"基板または下地膜上に形成された、一般式ABO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crから選択される元素を示す。で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物から成り、且つ膜厚が8nm以上80nm以下である密着層と、該密着層上に形成された金属から成る第1の電極と、該第1の電極上に形成された導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極と、該パターン化された第2の電極上に、前記第1の電極表面のみを疎水性領域とする改質処理を介してインクジェット工法により形成された電気-機械変換膜と、該電気-機械変換膜上に形成された導電性酸化物から成る第3の電極とを備えたことを特徴とする電気-機械変換素子。前記一般式ABO3で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物が、LaNiO3若しくはLaAlO3であることを特徴とする請求項1に記載の電気-機械変換素子。前記第1の電極が、白金族元素から選択される金属から成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気-機械変換素子。前記第2の電極が、一般式ACO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Cは、Ru、Co、Niから選択される元素を示す。で表される導電性酸化物、或いはIrO2、RuO2から選択される導電性酸化物から成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電気-機械変換素子。前記第3の電極が、一般式ACO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Cは、Ru、Co、Niから選択される元素を示す。で表される導電性酸化物、或いはIrO2、RuO2から選択される導電性酸化物から成ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電気-機械変換素子。前記電気機械変換膜が、下記a工程からd工程を含むプロセスフローを介して形成されたものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電気-機械変換素子。a工程:前記パターン化された第2の電極表面を親水性領域として維持したまま前記第1の電極表面のみを改質させて疎水性領域とする。b工程:前記パターン化された第2の電極表面上に、インクジェット工法により電気-機械変換膜用の前駆体溶液を印刷して塗膜を形成する。c工程:前記塗膜を熱処理する。d工程:前記a工程、b工程、c工程を繰返して電気-機械変換膜を所望の膜厚とする。前記第1の電極表面のみの改質が、チオール材料により成されていることを特徴とする請求項6に記載の電気-機械変換素子。前記第2の電極が、スパッタ法或いはスピンコート法により導電性酸化物を前記第1の電極上に成膜後、フォトリソグラフィエッチングによりパターン化されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電気-機械変換素子。請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電気-機械変換素子を具備することを特徴とする液滴吐出ヘッド。請求項9に記載の液滴吐出ヘッドを具備することを特徴とするインクジェットプリンタ。前述のように微細パターン形成が可能なインクジェット工法による印刷技術を用いて圧電体薄膜電気-機械変換膜、例えば、PZTを形成する場合、下地の表面を改質により疎水性領域と親水性領域を区分けしパターニングする必要があるが、下地となる下部電極表面が金属電極の場合と、酸化物電極の場合とで表面処理方法が全く異なってくる。図2を参照してチオール材料による処理で金属表面にPZTを形成する場合a、シラン材料による処理で酸化物表面にPZTを形成する場合bを説明する。即ち、金属電極表面にPZTを形成する場合には、図2aに示すように、一般的にチオール材料チオール化合物等で金属表面を処理する方法が好ましい。先ずチオール材料を用いて金属電極21表面に所望のパターンでSAMSelfAssembledMonolayer22を形成して表面改質処理疎水化処理し、疎水性領域と親水性領域の区分けを行う。SAM22により所望のパターンとされた金属電極表面の親水性領域にPZT23を塗布する。PZTを塗布した後のプロセスを説明すると、PZT形成時の熱処理でチオール化合物は焼失する。1層目のPZTが形成された後、2層目以降のPZT形成については、SAM材料を浸漬処理することで金属電極表面上のみにチオール材料が反応し、親水性領域、疎水性領域の部分改質がセルフアラインで行うことができ、かつタクトタイムも大幅に短縮することができる。但し、上記PZT形成時の熱処理によってチオール材料は消失するものの、金属電極表面に熱履歴が生じてしまう。ここで、下部電極金属電極の下に、図示しない密着層をチタンを用いて設け、下部電極として金属材料、特に白金を用いた場合、前記熱処理によりチタンが金属と合金化してしまい、下部電極が変質して2層目以降の表面改質処理におけるチオール材料と金属電極表面との反応が不十分となる問題がある。前述のように、密着層をチタンからTiO2に変更した場合、密着層としての機能が不十分となる。一方、酸化物電極表面にPZTを形成する場合には、図2bに示すように、一般的にシラン材料等で酸化物表面を処理する方法が好ましい。先ずシラン材料を用いて酸化物電極26表面に所望のパターンでSAMSelfAssembledMonolayer27を形成して表面改質処理し、疎水性領域と親水性領域の区分けを行う。SAMにより所望のパターンとされた酸化物電極表面にPZT28を塗布する。PZTを塗布した後のプロセスを説明すると、図2aの場合と同様に、熱処理でシラン材料が焼失する。1層目のPZTが形成された後、2層目以降のPZT形成については、図2aの場合のようにSAM材料を浸漬処理すれば、形成されたPZTも酸化物であるため、このPZT上にもSAM材料が反応して付着してしまう。このため、図2aの場合のように疎水性領域と親水性領域の区分けを行う表面改質処理は不可能になる。本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、基板または下地膜上に、密着層、下部電極、電気-機械変換膜、上部電極を備えた構成から成り、電気-機械変換膜がインクジェット工法で下部電極上に安定して形成でき、電気-機械変換膜形成時の熱処理において密着層と下部電極、及び下部電極と電気-機械変換膜との密着性が低下することのない電気‐機械変換素子を提供すると共に、前記電気‐機械変換素子を具備し、インク吐出特性を良好に保持できる液滴吐出ヘッド並びに前記液滴吐出ヘッドを具備したインクジェットプリンタを提供することを目的とする。特に、下部電極に金属特に白金を用い、電気-機械変換膜にPZTジルコン酸チタン酸鉛を用いた場合でも、電気-機械変換膜形成時の熱処理に伴う密着層と白金との合金化による不具合を回避し、密着層と下部電極、及び下部電極と電気-機械変換膜との密着性低下を防止することができ、且つ、下部電極上に電気-機械変換膜をインクジェット工法で安定して形成可能とされた電気-機械変換素子を提供することを目標とする。なお、本発明における前記下部電極は、金属から成る第1の電極と、導電性酸化物から成る第2の電極とで構成される。また、前記上部電極は導電性酸化物から成る第3の電極で構成される。本発明者らは鋭意検討した結果、基板または下地膜上に密着層を介して下部電極例えば、白金を設け、電気-機械変換膜例えば、PZTを下部電極上にインクジェット法で形成する場合に、密着層を一般式ABO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crから選択される元素を示す。で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物で構成し、下部電極を金属から成る第1の電極と、導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極とで構成することにより上記課題が解決されることを見出し本発明に至った。即ち、上記課題は、基板または下地膜上に形成された、一般式ABO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crから選択される元素を示す。で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物から成り、且つ膜厚が8nm以上80nm以下である密着層と、該密着層上に形成された金属から成る第1の電極と、該第1の電極上に形成された導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極と、該パターン化された第2の電極上に、前記第1の電極表面のみを疎水性領域とする改質処理を介してインクジェット工法により形成された電気-機械変換膜と、該電気-機械変換膜上に形成された導電性酸化物から成る第3の電極とを備えたことを特徴とする電気-機械変換素子により解決される。本発明の電気‐機械変換素子は、基板または下地膜上に、一般式ABO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crから選択される元素を示す。で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物から成り、且つ膜厚が10nm以上60nm以下である密着層が設けられ、この密着層上に下部電極として、金属から成る第1の電極と、導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極が設けられ、第2の電極上に電気-機械変換膜が設けられ、電気-機械変換膜上に上部電極導電性酸化物から成る第3の電極が設けられた構成とされているため、電気-機械変換膜例えば、PZT形成時の熱処理においても密着層と下部電極例えば、チタンが合金化して不具合を起こすことがなく、各構成層の変質が防止されるため、密着層と下部電極第1の電極、及び下部電極第2の電極と電気-機械変換膜との密着性が低下することがなく、各界面において剥れなどの不具合が生じず、電気-機械変換膜は、パターン化された第2の電極上に、第1の電極表面のみを改質させて疎水性領域とする処理表面改質処理を介してインクジェット工法により安定して形成される。ここで、表面改質処理とインクジェット工法は繰り返し可能である。本発明の電気-機械変換素子を用いて液滴吐出ヘッドを構成すれば、インク吐出特性を良好に保持できる。また、該液滴吐出ヘッドを用いてインクジェットプリンタを構成すれば、振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られて、画像品質が向上する。前述のように本発明における電気-機械変換素子は、基板または下地膜上に形成された、一般式ABO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crから選択される元素を示す。で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物から成り、且つ膜厚が8nm以上80nm以下である密着層と、該密着層上に形成された金属から成る第1の電極と、該第1の電極上に形成された導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極と、該パターン化された第2の電極上に、前記第1の電極表面のみを疎水性領域とする改質処理を介してインクジェット工法により形成された電気-機械変換膜と、該電気-機械変換膜上に形成された導電性酸化物から成る第3の電極とを備えたことを特徴とするものである。以下、上記本発明について図を参照して詳しく説明する。図3は、本発明に係る電気-機械変換素子の構成例を示す概略図である。図3に示す電気-機械変換素子は、基板301、振動板302、密着層303、第1の電極304、第2の電極305、電気-機械変換膜306、第3の電極307から構成されている。ここで、密着層は前記一般式ABO3で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物により形成され、第1の電極は金属電極により形成され、第2、第3の電極は導電性酸化物により形成されている。第2の電極については、電気-機械変換膜形成前に予め所望のパターンに加工パターン化しておく。パターン化された第2の電極上にインクジェット法により電気機械変換膜を形成する。但し、インクジェット工法により電気-機械変換膜を形成する前に表面改質処理を施しておく必要がある。具体的には、パターン化された第2の電極表面を親水性領域として維持したまま前記第1の電極表面のみを改質させて疎水性領域とする。表面改質処理を行うには、チオール材料例えば、アルカンチオールを用いて浸漬処理させることで、金属から成る第1の電極表面においてはチオール材料が反応、付着し、表面状態を疎水性化撥水化することができる。また、導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極表面においてはチオール材料が反応しないため、表面状態としては導電性酸化物の有する親水性が維持される。チオール材料は自己組織化された膜SAM:SelfAssembledMonolayerを形成するため、チオール材料を用いた表面改質処理、例えば、浸漬処理のみにより、疎水性領域の部分改質がセルフアラインで行うことができる。このように、第1の電極表面のみを改質させて疎水性領域とした後にインクジェット工法により電気-機械変換膜の形成を行う。電気-機械変換膜は、インクジェット工法により電気-機械変換膜用の前駆体溶液インクを印刷して塗膜を形成し、溶媒乾燥、熱分解、結晶化の各熱処理を施すことで得られる。この塗膜から結晶化膜への変態には体積収縮が伴うので、クラックフリーな膜が得られるように前駆体溶液の濃度調整が必要である。限定されるものではないが、通常、一度の工程で100nm以下の膜厚が得られるように前駆体溶液の濃度が調整される。即ち、電気-機械変換膜については数μm程度の厚みにするため、インクジェット工法による繰り返し印刷で塗膜を何層も重ねて作製する必要がある。電気-機械変換膜を形成する材料としてPZTを選択した場合、熱処理温度としては400°C以上を必要とするため、各熱処理後において表面改質処理材料チオール材料が消失してしまう。そのため、インクジェット工法による繰り返し印刷により電気-機械変換膜PZTを形成するには、PZT形成前にその都度下地となる第1の電極の表面改質処理を施す必要がある。図4の模式図に示すように、上記熱処理後に2層目以降の電気-機械変換膜を形成する場合であっても、予めパターン化された第2の電極である導電性酸化物から成る酸化物電極32が設けられた金属電極31表面のみにチオール材料を用いてセルフアラインで表面改質処理を施すことができ、自己組織化されたSAMチオール33を利用して、パターン化された酸化物電極32上に繰り返しPZTを形成することが可能となる。また、チオール材料例えば、アルカンチオールを用いて浸漬処理させて金属から成る第1の電極表面のみを表面処理させた後、有機シラン材料を用いて同様な浸漬処理により、酸化物から成る第2の電極表面、若しくは電気-機械変換膜表面のみを表面処理させることもできる。即ち、有機シラン材料は金属表面に反応せず、酸化物表面のみを表面改質することが可能である。親水性の高い基を有する有機シラン材料を用いることで、さらに表面の親水性領域と疎水性領域のコントラスト比をつけることができるようになり、インクジェット工法により電気-機械変換膜用の前駆体溶液インクを親水性領域に印刷して電気-機械変換膜を形成するに際に、より精細なパターニング形成が効果的に行われる。本発明の電気-機械変換素子において、電気-機械変換膜を形成する材料としてPZTを選択した場合、第2の電極及び第3の電極を形成する材料として導電性酸化物を用いることで、各電極へのPb拡散を防止することができる。また、共通電極としての第1の電極に比抵抗の十分低い金属電極膜を設けることで、電圧駆動を行ったときに共通電極に対して十分な電流を供給することができ、多数の圧電素子を同時に駆動した場合においても、素子間でばらつきなく十分な変位量を得ることができる。本発明の電気-機械変換素子圧電素子においては図5に示すように絶縁保護膜を設けた構成とすることができる。絶縁保護膜を設けることにより、電気ショート等による不具合や水分やガス等による圧電素子の破壊防止にはより効果的な構成となる。図5において、基板501表面に成膜された振動板502上に、密着層500、第1の電極503、第2の電極504、電気-機械変換膜505、第3の電極506、が順次設けられ、さらに絶縁保護膜507を設けた構成となっている。なお、第1の電極503と第3の電極506上の一部にコンタクトホールを有しており、第1の電極503は第4の電極508、第3の電極506は第5の電極509と導通した構成となっている。以下に、本発明の電気-機械変換素子に備えられる各層の構成材料、工法について具体的に説明する。<基板、下地膜又は下地>基板としては、シリコン単結晶基板を用いることが好ましく、通常100~600μmの厚みを持つことが好ましい。面方位としては、100、110、111と3種あるが、半導体産業では一般的に100、111が広く使用されており、本構成においては、主に100の面方位を持つ単結晶基板を主に使用した。また、図1に示すような圧力室を作製する場合、エッチングを利用してシリコン単結晶基板に加工を施していくが、この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えば、KOH等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、100面に比べて111面は約1400程度のエッチング速度となる。従って、面方位100では約54°の傾斜を持つ構造体が作製できるのに対して、面方位110では深い溝を掘ることができるため、より剛性を保ちつつ、配列密度を高くすることができることが分かっており、本構成としてはの面方位を持った単結晶基板を使用することも可能である。但し、この場合、マスク材であるSiO2もエッチングされてしまうことがあるため、この点に関しても留意する必要がある。図1に示すように電気-機械変換膜によって発生した力を受けて、下地振動板105が変形変位して、圧力室101内のインクをインク滴として吐出させる。そのため、下地としては所定の強度を有したものであることが好ましい。下地の構成材料としては、Si、SiO2、Si3N4をCVD法により作製したものが挙げられる。さらに、図1に示すような下部電極106、電気-機械変換膜107の線膨張係数に近い材料を選択することが好ましい。特に、電気-機械変換膜としては、一般的に材料としてPZTが使用されることから線膨張係数8×10-61/Kに近い線膨張係数が適当であり、5×10-6~10×10-61/Kの線膨張係数を有した材料が好ましく、さらには7×10-6~9×10-61/Kの線膨張係数を有した材料がより好ましい。具体的な材料としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化オスミウム、酸化レニウム、酸化ロジウム、酸化パラジウム及びそれらの化合物等であり、これらをスパッタ法もしくは、ゾル‐ゲル法を用いてスピンコーターにて作製することができる。膜厚としては0.1~10μmが好ましく、0.5~3μmがさらに好ましい。膜厚が0.1μmより薄いと図1に示すような圧力室の加工が難しくなり、膜厚が10μmより厚いと下地が変形変位しにくくなり、インク滴の吐出が不安定になる。<密着層>本発明における第1の電極は金属から成るが、特に白金を用いる場合、下地特にSiO2との密着性が悪いため、密着層を用いる必要がある。前述のように本発明における密着層は、一般式ABO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laのいずれから選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crのいずれから選択される元素を示す。で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物かから構成される。好ましくはLaNiO3若しくはLaAlO3が挙げられる。密着層は、スパッタ法、或いはゾル‐ゲル法スピンコーターにより塗工により形成することができる。密着層の膜厚は8nm以上80nm以下であり、好ましくは10nm以上60nm以下である。<第1の電極>本発明における第1の電極を構成する金属としては、白金族元素又はこれらの合金からなるものが挙げられる。白金族元素とは、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIr、白金Ptを表す総称である。合金としては白金-ロジウムなどが挙げられる。特に白金は高い耐熱性と低い反応性を有することから好ましく用いられるが、例えば、電気-機械変換膜にPZTを用いた場合に含有される鉛Pbに対しては十分なバリア性を有するとはいえない場合がある。本発明においては導電性酸化物から成る第2の電極を介して電気-機械変換膜が形成されるため、第1の電極に白金を用い、電気-機械変換膜にPZTを用いた場合でも金属電極の特性が劣化することは回避される。第1の電極の作製方法としては、スパッタ法や真空蒸着等の真空成膜が用いられる。第1の電極の膜厚としては、0.05~1μmが好ましく、0.1~0.5μmがさらに好ましい。<第2の電極>前述のように電気-機械変換膜として、鉛を含む複合酸化物PZTを使用する場合、鉛と下部電極金属との反応、もしくは下部電極金属への拡散が生じて圧電特性を劣化させる場合がある。従って、鉛との反応/拡散に対しバリア性のある電極材料が要求される。前述のように本発明では、下部電極を、金属から成る第1の電極と、導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極とで構成しており、鉛を含む複合酸化物PZTは第2の電極導電性酸化物上に形成されるため、鉛が金属電極第1の電極と反応したり拡散することがなく、圧電特性の劣化が防止される。第2の電極としては、上記のように導電性酸化物から構成するのが効果的である。具体的には、一般式ACO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Cは、Ru、Co、Niから選択される元素を示す。で表される導電性酸化物が挙げられる。さらに、SrRuO3、CaRuO3や、これらの固溶体であるSr1-xCaxRuO3のほか、LaNiO3、SrCoO3や、これらの固溶体であるLa1-xSrxNi1-yCoyO3yは1でもよいが挙げられる。それ以外の酸化物材料として、IrO2、RuO2等も挙げられる。第2の電極の作製方法としては、スパッタ法、或いはゾル‐ゲル法スピンコーターにより塗工により形成することができる。その場合は、第2の電極のパターニングパターン化が必要となるので、フォトリソグラフィエッチング等により所望のパターンを形成する。あるいは、スパッタ法、或いはゾル‐ゲル法以外に、本発明において電気機械変換膜を形成する際に適用するインクジェット工法を用いて第2の電極を作製することができる。図6を参照してインクジェット工法により第2の電極を作製するプロセスを説明する。図6は、本発明に係る第1の電極上に導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極をインクジェット工法により作製するプロセスを説明するためのフロー図である。先ず、図6中のBに示すように、下地1上にSAM形成用の材料を含有する溶液を全面塗布してSAM自己組織化単分子膜を形成する。SAM形成用の材料は下地の材料によっても異なるが、金属を下地とする場合は主にチオール材料例えば、アルカンチオールを選定する。アルカンチオールを用いる場合、分子鎖長により反応性や疎水撥水性は異なるが通常C6からC18の炭素数を有する分子を一般的な有機溶媒アルコール、アセトン、トルエンなどに溶解濃度数mol/lさせてSAM形成用の溶液を調製する。この溶液を用いて、浸漬、蒸気、スピンコーター等のいずれかにより下地1上に全面塗布処理を行い、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥することでSAMが形成できる。次に、図6中のCに示すように、SAM上にフォトリソグラフィによりフォトレジスト3をパターン形成した後、図6中のDに示すように、ドライエッチングによりフォトレジスト3が形成されていない個所のSAM膜を除去するとともに、加工に用いたレジストを除去して、親水性領域と疎水性領域に区分けしてSAM膜のパターニングを終える。次に、図6中のEに示すように、第2の電極を形成するための原料液前駆体液:インクをIJヘッド4からインク滴として吐出し、親水性領域に塗膜パターン化された第2の電極の前駆体膜を形成し、通常のゾルゲルプロセスに従って熱処理を行う。塗膜は、高温の熱処理有機物の燃焼温度:300~500°C、結晶化温度:500~700°Cにより行われるが、この高温処理によりSAM膜は消失する図6中のF。インクジェット工法を用いた場合、1層あたり約30~100nm程度の膜厚になるため、厚膜とするにはインクジェット工法を繰り返して何層か重ね打ちし塗膜を形成する必要がある。そのため、図6中のD’に示すように、繰り返してSAM膜のパターニングを行い、インクジェット工法によりパターン化された第2の電極の前駆体膜を作製し、熱処理を行い所望の膜厚を得る。膜厚としては、0.05~1μmが好ましく、0.1~0.5μmがさらに好ましい。<電気-機械変換膜>電気-機械変換膜としては、限定されるものではないが、前記PZTジルコン酸チタン酸鉛膜が好ましく用いられる。PZTは、ジルコン酸鉛PbZrO3とチタン酸PbTiO3の固溶体で、その比率により特性が異なる。一般的に優れた圧電特性を示す組成は、PbZrO3とPbTiO3の比率が53:47の割合で、化学式で示すと、PbZr0.53Ti0.47O3で表され、一般に、PZT53/47と示される。本発明における電気-機械変換膜例えば、PZTは、電気-機械変換膜用の前駆体溶液PZT前駆体溶液を用いてインクジェット工法により形成される。PZT前駆体溶液は、酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させて均一溶液を得ることで調製できる。金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加してもよい。PZT以外の複合酸化物としてはチタン酸バリウムなどが挙げられ、この場合には、バリウムアルコキシド化合物と、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することも可能である。これらの材料としては、一般式EDO3但し、Eは、Pb、Ba、Srから選択される元素を示し、Dは、Ti、Zr、Sn、Ni、Zn、Mg、Nbから選択される元素を示す。で表される酸化物が該当する。上記具体例としては、Pb1-xBaxZr,TiO3、Pb1-xSrxZr,TiO3などが挙げられ、これは一般式EDO3のEサイトのPbを一部BaやSrで置換した場合である。このような置換は2価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。本発明における電気-機械変換膜は図3、図4に示したようにインクジェット工法により第2の電極上に形成される。その際、予め第1の電極表面のみ表面改質処理を施しておき、例えば、チオール材料を用いて自己組織化されたSAMを利用して、電気-機械変換膜用の前駆体液インクをインクジェット工法により親水性領域である第2の電極上に吐出して印刷し、塗膜を形成した後、塗膜の熱処理溶媒乾燥、熱分解、結晶化を施すことで得られる。塗膜から結晶化膜への変態には体積収縮が伴うので、クラックフリーな膜を得るには一度の工程で100nm以下の膜厚が得られるように前駆体濃度の調整が必要になることから、数μm程度の厚みの電気-機械変換膜とするにはインクジェット工法による繰り返し印刷で塗膜を何層も重ねて作製する必要がある。このような繰り返しに関しては、原理的に第2の電極の作製方法で説明した図6と同様のフローD’~F’で実施することができる。電気-機械変換膜の膜厚としては0.5~5μmが好ましく、さらに好ましくは1μm~2μmとなる。膜厚が0.5μmより薄いと十分な変位を発生することができなくなり、膜厚が5μmより厚いと積層数が増大するため、工程数が多くなりプロセス時間が長くなる問題がある。<第3の電極>第3の電極としては、第2の電極と同様に導電性酸化物から構成するのが効果的である。具体的には、一般式ACO3但し、Aは、Sr、Ba、Ca、Laから選択される元素を示し、Cは、Ru、Co、Niから選択される元素を示す。で表される導電性酸化物が挙げられる。さらに、SrRuO3、CaRuO3や、これらの固溶体であるSr1-xCaxRuO3のほか、LaNiO3、SrCoO3や、これらの固溶体であるLa1-xSrxNi1-yCoyO3yは1でもよいが挙げられる。それ以外の酸化物材料として、IrO2、RuO2等も挙げられる。また、配線抵抗を補うために導電性酸化物上に白金やイリジウムや白金-ロジウムなどの白金族元素や、これら合金膜、またAg合金、Cu、Al、Auを用いることも有効である。第3の電極の作製方法としては、スパッタ法もしくは、ゾル‐ゲル法を用いてスピンコーターにて作製することができる。その場合は、パターニング化が必要となるので、フォトリソエッチング等により所望のパターンを得る。それ以外に、表面処理により下地表面を部分的に表面改質させる工程を利用したインクジェット工法によりパターニングされた膜第3の電極を作製することができる。第3の電極の膜厚としては、0.05~1μmが好ましく、0.1~0.5μmがさらに好ましい。<絶縁保護膜>電気ショート等による不具合や水分やガス等による圧電素子の破壊防止を目的に絶縁保護膜を設けることができる。絶縁保護膜の材料としては、シリコン酸化膜や窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の無機膜または、ポリイミド、パリレン膜等の有機膜が好ましい。絶縁保護膜の膜厚としては、0.5~20μmが好ましく、1~10μmがさらに好ましい。膜厚が0.5μm未満であると絶縁保護膜としての機能が十分果たせなくなり、膜厚が10μmを超えると、該膜厚とするためのプロセス時間が長くなるため好ましくない。絶縁保護膜の作製方法としては、CVD、スパッタ法、スピンコート法を用いて作製することができる。また、図5に示すように、第1の電極及び第3の電極からの引き出し配線として第4、第5の電極を導通させるためのコンタクトホールの形成が必要となる場合には、フォトリソエッチング等により所望のパターンを形成する。また、スクリーン印刷工法を用いて、一度のプロセスでコンタクトホールを有する絶縁保護膜の作製を行うこともできる。スクリーン印刷に用いられるペースト材料としては、樹脂と無機または有機粒子を有機溶媒に溶解乃至分散させたものが好ましく用いられる。樹脂については、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル系樹脂、エチルセルロース樹脂などを含む材料が挙げられる。無機粒子については、シリカSiO2、アルミナAl2O3、酸化チタンTiO2、酸化亜鉛ZnO、チタン酸バリウムBaTiO3等が挙げられる。中でもシリカ、アルミナ、酸化亜鉛などの比較的比誘電率の低い材料が好ましい。本発明にて想定するような高精細のパターンを形成する場合においては、線径が15~50μm、開口率が40~60のメッシュ中に充填されたペースト状材料を転写することで膜を形成することになるため、コンタクトホールと共に形成することができる。<第4、第5の電極>第4の電極及び第5の電極は、Ag合金、Cu、Al、Au、Pt、Irから選択されるいずれかの金属電極材料であることが好ましい。第4の電極及び第5の電極は、例えば、スパッタ法、スピンコート法を用いて作製し、その後フォトリソエッチング等により所望のパターンとすることで形成される。また、第4の電極或いは第5の電極の下層となる表面を部分的に表面改質させる工程を適用して、インクジェット工法によりパターニングされた膜第4、第5の電極を作製することができる。インクジェット工法により作製していく場合については、第2の電極と同様の作製フローにてパターニングされた膜を得ることができる。なお、表面改質材については、下層絶縁保護膜が酸化物である場合は主にシラン材料シラン化合物を選定する。また、ポリイミドのような有機物の場合には、紫外線の照射により、照射された領域の表面エネルギーを増大できることを利用して表面改質し、表面エネルギーを増大させた領域に、インクジェット工法を用いて高精細な第4または第5の電極のパターンを直接描画することができる。さらに表面エネルギーが小さいポリイミドを用いることにより、有機半導体層を高精細にパターニングすることが可能になる。紫外線で表面エネルギーを増大させることが可能な高分子材料としては、例えば、特開2006-060079号公報に記載されている材料を用いることができる。また、スクリーン印刷工法を用いて第4の電極及び第5の電極を形成することができる。即ち、ペースト材料を用いてスクリーン印刷で電極膜第4の電極及び第5の電極を得ることができる。ペースト材料としては以下のような市販材料も使用可能である。例えば、パーフェクトゴールド登録商標金ペースト、真空冶金社製商品名、パーフェクトカッパー銅ペースト、真空冶金社製商品名、OrgaconPastevariant1/4、Pastevariant1/3以上、印刷用透明PEDOT/PSSインク、日本アグファゲバルト社製商品名、OrgaconCarbonPastevariant2/2カーボン電極ペースト、日本アグファゲバルト社製商品名、BAYTRON登録商標PPEDT/PSS水溶液、日本スタルクヴィテック社製商品名などが挙げられる。第4の電極及び第5の電極の膜厚としては、0.1~20μmが好ましく、0.2~10μmがさらに好ましい。0.1μmより薄いと抵抗が大きくなり電極に十分な電流を流すことができなくなりヘッド吐出が不安定になり、20μmより厚いとプロセス時間が長くなる。本発明の電気-機械変換素子は、図3に示すように、基板上の下地膜振動版上に、密着層、金属から成る第1の電極、導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極、電気機械変換膜、導電性酸化物から成る第3の電極を備えているが、このような電気-機械変換素子を用いて液滴吐出ヘッド例えば、図1とすることができる。図1に示す単体の液体吐出ヘッドを複数個配置したものを図8に示す。なお、図1では密着層は非表示である。図8において、符号901は圧力室、902はノズル、903はノズル板、904は圧力室Si基板、905は振動板、906は密着層、907は電気-機械変換素子を示す。本発明によれば、図8中の電気-機械変換素子が簡便な製造工程バルクセラミックスと同等の性能を持つで形成でき、それに付随する圧力室形成のための裏面からのエッチング除去、ノズル孔を有するノズル板の接合により、液体吐出ヘッドが製造できる。また、上記液滴吐出ヘッドインクジェットヘッドを配備することにより、インクジェットプリンタインクジェット記録装置を構成することができる。本発明に係るインクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置の一例について図9及び図10を参照して説明する。なお、図9は同記録装置の斜視説明図、図10は同記録装置の機構部の側面説明図である。図9及び図10に示すインクジェット記録装置は、記録装置本体81の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ93、キャリッジに搭載した本発明を実施したインクジェットヘッドからなる記録ヘッド、記録ヘッドへインクを供給するインクカートリッジ95等で構成される印字機構部82等を収納し、装置本体81の下方部には前方側から多数枚の用紙83を積載可能な給紙カセット84或いは給紙トレイでもよい。を抜き差し自在に装着することができ、また、用紙83を手差しで給紙するための手差しトレイ85を開倒することができ、給紙カセット84或いは手差しトレイ85から給送される用紙83を取り込み、印字機構部82によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ86に排紙する。印字機構部82は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド91と従ガイドロッド92とでキャリッジ93を主走査方向に摺動自在に保持し、このキャリッジ93にはイエローY、シアンC、マゼンタM、ブラックBkの各色のインク滴を吐出する本発明に係るインクジェットヘッドからなるヘッド94を複数のインク吐出口ノズルを主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。またキャリッジ93にはヘッド94に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ95を交換可能に装着している。インクカートリッジ95は上方に大気と連通する大気口、下方にはインクジェットヘッドへインクを供給する供給口を、内部にはインクが充填された多孔質体を有しており、多孔質体の毛管力によりインクジェットヘッドへ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、記録ヘッドとしてここでは各色のヘッド94を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する1個のヘッドでもよい。ここで、キャリッジ93は後方側用紙搬送方向下流側を主ガイドロッド91に摺動自在に嵌装し、前方側用紙搬送方向上流側を従ガイドロッド92に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ93を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ97で回転駆動される駆動プーリ98と従動プーリ99との間にタイミングベルト100を張装し、このタイミングベルト100をキャリッジ93に固定しており、主走査モータ97の正逆回転によりキャリッジ93が往復駆動される。一方、給紙カセット84にセットした用紙83をヘッド94の下方側に搬送するために、給紙カセット84から用紙83を分離給装する給紙ローラ101及びフリクションパッド102と、用紙83を案内するガイド部材103と、給紙された用紙83を反転させて搬送する搬送ローラ104と、この搬送ローラ104の周面に押し付けられる搬送コロ105及び搬送ローラ104からの用紙83の送り出し角度を規定する先端コロ106とを設けている。搬送ローラ104は副走査モータ107によってギヤ列を介して回転駆動される。そして、キャリッジ93の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ104から送り出された用紙83を記録ヘッド94の下方側で案内する用紙ガイド部材である印写受け部材109を設けている。この印写受け部材109の用紙搬送方向下流側には、用紙83を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ111、拍車112を設け、さらに用紙83を排紙トレイ86に送り出す排紙ローラ113及び拍車114と、排紙経路を形成するガイド部材115、116とを配設している。記録時には、キャリッジ93を移動させながら画像信号に応じて記録ヘッド94を駆動することにより、停止している用紙83にインクを吐出して1行分を記録し、用紙839を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号または、用紙83の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙83を排紙する。また、キャリッジ93の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、ヘッド94の吐出不良を回復するための回復装置117を配置している。回復装置117はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ93は印字待機中にはこの回復装置117側に移動されてキャッピング手段でヘッド94をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段でヘッド94の吐出口ノズルを密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜不図示に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。以下、実施例に基づいて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これら実施例によって制限されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りこれらの実施例を適宜改変したものも本件の発明の範囲内である。[実施例1]シリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μmを形成し、この上に密着層としてSrRuO3膜膜厚50nmをスパッタ成膜した。次に、密着層上に第1の電極として白金膜膜厚200nmをスパッタ成膜した。次に、第1の電極上にパターン化された第2の電極を形成するため、先ずSrRuO3膜膜厚200nmをスパッタ成膜し、次いでSrRuO3膜上に東京応化社製フォトレジストTSMR8800をスピンコート法で成膜した。このフォトレジスト膜を通常のフォトリソグラフィによりレジストパターンとした後、ICPエッチング装置サムコ製を用いて図3に示すようなパターンを作製した。次に、第1の電極の表面改質処理[第1の電極表面のみを改質させて疎水性領域とする]を実施した。即ち、アルカンチオール[CH3CH26-SH]をイソプロピルアルコールに濃度0.01mol/lに調整して溶解した溶液にパターンを作製したシリコンウエハを浸漬させ、その後、イソプロピルアルコールで洗浄乾燥させ、SAM処理を行った。SAM処理後の白金膜第1の電極上の水の接触角は100.8°であるのに対して、SrRuO3膜第2の電極上の水の接触角は15°であり、その後の電気-機械変換膜をインクジェット工法により成膜するのに必要な、親水性領域親水面と疎水性領域撥水面のコントラストが十分取れていることが確認できた。次に、電気-機械変換膜用の前駆体溶液を用いてインクジェット工法によりPZT53/47から成る電気-機械変換膜を形成した。前駆体溶液の調製には、出発材料に酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いた。酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水した。化学量論組成に対して鉛量を10mol過剰にした。これは電気-機械変換膜形成過程での熱処理中に、鉛抜けによる結晶性低下を防ぐためである。即ち、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、先記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでPZT用の前駆体溶液を合成した。この前駆体溶液のPZT濃度は0.1mol/lにした。このPZT用の前駆体溶液インクをインクジェット塗布装置により図6に示す工程に準拠してパターニングされた親水領域に塗布印刷して塗膜を形成する。図7はインクジェット塗布装置を説明するための斜視図である。図7において架台200の上に、Y軸駆動手段201が設置してありその上に基板202を搭載するステージ203がY軸方向に駆動できるように設置されている。なおステージ203には図示されていない真空、静電気などの吸着手段が付随しており基板202が固定されている。また、X軸支持部材204にはX軸駆動手段205が取り付けられており、これにZ軸駆動手段211上に搭載されたヘッドベース206が取り付けられており、X軸方向に移動できるようになっている。ヘッドベース206の上にはインクを吐出させるIJヘッド208が搭載されている。このIJヘッドには図示されていない各インクタンクから各々着色樹脂インク供給用パイプ210からインクが供給される。インクジェット塗布装置による一度の成膜で得られる膜厚は100nm前後が好ましく、PZT用の前駆体溶液濃度は成膜面積と前駆体塗布量の関係から適正化される。例えば、図6のEはインクジェット塗布装置により前駆体溶液インクが塗布されている状態を示しており、前駆体溶液は、接触角のコントラストに応じて親水性領域のみに広がりパターンを形成する。これを120°Cで処理溶媒乾燥した後、500°Cで処理有機物の熱分解を行うことで図6のFに示すようなPZT膜を得た。このときの膜厚は90nmであった。引き続き繰返し表面処理としてアルカンチオールによる浸漬処理を行うことで、パターニング化したSAM膜を形成した。SAM処理後の白金膜上の水の接触角は99.2°であるのに対して、インクジェットにて作製したPZT膜上の水の接触角は15°であり、2層目以降を繰り返してインクジェットにより成膜するには、親水性領域親水面と疎水性領域撥水面のコントラストが十分取れていることが確認できた。前記繰り返しによる工程図6のD’~F’を6回繰り返して540nmの膜を得た後、結晶化熱処理温度700°CをRTA急速熱処理にて行った。膜にクラックなどの不良は生じなかった。さらに、SAM膜処理、PZT前駆体の選択塗布、120°C乾燥、500°C熱分解による結晶化処理、の各工程を順次6回繰り返したが、膜にクラックなどの不良は生じなかった。膜厚は1000nmに達した。電気-機械変換膜上に導電性酸化物から成る第3の電極を形成するため、先ずSrRuO3膜をスパッタ成膜し、次いでSrRuO3膜上に東京応化社製フォトレジストTSMR8800をスピンコート法で成膜し、フォトレジスト膜を通常のフォトリソグラフィでレジストパターンを形成した後、ICPエッチング装置サムコ製を用いて図3あるいは図5に示すようなパターンを作製した。次に、絶縁保護膜として、パリレン膜をCVDにより形成した。その後、東京応化社製フォトレジストTSMR8800をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィでレジストパターンを形成した後、RIEサムコ製を用いて図5に示すようなパターンを作製した。最後に第4、第5の電極としてAl膜をスパッタ成膜した。その後、東京応化社製フォトレジストTSMR8800をスピンコート法で成膜し、通常のフォトリソグラフィでレジストパターンを形成した後、RIEサムコ製を用いて図5に示すようなパターンを形成して電気-機械変換素子を作製した。[実施例2]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、LaNiO3膜膜厚20nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[実施例3]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、LaNiO3膜膜厚60nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[実施例4]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、LaNiO3膜膜厚10nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[実施例5]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、LaAlO3膜膜厚20nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[実施例6]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、LaCoO3膜膜厚50nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[実施例7]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、CaMnO3膜膜厚50nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[実施例8]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、BaCrO3膜膜厚50nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[比較例1]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、チタン膜膜厚50nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[比較例2]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、TiO2膜膜厚50nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[比較例3]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、LaNiO3膜膜厚5nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。[比較例4]実施例1においてシリコンウエハに熱酸化膜膜厚1μm上に密着層としてスパッタ成膜したSrRuO3膜膜厚50nmを、LaNiO3膜膜厚100nmに変更した以外は実施例1と同様にして電気-機械変換素子を作製した。実施例1~8、比較例1~4におけるSAM処理による表面改質の効果を確認するために、SAM処理後の白金膜上の水の接触角の評価を行った。また、白金膜の密着性に関して白金膜を成膜した直後にJISD0202‐1988に準拠して碁盤目テープ剥離試験を行なった。結果を下記表1に示す。なお、碁盤目テープ剥離試験においては、100マスの碁盤上にセロハンテープCT24、ニチバン株製を用い、指の腹を膜に密着させた後にテープ剥離した。判定は100マスのうち、剥離しないマス目の数で表し、電極層が剥離しない場合を100/100、完全に剥離する場合を0/100として表記した。また、実施例1~8、比較例1~4で作製した電気-機械変換素子を用いて印加電界150kV/cmにおける電気特性、電気-機械変換能圧電定数の初期特性及び耐久性10^10回繰り返し電界を印加した直後の特性の評価を行った。代表的なP-Eヒステリシス曲線を図11に示す。電気-機械変換能に関してはレーザードップラ振動計で電界印加に伴う変位量を計測し、シミュレーションを活用して合わせ込みから算出した。評価結果を下記表1にまとめて示す。表1に示す評価結果から、実施例1~8においてはいずれも剥離せず、水の接触角も良好な値を有していた。初期特性及び耐久性試験の結果についても一般的なセラミック焼結体と同等の特性を有していた。即ち、残留分極は20~25μCcm2、圧電定数-d31は120~150pmVであった。一方、比較例1においては白金上の接触角が低い値となっていた。そのため、親水性領域と疎水性領域とのコントラストが十分確保できず、PZTのパターニング性能が低下している。例えば、図12のSEM写真に示すように、表面改質膜による疎水性領域と親水性領域とのコントラストが十分確保できた場合正常部の下部電極第1の電極上の電気-機械変換膜と、コントラストが十分確保できない場合異常部では細線パターンの形成状態が大きく異なる。これに伴い、電気特性、電気-機械変換能が小さくなっている。比較例2、3においては剥離が生じ密着性が悪かった。そのため耐久試験中に剥れが生じ、評価を続けることができなくなってしまった。比較例4においては剥離率、接触角とも満たしたが、電気特性、電気-機械変換能は悪くなった。実施例1~3、比較例1、2で作製した電気-機械変換素子を用いて、図8に示す構成の液滴吐出ヘッドを作製し、液インクの吐出評価を行った。粘度を5cpに調整したインクを用いて、単純Push波形により-10~-30Vの印可電圧を加えたときの吐出状況を確認したところ、いずれの電気-機械変換素子のノズル孔からも吐出できていることを確認した。また、液滴吐出ヘッドを配備したインクジェットプリンタにおいては振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られて、画像品質が向上した。即ち、本発明の電気-機械変換素子を具備する液体吐出ヘッド、及び該液体吐出ヘッドを具備する液体吐出装置は、吐出安定性と耐久性に優れているため、インクジェット式記録装置例えば、インクジェットプリンタ、MFPを使用するデジタル印刷装置、オフィス、パーソナルで使用するプリンタ、MFP等用として有用である。また、インクジェット技術を利用する三次元造型技術などへの応用も可能である。"