エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層され光デバイスが形成された光デバイス領域と該光デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合した光デバイスウエーハのバッファー層を破壊する加工方法であって、光デバイスウエーハに接合された移設基板側をレーザー加工装置のチャックテーブル上に保持するウエーハ保持工程と、エピタキシー基板側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、を含み、該バッファー層破壊工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程と、を含む、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。該第1のレーザー光線照射工程において照射するパルスレーザー光線はエネルギー密度が0.25~1.0J/cm2に設定され、該第2のレーザー光線照射工程において照射するパルスレーザー光線はエネルギー密度が0.1~1.15J/cm2に設定されている、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。該第2のレーザー光線照射工程において外周余剰領域に対応するバッファー層に照射するパルスレーザー光線の単位面積あたりのショット数は、該第1のレーザー光線照射工程において光デバイス領域に対応するバッファー層に照射するパルスレーザー光線の単位面積あたりのショット数より少なく設定されている、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程において照射されるパルスレーザー光線から伝播されるエネルギーによって同時に遂行される、請求項1記載の光デバイスウエーハの加工方法。而して、レーザー加工装置においてバッファー層に適正な出力のレーザー光線を照射してバッファー層を破壊した後に、移設基板に接合された光デバイスウエーハのエピタキシー基板を剥離して光デバイス層を移設基板に移設するために移設基板に接合された光デバイスウエーハをレーザー加工装置から移替装置に搬送する際に、移設基板からエピタキシー基板が脱落してエピタキシー基板または光デバイス層が積層された移設基板は破損するという問題がある。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、バッファー層に適正な出力のレーザー光線を照射してバッファー層を破壊した後に、移設基板に光デバイスウエーハが接合された複合基板を、移設基板からエピタキシー基板を脱落させることなく搬送することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層され光デバイスが形成された光デバイス領域と該光デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有する光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合した光デバイスウエーハのバッファー層を破壊する加工方法であって、光デバイスウエーハに接合された移設基板側をレーザー加工装置のチャックテーブル上に保持するウエーハ保持工程と、エピタキシー基板側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、を含み、該バッファー層破壊工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程と、を含む、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。上記第1のレーザー光線照射工程において照射するパルスレーザー光線はエネルギー密度が0.25~1.0J/cm2に設定され、上記第2のレーザー光線照射工程において照射するパルスレーザー光線はエネルギー密度が0.1~1.15J/cm2に設定されている。また、上記第2のレーザー光線照射工程において外周余剰領域に対応するバッファー層に照射するパルスレーザー光線の単位面積あたりのショット数は、上記第1のレーザー光線照射工程において光デバイス領域に対応するバッファー層に照射するパルスレーザー光線の単位面積あたりのショット数より少なく設定されている。更に、上記外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程において照射されるパルスレーザー光線から伝播されるエネルギーによって同時に遂行される本発明においては、エピタキシー基板側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程とを含んでいるので、光デバイス領域に対応するバッファー層によるエピタキシー基板と光デバイス層との結合機能が完全に喪失しているが、外周余剰領域に対応するバッファー層によるエピタキシー基板と光デバイス層との結合機能の一部が維持された状態である。従って、第1のレーザー光線照射工程および第2のレーザー光線照射工程を実施した後に、移設基板に接合された光デバイスウエーハのエピタキシー基板を剥離して光デバイス層を移設基板に移設するために移設基板に接合された光デバイスウエーハをレーザー加工装置から移替装置に搬送する際に、移設基板からエピタキシー基板が脱落してエピタキシー基板または光デバイス層が積層された移設基板が破損するという問題が解消する。以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置1は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向X軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記X軸方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線照射ユニット支持機構4に矢印Zで示す集光点位置調整方向Z軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上にX軸方向に移動可能に配設された第1の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361の上面保持面に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロット371と、該雄ネジロット371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロット371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロット371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロット371を正転および逆転駆動することにより、第1の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動せしめられる。上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロット381と、該雄ネジロット381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロット381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロット381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロット381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動せしめられる。上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上にY軸方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一方の側面にZ軸方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロット431と、該雄ネジロット431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロット431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロット431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロット431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動せしめられる。図示のレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段6を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、Z軸方向に移動可能に支持される。図示のレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿ってZ軸方向に移動させるための集光点位置調整手段53を具備している。集光点位置調整手段53は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロット図示せずと、該雄ネジロットを回転駆動するためのパルスモータ532等の駆動源を含んでおり、パルスモータ532によって図示しない雄ネジロットを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザー光線照射手段6を案内レール423、423に沿ってZ軸方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ532を正転駆動することによりレーザー光線照射手段6を上方に移動し、パルスモータ532を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段6を下方に移動するようになっている。図示のレーザー光線照射手段6は、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング61を含んでいる。このレーザー光線照射手段6について、図2を参照して説明する。図示のレーザー光線照射手段6は、上記ケーシング61内に配設されたパルスレーザー光線発振手段62と、該パルスレーザー光線発振手段62によって発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段63と、該出力調整手段63によって出力が調整されたパルスレーザー光線を上記チャックテーブル36の保持面に保持された被加工物Wに照射する集光器64を具備している。上記パルスレーザー光線発振手段62は、例えば波長が266nmのパルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振器621と、パルスレーザー光線発振器621が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段622と、パルスレーザー光線発振器621が発振するパルスレーザー光線のパルス幅を調整するパルス幅調整手段623とから構成されている。上記出力調整手段63は、パルスレーザー光線発振手段62から発振されたパルスレーザー光線の出力を所定の出力に調整する。これらパルスレーザー光線発振手段62のパルスレーザー光線発振器621、繰り返し周波数設定手段622、パルス幅調整手段623および出力調整手段63は、図示しない制御手段によって制御される。上記集光器64は、パルスレーザー光線発振手段62から発振され出力調整手段63によって出力が調整されたパルスレーザー光線をチャックテーブル36の保持面に向けて方向変換する方向変換ミラー641と、該方向変換ミラー641によって方向変換されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル36に保持された被加工物Wに照射する集光レンズ642を具備している。このように構成された集光器64は、図1に示すようにケーシング61の先端に装着される。図1に戻って説明を続けると、図示のレーザー加工装置1は、ケーシング61の前端部に配設され上記レーザー光線照射手段6によってレーザー加工すべき加工領域を撮像するアライメント手段7を備えている。このアライメント手段7は、顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。図示のレーザー加工装置1は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。図3のおよびには、上述したレーザー加工装置1によって加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図3のおよびに示す光デバイスウエーハ10は、直径が50mmで厚みが600μmの円板形状であるサファイア基板からなるエピタキシー基板11の表面11aにn型窒化ガリウム半導体層121およびp型窒化ガリウム半導体層122からなる光デバイス層12がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、エピタキシー基板11の表面にエピタキシャル成長法によってn型窒化ガリウム半導体層121およびp型窒化ガリウム半導体層122からなる光デバイス層12を積層する際に、エピタキシー基板11の表面11aと光デバイス層12を形成するn型窒化ガリウム半導体層121との間には窒化ガリウムからなる厚みが例えば1μmのバッファー層13が形成される。このように構成された光デバイスウエーハ10は、図示の実施形態においては光デバイス層12の厚みが例えば10μmに形成されている。なお、光デバイス層12は、図4のに示すように格子状に形成された複数のストリート123によって区画された複数の領域に光デバイス124が形成されている。このように構成された光デバイスウエーハ10は、光デバイス124が形成されている光デバイス領域120Aと、該デバイス領域120Aを囲繞する外周余剰領域120Bを備えている。上述したように光デバイスウエーハ10におけるエピタキシー基板11を光デバイス層12から剥離して移設基板に移し替えるためには、光デバイス層12の表面12aに移設基板を接合する移設基板接合工程を実施する。即ち、図4のおよびに示すように、光デバイスウエーハ10を構成するエピタキシー基板11の表面11aに形成された光デバイス層12の表面12aに、厚みが1mmの銅基板からなる移設基板15を錫からなる接合金属層16を介して接合する。なお、移設基板15としてはモリブデン、シリコン等を用いることができ、また、接合金属層16を形成する接合金属としては金白金クロムインジウムパラジウム等を用いることができる。この移設基板接合工程は、エピタキシー基板11の表面11aに形成された光デバイス層12の表面12aまたは移設基板15の表面15aに上記接合金属を蒸着して厚みが3μm程度の接合金属層16を形成し、この接合金属層16と移設基板15の表面15aまたは光デバイス層12の表面12aとを対面させて圧着することにより、光デバイスウエーハ10を構成する光デバイス層12の表面12aに移設基板15の表面15aを接合金属層16を介して接合することができる。次に、上述したレーザー加工装置1を用いて上記エピタキシー基板11の裏面側からバッファー層13にレーザー光線を照射することによりバッファー層13を破壊するバッファー層破壊工程について説明する。上記バッファー層破壊工程を実施するには、先ず図5に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に光デバイスウエーハ10に接合された移設基板15側を貼着する光デバイスウエーハ支持工程。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された移設基板15が接合されている光デバイスウエーハ10のエピタキシー基板11の裏面11bが上側となる。上述したウエーハ支持工程を実施したならば、上述した図1に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル36上に上述した光デバイスウエーハ10を構成するエピタキシー基板11に接合された移設基板15が貼着されているダイシングテープT側を載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル36上にダイシングテープTを介して光デバイスウエーハ10を吸引保持するウエーハ保持工程。従って、チャックテーブル36上に保持された光デバイスウエーハ10は、エピタキシー基板11の裏面11bが上側となる。そして、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFをチャックテーブル36に配設されたクランプ362によって固定する。上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、上記エピタキシー基板11の裏面11b上面側からバッファー層13にサファイアに対しては透過性を有し窒化ガリウムに対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、バッファー層13を破壊するバッファー層破壊工程を実施する。このバッファー層破壊工程は、光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程とを含んでいる。上記バッファー層破壊工程における第1のレーザー光線照射工程について、図6を参照して説明する。光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程は、チャックテーブル36を図6のaで示すようにレーザー光線照射手段6の集光器64が位置するレーザー光線照射領域に移動し、光デバイス領域120Aの一端120A1をレーザー光線照射手段6の集光器64の直下に位置付ける。そして、図6のbに示すように集光器64から照射するパルスレーザー光線のバッファー層13の上面におけるスポットSのスポット径を30μmに設定する。このスポット径は、集光スポット径でも良いし、デフォーカスによるスポット径でも良い。次に、パルスレーザー光線発振手段62を作動して集光器64からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36を図6のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、レーザー光線照射手段6の集光器64の照射位置に光デバイス領域120Aの他端120A2が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル36の移動を停止する第1のレーザー光線照射工程。この第1のレーザー光線照射工程を図6のcで示すように光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13に実施する。この結果、光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13が完全破壊され、光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13によるエピタキシー基板11と光デバイス層12との結合機能が喪失する。上記第1のレーザー光線照射工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:YAGパルスレーザー波長:266nm平均出力:0.09~0.35W繰り返し周波数:50kHzパルス幅:100psスポット径:φ30μmエネルギー密度:0.25~1.0J/cm2加工送り速度:600mm/秒なお、バッファー層13を破壊する第1のレーザー光線照射工程は、集光器64を光デバイス領域120Aの一端120A1に位置付け、第1の保持手段91を回転しつつ集光器64を中心に向けて移動することにより光デバイス領域120Aに対応するバファー層13の全面にレーザー光線を照射し、光デバイス領域120Aに対応するバファー層13を破壊してバファー層13によるエピタキシー基板11と光デバイス層12との結合機能を喪失させてもよい。次に、上記バッファー層破壊工程における第2のレーザー光線照射工程について、図7を参照して説明する。第2のレーザー光線照射工程は、チャックテーブル36を図7のaで示すようにレーザー光線照射手段6の集光器64が位置するレーザー光線照射領域に移動し、外周余剰領域120Bの一端120B1をレーザー光線照射手段6の集光器64の直下に位置付ける。そして、図7のbに示すように集光器64から照射するパルスレーザー光線のバッファー層13の上面におけるスポットSのスポット径を30μmに設定する。このスポット径は、集光スポット径でも良いし、デフォーカスによるスポット径でも良い。次に、パルスレーザー光線発振手段62を作動して集光器64からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36を図7のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、レーザー光線照射手段6の集光器64の照射位置に外周余剰領域120Bと光デバイス領域120Aとの境界部120A1が達したら、パルスレーザー光線の照射を一時停止する。更に、チャックテーブル36が矢印X1で示す方向に移動し、レーザー光線照射手段6の集光器64の照射位置に光デバイス領域120Aと外周余剰領域120Bとの境界部120A2が達したらパルスレーザー光線を照射し、レーザー光線照射手段6の集光器64の照射位置に外周余剰領域120Bの他端120B2が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル36の移動を停止する第2のレーザー光線照射工程。この第2のレーザー光線照射工程を図7のcで示すように外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13に実施する。この結果、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13が不完全破壊され、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13によるエピタキシー基板11と光デバイス層12との結合機能の大部分が喪失するが結合機能の一部が維持された状態となる。上記第2のレーザー光線照射工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:YAGパルスレーザー波長:266nm平均出力:0.035~0.05W繰り返し周波数:50kHzパルス幅:100psスポット径:φ30μmエネルギー密度:0.1~0.15J/cm2加工送り速度:600mm/秒なお、バッファー層13を破壊する第2のレーザー光線照射工程は、集光器64を光デ外周余剰領域120Bの一端120B1に位置付け、第1の保持手段91を回転しつつ集光器64を外周余剰領域120Bと光デバイス領域120Aとの境界部120A1に向けて移動することにより外周余剰領域120Bに対応するバファー層13の全面にレーザー光線を照射し、外周余剰領域120Bに対応するバファー層13を不完全破壊させてもよい。次に、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程の他の実施形態について、図8のおよびを参照して説明する。図8のおよびに示す第2のレーザー光線照射工程は、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13に照射するパルスレーザー光線のスポット間隔Gbを上記第1のレーザー光線照射工程において光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13に照射するパルスレーザー光線のスポット間隔Gaより大きくし、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13に照射するパルスレーザー光線の単位面積あたりのショット数を少なくしたものである。例えば第2のレーザー光線照射工程の加工条件として、上記第1のレーザー光線照射工程の加工条件における加工送り速度を600mm/秒より速くすることにより外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13に照射するパルスレーザー光線のスポット間隔を大きくすることができる。上述したバッファー層破壊工程において照射されるパルスレーザー光線は、第1のレーザー光線照射工程においてエネルギー密度を0.25~1.0J/cm2に設定し、第2のレーザー光線照射工程においてエネルギー密度を0.1~0.15J/cm2に設定することが望ましい。このエネルギー密度は、パルスレーザー光線の平均出力を繰り返し周波数で除算し更にスポットの面積で除算したものであるから、パルスレーザー光線の平均出力と繰り返し周波数およびスポット径を適宜組み合わせることにより上記値に設定することができる。なお、上述したバッファー層破壊工程における外周余剰領域に対応するバッファー層を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程は、光デバイス領域に対応するバッファー層を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程において照射されるパルスレーザー光線から伝播されるエネルギーによって同時に遂行するようにしてもよい。この場合、第1のレーザー光線照射工程は、パルスレーザー光線の照射開始位置を外周余剰領域の外周から例えば35μm内側に設定して実施する。この結果、外周余剰領域に対応するバッファー層は外周から例えば20μm内側までは照射されるパルスレーザー光線のスポットによって完全破壊され、外周余剰領域に対応するバッファー層の外周側の例えば20μmの範囲は照射されたパルスレーザー光線から伝播されるエネルギーによって不完全な破壊状態となる。上述した第1のレーザー光線照射工程および第2のレーザー光線照射工程からなるバッファー層破壊工程を実施したならば、エピタキシー基板11を光デバイス層12から剥離して光デバイス層12を移設基板15に移設する光デバイス層移替工程を実施する。この光デバイス層移替工程は、図9のおよびに示す移替装置9を用いて実施する。図9のおよびに示す移替装置9は、上記ダイシングテープTの表面に貼着された移設基板15が接合されている光デバイスウエーハ10を保持する第1の保持手段91と、第1の保持手段91上において移設基板15が接合されている光デバイスウエーハ10のエピタキシー基板11側を保持する第2の保持手段92を具備している。第1の保持手段91は、上面である保持面上にダイシングテープTの表面に貼着された移設基板15が接合されている光デバイスウエーハ10を吸引保持するように構成されている。また、第1の保持手段91は、図示しない回転駆動機構によって回動せしめられるようになっている。第2の保持手段92は、吸引保持パッド93と、該吸引保持パッド93を支持する支持軸部94を具備している。吸引保持パッド93は、円盤状の基台931とパッド932とからなっている。基台931は適宜の金属材によって構成され、その上面中央部に支持軸部94が突出して形成されている。吸引保持パッド93を構成する基台931は、下方が開放された円形状の凹部931a備えている。この凹部931aにポーラスなセラミックス部材によって円盤状に形成されたパッド932が嵌合されている。このようにして基台931の凹部931aに嵌合されたパッド932の下面である保持面は、上記第1の保持手段91の上面である保持面と対向するように配設される。吸引保持パッド93を構成する基台931に形成された円形状の凹部931aは、支持軸部94に設けられた吸引通路94aを介して図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、吸引通路94a、基台931の凹部931aを介してパッド932の下面である保持面に負圧が作用せしめられ、該パッド932の下面である保持面に光デバイスウエーハ10の後述するエピタキシー基板を吸引保持することができる。以上のように構成された第2の保持手段92は、図9のおよびにおいて上下方向に移動可能な分離手段95に連結されている。この分離手段95は、図示の実施形態においてはエアシリンダ機構からなり、そのピストンロッド951が第2の保持手段92を構成する支持軸部94に連結されている。このように構成された分離手段95は、第2の保持手段92を第1の保持手段91の上側に位置付け、下降および上昇することにより、第2の保持手段92と第1の保持手段91とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる。上述した移替装置9を用いて光デバイス層移替工程を実施するには、図9のに示すように移替装置9の第1の保持手段91上に上述した光デバイスウエーハ10を構成するエピタキシー基板11に接合された移設基板15が貼着されているダイシングテープT側を載置し、図示しない吸引手段を作動して第1の保持手段91上にダイシングテープTを介して光デバイスウエーハ10を吸引保持するウエーハ保持工程。従って、第1の保持手段91上に保持された光デバイスウエーハ10は、エピタキシー基板11の裏面11bが上側となる。そして、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFを第1の保持手段91に配設された図示しないクランプによって固定する。次に、エアシリンダ機構からなる分離手段95を作動して第2の保持手段92を下降し、図9のに示すように吸引保持パッド93を構成するパッド932の下面である保持面を第1の保持手段91に吸引保持されている光デバイスウエーハ10を形成するエピタキシー基板11の裏面11bである上面に接触させる。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、吸引保持パッド93を構成するパッド932の下面である保持面にエピタキシー基板11の裏面11bである上面を吸引保持する。従って、移設基板15がダイシングテープTを介して第1の保持手段91に吸引保持されるとともに、エピタキシー基板11が第2の保持手段92に吸引保持されることになる。次に、図9のに示すように第1の保持手段91を回転駆動する図示しない回転駆動機構を作動して第1の保持手段91を矢印91aで示す方向に所定角度回動する。この結果、上述したように不完全に破壊された外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13が完全破壊される。このように外周余剰領域120Bに対応するバファー層13が破壊されたならば、図9のに示すようにエアシリンダ機構からなる分離手段95を作動して第2の保持手段92を上昇させる。この結果、エピタキシー基板11は第2の保持手段92の吸引保持パッド93を構成するパッド932の下面に吸引保持された状態で光デバイス層12から剥離され、光デバイス層12は移設基板15に移設される光デバイス層移替工程。上述したように本発明による光デバイスウエーハの加工方法においては、光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13を完全に破壊する第1のレーザー光線照射工程と、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13を不完全に破壊する第2のレーザー光線照射工程とを実施することにより、光デバイス領域120Aに対応するバッファー層13によるエピタキシー基板11と光デバイス層12との結合機能が完全に喪失しているが、外周余剰領域120Bに対応するバッファー層13によるエピタキシー基板11と光デバイス層12との結合機能の一部が維持された状態である。従って、上記第1のレーザー光線照射工程および第2のレーザー光線照射工程を実施した後に、移設基板15に接合された光デバイスウエーハ10のエピタキシー基板11を剥離して光デバイス層12を移設基板15に移設するために移設基板15に接合された光デバイスウエーハ10をレーザー加工装置1から移替装置に搬送する際に、移設基板15からエピタキシー基板11が脱落してエピタキシー基板11または光デバイス層12が積層された移設基板15が破損するという問題が解消する。