基板上にアライメントマークを生成する方法であって、パターニングデバイス上にアライメントパターンを提供するステップであって、前記アライメントパターンが、複数の第1の要素及び複数の第2の要素を備えるステップと、前記アライメントパターンの像を形成するために、前記アライメントパターンを第1の配向を有するダイポール照明で照明するステップと、を含み、前記アライメントパターンは、前記第1の配向を有する前記ダイポール照明の下では、前記第1の要素は前記アライメントマークを生成するために前記基板上で結像され、前記第2の要素は前記基板上で結像されないが、前記アライメントパターンが第2の配向を有するダイポール照明で照明される場合、前記第1の要素は前記基板上で結合されず、前記第2の要素が前記アライメントマークを生成するために前記基板上で結合される方法。前記第1の配向は、前記第2の配向と垂直である、請求項1に記載の方法。前記第1の要素及び前記第2の要素は、前記第1の要素及び前記第2の要素が第1の方向に交互の反復配列で配置された周期構造を有する、請求項1又は2に記載の方法。各第1の要素が、第1のサブピッチを有する第1の周期サブ構造を有し、前記第1の周期サブ構造が、複数の第1のサブライン及び複数の第1のサブスペースを備え、前記第1のサブライン及び第1のサブスペースが、第1のサブピッチ方向に交互の反復配列で配置され、前記第1のサブラインが、前記第1のサブピッチ方向と垂直の方向に前記パターニングデバイスに沿って延在し、各第2の要素が、第2のサブピッチを有する第2の周期サブ構造を有し、前記第2の周期サブ構造が、複数の第2のサブライン及び複数の第2のサブスペースを備え、前記第2のサブライン及び第2のサブスペースが、第2のサブピッチ方向に交互の反復配列で配置され、前記第2のサブラインが、前記第2のサブピッチ方向と垂直の方向に前記パターニングデバイスに沿って延在し、前記第1のサブピッチ方向と前記第2のサブピッチ方向とが異なる、請求項1から3のいずれかに記載の方法。前記第1のサブピッチ方向は、前記第2のサブピッチ方向と垂直である、請求項4に記載の方法。前記第1のサブピッチ方向は、前記第2の方向と平行である、請求項4に記載の方法。前記第1の周期サブ構造は、前記第1の配向を有する前記ダイポール照明の下で、前記アライメントマークを生成するために前記第1の要素が前記基板上に結像されるような大きさにされ、前記第2の周期サブ構造は、前記第1の配向を有する前記ダイポール照明の下で、前記第2の要素が前記基板上に結像されないような大きさにされる、請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の方法。前記第1の周期サブ構造は、前記アライメントパターンが前記第2の配向を有するダイポール照明で照明されると、前記第1の要素が基板上に結像されないような大きさにされ、前記第2の周期サブ構造は、前記第2の配向を有する前記ダイポール照明の下で、前記第2の要素が前記アライメントマークを生成するために前記基板上で結像されるような大きさにされる、請求項7に記載の方法。前記アライメントマークを生成するためにスペーサダブルパターニングを使用するステップをさらに含み、前記第1のサブピッチは、第1のサブラインのスペーサの幅と前記第1のサブラインのスペーサ間のギャップの幅との比率が50である前記第1の周期サブ構造のスペーサのデューティサイクルが結果として生じるように選択され、前記第2のサブピッチは、前記アライメントパターンが前記第2の配向を有するダイポール照明で照明されると、前記第2のサブラインのスペーサの幅と前記第2のサブラインのスペーサ間のギャップの幅との比率が50である前記第2の周期サブ構造のスペーサのデューティサイクルが結果として生じるように選択される、請求項8に記載の方法。基板上にアライメントマークを生成するためのパターニングデバイスであって、アライメントパターンを備え、前記アライメントパターンが、複数の第1の要素及び複数の第2の要素を備え、各第1の要素は、第1のサブピッチを有する第1の周期サブ構造を有し、前記第1の周期サブ構造が、複数の第1のサブライン及び複数の第1のサブスペースを備え、前記第1のサブライン及び第1のサブスペースが、第1のサブピッチ方向に交互の反復配列で配置され、前記第1のサブラインが、前記第1のサブピッチ方向と垂直の方向に前記パターニングデバイスに沿って延在し、各第2の要素は、第2のサブピッチを有する第2の周期サブ構造を有し、前記第2の周期サブ構造が、複数の第2のサブライン及び複数の第2のサブスペースを備え、前記第2のサブライン及び第2のサブスペースが、第2のサブピッチ方向に交互の反復配列で配置され、前記第2のサブラインが、前記第2のサブピッチ方向と垂直の方向に前記パターニングデバイスに沿って延在し、前記第1のサブピッチ方向と前記第2のサブピッチ方向とが異なり、前記第1の周期サブ構造は、前記アライメントパターンの像を形成するために、前記第1の配向を有するダイポール照明の下で、前記アライメントマークを生成するために前記第1の要素が前記基板上に結像されるような大きさにされ、前記第2の周期サブ構造は、前記第1の配向を有する前記ダイポール照明の下で、前記第2の要素が前記基板上に結像されないような大きさにされ、前記第1の周期サブ構造は、前記アライメントパターンの像を形成するために、第2の配向を有するダイポール照明の下で、前記第1の要素が基板上に結像されないような大きさにされ、前記第2の周期サブ構造は、前記第2の配向を有する前記ダイポール照明の下で、前記第2の要素が前記アライメントマークを生成するために前記基板上で結像されるような大きさにされるパターニングデバイス。前記第1のサブピッチは、前記アライメントマークを生成するためにスペーサダブルパターニングを使用する際に、第1のサブラインのスペーサの幅と前記第1のサブラインのスペーサ間のギャップの幅との比率が50である前記第1の周期サブ構造のスペーサのデューティサイクルが結果として生じるように選択され、前記第2のサブピッチは、前記アライメントパターンが前記第2の配向を有するダイポール照明で照明されると、前記アライメントマークを生成するためにスペーサダブルパターニングを使用する際に、前記第2のサブラインのスペーサの幅と前記第2のサブラインのスペーサ間のギャップの幅との比率が50である前記第2の周期サブ構造のスペーサのデューティサイクルが結果として生じるように選択される、請求項10に記載のパターニングデバイス。前記第1のサブピッチ方向が、前記第2のサブピッチ方向と垂直である、請求項10又は11に記載のパターニングデバイス。前記第1のサブピッチ方向が、前記第2の方向と平行である、請求項10又は11に記載のパターニングデバイス。基板上にアライメントマークを生成するためのリソグラフィ装置であって、アライメントパターンを備えるパターニングデバイスであって、前記アライメントパターンが、複数の第1の要素及び複数の第2の要素を備えるパターニングデバイスと、前記アライメントパターンの像を形成するために、前記アライメントパターンを第1の配向を有するダイポール照明で照明するように動作可能な照明システムと、を備え、前記アライメントパターンは、前記第1の配向を有する前記ダイポール照明の下では、前記第1の要素が前記アライメントマークを生成するために前記基板上で結像され、前記第2の要素は前記基板上で結像されないが、前記アライメントパターンが第2の配向を有するダイポール照明で照明される場合、前記第1の要素は前記基板上で結合されず、前記第2の要素が、前記アライメントマークを生成するために前記基板上で結合されるリソグラフィ装置。0013従来技術の問題のうちの少なくともいくつかを克服するアライメントマークを生成する方法を有することが望ましい。0014本発明の第1の態様によれば、基板上にアライメントマークを生成する方法であって、上記方法は、パターニングデバイス上にアライメントパターンを提供するステップであって、上記アライメントパターンが、複数の第1の要素及び複数の第2の要素を備えるステップと、上記アライメントパターンの像を形成するために、上記アライメントパターンを第1の配向を有するダイポール照明で照明するステップと、を含み、上記アライメントパターンは、上記第1の配向を有する上記ダイポール照明の下では、上記第1の要素は上記アライメントマークを生成するために上記基板上で結像され、上記第2の要素は上記基板上で結像されないが、上記アライメントパターンが第2の配向を有するダイポール照明で照明される場合、上記第1の要素は上記基板上で結合されず、上記第2の要素は上記アライメントマークを生成するために上記基板上で結合される方法が提供される。0015本発明の第2の態様によれば、基板上にアライメントマークを生成するためのパターニングデバイスであって、上記パターニングデバイスは、アライメントパターンを備え、上記アライメントパターンは、複数の第1の要素及び複数の第2の要素を備え、各第1の要素は、第1のサブピッチを有する第1の周期サブ構造を有し、上記第1の周期サブ構造は、複数の第1のサブライン及び複数の第1のサブスペースを備え、上記第1のサブライン及び第1のサブスペースは、第1のサブピッチ方向に交互の反復配列で配置され、上記第1のサブラインは、上記第1のサブピッチ方向と垂直の方向に上記パターニングデバイスに沿って延在し、各第2の要素は、第2のサブピッチを有する第2の周期サブ構造を有し、上記第2の周期サブ構造は、複数の第2のサブライン及び複数の第2のサブスペースを備え、上記第2のサブライン及び第2のサブスペースは、第2のサブピッチ方向に交互の反復配列で配置され、上記第2のサブラインは、上記第2のサブピッチ方向と垂直の方向に上記パターニングデバイスに沿って延在し、上記第1のサブピッチ方向と上記第2のサブピッチ方向とが異なり、上記第1の周期サブ構造は、上記アライメントパターンの像を形成するために、上記第1の配向を有するダイポール照明の下で、上記アライメントマークを生成するために上記第1の要素が上記基板上に結像されるような大きさにされ、上記第2の周期サブ構造は、上記第1の配向を有する上記ダイポール照明の下で、上記第2の要素が上記基板上に結像されないような大きさにされ、上記第1の周期サブ構造は、上記アライメントパターンの像を形成するために、第2の配向を有するダイポール照明の下で、上記第1の要素が基板上に結像されないような大きさにされ、上記第2の周期サブ構造は、上記第2の配向を有する上記ダイポール照明の下で、上記第2の要素が上記アライメントマークを生成するために上記基板上で結像されるような大きさにされるパターニングデバイスが提供される。0016本発明の第3の態様によれば、基板上にアライメントマークを生成するためのリソグラフィ装置であって、アライメントパターンを備えるパターニングデバイスであって、上記アライメントパターンが、複数の第1の要素及び複数の第2の要素を備えるパターニングデバイスと、上記アライメントパターンの像を形成するために、上記アライメントパターンを第1の配向を有するダイポール照明で照明するように動作可能な照明システムと、を備え、上記アライメントパターンが、上記第1の配向を有する上記ダイポール照明の下では、上記第1の要素は上記アライメントマークを生成するために上記基板上で結像され、上記第2の要素が上記基板上で結像されないが、上記アライメントパターンが第2の配向を有するダイポール照明で照明される場合、上記第1の要素は上記基板上で結合されず、上記第2の要素が、上記アライメントマークを生成するために上記基板上で結合されるリソグラフィ装置が提供される。0028図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、-放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを含む。0029照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0030支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0031本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0032パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0033本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0034本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0035リソグラフィ装置は2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル又は基板支持体及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0036リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えば投影システムと基板の間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。0037図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0038イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0039放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスMAによってパターニングされる。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けにより、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めできる。一般に、支持構造MTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Cの間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0040図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。00411.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00422.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。00433.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0044上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0045図2は、従来技術からのアライメントマークの断面図を示す。基板100上に、水平方向D1に交互の反復配列で配置された一連の平行ラインB及び一連のトレンチAを備える格子Gが配置される。トレンチの深さhは、垂直方向Zに沿って測られる。0046ラインB及びトレンチAは、水平方向D1及び垂直方向Zと直交する方向D2に沿って互いに平行に延在する。0047従来技術のアライメントマークは、1つのトレンチAの幅W1及び1つのラインBの幅W2に等しいマークピッチ又はマーク周期Pを有する。0048アライメント手順中、波長λを備える実質的に単色の放射ビームが格子上に衝突するために提供され、回折パターンを生成する。放射ビームは、レーザデバイスなどの任意の好適な光源によって生成される。回折パターンはセンサセンサデバイスによって検出され、測定済みパターンから格子Gの位置及び配向に関する情報を入手できる。従来技術では、ピッチPは、衝突する放射ビームの波長λよりも長くなるように選択される。0049トレンチAの幅W1と、アライメントマークのデューティサイクルとも呼ばれるラインBの幅W2との比率は、信号強度、すなわち、センサによって測定又は受信される時の回折光の強度に対する影響を有する。0050図3は、本発明の実施形態による、自己整合ダブルパターニング処理を使用してアライメントマークのサブセグメント化要素を生成する際のステップを示す。説明のために、22nmリソグラフィノードという数値例が使用されている。クロム線CRが、4x90nmピッチでレチクル上の格子302内に配置される。4x縮小スキャナを使用してウェーハ上に結像した後、格子304内のフォトレジスト線PRが基板上に結像される。フォトレジスト線は、サブセグメント化アライメントマークのライン要素内の垂直ラインである。これらは、45nmのラインCDLCD及び90nmのラインピッチLPを有する。フォトレジストトリミング、次にSADP処理のスペーサ堆積及びエッチングステップ後に、格子306内には、窒化物スペーサNSによって囲まれたライン幅23nmの非晶質炭素α-CテンプレートラインTが残る。最後に、テンプレートTが除去された後、格子308内には窒化物スペーサNSのみが残る。格子302から308は、縦スケールで示されていない。実際には、ラインは垂直に延在し、かなり大きなアスペクト比を与える。最終的な窒化物スペーサラインNSの水平ピッチPは45nmであり、ハーフピッチ1/2Pは22nmである。これにより、50のライン対スペースデューティサイクルが得られ、結果としてウェーハ品質WQが改善される。0051図4は、本発明の実施形態により提供されるサブセグメント化アライメントパターンを示す。アライメントパターンは、スキャナ又はステッパレチクルなどのパターニングデバイス上に提供される。これは、アライメントマーク上のサブセグメント化ラインL及びスペースSに対応する複数の第1の要素E1及び複数の第2の要素E2を備える。0052第1の要素E1及び第2の要素E2は、第1及び第2の要素が第1の方向D1に交互の反復配列で配置された周期構造を有する。各第1の要素E1は、第1のサブピッチLPを有する第1の周期サブ構造を有し、第1のサブピッチ方向S-PD1に交互の反復配列で配置された第1のサブラインSL1及び第1のサブスペースSS1を備える。第1のサブラインSL1は、第1のサブピッチ方向S-PD1と垂直方向に、レチクルの表面に沿って延在する。各第2の要素E2は、第2のサブピッチSPを有する第2の周期サブ構造を有し、第2のサブピッチ方向S-PD2に交互の反復配列で配置された第2のサブラインSL2及び第2のサブスペースSS2を備える。第2のサブラインSL2は、第2のサブピッチ方向S-PD2と垂直方向に、レチクルの表面に沿って延在する。第1のサブピッチ方向S-PD1は第2のサブピッチ方向S-PD2とは異なる。この実施形態では、第1のサブピッチ方向S-PD1は第2のサブピッチ方向S-PD2と垂直であり、第1のサブピッチ方向S-PD1は第1の方向D1と平行である。0053本発明の一実施形態では、サブセグメント化アライメントマークは、メモリデバイスフィーチャ製品と同じフィーチャサイズを有するような大きさにされ、32nmハーフピッチの場合、130nmのピッチ及び65nmのCDを有する。22nmハーフピッチの場合、サブセグメント化アライメントマークは、90nmのピッチ/45nmのCDを有する。したがって、SADP処理後、最大量のスペーサが生成される。その他の結果として、アライメントマークのフィーチャサイズが製品のフィーチャサイズと同じであるため、アライメントマークはプロセス最適化される。0054本発明の実施形態によりアライメントパターンが提供されると、結果として、露光後に、WQを高めるために重要な、ラインとスペースとの間に大きな屈折率デルタを有するための空きライン又はスペースが生じる。0055図5は、90nmピッチ及び45nmクリティカルディメンション並びにダイポールX照明設定を備えるアライメントマークの垂直ライン及び水平ラインのシミュレートしたコントラストCのグラフを示す。垂直ラインに関するシミュレートしたデータは、VP90垂直、ピッチ90nmとラベル表示される。水平ラインに関するシミュレートしたデータはHP90水平、ピッチ90nmとラベル表示される。平板ラインHP90で示されるように、水平ラインについてはコントラストがなく、これは水平ラインがまったく結像されないことを意味する。VP90とラベル表示された垂直ラインに関するシミュレートしたデータは、この照明によって垂直ラインが結像されることを予測するある範囲のコントラストを示す。結果として印刷されるアライメントマークは、パターンの垂直ラインは印刷されるが水平ラインは印刷されないことから、間に空きスペースを伴う垂直ラインのみから構成される。したがってマークパターンは、図6及び図7の608及び702で示されるように、製品様垂直マークとして印刷される。あるいは、ダイポールYが使用される場合、マークは、図8及び図9の808及び902で示されるように、製品様水平マークとして印刷される。これらのマークは、またそれぞれビット線又はワード線を両立させることもできる。0056図6は、本発明の実施形態による、ダイポールX照明設定及び自己整合ダブルパターニングプロセスを使用したXアライメントマークの生成を示す。0057また、図4に示すアライメントパターン602は、上記アライメントパターンの像を形成するために、第1の配向、ダイポールXを有するダイポール照明によって照明され、アライメントパターンは、アライメントマーク604を生成するために第1の要素図4にE1として示されるは基板上に結像されるが、第2の要素シミュレートしたデータに従って図5に示されるは基板上に結像されないように設計される。アライメントパターン602は、第2の配向、ダイポールYを有するダイポール照明によって照明されると、第1の要素は基板上に結像されず、第2の要素は図8のアライメントマーク804を生成するために基板上で結像される。この実施形態では、第1の配向、ダイポールXは、第2の配向、ダイポールYと垂直である。0058図6の結像されたアライメントマーク604は、図3に関して説明した自己整合ダブルパターニングプロセスで使用することができる。フォトレジスト格子604、テンプレート及び窒化物スペーサ構造606、並びに最終的なアライメントマーク608は、それぞれ、図3の構造304、306、及び308に対応する。0059アライメントパターン602で、ラインL内の第1の周期サブ構造は、ダイポールX照明のステップ時に、アライメントマーク604を生成するために第1の要素が基板上に結像されるような大きさにされ、スペースS内の第2の周期サブ構造は、照明ステップ時に第2の要素が基板上に結像されないような大きさにされる。0060さらに、ラインL内の第1の周期サブ構造は、アライメントパターンがダイポールY照明で照明されると、第1の要素が基板上に結像されないような大きさにされ、スペースS内の第2の周期サブ構造は、図8のアライメントマーク804を生成するために第2の要素が基板上に結像されるような大きさにされる。0061アライメントマークを生成するために自己整合ダブルパターニングを使用する場合、図4の第1のサブピッチLPが選択され、結果として、第1のサブラインのスペーサNSの幅1/2Pと、第1のサブラインのスペーサNS間のギャップの幅P-1/2Pとの比率が50であるスペーサNSのデューティサイクルが、第1の周期サブ構造内に生じる。第2のサブピッチSPは、アライメントパターンが第2の配向を有するダイポール照明で照明されると、第2のサブラインのスペーサの幅と、第2のサブラインのスペーサ間のギャップの幅との比率が50である第2の周期サブ構造のスペーサのデューティサイクルが生じるように選択される。0062したがって、マークのライン及びスペースの両方を所与の配向のダイポール照明で解像することはできないため、自己整合ダブルパターニングリソグラフィ後のアライメントマークが608に示される。図6に示されるように、ダイポールXを使用することで、結果として製品様垂直マーク608が生じる。0063図7は、本発明の実施形態による、ダイポールX照明設定及び自己整合ダブルパターニングプロセスを使用して生成されたX608及びY702のアライメントマークを示す。0064図8を参照すると、結像されたアライメントマーク804を、図3に関して説明した自己整合ダブルパターニングプロセスで使用することができる。フォトレジスト格子804、テンプレート及び窒化物スペーサ構造806、並びに最終的なアライメントマーク808は、それぞれ、図3の構造304、306、及び308に対応する。したがって、ダイポールYを使用することで製品様水平マーク808が生じる。0065図9は、本発明の実施形態により、ダイポールY照明設定及び自己整合ダブルパターニングプロセスを使用して生成されたX808及びY902の両方のアライメントマークを示す。0066したがって、本発明により提供されたアライメントパターンは、X及びYの両方のアライメントマークに関して、印刷適性の問題なしに、ダイポールX及びダイポールYの両方の極端照明設定向けに適切に印刷することができる。一例として、32nmノードのSADPにおける製品様垂直Xマーク608を挙げると、アライメントマークのスペースSは空であるが、ラインLは高密度の直線窒化物スペーサを含む。ラインとスペースとの相違は、屈折率デルタを挙げる意図で設計される。アライメント信号波がマークに沿って伝搬される間、このデルタによって反射率が上昇し、これはアライメント信号の強度を増強することができることを意味する。さらに、LP=130nm及びLCD=65nmであり、これは32nmノードの場合の、ほぼ最も微細な印刷可能なラインである。SADP処理後、マークは標準マークよりもかなり高い窒化物スペーサのパターン密度を維持し、これによって信号強度又はウェーハ品質、WQも増強することができる。本発明の実施形態により生成されるアライメントマークは、標準マークのWQR5及びG5で0.001未満と比較して、かなり良好なアライメント信号強度を示す。0067本発明の実施形態により、腐食、わん状変形、及び汚染などの処理上の問題を防ぐために、アライメントマーク内にさらに小さなフィーチャを生成してもよい。さらに、処理による損傷からアライメントマークを保護するためにアライメントマークの形状を維持するための特別な層を追加する必要もないことから、製造業者の製造工程で経費及び時間の両方を節約することができる。その上、アライメント信号の強度をさらに上げるために、追加のトポグラフィも生成することができる。例えば、PR/BARCフォトレジスト、底反射防止膜のコーティング後、アライメントマーク上部に粗いトポグラフィを作成することができ、これによってアライメント信号の強度をさらに増強することができる。0068図10は、本発明の実施形態による、自己整合ダブルパターニングSADPプロセスを使用するアライメントマークの生成、及びアライメントのためのその使用を示すフローチャートである。ステップ1002は、アライメントマークパターン1004に図4に示されるような第1及び第2のサブセグメント化された要素を提供することである。ステップ1006で、ダイポール照明配向を選択した後、ステップ1008でダイポールX照明を使用して、パターン1004を照明し、図6及び図7に示されるようにウェーハ上で第1の要素は結像するが、第2の要素は結像しない。あるいは、ステップ1006でダイポール照明配向を選択した後、ステップ1010でダイポールY照明を使用して、パターン1004を照明し、図8及び図9に示されるようにウェーハ上で第2の要素は結像するが、第1の要素は結像しない。いずれの場合も、その後、ステップ1012で自己整合ダブルパターニングプロセスを実行し、高いコントラスト及びウェーハ品質WQを有する製品様アライメントマーク1014、1016を生成することができる。その後、生成されたX及びYの製品様アライメントマーク1014及び1016は、リソグラフィプロセスにおけるアライメントステップ1018に使用される。0069この方法は、図1を参照しながら説明したパターニングデバイス及びリソグラフィ装置で実施してもよい。0070本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0071光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。0072本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線光EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0073レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0074以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。0075上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。