一方の表面に複数の表示電極対と、その上方に表面層が配設された第一基板が、前記表面側において放電空間を挟んで第二基板と対向配置され、前記第一基板および前記第二基板が封着されて前記放電空間に放電ガスが満たされたプラズマディスプレイパネルであって、前記表面層の前記放電空間に臨む第一領域には、CeO2及び11.8mol以上49.4mol以下の濃度のSrが含まれ、前記表面層における前記第一領域以外の第二領域には、CeO2及び第一領域よりも高濃度のSrが含まれているプラズマディスプレイパネル。前記第一領域のSr濃度が25.7mol以上42.9mol以下である請求項1記載のプラズマディスプレイパネル。前記表面層の前記放電空間側には、さらにMgO微粒子が配設されている請求項1又は2に記載のプラズマディスプレイパネル。前記MgO微粒子は、気相酸化法によって作製されたものである請求項3に記載のプラズマディスプレイパネル。前記MgO微粒子は、MgO前駆体を焼成して作製されたものである請求項3に記載のプラズマディスプレイパネル。前記第二基板には、前記第一基板との対向面に前記放電空間を区画する隔壁が形成され、前記表面層における前記第二領域は、前記隔壁と対向する領域の少なくとも一部に合わせて設けられている請求項1~5のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。しかしながら、上記したいずれの従来技術においても、実際にPDPの低電力駆動化を十分に達成しているとは言い難い。また、CeO2を含む保護膜は、表面安定性が悪いため、エージング時間がMgOよりも長時間になったり、放電電圧が上昇してしまうことも課題である。さらにPDPでは、放電遅れの問題が存在する。PDP等のディスプレイ分野では、映像ソースの高精細化が進展しており、高精細画像を表示するために走査電極走査線数が増加傾向にある。例えばフルスペックハイビジョンTVでは、NTSC方式のTVと比べて走査線の数が2倍以上になる。高精細なPDPで映像表示するためには、1フィールドのシーケンスを1/60[s]以内で高速駆動する必要がある。このためにはサブフィールド中の書込期間において、データ電極へ印加するパルスの幅を狭くする方法がある。しかしPDPの駆動時には、電圧パルスの立ち上がりから実際に放電セル内で放電発生するまでに放電遅れと呼ばれるタイムラグの問題がある。高速駆動のためにパルスの幅が短くなれば、放電遅れの影響が大きくなり、各パルスの幅内で放電終了できる確率が低くなる。その結果、画面に不灯セル点灯不良の放電セルが生じ、画像表示性能が損なわれる。特に、特許文献1のようにアモルファス構造の保護膜を備えるPDPでは、放電遅れを抑制する初期電子が放出しにくい状態にあるため、画質劣化が比較的大きな問題となりうる。このように現在のPDPでは、両立し難い幾つかの課題が存在するので、解決すべき余地が残されている。本発明は以上の各課題に鑑みてなされたものであって、第一の目的として、表面層保護膜を改良して二次電子放出特性と電荷保持特性を向上させることにより、良好な画像表示性能の発揮と低電力駆動を安定して実現することが可能なPDPを提供する。第二の目的として、上記各効果に加え、さらに駆動時の放電遅れの発生を防止して、高速駆動される高精細なPDPでも高品位な画像表示性能の発揮を期待することのできるPDPを提供する。上記目的を達成するために、本発明は、一方の表面に複数の表示電極対と、その上方に表面層が配設された第一基板が、前記表面側において放電空間を挟んで第二基板と対向配置され、前記第一基板および前記第二基板が封着されて前記放電空間に放電ガスが満たされたプラズマディスプレイパネルであって、前記表面層の前記放電空間に臨む第一領域には、CeO2及び11.8mol以上49.4mol以下の濃度のSrが含まれ、前記表面層における前記第一領域以外の第二領域には、CeO2及び第一領域よりも高濃度のSrが含まれている構成とした。ここで、前記第一領域のSr濃度は、さらに25.7mol以上42.9mol以下とするのが好適である。また、前記表面層の前記放電空間側には、さらにMgO微粒子を配設することもできる。ここで前記MgO微粒子は、気相酸化法で作製することができる。或いは、前記MgO微粒子は、MgO前駆体を焼成して作製することもできる。また、前記第二基板には、前記第一基板との対向面に前記放電空間を区画する隔壁が形成され、前記表面層における前記第二領域は、前記隔壁と対向する領域の少なくとも一部に合わせて設けられている構成とすることもできる。以上の構成を持つ本発明のPDPでは、表面層のうち放電空間に望む第一領域に、CeO2と、エージング時間を長時間化させない程度の所定濃度に調整されたSrを含む。これにより表面層の禁制帯中に、Srに起因する電子準位が形成される。従ってPDPの駆動時には、前記Srに起因する電子準位にトラップされた電子を利用して、いわゆるオージェ中性化の過程で取得する励起に使用可能なエネルギーを増大できる。この増大したエネルギーを利用することにより、表面層における二次電子放出特性を大幅に向上させることができる。さらに、本発明のPDPでは、表面層において、前記第一領域以外の領域として、CeO2と、前記第一領域より高濃度のSrを含む第二領域を設けている。この高濃度のSrを含ませることで、第二領域は第一領域よりもH2OやCO2などの不純ガスの吸着性が高くなる。このため、PDPの製造工程、または完成後のPDPの放電空間において、これらの成分を含む不純ガスが発生した場合たとえば表面層の第一領域から不純ガスが発生した場合、表面層の第二領域において不純ガスを効率よく吸着除去できる。これにより、放電空間に臨む表面層の第一領域は常に清浄な状態が保たれる。従って、比較的低い放電開始電圧で応答性良く放電開始を行うことができ、放電遅れを防止して、優れた画像表示性能を低電力駆動で発揮できるPDPが実現される。また、表面層において、Srに起因する電子準位は、真空準位から或程度の深さすなわち、エネルギー的に浅すぎない深さに形成される。従ってPDPでは、駆動時に保護膜から過度に電荷が消失することによる電荷抜けの発生が抑制されており、適切な電荷保持特性を発揮でき、経時的に良好な二次電子の放出が期待できる。なお、このような表面層において、その放電空間側の表面に、さらに気相酸化法や前駆体焼成法等で作製されたMgO微粒子からなる微粒子群を配設すれば、いっそう二次電子放出特性を向上させて放電遅れを抑制できるほか、放電開始時の初期電子放出特性が改善される。これにより、放電空間が小さい高精細セルで高速駆動されるPDPでも応答性よく放電を発生でき、放電空間内の豊富な電子を利用することで優れた画像表示性能が発揮され、放電遅れの問題と、放電遅れの温度依存性の問題とを改善できる。また、幅広い駆動温度の環境において、安定したPDPの駆動を行える。以下に、本発明の実施の形態及び実施例を説明するが、当然ながら本発明はこれらの形式に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。<実施の形態1>PDPの構成例図1は、本発明の実施の形態1に係るPDP1のxz平面に沿った模式的な断面図である。当該PDP1は保護膜8周辺の構成を除き、全体的には従来構成図12と同様である。PDP1は、ここでは42インチクラスのNTSC仕様例のAC型としているが、本発明は当然ながらXGAやSXGA等、この他の仕様例に適用してもよい。HDHighDefinition以上の解像度を有する高精細なPDPとしては、例えば、次の規格を例示できる。パネルサイズが37、42、50インチの各サイズの場合、同順に1024×720画素数、1024×768画素数、1366×768画素数に設定できる。そのほか、当該HDパネルよりもさらに高解像度のパネルを含めることができる。HD以上の解像度を有するパネルとしては、1920×1080画素数を備えるフルHDパネルを含めることができる。図1に示すように、PDP1の構成は互いに主面を対向させて配設された第1基板フロントパネル2および第二基板バックパネル9に大別される。フロントパネル2の基板となるフロントパネルガラス3には、その一方の主面に所定の放電ギャップ75μmをおいて配設された一対の表示電極対6走査電極5、維持電極4が複数対にわたり形成されている。各表示電極対6は、酸化インジウム錫ITO、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2等の透明導電性材料からなる帯状の透明電極51、41厚さ0.1μm、幅150μmに対して、Ag厚膜厚み2μm~10μm、Al薄膜厚み0。1μm~1μmまたはCr/Cu/Cr積層薄膜厚み0.1μm~1μm等からなるバスライン52、42厚さ7μm、幅95μmが積層されてなる。このバスライン52、42によって透明電極51、41のシート抵抗が下げられる。ここで、厚膜とは、導電性材料を含むペースト等を塗布した後に焼成して形成する各種厚膜法により形成される膜をいう。また、薄膜とは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子線蒸着法等を含む、真空プロセスを用いた各種薄膜法により形成される膜をいう。表示電極対6を配設したフロントパネルガラス3には、その主面全体にわたり、酸化鉛PbOまたは酸化ビスマスBi2O3または酸化燐PO4を主成分とする低融点ガラス厚み35μmの誘電体層7が、スクリーン印刷法等によって形成されている。誘電体層7は、AC型PDP特有の電流制限機能を有し、DC型PDPに比べて長寿命化を実現する要素になっている。誘電体層7の表面には、膜厚約1μmの保護膜表面層8が形成される。この保護膜8は、放電時のイオン衝撃から誘電体層7を保護し、放電開始電圧を低減させる目的で配され、耐スパッタ性及び二次電子放出係数γに優れる材料からなる。当該材料には、さらに良好な光学透明性、電気絶縁性が要求される。保護膜8は本発明の主たる特徴部分であり、放電空間15に臨む第一領域8aと、第一領域8a以外の第二領域8bとで構成されている。第一領域8aは、主成分であるCeO2に対し、Srが11.8mol以上49.4mol以下の濃度範囲で添加され、全体としてはCeO2の微結晶構造又は結晶構造の少なくともいずれかを保持した結晶性膜である。Ceは、後述するように保護膜8の禁制帯中に電子準位を形成するために添加される。Sr濃度としては、さらに25.7mol以上42.9mol以下であれば一層好適である。このようなSr元素の添加によって、第一領域8aでは良好な二次電子放出特性及び電荷保持特性が発揮され、PDP1の動作電圧主として放電開始電圧と放電維持電圧の低減による安定した低電力駆動を可能にしている。なお、Sr濃度が11.8molよりも相当に低濃度であると、第一領域8aの二次電子放出特性及び電荷保持特性が不十分となるうえ、エージングに長時間有してしまい好ましくない。またSr濃度が49.4molよりも相当に高濃度であると、保護膜8の結晶構造がCeO2のもつホタル石構造からアモルファス構造もしくはSrOのもつNaCl構造になり、CeO2のもつ表面安定性が悪化し、充分な二次電子放出特性が発揮できず、さらに表面汚染物を除去するためのエージング時間も長時間となる。従って、PDP1の良好な低電力駆動とエージング時間の低減を両立させるためのSr濃度として、上記した11.8mol以上49.4mol以下の濃度範囲は重要である。第一領域8aの構造については、線源をCuKα線とする薄膜X線解析測定において、純粋なCeO2と同等の位置にピークが確認できることから、少なくともCeO2と同様のホタル石構造を保持しているを確認できる。Srのイオン半径は、Ceのイオン半径とは相当に異なるため、第一領域8a中のSr濃度が高いSr添加量が多すぎると、CeO2ベースのホタル石構造が崩れてしまうが、本発明ではSr濃度を適切に調節することにより、第一領域8aの結晶構造ホタル石構造が保持されている。次に第二領域8bは、第一領域8aと同様に、主成分であるCeO2に対してSrが添加されてなる、CeとSrの複合酸化物で構成されているが、少なくともその表面のSr濃度が第一領域8aのSr濃度よりも高濃度に調整されている。具体的に第二領域8bのSr濃度としては、42.9molより多く70mol以下の範囲が好適である。このような高濃度のSr元素の添加によって、第二領域8bでは放電空間15中の不純ガスの吸着特性を発揮でき、特に、PDP1の駆動中における放電に直接関与する第一領域8aの領域の清浄性を保つ働きをする。これにより、結果としてPDP1の動作電圧を低減し、低電力駆動を可能にしている。なお、第二領域8bのSr濃度が第一領域8aのSr濃度よりも低いと、不純ガスの吸着性能は第一領域8aのほうが高くなってしまい、放電に主に関わる第一領域8aの清浄性が保たれなくなるため好ましくない。第一領域8aおよび第二領域8bの不純ガスに対する吸着性能差をより大きくし、第二領域8bで効果的に不純ガス吸着機能を働かせるため、少なくとも第二領域8bのSr濃度は42.9molよりも高くする。一方、Sr濃度が70mol以上になると吸着性が高すぎ、PDP1の製造工程前、もしくは工程中に吸着した不純物成分が放電空間15内に過剰に持ち込まれ、結果的に放電空間15内の清浄性を保持できずに放電電圧が低下しにくくなる。従って、PDP1の良好な低電圧駆動を実現するためには、第二領域8bのSr濃度を、第一領域8aのSr濃度よりも高く、より好ましくは42.9molより多く70mol以下であることが重要である。次に、保護膜8における第一領域8aと第二領域8bの配設位置を説明する。図2は保護膜8の模式的な正面図である。図1、図2に示すように、第一領域8aは、各放電セルに対応する位置において放電空間15に臨む位置に設ける。このため、図2に示すように、第一領域8aはXY方向にマトリクス状に複数にわたり形成される。一方、第二領域8bは、各第一領域8aを取り囲むように格子状に設けられている。なお、第二領域8bを設ける位置は、放電セルの発光領域以外の領域であり、後述する背面基板13の隔壁13の頂部と対向する領域の少なくとも一部以上とする。PDP1の隔壁13は図12に示す形状と同じであるため、パターン部1231、1232を備えている。ここでは一例として、第二領域8bはパターン部1231、1232と対向する位置に合わせて格子状に設けている。この場合、本発明では、第二領域8bはパターン部1231、1232のいずれかのみに設けてもよい。次に、バックパネル9の基板となるバックパネルガラス10には、その一方の主面に、Ag厚膜厚み2μm~10μm、Al薄膜厚み0.1μm~1μmまたはCr/Cu/Cr積層薄膜厚み0.1μm~1μm等のいずれかからなるデータ電極11が、幅100μmで、x方向を長手方向としてy方向に一定間隔毎360μmでストライプ状に並設される。そして、各々のデータ電極11を内包するように、バックパネルガラス9の全面にわたって、厚さ30μmの誘電体層12が配設されている。誘電体層12の上には、さらに隣接するデータ電極11の間隙に合わせて、図12と同様のパターン部1231、1232を持つ井桁状の隔壁13高さ約110μm、幅40μmが配設され、放電セルが区画されることで誤放電や光学的クロストークの発生を防ぐ役割をしている。隣接する2つの隔壁13の側面とその間の誘電体層12の面上には、カラー表示のための赤色R、緑色G、青色Bの各々に対応する蛍光体層14が形成されている。なお、誘電体層12は必須ではなく、データ電極11を直接蛍光体層14で内包するようにしてもよい。フロントパネル2とバックパネル9は、データ電極11と表示電極対6の互いの長手方向が直交するように対向配置され、両パネル2、9の外周縁部がガラスフリットで封着されている。この両パネル2、9間の放電空間15にはHe、Xe、Ne等を含む不活性ガス成分からなる放電ガスが所定圧力で封入される。なお、隣り合う一対の表示電極対6と1本のデータ電極11が放電空間15を挟んで交叉する領域が、画像表示にかかる放電セルサブピクセルとも言うに対応する。放電セルピッチはx方向が675μm、y方向が300μmである。隣り合うRGBの各色に対応する3つの放電セルで1画素675μm×900μmが構成される。走査電極5、維持電極4及びデータ電極11の各々には、図3に示すようにパネル外部において、駆動回路として走査電極ドライバ111、維持電極ドライバ112、データ電極ドライバ113が接続される。PDPの駆動例上記構成のPDP1は、駆動時には各ドライバ111~113を含む公知の駆動回路不図示によって、各表示電極対6の間隙に数十kHz~数百kHzのAC電圧が印加される。これにより任意の放電セル内で放電が発生し、主として励起Xe原子による波長147nm主体の共鳴線と励起Xe分子による波長172nm主体の分子線を含む紫外線図1の点線及び矢印が蛍光体層14に照射される。蛍光体層14は励起されて可視光発光する。そして当該可視光はフロントパネル2を透過して前面に発光される。この駆動方法の一例としては、フィールド内時分割階調表示方式が採られる。当該方式は、表示するフィールドを複数のサブフィールドS.F.に分け、各サブフィールドをさらに複数の期間に分ける。1サブフィールドは更に、1全放電セルを初期化状態にする初期化期間、2各放電セルをアドレスし、各放電セルへ入力データに対応した表示状態を選択入力していく書込期間、3表示状態にある放電セルを表示発光させる維持期間、4維持放電により形成された壁電荷を消去する消去期間という4つの期間に分割されてなる。各サブフィールドでは、初期化期間で画面全体の壁電荷を初期化パルスでリセットした後、書込期間で点灯すべき放電セルのみに壁電荷を蓄積させる書込放電を行い、その後の放電維持期間ですべての放電セルに対して一斉に交流電圧維持電圧を印加することによって一定時間放電維持することで発光表示する。ここで図4は、フィールド中の第m番目のサブフィールドにおける駆動波形例である。図4が示すように、各サブフィールドには、初期化期間、書込期間、放電維持期間、消去期間がそれぞれ割り当てられる。初期化期間とは、それ以前の放電セルの点灯による影響蓄積された壁電荷による影響を防ぐため、画面全体の壁電荷の消去初期化放電を行う期間である。図4に示す駆動波形例では、走査電極5にデータ電極11および維持電極4に比べて高い電圧初期化パルスを印加し放電セル内の気体を放電させる。それによって発生した電荷はデータ電極11、走査電極5および維持電極4間の電位差を打ち消すように放電セルの壁面に蓄積されるので、走査電極5付近の保護膜8表面には負の電荷が壁電荷として蓄積される。またデータ電極11付近の蛍光体層14表面および維持電極4付近の保護膜8表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。この壁電荷により、走査電極5―データ電極11間、走査電極5―維持電極4間に所定の値の壁電位が生じる。書込期間は、サブフィールドに分割された画像信号に基づいて選択された放電セルのアドレッシング点灯/不点灯の設定を行う期間である。当該期間では、放電セルを点灯させる場合には走査電極5にデータ電極11および維持電極4に比べ低い電圧走査パルスを印加させる。すなわち、走査電極5―データ電極11には前記壁電位と同方向に電圧を印加させると共に走査電極5―維持電極4間に壁電位と同方向にデータパルスを印加させ、書込放電アドレス放電を生じさせる。これにより蛍光体層14表面、維持電極4付近の保護膜8表面には負の電荷が蓄積され、走査電極5付近の保護膜8表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。以上で維持電極4―走査電極5間には所定の値の壁電位が生じる。放電維持期間は、階調に応じた輝度を確保するために、書込放電により設定された点灯状態を拡大して放電維持する期間である。ここでは、上記壁電荷が存在する放電セルで、一対の走査電極5および維持電極4の各々に維持放電のための電圧パルス例えば約200Vの矩形波電圧を互いに異なる位相で印加する。これにより表示状態が書き込まれた放電セルに対し電圧極性の変化毎にパルス放電を発生せしめる。この維持放電により、放電空間における励起Xe原子からは147nmの共鳴線が放射され、励起Xe分子からは173nm主体の分子線が放射される。この共鳴線分子線が蛍光体層14表面に照射され、可視光発光による表示発光がなされる。そして、RGB各色のサブフィールド単位の組み合わせにより、多色多階調表示がなされる。なお、保護膜8に壁電荷が書き込まれていない非放電セルでは、維持放電が発生せず表示状態は黒表示となる。消去期間では、走査電極5に漸減型の消去パルスを印加し、これによって壁電荷を消去させる。放電電圧の減少について以上の構成を持つ本実施の形態1のPDP1が従来に比べて低電圧で駆動できる理由について述べる。PDPの放電電圧は、保護膜から電子放出される程度電子放出特性で決まる。保護膜の電子放出としては、放電ガスであるネオンやキセノンが駆動時に励起され、そのオージェ効果によるエネルギーを受けて、保護膜から二次電子が放出される過程が支配的である。図5は、CeO2保護膜の電子準位を示す模式図である。当図に示すように、保護膜の電子放出に大きく関与するのが価電子帯近傍の電子である。放電ガスにイオン化エネルギーの比較的高いネオンNeを用いる場合、駆動時にネオンが励起されると、その基底状態に電子が落ち込む図中右端の電子。このときのエネルギー21.6eVをオージェ効果によって、保護膜である酸化マグネシウムの価電子帯の電子が受け取る。この過程においてやりとりされるエネルギー量21.6eVは、価電子帯の電子が二次電子として放出されるには充分な量である。しかし、放電ガスにイオン化エネルギーの比較的低いキセノンを用いる場合、駆動時にキセノンの電子が励起され、その基底状態に電子が落込む場合において、上記したNeと同様のプロセスで価電子帯の電子がオージェ効果で受け取るエネルギー量12.1eVは、電子放出をするには充分とは言えない。このため、放電する確率が非常に低くなる。その結果として、放電ガス中のキセノン濃度が上昇すると動作電圧が顕著に増加する。これは、放電ガスにキセノンを多く使用する場合に大きな問題となる。一般にCeO2を用いた保護膜では、図5に示すように、CeO2の禁制帯中にオージェ効果の作用を良好に受けることのできるCe4fと考えられる電子準位が形成される。これにより、オージェ中性化の過程で取得する励起に使用されるエネルギーが増えるので、二次電子放出をする確率が上昇し、結果として、豊富な二次電子を放電空間15で利用することができる。このため、CeO2を保護膜とするPDPでは動作電圧が低減される。しかし、このCe4fと考えられる電子準位存在する電子の数は価電子帯の電子の数と比較すると非常に少なく、また、安定な電子準位ではないため、放電電圧の低減が不十分であると同時に長時間の安定放電が確保し難い。そこで実施の形態1の保護膜8ではCeO2にSrを添加する。保護膜8の第一領域8aについては、Sr濃度SrとCeの合計モル数に対するSrモル数の割合が11.8mol以上49.4mol以下となるように制御することで、更なる低電圧放電を実現している。実施の形態1の保護膜8では、第一領域8a、第二領域8bのいずれにおいても、CeO2に所定量のSrをそれぞれ添加する。これにより図6に示すように、Ce4fの禁制帯中に不純物準位を作るだけでなく、価電子帯を図6中のbからaに押し上げている。これにより保護膜8では、オージェ中性化の過程で取得する励起に必要なエネルギーを増大でき、二次電子の放出確率が上昇するので、効率的に放電電圧を低減させることができる。この場合、オージェ中性化に関与する電子が不純物準位に存在するものではなく、多量の電子を有する価電子帯からのオージェ中和であるため、安定した二次電子放出特性が得られる。なお、発明者らの実験により、二次電子放出特性を高めるSrの添加量として、特に25.7mol以上42.9mol以下に制御することが好ましいことが分かっている。<実施の形態2>本発明の実施の形態2について、実施の形態1との差異を中心に説明する。図7は、実施の形態2に係るPDP1aの構成を示す断面図である。PDP1aは、基本構造はPDP1と同様であるが、放電空間15に臨む保護膜8の表面に、初期電子放出特性が高いMgO微粒子16を分散して配設した点が異なる。MgO微粒子16の分散密度は、Z方向から放電セル中の保護膜8を平面視したときに、保護膜8が直に見えないように設定できるが、これに限定されない。また、MgO微粒子16の配設位置も限定されず、例えば第一領域8a及び第二領域8bの両方のほか、第一領域8aのみに設けても良いし、第一領域8a中で部分的に設けても良い。具体的には表示電極対6に対応する位置にのみ設けることもできる。なお図7では説明のため、保護膜8上に配設されているMgO微粒子16を実際よりも大きく、模式的に表している。MgO微粒子16は、気相法或いは前駆体焼成法のいずれで作製してもよい。しかしながら、後述する前駆体焼成法で作製すれば、特に性能の良いMgO微粒子16が得られることが実験で分かっている。このような構成を有するPDP1aによれば、互いに機能分離された保護膜8及びMgO微粒子16が有する特性が相乗的に発揮される。すなわち、駆動時にはPDP1と同様に、Srを11.8mol以上49.4mol以下の濃度で添加した第一領域8aによって、二次電子放出特性が向上されて動作電圧の低減が図られ、低電力駆動が実現される。また、電荷保持特性の向上によって、駆動中、前記した二次電子放出特性が経時的に安定して持続される。一方、PDP1aでは、さらにMgO微粒子16の配設によって初期電子放出特性が向上されている。これにより放電応答性が飛躍的に改善され、放電遅れ及び放電遅れの温度依存性に係る問題を低減できる。この効果は特に、PDP1aを高精細型とし、幅の短いパルスで高速駆動する構成とする場合に、優れた画像表示性能を獲得する上で有効となる。さらにMgO微粒子16を配設することで、放電空間15から保護膜8の表面に不純物が直接付着するのを防止でき、さらなるPDPのライフ特性の向上が期待できる。また、第二領域8bの配設によっても、放電空間15中のH2OやCO2等の不純ガスが吸着除去され、第一領域8aを清浄に保つことができる。このためPDP1と同様に、優れた放電特性を長期にわたり期待できるようになっている。MgO微粒子16についてPDP1aに設けたMgO微粒子16は、本願発明者の行った実験により、主として書込放電における放電遅れを抑制する効果と、放電遅れの温度依存性を改善する効果があることが確認されている。従って本実施の形態2では、MgO微粒子16が保護膜8に比べて高度な初期電子放出特性に優れる性質を利用して、保護膜8の表面に駆動時の初期電子放出部として配設したものである。放電遅れは、放電開始時において、トリガーとなる初期電子が保護膜8表面から放電空間15中に放出される量が不足することが主原因と考えられる。そこで、放電空間15に対する初期電子放出性に有効に寄与するため、保護膜8よりも初期電子放出量の極めて大きいMgO微粒子16を保護膜8の表面に分散配置した。これによって、アドレス期間で必要な初期電子が、MgO微粒子16から大量に放出されるようになり、放電遅れの解消が図られる。このような初期電子放出特性を得ることで、PDP1aは高精細の場合等においても放電応答性の良い高速駆動ができるようになっている。さらに、保護膜8の表面にこのようなMgO微粒子16を配設する構成として、主として書込放電における放電遅れを抑制する効果に加え、放電遅れの温度依存性を改善する効果も得られることも分かっている。以上のようにPDP1aでは、低電力駆動化と二次電子放出特性、電荷保持特性等の各効果を奏する保護膜8と、放電遅れ及びその温度依存性の抑制効果を奏するMgO微粒子16とを用いることによって、PDP1全体として、高精細な放電セルを有する場合でも高速駆動を低電圧で駆動でき、且つ、不灯セルの発生を抑制した高品位な画像表示性能が期待できる。さらに、MgO微粒子16は、保護膜8の表面に積層して設けられることにより、当該保護膜8に対する一定の保護効果も有する。すなわち、保護膜8は高い二次電子放出係数を有し、PDPの低電力駆動を可能にする反面、水や二酸化炭素、炭化水素などの不純物の吸着性が比較的高い性質がある。不純物の吸着が起きると、二次電子放出特性等、放電の初期特性が損なわれる。そこで、このような保護膜8をMgO微粒子16で被覆すれば、その被覆領域において、放電空間15から保護膜8の表面に不純物が付着するのを防止できる。これによりPDP1aのライフ特性についても向上が期待できる。<PDPの製造方法>次に、上記各実施の形態におけるPDP1及び1aの製造方法について例示する。PDP1と1aとの違いは、MgO微粒子16の有無のみであり、その他の製造工程については共通する。バックパネルの作製厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるバックパネルガラス10の表面上に、スクリーン印刷法によりAgを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ数μm例えば約5μmのデータ電極を形成する。データ電極11の電極材料としては、Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等の金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせ、あるいはそれらを積層して形成される積層電極も必要に応じて使用できる。ここで、作製予定のPDP1を40インチクラスのNTSC規格もしくはVGA規格とするためには、隣り合う2つのデータ電極の間隔を0.4mm程度以下に設定する。続いて、データ電極11を形成したバックパネルガラス10の面全体にわたって鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやSiO2材料からなるガラスペーストを厚さ約20~30μmで塗布して焼成し、誘電体層12を形成する。次に、誘電体層12面上に所定のパターンで隔壁13を形成する。低融点ガラス材料ペーストを塗布し、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法を用い、隣接放電セル図示省略との境界周囲を仕切るように、放電セルの複数個の配列を行および列を仕切る井桁形状のパターン図12を参照で形成する。隔壁13が形成できたら、隔壁13の壁面と、隔壁13間で露出している誘電体層12の表面に、AC型PDPで通常使用される赤色R蛍光体、緑色G蛍光体、青色B蛍光体のいずれかを含む蛍光インクを塗布する。これを乾燥焼成し、それぞれ蛍光体層14とする。適用可能なRGB各色蛍光の化学組成例は以下の通りである。赤色蛍光体;Y、GdBO3:Eu緑色蛍光体;Zn2SiO4:Mn青色蛍光体;BaMgAl10O17:Eu各蛍光体材料の形態は、平均粒径2.0μmの粉末が好適である。これをサーバー内に50質量の割合で入れ、エチルセルローズ1.0質量、溶剤αターピネオール49質量を投入し、サンドミルで撹拌混合して、15×103Pasの蛍光体インクを作製する。そして、これをポンプにて径60μmのノズルから隔壁13間に噴射させて塗布する。このとき、パネルを隔壁20の長手方向に移動させ、ストライプ状に蛍光体インクを塗布する。その後は500°Cで10分間焼成し、蛍光体層14を形成する。以上でバックパネル9が完成される。フロントパネル2の作製厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるフロントパネルガラス3の面上に、表示電極対6を作製する。ここでは印刷法によって表示電極対6を形成する例を示すが、これ以外にもダイコート法、ブレードコート法等で形成することができる。まず、ITO、SnO2、ZnO等の透明電極材料を最終厚み約100nmで、ストライプ等の所定のパターンでフロントパネルガラス上に塗布し、乾燥させる。これにより透明電極41、51が作製される。一方、Ag粉末と有機ビヒクルに感光性樹脂光分解性樹脂を混合してなる感光性ペーストを調整し、これを前記透明電極41、51の上に重ねて塗布し、形成する表示電極のパターンを有するマスクで覆う。そして、当該マスク上から露光し、現像工程を経て、590~600°C程度の焼成温度で焼成する。これにより透明電極41、51上に最終厚みが数μmのバスライン42、52が形成され、表示電極対6が形成される。このフォトマスク法によれば、従来は100μmの線幅が限界とされていたスクリーン印刷法に比べ、30μm程度の線幅までバスライン42、52を細線化することが可能である。バスライン42、52の金属材料としては、Agの他にPt、Au、Al、Ni、Cr、また酸化錫、酸化インジウム等を用いることができる。バスライン42、52は上記方法以外にも、蒸着法、スパッタリング法などで電極材料を成膜したのち、エッチング処理して形成することも可能である。次に、形成した表示電極対6の上から、軟化点が550°C~600°Cの鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやSiO2材料粉末とブチルカルビトールアセテート等からなる有機バインダーを混合したペーストを塗布する。そして550°C~650°C程度で焼成し、最終厚みが膜厚数μm~数十μmの誘電体層7を形成する。保護膜8の形成次に誘電体層7の表面に対し、実施の形態1又は2のPDP1又はPDP1aの保護膜8を、それぞれ以下のいずれかのステップで形成する。まず、保護膜8の第一領域8a、第二領域8bに共通する第一の形成方法として、電子ビーム蒸着法で形成する場合を説明する。第一の形成方法蒸着源用ペレットを準備する。当該ベレットの作製方法としては、まずCeO2粉末とアルカリ土類金属元素の炭酸化物である炭酸Sr粉末とを混合し、この混合粉末を金型に入れて加圧成型する。その後、これをアルミナルツボに入れ、大気中で1400°C程度の温度で以て約30分間の焼成することで焼結体ペレットを得る。Sr濃度の調整は、アルミナルツボに入れる混合粉末を得る段階で、CeO2と炭酸Srの混合比率を調節することにより行う。上記混合比率を調整することで、第一領域用または第二領域用の焼結体ペレットを得る。この焼結体ペレットを電子ビーム蒸着装置の蒸着ルツボに入れ、これを蒸着源とする。次に成膜対象の誘電体層7の表面の所定領域に対し、CeO2に所定濃度のSr第一領域の場合は最終的に11.8mol以上49.4mol以下、第二領域の場合は最終的に49.4molより多く70.0mol以下を含む膜を順次成膜する。これにより、PDP1の保護膜8が完成する。なお、保護膜8の成膜方法は、上記した電子ビーム蒸着法だけでなく、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法も同様に適用できる。次に保護膜8の第一領域8aと第二領域8bを形成する別の方法を説明する。第二の形成方法まず誘電体層7の表面に、上記電子ビーム蒸着法等に基づき、Sr濃度が11.8mol以上49.4mol以下の割合となるように、CeO2とSrOを含む膜を一様に形成する。その後、当該膜を酸素雰囲気下で300°C以上の加熱を行う。これにより膜表面にSrが偏析し、膜全体のSr濃度より、表面のSr濃度のほうが高くなる。ここで図8に、Sr濃度が36である膜について、大気中で450°Cの熱処理を施したサンプルの表面から深さ方向に対するSr濃度を、XPSにより測定した結果を示す。図のように、表面から約10nm程度の深さから表面にかけて、Sr濃度が上昇していることが分かる。次に、上記作製された、Srの濃度勾配を持った膜のうち、第一領域8aに相当する領域の表面を10nm以上エッチングする。これによりエッチング領域には、元の濃度である低Sr濃度の層が露出する。これらの工程を経ることで、第一領域8aと第二領域8bのSr濃度の異なる領域を作製することが可能となる。具体的には、誘電体7の表面に対し、Sr濃度が11.8mol以上49.4molとなるCeSrO膜を一様に成膜する。その後、酸素雰囲気下で300°C以上の熱処理を3分以上行う。次に、放電空間15に臨む領域放電領域に該当する領域をエッチングするために、作製中のフロントパネル2側のみをArで満たされた空間内に配置する。その後、走査電極5と維持電極4にそれぞれ交流のバイアスをかけて放電させ、前記形成した膜表面を、部分的に10nm以上エッチングさせる。この放電エッチングを経ることで、放電空間15に臨む領域放電領域に該当する領域のみが11.8mol以上49.4molのSr濃度となり、その他の領域は放電領域よりもSr濃度が高い状態となる。これにより、第一領域8a及び第二領域8bを備える、保護膜8が得られる。尚、前記膜をエッチングさせる方法は、上記方法だけに限定されず、放電領域よりもその他の領域のSr濃度を高くできる方法であれば、例えばマスクを用いた全面スパッタや、湿式エッチングなどの製造方法であっても良い。次に、PDP1aを製造する場合には、MgO微粒子16を作製し、これを保護膜8上に配設する。MgO微粒子16は、以下に示す気相合成法または前駆体焼成法のいずれかで製造することができる。[気相合成法]マグネシウム金属材料純度99.9を、不活性ガスが満たされた雰囲気下で加熱する。この加熱状態を維持しつつ、雰囲気に酸素を少量導入し、マグネシウムを直接酸化させることによりMgO微粒子16を作製する。[前駆体焼成法]次に例示するMgO前駆体を高温例えば700°C以上で均一に焼成し、これを徐冷してMgO微粒子を得る。MgO前駆体としては、例えばマグネシウムアルコキシドMgOR2、マグネシウムアセチルアセトンMgacac2、水酸化マグネシウムMgOH2、炭酸マグネシウム、塩化マグネシウムMgCl2、硫酸マグネシウムMgSO4、硝酸マグネシウムMgNO32、シュウ酸マグネシウムMgC2O4、の内のいずれか一種以上2種以上を混合して用いてもよいを選ぶことができる。なお選択した化合物によっては、通常、水和物の形態を取ることもあるが、このような水和物を用いてもよい。MgO前駆体となるマグネシウム化合物は、焼成後に得られるMgOの純度が99.95以上、最適値として99.98以上になるように調整する。これはマグネシウム化合物に、各種アルカリ金属、B、Si、Fe、Al等の不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結を生じ、高結晶性のMgO微粒子を得にくいためである。このため、不純物元素を除去する等により予め前駆体を調整する。上記何れかの方法で得られたMgO微粒子16を、溶媒に分散させる。そして当該分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法に基づき、保護膜8の表面に分散散布させる。その後は乾燥焼成工程を経て溶媒除去を図り、微粒子を保護膜8の表面に定着させる。PDPの完成作製したフロントパネル2とバックパネル9を、封着用ガラスを用いて貼り合わせる。その後、放電空間15の内部を高真空1.0×104Pa程度に排気し、これに所定の圧力ここでは66.5kPa~101kPaでNeXe系やHeNeXe系、NeXeAr系等の放電ガスを封入する。以上の各工程を経ることにより、PDP1又は1aが完成する。なお上記方法例ではフロントパネルガラス3およびバックパネルガラス10をソーダライムガラスからなるものとしたが、これは材料の一例として挙げたものであって、これ以外の材料で構成してもよい。性能確認実験続いて、本発明のPDPの性能を確認するべく、保護膜の構成が異なる以下のサンプル1~20のPDPを用意した。製造方法は、基本的に上記PDP1、1aの製造方法に基づいた。[サンプルについて]CeO2を主体とする表面層保護膜中のSr量を表す方法として、Sr/SrCe100で表される原子数の割合以下XSrと表記を用いた。また以後、第一領域の前記原子数の割合をXSr、第二領域の原子数の割合をXSr’と表記する。なお、このXSr、XSr’の単位は、数値はそのままでまたはmolのいずれでも表記することができるが、便宜上、以下はmolで表す。表1中、サンプル1、2及び14~20比較例1~9は、基本構造はPDP1と同じであるが、本発明に対する比較例である。サンプル1、2比較例1、2は、XSrがそれぞれ本発明規定値以下の、1.6、8.4である。サンプル14については、XSrは規定値内の40.2だが、XSr’がXSrよりも小さい30.3である。サンプル15~20に関しては、同順にXSrが本発明規定値以上の、54.9、63.9、90.1、98.7、99.7、100である。一方、サンプル3~12実施例1~10は、実施の形態1のPDP1に相当し、サンプル13実施例11は実施の形態2のPDP1aに相当する。サンプル3~12実施例1~10は、XSrがそれぞれ同順に、11.8、15.7、22.7、25.7、29.0、34.2、40.0、42.1、42.9、49.4で、XSr’がそれぞれ、32.0、36.9、43.9、48.9、53.2、59.4、66.2、69.5、63.1、72.6のPDP1である。サンプル13実施例11は、XSrが35.1、XSr’が60.1であり、且つ、保護膜8の表面に対し、前駆体焼成法にて作製したMgO微粒子16を配設したPDP1aである。各サンプル1~20の保護膜の構成と、これらを用いて得られた実験データを、以下の表1に示す。[実験1]放電特性評価放電電圧上記用意した表1の各サンプル1~20について、Xe分圧が15のXeNe混合ガスを放電ガスとして用い、放電維持電圧の測定を行った。図9は上記条件で測定を行った膜中のXSrに対する放電電圧放電維持電圧の挙動をプロットしたものである。表1に放電電圧放電維持電圧の測定結果を示す。図9及び表1に示すように、XSrを11.8mol以上49.4mol以下に設定すると、もともと175V程度であった放電維持電圧がさらに160V以下まで下がるため、低電力駆動化が促進されることが分かった。さらにXSrが25.7mol以上42.9mol以下の範囲では、放電電圧が150V程度にまで減少するので、一層の低電力駆動が可能であると考えられる。このような結果が得られた理由として、保護膜にSrを添加することで、保護膜の価電子帯の位置が押し上げられ、その結果、保護膜の二次電子放出特性が向上したためと考えられる。一方、XSrが49.4molを超えると、逆に放電電圧が上昇することが確認できる。これは保護膜がSrOを主体する構成になってしまい、前述したように製造工程で不要なSrOH2等が形成され、保護膜が汚染されて二次電子放出特性が損なわれるためであると考えられる。これらの結果を総合すると、保護膜に含有させるSr量が多すぎても望ましくなく、適度な濃度範囲があることが分かる。また、XSrが11.8以上49.4以下であっても、表1のサンプル12のように、XSr’がXSrより大きい値をとると、放電電圧は175Vと充分な電圧低減が見られない。これは第二領域のSr濃度が第一領域のSr濃度よりも低いため、不純ガス成分を第一領域が優先的に吸着してしまい、第一領域の炭酸化が進行し、二次電子放出係数が低下したためである。したがって、良好な性能を得るためには、XSr<XSr’の関係が成立していることが重要である。エージング挙動次に、図10及び表1に各サンプル1~20の各PDPのエージング時間のXSr依存性を示す。ここで言うエージング時間とは、放電電圧が飽和する時間であって、電圧が落ち込むボトム電圧よりも5高い電圧に達するまでの時間を指す。図10から、XSrが実施例1~10に相当する範囲11.8mol以上49.4mol以下では、CeO2単体からなる保護膜を用いた場合に240分程度かかっていたエージング時間が120分以下で終了することが分かる。さらに、このうちXSrが25.7mol以上42.9mol以下の範囲実施例4~9には、エージング時間は20分程度まで低減することができ、好適である。これは、CeO2では、禁制帯での電子準位からの電子放出が安定に生じるまでの時間が長くかかるのに対して、SrをXSrが11.8mol以上49.4mol以下、特に25.7mol以上42.9mol以下の範囲で添加することにより、保護膜の二次電子放出が禁制帯中の電子準位中の電子で支配されるのではなく、安定な価電子帯の電子で支配されるため、エージングの時間も早くなったものと考えられる。図10及び表1に示される結果より、エージング時間の観点においても添加するSrの濃度は、XSrが25.7molmol以上42.9molmol以下であることが好ましいと言える。放電遅れの測定次に、上記と同様の放電ガスを用い、且つ、保護膜上にMgO微粒子を配設したサンプル13実施例11について、書き込み放電における放電遅れの程度を評価した。その評価方法としては、すべての各サンプル1~20をそれぞれ用いたPDPにおける任意の1セルに対し、図4に示す駆動波形例の初期化パルスに相当するパルスを印加し、その後、データパルス及び走査パルスを印加したときに生じる統計遅れを測定した。その結果、MgO微粒子を配設させたサンプル13実施例11においては、これ以外のサンプル1~12、14~20に比べて放電遅れが効果的に減少していることが分かった。このようにPDPにおける放電遅れ防止の効果は、MgO微粒子を配設することでさらに高まるが、その効果は気相法で作製したMgO微粒子よりも前駆体焼成法で作製したMgO微粒子を使用した方が大きい。したがって、前駆体焼成法は本発明に好適なMgO微粒子の作製方法であると言える。以上のサンプル13実施例11の実験データが示すように、所定のSr濃度を有する保護膜の表面にMgO微粒子を分散すれば、低電力駆動を実現し、且つ、放電遅れも小さいPDPが得られることが分かった。[実験2]表面安定性の評価一般に、保護膜中に含まれる炭酸化物が多いと、保護膜本来の二次電子放出特性が得られず、結果として動作電圧が上がってしまう。これを回避するためには出荷前のPDPを一定時間放電させ、保護膜の汚染物を除去するエージング工程が必要となる。エージング工程はPDPの生産性を考慮すると、短時間で終了することが望まれるため、予めエージング工程前に保護膜中の炭酸化物量を可能な限り抑えておくことが好ましい。そこで実験2として、MgOからなる保護膜に不純物の炭酸化物を含有させた場合の各サンプルについて、保護膜表面の安定性を調べた。その方法として、保護膜表面に含まれる炭酸化量をX線光電子分光法XPSに基づいて測定した。各サンプルの保護膜は、成膜後一定期間、大気中に曝露処理し、測定用のプレートに配置させ、XPS測定チャンバーに投入した。大気中に曝している間は常に膜表面の炭酸化反応が進行していると予想されるので、サンプル間の処理条件を揃えるため、上記セッティングに要する大気曝露時間を5分に設定した。XPS測定装置には、ULVACPHI社製のQUANTERAを使用した。X線源はAl-Kαを用い、モノクロメーターを使用した。中和銃およびイオン銃により絶縁体である実験用試料の中和を行った。測定はMg2p、Ce3d、C1s、O1sに対応するエネルギー領域を30サイクル積算して測定し、得られたスペクトルのピーク面積と感度係数から膜表面における各元素の組成比を求めた。C1sスペクトルピークを290eV付近で検出されるスペクトルピークと285eV付近で検出されるC、CHのスペクトルピークに波形分離してそれぞれの割合を求め、Cの組成比とその中におけるCOの割合の積から膜表面におけるCO量を求めた。このXPSにより求められた膜中のCO量によって、膜表面の安定性、すなわち炭酸化の程度を比較した。上記の条件を基にXPS測定し、表面に占める炭酸化物の割合をプロットしたグラフを図11に示す。図11に示す曲線の位置から、少なくとも保護膜に占める炭酸化物の割合を50mol以下にするためには、XSrを概ね50mol以下に抑えるのが望ましいと言える。この結果より、保護膜への不純物混入をできるだけ抑えてエージング工程を短時間に行うためには、保護膜中のXSrの上限を50mol以下にすることが好ましいことが分かった。