"入力電圧が印加される入力端子と、前記入力端子に接続されたAB級動作の電力増幅回路と、前記入力端子と前記電力増幅回路との間に接続され、前記入力電圧が所定値以上の場合にオン状態となり、前記入力電圧に応じてインピーダンスが変化する素子と、を備えることを特徴とする、電力増幅器。前記素子がオフ状態の場合は、前記入力電圧の値が前記電力増幅回路に直接入力されることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器。前記素子は、並列に接続された2つのダイオードを含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の電力増幅器。前記素子は、並列に接続された2つのトランジスタを含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の電力増幅器。しかしながら、上記特許文献1に記載された技術は、入力端子1と直線補償回路7との間に抵抗R13が接続されており、抵抗R13と抵抗R24との分圧に応じて歪補償を行うものである特許文献1の図1。このため、低入力レベルの場合は、歪補償回路の入出力電圧比は大きくなり、高入力レベルの場合は、入出力電圧は低くなる。従って、低入力レベルと高入力レベルでこれらの作用をするためには、抵抗R13を必ず設ける必要があり、入力電圧は抵抗R13を介して直線補償回路7に入力される必要がある。このため、抵抗R13を設けたことによって、入力電圧の電圧利得が低下してしまい、電圧付加特性PAEが劣化してしまう問題があった。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、入力電圧の利得を低下させることなく、歪を補償することが可能な、新規かつ改良された電力増幅器を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、入力電圧が印加される入力端子と、前記入力端子に接続されたAB級動作の電力増幅回路と、前記入力端子と前記電力増幅回路との間に接続され、前記入力電圧が所定値以上の場合にオン状態となり、前記入力電圧に応じてインピーダンスが変化する素子と、を備える電力増幅器が提供される。上記構成によれば、AB級動作の電力増幅回路は入力端子に直接接続され、上記素子は入力電圧が所定値以上の場合にオン状態となり、入力電圧に応じてインピーダンスが変化する。従って、入力電圧の利得を低下させることなく、歪を補償することが可能となる。また、前記素子がオフ状態の場合は、前記入力電圧の値が前記電力増幅回路に直接入力される。この構成によれば、素子がオフ状態の場合は、入力電圧の値が電力増幅回路に直接入力されるため、入力電圧の利得を低下させることがなく、電圧不可効率を向上させることが可能となる。また、前記素子は、並列に接続された2つのダイオードを含む。この構成により、入力電圧が所定値以上の場合にオン状態となり、入力電圧に応じてインピーダンスが変化する素子を構成することができる。また、素子は、並列に接続された2つのトランジスタを含む。この構成により、入力電圧が所定値以上の場合にオン状態となり、入力電圧に応じてインピーダンスが変化する素子を構成することができる。以上説明したように本発明によれば、入力電圧の利得を低下させることなく、歪を補償することが可能な電力増幅器を提供することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。<1.第1の実施形態>[前提技術]まず、図1を参照して、本発明の前提技術について説明する。図1は、A級動作の高周波電力増幅回路500を示す模式図である。また、図2は、図1の高周波電力増幅回路500のゲインGain特性を示す特性図である。図2に示すように、A級動作の高周波電力増幅回路500では、ゲイン特性がフラットFlatになるので歪特性は良いが、その反面、効率が悪くなる。一方、図3は、AB級動作の高周波電力増幅回路100を示す模式図である。また、図4は、図3の高周波電力増幅回路100のゲインGain特性を示す特性図である。図4に示すように、AB級動作の高周波電力増幅回路100では、ゲイン特性が拡大expansionするため、歪特性は低下するが、その反面、効率は良くなる。本実施形態では、AB級動作の高周波電力増幅回路100において、ゲイン特性のexpansionを抑圧することで、ゲイン特性をフラット化する。以下、詳細に説明する。[本実施形態の構成例]図5は、本実施形態に係る高周波電力増幅器400の構成を示す模式図である。図5に示すように、入力電圧が印加される入力端子110とAB級動作の電力増幅回路100との間において、高周波電力増幅回路100の前段には、プレディストーター200が配置されている。プレディストーター200は、AB級動作の高周波電力増幅回路100のゲイン特性のexpansionを抑圧する機能を有する。図6は、図5に示す構成によりAB級動作の高周波電力増幅回路100のゲイン特性がフラットになることを説明するための特性図である。ここで、図6Aは、プレディストーター200の単体でのゲイン特性を示す特性図である。図6Aに示すように、プレディストーター200の単体でのゲイン特性では、図中にA1で示す領域にコンプレッションが発生している。また、図6Bは、AB級動作の高周波電力増幅回路100の単体でのゲイン特性を示す特性図である。図6Bに示すように、高周波電力増幅回路100の単体でのゲイン特性では、図4に示した特性と同様に、図中にA2で示す領域に特性のエキスパンションが生じる。図6Cは、図6Aに示す特性と図6Bに示す特性を重畳した特性を示す特性図である。図6Cに示すように、図6Aと図6Bの特性を重畳させると、プレディストーター200のA1領域のコンプレッションによって、AB級動作の高周波電力増幅回路100のA2領域のエキスパンションが操作されて、図中にA3で示す領域のようにフラットなゲイン特性が実現できる。これにより、AB級動作の高周波電力増幅回路100においても、フラットなゲイン特性が実現でき、歪特性と効率の双方を向上させることが可能となる。[プレディストーターの構成例]次に、プレディストーター200の構成について説明する。図7は、プレディストーター200を2つのダイオード200,202アンチパラレルダイオード;Anti-ParallelDiodeから構成した例を示す模式図である。図7に示すように、2つのダイオード200,202は逆向きに配置されて並列に接続されている。また、各ダイオード200,202と接地電位GNDとの間には、抵抗210がそれぞれ配置されている。このような構成によれば、プレディストーター200への入力電圧が所定値以上になると、ダイオード200,202がオンとなり、ダイオード200,202に電流が流れる。これにより、図6Aに示すA1領域にてコンプレッションが発生する。従って、図6Bに示すA2領域でのエキスパンションを抑えることができる。これにより、図6Cに示すように、ゲイン特性をフラットにすることが可能である。プレディストーター200への入力電圧Pinが小さくなると、ダイオード200,202のインピーダンスが高くなる。入力電圧Pinが小さく、ダイオード200,202がオフの状態では、入力電圧PinがそのままAB級動作の高周波電力増幅回路100へ入力される。一方、入力電圧Pinが大きくなると、ダイオード200,202のインピーダンスが低くなる。このため、抵抗210の値に応じて、図6Aに示すA1領域にコンプレッションが発生する。これにより、本実施形態では、特に入力電圧が高い場合にコンプレッションを発生させることができる。従って、図6Bに示すような、入力電圧が高い領域で発生するエキスパンションを確実に抑えることが可能である。ここで、抵抗210の大きさに応じて、コンプレッションの特性を変化させることができる。抵抗210の値が大きい場合は、コンプレッションを小さくすることができる。一方、抵抗210の値を小さくすると、コンプレッションを大きくすることができる。従って、AB級動作の高周波電力増幅回路100の特性に応じて、抵抗210の抵抗値を最適に設定することで、図6Cに示すように、ゲイン特性をフラットにすることが可能である。以上のように構成された本実施形態によれば、入力電圧の電圧レベルが低い場合においては入出力の電圧比は1に近い値となり、その一方、入力電圧の電圧レベルが高い場合は、入出力の電圧比が1よりも低下する。このため、入力電圧の電圧レベルが高レベルの場合に歪補償回路が動作して、高周波電力増幅器の線形性を向上させることができる。また、本実施形態の構成によれば、入力電圧が入力される入力端子とプレディストーター200との間には抵抗などの素子が挿入されていないため、入力電圧の利得が低下することがない。従って、入力端子とプレディストーター200との間には抵抗などの素子が挿入されている構成と比較すると、電力付加特性PAEを大幅に向上することが可能である。また、図8は、2つのトランジスタ210,212によりプレディストーター200を構成した例を示す模式図である。図8に示すように、2つのトランジスタ210,212は並列に接続されている。図8に示す構成においても、プレディストーター200への入力電圧が所定値以上になると、トランジスタ210,212が動作し、トランジスタ210,212に電流が流れる。これにより、図6Aに示すA1領域にてコンプレッションが発生する。従って、図6Bに示すA2領域でのエキスパンションを抑えることができる。これにより、図6Cに示すように、ゲイン特性をフラットにすることが可能である。図9は、図7に示すプレディストーター200により、AB級の高周波電力増幅回路100の出力特性を改善した実例を示す特性図である。図9において、特性302は、AB級の高周波電力増幅回路100の単体での出力特性を示している。また、特性300は、AB級の高周波電力増幅回路100の前段に図7に示すプレディストーター200を設けた場合の、高周波電力増幅回路100の出力特性を示している。このように、AB級の高周波電力増幅回路100の前段にプレディストーター200を設けることによって、特に電圧レベルが高い領域でゲイン特性をフラット化することが可能である。以上説明したように本実施形態によれば、非常に簡素な回路構成にて歪補償を実現することが可能であり、且つ入力電圧の利得の低下を抑えて電圧付加効率PAEを高めることができる。従って、簡素な構成で高効率な高周波電力増幅器を実現することが可能となる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。"