"電界効果トランジスタSuSv...と該電界効果トランジスタSuSv...に逆並列接続された還流ダイオードDuDv...とを備えた電力変換装置1であって、前記電界効果トランジスタSuSv...と前記還流ダイオードDuDv...とを接続する共通接続ノードNdから前記還流ダイオードDuDv...までのインピーダンスは、前記共通接続ノードNdから前記電界効果トランジスタSuSv...のボディダイオードDbまでのインピーダンスよりも小さいことを特徴とする電力変換装置。請求項1の電力変換装置において、前記共通接続ノードNdは、前記還流ダイオードDuDv...のアノードAであり、前記アノードAと前記電界効果トランジスタSuSv...のソースSとは、配線部材W1で結線されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1の電力変換装置において、前記還流ダイオードDuDv...のアノードAと前記共通接続ノードNdとの間を接続する第1配線部材W23と、前記還流ダイオードDuDv...のカソードKと前記電界効果トランジスタSuSv...のドレインDとの間を接続する第2配線部材W24とを備え、前記第1配線部材W23と前記第2配線部材W24とは、結合するように配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1の電力変換装置において、前記共通接続ノードNd1Nd2と該電力変換装置の入出力端子PNUVWの間を接続する第1配線部材W33W36と、前記共通接続ノードNd1Nd2と還流ダイオードDuDv...の間を接続する第2配線部材W32W35とを備え、前記第1配線部材と前記第2配線部材とは、結合するように対向して配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1の電力変換装置において、前記電界効果トランジスタSuSv...のソースSと前記共通接続ノードNdとの間を接続する第1配線部材W41と、前記還流ダイオードDuDv...のアノードAと前記共通接続ノードNdとの間を接続する第2配線部材W42とを備え、前記第1配線部材W41と前記第2配線部材W42とは、結合するように近接して配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1の電力変換装置において、前記電界効果トランジスタSuSv...は、ソースS又はドレインDに第1配線部材W51が接続され、前記共通接続ノードNdには、電力を出力する第2配線部材W53が接続され、前記第1配線部材W51と前記第2配線部材W53とは、結合するように近接して配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1の電力変換装置において、前記還流ダイオードDuDv...には、該還流ダイオードDuDv...が持つキャパシタ成分C2とは別に、外付けのキャパシタ成分C3が並列接続され、前記還流ダイオードDuDv...が持つキャパシタ成分C2と前記外付けのキャパシタ成分C3の合計容量は、前記ボディダイオードDbが持つキャパシタ成分C1よりも大きいことを特徴とする電力変換装置。ところで、還流ダイオードやSiC-MOSFETには、端子間のキャパシタ成分及び、配線のインダクタンス成分が存在している。そのため、特許文献1の装置では、次の現象が起こりうることを本願発明者は見出した。例えばインバータ回路の下アームのスイッチング素子がオフになって、上アームの還流ダイオードに電流が流れる転流動作が行われる場合には、転流直後に端子間のキャパシタ成分の電荷を放電する電流が流れる。その後、配線インダクタンスの電圧とダイオードのオン電圧とに依存して、還流ダイオード及びボディーダイオードに電流が流れるという過渡現象が起こる。したがって、インバータ回路を長時間動作させると、この過渡現象により、ボディダイオードの結晶劣化が進行する可能性がある。本発明は上記の問題に着目してなされたものであり、ボディダイオードの結晶劣化をより確実に抑制できるようにすることを目的としている。上記の課題を解決するため、第1の発明は、電界効果トランジスタSuSv...と該電界効果トランジスタSuSv...に逆並列接続された還流ダイオードDuDv...とを備えた電力変換装置1であって、前記電界効果トランジスタSuSv...と前記還流ダイオードDuDv...とを接続する共通接続ノードNdから前記還流ダイオードDuDv...までのインピーダンスは、前記共通接続ノードNdから前記電界効果トランジスタSuSv...のボディダイオードDbまでのインピーダンスよりも小さいことを特徴とする。この構成では、共通接続ノードNdから前記還流ダイオードDuDv...までのインピーダンスが、共通接続ノードNdからボディダイオードDbまでのインピーダンスよりも小さいので、各電界効果トランジスタSuSv...のボディダイオードDbに流れる電流Iを大幅に低下できる。また、第2の発明は、第1の発明の電力変換装置において、前記共通接続ノードNdは、前記還流ダイオードDuDv...のアノードAであり、前記アノードAと前記電界効果トランジスタSuSv...のソースSとは、配線部材W1で結線されていることを特徴とする。この構成では、還流ダイオードDuDv...のアノードAが共通接続ノードNdなので、還流ダイオードDuDv...までのインダクタンス成分L2が存在しない。したがって、この構成でも還流ダイオード側配線のインダクタンス成分は、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分よりも小さい。これにより、各電界効果トランジスタSuSv...のボディダイオードDbに流れる電流Iを大幅に低下できる。また、第3の発明は、第1の発明の電力変換装置において、前記還流ダイオードDuDv...のアノードAと前記共通接続ノードNdとの間を接続する第1配線部材W23と、前記還流ダイオードDuDv...のカソードKと前記電界効果トランジスタSuSv...のドレインDとの間を接続する第2配線部材W24とを備え、前記第1配線部材W23と前記第2配線部材W24とは、結合するように配置されていることを特徴とする。この構成では、還流ダイオードDuDv...のアノードAへの第1配線部材W23と、カソードKへの第2配線部材W24とを結合させてあるので、還流ダイオード側の配線のインダクタンス成分L2を低減させることができ、各電界効果トランジスタSuSv...のボディダイオードDbに流れる電流Iを大幅に低下できる。また、第4の発明は、第1の発明の電力変換装置において、前記共通接続ノードNd1Nd2と該電力変換装置の入出力端子PNUVWの間を接続する第1配線部材W33W36と、前記共通接続ノードNd1Nd2と還流ダイオードDuDv...の間を接続する第2配線部材W32W35とを備え、前記第1配線部材と前記第2配線部材とは、結合するように対向して配置されていることを特徴とする。この構成では、共通接続ノードNd1Nd2と該電力変換装置の入出力端子PNUVWの間を接続する第1配線部材W33W36と、共通接続ノードNd1Nd2と還流ダイオードDuDv...の間を接続する第2配線部材W32W35とを対向して配置してあるので、還流ダイオード側配線のインダクタンス成分L2が低減する。また、第5の発明は、第1の発明の電力変換装置において、前記電界効果トランジスタSuSv...のソースSと前記共通接続ノードNdとの間を接続する第1配線部材W41と、前記還流ダイオードDuDv...のアノードAと前記共通接続ノードNdとの間を接続する第2配線部材W42とを備え、前記第1配線部材W41と前記第2配線部材W42とは、結合するように近接して配置されていることを特徴とする。この構成では、還流ダイオードDuDv...側配線のインダクタンス成分L2が、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分L1と結合する。そのため、ボディダイオードDbの端子間の電圧が小さくなり、該ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になる。また、第6の発明は、第1の発明の電力変換装置において、前記電界効果トランジスタSuSv...は、ソースS又はドレインDに第1配線部材W51が接続され、前記共通接続ノードNdには、電力を出力する第2配線部材W53が接続され、前記第1配線部材W51と前記第2配線部材W53とは、結合するように近接して配置されていることを特徴とする。この構成では、共通接続ノードNd側の第2配線部材W53のインダクタンス成分L3が、ボディダイオード側配線第1配線部材W51のインダクタンス成分L1と結合する。そのため、ボディダイオードDbの端子間の電圧が小さくなり、該ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になる。また、第7の発明は、第1の発明の電力変換装置において、前記還流ダイオードDuDv...には、該還流ダイオードDuDv...が持つキャパシタ成分C2とは別に、外付けのキャパシタ成分C3が並列接続され、前記還流ダイオードDuDv...が持つキャパシタ成分C2と前記外付けのキャパシタ成分C3の合計容量は、前記ボディダイオードDbが持つキャパシタ成分C1よりも大きいことを特徴とする。この構成では、還流ダイオードDuDv...側に、より多くの電荷が蓄えられることになる。このように、キャパシタ成分C3とキャパシタ成分C2の合計容量を大きくすれば、電流iL1を小さくできる。よって、この構成でも、還流ダイオードDuDv...側の電圧VL2が小さくなり、ボディダイオードDbに流れる電流iL1を低減させることができる。上記の各発明によれば、各電界効果トランジスタSuSv...のボディダイオードDbに流れる電流Iを大幅に低下できるので、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。《発明の実施形態1》概要図1は、発明の実施形態1に係る電力変換装置1の構成を示すブロック図である。同図に示すように電力変換装置1は、コンバータ回路2、直流リンク部3、インバータ回路4、及び制御部5を備え、単相の交流電源6から供給された交流電力を所定の周波数の電力に変換して、モータ7に供給するようになっている。なお、本実施形態のモータ7は、三相交流モータであり、空気調和機の冷媒回路に設けられた圧縮機を駆動するためのものである。コンバータ回路2コンバータ回路2は、リアクトルLを介して交流電源6に接続され、交流電源6が出力した交流を直流に全波整流する。この例では、コンバータ回路2は、複数本実施形態では4つのダイオードD1~D4がブリッジ状に結線されたダイオードブリッジ回路である。これらのダイオードD1~D4は、交流電源6の交流電圧を全波整流して、直流電圧に変換する。直流リンク部3直流リンク部3は、コンデンサ3aを備えている。コンデンサ3aは、コンバータ回路2の出力ノード間に接続され、該コンデンサ3aの両端に生じた直流電圧直流リンク電圧Vdcがインバータ回路4の入力ノードに接続されている。コンデンサ3aは、コンバータ回路2の出力を平滑化する電解コンデンサで構成されている。インバータ回路4インバータ回路4は、入力ノードが直流リンク部3のコンデンサ3aに並列に接続され、直流リンク部3の出力をスイッチングして三相交流に変換し、接続されたモータ7に供給するようになっている。本実施形態のインバータ回路4は、複数のスイッチング素子がブリッジ結線されて構成されている。このインバータ回路4は、三相交流をモータ7に出力するので、6個のスイッチング素子SuSvSwSxSySzを備えている。詳しくは、インバータ回路4は、2つのスイッチング素子を互いに直列接続した3つのスイッチングレグを備えている。各スイッチングレグにおいて上アームのスイッチング素子SuSvSwと下アームのスイッチング素子SxSySzとの中点が、モータ7の各相のコイル図示は省略にそれぞれ接続されている。また、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzには、還流ダイオードDuDvDwDxDyDzが逆並列に接続されている。インバータ回路4は、これらのスイッチング素子SuSvSwSxSySzのオンオフ動作によって、直流リンク部3から入力された直流リンク電圧Vdcをスイッチングして三相交流電圧に変換し、モータ7へ供給する。なお、このオンオフ動作の制御は、制御部5が行う。スイッチング素子本実施形態のスイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子であり、具体的にはSiCMOSFET電界効果トランジスタである。SiCMOSFETは、SiCSiliconCarbide,炭化ケイ素を主材料とした半導体素子である。そして、1つのスイッチング素子SuSvSwSxSySzは、1つのベアチップとして形成されている。このベアチップの一方の面には、ドレインDが形成され、もう一方の面にソースSとゲートGがそれぞれ形成されている。還流ダイオード還流ダイオードDuDvDwDxDyDzもSiCを主材料とした半導体素子である。また、1つの還流ダイオードDuDv...は、1つのベアチップとして形成されている。還流ダイオードDuDv...を構成するベアチップは、一方の面にカソードKが形成され、もう一方の面にアノードAが形成されている。本実施形態では、各スイッチング素子SuSv...を構成するベアチップと各還流ダイオードDuDv...を構成するベアチップの実装に特徴がある。この点については後に詳述する。制御部5制御部5は、インバータ回路4の出力電圧が所望の電圧、及び周波数となるように、インバータ回路4の各スイッチング素子SuSvSwSxSySzにゲート信号GuGvGwGxGyGzを与えてオンオフを制御する。具体的には、いわゆるPWMPulseWidthModulation制御方式によって前記オンオフを制御する。《スイッチング素子、還流ダイオードの実装》概要本実施形態では、インバータ回路4は、絶縁基板10上に形成され、コンバータ回路2や駆動回路図示は省略とともに、所定のパッケージ図示は省略に収容されてパワーモジュールを構成している。図2は、実施形態1におけるスイッチング素子SuSv...等の実装状態を模式的に示す図である。この図に示すように、各スイッチング素子SuSv...は、絶縁基板10上に実装され、交流電力を出力する。インバータ回路4では、スイッチング素子SuSv...や還流ダイオードDuDv...等は、絶縁基板10上のヒートスプレッダやワイヤ配線等によって電気的に接続されている。インバータ回路4では、具体的には、ヒートスプレッダには、上アーム側ヒートスプレッダ30と下アーム側ヒートスプレッダ40とがある。上アーム側では、3つのスイッチング素子SuSvSw、及び3つの還流ダイオードDuDvDwでひとつの上アーム側ヒートスプレッダ30を共用している。具体的には上アーム側のスイッチング素子SuSvSwは、何れも、ドレインDが上アーム側ヒートスプレッダ30に接するように、上アーム側ヒートスプレッダ30に搭載されている。すなわち、上アーム側の3つのスイッチング素子SuSvSwのドレインDは、上アーム側ヒートスプレッダ30によって互いに電気的に繋がっている。上アーム側ヒートスプレッダ30は、直流リンク部3の正側ノードPに接続されている接続状態の図示は省略する。なお、図2で示したドレインDの輪郭形状破線で示した部分は例示であり、例えばチップの全面がドレインDなるような構成も可能である。下アーム側の3つのスイッチング素子SxSySzは、それぞれ別個の下アーム側ヒートスプレッダ40の搭載されている。すなわち、下アーム側ヒートスプレッダ40は、3つ設けられている。それぞれの下アーム側スイッチング素子SxSySzは、ドレインDが下アーム側ヒートスプレッダ40に接するように搭載されている。すなわち、下アーム側スイッチング素子SxSySzのドレインDは、下アーム側ヒートスプレッダ40と電気的に繋がっている。上アーム側の還流ダイオードDuDvDwは、上アーム側ヒートスプレッダ30に搭載されている。それぞれの上アーム側還流ダイオードDuDvDwは、接続相手のスイッチング素子SuSvSwの隣に並んで配置され、カソードKが上アーム側ヒートスプレッダ30に接するように上アーム側ヒートスプレッダ30に搭載されている。すなわち、カソードKは、上アーム側ヒートスプレッダ30と電気的に繋がっている。下アーム側還流ダイオードDxDyDzは、接続されるスイッチング素子SxSySzと同じ下アーム側ヒートスプレッダ40に、該スイッチング素子SxSySzと隣接して搭載されている。下アーム側還流ダイオードDxDyDzもカソードKが下アーム側ヒートスプレッダ40に接するように搭載されている。すなわち、下アーム側でもカソードKは、下アーム側ヒートスプレッダ40と電気的に繋がっている。本実施形態では、スイッチング素子SuSv...等の接続に、ワイヤ配線も用いられている。具体的には、このインバータ回路4では、1つのスイッチングレグには、4つのワイヤ配線W1W2W3W4が含まれている。各ワイヤ配線W1W2W3W4は、アルミニウムなどの金属で構成されている以下、他の実施形態でも同様。各相UVWのワイヤ配線W1W2W3W4の接続関係は同様なので、例えば、U相のスイッチングレグを代表で説明すると、ワイヤ配線W1は、還流ダイオードDuのアノードAとスイッチング素子SuのソースSとを接続している。すなわち、還流ダイオードDuのアノードAは、スイッチング素子Suと還流ダイオードDuとを接続するノード共通接続ノードNdのひとつである。ワイヤ配線W1は、インダクタンス成分L1を有している。ワイヤ配線W2は、下アーム側の配線に用いられ、還流ダイオードDxのアノードAとスイッチング素子SxのソースSとを接続している。ワイヤ配線W3は、還流ダイオードDu上アームのアノードAと下アーム側ヒートスプレッダ40とを接続している。ワイヤ配線W3は、インダクタンス成分L3を有している。なお、下アーム側ヒートスプレッダ40からは、モータ7に電力が出力されるようになっている。ワイヤ配線W4は、直流リンク部3の負側ノードNに繋がる絶縁基板10上のパターン以下、N側パターンというと、還流ダイオードDxのアノードAとを接続している。転流動作時の電流PWM制御方式では、各スイッチングレグにおいて、上下アームの一方のスイッチング素子がオンの場合には、もう一方のスイッチング素子はオフ状態になる。図3は、U相で転流動作が行われる際の電流の向きを説明する図である。また、図4は、U相のスイッチング素子SuSxに与えるゲート信号及び電流値を示すタイミングチャートである。同図において、Guはスイッチング素子SuのゲートGに与えるゲート信号、Gxはスイッチング素子SxのゲートGに与えるゲート信号である。また、iu,ixはそれぞれ、スイッチング素子Suのドレイン-ソース電流、スイッチング素子Sxと還流ダイオードDuに流れる還流電流である。インバータ回路4にモータ7のような誘導性の負荷が接続されていると、上記のオンオフ制御が行われて電圧の極性が切り替わると、電流が引き続き同じ向きに流れようとする図3の実線の向き。ここで、スイッチング素子Suとスイッチング素子Sxの同時オン動作を防ぐためデッドタイム期間が設けられている図4には図示せず。そのため、このデッドタイム期間はスイッチング素子には電流が流れずに、還流ダイオードに電流が流れることになる。その後に、スイッチング素子SxのゲートGにオン信号を与えられるとスイッチング素子がオン状態となりスイッチング素子に還流電流が流れる。-従来のインバータ回路における転流動作時の電流-一般的に、SiCMOSFETには、その内部にボディダイオードが形成される。図5は、スイッチング素子本体、ボディダイオード、及び還流ダイオードの関係を模式的に示した等価回路図である。図5に示すように、ボディダイオードは、回路上では還流ダイオードと並列接続される。既述の通り、従来のインバータ回路には、還流ダイオードのオン電圧を、SiCMOSFETのボディダイオードの通電開始電圧より低く設定することで、還流動作時にボディダイオードが通電状態になることを防止しているものがある。図6は、従来のインバータ回路で採用される還流ダイオードとボディダイオードの電圧電流VI特性を示す図である。また、図7は、従来のインバータ回路の実装状態における、上もしくは下アーム1相分の等価回路図である。図7に示すように、スイッチング素子と還流ダイオードにはそれぞれ、端子間のキャパシタ成分C1C2、及び配線のインダクタンス成分L1L2が存在している。そのため、ボディダイオードよりも還流ダイオードのオン電圧を低く設定しても、例えば、下アームのスイッチング素子がオフになって、上アームの還流ダイオードに電流が流れる転流動作が行われる場合図3の破線の状態から実線の状態に変わる場合には、転流直後図4のt1,t3に、端子間のキャパシタ成分C1C2の電荷を放電する電流IIが流れる。その後、配線インダクタンスの電圧VL1VL2と、ボディダイオード、及び還流ダイオードのオン電圧VDBVSBDに依存して、各ダイオードに電流IIが流れる。図8は、従来のインバータ回路における動作波形を示す図である。詳しくは、図8Aが、ドレインソース間電圧、Bがキャパシタ成分C1の電荷を放電する電流IとボディダイオードDbの電流I、Cが、キャパシタ成分C2の電荷を放電する電流Iと還流ダイオードの電流I、Dが配線インダクタンスの電圧VL1VL2をそれぞれ示している。これらの電圧、電流の関係は以下の式1ように表すことができる。なお、式において、iL1はインダクタンス成分L1における電流であり、iL2は、インダクタンス成分L2における電流である。VDBL1ddtiL1VSBDL2ddtiL2式上記のように、従来のインバータ回路では、転流動作時には、過渡的ではあるが、還流ダイオードとボディダイオードの2つの電流経路が存在する。すなわち、従来のインバータ回路では、この過渡現象のため、長時間動作させると、ボディダイオードの通電劣化が進行し、長期信頼性を確保することが難しいと考えられる。-本実施形態における転流動作時の電流-本実施形態では、後述するように、還流ダイオード側配線のインダクタンス成分L2を、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分L1よりも小さくしている。こうすると、還流ダイオード側の電圧VL2=L2d/dtiL2が小さくなり、ボディダイオードDbに流れる電流iL1を低減させることができる。図9は、実施形態1における実装状態のU相の上アームの等価回路図である。図9に示すように、スイッチング素子Suと還流ダイオードDuとは、ワイヤ配線W3を共用して、U相の出力端子TUに繋がっている。還流ダイオード側配線は、ワイヤ配線W3が、還流ダイオードDuのアノードAに直接繋がっているので、ワイヤ配線W3の上アーム側の一端共通接続ノードNdを基準に見ると、還流ダイオード側配線には、従来のインバータ回路では存在していたインダクタンス成分L2が存在しない。一方、ボディダイオード側配線は、ワイヤ配線W1及びアノードAすなわち共通接続ノードNdを介してワイヤ配線W3の前記一端と繋がっているので、ワイヤ配線W1によって生ずるインダクタンス成分L1が存在する。そのため、インバータ回路4では、還流ダイオード側配線のインダクタンス成分は、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分よりも小さい。すなわち、本実施形態では、スイッチング素子SuSv...と還流ダイオードDuDv...とを接続する共通接続ノードNdから還流ダイオードDuDv...までのインピーダンスは、共通接続ノードNdからボディダイオードDbまでのインピーダンスよりも小さくなる。図10は、実施形態1のインバータ回路4における動作波形を示す図である。図10でもAが、ドレインソース間電圧、Bがキャパシタ成分C1の電荷を放電する電流IとボディダイオードDbの電流I、Cが、キャパシタ成分C2の電荷を放電する電流Iと還流ダイオードの電流I、Dが配線インダクタンスの電圧VL1VL2をそれぞれ示している。図10Bに示すように、本実施形態では、従来のインバータ回路と比べ、ボディダイオードDbの電流Iが大幅に低下している。本実施形態における効果以上のように、本実施形態によれば、各スイッチング素子SuSv...電界効果トランジスタのボディダイオードDbに流れる電流Iを大幅に低下できるので、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。《発明の実施形態2》実施形態2は、スイッチング素子、及び還流ダイオードの実装の形態が実施形態1と異なる。本実施形態では、還流ダイオードDuDv...のアノードAへのワイヤ配線インダクタンス成分L2aとするとカソードKへのワイヤ配線インダクタンス成分L2bとするとを近接させて、互いに結合させている。図11は、実施形態2におけるスイッチング素子SuSv...等の実装状態を模式的に示す図である。同図では、絶縁基板10の記載を省略してある以下、他の実施形態でも同様に省略。図11に示すように、各スイッチング素子SuSv...と各還流ダイオードDuDv...とは、それぞれ別個のヒートスプレッダ3040に搭載されている。すなわち、本実施形態では、スイッチング素子SuSv...用のヒートスプレッダ3040が6つ、還流ダイオードDuDv...用のヒートスプレッダ3040が6つある。上アーム側では、スイッチング素子SuSvSw用のヒートスプレッダ30は、何れも、正側ノードPに繋がる絶縁基板10上のパターン以下、P側パターンというに接続されている。この例でも、各スイッチング素子SuSv...は、ドレインDがヒートスプレッダ3040に接している。また、各還流ダイオードDuDv...は、カソードKがヒートスプレッダ3040に接している。本実施形態でも、スイッチング素子SuSv...等の接続に、ワイヤ配線が用いられている。具体的には、このインバータ回路4では、1つのスイッチングレグには、6つのワイヤ配線W21W22W23W24W25W26が含まれている。各相UVWのワイヤ配線W21W22...W26の接続関係は同様なので、以下ではU相のスイッチングレグを代表で説明する以下、他の実施形態でも同様に1相分のみ説明する。ワイヤ配線W21インダクタンス成分L1とするは、スイッチング素子SuのソースSと、下アームのスイッチング素子Sx用のヒートスプレッダ40とを繋いでいる。ワイヤ配線W22は、下アームのスイッチング素子SxのソースSと、N側パターンとを繋いでいる。ワイヤ配線W23は、上アームの還流ダイオードDuのアノードAと、下アームのスイッチング素子Sx用のヒートスプレッダ40とを繋いでいる。ワイヤ配線W23は、インダクタンス成分L2aを有している。なお、下アームのスイッチング素子Sx用のヒートスプレッダ40は、スイッチング素子Suと還流ダイオードDuとを接続する共通接続ノードNdのひとつである。また、ワイヤ配線W24は、還流ダイオードDu用のヒートスプレッダ30と、P側パターンとを繋いでいる。ワイヤ配線W24は、インダクタンス成分L2bを有している。ワイヤ配線W25は、還流ダイオードDxのアノードAとN側パターンとを繋いでいる。また、ワイヤ配線W26は、還流ダイオードDx用のヒートスプレッダ40とスイッチング素子Sx用のヒートスプレッダ40とを繋いでいる。そして、本実施形態では、還流ダイオードDuDv...のアノードAへのワイヤ配線インダクタンス成分L2aとカソードKへのワイヤ配線インダクタンス成分L2bとを近接させて、互いに結合させている。具体的には、上アーム側では、ワイヤ配線W23とワイヤ配線W24とが結合するように、これらを平行して配置してある。また、下アーム側では、ワイヤ配線W25とワイヤ配線W26も、互いに結合するように、平行して配置してある。図12は、実施形態2における実装状態のU相の上アームの等価回路図である。この例では、還流ダイオードDuDv...の入力側アノードAに繋がるワイヤ配線W23と、出力側に繋がるワイヤ配線W24を結合してある。そのため、還流ダイオード側の配線のインダクタンス成分L2を低減させることができる。本実施形態の効果したがって、本実施形態でもやはり、ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になり、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。なお、還流ダイオードDuDv...のアノードAへのワイヤ配線W23W25とカソードKへのワイヤ配線W24W26とは、互いに交差するように配置して結合させても同様の効果を得ることができる。《発明の実施形態3》実施形態3も、スイッチング素子、及び還流ダイオードの実装の形態が実施形態1と異なる。図13は、実施形態3におけるスイッチング素子SuSv...等の実装状態を模式的に示す図である。図13に示すように、上下アームのヒートスプレッダ3040の配置は、実施形態1図2参照と同様であるが、N側パターンと下アーム側ヒートスプレッダ40の間に、ワイヤ配線を接続するために2つの共通接続部材Nd1Nd2配線パターンを各相に設けてある。これらの共通接続部材Nd1Nd2は、本発明の接続ノードの一例である。各スイッチング素子SuSv...は、ドレインDがヒートスプレッダ3040に接している。また、各還流ダイオードDuDv...は、カソードKがヒートスプレッダ3040に接している。また、この例でも、スイッチング素子SuSv...等の接続に、ワイヤ配線が用いられている。本実施形態のインバータ回路4では、1つのスイッチングレグに6つのワイヤ配線W31W32W33W34W35W36が含まれている。まず、上アーム側では、ワイヤ配線W31インダクタンス成分L1とするが、スイッチング素子SuのソースSと、共通接続部材Nd1とを繋いでいる。また、ワイヤ配線W32インダクタンス成分L2とするが、還流ダイオードDuのアノードAと共通接続部材Nd1とを繋いでいる。一方、下アーム側では、ワイヤ配線W33インダクタンス成分L3とするが下アーム側ヒートスプレッダ40と共通接続部材Nd1とを繋いでいる。ワイヤ配線W34は、スイッチング素子SxのソースSと共通接続部材Nd2とを繋いでいる。ワイヤ配線W35は、還流ダイオードDxのアノードAと共通接続部材Nd2とを繋いでいる。ワイヤ配線W36は、共通接続部材Nd2とN側パターンとを繋いでいる。図14は、実施形態3における実装状態のU相の上アームの等価回路図である。本実施形態のインバータ回路4では、各入出力端子PNUVWと共通接続部材Nd1Nd2へのワイヤ配線W33W36インダクタンス成分L3と、共通接続部材Nd1Nd2から還流ダイオードDuDv...へのワイヤ配線W32W35インダクタンス成分L2を対向させてある。なお、この例では、各入出力端子PNUVWとは、コンバータ回路2からの入力を受けるP側及びN側パターンや、下アーム側ヒートスプレッダ40U,V,W相の出力端子となるである。本実施形態の効果上記の構成とすることで、配線インピーダンスを結合することができ、還流ダイオード側配線のインダクタンス成分L2を、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分L1よりも小さくすることが可能になる。したがって、本実施形態でもやはり、ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になり、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。《発明の実施形態4》ボディダイオード側の配線インピーダンスの過渡電圧VL2を、還流ダイオード側の配線インピーダンスの過渡電圧vL1と等しくすることで、ボディダイオードDbへの通電を防止することが可能になる。これは、過渡電圧VL2と過渡電圧vL1を等しくすれば、ボディダイオードDbの端子間の電圧VDBが小さくなり、ボディダイオードDbに流れる電流を低減させることができるからである。特に、ボディダイオードDbが非導通となる電圧Vo以下とすれば電流が流れなくなる。本実施形態では、還流ダイオードDuDv...側配線のインダクタンス成分L2を、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分L1と結合させている。図15は、実施形態4におけるスイッチング素子SuSv...等の実装状態を模式的に示す図である。図15に示すように、上下アームのヒートスプレッダ3040の配置は、実施形態1図2参照と同様である。本実施形態でも、各スイッチング素子SuSv...は、ドレインDがヒートスプレッダ3040に接している。また、各還流ダイオードDuDv...は、カソードKがヒートスプレッダ3040に接している。また、この例でも、スイッチング素子SuSv...等の接続に、ワイヤ配線が用いられている。具体的には、このインバータ回路4では、1つのスイッチングレグに、4つのワイヤ配線W41W42W43W44が含まれている。この例では、ワイヤ配線W41は、スイッチング素子SuのソースSと下アーム側ヒートスプレッダ40すなわち、スイッチング素子SxのドレインDとを繋いでいる。このワイヤ配線W41は、インダクタンス成分L1を有している。また、ワイヤ配線W42は、還流ダイオードDuと下アーム側ヒートスプレッダ40とを繋いでいる。ワイヤ配線W42は、インダクタンス成分L2を有している。なお、この下アーム側ヒートスプレッダ40は、スイッチング素子Suと還流ダイオードDuとを接続する共通接続ノードNdである。ワイヤ配線W43は、N側パターンとスイッチング素子SxのソースSとを繋いでいる。また、ワイヤ配線W44は、N側パターンと還流ダイオードDxのアノードAとを繋いでいる。すなわち、N側パターンは、スイッチング素子Sxと還流ダイオードDxとを接続する共通接続ノードNdである。本実施形態では、各入出力端子PNUVWから還流ダイオードDuDv...への配線インダクタンス成分L2と、各入出力端子PNUVWからスイッチング素子SuSv...ボディダイオードへの配線インダクタンス成分L1を近接させてある図15参照。なお、この例でも、各入出力端子PNUVWとは、コンバータ回路2からの入力を受けるP側及びN側パターンや、下アーム側ヒートスプレッダ40U,V,W相の出力端子となるであり、これらは、共通接続ノードNdである。このように、ワイヤ配線W41W42W43W44を配置することで、還流ダイオード側配線ワイヤ配線W42W44のインダクタンス成分L2と、ボディダイオード側配線ワイヤ配線W41W43のインダクタンス成分L1とを結合させることができる。図16は、実施形態4における実装状態のU相の上アームの等価回路図である。このように、還流ダイオード側配線のインダクタンス成分L2とボディダイオード側配線のインダクタンス成分L1とを結合させると、ボディダイオードの端子間の電圧が小さくなる。本実施形態の効果図17は、実施形態4のインバータ回路4における動作波形を示す図である。このように、本実施形態でもやはり、ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になり、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。《実施形態4の変形例》図18は、実施形態4の変形例におけるスイッチング素子SuSv...等の実装状態を模式的に示す図である。この例では、各スイッチング素子SuSv...、各還流ダイオードDuDv...、及び上下アームのヒートスプレッダ3040の配置は実施形態4と同じであるが、ワイヤ配線の配置が異なる。具体的には、図18に示すように、ワイヤ配線W41とワイヤ配線W42とを互いに交差させ、ワイヤ配線W43とワイヤ配線W44とを互いに交差させてある。このように、ワイヤ配線を交差させると、交差させたワイヤ配線同士が結合する。したがって、本変形例でも、ボディダイオードの端子間の電圧が小さくなる。その結果、ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になり、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。《発明の実施形態5》実施形態5も、共通配線のインダクタンス成分L3を、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分L1と結合させる例である。図19は、実施形態5におけるスイッチング素子SuSv...等の実装状態を模式的に示す図である。図19に示すように、各スイッチング素子SuSv...と各還流ダイオードDuDv...とは、それぞれ別個のヒートスプレッダ3040に搭載されている。すなわち、本実施形態では、スイッチング素子SuSv...用のヒートスプレッダ3040が6つ、還流ダイオードDuDv...用のヒートスプレッダ3040が6つある。この例では、P側パターンとN側パターンとは互いに平行して配置され、各上アーム側ヒートスプレッダ30は、図19に示すように、これらのパターンの間に配置されている。また、アーム側ヒートスプレッダ40は、N側パターンに平行して配置されている図19では、N側パターンの下側。上アーム側では、上アーム側還流ダイオードDuDvDw用のヒートスプレッダ30は、何れも、P側パターンに接続されている。この例でも、各スイッチング素子SuSv...は、ドレインDがヒートスプレッダ3040に接している。また、各還流ダイオードDuDv...は、カソードKがヒートスプレッダ3040に接している。本実施形態でも、スイッチング素子SuSv...等の接続に、ワイヤ配線が用いられている。具体的には、このインバータ回路4では、1つのスイッチングレグには、6つのワイヤ配線W51W52W53W54W55W56が含まれている。ワイヤ配線W51は、P側パターンとスイッチング素子Su用の上アーム側ヒートスプレッダ30とを繋いでいる。ワイヤ配線W51は、インダクタンス成分L1を有している。ワイヤ配線W51は、スイッチング素子Suを跨ぎ、ヒートスプレッダ30側の接続箇所はN側パターンに面した部分に設けられている。これは、後述するように、ワイヤ配線W51をワイヤ配線W53と近接させるためである。ワイヤ配線W52は、スイッチング素子SuのソースSと還流ダイオードDuのアノードAとを繋いでいる。すなわち、スイッチング素子SuのソースSは、スイッチング素子Suと還流ダイオードDuとを接続する共通接続ノードNdである。ワイヤ配線W52は、インダクタンス成分L2を有している。ワイヤ配線W53は、スイッチング素子SuのソースSと、還流ダイオードDx用の下アーム側ヒートスプレッダ40とを繋いでいる。このワイヤ配線W53は、ワイヤ配線W51と近接するように配置してある。なお、ワイヤ配線W53は、インダクタンス成分L3を有している。ワイヤ配線W54は、スイッチング素子Sx用のヒートスプレッダ40と、還流ダイオードDx用のヒートスプレッダ40とを繋いでいる。ワイヤ配線W55は、スイッチング素子SxのソースSとN側パターンとを繋いでいる。ワイヤ配線W55は、ワイヤ配線W54と近接するように配置してある。ワイヤ配線W56は、スイッチング素子SxのソースSと還流ダイオードDxのアノードAを繋いでいる。上記の構成とすることで、本実施形態では、各入出力端子PNUVWから還流ダイオードDuDv...とスイッチング素子SuSv...ボディダイオードの共通接続点への配線インダクタンス成分L3を有していると、スイッチング素子SuSv...ボディダイオードの配線インダクタンス成分L1を有しているとを近接させている図19を参照。図20は、実施形態5における実装状態のU相の上アームの等価回路図である。この例では、共通配線ワイヤ配線W53のインダクタンス成分L3と、ボディダイオード側配線のインダクタンス成分L1とを結合させることができる。その結果、ボディダイオードDbの端子間の電圧が小さくなる。本実施形態の効果本実施形態でも、図17に示したものと同様の動作波形となり、ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になる。その結果、本実施形態でもボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。《発明の実施形態6》図21は、発明の実施形態6の構成を示す等価回路図である。本実施形態では、各還流ダイオードDuDvDwDxDyDzにコンデンサC3を並列接続してある。なお、C1,C2はそれぞれ、スイッチング素子における端子間のキャパシタ成分、還流ダイオードにおける端子間のキャパシタ成分である。C3の容量は、C3C2>C1となるように定めてある。上記の構成により、還流ダイオードDuDv...側に、より多くの電荷が蓄えられることになる。このように、C3C2を大きくを小さくすれば、電流iL1を小さくできる。よって、還流ダイオードDuDv...側の電圧VL2L2ddtiL2が小さくなり、ボディダイオードDbに流れる電流iL1を低減させることができる。図22は、実施形態6のインバータ回路4における動作波形を示す図である。同図に示すように、本実施形態でもやはり、ボディダイオードDbに流れる電流を低減することが可能になり、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。《発明の実施形態7》図23は、ディスクリート部品で形成されたスイッチング素子SuSvSwSxSySzを用いる場合の基板パターンの一例である。図23は、U層の上アームにおけるスイッチング素子Suと、及び還流ダイオードDu付近の配線パターン配線部材を図示してある。この例では、平面視で概ねL字状をした2つの配線パターンP1P2が設けられている。一方の配線パターンP1は、スイッチング素子SuのソースSと還流ダイオードDuのアノードAとを繋いでいる。配線パターンP1における、ソースS-アノードA間の部分は、インダクタンス成分L1を有している。配線パターンP1におけるアノードAの接続点は、スイッチング素子Suと還流ダイオードDuとを接続する共通接続ノードNdである。なお、図23では図示を省略してあるが、配線パターンP1は、下アームにおける還流ダイオードDxのカソードKと繋がっている。もう一方の配線パターンP2は、スイッチング素子SxのドレインDと還流ダイオードDuのカソードKとを繋いでいる。図23では図示を省略してあるが、配線パターンP2は、直流リンク部3の正側ノードPまで延びている。図24は、実施形態7における実装状態のU相の上アームの等価回路図である。本実施形態でも、実施形態1の例と同様に、共通接続ノードNdを基準に見ると、還流ダイオード側配線には、従来のインバータ回路では存在していたインダクタンス成分L2が存在しない。一方、ボディダイオード側配線は、ソースSとアノードAとが、配線パターンP1によって繋がっているので、配線パターンP1によって生ずるインダクタンス成分L1が存在する。したがって、本実施形態においても、各スイッチング素子SuSv...電界効果トランジスタのボディダイオードDbに流れる電流Iを大幅に低下でき、その結果、ボディダイオードDbの結晶劣化をより確実に抑制することが可能になる。"