"多結晶シリコンインゴットを製造する方法において、プロセスチャンバー内にるつぼを設置し、るつぼは固体のシリコン材料またはシリコン材料で満たされ、少なくとも1つの斜め方向のヒータが、製造されるシリコンインゴットの斜め上方に位置するように、るつぼを斜め方向のヒータに対して配置し、るつぼ内の固体のシリコン材料を溶融温度以上に加熱して溶融シリコンを形成し、溶融シリコンの固化温度以下にるつぼ内のシリコン材料を冷却し、冷却工程の間、シリコン材料の温度分布を少なくとも1つの斜め方向のヒータによって少なくとも部分的に制御し、るつぼに面する少なくとも1つの斜め方向のヒータ9a,9bの側部に隣接して設けられた少なくとも1つのフォイルカーテン14によって、るつぼ6から斜め方向のヒータ9a,9bに向かう直接的なガス流れを妨げることを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造方法。プロセスチャンバ内に位置し且つ少なくとも一つの斜め方向のヒータによって受動的に加熱され、且つ少なくとも一つのガス供給用の通路を備えたプレート要素を下降させ、溶融シリコンが固化する時間の少なくとも1区間の間、るつぼ内の溶融シリコンの表面にガス流れを導き、このガス流れはプレート要素内の少なくとも一つの通路を介して少なくとも部分的に溶融シリコンの表面に向かっていることを特徴とする請求項1記載の方法。るつぼ内のシリコン材料を加熱する前に、追加の固体のシリコン材料をプレート要素に固定し、プレート要素を下降させている間に追加のシリコン材料の少なくとも一部をるつぼ内の溶融シリコンに浸漬させ、この追加の固体シリコン材料を溶融させ、るつぼ内の溶融シリコンの充填レベルを上昇させることを特徴とする請求項2に記載の方法。シリコン材料の加熱および/または冷却工程の少なくとも一部の区間の間、るつぼに面している斜め方向のヒータの少なくとも一側面に向かって頂部から底部へのガス流れを導くことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。少なくとも二つの上下の斜め方向のヒータを設け、少なくともシリコン材料の冷却の工程の間、これら二つの斜め方向のヒータが少なくとも10は異なった加熱パワーを発するように斜め方向のヒータを制御することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。多結晶シリコンインゴットを製造する装置1において、ロードおよびアンロードのために開放および閉塞可能なプロセスチャンバ4と、所定の位置でるつぼ6を保持するためにプロセスチャンバ4内に設けられたるつぼホルダーと、るつぼホルダーに対して横方向に位置し且つるつぼ内に形成される多結晶シリコンインゴットの上方にあって垂直方向においてるつぼホルダーから離間した少なくとも一つの斜め方向のヒータであって、プロセスチャンバが閉じている間、るつぼホルダーに対して静止している少なくとも一つの斜め方向のヒータ9a,9bと、るつぼ6から斜め方向のヒータ9a,9bへの直接的なガス流れが阻止されるように、るつぼに面している少なくとも一つの斜め方向のヒータ9a,9bの側部に隣接して設けられた少なくとも一つのフォイルカーテン14とを備えたことを特徴とする多結晶シリコンインゴットの製造装置。斜め方向のヒータ9aの最大20は、るつぼホルダーに保持されたるつぼ及び/又はるつぼ内に形成される多結晶シリコンインゴットと縦方向においてオーバーラップすることを特徴とする請求項6記載の装置。少なくとも二つの上下の斜め方向のヒータ9a,9bが設けられていることを特徴とする請求項6または7記載の装置。前記上下の斜め方向のヒータ9a,9bのうち少なくとも二つは、少なくとも一つの抵抗加熱素子を備え、上下の抵抗加熱素子は単位長さあたり異なった抵抗値を有し、単位長さあたり高い抵抗値を有した抵抗加熱素子は、他の抵抗加熱素子の単位長さあたりの抵抗値よりも少なくとも10高い抵抗値を有することを特徴とする請求項8記載の装置。上部抵抗加熱素子は単位長さあたりより低い抵抗値を有することを特徴とする請求項9記載の装置。上下の斜め方向のヒータ9a,9bは、共通の電極を介して共通の制御ユニットに接続されていることを特徴とする請求項9または10記載の装置。斜め方向のヒータ9a,9bは、直線部と角部とを有し加熱スペースを囲む抵抗加熱素子からなり、直線部は角部の単位長さあたりの抵抗値よりも少なくとも10は高い単位長さあたりの抵抗値を有することを特徴する請求項6乃至11のいずれか一項に記載の装置。斜め方向のヒータ9a,9bは、直線部と角部とを有し加熱スペースを囲む抵抗加熱素子からなり、角部は丸くなっていることを特徴とする請求項6乃至12のいずれか一項に記載の装置。プロセスチャンバ内においてるつぼホルダーの上方に配置された要素であって、少なくとも一つの通路30を備えた少なくとも一つのプレート要素11と、少なくとも一つの通路30およびプレート要素11を通って延びる少なくとも一つのガス供給チューブ13と、プレート要素11の下方の領域においてガス供給チューブを流れるガス流を供給するためにプロセスチャンバ4の外側にある少なくとも一つのガス供給ユニットとを備えたことを特徴とする請求項6乃至13のいずれか一項に記載の装置。前記プレート要素11を昇降させる昇降機構が設けられていることを特徴する請求項14記載の装置。前記プレート要素11はシリコン材料26を固定するための手段を備えていることを特徴とする請求項14または15に記載の装置。前記少なくとも一つの斜め方向のヒータ9a,9bに沿って、頂部から底部へのガス流れを生成するための手段14,40が設けられていることを特徴する請求項6乃至16のいずれか一項に記載の装置。部分43を有した少なくとも一つのターミナル電極40a,40bは、るつぼの幅寸法に沿って延びていることを特徴とする請求項6乃至17のいずれか一項に記載の装置。ターミナル電極40a,40bの少なくとも一つの部分43は、るつぼ6内に形成された多結晶シリコンインゴットの上部3分の1に隣接して延びていることを特徴とする請求項18記載の装置。公知の装置を考慮すると、本発明で解決すべき課題は、相界の良好な制御が可能である多結晶シリコンインゴットの製造装置及び方法を提供することである。本発明によれば、請求項1に係る多結晶シリコンインゴットの製造方法及び請求項6に係る多結晶シリコンインゴットの製造装置が提供される。本発明の他の実施形態は従属項に含まれるものである。工程中、るつぼはプロセスチャンバー内に配置され、プロセスチャンバー内でるつぼは固体のシリコン材料で満たされる。この点に関して、斜め方向のヒータが製造すべきシリコンインゴットの斜め上方に位置するように、るつぼは斜め方向のヒータに対して配置される。以下において、プロセスチャンバーが閉塞している間、るつぼ内のシリコン材料は溶融点以上に加熱され、これによって、るつぼ内で溶融シリコンを生成し、その後、溶融シリコンはるつぼ内で固化温度以下に冷却され、シリコンの冷却中、少なくとも一つの斜め方向のヒータによって、シリコン材料の温度分布が少なくとも部分的に制御される。斜め方向のヒータを使用し、これによる溶融シリコンへの斜め上方からの加熱によって、上部ヒータを用いることなく、平坦な相界を形成することが可能となる。こうして、溶融材料の上方の空間が開放され、これ故、例えば再ロードユニットを設置することが可能となる。さらに、るつぼから斜め方向のヒータへの直接的なガス流れは、少なくとも一つの斜め方向のヒータの側部に隣接して設けられた少なくとも一つのフォイルカーテンによってさえぎられる。前記フォイルカーテンは、溶融シリコンから立ちのぼる蒸気から斜め方向のヒータを保護するためにるつぼに面している少なくとも1つの斜め方向のヒータの側部に隣接して設けられている。本発明の一つの実施形態においては、プロセスチャンバーに位置しているプレート要素はるつぼの上方に下げられ、プレート要素はガス導入用の少なくとも一つの通路を備え、溶融シリコンの固化の時間の少なくとも一区間の間、ガス流れは溶融シリコンの表面に向けられ、このガス流れはプレート要素の少なくとも一つの通路によって溶融シリコンの表面に少なくとも部分的に向けられる。勿論、加熱及び/又は冷却プロセスの間、ガス流はるつぼ内に位置するシリコンの表面にも向けられる。表面とプレート要素との間に形成された空間にある溶融シリコンの表面にガスを向けることによって、冷却パラメータの良好な調整能力が得られ、また、溶融材料の表面雰囲気の良好な調整能力が得られる。溶融シリコンの固化の時間という用語は、液相から固相へのシリコンの相変化が起こる時間を意味する。また、プレート要素は、斜め方向のヒータによって加熱され、且つ、可動の上部ヒータを模擬する受動的加熱素子として機能することが可能である。好ましくは、プロセスチャンバーを閉じる前に追加のシリコン材料がプレート要素に固定され、プレート要素を下降させ、追加のシリコン材料の少なくとも一部は溶融シリコンに浸される。そして、追加のシリコン材料は溶融し、その結果、るつぼ内の溶融シリコンの位置レベルが増加する。このように、プレート要素は気体供給要素として機能し、また、再ロードユニットとして機能する。斜め方向のヒータをるつぼの領域からのプロセスガスに対して保護するために、シリコン材料の加熱及び/又は冷却工程の少なくとも一部の間、るつぼに面している斜め方向のヒータの少なくとも一方側に向かって、頂部から底部へのガス流を導くことが可能である。シリコン材料の温度プロファイルを調整するために、少なくとも2つの斜め方向のヒータを上下に設けることが可能であり、シリコン材料の冷却段階の間、少なくとも10パーセントは異なる加熱パワーを出力するように、これら斜め方向のヒータが制御される。本発明に係る装置は、ロード及びアンロードのために、開放及び閉塞が可能であるプロセスチャンバーと、所定の位置でるつぼを保持するためにプロセスチャンバー内に位置するるつぼホルダーと、プロセスチャンバー内に位置する少なくとも一つの斜め方向のヒータとを備えている。斜め方向のヒータは、るつぼホルダーに対して側方に位置し、且つ、るつぼホルダーに対して略垂直方向に配置され、又るつぼ内で形成される多結晶シリコンブロックすなわちシリコンインゴットの上方に概略位置するように、るつぼホルダーから垂直方向に所定の距離をおいて離間して配置されている。さらに、少なくとも一つのフォイルカーテンは、るつぼから斜め方向のヒータへの直接的なガス流を妨げるように、るつぼに面している少なくとも一つの斜め方向のヒータの側部に隣接して設けられている。また、プロセスチャンバーが閉じられている時には、斜め方向のヒータはるつぼホルダーに対して静止している。そのような装置は、プロセスに対して上述した利点がある。シリコン材料を斜め上方から加熱するため、斜め方向のヒータの最大20パーセントは、るつぼホルダーによって保持されたるつぼ及び/又はるつぼ内の多結晶シリコンインゴットと縦方向にオーバーラップする。少なくとも2つの上下の斜め方向のヒータをプロセスチャンバー内、特に、シリコン材料における温度プロファイルの調整の便宜のために設けることが可能である。この点に関して、好ましくは少なくとも2つの上下の斜め方向のヒータはそれぞれ少なくとも一つの抵抗加熱素子を備え、これらの加熱素子は単位長さあたり異なった抵抗値を持っており、単位長さあたりより高い抵抗値を持った抵抗加熱素子は他の抵抗加熱素子の単位長さあたりの抵抗値より少なくとも10パーセントは高い抵抗値を持っている。ここで、斜め方向のヒータの長さの単位は、電流の流れ方向の寸法を意味している。好ましくは、上部抵抗加熱素子は単位長さあたり、より低い抵抗値を持っている。好ましくは、少なくとも2つの上下の斜め方向のヒータは共通の電極を介して、共通のコントロールユニットに接続されている。本発明の一実施形態においては、斜め方向のヒータは、直線部と角部を有し加熱チャンバーを囲む抵抗加熱素子を備え、抵抗加熱素子の直線部は単位長さあたり所定の抵抗値を有し、好ましくはこの直線部の抵抗値は角部の抵抗値よりも少なくとも10パーセントは高い抵抗値を有している。角部は、直線部に比較して少なくとも10パーセントは厚いか幅広である。また、少なくとも一つの斜め方向のヒータは、加熱チャンバーを囲む抵抗加熱素子を備え、この抵抗加熱素子は直線部と角部とを備えており、角部は丸くなっている。本発明の別の実施形態によれば、るつぼホルダーの上方でプロセスチャンバー内に配置された要素であって少なくとも一つの通路を備えたプレート要素と、プレート要素の少なくとも一つの通路内に延びる少なくとも一つのガス供給チューブと、ガス流をガス供給チューブを介してプレート要素の下方の領域に供給するためのプロセスチャンバーの外側に配置された少なくとも一つのガス供給ユニットとを備えている。この手段によって、少なくともプロセスの一部の間、るつぼ内にあるシリコン材料の表面へのガスの供給又は方向の制御が容易となり、これ故、上述した利点が得られる。好ましくは、ガス流に影響を与え、且つプロセスチャンバーの温度プロファイルに影響を与えることを可能とするために、プレート要素を昇降させるための昇降機構が設けられている。ロードユニットとしても機能させるために、プレート要素はシリコン材料を取り付けて保持するための手段を備えている。追加の案内要素を必要としないように、追加のシリコン材料は溶融シリコン材料内にプレート要素を移動させることのみによって導入される。本発明の一つの実施形態によれば、るつぼから斜め方向のヒータへのガス流を妨げることを可能とするために、るつぼに面した斜め方向のヒータの少なくとも一方の側に隣接してフィルム又はフォイルカーテンが設けられている。加熱ユニットに対して有害なガス、例えば、Si、SiO、または酸素Oが溶融シリコンから流れ出す可能性がある。斜め方向のヒータを保護するために、少なくとも一つの斜め方向のヒータに沿って、頂部から底部に向かってガス流を形成するための手段を設けることが可能であり、この手段は別のガスを供給する。好ましくは、少なくとも一つの接続電極の少なくとも一つの部分は、るつぼの幅寸法に沿って延びている。この手段によって、るつぼ内の溶融材料の攪拌が可能となる。この点に関して、少なくとも一つの部分は、るつぼ内に形成された多結晶シリコンインゴットの上部3分の1に隣接して延びている。次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。本明細書において、上部、底部、左側、及び右側等の用語は、図面等と関連して使用しているものであって、限定するものとしては見なされることはなく、これらの用語は好ましい実施形態について用いているものである。角度及び形状に関して用いられている用語は、10°まで好ましくは5°までのずれを包含するものである。図1は多結晶シリコンインゴットを製造する装置1の概略断面図である。装置1はプロセスチャンバー4を形成する隔離箱3を備えている。プロセスチャンバー4には、るつぼ6を保持する保持ユニット詳細には図示せず、底部加熱ユニット7、側部加熱ユニット8、及び2つの上下の斜め方向の加熱ユニット9a,9bが設けられている。少なくとも一つのガス出口10は隔離箱3の側壁の下端部に設けられている。プレート要素11はるつぼ6用のホルダの上方に設けられており、また上方から隔離箱3を通って且つプレート要素11の間を通ってプロセスチャンバー内に延びるガス供給チューブ13が設けられている。フィルムカーテン又はフォイルカーテン14が斜め方向のヒータ9a,9bに隣接し且つ側部ヒータ8の一部に隣接して設けられており、フォイルカーテン14は最も高い位置にある斜め方向の加熱ユニット9bの上方に固定されている。フォイルカーテンは、斜め方向/側部加熱ユニット9a,9b,8とるつぼ6との間の空間に少なくとも一部は位置している。隔離箱3は適当な絶縁材料からなり、この絶縁材料は公知であるため、隔離箱3は詳細には説明しない。プロセスチャンバー4内の所定のプロセス雰囲気を調整するために、プロセスチャンバー4は図示されない手段によってガス供給チューブや出口チューブ等に接続されている。ガス供給チューブ13及びガス出口10を除いて、これらの手段は詳細には図示されていない。るつぼ6は、炭化ケイ素、溶融シリカ、窒化ケイ素、または窒化ケイ素でコーティングされた溶融シリカ等の適当な公知の材料から構成されており、その材料は製造プロセスには影響を与えることなく、また、シリコン材料を溶融する時の高温に対して耐える材料である。通常、るつぼ6は熱膨張によってシリコンインゴット製造プロセスの間に少なくとも部分的に壊れ、これ故、るつぼ6は完成品のシリコンインゴットすなわちシリコンブロックの取り出しのために容易に除去可能である。るつぼ6は頂部が開口した容器状であり、図1に示すように、シリコン原材料20を頂部縁部まで満たすことが可能である。るつぼに充填するためには、例えばシリコンロッドを用いることが可能であり、これらシリコンロッドの間の空間には、図1の左側で示すように砕いたシリコン材料を少なくとも部分的に充填する。この手段によって、比較的程度が高い充填が可能であるが、空気が満たされたエアポケット又は空間が充填されたるつぼには残っている。この結果、シリコン材料20を溶融した時には、るつぼ6を完全には満たしていない状態のシリコン材料になり、図2に示すように網目状の領域が溶融シリコン22である。底部加熱ユニット7は、るつぼホルダーの下方又は内部に設けられ、るつぼ6がプロセスチャンバー内に位置する時にはるつぼ6の下方に位置する。るつぼ6がプロセスチャンバー4内に位置する時には側部加熱ユニット8は半径方向にるつぼ6を取り囲む。斜め方向の加熱ユニット9a,9bは側部加熱ユニット8の上方に積み重なった状態で位置しており、これら斜め方向の加熱ユニット9a,9bはるつぼ6の上方に位置するプロセスチャンバーの領域を取り囲んでいる。斜め方向の下部加熱ユニット9aはるつぼ6の上方に全体的に位置しているように示されているけれども、斜め方向の下部加熱ユニット9aはるつぼ6と部分的にオーバーラップするように配置してもよい。斜め方向の加熱ユニット9aは、るつぼ6の上方のスペースを半径方向に少なくとも部分的に囲む加熱ユニットであり、そして、るつぼ6又はシリコンブロックすなわちシリコンインゴットと最大20パーセント、好ましくは最大10パーセントの高さまで縦方向においてオーバーラップしている加熱ユニットである。るつぼ6内に形成されたシリコンインゴットとのオーバーラップ度の方が高くならない限りにおいては、るつぼ6とのオーバーラップの度合いはより高い程度も可能である。というのは、るつぼ6又はるつぼ6内に形成される溶融シリコンは斜め上方向から加熱される材料であるからである。勿論、図1に示すように、斜め方向のヒータは全体的にるつぼ6の上方に位置することが可能である。加熱ユニット7,8,9a,9bの各々は、図2に示すように、原材料20を溶融して溶融材料又は溶解物22を形成するような適当な方法で、プロセスチャンバー4と、特にるつぼ6及びるつぼ6内に位置するシリコン原材料20とを加熱することが可能な加熱ユニットである。側部加熱ユニット8及び斜め方向の加熱ユニット9a,9bは、各々加熱バンドから形成されており、これら加熱バンドは著しく異なった抵抗値を持っており、これ故、著しく異なった加熱パワーを持っている。この点に関して、低抵抗値のものよりも単位長さあたり少なくとも10パーセントは高い抵抗値である場合に、相違が顕著であると見なされる。るつぼ又はるつぼ内のシリコン材料の加熱された横方向の領域と雰囲気に面しているシリコン材料の表面との間の関係については、高価で別途制御可能なヒータを用いることなく、特定の方法で影響を与えることが可能である。特に、プロセスチャンバー4内で予め定められた温度プロファイルに調整可能又は設定可能であるようにして、異なった加熱パワーを一つの制御で達成することが可能となる。特に、同一の方法で制御されている間に斜め方向の上部加熱ユニット9bが斜め方向の下部加熱ユニット9aより高い加熱パワーを提供するように斜め方向の上部加熱ユニット9bを構成することが可能である。加熱バンドの各々は、単一の部材で形成することが可能であり、また加熱バンドを制御するために設けられている電極40a,40b,40c図1-5及び図6参照の領域において電気的に接続された複数の部材で形成することも可能である。図示されるように、三個の共通の電極40a、40b,40cが側部ヒータ8及び斜め方向のヒータ9a,9bのために設けられており、これら電極40a,40b,40cは三相電流を各加熱ユニット8,9a,9bに供給するための適当なコントロールユニットに接続されている。斜め方向のヒータ9a,9b及び側部ヒータ8のための共通のコントロールユニットと共通の電極40を設けることによって、隔離箱3を通る通路の数を減らすことができるという特別な利点をもたらす。この手段によって、通路の各領域における熱ロスを減らすことができる。共通に使用される、例えば一つの変圧器の使用によって、コストを減らすことが可能となり、また誤り率を減らすことができる。プロセスチャンバー4において所望の温度プロファイルを得るための調整は、加熱素子の抵抗値の調整によって可能となり、この点については以下により詳細に説明する。2つの電極40a,40bは、水平方向に延び且つ隔離箱3を通る第1部42と、るつぼ6の側壁部にほぼ平行に隔離箱3内を延びる略水平延長部43と、縦方向延長部44と、縦方向延長部44から延びるターミナル部45,46,47を備えている。ターミナル部45,46,47は電極40a,40bの縦方向延長部44を側部ヒータ8、斜め方向の下部ヒータ9a及び斜め方向の上部ヒータ9bに各々接続する。電極40は隔離箱3を通って延びる水平部と、水平部に隣接した縦方向延長部と、縦方向延長部から延びるターミナル部とを備えている。電極40a,40b,40cの各々のために、隔離箱3を通る一つの通路が必要である。電極40a,40b,40cの各々は、電力を側部ヒータ8及び斜め方向のヒータ9a,9bに供給する。るつぼ6の側壁部にほぼ平行に延びる電極40a,40bの部分43図6は、そこを高い電流が流れるため、るつぼ6内の溶融原料に有益な磁気ステアリングアクションを生み出す。部分43は、好ましくは、るつぼ6に形成されるシリコンインゴットの上部3分の1、より好ましくは上部4分の1に隣接して延びている。縦方向に延びる部分44及び電極40a,40b,40cのターミナル部45,46,47は、加熱ユニット8,9a,9bの周囲に同一の角度間隔で配置されている。側部加熱ユニット8及び斜め方向の加熱ユニット9a,9bの加熱バンドは、図6に示すように各々るつぼ6の側壁に平行に延びる直線部と、角部とを有している。直線部と角部とは、電流の方向において単位長さあたり著しく異なった距離を持っており少なくとも10パーセント異なっている、これ故、異なった加熱パワーを持っている。これにより、るつぼの角部及びるつぼ内のシリコン材料の角部への熱入力は、直接的な方法で影響され得る。角部での加熱パワー減少に対しては、より厚いヒータ又はより幅広のヒータを使うことが可能であり例えば、グラファイト又はCFCフォイル、代わりに付加的な部品例えば、ISO又は連続鋳造されたグラファイトを使用可能であり、これにより、角部での全体的な加熱抵抗を低下させることができる。角部の接続状態の劣化や故障及び過熱を避けるために、図6に示すように、角部は丸くなっている。加熱用バンドとして低コストのグラファイトフォイルを使用する場合には、これらのグラファイトフォイルは撓みや変形に対して機械的に安定させることが必要である。この点に関して、電気的な絶縁材料例えば、窒化ケイ素からなる縦方向の固定用の隆起部を用いることが可能である。こうすることにより異なった加熱用バンドの間に補償電流が流れることがなく、また加熱用バンドは縦方向には動くことは可能であるが、水平方向に動くことがなく、又はねじれることがない。CFC加熱用バンドを用いる場合、例えば角部で丸くなった加熱用バンドのような所望の形状に予め組み立てられた要素を用いることが可能である。そのような加熱用ハンドは一つの部材から製造可能であり、或いは複数の部材例えば3つの部材に分割可能であり、これら複数の部材はクランプされ且つ電極に接触することが可能である。この方法によって、装着及びメンテナンス時の労力が飛躍的に減少する。側部加熱ユニット8及び斜め方向の加熱ユニット9a,9bに関する上述した利点および特徴は、斜め方向のヒータの使用とは独立して得られるものであり、これ故、斜め方向のヒータがない装置についても言えることである。るつぼ6の上方に位置するプレート要素11は、シリコン原材料を溶融するために用いられる温度で溶融することはなく、且つプロセスに汚染を導入することがないような材料から構成されている。また、プレート要素は斜め方向の加熱ユニット9a,9bによって受動的に容易に加熱される材料から構成されている。プレート要素11はプロセスチャンバーの内部にある機構詳細には図示せずによって上昇又は下降される。この点は、図3及び図4により詳細に特定される。プレート要素11の底部側には、プレート要素11の下方でシリコンロッド26等の追加のシリコン原材料を保持することが可能な保持ユニット24が設けられている。図1に示す構造では、4つのシリコンロッド26が示されており、これら4つのシリコンロッド26はプレート要素11の下方に一列に配置されている。当業者には明らかなように、追加のそのような保持要素は、深さ方向すなわち図の紙面に垂直な方向に設けられ、追加の保持要素は追加のシリコンロッド26を保持するために設けられる。更に、保持要素24は円盤形状或いは長さが異なるロッド形状のシリコン原材料を保持することが可能である。保持要素は、単純なロッド、例えばシリコンロッドにねじ接続されたロッドとして示されている。また、保持要素はシリコンロッド26を保持するようになっているグリッパー或いは他の要素であってもよい。また、保持要素は溶融シリコンを汚染させない耐熱材料からなることが好ましい。プレート要素11はるつぼ6の内周に対応した形状をしている。また、プレート要素は、中央部にガス加熱チューブ13が延びる通路30を備えている。ガス供給チューブ13はグラファイト等の適当な材料からなっている。ガス供給チューブは、プロセスチャンバーから隔離箱3を通って外部に延び、適当なガス供給部、例えば、アルゴン供給部に接続されている。ガスはガス供給チューブ13によってプロセスチャンバーに供給される。この点については、以下に、より詳細に説明する。ガス供給チューブ13は、プレート要素の上昇又は下降の間、プレート要素11をガイドするように設けられている。フォイルカーテン14を固定するための固定要素は斜め方向の上部加熱ユニット9bの上方に示されている図1。図1乃至図4に示されるように、フォイルカーテン14は、るつぼ上方の空間と斜め方向の加熱ユニット9a,9bとの間及び側部加熱ユニット8とるつぼとの間の領域に延びている。また、フォイルカーテンがプロセスチャンバー4の上部領域を少なくとも部分的に覆うようにしてもよい図6。フォイルカーテン14は、プロセスチャンバーに好ましくない汚染物が入らないように、グラファイトフォイル等の耐熱材料で且つ気密性がある材料からなっている。フォイルカーテン14は隔離箱3の天井から直接に延びてもよく、その天井部でシールしてもよい。フォイルカーテン14は、下端部では隔離箱3の側壁にシールされており、これにより、側部/斜め方向のヒータを保持するシール空間を形成することも可能である。図1及び図4を参照して本発明の装置の動作を説明する。各図は異なったプロセスステップにおいて同一の装置を示している。図1は、製造プロセス自体の開始前の装置1を示している。るつぼ6は、上部縁部までシリコン原材料20で満たされている。この図では、シリコンロッドと粒状のシリコンがるつぼ6を満たすために用いられた。シリコンロッド26は保持要素24によってプレート要素11に固定されている。装置1がそのように準備されたのち、シリコン原材料20は、底部加熱ユニット7、側部加熱ユニット8及び斜め方向の加熱ユニット9a,9bによる熱入力によってるつぼ6内で溶融される。加熱ユニット7,8,9a,9bは、このプロセス間、熱入力が最初に下部から起こるように制御され、シリコンロッド26はプレート要素11によってるつぼ6の上方で保持されて温められるが、溶融することはない。シリコン原材料20が完全に溶融したのち、図2に示すように、溶融シリコンまたはシリコン溶融物22がるつぼ6内に形成される。プレート要素11に固定されたシリコンロッド26は、この時点では溶融していない。その後、図3に示すように、シリコンロッド26を溶融シリコン22中に浸漬させるために、プレート要素11は、昇降機構詳細には図示せずによって下げられる。こうして、図3に示すように、るつぼ内の溶融シリコンの充填レベルは実質的に上昇する。浸漬されたシリコンロッド26は、溶融シリコン22との接触によって、また底部ヒータ7および側部ヒータ8による付加的な熱入力によって、完全に溶融し、溶融材料22と混合される。次に、保持要素24が溶融シリコン22に接触しない限りにおいて、プレート要素は図3による位置に維持することが可能である。保持要素が溶融シリコンに接触する場合、図4に示すように、保持要素24を溶融材料22に対して上昇させるために、プレート要素11をわずかに上昇させる。このとき、るつぼ6内の溶融シリコン22を冷却するために、加熱ユニットによる熱入力は実質的に減らされるか、切られる。そうすることによって、溶融材料22の固化が底部から上部に向かって起こるように、特に斜め方向の加熱ユニット9a,9bによって冷却を制御する。図4に見られるように、溶融シリコン22と固化部分32の間の浅い、または平坦な相界相境界が斜め方向のヒータ9a,9bをコントロールすることによって形成される。図4は、溶融材料22が頂部にまだ存在し、るつぼ内のシリコン材料の下部32が固化されるプロセスの間の状態を示している。プレート要素11と斜め方向のヒータ9a,9bとの組み合わせによって上部ヒータを模擬し、るつぼ6内のシリコン材料の温度を水平方向にほぼ同一温度にすることを容易とすることができるため平坦な相界が形成される。斜め方向のヒータは、るつぼ6内のシリコン材料を斜め方向すなわち斜め上方から加熱するので、上述の状態はプレート要素11がなくとも得ることが可能である。これゆえ、プレート要素11は利点があるが任意の要素であり、なくともよく、また他の再ロードユニットによって置き換え可能である。プロセスの間のある時点において、特に溶融段階の初期および溶融段階の間に、アルゴン等のシリコンに対して不活性なガスがガス供給チューブ13を介して溶融シリコン22の表面に供給される。図4に示すように、ガスは溶融シリコン22の表面上を外部に向かって流れ、その後、るつぼ6とフォイルカーテン14との間を通ってガス出口10に流れる。フォイルカーテン14は、斜め方向の加熱ユニット9a,9bおよび側部加熱ユニット8が溶融シリコンの表面上を流れるガス状シリコン、SiO、または酸素からなるガスと接触することを防止する保護部として機能する。斜め方向の加熱ユニット9a,9bおよび側部加熱ユニット8を、フォイルカーテン1と隔離箱3との間に個別に導入される付加的なガスによって囲むことも可能である。この付加的なガスは、加熱ユニット9a,9b,8の材料と化学的に反応することがなく、また溶融シリコンの表面からのガス流と化学的に反応することはない例えばアルゴン、あるいは他の不活性ガス。このようにして、溶融シリコン22上を流れるガスであってガス状シリコンからなるガスは、加熱ユニット9a,9b,8に到達することが防止される。加熱ユニット9a,9b,8上を流れる付加的なガスおよび溶融シリコン22上を流れるガスはガス出口10から排出される。溶融シリコン22が完全に固化すると、るつぼ6内にシリコンインゴットが形成され、このシリコンインゴットは最終製品となる。インゴットがプロセスチャンバー4から除去される前には、インゴットはプロセスチャンバー内で取扱温度まで冷却される。シリコン材料の溶融および次の冷却工程の間、加熱ユニットによって横方向/斜め方向に提供される加熱パワーにそれぞれ約10,30,および60の割合で貢献するように各加熱ユニット9a,9b,8がコントロールされる。これは、ユニットの各々の制御または異なった抵抗値を有するユニットの本来の構造によって達成可能である。共通した制御が後者の場合にはなされ得る。図5は本発明にかかる多結晶シリコンインゴットを製造する装置1の別の実施形態を示す。同一または類似の要素に対して同一の参照符号が図5においては用いられている。また、装置1はプロセスチャンバー4を内部に形成する隔離箱3から基本的に構成される。るつぼ6用のホルダーはプロセスチャンバー4内に設けられている。底部加熱ユニット7および斜め方向の加熱ユニット9a,9bはプロセスチャンバー内に設けられている。しかしながら、側部加熱ユニットはこの実施形態では設けられていない。ガス出口ガイド10は隔離箱の下部領域に設けられている。またフォイルカーテン14はプロセスチャンバー4内に設けられている。ガス供給部40は隔離箱3の上面に設けられている。第1実施形態において設けられたような、プレート要素はこの実施形態では設けられていないが、随意的に設けることも可能である。また、るつぼはシリコン原材料20で満たされ、溶融工程の後に、るつぼ6内で溶融シリコンが所望の充填レベルになるように、ロッド材料の形のシリコン原材料20がるつぼ6の上部縁部を超えて積み重ねられる。こうすることにより、再ロードユニットは省略可能である。また、ロッド材料を図示するように積み重ねる代わりに、るつぼ内でロッド材料を概略縦方向に配置することも可能である。るつぼの高さのところまで、空間は砕いたシリコンで満たすことが可能である。シリコン材料がるつぼ6の縁部を越えて落下することを避けるために、補助的な壁をるつぼに設けることが可能であり、この補助的な壁は数回使用可能である。底部加熱ユニット7は上述した実施形態と同様な構造を有しており、また斜め方向の加熱ユニット9a,9bも同様である。図示の実施形態では、斜め方向の下部加熱ユニット9aはより長くなり、るつぼおよびるつぼ内に位置するシリコンインゴットと部分的にオーバーラップする。この点に関して、るつぼまたはシリコンインゴットのオーバーラップの状態は、斜め方向のヒータの長さの最大20であることが好ましい。フォイルカーテン14は、上述した材料と同一材料からなり、少なくとも部分的に隔離箱3の上部領域に沿って伸びている。フォイルカーテン14は張り出し屋根又は天蓋状の形でるつぼを覆い、斜め方向の加熱ユニット9a,9bは覆われた領域内には位置していない。ガス流はガス供給部40からプロセスチャンバー4内に供給可能である。斜め方向の加熱ユニット9a,9bを、るつぼ6の領域からのプロセスガスに対して保護するために、ガス流がフォイルカーテン14によって斜め方向の加熱ユニット9a,9bに沿って流れる。この実施形態におけるプロセスは、上述したプロセスに類似しているが、プレート要素は再ロードのためには設けられてはおらず、シリコン材料の加熱は底部加熱ユニット7および斜め方向の加熱ユニット9a,9bのみによって行われる。本発明は、特定の実施形態に限ることなく本発明の好ましい実施形態とともに説明をした。異なった実施形態の要素を互いに組み合わせたり、またはそれらの要素を異なった実施形態と交換することも可能である。また、フォイルカーテンの代わりにガスカーテンを設けることも可能であり、ガスカーテンは頂部から底部に向かうガス流によって形成され、これによって斜め方向のヒータを有害なプロセスガスから保護することができる。"