FETによる初段アンプ、後段アンプを含むパワーアンプと、入力段に第1のモニター抵抗を接続したオートバイアス回路とを備えたパワーアンプ装置であって、前記オートバイアス回路は前記初段アンプにだけオートバイアスを組み込むために、前記初段アンプ、後段アンプにそれぞれ、前記初段アンプのドレイン電流が一定になるようにセットされたゲート電圧がかかるように接続構成すると共に、主電源の電圧から前記初段アンプには前記第1のモニター抵抗を経由してドレイン電圧がかかり、かつ前記後段アンプには前記主電源の電圧を前記第1のモニター抵抗で分圧したドレイン電圧がかかるように接続構成したことを特徴とするパワーアンプ装置。前記オートバイアス回路の入力段に前記第1のモニター抵抗が接続され、該オートバイアス回路の出力が前記初段アンプ、後段アンプに前記ゲート電圧として印加されることを特徴とする請求項1に記載のパワーアンプ装置。前記第1のモニター抵抗を可変抵抗とし、前記オートバイアス回路の前記入力段よりも前に、第2のモニター抵抗とスイッチング回路の並列回路を接続したことを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーアンプ装置。前記第1、第2のモニター抵抗はそれぞれ、前記初段アンプのFETのドレイン電流値、パワーアンプトータルの電流値をモニターするためのものであり、前記第2のモニター抵抗はセット完了後に前記スイッチング回路をオンにして前記オートバイアス回路から切り離しされることを特徴とする請求項3に記載のパワーアンプ装置。しかし、パワーアンプのバイアス回路として上記のようなオートバイアス回路を使用すると、セット電流値を一定にする制御を行っているので、図8の入力レベルPin-出力レベルPout及びドレイン電流値Id特性に示すように、飽和領域において電流が振れ込んだ時もセット電流値に戻そうとする制御がかかる。このときオートバイアス回路は振れ込んだ電流値を下げようとする動作をするので、ゲート電圧が深くかかり、セット電流値が下がることによりバイアスポイントからずれる。このことからパワーアンプを歪み特性の良いA級動作点にバイアスポイントをセットしても、飽和領域では動作点がずれてしまうので、歪み特性が劣化してしまう。この様にオートバイアス制御方式はFETの個体差、温度変化によらず電流値を一定に保つことが出来るメリットはあるが、飽和領域での歪み特性劣化のデメリットがある。本発明は、ゲート電圧固定バイアス制御方式の歪み特性に優れている利点と、オートバイアス制御方式の個体差や温度変化によらずオペレーションのセット電流値を一定にすることが出来る利点を兼ね備えたパワーアンプ装置を提供しようとするものである。本発明の態様によるパワーアンプ装置は、FETによる初段アンプ、後段アンプを含むパワーアンプと、入力段に第1のモニター抵抗を接続したオートバイアス回路とを備える。前記オートバイアス回路は前記初段アンプにだけオートバイアスを組み込むために、前記初段アンプ、後段アンプにそれぞれ、前記初段アンプのドレイン電流が一定になるようにセットされたゲート電圧がかかるように接続構成すると共に、主電源の電圧から前記初段アンプには前記第1のモニター抵抗を経由してドレイン電圧がかかり、かつ前記後段アンプには前記主電源の電圧を前記第1のモニター抵抗で分圧したドレイン電圧がかかるように接続構成した。上記のパワーアンプ装置においては、前記オートバイアス回路の入力段に前記第1のモニター抵抗が接続され、該オートバイアス回路の出力が前記初段アンプ、後段アンプに前記ゲート電圧として印加される。上記のパワーアンプ装置においてはまた、前記第1のモニター抵抗を可変抵抗とし、前記オートバイアス回路の前記入力段よりも前に、第2のモニター抵抗とスイッチング回路の並列回路を接続しても良い。なお、前記第1、第2のモニター抵抗はそれぞれ、前記初段アンプのFETのドレイン電流値、パワーアンプトータルの電流値をモニターするためのものであり、前記第2のモニター抵抗はセット完了後に前記スイッチング回路をオンにして前記オートバイアス回路から切り離される。本発明によれば、ゲート電圧固定バイアス制御方式による、歪み特性に優れている利点と、オートバイアス制御方式による、FETの個体差や温度変化によらずオペレーションのセット電流値を一定にすることが出来る利点を兼ね備えたパワーアンプ装置を提供することができ、パワーアンプの個体差、温度変化による電流値の変化を補正し、歪み特性の劣化のないバイアス回路によるパワーアンプ装置を提供することができる。[第1の実施形態]構成図1は、本発明の第1の実施形態による、オートバイアス回路を備えたパワーアンプ装置のブロック図である。パワーアンプ装置は、パワーアンプ10とオートバイアス回路20を備える。パワーアンプ10は多段アンプ構成を有するが、ここでは説明を簡単にするために、パワーアンプ10が初段アンプ11と後段アンプ12を含み、無線周波数信号入力RFinを増幅して出力RFoutを出力する例について説明する。初段アンプ11、後段アンプ12はそれぞれFETを含んで構成されるが、構成自体は良く知られているので、ここでは、詳しい説明は省略する。オートバイアス回路20は、初段アンプ11と後段アンプ12のそれぞれにゲート電圧Vgを印加する。すなわち、オートバイアス回路20の出力は初段アンプ11を構成するFETのドレイン電流Id1が一定になるようにセットされたゲート電圧Vgがかかるように初段アンプ11、後段アンプ12にそれぞれ接続されている。主電源からの電圧Vdのラインにモニター抵抗第1のモニター抵抗Rm1が挿入、接続され、その両端がオートバイアス回路20の入力側に接続されている。オートバイアス回路20はパワーアンプ10の初段アンプ11にだけオートバイアスを組み込み、初段アンプ11、後段アンプ12にはドレイン電流値Id1が一定になるようにセットされたゲート電圧Vgがかかるように接続している。また、電圧Vdの主電源から、オートバイアス回路20にかかる初段アンプ11のドレイン電圧Vd1と、モニター抵抗Rm1で分圧した後段アンプ12のドレイン電圧Vd2がパワーアンプ10にかかるように接続している。これにより、モニター抵抗Rm1の高電位側から後段アンプ12へドレイン電圧Vd2が印加され、モニター抵抗Rm1の低電位側から初段アンプ11へドレイン電圧Vd1が印加される。つまり、初段アンプ11にはオートバイアス回路20にフィードがかかるように初段のドレイン電圧Vd1を接続している。モニター抵抗Rm1によりモニターする電流は初段アンプ11のドレイン電流Id1なので、オートバイアス回路20のモニター抵抗Rm1に、所望のオペレーション電流値の初段アンプ11のドレイン電流Id1が一定に流れるようにする。パワーアンプ10は、同一チップ内のFETであればドレイン-ソース間飽和電流値IdssはFETのゲート幅Wgに比例し、またピンチオフ電圧Vpはゲート幅によらず一定と考えられるので、パワーアンプの電流値はゲート幅によって決まる。ここで、パワーアンプ10における初段アンプ11のFETのゲート幅Wg1、後段アンプ12のFETのゲート幅Wg2、初段アンプ11のドレイン電流値Id1、後段アンプ12のドレイン電流値Id2とする。この場合、ドレイン電流値はゲート幅に比例するので、パワーアンプ10のトータル電流値ItotalId1Id2とすると、初段アンプ11のドレイン電流値はId1Wg1Wg2Itotalから計算することが出来る。動作多段アンプからなるパワーアンプの場合について考え、パワーアンプ10の初段アンプ11にだけオートバイアスを組み込むバイアス回路を設計する。初段アンプ11のドレイン電圧Vd1と後段アンプ12のドレイン電圧Vd2のバイアス回路を切り分けて接続する。パワーアンプ10は初段アンプ11の歪みの寄与を少なくするために、初段アンプ11より後段アンプ12の方が早く飽和領域に達し電流変化量も大きいので、図2に示すように出力レベルPoutが上がりパワーアンプ10が飽和領域に達して同じICチップ内で後段アンプ12の電流が振れ込んでも、初段アンプ11のドレイン電流Id1は線形領域であるので電流変化量が少ない。よって初段アンプ11にだけオートバイアス回路を組み込んでドレイン電流値を一定にしても、飽和領域においてA級動作点にセットしたバイアスポイントのずれが少ない。温度変化によりパワーアンプ10のドレイン電流がセット電流値に対してずれが生じはじめても、オートバイアス回路20によりドレイン電流値Id1が一定に保たれる。パワーアンプ10の初段アンプ11のFETのゲート幅Wg1、後段アンプ12のFETのゲート幅Wg2は同一チップ内であれば製造プロセスの差異によるピンチオフ電圧Vpのばらつきは同じ特性であると考えられるので、初段アンプ11のドレイン電流値Id1と後段アンプ12のドレイン電流値Id2はそれぞれのゲート幅に比例する。よって温度によらずドレイン電流値Id1を一定に保ち、このときのゲート電圧Vgを後段アンプ12にかけることで、ドレイン電流値Id2の温度による変化を抑えることができる。実施形態の効果上記実施形態によるパワーアンプ装置を用いれば、ゲート電圧固定バイアスとオートバイアス回路のメリットを生かすことが可能で、パワーアンプの歪み特性を劣化させることなく、かつ温度特性、個体差によらずセット電流値を一定にすることが出来る。[第2の実施形態]図3は、本発明の第2の実施形態として、可変抵抗を用いたオートバイアス回路を備えたパワーアンプ装置のブロック図である。オートバイアス回路20の入力段よりも前高電位側にパワーアンプトータルの電流Itotalをモニターできるようにモニター抵抗第2のモニター抵抗Rm3を設置している。初段アンプ11のドレイン電流値Id3と後段アンプ12のドレイン電流値Id4はそれぞれのFETのゲート幅Wg1、Wg2に比例するので、オートバイアス回路20の入力段に接続したモニター抵抗を可変抵抗Rvにして、この抵抗値を変化させてパワーアンプトータルの電流Itotalを所望のセット電流値に合わせ、このときの初段アンプ11のドレイン電流値Id3を一定にすることで後段アンプ12のドレイン電流値Id4も温度によらず一定にすることができる。セット完了後は飽和時に電圧ドロップが生じないように、モニター抵抗Rm3に並列に接続したスイッチング回路SWをオンとすることにより、モニター抵抗Rm3をオートバイアス回路20から切り離す。セット電流値に対して初段アンプと後段アンプのゲート幅に正比例するものとしてドレイン電流値を算出してオートバイアスを設計すると、同一チップ内のFETであれば製造プロセスの差異によるピンチオフ電圧Vpのばらつきは同じ特性であると考えられるが、チップ箇所により初段アンプと後段アンプでピンチオフ電圧Vpが異なった場合、セット電流値とずれてしまう。また、後段になるほどゲート幅が広がり、ゲート幅から算出したセット電流値とのずれが大きくなる。回路構成は複雑になるが、本実施形態の方法でバイアスセットを行えば、パワーアンプトータルの電流値をモニターしながらセット電流値にバイアスを合わせるので、ピンチオフ電圧Vpが初段アンプと後段アンプで差異があった場合に、セット電流値とのずれを少なく出来る効果が得られる。