"基板105;105’上に電解プロセスを行うための電解モジュール700;700’;800;800’であって、該電解モジュールは1組の複数の加工用ヘッド701a~701c;801a~801cを含み、各加工用ヘッドは、作業表面を有する支持要素405と、前記作業表面上に溶液を配送するための少なくとも1つの配送口412であって、前記支持要素は該溶液に前記支持要素を接触させるため、少なくとも部分的に導電性材料で作られている該配送口と、前記作業表面上の少なくとも1つの配送口の周囲に配置され、前記配送された溶液を吸引し、これにより前記基板105;105’の対応部分と接触した時、作業表面上に動的凹凸430を形成するための少なくとも1つの吸引口422と、を含み、前記加工用ヘッドの1つは、電解液の動的凹凸730b;830bを付与するための電解ヘッド701b;801bであり、前記電解モジュールは、前記電解ヘッドを介して電解液に第一のバイアス用電圧を印加するための第一バイアス用手段703b;803bと、前記基板に第二のバイアス用電圧を印加するための第二バイアス用手段703ac;703’;803ac;803’と、を更に含む前記電解モジュール。前記各加工用ヘッド701a~701c;801a~801cの支持要素405が、溶液と電気接触させるための接触端末を有する、半導体材料又は重合体材料で作られている請求項1に記載の電解モジュール700;700’;800;800’。前記電解ヘッドは基板105;105’の第一表面上に作用し、前記第二バイアス用手段は、前記基板の第一表面とは反対側の基板の第二表面に第二のバイアス用電圧を印加して、前記電解ヘッドと共に、基板を通る導電路を作るための手段703’;803’を含む請求項1又は2に記載の電解モジュール700;700’;800;800’。前記電解ヘッドは基板105;105’の第一表面上に作用し、前記第二バイアス用手段703ac;703’;803ac;803’は、加工用ヘッド701a~701c;801a~801cの少なくとも1つのバイアス用ヘッド701a,701c,801a,801cであって、各バイアス用ヘッドは導電性溶液の動的凹凸730a,730c;830a,830cを付与するためのものである該加工用ヘッドと、前記第二バイアス用電圧を各バイアス用ヘッドを介して導電性溶液に印加するための手段703ac;803acであって、前記少なくとも1つのバイアス用ヘッドは基板の第一表面上に作用して、前記電解ヘッド701b;801bと共に、基板を通る導電路を作るための該手段703ac;803acを含む請求項1又は2に記載の電解モジュール700;700’;800;800’。前記基板105:105’及び前記電解モジュール700;800を互いに移動方向に沿って移動させる移動手段750;850を更に含み、前記少なくとも1つのバイアス用ヘッド701a;701c;,801a;801cは、基板が電解モジュールを通過している間、前記導電路を保持するために、移動方向に沿って電解ヘッド701b;801bのそれぞれ上流及び下流に配置された第一バイアス用ヘッド701a;801a及び第二バイアス用ヘッド701c;801cを含む請求項4に記載の電解モジュール800,800’。前記溶液の流入量及び/又は各吸引口での凹みを変化させることにより、前記動的凹凸の大きさを制御するための手段を更に含む請求項1~5のいずれか1項に記載の電解モジュール800;800’。前記電解モジュールが、基板105;105’上に陽極酸化を行うための陽極酸化モジュールである請求項1~6のいずれか1項に記載の電解モジュール800;800’。前記陽極酸化モジュールが、基板105;105’上に多孔質半導体領域を形成するための手段を含む請求項7に記載の電解モジュール800;800’。前記電解モジュールが、基板105;105’上に導電構造Tf,Tbを電解的にデポジットするためのデポジションモジュールである請求項1~8のいずれか1項に記載の電解モジュール800;800’。前記デポジションモジュールが、導電構造のデポジション中、基板105;105’及び電解ヘッド801bを、基板105;105’に対し横向きに導電構造Tf,Tbのデポジション方向に沿って移動させて、デポジション方向に沿って細長い形状の導電構造を得るための手段750;850を更に含む請求項9に記載の電解モジュール800;800’。前記デポジションモジュールが、導電構造Tf,Tbのデポジション中、デポジション方向に対し横向きにシフト方向に沿って基板105,105’及び電解ヘッド801bを移動させて、デポジション方向に沿って導電構造の可変部を得るための手段750;850を更に含む請求項10に記載の電解モジュール800;800’。前記シフト方向に沿って基板105;105’及び電解ヘッド801bを移動させる手段750;850が、導電構造Tf,Tbのデポジション中、基板を電解ヘッドに対し回転させるための手段を含む請求項11に記載の電解モジュール800,800’。前記デポジションモジュールが、前記作業表面上の各配送口の内部に配置され、配送された溶液を吸引し、これにより対応する動的凹凸内に空の領域を形成して、導電構造Tf,Tbの中空構造を生じさせるための吸引口を更に含む請求項9~12のいずれか1項に記載の電解モジュール800;800’。基板105;105’上にエッチングプロセスを行うためのエッチングモジュール600であって、該エッチングモジュールはエッチングヘッド601を含み、該エッチングヘッドは、作業表面を有する支持要素405と、エッチング溶液を作業表面上に配送するための少なくとも1つの配送口412と、作業表面上の前記少なくとも1つの配送口を完全に取り囲み、配送されたエッチング溶液を吸引し、これにより前記基板の対応部分と接触した時、作業表面上に動的凹凸430を形成するための少なくとも1つの吸引口422と、を含む該エッチングモジュール600。前記溶液の流入量及び/又は各吸引口での凹みを変化させることにより、前記動的凹凸の大きさを制御するための手段を更に含む請求項14に記載のエッチングモジュール600。光起電力電池100を製造するための製造ライン900であって、該製造ラインは、請求項14又は15に記載の1組の複数のエッチングモジュール600を含むエッチングステーション905であって、各エッチングモジュール600は現在のエッチングステーションにおける各基板105;105’上の接触域122の対応部分を清掃するためのものである該エッチングステーション905、及び/又は請求項7又は8に記載の1組の複数の陽極酸化モジュール700;700’を含む陽極酸化ステーション910であって、各陽極酸化モジュール700;700’は現在の陽極酸化ステーション910における各基板の接触域に多孔質半導体領域125の対応部分を形成するためのものである該陽極酸化ステーション910、及び/又は請求項9~13のいずれか1項に記載の1組の複数のデポジションモジュール800を含むデポジションステーション915であって、各デポジションモジュール800はその時点のデポジションステーション915における各基板の接触域上に接触端末Tf,Tbの対応部分を形成するためのものである該デポジションステーション915、を含む前記製造ライン900。各基板105;105’を、エッチングステーション905、陽極酸化ステーション910及び/又はデポジションステーション915を横切って供給方向に沿って供給するための手段950を更に含む請求項16に記載の製造ライン900。前記エッチングステーション905は、接触域122の複数ストリップの各ストリップ用に、基板がエッチングステーションを通過する際、接触域122の対応するストリップを形成するためのエッチングモジュール600を含む、及び/又は前記陽極酸化ステーション910は、多孔質半導体領域125の複数ストリップの各ストリップ用に、基板が陽極酸化ステーションを通過する際、多孔質半導体領域の対応するストリップを形成するための陽極酸化モジュール700,700’を含む、及び/又は前記デポジションステーション915は、接触端末Tf,Tbの複数ストリップの各ストリップ用に、基板がデポジションステーションを通過する際、接触端末の対応するストリップを形成するためのデポジションモジュール800;800’を含む、請求項17に記載の製造ライン900。前記陽極酸化ステーション910は、基板が陽極酸化ステーションを通過する際、接触域122の複数ストリップを形成するための、供給方向に対し横方向に延在する単一の陽極酸化モジュール700;700’を含む、及び/又は前記デポジションステーション915は、基板がデポジションステーションを通過する際、接触端末125の複数ストリップを形成するための、供給方向に対し横方向に延在する単一のデポジションモジュール800;800’を含む、請求項17又は18に記載の製造ライン900。前記エッチングステーション600、前記陽極酸化ステーション700及び/又は前記デポジションステーション800の各電解ヘッド601;703b;803bは、供給方向に沿った基板105;105’よりも短い請求項18又は19に記載の製造ライン900。前記エッチングステーション905を出る基板105,105’を、90°に等しい第一の回転角度まで第一回転させるための手段、及び前記第一回転した基板が別のエッチングステーションを通過する際、前記接触域122の別の複数ストリップに対し垂直方向に延在する該接触域の1組の別の複数ストリップを形成するための別のエッチングステーション;及び/又は前記陽極酸化ステーション910を出る基板105,105’を、90°に等しい第二の回転角度まで第二回転させるための手段、及び前記第二回転した基板が別の陽極酸化ステーションを通過する際、前記半導体多孔質領域125の別の複数ストリップに対し垂直方向に延在する該半導体多孔質領域の1組の別の複数ストリップを形成するための別の陽極酸化ステーション;及び/又は前記デポジションステーション915を出る基板105;105’を90°に等しい第三の回転角度まで第三回転させるための手段、及び前記第三回転した基板が別のデポジションステーションを通過する際、前記接触端末Tfの別の複数ストリップに対し垂直方向に延在する該接触端末の1組の別の複数ストリップを形成するための別のデポジションステーション;を更に含む請求項18~20のいずれか1項に記載の製造ライン900。前記エッチングステーション905を出る基板105;105’を、0°を超え90°未満の第四の回転角度まで第四回転させ、該第四回転した基板が前記陽極酸化ステーション910を通過する際、該陽極酸化ステーションに前記半導体多孔質領域125を形成させるための手段;及び/又は前記陽極酸化ステーション910を出る基板105;105’を、0°を超え90°未満の第五の回転角度まで第五回転させ、該第五回転した基板が前記デポジションステーション915を通過する際、該デポジションステーションに前記接触端末Tfを形成させるための手段;を更に含む請求項18~21のいずれか1項に記載の製造ライン900。前記第四の回転角度及び前記第五の回転角度が45°に等しい請求項22に記載の製造ライン900。前記エッチングステーション905は、基板105;105’が該エッチングステーション中で停止され、これと連結される際、前記接触域122を形成するための単一のエッチングモジュール600を含む;及び/又は前記陽極酸化ステーション910は、基板105;105’が該陽極酸化ステーション中で停止され、これと連結される際、前記半導体多孔質領域125を形成するための単一の陽極酸化モジュール700;700’を含む;及び/又は前記デポジションステーション915は、基板105;105’が該デポジションステーション中で停止され、これと連結される際、前記接触端末Tfを形成するための単一のデポジションモジュール800,800’を含む;請求項17~23のいずれか1項に記載の製造ライン900。半導体材料の基板105;105’と、複数の接触端末Tf,Tbであって、各接触端末は基板の対応する接触域122上に配置され、光により前記基板中に発生する電荷を収集するためのものである該複数の接触端末とを含み、前記接触域の少なくとも1つの接触域用に、前記基板は、該接触域から基板内にまで延在し、基板上の対応する全接触端末を固定するための少なくとも1つの多孔質半導体領域125を含む光起電力電池100において、各多孔質半導体領域は、前記接触域から基板内部に向かって移動するのに従って減少する多孔度を有することを特徴とする前記光起電力電池100。各多孔質半導体領域125は厚さが1μm未満であり、対応する接触端末Tf,Tbは該多孔質半導体領域の領域の全体の厚さ内に浸透している請求項25に記載の光起電力電池100。各多孔質半導体領域125は、多孔度を減少しながら対応する接触域122に近接する外側層325e、及び均一な多孔度を有し、接触域からは末端にある内側層325iを含む請求項25又は26に記載の光起電力電池100。前記外側層325eの多孔度が最大値から最小値まで減少し、前記内側層325iの多孔度が前記最大値から前記最小値までの範囲である請求項27に記載の光起電力電池100。前記内側層325iが外側層325eよりも厚い請求項27又は28に記載の光起電力電池100。各接触域122の少なくとも1つの多孔質半導体領域125が、その境界から接触域の内方に向かって減少する多孔度を有する請求項25~29のいずれか1項に記載の光起電力電池100。各接触域122の少なくとも1つの多孔質半導体領域125は、その境界から接触域内に向かって濃度及び/又は大きさが低下する複数の多孔質半導体領域を含む請求項30に記載の光起電力電池100。光を吸収するための前面を有する半導体材料の基板105;105’を用意する工程、前記前面の前面接触域上に配置され、光により前記基板中に発生する電荷を収集するための少なくとも1つの前面接触端末Tfを形成する工程、を含む光起電力電池100の製造方法であって、前記前面接触域及び前記前面接触端末が平坦な輪郭を有すると共に、前記少なくとも1つの前面接触端末Tfを形成する工程が、前記前面接触域から基板内にまで延在し、基板上に対応する前面接触端末全体を固定するための少なくとも1つの前面多孔質半導体領域125を形成する工程、及び前面接触端末Tfを化学的にデポジットする工程、を含むことを特徴とする前記製造方法。前記少なくとも1つの前面接触端末Tfを形成する工程が、350°C未満の温度で行われる請求項32に記載の方法。前記少なくとも1つの前面接触端末を形成する工程が、前記多孔質半導体領域に対応する基板105;105’の前面層に対し暗条件中で陽極プロセスを施す工程であって、前記前面層はドーピング濃度が1×1017原子/cm3のN型シリコンである該工程、を含む請求項32又は33に記載の方法。前記暗条件が2ルクス未満である請求項34に記載の方法。一般に各太陽電池は、外部負荷との接続のため、前面frontsurface上に前面front接触端末を、また背面backsurface上に背面back接触端末を有する。背面接触端末は通常、太陽光が届かないので、背面全体に亘って延在してよく、このため比較的薄くてよい。逆に、前面接触端末は太陽光に対する前面の不鮮明さobscuringを少なくするlimitため、できるだけ小さく保持する必要がある例えば細い接触ストリップcontactstrip接触片を意味するを持った格子状。したがって、前面接触端末は前面上の接触ストリップに沿ってその抵抗を低下させるため、比較的厚くする必要がある。当該技術分野で知られている各太陽電池の問題は、小さく、しかも厚いので、基板上に固定した接触端末を、特に前面接触端末用に保持することが困難なことである。実際、各接触端末の接着性adhesionが僅かに低下しても接触抵抗が不均一化、不安定化して、接触端末の残部に電流濃密化concentrationを生じさせ、その結果、接着性の低下が進行するのに従って、接触端末は昇温する。以上の事態は全て太陽電池の効率性に悪影響を与える。この目的で、基板上の前面接触端末及び同様に背面接触端末の接着性を向上するため、幾つかの方法が提案されてきた。例えば既知の方法は、例えばスクリーン印刷プロセスにより金属ペーストを塗布し、次いで金属ペーストを基板上に固定するため燃焼プロセスを行うことを基本としている。しかし、燃焼プロセスは非常に高い温度400~750°Cのオーダーの適用を必要とし、太陽電池上に機械的応力を誘起する使用材料の異なる熱膨張率のため。したがって、太陽電池は、割れることなく、機械的応力に耐えるため、比較的大きい厚さ例えば少なくとも150~200μmの厚さを保持しなければならない。金属ペーストの塗布は高い製造コストも含む。更に、金属ペーストは接触端末に比較的高い抵抗を与えるこれは太陽電池の効率に悪影響を与える。その代わり、他の既知の方法は基板の前面上に例えばレーザー融蝕ablationプロセスにより複数の溝を形成し、次いで溝内に金属層をデポジットすることを基本とする。これらの溝は比較的深い例えば3~60μmので、こうして得られた前面接触端末は基板中に少なくとも部分的に埋設されるこれにより、基板に固定されたままである。しかし、溝は太陽電池の機械的構造を弱くする。したがって、太陽電池は、前述のように、比較的厚く保持しなければならない。多孔質シリコンは太陽電池の製造において、基板の前面上に耐反射コーティングARCを形成するためにも使用される。例えばVinod等、多孔質シリコン表面を有するスクリーン印刷したシリコン太陽電池のオームohmic特性及び電流電圧特性TheohmicpropertiesandcurrentvoltagecharacteristicsofthescreenprintedsiliconsolarcellswithporoussiliconsurfaceSolidStateCommunicationsPergamonGBLNKD-DOI101016JSSC200902019第149巻第23-24号957961頁XP026098082ISSN00381098その開示全体をここに援用するには、太陽電池は銀ペーストのスクリーン印刷工程に続いて、銀ペーストの燃焼725°Cにより、接触端末を形成して製造できることが示されている。次に多孔質シリコンはn-Si表面上への電気化学的エッチングにより殆どの場合、銀接点contactのいかなる保護カバーもなく形成される。或いは対応する問題を回避するため、同文献には多孔質シリコンをまず形成し、次いでその上に銀接点を形成できることも示されている。次いで、Agとn-Siとのオーム接触の形成を容易にするため多孔質シリコン層の厚さ全体に亘ってほぼ完全に貫通させ、これにより太釘様spikelikeの直接Ag-Si相互接続を作るため、銀接点に含まれる溶融ガラスフリットfritを駆逐するdriveことにより、700~825°Cでの燃焼工程に続いて、450°Cでのアニーリングannealing工程を行っている。同文献は、燃焼工程は非常に高い温度で行わなければならない700°Cでの低温燃焼では、多孔質シリコン膜を厚さ全体に亘って十分に湿潤させると共に、エッチングするには不十分であるためと明示している。冷却すると、Ag/Si層は結晶化し、所望のオーム接触を作ることになる。多孔質シリコンの形成工程は、一定のプロセスパラメーター即ち、電流密度により行われる。更に、再結晶化プロセス特にAg/Si層のような合金の場合は、普通、均質の構造を生じる例えばBArzamasovMaterialScienceEditMirPublisherMoscow英訳1989第43章91頁ISBN5030000747参照その開示全体はここに援用する。この文献は、再結晶は少数の構造的欠陥を有する新粒子newgrainsの核形成及び成長として理解される;再結晶すると、全く新しい、殆どの場合、等軸結晶が生じる;概して再結晶合金は特性が均一で、異方性を示さないと述べている。更に、多孔質シリコンを形成後、高温に曝すと、表面の多孔度が減少する傾向がある例えばMBancrjee等疑似単結晶構造に展開するための多孔質シリコンの熱アニーリングThermalannealingofporoussilicontodevelopaquasimonocrystallinestructureJMaterSciMaterElectron20305311DOI101007s108540089725yその開示全体はここに援用する。この文献は熱処理後、多孔質シリコンは平滑表面を有し、本体内に殆どボイドvoidsが埋封されていない疑似単結晶多孔質シリコンに変形したと述べている。更に、US-A-2009/0188553その開示全体はここに援用するは発生した電荷の再結合を防止するため、前面上に多孔質シリコン層を使用することを提案している。或いは、多孔質シリコン層は基板の不純物をゲッターgetterするために使用してよい。この場合、多孔質シリコン層中に不純物を拡散するため、基板はアニールされ、その後、多孔質シリコン層は除去される。同文献は接着促進性多孔質シリコン層上に前面接触端末をメッキすることも提案している。この目的で、前面上に溝を作り、次に、溝内に多孔質シリコン層を形成して、対応する埋込み電気接点の次のメッキ用に接着促進性表面を用意する背面の不動態化passivationのため、背面にも他の多孔質シリコン層を形成してもよく、形成後、この不動態化層上にデポジットされる金属化層により基板と接触させるため、ウインドウを開ける。他の実施形態では、金属化層は背面全体に形成された多孔質シリコン層上に直接デポジットされる。この場合、対応する電気接触領域上に前面接触端子がメッキされる。この電気接点領域は、ホール掃去剤holescavenger層が塗布された光触媒photocatalyst層に選択的に光照射することにより得られる。異なる実施形態では、最後に、対応する前駆体電気接点をメッキすることにより、前面接触端子が形成される。この前駆体電気接点はスクリーン印刷及びエッチングプロセスにより多孔質シリコン層上に形成される。しかし、これらの方法は前記指摘した同じ欠点を受ける。即ち、溝により機械的構造が弱められる太陽電池は比較的厚く保持する必要がある上、電気接触領域又は前駆体電気接点の形成のため、一層製造コストがかかる。多孔質シリコンは全く異なる用途にも使用されている。例えばWO/2007/1047991A1その開示全体はここに援用するでは、基板を除去後対応する相互接続要素を得るため、多孔質シリコン層を基板上に形成して、基板上に形成されるリードの立上がりを容易化している。この目的で、多孔質シリコン層は基板からリードの一部を剥がすように構成されているが、同時に完全な分離を防止している。特に、多孔質シリコン層は、好ましくは立上げるべき部分への移動を少なくする。いずれの場合も、多孔質シリコン層は比較的厚く例えば少なくとも2μm、基板の内側への移動も少なくできる多孔度を有する立上がったリードを形成後、基板は一般に除去されないので、生じる基板の弱化は問題ない。一般的に云うと、本発明の1つ以上の実施形態による解決法は、接触端子を太陽電池更に一般的には光起電力電池の基板上に固定するため、多孔質シリコンを用いるという思想に基づいている。更にこの解決法は電解モジュール又はエッチングモジュールを実行させるimplementため、動的凹凸dynamicmeniscusを用いるという思想に基づいている電解モジュール及び/又はエッチングモジュールは光起電力電池の製造ラインを実行させるために使用してもよい。特に、本発明の特定の実施形態による解決法の1つ以上の局面aspectは、独立請求項で指摘したような有利な特徴を持っている。独立請求項の字句はその字句通りに援用する本発明の実施形態による解決法の特定の局面について提供されるいかなる有利な特徴も他の局面ごとに読み替えて従属項に適用される。更に詳しくは、本発明の実施形態による解決法の一局面は半導体材料例えばシリコンの基板を含む光起電力電池又は太陽電池を提供する。この光起電力電池は、複数の接触端末を含み、各接触端末は例えば基板の前面上又は背面上の光により基板中に発生した電荷を収集するため、基板の対応する接触域上に配置されている。1つ以上の接触域用に、基板は少なくとも1つの多孔質半導体領域を含む。この多孔質半導体領域は基板上に全体の対応する接触端末を固定するため、前記接触域から基板の中まで延在する。本発明の実施形態による一解決法では、各多孔質半導体領域は接触域から基板の内方に向かって移動するmoveawayにつれてその多孔度が減少する。本発明の実施形態による解決法の他の局面は、例えばこれら光起電力電池を加工するため基板上でエッチングプロセスを行うためのエッチングモジュールを提供する。エッチングモジュールはエッチング用ヘッドを含む。一方、エッチング用ヘッドは作業表面operativesurfaceを有する支持要素supportelementを含む。次に、エッチング用ヘッドはエッチング溶液を作業表面上に配送するための1つ以上の配送口を含む。エッチング用ヘッドは更に、前記配送されたエッチング溶液を吸引するための少なくとも1つの吸引口作業表面上の配送口を完全に包囲するを含む。このようにして、前記基板の対応部分と接触した時、作業表面上に動的凹凸が形成される。本発明の実施形態による解決法の他の局面は例えばこれら光起電力電池を加工するため基板上で電解プロセス例えば陽極酸化プロセス又はデポジションプロセスを行うための電解モジュールを提供する。電解モジュールは1組の複数の加工用ヘッドを含む。また各加工用ヘッドは作業表面を有する支持要素を含む。次に、加工用ヘッドは溶液を作業表面上に配送するための1つ以上の配送口を含む支持要素は、該溶液と接触させるため、少なくとも部分的に導電性材料で作られている。加工用ヘッドは更に、前記配送された溶液を吸引するための作業表面上の配送口の周囲に配置された1つ以上の吸引口を含む。このようにして、前記基板の対応部分と接触した時、作業表面上に動的凹凸が形成される。加工用ヘッドの1つは、電解液の動的凹凸を付与するための電解ヘッドである。電解モジュールは更に、電解ヘッドを介して電解液に第一バイアス用電圧を印加するための第一バイアス用手段、及び基板に第二バイアス用電圧を印加するための第二バイアス用手段を含む。本発明の実施形態による解決法の別の局面は、これら太陽電池を製造するための製造ラインを提供する。製造ラインはエッチングステーションを含み、エッチングステーションは、前述のように1組の複数のエッチングモジュールを含む。各エッチングモジュールは、その時点のcurrentlyエッチングステーションにおける各基板上の接触領域の対応部分を清掃するcleaningためのものである。更に又は代わりに、製造ラインは陽極酸化ステーションを含み、陽極酸化ステーションは、前述のように1組の複数の陽極酸化モジュールを含む。各陽極酸化モジュールは現在の陽極酸化ステーションにおける各基板の接触域に多孔質半導体領域の対応部分を形成するためのものである。更に又は代わりに、製造ラインはデポジションステーションを含み、デポジションステーションは、前述のように1組の複数の別の電解モジュールを含む。各電解モジュールは現在のデポジションステーションにおける各基板の接触域上に接触端末の対応部分を形成するためのものである。本発明の実施形態による解決法の異なる局面は光起電力電池の製造方法を提供する。特に、この方法は光を吸収する前面を有する、半導体材料の基板を用意する工程を含む。次いで、少なくとも1つの前面接触端子が形成される。この接触端子は、光により基板中に発生する電荷を収集するため、基板前面の前面接触域上に配置される。本発明の一実施形態による解決法では、前面接触域及び前面接触端子は平坦な輪郭を有する。少なくとも1つの前面接触端子の形成工程は、少なくとも1つの前面多孔質半導体領域を形成する工程を含む。前面多孔質半導体領域は、基板上に前面接触端子全体を固定するため、前面接触域から基板内にまで延在する。本方法は更に、前面接触端子を化学的にデポジットする工程を含む。本発明の一実施形態では、基板の背面前面とは反対側上に少なくとも1つの背面接触端子を形成するため、同じ工程を実施してもよい。本発明の1つ以上の実施形態による解決法並びにその別の特徴及び利点は、単に非制約的指示により示される以下の詳細な説明を参照し、添付図面対応する部品は同じ又は同様の参照符号で示したが、その説明は簡略化のため、繰り返さないと併せて読めば最も良く理解されよう。これに関連して、図面は必ずしも計測のためのものである必要はない幾つかの詳細は誇張してもよい、及び/又は簡略化してもよいこと、及び特記しない限り、図面はここで説明した構造及び手順を概念的に説明することを明確に意図したものである。"