ガス成分を除く純度が4N以下であるカルシウムの原料を、昇華容器のルツボに装入し、これを750°C~800°Cに加熱して昇華させ、これを昇華容器内の側壁に付着蒸着させて第1回目の昇華精製を行い、次にこの第1回目で昇華精製したカルシウムを回収した後、このカルシウムを再度昇華容器のルツボに装入し、750°C~800°Cに加熱して第2回目の昇華精製を行い、同様に昇華容器内の側壁に付着蒸着させて純度4N5以上のカルシウムを回収することを特徴とする高純度カルシウムの製造方法。カルシウムの昇華速度を0.25g/cm2/h~0.75g/cm2/hとすることを特徴とする請求項1記載の高純度カルシウムの製造方法。昇華精製する際の昇華容器内の真空度を1×10-4Pa以上の高真空とすることを特徴とする請求項1~2のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法。カルシウム原料からの収率を80以上とすることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法。回収した高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素を5ppm未満とすることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法。回収した高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素の含有量を1ppm未満とすることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法。カルシウムの純度が4N5以上であることを特徴とする高純度カルシウム。高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素が5ppm未満であることを特徴とする請求項7記載の高純度カルシウムの製造方法。高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素の含有量が1ppm未満であることを特徴とする請求項7記載の高純度カルシウムの製造方法。本発明は、高純度ランタンの製造に使用できるだけでなく、他の希土類等の還元剤、金属の脱硫剤又は脱酸剤、高真空ポンプ用ゲッターとして使用するための、高純度化したカルシウムを安定して提供できる技術を提供することを課題とする。本発明は、1ガス成分を除く純度が4N以下であるカルシウムの原料を、昇華容器のルツボに装入し、これを750°C~800°Cに加熱して昇華させ、これを昇華容器内の側壁に付着蒸着させて第1回目の昇華精製を行い、次にこの第1回目で昇華精製したカルシウムを回収した後、このカルシウムを再度昇華容器のルツボに装入し、750°C~800°Cに加熱して第2回目の昇華精製を行い、同様に昇華容器内の側壁に付着蒸着させて純度4N5以上のカルシウムを回収することを特徴とする高純度カルシウムの製造方法、を提供する。また、本発明は、2カルシウムの昇華速度を0.25g/cm2/h~0.75g/cm2/hとすることを特徴とする上記1記載の高純度カルシウムの製造方法、また、本発明は、3昇華精製する際の昇華容器内の真空度を1×10-4Pa以上の高真空とすることを特徴とする上記1~2のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法、4カルシウム原料からの収率を80以上とすることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法、を提供する。また、本発明は、5回収した高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素を5ppm未満とすることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法、6回収した高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素の含有量を1ppm未満とすることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載の高純度カルシウムの製造方法、を提供する。また、本発明は、7カルシウムの純度が4N5以上であることを特徴とする高純度カルシウム、8高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素が5ppm未満であることを特徴とする上記7記載の高純度カルシウム、9高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素の含有量が1ppm未満であることを特徴とする上記7記載の高純度カルシウム、を提供する。以上の高純度カルシウムは新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。このような高純度カルシウムは、純度の高いランタン金属等の希土類元素をカルシウム還元によって精製する場合に有効に利用できる。このように、希土類元素の還元剤、金属の脱硫剤又は脱酸剤、高真空ポンプ用ゲッターとして使用することができる。本発明は、2回の昇華精製により、純度4N5以上のカルシウムを回収するものであり、高純度化したカルシウムを安定して提供できるという優れた効果を有する。本発明の高純度カルシウムの製造方法は、まずガス成分を除く純度が4N以下であるカルシウムの原料を、図1に示すような昇華容器のルツボに装入する。次に、この原料を750°C~800°Cに加熱して昇華させ、昇華したカルシウムを昇華容器内の側壁に付着蒸着させて第1回目の昇華精製を行う。そして、この第1回目で昇華精製したカルシウムを冷却して回収する。次に、この回収したカルシウムを再度昇華容器のルツボに装入する。昇華容器は別に用意しても良いし、また同一の昇華容器を使用することもできる。そして、再度750°C~800°Cに加熱して第2回目の昇華精製を行い、同様に昇華容器内の側壁に付着蒸着させる。これによって純度4N5以上のカルシウムを回収することができる。前記昇華させる温度750°C~800°Cは、融点839°Cよりもやや低い温度で、カルシウムの昇華速度を調節して温度設定を行う。750°C未満では、昇華精製の効率が悪くなり、また800°Cを超える温度では、不純物の混入があるので、上記の範囲の温度に調節する。この結果、カルシウムの昇華速度を0.25g/cm2/h~0.75g/cm2/hとすることができる。これはカルシウムの昇華精製に適度な速度である。昇華容器は通常耐熱性のステンレスを使用する。そして、この昇華容器に昇華精製したカルシウムを付着蒸着させて回収する。昇華精製する際の昇華容器内の真空度は、1×10-4Pa以上の高真空とし、昇華を促進させ、かつ気化し易いカルシウム内の不純物を除去する。本発明の工程により、カルシウム原料からの収率80以上を達成することができる。また、回収した高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素を5ppm未満とすること、さらには、1ppm未満とすることができる。以上によって、カルシウムの純度が4N5以上である高純度カルシウムを得ることができる。また、この高純度カルシウムに含有する各遷移金属元素を5ppm未満、さらには、1ppm未満とすることができる。次に、実施例について説明する。なお、この実施例は理解を容易にするためのものであり、本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内における、他の実施例及び変形は、本発明に含まれるものである。実施例1表1に示す不純物を含有する純度99.93Nのカルシウム原料3.5kgを、図1に示す縦型の昇華容器の底部のルツボに装入した。なお、表1には、原料のばらつきも示す。昇華容器内の真空度は1×10-4Pa台とした。この真空処理はロータリーポンプによる粗引き及びクライオポンプによる本引きを行った。ルツボの加熱は下記の範囲で調節した。加熱温度は、恒常状態で770°Cであり、通常750°C~800°Cで制御した。また、昇華速度は、恒常状態で0.64g/cm2/hであり、通常0.25g/cm2/h~0.75g/cm2/hで制御した。これ以下では昇華速度のばらつきが大きくなって効率が悪く、これを超えると純度が悪化する傾向があった。上記の通り、カルシウム原料は3.5kgとしたが、この第1回目の昇華によって昇華容器内の側壁に3.0kgの付着蒸着物を得た。この分析値を同様に表1に示す。第1回目の昇華残渣は0.25kgであり、ロスは0.25kgであった。第1回目の昇華残渣の分析値も、表1に示す。これによれば、Mg<0.05wtppm、Fe:64wtppm、Cu380wtppmであり、銅の残渣が多量にあった。なお、第1回目の昇華は、原料形状が安定せず、昇華速度も安定しないという傾向があった。次に、この第1回目の蒸着カルシウム原料を用いて、カルシウム原料3.0kgを、図1に示す縦型の昇華容器の底部のルツボに装入した。この結果、2.8kgのカルシウムを回収した。この結果、収率は、2.8/3.5=80で、80の収率を得た。第2回目のカルシウムの不純物量を、同様に表1に示す。この表1に示す不純物量から明らかなように、高純度カルシウムを得ることができた。表1に示すように、原料でのカルシウム中に存在するCu量のばらつきが大きいので、2回の昇華精製が必要であることが分かる。なお、カルシウムの分析値で、SrとBaは、比較的高い値になっているが、これらはカルシウムと性質が似ているために、カルシウム還元剤等として使用する場合には、特に問題となるものではない。なお、第1回目と第2回目の昇華条件は同じとした。比較例1実施例1と同一のカルシウム原料を用い、温度750°C、昇華速度0.50g/cm2/hで、1回のみの昇華によって昇華容器内の側壁に蒸着物を得た。他の条件は、実施例1と同一である。この結果、表2の分析結果に示すように、全体的に、前記実施例に比べて不純物量は多く、特にFe、Cuの不純物量が多く、本願発明の目的を達成することができなかった。比較例2実施例1と同一のカルシウム原料を用い、第1回目の加熱温度850°C、昇華速度蒸発速度4.0g/cm2/hの1回の昇華によって昇華容器内の側壁に蒸着物を得た。他の条件は、実施例1と同一である。この結果、表3の左側の分析結果に示すように、全体的に、前記実施例に比べて不純物量は多く、特にSi、Ti、Mn、Fe、Cu、As、Sr、Baの不純物量が多くなり、本願発明の目的を達成することができなかった。比較例3実施例1と同一のカルシウム原料を用い、第1回目の加熱温度850°C、昇華速度蒸発速度4.0g/cm2/hで、第2回目の加熱温度850°C、昇華速度蒸発速度3.7g/cm2/hで2回の昇華によって昇華容器内の側壁に蒸着物を得た。他の条件は、実施例1と同一である。この結果、表3の右側の分析結果に示すように、全体的に、前記実施例に比べて不純物量は多く、特にMg、Al、Si、Fe、Cu、Pbの不純物量が多く、本願発明の目的を達成することができなかった。