"上面に電子部品素子の搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部に配置された、前記電子部品素子の電極がはんだを介して接合される接続パッドと、前記絶縁基板の前記搭載部から内部にかけて形成され、端部が前記接続パッドに接続された貫通導体とを備える配線基板であって、前記接続パッドの上面に、平面視で前記貫通導体の端部が接続された領域の外側に、前記はんだよりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部が形成されていることを特徴とする配線基板。前記接続パッドおよび前記凸部が銅または銅を主成分とする金属材料からなることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。前記接続パッドの中央部に前記貫通導体の前記端部が接続されており、前記凸部が、平面視で前記貫通導体の前記端部が接続された領域を取り囲んで形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線基板。請求項1~請求項3のいずれかに記載の配線基板と、前記接続パッドに接合されたはんだバンプとを備えることを特徴とするはんだバンプ付き配線基板。請求項1~請求項3のいずれかに記載の配線基板と、前記搭載部に搭載され、主面に形成された電極が前記接続パッドにはんだバンプを介して接合された半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。しかしながら、上記従来技術の配線基板においては、接続パッドにはんだはんだバンプを介して半導体素子等の電子部品素子の電極を接合して通電したときに、接続パッドのはんだとの接合面にボイド空隙が発生する可能性があるという問題点があった。これは、貫通導体から接続パッドを通ってはんだバンプに流れる電流が、接続パッドのうち平面視で貫通導体が接続された領域に集中しやすいことによる。接続パッドのうち平面視で貫通導体が接続された領域において電流密度が高くなりやすいため、この領域において接続パッドを形成している銅等の金属材料がエレクトロマイグレーションを生じ、部分的にはんだバンプ内に拡散して空隙を生じる可能性がある。このようなエレクトロマイグレーションによる空隙が生じると、接続パッドとはんだバンプとの間で局部的な電気抵抗の増加や断線等の不具合を生じる。特に、近年、半導体素子の高速化に伴い、外部電気回路から貫通導体を通って接続パッドおよびはんだバンプに流れる電流がさらに大きくなる傾向にあるため、上記電流密度の増加が顕著であり、エレクトロマイグレーションによる空隙がさらに発生しやすくなってきている。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、絶縁基板の搭載部に接続パッドが配置されてなり、半導体素子等の電子部品素子の電極がはんだバンプを介して接続パッドに接合される配線基板において、接続パッドのエレクトロマイグレーションによる空隙が効果的に抑制された配線基板を提供することにある。また、本発明は、そのような接続パッドのはんだバンプとの接合面における空隙が効果的に抑制されたはんだバンプ付き配線基板および半導体装置を提供することにある。本発明の配線基板は、上面に電子部品素子の搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部に配置された、前記電子部品素子の電極がはんだを介して接合される接続パッドと、前記絶縁基板の前記搭載部から内部にかけて形成され、端部が前記接続パッドに接続された貫通導体とを備える配線基板であって、前記接続パッドの上面に、平面視で前記貫通導体の端部が接続された領域の外側に、前記はんだよりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部が形成されていることを特徴とする。また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記接続パッドおよび前記凸部が銅または銅を主成分とする金属材料からなることを特徴とする。また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記接続パッドの中央部に前記貫通導体の前記端部が接続されており、前記凸部が、平面視で前記貫通導体の前記端部が接続された領域を取り囲んで形成されていることを特徴とする。本発明のはんだバンプ付き配線基板は、上記いずれかの構成の配線基板と、前記接続パッドに接合されたはんだバンプとを備えることを特徴とする。本発明の半導体装置は、上記いずれかの構成の配線基板と、前記搭載部に搭載され、主面に形成された電極が前記接続パッドに前記はんだバンプを介して接合された半導体素子とを備えることを特徴とする。本発明の配線基板によれば、上記構成を備え、接続パッドの上面に、平面視で貫通導体の端部が接続された領域の外側に、はんだよりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部が形成されていることから、凸部によって、貫通導体から接続パッドを通ってはんだに流れる電流が、接続パッドのうち貫通導体の端部が接続された領域に集中することを抑制することができる。つまり、凸部における電気抵抗がはんだはんだバンプにおける電気抵抗に比べて低いため、接続パッドからはんだバンプに流れようとする電流の相当部分が凸部、つまり接続パッドのうち平面視で貫通導体の端部が接続された領域の外側に分散して流れるようになる。これによって、接続パッドの一部における電流の集中を緩和して電流密度を低く抑え、接続パッドを形成している金属材料のエレクトロマイグレーションを抑制することができる。したがって、エレクトロマイグレーションによる接続パッドの空隙を抑制することができる。すなわち、この凸部は、接続パッドとはんだバンプとの間の電気抵抗を調整して電流密度が接続パッドの一部分において他の部分よりも大きくなることを抑制する、電流密度調整用の層として機能する。また、本発明の配線基板は、上記構成において、接続パッドおよび凸部が銅または銅を主成分とする金属材料からなる場合には、凸部の電気抵抗を、スズを主成分とする金属材料からなるはんだバンプの電気抵抗に比べて低くすることが容易である。また、凸部の電気抵抗をできるだけ低く抑えて上記電流密度調整用の層としてより有効なものとする上で有利である。また、接続パッドおよび凸部の両方が同じ銅または銅を主成分とする金属材料からなるため、例えばメタライズ法によって同時に形成することが容易であり、配線基板としての生産性を高くする上でも有利である。また、複数の接続パッドを配置したときに、隣り合う接続パッド間のイオンマイグレーションを抑制する上でも有利である。また、本発明の配線基板は、上記構成において、接続パッドの中央部に貫通導体の端部が接続されており、凸部が、平面視で貫通導体の端部が接続された領域を取り囲んで形成されている場合には、貫通導体に多少の位置ずれが生じたとしても、貫通導体の端部を接続パッドに接続させることが容易であり、配線基板としての電気的な信頼性や生産性の点で有利である。また、凸部による電流密度の調整の効果を接続パッドの全周において得ることができるため、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生をより効果的に抑制することもできる。また、例えば貫通導体の端部が接続された領域を取り囲む環状に形成した凸部の内側にはんだバンプを接合する際の位置合わせ等も容易であり、この配線基板を用いてはんだバンプ付き配線基板や半導体装置を製作する際の生産性を高くすることも容易である。本発明のはんだバンプ付き配線基板によれば、上記いずれかの構成の配線基板と、接続パッドに接合されたはんだバンプとを備えることから、接続パッドのはんだバンプとの接合面における、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生を効果的に抑制することが可能であり、信頼性の高い半導体装置を製作することが可能なはんだバンプ付き配線基板を提供することができる。また、本発明の半導体装置によれば、上記いずれかの構成の配線基板と、搭載部に搭載され、主面に形成された電極が接続パッドにはんだバンプを介して接合された半導体素子とを備えることから、接続パッドのはんだバンプとの接合面における、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生を効果的に抑制することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本発明の配線基板、その配線基板を用いてなるはんだバンプ付き配線基板および半導体装置を添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明においては、電子部品素子として半導体素子を用いた例を挙げて説明する。電子部品素子としては、半導体素子に限らず、半導体素子が中継基板等に搭載されてなる複合素子や圧電素子等の他の電子部品素子を用いても構わない。図1は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。また、図2aは、図1に示す配線基板の全体の一例を示す平面図であり、図2bは、図2aのA-A線における断面図である。図1および図2において、1は絶縁基板,2は接続パッド,3は貫通導体,4は半導体素子,5は半導体素子4の電極である。絶縁基板1と、絶縁基板1の上面の搭載部1aに配置された接続パッド2と、端部が接続パッド2に接続された貫通導体3とによって、半導体素子4を搭載するための配線基板が基本的に構成されている。なお、図1においては、配線基板に半導体素子4を搭載し、半導体素子4の電極5を接続パッド2に、はんだはんだバンプ6を介して接合した電気的および機械的に接続した状態を示し、図2においては配線基板のみを示している。配線基板は、半導体素子4を搭載して半導体装置を作製するための、いわゆるICパッケージ等である。配線基板は、例えば、ガラスセラミック焼結体や酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料や、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂等の樹脂材料、セラミック材料やガラス材料等と樹脂材料との複合材料等の絶縁材料によって形成された絶縁基板1の上面に半導体素子4の搭載部1aを有し、この搭載部1aに接続パッド2が配置されて形成されている。絶縁基板1は、例えば、ガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。即ち、酸化アルミニウムにガラス,焼結助剤を添加した原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法やリップコータ法等のシート成形技術を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約800~1000°Cの温度で焼成することによって製作される。絶縁基板1は、例えば四角板状であり、その上面の中央部の四角形状等の領域が半導体素子4の搭載部1aとなっている。この搭載部1aに、半導体素子4の複数の電極5がそれぞれ電気的に接続される複数の接続パッド2が配置されている。接続パッド2は、絶縁基板1の上面の搭載部1aに、半導体素子4の主面図1の例では下面に配置された電極5と対向するように配置されている。接続パッド2と半導体素子4の電極5とがはんだバンプ6を介して互いに接合されることによって半導体素子4と配線基板とが電気的および機械的に接続され、半導体装置が形成される。接続パッド2は、銅や銀,パラジウム,金,白金,タングステン,モリブデン,マンガン,チタン等の金属材料により形成されている。これらの金属材料、特に銅および銀は、電気抵抗が低いため、接続パッド2における電気抵抗を低く抑える上で有利である。接続パッド2は、例えば平面視で円形状や楕円形状,四角形状等であり、対向して接続される電極5の形状や寸法に応じて適宜、形状および寸法が設定されている。例えば電極5が直径約30~200μm程度の円形状等の場合であれば、接続パッド2は、これよりも若干大きな円形状直径が約60~300μm等に形成される。接続パッド2は、メタライズ層やめっき層,蒸着層等の形態で形成することができる。例えば、接続パッド2が銅のメタライズ層からなる場合であれば、銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した金属ペーストを、絶縁基板1となるセラミックグリーンシートの表面に所定の接続パッド2のパターンで、スクリーン印刷法等の印刷法で印刷して同時焼成することによって形成することができる。接続パッド2は、絶縁基板1の搭載部1aから内部にかけて形成された貫通導体3を介して外部の電気回路図1および図2では図示せずと電気的に接続される。すなわち、貫通導体3は、接続パッド2を外部の電気回路と電気的に接続させるための導電路を形成するためのものであり、端部搭載部1a側が接続パッド2の下面に直接に接続されている。搭載部1a側の端部が接続パッド2に接続された貫通導体3は、反対側の端部が絶縁基板1の内部や下面に形成された配線導体7と接続されている。配線導体7の露出部分を外部の電気回路にはんだや導電性接着剤等の導電性接続材を介して接合すれば、半導体素子4の電極5と電気的に接続された接続パッド2を、貫通導体3および配線導体7を介して外部の電気回路に電気的に接続することができる。貫通導体3は、例えば、直径が約30μm~200μm程度の円形状円柱状であり、平面視で接続パッド2の中央部等の部分に接続している。なお、平面視における貫通導体3の端部の接続パッド2に対する接続位置は、接続パッド2の中央部に限らず、外周部であってもよく、貫通導体3の一部が接続パッド2よりも外側にはみ出ていてもよい。また、複数の貫通導体3が1つの接続パッド2に接続していてもよい。また、貫通導体3は、円形状に限らず、楕円形状や四角形状等でもよい。貫通導体3および配線導体7は、接続パッド2と同様の金属材料を用いて、同様の方法で形成することができる。貫通導体3および配線導体7を形成する金属材料についても、銅および銀が、それぞれの電気抵抗を低く抑える上で有利である。この場合、例えば、絶縁基板1となるセラミックグリーンのうち接続パッド2を形成する予定の位置にあらかじめ貫通孔を形成しておいて、この貫通孔内に貫通導体3となる金属ペーストを充填し、同時焼成を行なうことによって、絶縁基板1の厚み方向に貫通導体3を形成することができる。接続パッド2と半導体素子4の電極5とを接合する電気的および機械的に接続するはんだバンプ6を形成するはんだ材料としては、例えばスズ-鉛やスズ-銀やスズ-銀-銅,スズ-銀-ビスマス等を用いることができる。はんだバンプ6は、環境への悪影響を避ける上では、鉛等の有害物質を含有しない、いわゆる鉛フリーはんだであることが好ましい。これらのはんだ材料は、スズを約90質量以上含んでいるため、はんだバンプ6の電気抵抗抵抗率は、スズの電気抵抗抵抗率と同じ程度である。接続パッド2の上面には、平面視で貫通導体3の端部が接続された領域の外側の全域に、はんだバンプ6よりも電気抵抗が低い金属材料からなる凸部2aが形成されている。凸部2aは、貫通導体3から接続パッド2を通ってはんだバンプ6に流れる電流が、平面視で貫通導体3の端部が接続された領域以下、接続領域に集中するのを抑制するためのものである。すなわち、接続パッド2の上面に上記構成の凸部2aが形成されていることから、凸部2aによって、接続パッド2のうち接続領域に電流が集中することを抑制することができる。これは、凸部2aの電気抵抗がはんだバンプ6の電気抵抗に比べて低いため、接続パッド2からはんだバンプ6に流れようとする電流の相当部分が凸部2a、つまり接続パッド2のうち接続領域の外側部分に流れるようになることによる。これによって、接続パッド2の一部接続領域における電流の集中を緩和して電流密度を低く抑え、接続パッド2を形成している銅等の金属材料のエレクトロマイグレーションを抑制することができる。したがって、エレクトロマイグレーションによる接続パッド2の空隙を抑制することができる。言い換えれば、凸部2aは、接続パッド2とはんだバンプ6との間の電気抵抗を調整して電流密度が接続パッド2の一部分において他の部分よりも大きくなることを抑制する、電流密度調整用の層として機能する。凸部2aは、銅や銀,金,ロジウム,ニッケル等の、電気抵抗抵抗率が、はんだバンプ6の主成分であるスズよりも低い金属材料、またはこれらの金属材料の合金からなる。また、凸部2aは、これらの金属材料を2種類以上、層状に重ねたものでもよい。凸部2aは、接続パッド2と同様にメタライズ層によって形成することができる。また、あらかじめ所定の凸部2aの形状および寸法に形成した金属材料を溶接法等の方法で接続パッド2の上面に接合することや、銅等のめっき層を接続パッド2の上面に被着させること等によって形成することもできる。凸部2aをメタライズ層として形成した場合には、メタライズ層を形成する金属ペーストの印刷厚みや表面張力等の影響により、図1に示すように、その縦断面形状が半円状等の扇形状になる傾向がある。凸部2aが図1に示すような扇形状の場合には、凸部2aが薄い部分で電流密度を調整する効果が若干低くなる可能性はあるが、凸部2aに角部分がないため、この角部分における欠け等の機械的な破壊を抑制することや、凸部2aの形成を容易とすることにおいては有利である。凸部2aは、例えば接続パッド2と同様に、銅の金属ペーストを絶縁基板1となるセラミックグリーンシートと同時焼成することによって形成することができる。この場合、まずセラミックグリーンシートに接続パッド2となる金属ペーストを印刷し、次に、この接続パッド2となる金属ペースト上の所定位置に、凸部2aとなる金属ペーストを印刷し、その後、これらの金属ペーストをセラミックグリーンシートと同時焼成する。このように、接続パッド2および凸部2aをメタライズ層の形態で形成する際に、両者を同じ材料からなるものとして同時焼成すれば、配線基板の生産性を高くする上でも有利である。凸部2aは、凸部2aの電気抵抗を低く抑えることや、酸化や隣り合う接続パッド2の凸部2a間のイオンマイグレーションの抑制およびコスト等を考慮すれば、銅または銅を主成分とする金属材料からなるものが好ましい。この場合、凸部2aと接続パッド2とが一体的に形成されているとみなすこともできる。凸部2aと接続パッド2とが一体的に形成されたものは、金属ペーストの印刷および焼成で形成する場合に、先に凸部2aに相当する厚みで接続領域の外側に印刷しておいて、その後、所定の接続パッド2のパターンおよび厚みで金属ペーストを印刷する方法で形成することもできる。すなわち、このような配線基板においては、接続パッド2および凸部2aが、ともに銅または銅を主成分とする金属材料からなることが好ましい。接続パッド2および凸部2aが銅または銅を主成分とする金属材料からなる場合には、凸部2aの抵抗を低く抑えて電流密度の調整の効果を得る上でより有効であり、配線基板としての信頼性およびコストにおいても有利である。なお、銅を主成分とする合金としては、銅-ニッケル合金、銅-スズ合金、銅-銀合金等が挙げられる。このような合金は、凸部2aの電気抵抗を低く抑えるために、銅の含有率が70質量以上であることが好ましい。凸部2aは、貫通導体3からはんだバンプ6にかけて流れる電流を接続領域の外側に凸部2a側に流れやすくする上では、厚み凸部2a上面の接続パッド2上面に対する高さが厚い高いほどよい。ただし、凸部2aが厚くなりすぎると、凸部2aが接続パッド2からはがれやすくなったり、欠け等の機械的な破壊が生じやすくなったりする可能性がある。また、生産性の低下やコストの増加を招く可能性がある。また、凸部2aの厚みが厚いと接続領域の外側凸部2a側に過度に電流が流れやすくなりすぎる可能性があり、凸部2aでエレクトロマイグレーションが発生しやすくなる可能性がある。また、凸部2aは厚み上記高さが薄い低いと貫通導体3からはんだバンプ6にかけて流れる電流を接続領域の外側凸部2a側に流れやすくする効果が小さくなる。このような点を考慮して、凸部2aの厚さは、例えば、凸部2aが銅からなり、はんだバンプ6がスズ-銀-銅Sn-3Ag-05Cuからなり、はんだバンプ6の厚さ電極5下面と接続パッド2上面との間の距離が40~60μmの場合であれば、約10~30μm程度とすればよい。なお、凸部2aは、平面視で接続領域内に位置する部分を含んでいると、もともと上記電流が流れやすい電流密度が大きくなりやすい接続領域において、さらに電流が流れやすい部分を生じさせてしまい、接続パッド2のエレクトロマイグレーションがさらに発生しやすくなり、空隙が発生しやすくなる可能性がある。そのため、凸部2aは、平面視で接続領域内に位置する部分を含まないように形成する必要がある。凸部2aについて、上記のように金属ペーストの印刷および焼成で形成する場合には、この凸部2aとなる金属ペーストが平面視で接続領域内に入らないようにするために、印刷時の版面印刷用の製版の位置合わせを正確に行なう必要がある。凸部2aとなる金属ペーストの印刷時の版面の位置合わせは、高倍率CCDカメラを用いた複数カメラ視点による精度向上を行なうのが好ましい。この場合、平面視で、凸部2aと接続領域との間に若干の間隔をあけるようにして、凸部2aが接続領域内に入ることをより確実に防ぐようにしてもよい。凸部2aと接続領域との間に間隔をあけると、このあけた部分では電流密度の集中を抑制する効果は期待できないものの、凸部2aが接続領域内に入らないようする上では有効である。このような間隔としては、例えば、凸部2aとなる金属ペーストのスクリーン印刷時の位置精度、および電流密度の集中を抑制する効果の確保を考慮して、約5~20μm程度がよい。また、まず貫通孔を形成したセラミックグリーンシートの表面に、貫通孔を取り囲むパターンで、凸部2aの厚みに対応した厚みで金属ペーストを印刷し、次に、貫通孔内に貫通導体3となる金属ペーストを充填し、最後に、接続パッド2の所定のパターンおよび厚みで金属ペーストを印刷し、焼成するようにして、位置合わせの手間を抑えるようにしてもよい。凸部2aは、上記のように貫通導体3が円形状であり、接続領域が接続パッド2の中央部に位置する円形状の領域であれば、この円形状の接続領域を取り囲む円環状のパターンで形成される。また、凸部2aの縦断面形状は、例えばメタライズ層として形成した場合であれば、図1に示すように、中央部が高く、内周側および外周側で低い形状になっている。この配線基板の接続パッド2にはんだバンプ6を接合すれば、図3に示すようなはんだバンプ付き配線基板となる。なお、図3は、本発明のはんだバンプ付き配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図3において図1と同様の部位には同様の符号を付している。このようなはんだバンプ付き配線基板によれば、上記構成の配線基板と、接続パッド2に接合されたはんだバンプ6とを備えることから、はんだバンプ6に半導体素子4の電極5を接合して通電したときに、接続パッド2のはんだバンプ6との接合面における、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生を効果的に抑制することが可能であり、信頼性の高い半導体装置を製作することが可能なはんだバンプ付き配線基板を提供することができる。はんだバンプ6は、上記のようにスズ-鉛やスズ-銀,スズ-銀-銅,スズ-銀-ビスマス等のはんだ材料によって形成されている。はんだバンプ6は、環境への悪影響を避ける上では、鉛等の有害物質を含有しない、いわゆる鉛フリーはんだであることが好ましい。はんだバンプ6は、例えば上記のはんだ材料を用いて作製したはんだボールを接続パッド2上に位置合わせしてセットしておいて、電気炉中で一体的に加熱するリフローことによって形成することができる。この方法で形成されたはんだバンプ6は、接続パッド2との接合部分が平らに潰れた球形状になる。なお、半導体素子4の電極5との接続を容易とするために、複数のはんだバンプ6をまとめて上側から平坦な面プレス用の金型等で加圧した場合には、はんだバンプ6の上面側も平坦になる。なお、上記の例のように、はんだバンプ6の厚みは、はんだバンプ6の厚みに対する凸部2aの厚みが30~50程度になるように設定することが好ましい。このはんだバンプ付き配線基板の搭載部1aに半導体素子4を搭載し、半導体素子4の主面に形成された電極5を接続パッド2に、はんだバンプ6を介して接合すれば、図4に示すような半導体装置となる。なお、図4は、本発明の半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図である。図4において図1と同様の部位には同様の符号を付している。なお、図4に示すような半導体装置は、先に半導体素子4の電極5にはんだバンプ6を接合しておいて、その後、半導体素子4に接合したはんだバンプ6を介して、配線基板の接続パッド2に半導体素子4の電極5を接合するようにして製作してもよい。半導体素子4は、シリコンやガリウム砒素リン,ゲルマニウム,ヒ化ガリウム,窒化ガリウム,炭化珪素等の半導体材料からなる半導体基板によって形成されている。半導体素子4は、例えば、1辺の長さが約3~10mm程度の四角板状のシリコン基板であり、その主面に銅やアルミニウム等からなる電極5が形成されている。半導体素子4の半導体基板の電極5が形成されていない表面には、ポリイミド樹脂等からなるパッシベーション層符号なしが被着されている。電極5は、半導体素子4の電子回路集積回路図示せずを配線基板に電気的に接続させ、配線基板を介して半導体素子4と外部の電気回路とを電気的に接続させるためのものである。電極5は、例えば銅やアルミニウム,銀,パラジウム,ニッケル等の金属材料によって形成されている。これらの金属材料のうち銅およびアルミニウムが、電気抵抗が低いことや経済性等を考慮して電極5を形成する金属材料の主成分として多く用いられる。なお、電極5の形状および寸法は、電子回路2の配置位置等に応じて適宜設定され、例えば、直径が約100~300μmの円形状等に形成されている。半導体素子4は、例えば半導体基板シリコンウエハ等の主面にシリコンの酸化膜図示せずを形成した後、アルミニウムや銅を、所定の電子回路や電極5のパターンに、蒸着法およびフォトリソグラフ法等の微細加工技術で形成することによって作製されている。このような半導体装置は、例えばコンピュータや通信機器,検査装置等の各種の電子機器に部品として実装される。電子機器が備えるマザーボード等の回路が外部の電気回路に相当する。はんだバンプ6を介した電極5と接続パッド2との接続は、例えば以下のようにして行なわれる。すなわち、まずはんだバンプ付き配線基板上に半導体素子4を、はんだバンプ6上に電極5が載るように位置合わせして搭載し、その後、はんだバンプ6を加熱して電極5に接合させることによって、はんだバンプ6を介して電極5と接続パッド2とが互いに接続される。以上の工程によって、半導体素子4と配線基板とがはんだバンプ6を介して電気的および機械的に接続されてなる半導体装置が製作されている。また、上記のようにはんだバンプ付き配線基板に半導体素子4を搭載する方法に限らず、先に半導体素子4の電極5にはんだバンプ6となるはんだボールを加熱して接合しておいて、その後、この電極5に接合したはんだバンプ6を介して電極5と接続パッド2とを接合するようにしてもよい。このような半導体装置によれば、上記構成のはんだバンプ付き配線基板と、搭載部1aに搭載され、主面に形成された電極5が接続パッド2にはんだバンプ6を介して接合された半導体素子4とを備えることから、接続パッド2のはんだバンプ6との接合面における、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生を効果的に抑制することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、以上のはんだバンプ付き配線基板および半導体装置においても、上記配線基板の場合と同様に、接続パッド2および凸部2aが銅からなる場合には、凸部2aによる電流密度の調整の効果や、信頼性およびコストの点において有利である。また、このような配線基板およびはんだバンプ付き配線基板ならびに半導体装置は、図1および図3に示すように、接続パッド2の中央部に貫通導体3の端部が接続されており、凸部2aが、平面視で貫通導体3の端部が接続された領域を取り囲んで全周にわたって環状に形成されている場合には、貫通導体3に多少の位置ずれが生じたとしても、貫通導体3の端部を接続パッド2に接続させることができ、配線基板としての電気的な信頼性や生産性の点で有利である。また、環状に形成した凸部2aの内側にはんだバンプ6はんだボールを接合する際に、この環状の部分の内側にはんだボールをはめて位置合わせすることができる。そのため、はんだバンプ6の接続パッド2に対する位置合わせ等も容易であり、この配線基板を用いてはんだバンプ付き配線基板や半導体装置を製作する際の生産性を高くすることも容易である。また、凸部2aによる電流密度の調整の効果を接続パッド2の全周において得ることができるため、エレクトロマイグレーションによる空隙の発生をより効果的に抑制することもできる。なお、上記配線基板は、図5に示すように、凸部2aの縦断面形状が四角形状であってもよい。なお、図5は、本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。また、図5においては、図1と同様に、配線基板に半導体素子4を接合した状態を示している。縦断面が四角形状の凸部2aは、この凸部2aの形状および寸法に形成した銅等の金属材料を、接続パッド2の上面に接合した場合に形成される。この場合の金属材料の加工は、例えば銅板に切断加工やエッチング加工等の加工を施して環状等の凸部2aの形状にすることによって行なわれる。また、凸部2aとなる金属材料の接続パッド2に対する接合は、例えば電子ビーム溶接法等の溶接法によって行なうことができる。凸部2aの縦断面が四角形状の場合には、凸部2aの厚み方向の電気抵抗を同じ程度に揃えて、凸部2aの全域において接続領域の外側に電流を流して電流密度を調整する効果を高める上で有利である。また、凸部2aをメタライズ層として形成する場合に比べて、凸部2aの厚みを厚くして、電流が凸部2aに流れやすくすることもより容易である。このような形態の配線基板における効果は、この形態の配線基板を用いて作製したバンプ付き配線基板および半導体装置においても同様に得ることができる。また、上記配線基板は、図6に示すように、凸部2aの厚みが、平面視で接続領域に近い部分で大きく、遠い部分で小さいものであってもよい。なお、図6は、本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。図6において図1と同様の部位には同様の符号を付している。また、図6においても、図1と同様に、配線基板に半導体素子4を接合した状態を示している。凸部2aについて、その厚みを、平面視で接続領域に近い部分で大きく、遠い部分で小さくした場合には、電流が流れやすい接続領域に近い部分において凸部2aの電気抵抗をより低く抑えて、接続領域から凸部2a側に電流がより流れやすくすることができる。そのため、凸部2aによる電流密度の調整の効果をより効果的に得ることができる。また、凸部2aの全体を高くする必要がないため、凸部2aを形成する金属材料を節減することもできる。上記平面視で接続領域に近い部分で厚みが大きく、遠い部分で厚みが小さい凸部2aは、例えば図5に示すように金属材料で凸部2aを形成するときに、その金属材料の厚みが上記のような構成になるようにエッチング加工等の加工条件を調整すればよい。このような形態の配線基板における効果は、この形態の配線基板を用いて作製したバンプ付き配線基板および半導体装置においても同様に得ることができる。また、上記配線基板は、図7に示すように、貫通導体3の端部の接続パッド2との接続位置が接続パッド2の外周側に偏っていたり、複数の貫通導体3が1つの接続パッド2に接続されていたりしてもかまわない。なお、図7aは、本発明の配線基板の実施の形態の他の例を示す平面図であり、図7bは、図7aの平面図である。図7において図1と同様の部位には同様の符号を付している。また、図7aにおいても、図1と同様に、配線基板に半導体素子4を接合した状態を示し、図7bにおいては配線基板のみを示している。これは、例えば複数の接続パッド2を狭い間隔で搭載部1aに形成したときに、隣り合う接続パッド2の貫通導体3の間隔を広げるために貫通導体3を接続パッド2の外周側に接続させたり、貫通導体3と接続パッド2との接続面積を増やすために複数の貫通導体3を1つの接続パッド2に接続させたりするような場合である。このような場合には、凸部2aによる電流密度の調整の効果を得ることができる上に、上記のように接続パッド2の高密度化や小型化等に対応することも可能な配線基板はんだバンプ付き配線基板および半導体装置とすることができる。なお、図7に示す例においては、接続パッド2および貫通導体3を平面視で楕円形状としている。接続パッド2を楕円形状とするのは、例えば、接続パッド2同士の隣接間隔を1つの方向において小さくしながら、接続パッド2のはんだバンプ6に対する接合面積を広くするような場合である。また、貫通導体3を楕円形状とするのは、例えば複数の貫通導体3を1つの接続パッド2に接続させる場合に貫通導体3間の間隔を確保して電気絶縁性を確保するような場合である。このような形態の配線基板における効果は、この形態の配線基板を用いて作製したバンプ付き配線基板および半導体装置においても同様に得ることができる。下記の半導体素子および配線基板を準備し、半導体素子の電極と配線基板の接続パッドとをスズ-銀はんだからなるはんだバンプを介して互いに電気的および機械的に接続して、実施例の半導体装置本発明の配線基板を用いた半導体装置の一例および比較例の半導体装置を作製した。実施例の半導体装置は、接続パッドに凸部を形成し、比較例の半導体装置では凸部を形成しなかった。半導体素子:半導体基板として、辺の長さが10×10mmの正方形板状のシリコン基板を用い、この半導体基板の主面にシリコンの酸化膜を介してアルミニウムからなる電子回路と銅からなる電極を配置したものを用いた。電極は、直径が約100μmの円形状であり、半導体基板の主面に縦横の並びに256個16×16配列させた。配線基板:ガラスセラミック焼結体を用いて作製した、各辺の長さが約22×22×2mmの正方形板状の絶縁基板の上面に、銅のメタライズ層によって、直径が約150μmの円形状の接続パッドを形成した。接続パッドの個数は半導体素子の電極の個数と同じ256個であり、各接続パッドは、半導体素子の電極に対応する位置に形成した。貫通導体は、接続パッドと同様に銅を用いて、直径が約100μmの円形状円柱状に形成し、その端部を接続パッドの中央部に直接に接続した。凸部:接続パッドと同様に銅のメタライズ層によって、接続パッドの外周部に平面視で貫通導体が接続されている領域の外側に環状に、縦断面が円弧状形成した。凸部の縦断面形状は、最大の厚みが約20μmの扇形状半円状とした。はんだバンプ:スズ-銀-銅Sn-3Ag-05Cuはんだを用いた。はんだバンプの形成は、上記組成のはんだボールを半導体素子の電極上に載せて、約260°Cで加熱して溶融接合させて行なった。以上の実施例および比較例、それぞれの半導体装置について、プリント回路基板に実装した後、配線基板と半導体素子との間で通電を500時間行なった後、接続パッドと電極との間における通電前後の抵抗値の上昇率を算出し、上昇率20以上で故障と判定した。各接続パッドにおける通電量配線基板の各貫通導体から接続パッドを通ってはんだバンプに流れる電流の、それぞれの接続パッドにおける大きさは08Aとし、1000時間の通電を行なった。以上の結果、本発明の実施例の半導体装置では故障発生が見られなかったのに対し、比較例の半導体装置では20の接続パッドにおいて故障が発生していた。これにより、本発明の配線基板を用いて作製した半導体装置における、接続パッドでの空隙の発生を抑制する効果を確認することができた。"