半導体素子と、前記半導体素子の一方の面に第1の接合部を介して接合される第1の放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第2の接合部を介して接合される金属板と、前記金属板の前記半導体素子の反対側の面に第3の接合部を介して接合される第2の放熱板と、を有し、前記金属板の前記第2の放熱板側の面の面積は、前記金属板の前記半導体素子側の面の面積よりも大きい半導体装置。前記金属板の前記第2の放熱板側の面の面積は、前記半導体素子の前記金属板側の面の面積よりも大きい請求項1記載の半導体装置。前記金属板の前記半導体素子側の面の面積は、前記半導体素子の前記金属板側の面の面積よりも小さい請求項1又は2記載の半導体装置。前記金属板は、上下に配置された第1の板状部と第2の板状部とを有し、前記第1の板状部の側面の全部は、前記第2の板状部の側面の全部よりも外側の位置にある請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体装置。前記金属板は、上下に配置された第1の板状部と第2の板状部とを有し、前記第1の板状部の側面の一部は、前記第2の板状部の側面の一部と同一位置にあり、前記第1の板状部の側面の残部は、前記第2の板状部の側面の残部よりも外側の位置にある請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体装置。前記金属板は、前記第2の放熱板側の面から前記半導体素子側の面に向かって傾斜する側面を有する請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体装置。前記金属板は、前記第2の放熱板側の面の周縁部に環状に設けられ、前記第2の放熱板側に向かって突起する外壁部を有する請求項1乃至6の何れか一項記載の半導体装置。複数の半導体素子を有し、前記複数の半導体素子に対して共通の金属板を接合した請求項1乃至7の何れか一項記載の半導体装置。しかしながら、上記半導体装置では、はんだ等の接合部の不要な広がりを防止するために、放熱板の半導体素子に対応する位置に環状の溝を形成する必要がある。そのため、異なる大きさの半導体素子に対しては、環状の溝の位置が異なる専用の放熱板を用意しなければならない。又、環状の溝の平面方向の大きさや深さ等も接合する半導体素子に合わせて適切に設定しなければならない。又、環状の溝の内面に、金Auめっきを施さなければならない。このように、上記半導体装置では、はんだ等の接合部の不要な広がりを防止するために、複雑な構造の部材が必要であった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、簡易な構造の部材により、接合部の不要な広がりを防止可能な半導体装置を提供することを課題とする。本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の一方の面に第1の接合部を介して接合される第1の放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第2の接合部を介して接合される金属板と、前記金属板の前記半導体素子の反対側の面に第3の接合部を介して接合される第2の放熱板と、を有し、前記金属板の前記第2の放熱板側の面の面積は、前記金属板の前記半導体素子側の面の面積よりも大きいことを要件とする。開示の技術によれば、簡易な構造の部材により、接合部の不要な広がりを防止可能な半導体装置を提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図1を参照するに、半導体装置10は、大略すると、半導体素子11及び12と、接合部13及び14と、放熱板15及び24と、接合部16及び17と、ブロック電極18及び19と、ボンディングワイヤ20と、配線部材21と、接合部22及び23と、封止樹脂25とを有する。半導体装置10において、半導体素子11及び12は、例えば、車両に搭載されるインバータ回路や昇降圧コンバータ回路の一部を構成する部品である。より詳しくは、半導体素子11は、例えば、IGBTInsulatedgatebipolartransistorやMOSFETMetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistorのようなスイッチング素子である。又、半導体素子12は、例えば、IGBTのエミッタとコレクタとの間に接続される還流用のダイオードである。以降、半導体素子11がIGBTであり、半導体素子12が還流用のダイオードである場合を例に説明を行う。又、搭載状態に応じて上下方向が異なるが、便宜上、放熱板15側を下方として説明を行う。従って、半導体装置10を図1のように視た場合の各構成部品の上側の面を上面、下側の面を下面という他の実施の形態についても同様。半導体素子11及び12のそれぞれの形状は、例えば、平面形状が矩形の薄板状とすることができる。半導体素子11の下面放熱板15側の面には、例えばコレクタ電極図示せずが露出している。又、半導体素子12の下面放熱板15側の面には、例えばカソード電極図示せずが露出している。半導体素子11の下面に露出するコレクタ電極図示せずは、接合部13を介して、放熱板15の上面に接合されている。又、半導体素子12の下面に露出するカソード電極図示せずは、接合部14を介して、放熱板15の上面に接合されている。つまり、半導体素子11のコレクタ電極図示せずと半導体素子12のカソード電極図示せずとは、放熱板15を介して電気的に接続されているため、同電位である。半導体素子11の上面放熱板24側の面には、例えばエミッタ電極図示せず及びゲート電極図示せずが露出している。又、半導体素子12の上面放熱板24側の面には、例えばアノード電極図示せずが露出している。半導体素子11の上面に露出するエミッタ電極図示せずは、接合部16を介して、ブロック電極18の下面18bに接合されている。又、半導体素子11の上面に露出するゲート電極図示せずは、金や銅等からなる導電性の細線であるボンディングワイヤ20を介して、配線部材21に接合されている。配線部材21は、例えば、放熱板15と共に、1つのリードフレームから形成できる。又、半導体素子12の上面に露出するアノード電極図示せずは、接合部17を介して、ブロック電極19の下面19bに接合されている。つまり、ブロック電極18とブロック電極19とは放熱板24を介して電気的に接続されているため、半導体素子11のエミッタ電極図示せずと半導体素子12のアノード電極図示せずとは、同電位である。放熱板15及び24は、半導体素子11及び12等を介して、互いに対向するように配置されている。放熱板15及び24は、半導体素子11及び12が動作時に発する熱を、半導体装置10の外部に放出する機能を有する。放熱板15及び24の材料としては、例えば、銅Cuや銅合金、アルミニウムAl等の熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることができる。ブロック電極18及び19のそれぞれの上面18a及び19aは、接合部22及び23を介して、放熱板24の下面に接合されている。ブロック電極18及び19は、それぞれボンディングワイヤ20等を配置する高さを確保するためのスペーサとしての機能を有する。ブロック電極18及び19の材料としては、例えば、銅Cuや銅合金、アルミニウムAl等の熱伝導性及び電気伝導性に優れた金属を用いることができる。ブロック電極18及び19のそれぞれの厚さ最大厚さは、例えば、1mm程度とすることができる。なお、ブロック電極18及び19は、本発明に係る金属板の代表的な一例である。接合部13、14、16、17、22、及び23としては、例えば、Sn-Ag等のはんだ材料を用いることができる。接合部13、14、16、17、22、及び23として、例えば、銀Agペースト等を用いても構わない。なお、接合部13、14、16、17、22、及び23は、必ずしも同一材料を用いなくてもよい。例えば、半導体装置10の製造工程上、最初に溶融する接合部よりも後に溶融する接合部に、より低融点のはんだ材料を用いてもよい。例えば、半導体装置10の製造工程上、最初に溶融する接合部にはSn-Ag融点220°C程度を用い、後に溶融する接合部にはSn-Agよりも低融点であるSn-Bi融点139°C程度を用いることができる。なお、接合部13、14、16、17、22、及び23のそれぞれの厚さは、例えば、0.2mm程度であるため、これらのみによりボンディングワイヤ20等を配置する高さを確保することは困難である。そのため、前述のように、ボンディングワイヤ20等を配置する高さを確保するためのスペーサとしての機能を有するブロック電極18及び19が配置されている。半導体素子11及び12、接合部13及び14、放熱板15及び24、接合部16及び17、ブロック電極18及び19、ボンディングワイヤ20、配線部材21、並びに接合部22及び23は、封止樹脂25により封止されている。封止樹脂25としては、例えば、フィラーを含有したエポキシ系絶縁樹脂等を用いることができる。但し、放熱板15の下面放熱面及び放熱板24の上面放熱面は、半導体素子11及び12が動作時に発する熱を、半導体装置10の外部に放出するため、封止樹脂25から露出している。又、放熱板15の側面の一部及び放熱板24の側面の一部は突出しており、封止樹脂25から露出している。又、配線部材21の一部は、封止樹脂25から露出している。封止樹脂25から露出している放熱板15及び24の側面の突出部、並びに配線部材21の一部は、外部接続端子として機能する。ここで、図2及び図3を参照しながら、ブロック電極18及び19の形状について説明する。図2は、第1の実施の形態に係るブロック電極の形状を例示する斜視図である。図3は、第1の実施の形態に係るブロック電極の形状を例示する底面図である。なお、図2及び図3では、ブロック電極18のみを図示するが、ブロック電極19も同様な形状である。図2及び図3を参照するに、ブロック電極18は、上面18aと、下面18bと、切り欠き部18cとを有する。切り欠き部18cは、下面側周縁部全体に設けられている。下面18b側から視て、切り欠き部18cの平面形状は、下面18bを囲む額縁状である。ブロック電極18は、切り欠き部18cを設けたことにより、上面18a側が下面18b側よりも側面方向に突起した形状となっている。そのため、ブロック電極18において、上面18aの面積は下面18bの面積よりも大きい。同様に、ブロック電極19は、上面19aと、下面19bと、切り欠き部19cとを有する。切り欠き部19cは、下面側周縁部全体に設けられている。下面19b側から視て、切り欠き部19cの平面形状は、下面19bを囲む額縁状である。ブロック電極19は、切り欠き部19cを設けたことにより、上面19a側が下面19b側よりも側面方向に突起した形状となっている。そのため、ブロック電極19において、上面19aの面積は下面19bの面積よりも大きい。換言すれば、ブロック電極18及び19は、それぞれ上下に配置された第1の板状部と第2の板状部とを有し、第1の板状部の側面の全部は第2の板状部の側面の全部よりも外側の位置にある。第1の板状部の第2の板状部の側面の全部よりも外側の位置にある部分が切り欠き部18c及び19cである。但し、第1の板状部と第2の板状部とは一体的に形成されたものでも、別体を接合したものでも構わない。ブロック電極18及び19は、それぞれ半導体素子11及び12からの熱を最大限に吸収して放熱板15及び24に伝える必要がある。そのため、ブロック電極18及び19のそれぞれの下面18b及び19bの面積は、半導体素子11及び12のそれぞれの上面の面積よりは小さいが、許容される最大サイズとすることが好ましい。例えば、半導体素子11及び12のそれぞれの上面の周縁部に電極間の耐圧を補償する耐圧補償領域が形成されている場合には、耐圧補償領域に接しない範囲でブロック電極18及び19のそれぞれの下面18b及び19bの面積を大きくすることが好ましい。又、ブロック電極18及び19のそれぞれの上面18a及び19aの面積は、公差最悪時溶融した接合部が一番広がった状態を想定したときでも、溶融した接合部22及び23が周縁部まで到達しない面積に設定する必要がある。又、放熱性を向上する観点から、ブロック電極18及び19のそれぞれの上面18a及び19aの面積は、半導体素子11及び12のそれぞれの上面の面積よりも大きい方が好ましい。ブロック電極18及び19は、例えば、プレス加工により形成することができる。例えば、ブロック電極18をプレス加工により形成すると、上面18a及び下面18bの何れか一方の面にバリが形成される。下面18bにバリが形成され、バリが接合部16を介して半導体素子11に達すると、半導体素子11に損傷を与える虞がある。そこで、通常は、上面18a側にバリが形成されるように方向を選択して、プレス加工が行われる。もしも、ブロック電極が上面及び下面の面積が等しい平板直方体の板である場合、上下対称形状であるため、何れの面にバリが形成されているかを区別することが困難である。バリが形成されている面を誤って半導体素子11側に向けて接合すると、前述のように、半導体素子11に損傷を与える虞がある。その結果、製造工程内において、バリ形成面を確認する作業が必要となるため、製造工程内での作業効率が低下する。又、ブロック電極の上面及び下面に迎えはんだを実施する場合であって、上面及び下面に異なる材料の迎えはんだを実施した場合にも、上面及び下面を区別することが困難である。その結果、製造工程内での作業効率が低下する。一方、ブロック電極18及び19は、上下非対称形状であるため、上面18a側及び19a側にバリが形成されるように予めプレス加工しておくことにより、バリが形成されている面を誤って半導体素子11及び12側に向けて接合する虞を排除できる。又、製造工程内において、バリ形成面を確認する作業等が不要となるため、製造工程内での作業効率を向上できる。又、ブロック電極18及び19のそれぞれの上面及び下面に迎えはんだを実施する場合であって、上面及び下面に異なる材料の迎えはんだを実施した場合にも、ブロック電極18及び19の形状から上面及び下面を区別することが容易であり、製造工程内での作業効率が低下することはない。このように、第1の実施の形態では、ブロック電極の下面を囲むように額縁状の切り欠き部を設け、ブロック電極の上面の面積を下面の面積よりも大きくしている。これにより、ブロック電極が接合部を介して放熱板と接合される際に、溶融した余剰な接合部をブロック電極と放熱板との隙間方向に広げることにより吸収可能となる。その結果、従来のように、溶融した余剰な接合部を吸収するための凹部を放熱板に設けたり、放熱板の凹部の内側に金Auめっきを施したりする必要がなくなる。又、ブロック電極が上下非対称形状であるため、上下面の区別が容易であり、製造工程内での作業効率を向上できる。つまり、半導体装置の製造コストを低減できる。又、ブロック電極に切り欠き部を設けたことにより、ボンディングワイヤとブロック電極が接触する虞を低減できる。なお、ブロック電極として、例えば、上面及び下面の面積が上面18a又は上面19aの面積と同一である平板直方体の板を用いても、溶融した余剰な接合部をブロック電極と放熱板との隙間方向に広げることで吸収できるように思える。しかし、ブロック電極とボンディングワイヤが接触してしまうため、実際には、ブロック電極として平板直方体の板を用いることはできない。又、半導体素子の上面に露出する複数の電極間が短絡する虞からも、実際には、ブロック電極として平板直方体の板を用いることはできない。又、ブロック電極として、例えば、上面及び下面の面積が下面18b又は下面19bの面積と同一である平板直方体の板を用い、かつ、接合部22及び23をそれぞれブロック電極の上面の周縁部に達しない程度の量に減らしても、溶融した余剰な接合部をブロック電極と放熱板との隙間方向に広げることで吸収できるように思える。しかし、ブロック電極と放熱板とが接合部を介して接する面積が減るため、放熱性能が低下し好ましくない。第1の実施の形態の変形例1第1の実施の形態の変形例1では、第1の実施の形態と形状の異なるブロック電極の一例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図4は、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置を例示する断面図である。図4を参照するに、半導体装置30は、ブロック電極18がブロック電極38に置換された点が、半導体装置10図1参照と相違する。なお、ブロック電極38は、本発明に係る金属板の代表的な一例である。図5は、第1の実施の形態の変形例1に係るブロック電極の形状を例示する斜視図である。図6は、第1の実施の形態の変形例1に係るブロック電極の形状を例示する底面図である。図5及び図6を参照するに、ブロック電極38は、上面38aと、下面38bと、切り欠き部38cとを有する。切り欠き部38cは、下面側周縁部の一部に設けられている。下面38b側から視て、切り欠き部38cの平面形状は、下面38bの一部を囲むコ字状である。ブロック電極38は、切り欠き部38cを設けたことにより、上面38a側の一部が下面38b側よりも側面方向に突起した形状となっている。そのため、ブロック電極38において、上面38aの面積は下面38bの面積よりも大きい。換言すれば、ブロック電極38は、上下に配置された第1の板状部と第2の板状部とを有し、第1の板状部の側面の一部は、第2の板状部の側面の一部と同一位置にあり、第1の板状部の側面の残部は、第2の板状部の側面の残部よりも外側の位置にある。第1の板状部の第2の板状部の側面の残部よりも外側の位置にある部分が切り欠き部38cである。但し、第1の板状部と第2の板状部とは一体的に形成されたものでも、別体を接合したものでも構わない。図4を参照するに、ブロック電極38の切り欠き部38cが形成されていない側面が、ボンディングワイヤ20側に配置されている。このように、第1の実施の形態の変形例1では、ブロック電極の下面の一部を囲むようにコ字状の切り欠き部を設け、ブロック電極の上面の面積を下面の面積よりも大きくしている。これにより、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、ブロック電極にコ字状の切り欠き部を設け、切り欠き部が形成されていない側面をボンディングワイヤ側に配置することにより、ボンディングワイヤとブロック電極が接触する虞を一層低減できる。第1の実施の形態の変形例2第1の実施の形態の変形例2では、第1の実施の形態と形状の異なるブロック電極の他の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図7は、第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置を例示する断面図である。図7を参照するに、半導体装置40は、ブロック電極18がブロック電極48に置換された点が、半導体装置10図1参照と相違する。なお、ブロック電極48は、本発明に係る金属板の代表的な一例である。図8は、第1の実施の形態の変形例2に係るブロック電極の形状を例示する斜視図である。図9は、第1の実施の形態の変形例2に係るブロック電極の形状を例示する底面図である。図8及び図9を参照するに、ブロック電極48は、上面48aと、下面48bと、切り欠き部48cとを有する。切り欠き部48cは、上面48aから下面48bに向かって傾斜するテーパー形状の側面である。下面48b側から視て、切り欠き部48cの平面形状は、下面48bを囲む額縁状である。ブロック電極48は、切り欠き部48cを設けたことにより、上面48a側が下面48b側よりも側面方向に突起した形状となっている。そのため、ブロック電極48において、上面48aの面積は下面48bの面積よりも大きい。なお、図8では、切り欠き部48cは、平面形状が台形の4つの側面から構成されているが、切り欠き部48cは、曲面状の1つの側面等から構成してもよい。このように、第1の実施の形態の変形例2では、ブロック電極に上面から下面に向かって傾斜するテーパー形状の側面を構成する切り欠き部を設け、ブロック電極の上面の面積を下面の面積よりも大きくしている。これにより、第1の実施の形態と同様の効果を奏する。第1の実施の形態の変形例3第1の実施の形態の変形例3では、第1の実施の形態と形状の異なるブロック電極の更に他の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例3において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図10は、第1の実施の形態の変形例3に係る半導体装置を例示する断面図である。図10を参照するに、半導体装置50は、ブロック電極18がブロック電極58に置換された点が、半導体装置10図1参照と相違する。なお、ブロック電極58は、本発明に係る金属板の代表的な一例である。図11は、第1の実施の形態の変形例3に係るブロック電極の形状を例示する斜視図である。図12は、第1の実施の形態の変形例3に係るブロック電極の形状を例示する平面図である。図11及び図12を参照するに、ブロック電極58は、上面18aと、下面18bと、切り欠き部18cと、外壁部58dとを有する。外壁部58dは、上面18aの周縁部に環状に設けられ、放熱板24側に向かって突起している。ブロック電極58において、外壁部58d以外の部分は、ブロック電極18と同様の構造である。ブロック電極58において、上面18aの面積は下面18bの面積よりも大きい。このように、第1の実施の形態の変形例3では、ブロック電極の上面の周縁部に環状の外壁部を設けた。これにより、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、ブロック電極が接合部を介して放熱板と接合される際に、溶融した余剰な接合部をより確実にブロック電極の上面に留めることができる。第1の実施の形態の変形例4第1の実施の形態の変形例4では、第1の実施の形態と形状の異なるブロック電極の更に他の例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例4において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図13は、第1の実施の形態の変形例4に係る半導体装置を例示する断面図である。図13を参照するに、半導体装置60は、ブロック電極18及び19が1つのブロック電極68に置換された点が、半導体装置10図1参照と相違する。なお、ブロック電極68は、本発明に係る金属板の代表的な一例である。図14は、第1の実施の形態の変形例4に係るブロック電極の形状を例示する斜視図である。図15は、第1の実施の形態の変形例4に係るブロック電極の形状を例示する底面図である。図14及び図15を参照するに、ブロック電極68は、上面68aと、第1の下面68bと、第2の下面68cと、切り欠き部68dとを有する。換言すると、ブロック電極68は、図1に示すブロック電極18とブロック電極19とが結合した形状を有する。ブロック電極18とブロック電極19とは同電位であるため、図14及び図15のように結合することができる。第1の下面68b及び第2の下面68c側から視て、切り欠き部68dは、第1の下面68b及び第2の下面68cのそれぞれの周囲を囲むように設けられている。そのため、ブロック電極68において、上面68aの面積は第1の下面68b及び第2の下面68cの合計の面積よりも大きい。半導体装置60において、第1の下面68bと第2の下面68cとの間の切り欠き部68dの下面から放熱板15の上面までの封止樹脂25の厚さTは、半導体装置10の放熱板24の下面から放熱板15の上面までの封止樹脂25の厚さよりも薄い。このため、封止樹脂25を形成する際に、封止樹脂25の硬化収縮量を低減することが可能となり、封止樹脂25と放熱板15の上面等との密着性を向上できる。このように、第1の実施の形態の変形例4では、複数の半導体素子に対して共通のブロック電極を設けた。これにより、第1の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、第1の下面と第2の下面との間の切り欠き部から放熱板までの封止樹脂の厚さが薄いため、封止樹脂と放熱板の上面等との密着性を向上できる。以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、第1の実施の形態の変形例4において、接合部22と23とを一体化してもよい。又、第1の実施の形態及びその変形例では、半導体素子を2個備えた半導体装置を例示したが、半導体装置に含まれる半導体素子は1個でもよいし、3個以上でもよい。又、第1の実施の形態及びその変形例は、適宜組み合わせることができる。