"基板に形成された形状を計測するための装置において、前記基板の法線方向に配置された上方明視野検出光学系と、前記基板に対して第1の斜角で配置された第1の斜方明視野検出光学系と、前記基板に対して第2の斜角で配置された第2の斜方明視野検出光学系と、を有することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項1に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記第1の斜方明視野検出光学系、及び前記第2の斜方明視野検出光学系の少なくとも1つは、前記上方明視野検出光学系の撮像をきっかけとして、撮像を開始することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項2に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記第1の斜方明視野検出光学系、及び前記第2の斜方明視野検出光学系の少なくとも1つは、シャッタを有し、前記シャッタは前記上方明視野検出光学系の撮像をきっかけとして、開閉することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項3に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記シャッタは、透明強誘電体セラミックス系の材料を有することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項4に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記第1の斜方明視野検出光学系、及び前記第2の斜方明視野検出光学系の少なくとも1つは、電荷蓄積型のセンサを有し、前記センサの電荷蓄積時間は前記シャッタの開閉時間に対応していることを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項1に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記第1の斜方明視野検出光学系は、前記第1の斜角を、設計基準情報に応じて変更することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項1に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記第2の斜方明視野検出光学系は、前記第2の斜角を、設計基準情報に応じて変更することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項1に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記上方明視野検出光学系は、焦点位置の異なる2つのラインセンサを有することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項1に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記第1の斜方明視野検出光学系は、複数の画素を有する2次元センサを有し、設計基準情報に応じて、前記複数の画素の中から撮像に使用する画素を選択することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項1に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記第2の斜方明視野検出光学系は、複数の画素を有する2次元センサを有し、設計基準情報に応じて、前記複数の画素の中から撮像に使用する画素を選択することを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。請求項1に記載の基板に形成された形状を計測するための装置において、前記上方明視野検出光学系、前記第1の斜方明視野検出光学系、及び前記第2の斜方明視野検出光学系は、前記基板の走査方向に沿って配置されていることを特徴とする基板に形成された形状を計測するための装置。バンプの評価項目は今後多岐に及ぶことが予想される。従来技術においては、この点に関する配慮がなされていなかった。本発明は、複数の結像光学系例えば、明視野光学系にて、バンプを評価することを特徴とする。本発明によれば、従来よりも精度の高いバンプの評価を行うことが可能となる。以下図面を用いて実施例を説明する。本実施例のバンプ計測システムの構成について図1を用いて説明する。本実施例のバンプ計測システムは、基板を固定して走査するためのステージ1300、基板の法線方向に配置された上方明視野検出系1000、基板に対して第1の斜角で配置された第1の斜方明視野検出系1100、基板に対して第2の斜角で配置された第2の斜方明視野検出系1200、を備える。まず、上方明視野検出系1000の構成について説明する。照明系101からの光はレンズ10、ハーフミラー102を経由し、対物レンズ103を経由して基板上に照明される。基板からの光例えば正反射光は対物レンズ103によって集光される。集光された光は可変開口104を経由し、結像レンズ105によって結像されることになる。なお、結像レンズ105の結像側にはビームスプリッタ106が配置されており、結像レンズ105を経由した光は2つに分岐されることになる。分岐された光は、第1の1次元ラインセンサ106SCU、及び1次元ラインセンサ106とは異なる焦点位置に配置された第2の1次元ラインセンサ107SCDで検出される焦点位置を同じにしても良い。なお、結像レンズ105の結像側には、得られた像を観察するための可動式全反射ミラー108、レンズ109、観察カメラ110が配置されている。なお、照明系101は後述する照明方式1:ランプバルブによる明視野落射照明/暗視野照明と、照明方式2:LEDによる多点発光光源による平行照明との切り替えのために、ランプ光源1400、多点LED光源1500、及び切り替え機構1600を有する。次に、基板に対して第1の斜角で配置された第1の斜方明視野検出系1100について説明する。光源111からの光はハーフミラー112によって分岐される。分岐された1つの光はさらに全反射ミラー113によって反射され、レンズ20を介して第1の斜方明視野検出系1100に入射する。入射した光は、ハーフミラー114によって反射され、対物レンズ115によって基板上に第1の斜角で照明される。基板からの光例えば正反射光は対物レンズ115によって集光される。集光された光は、結像レンズ116によって結像されることになる。なお、結像レンズ116の結像側には透明強誘電体セラミックス系の材料以降はPLZTと称すによって構成された光学的シャッタ117が配置される。ここで、PLZTを用いた光学的シャッタについて概説する。本実施例のバンプ計測システムは、光学的シャッタ117、後述する光学的シャッタ122を駆動するための電源を有する。この電源から電圧が印加されるとPLZTの複屈折率は変化する。つまり、PLZTは電圧の印加によってシャッタとしての役割を果たすことになる。また、PLZTのシャッタとしての機能は電圧を印加する周波数に依存しており、高速応答が可能である。なお、PLZTの代替えとして液晶式のシャッタや機械式のシャッタを採用しても良い。光学的シャッタ117を経由した光は2次元センサ118SB例えば電荷蓄積型センサの1種である時間遅延積分型センサによって撮像されることになる。なお、ここで、2次元センサ118を使用した撮像に当たっては、センサの全画素を使用するのではなく、設計基準情報に応じて一部の任意の画素の集合を選択的に使用することが可能である。この任意の画素の集合は、有効領域と表現することができる。基板に対して第2の斜角で配置された第2の斜方明視野検出系1200について説明する。光源111からの光はハーフミラー112によって分岐される。分岐されたもう1つの光は、レンズ30を介して第2の斜方明視野検出系1200に入射する。入射した光は、ハーフミラー119によって反射され、対物レンズ120によって基板上に第2の斜角で照明される。基板からの光例えば正反射光は対物レンズ120によって集光される。集光された光は、結像レンズ121によって結像されることになる。なお、結像レンズ121の結像側にはPLZTによって構成された光学的シャッタ122が配置される。光学的シャッタ122を経由した光は2次元センサ123SF例えば時間遅延積分型センサによって撮像されることになる。なお、ここで、2次元センサ123を使用した撮像に当たっては、センサの全画素を使用するのではなく、設計基準情報に応じて一部の任意の画素の集合を選択的に使用することが可能である。この任意の画素の集合は、有効領域と表現することができる。ここで、可変開口104、40、50は検出しようとする欠陥の性質サイズ等に応じて焦点深度を変えることができる。また、可変開口104、30、50は後述する設計基準情報から読み出した基板の凹凸に応じて合焦するように焦点深度を変えることができる。なお、第1の斜方明視野検出系1100はステージ1300のX軸の走査方向に対して進行方向反対側に配置されており、第2の斜方明視野検出系1200はステージ1300のX軸の走査方向に対して進行方向側に配置されている。これは言い換えるなら、基板上方から見た場合に、上方明視野検出系1000、第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200は、ステージ1300のX軸の走査方向上に配置されている、ステージ1300のX軸の走査方向に沿って配置されていると表現することもできる。なお、上方明視野検出系1000、第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200をステージ1300のY軸の走査方向上に配置しても良い。また、第1の斜方明視野検出系1100、及び第2の斜方明視野検出系1200の少なくとも1つは系全体で、後述する設計基準情報に基づいて、その傾きを変えることが可能である。つまり、第1の斜角、及び第2の斜角は任意に変更することができる。より具体的には、第1の斜方明視野検出系1100、及び第2の斜方明視野検出系1200の少なくとも1つは、設計基準情報に応じて例えば検出すべきバンプの面の角度第1の斜角、及び第2の斜角を任意に変更することができる。さらに、後述するホールの内側側壁を観察することも可能になる。また、2次元センサ118、及び2次元センサ123の少なくとも1つは、後述する設計基準情報に基づいて、検出光軸に対して前後に動くことが可能である。つまり、焦点を任意に変更することが可能になる。より、具体的には、2次元センサ118、及び2次元センサ123の少なくとも1つは、検出すべきバンプの高さ、及び距離の少なくとも1つに応じて、検出光軸に対して前後に動くものである。さらに、2次元センサ118は光学的シャッタ117の開閉に同期して電荷を蓄積するものである。これは、2次元センサ118の電荷蓄積の開始は光学的シャッタ117の開動作によって制御され、電荷蓄積の終了は光学的シャッタ117の閉動作によって制御されることを意味する。そして、2次元センサ118の電荷蓄積の電荷蓄積時間は、光学的シャッタ117が開いてから閉じるまでの時間に対応していることを意味している。さらに、2次元センサ123は光学的シャッタ122の開閉に同期して電荷を蓄積するものである。これは、2次元センサ123の電荷蓄積の開始は光学的シャッタ122の開動作によって制御され、電荷蓄積の終了は光学的シャッタ122の閉動作によって制御されることを意味する。そして、2次元センサ123の電荷蓄積の電荷蓄積時間は、光学的シャッタ122が開いてから閉じるまでの時間に対応していることを意味している。さらに、2次元センサ118、2次元センサ123で得られた画像はそれぞれ独立して読みだすことができる。次に、画像処理について説明する。上述したように、第1の斜方明視野検出系1100からは2つの画像第1の画像、第2の画像が得られる。第1の斜方明視野検出系1100からは1つの画像が得られる。第2の斜方明視野検出系1200は1つの画像が得られる。つまり、本実施例のバンプ計測システムでは、1つの検査領域から4つの画像が得られることになる。本実施例のバンプ計測システムは、この4つの画像のうち少なくとも1つ以上を用いてバンプに関する情報を得るものである。より、具体的に図2を用いて説明する。まず、各検出系がどのように画像を取得するか説明する。まず、第1の1次元ラインセンサ106SCU、及び第2の1次元ラインセンサ107の撮像について説明する。第1の1次元ラインセンサ106SCU、及び第2の1次元ラインセンサ107の撮像は、撮像を始める最初のダイ1stダイの最初のバンプ1stバンプの位置をチップ原点からの設計値に基づいて認識し、1stバンプを撮像することにより第1の画像、第2の画像を得る。第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像は、ホール位置を認識するためのホール位置認識部50で送られる。また、第1の画像は、光学的シャッタ117、及び光学的シャッタ122の少なくとも1つを駆動するためのトリガを生成するためにも使用される。生成されたトリガは、ステージ同期撮像制御部124を送られる。このトリガによって、光学的シャッタ117、及び光学的シャッタ122の少なくとも1つは駆動され、さらに光学的シャッタ117、及び光学的シャッタ122の少なくとも1つの開閉に同期して2次元センサ118、2次元センサ123の少なくとも1つは蓄積時間を変えることになる。次のバンプ2ndバンプはチップ原点からではなく、1stバンプの撮像位置からの設計ピッチにステージ移動量を合わせることで撮像を行う。N番目のバンプについても同様である。さらに、次のダイ2ndダイの1stバンプについては、1stダイの最後のバンプ位置から2ndダイの1stバンプまでの間隔を得ておいて、この間隔にステージの移動量を合わせる。観察カメラ110にて得られた画像は、基板を位置決めするための情報を得るアライメント処理部125へ送られる。観察カメラ110にて得られた画像から基板を位置決めするための情報が得られる。基板を位置決めするための情報は、一旦ホストCPU126へ送信された後、メカ制御部127へ送信される。基板を位置決めするための情報に基づき、ステージは上下に駆動する。これにより、いわゆるオートフォーカスが可能となる。なお、画像処理の処理量は評価すべきバンプや形状の密度や配置の仕方に依存する。よって、本実施例のステージ1300は、バンプや基板表面に形成された形状の密度や配置の仕方に応じ、その速度を変更する。例えば、密度が低ければステージ1300の速度はより速くなるし、密度が高ければステージ1300の速度は遅くなる。第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像は、評価部128へ送られる。ステージからの座標値もステージ同期撮像制御部124を経由して、評価部128へ送られる。上記4つの画像と座標値とを関連づけることでいずれの領域を検査しているか知ることができる。また、いずれの領域を検査すべきか選択することもできる。検査領域選択部127へ送信された4つの画像は評価部128へ送られる。ここで、4つの画像の少なくとも1つを使用して、バンプの評価が行われる。ここで、バンプの評価には、バンプ又はバンプとなるべきペースト材料の欠陥の有無を評価する欠陥判定、欠陥の寸法計測、欠陥分類、バンプとなるべきペースト材料の高さ計測、ペースト材料を充填すべき穴ホールの深さ形成、ホールの壁の角度計測、ペースト材料の体積推定が含まれる。評価結果はホストCPU126へ送信され、モニタ129によってマップとして作業者へ表示される。また、評価結果は、同時にI/F部130を介してマネジメントシステム131へ送信され、歩留まり管理に使用される。ホストCPU126には基板搬送装置132も接続されており、基板の搬送はホストCPUからの情報に基づいて基板搬送装置132によって行われる。次に、評価部128の詳細について説明する。図3は評価部128の詳細を説明する図である。第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像は、バッファ部300へ送られる。バッファ部300では、第1の画像、第2の画像、第3の画像、第4の画像それぞれから、各検出器間の距離に関する情報、第3の画像、第4の画像については有効領域のセンサ内での場所に関する情報、位置情報を使用して、バンプの画像必要に応じてバンプ周辺の画像も含むが切りだされる。つまり、1つのバンプについて4種類のバンプの画像が得られる。切りだされたバンプの画像は特徴量抽出部310に送られる。特徴量抽出部310では、例えば画像内の輝度に関する情報等の特徴量が抽出される。同時に、切りだされたバンプの画像は3D像合成部320へ送られる。3D像合成部320では、第1の斜角、第2の斜角の大きさ、各検出光学系の焦点深度、焦点面の間隔の情報を用いてバンプの3D3次元像が作成される。特徴量、及び3D像は評価部128内の処理部330へ送られる。処理部330では、特徴量、3D像、設計基準情報例:後述する正常ホールの輪郭線、バンプ配列、ホール深さ、バンプサイズ等、閾値を使用して、バンプの評価を行う。ここで、バンプ評価には、バンプ又はバンプとなるべきペースト材料の欠陥後述するParticle,Residue,Chipping,Dent,Projection,Cracking等の有無を評価する欠陥判定、欠陥の寸法計測、欠陥分類、バンプとなるべきペースト材料の高さ後述するSODHeight計測、ペースト材料を充填すべき穴ホールの寸法後述するGeometry計測、ホールの壁の角度計測、ペースト材料の体積推定が含まれる。さらに、これらのバンプ評価は、全て座標と対応づけて行われる。ここで、設計基準情報は既定の値ではなく、作業者が任意に変更しても良い。バンプ評価によって、得られた評価結果は、結果ファイル生成部340へ送られる。結果ファイル生成部340では、欠陥位置、サイズ、分類結果、3D像、統計データ等作業者によって有益な情報を整理し、整理した情報をホストCPU126へ送信する。次にバンプ評価についてさらに詳細に説明する。本実施例のバンプ計測システムは評価を行うバンプ形成プロセスごとに評価すべき項目を変更することが可能である。バンプ形成プロセスは大きく4つの工程に分けられる。第1工程はバンプの根元をとなるべき銅の台を形成する工程である。第2工程は第1工程で形成した銅の台の周囲に壁を形成し、バンプの突起となるべきペースト材料を充填するための穴ホールを形成する工程である。第3工程はホールにペースト材料を充填する工程である。第4工程は第2工程で形成した壁を除去する工程である。本実施例のバンプ計測システムでは、例えばこの4工程についてそれぞれ適切にバンプの評価を行うことができる。以降、詳細を説明するが、バンプ評価は後述する様々な情報と設計基準情報例:正常ホールの輪郭線、バンプ配列、ホール深さ、バンプサイズ等とが比較されることにより行われる。まず、第1工程でのバンプ評価について説明する。図4、及び図5は第1工程での評価項目とその評価項目がどのような情報から得られるかを説明する図である。Particle400異物は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像中の暗像から判断される。この暗像は、照明光の散乱に起因するものである。Residue410残留物は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像のコントラストから判断される。コントラストには、例えばResidue410に照明光が照明された際の散乱によるコントラスト、Residue410と他の領域とで反射率が異なることによるコントラスト、Residue410が透過性薄膜では干渉によるコントラストが含まれる。なお、Residue410に有る程度の厚さがあれば、Residue410の端部は暗像となるはずである。この暗像の情報も使用される。SurfaceRoughness420表面粗さは、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像のコントラストから得られる。Chipping430切れ端,Dentへこみ,Projection突起は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像でのコントラスト、及びその位置、及び第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像から判断される。基板法線方向のChipping430切れ端は第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像では図5画像500に示すように端部が暗く表示される。また、基板斜方でのChipping430切れ端は、Chipping430が第1の斜方明視野検出系1100に対向していれば、得られた画像510でのChipping430は明るく表示される第2の斜方明視野検出系1200でも同様である。また、Chipping430が第1の斜方明視野検出系1100に対向してなければ第1の斜方明視野検出系の基板上の射影に対して概略90°方向にあれば、得られた画像520でのChipping430は暗く表示される第2の斜方明視野検出系1200でも同様である。また、Chipping430が第1の斜方明視野検出系1100とは正反対の方向にある場合でも、輪郭抽出実際に得られた銅の台の画像60と設計基準情報の1種である基準楕円61との差分を得ることを行うことでChipping430を判定することができる。なお、輪郭抽出を用いた判定は、上述したChipping430が第1の斜方明視野検出系1100に対向している場合、Chipping430が第1の斜方明視野検出系1100に対向していない場合にも適用することができる。Dent440へこみは、図5画像540~560に示す通り輪郭が太く、Dent440へこみ全体が暗く表示される。Projection450突起は、図5画像570~590に示すように輪郭は細く、中心部は明るく表示される。よって、この差異を利用することで、Dent440へこみ,Projection450突起を判別することが可能となる。Cracking460ひびは、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像中の照明光の散乱による暗像から判断される。CuDieHeight470銅の台の高さは、図4画像471、画像472に示す通り、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像の形状から判断される。さらに、Geometryφx,φy480銅の台の形状、Alignment481ある方向からの角度、pitch482は、図4画像483に示すように第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像の少なくとも1つから得ることができる。次に、第2工程でのバンプ評価について説明する。図6、及び図7は第2工程での評価項目とその評価項目がどのような情報から得られるかを説明する図である。ホールの形成に起因するResidue601残留物は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像中の照明光の散乱による暗像から判断される。SideWallCrack602、及びBluntProminence603広がりを持った滑らかな盛り上がりは、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像を使用して得ることができる。具体的に説明する。SideWallCrack602、及びBluntProminence603は、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像から得られたホールの画像と設計基準データの1種である正常ホールの輪郭線との差分、ホール壁の高さ、及び異常部分のコントラスト分布により判断される。まず、SideWallCrack602を判断する場合について説明する。図7画像701は第1の斜方明視野検出系1100から得られた画像であり、画像702は第2の斜方明視野検出系1200から得られた画像である。ここで、以下の場合はSideWallCrack602と判断する。1得られたホールの輪郭線が正常ホールの輪郭線からはずれる。2画像701において、正常ホールの輪郭線より外側に暗部がある。3暗部の大きさはある基準よりも大きい。4画像702において、正常ホールの輪郭線より外側に明部がある。5ホール壁の高さはある基準より低い。一方、以下の場合には、BluntProminence603であると判断される。1得られたホールの輪郭線が正常ホールの輪郭線からはずれる。2画像703において、正常ホールの輪郭線より外側明部がある。3暗部の大きさはある基準よりも小さい。4画像704において、正常ホールの輪郭線より外側に明部がある。5ホール壁の高さはある基準より高い。Geometryφx604,Geometryφy605形成されたホールの壁の形状、Alignment606ある方向からの角度、OffsetΔx607x方向でのずれ,OffsetΔy608y方向でのずれ,Pitch4609は、図6画像610に示すように第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像の少なくとも1つ望ましくは2つから得ることができる。次に第3工程でのバンプ評価について説明する。図8、及び図9は第3工程での評価項目とその評価項目がどのような情報から得られるかを説明する図である。まず、PasteResidue801ペースト材の塗布に起因する残留物は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像中の照明光の散乱による暗像から判断される。MissFilling802既定のペースト充填量を満たしていない状態、OverFilling803ペースト材の過充填は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像から判断される。より具体的に説明する。図9の領域901は上方明視野検出系1000の検出結果を使用して、MissFilling802OverFilling803間の判別を説明する図である。まず、MissFilling802の部分は暗く表示される符号902、903、OverFilling803の部分は明るく表示される符号904、905。さらに、FocusPositionUpper焦点位置が上方で得られた画像と、FocusPositionLower焦点位置が下方で得られた画像では、鮮明となる輪郭線が異なる。これは、例えば、FocusPositionUpper焦点位置が上方で得られた画像ではOverFilling803の頂点付近の像の輪郭が鮮明に得られるし、FocusPositionLower焦点位置が下方で得られた画像ではOverFilling803の底面付近の像の輪郭が鮮明に得られることを示している。また、MissFilling802については、例えば、FocusPositionLower焦点位置が下方で得られた画像での方がより像の輪郭が鮮明に得られることを示している。このように、コントラスト、及び輪郭の少なくとも1つ望ましくは両方に着目することで、MissFilling802OverFilling803間の判別が可能となる。第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200でも、MissFilling802OverFilling803間の判別は可能である。図9の領域906は、第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200を使用して、MissFilling802OverFilling803間の判別を説明する図である。ここで、以下の場合はOverFilling803と判断する。1画像907において、正常ホールの輪郭線より外側に明部がある。2画像908において、正常ホールの輪郭線より内側に明部がある。一方、以下の場合には、MissFilling802であると判断される。1画像909において、正常ホールの輪郭線より内側に暗部がある。2画像910において、正常ホールの輪郭線より内側に暗部がある。なお、上述したMissFilling802OverFilling803間の判別は、上方明視野検出系1000の検出結果を使用した判別、第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200の検出結果を使用した判別を組み合わせる方が判別の精度は高くなるので、組み合わせた方が良い。次に第4工程でのバンプ評価について説明する。図10、及び図11は第4工程での評価項目とその評価項目がどのような情報から得られるかを説明する図である。Particle1001及びDFRResidue1002壁の除去に起因する残留物は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像中の照明光の散乱による暗像から判断される。また、分類は特徴量を使用することで可能である。Dent1003へこみ,Projection1004突起は、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像間、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像から判断される。より、具体的に説明する。図11の領域1005は、上方明視野検出系1000の検出結果を使用して、Dent1003へこみ,Projection1004突起間の判別を説明する図である。まず、Dent1003へこみの部分は暗く表示される1006、1007、Projection1004の部分は明るく表示される符号1008、1009。さらに、FocusPositionUpper焦点位置が上方で得られた画像と、FocusPositionLower焦点位置が下方で得られた画像とでは、鮮明になる輪郭が異なる。さらに、Projection1004においては、焦点位置の場所によって、画像に現れる明部の大きさが異なる。より具体的には、FocusPositionUpper焦点位置が上方で得られた画像の明部よりもFocusPositionLower焦点位置が下方で得られた画像の明部の方が大きい画像となる。このように、上方明視野検出系1000の検出結果、特にコントラスト、輪郭に着目することで、Dent1003へこみ,Projection1004突起間の判別が可能となる。第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200でも、Dent1003へこみ,Projection1004突起間の判別が可能である。図11の領域1010は、第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200の少なくとも1つを使用して、Dent1003へこみ,Projection1004突起間の判別を説明する図である。画像1011、1012は、第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200で得られた画像の少なくとも1つである。Dent1003へこみであれば、基準とする輪郭線1110の内側に特異なコントラスト1120が表示される。また、Projection1004突起であれば、基準とする輪郭線1110の外側に特異なコントラスト1130が表示される。なお、上述したDent1003へこみ,Projection1004突起間の判別は、上方明視野検出系1000の検出結果を使用した判別、第1の斜方明視野検出系1100、第2の斜方明視野検出系1200の検出結果を使用した判別を組み合わせる方が判別の精度は高くなるので、組み合わせた方が良い。SODHeight1013銅の台からペースト頂点までの高さ、CuDieHeight1014銅の台の高さは、図10領域1015に示す通り、第1の斜方明視野検出系1100から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200から得られた第4の画像の少なくとも1つから得ることができる。なお、図10領域1015のSODHeight1013、CuDieHeight1014は、第1の斜角、第2の斜角が反映されている。そこで、本実施例では、図11領域1015のSODHeight1013、CuDieHeight1014に、第1の斜角、第2の斜角を考慮して、真のSODHeight1013、CuDieHeight1014を得る。さらに、図10領域1021に示すように、形成されたバンプの突起1022の良否は、基準とすべき正常バンプの輪郭線1023と比較することで行うことができる。Geometryφx1016,Geometryφy1017形成されたホールの壁の形状、OffsetΔx1019x方向でのずれ,OffsetΔy1020y方向でのずれ,図10画像1030に示すように第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像の少なくとも1つから得ることができる。次に、第2工程、第3工程での側壁計測、及びペースト材の充填不良計測について説明する。図12は側壁計測、及びペースト材の充填不良計測を説明する図である。前述したように2次元センサ118、123を使用した撮像に当たっては、センサの全画素を使用するのではなく、一部の任意の画素の集合を選択的に使用することが可能である。この任意の画素の集合は、有効領域と表現することができる。側壁計測、及びペースト材の充填不良計測について、この有効領域1207、1208、及びそれらの焦点深度は、設計基準データから読みだした銅の台1201の頂上から壁1202の頂上までの高さ1203、ホールの幅1204、高さ1203とホールの幅1204とのアスペクト比を考慮して決定される。第1の斜角、第2の斜角、についても同様である。壁の傾きは、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像によって得られたホールの形状ホールの楕円率でも良いと第1の斜方明視野検出系1100の有効領域から得られた第3の画像との差分により得ることができる。また、第1の1次元ラインセンサ106SCUで得られた第1の画像、第2の1次元ラインセンサ107SCDで得られた第2の画像によって得られたホールの形状ホールの楕円率でも良いと第2の斜方明視野検出系1200の有効領域から得られた第4の画像との差分により得ることもできる。さらに、ペーストの充填不良は、図12の領域1205、1206のように、特に第1の斜方明視野検出系1100の有効領域から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200の有効領域から得られた第4の画像に反映される。つまり、第1の斜方明視野検出系1100の有効領域から得られた第3の画像、及び第2の斜方明視野検出系1200の有効領域から得られた第4の画像からペーストの充填不良を推定することが可能となる。次にホール上部、下部での欠陥検出について説明する。本実施例では、焦点位置の異なるホール上部、下部での欠陥をそれぞれ検出できるよう、第1の1次元ラインセンサ106SCU、第2の1次元ラインセンサ107SCDを、異なる焦点位置に配置する。例えば、本実施例では、第1の1次元ラインセンサ106SCUをホール上部の欠陥検出用とし、第2の1次元ラインセンサ107SCDをホール下部での欠陥検出用とする。さらに本実施例ではホール底まで照明光を到達させるために、例えば、ランプバルブによる明視野落射照明/暗視野照明方式を採用することもできるこの際、明視野、暗視野の照明光量比は100:0~0:100まで変更可能とする。。次に、画像の読み出しについて説明する。図13は本実施例での画像の読み出しを説明する図である。2次元センサ118、及び2次元センサ123の露光を制御するトリガ信号1301、1302は、第1の1次元ラインセンサ106SCU、第2の1次元ラインセンサ107SCDの信号を読み出すためのトリガ信号1303、1304と同期している。ここで、トリガ信号1301は、1stダイ1309又はショットにおけるアライメントマークからΔxforgだけ離れたt1stバンプに対応したトリガ信号である。また、トリガ信号1302は、1stバンプから距離Pxだけ離れた2ndバンプに対応したトリガ信号である。光学的シャッタ117、122の開く時刻は、トリガ信号1303に同期している。また、光学的シャッタ117、122の閉じる時刻は反射率が低い計測対象にも対応できるよう任意の時刻に設定可能である領域1305。これにより、光学的シャッタ117、122の開いている時間を制御できる訳であるが、これは、2次元センサ118、及び2次元センサ123の電荷蓄積時間が可変となることを意味している。さらに、前述したように、2次元センサ118、及び2次元センサ123は、時間遅延積分型の場合もある。その場合、2次元センサ118、及び2次元センサ123は、ステージ1300の走査に同期して電荷をシフトする。この場合のシフトタイミングは、1次元ラインセンサ106SCU、第2の1次元ラインセンサ107SCDを基準にして、第1の斜角、第2の斜角に応じて変更される。なお、加算回数は2次元センサ118、及び2次元センサ123に基づいて決定される図13領域1306。また、加算走査時の読み出しデータを無効とすることも可能である図13領域1307。また、2次元センサ118、及び2次元センサ123の露光終了後は、シフトトリガを変更しデータの読み出しを行う領域1308。次に、1次元ラインセンサ106、1次元ラインセンサ107、2次元センサ118、及び2次元センサ123の視野の位置関係について説明する。図14は、1次元ラインセンサ106、第2の1次元ラインセンサ107、2次元センサ118、及び2次元センサ123の視野の位置関係を説明する図である。本実施例では、1次元ラインセンサ106の視野1401、第2の1次元ラインセンサ107の視野1402、2次元センサ118の視野1403前述した有効領域と表現することもできる、及び2次元センサ123の視野1404はそれぞれ異なる位置にある。なお、図14でのX軸、Y軸はそれぞれステージ1300の走査方向である。つまり、ステージ1300は基板を図14のX軸、及びY軸方向に移動させる。本実施例では、ステージ1300は基板を矢印1405の方向に移動させる。つまり、バンプ1406は時間的に2次元センサ118、1次元ラインセンサ106、1次元ラインセンサ107、2次元センサ123の順に撮像される。なお、1次元ラインセンサ106、1次元ラインセンサ107についてはX軸上では同一座標上にあるので、時間的には同時にバンプを撮像する。つまり、本実施例では、バンプ1406について、時間的に異なる複数の像が得られることになる。つまり、同じバンプについての像がメモリ内の異なるアドレスに保存されることになる。ここで、各視野間の距離が既知であれば、各視野間の距離と走査速度との関係から、得られる複数の画像がどれだけの時間差を持って各センサによって撮像されるか知ることができる。よって、本実施例では、同じバンプについて撮像され、かつ時間差を有する複数の画像を、この時間差を考慮してメモリから読み出す。より具体的に説明する。例えば、1次元ラインセンサ106、及び1次元ラインセンサ107のうち少なくとも1つは、2次元センサ118が撮像する時間に対して時間1407だけ遅れて撮像する。また、2次元センサ123は、2次元センサ118が撮像する時間に対して時間1408だけ遅れて撮像する。よって、本実施例では、この時間差1407、1408を考慮してメモリから撮像した画像を読み出す。さらに、Y軸方向について考えると、各視野は、距離的に位置ずれ1409、1410、1411を有している場合も考えられるが、各視野の大きさを予想される位置ずれよりも大きく、望ましくは十分大きくしておけば、この位置ずれ1409、1410、1411の影響は実質的に無視できることができる。次に実施例2について説明する。実施例2では主に実施例1とは異なる部分について説明する。本実施例2は、例えば、LEDによる多点発光光源による平行照明光を用いる実施例である。図15を用いて本実施例を説明する。本実施例では、第2の斜方明視野検出系1200の対物レンズ120の周囲に第1の多点発光光源1506、第1の多点発光光源1506よりも外周側に配置された第2の多点発光光源1507を有する。ここで、第1の多点発光光源1506はLED1506を複数有する。第2の多点発光光源1507はLED1505を複数有する。そして、バンプ1501や銅の台1502を撮像する場合は、第1の多点発光光源1506、及び第2の多点発光光源1507が発光する。この場合、点線1507の部分の端部がより強調されて撮像されることになる。これは、上述したバンプの形を得る場合等に有効である。なお、上述した多点発光光源は、基板の法線方向に配置された上方明視野検出系1000、基板に対して第1の斜角で配置された第1の斜方明視野検出系1100に採用しても良い。また、第1の多点発光光源1506、及び第2の多点発光光源1507の少なくとも1つの選択的に発光させても良い。また、点線1503のように、多点発光光源の1部を発光させるようにしても良い。このようにすることで、任意の場所の端部を強調して撮像することが可能となる。本実施例によれば、従来よりも得られる情報量が多くなるので、より精度の高いバンプ評価を行うことが可能となる。なお、本発明は実施例に限定されない。例えば、上述した3つの検出光学系のうちいずれか2つを採用することも可能であるし、検出光学系をさらに増やしても良い。また、本発明はバンプ以外の評価に利用しても良い。"