"一端側には反応ガスを供給するためのガス供給ノズルが設けられ、外周には加熱用のヒータが配置された中空状の反応管内に、基板を装着するためのサセプタを収容配置してなる気相成長装置において、前記基板を装着する前記サセプタの基板装着面を水平面に対して所定の角度で傾斜するようにして形成し、水平面に対して斜めに配置された前記基板表面に前記ガス供給ノズルから水平方向に導入される反応ガスを供給するようにしたことを特徴とする気相成長装置。請求項1に記載の気相成長装置において、前記サセプタの基板装着面を水平面に対する傾斜角度を保持したまま回転するように駆動する駆動機構を備えていることを特徴とする気相成長装置。請求項2に記載の気相成長装置において、前記駆動機構は、反応管内に水平方向に配置された駆動軸と、前記駆動軸の先端側に取り付けられた駆動ギアと、を備え、前記サセプタは、円筒を所定の角度で斜めに切断した形状を備えた片持ち梁状のケーシングの前記切断された切断部に固定された下部サセプタと、前記下部サセプタの上に配置された上部サセプタであって、下面側に回転中心から離れた位置で前記駆動ギアと噛み合うリング状の被駆動ギアを備えた上部サセプタと、前記上部サセプタの上面に取り付けられた前記基板装着面となるサセプタカバーと、を備えていることを特徴とする気相成長装置。請求項2又は3に記載の気相成長装置において、前記上部サセプタの回転中心には固定軸を設け、前記固定軸が挿入される当該上部サセプタの中心孔には回転時におけるガタ付きを防止するためのスリーブを配置したことを特徴とする気相成長装置。請求項2から4のいずれか1項に記載の気相成長装置において、前記下部サセプタと前記上部サセプタとの間の前記固定軸に近い位置に同心円状にベアリングを複数配置すると共に、前記ベアリングは、回転中心が前記上部サセプタ及び基板が装着された前記サセプタカバーの重心と重なるような高さとなるように位置させるサイズであることを特徴とする気相成長装置。請求項2から5のいずれか1項に記載の気相成長装置において、前記駆動機構を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記サセプタ装着面を気相成長中に1~10rpmで回転を続けるように制御することを可能としたことを特徴とする気相成長装置。請求項1から6のいずれか1項に記載の気相成長装置において、前記所定の角度は、水平面に対して5~45°であることを特徴とする気相成長装置。特許文献1において、横型反応管について主要な欠点は、高いガス利用効率と高い成長均一性を同時に得ることが困難なことであるとしている。また、横型のHVPE装置では、サセプタ試料台は水平板上で、回転機構を有するものや、縦型HVPE装置では、サセプタを鉛直方向に対して斜め方向に傾斜した面とし、回転軸を中心にして、サセプタの基板装着面が絶えず反応管の外周面を向きながら回転するシステムであり、エピ成長面の平坦性が悪かった。そこで、本発明は、横型反応管が有するこの課題を解決するためになされたものであり、HVPE法による気相成長において、サセプタの基板表面に保持された基板における成長ムラを軽減し、成長した厚膜の厚さばらつきを抑制する気相成長装置を提供することを目的とするものである。具体的には、横型反応管では、基板を垂直に配置すると反応管内のガスの流れが、乱れ、均一に成長できない。また、基板を水平に配置すると部分的に成長してしまい、均一に成長できない。そこで、基板表面が斜めになるように配置することでガスの速度を制御して均一性の高い成長を確保できるようにした気相成長装置を提供することを目的とする。さらには、基板表面の傾斜角度を維持した状態で基板を回転させることで、より均一性の高い成長を確保できるようにした気相成長装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために請求項1に記載の本発明は、一端側には反応ガスを供給するためのガス供給ノズルが設けられ、外周には加熱用のヒータが配置された中空状の反応管内に、基板を装着するためのサセプタを収容配置してなる気相成長装置において、基板を装着するサセプタの基板装着面を水平面に対して所定の角度で傾斜するようにして形成し、水平面に対して斜めに配置された基板表面にガス供給ノズルから水平方向に導入される反応ガスを供給するようにしたことを特徴とする。上記課題を解決するために請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の気相成長装置において、サセプタの基板装着面を水平面に対する傾斜角度を保持したまま回転するように駆動する駆動機構を備えていることを特徴とする。上記課題を解決するために請求項3に記載の本発明は、請求項2に記載の気相成長装置において、駆動機構は、反応管内に水平方向に配置された駆動軸と、駆動軸の先端側に取り付けられた駆動ギアとを備え、サセプタは、円筒を所定の角度で斜めに切断した形状を備えた片持ち梁状のケーシングの切断された切断部に固定された下部サセプタと、下部サセプタの上に配置された上部サセプタであって、下面側に回転中心から離れた位置で駆動ギアと噛み合うリング状の被駆動ギアを備えた上部サセプタと、上部サセプタの上面に取り付けられた基板装着面となるサセプタカバーとを備えていることを特徴とする。上記課題を解決するために請求項4に記載の本発明は、請求項2又は3に記載の気相成長装置において、上部サセプタの回転中心には固定軸を設け、固定軸が挿入される上部サセプタの中心孔には回転時におけるガタ付きを防止するためのスリーブを配置したことを特徴とする。上記課題を解決するために請求項5に記載の本発明は、請求項2から4のいずれか1項に記載の気相成長装置において、下部サセプタと上部サセプタとの間の前記固定軸に近い位置に同心円状にベアリングを複数配置すると共に、ベアリングは、回転中心が前記上部サセプタ及び基板が装着されたサセプタカバーの重心と重なるような高さとなるように位置させるサイズであることを特徴とする。上記課題を解決するために請求項6に記載の本発明は、請求項2から5のいずれか1項に記載の気相成長装置において、駆動機構を制御する制御装置を備え、制御装置は、サセプタ装着面を気相成長中に1~10rpmで回転を続けるように制御することを可能としたことを特徴とする。上記課題を解決するために請求項7に記載の本発明は、請求項1から6のいずれか1項に記載の気相成長装置において、所定の角度は、水平面に対して5~45°であることを特徴とする。本発明に係る気相成長装置によれば、基板を装着するサセプタの基板装着面を水平面に対して所定の角度で傾斜させた状態で成長させることにより厚膜の成長ムラを軽減し、厚さばらつきを抑制することができるという効果がある。また、本発明に係る気相成長装置によれば、該サセプタを気相成長中に当該平面内において回転を続けるように駆動することが可能な駆動機構を備えることとしたので、より均一性の高い成長を確保できるという効果が有る。さらに、本発明に係る気相成長装置によれば、水素化物ガスや酸性ガス雰囲気下において、且つ、1000°C以上の高温条件の気相成長中における45°の傾斜角度を維持したサセプタの基板装着面の回転の停止を有効に防止し、且つ、スムーズな回転を行わせることができるという効果がある。[気相成長装置の構成]以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る気相成長装置の一実施形態の概略を示す断面図である。図示された気相成長装置1は、概略として、中空状の反応管12と、反応管12の周囲に配置されたヒータ11と、反応管12の長手方向の一端側に設けられた反応ガスを供給するためのガス供給ノズル14と、反応管12の内部に配置された試料台であるサセプタ15とを備えて構成されている。反応管12は、耐熱性を有する材料によって形成されており、例えば、石英管によって円筒状に形成され、上面及び底面が水平面に対して垂直方向に立設された状態で互いに向かい合うような横倒しの状態で配置されている。反応管12の内部には、サセプタ15がアルミナロッド171によってハウジング16に片持ち梁状に支持された状態で配置されており、基板3を装着するためのサセプタ15の基板装着面は、水平面に対して所定の角度図1では45°で傾斜するようにして配置されている。そして、ハウジング16が設けられた側とは反対側の端部側にはサセプタ15に装着される基板3に向かって反応ガスを水平方向に導入するガス供給ノズル14,14が設けられている。ガス供給ノズル14、14は、反応管12の中央へ向かって延設されており、複数のガスを供給することができるように複数図1では2本設けられている。ここで、反応管12の長手方向と、ガス供給ノズル14,14からサセプタ15の基板表面へ反応ガスを流す方向とはほぼ一致するようにガス供給ノズル14,14が設けられる。尚、反応ガスを供給するガス供給ノズル14,14の数は適宜に定められて良く、特に限定されるものではない。このように構成された気相成長装置1は、ガス供給ノズル14,14から水平方向に導入される反応ガスをサセプタ15に装着された基板3へ水平方向に供給することによって基板3上に結晶を成長させるようになっている。尚、本装置はHVPE法を実行することができる装置であるから真空装置を必要とするが、それについては図示を省略した。また、気相成長装置1は、水平面に対して傾斜して配置されたサセプタ15の基板装着面をこの傾斜角度を保持した状態で回転させる駆動機構17をさらに備えている。駆動機構17は、概略として、ハウジング16内に内装された図示しない駆動源と、この駆動源によって発生した駆動力を伝達する駆動軸172と、駆動軸172の先端に取り付けられた駆動ギア174とを備えて構成されている。駆動軸172は中空状のアルミナロッド171内に収容されており、アルミナロッド171は一端側がハウジング16に固定されていると共に、他端側にはサセプタ15を水平面に対して斜めに保持するケーシング150が取り付けられている。ケーシング150は、一端側が円筒を所定の角度本実施形態では45°で斜めに切断したような形状を有しており、サセプタ15はこの切断部取付面に所定の角度を有して取り付けられている。また、駆動軸172は駆動ギア174と分割可能とされており、これによりケーシング150とアルミナロッド171を分離できるようにした。ケーシング150とアルミナロッド171を分離可能とすることで駆動機構17やサセプタ15のメンテナンスが容易となる。駆動機構17は、例えば、1~10rpmの回転数でサセプタ15を回転させることができるようになっている。回転数はこれに限定されるものではない。また、サセプタ15の基板装着面の角度は45°に限らず適宜の角度とすることができる。但し、傾斜角度を45°よりも大きな角度とするとサセプタ15の基板装着面への反応ガスのスムーズな流が阻害されるおそれがあり、傾斜角度を5°よりも小さな角度とすると水平状態とした場合とあまり変わらなくなるので傾斜角度は5~45°の範囲とすることが好ましい。尚、サセプタ15の水平面に対する傾斜角度は、サセプタ15を取り付けるためのケーシング150の取付面切断面の角度を適宜のものとすることによって変更することができる。一方、サセプタ15は、図3に示すように、円筒を所定の角度本実施形態では45°で斜めに切断した形状を備えた片持ち梁状のケーシング150の切断された切断部にネジ161,161によって取り付けられた下部サセプタ151と、下部サセプタ151の上部側に配置され、駆動ギア174と噛み合うリング状の被駆動ギア152aが下面側に取り付けられた上部サセプタ152と、上部サセプタ152の上部に配置固定されて上部サセプタ152の回転と共に回転すると共に基板装着面となるサセプタカバー154と、を備えて構成されている。駆動軸172の先端に取り付けられた駆動ギア174はいわゆるベベルギアであり、この駆動ギア174が回転中心から離れて位置するリング状の被駆動ギア152aと一箇所で噛み合わせることでサセプタ15の傾斜角度を維持したままで基板装着面となるサセプタカバー154を回転させることができるようになっている。また、上部サセプタ152及び基板3を装着したサセプタカバー154の自重によって生じる上部サセプタ152と下部サセプタ151の表面との接触抵抗で上部サセプタ152が回転できなくなること防止するために、上部サセプタ152の回転中心には固定軸155が取り付けられている。これにより、固定軸155を回転中心として上部サセプタ152を安定して回転させることを可能としている。また、上部サセプタ152の回転中心に穿設された固定軸155を挿通するための挿通孔にはスリーブ155aを配置することにより固定軸155と挿通孔とのクリアランスを最小限に支持し、傾斜配置された回転板の回転時の振動を吸収して上部サセプタ152の安定した回転駆動を可能としている。尚、固定軸155は、下部サセプタ151にT字型のサポート157によって固定されており回転しないようになっている。さらに、下部サセプタ151と上部サセプタ152との間には、同心円状にベアリング156,156が複数配置されている。これにより、上部サセプタ152をさらに安定して回転させることができるようになっている。この場合、上部サセプタ152の回転時の振動によるベアリング156,156への負荷を低減するために、ベアリング156,156の設置位置は、なるべく回転中心である固定軸155近い位置に配置することが好ましい。回転の中心部に近いほど回転時に受ける振動は小さいので、ベアリング156,156寿命を向上させることができる。また、サセプタ15の振動が小さくなれば駆動機構17へ伝わる振動も低減できるので駆動ギア174と被駆動ギア152aの寿命も向上させることができる。ベアリング156,156は、回転中心が上部サセプタ152及び基板3が装着されたサセプタカバー154以下、回転体という。の重心と重なるような高さとなるように位置させるサイズのものを用いることで回転体の回転中心が回転体の重心と重なるようにして回転体の回転をさらに安定化させることができる。回転が安定することによっては結晶の成長も均一となり、品質の向上を図ることができる。ケーシング150、下部サセプタ151及び上部サセプタ152、駆動ギア174,被駆動ギア152aはSBN製であり、ネジ161,161はBN窒化ホウ素boronnitride製であるが、これに限定されるものではない。SBN窒化ホウ素BNと窒化ケイ素の複合材中のSi、Bによるコンタミを避けるためにMo製とすることも考えられる。図4は、サセプタカバー154の正面図である。サセプタカバー154の表面には、基板を3枚載せられるようにそれぞれ正三角形の頂点に対応するように3つのピン154a、154aが合計9個配置されている。ピン154a、154aは、3枚の基板3を載置した際の重心がちょうど円形のサセプタカバー154の中心になるようにバランスを考慮した位置に配置されている。尚、図5に示すように、サセプタカバー154上に配置された基板3の周囲にモリブデンワイヤー154bを突き刺すことで基板3の固定及び支持を行わせることができる。[実施例1]次に、本発明に係る気相成長装置1について、具体的な実施例に基づいて説明する。実施例1は、窒化物化合物半導体基板の一つであるNGO基板上にHVPE法によりGaN厚膜を成長させる装置であって、気相成長を行う基板3がNGOネオジムガレート、NdGaO3基板であり、基板3上に気相成長させる厚膜は窒化物化合物半導体材料GaN窒化ガリウムである。実施例1における横型HVPE装置の詳細は次の通りである。横型割型反応炉:有効内径φ280mmヒータ素線:カンタルAPM、寸法φ480×L1980mm、上下分割式10ゾーン制御原料部300mm長3ゾーン制御850°C,950°C反応部300mm長7ゾーン制御550°C~1050°Cガス供給ノズルサイズ:キャリアガス導入部および、NH3ガス導入部φ18mm、HCLガス導入部φ30mm温度調節計:HA900理化工業社製システムコントローラー:マイクロロジック社製HVPE制御システム搭載実施例1は、サセプタカバー154が水平面に対して45°の傾斜を有するものであり、HVPE法によりNGO基板上にGaN厚膜を成長させるものである。円形のサセプタカバー154は直径180mm、厚さ6mmの円板形状とされており、3枚の基板3をそれぞれ3点で3mm高さのピン154b、154b全部で9個によって支持固定している。また、駆動機構17は、サセプタカバー154の気相成長中に当該平面内において1~10rpmで回転を続けるように駆動する。基板3は厚さ350μm、直径55.0mm~58.0mmのNGO基板であり、周囲をモリブデンワイヤー直径0.5mm154bで固定した。図5は、サセプタカバー154上にNGO基板3を3枚載置した様子を示している。上述のように、サセプタカバー154上に基板3を3枚載置した状態で、反応管2の内部にセットし、HVPE装置の必要な組み立てを行った。そして、サセプタカバー154の表面が水平面に対して45°の傾斜を維持しつつ、3rpm1分間に3回転の回転速度で上部サセプタ152を回転させながら、HVPE法によりGaN窒化ガリウムの気相成長を行った。成長条件は次の通りである。ヒータ温度:原料部850°C,反応部1000°Cキャリアガス窒素:36100sccmHClライン:HCl供給1000sccm窒素400sccmNH3ライン:NH3供給2800sccm窒素4200sccm上記条件にて8時間成長させた。図6は、成長後の基板3を正面から見た図である。一見したところ、3枚の基板3のいずれも一様な厚さでGaNの厚膜が成長できている。また、基板3を固定するのに用いたモリブデンワイヤー154bの周囲にもGaNの塊が成長している。基板3の表面の厚さをマイクロメーターで測定した結果を図7に示す。図7は、成長後の厚膜の厚さを測定した結果を記入した図である。図7で上に位置する基板3については、中心が2129μm、周辺の4点が2480μm、2492μm、1809μm、2214μmであり、右に位置する基板については、中心が2205μm、周辺の4点が2263μm、2160μm、1898μm、2136μmであり、左に位置する基板については、中心が2405μm、周辺の4点が2443μm、2310μm、1927μm、2365μmであった。サセプタカバー155の中心に近い3点では、いずれの基板3においても比較的薄くなっているが、その他の点においてはいずれも均一な成長がなされていることがわかる。[実施例1の効果]以上のように、水素化物ガスや酸性ガス雰囲気下において、且つ、1000°C以上の高温条件でも45°の傾斜角度を維持した状態で回転が停止することなく安定して回転駆動させることができた。そして、そのようにして成長させたGaNの膜厚もほぼ均一に成長させることができた。また、反応管12内の温度と上部サセプタ152の回転数との関係を実測したデータによれば、昇温後の回転開始から冷却時の回転停止に至るまでの上部サセプタ152の回転はスムーズであることが確認された。[実施例1の比較例]比較例では、上部サセプタ152を回転させずに固定した状態で、他の条件は実施例と同一として、GaNの気相成長を行った。図8は、比較例における成長後の基板3を正面から見た図である。上に位置する基板3の厚膜成長は極めて悪く、左右を比べると右の方が厚く成長したことがわかる。各基板3の表面の厚さをマイクロメーターで測定した結果は図9の通りであった。図9は成長後の厚膜の厚さを測定した結果を記入した図である。図9には等厚線を描くことで、同じ厚さの部分がどのように延びているかを示すと共に、厚さの測定結果の数値単位μmで示した。比較例に比べて実施例1では成長したGaN層の厚さが均一に揃っており、NGO基板からの剥離も少なく良好であった。横型HVPE装置を用いて、HVPE法によるGaN気相成長を行う場合において、基板3を装着したサセプタ15水平に対して所定角度に傾斜させると共に、傾斜状態を維持しつつ、所定の回転速度で回転させながらGaN気相成長を行うことによって、GaN成長ムラを軽減し、成長したGaN層の厚さばらつきを抑制することができた。以上、本発明に係る気相成長装置について好ましい実施形態基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜に変更可能である。例えば、実施例では、GaNの成長について説明したが、GaN以外の窒化物化合物半導体についても本発明を適用することができる。ここで、GaN以外の窒化物化合物半導体とは、InxGayAl1xyN0≦xy≦1、0≦x≦1、0≦y≦1で表される化合物半導体であり、例えば、InGaN、AlGaN、InGaAlN等がある。尚、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"