微細な凹凸パターンにより規定されるパターン形成面であって液滴の濡れ広がりに異方性を生じせしめる前記パターン形成面に配置された複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測するためのシミュレーション方法であって、解析対象であるパターン形成面がモデル化された解析面上で、該パターン形成面を規定する凹凸パターンの形状に対応してパターン軸方向を設定する第1のステップと、前記解析面上にモデル化された複数の液滴を配置する第2のステップと、基準となる複数のパターン形成面のそれぞれにおける濡れ性を示す濡れ性パラメータであって、該複数のパターン形成面をそれぞれ規定する凹凸パターンの仕様ごとに対応した前記濡れ性パラメータを構成要素に含む濡れ性データベースを参照する第3のステップと、解析対象である前記パターン形成面を規定する凹凸パターンの仕様に対応する濡れ性パラメータを前記濡れ性データベースに基づいて取得する第4のステップと、解析対象である前記パターン形成面を規定する前記凹凸パターンが液滴の濡れ広がりに与える影響を前記解析面における濡れ性として取り扱って、取得した前記濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析により、前記解析面上での前記複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を解析する第5のステップと、該第5のステップによる解析結果を、前記複数の液滴による合一膜の高さ分布として出力する第6のステップとを備えたことを特徴とするシミュレーション方法。前記濡れ性パラメータが、気体、液体および固体の三相が接触する接触線における接触角であって該接触線の法線ベクトル方向と前記パターン軸方向とが平行な位置における接触角θcpの値、および、前記接触線における接触角であって該接触線の法線ベクトル方向と前記パターン軸方向とが垂直な位置における接触角θcvの値であり、前記第5のステップが、前記接触線上のそれぞれの位置における接触角を下記式1によって求められるθcとし、前記接触線上のそれぞれの位置において、気液界面の法線ベクトルと前記解析面の法線ベクトルとの成す角が前記接触角θcになるように、前記気液界面の法線ベクトルを修正することにより、取得した前記濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析を行うものであることを特徴とする請求項1に記載のシミュレーション方法。式1において、φは、前記接触線上のそれぞれの位置における該接触線の法線ベクトル方向と前記パターン軸方向との成す角を表す。前記第2のステップが、下記式2により決まる最大個数ndrop以下の個数ninitの液滴を前記複数の液滴として配置するものであり、前記第6のステップで得られた前記高さ分布に基づいて、該高さ分布の中に高さが所定の閾値高さと一致しない部分がある場合に、前記複数の液滴の前記解析面上での配置を調整し、および/または、前記最大個数ndropを超えない範囲で前記複数の液滴の個数を増加させる第7のステップをさらに備え、配置が調整されおよび/または個数が増加された前記複数の液滴について、前記第5のステップから前記第7のステップまでを、前記高さ分布の中に高さが前記所定の閾値高さと一致しない部分がなくなるまで繰り返し実施して、前記複数の液滴の配置を最適化することを特徴とする請求項1または2に記載のシミュレーション方法。式2において、Vfilmは前記解析面上に形成しようとする所望の前記合一膜の体積を表し、vdropは液滴1つ当たりの体積を表し、intは括弧内の数値の小数点以下を切り捨てることを表す。最後に行った前記第5のステップによる解析結果として得られた最適化された前記複数の液滴の配置に基づいて、液滴配置パターンを作成する第8のステップをさらに備えたことを特徴とする請求項3に記載のシミュレーション方法。前記第1のステップが、解析対象である前記パターン形成面を複数のセルに分割し、該セルごとに前記解析面を構成する解析セルとしてモデル化し、該解析セルごとに前記解析面についての前記パターン軸方向を設定するものであることを特徴とする請求項1から4いずれかに記載のシミュレーション方法。請求項1から5いずれかに記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させることを特徴とするシミュレーションプログラム。請求項6に記載のシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。請求項4に記載のシミュレーション方法により前記液滴配置パターンを作成することを特徴とする液滴配置パターンの作成方法。請求項4に記載のシミュレーション方法により作成された前記液滴配置パターンに従って、インクジェット法により被加工基板の加工対象である表面上に、硬化性樹脂からなる複数の液滴を配置し、解析対象である前記パターン形成面を有するモールドを用いて、該パターン形成面と加工対象である前記表面とを対向させながら、該表面に配置された前記複数の液滴に前記モールドを押し付けて、硬化性樹脂膜を形成し、該硬化性樹脂膜を硬化させた後、該硬化性樹脂膜から前記モールドを剥離することを特徴とするナノインプリント方法。請求項9に記載のナノインプリント方法により、モールドの凹凸パターンが転写された硬化性樹脂からなるレジスト膜を被加工基板上に形成し、該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行って、該レジスト膜に転写された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを前記被加工基板に形成してパターン化基板を得ることを特徴とするパターン化基板の製造方法。請求項4に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるためのシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を備えたことを特徴とするインクジェット装置。しかしながら、上記のようなインクジェット法を用いたナノインプリントにおいて、モールドと被加工基板との間にトラップされた残留気体によるレジスト膜の未充填欠陥が大きな問題となっている。例えば特許文献1および2の方法では、モールドが押し付けられたときの液滴の濡れ広がりが等方的であることを前提として隣接する液滴同士の間隔を最適化しており、凹凸パターンのうち液滴の濡れ広がりに異方性が生じる領域では、依然として残留気体による未充填欠陥が生じるおそれがある。モールドで押し付けている時間を長くすれば、残留気体がモールドを透過したりレジスト膜中に溶解したりして、ある程度は残留気体の影響を抑えることは可能である。しかし、このような方法でも完全に未充填欠陥をなくすことはできず、何よりもナノインプリント工程のスループットおよび効率が低下してしまう。凹凸パターンに応じて、液滴の濡れ広がりの異方性も考慮して液滴の配置を最適化すれば、未充填欠陥の発生を抑制しかつスループットを向上させることができると考えられる。しかしながら、そのような異方性を考慮するため、液滴の濡れ広がりを予測して液滴の配置を最適化することは容易なことではない。そして、凹凸パターンが複雑になるほど、液滴の濡れ広がりの異方性も複雑化するため、液滴の濡れ広がりを予測することはより困難となる。また、このような問題は必ずしもナノインプリントに限った話ではない。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測する方法において、その濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に複数の液滴が接している場合であっても、その濡れ広がりおよび合一を容易に予測することを可能とするシミュレーション方法、シミュレーションプログラムおよびそのシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とするものである。さらに本発明は、液滴の濡れ広がりの異方性も考慮された最適な位置に液滴を配置することを可能とする液滴配置パターンの作成方法を提供することを目的とするものである。さらに本発明は、インクジェット法を用いたナノインプリント方法において、残留気体によるレジスト膜の未充填欠陥の発生を低減して、ナノインプリント工程のスループットおよび効率の低下を抑制することを可能とするナノインプリント方法を提供することを目的とするものである。さらに本発明は、ナノインプリントにより凹凸パターンが転写されたレジスト膜をマスクとするパターン化基板の製造において、効率よくパターン化基板を製造することを可能とするパターン化基板の製造方法を提供することを目的とするものである。さらに本発明は、液滴の濡れ広がりの異方性も考慮された最適な位置に液滴を配置することを可能とするインクジェット装置を提供することを目的とするものである。上記課題を解決するために、本発明に係るシミュレーション方法は、微細な凹凸パターンにより規定されるパターン形成面であって液滴の濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に配置された複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測するためのシミュレーション方法であって、解析対象であるパターン形成面がモデル化された解析面上で、このパターン形成面を規定する凹凸パターンの形状に対応してパターン軸方向を設定する第1のステップと、解析面上にモデル化された複数の液滴を配置する第2のステップと、基準となる複数のパターン形成面のそれぞれにおける濡れ性を示す濡れ性パラメータであって、この複数のパターン形成面をそれぞれ規定する凹凸パターンの仕様ごとに対応した濡れ性パラメータを構成要素に含む濡れ性データベースを参照する第3のステップと、解析対象であるパターン形成面を規定する凹凸パターンの仕様に対応する濡れ性パラメータを濡れ性データベースに基づいて取得する第4のステップと、解析対象であるパターン形成面を規定する凹凸パターンが液滴の濡れ広がりに与える影響を解析面における濡れ性として取り扱って、取得した濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析により、解析面上での複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を解析する第5のステップと、この第5のステップによる解析結果を、複数の液滴による合一膜の高さ分布として出力する第6のステップとを備えたことを特徴とするものである。本明細書において、パターン形成面とは、微細な凹凸パターンにより規定される面であって実空間において液滴が配置される面を意味する。解析面とは、パターン形成面がモデル化された面であって解析空間において液滴が配置される面を意味する。パターン軸方向とは、パターン形成面内の方向であって凹凸パターンを構成する凸部または凹部の長さ方向を意味する。濡れ性パラメータを濡れ性データベースに基づいて取得するとは、解析対象であるパターン形成面を規定する凹凸パターンの仕様と一致する仕様に対応する濡れ性パラメータが濡れ性データベース中に含まれている場合にはその濡れ性パラメータを取得することの他、解析対象であるパターン形成面を規定する凹凸パターンの仕様と一致する仕様に対応する濡れ性パラメータが濡れ性データベース中に含まれていない場合には、最も近似する仕様に対応する濡れ性パラメータを取得することまたは近似するいくつかの仕様にそれぞれ対応する濡れ性パラメータから近似値を算出することを含む意味である。複数の液滴による合一膜とは、複数の液滴が濡れ広がった結果得られる液相の膜を意味する。隣接する液滴同士が合一した部分および単独で濡れ広がったのみの部分を含め全体として1つの膜として取り扱う。合一膜の高さ分布とは、解析面上の各位置における解析面からの気液界面の高さの分布を意味する。そして、本発明に係るシミュレーション方法において、濡れ性パラメータが、固体、液体および気体の三相が接触する接触線における接触角であってこの接触線の法線ベクトル方向とパターン軸方向とが平行な位置における接触角θcpの値、および、接触線における接触角であってこの接触線の法線ベクトル方向とパターン軸方向とが垂直な位置における接触角θcvの値であり、第5のステップが、接触線上のそれぞれの位置における接触角を下記式1によって求められるθcとし、接触線上のそれぞれの位置において、気液界面の法線ベクトルと解析面の法線ベクトルとの成す角が上記接触角θcになるように、上記気液界面の法線ベクトルを修正することにより、取得した濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析を行うものであることが好ましい。式1において、φは、接触線上のそれぞれの位置におけるこの接触線の法線ベクトル方向とパターン軸方向との成す角を表す。そして、本発明に係るシミュレーション方法において、第2のステップが、下記式2により決まる最大個数ndrop以下の個数ninitの液滴を上記複数の液滴として配置するものであり、第6のステップで得られた高さ分布に基づいて、この高さ分布の中に高さが所定の閾値高さと一致しない部分がある場合に、複数の液滴の解析面上での配置を調整し、および/または、最大個数ndropを超えない範囲で複数の液滴の個数を増加させる第7のステップをさらに備え、配置が調整されおよび/または個数が増加された複数の液滴について、第5のステップから第7のステップまでを、高さ分布の中に高さが上記所定の閾値高さと一致しない部分がなくなるまで繰り返し実施して、複数の液滴の配置を最適化することが好ましい。式2において、Vfilmは解析面上に形成しようとする所望の合一膜の体積を表し、vdropは液滴1つ当たりの体積を表し、intは括弧内の数値の小数点以下を切り捨てることを表す。本明細書において、解析面上に形成しようとする所望の合一膜の体積とは、実際にパターン形成面上に形成しようとする所望の合一膜の体積に相当する体積を意味する。液滴1つ当たりの体積とは、実際に液滴を配置する際の液滴の最小単位の体積を意味する。そして、本発明に係るシミュレーション方法において、最後に行った第5のステップによる解析結果として得られた最適化された複数の液滴の配置に基づいて、液滴配置パターンを作成する第8のステップをさらに備えることが好ましい。本明細書において、液滴配置パターンとは、解析対象であるパターン形成面上の位置であって複数の液滴をそれぞれ配置する位置に対応する複数の格子点からなる集合を意味する。この液滴配置パターンは、上記格子点の位置を表わすCAD等の2次元座標データ、または、ビットマップ画像等の画像データとして取り扱うことが出来る。そして、本発明に係るシミュレーション方法において、第1のステップが、解析対象であるパターン形成面を複数のセルに分割し、このセルごとに解析面を構成する解析セルとしてモデル化し、この解析セルごとに解析面についてのパターン軸方向を設定するものであることが好ましい。さらに、本発明に係るシミュレーションプログラムおよびそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させることを特徴とするものである。さらに、本発明に係る液滴配置パターンの作成方法は、上記に記載のシミュレーション方法により液滴配置パターンを作成することを特徴とするものである。さらに、本発明に係るナノインプリント方法は、上記に記載のシミュレーション方法により作成された液滴配置パターンに従って、インクジェット法により被加工基板の加工対象である表面上に、硬化性樹脂からなる複数の液滴を配置し、解析対象であるパターン形成面を有するモールドを用いて、このパターン形成面と加工対象である上記表面とを対向させながら、この表面に配置された複数の液滴にモールドを押し付けて、硬化性樹脂膜を形成し、この硬化性樹脂膜を硬化させた後、この硬化性樹脂膜からモールドを剥離することを特徴とするものである。さらに、本発明に係るパターン化基板の製造方法は、上記に記載のナノインプリント方法により、モールドの凹凸パターンが転写された硬化性樹脂からなるレジスト膜を被加工基板上に形成し、このレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行って、このレジスト膜に転写された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを被加工基板に形成してパターン化基板を得ることを特徴とするものである。さらに、本発明に係るインクジェット装置は、上記に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるためのシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を備えたことを特徴とするものである。本発明に係るシミュレーション方法、プログラムおよびそれを記録した記録媒体は、微細な凹凸パターンにより規定されるパターン形成面であって液滴の濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に配置された複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測するためのシミュレーション方法であって、解析対象であるパターン形成面がモデル化された解析面上で、このパターン形成面を規定する凹凸パターンの形状に対応してパターン軸方向を設定する第1のステップと、解析面上にモデル化された複数の液滴を配置する第2のステップと、基準となる複数のパターン形成面のそれぞれにおける濡れ性を示す濡れ性パラメータであって、この複数のパターン形成面をそれぞれ規定する凹凸パターンの仕様ごとに対応した濡れ性パラメータを構成要素に含む濡れ性データベースを参照する第3のステップと、解析対象であるパターン形成面を規定する凹凸パターンの仕様に対応する濡れ性パラメータを濡れ性データベースに基づいて取得する第4のステップと、解析対象であるパターン形成面を規定する凹凸パターンが液滴の濡れ広がりに与える影響を解析面における濡れ性として取り扱って、取得した濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析により、解析面上での複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を解析する第5のステップと、この第5のステップによる解析結果を、複数の液滴による合一膜の高さ分布として出力する第6のステップとを備えたことを特徴とするものである。本発明では特に、解析対象であるパターン化基板の凹凸パターンが液滴の濡れ広がりに与える影響を解析面における濡れ性として取り扱っているから、微細な凹凸パターンと液滴との複雑な解析をせずに、解析面をある濡れ性を持つ平面とみなしてシミュレーションを実行することができる。この結果、複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測する方法において、その濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に複数の液滴が接している場合であっても、その濡れ広がりおよび合一を容易に予測することが可能となる。さらに、本発明に係る液滴配置パターンの作成方法は、上記に記載のシミュレーション方法により液滴配置パターンを作成することを特徴とするものである。これにより、濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に複数の液滴を配置する場合であっても、当該異方性も考慮された最適な位置に液滴を配置することが可能となる。さらに、本発明に係るナノインプリント方法は、特に、上記に記載のシミュレーション方法により作成された液滴配置パターンに従って、インクジェット法により被加工基板の加工対象である表面上に、硬化性樹脂からなる複数の液滴を配置することを特徴とするものである。これにより、濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に複数の液滴を配置する場合であっても、当該異方性も考慮された最適な位置に液滴を配置することができる。この結果、インクジェット法を用いたナノインプリント方法において、残留気体によるレジスト膜の未充填欠陥の発生を低減して、ナノインプリント工程のスループットおよび効率の低下を抑制することが可能となる。さらに、本発明に係るパターン化基板の製造方法は、特に、上記に記載のナノインプリント方法により、モールドの凹凸パターンが転写された硬化性樹脂からなるレジスト膜を被加工基板上に形成することを特徴とするものである。これにより、ナノインプリント工程のスループットおよび効率の低下を抑制しながら、レジスト膜を被加工基板上に形成することができる。この結果、ナノインプリントにより凹凸パターンが転写されたレジスト膜をマスクとするパターン化基板の製造において、効率よくパターン化基板を製造することが可能となる。さらに、本発明に係るインクジェット装置は、上記に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるためのシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を備えたことを特徴とするものである。これにより、濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に複数の液滴を配置する場合であっても、当該異方性も考慮された最適な位置に液滴を配置することが可能となる。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。シミュレーション方法、シミュレーションプログラムおよびそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の第1の実施形態まず、本発明のシミュレーション方法、シミュレーションプログラムおよびそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の第1の実施形態について説明する。図1は、解析対象であるパターン形成面Pおよびそれをモデル化した解析面Aを示す概略図である。本実施形態のシミュレーション方法は、微細な凹凸パターン1により規定されるパターン形成面Pであって液滴の濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面Pに配置された複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測するためのシミュレーション方法であって、必須のパラメータとして、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の仕様と、このパターン形成面Pに配置される液滴の材料の密度、粘性係数および表面張力とを取得し、選択可能なパラメータとして、凹凸パターン1を構成する材料からなる平面上でのその液滴の接触角、または、その液滴の材料と凹凸パターン1を構成する材料との間の界面張力および凹凸パターン1を構成する材料の表面張力の組み合わせを取得した後、解析対象であるパターン形成面Pがモデル化された解析面A上で、このパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の形状に対応してパターン軸方向Dpを設定する第1のステップと、解析面A上にモデル化された複数の液滴を配置する第2のステップと、基準となる複数のパターン形成面のそれぞれにおける濡れ性を示す濡れ性パラメータであって、この複数のパターン形成面をそれぞれ規定する凹凸パターンの仕様ごとに対応した濡れ性パラメータを構成要素に含む濡れ性データベースを参照する第3のステップと、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の仕様に対応する濡れ性パラメータを濡れ性データベースに基づいて取得する第4のステップと、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1が液滴の濡れ広がりに与える影響を解析面Aにおける濡れ性として取り扱って、取得した濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析により、解析面A上での複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を解析する第5のステップと、この第5のステップによる解析結果を、複数の液滴による合一膜の高さ分布として出力する第6のステップとを備えたものである。また、本実施形態のシミュレーションプログラムおよびそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるものである。本発明のシミュレーション方法は、例えば、微細な凹凸パターンが形成された表面を有するモールドを用いて、インクジェット法によりナノインプリントを実施する場合等において、被加工基板上の複数の液滴がどのように濡れ広がりおよび合一するのかを予測するための方法として使用することができる。このような場合、凹凸パターンが形成されたモールドの表面が本発明における上記パターン形成面に相当し、インクジェット法により塗布される硬化性樹脂からなる複数の液滴が本発明における上記複数の液滴に相当する。実際にナノインプリントを実施する場合には通常、液滴は被加工基板の平坦な表面上に配置され、その後モールドの凹凸パターンが当該液滴に対して押し付けられるが、シミュレーション解析では液滴がパターン形成面上に配置される場合を想定してモデル化が行われる。これは、凹凸パターンが押し付けられて液滴が濡れ広がる段階では、液滴の重力はほとんど無視できると考えられるためである。つまりどちらの場合も、濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に液滴が接しながら濡れ広がる点で大差がない。シミュレーション解析で使用されるパラメータ本実施形態における解析では、必須のパラメータとして、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の仕様と、このパターン形成面Pに配置される液滴の材料の密度、粘性係数および表面張力とが使用される。また、選択可能なパラメータとして、凹凸パターン1を構成する材料からなる平面上でのその液滴の接触角、または、その液滴の材料と凹凸パターン1を構成する材料との間の界面張力および凹凸パターン1を構成する材料の表面張力の組み合わせが使用される。選択可能なパラメータにおいて、上記接触角および上記組み合わせは相互に変換可能であるため、これらのうち一方のみで充分となる。本明細書において、凹凸パターンを構成する材料からなる平面上でのこの液滴の接触角とは、液滴を構成する材料と凹凸パターンを構成する材料との関係で決まる液滴の接触角を意味する。また、この液滴の材料と凹凸パターンを構成する材料との間の界面張力とは、液滴を構成する材料と凹凸パターンを構成する材料との関係で決まるこれらの界面における界面張力を意味する。パターン形成面パターン形成面は、微細な凹部および凸部から構成される凹凸形状のパターン凹凸パターン1によって規定される面であって、液滴が配置される面としてモデル化の対象となる面である。本実施形態では例えば、パターン形成面Pは、図1に示されるような凹凸パターン1の凸部2の上面2sを含む滑らかに連続した面Pである。凹凸パターン1が形成されていない平坦な面3sを含む場合には、このような平坦な面3sも反映するようにパターン形成面Pは規定される。そして、パターン形成面P内の方向であって凹凸パターン1を構成する凸部または凹部の長さ方向をこのパターン形成面Pのパターン軸方向Dpとして設定する。具体的には、凹凸パターンを構成する凸部および凹部において、凸部が凹部に囲まれていると認められる場合には凸部の長さ方向をパターン軸方向Dpとして設定し、凹部が凸部に囲まれていると認められる場合には凹部の長さ方向をパターン軸方向Dpとして設定する。凸部または凹部が折れ曲がる等により凸部または凹部の長さ方向が複数あると認められる場合には、適宜軽重を付けて適切な方向を選択したり当該長さ方向が切り替わる部分でパターン形成面Pを分割したりする。凹凸パターン1がライン状を示す場合、液滴は凹凸パターン1のパターン軸方向Dpに沿って濡れ広がりやすくなると考えられるため、パターン形成面P上での液滴の濡れ広がりに異方性が生じる。濡れ広がりの異方性によってパターン形成面P上を濡れ広がる1つの液滴の形状が楕円で近似できる単純なモデルの場合には、その楕円の長軸方向とその地点のパターン軸方向Dpはほぼ平行となる。例えば、図2a~cは、液滴の濡れ広がりに異方性を生じせしめる凹凸パターンの例である。図2a、図2bおよび図2cは、長さ方向が所定の一方向を向くように配列された複数の細長い凸部2から構成されたラインスペース型の凹凸パターンを示す概略図である。これらのような凹凸パターン1では、配置された液滴が凸部2と他の凸部2との間つまり凹部を伝って濡れ広がる方が濡れ広がりやすいため、その濡れ広がりに異方性が生じる。したがって、図2a、図2bおよび図2cにおける凹凸パターンでは凸部が凹部に囲まれていると認められるため、細長い凸部2の長さ方向がパターン軸方向Dpとなる。図2中のDvはパターン軸方向Dpに垂直な方向を示す。なお、図2dは、ドット状の凸部2が縦横に均等に配列されたパターンを示す概略図である。このような場合、液滴の濡れ広がる方向について異方性が明確に現れないため、当該パターンは本明細書における液滴の濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターンには含まれない。異方性の態様は、凹凸パターン1の仕様に依存して変化する。具体的には、異方性の態様は、凹凸パターン1のスケールを規定する基本要素、つまり図2のように凸部2が独立している場合には、凸部2の幅Wp、凸部同士の間隔Wr、凸部2の高さHおよび凸部2の長さLに依存して変化し、さらに、これらの基本要素が同一の又は異なる複数の凸部2の配列方法等によっても変化する。凹部が独立している場合には、凹凸パターン1のスケールを規定する基本要素は、凹部の幅、凹部同士の間隔、凹部の深さおよび凹部の長さとなる。図2a~cは、例として、パターン軸方向Dpが一義的に定まるような凹凸パターンを示すが、本発明における凹凸パターン1はこのようなパターン軸方向Dpが一義的に定まるようなパターンに限られない。図3Aは、複数のセルに分割されたパターン形成面Pを示す概念図である。例えば、図3Aに示されるように、一定のパターン軸方向Dpをそれぞれ有する直線状の凹凸パターン1a、1bおよび1cの組み合わせによる凹凸パターン4の場合には、解析対象であるパターン形成面Pを複数のセルCに分割して、セルCごとにセル内の凹凸パターンの形状に基づきパターン軸方向Dpa、DpbおよびDpcを設定することができる図3A。このように、セルCごとにパターン軸方向Dpを設定することにより、より正確な液滴の運動の解析が可能となる。セルCの大きさや分割形状は、すべてのセルCで同一である必要はない。例えば、パターン軸方向Dpが同一である領域ごとに1つ以上のセルとして分割することもできる。また、パターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の形状が複雑な場合例えば、凸部が曲線状に形成された場合および凸部が曲線状に配列された場合等には、セルC内ではパターンを直線状とみなせる程度にパターン形成面Pを複数のセルに細かく分割すれば、セルごとにパターン軸方向を設定することができる。パターン形成面のモデル化本発明のシミュレーション方法では、実空間において解析対象であるパターン形成面Pが解析面Aとしてモデル化されて解析が行われる。本発明のシミュレーション方法におけるパターン形成面Pのモデル化は、特に図1に示されるように、パターン形成面Pのうち計算格子または計算要素に基づく解像度Wgを下回るスケールの微細な凹凸パターン1が存在する領域を、異方性のある所定の濡れ性を持った面A1として取り扱うことを特徴とする。また、凹凸パターン1が形成されていない平坦な面3sは、解析空間において等方的な所定の濡れ性を持った面A3として取り扱われる。通常シミュレーションによる流体解析においては、計算格子または計算要素ごとに方程式が立てたれる。計算格子または計算要素とは、流体に関する方程式を解く際の最小の単位を表し、流体が存在しうる解析空間が細かく分割された要素である。当該要素が縦横の網目状に規則的に分割されている場合に計算格子と呼ばれ、三角形や多面体で不規則に分割されている場合に計算要素と呼ばれる。流体に関する方程式は、それぞれの計算格子または計算要素以下単に計算格子という。ごとに近似的に解かれる。つまり、この計算格子が細かい程、計算の精度が向上して流体の運動をより正確に表現することができるようになる。しかしながら、微細な凹凸パターンの形状を厳密に考慮して解析を行うために計算格子に基づく解像度Wgを小さくすると、計算格子数が異常に多くなりさらに計算が複雑化するという問題がある。そこで本発明では、所定の凹凸パターン1のスケールの大きさよりも充分大きな解像度を有する所定の計算格子が設定され、計算格子の解像度を下回るスケールの当該凹凸パターン1は液滴の濡れ性として解析面Aにモデル化して組み込まれる。つまり、計算格子の解像度を下回る当該凹凸パターン1の寄与は、解析面A上における液滴の濡れ性の違いとして再現される。一方、パターン形成面には様々な空間スケールの凹凸パターンが存在しうるため、計算格子の解像度を上回る部分は、解析面Aの形状として再現される。これらスケールの異なる二つの凹凸パターンを同時に組み合わせてモデル化し、全体として解析を行うこともできるが、段差を伴わない解析面ごとに解析を行うことが好ましい。パターン形成面Pを複数のセルCに分割した場合には、セルCごとに解析面Aを構成する解析セルCaが設定されることが好ましい。つまりこの場合、図3Bに示されるように、このセルCごとに解析セルCaとしてモデル化される。濡れ性パラメータおよび濡れ性データベース上記のようにモデル化された濡れ性は、凹凸パターン1の仕様、液滴の表面張力表面エネルギーおよびパターン形成面Pの表面張力表面エネルギーに依存して変化する。そこで本発明では、基準となる複数のパターン形成面のそれぞれにおける濡れ性を示す濡れ性パラメータを構成要素に含む濡れ性データベースが予め用意される。濡れ性パラメータは、基準となる複数のパターン形成面をそれぞれ規定する凹凸パターンの仕様ごとに対応してデータベース化され、少なくとも凹凸パターンの仕様に基づいて検索可能とされている。下記の表1は、このような濡れ性データベースの例を示すものである。例えば、表1では、濡れ性パラメータとしての接触角が、基準となる凹凸パターンの仕様、液滴の表面エネルギーおよびパターン形成面Pの表面エネルギーのそれぞれの値に対応してデータベース化されている。表1中の接触角θcpは、固体、液体および気体の三相が接触する接触線における接触角であってこの接触線の法線ベクトル方向とパターン軸方向とが平行な位置における接触角であり、θcvは、接触線における接触角であってこの接触線の法線ベクトル方向とパターン軸方向とが垂直な位置における接触角である。これは、液滴の濡れ広がりの異方性により、接触線の法線ベクトル方向とパターン軸方向との関係で接触角が異なることを考慮したものである。本明細書において、固体、液体および気体の三相が接触する接触線とは、固体の表面パターン形成面或いは解析面および液体液滴が互いに接触する面の外縁を意味する。接触線の法線ベクトル方向は、接触線の移動速度ベクトル方向とも言われる。移動速度ベクトル方向とは、接触線が次の時刻において移動しようとする方向を意味する。上記2つの接触角を解析に用いることにより、液滴の濡れ広がりの異方性が解析面A上の濡れ性の異方性として再現される。接触線のその他の位置における接触角は、この2つの接触角に基づいて算出される。なお、液滴の物性およびパターン形成面Pの物性は、特定の物性を有する系専用の濡れ性データベースを作成する場合には、必ずしも濡れ性データベースに含まれる必要はない。濡れ性パラメータとしての接触角は、濡れ性に平衡接触角モデルを使用する場合には常に平衡接触角となる。一方、接触角履歴モデルを使用する場合において、接触線の移動速度ベクトルが液相側から気相側に向いているときには前進接触角が使用され、気相側から液相側に向いているときには後退接触角が使用される。以下、本発明のシミュレーション方法をステップごとに説明する。第1のステップ第1のステップでは、解析対象であるパターン形成面Pがモデル化された解析面A上で、パターン軸方向Dpが、このパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の形状に対応して設定される。パターン形成面Pが複数のセルCに分割される場合には、解析面Aも複数の解析セルCaごとにパターン軸方向Dpが設定される図3B。第2のステップ第2のステップでは、解析面A上にモデル化された複数の液滴が配置される。液滴は、解析面A上のドロップサイトm×nの格子状に分割された領域ごとに配置される。整数mおよびnは、液滴配置手段の解像度を規定する要素例えばインクジェットヘッドのヘッドピッチおよび吐出周期等との関係から分割可能な最大数とする。液滴は、同一のドロップサイトに2以上の液滴を配置してもよい。この場合、当該ドロップサイトにおける液滴の量が他のドロップサイトにおける液滴の量に比して多いものとして取り扱われる。このドロップサイトは、前述の計算格子および解析セルとは別個の概念である。第3のステップ第3のステップでは、濡れ性パラメータを取得するために前述の濡れ性データベースが参照される。第4のステップ第4のステップでは、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の仕様に対応する濡れ性パラメータが濡れ性データベースに基づいて取得される。まず、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1について、凸部2の幅Wp、凸部同士の間隔Wr、凸部2の高さHおよび凸部2の長さLのそれぞれの平均値が算出される。このそれぞれの平均値が凹凸パターン1の仕様となる。そして、得られた凹凸パターン1の仕様に対応する濡れ性パラメータが濡れ性データベース中から検索されて解析面Aに設定される。なお、パターン形成面Pが複数のセルCに分割されている場合には、セルCごとに上記それぞれの平均値が算出され、セルCごとに濡れ性パタメータが設定される。これにより、当該解析面Aに濡れ性分布が設定される。解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の仕様と一致する仕様のデータが濡れ性データベース中に含まれていない場合には、最も近似する仕様に対応する濡れ性パラメータを取得したり、近似するいくつかの仕様にそれぞれ対応する濡れ性パラメータから近似値例えば平均値を算出したりすることができる。第1のステップと、第2のステップと、第3および第4のステップの組み合わせについては、相互に順番を入れ替えることが可能である。第5のステップ第5のステップでは、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1が液滴の濡れ広がりに与える影響を解析面Aにおける濡れ性として取り扱って、取得した濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析により、解析面A上での複数の液滴の濡れ広がりおよび合一が解析される。気液二相流解析は例えば以下のように実施される。液滴の濡れ広がりおよび合一の予測においては、液体および気体の界面気液界面の挙動が3次元の気液二相流解析を用いて予測される。気液二相流解析の計算手法としては、例えばMAC法MarkerandCellmethod、ALE法およびVOF法VolumeofFluidmethod等の種々の手法を採用することができる。以下では例としてVOF法を用いて解析を行う場合について説明する。解析においては、解析空間に流体率fなる値を仮定する。流体率fは、図4に示すように、解析空間で気体または真空が占める領域気相においてf=0.0、液体が占める領域液相においてf=1.0の値を持ち、解析空間の各位置における液相の割合を示す値である。VOF法による気液二相流解析では、まず解析空間において、気液界面における表面張力Fs、重力G、その他の外力Fextを作用させた下記式3のNavierStokes方程式と、下記式4の連続の式から解析空間の各位置における流体速度uおよび圧力pが計算される。式3において、ρは各位置における流体密度、μは各位置における流体の粘性係数である。また、本実施形態では、非圧縮流体を仮定した。次に、流体速度uにより液体および気体が輸送されると考え、下記式5の流体率fの輸送方程式を解き、解析空間における流体率fの分布が計算される。また、流体密度ρおよび粘性係数μは、流体率f、気体の密度ρg、液体の密度ρl、気体の粘性係数μg、液体の粘性係数μlから、下記式6および7を用いて算出される。時刻tごとに上記の解析を行うことで、解析空間における液相の時間的変化を予測することができる。上記式3のNavierStokes方程式に含まれる表面張力Fsの計算にはCSFモデルを仮定する。このモデルにより、下記式8および9を用いて流体率fの分布から表面張力Fsを体積力として計算することができる。式8において、σは液体の表面張力係数であり、ρは各位置における液体密度と気体密度の平均値である。κは気液界面の曲率であり、気液界面の法線ベクトルnを用いて式9によって得られる。以上のように、式3~8を基本方程式系として、気液二相流解析が行われ、気液界面の動的挙動を予測することができる。実際の数値解析においては、前述したように解析空間が複数の計算格子に分割され、有限体積法によって上記方程式系が離散化されて計算が行われる。複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測するためのシミュレーション方法においては、解析面A上における固体、液体および気体の三相界面、すなわち接触線の挙動の再現が重要である。本発明では、接触線の挙動解析において、パターン形成面に起因する液滴の濡れ広がりの異方性が考慮されている。これは、解析面A上の上記異方性に応じて濡れ性パラメータに分布を持たせることにより実現される。前述の気液二相流解析においては、固液間の濡れ性は解析面A上の境界条件としてモデル化されている。本実施形態では、図5に示されるように、濡れ性パラメータとして接触角θcを取り扱い、パターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の影響を接触角に基づく濡れ性として取り扱うモデルを導入している。シミュレーション条件として、解析面Aと液滴との間に接触角が設定される。一般的な解析方法では、シミュレーションの各時刻において、接触線上の位置に関わらず、接触線上における気液界面の法線ベクトルnaと解析面Aの法線ベクトルnbとのなす角が設定した一定の接触角θcになるように、気液界面の法線ベクトルnaが修正されることで流体率fの輸送に濡れ性が反映される。気液界面の法線ベクトルとは、液滴の表面に垂直な単位ベクトルであって気体側へ向くベクトルを意味する図5。解析面の法線ベクトルとは、解析面に垂直な単位ベクトルであって液体側または気体側へ向くベクトルを意味する図5。しかし、本発明では、接触線の挙動解析において、パターン形成面Pを規定する凹凸パターン1に起因する液滴の濡れ広がりの異方性を考慮するために、接触線の法線ベクトル方向とパターン軸方向Dpとの関係で接触線における接触角が設定される。具体的には、図6に示されるように、濡れ性データベースから取得できる接触角θcpおよび接触角θcvを用いて、接触線CL上のそれぞれの位置における接触角θcは下記式1によって求められる。なお、図6に示されるVpはパターン軸方向Dpと平行な接触線CLの法線ベクトル方向を表し、Vvはパターン軸方向Dpと垂直な接触線CLの法線ベクトル方向を表す。式1において、φは、接触線CL上のそれぞれの位置におけるこの接触線CLの法線ベクトル方向Vcとパターン軸方向Dpとの成す角を表す。そして、接触線CL上のそれぞれの位置において、気液界面の法線ベクトルnaと解析面Aの法線ベクトルnbとの成す角が上記接触角θcになるように、上記気液界面の法線ベクトルnaを修正することにより、取得した濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析が行われる。第6のステップ第6のステップでは、第5のステップによる解析結果が、複数の液滴による合一膜の高さ分布として出力される。この高さ分布を参照することにより、複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測することが可能となる。シミュレーション方法、シミュレーションプログラムおよびそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の第2の実施形態次に、本発明のシミュレーション方法等の第2の実施形態について説明する。本実施形態では、第7のステップをさらに備えて、複数の液滴の配置を最適化するように解析を行う点が主に第1の実施形態と異なる。したがって、第1の実施形態と同様の構成要素についての詳細な説明は特に必要のない限り省略する。図7は、本実施形態のシミュレーション方法の工程を示すブロック図である。本実施形態のシミュレーション方法は、微細な凹凸パターン1により規定されるパターン形成面Pであって液滴の濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面Pに配置された複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測するためのシミュレーション方法であって、必須のパラメータとして、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の仕様と、このパターン形成面Pに配置される液滴の材料の密度、粘性係数および表面張力とを取得し、選択可能なパラメータとして、凹凸パターン1を構成する材料からなる平面上でのその液滴の接触角、または、その液滴の材料と凹凸パターン1を構成する材料との間の界面張力および凹凸パターン1を構成する材料の表面張力の組み合わせを取得した後、解析対象であるパターン形成面Pがモデル化された解析面A上で、このパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の形状に対応してパターン軸方向Dpを設定する第1のステップと、解析面A上にモデル化された複数の液滴であって下記式2により決まる最大個数ndrop以下の個数ninitの液滴を上記複数の液滴として配置する第2のステップと、基準となる複数のパターン形成面のそれぞれにおける濡れ性を示す濡れ性パラメータであって、この複数のパターン形成面をそれぞれ規定する凹凸パターンの仕様ごとに対応した濡れ性パラメータを構成要素に含む濡れ性データベースを参照する第3のステップと、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1の仕様に対応する濡れ性パラメータを濡れ性データベースに基づいて取得する第4のステップと、解析対象であるパターン形成面Pを規定する凹凸パターン1が液滴の濡れ広がりに与える影響を解析面Aにおける濡れ性として取り扱って、取得した濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析により、解析面A上での複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を解析する第5のステップと、この第5のステップによる解析結果を、複数の液滴による合一膜の高さ分布として出力する第6のステップと、第6のステップで得られた高さ分布に基づいて、この高さ分布の中に高さが所定の閾値高さと一致しない部分がある場合に、複数の液滴の解析面A上での配置を調整し、および/または、最大個数ndropを超えない範囲で複数の液滴の個数を増加させる第7のステップとを備え、配置が調整されおよび/または個数が増加された複数の液滴について、第5のステップから第7のステップまでを、高さ分布の中に高さが上記所定の閾値高さと一致しない部分がなくなるまで繰り返し実施して、複数の液滴の配置を最適化するものである。式2において、Vfilmは解析面A上に形成しようとする所望の合一膜の体積を表し、vdropは液滴1つ当たりの体積を表し、intは括弧内の数値の小数点以下を切り捨てることを表す。また、本実施形態のシミュレーションプログラムおよびそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるものである。複数の液滴の濡れ広がりおよび合一を予測する場合には、凹凸パターン1上に形成したい合一膜の体積が予め決定されている場合もありうる。この場合、パターン形成面P上に配置する液滴の個数が、液滴の配置手段例えばインクジェットヘッドの吐出量との関係で決まる。そこで、本実施形態のシミュレーション方法は、所望の合一膜の体積と吐出される液滴1つ当たりの体積との関係から式2により決まる個数ndropの液滴の配置を最適化するものである。これにより、合一膜を形成する上で残留気体による欠陥となる領域、つまり気相と解析面Aとが接触する領域を最小化する液滴配置を予測することが可能となる。例えば、図8に示されるように、微細な凹凸パターンが形成された表面を有するモールドを用いて、インクジェット法によりナノインプリントを実施し、パターン転写されたレジスト膜を形成する場合を考える。解析対象であるモールドの凹凸パターンの凹部の幅、深さ、長さおよび個数をそれぞれ、Wr、H、LおよびNとし、解析面Aの面積をSとし、硬化後のレジスト膜の解析面Aからの高さナノインプリントにおいて、いわゆる残膜の厚さに相当するをhとすると、液滴の所望の合一膜5つまり硬化前のレジスト膜の体積Vfilmは下記式10により得られる。式10において、αは硬化に伴うレジスト膜の収縮率を表す。シミュレーション解析によって、残留気体による欠陥を最小化する液滴配置を予測する場合、液滴の初期配置からの修正が重要となる。この液滴の初期配置からの修正は、特に本実施形態における第7のステップにより実現される。第2のステップ本実施形態における第2のステップでは、解析面A上にモデル化された複数の液滴であって式2により決まる最大個数ndrop以下の個数ninitの液滴が初期配置される。初期配置後の段階で液滴の足りない領域に液滴を柔軟に配置するための液滴を残しておくために、最大個数ndropよりも少ない個数ninitの液滴を最初に配置するようにしてもよい。初期配置の段階では、配置は特に限定されず、例えば解析面A上のドロップサイトに均等に配置される。第7のステップ第7のステップでは、第6のステップで得られた高さ分布に基づいて、この高さ分布の中に高さが所定の閾値高さと一致しない部分がある場合に、複数の液滴の解析面A上での配置が調整され、および/または、最大個数ndropを超えない範囲で複数の液滴の個数が増加される。上記所定の閾値高さは液滴の所望の合一膜の解析面からの高さである。高さ分布の中に高さが所定の閾値高さと一致しない部分とは、当該部分の高さが解析の精度の観点から所定の閾値高さと実質的に一致することをいう。実質的な一致の範囲は、必要とする解析の精度によるが、例えば所定の閾値高さを中心とした±10の範囲であることが好ましい。第2のステップで初期配置が決定したら、その後第3のステップから第6のステップが実行され、気液二相流解析により液滴の濡れ広がりおよび合一のシミュレーションが実施される。シミュレーション解析の結果から、解析空間内における合一膜の高さ分布を得ることができ、この高さ分布から各位置における気液界面の高さおよび残留気体による欠陥を見積もることができる。所望の均一な合一膜を形成するためには、上記勾配膜厚のムラに相当するおよび上記欠陥をなくすように、複数の液滴の配置を調整し、複数の液滴の個数を増加させることが重要となる。液滴の配置の修正は、例えば図9に示されるように実施される。まず、第2のステップにより個数ninitの液滴がドロップサイトDSに初期配置された後図9a、第3から第6の各ステップが実施され、所望する充填時間が経過するまでまたは界面分布が準定常状態になるまで解析が実施される図9b。このとき第6のステップで得られた高さ分布に基づいて、解析面A上で高さが所定の閾値高さよりも高い領域と、解析面A上で高さが所定の閾値高さよりも低い領域とを検出する。高さが所定の閾値高さよりも高い領域では液滴が過剰であることを表し、低い領域では液滴が不足していることを表す。したがって、これらの領域における気液界面の高さを調整するため、高さが所定の閾値高さよりも高い領域に関して、その領域近傍のドロップサイトDSaに配置された液滴6aを移動させまたは除去することにより複数の液滴の配置を調整し、一方高さが所定の閾値高さよりも低い領域に関して、その領域近傍のドロップサイトDSbに液滴6bを追加することにより複数の液滴の個数を増加させる図9c。高さが所定の閾値高さよりも高い領域に関して、気液界面の勾配に応じて液滴6aを移動させまたは除去することが好ましい。例えば、気液界面の勾配がある閾値よりも大きいときは、界面勾配ベクトル方向の隣接するドロップサイトに対象の液滴を移動する。また勾配が閾値よりも小さい場合や、移動先のドロップサイトに液滴がすでに配置されている場合は、対象の液滴をドロップサイトより除去する。高さが所定の閾値高さよりも低い領域に関して、全体の液滴の個数が最大個数ndropになるまで、残留気体の欠陥の大きい順に液滴の個数を増加させることが好ましい。液滴配置の最適化そして、上記のように配置が調整されおよび/または個数が増加された複数の液滴について、第5のステップから第7のステップまでを、高さ分布の中に高さが上記所定の閾値高さと一致しない部分がなくなるまで繰り返し実施して、複数の液滴の配置が最適化される。高さ分布の中に高さが上記所定の閾値高さと一致しない部分がなくなった段階では、液滴の個数は最大個数ndropとなる。最後に行った第5のステップによる解析結果として得られた複数の液滴の配置が、当該解析における最適化された液滴配置となる。液滴配置パターン上記のように第1のステップから第7のステップまでの各ステップを必要な回数だけ実施して、最後に行った第5のステップによる解析結果として得られた最適化された複数の液滴の配置に基づいて、液滴配置パターンが作成される。この液滴配置パターンは、インクジェット等により液滴を配置する際の基準として使用される。ナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置の実施形態以下、本発明のシミュレーション方法を利用したナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置の実施形態について説明する。本実施形態のナノインプリント方法は、上記に記載のシミュレーション方法により作成された液滴配置パターンに従って、後述するインクジェット装置により被加工基板の加工対象である表面上に、レジストからなる複数の液滴を配置し、解析対象であるパターン形成面を有するモールドを用いて、このパターン形成面と加工対象である上記表面とを対向させながら、この表面に配置された複数の液滴にモールドを押し付けて、レジスト膜を形成し、このレジスト膜を硬化させた後、このレジスト膜からモールドを剥離することを特徴とするものである。さらに、本実施形態に係るパターン化基板の製造方法は、上記に記載のナノインプリント方法により、モールドの凹凸パターンが転写された硬化性樹脂からなるレジスト膜を被加工基板上に形成し、このレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行って、このレジスト膜に転写された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを被加工基板に形成してパターン化基板を得ることを特徴とするものである。さらに、本実施形態に係るインクジェット装置10は、図10から12に示されるように、上記に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させるためのシミュレーションプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体101を備えたことを特徴とするものである。モールド本実施形態で使用するモールドは、例えば以下の手順により製造することができる。まず、Si基材上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、PMMAポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂などを主成分とするフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成する。その後、Si基材にレーザー光又は電子ビームを所望の凹凸パターンに対応して変調しながら照射し、フォトレジスト層表面に凹凸パターンを露光する。その後、フォトレジスト層を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、所定の凹凸パターンを有するSiモールドを得る。本発明のインプリント方法で用いられるモールドは、レジストとモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。離型処理に使用される離型剤としては、フッ素系のシランカップリング剤、および、例えばダイキン工業株式会社製のオプツールDSXや住友スリーエム株式会社製のNovecEGC1720等の市販の離型剤を好適に用いることができる。一方、本実施形態ではSiモールドを用いた場合について説明するが、モールドはこれに限られず、石英モールドを用いることも可能である。この場合、石英モールドは上記のSiモールド製造法と同様の方法や、後述する基板の加工方法等により製造することができる。レジストレジストは、特に制限されるものではないが、本実施形態では例えば重合性化合物に、光重合開始剤2質量程度、フッ素モノマー0.1~1質量を加えて調製されたレジストを用いることができる。また、必要に応じて酸化防止剤1質量程度を添加することもできる。上記の手順により作成したレジストは波長360nmの紫外光により硬化することができる。溶解性の悪いものについては少量のアセトンまたは酢酸エチルを加えて溶解させた後、溶媒を留去することが好ましい。上記重合性化合物としては、ベンジルアクリレートビスコート160:大阪有機化学株式会社製、エチルカルビトールアクリレートビスコート190:大阪有機化学株式会社製、ポリプロピレングリコールジアクリレートアロニックスM-220:東亞合成株式会社製、トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレートアロニックスM-310:東亞合成株式会社製等の他、下記構造式1で表される化合物等を挙げることができる。構造式1:また、上記光重合開始剤としては、22メチル14フェニル1ブタノンIRGACURE379:豊通ケミプラス株式会社製等のアルキルフェノン系光重合開始剤を挙げることができる。また、上記フッ素モノマーとしては、下記構造式2で表される化合物等を挙げることができる。構造式2:本発明において、レジスト材料の粘度は8~20cPであり、レジスト材料の表面エネルギーは25~35mN/mである。ここで、レジスト材料の粘度は、RE-80L型回転粘度計東機産業株式会社製を用い、25±0.2°Cで測定した値である。測定時の回転速度は、0.5cP以上5cP未満の場合は100rpmとし、5cP以上10cP未満の場合は50rpmとし、10cP以上30cP未満の場合は20rpmとし、30cP以上60cP未満の場合は10rpmとした。また、レジスト材料の表面エネルギーは、UVnanoimprintmaterialsSurfaceenergiesresiduallayersandimprintqualityHSchmittLFreyHRysselMRommelCLehrerJVacSciTechnolBVolume25Issue32007Pages785790に記載の方法を用いた。具体的には、UVオゾン処理をしたSi基板と、オプツールDSXダイキン株式会社製により表面処理をしたSi基板の表面エネルギーをそれぞれ求め、両基板に対するレジスト材料の接触角からレジスト材料の表面エネルギーを算出した。被加工基板被加工基板は、Siモールドに対してはレジストへの露光を可能とするために石英基板が好ましい。石英基板は、光透過性を有していれば、特に制限されることなく目的に応じて適宜選択される。また、表面がシランカップリング剤で被覆された石英基板を使用することもできる。さらに、表面に1層以上の積層構造を有するマスク層が形成された石英基板を使用することもできる。マスク層を構成する各層の材料は、特にクロム、タングステン、チタン、ニッケル、銀、白金、金などからなる金属、並びにこれらの酸化物および窒化物が好ましい。さらにマスク層は、クロム、クロム酸化物またはクロム窒化物を含有する層を少なくとも1層有することが好ましい。マスク層の厚みは、通常30nm以下、好ましくは20nm以下にする。30nmを超えるとUV透過性が低下し、レジストの硬化不良が起こりやすいためである。なお、マスク層の表面をシランカップリング剤により被覆することもできる。上記光透過性を有するとは、具体的には、被加工基板のレジスト膜が形成される一方の面から光が出射するように基板の他方の面から光が入射した場合において、レジスト膜が十分に硬化できる程度の光が透過することを意味し、波長200nm以上の光の透過率が5以上であることを意味する。石英基板の厚みは、通常0.3mm以上が好ましい。石英基板の厚さが0.3mm未満では、ハンドリングやインプリント中の押圧で破損しやすい。なお石英は溶融石英であることが好ましい。一方、被加工基板は、石英モールドに対しては、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。形状としては、例えば、情報記録媒体である場合には、円板状である。構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、シリコン、ニッケル、アルミニウム、ガラスおよび樹脂等が挙げられる。これらの基板材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。被加工基板は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。被加工基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.05mm以上が好ましく、0.1mm以上がより好ましい。基板の厚みが0.05mm未満であると、モールドとの密着時に被加工基板側に撓みが発生し、均一な密着状態を確保できない可能性があるためである。レジストの液滴配置方法レジストの液滴配置方法としてはインクジェット法やディスペンス法など所定の量の液滴を被加工基板またはモールド上の所定の位置に配置できる方法を用いる。被加工基板上にレジストの液滴を配置する際は、所望の液滴量に応じてインクジェットプリンターまたはディスペンサーを使い分けても良い。例えば、液滴量が100nl未満の場合はインクジェットプリンターを用い、100nl以上の場合はディスペンサーを用いるなどの方法がある。レジストをノズルから吐出するインクジェットヘッドには、ピエゾ方式、サーマル方式、静電方式などが挙げられる。これらの中でも、液適量配置された液滴1つ当たりの量や吐出速度の調整が可能なピエゾ方式が好ましい。被加工基板上にレジストの液滴を配置する前には、あらかじめ液滴量や吐出速度を設定及び調整する。例えば、液適量は、モールドの凹凸パターンの空間体積が大きい領域に対応する被加工基板上の位置では多くしたり、モールドの凹凸パターンの空間体積が小さい領域に対応する被加工基板上の位置では少なくしたりして調整することが好ましい。このような調整は、液滴吐出量吐出された液滴1つ当たりの量に応じて適宜制御される。具体的には、液滴量を5plと設定する場合には、液滴吐出量が1plであるインクジェットヘッドを用いて同じ場所に5回吐出するように、液滴量を制御する。液滴量は、例えば事前に同条件で同じ材質の基板上に吐出した液滴の3次元形状を共焦点顕微鏡等により測定し、その形状から体積を計算することで求められる。上記のようにして液滴量を調整した後、所定の液滴配置パターンに従って、被加工基板上に液滴を配置する。液滴配置パターンは、本発明のシミュレーション方法に基づき作成される。モールドとレジストの接触工程モールドとレジストを接触する前に、モールドと被加工基板間の雰囲気を減圧または真空雰囲気にすることで残留気体を低減する。ただし、高真空雰囲気下では硬化前のレジストが揮発し、均一な膜厚を維持することが困難となる可能性がある。そこで、好ましくはモールドと被加工基板間の雰囲気を、He雰囲気または減圧He雰囲気にすることで残留気体を低減する。Heは石英基板を透過するため、取り込まれた残留気体Heは徐々に減少する。Heの透過には時間を要すため減圧He雰囲気とすることがより好ましい。減圧雰囲気は、1~90kPaであることが好ましく、1~10kPaが特に好ましい。モールドおよびレジストが塗布された被加工基板は、所定の相対位置関係となるように両者が位置合わせされた後に接触させられる。位置合わせにはアライメントマークを用いることが好ましい。アライメントマークは光学顕微鏡やモアレ干渉法等で検出可能な凹凸パターンで形成される。位置合わせ精度は好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、更に好ましくは100nm以下である。モールドの押付け工程モールドの押し付け圧は、100kPa以上、10MPa以下の範囲で行う。圧力が大きい方が、レジストの流動が促進され、また残留気体の圧縮、残留気体のレジストへの溶解、石英基板中のHeの透過も促進し、除去率向上に繋がる。しかし、加圧力が強すぎるとモールド接触時に異物を噛みこんだ際にモールドおよび被加工基板を破損する可能性がある。よって、モールドの押し付け圧は、100kPa以上、10MPa以下が好ましく、より好ましくは100kPa以上、5MPa、更に好ましくは100kPa以上、1MPa以下となる。100kPa以上としたのは、大気中でインプリントを行う際、モールドと被加工基板間が液体で満たされている場合、モールドと被加工基板間が大気圧約101kPaで加圧されているためである。モールドの剥離工程モールドを押し付けてレジスト膜を形成した後、モールドをレジスト膜から剥離する。剥離させる方法としては、例えばモールドまたは被加工基板のどちらかの外縁部を保持し、他方の被加工基板またはモールドの裏面を吸引保持した状態で、外縁の保持部もしくは裏面の保持部を押圧と反対方向に相対移動させることで剥離させる方法が挙げられる。インクジェット装置図10は、インクジェット法を用いてレジストを離散的に配置するレジスト配置装置としてのインクジェット塗布装置の概略構成を示す斜視図である。図10に示すように、本実施形態のインクジェット塗布装置10は、支持台12上に垂直に立てられた2本の支柱14の間に渡した梁16に沿って移動するヘッド保持移動手段18の下部先端に回転可能なステージを介して取り付けられたインクジェットヘッド20、同じくヘッド保持移動手段18に取り付けられたワークアライメント手段22、支持台12上に設けられ、その上に半導体等の基板であるワーク26を載置するワーク保持移動手段24、インクジェットヘッド20のノズル面を観察するノズル面観察手段28、吐出状態観察手段3030a、30b、及びインクジェットヘッド20のノズル面をメンテナンスするメンテナンス手段32等を含んで構成されている。ヘッド保持移動手段18は、その先端部にインクジェットヘッド20を保持し、インクジェットヘッド20を、梁16に沿った方向に移動させる移動手段、インクジェットヘッド20からの吐出方向を中心とした回転移動をさせる回転ステージ、吐出方向図中の座標系の上下方向に移動させる移動手段を備えている。インクジェットヘッド20を吐出方向に移動させることにより、インクジェットヘッド20から吐出されたレジスト以後、単にレジストという場合もあるがワーク26に着弾するまでの飛翔距離を調整することができる。また、梁16に沿った方向に移動させたり回転移動させたりすることによっても、ワーク26上に着弾するレジストの着弾間隔を調整することが可能である。梁16に沿った方向への移動手段や吐出方向への移動手段のように直線的な動きをする場合の移動手段としては、リニアモータ等が好適に例示される。また正確な移動制御を行うために位置検出手段としてリニアエンコーダを備えている。また、回転手段としては、ステッピングモータ等を用いることができ、これにも位置検出手段としてエンコーダが設置されている。インクジェットヘッド20は、ノズルからレジストを吐出するものである。インクジェットヘッド20の駆動方式は特に限定されるものではなく、ピエゾ方式、サーマル方式あるいは静電方式など様々な方式を採用することができる。しかし、ナノインプリント用のレジストを吐出する本実施形態の場合には、液滴量や吐出速度の調整が容易なピエゾ方式が好ましい。本実施形態では、ピエゾ方式を採用する。また、詳しくは後述するが、ピエゾ圧電素子アクチュエータを駆動する駆動波形電圧波形をレジスト中のポリマー含有量に応じて様々に調整することにより、レジストの吐出速度、吐出体積及びワーク26上への着弾位置等が調整される。また、インクジェットヘッド20に対してレジストを供給するレジスト供給系については後述する。ワークアライメント手段22は、ワーク基板26の位置調整を行うために、その位置検出を行うものである。ワークアライメント手段22は、ワーク26のアライメントを検出するアライメントカメラ、及びダミーワークに対して位置検出のために着弾させたレジストの着弾位置を検出する着弾位置検出カメラ等を備えている。ワーク保持移動手段24は、ワーク26を吸着、保持して移動するものであり、ワーク26を吸着する手段を備えている。吸着手段の吸着方法は特に限定されるものではなく、真空吸着でも静電吸着でも良い。また、ワーク保持移動手段24は、ワーク26を保持して第1の方向とそれに直交する第2の方向x-y方向に移動するリニアモータ等の移動手段と、位置検出手段としてリニアエンコーダを備えている。また、ワーク保持移動手段24は、ワーク26を保持して、インクジェットヘッド20の吐出方向と平行なワーク法線方向を中心に回転可能なステッピングモータ等の回転手段と、位置検出のためのエンコーダを備えている。ノズル面観察手段28は、インクジェットヘッド20のノズル面を観察することでメンテナンスが必要かどうかの判断やヘッド交換の判断等に利用するものである。ノズル面観察手段28は、ノズル状態を観察するための光源及びレンズ、カメラを備えている。ノズル面を観察する場合には、ヘッド保持移動手段18によりインクジェットヘッド20をノズル面観察手段28の真上に移動させる。吐出状態観察手段3030a、30bは、インクジェットヘッド20のノズルから吐出されたレジストの飛翔状態を観察するためのものである。吐出状態観察手段30は、飛翔状態を観察するための光源、レンズ及びカメラを備えている。すなわち、吐出状態観察手段30は、発光手段光源30aが発光した検出光を受光手段カメラ30bで受光し、検出光の中を飛翔するレジストによる光の変化を検出して吐出状態を観察し、吐出速度を計測する。吐出状態を観察する場合には、検出光の中をレジストが飛翔するように、吐出状態観察手段30またはインクジェットヘッド20を移動して観察する。メンテナンス手段32は、インクジェットヘッド20の状態を良好に保つためのものである。そのため、メンテナンス手段32は、ノズル面に付着したレジスト等のクリーニングのためのワイパーやノズル内のレジストが乾燥するのを防止するためのキャップ等を備えている。また、キャップは、ノズルからレジストを吸引してインクジェットヘッド20内の気泡等の異物を除去するときのキャップとしても利用される。図11は、レジスト供給系の構成を示す概略図である。図11に示すように、本実施形態のレジスト供給系は、レジストを貯蔵するレジスト供給タンク50からインクジェットヘッド20にレジストを供給するためのものであり、各部は管路チューブで繋がれている。レジスト供給タンク50は、インクジェットヘッド20にレジストを供給するための基タンクであり、加熱冷却手段温調手段52と温度センサ54が設置されている。また、レジスト供給タンク50の下流に、レジストを汲み上げインクジェットヘッド20に送液するためのポンプ56が設けられている。また、レジスト供給タンク50とインクジェットヘッド20を繋ぐ管路の途中には、ポリマー不純物を取り除くフィルタ58及び気泡、溶存気体を除去するための脱気装置60が設けられている。フィルタ58は、特に限定されないが、超高分子量ポリエチレンUPEメンブレン、ナイロンメンブレンが利用される。フィルタ58のフィルタメッシュサイズはインクジェットヘッド20のノズル径と同等もしくはノズル径以下とすることが好ましい。また、脱気装置60には、液トラップ部62とポンプ64が接続されている。また、脱気装置60とインクジェットヘッド20とを結ぶ管路Aにはサブタンク66が設けられるとともに、サブタンク66を迂回するもう一つの管路Bが設けられており、管路Bにはポンプ68が設置されている。また、管路A及び管路Bにはそれぞれ弁70及び72が設けられ、弁70及び72を開閉制御することにより管路Aと管路Bを切り換えることができるようになっている。通常の描画時には、弁70を開き弁72を閉じて管路Aからレジストを供給し、初期充填時やパージ時には、弁70を閉じ弁72を開いて管路Bを通すようにする。サブタンク66内には膜67があり、膜67の上側の空間に弁74を介してポンプ76でエアーを供給吸引して膜67上部空間の圧力を制御することにより膜67の下側のレジストの圧力を制御するようになっている。これにより、ノズル内のレジストのメニスカス圧力を調整することができる。また、サブタンク66には、レジストの圧力を検出するための圧力センサ80が設けられている。このように、膜67を有し、弁74を介してポンプ76が設置されたサブタンク66は、ノズル内のレジストのメニスカス圧力を調整するメニスカス圧力調整手段の機能を有する。さらに、サブタンク66には、加熱冷却手段温調手段78及び温度センサ82が設けられており、サブタンク66とレジスト供給タンク50とは、それぞれ独立して温度調整が可能なように構成されている。また、インクジェットヘッド20にも、加熱冷却手段温調手段84及び温度センサ86が設けられており、ここでもレジストの温度制御が可能になっている。インクジェットヘッド20に対して、ノズルの乾燥防止またはノズル近傍のレジスト粘度上昇を防止するための手段として、メンテナンス手段32のキャップ88が設けられている。キャップ88は、必要に応じて所定の退避位置からインクジェットヘッド20下方のメンテナンス位置に移動される。キャップ88は、インクジェットヘッド20のノズル面を覆うことができるようになっている。また図示を省略するがメンテナンス手段32は、ノズル面を拭き取り清掃するクリーニングブレードを有している。描画中または待機中において、特定のノズルの使用頻度が低くなり、そのノズル近傍のレジスト粘度が上昇した場合、粘度が上昇して劣化したレジストを排出すべく、キャップ88に向かって予備吐出が行われる。また、万一フィルタ58や脱気装置60によって取り残した気泡がノズル内に混入したり、ノズル内のレジスト粘度の上昇があるレベルを超えたりすると予備吐出ではレジストを吐出できなくなるため、その場合には、インクジェットヘッド20のノズル面にキャップ88を当て、吸引ポンプ90でインクジェットヘッド20内のレジストを吸引し、吸引除去したレジストを回収タンク92に回収する。また、弁70を閉じ弁72を開いて管路Bを通す状態にして、ポンプ68を稼働させてレジストをインクジェットヘッド20に強制的に送り、ノズルからインクを排出パージすることで気泡等を取り除くことも出来る。ただし、このような吸引動作やパージ動作は、インクジェットヘッド20内のレジスト全体に対して行われるため、レジスト消費量が大きい。従って、粘度上昇が少ない場合は、なるべく予備吐出を行うことが好ましい。なお、キャップ88は、吸引手段として機能するとともに、予備吐出のレジスト受けとしても機能する。また、キャップ88の内側が仕切り壁によってノズル列に対応した複数の領域に分割され、これら仕切られた各領域を選択的に吸引できる構成とすることが好ましい。図12は、インクジェット装置の制御系のシステム構成を示す概略図である。インクジェット装置の制御系は、通信インターフェース通信I/F102、システムコントローラ104、画像メモリ106、プリント制御部108、ヘッドドライバ110、画像バッファメモリ112、レジスト供給制御部116、メンテナンス制御部118、観察制御部122、ロードアンロード制御部124、アライメント制御部126、モータ制御部130等を備えている。通信インターフェース102は、ホストコンピュータ100から送られてくる後述する液滴配置パターン及びレジスト情報粘度、表面エネルギー、等の物性値を受信するインターフェース部である。通信インターフェース102には、USB、IEEE1394、イーサネット登録商標、無線ネットワークなどのシリアルインターフェースやセントロニクスなどのパラレルインターフェースを適用することができる。この部分には、通信を高速化するためのバッファメモリを搭載してもよい。ホストコンピュータ100から送出された液滴配置パターン及びレジスト情報は、通信インターフェース102を介してシステムコントローラ104に取り込まれ、一旦画像メモリ106に記憶される。画像メモリ106は、通信インターフェース102を介して入力された液滴配置パターン及びレジスト情報を一旦格納する記憶手段であり、システムコントローラ104を通じて情報の読み書きが行われる。画像メモリ106は、半導体素子からなるメモリに限らず、ハードディスクなどの磁気媒体を用いてもよい。システムコントローラ104は、通信インターフェース102、画像メモリ106、プリント制御部108、ヘッドドライバ110等の各部を制御する制御部である。システムコントローラ104は、中央演算処理装置CPU及びその周辺回路等から構成され、ホストコンピュータ100との間の通信制御、画像メモリ106の読み書き制御等を行うとともに、レジスト供給制御部116、メンテナンス制御部118、観察制御部122、ロードアンロード制御部124、アライメント制御部126、モータ制御部130等の各制御部を制御する制御信号を生成する。プリント制御部108は、システムコントローラ104の制御に従い、画像メモリ106内の液滴配置パターン及びレジスト情報から印字描画制御用の信号駆動波形を生成するための各種加工、補正などの処理を行う信号処理機能を有し、生成した印字制御信号駆動波形をヘッドドライバ110に供給する制御部である。プリント制御部108において所要の信号処理が施され、該液滴配置パターンに基づいてヘッドドライバ110を介してインクジェットヘッド20のレジストの吐出量や吐出タイミングの制御が行われる。これにより、ワーク26上に着弾するレジストの所望の液滴サイズや液滴配置が実現される。プリント制御部108には画像バッファメモリ112が備えられており、プリント制御部108におけるレジスト情報処理時にレジスト情報やパラメータなどのデータが画像バッファメモリ112に一時的に格納される。なお、図12において、画像バッファメモリ112はプリント制御部108に付随する態様で示されているが、画像メモリ106と兼用してもよい。さらに、プリント制御部108とシステムコントローラ104とを統合して一つのプロセッサで構成する態様も可能である。ヘッドドライバ110は、プリント制御部108から与えられる駆動波形に基づいてインクジェットヘッド20を駆動し、インクジェットヘッド20からレジストを吐出する。ヘッドドライバ110には、ヘッドの駆動条件を一定に保つためのフィードバック制御系を含んでもよい。レジスト供給制御部116は、レジスト供給部114図11に示すレジスト供給系の主に各ポンプを駆動してレジスト供給タンク50からレジストをインクジェットヘッド20に送液する。メンテナンス制御部118は、メンテナンス手段32を制御するものであり、メンテナンスが必要なときには、メンテナンス手段32のキャップをインクジェットヘッド20のノズル面に対向させて予備吐出やパージを行ったり、キャップをノズル面に当てて粘度が高くなったレジストを吸引したりして、メンテナンス動作を行う。観察制御部122は、ノズル面観察手段28や吐出状態観察手段3030a、30b等の観察部120を制御する。ロードアンロード制御部124は、ロードアンロード部4848a、48bを制御する。アライメント制御部126は、アライメント部ワークアライメント手段22を制御し、ワークの位置調整を行う。モータ制御部130は、モータ部128を制御して、ヘッド保持移動手段18、ワーク保持移動手段24等を駆動する。基板の加工方法次に、本発明の基板の加工方法の実施形態について説明する。本実施形態では、Siモールドを原盤として、前述したナノインプリント方法を用いて基板の加工を行う。まず、ナノインプリント方法を用いてパターン転写されたレジスト膜を被加工基板の一方の面に形成する。次に、パターン転写されたレジスト膜をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを被加工基板上に形成して、所定のパターンを有する基板を得る。一方、被加工基板が積層構造を有しており表面上に金属層を含む場合には、レジスト膜をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを当該金属層に形成し、その金属薄層をエッチストップ層にして被加工基板にさらにドライエッチングを行い、凹凸パターンを被加工基板上に形成して、所定のパターンを有する基板を得る。ドライエッチングとしては、被加工基板に凹凸パターンを形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチングRIE、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチングRIEが特に好ましい。イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にArなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成する。これを、グリッドを通して加速させ、試料基板に衝突させてエッチングするものである。イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ECR電子サイクロトロン共鳴型などが挙げられる。イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Arガス、RIEのエッチャントとしては、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いることができる。以上のように、本発明の基板の加工方法は、マスクとして、上記に記載のナノインプリント方法により形成された、残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥のないレジスト膜を用いてドライエッチングを行っているから、高精度で歩留まりよく基板を加工することが可能となる。本発明の実施例を以下に示す。モールドの作製Si基材上に、スピンコートによりPMMApolymenthylmethacrylateなどを主成分とするフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成した。その後、Si基材をXYステージ上で走査しながら、線幅60nm、ピッチ120nmのラインパターンに対応して変調した電子ビームを照射し、3mm角の範囲のフォトレジスト層全面に直線状凹凸パターンを露光した。また、3mm角領域の4隅に対応する位置の外側に線幅10um、長さ50umの線が交差した十字パターンを露光した。その後、フォトレジスト層を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにしてRIEにより溝深さが60nmになるように選択エッチングを行い、直線状凹凸パターンと十字型のアライメントマークを有するSiモールドを得た。上記Siモールドの表面をダイキン工業株式会社製のオプツールDSXで処理することにより、離型性を向上させた。レジスト上記構造式1で表される化合物を48w、アロニックスM220を48wt.、IRGACURE379を3、上記構造式1で表される化合物を1w含有するレジストを調整した。基板基板には厚さ0.525mmの石英基板を使用した。石英基板にはモールドのアライメントマークに対応する位置に、同じ寸法の十字型アライメントマークをあらかじめ形成した。石英基板の表面に、レジストとの密着性に優れるシランカップリング剤であるKBM-5103により表面処理をした。KBM-5103をPGMEAで1質量に希釈し、スピンコート法により基板表面に塗布した。続いて、このシランカップリング剤溶液が塗布された基板をホットプレート上で120°C、20分の条件でアニールし、シランカップリング剤を基板表面に結合させた。レジストの塗布工程ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるFUJIFILMDimatix社製DMP-2831を使用した。インクジェットヘッドには専用の10plヘッドであるDMC-11610を使用した。液滴量が10plとなるように、あらかじめ吐出条件を設定及び調整した。上記のようにして液滴量を調整した後、所定の液滴配置パターンに従って、基板上に液滴を配置する。液滴配置パターンは、後述する方法により作成した。液滴配置パターン作成工程実施形態に示したシミュレーション手法により、次のような手順で液滴配置パターンの作成を行った。はじめに、対象となるモールド上に解析空間を設定した。解析空間に対して初期配置を決定した。次に、得られた初期配置を基に解析空間内に初期の流体率分布を設定し、液滴の濡れ広がりおよび合一のシミュレーション解析を実行した。このとき、モールド面上における濡れ性は、その凹凸パターンの仕様に対応する濡れ性パラメータとして異方性を持って与えられた。モールド上の線幅60nm、ピッチ120nmのラインパターンおよび残膜の狙い厚さ10nmから、解析空間3mm×3mmに必要となる液滴の個数を36個と予測した。図13aに示されるように、解析面上の格子間隔500μmの正方格子状に複数の液滴6を配置し、初期の液滴配置とした。そして、初期の液滴配置に対して気液二相流解析によるシミュレーション解析を実施した。はじめに、濡れ性データベースを用いずに、凹凸パターンによる濡れ性の異方性を無視した場合は、均一な合一膜が予測された。一方で濡れ性データベースを用い、凹凸パターンによる濡れの異方性を考慮すると、液滴6は楕円形に濡れ広がり、図13bに示すように残留気体による欠陥8が生じた合一膜7が予測された。このようにして得た合一膜の高さ分布から残膜厚さおよび残留気体による欠陥を見積もり、液滴配置を修正した。最終的に液滴配置を図14aのようにした。この配置に対し同様にシミュレーション解析を再度実施したところ、図14bのように、高さ分布にムラがなくかつ残留気体による欠陥のない均一な合一膜7が予測された。これにより、凹凸パターンによる異方性のある濡れ性を解析面が持つ場合であっても均一な合一膜7が予測することが可能であることを確認した。以上のように、モールドの凹凸パターンがある場合に対して適切な液滴配置を作成した。以上の工程はインクジェットプリンターのホストコンピュータにインストールされたプログラム上で行った。モールド押付け工程モールドと石英基板をギャップが0.1mm以下になる位置まで近接させ、石英基板の背面から石英基板上のアライメントマークとモールド上のアライメントマークが一致するように位置合わせをした。モールドと石英基板間の空間を99体積以上のHeガスで置換し、He置換後に20kPa以下まで減圧した。減圧He条件下でモールドをレジストからなる液滴に接触させた。接触後、1MPaの押付け圧で1分間加圧し、360nmの波長を含む紫外光により、照射量が300mJcm2となるように露光し、レジストを硬化させた。モールド剥離工程石英基板およびモールドの外縁部を機械的に保持、もしくは裏面を吸引保持した状態で、石英基板またはモールドを押圧と反対方向に相対移動させることでモールドを剥離した。基板加工工程凹凸パターンが転写されたレジスト膜をマスクにして、下記に示すようにドライエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに基づく凹凸形状を石英基板上に形成し、所定の凹凸パターンを有する石英モールドを得た。まず、パターン凹部に存在する残膜を酸素プラズマエッチングにより除去し、パターン凹部の石英基板を露出させた。その際、凹凸パターン領域内の最も厚い残膜を除去できる条件にあわせてエッチング量を設定した。次に、フッ素系ガスにより、レジストパターンの凸部をマスクにして石英基板のRIEを行った。エッチング深さが60nmになるようにRIEの条件を設定した。最後に、レジストパターンの凸部の残渣を酸素プラズマエッチングにより除去した。以上の基板加工工程により、Siモールドの複製となる上記石英モールドを作製した。