センサー素子からの差動入力信号に基づいて前記センサー素子に印加される物理量を検出する検出回路であって、前記差動入力信号の差分を増幅して、第1の信号として出力する差動増幅回路と、前記第1の信号に基づく信号を増幅して、第2の信号として出力する非反転増幅回路と、前記第2の信号を直流信号に変換して、前記物理量に応じた1つの出力信号を生成する後段回路と、を含み、前記差動増幅回路および前記非反転増幅回路の少なくとも1つは、入力される選択信号に基づいて、増幅率を変化させる検出回路。請求項1に記載の検出回路において、前記差動増幅回路および前記非反転増幅回路は、1つの前記選択信号に基づいて、連動して増幅率を変化させる検出回路。請求項1乃至2のいずれかに記載の検出回路において、前記差動増幅回路は、入力抵抗、帰還抵抗、および非反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗の抵抗値を、前記選択信号に基づいて変化させることで増幅率を変える検出回路。請求項3に記載の検出回路において、前記差動増幅回路は、入力抵抗、帰還抵抗、および非反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗を、単位抵抗を組み合わせた回路で構成する検出回路。請求項1乃至4のいずれかに記載の検出回路において、前記非反転増幅回路は、帰還抵抗、および反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗の抵抗値を、前記選択信号に基づいて変化させることで増幅率を変える検出回路。請求項5に記載の検出回路において、前記非反転増幅回路は、帰還抵抗、および反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗を、単位抵抗を組み合わせた回路で構成する検出回路。請求項1乃至6に記載の検出回路において、前記後段回路は、前記第2の信号のレベルを調整するオフセット調整回路を含み、前記オフセット調整回路は、前記選択信号に基づいて、調整幅を変化させる検出回路。請求項7に記載の検出回路において、前記オフセット調整回路は、前記非反転増幅回路の直後に配置される検出回路。請求項7乃至8のいずれかに記載の検出回路において、前記オフセット調整回路は、抵抗を含み、前記選択信号に基づいて前記抵抗の抵抗値を変化させることで、調整幅を変える検出回路。請求項1乃至8のいずれかに記載の検出回路を含む物理量測定装置。ここで、センサー回路は、例えば車両や電子機器等に搭載され、推測航法DRナビゲーションや手振れ補正といった用途に用いられている。例えば、DRと手振れ補正とでは要求される感度等が大きく違うが、異なる用途であっても使用可能なセンサー回路が求められている。しかし、特許文献1の発明では、このように使用用途が異なる場合は検出の感度を調整しきれない。例えば、互いに異なるゲインが設定された2つのLPFローパスフィルターから検出感度の異なる信号を出力するセンサー回路は、このような要求を満たす。このとき、2つのLPFをRC回路で構成すると、製造ばらつきによって特性が変動しやすい。そこで、スイッチトキャパシタ回路で構成すると、製造ばらつきによる特性変動は抑えられる。しかし、このときスイッチトキャパシタ回路が全体に占める面積が大きくなり、センサー回路の小型化の要求を満たせなくなる。さらに、感度に応じたゲイン配分の最適化ができないため、高感度時のノイズ特性が悪化する。本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものである。本発明のいくつかの態様によれば、レイアウト面積、消費電力を増大させずに、検出感度、検出範囲の切り換えを低ノイズで実現可能な検出回路を提供できる。1本発明は、センサー素子からの差動入力信号に基づいて前記センサー素子に印加される物理量を検出する検出回路であって、前記差動入力信号の差分を増幅して、第1の信号として出力する差動増幅回路と、前記第1の信号に基づく信号を増幅して、第2の信号として出力する非反転増幅回路と、前記第2の信号を直流信号に変換して、前記物理量に応じた1つの信号を出力する後段回路と、を含み、前記差動増幅回路および前記非反転増幅回路の少なくとも1つは、入力される選択信号に基づいて、増幅率を変化させる。2この検出回路において、前記差動増幅回路および前記非反転増幅回路は、1つの前記選択信号に基づいて、連動して増幅率を変化させてもよい。これらの発明によれば、出力端子出力回路を複数用意することなく、差動増幅回路および非反転増幅回路の少なくとも1つの増幅率を、入力される選択信号に基づいて変化させる。これにより、レイアウト面積、消費電力を増大させずに、用途に応じた感度検出範囲設定を実現できる。このとき、差動増幅回路および非反転増幅回路は、1つの選択信号に基づいて、連動して増幅率を変化させてもよい。1つの選択信号で2つの回路の増幅率の切り換えが可能であるため制御が容易になるとともに、端子数を大幅に増大させることがない。3この検出回路において、前記差動増幅回路は、入力抵抗、帰還抵抗、および非反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗の抵抗値を、前記選択信号に基づいて変化させることで増幅率を変えてもよい。4この検出回路において、前記差動増幅回路は、入力抵抗、帰還抵抗、および非反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗を、単位抵抗を組み合わせた回路で構成してもよい。これらの発明によれば、差動増幅回路は、反転入力端子側および非反転入力端子側の入力抵抗、帰還抵抗、および非反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗の抵抗値を変化させることで増幅率を変えることができる。このとき、選択信号の例えばレベル低電位側である‘0’または高電位側である‘1’に応じて増幅率が変化してもよい。ここで、前記の抵抗は1つの抵抗値をもつ単位抵抗を組み合わせた回路で構成されていてもよい。例えば、単位抵抗が1つのセル、あるいはマクロである場合には、製造ばらつきの影響を抑えて、所望の増幅率を得ることができる。5この検出回路において、前記非反転増幅回路は、帰還抵抗、および反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗の抵抗値を、前記選択信号に基づいて変化させることで増幅率を変えてもよい。6この検出回路において、前記非反転増幅回路は、帰還抵抗、および反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗を、単位抵抗を組み合わせた回路で構成してもよい。これらの発明によれば、非反転増幅回路は、帰還抵抗、および反転入力端子と接地電位との間に設けられた抵抗の抵抗値を変化させることで増幅率を変えることができる。このとき、選択信号の例えばレベル‘0’または‘1’に応じて増幅率が変化してもよい。ここで、前記の抵抗は1つの抵抗値をもつ単位抵抗を組み合わせた回路で構成されていてもよい。例えば、単位抵抗が1つのセル、あるいはマクロである場合には、製造ばらつきの影響を抑えて、所望の増幅率を得ることができる。7この検出回路において、前記後段回路は、前記第2の信号のレベルを調整するオフセット調整回路を含み、前記オフセット調整回路は、前記選択信号に基づいて、調整幅を変化させてもよい。8この検出回路において、前記オフセット調整回路は、前記非反転増幅回路の直後に配置されてもよい。9この検出回路において、前記オフセット調整回路は、抵抗を含み、前記選択信号に基づいて前記抵抗の抵抗値を変化させることで、調整幅を変えてもよい。これらの発明によれば、差動増幅回路および非反転増幅回路の少なくとも1つの増幅率が変化することで生じる変動に対応して、オフセット調整回路の内部で調整が可能である。オフセット調整回路は、選択信号に基づいて調整幅を変化させるので、例えば出荷時に設定されたコード信号を変更することなく、適切なオフセット調整が可能になる。このとき、オフセット調整回路は、非反転増幅回路の直後に配置されてもよい。回路の一部を共用することで回路面積をさらに削減することが可能である。さらに、オフセット調整回路は、例えば可変抵抗、又は電気的接続を制御するスイッチを有する抵抗の組み合わせ回路を含んでいてもよい。そして、選択信号に基づいて、可変抵抗の抵抗値を変化させたり、抵抗の組み合わせ回路が有するスイッチのオン、オフを切り換えたりしてもよい。10本発明は、前記のいずれかに記載の検出回路を含む物理量測定装置である。本発明によれば、検出回路のレイアウト面積、消費電力を増大させずに、検出感度、検出範囲を切り換え可能であるため、様々な用途に使用できる小型の物理量測定装置を実現できる。1.第1実施形態本発明の第1実施形態について図1~図7を参照して説明する。なお、図2は比較例の信号出力部の図であり、本実施形態の信号出力部は図6に示されている。1.1.本実施形態の検出回路の構成図1は本実施形態の検出回路10のブロック図である。検出回路10は、センサー素子からの差動入力信号290、292を受け取る。本実施形態ではノイズ耐性のある差動入力を行うが、シングルエンド入力であってもよい。差動入力信号290、292はセンサー素子に印加された物理量を表す信号である。検出回路10は、差動入力信号290、292に基づくアナログ信号に対して前段回路12で必要な処理を行い、同期検波回路60を含む後段回路14で直流信号に変換して必要な処理を行う。そして、物理量に応じた出力信号294を生成する。ここで、前段回路12は交流信号を扱うAC段に対応し、後段回路14は直流信号を扱うDC段に対応する。検出回路10の前段回路12は、チャージアンプ20-1、20-2、差動増幅回路差動アンプ30、ハイパスフィルターHPF40、非反転増幅回路ACアンプ50を含む。検出回路10の後段回路14は、同期検波回路60、信号出力部70、オフセット調整回路90を含む。選択信号210は、差動増幅回路30および非反転増幅回路50に入力されて、ゲイン増幅率の選択に用いられる。本実施形態では、1つの選択信号210が差動増幅回路30および非反転増幅回路50に入力されるが、異なる2つの選択信号210がそれぞれ入力されてもよい。また、選択信号210は、オフセット調整回路90に入力されて、調整幅を変化させる。調整幅とは、コード信号212が1だけ変化した場合の、オフセット信号126の変化量をいう。コード信号212は、オフセット調整回路90に入力されて、オフセット信号126を定める。コード信号は、例えば3ビットのデジタル信号である。チャージアンプ20-1、20-2は、それぞれ差動入力信号290、292の電荷を電圧へと変換する。チャージアンプ20-1とチャージアンプ20-2とは同一の構成である。なお、チャージアンプ20-1、20-2は省略されてもよい。差動増幅回路30は、チャージアンプ20-1、20-2から出力される信号110、112の両方を受け取り、これらの信号の差分を増幅して第1の信号114として出力する。後述するように、選択信号210によって差動増幅回路30のゲインが選択される。ハイパスフィルター40は、第1の信号114の高周波成分を透過させて、信号116として出力する。そして、非反転増幅回路50は、信号116を増幅して第2の信号118を後段回路14に出力する。なお、後述するように選択信号210によって非反転増幅回路50のゲインも選択される。同期検波回路60は、第2の信号118を受け取り、同期検波を行う。このとき、センサー素子に印加された物理量を正確に測るために、オフセット調整回路90からオフセット信号126が同期検波回路60に入力される。オフセット信号126はコード信号212に対応し、その調整幅は選択信号210により変化する。信号出力部70は、同期検波回路60から出力される信号直流信号120を受け取り、例えばローパスフィルター等の平滑処理により直流電圧に変換された信号を生成したり、増幅したりする。そして、物理量に応じた出力信号294を生成する。1.2.比較例の信号出力部本実施形態の検出回路10の回路図の例を示す前に、比較例の検出回路が含む信号出力部170について図2を用いて説明する。比較例の検出回路の構成は、信号出力部170以外の部分は、本実施形態の検出回路10から選択信号210、コード信号212、オフセット調整回路90、オフセット信号126を省略したものと同じであるので、説明を省略する。図2は比較例の信号出力部170の回路図である。比較例の信号出力部170は、図1の本実施形態の検出回路10の信号出力部70に対応する。信号出力部170は、同期検波回路から出力される信号220を受け取り、抵抗171、173とキャパシタ172、174をそれぞれ組み合わせて構成されるローパスフィルターによる処理を行う。これらのローパスフィルターは、同期検波の平滑化処理や後段の処理のプリフィルターとして機能する。信号出力部170は、可変抵抗176、177とオペアンプ175で構成される可変ゲインアンプを含む。この可変ゲインアンプはデジタルゲインとして使用される。可変ゲインアンプからの出力信号は、互いに異なるゲインが設定された2つのスイッチトキャパシタフィルター178A、178Bに入力されて、これらのフィルターの出力がそれぞれ出力信号394A、394Bとなる。比較例の検出回路では、例えば出力信号394A、394Bのそれぞれを、モーション用途例えば、感度0.3mV/dps、検出範囲-2000dps~2000dps、DR用途例えば、感度2mV/dps、検出範囲-200dps~200dpsに割り当ててもよい。2つのスイッチトキャパシタフィルター178A、178Bを用いることで、異なる用途であっても使用可能な検出回路を実現する。しかし、製造ばらつきによる特性変動を抑えるために、検出回路全体に占める面積が大きいスイッチトキャパシタフィルターを2つ含むため、面積を小さくすることは困難であった。これに対し、本実施形態の検出回路では、後述するようにスイッチトキャパシタフィルターを1つだけ用いることで、比較例の検出回路に比べて大幅に面積を小さくすることが可能である。以下に、本実施形態の検出回路の回路図の例を説明する。1.3.本実施形態の検出回路の詳細1.3.1.前段回路図3~図5は、本実施形態の検出回路の前段回路12における回路の例を示す図である。図1と同じ要素には同じ番号を付しており説明は省略する。1.3.1.1.チャージアンプチャージアンプ20-1、20-2は同一の構成であり、例えばオペアンプ26、抵抗帰還抵抗24、キャパシタ帰還容量22で構成されてもよい。このとき、電圧信号への変換を行うとともに、抵抗24の抵抗値とキャパシタ22の容量を適当に設定することで位相調整を行ってもよい。1.3.1.2.差動増幅回路差動増幅回路30は、例えば可変抵抗32、33、34、35とオペアンプ36で構成されてもよい。差動増幅回路30は、チャージアンプ20-1、20-2のそれぞれから信号110、112を受け取り、第1の信号114を出力する。そして、選択信号210は可変抵抗32、33、34、35の抵抗値を決定する。図4は、本実施形態の差動増幅回路30の詳細を示す図である。本実施形態の可変抵抗32、33、34、35図3参照は、抵抗値RAである単位抵抗37A~37F、38A~38Fで構成されている。なお、図3と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。例えば、選択信号210が‘0’の場合には、SW1およびSW3がオン状態になり、SW2およびSW4はオフ状態となる。このとき、可変抵抗32の抵抗値は2RA単位抵抗37A~37Bが対応であり、可変抵抗33の抵抗値も2RA単位抵抗38A~38Bが対応である。そして、可変抵抗34の抵抗値は4RA単位抵抗37C~37Fが対応であり、可変抵抗35の抵抗値も4RA単位抵抗38C~38Fが対応である。また、例えば選択信号210が‘1’の場合には、SW1およびSW3がオフ状態になり、SW2およびSW4はオン状態となる。このとき、可変抵抗32の抵抗値は4RA単位抵抗37A~37Dが対応であり、可変抵抗33の抵抗値も4RA単位抵抗38A~38Dが対応である。そして、可変抵抗34の抵抗値は2RA単位抵抗37E~37Fが対応であり、可変抵抗35の抵抗値も2RA単位抵抗38E~38Fが対応である。本実施形態の差動増幅回路30のゲインKDIFは、選択信号210以下、数式においてSELと表記するのレベルに応じて下記の式1のように大きく変化する。本実施形態の検出回路は、選択信号210を用途例えば手振れ補正に応じて設定することで、適切なゲインKDIFを選択することができる。1.3.1.3.ハイパスフィルターハイパスフィルター40は、例えばキャパシタ42と抵抗44で構成されてもよい。このとき、不要な低周波成分を取り除くとともに、キャパシタ42の容量と抵抗44の抵抗値を適当に設定することで位相調整を行ってもよい。1.3.1.4.非反転増幅回路非反転増幅回路50は、例えば可変抵抗54、56とオペアンプ52で構成されてもよい。非反転増幅回路50は、ハイパスフィルター40から信号116を受け取り、第2の信号118を出力する。そして、選択信号210は可変抵抗54、56の抵抗値を決定する。図5は、本実施形態の非反転増幅回路50の詳細を示す図である。本実施形態の可変抵抗54、56図3参照は、抵抗値RBである単位抵抗55A~55Eで構成されている。なお、図3と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。例えば、選択信号210が‘0’の場合には、SW5がオン状態になり、SW6はオフ状態となる。このとき、可変抵抗54の抵抗値は2RB単位抵抗55A~55Bが対応であり、可変抵抗56の抵抗値は3RB単位抵抗55C~55Eが対応である。また、例えば選択信号210が‘1’の場合には、SW5がオフ状態になり、SW6はオン状態となる。このとき、可変抵抗54の抵抗値は3RB単位抵抗55A~55Cが対応であり、可変抵抗56の抵抗値は2RB単位抵抗55D~55Eが対応である。本実施形態の非反転増幅回路50のゲインKACは、選択信号210のレベルに応じて下記の式2のように変化する。本実施形態の検出回路は、選択信号210を用途例えば手振れ補正に応じて設定することで、適切なゲインKACを選択することができる。ここで、本実施形態の前段回路12の例では、1つの選択信号210によって連動してKDIFおよびKACが変化する。そのため、選択信号210の設定の違いによって、下記の式3に示すような大きなゲインの差が生じる。式3のように、この例では6倍ものゲインの違いが生じる。そのため、例えばDRと手振れ補正といった異なる用途に、本実施形態の1つの検出回路で対応することが可能になる。このとき、比較例図2参照のような2つの出力を設ける必要はない。また、前段回路12でゲイン設定を変更することで、低ノイズ特性、すなわちノイズ成分までは増幅されない特性を保持することもできる。1.3.2.後段回路図6~図7は、本実施形態の検出回路の後段回路14における回路の例を示す図である。図1~図5と同じ要素には同じ番号を付しており説明は省略する。図6に示すように、本実施形態の検出回路では、スイッチトキャパシタフィルター78を1つだけ用いることで、比較例図2参照の検出回路に比べて大幅に面積、消費電力を小さくすることが可能である。そして、本実施形態の検出回路は、ゲインKDIF、KACを選択信号210によって選択することで、要求される検出感度、検出範囲が違う用途にも対応できる。その一方で、後段回路14でオフセット調整を行う場合には、前段回路12におけるゲインKDIF、KACを考慮して調整幅を変化させる必要が生じる。例えば、高ゲインの場合に合わせて調整のステップ幅を固定すると、低いゲインを用いた場合にはステップ幅が大きすぎて適切な調整を実行できない。本実施形態の検出回路では、オフセット調整回路90で、前段回路12におけるゲイン設定に応じた調整を行う。以下、後段回路14の各機能ブロックについて順に説明する。1.3.2.1.同期検波回路同期検波回路60は、第2の信号118を受け取って同期検波を行う。同期検波回路60は、例えば抵抗62、64、オペアンプ66で構成される反転増幅回路によって第2の信号118の反転信号を生成してもよい。そして、例えば排他的にオンになるスイッチ68、69によって、正転又は反転した信号を選択してもよい。スイッチ68、69の選択信号SDETは、例えば同期検波回路60の外部から与えられるパルス信号であってもよい。本実施形態の同期検波回路60は、オフセット調整回路90からのオフセット信号126を受け取り、信号レベルの調整が行われる。このとき、同期検波回路60が含む反転増幅回路をオフセット調整に利用することで、回路面積を削減することができる。1.3.2.2.オフセット調整回路オフセット調整回路90は、センサー素子に印加された物理量を正確に測るために、信号に含まれる不要成分を除去するためのオフセット信号126を出力する。オフセット調整回路90は、入力されるコード信号212をDAC92で変換したアナログ信号を、抵抗94、96で調整してオフセット信号126として出力してもよい。このとき、抵抗96をバイパスするスイッチ98のオン、オフが選択信号210によって変化してもよい。ここで、コード信号212は、例えば出荷時に検出回路の個体差に応じて決定される固定値であり、フラッシュメモリーなどに保存される。よって、コード信号212をDAC92で変換したアナログ信号も、ある特定のレベルの信号となる。前記のように、後段回路14でオフセット調整を行う場合には、前段回路12におけるゲインKDIF、KACを考慮して調整幅を変化させる必要が生じる。オフセット調整回路90は、スイッチ98のオン、オフにより調整幅を変化させて、ゲインKDIF、KACに対応する調整を行うことが可能である。図6のように、DAC92の抵抗値をRDAC、抵抗94の抵抗値をR1、抵抗96の抵抗値をR2、抵抗62および抵抗64の抵抗値をR0とする。このとき、DAC92の1LSBをVDACと表すと、例えば選択信号210が‘0’の場合には、信号120における調整幅Vstep0は下記の式4となる。なお、このときには、スイッチ98はオン状態となっている。一方、例えば選択信号210が‘1’の場合には、信号120における調整幅Vstep1は下記の式5となる。なお、このときには、スイッチ98はオフ状態となっている。ここで、式3のように、選択信号210が‘0’の場合の差動増幅回路30のゲインをKDIF0、非反転増幅回路50のゲインをKAC0とする。また、選択信号210が‘1’の場合の差動増幅回路30のゲインをKDIF1、非反転増幅回路50のゲインをKAC1とする。このとき、抵抗94の抵抗値R1、抵抗96の抵抗値R2を、下記の式6を満たすように選択すれば、選択信号210に対応したすなわち、ゲインKDIF、KACの変化に対応した適切な調整幅を与えることができる。例えば、選択信号210が‘0’の場合には、モーション用途例えば、感度0.3mV/dps、検出範囲-2000dps~2000dpsに適したゲイン設定であるとする。このとき、オフセット調整回路90は、選択信号210の値に基づいて、例えば0.3mV/stepのオフセット調整幅を選択してもよい。また、例えば選択信号210が‘1’の場合には、DR用途例えば、感度2mV/dps、検出範囲-200dps~200dpsに適したゲイン設定であるとする。このとき、オフセット調整回路90は、選択信号210の値に基づいて、例えば2mV/stepのオフセット調整幅を選択してもよい。なお、DAC92の構成は特定のものに限られないが、本実施形態では図7の回路構造をとる。図7のDAC92は、コード信号212としてn1ビットのデジタル値を受け取る。このとき、nは0以上の整数であり、図7のコード信号212-ii=0、1、...nはコード信号212の各ビットの信号を表す。例えば、コード信号212-ii=0、1、...nが‘1’であれば図7のスイッチはVR側に接続され、‘0’であればGND側に接続される。ここで、VRはDAC92の最大電圧を与える基準電圧である。図7のDAC92は、抵抗値Rを単位とする抵抗を用いた回路で構成される。例えば2Rは、抵抗値Rの2倍の大きさを意味する。そして、出力される信号214は下記の式7で与えられる。ここで、式7のVii=0、1、...nは図7のスイッチで決まる電位であり、数8のように表すことができる。なお、GNDは接地電位であり数8では0ゼロで表している。また、コード信号212-iは、下記の式8ではCiと表現している。本実施形態のDAC92の抵抗値RDACは、下記の式9で与えられるので、式6に基づいて抵抗94の抵抗値R1、抵抗96の抵抗値R2を適切に設定することが可能である。なお、式7、式9のrは係数であり、DAC92の出力の中央のレベルを定めるのに使用される。例えば、n=2の場合にコード信号212として100bが入力されたときに、出力信号が1.35Vとなるように係数rが定められてもよい。1.3.2.3.信号出力部信号出力部70は、同期検波回路60から出力される信号直流信号120を受け取り、例えば抵抗71、73とキャパシタ72、74をそれぞれ組み合わせて構成されるローパスフィルターによる処理を行ってもよい。これらのローパスフィルターは、同期検波の平滑化処理や後段の処理のプリフィルターとして機能する。また、信号出力部70は、可変抵抗76、77とオペアンプ75で構成される可変ゲインアンプを含んでいてもよい。この可変ゲインアンプはデジタルゲインとして使用できる。そして、可変ゲインアンプからの信号は、1つのスイッチトキャパシタフィルター78を通って、出力信号294として信号出力部70から出力されてもよい。このように、本実施形態の検出回路は、スイッチトキャパシタフィルター78を1つしか含まないのでレイアウト面積、消費電力を小さくすることができる。また、選択信号210によって差動増幅回路30および非反転増幅回路50のゲインを変更し、用途に応じて検出感度、検出範囲を切り換えることが可能である。また、これらのゲインの変化に対応して、オフセット調整回路90はオフセットの調整幅を変更するので、物理量に応じた正確な出力信号294を得られる。2.変形例本実施形態の変形例について図8~図9を参照して説明する。変形例の検出回路10Aは、オフセット調整回路90を、より出力信号294に近い場所に配置している。なお、図1~図7と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図8は、本変形例の検出回路10Aのブロック図である。オフセット信号126による信号レベルの調整を、出力信号294により近い場所で行うことができる。そのため、オフセット信号126による出力信号294の変化を容易に予測することができる。変形例の検出回路10Aは、第1実施形態の検出回路10のブロック図図1参照と比べて、後段回路14Aの同期検波回路60Aと信号出力部70Aだけが異なっている。オフセット調整回路90自体は第1実施形態と同じである。図9は、本変形例の後段回路14Aの回路図である。同期検波回路60Aはオフセット信号126を入力しないことだけが異なり、他の構成は第1実施形態と同じであるので説明を省略する。信号出力部70Aは、スイッチトキャパシタフィルター78の直前に、抵抗82、84、オペアンプ86で構成される反転増幅回路を含む。この反転増幅回路にオフセット調整回路90からのオフセット信号126が入力される。このとき、抵抗82および抵抗84の抵抗値をR0として、式6に基づいて抵抗94の抵抗値R1、抵抗96の抵抗値R2を選択すれば、選択信号210に対応した適切なオフセット調整幅を与えることができる。本変形例が示すように、後段回路におけるオフセット調整回路90の配置には自由度がある。よって、第1実施形態の構成に限らず、柔軟な設計が可能である。3.適用例物理量測定装置3.1.物理量測定装置の構成図10は本実施形態の検出回路10を含む物理量測定装置1の構成例である。本実施形態の検出回路10は、物理量測定装置1の検出部分として機能する。ここで、図1~図9と同じ要素には同じ符号を付しており説明は省略する。なお、本実施形態の検出回路10に代えて変形例の検出回路10Aを適用してもよい。物理量測定装置1は、検出回路10、駆動回路410、センサー素子である振動子2、3を含む。ここで、振動子2、3は一体であってもよい。例えば、物理量測定装置1がジャイロセンサーである場合、センサー素子にはコリオリ力が作用する。コリオリ力は、振動する物体を回転させた場合に、物体の振動方向と回転軸のそれぞれに直交する方向に作用する力であり、コリオリ力に基づいて角速度の検出ができる。このとき、振動子2、3は一体であって、励振電流200や駆動回路410からの駆動信号208を入出力する駆動電極と、差動入力信号290、292を出力する検出電極とを備える。3.2.駆動回路図11は、物理量測定装置1図10参照に含まれる駆動回路410のブロック図の例である。図10と同じ要素には同じ番号を付しており説明は省略する。駆動回路410は、例えば電流電圧変換回路420、全波整流回路430、比較調整回路440、駆動信号生成回路450を含む。電流電圧変換回路420は、振動子2からの励振電流200を電圧に変換して出力電圧202を出力する。出力電圧202の振幅は励振電流200の振幅に比例している。全波整流回路430は、電流電圧変換回路420からの出力電圧202を全波整流して直流に近い電圧を得て出力電圧204を出力する。比較調整回路440は、全波整流回路430からの出力電圧204を比較電圧供給回路442からの電圧と比較し、比較結果を反映した信号である出力電圧206を駆動信号生成回路450に出力する。そして、駆動信号生成回路450は、電流電圧変換回路420からの出力電圧202に基づいて駆動信号208を生成するが、出力電圧206に基づいて駆動信号208の振幅を調整する。このような駆動回路410と、本実施形態の検出回路10とを用いて、物理量測定装置1を実現できる。物理量測定装置1は、検出回路のレイアウト面積、消費電力を増大させずに、検出感度、検出範囲を切り換え可能であるため、小型で様々な用途に使用することができる。これらの例示に限らず、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。