複数の微小網点図形と前記微小網点図形の間隙である網点間隙領域とから構成される遮光膜パターンを被露光基板に投影する投影レンズの該被露光基板側の開口数をNAとし、前記遮光膜パターンの拡大率をn倍とし、露光する光の波長をλとすると、P≦nλ/NAのピッチPで前記微小網点図形が縦横に繰り返して配置され、前記遮光膜パターンの所定領域に存在する前記網点間隙領域の面積の、前記所定領域の面積に対する比で定義される開口率Wが前記所定領域の光透過率の平方根に設定され、前記微小網点図形の位置を露光光の波長λの4分の1以下の変位量の範囲でランダムに変位させたことを特徴とする濃度分布マスク。複数の微小網点図形と前記微小網点図形の間隙である網点間隙領域とから構成される遮光膜パターンを被露光基板に投影する投影レンズの該被露光基板側の開口数をNAとし、前記遮光膜パターンの拡大率をn倍とし、露光する光の波長をλとすると、P≦nλ/NAのピッチPで前記微小網点図形が縦横に繰り返して配置され、前記遮光膜パターンの所定領域に存在する前記網点間隙領域の面積の、前記所定領域の面積に対する比で定義される開口率Wが前記所定領域の光透過率の平方根に設定され、前記微小網点図形の位置を前記ピッチPの1/10以下の変位量の範囲でランダムに変位させたことを特徴とする濃度分布マスク。請求項1又は2に記載の濃度分布マスクであって、前記遮光膜パターンの領域が縦横に配列された複数の個別形状領域に分割され、前記個別形状領域の配置がランダムに変位させられたことを特徴とする濃度分布マスク。このような濃度分布マスクを用いて、固体撮像素子などに用いられる、マイクロレンズをアレイ状に配置したレンズアレイや、その他の微小立体形状を形成することができる。しかし、特許文献1の技術では、微小立体形状を形成するマスクの濃淡を発生させる多数の微小網点図形や、微小網点図形の間の網点間隙領域を等間隔の仮想格子上に規則的に配置することから、マスクの微小網点図形や網点間隙領域のパターン同士の干渉による干渉縞モアレが発生しやすい問題があった。この問題を解決するために、特許文献3では、濃度分布マスクの遮光膜パターンを形成する技術として、組織的ディザ法により、濃度分布マスクの領域を分割した単位セル内に1組の微小網点図形と網点間隙領域を形成することに対応する技術が提案されていた。すなわち、組織的ディザ法では、単位セルをベイヤータイプのマトリックスによる小領域に分割し、その分割された小領域を単位にして、各小領域を遮光するか透明にしたパターンの遮光膜パターンを形成する。しかし、組織的ディザ法では、単位セルを小領域のマトリックスに分割し、その小領域が単位領域よりも更に小さいため、濃度分布マスクに遮光膜パターンを形成する露光パターンを投影する際に、濃度分布マスクに、小領域を解像する高い解像度で露光パターンを投影して遮光膜パターンを形成する必要があった。そのため、高い解像度で露光パターンを投影するパターン投影装置のコストが高くなる欠点があった。また、単位セルを分割した小領域の面積を単位にして階段的に単位セルの開口率が変わるため、単位セルの開口率の値の制御が粗くなる欠点があった。更に、小領域の隣接する単位領域間での局所的な密度分布によって予想外の濃淡分布異常を発生する場合がある欠点があった。本発明の濃度分布マスクは、このような従来技術の問題点を解決するもので、少ないデータ量で製造できる、マスクに干渉縞モアレを生じない濃度分布マスクを提供することを課題とする。本発明は、上記課題を解決するために、複数の微小網点図形と前記微小網点図形の間隙である網点間隙領域とから構成される遮光膜パターンを被露光基板に投影する投影レンズの該被露光基板側の開口数をNAとし、前記遮光膜パターンの拡大率をn倍とし、露光する光の波長をλとすると、P≦nλ/NAのピッチPで前記微小網点図形が縦横に繰り返して配置され、前記遮光膜パターンの所定領域に存在する前記網点間隙領域の面積の、前記所定領域の面積に対する比で定義される開口率Wが前記所定領域の光透過率の平方根に設定され、前記微小網点図形の位置を露光光の波長λの4分の1以下の変位量の範囲でランダムに変位させたことを特徴とする濃度分布マスクである。また、本発明は、複数の微小網点図形と前記微小網点図形の間隙である網点間隙領域とから構成される遮光膜パターンを被露光基板に投影する投影レンズの該被露光基板側の開口数をNAとし、前記遮光膜パターンの拡大率をn倍とし、露光する光の波長をλとすると、P≦nλ/NAのピッチPで前記微小網点図形が縦横に繰り返して配置され、前記遮光膜パターンの所定領域に存在する前記網点間隙領域の面積の、前記所定領域の面積に対する比で定義される開口率Wが前記所定領域の光透過率の平方根に設定され、前記微小網点図形の位置を前記ピッチPの1/10以下の変位量の範囲でランダムに変位させたことを特徴とする濃度分布マスクである。また、本発明は、上記の濃度分布マスクであって、前記遮光膜パターンの領域が縦横に配列された複数の個別形状領域に分割され、前記個別形状領域の配置がランダムに変位させられたことを特徴とする濃度分布マスクである。本発明の濃度分布マスクは、微小網点図形の位置を、露光光の波長λの4分の1以下の変位量の範囲でランダムに変位させて配置することで、少ないデータ量で製造できる、マスクに干渉縞モアレを生じない濃度分布マスクが得られる効果がある。<第1の実施形態>以下、図1から図4によって、本発明の第1の実施形態を説明する。図1aに、本実施形態の濃度分布マスク1の微小網点図形4とその間の網点間隙領域5の第1の遮光膜パターンの平面図を示す。第1の遮光膜パターンは、正方形の微小網点図形4と網点間隙領域5が交互に千鳥足状に配置されて市松模様を形成したパターンである。図2bに、濃度分布マスク1の、配置の周期Lで繰り返して配置される微小立体形状2の個別形状領域3のパターンのうちの1つの平面図を示す。図3に、個別形状領域3の一部分を示す平面図により、微小網点図形4を配置するランダムな位置の仮想格子点8の模式図を示す。そして、図4に、濃度分布マスク1のある領域に存在する網点間隙領域5の面積の、その領域の面積に対する比で定義される開口率Wと、網点間隙領域5を通過する光の露光光に対する割合である網点間隙領域光透過率Bとの関係のシミュレーション結果のグラフと以下の式1のグラフとを示す。本実施形態では、被露光基板10の感光性材料層に、図1aに示す濃度分布マスク1のパターンを露光し現像する。それにより、図1bに示すように、撮像デバイスの被露光基板10の平坦化層11上のカラーフィルタ層12上に、受光素子毎の各画素毎に、感光性材料で個々のマイクロレンズの微小立体形状2を形成したマイクロレンズアレイを製造する。図1aの濃度分布マスク1には、被露光基板10に形成する微小立体形状2の5倍や4倍や1.25倍の寸法に拡大した個別形状領域3に、微細な微小網点図形4とその間の網点間隙領域5を第1の遮光膜パターンで配置し、パターン露光時に、縮小投影型露光装置ステッパーでそのパターンを縮小して、微小網点図形4及び網点間隙領域5を露光光の波長以下の寸法にして被露光基板10の感光性材料層に投影する。パターン露光は、ステッパーで縮小投影する方法の他に、被露光基板10に形成するパターンと同じ縮尺の寸法の、ただし、微小網点図形4及び網点間隙領域5は波長以下の微細なパターンに形成した濃度分布マスク1を用いて被露光基板10にパターン露光することもできる。その濃度分布マスク1は、マスクアライナーで被露光基板10に、コンタクト露光又はプロキシミティ露光、あるいは、ミラープロジェクション方式で投影露光してパターンを転写するようにする。マイクロレンズの微小立体形状2を被露光基板10上に形成する場合は、図2aに平面図を示すように、個々のマイクロレンズの微小立体形状2に対応する個々の個別形状領域3を配列したパターンを濃度分布マスク1に形成する。濃度分布マスク1の個別形状領域3を同心の環状の等高線6により環状領域7に分割して、環状領域7毎に階調を変えたパターンを形成する。個別形状領域内での仮想格子点のランダム変位図2bに、濃度分布マスク1の、配置の周期Lで繰り返して配置される個々の個別形状領域3の平面図を示す。図2bには、濃度分布マスク1の微小網点図形4とその間の網点間隙領域5を第1の遮光膜パターンで配置した場合を示す。第1の遮光膜パターンでは、図2bの点線の交点で位置を示す仮想格子点8に、矩形の微小網点図形4を千鳥足状に配列した市松模様の第1の遮光膜パターンを濃度分布マスク1に形成する。この仮想格子点8は、図3のように、微小網点図形4を配置する位置をランダムに変位させて設定する。ここで、図3aは、正方形の微小網点図形4と網点間隙領域5が交互に千鳥足状に配置されて市松模様を形成した第1の遮光膜パターンを示し、その仮想格子点8をランダムに変位させたパターンを示す。図3bは、仮想格子点8全部の上に微小網点図形4を設置した第2の遮光膜パターンを示し、その仮想格子点8をランダムに変位させたパターンを示す。図3a及びbの左側の図は、濃度分布マスク1のパターンを投影露光する被露光基板10の感光性材料にポジ型の感光性材料を用いた場合の濃度分布マスク1の遮光膜パターンを示す。図3a及びbの右側の図は、その感光性材料としてネガ型感光性材料を用いた場合の濃度分布マスク1の遮光膜パターンを示す。個別形状領域のランダム変位また、図1aのように、遮光膜パターンの領域が、複数の個別形状領域3に分割されて、同じ形の遮光膜パターンが縦横に配列されて繰り返す場合に、各々の個別形状領域3の配置もランダムに変位させる。その個別形状領域3のランダム配置は、隣接する個別形状領域3同士で対応する仮想格子点8の間の距離を、個別形状領域3間の距離個別形状領域3の周期からランダムに変化させることで、個別形状領域3間で対応する仮想格子点8同士の相対的な距離もランダムに配置する。すなわち、隣り合う個別形状領域3間で対応する位置の微小網点図形4を設置する位置を与える仮想格子点8の位置を、個別形状領域3の周期で等ピッチで周期的に繰り返されないように配置する。それにより、個別形状領域3の周期により生じる干渉模様モアレが解消できる効果がある。なお、図2及び図3に示す仮想格子点8、及び、その仮想格子点8同士をほぼ平行に結ぶ点線で示した仮想格子線は、微小網点図形4を配置する位置座標を決めるために仮に設定しているものであり、濃度分布マスク上には存在しないパターンである。微小網点図形を配置する仮想格子点のグリッドのピッチP/2仮想格子点8グリッドのピッチP/2の上限は以下の様に設定する。ピッチPは、仮想格子点8に設置した微小網点図形4あるいは微小網点図形4間の網点間隙領域5が縦横に繰り返すピッチである。ステッパーの投影レンズの被露光基板10側の開口数をNAとし、被露光基板10に投影するパターンに対するマスクのパターンの拡大率をn倍とし、露光する光の波長をλとする。その場合に、濃度分布マスク1の仮想格子点8のピッチP/2を、λ/NAに0.2から0.5の係数K1を掛け算し、それにマスク拡大率n倍を掛け算した値nK1λ/NAの寸法以下のピッチにする。すなわち、微小網点図形4が縦横に繰り返すピッチPの大きさを、P≦nλ/NAに設定する。その仮想格子点座標8上に、微小網点図形4あるいは微小網点図形4間の網点間隙領域5を配列する。微小網点図形4を配置する位置の仮想格子点8の位置は、濃度分布マスク1のパターンをステッパーで被露光基板10に投影する際に用いる露光光の波長λの4分の1以下の変位量の範囲でランダムに配置する。具体的には、露光光の波長λが365nmの場合は、仮想格子点8の位置を91nm以下の変位量の範囲でランダムに配置する。あるいは、濃度分布マスク1のパターンを電子ビームの照射により形成する場合では、仮想格子点8のグリッドのピッチP/2に対してP/10以下の変位量の範囲でランダムに配置する。具体的には、ピッチPが2μmの場合は、微小網点図形4を配置する位置の仮想格子点8の位置を200nm以下の変位量の範囲でランダムに配置する。このようにして、濃度分布マスク1の微小網点図形4を配置する位置をランダムに設定したことで、少ない描画データ量で製造できる、マスクに干渉縞モアレを生じない濃度分布マスクを得ることができる。また、同じ形状の微小立体形状2を形成する隣接する個別形状領域3同士においても、対応する微小網点図形4の位置が個別形状領域3の周期で等ピッチで周期的に繰り返されることが無いようにランダムに配置することで、微小網点図形4が個別形状領域3の周期で等ピッチで繰り返することにより生じる干渉縞モアレを無くすことができる効果がある。以上のように、ピッチP/2をランダムに変えて配置した仮想格子点8座標上に、微小網点図形4あるいは網点間隙領域5を図2bの様に互い違いに千鳥足状に配列する。これにより微小網点図形4を縦横にランダムに変位させた仮想格子点8に配列する。すなわち、仮想格子点8のピッチPをランダムに変える。ステッパーの投影レンズの被露光基板10側の開口数NAは最大1.3まで可能である。例えば、被露光基板10を露光する光の波長λが0.365μmの場合、投影レンズの開口数NAが0.5程度でK1が0.2の場合、微小網点図形4が置かれる仮想格子点8のピッチP/2の上限は概ね0.15μmになる。この場合は、縮尺が5倍n倍の濃度分布マスク1には、0.75μmのピッチの仮想格子点8上に微小網点図形4を互い違いに千鳥足状に配列したパターンを形成する。この微小網点図形4の集合をステッパーで5分の1n分の1に縮小して被露光基板側10の感光性材料層に投影する。あるいは、概ね0.1μmのピッチの仮想格子点8グリッドに微小網点図形4を千鳥足状に設置し、1:1の縮尺の濃度分布マスク1のパターンを形成した濃度分布マスク1を作製し、その濃度分布マスク1の微小網点図形をマスクアライナーで被露光基板10の感光性材料層に投影する露光処理を行うこともできる。こうして露光された感光性材料層を現像することにより、被露光基板10に3次元形状の感光性材料の微小立体形状2を配列したマイクロレンズアレイを作製することもできる。濃度分布マスクの階調濃度分布マスク1の遮光膜パターンは、図2aの等高線6で分割した環状領域7毎に、指定された階調グレースケール:濃度に従って、図2bに示すように、寸法面積を変えた微小網点図形4を仮想格子点8に設置する。すなわち、矩形の微小網点図形4の辺の長さを0から仮想格子点8のピッチP/2の2倍の大きさにまで変えることによりマスクの光の透過率を変えて階調を調整する。矩形の微小網点図形4の辺の長さがちょうどグリッドのピッチと等しい場合は、微小網点図形4と、その間の同じ大きさの正方形の開口パターンの網点間隙領域5とで市松模様が形成される。矩形の微小網点図形4の辺の長さが開口パターンより大きい場合は、隣接する矩形の微小網点図形4同士が重なり合い、その間の矩形の開口パターンの寸法が小さくなる。こうして単位面積当たりに形成される光透過部の割合により濃度分布マスク1の階調を調整する。図2bの濃度分布マスク1のパターンは、凸状の球面のマイクロレンズの微小立体形状2の中心に近い環状領域7ほど、個々の微小網点図形4の面積を大きくし、微小網点図形4の間の網点間隙領域5を小さくすることで濃度を濃くするように階調を分布させる。この濃度分布マスク1を設定したステッパーで、この濃度分布マスク1のパターンを5分の1n分の1に縮小投影して、被露光基板10のポジ型の感光性材料層を露光する。網点間隙領域光透過率Bと開口率Wの関係鋭意研究の結果、濃度分布マスク1においては、網点間隙領域5を通過する光の露光光に対する割合を網点間隙領域光透過率Bと定義すると、この網点間隙領域光透過率Bと開口率Wとの間には、以下の式1及び式2であらわされる関係がある知見を得た。式1B=W2式2W=√Bこの式1は、シミュレーションによって、微小網点図形4同士が連結する場合でも、個々の微小網点図形4が連結せずに孤立する場合においても成り立つことを検証した。この式1から、濃度分布マスク1の網点間隙領域5を通過した網点間隙領域光透過率Bは、網点間隙領域5の開口率Wの二乗である。また、式1の関係から、逆に、式2により、網点間隙領域光透過率Bを与える開口率Wを、網点間隙領域光透過率Bの平方根で計算することができる。この式2を用いて、微小網点図形4間の網点間隙領域5に関して、所定の網点間隙領域光透過率Bに対して、その網点間隙領域5の面積の濃度分布マスク1の領域に対する割合の開口率Wを設計できる。シミュレーションによる式1の検証網点間隙領域光透過率Bと開口率Wの関係を与える式1をシミュレーションにより検証した。更には、微小網点図形4の形とその配置とが任意のパターンの場合においても式1が成り立つ事を検証したので、その検証内容を以下で説明する。第1の遮光膜パターンのシミュレーション結果先ず、図4aの平面図で示す正方形の微小網点図形4が市松模様を成す第1の遮光膜パターンの濃度分布マスク1について、その露光光の強度をシミュレーションした。図4bに、第1の遮光膜パターンにおける、開口率Wの関数の網点間隙領域光透過率Bのシミュレーション結果を黒丸印で示し、式1のグラフを実線で示す。開口率Wは、0から1までの全範囲にわたって変化させた。詳しくは、図4aに示す濃度分布マスク1の第1の遮光膜パターンを被露光基板10に5分の1に縮小投影し、その縮小前の濃度分布マスク1の第1の遮光膜パターンのピッチPが2μm縮小投影したパターンのピッチは0.4μmの条件でシミュレーションした。ここで、シミュレーションの設定条件は、以下のパラメータに設定して行った。縮小率1/n=1/5ピッチP=2μmコヒーレンスファクタσ=0.6投影レンズのNA=0.63波長λ=365nm図4bのように、シミュレーション結果黒丸印は実線で示した式1の計算結果と極めて良く一致した。第1の遮光膜パターンで、ピッチPが1.5μmの場合も、ピッチPが1μmの場合もシミュレーションした結果、図4bと同じグラフを得、シミュレーション結果は式1と極めて良く一致した。第1の遮光膜パターン以外の形状の遮光膜パターンについても、シミュレーション結果は式1の計算結果と極めて良く一致した。すなわち、微小網点図形4を設置する仮想格子点8の位置も、第1の遮光膜パターンのような千鳥状の位置への配置に限定されず、仮想格子点8全部の上に微小網点図形4を設置した第2のパターン図3bについても同様な結果を得た。また、微小網点図形4が長方形やその他の多角形状であっても同様な結果を得た。すなわち、濃度分布マスク1においては、微小網点図形4の形とその配置とが任意のパターンの場合においても式1が成り立つことを検証した。以上のように、微小網点図形4及び網点間隙領域の形とその配置とが任意のパターンの場合においても式1が成り立つので、図3のように、微小網点図形4の位置をランダムに変位させて配置した濃度分布マスク1においても式1の関係が成り立つ。このため、式2に必要な網点間隙領域光透過率Bを代入して開口率Wを計算し、その開口率Wの分布を持つように微小網点図形4及び網点間隙領域の形を設計することで、微小網点図形4の位置をランダムに変位させて配置する濃度分布マスク1のパターンを定める。製造方法この濃度分布マスクは、以下のような工程で製造できる。1マイクロレンズアレイなどの微小立体形状2を製作するために、その微小立体形状2の3次元形状を基に、基板上での各ポイントのポジ型の感光性材料の除去量を計算し、除去量に見合った光を透過する網点間隙領域光透過率Bを得る開口率Wを式2で計算し、その開口率Wを有する濃度分布マスク1の微小網点図形4あるいは網点間隙領域5の寸法を計算する。2透明基板上にCr膜などの遮光膜1aを形成し、さらにその上にマスク用感光性レジスト層を形成したマスクブランクスを形成する。3そのマスクブランクスに、電子線またはレーザー光線によって、前記の設計された微小網点図形4あるいは網点間隙領域5のパターンに基づいて露光し、現像してマスク用感光性レジストのパターンを形成する。4形成されたマスク用感光性レジストのパターンをエッチングレジストとして、前記遮光膜1aをドライエッチング又はウエットエッチングし微小網点図形4あるいは網点間隙領域5を形成した遮光膜パターンを形成する。3次元形状の感光性材料の形成こをして濃度分布マスク1の遮光膜パターンは、凸状の球面のマイクロレンズの微小立体形状2の中心に近い環状領域7ほど、個々の微小網点図形4の面積を大きくし、微小網点図形4の間の網点間隙領域5を小さくすることで濃度を濃くするように階調を分布させる。この濃度分布マスク1をステッパーに設定し、ステッパーで濃度分布マスク1のパターンを被露光基板10に5分の1n分の1に縮小投影して、被露光基板10のポジ型の感光性材料層を露光する。その感光性材料層を現像して3次元形状の感光性材料を形成することで、微小立体形状2を被露光基板10上に形成する。以上、本発明の濃度分布マスクの例では、凸状の球面のマイクロレンズの微小立体形状2の中心に近い環状領域7ほど、微小網点図形4の間の網点間隙領域5を小さくすることで濃度を濃くするように階調を分布させた。しかし、微小立体形状2を被露光基板10上に形成する感光性材料としてネガ型感光性材料を利用した場合、露光されなかった感光性材料の部分が現像で除去される。そのため、その場合は、凸状の球面のマイクロレンズの微小立体形状2の中心に近い環状領域7ほど、微小網点図形4の寸法を小さくし、微小網点図形4の間の網点間隙領域5を大きくすることで濃度を薄くして通過する光量を大きくすればよい。すなわち、図3の右側のマスクのように、上記例のマスク図3の左側のマスクの遮光膜1aの白黒を反転したものを形成すればよい。