ソース端子が接地される増幅用ソース接地FET素子と、前記増幅用ソース接地FET素子のゲート端子に接続され、前記増幅用ソース接地FET素子のドレイン端子の印加電圧が増えるに応じてインピーダンスが高くなるように変化する安定化回路と、を備える高周波増幅器。前記安定化回路は、前記増幅用ソース接地FET素子のゲート端子に接続するコンデンサと、前記コンデンサにドレイン端子が接続し、ゲート端子が接地し、ソース端子が前記増幅用ソース接地FET素子のドレイン端子に接続するインピーダンス調整用FET素子と、前記インピーダンス調整用FET素子のソース端子に接続され、接地される抵抗と、この抵抗に接続し、接地されるコンデンサと、を備える請求項1記載の高周波増幅器。前記安定化回路は、前記インピーダンス調整用FET素子を複数備える請求項2記載の高周波増幅器。前記安定化回路は、抵抗と、この抵抗に接続し、接地されるコンデンサを前記増幅用FET素子のゲート端子に並列に備える請求項3記載の高周波増幅器。従って、安定化を図りながらソース接地FET素子が本来持つ最大有能利得を十分に生かせる高周波増幅器が求められている。上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態は、ソース端子が接地される増幅用FET素子と、増幅用ソース接地FET素子のゲート端子に接続され、増幅用ソース接地FET素子のドレイン端子の印加電圧が増えるに応じてインピーダンスが高くなるように変化する安定化回路と、を備える高周波増幅器を提供する。以下、高周波増幅器の一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。本実施形態の高周波増幅器は、ソース端子が接地される増幅用FET素子と、増幅用ソース接地FET素子のゲート端子に接続され、増幅用ソース接地FET素子のドレイン端子の印加電圧が増えるに応じてインピーダンスが高くなるように変化する安定化回路と、を備える。図1は、本実施形態の高周波増幅器1の構成を示す図である。図1に示すように、高周波増幅器1は、ソース端子が接地される増幅用FET素子10と、増幅用ソース接地FET素子10のゲート端子に接続され、増幅用ソース接地FET素子10のドレイン端子の印加電圧に応じてインピーダンスが変化する安定化回路2と、を備える。安定化回路2は、例えば、増幅用ソース接地FET素子10のゲート端子に接続するコンデンサ11と、コンデンサ11にドレイン端子が接続し、ゲート端子が接地し、ソース端子が増幅用ソース接地FET素子10のドレイン端子に接続するインピーダンス調整用FET素子12と、インピーダンス調整用FET素子12のソース端子に接続され、接地される抵抗13とコンデンサ14と、を備える。安定化回路2は、さらに抵抗と、この抵抗に接続し、接地されるコンデンサを増幅用ソース接地FET素子10のゲート端子に並列に備えていてもよい。安定化回路2は、インピーダンス調整用FET素子12を複数備えていてもよい。この場合、第1のインピーダンス調整用FET素子12のドレイン端子は増幅用ソース接地FET素子10のゲート端子に接続し、第1のインピーダンス調整用FET素子12のソース端子は第2のインピーダンス調整用FET素子12のドレイン端子に接続される。さらに複数のインピーダンス調整用FET素子12を備える場合には、上述の接続を繰り返し、最後のインピーダンス調整用FET素子12のソース端子を増幅用ソース接地FET素子10のドレイン端子に接続する。図1においては、インピーダンス調整用FET素子12を4つ用いる例が示されている。次に、高周波増幅器1の動作を説明する。増幅用ソース接地FET素子10に電圧が印加されていない場合、増幅用ソース接地FET素子10のドレイン端子から出力される電圧は0Vである。このとき、インピーダンス調整用FET素子12のソース端子側の電位は0Vとなる。また、インピーダンス調整用FET素子12のゲート端子は接地されているため、電位は0Vである。従って、インピーダンス調整用FET素子12はスイッチとしてONとなる。複数個のインピーダンス調整用FET素子12を備える場合にも、各インピーダンス調整用FET素子12は同様にスイッチとしてONとなる。この結果、安定化回路2は接地されているのと同様の動作をする。従って、インピーダンスは数Ωとなり、帰還される高周波が損失され、発振が抑制される。増幅用ソース接地FET素子10に印加される電圧が増えるにつれ、インピーダンス調整用FET素子12は連続的にONからOFFへと遷移する。増幅用ソース接地FET素子10に動作電圧が印加された場合、増幅用ソース接地FET素子10のドレイン端子に印加される電圧はインピーダンス調整用FET素子12をピンチオフするのに十分な電圧となる。複数個のインピーダンス調整用FET素子12を備える場合にも、各インピーダンス調整用FET素子12は同様にスイッチとしてOFFとなる。この結果、安定化回路2はOPENと同様の動作をする。従って、インピーダンスは数千Ωとなり、高周波の損失が最小となり、増幅用ソース接地FET素子10の最大有能利得低下が抑制される。図2は、本実施形態における低電圧と動作電圧との最大有能利得の差を示すグラフである。縦軸は最大有能利得、横軸は周波数、グラフ201は2Vの場合を、グラフ202は動作電圧である10Vである場合を示す。図3は、本実施形態における低電圧と動作電圧とのスタビリティファクタの差を示すグラフである。縦軸はスタビリティファクタ、横軸は周波数、グラフ302は2Vの場合を、グラフ301は動作電圧である10Vである場合を示す。図3に示すように、低電圧である2Vにおいてスタビリティファクタが1を超えるように抵抗13を選択しても、図2に示すように、最大有能利得が2Vの場合より低下することはなく、最大有能利得自体も従来技術の場合より高くなる。以上述べたように、本実施形態の高周波増幅器1は、ソース端子が接地される増幅用ソース接地FET素子10と、増幅用ソース接地FET素子10のゲート端子に接続され、増幅用ソース接地FET素子10のドレイン端子の印加電圧が増えるに応じてインピーダンスが高くなるように変化する安定化回路2と、を備える。従って、安定化を図りながら増幅用ソース接地FET素子10が本来持つ最大有能利得を十分に生かすことができるという効果がある。いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。