"シリコン細棒1の製造方法であって、a多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも2つの細棒11,12を分離する工程;b前記分離された少なくとも2つの細棒11,12を、材料侵食性液状媒体での処理によって清浄化する工程;c前記清浄化された少なくとも2つの細棒11,12を溶接して、1つのより長い細棒1とする工程;d前記のより長い細棒1をチューブラフィルム100中にパッケージングする工程を含む前記製造方法。少なくとも2つの細棒11,12を溶接して1つのより長い細棒1とした後で、かつそれをパッケージングする前に、前記のより長い細棒1を材料侵食性液状媒体で処理する第二の清浄化を行う、請求項1に記載の方法。工程bによる細棒11,12の処理のための液状媒体と前記のより長い細棒1の第二の清浄化での液状媒体が、HF及びHNO3を含む、請求項1又は2に記載の方法。工程bによる清浄化後の細棒11,12の親水性化と第二の清浄化後の前記のより長い細棒1の親水性化を、オゾンによって行う、請求項2又は3に記載の方法。前記のより長い細棒1を材料侵食性液状媒体で処理した場合に材料侵食が10μm未満である、請求項2から4までのいずれか1項に記載の方法。工程bに従って材料侵食性液状媒体で処理することによって細棒11,12を清浄化した場合に材料侵食がそれぞれ少なくとも10μmである、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。前記のより長い細棒1の第二の清浄化を、材料侵食性液状媒体を含有する、両方の側面にそれぞれ1つの開口部51及び52を有するタンク5中で行い、前記のより長い細棒1は、その清浄化のために前記開口部に徐々に導通され、その際、前記開口部51及び52を介して前記のより長い細棒1に沿って流れ去る材料侵食性液状媒体は、タンク5の下方に配置されたトラフ7で受け止められ、そして再び前記タンク5へと圧送される、請求項2から6までのいずれか1項に記載の方法。前記のより長い細棒1をタンク5に通過させ、そして前記のより長い細棒1を乾燥させた後に、その細棒をチューブラフィルム100中に導入し、パッケージングする、請求項7に記載の方法。少なくとも2つの分離された細棒11,12を溶接して1つのより長い細棒1とすることは、不活性雰囲気中で誘導溶接によって行われる、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。石英で取り囲まれた炭素製の管4の上方に配置された誘導コイル3は、前記細棒11及び12のそれぞれ一方の端部をシリコンの溶融温度超で加熱し、それによって液状シリコンからなる滴が形成し、数分後に誘導コイル3を停止させ、その際、前記細棒11及び12は癒合してより長い細棒1となる、請求項9に記載の方法。従って、本発明の課題は、前記の欠点を回避して従来技術を改善することにあった。前記課題は、シリコン細棒1の製造方法であって、a多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも2つの細棒11,12を分離する工程;b前記分離された少なくとも2つの細棒11,12を、材料侵食性material-eroding液状媒体での処理によって清浄化する工程;c前記清浄化された少なくとも2つの細棒11,12を溶接して、1つのより長い細棒1とする工程;d前記のより長い細棒1をチューブラフィルム100中にパッケージングする工程を含む前記製造方法によって解決される。好ましい実施形態は、従属形式請求項でクレームされている。該方法の出発点は、細棒上に、好ましくはシーメンス法によってシリコンを析出させることによって製造される、多結晶シリコン製のロッドである。この多結晶材料製のロッドは、複数の細棒に切り分けられる。好ましくは、細棒の分離は機械的にソウイングによって行われる。分離された細棒は、引き続き化学的に清浄化される。好ましくは、細棒の溶接前に正確に1つの清浄化工程を行う。この清浄化工程は、好ましくは、クリーンルームクラス100又はそれ未満米国連邦規格USFEDSTD209Eに準拠、ISO14644-1により代替のクリーンルームにおいて行われる。クラス100ISO5では、1リットルあたり最大0.5μm直径の粒子が最大3.5個含まれていてよい。好ましくは、化学的清浄化は、HF/HNO3によって行われる。次いで、それらの細棒は溶接される。清浄化された細棒の溶接は、好ましくは不活性ガス下で行われる。好ましくは、前記溶接は、誘導溶接法によって行われる。本発明を、以下に図面をもとに説明する。実施例1実施例1においては、第二の清浄化工程の場合の1μm未満でのエッチング侵食は、比較的少ない。それに対して、第一の清浄化工程での侵食は30μmである。第一の清浄化工程は、予備清浄化と、主清浄化と、すすぎ工程と、親水性化工程とを含む。予備清浄化の際には、細棒は、5分間にわたり、11質量のHClと5質量のHFと1.5質量のH2O2とからなる混合物中で20°Cの温度において清浄化される。主清浄化は、5分間にわたり8°Cで、6質量のHFと55質量のHNO3と1質量のSiとを有するHF/HNO3混合物中で行われる。エッチング侵食は、約30μmである。引き続き、エッチングされた細棒を、5分間にわたり、18メガオームMOHMを有する22°Cの温かい超純水ですすぐ。最後に、5分間の親水性化を、20ppmのオゾンで飽和された22°Cの温かい水中で行う。最後に、その細棒を、60分間にわたり、クリーンルームクラス100の超純粋な空気で80°Cにおいて乾燥させる。清浄化された細棒の溶接後に、溶接によってシリコン表面上に達した粒子の除去のために第二の化学的清浄化が行われる。材料侵食は、その際1μm未満である。予備清浄化の際には、細棒は、5分間にわたり、11質量のHClと5質量のHFと1.5質量のH2O2とからなる混合物中で20°Cの温度において清浄化される。主清浄化は、0.1分間にわたり8°Cで、6質量のHFと55質量のHNO3と1質量のSiとを有するHF/HNO3混合物中で行われる。エッチング侵食は、約30μmである。引き続き、エッチングされた細棒を、5分間にわたり、18メガオームMOHMを有する22°Cの温かい超純水ですすぐ。最後に、5分間の親水性化を、20ppmのオゾンで飽和された22°Cの温かい水中で行う。最後に、その細棒を、60分間にわたり、クリーンルームクラス100の超純粋な空気で80°Cにおいて乾燥させる。金属及びドーパントでの汚染に関して、実施例1からの21本の細棒を調査した。第3表は、実施例1についての金属による表面汚染pptwを示している。第3表第4表は、実施例1についてのドーパント濃度pptaを示している。第4表金属汚染の明らかな低減第1表を参照も、B、P、Al及びAsでの汚染の低減第2表を参照も、第二の清浄化工程によって明らかである。実施例2実施例2においては、第二の清浄化工程での約30μmでのエッチング侵食は、実施例1におけるよりも明らかに高い。より高いエッチング侵食のその成果に対する影響を、その際より詳細に調査されるべきである。第一の清浄化工程での侵食は、実施例1と同様に30μmである。第一の清浄化工程は、あらためて、予備清浄化と、主清浄化と、すすぎ工程と、親水性化工程とを含む。予備清浄化の際には、細棒は、5分間にわたり、11質量のHClと5質量のHFと1.5質量のH2O2とからなる混合物中で20°Cの温度において清浄化される。主清浄化は、5分間にわたり8°Cで、6質量のHFと55質量のHNO3と1質量のSiとを有するHF/HNO3混合物中で行われる。エッチング侵食は、約30μmである。引き続き、エッチングされた細棒を、5分間にわたり、18メガオームMOHMを有する22°Cの温かい超純水ですすぐ。最後に、5分間の親水性化を、20ppmのオゾンで飽和された22°Cの温かい水中で行う。最後に、その細棒を、60分間にわたり、クリーンルームクラス100の超純粋な空気で80°Cにおいて乾燥させる。清浄化された細棒の溶接後に、溶接によってシリコン表面上に達した粒子の除去のために第二の化学的清浄化が行われる。材料侵食は、その際約30μmである。予備清浄化の際には、細棒は、5分間にわたり、11質量のHClと5質量のHFと1.5質量のH2O2とからなる混合物中で20°Cの温度において清浄化される。主清浄化は、5分間にわたり8°Cで、6質量のHFと55質量のHNO3と1質量のSiとを有するHF/HNO3混合物中で行われる。エッチング侵食は、約30μmである。引き続き、エッチングされた細棒を、5分間にわたり、18メガオームMOHMを有する22°Cの温かい超純水ですすぐ。最後に、5分間の親水性化を、20ppmのオゾンで飽和された22°Cの温かい水中で行う。最後に、その細棒を、60分間にわたり、クリーンルームクラス100の超純粋な空気で80°Cにおいて乾燥させる。金属及びドーパントでの汚染に関して、実施例2からの21本の細棒を調査した。第5表は、実施例2についての金属による表面汚染pptwを示している。第5表第6表は、実施例2についてのドーパント濃度pptaを示している。第6表実施例1に対して、汚染の改善は、鉄、カルシウム、マグネシウム、カリウム、ナトリウム、アルミニウム、チタン及びドーパントであるホウ素、リン、アルミニウム及びヒ素の場合に判明している。実施例2の結果は、金属汚染に関するより高いエッチング侵食は、鉄及び環境元素であるカリウム、マグネシウム、カリウム、ナトリウム、アルミニウム、チタンの場合に更なる軽い改善をもたらすことを示している。B、P、Al及びAsの濃度は、同様に低下する。しかしながら、本発明の範囲において、好ましい第二の清浄化工程では、10μm未満の小さいエッチング侵食が好ましい。5μm未満のエッチング侵食が特に好ましく、2μm未満のエッチング侵食が殊に好ましい。細棒の第一の清浄化において、10μm以上のエッチング侵食が好ましい。少なくとも20μmのエッチング侵食が特に好ましく、少なくとも30μmのエッチング侵食が殊に好ましい。従来からの経験によれば、純粋なプラスチック製の清浄化装置用のエッチングタンクは、最大で、4mの外側長さ及び3.2mの内側長さを達成できる。3.2m超の長さを有する細棒の清浄化は、従ってこのエッチングタンクを用いては不可能である。しかしながら、2つの細棒の溶接の後に、細棒の長さは3.2m超に至り、これは好ましい第二の清浄化工程の使用のために別の溶液を必要とする。本発明者は、より小さいエッチングタンクも長い細棒の清浄化のために適していることを見出した。非常に長い細棒1の上記の簡潔な第二のエッチング工程は、特に好ましくは、細棒1よりも短い長さのタンク5中で実施できる。このタンク5は、側面にそれぞれ1つの開口部51もしくは52を有し、それらの開口部に長い細棒1が導通されうる。前記の開口部51及び52で細棒1に沿って流れ去るエッチング液6は、その下方にあるトラフWanne;trough7で受け止められ、そしてポンプ8によって導管81を介して再びエッチングタンク5へと圧送されるので、エッチング液6の流出と返送との間に平衡が存在する。細棒1をエッチングタンク5に通過させ、該細棒1を乾燥させた後に、細棒は、ほとんど間髪入れずに、パッケージングのためにチューブラフィルム100中に導入されてよい。その場合、更なる付加的な汚染は回避される。その場合、乾燥は、粒子を取り除いた熱気によって行うことができ、前記の熱気は細棒1に対して吹き付けられる。相応の乾燥装置は符号9によって図示されている。細棒1の前進速度とエッチングタンク5の長さは、エッチングタンク5中の滞留時間、ひいてはエッチング侵食を決める。この方法の従来のエッチングタンク5中でのエッチングと比べた利点は、一方で、少ない装置の所要床面積であり、他方で、より柔軟性のある構造である。それというのも、示された原理では、種々のエッチング工程及びすすぎ工程を有するカスケードも実現でき、非常にコンパクトな構造様式で構成することができるからである。また親水性化のための工程は、問題なく作業手順において使用することができる。従来の構造様式のエッチングタンク5で使用される、細棒1を一方のタンクから別のタンクへと輸送するためのグリッパGreifer;gripperは、この方法では必要ない。この非常にモジュラー式の構造様式では、細棒1を簡単に熱気で乾燥させる簡単な乾燥装置9も組み入れることができる。HF/オゾン乾燥機も考えられ、細棒1を最後のエッチング浴中で希釈されたHF/水溶液に通すことが特に好ましい。容器開口部51もしくは52からの出口では、まだHF/水の層が細棒1上に存在し、その層には、オゾン流が細棒1の輸送方向に向かって吹きかけられる。オゾンは、細棒1上の液膜中に溶け込み、該液膜の表面張力を変えるので、こうしてマランゴニ効果による乾燥が生ずる。不純物のレベルの特別な要求を満たすより長い細棒の使用は、析出反応器中での走行あたりの歩留まりを高めることができるという利点を約束する。従って、本発明は、付加的に純度の高い要求を満たすより長い細棒>3.2mを製造することを可能にする。不純物は、1012原子/cm2もしくは原子/cm3未満である3.2m超の長さを有する細棒は、2つ又はそれより多くのより短い細棒を接合して1つの長い細棒とすることによって製造することができる。3.2m未満の長さを有する溶接された細棒の使用でさえも、析出プロセスの間に利点を提供することが判明した。溶接箇所は完成した細棒の応力挙動を明らかに変えるので、シーメンス反応器中で該反応器の停止時に室温に冷却した場合に崩壊率Umfallrate;rateofcollapseは明らかに低下する。それは、本発明による方法の付加的な予想されない効果である。ソウイングされたが事前に清浄化されていない細棒の溶接によって、その溶接箇所で表面での金属濃度は、1016原子/cm2超に高められる。500°Cを超える溶接時の高温によって、その際に、金属製の不純物とその他の粒状の不純物は、シリコン細棒のバルク中に拡散する。かかるバルク中の不純物は、表面清浄化によってはもはや除去できない。本発明による方法により、細棒の清浄化を溶接前に必須のものとして要求することで、それは回避される。"