一面側に第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層を有する第1導電型の半導体基板と、前記不純物拡散層に電気的に接続して前記半導体基板の一面側に形成された受光面側電極と、前記半導体基板の他面側に形成された裏面側電極と、を備え、前記半導体基板の他面側の表面に第1凹凸形状を有し、前記半導体基板の一面側の表面の少なくとも一部に前記第1凹凸形状よりも低い光反射率を有する第2凹凸形状を有し、前記半導体基板の一面側の光反射率が前記半導体基板の他面側の光反射率よりも低いこと、を特徴とする太陽電池セル。前記半導体基板の一面側の表面における前記第2凹凸形状が形成されていない領域には前記第1凹凸形状を有すること、を特徴とする請求項1に記載の太陽電池セル。前記半導体基板が単結晶シリコン基板であり、前記第1凹凸形状は、略4角錐形状の凹凸からなり、前記第2凹凸形状は、略半球状の凹凸からなること、を特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池セル。前記半導体基板の他面側における波長300nm~1200nmの光源に対する最低光反射率が30より大であり、前記半導体基板の一面側における波長300nm~1200nmの光源に対する最低光反射率が30以下であること、を特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の太陽電池セル。第1導電型の半導体基板の一面側および他面側に対して異方性エッチングを施して第1凹凸形状を前記半導体基板の一面側および他面側に形成する第1工程と、前記第1凹凸形状が形成された前記半導体基板の一面側の光反射率が所定の基準を満たさない場合に、前記半導体基板の一面側に対して等方性エッチングを施して前記第1凹凸形状を加工することにより、前記第1凹凸形状よりも低い光反射率を有する第2凹凸形状を前記半導体基板の一面側に形成する第2工程と、前記第1凹凸形状が形成された前記半導体基板の一面側の光反射率が所定の基準を満たす場合、または前記第2凹凸形状を前記半導体基板の一面側に形成した後に、前記半導体基板の一面側に第2導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成する第3工程と、前記不純物拡散層に電気的に接続する電極を前記半導体基板の一面側に形成する第4工程と、前記半導体基板の他面側に電気的に接続する電極を形成する第5工程と、を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。前記第2工程では、前記半導体基板の一面側の表面における一部に前記第2凹凸形状が形成されること、を特徴とする請求項5に記載の太陽電池セルの製造方法。前記半導体基板が単結晶シリコン基板であり、前記第1工程では、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングにより略4角錐形状の凹凸からなる前記第1凹凸形状を形成し、前記第2工程では、酸溶液を用いたウエットエッチングにより略半球状の凹凸からなる前記第2凹凸形状を形成すること、を特徴とする請求項5または6に記載の太陽電池セルの製造方法。前記半導体基板の他面側における波長300nm~1200nmの光源に対する最低光反射率を30より大とし、前記半導体基板の一面側における波長300nm~1200nmの光源に対する最低光反射率を30以下とすること、を特徴とする請求項5~7のいずれか1つに記載の太陽電池セルの製造方法。請求項1~4のいずれか1つに記載の太陽電池セルの少なくとも2つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、を特徴とする太陽電池モジュール。しかしながら、製造工程中の様々な要因により、テクスチャーの形状が、最適化された形状から逸脱した形状となった基板が発生する。このような基板を使用して製造された太陽電池セルは、光反射率が上昇し、最終的には太陽電池セルの光電変換効率が低下する。このため、この太陽電池セルは製品として出荷できず、太陽電池セルの歩留まりが低下する、という問題がある。また、アルカリテクスチャー法により形成された光反射率が良好ではない場合にテクスチャー形状を形成し直す目的で、再度アルカリテクスチャー法によるエッチングを実施することが考えられる。しかし、この場合は、光反射率は更に悪化する。また、太陽電池セルは長期間使用されるため、長期にわたって出力を維持できる信頼性を確保することも極めて重要な課題である。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、テクスチャーの形状に起因した光電変換効率の低下が防止され、光電変換効率、歩留まりおよび信頼性に優れた太陽電池セルとその製造方法、および太陽電池モジュールを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池セルは、一面側に第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層を有する第1導電型の半導体基板と、前記不純物拡散層に電気的に接続して前記半導体基板の一面側に形成された受光面側電極と、前記半導体基板の他面側に形成された裏面側電極と、を備え、前記半導体基板の他面側の表面に第1凹凸形状を有し、前記半導体基板の一面側の表面の少なくとも一部に前記第1凹凸形状よりも低い光反射率を有する第2凹凸形状を有し、前記半導体基板の一面側の光反射率が前記半導体基板の他面側の光反射率よりも低いこと、を特徴とする。本発明によれば、光電変換効率、歩留まりおよび信頼性に優れた太陽電池セルが得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる太陽電池セルとその製造方法、および太陽電池モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。実施の形態図1-1~図1-3は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル1の構成を説明するための図である。図1-1は、受光面側から見た太陽電池セル1の上面図である。図1-2は、受光面と反対側裏面から見た太陽電池セル1の下面図である。図1-3は、太陽電池セル1の要部断面図であり、図1-1のA-A方向における要部断面図である。太陽電池セル1は、住宅用等に使用されるシリコン太陽電池である。本実施の形態にかかる太陽電池セル1においては、p型単結晶シリコンからなる半導体基板2の受光面側にリン拡散によってn型不純物拡散層3が形成されて、pn接合を有する半導体基板11が形成されているとともに、n型不純物拡散層3上にシリコン窒化膜SiN膜よりなる反射防止膜4が形成されている。なお、半導体基板2としてはp型単結晶のシリコン基板に限定されず、n型の単結晶シリコン基板を用いてもよい。また、図1-3に示されるように、半導体基板11の受光面側n型不純物拡散層3および裏面側の表面には、微小凹凸により構成されるテクスチャー構造が形成されている。テクスチャー構造は、受光面において外部からの光を吸収する面積を増加し、受光面における光反射率を抑え、光を閉じ込める構造となっている。ここで、本実施の形態にかかる太陽電池セル1では、半導体基板11の受光面側と裏面側とに、異なる形状のテクスチャー構造が形成されている。半導体基板11の裏面側には、シリコン111面が露出した略4角錐形状の微小凹凸からなる第1テクスチャー構造2aが形成されている。また、半導体基板11の受光面側には、お椀状略半球状の微小凹凸からなる第2テクスチャー構造2bが形成されている。第2テクスチャー構造2bのお椀状略半球状の微小凹凸形状は、後述するように第1テクスチャー構造2aの略4角錐形状の微小凹凸がエッチングされて形成されたものである。お椀状略半球状のテクスチャー形状は、略4角錐形状のテクスチャー形状よりも低い光反射率を実現できる。そして、第2テクスチャー構造2bは、第1テクスチャー構造2aよりも低い光反射率を有する。すなわち、本実施の形態にかかる太陽電池セル1では、半導体基板11の受光面側と裏面側とには、異なる形状の微小凹凸からなるテクスチャー構造が形成されている。そして、半導体基板11の受光面側のテクスチャー形状は、半導体基板11の裏面側のテクスチャー形状よりも低い光反射率を有する。反射防止膜4は、シリコン窒化膜SiN膜、シリコン酸化膜SiO2膜や酸化チタン膜TiO2膜などの反射防止を目的とした絶縁膜からなる。また、半導体基板11の受光面側には、長尺細長の表銀グリッド電極5が複数並べて設けられ、この表銀グリッド電極5と導通する表銀バス電極6が該表銀グリッド電極5と略直交するように設けられており、それぞれ底面部においてn型不純物拡散層3に電気的に接続している。表銀グリッド電極5および表銀バス電極6は銀材料により構成されている。表銀グリッド電極5は、例えば100μm~200μm程度の幅を有するとともに2mm程度の間隔で略平行に配置され、半導体基板11の内部で発電した電気を集電する。また、表銀バス電極6は、例えば1mm~3mm程度の幅を有するとともに太陽電池セル1枚当たりに2本~4本配置され、表銀グリッド電極5で集電した電気を外部に取り出す。そして、表銀グリッド電極5と表銀バス電極6とにより第1電極である受光面側電極12が構成される。受光面側電極12は、半導体基板11に入射する太陽光を遮ってしまうため、可能なかぎり面積を小さくすることが発電効率向上の観点では望ましく、図1-1に示すような櫛型の表銀グリッド電極5とバー状の表銀バス電極6として配置してするのが一般的である。シリコン太陽電池セルの受光面側電極の電極材料には、通常、銀ペーストが用いられ、例えば、鉛ボロンガラスが添加されている。このガラスはフリット状のもので、例えば、鉛Pb5~30wt、ボロンB5~10wt、シリコンSi5~15wt、酸素O30~60wtの組成から成り、さらに、亜鉛やカドミウムCdなども数wt程度混合される場合もある。このような鉛ボロンガラスは、数百°C例えば、800°Cの加熱で溶解し、その際にシリコンを侵食する性質を有している。また一般に、結晶系シリコン太陽電池セルの製造方法においては、このガラスフリットの特性を利用して、シリコン基板と銀ペーストとの電気的接触を得る方法が用いられている。一方、半導体基板11の裏面受光面と反対側の面には、全体にわたってアルミニウム材料からなる裏アルミニウム電極7が設けられ、また表銀バス電極6と略同一方向に延在して銀材料からなる裏銀電極8が設けられている。そして、裏アルミニウム電極7と裏銀電極8とにより第2電極である裏面側電極13が構成される。また、裏アルミニウム電極7には、半導体基板11を通過する長波長光を反射させて発電に再利用するBSRBackSurfaceReflection効果も期待している。上記のような受光面側電極12の材料としては銀を、裏面側電極の材料としてはアルミニウムと必要に応じて一部領域には銀を主成分とする材料を用いることが、低コストおよび性能向上の観点で一般的である。また、半導体基板11の裏面受光面と反対側の面側の表層部には、高濃度不純物を含んだp層BSFBackSurfaceField9が形成されている。p層BSF9は、BSF効果を得るために設けられ、p型層半導体基板2中の電子が消滅しないようにバンド構造の電界でp型層半導体基板2電子濃度を高めるようにする。このように構成された太陽電池セル1では、太陽光が太陽電池セル1の受光面側から半導体基板11のpn接合面半導体基板2とn型不純物拡散層3との接合面に照射されると、ホールと電子が生成する。pn接合部の電界によって、生成した電子はn型不純物拡散層3に向かって移動し、ホールはp層9に向かって移動する。これにより、n型不純物拡散層3に電子が過剰となり、p層9にホールが過剰となる結果、光起電力が発生する。この光起電力はpn接合を順方向にバイアスする向きに生じ、n型不純物拡散層3に接続した受光面側電極12がマイナス極となり、p層9に接続した裏アルミニウム電極7がプラス極となって、図示しない外部回路に電流が流れる。以上のように構成された本実施の形態にかかる太陽電池セル1では、半導体基板11の受光面側と裏面側とにおいて、異なる形状のテクスチャー構造が形成されている。そして、半導体基板11の受光面側のテクスチャー形状は、半導体基板11の裏面側のテクスチャー形状よりも低い光反射率を有する。すなわち、本実施の形態にかかる太陽電池セル1では、半導体基板11の裏面側には、シリコン111面が露出した略4角錐形状の微小凹凸からなる第1テクスチャー構造2aが形成されている。また、半導体基板11の受光面側には、お椀状略半球状の微小凹凸からなる第2テクスチャー構造2bが形成されている。お椀状略半球状のテクスチャー形状は、略4角錐形状のテクスチャー形状よりも低い光反射率を有するため、本実施の形態にかかる太陽電池セル1では半導体基板11の受光面側において良好な光反射率が得られ、テクスチャーの形状に起因した光電変換効率の低下が防止される。これにより、太陽電池セル1の光電変換効率を高効率化することが可能となる。また、本実施の形態にかかる太陽電池セル1は、半導体基板11の受光面側に第2テクスチャー構造2bを有することで、長期間にわたって光電変換効率を維持できる高い信頼性が確保される。また、第2テクスチャー構造2bは、アルカリテクスチャー法により形成された第1テクスチャー構造2aを酸テクスチャー法によりテクスチャー形状を再加工することで形成されている。これにより、第1テクスチャー構造2aの光反射率が不十分な基板を用いて、良好な光電変換効率を有する太陽電池セル1が実現されており、歩留まりの良好な太陽電池セルが実現されている。したがって、本実施の形態にかかる太陽電池セル1によれば、光電変換効率、歩留まりおよび信頼性に優れた太陽電池セルが実現されている。なお、上記においては、半導体基板として単結晶シリコン基板を用いたシリコン太陽電池を例に説明したが、本発明は、半導体基板としてシリコン以外の物質の基板においても、基板の表面側と裏面側とにおいて異なる形状のテクスチャー構造が形成され、半導体基板の受光面側のテクスチャー構造が半導体基板11の裏面側のテクスチャー構造よりも低い光反射率を有することにより、上記と同様に効果を得ることができる。以下、本実施の形態にかかる太陽電池セル1の製造方法について図面に沿って説明する。図2は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル1の製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。図3-1~図3-8は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル1の製造工程の一例を説明するための断面図である。図3-1~図3-8は、図1-3に対応する要部断面図である。まず、半導体基板2として例えば数百μm厚のp型単結晶シリコン基板を用意する図3-1。p型単結晶シリコン基板は、溶融したシリコンを冷却固化してできたインゴットをワイヤーソーでスライスして製造するため、表面にスライス時のダメージが残っている。そこで、p型単結晶シリコン基板を酸または加熱したアルカリ溶液中、例えば水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して表面をエッチングすることにより、シリコン基板の切り出し時に発生してp型単結晶シリコン基板の表面近くに存在するダメージ領域を取り除く。例えば数~20wt苛性ソーダや炭酸苛性ソーダで10μm~20μm厚だけ表面を除去する。なお、ここでは、半導体基板2に用いるp型シリコン基板として、比抵抗が0.1Ωcm~5Ωcmであり、100面方位のp型単結晶シリコン基板を例に説明する。ダメージ除去に続いて、同様のアルカリ低濃度液、例えば数wtの苛性ソーダや炭酸苛性ソーダ等のアルカリ系の液にIPAイソプロピルアルコール等の異方性エッチングを促進する添加剤を添加した溶液で異方性エッチングを行なう。この異方性エッチングにより、シリコン111面が出るようにp型単結晶シリコン基板の受光面側および裏面側の表面に略4角錐形状の微小凹凸が形成されて第1のテクスチャー構造として第1テクスチャー構造2aが形成されるステップS10、図3-2。すなわち、p型単結晶シリコン基板の表裏面に対して、アルカリ系溶液を用いたウエットエッチングアルカリテクスチャー法によるテクスチャー構造の形成を行う。つぎに、第1テクスチャー構造2aが形成されたp型単結晶シリコン基板の表裏面の光反射率が反射率測定装置により測定され、光反射率が所定の基準を満たすか否かが判別されるステップS20。光反射率の測定において、光反射率が所定の基準を満たさないp型単結晶シリコン基板に対しては更なるテクスチャー工程が実施される。ここで、所定の基準は、例えば300nm~1200nmの光源に対する光反射率が30以下とされる。太陽電池セルは長期間使用される為、その信頼性を確保することは、極めて重要である。発明者が多数の太陽電池セルに対して信頼性試験を行った結果、テクスチャー構造の形成後の光反射率と信頼性試験の結果には、相関があることが分かった。信頼性試験は、自然環境以上の高温、高湿状態において、p型単結晶シリコン基板の表裏面にテクスチャー構造2aが形成された太陽電池セルの劣化を加速させて実施した。図4にその試験結果を示す。図4は、太陽電池セルの信頼性試験の結果を示す図であり、光電変換効率劣化率と最低反射率との関係を示す特性図である。図4における光電変換効率劣化率は、信頼性試験後の太陽電池セルの光電変換効率を信頼性試験前の太陽電池セルの光電変換効率で割ったものである。また横軸の最低反射率は、波長が300nm~1200nm光源に対する光反射率のうち、最も低い値を代表値として採用した。図4から、光反射率が30より大となると信頼性も低下することが分かった。この結果は、波長が300nm~1200nmの光源に対する光反射率が30より大であるp型単結晶シリコン基板を用いて作製された太陽電池セルは、信頼性が不十分な虞があることを示している。アルカリテクスチャー法によるテクスチャー構造の形成処理の後において光反射率が所望の値を満足しない場合はステップS20否定、p型単結晶シリコン基板の表面に対して酸系溶液を用いたウエットエッチング以下、酸テクスチャー法と呼ぶによるテクスチャー構造の形成処理を実施する。酸テクスチャー法によるp型単結晶シリコン基板のエッチングは、アルカリテクスチャー法によるp型単結晶シリコン基板のエッチングとは異なり等方性エッチングである。このため、p型単結晶シリコン基板の表面の面方位に依存せずに、均一にエッチングが進む。したがって、酸テクスチャー法によるエッチングでは、p型単結晶シリコン基板の表面の状態に影響されずに、均一にエッチングが進む。この結果、酸テクスチャー法による再度のエッチングにより、光反射率が良好ではない第1のテクスチャー構造の全部または一部を等方性エッチングして、第2のテクスチャー構造として第2テクスチャー構造2bを形成するステップS30、図3-3。第2テクスチャー構造2bのテクスチャー形状は、お椀状略半球状である。お椀状略半球状のテクスチャー形状は、略4角錐形状のテクスチャー形状よりも低い光反射率を有するため、このような第2テクスチャー構造2bを形成することにより、p型単結晶シリコン基板の表面の光反射率を更に低減させることが可能である。すなわち、第2テクスチャー構造2bが形成されたp型単結晶シリコン基板の表面の光反射率は、第1テクスチャー構造2aが形成された場合よりも低い光反射率となる。本実施の形態では、第1テクスチャー構造2aが形成されたp型単結晶シリコン基板を、体積比率でフッ酸が12に対して硝酸を1にして混合した混合液体積比率が、フッ酸:硝酸=12:1の混合液に、10秒間、表面受光面側を下にして浮かべた。このように酸系薬液にp型単結晶シリコン基板を浮かべながら表面のみをエッチングすることで、エッチング時の発熱や、過剰なエッチングを避けることが可能となる。この後、エッチングされた表面の状態を整えるために、p型単結晶シリコン基板を薄いアルカリ溶液に2~3秒間、浸漬する。ここで、酸テクスチャー法によるエッチング後では、p型単結晶シリコン基板の表面と裏面とでは、酸とアルカリのエッチング特性を反映してエッチング形状テクスチャー形状が異なる。すなわち、第1テクスチャー構造2aのテクスチャー形状は略4角錐形状となるが、第2テクスチャー構造2bのテクスチャー形状はお椀状略半球状となる。なお、図3-3においては、p型単結晶シリコン基板の表面側のテクスチャー形状は、全てお椀状の形状として示しているが、酸テクスチャー法の条件により第1テクスチャー構造2aのテクスチャー形状を一部残した形状となることもある。この場合でも、p型単結晶シリコン基板の表面側のテクスチャー構造全体としての光反射率は、裏面側の第1テクスチャー構造2aの光反射率よりも低くなる。また、酸テクスチャー法によるエッチングは、フッ酸と硝酸との混合液による方法に限定されない。例えば更に光反射率を低減できる第2テクスチャー構造2bを形成可能な方法として、p型単結晶シリコン基板の表面に所望の形状の開口を有するエッチングマスクを形成した後に酸テクスチャー法によるエッチングを実施する方法などがある。また、例えば、JournalofTheElectrochemicalSociety146457461には、酸溶液にリン酸や酢酸を加えることにより、エッチングの制御性が向上することが示されている。更に本文献には、酸テクスチャー法によりエッチングした表面形状をSEM観察した写真が開示されている。この写真によれば、アルカリテクスチャー法によるエッチングではテクスチャー形状がピラミッド形状となるのに対して、酸テクスチャー法によるエッチングではテクスチャー形状がお椀状略半球状となることが分かる。ただし、アルカリテクスチャー法によるエッチングによりp型単結晶シリコン基板上に最適なテクスチャー形状が実現できている場合は、酸テクスチャー法によるエッチングにより形成されたテクスチャー形状よりも、低い光反射率が得られる。このため、通常の太陽電池製造プロセスには、単結晶シリコン基板に対して、酸系溶液よるウエットエッチングを施すことはしない。また、アルカリテクスチャー法によるエッチングにより形成された光反射率が良好ではない場合にテクスチャー形状を形成し直す目的で、再度アルカリテクスチャー法によるエッチングを実施した場合は、光反射率は更に悪化する。これは、アルカリテクスチャー法は、シリコンの111面が出るようにテクスチャー形成が進む異方性エッチングであり、極めて基板表面に敏感な処理である。この為、最初の処理で、基板の表面状態を通常のエッチング前の状態と異なる状態にすると、再度のアルカリテクスチャー法によるエッチングでは、最初に得られたテクスチャー構造の光反射率からさらに光反射率を下げることができない。ここで、通常のエッチング前の状態は、スライス直後の全面が100面となっている状態である。つぎに、半導体基板2にpn接合を形成するステップS40、図3-4。すなわち、リンP等のV族元素を半導体基板2に拡散等させて数百nm厚のn型不純物拡散層3を形成する。ここでは、表面にテクスチャー構造を形成したp型単結晶シリコン基板に対して、熱拡散によりオキシ塩化リンPOCl3を拡散させてpn接合を形成する。これにより、第1導電型層であるp型単結晶シリコンからなる半導体基板2と、該半導体基板2の受光面側に形成された第2導電型層であるn型不純物拡散層3と、によりpn接合が構成された半導体基板11が得られる。この拡散工程では、p型単結晶シリコン基板を例えばオキシ塩化リンPOCl3ガス窒素ガス、酸素ガスの混合ガス雰囲気中で気相拡散法により例えば800°C~900°Cの高温で数十分間、熱拡散させてp型単結晶シリコン基板の表面層にリンPが拡散したn型不純物拡散層3を一様に形成する。半導体基板2の表面に形成されたn型不純物拡散層3のシート抵抗の範囲が30Ω/□~80Ω/□程度である場合に良好な太陽電池の電気特性が得られる。ここで、n型不純物拡散層3は半導体基板2の全面に形成される。このため、半導体基板2の表面受光面と裏面とは電気的に接続された状態である。そこで、この電気的接続を遮断するために、たとえばドライエッチングにより半導体基板2の端面領域をエッチングする図3-5。また、n型不純物拡散層3の形成直後の表面には拡散処理中に表面に堆積したガラス質燐珪酸ガラス、PSG:PhosphoSilicateGlass層が形成されている。このため、半導体基板2をフッ酸水溶液等に浸漬してPSG層をエッチング除去する。つぎに、光電変換効率改善のために、半導体基板11の受光面側の一面に反射防止膜4を一様な厚みで形成するステップS50、図3-6。反射防止膜4の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。反射防止膜4の形成は、例えばプラズマCVD法を使用し、シランSiH4ガスとアンモニアNH3ガスの混合ガスを原材料に用いて、300°C以上、減圧下の条件で反射防止膜4として窒化シリコン膜を成膜形成する。屈折率は例えば2.0~2.2程度であり、最適な反射防止膜厚は例えば70nm~90nmである。また、反射防止膜4の表面形状は、第2テクスチャー構造2bのテクスチャー形状を引き継いだ形状とされる。なお、反射防止膜4として、屈折率の異なる2層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜4の形成方法は、プラズマCVD法の他に蒸着法、熱CVD法などを用いてもよい。なお、このようにして形成される反射防止膜4は絶縁体であることに注意すべきであり、受光面側電極12をこの上に単に形成しただけでは、太陽電池セルとして作用しない。ついで、スクリーン印刷により電極を形成する。まず、受光面側電極12を作製する焼成前。すなわち、半導体基板11の受光面である反射防止膜4上に、表銀グリッド電極5と表銀バス電極6との形状に、ガラスフリットを含む電極材料ペーストである銀ペーストをスクリーン印刷によって塗布した後、銀ペーストを乾燥させるステップS60、図3-7。なお、図中では、表銀グリッド電極5の形状に塗布乾燥された銀ペースト5aのみを示している。つぎに、半導体基板11の裏面側にスクリーン印刷によって、裏アルミニウム電極7の形状に電極材料ペーストであるアルミニウムペースト7aを塗布し、さらに裏銀電極8の形状に電極材料ペーストである銀ペーストを塗布し、乾燥させるステップS70、図3-7。なお、図中ではアルミニウムペースト7aのみを示している。なお、半導体基板11の裏面においてはほぼ全面にアルミニウムペースト7aが塗布される。このため、アルカリテクスチャー法によるエッチングにより形成されたテクスチャー形状は判別し難い。しかし、アルミニウムペースト7aの回り込みを防止する為に、通常、半導体基板11の裏面の外周部にはアルミニウムペースト7aが塗布されない領域が設けられる。したがって、このアルミニウムペースト7aが塗布されない領域において、半導体基板11の裏面のテクスチャー形状を確認可能である。その後、半導体基板11の表面および裏面の電極ペーストを例えば600°C~900°Cで同時に焼成することで、半導体基板11の表側では銀ペースト中に含まれているガラス材料で反射防止膜4が溶融している間に銀材料がシリコンと接触し再凝固する。これにより、受光面側電極12としての表銀グリッド電極5および表銀バス電極6とが得られ、受光面側電極12と半導体基板11のシリコンとの導通が確保されるステップS80、図3-8。このようなプロセスは、ファイヤースルー法と呼ばれる。また、アルミニウムペースト7aも半導体基板11のシリコンと反応して裏アルミニウム電極7が得られ、かつ裏アルミニウム電極7の直下にp層9を形成する。また、銀ペーストの銀材料がシリコンと接触し再凝固して裏銀電極8が得られる図3-8。なお、図中では表銀グリッド電極5および裏アルミニウム電極7のみを示している。以上の工程を実施することにより、図1-1~図1-3に示される本実施の形態にかかる太陽電池セル1が得られる。なお、電極材料であるペーストの半導体基板11への配置の順番を、受光面側と裏面側とで入れ替えてもよい。また、アルカリテクスチャー法によるテクスチャー構造の形成処理の後において光反射率が所望の値を満足する場合はステップS20肯定、ステップS30を行わずに従来と同様にステップS40~ステップS80の工程を実施する。これにより、受光面側および裏面側に第1テクスチャー構造2aが形成された太陽電池セルが得られる。以上のような本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法では、半導体基板11の受光面側と裏面側とにおいて、異なる形状のテクスチャー構造を形成する。そして、半導体基板11の受光面側のテクスチャー構造は、半導体基板11の裏面側のテクスチャー構造よりも低い光反射率を有する。すなわち、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法では、半導体基板11の裏面側にはアルカリテクスチャー法によりシリコン111面が露出した略4角錐形状の微小凹凸からなる第1テクスチャー構造2aを形成する。また、半導体基板11の受光面側には、アルカリテクスチャー法の実施後に酸テクスチャー法によりお椀状略半球状の微小凹凸からなる第2テクスチャー構造2bを形成する。このようなテクスチャー構造形成工程を実施することにより、アルカリテクスチャー法により半導体基板11の受光面側に形成された第1テクスチャー構造2aの光反射率が不十分であり製品に適さない場合でもテクスチャー形状を再加工することで半導体基板11の受光面側において良好な光反射率が得られ、テクスチャーの形状に起因した光電変換効率の低下が防止される。これにより、太陽電池セル1の光電変換効率を高効率化することが可能となる。また、アルカリテクスチャー法により形成された第1テクスチャー構造2aの光反射率が不十分な場合でも、酸テクスチャー法によりテクスチャー形状を再加工することで良好な光電変換効率を有する太陽電池セル1を製造することができる。これにより、アルカリテクスチャー法により形成された第1テクスチャー構造2aの光反射率が不十分な基板も廃却せずに高品質な太陽電池セルに製品化することができ、歩留まりを向上させることができる。また、テクスチャー構造による光反射率と信頼性との間には相関があり、受光面側における光反射率が低い太陽電池セル1は高い信頼性を有する。本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法では、上述したようにテクスチャー構造により受光面側における光反射率が低い太陽電池セル1を作製できるため、長期間にわたって高い信頼性を有する太陽電池セル1を作製できる。したがって、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、光電変換効率、歩留まりおよび信頼性に優れた太陽電池セルを作製することができる。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する太陽電池セル1を複数配列し、隣接する太陽電池セル1同士を電気的に直列または並列に接続することにより、良好な光閉じ込め効果を有し、信頼性、光電変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、隣接する太陽電池セルの一方の表銀バス電極6と他方の裏銀電極8とを電気的に接続すればよい。そして、これらを絶縁層で覆ってラミネートするラミネート工程を行う。これにより、複数の太陽電池セル1から構成される太陽電池モジュールが作製される。