外部電源に接続された第1の電源リングで囲まれた第1の回路ブロックと、前記第1の電源リングを介して前記外部電源に接続された第2の電源リングで囲まれた第2の回路ブロックとを含み、前記第1の回路ブロック内の半分以上が同期回路で構成され、前記第2の回路ブロック内の半分以上が非同期回路で構成されている集積回路。前記第2の回路ブロックにマイクロプロセッサが含まれる請求項1に記載の集積回路。前記第2の回路ブロックが再構成回路を含む請求項1に記載の集積回路。更に、再構成制御回路を含み、前記再構成制御回路の出力する指示により、前記再構成回路は、同期回路方式と非同期回路方式とを切り替える請求項3に記載の集積回路。更に、外部電源監視ユニットを含み、前記外部電源監視ユニットの出力する指示に基づいて、前記再構成制御回路は、前記再構成回路における切り替えを指示する出力を行う請求項4に記載の集積回路。発電を行いこれにより外部に給電を行う発電デバイスと、外部環境因子に関するデータを取得するセンサデバイスと、前記センサデバイスと接続し、前記センサデバイスが取得したデータを外部に送信する通信デバイスとを含み、前記発電デバイスは、前記センサデバイスと前記通信デバイスの夫々と接続して給電を行うセンサシステムにおいて、前記通信デバイスは、前記発電デバイスに接続された第1の電源リングで囲まれた第1の回路ブロックと、前記第1の電源リングを介して前記発電デバイスに接続された第2の電源リングで囲まれた第2の回路ブロックとを含み、前記第1の回路ブロック内の半分以上が同期回路で構成され、前記第2の回路ブロック内の半分以上が非同期回路で構成されているセンサシステム。家庭用電源コンセントに繋がる据え置き機器や高品質のバッテリを備えるモバイル機器は、高品質の供給電源を確保できる。しかしながら、エナジーハーベスティングデバイスで構成される集積回路装置では、自然エネルギから電気エネルギを生成するため、安定した高品質の電源の確保が困難である。図13は、回路ユニットに含まれる一般的なマイコン通信デバイス2のチップレイアウトの概略図である。図13では、主としてフレーム部分と電源配線部分のみ示している。図13に示すマイコン通信デバイス2においては、外部の電源ユニット6から、外側配線26、26aを介して多数のIOパッド10に電力が供給される。更にIOパッド10から、接続配線12を介して回路ブロック部17を取り囲む電源リング15に電力が供給される。電源リング15から更に回路ブロック部17内部に電力が供給される。電源ユニット6が安定した高品質の電力を供給するものであれば、チップ内回路ブロック部17内のどの部分でも均等に電圧が掛かる。そうすると、回路ブロック部17内部において電力消費が瞬間的に急激に増減する部分が存在するとしても、その増減を許容し得る給電能力が得られることになる。しかしながら、エナジーハーベスティングデバイスは、自然エネルギからの発電によって電力を供給するものであるから、電源ユニット6の電源品質は、発電時の環境に依存し、電力供給が不安定になりやすい。特許文献1は、給電ユニットから回路ユニットへの電源品質を保つ給電方法を開示している。この給電方法は、負荷回路側である回路ユニット内に増大予測機能部を追加しておき、回路ユニット側の使用電力が増えることが予想された場合に、予め給電ユニット側に通知して給電ユニットの給電能力を上げる、という仕組を実現する。しかし、この給電方法を実現するには、給電ユニットが最大負荷に耐えられるような構成を持つ必要がある。このことは、給電ユニットの構成の複雑化、及び部品コストの増大に繋がる。そもそも、エナジーハーベスティングのような給電ユニットは、太陽電池やMEMSMicroElectroMechanicalSystemsなどの特殊な機械部品を含むことが多く、中でも小型のエナジーハーベスティングデバイスは通常、特殊な微細加工技術により製造される。従って、給電ユニットの構成の複雑化や部品コストの増大は、回避されることが望ましい。本発明は、給電ユニット例えば、エナジーハーベスティングデバイスに改変を加えること無く、不安定な給電電圧、特に、低い給電電圧ででも正常に動作する集積回路を提供することを目的とする。本発明は、上記の目的を達成するために為されたものである。本発明に係る集積回路は、外部電源に接続された第1の電源リングで囲まれた第1の回路ブロックと、第1の電源リングを介して前記外部電源に接続された第2の電源リングで囲まれた第2の回路ブロックとを含み、第1の回路ブロック内の半分以上が同期回路で構成され、第2の回路ブロック内の半分以上が非同期回路で構成されている。また、本発明に係るセンサシステムは、発電を行いこれにより外部に給電を行う発電デバイスと、外部環境因子に関するデータを取得するセンサデバイスと、センサデバイスと接続し、センサデバイスが取得したデータを外部に送信する通信デバイスとを含み、発電デバイスは、センサデバイスと通信デバイスの夫々と接続して給電を行うセンサシステムである。そのセンサシステムにおいて、通信デバイスは、発電デバイスに接続された第1の電源リングで囲まれた第1の回路ブロックと、第1の電源リングを介して発電デバイスに接続された第2の電源リングで囲まれた第2の回路ブロックとを含み、第1の回路ブロック内の半分以上が同期回路で構成され、第2の回路ブロック内の半分以上が非同期回路で構成されている。本発明に係る集積回路では、回路ユニットにおける正常動作が可能な電圧の範囲を広くすること、特に正常動作が可能な電圧を下げることができる。このことにより、対応する給電ユニットとして性能の低いものも用いることができる。以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態を説明する。第1の実施形態1.1.集積回路の構成図1は、本発明の第1の実施形態の集積回路におけるチップレイアウトの概略図である。図1は、集積回路における、エナジーハーベスティングデバイスとマイコン通信デバイスの構成を示しており、特に、マイコン通信デバイス2のチップレイアウトを示している。図1に示すエナジーハーベスティングデバイス4とマイコン通信デバイス2は、図12に示すエナジーハーベスティングデバイスを利用するセンサネットワークシステムを構成するものである。図1に示すマイコン通信デバイス2の回路ブロック部は、同期回路で構成された同期回路ブロック部20と、非同期回路で構成された非同期回路ブロック部22とによって構成されている。同期回路ブロック部20と非同期回路ブロック部20は直列に接続されている。同期回路ブロック部20は、非同期回路を一部に含んでもよい。同期回路ブロック部20と非同期回路ブロック部22は、夫々、第1の電源リング16と第2の電源リング18に囲繞されている。第1の電源リング16と第2の電源リング18は、複数の電源リング間接続配線24により相互に接続されている。ただし、各ブロック部における電源構造は電源リングのようなリング構造に限られるものではなく、メッシュのような電源構造でもよい。更に、IOパッド10は、同期回路ブロック部20を囲繞する第1の電源リング16にのみ、複数の接続配線12を介して接続される。即ち、IOパッド10は、非同期回路ブロック部22を囲繞する第2の電源リング18には接続されない。多数のIOパッド10には、外側配線26、14を介して、エナジーハーベスティングデバイス4内の電源ユニット6から電力が供給される。従って、エナジーハーベスティングデバイス4内の電源ユニット6からの電力は、同期回路ブロック部20の周囲の第1の電源リング16に直接的に供給され、非同期回路ブロック部22の周囲の第2の電源リング18には直接的に供給されていない。ここで、回路ブロック部を同期回路ブロック部20と非同期回路ブロック部22とに分けて直列に接続し、同期回路ブロック部20にのみ、エナジーハーベスティングデバイス4内の電源ユニット6からの電力を供給する理由について説明する。一般に、回路方式は同期回路方式と非同期回路方式とに、大きく分けることができる。同期回路は、図21に示すように、クロック信号と称される一定周期の基準信号によって、全ての回路が動作する方式を採用する回路である。同期回路では、全ての回路にクロック信号を伝播させ、フリップフロップ30間のデータ処理をクロック信号の周期内に必ず終わらせる必要がある。全ての回路をクロック信号で同期させるものであるため、回路構成が簡単になり、回路設計も容易である、という利点がある。しかしながら、フリップフロップ30間のデータ処理はクロック周期の時間内に必ず終わらせる必要があるという制約が、同期回路の弱点となる場合もある。つまり、周囲の環境条件の変動が同期回路の安定的動作に影響を与えるようなときに弱点となる。例えば、温度変化、製造プロセスのばらつき、及び、大きな電圧降下などの外部条件によって、フリップフロップ30間のデータ処理時間が遅くなってしまうと、同期回路は、一定周期内にデータ処理を終えることができないということが生じ得る。このとき、回路が正常に動作しない、という不具合が生じる。一方、非同期回路は、図22に示すように、同期動作のためのクロック信号を用いない非同期回路方式による回路である。この非同期回路方式では、よく知られているように、フリップフロップ32間の処理は、リクエスト信号とアクノレッジ信号とを用いる所謂ハンドシェイクで行われる。このため、基準信号によってデータを処理する方式を採用する同期回路とは異なり、非同期回路では処理の制御が複雑になる。しかしながら、非同期回路は、周囲の環境条件の変動に対する耐性が非常に高い。これは、所謂ハンドシェイクによってフリップフロップ32間でデータを遣り取りしているためである。つまり、電源電圧が多少降下したとしても処理速度が遅くなるに過ぎず、誤作動は生じない。電源電圧の降下量が所定の範囲を超えると、非同期回路であっても動作しないが、安定動作を実現する電源電圧の範囲は同期回路よりも広い。図3は、非同期回路方式のプロセッサコアと同期回路方式のプロセッサコアとを動作させたときの、夫々の供給電圧と処理性能の関係を示すグラフである。実線lβが非同期回路方式のプロセッサコアにおける供給電圧と処理性能の関係を示し、破線lαが同期回路方式のプロセッサコアにおける供給電圧と処理性能の関係を示している。図3に示すように、非同期回路方式のプロセッサは、供給電圧が上がる程処理性能が向上する。これは、ハンドシェイクでのデータ通信は電圧が上がる程早く終了するためである。更に、非同期回路方式のプロセッサコアの場合、処理性能が変動するものの電圧Aから電圧Dの広い範囲βで動作することが可能である。一方、同期回路式のプロセッサコアの場合、処理性能は一定に維持されるが、電圧Aから電圧Dの範囲βよりずっと狭い、電圧Bから電圧Cの範囲αでしか動作できない。以上の点を踏まえて、本実施形態では、電源領域を2つに分ける。つまり、1比較的電源供給点IOパッド10に近く、配線等による電圧降下がより小さい領域と、2比較的電源供給点から遠く、電源降下がより大きい領域である。このうち、1電圧降下がより小さい領域を、同期回路ブロック部20に対応させ、2電圧降下がより大きい領域を、非同期回路ブロック部22に対応させる。その上で、電源電圧からの電圧降下が殆ど無い比較的質の高い電圧を同期回路ブロック部20に優先的に与え、電源からの経路距離が同期回路ブロック部20よりも長くなることから電源電圧からの電圧降下が経路距離に応じて生じる電圧を非同期回路ブロック部22に与える。エナジーハーベスティングデバイス4による電源品質の不安定性から生じる電源電圧の変動は、非同期回路ブロック部22の動作速度の増減により吸収させる。本実施形態では、同期回路ブロック部20と非同期回路ブロック部22は、上述の条件を満たすように構成されている。1.2.集積回路の動作本実施形態に係る、エナジーハーベスティングデバイス4内の電源ユニット6からの電力は、直接には、同期回路により構成される同期回路ブロック部20の周囲の第1の電源リング16にのみ供給される。供給された電源電圧のうち、同期回路ブロック部20はその内部の回路が電圧図3の電圧B~電圧C参照を消費する。そして、同期回路ブロック部20に供給される電圧から降下した電圧が電源リング間接続配線24を介して非同期回路ブロック部22に供給される。供給された電源電圧が変動を含むものであるような場合、非同期回路ブロック部22内の回路は、低い電圧であっても所定値図3電圧A参照以上の電圧が供給されるのであれば、動作速度を落とすことがあるが確実に動作する。従って、まず、十全の電源電圧が供給されていれば、同期回路ブロック部20及び非同期回路ブロック部22が動作する。電源電圧が低くなっても、同期回路ブロック部20が動作するのに十分な電圧が供給されていれば、同期回路ブロック部20は動作する。このとき、非同期回路ブロック部22は動作速度を落とすこともあるが動作する。更に、電源電圧が低くなると、同期回路ブロック部20は正常には動作しなくなるが、非同期回路ブロック部22は動作速度を落としつつも動作する。この上更に、電源電圧が降下すれば、同期回路ブロック部20も非同期回路ブロック部22も正常に動作しなくなる。本実施形態は、正常な動作のためには電源電圧の降下を許容できない同期回路ブロック部20に供給する電圧の品質を、従来技術図13参照と同様の構成によってできるだけ高く保つ。同期回路ブロック部20に直列に接続される非同期回路ブロック部22は、電源電圧の変動低下を動作速度の変動低下として吸収する。言い換えると、電源電圧が好条件であるときの集積回路の動作速度と、悪条件であるときの集積回路の動作速度との間の変動は、非同期回路ブロック部22の動作速度の変動に反映される。1.3.まとめ本実施形態に係るマイコン通信デバイス2の回路ブロック部は、同期回路ブロック部20と、同期回路ブロック部20と直列に接続する非同期回路ブロック部22とによって構成され、同期回路ブロック部20にのみ、IOパッド10から外部のエナジーハーベスティングデバイス4内の電源ユニット6から電力が供給される。このようにマイコン通信デバイス2のチップにおいては、かなり低い電圧ででも動作する非同期回路ブロック部22が明確に分割され、且つ同期回路ブロック部20よりも低電位側に配置されるから、本実施形態に係るマイコン通信デバイス2は、従来のマイコン通信デバイスよりもより低い電圧で動作し得る。また、電源電圧が低電圧である場合、非同期回路ブロック部22のみが正常動作することになる。つまり、相対的に、同期回路ブロック部20が正常動作する全体の期間が、非同期回路ブロック部22が正常動作する全体の期間よりも短くなる傾向にある。後で説明するように、同期回路ブロック部20内に常時動作することが必要でない回路部分例えば、通信に係る回路部分が設けられるのであれば、このことが問題になることはない。本実施形態に係るチップであるマイコン通信デバイス2において、電源電圧の変動を回路ブロック部ができるだけ許容するということを目指すのであれば、回路ブロック部内の回路を全て非同期回路方式に設定することが有効である。しかしながら、実際には同期回路方式を用いる方が望ましい回路があり、全て非同期回路方式の回路にすることは現実的ではない。例えば、センサの検知したデータを一定周期で取り込むセンサとのIO部分、及び、外部の同期回路と一定スループットでデータの遣り取りを行う通信回路部分などは、同期回路方式であることが望ましい。このような回路部分を設ける場合には、同期回路ブロック部と非同期回路ブロック部とを共存させることになる。また、同期回路は、図3に示すように電圧条件が良好であっても回路全体の処理速度は変化しないので、所定の時期に終わらせるべき処理に向いている。一方、非同期回路は、供給される電圧に応じて動作すればよいような処理に向いている。これらのことを考慮して、非同期回路の内でも処理が早く終わることが望ましい回路が同期回路ブロック部20に含まれてもよい。また更に、同期回路ブロック部20の半分以上を同期回路で構成し、且つ非同期回路ブロック部22の半分以上を非同期回路で構成するようにしてもよい。このような集積回路装置も、従来のマイコン通信デバイスよりもより広い範囲の電圧で、特に低い電圧で動作し得る。第2の実施形態図4は、本発明の第2の実施形態に係る、エナジーハーベスティングデバイスを含む集積回路装置のブロック図である。第2の実施形態に係る集積回路装置は、第1の実施形態と略同様のものである。従って、両者の差異を中心に以下説明する。2.1.集積回路の構成図4に示す第2の実施形態に係る集積回路装置1bは、特に、橋梁や道路の下に埋め込まれたセンサチップにより道路の温度をモニタして収集するシステムにて用いられるものである。集積回路装置1bは、温度センサ36、エナジーハーベスティングデバイス振動4b、及び、マイコン通信デバイス2bから構成される。マイコン通信デバイス2bは、同期回路ブロック部20bと非同期回路ブロック部22bにより構成される。同期回路ブロック部20bは、温度センサ36からのデータを取り込むセンサI/O部42と、外部のデータ管理端末とのデータ通信を行なう無線コア部38を含む。非同期回路ブロック部22bは、マイクロプロセッサ46を含む。本実施形態におけるエナジーハーベスティングデバイス4bについて説明する。通常、道路に自動車が通れば、その道路には微細な振動が発生する。エナジーハーベスティングデバイス4bは、この微細な振動を利用して発電する発電デバイスである。振動によって発電する発電デバイスとして、例えば、図51に示すエレクトレットを用いた静電誘導に基づく発電方式によるデバイス50が挙げられる。図51に示す振動によるエナジーハーベスティングデバイス50では、エレクトレットと称される電荷を持つ電極板54と金属電極板52とが抵抗56を挟んで対向して配置される。そして、振動によりこれらの電極板が相互にずれを生じ、このことにより蓄積された電荷が移動し、よって電気が取り出される。図51に示すエナジーハーベスティングデバイス50では、上側の金属電極板52を左右にずらすことで電荷を移動させている。この電極板のずれは道路内の微細な振動によって発生する。図52は、図51に示すエナジーハーベスティングデバイス50の発電時の出力電圧の時間変動の例を示している。図52に示すように、時間推移によって振動環境は変動することから、エナジーハーベスティングデバイス50の発電量は一定ではない。この出力電圧が整流素子で直流に変換されて、温度センサ36やマイクロ通信デバイス2bで利用される。次に、温度センサ36は、道路上の温度を検出するためのセンサであり、ダイオード等をサーミスタとして利用することで実現される。サーミスタは温度が変化すると電気抵抗も大きく変化する抵抗体であるので、この変化を電気的に検出して温度変化を検知することができる。2.2.集積回路の動作温度センサ36が検出した信号は、マイコン通信デバイス2のセンサI/O部42に入力される。センサI/O部42では一定周期で温度センサ36からのデータをサンプリングしてバッファメモリ44に蓄積する。一定周期を正確に測るためには、センサI/O部42が同期回路であることが望ましいので、本実施形態のセンサI/O部42は同期回路によって構成されている。センサI/O部42のバッファメモリ44に蓄積された温度データを集計処理するために、非同期回路ブロック部22b内のマイクロプロセッサ46が、バッファメモリ44からデータを入力する。計測される道路上の温度データには誤差が含まれやすいので、時間軸方向に複数のサンプリングポイントを設けて温度データを平均化する処理や、温度センサ36の設置場所に関するデータや他の温度センサ36からのデータに基づいて検出温度を補正する処理が必要になることがある。これらの処理がマイクロプロセッサ46で行われる。バッファメモリ44に蓄積された温度データが用いられるので、これらの処理に対する時間的制約は緩い。このため、マイクロプロセッサ46は非同期回路で構成されている。外部のデータ管理端末に送信するために、集計し補正した温度データは、マイクロプロセッサ46から無線コア38内のバッファメモリ40に送られる。無線コア38は、1日に数回程度、処理済のデータを外部のデータ管理端末に送信する。所定の周波数帯が利用されるのであれば、無線コア38は同期回路として構成されることが好ましい。エナジーハーベスティングデバイス4bが発電する出力電圧と、同期回路ブロック部及び非同期回路ブロック部の動作可否状態との関係を、図6を用いて説明する。図6は、エナジーハーベスティングデバイス4bが発電により出力する出力電圧の時間的変化の例を示すグラフである。図6に示す出力電圧は適宜、整流素子により整流された後の電圧を示している。また、図6から明らかなように、出力電圧は徐々に減少している。即ち、時間T1の区間では出力電圧は範囲Xにあり、時間T2の区間では出力電圧は範囲Xより低い範囲Yにあり、時間T3の区間では出力電圧は範囲Yより低い範囲Zにある。出力電圧が範囲Xにある場合は、エナジーハーベスティングデバイス4bの発電量が多い。この範囲の場合、図13に示すような従来の集積回路装置及びマイコン通信デバイスであっても、十全に動作する。しかし、出力電圧が範囲Xより低い範囲Yにある場合、従来のマイコン通信デバイスでは、回路ブロック部内の同期回路部分のうちに、稼動に最低限必要な電圧を得られないものが生じることが想定され得る。このとき、回路ブロック部の全体が正常に動作しない。更に、出力電圧が範囲Yより低い範囲Zにある場合、従来のマイコン通信デバイスでは、回路ブロック部内のより多くの部分で、稼動に最低限必要な電圧を得られないことが生じると想定される。このときも回路ブロック部は正常に動作しない。一方、本実施形態のマイコン通信デバイス2bでは、エナジーハーベスティングデバイス4bの出力電圧が範囲Xにある場合には、同期回路ブロック部20b及び非同期回路ブロック部22bのいずれもが十分に動作し得る。出力電圧が範囲Xより低い範囲Yにある場合でも、同期回路ブロック部20bが動作するのに十分な電圧が供給されているため同期回路ブロック部20は動作する。このとき、非同期回路ブロック部22の動作速度を断続的に下げることもあるが確実に動作する。更に、出力電圧が範囲Yより低い範囲Zにある場合、同期回路ブロック部20bは正常には動作しなくなるが、非同期回路ブロック部22bは動作速度を断続的に下げつつも動作し得る。このように、本実施形態のマイコン通信デバイス2bを用いるならば、エナジーハーベスティングデバイス4bの出力電圧が範囲Xより低い範囲Yにある場合でも、回路ブロック部の全体は正常に動作する。なぜなら、本実施形態に係るマイコン通信デバイス2では、所定の電圧が保証されることを要求する同期回路ブロック部20bに優先的に電源電圧が供給され、同期回路ブロック部20bに供給される電源電圧から降下した電圧がマイクロプロセッサ46を含む非同期回路ブロック部22bに供給されるからである。非同期回路ブロック部22bは、動作可能である電源電圧の範囲が、同期回路ブロック部20bが動作可能である電源電圧の範囲よりも広い図3参照ので、非同期回路ブロック部22bへの供給電圧に多少の変動低下が生じても正常に動作する。但しこのとき、非同期回路ブロック部22bの処理速度は変動低下する。従って、マイコン通信デバイス2において、エナジーハーベスティングデバイス4bの出力電圧が範囲Yにある場合でも、範囲Xにある場合より動作速度は遅くなるが、誤作動は生じない。なお、エナジーハーベスティングデバイス4bの出力電圧が範囲Yより低い範囲Zにある場合には、本実施形態に係る回路ブロック部内の同期回路ブロック部20bに対する最低限の電圧も保証され得ない。但し、非同期回路ブロック部20bは、動作不可能な限界電圧は低いため、動作速度が遅くとも動作し得ることがある。以上の、エナジーハーベスティングデバイス4bが発電する出力電圧と、本実施形態の集積回路の動作可否状態との関係を、従来技術と比較しつつ整理すると、以下の表1のようになる。本実施形態に係るマイコン通信デバイス2は、より低い電圧ででも動作可能であることが分かる。このように、本実施形態によれば、マイコン通信デバイス2の動作可能電圧が、従来よりも広くなる。このことを利用すれば、給電ユニットの性能を下げることができる。即ち、ばらつきが大きい品質の悪い電源や経年劣化により発電能力が衰えた電源であっても、給電ユニットとして用いることができる。よって、給電ユニットに関するコストを削減することができる。2.3.まとめ以上のように、本実施形態の集積回路装置のマイコン通信デバイス2bの回路ブロック部では、センサI/O部42及び無線コア38が同期回路で構成され、マイクロプロセッサ46が非同期回路で構成される。これらの回路の電源ドメイン、即ち、同期回路ブロック部20bと非同期回路ブロック部22bとが、図4に示すように直列に接続される。同期回路ブロック部20bの電源ドメインがエナジーハーベスティングデバイス4bに直接接続され、非同期回路ブロック部22bの電源ドメインが同期回路ブロック部20bの電源ドメインに直列に接続している。このように接続することによって、センサI/O部42及び無線コア38に、電圧降下の少ない高品質の電源が供給されるので、従属して接続されている非同期回路ブロック部22bのマイクロプロセッサ46に比べて、センサI/O部42及び無線コア38では供給される電圧の降下が生じ難い。一方で、マイクロプロセッサ46が含まれる非同期回路ブロック部22の電源ドメインは、供給される電圧の降下が生じやすい。しかし、非同期回路ブロック部22bは、供給される電圧の変動を処理速度の変動として吸収することができる。結果として、給電ユニットの性能を下げることができ、給電ユニットに関するコストを削減できる。なお、第2の実施形態に係る集積回路装置のエナジーハーベスティングデバイスでは、静電誘導に基づく発電方式によるデバイスが用いられているが、他の発電デバイスが用いられてもよく、Radio-waveHarvestingを利用した温度検知デバイスや、圧力検知デバイスや、温度差で発電するペルチェ素子が用いられてもよい。また、温度センサ36の代わりに、圧力センサやpHセンサが用いられてもよい。また、マイクロプロセッサの代わりに、FPGAFieldProgrammableGateArrayが用いられてもよい。更に、供給される電圧の降下が生じやすいブロックは、非同期回路ブロック部でなくてもよく、低電圧で動作させる回路部であっても、動作クロックを変更して低速で動作させる回路部であってもよい。第3の実施形態3.1.集積回路の構成図7は、本発明の第3の実施形態に係る、エナジーハーベスティングデバイス4cを含む集積回路装置のブロック図である。第3の実施形態に係る集積回路装置は、第2の実施形態と略同様のものである。従って、両者の差異を中心に以下説明する。第3の実施形態では、非同期回路ブロック部22c内に再構成回路62が配置されている。更に、電圧監視ユニット64及び再構成制御回路66が加えられている。また、エナジーハーベスティングデバイスは、温度差による発電デバイス4cに置き換えられ、センサはpHセンサ60に置き換えられている。ここで、温度差による発電デバイスは、周知のペルチェ素子を用いており、2面間の温度差により電気を生成する。その余の構成は、図4に示す第2の実施形態に係る集積回路装置1bと同様である。3.2.集積回路の動作本実施形態では、エナジーハーベスティングデバイス4cからの給電状況が電源監視ユニット64で監視され、電源電圧が閾値より下がったこと若しくは閾値より上がったことが検出されると、再構成制御回路66が非同期回路ブロック部22内の再構成回路62の再構成を行う。即ち、電源電圧が閾値より高い場合には、再構成制御回路66により再構成回路62内のマイクロプロセッサは同期回路方式として再構成される。反対に、電源電圧が閾値より低い場合には、再構成制御回路66により再構成回路62内のマイクロプロセッサは非同期回路方式として再構成される。前述のように、温度差による発電デバイスであるエナジーハーベスティングデバイス4cは、2面間の温度差により電気を生成する。具体的には、一方の端子をヒートシンクに繋いでおき、もう一方の端子を熱源に接触させて、両端子の温度差に基づいて電気を発生させる。ここで、本実施形態におけるエナジーハーベスティングデバイス4cは、地熱を利用して発電するものであり、pHセンサ60は、土壌のpH値を検出するものであるとする。図8は、温度差によるエナジーハーベスティングデバイス4cが発電により出力する出力電圧の時間的変化の例を示すグラフである。通常、地表の温度は昼間には高いが、夜間になるにつれて低くなる。地表の温度が低くなると、地表とヒートシンクとの間の温度差が小さくなるため、エナジーハーベスティングデバイス4cの発電量が下がる。本実施形態では、エナジーハーベスティングデバイス4cの発電量が下がり供給電圧が低くなる前に、マイクロプロセッサを非同期回路方式に再構成することで、夜間の電源電圧の低下に備える。図9は、本実施形態に係る電圧監視ユニット64及び再構成制御回路66による、再構成回路62に対する再構成の制御手順を示すフローチャートである。まず、再構成回路62は同期回路同期回路方式マイクロプロセッサに構成されるS02。このとき電圧監視ユニット64は常時エナジーハーベスティングデバイス4cの出力電圧を監視しているS04。電圧監視ユニット64が出力電圧が閾値Tr以下に降下したことを検出するS06Yesと、電圧監視ユニット64は再構成制御回路66に再構成の指示を出す。再構成制御回路66は、再構成回路62を同期回路方式マイクロプロセッサ、若しくは非同期回路方式マイクロプロセッサに、夫々再構成するための回路データを保持している。電圧監視ユニット64からの指示により、再構成制御回路66は、これらの構成を切り換えるように再構成回路62を変更する。図9の工程S08では、再構成制御回路66は、再構成回路62を非同期回路方式マイクロプロセッサに再構成する。その後も、電圧監視ユニット64は常時エナジーハーベスティングデバイス4cの出力電圧を監視しているS10。電圧監視ユニット64が出力電圧が閾値Tr以上に上昇したことを検出するS12Yesと、電圧監視ユニット64は再構成制御回路66に再構成の指示を出し、これに従い、再構成制御回路66は、再構成回路62を同期回路方式マイクロプロセッサに再構成するS02。以下、S02~S12の工程が繰り返される。図10は、温度差によるエナジーハーベスティングデバイス4cが発電により出力する出力電圧の時間的変化の例を示している。図10では、出力電圧は徐々に減少している。即ち、温度差の大きい時間T1の区間では出力電圧は範囲Xにあり、時間T2の区間では出力電圧は範囲Xより低い範囲Yにあり、温度差の小さい時間T3の区間では出力電圧は範囲Yより低い範囲Zにある。なお、図8に示す電圧の閾値Trは、図10の電圧PTrに対応するものとする。出力電圧が範囲Xにある場合は、エナジーハーベスティングデバイス4cの発電量が多い。この範囲の場合、図13に示すような従来の集積回路装置及びマイコン通信デバイスであっても、十全に動作する。しかし、出力電圧が範囲Xより低い範囲Yにある場合、従来のマイコン通信デバイスでは、回路ブロック部内の同期回路部分のうちに、稼動に最低限必要な電圧を得られないものが生じることが想定され得る。このとき、回路ブロック部の全体が正常に動作しない。更に、出力電圧が範囲Yより低い範囲Zにある場合、従来のマイコン通信デバイスでは、回路ブロック部内のより多くの部分で、稼動に最低限必要な電圧を得られないことが生じると想定される。このとき回路ブロック部は正常に動作しない。一方、本実施形態に係るマイコン通信デバイス2cを用いるならば、エナジーハーベスティングデバイス4cの出力電圧が範囲Xより低い範囲Yにある場合でも、回路ブロック部の全体は正常に動作する。なぜなら、本実施形態に係るマイコン通信デバイス2cでは、出力電圧が低くなると、再構成回路62において同期回路方式マイクロプロセッサから非同期回路方式マイクロプロセッサへの切換再構成が行われるからである。このとき、図6を用いて説明したように、所定の電圧が保証されることを要求する同期回路ブロック部20に優先的に電源電圧が供給され、同期回路ブロック部20bに供給される電源電圧から降下した電圧が非同期回路方式マイクロプロセッサを含む非同期回路ブロック部22に供給されるため、非同期回路ブロック部22の処理速度が変動し得るが、回路ブロック部全体は正常に動作し得る。なお、エナジーハーベスティングデバイス4cの出力電圧が範囲Yより低い範囲Zにある場合には、本実施形態に係る回路ブロック部内の同期回路ブロック部20cに対する最低限の電圧も保証され得ない。但し、非同期回路ブロック部22cは、動作不可能な限界電圧は低いため、動作速度が遅くとも動作し得ることがある。以上の、エナジーハーベスティングデバイス4cが発電する出力電圧と、本実施形態の集積回路の動作可否状態との関係を、従来技術と比較しつつ整理すると、以下の表2のようになる。本実施の形態に係るマイコン通信デバイス2cの回路ブロック部はより低い電圧ででも動作可能であることが分かる。3.3.まとめ以上のように、本実施形態の集積回路装置のマイコン通信デバイス2cの回路ブロック部では、センサI/O部42及び無線コア38は同期回路で構成される。更に、マイクロプロセッサは、再構成回路により構成される。即ち、エナジーハーベスティングデバイス4cの出力電圧が高い場合にはマイクロプロセッサは同期回路方式で再構成され、エナジーハーベスティングデバイス4cの出力電圧が低い場合にはマイクロプロセッサは非同期回路方式で再構成される。従って、給電ユニットの給電電圧が低いときには、それに対応して、回路ユニットは低い給電電圧ででも正常に動作し得ることになる。その他の実施形態以上、本発明の第1、第2、及び第3の実施形態を説明したが、本発明の思想は、その他の実施形態によっても実現され得る。例えば、同期回路ブロック部20と非同期回路ブロック部22の関係を規定するトポロジは別のものであってもよい。図11は、本発明に係る、更に別の実施形態の集積回路におけるチップレイアウトの概略図である。図11は、図1と同様に、エナジーハーベスティングデバイス4とマイコン通信デバイス2の構成を示し、特に、マイコン通信デバイス2のチップレイアウトを示している。図11に示すマイコン通信デバイス2の回路ブロック部も、同期回路で構成された同期回路ブロック部20aと、非同期回路で構成された非同期回路ブロック部22aとによって、構成されている。ただし、非同期回路ブロック部22aは、同期回路ブロック部20a内部の中央部に位置する。同期回路ブロック部20aは第1の電源リング16aに囲繞され、同期回路ブロック部22aは第2の電源リング18aに囲繞されている。そして、第1の電源リング16aと第2の電源リング18aは、複数の電源リング間接続配線24aにより接続されている。IOパッド10は、第1の電源リング16aのみに接続され、第2の電源リング18aには接続されていない。非同期回路ブロック部22aは、同期回路ブロック部20a内部の中央部に独立した電源ドメインを形成している。更に、エナジーハーベスティングデバイス4側から見ると、非同期回路ブロック部22aは、実質的に同期回路ブロック部20aに従属して直列接続していることになる。従って、図11に示す実施形態に係る集積回路装置も、本発明の思想を実現し得るものである。