"導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の共振回路を具備する誘電体基板とを備え、前記誘電体基板が、前記扉を閉めた状態において前記扉枠と扉が対向する箇所において、前記扉枠または扉の少なくとも一方の壁面に貼付されていることを特徴とする電磁シールド扉。前記誘電体基板に具備された複数の共振回路は、前記誘電体基板の表面に配置したストリップ導体と、前記誘電体基板を貫通して前記誘電体基板の表裏面を電気的に接続する短絡手段とで構成される、片端短絡型の共振回路であることを特徴とする請求項1記載の電磁シールド扉。前記複数の共振回路が共振する周波数が、少なくとも2つ以上の異なる周波数となっていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の電磁シールド扉。前記複数の共振回路のうちの少なくとも2つ以上の共振回路が、同一の周波数において共振することを特徴とする請求項1または請求項2記載の電磁シールド扉。導電性ガスケットをさらに備え、前記導電性ガスケットが、前記扉を閉めた状態において、前記扉枠と扉とを電気的に接触する箇所に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の電磁シールド扉。電磁波吸収体をさらに備え、前記電磁波吸収体が、前記扉枠と扉が対向する箇所において、前記扉枠または扉の一方の壁面に貼付された前記誘電体基板に対向する面に貼付されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の電磁シールド扉。電磁波吸収体をさらに備え、前記誘電体基板と前記電磁波吸収体とが、前記扉枠と扉が対向する箇所において、扉厚方向に分割された状態で配置され、かつ、前記扉枠または扉の少なくとも一方の同一壁面に貼付されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の電磁シールド扉。前記誘電体基板を貫通して前記誘電体基板の表裏面を電気的に接続する短絡手段が、導電性ネジであることを特徴とする請求項2記載の電磁シールド扉。前記導電性ネジが、複数の誘電体基板を貫通することを特徴とする請求項8記載の電磁シールド扉。前記導電性ネジが貫通する前記複数の誘電体基板の比誘電率が、互いに異なることを特徴とする請求項9記載の電磁シールド扉。前記誘電体基板に具備された複数の共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に配置した金属板と、前記誘電体基板と前記金属板とを貫通して前記金属板と前記誘電体基板の裏面とを電気的に接続する導電性ネジとで構成されることを特徴とする請求項1記載の電磁シールド扉。導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の誘電体共振器とを備え、前記誘電体共振器が、誘電体と、前記誘電体を固定する金属固定具と、導電性ネジとで構成されるとともに、前記扉を閉めた状態において前記扉枠と扉が対向する箇所において、前記扉枠または扉の少なくとも一方の壁面に貼付されていることを特徴とする電磁シールド扉。導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の誘電体共振器とを備え、前記誘電体共振器が、誘電体と、前記誘電体の表面および側面に配置したストリップ導体とで構成されるとともに、前記扉を閉めた状態において前記扉枠と扉が対向する箇所において、前記扉枠または扉の少なくとも一方の壁面に貼付されていることを特徴とする電磁シールド扉。前記導電性ネジが、皿ネジであることを特徴とする請求項8から請求項12のうちのいずれか1項記載の電磁シールド扉。上述したように、従来の電磁シールド扉では、導電性の扉と導電性の扉枠の少なくともどちらかに導電性ガスケットを配置することで、扉を閉めた状態において扉と扉枠が電気的に接触し、電磁シールド特性を実現していた。しかしながら、扉の開閉回数が多くなると、導電性ガスケットの摩耗や金属疲労により電磁シールド特性が劣化するため、定期メンテナンスが必要となるという課題があった。また、従来の電磁シールド扉の構造では、GHz帯以上の高周波帯域において十分な電磁シールド特性の実現が困難であった。さらに、特定の周波数において特に有効な電磁シールド特性の実現が困難であった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、扉と扉枠が非接触な構造で、主にGHz帯以上の高周波帯において、電磁シールド特性を有する電磁シールド扉の実現を目的とする。また、広帯域、或いは特定の周波数に特化した電磁シールド特性を有する電磁シールド扉の実現を目的とする。上記目的を達成するため、この発明に係る電磁シールド扉は、導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の共振回路を具備する誘電体基板とを備え、前記誘電体基板が、前記扉を閉めた状態において前記扉枠と扉が対向する箇所において、前記扉枠または扉の少なくとも一方の壁面に貼付されていることを特徴とする。この発明の電磁シールド扉によれば、扉を閉めた状態において、扉1と扉枠2とが接触することなく、共振回路が共振する周波数において電磁シールド特性を得ることができる。以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。実施の形態1.図1,図2を用いて本発明の実施の形態1による電磁シールド扉について説明する。図1は、実施の形態1に係る電磁シールド扉を示す図であり、図2は、図1のA-A’を通るXY断面の拡大図である。図1,図2において、1は扉、2は扉枠、3は共振器装荷誘電体基板、7はヒンジ、8は開閉レバーを示す。扉1と扉枠2は導電性で、ヒンジ7を介して接続され、開閉レバー8の操作により開閉可能な構造を有している。共振器装荷誘電体基板3は、共振構造を有し、扉1と扉枠2との対向面において扉1の壁面に配置されている。次に、図3,図4を用いて共振器装荷誘電体基板3に配置されている共振構造について説明する。図3は、図2における共振器装荷誘電体基板3を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図で、図4は、図3のB-B’を通るXY断面図である。図3と図4において、4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hはストリップ導体であり、共振器装荷誘電体基板3の扉1への貼付面と反対側表面に、Y方向寸法が一定で扉1の周方向に沿って配置された帯状の金属導体である。ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法は、それぞれLa,Lb,Lc,Ld,Le,Lf,Lg,Lhである。また、各ストリップ導体のY方向寸法は、それぞれ周波数fa,fb,fc,fd,fe,ff,fg,fhにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長となっているfb=1.5fa,fc=2fa,fd=2.5fa,fe=3.5fa,ff=4fa,fg=5fa,fh=6.5fa。5a,5b,5c,5dは貫通スルーホール列であり、共振器装荷誘電体基板3の内部に、扉1の周方向であるZ軸方向に沿って列状に配置された金属導体である。貫通スルーホール列5aはストリップ導体4aと4bを、貫通スルーホール列5bはストリップ導体4cと4dを、貫通スルーホール列5cはストリップ導体4eと4fを、貫通スルーホール列5dはストリップ導体4gと4hを、それぞれ扉1と電気的に接続している。ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hと貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dは、Y軸方向に、ストリップ導体4a、貫通スルーホール列5a、ストリップ導体4b、ストリップ導体4c、貫通スルーホール列5b、ストリップ導体4d、ストリップ導体4e、貫通スルーホール列5c、ストリップ導体4f、ストリップ導体4g、貫通スルーホール列5d、ストリップ導体4hの順に配置されており、ストリップ導体4bとストリップ導体4cのY方向間隔はSa、ストリップ導体4dとストリップ導体4eのY方向間隔はSb、ストリップ導体4fとストリップ導体4gのY方向間隔はScとなっている。次に、実施の形態1による電磁シールド扉の動作について説明する。ストリップ導体4aのY方向寸法は、周波数faにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長となっており、Y方向の片端は開放端、Y方向のもう片端は貫通スルーホール列5aに接続されているので、ストリップ導体4aは、周波数faと、その高調波であるfaの奇数倍の周波数3fa,5fa,,2n1fa、nは自然数において共振する片端短絡の共振回路として動作する。同様に、ストリップ導体4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hは、それぞれ、周波数fb,fc,fd,fe,ff,fg,fhと各々の奇数倍の周波数において共振する片端短絡の共振回路として動作する。周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合を考えると、ストリップ導体4aが共振して電磁波と電磁界結合し,扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波は減衰する。同様に、周波数faの奇数倍の周波数、及び、周波数fb,fc,fd,fe,ff,fg,fhと各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのいずれかが共振して電磁波と電磁界結合するので、それらの周波数において、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波も減衰する。その結果、周波数fa,fb,fc,fd,fe,ff,fg,fhと、各々の奇数倍の周波数において、扉1と扉枠2の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、それらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。ここで、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法La,Lb,Lc,Ld,Le,Lf,Lg,Lhは、それぞれ周波数fa,1.5fa=fb,2fa=fc,2.5fa=fd,3.5fa=fe,4fa=ff,5fa=fg,6.5fa=fhにおいて共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長となっているので、周波数fa,1.5fa,2fa,2.5fa,3fa,3.5fa,4fa,4.5fa,5fa,5.5fa,6fa,6.5fa,7fa,7.5faにおいて、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのいずれかが共振する。よって、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波の透過係数は、図5に示すように、周波数fa,1.5fa,2fa,2.5fa,3fa,3.5fa,4fa,4.5fa,5fa,5.5fa,6fa,6.5fa,7fa,7.5faに極を有する広帯域な減衰特性となり、その結果、広帯域な電磁シールド特性が得られる。すなわち、実施の形態1により、扉と扉枠が非接触であるため、扉の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド性能が劣化せず、また、定期メンテナンスも不要で、かつ、広帯域な電磁シールド性能を有する電磁シールド扉を得ることができる。特に、実施の形態1により電磁シールド特性が得られる周波数帯域は、共振器装荷誘電体基板3に配置する共振構造が共振する周波数により決まるため、誘電体基板を用いた共振構造の製作が比較的容易である、GHz帯やミリ波帯等の高周波帯域において、有効な電磁シールド特性を実現できる。また、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法La,Lb,Lc,Ld,Le,Lf,Lg,Lhを、それぞれ周波数fa,1.5fa,2fa,2.5fa,3.5fa,4fa,5fa,6.5faにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長となるように分散化することで、周波数faから7.5faまでの広帯域な電磁シールド特性を実現できる。以上のように、この発明の実施の形態1における電磁シールド扉によれば、扉を閉めた状態において、扉1と扉枠2とが接触することなく、共振回路が共振する周波数において電磁シールド特性を得ることができる。また、複数の共振回路が複数の異なる周波数において共振するよう、複数の共振回路の構造を選択することで、広帯域な電磁シールド特性を実現することができる。なお、実施の形態1では、共振器装荷誘電体基板3を、扉1と扉枠2との対向面における扉1の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板3を配置する壁面は、扉1と扉枠2との対向面における扉枠2の壁面、あるいは扉1と扉枠2の両壁面でも構わない。また、実施の形態1では、共振器装荷誘電体基板3に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板3に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はなく、例えば、両端開放、両端短絡、リング型等の共振器を適用してもよい。なお、両端開放の共振器の場合、開放端間の最短距離が半波長となる周波数をfとすると、周波数f,2f,3f,,n×fで共振し、両端短絡の共振器の場合、短絡端間の最短距離が半波長となる周波数をfとすると、周波数f,2f,3f,,n×fで共振する。また、リング型の共振器の場合、リングの周長が1波長となる周波数をfとすると、周波数f,2f,3f,,n×fで共振する。また、実施の形態1では、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法La,Lb,Lc,Ld,Le,Lf,Lg,Lhを,それぞれ周波数fa,1.5fa,2fa,2.5fa,3.5fa,4fa,5fa,6.5faにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長となるように分散化しているが、広帯域な電磁シールド特性が得られるのであれば、分散化する周波数を前記の周波数に限定する必要はない。また、実施の形態1では、8つのストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hと4つの貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dを適用しているが、同様の構造であれば、それぞれの個数を上記の個数に限定する必要はない。また、実施の形態1では、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hの短絡手段として貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dを適用しているが、短絡手段を貫通スルーホール列に限定する必要はなく、例えば、導電性ネジや金属板等により短絡するようにしてもよい。実施の形態2.図6,図7を用いて本発明の実施の形態2による電磁シールド扉について説明する。図6は、実施の形態2に係る電磁シールド扉を示す図であり、図7は、図6のA-A’を通るXY断面の拡大図である。図6,図7において、各部位の符号と説明は実施の形態1と同じなので説明は省略する。次に、図8,図9を用いて共振器装荷誘電体基板3に配置されている共振構造について説明する。図8は、図7における共振器装荷誘電体基板3を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図で、図9は、図8のB-B’を通るXY断面図である。図8と図9において、4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hはストリップ導体であり、共振器装荷誘電体基板3の扉1への貼付面と反対側表面に、Y方向寸法が一定で扉1の周方向に沿って配置された帯状の金属導体である。ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法は、それぞれLa,Lb,Lc,Ld,Le,Lf,Lg,Lhで、全て、周波数faにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長となっている。5a,5b,5c,5dは貫通スルーホール列であり、共振器装荷誘電体基板3の内部に、扉1の周方向であるZ軸方向に沿って列状に配置された金属導体である。貫通スルーホール列5aはストリップ導体4aと4bを、貫通スルーホール列5bはストリップ導体4cと4dを、貫通スルーホール列5cはストリップ導体4eと4fを、貫通スルーホール列5dはストリップ導体4gと4hを、それぞれ扉1と電気的に接続している。ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hと貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dは、Y軸方向に、ストリップ導体4a、貫通スルーホール列5a、ストリップ導体4b、ストリップ導体4c、貫通スルーホール列5b、ストリップ導体4d、ストリップ導体4e、貫通スルーホール列5c、ストリップ導体4f、ストリップ導体4g、貫通スルーホール列5d、ストリップ導体4hの順に配置されており、ストリップ導体4bとストリップ導体4cのY方向間隔はSa、ストリップ導体4dとストリップ導体4eのY方向間隔はSb、ストリップ導体4fとストリップ導体4gのY方向間隔はScとなっている。次に、実施の形態2による電磁シールド扉の動作について説明する。まず、全てのストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法は、周波数faにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長となっており、それぞれのY方向の片端は開放端、Y方向のもう片端は貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dのいずれかに接続されているので、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hは、周波数faと、その高調波であるfaの奇数倍の周波数3fa,5fa,,2n1fa,nは自然数において共振する片端短絡の共振回路として動作する。周波数faの電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合を考えると、全てのストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hが共振して電磁波と電磁界結合し、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波は減衰する。同様に、周波数faの奇数倍の周波数の電磁波が扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する場合、全てのストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hが共振して電磁波と電磁界結合するので、それらの周波数において、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波も減衰する。その結果、周波数faとその奇数倍の周波数において、扉1と扉枠2の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、それらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。実施の形態2では、周波数faと、その奇数倍の周波数において、全てのストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hが共振するので、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波の透過係数は、図10に示すように、周波数faとその奇数倍の周波数に極を有し、各周波数における減衰量は、実施の形態1による電磁シールド扉よりも高くなり、その結果、特定の周波数において特に有効な電磁シールド特性が得られる。すなわち、実施の形態2により、扉と扉枠が非接触であるため、扉の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド性能が劣化せず、また、定期メンテナンスも不要で、かつ、特定の周波数において特に有効な電磁シールド性能を有する電磁シールド扉を実現できる。特に、実施の形態2により電磁シールド特性が得られる周波数帯域は、共振器装荷誘電体基板3に配置する共振構造が共振する周波数により決まるため、誘電体基板を用いた共振構造の製作が比較的容易である、GHz帯やミリ波帯等の高周波帯域において、有効な電磁シールド特性を実現できる。また、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法La,Lb,Lc,Ld,Le,Lf,Lg,Lhの全てを、周波数faにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長とすることで、周波数faとその奇数倍の周波数において特に有効な電磁シールド特性を実現できる。以上のように、この発明の実施の形態2における電磁シールド扉によれば、扉を閉めた状態において、扉1と扉枠2とが接触することなく、共振回路が共振する周波数において電磁シールド特性を得ることができる。また、複数の共振回路の少なくとも2つが同一の周波数において共振するよう、複数の共振回路の構造を選択することで、特定の周波数で特に有効な電磁シールド特性を実現することができる。なお、実施の形態2では、共振器装荷誘電体基板3を、扉1と扉枠2との対向面における扉1の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板3を配置する壁面は、扉1と扉枠2との対向面における扉枠2の壁面、あるいは扉1と扉枠2の両壁面でも構わない。また、実施の形態2では、共振器装荷誘電体基板3に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板3に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はない。また、実施の形態2では、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hのY方向寸法La,Lb,Lc,Ld,Le,Lf,Lg,Lhの全てを、周波数faにおいて、共振器装荷誘電体基板3上で4分の1波長としているが、2つ以上のストリップ導体のY方向寸法が同じであれば同様の効果が得られるため、全てのストリップ導体のY方向寸法が同一である必要はない。また、実施の形態2では、8つのストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hと4つの貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dを適用しているが、同様の構造であれば、それぞれの個数を上記の個数に限定する必要はない。また、実施の形態2では、ストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4hの短絡手段として貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dを適用しているが、短絡手段を貫通スルーホール列に限定する必要はない。実施の形態3.図11,図12を用いて本発明の実施の形態3による電磁シールド扉について説明する。図11は、実施の形態3に係る電磁シールド扉を示す図であり、図12は、図11のA-A’を通るXY断面の拡大図である。図11,図12において、6は導電性ガスケットで、導電性かつ弾性の特性を有しており、扉1と扉枠2との対向面において、扉1の壁面に配置されており、扉1を閉じた状態において、扉枠2と接触して扉1と扉枠2が電気的に接続される構造を有している。その他の部位の符号と説明は実施の形態1または実施の形態2と同じなので説明は省略する。また、共振器装荷誘電体基板3には、実施の形態1で説明したストリップ導体4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4h,及び貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dと同形状のストリップ導体、及び貫通スルーホール列が配置されている。すなわち、実施の形態3による電磁シールド扉は、実施の形態1または実施の形態2による電磁シールド扉に、従来の電磁シールド扉で用いられる導電性ガスケットを追加した構造を有している。次に、実施の形態3による電磁シールド扉の動作について説明する。まず、導電性ガスケット6により、扉1と扉枠2が電気的に接続されているので、扉1と扉枠2の隙間には、電磁波がほぼ侵入しない。そして、導電性ガスケット6を通過し、扉1と扉枠2の隙間をY方向に伝搬する電磁波は、実施の形態1で説明した動作により、周波数faから7.5faまでの広帯域な帯域において減衰する。以上のように、この発明の実施の形態3における電磁シールド扉によれば、実施の形態1または2における効果に加え、扉1と扉枠2との隙間が全て電気的に接続されるので、扉1と扉枠2の隙間における電磁波の漏洩と浸入をより確実に防ぎ、有効な電磁シールド特性を得ることができる。なお、実施の形態3では、共振器装荷誘電体基板3を、扉1と扉枠2との対向面における扉1の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板3を配置する壁面は、扉1と扉枠2との対向面における扉枠2の壁面、あるいは扉1と扉枠2の両壁面でも構わない。また、実施の形態3では、導電性ガスケット6を、扉1と扉枠2との対向面における扉1の壁面に配置しているが、導電性ガスケット6を配置する壁面は、扉1と扉枠2との対向面における扉枠2の壁面、あるいは扉1と扉枠2の両壁面でも構わない。また、その配置箇所と個数も本実施の形態と同一である必要はない。さらに、実施の形態3では、導電性ガスケット6は導電性かつ弾性の特性を有し、図12に示す構造を有しているが、扉を閉じた状態で扉1と扉枠2とを電気的に接続できるのであれば、導電性ガスケット6が有する特性と構造は本実施の形態と同一である必要はない。また、実施の形態3では、共振器装荷誘電体基板3に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板3に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はない。また、実施の形態3では、実施の形態1で説明した共振器装荷誘電体基板3を用いているが、共振構造を有する誘電体基板であれば、その構造を限定する必要はない。実施の形態4.図13~図15を用いて本発明の実施の形態4による電磁シールド扉について説明する。図13は、実施の形態4に係る電磁シールド扉を示す図であり、図14,図15は、図13のA-A’を通るXY断面の拡大図である。図13~図15において、9は電磁波吸収体で、使用される材料により決まる特定の周波数帯域において、電気的損失、誘電損失、あるいは磁気損失により電磁波を吸収する特性を有しており、図14においては、扉1と扉枠2との対向面において、扉枠2の壁面に配置されている。また、図15においては、共振器装荷誘電体基板3と電磁波吸収体9とが、扉1と扉枠2との対向面における扉1と扉枠2の両壁面に、それぞれ扉厚方向に分割された状態で配置されており、かつ、扉1と扉枠2が対向する箇所において、共振器装荷誘電体基板3と電磁波吸収体9とが対向するように貼付されている。すなわち、実施の形態4による電磁シールド扉は、実施の形態1または実施の形態2による電磁シールド扉に、電磁波吸収体9を追加した構造を有している。次に、実施の形態4による電磁シールド扉の動作について説明する。扉1と扉枠2の隙間を伝搬する電磁波は、実施の形態1で説明した動作により、周波数faから7.5faまでの広帯域な帯域において減衰する。また、扉1と扉枠2の隙間において扉枠2の壁面には電磁波吸収体9が配置されているので、電磁波吸収体9の材料により決まる特定の周波数帯域において、電磁波は電磁波吸収体9に吸収され、その結果、その特定の周波数帯域における電磁波は減衰する。以上のように、この発明の実施の形態4における電磁シールド扉によれば、実施の形態1または2における効果に加え、電磁波吸収体9が有する電磁シールド性能を併せ持った電磁シールド扉を実現できる。なお、実施の形態4の図14の場合には、共振器装荷誘電体基板3を、扉1と扉枠2との対向面における扉1の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板3を配置する壁面は、扉1と扉枠2との対向面における扉枠2の壁面、あるいは扉1と扉枠2の両壁面でも構わない。また、実施の形態4の図14の場合には、電磁波吸収体9を、扉1と扉枠2との対向面における扉枠2の壁面に配置しているが、電磁波吸収体9を配置する壁面は、共振器装荷誘電体基板3に対向する面であれば、扉1と扉枠2との対向面における扉1の壁面、あるいは扉1または扉枠2に共振器装荷誘電体基板3が貼付された面上でも構わない。また、その配置箇所と個数も本実施の形態と同一である必要はない。さらに、実施の形態4の図15の場合には、扉厚方向に分割された共振器装荷誘電体基板3と電磁波吸収体9とを、扉1と扉枠2との対向面における扉1と扉枠2の両壁面に配置しているが、扉厚方向に分割された共振器装荷誘電体基板3と電磁波吸収体9とを配置する壁面は、扉1と扉枠2の対向面における扉1または扉枠2のいずれか一方の壁面でも構わない。また、実施の形態4では、共振器装荷誘電体基板3に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板3に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はない。また、実施の形態4では、実施の形態1で説明した共振器装荷誘電体基板3を用いているが、共振構造を有する誘電体基板であれば、その構造を限定する必要はない。実施の形態5.図18~図21を用いて本発明の実施の形態5による電磁シールド扉について説明する。図18は、実施の形態5に係る電磁シールド扉を示す図であり、図19は、図18のA-A’を通るXY断面の拡大図である。また、図20は、図19における共振器装荷誘電体基板3を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図で、図21は、図20のB-B’を通るXY断面図である。図20,図21において、10は導電性ネジを示し、その他の符号と説明は実施の形態1と同じなので説明は省略する。すなわち、実施の形態5による電磁シールド扉は、実施の形態1による電磁シールド扉の共振器装荷誘電体基板3において、貫通スルーホール列5a,5b,5c,5dを構成する貫通スルーホールを、導電性ネジ10で置き換えた構造を有している。また、実施の形態5による電磁シールド扉の動作については、実施の形態1と同じなので説明は省略する。以上のように、この発明の実施の形態5における電磁シールド扉によれば、実施の形態1と同じ効果を有する電磁シールド扉を、貫通スルーホールを用いない、より簡易な構造により実現することができる。また、導電性ネジ10により、共振器装荷誘電体基板3を扉1に容易に固定することができる。なお、実施の形態5では、実施の形態1における全ての貫通スルーホールを導電性ネジ10で置き換えているが、全ての貫通スルーホールを導電性ネジに置き換える必要はなく、例えば全ての貫通スルーホールのうちのいくつかを導電性ネジ10に置き換えるようにしてもよい。実施の形態6.図22を用いて本発明の実施の形態6による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態6に係る電磁シールド扉を示す図は、実施の形態5に係る電磁シールド扉を示す図18と同じであるため、図示および説明を省略する。また、図18のA-A’を通るXY断面の拡大図である図19、図19における共振器装荷誘電体基板3を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図である図20についても、実施の形態5と同じであるため、図示および説明を省略する。そして、図22は、実施の形態6による電磁シールド扉において、図20のB-B’を通るXY断面図である。図22において、3aと3bは共振器装荷誘電体基板を示し、実施の形態5における図20の共振器装荷誘電体基板3と同じ比誘電率を有する。その他の符号と説明は実施の形態5と同じなので説明は省略する。すなわち、実施の形態6による電磁シールド扉は、実施の形態5による電磁シールド扉において、複数の共振器装荷誘電体基板3を基板厚方向に積み重ねた構造をしている。次に、実施の形態6による電磁シールド扉の動作について説明する。実施の形態6による電磁シールド扉は、実施の形態5における共振器装荷誘電体基板3の代わりに、共振器装荷誘電体基板3aと3bを基板厚方向に積み重ねて構成しているので、実施の形態5において共振器装荷誘電体言板3の基板厚を厚くした場合と等価となる。一般に、共振構造の寸法を大きくすると共振周波数は低くなるので、図22におけるストリップ導体4は、図21におけるストリップ導体よりも短い周波数で共振し、その周波数における電磁シールド特性が得られる。以上のように、この発明の実施の形態6における電磁シールド扉によれば、実施の形態5と同じ効果を有する上に、実施の形態5よりも低い周波数において、電磁シールド性能を実現することができる。なお、実施の形態6では、2つの共振器装荷誘電体基板3aと3bを用いているが、実施の形態5において共振器装荷誘電体基板3の基板厚を厚くした場合と等価な構造が得られるのであれば、用いる共振器装荷誘電体基板の個数を2つに限定する必要はなく、例えば3つ以上としてもよい。実施の形態7.図23を用いて本発明の実施の形態7による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態7においても、電磁シールド扉を示す図は、実施の形態5に係る電磁シールド扉を示す図18と同じであり、また、図18のA-A’を通るXY断面の拡大図である図19、図19における共振器装荷誘電体基板3を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図である図20についても、実施の形態5と同じであるため、図示および説明を省略する。そして、図23は、実施の形態7による電磁シールド扉において、図20のB-B’を通るXY断面図である。図23において、3cは共振器装荷誘電体基板を示し、共振器装荷誘電体基板3aとは異なる比誘電率を有する。その他の符号と説明は実施の形態5,6と同じなので説明は省略する。すなわち、実施の形態7による電磁シールド扉は、実施の形態6による電磁シールド扉において、共振器装荷誘電体基板3bを、比誘電率の異なる共振器装荷誘電体基板3cに置き換えた構造を有している。次に、実施の形態7による電磁シールド扉の動作について説明する。実施の形態7による電磁シールド扉は、実施の形態6における共振器装荷誘電体基板3bを共振器装荷誘電体基板3cに置き換えて構成しているので、ストリップ導体4に対する実効比誘電率が変化し、それに伴ってストリップ導体4が共振する周波数も変化する。よって、共振器装荷誘電体基板3cの比誘電率を選択することで、図23におけるストリップ導体4の寸法を変更することなく、ストリップ導体4が共振する周波数、すなわち電磁シールド特性が得られる周波数を調整できる。以上のように、この発明の実施の形態7における電磁シールド扉によれば、実施の形態6と同じ効果を有する上に、ストリップ導体4の寸法を変更することなく、実施の形態6において電磁シールド性能が得られる周波数を調整することができる。なお、実施の形態7では、2つの共振器装荷誘電体基板3aと3cを用いているが、比誘電率が異なるのであれば、用いる共振器装荷誘電体基板の個数を2つに限定する必要はなく、例えば3つ以上としてもよい。実施の形態8.図24,図25を用いて本発明の実施の形態8による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態8においても、電磁シールド扉を示す図は、実施の形態5に係る電磁シールド扉を示す図18と同じであり、また、図18のA-A’を通るXY断面の拡大図である図19についても、実施の形態5と同じであるため、図示および説明を省略する。図24は、実施の形態8による電磁シールド扉において、図19における共振器装荷誘電体基板3を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図で、図25は、図24のB-B’を通るXY断面図である。図24,図25において、12は導体板金属板を示し、実施の形態5における図20で示したストリップ導体4と同じ寸法を有し、かつ、同じ箇所に配置されている。その他の符号と説明は実施の形態5と同じなので説明は省略する。すなわち、実施の形態8による電磁シールド扉は、実施の形態5による電磁シールド扉の共振器装荷誘電体基板3において、ストリップ導体4を導体板12で置き換えた構造を有している。また、実施の形態8による電磁シールド扉の動作については、実施の形態5と同じなので説明は省略する。以上のように、この発明の実施の形態8における電磁シールド扉によれば、実施の形態5と同じ効果を有する電磁シールド扉を、導体パターンを用いない、より簡易な構造により実現することができる。実施の形態9.図26~図29を用いて本発明の実施の形態9による電磁シールド扉について説明する。図26は、実施の形態9に係る電磁シールド扉を示す図であり、図27は、図26のA-A’を通るXY断面の拡大図である。この実施の形態9による電磁シールド扉は、実施の形態5における図18で示した共振器装荷誘電体基板3を、誘電体13に置き換えた構造を有している。図28は、図27における誘電体13を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図で、図29は、図28のB-B’を通るXY断面図である。図28,図29において、13a,13b,13c,13d,13eは誘電体、16a,16b,16c,16d,16e,16f,16g,16hは誘電体固定冶具金属固定具を示し、その他の符号と説明は実施の形態5と同じなので説明は省略する。誘電体1313a,13b,13c,13d,13eの表裏面と側面は、誘電体固定冶具1616a,16b,16c,16d,16e,16f,16g,16hによって囲まれており、図28に示す誘電体13の表面部分の誘電体固定冶具16の寸法は、実施の形態5における図20で示したストリップ導体4と同じ寸法を有し、かつ、同じ箇所に配置されている。また、誘電体固定冶具16は、導電性ネジ10によって扉1に固定されている。すなわち、実施の形態9による電磁シールド扉は、実施の形態5による電磁シールド扉におけるストリップ導体4と導電性ネジ10を、誘電体固定冶具16と導電性ネジ10で置き換えた構造を有している。また、実施の形態9による電磁シールド扉の動作については、実施の形態5と同じなので説明は省略する。以上のように、この発明の実施の形態9における電磁シールド扉によれば、実施の形態5と同じ効果を有する電磁シールド扉を、ストリップ導体を用いない、より簡易な構造により実現することができる。実施の形態10.図30~図33を用いて本発明の実施の形態10による電磁シールド扉について説明する。図30は、実施の形態10に係る電磁シールド扉を示す図であり、図31は、図30のA-A’を通るXY断面の拡大図である。この実施の形態10による電磁シールド扉は、実施の形態5における図18で示した共振器装荷誘電体基板3を、側面メッキ誘電体15に置き換えた構造を有している。図32は、図31における側面メッキ誘電体15を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図で、図33は、図32のB-B’を通るXY断面図である。図32,図33において、11は導電性接着剤、15a,15b,15c,15d,15eは側面メッキ誘電体を示し、その他の符号と説明は実施の形態5と同じなので説明は省略する。導電性接着剤11は、導電性の接着剤である。また、側面メッキ誘電体1515a,15b,15c,15d,15eは、表裏面に加えて側面にもストリップ導体4を配置した誘電体であり、表面に配置されたストリップ導体4の寸法は、実施の形態5における図20で示したストリップ導体4と同じ寸法を有し、かつ、同じ箇所に配置されている。すなわち、実施の形態10による電磁シールド扉は、実施の形態5による電磁シールド扉におけるストリップ導体4と導電性ネジ10を、側面メッキ誘電体15の側面に配置したストリップ導体4と導電性接着剤11とで置き換えた構造を有している。また、実施の形態10による電磁シールド扉の動作については、実施の形態5と同じなので説明は省略する。以上のように、この発明の実施の形態10における電磁シールド扉によれば、実施の形態5と同じ効果を有する電磁シールド扉を、導電性ネジとネジ穴を用いない、より簡易な構造により実現することができる。実施の形態11.図34~図36を用いて本発明の実施の形態11による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態11においても、電磁シールド扉を示す図は、実施の形態5に係る電磁シールド扉を示す図18と同じである。そして、図34は、実施の形態11による電磁シールド扉において、図18のA-A’を通るXY断面の拡大図である。また、図35は、図34における共振器装荷誘電体基板3を、扉1への貼付面と反対側から見たYZ平面図で、図36は、図34のB-B’を通るXY断面図である。図35,図36において、17は導電性皿ネジを示し、取り付け時にネジ頭部分が突起とならず取り付け箇所が平坦となる構造を有している。その他の符号と説明は実施の形態5と同じなので説明は省略する。すなわち、実施の形態11による電磁シールド扉は、実施の形態5による電磁シールド扉における導電性ネジ10を、導電性皿ネジ17に置き換えた構造を有している。また、実施の形態11による電磁シールド扉の動作については、実施の形態5と同じなので説明は省略する。なお、実施の形態6~9についても、導電性ネジ10を導電性皿ネジ17に置き換えることにより、取り付け箇所がより平坦な構造の電磁シールド扉を実現することができる。以上のように、この発明の実施の形態11における電磁シールド扉によれば、実施の形態5~9と同じ効果を有する電磁シールと扉を、ネジ頭のない導電性皿ネジを用いることにより、より平坦な構造で実現することができる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"