駆動回路4004を囲むようにして第1シール材4101、カバー材4102、充填材4103及び第2シール材4104が設けられている。また、図13Bは図13AをA-Aで切断した断面図に相当し、基板4001の上にソース側駆動回路4003に含まれる駆動TFT但し、ここではnチャネル型TFTとpチャネル型TFTを図示している。4201及び画素部4002に含まれる電流制御用TFTEL素子への電流を制御するTFT4202が形成されている。本実施例では、駆動TFT4201には図9のpチャネル型TFTまたはnチャネル型TFTと同じ構造のTFTが用いられ、電流制御用TFT4202には図9のpチャネル型TFTと同じ構造のTFTが用いられる。また、画素部4002には電流制御用TFT4202のゲートに接続された保持容量図示せずが設けられる。駆動TFT4201及び画素TFT4202の上には有機樹脂材料でなる層間絶縁膜平坦化膜4301が形成され、その上に画素TFT4202のドレインと電気的に接続する画素電極陽極4302が形成される。画素電極4302としては仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。そして、画素電極4302の上には絶縁膜4303が形成され、絶縁膜4303は画素電極4302の上に開口部が形成されている。この開口部において、画素電極4302の上にはELエレクトロルミネッセンス層4304が形成される。EL層4304は公知の有機EL材料または無機EL材料を用いることができる。また、有機EL材料には低分子系モノマー系材料と高分子系ポリマー系材料があるがどちらを用いても良い。EL層4304の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、EL層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。EL層4304の上には遮光性を有する導電膜代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜からなる陰極4305が形成される。また、陰極4305とEL層4304の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連続成膜するか、EL層4304を窒素または希ガス雰囲気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極4305を形成するといった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャンバー方式クラスターツール方式の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。そして陰極4305は4306で示される領域において配線4005に電気的に接続される。配線4005は陰極4305に所定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィルム4307を介してFPC4006に電気的に接続される。以上のようにして、画素電極陽極4302、EL層4304及び陰極4305からなるEL素子が形成される。このEL素子は、第1シール材4101及び第1シール材4101によって基板4001に貼り合わされたカバー材4102で囲まれ、充填材4103により封入されている。カバー材4102としては、ガラス材、金属材代表的にはステンレス材、セラミックス材、プラスチック材プラスチックフィルムも含むを用いることができる。プラスチック材としては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。但し、EL素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。また、充填材4103としては紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。この充填材4103の内部に吸湿性物質好ましくは酸化バリウムもしくは酸素を吸着しうる物質を設けておくとEL素子の劣化を抑制できる。また、充填材4103の中にスペーサを含有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの圧力を緩和するバッファ層として陰極4305上に樹脂膜を設けることも有効である。また、配線4005は異方導電性フィルム4307を介してFPC4006に電気的に接続される。配線4005は画素部4002、ソース側駆動回路4003及びゲート側駆動回路4004に送られる信号をFPC4006に伝え、FPC4006により外部機器と電気的に接続される。また、本実施例では第1シール材4101の露呈部及びFPC4006の一部を覆うように第2シール材4104を設け、EL素子を徹底的に外気から遮断する構造となっている。こうして図13Bの断面構造を有するEL表示装置となる。なお、本実施例のEL表示装置は実施例1~7のいずれの構成を組み合わせて作製しても構わない。ここで画素部のさらに詳細な断面構造を図14に、上面構造を図15Aに、回路図を図15Bに示す。図14、図15A及び図15Bでは共通の符号を用いるので互いに参照すれば良い。図14において、基板4401上に設けられたスイッチング用TFT4402は図9のnチャネル型TFTを用いて形成される。従って、構造の説明はnチャネル型TFTの説明を参照すれば良い。また、4403で示される配線は、スイッチング用TFT4402のゲート電極4404a、4404bを電気的に接続するゲート配線である。なお、本実施例ではチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、スイッチング用TFT4402のドレイン配線4405は電流制御用TFT4406のゲート電極4407に電気的に接続されている。なお、電流制御用TFT4406は図9のpチャネル型TFTを用いて形成される。従って、構造の説明はpチャネル型TFTの説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。スイッチング用TFT4402及び電流制御用TFT4406の上には第1パッシベーション膜4408が設けられ、その上に樹脂からなる平坦化膜4409が形成される。平坦化膜4409を用いてTFTによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、EL層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。また、4410は透明導電膜からなる画素電極EL素子の陽極であり、電流制御用TFT4406のドレイン配線4417に電気的に接続される。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極4410の上にはEL層4411が形成される。なお、図14では一画素しか図示していないが、本実施例ではR赤、G緑、B青の各色に対応したEL層を作り分けている。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機EL材料を形成している。具体的には、正孔注入層として20nm厚の銅フタロシアニンCuPc膜を設け、その上に発光層として70nm厚のトリス-8-キノリノラトアルミニウム錯体Alq3膜を設けた積層構造としている。Alq3にキナクリドン、ペリレンもしくはDCM1といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。但し、以上の例はEL層として用いることのできる有機EL材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてEL層発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機EL材料をEL層として用いる例を示したが、高分子系有機EL材料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。次に、EL層4411の上には導電膜からなる陰極4412が設けられる。本実施例の場合、導電膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。勿論、公知のMgAg膜マグネシウムと銀との合金膜を用いても良い。陰極材料としては、周期表の1族もしくは2族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良い。この陰極4412まで形成された時点でEL素子4413が完成する。なお、ここでいうEL素子4413は、画素電極陽極4410、EL層4411及び陰極4412で形成されたコンデンサを指す。次に、本実施例における画素の上面構造を図15Aを用いて説明する。スイッチング用TFT4402のソース領域はソース配線4415に接続され、ドレインはドレイン配線4405に接続される。また、ドレイン配線4405は電流制御用TFT4406のゲート電極4407に電気的に接続される。また、電流制御用TFT4406のソース領域は電流供給線4416に電気的に接続され、ドレインはドレイン配線4417に電気的に接続される。また、ドレイン配線4417は点線で示される画素電極陽極4418に電気的に接続される。このとき、4419で示される領域には保持容量が形成される。保持容量4419は、電流供給線4416と電気的に接続された半導体膜4420、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜図示せず及びゲート電極4407との間で形成される。また、ゲート電極4407、第1層間絶縁膜と同一の層図示せず及び電流供給線4416で形成される容量も保持容量として用いることが可能である。本実施例では、実施例10とは異なる画素構造を有したEL表示装置について説明する。説明には図16を用いる。なお、図14と同一の符号が付してある部分については実施例10の説明を参照すれば良い。図16では電流制御用TFT4501として図9のnチャネル型TFTと同一構造のTFTを用いる。勿論、電流制御用TFT4501のゲート電極4502はスイッチング用TFT4402のドレイン配線4405に電気的に接続されている。また、電流制御用TFT4501のドレイン配線4503は画素電極4504に電気的に接続されている。本実施例では、導電膜からなる画素電極4504がEL素子の陰極として機能する。具体的には、アルミニウムとリチウムとの合金膜を用いるが、周期表の1族もしくは2族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良い。画素電極4504の上にはEL層4505が形成される。なお、図16では一画素しか図示していないが、本実施例ではG緑に対応したEL層を蒸着法及び塗布法好ましくはスピンコーティング法により形成している。具体的には、電子注入層として20nm厚のフッ化リチウムLiF膜を設け、その上に発光層として70nm厚のPPVポリパラフェニレンビニレン膜を設けた積層構造としている。次に、EL層4505の上には透明導電膜からなる陽極4506が設けられる。本実施例の場合、透明導電膜として酸化インジウムと酸化スズとの化合物もしくは酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からなる導電膜を用いる。この陽極4506まで形成された時点でEL素子4507が完成する。なお、ここでいうEL素子4507は、画素電極陰極4504、EL層4505及び陽極4506で形成されたコンデンサを指す。EL素子に加える電圧が10V以上といった高電圧の場合には、電流制御用TFT4501においてホットキャリア効果による劣化が顕在化してくる。このような場合に、電流制御用TFT4501として本発明の構造のnチャネル型TFTを用いることは有効である。することで図15A、Bに示した保持容量4418と同等の機能を持たせることも可能である。特に、EL表示装置をデジタル駆動方式で動作させる場合においては、保持容量のキャパシタンスがアナログ駆動方式で動作させる場合よりも小さくて済むため、ゲート容量で保持容量を代用しうる。なお、EL素子に加える電圧が10V以下、好ましくは5V以下となった場合、上記ホットキャリア効果による劣化はさほど問題とならなくなるため、図16においてLDD領域4509を省略した構造のnチャネル型TFTを用いても良い。本実施例では、実施例10もしくは実施例11に示したEL表示装置の画素部に用いることができる画素構造の例を図17A~Cに示す。なお、本実施例において、4601はスイッチング用TFT4602のソース配線、4603はスイッチング用TFT4602のゲート配線、4604は電流制御用TFT、4605はコンデンサ、4606、4608は電流供給線、4607はEL素子とする。図17Aは、二つの画素間で電流供給線4606を共通とした場合の例である。即ち、二つの画素が電流供給線4606を中心に線対称となるように形成されている点に特徴がある。この場合、電源供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさらに高精細化することができる。また、図17Bは、電流供給線4608をゲート配線4603と平行に設けた場合の例である。なお、図17Bでは電流供給線4608とゲート配線4603とが重ならないように設けた構造となっているが、両者が異なる層に形成される配線であれば、絶縁膜を介して重なるように設けることもできる。この場合、電源供給線4608とゲート配線4603とで専有面積を共有させることができるため、画素部をさらに高精細化することができる。また、図17Cは、図17Bの構造と同様に電流供給線4608をゲート配線4603と平行に設け、さらに、二つの画素を電流供給線4608を中心に線対称となるように形成する点に特徴がある。また、電流供給線4608をゲート配線4603のいずれか一方と重なるように設けることも有効である。この場合、電源供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさらに高精細化することができる。実施例9乃至12のいずれか一のEL表示装置は一つの画素内にいくつのTFTを設けた構造としても良い。例えば、三つ乃至六つまたはそれ以上のTFTを設けても構わない。本発明はEL表示装置の画素構造に限定されずに実施することが可能である。本願発明を実施して形成されたCMOS回路や画素部は様々な電気光学装置アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ELディスプレイ、アクティブマトリクス型ECディスプレイに用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ電子機器全てに本願発明を実施できる。その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクターリア型またはフロント型、ヘッドマウントディスプレイゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等などが挙げられる。それらの一例を図18、図19及び図20に示す。図18Aはパーソナルコンピュータであり、本体2001、画像入力部2002、表示部2003、キーボード2004等を含む。本発明を画像入力部2002、表示部2003やその他の駆動回路に適用することができる。図18Bはビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明を表示部2102やその他の駆動回路に適用することができる。図18Cはモバイルコンピュータモービルコンピュータであり、本体2201、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。本発明は表示部2205やその他の駆動回路に適用できる。図18Dはゴーグル型ディスプレイであり、本体2301、表示部2302、アーム部2303等を含む。本発明は表示部2302やその他の駆動回路に適用することができる。図18Eはプログラムを記録した記録媒体以下、記録媒体と呼ぶを用いるプレーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVDDigtialVersatileDisc、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示部2402やその他の駆動回路に適用することができる。図18Fはデジタルカメラであり、本体2501、表示部2502、接眼部2503、操作スイッチ2504、受像部図示しない等を含む。本願発明を表示部2502やその他の駆動回路に適用することができる。図19Aはフロント型プロジェクターであり、投射装置2601、スクリーン2602等を含む。本発明は投射装置2601の一部を構成する液晶表示装置2808やその他の駆動回路に適用することができる。図19Bはリア型プロジェクターであり、本体2701、投射装置2702、ミラー2703、スクリーン2704等を含む。本発明は投射装置2702の一部を構成する液晶表示装置2808やその他の駆動回路に適用することができる。なお、図19Cは、図19A及び図19B中における投射装置2601、2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2801、ミラー2802、2804~2806、ダイクロイックミラー2803、プリズム2807、液晶表示装置2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成される。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図19C中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。また、図19Dは、図19C中における光源光学系2801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源2812、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で構成される。なお、図19Dに示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。ただし、図19に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及びEL表示装置での適用例は図示していない。図20Aは携帯電話であり、本体2901、音声出力部2902、音声入力部2903、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906等を含む。本願発明を音声出力部2902、音声入力部2903、表示部2904やその他の駆動回路に適用することができる。図20Bは携帯書籍電子書籍であり、本体3001、表示部3002、3003、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明は表示部3002、3003やその他の信号回路に適用することができる。図20Cはディスプレイであり、本体3101、支持台3102、表示部3103等を含む。本発明は表示部3103に適用することができる。本発明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利であり、対角10インチ以上特に30インチ以上のディスプレイには有利である。以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1~13のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。"