上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部における外周部に前記半導体素子の外周に沿って内側の列と外側の列との2列の並びで設けられた多数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、内側の列の前記半導体素子接続パッドの内側端に接し、且つ外側の列の前記半導体素子接続パッドの外側端に接して前記2列の半導体素子接続パッドを共通で露出させる開口部を有するソルダーレジスト層と、前記半導体素子接続パッドの表面に被着されており、加熱溶融処理された金属層とを有する配線基板であって、前記金属層は、前記開口部内に露出する前記半導体素子接続パッドの内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さで被着されていることを特徴とする配線基板。本発明の課題は、ソルダーレジスト層から露出する各半導体素子接続パッド上に形成された加熱溶融処理された金属層の高さに大きな違いが無く、それにより半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを常に正常に接続することが可能な配線基板を提供することにある。本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部における外周部に前記半導体素子の外周に沿って内側の列と外側の列との2列の並びで設けられた多数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、内側の列の前記半導体素子接続パッドの内側端に接し、且つ外側の列の前記半導体素子接続パッドの外側端に接して前記2列の半導体素子接続パッドを共通で露出させる開口部を有するソルダーレジスト層と、前記半導体素子接続パッドの表面に被着されており、加熱溶融処理された金属層とを有する配線基板であって、前記金属層は、前記開口部内に露出する前記半導体素子接続パッドの内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さで被着されていることを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、各半導体素子接続パッド上に形成された加熱溶融処理された金属層は、各半導体素子接続パッドの内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さで被着されていることから、例えソルダーレジスト層の開口部の形成位置にズレが生じたとしても、そのズレに関係なく高さが均一なものとなる。したがって、本発明の配線基板によれば、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを常に正常に接続することが可能な配線基板を提供することができる。次に、本発明の配線基板について図1~図3を基にして説明する。図1は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図および概略上面図である。図1aに示すように、本例の配線基板10は、主として絶縁基板1と配線導体3とソルダーレジスト層6とから構成されており、その上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部1aを有している。絶縁基板1は、例えばガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた厚みが30~200μm程度の単層または多層の絶縁層を熱硬化させた樹脂系電気絶縁材料から成り、その上面から下面にかけては直径が50~300μm程度のスルーホール2が形成されている。絶縁基板1の内部および上下面およびスルーホール2の内壁には、厚みが10~20μm程度の銅箔や銅めっき層等の銅から成る配線導体3が被着形成されている。これらの配線導体3のうち絶縁基板1の内部および上下面の所定のもの同士がスルーホール2を介して互いに電気的に接続されている。また、絶縁基板1の上面における配線導体3の一部は、半導体素子Sの電極端子Tが接続される半導体素子接続パッド4を形成しており、絶縁基板1の下面における配線導体3の一部は外部電気回路基板に接続するための外部接続パッド5を形成している。そして、半導体素子接続パッド4には、半導体素子Sの電極端子Tが接続され、外部接続パッド5は外部電気回路の配線導体に接続される。なお、半導体素子Sの電極端子Tには半導体素子接続パッド4と接続するための鉛フリー半田から成る半田バンプBが被着されており、半導体素子接続パッド4の上面には半田バンプBとの濡れ性を向上させるための錫めっきから成る金属層7が被着されている。金属層7は、例えば半導体素子接続パッド4の露出面に電解めっき法により0.5~5μmの厚みに被着された後、加熱溶融処理されて高さが2~25μmのドーム状となっている。さらに、絶縁基板1の上下面およびスルーホール2の内部には、配線導体3を覆うようにしてソルダーレジスト層6が被着されている。ソルダーレジスト層6は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂の硬化物から成り、絶縁基板1の上下面での厚みが10~30μm程度であり、スルーホール2の内部を充填している。そして上面側のソルダーレジスト層6には、半導体素子接続パッド4を露出させる開口部6aが形成されているとともに、下面側のソルダーレジスト層6には外部接続パッド5を露出させる開口部6bが形成されている。そして、本例の配線基板10においては、半導体素子接続パッド4上に半導体素子Sの電極端子Tを載置し、その状態で半田バンプBおよび金属層7を加熱溶融することによって半導体素子Sが配線基板10上に実装される。ところで、本例の配線基板10においては、図1bに上面図で示すように、多数の半導体素子接続パッド4が搭載部1aにおける外周部に半導体素子Sの外周に沿った内側の列と外側の列との2列の並びに設けられている。このように2列の並びで設けられた半導体素子接続パッド4は、ソルダーレジスト6に設けられた枠状の開口部6a内に露出している。そして、内側の並びの半導体素子接続パッド4は搭載部1aの内側へ延びる引出配線により搭載部1aの内側に引き出され、外側の並びの半導体素子接続パッド4は搭載部1aの外側に延びる引出配線により搭載部1aの外側に引き出されている。その結果、上面側のソルダーレジスト層6は、開口部6aの内側の縁が内側の列の半導体素子接続パッド4の内側端に接するとともに開口部6aの外側の縁が外側の列の半導体素子接続パッド4の外側端に接した状態で2列の半導体素子接続パッド4を開口部6a内に共通で露出させている。さらに、本例の配線基板10においては、各半導体素子接続パッド4に被着された金属層7は、開口部6a内に露出する半導体素子接続パッド4の内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さLで被着されている。このように開口部6a内に露出する各半導体素子接続パッド4の内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さLで金属層7を被着させるには、以下の方法が用いられる。先ず図2aに示すように、配線導体3が形成された絶縁基板1の上下面およびスルーホール2内に、半導体素子接続パッド4を露出させる開口部6aおよび外部接続パッド5を露出させる開口部6bを有するソルダーレジスト層6を形成する。このようなソルダーレジスト層6は、配線導体3が被着形成された絶縁基板1の上下全面に感光性を有するソルダーレジスト用の樹脂ペーストをスルーホール2内を充填するようにスクリーン印刷法等により塗布した後、塗布された樹脂ペーストを周知のフォトリソグラフィー技術を用いて所定のパターンに露光現像した後、熱硬化させることにより形成される。次に図2bに示すように、ソルダーレジスト層6が被着された絶縁基板1の上下面に、各半導体素子接続パッド4の内側端部と外側端部とを除く中央部のみを長さLで露出させる開口部8aを有するめっきレジスト層8を被着する。このようなめっきレジスト層8は、めっきレジスト用の感光性樹脂フィルムをソルダーレジスト層6が被着された絶縁基板1の上下面に積層するとともに周知のフォトリソグラフィー技術を採用することにより所定のパターンに露光現像した後、熱硬化させることにより形成される。次に図2cに示すように、めっきレジスト層8の開口部8a内に露出する半導体素子接続パッド4の中央部に電解めっき法により厚みが0.5~5μm程度の錫めっき層7Pを被着させる。これにより各半導体素子接続パッド4の内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さLの錫めっき層7Pが選択的に被着される。次に図2dに示すように、アルカリ性の剥離液を用いてめっきレジスト層8を剥離除去した後、図2eに示すように、錫めっき層7Pを加熱溶融させることによりドーム状の金属層7を形成する。このとき、溶融した錫めっき層7Pと半導体素子接続パッド4を形成する銅とは濡れ性が良好ではないので、溶融した錫めっき層7Pは半導体素子接続パッド4上にそれ以上濡れ広がることはなく、長さLのままで留まってドーム状となる。したがって、開口部6a内に露出する半導体素子接続パッド4の内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さLの金属層7を形成することができる。このとき、各半導体素子接続パッド4に被着された金属層7は各半導体素子接続パッド4の内側端部と外側端部とを除く中央部のみに同じ長さLで被着されるので、図3に示すように、半導体素子接続パッド4を露出させるソルダーレジスト層6の開口部6aの形成位置に、図3bに破線で示す本来の形成位置からのズレが発生したとしても、そのズレに関係なく高さが均一な金属層7を形成することができる。したがって、本例の配線基板10によれば、半導体素子Sの電極Tと半導体素子接続パッド4とを常に正常に接続することが可能な配線基板10を提供することができる。なお、半導体素子接続パッド4において金属層7が被着されない内側端部と外側端部との長さは、ソルダーレジスト層6や錫めっき層7Pの形成位置にズレが生じたとしても、半導体素子接続パッド4上に長さLの錫めっき層7Pを形成可能な領域を確保できる長さとすればよい。