半導体素子と、前記半導体素子の表面に形成された表面電極に対して接続された導電部材と、前記半導体素子の裏面電極に対して接合された導電性金属板と、前記導電性金属板に対し、前記半導体素子が接合された側の反対側に接合されたセラミックス板と、前記セラミックス板の前記導電性金属板に接合された側の反対側の面が露出した状態で、前記半導体素子、前記導電性金属板、前記セラミックス板および前記導電部材を覆う封止体と、を備えた半導体装置。前記導電部材に対し、前記表面電極が接続された側の反対側に接合された表側金属板と、前記表側金属板に対し、前記導電部材が接合された側の反対側に接合された表側セラミックス板と、を備え、前記表側セラミックス板は、前記表側金属板に接合された側の反対側の面が前記封止体から露出している請求項1記載の半導体装置。前記導電性金属板あるいは前記表側金属板は、前記半導体素子または前記導電部材に接合される前に、予め前記セラミックス板または前記表側セラミックス板に対して接合されている請求項1または2に記載の半導体装置。前記セラミックス板または前記表側セラミックス板は、アルミナにより形成され、前記導電性金属板あるいは前記表側金属板は、アルミニウム板により形成されている請求項1乃至3のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。前記セラミックス板または前記表側セラミックス板は、窒化アルミニウムにより形成され、前記導電性金属板あるいは前記表側金属板は、アルミニウム板により形成されている請求項1乃至3のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。前記セラミックス板または前記表側セラミックス板は、窒化ケイ素により形成され、前記導電性金属板あるいは前記表側金属板は、銅板により形成されている請求項1乃至3のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。しかしながら、特許文献1に記載された半導体装置は、半導体素子の下面に素子搭載部材、絶縁シートおよび金属シートが接合された3層構造となっており、熱抵抗の低減に対しては未だ不十分な構成であった。また、素子搭載部材、絶縁シートおよび金属シートを含んだ3層構造により、半導体装置の厚み方向の寸法が増大するという課題もあった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、冷却性に優れコンパクトな半導体装置を提供することにある。上述した課題を解決するために、請求項1に係る半導体装置の発明の構成は、半導体素子と、半導体素子の表面に形成された表面電極に対して接続された導電部材と、半導体素子の裏面電極に対して接合された導電性金属板と、導電性金属板に対し、半導体素子が接合された側の反対側に接合されたセラミックス板と、セラミックス板の導電性金属板に接合された側の反対側の面が露出した状態で、半導体素子、導電性金属板、セラミックス板および導電部材を覆う封止体と、を備えたことである。請求項2に係る発明の構成は、請求項1の半導体装置において、導電部材に対し、表面電極が接続された側の反対側に接合された表側金属板と、表側金属板に対し、導電部材が接合された側の反対側に接合された表側セラミックス板と、を備え、表側セラミックス板は、表側金属板に接合された側の反対側の面が封止体から露出していることである。請求項3に係る発明の構成は、請求項1または2の半導体装置において、導電性金属板あるいは表側金属板は、半導体素子または導電部材に接合される前に、予めセラミックス板または表側セラミックス板に対して接合されていることである。請求項4に係る発明の構成は、請求項1乃至3のうちのいずれかの半導体装置において、セラミックス板または表側セラミックス板は、アルミナにより形成され、導電性金属板あるいは表側金属板は、アルミニウム板により形成されていることである。請求項5に係る発明の構成は、請求項1乃至3のうちのいずれかの半導体装置において、セラミックス板または表側セラミックス板は、窒化アルミニウムにより形成され、導電性金属板あるいは表側金属板は、アルミニウム板により形成されていることである。請求項6に係る発明の構成は、請求項1乃至3のうちのいずれかの半導体装置において、セラミックス板または表側セラミックス板は、窒化ケイ素により形成され、導電性金属板あるいは表側金属板は、銅板により形成されていることである。請求項1に係る半導体装置によれば、導電性金属板に接合されたセラミックス板が十分な機械的強度と絶縁耐圧を有しているため、半導体素子の裏面側を、導電性金属板と、導電性金属板に接合されたセラミックス板とによる2層構造にすることができる。これにより、半導体素子から導電性金属板およびセラミックス板を介した経路の熱抵抗を低減でき、半導体素子の冷却性を向上させることができる。また、半導体素子の裏面側を、導電性金属板およびセラミックス板による2層構造にしたことにより、半導体装置を厚み方向に小型化することができる。請求項2に係る半導体装置によれば、導電部材に対し、表面電極が接続された側の反対側に接合された表側金属板と、表側金属板に対し、導電部材が接合された側の反対側に接合された表側セラミックス板と、を備え、表側セラミックス板は、表側金属板に接合された側の反対側の面が封止体から露出していることにより、半導体素子の表面側にも放熱構造を形成することができ、半導体装置の冷却性をさらに向上することができる。請求項3に係る半導体装置によれば、導電性金属板あるいは表側金属板は、半導体素子または導電部材に接合される前に、予めセラミックス板または表側セラミックス板に対して接合されていることにより、セラミックス板または表側セラミックス板の半導体素子への接続工程および封止工程を容易に行うことができ、低コストの半導体装置にすることができる。請求項4に係る半導体装置によれば、セラミックス板または表側セラミックス板は、アルミナにより形成され、導電性金属板あるいは表側金属板は、アルミニウム板により形成されていることにより、軽量で機械的強度の大きい半導体装置にすることができる。請求項5に係る半導体装置によれば、セラミックス板または表側セラミックス板は、窒化アルミニウムにより形成され、導電性金属板あるいは表側金属板は、アルミニウム板により形成されていることにより、軽量で放熱性のよい半導体装置にすることができる。請求項6に係る半導体装置によれば、セラミックス板または表側セラミックス板は、窒化ケイ素により形成され、導電性金属板あるいは表側金属板は、銅板により形成されていることにより、耐熱性が高く放熱性のよい半導体装置にすることができる。<実施形態1>図1に基づき、本発明の実施形態1による半導体装置1について説明する。本実施形態による半導体装置1の用途は特定のものに限られず、あらゆる電子回路に適用することが可能である。尚、説明中において、図1における上方を半導体装置1の上方とし、下方を半導体装置1の下方とする。また、半導体チップ2の上方の面を半導体チップ2の表面とし、下方の面を半導体チップ2の裏面として説明する。半導体装置1の半導体チップ2半導体素子に該当するは、IGBT、パワートランジスタ、パワーICといったスイッチング機能を有するパワー半導体であるが、本発明による半導体装置1に使用可能なものは、特にこれに限定されるものではない。半導体チップ2の表面には、複数の電極パッド3a、3b表面電極に該当するが形成されている。また、半導体チップ2の裏面には、裏面電極3cが形成されている。図1に示すように、半導体チップ2の電極パッド3a、3bには、金属ワイヤ4によってリード端子5aおよび制御リード端子5bともに導電部材に該当するがそれぞれ接続されているワイヤボンディング。リード端子5aおよび制御リード端子5bは外部との間で信号伝達を行う部材であり、ともに銅板あるいはアルミニウム板等の導電板材により形成されている。金属ワイヤ4は、金線あるいはアルミニウムにより形成されており、電極パッド3a、3bとリード端子5aおよび制御リード端子5bは、ボールボンディングあるいはウェッジボンディング等によって接続されている。一方、半導体チップ2の裏面電極3cには、はんだ6によりダイパッド7導電性金属板に該当するが接合されているはんだボンディング。ダイパッド7は略平板状を呈し、銅、アルミニウム等の導電性金属によって一体に形成されている。半導体チップ2に対して、ダイパッド7は共晶金属結合法あるいは導電性樹脂材料による樹脂接着法等によって接合してもよい。また、封止される前にはリード端子5aおよび制御リード端子5bがダイパッド7に対して連結された状態とし、封止後にリード加工によって互いを分離するようにしてもよい。ダイパッド7において、半導体チップ2が接合された側の反対側の面には絶縁板8セラミックス板に該当するが接合されている。絶縁板8はセラミックスにより形成されており、所定量以上の強度剛性、耐熱性、熱伝動性を有するとともに、熱膨張率が所定値よりも低いといった特性を有している。また、絶縁板8は所定の絶縁性を備えており、これに限定されるものではないが、例えば、AC3kV~4kVの絶縁耐圧を有している。本実施形態においては、ダイパッド7が半導体素子2に接合される以前に、ダイパッド7と絶縁板8とが予め接合されて一体とされ、導体回路付絶縁基板CSが形成されている。導体回路付絶縁基板CSに含まれる絶縁板8を形成する材料と、ダイパッド7を形成する材料との組み合わせとしては、絶縁板8を形成する材料を酸化アルミニウムAl2O3、アルミナとし、ダイパッド7を形成する材料をアルミニウム板とすることができる。または、絶縁板8を形成する材料を窒化アルミニウムAlNとし、ダイパッド7を形成する材料をアルミニウム板とすることができる。もしくは、絶縁板8を形成する材料を窒化ケイ素Si3N4とし、ダイパッド7を形成する材料を銅板とすることができるが、絶縁板8およびダイパッド7を形成する材料は、これらの組み合わせに限定されるものではない。窒化アルミニウムによる絶縁板8と、アルミニウム板によるダイパッド7とは、AlSi系ロウ材により互いに接合される。また、窒化ケイ素による絶縁板8と、銅板によるダイパッド7とは、AgCu系ロウ材により互いに接合される。しかしながら、絶縁板8とダイパッド7との接合方法は上述した方法に限定されるものではなく、双方に含まれる金属による共晶反応による接合方法、あるいは接着剤による接合方法によってもよい。図1に示したように、半導体チップ2、電極パッド3a、3b、裏面電極3c、金属ワイヤ4、リード端子5a、制御リード端子5b、ダイパッド7および絶縁板8は、エポキシ樹脂等の合成樹脂材料による樹脂筐体9封止体に該当するで覆われている。これにより、上述した各部材は樹脂筐体9内に封入されリード端子5aおよび制御リード端子5bについては、それぞれ一部が樹脂筐体9から突出している、水、異物等から保護される。半導体装置1は、樹脂筐体9によって封入された状態で、絶縁板8の下面ダイパッド7に接合された側と反対側の面が露出している。半導体装置1の下面には、サーマルグリス10を介してヒートシンク熱交換器11が接合されている。ヒートシンク11は、半導体装置1をその下端面において冷却している。次に、上述した半導体装置1の製造工程について簡単に説明する。最初に、ダイパッド7と絶縁板8とが予め接合されて形成された導体回路付絶縁基板CSの上面ダイパッド7側に、はんだボンディングにより半導体チップ2の裏面電極3cを接合するダイボンディング工程。次に、半導体チップ2の電極パッド3a、3bを、それぞれリード端子5aおよび制御リード端子5bに対し金属ワイヤ4によって接続するワイヤボンディング工程。最後に、半導体チップ2、リード端子5a、制御リード端子5bおよび導体回路付絶縁基板CSを覆うとともに、導体回路付絶縁基板CSの底面絶縁板8が露出するように、合成樹脂材料を充填して樹脂筐体9を形成し、半導体装置1を完成させる封止工程。本実施形態によれば、ダイパッド7に接合された絶縁板8が十分な機械的強度と絶縁耐圧を有しているため、半導体チップ2の裏面側を、ダイパッド7と、ダイパッド7に接合された絶縁板8とによる2層構造にすることができる。これにより、半導体チップ2からダイパッド7および絶縁板8を介した経路の熱抵抗を低減でき、半導体チップ2の冷却性を向上させることができる。また、半導体チップ2の裏面側を、ダイパッド7および絶縁板8による2層構造にしたことにより、半導体装置1を厚み方向に小型化することができる。また、セラミックス板により形成された絶縁板8は、十分な絶縁耐圧を有しているため、絶縁板8の下面に樹脂材料を封止する必要がなく、半導体チップ2の放熱性を向上できるとともに、半導体装置1を厚み方向にさらに小型化することができる。また、ダイパッド7は、半導体チップ2に接合される前に、予め絶縁板8に対して接合されていることにより、絶縁板8を半導体チップ2へ接続するダイボンディング工程および封止工程を容易に行うことができ、低コストの半導体装置1にすることができる。また、絶縁板8がアルミナにより形成され、ダイパッド7がアルミニウム板により形成された場合、軽量で機械的強度の大きい半導体装置1にすることができる。また、絶縁板8が窒化アルミニウムにより形成され、ダイパッド7がアルミニウム板により形成された場合、軽量で放熱性のよい半導体装置1にすることができる。また、絶縁板8が窒化ケイ素により形成され、ダイパッド7が銅板により形成された場合、耐熱性が高く放熱性のよい半導体装置1にすることができる。<実施形態2>次に、図2に基づき、本発明の実施形態2による半導体装置1Aについて説明する。実施形態1の場合と同様に、説明中において、図2における上方を半導体装置1Aの上方とし、下方を半導体装置1Aの下方とする。また、半導体チップ2の上方の面を半導体チップ2の表面とし、下方の面を半導体チップ2の裏面として説明する。本実施形態による半導体装置1Aにおいて、半導体チップ2よりも下方に配置された部材の構成は実施形態1による半導体装置1の場合と同様であるため、これらについての説明は省略する。半導体装置1Aにおいて、電極パッド3a、3bの上面には複数のインナリード12a、12bが接合されているワイヤレスボンディング。インナリード12a、12bは、例えば、銅材によって形成され、TAB、フリップチップ等の熱圧着により、それぞれ電極パッド3a、3b上に接合される。図2に示したように、各々のインナリード12a、12bは、熱圧着によってリード端子5aおよび制御リード端子5bに接合されている本実施形態において、インナリード12a、12b、リード端子5aおよび制御リード端子5bを包含した構成が導電部材に該当する。リード端子5aおよび制御リード端子5bは、実施形態1の半導体装置1に含まれるものと同様の部材である。一方のインナリード12aの電極パッド3aが接続された側の反対側上面には、はんだ6により導体回路付絶縁基板CS1が接合されている導体回路付絶縁基板CS1のうち、インナリード12aに接合されたダイパッド13が表側金属板に該当し、ダイパッド13に対し、インナリード12aが接合された側の反対側に接合された絶縁板14が表側セラミックス板に該当する。本実施形態における導体回路付絶縁基板CS1に含まれる絶縁板14とダイパッド13とをそれぞれ形成する材料の組み合わせ、それぞれの形状、絶縁板14とダイパッド13との接合方法およびその他の性質は、実施形態1における導体回路付絶縁基板CSのものと同様である。また、半導体チップ2の上方に配置された導体回路付絶縁基板CS1についても、ダイパッド13がインナリード12aに接合される以前に、ダイパッド13と絶縁板14とが予め接合されて一体に形成されている。図2に示したように、半導体チップ2、電極パッド3a、3b、裏面電極3c、リード端子5a、制御リード端子5b、インナリード12a、12bおよび導体回路付絶縁基板CS、CS1は、樹脂筐体9で覆われている。これにより、上述した各部材は樹脂筐体9内に封入されリード端子5aおよび制御リード端子5bについては、それぞれ一部が樹脂筐体9から突出している、水、異物等から保護される。半導体装置1Aは、樹脂筐体9によって封入された状態で、半導体チップ2の下方に配置された絶縁板8の下面と、半導体チップ2の上方に配置された絶縁板14の上面ダイパッド13に接合された側の反対側の面とが露出している。図2に示したように、半導体装置1Aの上面および下面には、サーマルグリス10を介してヒートシンク11がそれぞれ接合されている。ヒートシンク11は、半導体装置1Aをその上下端面において冷却している。本実施形態によれば、半導体チップ2の上方に配置された導体回路付絶縁基板CS1は、インナリード12aに対し下面が接合されたダイパッド13と、ダイパッド13に対し下面が接合された絶縁板14とを備え、絶縁板14は上面が樹脂筐体9から露出していることにより、半導体チップ2の表面側にも放熱構造を形成することができ、半導体装置1Aの冷却性をさらに向上することができる。<他の実施形態>本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、次のように変形または拡張することができる。ダイパッド7、13が半導体素子2またはインナリード12aに接合される以前に、ダイパッド7、13と絶縁板8、14とが予め接合されていなければならないわけではなく、ダイパッド7、13が半導体素子2またはインナリード12aに接合された後に、ダイパッド7、13と絶縁板8、14とを接合するようにしてもよい。