半導体発光素子と、該半導体発光素子よりも小さな平面積を有する保護素子と、前記半導体発光素子及び保護素子を支持する基材とを含み、前記基材の前記半導体発光素子を支持する面から裏面に貫通するスルーホールを有する発光装置であって、前記半導体発光素子、保護素子及びスルーホールの重心が直線状に配置されてなることを特徴とする発光装置。前記基材が、短手方向に延長する側面に第1及び第2導電部材を備える請求項1に記載の発光装置。前記基材の裏面に、第1及び第2導電部材が露出してなる請求項1又は2に記載の発光装置。前記基材の裏面であって、第1及び第2導電部材の間に、第3導電部材が配置してなる請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。前記半導体発光素子及び保護素子の底面が前記第1導電部材に電気的に接続され、前記半導体発光素子の上面が第2導電部材と電気的に接続されてなる請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置。しかし、従来の発光装置を、基板裏面の凸部で実装基板に安定に固定し、かつ放熱性を確保するためには、凸部にある程度の幅が必要となり、このために発光装置のより一層の小型化を実現することができない。つまり、さらなる小型化が求められている状況下、発光装置自体、特に、基板及びその裏面に形成された凸部自体がより小型化すると、実装基板への実装の際に、基板裏面の凸部のみを実装基板に固定させても、発光装置が安定せず、実装の不具合が発生するとともに、放熱性の確保が図れないなどの問題が生じる。特に、より一層の小型化のために、発光装置自体がLEDの大きさに近づくに従って、このような実装の不具合が顕著となる。また、高性能化を図るために、発光装置に保護素子等を並存させる場合には、両者の載置領域を確保するために、これら素子の大きさに依存して、基板面積が大型化せざるを得ず、やはり発光装置自体のより一層の小型化を実現することができない。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、より小型化を図ることにより、高密度/高集積配置をも実現することができるととともに、安定的にかつ確実に実装基板に実装することができる発光装置を提供することを目的とする。本願は以下の発明を含む。1半導体発光素子と、該半導体発光素子よりも小さな平面積を有する保護素子と、前記半導体発光素子及び保護素子を支持する基材とを含み、前記基材の前記半導体発光素子を支持する面から裏面に貫通するスルーホールを有する発光装置であって、前記半導体発光素子、保護素子及びスルーホールの重心が直線状に配置されてなる発光装置。2前記基材が、短手方向に延長する側面に第1及び第2導電部材を備える上記いずれかの発光装置。3前記基材の裏面に、第1及び第2導電部材が露出してなる上記いずれかの発光装置。4前記基材の裏面であって、第1及び第2導電部材の間に、第3導電部材が配置してなる上記いずれかの発光装置。5前記半導体発光素子及び保護素子の底面が前記第1導電部材に電気的に接続され、前記半導体発光素子の上面が第2導電部材と電気的に接続されてなる上記いずれかの発光装置。本発明の発光装置によれば、より小型化を図ることにより、高密度/高集積配置をも実現することができ、さらに、部分的な壁面の厚膜による強度の向上を図りながら、より安定的にかつ確実に実装基板に実装することが可能となる。本発明の発光装置は、少なくとも、半導体発光素子以下、発光素子と称すると、この発光素子を支持する基材と、保護素子とを備える。[半導体発光素子]発光素子は、いわゆる発光ダイオードと称される素子であればどのようなものでもよい。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。基板としては、C面、A面、R面のいずれかを主面とするサファイアやスピネルMgA12O4のような絶縁性基板;炭化珪素6H、4H、3C、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド;ニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板、窒化物半導体基板GaN、AlN等等が挙げられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合、PN接合などのホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。発光素子を構成する各半導体層には、Si、Ge等のドナー不純物及び/又はZn、Mg等のアクセプター不純物がドープされていてもよい。発光層は、量子効果が生ずる薄膜に形成した単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、発光層のInGaNのIn含有量、発光層にドープする不純物の種類を変化させるなどによって、紫外領域から赤色まで変化させることができる。このような発光素子は、フリップチップ実装フェイスダウン、フェイスアップ実装のいずれに対応し得る積層構造を有していてもよい。例えば、発光素子の表面側に、一対の電極が配置しているものであってもよいし、発光素子の表裏面に、一対の電極がそれぞれ配置しているものであってもよい。発光素子は、その大きさ及び形状等が特に限定されるものではなく、用いる材料、目的とする発光波長、出力及び特性等によって適宜調整することができる。例えば、150μm×150μm~5mm×5mm程度の平面形状であって、厚みが50μm~500μm程度の小型の発光素子が挙げられる。発光素子は、後述する基材例えば、第1又は第2導電部材上に支持されている。支持のためには、通常、接合部材が用いられる。例えば、青及び緑発光を有し、絶縁基板上に窒化物半導体を成長させた発光素子の場合には、エポキシ樹脂、シリコーン等を用いることができる。また、発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にAlメッキをあらかじめ施し、樹脂を使用せずに、Au-Sn共晶などの半田、低融点金属等のろう材等を用いることもできる。さらに、GaAs等からなり、赤色発光を有する発光素子のように、両面に電極が形成された発光素子の場合には、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト等によって支持されていてもよい。なお、本発明の発光装置では、発光素子は1つのみ搭載されていることが好ましいが、2つ以上搭載されていてもよい。[基材]基材は、上述した発光素子及び後述する保護素子を支持するものであり、例えば、発光素子をその中央又は中央付近で支持することが好ましい例えば、図1bの発光素子2参照。基材を構成する材料は、特に限定されず、発光素子から発生する熱を効果的に放熱させることができる材料であることが好ましい。例えば、熱伝導率が10W/mK以上であることが適しており、20W/mK以上であることが好ましく、100W/mK以上であることがより好ましく、200W/mK以上であることがさらに好ましい。このような材料としては、例えば、Si、SiC等の半導体材料、Al2O3、AlN等のセラミック材料、樹脂例えば、無機フィラー等を含有してもよい、金属板等が挙げられる。なかでも、熱伝導率の高さ、加工性等を考慮すると、AlN、Si等が好ましい。なお、基材の構成材料として、導電性又は半導体等の特性を有する材料を用いる場合は、基材外表面又はその内部の一部において、絶縁性を確保するために、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料を使用してもよい。基材は、発光素子を支持する面表面側からその面と反対側の裏面に貫通するスルーホールを少なくとも1つ有しており、スルーホールは、後述する第1又は第2導電部材を、その表面から裏面に通す役割を果たす図1aの15参照。スルーホールの位置は、特に限定されるものではないが、表面側においては、後述する窪み部内に、裏面側においては、後述する凹部内に配置されていることが適している。スルーホールを通して導電部材等が埋設されるなどの場合に、その埋設物による裏面側への突出の影響を回避し、実装基板と接する基材裏面を平坦に維持することができるからである。基材の形状は、特に限定されるものではなく、種々の形状とすることができる。例えば、平面視発光素子の支持面側、つまり表面側において、円又は楕円に近似する形状、四角形等の多角形、これら多角形に近似する形状角が丸められた形状など、以下同じなどが挙げられる。特に、長方形又はこれに近似する形状が挙げられる図1b参照。その大きさは、近年の発光装置の小型化を考慮すると、基材の短手方向の長さが、発光素子の一辺の200~500程度の長さを有することが適当であるり、好ましくは、280~420程度が挙げられる。具体的には、1.0mm~8.0mm×1.5mm~50mm程度、また、2.5mm~3.0mm×5.0mm~50mm程度が挙げられる。平面視が長方形の場合には、その長さを、縦:横=1:1.2~10程度とすることが適しており、1:1.2~5程度、さらに1:1.5~2程度とすることが好ましい。その厚みは、例えば、発光素子の3倍~10倍程度が適しており、具体的には、0.5mm~5mm程度の小型のものが挙げられ、0.5mm~3mm程度、0.8mm~1.5mm程度が適している。基材の立体形状は、基本的には上下面及び側面側からの投影形状として、上述した平面視形状の柱状のものが適しており、直方体のものが好ましい。つまり、基材は、長手方向及び短手方向にそれぞれ延長して対向する2対の側面を有する形状が適している。ここで、長手方向に延長して対向する一対の側面以下、長手方向の側面と記載することがあるは、例えば、図1bにおける側面1dと側面1fを指し、短手方向に延長して対向する一対の側面以下、短手方向の側面と記載することがあるは、例えば、図1bにおける側面1cと側面1eを指す。基材の側面は、その一部において、テーパ又は逆テーパ部位を有していてもよいし例えば、図1dの側面1c及び側面1e参照、凹凸等が形成されていてもよい。特に、下側面はほぼ基材の表裏面に対して垂直となり、上側面において内側に傾斜するようなテーパ部位を有していることが好ましい。このような形状とすることにより、基材を金型によって形成する場合にはその取り出しを容易にすることができる。また、発光装置を実装基板に搭載する際に、側面方向からの発光装置の把持を確実に行うことができる。垂直部の高さは、例えば、基材の高さHの1/2程度以上であることが適している。基材の裏面発光素子が支持された面の反対面には、基材の角部以外の側面に至る凹部が形成されている。言い換えると、基材の裏面であって、基材の角部を含まない側面に開放された基材の角部以外の側面に至る凹部を有する。例えば、a基材の長手方向の一対の側面に跨る凹部を有していてもよいし、b基材の全側面のうちの一側面例えば、短手方向の側面にのみに至る開放された凹部を少なくとも1つ備えていてもよいし図3の凹部36参照、c基材の全側面のうちの一側面例えば、長手方向の側面にのみに至る開放された凹部を少なくとも1つ備えていてもよい図4の凹部46参照。この凹部の形状は、特に限定されず、基本的に、球又は卵形の一部を欠いた形状、立方体又は直方体等の多角形柱又はこれに近似する形状などが挙げられる。なかでも、立方体又は直方体が好ましい。従って、この凹部は、基材の裏面から見て、好ましくはa基材裏面が、短手方向の二方にのみ配置し、かつ長手方向の二方において開放するように配置されているか、b基材裏面が、短手方向の二方及び長手方向の一方において配置し、かつ短手方向の一方において開放するように配置されているか、c基材裏面が、長手方向の二方及び短手方向の一方において配置し、かつ長手方向の一方において開放するように配置されている。凹部の大きさは特に限定されるものではなく、基材自体の大きさ、基材裏面の実装基板への安定性等によって、適宜調整することができる。基材がスルーホールを有する場合を考慮すると、スルーホールの直径よりも長い短手又は長手方向の幅を有していればよい。具体的には、基材の一辺の5~80程度の幅、5~50程度の幅、5から30程度の幅で側面に対して開放されていることが好ましい。深さは、特に限定されるものではないが、基材の強度等を考慮して、基材の厚さの50程度以下であることが適しており、40程度以下が好ましく、30程度以下が好ましく、20程度以下が好ましく、5以上であればよく、8以上であることが好ましい。なお、この凹部を構成する基材の壁はテーパ又は逆テーパを有していてもよいし、若干の凹凸又は段差があってもよい。凹部は、上述した形状を確保し、後述する発光素子、保護素子、スルーホールの配置を確保することができる限り、基材裏面のどの位置にあってもよい。例えば、上述したaの場合には、長手方向のいずれか及び/又は短手方向のいずれかに偏っていてもよいし、長手方向/短手方向の中央部分に配置されていてもよい。bの場合には、短手方向のいずれかに偏っていてもよいし、短手方向の中央部分に配置されていてもよい。cの場合には、長手方向のいずれかに偏っていてもよいし、長手方向の中央部分に配置されていてもよい。凹部は、裏面において対向する辺に対して2つ配置されていてもよい。なお、凹部が2つ配置されている場合には、いずれか一方の凹部にのみスルーホールが形成されていればよく、双方の凹部にスルーホールが形成されていてもよい。基材は、その表面において発光素子及び保護素子を支持する部位に窪み部を有していてもよい図1eの13参照。この窪みの大きさは、発光素子及び保護素子よりも大きく、基材よりも小さければよい。これにより、発光素子を基材表面に搭載した場合に、発光装置の平坦性を確保することができる。また、発光素子からの光を上面に配向することができる。窪み部の深さは、具体的には、0.3~3.0程度が適しており、0.5~2程度が好ましい。窪み部の平面形状は特に限定されるものではなく、図1bに示すように、多角形形状又は多角形の角を面取りした形状、楕円形状、円形状、トラック形状短手方向の辺が曲線など、種々の形状が挙げられる。窪み部においては、発光素子が配置される部位の両側において、その窪み面よりも高さが高い凸部図1eの14参照を形成していてもよい。これにより、平坦性を確保しながら、薄膜状の基材を補強することができるとともに、より発光素子からの光の配向に寄与させることができる。さらに、基材に上述したスルーホールが形成される場合には、スルーホールと発光素子との間に凸部を配置することにより、光学的な遮蔽性を確保することができ、発光素子からの光が直接スルーホールに当たることを回避できる。ただし、発光素子、保護素子及びスルーホールは、長手方向に並列されていることが必要である。このような配置によって、発光素子の一方向、特に、短手方向の寸法をできる限り発光素子のそれに近づけることができ、より発光素子の小型化を図ることができる。このような配列によって、同じ発光装置の平面積を有し、略正方形等の形状又は正方形に近い形状を採った発光装置に比較して、高密度/高集積配置した場合に、同じ占有面積においても発光素子のみがより高密度/高集積に配列された領域をもたらすことができ、明度及び輝度の高い光源等を実現することが可能となる。ここでの長手方向の並列とは、長手方向に一列に配列されていることを意味する。通常、これら素子等においては発光素子が最も大きい寸法であるために、保護素子及びスルーホールが、発光素子の短手方向の幅内から短手方向に突出しないように、配列されていることが適している。特に、発光素子、保護素子、スルーホールの重心又は配列した場合の短手方向における中心が、直線状に配列することが好ましい。このような配列によって、上述した短手方向の寸法をより最小限に近づけることができる。また、発光装置の短手方向のサイズをさらに小さくしたり、厚みを薄くするなどの場合には、通常、その壁面及び/又は底面の厚みを薄膜化することにより実現されるが、この際、スルーホール位置が短手方向のいずれかに偏在していると、発光装置の割れが懸念される。一方、上述したように、発光素子、保護素子、スルーホールが、短手方向における中心に配置されることにより、発光素子よりも保護素子が好ましくは、スルーホールも小さいために、短辺側の幅を変えずに、それらの近傍の部分だけ壁面を厚くすることができる。これによって、発光装置の強度を向上させることができる。加えて、保護素子及び/又はスルーホールが短手方向の中心に配置されることにより、より実装精度を向上させることができる。なお、発光素子、保護素子、スルーホールの並列順序は特に限定されず、例えば、保護素子-発光素子-スルーホールの順序でもよいし、保護素子-スルーホール-発光素子の順序でもよいし、発光素子-保護素子-スルーホールの順序でもよい。基材には、後述する第1及び第2導電部材以外に、発光素子を載置するため、発光素子からの光を効果的に反射させるため、発光素子の放熱性を確保するためなどの種々の目的のために、第1及び第2導電部材と同様の材料によって形成された導電部材を、その外表面好ましくは裏面又は内部に、1以上備えていてもよい例えば、図1gの17参照。この場合の形状及び位置は特に限定されないが、特に、放熱性を確保するためには、発光素子の直下を含む領域に形成することが好ましい。基材は、後述する第1及び第2導電部材等とともに、モールディング、導電部材及びセラミック材料等が積層されたグリーンシートの焼結等の公知の方法によって形成することができる。第1及び第2導電部材基材は、その表面から内部に至る第1及び第2導電部材を備える。第1及び第2導電部材は、それぞれ、発光素子の一対の電極とそれぞれ電気的に接続されている。第1及び第2導電部材を構成する材料は、特に限定されず、電極又は端子として機能し得る導電性を有しているものであればよく、発光素子から発生する熱を効果的に放熱させることができるものであることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ni、Ti、Au、Pt、Pd、W、Co、Au、Mn、V、Cr、Zr、Rh、Cu、Al、Mg、Bi、Sn、Ir、Ga、Nd及びRe等の金属;鉄-ニッケル合金、燐青銅、鉄入り銅等の合金;これらの金属又は合金の表面に、銀、アルミニウム、銅、金等の金属メッキ膜が施こされたもの等が挙げられる。さらに、タングステン、モリブデン等の高融点金属を樹脂バインダーに含有させたペースト状の導電性材料であってもよい。これらの膜は、単層であってもよいし、材料等の異なる積層膜であってもよい。なかでも、薄膜状に製造しやすいめっき膜とするために、例えば、基材側から順に銅-Ni-Au、銅-Ni-銀等の積層膜とすることが好ましい。第1及び第2導電部材の厚みは、基材外表面に配置されている部位においては、例えば、1~100μm程度が挙げられる。この第1及び第2導電部材は、発光素子の電極と電気的な接続を図る観点から、発光素子を支持する基材表面に露出していることが必要であり、さらに発光装置を実装基板に実装するために、基材裏面にまで至っていることが好ましい。この場合、第1及び第2導電部材のいずれか一方又は双方が、基材の表面から側面を通って裏面に及んでいてもよいし例えば、図1a及びdの第1導電部材11及び第2導電部材12参照、基材の表面から裏面に貫通するスルーホールを通して、基材の表面から裏面に及んでいてもよい。なお、基材にスルーホールが形成され、そのスルーホール内を導電部材が通る場合には、通常、スルーホール内を通る導電部材は、発光素子のアノード電極とカソード電極のいずれでもよい。第1及び第2導電部材は、基材裏面においては、少なくともその一部が、上述した基材裏面に形成された凹部以外の裏面に配置されていることが適しており、特に、基材の凹部の長手方向の両側に、第1及び第2導電部材がそれぞれ配置していることが好ましい。また、基材の発光素子支持面において窪みを有し、かつ、窪み内に凸部が形成されている場合には、凸部表面にも、第1及び第2導電部材が配置していることが好ましい。これにより、凸部表面において、発光素子との電気的な接続を容易に行うことができる。[保護素子]本発明の発光装置には、さらに保護素子が搭載されている例えば、図1bの保護素子18参照。保護素子は、通常、半導体発光素子の平面積よりも小さな平面積を有している。また、保護素子の一辺の長さが、発光素子のいずれもの一辺の長さよりも小さいことが好ましい。これにより、保護素子を発光装置内に並列する場合に、発光装置の大きさを発光素子の大きさに近づけることが可能となり、発光装置が高密度/高集積化された光源を提供することができる。保護素子の種類は、特に限定されるものではなく、発光装置に搭載される公知のもののいずれでもよい。例えば、発光素子に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡したりさせることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流、保護回路、静電保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオード、トランジスタのダイオード等が利用できる。保護素子は、通常、発光素子よりも小さいサイズのものが好適である。本発明の発光装置では、保護素子は、発光素子から出射される光の照射範囲外に載置されていることが好ましい。これにより、保護素子における光吸収を抑制できる。保護素子は、通常、1つのみが搭載されていているが、2つ以上搭載されていてもよい。[透光性部材]本発明の発光装置は、発光素子、任意にワイヤ等を保護するために透光性部材が発光素子等を被覆していることが好ましい。例えば、基材が窪んだ形状の発光素子載置部を有する場合には、窪んだ形状の部位に、さらに基材表面から盛り上がるように、透光性部材を配置してもよい図1eの透光性部材60参照。透光性部材は、外力、水分等から発光素子を保護し、発光素子と導電部材との接続を確保するワイヤ等を保護し得る材料によって形成することが好ましい。透光性部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂脂、ポリフタルアミドPPA、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイドPPS、液晶ポリマーLCP、ABS樹脂、フェノール樹脂、PBT樹脂等の樹脂又はこれらの組み合わせ等の耐候性に優れた透明樹脂又は硝子等が挙げられる。特に、透明樹脂は、工程中あるいは保管中に透光性被覆部材内に水分が含まれた場合でも、100°C程度で14時間程度以上のベーキングを行うことによって、樹脂内に含有された水分を外気へ逃がすことができる。従って、水蒸気爆発、発光素子と後述する封止部材との剥がれを防止することができる。ここで、透光性とは、発光素子から出射された光を70程度以上、80程度以上、90程度以上、95程度以上透過させる性質を意味する。透光性部材には、拡散剤又は蛍光物質を含有させてもよい。拡散剤は、光を拡散させるものであり、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。蛍光物質は、発光素子からの光を変換させるものであり、発光素子から外部へ出射される光の波長を変換することができる。発光素子からの光がエネルギーの高い短波長の可視光の場合、有機蛍光物質であるペリレン系誘導体、ZnCdS:Cu、YAG:Ce、Eu及び/又はCrで賦活された窒素含有CaO-Al2O3-SiO2などの無機蛍光物質等の公知のものが種々用いられる。本発明において、白色光を得る場合、特にYAG:Ce蛍光物質を利用すると、その含有量によって青色発光素子からの光と、その光を一部吸収して補色となる黄色系が発光可能となり白色系が比較的簡単に信頼性よく形成できる。同様に、Eu及び/又はCrで賦活された窒素含有CaO-Al2O3-SiO2蛍光物質を利用した場合は、その含有量によって青色発光素子からの光と、その光を一部吸収して補色となる赤色系が発光可能であり白色系が比較的簡単に信頼性よく形成できる。以下、本発明の発光装置を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1この発光装置10は、図1a~gに示すように、基材1と、発光素子2と、保護素子18とを備える。基材1は、窒化アルミナによって形成されており、長手方向の外形が5mm程度、短手方向の外形が3mm程度の大きさで、その厚みが1mm程度の、基本外形が直方体形状として形成されている。基材1の表面1aの中央付近には、発光素子2及び保護素子18を載置する窪み13を備える。その窪み13の中央付近を挟むように、短手方向に平行に、2本の凸部14が形成されている。この凸部14上面の位置は、窪み13以外の基材表面1aよりも若干低く設定されており、幅は0.22mm程度である。また、窪み13内であって、凸部14の外側では、中央付近の窪み13の底面位置よりも若干高い位置にその底面が配置されている。窪み13内であって、凸部14の一方の外側には、スルーホール15が配置されている。また、基材1の裏面1bには、凹部16が形成されている。凹部16は、短手方向に平行に、基材1の長手方向の一対の側面1d、1fに跨って、つまり、長手方向の一対の側面1d、1fで開放されて、配置されている。凹部16の内部、凹部の短手方向の略中央には、上述したスルーホール15が配置されている。基材1の表面1aであって、窪み13内に、第1導電部材11としてカソード電極が配置されている。第1導電部材11は、窪み13内の発光素子2載置部位以外の領域に延長しており、2つの凸部14の上面、スルーホール15近傍及びその内部に至る。第1導電部材11は、スルーホール15を通って、基材1の裏面1bに貫通しており、スルーホール15から、その両側に向かって、基材1の短手方向に略平行に、基材1の裏面1bに引き回されている。スルーホール15から延長したこの第1導電部材11の一方は、基材1の裏面1bにおいて分岐して、基材1の長手方向の側面1d側に、他方は基材1の短手方向の側面側1cに至っている。スルーホール15から延長した第1導電部材11の他方は、基材1の他の長手方向の側面1f側に至っている。また、基材1の表面1aであって、窪み13内の発光素子2載置部位及び窪み部13の側面を引き回されて、窪み13内であって凸部14の外側スルーホール15が配置していない側に保護素子18載置部位には、第2導電部材12としてアノード電極が、第1導電部材11と互いに電気的に絶縁されて配置されている。第2導電部材12は、基板1の窪み13内から、長手方向の一側面1dに沿って延長し、保護素子18載置部位を通って、さらに短手方向の側面1eの中央部分を高さ方向に引き回され、裏面1bに至っている。また、他の短手方向の側面1cでは、その端部近傍を高さ方向に引き回され、裏面1bに至っている。なお、基材1の裏面1bには、凹部16と短手方向の側面1e側の第2導電部材12との間であって、発光素子2の直下に相当する部分に、これらの第1及び第2導電部材11、12と短絡しないように、短手方向の長さよりも若干短い大きさで、第3導電部材17が形成されている。この第3導電部材17は、放熱部材として有効に機能する。例えば、第1~第3導電部材11、12、17は、基材側から銅7μm-Ni6μm-Au0.3μmの積層順序で、めっきによる積層膜として形成されている。基材1の短手方向の下側面例えば、下から40程度の高さは、基材1の表裏面に対して略垂直であり、上側面例えば、上から60程度の高さは、5°程度内側に傾斜したテーパ形状となっている。これによって、発光装置を実装基板に搭載する際に、発光装置10の側面方向からの把持を確実に行うことができる。発光素子2は、InGaAlN系の窒化物半導体層の積層体によって形成され、発光波長が385nmであり、1mm×1mmのチップサイズ、300μm単位のチップ高さを有する。一対の電極は、発光素子の上下面にそれぞれ形成されており、フェイスアップで基材1に搭載されている。発光素子2は、第2導電部材12上に、例えば、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト等によってダイボンドされており、発光素子2の裏面側の電極と電気的に接続されている。また、第1導電部材11とは、窪み部13内の凸部14上面において、発光素子の表面側に形成された2つのパッド電極によって金線19によるワイヤボンドにより電気的に接続されている。第2導電部材12は、発光素子2を載置する部位以外に、窪み部13内に延長されており、その上に保護素子18が搭載され、保護素子18と電気的に接続されている。なお、この保護素子18は、表面側の電極が第1導電部材11と電気的に接続されている。つまり、発光素子2が、基材1の上面において、そのほぼ中央に配置されており、それに隣接して凸部14を挟んで保護素子18が配置されており、発光素子2の他方に隣接して凸部14を挟んでスルーホール15が配置している。ここでのこれらの配置は、これら発光素子等の重心及びこれら発光素子等の短手方向に対応する辺の中心が、発光装置の短手方向のほぼ中央において、直線状に配置されている。基材1の窪み部13内は中空で、基材の最表面がガラス板又はガラスレンズ図示せずで覆われている。あるいは、例えば、エポキシ樹脂等からなる透光性部材50で覆われていてもよい。このように、特定の基材において、半導体発光素子、保護素子及びスルーホールを長手方向に並列することにより、発光素子の一方向、特に、短手方向の寸法をできる限り発光素子のそれに近づけることができ、より発光素子の小型化を図ることができ、より明度及び輝度の高い光を供給することができる光源等を実現することが可能となる。また、発光素子、保護素子、スルーホールが、短手方向におけるほぼ中央に配置されることにより、発光素子よりも保護素子及びスルーホールが小さいために、短辺側の幅を変えずに、それらの近傍の部分だけ壁面を厚くすることができ、これによって、発光装置の強度をより一層向上させることができるとともに、より実装精度を向上させることが可能となる。実施の形態2この発光装置は、図2に示すように、基材20の裏面20bにおける凹部26の位置、スルーホール25の位置が長手方向の中央部分に移動しており、それにともなって、第1導電部材21及び第2導電部材22の裏面20bにおける形状及び配置が異なっている。また、このような裏面20bにおける第1導電部材21及び第2導電部材22の形状及び配置の変更に伴って、発光素子の支持面側においては、この裏面20bにおける配置に対応して、スルーホール25と発光素子との位置が入れ替わっている以外、実質的に実施の形態1の発光装置10と同様の構成を有する。なお、第1導電部材21及び第2導電部材22の側面20c側の端部は、実施の形態1における側面1c側の端部のように、第1導電部材11及び第2導電部材12の双方が幅狭で配置されていてもよい。また、第2導電部材21の側面20e側の端部は、実施の形態1における第2導電部材22のように、狭い幅で配置されていてもよい。このような構成により、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。実施の形態3この発光装置は、図3に示すように、基材30の裏面30bにおける凹部36の形状が異なり、それに伴って、短手方向の側面30c側の第1導電部材31及び第2導電部材32の引き回しが異なっている以外、実質的に実施の形態1の発光装置10と同様の構成を有する。つまり、凹部36は、基材30の裏面30bであって、短手方向の側面30c側でのみ開放されており、短手方向の2方向及び長手方向の1方向において、裏面30bに包囲されている。なお、第2導電部材32の側面30e側の端部は、実施の形態1における第2導電部材12のように、狭い幅で配置されていてもよい。このような構成により、実施の形態1と同様の効果を有する。実施の形態4この発光装置は、図4に示すように、基材40の裏面40bにおける凹部46の形状が異なっている以外、実質的に実施の形態1の発光装置10と同様の構成を有する。つまり、凹部46は、長手方向の一対の側面40d、40fには跨らず、側面1d側でのみ開放されており、長手方向の2方向及び短手方向の1方向において、裏面40bに包囲されている。なお、第1導電部材41及び第2導電部材42の側面40c側の端部は、実施の形態1における側面1c側の端部のように、第1導電部材11及び第2導電部材12の双方が幅狭で配置されていてもよい。また、第2導電部材41の側面40e側の端部は、実施の形態1における第2導電部材12のように、狭い幅で配置されていてもよい。このような構成により、実施の形態1と同様の効果を有する。