スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲットであって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて、前記ターゲットのスパッタ面のうちターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレートを貼付したことを特徴とするスパッタリング用のターゲット。前記ターゲットの未使用時のスパッタ面と絶縁性プレートの表面とが面一となるように、前記領域に絶縁性プレートの厚さに応じた段差部が凹設されていることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用のターゲット。前記絶縁性プレートがアルミナ製であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のスパッタリング用のターゲット。請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のターゲットを用いたスパッタリング方法であって、前記ターゲットを成膜対象物と共にスパッタ室内に配置し、減圧下のスパッタ室内にスパッタガスと酸素を含む反応ガスとを導入して反応性スパッタリングにより成膜を行うことを特徴とするスパッタリング方法。本発明は、上記点に鑑み、反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができて、良好な成膜を可能とするターゲット及びこのターゲットを用いたスパッタリング方法を提供することをその課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明は、スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲットであって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて前記ターゲットのスパッタ面のうち、ターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレートを貼付したことを特徴とする。本発明によれば、スパッタ室を真空引きし、所定圧力に達すると、アルゴンガス等の希ガスを導入し、ターゲットに負の電位を持った直流電力または交流電力を印加してスパッタ室内にプラズマを形成し、プラズマ中の希ガスのイオンがターゲットの表面スパッタ面に衝突してスパッタされ、ターゲットを構成する元素のスパッタ粒子が基板に向かって飛散される。このとき、希ガスに加えて、O2、O3やH20等の酸素含有ガスを導入することで、酸素と、ターゲットを構成する金属元素との酸化物が基板に付着、堆積して成膜される。ここで、スパッタ粒子が放出される際、ターゲットが侵食され、ターゲットへの投入積算電力が増加するのに従い、この侵食量が多くなる。このとき、例えば漏洩磁場を作用させた状態でスパッタすると、ターゲットのスパッタ面は、優先的に侵食される領域と、プラズマ中のイオンが殆ど衝突せず、逆に、上記酸化物が付着、堆積して実質的に侵食が進まない領域とに分かれる。そこで、本発明では、このように実質的に侵食が進まない領域、つまり、酸素と、ターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレートを貼付する構成としたことで、反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができることが確認され、良好に成膜することができる。なお、絶縁性プレートのターゲットへの貼付には、例えば、耐熱性等を有するボンディング材を介して両者を接合した場合やボルト等の締結手段にて両者を固定するものが含まれ、また、上記領域に絶縁材料を直接溶射して絶縁性プレートを形成するような場合も含む。ところで、ターゲットのスパッタ面の所定領域に絶縁性プレートを貼付した場合、この絶縁性プレートの厚さによってはスパッタ面からの突出量が多くなり、このように突出量が多くなると、ターゲットと絶縁性プレートとの貼付面で異常放電を誘発し易いことが判った。このため、ターゲットの未使用時のスパッタ面と絶縁性プレートの表面とが面一となるように、前記領域に絶縁性プレートの厚さに応じた段差部が凹設されていることが好ましい。なお、面一には、完全に一致している場合の他、突出量が少なく、異常放電が然程問題とならないような場合も含む。これによれば、ターゲットと絶縁性プレートとの貼付面で異常放電の誘発を抑制でき、長時間に亘って安定して放電させることができる。本発明においては、前記絶縁性プレートがアルミナ製であることが好ましい。これによれば、比較的長時間に亘って安定して放電させることができることが確認された。また、上記課題を解決するために、本発明のスパッタリング方法は、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のターゲットを用いたスパッタリング方法であって、前記ターゲットを成膜対象物と共にスパッタ室内に配置し、減圧下のスパッタ室内にスパッタガスと酸素を含む反応ガスとを導入して反応性スパッタリングにより成膜を行うことを特徴とする。以下、図面を参照して、ターゲットをシリコン製とし、同一形状を有するこのターゲットの複数枚をスパッタ室内に所定間隔で並設し、この並設されたターゲットのうち、対をなすものに交流電力を投入して各ターゲットをスパッタすると共にスパッタ室内に酸素含有ガスを導入して、ガラス基板等の処理すべき基板に、反応性スパッタリングによりシリコン酸化物膜を成膜する場合を例に本発明の実施形態のスパッタリング用のターゲット及びそのスパッタリング方法を説明する。図1は、本実施形態のターゲットが備えられたマグネトロン方式のスパッタ装置SMを示す。スパッタ装置SMは、スパッタ室1aを画成する真空チャンバ1を備える。真空チャンバ1の壁面に、排気口11開設され、この排気口11には、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段Pに通じる排気管12が接続され、スパッタ室1a内を真空引きして所定の真空度に保持できる。また、真空チャンバ1の壁面に、ガス導入手段2が設けられている。ガス導入手段2は、マスフローコントローラ21a、21bを介設したガス管22a、22bを通じて図外のガス源に連通し、アルゴン等の希ガスからなるスパッタガスと共に、O2、O3、H2Oといった酸素含有ガスが一定の流量で導入できるようになっている。以下においては、スパッタ室1aにて後述のターゲットと基板Wとが対向し、ターゲットから基板に向かう方向を上とし、基板からターゲットに向かう方向を下として説明する図1参照。スパッタ室1aの底部には、マグネトロンスパッタ電極Cが配置されている。マグネトロンスパッタ電極Cは、スパッタ室1aを臨むように設けられた略直方体平面視矩形の4枚のシリコン例えば、純度99.99製のターゲット31~34と磁石ユニット41~44とを備える。以下においては、ターゲット31~34の長手方向をX方向、このX方向に直交するターゲット31~34の幅方向をY方向として説明する。なお、ターゲット31~34の個数は上記に限定されるものではない。各ターゲット31~34は、スパッタによる成膜中、当該ターゲット31~34を冷却する銅製のバッキングプレート31にインジウムやスズなどのボンディング材を介して接合されている。そして、バッキングプレート31にターゲット31~34を接合し、ターゲット31~34を上側とした状態で真空シール兼用の絶縁体32を介してスパッタ室1a内に設けられる。この場合、ターゲット31~34の上面が、成膜時に後述のスパッタガスのイオンでスパッタリングされるスパッタ面3aを構成する。また、各ターゲット31~34は、スパッタ室1a内においてY方向に等間隔で、かつ、未使用時のスパッタ面3aが、基板Wに平行な同一平面内に位置するように配置され、更に、並設した各スパッタ面3aの総面積が基板Wの外形寸法より大きくなるように各ターゲットの形状が設計されている。スパッタ室1a内にターゲット31~34を配置した後、各ターゲット31~34のスパッタ面4aの周囲には、ターゲット31~34が臨むように当該ターゲット31~34の輪郭に対応した中央開口51を備えた板状のシールド5が夫々配置される。各シールド5は、例えばアルミニウム製で同一形状のものであり、真空チャンバ1の底部に立設した金属製の支持体7で支持されてアース接地されている。また、その中央開口51は、各シールド5を各ターゲット31~34の周囲に配置したとき、ターゲット31~34の外周縁部と中央開口51の内縁部との間に、ターゲット31~34の全周に亘って所定の隙間D例えば、2~3mmの範囲が形成されるように設計され、ターゲット31~34下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止する役割を果たす図2参照。また、並設したターゲット31~34のうち相互に隣接する2枚のターゲット31と32並びに33と34を夫々対とし、対をなすターゲット31~34には、交流電源Eからの出力Eoが夫々接続されている。そして、成膜時に、交流電源Eから所定周波数例えば、1kHz~100kHzの交流電力が対をなすターゲット31~34に夫々投入される。各バッキングプレート31の下方スパッタ室1aの外側に夫々配置された磁石ユニット41~44は同一形態を有し、一の磁石ユニット41を例に説明すると、磁石ユニット41は、バッキングプレート31に平行に設けられ、磁石の吸着力を増幅する磁性材料製の平板から構成される支持板41ヨークを備える。支持板41上には、この支持板41の長手方向にのびる中心線上に位置させて配置した中央磁石42と、この中央磁石42の周囲を囲うように、支持板の上面外周に沿って環状に配置した周辺磁石43とがターゲット側の極性をかえて設けられている。この場合、例えば、中央磁石の同磁化に換算したときの体積をその周囲を囲う周辺磁石43の同磁化に換算したときの体積の和周辺磁石:中心磁石:周辺磁石=1:2:1図1参照程度になるように設計される。これにより、各ターゲット31~34の上方で釣り合ったトンネル状の漏洩磁場M1、M2が夫々形成される。なお、中央磁石42及び周辺磁石43は、ネオジム磁石等の公知のものであり、これらの中央磁石及び周辺磁石は一体ものでも、または、所定体積の磁石片を複数列設して構成してもよい。支持板41は、その外形寸法がターゲットの輪郭よりより一回り小さく形成され、各支持板41を介して各磁石ユニット41~44が移動手段6に連結されている。移動手段6は、各支持板41の下面に夫々垂設したナット部材41aに螺合する送りねじ61と、この送りねじ61を正逆方向に回転駆動するモータ62とを備える。そして、送りねじ61を回転駆動すると、その回転方向に応じて各磁石ユニット41~44が一体にY方向で同一平面上を所定速度かつ一定のストロークSで往復動する。また、送りねじは、ベース板63上に設けられ、X方向でターゲット41の長手方向全長に亘って水平にのびる左右一対のレール部材64R、64Lに摺動自在に係合し、図示省略の駆動モータを備えたスライダ65で保持されている。そして、両スライダ65R、65Lを同期してX方向に移動させると、各磁石ユニット41~44が一体にX方向で同一平面上を所定速度かつ一定のストロークで往復動する。これにより、各磁石ユニット41~44が、所定の起点から、磁石ユニット41~44の直上に位置するターゲット31~34に対して相対移動されて前記起点に戻されることが繰り返される。以上のスパッタ装置SMによれば、並設した各ターゲット31~34に対向する、スパッタ室1a上部の所定位置に基板Wがセットされ、この状態でスパッタ室1aが所定圧力まで真空引きされると、ガス導入手段2を介して所定のスパッタガス及び酸素を含む反応ガスを導入し、交流電源Eを介して対をなす各ターゲット31~34に交流電力を夫々投入する。これにより、対をなす2枚のターゲット31と32並びに33と34が夫々アノードとカソードとの役割を果たし、各ターゲット31~34の上方に、磁場の垂直成分が0となる位置を通るレーストラック状に高密度のプラズマが発生する。そして、プラズマ中のアルゴンイオンによりターゲット31~34が夫々スパッタされ、当該ターゲット31~34からのスパッタ粒子が基板Wに向かって、飛散し、酸素原子と反応しながら基板W表面に付着、堆積してシリコン酸化物膜が成膜される。そして、スパッタ中、移動手段61、62により磁石ユニット41~44を、X方向及びY方向の少なくとも1方向に移動させることで漏洩磁場の位置を変えて、ターゲット31~34の局所的な侵食が抑制される。ここで、シールド5をアース接地した場合、磁石ユニット41~44を往復動するときにシールド5上方空間までプラズマが存するように往復動のストロークSを設定すると、異常放電が誘発され易く、良好な成膜が阻害される要因となり得る。このため、ターゲット31~34のY方向の対辺間距離より短い範囲となるようにつまり、支持板41の外周縁部がターゲット31~34の外周縁部よりはみ出さないように上記ストロークSが設定される。このようにストロークSを設定すると、ターゲット3132~34のスパッタ面3aは、優先的に侵食される領域と、プラズマ中のイオンが殆ど衝突せず、逆に、上記酸化物が付着、堆積してしまい、実質的に侵食が進まない領域とに分かれる。つまり、ターゲットは、図2a中、点線で示すように侵食され、その外周縁部が非侵食領域3bとし残るようになる図2参照。この場合、成膜時間が長くなるのに従い、絶縁物たる金属酸化物膜がターゲット3132~34の非侵食領域に付着、堆積し、異常放電アーク放電を誘発する虞が生じ、ターゲット3132~34の一部が溶けて飛散したりスプラッシュ、または、ターゲット3132~34に割れが生じたりして、長時間に亘って、ひいては、ターゲット3132~34の寿命まで安定して成膜することができなくなる。本実施形態では、図3a及びbに示すように、非侵食領域の全体を覆うように、ターゲット3132~34のスパッタ面3aに所定厚さのアルミナ製の絶縁性プレート8を貼付することとした。絶縁性プレート8の厚さは、例えば、1mm~10mmの範囲に設定される。1mmより薄くなると、絶縁性プレート8の耐久性が不十分なる虞がある一方、10mmより厚くなると、絶縁性プレート8側面へのスパッタ膜の着膜量が増大し、剥離によるアーク放電が誘発する虞がある。また、絶縁性プレートのターゲット3132~34への貼付方法は、スパッタ時に、絶縁性プレート8がターゲット3132~34から剥離しないものであれば、特定に制限がなく、例えば、耐熱性等を有するボンディング材を介して両者を接合たり、アルミナAl2O3製のボルト等で両者を固定することができる。また、例えば、絶縁性プレート8を機械式のクランプで固定してもよく、また、ろう付け、溶着、爆着等の方法を用いることができる。更に、上記領域に、アルミナ等の絶縁材料を所定の膜厚で直接溶射して絶縁性プレートの役割を果たすようにしてもよい。なお、非侵食領域3bがスパッタ面に島状に存在するような場合には、非侵食領域3b毎に絶縁性プレートを貼付すればよい。以上によれば、反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、ターゲット31~34の寿命まで長時間に亘って安定して放電させることができて、良好に成膜することができる。なお、上記では、絶縁性プレート8としてアルミナ製のものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、セラミックスや石英製とすることもできる。また、ターゲット31~34のスパッタ面3aの所定領域に絶縁性プレートを貼付する場合を例に説明したが、絶縁性プレート8の厚さによってはスパッタ面3aからの基板W側への突出量が多くなり、このように突出量が多くなると、ターゲット31~34と絶縁性プレート8との貼付面で異常放電を誘発する場合がある。このような場合には、図4に示すように、ターゲット31~34の未使用時のスパッタ面3aと絶縁性プレート8の表面とが面一となるように、ターゲット31~34の非侵食領域3bに絶縁性プレート8の厚さに応じた段差部9を凹設しまたは座繰り、この段差部9に絶縁性プレートを嵌合するようにしてもよい。なお、面一には、完全に一致している場合の他、突出量が少なく、異常放電が然程問題とならないような場合も含む。以上の効果を確認するため、図1に示すスパッタリング装置SMを用いて次の実験を行った。ターゲット31~34をシリコン製とし、公知の方法で210mm×1310mm×厚さ6mmの平面視略長方形に成形し、バッキングプレート31に接合した。この場合、スパッタ面3aの外周縁部には、厚さ5mm、幅15mmのアルミナ製プレートを接着部材を用いて接着固定した。更に磁石ユニット41~44の支持板41として、130mm×1300mmの外形寸法を有するものを用い、各支持板41上に、長手方向に沿った棒状の中央磁石52と、支持板51の外周に沿って周辺磁石53とを設けた。このとき、ターゲット31~34の長手方向の両端から約51mmの位置で磁場の垂直成分が1つのピークP約210Gがある。そして、基板Wとして、3100mm×2900mmの外形寸法を有するガラス基板を用い、また、スパッタ条件として、真空排気されているスパッタ室1a内の圧力が0.5Paに保持されるように、マスフローコントローラ21a、21bを制御してスパッタガスであるアルゴンと酸素ガスとをスパッタ室1a内に導入した。ターゲットとガラス基板との間の距離は180mm、ターゲットへの投入電力交流電圧は15kWとした。そして、スパッタ時間を250秒に設定し、一枚の基板Wに成膜し、基板を適宜交換しつつ、ターゲットへの投入電力の積算電力が480kWhに達するまでスパッタリングした。図4は、特定の積算電力にて、単位時間1分当たりのアーク発生回数を測定した結果であり、-●―線で示す。この場合、交流電源E内の検出回路で検出した一対のターゲット31、32への出力電流が、定常出力電流値を超えたとき、アーク検出制御回路によりアーク放電の発生としてカウントすることとした。なお、アーク検知方法は公知のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、比較実験として、絶縁性プレートを貼付しない以外は上記と同条件でスパッタリングし、上記同様にアーク放電の発生回数を測定したものを、図4中、-○―線で示す。以上の実験によれば、比較実験のものでは、積算電力が約180kWh付近から、アーク放電の発生回数が増加し、220kWhを超えると、成膜を阻害するアーク放電が発生し、これ以上成膜できなくなった。それに対して、発明実験では、積算電力が増えるのに従い、僅かにアーク放電の発生回数が増加しているものの、ターゲットの寿命である480kWhまで成膜できていることが判る。この場合、両者の侵食領域を目視で比較すると、略同等であることが確認された。以上、本発明の実施形態について、複数枚のターゲットを並設し、対をなすものに交流電源により交流電力を投入するものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、ターゲットは一枚でもよく、また、DC電源にて直流電力を投入するような場合にも本発明は適用し得る。また、円形のターゲットで磁石ユニットがターゲットの中心を回転中心として回動するようにしたものにも本発明は適用し得る。