接合面に配置された第1の複数の基板ボンディングパッドを有する基板と、各ダイがその少なくとも1つの第1の縁部に沿って配列される第1の複数のダイボンディングパッドを有する、前記基板上に配置された複数の半導体ダイと、各ボンディングピラーが前記第1の複数の基板ボンディングパッドの1つを前記第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つに電気接続する、前記基板ボンディングパッドから実質的に垂直に延びる複数のボンディングピラーと、を備える、半導体デバイス。前記基板が基板上に配置された第2の複数の基板ボンディングパッドを有し、前記複数のダイのそれぞれが、その少なくとも1つの第2の縁部に沿って配列された第2の複数のダイボンディングパッドを有し、前記第2の複数の基板ボンディングパッドのそれぞれを前記第2の複数のダイボンディングパッドの対応する1つに電気接続する複数のボンディングワイヤをさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイス。前記少なくとも1つの第1の縁部と前記少なくとも1つの第2の縁部とが前記ダイの対向する縁部である、請求項2に記載の半導体デバイス。前記第1の複数のダイボンディングパッドのそれぞれが前記ダイの少なくとも1つの側面に配置されている、請求項3に記載の半導体デバイス。前記第2の複数のダイボンディングパッドのそれぞれが前記ダイの少なくとも1つの上面に配置されている、請求項4に記載の半導体デバイス。前記ボンディングピラーがボールボンドによって前記基板ボンディングパッドに接続されている、請求項3に記載の半導体デバイス。前記少なくとも1つの第1の縁部が1つの第1の縁部である、請求項3に記載の半導体デバイス。前記少なくとも1つの第2の縁部が1つの第2の縁部である、請求項7に記載の半導体デバイス。前記少なくとも1つの第1の縁部が2つの隣接する第1の縁部である、請求項3に記載の半導体デバイス。前記少なくとも1つの第2の縁部が2つの隣接する第2の縁部である、請求項9に記載の半導体デバイス。前記複数のダイの少なくとも1つのダイの前記少なくとも1つの第1の縁部が、前記基板ボンディングパッドと、前記複数のダイの少なくとも1つの他のダイに接続された前記ボンディングピラーとに覆いかぶさる、請求項1に記載の半導体デバイス。前記複数のダイの前記少なくとも1つのダイが前記複数のダイの少なくとも1つの他のダイに接続された前記ボンディングピラーの上部から間隔をおいて配置されている、請求項11に記載の半導体デバイス。前記複数のダイの連続するダイの間にインターポーザをさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイス。第1の複数の基板ボンディングパッドと電気接続する基板の接合面に複数の実質的に垂直なボンディングピラーを形成するステップと、前記基板の前記接合面に、それぞれがその少なくとも1つの第1の縁部に沿って配列された第1の複数のダイボンディングパッドを有する複数の半導体ダイを、前記第1の複数のダイボンディングパッドのそれぞれが前記複数のボンディングピラーの対応する1つに近接するように積層させるステップと、前記複数のボンディングピラーのそれぞれと前記第1の複数のダイボンディングパッドの前記対応する1つとの間に電気接続を形成するステップと、を含む、半導体デバイスを組み立てる方法。前記基板の前記接合面が前記接合面上に配置された第2の複数の基板ボンディングパッドを有し、前記複数のダイのそれぞれがその少なくとも1つの第2の縁部に沿って配列された第2の複数のダイボンディングパッドを有し、前記第2の複数の基板ボンディングパッドのそれぞれと前記第2の複数のダイボンディングパッドの対応する1つとの間にボンディングワイヤを取り付けるステップと、をさらに含む、請求項14に記載の方法。前記複数のボンディングピラーのそれぞれと前記第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つとの間に電気接続を形成する前記ステップが、前記複数のボンディングピラーのそれぞれを前記第1の複数のダイボンディングパッドの前記対応する1つに溶接するステップを含む、請求項15に記載の方法。前記複数のボンディングピラーのそれぞれと前記第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つとの間に電気接続を形成する前記ステップが、導電性エポキシを使用して、前記複数のボンディングピラーのそれぞれを前記第1の複数のダイボンディングパッドの前記対応する1つに接続するステップを含む、請求項15に記載の方法。前記複数の実質的に垂直なボンディングピラーのそれぞれを形成する前記ステップが、ワイヤボンディング機を使用して、前記第1の複数の基板ボンディングパッドの対応する1つの上にボールボンドを形成するステップと、前記ボールボンドに取り付けられ、前記基板の前記面から全体として離れる方向に延びるワイヤを形成するステップと、前記基板の前記接合面から所望の距離のところで前記ワイヤを切り取り、それによって所望の高さのボンディングピラーを形成するステップと、を含む、請求項14に記載の方法。前記複数の実質的に垂直なボンディングピラーのそれぞれを形成する前記ステップが、前記ワイヤの上端部にボールを形成するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。複数のダイを積層させる前記ステップが、前記複数のダイの少なくとも1つのダイを、前記少なくとも1つのダイの前記第1の縁部が前に積層されたダイに接続された前記ボンディングピラーに覆いかぶさるように位置決めするステップを含む、請求項14に記載の方法。本発明の一目的は、先行技術における不都合の1つまたは複数に対処することである。本発明のもう一つの目的は、複数のチップが、基板上に積層され、基板からチップまで実質的に垂直に延びるボンディングピラーを有する少なくとも1つの縁部に沿って基板に電気接続されるマルチチップパッケージを提供することである。本発明のもう一つの目的は、基板と、従来のボンディングワイヤからは通常アクセスできないチップの1つまたは複数の縁部との間の電気接続を提供することである。本発明のもう一つの目的は、基板から実質的に垂直に離れる方向へ延びる複数のボンディングピラーを形成するステップと、基板上の少なくとも1つのチップを、少なくとも1つのチップの少なくとも1つの縁部に沿ったボンディングパッドが複数のボンディングピラーと接触するように位置決めするステップと、少なくとも1つのチップの少なくとも1つの他の縁部に沿ったボンディングパッドを基板に接続するボンディングワイヤを形成するステップとによってマルチチップパッケージを組み立てる方法を提供することである。第1の態様では、半導体デバイスが基板を備える。基板の接合面に第1の複数の基板ボンディングパッドが配置されている。基板上に複数の半導体ダイが配置されている。複数のダイの各ダイは、その少なくとも1つの第1の縁部に沿って配列された第1の複数のダイボンディングパッドを有する。基板ボンディングパッドから複数のボンディングピラーが実質的に垂直に延びる。各ボンディングピラーは、第1の複数の基板ボンディングパッドの1つを、第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つに電気接続する。さらなる態様では、基板は、基板上に配置された第2の複数の基板ボンディングパッドを有する。複数のダイのそれぞれは、その少なくとも1つの第2の縁部に沿って配列された第2の複数のダイボンディングパッドを有する。複数のボンディングワイヤが、第2の複数の基板ボンディングパッドのそれぞれを、第2の複数のダイボンディングパッドの対応する1つに電気接続する。さらなる態様では、少なくとも1つの第1の縁部と少なくとも1つの第2の縁部とは、ダイの対向する縁部である。さらなる態様では、第1の複数のダイボンディングパッドのそれぞれは、ダイの少なくとも1つの側面に配置されている。さらなる態様では、第2の複数のダイボンディングパッドのそれぞれは、ダイの少なくとも1つの上面に配置されている。さらなる態様では、ボンディングピラーは、ボールボンドによって基板ボンディングパッドに接続されている。さらなる態様では、少なくとも1つの第1の縁部は1つの第1の縁部である。さらなる態様では、少なくとも1つの第2の縁部は1つの第2の縁部である。さらなる態様では、少なくとも1つの第1の縁部は2つの隣接する第1の縁部である。さらなる態様では、少なくとも1つの第2の縁部は2つの隣接する第2の縁部である。さらなる態様では、複数のダイの少なくとも1つのダイの少なくとも1つの第1の縁部は、基板ボンディングパッドと、複数のダイの少なくとも1つの他のダイに接続されたボンディングピラーとに覆いかぶさる。さらなる態様では、複数のダイの少なくとも1つのダイは、複数のダイの少なくとも1つの他のダイに接続されたボンディングピラーの上部から間隔をおいて配置されている。さらなる態様では、複数のダイの連続するダイの間にインターポーザが配置されている。さらに他の態様では、半導体デバイスを組み立てる方法が、第1の複数の基板ボンディングパッドと電気接続する基板の接合面に複数の実質的に垂直なボンディングピラーを形成するステップを含む。基板の接合面に複数の半導体ダイが積層される。複数のダイのそれぞれは、第1の複数のダイボンディングパッドのそれぞれが複数のボンディングピラーの対応する1つに近接するようにダイの少なくとも1つの第1の縁部に沿って配列された第1の複数のダイボンディングパッドを有する。複数のボンディングピラーのそれぞれと第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つとの間に電気接続が形成される。さらなる態様では、基板の接合面は、接合面に配置された第2の複数の基板ボンディングパッドを有する。複数のダイのそれぞれは、その少なくとも1つの第2の縁部に沿って配列された第2の複数のダイボンディングパッドを有する。第2の複数の基板ボンディングパッドのそれぞれと、第2の複数のダイボンディングパッドの対応する1つとの間にボンディングワイヤが取り付けられる。さらなる態様では、複数のボンディングピラーのそれぞれと第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つとの間に電気接続を形成するステップは、複数のボンディングピラーのそれぞれを第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つに溶接するステップを含む。さらなる態様では、複数のボンディングピラーのそれぞれと第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つとの間に電気接続を形成するステップは、導電性エポキシを使用して、複数のボンディングピラーのそれぞれを第1の複数のダイボンディングパッドの対応する1つに接続するステップを含む。さらなる態様では、複数の実質的に垂直なボンディングピラーのそれぞれを形成するステップは、ワイヤボンディング機を使用して、第1の複数の基板ボンディングパッドの対応する1つの上にボールボンドを形成するステップと、ボールボンドに取り付けられ、基板の表面から全体として離れる方向に延びるワイヤを形成するステップと、基板の接合面から所望の距離のところでワイヤを切り取り、それによって所望の高さのボンディングピラーを形成するステップとを含む。さらなる態様では、複数の実質的に垂直なボンディングピラーのそれぞれを形成するステップは、ワイヤの上端部にボールを形成するステップをさらに含む。さらなる態様では、複数のダイを積層させるステップは、複数のダイの少なくとも1つのダイを、少なくとも1つのダイの第1の縁部が前に積層されたダイに接続されたボンディングピラーに覆いかぶさるように位置決めするステップを含む。本発明の実施形態のさらに別の、かつ/または代替の特徴、態様、および利点は、以下の詳細な説明、添付の図面、および添付の特許請求の範囲から明らかになるであろう。図14を参照すると、第1の実施形態によるMCP500は、3つのダイ502A、502B、502Cを有する。各ダイは、NANDフラッシュチップといったメモリチップとすることができる。あるいは、ダイの一部または全部が、コントローラチップといった別の種類のチップであってもよい。各ダイ502A、502B、502Cは、1つの縁部に沿ってボンディングパッド504A、504B、504C図8に最もよく示されているを有する。ボンディングパッド504A、504B、504Cは、個々のボンディングワイヤ506A、506B、506Cによって基板508の接合面に接続されている。加えて各ダイ502A、502B、502Cは、この実施形態ではボンディングパッド504A、504B、504Cと対向する第2の縁部に沿って配列されたボンディングパッド505A、505B、505C図8に最もよく示されているも有する。ボンディングパッド504、505は、米国特許第5126286号明細書に示されているように、それらが横方向または上面で電気接点を形成することができるように、上面から側面までダイの角に巻き付くように構築されていてよい。ボンディングパッド505A、505B、505Cは、以下でさらに詳細に論じるように、個々のボンディングピラー507A、507B、507Cによって基板508の表面に接続されている。ボンディングピラー507A、507B、507Cは、ボンディングワイヤ506A、506B、506Cと同じ伝達通信機能を提供する。基板508の反対面の複数のはんだボール不図示が、外部デバイスへの接続のためのボールグリッドアレイBGAを形成している。BGA内のはんだボールの数および位置は、当分野で公知であり、本発明の一部となるものではない。MCPを外部デバイスに接続する他の公知の方法が代わりに使用され得ることが企図される。この配置は、他のメモリデバイスに対しても、何個の積層ダイに対しても等しく適用できることを理解すべきである。以下で論じるMCP500の組立ての方法に関心を有する当業者は、MCP500のさらなる特徴を理解するはずである。図16を参照して、その接合面に電気接点またはボンディングパッド516の適切な配列を有する基板508を用いた、ステップ1600から始まるMCP500の組立てを説明する。図5A、図5Bおよび図5Cを参照すると、ステップ1605で、従来のワイヤボンディング機とすることのできるワイヤ形成装置518を使用してボンディングピラー507が形成される。図5Aを参照すると、従来方式で、ボンディングパッド516上にボールボンド520が形成される。当業者には理解されるように、ボンディングパッド516にボンドを形成するのに代替方法を使用することもできる。図5Bを参照すると、ワイヤ形成装置518が基板508の表面から全体として離れる方向に引き戻されて、基板508の表面から全体として離れる方向に延びるワイヤ522を形成する。図5Cを参照すると、ワイヤ522は、所望の長さのところで切り取られて、所望の高さのボンディングピラー507が形成される。この段階では、ボンディングピラー507は、ボールボンド520だけによって、基板508のボンディングパッド516に接合されており、上端部では接合されていない。図6A~図6Cを参照すると、ボンディングピラー607を形成する代替の方法が示されている。図6Aを参照すると、従来方式でボンディングパッド516上にボールボンド620が形成される。当業者には理解されるように、ボンディングパッド516にボンドを形成する代替の方法が使用されてもよい。図6Bを参照すると、ワイヤ形成装置518が基板508の表面から全体として離れる方向に引き戻されて、基板508の表面から全体として離れる方向に延びるワイヤ622を形成し、次いでワイヤ622は、所望の長さのところで切り取られて、所望の高さのボンディングピラー607が形成される。図6Cを参照すると、電子的フレームオフなどの従来方法で、ボール624がボンディングピラー607の上部に形成される。ボール624は、ボンディングピラー607の上部に追加の金属を提供し、これは、以下でさらに詳細に説明するように、ボンディングパッド505とのより大きい接触パッチを作成するのに使用することができる。より大きい接触パッチは、ボンディングパッド505への高電流接点または抵抗が低減された接点を形成する際に求められ得る。以下のボンディングピラー507の考察はボンディングピラー607にも適用できることを理解すべきである。図7に、それぞれ図5A~図5Cの工程に従って基板508上に形成されるボンディングピラー507A、507B、507Cのアレイを示す。ボンディングピラー507A、507B、507Cの各列は、以下でさらに詳細に論じるように、ダイ502A、502B、502Cの個々の1つとの接合に適した高さを有する。MCP500において何個のダイ502A、502B、502Cが求められるかに応じて、より多数または少数のボンディングピラーの列507A、507B、507Cが使用される。ボンディングピラー507A、507B、507Cの実際の高さは、各ダイの厚さやダイ間のインターポーザの厚さといった様々な要因に左右される。連続するボンディングピラー507A、507B、507Cの列間の間隔は、連続するダイ502A、502B、502Cの間の横方向のオフセットに対応し、この横方向のオフセットは、以下でさらに詳細に論じるように、少なくとも、後のワイヤボンディングのためにボンディングパッド504A、504B、504Cを露出させるのに十分な大きさである。図5A~図5Cおよび図6A~図6Cのボンディングピラー507、607は、基板508の表面に対して直角に延びるものとして図示されているが、以下でさらに詳細に論じるように、特定の基板508に接合されたすべてのボンディングピラー507、607が、偶発的な短絡その他の望ましくない電気接続を防止するように相互に十分に間隔をおいて配置されており、ボンディングピラー507、607が、適切なダイ502のボンディングパッド505に接触するように表面から十分遠くまで延びる限り、ボンディングピラー507、607は、基板508の表面に対して厳密に直角をなしていなくてもよい。実質的に垂直なという表現は、これらすべての許容できる向きを包含するものと理解すべきである。ボンディングピラー507、607は、スチフネスを提供するために銅で形成されてもよいが、個々の用途に求められる物理的、電気的特性に応じて、金やアルミニウムといった他の任意の適切な金属が使用されてもよい。工程はステップ1610に進む。ステップ1610で、図8に示すように、基板508上に、所望の場合にはスペーサまたはインターポーザ512Aの上に、第1のダイ502Aが積層される。積層は、以下でさらに詳細に論じるように、ボンディングパッド505Aが対応するボンディングピラー507Aと接触し、または対応するボンディングピラー507Aに十分近接し、ボンディングパッド505Aとボンディングピラー507Aとの間に電気接続を形成することができるようにダイ502Aが位置決めされるならば、従来方法で行うことができる。ダイ502Aは、以下でさらに詳細に論じるように、任意選択で、ボンディングパッド505Aが対応するボンディングピラー507Aと隣接し、ボンディングピラー507Aに対して横方向の力を加えて、ボンディングパッド505Aとボンディングピラー507Aとの間により良い電気接続が形成されるように位置決めされてもよい。工程はステップ1615に進む。ステップ1615で、各ボンディングピラー507Aの上部と対応するボンディングパッド505Aとの間に電気接続が形成される。この接続は、任意の適切な方法によって形成されてよい。一実施形態による図9を参照すると、ダイ502Aは、各ボンディングパッド505Aがその対応するボンディングピラー507Aに水平方向の圧力を加えるように、あるいは、ボンディングパッド505Aと対応するボンディングピラー507Aとが近接するように基板508上に位置決めされる。接続は、レーザ溶接装置526その他の適切な装置を使用して、各ボンディングピラー507Aを対応するボンディングパッド505Aに接合することにより形成される。代替の実施形態による図10Aおよび図10Bを参照すると、ダイ502Aは、各ボンディングパッド505Aがその対応するボンディングピラー607Aのボール624に水平方向の圧力を加えるように、あるいは、ボンディングパッド505Aと対応するボンディングピラー607Aとが近接するように基板508上に位置決めされる。接続は、レーザ溶接装置524その他の適切な装置を使用して、各ボンディングピラー607Aを対応するボンディングパッド505Aに接合することにより形成される。代替の実施形態による図11Aおよび図11Bを参照すると、各ボンディングパッド505Aはその上にバンプ528を形成させる。バンプ528は、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第6410406号明細書に記載される方式といった、任意の公知の方式で形成されてよい。ダイ502Aは、各バンプ528がその対応するボンディングピラー507Aに水平方向の圧力を加えるように、あるいは、ボンディングパッド505Aと対応するボンディングピラー507Aとが近接するように基板508上に位置決めされる。接続は、レーザ溶接装置524その他の適切なボンディング装置を使用して、各ボンディングピラー507Aを対応するボンディングパッド505Aに接合することにより形成される。導電性エポキシといった、ボンディングピラー507Aとボンディングパッド505Aとの間の接続を形成する他の方法も企図される。工程はステップ1620に進む。ステップ1620で、最後のダイ502が積層され、基板508に接合された場合、工程はステップ1625に進む。基板508に積層し、接合すべき次のダイ502がある場合、工程はステップ1610に戻ってさらに別のダイ502を積層する。各ダイ502は、ボンディングピラー507への適正な接合を確実にするためにも、下位のダイ502の上面のボンディングパッド504を露出させるためにも、下位のダイ502から横方向にずらして配置される。図12を参照すると、ダイ502Aとボンドピラー507Aとの接触がボールボンド520によって妨げられないように、スペーサ512を使用して、第1のダイ502Aと基板508との間に十分な間隙が設けられてよい。スペーサ512はさらに、下位のダイ502Aに対応するボンディングピラー507Aとボンディングピラー507Aに覆いかぶさる上位のダイ502Bとの間のギャップ530を形成するために連続するダイ502A、502Bの間に十分な間隙を設けるのに使用されてもよい。ギャップ530は小さくてもよく、特に、ギャップ530は、ボンディングピラー507の代わりに従来のボンディングワイヤの接合を可能にするのに必要とされるはずのギャップよりも小さくてよく、薄いスペーサ512で済む。このように、ボンディングピラー507Aおよびその基板ボンディングパッド516の全体が、基板508と覆いかぶさるダイ502Bとの間に配置されてよく、その結果、コンパクトな配置が得られる。図13を参照すると、ステップ1625で、ボンディングワイヤ506が、公知の方式で、基板508のボンディングパッド517と、ダイ502のボンディングパッド504とに接続される。一実施形態によれば、各ボンディングワイヤ506は、ボールボンド532によってその対応するボンディングパッド517に接続され、ウェッジボンド534によってその対応するボンディングパッド504に接続される。任意の適切な種類のワイヤボンディングが代わりに使用され得ることが企図される。すべてのダイ502のボンディングワイヤ506は、1回の製造ステップで接続することができる。というのは、ダイ502の横方向のオフセットが、ワイヤボンディング機不図示によるすべてのボンディングパッド504へのアクセス可能にするからである。このステップは省略され得ることも企図されており、その場合には、ボンディングピラー507だけが設けられるはずである。工程はステップ1630に進む。ステップ1630で、工程は終了し、MCP500は、ダイ、ボンディングピラー、およびボンディングワイヤの保護プラスチック成形材料での封入、その他の何らかの適切な方法によるパッケージの封止を含む次の処理が可能になる。代替の実施形態による図15を参照すると、ダイ1502Aおよび1502Cは第1の向きに積層されており、ダイ1502Bおよび1502Dは、第1の向きに対して直角をなす第2の向きに積層されている。この配置では、各ダイ1502は、1つの縁部に沿ってボンディングワイヤ1506を有し、ボンディングワイヤ1506と対向する1つの縁部に沿ってボンディングピラー1507を有する。各ダイ1502の向きが交互であることにより、ボンディングワイヤ1506とボンディングピラー1507とが、それぞれ、MCP1500の2つの隣接する辺に沿って振り分けられることになる。この配置では、輻輳がさらに低減される。加えて、各ダイ1502が他方の向きの2つの隣接するダイ1502間のスペーサとして働くために、インターポーザの必要性が軽減され、またはインターポーザが不要になる。例えば、ダイ1502Bの厚さは、隣接するダイ1502Aとダイ1502Cとの間の間隙を作り出し、この間隙は、それ自体によって、または図12の実施形態の場合より薄いインターポーザを用いて、ボンディングピラー1507Aとダイ1502Cの底面との間に十分なギャップを提供し得る。その結果、MCP1500の高さを低減することができ、または、標準サイズのパッケージに適合するMCP1500により多くのダイ1502を積層させることができる。MCP1500を組み立てる方法は、MCP500を組み立てる方法と実質的に同様であり、したがって詳細に論じない。代替の実施形態による図17を参照すると、各ダイ1702は、2つの隣接する辺に沿ってボンディングワイヤ1706を有し、残り2つの隣接する辺に沿ってボンディングピラー1707を有する。各ダイ1702には、あるいは、ボンディングワイヤ1706が取り付けられていなくてもよく、その場合には、ボンディングピラー1707だけが2つの辺に沿って設けられるはずであることが企図される。この構成では、相互接続輻輳がさらに低減される可能性があり、または、同じレベルの輻輳を維持しながらダイ1702ごとのボンディングワイヤ1706およびボンディングピラー1707の数を倍加することができる。MCP1700を組み立てる方法は、第2の組のボンディングパッド、ボンディングピラーおよびボンディングワイヤが追加されるが、MCP500を組み立てる方法と実質的に同様であり、したがって詳細に論じない。本発明の上記実施形態への変更および改善は、当業者には明らかになるはずである。以上の説明は、限定ではなく例示のためのものである。したがって本発明の範囲は、ひとえに添付の特許請求の範囲によって限定される。