光電子素子21を備えた光電子装置1であって、前記光電子素子21は、ビームを受信又は生成するために設けられ、主放射貫通面210を有し、前記光電子素子21にアパーチャ51が対応付けられており、前記アパーチャ51は、前記主放射貫通面を貫通するビームのための放射円錐を定めており、さらに、前記アパーチャ51は、前記主放射貫通面から離れるように傾斜している傾斜領域61を有する内面510を備えていることを特徴とする、光電子装置1。前記主放射貫通面と前記傾斜領域は、前記主放射貫通面と前記傾斜領域との間で直接的なビームパスが生じないように相互に配置されている、請求項1記載の光電子装置。前記傾斜領域は、前記主放射貫通面に対して垂直に延在する方向で前記主放射貫通面から離間している、請求項1又は2記載の光電子装置。前記傾斜領域の、前記光電子素子に向いている境界面53が領域毎に放射円錐を定めている、請求項3記載の光電子装置。前記傾斜領域の延長線73は、前記傾斜領域とは反対側の前記主放射貫通面側において前記主放射貫通面を通過している、請求項3又は4記載の光電子装置。前記アパーチャの内面は、前記傾斜領域の、前記光電子素子に向いている側に、アンダーカット領域63を有している、請求項3から5いずれか1項記載の光電子装置。前記傾斜領域と前記アンダーカット領域とを有している前記内面は、垂直方向に対する最大角度で前記アパーチャを貫通するビームの入射点89が、前記アンダーカット領域において、垂直方向で、少なくとも前記主放射貫通面と同じように前記アパーチャから十分に離れるように、形成されている、請求項6記載の光電子装置。前記アパーチャの傾斜領域は、前記アパーチャの内面のさらなる領域515よりも前記光電素子から遠く離れるように傾斜している、請求項1から7いずれか1項記載の光電子装置。前記光電子素子が、支持体3上に固定され、前記アパーチャがフレーム4によって形成され、前記フレーム4は、前記支持体3上に配置されており、さらに前記フレーム4は、受光すべきビーム若しくは発光すべきビームに対して所期の吸収率を備えて形成される、請求項1から8いずれか1項記載の光電子装置。前記光電子装置は、さらなる光電子素子22を有しており、前記さらなる光電子素子22は、前記光電子素子と共にエミッタ-検出器対を形成している、請求項1から9いずれか1項記載の光電子装置。前記エミッタは、LEDとして構成されており、前記検出器は、ダイオード、フォトトランジスタ又はビーム感応性ICとして構成されている、請求項10記載の光電子装置。前記さらなる光電子素子に対して、さらなる主放射貫通面を貫通するビームのための放射円錐を定める、さらなるアパーチャ52が対応付けられており、前記さらなるアパーチャ52は、前記主放射貫通面から離れるように傾斜しているさらなる傾斜領域62を有するさらなる内面520を備え、前記さらなる主放射貫通面と前記さらなる傾斜領域62は、前記さらなる主放射貫通面と前記さらなる傾斜領域62との間で、直接的なビームパスが何も生じないように、相互に配置されている、請求項10又は11記載の光電子装置。前記傾斜領域は、前記さらなる光電子素子から十分に離れているアパーチャの内面側に形成されている、請求項10から12いずれか1項記載の光電子装置。前記さらなる傾斜領域は、前記光電子素子から十分に離れているさらなるアパーチャのさらなる内面側に形成されている、請求項13記載の光電子装置。前記光電子装置は、近接センサとして構成されている、請求項1から14いずれか1項記載の光電子装置。