"第1リードフレームと、第2リードフレームと、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームを部分的に被覆しつつ前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームと一体的に成形された樹脂成形体とからなり、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームを介して実装基板に実装される半導体発光装置用パッケージであって、前記樹脂成形体は半導体発光素子を搭載するための凹部を第1面に含み、かつ、前記樹脂成形体はポリオルガノシロキサンを含有し、前記樹脂成形体の2官能ケイ素含有量が5重量以上12重量以下であり、前記第1リードフレームは、前記凹部の底面に露出した第1露出リード部と、前記樹脂成形体の外部に位置する第1外部リード部と、前記第1露出リード部の一端と前記第1外部リード部とを連結する第1連結リード部と、前記第1露出リード部の他端から前記第1面に対向する第2面に向かって延びるとともに前記第2面から露出した第1延出リード部と、を備え、前記第2リードフレームは、前記凹部の底面から露出した第2露出リード部と、前記樹脂成形体の外部に位置する第2外部リード部と、前記第2露出リード部の一端と前記第2外部リード部とを連結する第2連結リード部と、を備え、前記第1外部リード部、前記第2外部リード部、及び前記第1延出リード部のそれぞれは、前記実装時に前記実装基板の表面に対して少なくとも一部が当接する位置に配置されていることを特徴とする半導体発光装置用パッケージ。前記樹脂成形体は、一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下であり、かつ、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下である白色顔料を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記第1外部リード部、前記第2外部リード部は、前記第2面から露出し、前記樹脂成形体の外部に向かい且つ前記第2面に沿って延びていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記第1外部リード部、前記第2外部リード部、及び前記第1延出リード部の露出部分は、前記第2面と同一平面上に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記第2リードフレームは、前記第2露出リード部の他端から前記第1面に対向する第2面に向かって延びるとともに前記第2面から露出した第2延出リード部を備えていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記第1リードフレームは、前記第1連結リード部が分岐し、前記第1連結リード部の分岐先のそれぞれに前記第1露出リード部が独立して連結され、独立した前記第1露出リード部の少なくとも1つに前記第1延出リード部が連結していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記第2リードフレームは、前記第2連結リード部が分岐し、前記第2連結リード部の分岐先のそれぞれに前記第2露出リード部が独立して連結され、独立した前記第2露出リード部の少なくとも1つに前記第2延出リード部が連結していることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームを前記第2面上に投影した場合に、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームが相互に離間しつつ噛み合っていることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームのそれぞれは、1枚のリードフレームを折り曲げることにより形成され、折り曲げられた形状が維持されつつ前記樹脂成形体によって一部が被覆されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。前記樹脂成形体は、液状射出成型によって成型されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージを有することを特徴とする半導体発光装置。特許文献1及び特許文献2に開示されたような半導体発光装置用パッケージでは、リードフレームを被覆しつつ一体的に成形される樹脂の強度が高く、比較的に硬い樹脂が使用されている。しかしながら、比較的に硬い樹脂を用いた半導体発光装置用パッケージは、比較的に柔らかい樹脂を用いた半導体発光装置用パッケージよりも硬いが、もろくて欠け或いは部分的な破損、リードや封止材との線膨張係数の差による界面剥離などが生じやすい。従って、半導体発光素子を搭載する工程等における半導体発光装置用パッケージ搬送時に、半導体発光装置用パッケージに欠けが生じてしまい、半導体発光素子には問題がないものの、当該欠けにより半導体発光装置が不良品になってしまう問題点がある。ここで、比較的に柔らかい樹脂を用いて半導体パッケージを形成することも考えられるが、特許文献1及び特許文献2に開示されたような構造の半導体発光装置用パッケージに柔らかい樹脂を用いると、半導体発光装置用パッケージ自体の強度が低下し、樹脂成形体が変形し、半導体発光装置の使用の際に、リードフレームの歪みや半導体発光装置用パッケージ全体の歪み等が生じ、半導体発光装置の信頼性の低下をまねくことになる。また、特許文献1及び特許文献2に開示されたような半導体発光装置用パッケージでは、半導体発光素子が発する熱を、半導体発光素子の搭載部分からパッケージの側面に向かって延びたリードフレームのみを介して放熱しているため、半導体発光素子から生じる熱を効率よく半導体発光装置の外部に放熱することができない。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、欠け等の破損の発生が防止されているとともに、高い強度及び高い放熱性を有する半導体発光装置用パッケージ、及びこれを用いた半導体発光装置を提供することになる。上記目的を達成するため、本発明の半導体発光装置用パッケージは、第1リードフレームと、第2リードフレームと、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームを部分的に被覆しつつ前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームと一体的に成形された樹脂成形体とからなり、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームを介して実装基板に実装される半導体発光装置用パッケージであって、前記樹脂成形体は半導体発光素子を搭載するための凹部を第1面に含み、かつ、前記樹脂成形体はポリオルガノシロキサンを含有し、前記樹脂成形体の2官能ケイ素含有量が5重量以上12重量以下であり、前記第1リードフレームは、前記凹部の底面に露出した第1露出リード部と、前記樹脂成形体の外部に位置する第1外部リード部と、前記第1露出リード部の一端と前記第1外部リード部とを連結する第1連結リード部と、前記第1露出リード部の他端から前記第1面に対向する第2面に向かって延びるとともに前記第2面から露出した第1延出リード部と、を備え、前記第2リードフレームは、前記凹部の底面から露出した第2露出リード部と、前記樹脂成形体の外部に位置する第2外部リード部と、前記第2露出リード部の一端と前記第2外部リード部とを連結する第2連結リード部と、を備え、前記第1外部リード部、前記第2外部リード部、及び前記第1延出リード部のそれぞれは、前記実装時に前記実装基板の表面に対して少なくとも一部が当接する位置に配置されていることを特徴とする。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記樹脂成形体は一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、であり、かつ、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下である白色顔料及び硬化触媒を含有していてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記第1外部リード部、前記第2外部リード部は、前記第2面から露出し、前記樹脂成形体の外部に向かい且つ前記第2面に沿って延びていてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記第1外部リード部、前記第2外部リード部、及び前記第1延出リード部の露出部分は、前記第2面と同一平面上に設けられていてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記第2リードフレームは、前記第2露出リード部の他端から前記第1面に対向する第2面に向かって延びるとともに前記第2面から露出した第2延出リード部を備えていてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記第1リードフレームは、前記第1連結リード部が分岐し、前記第1連結リード部の分岐先のそれぞれに前記第1露出リード部が独立して連結され、独立した前記第1露出リード部の少なくとも1つに前記第1延出リード部が連結していてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記第2リードフレームは、前記第2連結リード部が分岐し、前記第2連結リード部の分岐先のそれぞれに前記第2露出リード部が独立して連結され、独立した前記第2露出リード部の少なくとも1つに前記第2延出リード部が連結していてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームを前記第2面上に投影した場合に、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームが相互に離間しつつ噛み合っていてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームのそれぞれは、1枚のリードフレームを折り曲げることにより形成され、折り曲げられた形状が維持されつつ前記樹脂成形体によって一部が被覆されていてもよい。上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、前記樹脂成形体は、液状射出成型によって成型されていてもよい。上記目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、上述した半導体発光装置用パッケージを用いていることを特徴とする。本発明の半導体発光装置用パッケージは、第1リードフレームが第1延出リード部を備えるととともに、第1外部リード部、第2外部リード部、及び第1延出リード部のそれぞれが、実装時に前記実装基板の表面に対して少なくとも一部が当接する位置に配置されているので、従来と比べて比較的柔軟性を有した樹脂成形体を用いても第1リードフレームによる補強が得られ、従来のような欠けや破損を防止しつつ、適度な放熱性を有した半導体発光装置用パッケージを得ることができる。また、本発明の半導体発光装置用パッケージにおいては、搭載される半導体発光素子からの熱が第1外部リード部のみならず第1延出リード部からも放熱されることにより、半導体発光素子の温度が低く保たれる。すなわち、本発明の半導体発光装置用パッケージは、優れた放熱性を有している。また、上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、ワイヤボンディングが接続される第1露出リード部に第1延出リード部を設けているため、第1リードフレーム自体の剛性が増すので、十分な発熱を得て確実にボンディングワイヤを第1露出リードに溶着させることができる。更に、上述した半導体発光装置用パッケージにおいて、ワイヤボンディングが接続される第2露出リード部に第2延出リード部を設ける場合には、第2リードフレーム自体の剛性も増すので、十分な発熱を得て確実にボンディングワイヤを第2露出リードに溶着させることができる。また、上述した半導体発光パッケージにおいて、第1リードフレーム及び第2リードフレームを樹脂成形体の第2面に投影した際に、第1リードフレーム及び第2リードフレームが相互に離間して噛み合っている場合には、半導体発光装置用パッケージの機械的強度の向上を更に図ることができる。本発明の半導体発光装置は、上述した半導体発光装置用パッケージに半導体発光素素子を搭載しているため、高い放熱性及び高い耐久性を有している。また、本発明の半導体発光装置において、半導体発光素子からの熱が外部リード部のみならず延出リード部からも放熱されることにより、半導体発光素子の温度が低く保たれるとともに経時的な蓄熱が少なくなるため、劣化を防止して信頼性を高めると共に、半導体発光装置の輝度の特性を向上させることができる。以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について、いくつかの実施形態に基づき詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、各実施形態の説明に用いる図面は、いずれも本発明による半導体発光装置を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っており、各構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、各実施形態で用いる様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。<第1実施形態>半導体発光装置の構造図1は、本実施形態に係る半導体発光装置1の概略を示す斜視図であり、図2aは図1の半導体発光装置1の平面図であり、図2bは図1の半導体発光装置1の裏面図であり、図2cは図1の線II-IIに沿った断面図である。図1及び図2において、半導体発光装置1の幅方向をX方向、長手方向をY方向、高さ方向をZ方向と定義する。図1及び図2a~cに示すように、半導体発光装置1は、樹脂成形体2、第1リードフレーム3a、第2リードフレーム3b、封止材4、半導体発光素子5、ボンディングワイヤ6を有している。より具体的には、半導体発光装置1は、樹脂成形体2、第1リードフレーム3a、及び第2リードフレーム3b、を一体成形することによって得られる半導体発光装置用パッケージ7の素子搭載部分である凹部8内に半導体発光素子5が搭載され、当該半導体発光素子5の外部電極図示せずのそれぞれがボンディングワイヤ6を介して、第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bに接続されている。また、半導体発光装置用パッケージ7に搭載された半導体発光素子5の周囲を覆い且つ凹部8を充填するように封止材4が設けられている。以下において、第1リードフレームと第2リードフレームとを区別しない場合や、両方を説明する場合には、単にリードフレームとも称する。図1、及び図2a、cに示すように、樹脂成形体2のX-Y平面における形状は正方形又は長方形であり、樹脂成形体2の第1面2a側には凹部8が形成されている。凹部8の底面には、第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bが露出している。また、凹部8の側面は、凹部8の底面に対して垂直ではなく、垂直方向Z軸方向から傾いている。すなわち、凹部8は、底面から上方に向けて徐々に開口面積が広がる四角錐台の形状を有している。このような形状により、半導体発光素子5から放射される光の一部を凹部8の側面において反射させ、半導体発光装置1の外部に効率良く導き出すことが可能になる。なお、凹部8の形状は、上述したような形状に限定されることはなく、四角柱の形状、円柱の形状、円錐台の形状であってもよい。図1、図2においては樹脂成形体2の凹部8を除く側面すなわち、外側の側面が底面に対して垂直である例を示したが、この角度は垂直に限定されることはなく、傾斜を有していても良い。すなわち、樹脂成形体2の上縁末端部分が徐々に肉薄となるようになっていても良い。このような形状とした場合には、成形時に金型からの離型が容易となり、生産性が良くなる利点がある。同様の理由により、樹脂成形体2の上縁部及び側面部は、稜角部を有する構造とせず丸みのある連続面としても良い。図示しないが、樹脂成形体2は、樹脂成形体2の第2面2bから第1面2aに向かって伸び、凹部8から露出する第1リードフレーム3a11a又は第2リードフレーム3b11bの裏面に達する開口を有していても良い。当該開口は、円柱状であってもよく、四角柱であってもよい。また、当該開口は、第1リードフレーム3a11a及び第2リードフレーム3b11bを樹脂成形体2と一体成形する際に設けられ、各リードフレームの形状を保持する際に、各リードフレームを支持するために使用される支持ピンの跡であり、樹脂成形体2の凹部8に露出する第1リードフレーム3a11a又は第2リードフレーム3b11bにおける樹脂かぶりの発生を抑制する効果がある。図2cに示すように、第1リードフレーム3aは、全体的に折り曲げられて形成されており、樹脂成形体2の凹部8の底面から露出している第1露出リード部11a、樹脂成形体2の外部に位置する第1外部リード部12a、第1露出リード部11aの一端すなわち、-Y軸方向側の端部と第1外部リード部12aとを連結する第1連結リード部13a、及び第1露出リード部11aの他端すなわち、Y軸方向側の端部から樹脂成形体2の第2面2bに向かって延びるとともに当該第2面2bからその下面を露出し、更に第2面2bに沿って延びている第1延出リード部14aから構成されている。従って、第1リードフレーム3aは、一部がZ方向に突出した凸状の折り曲げ構造を有している。より具体的には、第1露出リード部11aは、その上面が凹部8の底面から露出するように平坦に形成されている。第1露出リード部11a上には、半導体発光素子5が搭載されている。また、第1露出リード部11aの表面にボンディングワイヤ6が接続され、ボンディングワイヤ6によって第1露出リード部11aと半導体発光素子5の外部電極の一方が電気的に接続されている。第1外部リード部12aは、その下面を第2面2bに露出し、樹脂成形体2の第2面2bに沿って平坦に形成されている。ここで、第1外部リード部12aとは、樹脂成形体2の第2面2bに露出している部分を含んでいる。図示しないが、第1外部リード部12aや第1連結リード部13aの樹脂成形体2と接する位置には、必要に応じてモールドロックとして機能する円柱状の貫通孔を設けても良い。これにより、樹脂成形体2及び第1リードフレーム3aの接着性を向上させ、樹脂成形体2と第1リードフレーム3aを一体形成する際の樹脂成形体2の原材料である樹脂の流れが向上する。なお、貫通孔の形状は円柱状に限られることなく、すなわちX-Y平面上の形状が円形に限られることなく、X-Y平面上の形状が四角形、楕円形等の様々な形状であってもよい。更に、第1外部リード部12aに複数の貫通孔を設けてもよい。第1連結リード部13aは、第1外部リード部12aと、第1外部リード部12aよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第1露出リード部11aとを連結するように、第1外部リード部12aの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第1外部リード部12aと第1露出リード部11aとの位置関係によっては、第1連結リード部13aは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第1連結リード部13aを短くすることにより、半導体発光装置用パッケージ7の熱抵抗を低くすることができる。第1延出リード部14aは、第1連結リード部13aに接続している第1露出リード部11aの端部とは反対側の端部から樹脂成形体2を貫通するように延びている。具体的には、第1延出リード部14aは、樹脂成形体2の凹部8の底面から樹脂成形体2の第2面2bに向かって斜め下方に延びている。更に、第2面2bからその下面が露出した第1延出リード部14aは、その下面を露出し、第2面2bに沿っても延びている。すなわち、第1延出リード部14aは、折り曲げ構造を有している。なお、第1露出部11aと第1延出リード部14aの第2面2bに沿って延びている部分との位置関係によっては、第1延出リード部14aは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。この場合にも、第1延出リード部14aを短くすることにより、半導体発光装置用パッケージ7の熱抵抗を低くすることができる。従って、第1延出リード部14aは、実装する配線基板と充分に熱的接続ができるならば第2面2bに沿って延びず、単に第2面2bから露出しているだけでも良い。また、図2cに示すように、第2リードフレーム3bは、全体的に折り曲げられて形成されており、樹脂成形体2の凹部8の底面から露出している第2露出リード部11b、樹脂成形体2の外部に位置する第2外部リード部12b、第2露出リード部11bの一端すなわち、Y軸方向側の端部と第2外部リード部12bとを連結する第2連結リード部13bから構成されている。従って、第1リードフレーム3aは、2つの部分で折り曲げられている折り曲げ構造を有している。より具体的には、第2露出リード部11bは、凹部8の底面からその上面が露出するように平坦に形成されている。第2露出リード部11bの表面にボンディングワイヤ6が接続され、ボンディングワイヤ6によって第2露出リード部11bと半導体発光素子5の外部電極の一方が電気的に接続されている。第2外部リード部12bは、その下面を第2面2bに露出し、樹脂成形体2の第2面2bに沿って平坦に形成されている。ここで、第2外部リード部12bとは、樹脂成形体2の第2面2bに露出している部分を含んでいる。図示しないが、第2外部リード部12bの樹脂成形体と接する位置には、必要に応じてモールドロックとして機能する円柱状の貫通孔を設けても良い。これにより、樹脂成形体2及び第2リードフレーム3bの接着性を向上させ、樹脂成形体2と第2リードフレーム3bを一体形成する際の樹脂成形体2の原材料である樹脂の流れが向上する。なお、貫通孔の形状は円柱状に限られることなく、すなわちX-Y平面上の形状が円形に限られることなく、X-Y平面上の形状が四角形、楕円形等の様々形状であってもよい。更に、第2外部リード部12bに複数の貫通孔を設けてもよい。第2連結リード部13bは、第2外部リード部12bと、第2外部リード部12bよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第2露出リード部11bとを連結するように、第2外部リード部12bの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第2外部リード部12bと第2露出部11bとの位置関係によっては、第2連結リード部13bは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第2連結リード部13bを短くすることにより、半導体発光装置用パッケージ7の熱抵抗を低くすることができる。上述したように、第1リードフレーム3aの第1外部リード部12aの下面、樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部14aの一部の下面、及び第2リードフレーム3bの第2外部リード部12bの下面は、樹脂成形体2の第2面2bに沿って延び、第2面2bと同一平面上に位置している。従って、樹脂成形体2の第2面2b側は平坦面であり、第1リードフレーム3aの第1外部リード部12aの下面、樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部14aの一部の下面、及び第2リードフレーム3bの第2外部リード部12bの下面は、半導体発光装置1が搭載されることになる実装基板の表面に対して、当接可能な位置に配置されている。なお、第1リードフレーム3aの第1外部リード部12a、樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部14aの一部、及び第2リードフレーム3bの第2外部リード部12bが実装基板の表面の形状に対応し、当該表面に対して当接可能であれば、樹脂成形体2の第2面2bと同一平面上に位置していなくてもよい。なお、本実施形態においては、第1外部リード部12a及び第2外部リード部12bをアウターリードと定義し、第1露出リード部11a、第2露出リード部11b、第1連結リード部13a、第2連結リード部13b及び第1延出リード部14aをインナーリードとも定義してもよい。但し、第1延出リード部14aは、半導体発光装置用パッケージが搭載される基板に応じて、アウターリードと定義できる場合もある。以下において、第1露出リード部と第2露出リード部とを区別しない場合や、両方を説明する場合には、単に露出リード部とも称する。同様に、また、第1連結リード部と第2連結リード部とを区別しない場合や、両方を説明する場合には、単に連結リード部とも称する。上述したように、半導体発光素子5は、第1リードフレーム3aの第1リード露出部11a上に搭載され、ボンディングワイヤ6を介して第1リードフレーム3aの第1リード露出部11a及び第2リードフレーム3bの第2リード露出部11bに電気的に接続されている。なお、本実施形態において半導体発光素子5は第1リード露出部11aに搭載されているが、本発明において、半導体発光素子5は第2リード露出部11bに搭載されていても良い。このような場合には、第2リード露出部11bにも、第1延出リード部14aと同様な構造の第2延出リード部が接続されていることが好ましい。これは、半導体発光素子5の発する熱の最も主たる放熱経路は半導体発光素子5の接着されているリード部分であり、半導体発光素子5が搭載されている第1リード露出部11a又は第2リード露出部11bに対応する第1延出リード部14a又は第2延出リード部が連結し、前記第2面から露出することにより実装基板への放熱経路を確保するためである。なお、以下において、第1延出リード部と第2延出リード部とを区別しない場合や、両方を説明する場合には、単に延出リード部とも称する。封止材4は、半導体発光素子5を覆うとともに樹脂成形体2の凹部8を充填するように設けられている。以下、半導体発光装置1の各構成部材について詳細に説明する。樹脂成形体本発明において、樹脂成形体2における2官能ケイ素含有量が5重量以上12重量以下であることが特徴の1つである。ここで、2官能ケイ素以下、Dケイ素とも称するとは、有機基が2個ついた2官能ケイ素単位に含まれるケイ素を意味するものである。従って、本発明の樹脂成形体2は、ポリオルガノシロキサンとして、ポリジオルガノシロキサン鎖を必ず含有している。2官能ケイ素はソフトセグメントとして機能するので、樹脂成形体2が特定量の2官能ケイ素を含有すると、樹脂成形体2は、シリコーンとしてのゴム弾性、高い耐熱性耐光性を有することになる。このため、2官能ケイ素含有量は、樹脂成形体2の硬度に相関性ある数値であり、2官能ケイ素含有量が樹脂成形体2の硬度の指標となる。また、樹脂成形体2が等方性を有していれば、樹脂成形体2の各部分によってフィラー含有量や成形体に含まれるシリコーン樹脂の架橋の度合いが変化したとしても、当該2官能ケイ素含有量を硬度の指標とすることができる。ここで、等方性とは、樹脂成形体2の組成及び構造において配向性が無く、樹脂成形体2のどの部分を切り出しても組成、フィラー分布状態、及び硬化状態などが同じであることをいう。そして、2官能ケイ素含有量が上記の範囲内である場合には、樹脂として柔らかいシリコーン樹脂を主成分とすることを意味し、このような柔らかい樹脂はもろくないため、樹脂成形体2自体も比較的柔らかくなり、欠け及び破損等のおそれがなくなる。なお、樹脂成形体2における2官能ケイ素含有量は、通常5重量以上、好ましくは6重量以上であり、また、通常12重量以下、好ましくは10重量以下である。この範囲より2官能ケイ素が少ないと、樹脂成形体2は硬くもろくなり、機械搬送時に欠けが生じたり、熱衝撃などにより封止材4や第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bなどから剥離が生じる恐れがある。シロキサン構造を有しない有機樹脂骨格部分の導入により2官能ケイ素が少なくなった場合には、光や熱による樹脂成形体2の着色が顕著となる恐れがある。また、この範囲より2官能ケイ素が多い場合、樹脂成形体2が柔らかすぎて変形、破損しやすくなる恐れがある。また使用する硬化前ポリジオルガノシロキサンの高分子量化により2官能ケイ素を増加させた場合には硬化前組成物の粘度が高くなりすぎ液状射出成形不可能となる恐れがある。2官能ケイ素含有量が高くなる例として、樹脂成形体2を構成するポリオルガノシロキサンとして高分子量D単位が5000~10000個程度連続しており、常温でガム状の固体であるもの。かつ、側鎖にビニル基を0.03~0.3mol程度含有するポリジメチルシロキサン使用し、後述する白色顔料を添加した後に過酸化物触媒によって加熱硬化させる場合が挙げられる。この場合におけるポリオルガノシロキサンの2官能ケイ素含有量は、ジメチルシロキシ基繰り返し構造における2官能ケイ素含有量よって概算可能であり、約38重量である。一方、このビニル基含有ポリジメチルシロキサンを35重量含む組成物を製造した場合、樹脂成形体2中の2官能ケイ素含有量は13.3重量と計算される。このように、2官能ケイ素含有量が上述の好ましい範囲より多いポリオルガノシロキサンを樹脂成形体2に用いると、硬化前のパッケージ材料の粘度が非常に高くなる傾向にあり、そうすると、後述する白色顔料を高充填することが困難となるため、得られる樹脂成形体の材料の流動性が低下し、液状射出成形を行うことが難しくなる。硬化前の樹脂成形体の材料の状態でも、硬化後の樹脂成形体の状態でも、2官能ケイ素含有量は変化しない。樹脂成形体2は、硬化後に可視光について高反射率を有する液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物からなる。樹脂成形体2の反射率は、具体的には、厚さ0.4mmの成形体試料について460nmの光の反射率が80以上であることが好ましい。また、厚さ0.4mmの成形体試料について波長400nmの光の反射率が60以上であることが好ましく、80以上であることがより好ましく、90以上であることが更に好ましい。ここで、上記厚さ0.4mmの成形体試料は、原料である液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物を例えば、10kg/cm2の圧力下、180°Cで4分間、硬化させることにより行うことができる。なお、樹脂成形体の反射率は、樹脂の種類やフィラーの種類、フィラーの粒径や含有量などにより制御することができる。なお、反射率は、厚さ0.4mmの成形体試料を作成し、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETERCM-2600dのような測色計を用いて測定することができる。パッケージのように小型の形状の成形体しか入手出来ない場合は、パッケージを研磨するなどして厚さ0.4mmの試料を作成し、反射率測定装置として日本電色VSR400のような微小面反射率計を用いて0.05mmφ以上の面積における反射率を測定することにより測定することができる。樹脂成形体2の材質である熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、ポリオルガノシロキサン、及び白色顔料を主成分とし、必要に応じて硬化触媒などのその他の成分を含む。その他の成分としては、硬化速度制御剤、又は流動性調整剤などが挙げられる。特に、ポリオルガノシロキサン、一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下であって一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料、及び硬化触媒を含有してなる熱硬化性シリコーン樹脂組成物が好適である。熱硬化性シリコーン樹脂組成物本発明の樹脂成形体2に用いられる熱硬化性シリコーン樹脂組成物の好ましい組成は以下のとおりである。本発明に用いる熱硬化性シリコーン樹脂組成物中のポリオルガノシロキサンの含有量は、樹脂成形体2を形成する樹脂成形体用材料として通常用いることができる範囲であれば限定されないが、通常材料全体の15重量以上、50重量以下であり、好ましくは20重量以上、40重量以下であり、より好ましくは25重量以上、35重量以下である。また、本発明に用いる熱硬化性シリコーン樹脂組成物中の白色顔料の含有量は、樹脂成形体2を形成する材料として通常用いることができる範囲であれば限定されないが、例えば組成物全体の30重量以上、85重量以下であり、好ましくは40重量以上80重量以下であり、より好ましくは45重量以上、70重量以下である。本発明に用いる熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、25°Cにおける剪断速度100s1での粘度が10Pas以上10,000Pas以下であることが好ましい。上記粘度は、樹脂成形体2を成形する際の成形効率の観点から、150Pas以上1,000Pas以下であることがより好ましい。特に液状樹脂材料を用いた液状射出成形LIM成形では、金型の微小な隙間から材料が染み出すことに起因するバリが発生しやすく、通常、バリを除去する後処理工程が必要である。一方、バリの発生を抑えるために金型の隙間を小さくするとショートモールド未充填が発生しやすくなる等の問題があるが、当該液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が上記範囲にある場合、このような問題を解決することができ、樹脂成形体2の液状射出成形を容易に、且つ効率よく行うことができる。剪断速度100s1での粘度が10,000Pasより大きいと、樹脂の流れが悪いため金型への充填が不十分となったり、射出成形を行う際に液状樹脂組成物の供給に時間がかかるため成形サイクルが長くなったりするなどして、成形効率が低下する傾向にある。また、上記粘度が10Pasより小さいと、金型の隙間から液状樹脂組成物が漏れてバリが発生したり、金型の隙間に射出圧力が逃げやすくなるため成形が安定しにくくなったりして、やはり成形効率が低下する傾向にある。特に成形体が小さい場合にはバリを除去するための後処理も困難になるため、バリの発生を抑えることは成形性には重要である。加えて、チキソトロピー性の観点から、本発明に用いる熱硬化性シリコーン樹脂組成物は25°Cでの剪断速度100s1での粘度に対する25°Cでの剪断速度1s1での粘度の比1s1/100s1が15以上であることが好ましく、30以上であることが特に好ましい。一方、上限は、300以下であることがより好ましい。成形性のよい材料とするためには、材料に一定以上のチキソトロピー性を持たせることが必要であるが、上記のような条件を満たすことにより、バリやショートモールド未充填の発生が少なく、成形時の材料の計量時間や成形サイクルを短縮でき、成形も安定しやすく、成形効率の高い材料となる。また、25°Cにおける剪断速度100s1での粘度に対する25°Cにおける剪断速度1s1での粘度の比が15未満の場合、つまり剪断速度1s1での粘度が比較的小さい場合は、成形機や金型の隙間にも材料が入り込みやすくなり、バリが発生しやすくなったり、ノズル部で液ダレしやすくなったり、射出圧力が材料に伝わりにくく成形が安定しにくくなったりするなど、成形のコントロールが難しくなることがある。液状射出成形ではスプルー部のパーティングラインの樹脂漏れが問題になりやすいが、上記の粘度範囲に調整することは樹脂漏れ抑制にも効果がある。これらの25°Cにおける剪断速度100s1での粘度と剪断速度1s1での粘度は、例えばARES-G2-歪制御型レオメータティーエイインスツルメントジャパン株式会社製を用いて測定することができる。ポリオルガノシロキサン本発明におけるポリオルガノシロキサンとは、ケイ素原子が酸素を介して他のケイ素原子と結合した部分を持つ構造に有機基が付加している高分子物質を指す。ここでポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体であることが好ましい。これは、樹脂成形体2を成形する際に、材料の扱いが容易となるからである。また、常温常圧下において固体のポリオルガノシロキサンは、一般的に硬化物としての硬度は比較的高いが、破壊に要するエネルギーが小さく靭性が低いものや、耐光性、耐熱性が不十分で光や熱により変色しやすいものが多い傾向にあるからである。上記ポリオルガノシロキサンは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば以下に示す一般組成式1で表される化合物や、その混合物が挙げられる。R1R2R3SiO12MR4R5SiO22DR6SiO32TSiO42Q1ここで、上記式1において、R1からR6は独立して、有機官能基、水酸基、水素原子から選択される。またM、D、TおよびQは0以上1未満であり、MDTQ=1を満足する数である。有機官能基としては、得られる樹脂成形体2の光熱に対する耐久性や硬化特性、反射特性を損じない範囲で公知の1価有機基より任意に選択して良いが、中でも炭素数1~10のアルキル基芳香族基アルケニル基、炭素数1~3のアルコキシ基は樹脂成形体が熱により着色しにくいため好ましく、中でもメチル基、フェニル基、ビニル基が工業的に入手しやすく光に対して安定であるため好ましく、ポリオルガノシロキサン及び樹脂成形体の2官能ケイ素含有量を高くすることが出来、柔軟な樹脂成形体2を与えることができる観点からメチル基主体とすることが特に好ましい。主なポリオルガノシロキサンを構成する単位は、1官能型R3SiO05、2官能型R2SiO、3官能型RSiO15、4官能型SiO2であり、これら4種の単位の構成比率を変えることにより、ポリオルガノシロキサンの性状の違いが出てくるので、所望の特性が得られるように適宜選択すればよい。本発明においては樹脂成形体2において2官能ケイ素を所定量含有する必要があり、言い換えれば樹脂成形体2のための樹脂として2官能型の単位を多く有するポリオルガノシロキサンを使用することが必須となる。ポリオルガノシロキサンは、硬化触媒の存在下で、熱エネルギーや光エネルギー等を与えることにより硬化させる事ができる。ここで硬化とは、流動性を示す状態から、流動性を示さない状態に変化することをいい、例えば、対象物を水平より45度傾けた状態で30分間静置しても流動性がある状態を未硬化状態といい、全く流動性がない状態を硬化状態として判断することができる。また、フィラー充填量が多い等の理由で、対象物が流動性を示さない場合には、該対象物が塑性変形せず、硬度をデュロメータタイプAにて測定でき、硬度測定値が少なくとも5以上であるか否かで未硬化状態、硬化状態を判断することもできる。ポリオルガノシロキサンは、硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのポリオルガノシロキサンを挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ付加型ポリオルガノシロキサン、および縮合硬化タイプ縮合型ポリオルガノシロキサンが好適である。中でも、副生物が無く、また、反応が非可逆性のヒドロシリル化付加重合によって硬化するポリオルガノシロキサンのタイプがより好適である。これは、成形加工時に副生成物が発生すると、成形容器内の圧を上昇させたり、硬化材料中に泡として残存したりする傾向にあるからである。また、2官能ケイ素単位を多く有するポリオルガノシロキサンは縮合型硬化機構において一般に活性が低く高速硬化しにくいが、付加型ポリオルガノシロキサンは非常に活性高く高速硬化可能で生産性が高くなる利点もある。付加型ポリオルガノシロキサンは、ポリオルガノシロキサン鎖が、有機付加結合により架橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビニルシラン等のアルケニル基を有するケイ素含有化合物と、例えばヒドロシラン等のヒドロシリル基を含有するケイ素化合物とを総アルケニル基量に対する総ヒドロシリル基量のモル比が0.5倍以上、2.0倍以下となる量比で混合し、Pt触媒などの付加縮合触媒の存在下反応させて得られるSi-C-C-Si結合を架橋点に有する化合物等を挙げることができる。縮合型ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分解重縮合で得られるSi-O-Si結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる。白色顔料本発明において用いる白色顔料としては、一次粒子のアスペクト比が1.2以上4.0以下、一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下のものが好ましく、樹脂の硬化を阻害しない公知の白色顔料を適宜選択する事ができる。白色顔料としては無機の材料及び有機の材料の少なくとも一方を用いる事ができる。ここで白色とは、無色であり透明ではない事をいう。すなわち可視光領域に特異な吸収波長を持たない物質により入射光を乱反射させる事ができる色をいう。白色顔料として用いることができる無機粒子としては、アルミナ以下、酸化アルミニウムと称する場合がある。、酸化ケイ素、チタニア以下、酸化チタンと称する場合がある。、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム等の金属酸化物;炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム等の金属塩;窒化ホウ素、アルミナホワイト、コロイダルシリカ、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ホウ酸アルミニウム、クレー、タルク、カオリン、雲母、合成雲母などが挙げられる。中でも白色度が高く少量でも光反射効果が高く変質しにくい点からは、アルミナ、チタニア、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどが好ましく、特にアルミナ、チタニアが好ましい。また、材料硬化時の熱伝導率向上の点からは、アルミナ、窒化ホウ素などが特に好ましい。また、近紫外線の光反射効果が高く、近紫外線による変質が小さい観点からも、アルミナが特に好ましい。チタニアは、光触媒性、分散性、白色性等の問題が出ない程度に含有する事ができる。これらの白色顔料は、単独もしくは2種以上混合して用いる事ができる。ポリオルガノシロキサンの屈折率と白色顔料の屈折率との差が大きいほど、少量の白色顔料を添加しただけでも白色度がより高く、反射散乱効率のよい半導体発光装置用樹脂成形体を得ることができる。ポリオルガノシロキサンは屈折率が1.41程度のものが好ましく、屈折率が1.76のアルミナ粒子を白色顔料として好適に用いることができる。また、アルミナは、紫外線の吸収能が低いことから、特に、紫外~近紫外発光の発光素子と共に用いる場合に好適に用いることができる。本発明において用いるアルミナとしてはその結晶形態は問わないが、化学的に安定、融点が高い、機械的強度が大きい、硬度が高い、電気絶縁抵抗が大きい等の特性を持つα-アルミナが好適に使用できる。また、本発明の白色顔料としてアルミナを用いる場合、アルミナ結晶の結晶子サイズが50nm以上200nm以下であることが好ましく、70nm以上150nm以下であることがより好ましく、90nm以上130nm以下であることが特に好ましい。結晶子とは、単結晶とみなせる最大の集まりをいう。アルミナ結晶の結晶子サイズが上記範囲であると、成形時の配管、スクリュー、金型などの磨耗が少なく、磨耗による不純物が混入しにくい点で好ましい。なお、上記結晶子サイズは、X線回折測定により確認することができる。一般にアルミナはチタニアより耐久性が高く、アルミナとチタニアを併用した場合、チタニアの比率が増すと材料の耐久性が低下する傾向にある。一方で、チタニアは、アルミナと比較して屈折率が高く、樹脂との屈折率差が大きいため、チタニアの比率が増すと壁部の反射率が高くなる傾向にある。そこで、アルミナに同程度以下のチタニアを添加すると、チタニアの比率から予測される程度より大きく反射率が向上し、材料の反射率を高くしつつ、耐久性の低下を極力抑制することができる。熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化時の熱伝導率は、成形効率及び半導体発光装置の放熱の点からも高い方が好ましいが、熱伝導率を高くするためには、純度が98以上のアルミナを用いることが好ましく、純度99以上のアルミナを用いることがより好ましく、特に低ソーダアルミナを用いることが好ましい。また、熱伝導率を高くするためには、窒化ホウ素を用いることも好ましく、純度が99以上の窒化ホウ素を用いることが特に好ましい。また、特に、発光ピーク波長が420nm以上の発光素子を使用する半導体発光装置では、白色顔料としてチタニアも好適に使用することができる。チタニアは紫外線吸収能を持つが、屈折率が大きく光散乱性が強いため、420nm以上の波長の光の反射率が高く、少ない添加量でも高反射を発現しやすい。本発明の白色顔料としてチタニアを用いる場合は、紫外線吸収能や光触媒能が大きく高温で不安定なアナターゼ型よりも、高温で安定であり、屈折率が高く、比較的耐光性が高いルチル型が好ましく、光触媒活性を抑える目的で表面にシリカやアルミナの薄膜コートが施されたルチル型が特に好ましい。チタニアは屈折率が高く、ポリオルガノシロキサンとの屈折率差が大きいため少ない添加量でも高反射となりやすいことから、アルミナとチタニアを50:50~95:5重量比のような割合で併用してもよい。本発明に用いる白色顔料は、その一次粒子のアスペクト比が、1.2以上4.0以下であるものが好適である。アスペクト比は、粒子等の形状を定量的に表現する簡便な方法として一般に用いられており、本発明ではSEMなどの電子顕微鏡観察により計測した粒子の長軸長さ最大長径を短軸長さ長径に垂直方向で最も長い部分の長さで除して求めるものとする。軸長さにばらつきがある場合は、複数点例えば10点をSEMで計測し、その平均値から算出することができる。あるいは、30点、100点を計測しても同様の算出結果を得ることができる。好ましいアスペクト比は、1.25以上であり、より好ましくは1.3以上、特に好ましくは1.4以上である。一方、上限は、3.0以下が好ましく、2.5以下がより好ましく、2.2以下が更に好ましく、2.0以下が特に好ましく、1.8以下であることが最も好ましい。アスペクト比が上記範囲であると、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、樹脂成形体2を用いた半導体発光装置1において、発光出力を向上させることができる。また、アスペクト比が上記範囲の白色顔料を使用することは、金型の磨耗が少ないなど、成形上も好ましい。アスペクト比が上記範囲を超えて大きい場合、顔料粒子との接触により金型の磨耗が激しくなることがあり、逆に、アスペクト比が小さい白色顔料を使用する場合も材料中の顔料の充填密度を高くできるため金型と顔料との接触頻度が上がり、金型が磨耗しやすくなる。さらに、アスペクト比が上記範囲の白色顔料を使用すると、材料粘度の調整が容易で、成形に適した粘度に調整できるので、成形サイクルの短縮や、バリの防止が可能となる等、成形性に優れた材料となる。アスペクト比が上記範囲であることで、白色顔料が金型の隙間に充填され、バリが発生しにくいが、アスペクト比が1.2未満のように球状に近くなると金型の隙間を通り抜けてバリが発生しやすくなる。本発明では、アスペクト比が上記範囲に含まれる粒子が白色顔料全体の60体積以上、より好ましくは70体積以上、特に好ましくは80体積以上を占めることが好ましく、必ずしも全ての白色顔料が上記アスペクト比の範囲を満たさなければいけないわけではないことは当業者が当然に理解できる事項である。アスペクト比を上記範囲とするためには、白色顔料の表面処理をしたり、研磨したりする等の一般的な方法を採ればよい。また、白色顔料を破砕粉砕して微細化することや、篩粉等により分級することによっても調整できる。本発明に用いる白色顔料は、形状が破砕形状であることが好ましく、破砕後の処理により結晶の角が少ない丸みを帯びた形状となったもの、焼成などによって生成した球状でない顔料の形状も含まれる。また、白色顔料の一次粒子径が、0.1μm以上2μm以下であるものが好適である。下限値については好ましくは0.15μm以上、より好ましくは0.2μm以上、特に好ましくは0.25μm以上であり、上限値については好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.8μm以下、特に好ましくは0.5μm以下である。一次粒子径が上記範囲である場合には、後方散乱傾向と散乱光強度を兼ね備えることで材料が高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域等の短波長の光に対する反射が大きくなり、好ましい。また、少量の添加で高反射率となるので樹脂成形体2の2官能ケイ素濃度を高くすることが出来、所望の比較的柔らかい樹脂成形体2を得ることができる。白色顔料は、一次粒子径が小さすぎると散乱光強度が小さいため反射率は低くなる傾向にあり、一次粒子径が大きすぎると散乱光強度は大きくなるが、前方散乱傾向になるため反射率は小さくなる傾向にある。また、一次粒子径が上記範囲である場合には、成形に適した粘度への調整が容易である上、金型の磨耗が少ないなど、成形性の観点からも好ましい。一次粒子径が上記範囲よりも大きい場合、顔料粒子との接触による金型への衝撃が大きく金型の磨耗が激しくなる傾向があり、一次粒子径が上記範囲よりも小さい白色顔料を使用する場合には、材料が高粘度になりやすく、白色顔料の充填量を上げられないため、高反射等の材料特性と成形性との両立が難しくなる傾向にある。特に、液状射出成形に好適に使用できる材料とするためには材料にある程度以上のチキソトロピー性を持たせることが必要である。一次粒子径が0.1μm以上2.0μm以下の白色顔料を組成物中に添加するとチキソトロピー性付与効果が大きく、バリやショートが少なく成形しやすい組成物とするために、粘度とチキソトロピー性を容易に調整することができる。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、一次粒子径が2μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。本発明にいう一次粒子とは粉体を構成している粒子のうち、他と明確に区別できる最小単位をいい、一次粒子径はSEMなどの電子顕微鏡観察により計測することができる。一方、一次粒子が凝集してできる凝集粒子を二次粒子といい、二次粒子の中心粒径は粉体を適当な分散媒例えばアルミナの場合は水に分散させて粒度分析計等で測定することができる。一次粒子径にばらつきがある場合は、数点例えば10点をSEM観察し、その平均値を粒子径とすればよい。また、測定の際、個々の粒子が球状でない場合はもっとも長い、すなわち長軸の長さを粒子径とする。一方、上記白色顔料は、二次粒子の中心粒径以下、二次粒径と称する場合がある。が、0.2μm以上であるものが好ましく、0.3μm以上であるものがより好ましい。上限は5μm以下であるものが好ましく、3μm以下であるものがより好ましく、2μm以下であるものが更に好ましい。二次粒径が上記範囲であると、液状射出成形の成形性が良好となり、好ましい。また、成形に適した粘度への調整が容易で、金型の磨耗が少ない。加えて、白色顔料が金型の隙間を通過しにくいためバリが発生しにくく、かつ、金型のゲートに詰まりにくいため成形時のトラブルが起こりにくい。二次粒径が上記範囲よりも大きい場合には、白色顔料の沈降により材料が不均一となる傾向にあり、金型の磨耗やゲートの詰まりにより成形性が損なわれたり、成形品の反射の均一性が損なわれたりすることがある。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、二次粒径が10μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。なお、中心粒径とは体積基準粒度分布曲線の体積積算値が50になる粒子径をいい、一般的に50粒子径D50、メディアン径と呼ばれるものを指す。本発明において樹脂成形体2の材料のうちの白色顔料の含有量は、使用する顔料の粒径や種類、ポリオルガノシロキサンと顔料の屈折率差により適宜選択され特に限定されない。例えば、組成物中の含有割合として通常30重量以上、好ましくは45重量以上であり、通常85重量以下、好ましくは70重量以下である。上記範囲内であると反射率、成形性等が良好である。上記下限未満である場合には光線が透過してしまい半導体発光装置の反射効率が低下する傾向にあり、上限よりも大きい場合には材料の流動性が悪化することにより成形性が低下する傾向にある。また、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の熱伝導率を例えば、0.4以上3.0以下の範囲のように高くするためには、白色顔料としてアルミナ及びチタニアの少なくとも一方を樹脂成形体用材料全体量に対して40重量部以上90重量部以下添加することが好ましい。更に、白色顔料として窒化ホウ素を樹脂成形体用材料全体量に対して30重量部以上90重量部以下添加することが好ましい。なお、アルミナ、チタニア、窒化ホウ素を併用してもよい。硬化触媒本発明における硬化触媒とは、ポリオルガノシロキサンを硬化させる触媒である。この触媒はポリオルガノシロキサンの硬化機構により付加重合用触媒、縮合重合用触媒がある。付加重合用触媒は、ポリオルガノシロキサンの成分中のアルケニル基とヒドロシリル基との付加反応を促進するための触媒であり、この付加重合触媒の例としては、白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。なお、この付加重合触媒の配合量は通常、白金族金属としてポリオルガノシロキサンの成分の重量に対して通常1ppm以上、好ましくは2ppm以上であり、通常100ppm以下、好ましくは50ppm以下、さらに好ましくは20ppm以下である。縮合重合用触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、有機酸などの酸、アンモニア、アミン類などのアルカリ、ホウ素のアルコキシド等の有機ホウ素化合物、金属キレート化合物などを用いることができ、好適なものとしてTi、Ta、Zr、Al、Hf、Zn、Sn、Ga、Ptのいずれか1以上を含む金属キレート化合物を用いることができる。なかでも、金属キレート化合物は、Ti、Al、Zn、Zr、Gaのいずれか1以上を含むものが好ましく、Zrを含むものがさらに好ましく用いられる。縮合重合用触媒の配合量は、ポリオルガノシロキサンの成分の合計重量に対して通常0.01重量以上、好ましくは0.05重量以上、一方上限は通常10重量以下、好ましくは6重量以下である。触媒の添加量が上記範囲であると半導体発光装置用樹脂成形体材料の硬化性、保存安定性が良好であり、加えて成形した樹脂成形体の品質が良好である。添加量が上限値を超えると樹脂成形体材料の保存安定性に問題が生じる場合があり、下限値未満では硬化時間が長くなり樹脂成形体の生産性が低下し、未硬化成分により樹脂成形体の品質が低下する傾向にある。これらの触媒は半導体発光装置用樹脂組成物の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性などを考慮して選択される。その他の成分本発明の半導体発光装置用樹脂成形体用材料は、更に硬化速度制御剤を含有することが好ましい。ここで硬化速度制御剤とは、樹脂成形体用材料を成形する際に、その成形効率を向上させるために硬化速度を制御するためのものであり、硬化遅延剤または硬化促進剤が挙げられる。硬化遅延剤は、特に、硬化速度が速い付加重合型ポリオルガノシロキサン組成物の液状射出成形において重要な成分である。付加重合反応における硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等が挙げられ、これらを併用してもかまわない。脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、3-ヒドロキシ-3-メチル-1-ブチン、3-ヒドロキシ-3-フェニル-1-ブチン、3-トリメチルシリルオキシ-3-メチル-1-ブチン、1-エチニル-1-シクロヘキサノール等のプロパギルアルコール類、エン-イン化合物類、ジメチルマレート等のマレイン酸エステル類等が例示される。縮合重合反応における硬化遅延剤としては、炭素数1~5の低級アルコール、分子量500以下のアミン類、窒素や硫黄含有する有機化合物、エポキシ基含有化合物などシラノールと反応あるいは水素結合する化合物が挙げられる。硬化速度制御剤の種類や配合量を目的に応じて選択することにより、樹脂成形体2の成形が容易となる。例えば、金型への充填率が高くなったり、射出成形による成形時に金型からの漏れがなく、バリが発生しにくくなったりするメリットが得られる。樹脂成形体2の材料である熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、必要に応じて他の成分を1種、または2種以上を任意の比率および組み合わせで含有させることができる。例えば、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の流動性コントロールや白色顔料の沈降抑制の目的で、流動性調整剤を含有させることができる。流動性調整剤としては、添加により熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が高くなる常温から成形温度付近で固体の粒子であれば特に限定されないが、例えば、シリカ微粒子、石英ビーズ、ガラスビーズなどの無機粒子、ガラス繊維などの無機物繊維、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。また、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度を調整するため、液状増粘剤として非硬化性のポリオルガノシロキサンをポリオルガノシロキサンに一部配合することができる。液状増粘剤としてのポリオルガノシロキサンの配合量は、ポリオルガノシロキサン全体を100重量部とした時、通常、0~10重量部、好ましくは0.1~5重量部、より好ましくは0.5~3重量部程度をポリオルガノシロキサンと置き換えて使用することができる。また、上記成分以外にも、上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、熱硬化後の強度、靭性を高める目的で、ガラス繊維などの無機物繊維を含有させてもよく、また、熱伝導性を高めるため、熱伝導率の高い窒化ホウ素、窒化アルミ、繊維状アルミナ等を前述の白色顔料とは別に含有させることができる。その他、硬化物の線膨張係数を下げる目的で、石英ビーズ、ガラスビーズ等を含有させることができる。これらを添加する場合の含有量は、少なすぎると目的の効果が得られず、多すぎると熱硬化性シリコーン樹脂組成物の粘度が上がり、加工性に影響するので、十分な効果が発現し、材料の加工性を損なわない範囲で適宜選択できる。通常、ポリオルガノシロキサン100重量部に対し500重量部以下、好ましくは200重量部以下である。また、上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物中には、その他、イオンマイグレーションエレクトロケミカルマイグレーション防止剤、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤などを本発明の目的および効果を損なわない範囲において含有させることができる。組成物の配合割合上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物におけるポリオルガノシロキサンの含有量は、通常、樹脂組成物全体の15重量以上、50重量以下であり、好ましくは20重量以上、40重量以下であり、より好ましくは25重量以上、35重量以下である。なお、該樹脂組成物中に含まれる硬化速度制御剤やその他成分である液状増粘剤がポリオルガノシロキサンである場合は上記ポリオルガノシロキサンの含有量に含まれるものとする。上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物における白色顔料の含有量は、上述の通り当該樹脂組成物が、樹脂成形体2の用材料として用いることができる範囲であれば限定されないが、通常樹脂組成物全体の30重量以上85重量以下であり、好ましくは40重量以上80重量以下であり、より好ましくは45重量以上70重量以下である。上記熱硬化性シリコーン樹脂組成物における流動性調整剤の含有量は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば限定されないが、通常樹脂組成物全体の55重量以下であり、好ましくは2重量以上50重量以下であり、より好ましくは5重量以上45重量以下である。リードフレーム第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bは、同一の材料から形成されている。具体的には、銅製のリード線の全面に銀メッキを施し、第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bが形成される。第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bは、上述した材料に限定されることなく、電気的導電性を備えていれば、他の金属材料から構成されてもよいが、第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bのそれぞれの一部第1露出リード部11a及び第2露出リード部11bが樹脂成形体2の凹部8の底面に露出しているため、半導体発光素子5からの光に対して高い反射率を有する材料を用いることが望ましい。半導体発光素子半導体発光素子5は、近紫外領域の波長を有する光を発する近紫外半導体発光素子、紫領域の波長の光を発する紫半導体発光素子、青領域の波長の光を発する青色半導体発光素子などを用いることが可能であり、通常、これらの発光素子は350nm以上520nm以下の波長を有する光を発する。半導体発光素子5として具体的には、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。発光層は、量子効果が生ずる薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造としてもよい。屋外などでの使用を考える場合、高輝度な半導体発光素子5を形成可能な半導体材料として窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウムアルミニウム砒素系の半導体やアルミニウムインジウムガリウム燐系の半導体を用いることが好ましいが、用途によって種々利用することもできる。窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイア、スピネル、SiC、Si、ZnOやGaN単結晶等の材料が用いられる。結晶性のよい窒化ガリウムを量産性よく形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でN型導電性を示す。なお、発光効率を向上させる等所望のN型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、N型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。一方、P型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、P型ドーパンドであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。窒化ガリウム系半導体は、P型ドーパントをドープしただけではP型化しにくいためP型ドーパント導入後に、炉による加熱、低電子線照射やプラズマ照射等によりアニールすることでP型化させる必要がある。こうして形成された半導体ウエハーを部分的にエッチングなどさせ正負の各電極を形成させる。その後半導体ウエハーを所望の大きさに切断することによって半導体発光素子を形成させることができる。照明用途では290μm角、350μm角、500μm角、1mm角などの正方形や、300×700μm、500×1000μmなどの長方形の半導体発光素子を好適に使用することができる。バックライト用途では長方形のパッケージ形状が多用されるため、それに合わせて上記照明用途のうち長方形の半導体発光素子を好適に使用することが出来る。中でも多用される外形6×3mmのパッケージに合わせて500×1000μmの半導体発光素子を用いると、発光効率、コストのバランスが良く特に好ましい。半導体発光素子5は、必要に応じて複数個用いることができ、その組み合わせによって白色表示における演色性を向上させることもできる。なお、発光効率を向上させるために、発光層直下に蒸着等により金属反射膜を設けサファイア等の基板を剥離除去し、新たな支持基板となるGeやSiなどのウエハーに貼り替えた裏面メタル反射層付きの半導体発光素子を用いることもできる。封止材封止材4を構成する封止材用樹脂組成物として熱硬化性樹脂組成物を使用することが好ましい。これによって、半導体発光装置用パッケージ7を形成する樹脂成形体2の熱硬化性シリコーン樹脂組成物と封止材4を構成する封止材用熱硬化性樹脂組成物とはそれぞれ熱硬化性樹脂である点で共通するため、化学的性質や膨張係数などの物理的性質が近似していることから密着性がよく、樹脂成形体2と封止材4との界面での剥離を防止することができる。封止材4の主成分の熱硬化性樹脂としては、透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光装置1を封止することができる樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等が例示され、その一種又は二種以上が使用できる。この中でもエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が透明性、電気絶縁性に優れ、化学的に安定な点で好ましく、特にシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂は耐光性、耐熱性に優れ前記樹脂成形体と同種類の樹脂であることから密着性等に優れ好適に使用される。封止材4は、半導体発光素子5を保護するため硬質のものが好ましい。本発明の樹脂成形体2は2官能ケイ素を多く含み応力緩和能に優れるので、硬質の封止材4との接着面において外部応力や繰り返し点灯使用による剥離を起こしにくい。一方、特に熱衝撃が激しい環境で使用する場合には封止材4自身がクラックや電極剥離を起こしやすいので、封止材4としてショアA15~60程度のゴム弾性有する柔軟なものを好ましく用いることが出来る。封止材4は、所望の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光体、反射性物質からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。ここで用いることができる拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等が好ましい。また、所望外の波長の光をカットする目的で有機や無機の染料や顔料を含有させることができる。更に、封止材4に、半導体発光素子5からの光の波長を変換する蛍光体の一種又は二種以上を含有させることも好ましい。また、封止材4は上記の助剤以外に紫外線吸収剤、及び酸化防止剤を含んでいてもよい。蛍光体以下に説明する蛍光体と、封止材4との組成物を、樹脂成形体2の凹部8に注入して成型したり、適当な透明支持体に薄膜上に塗布したりすることにより、波長変換部材として用いることができる。蛍光体としては、上述の半導体発光素子5の発する光に直接的または間接的に励起され、異なる波長の光を発する物質であれば特に制限はなく、無機系蛍光体であっても有機系蛍光体であっても用いることができる。例えば、以下に例示するような青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、橙色ないし赤色蛍光体の1種または2種以上を用いることができる。所望の発光色を得られるよう、用いる蛍光体の種類や含有量を適宜調整することが好ましい。青色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常420nm以上、中でも430nm以上、更には440nm以上、また、通常490nm以下、中でも480nm以下、更には470nm以下の範囲にあるものが好ましい。具体的には、Ca,Sr,BaMgAl10O17:Eu、Sr,Ca,Ba,Mg10PO46Cl,F2:Eu、Ba,Ca,Mg,Sr2SiO4:Eu、Sr,Ca,Ba,Mg10PO46Cl,F2:Eu、Ba,Ca,Sr3MgSi2O8:Euが好ましく、Ba,SrMgAl10O17:Eu、Ca,Sr,Ba10PO46Cl,F2:Eu、Ba3MgSi2O8:Euがより好ましい。緑色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常500nm以上、中でも510nm以上、更には515nm以上、また、通常550nm以下、中でも542nm以下、更には535nm以下の範囲にあるものが好ましい。具体的には、Y3Al,Ga5O12:Ce、CaSc2O4:Ce、Ca3Sc,Mg2Si3O12:Ce、Sr,Ba2SiO4:Eu、β型サイアロン、Ba,Sr3Si6O12:N2:Eu、SrGa2S4:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mnが好ましい。黄色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常530nm以上、中でも540nm以上、更には550nm以上、また、通常620nm以下、中でも600nm以下、更には580nm以下の範囲にあるものが好適である。黄色蛍光体としては、Y3Al5O12:Ce、Y,Gd3Al5O12:Ce、Sr,Ca,Ba,Mg2SiO4:Eu、Ca,SrSi2N2O2:Eu、La,Y,Gd,Lu3Si,Ge6N11:Ceが好ましい。橙色ないし赤色蛍光体としては、発光ピーク波長が、通常570nm以上、中でも580nm以上、更には585nm以上、また、通常780nm以下、中でも700nm以下、更には680nm以下の範囲にあるものが好ましい。具体的には、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Ca,Sr,BaSiN,O2:Eu、Ca,Sr,BaAlSiN,O3:Eu、Sr,Ba3SiO5:Eu、Ca,SrS:Eu、La,Y2O2S:Eu、Euジベンゾイルメタン31,10-フェナントロリン錯体等のβ-ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、K2SiF6:Mnが好ましく、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Sr,CaAlSiN,O:Eu、La,Y2O2S:Eu、K2SiF6:Mnがより好ましい。また、橙色蛍光体としては、Sr,Ba3SiO5:Eu、Sr,Ba2SiO4:Eu、Ca,Sr,Ba2Si5N,O8:Eu、Ca,Sr,BaAlSiN,O3:Ceが好ましい。以上のように、本実施形態における半導体発光装置用パッケージ7においては、樹脂成形体2の第1面2aから第2面2bをまでを貫通して第2面2bに沿って延びている第1延出リード部14aを第1リードフレーム3aが備えているため、第1リードフレーム3a自体の剛性が増大し、これにともない半導体発光装置用パッケージの剛性も増大する。このため、半導体発光装置用パッケージ7の放熱特性、機械的強度の向上を図ることができている。従って、樹脂成形体に比較的に柔らかい材料が用いられたとしても、第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bのゆがみや半導体発光装置用パッケージ7全体のゆがみが発生することがない。また、本実施形態における半導体発光装置用パッケージ7を用いて半導体発光素子5を搭載し、超音波を当ててボンディングワイヤを溶融させてワイヤボンディングを施す場合に、半導体発光装置用パッケージ7自体における超音波の吸収が低減されるため、ワイヤボンディングの安定性が向上することになる。本発明の半導体発光装置用パッケージは放熱が良く強度に優れ、高耐久性、高反射率であるため、高輝度照明や液晶バックライトなど、高放熱、高効率が求められる用途に好適に用いることが出来る。液晶バックライト用途においては、長辺:短辺比が2:1~4:1の長方形のパッケージ形状を好適に使用することが出来る。具体的には5×3mm、6×3mm、7×3mm、7×2mmなどが例示され、中でも6×3mmが成形しやすく、500×1000μm等の半導体発光素子と組み合わせて高効率な光学設計が出来るため好ましい。高輝度照明用途においては、当該長方形のパッケージ形状に加えて正方形のパッケージ形状を好適に使用することができ、例えば5mm角や7mm角、10mm角程度のパッケージに1~10個の半導体発光素子を搭載して高輝度光源として使用する。10mm角を越える開口径大きなパッケージに10個を超える多数の半導体発光素子を搭載する時には、樹脂成形体中のリードフレームの面積も大きくし、必要に応じて後述の分岐構造や樹脂流れを良くしリードフレームとの接着性を向上させるモールドロック穴を併用してパッケージの構造強化をはかることができる。変形例上述した第1実施形態の第1リードフレーム3aにおいては、第1外部リード部12aが樹脂成形体2の第2面2bに沿って延び、第1連結リード部13aが第1外部リード部12aの一端から第1露出リード部11aに向かって斜め上方に延びていた。同様に、第1実施形態の第2リードフレーム3bにおいては、第2外部リード部12bが樹脂成形体2の第2面2bに沿って延び、第2連結リード部13bが第2外部リード部12bの一端から第2露出リード部11bに向かって斜め上方に延びていた。しかしながら、このようなリードフレームの構造に限定されることはなく、例えば、図3に示すようなリードフレームの構造であってもよい。なお、図3は、このように第1実施形態とは異なる形態のリードフレームを有した半導体発光装置の断面図である。具体的には、第1外部リード部12a’が、樹脂成形体2の側面に沿ってすなわち、Z軸方向延びるとともに、その下面が樹脂成形体2の第2面2bと同一平面となる位置においては外側すなわち、-Y軸方向に延びている。また、第1連結リード部13a’が、第1露出リード部11aと同一平面内において、-Y軸方向に延びている。同様に、第2外部リード部12b’が、樹脂成形体2の側面に沿ってすなわち、Z軸方向延びるとともに、その下面が樹脂成形体2の第2面2bと同一平面となる位置においては外側すなわち、Y軸方向に延びている。また、第2連結リード部13b’が、第2露出リード部11bと同一平面内において、Y軸方向に延びている。その他の構造については、上述した第1実施形態と同一であるため、その他の部分の説明は省略する。また、このようなリードフレームの構造であっても、上述したような第1実施形態と同様の効果を得ることができる。<第2実施形態>第1実施形態においては、第1リードフレーム3aのみが延出リード部を備えていたが、第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bの両者が延出リード部を備えていてもよい。また、外部リード部と露出リード部とを連結する連結リード部が分岐し、分岐した連結リード部のそれぞれに露出リード部が接続された形状であってもよい。このようなリードフレームを有する半導体発光装置20を図4a~dを参照しつつ詳細に説明する。ここで、図4aは半導体発光装置20の平面図であり、図4bは図4aの線IVb-IVbに沿った断面図であり、図4cは図4aの線IVc-IVcに沿った断面図であり、図4dは、半導体発光装置20を上方から目視した際のリードフレームの平面図である。なお、図1及び図2と同様に、半導体発光装置20の幅方向をX方向、長手方向をY方向、高さ方向をZ方向と定義する。また、第1実施形態と同一の構成部分については、同一符号を付し、その説明を省略する。図4a~dに示すように、第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bは互いに噛み合うように配置され、全体としてY軸方向に延びている。そして、半導体発光素子5が、第1リードフレーム21a上に搭載されている。図4a~dに示すように、樹脂成形体2の第2面2bには、第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bが露出している。また、樹脂成形体2の第2面2bの側部から外側に向かって第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bが突出している。図4bに示すように、第1リードフレーム21aは、全体的に折り曲げられて形成されており、樹脂成形体2の凹部8の底面から露出している第1露出リード部22a、樹脂成形体2の外部に位置する第1外部リード部23a、第1露出リード部22aの一端すなわち、-Y軸方向側の端部と第1外部リード部23aとを連結する第1連結リード部24a、及び第1露出リード部22aの他端すなわち、Y軸方向側の端部から樹脂成形体2の第2面2bに向かって延びるとともに当該第2面2bからその下面を露出し、更に第2面2bに沿って延びている第1延出リード部25aから構成されている。従って、第1リードフレーム21aは、一部がZ方向に突出した凸状の折り曲げ構造を有している。より具体的には、第1露出リード部22aは、凹部8の底面からその上面を露出するように平坦に形成されている。第1露出リード部22a上には、半導体発光素子5が搭載されている。また、第1露出リード部22aの表面にボンディングワイヤ6が接続され、ボンディングワイヤ6によって第1露出リード部22aと半導体発光素子5の外部電極の一方が電気的に接続されている。第1外部リード部23aは、その下面を第2面2bに露出し、樹脂成形体2の第2面2bに沿って平坦に形成されている。ここで、第1外部リード部23aとは、樹脂成形体2の第2面2bに露出している部分を含んでいる。第1連結リード部24aは、第1外部リード部23aと、第1外部リード部23aよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第1露出リード部22aとを連結するように、第1外部リード部23aの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第1外部リード部23aと第1露出リード部22aとの位置関係によっては、第1連結リード部24aは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第1連結リード部24aを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。第1延出リード部25aは、第1連結リード部24aに接続している第1露出リード部22aの端部とは反対側の端部から樹脂成形体2を貫通するように延びている。具体的には、第1延出リード部25aは、樹脂成形体2の凹部8の底面から樹脂成形体2の第2面2bに向かって斜め下方に延びている。更に、第2面2bからその下面が露出した第1延出リード部25aは、その下面を露出し、第2面2bに沿っても延びている。すなわち、第1延出リード部25aは、折り曲げ構造を有している。なお、第1露出リード部22aと第1延出リード部25aの第2面2bに沿って延びている部分との位置関係によっては、第1延出リード部25aは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第1延出リード部25aを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。従って、第1延出リード部25aは、実装する配線基板と充分に熱的接続ができるならば第2面2bに沿って延びず、単に第2面2bから露出しているだけでも良い。図4cに示すように、第2リードフレーム21bは、全体的に折り曲げられて形成されており、樹脂成形体2の凹部8の底面からその上面を露出している第2露出リード部22b、22c、樹脂成形体2の外部に位置する第2外部リード部23b、及び第2露出リード部22b、22cのそれぞれの一端すなわち、Y軸方向側の端部と第2外部リード部23bとを連結する第2連結リード部24b、24c及び第2露出リード部22b、22cの他端すなわち、-Y軸方向側の端部から樹脂成形体2の第2面2bに向かって延びるとともに当該第2面2bからその下面を露出し、更に第2面2bに沿って延びている第2延出リード部25b、25cから構成されている。従って、第2リードフレーム21bは、2つの第2連結リード部24b、24cが第2外部リード部23bで分岐した構造を有している。より具体的には、第2露出リード部22b、22cは、凹部8の底面からその上面を露出するように平坦に形成されている。第2露出リード部22b、22cの表面にはボンディングワイヤ6が接続され、ボンディングワイヤ6によって第2露出リード部22b、22cと半導体発光素子5の外部電極の一方が電気的に接続されている。第2外部リード部23bは、その下面を第2面2bに露出し、樹脂成形体2の第2面2bに沿って平坦に形成されている。ここで、第2外部リード部23bとは、樹脂成形体2の第2面2bに露出している部分を含んでいる。第2連結リード部24b、24cは、第2外部リード部23bと、第2外部リード部23bよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第2露出リード部22b、22cとを連結するように、第2外部リード部23bの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第2外部リード部23bと第2露出リード部22b、22cとの位置関係によっては、第2連結リード部24b、24cは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第2連結リード部24b、24cを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。第2延出リード部25b、25cは、第2連結リード部24b、24cに接続している第2露出リード部22b、22cの端部とは反対側の端部から樹脂成形体2を貫通するように延びている。具体的には、第2延出リード部25b、25cは、樹脂成形体2の凹部8の底面から樹脂成形体2の第2面2bに向かって斜め下方に延びている。更に、第2面2bからその下面を露出した第2延出リード部25b、25cは、その下面を露出し、第2面2bに沿っても延びている。すなわち、第2延出リード部25b、25cは、折り曲げ構造を有している。なお、第2露出リード部22b、22cと第2延出リード部25b、25cの第2面2bに沿って延びている部分との位置関係によっては、第2延出リード部25b、25cは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第2延出リード部25b、25cを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。従って、第2延出リード部25b、25cは、実装する配線基板と充分に熱的接続ができるならば第2面2bに沿って延びず、単に第2面2bから露出しているだけでも良い。また、図4dに示すように、第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bを同一平面例えば、樹脂成形体2の第2面2b上に投影した場合に、第1リードフレーム21aの第1延出リード部25aが、第2リードフレーム21bの第2露出リード部22b及び第2連結リード部24bと、第2リードフレーム21bの第2露出リード部22c及び第2連結リード部24cとの間に挟まれている。すなわち、第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bを樹脂成形体2の第2面2b上に投影した場合に、第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bが相互に離間しつつ噛み合っている。上述したように、第1リードフレーム21aの第1外部リード部23aの下面、第2リードフレーム21bの第2外部リード部23bの下面、並びに樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部25aの一部の下面及び第2延出リード部25b、25cの一部の下面は、樹脂成形体2の第2面2bに沿って延び、第2面2bと同一平面上に位置している。従って、樹脂成形体2の第2面2b側は平坦面であり、第1リードフレーム21aの第1外部リード部23aの下面、第2リードフレーム21bの第2外部リード部23bの下面、並びに樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部25aの一部の下面及び第2延出リード部25b、25cの一部の下面は、半導体発光装置20が搭載されることになる実装基板の表面に対して、当接可能な位置に配置されている。なお、第1リードフレーム21aの第1外部リード部23a、第2リードフレーム21bの第2外部リード部23b、並びに樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部25aの一部及び第2延出リード部25b、25cの一部が実装基板の表面の形状に対応し、当該平面に対して当接可能であれば、樹脂成形体2の第2面2bと同一平面上に位置していなくてもよい。なお、本実施形態においては、第1外部リード部23a及び第2外部リード部23bをアウターリードと定義し、第1露出リード部22a、第2露出リード部22b、22c、第1連結リード部24a、第2連結リード部24b、24c、第1延出リード部25a及び第2延出リード部25b、25cをインナーリードとも定義してもよい。但し、第1延出リード部25a及び第2延出リード部25b、25cは、半導体発光装置用パッケージが搭載される基板に応じて、アウターリードと定義できる場合もある。以上のように、本実施形態における半導体発光装置用パッケージにおいては、樹脂成形体2の第1面2aから第2面2bをまでを貫通して第2面2bに沿って延びている第1延出リード部25aを第1リードフレーム21aが備えるとともに、樹脂成形体2の第1面2aから第2面2bをまでを貫通して第2面2bに沿って延びている第2延出リード部25b、25cを第2リードフレーム21bが備えているため、第1リードフレーム21a自体及び第2リードフレーム21b自体の剛性が増大し、これにともない半導体発光装置用パッケージの剛性も増大する。このため、半導体発光装置用パッケージの放熱特性、機械的強度の向上を図ることができている。従って、樹脂成形体に比較的に柔らかい材料が用いられたとしても、第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bのゆがみや半導体発光装置用パッケージ全体のゆがみが発生することがない。また、本実施形態における半導体発光装置用パッケージを用いて半導体発光素子を搭載し、超音波を当ててボンディングワイヤを溶融させてワイヤボンディングを施す場合にも、半導体発光装置用パッケージ自体における超音波の吸収が低減されるため、ワイヤボンディングの安定性が向上することになる。変形例なお、第2実施形態における第1リードフレーム21a及び第2リードフレーム21bの構造は、第1実施形態の変形例における第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bと同様の構造であってもよい。すなわち、第1外部リード部23a及び第2外部リード部23bの一部が樹脂成形体2の側面に沿って延び、第1連結リード部24a、第2連結リード部24b及び24cがY軸方向に沿って延びていてもよい。<第3実施形態>第2実施形態においては、第1リードフレーム、第2リードフレームのうち一方の連結リード部が分岐し、分岐した連結リード部のそれぞれに露出リード部が接続された形状であったが、第1リードフレーム及び第2リードフレームの双方の外部リード部と露出リード部とを連結する連結リード部が分岐し、分岐した連結リード部のそれぞれに露出リード部が接続された形状であってもよい。このようなリードフレームを有する半導体発光装置30を図5及び図6a~cを参照しつつ詳細に説明する。ここで、図5は半導体発光装置30の平面図である。また、図6aは図5の線VIa-VIaに沿った断面図であり、図6bは図5の線VIb-VIbに沿った断面図であり、図6cは半導体発光装置30を上方から目視した際のリードフレームの平面図である。なお、図1及び図2と同様に、半導体発光装置30の幅方向をX方向、長手方向をY方向、高さ方向をZ方向と定義する。また、リードフレーム以外の構造は第1実施形態又は第2実施形態と同一であるため、リードフレーム以外の構成部分については、同一符号を付し、その説明を省略する。図5及び図6a~cに示すように、第1リードフレーム31aは、全体的に折り曲げられて形成されており、樹脂成形体2の凹部8の底面から露出している第1露出リード部32a、32b、32c、樹脂成形体2の外部に位置する第1外部リード部33a、第1露出リード部32a、32b、32cのそれぞれの一端すなわち、-Y軸方向側の端部と第1外部リード部33aとを連結する第1連結リード部34a、34b、34c、及び第1露出リード部32cの他端すなわち、Y軸方向側の端部から樹脂成形体2の第2面2bに向かって延びるとともに当該第2面2bから露出している第1延出リード部35aから構成されている。従って、第1リードフレーム31aは、3つの第1連結リード部34a、34b、34cが第1外部リード部33aで分岐した構造を有している。より具体的には、第1露出リード部32a~32cは、凹部8の底面からその上面が露出するように平坦に形成されている。第1露出リード部32c上には、半導体発光素子5が搭載されている。また、第1露出リード部32a、32bの表面にボンディングワイヤ6が接続され、ボンディングワイヤ6によって第1露出リード部32a、32bと半導体発光素子5の外部電極の一方が電気的に接続されている。第1外部リード部33aは、その下面を第2面2bに露出し、樹脂成形体2の第2面2bに沿って平坦に形成されている。ここで、第1外部リード部33aとは、樹脂成形体2の第2面2bに露出している部分を含んでいる。第1連結リード部34aは、第1外部リード部33aと、第1外部リード部33aよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第1露出リード部32aとを連結するように、第1外部リード部33aの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第1外部リード部33aと第1露出リード部32aとの位置関係によっては、第1連結リード部34aは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第1連結リード部34aを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。第1連結リード部34aと同様に、第1連結リード部34bは、第1外部リード部33aと、第1外部リード部33aよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第1露出リード部32bとを連結するように、第1外部リード部33aの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第1外部リード部33aと第1露出リード部32bとの位置関係によっては、第1連結リード部34bは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第1連結リード部34bを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。第1連結リード部34a、34bと同様に、第1連結リード部34cは、第1外部リード部33aと、第1外部リード部33aよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第1露出リード部32cとを連結するように、第1外部リード部33aの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第1外部リード部33aと第1露出リード部32cとの位置関係によっては、第1連結リード部34cは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第1連結リード部34cを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。第1延出リード部35aは、第1連結リード部34cに接続している第1露出リード部32cの端部とは反対側の端部から樹脂成形体2を貫通するように延びている。具体的には、第1延出リード部35aは、樹脂成形体2の凹部8の底面から樹脂成形体2の第2面2bに向かって斜め下方に延びている。更に、第2面2bからその下面が露出した第1延出リード部35aは、第2面2bに沿っても延びている。すなわち、第1延出リード部35aは、折り曲げ構造を有している。なお、第1露出リード部32cと第1延出リード部35aの第2面2bに沿って延びている部分との位置関係によっては、第1延出リード部35aは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第1延出リード部35aを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。従って、第1延出リード部35aは、実装する配線基板と充分に熱的接続ができるならば第2面2bに沿って延びず、単に第2面2bから露出しているだけでも良い。図5及び図6a~cに示すように、第2リードフレーム31bは、全体的に折り曲げられて形成されており、樹脂成形体2の凹部8の底面からその上面を露出している第2露出リード部32d、32e、樹脂成形体2の外部に位置する第2外部リード部33b、及び第2露出リード部32d、32eのそれぞれの一端すなわち、Y軸方向側の端部と第2外部リード部33bとを連結する第2連結リード部34d、34eから構成されている。従って、第2リードフレーム31bは、2つの第2連結リード部34d、34eが第2外部リード部33bで分岐した構造を有している。より具体的には、第2露出リード部32d、32eは、凹部8の底面からその上面を露出するように平坦に形成されている。また、第2露出リード部32d、32eの表面にボンディングワイヤ6が接続され、ボンディングワイヤ6によって第2露出リード部32d、32eと半導体発光素子5の外部電極の一方が電気的に接続されている。第2外部リード部33bは、その下面を第2面2bに露出し、樹脂成形体2の第2面2bに沿って平坦に形成されている。ここで、第2外部リード部33bとは、樹脂成形体2の第2面2bに露出している部分を含んでいる。第2連結リード部34dは、第2外部リード部33bと、第2外部リード部33bよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第2露出リード部32dとを連結するように、第2外部リード部33bの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第2外部リード部33bと第2露出リード部32dとの位置関係によっては、第2連結リード部34dは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第2連結リード部34dを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。第2連結リード部34dと同様に、第2連結リード部34eは、第2外部リード部33bと、第2外部リード部33bよりも上方すなわち、Z軸方向側に位置する第2露出リード部32eとを連結するように、第2外部リード部33bの一端から斜め上方に向かって延びている。なお、第2外部リード部33bと第2露出リード部32eとの位置関係によっては、第2連結リード部34eは、Z軸方向に沿って延びていてもよい。第2連結リード部34eを短くすることにより、本発明の半導体発光装置用パッケージの熱抵抗を低くすることができる。また、図6cに示すように、第1リードフレーム31a及び第2リードフレーム31bを同一平面例えば、樹脂成形体2の第2面2b上に投影した場合に、第1リードフレーム31aの第1延出リード部35aが、第2リードフレーム31bの第2露出リード部32d及び第2連結リード部34dと、第2リードフレーム31bの第2露出リード部32e及び第2連結リード部34eとの間に挟まれている。すなわち、第1リードフレーム31a及び第2リードフレーム31bを樹脂成形体2の第2面2b上に投影した場合に、第1リードフレーム31a及び第2リードフレーム31bが相互に離間しつつ噛み合っている。上述したように、第1リードフレーム31aの第1外部リード部33a、第2リードフレーム31bの第2外部リード部33b、及び樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部35aの一部の各下面は、樹脂成形体2の第2面2bに沿って延び、第2面2bと同一平面上に位置している。従って、第1リードフレーム31aの第1外部リード部33a、第2リードフレーム31bの第2外部リード部33b、及び樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部35aの一部の各下面は、半導体発光装置30が搭載されることになる実装基板の表面に対して、当接可能な位置に配置されている。なお、第1リードフレーム31aの第1外部リード部33a、第2リードフレーム31bの第2外部リード部33b、及び樹脂成形体2の第2面2bから露出した第1延出リード部35aの一部の各下面が実装基板の表面の形状に対応し、当該表面に対して当接可能であれば、樹脂成形体2の第2面2bと同一平面上に位置していなくてもよい。なお、本実施形態においては、第1外部リード部33a及び第2外部リード部33bをアウターリードと定義し、第1露出リード部32a、32b、32c、第2露出リード部32d、32e、第1連結リード部34a、34b、34c、第2連結リード部34d、34e、及び第1延出リード部35aをインナーリードとも定義してもよい。但し、第1延出リード部35aは、半導体発光装置用パッケージが搭載される基板に応じて、アウターリードと定義できる場合もある。以上のように、本実施形態における半導体発光装置用パッケージにおいては、樹脂成形体2の第1面2aから第2面2bをまでを貫通して第2面2bに沿って延びている第1延出リード部35aを第1リードフレーム31aが備えているため、第1リードフレーム31a自体及び第2リードフレーム31b自体の剛性が増大し、これにともない半導体発光装置用パッケージの剛性も増大する。このため、半導体発光装置用パッケージの放熱特性、機械的強度の向上を図ることができている。従って、樹脂成形体に比較的に柔らかい材料が用いられたとしても、第1リードフレーム31a及び第2リードフレーム31bのゆがみや半導体発光装置用パッケージ全体のゆがみが発生することがない。また、本実施形態における半導体発光装置用パッケージを用いて半導体発光素子を搭載し、超音波を当ててボンディングワイヤを溶融させてワイヤボンディングを施す場合にも、半導体発光装置用パッケージ自体における超音波の吸収が低減されるため、ワイヤボンディングの安定性が向上することになる。また、第1リードフレーム31a及び第2リードフレーム31bを樹脂成形体2の第2面2bに投影した際に、第1リードフレーム31a及び第2リードフレーム31bが相互に離間して噛み合っているため、半導体発光装置用パッケージの機械的強度の向上を更に図ることができることになる。変形例なお、第3実施形態における第1リードフレーム31a及び第2リードフレーム31bの構造は、第1実施形態の変形例における第1リードフレーム3a及び第2リードフレーム3bと同様の構造であってもよい。すなわち、第1外部リード部33a及び第2外部リード部33bの一部が樹脂成形体2の側面に沿って延び、第1連結リード部34a~34c及び第2連結リード部34d、34eがY軸方向に沿って延びていてもよい。<実施例>以下に、本発明の半導体発光装置である実施例と、従来の半導体発光装置である比較例と、様々な特性及び試験によって比較し、評価を行った。当該評価においては、2種類の実施例及び4種類の比較例を製造し、樹脂成形体材料の反射率の評価、樹脂成形体材料の粘度の評価、樹脂成形体材料の2官能ケイ素含有率の評価、樹脂成形体材料のショアD硬度の評価、半導体発光装置の放熱シミュレーション、半導体発光装置の点灯試験、半導体発光装置用パッケージの圧縮応力試験、半導体発光装置用パッケージのねじり応力試験、及び半導体発光装置用パッケージのワイヤボンディング安定性試験を行った。以下に、各実施例及び比較例の構造及び製造方法を説明する。実施例1本発明の半導体発光装置としての実施例1の構造は、上述した第3実施形態図5及び図6と同一である。以下に、各構成部材の具体的な材料及び製造方法を説明する。樹脂成形体の材料の1つとして、ビニル基含有ポリジメチルシロキサンビニル基:0.3mmol/g含有、粘度4700mPas。白金錯体触媒14ppm含有と、ヒドロシリル基含有ポリジメチルシロキサンビニル基:0.04mmol/g含有、ヒドロシリル基:4.8mmol/g含有、粘度700mPasと、硬化遅延成分硬化速度制御剤含有ポリジメチルシロキサンビニル基:0.2mmolg含有、ヒドロシリル基:0.1mmolg含有、アルキニル基:0.2mmolg含有、500mPasとを、100:10:5で混合し、白金濃度12.2ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサンを用いた。なお、この液状熱硬化性ポリオルガノシロキサンの屈折率は、1.41であった。次に、得られたポリジメチルシロキサン組成物35重量部に白色顔料としてα結晶径0.3μmであるアルミナ粒子60.3重量部、日本アエロジル株式会社製シリカ微粒子AEROSILRX2004.7重量部を計量し、自転公転式攪拌混合機にて、攪拌槽に23°Cの冷却水を流しながら、内容物が均一になるよう攪拌した。さらに真空状態で攪拌を行うことで脱泡し、液状熱硬化性白色シリコーン樹脂組成物を得た。かかる液状熱硬化性白色シリコーン樹脂組成物を樹脂成形体材料とした。以下、当該樹脂成形体材料を組成物Aとも称する。上述した硬化性白色シリコーン樹脂組成物と、全面銀メッキしあらかじめ折り曲げ加工を施した厚さ0.2mmの銅リードフレームとを、液状射出成形によってカップ状の表面実装型パッケージである半導体発光装置用パッケージを成形した。具体的な成形は、金型温度180°C、射出圧1000kg/cm2、硬化時間20秒間で行った。また、具体的な半導体発光装置用パッケージの形状は、樹脂成形体が縦3mm×横6mm×高さ1mmの凹部を有する長方形カップ状である。上述した半導体発光装置用パッケージを観察したところ、バリの発生はなく、ショートモールド、離型不良の無いパッケージであった。また、上述した半導体発光装置用パッケージを液体窒素で凍結した状態でミクロトームにより切削し、パッケージ断面のSEM観察を行った。断面に露出したアルミナの一次粒子径は0.3μm、一次粒子のアスペクト比は1.48であった。次に、400nmの発光波長を有する1mm角の半導体発光素子定格電流350mAを半導体発光装置用パッケージの凹部の底面に露出しているリードフレーム第1露出リード部32c上にシリコーンダイボンド材信越化学工業株製KER-3000-M2を介して配置した。その後、当該シリコーンダイボンド材を100°Cで1時間、さらに150°Cで2時間硬化させ、半導体発光素子を半導体発光装置用パッケージ上への搭載が完了した。その後、ボンディングワイヤとして金線を用い、当該金線によってリードフレーム第1露出リード部32a、32b、32d、32eと、半導体発光素子の外部電極とを接続した。次に、半導体発光装置用パッケージの凹部に、当該凹部の縁と同じ高さになるように、封止材を滴下し、当該凹部に封止材を充填した。ここで、以下の方法によって封止材を得た。モメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン合同会社製両末端シラノールジメチルシリコーンオイルXC96-723を385g、メチルトリメトキシシランを10.28g、及び、触媒としてジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末0.791gを、攪拌翼と、分留管、ジムロートコンデンサ及びリービッヒコンデンサとを取り付けた500ml三つ口フラスコ中に計量し、室温にて15分間触媒の粗大粒子が溶解するまで攪拌した。この後、反応液を100°Cまで昇温して触媒を完全溶解し、ジムロートコンデンサを用いて100°C全還流下で30分間500rpmで攪拌しつつ初期加水分解を行った。続いて留出ラインをリービッヒコンデンサ側に切り替えて、窒素をSV20で液中に吹き込み生成メタノール及び水分、副生する低沸点ケイ素化合物を窒素に随伴させて留去しつつ100°C、500rpmにて1時間攪拌した。窒素をSV20で液中に吹き込みながらさらに130°Cに昇温、保持しつつ5時間重合反応を継続し、粘度120mPasの反応液を得た。なお、ここでSVとはSpaceVelocityの略称であり、単位時間当たりの窒素吹き込み体積を指す。例えば、SV20とは、1時間に反応液の20倍の体積のN2を吹き込むことをいう。窒素の吹き込みを停止し反応液をいったん室温まで冷却した後、ナス型フラスコに反応液を移し、ロータリーエバポレーターを用いてオイルバス上120°C、圧力1kPaで50分間、微量に残留しているメタノール及び水分、低沸点ケイ素化合物を留去し、粘度230mPasの無溶剤の封止材を得た。半導体発光装置用パッケージの凹部に封止材を充填した後、恒温器にて90°C×2時間、次いで110°C×1時間、150°C×3時間の加熱処理を施し、封止材を硬化させ、半導体発光素子を封止した。これにより、実施例1の製造が完了した。実施例2本発明の半導体発光装置としての実施例2の構造は、上述した第3実施形態の変形例と同一であり、すなわち、リードフレームが樹脂成形体の側面から露出し、当該側面に沿って延び且つ樹脂成形体の第2面に沿って外側にも延びた構造である。その他の具体的な材料及び製造方法については、実施例1と同一であるため、その具体的な説明は省略する。比較例1従来の半導体発光装置としての比較例1の構造は、上述した第3実施形態の半導体発光装置の第1延出リード部35aがない構造と同一である。すなわち、比較例1は、実施例1の延出リード部第1延出リード部35aがないだけであり、その他の構造及び材料は同一である。よって、比較例1の具体的な材料及び製造方法は、実施例1とほぼ同一であるため、その具体的な説明は省略する。比較例2従来の半導体発光装置としての比較例2の構造は、上述した第3実施形態の変形例の半導体発光装置の第1延出リード部35aがない構造と同一である。すなわち、比較例2は、実施例2の延出リード部第1延出リード部35aがないだけであり、その他の構造及び材料は同一である。よって、比較例2の具体的な材料及び製造方法は、実施例1及び実施例2とほぼ同一であるため、その説明は省略する。比較例3従来の半導体発光装置としての比較例3は、図7a、bで示されている構造を有する。ここで、図7aは比較例3の平面図であり、図7bは図7aの線VII-VIIに沿った断面図である。なお、図1及び図2と同様に、比較例3の幅方向をX方向、長手方向をY方向、高さ方向をZ方向と定義する。具体的には、比較例3は、樹脂成形体52、第1リードフレーム53a、第2リードフレーム53b、封止材54、半導体発光素子55、ボンディングワイヤ56を有している。より具体的には、比較例3は、樹脂成形体52、第1リードフレーム53a、及び第2リードフレーム53b、を一体成形することによって得られる半導体発光装置用パッケージ57の素子搭載部分である凹部58内に半導体発光素子55が搭載され、当該半導体発光素子55の外部電極図示せずそれぞれがボンディングワイヤ56を介して、第1リードフレーム53a及び第2リードフレーム53bに接続されている。また、半導体発光装置用パッケージ57に搭載された半導体発光素子55の周囲を覆い且つ凹部58を充填するように封止材54が設けられている。比較例3と実施例1、2、3との大きな相違点は、第1リードフレーム53a及び第2リードフレーム53bが折り曲げてられていない点である。すなわち、比較例3には、平板状のリードフレームが使用されている。比較例3を構成する各部材の材料は、実施例1と同一であるため、材料及び製造方法の具体的説明は省略する。比較例4従来の半導体発光装置としての比較例4の構造は、比較例3と同一である。比較例4と比較例3の相違点は、樹脂成形体の材料のみである。具体的な比較例4の樹脂成形体の材料としては、クラレ株式会社製のポリフタルアミド樹脂組成物であるジェネスタ登録商標TA112チタニア、ガラス繊維含有を用いた。以下、当該ポリフタルアミド樹脂組成物を組成物Bとも称する。この樹脂は、シリンダー温度310~320°C、金型温度135~145°C、射出圧力750kg/cm2、冷却時間7秒とし、他は実施例1と同様の条件にて、成形することができる。その他の部材は、実施例1と同一であるため、他の材料及び製造方法の説明は省略する。<半導体発光装置の評価>反射率の評価実施例1、2及び比較例1~3で用いた組成物Aを熱プレス機にて温度150°C、時間180秒の条件で硬化させ、直径13mmの円形のテストピースを作製した。比較例4で用いた組成物Bの1mm厚の板を約10mm角の大きさに切り出したものを、テストピースとした。各テストピースについて、コニカミノルタ株製SPECTROPHOTOMETERCM-2600dを用いて、測定径6mmにて360nm~740nmの波長における反射率を測定した。リード電極の反射率の値と合わせて、測定結果を表1に示す。組成物Aは、半導体発光素子の発光波長である紫外から可視にいたる全領域において、組成物B及びリードフレームの表面に用いられる銀より高い反射率を示した。従って、半導体発光素子から発せられる光の波長にかかわらず、組成部B、及びリードフレーム銀メッキが多く露出したパッケージと比較して、組成物Aを使用した樹脂成形体を備える半導体発光装置用パッケージを用いれば、高輝度の半導体発光装置を提供することができる。特に、紫外光を含む光を発する半導体発光装置において、組成物Aを使用した樹脂成形体を備える半導体発光装置用パッケージを好適に使用できると考えられる。また、組成物Aは、リードフレーム銀メッキよりも高い反射率を有するため、半導体発光装置用パッケージの凹部において、リードフレームの露出面積を小さくすることにより、高輝度の半導体発光装置が得られると考えられる。粘度の評価実施例1、2及び比較例1~3で用いた組成物Aについて、レオメトリクス社製RMS-800にてパラレルプレートを用い、測定温度25°Cで粘度測定を行った。その結果を表2、及び図8に示す。当該評価結果から、実施例1、2及び比較例1~3で用いた組成物Aは、25°Cにおける剪断速度1s1及び100s1での粘度、並びにその傾きが樹脂成形体の液状射出成形に適していることがわかった。2官能ケイ素含有量の評価成形硬化前の組成物Aの構成成分であるビニル基含有ポリジメチルシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリジメチルシロキサン、及び硬化遅延成分硬化速度制御剤含有ポリジメチルシロキサンのそれぞれについての2官能ケイ素含有量を算出し、組成物Aを形成する際の各材料の重量比に応じて算出した値を、実施例1、2及び比較例1~3の樹脂成形体における2官能ケイ素含有量とした。具体的には、先ず、成形硬化前の組成物Aの全ケイ素含有量を以下の方法で算出した。より具体的には、組成物Aの構成成分であるビニル基含有ポリジメチルシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリジメチルシロキサン、及び硬化遅延成分の混合液に硫酸を加え乾式分解を行い、その後に炭酸ナトリウムとホウ酸を加えてアルカリ溶融した。アルカリ溶融後に、冷却処理を施し、超純粋と塩酸を加え加温溶解し、その後にその溶液を用いてICP-AES堀場製作所製JY-138ULtraceにて全ケイ素含有量測定した。次に、緩和促進剤としてTriscromiumIIIを使用し、テトラメチルシランを基準物質として、下記測定条件にて液体29Si-NMR測定を行って全ケイ素における2官能ケイ素の含有率を求めた。具体的には、フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについて、ローレンツ波形とガウス波形の混合により作成したピーク形状の中心位置、高さ、半値幅を可変パラメータとして、非線形最小二乗法により最適化計算を行い、得られたピーク面積比を元に、全ケイ素における2官能ケイ素の含有量を求めた。測定条件装置:日本電子製JNMAL400プローブ:TUNABLEスピン:オフ測定モード:NNESCAN:2048回Relaxationdelay:15秒試料管:10mmφテフロン登録商標製NMR試料管BF:10Hzリファレンスシグナル:TMSシグナル0ppm温度:常温溶媒:重アセトン測定時間:85時間一方、比較例4に用いられる組成物Bについての2官能ケイ素含有量は、以下の方法で測定した。具体的には、先ず、組成物Bからなる固形試料をあらかじめ粉砕し、粉砕した試料に硫酸を加え乾式分解を行い、その後に炭酸ナトリウムとホウ酸を加えてアルカリ溶融した。アルカリ溶融後に、冷却処理を施し、超純粋と塩酸を加え加温溶解し、その後にその溶液を用いてICP-AES堀場製作所製JY-138ULtraceにて全ケイ素含有量測定した。次に、粉砕した試料を用いて粉砕試料を用いて、下記条件にて固体29Si-NMR測定を行い、全ケイ素における2官能ケイ素の含有率を求めた。具体的には、フーリエ変換後のスペクトルの各ピークについて、ローレンツ波形とガウス波形の混合により作成したピーク形状の中心位置、高さ、半値幅を可変パラメータとして、非線形最小二乗法により最適化計算を行い、得られたピーク面積比を元に、全ケイ素における2官能ケイ素の含有量を求めた。測定条件装置:Varian社製VarianNMRSystems400WBプローブ:75mmφCPMAS用プローブ観測核:29Si測定法:DDMAS法29Si共鳴周波数:7943MHz1H共鳴周波数:39984MHz29Si90°パルス幅:5μs1Hデカップリング周波数:50HzMAS回転数:4kHz待ち時間:600sスペクトル幅:3949kHz測定温度:室温積算回数:128回上述した2官能ケイ素の含有量及び後述のショアD硬度の測定結果を表3に示す。なお、参考例とは、後述する他の組成からなる市販のメチルシリコーン系の樹脂成形体である。上述した測定結果から、実施例1、2及び比較例1~3で用いた組成物Aは2官能ケイ素を8.2重量含有し、ゴム弾性有するシリコーン系成形体であることがわかった。組成物Aによる樹脂成形体はそれ自体の機械的強度は低いが、本発明の各実施形態のリードフレームと組み合わせることにより、高い放熱特性が得られると共に、パッケージ全体としての強度が補強され、後述するようにワイヤボンディングの安定性も向上することになる。組成物Aからなる樹脂成形体は、可視光を発光する半導体発光装置においていずれも好適に適用することができる。更に、組成物Aからなる樹脂成形体は、耐熱耐光性に優れたゴム弾性によって衝撃緩和できることから、高輝度で発熱量の多い半導体発光装置、近紫外~紫外域の波長成分含む光を発光する半導体発光装置、温度衝撃の大きな半導体発光装置等においても好適に用いることができる。ショアD硬度の評価実施例1、2及び比較例1~3で用いた組成物Aからなる樹脂成形体の試験片を、200°Cの恒温器で10分間ポストキュアした後、試験片3枚を重ね、ゴムプラスチック硬度計KORIDurometerKR-25Dを用いて、試験片の中心付近のショアD硬度を測定した。実施例1、2及び比較例1~3で用いた組成物Aからなる樹脂成形体のショアD硬度は、約40であった。一方、比較例4で用いた組成物Bからなる樹脂成形体のショアD硬度も同様に、組成物Bからなる樹脂成形体の試験片を、200°Cの恒温器で10分間ポストキュアした後、試験片3枚を重ね、ゴムプラスチック硬度計KORIDurometerKR-25Dを用いて、試験片の中心付近のショアD硬度を測定した。比較例4で用いた組成物Bからなる樹脂成形体のショアD硬度は、約90以上であった。参考例なお、骨材としてのシリカ粒子も含めた樹脂成形体中のD2官能ケイ素/T3官能ケイ素/Q4官能ケイ素のケイ素比が11.1/33.2/55.9であり、フィラー込みの全ケイ素含有量が39重量、反射フィラーとして10.8重量のチタニアを含有し、トランスファー成形により成形された市販のメチルシリコーン系の半導体発光装置用パッケージの樹脂成形体についてもショアD硬度を同様の方法によって確認した。試験片が非常に硬く脆く測定中に試験片が割れたが、ショアD硬度は90以上と推定された。また、当該メチルシリコーン系の半導体発光装置用パッケージの樹脂成形体の2官能ケイ素含有量は、4.3重量で好ましい範囲より少なく、ゴム弾性は無く、実装時や機械搬送時に割れや欠けが多く、くずの出やすいものであった。放熱シミュレーション半導体発光装置のリードフレームが延出リード部を備えるか否か、及び樹脂成形体を構成する樹脂の種類と点灯時の放熱特性との関係を検討するため、以下の放熱シミュレーションを行った。放熱シミュレーションは熱流体解析ソフトウェアとしてSolidWorksFlowSimulationを用いて行った。放熱シミュレーションの対称となる半導体発光装置は、実施例1、実施例2、比較例1、及び比較例2とし、それぞれは、半導体発光素子光源、半導体発光装置用パッケージ、リードフレーム、ダイボンド層、及び封止材からなるものとした。また、半導体発光装置用パッケージ裏面に達した熱は、十分に放熱されるものとした。上述した放熱シミュレーション結果を表4に示す。実施例1及び実施例2のように延出リード部を有する場合には、比較例1及び比較例2のような延出リード部を有しない場合と比較して、半導体発光装置用パッケージの熱抵抗が大きく低下することがわかった。また、実施例1及び実施例2のように延出リード部を有する場合には、比較例1及び比較例2のような延出リード部を有しない場合と比較して、平衡時の半導体発光素子の温度が約10°Cほど低くなることがわかった。半導体発光装置は一定の電流が供給される場合に、半導体発光素子の温度が高くなるほど放射束が低下することが知られており、実施例1及び実施例2の半導体発光装置は、比較例1及び比較例2の半導体発光装置と比較して、優れた放熱性を有し、更には高い輝度特性を有すると考えられる。リードフレームの外部リード部の位置の相違による放熱性を検討すると、実施例1は、実施例2よりも低い熱抵抗を有することがわった。これは、リードフレームの半導体発光素子搭載箇所から外部リード部までの経路長が、実施例2よりも実施例1のほうが短いため、半導体発光素子の放熱が効率よく行われているためと考えられる。点灯試験実施例1及び比較例1の半導体発光装置のそれぞれをヒートシンク付の放熱基板上で実際に点灯させ、半導体発光装置のリードフレームが延出リード部を備えるか否かによる放熱特性の差が放射束に与える影響を評価した。具体的には、実施例1の半導体発光装置において、半導体発光装置用パッケージの裏面樹脂成形体の第2面に露出した、2つの外部リード部及び延出リード部を2cm×2cm、厚さ2mmのアルミベース放熱基板上にはんだ付けし、熱的電気的接続を取った。はんだはクリームはんだを使用し、260度10秒間リフローを行った。アルミベース放熱基板は、電極以外の実装面が白色ソルダーペーストに覆われたものを使用した。そして、熱伝導性絶縁シートを介してアルミベース放熱基板の裏面を2.5cm×2.5cm、厚さ1.5cmのアルミ製ヒートシンクにねじ止めし、点灯試験を行った。点灯試験は、当該ヒートシンク付の半導体発光装置用パッケージに350mAの駆動電流を通電し、点灯直後および点灯60秒後の放射束μWを測定した。なお、放射束の測定には、オーシャンオプティクス社製分光器USB2000積算波長範囲:350-800nm、受光方式:100mmφの積分球を用い、分光器本体を25°C恒温槽内に保持して測定した。比較例1の半導体発光装置においては、半導体発光装置用パッケージの裏面樹脂成形体の第2面に露出した、2つの外部リード部を2cm×2cm、厚さ2mmのアルミベース放熱基板上にはんだ付けし、熱的電気的接続を取った。その他の事項は、上述した実施例1の点灯試験と同様である。上述した放熱試験の結果を図9に示す。図9において、横軸は点灯からの経過時間秒であり、縦軸は放射束mWである。図9に示すように、実施例1の半導体発光装置の点灯初期の放射束は、比較例1の半導体発光装置の点灯初期の放射束よりも高かった。また、実施例1の半導体発光装置の放射束の経時低下は、比較例1の半導体発光装置の放射束の経時低下よりも小さかった。半導体発光素子からの熱が、外部リード部のみならず延出リード部からも放熱されることにより、実施例1の半導体発光装置においては、半導体発光素子の温度が低く保たれ、経時的な蓄熱が少なく、高輝度で立ち上がり応答性が得られたと考えられる。なお、当該実測結果は上述したシミュレーションの結果を正確に再現していることもわかった。以上のことから、本発明においては、延出リード部を設けて高い放熱性を確保することにより、蛍光体の温度消光を抑制でき、また半導体発光素子の発光波長放射束の温度依存性による初期輝度低下を抑制できる。更に、本発明によれば、半導体発光素子や蛍光体、封止部材、半導体発光装置用パッケージの樹脂成形体などの熱による経時劣化も防止し、長期にわたり高輝度な半導体発光装置を提供することが可能となっている。圧縮応力試験実施例1及び比較例3に係る半導体発光装置用パッケージを用いて、半導体発光装置用パッケージの長手方向図1等のY軸方向をA型ゴム硬度計の押針を用いて圧縮し、パッケージ破壊時の硬度指示値を読み取った。そして、別途台秤上で測定したA型ゴム硬度計の指示値と荷重の相関関係から、実際に測定された硬度計の指示値を荷重に換算し、破壊時の荷重を求めた。圧縮応力試験の結果として、実施例1に係る半導体発光装置用パッケージの圧縮破壊時の加重が356gであり、比較例3に係る半導体発光装置用パッケージの圧縮破壊時の加重が249gであった。すなわち、実施例1に係る半導体発光装置用パッケージの強度は、比較例3に係る半導体発光装置用パッケージの強度の約1.4倍であることがわかった。ねじり応力試験実施例1に係る半導体発光装置用パッケージ、比較例3に係る半導体発光装置用パッケージ、比較例4に係る半導体発光装置用パッケージについて、長手方向図1等のY軸方向の両端に露出する外部リード部を小型ピンセット2本でそれぞれ挟み、ねじり方向の力を加え、半導体発光装置用パッケージの変形や破壊の様子を観察した。ねじり応力試験の結果として、実施例1に係る半導体発光装置用パッケージには、変形や破損等が発生しなかった。一方、比較例3に係る半導体発光装置用パッケージ、及び比較例4に係る半導体発光装置用パッケージには、変形や破損等が発生していた。具体的には、Y軸方向における2つのリードフレームの境目において、半導体発光装置用パッケージが破断していた。実施例1に係る半導体発光装置用パッケージにおいて、連結リード部が折り曲げられた構造および分岐した構造を有するため、樹脂成形体からのリードフレームの抜け及び剥離が抑制され、更には2つのリードフレーム第1リードフレーム及び第2リードフレームの全体がパッケージの骨格構造として機能しパッケージの変形を抑制していたと考えられる。これにより、半導体発光装置用パッケージに応力を加えることで半導体発光装置用パッケージに多少の変形が発生しても、半導体発光装置用パッケージの形状が復元し、リードフレームの剥離及び半導体発光装置用パッケージの破断が生じなかったものと考えられる。また、実施例1に係る半導体発光装置用パッケージは、2つのリードフレームを樹脂成形体の第2面に投影した場合に、リードフレーム同士が離間しつつ互いに噛み合っているため、半導体発光装置用パッケージが2つのリードフレーム間において折れ曲がることなく、更には破断や変形が生じなかったものと考えられる。一方、比較例3に係る半導体発光装置用パッケージ、及び比較例4に係る半導体発光装置用パッケージにおいては、ねじり応力に対して容易にリードフレームが樹脂成形体から剥離し、2つのリードフレーム間において破断が発生した。これは、比較例3に係る半導体発光装置用パッケージ、及び比較例4に係る半導体発光装置用パッケージにおいては、2つのリードフレームを樹脂成形体の第2面に投影した場合に、リードフレーム同士が離間しつつ互いに噛み合っていないため、半導体発光装置用パッケージのX-Z断面においてリードフレームが存在せず、樹脂のみからなる領域が存在する。そして、当該樹脂のみの領域が構造的に弱く、当該樹脂のみの領域の存在が半導体発光装置用パッケージの破断に起因したものと考えられる。ワイヤボンディング安定性試験実施例1に係る半導体発光装置用パッケージ、比較例1に係る半導体発光装置用パッケージについて、ワイヤボンディング安定性試験を行った。具体的には、実施例1に係る半導体発光装置用パッケージ、及び比較例1に係る半導体発光装置用パッケージに係る半導体発光装置用パッケージのそれぞれに、400nmの発光波長を有する900μm角、厚さ150μmの半導体発光素子定格電流350mAを、半導体発光装置用パッケージの凹部底面に露出しているリードフレーム上の所定位置にシリコーンダイボンド材信越化学工業株製のKER-3000-M2を介して設置した後、当該シリコーンダイボンド材を100°Cで1時間、更に150°Cで2時間硬化させて、半導体発光素子を半導体発光装置用パッケージ上に搭載し、マニュアルワイヤボンダーはAVIO社製のMB-2200を使用して、金線によって半導体発光装置用パッケージのリードフレームと半導体発光素子とを接続した。ワイヤボンディングにおいては、予めキャピラリーに通した直径25μmの金線の先端に放電によりボールを形成させ、キャピラリーにてボール部分を半導体発光素子の外部電極上に降下し、サーモソニック方式により第1のボンディング工程を行った。次に、キャピラリーで金線をガイドしながら、凹部の底面から露出したリードフレーム上に移行した。続いて、キャピラリーを当該露出したリードフレーム上に降下し、金線を当該露出したリードフレームに圧着させ、サーモソニック方式によって金線を固定する第2のボンディング工程と共に切断した。サーモソニック方式における加熱、圧着、超音波強度の条件は、テーブル温度が170°C、第1のボンディング工程時における荷重が65g、超音波印加時間が65msとし、第2のボンディング工程時における荷重が80g、超音波印加時間が75msとした。上述したような工程を経て、各種のサンプルごとに300個の半導体発光装置を製造し、実態顕微鏡観察によって当該露出したリードフレームすなわち、露出リードフレーム32c上に載置された半導体発光素子の外部電極すなわち、第1のボンディングにおける半導体発光素子の外部電極とリードフレームと金線との接続箇所における金線の剥がれの有無を確認し、剥離確率を求めた。実施例1のリードフレームと金線との接続箇所において、金線の剥がれは生じていなかった。これは、リードフレームのワイヤボンディングされる箇所に延出リード部を設けることで、リードフレームのワイヤボンディングされる箇所である露出リード部を外部リード部及び延出リード部の2点で荷重を支えることができ、これによって圧着時のしなりが発生せずに、超音波を効率良く伝達することができるためと考えられる。一方、比較例1のリードフレームと金線の接続箇所において、金線の剥がれを確認した。当該剥がれの発生確率は、約1300個中で3個であった。これは、半導体発光装置用フレームを構成する樹脂成形体がゴム弾性を有するため、ボンディングされる部分のリードフレーム露出リード部がキャピラリーの荷重によってしなることで超音波が散乱し、リードフレームと金線との接続箇所が十分に過熱されないためと考えられる。また、圧着力や超音波の強度を強くすることにより別途安定実装可能な条件を見出すことは出来たが、キャピラリー降下圧着時にリードフレームが半導体発光素子ごとの荷重によってしなる様子が観察された。このため、比較例1を製造する際に高速のオートボンダーを用いた場合には、半導体発光素子がリードフレームから剥離する可能性があることがわかった。以上のことから、リードフレームが延出リード部を備える構造の実施例1及び実施例2の半導体発光装置用パッケージは、高い放熱特性を有し、高輝度な半導体発光装置を提供することができる。特に、樹脂成形体がゴム弾性を有する場合にはリードフレームの折り曲げ構造及び分岐構造などにより、半導体発光装置用パッケージの機械的強度を向上させ、応力や熱衝撃が加わったとしてもリードフレームの剥離や半導体発光装置用パッケージの変形破損を抑制することができる。更に、ワイヤボンディング時の剥離も少なく、歩留まり良く半導体発光装置を実装することが出来る。このようなリードフレームを備える半導体発光装置用パッケージを射出成形することにより、半導体発光装置用パッケージの高い生産性を確保することが出来る。更に、液状射出成形は樹脂流れが良いことから、折り曲げ構造を有するリードフレームを用いることにより、好適に本発明の半導体発光装置用パッケージを製造することができる。"