絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、前記導通路の密度が200万個/mm2以上であり、前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、前記導通路における前記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、前記導通路における前記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率突出部/貫通部が、1.05以上である異方導電性部材。前記導通路における前記絶縁層基材の面から突出している部分と前記導通路における前記絶縁層基材を貫通している部分とが電気抵抗率が103Ωcm以下の導電性部材で一体形成されている請求項1の異方導電性部材。絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、前記導通路の密度が200万個/mm2以上であり、前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、前記導通路における前記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、前記導通路における前記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率突出部/貫通部が、1.05以上である異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、前記陽極酸化処理工程の後に、前記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して前記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、前記貫通化処理工程の後に、得られた前記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填する金属充填工程、前記金属充填工程の後に、表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程、および、前記平滑処理工程の後に、加熱処理によって前記金属を膨張させて前記導通路を形成し、前記異方導電性部材を得る加熱処理工程、を具備する異方導電性部材の製造方法。前記表面平滑処理工程後の表面および裏面の算術平均粗さRaが0.10μm以下である請求項3に記載の異方導電性部材の製造方法。本発明者は、特許文献1に記載の異方導電性部材について検討を行った結果、導通路を絶縁性基材の表面から突出させた場合、突出部分の形成方法によっては、突出部分の高さの均一性に劣る場合があり、また、使用環境によっては、抵抗変化率が大きくなる場合があることが分かった。そこで、本発明は、導通路の突出部分の高さの均一性に優れ、抵抗変化率も小さい異方導電性部材、および、その製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、絶縁性基材に対する導通路の突出部分と貫通部分との各平均直径の比率を特定の値とすることで、導通路の突出部分の高さの均一性が良好となり、異方導電性部材としての抵抗変化率も小さくなることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下の1~4を提供する。1絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、上記導通路の密度が200万個/mm2以上であり、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率突出部/貫通部が、1.05以上である異方導電性部材。2上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分と上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分とが電気抵抗率が103Ωcm以下の導電性部材で一体形成されている上記1の異方導電性部材。3絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、上記導通路の密度が200万個/mm2以上であり、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率突出部/貫通部が、1.05以上である異方導電性部材を製造する異方導電性部材の製造方法であって、少なくとも、アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填する金属充填工程、上記金属充填工程の後に、表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程、および、上記平滑処理工程の後に、加熱処理によって上記金属を膨張させて上記導通路を形成し、上記異方導電性部材を得る加熱処理工程、を具備する異方導電性部材の製造方法。4上記表面平滑処理工程後の表面および裏面の算術平均粗さRaが0.10μm以下である上記3に記載の異方導電性部材の製造方法。以下に示すように、本発明によれば、導通路の突出部分の高さの均一性に優れ、抵抗変化率も小さい異方導電性部材、および、その製造方法を提供することができる。[異方導電性部材]本発明の異方導電性部材は、絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で上記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、上記各導通路の一端が上記絶縁性基材の一方の面において突出し、上記各導通路の他端が上記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、上記導通路の密度が200万個/mm2以上であり、上記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる異方導電性部材であって、上記導通路における上記絶縁層基材の面から突出している部分の平均直径と、上記導通路における上記絶縁層基材を貫通している部分の平均直径との比率突出部/貫通部が、1.05以上である異方導電性部材である。次に、本発明の異方導電性部材の構成について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す模式図であり、図1Aは正面図、図1Bは図1Aの切断面線Ib-Ibからみた断面図である。図1AおよびBに示すように、本発明の異方導電性部材1は、絶縁性基材2および導電性部材からなる複数の導通路3を具備するものである。ここで、上記導通路3は、図1Bに示すように、軸線方向の長さが絶縁性基材2の厚み方向Zの長さ厚み以上であり、かつ、各導通路3の一端が絶縁性基材2の一方の面において突出し、各導通路3の他端が絶縁性基材2の他方の面において突出した状態で設けられる。また、上記導通路3は、図1AおよびBに示すように、互いに絶縁された状態で絶縁性基材2を貫通して設けられる。すなわち、上記導通路3は、絶縁性基材2の主面である2aおよび2bから突出している部分以下、突出部ともいい、図1Bでは符号4aおよび4bで表される。と、絶縁性基材2内を貫通している部分以下、貫通部ともいい、図1Bでは符号5で表される。とを有する。そして、本発明においては、上記導通路3における突出部4aおよび4bの平均直径と、上記導通路3における貫通部5の平均直径との比率突出部/貫通部が、1.05以上であり、隣接する導通路突出部同士が互いに接触せず、異方導電性をより確実に担保する観点から、1.15以下であるのが好ましい。ここで、導通路における突出部の平均直径とは、各突出部4aの先端における直径の平均値と各突出部4bの先端における直径の平均値とを合算して2で除した割った値をいう。また、導通路における貫通部の平均直径とは、各導通路の貫通部における直径の平均値をいい、各導通路の貫通部における直径が均一でない場合にはその最大直径の平均値をいう。次に、絶縁性基材および導通路のそれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について説明する。絶縁性基材本発明の異方導電性部材を構成する上記絶縁性基材は、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である。ここで、上記マイクロポアは、後述する製造方法に示すように、貫通後に上記導通路の形成材料が充填される部位であるため、隣接する導通路突出部同士が互いに接触せず、異方導電性をより確実に担保する観点から、等間隔で規則的に配列されていることが好ましい。また、アルミニウムの陽極酸化皮膜の素材であるアルミナは、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材例えば、熱可塑性エラストマー等と同様、電気抵抗率は1014Ωcm程度である。本発明においては、上記絶縁性基材の厚み図1Bにおいては符号6で表される部分は、1~1000μmであるのが好ましく、5~500μmであるのがより好ましく、10~300μmであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記導通路間の幅図1Bにおいては符号7で表される部分は、10nm以上であるのが好ましく、20~200nmであるのがより好ましい。絶縁性基材における導通路間の幅がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。本発明においては、上記絶縁性基材は、例えば、アルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化により生じたマイクロポアを貫通化することにより製造することができる。ここで、陽極酸化および貫通化の処理工程については、後述する本発明の異方導電性部材の製造方法において詳述する。[導通路]本発明の異方導電性部材を構成する上記導通路は導電性部材からなるものである。上記導電性部材は、電気抵抗率が103Ωcm以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニッケルNi、インジウムがドープされたスズ酸化物ITO等が好適に例示される。中でも、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。上記導通路は柱状であり、その平均直径は、5~500nmであるのが好ましく、20~400nmであるのがより好ましく、40~200nmであるのが更に好ましく、50~100nmであるのが特に好ましい。導通路の平均直径がこの範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答が得ることができるため、本発明の異方導電性部材を電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタとして好適に用いることができる。そして、本発明においては、上述したように、上記導通路の突出部の平均直径図1Bにおいては符号8で表される部分の平均値と貫通部図1Bにおいては符号9で表される部分の平均値の平均直径との比率突出部/貫通部が1.05以上であり、1.15以下であるのが好ましい。比率突出部/貫通部がこの範囲であると、導通路の突出部分の高さの均一性が良好となり、異方導電性部材の抵抗変化率も小さくなる。これは、上記導通路の突出部の直径が貫通部の直径よりも大きく、上記導通路そのものが上記絶縁性基材の貫通孔から上下方向にずれることを抑制できるためであると考えられる。また、本発明においては、上記導通路における突出部を電着等の方法で形成した場合と比較した有利な効果、すなわち、上記導通路における突出部と貫通部との間で生じる局部電池反応による腐食が抑制できるという理由から、上記導通路における突出部と貫通部とが同種の導電性部材で一体形成されているのが好ましい。また、上記導通路における突出部のビッカース硬さは、電気的に接続される電子部品の回路基板の電極表面になじみ易いという観点から、100Hv以下であるのが好ましい。更に、本発明においては、上記導通路の突出部の高さは、10~100nmであるのが好ましく、10~50nmであるのがより好ましい。バンブの高さがこの範囲であると、電子部品の電極に20°C、3時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、5質量リン酸に30°C、30分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、マイクロポアからなる貫通孔を有する陽極酸化皮膜からなる構造体絶縁性基材を作製した。D1金属充填処理次いで、上記貫通化処理後の構造体の一方の表面に銅電極を密着させ、該銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解メッキを行なった。硫酸銅/硫酸/塩酸=200/50/15g/Lの混合溶液を25°Cに保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を実施することにより、貫通孔に銅が充填された構造体異方導電性部材前駆体を製造した。ここで、定電圧パルス電解は、山本鍍金社製のメッキ装置を用い、北斗電工社製の電源HZ-3000を用い、メッキ液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を-2Vに設定して行った。また、定電圧パルス電解のパルス波形は矩形波であった。具体的には、電解の総処理時間が300秒になるように、1回の電解時間が60秒の電解処理を、各電解処理の間に40秒の休止時間を設けて5回施した。銅を充填した後の表面を電界放出形走査電子顕微鏡FE-SEMで観察すると、陽極酸化皮膜の表面から一部あふれるような形になっていた。E1前処理表面平滑化処理次いで、金属充填処理後の構造体に機械研磨処理を施し、表面からオーバーフロした金属を除去した後、更に電極側の表面を2μm研磨し、その反対の面を8μm研磨した。その後、構造体の表面および裏面には、フジミインコーポレイテッド社製のPNANERLITE-7000をCMPスラリーとして用い、CMP処理を4時間実施した。なお、CMP処理後の構造体の表面および裏面の算出平均粗さRaを、SII社製のAFMを用いて測定したところ、いずれの面のRaも下記第1表に示す値であった。F1加熱処理次いで、表面平滑化処理後の構造体を大気圧下で200°C、60分間加熱し、貫通孔内に充填された銅を突出させることにより、異方導電性部材を作製した。なお、作製した異方導電性部材について、FE-SEMにより表面写真倍率20000倍を撮影し、2μm×2μmの視野で、導通路の密度を測定した。結果を第1表に示す。<実施例2>上記F1加熱処理を窒素雰囲気下で行った以外は、実施例1と同様の方法により異方導電性部材を作製した。<実施例3>上記B1陽極酸化処理に代えて、以下に示すB2陽極酸化処理を施した以外は、実施例1と同様の方法により異方導電性部材を作製した。B2陽極酸化処理次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、0.5mol/L蓚酸の電解液で、電圧40V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、2時間のプレ陽極酸化処理を施した。その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、0.2mol/L無水クロム酸、0.6mol/Lリン酸の混合水溶液液温:50°Cに12時間浸漬させる脱膜処理を施した。その後、0.5mol/L蓚酸の電解液で、電圧40V、液温度15°C、液流速3.0m/minの条件で、1時間の再陽極酸化処理を施した。なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はGP0110-30R高砂製作所社製を用いた。また、冷却装置にはNeoCoolBD36ヤマト科学社製、かくはん加温装置にはペアスターラーPS-100EYELA社製を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターFLM22-10PCWASONE製を用いて計測した。<実施例4>上記F1加熱処理の後、更に以下に示すG1後処理洗浄処理を施した以外は、実施例1と同様の方法により異方導電性部材を作製した。G1後処理洗浄処理上記加熱処理後の構造体を塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、突出した銅の表面の一部に形成されていた酸化銅を除去することにより、異方導電性部材を作製した。<実施例5>上記D1金属充填処理に代えて、以下に示すD2金属充填処理を施した以外は、実施例1と同様の方法により異方導電性部材を作製した。D2金属充填処理次いで、貫通化処理後の構造体の一方の表面に金電極を蒸着により形成し、これをどう電極に密着させ、該銅金電極を陰極にし、白金を正極にして電解メッキを行なった。塩化金酸ナトリウム溶液20wtの溶液を60°Cに保った状態で電解液として使用し、電位走査電解を実施することにより、貫通孔に金が充填された構造体異方導電性部材前駆体を製造した。ここで、定電圧パルス電解は、山本鍍金社製のメッキ装置を用い、北斗電工社製の電源HZ-3000を用い、メッキ液中でサイクリックボルタンメトリを行なって析出電位を確認した後、皮膜側の電位を0V⇒2Vに走査して行った。走査速度は0.5mV/secであり、電解の総処理時間は4000秒であった。金を充填した後の表面をFE-SEMで観察すると、陽極酸化皮膜の表面から一部あふれるような形になっていた。<実施例6>上記E1前処理表面平滑化処理に代えて、以下に示すE2前処理表面平滑化処理を施した以外、すなわちCMP処理を施さなかった以外は、実施例1と同様の方法により異方導電性部材を作製した。E2前処理表面平滑化処理次いで、金属充填処理後の構造体に機械研磨処理を施し、表面からオーバーフロした金属を除去した後、更に電極側の表面を2μm研磨し、その反対の面を8μm研磨した。<比較例1>上記F1加熱処理に代えて、以下に示すF2トリミング処理を施し、その後に更にG3後処理純水洗浄処理を施した以外は、実施例1と同様の方法により異方導電性部材を作製した。F2トリミング処理次いで、表面平滑化処理後の構造体を水酸化ナトリウム水溶液濃度:5質量、液温度:20°Cに浸漬させ、陽極酸化皮膜を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた。G3後処理純水洗浄処理上記F2トリミング処理の後、純水を用いて洗浄することにより、異方導電性部材を作製した。<比較例2>上記F2トリミング処理に代えて、以下に示すF3トリミング処理を施した以外は、比較例1と同様の方法により異方導電性部材を作製した。F3トリミング処理次いで、表面平滑化処理後の構造体を水酸化ナトリウムおよびポリエチレングリコールPEGを含有する水溶液水酸化ナトリウム濃度:5質量、PEG濃度:10質量、液温度:20°Cに浸漬させ、陽極酸化皮膜を選択的に溶解し、導通路である銅の円柱を突出させた。<比較例3>上記D1金属充填処理に代えて、実施例4で施した上記D2金属充填処理を施した以外は、比較例2と同様の方法により異方導電性部材を作製した。<導通路の直径の比率>作製した各異方導電性部材を集束イオンビームFIB加工装置を用いて切断し、得られた切断面をFE-SEM倍率:50000倍で観察し、任意の10個の導通路における突出部の直径および貫通部の直径を測定し、それらの平均値の比率突出部/貫通部を算出した。結果を下記第1表に示す。<導通路突出部の硬度>作製した各異方導電性部材について、島津製作所社製の超微小硬度計複合型SPMシステムSPMTriboScopeを用いて導通路の突出部のビッカース硬さを測定した。なお、荷重は10mNとし、変位量は50nmで測定した。結果を下記第1表に示す。<導通路突出部の高さ>作製した各異方導電性部材を集束イオンビームFIB加工装置を用いて切断し、得られた切断面をFE-SEM倍率:50000倍で観察し、任意の50個以上の導通路における突出部の高さを測定し、下記式から突出部の高さのバラツキを算出した。突出部の高さバラツキ=高さの最大値-高さ最小値÷平均高さ×100ここで、バラツキ10未満であるものを突出部の高さの均一性が良好であるものとして○と評価し、バラツキ10以上30未満であるものを突出部の高さの均一性が若干劣るが実用上問題のないものとして○△と評価し、バラツキ30以上50未満であるものを突出部の高さの均一性が劣るものとして△と評価し、バラツキ50以上であるものを突出部の高さの均一性が極めて劣るものとして×と評価した。これらの結果を下記第1表に示す。<抵抗変化率>作製した各異方導電性部材について、湿度65、温度60°Cの条件下で500時間保管するHHBT試験を行った。ここで、保管後の抵抗値Rsが、保管前の抵抗値から5未満の変動であるものを抵抗変化率が十分に小さいものとして○と評価し、保管前の抵抗値から5以上10未満の変動であるものを抵抗変化率が小さいものとして○△と評価し、保管前の抵抗値から10以上30未満の変動であるものを抵抗変化率が大きいものとして△と評価し、保管前の抵抗値から30以上の変動であるものを抵抗変化率が極めて大きいものとして×と評価した。これらの結果を下記第1表に示す。第1表に示す結果から、導通路突出部を形成する処理として加熱処理を施さなかった比較例1~3で作製した異方導電性部材は、いずれも導通路の平均直径の比率突出部/貫通部が低くなり、導通路の突出部分の高さの均一性が劣り、抵抗変化率も大きくなることが分かった。これに対し、導通路突出部を形成する処理として加熱処理を施して作製した実施例1~6の異方導電性部材は、いずれも導通路の平均直径の比率突出部/貫通部が1.05以上となり、導通路の突出部分の高さの均一性に優れ、抵抗変化率も小さくなることが分かった。また、実施例1と実施例6とを対比から、表面平滑化処理前処理後の表面および裏面の算出平均粗さRaが0.10以下であると、導通路の突出部分の高さの均一性がより良好となり、抵抗変化率もより小さくなることが分かった。