シクロヘキサシロキサンを含む処理ガスを基板を含むチャンバ内に導入するステップ;前記チャンバ内のシクロヘキサシラン化学気相蒸着条件を確立するステップ;前記シクロヘキサシランの分解を開始するステップ;およびエピタキシャルSi-含有膜を前記基板上に蒸着させるステップ;を含んでなされる、薄膜の蒸着方法。前記エピタキシャルSi-含有膜上に酸化物層を直接蒸着させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記処理ガスは、ホウ素、ヒ素、スズ、リンジウム、およびリンで構成された群から選択されたドーパント元素をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記シクロヘキサシランの分解開始は、前記チャンバを約400°C~約750°Cの温度範囲で加熱することによって起こる、請求項1に記載の方法。前記シクロヘキサシランの分解開始は、前記シクロヘキサシランを前記チャンバに導入する前に起こる、請求項1に記載の方法。シクロヘキサシラン蒸着条件の確立は、前記チャンバの圧力を約1Torr~100Torrの範囲に維持することを含む、請求項1に記載の方法。前記処理ガスはキャリアガスをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記キャリアガスは、ヘリウム、水素、窒素、またはアルゴンをさらに含む、請求項7に記載の方法。前記キャリアガスの流速は、前記シクロヘキサシランの流速よりも約200倍さらに高い、請求項7に記載の方法。前記処理ガスは炭素源をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記炭素源はシリコン炭素源からなる群から選択される、請求項10に記載の方法。前記炭素源は化学式SixHyCH3zを有する化合物群から選択され、前記化学式において、xは1~6の整数であり、yおよびzはそれぞれ0~6の整数である、請求項10に記載の方法。前記シリコンはテトラメチルジシランおよびメチル化シクロヘキサシランからなる群から選択される、請求項11に記載の方法。前記炭素ドーピングされたシリコンエピタキシャル層は、1.8~3.0原子パーセントの置換性C値を有する、請求項10に記載の方法。結晶性表面および少なくとも1つの特徴表面を含む基板を工程チャンバ内に位置させるステップであって、ここで、前記特徴表面は、酸化物材料、窒化物材料、ポリシリコン、フォトレジスト、またはこれらの組み合わせからなる群から選択された材料を含むステップ;前記基板を約550°C以下の所定温度で加熱するステップ;および前記基板をシクロヘキサシランを含む処理ガスに露出させて結晶性表面と特徴表面に渡ってシリコン含有ブランケット層を蒸着させるステップであって、ここで、前記処理キャリアガスは、前記シクロヘキサシランよりも約150~250倍さらに高い速度で流れるステップ;を含んでなされる、基板上にシリコン含有材料をブランケット蒸着する方法。前記処理ガスは化学式SixHyCH3zを有する化合物群から選択された炭素源をさらに含み、前記化学式において、xは1~6の整数であり、yおよびzはそれぞれ0~6の整数である、請求項15に記載の方法。前記炭素源は、メチルシラン、ドデカメチルシクロヘキサシラン、またはテトラメチルジシランからなる群から選択される、請求項16に記載の方法。前記炭素ドーピングされたシリコンエピタキシャル層は、1.8~3.0原子パーセントの置換性C値を有する、請求項15に記載の方法。シクロヘキサシラン蒸着条件の確立は、前記工程チャンバの圧力を約1Torr~100Torrに維持することを含む、請求項15に記載の方法。インレットおよびアウトレットが備えられた分解チャンバ;蒸着チャンバとして、チャンバディメンションと前記蒸着チャンバに作動的に連結した反対側末端を有する蒸着チャンバ;チャンバの一側末端に連結し、チャンバ内の蒸着圧力を200Torr以下に維持させるように作動する高速ポンプ手段;ガスをチャンバ内に導入させ、ガスが一般的にガスインレットからポンプ手段の方向に流れるように前記チャンバの他側末端に隣接したガスインレット;基板をチャンバ内に支持させるための基板支持手段;および前記チャンバからキャリアガスを200Torr未満の圧力を維持するのに十分な速度で疏開させる高速ポンプ;を含んでなされる、化学気相蒸着システムで基板上にエピタキシャル膜を形成するための装置。シリコン前駆体としてトリシランのようなシクロヘキサシランを利用することにより、大型面積の基板上に超薄型の平滑なSi-含有膜を蒸着させることができることが明かになった。本発明の一側面により、基板表面がある基板を含むチャンバ内にシクロヘキサシランを含むガスを導入するステップ;チャンバ内のシクロヘキサシラン化学気相蒸着および分解条件を確立するステップ;およびSi-含有膜を基板表面上に蒸着するステップを含んでなされる、薄膜の蒸着方法が提供される。本発明のさらに他の側面により、第1表面モルフォロジを有する第1表面と第1表面モルフォロジとは異なる第2表面モルフォロジを有する第2表面を含む基板をチャンバ内に配置して提供するステップ;化学気相蒸着条件下で前記チャンバにシクロヘキサシランを導入するステップ;前記シクロヘキサシランの分解を開始するステップ;および第1表面と第2表面の両面すべてに対して基板上にSi-含有膜を蒸着するステップを含んでなされる、蒸着方法が提供される。本発明のさらに他の側面により、化学気相蒸着条件下でシクロヘキサシランを混合基板表面に伝達し、前記混合基板表面1平方センチメートルあたり1分あたり約0.001ミリグラム以上の伝達速度で伝達するステップ;および前記混合基板表面上にシリコン含有材料を1分あたり約10Å以上の速度で蒸着させるステップを含んでなされる、高速蒸着法が提供される。さらに他の好ましい具体例において、10mTorr~200Torrの範囲で駆動する変形した化学気相蒸着および/または成長システム減圧化学CVDを利用し、炭素-ドーピングされたSi-含有膜を蒸着させるためにシクロヘキサシランと炭素源を利用する蒸着および/または成長法が開発された。このような蒸着および/または成長法により、従来技術に係る方法によって達成する水準に比べて有意的にさらに高い水準を含む多様な水準で、炭素によって置換的にドーピングされた多様なSi-含有単一結晶膜を製造することができる。例えば、シリコンソースとしてシクロヘキサシランを利用する好ましい蒸着および/または成長法を利用することにより、1.8原子よりも高い水準を含む所定の置換性炭素水準範囲を有する炭素-ドーピングされた多様な単結晶Si膜を、電気工程を通じて反応温度を一定に維持しながら蒸着させることができる。さらに他の具体例により、チャンバ内に配置された基板を提供するステップ;前記シクロヘキサシランの分解を開始するステップ;および前記基板を減圧化学気相蒸着および/または成長条件下でシクロヘキサシランに露出させ、約550°C未満の温度および約200Torr未満の圧力下で単一シリコン膜を前記基板上に蒸着させるステップを含んでなされる、エピタキシャルシリコン膜の蒸着方法が提供される。さらに他の具体例より、チャンバ内に配置された基板を提供するステップ;および減圧CVD条件下でシクロヘキサシランと炭素源を前記チャンバに導入し、約550°C未満の温度および約200Torr未満の圧力下で単結晶シリコン膜基板上に蒸着させることにより、x線回折法による測定時に少なくとも1.8原子置換性炭素を含む単結晶シリコン膜を製造するステップを含んでなされる、エピタキシャルシリコン膜の蒸着方法が提供される。さらに他の具体例より、第1単結晶Si-含有領域と第2単結晶Si-含有領域を含み、前記第1単結晶Si-含有領域と第2単結晶Si-含有領域のうちの少なくとも1つの領域は、前記第1単結晶Si-含有領域と第2単結晶Si-含有領域の間に位置する第3単結晶Si-含有領域に対して引張応力を発揮するのに効果的な量の置換性炭素を含み、前記第3単結晶Si-含有領域は、応力が加えられなかったときに匹敵する領域と比較するとき、キャリア移動性が少なくとも約10増加した集積回路が提供される。本発明のさらに他の側面において、多様なチャンバディメンションおよび正反対の末端oppositeendsを有する蒸着および/または成長チャンバ;シクロヘキサシランソースと前記チャンバの間に作動的に配置され、シクロヘキサシランがチャンバ内に流入する前にシクロヘキサシラン分解の開始を可能にする分解チャンバ;分解したシクロヘキサシランをチャンバ内に導入させるためのチャンバの他側末端に隣接したガスインレット;および基板をチャンバ内に支持させるための基板支持手段を含んでなされる、基板上にエピタキシャル膜を形成するための変形した低圧-化学気相蒸着および/または成長システムが開示される。本発明のさらに他の側面において、多様なチャンバディメンションおよび正反対の末端を有する蒸着および/または成長チャンバ;チャンバの片側末端に連結してチャンバ内の蒸着および/または成長圧力を200Torr未満に維持させるように作動する高速ポンプ手段;チャンバ内にガスを導入し、ガスが大体にガスインレットからポンプ手段の方向に流れるようにするためのチャンバの他側末端に隣接したガスインレット;および基板をチャンバ内に支持させるための基板支持手段を含んでなされる、基板上にエピタキシャル膜を形成するための変形した低圧-化学気相蒸着および/または成長システムが提供されるが、ここで、前記高速ポンプ手段は、存在する汚染物質、例えば、非制限的な例として、酸素、水、一酸化炭素、二酸化炭素、シロキサン、ジシロキサン、および高次シロキサンのような汚染物質が希薄される程度の十分に高い濃度のキャリアガスを前記チャンバ内に流れるようにすることができる。上述した文段は、本発明の内容を概略的に説明するために提供されたものに過ぎず、添付の特許請求の範囲が上述した文段の内容によって限定されることはない。提示された好ましい具体例および追加の長所は、後述する詳細な説明と添付の図面を参照することによって最も適切に理解されるであろう。トリシランを利用するよりもさらに経済的であり、基板表面に渡った温度変化に極めて鈍感であり、高置換性炭素値を有することができる、シクロヘキサシランC6H12を利用する膜を蒸着法が発見された。非制限的な例として、トリシラン、テトラシラン、ジシラン、ペンタシランのような他のシリコンソースと同様に、シクロヘキサシランをシリコン前駆体として使用することにより、広い基板面積に極めて薄くて平滑なSi-含有膜を蒸着させることができることが明かになった。好ましい具体例は、これらの方法は核形成現象に極めて鈍感である。本発明で説明された蒸着法を実施する場合、様々な長所が得られる。例えば、本発明の方法により、均一で薄い新規のエピタキシャルSi-含有膜だけではなく、膜、好ましくはクロス-膜方向およびスルー-膜方向の両方向でドーパントが均一に分布され、比較的高濃度の置換性炭素を含むことができる、ドーピングされたエピタキシャルSi-含有膜を製造することができる。また、本発明の方法を利用することにより、超薄型の連続膜を製造することができる。このような長所により、極めて低廉な費用でデバイスを高い収率で製造することができ、回路サイズはさらに小さく、および/または信頼度はさらに高い新たなデバイスを製作することも可能である。上述した長所とその他の長所に関して後述する。本発明において基板とは、その上で蒸着および/または成長させようとするワークピースを表したり、または蒸着および/または成長ガスに露出する表面を示す。例えば、基板は単一結晶シリコンウエハであることもでき、または絶縁基板上半導体SOI:semiconductor-on-insulatorであることもでき、さらにはウエハなどに蒸着したエピタキシャルSi、SiGeまたはIII-V材料であることもできる。ワークピースはウエハに限定されることはなく、ガラス、プラスチック、および半導体加工に使用されるその他の基板もこれに含まれる。本発明において混合基板mixedsubstrateとは、2以上の互いに異なる類型の表面を有する基板を意味する。表面は様々な方法によって互いに異なることができる。例えば、表面は銅またはシリコンのように互いに異なる元素から生成されることもでき、または銅やアルミニウムのように互いに異なる金属から生成されることもでき、さらにはシリコンや二酸化シリコンのようにSiを含む互いに異なる材料から生成されることもできる。材料が等しい元素から生成される場合であっても、表面のモルフォロジが異なれば表面は互いに異なることができる。表面の電気的特性によっても表面が互いに異なることができる。いくつかの例として、伝導性半導体材料と誘電体からシリコン含有層が同時に形成される。誘電体材料の例としては、二酸化シリコンシリコンの炭素-ドーピングされた酸化物およびフッ素-ドーピングされた酸化物のような低誘電性不変形態が含まれる、窒化シリコン、酸化金属、およびケイ化金属metalsilicateを有することができる。本発明においてエピタキシャルepitaxial、エピタキシャル的epitaxially、ヘテロエピタキシャルheterepitaxial、ヘテロエピタキシャル的heteroepitaxially、単結晶single-crystal、およびこれと類似する用語は、結晶性基板上の結晶性Si-含有材料の蒸着および/または成長を意味するが、蒸着した層が基板の格子定数を採択したり、他の方式によって蒸着および/または成長することを示す。蒸着した層の組成が基板の組成と異なる場合、エピタキシャル蒸着および/または成長はヘテロエピタキシャル的なものであることができる。当業者であれば、ある層の結晶性は一般的に、無定形から多結晶に、または単結晶での連続体continuumによって変わるということを認識することができるであろう。また、当業者は、低い欠陥密度にもかかわらず、いつ結晶構造が単結晶として考慮されるか、またはエピタキシャルとして考慮されるかを容易に定めることができるであろう。混合基板の特別な例としては、単結晶/多結晶単結晶/無定形、エピタキシャル/多結晶、エピタキシャル/無定形、単結晶/誘電体、エピタキシャル/誘電体、伝導体/誘電体、半導体/誘電体を挙げることができるが、これに限定されることはない。同じ元素から材料が生成された場合であっても、表面のモルフォロジ結晶性が異なれば表面が異なることがある。本発明で説明された工程は、様々な基板にSi-含有膜を蒸着するのに有利であるが、混合した表面モルフォロジを有する混合基板にSi-含有膜を蒸着するのに特に有利である。このような混合基板は、第1表面モルフォロジを有する第1表面と第2表面モルフォロジを有する第2表面を含む。ここで、表面モルフォロジとは、基板表面の結晶構造を意味する。互いに異なるモルフォロジの例として、無定形と結晶性を挙げることができる。多結晶モルフォロジは、秩序整然なoderly結晶の秩序整然でないdisderly配列でなされ、したがってその秩序整然度は中間級である。エピタキシャル膜は、これらが成長する基板の結晶構造および芳香性典型的に単結晶と同じ結晶構造と芳香性を有することを特徴とする。これらの材料において、原子は比較的に長距離原子規模面においてに渡って維持される格子状構造で配列される。無定形モルフォロジは原子が明確な周期的配置を欠如することにより、秩序整然度が低い非結晶構造である。その他のモルフォロジとしては、無定形と結晶性材料の混合体と未晶質を挙げることができる。本発明の具体例は、一般的にシリコン含有エピタキシャル層を形成および処理するための方法および装置を提供する。特定具体例では、トランジスタを製造する間にエピタキシャル層を形成および処理するための方法と装置を取り扱う。本発明全般に渡り、シリコン含有silicon-含有材料、化合物、膜、または層という用語は、少なくともシリコンを含む組成物を含むものと意図され、ゲルマニウム、炭素、ホウ素、ヒ素、リン、ガリウム、および/またはアルミニウムを含むことができる。シリコン含有材料、化合物、膜、または層には、金属、ハロゲン、または水素のようなその他の元素が大概にはパーツパーミリオンppm濃度で混入されることができる。シリコン含有材料の化合物または合金は、シリコンの場合はSi、シリコンゲルマニウムの場合はSiGe、シリコン炭素の場合はSi:C、そしてシリコンゲルマニウム炭素の場合はSiGeCと略称されることができる。このような略語は、化学両論的な関係を示す化学式でもなく、シリコン含有材料の特定の還元/酸化状態を示すものでもない。本発明で教示されたCVD条件下でシクロヘキサシランが基板表面に伝達されれば、Si-含有膜が形成される。好ましくは、表面が混合基板表面であってもパターン型基板表面であっても、基板が配置されている適切なチャンバ内にシクロヘキサシランを導入することにより、分解したシクロヘキサシランが前記表面に伝達されるものが好ましい。CVD条件下でシクロヘキサシランをチャンバ内に導入してシクロヘキサシランの分解を開始することにより、表面類型の多様性と関係なく、基板表面上に高品質のSi-含有膜を蒸着させることができる。蒸着は当業者に周知の様々なCVD方法によって適切に実行されることができるが、本発明で説明されたCVD方法によって蒸着を実行するときに最上の結果を得ることができる。開示された方法は、プラズマ強化化学気相蒸着PECVDまたは熱CVDを含んだCVDにより、ガス状シクロヘキサシランを利用することでCVDチャンバ内に含有された混合基板上にSi-含有膜を蒸着させることによって適切に実行されることができる。熱CVDが好ましい。図1に示すように、シクロヘキサシラン106は、フィードガスの一成分またはガス形態でチャンバ120内に導入されることが好ましい。CVDチャンバ内の総圧力は約0.001torr~約1000torr範囲、より好ましくは約0.1torr~約850torr範囲、最も好ましくは約1torr~約760torrの範囲であることが好ましい。チャンバの温度は、好ましくは約450°C以上、より好ましくは約500°C以上、さらに好ましくは約550°C以上であることが好ましい。好ましくは、蒸着が約750°C以下、より好ましくは約725°C以下、最も好ましくは約700°C以下の温度で起こることが好ましい。基板は、技術分野に知られた多様な方法によって加熱されることができる。当業者は、例えば、熱消耗予算の保存や蒸着速度などのような実務的な製造現実を勘案した上で、このような温度範囲を調節することができるであろう。しかし、シクロヘキサシランの分解が開始される地点まで温度を合わせることが何よりも重要となる。したがって、好ましい蒸着温度は、所定の応用分野によって異なるが、一般的には約400°C~約750°C、好ましくは約425°C~約725°C、さらに好ましくは約450°C~約700°Cの温度範囲になるであろう。シクロヘキサシランの分圧は、総圧力の約0.0001~約100、さらに好ましくは総圧力の約0.001~約50範囲であることが好ましい。フィードガス102は、シクロヘキサシラン以外のガスまたはガス、例えば、不活性キャリアガスを含むことができる。水素は改善された水素終決hydrogenterminationにより、典型的な好ましいキャリアガスである。しかし、アルゴン、ヘリウム、および窒素のような他の不活性キャリアガスの使用も可能である。好ましくは、シクロヘキサシランは、シクロヘキサシラン蒸気107を連行するために、キャリアガス102と共に使用されるバブラー112、さらに好ましくは温度調節型バブラーを経由してチャンバ内に導入することが好ましい。適切なマニホールドを使用してCVDチャンバにフィードガスを供給することができる。例示された具体例では、CVDチャンバ内の気流が水平的であり、最も好ましくはチャンバがシングル-ウエハ、シングルパス、ラミや垂直気流反応器であることが好ましく、放射的に加熱されることが好ましい。このような類型の適切な反応器は市販で購入することができるが、好ましいモデルとしてはアップライドマテリアル社AppliedMaterialsによって製作されたCentura登録商標RP-CVD減圧-真空化学気相蒸着を挙げることができる。本発明で説明された方法は、シャワーヘッド配列のようなさらに他の反応器でも使用されることができ、特に、処理ガス滞留時間が短い回転基板を利用するCentura登録商標チャンバの水平、シングル-パスラミや気流配置において、均一性と蒸着速度面において長所が際立つ。CVDは、プラズマ産物INSITUまたは遠隔プラズマ発生器の下流をチャンバ内に導入することによって実行されることができるが、熱CVDが好ましい。また、フィードガスは、必要に応じて、Si-含有膜ドーピングまたは合金処理に有用なものとして当業者に知られた他の材料を含むこともできる。好ましくは、ガスがゲルマニウムソース、炭素源、ホウ素ソース、ガリウムソース、リンジウムソース、ヒ素ソース、リンソース、スズソース、窒素ソース、および酸素ソースからなる群から選択された1以上の前駆体をさら含むことが好ましい。このようなソースの特定例としては、シリコンソースとしてシラン、ジシラン、およびシクロヘキサシラン、ゲルマニウムソースとしてゲルマン、ジゲルマン、およびトリゲルマン、窒素ソースとしてNF3、アンモニア、ヒドラジン、および原子窒素、炭素源として様々な炭化水素、例えば、メタン、エタン、プロパンなど、炭素とシリコンの両者すべてのソースとしてモノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタン、およびテトラシリルメタン、窒素と酸素の両者すべてのソースとしてN2OおよびNO2、スズ、ヒ素、ホウ素、ガリウム、リンジウム、およびリンのようなドーパントのソースとして多様なドーパント前駆体を挙げることができる。シリコン含有化合物を蒸着させるのに有用な炭素源としては、エチル、プロピル、およびブチルの有機シラン、シクロヘキサシラン、アルキル、アルケン、およびアルキンを挙げることができる。このような炭素源の非制限的な例としては、一般式SixHyCH3z[式のうち、xは1~6の整数であり、yおよびzはそれぞれ独立的に0~6の整数である]の炭素源およびテトラメチルジシランTMDS、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタン、およびテトラシリルメタンのようなシリルアルカン、および/またはアルキルシラン、例えばモノメチルシランMMSおよびジメチルシラン、メチルシランCH3SiH3、ジメチルシランCH32SiH2、エチルシランCH3CH2SiH3、メタンCH4、エチレンC2H4、エチレンC2H2、プロパンC3H8、プロピレンC3H6、ブテンC4H6、およびその他などを挙げることができる。シクロヘキサシランを利用してCVDによってドーパントをSi-含有膜内に混入させることは、ドーパント前駆体を使用してINSITUドーピングによって実行することが好ましい。電気的ドーパントの前駆体としては、ジボラン、重水素化ジボラン、ホスフィン、ヒ素蒸気、およびヒ化水素arsineを挙げることができる。シリルホスフィン[H3Si3-xPRx]およびシリルヒ化水素[H3Si3-xAsRx][式のうち、x=0-2であり、RX=Hである]および/またはDが、リンおよびヒ素ドーパントの好ましい前駆体である。SbH3とトリメチルインジウムはそれぞれ、スズとリンジウムの好ましいソースである。このようなドーパント前駆体は、後述するような好ましい膜、好ましくはホウ素-、リン、スズ-、リンジウム-、およびヒ素-ドーピングされたシリコン、SiC、SiGe、およびSiGeC膜と合金を製造するのに有用である。本発明において、SiC、SiGe、およびSiGeCは、表示された元素を多様な割合で含む材料を示す。例えば、SiGeは、シリコン、ゲルマニウム、および任意の他の元素、例えば、ドーパントを含む材料である。SiC、SiGe、およびSiGeCは、それ自体が化学両論的な化学式ではなく、したがって表示された元素を特定の割合で含む物質に限定されることはない。Si-含有膜中でドーパントを所望する水準で提供するように、フィードガス中のドーパント前駆体の量を調整することができる。フィードガス中の典型的な濃度は、フィードガスの総重量に基づいて重量基準として約1パーツパービリオンppb~約1の範囲であることができるが、時には結果的な膜で所望する特性を得るために、これよりもさらに多いか少ない量を使用することが好ましいこともある。シングルウエハ反応器の好ましいCentura登録商標シリーズにおいて、キャリアガス中のドーパント前駆体の薄い混合物は、所定のドーパント濃度とドーパントガス濃度によって変わるが、1分あたり約10~約200標準立方センチメートルsccm範囲のセットポイントを有するマスフローコントローラを経由して反応器内に伝達されることができる。この薄い混合物は、シクロヘキサシランおよびその他の適切なキャリアガスとの混合によってさらに希薄することが好ましい。好ましいCentura登録商標シリーズ反応器において、蒸着のための典型的な総流速は1分あたり約20標準リットルslm~約180slmであるため、このような方法に使用されるドーパント前駆体の濃度は総流量に比べて少ない。本発明で説明されたSi-含有膜の蒸着は、好ましくは1分あたり約5Å以上、さらに好ましくは1分あたり約10Å以上、最も好ましくは1分あたり約20Å以上の速度で実行されることが好ましい。好ましい具体例では、基板表面1平方センチメートルあたり1分あたり少なくとも約0.001ミリグラムの伝達速度、さらに好ましくは基板表面1平方センチメートルあたり1分あたり少なくとも約0.003ミリグラムの伝達速度でシクロヘキサシランが基板表面に伝達される高速蒸着法が提供される。CVD条件下において、好ましくは約450°C~約700°Cの蒸着温度範囲であるが、この具体例を実施することにより、Si-含有材料他のシリコンソースと比べてが、好ましくは1分あたり約10Å以上、さらに好ましくは1分あたり約25Å以上、最も好ましくは1分あたり約50Å以上の速度で比較的迅速に蒸着される。好ましくは、ゲルマニウムソースもシクロヘキサシランと共に表面に伝達されることにより、Si-含有材料としてSiGe-含有材料を蒸着させることが好ましい。本発明で説明された工程は非制限的な例であって、混合型表面モルフォロジを有する基板を含んだ、多様な基板上にSi-含有膜を蒸着させるのに有用である。好ましい一具体例では、混合-モルフォロジSi-含有膜が混合基板上に蒸着される。混合-モルフォロジ膜のモルフォロジは、蒸着温度、圧力、反応物の分圧、および反応物の流速、または下部基板の表面モルフォロジによって異なる。シクロヘキサシランを利用すれば、単結晶膜を形成することができるシリコン含有材料が適切に製造された単結晶表面上に形成される傾向がある反面、非-単結晶表面non-singlecrystalsurfaces上には非-単結晶膜が形成される傾向がある。下部の単結晶表面が適切に処理された場合、例えば、酸化層のEXSITU湿式エッチングに続いてINSITU洗浄および/または水素ベークステップによって適切に処理され、成長条件がこのような膜成長を支持する場合、不定形pseutomorphic構造を形成することができるシリコン含有材料においてエピタキシャル膜形成が選好される。このような処理方法は当業者に公知であり、例えば、文献[PeterVanZant、‘‘MicrochipFabrication、‘‘4thEd.、McGrawHill、NewYork、2000、pp.385]を挙げることができる。エピタキシャル膜の成長が可能なように、処理されない単結晶表面と無定形および多結晶表面上には、多結晶および無定形膜が適切に形成される。低温では無定形膜が無定形および多結晶基板表面上に適切に形成される反面、比較的高い蒸着温度では多結晶膜が無定形および多結晶表面上に形成される傾向がある。シクロヘキサシランを、分解が開始するのに十分な温度と期間、または所望する厚さを有するSi-含有膜が形成されるのに効果的な伝達速度で混合基板表面に伝達されることが好ましい。特定表面上の膜厚さは、適用目的に応じて、約10Å~約10マイクロンまたはそれ以上の範囲であることができる。好ましくは、特定表面上のSi-含有膜の厚さは約50Å~約5、000Å、さらに好ましくは約250Å~約2、500Åの範囲であることが好ましい。第1表面モルフォロジを有する第1表面と第2表面モルフォロジを有する第2表面を含む混合基板において、この混合基板上に蒸着されるSi-含有膜は、第1表面上の厚さをT1、第2表面上の厚さをT2とするとき、T1:T2の割合が約10:1~約1:10、より好ましくは約5:1~約1:5、さらに好ましくは約2:1~約1:2、および最も好ましくは約1.3:1~約1:1.3の範囲であることが好ましい。好ましい一具体例は、シクロヘキサシランは双極性トランジスタ用ベース構造物を生成する方法に使用される。このようなベース構造物の製造方法は、活性領域および絶縁体を含む基板表面を提供するステップと、前記活性領域と絶縁体の両者すべての基板上にシリコン含有膜を蒸着させるのに効果的な条件下で基板表面にシクロヘキサシランを供給するステップを含んでなされる。好ましい一具体例は、Si-含有膜は約0.1原子~約80原子のゲルマニウム、好ましくは約1原子~約60原子のゲルマニウムを含む、SiGe-含有膜、好ましくはSiGeまたはSiGeC膜の形態で混合基板上に蒸着されることが好ましい。SiGe-含有膜はゲルマニウムソースとシクロヘキサシランを同時にチャンバ内に導入することにより、さらに好ましくは、シクロヘキサシランとゲルマニウムソースとの混合物を使用することによって蒸着することが好ましい。SiGe-含有膜は、上述したように緩衝層、好ましくはシリコンまたはドーピングされたシリコン緩衝層上に蒸着されたり、または混合基板上に直接に蒸着されることが好ましい。さらに好ましくは、ゲルマニウムソースがゲルマンまたはジゲルマンであることが好ましい。膜内の元素、例えばシリコン、ゲルマニウム、炭素、ドーパントなどの元素の相対的な割合は、上述したようにフィードガスの組成を変化させることによって好ましく制御される。ゲルマニウム濃度は膜厚さ全体に渡って一定することができ、または蒸着が起こる間にフィードガス内のゲルマニウムソースの濃度を変化させることによって差等膜を製造することもできる。SiGeを蒸着するのに好ましいガス混合物は、水素キャリアガス、ゲルマニウムソースとしてゲルマンまたはジゲルマン、またはシクロヘキサシランを含む。フィードガス中のシクロヘキサシラン対ゲルマニウムソースの重量比は約10:90~約99:1、さらに好ましくは約20:80~約95:5の範囲であることが好ましい。上述した好ましい高速蒸着を達成するためには、ゲルマニウムソースが混合基板表面1平方センチメートルあたり1分あたり少なくとも約0.001ミリグラム、さらに好ましくは混合基板表面1平方センチメートルあたり1分あたり少なくとも約0.003ミリグラムの伝達速度で混合基板に伝達されることが好ましい。所望する蒸着速度および膜組成を達成するために、ゲルマニウムソースの伝達速度をシクロヘキサシランの伝達速度と調和的に調整することが好ましい。好ましくは、ゲルマニウムソースの伝達速度を変化させ、ゲルマニウム濃度が差等したSiGeまたはSiGeC膜を得ることが好ましい。好ましくは、下部の混合基板の少なくとも1表面の表面モルフォロジと組成は、その表面上でSiGe膜の変形したstrainedヘテロエピタキシャル成長を可能にするのに効果的であるものが好ましい。蒸着されたエピタキシャル層は少なくとも2サイズが下部の単結晶基板のそれと同じであるが、その本来の格子定数とは異なる格子構造を有するように拘束された場合を変形したと言う。膜の格子構造が下部の単結晶基板の格子構造にマッチされる方式によって膜が蒸着される場合、原子が独立したバルク材料の格子構造で正常に占めた位置から原子が離隔するようにすることによって格子変形が存在するようになる。以下で詳しく説明するが、本発明は、高水準の置換性炭素達成を通じて高水準の変形を生成させる方法を開示する。したがって、シクロヘキサシランの分解を開始するのに十分なエネルギーを供給することにより、結果的なシリコン生成物が基板表面に伝達される速度、より好ましくは後述する基板の加熱によって一次で調節される速度で蒸着するように、シクロヘキサシラン蒸着条件が生成されることが好ましい。好ましい蒸着方法は、シクロヘキサシランの存在下で適切なチャンバにおいてシクロヘキサシランの分解および蒸着条件を確立し、Si-含有膜を前記チャンバ内に含有された基板上に蒸着させることを含んでなされる。別の方法として、シクロヘキサシランの分解は、非制限的な例として熱分解、光分解、放射線分解、イオン衝撃分解、プラズマ分解などの分解技術によってチャンバに至る前に開始することもできる。金属、誘電体材料、半導体、およびドーピングされた半導体を含んだ本発明で説明されたSi-含有材料上に、通常の方式によって様々な材料を蒸着させることができる。また、Si-含有材料は、アニーリング、エッチング、イオン注入、研磨などのような他の半導体製作工程によって処理することもできる。さらに他の好ましい具体例より、拡散ソースまたは拡散層を製造する方法が提供された。拡散ソースdiffusionsourceは、1以上のドーパント元素のソースとして作用する層である。このような拡散層は、一般的にドーパントが要望される領域近辺に蒸着された後に加熱されることにより、ドーパントが拡散層から所望する目的地まで移動する。しかし、このような拡散ソースの使用には制限がある。例えば、蒸着および移動ステップには時間がかかり、これらのステップと関連した加熱によって熱消耗予算が超過することがある。イオン注入のような他のドーピング方法を使用することもできるが、イオン注入法では浅目の注入が達成され難い。したがって、浅いソース-ドレーン接合のような浅いドーピング領域の生成に問題がある。熱消耗予算に及ぶ衝撃を最小化するために、拡散経路の長さを減少させるように薄い拡散ソースを蒸着させようとする試みが行われた。しかし、シリコンソースとしてシランを利用するこのような試みは不満足であったが、これはシランの蒸着温度が高く、拡散層内部の厚さ不均一性によって移動ステップ後にドーパントの不均一性を引き起こすためである。最近は、シリコンソースとしてシクロヘキサシランを利用することにより、薄くて均一なSi-含有拡散ソースを生成することができることが明かになった。これらの拡散ソースは、シクロヘキサシランとドーパント前駆体をチャンバ内に導入し、ドーパントの最終目的地付近から、高度にドーピングされたSi-含有膜を熱DVCによって基板上に蒸着させることによって好ましく製造される。チャンバ内に導入されるドーパント前駆体の量は、最終適用目的に応じて広範囲に異なることがあるが、約l×l016~約l×l022原子/cm3の範囲であることが好ましい。チャンバ内に導入されるドーパント前駆体対シクロヘキサシランの割合は、シクロヘキサシランとドーパント前駆体の総重量に基づいて約0.00001~150、好ましくは約0.001~約75の範囲であることができる。拡散層蒸着温度は約400°C~約650°Cの範囲であることができるが、約450°C~約600°Cの範囲であることが好ましい。蒸着温度が低いほど弱くて消耗予算に及ぶ衝撃が小さくなるため、より平滑かつ連続的な膜を提供することができるが、温度が高いほど蒸着速度はさらに速くなる。拡散ソースの厚さは、好ましくは約25Å~約150Å、さらに好ましくは約50Å~約100Åの範囲である。拡散ソースは、実際に均一な厚さ、さらに好ましくは厚さの不均一度が約10以下であり、実際に均一なドーパント分布を有する連続的なSi-含有膜であることが好ましい。本発明で説明されたSi-含有膜は、反射防止コーティングとしても有用である。半導体製作時、基板にパターンを形成するためには、主に強力な電磁気放射ソースを利用するフォトリソグラフィ工程が使用される。反射防止コーティングは、反射する放射量を減少させるために表面に適用される。このようなコーティングは大概に、前記コーティングの厚さを放射波長の数倍になるように調整することにより、その反射防止特性が入射放射類型に対して最大になるように考案される。第2の光学効果を回避するためには、可能な限り一般的に前記倍数が小さいことが好ましいが、このように薄い光学的高品質膜を製作するのは一般的にさらに難しい。これだけでなく、デバイスのサイズが次第に小さくなるに伴い、フォトリソグラフィに利用された入射放射波長も反射防止コーティングが所望する厚さの減少と共に短くなってきた。好ましい具体例より、半導体製作に有用な反射防止コーティングが提供される。好ましい反射防止コーティングは、実際に均一な厚さを有するものである、さらに好ましくは厚さ不均等度が約10以下であることにより、反射防止特性が基板表面全体に渡って実質的に一定なものである、本発明で説明されたSi-含有膜を含むことが好ましい。反射防止コーティングの厚さは、入射放射の少なくとも一部の反射を抑制するのに効果的な程度であって、さらに好ましくは反射量が入射放射の約75以下になるように選択されることが好ましい。典型的な厚さは入射放射波長の低倍数、好ましくは約100Å~約4000Å、さらに好ましくは約300Å~約1000Åであることが好ましい。Si-含有膜は、元素上窒素、酸素、および/または炭素を含むことが好ましく、さらに好ましくはSi--N、Si--O--N、およびSi--C--Nからなる群から選択されることが好ましい。好ましい反射防止コーティングは、本発明の他の場所で説明された蒸着技術を利用し、シクロヘキサシランおよび任意に酸素、窒素、および/または炭素前駆体を使用することによって蒸着させることが好ましい。好ましい酸素前駆体としては二原子酸素およびオゾンを挙げることができ、好ましい窒素前駆体としてはヒドラジン、原子窒素、シアン化水素、およびアンモニアを有することができ、好ましい炭素前駆体としては二酸化炭素、一酸化炭素、シアン化水素、アルキルシラン、およびシリル化アルカンを挙げることができる。このようなSi--N、Si--O--N、およびSi--C--N膜は、他の目的、特に、薄いエッチングストップthinetchstopsにおいても有用である。非制限的な例として、シクロヘキサシラン、トリシラン、テトラシラン、ジシラン、ペンタシランのようなSi-含有材料を表面上に蒸着させるための装置が提供される。図1に好ましい装置の概略図を示した。この装置100は、キャリアガスソース102、液体シクロヘキサシラン106を含む温度調節型バブラー112、およびバブラー112にガスソース102を作動的に連結させるガスライン103を含んでなされる。排出ライン130が装着したCVDチャンバ120は、フィードライン115によってバブラー112に作動的に連結している。キャリアガス内で連行される蒸気化したシクロヘキサシラン107であるシクロヘキサシランのバブラー112からCVDチャンバ120への流れは、バブラー付近に作動的に配置された温度調節ソース図示せずによって援助されることが好ましい。温度調節ソースは約10°C~約70°C、好ましくは約20°C~約52°Cの温度範囲でシクロヘキサシラン106の温度を維持することにより、シクロヘキサシランの蒸気化速度を調節する。好ましくは、CVDチャンバ120はシングル-ウエハの水平型気流反応器であることが好ましい。さらに好ましくは、この装置は、チャンバ120内に内蔵された基板の気流均一性を個別に同調させる方式により、バブラー112からCVDチャンバ120へのシクロヘキサシラン106の流れを制御することができるように、フィードライン115に作動的に連結したマニホールド図示せずも含むことが好ましい。好ましくは、蒸気化したシクロヘキサシラン107の凝縮を防ぐように、フィードライン115は約35°C~約70°C、好ましくは約40°C~約52°Cの温度範囲で維持することが好ましい。別の方法として、図1で説明された装置は、図2に示すようにフィードライン215内に分解チャンバ218が統合されるように変形することができる。蒸気化したシクロヘキサシラン207が分解チャンバ218に流入し、熱分解、光分解、放射線分解、イオン衝撃分解、プラズマ分解などの方法によって分解が開始する。このような分解法は当業者に周知である。シランを利用する半導体デバイス製造工程の収率は、本発明で説明されたように、シランをシクロヘキサシランに代替することによって増加することができる。このような代替使用によって多様な工程で収率を増加することができるが、工程が平均厚さが約2000Å以下のSi-含有膜を蒸着させることと関連した場合に特に有用であり、膜厚さが減少するほどさらに選好される。したがって、このような代替使用は、厚さが約300Å以下の膜を蒸着するのに有用であり、厚さが約150Å以下の膜を蒸着するのにさらに有用であり、特に厚さが約100Å以下の膜を蒸着するのに極めて有用である。同じように、このような代替使用は、基板の表面積が約300cm2以上の場合に特に有用であり、基板表面積が約700cm2以上の場合にさらに有用である。個別的な半導体デバイスの価値は極めて高いため、収率が少しだけでも高くなれば、製造者の立場では有意的な費用節減となる。もしくは、シランの代わりにシクロヘキサシランを使用することにより、[シクロヘキサシランデバイス収率-シランデバイス収率]/シランデバイス収率に100を掛けた値を百分率で示したデバイス収率が約2以上、さらに好ましくは約5以上増大する。好ましい使用法は、例えば、シクロヘキサシランの熱CVDと関連して上述した温度変数を利用し、低温でシクロヘキサシランを蒸着させる能力を利用するため、CVD工程を変形させることを含む。例えば、半導体デバイス製造工程が温度Tsでのシラン熱CVDを含む場合、シランの代わりにシクロヘキサシランを使用することによって蒸着温度がTtここで、Ts>Ttに低下して好ましい。このような温度低下は熱消耗予算を減縮させるため有利であり、Ts-Tt/Tsに100を掛けて百分率で示す場合、約10以上、さらに好ましくは約20以上の熱消耗予算を節約することができて好ましい。Ttは約450°C~約600°Cの範囲、さらに好ましくは約450°C~約525°Cの範囲であることが好ましい。好ましくは、上述したように室温でシクロヘキサシランが液体である性質を考慮し、シランをシクロヘキサシランに代替するとき、シランをチャンバ内に導入する工程も、例えばバブラーや加熱したガスラインなどを利用することによって変形させることが好ましい。また、本発明は、Si-含有材料のINSITU置換ドーピングを達成する一方、シリコンとシリコン含有材料を選択的またはエピタキシャル的に蒸着させる工程を提供する。これに加え、このような本発明の改善された方法は、蒸着される材料の蒸着および/または成長速度、選択性、および/または品質例えば結晶品質を過度に犠牲にしない上に、置換ドーピングを商業的に有意的な水準として達成できるようにする。これだけでなく、本発明の工程は、多様な元素濃度を有するシリコン含有材料を迅速な蒸着および/または成長速度で、工程温度を約250°C-550°C範囲、好ましくは約500°C-525°Cの範囲に維持する一方、圧力を約10mTorr-200Torr、好ましくはl0mTorr-50Torrの範囲、さらに好ましくは10mTorr-10Torrの範囲に維持しながら形成するのに十分に多芸多才である。最後に、この工程がエッチングの結果として複数回のサイクルを必要とする場合、温度を変化させる必要がない。すなわち、エッチングステップは、蒸着および/または成長ステップと同じ温度で起こる。後述するように、Si-含有材料のINSITU置換ドーピングを達成しながら、シリコンおよびシリコン含有材料を選択的またはエピタキシャル的に蒸着するのに重要な蒸着および/または成長変数がいくつかある。非制限的な例として、シクロヘキサシランn-シクロヘキサシラン、イソ-シクロヘキサシラン、およびシクロ-シクロヘキサシランのような線形およびイソ形の高級シランを高速ポンプを使用できるように本発明にしたがって変形した低圧化学気相蒸着および/または成長システム図1および図2に示すようなシステムと組み合わせて使用するのが、本発明の教示内容を達成するための2つの重要な変数であることが明らかになった。例えば、シクロヘキサシランのような高級シランを使用すれば、シリコンソースガスのようなモノ-シランを使用した場合よりも、炭素が混入したシリコン含有膜低温でもさらに速い速度で蒸着および/または成長させることができ、置換性炭素原子をさらに多く混入させることができる。シクロヘキサシランのような高級シランは低温で蒸着させやすいため、多結晶材料に対して無定形成長に対する選択性がさらに高い。高級シランは重合し易くて粒子形態に蒸着する高級鎖型ポリマーを形成するためガス状核形成、伝統的にエピタキシ工程に採用し難かった。この粒子はSi材料に欠陷を発生させてエピタキシを破壊することにより、温度に応じて無定形層またはポリシリコン層に転移することがある。蒸着および/または成長温度を低下させればガス状核形成の可能性が減る。しかし、不幸にも、蒸着および/または成長温度が低下するほど、酸素分圧やエピタキシ工程中に存在する不純物が増加し、酸素がSi材料内に侵入的に混入するようになる。Landerなど[JAP、v336:2089-20921962]の研究内容を550°Cの蒸着および/または成長温度に適用すれば、酸素が清浄表面上でこれ以上安定しない分圧は10’16Torrである。シクロヘキサシランのような高級シランを対象にした蒸着および/または成長法として、ガス状核形成に遥かに鈍感ながらも多様な置換性を有する単結晶Si-含有材料を製造するのに有用な方法が開発された。驚くべきことに、約550°C以下の温度および約10mTorr-200Torr、好ましくは約10mTorr-50Torr、さらに好ましくはl0mTorr-10Torrの圧力下で、高速ポンプが備えられた減圧CVDシステムを利用して相対的にオイル貯油内にシクロヘキサシランを流しながら、相対的に固有内に流れる運搬体ガスに、チャンバ内に含有された基板を露出させることによってエピタキシャルシリコン膜を形成することができることが明かになった。前記高速ポンプは、例えば、存在する酸素、水、一酸化炭素、二酸化炭素、シロキサン、ジシロキサン、および高級シロキサンのような汚染物質がすべて希薄される程度に高い濃度でキャリアガスを前記チャンバ内に流すことができる。これだけでなく、このような変形したCVD条件下でシリコンソースとしてシクロヘキサシランを使用し、炭素源として炭素-含有ガスを使用して比較的高速で蒸着および/または成長を実施することにより、比較的高い水準で置換性炭素を含むように、結晶性SiをINSITUドーピングすることができる。基板上の単結晶シリコン膜の蒸着および/または成長は約550°C未満の温度および約10mTorr-200Torr、好ましくは約10mTorr-50Torr、およびさらに好ましくはl0mTorr-10Torrの圧力下で起こり、x線回折によって測定する場合、単結晶シリコン膜は約1.8原子~約3.0原子の置換性炭素を含む。本発明によって炭素-ドーピング層の蒸着および/または成長は、以下で詳しく説明するが、エッチングガスが存在するか存在しない状態で選択的または非選択的に実行されることができる。エッチングガスを使用する場合、周期が蒸着および/または成長周期であるのかまたはエッチング周期であるのかに応じて、圧力および温度を周期化させなくても良いという付加的な長所がある。上述したように、多様な蒸着および/または成長変数が置換性炭素のSi-含有膜内への混入に影響を及ぼすことが明かになったが、このような変数としては、シクロヘキサシラン対他のシリコンソースの割合、炭素源流速対シクロヘキサシラン流速の割合、キャリアガス流速、蒸着および/または成長圧力、および蒸着および/または成長温度を挙げることができる。このような変数の特定の組み合わせは、置換性炭素をSi-含有膜内に比較的高水準で混入させるのに特に有利であることが明かになった。特に、次の組み合わせが有利である。比較的速いキャリア炭素の流速例えば、シクロヘキサシラン流速対水素キャリアガス流速の割合が比較的低いものおよびこれと次のうちの少なくとも1つとの組み合わせ、すなわち、比較的遅いシクロヘキサシラン流速例えば、約50mg/分~約200mg/分、比較的低い蒸着および/または成長圧力例えば、好ましくは約10mTorr~約10Torr、さらに好ましくは1Torr未満の圧力、比較的低い蒸着および/または成長温度例えば、好ましくは約250°C~約550°C、さらに好ましくは約500°C~約525°Cの温度範囲。Si-含有材料内に置換的にドーピングされた炭素の量は、ドーピングされたSi-含有材料の垂直格子間隔をx線回折によって測定することによって求めることができる。例えば、文献[JudyL.Hoyt、‘‘SubstitutionalCarbonIncorporationandElectronicCharacterizationofSi1-yCy/SiandSi1-x-yGexCy/SiHeterojunctions、‘‘Chapter3in‘‘Silicon-GermaniumCarbonAlloy、‘‘TaylorandFrancis、N.Y.、pp.59-89、2002]参照。Hoytの上述した文献の73ページ図3.10に示されるように、ドーピングされたシリコン中の総炭素含量はSIMSによって測定することができ、非置換性炭素含量は総炭素含量から置換性炭素含量を引くことによって求めることができる。その他のSi-含有材料内に置換的にドーピングされた他の元素の量も、類似する方式によって求めることができる。様々な具体例は、炭素源シクロヘキサシラン、および必要によっては電気活性ドーパントのような他の元素のソースを使用することにより、炭素-ドーピングされたSi-含有材料例えば、炭素-ドーピングされた単結晶Siを蒸着させる方法が提供される。本発明に教示された変形した化学気相蒸着および/または成長条件下において、分解したシクロヘキサシランおよび炭素源の基板表面への伝達によって基板表面上にエピタキシャル炭素-ドーピングされたSi-含有膜が形成されることが好ましい。所定の選択的な蒸着および/または成長においては、エッチングガスが分解したシクロヘキサシランおよび炭素源と共に基板に伝達され、Si-含有膜が単結晶基板または混合基板の単結晶領域に選択的に蒸着されることができる。比較的高い蒸着および/または成長速度を利用する方法が好ましく、好ましい具体例は、このような方法によって比較的高い水準で置換性炭素を含む、INSITUドーピングされた結晶性Si-含有材料が蒸着および/または成長したものと示された。本発明の1以上の具体例は、一般的に電子デバイスの製作時に基板の単結晶表面にシリコン含有材料を選択的かつエピタキシャルに蒸着させる方法を提供する。単結晶表面例えば、シリコンまたはシリコンゲルマニウムおよび少なくとも1つの第2表面、例えば無定形表面および/または多結晶表面例えば、酸化物または窒化物を含む基板をエピタキシャル工程に露出させて単結晶表面上にエピタキシャル層を形成する一方、第2表面には多結晶層が制限的のみ形成されたりまったく形成されないようにする。エピタキシャル工程では、エピタキシャル層が所望する厚さに成長するまで、一般的に蒸着および/または成長工程とエッチング工程周期を繰り返す。米国特許第7、312、128号には蒸着およびエッチング工程を相互に実施する例が説明されており、前記文献はその内容すべてが本発明に参照併合されている。本発明の1以上の具体例は、蒸着工程は少なくともシクロヘキサシランとキャリアガスを含む蒸着ガスに基板表面を露出させることを含むが、ここで前記キャリアガスの流速は、シクロヘキサシランの流速よりも0~20、000倍、好ましくは2、000~10、000倍、さらに好ましくは100~2、000倍さらに速いことが好ましい。また、蒸着ガスは、ドーパントソースだけではなくゲルマニウムソースおよび/またはソースも含むことができる。特定具体例は、蒸着ガスはn-型ドーパント前駆体を十分な量で含み、n-型ドーパントを少なくとも約1×1020原子/cm3で含むエピタキシャル膜が得られる。特定具体例は、最終エピタキシャル膜は少なくとも約2×1020原子/cm3のn-型ドーパント、さらに特異的には少なくとも約5×1020原子/cm3のn-型ドーパントを含む。本発明において、このような水準のドーパント濃度は、n-型ドーパントが多くドーピングされたと表現する。適切なn-型ドーパントとしては、P、As、およびSbを挙げることができる。蒸着工程が進む間に、基板の単結晶表面にはエピタキシャル層が形成される一方、誘電体の無定形および/または多結晶表面のような第2表面以下、集合的に第2表面と称する上には多結晶線/無定形層が形成される。続いて、基板をエッチングガスに露出させる。一般的に、エッチングガスは、キャリアガスとエッチング剤etchant、例えば塩素ガスまたは塩化水素を含む。エッチングガスは、蒸着工程間に蒸着したシリコン含有材料を除去する。エッチング工程が進む間に、多結晶/無定形層はエピタキシャル層よりも速い速度で除去される。したがって、蒸着工程とエッチング工程の結果を総合すれば、単結晶表面上にはエピタキシャルに成長したシリコン含有材料が形成される一方、第2表面上の多結晶/無定形シリコン含有材料の成長は最小化する。蒸着およびエッチング工程周期は、所望する厚さのシリコン含有材料が得られるまで繰り返すことができる。本発明の具体例によって蒸着することができるシリコン含有材料には、シリコン、シリコンゲルマニウム、シリコン炭素、シリコンゲルマニウム炭素、およびドーパントを含んだこの変形体が含まれる。所望する陥没部recessの深さに応じて、蒸着とエッチングを30-50回繰り返すことができる。一般的に、蒸着工程はエッチング反応よりも低温で実行することができるが、これはエッチング剤は活性化に高温を求めるためである。しかし、シクロヘキサシランの場合、無定形的に蒸着することができるため、エッチング工程の温度を蒸着温度と同じように維持させることができ、これによって蒸着工程全般に渡って反応温度を制御および調節するための努力を最小化させることができる。さらに他の好ましい具体例は、蒸着およびエッチングステップを相互に実施し、シクロヘキサシランを利用して成長したエピタキシャル膜の結晶性が増加した、ブランケットまたは非選択的エピタキシを実行する方法を提供する。このような方法の一例は、基板を工程チャンバに入れ、工程チャンバ内の条件を所望する原図および圧力に合わせることを含む。続いて、蒸着工程を開始して1分あたり約2-4nmの速度で板の単結晶表面上にエピタキシャル層が形成される。続いて、蒸着工程が終決される。基板は、パターンを有することもあるし有さないこともある。パターン型基板は、気波や表面上または表面内に形成された電気特性を含む基板である。パターン型基板は大概に、単結晶表面と、多結晶または無定形表面のように、単結晶性ではない、第2の表面または特徴表面を少なくとも1つ含む。単結晶表面は普通シリコン、シリコンゲルマニウム、またはシリコン炭素のような材料から生成される蒸着された単結晶層またはバレーbare結晶性基板を含む。多結晶または無定形表面は、無定形シリコン表面だけではなく、ポリシリコン、フォトレジスト材料、酸化物または窒化物、特に酸化シリコンまたは窒化シリコンのような誘電体材料またはこれらの組み合わせを含むことができる。基板を工程チャンバにローディングした後、工程チャンバの条件を所定の温度と圧力に合わせる。温度は、実行される所定の工程に合うように設定する。一般的に、工程チャンバは、蒸着およびエッチングが起こる間、約550°C未満の温度に維持する。工程チャンバは、蒸着が起こる間は大概に、約10mTorr-200Torr、好ましくはl0mTorr-50Torr、およびさらに好ましくはl0mTorr-10Torrの圧力に維持する。圧力は工程ステップが進む間またはその間に搖動することがあるが、一般的に一定に維持される。蒸着工程が起こる間、基板は蒸着ガスに露出されてエピタキシャル層が形成される。基板は約0.5秒~約30秒、例えば約1秒~約20秒、さらに具体的には約5秒~約10秒間露出させる。特定具体例は、蒸着ステップは約10秒~11秒間持続する。蒸着工程の特定露出時間は、その工程に使用された特定前駆体および温度だけではなく、後続するエッチング工程の露出時間と関連づけて決定される。一般的に、エピタキシャル層の最大厚さが形成されるのに十分に長い時間に渡って基板を蒸着ガスに露出させる。1以上の具体例は、蒸着ガスは少なくともシクロヘキサシランとキャリアガスを含み、少なくとも1種の第2元素ソース、例えば、炭素源または前駆体および/またはゲルマニウムソースまたは前駆体を含むことができる。また、蒸着ガスは、ホウ素、ヒ素、リン、ガリウム、および/またはアルミニウムのようなドーパントソースの提供のためにドーパント化合物をさらに含むこともできる。さらに他の具体例は、蒸着ガスは少なくとも1種のエッチング剤を含むことができる。前記チャンバ内に導入するシクロヘキサシランは大概に、純度が約95~約99.9水準であり、酸素添加された不純物は2000ppm未満であり、好ましくは酸素添加された不純物が2ppm、さらに好ましくは酸素添加された不純物が500ppbである。シクロヘキサシランは、工程チャンバ内に大概に、約5sccm~約500sccm、好ましくは約10sccm~約300sccm、さらに好ましくは約50sccm~約200sccm、例えば約100sccmの速度範囲で提供される。特定具体例は、シクロヘキサシランは約60sccmで流れる。シリコン含有化合物を蒸着させるために蒸着ガスに有用なシリコンソースの例としては、シクロヘキサシラン、ハロゲン化シクロヘキサシラン、および有機シクロヘキサシランを挙げることができるが、これに限定されることはない。ハロゲン化シランには、実験式がX’ySi4H10-yここで、X’=F、CI、Br、またはIであるである化合物が含まれる。有機シランには、実験式がRySi4H10-y式のうち、R=メチル、エチル、プロピル、またはブチルであるである化合物が含まれる。有機シラン化合物は、蒸着したシリコン含有化合物に炭素が混入される具体例は、炭素源としてだけではなくシリコンソースとしても有利なことが明かになった。シクロヘキサシランは大概に、キャリアガスと共に工程チャンバ内に提供される。キャリアガスは、流速が約1slm1分あたり標準リットル:standardlitersperminute~約50slmであり、100Torr未満の圧力を有する。例えば、約100Torr未満の圧力で約12slm~約45slm、さらに特定して約20slm~約40slm、例えば約34slmの流速を有する。キャリアガスとしては、ヘリウム、窒素N2、水素H2、アルゴン、およびこれらの組み合わせを挙げることができる。キャリアガスは、使用される前駆体および/またはエピタキシャル工程中の工程温度に基づいて選択されることができる。通常、キャリアガスは、蒸着およびエッチングステップそれぞれを通じて同じである。しかし、一具体例では、特定ステップで他のキャリアガスを使用することもできる。一般的に、低温例えば、550°C未満工程を利用する具体例では、キャリアガスとして水素が利用される。また、使用される蒸着ガスは、炭素源および/またはゲルマニウムソースのような少なくとも1種の第2元素ソースを含む。炭素源は、蒸着が起こる間、シリコンソースおよびキャリアガスと共に工程チャンバ内に添加され、シリコン炭素材料のようなシリコン含有化合物を形成する。炭素源、すなわち100は大概に、約0.1sccm~約40sccm、例えば約3sccm~約25sccm、さらに特定して約5sccm~約25sccm、例えば約10sccmの速度で工程チャンバ内に提供される。前記チャンバ内に導入した炭素源は大概に、約97~約99.の純度範囲を有し、酸素添加された不純物は100ppm未満、好ましくは酸素添加された不純物が10ppm未満、さらに好ましくは酸素添加された不純物が500ppb未満である。蒸着が起こる間に使用される蒸着ガスは、例えば、ホウ素、ヒ素、リン、ガリウム、またはアルミニウムのような元素ドーパントソースを提供するために少なくとも1種のドーパント化合物をさらに含むことができる。ドーパントは、蒸着されたシリコン含有化合物に電子デバイスによって求められる様々な導電特性を、例えば、適切に制御されて要望される経路で提供する。シリコン含有化合物の膜は特定のドーパントでドーピングされ、所望する導電特性を達成することができる。一例として、シリコン含有化合物を約1020原子/cm3~約1021原子/cm3の濃度でリン、スズ、および/またはヒ素を利用してn-型ドーピングする。ドーパントソースは、蒸着時に工程チャンバ内に約0.1sccm~約20sccmの範囲、例えば約0.5sccm~約10sccmの範囲、さらに具体的に約1sccm~約5sccmの範囲、例えば約3sccmで提供される。また、ドーパントは、悚化水素AsH3、ホスフィンPH3、および例えば実験式RXPH3-Xここで、R=メチル、エチル、プロピル、またはブチルであり、x=1、2、または3であるのアルキルホスフィンを含むことができる。アルキルホスフィンには、トリメチルホスフィンCH33P、ジメチルホスフィンCH32PH、トリエチルホスフィンCH3CH23P、およびジエチルホスフィンCH3CH22PHが含まれる。アルミニウムおよびガリウムドーパントソースとしては、例えば、実験式RXMX3-Xここで、M=AlまたはGa、R=メチル、エチル、プロピル、またはブチルであり、X=C1またはFであり、x=0、1、2、または3であるで表示されるアルキル化および/またはハロゲン化誘導体を有することができる。アルミニウムおよびガリウムドーパントソースには、トリメチルアルミニウムMe3Al、トリエチルアルミニウムEt3Al、ジメチルアルミニウムクロライドMe2AlCl、アルミニウムクロライドA1C13、トリメチルガリウムMe3Ga、トリエチルガリウムEt3Ga、ジメチルガリウムクロライドMe2GaCl、およびガリウムクロライドGaCl3が含まれる。1以上の具体例より、蒸着工程の終決後、工程チャンバを浄化ガスまたはキャリアガスによってフラッシュ処理しておよび/または工程チャンバを真空ポンプで疏開させることができる。浄化および/または真空工程によって過量の蒸着ガス、反応副産物、およびその他の汚染物質が除去される。1つ例示的な具体例では、キャリアガスを約5slmで10秒間流すことによって工程チャンバを浄化させる。蒸着およびエッチング周期は、数回に渡って繰り返すことができる。本発明のさらに他の側面では、シリコンソース、好ましくはシクロヘキサシランを利用して低温、例えば約550°C未満の温度でブランケットまたは非選択的蒸着を実施する。これは、蒸着ステップ非選択的蒸着間に酸化物および窒化物のような誘電体表面上での無定形の成長多結晶成長よりを援助し、以後のエッチングステップによって誘電体表面上の層を除去することを容易にし、結晶性基板上に成長した単結晶層に対する損傷を最小化させる。典型的な選択的エピタキシ工程は、蒸着反応およびエッチング反応と関連がある。蒸着工程の間、エピタキシ層は単結晶表面上に形成される一方、多結晶層は例えば既存の多結晶層および/または無定形層のような少なくとも1つの第2層上に蒸着される。蒸着反応およびエッチング反応は、エピタキシャル層と多結晶層に比較的異なる反応速度で同時に起こる。しかし、蒸着した多結晶層は、一般的にエピタキシャル層よりもさらに速い速度でエッチングされる。したがって、エッチングガスの濃度を変化させることにより、純選択的工程によってエピタキシ材料が蒸着され、多結晶材料の蒸着は制限的のみに起こるかまったく起こらなくなる。例えば、選択的エピタキシ工程によって多結晶シリコン表面にはシリコン含有材料のエピ層が形成される一方、スペーサ上には蒸着が残らないこともある。シリコン含有材料の選択的エピタキシャル蒸着は、増加したソース/ドレーン形成時に有用な技術となり、例えば、シリコン含有MOSFET金属酸化膜半導体電界効果トランジスタデバイス形成時にソース/ドレーン拡張特性となる。ソース/ドレーン拡張特性は、シリコン表面をエッチングして陥没したソース/ドレーン特性を生成し、続いてシリコンゲルマニウムSiGe材料のような、選択的に成長されたエピ層にエッチングされた表面を充填することによって生成される。選択的エピタキシにより、INSITUドーピングでほぼ完璧なドーパント活性化が可能となるため、ポストアニーリングpostannealing工程は省略される。したがって、シリコンエッチングおよび選択的エピタキシによってジャンクションの深さを正確に定めることができる。一方、極めて薄いultraswallowソース/ドレーンジャンクションでは、直列抵抗の増加が不可避である。また、シリサイドが形成される間にジャンクション消耗によって直列抵抗がさらに増加する。ジャンクション消耗を補償するため、増加したソース/ドレーンがジャンクション上にエピタキシャルかつ選択的に成長する。一般的に、増加したソース/ドレーン層はドーピングされていないシリコンである。本発明の具体例は、置換性炭素濃度が高い1.8超過Si:C膜のようなシリコン含有膜のための選択的エピタキシ工程を提供するが、これはエピタキシャル膜が陥没したrecessedトランジスタのソース/ドレーン上で成長するとき、N-型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETの引張応力チャネルを形成するのに利用されることができる。一般的に、Si:Cエピタキシでは高い置換性炭素濃度1.8超過を得難い。しかし、シクロヘキサシランは、極めて低温でも高い成長速度が可能である。1以上の具体例は、本発明の方法とは順序は異なるが、このような工程が本発明で説明されたものと必ずしもまったく同じステップに限定されることはない。例えば、工程シーケンス順序が維持される限り、工程ステップの間に他の工程ステップが入り込むこともできる。エピタキシャル蒸着の個別ステップについて、1以上の具体例を挙げながら以下でさらに詳しく説明する。本発明で説明された工程によって形成されたMOSFETデバイスは、pMOS部品またはnMOS部品を含むことができる。p-型チャネルを有するpMOS部品にはチャネル伝導に責任があるホールがある一方、n-型チャネルを有するnMOS部品にはチャネル伝導に責任がある電子がある。したがって、例えば、SiGeのようなシリコン含有材料を陥没した領域に蒸着させてpMOS部品を生成することができる。さらに他の例として、SiCのようなシリコン含有膜を陥没した領域に蒸着させてnMOS部品を生成することができる。SiGeがpMOSに使用されるのには様々な理由がある。また、シリコンの最上部にエピタキシャルに成長したSiGeは膜内部に圧縮応力を有するが、これはSiGeの格子定数がシリコンの格子定数よりも大きいためである。圧縮応力は側面サイズlateraldimensionに伝達され、pMOSチャネルで圧縮応力が生成されてホールの移動性を増加させる。nMOSの場合、陥没した領域にSiCを使用してチャネル内に引張応力を形成させることができるが、これはSiCの格子定数がシリコンの格子定数よりも小さいためである。引張応力はチャネル内に伝達されて電子移動性を増加させる。したがって、一具体例は、第1シリコン含有層は第1格子変形値を有しながら形成され、第2シリコン含有層は第2格子変形値を有しながら形成される。炭素-ドーピングされたシリコンエピタキシを利用して陥没したソース/ドレーンを有するnMOSトランジスタのチャネルで増加された電子移動性を達成するためには、選択的蒸着や後蒸着post-depositionプロセッシングにより、ソース/ドレーン上に炭素-ドーピングされたシリコンエピタキシャル層を選択的に形成することが求められる。これだけでなく、炭素-ドーピングされたシリコンエピタキシャル層はチャネル内に引張変形を誘導するため、置換性C炭素を含むことが求められる。炭素-ドーピングされたシリコンソースおよびドレーン内の置換性C含量が増加するほど、さらに高いチャネル引張変形を達成することができる。1.5置換性Cを達成することは約0.5チャネル変形に該当し、2置換性Cは約0.8チャネル変形に該当し、2.5置換性Cは約1.0チャネル変形に、そして3置換性Cは約1.2チャネル変形に該当する。n-ドーピングされたシリコンを含むエピタキシャル層の形成方法は技術分野で周知であるため、本明細書ではこれに関して詳述しない。特定具体例は、半導体デバイス、例えば、MOSFETデバイスでのエピタキシャル層の形成および処理に関するものである。特定具体例は、n-型エピタキシャル層の形成は、工程チャンバ内の基板をシリコンソース、炭素源、およびn-ドーパントソースを含む蒸着ガスに第1温度および圧力下で露出させた後、前記基板を温度または圧力変化なくエッチング剤に露出させることを含んでなされる。一具体例は、図4に示すように、ソース/ドレーン拡張がMOSFETデバイス400内で起こるが、ここでシリコン含有層は、基板410の表面上にエピタキシャルかつ選択的に蒸着される。ソース/ドレーン領域412は、イオンを基板410の表面内に注入implantすることによって形成される。ソース/ドレーン領域412のセグメントは、スペーサ414およびゲート酸化物層416上に形成されたゲート418によって連結する。さらに他の具体例は、シリコン含有エピタキシャル層420および多結晶層422は、x線回折法によって測定するとき、炭素濃度が少なくとも1.8原子の置換性炭素~約3.0の置換性炭素範囲であるSiC-含有層である。さらに他の具体例は、シリコン含有エピタキシャル層420および多結晶層422は、ゲルマニウム濃度が約1原子~約50原子、好ましくは約24原子以下の範囲であるSiGe-含有層である。シリコンとゲルマニウムを多様な量で含む複数のSiGe-含有層を積層し、元素濃度が差等したシリコン含有エピタキシャル層240を形成することができる。例えば、第1SiGe-層は約15原子~約25原子範囲のゲルマニウム濃度を有するように蒸着され、第2SiGe-層は約25原子~約30原子範囲のゲルマニウム濃度を有するように蒸着されることができる。図3は、キャリアガス302図示された具体例はヘリウム、炭素源304図示された具体例はメチルシラン、シリコンソース306図示された具体例はシクロヘキサシラン、およびエッチングガス308を使用する好ましい反応器システム300を示す図である。本発明で使用された反応器システム300は、AppliedMaterials社が製作したCentura登録商標RP-CVD減圧-真空化学気相蒸着を含み、後述するように高速ポンプ350を追加装着して改造されたものである。反応器システム300内に導入されるガスは、反応チャンバ320内に導入される前にガス浄化器図示せずによって高度に精製される。したがって、ガスが高度に精製された後に反応チャンバ320内に導入されるようにガス浄化器を提供する必要がある。これにより、酸素、水、シロキサン、一酸化炭素CO、二酸化炭素CO2のようなガスに含まれた不純物が最小化する。キャリアガス302の流れの一部は経路を変えてバブラー312の形態の気化器に移動し、その場所から、キャリアガス302が気化されたシクロヘキサシラン307を約0.005の割合で沈めることによって飽和された処理ガスを形成する。キャリアガス302は、蒸着チャンバ320用注入マニホールド図示せず上流のメインガスキャビネット330で他の反応物質と混合する。エッチングガス308のソースも選択的蒸着工程のために任意に提供される。図に示すように、反応器システム300は高速ポンプ350も含む。この高速ポンプ350は、メインキャリアガス302がシクロヘキサシラン飽和蒸気307の流速よりも遥かに速い速度、すなわち、シクロヘキサシラン飽和蒸気307の流速の0~20、000倍、好ましくは2、000~10、000倍、さらに好ましくは100~2、000倍の速度でチャンバに流れるようにするため必須不可欠である。本発明で説明するように、550°C未満の低い蒸着温度でこのように高い流速は、酸素、水、一酸化炭素、二酸化炭素、シロキサン、ジシロキサン、高級シロキサンこれらに限定されることはないのような酸素含有不純物がSi膜内に流入することを最小化する。侵入型酸素含量interstitialoxygencontentは、1E18原子/cm3以下、好ましくは2E17原子/cm3未満であることが好ましい。界面酸素含量interfacialoxygencontentは、背景値5E17原子/cm3でSIMS検出限界界面でのドーズ未満でなければならない。侵入型炭素含量は、5E17原子/cm3以下でなければならない。界面炭素は、背景値5E17原子/cm3以下でSIMS検出下限未満でなければならない。このような要求条件は、高速ポンプ350を使用することにより、約10mTorr-200Torr、好ましくはl0mTorr-50Torr、およびさらに好ましくは10mTorr-10Torrの圧力範囲で、キャリアガス302がシクロヘキサシラン飽和蒸気307の流速のほぼ200倍に達する流速である最大50slmの流速で流れるため達成され、結果的には、反応器チャンバ320内に存在する不純物が文字どおり希薄される。中央コントローラ図示せずは、反応器システム300の様々な制御可能な部品に電気的に連結している。コントローラは、反応チャンバ320内に内蔵された基板に対して本発明で説明されたような蒸着工程が実施されるように、ガスの流れ、温度、圧力などが提供されるようにプログラムされている。通常の技術者は、コントローラが一般的にメモリおよびマイクロプロセッサを含むものと、ソフトウェア、ハードワイヤ型、またはこれら両者の組み合わせによってプログラムされることができてコントローラの機能が多様な物理的位置に位置されたプロセッサの間に配分される可能性があることが理解できるであろう。したがって、コントローラは、反応器システム300を通じて分布する複数のコントローラを代表することができる。図に示された具体例は、炭素源304とシクロヘキサシラン飽和蒸気307との組み合わせにより、上述したように、高い置換性炭素含量Si:Cの選択的蒸着を達成することができる。さらに他の具体例では、ドーパントハイドライドソース310も提供されることにより、伝導性が増加したINSITUドーピングされた半導体層が生産される。好ましくは、Si:Cエピタキシにおいて、ドーパントハイドライドは悚化水素またはホスフィンであることが好ましく、ドーパントハイドライド用希薄不活性ガスも水素ガスであることが好ましい。したがって、ホスフィン310とメチルシラン304は、それらがソース容器、例えば水素内で保管されることが好ましい。一般的なドーパントハイドライド濃度は、悚化水素とホスフィンの場合、水素302中に0.1~5、さらに一般的には水素中に0.5~1.0である。一般的な炭素源濃度は、水素302中に5~50、さらに一般的には水素中に10~30である。例えば、水素302中に20のメチルシラン304を利用して実験が実行される。別の方法として、図3に説明された装置を変形させてフィードラインf内に分解チャンバ図示せずを設置することもできる。気化したシクロヘキサシラン307は分解チャンバ内に流入し、熱分解、光分解、放射線分解、イオン衝撃分解、プラズマ分解などの分解技術によって分解し始める。このような分解方法は当業者に公知である。本発明の明細書全般に渡り、一具体例、特定具体例、1以上の具体例、または1つの具体例などの表現は、該当の具体例と関連して説明された特定の性質、構造、材料、または特徴が本発明の少なくとも一具体例に含まれることを意味する。したがって、本発明の明細書全般に渡って多くの場所で使用された1以上の具体例で、特定具体例で、一具体例で、または1つの具体例でなどの表現が、必ずしも本発明の同じ具体例を示すものではない。また、特定の性質、構造、材料、または特徴は、1以上の具体例で適切な方式によって組み合わすことができる。上述した方法を説明した順序は、その順序に拘束されるものと解釈されてはならず、関連方法は説明された作業順序を変えて実行されたり、特定作業を省略または追加する方式によって実行されることもできる。上述した説明は、本発明の原理を説明するための目的としてのみ理解されなければならない。また、当業者は、上述した説明に複数の変形および変化を容易に加えることができるはずであるため、本発明が上述したものと正確に一致する構造および方法に限定されてはならない。したがって、可能なすべての適切な変形および等価物は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲に属することができる。本発明の詳細な説明と添付の請求範囲全般に渡り、含んだ、含むなどの用語は、言及された特徴、整数、成分、またはステップが存在することを明示するために使用されるものに過ぎず、これらが1以上の他の特徴、整数、成分、ステップ、またはそのグループの存在や付加を排除するものではない。