"光電変換素子を含む画素部を有するセンサ基板と、前記センサ基板の前記画素部上に設けられたシンチレータ層と、前記シンチレータ層の少なくとも一部を封止する封止層とを備え、前記封止層は、前記センサ基板上において前記シンチレータ層から離隔して配設された第1の壁部と、前記シンチレータ層と前記第1の壁部との間に設けられた防湿層とを有する放射線撮像装置。前記第1の壁部の前記シンチレータ層側に、第2の壁部が設けられ、前記防湿層は、前記第1および第2の壁部に挟持されている請求項1に記載の放射線撮像装置。前記防湿層の厚みをH、前記防湿層の幅をDとしたとき、その厚みHと幅Dとのアスペクト比H/Dが0.6以上である請求項2に記載の放射線撮像装置。前記第1および第2の壁部はそれぞれ、同一のまたは異なる樹脂材料からなる複数の樹脂層が積層したものである請求項3に記載の放射線撮像装置。前記第1および第2の壁部はそれぞれ、前記センサ基板上において前記シンチレータ層を囲んで配設されている請求項2ないし請求項4のうちのいずれか1項に記載の放射線撮像装置。前記シンチレータ層上には、封止板が設けられている請求項5に記載の放射線撮像装置。前記防湿層が接着性を有する樹脂により構成され、前記防湿層により、前記封止板が前記シンチレータ層上に貼り合わせられている請求項6に記載の放射線撮像装置。前記封止板の厚みは0.1mm以下である請求項6に記載の放射線撮像装置。前記封止板はガラスにより構成されている請求項8に記載の放射線撮像装置。光電変換素子を含む画素部を有するセンサ基板の前記画素部上に、シンチレータ層を形成する工程と、前記センサ基板上の前記画素部の周辺領域に封止層を形成する工程とを含み、前記封止層を形成する工程では、前記周辺領域に第1の壁部を形成した後、前記第1の壁部の前記画素部側の領域に防湿層を形成する放射線撮像装置の製造方法。前記封止層を形成する工程では、前記第1の壁部の前記シンチレータ層側に第2の壁部を形成し、前記第1および第2の壁部間に前記防湿層を塗布する請求項10に記載の放射線撮像装置の製造方法。前記防湿層の厚みをH、前記防湿層の幅をDとしたとき、その厚みHと幅Dとのアスペクト比H/Dが0.6以上となるように、前記第1および第2の壁部の高さおよび配置間隔を設計する請求項11に記載の放射線撮像装置の製造方法。前記第1および第2の壁部をそれぞれ、互いに同一のまたは異なる樹脂材料を積層して形成する請求項12に記載の放射線撮像装置の製造方法。前記センサ基板上の前記周辺領域において、前記第1および第2の壁部をそれぞれ、前記シンチレータ層を囲んで配設する請求項11ないし請求項13のうちのいずれか1項に記載の放射線撮像装置の製造方法。前記シンチレータ層上に封止板を貼り合わせる工程を含む請求項14に記載の放射線撮像装置の製造方法。前記防湿層を、接着性を有する樹脂を用いて形成し、前記防湿層により、前記封止板を前記シンチレータ層上に貼り合わせる請求項15に記載の放射線撮像装置の製造方法。前記封止板の厚みを0.1mm以下とする請求項15に記載の放射線撮像装置の製造方法。前記封止板としてガラスを用いる請求項17に記載の放射線撮像装置の製造方法。ところが、特許文献1の手法では、上記保護膜をCVDChemicalVaporDeposition:化学気相成長法を用いて成膜する必要がある。そのため、真空プロセスを要し、成膜工程が簡易ではない。そこで、特許文献2では、シンチレータ上に接着剤よりなる封止層を用いて金属プレートを貼り合わせることによって、シンチレータを封止する手法が提案されている。このような手法では、シンチレータの周囲側部は、樹脂材料よりなる封止層によって封止されることになる。しかしながら、上記特許文献2の手法では、封止層を塗布形成するため、封止層のアスペクト比は使用される材料の性質いわゆるチクソ性や粘性に依存する。このため、特にシンチレータの厚みが大きい場合には、シンチレータの周囲において、封止層の設置スペース塗布幅を大きく確保しなければならない。ところが、基板上のレイアウトに制約がある場合には、封止層の設置スペースを十分に確保できず、シンチレータの封止が不十分となってしまう。このため、特にシンチレータの厚みが大きい場合、封止材料として、チクソ性や粘度の高い材料を用いなければならず、使用可能な材料が限定される。封止材料や基板上のレイアウトによらず、シンチレータを封止可能な手法の実現が望まれている。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、シンチレータ層の周囲を封止する封止層において、材料選択および設計の自由度を向上させることが可能な放射線撮像装置およびその製造方法を提供することにある。本発明の放射線撮像装置は、光電変換素子を含む画素部を有するセンサ基板と、センサ基板の画素部上に設けられたシンチレータ層と、シンチレータ層の少なくとも一部を封止する封止層とを備えたものである。封止層は、センサ基板上においてシンチレータ層から離隔して配設された第1の壁部と、シンチレータ層と第1の壁部との間に設けられた防湿層とを有する。本発明の放射線撮像装置の製造方法は、光電変換素子を含む画素部を有するセンサ基板の画素部上にシンチレータ層を形成する工程と、センサ基板上の画素部の周辺領域に封止層を形成する工程とを含むものであり。封止層を形成する工程では、周辺領域に第1の壁部を形成した後、第1の壁部の画素部側の領域に防湿層を形成する。本発明の放射線撮像装置の製造方法では、センサ基板上の画素部の周辺領域においてシンチレータ層を封止する封止層として、シンチレータ層から離隔して第1の壁部を形成した後、この第1の壁部とシンチレータ層との間に防湿層を形成する。第1の壁部の高さおよび配置箇所を適切に設定することにより、防湿層封止層の形状厚みおよび幅が制御される。本発明の放射線撮像装置では、センサ基板上の画素部の周辺領域においてシンチレータ層を封止する封止層として、シンチレータ層から離隔配置された第1の壁部と、この第1の壁部とシンチレータ層との間に設けられた防湿層とを有する。第1の壁部の高さおよび配置箇所に基づいて、防湿層封止層の形状厚みおよび幅が制御されている。本発明の放射線撮像装置およびその製造方法によれば、センサ基板上の画素部の周辺領域においてシンチレータ層を封止する封止層として、シンチレータ層から離隔して第1の壁部を設け、この第1の壁部とシンチレータ層との間に防湿層を設けたので、第1の壁部の高さ等に基づいて防湿層封止層の形状を設計可能となる。即ち、防湿層に使用される材料によらず、所望のアスペクト比で封止層を形成可能となる。よって、シンチレータ層の周囲を封止する封止層において、材料選択および設計の自由度を向上させることが可能となる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。尚、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態シンチレータ層上に薄板ガラスを設けると共に、2つの壁部間に防湿層を設けてなる封止層によりシンチレータ層の周囲を封止した例2.第2の実施の形態段階的に樹脂材料を積層することにより壁部を形成した例3.変形例11つの壁部と防湿層とにより構成した例4.変形例2シンチレータ層の周辺だけでなく上面にも防湿層を設けた例5.変形例3壁部を設けずに薄板ガラスをシンチレータ層上に接着した例6.変形例4シンチレータ層上に薄板金属を設けた例7.変形例5防湿層のみによって、シンチレータ層上面を封止した例8.適用例放射線撮像システムの例<第1の実施の形態>[放射線撮像装置の構成]図1は、本発明の第1の実施の形態に係る放射線撮像装置放射線撮像装置1の断面構成を表したものである。放射線撮像装置1は、α線、β線、γ線、X線に代表される放射線を波長変換して受光し、放射線に基づく画像情報を電気信号として読み取るものであり、医療用をはじめ、手荷物検査等のその他の非破壊検査用のX線撮像装置として好適に用いられる。この放射線撮像装置1は、センサ基板11上に、シンチレータ層12シンチレータ層を有しており、シンチレータ層12の上面には、封止板としての薄板ガラス13が貼り合わせられている。本実施の形態では、詳細は後述するが、そのシンチレータ層12の周囲側面が、薄板ガラス13の接着層として機能する後述の封止層14防湿層14aおよび壁部15A,15Bにより、封止されている。以下、各部の構成について詳細に説明する。センサ基板11センサ基板11は、例えば基板上に複数の画素からなる画素部後述の画素部10Aを有すると共に、この画素部10Aの周辺領域周辺領域10Bに、画素部10Aを駆動するための駆動回路が配設されたものである。画素部10Aは、TFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスタ等のスイッチ素子後述のトランジスタ111B,Tr1~Tr3と、光電変換素子後述のフォトダイオード111A,PDとを画素毎に有している。このようなセンサ基板11の厚みは、耐久性や軽量化という観点から50~700μmであることが好ましい。このセンサ基板11における画素部10Aの詳細画素回路および断面構造と周辺回路画素駆動回路の構成については後述する。シンチレータ層12シンチレータ層12は、放射線の照射により蛍光を発する放射線蛍光体からなる層である。蛍光体材料としては、放射線のエネルギーを吸収して、例えば波長が300nm~800nmの電磁波可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波光への変換効率が高いものが望ましい。また、蛍光体材料としては、蒸着によって容易に柱状結晶構造を形成しやすいものがよい。柱状結晶構造を形成することにより、光ガイド効果により発光光の散乱が抑えられると共に、シンチレータ層12の膜厚を厚くすることができ、これにより高い画像分解能が得られるためである。このような蛍光体材料の一例としては、主剤として例えばCsI、発光効率等を補うための付活剤として例えばTlまたはNaを用いたものが挙げられる。また、シンチレータ層12の厚みは、例えば100μm~1000μmである。なお、シンチレータ層12に用いられる蛍光体材料は、上記CsIおよびTl等に限定されるものではない。例えば、基本組成式I:MIXaMIIX2bMIIIX3で表わされるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を用いてもよい。上記式において、MIは、リチウムLi,Na,カリウムK,ルビジウムRbおよびCsからなる群より選択される少なくとも1種のアルカリ金属を表す。MIIは、ベリリウムBe,マグネシウムMg,カルシウムCa,ストロンチウムSr,バリウムBa,ニッケルNi,銅Cu,亜鉛ZnおよびカドミウムCdからなる群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属または2価金属を表す。MIIIは、スカンジウムSc,イットリウムY,ランタンLa,セリウムCe,プラセオジムPr,ネオジムNd,プロメチウムPm,サマリウムSm,ユウロピウムEu,ガドリニウムGd,テルビウムTb,ジスプロシウムDy,ホルミウムHo,エルビウムEr,ツリウムTm,イッテルビウムYb,ルテチウムLu,アルミニウムAl,ガリウムGaおよびインジウムInからなる群より選択される少なくとも1種の希土類元素又は3価金属を表す。また、X、XおよびXはそれぞれ、フッ素F,塩素Cl,臭素Brおよびヨウ素Iからなる群より選択される少なくとも1種のハロゲン元素を表す。Aは、Y,Ce、Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Na,Mg,Cu,銀Ag,TlおよびビスマスBiからなる群より選択される少なくとも1種の希土類元素又は金属を表す。また、a,bおよびzはそれぞれ、0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<z<1.0の範囲内の数値を表わす。更に、上記基本組成式I中のMIは少なくともCsを含んでいることが好ましく、Xは少なくともIを含んでいることが好ましい。また、Aは特にTlまたはNaであることが好ましい。zは1×104≦z≦0.1であることが好ましい。また、上記基本組成Iの他に、基本組成式II:MIIFX:zLnで表わされる希土類付活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体を用いてもよい。上記式において、MIIはBa,SrおよびCaからなる群より選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属を表す。LnはCe,Pr,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Nd,Er,TmおよびYbからなる群より選択される少なくとも1種の希土類元素を表す。Xは、Cl,BrおよびIからなる群より選択される少なくとも1種のハロゲン元素を表す。また、zは、0<z≦0.2である。なお、上記式中のMIIとしては、Baが半分以上を占めることが好ましい。Lnとしては、特にEuまたはCeであることが好ましい。また、他に、LnTaO4:Nb,Gd系,Ln2SiO5:Ce系,LnOX:Tm系Lnは希土類元素である,Gd2O2S:Tb,Gd2O2S:Pr,Ce,ZnWO4,LuAlO3:Ce,Gd3Ga25O12:Cr,Ce、HfO2等が挙げられる。薄板ガラス13薄板ガラス13は、厚みが例えば0.1mm以下のガラスよりなり、シンチレータ層12を上面から封止し、シンチレータ層12への水分の介入を防ぐものである。この薄板ガラス13は、後述するように、封止層14を介してセンサ基板11へ接着されることにより、封止層14と共に、シンチレータ層12を封止するようになっている。尚、この薄板ガラス13の側面には、耐衝撃性能を高める微小クラックに起因する割れを防ぐための樹脂コーティングが施されていてもよいし、薄板ガラス13とシンチレータ層12との間に、反射膜など他の層が積層されていてもよい。このシンチレータ層12の封止構造については後述する。[センサ基板11の詳細構成]画素部および周辺回路図2は、センサ基板11における画素部10Aとその周辺領域に配設された画素駆動回路アクティブマトリクス方式による駆動回路との一例を模式的に表したものである。このように、センサ基板11では、画素部10Aの周囲に、画素部10Aを駆動するための回路部10B1が配設されている。画素部10Aでは、光電変換素子およびトランジスタを含む画素単位画素Pが行列状に2次元配置されている。各画素Pは、画素駆動線27具体的には、行選択線およびリセット制御線と、垂直信号線28とに接続されている。回路部10B1は、例えば行走査部23、水平選択部24、列走査部25およびシステム制御部26を有している。行走査部23は、シフトレジスタおよびアドレスデコーダ等を含んで構成され、画素部10Aへ画素駆動線27を通じて駆動信号を供給することにより、画素部10Aを行単位で駆動するようになっている。水平選択部24は、垂直信号線28ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等を含んで構成されている。列走査部25は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部24の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。このような構成により、回路部10B1では、選択走査された画素行の各画素から受光量に応じた電気信号が順次読み出され垂直信号線28へ電気信号が出力され、水平信号線29を通じて外部へ伝送される。尚、これらの行走査部23、水平選択部24、列走査部25および水平信号線29からなる回路部分は、センサ基板11に集積された回路であってもよいし、あるいはセンサ基板11に接続された外部制御ICに配設されていてもよい。また、それらの回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。システム制御部26は、外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取ると共に、放射線撮像装置1の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部26は、また、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有しており、このタイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部23、水平選択部24および列走査部25などの駆動制御を行うものである。画素回路図3は、上記のようなアクティブマトリクス方式によって駆動される画素Pの回路画素回路20の一例を表したものである。画素回路20は、フォトダイオードPD光電変換素子と、トランジスタTr1,Tr2,Tr3と、前述の垂直信号線28と、画素駆動線27としての行選択線171およびリセット制御線172とを含んで構成されている。フォトダイオードPDは、例えばPINフォトダイオードであり、例えばその感度域受光波長帯域が可視域となっている。このフォトダイオードPDは、その一端端子133,後述の上部電極125に基準電位Vxrefが印加されることで、入射光の光量受光量に応じた電荷量の信号電荷を発生するものである。フォトダイオードPDの他端後述のp型半導体層22下部電極は蓄積ノードNに接続されている。蓄積ノードNには容量成分131が存在し、フォトダイオードPDで発生した信号電荷は蓄積ノードNに蓄積される。尚、フォトダイオードPDを蓄積ノードNとグランドGNDとの間に接続した構成としてもよい。トランジスタTr1,Tr2,Tr3はいずれも、例えばNチャネル型の電界効果トランジスタであり、例えば単結晶シリコン、非晶質シリコン、微結晶シリコンまたは多結晶シリコン等のシリコン系半導体が用いられている。あるいは、酸化インジウムガリウム亜鉛InGaZnOまたは酸化亜鉛ZnO等の酸化物半導体が用いられていてもよい。トランジスタTr1は、リセットトランジスタであり、参照電位Vrefが与えられる端子132と蓄積ノードNとの間に接続されている。このトランジスタTr1は、リセット信号Vrstに応答してオンすることによって蓄積ノードNの電位を参照電位Vrefにリセットするものである。トランジスタTr2は、読み出しトランジスタであり、ゲートが蓄積ノードNに、端子134ドレインが電源VDDにそれぞれ接続されている。このトランジスタTr2は、フォトダイオードPDで発生した信号電荷をゲートで受け、この信号電荷に応じた信号電圧を出力する。トランジスタTr3は、行選択トランジスタであり、トランジスタTr2のソースと垂直信号線28との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、トランジスタTr2から出力される信号を垂直信号線28に出力する。このトランジスタTr3については、トランジスタTr2のドレインと電源VDDとの間に接続する構成を採ることも可能である。尚、上述の例では、アクティブ駆動方式による画素駆動回路および画素回路の一例について説明したが、これらの回路構成は、以下のようなパッシブ駆動方式に基づくものであってもよい。図4は、パッシブ駆動方式によって駆動される画素回路画素回路20aの一例を表したものである。このように、画素回路20aが、フォトダイオードPD、容量成分138およびトランジスタTr読み出し用の上記トランジスタTr3に相当を含んで構成されている。トランジスタTrは、蓄積ノードNと垂直信号線28との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、フォトダイオードPDにおける受光量に基づいて蓄積ノードNに蓄積された信号電荷を垂直信号線28へ出力する。フォトダイオードおよびトランジスタの断面構造図5は、画素部10Aにおける各画素Pの断面構造を表したものである。画素部10Aでは、基板110上に、画素P毎に、フォトダイオード111AフォトダイオードPDに相当と、トランジスタ111BトランジスタTr1~Tr3のうちのいずれかに相当とが設けられている。フォトダイオード111Aでは、ガラス等よりなる基板110上の選択的な領域に、ゲート絶縁膜121を介してp型半導体層122が設けられている。基板110上詳細にはゲート絶縁膜121上には、そのp型半導体層122に対向してコンタクトホール貫通孔Hを有する第1層間絶縁膜112Aが設けられている。第1層間絶縁膜112AのコンタクトホールHにおいて、p型半導体層122上にはi型半導体層123が設けられており、このi型半導体層123上にn型半導体層124が積層されている。n型半導体層124には、第2層間絶縁膜112Bに設けられたコンタクトホールを介して上部電極125が接続されている。尚、ここでは、基板110側下部側にp型半導体層122、上部側にn型半導体層124をそれぞれ設けた例を挙げたが、これと逆の構造、即ち下部側をn型、上部側をp型とした構造であってもよい。ゲート絶縁膜121は、例えばトランジスタ111Bにおけるゲート絶縁膜と共通の層となっており、例えば酸化シリコン、酸窒化シリコンおよび窒化シリコンのうちのいずれかよりなる単層膜、またはそれらのうちの2種以上を積層してなる積層膜である。p型半導体層122は、例えば多結晶シリコンポリシリコンあるいは微結晶シリコンに、例えばボロンBがドープされてなるp領域である。このp型半導体層122は、例えば信号電荷を読み出すための下部電極を兼ねており、前述の蓄積ノードNに接続されているあるいは、p型半導体層122が蓄積ノードNとなって、電荷を蓄積させるようになっている。第1層間絶縁膜112Aは、例えば酸化シリコン、酸窒化シリコンおよび窒化シリコンのうちのいずれかよりなる単層膜、またはそれらのうちの2種以上を積層してなる積層膜である。この第1層間絶縁膜112Aは、例えばトランジスタ111Bにおける層間絶縁膜と共通の層となっている。第2層間絶縁膜112Bは、例えば酸化シリコン膜により構成されている。i型半導体層123は、p型とn型の中間の導電性を示す半導体層、例えばノンドープの真性半導体層であり、例えば非晶質シリコンアモルファスシリコンにより構成されている。n型半導体層124は、例えば非晶質シリコンにより構成され、n領域を形成するものである。上部電極125は、光電変換のための基準電位を供給するための電極であり、例えばITO等の透明導電膜により構成されている。この上部電極125には、この上部電極125に電圧を供給するための電源配線127が接続されている。電源配線127は上部電極125よりも低抵抗の材料、例えばTi、Al、Mo、W、Cr等によって構成されている。トランジスタ111Bでは、基板110上に、Ti、Al、Mo、W、Cr等からなるゲート電極120が形成され、このゲート電極120上にはゲート絶縁膜121が形成されている。ゲート絶縁膜121の上のゲート電極120に対応する領域に半導体層126が設けられている。半導体層126は、リーク電流を低減するために、チャネル領域126cと、ソース領域126s,ドレイン領域126dとの間にそれぞれ、LDD126aを有している。この半導体層126上には、ソース領域126sおよびドレイン領域126dに接続された読出し用の信号線などを含む配線層128が設けられている。この配線層128を覆うように、第1層間絶縁膜112Aが設けられている。[シンチレータの周辺封止構造]図6Aは、上記のようなセンサ基板11上に配設されたシンチレータ層12および封止層14の平面レイアウトの一例であり、図6Bは、画素部10Aとその周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表したものである。図6Bは、図6AのI-I線における矢視断面構成に対応しており、図6Bでは、薄板ガラス13の図示を省略している。このように、本実施の形態では、センサ基板11の画素部10A上に、シンチレータ層12が設けられており、画素部10Aの周辺領域10Bには、そのシンチレータ層12の周囲を封止する封止層14が形成されている。上記薄板ガラス13は、これらのシンチレータ層12および封止層14の全面を覆うように配設されている。詳細には、薄板ガラス13は、画素部10Aを覆うと共に、画素部10Aからその周辺領域10Bへ向けて延設されており画素部10Aよりも一回り大きい基板面積を有しており、周辺領域10Bにおいて、封止層14を介してセンサ基板11へ接着されている。封止層14は、上記のようにシンチレータ層12の周囲を封止すると共に、シンチレータ層12上に薄板ガラス13を貼り合わせるための接着層として機能するものである。封止層14は、そのシンチレータ層12の側面部分を全て覆うように形成されていることが望ましい。この封止層14は、画素部10A側シンチレータ層12側から順に、基板面に沿って壁部15B、防湿層14aおよび壁部15Aを有しており、即ち、2つの壁部15A,15B間に防湿層14aを挟持してなるものである。壁部15A,15Bは、封止層14防湿層14aにおける厚みを制御するスペーサとしての機能と、封止層防湿層14aにおける幅を制御する機能とを兼ね備えたものである。壁部15A,15Bはそれぞれ、シンチレータ層12の厚みと同等の高さを有しており、所定の幅d1で、シンチレータ層12を囲んで配設されている。これらの壁部15A,15Bは、互いに所定の間隔防湿層14aの幅Dに相当をあけて略平行となるように配設されている。ここでは、基板面に沿った平面において、シンチレータ層12が画素部10Aに対応する矩形状の領域に形成されており、壁部15A,15Bがそれぞれ、その矩形状の4辺に沿って設けられている枠状にパターニングされている。このような壁部15A,15Bは、例えばエポキシ系樹脂例えば、フィラー充填エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、ゴム系のシリコン系樹脂およびフッ素系樹脂のいずれかにより構成されている。また、壁部15A,15Bの幅d1は、センサ基板11および薄板ガラス13間において、壁部15A,15B自身が安定して曲がったり、崩れたり、あるいは位置ずれしたりすることなく設置されるような十分な大きさに設計されていることが望ましい。この幅d1は、例えば0.3mm~10mmである。また、壁部15A,15Bの高さは、シンチレータ層12の厚みに応じて設定され、例えば100μm~1000μmである。防湿層14aは、防湿性水分の透過を防止または抑制する性質を有すると共に、被接着部材ここではガラスに対する接着性を持つ樹脂材料により構成されている。また、接着硬化までの形状変化が小さい材料であることが望ましい。このような樹脂材料としては、例えば光硬化性UV硬化性または熱硬化性を有するエポキシ系樹脂例えば、クレゾールノボラック型、ビフェニル型または臭素化ビスフェノール型のエポキシ樹脂アクリル系樹脂、ポリウレタンPU、ポリスチレンPS、ポリエステルPEおよびフッ素系樹脂のうちのいずれかが用いられる。あるいは、いわゆるガラスフリットのような無機材料による接着材により構成されていてもよい。この防湿層14aの厚みHは、上述のように、壁部15A,15Bの高さによって制御され、幅Dは、壁部15A,15B同士の間隔により制御される。但し、防湿層14aの幅Dは、必要とされる防湿性と、センサ基板11上において許容される設置面積との兼ね合いから適切に設定され、例えば3mm~30mmである。本実施の形態では、壁部15A,15Bによって挟持される防湿層14aにおいて、上述のように厚みHと幅Dが、壁部15A,15Bの高さおよび間隔の制御によって任意に設定されることから、それらのアスペクト比H/Dを自由に設計可能となっている。例えば、アスペクト比H/Dは、レイアウト上の制約等を考慮すると例えば0.01以上であるが、壁部を用いずに防湿層接着層のみによって封止を行った場合には実現し得ない高アスペクト比0.6以上についても、自在に設計可能である。尚、ここでは、壁部15A,15Bが互いに同一の幅d1で形成された構成を例に挙げたが、壁部15A,15Bにおける各幅は互いに異なっていてもよい。また、壁部15Aおよび壁部15Bの間隔幅Dは、シンチレータ層12の周囲において略一定であることが、均一な気密封止を行う点において望ましいが、それらの間隔は、シンチレータ層12を囲む領域の一部において異なっていてもよい。例えば、周辺領域10Bには回路や外部接続用端子などが配設されるが、それらのレイアウトとの兼ね合いから封止層14の設置面積や設置箇所に制約がある場合などには、局所的な箇所において間隔が狭くあるいは広くなっていてもよい。[放射線撮像装置の製造方法]上記のような放射線撮像装置1は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、例えばガラスよりなる基板図5に示した基板110上に、フォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bを含む画素部10Aと、回路部10B1とを、公知の薄膜プロセスを用いて形成することにより、センサ基板11を作製する。以下、このセンサ基板11上にシンチレータ層12および封止層14を形成し、薄板ガラス13を貼り合わせる各工程について、図7~図10を参照して説明する。尚、各図において、Aは、画素部10Aとその周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表したものであり、Bは、上記のようなセンサ基板11上に配設されたシンチレータ層12および封止層14の平面レイアウトの一例である。まず、図7A,Bに示したように、センサ基板11の画素部10Aに対応する領域に、上述した材料よりなるシンチレータ層12を、例えば真空蒸着法により成膜する。この際、画素部10Aに対応する矩形状の開口を有するマスクを用いることにより、画素部10A上にのみ、シンチレータ層12を形成する。続いて、図8A,Bに示したように、センサ基板11の周辺領域10Bに、壁部15A,15Bを形成する。具体的には、上述したシリコン系材料を以下のような設計に基づいて、例えばディスペンサを用いて塗布した後硬化させることにより、壁部15A,15Bを形成する。この際、壁部15A,15Bの高さ後に形成する防湿層14aの厚みHに相当と、それらの間隔後に形成する防湿層14aの幅Dに相当とを所望の値にそれぞれ設計する。詳細には、壁部15A,15Bの高さは、上述のように防湿層14aの厚みHを制御するものであるから、シンチレータ層12の厚みと同等となるように設定する。また、壁部15A,15Bの間隔は、上述のように防湿層14aの幅Dを決定するものであるから、必要とされる幅方向における防湿性と、センサ基板11のレイアウト上の制約などを考慮して適切な値に設定する。また、ここでは、壁部15A,15Bをそれぞれ所定の幅d1で、シンチレータ層12の周囲を囲むように枠状にパターニング形成する。次に、図9A,Bに示したように、2つの壁部15A,15Bによって囲まれた枠状の領域に、防湿層14aを構成する樹脂材料を例えばディスペンサを用いて塗布形成する枠状の領域に樹脂材料を流し込む。この際、樹脂材料の塗布量は、壁部15A,15B同士の間隙を、それらの壁部15A,15Bと同等の高さまで埋め込み可能な量に設定する。また、防湿層14aには、上述のように例えばエポキシ系の樹脂材料を用いるが、チクソ性や粘性が高いものはもちろん、それらが低いものについても使用することができる。即ち、上記壁部15A,15Bの高さおよび間隔を制御することにより、防湿層14aの厚みHおよび幅Dが調整されるので、使用する樹脂材料における上記性質に依存せずに、任意のアスペクト比を有する防湿層14aを形成可能である。次いで、図10A,Bに示したように、上記のようにして2つの壁部15A,15B間に防湿層14aを塗布した後、防湿層14aを硬化させる前に、薄板ガラス13をシンチレータ層12上に重ね合わせ、例えばUV照射により防湿層14aを硬化させる。このようにして、センサ基板11の周辺領域10Bに封止層14を形成する。これにより、センサ基板11の周辺領域10Bにおいて、シンチレータ層12の周囲が封止されると共に、薄板ガラス13がシンチレータ層12上に貼り合わせられ、シンチレータ層12がセンサ基板11上に密閉封止される。以上により、図1等に示した放射線撮像装置1を完成する。尚、シンチレータ層12、防湿層14aおよび壁部15A,15Bの形成順序は、壁部15A,15Bを形成する工程の後に、防湿層14aを形成する工程を経るものであればよく、上記順序に限定されない。例えば、センサ基板11の周辺領域10Bにまず壁部15A,15Bを形成した後に防湿層14aを塗布することにより封止層14を形成し、最後に、その封止層14によって囲まれた領域にシンチレータ層12を蒸着してもよい。あるいは、センサ基板11上に、まず壁部15A,15Bを形成した後、続いてシンチレータ層12を形成し、最後に、壁部15A,15B間に防湿層14aを塗布するようにしてもよい。また、形成順序を、壁部15B、シンチレータ層12、壁部15Aおよび防湿層14aの順としてもよい。このように、壁部15Bを形成する工程の後に、シンチレータ層12を形成する工程を経るようにさえすればよい。尚、これにより、シンチレータ層12の成膜時において、周辺回路部分などの金属配線不良が懸念される領域に蛍光体材料が付着することを抑制する、という効果も得られる。[放射線撮像装置の作用効果]画像取得動作まず、図1~図3および図5を参照して、放射線撮像装置1の撮像動作画像取得動作ついて説明する。放射線撮像装置1では、図示しない放射線例えばX線照射源から照射され、被写体検出体を透過した放射線が入射すると、この放射線を波長変換した後に光電変換することによって、被写体の画像が電気信号として得られる。詳細には、放射線撮像装置1に入射した放射線は、薄板ガラス13を透過した後、シンチレータ層12において吸収される。これにより、シンチレータ層12は、例えば可視光を発光し、この可視光がセンサ基板11の画素部10A画素Pにおいて受光される。このとき、画素P毎に、フォトダイオード111Aに、図示しない電源配線から上部電極125を介して所定の電位が供給されると、例えば上部電極125の側から入射した光を、その受光量に応じた電荷量の信号電荷に変換する光電変換がなされる。この光電変換によって発生した信号電荷は、p型半導体層122の側から光電流として取り出される。詳細には、フォトダイオード111Aにおける光電変換によって発生した電荷は、蓄積層p型半導体層122,蓄積ノードNにより収集され、この蓄積層から電流として読み出され、トランジスタTr2読出トランジスタのゲートに与えられる。トランジスタTr2は当該信号電荷に応じた信号電圧を出力する。トランジスタTr2から出力される信号は、行走査信号Vreadに応答してトランジスタTr3がオンすると、垂直信号線28に出力される読み出される。読み出された信号は、水平選択部24を介して外部へ出力される。これにより、放射線に基づく画像データが得られる。封止層14による作用上記のような放射線撮像装置1では、図6A,Bに示したように、シンチレータ層12の周囲周辺領域10Bに封止層14が設けられ、この封止層14が、水蒸気の透過を防止または抑制する防湿層14aを有している。これにより、シンチレータ層12へ側面から水分が侵入することが抑制される。本実施の形態の封止層14では、そのような防湿層14aが、壁部15A,15Bによって挟持されている。ここで、シンチレータ層12は、例えば上述したような厚みでセンサ基板11上に形成されるが、封止層14は、そのシンチレータ層12の側面部分を覆うように形成され、即ち、防湿層14aがシンチレータ層12と同等の厚みとなるように設けられている。これにより、シンチレータ層12の周囲が密閉封止される。ところで、防湿層14aは、上述のように防湿性を有する樹脂材料エポキシ系樹脂等により構成されるが、防湿層14aは、そのような樹脂材料をセンサ基板11上の周辺領域10Bに直接塗布することにより形成される。このため、仮に、防湿層14aを単独で壁部15A,15Bを用いずにシンチレータ層12の周囲に形成する場合、そのアスペクト比幅H/厚みDは、用いられる樹脂材料の性質チクソ性や粘性に依存する。シンチレータ層12の厚みが大きく、周辺領域10Bにおける封止層設置スペース塗布幅に制約があるには、封止材料として、チクソ性や粘度の高い材料を用いなければならず、使用可能な材料が限定される。これに対し、本実施の形態では、防湿層14aが2つの壁部15A,15Bによって挟持された構造となっている。詳細には、封止層14の成膜プロセスにおいて、2つの壁部15A,15Bを所定の間隔および高さとなるように周辺領域10Bにそれぞれ設置した後、この壁部15A,15B間に、防湿層14aとしての樹脂材料を塗布する流し込むようになっている。これにより、壁部15A,15Bが堰ダムとして機能し、塗布された樹脂材料は壁部15A,15B間に溜められる。即ち、防湿層14aの幅Dは、壁部15A,15B同士の間隔に基づいて決まり、厚みHは、壁部15A,15Bの高さに基づいて決まる。よって、シンチレータ層12の厚みや必要とされる防湿性、設置可能なスペースなどを考慮して、壁部15A,15Bの高さおよび配置箇所を適切に設定することにより、防湿層14aの形状幅Dおよび厚みHが制御される。従って、例えばシンチレータ層12の厚みが大きい場合であっても、使用可能な樹脂材料を限定することなく、所望のアスペクト比H/Dにより防湿層14aを設計可能となる。よって、シンチレータ層12を囲む封止層14において、材料選択および設計の自由度が向上する。例えば、防湿層14aに低粘度の樹脂材料を用いた場合例えば、防湿性に優れるもののチクソ性や粘性が低いエポキシ系樹脂であっても、高アスペクト比H/Dを実現可能となる。ここで、以下の表1に、防湿樹脂として高粘度材料A120Pasと、低粘土材料B48Pasとのそれぞれを使用し、防湿層14aを壁部15A,15Bを用いて形成した場合本実施の形態と、壁部を用いずに形成した場合のアスペクト比について示す。尚、壁部有りの場合と無しの場合とにおいて、ディスペンサの設定は同様とした。表1に示したように、防湿樹脂が高粘度材料Aであっても、低粘度材料Bであっても、壁部を設けた場合には、壁部を設けなかった場合に比べ、約3倍ものアスペクト比が得られた。薄板ガラス13による作用本実施の形態では、シンチレータ層12の上面に薄板ガラス13が貼り合わせられ封止層14によってセンサ基板11に接着されており、この薄板ガラス13と上記封止層14とよって、シンチレータ層12が密閉封止されている。このように、シンチレータ層12の天板としてガラス板が用いられていることにより、シンチレータ層12への水分の介入が抑制されると共に、次のようなメリットがある。即ち、薄板ガラス13を用いることにより、例えばパリレンCなどの有機保護膜を用いて封止を行う場合に比べ、製造プロセスが簡易化する。具体的には、有機保護膜を用いる場合には、CVD法などの真空プロセスを必要とするため、成膜工程が簡易ではないが、ガラス板を用いることにより、そのような真空プロセスを経ることなく、シンチレータ層12を封止可能となる。また、薄板ガラス13の貼り合わせの対象となるセンサ基板11においても、基材としてガラスが用いられていることから、ガラス同士が封止層14およびシンチレータ層12を介して貼り合わせられた構造となる。このため、センサ基板11と薄板ガラス13との間の線膨張係数差が生じにくく、熱によるパネルの反りが発生しにくい。更に、薄板ガラス13では、その厚みが小さくなる程、X線吸収率が低くX線透過率が高くなる一方、水分透過率は厚みに依存しないガラスの場合、厚みが小さくても、水分の透過を十分に抑制できる。ここで、図11Aに、ガラス板厚μmに対するX線吸収率の関係実測値について示す。この際、管電圧を80kV,140kVとした各場合管電流はいずれも70μAについて測定した。このように、薄板ガラス13の厚みが0.03~0.1mm30μm~100μmの範囲では、X線吸収率が2.0程度以下となり、良好なX線透過率を実現し得ることが確認された。また、図11Bには、厚み0.7mmのガラス板センサ基板11を想定上に、上述のような封止層14を形成し、厚み0.1mmのガラス板薄板ガラス13を熱硬化によって貼り合わせた後の薄板ガラス13の高さ分布について示す。このように、製造プロセスにおいては、センサ基板11と薄板ガラス13との貼り合わせによって、パネルに応力が発生し、封止層14との接着面における薄板ガラス13の湾曲面の曲率半径は60~80mmに及ぶ。図12には、ガラス板厚が、0.03mm,0.05mm,0.1mm,0.3mm,0.5mm,0.7mmの各場合について、湾曲時の曲率半径Rmmと、その際にガラスにかかる曲げ応力σMPaとの関係を示す。ガラスの長期使用を考慮した場合、その許容曲げ応力は50MPaである50MPa以上の応力によりガラスの破損する確率が高まる。上述のように、製造プロセスにおいて湾曲するガラスの曲率半径は60~80mmであるから、この曲率半径の範囲においてかかる曲げ応力が50MPa以下となることが望ましい。これを満足するガラス厚みは、図12より、0.1mm以下であることがわかる。即ち、ガラス厚みを0.1mm以下に設定すれば、製造プロセスにおいて生じる曲げ応力に対して緩和する能力フレキシブル性を有することを意味する。また、製造性を考慮すると、厚みの最小値は0.03mm程度である。これらの結果を考慮して、薄板ガラス13の厚みは、0.03mm~0.1mmであることが望ましい。加えて、上記のように、センサ基板11と薄板ガラス13との貼り合わせの際には、封止層14具体的には防湿層14aにおいて、硬化に伴う変形例えば厚みの変化を生じることがある。0.1mm以下の薄板ガラス13では、そのような封止層14の変形に対しても、上述のフレキシブル性により追従可能となる。以上のように、本実施の形態では、センサ基板11上においてシンチレータ層12の周囲を封止する封止層14として、シンチレータ層12から離隔して壁部15Aを設けると共に、その内側に更に壁部15Bを設け、これらの壁部15A,15B間に防湿層14aを形成する。これにより、壁部15A,15Bの高さおよび配置間隔等に基づいて防湿層14aの形状幅Dおよび厚みHを設計可能となる。即ち、例えばシンチレータ層12の厚みが大きい場合であっても、センサ基板11の周辺領域10Bにおける設置可能なスペースによらず、防湿層14aに使用される材料によらず、所望のアスペクト比で封止層14を形成可能となる。よって、シンチレータ層12の周囲を封止する封止層14において、材料選択および設計の自由度を向上させることが可能となる。<第2の実施の形態>次に、本発明の第2の実施の形態に係る放射線撮像装置について説明する。尚、第1の実施の形態の放射線撮像装置1と同様の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。また、ここでは簡便化のため、上記第1の実施の形態と異なる部分シンチレータの周辺封止構造および製造方法について、主に説明する。[シンチレータ周辺封止構造]図13は、画素部10Aと周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表す模式図である。本実施の形態においても、上記実施の形態と同様、シンチレータ層12の周囲を封止する封止層14Bが、薄板ガラス13の接着層として機能すると共に、2つの壁部16A,16B間に防湿層14aが挟持してなる。但し、本実施の形態では、封止層14Bにおいて、壁部16A,16Bがそれぞれ多段階的に塗布形成されており、即ち、複数の樹脂層を積層してなる。ここでは、壁部16A,16Bがそれぞれ3つの樹脂層16A1~16A3,16B1~16B3を有している。壁部16A,16Bは、上記第1の実施の形態の壁部15A,15Bと同様、防湿層14aの厚みHおよび幅Dを制御するものである。これらの壁部16A,16Bは、また、シンチレータ層12を囲み、互いに所定の間隔防湿層14aの幅Dに相当をあけて略平行となるように配設されている。これらの壁部16A,16Bは、上記第1の実施の形態の壁部15A,15Bと同様の樹脂材料よりなるが、樹脂層16A1~16A3,16B1~16B3の各層が、互いに同一の材料から構成されていてもよいし、互いに異なる材料から構成されていてもよい。このような壁部16A,16Bの高さは、上記第1の実施の形態と同様、シンチレータ層12の厚みに応じて設定されている。但し、壁部16A,16Bの幅d2は例えば0.3mm~10mmであり、上記第1の実施の形態の壁部15A,15Bの幅d1よりも細く設定されていてもよい。[製造方法]上記のような封止層14Bを有する放射線撮像装置は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、上記第1の実施の形態と同様にして、センサ基板11を作製した後、このセンサ基板11上にシンチレータ層12を形成する。この後、上記のような封止層14Bを形成する。この封止層14Bにおける壁部16A,16Bの形成工程について、図14A~Cを参照して説明する。まず、図14Aに示したように、センサ基板11の周辺領域10Bに、壁部16A,16Bを形成する。具体的には、上述したような樹脂材料を、例えばディスペンサを用いて、高さh1および幅d2となるように塗布することにより、樹脂層16A1,16B1を形成する。続いて、図14Bに示したように、形成した樹脂層16A1,16B1上に、これらと同一のまたは異なる樹脂材料を、それらと同一の幅幅d2で、かつトータルの高さがh2となるように、例えばディスペンサを用いて塗布することにより、樹脂層16A2,16B2を形成する。続いて更に、図14Cに示したように、樹脂層16A2,16B2上に、これらと同一のまたは異なる樹脂材料を、それらと同一の幅幅d2で、かつトータルの高さがシンチレータ層12の厚みと同等防湿層14aの厚みHとなるように、例えばディスペンサを用いて塗布する。このようにして、樹脂層16A3,16B3を成膜することにより、壁部16A,16Bを多段階的に形成する。この後、壁部16A,16B間に、上記第1の実施の形態と同様にして、防湿層14aとなる樹脂材料を流し込み、薄板ガラス13を重ね合わせた後、例えばUV照射によって樹脂材料を硬化させることにより、シンチレータ層12を密閉封止する。尚、本実施の形態においても、上記第1の実施の形態と同様、シンチレータ層12、壁部16A,16Bおよび防湿層14aの形成順序は、壁部16A,16Bを形成する工程の後に、防湿層14aを形成する工程を経るようにすればよく、上記順序に限定されない。例えば、センサ基板11の周辺領域10Bに封止層14Bを形成した後に、その封止層14Bによって囲まれた領域にシンチレータ層12を蒸着してもよい。あるいは、壁部16A,16B、シンチレータ層12および防湿層14aの順に形成してもよい。また、壁部16B、シンチレータ層12、壁部16Aおよび防湿層14aの順としてもよい。[作用効果]本実施の形態の放射線撮像装置においても、上記第1の実施の形態と同様、放射線が薄板ガラス13を透過後、シンチレータ層12において吸収されると、シンチレータ層12において可視光が発せられ、この可視光がセンサ基板11の画素部10A画素Pにおいて受光される。各画素Pにおいて受光量に応じた電気信号が読み出されることにより、放射線に基づく画像データが得られる。また、シンチレータ層12の周囲を封止する封止層14Bにおいて、防湿層14aが壁部16A,16B間に挟持されていることにより、防湿層14aの成膜プロセスにおいて塗布された樹脂材料が壁部16A,16B間に溜められる。即ち、防湿層14aの幅Dおよび厚みHは、壁部16A,16B同士の間隔および高さに基づいて制御される。よって、上記第1の実施の形態と同様、例えばシンチレータ層12の厚みが大きい場合であっても、使用可能な樹脂材料を限定することなく、所望のアスペクト比H/Dにより防湿層14aを設計可能となる。従って、上記第1の実施の形態と同等の効果を得ることができる。但し、本実施の形態では、封止層14Bにおいて、壁部16A,16Bを多層構造とする多段階的に塗布形成することにより、それらの幅d2を、より細く高さを変えずに細く、かつ安定して形成可能である。即ち、壁部16A,16Bの幅d2は、前述の壁部15A,15Bの幅d1と同様、壁部自身が安定して設置されるような大きさに設計されることが望ましいが、上記のような多層構造を採用することで、幅d2を細くしても十分な安定性を保持することができる。このため、例えばセンサ基板11の周辺領域10Bにおいて、封止層14Bの設置スペースが十分に確保できない場合や、防湿層14aの幅を可能な限りに大きく設定したい場合などに特に有効となる。以下、上記第1および第2の実施の形態の放射線撮像装置の変形例変形例1~5について説明する。尚、上記第1の実施の形態の放射線撮像装置と同様の構成要素については、同一の符号を付し適宜その説明を省略する。また、ここでは簡便化のため、上記第1の実施の形態と異なる部分シンチレータの周辺封止構造について説明する。<変形例1>図15Aは、変形例1に係る、センサ基板11上に配設されたシンチレータ層12および封止層14Cの平面レイアウトの一例であり、図15Bは、画素部10Aとその周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表したものである。図15Bは、図15AのI-I線における矢視断面構成に対応しており、図15Bでは、薄板ガラス13の図示を省略している。本変形例においても、上記第1の実施の形態と同様、シンチレータ層12の周囲を封止する封止層14Cが、薄板ガラス13の接着層として機能する防湿層14aを有している。但し、本変形例では、封止層14Cが壁部15Aと防湿層14aからなり、即ち、シンチレータ層12から離隔して壁部15Aが配設されると共に、これらの壁部15Aとシンチレータ層12との間に、防湿層14aが設けられている。このような構成により、本変形例では、壁部15Aの高さおよび配設箇所により、防湿層14aの厚みHおよび幅Dが制御されるようになっている。具体的には、壁部15Aの高さによって防湿層14aの厚みが制御され、シンチレータ層12の側面から壁部15Aまでの距離によって防湿層14aの幅Dが制御される。このような周辺封止構造の成膜プロセスでは、シンチレータ層12、壁部15Aおよび防湿層14aの順に形成するとよい。本変形例のように、封止層14Cにおいて1つの壁部15Aを設け、この壁部15Aとシンチレータ層12との間に防湿層14aを設けるようにしてもよい。この場合であっても、防湿層14aの成膜プロセスにおいて、壁部15Aが堰として機能し、防湿層14aとなる樹脂材料は壁部15Aとシンチレータ層12との間の間隙に溜められる。即ち、防湿層14aの幅Dおよび厚みHは、壁部15Aおよびシンチレータ層12の側面との間隔等に基づいて制御される。よって、上記第1の実施の形態と同等の効果を得ることができる。<変形例2>図16は、変形例2に係る画素部10Aとその周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表したものである。本変形例においても、上記第1の実施の形態と同様、シンチレータ層12の周囲を、壁部15A,15Bに挟持された防湿層14aが封止すると共に、この防湿層14aが薄板ガラス13の接着層として機能している。但し、本変形例では、防湿層14aが、シンチレータ層12の周囲だけでなく、その上面をも、厚みt1で覆うように形成されている。このように、防湿層14aが、シンチレータ層12の周囲だけでなく、上面を覆っていてもよく、この場合であっても、防湿層14aの成膜プロセスでは、壁部15A,15Bが堰として機能し、防湿層14aとなる樹脂材料の大部分が壁部15A,15B間に溜められ、一部が壁部15A,15B上に付着する。即ち、防湿層14aの幅Dおよび厚みHは、壁部15A,15Bの高さや配置間隔等に基づいて概ね制御される。よって、上記第1の実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。また、本変形例では、シンチレータ層12と薄板ガラス13との間にも、接着性および防湿性を有する防湿層14aが形成されることになるため、薄板ガラス13との密着性および防湿性が増し、シンチレータ層12への水分の介入をより効果的に防ぐことができる。<変形例3>図17は、変形例3に係る画素部10Aとその周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表したものである。本変形例においても、上記第1の実施の形態と同様、シンチレータ層12を、防湿層14aと薄板ガラス13とにより密閉封止した構造を有している。また、薄板ガラス13の厚みは0.1mm以下となっており、これにより、前述のように、センサ基板11との貼り合わせの際に生じる曲げ応力にも耐性を有し、防湿層14aの硬化時に生じる変形などにも追従可能となる。<変形例4>図18は、変形例4に係る画素部10Aとその周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表したものである。本変形例においても、上記第1の実施の形態と同様、シンチレータ層12の周囲を、壁部15A,15Bに挟持された防湿層14aが封止すると共に、この防湿層14aが、シンチレータ層12を上面から封止する封止板の接着層として機能している。但し、本変形例では、封止板として、薄板ガラス13の代わりに薄板金属17を用いた構成となっている。薄板金属17は、放射線を透過させる金属、例えば、ベリリウムBe、アルミニウムAl、銀Ag、チタンTiおよびニッケルNiのうちのいずれかの単体、またはそれらのうちのいずれかを含む合金よりなる。あるいは、薄板基板17は、カーボンプレートなどの軽元素よりなる板材であってもよい。このように、シンチレータ層12の上面に貼り合わせられる封止板としては、上記第1の実施の形態等で説明した薄板ガラス13に限定されず、金属板を用いるようにしてもよい。この場合であっても、その薄板金属17の接着層として、壁部15A,15Bによって挟持された防湿層14aによってシンチレータ層12の周囲を封止することにより、上記第1の実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。但し、薄板ガラスを用いる場合の方が、前述のようにセンサ基板11との線膨張係数差を低減でき、かつUVを透過させ易い。このため、貼り合わせの際の接着材として、熱硬化樹脂ではなく、UV硬化樹脂を使用することができる。従って、貼り合わせ時の熱応力を低減することができ、パネルの反りの発生を抑制可能となる。また、軽量化にも優れており、かつX線透過率も良好となる。<変形例5>図19は、変形例5に係る画素部10Aとその周辺領域10Bとの境界付近の断面構成を表したものである。本変形例においても、上記第1の実施の形態と同様、シンチレータ層12の周囲を、壁部15A,15Bに挟持された防湿層14aが封止している。但し、本変形例では、封止板として、上記第1の実施の形態の薄板ガラス13や上記変形例4の薄板金属17を貼り合わせておらず、防湿層14aがシンチレータ層12の上面をも厚みt2で覆うように形成されている。厚みt2は、シンチレータ層12への水分の介入を抑制し得る十分な厚みに設定されることが望ましい。このように、本変形例では、防湿層14aのみによってシンチレータ層12密閉封止するようになっている。本変形例のように、シンチレータ層12上に、ガラスなどの封止板が貼り合わせられていなくともよく、防湿性を有する樹脂によって覆うようにしてもよい。このような場合であっても、シンチレータ層12の周囲において、防湿層14aが壁部15A,15B間に挟持されていることにより、上記第1の実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。適用例図20は、上記実施の形態および変形例等において説明した放射線撮像装置が適用される放射線撮像表示システムの構成を表したものである。この放射線撮像表示システムは、検体H1を透過したX線透過強度に基づく画像データを取得し、この画像データの表示を行うものである。放射線撮像表示システムは、例えばX線源装置100と、高電圧をX線管装置100Aに導くためのプラグ付きX線高電圧ケーブル図示せずと、高電圧を発生させるX線高電圧装置200と、X線検出器300上記実施の形態等の放射線撮像装置に相当と、画像データを二次元平面上に表示する表示部400とから構成されている。X線源装置100は、例えば、X線の発生に必要なX線管装置100Aと、発生したX線の範囲を制限する照射野限定器100Bとを含むものである。この放射線撮像表示システムは、X線源装置100において発生したX線が検体H1に照射され、検体H1を透過したX線がX線検出器300によって検出されることで、透過X線の強度分布に基づく画像が表示部400に表示される。以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は、上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形することが可能である。例えば、シンチレータ層12と薄板ガラス13との間に所定の反射金属膜を設けるようにしてもよい。これにより、シンチレータ層12から上方薄板ガラス13側に発せられた蛍光を、センサ基板11側へ反射することにより、画素部10Aにおける受光量を増大させることができる。また、反射金属膜を設けることにより、防湿性も向上する。また、上記実施の形態等では、シンチレータ層上に貼り合わせる板材封止板がガラス薄板ガラスまたは金属薄板金属からなる場合を例に挙げたが、この封止板の材料は、上述したガラスや金属材料に限定されず、他の無機材料や有機材料から構成されていてもよい。"