太陽電池40を製造するために蒸着環境において基板41をコーティングする方法であって、a第1の酸化亜鉛層を基板41上に蒸着するステップと、b前記蒸着環境における亜鉛前駆体含量を低減するステップと、c前記第1の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理し、該第1の酸化亜鉛層の表面上に複数のコーティングシードを形成するステップと、d第2の酸化亜鉛層を前記第1の酸化亜鉛層上に蒸着するステップと、を含む、太陽電池を製造するために蒸着環境において基板をコーティングする方法。ステップbを、前記亜鉛前駆体材料の前記蒸着環境への流入を停止することを含むステップ、前記蒸着環境をポンピングし、より低い前駆体濃度を提供することを含むステップ、及び/又は、前記蒸着環境を、水、ジボラン、窒素及び/又は水素の1つ若しくは複数を導入することによりパージすることを含むステップ、の1つ又は複数により達成する、請求項1に記載の方法。ステップaの第1の酸化亜鉛層を蒸着するステップ及び/又はステップdの第2の酸化亜鉛層を蒸着するステップをLPCVD工程により行う、請求項1又は2に記載の方法。ステップcにおいて前記第1の酸化亜鉛層を1:2~1:4の範囲にある関係のジボランと水との混合物で処理する、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。ステップdを行う前に、前記基板41から前記ジボランと水との混合物を少なくとも一部取り除く、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。ステップaとステップdとを異なる蒸着チャンバーで行い、ステップcを更に別の処理チャンバーで行い、前記基板41を第1の蒸着チャンバーから第2の蒸着チャンバーへと送達する、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記第1の酸化亜鉛層を、前記第2の酸化亜鉛層に比べて低いドーピングの程度を有するように蒸着する、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記第1の酸化亜鉛層を、前記第2の酸化亜鉛層に比べて高いドーピングの程度を有するように蒸着する、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。少なくとも3つの酸化亜鉛層を順次蒸着し、該層が前記第1の酸化亜鉛層から次の酸化亜鉛層へと移るにつれ順次低減するドーピングの程度を有し、ステップbとステップcとをそれぞれの蒸着ステップの間に行う、請求項8に記載の方法。前記第1の酸化亜鉛層を、前記第2の酸化亜鉛層と比較して等しいドーピングの程度を有するように蒸着する、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。少なくとも3つの層を連続して蒸着し、中間の酸化亜鉛層が隣接する層と比較してより小さいドーピングの程度を有し、ステップbとステップcとをそれぞれの蒸着ステップの間に行う、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記第1の酸化亜鉛層を前記第2の酸化亜鉛層と比較してより大きい厚さを有するように蒸着する、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。組成及び/又は温度をステップa及び/又はステップdの間で変更する、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。請求項1~13のいずれか一項に記載の方法によりコーティングされている少なくとも1つの基板41を備える太陽電池。そのため、本発明の目的は、従来技術の上記の欠点の少なくとも1つを克服すること、すなわち増強された光散乱や光捕捉、反射損失の低減、及び電極上で成長するシリコン層の材料品質の改善の少なくとも1つを有する太陽電池を製造するための基板をコーティングする方法を提供することである。この目的は独立クレームにより達成される。有益な実施の形態は従属クレームにおいて詳述される。具体的には、この目的は、太陽電池を製造するために蒸着環境において基板をコーティングする方法によって達成され、当該方法は、a第1の酸化亜鉛層を基板上に蒸着するステップと、b前記蒸着環境における亜鉛前駆体含量を低減するステップと、c前記第1の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理し、該第1の酸化亜鉛層の表面上に複数のコーティングシードを形成するステップと、d第2の酸化亜鉛層を前記第1の酸化亜鉛層上に蒸着するステップと、を含むことを特徴とした太陽電池を製造するために蒸着雰囲気において基板をコーティングする方法である。本発明は、特に、光散乱や光捕捉の増進、反射損失の低減、及びこれらの基板上で成長する薄膜シリコン層の材料品質の改善に関して、残った可能性を更に引き出すのを助ける。さらに、新たな手法が当該技術分野で既知の課題を克服するために与えられ、タンデム型デバイスにおけるa-si:H上部電池及びμc-Si:H下部電池の両方の光捕捉の改善と、シリコン吸収体層での欠陥の低下をもたらす成長条件の改善とを組み合わせたタンデム型太陽電池用のTCO前面電極が開発される。本発明は、第1の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理することは、更なる層を第1の層上で単に成長させることだけには終わらない、という中心思想に基づいている。単に成長させるだけの場合とは違い、新たなシーディング層の形成が含まれる。結果として、第2の層に関しては、酸化亜鉛の成長が新たなシードから再び始まる。本発明者らは、組成例えばドーピングを単純に変えること、あるいは層の成長を単純に妨げることは、層の成長のための新たなシードを作製するのに十分効果的な手段とはいえないことを見出している。本発明による方法はこれらのこととは違い、新たなシード形成を可能にする新たな表面の処理を提供する。新たなシードにより第2の層の成長が再び始まるこの方法によって、達成される主な目的の1つは、具体的には、表面粗度をシリコン層のその後の成長を妨げるレベルまで増大させずに、できる限り高いヘイズ値を得ることである。本発明は、酸化亜鉛の成長を再び開始するという根本的な課題を、先端技術において知られているように、通常の工程内で、基板をプロセスチャンバーから取り出す必要のない単純な手順を用いるだけで解決している。加えて、幾つかの酸化亜鉛層は交互に成長させられる。各層は特定の組成ドーピング、H2O/DEZ比等を有することができ、これにより前の層からは独立して層の特性を調整することが可能になる。本発明による方法の結果として、酸化亜鉛の成長は、下層の酸化亜鉛構造に左右されず再開されると考えられる。さらに本発明による解決策は、従来技術によって提示される解決策よりも簡素で、迅速かつ安価なものである。提案される処理手順には、プロセスガスを処理する既知の工程ステップ、ひいては温度及び圧力を変更することだけが要求される。光学的最適化の別の態様には、TCO層とシリコン層の間の界面での反射の低減が含まれる。物質内を移動する光が屈折率の異なる物質に行き当たると反射が起こる。平界面という単純化された事例では、屈折率がn1である物質から屈折率がn2である物質へと移動する光の反射係数は、R=n1-n22/n1n22である。反射損失は物質間の屈折率の差に応じて変わる。粗界面片方の表面が光の波長と同程度かそれより小さい横方向サイズを有するピラミッドのような構造によって構成されているため、平坦ではない界面を用いることで、入射光が平均屈折率を受けるseesことから、反射損失を一部補うことが可能になる。平均屈折率は、光の波長よりも小さい領域における2つの材料の混合に起因する。しかしながら原理的には、本発明に従って屈折率を界面で最適化することにより、反射損失を更により低減させることが可能である。導電材料の屈折率はその導電率に影響される。導電率を増大することにより屈折率を低減することが可能である。このため、第2の酸化亜鉛層の成長のための新たなシードを提供することを含む、本発明による方法により、多層の酸化亜鉛コンタクトを簡単に作製することと、完全な積層体を最適化するのにより大きな自由度を得ることとが可能になる。そのため他から独立して、導電率、粗度、ヘイズ、反射損失及び表面形状を最適化することが可能である。基板という用語には、本発明における意味として、具体的には、太陽電池の前面電極などの電極を作製するための、透明な導電性の金属酸化物層でコーティングされた構成要素や部品、ワークピースが包含される。基板としては、長方形、正方形ないしは円形の、平らな板状の部品が挙げられるが、それらに限定されない。基板は望ましくは、薄膜太陽電池の製造に好適であり、フロートガラス、安全ガラス及び/又は石英ガラスを含むよりなるとする。さらに望ましくは、基板は必須の部材として備えられ、また最も望ましくは、薄いガラス板などの、サイズが1m2以上の平面を有する完全に平らな基板であるとする。また、本発明による方法を、太陽電池の背面電極を作製するために代替的に、又は付随的に使用することができる。この場合、基板は半導体層により構成されてもよい。蒸着するという用語は本発明では、表面上に化合物をコーティングすることが可能な全ての工程を含む。そのため蒸着するという用語には、例えば化学蒸着又は物理蒸着が含まれるが、それらに限定されない。化学蒸着に関しては、例えば、通常は液体又は気体の前駆体材料、ガスが工程システムに供給され、そこで前駆体の熱反応により層の蒸着が起こる。多くの場合、ジエチル亜鉛DEZが、低圧CVDLPCVDを用いた真空処理システムにおける酸化亜鉛TCO層の作製のための前駆体材料として使用される。TCOという用語は透明な導電性の酸化物を表す。すなわちTCO層は透明な導電層であり、ここで層、コーティング、蒸着物及び膜という用語は、CVDであれ、LPCVD、プラズマCVDPECVD又は物理蒸着PVDであれ、真空工程で蒸着された膜に関して、本発明内では区別なく使用される。本発明による蒸着環境は、具体的には蒸着、望ましくは酸化亜鉛の蒸着を行うことができる環境を意味するものとする。そのため例えば、蒸着環境は蒸着の段階で好適な前駆体を適量含んでいてもよい。従って蒸着環境は具体的には、蒸着チャンバーに存在し、基板と接する雰囲気であってもよい。そのため本発明によれば、ステップaに関して言えば、亜鉛前駆体の含量は特に、蒸着環境において酸化亜鉛の蒸着が停止する量まで低減する。太陽電池、あるいは光電池又はPV電池という用語は、本発明における意味として、光、即ち太陽光を光起電力効果によって、直接電気エネルギーに転換することが可能な電気構成要素を包含する。薄膜太陽電池は通常、第1の電極又は前面電極と、1つ又は複数の半導体薄膜PIN接合と、第2の電極又は背面電極とを備え、これらは基板上に連続的に積層される。それぞれのPIN接合又は薄膜光電変換ユニットはp型層とn型層とに挟まれたi型層を備える。ここでpは正にドープされていることを表し、nは負にドープされていることを表す。実質的に真性の半導体層であるi型層は薄膜PIN接合の厚さの大部分を占め、光電変換は主にこのi型層において起こる。ジボランという用語は、本明細書で言及される場合、水素中に2B2H6を含む、市販のジボランガス混合物を意味する。基板から蒸着雰囲気を少なくとも一部取り除くステップは、本発明では具体的には、酸化亜鉛層の蒸着雰囲気の全て、又は少なくともかなりの割合を基板から取り除くことを意味するものとする。これにより蒸着工程を停止することが可能となる。このステップは、例えば、蒸着ステップに必要とされる前駆体を含有しないガス又は気体混合物を、基板の表面又は第1の層にそれぞれ導くことにより実現することができる。これに加え、あるいはこれに代えて、このステップは前駆体を取り除くために圧力を或る特定の量まで低減することにより行うことができる。第1の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理するステップは、具体的には、第1の酸化亜鉛層の表面を、望ましくは表面全体を、それぞれの化合物に接触させることを意味するものとする。このステップは、この混合物を第1の酸化亜鉛層の表面に導き、十分な時間相互作用させることにより実現することができる。1つの実施の形態によれば、ステップbは、以下の1つ又は複数により達成される。‐前記亜鉛前駆体材料の前記蒸着環境への流入を停止することを含むステップ、‐前記蒸着環境をポンピングすることにより、より低い前駆体濃度を提供することを含むステップ、及び/又は、‐前記蒸着環境を、水、ジボラン、窒素及び/又は水素の1つ若しくは複数を導入することによりパージすることを含むステップ。この実施の形態によれば、前駆体の含量を低減するステップでは、前駆体の含量は蒸着環境又は蒸着チャンバーそれぞれにおいて、具体的には、蒸着が停止する量まで低減される。結果として前駆体濃度は、ステップaに比べれば低減している。詳しくいうと、このステップは好ましくは、同時に又は択一的に行うことが可能な3つのステップにより行うことができる。第1に可能なことは、亜鉛前駆体材料の蒸着環境への流入を停止することである。結果として、前駆体の濃度が滑らかに低下する。更に可能なことは、より低い前駆体濃度を提供するために蒸着環境をポンピングすることである。言い換えると、真空又は減圧をそれぞれ、蒸着環境に適用し、それによりステップaと比較して前駆体濃度を低減することである。前駆体濃度を低減するための更に可能なステップは、水、ジボラン、窒素及び/又は水素の1つ又は複数を導入することにより蒸着環境をパージすることである。これにより、存在する前駆体を蒸着環境の外まで完全に導くことができ、それにより更なる蒸着が確実に可能となる。これとは別に、特に水及びジボランを導入することにより、ステップcを即座に開始させることができ、これにより本発明による方法が特に単純になり、時間が節約される。更なる実施の形態によれば、ステップaにおける第1の酸化亜鉛層を蒸着するステップ、及び/又はステップdにおける第2の酸化亜鉛層を蒸着するステップは、LPCVD工程により行われる。この蒸着方法は、辺縁のはっきりとした蒸着結果をもたらすものであり、これにより辺縁がはっきりとしておりかつコストが抑制されたやり形で、さらに進めることができる。これとは別に、本発明者らは、LPCVDを使用して、新たなシードから第2の酸化亜鉛層を成長させると、特に良好な結果がもたらされることを発見している。更なる実施の形態によれば、ステップcにおいて、前記第1の酸化亜鉛層を混合比が1:2~1:4の範囲にあるジボランと水との混合物で処理する。詳細には1:2.67又は1:3.67の混合比が、第2の酸化亜鉛層の成長の開始には十分な新しいシードをもたらすことが分かっている。それにより、第2の酸化亜鉛層の蒸着は限られた時間で行うことができ、特にライン生産に好適である。更なる実施の形態によれば、ステップdを行う前に、前記ジボランと水との混合物は前記基板から少なくとも一部取り除かれる。この実施の形態は、第2の酸化亜鉛層がドープされていない場合、あるいはわずかにしかドープをされずに蒸着される場合に、特に好ましい。詳しく言えば、例えばコーティング目的のために新たな前駆体ガスを導入する際に、ジボラン雰囲気をそのままにしてドーピングを行うことができるのとは対照的に、特にジボランを取り除くことにより、ドーピングを排除することができる。結果として、それぞれの成分を少なくとも一部取り除くこととは、ドーピングを避ける、あるいは所望の量でのみ行わせるために、濃度を十分低減するステップを意味することとなる。更なる実施の形態では、ステップaとステップdとを異なる蒸着チャンバーで行い、ステップcを更に別の処理チャンバーで行う。前記基板は第1の蒸着チャンバーから第2の蒸着チャンバーへと移される。この実施の形態によれば、2つの蒸着チャンバーを備えるLPCVDのためのシステムを使用することができる。それから、第1の蒸着チャンバーと第2の蒸着チャンバーとの間に更なるサブシステムを加えることが可能である。前記更なるサブシステムは、例えば、独立したガス混合物注入システムにより形成されてよく、また例えば、真空チャンバー内にジボランと水との制御流を注入することができる。基板が或る蒸着チャンバーから次の蒸着チャンバーへと移される場合、第1のチャンバー内で成長したTCO表面は、このようにして本発明のステップcに従ってジボラン/水混合物で処理される。TCO成長が第2のチャンバー内で継続される場合、先の記載のように、新たな結晶が成長を開始する。この実施の形態は、処理カーテンによるインライン工程と呼ぶこともある。これに代わる方法として、2つの別々の機器を使用することができる。この場合、ステップcによるジボラン及び水による処理を第1の機器の最後のステップとして行うことができ、その後蒸着雰囲気を低減するために基板は空気に曝露される。その後、蒸着は第2の機器で継続される。この場合であっても、層の成長は新たなシードから再び始まる。ジボラン及び水による処理は、第2の機器における蒸着の開始時に行うことができる。同様に、第1の蒸着後に更なるコーティングを施すために、複数の基板を同じ機器に供給することができる。別の例では、本発明による方法は3つ以上の蒸着チャンバーで行われる。蒸着システムが3つ以上の蒸着チャンバーを備える場合、処理サブシステムを蒸着チャンバーのいずれかの間に配置することができる。処理サブシステムの数に応じて、またそれらの位置に応じて、TCO層間で別個の厚さ比を達成することが可能である。加えて、処理時間及びパージ時間の調整により、蒸着するTCO層の厚さを制御することが可能になる。この方法はマルチチャンバーシステムと呼ばれることもある。更なる実施の形態によれば、前記第1の酸化亜鉛層は、前記第2の酸化亜鉛層に比べて低いドーピングの程度を有するように蒸着される。この実施の形態によれば、本発明による方法は、作製された微結晶太陽電池において、表面粗度により誘導される欠陥を低減するのに特に好適である。この利点は特に、第1の酸化亜鉛層を第2の酸化亜鉛層と比べて厚く形成することに併せて達成することができる。更なる実施の形態によれば、前記第1の酸化亜鉛層は、前記第2の酸化亜鉛層に比べて、より高いドーピングの程度を有するように蒸着される。この実施の形態によれば、特に好ましい導電率及び良好な光散乱性を達成することができる。更なる実施の形態によれば、少なくとも3つの層を連続して蒸着し、該層は前記第1の酸化亜鉛層から次の酸化亜鉛層にかけて、順に低減するドーピングの程度を有し、ステップbとステップcとがそれぞれの蒸着ステップの間に行われる。この実施の形態によれば、反射損失が特に効果的に抑制される。更なる実施の形態によれば、前記第1の酸化亜鉛層は、前記第2の酸化亜鉛層と比較して等しいドーピングの程度を有するように蒸着される。この実施の形態により、表面形状及び光学特性を特に効果的に制御することが可能になる。更なる実施の形態によれば、少なくとも3つの酸化亜鉛層が連続して蒸着され、中間の酸化亜鉛層は隣接する層と比べて、より小さいドーピングの程度を有し、ステップbとステップcとはそれぞれの蒸着ステップの間に行われる。この実施の形態によれば、光の体積散乱及び低い表面粗度を特に効果的に調整することができる。更なる実施の形態によれば、前記第1の酸化亜鉛層は、前記第2の酸化亜鉛層に比べ、より大きな厚みを有するように蒸着される。この実施の形態により、第1の層の構造で生じる溝を塞ぐことが可能になる。層の数を増やすことにより、徐々により平らな酸化亜鉛表面が得られ、ヘイズの低減につながると考えられる。本発明によれば、ステップcによる中間処理ステップでは、2つ~8つ、できれば1つ~4つのTCO層が好まれる。結果としてこの実施の形態は、第1のTCO層に大きい厚さ、大きい平均構造サイズ、ひいては、光散乱のための大きい粗度を与えることができる。この層は、図1の左枠に示される層と同様のものである。そして、第1の層より薄い、更なるTCO層をこの第1のTCO層の上部で成長させる。この第2の層が溝を塞ぎ、それにより粗度の平滑化smoothingoutが起こる。ここでもまた大切なのは、第2の層が新たなシードから成長する点に注目することである。そのため第2の層は幾つかの小さい結晶子から構成される。これは平滑効果をもたらすための鍵となる要素である。作動原理は代替的には、特徴となる溝の開口角を拡大すること、あるいは溝の底の特徴的な曲率半径を拡大すること、とみなすことができる。更なる実施の形態によれば、組成及び/又は温度は、ステップa及び/又はステップdの間に変更される。組成に関して言えば、例えばドーピング前駆体及び/又は水/DEZ比は変更されてもよい。この実施の形態では、酸化亜鉛結晶は妨げられることなく成長し続けると考えられる。この手法はTCO層の形状を改善することはない。しかしながら、この手法に更なる自由度をもたらすために、ステップcによる処理と組み合わせることができる。かかる構造の例は、厚い酸化亜鉛真性層後にジボラン処理を行う、薄いドープ層、及び最後の1/3の蒸着層ドーピングせず、またステップcによる処理も行わないである。この場合、シリコン層に対して起こり得る、ホウ素の負の作用は低減又は完全に回避される。上で規定の全てのステップを組み合わせることで、多くの他の実施形態が可能となる。本発明は更に、本発明による方法によりコーティングされた、少なくとも1つの基板よりなる太陽電池に関する。本発明による太陽電池は、本質的に、本発明による方法に関して記載されている利点を提供する。詳しく言えば本発明による太陽電池は、残された可能性、具体的には光散乱、光捕捉、反射損失の低減、及びこれらの基板上で成長する薄膜シリコン層の材料品質の改善に関してのものを、更に活用するのを助ける。本発明によれば、太陽電池は本発明による方法で製造された前面電極を備えることができ、又/あるいは、同様の方法で形成された背面電極を備えることができる。背面電極又は背面コンタクトがそれぞれ提供される場合、ドープ層の後に真性層が続くのが好ましいとされる。このことにより背面コンタクトからの反射損失を低減することができ、背面コンタクトにおける吸収を低減することができる。本発明のこれらの態様及び他の態様は以下に記載の実施形態から明らかであり、またそれらを参照して説明される。図3は現行の技術水準から一般的に知られ、更に本発明の基礎となる薄膜太陽電池40のレイアウトを示している。図3に示されるように、太陽電池40は一般に、基板上に連続して積層される、第1の電極層42と、1つ又は複数の半導体薄膜p-i-n接合43と、第2の電極47とを備え、それらは基板上で連続的に重ねられる。それぞれのp-i-n接合43又は薄膜光電変換ユニットは、p型層44とn型層46とに挟まれたi型層45を備えるp型とは正にドープされたもの、n型とは負にドープされたものである。i型層45は、実質的に真性の半導体層であり、薄膜p-i-n接合の厚さの大部分を占める。光電変換は主にこのi型層において起こる。電極層42、電極層47は光起電的に発生した電流の収集に関与する。これらの電極は、高い導電率、良好な透過性及び隣接する光活性層に光を散乱する能力ヘイズという3つの主要な課題に対処しなければならない。背面反射体層48は吸収されなかった光が吸収体層の方向に再び反射するのを助けることができる。図3では、矢印は最初にoriginally基板41上へと侵入する光を示す。光学的に透明であり、導電性である前面電極42は、上述のように薄膜太陽電池40の基本部分である。太陽電池40の高い効率は、低い寄生光損失、光活性層での完全な吸収、及び光生成電荷担体を完全に取り出すことに強く依存している。そのため前面電極42は、良好な導電率及び光散乱を引き起こす粗い表面形状に加え、高い光透過性をもたらさねばならない。光散乱はシリコン吸収層において光の行路を広げる。言い換えれば、光が吸収される可能性を向上させるため、太陽電池デバイス内での光の捕捉にとって極めて重要である。本発明による太陽電池を改善するために、基板41をTCO層、特に酸化亜鉛層でコーティングする必要がある。本発明による蒸着環境において、太陽電池40を製造するために基板41をコーティングする方法は、以下のステップを含む。a第1の酸化亜鉛層を基板41上に蒸着するステップ、b前記蒸着環境で亜鉛前駆体含量を低減するステップ、c前記第1の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理し、該第1の酸化亜鉛層の表面上に複数のコーティングシードを形成するステップ、及びd第2の酸化亜鉛層を前記第1の酸化亜鉛層上に蒸着するステップ。本発明による方法の、典型的な性能は以下のとおりである。上述のように、本発明による方法は、それまでに蒸着された酸化亜鉛層上で酸化亜鉛層の成長を再び開始する手順を含む。この例では、該方法は従来の低圧化学蒸着工程環境における1.4m2の寸法を有するガラス基板をベースとするものである。この手順はさらに、ステップcにおいて第1の酸化亜鉛層をジボランで処理することをベースとしており、そのため以下ではジボラン処理と呼ぶこととする。この典型的な方法は以下のステップを含む。第1のステップは工程チャンバー又は蒸着チャンバーそれぞれにおいてDEZZnO蒸着の前駆体材料であるジエチル亜鉛流を停止することを含む。ジボラン、水、窒素又は水素のような他のプロセスガスを停止する場合もある。更なるステップは、ポンピング又はパージをすることにより、蒸着チャンバー内においてDEZ濃度を低減することを含む。ポンピングステップは、具体的にはチャンバー内の圧力を通常のプロセス圧力の約1/2以下、すなわち最低atleast0.2mbar、例えば0.2mbar~0.1mbarの範囲の圧力まで低減することを含み得る。取り付けられたポンプの性能によるが、ポンピング時間はおよそ60秒以下である。別の方法では、これまでの工程ステップで残っているDEZを、ジボラン、水、水素、窒素又は別の不活性ガス等の、他のプロセスガスを用いてチャンバーをパージすることにより取り除くことができる。60秒間、400sccmの水でパージすれば十分であることが分かっている。より大きいパージガス流量によりこのステップを短縮することが可能である。更なるステップは、ジボラン及び水を、基板が置かれた工程チャンバー又は蒸着チャンバーそれぞれに導入することを含む。1.4m2の基板のための市販のTCO1200システムOerlikonSolarの有効な処理には、1つの単一処理チャンバーに対して550sccmの水、150sccmのジボラン、加えて任意で水素が使用される。最低でも30秒間、例としては60秒間以上、基板を上記ガス混合物に曝露すれば十分である。制作に好適となる、より迅速な処理には、1000sccmの水及び375sccmのジボランが使用される。この場合、処理の成功を達成するには15秒もあれば十分である。実験によると数分間かの、例えば15分間~20分間の範囲の処理が可能であることが分かっているが、経済的な理由から処理期間を制限するのが好ましい可能性もある。一般には5秒間~20分間の間の、例えば15秒間~5分間の処理時間が望まれる。更なる実施形態では、曝露される酸化亜鉛表面1m2当たり90sccm~120sccm、好ましくは110sccmのジボランの曝露比は30秒間で達成された。更なる実施形態では、曝露される表面積当たりのジボランガス流量の比率と処理時間の積は、基本的に一定に保たれている。このステップは新たな層を作製しないことに留意されたい。測定の示すところでは、小さい島や粒子多くの場合酸化ホウ素によるものがTCO表面上に形成されるが、完全な層とはならない。より小量のジボランによる処理でもうまくいく可能性はあるが、その場合は、処理時間を増やす必要があるかもしれない。同様に、より大量のジボラン流量は処理時間を更に低減させる可能性がある。プロセス圧力は通常、従来の酸化亜鉛蒸着ステップで知られているようなものであり、したがって0.1mbar~1mbarの範囲内である。プロセス温度は、前のステップで使用される、従来の酸化亜鉛蒸着に用いられるものから変化させない。さらに、上記のように蒸着雰囲気を取り除いてから蒸着チャンバーをパージするのではなく、上で規定のジボラン/水混合物を用いて、蒸着チャンバーに対しより長時間のパージのみ行うことも可能である。酸化亜鉛の成長を停止させるためには、DEZの量を減らすことがただ重要である。次のステップではジボラン処理の後、再び上述のように工程チャンバーがパージされてもよい。このステップは、いかなるジボランドーピングも行わずに連続層を蒸着する場合には推奨されるが、そうでない場合は省略が可能である。これに続き第2の酸化亜鉛層の成長が、上記のような工程環境を用意することにより開始される。これに関し工程環境は、酸化亜鉛蒸着のためのLPCVD工程に関する従来の技術分野において、既知のものと同様であってもよい。例としては、酸化亜鉛層積層体の蒸着シーケンスは、第1の表面性状を示す酸化亜鉛の第1の層を蒸着するステップと、前記第1の層の表面を、層を蒸着させずにジボランを含むが亜鉛成分を含まないガス混合物で処理するステップと、その後の、前記第1の表面性状よりも特徴を持つ表面性状を示す、酸化亜鉛の第2の層を蒸着するステップよりなる。上で規定の方法の結果として、第2の酸化亜鉛層の成長が、その下の第1の酸化亜鉛層には関わりなく開始される。この手順に基づき、粗度、平均構造サイズ及び屈折率を含む様々な特性をそれぞれ有する酸化亜鉛層の所定のシーケンスを作製することが、このようにして可能になる。作製され得る構造の例としては、以下のものが挙げられる。第1の例としては、真性又は低ドープ酸化亜鉛層の上に、少なくとも1つのドープ酸化亜鉛層例えばDEZ/ジボランの流量比1/0.5、代替的には1/0.1を設けることができる。実現に成功したものの1つを図4に示す。図示された例では厚さ比は1ドープ対6真性であったが、更に1対4の比も効果的である可能性がある。同様の層シーケンスは、微結晶太陽電池40において、表面粗度によりもたらされる欠陥の低減には好適である。厚さ比及びドーピングレベルの最適化が、導電率、透過性、特徴のサイズ、光散乱及びシリコン成長に対する影響の調整には必須である。実現可能なものは、1枚の比較的厚い真性又は低ドープ酸化亜鉛層と、それに続く2枚以上のより薄く、よりドープされた酸化亜鉛層とを含む。本発明に記載されるステップcによる処理はそれぞれの層の間で行われる。この実現例により、第1の層の溝を塞ぐことが可能になる。層の数を増やすことで、酸化亜鉛の表面は徐々により平坦となり、それがヘイズの低減につながる。本発明によれば、本発明による中間処理ステップを伴うTCO層が2枚から8枚、好ましくは1枚から4枚提案される。更なる例としては、低ドープ層の上に真性層が設けられてよい。この場合、低ドープ層H2O/DEZ/B2H6の典型的な流量比:1/1.2/0.01、700秒は許容可能な導電率と良好な光散乱とをもたらす。更なる真性層H2O/DEZ/B2H6の典型的な流量比:1/1.2/0、100秒は、その下のドープ層よりも大きい屈折率をもち、TCO/シリコン界面で光反射を低減するのに有用である。この手法を用いて、後の光起電デバイスで生じる電流を増大させることが可能である。更なる例としては、名目上同じドーピングレベルの2つの酸化亜鉛層を重ねて成長させることができる。この場合も、表面形状及び光学特性を制御することが可能である。更なる例としては、屈折率の増大をもたらす、低減したドーピングレベルを有する3つ以上の層を設けることができる。この手法は反射を更に低減させる。光散乱は、それぞれの層の厚さを調整することにより、最適化することができる。更なる例としては、低ドーピング/高ドーピング/低ドーピングの3層積層体を設けられてもよい。この種のシステムは、光の体積散乱及び低い表面粗度の達成を可能にするとされる。再び図4を参照すると、この図は新規の二重構造のSEM画像を示している。詳細には、図4は真性層H2O/DEZ/B2H6の流量比1/1.1/0、160秒上にあるドープH2O/DEZ/B2H6の流量比1/1.1/0.3、960秒酸化亜鉛層のSEM画像を示す。小さい構造が、より大きな構造の上で成長する様子を明らかに見て取ることができる。図5は、新規の二重構造の分光ヘイズ測定曲線を、典型的な酸化亜鉛単層及び、PVD酸化亜鉛層ベースの後処理した前面電極と比較して示したものである。詳しく言えば、図5は他の基板と比較した新規の二重構造に関する分光ヘイズ測定結果を示している。ヘイズは、LPCVD前面コンタクトの標準手順と、PVDにより蒸着された、化学的な後処理を受けた酸化亜鉛層との間の領域にあることを確認することができる。図6は、新規の二重構造を使用することによる、微結晶シリコン電池において観察される欠陥の数に対しての効果を示している。二重層の酸化亜鉛前面コンタクトにより、ヘイズが上昇し、欠陥の数が低減する。詳しく言えば、図6は2つの異なる酸化亜鉛前面コンタクト上で成長させた、微結晶シリコン電池で観察される欠陥の数の詳細を示している。左のデータは、電池が標準的な単層酸化亜鉛上で成長させられた場合のものを示す。右のデータは、電池が、本発明による方法に従って調製された二重層の酸化亜鉛前面コンタクト図4に図示上で成長させられた場合のものを示す。欠陥の数は明らかに低減しており、これによって太陽電池40の品質は向上する。図7は、本発明に従って作製された二重層の酸化亜鉛構造の拡大図、即ち二重層TCOの詳細を示している。図7のSTEM画像は、より厚い酸化亜鉛層の上で成長した薄い酸化亜鉛層を示している。層構造のよりよい理解のために、本発明に従って成長させた付加的な正:additional薄い酸化亜鉛層を、破線で強調している。左上隅のスケールバーは200nmに相当する。わずかに異なるコントラストを持つ、外見上異なった2つの酸化亜鉛層を観察することができる。コントラストの差は、付加的な酸化亜鉛層の密度の差、異なるドーピング等に起因するものであると考えられる。この画像はSTEM走査型透過電子顕微鏡システムにより測定し、FIB集束イオンビームシステムを用いてTCO/Si層の薄片を切断したものである。同様の画像は、TEM透過電子顕微鏡を用いて得ることができる。サンプル調製をFIBにより、又は好適なサンプルの機械的切断及び連続研磨により行うことができる。本発明は図面及び上記の記載において、詳細に図示され又は記述されているが、かかる図示及び記述は、解説ないしは例示であって、限定的なものではないと捉えられるべきである。本発明は、開示された実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、図面、開示及び添付の特許請求の範囲の検討により、開示された実施形態の他の変形形態を理解し、実施することが可能である。特許請求の範囲における~よりなるという文言は、他の工程やステップを排除せず、不定冠詞aやanは、その不定冠詞に修飾されるものが複数存在する可能性を排除しない。或る特定の異なる方法が、互いに異なる複数の従属クレームに記載されていることは、それらの方法の組合せが利用できないことを意味しない。特許請求の範囲におけるいかなる参照符号も、範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。