半導体デバイスの設計データからマスク作製に必要な複数のレイヤーのマスクパターンデータを生成するマスクパターンデータ生成方法であって、前記設計データの所定のレイヤーが、複数のレイヤーを重ね合わせする際の基準となる基準層であるか基準層でないかを選定する工程と、前記基準層であると選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記基準層であるレイヤーの設計データに基づく基準格子を選択し、前記基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、前記マスク描画データを用いて、所定のマスクブランクに前記基準層であるレイヤーのマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、前記基準層であるレイヤーのマスクを作製する工程と、前記作製されたマスクの前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子として設定する工程と、を有し、前記基準層でないと選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置情報を用い、前記基準層でないレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記第2の基準格子を選択し、前記基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、を含むことを特徴とするマスクパターンデータ生成方法。前記基準層であると選定したレイヤーが、前記半導体デバイスの設計データの中の2層であることを特徴とする請求項1に記載のマスクパターンデータ生成方法。前記基準層が、同一レイヤーの複数枚の基準層であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクパターンデータ生成方法。請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスクパターンデータ生成方法を用い、前記基準層でないレイヤーの前記変換されたマスク描画データを用いて、所定のマスクブランクに前記基準層でないレイヤーのマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、前記基準層でないレイヤーのマスクを作製し、前記作製された前記基準層でないレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記第2の基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度とすることを特徴とするマスクの製造方法。請求項4に記載のマスクの製造方法を用いて作製されたマスクであって、前記基準層でないと選定したレイヤーのマスクの重ね合わせ精度が、前記第2の基準格子を基準として測定されたものであることを特徴とするマスク。半導体デバイスの設計データからマスク作製に必要な複数のレイヤーのマスクパターンデータを生成するマスクパターンデータ生成プログラムであって、前記設計データの所定のレイヤーが、複数のレイヤーを重ね合わせする際の基準となる基準層であるか基準層でないかを選定する手順と、前記基準層であると選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記基準層であるレイヤーの設計データに基づく基準格子を選択し、前記基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する手順と、前記マスク描画データを用いて、前記基準層であるレイヤーのマスクを作製し、前記作製されたマスクの前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子として設定する手順と、を有し、前記基準層でないと選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置情報を用い、前記基準層でないレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記第2の基準格子を選択し、前記基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する手順と、前記基準層でないレイヤーのマスク描画データを用いて、前記基準層でないレイヤーのマスクを作製し、前記作製されたマスクのパターンの位置精度を測定し、前記第2の基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度とする手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とするパターンデータ生成プログラム。上記のように、マスクパターンの微細化に伴い、マスクパターンの重ね合わせ精度も極めて厳しくなり、設計パターンに基づく基準格子からのずれ量位置誤差が数nm以内の仕様値も求められるようになっている。しかしながら、位置誤差を数nm以内とするには、マスク製造に用いる電子線描画装置のステージ位置精度がそれに近い値であることもあり、位置精度の確保が困難になっているのが実状である。従来のマスクパターンデータ生成方法によるマスクの位置誤差は、ウェハへのマスクパターン転写時に重ね合わせの基準となる層以下、基準層と呼ぶと、重ね合わせを行う層以下、被合わせ層と呼ぶとの位置誤差が基準格子を介して管理され運用されている。この従来の方法では、基準層と被合わせ層のそれぞれの位置誤差が転写位置誤差に反映してしまうという問題がある。そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、従来、マスク描画装置または半導体露光装置に依存しがちであつた半導体作製におけるパターン位置精度に関して、マスクパターンデータ生成方法に着目し、重ね合わせ設計に対する余裕度を上げ、異なるパターン層レイヤー間の重ね合わせ精度を向上させたマスクパターンデータ生成方法、このパターンデータ生成方法によるマスクの製造方法、該製造方法を用いたマスク及びマスクパターンデータ生成プログラムを提供することである。上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の発明に係るマスクパターンデータ生成方法は、半導体デバイスの設計データからマスク作製に必要な複数のレイヤーのマスクパターンデータを生成するマスクパターンデータ生成方法であって、前記設計データの所定のレイヤーが、複数のレイヤーを重ね合わせする際の基準となる基準層であるか基準層でないかを選定する工程と、前記基準層であると選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記基準層であるレイヤーの設計データに基づく基準格子を選択し、前記基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、前記マスク描画データを用いて、所定のマスクブランクに前記基準層であるレイヤーのマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、前記基準層であるレイヤーのマスクを作製する工程と、前記作製されたマスクの前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子として設定する工程と、を有し、前記基準層でないと選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置情報を用い、前記基準層でないレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記第2の基準格子を選択し、前記基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する工程と、を含むことを特徴とするものである。本発明の請求項2に記載の発明に係るマスクパターンデータ生成方法は、請求項1に記載のマスクパターンデータ生成方法において、前記基準層であると選定したレイヤーが、前記半導体デバイスの設計データの中の2層であることを特徴とするものである。本発明の請求項3に記載の発明に係るマスクパターンデータ生成方法は、請求項1または請求項2に記載のマスクパターンデータ生成方法において、前記基準層が、同一レイヤーの複数枚の基準層であることを特徴とするものである。本発明の請求項4に記載の発明に係るマスクの製造方法は、請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスクパターンデータ生成方法を用い、前記基準層でないレイヤーの前記変換されたマスク描画データを用いて、所定のマスクブランクに前記基準層でないレイヤーのマスクパターンを描画し、前記マスクブランクを加工し、前記基準層でないレイヤーのマスクを作製し、前記作製された前記基準層でないレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記第2の基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度とすることを特徴とするものである。本発明の請求項5に記載の発明に係るマスクは、請求項4に記載のマスクの製造方法を用いて作製されたマスクであって、前記基準層でないと選定したレイヤーのマスクの重ね合わせ精度が、前記第2の基準格子を基準として測定されたものであることを特徴とするものである。本発明の請求項6に記載の発明に係るマスクパターンデータ生成プログラムは、半導体デバイスの設計データからマスク作製に必要な複数のレイヤーのマスクパターンデータを生成するマスクパターンデータ生成プログラムであって、前記設計データの所定のレイヤーが、複数のレイヤーを重ね合わせする際の基準となる基準層であるか基準層でないかを選定する手順と、前記基準層であると選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記基準層であるレイヤーの設計データに基づく基準格子を選択し、前記基準層であるレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する手順と、前記マスク描画データを用いて、前記基準層であるレイヤーのマスクを作製し、前記作製されたマスクの前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子として設定する手順と、を有し、前記基準層でないと選定したレイヤーにおいて、前記基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置情報を用い、前記基準層でないレイヤーのマスク描画の座標基準として、前記第2の基準格子を選択し、前記基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換する手順と、前記基準層でないレイヤーのマスク描画データを用いて、前記基準層でないレイヤーのマスクを作製し、前記作製されたマスクのパターンの位置精度を測定し、前記第2の基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度とする手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とするものである。本発明のマスクパターンデータ生成方法によれば、露光時の基準層と、基準層に重ね合わせて形成する被合わせ層の重ね合わせ精度が向上する。また、基準層の位置精度を用いて、他の被合わせ層を重ね合わせすることにより、重ね合わせ設計に対する余裕度が増加する。さらに、重ね合わせ基準層は半導体デバイス製造の初期工程で用いられる層であることが多く、重ね合わせ精度が向上することによりマスクスペックが緩和され、このマスクを用いたデバイス製造の難度が下げられ、処理に要する時間TATの改善が可能となる。半導体デバイス製造におけるダブルパターニング二重露光の重ね合わせが容易になるという効果を奏する。本発明のマスクの製造方法によれば、基準層の位置精度を用いて、他の被合わせ層を重ね合わせすることにより、位置精度の高い複数のマスクを得ることができる。本発明のマスクによれば、位置精度の高い複数のマスクを得ることができ、転写時のレイヤー間重ね合わせマージンを拡大することができ、その結果、マスク製造及びデバイス製造の歩留りを改善することが可能となる。本発明のマスクパターンデータ生成プログラムによれば、コンピュータを用いてマスクパターンデータの生成を実行させることにより、自動で位置合わせ精度の高いマスクパターンデータの生成が可能となる。以下、図面に基づいて、本発明の実施形態に係るマスクパターンデータ生成方法、該マスクパターンデータ生成方法を用いたマスクの製造方法、マスク及びマスクパターンデータ生成方法に用いるマスクパターンデータ生成プログラムについて、従来のマスクパターンデータ生成方法と比較しながら詳細に説明する。図1は、本発明のマスクパターンデータ生成方法を含む本発明のマスク製造手順を示すフロー図である。まず、図1に示すように、半導体デバイスの設計データを準備するS10。半導体デバイスは、例えば、素子分離層、ゲート層、配線層、コンタクトホール層などの複数の層から構成されており、通常、1枚のマスクには1つの層のパターンからなるレイヤーのみが配置され、各レイヤーのパターンを形成した複数のマスクのパターンを順次ウェハ上に位置合わせして転写し、デバイスが製造される。次に、上記の設計データの所定のレイヤーが、複数のレイヤーを重ね合わせアライメントする際の基準となる基準層であるか基準層でないかを選定するS11。どのレイヤーを基準層とするかは、製造するデバイスやその製造プロセスによりあらかじめ決められており、通常、重ね合わせ基準層はデバイス製造の初期工程に用いられるレイヤーが多い。基準層であると選定したレイヤーにおいては、基準層としたレイヤーの設計データをマスク描画データに変換するS12。このとき、基準層としたレイヤーのマスク描画の座標基準として、基準層としたレイヤーの設計データに基づく基準格子を選択するS13。ステップS13における基準格子としては、基準層としたレイヤーの設計データに基づく正方形状をなす理想格子標準基準格子とも称する。が好ましい。図2は、基準格子と本発明における第2の基準格子以後、本発明においては、第2の基準格子を実効基準格子とも言う。の設定を示す説明図であり、図2aが、理想格子としての基準格子を示す図である。図2aにおいて、基準格子21の各格子点が位置測定点22であり、通常、格子間隔はマスク上で数mm~10数mmに設定される。次に、上記のマスク描画データを用いて、電子線レジストを塗布した所定のマスクブランクに基準層としたレイヤーのマスクパターンを電子線描画しS14、現像してレジストパターンを形成した後、上記のマスクブランクをエッチング加工し、基準層としたレイヤーのマスクを作製するS15。作製されたマスクは外観欠陥検査、寸法検査などの検査を行うS16。次に、図2bに示すように、上記の基準層としたレイヤーのマスクパターンの位置精度を座標測定装置により測定し、基準格子に対する基準層としたレイヤーのパターンの位置誤差ずれ量23を算出する。ずれ量23が許容される仕様値内であれば、図2cに示すように、基準層としたレイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子実効基準格子24として設定するS17。次に、基準層でないと選定したレイヤーにおいては、上記の基準層であるレイヤーのマスクパターンの位置情報を入手しS18、基準層でないレイヤーの設計データをマスク描画データに変換するS19。このとき、基準層でないレイヤーのマスク描画の座標基準として、上記の第2の基準格子実効基準格子24を選択するS20。次に、上記の変換されたマスク描画データを用いて、電子線レジストを塗布した所定のマスクブランクに基準層でないレイヤーのマスクパターンを電子線描画しS21、現像してレジストパターンを形成した後、上記のマスクブランクをエッチング加工し、基準層でないレイヤーのマスクを作製するS22。作製されたマスクは外観欠陥検査、寸法検査などの検査を行うS23。次に、上記の基準層でないレイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、第2の基準格子実効基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度とするS24。図3は、図3aに示す第2の基準格子実効基準格子24を用いた場合の2枚目のマスクの重ね合わせの位置誤差例を示す図図3bである。位置精度測定を終えた基準層でないレイヤーのマスクは、基準層としたレイヤーのマスクとともに出荷検査を経てS25、半導体デバイス製造工程へ出荷されるS26。図4は、本発明のマスクパターンデータ生成方法を適用し、図4aに示す2層のマスクイメージにより、2枚の実マスクのパターンをウェハ上へ2層転写した場合のチップ形状を示すイメージ図図4bである。図1に示し、上記説明したように、本発明のマスクの製造方法では、作製する半導体デバイスの重ね合わせ基準層に用いるレイヤーのマスクパターンの基準格子理想格子に対する位置ずれ量を計測し、この位置ずれ量を有する基準層に用いるレイヤーの座標を第2の基準格子実効基準格子として選択し、同一半導体デバイスおよび次工程以降のマスクパターンを作成し、マスクを製造する。これにより、従来の基準格子を介した2層間の重ね合わせ精度より高精度な2層間重ね合わせ精度を有するマスクを製造することができる。本発明のマスクの製造方法によるマスクによれば、位置精度の高い複数のマスクを得ることにより、転写時のレイヤー間重ね合わせマージンを拡大することができ、その結果、半導体デバイス製造の歩留りを改善することが可能となる。さらに、本発明のマスクパターンデータ生成方法をプログラムとし、コンピュータを用いて実行させることにより、自動で位置合わせ精度の高いマスクパターンデータの生成が可能となる。上記の本発明の説明において、第2の基準格子実効基準格子を決定する際、基準層として選定したレイヤーが1層の場合について述べたが、本発明において基準層は2層としても良い。この場合、基準層として2層を考慮していることから、より半導体デバイス製造時の重ね合わせ精度を向上させることができる。ここで、基準層を2層とする場合の例を示す。基準層が2つとなる凡例は大きく分けて2種類存在する。第1の例は、ウェハ転写時の重ね合わせが、2層に跨る例である。たとえば、図16―~のようなデバイス構造で、コンタクトホールを形成する場合、Y方向はA層、X方向はB層に合わせる場合が存在する。A層をアクティブ層、B層をゲート層にたとえる。形成するコンタクトホール層の平面設計は、図16-とする。一般にアクティブ層とゲート層は交差する構造であり、直交する場合が多い。この場合は図16-に示すデバイス断面イメージのように、アクティブ層から上層に接続するコンタクトホールは、アクティブ層に接し、ゲート層のパターン間を抜けて上層に接続される。したがって、アクティブ層の短周期方向にY方向を位置合わせし、ゲート層の短周期方向にX方向を位置合わせすることにより、より良い構造を得られる。このような場合、コンタクトホール層の第2の基準格子は、Y方向はA層の基準層に合わせ、X方向はB層の基準層に合わせることにより、本発明の効果が得られる。第2の例は、上下の2層を基準とする場合である。図17―~のようなデバイス構造を例とする。たとえばコンタクトホールは下層と上層を接続することが1つの目的として使われるが、下層と上層の位置情報をもとに第2の基準格子を設定すれば、より良い精度で下層と上層を接続できる。これにより、コンタクトホールの位置ずれによる抵抗増加等の問題が改善されるだけでなく、設計余裕が小さくでき、その結果チップサイズの縮小も可能になる。また、本発明のマスクパターン生成方法においては、同一レイヤーの基準層をあらかじめ複数枚作成するのも好ましい方法である。同一レイヤーの基準層をあらかじめ複数枚作成する場合は、基準層複数枚のパターン位置を考慮した実効基準格子とすることで、同一半導体デバイス製造時の多ライン化を実現することができる。たとえば、DRAM等のメモリ製品では、Logic製品より製造するチップの量が多い。したがって、量産の段階では、複数台の露光装置で平行して生産されるため、転写に用いるマスクは複数枚作成し、製造を行う。したがって、1層目のレイヤーのマスクが、複数枚存在することになる。たとえば、1層目のマスクをA、B、Cの3枚作製したとする。この3枚マスクの基準格子に対する位置ずれ量を計測し、3枚の結果から、実効基準格子を求める。これにより、実効基準格子に合わせた2枚目以降のマスクは、基準層となるA~Cのいずれとも、より高い精度で重ね合わせが可能となることになる。ここでは、基準層を複数枚所有する理由をDRAM等メモリ量産の必要性を挙げたが、ほかの理由でも複数枚所有することがある。たとえば、長期間の使用による、破損や汚染に対する、バックアップマスクとして所有する場合などが挙げられる。次に、従来のマスクパターンデータ生成方法と比較しながら、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。実施例図1の本発明のマスク製造フロー図を用いて説明する。まず、図1に示すように、半導体デバイスの設計データを準備したS10。この半導体デバイスは、アクティブ層、ゲート層、配線層、コンタクトホール層などの複数の層から構成されており、上記の設計データのアクティブ層のレイヤーを、複数のレイヤーを重ね合わせアライメントする際の基準となる基準層として選定したS11。他の層は基準層でないレイヤーとした。次に、基準層とした1層目のアクティブ層レイヤーの設計データをマスク描画データに変換したS12。このとき、基準層として選定したアクティブ層のレイヤーにおいて、マスク描画の座標基準として、基準層としたアクティブ層レイヤーの設計データに基づく基準格子を選択したS13。基準格子は、図2aに示すように、マスク上の格子間隔16mmの正方形の理想格子を単位とした。次に、上記のマスク描画データを用いて、電子線レジストを塗布した6インチ角のクロムマスクブランクにアクティブ層レイヤーのマスクパターンを電子線描画しS14、現像してレジストパターンを形成した後、上記のマスクブランクを塩素と酸素の混合ガスでドライエッチングし、基準層としたアクティブ層レイヤーの1層目のマスクを作製したS15。作製したマスクは、外観欠陥検査、寸法検査などの検査を行ったS16。次に、図2bに示すように、座標測定装置を用いて上記の基準層としたアクティブ層レイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、基準格子に対する位置誤差ずれ量を算出したS17。ずれ量が許容される仕様値内であったので、図2cに示すように、基準層とした1層目のアクティブ層レイヤーのマスクパターンの位置座標を第2の基準格子実効基準格子として設定した。次に、基準層でないと選定した他のレイヤーである2層目のゲート層においては、上記の基準層であるアクティブ層レイヤーのマスクパターンの位置情報を入手しS18、ゲート層レイヤーの設計データをマスク描画データに変換したS19。このとき、ゲート層レイヤーのマスク描画の座標基準として、上記の第2の基準格子実効基準格子を選択したS20。次に、上記の変換されたマスク描画データを用いて、電子線レジストを塗布した6インチ角のクロムマスクブランクに2層目のゲート層レイヤーのマスクパターンを電子線描画しS21、現像してレジストパターンを形成した後、ドライエッチングし、2層目のゲート層レイヤーのマスクを作製したS22。作製されたマスクは外観欠陥検査、寸法検査などの検査を行ったS23。次に、上記のゲート層レイヤーのマスクパターンの位置精度を測定し、第2の基準格子実効基準格子との位置ずれ量を算出してレイヤー間の重ね合わせ精度としたS24。図3bは、図3aに示す第2の基準格子実効基準格子を用いた場合のゲート層レイヤーのマスクの重ね合わせの位置誤差例を示す。図5は、本発明のパターンデータ生成方法を用いた上記の2層目のゲート層レイヤーのマスクの基準格子理想格子からの位置誤差ずれを参考までに示す図である。以下、2層目のゲート層レイヤーのマスク作製と同様にして、順次、基準層でないと選定した他のレイヤーからなるマスクを作成し、位置精度測定を終えた基準層でないレイヤーのマスクは、基準層としたレイヤーのマスクとともに1セットとして出荷検査S25を経て、半導体デバイス製造工程へ出荷したS26。図12は、本発明のパターンデータ生成方法を用いた実施例において、実効基準格子とした1層目のマスクアクティブ層レイヤーのマスクと、このマスクに基づく実効基準格子を用いた2層目のマスクゲート層レイヤーのマスクのウェハへの転写時のX座標とY座標の位置誤差nmの測定データであり、X、Y各6点における測定値を示す。図13は、参考までに、1層目に合わせて作成した際の2層目マスクの基準格子理想格子からの転写位置誤差nmを示す。図12及び図13の結果を表1にまとめて示す。表1に示されるように、a実効基準格子とした1層目マスクの転写時の位置誤差は0であり、b2層目マスクの転写時の位置誤差は比較的小さな値である。2層目マスクは、1層目マスクの位置誤差と2層目マスクの位置誤差とが合算されることになるabで転写される。が、本発明においては、第2の基準格子実効基準格子を用いることにより、1層目の位置誤差は相殺されて0となっている。図6は、本発明のパターンデータ生成方法を用いた上記の表1の結果を図示したもので、転写時の位置誤差量と基準格子からの転写時の位置誤差を示す図である。比較例一方、比較のために、従来のマスクパターンデータ生成方法を含むマスク製造手順として、図7に示すフロー図に基づいてマスクを作製した。設計データは実施例と同じデータを用い、比較のために実施例と同じく、第1のマスクパターンとしてアクティブ層レイヤー、第2のマスクパターンとしてゲート層レイヤーとした。描画座標基準としては標準的な座標基準格子理想格子を選択し、また作製されたマスクの位置精度測定には、上記の標準的な座標基準格子を用い、実施例と同様に複数のレイヤーのマスクを作製した。図8は、比較例において、図8aに示す従来の基準格子81を用いて、基準格子に対する1層目のアクティブ層レイヤーのマスクの位置誤差図8bと、基準格子に対する2層目のゲート層レイヤーのマスクの位置誤差図8cを示す図である。図9は、図8に示す従来のマスクパターンデータ生成方法によりマスク製造した2枚のマスクの重ね合わせの位置誤差比較例を示す図である。図14は、従来技術の基準格子によるパターンデータ生成方法を用いた比較例において、d基準格子に対する1層目のマスクアクティブ層レイヤーのマスクのX座標とY座標の位置誤差nmの測定データであり、X、Y各6点における測定値を示す。図15は、e基準格子に対する2層目のマスクゲート層レイヤーのマスクのX座標とY座標の位置誤差量nmをもとに、f1層目のマスクと2層目のマスクによるウェハへの転写時の位置誤差nmの測定データである。図14及び図15の結果を表2にまとめて示す。表2fに示されるように、1層目のマスクと2層目のマスクにより転写されたパターンの位置誤差は、比較的大きな値となる。図10は、上記の表2の結果を図示したもので、従来技術による比較例の2枚のマスクの位置誤差量と転写時の位置誤差を示す図である。本発明の実施例と比較例との相違表3は、表1に示した本発明のパターンデータ生成方法を用いた実施例と、表2に示した従来技術の基準格子によるパターンデータ生成方法を用いた比較例との、転写時のX座標とY座標の位置誤差nmを比較したものである。図11は、上記の表3の結果を図示したもので、本発明の実施例と従来技術による比較例との転写時の位置誤差量を比較した図である。本発明のパターンデータ生成方法を用いることにより、従来技術に比較して、位置誤差の範囲はX座標で約0.6、Y座標で約0.8の割合にまで減少している。表3および図11が示すように、本発明の実施例によるマスクパターンデータ生成方法を用いて製造されたマスクを用いることにより、従来技術の比較例によるマスクパターンデータ生成方法を用いた製造されたマスクを用いるよりも、ウェハへのパターン転写の重ね合わせ精度が向上することが示された。