"支持基板上に電子部品を配する工程と、前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記支持基板を除去する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。請求項1記載の電子装置の製造方法において、前記支持基板上に前記電子部品を配する工程の前に、前記支持基板上に粘着層を選択的に形成する工程を更に有し、前記支持基板上に前記電子部品を配する工程では、前記粘着層上に前記電子部品を配することを特徴とする電子装置の製造方法。請求項1又は2記載の電子装置の製造方法において、前記粘着層を形成する工程の前に、前記支持基板に疎水部及び親水部を形成する工程を更に有し、前記粘着層を形成する工程では、前記粘着層を前記親水部上に形成することを特徴とする電子装置の製造方法。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子装置の製造方法において、前記樹脂層から前記支持基板を除去する工程の後、前記樹脂層の一方の面側に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記電子部品の電極に達する開口部を形成する工程と、前記絶縁膜の一方の面側に、前記電子部品の前記電極に電気的に接続された配線を形成する工程とを更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。凹部が生じている樹脂層と、前記樹脂層の前記凹部が生じている側の面である一方の面側に存在する被覆層と、前記被覆層が存在する前記凹部内に存在し、一方の面が前記樹脂層の前記一方の面側において露出している電子部品とを有することを特徴とする電子装置。しかしながら、ウェハレベルパッケージは、必ずしも十分に高い製造歩留りや信頼性が得られない場合があった。本発明の目的は、製造歩留りや信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、支持基板上に電子部品を配する工程と、前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記支持基板を除去する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。実施形態の他の観点によれば、凹部が生じている樹脂層と、前記樹脂層の前記凹部が生じている側の面である一方の面側に存在する被覆層と、前記被覆層が存在する前記凹部内に存在し、一方の面が前記樹脂層の前記一方の面側において露出している電子部品とを有することを特徴とする電子装置が提供される。開示の電子装置及びその製造方法によれば、電子部品を被覆層により覆った状態で樹脂層が形成される。このため、電子部品の回路形成面に樹脂が付着してしまうことがない。このため、電子部品を樹脂層により埋め込むにもかかわらず、製造歩留りや信頼性の高い電子装置を提供することができる。[一実施形態]一実施形態による電子装置及びその製造方法について図1乃至図15を用いて説明する。電子装置まず、本実施形態による電子装置について図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図2は、本実施形態による電子装置を回路基板上に実装した状態を示す断面図である。図1に示すように、樹脂層モールド樹脂層、封止樹脂層10の一方の面側図1における紙面上側には、凹部12が形成されている。かかる凹部12は、後述するように、電子部品16を樹脂層10により埋め込むことにより形成されたものである。樹脂層10の材料としては、例えばエポキシ樹脂が用いられている。樹脂層10には、例えば無機フィラーが含まれている。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラー等が用いられている。樹脂層10の厚さは、例えば700μm程度とする。凹部12の深さは、例えば505μm程度とする。凹部12が形成された樹脂層10の一方の面側図1における紙面上側には、被覆層保護層、分離層14が一様に形成されている。かかる被覆層14は、後述するように、電子部品16を覆うように形成された被覆層14上に樹脂層10を形成することにより、樹脂層10の一方の面側に存在することとなったものである。被覆層14の熱膨張率は、電子部品16a,16bの熱膨張率以上、樹脂層10の熱膨張率以下であることが好ましい。熱膨張率差に起因してクラック等が生じるのを防止するためである。電子部品16a,16bの熱膨張率は、例えば4~5ppm/°C程度である。一方、樹脂層10の熱膨張率は、例えば30ppm/°C程度である。この場合には、被覆層14の熱膨張率は、例えば5~30ppm/°Cの範囲内であることが好ましい。被覆層14の材料としては、例えば、無機骨格を有する絶縁物が用いられている。無機骨格を有する絶縁物としては、例えばシリコーン有機シリコーン等が挙げられる。なお、シリコーンsiliconeは、シロキサン結合Si-O-Siによる主骨格無機骨格を有する人工高分子化合物の総称である。被覆層14の厚さは、例えば200nm程度とする。被覆層14が形成された凹部12内には、電子部品16a,16bが存在している。換言すれば、電子部品16a,16bが樹脂層10により埋め込まれている。電子部品16a,16bは、被覆層14により樹脂層10と隔てられている。電子部品16a,16bとしては、例えば半導体チップ等が挙げられる。かかる半導体チップ16a,16bとしては、例えばチップ状のLSILargeScaleIntegration等が挙げられる。半導体チップ16a,16bのサイズは、例えば6mm×6mm×0.5mm程度である。電子部品16a,16bの一方の面図1における紙面上側の面には、電極表面電極、外部接続電極,導体プラグ18が形成されている。電極18は、樹脂層10の一方の面側図1における紙面上側において露出している。電極18のサイズは、例えばφ50μm程度とする。なお、半導体チップ16a,16bは、シリコン系の半導体チップに限定されるものではなく、化合物半導体の半導体チップであってもよい。例えば、半導体チップ16aがシリコン系の半導体チップであり、半導体チップ16bが化合物半導体の半導体チップであってもよい。凹部12内に電子部品16a,16bが埋め込まれた樹脂層10の一方の面側図1における紙面上側には、絶縁膜樹脂層20が形成されている。絶縁膜20の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜20の厚さは、例えば20μm程度とする。絶縁膜20には、電子部品16a,16bの電極18にそれぞれ達する開口部22が形成されている。開口部22の径は、例えば40μm程度とする。開口部22内には、ビア導体プラグ24が形成されている。絶縁膜20の一方の面図1における紙面上側の面には、ビア24と一体に形成された配線26が形成されている。配線26及びビア24の材料としては、例えば銅Cuが用いられている。ビア24及び配線26が形成された絶縁膜20の一方の面側図1における紙面上側には、絶縁膜樹脂膜28が形成されている。絶縁膜28の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜28の厚さは、例えば10μm程度とする。絶縁膜28には、配線26にそれぞれ達する開口部30が形成されている。開口部30内には、ビア導体プラグ32が形成されている。絶縁膜28の一方の面側図1における紙面上側には、ビア32と一体に形成された電極パッド34が形成されている。電極パッド34及びビア32の材料としては、例えばCuが用いられている。電極パッド34が形成された絶縁膜28の一方の面側図1における紙面上側には、絶縁膜樹脂膜36が形成されている。樹脂層36の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜36の厚さは、例えば20μm程度である。絶縁膜36には、電極パッド34を露出する開口部38が形成されている。電極パッド34の一方の面側図1における紙面上側には、例えば半田バンプ半田ボール40が形成されている。半田バンプ40は、電極パッド34及び配線26等を介して電子部品16a,16bの電極18にそれぞれ電気的に接続されている。こうして、本実施形態による電子装置ウェハレベルパッケージ、電子部品が内蔵された擬似ウェハ2が形成されている。ウェハレベルパッケージ2は、図2に示すように、回路基板42上に実装される。回路基板42の表面には、電極44が形成されている。電極44は、回路基板42に形成された配線図示せず等に接続されている。電極44の材料としては、例えば金Auが用いられる。回路基板42としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられる。ウェハレベルパッケージ2の電極パッド34と回路基板42の電極44とは、例えば半田バンプ40を用いて接合されている。電子装置の製造方法次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図3乃至図15を用いて説明する。図3乃至図15は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態では、支持基板46上に複数のウェハレベルパッケージ2を一括して形成し、この後、ウェハレベルパッケージ2を個片化する場合を例に説明する。なお、支持基板46上に複数のウェハレベルパッケージ2を一括して形成することに限定されるものではない。例えば、支持基板46上に1つのウェハレベルパッケージ2を形成してもよい。まず、図3aに示すように、支持基板46を用意する。支持基板46としては、例えば石英ガラス基板を用いる。支持基板46の厚さは、例えば1mm程度とする。次に、図3bに示すように、支持基板46の一方の主面の全面に親水部48を形成する。親水部48は、例えば、支持基板46の表面に対してプラズマ処理を行うことにより形成される。かかるプラズマ処理を行う際には、例えば、平行平板型のプラズマ発生装置を用いる。プラズマ発生装置のチャンバ内に導入するガスは、例えば酸素ガスとする。酸素ガスの流量は、例えば200sccm程度とする。チャンバ内の圧力は、例えば1Torr程度とする。印加電力は、例えば300W程度とする。プラズマ処理の時間は、例えば10分程度とする。次に、支持基板46上の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜50を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜50をパターニングする図3c参照。フォトレジスト膜50は、親水部48を支持基板46に選択的に残存させるためのものである。フォトレジスト膜50をパターニングする際には、疎水部52を形成すべき領域が露出するように、フォトレジスト膜50をパターニングする。後述するように、親水部48の上には粘着層54が形成され、粘着層54上には電子部品16a,16bが配置される。従って、電子部品16a,16bが配置される箇所にフォトレジスト膜50が残存するように、フォトレジスト膜50がパターニングされる。次に、フォトレジスト膜50をマスクとして、支持基板46の表面に対してプラズマ処理を行うことにより、フォトレジスト膜50から露出している領域に疎水部52を形成する図4a参照。疎水部52を形成する際のプラズマ処理は、例えば以下のようにして行われる。プラズマ発生装置としては、例えば、平行平板型のプラズマ発生装置を用いる。プラズマ発生装置のチャンバ内に導入するガスは、例えばCF4ガスとする。CF4ガスの流量は、例えば200sccm程度とする。チャンバ内の圧力は、例えば1Torr程度とする。印加電力は、例えば300W程度とする。プラズマ処理の時間は、例えば10分程度とする。このようなプラズマ処理を行うと、疎水性官能基が支持基板46の表面に導入され、支持基板46に疎水部52が選択的に形成される。かかる疎水性官能基は、炭素及びフッ素を含んでいる。疎水部52の表面は、CFXにより終端された状態となる。このように、本実施形態では、末端官能基の化学的置換により、支持基板46に撥水性又は疎水性を付与する。なお、疎水部52を形成する際にプラズマ処理を用いるのは、プラズマ処理を用いることにより、安定した高い撥水性、疎水性を支持基板46に付与し得るためである。この後、例えば薬液を用いて、フォトレジスト膜50を剥離する。かかる薬液としては、例えば、N-メチルピロリドンNMethylPyrrolidone、NMPを用いる。薬液に浸漬する時間は、例えば1分程度とする。こうして、親水部48と疎水部52とが表面に形成された支持基板46が得られる。換言すれば、親水部48が表面に選択的に形成された支持基板46が得られる図4b参照。次に、支持基板46の親水部48上に粘着層密着層、密着樹脂層54を選択的に形成する図4c参照。粘着層54は、例えばスピンコート法により、例えば樹脂溶液を支持基板46上に塗布することにより形成することができる。かかる樹脂溶液としては、例えば、感光性のポリイミド樹脂の溶液を用いる。スピンコーターの回転数は、例えば1000rpm程度とする。支持基板46の疎水部52においては、ポリイミド樹脂溶液がはじかれるため、粘着層54は疎水部52上には形成されない。一方、支持基板46の親水部48上においては、ポリイミド樹脂溶液ははじかれない。支持基板46の親水部48上においては、表面張力を利用して、粘着層54が親水部48上に選択的に形成される。次に、電子部品16a,16bを粘着層54上に配置する図5a参照。電子部品16a,16bとしては、例えば半導体チップ等が挙げられる。かかる半導体チップ16a,16bとしては、例えばチップ状のLSI等が挙げられる。半導体チップ16a,16bのサイズは、例えば6mm×6mm×0.5mm程度とする。電子部品16a,16bの一方の面図5aにおける紙面下側の面には、電極18が形成されている。電極18のサイズは、例えばφ50μm程度とする。電子部品16a,16bを粘着層54上に配置する際には、電極18が形成された側の面図5aにおける紙面下側の面が粘着層54と接するように、電子部品16a,16bを配置する。粘着層54の表面張力の作用により、電子部品16a,16bは適切な位置に位置合わせされる。こうして、電子部品16a,16bが粘着層54上に配置される図5b参照。次に、熱処理を行うことにより、粘着層54を仮硬化させる。熱処理を行う際には、例えばホットプレートを用いる。熱処理温度は、例えば120°C程度とする。熱処理時間は、例えば3分程度とする。仮硬化後の粘着層54の厚さは、例えば5μm程度である。次に、電子部品16a,16bが配された支持基板46上の全面に、被覆層14を形成する図6a参照。被覆層14の熱膨張率は、電子部品16a,16bの熱膨張率以上、樹脂層10の熱膨張率以下であることが好ましい。熱膨張率差に起因してクラック等が生じるのを防止するためである。電子部品16a,16bの熱膨張率は、例えば4~5ppm/°C程度である。一方、樹脂層10の熱膨張率は、例えば30ppm/°C程度である。この場合には、被覆層14の熱膨張率は、例えば5~30ppm/°Cの範囲内であることが好ましい。被覆層14の材料としては、例えば、無機骨格を有する絶縁物を用いる。無機骨格を有する絶縁物としては、例えばシリコーン等が挙げられる。被覆層14の材料としてシリコーンを用いる場合、例えばスピンコート法により被覆層14を形成する。被覆層14の厚さは、例えば200nm程度とする。次に、被覆層14上の全面に樹脂を供給し、例えば加熱加圧法により樹脂層封止樹脂層10を形成する図6b参照。樹脂層10の材料としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。樹脂層10には、例えば無機フィラーを含ませる。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラー等を用いる。樹脂層10を形成する際の加熱温度は、例えば120°C程度とする。加熱時間は、例えば10分程度とする。樹脂層10の厚さは、例えば600μm程度とする。電子部品16a,16bが被覆層14により覆われているため、電子部品16a,16bが被覆層14により保護された状態で樹脂層10が形成される。従って、電子部品16a,16bの電極18が形成された面、即ち、電子部品16a,16bの回路形成面図6bにおける紙面下側の面に、樹脂が付着してしまうことはない。こうして、電子部品16a,16bが樹脂層10により埋め込まれる。次に、例えば紫外線を照射することにより、粘着層54の粘着力を低下させる図7a参照。紫外線を照射する際には、例えば支持基板46の背面側図7aにおける紙面下側から紫外線を照射する。次に、支持基板46及び粘着層54を、樹脂層10及び電子部品16a,16bから剥離する図7b参照。即ち、電子部品16a,16bが埋め込まれた樹脂層10から、支持基板46を粘着層54とともに除去する。紫外線の照射により粘着層54の粘着力密着力が低下しているため、粘着層54は電子部品16a,16bから容易に剥離し得る。また、疎水部52と被覆層14との密着力はもともと弱いため、支持基板46は被覆層14から容易に剥離し得る。従って、電子部品16a,16bが埋め込まれた樹脂層10から、支持基板46を粘着層54とともに容易に除去し得る。こうして、電子部品16a,16bが樹脂層10中に埋め込まれた構造体擬似ウェハ、樹脂基板56が得られる。構造体56の一方の面粘着層54と接していた面には、電子部品16a,16bの電極18が露出した状態となる。なお、このような技術は、擬似SOCSystemOnChip技術と称される。次に、構造体56の上下を反転させる図8a参照。次に、熱処理を行うことにより、樹脂層10をキュア本硬化する。熱処理温度は、例えば150°C程度とする。熱処理時間は、例えば1時間程度とする。こうして、厚さが0.7mm程度、寸法がφ150mm程度の構造体56が形成される。次に、構造体56の一方の面図8bにおける紙面上側の面上の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜絶縁膜20を形成する図8b参照。絶縁膜20の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂等を用いる。絶縁膜20の表面における段差の最大値は、例えば20nm以下とする。次に、絶縁膜20に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば110°C程度とする。プリベークの時間は、例えば3分程度とする。次に、開口部22のパターンを絶縁膜20に露光する。開口部22は、後述するビア導体プラグ24を埋め込むためのものである。次に、絶縁膜20に対して、現像を行う。現像液としては、例えばTMAHTetraMethylAmmoniumHydroxideを用いる。次に、絶縁膜20に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば250°C程度とする。キュアの時間は、例えば1時間程度とする。こうして、電極18に達する開口部22が形成された絶縁膜20が得られる図9a参照。絶縁膜20の厚さは、例えば20μm程度となる。開口部22のサイズは、例えば40μm程度とする。次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚50nm程度の密着層図示せずを形成する。密着層の材料としては、例えばチタンTiを用いる。次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚100nm程度のシード層図示せずを形成する。シード層の材料としては、例えばCuを用いる。次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜図示せずを形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部図示せずを形成する。かかる開口部は、ビア24及び配線26を形成するためのものである。次に、例えば電気めっき法により、例えばビア24及び配線26を形成する。ビア24及び配線26の材料としては、例えばCuを用いる。ビア24及び配線26は、一体的に形成される。次に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜を剥離する。次に、配線26の周囲に露出している部分のシード層及び密着層を、例えばウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。こうして、電子部品16a,16bの電極18にビア24を介して電気的に接続された配線再配線層26が形成される図9b参照。次に、構造体56の一方の面図10aにおける紙面上側の面上の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜絶縁膜28を形成する図10a参照。絶縁膜28の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。次に、絶縁膜28に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば110°C程度とする。プリベークの時間は、例えば3分程度とする。次に、開口部30のパターンを絶縁膜28に露光する。開口部30は、後述するビア導体プラグ32を埋め込むためのものである。次に、絶縁膜28に対して、現像を行う。現像液としては、例えばTMAHを用いる。次に、絶縁膜28に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば250°C程度とする。キュアの時間は、例えば1時間程度とする。こうして、配線26に達する開口部30が形成された絶縁膜28が得られる図10b参照。絶縁膜28の膜厚は、例えば10μm程度となる。次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚50nm程度の密着層図示せずを形成する。密着層の材料としては、例えばTiを用いる。次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚100nm程度のシード層図示せずを形成する。シード層の材料としては、例えばCuを用いる。次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜図示せずを形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部図示せずを形成する。かかる開口部は、ビア32及び電極パッド34を形成するためのものである。次に、例えば電気めっき法により、例えばビア32及び電極パッド34を形成する。ビア32及び電極パッド34は、一体的に形成される。次に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜を剥離する。次に、電極パッド34の周囲に露出している部分のシード層及び密着層を、例えばウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。こうして、ビア32を介して配線26にそれぞれ電気的に接続された電極パッド34が形成される図11a参照。電極パッド34の寸法は、例えば0.6mm程度とする。次に、構造体56の一方の面図11bにおける紙面上側の面上の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜絶縁膜36を形成する図11b参照。絶縁膜36の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。次に、絶縁膜36に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば110°C程度とする。プリベークの時間は、例えば3分程度とする。次に、開口部38のパターンを絶縁膜36に露光する。開口部38は、後述する半田バンプ40を形成するためのものである。開口部38の開口寸法は、例えば0.4mm程度とする。次に、絶縁膜36に対して、現像を行う。現像液としては、例えばTMAHを用いる。次に、絶縁膜36に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば250°C程度とする。キュアの時間は、例えば1時間程度とする。こうして、電極パッド34に達する開口部38が形成された絶縁膜36が得られる図12a参照。絶縁膜36の膜厚は、例えば20μm程度とする。次に、開口部38内に露出する電極パッド34上に、半田バンプ半田ボール40を形成する。半田バンプ40は、電極パッド34及び配線26等を介して電子部品16a,16bの電極18にそれぞれ電気的に接続される。こうして、複数のウェハレベルパッケージ2が一括して形成される図12b参照。次に、例えばダイシングを行うことにより、複数のウェハレベルパッケージ2を個片化する図13参照。こうして、個片化された本実施形態による電子装置ウェハレベルパッケージ2が得られる。次に、回路基板42上に、ウェハレベルパッケージ2を配置する図14参照。回路基板42としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板42の表面には、ウェハレベルパッケージ2のバンプ40と接続するための電極44が形成されている。電極44の材料としては、例えばAuを用いる。電極44は、回路基板42に形成された配線図示せず等に接続されている。ウェハレベルパッケージ2を回路基板42上に配置する際には、ウェハレベルパッケージ2のバンプ40と回路基板42の電極44とが互いに接するように、ウェハレベルパッケージ2を回路基板42上に配置する。こうして、回路基板42上にウェハレベルパッケージ2が配置される。次に、熱処理リフローを行うことにより、ウェハレベルパッケージ2側の電極パッド34と回路基板42側の電極44とを半田バンプ40により接合する。熱処理温度は、例えば260°C程度とする。熱処理時間は、例えば3分程度とする。こうして、回路基板42上にウェハレベルパッケージ2がフェースダウンで実装される図15参照。このように本実施形態によれば、電子部品16a,16bを被覆層14により覆った状態で樹脂層10が形成される。このため、電子部品16a,16bの回路形成面に樹脂が付着してしまうことがない。このため、本実施形態によれば、電子部品16a,16bを樹脂層10により埋め込むにもかかわらず、製造歩留りや信頼性の高い電子装置を提供することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、電子部品16a,16bが半導体チップである場合を例に説明したが、電子部品16a,16bはこれらに限定されるものではない。電子部品16a,16bが、抵抗、又は、コンデンサ等の受動部品であってもよい。また、電子部品16a,16bが、MEMS素子、センサ素子等であってもよい。また、電子部品16a,16bが、無機材料上に薄膜状の受動素子を形成したものであってもよい。また、上記実施形態では、支持基板46として石英ガラス基板を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、支持基板46として、シリコン基板を用いてもよい。また、支持基板46として、石英板、ガラス板、Alアルミニウム板、SUSステンレス板、Cu板、合金板、樹脂板等を用いてもよい。また、上記実施形態では、支持基板46に親水部48及び疎水部52を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、支持基板46に親水部48及び疎水部52を形成することなく、支持基板46上に粘着層54を選択的に形成するようにしてもよい。例えば、フィルム状の粘着層54を支持基板46に貼り付けるようにしてもよい。また、上記実施形態では、プラズマ処理により親水部48や疎水部52を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、薬液処理、紫外線処理、レーザ処理、熱処理等により、親水部48や疎水部52を形成するようにしてもよい。また、上記実施形態では、親水部48を支持基板46の表面全体に形成した後に、疎水部52を選択的に形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。親水部48と疎水部52をそれぞれ選択的に形成してもよい。また、疎水性を有する支持基板46の表面に、親水部48を形成することにより、親水部48と疎水部とを形成してもよい。また、親水性を有する支持基板46の表面に、疎水部52を形成することにより、親水部と疎水部52とを形成してもよい。また、上記実施形態では、粘着層54の材料としてポリイミド樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、粘着層54の材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等を用いてもよい。また、上記実施形態では、スピンコート法により樹脂溶液を塗布することにより粘着層54を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、滴下法、ロールコート法、噴霧法等を用いて粘着層54を形成してもよい。また、上記実施形態では、紫外線を照射することにより、粘着層54の粘着力を低下させる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、熱処理や溶剤処理により粘着層54の粘着力を低下させてもよい。また、上記実施形態では、被覆層14の材料として、シリコーンを用いる場合を例に説明したが、被覆層14の材料はシリコーンに限定されるものではない。例えば、被覆層14として、SiO2膜、SiN膜、SiC膜、SiOCH膜、SiOC膜、TEOSTetraEthylOrthoSilicate膜、SiOF膜等を用いてもよい。また、上記実施形態では、被覆層14をスピンコート法により形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。被覆層14の形成方法は、被覆層14の材料等に応じて適宜設定される。例えば、CVDChemicalVaporDeposition、化学気相堆積法、PVDPhysicalVaporDeposition、物理気相成長法、スパッタリング法等により被覆層14を形成してもよい。また、上記実施形態では、樹脂層10の材料としてエポキシ樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、樹脂層10の材料として、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等をもちいてもよい。また、上記実施形態では、樹脂層10の材料として熱硬化性の樹脂を用いる場合を例に説明したが、樹脂層10の材料として熱可塑性の樹脂を用いてもよい。また、上記実施形態では、加熱加圧法により樹脂層10を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、スキージ法、ロールコート法、スピンコート法等により樹脂層10を形成してもよい。また、上記実施形態では、樹脂層10に含ませる無機フィラーとしてシリカフィラーを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、無機フィラーの材料として、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、又は、窒化アルミニウム等を用いてもよい。上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1支持基板上に電子部品を配する工程と、前記支持基板上に前記電子部品を覆うように被覆層を形成する工程と、前記被覆層上に樹脂層を形成し、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記支持基板を除去する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。付記2付記1記載の電子装置の製造方法において、前記支持基板上に前記電子部品を配する工程の前に、前記支持基板上に粘着層を選択的に形成する工程を更に有し、前記支持基板上に前記電子部品を配する工程では、前記粘着層上に前記電子部品を配することを特徴とする電子装置の製造方法。付記3付記2記載の電子装置の製造方法において、前記支持基板を除去する工程では、前記粘着層をも除去することを特徴とする電子装置の製造方法。付記4付記2又は3記載の電子装置の製造方法において、前記粘着層を形成する工程の前に、前記支持基板に疎水部及び親水部を形成する工程を更に有し、前記粘着層を形成する工程では、前記粘着層を前記親水部上に形成することを特徴とする電子装置の製造方法。付記5付記4記載の電子装置の製造方法において、前記疎水部及び前記親水部を形成する工程では、疎水性官能基を前記支持基板の表面に導入することにより前記疎水部を形成することを特徴とする電子装置の製造方法。付記6付記5記載の電子装置の製造方法において、前記疎水性官能基は、炭素及びフッ素を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。付記7付記5又は6記載の電子装置の製造方法において、前記疎水部及び前記親水部を形成する工程では、プラズマ処理により前記疎水部を形成することを特徴とする電子装置の製造方法。付記8付記1乃至7のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、前記樹脂層から前記支持基板を除去する工程の後、前記樹脂層の一方の面側に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記電子部品の電極に達する開口部を形成する工程と、前記絶縁膜の一方の面側に、前記電子部品の前記電極に電気的に接続された配線を形成する工程とを更に有することを特徴とする電子装置の製造方法。付記9付記1乃至8のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、前記被覆層の熱膨張率は、前記電子部品の熱膨張率以上、前記樹脂層の熱膨張率以下であることを特徴とする電子装置の製造方法。付記10付記1乃至9のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、前記被覆層を形成する工程では、無機骨格を有する絶縁物の前記被覆層を形成することを特徴とする電子装置の製造方法。付記11付記10記載の電子装置の製造方法において、前記無機骨格を有する絶縁物は、シリコーンであることを特徴とする電子装置の製造方法。付記12凹部が生じている樹脂層と、前記樹脂層の前記凹部が生じている側の面である一方の面側に存在する被覆層と、前記被覆層が存在する前記凹部内に存在し、一方の面が前記樹脂層の前記一方の面側において露出している電子部品とを有することを特徴とする電子装置。付記13付記12記載の電子装置において、前記樹脂層の前記一方の面側及び前記電子部品の前記一方の面側に形成され、前記電子部品の電極に達する開口部が形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一方の面側に形成され、前記開口部を介して前記電子部品の前記電極に電気的に接続された配線とを有することを特徴とする電子装置。付記14付記12又は13のいずれかに記載の電子装置において、前記被覆層の熱膨張率は、前記電子部品の熱膨張率以上、前記樹脂層の熱膨張率以下であることを特徴とする電子装置。付記15付記12乃至14のいずれかに記載の電子装置において、前記被覆層は、無機骨格を有する絶縁物により形成されていることを特徴とする電子装置。付記16付記15記載の電子装置において、前記無機骨格を有する絶縁物は、シリコーンであることを特徴とする電子装置。"