"a0.5質量~20質量のシリカと、b0.005質量~2質量の1種又はそれ以上のアミノホスホン酸と、c0.001質量~0.1質量の1種又はそれ以上の多糖と、d0.05質量~5質量の1種又はそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.01質量~2質量の重炭酸塩と、f0.005質量~2質量の1種又はそれ以上のアゾール環を含む化合物と、g任意に水酸化カリウムと、h水とから本質的になる化学機械研磨用組成物であって、該研磨用組成物はpH7~11を有する化学機械研磨用組成物。該シリカが湿式処理シリカである、請求項1に記載の研磨用組成物。該研磨用組成物が0.1質量~1質量の1種又はそれ以上のアミノホスホン酸を含有する、請求項1に記載の研磨用組成物。該アミノホスホン酸がエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項3に記載の研磨用組成物。該アミノホスホン酸がアミノトリメチレンホスホン酸である、請求項4に記載の研磨用組成物。該多糖がヒドロキシエチルセルロースである、請求項1に記載の研磨用組成物。該ヒドロキシエチルセルロースが分子量25,000ダルトン~100,000ダルトンを有する、請求項6に記載の研磨用組成物。該アゾール環を含む化合物がトリアゾール化合物である、請求項1に記載の研磨用組成物。該研磨用組成物中に水酸化カリウムが存在する、請求項1に記載の研磨用組成物。ポリシリコンを含む基板を研磨する方法であって、該方法はi基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドと基板との間に置いて研磨パッドを基板に対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、基板を研磨する工程とを含み、該化学機械研磨用組成物がa0.5質量~20質量のシリカと、b0.005質量~2質量の1種又はそれ以上のアミノホスホン酸と、c0.001質量~0.1質量の1種又はそれ以上のアルキル化セルロース化合物と、d0.05質量~5質量の1種又はそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.01質量~2質量の重炭酸塩と、f0.005質量~2質量の1種又はそれ以上のアゾール環を含む化合物と、g任意に水酸化カリウムと、h水とから本質的になり、pH7~11を有する、方法。該シリカが湿式処理シリカである、請求項10に記載の方法。該研磨用組成物が0.1質量~1質量の1種又はそれ以上のアミノホスホン酸を含有する、請求項10に記載の方法。該アミノホスホン酸がエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項12に記載の方法。該アミノホスホン酸がアミノトリメチレンホスホン酸である、請求項13に記載の方法。該多糖がヒドロキシエチルセルロースである、請求項10に記載の方法。該ヒドロキシエチルセルロースが分子量25,000ダルトン~100,000ダルトンを有する、請求項15に記載の方法。該アゾール環を含む化合物がトリアゾール化合物である、請求項10に記載の方法。該研磨用組成物中に水酸化カリウムが存在する、請求項10に記載の方法。該基板が更に酸化ケイ素、窒化ケイ素、又はこれらの組み合わせを含む、請求項10に記載の方法。該酸化ケイ素又は窒化ケイ素が層間誘電層を形成している、請求項19に記載の方法。エレクトロニクス産業における基板は一般的に高い集積度を有し、この基板は多層相互接続構造を含む。基板上の層及び構造は一般的に多岐にわたる物質を含み、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコンポリシリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、銅、及び/又はタンタル等である。これらの基板は、最終的な多層相互接続構造を形成するために化学機械平坦化を含む様々な処理段階を要するため、目的の用途に応じて、特定の物質に選択的な研磨用組成物及び方法を活用することが多くの場合非常に望まれている。例えば、基板がテトラエチルオルトシリケートTEOS、ポリシリコン、及び窒化ケイ素を含む場合、ポリシリコンの除去率がTEOS及び窒化ケイ素の除去率と比較して高いように、TEOS及び窒化ケイ素に対してポリシリコンを選択的に研磨することが非常に望まれることがある。ある物質の他の物質に対する研磨選択性は有益であるが、除去率の増大により望ましくない物質の薄肉化やディッシングを生ずることがある。したがって、改善されたシリコンウェハー研磨用組成物に対する技術的要求が残っている。本発明は、aシリカと、bシリコンの除去率を向上させる化合物と、cテトラアルキルアンモニウム塩と、d水とを含む研磨用組成物であって、pH7~11を有する研磨用組成物を提供する。本発明の化学機械研磨用組成物の第一実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~5質量の1種若しくはそれ以上の有機カルボン酸と、c0.0005質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアミノホスホン酸と、d0.01質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e任意に1種若しくは以上の重炭酸塩と、f任意に水酸化カリウムと、g水とから本質的になる又は前記a~gからなる化学機械研磨用組成物を含み、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の化学機械研磨用組成物の第二実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~2質量の1種若しくはそれ以上のポリアミノカルボン酸と、c0.05質量~5質量の1種若しくはそれ以上のアミンと、d0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.001質量~1質量の1種若しくはそれ以上のジオール化合物と、f任意に1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、g水とから本質的になる又は前記a~gからなる化学機械研磨用組成物を含み、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の化学機械研磨用組成物の第三実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~2質量の1種若しくはそれ以上のポリアミノカルボン酸と、c0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、d0.01質量~5質量の1種若しくはそれ以上の有機カルボン酸と、e任意に0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のアミンと、f任意に1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、g水とから本質的になる又は前記a~gからなる化学機械研磨用組成物を含み、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の化学機械研磨用組成物の第四実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.02質量~5質量の1種若しくはそれ以上の含窒素複素環化合物と、c0.05質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアミノホスホン酸と、d0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e任意に1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、f水とから本質的になる又は前記a~fからなる化学機械研磨用組成物を含み、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の化学機械研磨用組成物の第五実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.005質量~2質量の1種又はそれ以上のアミノホスホン酸と、c0.001質量~0.1質量の1種又はそれ以上の多糖と、d0.05質量~5質量の1種又はそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.01質量~2質量の1種又はそれ以上の重炭酸塩と、f0.005質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアゾール環を含む化合物と、g任意に水酸化カリウムと、h水とから本質的になる又は前記a~hからなる化学機械研磨用組成物を含み、該研磨用組成物はpH7~11を有する。また、本発明は本発明の化学機械研磨用組成物を用いた基板の化学機械研磨方法を提供する。本発明の基板の化学機械研磨方法の第一実施形態は、i基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドと基板との間に置いて研磨パッドを基板に対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、基板を研磨する工程とを含み、該化学機械組成物はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.02質量~5質量の1種若しくはそれ以上の有機カルボン酸と、c0.02質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアミノホスホン酸と、d0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e任意に1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、f任意に水酸化カリウムと、g水とから本質的になり又は前記a~gからなり、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の基板の化学機械研磨方法の第二実施形態は、i基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドと基板との間に置いて研磨パッドを基板に対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、基板を研磨する工程とを含み、該化学機械研磨用組成物はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~2質量の1種若しくはそれ以上のポリアミノカルボン酸と、c0.05質量~5質量の1種若しくはそれ以上のアミンと、d0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.001質量~1質量の1種若しくはそれ以上のジオール化合物と、f任意に1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、g水とから本質的になり又は前記a~gからなり、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の基板の化学機械研磨方法の第三実施形態は、i基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドと基板との間に置いて研磨パッドを基板に対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、基板を研磨する工程とを含み、該化学機械研磨用組成物はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~2質量の1種若しくはそれ以上のポリアミノカルボン酸と、c0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、d0.01質量~5質量の1種若しくはそれ以上の有機カルボン酸と、e任意に0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のアミンと、f任意に1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、g水とから本質的になり又は前記a~gからなり、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の基板の化学機械研磨方法の第四実施形態は、i基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドと基板との間に置いて研磨パッドを基板に対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、基板を研磨する工程とを含み、該化学機械研磨用組成物はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.02質量~5質量の1種若しくはそれ以上の含窒素複素環化合物と、c0.05質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアミノホスホン酸と、d0.1質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e任意に1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、f水とから本質的になり又は前記a~fからなり、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明の基板の化学機械研磨方法の第五実施形態は、i基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドと基板との間に置いて研磨パッドを基板に対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、基板を研磨する工程とを含み、該化学機械研磨用組成物はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.005質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアミノホスホン酸と、c0.001質量~0.1質量の1種若しくはそれ以上の多糖と、d0.05質量~5質量の1種若しくはそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.01質量~2質量の1種若しくはそれ以上の重炭酸塩と、f0.005質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアゾール環を含む化合物と、g任意に水酸化カリウムと、h水とから本質的になり、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明は更にシリコンウェハーのエッジであって本質的にケイ素からなるエッジを研磨する方法を提供する。該方法はi基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドとシリコンウェハーのエッジとの間に置いて研磨パッドをシリコンウェハーのエッジに対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、シリコンウェハーのエッジを研磨する工程とを含み、該化学機械組成物はa0.5質量~20質量の湿式処理シリカと、b0.01質量~5質量の1種若しくはそれ以上の有機カルボン酸と、c0.0005質量~2質量のアミノホスホン酸と、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩と、e水酸化カリウムと、f任意に重炭酸塩と、g水とから本質的になり、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明は加えてウェハーのエッジであって本質的にケイ素及び酸化ケイ素からなる表面を有するエッジを研磨する方法を提供する。該方法はi基板を研磨パッド及び化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドとウェハーのエッジとの間に置いて研磨パッドをウェハーのエッジに対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、エッジを研磨する工程とを含み、該化学機械組成物はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~5質量の1種若しくはそれ以上の有機カルボン酸と、c0.0005質量~1質量のアミノホスホン酸と、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩と、e任意に重炭酸塩と、f任意に水酸化カリウムと、g水とから本質的になり、該研磨用組成物はpH7~11を有する。本発明は、aシリカと、b1種又はそれ以上のシリコンの除去率を向上させる化合物と、cテトラアルキルアンモニウム塩と、d水とを含む研磨用組成物であって、該研磨用組成物はpH7~11を有する研磨用組成物を提供する。このシリカは、湿式処理タイプのシリカ、フュームドシリカ、又はこれらの組み合わせ等、任意の適する形状のシリカとすることができる。例えば、シリカは湿式処理タイプのシリカ粒子例えば、縮合重合又は沈殿シリカ粒子を含むことができる。縮合重合シリカ粒子は一般的にSiOH4を縮合してコロイド粒子を形成することにより得られ、該コロイド粒子は平均粒子サイズ1nm~1000nmを有すると定義される。このような研磨剤粒子は、米国特許第5230833号明細書に基づいて、又は任意の様々な市販製品から得られる。任意の様々な市販製品は、例えばAkzo-NobelBindzil50/80製品、NalcoDVSTS006製品、及び扶桑化学工業社PL-2製品等で、DuPont、Bayer、AppliedResearch、日産化学、及びClariantから入手可能な他の類似の製品も同様である。シリカは、フュームドシリカ粒子を含むことができる。フュームドシリカ粒子はフュームドシリカを製造するための加水分解による発熱処理、及び/又は高温の炎H2/空気又はH2/CH4/空気中での前駆体の酸化により、揮発性前駆体例えば、ハロゲン化ケイ素から製造することができる。液滴発生装置を用いて前駆体を含む溶液を高温の炎に噴射することができ、次いで金属酸化物を収集することができる。一般的な液滴発生装置は二流体噴霧器、高圧スプレーノズル及び超音波噴霧器を含む。適切なフュームドシリカ製品はキャボット、トクヤマ、及びデグサ等の製造者から市販に入手可能である。シリカは如何なる適切な平均粒子サイズ即ち、平均粒子径も有することができる。シリカは4nm以上、例えば、10nm以上、15nm以上、20nm以上、又は25nm以上の平均粒子サイズを有することができる。代替的に、又はそれに加えて、シリカは180nm以下、例えば、120nm以下、110nm以下、100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、50nm以下、又は40nm以下の平均粒子サイズを有することができる。したがって、シリカは上記終点のいずれか二つに渡る平均粒子サイズを有することができる。例えば、シリカは10nm~100nm、20nm~100nm、20nm~80nm、20nm~60nm、又は20nm~40nmの平均粒子サイズを有することができる。非球形シリカ粒子において、粒子のサイズはその粒子を取り囲む最も小さな球体の直径を意味する。研磨用組成物は如何なる適量のシリカも含むことができる。一般的に、研磨用組成物は0.5質量以上、例えば1質量以上、2質量以上、又は5質量以上のシリカを含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は20質量以下、15質量以下、10質量以下、8質量以下、6質量以下、又は5質量以下のシリカを含むことができる。したがって、研磨用組成物はシリカについて列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量のシリカを含むことができる。例えば、研磨用組成物は0.5質量~20質量、1質量~15質量、5質量~15質量、0.5質量~5質量のシリカを含むことができる。シリカ粒子は好ましくはコロイド的に安定である。該用語コロイドは液体の担体中におけるシリカ粒子の懸濁液を意味する。コロイドの安定性はこの懸濁液の経時的な維持を意味する。本発明の文脈上、研磨剤とは、その研磨剤が100mlのメスシリンダー内に置かれ2時間撹拌することなく静置された場合に、メスシリンダーの底部50mlにおける粒子の濃度g/mlを単位とする[B]と、メスシリンダーの上部50mlにおける粒子の濃度g/mlを単位とする[T]との差を、研磨剤組成物の初期の粒子濃度g/mlを単位とする[C]で除した値が0.5以下即ち、{[B]-[T]}/[C]≦0.5の場合、コロイド的に安定であるという。より好ましくは、[B]-[T]/[C]の値が0.3以下であり、最も好ましくは0.1以下である。研磨組成物は水を含む。水は、研磨剤粒子、シリコンの除去率を向上させる化合物、及び他の添加物の、研磨又は平坦化される適当な基板の表面への適用を促進するために使用される。水は脱イオン化された水が好ましい。研磨用組成物は11以下例えば、10以下のpHを有する。好ましくは、研磨用組成物は7以上例えば、8以上のpHを有する。より好ましくは、研磨用組成物は7~11例えば、8~10のpHを有する。研磨用組成物は任意に、例えば、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、及び/又は硝酸等のpH調整剤を含む。研磨用組成物はまた任意にpH緩衝系を含む。そのようなpH緩衝系の多くは本技術分野でよく知られている。pH緩衝剤は、例えば、重炭酸-炭酸塩緩衝系、アミノアルキルスルホン酸及び同種の物等、適切な緩衝剤は何れも緩衝剤とすることができる。適切な範囲内において研磨用組成物のpHを達成するため及び又は維持するために適量が使用されるという条件の下、研磨用組成物は任意の適量のpH調整剤及び/又はpH緩衝剤を含むことができる。研磨用組成物は任意に更に1種またはそれ以上の重炭酸塩を含む。重炭酸塩は例えば、重炭酸カリウム塩、重炭酸ナトリウム塩、重炭酸アンモニウム塩、又はそれらの組み合わせ等、任意の適切な重炭酸塩とすることができる。研磨用組成物は任意の適量の重炭酸塩を含むことができる。通常、研磨用組成物は0.01質量以上の、例えば、0.03質量以上、0.05質量以上、0.08質量以上、0.1質量以上、0.2質量以上、0.3質量以上、0.5質量以上、0.7質量以上、0.9質量以上、1質量以上、1.2質量以上、1.5質量以上、1.7質量以上、又は1.9質量以上のアゾール環を含む化合物を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は2.0質量以下、1.8質量以下、1.6質量以下、1.4質量以下、1.2質量以下、1.0質量以下、0.8質量以下、0.6質量以下、0.4質量以下、0.2質量以下、0.1質量以下、0.08質量以下、0.06質量以下、0.04質量以下、0.02質量以下、又は0.015質量以下のアゾール環を含む化合物を含むことができる。従って、研磨用組成物は重炭酸塩について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量の重炭酸塩を含むことができる。例えば、研磨用組成物は0.01質量~2質量、0.1質量~1.8質量、0.2質量~1.2質量、又は0.7質量~1.6質量の重炭酸塩を含むことができる。研磨用組成物は任意に更に水酸化カリウムを含むことができる。研磨用組成物は任意の適量の水酸化カリウムを含むことができる。一般的に、研磨用組成物は0.05質量以上、例えば、0.1質量以上、又は0.25質量以上の水酸化カリウムを含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は2質量以下、例えば、1.5質量以下、1質量以下、0.8質量以下、又は0.6質量以下の水酸化カリウムを含むことができる。従って、研磨用組成物は、水酸化カリウムについて列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量の水酸化カリウムを含むことができる。例えば研磨用組成物は0.05質量~1質量、0.1質量~2質量、0.1質量~1質量、又は0.25質量~0.8質量の水酸化カリウムを含むことができる。研磨用組成物は任意に更に1種又はそれ以上の他の添加物を含むことができる。そのような添加物は任意の適切な分散剤、例えば、1種又はそれ以上のアクリルモノマーを含むホモポリマー又はランダム、ブロック、若しくはグラジエントアクリレート共重合体例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ビニルアクリレート又はスチレンアクリレート、これらの組み合わせ及びこれらの塩等を含むことができる。他の適切な添加剤は殺生物剤を含む。殺生物剤は、適切な殺生物剤とすることができ、例えば、イソチアゾリノン殺生物剤である。本発明の化学機械研磨用組成物の第一実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~5質量の有機カルボン酸と、c0.0005質量~2質量のアミノホスホン酸と、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩と、e任意に重炭酸塩と、f任意に水酸化カリウムと、g水とから本質的になる又は前記a~gからなる化学機械研磨用組成物であって、pH7~11を有する研磨用組成物を提供する。第一実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切な有機カルボン酸又はその塩を含む。有機カルボン酸はアルキルカルボン酸又はアリールカルボン酸とすることができ、また、任意にC1C12アルキル基、アミノ基、置換アミノ基例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、及び同種のもの、ヒドロキシル基、ハロゲン基及びこれらの組み合わせからなる群から選択される基で置換されることができる。好ましくは、有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸例えば、脂肪族ヒドロキシカルボン酸又はヒドロキシ安息香酸、アミノ酸、アミノヒドロキシ安息香酸、又はピリジンカルボン酸である。適切なヒドロキシカルボン酸の限定的でない例は、マロン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、アセトヒドロキサム酸、グリコール酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、サリチル酸、及び2,6-ジヒドロキシ安息香酸を含む。適切なアミノ酸の限定的でない例は、グリシン、アラニン、プロリン、リシン、システイン、ロイシン、アスパラギン酸、グルタミン酸及び2-アミノ-4-チアゾール酢酸を含む。アミノヒドロキシ安息香酸の限定的でない例は、3-アミノサリチル酸および3-アミノ-4-ヒドロキシ安息香酸を含む。ピリジンカルボン酸の限定的でない例はピコリン酸及びニコチン酸を含む。第一実施形態の研磨用組成物は、任意の適量の有機カルボン酸を含むことができる。研磨用組成物は0.01質量以上、例えば、0.02質量以上、例えば、0.05質量以上、0.1質量以上、又は0.5質量以上の有機カルボン酸を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は5質量以下、例えば、4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は1質量以下の有機カルボン酸を含むことができる。従って、研磨用組成物は、有機カルボン酸について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量の有機カルボン酸を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.01質量~5質量、0.02質量~5質量、0.05質量~4質量、又は0.1質量~3質量の有機カルボン酸を含むことができる。第一実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切なアミノホスホン酸を含む。好ましくは、アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、これらの塩、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。より好ましくは、アミノホスホン酸はアミノトリメチレンホスホン酸である。第一実施形態の研磨用組成物は任意の適量のアミノホスホン酸を含むことができる。一般的に、研磨用組成物は0.0005質量以上、例えば、0.001質量以上、0.01質量以上、0.02質量以上、0.05質量以上、0.1質量以上、0.2質量以上、又は0.5質量以上のアミノホスホン酸を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は2質量以下、例えば、1.5質量以下又は1質量以下のアミノホスホン酸を含むことができる。従って、研磨用組成物は、アミノホスホン酸について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量のアミノホスホン酸を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.0005質量~2質量、0.02質量~2質量、0.05質量~2質量、0.1質量~1.5質量、又は0.5質量~1質量のアミノホスホン酸を含むことができる。第一実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切なテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。テトラアルキルアンモニウム塩は好ましくはテトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム及びテトラブチルアンモニウムからなる群から選択されるカチオンを含む。テトラアルキルアンモニウム塩は水酸化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、硫酸イオン又は硫酸水素イオンを含むが限定的でない任意の適切なカチオンを有することができる。一実施形態においてテトラアルキルアンモニウム塩は水酸化テトラアルキルアンモニウム例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムである。第一実施形態の研磨用組成物は任意の適量のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。一般的に、研磨用組成物は0.01質量以上、例えば、0.1質量以上、0.2質量以上、又は0.5質量以上のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は5質量以下、例えば、4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は1質量以下のアルキルアンモニウム塩を含むことができる。従って、研磨用組成物は、テトラアルキルアンモニウム塩について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.01質量~5質量、0.1質量~5質量、0.2質量~4質量、又は0.5質量~3質量のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。一実施形態において、研磨用組成物はa0.5質量~20質量の湿式処理シリカと、b乳酸、シュウ酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される0.01質量~5質量の有機カルボン酸と、cエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びこれらの組み合わせからなる群から選択される0.0005質量~2質量のアミノホスホン酸と、d0.01質量~5質量の水酸化テトラアルキルアンモニウムと、e0.05質量~2質量の水酸化カリウムと、f0.05質量~0.5質量の重炭酸カリウムと、g水とから本質的になる。本発明の化学機械研磨用組成物の第二実施形態はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~2質量のポリアミノカルボン酸と、c0.1質量~5質量のアミンと、d0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.001質量~1質量のジオール化合物と、f任意に重炭酸塩と、g水とから本質的になる又は前記a~gからなり、pH7~11を有する化学機械研磨用組成物を提供する。第二実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切なポリアミノカルボン酸を含む。本明細書で使用する用語ポリアミノカルボン酸は、2又はそれ以上のアミノ基及び2又はそれ以上のカルボン酸基を有する化合物を意味する。好ましくは、ポリアミノカルボン酸はエチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、N-ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、ニトリロトリ酢酸、メチルグリシン二酢酸、これらの塩、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。より好ましくは、ポリアミノカルボン酸はエチレンジアミンテトラ酢酸又はそれらの塩例えば、そのモノ-、ジ-、トリ-、又はテトラナトリウム塩からなる群から選択される。第二実施形態の研磨用組成物は、任意の適量のポリアミノカルボン酸を含むことができる。一般的に、研磨用組成物は0.01質量以上、例えば、0.1質量以上、0.2質量以上、又は0.5質量以上のポリアミノカルボン酸を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は2質量以下、例えば、1.5質量以下、又は1.0質量以下のポリアミノカルボン酸を含むことができる。従って、研磨用組成物は、ポリアミノカルボン酸について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量のポリアミノカルボン酸を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.01質量~2質量、0.1質量~1.5質量、又は0.5質量~1質量のポリアミノカルボン酸を含むことができる。第二実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切なアミンを含む。適切なアミンの限定的でない例はピペラジン、アミノエチルピペラジン、2-メチル-2-アミノエタノール、2-アミノエチル-2-アミノエタノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタアミン、ヒドラジン、2-ヒドロキシエチルヒドラジン、セミカルバジド、ヒドロキシルアミン、N-メチルヒドロキシルアミン、O-メチルヒドロキシルアミン、及びO-カルボキシメチルヒドロキシルアミンを含む。より好ましくは、アミンはピペラジン又はアミノエチルピペラジンである。第二実施形態の研磨用組成物は任意の適量のアミンを含むことができる。一般的に、研磨用組成物は0.05質量以上、例えば、0.1質量以上、0.2質量以上、又は0.5質量以上のアミンを含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は5質量以下、例えば、4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は1質量以下のアミンを含むことができる。従って、研磨用組成物は、アミンについて列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量のアミンを含むことができる。例えば研磨用組成物は0.05質量~5質量、0.2質量~4質量、又は0.5質量~3質量のアミンを含むことができる。第二実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切なテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。テトラアルキルアンモニウム塩及びそれらの量は研磨用組成物の第一実施形態について列挙されたものとすることができる。第二実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切なジオール化合物を含む。ジオール化合物は任意の適切なジオール化合物及び一般的に1,2-ジオール化合物又は1,3-ジオール化合物とすることができる。一般的にジオール化合物は直鎖又は分岐鎖C2-C10ジオール化合物である。適切な1,2-ジオール化合物の限定的でない例は、1,2-プロパンジオール、1,2-ブタンジオール、1,2-ペンタンジオール、2,3-ペンタンジオール、及びこれらの組み合わせを含む。適切な1,3-ジオール化合物の限定的でない例は、1,3-プロパンジオール、1,3-ブタンジオール、1,3-ペンタンジオール、2,4-ペンタンジオール、及びこれらの組み合わせを含む。第二実施形態の研磨用組成物は任意の適量のジオール化合物を含むことができる。一般的に、研磨用組成物は0.001質量以上、例えば、0.005質量以上、0.01質量以上、又は0.05質量以上のジオール化合物を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は1質量以下、例えば、0.75質量以下、0.5質量以下、0.25質量以下、又は0.1質量以下のジオール化合物を含むことができる。従って、研磨用組成物は、ジオール化合物について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量のジオール化合物を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.001質量~1質量、0.005質量~0.75質量、又は0.01質量~0.5質量のジオール化合物を含むことができる。本発明の化学機械研磨用組成物の第三実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.01質量~2質量のポリアミノカルボン酸と、c0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩と、d0.1質量~5質量の有機カルボン酸と、e任意に0.1質量~5質量のアミンと、f任意に重炭酸塩と、g水とから本質的になる又は前記a~gからなり、pH7~11を有する化学機械研磨用組成物を含む。本発明の化学機械研磨用組成物の第三実施形態に含まれるポリアミノカルボン酸、テトラアルキルアンモニウム塩、有機カルボン酸、アミン、及びこれらの量は本発明の研磨用組成物の第一及び第二実施形態について本明細書に列挙されたものとすることができる。本発明の化学機械研磨用組成物の第四実施形態は、a0.5質量~20質量のシリカと、b0.02質量~5質量の含窒素複素環化合物と、c0.05質量~2質量のアミノホスホン酸と、d0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩と、e任意に重炭酸塩と、f水とから本質的になる又は前記a~fからなり、pH7~11を有する化学機械研磨用組成物を提供する。本発明の化学機械研磨用組成物の第四実施形態に含まれるアミノホスホン酸、テトラアルキルアンモニウム塩、及びこれらの量は本発明の研磨用組成物の第一実施形態について本明細書に列挙されたものとすることができる。第四実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切な含窒素複素環化合物を含む。本明細書で使用する用語含窒素複素環化合物は1以上の窒素原子をその環系の一部として有する5-、6-、又は7-員環化合物を意味する。一実施形態として含窒素複素環化合物はトリアゾールである。より好ましい実施形態として、含窒素複素環化合物はアミノトリアゾールである。適切なアミノトリアゾールの限定的でない例は3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール-5-カルボン酸、3-アミノ-5-メルカプト-1,2,4-トリアゾール、及び4-アミノ-5-ヒドラジノ-1,2,4-トリアゾール-3-チオールを含む。他の実施形態として含窒素複素環化合物はチアゾールである。適切なチアゾールの限定的でない例は、2-アミノ-5-メチルチアゾール、2-アミノ-4-チアゾール酢酸及びチアゾールを含む。他の実施形態として、含窒素複素環化合物は複素環N-オキシドである。適切な複素環N-オキシドの限定的でない例は、2-ヒドロキシピリジン-N-オキシド、4-メチルモルホリン-N-オキシド、及びピコリン酸N-オキシドを含む。第四実施形態の研磨用組成物は任意の適量の含窒素複素環化合物を含むことができる。研磨用組成物は0.02質量以上、例えば、0.05質量以上、0.1質量以上、又は0.5質量以上の含窒素複素環化合物を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は5質量以下、例えば、4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は1質量以下の含窒素複素環化合物を含むことができる。従って、研磨用組成物は、含窒素複素環化合物について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量の含窒素複素環化合物を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.02質量~5質量、0.05質量~4質量、又は0.1質量~3質量の含窒素複素環化合物を含むことができる。本発明の化学機械研磨用組成物の第五実施形態はa0.5質量~20質量のシリカと、b0.005質量~2質量の1種又はそれ以上のアミノホスホン酸と、c0.001質量~0.1質量の1種又はそれ以上の多糖と、d0.05質量~5質量の1種又はそれ以上のテトラアルキルアンモニウム塩と、e0.01質量~2質量の重炭酸塩と、f0.005質量~2質量の1種若しくはそれ以上のアゾール環を含む化合物と、g任意に水酸化カリウムと、h水とから本質的になる又は前記a~hからなり、pH7~11を有する化学機械研磨用組成物を提供する。本発明の化学機械研磨用組成物の第五実施形態に含まれるアミノホスホン酸、テトラアルキルアンモニウム塩及びこれらの量は、本発明の研磨用組成物の第一実施形態について本明細書に列挙されたものとすることができる。第五実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切な多糖を含む。多糖はヒドロキシエチルセルロースとすることができる。適切な多糖の更なる限定でない例はデキストラン、カルボキシメチルデキストラン、デキストラン-スルホン酸塩、キトサン、キサンタンゴム、カルボキシメチルセルロース及びカラギーナンである。第五実施形態の研磨用組成物は任意の適量の多糖を含むことができる。一般的に研磨用組成物は0.001質量以上、例えば、0.002質量以上、0.003質量以上、0.004質量以上、0.005質量以上、0.007質量以上、0.01質量以上、0.02質量以上、0.03質量以上、0.04質量以上、0.05質量以上、0.06質量以上、0.07質量以上、0.08質量以上、又は0.09質量以上の多糖を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は0.1質量以下、例えば、0.09質量以下、0.08質量以下、0.07質量以下、0.06質量以下、0.05質量以下、0.04質量以下、0.03質量以下、0.02質量以下、又は0.01質量以下の多糖を含むことができる。従って、研磨用組成物は、多糖について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量の多糖を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.001質量~0.1質量、0.005質量~0.09質量、又は0.01質量~0.08質量の多糖を含むことができる。多糖は任意の適切な分子量を有することができる。一般的に、多糖は9,000ダルトン~100,000ダルトンの分子量を有することができる。多糖がヒドロキシエチルセルロースであるとき、好ましい分子量の範囲は25,000ダルトン~100,000ダルトンである。多糖がデキストランであるとき、又は任意の適切なデキストラン誘導体であるとき、好ましい分子量の範囲は9,000ダルトン~40,000ダルトンである。従って、多糖は9,000ダルトン以上、例えば、10,000ダルトン以上、15,000ダルトン以上、20,000ダルトン以上、25,000ダルトン以上、30,000ダルトン以上、35,000ダルトン以上、40,000ダルトン以上、45,000ダルトン以上、50,000ダルトン以上、55,000ダルトン以上、又は60,000ダルトン以上の分子量を有することができる。代替的に、又はこれに加えて、多糖は100,000ダルトン以下、例えば、95,000ダルトン以下、90,000ダルトン以下、85,000ダルトン以下、80,000ダルトン以下、75,000ダルトン以下、70,000ダルトン以下、65,000ダルトン以下、60,000ダルトン以下、55,000ダルトン以下、50,000ダルトン以下、45,000ダルトン以下、40,000ダルトン以下、35,000ダルトン以下、30,000ダルトン以下、25,000ダルトン以下、20,000ダルトン以下、15,000ダルトン以下、又は10,000ダルトン以下の分子量を有することができる。従って、多糖は、多糖について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる分子量を含むことができる。例えば多糖は9,000ダルトン~100,000ダルトン、10,000ダルトン~95,000ダルトン、25,000ダルトン~90,000ダルトン、30,000ダルトン~80,000ダルトン、9,000ダルトン~40,000ダルトン、10,000ダルトン~35,000ダルトン、15,000ダルトン~30,000ダルトン、15,000ダルトン~40,000ダルトン、又は10,000ダルトン~25,000ダルトンの分子量を有することができる。第五実施形態の研磨用組成物は1種又はそれ以上の適切なアゾール環を含む化合物を含む。一般的に、適切なトリアゾール化合物は、1種又はそれ以上の置換基で3-、4-、及び5-位、又は任意のこれらの組み合わせが置換されたものとすることができる。適切なトリアゾール化合物の限定的でない例は、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール-5-カルボン酸、3,5-ジアミノ-1,2,4-トリアゾール、4-アミノ-5-ヒドラジノ-1,2,4-トリアゾール-3-チオール、及び4-アミノ-1,2,4-トリアゾールとすることができる。より好ましい実施形態として、アゾール環を含む化合物はトリアゾールとすることができる。第五実施形態の研磨用組成物は任意の適量のアゾール環を含む化合物を含むことができる。一般的に研磨用組成物は0.005質量以上、例えば、0.007質量以上、0.01質量以上、0.03質量以上、0.05質量以上、0.08質量以上、0.1質量以上、0.3質量以上、0.5質量以上、0.7質量以上、0.9質量以上、1質量以上、1.2質量以上、1.5質量以上、1.7質量以上、又は1.9質量以上のアゾール環を含む化合物を含むことができる。代替的に、又はこれに加えて、研磨用組成物は2.0質量以下、例えば、1.8質量以下、1.6質量以下、1.4質量以下、1.2質量以下、1.0質量以下、0.8質量以下、0.6質量以下、0.4質量以下、0.2質量以下、0.1質量以下、0.08質量以下、0.06質量以下、0.04質量以下、0.02質量以下、0.01質量以下、又は0.008質量以下のアゾール環を含む化合物を含むことができる。従って、研磨用組成物は、アゾール環を含む化合物について列挙された上記終点のいずれか二つによって囲まれる量のアゾール環を含む化合物を含むことができる。例えば研磨用組成物は0.005質量~2.0質量、0.01質量~1.9質量、又は0.05質量~1.7質量のアゾール環を含む化合物を含むことができる。本発明の研磨用組成物は任意の適切な技術で得ることができ、それらの多くは当業者に知られている。研磨用組成物はバッチ又は連続処理により得ることができる。一般的に研磨用組成物は任意の順番でそれらの構成成分を混合することにより得ることができる。本明細書で使用する用語構成成分は、個々の成分例えば、シリカ、シリコンの除去率を向上させる化合物、テトラアルキルアンモニウム塩等のほか、成分の任意の組み合わせ例えば、シリカ、シリコンの除去率を向上させる化合物、テトラアルキルアンモニウム塩、緩衝剤等も含まれる。例えば、一実施形態において、シリカは水中に分散させることができる。次いで、有機カルボン酸、アミノホスホン酸及びテトラアルキルアンモニウム塩を添加し、研磨用組成物中に構成成分を包含させ得る任意の方法により混合することができる。シリコンの除去率を向上させる他の化合物は同様に研磨用組成物の調製に利用することができる。研磨用組成物は使用前にpH調整成分のような使用直前に例えば、使用前7日以内、使用前1時間以内、又は使用前1分以内研磨用組成物に添加される1種又はそれ以上の構成成分と共に得ることができる。該研磨用組成物はまた研磨操作中に基板の表面で構成成分を混合することによっても得ることができる。研磨用組成物はまた使用前に適量の水で希釈することが意図された濃縮物としても得ることができる。そのような実施形態において、研磨用組成物の濃縮物は、例えば、シリカ、シリコンの除去率を向上させる化合物、テトラアルキルアンモニウム塩及び水を、該濃縮物を適量の水で希釈したときに研磨用組成物のそれぞれの構成成分がそれぞれの構成成分について前記の適切な範囲の量で研磨用組成物中に存在することとなるような量において含むことができる。例えば、研磨材、シリコンの除去率を向上させる化合物及びテトラアルキルアンモニウム塩は、該濃縮物が等体積の水例えば、それぞれ、2等体積の水、3等体積の水、4等体積の水、9等体積の水、又は14等体積の水で希釈されたとき、それぞれの構成成分がそれぞれの構成成分について前記に示した範囲の量で研磨用組成物中に存在することとなるよう、それぞれ濃縮物中にそれぞれの構成成分について列挙された前記の濃度の2倍例えば、3倍、4倍、5倍、10倍又は15倍多い量で、存在することができる。更に、当業者に理解されているように、シリコンの除去率を向上させる化合物、及び他の適切な添加物を、確実に少なくとも部分的に又は完全に該濃縮物に溶解させるために、該濃縮物は最終的な研磨用組成物に存在する適切なごく少量の水を含むことができる。本発明は更に、i基板を研磨パッド及び本明細書に開示された化学機械組成物に接触させる工程と、ii化学機械研磨用組成物を研磨パッドと基板との間に置いて研磨パッドを基板に対して動かす工程と、iii少なくとも基板の一部を摩耗させて、基板を研磨する工程とを含む、基板の化学機械研磨方法を提供する。本発明の研磨用組成物はあらゆる基板を研磨するために使用可能であるが、該研磨用組成物は、例えば、エレクトロニクス産業で使用されているシリコンウェハー等のケイ素を含む、ケイ素から本質的になる、又はケイ素からなる基板の研磨に特に有用である。この観点において、ケイ素は非ドープケイ素、又はホウ素若しくはアルミニウムでドープされたp-型ケイ素のようなドープケイ素とすることができる。更に、シリコンはポリシリコンとすることができる。本発明の研磨用組成物及びこれらの使用方法は、ダイヤモンドの鋸と荒磨きにより単結晶シリコンから得られたシリコンウェハーの予研磨又は最終研磨に適し、シリコンウェハーのエッジ研磨及び研磨によるシリコンウェハーの再利用の用途にも適する。一実施形態において、本発明の方法は、酸化ケイ素や窒化ケイ素のような他の物質における除去率以上に改善されたポリシリコンの除去率を提供する。たとえば、一実施形態において、本発明の方法は、酸化ケイ素又は窒化ケイ素以上にポリシリコンの研磨に関して改善された選択性を提供する。更に、本発明の方法は、他の中でもエレクトロニクス産業において本発明の方法が化学機械研磨の用途に適切であるように、ポリシリコンのような基板物質のディッシングを有利に最小化する。有利なことに、本発明の研磨方法は、ダイヤモンドで切削されたシリコンウェハーを粗研磨及びエッチングした後、シリコンウェハーを研磨にするために使用された場合、改善されたナノトポグラフィーを示す。化学機械研磨中にナノトポグラフィーの変化を測定する一手段はパラメータ:ΔRZ/dの値を測定することである。ここで、RZは外形の平均最大高さ、ΔRZはある時点から他の時点、例えば、化学機械研磨の前後におけるRZの変化であり、また、dは同じ時間に取り除かれる物質の量マイクロメートルであり、結果はナノメートルで表される。図について言及すれば、Rmaxは与えられたサンプリング長さLにおける最大の頂点-谷の高さを表し、RZは5つの隣接するサンプリング長さの5つのRmax値の平均を表す。サンプリング長さLは約5mmである。Rmaxを測定するRZの計算を可能とする適切な技術は、スタイラス形状測定、光学的形状測定、原子間力顕微鏡観察を含む。スタイラス形状測定及び光学的形状測定に適する装置は、例えば、VeecoInstruments社Plainview,NYから入手可能である。望ましくは、本発明の研磨方法はΔRZ/dがゼロ以下となり、すなわち、基板のナノトポグラフィーは本発明の研磨方法を使用した後に変化しない又は改善する。本発明の研磨方法は、化学機械研磨用装置と併せて使用するために特に適している。一般的に、該装置は、使用の際は動いており、かつ、環状、直線状、又は円状運動による速度を有する圧盤と、圧盤と接触し動作中は圧盤と共に動く研磨パッドと、接触して基板を研磨パッドの表面に対して動かすことにより研磨される基板を保持するキャリヤとを備える。基板の研磨は、少なくとも基板の一部を摩耗して基板を研磨するよう、基板を研磨パッドと本発明の研磨用組成物に接触させて設置し、次いで研磨パッドが基板に対して動くことにより行われる。基板は任意の適切な研磨パッド例えば、研磨表面を用いて化学機械研磨用組成物により研磨することができる。適切な研磨パッドは,例えば、織物又は不織物研磨パッドを含むことができる。更に、適切な研磨パッドは様々な密度、堅さ、厚さ、圧縮率、加圧に対する反発性、及び圧縮弾性率を有する任意の適切なポリマーを含むことができる。適切なポリマーは、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、これらと同等の製品、及びこれらの共形成物coformedproduct、及びこれらの混合物を含む。硬質ポリウレタンの研磨パッドは本発明の研磨方法と併せて使用する場合に特に有用である。望ましくは、化学機械研磨装置は更にその場での研磨終点検出システムを備え、それらの多くは本技術分野で知られている。研磨中に基板の表面から反射した光や他の放射線を解析することによる研磨工程の調査及び監視技術は、本技術分野で知られている。そのような方法は、例えば、米国特許第5196353号明細書、米国特許第5433651号明細書、米国特許第5609511号明細書、米国特許第5643046号明細書、米国特許第5658183号明細書、米国特許第5730642号明細書、米国特許第5838447号明細書、米国特許第5872633号明細書、米国特許第5893796号明細書、米国特許第5949927号明細書、及び米国特許第5964643号明細書に記載されている。望ましくは、研磨されている基板に関する研磨工程の進行の調査又は監視は、研磨終点の決定を可能にする。即ち、ある特定の基板に関していつ研磨工程を終了するかという決定を可能にする。一実施形態において、本発明の方法はシリコンウェハーの本質的にケイ素からなるエッジを研磨する方法を提供する。他の実施形態において、本発明の方法は、ウェハーのケイ素及び酸化ケイ素から本質的になる表面を有するエッジを研磨する方法を提供する。エッジの研磨は本技術分野で周知の技術を用いて行うことができる。例えば、エッジ研磨は日本国神奈川県にあるスピードファン社から提供されているエッジポリッシャーを使用して行うことができる。有利なことに、本発明の研磨方法はシリコンウェハーのケイ素から本質的になる又はケイ素及び酸化ケイ素から本質的になるエッジを研磨するために使用されたとき、改善されたチャッキングマーク性能を示す。エッジ研磨において、シリコンウェハーは通常シリコンウェハー裏側に取り付けられた真空チャックを用いて固定されている。研磨中、該真空はウェハーの裏に研磨用組成物を引きこむことが多く、そこで研磨用組成物が乾燥する場合がある。乾燥した残留物はチャッキングマークと呼ばれる。研磨用組成物の乾燥から生じた残留物が簡単に除去されない場合、ウェハーは研磨後に更に洗浄段階を必要とし、これによって製造コストが加わる。望ましくは、本発明の方法は、乾燥した白色残留物であって更なるウェハーの処理中に簡単に除去されるチャッキングマークを生じさせる。有利なことに、本発明の方法は、ケイ素から本質的になるウェハーのエッジを研磨するために使用されたとき、更に改善された除去率を提供し、それによってウェハーの生産処理量を改善する。これに加えて、ケイ素及び酸化ケイ素から本質的になるウェハーを研磨するために使用されたとき、本発明の方法はケイ素と比較して酸化ケイ素に対する改善された除去率を示し、それによってウェハーのエッジさえも研磨される。他の実施形態において、本発明の方法は、本発明の方法がポリシリコン、TEOS、窒化ケイ素から本質的になる又はこれのみからなるウェハーを研磨するために使用されたとき、TEOS及び窒化ケイ素のような他の物質に対するポリシリコンの改善された除去率を提供する。下記の実施例は本発明を更に説明するものであるが、当然、本発明の範囲を何らかの形に限定するものと解釈すべきではない。[例1]この例は、本発明の研磨用組成物によって達成可能な、有機カルボン酸、アミノホスホン酸、及びテトラアルキルアンモニウム塩の、シリコン基板について観測される除去率及び表面粗さに対する効果を説明する。直径102cm4インチの円形シリコンウェハーを備える7種の類似する基板を7種の異なる研磨用組成物研磨用組成物1A-1Gを用いて研磨した。全ての研磨用組成物は1質量のシリカ、湿式処理シリカ研磨用組成物1A、1B、1D、及び1F又はフュームドシリカ研磨用組成物1C,1E、及び1Gと、0.27質量の水酸化テトラアルキルアンモニウムと、0.05質量の重炭酸カリウムとをpH10.5で水中に含有した。研磨用組成物1A比較例は更に0.017質量のエチレンジアミンテトラ酢酸及び0.067質量のピペラジンを含有した。研磨用組成物1B-1Gは更に0.033質量のジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及び有機カルボン酸を含有し、有機カルボン酸はそれぞれ、0,08質量のマロン酸研磨用組成物1B及び1C、0.067質量の乳酸研磨用組成物1D及び1E、又は0.107質量のリンゴ酸研磨用組成物1F及び1Gであった。研磨した後に、シリコン除去率、及びナノトポグラフィーの変化の大きさ、ΔRZ/d、をそれぞれの研磨用組成物について決定した。結果を表1に要約する。表1で説明した結果から明らかなように、本発明の研磨用組成物は比較例の研磨用組成物による除去率の約79~88のシリコン除去率を示した。しかし、比較例の研磨用組成物は約6nmの表面粗さの増加を示した一方、本発明の研磨用組成物は約0.2nmの表面粗さの減少研磨用組成物1Fから、約0.4nmの表面粗さの増加研磨用組成物1D及び1Eに渡る、研磨による表面粗さの変化を示した。[例2]この例は、本発明の研磨用組成物によって達成可能な、有機カルボン酸、ポリアミノカルボン酸、及びテトラアルキルアンモニウム塩の、シリコン基板について観測される除去率及び表面粗さに対する効果を説明する。直径102cm4インチの円形シリコンウェハーを備える3種の類似する基板を3種の異なる研磨用組成物研磨用組成物2A-2Cを用いて研磨した。研磨用組成物2A比較例は1質量の湿式処理シリカと、0.0167質量のエチレンジアミンテトラ酢酸と、0.067質量のピペラジンと、0.27質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.05質量の重炭酸カリウムとを含有した。研磨用組成物2B実施例は、0.85質量の湿式処理シリカと、0.02質量のエチレンジアミンテトラ酢酸と、0.083質量のシュウ酸と、0.2質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.1質量の重炭酸カリウムとを含有した。研磨用組成物2C実施例は、0.53質量の湿式処理シリカと、0.0167質量のエチレンジアミンテトラ酢酸と、0.007質量のシュウ酸と0.067質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.05質量の重炭酸カリウムとを含有した。研磨した後に、シリコン除去率及びナノトポグラフィーの変化の大きさ、ΔRZ/d、をそれぞれの研磨用組成物について決定した。結果を表2に要約する。表2で説明した結果から明らかなように、本発明の研磨用組成物は比較例の研磨用組成物による除去率の約82~88のシリコン除去率を示した。しかし、比較例の研磨用組成物を使用した研磨による約4nmの表面粗さの増加と比較して、本発明の研磨用組成物は研磨により約4nm及び7nmの表面粗さの減少を示した。[例3]この例は、本発明の研磨用組成物によって達成可能な、有機カルボン酸、ポリアミノカルボン酸、アミン、及びテトラアルキルアンモニウム塩の、シリコン基板について観測される除去率及び表面粗さに対する効果を説明する。直径102cm4インチの円形シリコンウェハーを備える2種の類似する基板を2種の異なる研磨用組成物研磨用組成物3A及び3Bを用いて研磨した。研磨用組成物3A及び3Bは1質量の湿式処理シリカと、0.0167質量のエチレンジアミンテトラ酢酸と、0.067質量のピペラジンと、0.27質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.05質量の重炭酸カリウムとを含有した。研磨用組成物3B実施例は更に0.033質量のベンジル酸を含有した。研磨した後に、シリコン除去率及びナノトポグラフィーの変化の大きさ、ΔRZ/d、をそれぞれの研磨用組成物について決定した。結果を表2に要約する。表3で説明した結果から明らかなように、本発明の研磨用組成物は比較例の研磨用組成物による除去率の約42のシリコン除去率を示した。しかし、比較例の研磨用組成物を使用した研磨による約6nmの表面粗さの増加と比較して、本発明の研磨用組成物は研磨により約6nmの表面粗さの減少を示した。[例4]この例は、本発明の研磨用組成物によって達成可能な、ジオール化合物、ポリアミノカルボン酸、アミン、及びテトラアルキルアンモニウム塩の、シリコン基板について観測される除去率及び表面粗さに対する効果を説明する。直径102cm4インチの円形シリコンウェハーを備える2種の類似する基板を2種の異なる研磨用組成物研磨用組成物4A及び4Bを用いて研磨した。研磨用組成物4A及び4Bは1質量の湿式処理シリカと、0.0167質量のエチレンジアミンテトラ酢酸と、0.067質量のピペラジンと、0.27質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.05質量の重炭酸カリウムとを含有した。研磨用組成物3B実施例は更に0.033質量の2,4-ペンタンジオール即ち、ジオール化合物を含有した。研磨した後に、シリコン除去率及びナノトポグラフィーの変化の大きさ、ΔRZ/d、をそれぞれの研磨用組成物について決定した。結果を表4に要約する。表4で説明した結果から明らかなように、本発明の研磨用組成物は比較例の研磨用組成物による除去率の約82のシリコン除去率を示した。しかし、比較例の研磨用組成物を使用した研磨による約-0.5nmの表面粗さの減少と比較して、本発明の研磨用組成物は研磨により約5nmの表面粗さの減少を示した。[例5]この例は本発明の一実施例におけるチャッキングマーク性能について説明する。ポリ塩化ビニルPVCのシートを含む2種の別々の基板に、2種の異なる研磨用組成物研磨用組成物5A及び5Bを噴霧した。研磨用組成物5A比較例は0.04質量のアミノホスホン酸と、0.2質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.1質量の重炭酸カリウムと、0.044質量のシュウ酸と、0.85質量の湿式処理シリカとを含有した。研磨用組成物5B実施例は、0.02質量のアミノホスホン酸と、0.13質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.7質量の重炭酸カリウムと、0.04質量の水酸化カリウムと、0.022質量の乳酸と、0.67質量の湿式処理シリカとを含有した。噴霧後、該組成物を乾燥させた。研磨用組成物5Aはゲル状の残留物を残した。研磨用組成物5Bは乾いた白色の残留物を残した。[例6]この例は、本発明の研磨用組成物によって達成可能な、シリコン除去率を説明する。2種の別々のシリコン基板を2種の異なる研磨用組成物研磨用組成物6A及び6Bを用いて研磨した。研磨用組成物6A及び6Bは0.02質量のアミノホスホン酸と、0.13質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.7質量の重炭酸カリウムと、0.04質量の水酸化カリウムと、0.022質量の乳酸とを含有した。研磨用組成物6Aは更に10.0質量の湿式処理シリカ、具体的には、NalcoDVSTS006を含有した。研磨用組成物6Bは更に10.0質量の異なる湿式処理シリカ、具体的には、NalcoTX11005を含有した。研磨した後に、シリコン除去率を研磨1分間ごとに除去されたシリコンのmg単位で決定した。研磨用組成物6Aは13.5mgSi/minのシリコン除去率を示した。研磨用組成物6Bは14.2mgSi/minのシリコン除去率を示した。[例7]この例は、本発明の研磨用組成物によって達成可能な、シリコン除去率を説明する。2種の別々のシリコン基板を2種の異なる研磨用組成物研磨用組成物7A及び7Bを用いて研磨した。研磨用組成物7Aは0.004質量のアミノホスホン酸と、0.027質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.007質量の重炭酸カリウムと、0.08質量の水酸化カリウムと、0.013質量の乳酸と、1.2質量のフュームドシリカとを含有した。研磨用組成物7Bは0.004質量のアミノホスホン酸と、0.053質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.013質量の重炭酸カリウムと、0.08質量の水酸化カリウムと、0.027質量の乳酸と、1.2質量のフュームドシリカとを含有した。研磨した後に、シリコン除去率を研磨1分間ごとに除去されたシリコンのmg単位で決定した。研磨用組成物7Aは11.2mgSi/minのシリコン除去率を示した。研磨用組成物7Bは11.8mgSi/minのシリコン除去率を示した。[例8]この例は、本発明の研磨用組成物によって達成可能な、酸化ケイ素の除去率を説明する。2種の別々の酸化ケイ素の基板を2種の異なる研磨用組成物研磨用組成物8A及び8Bを用いて研磨した。酸化ケイ素はテトラエチルオルトケイ酸塩に由来した。研磨用組成物8Aは0.015質量のアミノホスホン酸と、0.1質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.025質量の重炭酸カリウムと、0.3質量の水酸化カリウムと、0.05質量の乳酸と、4.4質量のフュームドシリカとを含有した。研磨用組成物8Bは0.015質量のアミノホスホン酸と、0.2質量の水酸化テトラメチルアンモニウムを、0.05質量の重炭酸カリウムと、0.3質量の水酸化カリウムと、0.1質量の乳酸と、4.3質量のフュームドシリカとを含有した。研磨した後に、酸化ケイ素除去率を研磨1分間ごとに除去されたシリコンのmg単位で決定した。研磨用組成物8Aは2.7mgSiO/minの酸化ケイ素除去率を示した。研磨用組成物8Bは4.9mgSiO/minの酸化ケイ素除去率を示した。[例9]この例は、本発明の研磨用組成物を用いることにより達成可能な、窒化ケイ素及び酸化ケイ素を含む誘電物質に対するポリシリコンの研磨選択性を説明する。ポリシリコン、窒化ケイ素、又は酸化ケイ素TEOSのブランケット層を備える類似の基板を11種の異なる研磨用組成物研磨用組成物9A-9Kを用いて別々の実験でそれぞれ研磨した。それぞれの構成成分の量質量は研磨用組成物の総質量に対するものである。研磨用組成物9A実施例は最初に濃縮物の形態で調製し、0.44質量のアミノホスホン酸DEQUESTTM2000EGと、4.0質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.80質量の水酸化カリウムと、1.3質量の重炭酸カリウムと、0.17質量の1,2,4-トリアゾールと、13質量のカリウム-安定化コロイダルシリカNALCOTMDVSTS006と、0.066質量の多糖ヒドロキシエチルセルロース、分子量=80,000g/molと、水とを含有した。使用前に、研磨用組成物9Aは研磨剤の濃度が0.83質量となるよう水で希釈した。研磨用組成物9B比較例は最初に濃縮物の形態で調製し、0.44質量のアミノホスホン酸DEQUESTTM2000EGと、2.6質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、0.80質量の水酸化カリウムと、1.3質量の重炭酸カリウムと、0.33質量の1,2,4-トリアゾールと、13質量のカリウム-安定性コロイダルシリカNALCOTMDVSTS006と、水とを含有した。使用前に、研磨用組成物9Bは研磨剤の濃度が0.83質量となるよう水で希釈した。研磨用組成物9C比較例は、最初に濃縮物の形態で調製し、25質量のフュームドシリカ粒子サイズ100nmと、水とを含有し、pHは少量の水酸化カリウムによりpH10に調整した。使用前に、研磨用組成物9Cは研磨剤の濃度が12質量となるよう水で希釈した。研磨用組成物9D比較例は最初に濃縮物の形態で調製し、0.060質量の多糖ヒドロキシエチルセルロース、分子量=80,000と、0.75質量の水酸化カリウムと、0.55質量のマロン酸と、4.0質量の縮合重合の高純度コロイダルシリカFUSO登録商標PL-2と、水とを含有した。使用前に、研磨用組成物9Dは研磨剤の濃度が0.20質量となるよう水で希釈した。研磨用組成物9E比較例は最初に濃縮物の形態で調製し、1.0質量のピペラジンと、0.25質量のエチレンジアミンテトラ酢酸EDTAと、0.75質量の重炭酸カリウムと、4.0質量の水酸化テトラメチルアンモニウムと、15質量のフュームドコロイダルシリカ粒子サイズ55nmと、水とを含有した。使用前に、研磨用組成物9Eは研磨剤の濃度が0.94質量となるよう水で希釈した。研磨用組成物9F比較例及び9G比較例は、最初にpH4-5において濃縮物の形態で調製し、4.0質量のイオン交換コロイダルシリカNALCO登録商標1034Aと、0.40質量の水酸化テトラブチルホスホニウムと、水とを含有した。使用前に、研磨用組成物9Fは研磨剤の濃度が1.0質量となるよう水で希釈し、研磨用組成物9Gは濃縮物の形態で使用した。研磨用組成物9H比較例はpH8.5において調製され、1.0質量のカリウム-安定性コロイダルシリカNALCO登録商標DVSTS006と、0.020質量のアミノホスホン酸DEQUESTTM2000EGと、0.020質量のポリオキシプロピレンジアミンJEFFAMINETMD400;分子量=400と、0.0050質量の水酸化アンモニウムと、水とを含有し、組成物9Hは調製されたままの状態で使用した。研磨用組成物9I比較例は5.0質量のフュームドシリカ粒子サイズ100nmと、0.060質量のDMAMP-80TM2-ジメチルアミノ-2-メチル-1-プロパノール80、水20と、0.024質量のシュウ酸と、0.0010のKATHONTM殺生物剤と、水とを含有し、組成物9Iは調製されたままの状態で使用した。研磨用組成物9J比較例及び9K比較例は最初に濃縮物の形態で調製し、0.15質量の酢酸、6.0質量のアルミニウムでドープされたコロイダルシリカNALCO登録商標TX13517と、10ppmのKATHONTM殺生物剤と、及び水とを含有した。使用前に、研磨用組成物9J及び9Kは研磨剤の濃度がそれぞれ1質量及び2質量となるよう水で希釈した。ポリシリコンPolySi、窒化ケイ素Si3N4、及び酸化ケイ素TEOSのブランケット層を備える基板を、研磨パッド上で基板の下方圧力6.89kPa1psi及び20.68kPa3psiにおいて、研磨用組成物9A-9Kのそれぞれを使用して研磨した。研磨した後に、ポリシリコン、窒化ケイ素及び酸化ケイ素の除去率をそれぞれの研磨用組成物について決定した。ポリシリコンの研磨選択性は、ポリシリコンの除去率を窒化ケイ又はTEOSの除去率で除した値PolySi/Si3N4、PolySi/TEOSにより算出した。結果を表5並びに図2及び図3のプロットに要約する。表5並びに図2及び図3でグラフを用いて描写で説明した結果から明らかなように、6.89kPa1psiでは、研磨用組成物9A実施例及び研磨用組成物9B比較例は、TEOSに対するポリシリコンの良好な選択性を与え高いポリシリコン除去率となった。しかしながら、窒化ケイ素に対するポリシリコンの研磨選択性は比較的低かった。研磨圧力を6.89kPa1psiから20.68kPa3psiに増大したとき、ほとんどの研磨用組成物において、特に研磨用組成物9A及び9Bにおいてより高いポリシリコン除去率が観測された。重要なことに、本発明の研磨用組成物9Aを用いた際は、研磨圧力を6.89kPa1psiから20.68kPa3psiに増大したとき、窒化ケイ素に対するポリシリコンの研磨選択性は10倍向上した。本発明の研磨用組成物9Aと比較して、研磨圧力を6.89kPa1psiから20.68kPa3psiに増大したとき、比較例の研磨用組成物9B-9Kは何れもそのような窒化ケイ素に対するポリシリコンの研磨選択性の大きな向上は示さなかった。[例10]この例は、本発明の研磨用組成物により達成可能な、有利なポリシリコンのディッシング特性を説明する。例9における研磨用組成物9A実施例及び9B比較例を利用して、ポリシリコンで満たされたTEOSのトレンチを備えるパターン化ウェハーを研磨した。研磨パッド上で基板の下方圧力6.89kPa1psi及び20.68kPa3psiにおいて、30、60、及び/又は120秒間研磨を行った。研磨した後に、ポリシリコンで満たされたTEOSのトレンチにおけるポリシリコンのディッシング量を決定した。結果を表6に要約する。表6の結果は、様々な処理条件下研磨圧力及び研磨時間における研磨用組成物9A実施例のディッシング特性は研磨用組成物9B比較例のディッシング特性より低く、従ってより好ましいことを説明する。"