"2つの受光素子と、この2つの受光素子から出力された2つの電気信号ペアを伝播させる差動伝送線路と、この差動伝送線路から出力された2つの電気信号ペアをそれぞれ別々のアンテナエレメントに給電して空間に放射する平衡型アンテナとを、半導体基板上に備え、互いに逆位相の2つの光ビート信号を前記2つの受光素子に入力することを特徴とする電磁波発生器。請求項1に記載の電磁波発生器において、さらに、前記2つの受光素子と前記差動伝送線路との接続点に接続された2つのバイアス分離回路を備え、前記バイアス分離回路を介して前記2つの受光素子にDC電圧を印加することを特徴とする電磁波発生器。請求項1または2に記載の電磁波発生器おいて、さらに、互いに逆位相の2つの光ビート信号を前記2つの受光素子に入力する光ビート信号発生器を備えることを特徴とする電磁波発生器。請求項3に記載の電磁波発生器おいて、前記光ビート信号発生器は、光周波数f1の単一偏波CW光を出力する第1のCW光源と、光周波数f2の単一偏波CW光を出力する第2のCW光源と、前記光周波数f1の単一偏波CW光と前記光周波数f2の単一偏波CW光とを合波して、周波数f1-f2の光強度が変調された、互いに逆位相の2つの光ビートを発生させる偏波保持3dB光カプラとからなることを特徴とする電磁波発生器。しかしながら、従来の技術を用いる場合、上述の式2によって帯域が制限されてしまい、さらなる広帯域化を図ることが難しい、という課題があった。また、従来の技術を用いる場合、上述のようにアンテナエレメントにバイアス分離回路を接続する必要があるが、理想的なバイアス分離回路を形成するのは困難であるために、バイアス分離回路がエレメントの一部として作用してアンテナの共振周波数が設計値からずれてしまう、という課題があった。また、従来の技術を用いる場合、受光素子の直近にアンテナエレメントを形成するために、アンテナエレメントが受光領域と重なる場合、光が遮られて受光感度が低下してしまう場合がある、という課題があった。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、電磁波の広帯域化と高出力化が可能になり、アンテナの設計を容易にすることができ、受光感度の低下を抑制することができる電磁波発生器を提供することを目的とする。本発明の電磁波発生器は、2つの受光素子と、この2つの受光素子から出力された2つの電気信号ペアを伝播させる差動伝送線路と、この差動伝送線路から出力された2つの電気信号ペアをそれぞれ別々のアンテナエレメントに給電して空間に放射する平衡型アンテナとを、半導体基板上に備え、互いに逆位相の2つの光ビート信号を前記2つの受光素子に入力することを特徴とするものである。また、本発明の電磁波発生器の1構成例は、さらに、前記2つの受光素子と前記差動伝送線路との接続点に接続された2つのバイアス分離回路を備え、前記バイアス分離回路を介して前記2つの受光素子にDC電圧を印加することを特徴とするものである。また、本発明の電磁波発生器の1構成例は、さらに、互いに逆位相の2つの光ビート信号を前記2つの受光素子に入力する光ビート信号発生器を備えることを特徴とするものである。また、本発明の電磁波発生器の1構成例において、前記光ビート信号発生器は、光周波数f1の単一偏波CW光を出力する第1のCW光源と、光周波数f2の単一偏波CW光を出力する第2のCW光源と、前記光周波数f1の単一偏波CW光と前記光周波数f2の単一偏波CW光とを合波して、周波数f1-f2の光強度が変調された、互いに逆位相の2つの光ビートを発生させる偏波保持3dB光カプラとからなることを特徴とするものである。本発明によれば、電磁波の広帯域化と高出力化が可能になり、アンテナの設計を容易にすることができ、受光感度の低下を抑制することができる。以下、本発明の実施の形態の詳細を図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る電磁波発生器の構成を示す回路図である。本実施の形態の電磁波発生器は、それぞれフォトダイオードからなる2つの受光素子1-1,1-2と、2つの受光素子1-1,1-2のアノードに接続された差動伝送線路2と、アンテナエレメント3-1,3-2が差動伝送線路2に接続された平衡型アンテナである半波長ダイポールアンテナ4と、DCバイアス端子5-1,5-2,6-1,6-2と、DCバイアス端子5-1,5-2と受光素子1-1,1-2のアノードとの間を接続するバイアス分離回路7-1,7-2と、DCバイアス端子6-1,6-2と受光素子1-1,1-2のカソードとの間を接続するバイアス分離回路8-1,8-2とを、半導体基板9上に形成したものである。バイアス分離回路7-1,7-2は、高周波電流を遮断すると共に、図示しない外部DC電源からDCバイアス端子5-1,5-2を介して供給されるDC電圧を受光素子1-1,1-2のアノードに印加する役割を有している。バイアス分離回路7-1,7-2としては、例えばチョークコイルがある。また、バイアス分離回路8-1,8-2は、受光素子1-1,1-2のカソードとアースとを所望の周波数領域で短絡すると共に、受光素子1-1,1-2のカソードからDCバイアス端子6-1,6-2を介して外部DC電源へDC電流のみを通す役割を有している。バイアス分離回路8-1,8-2は、例えばDCバイアス端子6-1,6-2と受光素子1-1,1-2のカソードとの間に設けられたチョークコイルと、受光素子1-1,1-2のカソードとアースとの間に設けられたキャパシタとから構成される。図1において、互いに逆位相で光強度が変調された光ビート信号L1と光ビート信号L2を受光素子1-1と受光素子1-2にそれぞれ入力すると、互いに逆位相の電気信号E1と電気信号E2が受光素子1-1,1-2のアノード側からそれぞれ出力される。受光素子1-1,1-2から出力された2つの電気信号E1,E2のペアは、差動伝送線路2を伝播し、半波長ダイポールアンテナ4に給電されることにより、半波長ダイポールアンテナ4から電磁波として空間に放射される。差動伝送線路2の特性インピーダンス差動インピーダンスを、半波長ダイポールアンテナ4の入力インピーダンスに整合させると、効率よくアンテナに給電することが可能になる。図2は、本実施の形態の電磁波発生器に、互いに逆位相で光強度が変調された光ビート信号L1,L2を入力するために用いられる光ビート信号発生器の例を示すブロック図である。光ビート信号発生器は、CWContinuousWave:連続波光源10-1,10-2と、偏波保持3dB光カプラ11と、レンズ12-1,12-2とから構成される。CW光源10-1から出力される光周波数f1の単一偏波CW光とCW光源10-2から出力される光周波数f2f1≠f2の単一偏波CW光とを、偏波保持3dB光カプラ11で合波すると、周波数f1-f2で光強度が変調された、互いに逆位相の2つの光ビート信号L1,L2が発生する。偏波保持3dB光カプラ11から出力された光ビート信号L1,L2を、レンズ12-1,12-2によってそれぞれ受光素子1-1,1-2に等距離で導くことにより、本実施の形態に好適な光ビート信号発生器とすることが可能になる。図3は、本実施の形態の電磁波発生器の小信号等価回路を示す図であり、図8と同様の構成要素には同一の符号を付してある。差動伝送線路2の差動インピーダンスZdiffを半波長ダイポールアンテナ4の入力抵抗Raと等しくすることで、差動伝送線路2と半波長ダイポールアンテナ4のインピーダンスが整合し、広帯域動作が可能になる。図4は、本実施の形態の電磁波発生器の動作原理を説明するための小信号等価回路図であり、図3における差動伝送線路2の偶モードの特性インピーダンスと奇モードの特性インピーダンスが等しい場合を想定したものである。図4では、差動伝送線路2を伝送線路2-1と伝送線路2-2で表している。図8に示した従来の電磁波発生器の小信号等価回路と図4とを比較すると、1つの受光素子から見たアンテナ側のインピーダンスが異なることが分かる。すなわち、従来の電磁波発生器では、受光素子104にとっての負荷インピーダンスはRaであるが、本実施の形態では、各受光素子1-1,1-2にとっての負荷インピーダンスはそれぞれRa/2となる。このように従来と比べて受光素子にとっての負荷インピーダンスが低いことは、CR時定数によって周波数が高くなるほど放射電力Paが低下する現象が、本実施の形態では緩和されることを意味する。本実施の形態における、アンテナからの放射電力Paと、放射電力Paが3dB低下する周波数f3dBとを計算すると、次式のように求まる。Pa=i02Ra/12πfCjRsRa/223f3dB=1/2πCjRsRa/24図5は、従来の電磁波発生器と本実施の形態の電磁波発生器におけるアンテナからの放射電力Paの周波数依存性を示す図である。図5において、50は従来の電磁波発生器の放射電力Paを示し、51は本実施の形態の電磁波発生器の放射電力Paを示している。従来の電磁波発生器の放射電力Paの計算には式1を用い、本実施の形態の電磁波発生器の放射電力Paの計算には式3を用いた。いずれの計算も、i0=3.7mA電流の実効値、Cj=10fF、Rs=10Ω、Ra=73Ωを計算パラメータとして仮定した。図5から明らかなように、本実施の形態によれば、周波数応答特性の広帯域化を実現することができる。図5の計算に用いた計算パラメータによると、式4から求められる周波数f3dBは342GHzとなるので、従来の電磁波発生器と比較して約1.8倍の広帯域化を実現できる。特に、周波数が高くなるほど、従来の電磁波発生器の放射電力Paの減少が顕著になり、本実施の形態の電磁波発生器の放射電力Paの方が減少が緩やかなので、本実施の形態では高出力化の効果も大きいことが分かる。以上に述べたように、本実施の形態によれば、受光素子1-1,1-2から見たアンテナ側の負荷インピーダンスが下がるため、広帯域化が可能になると共に、特に高い周波数領域における高出力化が可能になる。また、本実施の形態では、バイアス分離回路7-1,7-2を受光素子1-1,1-2のアノードと差動伝送線路2との接続点に接続することにより、アンテナエレメント3-1,3-2に不要な付加回路が接続されることがなくなるため、アンテナ4の共振周波数の設計が容易になる。さらに、本実施の形態では、受光素子1-1,1-2とアンテナエレメント3-1,3-2とを差動伝送線路2で接続することにより、アンテナエレメント3-1,3-2を受光素子1-1,1-2から遠ざけることが可能になるため、受光領域に入射した光をそのまま受光素子1-1,1-2に導くことが可能になり、受光感度の低下を抑制することが可能になる。なお、本実施の形態では、平衡型アンテナとして半波長ダイポールアンテナを例にして説明したが、ログペリオディックアンテナやログスパイラルアンテナ、ボウタイアンテナなど、他の平衡型アンテナであっても良い。また、差動伝送線路の差動インピーダンスをアンテナの入力インピーダンスに整合させる場合について説明したが、差動インピーダンスを意図的にアンテナの入力インピーダンスと異なる値にし、定在波を発生させることで所望の周波数においてさらなる高出力化を図っても良い。また、受光素子から見た負荷インピーダンスを、受光素子のキャリア走行時間を加味した上で所望の周波数特性が得られる値にするために、差動伝送線路の長さと差動インピーダンスを設計しても良い。また、アノードを差動伝送線路に、カソードをバイアス分離回路に接続する場合について説明したが、カソードを差動伝送線路に、アノードをバイアス分離回路に接続しても良い。"