"平板式熱伝達器100のための熱伝達板1であって、SiC‐材料10 ́またはシリコンカーバイド材料10 ́を含むか、あるいはSiC‐材料10 ́またはシリコンカーバイド材料10 ́からなり、表側または上側10o、および裏側または下側10uを有する、板基板10を備え、上記板基板10の少なくとも前側または上側10oは、複数の流路20kを含む流路構造20を備えるように形成され、上記流路構造20の流路20kの一部または全てが、全体的にまたは部分的に、通路溝20rを囲む通路壁20wを形作る通路柱20sを有することを特徴とする熱交換板1。上記板基板10が、焼結されたシリコンカーバイド材料10 ́またはSSiC‐材料10 ́を含むか、あるいは焼結されたシリコンカーバイド材料10 ́またはSSiC‐材料10 ́からなる、請求項1に記載の熱伝達板1。上記板基板10の最小の層の厚さDminおよび/または平均の層の厚さDmが、約2mmから約4mmまでの範囲にあり、特に、約3mmまたはそれより小さく、特に、約2mmである、請求項1または2に記載の熱伝達板1。通路柱20sの領域の上記板基板10の層の厚さDsが、上記基部10の最小の層の厚さDminおよび/または上記基部10の平均の層の厚さDmより大きく、その結果、ほぼ、下記関係Ds≧Dminまたは、ほぼ、下記関係Ds≧Dmを満たす、請求項1から3までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。流路20kの通路溝20wの底20bの局部的幅Bbと、流路20kの通路溝20rの底20bの高さにおける流路20kの通路柱20sの基部の局部的幅Bsbが、流路20kの局部的な流れ方向に対してそれぞれ垂直に測定したときに、約1:4の比Bb:Bsbを示し、その結果、ほぼ、下記関係Bb:Bsb=10:4を満たす、請求項1から4までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。流路20kの通路溝20rの底20bの局部的幅Bbと、流路20kの通路溝20rの底20bと反対側の面における流路20kの通路柱20sの台地状部20spの局部的幅Bspが、流路20kの局部的な流れ方向に対してそれぞれ垂直に測ったときに、約10:3の範囲の比Bb:Bspを示し、その結果、ほぼ、下記関係10:4≦Bb:Bsp≦10:2または、特に、ほぼ、下記関係Bb:Bsp=10:3を満たす、請求項1から5までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。流路20kの通路溝20rの底20bの高さにおける流路20kの通路柱20sの基部20sbの局部的幅Bsbと、流路20kの通路溝20rの底20bと反対側の面における流路20kの通路柱20sの台地状部20spの局部的幅Bspが、流路20kの局部的な流れ方向に対してそれぞれ垂直に測定したときに、約1:1から約4:2までの範囲、特に約4:3の比Bsb:Bspを示し、その結果、ほぼ、下記関係4:2≦Bsb:Bsp≦1:1または、特に、ほぼ、下記関係Bsb:Bsp=4:3を満たす、請求項1から6までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。流路20kの通路壁20wが、流路20kの通路溝20rの底20bに対する法線と、0°より大きく30°より小さい範囲であって特に約15°である角度αをなし、その結果、ほぼ、下記関係0°<α≦30°または、特に、ほぼ、下記関係α=15°を満たす、請求項1から6までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。流路20kの局部的な流れ方向に対して垂直に測定したときの、流路20kの通路溝20rの底20bの局部的幅Bbと、流路20kの通路溝20rの底20bに対して垂直に測定したときの、流路20kの通路溝20rの深さtが、約10:10から約10:4までの範囲、特に約10:4の比Bb:tを示し、その結果、ほぼ、下記関係10:10≦Bb:t≦10:4または、特に、ほぼ、下記関係Bb:t=10:4を満たす、1から8までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。第1の熱伝達流体F1を上記板基板10の上側10oへ流入、または、上側10oから流出させるために、上記板基板10を上側10oから下側10uにかけて貫通する、流入口および流出口2、3が設けられており、上記流路構造20は、上記第1の熱伝達流体F1を、流入口2から流出口3へ、輸送するように構成されている、請求項1から9までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。上記流路構造20の流路20kは、全体的にまたは部分的に、複数の波形の流れを有し、波形の方向Uは、板基板10によって定義された面または平面において、および/または、それぞれの流路20kによって局部的におよび/または平均的に定義された流れに対して垂直に形成される、請求項1から10までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。それぞれの流路20kの波形の形状は、鋸歯の形状、交互階段形状、波形、正弦曲線形状およびこれらの組み合わせを含む形状群のうちの1つである、請求項11に記載の熱伝達板1。上記板基板1の裏側または下側1uに、対応する複数の流路20k ́を備えた、第2の熱伝達流体F2のための、第2の流路構造20 ́が設けられている、請求項1から12までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。第2の熱伝達流体F2を上記板基板10の裏側または下側10uへ流入、または、裏側または下側10uから流出させるために、上記板基板10を上側10oから下側10uにかけて貫通する、第2の流入口および第2の流出口2 ́、3 ́が設けられており、上記第2の流路構造20 ́は、上記第2熱伝達流体F2を、上記第2の流入口2 ́から上記第2の流出口3 ́へ輸送するように構成されている、請求項13に記載の熱伝達板1。表側または上側10o、および裏側または下側10uについて、板基板10上に伸びる対称軸Sに関して180°の回転対称に形成される、請求項1から14までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。上記板基板10は、基本的に長方形の形状を有し、流入口および/または流出口2、2 ́、3、3 ́は、上記長方形の対向する第1の-有利には短辺の-2辺に近い領域に形成され、第1の熱伝達流体および/または第2の熱伝達流体F1、F2の流れ方向、および/または、流路20k、20k ́の主方向は、基本的に、上記長方形の対向する第2の-有利には長辺の-2辺が伸びる方向に沿って形成される、請求項1から15までのいずれか1項に記載の熱伝達板1。複数の、請求項1から16までのいずれか1項に記載の、熱伝達板1;1j,j=1,...,nを備えた平板式熱伝達器100であって、上記熱伝達板1;1j,j=1,...,nは、それぞれ先の熱伝達板1;1j,j=1,...,n-1の板基板1の裏側または下側10uは、それぞれ直後に続く熱伝達板1;1j1,j=1,...,n-1の板基板1の表側または上側10oに対して、直接対向し、かつ、直接、またはその間にあるシール構造6、4-1、4-2を介して密着するように、上記熱伝達板1;1j,j=1,...,n-1の配列、および/または、特に、上記シール構造6、4-1、4-2の形成によって、流れに関して分離された、相互に直接に続いていく通流空間R1,...,Rn1が形成されるように、直接隣接する2つの通流空間Rj,Rj1,j=1,...,nが、流れに関して分離されるように、そして、1つ飛ばしで隣接する2つの通流空間Rj,Rj2,j=1,...,n-1が、流れに関して結合されており、それぞれ、熱伝達流体F1、F2の1つに割り当てられ、それぞれに割り当てられた熱伝達流体F1、F2を通流させるために、それぞれの流入口2、2 ́からそれぞれの流出口3、3 ́にかけて形成されるように、形成および配置される、平板式熱伝達器100。平板式熱伝達器100のための熱伝達板1の製造方法であって、当該製造方法は、SiC‐材料10 ́またはシリコンカーバイド材料10 ́を含む、または、当該材料から構成される板基板10であって、表側あるいは上側10o、および裏側あるいは下側10uを有する板基板10を供給または形成するステップと、板基板10の表側あるいは上側10oに複数の流路20kを備えた流路構造20を形成するステップと、を含み、上記流路構造20の流路20kの一部またはすべてが、全体的にまたは部分的に、流路溝20rを囲む流路壁20wを形成する流路柱20sによって形成される、製造方法。上記板基板10は、焼結されたシリコンカーバイド材料10またはSSiC‐材料10 ́を含む、または、当該材料から構成される、請求項18に記載の製造方法。上記流路構造20の流路20kは、全体的にまたは部分的に、複数の波形の流れによって形成され、上記波形の方向Uは、板基板10によって定義された面または平面において、および/または、流路20kによって局部的にまたは平均的に定義された流れ方向に対して垂直に形成され、特に、上記波形の形状は、鋸歯の形、交互雛壇式形、波形、正弦曲線の形およびこれらの組み合わせを含む形状群のうちの1つである、請求項18または19に記載の製造方法。"