"バッテリーに電気的に結合するように構成されたコネクターと、複数の充電速度で前記コネクターに電流を供給できる調整可能電流源と、デジタル入力信号に応答して複数の充電速度のうちの1充電速度で電流を供給するために前記調整可能電流源をバイアスするように構成されたネットワーク抵抗器と、を含む装置。前記調整可能電流源が前記ネットワーク抵抗器に電気的に結合されたバイアス端子を有するトランジスタを含む、請求項1に記載の装置。前記ネットワーク抵抗器の全体抵抗を変化させるように構成された複数のスイッチを更に含み、前記複数のスイッチはそれぞれ前記デジタル入力信号の各ビットにより制御される、請求項1に記載の装置。前記複数のスイッチがそれぞれ前記デジタル入力信号の各ビットに電気的に結合されたバイアス端子を有するトランジスタを含む、請求項3に記載の装置。前記ネットワーク抵抗器は複数の並列分岐を含み、前記複数の並列分岐はそれぞれ1つ以上の抵抗器を含み、前記複数のスイッチの1つに電気的に結合された、請求項3に記載の装置。デジタル入力信号の2進値が増加するにつれて前記ネットワーク抵抗器の全抵抗が減少するように前記複数の並列分岐の抵抗器が構成された、請求項5に記載の装置。前記調整可能電流源により供給された電流はデジタル入力信号の2進値の増加とともに実質的に直線的に増加する、請求項6に記載の装置。前記複数の充電速度の中から望ましい充電速度を決定し、その望ましい充電速度に対応するデジタル入力信号を生成するように構成された多機能プロセッサーを更に含む、請求項1に記載の装置。前記多機能プロセッサーは前記調整可能電流源により供給された電流、前記コネクターに電気的に結合されたバッテリーの充電状態、またはその両方を示す1つ以上のフィードバック信号に応答して前記の望ましい充電速度を決定するように構成された、請求項8に記載の装置。前記多機能プロセッサーへの送信前に1つ以上のフィードバック信号を処理するアナログ-デジタルコンバーターを更に含む、請求項9に記載の装置。前記多機能プロセッサーが前記調整可能電流源および前記ネットワーク抵抗器の両方から離れている、請求項8に記載の装置。前記調整可能電流源と電源との間に電気的に結合され、前記多機能プロセッサーからのイネーブル信号が受信されない場合に前記電源から前記調整可能電流源を切り離すように構成されたリレーを更に含む、請求項8に記載の装置。バッテリーを充電する方法であって、複数のビットを有し前記バッテリーの望ましい充電速度を示すデジタル入力信号を受信するステップと、前記デジタル入力信号に応答してネットワーク抵抗器を構成するステップと、前記構成されたネットワーク抵抗器を用い調整可能電流源をバイアスするステップと、前記調整可能電流源を用い前記の望ましい充電速度で前記バッテリーへ電流を供給するステップと、を有する方法。前記ネットワーク抵抗器を構成するステップは前記ネットワーク抵抗器の全体抵抗を変化させる複数のスイッチの操作を含み、前記複数のスイッチはそれぞれ前記デジタル入力信号の複数ビットの1つにより制御される、請求項13に記載の方法。前記複数のスイッチの各々が、前記デジタル入力信号の関連ビットが第1論理値から第2論理値に変化する時に前記ネットワーク抵抗器の全体抵抗を増加させ、前記デジタル入力信号の関連ビットが前記第2論理値から前記第1論理値に変化する時に前記ネットワーク抵抗器の全体抵抗を減少させる、請求項14に記載の方法。前記複数スイッチの操作に各前記複数のビットをトランジスタのバイアス端子に印加するステップを含む、請求項14に記載の方法。前記調整可能電流源をバイアスするステップに前記ネットワーク抵抗器により作られた電流または電圧をトランジスタのバイアス端子に印加するステップを含む、請求項12に記載の方法。バッテリーを充電するための回路であって、電源とバッテリーコネクター間に電気的に結合された第1端子および第2端子を有し、且つ前記第1端子および前記第2端子間に流れうる電流量を制御するように構成されたバイアス端子を有するトランジスタと、各複数の分岐が前記トランジスタの前記バイアス端子と2進入力により制御されたスイッチとの間に電気的に結合された抵抗を有する複数の並列分岐を有するバイアスネットワークと、を含む回路。前記バイアスネットワークは、第1抵抗を有する第1分岐、第2抵抗を有する第2分岐、第3抵抗を有する第3分岐を含み、前記第2抵抗は前記第1抵抗の約2倍であり、前記第3抵抗は前記第2抵抗の約2倍である、請求項18に記載の回路。前記バイアスネットワークが更に第4の抵抗を有する第4分岐を含み、前記第4抵抗は前記第3抵抗より少なくとも4倍大きい、請求項19に記載の回路。本発明は、添付した請求項に詳説した特徴および/または単独あるいは任意の組み合わせにより特許性のある主題を構成しうる下記の特徴のうち、1つ以上を含む。1つの態様によれば、装置はバッテリーに電気的に結合するように構成されたコネクターと、複数の充電速度でコネクターに電流を供給できる調整可能電流源と、デジタル入力信号に応答して複数の充電速度のうちの1つで電流を供給するために調整可能電流源をバイアスするように構成されたネットワーク抵抗器とを含む。一部の実施態様において、調整可能電流源はネットワーク抵抗器に電気的に結合されたバイアス端子を有するトランジスタであってもよい。装置はまた、ネットワーク抵抗器の全体抵抗を変化させるように構成された複数のスイッチを含んでもよく、複数のスイッチの各々はデジタル入力信号の各ビットにより制御される。一部の実施態様において、複数のスイッチの各々はデジタル入力信号の各ビットに電気的に結合されたバイアス端子を有するトランジスタを含む。ネットワーク抵抗器は複数の並列分岐を含んでもよく、各複数の並列分岐は1つ以上の抵抗器を含み、複数のスイッチのうちの1つに電気的に結合される。そのような実施態様において、複数の並列分岐の抵抗器が、デジタル入力信号の2進値が増加するにつれ、ネットワーク抵抗器の全体抵抗が減少するように構成されてもよい。調整可能電流源により供給された電流はデジタル入力信号の2進値の増加とともに実質的に直線的に増加してもよい。他の実施態様において、装置はまた、複数の充電速度のうちの望ましい充電速度を決定し、望ましい充電速度に対応するデジタル入力信号を発生するように構成された多機能プロセッサーを含んでもよい。一部の実施態様において、多機能プロセッサーは調整可能電流源により供給された電流、コネクターに電気的に結合されたバッテリーの充電状態、またはその両方を示す1つ以上のフィードバック信号に応答して望ましい充電速度を決定するように構成されてもよい。装置はまた、多機能プロセッサーへの送信前に1つ以上のフィードバック信号を処理するアナログ-デジタルコンバーターを含んでもよい。他の実施態様において、多機能プロセッサーは調整可能電流源およびネットワーク抵抗器の両方から離れてもよい。更に他の実施態様において、装置はまた、調整可能電流源と電源との間に電気的に結合されたリレーを含んでもよい。リレーは、多機能プロセッサーからのイネーブル信号が受信されない場合、電源から調整可能電流源を遮断するように構成されてもよい。別の態様によれば、バッテリーの充電方法は、デジタル入力信号がバッテリーの望ましい充電速度を示す、複数のビットを有するデジタル入力信号の受信を含む。その方法はまた、デジタル入力信号に応答してネットワーク抵抗器を構成し、構成されたネットワーク抵抗器を用いて調整可能電流源をバイアスし、調整可能電流源を用いて望ましい充電速度でバッテリーに電流を供給するステップを含む。一部の実施態様において、抵抗ネットワークの構成はネットワーク抵抗器の全体抵抗を変化させる複数のスイッチの操作を含み、ここで、複数のスイッチの各々は、デジタル入力信号の複数のビットのうちの1つにより制御される。そのような実施態様において、複数のスイッチの各々は、デジタル入力信号の関連ビットが第1論理値から第2論理値に変化するときネットワーク抵抗器の全体抵抗を増加させ、デジタル入力信号の関連ビットが第2論理値から第1論理値に変化するときネットワーク抵抗器の全体抵抗を減少させる。他の実施態様において、複数のスイッチの操作は複数ビットの各々をトランジスタのバイアス端子へ印加することを含む。更に他の実施態様において、調整可能電流源をバイアスするステップはネットワーク抵抗器により作られた電流または電圧をトランジスタのバイアス端子へ印加することを含む。更に別の態様では、バッテリー充電用回路は、電源とバッテリーコネクター間に電気的に結合された第1端子および第2端子を有し、第1端子および第2端子間に流れうる電流量を制御するように構成されたバイアス端子を有するトランジスタを含む。回路はまた、複数の並列分岐を有するバイアスネットワークを含む。ここで、複数の分岐の各々はトランジスタのバイアス端子と2進入力により制御されたスイッチ間に電気的に結合された抵抗を有する。一部の実施態様において、バイアスネットワークは第1の抵抗を有する第1分岐、第2の抵抗を有する第2分岐、および第3の抵抗を有する第3分岐を含む。ここで、第2抵抗は第1抵抗の約2倍で、第3抵抗は第2抵抗の約2倍である。他の実施態様において、バイアスネットワークはまた、第4の抵抗を有する第4分岐を含み、ここで、第4抵抗は第3抵抗より少なくとも4倍大きい。追加的な特徴は、上記に列挙したものおよび請求項に列挙したものを含めて、単独または他の任意の特徴と組み合わせて、特許性のある主題を構成すると考えられ、当業者にとっては、現時点で理解されている発明を遂行する最良の態様の模範例を示す例証となる実施態様の下記の詳細な説明を考察することにより明らかとなる。本開示の概念は種々の変更および代替的形式に影響を受けるが、その特定の例示的実施態様は図面中の実施例に示され、以下に詳細に記述される。当然のことながら、現開示の概念を開示された特定の形式に制限する意図はなく、反対に添付の特許請求の範囲により定義される発明の精神および範囲内のすべての変更、同等物、および代替物が含まれる事が意図される。以下の記述において、ハードウェア構成要素および論理実施選択のタイプおよび相互関係等の幾多の特定の詳細は、現開示の理解を通じてより多くの事柄を提供するために説明可能である。当業者は、本開示の実施例は、そのような特定の詳細なしに実施可能であることを理解するであろう。他の例において、ゲートレベル回路、および全ソフトウェア指令シーケンスは発明を曖昧にしないために詳細には示されない。本明細書の記述で、当業者は不要な実験をすることなく適切な機能を実施できるであろう。図1を参照すると、プロセッサー12、充電回路14、バッテリー16を含むバッテリー充電システム10の例示的実施態様が示される。バッテリー16は任意の充電式バッテリーで、鉛酸バッテリーとして例示的実施態様で示される。充電回路14図2と4に詳細が示され、更に以下で説明されるは直接、電流と電圧をバッテリー16に印加しバッテリー16のSOCを監視する。プロセッサー12は一般に、バッテリー16のSOCに関し充電回路14からフィードバック信号を受け取り、バッテリー16に望ましい充電速度を供給するために充電回路14の操作を制御する。プロセッサー12はマイクロプロセッサー、デジタル信号プロセッサー、マイクロコントローラー等のソフトウェア/ファームウェアを実行できる任意のタイプのプロセッサーであってもよい。例示的実施態様において、プロセッサー12は充電回路14およびバッテリー16から分離している多機能プロセッサーである。本開示によれば、多機能プロセッサーとは唯一のプロセスのみの制御専用ではないプロセッサーである。例えば、充電回路14の操作の制御専用であったプロセッサーは多機能プロセッサーではない。一方、他のシステム構成要素の操作も制御するプロセッサー例えば、充電回路14に加えて病院用ベッドの1つ以上の治療機能または性能を制御するプロセッサーは多機能プロセッサーである。本明細書で使用する場合、遠隔という表現は物理的に互いに近接しない要素をいう。例えば、別個の回路基板上または分離した計算装置に存在する電子構成要素は互いに遠隔である。充電回路14の種々の構成要素は図2および4に示され、ここで類似の構成要素は類似の参照番号でラベル付けされている。図2に示される通り、充電回路はバッテリーコネクター20、調整可能電流源22、バイアスネットワーク24、保護リレー26、およびバッテリー電流検出器28を含む。バッテリーコネクター20は、充電回路14とバッテリー16との間に電気的結合を与える任意のタイプのインターフェースであってもよい。操作中バッテリー16がコネクター20に接続されているとき、充電回路14はコネクター20経由でバッテリー16に電流を供給できる。充電回路14が動作していない時に如何なる漏れ放電をも予防し且つバッテリー16がコネクター20と逆に即ち、正しくない極性に接続された場合に充電回路14を保護するために、ダイオード30はコネクター20とバッテリー電流検出器28との間に電気的に結合される。調整可能電流源22は、電源32とバッテリーコネクター20との間に電気的に結合され、種々の充電速度でコネクター20そしてバッテリー16へ電流を供給するように設計されている。調整可能電流源22は、可変で制御可能な電流量を与えることができる任意のタイプの装置を含んでもよい。図2の例示的実施態様において、調整可能電流源22はバイポーラ接合トランジスタBJTである。BJT22はそのベース端子に流れる電流に従いエミッタコレクタ端子間に流れうる電流量を制御する事により、調整可能電流源として作動する。この構成において、BJT22のベース端子は調整可能電流源即ちBJT22により供給される電流を制御するバイアス端子として作動する。また、電界効果トランジスタFETは、調整可能電流源22として使用されてもよい事が考慮される。そのような実施態様において、FETのゲート端子FETのソースおよびドレイン端子間に流れうる電流量を制御するは調整可能電流源のバイアス端子として作動する。当業者は、調整可能電流源22の他のタイプが他の実施態様において使用されてもよい事を理解するであろう。バイアスネットワーク24は、トランジスタ22のバイアス端子に電気的に結合され、そのバイアス端子に流れる電流または電圧を調整その結果、トランジスタ22によりコネクター20に供給される電流を調整するように構成される。図2の例示的実施態様において、バイアスネットワーク24は、各々がデジタル入力信号の1ビットに接続された多並列分岐を含む。図2において、これらのビットはCHARGE_RATE_0、CHARGE_RATE_1、CHARGE_RATE_2、CHARGE_RATE_3、およびCHARGE_RATE_4最下位から最上位へとラベル付けされ、5ビットのデジタルワードを形成する。バイアスネットワークの各並列分岐は、スイッチ34および抵抗36を含む。スイッチ34はトランジスタ、論理ゲート、リレー等の回路を開閉できる任意のタイプの電気スイッチであってもよい。例示的実施態様において、バイアスネットワーク24の各スイッチ34はBJT34である。トランジスタ34はそれぞれ、一対のバイアス抵抗器38を通して、バイアス端子即ちBJTのベース端子でデジタル入力信号のビットを受け取る。各ビットの論理値が1である時、電圧がトランジスタ34のバイアス端子にかかる。この電圧がトランジスタをオンにし、その分岐の抵抗36と接地間の回路を閉じる。バイアスネットワーク24の各並列分岐中の抵抗36は、構成可能なネットワーク抵抗器40を形成する。例示的実施態様において、すべてのトランジスタ34がオフの時、バイアスネットワーク24は実質的に開回路である。そのように、トランジスタ22のバイアス端子に電流は流れず、バッテリーコネクター20に電流は流れない。1つ以上のトランジスタ34がオンである時、電流はネットワーク抵抗器40のその分岐を通って流れる。トランジスタ22のバイアス端子に流れる電流トランジスタ22により作られる電流は、ネットワーク抵抗器40の全抵抗により決定される。抵抗36は、トランジスタ22を直線領域に維持するように大きさがとられる。抵抗36が別個の値を取る限り、独自の並列分岐の組み合わせはそれぞれ、ネットワーク40の独自の全抵抗をとる結果となる。例示的実施態様において、ネットワーク40の各分岐に関連した抵抗36は、最上位ビットから最下位ビットへオームが増加するように大きさが決められる。当然のことながら、この構成から、ネットワーク40の全抵抗に最も影響の小さい最下位ビットを切り替え、ネットワーク40の全抵抗に最も影響の大きい最上位ビットを切り替えるという結果となる。更に、ネットワーク40の全抵抗はデジタル入力信号の2進値が増加するにつれて減少し、その逆も同様である。このように、バイアスネットワーク24はバッテリー充電システム10に論理制御可能な速度選択スイッチを提供する。バイアスネットワーク24の操作を制御するデジタル入力信号即ち、CHARGE_RATE_0、CHARGE_RATE_1、CHARGE_RATE_2、CHARGE_RATE_3、およびCHARGE_RATE_4は、プロセッサー12により生成可能である。上述の通り、プロセッサー12は、多機能プロセッサー即ち、バッテリー充電以外の機能に責任を持つで、充電回路14から離れていてもよい。このように、ここで開示された充電回路14は、専用プロセッサーまたは制御器の必要性を取り除く。代わりに、バッテリー16の望ましい充電速度を決定する多機能プロセッサー12により、すべてのロジックは取り扱われる。プロセッサー12は次に適切なデジタル入力信号を生成し、その信号を充電回路14に送信する。このデジタル入力信号は、ネットワーク抵抗器40を構成するためトランジスタ34を操作する。上述の通り、バイアスネットワーク24即ち、トランジスタ34と抵抗36は望ましい充電速度で電流を供給するためにトランジスタ22をバイアスする。例示的実施態様において5ビットデジタル入力信号を受け取る事により、充電回路14が、プロセッサー12により選択可能である、32の異なる充電速度で実施をすることが可能になる。抵抗36が適切な大きさをとる事により、トランジスタ22に供給される電流は、デジタル入力信号の2進値が増加するとともに実質的に直線的に増加可能である。例えば、各連続する並列分岐の抵抗36が大体2倍になる最上位ビットから最下位ビットへ領域では、結果として生じる電流出力はデジタル入力信号の2進値が増加するとともに近似的に直線になる。例示的実施態様において、ネットワーク抵抗器40の各並列分岐の抵抗36は10kΩCHARGE_RATE_4、20kΩCHARGE_RATE_340kΩCHARGE_RATE_2、80kΩCHARGE_RATE_1、および500kΩCHARGE_RATE_0である。直並列の組み合わせを用いることにより、図2に示される通り、これらの抵抗36の多くは単一抵抗器タイプ例えば40kΩを用い、達成されうる。デジタル入力信号の最下位ビットに関連する抵抗36即ち、CHARGE_RATE_0は、デジタル入力信号の次のビットに関連する抵抗36即ち、CHARGE_RATE_1の2倍より大きく、出力電流は実質的に直線的に増加する結果となることに注意すべきである。事実、最下位ビットに関連する抵抗36例えば500kΩが次のビットに関連する抵抗36例えば80kΩの少なくとも4倍以上である領域では、充電回路14は特に低電流において増加粒度を持つ。ネットワーク抵抗器40について上述の例示値を用い、各デジタル入力信号用にバッテリーコネクター20に供給された電流は図3のグラフに予想される。図3の各グラフは電源32の特定電圧レベル即ち、24、28、32、36、および40ボルトでの充電回路14の電流出力を表す。図に示すように、広い範囲の電流は、450から550ミリアンペアの領域例示的実施態様の鉛酸バッテリー16のバルク充電の好ましい領域内の数種の電流を含み、これらの各電圧レベルで達成可能である。バッテリー電圧、供給電圧、およびトランジスタ特有パラメーター例えば、hFE、熱応答の違いにかかわらず、これによりプロセッサーは容易に望ましい充電速度を達成することができる。図3に示された電流レベルはまた、1つ以上のトランジスタ34にPWM信号を送る事により達成される。図2に戻り、充電回路14はまた、トランジスタ22と電源32との間で電気的に結合された保護リレー26を含む。例示的実施態様において、保護リレー26は開またはオフ位置で初期設定するように設計される。この位置にあるとき、保護リレー26はトランジスタ22を電源32から切り離し、トランジスタ22がコネクター20に電流を供給しないようにする。保護リレー26は、イネーブル信号BAT_CHRG_ONがプロセッサー12から受け取られる時、閉またはオンの位置に作動されてもよい。このイネーブル信号が論理値1または高電圧である時、スイッチ42は電流が回路44と保護リレー26を通るように作動する。保護リレーが閉じている時はいつでも即ち、イネーブル信号がプロセッサー12から受け取られる時はいつでも、トランジスタ22は、デジタル入力信号により指示されるどのような望ましい速度でも、電流を供給することができる。周知のように、開位置で初期設定するように設計された保護リレー26は、プロセッサー12との通信途絶の間、過充電からバッテリー16を保護する。図2および4で分かるように、充電回路14は更に、プロセッサー12が閉ループ制御システムを実施できるように数個のフィードバック検出器28、50、52を含む。例示的実施態様において、これらのフィードバックセンサーはそれぞれBAT_CURRENT_MON、VBAT_SENSE、およびTEMP_SENSEとラベル付けされたフィードバック信号を作るバッテリー電流検出器28、バッテリー電圧検出器50、およびバッテリー温度センサー52を含む。図4に示されるように、フィードバック検出器28、50、52により生成されたアナログ信号は、プロセッサー12への発信前にアナログ-デジタルA/Dコンバーター54によりデジタル信号に変換されうる。A/Dコンバーター54は、テキサス州ダラスのTexasInstrumentsInc.から市販されており、11個の入力チャンネル、10個の変換ビット、および2.1MHzまでのクロック周波数を有するTLC1542またはTLC1543として例示的に実施可能である。例示的実施態様において、A/Dコンバーター54はフィードバック信号をシリアルペリフェラルインターフェースSPIバスを通じてプロセッサー12に伝える。SPIバスが使用中の際は、ケーブル選択ピンはA/Dコンバーター54の出力を遮断し、プロセッサー12はA/Dコンバーター54を作動可能にするためLCB_SPI_CE2をローにする。ひとたび受信されると、プロセッサー12はバッテリー16のSOCおよび充電回路14を操作する望ましい充電速度を決定するため、バッテリー電圧およびバッテリー温度信号を使用する事ができる。例えば、SOCが低い少ない時プロセッサー12は充電回路14に低電流安全充電段階を提供させ、SOCが中程度から高充電状態用の定電流段階、過充電領域における定電圧段階、およびバッテリーが十分充電されると低電流フロート段階を提供させる。充電回路が望ましい充電速度で操作されていることを確認するため、プロセッサー12はまたバッテリー電流信号を使ってもよい。もし充電回路14が適切に操作されないと可能性としてシステム構成要素の故障のため、プロセッサー12は充電回路14に送信されたデジタル入力信号の必要な調整をしてもよい。例示的実施態様のバッテリー電流検出器28図2に示されるは、500mΩ検出抵抗器56を用い、トランジスタ22によりバッテリーコネクター20へ供給される電流を測定する。検出抵抗器56を通る電流は、ハイサイド電流検出集積回路IC58またはハイサイド電流検出IC60により監視される。任意の実施態様においてIC58、60のうちの唯1つのみ使われるが、回路基板は製造の柔軟性を与えるためもしチップの1つが入手できない場合IC58、60の両方用に構成されてもよい。例示的に、集積回路58、60はカリフォルニア州サニーベールのSupertex,Inc.から市販されているHV7802として、およびカリフォルニア州ミルピタスのLinearTechnologyCorp.から市販されているLTC6101として実施可能である。これら各々の集積回路58、60は検出抵抗器56での電圧降下の約5倍に設定されるフィードバック電圧信号即ち、BAT_CURRENT_MONを出力する。このフィードバック信号はショットキーダイオード62により5V供給に維持され、約2Aの最大測定可能電流を与える2Aの電流は、1Vの電圧降下と5Vのフィードバック電圧信号を生じる。例示的実施態様のバッテリー電圧検出器50図4に示されるは、バッテリーコネクター20から直接、電圧VBATを測定する。VBATは分圧器64に通され、その結果、電圧は、このフィードバック電圧信号即ち、VBAT_SENSE測定に適切なレベルにするために、ショットキーダイオード62により5V供給に維持される。分圧器64は、バッテリー16のドレインを減少させるため高いインピーダンスを有する。例示的実施態様のバッテリー温度検出器52図4に示されるは、負の温度係数NTCサーミスタ66を使用する。周知のように、NTCサーミスタは温度に関し予想できるが直線的でない抵抗値の変化を有する。サーミスタ66により出力されたフィードバック電圧信号即ち、TEMP_SENSEは、直列抵抗器68および並列抵抗器70を用い直線化される。これらの抵抗器は望ましい直線温度領域例えば25°Cの中点でサーミスタ66の抵抗に一致する。このフィードバック信号はまた、ショットキーダイオード62により5V供給に維持される。上述の通り、バッテリー電圧および温度情報は、バルク充電モードを使用し目標電圧を補正するにはいつが適切かを決定するためにプロセッサー12により使われてもよい。一定の例証的な実施態様について上記に詳細に説明してきたが、下記の請求項で説明および定義されるこの開示内容の範囲および精神で、変形や変更が存在する。"