"A式aで表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びB式B1で表される塩を含むレジスト組成物。[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。環Wは、炭素数4~36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Xxは、単結合又は-A-CO-O-を表す。Aは炭素数1~10の炭化水素基を表す。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]前記式aにおける[式中、Wは上記と同じ意味を表す。は結合手を表す。]で表される基が、式a-1Aで表される基又は式a-2Aで表される基である請求項1記載のレジスト組成物。[式a-1A中、アダマンタン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。アダマンタン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。][式a-2A中、シクロヘキサン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。シクロヘキサン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。]前記Aが、式aで表される化合物に由来する構造単位に加え、式a1-1で表される化合物に由来する構造単位及び式a1-2で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を有する樹脂である請求項1又は2記載のレジスト組成物。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。はカルボニル基との結合手を表す。k1は1~7の整数を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。k2は1~7の整数を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。]前記Aが、式aで表される化合物に由来する構造単位に加え、式a3-1で表される化合物に由来する構造単位、式a3-2で表される化合物に由来する構造単位及び式a3-3で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を有する樹脂である請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。はカルボニル基との結合手を表す。k3は1~7の整数を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表し、p1が2以上のとき、複数のRa21は同一であっても異なってもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1は、0~3の整数を表し、q1が2以上のとき、複数のRa22は同一であっても異なってもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。r1は、0~3の整数を表し、r1が2以上のとき、複数のRa23は同一であっても異なってもよい。]前記式B1のYが、置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である請求項1~4のいずれか記載のレジスト組成物。1請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記のレジスト組成物では、得られるレジストパターンのラインエッジラフネスLERが必ずしも満足できるものではなかった。本発明は、以下の発明を含む。1A式aで表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びB式B1で表される塩を含むレジスト組成物。[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。環Wは、炭素数4~36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Xxは、単結合又は-A-CO-O-を表す。Aは炭素数1~10の炭化水素基を表す。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]2前記式aにおける[式中、Wは上記と同じ意味を表す。は結合手を表す。]で表される基が、式a-1Aで表される基又は式a-2Aで表される基である1記載のレジスト組成物。[式a-1A中、アダマンタン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。アダマンタン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。][式a-2A中、シクロヘキサン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。シクロヘキサン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。]3前記Aが、式aで表される化合物に由来する構造単位に加え、式a1-1で表される化合物に由来する構造単位及び式a1-2で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を有する樹脂である前記1又は2記載のレジスト組成物。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。はカルボニル基との結合手を表す。k1は1~7の整数を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。k2は1~7の整数を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。]4前記Aが、式aで表される化合物に由来する構造単位に加え、式a3-1で表される化合物に由来する構造単位、式a3-2で表される化合物に由来する構造単位及び式a3-3で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を有する樹脂である前記1~3のいずれか記載のレジスト組成物。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。はカルボニル基との結合手を表す。k3は1~7の整数を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表し、p1が2以上のとき、複数のRa21は同一であっても異なってもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1は、0~3の整数を表し、q1が2以上のとき、複数のRa22は同一であっても異なってもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。r1は、0~3の整数を表し、r1が2以上のとき、複数のRa23は同一であっても異なってもよい。]5前記Bが、前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である塩を含む前記1~4のいずれか記載のレジスト組成物。61前記1~5のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物によれば、優れたラインエッジラフネスLERを有するレジストパターンを製造することができる。<レジスト組成物>本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、A式aで表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂以下、場合により樹脂Aという。及びB式B1で表される塩を含む。また、本発明のレジスト組成物は、さらに溶剤及び/又は塩基性化合物を含有していることが好ましい。<樹脂A>樹脂Aは、式aで表される化合物以下、場合により化合物aという。に由来する構造単位を有する。式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。環Wは、炭素数4~36の2価の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子-O-、本明細書では、該酸素原子を-O-で示すことがある。、硫黄原子-S-、本明細書では、該硫黄原子を-S-で示すことがある。、カルボニル基-CO-、本明細書では、該カルボニル基を-CO-で示すことがある。又はスルホニル基-SO2-、本明細書では、該スルホニル基を-SO2-で示すことがある。に置き換わっていてもよい。Xxは、単結合又は-A-CO-O-基を表す。Aは炭素数1~10の炭化水素基を表す。式aにおいて、で示される部分構造は、環Wを構成する炭素原子のうちの1つと、Xx及びブチロラクトンイル基とが結合していることを示す。なお、環Wの脂環式炭化水素環とは、この環が芳香族性を有さない限り、上述のとおり該環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Wは、炭素数が4~36の脂環式炭化水素環を表し、その炭素数は5~18であると、より好ましく、炭素数6~12であるとさらに好ましい。好ましい脂環式炭化水素環としては、アダマンタン環、シクロヘキサン環及びノルボルネン環が挙げられ、これらの中でも、アダマンタン環及びシクロヘキサン環が特に好ましい。なお、ここでいう炭素数とは、環に含まれるメチレン基が上述のような基に置き換えられる前の炭素数をいう。Wを含む基、すなわち式aにおける式中、は結合手を表す。で示される基は、式a-1Aで表される基又は式a-2Aで表される基であると好ましい。[式a-1A中、アダマンタン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。アダマンタン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。]なお、アダマンタン環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わる場合、置き換えられるメチレン基の個数は最大2個程度である。[式a-2A中、シクロヘキサン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。シクロヘキサン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。]なお、シクロヘキサン環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わる場合、置き換えられるメチレン基の個数は最大2個程度である。式a-1Aのアダマンタン環に含まれる水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基からなる群より選ばれる基に置き換えられている場合、その置換数は最大3個程度であり、この置換数が2以上の場合、置き換えられた複数の基は同一であっても異なってもよい。なお、ここでいうアダマンタン環に含まれる水素原子とは、アダマンタン環の環を構成する原子である炭素原子に結合している水素原子をいう。同様に、式a-2Aのシクロヘキサン環にある水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基からなる群より選ばれる基に置き換えられている場合、その置換数は最大3個程度であり、この置換数が2以上の場合、置き換えられた複数の基は同一であっても異なってもよい。なお、ここでいうシクロヘキサン環にある水素原子とは、シクロヘキサン環の環を構成する原子である炭素原子に結合している水素原子をいう。式a-1Aのアダマンタン環又は式a-2Aのシクロヘキサン環に含まれる水素原子が置き換わることもある基置換基において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基及びヘキシル基などが挙げられ、これらのアルキル基は直鎖でも、分岐していてもよい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基及びオクチルオキシ基などが挙げられ、これらのアルコキシ基は直鎖でも、分岐していてもよい。脂環式炭化水素基としては、下記に示す基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基などが挙げられる。式aのXxは単結合又は-A-CO-O-Aは前記と同義である。で表される基である。Aの炭化水素基としては、例えば、アルカンジイル基、シクロアルカンジイル基及びこれらを組み合わせた2価の基が挙げられる。該アルカンジイル基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基及び2-メチルプロパン-1,2-ジイル基などの炭素数1~10のアルカンジイル基が挙げられる。シクロアルカンジイル基としては、シクロヘキサンジイル基などの単環式の基に捕らわれず、アダマンタンジイル基などの多環式の基であってもよい。アルカンジイル基及びシクロアルカンジイル基を組合わせた2価の基としては例えば、式Xx-A、式Xx-B又は式Xx-Cで表される基が挙げられる。[式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基を表し、ともに単結合であることはない。ただし、式Xx-A~式Xx-Cで表される基の総炭素数は6~20である。]Xxは単結合であるか、Aがアルカンジイル基である-A-CO-O-で表される基が好ましい。化合物aとしては、以下の化合物が挙げられる。化合物aは、例えば、前記特許文献1に記載された方法に準じて製造することができる。樹脂Aにおいて、樹脂Aの全構造単位100モルに対する化合物aに由来する構造単位の合計モル量樹脂A中の化合物aに由来する構造単位の含有量は、1~100モルが好ましく、5~95モルがより好ましく、5~60モルがさらに好ましく、5~50モルがとりわけ好ましい。なお、このような含有量で化合物aに由来する構造単位を含む樹脂Aは、樹脂Aを製造する際に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物aの使用モル量を適宜調節すればよい。樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる特性を有する樹脂であることが好ましい。そのために、樹脂Aは、化合物aに由来する構造単位に加えて、さらに、酸に不安定な基以下、場合により酸不安定基という。を有するモノマーに由来する構造単位を有していることが好ましい。ここで、酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触すると当該保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する。当該保護基により保護されている親水性基が、前記酸不安定基に相当する。該親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という。を化合物aとともに重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を用いてもよい。<モノマーa1>親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する該有機残基の原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3以下、場合によりRa1~Ra3のように表記する。は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra1及びRa2が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環、該脂肪族炭化水素基又は該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などであり、これらのアルキル基は直鎖でも、分岐していてもよい。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、その炭素数が3~16であると好ましい。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合の-CRa1Ra2Ra3で表される基としては、下記に示す基が挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基としては、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表される基以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3が互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Rb2及びRb3が互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。ここで、脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基は、式1のRa1~Ra3の場合で説明したものと同じである。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルなどのアリール基が挙げられる。Rb1~Rb2のうち、少なくとも1つは水素原子であると好ましい。酸不安定基2としては、以下の基が挙げられる。モノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と、炭素-炭素二重結合とを分子内に有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。さらに好ましいモノマーa1は、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。ここで、メタアクリルとは、アクリル及び/又はメタクリルを表す。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素構造を有する基が好ましい。この脂環式炭化水素構造を有する基は例えば、前記式aのWとして説明したもののうち、好ましい例として説明したものと同じものが挙げられる。このような立体的に嵩高い脂環式炭化水素構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aは、該樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環式炭化水素構造を有する基である酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という。が好ましい。モノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造される樹脂Aを含む本レジスト組成物は、より一層優れたラインエッジラフネスLERを有するレジストパターンを製造できる。なお、樹脂Aを製造する際、これらのモノマーは単独で使用してもよく、2種以上を用いてもよい。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。はカルボニル基との結合手を表す。k1は1~7の整数を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。k2は1~7の整数を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。]式a1-1において、-CH3m1の表記は、アダマンタン環に含まれる水素原子、すなわち、アダマンタン環にあるメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がm1個であることを意味する。同様に、式a1-2において、-CH3m1の表記は、シクロアルカン環に含まれる水素原子、すなわち、シクロアルカン環に含まれるメチレン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、そのメチル基の個数がn1個であることを意味する。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又はk1及びk2が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-又は-O-CH2k2-CO-O-で表される基あり、より好ましくは酸素原子又はk1及びk2が1である-O-CH2-CO-O-で表される基あり、一層好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などが挙げられる。これらアルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6及びRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。Ra6又はRa7が脂環式炭化水素基である場合、当該脂環式炭化水素基は単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び、下記に示す基などが挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は好ましくは、0又は1である。は、アダマンタン環又はシクロアルカン環との結合手を表す。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキシルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aがモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位を含む場合、これらのモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、所望する含有量にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を上記範囲にして製造すればよい。モノマーa1としては、さらに以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、場合によりモノマーa1-3という。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra9の-COORa13は例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基などのアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。Ra9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13の脂肪族炭化水素基や脂環式炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12は例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基などが挙げられる。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂環式炭化水素環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環などが挙げられる。モノマーa1-3は例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。したがって、この構造単位を有する樹脂Aを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点で、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。モノマーa1としては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。も用いることができる。[式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で示される基に置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の各々に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基に置換されていてもよい。]式a1-4において、Ra32及びRa33のハロゲン原子は例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などである。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などが挙げられる。Ra33のアルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基及びn-ヘキトキシ基などが挙げられる。Ra33のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。Ra33のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。Ra34及びRa35の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。該脂肪族炭化水素基は、炭素数の上限が異なる以外は、式a1-1のRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として例示したものを含む。該脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。該脂環式炭化水素基も、炭素数の上限が異なる以外は、式a1-1のRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として例示したものを含む。該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イル-1-アルキル基及びイソボルニル基などが好ましい。該芳香族炭化水素基は典型的にはアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルなどである。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などである。上述したように、Xa2及びYa3は、これらに含まれる水素原子がハロゲン原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1としてはメタアクリル系モノマーすなわち、アクリル基又はメタクリル基と酸不安定基2とを有するモノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という。が挙げられる。式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L1~L3は、酸素原子又は硫黄原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。s1及びs1’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。式a1-5において、R31は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であることが好ましい。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることがより好ましい。s1は、1が好ましい。s1’は、0~2の整数が好ましい。Z1としては、単結合又は-CH2-CO-O-であることが好ましい。モノマーa1-5の具体例としては、以下のとおりである。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する構造単位a1として、以下のモノマーを用いることができる。樹脂Aが、上述したモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマー>樹脂Aとしては、化合物a及びモノマーa1に加えて、酸不安定基を有さないモノマー以下、場合により酸安定モノマーという。を用いて得られる共重合体であると好ましい。また、本レジスト組成物に用いる添加物すなわち、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂ではない成分として、化合物a及び酸安定モノマーから得られる、酸不安定基を有さない樹脂を用いることもある。酸安定モノマーを用いて樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量との割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1として用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含む本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。酸安定モノマーとしては、例えば、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という。及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という。に由来する構造単位を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含む本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜及び/又は該塗布膜から得られる組成物層は基板との密着性に優れる傾向があり、高解像度で、レジストパターンを製造することができる。<ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、当該樹脂Aを含む本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を挙げることができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類などを樹脂Aの製造に用いることが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを樹脂Aの製造に用いることが好ましい。このように、樹脂A製造に用いる酸安定モノマーa2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、当該酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみを用いて樹脂Aを製造してもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。が挙げられる。なお、この式a2-0は、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されていない形式で示されている。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい]Ra30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基の具体例は、式a1-4のRa32の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、式a1-4のRa33の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aを製造する場合は、酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなるモノマーを用いることができる。保護基としては、例えば、酸で脱離する保護基などが挙げられる。酸で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸との接触により、脱保護することができるため、容易に酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を形成することができる。ただし、樹脂Aが、酸不安定基を含む構造単位a1を有している場合、塩基で脱保護可能な保護基でフェノール性ヒドロキシ基が保護された酸安定モノマーa2-0を用いて重合を行い、脱保護する際には、構造単位a1の酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。塩基で脱保護可能な保護基としては、例えば、アセチル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノビリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。上述の酸安定モノマーa2-0の例示の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa2として、式a2-1で表されるモノマー以下、場合により酸安定モノマーa2-1という。も用いることができる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k4-CO-O-k4は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1において、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k4が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基あり、さらに好ましくは、酸素原子又は、k4が1である-O-CH2k2-CO-O-で表される基あり、より好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲から選ばれ、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。<ラクトン環を含有する酸安定モノマー酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という。酸安定モノマーa3-1、酸安定モノマーa3-2及び酸安定モノマーa3-3からなる群より選ばれる酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する樹脂Aは、より一層優れたLERを有するレジストパターンを製造できる本レジスト組成物を与える。式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表し、p1が2以上のとき、複数のRa21は同一であっても異なってもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は前記と同義である。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1は、0~3の整数を表し、q1が2以上のとき、複数のRa22は同一であっても異なってもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は前記と同義である。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。r1は、0~3の整数を表し、r1が2以上のとき、複数のRa23は同一であっても異なってもよい。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6は、それぞれ独立に、好ましくは、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、k3が1の-O-CH2k3-CO-O-で表される基であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3は例えば、以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルといったメタクリレートエステル類がより好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa3-1に由来する構造単位、酸安定モノマーa3-2に由来する構造単位及び酸安定モノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~50モルの範囲から選ばれ、10~40モルの範囲が好ましく、15~40モルの範囲がさらに好ましい。こうすることにより、該樹脂Aを含む本レジスト組成物は、より一層優れたLERを有するレジストパターンを製造できる。<酸安定モノマーa4>さらにその他の酸安定モノマーである酸安定モノマーa4としては、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。式a4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。このRa27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール及び5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及び酸安定モノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を分子内に有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-4という。などが挙げられる。式a4-4中、La7は、酸素原子又は-T-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。Tは酸素原子又はNHである。を表し、はカルボニル基との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基を表す。スルトン環としては、下記に示すものが挙げられる。スルトン環を含む残基の代表例は、下記に示すスルトン環にある水素原子の1つが、La7との結合手に置き換わったものである。スルトン環を含む残基のうち置換基を有するものとは、上述のLa7との結合手に置き換わった水素原子以外の水素原子がさらに置換基で置換されたものであり、該置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。酸安定モノマーa4-4の具体例を下記に示す。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-5という。も使用できる。このような酸安定モノマーa4-5の中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<式3で表される基を有するその他の酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa5という。>酸安定モノマーa5は以下の式3で表される基を有するものである。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。]R10のフッ化アルキル基はフッ素原子を有するアルキル基を意味する。該フッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-パーフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-パーフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。R10のフッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa5としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂Aが、酸安定モノマーa5に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<式4で表される基を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa6という。>酸安定モノマーa6は以下の式4で表される基を有するものである。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A2は、単結合、-CH2m-SO2-O-又は-CH2m-CO-O-を表し、該-CH2m-に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、該-CH2m-に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。mは、1~12の整数を表す。]R11における炭素数6~12の芳香族炭化水素基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基及びアントリル基などが挙げられる。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。ここでいう炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。R11としては、以下の基が挙げられる。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基及びドデシル基などの直鎖状アルキル基イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、メチルペンチル基、エチルペンチル基、メチルヘキシル基、エチルヘキシル基、プロピルヘキシル基及びtert-オクチル基などの分岐鎖状アルキル基でもよいが、好ましくはイソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基及びエチルヘキシル基である。脂環式炭化水素基としては、以下に示す基が挙げられる。R12が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。該ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下に示す基が挙げられる。R12が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、R11の場合で説明したものと同じである。A2としては、下記の基が挙げられる。酸安定モノマーa6としては、例えば、式a6-1で表されるモノマーが好ましい。[式a6-1中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA2は、上記と同じ意味を表す。]式a6-1で表されるモノマーの具体例は、以下で表される化合物を挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa6に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。好ましい樹脂Aは、化合物aと、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。より一層優れたLERを有するレジストパターンを製造できる本レジスト組成物を得るうえでは、化合物aと、モノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2と、酸安定モノマーa3-1、酸安定モノマーa3-2及び酸安定モノマーa3-3からなる群より選ばれる酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体を樹脂Aとして用いることが一層好ましい。樹脂Aは、化合物aと、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及び酸安定モノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上である。また、該重量平均分子量は50,000以下が好ましく、30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<酸発生剤B>式B1で表される塩以下、場合により酸発生剤Bという。は、本レジスト組成物において酸発生剤として機能するものである。なお、以下の説明において、この酸発生剤Bのうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンである。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基は例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。本レジスト組成物には、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子である酸発生剤Bが好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤Bがより好ましい。Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤Bと、樹脂Aとを含む本レジスト組成物は、LERがより一層優れたレジストパターンを製造することができる。Lb1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐鎖状アルカンジイル基及び、単環式又は多環式の2価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的な2価の飽和炭化水素基を、以下に示す。メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基及びプロパン-2,2-ジイル基などの直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基などの側鎖を含む分岐状アルカンジイル基、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基などの分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基及びシクロオクタン-1,5-ジイル基などのシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式炭化水素基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基及びアダマンタン-2,6-ジイル基などの多環式の2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。Lb1における前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。後述する式b1-1~式b1-6で示される基の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表し、Lb4は、炭素数1~13の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物には、これらの中でも、式b1-1で表される基をLb1として有する酸発生剤Bが好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される基をLb1として有する酸発生剤Bがより好ましい。ここで、式b1-1~式b1-6で表される基の具体例を挙げる。なお、は結合手を表す。式b1-1で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基などが挙げられる。該芳香族炭化水素基は例えば、フェニル基、トシル基及びナフチル基などが挙げられる。該アラルキル基は例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基などが挙げられる。該アシル基としては、アセチル基及プロピオニル基などが挙げられる。式B1におけるYは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Yの脂肪族炭化水素基としてはアルキル基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基がさらに好ましい。アルキル基は直鎖であっても、分岐していてもよい。また、Yの脂環式炭化水素基とは、炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましい。脂環式炭化水素基は単環式であっても、多環式であってもよい。上述のように、脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基は任意に置換基を有する。ここで、置換基を有する脂肪族炭化水素基とは、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基に置換されている基を意味する。一方、置換基を有する脂環式炭化水素基とは、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基に置換されている基を意味する。ここでいう置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。該脂環式炭化水素基、該芳香族炭化水素基及び該アラルキル基に含まれる水素原子は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。Yの脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数3~16の脂環式炭化水素基で置換されていてもよく、Yの脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Yの脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。なかでも、Yは、置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基であることが好ましい。Yの脂環式炭化水素基としては、以下の式Y1~式Y26のいずれかで表される基が好ましい。ここで、式Y12~式Y26で表される基が、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1~3個がそれぞれ、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基からなる群より選ばれる基に置き換わった基に該当する。なお、これら式Y1~式Y26で表される基において、はLb1に結合している結合手を表す。これらの例示の中でも、Yとしては、式Y1~式Y19のいずれかで表される基が好ましく、式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基がさらに好ましく、式Y11又は式Y14で表される基がより好ましい。環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yとしては、ヒドロキシ基を有していてもよいアダマンチル基であると好ましく、さらに好ましいYとしてはアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基を挙げることができる。スルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-1-1~式b1-1-9で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。これらのスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基又脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。Yが無置換の脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが無置換の脂環式炭化水素基又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-4で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。以上例示したスルホン酸アニオンの中でも、Lb1が式b1-1で表される基であるものが好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。酸発生剤Bに含まれるカチオンは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。酸発生剤B中の有機カチオンZとしてもスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4のいずれかで表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4ということがある。である。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基であり、これらが脂肪族炭化水素基である場合、その炭素数は1~12であることが好ましく、脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基などが挙げられる。Rb9~Rb12の脂肪族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基が挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数1~12のアルキル基がより好ましい。該脂肪族炭化水素基は、置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよい。該脂環式炭化水素基の炭素数は4~18であることが好ましい。前記脂環式炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21の各々は、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。このような有機カチオンを有する酸発生剤Bを含む本レジスト組成物は、より良好なフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができるという利点もある。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤Bは上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これらは任意に組み合わせることができるが、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1との組合せである酸発生剤B、並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3との組合せである酸発生剤Bが好ましい。さらに好ましい酸発生剤Bは、以下の式B1-1~式B1-17のいずれかで表される塩である。これらの中でも、Yが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基である塩が好ましく、具体的には、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-11及び式B1-15のいずれかで表される塩がより好ましい。また、酸発生剤Bを製造することが容易であるなどの点では、トリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤Bが好ましく、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14、並びに式B1-3のいずれかで表される塩がより好ましい。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>本レジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。ここで、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なっていてもよい。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミンなどが挙げられる。また、以下の式C3~式C11のいずれかで表される化合物を用いることができる。ここで、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28の具体例は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc19及びRc22の具体例は、前記のRc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なっていてもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なっていてもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なっていてもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なっていてもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6程度の脂環式炭化水素基である。又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6程度のアルカノイル基である。を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は同一であっても異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6程度のアルカンジイル基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、硫黄原子、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度である。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数2~6程度である。化合物C4としては例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジンなどが挙げられる。塩基性化合物C3としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。アンモニウムヒドロキシドとしては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンなどが挙げられる。本レジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンがより好ましい。<溶剤D>本レジスト組成物に含まれる溶剤Dは、用いる樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤Bの種類及びその量とに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物の調製方法>本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Dを混合することで、又は、樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することで調製することができる。さらに、上述のとおり成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる樹脂Aなどの種類や樹脂Aなどの溶剤Dに対する溶解度に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本レジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。溶剤Dの含有質量割合は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。溶剤Dの含有質量割合が90質量である本レジスト組成物では、組成物中の固形分は10質量に相当する。固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。固形分は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。溶剤Dの含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有質量割合は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有質量割合の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。本レジスト組成物に対する樹脂Aの含有質量割合は、該本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下であると好ましい。本レジスト組成物に対する酸発生剤Bの含有質量割合は、本レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有質量割合は本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度が好ましい。樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C等の各々の好適な含有質量割合も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることができる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することができる。上記のように、本レジスト組成物に含まれる各成分を混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2における乾燥は、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させて除去することにより行われる。乾燥条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類などに応じて選択でき、例えばホットプレートを用いる加熱の場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3では該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザなどからのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂が有する樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある上記樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、上記樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部の組成物層は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板上に残り、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後は、好ましくは超純水などでリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。かくして、基板上に製造されたレジストパターンは極めて優れたLERを有するものとなる。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物に有用であり、さらに、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物としても有用である。また、液浸露光用のレジスト組成物として好適に利用できる。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有質量割合ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂Aの組成比樹脂A製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂Aに対する共重合比は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析の条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例樹脂Aなどの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーH、モノマーa-1、モノマーa-2という。合成例1樹脂A1の合成モノマーF、モノマーa-1、モノマーG、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、そのモル比モノマーF:モノマーa-1:モノマーG:モノマーB:モノマーC:モノマーDが、20:10:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを75°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.5×103である共重合体を収率68で得た。この共重合体は、モノマーF、モノマーa-1、モノマーG、モノマーB、モノマーC及びモノマーDに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。合成例2樹脂A2の合成モノマーE、モノマーa-1、モノマーG、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、そのモル比モノマーE:モノマーa-1:モノマーG:モノマーB:モノマーC:モノマーDが、20:10:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを75°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.3×103である共重合体を収率73で得た。この共重合体は、モノマーE、モノマーa-1、モノマーG、モノマーB、モノマーC及びモノマーDに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。合成例3樹脂A3の合成モノマーE、モノマーa-2、モノマーG、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、そのモル比モノマーE:モノマーa-2:モノマーG:モノマーB:モノマーC:モノマーDが、20:10:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを75°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率70で得た。この共重合体は、モノマーE、モノマーa-2、モノマーG、モノマーB、モノマーC及びモノマーDに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とする。合成例4樹脂A4の合成モノマーA、モノマーa-1、及びモノマーBを、そのモル比モノマーA:モノマーa-1:モノマーBが、37.5:37.5:25の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを75°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.3×103である共重合体を収率63で得た。この共重合体は、モノマーA、モノマーa-1、及びモノマーBに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A4とする。合成例5樹脂A5の合成モノマーE、モノマーa-1、モノマーH、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、そのモル比モノマーE:モノマーa-1:モノマーH:モノマーB:モノマーC:モノマーDが、20:10:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを75°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.9×103である共重合体を収率71で得た。この共重合体は、モノマーE、モノマーa-1、モノマーH、モノマーB、モノマーC及びモノマーDに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A5とする。合成例6樹脂A6の合成モノマーE、モノマーa-2、モノマーH、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、そのモル比モノマーE:モノマーa-2:モノマーH:モノマーB:モノマーC:モノマーDが、20:10:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加し、これを75°Cで約5時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率75で得た。この共重合体は、モノマーE、モノマーa-2、モノマーH、モノマーB、モノマーC及びモノマーDに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A6とする。<レジスト組成物の調製>合成例1で得られた樹脂A1~樹脂A4;以下に示す酸発生剤B1~酸発生剤B3;以下に示す塩基性化合物C1;の各々を表1に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1~A6:合成例1~6の各々で得られた樹脂A1~樹脂A6<酸発生剤>B1:式B-1で表される塩B2:式B-2で表される塩B3:みどり化学株製TPS-109トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネート<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造>12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレートで、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジストパターンにおいて、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。<ラインエッジラフネス評価LER>得られたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅が、4.0nm以下であるものをeexcellent、4.5nm以下であるものをggood、4.5nmを超えるものをbbadとした。その結果を表2に示す。本レジスト組成物から得られたレジストパターンは、ラインエッジラフネス評価LERにおける結果がe又はgであることから、優れたLERを有するレジストパターンを製造できることが確認された。"