"誘電体基板上に形成された基本波整合用の伝送線路と、上記誘電体基板上に形成された2倍波整合用の先端開放スタブと、一端が上記伝送線路に接続され、他端が高周波トランジスタの信号入力電極に接続された第1のワイヤと、一端が上記先端開放スタブに接続され、他端が上記高周波トランジスタの信号入力電極に接続された第2のワイヤとを備えた高周波増幅器。請求項1記載の高周波増幅器を少なくとも2つ以上並列接続したことを特徴とする高周波増幅器。同一の誘電体基板上において、隣り合う高周波トランジスタに接続される先端開放スタブの開放端同士を互いに接続したことを特徴とする請求項2記載の高周波増幅器。同一の誘電体基板上において、隣り合う高周波トランジスタに接続される先端開放スタブの開放端同士を抵抗を介して接続したことを特徴とする請求項2記載の高周波増幅器。誘電体基板上に形成され、該誘電体基板の下面に形成されたグランドパターンとビアホールを介して接続されたグランドパッドと、一端が上記グランドパッドに接続され、他端が高周波トランジスタの接地電極に接続され、且つ第1のワイヤと平行となるように接続された第3のワイヤとを備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の高周波増幅器。従来の高周波増幅器は以上のように構成されているので、以下のような課題があった。上記非特許文献1では、2倍波共振回路が基本波において有するアドミタンス成分により、基本波インピーダンスが低インピーダンスとなってしまい、基本波入力整合が狭帯域になる課題があった。また、広帯域増幅器では、低周波での発振防止と利得周波数特性の平坦化のために、抵抗と伝送線路とキャパシタの直列回路からなる安定化回路をトランジスタの信号入力電極の極近傍にシャントに接続する手法がとられる。しかしながら、上記非特許文献1に示された手法では、トランジスタチップ上に2倍波共振回路を構成するために、トランジスタチップサイズが大きくなりチップコストが高くなる課題があった。特に、GaN-HEMTチップのように、出力電力は高いものの単位面積当たりのチップコストの高いトランジスタチップにおいては、高周波増幅器のコストに占めるチップコストの割合が高くなるため、低コスト化のためにはチップ面積の極小化が重要である。また、トランジスタチップ上に2倍波共振回路を構成した場合において、動作周波数を変更したい場合には、共振周波数の異なる様々なトランジスタチップを準備する必要がある。このことは結果的に少量多品種生産となってしまい、コスト高の原因となってしまう。上記特許文献1では、トランジスタチップと基本波整合のための高誘電率基板との間に2倍波反射回路を配置する構成のために、トランジスタのゲート電極と基本波整合のための高誘電率基板を接続するワイヤの長さが長くなってしまう。特に、ゲート幅の大きなトランジスタにおいては、このワイヤが長くなると、入力インピーダンスのリアクタンス成分が大きくなってしまい、広帯域な入力整合を実現できなくなる課題があった。本発明は上記のような課題を解消するためになされたものであり、基本波整合の広帯域化を有利にすると共に、トランジスタチップのサイズを小さく保ってコストを小さく保ち、さらに、理想的な2倍波入力整合条件を実現する高周波増幅器を得ることを目的とする。本発明の高周波増幅器は、誘電体基板上に形成された基本波整合用の伝送線路と、誘電体基板上に形成された2倍波整合用の先端開放スタブと、一端が伝送線路に接続され、他端が高周波トランジスタの信号入力電極に接続された第1のワイヤと、一端が先端開放スタブに接続され、他端が高周波トランジスタの信号入力電極に接続された第2のワイヤとを備えたものである。本発明によれば、先端開放スタブの電気長を、2倍波に対して、第2のワイヤによるリアクタンス成分を加味して、高周波トランジスタの信号入力電極端にて短絡点形成するように選ぶことができ、第1のワイヤの長さやそのリアクタンス成分に影響されることなく、理想的な2倍波入力整合条件を実現することができる。また、基本波整合用の伝送線路と2倍波整合用の先端開放スタブとを同一誘電体基板上に形成すると共に、伝送線路と高周波トランジスタの信号入力電極とを第1のワイヤにより接続するようにしたので、第1のワイヤの長さはアセンブリ技術の限界にて決まる最小の長さまで短くすることができ、基本波整合の広帯域化を有利にすることができる。さらに、トランジスタチップと、基本波整合用の伝送線路と2倍波整合用の先端開放スタブとを搭載するチップとを個別に設けることができるので、トランジスタチップのサイズを小さく保って、コストを小さく保つことができる効果がある。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による高周波増幅器を示す上面図である。図において、電界効果トランジスタ以下、単にトランジスタと言うのゲート電極信号入力電極1、ドレイン電極2、およびソース電極接地電極3がそれぞれ形成される。ソース電極3は、ソースビアホール4を介してグランドパターン図示せずに接続される。高誘電率基板誘電体基板5上には、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6と、2倍波整合用の先端開放スタブ7とが、それぞれ個別に形成される。ワイヤ8は、ゲート電極1とマイクロストリップ伝送線路6との間を接続し、ワイヤ9は、ゲート電極1と先端開放スタブ7との間を接続する。ここで、本発明の効果の理解を助長するために、Over57EfficiencyCbandGaNHEMTHighPowerAmplifierwithInternalHarmonicManipulationCircuits2008InternationalMicrowaveSymposium非特許文献2にて開示された回路との対比で説明する。図2は非特許文献2にて開示された高周波増幅器を示す上面図である。図において、高誘電率基板5上において、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6と、2倍波整合用の先端開放スタブ7とが、マイクロストリップ伝送線路により接続される。また、ゲート電極1とマイクロストリップ伝送線路6との間を、1本のワイヤ8のみで接続している。図3は図1に示した実施の形態1による高周波増幅器の構成を回路図で表わしたものであり、図4は図2に示した従来の高周波増幅器の構成を回路図で表わしたものである。図4において、従来の構成では、マイクロストリップ伝送線路6により、基本波整合条件を満たすように回路設計がなされ、先端開放スタブ7により、2倍波整合条件を満たすように回路設計がなされる。しかし、先端開放スタブ7による2倍波整合条件は、ワイヤ8のインダクタンス成分の影響により、実現可能なインピーダンスの範囲は大いに制約を受ける。すなわち、高誘電率基板5にて実現された2倍波インピーダンスに対して、トランジスタから入力側を見込んだ2倍波インピーダンスは、ワイヤ8の有するリアクタンスが付加されたものとなる。特にトランジスタの出力が大きく、トランジスタの入力インピーダンスZinが小さい場合には、高誘電率基板5にて実現可能なインピーダンスは、低インピーダンスに限られてしまう。この場合、ワイヤ8の有するリアクタンスの影響により、トランジスタから入力側を見込んだ2倍波インピーダンスは、大きく誘導性領域となってしまう。非特許文献1に示されているように、トランジスタが高効率動作する2倍波の終端条件は、おおよそ短絡条件であり、誘導性領域ではむしろ効率は低下する。これに対して、実施の形態1による構成では、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6と、2倍波整合用の先端開放スタブ7とを個別に形成すると共に、トランジスタのゲート電極1にワイヤ8,9により個別に接続したので、図3において、先端開放スタブ7の電気長を、2倍波に対して、ワイヤ9の有するリアクタンス成分も加味して、トランジスタのゲート電極1端にて短絡点形成するように選ぶことができる。この結果、ワイヤ8の長さやそのリアクタンス成分に影響されることなく、理想的な2倍波整合条件を実現することができる。なお、実施の形態1による構成では、ワイヤ8のリアクタンス成分は、2倍波整合には無関係にできるものの、基本波整合には少なからぬ影響を与える。特にトランジスタの出力が大きく、トランジスタの入力インピーダンスZinが小さい場合には、ワイヤ8のリアクタンス成分により入力インピーダンスZinが大きく誘導性領域に入ると、回路Q値が大きくなり、広帯域に渡って基本波整合が実現できなくなる。そのため、ワイヤ8の長さはやはり短いことが望ましい。そこで、図3に示した電気的特性を保ちつつ、ワイヤ8の長さを極小とするために、実施の形態1による構成では、図1に示したように、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6と、2倍波整合用の先端開放スタブ7とを同一の高誘電率基板5上に形成した。上記特許文献1では、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路とトランジスタとの間に、2倍波整合用の基板を配置していたため、ワイヤ8の長さが不可避的に長くなるのに対して、実施の形態1による構成では、ワイヤ8の長さはアセンブリ技術の限界にて決まる最小の長さまで短くすることができ、基本波整合の広帯域化に有利となる。なお、通常、ゲート電極に2本のワイヤを接続するには、ゲート電極の大きさは製造上の歩留まり等を加味して、100μm×200μm以上の大きさとすることが望ましい。このように、ゲート電極の大きさを大きくすることで、ゲート電極の寄生容量の分だけ入力容量が増加するが、一般に、ゲート電極の寄生容量は、数10fF程度であり、トランジスタの真性入力容量Cgsが数pF程度であることを考慮すると、無視できるものである。以上のように、実施の形態1によれば、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6と、2倍波整合用の先端開放スタブ7とを個別に形成すると共に、トランジスタのゲート電極1にワイヤ8,9により個別に接続したので、先端開放スタブ7の電気長を、2倍波に対して、ワイヤ9によるリアクタンス成分を加味して、トランジスタのゲート電極端にて短絡点形成するように選ぶことができ、ワイヤ8の長さやそのリアクタンス成分に影響されることなく、理想的な2倍波入力整合条件を実現することができる。また、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6と、2倍波整合用の先端開放スタブ7とを同一の高誘電率基板5上に形成すると共に、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6とトランジスタのゲート電極1とをワイヤ8により接続したので、ワイヤ8の長さはアセンブリ技術の限界にて決まる最小の長さまで短くすることができ、基本波整合の広帯域化を有利にすることができる。さらに、トランジスタチップと、基本波整合用のマイクロストリップ伝送線路6と2倍波整合用の先端開放スタブ7とを搭載するチップとを個別に設けることができるので、トランジスタチップのサイズを小さく保って、コストを小さく保つことができる。実施の形態2.図5はこの発明の実施の形態2による高周波増幅器を示す上面図である。図において、図1に示した高周波増幅器を2つ並列接続したものである。その他の構成については、図1と同一構成には同一符号を付して重複する説明を省略する。以上のように、実施の形態2によれば、高周波増幅器を2つ並列接続したので、大きな出力電力を得ることができる。なお、実施の形態2では、高周波増幅器を2つ並列接続した例について示したが、並列数は3つ以上でも良く、さらに、大きな出力電力を得ることができる。実施の形態3.図6はこの発明の実施の形態3による高周波増幅器を示す上面図である。図において、誘電体基板5上の電気的中間点10において、隣り合うトランジスタに接続される先端開放スタブ11の開放端同士を突き合わせるようにして互いに接続したものである。その他の構成については、図5と同一構成には同一符号を付して重複する説明を省略する。実施形態3に示した高周波増幅器が、同相同振幅で動作する場合、いわゆる、偶モードで動作する場合には、電気的中間点10を挟んで対称な部位の電位は同一になる。このとき、電気的中間点10の両側の電位は必ず同一となり、電気的中間点10を跨ぐように流れる電流は存在しない。すなわち、電気的中間点10は、電気的に接続されていても接続されていなくても、実施形態3に示した高周波増幅器に与える影響はない。これに対して、実施形態3に示した高周波増幅器が、逆相同振幅で動作する場合、いわゆる、奇モードで動作する場合には、電気的中間点10を挟んで対称な部位の電位は逆相同振幅になる。このとき、電気的な対称点である電気的中間点10の電位は常にゼロいわゆるバーチャルグランドに保たれる。奇モード動作は、トランジスタや回路の非対称に起因する寄生モードであり、しばしば不要発振の原因となることが知られている。実施形態3に示すように、隣り合った先端開放スタブ11の先端を互いに接続することで、偶モードでは先端開放スタブとして作用し、奇モードに対して先端短絡スタブとして作用する。先端短絡スタブにおいては、先端の電位がゼロ電位に固定されるので、寄生発振を生じにくくなる。以上のように、実施の形態3によれば、隣り合うトランジスタに接続される先端開放スタブ11の開放端同士を互いに突き合わせるようにして接続したので、2つの先端開放スタブ11の形状が1本のマイクロストリップ伝送線路6のように形成することができ、先端開放スタブ11の形成を容易にすることができる。また、互いに接続された先端開放スタブ11は、奇モードに対して先端短絡スタブとして作用し、先端短絡スタブにおいては先端の電位がゼロ電位に固定されるので、寄生発振を生じにくくすることができる。実施の形態4.図7はこの発明の実施の形態4による高周波増幅器を示す上面図である。図において、誘電体基板5上の電気的中間点10において、隣り合うトランジスタに接続される先端開放スタブ11の開放端同士を突き合わせるようにし、且つ抵抗12を介して接続したものである。その他の構成については、図6と同一構成には同一符号を付して重複する説明を省略する。実施形態3にて説明したように、偶モードで動作する場合には、電気的中間点10に存在する抵抗12の両端には電圧を生じない。このため、偶モードに対して抵抗12がエネルギー損失を生じさせることはない。これに対して、奇モードで動作する場合には、正負の電圧が抵抗12の両端に発生してエネルギー損失を生じさせる。これにより、奇モードのエネルギーを吸収して奇モードに起因する寄生発振を抑圧する。以上のように、実施の形態4によれば、隣り合うトランジスタに接続される先端開放スタブ11の開放端同士を突き合わせるようにし、且つ抵抗12を介して接続したので、偶モードに対して抵抗12がエネルギー損失を生じさせることはない。また、奇モードに対して抵抗12がエネルギーを吸収して奇モードに起因する寄生発振を抑圧することができる。実施の形態5.図8はこの発明の実施の形態5による高周波増幅器を示す上面図である。図において、誘電体基板5上にグランドパッド13が形成され、誘電体基板5の下面に形成されたグランドパターン図示せずとビアホール14を介して接続される。ワイヤ15は、ソース電極3とグランドパッド13との間をワイヤ8と平行となるように接続される。なお、実施形態5に限り、ソースビアホール4は設けなくても良い。その他の構成については、図5と同一構成には同一符号を付して重複する説明を省略する。図8において、トランジスタのソース電流は、ソースビアホール4がある場合には、ソースビアホール4とワイヤ15との両方を流れる。ワイヤ15を流れる電流の向きは、ワイヤ8の電流の向きと逆向きである。したがって、ワイヤ8とワイヤ15との間には、負の相互インダクタンスを生じ、ワイヤ8のインダクタンスを減らす効果があり、更に広帯域な入力整合が可能となる。ソースビアホール4がない場合には、トランジスタのソース電流は、ワイヤ15のみ流れるので、負の相互インダクタンスの効果はより顕著なものとなる。また、図8に示したように、ワイヤ8に対応するグランドをワイヤ15として極近傍に配置することで、ワイヤ8から電磁波が放射されることを防ぐ効果がある。これにより、例えば、パッケージに入れた際に、上蓋のグランド効果で電気特性が変化する等の特性劣化を未然に防ぐことができる。以上のように、実施の形態5によれば、ワイヤ15を流れる電流の向きは、ワイヤ8を流れる電流の向きと逆向きなので、ワイヤ8とワイヤ15との間には負の相互インダクタンスが生じ、ワイヤ8のインダクタンスを減らす効果があり、更に広帯域な入力整合を可能にすることができる。また、ワイヤ8に対応するグランドを、ワイヤ15としてワイヤ8の極近傍に配置したので、ワイヤ8から電磁波が放射されるのを防ぐことができる。これにより、例えば、パッケージに入れた際に、上蓋のグランド効果で電気特性が変化する等の特性劣化を未然に防ぐことかできる。なお、上記実施の形態では、トランジスタとして電界効果トランジスタを適用したものについて説明したが、バイポーラトランジスタを適用しても良い。また、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意な構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意な構成要素の省略が可能である。"