セラミック放電容器を持つセラミックメタルハライドランプであり、前記放電容器が、電極を有する放電空間を囲み、前記電極が、Irワイヤを有するフィードスルーによって前記放電容器の外部の導体に電気的に接続され、前記フィードスルーが、前記放電容器の延長プラグにおいてガス密に取り付けられるセラミックメタルハライドランプであって、W、WRe、Mo、又はMo合金から成るグループから選ばれる材料で作成される電流伝導ワイヤであり、前記延長プラグの外に延在する前記導体を備える、少なくとも3つの部分から構成される電極フィードスルー組み合わせを、前記フィードスルーが有し、前記電流伝導ワイヤが、溶接部によって前記Irワイヤに溶接されることを特徴とするセラミックメタルハライドランプ。前記溶接部が、前記延長プラグ内の、前記延長プラグの外端から少なくとも10mmの、好ましくは、前記延長プラグの前記外端から15mmと20mmとの間の位置にあることを特徴とする請求項1に記載のセラミック放電ランプ。前記電流伝導ワイヤが、平溶接部を介して前記Irワイヤに溶接されることを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック放電ランプ。前記Irワイヤと前記電流伝導ワイヤとの両方が、各々の直径を持ち、前記Irワイヤの直径Dirが前記電流伝導ワイヤの直径Dccより大きく、好ましくは、前記Irワイヤの直径が前記電流伝導ワイヤの直径より15乃至20大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック放電ランプ。前記電流伝導ワイヤの直径が、前記延長プラグの内径Dvupiより少なくとも10ミクロン小さいことを特徴とする請求項4に記載のセラミック放電ランプ。前記電流伝導ワイヤのための材料が、W、Mo、並びに3乃至6重量のRe及び35乃至70ppmのK又はLa2O3、好ましくは、約70ppmのK及び約6重量のReがドーピングされているW又はMoから成るグループから選択されることを特徴とする請求項1に記載のセラミック放電ランプ。前記電流伝導ワイヤに、汚染がなく、好ましくは、少なくともAl2O3がないことを特徴とする請求項6に記載のセラミック放電ランプ。前記電流伝導ワイヤが予備焼結されることを特徴とする請求項6又は7に記載のセラミック放電ランプ。前記電流伝導ワイヤに接続されるアクティブアンテナ、好ましくは、放電管壁及び前記延長プラグにおいて焼結される、書き込まれるタングステンアンテナを有することを特徴とする請求項1に記載のセラミック放電ランプ。前記書き込まれるアンテナが、前記放電管の外面上に延在し、前記延長プラグの前記外端上に延在し、前記延長プラグの内壁に沿って延在し、好ましくは、前記延長プラグの前記内壁に沿って1乃至2mmの範囲内の長さにわたって延在することを特徴とする請求項9に記載のセラミック放電ランプ。前記バーナーの前記アンテナの側又は両側に標準的な封止フリットが付されることができ、好ましくは、前記フリットが、前記標準的なフリット中の金属量の3倍までの量の金属を有することを特徴とする請求項9又は10に記載のセラミック放電ランプ。前記電極フィードスルー組み合わせが、4つの部分から構成され、前記電流伝導ワイヤが、W、Mo、並びに3乃至6重量のRe及び35乃至70ppmのK又はLa2O3がドーピングされているW又はMoから成るグループから選択される材料から成る第1部分を有し、前記第1部分が溶接部を介してMo又はNbロッドに接続され、好ましくは、前記溶接部が少量のフリットに埋め込まれることを特徴とする請求項1に記載のセラミック放電ランプ。前記電流伝導ワイヤの上にMoスリーブが設けられ、前記電流伝導ワイヤと、前記Moスリーブと、Mo又はNbポールワイヤとが、一緒に溶接されることを特徴とする請求項12に記載のセラミック放電ランプ。本発明の目的は、既知のランプの不利な点の少なくとも1つを抑制することである。これを達成するため、冒頭の段落に記載されているようなタイプのランプが、W、WRe、Mo、又はMo合金から成るグループから選ばれる材料で作成される電流伝導ワイヤであり、前記延長プラグの外に延在する前記導体を備える、少なくとも3つの部分から構成される電極フィードスルー組み合わせを、前記フィードスルーが有し、前記電流伝導ワイヤが、溶接部によって前記Irワイヤに溶接されることを特徴とする。前記延長プラグは、セラミック放電容器の壁部の材料で作成され、vupとも呼ばれる。前記vup又は延長プラグ及び前記フィードスルー導体は、一緒に、前記放電容器のガス密閉鎖部を形成する。前記延長プラグにおける前記Irロッドの気密性は、焼結収縮によって得られる。このようなフィードスルー構成は、最小限の長さのIrフィードスルーロッドを備える耐衝撃性取り付け構成を形成する。従って、以下の問題又は不利な点、即ち、-標準的なバーナー取り付け=フィードスルーワイヤの、ポールワイヤへの溶接の場合の、脆いIrに起因する前記ランプの低い耐衝撃性、及び-長すぎ、従って、高価すぎるIrロッドの使用によって、前記ランプが相対的に高価であることが、本発明によって解決される。本願明細書及び特許請求の範囲における、公称出力という表現は、全出力という表現と等しい。これらの表現は、前記ランプが動作するよう設計されている出力を規定し、前記出力は前記ランプ及び/又は前記ランプのパッケージ上に表示されるのが慣行である。本願明細書及び特許請求の範囲において、セラミック放電容器という表現は、セラミックから形成される壁部を持つ放電容器として規定される。セラミックは、例えばサファイアのような単結晶金属酸化物、酸化アルミニウムAl2O3、イットリウムアルミニウムガーネットYAG若しくは酸化イットリウムYOXのようなガス密の高密度に焼結された透光性金属酸化物、又は窒化アルミニウムAlNのようなガス密の焼結された透光性非酸化物材料などの耐熱性材料であると理解される。本願明細書及び特許請求の範囲において、放電管、放電容器及びバーナーという表現は、同義語である。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記溶接部が、前記延長プラグ内の、前記延長プラグの外端から少なくとも10mmの、好ましくは、前記延長プラグの前記外端から15mmと20mmとの間の位置にあることを特徴とする。前記WReワイヤを前記Irワイヤに相互接続する前記溶接部は、好ましくは、前記外端から前記vup内へ少なくとも約15mmのところに位置することが試験で明らかになった。更に、前記溶接部が前記vup内へ約05mm又は1mm未満のところに位置する場合には溶接部の破損が容易に生じることが試験で明らかになった。前記溶接部が前記外端から15mm乃至2mmのところに位置する場合、最大負荷状態下で前記溶接部の破損は生じなかった。25mmより大きな距離は、前記vupがより長くされない限り、前記vup内の前記Irロッドのための封止領域を相対的に短くするが、これは、前記ランプの望ましくない延長という不利な点を伴う。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記電流伝導ワイヤが、例えば、こぶのない溶接部knoblessweldを介して前記Irワイヤに平溶接されることを特徴とする。平溶接部が、焼結中のPCAのひび割れの発生を防止し、従って、前記ランプの早期破損が防止され、最終的に、前記ランプの早期故障が防止されるのは明らかである。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記Irワイヤと前記電流伝導ワイヤとの両方が、各々、各々の直径を持ち、前記Irワイヤの直径Dirが前記電流伝導ワイヤの直径Dccより大きく、好ましくは、前記Irワイヤの直径が前記電流伝導ワイヤの直径より15乃至20大きいことを特徴とする。Irの直径は、現在、約300乃至500ミクロンμmである。従って、直径において、前記電流伝導ワイヤに対して18の差異がある300ミクロンのIrワイヤに対しては、例えばW又はWReワイヤで作成される、約250ミクロンの電流伝導ワイヤが用いられ得る。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記電流伝導ワイヤの直径Dccが、焼結収縮後、前記延長プラグの内径Dvupiより少なくとも10ミクロン小さいことを特徴とする。これは、前記vupの前記内壁と前記電流伝導ワイヤとの間の少なくとも5ミクロンの間隙をもたらす。vupと電流伝導ワイヤとの間の約5ミクロン未満の間隙は、前記vupのひび割れのリスクを高め、これは、漏れがあるランプをもたらし得る。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記電流伝導ワイヤのための材料が、W、Mo、並びに3乃至6重量のRe及び35乃至70ppmのK又はLa2O3、好ましくは、約70ppmのK及び約6重量のReがドーピングされているW又はMoから成るグループから選択されることを特徴とする。k及びReを変化させたWReによる実験で、K及びReの増加は、より大きい抗張力及び伸長をもたらすことが明らかになった。約70ppmのK及び約6重量のReで最良の結果が得られる。Kのない材料は、Re含有率が26重量である場合であっても、ほとんどの場合、脆すぎる。K含有率が低く35ppm未満、Re含有率が低い3重量未満WReは、相対的に低いg力における前記電流伝導ワイヤの破損をもたらすことが、実験で明らかになった。K含有率が低く35ppm、Re含有率が低い3重量材料は、本発明によるフィードスルー構成のために最低限必要な延性を持つことが、他の実験で明らかになった。好ましくは、K含有率がより高く且つ/又はRe含有率がより高い材料が用いられる。なぜなら、これらは、改善された延性を持つからである。実際に、他の材料、例えば、70ppmのK及び3重量のReを備えるW、又は35ppmのK及び6重量のReを備えるW、又は70ppmのK及び6重量のReを備えるWの場合は、破損が生じないことが、実験で明らかになった。他の例においては、例えばLa2O3のような酸化物及びReを備えるWは、焼きなまし後、強く、延性であり、伸長が、70ppmのK及び6重量のReを備えるWの伸長と同等であることが分かった。前記酸化物及びReの含有率に対する強い依存関係はないようである。好ましくは、前記電流伝導ワイヤに、汚染がなく、より好ましくは、少なくともAl2O3がない。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記電流伝導ワイヤが予備焼結されることを特徴とする。予備焼結は、前記伝導ワイヤの強度に良い影響を与える。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記電流伝導ワイヤに接続されるアクティブアンテナactiveantenna、好ましくは、放電管壁及び前記延長プラグにおいて焼結される、書き込まれるタングステンアンテナwrittentungstenantennaを有することを特徴とする。前記伝導ワイヤとしてのW又はWRe及びIrをPCAと共焼結する場合には、前記PCAは、封止中、前記Irのまわりでガス密なようにして収縮するが、前記W又はWReワイヤのまわりに空隙を残す。取り付け構成のためのこのような処理は、前記Ir及びW若しくはWRe又はMo若しくはMo合金ロッドのまわりでのPCAの収縮後に、リードインワイヤ及び外部アンテナを相互接続する機会を与える。この場合には、前記アンテナは、好ましくは、前記放電管壁又は放電管及びvupの外面において焼結される、書き込まれるWアンテナ所謂PIAであるだろう。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記書き込まれるアンテナが、前記放電管の外面上だけでなく、前記延長プラグの前記外端上にも、前記延長プラグの内壁に沿っても延在し、好ましくは、前記延長プラグの前記内壁に沿って約1乃至2mmの長さにわたって延在することを特徴とする。このような構成は、W若しくはWRe又はMo若しくはMo合金ワイヤに接続されるアクティブアンテナを備える耐衝撃性取り付け構成を形成する。前記セラミック放電ランプの実施例は、前記バーナーの前記アンテナの側又は両側に標準的な封止フリットが付されることができ、好ましくは、前記フリットが、前記標準的なフリット中の金属量の3倍までの量の金属を有することを特徴とする。上記の状態において、前記取り付け構成が十分に強くはない、又はW若しくはWRe又はMo若しくはMo合金ワイヤと前記アンテナとの間の接触が十分には信頼性が高くない場合には、両方の面を改善するよう、前記バーナーの前記アンテナの側又は両側に標準的な封止フリットが付されることができる。標準的なフリットは、前記アンテナ及び前記電流伝導ワイヤを相互接続するのに十分であることが証明されているが、より大量の金属をこのフリットに付加することにより、その伝導性が改善され得る。前記取り付け構成実施例の機械的強度を更に最適化するために、前記セラミック放電ランプは、前記電極フィードスルー組み合わせが、4つの部分から構成され、前記電流伝導ワイヤが、W、Mo、並びに3乃至6重量のRe及び35乃至70ppmのK又はLa2O3がドーピングされているW又はMoから成るグループから選択される材料から成る第1部分を有し、前記第1部分が溶接部を介して第2部分に接続され、前記第2部分がMo又はNbロッドであり、好ましくは、前記溶接部が少量のフリットに埋め込まれることを特徴とする。前記セラミック放電ランプの別の実施例は、前記電流伝導ワイヤの上にMoスリーブが設けられ、前記電流伝導ワイヤと、前記Moスリーブと、Mo又はNbポールワイヤとが、一緒に溶接されることを特徴とする。好ましくは、溶接処理のための幾らかの処理空間を作成するために、前記Moスリーブは、前記電流伝導ワイヤの直径の少なくとも2倍まで前記溶接部の両側から遠くへ延在する。例えば、W又はWReワイヤから成る電流伝導ワイヤは、Nb又はMoポールワイヤに、直接、溶接され得るが、WReの前記Nbポールワイヤへの直接的な溶接は、容易に、破損形成をもたらし得る。前記W又はWReワイヤの上に前記Moスリーブが延在し、前記W又はWReワイヤと、前記Moスリーブと、前記Mo又はNbポールワイヤとが、一緒に溶接されることで、破損を防止する強い接続が得られる。本発明の上記及び他の態様を、概略的な図面を参照して以下により詳細に説明する。図1には、本発明によるランプに適している本発明による取り付け構成1の一部の第1実施例が示されている。この構成は、多結晶アルミナPCAで作成される延長プラグvup5内に封止されるIrロッド/ワイヤ3を有する。Irロッドは、溶接部9を用いてW又はWReワイヤの電流伝導ワイヤ7に平溶接され、前記溶接部は、vupの外端13から約15mmの位置11にある。このW又はWReワイヤは、放電容器の外部に延在する導体であるポールワイヤ、及びランプ図示せずの外部に容易に接続できる。Irワイヤ及び電流伝導ワイヤは、わずかに異なる各々の直径Dir及びDccを持ち、例えば、且つである。vupのために用いられる未焼結のPCAは、約330ミクロンの内径Dvupiを持ち、前記内径は、焼結後、約260乃至270ミクロンまで縮む。更に、図1においては、vupの内壁17と電流伝導ワイヤとの間に約10ミクロンの小さな間隙15が存在することが示されている。図2には、本発明による取り付け構成1の一部の第2実施例が示されている。前記取り付け構成は、図1のものと類似しているが、ここでは、vup5と、外端13と、vupの内壁17にわたって延在するアクティブアンテナ19を有する。アンテナは、焼結収縮を介して、Irワイヤ3と電流伝導ワイヤ7との両方に電気的に接続される。図3は、本発明による取り付け構成1の一部の第3実施例、詳細には、例えば数パーセントのMo金属がドーピングされているAl2O3、Dy2O3及びSiO2から構成されるフリット21がvup5の外端13に設けられ、電流伝導ワイヤ7が部分的に埋め込まれる図2の取り付け構成を示している。フリットによって、アンテナ19と電流伝導ワイヤとの間の電気的接触及び耐衝撃性が改善される。図4には、本発明によるランプ23の一部の第1実施例のX線写真が示されている。ランプは、外側エンベロープ25を有し、外側エンベロープ25内には、バーナー27がポールワイヤ29を用いて取り付けられるポールワイヤは1本しか見えていない。バーナーは、各々が各々の3つの部分から成るフィードスルー構成1を持つ2つの反対側に位置するvup5によって封止されるランプ容器33内に放電空間31を持つ。放電空間は、Xeガスの他に、NaCe、NaPr、NaLu及びNaNdヨウ化物又はこれらの塩の組み合わせなどのメタルハライド塩混合物35の充填物を含む。この図においてはWの2つの対向電極37は、放電空間内に配設され、各々のIrロッド3に溶接される。各Irロッドは、各々のvup内に封止され、この図においてはWReで作成されている各々の電流伝導ワイヤ7に溶接される。各電流伝導ワイヤには、各々のMoスリーブ39が設けられ、伝導ワイヤは、Moスリーブと一緒に、ポール溶接部poleweld41を介してポールワイヤに溶接される。図4においては、vup内の電流伝導ワイヤとIrワイヤとの間の平溶接部9がはっきり示されており、平溶接部は、vupの外端13からvup内へほぼ2mmのところに位置している。最初の落下試験で、この取り付け構成を備えるバーナーの耐衝撃性は700gであることが明らかになったバーナーの重さは約05gである。図5には、本発明による、105±03mmの全長を持ち、特定の寸法を持つ3つの部分から成るフィードスルー/取り付け構成1の例が示されている。直径Dir300±10ミクロン及び2±01mmの長さを持つIrロッド3が、このフィードスルーの中央部を形成し、バーナーのvupを封止する。Irロッドは、先端部43で電極37に溶接され、平溶接部9を介して電流伝導ワイヤ7に溶接される。電極は、Wで作成され、約200ミクロンの直径及び約35mmの長さを持つ。電流伝導ワイヤは、KがドーピングされているWReで作成され、直径Dcc250±3ミクロン及び5mmの長さを持ち、フィードスルーの外側部を形成し、バーナー、ポールワイヤ又は取り付けロッドを取り付けるために必要とされる。それ故、この部分は、バーナーの加工2100乃至2150Kの高温処理後に、十分に強く、延性でなければならない。図5Bは、互いに向かい合って、バーナー27のvup5内に封止される図5Aの前記フィードスルー構成の2つを示している。図6においては、グラフが、Irワイヤの直径Dirと、電流伝導ワイヤの直径Dccとの間の関係を示している。前記関係は、だいたい、式DccDir087512333ミクロン単位に従う図においては、Dccがyであり、Dirがxである。本発明によるランプのための直径Dirは、通常、約300乃至500ミクロンμmの範囲内にあり、伝導ワイヤのための直径Dccは、約250ミクロンから約450ミクロンに及ぶ。図7Aは、図3の取り付け構成1、即ち、フリット21で補強された3つの部分から成る取り付け構成を有するバーナー27を示している。図7Bは、図7Aとの比較のための4つの部分から成る取り付け構成1を備えるバーナー27を示している。図7Bにおいては、電流伝導ワイヤ7は、WReから構成され、vup5内でIrワイヤ3に溶接される第1部分8aであって、フリット21によって覆われ、保護される外側溶接位置8cにおいてMoNbから構成される伝導ワイヤの第2部分8bに溶接される第1部分8aを持つ。図7Bに示されている構成は、相対的に堅牢であり、電流伝導ワイヤの第2部分の、ポールワイヤに対する信頼性の高い溶接を可能にする。図8は、Moスリーブ39を有する本発明によるフィードスルー構成1の一部の例を示している。前記Moスリーブは、WReで作成される電流伝導ワイヤ7にわたってスライドさせられ、ポール溶接部41を介して、前記伝導ワイヤと一緒に、Nbで作成されるポールワイヤに溶接される。従って、ポールワイヤと電流伝導ワイヤとの間の相対的に強く堅牢な接続が得られる。