第1絶縁基板上において、複数の画素に亘って形成した共通電極と、各画素に形成した画素電極と、を備えた第1基板を用意し、第2絶縁基板の外面に形成した第1導電層と、前記第2絶縁基板の内面に形成した誘電体薄膜と、を備えた第2基板を用意し、前記第2基板の前記誘電体薄膜上に配向膜材料を成膜し、前記配向膜材料に配向処理を施し、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記第1導電層は、有機導電層であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1導電層は、その表面抵抗値が1GΩ/□以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。前記貼り合わせの前に前記第1基板または前記第2基板に液晶材料を滴下する、または、前記貼り合わせの後に前記第2基板と前記第2基板との間に液晶材料を注入することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。さらに、前記貼り合わせの後に、前記第1導電層を除去するとともに前記第1絶縁基板及び前記第2絶縁基板を研磨することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。さらに、前記研磨の後に、前記第2絶縁基板の外面に透明な第2導電層を形成することを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板上において複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の外面に形成された有機導電層と、前記第2絶縁基板の内面に形成された誘電体薄膜と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記誘電体薄膜は、ブラックマトリクス、カラーフィルタ、オーバーコート層、及び、第2配向膜であることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。液晶表示装置を構成する対向基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の外面に形成された有機導電層と、前記絶縁基板の内面に形成されたブラックマトリクス及びカラーフィルタと、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、前記オーバーコート層を覆う配向膜と、を備えたことを特徴とする対向基板。本実施形態の目的は、歩留まり及び表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、及び、対向基板を提供することにある。本実施形態によれば、第1絶縁基板上において、複数の画素に亘って形成した共通電極と、各画素に形成した画素電極と、を備えた第1基板を用意し、第2絶縁基板の外面に形成した第1導電層と、前記第2絶縁基板の内面に形成した誘電体薄膜と、を備えた第2基板を用意し、前記第2基板の前記誘電体薄膜上に配向膜材料を成膜し、前記配向膜材料に配向処理を施し、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。本実施形態によれば、第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板上において複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の外面に形成された有機導電層と、前記第2絶縁基板の内面に形成された誘電体薄膜と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。本実施形態によれば、液晶表示装置を構成する対向基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の外面に形成された有機導電層と、前記絶縁基板の内面に形成されたブラックマトリクス及びカラーフィルタと、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、前記オーバーコート層を覆う配向膜と、を備えたことを特徴とする対向基板が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、アレイ基板第1基板ARと、アレイ基板ARに対向配置された対向基板第2基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている但し、m及びnは正の整数。アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線GG1~Gn及びn本の容量線CC1~Cn、第1方向Xに交差する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線SS1~Sm、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたm×n個のスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続されたm×n個の画素電極PE、容量線Cの一部であり画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。保持容量CSは、容量線Cと画素電極PEとの間に形成される。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って共通に形成されている。画素電極PEは、各画素PXにおいて島状に形成されている。各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第1駆動回路GDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第2駆動回路SDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第3駆動回路CDに接続されている。これらの第1駆動回路GD、第2駆動回路SD、及び、第3駆動回路CDは、アレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源として、駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。本実施形態において、駆動ICチップ2は、アクティブエリアACTに画像を表示する画像表示モードにおいて各画素PXの画素電極PEに画像信号を書き込むのに必要な制御を行う画像信号書込回路2Aを備えている。なお、この駆動ICチップ2は、画像信号書込回路2Aの他に、検出面において物体の接触を検出するタッチセンシングモードにおいて静電容量タッチセンシング用配線の静電容量例えば、静電容量タッチセンシング用配線として容量線Cとソース配線Sとの間の静電容量の変化を検出する検出回路2Bを備えていても良い。また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングする。図2は、図1に示した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面すなわち対向基板CTに対向する面10Aにスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PEなどを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、薄膜トランジスタTFTである。このスイッチング素子SWは、ポリシリコン半導体層やアモルファスシリコン半導体層を備えている。このようなスイッチング素子SWは、第1絶縁膜11によって覆われている。共通電極CEは、第1絶縁膜11の上に形成されている。この共通電極CEは、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。画素電極PEは、第2絶縁膜12の上に形成さている。この画素電極PEは、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子SWに接続されている。また、この画素電極PEは、第2絶縁膜12を介して共通電極CEと向かい合うスリットPSLを有している。これらの共通電極CE及び画素電極PEは、ともに透明な導電材料、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどによって形成されている。画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。この第1配向膜AL1は、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面すなわちアレイ基板ARに対向する面30Aに、誘電体薄膜として、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面において、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面に形成され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料は赤色画素に対応して配置され、同様に、青色に着色された樹脂材料は青色画素に対応して配置され、緑色に着色された樹脂材料は緑色画素に対応して配置されている。オーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTとの間には、図示しないスペーサ例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサが配置され、これにより、所定のギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、所定のギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物によって構成されている。このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には図示しないバックライトが配置される。液晶表示パネルLPNの一方の外面、すなわちアレイ基板ARを構成する第1絶縁基板10の外面10Bには、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、液晶表示パネルLPNの他方の外面、すなわち対向基板CTを構成する第2絶縁基板30の外面30Bには、導電層CDF及び第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。導電層CDFは、透明な導電層であり、外部からの不所望な電荷の液晶表示パネルLPNへの侵入を防止する帯電防止層あるいは、シールド電極として機能する。このような導電層CDFは、第2絶縁基板30の外面30Bに直接形成されていても良いし、第2偏光板PL2などの表面に形成されていてもよい。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、基板主面と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理されている。このため、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態では、液晶層LQに含まれる液晶分子は、面内において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の配向処理方向に初期配向する。画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成された状態では、液晶分子は、面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。上記の構成の液晶表示パネルLPNにおいては、アレイ基板ARは各種電極や各種配線を備えている一方で、対向基板CTは電極を備えておらず、ブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33、第2配向膜AL2といった誘電体薄膜を備えている。このため、対向基板CTは、アレイ基板ARよりも帯電しやすい。この点については、発明者は、以下の実験を行って確認した。すなわち、互いに貼り合わせる前のアレイ基板AR及び対向基板CTについて、それぞれ強制的に帯電させるための放電処理を施し、それぞれの表面電位の推移を測定した。アレイ基板ARに放電処理を施したところ、強制的に帯電させようとしても、アレイ基板の表面電位はほぼゼロボルトで推移し、大きな変化はなかった。対向基板CTについては、放電処理を施したところ、瞬時にプラス電位あるいはマイナス電位に帯電し、時間の経過に伴って対向基板CTの表面電位が減衰していく様子が確認された。また、この対向基板CTの表面電位及びその減衰率は、対向基板CTを構成する誘電体薄膜の材料に依存することが確認された。この実験により、対向基板CTはアレイ基板ARよりも帯電しやすいことが確認された。このような対向基板CTを製造する過程で対向基板CTが帯電した場合、アレイ基板ARと貼り合わせた際に、対向基板CTに蓄積された電荷が閉じ込められてしまい、外部に電荷を逃がすことができなくなってしまう。対向基板CTに蓄積された電荷が局在化すると、対向基板CTの誘電体薄膜の誘電分極が発生する。例えば、第2配向膜AL2は、本来、配向処理方向に沿って液晶分子を配向させる配向規制力を有している。しかしながら、第2配向膜AL2において局所的に誘電分極が発生した場合、その領域では配向処理方向とは異なる方向に液晶分子を配向させる配向規制力が生じるおそれがある。このため、液晶層LQにおいて、液晶分子の配向が局所的に乱れる配向不良を発生し、表示ムラを誘発するおそれがある。この現象については、発明者は、以下の実験を行って確認した。すなわち、表示ムラが確認された液晶表示パネルLPNを分解し、対向基板CTを取り出し、洗浄して液晶材料を除去する。そして、この対向基板CTを帯電させた場合と帯電させなかった場合とで、それぞれ対向基板CTの上に液晶材料を滴下し、偏光顕微鏡により液晶分子の配向状態を観察した。対向基板CTを帯電させなかった場合、偏光面がクロスニコルの状況下の偏光顕微鏡により観察したところ、良好な暗視野が観察された。これにより、対向基板CTの上の液晶分子は、第2配向膜AL2の本来の配向規制力によって配向処理方向に沿って揃って配向していることが確認された。一方、対向基板CTを帯電させた場合、偏光面がクロスニコルの状況下の偏光顕微鏡により観察したところ、帯電直後に、液晶分子が種々の方向に配向する配向不良を発生してしまい、光漏れが確認された。また、対向基板CTの表面電位は、時間の経過とともに減衰するが、十分に表面電位が減衰した後であっても、局所的に液晶分子の配向不良が残り、画素内に微小な輝点微輝点が確認された。このような微輝点の発生メカニズムは以下のように推測される。まず、対向基板CTが一旦帯電したのに伴って、第2配向膜AL2に誘電分極が発生し、液晶分子の配向不良が発生する。液晶分子が本来配向すべき配向方向とは異なる方向に配向した領域は、光漏れが生ずる。そして、このような第2配向膜AL2の一部の微小な領域で発生した誘電分極は、表面電位の減衰とは無関係に維持されてしまう。誘電分極が生じた微少な領域では、時間が経過しても液晶分子の配向不良が緩和しにくく、光漏れの状態が継続し、微小な輝点として観察されたものと推測される。上記のような発明者による実験から、対向基板CTは、アレイ基板ARと貼り合わせる前の段階で、できるだけ帯電を防止するあるいは、例え帯電したとしても十分に除電しておく必要がある。そこで、本実施形態では、以下のような方法で液晶表示パネルLPNを製造した。図3は、本実施形態の液晶表示パネルLPNの製造方法を説明するためのフローチャートである。まず、第1絶縁基板10の上にスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PE、第1配向膜AL1などを備えたアレイ基板ARを用意するST1。一方で、第2絶縁基板30の外面30Bに形成した第1導電層CDF1、及び、第2絶縁基板30の内面30Aに形成したブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などの誘電体薄膜を備えた対向基板CTを用意するST2。このとき、第1導電層CDF1と誘電体薄膜との形成順序は特に問わないが、誘電体薄膜を形成する過程での帯電を防止するためには、誘電体薄膜の形成に先立って第1導電層CDF1を形成することが有効である。このような第1導電層CDF1は、例えば、有機導電層であり、対向基板CTを用意する工程において、第2絶縁基板30の外面30Bにコーティングすることによって形成する。有機導電層を形成するための材料としては、例えば、導電性物質であるポリチオフェンにバインダ樹脂及び分散剤を混合したものなどが適用可能である。このような材料をコーティングすることによって形成した第1導電層CDF1の膜厚は、例えば0.2~0.3μmである。なお、第1導電層CDF1は、接地されるなど特定の端子と電気的に接続してもよいが、局所的な帯電を防止するあるいは電荷を均一化するという意味では電気的にフローティング状態であっても良い。そして、このようにして用意した対向基板CTを搬送系に導入し、必要に応じて洗浄工程などに導入する。続いて、対向基板CTの誘電体薄膜上に配向膜材料を成膜するST3。このような配向膜材料としては、例えば、ポリイミドなどが適用可能である。その後、成膜した配向膜材料を焼成する。続いて、配向膜材料に配向処理を施すST4。配向処理としては、ラビング処理であっても良いし、光配向処理であっても良い。これにより、所定の方向に配向処理された第2配向膜AL2を形成する。このような第2配向膜AL2も誘電体薄膜の一つである。そして、第2配向膜AL2まで形成済みの対向基板CTを洗浄工程などに導入する。続いて、アレイ基板ARと対向基板CTとをシール材を用いて貼り合わせるST5。液晶層LQは、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせる前に、アレイ基板ARまたは対向基板CTに適量の液晶材料を滴下して封入することで形成しても良いし、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせた後に、シール材によって形成された液晶注入口から液晶材料を注入することで形成しても良い。図3に示した製造過程において、対向基板CTを製造し、アレイ基板ARと貼り合わせるまでの基板搬送を含む全工程で、第2絶縁基板30に形成された第1導電層CDF1により、対向基板CTの帯電を防止することが可能となる、あるいは、対向基板CTにおける電荷の局在化を防止することが可能となる。このため、イオナイザーなどの設備を増強する必要がなく、設備投資を抑制することが可能となる。図4は、本実施形態の液晶表示パネルLPNの製造方法を説明するための概略断面図である。すなわち、aで示した工程では、まず、第1配向膜AL1まで形成済みのアレイ基板AR、及び、第2配向膜AL2まで形成済みの対向基板CTを用意する。用意した対向基板CTは、第2絶縁基板30の外面30Bに第1導電層CDF1を備えている。そして、bで示した工程では、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に液晶層LQを保持した状態で、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせる。そして、cで示した工程では、アレイ基板ARを構成する第1絶縁基板10及び対向基板CTを構成する第2絶縁基板30を研磨する。このとき、当然のことながら、第2絶縁基板30の外面30Bの第1導電層CDF1も除去する。このような研磨は、機械的研磨であっても良いし、化学的研磨であっても良く、これらを組み合わせても良い。このような研磨により、第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30の厚さは、研磨前の半分以下となる。例えば、研磨前の第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30の厚さは0.5mmであり、研磨後の第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30の厚さは0.2mmである。そして、dで示した工程では、第2絶縁基板30の外面30Bに透明な第2導電層CDF2を形成する。この第2導電層CDF2は、上記の第1導電層CDF1と同様の有機導電層であっても良いし、画素電極PEなどを形成するITOやIZOを用いて形成しても良い。このようにして形成した第2導電層CDF2は、図2を参照して説明した導電層CDFに相当する。これにより、液晶表示パネルLPNが完成する。このような工程を経て製造した液晶表示パネルLPNの厚さは、bで示した段階の厚さよりも、第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30を研磨した分だけ薄い。図4に示した製造過程においては、研磨工程を除いて、第2絶縁基板30の外面30Bには第1導電層CDF1または第2導電層CDF2が形成されているため、対向基板CTの帯電を防止することが可能となる、あるいは、対向基板CTにおける電荷の局在化を防止することが可能となる。したがって、このようにして製造した液晶表示パネルLPNにおいては、対向基板CTの誘電体薄膜の誘電分極に起因した配向不良の発生を抑制することが可能となる。これにより、歩留まりの低下及び表示品位の低下を抑制することが可能となる。また、上記した製造過程において、第2絶縁基板30の外面30Bに形成される第1導電層CDF1は、その表面抵抗値が1GΩ/□以下であることが望ましい。図3及び図4に示した一連の工程を経て液晶表示パネルLPNを形成する場合、第1導電層CDF1は、研磨工程で除去される。換言すると、第1導電層CDF1は、対向基板CTを製造する工程から研磨工程に至る間に対向基板CTの帯電防止あるいは電荷の局在化防止を実現するものである。これらを実現するためには、第1導電層CDF1は、対向基板CTに侵入した電荷を面内に拡散する程度の導電性を有していれば良く、発明者が検討したところでは、比較的高抵抗であっても許容されることが確認され、種々の実験の結果、第1導電層CDF1の表面抵抗値の上限値を1GΩ/□に設定した。本実施形態で説明した液晶表示パネルLPNの製造方法は、大型基板を用いて複数の液晶表示パネルLPNを一括形成するいわゆる多面取りを採用した場合にも適用可能である。すなわち、図3に示した一連の工程は、マザー基板を用いて行う。ステップST1では、アレイ基板を形成するための第1マザー基板を用意する。この第1マザー基板は、複数のアレイ基板に対応した第1有効領域を有している。第1有効領域のそれぞれは、画素電極や共通電極などを備えている。ステップST2では、対向基板を形成するための第2マザー基板を用意する。この第2マザー基板は、複数の対向基板に対応した第2有効領域を有している。第2有効領域のそれぞれは、ブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などの誘電体薄膜を備えている。第2マザー基板の外面には、第1導電層CDF1が形成されている。ステップST3及びステップST4では、第2マザー基板の各第2有効領域に形成した誘電体薄膜の上に第2配向膜AL2を形成する。そして、ステップST5では、第1マザー基板と第2マザー基板とを貼り合わせたマザー基板対を作成する。そして、図4に示した一連の工程を経たマザー基板対を割断し、単個の液晶表示パネルLPNを切り出す。このようにして製造した液晶表示パネルLPNについても、上記の例と同様に、誘電分極に起因した配向不良の発生を抑制することが可能となり、歩留まりの低下及び表示品位の低下を抑制することが可能となる。また、図3に示したステップST2において、既に薄板化された第2絶縁基板30を用いて対向基板CTを用意する場合には、cで示した研磨工程を省略しても良い。この場合、第1導電層CDF1は、除去されることなくそのまま第2絶縁基板30の外面30Bに残り、帯電防止膜となる。このため、dで示した第2導電層の形成工程を省略できる。この場合、第1導電層CDF1は、透明な導電層を適用する。以上説明したように、本実施形態によれば、歩留まりの低下及び表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、及び、対向基板を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。