"窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光層と、を備え、前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含み、前記複数の障壁層のうちで最も前記p形半導体層に近いp側障壁層は、III族元素を含む第1層と、前記第1層と積層されIII族元素を含む第2層であって、前記第2層のIII族元素中におけるIn組成比が、前記第1層のIII族元素中におけるIn組成比よりも高い、第2層と、を含み、前記p側障壁層の平均In組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もn形半導体層に近いn側障壁層の平均In組成比よりも高い半導体発光素子。前記第1層の厚さは、3ナノメートル未満であり、前記第2層の厚さは、2ナノメートル以下である請求項1記載の半導体発光素子。前記複数の障壁層は、前記p側障壁層と、前記n側障壁層と、の間の中間障壁層を含み、前記中間障壁層は、III族元素を含む第3層と、前記第3層と積層されIII族元素を含む第4層であって、前記第4層のIII族元素中におけるIn組成比は、前記第3層のIII族元素中におけるIn組成比よりも高い、第4層と、を含み、前記中間障壁層の平均In組成比は、前記p側障壁層の前記平均In組成比よりも低く、前記n側障壁層の前記平均In組成比よりも高い請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記第1層は複数であり、前記第2層は複数である請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第1層の前記In組成比は、0.02以下であり、前記第2層の前記In組成比は、0.13以下である請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第2層の前記In組成比は、前記複数の井戸層のうちで最も前記p形半導体層に近いp側井戸層のIn組成比の1/2以下である請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記複数の井戸層のうちで最も前記p形半導体層に近いp側井戸層の厚さは、前記複数の井戸層のうちで最も前記n形半導体層に近いn側井戸層の厚さよりも厚い請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記複数の障壁層のそれぞれの厚さは、10ナノメートル以下であり、前記複数の井戸層のそれぞれの厚さは、3ナノメートル以上6ナノメートル以下である請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。本発明は、発光効率の高い半導体発光素子を提供する。実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。前記複数の障壁層のうちで最も前記p形半導体層に近いp側障壁層は、III族元素を含む第1層と、前記第1層と積層されIII族元素を含む第2層であって、前記第2層のIII族元素中におけるIn組成比が、前記第1層のIII族元素中におけるIn組成比よりも高い、第2層と、を含む。前記p側障壁層の平均In組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もn形半導体層に近いn側障壁層の平均In組成比よりも高い。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。実施形態図1a~bは、実施形態に係る半導体発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。図1aは、半導体発光素子の模式的断面図、図1bは、障壁層の模式的断面図である。図2は、実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図2に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110は、n形半導体層20と、p形半導体層50と、n形半導体層20とp形半導体層50との間に設けられた発光層40と、を備える。半導体発光素子110においては、発光層40と、n形半導体層20と、の間に積層体30が設けられていてもよい。n形半導体層20及びp形半導体層50は、窒化物半導体を含む。発光層40は、例えば活性層である。積層体30は、例えば超格子層である。半導体発光素子110においては、例えばサファイヤからなる基板10の主面例えばc面に、例えばバッファ層11が設けられ、その上に、例えばアンドープのGaN下地層21と、n形GaNコンタクト層22と、が設けられる。n形GaNコンタクト層22は、n形半導体層20に含まれる。なお、GaN下地層21は、便宜的にn形半導体層20に含まれるものとしてもよい。n形GaNコンタクト層22の上には、積層体30が設けられている。積層体30においては、例えば、第1結晶層31と、第2結晶層32と、が交互に積層されている。積層体30の上には、発光層40活性層が設けられている。発光層40は、例えば多重量子井戸MQW:MultipleQuantumWell構造を有する。すなわち、発光層40は、複数の障壁層41及び複数の井戸層42が、交互に繰り返し積層された構造を含んでいる。障壁層41及び井戸層42の詳しい構成については後述する。発光層40の上には、p形AlGaN層51、p形の例えばMgドープGaN層52、及び、p形GaNコンタクト層53が、この順に設けられている。なお、p形AlGaN層51は、電子オーバフロー抑制層の機能を有する。p形AlGaN層51、MgドープGaN層52及びp形GaNコンタクト層53は、p形半導体層50に含まれる。また、p形GaNコンタクト層53の上には、透明電極60が設けられている。そして、n形半導体層20であるn形GaNコンタクト層22の一部、その一部に対応する積層体30、発光層40及びp形半導体層50が除去され、n形GaNコンタクト層22の上にn側電極70が設けられる。n側電極70には、例えばTi/Pt/Auの積層構造が用いられる。一方、透明電極60の上には、p側電極80が設けられる。このように、本実施形態に係る本具体例の半導体発光素子110は、発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeである。半導体発光素子110は、例えば以下のようにして製造できる。まず、有機洗浄、酸洗浄した例えばc面サファイヤの基板10を、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置の反応炉に導入し、反応炉のサセプタ上で約1100°Cに加熱する。これにより、基板10の表面の酸化膜が除去される。次に、基板10の主面c面の上に、30nmの厚さでバッファ層11を成長させる。さらに、バッファ層11の上に、3マイクロメートルμmの厚さでアンドープのGaN下地層21を成長させる。さらに、GaN下地層21の上に、2μmの厚さで、SiドープのGaNによるn形GaNコンタクト層22を成長させる。次に、n形GaNコンタクト層22の上に、InxGa1-xNである第1結晶層31と、InyGa1-yNである第2結晶層32と、を交互に30周期積層し、積層体30を形成する。次に、積層体30の上に、障壁層41と井戸層42とを交互に積層する。さらに、最も上の障壁層41の上に、Alの組成比が0.003で5nmの厚さのAlGaN層を成長させ、この後、Alの組成比が0.1で10nmの厚さのMgドープAlGaN層51と、80nmの厚さのMgドープp形GaN層52、及び、10nm程度の厚さの高濃度MgドープGaN層53をそれぞれ積層させる。この後、上記の結晶が成長した基板10を、MOCVD装置の反応炉から取り出す。次に、上記の多層膜構造の一部をn形GaNコンタクト層22の途中までドライエッチングして露出させ、この上に、Ti/Pt/Auのn側電極70を形成する。また、高濃度MgドープGaN層53の表面上に、ITOIndiumTinOxideである透明電極60を形成し、その一部に、例えば直径80μmのNi/Auによるp側電極80を形成する。これにより、半導体発光素子110が作製される。なお、上記においては、成膜法としてMOCVD法を用いる例について説明したが、例えば分子線エピタキシ法やハライド気相成長法などの他の方法も適用可能である。次に、発光層40の多重量子井戸構造について説明する。図1a及びbに表したように、発光層40の多重量子井戸構造は、複数の障壁層411~41nと、複数の井戸層421~42nと、を有する。なお、符号に含まれるnは層の番号に対応した2以上の整数である。本明細書において、複数の障壁層411~41nを区別せずに総称するときは障壁層41といい、複数の井戸層421~42nを区別せずに総称するときは井戸層42ということにする。複数の障壁層41は、n形半導体層20からp形半導体層50に向けて第1番目の障壁層411、第2番目の障壁層412、...、第n-1番目の障壁層41n-1、第n番目の障壁層41nを有する。複数の障壁層41のうちの最もn形半導体層20に近い第1番目の障壁層411をn側障壁層ともいい、最もp形半導体層50に近い第n番目の障壁層41nをp側障壁層ともいう。複数の井戸層42は、n形半導体層20からp形半導体層50に向けて第1番目の井戸層421、第2番目の井戸層422、...、第n-1番目の井戸層42n-2、第n番目の井戸層42nを有する。複数の井戸層42のうちの最もn形半導体層20に近い第1番目の井戸層421をn側井戸層ともいい、最もp形半導体層50に近い第n番目の井戸層42nをp側井戸層ともいう。障壁層41及び井戸層42は、窒化物半導体を含む。なお、障壁層41及び井戸層42には、微量のAl等が含まれていてもよい。井戸層42には、例えばInを含む窒化物半導体が用いられる。障壁層41のバンドギャップエネルギーは、井戸層42のバンドギャップエネルギーよりも大きい。井戸層42は、InwGa1-wN0<w<1を含む。井戸層42の厚さは、厚さtwナノメートルである。井戸層42の厚さtwは、例えば3ナノメートルnm以上6nm以下である。半導体発光素子110において、少なくとも第n番目の障壁層41nには、第1層LLnと、第2層HLnと、が設けられる。なお、層番号にかかわらず第1層LLnを総称する場合には第1層LLともいう。また、層番号にかかわらず第2層HLnを総称する場合には第2層HLともいう。第1層LLは、III族元素を含む。第1層LLは、例えば、Inb1Ga1-b1N0≦b1を含む。第2層HLは、第1層LLのIII族元素中におけるInの組成比よりも高いIII族元素中におけるInの組成比を有する。第2層HLnは、例えば、Inb2Ga1-b2Nb1<b2を含む。第2層HLのバンドギャップエネルギーは、第1層LLのバンドギャップエネルギーよりも小さい。1つの障壁層41において、第1層LLは複数設けられ、第2層HLは単数または複数設けられる。そして、前記複数の第1層LLの間に、第2層HLが設けられる。半導体発光素子110において、p側障壁層である第n番目の障壁層41nの厚さ方向に平均したInの組成比は、n側障壁層である第1番目の障壁層411の厚さ方向に平均したInの組成比よりも高い。ここで、障壁層41の厚さ方向に平均したInの組成比を、平均In組成比という。すなわち、第1層LLが、Inb1Ga1-b1N0≦b1を含み、厚さtLLナノメートルを有し、第2層HLが、Inb2Ga1-b2Nb1<b2を含み、厚さtHLナノメートルを有するとき、障壁層41の平均In組成比は、b1×tLLb2×tHL/tLLtHLと定義される。第1層LL及び第2層HLは、複数の障壁層41にそれぞれ設けられていてもよい。複数の障壁層41にそれぞれ第1層LL及び第2層HLが設けられる場合、第2層HLのIn組成比b2は、前記複数の障壁層41のそれぞれで異なるようにしてもよい。この場合、複数の障壁層41のそれぞれの平均In組成比は、p形半導体層50に近い障壁層41からn形半導体層50に近い障壁層41にかけて段階的に低くなるようにする。例えば、p側障壁層である第n番目の障壁層41nと、n側障壁層である第1番目の障壁層411と、の間に中間障壁層である第m番目1<m<nの障壁層41mがある場合、第m番目の障壁層41mの平均In組成比は、第n番目の障壁層41nの平均In組成比よりも低く、第1番目の障壁層411の平均In組成比よりも高くする。具体的な一例として、p形半導体層50に近い障壁層41ほどIn組成比b2を大きく、n形半導体層20に近い障壁層41ほどIn組成比b2を小さくする。また、複数の障壁層41のそれぞれの平均In組成比は、全ての障壁層41で互いに異なる必要はない。例えば、隣り合う複数の障壁層41を1つの組として複数の組を構成した場合、同じ組の障壁層41の平均In組成比は等しく、組ごとにp形半導体層50からn形半導体層20にかけて平均In組成比を段階的に減少させてもよい。例えば、第1番目の障壁層411と第2番目の障壁層412との組、第3番目の障壁層413と第4番目の障壁層414との組、...、第n-3番目の障壁層41n-3と第n-2番目の障壁層41n-2との組、第n-1番目の障壁層41n-1と第n番目の障壁層41nとの組において、同じ組に属する複数の障壁層41の平均In組成比は同じであって、組ごとの平均In組成比は、p形半導体層50からn形半導体層20にかけて減少する構成にしてもよい。また、複数の障壁層41を、p形半導体層50側の組p側の組と、n形半導体層20の側の組n側の組と、に分けた場合、p側の組の1つ以上の障壁層41はいずれも組成比b21b21>0であり、n側の組の1つ以上の障壁層41はいずれも組成比b22であるという構成でもよい。発光層40の多重量子井戸構造をこのような構成にすることによって、井戸層42に対する障壁層41のホールに対する量子ポテンシャルが低下する。このため、多重量子井戸におけるホールの注入が効率化し、キャリアの分散化が図られることで、LEDの外部量子効率が上昇する。次に、実施形態に係る半導体発光素子110の障壁層41及び井戸層42の具体例について説明する。本実施形態に係る半導体発光素子110においては、障壁層41の厚さtbは、10nm以下と薄くする。好ましくは、厚さtbは、3nm以上8nm以下にする。これにより、p形半導体層50から注入されるホールが効率的に発光層40に供給され、半導体発光素子110の発光効率が高まる。また、半導体発光素子110の動作電圧は、実用上要求されている程度に低下する。本実施形態に係る半導体発光素子110においては、障壁層41の第1層LLの厚さtLLは3nm未満とすることが望ましく、1nm程度とすることがより好ましい。これによって、井戸層42に対する障壁層41のホールにとっての量子ポテンシャルが低下する。本実施形態に係る半導体発光素子110においては、障壁層41の第2層HLの厚さtHLは2nm以下にすることが望ましい。第2層HLをこれ以上厚くすると、障壁層41の結晶性が劣化しやすくなる。本実施形態に係る半導体発光素子110においては、障壁層41の第1層LLのIn組成比b1は0.02以下であり、0.00とすることが最も望ましい。これよりもIn組成比を多くすると、結晶性が劣化しやすくなる。本実施形態に係る半導体発光素子110においては、p側障壁層である第n番目の障壁層41nの第2層HLnのIn組成比b2は、0.04以上0.13以下とすることが望ましく、0.08以上とすることがより好ましい。これにより、ホールにとっての井戸層42に対する障壁層41の量子ポテンシャルの低下はより有効になる。上記のような、第1層LLと第2層HLをもつ障壁層41を多重量子井戸層内に構成することによって、ホールの量子井戸層での注入効率が向上し、高発光効率が実現される。図3~図5は、発光層のIn組成比のプロファイルを例示する図である。図3~図5のいずれにおいても、横軸は発光層の位置厚さ方向の位置を表し、縦軸はIn組成比を表している。図3及び図4は、実施形態に係る半導体発光素子の例を表し、図5は、参考例に係る半導体発光素子の例を表している。なお、図3~図5に表した例では、いずれも8つの障壁層41及び8つの井戸層42が交互に積層された多重量子井戸構造でのIn組成比プロファイルを表している。ここで、図3に表したIn組成比プロファイルを110P、図4に表したIn組成比プロファイルを120P及び図5に表したIn組成比プロファイルを190Pとする。図3に表したIn組成比プロファイル110Pでは、2つの障壁層41の組ごとに段階的に平均In組成比が低下している。In組成比プロファイル110Pにおいて、井戸層421~428のIn組成比は同じである。井戸層421~428のIn組成比wは、例えばw=0.13である。障壁層41においては、第8番目の障壁層418、第7番目の障壁層417、第6番目の障壁層416及び第5番目の障壁層415に、それぞれ3つの第1層LL及び2つの第2層HLが設けられている。なお、これらの第1層LLのIn組成比はそれぞれ同じである。第1層LLのIn組成比b1は、例えばb1=0.00である。複数の障壁層41のうち、第8番目の障壁層418の第2層HL8及び第7番目の障壁層417の第2層HL7のIn組成比は同じである。第2層HL8及びHL7のIn組成比b28は、例えば0.04以上0.13以下である。一例として、In組成比b28は、b28=0.06である。In組成比b28は、p側井戸層である第8番目の井戸層428のIn組成比wの例えば1/2以下にしてもよい。複数の障壁層41のうち、第6番目の障壁層416の第2層HL6及び第5番目の障壁層415の第2層HL5のIn組成比は同じであるが、第8番目の障壁層418の第2層HL8及び第7番目の障壁層417の第2層HL7のIn組成比よりも低い。第2層HL6及びHL7のIn組成比b26は、例えばb2=0.03である。このような構成によって、In組成比プロファイル110Pでは、第8番目の障壁層418及び第7番目の障壁層417の組と、第6番目の障壁層416及び第5番目の障壁層415の組と、において、段階的に平均In組成比が低下している。図4に表したIn組成比プロファイル120Pでは、n側障壁層である第1番目の障壁層411と、第2番目~第8番目の障壁層412~41nと、で平均In組成比が異なっている。In組成比プロファイル120Pにおいて、井戸層421~428のIn組成比wは同じである例えば、w=0.13。障壁層41においては、第2番目の障壁層412~第8番目の障壁層418に、それぞれ3つの第1層LL及び2つの第2層HLが設けられている。なお、これらの第1層LL2~LL8のIn組成比b1はそれぞれ同じであり例えば、b1=0.00、これらの第2層HL2~HL8のIn組成比b2は、In組成比b1よりも高く、それぞれ同じである例えば、b2=0.06。図5に表したIn組成比プロファイル190Pでは、いずれの障壁層41にも第2層HLが設けられていない。すなわち、全ての障壁層41のIn組成比は一定である。図6a~図8dは、エネルギーバンド図及びキャリア濃度分布を例示する図である。図6は、図3に表したIn組成比プロファイル110Pを有する半導体発光素子110の例である。図7は、図4に表したIn組成比プロファイル120Pを有する半導体発光素子120の例である。図8は、図5に表したIn組成比プロファイル190Pを有する半導体発光素子190の例である。いずれの図においても、横軸は位置厚さ方向の位置を表し、aは伝導体のエネルギーバンド図、bは価電子帯のエネルギーバンド図、cは電子の濃度、dはホールの濃度を示している。また、いずれの図においても、a及びbに表した太線は量子ポテンシャルを例示している。図8a~dに表したように、参考例に係る半導体発光素子190では、井戸層42に対する障壁層41の量子障壁が高いため、p形半導体層50から注入されるホールがp形半導体層50に近い井戸層42に偏っている。窒化物半導体においては、p形キャリアホールの移動度は低く、そのためにLEDのp形半導体層50で生成したホールの多重量子井戸への注入効率が悪い。このため、複数の井戸層42のうちp形半導体層50側の井戸層42の一部にしかホールが注入されない。そのため、キャリア密度が局所的に大きくなってオージェ再結合確率が増大し、特に高電流注入時のLEDの外部量子効率が低下する。図6aに表した伝導帯及び図6bに表した価電子帯のエネルギーバンド図のように、半導体発光素子110の構成によれば、参考例に係る半導体発光素子190に比べて、井戸層42に対する障壁層41の量子障壁が低下する。これによって、図6dに表したように、ホールの注入効率が飛躍的に改善され、半導体発光素子190に比べて飛躍的に発光効率が高効率化する。図7aに表した伝導体及び図7bに表した価電子帯のエネルギーバンド図では、図6a及び図6bに表したエネルギーバンド図よりは井戸層42に対する障壁層41の量子障壁は低下していないものの、図8a~dに表した参考例に係る半導体発光素子190よりは井戸層42に対する障壁層41の量子障壁が低下している。これにより、半導体発光素子120では、参考例に係る半導体発光素子190に比べて発光効率が高まる。さらに、図6a~d及び図7a~dに表したように、n形半導体層20に近いほど障壁層41の平均In組成比を下げることで、n形半導体層20の上に成長させる発光層40の多重量子井戸構造の結晶性が向上する。以下、上記のような条件を見いだすに至った検討結果について説明する。この検討では、発光層40の構成障壁層41の厚さやIn組成比の変調のさせ方、井戸層42の厚さやIn組成比の変調のさせ方を変えて半導体発光素子を構成し、その各場合の内部量子効率を比較する。第1の実施例第1の実施例に係る半導体発光素子111は、図3に表したIn組成比のプロファイル110Pを有する。障壁層41と井戸層42との数は8周期である。ここで8周期の井戸層42のうち、最もn形半導体層20に近い障壁層を第1番目の障壁層411として、そこからp形半導体層50側に向かって、第2番目の障壁層412、第3番目の障壁層413、...、第8番目の障壁層418と称する。第8番目の障壁層418の第1層LL8及び第7番目の障壁層417の第1層LL7のIn組成比b1をb1=0.00とし、第8番目の障壁層418の第2層HL8及び第7番目の障壁層417の第2層HL7のIn組成比b28をb28=0.06とする。次に、第6番目の障壁層416の第1層LL6及び第5番目の障壁層415の第1層LL5のIn組成比b1をb1=0.00とし、第6番目の障壁層416の第2層HL6及び第5番目の障壁層415の第2層HL5のIn組成比b26をb26=0.03とする。最後に、第4番目の障壁層414~第1番目の障壁層411の第1層LL4~LL1のIn組成比と、第2層HL4~HL1のIn組成比とを、いずれも0.00とする。また、第1番目の障壁層411~第8番目の障壁層418のいずれにおいても、第1層LL1~LL8の厚さtLLは1nm、第2層HL1~HL8の厚さtHLは1nmとし、第2層HLが障壁層41の両側となるように、これらを交互に25周期積層した。第1番目の障壁層411~第8番目の障壁層418のそれぞれの厚さtbは、5nmである。第2の実施例第2の実施例に係る半導体発光素子121は、図4に表したIn組成比のプロファイル120Pを有する。半導体発光素子121では、第2番目の障壁層412から第8番目の障壁層418についての第1層LL2~LL8のIn組成比をb1=0.00とし、第2層HL2~HL8のIn組成比をb2=0.03とする。第1番目の障壁層411の第1層LL1のIn組成比と第2層HL2のIn組成比とは、いずれも0.00とする。これら以外は第1の実施例に係る半導体発光素子111と同じである。参考例参考例の半導体発光素子191は、図5に表したIn組成比のプロファイル190Pを有する。すなわち、半導体発光素子191では、第1番目の障壁層411~第8番目の障壁層418の全てについてGaN単層になっている。半導体発光素子111、121及び191のすべての井戸層42のIn組成比wは0.13で、層内で一定すなわちIn0.13Ga0.87Nとし、厚さtwは3nmである。半導体発光素子111、121及び191は、450nmの主波長で発光する青色LEDである。図9は、半導体発光素子の特性を例示する図である。図9では、横軸に電流Iアンペア:A、縦軸に内部量子効率QE_AVを表している。図9では、半導体発光素子111、121及び191についての電流I-内部量子効率QE_AVの関係を例示している。なお、図9において、縦軸の内部量子効率は、参考例に係る半導体発光素子191の内部量子効率のピークトップ値を1とした相対値で表示されている。図9に表したように、第1実施例に係る半導体発光素子111の内部量子効率QE_AVが最も高く、その次に第2実施例に係る半導体発光素子121の内部量子効率QE_AVが高い。半導体発光素子111及び121のいずれについても、参考例に係る半導体発光素子191よりも内部量子効率QE_AVが上昇する。例えば、電流Iが0.2Aのときの内部量子効率QE_AVは、半導体発光素子111では0.84であり、半導体発光素子121では0.80であり、半導体発光素子191では、0.76である。なお、半導体発光素子191において、p側障壁層から4つ以上n形半導体層側の障壁層に第2層HLを設けた場合、ホールの注入効率の向上の効果は小さい。実施形態においては、p側障壁層41nに第2層HLを設けることにより、ホールの注入の効率を向上する。この際、図6dから分かるように、p側障壁層である第8番目の障壁層418からn形半導体層20側に4つ目第5番目の障壁層415くらいまでにホールは効率良く注入されている。しかし、それよりもn形半導体層20側の障壁層には、あまり効率良くホールが注入されない。このため、p側障壁層41nから4つ目くらい以上の障壁層41にはInを入れないことが好ましい。これにより、発光層40の全体における平均In組成比を低く保つことができ、発光層40と、n形半導体層20と、の間の格子不整合が過度に大きくならない。その結果、障壁層41にInを含む第2層HLを設けた場合の結晶品質の悪化が抑制される。結晶品質の観点から、n形障壁層411のIn組成比を小さくする好ましくは、0にすることが望ましい。このように、p側障壁層41nに第1層LLと第2層HLとを設け、n側障壁層411に設けない構成p側障壁層41nの平均In組成比がn側障壁層411の平均In組成比よりも高い構成によって、内部量子効率QE_AVが向上する。図10a~図12は、実施形態に係る他の半導体発光素子のIn組成比プロファイルを例示する図である。図10a~図12のいずれにおいても、横軸は発光層の位置厚さ方向の位置を表し、縦軸はIn組成比を表している。なお、図10a~図12に表した例では、いずれも8つの障壁層41及び8つの井戸層42が交互に積層された多重量子井戸構造でのIn組成比プロファイルを表している。ここで、図10aに表したIn組成比プロファイルを112P、図10bに表したIn組成比プロファイルを113P、図11aに表したIn組成比プロファイルを114P、図11bに表したIn組成比プロファイルを115P及び図12に表したIn組成比プロファイルを116Pとする。各In組成比プロファイル112P、113P、114P、115P及び116Pにおいて、井戸層42のIn組成比wは一定である。一例として、In組成比wは、w=0.13である。図10aに表したIn組成比プロファイル112Pでは、第8番目の障壁層418~第5番目の障壁層415に、それぞれ2つの第1層LL及び1つの第2層HLが設けられている。これらの第1層LLのIn組成比はそれぞれ同じである。第1層LLのIn組成比b1は、例えばb1=0.00である。複数の障壁層41のうち、第8番目の障壁層418の第2層HL8及び第7番目の障壁層417の第2層HL7のIn組成比は同じである。第2層HL8及びHL7のIn組成比b28は、例えばb28=0.06である。複数の障壁層41のうち、第6番目の障壁層416の第2層HL6及び第5番目の障壁層415の第2層HL5のIn組成比は同じであるが、第8番目の障壁層418の第2層HL8及び第7番目の障壁層417の第2層HL7のIn組成比b28よりも低い。第2層HL6及びHL5のIn組成比b26は、例えばb2=0.03である。このような構成によって、In組成比プロファイル112Pでは、第8番目の障壁層418及び第7番目の障壁層417の組と、第6番目の障壁層416及び第5番目の障壁層415の組と、において、段階的に平均In組成比が低下している。図10bに表したIn組成比プロファイル113Pでは、第8番目の障壁層418~第6番目の障壁層416に、第1層LL及び第2層HLが設けられている。第8番目の障壁層418及び第7番目の障壁層417には、それぞれ4つの第1層LL及び3つの第2層HLが設けられている。第6番目の障壁層416には、3つの第1層LL及び2つの第2層HLが設けられている。すなわち、p側障壁層と第m障壁層41mとにおいて、それぞれ第1層LL及び第2層HLの数が相違する。第8番目の障壁層418~第6番目の障壁層416にそれぞれ設けられた第1層LL8~LL6のIn組成比は同じである。第1層LLのIn組成比b1は、例えばb1=0.00である。第8番目の障壁層418の第2層HL8及び第7番目の障壁層417の第2層HL7のIn組成比は同じである。第2層HL8及びHL7のIn組成比b28は、例えばb2=0.06である。第6番目の第2層HL6のIn組成比b26は、第8番目の障壁層418の第2層HL8及び第7番目の障壁層417の第2層HL7のIn組成比b28よりも低い。第2層HL6のIn組成比b26は、例えばb2=0.03である。第8番目の障壁層418及び第7番目の障壁層417の厚さtb8及びtb7は、第6番目の障壁層416の厚さtb6よりも厚く設けられていてもよい。図11aに表したIn組成比プロファイル114Pでは、第8番目の障壁層418~第5番目の障壁層415に、それぞれ2つの第1層LL及び1つの第2層HLが設けられている。これら第1層LL及び第2層HLのそれぞれのIn組成比は、図3に表したIn組成比プロファイル110Pと同じである。第1層LLのIn組成比はそれぞれ同じである。第1層LLのIn組成比b1は、例えばb1=0.00である。障壁層418の第2層HL8及び障壁層417の第2層HL7のIn組成比b28は、例えばb2=0.06である。障壁層416の第2層HL6及び障壁層415の第2層HL5のIn組成比b26は、例えばb2=0.03である。In組成比プロファイル114Pでは、In組成比プロファイル110Pに比べて、p形半導体層50に最も近いp側井戸層である第8番目の井戸層428の厚さtw8が、n形半導体層20に最も近いn側井戸層である第1番目の井戸層421の厚さtw1の厚さよりも厚い。図11bに表したIn組成比プロファイル115Pでは、第8番目の障壁層418~第5番目の障壁層415に、それぞれ3つの第1層LL及び2つの第2層HLが設けられている。これらの第1層LLのIn組成比はそれぞれ同じである。第1層LLのIn組成比b1は、例えばb1=0.00である。In組成比プロファイル115Pでは、第8番目の障壁層418及び第7番目の障壁層417の組と、第6番目の障壁層416及び第5番目の障壁層415の組と、において、段階的に平均In組成比が低下している。ただし、In組成比プロファイル115Pでは、第8番目の障壁層418~第5番目の障壁層415の各障壁層41において、複数の第2層HLのIn組成比に差が設けられている。そして、第8番目の障壁層418~第5番目の障壁層415の各障壁層41に設けられた複数の第2層HLのIn組成比は、p形半導体層50の側からn形半導体層20の側に向けて高くなっている。例えば、第8番目の障壁層418には、2つの第2層HL8a及びHL8bが設けられている。2つの第2層HL8a及びHL8bにおいて、p形半導体層50側に設けられた第2層HL8bのIn組成比b28bは、n形半導体層20側に設けられた第2層HL8aのIn組成比b28aよりも高い。同様に、第7番目の障壁層417には、2つの第2層HL7a及びHL7bが設けられている。2つの第2層HL7a及びHL7bにおいて、p形半導体層50側に設けられた第2層HL7bのIn組成比b28bは、n形半導体層20側に設けられた第2層HL7aのIn組成比b28aよりも高い。また、第6番目の障壁層416には、2つの第2層HL6a及びHL6bが設けられている。2つの第2層HL6a及びHL6bにおいて、p形半導体層50側に設けられた第2層HL6bのIn組成比b26bは、n形半導体層20側に設けられた第2層HL6aのIn組成比b26aよりも高い。同様に、第5番目の障壁層415には、2つの第2層HL5a及びHL5bが設けられている。2つの第2層HL5a及びHL5bにおいて、p形半導体層50側に設けられた第2層HL5bのIn組成比b26bは、n形半導体層20側に設けられた第2層HL5aのIn組成比b26aよりも高い。障壁層418及び417の複数の第2層HLのうち、In組成比の高い側のIn組成比b28bは、例えばb28b=0.06である。障壁層418及び417の複数の第2層HLのうち、In組成比の低い側のIn組成比b28aは、例えばb28a=0.04である。障壁層416及び415の複数の第2層HLのうち、In組成比の高い側のIn組成比b26bは、例えばb26b=0.03である。障壁層416及び415の複数の第2層HLのうち、In組成比の低い側のIn組成比b26aは、例えばb26a=0.01である。図12に表したIn組成比プロファイル116Pでは、第8番目の障壁層418~第5番目の障壁層415に、それぞれ3つの第1層LL及び2つの第2層HLが設けられている。これらの第1層LLのIn組成比はそれぞれ同じである。第1層LLのIn組成比b1は、例えばb1=0.00である。In組成比プロファイル116Pでは、第8番目の障壁層418、第7番目の障壁層417、第6番目の障壁層416及び第5番目の障壁層415の順に、段階的に平均In組成比が低下している。障壁層418の複数の第2層HL8のIn組成比b28は、例えばb28=0.06である。障壁層417の複数の第2層HL7のIn組成比b27は、例えばb27=0.05である。障壁層416の複数の第2層HL6のIn組成比b26は、例えばb26=0.04である。障壁層415の複数の第2層HL5のIn組成比b25は、例えばb25=0.03である。以下、本実施形態に関して、多重量子井戸構造の構成を変えたときの特性の例について説明する。この例では、第2層HLの構成が変更される。図13及び図14は、半導体発光素子の特性を例示する図である。図13及び図14では、横軸に電流IA、縦軸に内部量子効率IQEを表している。図13には、第1の構成に係る内部量子効率QE11、及び、第2の構成に係る内部量子効率QE12が表されている。内部量子効率QE0は、参考例に係るIn組成比プロファイルを190Pを用いた場合の内部量子効率である。第1の構成及び第2の構成においては、8つの障壁層41及び8つの井戸層42が交互に積層された多重量子井戸構造であり、第8番目の障壁層418~第2番目の障壁層412にそれぞれ2つの第1層LL及び1つの第2層HLが設けられている。このうち、第1の構成内部量子効率QE11は、第2層HLのIn組成比b2が、井戸層42のIn組成比wと同じ例えば、b2=w=0.13である。また、第2の構成内部量子効率QE12は、第2層HLのIn組成比b2が、井戸層42のIn組成比wよりも低い例えば、w=0.13、b2=0.08。図14には、第3の構成に係る内部量子効率QE21、及び、第4の構成に係る内部量子効率QE22が表されている。内部量子効率QE0は、図13と同様、参考例に係るIn組成比プロファイルを190Pを用いた場合の内部量子効率である。第3の構成及び第4の構成は、8つの障壁層41及び8つの井戸層42が交互に積層された多重量子井戸構造であり、第8番目の障壁層418~第2番目の障壁層412にそれぞれ3つの第1層LL及び2つの第2層HLが設けられている。第3の構成内部量子効率QE21は、第2層HLのIn組成比b2が、井戸層42のIn組成比wと同じ例えば、b2=w=0.13である。第4の構成内部量子効率QE22では、第2層HLのIn組成比b2が、井戸層42のIn組成比wよりも低い例えば、w=0.13、b2=0.08。図13に表したように、第1の構成に係る内部量子効率QE11及び第2の構成に係る内部量子効率QE12は、いずれも参考例に係る内部量子効率QE0よりも高い。また、内部量子効率QE12よりも、内部量子効率QE11のほうが高い。1つの障壁層41に1つの第2層HLが設けられている場合は、第2層HLのIn組成比が高いと量子効率が高くなる。図14に表したように、第3の構成に係る内部量子効率QE21及び第4の構成に係る内部量子効率QE22は、いずれも参考例に係る内部量子効率QE0よりも高い。内部量子効率QE21は内部量子効率QE22とほぼ同等である。1つの障壁層41に2つの第2層HLが設けられている場合、第2層HLのIn組成比にかかわらず良好な内部量子効率が得られる。図13及び図14に表した結果から、1つの障壁層41には2つの第2層HLを設けることで、第2層HLの1つ当たりのIn組成比を低くしても良好な内部量子効率を得られることが分かる。上記説明した実施形態及び実施例では、第1層LL及び第2層HLのIII族元素中におけるInの組成比について説明したが、In以外の組成比であっても適用可能である。実施形態によれば、発光効率の高い半導体発光素子が提供される。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BαInβAlγGa1-α-β-γN0≦α≦1,0≦β≦1,0≦γ≦1,αβγ≦1なる化学式において組成比α、β及びγをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成比の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むものや、導電形などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれるn形半導体層、p形半導体層、活性層、井戸層、障壁層、電極、基板、バッファ層各要素の具体的な構成の、形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の変更を加えたものであっても、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"