減圧容器内に、シリコン投入用開口部を有する坩堝と、前記坩堝および前記坩堝内のシリコン原料の少なくとも一方を加熱するための加熱装置と、前記シリコン投入用開口部を覆う位置に設けられ、開口面積が前記シリコン投入用開口部よりも小さい貫通孔部を有する第1蓋と、投影面が前記貫通孔部よりも大きな第2蓋とを備え、前記第2蓋は、前記貫通孔部の開口を覆うことができるとともに前記貫通孔部の前記開口を露出させることができるように設けられているシリコン精製装置。前記第2蓋は、前記第1蓋に対して前記坩堝とは反対側に設けられており、前記貫通孔部の前記開口を開閉可能な開閉機構を有する請求項1に記載のシリコン精製装置。前記第2蓋が前記貫通孔部の前記開口を覆っているときに前記坩堝に対向する第2蓋の面が黒鉛材料からなる請求項1または2に記載のシリコン精製装置。前記坩堝に対向する第1蓋の面および前記貫通孔部の側面が黒鉛材料からなる請求項1~3のいずれかに記載のシリコン精製装置。前記第1蓋は、前記シリコン投入用開口部を覆うことができるとともに前記シリコン投入用開口部を露出させることができるように設けられている請求項1~4のいずれかに記載のシリコン精製装置。請求項1~5のいずれかに記載のシリコン精製装置を用いてシリコンを精製する方法であって、前記坩堝内のシリコン原料を溶融する工程と、前記減圧容器内を減圧する工程と、溶融したシリコンを減圧状態にて保持する工程と、前記坩堝内から溶融されたシリコンを取り出す工程と、前記貫通孔部、前記坩堝の内部、または前記坩堝に対向する前記第1蓋の面に付着した付着物の少なくとも一部を溶融する工程とを含むシリコン精製方法。前記シリコン原料を溶融する工程は、前記第2蓋が前記貫通孔部の前記開口を覆う状態もしくは前記第2蓋が前記貫通孔部の前記開口を露出させる状態で行なわれ、または前記第2蓋が前記貫通孔部の前記開口を覆う状態と前記第2蓋が前記貫通孔部の前記開口を露出させる状態とが繰り返されて行なわれ、前記付着物を溶融する工程の前に、前記第2蓋によって前記貫通孔部の前記開口を覆う工程をさらに含む請求項6に記載のシリコン精製方法。前記付着物を溶融する工程の前に、少なくとも前記坩堝内に希ガスを供給する工程をさらに含む請求項6または7に記載のシリコン精製方法。本発明者らは特許文献1に記載のシリコン精製装置を参考にして、開口部を有する蓋が坩堝の開口部上に設置されたシリコン精製装置を製造し、このシリコン精製装置の性能を確認した。その結果、以下のような問題点があることが判明した。すなわち、真空溶融法においては、リンなどの不純物と共に、シリコン、シリコン酸化物主にSiOと考えられる、またはシリコンカーバイドなどが蒸発して、蓋の開口部に付着する。これにより、蓋の開口部が閉塞するため、シリコン精製能が低下する。それだけでなく、MG-Siなどのシリコン原料を坩堝内に供給し難くなるため、シリコン精製装置の連続稼動が困難となる。よって、蓋の開口部に付着した付着物を適宜除去する必要がある。なお、開口部を有する蓋を坩堝の開口部上に設ける代わりに特許文献2に記載の不純物凝縮装置を用いれば、上記付着物の問題は発生しない。しかし、特許文献2に記載の不純物凝縮装置を用いると、特許文献1に効果として記載されているシリコン溶湯表面へのSiCの浮上の抑制を図ることはできない。そればかりでなく、不純物凝縮装置自体および使用する冷媒水などにコストがかかる。さらには、不純物凝集装置は必然的に溶融シリコン表面からの熱を吸収するので、シリコン加熱溶融温度維持に要するエネルギーが過剰になる。このように、特許文献2に記載の不純物凝縮装置を用いるとコスト的に不利な問題が発生する。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、開口部を有する蓋を坩堝の開口部上に設けた際に生じる問題を簡便な方法により解決したシリコン精製装置およびシリコン精製方法を提供することである。本発明に係るシリコン精製装置は、減圧容器内に、シリコン投入用開口部を有する坩堝と、坩堝および坩堝内のシリコン原料の少なくとも一方を加熱するための加熱装置と、シリコン投入用開口部を覆う位置に設けられ、開口面積がシリコン投入用開口部よりも小さい貫通孔部を有する第1蓋と、投影面が貫通孔部よりも大きな第2蓋とを備える。第2蓋は、貫通孔部の開口を覆うことができるとともに貫通孔部の開口を露出させることができるように設けられている。ここで、シリコン原料は、純度99未満のシリコンを意味する。第2蓋は、第1蓋に対して坩堝とは反対側に設けられていることが好ましく、貫通孔部の開口を開閉可能な開閉機構を有することが好ましい。第2蓋が貫通孔部の開口を覆っているときに坩堝に対向する第2蓋の面が黒鉛材料からなることが好ましい。坩堝に対向する第1蓋の面および貫通孔部の側面が黒鉛材料からなることが好ましい。第1蓋は、シリコン投入用開口部を覆うことができるとともにシリコン投入用開口部を露出させることができるように設けられていることが好ましい。本発明に係るシリコン精製方法は、本発明に係るシリコン精製装置を用いてシリコンを精製する方法であり、坩堝内のシリコン原料を溶融する工程と、減圧容器内を減圧する工程と、溶融したシリコンを減圧状態にて保持する工程と、坩堝内から溶融されたシリコンを取り出す工程と、貫通孔部、坩堝の内部、または坩堝に対向する第1蓋の面に付着した付着物の少なくとも一部を溶融する工程とを含む。シリコン原料を溶融する工程は、第2蓋が貫通孔部の開口を覆う状態で行なわれても良いし、第2蓋が貫通孔部の開口を露出させる状態で行なわれても良いし、第2蓋が貫通孔部の開口を覆う状態と第2蓋が貫通孔部の開口を露出させる状態とが繰り返されて行なわれても良い。また、付着物を溶融する工程の前に、第2蓋によって貫通孔部の開口を覆う工程をさらに含むことがこのましい。付着物を溶融する工程の前に、少なくとも坩堝内に希ガスを供給する工程をさらに含むことが好ましい。本発明に係るシリコン精製装置およびシリコン精製方法では、シリコン精製能を低下させることなく真空溶融法によるシリコン精製の連続稼動が可能となり、太陽電池用シリコン原料を安価に供給できる。以下、本発明のシリコン精製およびシリコン精製方法について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。<シリコン精製装置>本発明のシリコン精製装置について、図1を用いて説明する。図1は、本発明に係るシリコン精製装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。図1に示すシリコン精製装置100は、減圧容器1内に、坩堝2と、加熱装置3と、第1蓋4と、第2蓋5とが設けられて構成されており、第1蓋4に設けられた貫通孔部41、坩堝2の内部、または坩堝2に対向する第1蓋4の面以下では第1蓋4の対向面と記す4Aなどに蓄積された付着物8図4および図5参照の少なくとも一部を溶融させるように構成されている。好ましくは、図1に示すシリコン精製装置100は、第1蓋4に設けられた貫通孔部41に蓄積された付着物8を溶融させるように構成されている。以下、本発明におけるシリコン溶融装置の各部材について説明する。<減圧容器>本発明における減圧容器1の構成は特に限定されない。減圧容器1は、たとえば真空ポンプ6が接続されることにより内部が減圧可能となるように、且つ減圧容器1内に設けられた坩堝2にてシリコン原料を溶融できる耐熱性を有するように構成されていれば、いかなるものであっても良い。また、減圧容器1には、減圧容器1内に窒素またはアルゴンなどの不活性ガスを導入するためのガス供給装置が設けられていても良い。<真空ポンプ>本発明における減圧容器1には、真空ポンプ6が接続されていることが好ましい。本発明における真空ポンプ6は、減圧容器1内を減圧たとえば10Pa以下、好ましくは1Pa以下できるものであれば良く、油回転ポンプ、または油拡散ポンプなどであれば良い。ターボ分子ポンプ、またはメカニカルブースターポンプなどが真空ポンプ6として追加的に設けられても良い。<坩堝>本発明における坩堝2は、その内部においてシリコン原料を溶融させるものである。そのため、坩堝2は、シリコン原料を収納可能に構成されていれば良く、たとえばシリコン投入用開口部2aを有していれば良く、その形状および大きさなどは、図1などに記載の形状および大きさなどに限定されない。坩堝2を構成する材料としては、シリコン原料の融点以上シリコン原料の融点は一般に1450°C~1600°C程度とされているにおいて溶融することなく使用可能なものであれば、いかなるものであってもよい。坩堝2としては、たとえば、黒鉛製坩堝、シリカ製坩堝シリカが90重量以上含まれている、ムライト質製坩堝アルミナ69~70重量とシリカ30重量との混合物からなる、またはアルミナ製坩堝アルミナが90重量以上含まれているなどを用いることができる。これらのうち、黒鉛製坩堝は真空下においてシリコンとの反応性が低いので、シリコン精製装置においては特に好ましく使用できる。不図示であるが、坩堝2には、溶融されたシリコンを坩堝2から取り出すための機構が設けられていることが好ましい。また、坩堝2は、保持部材不図示などを介して減圧容器1内に設けられていれば良い。<加熱装置>本発明における加熱装置3は、坩堝2および坩堝2内のシリコン原料の少なくとも一方をシリコン原料の融点以上に加熱できるのであればどのような構成を有していても良い。抵抗加熱装置を簡便な加熱装置3として挙げることができる。また、坩堝2の外周にコイルを配置して誘導電流による加熱を行う誘導加熱装置も加熱装置3の好ましい一例である。<第1蓋>本発明における第1蓋4は、シリコン投入用開口部2aを覆う位置に設けられている。これにより、シリコン原料の溶融時および溶融されたシリコンの減圧下での保持時には、熱が坩堝2内から逃げることを防止できるとともに、シリコン原料から蒸発する不純物元素シリコンよりも蒸気圧の高いもの、たとえばリンを坩堝2内から逃がすことができる。ここで、第1蓋4は、シリコン投入用開口部2aを覆う位置に設けられているとは、図1に示すように第1蓋4の一部分がシリコン投入用開口部2aの一部分を覆うことを意味しており、第1蓋4によりシリコン投入用開口部2aの全部が覆われる第1蓋4によりシリコン投入用開口部2aが完全に蓋されることを意味していない。第1蓋4は、加熱装置3、加熱装置3により加熱された坩堝2、およびシリコン溶融されたシリコンを含むなどからの輻射熱に耐え得る材料からなれば良く、第1蓋4の材料および第1蓋4の外形は、特に制限されない。一般に、第1蓋4は、黒鉛材料からなることが好ましい。黒鉛材料は、シリコン、シリコン酸化物、またはシリコンカーバイドなどとの反応性が低い。また、第1蓋4の材料として黒鉛材料を用いれば、シリコンを主成分とする付着物8図4および図5参照の剥離が容易である。これらのことから、第1蓋4のうち付着物8が蓄積すると考えられる領域、つまり第1蓋4の対向面4Aおよび貫通孔部41の側面を黒鉛製とすることが好ましい。さらに、黒鉛材料の中でも耐衝撃性に優れたCCカーボンコンポジットcarboncomposite材を用いることが特に好ましく、第1蓋4はCC材およびカーボン材が順不同に積層された構造を有していても良い。また、第1蓋4は、一般に、上記材料からなる平面視多角形または平面視円形の板状部材であり、板状部材の好ましい厚みの範囲としては、たとえば1mm~100mmを挙げることができる。第1蓋4には、第1蓋4の厚み方向に貫通する貫通孔部41が形成されている。貫通孔部41の開口面積は坩堝2のシリコン投入用開口部2aの開口面積よりも小さく、好ましくはシリコン投入用開口部2aの開口面積の1以上90以下であり、さらに好ましくは60以上80以下である。貫通孔部41の開口面積がシリコン投入用開口部2aの開口面積の1未満であれば、蒸発した不純物元素たとえばリンが坩堝2の外へ逃げ難くなり、よって所望の純度を有するシリコンが得られないことがある。一方、貫通孔部41の開口面積がシリコン投入用開口部2aの開口面積の90を超えると、坩堝2内に熱を溜めることが難しくなり、よって、シリコン精製能の低下を招くことがある。ここで、貫通孔部41の開口面積は、第1蓋4の対向面4Aにおける貫通孔部41の開口面積であっても良いし、対向面4Aとは反対側に位置する面における貫通孔部41の開口面積であっても良いが、両開口面積の大きさが異なる場合には小さい方の開口面積を意味する。第1蓋4における貫通孔部41の位置は特に限定されない。しかし、貫通孔部41がシリコン投入用開口部2aに連通するように第1蓋4に形成されていれば、蒸発したリンなどの不純物元素を効率良く坩堝2の外へ逃がすことができる。よって、貫通孔部41は、図1に示すように第1蓋4のうちシリコン投入用開口部2aの真上に形成されていることが好ましい。第1蓋4は、シリコン投入用開口部2aを覆うことができるとともにシリコン投入用開口部2aを露出させることができるように設けられていることが好ましい。これにより、シリコン原料の溶融時および溶融されたシリコンの減圧下での保持時には、第1蓋4でシリコン投入用開口部2aを覆うことができるので、坩堝2内からの熱の逃げを防止しつつリンなどの不純物元素を坩堝2の外へ逃がすことができる。なお、シリコン原料の供給時または溶融されたシリコンの取り出し時には、第1蓋4を開けてシリコン投入用開口部2aを露出させても良いし、第1蓋4を開けずに閉じたままでも良い。ここで、第1蓋4でシリコン投入用開口部2aを覆ったとき、第1蓋4は坩堝2に接しても良いし、シリコン投入用開口部2aの上方であってシリコン投入用開口部2aから例えば1~100mm程度離れる位置に配置されていても良い。また、第1蓋4を開けてシリコン投入用開口部2aを露出させたとき、第1蓋4がシリコン投入用開口部2aの上方から外れる位置に配置されていれば良い。第1蓋4の移動方向は特に限定されず、第1蓋4の移動方向を例えば第1蓋4の面内方向図1における方向S1とすることができる。なお、第1蓋4を移動させる構成は特に限定されず、たとえばモーターまたは油圧機構などの駆動装置が第1蓋4に接続されていれば良い。本発明では、第1蓋4は、図1に示すように坩堝2と別体に設けられていても良いが、坩堝2に一体成形されていても良い。<第2蓋>本発明における第2蓋5は、第1蓋4に対して坩堝2とは反対側に設けられており、貫通孔部41の開口41a対向面4Aとは反対側に位置する第1蓋4の面における貫通孔部41の開口を覆うことができるとともに貫通孔部41の開口41aを露出させることができるように設けられている。第2蓋5で貫通孔部41の開口41aを覆えば、坩堝2内の熱の逃げを防止できる。よって、付着物8図4および図5参照の溶融時には第2蓋5で貫通孔部41の開口41aを覆うことが好ましい。また、第2蓋5を開けて貫通孔部41の開口41aを露出させれば、坩堝2のシリコン投入用開口部2aが露出する。よって、シリコン原料の供給時には、第2蓋5を開けて貫通孔部41の開口41aを露出させることが好ましい。第2蓋5で貫通孔部41の開口41aを覆ったとき、第2蓋5は第1蓋4に接しても良いし、貫通孔部41の開口41aの上方であって貫通孔部41の開口41aから例えば1~100mm程度離れる位置に配置されていても良い。また、第2蓋5を開けて貫通孔部41の開口41aを露出させたとき、第2蓋5は貫通孔部41の開口41aの上方から外れる位置に配置されていれば良い。このように、第2蓋5は、貫通孔部41の開口41aを覆う状態第2蓋5が貫通孔部41の開口41aの上部に被さるような状態と貫通孔部41の開口41aを露出する状態との間で可動である。第2蓋5は、加熱装置3、加熱装置3により加熱された坩堝2、およびシリコン溶融されたシリコンを含むなどからの輻射熱に耐え得る材料からなれば良く、第2蓋5の材料および第2蓋5の外形は、特に制限されない。第2蓋5は、黒鉛材料からなることが好ましい。黒鉛材料は、シリコン、シリコン酸化物、またはシリコンカーバイドなどとの反応性が低い。また、第2蓋5の材料として黒鉛材料を使用すれば、シリコンを主成分とする付着物8図4および図5参照の剥離が容易である。これらのことから、第2蓋5のうち付着物8が蓄積すると考えられる領域、つまり第2蓋5が第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆っているときに坩堝2に対向する面以下第2蓋5の対向面と記す5Aを黒鉛製とすることが好ましい。さらに、黒鉛材料の中でも耐衝撃性に優れたCCカーボンコンポジット材を用いることが特に好ましく、第2蓋5はCC材およびカーボン材が順不同に積層された構造を有していても良い。また、第2蓋5は、上記材料からなる平面視多角形または平面視円形の板状部材であれば良く、板状部材の好ましい厚みの範囲としては、例えば1mm~100mmを挙げることができる。上述のように第2蓋5は貫通孔部41の開口41aを覆うことができるとともに貫通孔部41の開口41aを露出させることができるように設けられているが、第2蓋5の移動方向は特に限定されず、一端51を支点とする図1における方向R1であっても良いし、図1における方向S1であっても良い。しかし、下記<シリコンの精製方法>で示すように、付着物8図4および図5参照が第1蓋4の貫通孔部41などに蓄積してから、第2蓋5で貫通孔部41の開口41aを覆う。そのため、多量の付着物8が貫通孔部41に蓄積した時には、多量の付着物8により第2蓋5の水平方向図1における方向S1への移動が妨げられるため、第2蓋5で貫通孔部41の開口41aを覆うことは難しい。一方、多量の付着物8が貫通孔部41に蓄積した時であっても、一端51を支点として第2蓋5を図1における方向R1に移動させて貫通孔部41の開口41aを覆うことは可能である。したがって、第2蓋5は、一端51を支点として図1における方向R1に移動することが好ましい。第2蓋5を移動させる構成貫通孔部41の開口41aを開閉可能な開閉機構は特に限定されない。第2蓋5を図1における方向R1に移動させる場合には、第2蓋5は開閉機構として蝶番不図示を有していれば良い。また、図示していないが、たとえばモーターまたは油圧機構などの駆動装置が第2蓋5に接続されて開閉機構を制御しても良い。第2蓋5は、第1蓋4の貫通孔部41よりも大きな投影面を有する。これにより、付着物8図4および図5参照の溶融時において坩堝2内の熱が逃げることを防止できる。これについては、図2を用いて説明する。図2は、投影面の説明図である。第2蓋5が第1蓋4の貫通孔部41よりも大きな投影面を有するとは、図2に示すように、第1蓋4および第2蓋5のそれぞれが蓋として機能するときに、水平面に対する第2蓋5の投影面P2が水平面に対する第1蓋4の貫通孔部41の投影面P1よりも大きいことを意味する。ここで、第1蓋4が蓋として機能するときは、第1蓋4がシリコン投入用開口部2aを覆うときであり、第2蓋5が蓋として機能するときは、第1蓋4が蓋として機能している状態において第2蓋5が第1蓋4の貫通孔部41を覆うときである。また、上記水平面は、実際には、坩堝2内において溶融されたシリコンの表面である。また、水平面に対する第1蓋4の貫通孔部41の投影面P1とは、第1蓋4を水平面に投影したときに影で囲まれた領域の境界を意味する。第1蓋4の貫通孔部41の開口41aの形状と第2蓋5の対向面5Aにおける第2蓋5の外形とは相似関係にあることが望ましい。これにより、第2蓋5にて第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆う際に、第1蓋4と第2蓋5との間に存在する隙間からの熱の逃げを有効に防止できる。なお、貫通孔部41の開口41aの形状および第2蓋5の対向面5Aにおける第2蓋5の外形は図2に示す形状に限定されない。たとえば、開口41aの形状は矩形以外の多角形であっても良いし、円形であっても良いし、多角形の一部分が円弧で置換された形状であっても良い。また、第2蓋5の対向面5Aにおける第2蓋5の外形は多角形であっても良いし、多角形の一部分が円弧で置換された形状であっても良い。第2蓋5は、第1蓋4の貫通孔部41の開口41aの真上に配置されているのが望ましい。これにより、第2蓋5にて第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆う際に、第1蓋4と第2蓋5との間に存在する隙間からの熱の逃げを有効に防止できる。水平面に対する第2蓋5の投影面P2の面積は、水平面に対する第1蓋4の貫通孔部41の投影面P1の面積の1倍以上であることが好ましく、より好ましくは1.1倍以上1.5倍以下である。水平面に対する第2蓋5の投影面P2の面積が水平面に対する第1蓋4の貫通孔部41の投影面P1の面積の1倍未満であれば、付着物8図4および図5参照の溶融時において坩堝2内の熱が逃げるおそれがあり、シリコンの精製能の低下を招くことがある。なお、水平面に対する第2蓋5の投影面P2の面積が大きいと、第2蓋5に付着する付着物8の量が多くなり、また第2蓋5自体も重くなるため、第2蓋5をたとえばモータなどにより移動させることが困難になるおそれがある。このことを考慮すれば、水平面に対する第2蓋5の投影面P2の面積は水平面に対する第1蓋4の貫通孔部41の投影面P1の面積の1.5倍以下であることが好ましい。ただし、第2蓋5が第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆っているときに第2蓋5が第1蓋4に対して平行に配置されているのであれば、投影面P1および投影面P2を考える必要はなく、第2蓋5の対向面5Aにおける第2蓋5の外形が貫通孔部41の開口41aよりも大きければ良い。以上説明したように、シリコン精製装置100の第2蓋は、貫通孔部41の開口41aを覆うことができるとともに貫通孔部41の開口41aを露出させることができるように設けられている。第2蓋5で貫通孔部41の開口41aを覆うと、熱が坩堝2の外へ逃げることを防止できるので、付着物8図4および図5参照が熱せられて溶融される。このようにシリコン精製装置100では、シリコンの精製中に付着物8を除去することができるので、第1蓋4の貫通孔部41の開口41a開口41aからは溶融されたシリコン中の不純物が排出されるを確保できる。よって、シリコン精製能の低下を防止できる。それだけでなく、貫通孔部41が付着物8で閉塞した場合にはシリコン原料の投入が困難になるが、図1に示すシリコン精製装置100ではシリコンの精製中に付着物8を除去することができるのでシリコン精製装置の連続稼動が容易となる。<シリコンの精製方法>本発明のシリコン精製方法は、たとえば図1に示すシリコン精製装置100を用いて行なうことができ、シリコン原料を溶融する工程と、減圧容器内を減圧する工程と、溶融したシリコンを減圧状態にて保持する工程と、溶融されたシリコンを取り出す工程と、付着物を溶融する工程とを備えている。これにより、付着物の蓄積に起因するシリコン精製能の低下を防止することができる。以下、図3~図5を用いて本発明のシリコン精製方法を説明する。図3は、本発明に係るシリコン精製方法を工程順に示すフロー図である。図4および図5は、それぞれ、本発明に係るシリコン精製方法の一工程におけるシリコン精製装置の構成を模式的に示す断面図である。まず、工程S10において、減圧容器1の内部を減圧状態たとえば10Pa以下とする。次に、工程S11において、シリコン原料たとえばMG-Siをシリコン投入用開口部2aから坩堝2内に供給する。このとき、第1蓋4は、図4および図5に示すようにシリコン投入用開口部2aを覆っていても良いし、シリコン投入用開口部2aを露出させていても良い。一方、第2蓋5は、図4に示すように第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを露出させることが好ましい。これにより、第2蓋5が邪魔となることなくシリコン原料を坩堝2内へ供給することができる。次に、工程S12において、坩堝2内のシリコン原料を溶融させる。具体的には、加熱装置3によって坩堝2内のシリコン原料を加熱する。次に、工程S13において、溶融されたシリコンを減圧状態にて保持する。これにより、シリコンよりも蒸気圧が高い不純物元素主にリンがシリコンよりも優先的に蒸発する。蒸発した不純物元素は坩堝2内から貫通孔部41を通って坩堝2の外へ放出される。よって、シリコンが精製される。工程S13では、第1蓋4は、図4および図5に示すようにシリコン投入用開口部2aを覆うことが好ましい。これにより、溶融されたシリコン7の表面または坩堝2の内壁からの輻射による抜熱が起きることを防止できる。よって、加熱装置3に余分なエネルギー電力が必要となることを防止でき、したがって、減圧容器1の内部の温度が非常に上昇するなどの不都合が生じることを防止できる。しかし、第1蓋4がシリコン投入用開口部2aを覆った状態でシリコン原料の溶融を継続すると、貫通孔部41、坩堝2の内部、または第1蓋4の対向面4Aなどに付着物8が蓄積する図4参照。付着物8の組成としては、シリコン、シリコン酸化物、またはシリコン炭化物などが考えられる。貫通孔部41に付着物8が蓄積すると、貫通孔部41が付着物8で塞がれるので、シリコン精製能の低下を招く。よって、付着物8を適宜取り除く必要がある。そこで、本発明では、工程S14を行なってから工程S15および工程S16を行なう。溶融されたシリコンを減圧状態にて一定時間保持したら、溶融されたシリコン7を坩堝2から取り出す工程S14。溶融されたシリコン7の取り出し方法は特に限定されず、シリコン精製方法において公知の取り出し方法であれば良く、例えば坩堝2の側壁に設けられた出湯口から溶融されたシリコン7を取り出すことができる。これにより、精製されたシリコンが得られる。続いて、工程S15において、図5に示すように第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを第2蓋5で覆う。続いて、工程S16において、付着物8が溶融される。このとき、工程S15では第1蓋4の貫通孔部41の開口41aが第2蓋5で覆われているので、坩堝2内に存在していた溶融されたシリコン7からの輻射によって付着物8の温度が上昇する。よって、付着物8の一部シリコンと考えられるが再溶融し、再溶融された付着物8が坩堝2内へ落下する。これにより、第1蓋4の貫通孔部41、坩堝2の内部、または第1蓋4の対向面4Aに付着した付着物8の少なくとも一部、特に貫通孔部41に付着した付着物8の少なくとも一部が除去される。続いて、工程S17において、第2蓋5を開けて第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを露出させる。その後、工程S11に戻って、工程S12~工程S17を順に行なっても良い。このとき、2回目の工程S11では、新たなシリコン原料を、再溶融された付着物8が落下した坩堝2内へ供給する。しかし、2回目の工程S11の後には工程S12を行なうため、2回目の工程S12では新たに供給されたシリコン原料とともに坩堝2内へ落下した付着物8も精製されると考えられる。よって、シリコン精製中に付着物8によりシリコンが再汚染されることを防止できる。以上説明したように、本発明のシリコン精製方法によれば、シリコン精製工程を停止することなく付着物8を除去できる。よって、シリコンの精製能が向上し、さらにはシリコン精製装置を連続稼動させてシリコン原料を精製できる。したがって、太陽電池用シリコン原料を安価に製造できる。なお、本発明のシリコン精製方法は、上記方法に限定されない。たとえば、減圧容器1の内部を減圧する工程S10とシリコン原料を坩堝2内に供給する工程S11とシリコン原料を溶融する工程S12との順序は図3に記載の順序に限定されない。また、図6に示す工程S24を備えていても良い。図6は、本発明の別の実施形態に係るシリコン精製方法を工程順に示すフロー図である。図6に示すシリコン精製方法では、図3に示す工程S11~S14を順に行なってから、希ガスを供給する工程S24を行なう。工程S24では、減圧容器1内に希ガスを供給する。このとき、希ガスを少なくとも坩堝2内に供給することが好ましい。これにより、坩堝2内の熱が希ガスを介して付着物8へ伝達されることとなる。よって、希ガスを供給する工程S24を行なわない場合に比べて、付着物8の溶融が容易となる。したがって、シリコン精製能の更なる向上、およびシリコン精製装置の連続稼動の更なる容易性を図ることができる。希ガスとしては、たとえば、アルゴンガスまたはヘリウムガスなどを単独で用いても良いし、これらのガスを混合して用いても良いが、アルゴンガスを単独で用いることが好ましい。また、希ガスの供給量は、坩堝2の温度などに依存するため一概に言えないが、坩堝2の内部空間の50以上がこの希ガスで充填される量であれば良く、好ましくは坩堝2の内部空間の100がこの希ガスで充填される量である。希ガスを供給する工程が終了すれば、図3に示す工程S15、工程S16および工程S17を順に行なう。なお、図6に示すシリコン精製方法においては、工程S15~工程S17を繰り返し行っても良い。なお、図6に示すシリコン精製方法では、第2蓋5で第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆う工程S15の後で希ガスを供給する工程S24を行なっても良い。しかし、第2蓋5で第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆う工程S15の前に希ガスを供給する工程S24を行なえば、希ガスを坩堝2内へ供給し易い。よって、図6に示すように、希ガスを供給する工程S24は、第2蓋5で第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆う工程S15の前に行なわれることが好ましい。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1>実施例1では、図1に示すシリコン精製装置100を用いてシリコン原料を精製した。本実施例で用いたシリコン精製装置100には、1720mm×1450mm×2750mmの容積を有する減圧容器1が設けられていた。この減圧容器1には、1台の油拡散ポンプ、1台のメカニカルブースターポンプ、および2台のロータリーポンプが接続されていた。減圧容器1内には、坩堝2と、加熱装置3と、第1蓋4と、第2蓋5とが設けられていた。坩堝2は、高純度の黒鉛製であり、内径が700mmであり、且つ凹部の深さが690mmである円筒形であった。この坩堝2には、出湯口が形成されていた。出湯口は内径が50mmの開口であり、出湯口には高純度黒鉛製のパイプ状の誘導路内径は出湯口の内径と同じが配置されていた。第1蓋4は、黒鉛断熱材料の積層構造からなる直径1000mmのリングであり、坩堝2の上方に配置されていた。第1蓋4には貫通孔部41開口41aの大きさは269270mm2が形成されており、貫通孔部41が坩堝2のシリコン投入用開口部2aに連通するように第1蓋4は配置されていた。第2蓋5は、黒鉛断熱材料からなり、面51Aの面積が301908mm2である多角形形状を有し、第1蓋4の開口を開閉自在となるように第1蓋4の上方に配置されていた。まず、上述のポンプを運転させて減圧容器1の内圧を1Pa以下とした。金属級シリコン原料を坩堝2内に供給してから、加熱装置3によって坩堝2内のシリコン原料を加熱した。これにより、坩堝2内のシリコン原料は溶融された。その後、1Pa以下の減圧状態にて、溶融されたシリコンを13.5時間維持した。次に、溶融されたシリコンを坩堝2の出湯口から取り出してから、第2蓋5で第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆った。第1蓋4の貫通孔部41に蓄積した付着物8の溶融が確認されたら約2時間経過後、第2蓋5を開けて第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを露出させた。その後、2回目の精製を行なった。なお、本実施例のシリコン精製は、加熱し過ぎなどに起因する坩堝2の割れを防止するために、シリコン精製中に亘って第2蓋5を10分ごとに開閉させ、坩堝2内の圧力および坩堝2内の熱を定期的に逃がして行なった。<実施例2>実施例2では、溶融されたシリコンを坩堝2内から取り出した後、アルゴンガスを減圧容器1内に供給してから第2蓋5で第1蓋4の貫通孔部41の開口41aを覆ったことを除いては上記実施例1に記載の方法にしたがって、シリコン原料を精製した。ICPInductivelyCoupledPlasmaにより得られたシリコン中のリンの濃度を測定すると、そのリンの濃度は0.05ppmWであった。<比較例>比較例では、第2蓋が設けられていないシリコン精製装置を用いてシリコン原料を精製した。しかし、比較例では、付着物8が第1蓋4の貫通孔部41に蓄積したために、新たなシリコン原料を坩堝2内に投入することが出来なかった連続稼働において9回目のシリコン精製を行なうことができなった。以上より、実施例1または実施例2に記載の方法にしたがってシリコン原料を精製すれば、シリコンの精製能を低下させることなくシリコン精製装置を連続稼動させることができた。また、実施例2に記載の方法にしたがってシリコン原料を精製すれば、太陽電池のシリコン材料として使用可能な純度を有するシリコンが得られることが分かった。一方、比較例に記載の方法にしたがってシリコン原料を精製した場合には、シリコンの精製能が低下するために、太陽電池のシリコン材料として使用可能な純度を有するシリコンを得にくいことが分かった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。