絶縁膜を介してベース基板とボンド基板を貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を前記絶縁膜に変化させることで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、貼り合わせられた前記ボンド基板を薄膜化して薄膜層を形成する薄膜化工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面に厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成する場合に、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面に保護膜を形成し、該保護膜上にレジストマスクを形成し、前記保護膜を前記レジストマスクの形状にパターン成形し、前記レジストマスクを除去し、前記パターン成形された保護膜を有する前記ベース基板の貼り合わせ面に前記多孔質層を形成することで、前記ベース基板の貼り合わせ面の全体に厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成することを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせ基板の製造方法。前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質層を形成する場合に、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面にレジストマスクを形成し、該ベース基板の貼り合わせ面に多孔質層を形成した後に、前記レジストマスクを除去することで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質層を形成することを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせ基板の製造方法。前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面を陽極酸化することで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面に厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成する場合に、前記ベース基板の貼り合わせ面を陽極酸化すると供に、前記パターン成形された保護膜が除去されることを特徴とする請求項2に記載の貼り合わせ基板の製造方法。前記ベース基板及び/又は前記ボンド基板として、シリコン基板を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。前記絶縁膜形成工程において、前記多孔質層を熱酸化により酸化膜に変化させることで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。ベース基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に薄膜層とを有する貼り合わせ基板であって、少なくとも、前記絶縁膜が部分的に厚さの異なるものであることを特徴とする貼り合わせ基板。前記絶縁膜と前記薄膜層の界面が平坦であることを特徴とする請求項8に記載の貼り合わせ基板。前記ベース基板がシリコン基板であること、及び/又は前記薄膜層がシリコンからなるものであることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の貼り合わせ基板。前記絶縁膜が酸化膜であることを特徴とする請求項10に記載の貼り合わせ基板。本来、薄膜層に形成されるセンサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の種類によって必要な絶縁膜の厚さは異なる。しかしながら、それぞれに適した部分的に異なる膜厚の絶縁膜を有する貼り合わせ基板については作製が困難であり、一般的な貼り合わせ基板の製造方法では、基板内で均一な絶縁膜を有する貼り合わせ基板しか作製できなかった。そのため、貼り合わせ基板の絶縁膜は回路内で一番耐圧が必要な個所など、一番厚い膜厚が必要なところを基準に決定されてきた。しかしながら、絶縁膜の厚さが均一で、かつ厚いと、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するにあたり、作製工程が煩雑となり、また各素子の機能が制限されることが問題であった。そのため、簡単な方法で部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することができる貼り合わせ基板の製造方法、及び部分的に厚さの異なる絶縁膜を有する貼り合わせ基板の開発が望まれていた。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、簡単な方法で、部分的に厚さの異なる絶縁膜とすることができる貼り合わせ基板の製造方法を提供することを目的とする。また、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するにあたり、これらの素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも高機能な素子が作製可能な貼り合わせ基板を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明では、絶縁膜を介してベース基板とボンド基板を貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を前記絶縁膜に変化させることで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、貼り合わせられた前記ボンド基板を薄膜化して薄膜層を形成する薄膜化工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法を提供する。このような多孔質層形成工程と絶縁膜形成工程を有する貼り合わせ基板の製造方法であれば、ベース基板の多孔質層が形成された部分と多孔質層が形成されていない部分に対する絶縁膜の形成速度の差を利用することにより、部分的に厚さの異なる絶縁膜を容易に形成することができる貼り合わせ基板の製造方法となる。また、このようにして製造された貼り合わせ基板は、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するにあたり、これらの素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも高機能な素子を作製可能な貼り合わせ基板となる。また、前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面に厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成する場合に、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面に保護膜を形成し、該保護膜上にレジストマスクを形成し、前記保護膜を前記レジストマスクの形状にパターン成形し、前記レジストマスクを除去し、前記パターン成形された保護膜を有する前記ベース基板の貼り合わせ面に前記多孔質層を形成することで、前記ベース基板の貼り合わせ面の全体に厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成することが好ましい。このような多孔質層形成工程であれば、保護膜がない個所は深く多孔質層が形成され、保護膜がある個所は浅く多孔質層が形成されるため、ベース基板の貼り合わせ面の全体に、厚さが部分的に異なる多孔質層を形成することが容易となるため好ましい。さらに、前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質層を形成する場合に、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面にレジストマスクを形成し、該ベース基板の貼り合わせ面に多孔質層を形成した後に、前記レジストマスクを除去することで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質層を形成することが好ましい。このような多孔質層形成工程であれば、レジストマスクがある部分は多孔質層が形成されないため、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質層を形成することが容易となるため好ましい。また、前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面を陽極酸化することで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成することが好ましい。このような陽極酸化法によれば多孔質層を容易に形成でき、かつ多孔質層の厚さ、多孔度、孔径を基板の用途に応じて容易に制御できるため好ましい。さらに、前記多孔質層形成工程において、前記ベース基板の貼り合わせ面に厚さが部分的に異なる前記多孔質層を形成する場合に、前記ベース基板の貼り合わせ面を陽極酸化すると供に、前記パターン成形された保護膜が除去されることが好ましい。このような多孔質層形成工程であれば、保護膜がない個所は深く多孔質層が形成され、保護膜がある個所は陽極酸化により除去されるまでのあいだ多孔質層の形成が行われないので、より浅く多孔質層が形成されるため、ベース基板の貼り合わせ面の全体に、厚さが部分的に異なる多孔質層を形成することが容易となるため好ましい。また、前記ベース基板及び/又は前記ボンド基板として、シリコン基板を用いることが好ましい。このように、ベース基板にシリコン基板を用いることで、多孔質層形成工程において多孔質層を形成することが容易となり、また絶縁膜形成工程において絶縁膜として酸化膜を形成することが容易となるため好ましい。また、ボンド基板にシリコン基板を用いることで、薄膜化工程において形成される薄膜層はいわゆるSOI層となり、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の種々のデバイス製造が容易となるため好ましい。さらに、前記ベース基板及び前記ボンド基板の両方とも、シリコン基板を用いることで、構造自体も複雑なものではなく、従来の工程を応用でき、低コストで歩留り良く製造することができる貼り合わせ基板の製造方法となるため好ましい。さらに、前記絶縁膜形成工程において、前記多孔質層を熱酸化により酸化膜に変化させることで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる前記絶縁膜を形成することが好ましい。このように酸化膜を形成することにより、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することが容易となるため好ましい。また、酸化膜は優れた絶縁性を有するため絶縁膜として好ましい。また、上記目的を達成するために本発明では、ベース基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に薄膜層とを有する貼り合わせ基板であって、少なくとも、前記絶縁膜が部分的に厚さの異なるものであることを特徴とする貼り合わせ基板を提供する。このような貼り合わせ基板であれば、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するにあたり、これらの素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも高機能な素子が作製可能な貼り合わせ基板となる。さらに、前記絶縁膜と前記薄膜層の界面が平坦であることが好ましい。このような貼り合わせ基板であれば、MEMS技術を応用して作製されるセンサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して形成するのにより適した貼り合わせ基板となるため好ましい。また、前記ベース基板がシリコン基板であること、及び/又は前記薄膜層がシリコンからなるものであることが好ましい。このようなベース基板、薄膜層SOI層であれば、取り扱いが容易で、異なる耐圧特性を必要とする素子を同一基板上に一体化して形成するのにより適した貼り合わせ基板となるため好ましい。さらに、前記絶縁膜が酸化膜であることが好ましい。部分的に厚さの異なる絶縁膜が酸化膜であれば、異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するのにより適した貼り合わせ基板となるため好ましい。以上説明したように本発明によれば、簡単な方法で、部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供することをができる。また、同一基板上にセンサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するにあたり、これらの素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも高機能な素子が作製可能な貼り合わせ基板を提供することができる。以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。センサーではセンサー部と制御部、高電圧高電流パワー素子では、高電圧部と制御部というように、同一基板上に作製される素子等の機能は大きく分かれている。当然基板に求められる特性も、作製されるデバイスの種類機能に応じて求められるものが変わってくると考えられる。特に貼り合わせ基板においては、絶縁膜の厚さが重要なパラメータであると考えられる。センサーで言えば、センサー部で要求される最適な絶縁膜の膜厚と、制御部で要求される最適な絶縁膜の膜厚は異なり、高電圧高電流パワー素子では、高電圧高電流部で要求される最適な絶縁膜の膜厚と、制御部で要求される最適な絶縁膜の膜厚は本来異なると思われる。しかしながら、従来の貼り合わせ基板の製造方法では、所定の場所の絶縁膜の膜厚を貼り合わせ基板の作製段階から簡単に制御する方法はなかった。そこで、前述のように、簡単な方法で部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することができる貼り合わせ基板の製造方法、及び部分的に厚さの異なる絶縁膜を有する貼り合わせ基板の開発が望まれていた。本発明者らは、簡単な方法で部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することができる貼り合わせ基板の製造方法、及び部分的に厚さの異なる絶縁膜を有する貼り合わせ基板について鋭意検討を重ね、多孔質層には非多孔質層より速く絶縁膜が形成されることを見出し、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層を形成することで絶縁膜形成の早さの異なる部分を同一基板面上に形成できることを見出し、多孔質層を絶縁膜に変化させることで、簡単な方法で部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することができることを見出して、本発明を完成させた。ポーラスシリコン自体については多数の特許文献などに報告されている。その利用法は、SOIウェーハを作製する方法についてであり、非特許文献1にあるように古くから報告されているELTRAN登録商標基板以外に、特許文献3、4のようにSOIウェーハ作製法も提案されている。一般的なポーラスシリコン作製方法は陽極酸化法であり、おおむね以下の通りである。まずHFフッ化水素を含む水溶液を準備、これにシリコンウェーハを入れる。そして対向電極との間に直流電圧を印加する。この際、シリコン基板側を陽極とする。HF水溶液濃度や基板抵抗率、印加電流密度、時間などのパラメータによりポーラスシリコンの出来具合多孔度が変化する。この多孔度に影響するパラメータは例えば、非特許文献1などにも詳しく紹介されている。このようにして作製されたポーラスシリコンを使ったSOIとしては、ELRAN:ポーラスシリコン層の上にエピタキシャル成長を行い、酸化膜付きウェーハと貼り合わせ、ポーラス層で剥離する方法非特許文献1、ポーラス層の上にエピタキシャル成長後、酸化雰囲気でアニールを行い、ポーラス層を酸化し、これをBOX層埋め込み酸化膜層とする方法ポーラス層の内部酸化:特許文献3、多孔度を徐々に下げてポーラスシリコンを形成しアニールすることで表面はマイグレーションにより単結晶化し、内部の多孔度の高いところはBOX層とする方法特許文献4等が知られている。しかしながら、いずれもBOX層は均一の厚さであり、部分的に膜厚の異なる絶縁膜を形成することは不可能である。本発明の貼り合わせ基板は部分的に膜厚の異なる絶縁膜を有し、異なる耐圧特性を必要とする素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも高機能な素子が作製可能な貼り合わせ基板となることを見出してなされた発明である。以下、本発明について詳細に説明する。[貼り合わせ基板]すなわち、本発明では、ベース基板上に絶縁膜と、該絶縁膜上に薄膜層とを有する貼り合わせ基板であって、少なくとも、前記絶縁膜が部分的に厚さの異なるものであることを特徴とする貼り合わせ基板を提供する。本発明の貼り合わせ基板の断面図を図1に示す。本発明の貼り合わせ基板10は、ベース基板1上に絶縁膜6と、該絶縁膜6上に薄膜層8とを有し、特に絶縁膜6が部分的に厚さの異なるものであることを特徴とする。本発明の貼り合わせ基板は、特に制限されないが、SOI基板SiliconOnInsulatorとすることができる。以下、本発明の貼り合わせ基板の各構成要素について詳述する。[ベース基板]本発明にかかるベース基板としては、特に制限されないが、シリコン基板、特にシリコン単結晶基板であることが好ましい。ベース基板がシリコン基板、特にシリコン単結晶基板であれば、取り扱いが容易であり、さらに、下記に説明するように、多孔質層としてポーラスシリコンを容易に形成できるため好ましい。もちろん、化合物半導体等の他の半導体基板、石英基板などを用いることもできる。[絶縁膜]本発明の貼り合わせ基板は前記ベース基板上に絶縁膜を有し、該絶縁膜は部分的に厚さの異なるものである。特に制限されないが、絶縁膜はシリコン酸化膜であることが好ましい。絶縁膜がシリコン酸化膜であれば、優れた耐圧特性を有し、その膜厚の制御も容易であるため好ましい。さらに、絶縁膜と薄膜層の界面が平坦であることが好ましい。このような貼り合わせ基板であれば、薄膜層の厚さを均一とし易く、異なる耐圧特性を必要とする素子を同一基板上に一体化して形成しやすいため好ましい。[薄膜層]本発明の貼り合わせ基板は前記絶縁膜上に薄膜層を有する。薄膜層は、特に制限されないが、シリコン、特にシリコン単結晶からなるもの、すなわちSOI層となることが好ましい。薄膜層がシリコンであれば、取り扱いが容易であり、異なる耐圧特性を必要とする素子を同一基板上に一体化して形成するのに一層適した貼り合わせ基板となるため好ましい。もちろん、薄膜層は、化合物半導体等、他の半導体であっても良い。従来の貼り合わせ基板の製造方法では、基板内で均一な絶縁膜を有する貼り合わせ基板しか作製できなかったため、異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するにあたり、工程が煩雑となり、素子の低機能化が問題となっていた。しかしながら、このような本発明の貼り合わせ基板であれば、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して作製するにあたり、これらの素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも、高機能な素子が作製可能な貼り合わせ基板となる。[貼り合わせ基板の製造方法]さらに、本発明は、絶縁膜を介してベース基板とボンド基板を貼り合わせて貼り合わせ基板を製造する方法であって、少なくとも、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を前記絶縁膜に変化させることで、前記ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜を介して前記ベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、貼り合わせられた前記ボンド基板を薄膜化して薄膜層を形成する薄膜化工程とを有することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法を提供する。以下、本発明の貼り合わせ基板の製造方法の実施形態について図2及び図3を参照して説明する。図2及び図3は、本発明の貼り合わせ基板の製造工程の第一の態様と第二の態様とを示すフロー図である。[多孔質層形成工程]本発明の多孔質層形成工程では、ベース基板1の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層5を形成する図2a~g、図3a~e。この多孔質層形成工程を行うことで、ベース基板の多孔質層が形成された部分と多孔質層が形成されていない部分に対する絶縁膜の形成速度の差を利用することが可能となるため、後述する絶縁膜形成工程において部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することができる。以下、多孔質層形成工程の第一と第二の態様を例示するが、本発明にかかる多孔質層形成工程はこれに限られるものではない。多孔質層形成工程の第一の態様として、ベース基板の貼り合わせ面に厚さが部分的に異なる多孔質層を形成する場合に、少なくとも、前記ベース基板1の貼り合わせ面に保護膜2を形成し、該保護膜2上にレジストマスク4を形成し、前記保護膜2を前記レジストマスク4の形状にパターン成形し、前記レジストマスク4を除去し、前記パターン成形された保護膜2’を有する前記ベース基板1の貼り合わせ面に前記多孔質層5を形成することで、前記ベース基板1の貼り合わせ面の全体に厚さが部分的に異なる前記多孔質層5を形成することができる図2a~g参照。このような多孔質層形成工程であれば、保護膜がない個所は深く多孔質層が形成され、保護膜がある個所は浅く多孔質層が形成されるため、ベース基板の貼り合わせ面の全体に、厚さが部分的に異なる多孔質層を形成することが容易となるため好ましい。以下、図2を用いて説明する。図2に示すようにまず、準備したベース基板1上に保護膜2を形成する図2a、b。この保護膜の膜厚は貼り合わせ基板10を作製したときの絶縁膜6の膜厚に関係するが、具体的な厚さは多孔質層5の形成方法、例えば後述の陽極酸化法の条件とも関係して決定される。すなわち、陽極酸化法により多孔質層5を形成する場合は、その条件、特にHF濃度によって、保護膜2がエッチングされる速度に違いが生じるため、保護膜2の膜厚は、あとの陽極酸化条件に大きく依存することになる。このとき、保護膜2を酸化膜とすることが好ましい。その後、保護膜2上にレジスト膜3を塗布し図2c、フォトリソグラフィーによりレジストマスク4を形成する図2d。次いで、エッチング等により保護膜2をレジストマスク4の形状にパターン成形して、パターン成形された保護膜2’とし図2e、レジストマスク4を除去する図2f。この場合、図2dにおいて形成されるレジストマスク4のパターンは絶縁膜6の厚さを変化させたい箇所に対応させる。パターン成形された保護膜2’は多孔質層5の形成を妨げるように働くため、パターン成形された保護膜2’で覆われた箇所には浅く多孔質層5が形成され、覆われていない個所にはより深く多孔質層5が形成されることとなる。そのため、絶縁膜形成工程後には、パターン成形された保護膜2’で覆われた箇所は絶縁膜6の薄い個所になり、パターン成形された保護膜2’で覆われていない箇所は絶縁膜6の厚い個所になる。その後、パターン成形された保護膜2’を有するベース基板1の貼り合わせ面に多孔質層5を形成する図2g。このようにパターン成形された保護膜2’を有するベース基板1に対して多孔質層5を形成すると、パターン成形された保護膜2’に覆われた箇所は覆われていない個所に比べて多孔質層5の形成に遅延が生じ、結果的に厚さが部分的に異なる多孔質層5が形成される。特に、後述する陽極酸化法等の、多孔質層5の形成が基板内部に向かって進む方法を用いた場合には、表面に段差がない、すなわち、表面が平坦なベース基板1となる。このように、多孔質層5を形成した後のベース基板1の貼り合わせ面が平坦であれば、貼り合わせが容易であるため好ましい。また、多孔質層形成工程の第二の態様として、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に多孔質層を形成する場合に、少なくとも、前記ベース基板1の貼り合わせ面にレジストマスク4を形成し、該ベース基板1の貼り合わせ面に多孔質層5を形成した後に、前記レジストマスク4を除去することで、前記ベース基板1の貼り合わせ面に部分的に前記多孔質層5を形成することが好ましい図3a~e参照。このような多孔質層形成工程であれば、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に多孔質層を形成することが容易となるため好ましい。以下、図3を用いて説明する。図3に示すようにまず、準備したベース基板1上にレジスト膜3を塗布し図3a、b、フォトリソグラフィーによりレジストマスク4を形成する図3c。このパターンは絶縁膜6の膜厚を厚くしたい箇所に対応させる。この場合、絶縁膜形成工程後には、レジストマスク4で覆われた箇所は絶縁膜6の薄い個所になり、レジストマスク4で覆われていない個所は絶縁膜6の厚い箇所になる。その後、レジストマスク4を有するベース基板1の貼り合わせ面に多孔質層5を形成し図3d、レジストマスク4を除去する図3e。このようにレジストマスク4を有するベース基板1に対して多孔質層5を形成すると、レジストマスク4に覆われた個所は多孔質層5の形成が進まないため、ベース基板1の貼り合わせ面に部分的に多孔質層5を形成することができる。特に、後述する陽極酸化法等の、多孔質層5の形成が基板内部に向かって進む方法を用いた場合には、表面に段差がない、すなわち、表面が平坦なベース基板1となる。このように、多孔質層5を形成した後のベース基板1の貼り合わせ面が平坦であれば、貼り合わせが容易であるため好ましい。また、上記の第一、第二の態様における多孔質層形成工程において、ベース基板の貼り合わせ面を陽極酸化することで、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層を形成することが好ましい。このような陽極酸化法によれば多孔質層を容易に形成でき、かつ多孔質層の厚さ、多孔度、孔径を基板の用途に応じて容易に制御できるため好ましい。以下、この陽極酸化法を用いた方法について説明する。例えばHFフッ化水素含有液等の陽極酸化液中でシリコン単結晶基板等のベース基板1を陽極として電流を流すことにより、ベース基板1の表面に、数nmの径の微細孔を有する多孔質層5多孔質体を形成する図2g、図3d参照。ここで、HF含有液等の陽極酸化液の組成やイオン濃度、電流値を変更することで、多孔質層5の多孔度、厚さ、及び孔径等を調整することができる。例えば、HF濃度が30、電流印加時間が8秒である場合には、多孔質層5の厚さが約200nm、多孔度が約40になりうる。この陽極酸化法の条件に依存する多孔質層5の多孔度、厚さ、及び孔径等は、要求される絶縁膜の膜厚等を勘案して決定することができる。さらに、多孔質層形成工程において、ベース基板1の貼り合わせ面に厚さが部分的に異なる多孔質層5を形成する場合に図2a~g参照、ベース基板1の貼り合わせ面を陽極酸化すると供に、パターン成形された保護膜2’が除去されることが好ましい。この場合、パターン成形された保護膜2’に覆われていない個所は深く多孔質層5が形成され、パターン成形された保護膜2’に覆われている個所は保護膜2’が陽極酸化により除去されるまでの間は多孔質層5の形成が行われないので、形成される多孔質層5は浅くなる。そのため、ベース基板1の貼り合わせ面の全体に、厚さが部分的に異なる多孔質層5を形成することが容易となる。なお、多孔質層5は、陽極酸化法以外の方法によって形成されてもよい。例えば、多数の微細開口を有するマスクを通してベース基板1をドライエッチング又はウエットエッチングすることによっても多孔質層5を形成することができる。また、図2a、i及び図3a、gにおいて準備するベース基板1及び/又はボンド基板7としては、シリコン基板、特にシリコン単結晶基板を用いることが好ましい。このように、ベース基板1としてシリコン基板を用いることで、前述の多孔質層形成工程において多孔質層5を形成することが容易となり、上記陽極酸化法により、多孔質層5としてのポーラスシリコンを形成することが容易となるため好ましい。また後述する絶縁膜形成工程において、ベース基板1に絶縁膜6を形成することが容易となるため好ましい。また、ボンド基板7としてシリコン基板を用いることで、薄膜化工程において形成される薄膜層8はいわゆるSOI層となり、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の種々のデバイス製造に適用できるため好ましい。さらに、ベース基板1及びボンド基板7の両方とも、シリコン基板を用いることで、構造自体も複雑なものではなく、従来の工程を応用でき、低コストで歩留り良く製造することができる貼り合わせ基板の製造方法となるため好ましい。[絶縁膜形成工程]本発明の絶縁膜形成工程では、多孔質層5を絶縁膜6に変化させることで、ベース基板1の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜6を形成する図2h、図3f。この場合、絶縁膜形成工程において、多孔質層5を熱酸化により酸化膜に変化させることで、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜6を形成することが好ましい。このように、酸化膜を形成することで、ベース基板1の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜6を形成することが容易となるため好ましい。このときの酸化条件、酸化方法は貼り合わせ基板10としたときに必要な絶縁膜6の膜厚等によって適宜決定する。多孔質層5は通常のベース基板1の表面と比べて絶縁膜6が形成される速度が速いことを本発明者らは見出した。例えば、ベース基板1としてシリコン単結晶基板を用いた場合には、多孔質層5としてのポーラスシリコン層はシリコン単結晶基板と比べて酸化速度が1.5倍程度大きい。この形成速度の違いにより、多孔質層5を選択的に早く形成して絶縁膜6を形成することが可能である。その結果として、多孔質層5の厚さに応じた絶縁膜6としての酸化膜を形成することが可能になる。このときの酸化条件であるが、圧力センサー用途やパワー素子向けであれば1μm前後と比較的厚い酸化膜が必要と予想される。そのためには、特に制限されないが、1100°Cなどの高温で、水蒸気酸化など酸化速度が速い方法が好まれる。なお、絶縁膜形成工程において、ベース基板1及びボンド基板7の貼り合わせ面の両方に絶縁膜6を形成することも可能である。[貼り合わせ工程]本発明の貼り合わせ工程では、絶縁膜6を介してベース基板1とボンド基板7を貼り合わせる図2j、図3h。また、本発明の貼り合わせ工程では、貼り合わせ後に結合強度を上げるために結合熱処理を行うこともできる。この貼り合わせ工程の条件は特に限定されず、通常の貼り合わせ基板を作製する条件のいずれをも適用することができる。[薄膜化工程]本発明の薄膜化工程では、貼り合わせ工程後に、貼り合わせられたボンド基板7を薄膜化して薄膜層8を形成する図2k、図3i。この場合の薄膜化方法としては、エッチングや研磨による方法も可能であるし、貼り合わせ前にボンド基板7に水素イオンを注入してイオン注入層を形成し、その後熱処理して該イオン注入層で剥離、薄膜化する方法でも良い。薄膜化工程後に、薄膜層8の表面改質のため、熱処理や仕上げの研磨、さらにはエピタキシャル成長を行うことも可能である。これらの表面改質等の処理としては、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の作製で求められる表面品質に合わせた処理を適宜選択することが出来る。こうして、本発明にかかる絶縁膜6を有する貼り合わせ基板10を製造することができる。従来は膜厚の異なる絶縁膜を形成することが困難であったために、異なる耐圧特性を必要とする素子を一体化して形成するにあたり、作製工程が煩雑となり、また最適な絶縁膜厚を選択できないため素子の機能が制限されることが問題であった。しかし、以上のように本発明の貼り合わせ基板の製造方法では、簡単な方法で貼り合わせ基板面内において異なる厚さの絶縁膜を形成することが可能である。以下に、本発明により製造された貼り合わせ基板上に異なる耐圧特性を必要とする素子を作製する工程について例示する。[異なる耐圧特性を必要とする素子の作製工程]本発明では薄膜化工程の後、製造された貼り合わせ基板10の薄膜層8上に、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の素子9を形成する工程を行うことができる図2l、図3j。上記のようにして作製された貼り合わせ基板には異なる耐圧特性を必要とする素子に応じた膜厚の絶縁膜6が正確にパターニングされて形成されている。そのため、より少ない作製工程で高機能なセンサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の素子9を作りこむことが可能となる図2k~l、図3i~j。以下、実施例、比較例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。[実施例1]抵抗率0.05Ωcmのボロンをドープした直径150mmのシリコン単結晶基板をベース基板として、このベース基板に対してPyro雰囲気で1000°C、90分の処理で200nmの酸化膜を保護膜として形成した。この後、レジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより、レジストマスクを形成した。今回はネガレジストを選択した。貼り合わせ基板としたときに厚い絶縁膜になる箇所は、1mm角の開口部とした。このレジストマスク付きウェーハをバッファードHF溶液にて保護膜をエッチングし、硫酸過酸化水素混合液にてレジストを除去後、RCA洗浄を実施することで、保護膜をレジストマスクの形状にパターン成形した。このベース基板に対してHF濃度が25、電流印加時間が500秒で陽極酸化を行い、厚さが約1000nm、多孔度が約40の多孔質層を形成した。保護膜のある箇所は、この保護膜がHF溶液にてエッチングされるまでの間は多孔質層が形成されない。結果として、ベース基板の貼り合わせ面に厚さが部分的に異なる多孔質層が形成された。陽極酸化後に、ベース基板をPyro雰囲気で1150°C、6時間処理を行い、多孔質層を熱酸化により酸化膜に変化させることで、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成した。この場合、保護膜のなかった多孔質層を酸化した層は1μmの酸化膜に、保護膜のあった箇所は、0.6μmの酸化膜となった。絶縁膜が形成されたベース基板の断面写真を図4に示す。図4に示すように、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜が形成されていることが分かった。このベース基板に、ボンド基板として抵抗率0.05Ωcmのボロンをドープした直径150mmのシリコン単結晶基板を貼り合わせ、1150°Cで結合熱処理を行った。その後、ボンド基板を研磨により薄膜化することでシリコン層厚20μmの薄膜層を形成し、本発明の貼り合わせ基板を作製した。[実施例2]抵抗率0.05Ωcmのボロンをドープした直径150mmのシリコン単結晶基板をベース基板として、このベース基板に対してレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより、レジストマスクを形成した。今回はネガレジストを選択した。貼り合わせ基板としたときに厚い絶縁膜になる箇所は、1mm角の開口部とした。このレジストマスク付きウェーハに対して、HF濃度が25、電流印加時間が500秒で陽極酸化を行い、厚さが約1000nm、多孔度が約40の多孔質層を形成した。レジストマスクのある箇所は、陽極酸化されないため、陽極酸化された箇所、されない箇所がベース基板上に形成された。結果として、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に多孔質層を形成することができた。陽極酸化後に、レジストマスク除去後、ベース基板をPyro雰囲気で1150°C、6時間処理を行い、多孔質層を熱酸化により酸化膜に変化させることで、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成した。この場合、多孔質層が形成された個所を酸化した層は1μmの酸化膜に、レジストマスクのあった箇所非多孔質層は、0.6μmの酸化膜となった。絶縁膜が形成されたベース基板の断面を確認したところ図4と同じく、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜が形成されていることが分かった。このベース基板に、ボンド基板として抵抗率0.05Ωcmのボロンをドープした直径150mmのシリコン単結晶基板を貼り合わせ、1150°Cで結合熱処理を行った。その後、ボンド基板を研磨により薄膜化することでシリコン層厚20μmの薄膜層を形成し、本発明の貼り合わせ基板を作製した。[比較例1]次に、比較例1として、多孔質層形成工程を行わない従来法について説明する。抵抗率0.05Ωcmのボロンをドープした直径150mmのシリコン単結晶基板をベース基板として、このベース基板に対して1150°C/Pyro雰囲気で6時間処理を行い、絶縁膜として1000nmの厚さの酸化膜を形成した。このベース基板に、ボンド基板として抵抗率0.05Ωcmのボロンドープ直径150mmシリコン単結晶基板を貼り合わせ、1150°Cで結合熱処理を行った。その後、ボンド基板を研磨により薄膜化することでシリコン層厚20μmの薄膜層を形成し、貼り合わせ基板を作製した。絶縁膜が形成されたベース基板の断面を確認したところ、ベース基板の貼り合わせ面に0.6μmの均一な厚さの絶縁膜が形成されていることが分かった。以上より、多孔質層を形成しない比較例1では部分的に厚さの異なる絶縁膜を有する貼り合わせ基板は作製できないことが示された。これに対し、本発明の貼り合わせ基板の製造方法であれば、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に又は厚さが部分的に異なる多孔質層を形成し、多孔質層を熱酸化により酸化膜に変化させることで、ベース基板の貼り合わせ面に部分的に厚さの異なる絶縁膜を形成することができることが示された。また、本発明の貼り合わせ基板は、絶縁膜は部分的に厚さは異なるが貼り合わせ界面は平坦であることから、絶縁膜と薄膜層との界面は平坦である。従って、通常通りにフォトリソグラフィー工程を行いデバイスを作製できる。よって、センサー素子、高電圧高電流パワー素子、制御部CMOS回路等等の異なる耐圧特性を必要とする素子を最適な膜厚を有する絶縁膜の部分に正確にそれぞれ形成することができるので、作製工程を減らしながらも高機能な素子が作製可能な貼り合わせ基板となる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。