"支持体と、前記支持体の外縁より内側に積層され、入射する放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層から放出された光を電荷に変換すると共に、前記支持体と線膨張係数が異なり、前記シンチレータ層へ貼着されて前記支持体との間に隙間を形成する光検出基板と、前記隙間に充填されて前記シンチレータ層の側面を覆う弾性体の膜であり、前記膜における中央部の膜厚が前記支持体側の端部及び前記光検出基板側の端部の膜厚より薄い封止膜と、を備える放射線検出器。前記シンチレータ層の側面と前記封止膜との間には、第1保護膜が設けられている、請求項1に記載の放射線検出器。前記シンチレータ層は、柱状構造であり、前記支持体は、第2保護膜で全面が覆われている、請求項2に記載の放射線検出器。前記封止膜の外周面は、凹状である、請求項1~請求項3の何れか1項に記載の放射線検出器。前記シンチレータ層と前記封止膜との間には、チューブが配置されている、請求項1~請求項3の何れか1項に記載の放射線検出器。前記シンチレータ層と前記封止膜との間には、空気層が形成されている、請求項1~請求項3の何れか1項に記載の放射線検出器。前記封止膜が硬化した後の前記弾性体のヤング率は、0.1MPa以上100MPa以下である、請求項3に記載の放射線検出器。しかしながら、特許文献1では、放射線検出器を構成する光検出基板がガラスで構成され、支持体がガラスとアルミニウムで構成されているので、光検出基板と支持体との線膨張係数熱膨張率が互いに異なることになる。このため、電子カセッテ内部の温度変化により熱膨張して光検出基板及び支持体が面外方向へ反ってしまう。特に、特許文献1には記載のないものの、支持体全体をアルミニウムで構成すると、上記支持体の反りは顕著となる。そして、この反りに対して封止膜が追従できないと、封止膜が剥がれて防湿性が劣化するという問題が生じる。また、特許文献1には記載がないものの、アルミニウム等で構成された支持体がシンチレータ層の構成材料によって侵食することを防ぐために、支持体を保護層で覆う場合もあるが、この場合、上記支持体の反りによって、封止膜と密着する支持体の保護膜が剥がれて防湿性が劣化するという問題が生じる。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、シンチレータ層に対する防湿性を維持できる放射線検出器を提供することを目的とする。本発明の第1態様に係る放射線検出器は、支持体と、前記支持体の外縁より内側に積層され、入射する放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層から放出された光を電荷に変換すると共に、前記支持体と線膨張係数が異なり、前記シンチレータ層へ貼着されて前記支持体との間に隙間を形成する光検出基板と、前記隙間に充填されて前記シンチレータ層の側面を覆う弾性体の膜であり、前記膜における中央部の膜厚が前記支持体側の端部及び前記光検出基板側の端部の膜厚より薄い封止膜と、を備える。なお、封止膜は、シンチレータ層の側面全部を覆う場合だけでなく、側面一部を覆う場合も含む。この構成によれば、支持体と光検出基板の線膨張係数が異なることで温度変化により支持体と光検出基板が熱膨張して面外方向に反っても、封止膜の中央部の膜厚が支持体側の端部及び光検出基板側の端部の膜厚より薄いので、薄くない場合に比べて、封止膜が弾性変形し易くなり、支持体と光検出基板の反りに追従することができる。また、封止膜における支持体側の端部及び光検出基板側の端部の膜厚は、封止膜における中央部の膜厚よりも厚いので、支持体及び光検出基板と封止膜との密着面積が大きくなり、もって密着力を十分に確保できる。これにより、封止膜が剥離又は封止膜と密着した他の部材が剥離する等してシンチレータ層の側面の全部又は一部が外部に露出すること抑制でき、もってシンチレータ層に対する防湿性を維持することが可能となる。本発明の第2態様に係る放射線検出器では、第1態様において、前記シンチレータ層の側面と前記封止膜との間に、第1保護膜が設けられている。この構成によれば、シンチレータ層に対する防湿性を高めることができる。本発明の第3態様に係る放射線検出器では、第2態様において、前記シンチレータ層は、柱状構造であり、前記支持体は、第2保護膜で全面が覆われている。この構成によれば、支持体の全面が第2保護膜で覆われているため、シンチレータ層を形成する際に支持体が侵食しない。ここで、第2保護膜には封止膜が密着することになるが、封止膜は支持体と光検出基板の反りに追従し引っ張り力が伝達されにくいので、第2保護膜が支持体から剥離しない。本発明の第4態様に係る放射線検出器では、第1態様~第3態様のいずれか1つの態様において、前記封止膜の外周面は、凹状である。この構成によれば、封止膜が周方向外側に弾性変形し易い。本発明の第5態様に係る放射線検出器では、第1態様~第3態様のいずれか1つの態様において、前記シンチレータ層と前記封止膜との間に、チューブが配置されている。このように、シンチレータ層と封止膜との間にチューブが配置されると、シンチレータ層の側面と封止膜との密着面積が小さくなり、封止膜が容易に変形可能となる。本発明の第6態様に係る放射線検出器は、第1態様~第3態様のいずれか1つの態様において、前記シンチレータ層と前記封止膜との間には、空気層が形成されている。このように、シンチレータ層と封止膜との間に空気層が形成されていると、封止膜とシンチレータ層の側面との密着面積が小さくなり、封止膜が容易に変形可能となる。本発明の第7態様に係る放射線検出器では、第3態様において、前記封止膜が硬化した後の弾性体のヤング率が、0.1MPa以上100MPa以下である。この構成によれば、熱膨張によって支持体と光検出基板が反る際に、第1保護膜又は第2保護膜が剥離することを確実に防止できる。本発明によれば、シンチレータ層に対する防湿性を維持できる放射線検出器を提供することができる。第1実施形態以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器について具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材構成要素には同じ符号を付して適宜説明を省略する。-放射線画像撮影装置の全体構成-まず、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器を内蔵した放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの構成を説明する。電子カセッテは、可搬性を有し、被写体を透過した放射線源からの放射線を検出し、その検出した放射線により表わされる放射線画像の画像情報を生成し、その生成した画像情報を記憶可能な放射線画像撮影装置であり、具体的には以下に示すように構成されている。なお、電子カセッテは、生成した画像情報を記憶しない構成であっても良い。図1は、放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。電子カセッテ10は、放射線画像の撮影時において、放射線Xを発生させる放射線源としての放射線発生部12と間隔を空けて配置される。このときの放射線発生部12と電子カセッテ10との間は、被写体としての患者14が位置するための撮影位置とされており、放射線画像の撮影が指示されると、放射線発生部12は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Xを射出する。放射線発生部12から射出された放射線Xは、撮影位置に位置している患者14を透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ10に照射される。図2は、電子カセッテ10の内部構造を示す概略斜視図である。電子カセッテ10は、放射線Xを透過させる材料から成り、所定の厚みを有する平板状の筐体16を備えている。そして、この筐体16の内部に、放射線Xが照射される筐体16の照射面18側から、患者14を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、及び当該放射線検出器20を制御する制御基板22が順に設けられている。図3は、電子カセッテ10の回路図を示す図である。放射線検出器20は、上部電極と半導体層と下部電極を備え、光を受けて電荷を蓄積するセンサ部24と、センサ部24に蓄積された電荷を読み出すためのTFTThinFilmTransistorスイッチ26と、を含んで構成される画素28が2次元状に多数設けられた光検出基板30を備えているまた、光検出基板30には、前述したTFTスイッチ26をON/OFFするための複数の走査配線32と、センサ部24に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線34と、が互いに交差して設けられている。本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20では、光検出基板30の表面にシンチレータ層36が貼り付けられている。シンチレータ層36は、照射されたX線などの放射線Xを光に変換する。センサ部24は、シンチレータ層36から照射された光を受けて電荷を蓄積する。そして、各信号配線34には、信号配線34に接続された何れかのTFTスイッチ26がONされることによりセンサ部24に蓄積された電荷量に応じて放射線画像を示す電気信号画像信号が流れるようになっている。また、放射線検出器20の信号配線34方向の一端側には、結線用のコネクタ38が複数個並んで設けられ、走査配線32方向の一端側には、コネクタ40が複数個並んで設けられている。そして、各信号配線34はコネクタ38に接続され、各走査配線32はコネクタ40に接続されている。これらコネクタ38には、フレキシブルケーブル42の一端が電気的に接続されている。また、コネクタ40には、フレキシブルケーブル44の一端が電気的に接続されている。そして、これらフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44は、制御基板22に結合されている。この制御基板22には、放射線検出器20による撮影動作の制御、及び各信号配線34に流れる電気信号に対する信号処理の制御を行う制御部46が設けられ、制御部46は、信号検出回路48と、スキャン信号制御回路50と、を備えている。信号検出回路48には、複数個のコネクタ52が設けられており、これらのコネクタ52に、上述したフレキシブルケーブル42の他端が電気的に接続されている。信号検出回路48は、信号配線34毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。この構成により、信号検出回路48は、各信号配線34より入力される電気信号を増幅回路により増幅して検出することで、画像を構成する各画素28の情報として、各センサ部24に蓄積された電荷量を検出する。一方、スキャン信号制御回路50には、複数個のコネクタ54が設けられており、これらのコネクタ54に、上述したフレキシブルケーブル44の他端が電気的に接続されており、スキャン信号制御回路50が各走査配線32にTFTスイッチ26をON/OFFするための制御信号を出力可能とされている。このような構成において放射線画像の撮影を行う場合、放射線検出器20には患者14を透過した放射線Xが照射される。照射された放射線Xはシンチレータ層36で光に変換され、センサ部24に照射される。センサ部24は、シンチレータ層36から照射された光を受けて電荷を蓄積する。画像読出時には、スキャン信号制御回路50から放射線検出器20のTFTスイッチ26のゲート電極に走査配線32を介して順次ON信号10~20Vが印加される。これにより、放射線検出器20のTFTスイッチ26が順次ONされることによりセンサ部24に蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線34に流れ出す。信号検出回路48は、放射線検出器20の信号配線34に流れ出した電気信号に基づいて各センサ部24に蓄積された電荷量を、画像を構成する各画素28の情報として検出する。これにより、放射線検出器20に照射された放射線により示される画像を示す画像情報を得る。-電子カセッテ10の構成-次に、電子カセッテ10の構成についてより具体的に説明する。図4は、電子カセッテ10の断面構成を示した断面図である。同図に示すように、電子カセッテ10は、その筐体16内部に、放射線Xが照射される照射面18の逆側から順に、上述の制御基板22と、基台56と、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20と、を内蔵している。基台56は、筐体16内部の底面上に、支持脚58を介して載置されている。そして、この基台56の下面に制御基板22が固定されている。この制御基板22には、上述のフレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44を介して、放射線検出器20が連結されている。なお、以下、実施形態で上とは、説明の都合上、制御基板22側から放射線検出器20側の方向であり、下とは放射線検出器20側から制御基板22側の方向を指すものとするが、これらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。基台56の上面には、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20が載置されている。本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20は、矩形平板状とされ、上述のように被写体を透過した放射線Xにより現される放射線画像を検出するものであり、本実施形態では、さらに放射線検出器20内部の温度変化により熱膨張して面外方向Zへ反るものである。放射線検出器20は、フレキシブルケーブル42及びフレキシブルケーブル44の他端に接続された光検出基板30と、光検出基板30に貼り合わされたシンチレータ層36と、筐体16の天板と対向するシンチレータ層36の蒸着用基板60と、を主に備えている。以下、この放射線検出器20の各構成について具体的に説明する。-放射線検出器20の構成-図5は、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の断面構成を示した断面図である。光検出基板30は、基台56の上面に載置され、上述のTFTスイッチ26とセンサ部24とが基板上に形成されて構成されたものである。光検出基板30の基板材料としては、蒸着用基板60と熱膨張率が相違するものであれば、特に限定されないが、例えばYSZジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料の他、飽和ポリエステル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン、架橋フマル酸ジエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、アリルジグリコールカーボネート、環状ポリオレフィン樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、マレイミド-オレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂フィルム、ポリベンズアゾール系樹脂、エピスルフィド化合物、液晶ポリマー、シアネート系樹脂、芳香族エーテル系樹脂などの有機材料などが挙げられる。その他にも酸化ケイ素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子無機酸化物ナノ粒子無機窒化物ナノ粒子などとの複合プラスチック材料、金属系無機系のナノファイバー及び/又はマイクロファイバーとの複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレークガラスファイバーガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも1回の接合界面を有する積層プラスチック材料や無機層例えばSiO2Al2O3SiOxNyと上述した材料からなる有機層を交互に積層することで、少なくとも1回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属積層材料、アルミニウム基板、あるいは表面に酸化処理例えば、陽極酸化処理を施すことで表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板を使用することもできる。前記有機材料の場合、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。また、光検出基板30の基板材料としては、バイオナノファイバも用いることができる。バイオナノファイバは、バクテリアが産出するセルロースミクロフィブリル束バクテリアセルロースと透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を60-70も含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数3-7ppmを有し、鋼鉄並の強度、高弾性で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く光検出基板30を形成できる。この光検出基板30の上面には、シンチレータ層36と貼り合せるための粘着層70が設けられている。粘着層70に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、2-エチルヘキシルアクリレート、n-ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度Tgや架橋密度を変えることができる。この粘着層70の上面にあるシンチレータ層36は、蒸着用基板60の外縁より内側に積層され、同様に、光検出基板30の外縁より内側に配置されている。これにより、光検出基板30と蒸着用基板60との間に隙間72が形成される。またシンチレータ層36は、柱状構造とされており、内部に不図示の空間が形成されている。従って、シンチレータ層36の熱膨張率が光検出基板30や蒸着用基板60と異なっていても、温度変化によるシンチレータ層36の熱膨張は、光検出基板30や蒸着用基板に比べて無視できる程度となるので、本第1実施形態では、光検出基板30や蒸着用基板60の熱膨張率の相違のみ言及している。シンチレータ層36の柱状構造は、複数の柱状結晶体からなり、光検出基板30と対向する柱状結晶領域36Aと、複数の非柱状結晶体からなり、柱状結晶領域36Aと連続し、蒸着用基板60と対向する非柱状結晶領域36Bとから構成されている。無論、シンチレータ層36は、複数の柱状結晶体のみから構成されていてもよい。シンチレータ層36の材料としては、例えば、潮解性のあるCsI:Tl、CsI:Naナトリウム賦活ヨウ化セシウム、及びCsBr等が挙げられ、シンチレータ層36は、これらの材料から選ばれる少なくとも1つの材料から構成される。このような潮解性のある材料でシンチレータ層36を構成すると、防湿性が必要となる。そこで、本発明の第1実施形態では、シンチレータ層36の側面及び粘着層70側の面下面が、防湿性のある第1保護膜74で覆われている。この第1保護膜74は、大気中の水分に対してバリア性を有する材料が用いられ、材料として、熱CVD法又はプラズマCVD法等の気相重合で得られる有機膜が用いられる。また、光検出基板30と蒸着用基板60の反りに追従するという観点から弾性変形するものであることが好ましい。有機膜としては、例えばポリパラキシリレン製樹脂の熱CVD法によって形成された気相重合膜、または含フッ素化合物不飽和炭化水素モノマーのプラズマ重合膜が用いられる。また、有機膜と無機膜の積層構造を用いることも出来、無機膜の材料としては、例えば、窒化珪素SiNx膜、酸化珪素SiOx膜、酸窒化珪素SiOxNy膜又はAl2O3等が好適である。シンチレータ層36の上面には、シンチレータ層36を気相堆積法により形成蒸着する際に使用した蒸着用基板60が設けられている。本第1実施形態では、この蒸着用基板60が放射線Xの照射面とされている。蒸着用基板60の材料としては、例えばX線透過率が良く及びコストが安いという観点からアルミニウムが使用されることが好ましい。しかしながら、蒸着用基板60をアルミニウム等の塩で侵食する材料で構成すると、潮解性のあるCsI等からなるシンチレータ層36を蒸着する際に侵食が進み、シンチレータ層36を確実に形成できない虞がある。したがって、この蒸着用基板60には、上述の第1保護膜74と同様の材料からなる第2保護膜76で全面が覆われている。また、第1保護膜74と同様、第2保護膜76も弾性体であることが好ましい。ここで、本第1実施形態では、シンチレータ層36に対する防湿性を高めるために、第1保護膜74及び第2保護膜76だけでなく、封止膜78も設けられている。具体的には、封止膜78は、隙間72に充填されてシンチレータ層36厳密には第1保護膜74の側面を全て覆い、中央部78Aの膜厚が蒸着用基板60側の端部78B及び光検出基板30側の端部78Cの膜厚より薄い弾性体の膜である。図5では、封止膜78の形状は、周方向外側に弾性変形し易く、製造が容易という観点から、外周面が凹状とされており、より具体的には封止膜78の中心Oを境目として蒸着用基板60側及び光検出基板30側に向けて封止膜78の膜厚が曲線的に増加する形状とされている。封止膜78の外周面を凹状とするには、例えばディスペンサーで塗布すること等が挙げられる。封止膜78における中央部78A及び封止膜78における蒸着用基板60側の端部78B及び光検出基板30側の端部78Cの膜厚については、薄い厚いという関係があれば、具体値は特に限定されないが、例えばアルミニウムで構成された蒸着用基板60の厚みが500μmであって、CsIで構成されたシンチレータ層36の厚みが600μmであり、粘着層70の厚みが15μmであり、光検出基板30の厚みが700μmであるとき、封止膜78の中央部78Aにおける特に中心Oの膜厚膜厚の最小値を示すは例えば300μmであり、封止膜78における蒸着用基板60側の側端及び光検出基板30側の側端の膜厚封止膜78の端部における最も外側に位置する側端の膜厚であり、膜厚の最大値を示すは500μmである。また、封止膜78は、隙間72に充填されることで、第1保護膜74、第2保護膜76及び光検出基板30のそれぞれに密着結合している。封止膜78の材料は、弾性体の材料であれば、特に限定されないが、粘着性のあるものが好ましく、例えばアクリル樹脂やシリコン樹脂を用いることができる。また、封止膜78が硬化した後の弾性体のヤング率は、封止膜78と密着する第1保護膜74や第2保護膜76の剥離を抑制できるという観点から、0.1MPa以上100MPa以下であることが好ましく、0.1MPa以上3MPa以下であることがより好ましい。-作用-次に、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の作用について説明する。図6は、本発明の第1実施形態に係る放射線検出器20の作用についての説明図であって、図6Aは熱膨張前の放射線検出器20の状態図であり、図6Bは熱膨張後の放射線検出器20の状態図である。図6A及び図6Bに示すように、放射線検出器20を構成する蒸着用基板60と光検出基板30の線膨張係数が互いに異なることで、電子カセッテ10の温度変化によりこれらの基板が熱膨張して面外方向Zに反る場合がある。しかしながら、このような場合でも、本発明の第1実施形態の放射線検出器20によれば、封止膜78における中央部78Aの膜厚が蒸着用基板60側の端部78B及び光検出基板30側の端部78Cの膜厚より薄いので、薄くない場合に比べて、封止膜78が弾性変形し易くなり、熱膨張による蒸着用基板60と光検出基板30の反りに追従することができる。また、蒸着用基板60側の端部78B及び光検出基板30側の端部78Cの膜厚は、中央部78Aの膜厚よりも厚いので、蒸着用基板60側及び光検出基板30と封止膜78との密着面積が大きくなり、もって密着力を十分に確保できる。これにより、封止膜78が剥離又は封止膜78に密着された他の部材例えば第1保護膜74や第2保護膜76が剥離する等してシンチレータ層36の側面の全部又は一部が外部に露出することを抑制でき、もってシンチレータ層36に対する防湿性を維持することが可能となる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器について説明する。図7は、本発明の第2実施形態に係る放射線検出器100の断面構成を示した断面図である。本発明の第2実施形態に係る放射線検出器100は、上述した第1実施形態の構成と同様であるが、封止膜102の形状が異なる。具体的には、第1実施形態の封止膜78の形状は、外周面が凹状とされていたが、第2実施形態の封止膜102の形状は、外周面が凸状とされている。ただし、この場合であっても、封止膜102は、中央部78Aの膜厚が蒸着用基板60側の端部78B及び光検出基板30側の端部78Cの膜厚より薄くされている。以上の封止膜102の形状及び膜厚を実現するために、シンチレータ層36と封止膜102との間には、シリコン等で構成された弾性体のチューブ104が配置されている。なお、封止膜102の弾性変形の邪魔とならないように、チューブ104のヤング率は、封止膜102のヤング率よりも低い方が好ましい。チューブ104の大きさは、特に限定されないが、例えば外径が500μmであり、内径が400μmである。このように、シンチレータ層36と封止膜102との間にチューブ104が配置されると、シンチレータ層36の側面と封止膜102との密着面積が小さくなり、封止膜102が容易に変形可能となる。また、チューブ104も弾性体であるので、封止膜102と同様、熱膨張による蒸着用基板60と光検出基板30の反りに追従することができる。変形例なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わせて実施可能である。また、以下の変形例を、適宜、組み合わせてもよい。例えば、第1実施形態においてシンチレータ層36は、柱状構造である場合を説明したが、シンチレータ層36が線膨張係数の異なる2部材によって挟まれている場合であれば、柱状構造でなくてもよい。また、第1実施形態においてシンチレータ層36は、潮解性のある材料で構成される場合を説明したが、シンチレータ層36に対して防湿性が必要となる場合でれば、潮解性のある材料で構成されていなくてもよい。また、第1保護膜74と第2保護膜76は、省略することもできる。また、第1実施形態において封止膜78は、シンチレータ層36の全ての側面を覆う場合を説明したが、封止膜78で少なくともシンチレータ層36の一部の側面を覆うようにし、他の側面は形状が通常例えば面内方向の膜厚が面外方向Zの中央部78Aと両端部78B,78Cで同じの封止膜で覆われるようにしてもよい。また、封止膜78の膜厚の最小値を示す箇所は、封止膜78の中央部78Aにおいて特に封止膜78の中心Oが示す場合を説明したが、図9に示すように、封止膜78の膜厚の最小値を示す箇所Nは、封止膜78の中央部78Aにおいて特に中心Oから蒸着用基板60側又は光検出基板30側にずれていてもよい。また、図5では封止膜78の中心Oを境目として蒸着用基板60側及び光検出基板30側に向けて封止膜78の膜厚が曲線的に増加する形状とされている場合を説明したが、図9に示すように、例えば中心Oを境目として蒸着用基板60側及び光検出基板30側に向けて封止膜78の膜厚が直線的に増加する形状とされていてもよい。また、第2実施形態においてシンチレータ層36と封止膜102との間には、シリコン等で構成された弾性体のチューブ104が配置されている場合を説明したが、図10に示すように、製造時の工夫によってチューブ104の代わりにシンチレータ層36と封止膜102との間に空気層200を配置することができれば、チューブ104を省略することができる。また、第1~第2実施形態では、蒸着用基板60側が放射線Xの照射面となる、所謂表面照射型の電子カセッテ10である場合を説明したが、光検出基板30側が放射線Xの照射面となる、所謂裏面照射型の電子カセッテ10であってもよい。また、第1実施形態では、筐体16の内部には、放射線Xが照射される筐体16の照射面18側から、患者14を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、及び制御基板22が順に設けられている場合を説明したが、放射線Xが照射される照射面18側から順に、患者14を透過することに伴って生ずる放射線Xの散乱線を除去するグリッド、放射線検出器20、及び放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板が収容されていてもよい。また、第1実施形態では、筐体16の形状が矩形平板状である場合を説明したが、特に限定されるものではなく、例えば正面視が正方形や円形になるようにしてもよい。また、第1実施形態では、制御基板22を1つで形成した場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、制御基板22が機能毎に複数に分かれていてもよい。さらに、制御基板22を、放射線検出器20と垂直方向筐体16の厚み方向に並んで配置する場合を説明したが、放射線検出器20と水平方向に並んで配置するようにしてもよい。また、放射線Xは、X線だけに限られず、α線,β線,γ線,電子線又は紫外線等であってもよい。また、放射線画像撮影装置10が可搬性のある電子カセッテである場合を説明したが、放射線画像撮影装置は、可搬性のない大型の放射線画像撮影装置であってもよい。次に、本発明の実施例に係る放射線検出器について説明する。本実施例においては、第1実施形態で説明した図5に示す放射線検出器20を封止膜78のヤング率を変更しつつ5つ作製した。ここで、作製した各放射線検出器20において、蒸着用基板60はアルミニウムで構成し、その厚みを500μmとした。また、シンチレータ層36はCsIで構成し、その厚みを600μmとした。粘着層70の厚みは15μmとした。第1保護膜74はパリレンパラキシリレン樹脂で構成し、その厚みを20μmとした。また、第2保護膜76は第1保護膜74と同様パリレンパラキシリレン樹脂で構成し、その厚みを10μmとした。光検出基板30はフォトダイオードを備えた無アルカリガラス製のTFT基板で構成し、その厚みを700μmとした。封止膜78はそれぞれ、アクリル樹脂としてのTB3017B株式会社スリーボンド、ヤング率2.4MPa、U471Bケミテック株式会社、ヤング率0.4MPa、A1656C株式会社テスク、ヤング率1.3MPa、シリコン樹脂としてのKE347株式会社信越化学工業株式会社、ヤング率0.7MPa、エポキシ樹脂としてのTB2088E株式会社スリーボンド、ヤング率約625MPaで構成した。さらに各封止膜78の中心Oの膜厚を300μmとし、蒸着用基板60の側端及び光検出基板30の側端の膜厚は500μmとした。なお、封止膜78は、上述した材料をディスペンサーで塗布することにより形成した。以上の構成において、各放射線検出器20を50°Cの環境下で16時間放置した後の、封止膜78のヤング率と第2保護膜76の剥離性能との関係を対数グラフにして図11に示す。剥離結果から、0.1MPa以上3MPa以下の間では、第2保護膜76の剥離が生じないことが確認できた。ただし、この剥離結果は上記条件下における一例に過ぎず、本発明の封止膜のヤング率が0.1MPa以上3MPa以下に限られるものではない。"