ダウントラック方向に対してリーディング側およびトレーリング側を有する主磁極であって、前記ダウントラック方向は前記主磁極に対する媒体の移動方向である、主磁極と、前記主磁極に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドギャップ層であって、前記クロストラック方向は前記ダウントラック方向に垂直である、サイドギャップ層と、前記サイドギャップ層に隣接してクロストラック方向配置されるサイドシールド層と、を含み、前記サイドギャップ層はその中に前記ダウントラック方向に溝を有し、前記主磁極は前記溝内に配置されることを特徴とし、前記サイドシールド層はその中に前記ダウントラック方向に溝を有し、前記サイドギャップ層は前記溝内に配置されることを特徴とし、前記サイドギャップ層は形状が不均等であり、前記主磁極の位置に対する前記サイドシールド層の位置は自己整列されることを特徴とする、磁気ヘッド。前記主磁極に隣接する前記ダウントラック方向のトレーリングギャップと、前記トレーリングギャップ上方にある前記ダウントラック方向のトレーリングシールドと、をさらに含む、請求項1に記載の磁気ヘッド。前記主磁極と前記サイドシールド層との間の前記サイドギャップ層の部分は、前記主磁極の前記トレーリング側と並立する位置において幅約45nmを有し、かつ、前記サイドギャップ層は前記主磁極の前記トレーリング側と並立する位置において幅分布約5nmを有する、請求項1又は2に記載の磁気ヘッド。前記主磁極の前記トレーリング側と並立する位置における、前記主磁極と前記サイドシールド層との間の前記サイドギャップ層の部分の幅と幅分布の比は約91である、請求項1又は2に記載の磁気ヘッド。前記サイドシールド層はFe、Co、Niおよびその合金とのうちの少なくとも1つを含む、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気ヘッド。前記主磁極はFe、Co、Niおよびその合金のうちの少なくとも1つを含む、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の磁気ヘッド。前記主磁極は、その前記トレーリング側においてその前記リーディング側の幅を超える幅を有するテーパ形状を有する、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の磁気ヘッド。前記サイドギャップ層の部分は、それぞれがその前記リーディング側においてそのトレーリング側の幅を超える幅を有するテーパ形状を有する、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の磁気ヘッド。磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体から読み出すおよび/または前記磁気記録媒体に書き込むための請求項1乃至8のいずれか1項に記載の少なくとも1つの磁気ヘッドと、前記少なくとも1つの磁気ヘッドを支持するための磁気ヘッドスライダと、前記少なくとも1つの磁気ヘッドに接続され、前記少なくとも1つの磁気ヘッドの動作を制御するための制御ユニットと、を含む、磁気記録システム。基層を形成するステップであって、サイドギャップ材料を含むサイドギャップ層を基板上に堆積させる工程と、第1の溝を前記サイドギャップ層内に形成する工程と、サイドシールド層を形成するために、前記第1の溝内にサイドシールド材料を含むストリップを堆積させる工程と、平坦化によって前記基層の上面を平らにする工程と、を含む、基層を形成するステップと、前記基層の前記上面上にハードマスクを形成するステップであって、前記ハードマスクは主磁極の形状を呈する、前記基層の前記上面上にハードマスクを形成するステップと、前記ハードマスクのパターンの少なくとも一部に従って前記基層内に第2の溝を形成するステップと、前記サイドギャップ材料を前記第2の溝内に堆積させるステップと、平坦化によって、前記第2の溝内の前記サイドギャップ材料の上面を前記ハードマスクの上面と平らにするステップと、前記第2の溝内の前記サイドギャップ材料内に、前記ハードマスクの前記パターンの部分に従って主磁極溝を形成するステップと、主磁極を形成するために前記主磁極溝内に主磁極材料を堆積させるステップと、前記ハードマスクを除去するステップと、を含み、前記サイドギャップは不均等な形状を有し、前記主磁極の位置に対する前記サイドシールドの位置は自己整列される、磁気ヘッドの作製方法。トレーリングギャップを前記主磁極の上に形成するステップと、前記トレーリングギャップの上にトレーリングシールドを形成するステップと、をさらに含む、請求項10に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記サイドギャップ材料はアルミナを含む、請求項10又は11に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記サイドシールド材料は、Fe、Co、Niおよびその合金のうちの少なくとも1つを含む、請求項10乃至12のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記ハードマスクは、Ni、Cr、Taおよびその合金のうちの少なくとも1つを含む、請求項10乃至13のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記平坦化には化学的機械研磨を含む、請求項10乃至14のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記第1の溝を前記形成するステップは、イオンミリングと、反応性イオンエッチングと、ダマシン処理と、からなる群から選択される工程を含む、請求項10乃至15のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記第2の溝を前記形成するステップは、イオンミリングと、反応性イオンエッチングと、ダマシン処理と、からなる群から選択される工程を含む、請求項10乃至16のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記第2の溝を前記形成するステップは、前記サイドシールド材料を前記サイドギャップ材料よりも迅速に除去し、それによって、不均等なサイドギャップ形状を形成する工程を含む、請求項17に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記主磁極溝を前記形成するステップは、イオンミリングと、反応性イオンエッチングと、ダマシン工程と、からなる群から選択される工程を含む、請求項10乃至18のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。堆積させるステップは、前記サイドギャップ層と、前記ストリップと、前記第2の溝内の前記サイドギャップ材料と、前記主磁極と、のうちのいずれかを積層する工程を含む、請求項10乃至19のいずれか1項に記載の方法。堆積させるステップは、前記サイドギャップ層と、前記ストリップと、前記第2の溝内の前記サイドギャップ材料と、前記主磁極と、のうちのいずれかをリソグラフィおよびめっきする工程を含む、請求項10乃至19のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。堆積させるステップは、前記サイドギャップ層と、前記ストリップと、前記第2の溝内の前記サイドギャップ材料と、前記主磁極と、のうちのいずれかを埋め込む工程を含む、請求項10乃至19のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。前記ハードマスクを前記除去するステップは、研削と、イオンミリングと、反応性イオンエッチングと、平坦化と、化学的機械研磨と、からなる群から選択される工程を含む、請求項10乃至22のいずれか1項に記載の磁気ヘッドの作製方法。ダウントラック方向に対してリーディング側およびトレーリング側を有する主磁極であって、前記ダウントラック方向は前記主磁極に対する媒体の移動方向である、主磁極と、前記主磁極に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドギャップ層であって、前記クロストラック方向は前記ダウントラック方向に垂直である、サイドギャップ層と、前記サイドギャップ層に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドシールド層と、を含み、前記サイドギャップ層はその中に前記ダウントラック方向に溝を有し、前記主磁極は前記溝内に配置されることを特徴とし、前記サイドシールド層はその中に前記ダウントラック方向に溝を有し、前記サイドギャップ層は前記溝内に配置されることを特徴とし、前記サイドギャップ層は形状が不均等であり、前記主磁極の位置に対する前記サイドシールド層の位置は自己整列されることを特徴とし、前記主磁極の前記トレーリング側と並立する位置における、前記主磁極と前記サイドシールド層との間の前記サイドギャップ層の部分の幅と幅分布との比は約91であり、前記主磁極は、その前記トレーリング側においてその前記リーディング側における幅を超える幅を有するテーパ形状を有する、磁気ヘッド。本発明の種々の実施形態は、磁気ヘッドおよびサイドギャップ幅は高レベルの精度に制御される不均等なサイドギャップを有する磁気ヘッドを作製するための方法に関する。一実施形態において、磁気ヘッドには、ダウントラック方向に対してリーディング側およびトレーリング側を有する主磁極と、主磁極に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドギャップ層と、サイドギャップ層に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドシールド層と、を含む。ダウントラック方向は主磁極に対する媒体の移動方向であり、クロストラック方向はダウントラック方向に垂直であり、サイドギャップ層はその中にダウントラック方向に溝を有し、その中に配置される主磁極を有することを特徴とし、サイドシールドはその中にダウントラック方向に形成される溝を有し、その中に配置されるサイドギャップ層を有することを特徴とし、サイドギャップは形状が不均等であり、かつ、主磁極の位置に対するサイドシールドの位置は自己整列されることを特徴とする。別の実施形態において、磁気ヘッドを形成するための方法は、サイドギャップ材料を含むサイドギャップ層を基板上に堆積させる工程と、第1の溝をサイドギャップ層内に形成する工程と、サイドシールド層を形成するために、第1の溝内にサイドシールド材料を含むストリップを堆積させる工程と、平坦化によって基層の上面を平らにする工程とによって基層を形成するステップを含む。方法はまた、基層の上面にハードマスクを形成するステップであって、ハードマスクは主磁極の形状を呈するステップと、ハードマスクのパターンの少なくとも一部に従って基層内に第2の溝を形成するステップと、サイドギャップ材料を第2の溝内に堆積させるステップと、平坦化によって第2の溝内のサイドギャップ材料の上面をハードマスクの上面と平らにするステップと、第2の溝内のサイドギャップ材料内に、ハードマスクのパターンの一部に従って主磁極溝を形成するステップと、主磁極を形成するために主磁極溝内に主磁極材料を堆積させるステップと、ハードマスクを除去するステップと、を含む。磁気ヘッドが完成すると、サイドギャップは不均等な形状を有し、かつ、主磁極の位置に対するサイドシールドの位置は自己整列される。さらに別の実施形態では、磁気ヘッドには、ダウントラック方向に対してリーディング側およびトレーリング側を有する主磁極と、主磁極に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドギャップ層と、サイドギャップ層に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドシールド層と、を含む。ダウントラック方向は主磁極に対する媒体の移動方向であり、クロストラック方向はダウントラック方向に垂直であり、サイドギャップ層はその中にダウントラック方向に溝を有し、その中に配置される主磁極を有することを特徴とし、サイドシールドはその中にダウントラック方向に形成される溝を有し、その中に配置されるサイドギャップ層を有することを特徴とし、サイドギャップは形状が不均等であり、かつ、主磁極の位置に対するサイドシールドの位置が自己整列されることを特徴とし、主磁極のトレーリング側と並立する位置における、主磁極とサイドシールド層との間のサイドギャップ層の部分の幅と幅分布との比は約91であり、主磁極は、そのトレーリング側において、そのリーディング側における幅を超える幅を有するテーパ形状を有する。これらの実施形態のいずれも、磁気ヘッドと、磁気ヘッド上に磁気媒体を通すためのドライブメカニズム例えば、ハードディスクと、磁気ヘッドに電気的に接続されるコントローラと、を含みうるディスクドライブシステムなどの、磁気データ記憶システムに実装されてもよい。本発明の他の態様および利点が、本発明の原理を例として示す図と併せて解釈される場合に、以下の詳細な説明によって明らかとなる。本発明の性質および利点ならびに使用の好ましい態様をより十分に理解するため、添付図面と併せて解釈される以下の詳細な説明を参照されたい。以下の説明は、本発明の一般的原理を示す目的で作成され、本出願において特許請求される発明概念を限定することを意図するものではない。さらに、ここで説明される特定の特徴は、様々な可能な組み合わせおよび置き換えのそれぞれにおいて、他の説明される特徴と組み合わせて用いることができる。ここに特に別段の定義がなければ、全ての用語は、本明細書が示唆する意味と同様に、当業者によって理解される意味、および/または辞書、論文等において定義される意味を含む、それらのできるだけ広い解釈を与えられる。また、本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられているように、単数形には、別段の定めがない限り、複数の指示対象が含まれる。1つの全般的な実施形態では、磁気ヘッドには、ダウントラック方向に対してリーディング側およびトレーリング側を有する主磁極と、主磁極に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドギャップ層と、サイドギャップ層に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドシールド層と、を含む。ダウントラック方向は主磁極に対する媒体の移動方向であり、クロストラック方向はダウントラック方向に垂直であり、サイドギャップ層はその中にダウントラック方向に溝を有し、その中に配置される主磁極を有することを特徴とし、サイドシールドはその中にダウントラック方向に形成される溝を有し、その中に配置されるサイドギャップ層を有することを特徴とし、サイドギャップは形状が不均等であり、および主磁極の位置に対するサイドシールドの位置が自己整列されることを特徴とする。別の全般的な実施形態おいて、磁気ヘッドを形成するための方法には、サイドギャップ材料を含むサイドギャップ層を基板上に堆積させる工程と、第1の溝をサイドギャップ層内に形成する工程と、サイドシールド層を形成するために、サイドシールド材料を含むストリップを第1の溝内に堆積させる工程と、平坦化によって基層の上面を平らにする工程とによって基層を形成するステップを含む。方法にはまた、ハードマスクを基層の上面に形成するステップであって、ハードマスクは主磁極の形状を呈する、ハードマスクを基層の上面に形成するステップと、ハードマスクのパターンの少なくとも一部に従って基層内に第2の溝を形成するステップと、サイドギャップ材料を第2の溝内に堆積させるステップと、平坦化によって第2の溝内のサイドギャップ材料の上面をハードマスクの上面と平らにするステップと、第2の溝内のサイドギャップ材料内にハードマスクのパターンの一部に従って主磁極溝を形成するステップと、主磁極を形成するために主磁極溝内に主磁極材料を堆積させるステップと、ハードマスクを除去するステップと、を含む。磁気ヘッドが完成すると、サイドギャップは不均等な形状を有し、かつ、主磁極の位置に対するサイドシールドの位置が自己整列される。さらに別の総体的な実施形態において、磁気ヘッドには、ダウントラック方向に対してリーディング側およびトレーリング側を有する主磁極と、主磁極に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドギャップ層と、サイドギャップ層に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドシールド層と、を含む。ダウントラック方向は主磁極に対する媒体の移動方向であり、クロストラック方向はダウントラック方向に垂直であり、サイドギャップ層はその中にダウントラック方向に溝を有し、その中に配置される主磁極を有することを特徴とし、サイドシールドはその中にダウントラック方向に形成される溝を有し、その中に配置されるサイドギャップ層を有することを特徴とし、サイドギャップは形状が不均等であり、および主磁極の位置に対するサイドシールドの位置が自己整列されることを特徴とし、主磁極のトレーリング側と並立する位置における主磁極とサイドシールド層との間のサイドギャップ層の部分の、幅と幅分布との比は約91であり、主磁極はそのトレーリング側において、そのリーディング側における幅を超える幅を有するテーパ形状を有する。高記録密度を有する磁気ヘッドの作製要件に応えるために、特許文献1では、書き込みに十分な磁界強度を維持する一方で、イレーズバンド幅を低減するために、トレーリングシールド側のサイドギャップ3の幅が、図1aに示すような、サイドシールド1と主磁極2との間のサイドギャップ3の幅が一定である従来技術のものよりも狭い、図1bに示すような構造を有する磁気記録ヘッドを提案している。トレーリング側とリーディング側とで異なる幅を有するサイドギャップは、以下で不均等なサイドギャップと呼ばれる。従来の均等なサイドギャップ幅を有する記録ヘッドでは、記録ヘッドは以下に記載されるものなどの方法によって作製されてもよい。作製にダマシン工程を要する場合、主磁極を作製するための溝構造が設けられ、かつ、溝構造上にサイドギャップ膜が所望の厚さまで積層される。この工程において、数ある中でもスパッタ堆積または化学蒸着法などの、均等な厚さの膜の提供を可能とする工程によって膜が形成されるとすれば、均等な幅を有するサイドギャップを形成することが可能である。この後、めっきなどによって主磁極材料が埋め込まれ、上部が平坦化され、これにより主磁極および均等な幅のサイドギャップ膜を作製することが可能となる。サイドギャップの厚さがこの方法で均等になると、サイドギャップ膜は均等な厚さの膜の提供を可能とする方法によって形成され、それによって均等な幅のサイドギャップを良好な精度で作製することが可能となる。しかしながら、不均等なサイドギャップの場合、クロストラック方向に測定したサイドギャップ幅はそれに沿うダウントラック方向に一定ではなく、したがって、上述したタイプの方法を使用することはできない。数ある中でも特許文献2は、不均等なサイドギャップを有する磁気記録ヘッドのサイドギャップ部分を作製するための方法を提案している。この方法において、主磁極はサイドギャップ材料に埋め込まれる状態で作製され、その後、表面が平坦化され、サイドギャップを形成するために、レジストマスクが特定の領域内にリソグラフィによって作製される。次いで、サイドギャップは、マスクのこの領域にミリングおよびエッチングを施すことによって作製される。サイドギャップがこの種の方法を使用して作製された場合、サイドギャップ幅の精密度は制御が困難な要素である、リソグラフィ装置の位置決め精度および解像度に依存する。サイドギャップの幅は、特に特許文献3に提案されたものなどのシングル磁気記録SMRにおいて、SN比率SNRを向上するために確実に制御される必要がある。一般的なモデルにおける推定値として、750Gb/in2の磁気記録ヘッドを、約45nmのオーダーのサイドギャップを使用して作製した場合、サイドギャップ幅分布は、適切なSNRを達成するためには5nmを超えてはならない。しかしながら、ArFスキャナを用いた従来のリソグラフィ装置における3σ位置決め精度は±15nmのオーダーであり、したがって、十分な精度を良好な歩留りで達成することは困難である。以下に説明されるように、一実施形態による、記録ヘッドの主磁極およびシールド部を作製するための方法が図3a-16dの補助を得て説明される。磁気ヘッドを作製する方法にはリソグラフィ装置を用いておらず、したがって、サイドギャップ幅はリソグラフィ装置の位置決め精度に依存しない。したがって、高レベルの精度でサイドギャップ幅を制御することが可能である。1つの好適な実施形態において、磁気ヘッドを形成するための方法には、サイドギャップ材料を含むサイドギャップ層を基板上に堆積させる工程と、第1の溝をサイドギャップ層内に形成する工程と、サイドシールドを形成するために、サイドシールド材料を含むストリップを第1の溝内に堆積させる工程と、平坦化によって基層の上面を平らにする工程と、によって基層を形成するステップを含む。方法にはまた、ハードマスクを基層の上面に形成するステップであって、ハードマスクは主磁極の形状を呈するハードマスクを基層の上面に形成するステップと、ハードマスクのパターンに従って基層内に第2の溝を形成するステップと、サイドギャップ材料を第2の溝内に堆積させるステップと、平坦化によって第2の溝内のサイドギャップ材料の上面をハードマスクの上面と平らにするステップと、第2の溝内のサイドギャップ材料内にハードマスクのパターンに従って主磁極溝を形成するステップと、主磁極を形成するために主磁極溝内に主磁極材料を堆積させるステップと、ハードマスクを除去するステップと、を含む。磁気ヘッドが完成すると、サイドギャップは不均等な形状を有し、かつ、主磁極の位置に対するサイドシールドの位置は自己整列される。図3a-3hを参照すると、一実施形態において、主磁極14がダマシン工程によって生成される。この工程において、基板上に形成されるサイドギャップ材料層9内に第1のダマシン溝が形成される。この溝の中に、サイドシールド材料10が、ヘッドが完成したときにサイドシールドがある位置にストリップの形態で埋め込まれ、かつ、図3aおよび3bに示すように、サイドギャップ材料9の高さと差がないように上面が平坦化される。いくつかの実施形態において、溝は基板の上面と並立する深さまたはさらに深く形成されてもよい。図3cおよび3dに示すように、主磁極の形状を呈する形状のハードマスク11がサイドギャップ層9およびサイドシールド材料10の上に形成される。図3eに示すように、このハードマスク11は、サイドギャップを形成するための第2の溝12を生成するために使用される。図3fに示すように、この後、第2の溝はサイドギャップ材料13で充填され、ハードマスクの上面と並立する高さまで平坦化される。この時点でハードマスクは除去されない。次いで、図3gに示すように、ハードマスクのパターンに従って主磁極のための主磁極溝がサイドギャップ材料内に形成され、これは主磁極を生成するために主磁極材料14で充填される。さらに、図3hに示すように、ハードマスク層11はそれを下まで研削することなどによって除去され、それによってサイドシールドの位置と主磁極の位置とが互いに対して自己整列される不均等なサイドギャップ形状を有する記録ヘッドを作製することが可能である。いくつかの手法において、方法には、主磁極の上方にトレーリングギャップを形成するステップと、トレーリングギャップの上方にトレーリングシールドを形成するステップと、を含んでもよい。種々の実施形態によれば、サイドギャップ材料には、アルミナまたは他の適切な絶縁体を含んでもよく、および/またはサイドシールド材料には、Fe、Co、Niおよび数ある中でもFeCoNiなど、それらの合金のうちの少なくとも1つを含んでもよく、および/またはハードマスクには、Ni、Cr、Taおよび数ある中でもNiCr/Taなどそれらの合金のうちの少なくとも1つを含んでもよい。さらなる実施形態において、平坦化するステップには、化学的機械研磨CMPまたは当該技術分野において周知であるような他の適切ないずれかの平らにする方法を含んでもよい。さらなる手法によれば、溝を形成するステップには、数ある中でも、イオンミリング、反応性イオンエッチングおよび/またはダマシン処理のうちの1つを含んでもよい。好適な実施形態において、第2の溝を形成するステップには、サイドシールド材料をサイドギャップ材料よりも迅速に除去する工程を利用して、それによって不均等なサイドギャップ形状を形成することを含む。さらなる手法において、サイドギャップ層と、ストリップと、第2の溝内のサイドギャップ材料と、主磁極とのいずれかを堆積させるステップには、積層、リソグラフィおよびめっき、埋め込み等を含んでもよい。また、いくつかの手法において、ハードマスクなどのあらゆる層を除去するステップには、数ある中でも、研削、イオンミリング、反応性イオンエッチング、平坦化、および/または化学的機械研磨のうちの1つを含んでもよい。図4a-4bは主磁極を形成するための溝を生成するためのサイドギャップ材料が再生ヘッド分離膜上に積層された状態を概略的に示す。図4aは基板を上から見た概略図であり、および図4bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図である。サイドギャップ材料からなるサイドギャップ層22および化学機械的平坦化CMPしたストッパ層23が再生ヘッド分離膜21上に形成される。この典型的な実施形態において、サイドギャップ層22にアルミナを使用してもよく、かつ、ダイヤモンド様炭素DLCをCMPストッパ層23に使用してもよい。もちろん、当業者に明らかであるような適切なあらゆる材料が使用されてもよい。次いで、CMPストッパ層23およびサイドギャップ層22はサイドシールドが生成される位置においてストリップ形状に除去される。すなわち、シリコンを含有するレジストを用いたリソグラフィによってCMPストッパ層23上にレジストパターンが生成されてもよく、その後、CMPストッパ層23は酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングRIEによってストリップ形状に除去され、次いで、サイドギャップ層22はCF4ガスを用いたRIEによってストリップ形状に除去される。この後に、レジストパターンが剥離され、構造は図5a-5bに示されるもののようになってもよい。図5aは基板を上から見た概略図であり、図5bは線B-Bに沿う横断面図である。サイドシールド材料膜が形成された後に、次いで、それは平坦化されてもよい。一実施形態において、サイドシールド材料であってもよいFeCoNiがサイドシールド層24を生成するためのスパッタ膜として形成され、その後それはCMPにより平坦化される。この後、CMPストッパ層23は酸素ガスを用いたRIEなどによって除去される。図6a-6bは、一実施形態による、ストッパ層が除去された後の構造を概略的に示す。図6aは基板を上から見た概略図であり、図6bは線B-Bに沿う横断面図である。ここで、サイドギャップ層22が生成された後に、サイドシールド層24がその埋め込みによって生成されるが、それは逆の場合にも、およびリソグラフィおよびめっき処理によって生成されるサイドシールド層の場合にも、および、したがって、形成および平坦化されるサイドギャップ層22の場合にも、種々の実施形態において同様に可能である。一実施形態において、次に、ダマシン溝を生成するためのハードマスクが生成される。すなわち、次いで、ハードマスク材料およびCMPストッパ層26を含むハードマスク層25が積層されてもよい。この典型的な実施形態において、ハードマスク層にNiCr/Taを使用してもよく、およびいくつかの手法において、CMPストッパ層にDLCを使用してもよい。リソグラフィによってCMPストッパ層26上にレジストパターンが形成され、その後、CMPストッパ層26およびハードマスク層25は、酸素ガスを用いたRIEおよびイオンミリングなどによって除去される。図7a-7cは、一実施形態による、CMPストッパ層26およびハードマスク層25を除去した後の構造を示す。図7aは基板を上から見た概略図であり、図7bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図7cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図である。次いで、サイドシールド層24は、CMPストッパ層26とマスクとして機能するハードマスク層25とからなるハードマスクと共にメタノールを用いたRIEまたはイオンミリングなどによって垂直にエッチングされてもよい。図8a-8cは、一手法における、エッチング後の構造を示す。図8aは基板を上から見た概略図であり、図8bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図8cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図である。メタノールを用いたRIEまたはイオンミリングにおいて、サイドシールド層を形成する磁性材料この典型的な実施形態の場合はFeCoNi合金は、サイドギャップ層この典型的な実施形態の場合アルミナよりも迅速に除去されてもよく、したがって、エッチング後の横断面形状は、図8b-8cに示されるもののように、不均等であってもよい。次いで、生成された溝を埋めるために、前処理工程などによってサイドギャップ材料の膜が形成されてもよい。この典型的な実施形態において、サイドギャップ層22内のものと同じアルミナを埋め戻しサイドギャップ層27に使用してもよい。もちろん、当業者には本記載を読むと明らかなように、あらゆる材料を使用してもよい。図9a-9cは、一実施形態による、サイドギャップ材料が形成された後の構造を示す。図9aは基板を上から見た概略図であり、図9bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、および図9cは、フレア部における線B-Bに沿う横断面図である。次いで、埋め戻しサイドギャップ層27は、CMPなどによって、CMPストッパ層26が露出するまで平坦化される。図10a-10cは、一手法におけるこれらの作業の結果を示す。図10aは、基板を上から見た概略図であり、図10bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図10cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図である。次いで、サイドギャップ層は、表面およびマスクとして使用されるハードマスク層25において露出するCMPストッパ層26からなるハードマスクで傾斜角度が形成されるように、RIEなどによってエッチングされてもよい。この典型的な実施形態においてはRIEが実施されるが、その形状はイオンミリングまたは他のいくつかの技術によっても同様に生成することができる。図11a-11cは、一実施形態における、エッチング後の構造を示す。図11aは基板を上から見た概略図であり、図11bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図11cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図である。一手法において、埋め戻しサイドギャップ層27およびサイドギャップ層22は同じアルミナから形成されてもよく、したがって、それらは横断面A-AおよびB-Bにおいて同じ深さまでエッチングされてもよい。もちろん、当業者には本説明を読むと明らかなように、いかなる材料を使用してもよい。したがって、エッチングが実施された後、埋め戻しサイドギャップ層27は横断面A-Aにおける面において露出し、埋め戻しサイドギャップ層27およびサイドギャップ層22は横断面B-Bにおける面において露出する。しかしながら、埋め戻しサイドギャップ層27とサイドギャップ層と22は異なる工程で形成され、したがって、埋め戻しサイドギャップ層27が積層されるサイドギャップ層22の面において境界が形成される。次いで、一手法において、主磁極にめっきをかけるためのシード膜が基板表面上に形成されてもよく、主磁極材料がめっきされてもよく、主磁極28が生成されてもよい。この典型的な実施形態では、主磁極材料にCoFeNiが使用されるが、当該技術分野において周知のようにあらゆる材料を使用してもよい。図12a-12cはこの構造を概略的に示す。図12aは基板を上から見た概略図であり、図12bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図12cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図である。次いで、主磁極28は、CMPストッパ層26が露出するまでCMPなどによって平らにされるかまたは平坦化されてもよい。図13a-13cはこの構造を概略的に示す。図13aは基板を上から見た概略図であり、図13bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図13cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図である。次いで、サイドギャップが所望の幅を有するように、表面はイオンミリングなどによってエッチングされてもよい。この工程において、主磁極によって生成される磁界の強度を増すために、トレーリングシールドに対向する主磁極の面が、以下でトレーリングエッジテーパTETと呼ばれるテーパ状の構造で形成される場合、レジストがフレア部にパターニングされてもよく、その後、イオンミリングなどによってTETが形成されてもよい。図14a-14dは、この構造を概略的に示す。図14aは、基板を上から見た概略図であり、図14bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図14cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図であり、図14dは線A-Aに垂直な方向の主磁極の中央における横断面図である、線C-Cに沿う横断面図である。図14dに示すように、ハードマスク層を除去せず、代わりに主磁極およびトレーリングシールドのためのセパレータとして使用してもよい。一手法において、TETが使用されない場合、レジストパターンは塗布されず、表面全体がエッチバックされる。さらに、トレーリングギャップ29を含むトレーリングギャップ材料が形成されてもよい。この典型的な実施形態において、トレーリングギャップ材料にアルミナを使用してもよいが、もちろん当業者には本説明を読むと明らかなように、いかなる材料を使用してもよい。図15a-15dはこの構造を概略的に示す。図15aは基板を上から見た概略図であり、図15bは空気軸受面の位置における線A-Aに沿う横断面図であり、図15cはフレア部における線B-Bに沿う横断面図であり、図15dは、線A-Aに垂直な方向の、主磁極の中央における横断面図である、線C-Cに沿う横断面図である。次いで、一実施形態において、リソグラフィなどによってレジストパターンを形成してもよく、イオンミリングなどによってトレーリングギャップ29を成形してもよく、その後、トレーリングシールドを生成するためにめっきなどによってシード膜を形成してもよい。一実施形態において、レジストパターンを形成するためにリソグラフィを使用してもよく、数ある方法のうち、めっきなどによってトレーリングシールド材料がレジストパターン内に埋め込まれてもよい。この後、トレーリングシールドを生成するために、数ある方法のうちイオンミリングなどによって、レジストを剥離してもよく、シード膜を除去してもよい。図16a-16bは、上記の作業後の構造を概略的に示す。図16aは基板を上から見た概略図であり、図16bは図16aの線C-Cに沿う横断面図である。図16a-16bから明らかなように、一手法において、ハードマスク層25またはハードマスク層25とCMPストッパ層26とを除去せず、代わりに主磁極およびトレーリングシールド30のためのセパレータとして使用してもよい。したがって、トレーリングシールドとフレア側の主磁極との間のギャップはより広くなり、かつ、トレーリングシールドが吸収する、主磁極によって生成されるフレア側の磁界は減少し、したがって、いくつかの手法において空気軸受面において磁界を効果的に生成することが可能となる。したがって、好適な実施形態において、不均等化サイドギャップを有する主磁極を作製することが可能である。上記された方法および実施形態が、トラック幅が約45nmおよびベベル角度が約10°である主磁極構造と共に使用される場合、トレーリングシールド側のサイドギャップ幅が約45nmおよび分布が約5nmである不均等なサイドギャップを有する主磁極を作製することは可能である。もちろん、当業者には本説明を読むと明らかなように、別のトラック幅、主磁極幅、磁気ヘッドのサイズ等に合う、別の寸法も使用してよい。さらに、ここに記載されている実施形態を使用して、リーディング側がテーパ状である主磁極構造および/またはリーディング側にシールドがある構造を有する不均等化サイドギャップを有する記録ヘッドを、リーディング側がテーパ状の基板および/またはリーディング側にシールドがある基板を用いることによって作製することもまた可能である。一実施形態では、磁気ヘッドには、ダウントラック方向に対してリーディング側およびトレーリング側を有する主磁極と、主磁極に隣接してクロストラック方向に配置されるサイドギャップと、サイドギャップに隣接してクロストラック方向に配置されるサイドシールドと、を含む。ダウントラック方向は主磁極に対する媒体の移動方向であり、かつ、クロストラック方向はダウントラック方向に垂直である。サイドギャップはその中にダウントラック方向に形成されるサイドシールドを取り囲む溝を有することを特徴とし、サイドシールドはその中にダウントラック方向に形成される主磁極を取り囲む溝を有することを特徴とし、サイドギャップは形状が不均等であり、および主磁極の位置に対するサイドシールドの位置は自己整列されることを特徴とする。一実施形態によれば、磁気ヘッドは、主磁極に隣接してダウントラック方向に形成されるトレーリングギャップと、トレーリングギャップの上方にダウントラック方向に形成されるトレーリングシールドと、を含んでもよい。当業者に周知のように、トレーリングギャップおよびトレーリングシールドは、サイドギャップおよびサイドシールドと同じ材料、または異なる材料からなってもよい。一手法において、サイドギャップは、主磁極のトレーリング側と並立する位置における幅が約45nmであってもよく、かつ、サイドギャップは、主磁極のトレーリング側と並立する位置における幅分布が約5nmであってもよい。もちろん、異なる主磁極の幅、トラック幅等に合う別の寸法を使用してもよい。別の手法によれば、サイドシールドには、数ある中でもFe、Co、Niおよびそれらの合金のうちの少なくとも1つを含んでもよい。さらに別の手法において、主磁極には、数ある中でもFe、Co、Niおよびそれらの合金のうちの少なくとも1つを含んでもよい。一実施形態において、主磁極には、そのトレーリング側の幅がそのリーディング側の幅を超える幅を有するテーパ構造を含んでもよい。この、または他のいかなる実施形態において、サイドギャップには傾斜角度約10°を有する構造を含んでもよい。もちろん、本説明を読むと当業者には明らかなように、他の角度が使用されてもよい。ここで図17を参照すると、本発明の一実施形態によるディスクドライブ100が示される。図17に示すように、少なくとも1つの回転可能な磁気ディスク112はスピンドル114で支持され、かつ、ディスクドライブモータ118によって回転される。各ディスクの磁気記録は一般にディスク112上の同心データトラック図示せずの環状パターンの形態である。少なくとも1つのスライダ113が、磁気ディスク112の近くに配置されるが、各スライダ113は、1つまたは複数の磁気読み込み/書き込みヘッド121を支持する。ディスクが回転すると、スライダ113は、ディスク面122上を内側および外側に放射状に移動して、書き込みヘッド121が、所望のデータが記録されているか、かつ/または所望のデータが書き込まれることになるディスクの様々なトラックにアクセスできるようにする。各スライダ113はサスペンション115という手段によってアクチュエータアーム119に取り付けられる。サスペンション115はディスク面122に対してスライダ113を付勢するわずかなバネ力を提供する。各アクチュエータアーム119はアクチュエータ127に取り付けられる。図17に示すようなアクチュエータ127はボイスコイルモータVCMであってもよい。VCMは固定磁界内を移動可能なコイルを含み、コイルの移動の方向および速度はコントローラ129によって供給されるモータ電流信号により制御される。ディスク記憶システムの動作中に、磁気ディスク112の回転は、押し上げ力または揚力をスライダに及ぼす空気軸受を、スライダ113とディスク面122との間に生成する。したがって、空気軸受は、通常の動作中に、サスペンション115のわずかなばね力を相殺し、小さなほぼ一定の間隔で、ディスク面上にわずかに離してスライダ113を支持する。いくつかの実施形態において、スライダ113が、ディスク面122に沿ってスライド可能であることに留意されたい。ディスク記憶システムの様々な構成要素は、アクセス制御信号および内部クロック信号など、制御ユニット129によって生成される制御信号により動作を制御される。一般には、制御ユニット129には、論理制御回路、記憶装置例えばメモリ、およびマイクロプロセッサが含まれる。制御ユニット129は、ライン123におけるドライブモータ制御信号ならびにライン128におけるヘッド位置およびシーク制御信号など、様々なシステム動作を制御する制御信号を生成する。ライン128における制御信号は、磁気ディスク112の所望のデータトラックへとスライダ113を最適に移動して配置するための所望の電流プロファイルを提供する。読み込みおよび書き込み信号は、記録チャネル125を介して、読み込み/書き込みヘッド121へおよび読み込み/書き込みヘッド121から伝達される。一般的な磁気ディスク記憶システムについての上記の説明および図17の添付の図は表示のみの目的のためである。ディスク記憶システムには多数のディスクおよびアクチュエータを含んでもよく、各アクチュエータがいくつかのスライダを支持してもよいことは明らかである。データを送信および受信するために、およびディスクドライブの動作を制御し、かつディスクドライブの状態をホストに通信するために、ディスクドライブとホスト一体型または外付けのとの間の通信用のインタフェースを設けてもよく、全ては当業者によって理解されよう。1つの好適な実施形態において、図17に示すように、システム100には、磁気記録媒体112と、本発明のいずれかの実施形態に従って磁気記録媒体112から読み出すおよび/または磁気記録媒体112に書き込むための少なくとも1つの磁気ヘッド121と、少なくとも1つの磁気ヘッド121を支持するための磁気ヘッドスライダ113と、少なくとも1つの磁気ヘッド121に接続され、少なくとも1つの磁気ヘッド121の動作を制御するための制御ユニット129と、を含んでもよい。上記で様々な実施形態を説明したが、それらが、限定ではなく例として提示されたことを理解されたい。したがって、本発明の実施形態の幅および範囲は、上記の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの均等物に従ってのみ定義されるべきである。