少なくとも表面が絶縁処理された支持基板と、前記支持基板の上に形成された厚い導電パターンと、前記厚い導電パターンよりも薄く形成された薄い導電パターンと、前記厚い導電パターンの周囲から、または両側辺から、外側に向かうに連れて薄く形成された傾斜部を有する残存部とを有する実装基板。前記傾斜部には、なだらかなショルダー部を有する請求項1に記載の実装基板。前記厚い導電パターンには、大電力用の半導体素子が実装される請求項1または請求項2に記載の前記実装基板を採用した半導体モジュール。少なくとも表面が絶縁処理され、その表面に導電膜が貼り合わされた支持基板を用意し、前記導電膜をウェットエッチングすることで、厚い導電膜、薄い導電膜、前記厚い導電膜から前記薄い導電膜に行くに従って薄くなっていく傾斜を有した残存部を形成し、前記厚い導電膜、前記薄い導電膜および前記傾斜を有した前記残存部にホトレジストを形成し、前記厚い導電膜からなるパターンおよび薄い導電膜から成るパターンを形成することを特徴とした実装基板の製造方法。前記厚い導電膜から成るパターンは、その周囲または両側辺に前記残存部を残してパターニングされる請求項4に記載の実装基板の製造方法。前記残存部は、なだらかなショルダーを有する請求項5に記載の実装基板の製造方法。以上のプロセスで、一つの基板の上に、厚い導電パターン117と、薄い導電パターン116が形成される。しかしながら、図8に示す厚いCu箔の段差S1は、結構急峻なパターンと成るため、以下の問題があった。つまり図7のハーフエッチングの後に、ホトレジスト115を全面に被覆するが、図8Aの黒く塗りつぶした部分の様に、厚い部分から薄い部分に移行する境界S2は、段差があるために、隙間118が発生する問題があった。この隙間118は、エッチャントが浸入する部分になり、パターニングした後の形状が、目的の形状に至らない問題があった。また断面を見て述べると、図8Bの如く、エッチング後の導電パターン側壁の真ん中が内側にエッチングされると、導電パターンは、大きくオーバーハングし、前述したホトレジストとの密着性も悪くなる。これも同様な問題が発生する。そのため、基板100の表面に樹脂を設けて封止しようとしても、空隙ボイドが発生したりする。この空隙は、温度上昇で破裂を招いたり、更に、エッチングの悪さを平面的に観察すると、余計に内側にエッチングされて、配線が断線したりする問題が発生した。本発明は、前述した課題に鑑みて成されたものであり、第1に、少なくとも表面が絶縁処理された支持基板と、前記支持基板の上に形成された厚い導電パターンと、前記厚い導電パターンよりも薄く形成された薄い導電パターンと、前記厚い導電パターンの周囲から、または両側辺から、外側に向かうに連れて薄く形成された傾斜部を有する残存部とを有する事で解決するものである。また少なくとも表面が絶縁処理され、その表面に導電膜が貼り合わされた支持基板を用意し、前記導電膜をウェットエッチングすることで、厚い導電膜、薄い導電膜、前記厚い導電膜から前記薄い導電膜に行くに従って薄くなっていく傾斜を有した残存部を形成し、前記厚い導電膜、前記薄い導電膜および前記傾斜を有した前記残存部にホトレジストを形成し、前記厚い導電膜からなるパターンおよび薄い導電膜から成るパターンを形成することで解決するものである。厚い導電膜4と薄い導電膜5の間に、薄い導電膜5に向かうに連れてその厚さが薄くなる残存部6を形成することで、その上に形成されるホトレジストは、隙間もなく被覆できる。そのため、パターニングの精度を向上させることができる。またデバイス的には、厚いパターン4Aには、スカート状の傾斜部8Aが設けられるため、放熱パスが増加し、より放熱性が向上できる。以下に、図1~図5を採用して、本発明の実施の形態を説明する。本発明は、主に導電パターンのエッチング方法、そしてその構造に特徴を有し、導電パターンの下層にある支持基板は、特に限定されない。従来例では、金属基板で説明しているが、本発明も、採用が可能である。つまり、基板自体が導電性を有するため、少なくとも表面が絶縁処理される必要があり、材料としては、Cu、AlまたはFeを主成分とする金属基板で実施が可能である。尚、裏面は、絶縁処理されずに金属基板自体が露出されても良い。また、セラミック等の無機物から成るセラミック基板、プリント基板やフレキシブルシート等で、コアが絶縁樹脂を主材料とする樹脂基板図4A、図5参照、樹脂から成るコアに金属が入った前記樹脂基板図4B参照、半導性ではあるが、表面が絶縁処理されたSiインターポーザ等も実施が可能である。尚、樹脂基板は、重合された樹脂から成るコア基板の両面に、絶縁層と導電パターンが少なくとも1層ずつ積層されたものである。前述した金属基板には、少なくとも表面に絶縁樹脂層が被覆され、その上に導電パターンが形成される。またAl基板の場合、Alの表面に陽極酸化、プラズマ処理等で、酸化膜が生成されても良い。特に酸化膜が生成されると、その膜構造により、その上に形成される絶縁層の密着性が優れたり、裏面に形成されると、膜の硬度が高いため、傷の生成が抑制される。図1では、符号1が、金属基板の表面に形成される絶縁層に相当する。またセラミック基板では、金属基板と異なり、セラミック基板自体が絶縁性を持つため、符号1がセラミック基板に相当する。続いて、樹脂基板においては、表面と裏面に、絶縁層と導電パターンが積層されており、導電パターンの下層の部分が絶縁層1に相当する。更にSiインターポーザでは、Si基板の上のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜または絶縁樹脂膜が、絶縁層1に相当する。本来全ての支持層で説明すべきであるが、導電パターン2の所にポイントを有するものであり、以下、金属基板を支持層の代表例として、図1Aから説明してゆく。繰り返しになるが、この金属基板は、コストや放熱性を考慮すると、Al、CuまたはFeを主成分としたものが好ましい。そしてAlの場合、前述したように、陽極酸化処理、またその他プラズマ処理等で、表面だけ、または表面と裏面に、無機系の絶縁層が形成され、更にその上に絶縁樹脂から成る絶縁層1が形成されている。一般に、金属基板は、大判基板を採用し、全面に酸化処理してから、ダイシング、プレス等で小片に分離するため、4つの側面は、その金属が露出している。そして金属基板の上層の絶縁層1の上に導電膜2が形成される。この導電膜としては、Cuを主成分としたCu箔2が貼りあわされる。一般には、Cu箔2の裏面に、接着剤が塗布され、熱圧着で貼りあわされる。続いて、図1Bに示すように、ホトレジスト層3が導電膜2の全面に形成され、このホトレジスト層3がパターニングされて、それぞれのホトレジストが形成される。図2Dの如く、左側に、導電膜2自体を残した厚い導電膜4と、右側に薄い導電膜5を形成するために、形成予定の厚い導電膜4の上に、第1のホトレジスト3Aを設け、形成予定の薄い導電膜の部分は、ホトレジスト3が取り除かれ、導電膜2が露出されている。更には、形成予定の厚い導電膜4と形成予定の薄い導電膜5の間に、間隔を徐々に増加させた第2~第5のホトレジスト3B~3Eが形成される。図は、断面図であるため、厚い導電膜4の両側に形成されている。しかしながら、形成予定の厚い導電膜がアイランド状に形成される場合は、図9の濃い斜線の様に、全周に渡り形成され、配線は、実質両側に形成される。この第2~第5のホトレジスト3B~3Eが本発明の特徴となる部分である。つまり、ホトレジストの間隔が、第1のホトレジスト3Aから外に向かうに連れて、広げられている。これは、第1のホトレジスト3Aから、間隔S1、S2、と、その間隔を広げて設ければ、その間隔に従って、ウェットエッチングの際のエッチング深さが、深くなっていく現象を利用して、残存部をエッチングされている。ここで、第2~第5のホトレジストが4つ設けられたため、その間隔は、S1~S4の4つに成っているが、この第2のホトレジスト層の数は、これより少なくても、多くても良い。少なくともこの間隔が複数あればよい。図1Cは、そのエッチングの途中を説明しており、間隔S1~S4の真下が下方にエッチングされている。そして、このエッチングが進むに連れて、レジストの下までエッチングが進み、図1C1の如く尖がった頂部が形成される。そして更にエッチングを進めることで、図2D1または図2Dの如く成る。ここで、図2Dの厚い導電膜4と薄い導電膜5の間に、傾斜の部分があり、ここの部分を残存部と定義して以下説明する。図1C1の形状では、残存部のパターンには、頂部があり、尖がっているため、ショート等の問題を誘発させる。しかしこの状態から、更にエッチングを進めることで、図2D1の様に、この残存部の尖がりが丸められ、更には、図2Dの如く、なだらかな傾斜となる。本発明は、図2D1または図2Dの如き形状にする事にあり、厚い導電膜4と薄い導電膜5との間に、残存部6を形成し、後の工程でホトレジストを貼り付けることに特徴を有する。より具体的には、残存部6は、1つの放物線を描く図2Dの様な形状に成るまでエッチングするか、あるいは、図2D1の様に、厚い導電膜4と薄い導電膜5との間に、少なくとも2つの以上の滑らかなショルダーが形成され、薄い導電膜5に向かって下方に傾斜したカーブを描くまでエッチングすることにある。続いて、図2EまたはE1の如く、第6のホトレジスト7を形成し、図2Fの様に、第6のホトレジスト7をパターニングする。ここでは、厚い導電膜4および、導電膜4側の残存部6は、第7のホトレジスト7Aで覆われ、残存部の一部、薄い導電膜5の部分の一部が露出されるようにパターニングして、第8、第9のホトレジスト7B、7Cを形成する。そして露出された部分、ここでは、残存部6の一部、薄い導電膜5をエッチングする事で、厚いパターン4A、第1の薄いパターン5A、第2の薄いパターン5Bを形成する。ここで、残存部6でエッチングしたため、厚いパターン4Aは、厚い導電膜4と残存部6の境界から外に向かって下に傾斜した第1の傾斜部8Aが設けられている。また第1の薄いパターン5Aは、薄い導電膜5と残存部6の境界から外に向かって図では左側に向かい、上に傾斜した第2の傾斜部8Bが設けられている。図2D1で前述したように、少なくとも2つ以上の滑らかなショルダーが形成された場合、第1および/または第2の傾斜部8A、8Bは、複数のショルダーを有しても良い。尚、第2の薄いパターン7Cは、実質同じ膜厚である。この様に、薄い導電膜5をパターンニングすることで、薄いアイランド、薄い配線、薄いリード端子等が形成される。この辺は、図9で説明する。続いて、第7、第8、のホトレジスト7A、7Bを取り除いて、導電パターンが形成される。尚、更に図10A~の工程を経ても良い。つまり図2Fで形成されたパターン全域に第10のホトレジスト層9を形成し、このホトレジスト層9を図10Bの様にパターニングする。つまり厚いパターンの中央部の一部と薄いパターンの全域にホトレジストが形成され、傾斜部が露出されるように形成される。そしてこの露出された傾斜部とこの傾斜部と隣接した厚いパターンを再度エッチングする。この様に、傾斜部は、従来構造とは異なり、比較的なだらかであるため、第10のホトレジストの密着性もあり、隙間も発生することなく、良好なパターン形成が可能である。文頭で述べたように、この導電パターンの製造方法は、色々な支持基板に適用可能であり、以下に簡単に説明する。図3は、金属基板10を採用した半導体モジュールであり、厚いパターン4Aには、大電力用の半導体素子11が設けられ、第2の薄いパターン5Aまたは5Bは、小信号用の半導体素子12が設けられている。特に大電力用の半導体素子11の熱は、真下以外に斜め方向にも放熱パスがあるため、傾斜部があることで、より放熱性が向上する。尚、この放熱性は、傾斜部があれば、他の支持基板でも同じ効果がある。図4Aは、コア層20Aが樹脂からなるプリント基板で、2層基板である。また図4Bに示すものは、コア層20BがCu、AlまたはFeを主材料とした金属や合金が採用され、その表裏面および側面を覆うように樹脂層21が形成されている。また樹脂層21のコア部分に金属が埋め込まれたものとも言える。この場合も、図1~図2で説明した導電パターンが形成されている。やはり、2層基板である。続いて図5は、4層基板であるが、4層、6層、8層の多層基板の代表として図示するものである。要は、多層基板の最上層に厚いパターン4A、薄いパターン5A、5Bが形成される事を示したいために、図を用意した。樹脂基板は、重合された樹脂から成るまたは樹脂の中にコアメタルが内蔵されたコア基板の両面に、絶縁層と導電パターンが少なくとも1層ずつ積層されたものである。そしてその多層基板の最上層に、この厚いパターン4A、薄いパターン5A、5Bが形成されている。図9は、平面的な形状を説明するものである。図2Fからも理解されるように、厚いパターンと薄いパターンの二種類に分けられて導電パターンが形成されている。特に区分するために、点線で囲んだ部分が、小信号系で、ここは、薄い導電パターンで形成される部分である。それ以外は、厚い導電パターンで形成される部分である。それぞれアイランド30A、30Bここで符号Aが付くのは、小信号系、Bが付くのは、大信号系である、パッドやパッドと一体の配線31A、31B、配線32A、32Bおよびリード接続用の外部端子33A、33Bである。図の中の斜線が厚いパターンで、外の細かい斜線が傾斜部である。