基板上に第一配線層を形成する第1の工程と、前記第一配線層を覆うように第1の樹脂からなる第一絶縁層を形成する第2の工程と、前記第一絶縁層上に形成され、フラックスゲートのコアをなす磁性層を形成する第3の工程と、前記磁性層を覆うように前記第一絶縁層上に第2の樹脂からなる第二絶縁層を形成する第4の工程と、前記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第5の工程と、を少なくとも有するフラックスゲートセンサの製造方法であって、前記第一配線層と前記第二配線層とが、磁気コイルと、ピックアップコイルとを各々構成するように電気的に接続され、少なくとも、前記第3、第4及び第5の工程の各々におけるプロセスの温度は、前記第1の樹脂のガラス転移温度よりも低いことを特徴とするフラックスゲートセンサの製造方法。前記第1の樹脂のガラス転移温度は300°Cより高いことを特徴とする、請求項1に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。前記第3の工程におけるプロセスの温度は、該磁性層の成膜時における第一温度、又は、該磁性層を成膜した後に行われる磁場中熱処理時における第二温度のうち、いずれか高い方の温度であることを特徴とする、請求項1に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。前記第3の工程は、コバルト系軟磁性膜をスパッタ法により成膜する第一プロセスと、前記磁場中熱処理を行い、成膜後の該磁性層における誘導磁気異方性を制御する第二プロセスとからなることを特徴とする、請求項2に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。前記第1及び第2の樹脂は同一材料の感光性ポリイミドであり、前記第1の樹脂の熱硬化温度は350°C乃至400°C、前記2の樹脂の熱硬化温度は250°C乃至300°Cであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のフラックスゲートセンサの製造方法。かかるセンサの製造過程においては、前述のように、感光性ポリイミドによる第一絶縁樹脂層2を形成した後に、熱が加わるいくつかの過程を経る。すなわち、磁性膜3磁性層を成膜する際の成膜温度であり、磁場中熱処理の温度であり、また、第二絶縁樹脂層4を形成する際のポリイミドに対する熱硬化処理の温度である。なお、ここでは、各工程で行われる熱処理の温度のうち、もっとも高い温度をプロセスの温度と称する。ここで、それらの熱処理の温度が、磁性膜が成膜される下地となるポリイミドの第一絶縁樹脂層2のガラス転移温度Tgよりも高いと、ポリイミドが収縮することによって変形し、第一絶縁樹脂層の上に形成された磁性膜3も変形してしまう。その結果、磁性膜3の応力状態が変化するので磁性膜3の特性が悪化する。すなわち、図8の磁化曲線B-H曲線に示すように、保磁力が増大するのに伴って、磁化曲線の線形性が悪化する。また、このように磁化曲線の線形性が悪化した磁性膜を使用したセンサの出力特性の線形性も悪化する。このように出力特性の線形性が悪化したセンサでは、特に、励磁磁界のように正負の磁界を交互に印加する場合において、磁界が、正から負、負から正というように交互に印加されたときに磁束密度の変化が異なる。したがって、外部磁界が重畳されたときのピックアップ電圧の波形に歪が生じ易くなる。また、ヒステリシスコンパレータなどにより電圧基準点を設けて時間を検出する場合、外部磁界の印加により波形の歪が大きくなると、ピックアップ電圧が電圧基準点に達する時間間隔が外部磁界に対して線形でなくなり、センサの出力特性の線形性が著しく悪化する。本発明は、磁性層磁性膜の磁化曲線の線形性を損なうことのないフラックスゲートセンサの製造方法を提供する。フラックスゲートセンサの製造方法は、基板上に第一配線層を形成する第1の工程と、前記第一配線層を覆うように第1の樹脂からなる第一絶縁層を形成する第2の工程と、前記第一絶縁層上に形成され、フラックスゲートのコアをなす磁性層を形成する第3の工程と、前記磁性層を覆うように前記第一絶縁層上に第2の樹脂からなる第二絶縁層を形成する第4の工程と、前記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第5の工程と、を少なくとも有するフラックスゲートセンサの製造方法であって、前記第一配線層と前記第二配線層とが、磁気コイルと、ピックアップコイルと、を各々構成するように電気的に接続され、少なくとも、前記第3、第4及び第5の工程の各々におけるプロセスの温度は、前記第1の樹脂のガラス転移温度よりも低くしてもよい。前記第1の樹脂のガラス転移温度は300°Cより高くてもよい。前記第3の工程におけるプロセスの温度は、該磁性層の成膜時における第一温度、又は、該磁性層を成膜した後に行われる磁場中熱処理時における第二温度のうち、いずれか高い方の温度であってもよい。前記第3の工程は、コバルト系軟磁性膜をスパッタ法により成膜する第一プロセスと、前記磁場中熱処理を行い、成膜後の該磁性層における誘導磁気異方性を制御する第二プロセスとからなってもよい。前記第1及び第2の樹脂は同一材料の感光性ポリイミドであってもよい。前記第1の樹脂の熱硬化温度は350°C乃至400°C前記第2の樹脂の熱硬化温度は250°C乃至300°Cであってもよい。本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、磁性膜の保磁力の増大に伴う磁気特性の線形性の劣化が抑制され、良好な出力特性が維持されたフラックスゲートセンサが得られる。本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、第二絶縁層を形成する際の熱硬化の温度の影響も排除することができる。本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、第二絶縁層を形成する際の熱硬化の温度として、十分な温度250°C~300°Cが採用できる。本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、成膜温度と、磁場中熱処理の温度の大小に拘わらず対応できる。本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、磁性層を形成するプロセスを明確にできる。本発明のフラックスゲートセンサの製造方法によれば、第一絶縁層の樹脂としては、第二絶縁層の樹脂とは異なり、熱硬化温度が高いものが採用できる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。これより以降の説明では、各工程ステップで印加される温度のうち、もっとも高い温度をプロセスの温度と称する。図1は、本発明のフラックスゲートセンサの製造方法の一実施形態の手順を示すフローチャートである。本発明の一実施形態の製造方法によれば、まず、ステップS1において、非磁性基板上にシード層をスパッタリングし、レジストマスクを形成した後、電解めっきを行い、上記シード層をエッチングにより除去する。これにより、ソレノイドコイルの下層配線となる第一配線層1を形成する。次に、ステップS2において、第一配線層1に対し、感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像し、熱硬化する。これにより、ソレノイドコイルの配線が接続される開口部を有する第一絶縁樹脂層2を形成する。このときの熱硬化温度が高いほど、ポリイミドのガラス転移温度Tgが高くなる。約400°C以上の温度でポリイミドの熱分解が始まることから、350°C~400°C程度の温度であることが望ましい。次に、ステップS3において、第一絶縁樹脂層2に対し、リフトオフレジストを形成した後に、磁性膜3をスパッタリングにより成膜し、リフトオフを行う。これにより軟磁性体からなるコアを形成する。ここで、本発明では、磁性膜3を成膜する際の成膜温度を、第一絶縁樹脂層2に採用したポリイミドのガラス転移温度Tgよりも低くする。なお、このとき用いる磁性膜3としては、CoFeSiBやCoNbZrやCoTaZrなどのCo系アモルファス材料、あるいはNiFeやCoFe系の軟磁性材料が望ましい。次に、ステップS4において、軟磁性膜を成膜した際に付帯することとなった残留応力や、スパッタリング装置内の磁場により生じた不均一な誘導磁気異方性を除去するために、回転磁場中、又は静磁場中にて熱処理を行う。ここで、本発明では、ステップS3と同様に、磁場中熱処理における温度を、第一絶縁樹脂層2に採用したポリイミドのガラス転移温度Tgよりも低くする。図2に、ガラス転移温度Tgの異なる2種類のポリイミド上に成膜したCoNbZr膜における磁場中熱処理温度と保磁力の関係を示す。図2では、2種類のポリイミドAおよびBと、シリコン基板の場合について示している。ここで、ポリイミドAおよびBのガラス転移温度Tgは、それぞれ、350°Cおよび320°Cである。図2に示すように、ポリイミドAの場合、磁場中熱処理温度が、350°Cを超えると、保磁力が増大している。ポリイミドBの場合、当該温度が320°Cを超えると、保磁力が増大している。つまり、いずれの場合も、磁場中熱処理温度が、ガラス転移温度を超えると、保磁力が増大しており、磁化曲線の線形性に悪影響を及ぼす可能性が高いことを示している。保磁力磁性膜が成膜された下地ポリイミドが、ガラス転移温度を超えた温度で熱処理されることで軟化し、弾性率が著しく低下する。このため、下地ポリイミドの上に成膜された磁性膜の応力による歪が著しく大きくなる。これにより、逆磁歪効果により磁性膜の異方性エネルギーが増大し、保磁力が増大すると考えられる。一方、シリコン基板上にCoNbZr膜を成膜した場合、磁場中熱処理温度を400°Cとした場合でも保磁力は小さいままである。以上から、例えばポリイミドAを採用した場合には、磁場中熱処理温度を350°C以下にし、一方、ポリイミドBを採用した場合には、当該温度を320°C以下にする。これにより、磁性膜の磁化曲線における保磁力の増大を抑えることができ、それに伴う線形性の劣化を抑えることができる。また、保持力が増大するという現象は、以上の理由によるものであるから、磁場中熱処理温度だけでなく、磁性膜を形成する工程以降に行われる工程における熱処理の温度も、第一絶縁樹脂層2に採用された樹脂のガラス転移温度よりも低いことが望ましい。図1の製造方法の手順に戻り、ステップS5において、磁性膜3を覆って、感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像し、熱硬化する。これにより、ソレノイドコイルの配線が接続される開口部を有する第二絶縁樹脂層4を形成する。なお、本発明では、このときの熱硬化温度も、第一絶縁樹脂層2に採用したポリイミドのガラス転移温度Tgよりも低くする。なお、この熱硬化処理は、熱による磁性膜の特性変化を抑制するために、回転磁場又は静磁場を印加した状態で行うことが好ましい。続いて、ステップS6において、第一配線層1と同様に、第二絶縁樹脂層4に対し、シード層をスパッタリングし、レジストマスクを形成した後、電解めっきを行い、上記シード層をエッチングにより除去する。これにより、ソレノイドコイルの上層配線となる第二配線層5を形成する。なお、この第二配線層5には、外部と接続するための図示しない電極パッドが設けられる。最後に、ステップS7において、外部と接続する電極部に開口を設けた、図示しない保護膜を形成する。なお、保護膜の形成の際にも、その熱硬化温度は、第一絶縁樹脂層2に採用したポリイミドのガラス転移温度Tgよりも低くし、かつ、その処理は、回転磁場又は静磁場を印加した状態で行うことが好ましい。図1に基づき、上述した製造方法においては、ソレノイドコイルの下層配線となる第一配線層1と上層配線となる第二配線層5が、第一絶縁樹脂層2と第二絶縁樹脂層4にそれぞれ設けた開口部を介して電気的に接続される構成以下、構成Aと呼ぶについて詳述した。しかしながら、構成Aに代えて、第一配線層1と第二配線層5からなるソレノイドコイルの内部空間のみに、第一絶縁樹脂層2と第二絶縁樹脂層4からなる絶縁樹脂層が設けられ、かつ、第一絶縁樹脂層2と第二絶縁樹脂層4によって磁性膜3が内包された構成としても良い。すなわち、第二配線層5が、第一絶縁樹脂層2とこれに積層された第二絶縁樹脂層4の外周側面に沿って設けられ、第一配線層1と電気的に接続される構成不図示。以下、構成Bと呼ぶとしてもよい。構成Bは、たとえば、第一絶縁樹脂層2および第二絶縁樹脂層4を、第一配線層1の両端が露呈するように形成し、次いで、前記ステップS6におけるレジストマスクを、第二絶縁樹脂層4および第一配線層1に対して形成した後、電解めっきを行い、前記シードをエッチングにより除去することにより作製することができる。磁性膜の材料としてCo85Nb12Zr3を採用し、上述のような製造方法に基づいて製造したフラックスゲートセンサについて、製造プロセス経過後の磁性膜の磁化曲線B-H曲線を図3Aに示す。図3Aに示すように、良好な線形性が維持されている。また、そのときのセンサの出力特性を図3Bに示す。図3Bに示すように、磁性膜の線形性が維持されていれば、出力特性も良好に維持されている。以上のように、成膜温度、磁場中熱処理の処理温度、第二絶縁樹脂層の熱硬化処理の処理温度等を、第一絶縁樹脂層に採用したポリイミドのガラス転移温度Tgよりも低くすることにより、磁性膜の保磁力の増大に伴う磁気特性の線形性の劣化が抑制され、良好な出力特性が維持されたフラックスゲートセンサが得られる。なお、ポリイミドの熱硬化温度が低いと、プロセス中の薬液に対する耐性が十分に確保し難いことから、その熱硬化温度は、250°C~300°C程度が望ましい。また、センサモジュールの組立工程や、センサを基板上に実装する時のはんだリフロー温度は、260°C程度である。第一絶縁樹脂層に採用した樹脂のガラス転移温度が、はんだリフロー温度よりも低い場合、はんだリフロー時の加熱によって磁性膜の保磁力が増大するため、センサの磁気特性の線形性が劣化する。したがって、第一絶縁樹脂層に採用する樹脂のガラス転移温度は、はんだリフローの温度よりも十分に高いことが望ましい。従って、これらの制約から、第一絶縁樹脂層に採用するポリイミドのガラス転移温度Tgは、300°C以上が好適となる。すなわち、リフロー温度耐性に優れ、良好な出力特性が維持されるフラックスゲートセンサが得られる。なお、上述の実施形態は一例であり、発明の趣旨を具現化する態様は、当業者であれば各種想到可能である。例えば、上述の実施形態においては、絶縁樹脂層として、感光性ポリイミドを採用した場合を説明したが、これに限られることはなく、例えば、ポリベンゾオキサゾールや、クレゾールノボラック樹脂等の感光性樹脂材料でもよい。しかしながら、工程内の材料管理の観点から、第一絶縁樹脂層と第二絶縁樹脂層とは、同一材料で構成することが望ましい。従って、前述から、その場合には、ガラス転移温度Tgが300°C以上であり、かつ、250°C~300°C程度の温度で熱硬化可能な材料ということになる。但し、ステップS2の説明で述べたように、第一絶縁樹脂層に採用する材料については、熱硬化温度は、350°C~400°C程度が望ましい。また、上述の実施形態においては、感光性の材料である感光性ポリイミドで説明したが、フォトリソグラフィやナノインプリント等の微細加工プロセスによりパターン形成が可能なものであれば、非感光性のポリイミドであってもよい。この非感光性ポリイミドは、一般に、感光性ポリイミドよりもガラス転移温度が高く、400°C程度のものまで存在する。従って、非感光性ポリイミドを採用した場合、本発明により制限を設けた温度を400°C程度に設定することが可能となる。また、上述の実施形態においては、配線形成方法として、電解めっき法を用いたが、無電解めっきや、スパッタ成膜したアルミニウムAl、金Au、銅Cuなどの導電材料をエッチングにより形成してもよい。以上、本発明の好適な実施形態について説明し例証したが、これらはあくまで発明の例示であって限定的に考慮されるべきものではなく、追加、削除、置換及び他の変更は本発明の範囲を逸脱しない範囲で可能である。即ち、本発明は前述した実施形態により限定されるものではなく、請求項の範囲により限定されるものである。