上面に第1のIDT電極が設けられた第1の圧電基板と、前記第1の圧電基板の側面に側面が対向するように配置されると共に、上面に第2のIDT電極が設けられた第2の圧電基板と、少なくとも前記第1の圧電基板の下面と前記第2の圧電基板の下面とを覆うように形成された封止部材とを備えた弾性波フィルタ部品であって、前記第1の圧電基板の上に形成されると共に前記第1のIDT電極に電気的に接続された第1の柱状配線電極と、前記第1の柱状配線電極に電気的に接続された第1の外部接続用端子と、前記第2の圧電基板の上に形成されると共に前記第2のIDT電極に電気的に接続された第2の柱状配線電極と、前記第2の柱状配線電極に電気的に接続された第2の外部接続用端子とを備え、前記第1の圧電基板の厚みは、前記第2の圧電基板の厚みよりも厚く、前記弾性波フィルタ部品内において、前記第1の圧電基板の上面を含む平面と前記第2の圧電基板の上面を含む平面との距離は、前記第1の圧電基板の下面を含む平面と前記第2の圧電基板の下面を含む平面との距離よりも小さい弾性波フィルタ部品。前記第1の柱状配線電極の高さと前記第2の柱状配線電極の高さとの差が前記第1の圧電基板の下面を含む平面と前記第2の圧電基板の下面を含む平面との距離より小さい請求項1に記載の弾性波フィルタ部品。前記弾性波フィルタ部品内において、前記第1の圧電基板の下方における前記封止部材の下面を含む平面と前記第2の圧電基板の下方における前記封止部材の下面を含む平面との距離は、前記第1の圧電基板の下面を含む平面と前記第2の圧電基板の下面を含む平面との距離よりも小さい請求項1に記載の弾性波フィルタ部品。前記第1の圧電基板の下方における前記封止部材の下面と前記第1の圧電基板の下面との距離は、前記第2の圧電基板の下方における前記封止部材の下面と前記第2の圧電基板の下面との距離より小さい請求項1に記載の弾性波フィルタ部品。前記第1の圧電基板によって構成される第1のフィルタの通過帯域は、前記第2の圧電基板によって構成される第2のフィルタの通過帯域より低い請求項1に記載の弾性波フィルタ部品。前記第1の機能基板は、第1の圧電基板と、前記第1の圧電基板の下面に形成された支持基板とからなり、前記第2の機能基板は、第2の圧電基板からなる請求項1に記載の弾性波フィルタ部品。上面に第1の機能回路が設けられた第1の機能基板と、前記第1の機能基板の側面に側面が対向するように配置されると共に、上面に第2の機能回路が設けられた第2の機能基板と、少なくとも前記第1の機能基板の下面と前記第2の機能基板の下面とを覆うように形成された封止部材とを備えた弾性波フィルタ部品であって、前記第1の機能基板の上に形成されると共に前記第1の機能回路に電気的に接続された第1の柱状配線電極と、前記第1の柱状配線電極に電気的に接続された第1の外部接続用端子と、前記第2の機能基板の上に形成されると共に前記第2の機能回路に電気的に接続された第2の柱状配線電極と、前記第2の柱状配線電極に電気的に接続された第2の外部接続用端子とを備え、前記第1の機能基板の厚みは、前記第2の機能基板の厚みよりも厚く、前記弾性波フィルタ部品内において、前記第1の機能基板の上面を含む平面と前記第2の機能基板の上面を含む平面との距離は、前記第1の機能基板の下面を含む平面と前記第2の機能基板の下面を含む平面との距離よりも小さい弾性波フィルタ部品。上記従来の弾性波フィルタ部品101において、第1の圧電基板103の下面と第2の圧電基板105の下面とが面一になるように、これら圧電基板103、105が1パッケージ化されていた。このため、第1の圧電基板103の厚みが第2の圧電基板105の厚みよりも厚い場合に、第1の圧電基板103の上面を含む平面と第2の圧電基板105の上面を含む平面との距離、即ち、第1の圧電基板103の上面と第2の圧電基板105の上面の段差dが大きくなった。このため、弾性波フィルタ部品101のマザー基板図示せずへの実装性を向上すべく第1の外部接続用端子108と第2の外部接続用端子110の形成面を第1、第2の圧電基板103、105の上面の段差dより平坦化した場合に、第1の柱状配線電極107の高さaと第2の柱状配線電極109の高さbとの差が大きくなることにより、弾性波フィルタ部品101の製造工程が煩雑化するという問題があった。そこで、本発明は、弾性波フィルタ部品の製造工程を簡易化することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ部品は、第1の圧電基板の厚みが第2の圧電基板の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品内において、第1の圧電基板の上面を含む平面と第2の圧電基板の上面を含む平面との距離は、第1の圧電基板の下面を含む平面と第2の圧電基板の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。上記構成により、第1の圧電基板の厚みと第2の圧電基板の厚みとが異なる弾性波フィルタ部品において、弾性波フィルタ部品のマザー基板への実装性を向上すべく第1の外部接続用端子と第2の外部接続用端子の形成面を第1、第2の圧電基板の厚みの差より平坦化した場合にも、第1の柱状配線電極の高さと第2の柱状配線電極の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品の製造工程を簡易化することができる。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1における弾性波フィルタ部品について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施の形態1における弾性波フィルタ部品1の断面模式図である。弾性波フィルタ部品1は、第1の機能基板と第2の機能基板とを備え、これら第1、第2の機能基板は、互いに側面が所定の間隔を隔てて対向するように並設される。以下、弾性波フィルタ部品1について、第1の機能基板を弾性表面波基板である第1の圧電基板3として説明し、第2の機能基板を弾性境界波基板である第2の圧電基板5として説明する。さらにまた、弾性波フィルタ部品1は、例えば、CDMA標準規格のBand1用のアンテナ共用器であり、第1の圧電基板3を用いて2021MHz~2080MHzの第1の周波数帯域の信号を通過させる送信フィルタである第1のフィルタを構成し、第2の圧電基板5を用いて2210MHz~2270MHzの第2の周波数帯域の信号を通過させる受信フィルタである第2のフィルタを構成している。なお、これら第1の圧電基板3の材料と第2の圧電基板5の材料は異なっていても良いし、同一でも良い。弾性波フィルタ部品1は、上面に第1の機能回路である第1のIDT電極2が設けられた第1の圧電基板3と、第1の圧電基板3の側面に側面が対向するように配置されると共に、上面に第2の機能回路である第2のIDT電極4が設けられた第2の圧電基板5と、少なくとも第1の圧電基板3の下面と第2の圧電基板5の下面とを覆うように形成された封止部材6とを備えている。さらに、弾性波フィルタ部品1は、第1の圧電基板3の上に形成されると共に第1のIDT電極2に電気的に接続された第1の柱状配線電極7と、第1の柱状配線電極7に電気的に接続された第1の外部接続用端子8と、第2の圧電基板5の上に形成されると共に第2のIDT電極4に電気的に接続された第2の柱状配線電極9と、第2の柱状配線電極9に電気的に接続された第2の外部接続用端子10とを備える。さらにまた、弾性波フィルタ部品1は、封止部材6と第1、第2の外部接続用端子8、10との間に配置された誘電体層17を備え、第1、第2の柱状配線電極7、9と第1、第2の外部接続用端子8、10とは、誘電体層17を貫通する接続電極18を介して電気的に接続される。尚、弾性波フィルタ部品1は、第1、第2の外部接続用端子8、10の上に設けられた外部接続用バンプ20を備えていても良いし、外部接続用バンプ20を備えていなくとも良い。このような構成にすることにより、封止部材6により第1の圧電基板3と第2の圧電基板5が一体化されているので、弾性波フィルタ部品1の小型化を図ることが可能となる。また、弾性波フィルタ部品1内において、第1の圧電基板3の厚みが第2の圧電基板5の厚みよりも厚い。このように、通過帯域周波数の相対的に低いほうの第1のフィルタを構成する第1の圧電基板3の厚みを第2の圧電基板5の厚みより厚くすることにより、各々のフィルタ特性を向上させることができる。ここで、第1の圧電基板3の上面を含む平面と第2の圧電基板5の上面を含む平面との距離dは、第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面との距離cよりも小さい。この構成により、第1の圧電基板3の厚みと第2の圧電基板5の厚みとが異なる弾性波フィルタ部品1において、弾性波フィルタ部品1のマザー基板への実装性を向上すべく第1の外部接続用端子8と第2の外部接続用端子10の形成面を第1、第2の圧電基板3、5の厚みの差cより平坦化した場合にも、第1の柱状配線電極7の高さaと第2の柱状配線電極9の高さbとの差を第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面の距離cより小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品1の製造工程を簡易化することができる。また、弾性波フィルタ部品1内において、第1の圧電基板3の下方における封止部材6の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下方における封止部材6の下面を含む平面との距離は、第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面との距離よりも小さいことが望ましい。これにより、弾性波フィルタ部品1の下面からの弾性波フィルタ部品1の取り扱いが容易となる。言い換えると、第1の圧電基板3の下方における封止部材6の下面と第1の圧電基板3の下面との距離は、第2の圧電基板5の下方における封止部材6の下面と第2の圧電基板5の下面との距離より小さいことが望ましい。これにより、弾性波フィルタ部品1の下面からの弾性波フィルタ部品1の取り扱いが容易となる。本実施の形態1の弾性波フィルタ部品1の各構成について以下詳述する。第1の圧電基板3は、例えば弾性表面波素子であり、その上面において、第1のIDTInterDigitalTransducer電極2と、この第1のIDT電極2に電気的に接続された内部電極11と、第1のIDT電極2を囲むように設けられた側壁12と、第1のIDT電極2の上方に空間14を設けるように側壁12の上に設けられた蓋体13とが設けられている。第1の圧電基板3は、板厚210~350μm程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。第1のIDT電極2は、膜厚0.1~0.5μm程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、若しくはモリブデンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。内部電極11は、第1のIDT電極2と第1の外部接続用端子8とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。側壁12は、第1のIDT電極2の周囲の少なくとも一部を囲む高さが5~15μm程度の絶縁体で、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いている。特に、側壁12として感光性樹脂を用いることで圧電基板上に複数個の弾性波フィルタ部品を作るための側壁12を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、側壁12として特に好ましい。蓋体13は、接着層図示せずを介して側壁12の上部に接着されることにより保持された厚みが1~10μm程度の天板であり、第1の圧電基板3および側壁12とともに第1のIDT電極2を収容している。この蓋体13には、金属を用いると機械的強度に優れ、かつ導電性を有することにより蓋体13の電位を制御することが可能となる点で好ましく、さらに銅を用いると単結晶の第1の圧電基板3と線膨張係数が略等しい点でより好ましい。また、蓋体13として、例えば、感光性樹脂組成物シートを用いてもよい。尚、図示していない上記接着層は、厚みが1~10μm程度の接着剤で、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、若しくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂からなる。空間14は、第1の圧電基板3、側壁12および蓋体13によって囲まれた領域である。この空間14は気密性を有するものであり、その内部に第1のIDT電極2が収容されている。この空間14内は通常気圧の空気であっても構わないが、減圧密封されていると第1のIDT電極2の腐食を防止できるので、なお好ましい。第1の柱状配線電極7は、内部電極11上にスパッタ膜図示せずを介して電解メッキ処理により形成された電極であり、その材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケルからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第1の圧電基板3と整合することができるため好ましい。この第1の柱状配線電極7は、側壁12および蓋体13を貫通していても良いし、側壁12および蓋体13の外側空間14と反対側に形成される事で側壁12および蓋体13を貫通していなくとも良い。尚、上記スパッタ膜は、内部電極11上であって側壁12の外側面に形成された金属薄膜であり、その材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、若しくはマグネシウムからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金など、内部電極11よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる。特にチタンは密着性が高いのでスパッタ膜として好ましく、スパッタ膜をチタンの上部に銅を形成する2層構造にすると、第1の柱状配線電極7が形成しやすく好ましい。第2の圧電基板5は、例えば弾性境界波素子であり、その上面において、第2のIDTInterDigitalTransducer電極4と、この第2のIDT電極4に電気的に接続された内部電極15と、第2の圧電基板5の上に第2のIDT電極4を覆うように設けられた無機絶縁膜16とが設けられている。第2の圧電基板5は、板厚50~300μm程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。第2のIDT電極4は、膜厚0.1~0.5μm程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、若しくはモリブデンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。内部電極15は、第2のIDT電極4と第2の外部接続用端子10とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。無機絶縁膜16は、例えば、厚み第2の圧電基板5の上面から無機絶縁膜16の上面の距離1μm~10μm程度の酸化ケイ素SiO2からなるが、第2の圧電基板5とは逆の周波数温度特性を有する媒質であれば構わない。また、無機絶縁膜16は、第2の圧電基板5側から順に酸化ケイ素と他の無機絶縁膜例えば窒化ケイ素SiNの積層構造であってもよい。これにより、第2のフィルタの周波数温度特性を向上することができる。尚、この酸化ケイ素は、第2の圧電基板5を伝搬する横波の速度よりも遅い速度の横波が伝搬する媒質である。第2の柱状配線電極9は、内部電極15上にスパッタ膜図示せずを介して電解メッキ処理により形成された電極であり、その材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケルからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第2の圧電基板5と整合することができるため好ましい。この第2の柱状配線電極9は、無機絶縁膜16を貫通していても良いし、無機絶縁膜16の外側に形成される事で無機絶縁膜16を貫通していなくとも良い。封止部材6は、主に、第1の圧電基板3の下面と側面、側壁12の外側側面空間14と反対側の側面、第2の圧電基板5の下面と側面、および無機絶縁膜16の側面と上面を覆うように形成されている。この封止部材6は、第1、第2の圧電基板3、5の下面全体を覆うことにより機械的衝撃等から第1、第2のIDT電極2、4等を保護する機能を有している。この封止部材6の材質としては、熱硬化性樹脂を用いると取り扱い性に優れる点で好ましく、エポキシ樹脂を用いると耐熱性および気密性の点で特に好ましく、さらにエポキシ樹脂中にフィラーを含有させることで線膨張係数や熱伝導率を調整することができ、なお好ましい。フィラーとしては、アルミナ、二酸化珪素、窒化硼素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム等を用いることができる。なお、これらの材料に限らず様々な無機系材料やニッケル等の金属系材料の使用が可能である。誘電体層17は、封止部材6の上に設けられているが、無機絶縁膜16又は蓋体13の上に直接設けられていても良い。この誘電体層17の材質としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂等、の様々な樹脂材料を用いることが可能であるが、ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、誘電体層17として特に好ましい。また、誘電体層17の材質は感光性を有していることが好ましく、感光性を有することにより部分的に形成することが容易となる。さらに、誘電体層17の材質中にフィラーを含有させてもよく、それにより線膨張係数を調整することができる。フィラーとしては、アルミナ、二酸化珪素、窒化、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム等の無機材料やニッケル等の金属系材料の使用が可能である。接続電極18は、第1、第2の柱状配線電極7、9上にスパッタ膜図示せずを介して電解メッキ処理により形成された電極であり、その材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケルからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第2の圧電基板5と整合することができるため好ましい。第1、第2の外部接続用端子8、10の材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケル、錫からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第2の圧電基板5と整合することができるため好ましい。上層保護膜19は、誘電体層17および外部接続用端子8、10上に形成され、外部接続用端子8、10が基板実装される部分図示せずが露出されている。この上層保護膜19の材質としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂等、の様々な樹脂材料を用いることが可能であるが、ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、上層保護膜19として特に好ましい。また、上層保護膜19の材質は感光性を有していることが好ましく、感光性を有することにより部分的に形成することが容易となる。さらに、上層保護膜19の材質中にフィラーを含有させてもよく、それにより線膨張係数を調整することができる。フィラーとしては、アルミナ、二酸化珪素、窒化、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム等の無機材料やニッケル等の金属系材料の使用が可能である。第1、第2の外部接続用端子8、10の材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケル、錫からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第2の圧電基板5と整合することができるため好ましい。以上のように構成された実施の形態1における弾性波フィルタ部品1の製造方法について、以下に説明する。まず、図2に示すように、送信フィルタである第1のフィルタを形成するために、第1の圧電基板3の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、第1のIDT電極2をスパッタ形成すると共に、内部電極11を蒸着形成する。また、図3に示すように、受信フィルタである第2のフィルタを構成するために、ニオブ酸リチウムからなる第2の圧電基板5表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、第2のIDT電極4をスパッタ形成すると共に、内部電極15を蒸着形成する。次に、図4に示すように、側壁12を、第1の圧電基板3の上面に形成する。この側壁12は、実施の形態1では、感光性ポリイミド樹脂を用い、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成されている。すなわち、感光性ポリイミド樹脂組成物を塗布し、露光、現像硬化することにより、パターニングする。それによって、側壁12が、第1のIDT電極2が形成されている弾性表面波励振部と、内部電極11の少なくとも一部を露出するように設けられる。内部電極11の一部を露出するのは、第1の柱状配線電極7を内部電極11の上面に設けるためである。次に、図5に示すように、蓋体13となる金属箔を、接着剤図示せずを介して側壁12の上面に貼り合わせ、その上からレジスト図示せずを用いてフォトリソグラフィ技術により金属箔を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去する。このとき、蓋体13は、内部電極11の少なくとも一部を露出させるように開口部21を有する。他方、図6に示すように、第2の圧電基板5の上面に、無機絶縁膜16をスパッタリング、若しくは蒸着等により形成する。尚、この無機絶縁膜16の形成後に、ドライエッチングにより、無機絶縁膜16における内部電極15の上方に開口部22を設ける。これは、後ほど第2の柱状配線電極9を内部電極15の上面に設けるためである。このようにして、図5に示す送信フィルタ23と、図6に示す受信フィルタ24とを用意する。なお、図2~図6は、個々の送信フィルタ23及び受信フィルタ24の製造方法を示したが、実際には、第1、第2の圧電基板3、5となる大面積の圧電ウェハ上において上記各工程を実施し、その後ダイシングにより多数の受信フィルタ23及び送信フィルタ24を形成している。次に、図7に示すように、送信フィルタ23と受信フィルタ24とを一対とし、送信フィルタの上面即ち、蓋体13の上面と受信フィルタ即ち、無機絶縁膜16の上面の上面がキャリアフィルム25に接着するように、マトリックス状に仮着する。キャリアフィルム25としては、表面にポリオレフィンエポキシ樹脂などの適宜の樹脂からなる基板、あるいはアルミナなどのセラミックスからなる基板を用いることができる。上記キャリアフィルム25上に、仮着性接合剤層を形成した後に、上記送信フィルタ23及び受信フィルタ24を当接し、仮着する。この仮着性接合剤としては、特に限定されないが、本実施の形態1では、アルコール溶解性ワックス層を形成する。次に、図8に示すように、送信フィルタ23及び受信フィルタ24の少なくとも下面即ち、第1の圧電基板3と第2の圧電基板5の下面を覆うように、封止部材6を形成する。封止部材6は、本実施の形態1では、キャリアフィルム25上においてエポキシ樹脂組成物を印刷することにより形成する。すなわち、送信フィルタ23と、受信フィルタ24とからなる一対のフィルタを各々の下面側から被覆するように封止部材6を形成する。ここでは、送信フィルタ23及び受信フィルタ24の下面だけでなく、各々の側面をも覆うように形成する。尚、本発明においては、封止部材6は、送信フィルタ23及び受信フィルタ24の少なくとも下面即ち、第1の圧電基板3と第2の圧電基板5の下面を覆うように被覆されればよい。ただ、本実施の形態1のように封止部材6は、送信フィルタ23及び受信フィルタ24の下面だけでなく、全側面をも覆うように形成されることで、弾性波フィルタ部品1の耐湿性及び耐機械衝撃性を高めることができる。さらに、図9に示すように、弾性波フィルタ部品1の下面側から、封止部材6を研磨することが望ましい。その結果、図に示すように、第1、第2の圧電基板3、5の上面と、第2の絶縁体層14の下面とが面一となる。この研磨により、弾性波フィルタ部品1を低背化させることができると共に、弾性波フィルタ部品1内において、第1の圧電基板3の下方における封止部材6の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下方における封止部材6の下面を含む平面との距離は、第1の圧電基板3の下面を含む平面と第2の圧電基板5の下面を含む平面との距離よりも小さくなる。この構成により、弾性波フィルタ部品1の下面からの弾性波フィルタ部品1の取り扱いが容易となる。次に、図10に示すように、キャリアフィルム25をはがし、さらに、送信フィルタ23及び受信フィルタ24の上面を覆うように、誘電体層17を形成する。このとき、送信フィルタ23の内部電極11の上方において開口部26を設け、受信フィルタ24の内部電極15の上方において開口部27を設ける。誘電体層17は、本実施の形態1では、スピンコートにより感光性エポキシ樹脂組成物を塗布し、露光現像硬化することにより形成する。この開口部26、27は、下方の蓋体13の開口部21および無機絶縁膜16の開口部22にそれぞれ重なり合うように形成されている。従って、開口部26、27において、下方の内部電極11、15の上面の少なくとも一部が露出されている。次に、誘電体層17の上面の全面に、銅膜及びチタン膜をスパッタリングにより成膜する。この銅膜及びチタン膜の厚みは、銅膜については0.1~0.5μm程度、チタン膜については0.01~0.1μm程度とすればよい。次に、図11に示すように、上記銅/チタン積層膜を給電膜として、開口部26、27に対し電解メッキ処理を行うことにより、上記開口部26に第1の柱状配線電極7側壁12の貫通孔部と接続電極18誘電体層17の貫通孔部を充填すると共に、開口部27に第2の柱状配線電極9無機絶縁膜16の貫通孔部と接続電極18誘電体層17の貫通孔部を充填する。この電解メッキの金属材料としては、例えば銅が用いられる。本実施の形態1の製造工程のように、第1のフィルタの上面と第2のフィルタの上面との段差を第1の圧電基板3の下面と第2の圧電基板5の下面の段差cと比較して平坦化させている。これにより、第1の柱状配線電極7の高さと第2の柱状配線電極9の高さの差が第1の圧電基板3の上面と第2の圧電基板5の上面の差dの程度となる。即ち、電界メッキ処理において、厚いほうの第1の圧電基板の上方の開口部からメッキ金属の突出を抑制し、このメッキ金属の研削にかかる工程を削減することができる。そもそも、従来と比較して第2の柱状配線電極9の高さを抑制でき、電界メッキ処理工程を短縮することが可能となる。なお、図11では、上記メッキ金属の形成に先立ち形成された銅/チタン膜の図示を省略している。次に、図12に示すように、誘電体層17上に、第1の柱状配線電極7に電気的に接続される第1の外部接続用端子8と、第2の柱状配線電極9に電気的に接続される第2の外部接続用端子10とを形成する。この第1、第2の外部接続用端子8、10とともに、誘電体層17上に図示されていない配線層も同一工程で形成する。このような第1、第2の外部接続用端子8、10及び配線層は、適宜の金属材料を成膜し、パターニングすることにより形成することができる。あるいは、適宜の金属材料をマスク等を用いて印刷することにより形成してもよい。本実施の形態1では、第1、第2の外部接続用端子8、10及び配線層が形成される部分が開口しているレジストパターンを形成した後に、蒸着により金属膜を成膜し、しかる後、電解メッキ処理により、蒸着膜上に、銅膜、ニッケル膜、金膜、若しくはこれらの積層膜等の金属膜を蒸着することにより、上記第1、第2の外部接続用端子8、10及び配線層が形成される。さらに、上記レジストパターンを剥離することにより、図13に示す構造が得られる。なお、上記配線層として、第1のIDT電極に電気的に接続されるインダクタ導体、または第2のIDT電極に電気的に接続されるインダクタ導体をこの工程において形成してもよい。これにより、弾性波フィルタ部品1は、内蔵されたインダクタ導体のインダクタンス成分を利用することで、インダクタ部品を外付けした場合に比べて、特性のばらつきを小さくすることができる。次に、誘電体層17上および外部接続用端子8、10上の少なくとも一部を覆うように上層保護膜19を形成し、外部接続用端子8、10が基板実装される部分図示せずを露出させる。本実施の形態1では、スピンコートにより感光性エポキシ樹脂組成物を塗布し、露光現像硬化することにより形成する。その後、図14に示すように、外部接続用バンプ20を、半田ペーストをメタルマスクを用いて印刷し、リフロー加熱及びフラックス洗浄することにより形成する。次に、誘電体層17を個々のデュプレクサ単位にダイシングすることにより、図1に示す弾性波フィルタ部品を得ることができる。以上、第1の圧電基板3を弾性表面波基板として説明し、第2の圧電基板5を弾性境界波基板として説明したが、これに限らない。例えば、第1、第2の圧電基板3、5の両方が弾性表面波基板、或は弾性境界波基板でも良い。また、第1のフィルタを送信フィルタ23とし、第2のフィルタを受信フィルタ24として説明したが、これに限らない。上記第1のフィルタが受信フィルタで、第2のフィルタが送信フィルタでも良く、さらにまた、第1のフィルタと第2のフィルタの両方が受信フィルタ、或は送信フィルタであっても良い。さらにまた、第1の機能基板を弾性表面波基板である第1の圧電基板3として説明し、第2の機能基板を弾性境界波基板である第2の圧電基板5として説明したが、これら第1、第2の機能基板はこれに限るものではない。例えば、第1の機能基板または第2の機能基板が半導体素子でも構わない。また、相対的に厚い第1の機能基板を上面にIDT電極を備えた圧電基板と、この圧電基板の下面に貼合されたサファイア基板等の支持基板からなる複合基板で構成しても良い。尚、本実施の形態1の弾性波フィルタ部品1を、この弾性波フィルタ部品1と、弾性波フィルタ部品1に接続された半導体集積回路素子と、半導体集積回路素子図示せずに接続された再生装置とを備えた電子機器に適用しても良い。