交流電力を直流電力に変換するコンバータと、前記直流電力を可変電圧可変周波数の交流電力に変換し、エレベータのかごを昇降する電動機を駆動するインバータと、前記電動機の回生電力を消費するため前記コンバータと前記インバータとの間の直流母線間に直列に設けた回生抵抗及び半導体素子と、前記直流母線の電圧が第1の基準電圧まで上昇すると前記半導体素子に前記回生抵抗への通電をさせ、前記直流母線の電圧が前記第1の基準電圧より小さい第2の基準電圧まで下降すると前記半導体素子に前記回生抵抗への通電の遮断をさせる第1のゲート信号を生成する電圧制御手段と、前記半導体素子の温度を測定する第1の温度測定手段と、前記半導体素子の出力電流が、前記第1の温度測定手段で測定する温度を基準温度に収束させる電流となる第2のゲート信号を生成する温度制御手段と、前記第1のゲート信号と前記第2のゲート信号のいずれかの信号で前記半導体素子を制御するゲート信号選択手段と、を備えたことを特徴とするエレベータの制御装置。前記温度制御手段は、前記第1の温度測定手段で測定した温度と前記基準温度の差分から前記半導体素子を発熱させる出力電流を算出し、前記半導体素子のゲート電圧と出力電流の相関値に基づき第2のゲート信号を生成することを特徴とする請求項1に記載のエレベータの制御装置。前記かごの運転中及び停止中の信号を出力するエレベータ制御部を備え、前記ゲート信号選択手段は、前記エレベータ制御部から前記かごの運転中の信号を入力したときに前記第1のゲート信号を選択し、前記エレベータ制御部から前記かごの停止中の信号を入力したときに前記第2のゲート信号を選択することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエレベータの制御装置。前記ゲート信号選択手段は、前記直流母線の電圧が前記第1の基準電圧となった後、前記第2の基準電圧より小さい第3の基準電圧を下回るまでは前記第1のゲート信号を選択し、前記第1のゲート信号を選択する前及び前記第1のゲート信号の選択を終了した後は前記第2のゲート信号を選択することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエレベータの制御装置。前記半導体素子の周囲の温度を測定する第2の温度測定手段を備え、前記第2の温度測定手段で測定した温度に基づき、前記基準温度を変えることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエレベータの制御装置。しかしながら、従来のエレベータの制御装置は、回生抵抗の発熱を抑えるための冷却用ファンのON/OFF頻度を低減することで冷却用ファンの高寿命化が図られているものの、回生抵抗への回生電力投入ON/OFF制御を行う半導体素子についての高寿命化は図られていなかった。本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、かごの回生運転、力行運転及び停止の繰り返しによる半導体素子の温度変化を低減し、半導体素子内部の半田接合部やワイヤボンド部に繰り返し加わる熱ストレスを軽減して、回生抵抗の通電制御を行う半導体素子を長寿命化できるエレベータの制御装置を提供するものである。本発明のエレベータの制御装置は、交流電力を直流電力に変換するコンバータと、直流電力を交流電力に変換し、かごを昇降する電動機を駆動するインバータと、コンバータとインバータとの間の直流母線間に直列に設けた回生抵抗及び半導体素子と、直流母線の電圧が第1の基準電圧まで上昇すると半導体素子に回生抵抗への通電をさせ、直流母線の電圧が第2の基準電圧まで下降すると半導体素子に回生抵抗への通電の遮断をさせる第1のゲート信号を生成する電圧制御手段と、半導体素子の温度を測定する第1の温度測定手段と、半導体素子の出力電流が、第1の温度測定手段で測定する温度を基準温度に収束させる電流となる第2のゲート信号を生成する温度制御手段と、第1のゲート信号と第2のゲート信号のいずれかで半導体素子を制御するゲート信号選択手段を備えた。上記のように構成されたエレベータの制御装置は、半導体素子に第1の温度測定手段で測定する温度を基準温度に収束させる出力電流を流して半導体素子の温度低下を抑制することで半導体素子の温度変化を低減し、半導体素子内部の半田接合部やワイヤボンド部に繰り返し加わる熱ストレスを軽減して、回生抵抗の通電制御を行う半導体素子の長寿命化を可能とするものである。実施の形態1.以下、図面に基づいて本発明の実施の形態1について詳細に説明する。図1はこの発明の実施の形態1のエレベータの制御装置の構成図である。エレベータの制御装置は、商用電源1からコンタクタ2を介して供給される交流電力を直流電力に変換し直流母線3、3に出力するコンバータ4と、直流母線3の直流電力を可変電圧可変周波数の交流電力に変換し、かごを昇降させる電動機5を駆動するインバータ6と、電動機5の回生運転時に直流母線3へ供給される回生電力を消費させる回生抵抗7と、回生抵抗7への通電及び遮断を行う半導体素子8と、半導体素子8への第1のゲート信号としてゲート駆動信号9を生成し出力する電圧制御手段としての母線電圧制御部10と、半導体素子8への第2のゲート信号としてゲート電圧信号11を生成し出力する温度制御手段としての温度制御部12と、ゲート駆動信号9とゲート電圧信号11のいずれかの信号を半導体素子8のゲート端子へ出力するゲート信号選択手段としてのゲート信号選択部13と、エレベータ全体の制御を行うエレベータ制御部14を備えている。コンバータ4は、ダイオード等で形成され、商用電源1からコンタクタ2を介して供給される交流電力を直流電力に変換しその出力を直流母線3に出力する。この直流母線3には直流電力のリップル分を平滑するコンデンサ15と、直流母線3の電圧を測定する電圧測定器16が設けられている。インバータ6は、トランジスタやIGBTInsulatedGateBipolarTransistor等で形成され、直流母線3の直流電力を可変電圧可変周波数の交流電力に変換し、エレベータのかごを昇降する電動機5を駆動する。直流母線3に回生抵抗7と直列に接続された半導体素子8は、ゲート端子の電圧により出力電流の調整が可能なIGBTやMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor等が用いられ、半導体素子8の温度を測定する第1の温度測定手段として第1の温度測定器17が取り付けられている。母線電圧制御部10は、直流母線3の電圧を測定する電圧測定器16から入力された電圧値に基づき、直流母線3の電圧が電動機5の回生電力により高くなった場合に、半導体素子8の飽和領域と遮断領域を交互にスイッチング動作させるゲート駆動信号9を生成して出力する。温度制御部12は、第1の温度測定器17で測定した温度と、後述する基準温度25との差分に応じた熱量分だけ半導体素子8を発熱させるのに必要な出力電流を算出し、半導体素子8の活性領域のゲート電圧と出力電流の相関値に基づき、出力電流に対応したゲート電圧信号11を生成して出力する。ゲート信号選択部13は、母線電圧制御部10が生成したゲート駆動信号9と温度制御部12が生成したゲート電圧信号11を入力し、エレベータ制御部14から入力される情報に基づいていずれか一方の信号を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力する。エレベータ制御部14は、エレベータ全体の管理制御を行うものであり、かごが動作可能な状態になるとコンタクタ2に投入指令を出し、商用電源1の電力をコンバータ4に供給する。かごの運転中は起動停止指令とともに位置速度指令を作成し、インバータ6へ指令信号を出力する。また、かごの回生運転、力行運転、停止それぞれの運転状態に応じて温度制御部12、ゲート信号選択部13の制御を行う。上記のように構成されたエレベータの制御装置の動作を図1と図2で説明する。図2においてaはかごの運転パターンを示し、時刻t1から時刻t2までが停止、時刻t2から時刻t3までが回生運転、時刻t3から時刻t4までが停止、時刻t4から時刻t5までが力行運転、以降同様の運転パターンである。bは各運転パターンにおける直流母線3の電圧を示している。cは各運転パターンにおける半導体素子8のゲート端子の電圧を示している。dは各運転パターンにおける半導体素子8に取り付けた第1の温度測定器17で測定した温度を示している。基準温度25は、想定される半導体素子8の周囲温度と、回生運転時に想定される半導体素子8の最高温度との間に設定した値であり、半導体素子8の寿命に影響する温度変動を抑えるために設定した半導体素子8の目標下限温度である。時刻t1から時刻t2の停止中、ゲート信号選択部13はエレベータ制御部14からのかご停止中の情報に基づき、ゲート電圧信号11を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力する。この期間半導体素子8は温度制御部12で生成されたゲート電圧信号11による制御が行われる。時刻t1において、半導体素子8に取り付けた第1の温度測定器17で測定した温度が基準温度25であった場合には、その温度から変動しないよう半導体素子8に微小な出力電流を流し続け発熱させて温度を維持する。その出力電流は、温度制御部12が半導体素子8の活性領域のゲート電圧と出力電流の相関値に基づき、出力電流に対応したゲート電圧信号11で調整する。次に時刻t2から時刻t3の回生運転中の動作について説明する。bで示す直流母線3の電圧は、かごが停止や力行運転のときは変動が少なく、商用電源1をコンバータ4で変換した商用電源1の整流電圧となっている。これに対し時刻t2で回生運転が開始されると、電動機5から発生する回生電力によって電圧が上昇し始める。また時刻t2になるとゲート信号選択部13はエレベータ制御部14からのかご運転中の情報に基づき、ゲート駆動信号9を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力する。時刻t2から時刻t3の間半導体素子8は、母線電圧制御部10が生成するゲート駆動信号9による制御が行われる。直流母線3の電圧は過度に上昇すると、直流母線3に接続されたコンバータ4、インバータ6及びコンデンサ15等の部品を損傷や劣化させることがある。そこで、部品を損傷や劣化させることのない第1の基準電圧21を定め、直流母線3が第1の基準電圧21になると半導体素子8をオンさせ、回生抵抗7に電流を流して回生電力を消費させて直流母線3の電圧を下げる。半導体素子8をオンさせると直流母線3の電圧低下が急激に始まるため、整流電圧以上第1の基準電圧21以下で設定した第2の基準電圧22になると、半導体素子8をオフし回生抵抗7への通電を遮断し電圧低下を止める。回生運転が継続されている間は、再度電圧が上昇し始めるため同様に半導体素子8をオン/オフして、第1の基準電圧21から第2の基準電圧22の間に直流母線3の電圧上昇を抑える制御を行う。なお、回生運転の終了時は電圧上昇がなくなるため、半導体素子8のオン状態は無くなりオフ状態となる。以上に示した半導体素子8のオン/オフ動作をさせる制御は、電圧測定器16から入力された電圧値に基づき母線電圧制御部10で生成したゲート駆動信号9で行う。ここで半導体素子8をオンさせるゲート駆動信号9のゲートオン電圧23は半導体素子8を飽和領域で使用する電圧であり、半導体素子8をオフさせるゲート駆動信号9のゲートオフ電圧24は半導体素子8を遮断領域で使用する電圧である。図2においてゲートオフ電圧24が負の値となっているが、これは半導体素子8の誤動作を防ぐためのものであり、確実な動作が可能であれば、0Vや正の値でもかまわない。時刻t2で回生運転が開始され、半導体素子8のオン/オフが開始されると、dに示すように半導体素子8の発熱により第1の温度測定器17で測定される温度が上昇を始め、半導体素子8のオン/オフを終了するまで上昇を続ける。その後、半導体素子8のオン/オフが終了すると第1の温度測定器17で測定される温度は下降を始める。次に、時刻t3で停止中になると、ゲート信号選択部13はエレベータ制御部14からのかご停止中の情報に基づき、ゲート電圧信号11を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力する。時刻t3から時刻t4の間半導体素子8は、温度制御部12が生成するゲート電圧信号11による制御が行われる。温度制御部12は、第1の温度測定器17で測定した温度と基準温度25との差分及び時刻t3から時刻t4までの予測時間を元に、時刻t4において第1の温度測定器17で測定される温度が基準温度25に収束するように、半導体素子8を素子の許容損失以下で発熱させる出力電流を算出し、半導体素子8の活性領域のゲート電圧と出力電流の相関値に基づき出力電流に対応したゲート電圧信号11を生成して出力する。時刻t3から時刻t4までの間は、継続的または定期的に第1の温度測定器17で測定した温度を参照し、出力電流に対応したゲート電圧信号11の調整を行う。また、第1の温度測定器17で測定した温度が基準温度25になった以降は、温度が変動しないような出力電流を流すようにゲート電圧信号11を調整する。時刻t4で力行運転に入ると、ゲート信号選択部13はエレベータ制御部14からのかご運転中の情報に基づき、ゲート駆動信号9を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力する。時刻t4から時刻t5の間半導体素子8は、母線電圧制御部10が生成するゲート駆動信号9による制御が行われる。力行運転中、直流母線3の電圧はほぼ整流電圧となっているため、ゲート駆動信号9はゲートオフ電圧24を出し続ける。したがって、半導体素子8は発熱しないため、時刻t4における基準温度25から温度が下がり始め時刻t5での温度はTt5まで低下する。時刻t5で停止中に入ると、ゲート信号選択部13はエレベータ制御部14からのかご停止中の情報に基づき、ゲート電圧信号11を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力する。時刻t5から時刻t6の間半導体素子8は、温度制御部12が生成するゲート電圧信号11による制御が行われる。温度制御部12は、時刻t5で第1の温度測定器17が測定した温度Tt5と基準温度25との差分を元に、第1の温度測定器17で測定する温度が基準温度25に収束するように、半導体素子8を素子の許容損失以下で発熱させる出力電流を算出し、半導体素子8の活性領域のゲート電圧と出力電流の相関値に基づき出力電流に対応したゲート電圧信号11を生成し出力する。時刻t5から時刻t6までの間は、継続的または定期的に第1の温度測定器17で測定した温度を参照し、出力電流に対応したゲート電圧信号11の調整を行う。また、基準温度25になった以降は温度が変動しないような出力電流を流すようにゲート電圧信号11を調整する。図2との比較のために、図3に従来の動作特性図を示す。図3中において図2と同一部分には同一符号を付与しており、図2と重複する構成の説明は省略する。従来は、半導体素子8のゲート端子の制御はゲート駆動信号9のみで行っており、時刻t3で停止中になると半導体素子8をオフの状態とし、半導体素子8の出力電流を流さないようにしている。したがって半導体素子8の温度は下降し、半導体素子8に通電されない停止や力行運転の時間が長くなると、半導体素子8を設置している箇所の想定される周囲温度と同等まで下がる。この部分について従来と実施の形態1を比較すると、従来はかごの運転による半導体素子8の温度変化分がT1であったものが、実施の形態1により温度変化分をT2に減少させることができるT2<T1。つまりT1-T2の差分が温度変化を低減できることになる。以上のように構成された実施の形態1のエレベータの制御装置によれば、かごの停止時に半導体素子8のゲート電圧を制御して微小な出力電流を流し、半導体素子8を発熱させることにより温度低下を抑制することで、かごの回生運転、力行運転及び停止の繰り返しによる半導体素子8の温度変化を低減することができる。これにより半導体素子8内部の半田接合部やワイヤボンド部に繰り返し加わる熱ストレスを軽減して、回生抵抗の通電制御を行う半導体素子8の長寿命化を可能とすることができる。実施の形態2.実施の形態2のエレベータの制御装置は、実施の形態1のエレベータの制御装置に対し、ゲート信号選択部13がゲート駆動信号9とゲート電圧信号11を選択する期間を変更したものであり、その他の構成は実施の形態1と同じである。図4は本発明の実施の形態2の動作特性図であり、図2と同一部分には同一符号を付与しており、図2と重複する構成の説明は省略する。図4において、cは実施の形態2の運転パターンaにおける半導体素子8のゲート端子の電圧を示している。直流母線3の電圧が第1の基準電圧21と第2の基準電圧22の間、ゲート信号選択部13はゲート駆動信号9を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力しているのは実施の形態1と同一であるが、実施の形態2では、このゲート駆動信号9を選択している期間以外の全ての期間、ゲート電圧信号11を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力している。以下、この動作について説明するエレベータ制御部14がコンタクタ2に投入指令を出し、商用電源1の電力をコンバータ4に供給を開始した以降に、ゲート信号選択部13はコンバータ4の出力が有効である情報をエレベータ制御部14から入力する。ゲート信号選択部13は、その情報に基づきゲート電圧信号11を選択して半導体素子8のゲート端子へ出力する。以降、半導体素子8は、温度制御部12が生成するゲート電圧信号11による制御が行われる。エレベータ制御部14は電圧測定器16から入力された電圧値が第1の基準電圧21になった時にゲート駆動中情報をゲート信号選択部13に送る。ゲート信号選択部13は、ゲート駆動中情報に基づきゲート電圧信号11からゲート駆動信号9に切換えて半導体素子8のゲート端子へ出力する。これにより半導体素子8のオン/オフ動作が開始される。その後、エレベータ制御部14は、電圧測定器16から入力された電圧値が第2の基準電圧22と整流電圧の間に設定した第3の基準電圧図示せずを下回ると、ゲート駆動中情報を解除する。ゲート信号選択部13は、ゲート駆動中の解除の情報に基づきゲート駆動信号9からゲート電圧信号11に切換えて半導体素子8のゲート端子へ出力する。以降、エレベータ制御部14から次のゲート駆動中情報が入力されるまでは、温度制御部12が生成するゲート電圧信号11による制御が継続される。以上のように構成された実施の形態2のエレベータの制御装置によれば、半導体素子8の温度低下は基準温度25に抑えられ、温度変化分をT3に抑えることができる。これにより、実施の形態1よりもさらに温度変化を低減することが可能になり、半導体素子8の更なる寿命の向上が図れるT3<T2<T1。つまり、ゲート駆動信号9により半導体素子8のオン/オフ制御を行っている期間以外は、半導体素子8をゲート電圧信号11で制御して微小な出力電流を流し、半導体素子8を発熱させることで温度低下を基準温度25に抑え、かごの回生運転、力行運転及び停止の繰り返しによる半導体素子8の温度変化をさらに低減することができる。これにより、半導体素子8内部の半田接合部やワイヤボンド部に繰り返し加わる熱ストレスをさらに軽減して、回生抵抗の通電制御を行う半導体素子8の更なる長寿命化を可能とすることができる。実施の形態3.実施の形態3のエレベータの制御装置は、実施の形態1のエレベータの制御装置に対して第2の温度測定手段としての第2の温度測定器18を追加したものであり、その他の構成は実施の形態1と同じである。図5は本発明の実施の形態3のエレベータの制御装置の構成図であり、図1と同一部分には同一符号を付与しており、図1と重複する構成の説明は省略する。図5において、第2の温度測定器18は半導体素子8の周囲の温度を測定するためのものであり、例えば温度変化に影響を与える割合の大きいインバータ6の付近に設置される。第2の温度測定器18で測定された温度は、定期的にエレベータ制御部14に入力され、エレベータ制御部14で基準温度25を変更し、温度制御部12に出力する。温度制御部12ではこの変更された後の基準温度25に基づいて制御を行う。変更の時期としては10分毎、30分毎、1時間毎、2時間毎のように短い期間で行うか、1日、1ヶ月のように長い期間で行っても良い。実施の形態1または実施の形態2では、基準温度25は固定値であり、想定される周囲温度を高めで設定してあるため、基準温度25も高めの値となっている。したがって第2の温度測定器18で測定された温度が、想定される周囲温度より低い温度の場合は、基準温度25も低くすることが可能であり、この場合、半導体素子8に流す微小な出力電流を減らし発熱させる電力も減少させることが可能となる。なお、第2の温度測定器18の設置位置をインバータ6付近としたが、設置位置はこれに制限されることなく、エレベータの制御装置内の他の位置、またはエレベータの制御装置の外側であってもかまわない。また、第2の温度測定器18で測定された温度は、定期的にエレベータ制御部14に入力され、エレベータ制御部14で基準温度25を変更するとしているが、第2の温度測定器18で測定された温度を直接温度制御部12に入力し、温度制御部12で基準温度25の変更を行っても良い。以上のように構成された実施の形態3のエレベータの制御装置によれば、基準温度25を実際の周囲温度に応じて変更することで、半導体素子8に流す微小な出力電流を減らし発熱させる電力も減少させることができる。これにより、回生抵抗の通電制御を行う半導体素子8の長寿命化に加え消費電力削減効果が得られる。