"還元剤Aおよび水を必須成分として含むことを特徴とする電子材料用リンス液。該還元剤Aが還元性のレダクトン類である請求項1記載の電子材料用リンス液。該還元剤Aが還元性のフェノール化合物、還元性の有機酸類、および還元性の糖アルコールからなる群より選ばれる1種以上である請求項1記載の電子材料用リンス液。該還元剤AがL-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、没食子酸、酒石酸、ケトグルタル酸、ケトグロン酸、ギ酸、アラビトール、およびこれらの塩からなる群より選ばれる1種以上である請求項1~3のいずれか記載の電子材料用リンス液。該電子材料が磁気ディスク基板である請求項1~4のいずれか記載の電子材料用リンス液。研磨工程後にリンス工程を行う電子材料の製造方法で、該リンス工程で請求項1~5のいずれかに記載の電子材料用リンス液を用いて電子材料をリンスすることを特徴とする電子材料の製造方法。該電子材料が磁気ディスク基板である請求項6記載の電子材料の製造方法。しかしながら、上記のリンス液では未だ、砥粒や研磨屑の除去性が近年のますます高記録密度化に対応できていないのが現状である。磁気ディスクの高記録密度化を達成するためには、研磨後、洗浄に先立って、除去が困難な砥粒研磨屑に対する高いリンス性が求められる。そこで、砥粒や研磨屑に対するリンス性が非常に優れた電子材料用リンス液を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、還元剤Aおよび水を必須成分として含むことを特徴とする電子材料用リンス液;研磨工程後、洗浄工程の前にリンス工程を行う電子材料の製造方法で、該リンス工程でこの電子材料用リンス液を用いて電子材料をリンスすることを特徴とする電子材料の製造方法である。本発明の電子材料用リンス液および電子材料の製造方法は、砥粒や研磨屑に対するリンス性に優れ、高記録密度化で要求される清浄度の高い電子材料を提供することができる。本発明の電子材料用リンス液は、還元剤Aおよび水を必須成分として含有することを特徴とする電子材料用リンス液である。本発明において、電子材料とは特に限定されるものではなく、磁気ディスク基板ガラス基板、アルミニウム基板及びNi-Pメッキが施されたアルミニウム基板、フラットパネルディスプレイ基板液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板及び有機EL用基板等、半導体基板半導体素子及びシリコンウェハ等、化合物半導体基板SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等、サファイヤ基板LED等、フォトマスク用基板、太陽電池用基板シリコン基板及び薄膜型太陽電池用ガラス基板等、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、微小電気機械システムMEMS並びに水晶振動子等が挙げられ、リンス性の観点で磁気ディスク基板および半導体基板が好ましくい。特に本発明の電子材料用リンス液は、磁気ディスク用のガラス基板やアルミニウム基板のリンス液として有用である。本発明において、還元剤Aとは、酸化還元反応において、他の化学種を還元する化合物のことを指す。還元剤Aとしては、有機還元剤A1および無機還元剤A2が挙げられる。有機還元剤A1としては、還元性のレダクトン類A11およびそのエステルまたは塩、還元性のフェノール化合物A12、還元性の有機酸類A13およびそのエステルまたは塩、還元性のアルデヒド類A14、還元性の糖アルコールA15、還元性のアミンA16、およびこれらの塩が挙げられ、以下のものが例示できる。還元性のレダクトン類A11としては、分子内に下記一般式1で表されるケトエンジオール基を有する化合物レダクトン類のうち、還元性を有する化合物である。このような還元性のレダクトン類A11の具体例としては、L-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、L-アスコルビン酸のエステル基の開環化合物;これらのエステルL-アスコルビン酸硫酸エステル、L-アスコルビン酸リン酸エステル、L-アスコルビン酸パルミチン酸エステル、L-アスコルビン酸テトライソパルミチン酸エステル、L-アスコルビン酸イソパルミチン酸エステル、イソアスコルビン酸リン酸エステル、イソアスコルビン酸パルミチン酸エステル、イソアスコルビン酸テトライソパルミチン酸エステル;これらの塩例えばナトリウム塩、カリウム塩、アミン塩等等が挙げられる。これらのうち、好ましいのは、L-アスコルビン酸およびL-アスコルビン酸の塩である。還元性のフェノール化合物A12としては、一価フェノールおよびポリフェノールのうち、還元性を有する化合物が挙げられる。このような還元性の一価フェノールとしては、3-ヒドロキシフラボン及びトコフェロールα-、β-、γ-、δ-、ε-又はη-トコフェロール等等が挙げられる。また、還元性のポリフェノールとしては、没食子酸3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール、フロログルシノール等が挙げられる。これらのうち、好ましいのは没食子酸である。還元性の有機酸類A13およびこれらの塩としては、ケトグルタル酸、酒石酸、グルコン酸、ケトグロン酸、ギ酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、マレイン酸、2-オキソプロパン酸、マロン酸およびこれらの塩が挙げられる。還元性のアルデヒド類A14としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド及びビニルアルデヒド、ベンズアルデヒド及びシンナムアルデヒド等が挙げられる。還元性の糖アルコールA15としては、アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール及びズルシトール等が挙げられる。還元性のアミンA16としては、アルキルアミン、アルカノールアミン、アルキレンジアミン、環状アミン、芳香族アミン、アミジン化合物、ポリn=2~5アルキレン炭素数2~6ポリn=3~6アミン等が挙げられる。無機還元剤A2としては、亜硫酸、二亜硫酸、亜ジチオン酸、チオ硫酸、ジチオン酸、ポリチオン酸などの硫黄のオキソ酸類、およびこれらの塩;亜リン酸、亜リン酸水素酸、次亜リン酸などのリンのオキソ酸類、およびこれらの塩;硫酸第1鉄、塩化第2スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム、水酸化ホウ素ナトリウムなどのその他の無機還元剤が挙げられる。これらの還元剤Aのうち、砥粒、研磨屑のリンス性の観点で、還元性のレダクトン類A11、還元性のフェノール化合物A12、還元性の有機酸A13および還元性の糖アルコールA15が好ましく、さらに好ましくはA11およびA12であり、特に好ましくはA11である。還元剤Aの具体例としては、L-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、没食子酸、酒石酸、ケトグルタル酸、ケトグロン酸、ギ酸、アラビトール、およびこれらの塩等が挙げられ、アスコルビン酸、没食子酸、酒石酸、ケトグルタル酸が好ましい。Aは単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、還元性のレダクトン類A11の塩としては、最初からL-アスコルビン酸のナトリウム塩を配合してもよいし、系内のL-アスコルビン酸と例えば水酸化ナトリウムがリンス液中で塩を形成してもよい。なお、本発明のリンス液中の還元剤Aは、保管中に空気中の酸素やリンス液中の溶存酸素で、その一部が酸化されてもよい。例えば、アスコルビン酸はアルカリ条件下では徐々に酸化され、デヒドロアスコルビン酸に変化するが、完全に酸化されない限り差しつかえない。本発明の電子材料用リンス液における還元剤Aの使用時の含有量は、0.001~5重量であり、リンス性の観点から好ましくは0.01~1重量である。本発明の電子材料用リンス液のもう1つの必須成分である水は、超純水、イオン交換水、RO水、蒸留水が挙げられ、清浄度の観点から超純水が好ましい。本発明の電子材料用リンス液における水の使用時の含有量は、95~99.99重量であり、リンス性の観点から好ましくは98~99.95重量である。本発明の電子材料用リンス液には、リンス性を向上させるために、さらに酸無機酸および有機酸もしくはアルカリ無機アルカリおよびアミンを配合することができる。本発明の電子材料用リンス液の使用時のpHは通常1~12である。本発明の電子材料用リンス液には、リンス性を向上させるために、界面活性剤、キレート剤を配合することができる。この目的で配合する界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤およびアニオン性界面活性剤が挙げられる。キレート剤としては、アミノポリカルボン酸塩、ヒドロキシカルボン酸塩、ホスホン酸および縮合リン酸等が挙げられる。本発明の電子材料用リンス液には、ハイドロトープ剤、増粘剤等を配合してもよい。洗浄液の安定性の目的で配合するハイドロトープ剤としては、トルエンスルホン酸、安息香酸、クメンスルホン酸およびサリチル酸等が挙げられる。また、増粘剤Fとしては、多糖類が挙げられる。本発明の別の実施態様は、上記の電子材料用リンス液を用いて電子材料をリンスする工程を含む電子材料の製造方法であり、特に磁気ディスク基板の製造方法に特に適している。しかし、磁気ディスク基板に限定されるものではなく、洗浄工程に先立って砥粒のスラリーや研磨屑の大部分を予め除去する必要がある電子材料の製造であれば、広く電子材料の製造に有用である。本発明の電子材料用リンス液を磁気ディスク基板の製造に用いる場合、サブストレート工程の1段階目の研磨後や2段階目の研磨後、あるいはメディア工程で用いることができる。本発明のリンス液を用いた磁気ディスク基板の製造工程サブストレート工程の一部の一例を、ハードディスク用ガラス基板を例にとり、以下に述べる。1ガラス基板をラッピング後、流水ですすいでガラス基板を作成する。2基板を研磨装置にセットし、酸化セリウムを含む研磨スラリーで基板を研磨する。3研磨後の基板に本発明のリンス液を注いですすいだ後に基板を研磨装置から取り出し、洗浄剤でディップ洗浄した後再度流水ですすぐ。4再び基板を研磨装置にセットし、コロイダルシリカを含む研磨スラリーで基板を研磨する。5研磨後の基板に本発明のリンス液を注いですすいだ後に基板を研磨装置から取り出し、洗浄剤でスクラブ洗浄した後再度流水ですすぐ。また、ハードディスク用アルミ基板の場合は、上記の2の工程で、酸化セリウムの代わりに一般にアルミナが使用される。以下、実施例および比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、は重量、部は重量部を示す。実施例1~9、および比較例1~4表1に記載の組成となるように、各成分を配合し、25°C、マグネチックスターラーで40rpm、20分間攪拌して、本発明のリンス液および比較のためのリンス液を得た。砥粒と基板材質の異なる組み合わせで性能評価試験を下記の方法で行った。<リンス性評価-1>研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリーフジミインコーポレイテッド製COMPOL20粒径約15nmを用いて3.5インチのNi-Pメッキされた磁気ディスク用アルミ基板を以下条件で研磨した。研磨装置:ナノファクター製NFD-4BLスラリー供給速度:50mL/分荷重:30g重/cm2回転数:定盤30rpm、ギア20rpm研磨時間:5分基板を研磨した後、実施例1~9、比較例1~4のリンス液で基板表面を3000mL/分の流速で1分間リンスした後、窒素でブローすることにより、評価基板を作成した。なお、超純水のみの比較例1のサンプルをブランクとした。本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス1,000FED-STD-209D、米国連邦規格、1988年のクリーンルーム内で実施した。基板表面を表面検査装置ビジョンサイテック社製、MicroMaxVMX-6100SKで観察し、画像解析ソフトSigmascanを用いてパーティクル数を数えた。なお、ブランクの基板表面に残存したパーティクル数は725個だった。基板表面のリンス性を、ブランクのパーティクル数と比較して、下記の判断基準に従い判定した。5:パーティクル数がブランクの10未満4:10~203:20~502:50~801:80以上<リンス性評価-2>研磨剤として市販のアルミナスラリーフジミインコーポレイテッド製WA20000、粒径約0.4μmを用いた以外は、リンス性評価-1と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル数は650個だった。<リンス性評価-3>研磨剤として市販のダイヤモンドスラリーナノファクター製1/10PCS-WB2、粒径約100を用いた以外は、リンス性評価-1と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル数は480個だった。<リンス性評価-4>3.5インチのNi-Pメッキされた磁気ディスク用アルミ基板の代わりに、2.5インチの市販ガラス基板を用いた以外は、リンス性評価-1と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル数は560個だった。<リンス性評価-5>市販のコロイダルシリカスラリーの代わりに市販のセリアスラリーAGCセイミケミカル製CES-303、粒径約0.4μmを用いた以外は、リンス性評価-4と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル数は830個だった。<リンス性評価-6>市販のコロイダルシリカスラリーの代わりに市販のダイヤモンドスラリーナノファクター製1/10PCS-WB2、粒径約100を用いた以外は、リンス性評価-4と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル数は705個だった。表1より、実施例1~9のリンス液は、アルミ基板およびガラス基板上の砥粒のリンス性が良い。とりわけアスコルビン酸や没食子酸を含む実施例1~5のリンス液は、リンス性が特に高いことがわかる。一方、アルカリを用いた比較例2のリンス液は、ガラス基板の場合はブランクよりは多少向上する場合があるが、アルミ基板の場合はほとんど効果がない。また、還元性がない有機酸を用いた比較例3のリンス性能はブランクと変わらない。ポリスチレンスルホン酸ナトリウムと硝酸アルミニウムを用いた比較例4のリンス液は、ブランクと比較して多少向上するが、近年の求められるレベルに十分耐えられるものではない。以上のことから、還元剤を含むリンス液を使用したときのみ、リンス性能が向上することがわかる。"