202-1面を成長主面とする半導体基板の成長主面から分割予定位置に沿って掘り込まれた複数のストライプ状の溝を形成する溝形成工程と、前記ストライプ状の溝が形成された半導体基板の成長主面上に、リッジを含む半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記成長主面上に半導体層を形成した半導体ウェハを前記分割予定位置で劈開する分割工程とを有し、前記溝形成工程が、前記半導体層形成工程で埋め込まれず、一方の内面のみに前記半導体層が成長するように前記ストライプ状の溝を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。前記分割予定位置が平面視においてc軸[0001]と直交する請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。前記溝形成工程が、一方の内面に奥に向かって前記半導体層が奥に向かって他方の内面に近づくように成長するように、前記ストライプ状の溝を形成する請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法。前記溝形成工程が、深さが20μm以上の深さとなるように前記ストライプ状の溝を形成する請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。前記溝形成工程が、前記ストライプ状の溝を前記分割予定位置と直交する方向の幅を深さで割ったアスペクト比が1/4以下となるように形成する請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。前記溝形成工程が、前記半導体層形成工程で前記ストライプ状の溝周辺に形成される半導体層の層厚の変化がリッジの形成に影響を与えないように、前記ストライプ状の溝を形成する請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。前記溝形成工程が、前記ストライプ状の溝の端部を前記リッジの形成予定位置より20μm以上離れるように形成する請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法。202-1面を成長主面とする半導体基板に代えて、202-1-面を成長主面とする半導体基板を用いる請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法で製造された半導体発光素子であって、前記半導体発光素子は、一方の共振器端面に形成され、前記半導体基板の半導体層が形成されていない側面を備えた複数の第1の溝と、他方の共振器端面に形成され、側面に半導体層が成長しているとともに、その半導体層が前記他方の共振器端面に近づくにしたがって前記半導体基板の厚さ方向に深くなる傾斜構成している第2の溝とを備えており、前記一方の共振器端面の前記複数の第1の溝の間の領域および前記他方の共振器端面の前記複数の第2の溝の間の領域の端面で前記リッジの厚さ方向下部に光導波路が形成されている半導体発光素子。前記半導体発光素子が、窒化物半導体レーザ素子である請求項9に記載の半導体発光素子。前記C面とは異なる面を成長主面とする窒化物半導体基板上に窒化物半導体層が成長した、窒化物半導体層および前記窒化物半導体基板は劈開性に乏しいことはよく知られている。このような窒化物半導体層及び窒化物半導体基板を特開2009-117494号公報に記載のような2種の分割補助溝を用いて劈開しても、単純なストライプ形状の補助溝のみによって、分割予定位置で分割することは困難である。つまり劈開時発生する亀裂を制御しづらく、亀裂が分割予定位置からずれていく。このため良好な共振器ミラーを形成することが困難であった。また窒化物半導体発光素子では、窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を成長させる際に、窒化物半導体基板と窒化物半導体層との間の格子定数差や熱膨張係数差などに起因して窒化物半導体層に歪みが生じ、この歪みによって、窒化物半導体層にクラックが発生する場合がある。窒化物半導体発光素子を分割する際、このクラックに牽引されて分割面が、分割予定位置から外れてしまうことがあり、良好な共振ミラー面を形成する妨げの要因の一つとなっていた。そこで本発明は、上記のような課題を解決するため、発光効率が高い窒化物半導体発光素子を精度よく製造することができる窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、202-1面を成長主面とする半導体基板の成長主面から分割予定位置に沿って掘り込まれた複数のストライプ状の溝を形成する溝形成工程と、前記ストライプ状の溝が形成された半導体基板の成長主面上に、リッジを含む半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記成長主面上に半導体層を形成した半導体ウェハを前記分割予定位置で劈開する分割工程とを有し、前記溝形成工程が、前記半導体層形成工程で埋め込まれず、一方の内面のみに前記半導体層が成長するように前記ストライプ状の溝を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。この構成によると、半導体基板の成長主面に形成されたストライプ状の溝は一方の内面のみに半導体層が形成される構成であり、半導体層に埋め込まれない形状を有している。これにより、前記ストライプ状の溝が形成された半導体基板の成長主面に半導体層を形成することで、前記ストライプ状の溝の奥部を狭く形成することが可能である。この分割補助溝によって劈開工程時に応力が集中する部分を規制することができるので、劈開時に発生する亀裂を分割予定位置に精度良く誘導することができる。このことから、202-1面を成長主面として半導体層を形成した劈開性の低い半導体ウェハでも、分割位置が分割予定位置から大きくずれたり、傾いたりするのを抑制することができる。これにより、発光効率が高い半導体発光素子の歩留まりを高めることが可能である。上記構成において、前記分割予定位置が平面視においてc軸[0001]と直交するものであってもよい。このように、202-1面を成長主面とする半導体基板において、前記分割予定位置を平面視においてc軸[0001]と直交するように設定し、分割予定位置に沿って成長主面より掘り込むことで、一方の内面のみに窒化物半導体層が成長するストライプ状の溝とすることができる。なお、半導体基板がn型GaN基板で窒化物半導体層を形成する場合、ストライプ状の溝の内面は、一方は窒化物半導体層が成長するGa極性面となり、他方は窒化物半導体層が成長しないN極性面となる。上記構成において、前記溝形成工程が、一方の内面に奥に向かって前記半導体層が奥に向かって他方の内面に近づくように成長するように、前記ストライプ状の溝を形成してもよい。この構成によると、前記半導体層が傾いて形成されており、劈開時の応力を前記半導体層の傾斜で誘導することができるので、分割位置が分割予定位置から大きくずれたり、傾いたりするのを抑制することができ、歩留まりを高めることができる。上記構成において、前記溝形成工程が、深さが20μm以上の深さとなるように前記ストライプ状の溝を形成するようにしてもよい。また、前記ストライプ状の溝を前記分割予定位置と直交する方向の幅を深さで割ったアスペクト比が1/4以下となるように形成するようにしてもよい。上記構成において、前記溝形成工程が、前記半導体層形成工程で前記ストライプ状の溝周辺に形成される半導体層の層厚の変化がリッジの形成に影響を与えないように、前記ストライプ状の溝を形成するようにしてもよい。このようなストライプ状の溝として、溝の端部が前記リッジの形成予定位置から20μm以上離れているように形成する。上記構成において、202-1面を成長主面とする半導体基板に代えて、202-1-面を成長主面とする半導体基板を用いてもよい。本発明は、上述のいずれかの半導体発光素子の製造方法で製造された半導体発光素子であって、前記半導体発光素子は、一方の共振器端面に形成され、前記半導体基板の半導体層が形成されていない側面を備えた複数の第1の溝と、他方の共振器端面に形成され、側面に半導体層が成長しているとともに、その半導体層が前記他方の共振器端面に近づくにしたがって前記半導体基板の厚さ方向に深くなる傾斜構成している第2の溝とを備えており、前記一方の共振器端面の前記複数の第1の溝の間の領域および前記他方の共振器端面の前記複数の第2の溝の間の領域の端面で前記リッジの厚さ方向下部に光導波路が形成されている半導体発光素子を提供する。前記半導体発光素子として、窒化物半導体レーザ素子、LED素子等を挙げることができる。本発明によると、半導体素子の分割位置を高い精度で制御できる半導体発光素子の製造方法を提供することができる。特に、202-1、202-1-などの半極性面の半導体基板を用いた、半導体発光素子を高い精度で分割することができる半導体発光素子の製造方法を提供することができる。また、良好な共振器面を備えた半導体発光素子を提供することができる。以下に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。まず、本発明にかかる窒化物半導体発光素子及びその製造方法について説明する。半導体発光素子の構成図1は本発明にかかる窒化物半導体発光素子の一例である窒化物半導体レーザ素子の概略斜視図である。なお、以下説明する図において、特段の記載のない場合、図1に示す窒化物半導体発光素子における、X方向図1では、左右方向、Y方向図1では、紙面厚み方向、Z方向図1では、上下方向を基準に説明する。図1に示す窒化物半導体発光素子は、平板状のウェハを劈開することで形成されるものであり、Y方向の端面が共振器端面である窒化物半導体レーザ素子Aである。窒化物半導体レーザ素子Aは、窒化物半導体基板1と、窒化物半導体基板1の上面成長主面に形成されたn型窒化物半導体層2aと、n型窒化物半導体層2aの上面に形成された活性層23と、活性層23の上面に形成されたp型窒化物半導体層2bと、p型窒化物半導体層2bの上面に形成された絶縁層30とを備えている。なお、以下の説明において、n型窒化物半導体層2b、活性層23、p型窒化物半導体層2aをあわせて、窒化物半導体層2と称する場合がある。また、窒化物半導体レーザ素子Aは、p型窒化物半導体層2aの上面より突出し、Y方向に延びたリッジ部28を備えている。リッジ部28のX方向の側面は絶縁層30に覆われており、リッジ部28の上面はp型コンタクト層27が形成されている。さらに、リッジ部28を覆うようにp側電極31が形成されている。なお、p側電極31はリッジ部28のY方向長手方向の一部を覆うように形成されているが、全体を覆うように形成されていてもよい。また、窒化物半導体レーザ素子Aの下面側、すなわち、p側電極31と反対側の面には、n側電極32が形成されている。なお、窒化物半導体レーザ素子Aでは、リッジ部28の下部に光導波路が構成される。窒化物半導体レーザ素子Aでは、共振器端面の一方がレーザ光を出射する出射面となっており、出射面側は反射率の低いコーティング不図示が、出射面と反対側の面は反射率の高いコーティング不図示が施されている。窒化物半導体基板1は、極性面であるC面0001とは異なる202-1面を成長主面とする基板である。なお、結晶面を示す表記において用いている-の符号は、本来直前の数字の上部に配置して表示するものを便宜上、数字の後ろに表示しているものである。つまり、窒化物半導体基板1は極性面と異なる面を成長主面とする窒化物半導体基板1であり、窒化物半導体レーザ素子Aは、この成長主面に窒化物半導体層2を形成した構造を有している。また、光導波路はc軸[0001]方向に形成されている。窒化物半導体レーザ素子Aでは、一方の共振器端面に第1の溝101が形成されており、他方の共振器端面に第2の溝102が形成されている。なお、この第1の溝101及び第2の溝102はウェハを劈開するときに分割部分を制御するためのものであり、詳細は後述する。第1実施形態本発明にかかる半導体発光素子の製造方法について説明する。本発明にかかる半導体発光素子の製造方法では、窒化物半導体ウェハを劈開し、バー状に分割した後、バー状の窒化物半導体素子をさらに劈開することでチップ状の半導体発光素子である半導体レーザ素子を作製する。そこで、以下に示す窒化物半導体発光素子の製造工程では、まず窒化物半導体ウェハの製造工程について説明したのち、その窒化物半導体ウェハについて説明し、さらにその窒化物半導体ウェハの分割工程について説明する。窒化物半導体ウェハの製造まず、窒化物半導体ウェハの製造工程ついて、図面を参照して説明する。図2~図16はウェハを形成する手順を示す断面図である。まず、図2に示すように、202-1面を成長主面とするn型窒化物半導体基板ここでは、n型GaN基板1の上面成長主面1a全面に、スパッタ法などを用いて、レジスト層11を形成する。なお、本実施例では半導体層の成長基板として、n型GaN基板を用いたがこれに限定されるものではなく、サファイアなどの絶縁性基板の成長主面上にGaN膜を成長させた半導体ウェハを用いても良いし、Si、ZnS、ZnO、GaAs及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物上にGaN膜を成長させた半導体ウェハを用いてもよい。図3に示すようにレーザスクライブ装置を用いて、レジスト層11の上からレーザ光をウェハの分割予定位置Xa上に破線状に走査して、ストライプ状の溝13を形成する。図4、図5に示すように、n型窒化物半導体基板1では、ストライプ状の溝13が形成された後、レジスト剥離液や有機溶剤例えば、アセトン、エタノールなどを用いてレジスト層11を除去する。なお、本実施形態において、レーザ光のエネルギーにより、溝内部の表面または溝周辺の露出表面に、窒化物半導体層を構成する金属元素の飛散物が付着するのを防止するため、前記ストライプ状の溝13を形成する前に、レジストを形成し保護膜としているが、SiO2などの誘電体膜を保護膜として利用しても良い。保護膜としてSiO2を使用した場合は、HFフッ化水素などのエッチャントを用いて、SiO2層を除去する。本発明の半導体発光素子で行う劈開とは、従来、結晶の特定方向への割れやすさを利用し、特定結晶面に亀裂を発生させ、さらにその亀裂を進展させて分割する分割方法である。そのため半導体発光素子を製造する場合、表層成長主面に後述する分割補助溝51ストライプ状の溝13を形成することで、結晶特定面に亀裂を生じさせることができる。このとき、分割補助溝51ストライプ状の溝13の溝幅を狭く形成すると、分割の劈開時に発生する亀裂を狭い領域に限定でき、分割位置の分割予定位置からのずれ、傾きを精度よく制御することができる。そこで、ストライプ状の溝13の形状は、図4、図5に示すように、溝の深さf、溝幅gとすると次のようになる。窒化物半導体層2を成長させたとき、溝の深さfが浅い場合、ストライプ状の溝13は窒化物半導体層2に埋め込まれてしまう。そのため、窒化物半導体層2に埋め込まれないようにするため、ストライプ状の溝13の溝の深さfは20μm以上深く形成することが好ましい。また、窒化物半導体基板1の厚みとの関係上、ストライプ状の溝13の溝の深さfは20μm≦f≦150μm例えば約40μmであることが好ましい。なお、ストライプ状の溝13の溝の深さfが深い方が、分割予定位置で精度よく分割できる。溝幅gを狭くすることで、劈開時の亀裂の発生を狭い領域に限定することができ、分割位置を分割予定位置に制御しやすい。そのため、溝幅gは1μm≦g≦5μm例えば約5μmであることが好ましい、溝幅gと溝の深さfとの比溝のYZ断面のアスペクト比がg/f≦1/4であればさらに好ましい。また、以上のように、成長主面にストライプ状の溝13を形成した窒化物半導体基板1の成長主面上に窒化物半導体層2を積層すると、ストライプ状の溝13の周辺の膜厚が厚くなるエッジグロウス現象が起きやすい。そのため、リッジ28を精度よく形成するために、ストライプ状の溝13は、リッジ28を形成する予定の位置から、一定距離あるいはそれ以上、離間することが好ましい。具体的に説明すると、ストライプ状の溝13の長さs図中、x方向の長さは、リッジ28リッジ形成予定位置Ya間の距離をdとすると、そのX方向の端部が、リッジ28から10μm以上離間した位置に形成することが好ましく、80μm≦s≦d-20μmで形成することが好ましい例えばd=400μmであるならば、約120μm。なお、ストライプ状の溝13はレーザスクライブによって形成されており、ストライプ状の溝13の長さ、幅、深さは、レーザスクライブ装置の条件出力、レーザ光の走査速度、操作時間等によって変更可能である。なお、ストライプ状の溝13は、X方向に4個並んだものが、Y方向に3段並んで配置されているが、これに限定されるものではない。以上のようにストライプ状の溝13が加工されたn型窒化物半導体基板1加工基板の成長主面1a上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法などのエピタキシャル成長法を用いて、窒化物半導体各層21~27を成長させる。各層は図6に示すとおりであり、具体的には次のとおりである。n型窒化物半導体基板1の成長主面1a上に、約2.2μmの厚みを有するn型Al006Ga094Nからなるn型クラッド層21、約0.1μmの厚みを有するn型GaNからなるn型ガイド層22、および活性層23を順次成長させる。なお、活性層23は次のような積層構造を有している。すなわち、図7に示しているように、活性層23は、Inx1Ga1x1Nからなる2つの井戸層23aと、Inx2Ga1x2Nからなる3つの障壁層23b但しx1>x2とを交互に積層させている。具体的には、n型ガイド層22上に、下層から上層に向かって、約30nmの厚みを有する第1障壁層231b、約3nm~約4nmの厚みを有する第1井戸層231a、約16nmの厚みを有する第2障壁層232b、約3nm~約4nmの厚みを有する第2井戸層232aおよび約60nmの厚みを有する第3障壁層233bを順次成長させて積層させている。これにより、n型ガイド層22上に、2つの井戸層23aと3つの障壁層23bとからなるDQWDoubleQuantumWell:二重量子井戸構造を有する活性層23が形成される。このとき、井戸層23aは、そのIn組成比x1が0.15以上0.45以下例えば、0.2~0.25となるように構成する。一方、障壁層23bは、そのIn組成比x2が、例えば、0.04~0.05となるように構成する。図6に戻りさらに他の層について説明する。活性層23の上に、p型AllyGa1yNからなるキャリアブロック層24、約0.05μmの厚みを有するp型GaNからなるp型ガイド層25、約0.5μmの厚みを有するp型Al006Ga094Nからなるp型クラッド層26および約0.1μmの厚みを有するp型GaNからなるp型コンタクト層27を順次成長させる。このとき、キャリアブロック層24は、その厚みが40nm以下例えば、約12nmとなるように形成するのが好ましい。また、キャリアブロック層24は、そのAl組成比1yが0.08以上0.35以下例えば、約0.15となるように構成する。なお、n型窒化物半導体層2an型クラッド層21およびn型ガイド層22には、n型不純物として、例えば、Siをドープし、p型窒化物半導体層2bキャリアブロック層24、p型ガイド層25、p型クラッド層26およびp型コンタクト層27には、p型不純物として、例えば、Mgをドープする。また、本実施形態において、n型窒化物半導体層2aは、900°C以上、1300°Cより低い成長温度例えば、1075°Cで形成する。また、活性層23の井戸層23aは、600°C以上770°C以下の成長温度例えば、700°Cで形成する。井戸層23aに接する障壁層23bは、井戸層23aと同じ成長温度例えば、700°Cで形成する。さらに、p型窒化物半導体層2bは、700°C以上であって、900°Cより低い成長温度例えば、880°Cで形成する。なお、n型窒化物半導体層2aの成長温度は、900°C以上1300未満が好ましく、1000°C以上1300未満であればより好ましい。また、活性層23の井戸層23aの成長温度は、600°C以上830°C以下が好ましく、井戸層23aのIn組成比x1が0.15以上の場合には、600°C以上770°C以下が好ましい。630°C以上740°C以下であればより好ましい。また、活性層23の障壁層23bの成長温度は、井戸層23aと同じ温度か、井戸層23aより高い温度が好ましい。さらに、p型窒化物半導体層2bの成長温度は、700°C以上900°C未満が好ましく、700°C以上880°C以下であればより好ましい。もちろん、900°C以上の温度でp型窒化物半導体層2bを形成してもp型伝導が得られるため、p型窒化物半導体層2bを900°C以上の温度で形成してもよい。なお、これらの窒化物半導体の成長原料としては、例えば、Gaの原料としてトリメチルガリウムCH33Ga:TMGaを、Alの原料としてトリメチルアルミニウムCH33Al:TMAlを、Inの原料としてトリメチルインジウムCH33In:TMInを、Nの原料としてNH3を用いることができる。また、キャリアガスとしては、例えば、H2を用いることができる。ドーパントについては、以下のとおりである。n型ドーパントn型不純物としては、例えば、モノシランSiH4を用いることができ、p型ドーパントp型不純物としては、例えば、シクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgを用いることができる。ここで図9に示したように、前述した手法によって前述の基板を用いて溝加工をしたn型窒化物半導体基板1の成長主面1aに、窒化物半導体層を成長させると、ストライプ状の溝13の片側端面では、窒化物半導体層の成長が抑制される。このため加工された部分は、溝片側の側壁のみ、膜厚が傾斜したような形状になる。これはレーザスクライブによって溝加工した際、溝のY方向に対向する2つの内面のうち、片側の面がGa極性面となり、一方がN極性面になるために起こる。窒化ガリウムは基板上で成長するとき、成長主面がN極性面である場合、成長が抑制される特性がある。このため、前述のように、一方の内面がGa極性面で他方の内面がN極性面であるストライプ状の溝13を備えた窒化物半導体基板1の成長主面に窒化物半導体層2を成長させると、自然に、図9に示したような片側の側壁のみ傾斜したような分割補助溝41が形成される。この現象は、図8、9に示すように、ストライプ状の溝13の長辺の同じ側図8において、Y方向下側の内面が一様に揃って傾斜した側面となる。続いて、図10に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、発光部となる直上の領域のp型コンタクト層27上に、約1μm~約10μm例えば約1.5μmの幅を有するとともに、平面視c軸[0001]方向に伸びるストライプ状細長状のレジスト14を形成する。そして、図11に示すように、SiCl4、Cl2などの塩素系ガスや、ArガスなどによるRIE法を用いて、レジスト14をマスクとしてp型ガイド層25の途中の深さまでエッチングを行う。これにより、p型ガイド層25の凸部、p型クラッド層26及びp型コンタクト層27によってリッジ部28が構成される。リッジ部28は平面視において、c軸[0001]と平行に延びるストライプ状細長状に形成されている。次に、図12に示すように、リッジ部28上にレジスト14を残した状態で、スパッタ法などにより、約0.1μm~約0.3μm例えば約0.15μmの厚みを有するSiO2からなる絶縁層30を形成し、リッジ部28を埋め込む。そして、図13に示すように、リフトオフによりレジスト14を除去することによって、リッジ部28の上部のp型コンタクト層27を露出させる。これにより、リッジ部28の両脇に、絶縁層30が形成される。そして、図14に示すように、真空蒸着法などを用いて、基板側絶縁層30側から、約15μmの厚みを有するPd層不図示および約200nmの厚みを有するAu層不図示を順次形成することにより、絶縁層30p型コンタクト層27上に、多層構造からなるp側電極31を形成する。さらに、基板を容易に分割するため、n型窒化物半導体基板1の裏面を研削または研磨することにより、n型窒化物半導体基板1を100μm程度の厚みまで薄くする。その後、図14に示すように、n型窒化物半導体基板1の裏面上に、真空蒸着法などを用いて、n型窒化物半導体基板1の裏面側から約5nmの厚みを有するHf層、約150nmの厚みを有するAl層、約36nmの厚みを有するMo層、約18nmの厚みを有するPt層および約200nmの厚みを有するAu層を順次形成することにより、多層構造からなるn側電極32を形成する。なお、n側電極32の形成前に、電気特性の調整などの目的でドライエッチングやウェットエッチングを行ってもよい。このようにして窒化物半導体ウェハWh1が形成される。窒化物半導体ウェハ次に以上の工程で作製された窒化物半導体ウェハについて図面を参照して説明する。図15は本発明にかかる半導体発光素子の製造方法に用いる窒化物半導体ウェハの一例の平面図であり、図16は図15に示す窒化物半導体ウェハをXVI-XVI線で分割したときの断面図である。なお、XVI-XVI線は、窒化物半導体ウェハWh1を劈開で分割する分割予定位置である分割線Xaの一つと重なっている。図2に示す窒化物半導体ウェハWh1は、リッジ部28が3個、p側電極31が6個形成されているが、これに限定されるものではなく、さらに多くのリッジ部28及びp側電極31が備えられていてもよい。窒化物半導体ウェハWh1は、平面においてc軸方向共振器方向、Y方向に延びるリッジ部28と略垂直な分割線Xaに沿って配列された、ストライプ状の分割補助溝41を備えている。図15に示しているように、分割補助溝41は2つの対向する内面が共振器方向に対向して配置されている。なお、1つの分割線Xa上において、分割補助溝41は隣り合うリッジ部28の間に1個ずつ配置されている。そして、図16に示しているように、分割補助溝41の一方の内面はZ方向奥に向かって共振器方向の幅が狭くなるように窒化物半導体層が斜めに成長している。なお、上述しているとおり、分割補助溝41において、窒化物半導体層が成長している方の面がGa極性面であり、反対側の面がN極性面である。本実施形態の窒化物半導体ウェハの製造手順を用いて、実際に窒化物半導体ウェハを作製した。以下に、実際の窒化物半導体ウェハの観察結果について図面を参照して説明する。図17は、ストライプ状の溝を形成したn型窒化物半導体基板の拡大写真であり、図18は、図17のn型窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を形成した状態の拡大写真であり、図19は図18のウェハを蛍光顕微鏡で撮影した写真であり、図20は図18の溝部分をXX-XX線で切断した断面のSEM像である。図17に示すように、窒化物半導体層を形成する前は、ストライプ状の溝13は濃淡に変化がない。このことは、ストライプ状の溝13の深さ成長主面から底面までの深さには差がないことを示している。この窒化物半導体基板の成長主面に窒化物半導体層を成長させることで、ストライプ状の溝13の部分に分割補助溝41が形成される。上述したような方法で窒化物半導体層2を形成すると、図18に示すように、分割補助溝41ストライプ状の溝13のY軸c軸と直交する内面の一方図18において上側の濃淡がはっきりしている。また、図19はこの部分の蛍光顕微鏡による撮影像であり、図19に示すように、分割補助溝41の他方図19において下側に発光している。このことから、分割補助溝41の一方図18において上側の内面には、窒化物半導体層が形成されていないことがわかる。図20では、中央部から右端に向っている溝がレーザスクライブによる溝である。図20に示すようにレーザスクライブによる溝がむき出しになっており、このことからも、分割補助溝41の一方の内面図18において上側の面には窒化物半導体層2が形成されていないことがわかる。図18に示すように、分割補助溝41の他方図18において下側は濃淡がはっきりしていない部分181がある。図18で濃淡がはっきりしていない部分181は、面が傾いており、光が撮影装置に向かって反射していないことを示している。同様に、図19はこの部分の蛍光顕微鏡による撮影像であり、図19に示すように、分割補助溝41の他方図19において下側に光が弱い部分191がある。図19で光が弱い部分191は面が傾いており光が撮影装置に向けて反射されていないことを示している。すなわち、分割補助溝41において、窒化物半導体層は奥が細くなるように傾斜して成長していることを示している。以上のことより、窒化物半導体基板の成長主面に平面視においてc軸[0001]と直交する溝を形成し、その窒化物半導体基板の成長主面に窒化物半導体層を形成すると、一方の内面図17において上側の内面は窒化物半導体層がほとんど成長しておらず、他方の内面図17に下側の内面は窒化物半導体層が成長していることを示している。つまり、202-1面を成長主面とする窒化物半導体基板で、平面視c軸と直交するように溝を形成すると、平面視でc軸と直交する内面のうち一方が窒化物半導体層が成長しにくいN極性面、他方が窒化物半導体層が成長しやすいGa極性面となることを示している。なお、この溝の内面がGa極性面あるいはN極性面になるかは、n型GaN基板の結晶によって決まるものである。このことから、溝の延伸方向が同じ場合、すべての溝で同じ方向にGa極性面あるいはN極性面が形成される。つまり、上述の方法で窒化物半導体ウェハを製造することで、溝内の窒化物半導体層の傾斜はすべて同じ方向の面に同様の傾斜で形成される。以上のことから、本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法の一部を利用して、窒化物半導体基板に窒化物半導体層を形成することで、内側に向かって狭くなるように傾斜した傾斜面を有する分割補助溝が形成されることが実証された。窒化物半導体ウェハの劈開窒化物半導体ウェハの劈開について図面を参照して説明する。上述の工程で作製された窒化物半導体ウェハWh1を分割予定位置Xaで分割し、バー状の素子を形成する。窒化物半導体ウェハWh1の窒化物半導体層2が形成されている面には、ストライプ状の分割補助溝41が形成されており、この分割補助溝41は、分割予定位置Xa上に配置されている。図15に示すように、窒化物半導体ウェハWh1の分割は、仰角θ°で傾けられたブレーク刃BLを備えたブレーク装置を用いて行う。なお、ブレーク刃の仰角ウェハに対する刃の傾き角θ°は、0.05°以下であることが好ましいとされている。このようなブレーク刃を用いて、分割予定位置Xaに沿って分割する。分割補助溝41のように溝を備えたウェハを劈開する場合、分割補助溝41の底面に応力が集中し、その応力集中によって分割溝が形成され、その分割溝が成長することで分割される。図16に示すように、分割補助溝41は、内面の一方に窒化物半導体層2が成長しており、その形状が、奥に向かって他方の内面に近接する形状であるので、劈開時の応力は分割補助溝41の奥の細くなっている部分に集中する。図15、16に示すように、窒化物半導体ウェハWh1では、細くなっている奥の部分が分割予定位置Xaと重なるように分割補助溝を形成している。そのため、劈開時に発生する応力が分割予定位置Xa上にかかりやすく、精度よく分割を行うことが可能である。このように、分割予定位置Xaで分割することで、X軸方向に複数個の窒化物半導体レーザ素子が連結したバー状の素子が形成される。ここでの分割は、ブレードブレイクを採用しているが、これ以外にも、従来よく知られている、ローラーブレイク又はプレスブレイク等の方法を利用しても行える。これによって、窒化物半導体ウェハWh1がバー状の素子図示省略に分割される。そして、バー状の素子はその分割の端面劈開端面が共振器面となる。後処理工程次に、蒸着法やスパッタ法などの手法を用いて、バー状の素子の劈開端面共振器面にコーティングを施す。具体的には、光出射面となる一方の端面に、たとえば、アルミニウムの酸窒化物膜などからなる、反射率の低い出射側コーティング膜図示せずを形成する。また、光反射面となるその反対側の端面に、たとえば、SiO2、TiO2などの多層膜からなる反射率の高い反射側コーティング膜図示せずを形成する。最後に、バー状の素子を分割することにより、個々の窒化物半導体レーザ素子に個片化する。このようにして、半導体レーザ素子Aが製造される。なお、上述の製造工程では、窒化物半導体発光素子として、窒化物半導体レーザ素子を製造しているが、それに限定されるものではなく、LED等の発光素子も同様の製造工程で製造可能である。以上示したとおり、本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法では、202-1面を成長主面とする窒化物半導体基板に、深い掘り込み溝を加工し、窒化物半導体層を成長することで、前記掘り込み領域は埋め込まれず、深い掘り込み溝が形成される。さらに掘り込みの溝を成長主面側から見てc軸に直交するように伸びる形状とすることで、一方の内面はGa極性面となり、他方の内面はN極性面となる。そのため、Ga極性面には傾斜した半導体が成長され、N極性面には半導体が成長されない。このため一方側の内面Ga極性面のみ傾斜面を有するような分割補助溝が形成される。つまり、この分割補助溝は、奥に向かって幅が狭くなっている。通常、窒化物半導体ウェハを劈開するとき、応力は溝に集中する。本発明に用いる窒化物半導体ウェハWh1では、分解補助溝41が奥に向かって、内面の一方が他方の面に接近するように傾斜しているので、傾斜によって応力の集中部分を誘導制御することができる。つまり、傾斜が形成されていることで、分割時に発生する亀裂の発生場所が狭い領域に誘導制御される。よって分割位置が、予定位置から大きく外れるたり傾いたりするのを抑制することができる。このことから、劈開端面が大きな凹凸面となってしまったり、光導波路に対して大きく傾いてしまったりするのを抑制することができる。精度のよい劈開端面を得ることができ、1枚の窒化物半導体ウェハから得られる良品の数を増加させることができる。このことから、本実施形態の製造方法を採用することで発光効率が高い窒化物半導体発光素子の歩留まりを高めることが可能である。また、掘り込み加工を行った部分で半導体層の膜厚が厚くなり不均一になる場合がある。前記のような半導体成長部分を光出射部とすると、歩留まりが悪くなってしまうため、掘り込み溝と光導波路を一定距離以上離間して形成した方が、良好な共振器端面を形成することができる。本発明の窒化粒半導体発光素子の製造工程と従来の製造工程のそれぞれで製造した窒化物半導体発光素子のサンプルを分割して、その端面の観察を行い、差異について確認した。図21は本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造工程で製造した窒化異物半導体発光素子の分割端部を示す図であり、図22は従来の製造方法で製造された窒化物半導体発光素子の分割端部を示す図である。図21及び図22は、分割部を基板の平面方向図1において、Z方向に観察したときの拡大写真であり、ともに拡大倍率50倍である。実験は、窒化物半導体ウェハの上に窒化物半導体層だけを形成したもの電極等を省略したものである。そのため、実際に電極は形成していないが、比較を容易にするため図21、図22では、電極が形成される位置を破線で示している。また、窒化物半導体発光素子レーザ素子の性能に大きく関係する分割面光導波路を含む共振器端面を二点鎖線で囲んでいる。図21に示すように、発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法に従って製造した窒化物半導体発光素子の分割端面は、分割補助溝図中、符号41で示すの間の領域で分割端面劈開端面の傾き、凹凸が少ないことがわかる。つまり、精度よく分割予定位置で分割劈開されていることがわかる。一方で、図22に示すように、従来の窒化物半導体発光素子の製造方法を利用した窒化物半導体発光素子では、分割端面の近傍に分割補助溝は確認できない。これは、分割が分割補助溝と関係のない部分で発生していることを示しており、分割端面の凹凸、傾きを精度よく制御するのが困難であることを示している。すなわち、これら2つの図より、本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法を採用することで、窒化物半導体ウェハを正確に分割予定位置で分割することが可能であるとともに、分割面窒化物半導体発光素子の共振器端面が平坦になることがわかる。このことから、本発明によると、精度の高い窒化物半導体発光素子を得ることが可能となっている。以上より、本発明の窒化物半導体発光素子の製造工程を採用することで、成長主面がc軸以外の窒化物半導体基板上に成長した、劈開性に乏しい窒化物半導体層および前記窒化物半導体基板を含む窒化物半導体ウェハを、高い精度で分割可能であることを示している。本発明にかかる窒化物半導体発光素子の製造方法を利用することで、発光効率が高く、歩留まりの高い窒化物半導体発光素子を提供することができる。第2実施形態窒化物半導体ウェハの作成時において、窒化物半導体基板と窒化物半導体層との間の格子定数差や熱膨張係数差などに起因して窒化物半導体層に歪みが生じ、この歪みによって、窒化物半導体層にクラックが発生する場合がある。このようなクラックの発生を抑えるため、窒化物半導体基板の成長主面上に平面的に見てc軸方向に掘り込み領域を形成した基板を用いる方法が用いられている。このように、窒化物半導体基板の成長主面に掘り込み領域を形成し、窒化物半導体層を形成することで、窒化物半導体層の変形が発生しても逃げ部分を形成することで、歪を緩和することができる。以降前記掘り込み領域をクラック防止溝と称し、窒化物半導体発光素子の製造方法について、図面を参照して詳しく説明する。窒化物半導体ウェハの製造本発明の第2実施形態における窒化物半導体ウェハの製造方法について、図23~図31を参照して説明する。本発明は、主に窒化物半導体レーザ素子について説明するがこれに限定されず、LED等の発光素子にも適用できる。図23に示すように、n型窒化物半導体基板1ここでは、n型GaN基板の上面全面に、スパッタ法などを用いて、約1μmの厚みを有するSiO2層11を形成する。本実施形態においては半導体層の成長基板として、n型GaN基板を用いたが、サファイアなどの絶縁性基板でも良いし、Si、ZnS、ZnO、GaAs及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物でも良い。次に、図24に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、SiO2層11上に、レジストパターンとしての開口部12aを有するレジスト層12を形成する。そして、図25に示すように、RIEReactiveIonEtchingなどのドライエッチング技術を用いて、レジスト層12をマスクとしてSiO2層11をエッチングすることにより、SiO2層11の所定領域11aを選択的に除去する。その後、レジスト剥離液や有機溶剤たとえば、アセトン、エタノールなどを用いてレジスト層12を除去する。なお、レジスト層12を除去せずに、そのまま、次の工程を行ってもよい。なお、以下の説明では、レジスト層12を除去するもので説明する。図26に示すように、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマ法、または、RIE法などを用いて、SiO2層11をマスクとして、n窒化物半導体基板1をエッチングすることにより、n型窒化物半導体基板1の所定領域を選択的に除去する。このとき、n型窒化物半導体基板1のエッチング深さfc2が、約5μmとなるように、エッチング条件を調節する。これにより、n型窒化物半導体基板1に上記した凹部15が形成される。なお、凹部15の側面部は、エッチング条件等を調節することにより、その傾斜角が90度より大きい所定の角度となるように形成する。次いでレーザスクライブ装置を用いて、SiO2層11上からレーザ照射をウェハの分割予定位置上Xa線上に破線状に走査して、図27のようにストライプ状の溝13を形成する。クラック防止溝及びストライプ状の溝が形成された後、HFフッ化水素などのエッチャントを用いて、SiO2層11を除去する図28参照。窒化物半導体基板の成長主面には、平面視c軸方向図中Y方向に伸びる凹部15クラック防止溝52と、分割予定位置にストライプ状の溝13が形成される図29参照。なお、図29に示しているように、凹部15とストライプ状の溝13とは直交しており、ストライプ状の溝13は長手方向X方向の中心で凹部15と交差している。さらに、ストライプ状の溝13は凹部15よりも深く形成されているが、これに限定されるものではない。次いで、上記のように加工されたn型窒化物半導体基板1加工基板の成長主面1a上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法などのエピタキシャル成長法を用いて、窒化物半導体各層させていく。なお、成長主面上での、窒化物半導体各層の成長については、第1実施形態と同じであり、詳細は省略する。以上のようにして製造された窒化物半導体ウェハWh2は、共振器方向に伸びるクラック防止溝52と、分割位置Xa上に形成された複数の分割補助溝51とを備えている。そして、窒化物半導体ウェハWh2では分割補助溝51を用いて分割位置Xaで分割する。図30に示すように、窒化物半導体ウェハWh2において、分割補助溝51は平面視c軸方向[0001]と平行に形成されたクラック防止溝52と直交し、ウェハ分割予定位置Xa上に形成されている。分割補助溝51は光導波路の形成位置から一定距離以上5μm以上離間しており、クラック防止溝52と交差している。以下に、各溝の長さ、幅、深さについても説明する。図30に示す窒化物半導体ウェハWh2では、クラック防止溝52の間の領域に、リッジ28およびp側電極31が1つ形成されているが、リッジ28及び又はp側電極31が複数構成されていても良い。また窒化物半導体ウェハWh2の上に、分割予定位置Xaは図30に示すように複数設ける事が可能であり、所望の間隔、本数で設けることができる。図31に示すように、窒化物半導体ウェハWh2では、凹部15の内壁面が窒化物半導体層2で埋め込まれにくくなっている。このため、n型窒化物半導体基板1上に窒化物半導体層2を形成した際に、凹部2掘り込み領域H1上の窒化物半導体層2の表面窒化物半導体層2を構成する各層の表面に窪み上のクラック防止溝52が形成された状態となる。そして、このクラック防止溝52によって、n型窒化物半導体基板1との格子不整合などに起因して生じる窒化物半導体層2の歪みクラックが緩和される。また、窒化物半導体基板1の成長主面1a上に窒化物半導体層2が形成されることによって、非掘り込み領域上の窒化物半導体層2では、凹部15に近づくにしたがって層厚が傾斜的に徐々に減少する層厚傾斜領域が形成される。この層厚傾斜領域によって、窒化物半導体基板1との格子不整合などに起因して生じる窒化物半導体層2の歪みが緩和される。また、分割補助溝51を形成し、分割をおこなう。これによって、第一の実施例と同様の効果が得られるため、高い精度で分割位置を制御でき、良好な劈開端面を得ることができる。よって、1枚のウェハから得られる良品の数を増加させることができる。これにより、歩留まりを向上させることができる。上述の各実施形態において、202-1面を成長主面とする窒化物半導体基板を用いているが、202-1面は、成長主面がa軸方向に2°以下のオフ角度を有しているもの、および成長主面がc軸方向に2°以下のオフ角度を有しているもの、また成長主面がa軸とc軸の双方に2°以下のオフ角度を有しているものを含んでいる。なぜなら、この程度のオフ角度を有している基板でも結晶構造上、ストライプ状の溝13の共振器方向の面の一面がGa極性面に、他方の面がN極性面になる。そのため、上述の程度のオフ角度を有する結晶の窒化物半導体基板を用いても、同様の効果を得ることが可能である。また、上述の各実施形態では、成長主面が202-1面の窒化物半導体基板を用いているが、成長主面が202-1-面の窒化物半導体基板を用いても良い。また前述と同様に、ここでの202-1-面は、成長主面がa軸方向に2°以下のオフ角度を有しているもの、および成長主面がc軸方向に2°以下のオフ角度を有しているもの、また成長主面がa軸とc軸の双方に2°以下のオフ角度を有しているものを含んでいる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこの内容に限定されるものではない。また本発明の実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の改変を加えることが可能である。