"化学機械研磨の研磨圧力分布を取得する方法であって、研磨装置により研磨された被研磨物の表面電位を電気力顕微鏡により測定して表面電位像を取得し、表面電位と研磨圧力との関係を示すデータに基づき、前記表面電位を研磨圧力に変換することを特徴とする方法。表面電位と研磨圧力との関係を示す前記データは、前記電気力顕微鏡のプローブを被研磨物に所定の圧力で接触させた状態で、前記プローブで前記被研磨物の表面をスキャンし、スキャンされた前記被研磨物の表面電位を測定することにより取得することを特徴とする請求項1に記載の方法。表面電位と研磨圧力との関係を示す前記データは、前記電気力顕微鏡のプローブを被研磨物に第1の圧力で接触させた状態で、前記プローブで前記被研磨物の表面をスキャンし、前記第1の圧力でスキャンされた前記被研磨物の表面電位を測定し、前記プローブを前記被研磨物に第2の圧力で接触させた状態で、前記プローブで前記被研磨物の表面をスキャンし、前記第2の圧力でスキャンされた前記被研磨物の表面電位を測定することにより取得することを特徴とする請求項1に記載の方法。本発明者は、半導体素子表面、特に平坦化研磨プロセスの評価にAFM技術を応用すべく数多くのEFM、KFM評価を試みた結果、EFM評価を用いることにより研磨圧力に関連する非常に有用な情報を取得することができることを発見した。半導体素子は、半導体材料、配線を構成する導電性材料、配線の絶縁性を保持するための絶縁性材料などから構成されている。したがって、平坦化研磨プロセスの対象はこれら異種の特性を有する材料が混在した半導体ウエハであり、表面特性を評価する対象も半導体材料、導電性材料、絶縁材料などが同時に露出された表面である。このため、半導体素子の製造過程で表面電位を評価する手法としては、半導体材料、導電性材料に対して有効なKFMよりも、絶縁材料も含めてすべての材料を評価できるEFMの方がより適していることが分かる。本発明者は、表面研磨平坦プロセスにおいて、研磨に必要な機械的圧力が研磨対象の基板の表面電位を変える、または表面電位が生じる現象を発見した。この研磨圧力と表面電位との関係を利用することで、表面電位から研磨圧力を推定することが可能となった。さらに二次元的な表面電位分布を取得することで研磨圧力の不均一性も評価できることが分かった。そこで、本発明は、上記従来技術の有する未解決な課題に鑑みてなされたものであって、EFMにより測定された表面電位の二次元的な分布から研磨圧力の分布を取得する方法を提供することを目的とするものである。上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、化学機械研磨の研磨圧力分布を取得する方法であって、研磨装置により研磨された被研磨物の表面電位を電気力顕微鏡により測定して表面電位像を取得し、表面電位と研磨圧力との関係を示すデータに基づき、前記表面電位を研磨圧力に変換することを特徴とする。本発明の好ましい態様は、表面電位と研磨圧力との関係を示す前記データは、前記電気力顕微鏡のプローブを被研磨物に所定の圧力で接触させた状態で、前記プローブで前記被研磨物の表面をスキャンし、スキャンされた前記被研磨物の表面電位を測定することにより取得することを特徴とする。本発明の好ましい態様は、表面電位と研磨圧力との関係を示す前記データは、前記電気力顕微鏡のプローブを被研磨物に第1の圧力で接触させた状態で、前記プローブで前記被研磨物の表面をスキャンし、前記第1の圧力でスキャンされた前記被研磨物の表面電位を測定し、前記プローブを前記被研磨物に第2の圧力で接触させた状態で、前記プローブで前記被研磨物の表面をスキャンし、前記第2の圧力でスキャンされた前記被研磨物の表面電位を測定することにより取得することを特徴とする。本発明によれば、研磨プロセス後の被研磨物の表面電位を測定することで、被研磨物の表面が実際にはどのくらいの圧力で研磨されたか定量的に把握できる。さらに表面電位の二次元的な分布データから、被研磨物研磨時の研磨圧力分布が定量的に正確に把握できる。さらに、異なる材料が共存する実際のパターン素子において、各材料に加わった研磨圧力とそのパターン依存性が定量的に分かる。これらのEFMによる表面電位の測定結果をCMP条件にフィードバックすることで、研磨粒子、研磨パッド、スラリー薬剤の最適化、研磨圧力制御方法の最適化などCMP装置に関連するプロセスの最適化だけでなく、被研磨物の材料も最適化することができる。以下、本発明の実施形態について説明する。発明者は、EFM評価の過程で、CMP研磨後の表面状態を観察していたところ、研磨圧力の不均一性、研磨による機械的刺激が被研磨材料の表面電位を変化させる事実を発見した。金属材料、絶縁膜材料、半導体材料のすべてにおいて、機械的刺激により表面電位が変化した。機械的な変形による電位の発生は、チタン酸ジルコン酸鉛PZTのような強誘電材料においてはピエゾ効果として周知の事実である。しかしながら、配線構造で用いられる低誘電率絶縁材料例えば、low-k材、金属配線材料、バリア金属材料においては、ピエゾ効果のような機械的な刺激を受けて表面電位が変化する事実は報告されていない。さらにSiのような半導体材料においてもピエゾ抵抗変化のような抵抗の変化は知られているが、機械的変形による表面電位の変化は知られていない。図2aは、低誘電率絶縁膜であるSiOC膜のEFM表面電位像40×40μmを示し、図2bはSiOC膜の表面電位の断面プロファイルを示す。点線で囲まれた中央部の領域20×20μmは、EFM測定前にプローブをSiOC膜に接触させて走査した領域である。プローブをSiOC膜に接触させて走査する目的は、実際のCMPにおいて研磨粒子を被研磨材に押し付けて研磨する機械的な研磨を模した状態を実現するために、SiOC膜に機械的な圧力を加えることであり、この結果として変化する表面電位と圧力との関係を決定することにある。プローブによる接触走査時には、プローブ、SiOC膜ともにバイアス電圧は印加していなくて同電位状態である。図2aおよび図2bから、プローブの接触による機械的な刺激を受けた領域で表面電位がネガティブ側に変化しているのがよくわかる。使用されたプローブは、EFM測定に適した導電性を有するRh膜をコーティングしたSi製のプローブであり、カンチレバーのばね定数は1.6Nmであった。プローブ走査時のSiOC膜を押し付ける力は153nNであり、非常に小さな力であった。したがって、プローブを走査することでSiOC膜が削られるなどの事実は無く、走査後のAFM形状測定から、表面形状の変化は全くなかった。一方、表面電位は、図2aおよび図2bに示すように、プローブが接触した領域では100mVも低下していることが分かる。このような機械的な刺激による電位変化は、強誘電材料であるPZTのような材料では起こりうることであり、このような現象はピエゾ効果として知られている。しかしながら、低誘電率のSiOC膜において機械的刺激による電位変化が起こることは知られていない。この結果から、CMPのような表面研磨処理において、被研磨物の表面電位が変化する可能性があることは容易に想像ができる。さらに本発明者は、Siのような半導体材料においても、機械的な刺激による表面電位の変化が生じることを確認した。図3は、CMPにより表面が研磨された再生Siウエハの表面電位像を示す図である。再生ウエハとは、資源を節約する観点から、その表面を研磨することで繰り返し再使用されるウエハである。図3に示すように、研磨跡と考えられる表面電位の模様がはっきりと現れている。表面電位像の明暗のコントラスト差は4mVと小さいものの、十分に区別が可能である。このウエハ表面は凹凸が検出できないほど平坦化されていた。したがって、この表面電位像の模様は、研磨の不均一性が現れたものと考えることができる。このように、表面電位を通して被研磨面を観察することで研磨の不均一性を検出できることが分かる。金属膜であるRuバリア膜についてのプローブによる接触スキャン領域を含む表面電位像を図4に示す。点線で囲まれた中央部の領域20×20μmは、EFM測定前にプローブをRu膜に接触させて走査した領域である。絶縁膜材料および半導体材料と同様に、プローブによる接触スキャンにより金属膜の表面電位が変化していることが分かる。この場合は、SiOC膜と異なりプローブを接触させた領域の電位が上昇している。このようなプローブ接触領域すなわち、研磨領域の電位が、絶縁膜ではネガティブ側に、金属膜ではポジティブ側に変化する原因についてはいまだ分かっていない。このRuの場合についても、やはり表面の形状像のデータでは何ら表面に凹凸を生じていなかった。機械的刺激による表面電位の変化の原因は良くわかっていないが、本発明者は機械的な刺激により表面の原子配列が乱され、原子の電子状態が変化することに起因すると考えている。さらに、本発明者は、機械的刺激による表面電位は、機械的刺激を与える圧力と相関があることも発見した。表面電位と圧力との関係は、次のようにして取得することができる。被研磨物の表面にEFM電子力顕微鏡のプローブを所定の圧力で接触させてスキャンし、スキャン後にEFMにより表面電位を測定して、スキャン領域と非スキャン領域の二つを含む領域での表面電位データを取得し、さらに異なる圧力でプローブを被研磨物の表面に接触させてスキャンし、異なる圧力でスキャンした後の表面電位をEFMにより測定する。このようにして、プローブの圧力と被研磨物の表面電位との関係が求められる。EFMによる表面電位の測定は、プローブを被研磨物に対して非接触の状態で実施される。被研磨物に対するプローブの圧力は、プローブの先端面積、カンチレバーのばね定数および変位量などの機械的条件から求めることができる。プローブの圧力は、異なるばね定数のカンチレバーを用いることにより変えることができる。接触スキャン時のプローブの圧力は、実際の研磨時に研磨粒子から被研磨物に加えられる微視的な研磨圧力を表している。ウエハの研磨CMPでは、研磨粒子は平均粒子径が通常100nm~数百nmのものが通常使用される。研磨圧力は、研磨粒子のウエハ表面との接触面積を用いて算出される。尚、ウエハ表面全体に加えられる実際の巨視的な研磨圧力を求めるには所定の換算が必要である。上述のようにして取得されたプローブの圧力と表面電位との関係は、研磨圧力と表面電位との関係に相当する。圧力と表面電位の関係は材料の種類によって異なることから、圧力と表面電位との関係を示すデータを材料ごとに取得することが好ましい。図5は、Ru膜におけるプローブの圧力すなわち機械的研磨圧力と表面電位との関係を示すデータを示す。図5に示すグラフは、3つの異なる圧力0,第1の圧力P1、第2の圧力P2での表面電位から求められたものである。圧力0のときの表面電位は、研磨圧力を被研磨物に加える前にすなわち被研磨物の研磨前に表面電位を測定することで取得される。図5に示すような研磨圧力と表面電位との定量的な関係を示すデータを使用することで、表面電位を研磨圧力に変換することができる。この圧力と表面電位との関係は、研磨される材料の種類に依存する。したがって、異なる材料で構成される素子を研磨するときは、このようなデータが材料毎に予め取得される。そして、表面電位像を研磨の前後で取得することで、素子に加わる研磨圧力を定量的に推定することが可能となる。さらに、研磨圧力と表面電位との定量的な関係に基づき、図3に示すような表面電位像すなわち、二次元の表面電位分布から、研磨圧力像すなわち、二次元の研磨圧力分布に変換することも可能である。CMPプロセスにおいて、しばしば観察される不良としてスクラッチがある。図6aは、このスクラッチ不良を模してプローブを縦方向に直線的に動かしたのちに取得されたRu膜の電位像を示し、図6bは表面電位の断面プロファイルを示している。この場合も、1.6Nmのばね定数を有するカンチレバーのプローブを153nNの微小な力でRu膜に押しつけた。図6aおよび図6bから、プローブの跡が縦のライン状になっていることが分かる。このように、実際には表面の凹凸に影響しなくて不良とならないスクラッチも、表面電位像では電位の変化として検出できることが分かる。EFM表面電位を詳細に観察することで、実際には不良とならないが、その予兆となる不良の要因を検出することができる。したがって、未然に欠陥発生を防止して、プロセスの高信頼化に寄与できる。これらの結果から、EFMを用いることで研磨圧力の分布をEFM表面電位像として検出できることが判明した。すなわち、表面電位像から、被研磨物に実際に加わった研磨圧力を定量的に決定することができる。さらに、被研磨面上での研磨圧力の分布も取得することができる。さらに、種々の異なる材料から構成されたパターン素子において、各材料への実際に加わった圧力とパターンに起因する研磨圧力の変化を推定することができる。これは特にエロージョン、ディッシングなどの発生機構の研究に役立てることができる。また、表面形状では何も凹凸が検出されず、実際には不良にはなっていないが、表面電位像では線状の模様が見えているときには、研磨圧力を大きくしたときにスクラッチとして顕在化する可能性があることを予測できる。このような表面電位像を、研磨プロセスへフィードバックすることにより、欠陥の発生を未然に防ぐことができる。上述した研磨圧力の定量的測定方法は、図1bに示す既存の電気力顕微鏡EFMを用いて実施することができる。また、この方法は、図7に示す研磨装置20により研磨された半導体ウエハの研磨評価に適用することができる。研磨装置20は、化学機械研磨を行うことができるCMP装置である。以下、研磨装置20について図7を参照して説明する。研磨装置20は、研磨テーブル22と、支軸24の上端に連結されたトップリングヘッド26と、トップリングヘッド26の自由端に取り付けられたトップリングシャフト28と、該トップリングシャフト28の下端に連結されたトップリング30とを備えている。トップリングシャフト28は、図示しないトップリング回転モータにより回転駆動されるようになっている。研磨テーブル22は、テーブル軸22aを介してその下方に配置されるモータ図示せずに連結されており、そのテーブル軸22a周りに回転可能になっている。この研磨テーブル22の上面には研磨パッド32が貼付されており、該研磨パッド32の上面研磨面32aが半導体ウエハを研磨する研磨面を構成している。半導体ウエハは、トップリング30の下面に真空吸引により保持される。トップリングシャフト28の回転により、トップリング30がトップリングシャフト28周りに回転するようになっている。また、トップリングシャフト28は、上下動機構34によりトップリングヘッド26に対して上下動するようになっており、このトップリングシャフト28の上下動によりトップリング30がトップリングヘッド26に対して上下動するようになっている。トップリングヘッド26は支軸24を中心として旋回可能に構成されている。半導体ウエハの研磨は次のようにして行われる。下面に半導体ウエハを保持したトップリング30は、トップリングヘッド26の旋回により半導体ウエハの受取位置から研磨テーブル22の上方に移動される。トップリング30および研磨テーブル22をそれぞれ回転させ、研磨テーブル22の上方に設けられた研磨液供給ノズル図示せずから研磨液スラリーを研磨パッド32の上面32aに供給する。そして、トップリング30を上下動機構34により下降させて半導体ウエハを研磨パッド32の上面研磨面32aに押圧する。このように、半導体ウエハを研磨パッド32の研磨面32aに摺接させて半導体ウエハの表面を研磨する。符号40は研磨テーブル22の研磨パッド32の研磨面32aをドレッシングするドレッシングユニットである。ドレッシングユニット40は、研磨面32aに摺接されるドレッサ50と、該ドレッサ50が連結されるドレッサシャフト51と、該ドレッサシャフト51の上端に設けられたエアシリンダ53と、ドレッサシャフト51を回転自在に支持する揺動アーム55とを備えている。ドレッサ50の下部はドレッシング部材50aにより構成され、このドレッシング部材50aの下面にはダイヤモンド砥粒が付着している。エアシリンダ53は、支柱56に支持された支持台57上に配置されており、これらの支柱56は揺動アーム55に固定されている。揺動アーム55は図示しないモータに駆動されて、支軸58を中心として旋回するように構成されている。ドレッサシャフト51は、図示しないモータの駆動により回転し、このドレッサシャフト51の回転により、ドレッサ50がドレッサシャフト51周りに回転する。エアシリンダ53は、ドレッサシャフト51を介してドレッサ50を下降させ、回転する研磨テーブル22上の研磨パッド32の研磨面32aにドレッサ50を所定の押圧力で押圧する。研磨パッド32は、回転するドレッシング部材50aの下面ダイヤモンド砥粒により削り取られ、これにより研磨面32aがドレッシングされる。ドレッシング中には、図示しない純水供給ノズルから純水が研磨面32aに供給される。研磨装置20により研磨された半導体ウエハは、図示しない洗浄機および乾燥機により洗浄および乾燥される。そして、半導体ウエハは、図1bに示す公知の電気力顕微鏡EFMに搬送され、ここで上述のように半導体ウエハの表面電位像が取得される。表面電位像に現れる表面電位は研磨圧力に変換され、これにより被研磨面上の研磨圧力分布が求められる。研磨圧力が不均一であれば、その結果を研磨装置20にフィードバックして、得られた研磨圧力分布に基づいてトップリング30の研磨圧力を調整したり、スラリーの流量、流し方などを調整することができる。上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。"